セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、その後、レジストを剥離することを特徴とする、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離することを特徴とする、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、この除去の際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20である薬液を使用することを特徴とする、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記レジストがアルカリ剥離型レジストであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、pHが3乃至6.5のろう材除去薬液を使用することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、キレート剤と過酸化水素水から形成されるろう材除去薬液またはキレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから形成されるろう材除去薬液を使用することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記キレート剤が、EDTA、NTA、CyDTA、DTPA、TTHA、GEDTAおよびこれらの塩からなる群から選ばれる1または2以上の化合物であることを特徴とする、請求項7に記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記セラミックス基板の材料が、窒化物、酸化物または炭化物のいずれかであることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記ろう材が、Agおよび活性金属を含む合金、化合物または混合物からなることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記金属板が、Cu、Alおよびこれらの合金からなる群から選ばれる1または2以上からなることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記金属板の不要部分をエッチングした後、前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する前に、前記ろう材の表面の塩化銀層を薬液処理により除去することを特徴とする、請求項1乃至11のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記塩化銀層の除去に使用する薬液が、チオ硫酸アンモニウムまたはチオ硫酸のアルカリ塩の少なくとも1つであることを特徴とする、請求項12に記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記金属回路部の端部から前記ろう材がはみ出す長さであるろう材はみ出し量が30μm以上であることを特徴とする、請求項1乃至13のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。前記レジストを剥離した後、前記金属回路部および前記ろう材の部分にNiメッキ、Ni合金メッキ、金メッキまたは防錆処理のいずれかを施すことを特徴とする、請求項1乃至14のいずれかに記載の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。請求項1乃至15のいずれかに記載の方法によって製造されることを特徴とする、パワーモジュール用金属-セラミックス接合回路基板。請求項1乃至15のいずれかに記載の方法によって製造される金属-セラミックス接合回路基板を用いて組み立てられることを特徴とする、モジュール。しかし、従来の方法では、金属板の端部からろう材等がはみ出す長さ以下、ろう材はみ出し量というの制御が難しく、特に、ろう材はみ出し量を大きくとる場合、通常の工程より工数が増加し、製造コストが増加する。また、ろう材除去液により金属板のトップのダレが生じ、半導体などのチップ搭載時に寸法的な不具合を生ずる。また、ろう材除去液として、フッ酸やその混酸、フッ化アンモニウムなどに代表されるハロゲン化水素またはハロゲン化アンモニウムを含む薬液を使用すると、ろう材等の除去と同時にセラミックス基板も腐食され、セラミックス回路基板としての信頼性に関する特性が劣化する場合がある。一方、セラミックス基板の腐食を抑えようとすると、回路パターン間のろう材等を完全に除去できず、ろう材等が残り、不良が発生する可能性がある。また、ろう材と金属板とのエッチングレートの比が小さいため、ろう材を大きく例えば、>30μmはみ出させることが難しい。さらに、フッ酸などのハロゲン化合物は、腐食性が大きいため、生産設備や廃液処理施設、廃液処理などのコストも割高となり、製品の製造コストが高くなる傾向がある。一方、ろう材除去液として、キレート剤と過水のアルカリ性混合液アルカリ系キレート除去液を使用する場合には、セラミックスへのダメージが比較的小さく、ろう材の溶解性も良好であるが、汎用的に使用されるアルカリ剥離型エッチングレジストもろう材とともに除去されてしまう。そのため、金属回路部からろう材をはみ出させることによりさらに信頼性の高い基板を製造するためには、再度エッチングレジスト印刷およびエッチング工程を経なければならず、製造コストが通常より高くなる。一方、有機溶剤剥離型エッチングレジストを使用すれば、アルカリ液にも耐性があるが、レジストを除去するためには、トリクロロエチレンなどの環境的に有害性の高い有機溶剤を使用しなければならない。ただし、設備による環境対策が可能である。したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、金属-セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属-セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、金属板のトップのダレを防止することができ、セラミックス基板へのアタックが少なく且つ環境に配慮した薬液を使用することができ、廃液処理施設などの設備や処理を簡易化できる、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去しあるいは、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離することにより、金属-セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属-セラミックス接合回路基板を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明による金属-セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、その後、レジストを剥離することを特徴とする。また、本発明による金属-セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離することを特徴とする。これらの金属-セラミックス接合回路基板の製造方法において、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20であるのが好ましい。さらに、本発明による金属-セラミックス接合回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、この除去の際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20である薬液を使用することを特徴とする。これらの金属-セラミックス接合回路基板の製造方法において、レジストがアルカリ剥離型レジストであるのが好ましい。また、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、pHが3乃至6.5のろう材除去薬液を使用するのが好ましい。あるいは、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、キレート剤と過酸化水素水から形成されるろう材除去薬液またはキレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから形成されるろう材除去薬液を使用するのが好ましい。この場合、キレート剤が、EDTA、NTA、CyDTA、DTPA、TTHA、GEDTAおよびこれらの塩からなる群から選ばれる1または2以上の化合物であるのが好ましい。また、セラミックス基板の材料は、窒化物、酸化物または炭化物のいずれかであるのが好ましい。ろう材は、Agおよび活性金属を含む合金、化合物または混合物からなるのが好ましい。金属板は、Cu、Alおよびこれらの合金からなる群から選ばれる1または2以上からなるのが好ましい。また、金属板の不要部分をエッチングした後、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する前に、ろう材の表面の塩化銀層を薬液処理により除去するのが好ましい。この場合、塩化銀層の除去に使用する薬液が、チオ硫酸アンモニウムまたはチオ硫酸のアルカリ塩の少なくとも1つであるのが好ましい。なお、塩化銀層は、主に金属板を前述した塩酸系の薬液でエッチングする際に生じると考えられ、あるいはエッチング工程後の水洗洗浄などにおいて生じると考えられる。さらに、金属回路部の端部からろう材がはみ出す長さであるろう材はみ出し量が30μm以上であるのが好ましい。また、レジストを剥離した後、金属回路部およびろう材の部分にNiメッキ、Ni合金メッキ、金メッキのいずれかを施すのが好ましい。また、メッキでなくても、防錆処理剤で金属板の表面を処理してもよい。また、本発明によるパワーモジュール用金属-セラミックス接合回路基板は、上記の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法によって製造されることを特徴とする。また、本発明によるモジュールは、上記の金属-セラミックス接合回路基板の製造方法によって製造される金属-セラミックス接合回路基板を用いて組み立てられることを特徴とする。本発明によれば、金属-セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属-セラミックス接合回路基板を製造することができる。また、本発明によれば、金属板のトップのダレを防止することができ、セラミックス基板へのアタックが少なく且つ環境に配慮した薬液を使用することができ、廃液処理施設などの設備や処理を簡易化できる。本発明による金属-セラミックス接合回路基板の製造方法の実施の形態では、セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材等を除去しあるいは、不要なろう材等を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離する。金属板の不要部分のエッチング後に残った不要なろう材等を選択的に除去する方法として、1ろう材を薬液により除去する段階でレジストを除去しないことにより、断面形状の制御を容易にすること、2ろう材を薬液により除去する段階でレジストを除去しないで、その状態でさらに金属板の側面をエッチングすることにより、ろう材をはみ出させること、3ろう材除去液の特性により、金属板とろう材のエッチングレートの比を所定の比にすることで、断面形状の制御を容易にすること、4レジストを残すことにより金属板のトップのダレを防ぐこと、5セラミックスへのアタックが小さい薬液を使用すること、6ろう材除去液の選択により廃液処理設備を簡易化すること、7酸性側でろう材を除去することにより、アルカリ剥離型レジストを使用できるようにすること、という要件を単独で使用または複合して使用し、またはその要件を適当な条件で使用する。