"一般式K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物であって、前記ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがコンポジット構造を形成し、前記K1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶してなる固溶体の領域面積をA1とし、全体の領域面積をA2としたとき、A1/A2≦0.35であることを特徴とする誘電体磁器組成物。前記コンポジット構造を構成する前記ニオブ酸化合物の平均粒径が100nm以上、1000nm以下であり、且つ、前記チタン酸バリウムの平均粒径が50nm以上、1200nm以下であることを特徴とする請求項1記載の誘電体磁器組成物。前記コンポジット構造をなす、K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物の領域面積をa、BaTiO3表されるチタン酸バリウムの領域面積をbとしたとき、1≦a/b≦9、0≦x≦0.5、の関係を満たすことを特徴とする請求項1、2のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物よりなることを特徴とする電子部品。本発明は、上記のような観点から、広範囲な温度領域例えば、-55~350°Cにおいて比誘電率の変化率例えば、ΔC/C=±22以内が小さく、350°C付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供することを課題とする。本発明は、上記の課題を解決するために、一般式K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物であって、前記ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、前記K1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶した固溶体の領域面積をA1とし、全体の領域面積をA2とした場合、A1/A2≦0.35であることを特徴とする誘電体磁器組成物を提供そることを目的とする。尚、前記固溶体は一般式K1-xNaxαBaβNbαTiβO12などで表される。また、コンポジット構造を構成する前記ニオブ酸化合物粒子の粒径が100nm以上、1000nm以下であり、且つ、前記チタン酸バリウムの粒子の粒径が50nm以上、1200nm以下であることが望ましい。さらに、前記コンポジット構造をなす、K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物の領域面積をa、BaTiO3表されるチタン酸バリウムの領域面積をbとしたとき、1≦a/b≦9、0≦x≦0.5、の関係を満たすことが望ましい。また、これらの前記誘電体磁器組成物を用いて誘電体磁器コンデンサや圧電素子などの電子部品として利用することが望ましい。本発明によれば、その主成分に、Pb、Bi、Sbなどの環境に負荷を及ぼす重金属元素を使用することなく広範囲な温度領域例えば、-55~350°Cにおける比誘電率の変化率が±22以内に平坦化でき良好な温度特性と高い比誘電率を示すことができる。さらに、本発明によれば、広範囲の温度領域で高い比誘電率を示すことができ、例えば25°Cにおける比誘電率が700以上の特性を有する誘電体磁器組成物が得られる。したがって、本発明にかかわる誘電体磁器組成物としては、高温領域での使用が求められる車載用途や、さらにより高温領域まで求められている、SiCやGaN系の半導体を用いたパワーデバイス用の平滑用のコンデンサとして最適である。また、本発明に関わる誘電体磁器組成物は、EIA規格X8S特性-55°C~150°CにおけるΔC/C=±22以内満足できるため、X8S特性のコンデンサとしても利用することができる。以下、本発明を図面に示す実施するための形態に基づき説明する本実施形態にかかわる誘電体磁器組成物は、一般式K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物と、BaTiO3表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物であって、前記ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがコンポジット構造を形成している。