希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、スラリ全質量100質量部に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子をスラリ全質量100質量部に対して8質量部以上含有してなる、スラリ。前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールから選択される少なくとも一種である、請求項1に記載のスラリ。金属を研磨するCMP研磨液用のスラリである、請求項1又は2に記載のスラリ。pHを2.0~4.0に調整したCMP研磨液として使用される、請求項1~3のいずれかに記載のスラリ。一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、CMP研磨液全質量100質量部に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子をCMP研磨液全質量100質量部に対して8質量部以上含有してなる、CMP研磨液。前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールから選択される少なくとも一種である、請求項5に記載のCMP研磨液。金属を研磨するCMP研磨液である、請求項5又は6に記載のCMP研磨液。pHが2.0~4.0である、請求項5~7のいずれかに記載のCMP研磨液。凹部及び凸部を表面に有する層間絶縁膜、前記表面に沿って層間絶縁膜を被覆するバリア膜、前記凹部を充填してバリア膜を被覆する導電性物質を有する基板を用意する工程と、導電性物質を研磨して前記凸部上の前記バリア膜を露出させる第1の研磨工程と、少なくとも前記凸部上の前記バリア膜を研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程と、請求項1~4のいずれかに記載のスラリを、希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液とするCMP研磨液調整工程と、を含み、前記CMP研磨液を供給しながら前記第2研磨工程の研磨をする研磨方法。凹部及び凸部を表面に有する層間絶縁膜、前記表面に沿って層間絶縁膜を被覆するバリア膜、前記凹部を充填してバリア膜を被覆する導電性物質を有する基板を用意する工程と、導電性物質を研磨して前記凸部上の前記バリア膜を露出させる第1の研磨工程と、少なくとも前記凸部上の前記バリア膜を研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程と、請求項5~8のいずれかに記載のCMP研磨液を供給しながら前記第2研磨工程の研磨をする研磨方法。バリア膜が、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、ルテニウム、その他のルテニウム化合物から選ばれる少なくとも1種を含む請求項9又は10に記載の研磨方法。第2の研磨工程において、更に凸部の層間絶縁膜の一部を研磨する請求項9~11のいずれかに記載の研磨方法。層間絶縁膜が、シリコン系被膜又は有機ポリマー膜である請求項9~12のいずれかに記載の研磨方法。導電性物質が、銅を主成分とする請求項9~13のいずれかに記載の研磨方法。請求項9~14のいずれかに記載の研磨方法を用いて製造された半導体基板。請求項9~14のいずれかに記載の研磨方法を用いて製造された電子機器。しかしながら、このような方法で分散性を高めた場合であっても、CMP研磨液中に含有させることができる砥粒濃度は、せいぜい8質量部程度が限界であり、これ以上添加すると、保存条件をいくら調整しても、砥粒が凝集し、沈降が起こる可能性が高くなる。例えば、CMP研磨液中での砥粒のゼータ電位を正あるいは負に大きくする手法については、砥粒以外の成分の配合比を一定としたまま、砥粒のゼータ電位だけを変化させることが難しいことや、砥粒の種類は研磨特性に影響を及ぼすものであるため、ゼータ電位を変化させるためだけに選択することができないこと等の制約がある。添加剤を加える方法については、充分な砥粒分散効果を得るために必要量の添加剤を添加することで、やはり研磨特性に影響する。例えば、バリア膜用CMP研磨液に添加剤を多量に添加すると、層間絶縁膜に対する研磨速度が極端に低下する。CMP研磨液の保存温度を低温にする手法については、低温保存のための装置及びスペースが必要となり、プロセス面、コスト面での負担が強いられる。本発明は、前記課題を解決するために種々の検討を行なった結果、砥粒として表面のシラノール基密度が低いシリカ粒子を用い、これと、所定の有機溶媒とを組み合わせて使用することで、CMP研磨液中の砥粒の凝集や沈降が大幅に抑制でき、低温保存等の手法を用いることなく、高濃度の砥粒を含むスラリやCMP研磨液を安定化できることを見出したものである。