本発明によれば、ろう材等の除去薬液の使用時もレジストを剥離しないことにより、金属板の端部からのろう材のはみ出しの制御を容易にし、且つ低コストで作製することができる。このときのろう材等の除去薬液については、以下の性質の薬液が好ましい。本発明によれば、キレート剤と過酸化水素水から得られる薬液、キレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから得られる薬液、または弗化物系の薬品を使用するのが好ましい。ろう材等を溶解除去する薬液は、より早くろう材等を溶かすために、レジストの耐液温度まで加温することもできる。また、薬液処理は、スプレー法やディップ浸漬により行うことができる。ディップ浸漬処理の場合には、液処理中には、処理基板を揺動させるなどして、液の循環性を良好にしておくことが均等性を上げるために好適である。また、キレート剤によりろう材等を溶解除去する場合、セラミックス基板へのアタックやダメージが小さいため、フッ化水素の混酸などを用いた場合と比較して、信頼性において有利であり好ましい。また、薬液のpHが6.5以上であるとアルカリ剥離型レジストの耐液性が低下し、pH3以下であるとろう材の溶解速度が低くなってしまうため、pH4.5~5.8であることが好ましい。キレート試薬や過酸化水素水の濃度が低い場合には、ろう材等の溶解速度や溶解度が低下するため、ろう材等が溶け残り易くなる。また、キレート試薬の濃度が高い場合には、溶解度の問題があり、試薬の溶け残りが生じ、過酸化水素水の濃度が高い場合には、異常反応として薬液の突沸などが起こり易くなる。したがって、キレート試薬および過酸化水素水の濃度には工業的利用に関して適当な範囲があり、キレート試薬の濃度は0.5~1.5wt、過酸化水素水の濃度は5~20の範囲が好ましい。キレート剤としては、安価なEDTAが好ましい。溶解反応が進行すると、pHが低下するため、これを一定にするために、pHを制御して処理することにより、溶解工程を安定的に行うことができる。pH調整剤としては、キレート剤と可溶性の塩を生成するものが好ましく、価格汎用性の点で、アンモニア水または水酸化アルカリが好ましい。キレート剤のカルボン酸基の水素イオンがNaイオンなどに置き換えられた塩で、例えば、EDTAの4Na塩のように、pH6.5を上回る水溶液の場合には、同じ酸根であるEDTAによってpH調整することが、異なる化学種の存在による反応系の複雑化を回避するために好ましい。セラミックス基板と金属板を接合するろう材としては、Agを含有するろう材に活性金属としてTi、Zrなどの中から少なくとも一種の元素を添加したものが用いられ、応力緩和などのためにTiO2のような第4成分を微量添加することもある。一般に、金属板として電気伝導特性の優れたCu板などを接合し、その上をレジストで被覆して、Cu板などを所定の回路パターンなどにエッチングする方法が行われている。その後、不要なろう材等を除去する際に、ろう材の主成分がAgである場合には、ろう材等が溶解する一方で、金属回路部も相対的に溶解後退するため、結果としてろう材が金属回路部からはみ出す形状になる。不要なろう材を除去する際には、ろう材のみが溶解する条件であると、ろう材層が逆にえぐれた状態になり易い。この状態では、化研処理エッチングを行い、金属層を数10μm程度もエッチングすれば、ろう材のはみ出しを形成することができる。一方、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1以上になると、ろう材除去工程においてろう材のはみ出しを形成できるが、この値が1より小さいとろう材のはみ出しが不十分になり、大きすぎると不要なろう材を除去している間に金属が溶解し過ぎて回路パターンのライン性が低下するため、例えば、ろう材の厚さが20μmであれば1.5~5程度、5μmであれば8~13程度が好ましい。ここでいうろう材の平均溶解速度とは、ろう材層の厚さ/不要なろう材部を溶解除去するのに要した時間で与えられる数値である。この溶解関係を維持するため、ろう材の金属成分の組成としては、Agが65~99wt、活性金属が1~10wt、残りが実質的にCuであることが好ましい。また、ろう材は、セラミックス基板の全面に配置されたり、所定の場所だけに配置されたりする場合があり、用途などにより必要に応じて使い分けられる。また、配置するろう材としては、ペースト状のもの、箔状などの形状であっても差し支えない。さらに信頼性の高い基板を得る目的でろう材はみ出し量を大きくするために、レジストを維持した状態で、再度金属回路部の側面をエッチング処理化学研磨処理することができる。通常の塩化銅によるエッチング処理では、ろう材層の表面に塩化銀の膜が生成し易く、pHを3~6.5に調整したキレート剤および過酸化水素水では、溶解に時間を要するため、前処理としてチオ硫酸アンモニウム水溶液などの薬液で表面の塩化銀を予備除去した後、pHを3~6.5に調整したキレート剤および過酸化水素水で処理することが好ましい。この前処理液については、液温は室温程度で十分であるが、操業安定化のため、30°C程度に加熱して使用することも可能である。濃度は特に限定されないが、操業時の濃度変化率を低減するために、30程度に設定するのが望ましい。この条件であれば、チオ硫酸アンモニウム水溶液などの薬液への浸漬時間は1分程度で十分であるが、長すぎると金属回路部との接触などにより薬液劣化が進行するので、1~3分が好ましい。このチオ硫酸塩処理で塩化銀層を除去することにより、他の薬液処理によっても、ろう材除去効率を改善することができる。金属板としては、熱伝導率および電気伝導の大きいCu板が用いられることが多い。若干電気特性が低下するものの、軽く軟らかいという特徴からAlが用いられる場合もある。また、金属の特性を変化させるため、用途に応じてこれらの合金が用いられる場合もある。金属-セラミックス接合回路基板の表面の回路パターンとなる金属板の耐候性を向上させるとともに、半田濡れ性などの経時変化を防止するために、Niメッキ、Ni合金メッキまたはAuメッキを行うことが好ましい。