コンポジット構造の一方を構成する前記ニオブ酸化合物粒子K1-xNaxNbO3はx=0.5のときにTcキュリー温度約420°Cとなるので高温時の比誘電率を改善することができる。一方コンポジット構造のもう一方のBaTiO3はTc約130°Cと比較的室温近くで良好な温度特性を示すため、Baの一部をアルカリ金属で置換、Tiの一部をZrで置換、希土類元素の微量添加等により室温付近での実用組成が得られていることが知られている。このため、前記のK1-xNaxNbO3とBaTiO3とはお互いに固溶体を形成することなく、ニオブ酸化合物の領域と、チタン酸バリウムの領域が相互に分散されたコンポジット構造をとることが好ましく、お互いが固溶してなる一般式K1-xNaxαBaβNbαTiβO12で表される固溶体領域が生成されると比誘電率は低下する。このため、K1-xNaxαBaβNbαTiβO12で表される固溶体領域の面積をA1とし、全体の領域面積をA2とした場合、A1/A2≦0.35であることが好ましい。また、K1-xNaxNbO3の結晶粒子の平均粒径が100nmより小さいか、または、BaTiO3の結晶粒子の平均粒径が50nmより小さい場合は、前記固溶体の生成が進み易くなり、得られる誘電体磁器組成物の比誘電率が低下してしまう。さらに、BaTiO3の結晶粒子の平均粒径が50nmより小さいときには、BaTiO3の結晶粒子自体の比誘電率が低下するため、コンポジット構造を成すK1-xNaxNbO3とBaTiO3との比誘電率のバランスが崩れるので、-55~350°Cの温度範囲において、静電容量の変化率であるΔC/C=±22以内を満たさなくなる。K1-xNaxNbO3の結晶粒子の平均粒径が1000nm、または、BaTiO3の結晶粒子の平均粒径が1200nmより大きい場合は、温度特性を平坦化させる作用が低下し、-55~350°Cの温度範囲において、静電容量変化率であるΔC/C=±22以内を満たさなくなる。このため、コンポジット構造を構成する前記ニオブ酸化合物粒子の平均粒径が100nm以上、1000nm以下であり、且つ、前記チタン酸バリウムの粒子の平均粒径が50nm以上、1200nm以下であることが好ましい。さらに、誘電体磁器組成物の作製方法としては、コンポジット構造を構成する場合、原料粉末の粒径が維持され易い条件が好ましく、原料の粒子径としては、100nm≦K1-xNaxNbO3の平均粒径≦1000nm、および、50nm≦BaTiO3の平均粒径≦1300nmの原料を用いることが好ましい。これらの原料を所定量に混合して用いる。K1-xNaxNbO3はK、Na、Nbの酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの素原料を用いて作成できるが、K1-xNaxNbO3となる前の未反応の酸化物や化合物などの素原料が含まれる場合は、BaTiO3と混合後の焼成過程において、ニオブ酸化合物とチタン酸バリウムとの固溶体部分が多く発生し、誘電率の低下や諸特性の劣化を招く。このため、チタン酸バリウムと混合する際に用いる原料としてはK、Na、Nbの未反応物が無いK1-xNaxNbO3となった原料を用いることが好ましい。また、通常は原料粒径を維持した状態で焼成することが好ましいが、固溶体を生成しない条件であれば、粒が成長する条件で焼成してもよい。コンポジット構造を構成するK1-xNaxNbO3の領域面積をa、BaTiO3の領域面積をbとしたとき、コンポジット面積比のa/bは、1≦a/b≦9の範囲が好ましい。コンポジット面積比a/bが、1≦a/b≦9の範囲外になると-55~350°Cの温度範囲での静電容量の変化が大きくなり、22以内の静電容量変化率を達成することができなくなる。コンポジット構造の一方を構成するK1-xNaxNbO3のxは、0≦x≦0.5の範囲が好ましい。xが0≦x≦0.5の範囲内であれば、-55~350°Cの温度範囲において高い静電容量を維持したまま、22以内の静電容量変化率を達成することができるが、xが0.5を超えると前記固溶体領域が増えて静電容量が低下し、さらに22以内の静電容量変化率を達成することができなくなる。このため比誘電率を大きくするためには固溶体領域が発生しにくい、x=0が好ましいが、xが0.5以下の範囲であれば、xを変化させることにより静電容量変化率を調整することができ、高温時の温度特性をさらに改善することが可能となる。