本発明の第一実施形態は、希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し、一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、CMP研磨液用スラリ全質量に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子を、CMP研磨液用スラリ全質量に対して8質量部以上含有してなる、スラリである。このようなスラリによれば、8質量部以上という高い濃度の砥粒を有しているにもかかわらず、砥粒の分散安定性に優れ、砥粒の凝集や沈降を抑制できるスラリを提供できる。また、砥粒の分散性に優れるため、他の成分を添加してCMP研磨液とした場合に、研磨速度や平坦性向上といった効果と両立することが容易となる。前記の観点で、前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールから選択される少なくとも一種であることが好ましい。これにより、砥粒の分散性により優れたスラリを得ることができる。前記スラリは、金属を研磨するCMP研磨液用のスラリであることが好ましい。また、前記スラリは、pHを2.0~4.0に調整したCMP研磨液として使用されることが好ましい。これにより、金属に対する研磨速度を高めることができる。本発明の第二実施形態は、少なくとも一つの水酸基を有し、一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、CMP研磨液全質量に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子をCMP研磨液全質量に対して8質量部以上含有してなる、CMP研磨液である。このようなCMP研磨液によれば、8質量部以上という高い濃度の砥粒を有しているにもかかわらず、砥粒の分散安定性に優れ、砥粒の凝集や沈降を抑制できるCMP研磨液を提供できる。また、砥粒の分散性に優れるため、他の成分の添加により、研磨速度や平坦性向上といった効果と両立することが容易となる。前記の観点で、前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールから選択される少なくとも一種であることが好ましい。これにより、砥粒の分散性により優れたCMP研磨液を得ることができる。前記CMP研磨液は、金属を研磨するCMP研磨液であることが好ましい。また、前記CMP研磨液は、pHが2.0~4.0であることが好ましい。これにより、金属に対する研磨速度を高めることができる。また、本発明の研磨方法の第一実施形態は、凹部及び凸部を表面に有する層間絶縁膜、前記表面に沿って層間絶縁膜を被覆するバリア膜、前記凹部を充填してバリア膜を被覆する導電性物質を有する基板を用意する工程と、導電性物質を研磨して前記凸部上の前記バリア膜を露出させる第1の研磨工程と、少なくとも前記凸部上の前記バリア膜を研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程と、前記スラリを、希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液とするCMP研磨液調整工程と、を含み、前記CMP研磨液を供給しながら前記第2研磨工程の研磨をする研磨方法である。また、本発明の研磨方法の第二実施形態は、凹部及び凸部を表面に有する層間絶縁膜、前記表面に沿って層間絶縁膜を被覆するバリア膜、前記凹部を充填してバリア膜を被覆する導電性物質を有する基板を用意する工程と、導電性物質を研磨して前記凸部上の前記バリア膜を露出させる第1の研磨工程と、少なくとも前記凸部上の前記バリア膜を研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程と、前記CMP研磨液を供給しながら前記第2研磨工程の研磨をする研磨方法である。これらの研磨方法によれば、バリア膜を高速に研磨することが可能となる。前記バリア膜が、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、ルテニウム、その他のルテニウム化合物から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。これにより、バリア膜をより高速に研磨することが可能となる。また、前記第2の研磨工程において、更に凸部の層間絶縁膜の一部を研磨することが好ましい。これにより、前記CMP研磨液やスラリの特性を充分に活用でき、層間絶縁膜を高速に研磨でき、研磨終了後の面が平坦であり、信頼性に優れる基板を得ることができる。前記層間絶縁膜が、シリコン系被膜又は有機ポリマー膜であることが好ましい。これにより前記CMP研磨液やスラリの特性を充分に活用でき、層間絶縁膜を高速に研磨でき、研磨終了後の面が平坦であり、信頼性に優れる基板を得ることができる。また、前記導電性物質は、銅を主成分とすることが好ましい。このような研磨方法により製造された半導体基板や電子機器は、研磨終了後の面が平坦であり、信頼性に優れる基板を得ることができる。本発明によれば、低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集沈降を大幅に抑制することができる。