被支持基板に貼着されて該被支持基板を支持するサポート基板であって、前記被支持基板に貼着される貼着面を有するサポート基板本体と、前記サポート基板本体の表面のうち少なくとも貼着面の反対側の面上に形成された、フッ素ドープ酸化スズを主体とする導電膜と、を有するサポート基板。前記サポート基板本体の全面が、前記導電膜で被覆されている請求項1記載のサポート基板。前記導電膜の厚みは、5nm~2μmである請求項1又は2記載のサポート基板。前記サポート基板本体の端面の曲率半径Rは50~800μmである請求項1ないし3のいずれか1項記載のサポート基板。前記導電膜のシート抵抗は、100kΩ/□以下である請求項1ないし4のいずれか1項記載のサポート基板。導電性を有する膜として、例えばスズドープ酸化インジウムからなる導電膜以下、ITO膜と示す。が用いられている。しかしながら、ITO膜は、薬品等に対する耐久性が低く、膜の劣化が生じ易い。膜の劣化が進行すると、サポート基板本体の周縁部がエッチングされてサポート基板本体と膜との間に隙間が生じ、半導体基板を安定して支持できなくなるおそれがある。また、サポート基板を再利用する際に、表面洗浄に用いる薬品により膜の劣化が生じると、サポート基板本体に膜を再度形成することが必要となり、効率的なリサイクルの妨げとなるおそれがある。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、静電チャックによる吸着保持を可能として、研削等される被支持基板の熱による損傷を抑制でき、また耐久性に優れたサポート基板の提供を目的とする。すなわち、本発明のサポート基板は、被支持基板に貼着されて該被支持基板を支持するサポート基板であって、前記被支持基板に貼着される貼着面を有するサポート基板本体と、前記サポート基板本体の表面のうち少なくとも貼着面と反対側の面上に形成された、フッ素ドープ酸化スズを主体とする導電膜と、を有する。また、前記サポート基板は、前記サポート基板本体の全面が、前記導電膜で被覆されていることが好ましい。また、前記導電膜の厚みは、5nm~2μmであることが好ましい。また、前記サポート基板本体の端面の曲率半径Rは50~800μmであることが好ましい。また、前記導電膜のシート抵抗は、100kΩ/□以下であることが好ましい。本発明によれば、サポート基板本体の表面に、フッ素ドープ酸化スズを主体とする導電膜を設けることで、研削機械等への静電チャックによる吸着保持が可能となり、研削、エッチング等される被支持基板の熱による損傷を抑制でき、また、耐久性に優れたサポート基板とできる。以下、本発明について詳細に説明する。本発明は、被支持基板に貼着されてこの被支持基板を支持するサポート基板であって、前記被支持基板に貼着される貼着面を有するサポート基板本体と、前記サポート基板本体の表面のうち少なくとも貼着面の反対面上に形成された、フッ素ドープ酸化スズ以下、FTOと示す。を主体とする導電膜と、を有する。本発明によれば、前記サポート基板本体の表面のうち少なくとも貼着面の反対面上に、FTOを主体とする導電膜を形成することにより、研削機械等に対し静電チャックによる吸着保持が可能となる。このため、研削処理、ドライエッチング処理等に伴って生じる熱による、被支持基板の損傷を抑制できる。また、FTOを主体とする導電膜を形成することで、耐久性が高められ、リサイクル性能が向上できる。図1は、本発明のサポート基板の一例を示す断面図であり、図2は、本発明のサポート基板と、このサポート基板によって支持される半導体ウェハとを貼り合わせた状態を示す断面図である。サポート基板1は、略平板状のサポート基板本体2を有している。サポート基板本体2は、一方の主面が、半導体ウェハ等の被支持基板以下、半導体ウェハと示す。4に貼着される貼着面2aとされている。また、貼着面2aの他方の主面は、研削工程等において、基板支持台11図9参照。に保持される保持面2bとされており、この保持面2b一帯を被覆するように、導電膜3が設けられている。サポート基板1は、例えば図2で示すように、貼着面2a上に、接着剤6を用いて、半導体ウェハ4のデバイス形成面4aを貼着することで、半導体ウェハ4を支持するようにされている。導電膜3は、サポート基板1の静電チャックによる吸着支持を可能とするためのものであり、FTOを主体として構成されている。なお、導電膜3は、FTO単独で形成されるものに限定されず、例えばFTOからなる膜とサポート基板1との密着性を向上させるための中間層又は中間膜等に相当するものを含んでいてもよい。導電膜3の厚みは5nm以上が好ましく、50nm以上がより好ましく、100nm以上がさらに好ましい。2μm以下が好ましく、1μm以下が特に好ましい。導電膜3の厚みが5nm未満であると、静電吸着の効果を十分に得られないおそれがあり、また、十分な耐久性を得られないおそれがある。一方、導電膜3の厚みが2μmを超えると、膜形成に要する時間が増大し、生産性が低下するおそれがある。