メッキ工程は、脱脂、化学研磨、Pd活性化の薬液による前処理工程を経て、Ni-P無電解メッキ液として次亜リン酸塩を含有する薬液を使用する通常の無電解メッキの方法、あるいは電極をパターンに接触させて電気メッキを行う方法などにより行う。本発明において使用するセラミックス基板の材料については、Al2O3アルミナは安価であり、AlNは高価であるが熱伝導性が良好であり、Si3N4およびSiCは熱伝導性がAl2O3とAlNの中間であり高価であるが強度や靭性が高いという特徴がある。これらのセラミックス基板の特徴を生かし、Al2O3は安価なセラミックス回路基板を提供でき、AlNは優れた放熱性を利用して大電力チップなどの発熱の大きい半導体に対応するセラミックス回路基板を提供でき、また、Si3N4およびSiCは優れた強度を生かして耐熱衝撃性や耐環境性に強く自動車など厳しい環境で使用されるセラミックス回路基板を提供することができる。本発明により製造される金属-セラミックス接合回路基板では、その金属回路板上には、半導体チップ、抵抗体、その他の電気電子部品が半田付けなどによって搭載され、その反対側の面には、放熱板が半田付けなどによって接合される。さらに、プラスチックケースなどの接着、外部端子と回路基板との超音波ボンディングワイヤによる接続、絶縁ゲル注入、上蓋の接着などの工程を経て、モジュールとして完成して使用することができる。以下、添付図面を参照して本発明による金属-セラミックス接合回路基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。[実施例1]金属成分が91Ag-7Cu-1.5Ti-0.5TiO2wtになるように金属粉を秤量し、この金属粉に約10のアクリル系のビヒクルを加え、自動乳鉢や3本ロールミルなどにより通常の方法で混錬して、ペースト状のろう材を作製した。次に、図1に示すように、セラミックス基板10を用意し図1a、スクリーン印刷によりセラミックス基板10の両面にろう材12を塗布し図1b、その両側に0.3mmの厚さのCu板14を配置し図1c、真空炉中において835°Cでセラミックス基板10とCu板14を接合した。なお、接合後にサンプルを切断してろう材12の厚さを測定したところ、約20μmであった。また、セラミックス基板10として、ATG社製SグレードAlN基板を使用した。その後、サンプルを真空炉から取り出し、図2に示すように、接合したCu板14の両面に、所望の回路パターンのUV硬化アルカリ剥離型レジスト16三井化学株製MT-UV-5203を約10~15μmの厚さに塗布し図2a、塩化銅と過酸化水素水と塩酸からなるエッチング液によりCu板14の不要部分を除去した図2b。次に、この回路パターン間や基板の縁面の不要なろう材を除去するため、30チオ硫酸ナトリウム水溶液に室温で2分間浸漬した後、830gの純粋に対して14gのEDTAおよび170mlの過酸化水素水35w/wの割合で加えた溶液をpH調整剤アンモニア水28w/wによりpH5.6に調整した混合溶液液温47°Cに150分間ディップして、ろう材12を除去した後図3a、レジスト16を剥離し図3b、Ni-P無電解メッキ18を施した図3c。Ni-Pメッキ液としては、上村工業社製ニムデンSXを使用した。この時のCuの平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値は1.8であった。この実施例で得られた金属-セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は50μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。また、得られた金属-セラミックス接合回路基板の断面写真を図4に示す。[実施例2]実施例1においてEDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液により処理した後の基板を、再度塩化銅と塩酸と過酸化水素からなるエッチング液により処理し、次いでレジストを剥離し、Ni-P無電解メッキを施した。この実施例で得られた金属-セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。[実施例3]セラミックスとしてAl2O3を使用した以外は実施例2と同一の処理を行った。この実施例で得られた金属-セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量も120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。[比較例1]EDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液のpHを7.0に調整し、この混合溶液の液温を23°Cにし、ディップ時間を120分間にした以外は実施例2と同一の処理を行った。しかし、この比較例で使用したエッチングレジストは実施例1~3と同様にアルカリ剥離型レジストであるため、レジストを維持できずに不要なろう材を除去した。その結果、この比較例で得られた金属-セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなかった。[比較例2]730gの純粋に対して14gのEDTAと170mlの過酸化水素水35w/wと110mlのアンモニア水28w/wの割合で加えてpHを10以上に調整した混合溶液を用意し、この混合溶液の液温を23°Cにし、ディップ時間を40分間とした以外は実施例1と同一の処理を行った。この比較例では、ろう材除去時にアルカリのためレジストが維持されなかった。この比較例で得られた金属-セラミックス接合回路基板のろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなく、ろう材はみ出し量は-100μmであった。また、この場合のCuの平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値は0.1以下であった。なお、実施例1~3、比較例1および2についての結果をまとめて表1に示す。