そのため、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応したCMP研磨液を提供することができる。スラリ本発明の第一実施形態は、希釈液又は添加液と混合することでCMP研磨液として使用されるスラリであって、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、CMP研磨液用スラリ全質量に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子をCMP研磨液用スラリ全質量に対して8質量部以上含有してなる、スラリに関する。なお、前記添加液とは、後述する添加剤を含む液として定義され、添加剤が完全に溶解していてもよいし、添加剤の少なくとも一部が固体として存在していても良い。CMP研磨液また、前記スラリを希釈せず、そのまま高濃度の砥粒を含有するCMP研磨液として使用しても良いし、更に前記添加剤を予め混合しそのまま高濃度の砥粒を含有するCMP研磨液として使用してもよい。すなわち、本発明の第二の実施形態は、一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を、CMP研磨液全質量100質量部に対して10質量部以上含有し、シラノール基密度が5個/nm2以下のシリカ粒子をCMP研磨液全質量100質量部に対して8質量部以上含有してなる、CMP研磨液に関する。前記スラリ及び前記CMP研磨液は、前記有機溶媒と前記砥粒とが所定量以上含まれている状態で保存される点等で共通する。以下、前記スラリと前記CMP研磨液とで共通する説明は、前記スラリと前記CMP研磨液を砥粒分散液と総称して説明することがある。I.有機溶媒本発明のスラリ及びCMP研磨液は、少なくとも一つの水酸基を有し一分子に含まれる炭素数が6である有機溶媒を含むため、従来のスラリと比較して、砥粒の分散安定性が非常に良好であり、保存安定性に優れる。このような効果を有する理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推定する。すなわち、有機溶媒が有する水酸基-OHが、砥粒のシラノール基-Si-OHとの間に水素結合を生じて、溶媒和と似たような現象により砥粒を取り囲む。一方、前記の有機溶媒は、炭素数6という丁度よい程度の大きさの有機基部分を有しているため、有機溶媒が砥粒同士の接近を抑制し、砥粒の凝集及び沈降を抑制することが可能となると考えられる。すなわち、炭素数が少ない有機溶媒は、溶媒和のような現象は引き起こすが、分子の嵩が小さく、効果的に砥粒同士を引き離すことが難しいと考えられる。一方、炭素数が多すぎる有機溶媒は、砥粒分散液に媒体として存在している水と混和しにくいため、CMP研磨液の材料として使用することが難しいと考えられる。このような観点で、前記有機溶媒としては、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールのいずれか一方を用いることが好ましい。これらは水との混和性が高く、炭素数がほどよく多いものであり、これらを選択的に使用することによって、CMP研磨液中の高濃度の砥粒の凝集沈降を効果的に抑制することが可能となる。前記有機溶媒は、砥粒分散液全質量100質量部に対して10質量部以上とすることが好ましい。前記含有量は、砥粒分散液中の砥粒の凝集や沈降をより効果的に抑制できる点で12質量部以上がより好ましく、14質量部以上が更に好ましく、16質量部以上が特に好ましい。また、上限としては、層間絶縁膜の研磨速度を適度に保つことができる点で、30質量部以下であることがより好ましく、27質量部以下であることが更に好ましく、24質量部以下であることが特に好ましい。II.砥粒II-i.シラノール基密度本発明のスラリ及びCMP研磨液に使用するシリカ粒子は、シラノール基密度が5.0個/nm2以下である。これにより、層間絶縁膜に対して良好な研磨速度が得られ、かつ、前記有機溶媒と組み合わせて使用することにより、分散安定性に優れた砥粒分散液を得ることができる。CMP研磨液として使用したときの層間絶縁膜に対する研磨速度がより優れる点で、前記シラノール基密度としては、4.5個/nm2以下であることが好ましく、4.0個/nm2以下であることがより好ましく、3.5個/nm2以下であることが更に好ましく、3.0個/nm2以下であることが特に好ましく、2.0個/nm2以下であることが極めて好ましい。本発明においてシラノール基密度ρ[個/nm2]は以下のような滴定により測定及び算出することができる。[1]シリカ粒子が15gとなるように、ポリボトルにコロイダルシリカを量りとる。[2]0.1mol/Lの塩酸を添加し、pH:3.0~3.5に調整する。このとき、添加した0.1mol/Lの塩酸の質量[g]も測定しておく。[3][2]でpH調整が完了したものコロイダルシリカ0.1mol/Lの塩酸、ポリボトルは除くの質量を算出する。[4][3]で得られた質量の1/10にあたる分を、別のポリボトルに量りとる。[5]そこに塩化ナトリウムを30g添加し、更に超純水を添加して全量を150gにする。