導電膜3のシート抵抗は、100kΩ/□以下が好ましい。10kΩ/□以下がより好ましい。1000Ω/□以下であることがもっとも好ましい。導電膜3のシート抵抗が100kΩ/□を超えると、静電吸着の効果を十分に得られず、静電チャックによって吸着保持されないおそれがある。サポート基板本体2の材質としては、研削、エッチング等される半導体ウェハ4を支持できる強度を有するものであれば特に限定されないが、例えばガラス、金属、セラミックス、シリコン等を使用できる。この中でも、特に光透過性の観点から、ガラスが好適に用いられる。また、サポート基板本体2は、例えば図3に示すように、その周縁部の端面2Sが円弧上に形成されていることがよく、この端面2Sの曲率半径Rが50~800μmであることが好ましい。サポート基板本体2の周縁部の端面2Sの曲率半径Rが50μm未満であると、例えば導電膜3を、サポート基板本体2の保持面2bと併せて側面2c、2d等にも設ける場合、導電膜3を均一な厚みに形成できないおそれがある。一方、サポート基板本体2の周縁部の端面2Sの曲率半径Rが800μmを超えると、周縁部の機械的強度が低下するおそれがある。サポート基板本体2の厚みは、特に限定されないが、半導体ウェハ4を安定して支持する観点からは、300~1000μmであることが好ましい。サポート基板本体2の厚みが300μm未満であると、ハンドリング性に劣り、耐久性の低下などにより、サポート基板としての歩留まりが低下するおそれがある。一方、サポート基板本体2の厚みが1000μmを超えたときは、生産コストが過度に高くなり、原価面で不利となるおそれがある。サポート基板1は、半導体ウェハ4を支持できるものであれば、円盤形、正方形などの矩形、又は多角形など、その形状は特に限定されないが、半導体ウェハ4の全面を安定して支持する観点からは、半導体ウェハ4と同一の形状であることが好ましい。半導体ウェハ4は、通常円盤形に形成されるため、例えば図4で示すように、サポート基板1の形状も、円盤形が好ましい。サポート基板1の大きさは特に限定されないが、半導体ウェハ4を安定して保持する観点からは、半導体ウェハ4と同一の大きさであるか、または半導体ウェハ4の外形より0.1~0.5mm程度大きいことが好ましい。図1では、導電膜3を、サポート基板本体2の表面のうち、保持面2bのみに形成したサポート基板1を示したが、導電膜3は、保持面2bだけでなく、サポート基板本体2の側面2c、2d又は貼着面2aにも形成されていることが好ましく、サポート基板1の耐久性を向上させる観点からは、サポート基板本体2の全面図5参照。に導電膜3が形成されていることがよい。導電膜3を構成するFTOは、耐酸性に優れるため、サポート基板本体2が例えばガラスを主体として構成されている場合でも、FTOを主体とする導電膜3でサポート基板本体2の全面を被覆することにより図5参照。、フッ化水素等の強酸性の薬剤による腐食の進行を抑制でき、サポート基板1の耐久性を向上できる。以上、本発明のサポート基板1について一例を挙げて説明したが、本発明の趣旨に反しない限度において、また、必要に応じて適宜変更できる。本発明のサポート基板1は、導電膜3の原料物質を、例えばスプレー熱分解法SPD法、化学的気相成長法CVD法、Dip法、スパッタリング法、ゾルゲル法、パイロゾル法等により、上述したサポート基板本体2の保持面2bに成膜できる。この中でもSPD法は、均一な厚みを有する導電膜3を、低いコストで形成できるため好ましい。SPD法は、出発原料溶液を加熱された基材上に噴霧し、基材上で熱分解反応を起こして生成される酸化物を基材表面に成長させる薄膜形成方法の一種であり、減圧雰囲気が不要であり、装置構成が簡易なため、製造コストを抑制できる。導電膜3の形成にSPD法を用いる場合には、出発原料としての塩化スズ水和物のエタノール溶液とフッ化アンモニウム水溶液とを混合した混合溶液を、噴霧器によってサポート基板本体2の貼着面2aに噴霧することで導電膜3を形成できる。SPD法により導電膜3を形成する場合、例えば原料溶液濃度、原料溶液の噴霧圧力、噴霧時の流速、サポート基板本体の温度等の条件は、適宜選択できる。このようにして得られたサポート基板1は、例えば図7、8に示すように、半導体ウェハ4のデバイス形成面4a図6参照。と、サポート基板本体2の貼着面2aとを対面させ、貼着面2aとデバイス形成面4aとを接着剤等によって貼着し、一体化して使用できる。サポート基板1と一体化された半導体ウェハ4は、例えば図9で示すように、サポート基板1の導電膜3を、研削装置10の基板支持台11で保持して設置できる。これにより、デバイス形成面4aと反対側の露出面4bが、研削砥石12と対峙して研削される。なお、接着剤としては、アクリル系、エステル系、ウレタン系、エポキシ系、シリコーン系等の樹脂材料を使用できる。