尚、本実施形態に係る誘電体磁器組成物に、副成分を含有させることにより、焼成温度の低下や寿命の改善することができる。このような副成分としては、特に限定されないが、例えば、焼成温度させる効果を有する化合物として二酸化珪素、酸化アルミニウムが挙げられる。さらに、寿命を改善させる効果を有する化合物として酸化マグネシウムのようなアルカリ金属化合物、酸化マンガン、希土類元素酸化物、酸化バナジウム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。その含有量も組成等に応じて適宜決定すればよい。次に、本実施の形態の誘電体磁器組成物およびこれを用いたコンデンサの製造法について説明する。まず、誘電体磁器組成物を構成する各成分の結晶粒子粉を準備する。本実施形態では、K1-xNaxNbO3の粉体と、BaTiO3の粉体を準備する。これらの結晶粒子粉の準備については、例えば市販の水熱合成法、蓚酸塩法、ゾル-ゲル法等を用いて作製したBaTiO3の粉体を用いても良い。さらに、K1-xNaxNbO3の粉体は、K2CO3,Na2CO3,Nb2O5を原料として、混合、仮焼き、粉砕を行う、固相合成法を用いて作製した粉体を用いても良い。予めK1-xNaxNbO3の粉体と、BaTiO3の粉体を前述の方法にて準備し、焼成条件を調整することにより、本発明の誘電体磁器組成物は一般式K1-xNaxαBaβNbαTiβO12ので表されるような固溶体の生成を極力少なくすることができる。また、本実施形態に係る誘電体磁器組成物が、上記の副成分を含有する場合には、副成分の原料も準備する。副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。準備した原料を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、例えば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。得られた原料混合物は、バインダ樹脂を添加し造粒して、造粒物としてもよいし、バインダ樹脂や溶剤とともにペースト化して、スラリーとしてもよい。また、造粒物やスラリーとする前に、原料混合物を予め仮焼してもよい。造粒物やスラリーを成形する方法としては特に制限されず、例えば、シート法、印刷法、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。本実施形態では、乾式成形を採用し、造粒物を金型に充填して圧縮加圧プレスすることにより成形する。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態では円盤状の成形体とする。得られた成形体は、必要に応じて、脱バインダ処理した後、焼成される。焼成条件は、組成等に応じて適宜決定すればよいが、焼成温度は、好ましくは1000~1200°C、保持時間は、好ましくは1~24時間である。焼成後、必要に応じて、アニール処理を行い、焼結体としての誘電体磁器組成物を得る。本発明には必ずしも前記アニール処理を行う必要はないが、アニール処理条件を調整することにより、焼成後の粒径を変えることなくK1-xNaxNbO3とBaTiO3との固溶体の生成する量を変えることができる。次いで、得られた誘電体磁器組成物に端面研磨を施し、電極を形成する。このようにして製造された本実施形態の誘電体磁器組成物は、セラミックコンデンサなどの電子部品に好適に使用される。尚、前述では、本実施形態にかかわる誘電体磁器組成物として、円盤状のセラミックコンデンサを例示したが、本誘電磁器組成物を用いたシートと、電極材料とを交互に積層して形成する積層型誘電体材料磁器コンデンサのような電子部品の誘電体層を構成する誘電体磁器組成物としてもよい。また、本実施形態の誘電体磁器組成物は、良好な圧電特性例えば、圧電定数:d33=40pC/Nも有しているため、圧電体素子にも好適に使用される。さらに、本発明に係る誘電体磁器組成物は、単板型のコンデンサ等の電子部品に用いてもよいし、積層型のコンデンサ等の電子部品に用いてもよい。あるいは、圧電体素子に用いてもよい。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。