[6]これを、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム溶液でpH:4.0に調整し、滴定用サンプルとする。[7]この滴定用サンプルに0.1mol/Lの水酸化ナトリウム溶液をpHが9.0になるまで滴下し、pHが4.0から9.0になるまでに要した水酸化ナトリウム量B[mol]を求める。[8]下記式1よりシリカ粒子の持つシラノール基密度を算出する。ρ=BNA/ASBET......1ここで、式1中のNA[個/mol]はアボガドロ数、SBET[m2/g]はシリカ粒子のBET比表面積をそれぞれ示す。前記シリカ粒子のBET比表面積SBETは、BET比表面積法に従って求める。具体的な測定方法としては、例えば、コロイダルシリカを乾燥機に入れ、150°Cで乾燥させた後、測定セルに入れて120°Cで60分間真空脱気した試料について、BET比表面積測定装置を用い、窒素ガスを吸着させる1点法もしくは多点法により求めることができる。より具体的には、前記150°C乾燥後のものを乳鉢磁製、100mlで細かく砕いて測定用試料とし、測定セルに入れ、これをBET比表面積測定装置ユアサアイオニクス株式会社製、商品名:NOVE-1200を用いてBET比表面積Vを測定する。前記のシラノール基密度の算出方法の詳細については、例えば、AnalyticalChemistry、1956年、第28巻、12号、p.1981-1983及びJapaneseJournalofAppliedPhysics、2003年、第42巻、p.4992-4997に開示されている。II-ii.二軸平均一次粒子径本発明のスラリ及びCMP研磨液に使用するシリカ粒子としては、層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を得ることができる点にのみ着目すれば、二軸平均一次粒子径が10~100nmの範囲のものが好ましく、下限は20nm以上であることがより好ましく、上限は80nm以下であることがより好ましい。また、砥粒分散液中での分散安定性が比較的良く、CMPにより発生する研磨傷の発生数の比較的少ない点で、二軸平均一次粒子径が20~60nmであることが好ましく、下限は25nm以上であることがより好ましく、上限は55nm以下であることがより好ましい。従って、CMP研磨液として使用したときに、層間絶縁膜に対する研磨速度と、シリカ粒子の分散安定性を高いレベルで両立するためには、二軸平均一次粒子径が25~55nmとする。同様の理由で、35~55nmであることがより好ましい。本発明において二軸平均一次粒子径R[nm]は、任意の粒子20個を走査型電子顕微鏡SEMにより観察した結果から、次のようにして算出する。すなわち、通常水に分散している固形分濃度5~40質量のコロイダルシリカを例にすると、適量のコロイダルシリカの液を取り、その液が入っている容器にパターン配線付きウエハを2cm角に切ったチップを約30秒浸した後、純水のはいった容器に移して約30秒間すすぎをし、そのチップを窒素ブロー乾燥する。その後、SEM観察用の試料台に乗せ、加速電圧10kVを印加し、10万倍の倍率にてシリカ粒子を観察、画像を撮影する。得られた画像から任意の20個を選択する。例えば、選択したシリカ粒子が図1に示すような形状であった場合、シリカ粒子1に外接し、その長径が最も長くなるように配置した長方形外接長方形2を導く。そして、その外接長方形2の長径をX、短径をYとして、1粒子の二軸平均一次粒子径をXY/2として算出する。この作業を任意の20個のシリカ粒子に対して実施し、得られた値の平均値を、本発明における二軸平均一次粒子径という。II-iii.会合度本発明のスラリ及びCMP研磨液に使用されるシリカ粒子は、好ましい層間絶縁膜の研磨速度が得られる点で、粒子の会合度が1.1以上であり、同様の理由で、前記会合度は1.2以上であることが好ましく、1.3以上であることがより好ましく、1.4以上であることが更に好ましい。なお、本発明において、会合度とは、上述したように、砥粒が液体に分散した状態における動的光散乱方式による粒度分布計により測定された二次粒子の平均粒径を求め、この平均粒径を前記二軸平均一次粒子径で除した値平均粒径/二軸平均一次粒子径を意味する。ここで、前記平均粒径は、例えば、下記の方法により測定することができる。すなわち、適量のCMP研磨液を量り取り、動的光散乱方式粒度分布計が必要とする散乱光強度の範囲に入るように必要に応じて水で希釈して測定サンプル調整する。次にこの測定サンプルを、動的光散乱方式粒度分布計に投入し、D50として得られる値を平均粒径とする。このような機能を有する動的光散乱方式の粒度分布計としては、例えば、BECKMANCOULTER社製、商品名:N5型が挙げられる。なお、後述するようにCMP研磨液を分液保存又は濃縮保存する場合は、シリカ粒子を含むスラリから前記手法によってサンプルを調整して、二次粒子の平均粒径を測定することができる。II-iv.ゼータ電位本発明のスラリ及びCMP研磨液に使用するシリカ粒子としては、砥粒の分散性に優れ、層間絶縁膜に対して良好な研磨速度が得られる点で、砥粒分散液中でのゼータ電位が5mV以上であることが好ましく、10mV以上であることがより好ましい。