本発明のサポート基板1は、FTOを主体とする導電膜3を、保持面2b上に設けているため、例えば図10に示すような静電チャック保持台20によって吸着支持できる。具体的には、吸着電源24から、電極22、23に対して吸着用の電圧を印加して、絶縁体21上の導電膜3と電極22、23との間に正、負の電荷を生じさせ、この間に働く静電力によって、サポート基板1が絶縁体21上に吸着保持される。本発明のサポート基板によれば、導電膜3により、静電チャックによる吸着保持が可能となり、絶縁体21と支持基板が密着することにより、装置本来の冷却機能を十分に発揮させることができる。それにより、研削処理やドライエッチング処理される被支持基板4の過度な温度上昇を抑制できるため、被支持基板4の熱による損傷を抑制できる。また、導電膜3を、FTOを主体とする膜で形成することで、導電膜3の耐久性が高められるため、導電膜3を設けたまま表面洗浄を行っても、薬剤による腐食の進行が少なく、リサイクル性能が向上されたサポート基板ができる。なお、上述したサポート基板1の製造方法では、各部の形成順序等についても、サポート基板1の製造が可能な限度において適宜変更できる。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。実施例1まず、FTOからなる導電膜以下、FTO膜と示す。用原料溶液を調製した。すなわち、塩化スズIV五水和物をエタノールに溶解させ、この溶液にフッ化アンモニウム飽和水溶液を加えた混合物を、超音波洗浄機にかけて完全に溶解させて、FTO膜用原料溶液を得た。ガラス基板直径150mm、厚み0.7mmの一方の主面を液体洗浄し、乾燥させた後、このガラス基板を噴霧器内に設置し、ヒーターにより500°Cになるまで加熱した。このガラス基板の液体洗浄した面に対し、FTO膜用原料溶液を噴霧器のノズルから所定時間噴霧して、ガラス基板の一方の主面上に、厚さ200nmのFTO膜を形成し、サポート基板1を製造した。実施例2FTO膜用原料溶液をガラス基板の全面に噴霧してFTO膜を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、サポート基板1を製造した。比較例1サポート基板本体1の表面に、FTO膜を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、サポート基板1を製造した。比較例2FTO膜用原料溶液の代わりに、ITOからなる導電膜以下、ITO膜と示す。用原料溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にしてサポート基板1を製造した。なお、ITO膜用原料溶液は、塩化インジウムIII四水和物と塩化スズII二水和物とをエタノールに溶解させることで調製した。次に、各実施例及び比較例のサポート基板1を、図10に示す絶縁体21上に設置し、吸着電源24に電圧DC500Vを印加した。このサポート基板1を、プッシュブルゲージによる測定強度が4.9N500gfとなるまで、円周方向に引っ張った。このとき、サポート基板1と絶縁体21とが剥離しなかったものを○、剥離したものを×として、表1に表記した。なお、絶縁体21との接触面は、実施例1ではFTO膜、比較例2ではITO膜とし、実施例2及び比較例1では、サポート基板1の任意の面とした。このサポート基板1の全面を、10質量のフッ化水素酸HF溶液に24時間浸漬し、FTO膜又はITO膜の減少量、及びガラス基板の減少量を、ICP-MSICP質量分析InductiveCoupledPlasma-MassSpectrometryを用いて測定し、耐久性を評価した。各実施例及び比較例のサポート基板1について、静電チャックによる吸着の有無及び耐久性についての評価結果を表1に示す。なお、表1において、FTO膜又はITO膜の減少量表1中、膜減少量と示す。、及びガラス基板の減少量表1中、ガラス減少量と示す。は、それぞれ厚さに換算して評価した。表1から明らかなように、FTO膜を設けていない比較例1のサポート基板1は、静電チャックによる吸着保持ができなかった。また、比較例2のサポート基板では、静電チャックによって吸着保持できたものの、耐久性に劣っており、薬品洗浄後における導電膜3の劣化が認められた。一方、ガラス基板の一面にFTO膜を形成した実施例1のサポート基板では、静電チャックによる吸着保持が可能であり、また、薬品洗浄後におけるFTO膜の減少量も低いことが認められた。また、ガラス基板の全面にFTO膜を形成した実施例2のサポート基板では、薬品洗浄後における、FTO膜およびガラス基板の減少量が極めて少なく、優れた耐久性を得られることが認められた。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年8月6日出願の日本特許出願2010-177746に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。