実施例1まず、出発粉として平均粒径が500nmのKNbO3、および平均粒径が300nmのBaTiO3を準備し、70モルのKNbO3と、30モルのBaTiO3になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。得られた原料粉末に対し、バインダ樹脂としてPVBを2重量添加し、250MPaの圧力で成形することにより、直径10mm、厚さ約1mmの円盤状のグリーン成形体を得た。これを空気中で、700°C、10時間加熱して脱バインダ処理を行った。次いで、得られた脱バインダ後の成形体を、空気中で、1100~1200°C、10時間、焼成することにより、円盤状の焼結体を得た。得られた円盤状の焼結体は、K1-xNaxNbO3とBaTiO3との固溶体相の生成量を調整するため、さらにアニール処理を行った。アニール条件は、表1の実験No.1~6に示されるように、空気中で、825°C、850°C、900°Cで30~600分間、熱処理を行った。さらに、得られた焼結体を研磨し、その主表面にAg電極を塗布し、空気中、650°Cで20分間焼付け処理を行うことによって、円盤状のセラミックコンデンサの試料を得た。得られた資料は、表1の実験No.1~6に示されるように前記固溶体相の生成量はアニール時間が長く、温度が高いほど多く生成され、固溶体相の生成につれて比誘電率は低下し、静電容量温度特性は平坦性が悪くなる傾向が見られる。しかしながら、資料の焼成後に生成される固溶体の面積比A1/A2が0.35以下であれば、温度範囲-55~350°CにおいてΔC/C=22以内を達成できる。また、表に示すK1-xNaxNbO3とBaTiO3の平均粒径は、焼成後に資料素体の断面を研磨し、SEM写真を画像処理により求めたものである。今回の焼成では原料として用いたK1-xNaxNbO3とはやや粒成長が見られるものの、BaTiO3とともに焼成前の粒径が維持できる条件を選んだ。実験No.7は出発粉として平均粒径が500nm以下のK2CO3、Nb2O5、および平均粒径が300nmのBaTiO3を準備し、それぞれが35モルのK2CO3、Nb2O5と、30モルのBaTiO3になるように秤量し、以下同様に資料を作成した。尚、本資料は焼成後にニオブ酸化合物とチタン酸バリウムとの固溶体を多量に生成していたため、アリール処理は省略した。実施例2出発粉として平均粒径が50~1300nmのKNbO3、および平均粒径が20~1500nmのBaTiO3以下、BTともいうを準備し、70モルのKNbO3と、30モルのBaTiO3になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水を用いでボールミルにより17時間湿式混合した。その後、得られた混合物を乾燥して原料粉末を得た。その他、実施例1と同様にして表2に示される資料を得た。尚、得られた焼結体資料のコンポジット構造を成す、KNbO3およびBaTiO3の平均粒径は、今回の焼成条件では出発粉として準備した焼成前のKNbO3およびBaTiO3の粒子径をほぼ維持することができ、表2に示す値となった。表2に示すように、焼成後のKNbO3の平均粒径が100nmより小さくなると、静電容量温度特性は平坦性が悪くなり、また、平均粒径が1000nmを超えると、比誘電率は小さくなる。したがって、KNbO3の平均粒径範囲は100nm以上、1000nm以下にすることが好ましい。また、焼成後のBaTiO3の平均粒径が50nmより小さくなるとBaTiO3自体の比誘電率が小さくなり、固溶体の生成量が増えるため、資料の比誘電率はは小さくなり、また、平均粒径が1200nmを超えると、静電容量温度特性は平坦性が悪くなる。したがって、BaTiO3の平均粒径範囲は50nm以上、1200nm以下にすることが好ましい。実施例3出発原料粉として平均粒径が500nm程度のKNbO3と、平均粒径が300nm程度のBaTiO3をモル比で4:6、5:5、6:4、7:3、8:2、9:1、19:1の割合になるように、それぞれ秤量し、分散媒としての水と共にボールミルにより17時間湿式混合した。そして、混合物を乾燥して誘電体磁器組成物の原料粉末を得た。以下、実施例1、2と同様にして表3に示される資料を得た。得られた焼結体資料のKNbO3の領域面積をa、BaTiO3の領域面積をbとしたとき、コンポジット領域比a/bは、1≦a/b≦9の範囲で、温度範囲-55~350°CにおいてΔC/C=22以内を満足することができるが、この範囲を超えるとKNbO3とBaTiO3とのコンポジット効果が弱くなり、静電容量の変化率悪くなる。実施例4出発粉として平均粒径が500nm程度で、xがそれぞれ0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6の値を取るK1-xNaxNbO3、および平均粒径が300nm程度のBaTiO3以下、BTともいうを準備した。これらxの値が異なるK1-xNaxNbO3をそれぞれ70モル準備して、BaTiO3が30モルになるようにそれぞれ秤量し、分散媒としての水と共にボールミルにより17時間湿式混合した。そして、混合物を乾燥して誘電体磁器組成物の原料粉末を得た。以下、実施例1、2、3と同様にして表4に示される資料を得た。表4に示されるように、K1-xNaxNbO3で表されるニオブ酸化合物のxを大きくしてNaを増やすことで温度特性を制御でき、必要温度領域の温度特性をよりフラットにすることができる。しかしながら、xを大きくするとK1-xNaxNbO3がBaTiO3反応して固溶体ができ易く比誘電率の低下傾向が生じるため、xの範囲としては0以上、5以下の範囲が好ましく、さらにxが2以下であれば比誘電率1000以上を確保することができる。尚、表4の、実験No.55として、BaTiO3を主成分とし副成分としてMg、Ca、Mn、V、Y、Yb、Si、Zrなどを加えた、X8S特性よりもさらに温度特性に優れている、X8R特性を満足する積層セラミックコンデンサについての静電容量変化率である。図1に示されるように使用温度が150°Cを超えると急激に静電容量が低下し、温度特性が悪くなるため150°Cを超える高温での利用には適していない。画像解析による領域の評価ニオブ酸化合物と、チタン酸バリウムと前記実施例にて焼成して得られた誘電体磁器組成物に対して、FIB集束イオンビームを用いてマイクロ-サンプリングを行い、TEM試料を作製した。この試料に対しJEM2200FSを用いSTEM像観察を行いSTEM-EDSマッピング行った。観察視野は、3.0μm×3.0μmとし、各試料に対し5視野以上観察を行った。これらの方法で得られた組成マップを用いて、K、Na、Nb、Ba、Tiの元素が同時に観察された領域を固溶体領域とみなし、各5視野以上の結果の平均面積を用いた。固溶体の面積比A1/A2は、K1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶してなる固溶体の領域面積をA1とし、全体の領域面積をA2とし、前記のTEM-EDSマッピングによる画像を用いて求めた。図2はK1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶していない場合A1/A2=0、図3はK1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶していない場合A1/A2=0.41のTEM-EDSマッピングによる画像である。図2a、図3aの明るい部分はTi元素が多い領域を示し、暗い部分は少ない領域を示す。また、図2b、図3bの明るい部分はK元素が多い領域を示し、暗い部分は少ない領域を示す。尚、図2a、図3aの明るい部分BaTiO3領域を示し、暗い部分はK1-xNaxNbO3領域を示している。図2には見られず、図3にのみ見られる明暗色が中間の領域がK1-xNaxNbO3とBaTiO3とが固溶してなる固溶体の領域面積A1である。K1-xNaxNbO3の領域面積a、BaTiO3の領域面積bについても同様にして求めた。画像解析による粒径の評価コンポジット構造体中の結晶の平均粒径は、前記の方法で得られたTEM像とSTEM組成像を用いて、ニオブ酸化合物粒子とBaTiO3粒子を弁別し、その粒径と数を評価した。粒径の測定にはコード法を用いた。比誘電率コンデンサ試料に対し、基準温度25°Cにおいて、アジレントテクノロジー社製4294Aを用いて、周波数1kHz、測定電圧1Vとし、静電容量Cを測定した。そして、比誘電率εs単位なしを、誘電体磁器組成物の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量とに基づき算出した。静電容量温度特性コンデンサ試料をDespatch社製恒温槽内に載置し、-55~350°Cの温度範囲で1Vの電圧での静電容量を測定し、25°Cでの静電容量C25に対する静電容量の変化率ΔC/Cを、ΔC/C={C-C25/C25}×100の式より算出した。"