上限は特に制限はないが、約80mV以下であれば通常の研磨には充分である。本発明においてゼータ電位ζ[mV]は、ゼータ電位測定装置において測定サンプルの散乱強度が1.0×104~5.0×104cpsここでcpsとはcountspersecond、すなわちカウント毎秒を意味し、粒子の計数の単位である。以下同じ。となるようにCMP研磨液を純水で希釈し、ゼータ電位測定用セルに入れ、測定する。散乱強度を前記範囲にするには例えばシリカ粒子が1.7~1.8質量部となるようにCMP研磨液を希釈することが挙げられる。前記シラノール基密度、二軸平均一次粒子径、会合度及びゼータ電位の異なる種々のシリカ粒子はいくつかのシリカ粒子メーカーから容易に入手可能であり、これらの値もメーカーでの知見により制御が可能である。また、シリカ粒子の種類としては、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等公知のものを使用することができるが、前記のシラノール基密度、二軸平均一次粒子径、会合度及びゼータ電位を有するシリカ粒子の入手が容易な点で、コロイダルシリカであることが好ましい。なお、本発明のCMP研磨液において、前記の特性を満たす限りは、2種類以上の砥粒を組み合わせて使用することができる。II-v.含有量前記シリカ粒子の含有量は、砥粒分散液:100質量部に対して、8.0~20.0質量部とすることが好ましい。前記の特性を有するコロイダルシリカの含有量が8.0質量部以上の砥粒分散液は、希釈剤で希釈される濃縮スラリである場合には、充分な保存輸送コスト低減効果を有し、CMP研磨液である場合には、層間絶縁膜に対する良好な研磨速度が得られる傾向がある。また、20.0質量部以下の場合、粒子の凝集沈降がより抑制しやすくなり、結果として良好な分散安定性保存安定性が得られる傾向がある。なお、ここでの含有量とは、保存される砥粒分散液の状態での含有量を示し、水等の媒体で希釈して、CMP研磨液としては異なる砥粒濃度で使用してもよいことはいうまでもない。これまで説明したように、本発明のスラリは、希釈液又は添加液添加剤を含む液と混合することでCMP研磨液として使用されるものである。また、本発明のCMP研磨液は、前記スラリをそのままCMP研磨液として使用するものや、添加剤が予め混合されておりそのままCMP研磨液として使用するものである。本発明のCMP研磨液は、配線用金属、バリア金属及び層間絶縁膜の研磨速度も良好な値に保つことが好ましい。このような点で、本発明のCMP研磨液のpHは2.0~4.0であることが好ましい。pHが2.0以上であれば、配線用金属に対する腐食を抑制しやすく、配線用金属が過剰に研磨されることに起因するディッシングを抑制しやすくなる。また酸性が強すぎる場合と比較しても取り扱いが容易になる。pHが4.0以下であれば、配線用金属及びバリア層の導体に対しても良好な研磨速度を得ることができる。III.媒体及び希釈剤前記CMP研磨液又はスラリに混合されうる媒体としては、シリカ粒子が分散できる液体であれば特に制限されないが、pH調整の取り扱い性、安全性、被研磨面との反応性等の点から水を主成分とするものが好ましく、より具体的には、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。なお、水の含有量はその他の成分の添加量に応じて決定され、含有されていれば特に制限はない。前記スラリに混合されうる希釈剤としては、前記水、水と混和しうる有機溶媒、及びこれらの混合物が挙げられる。IV.添加剤前記添加剤としては、例えば、酸化金属溶解剤、金属防食剤、金属酸化剤等が挙げられる。IV-i.酸化金属溶解剤本発明のCMP研磨液は、導電性物質及びバリア層等の金属に対する良好な研磨速度が得られる点で、酸化金属溶解剤を含有することが好ましい。このような酸化金属溶解剤は、pHの調整及び導電性物質の溶解の目的で使用されるものであり、その機能を有していれば特に制限はないが、具体的には例えば、有機酸、有機酸エステル、有機酸の塩、無機酸、無機酸の塩等が挙げられる。前記の塩としては、代表的なものはアンモニウム塩である。中でも、実用的なCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点でギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、サリチル酸、アジピン酸等の有機酸が好ましい。導電性物質に対する高い研磨速度が得られやすい点で硫酸等の無機酸が好ましい。これらの酸化金属溶解剤は1種類単独で又は2種類以上混合して用いることができる。前記有機酸と前記無機酸を併用してもかまわない。酸化金属溶解剤を配合する場合、その含有量は、CMP研磨液100質量部に対して、0.001~20質量部とすることが好ましい。前記含有量は、導電性物質及びバリア層等の金属に対して良好な研磨速度が得られる点で0.002質量部以上がより好ましく、0.005質量部以上が更に好ましい。また、上限としては、エッチングを抑制し被研磨面に荒れが生じるのを防ぐことができる点で、15質量部以下であることがより好ましく、10質量部以下であることが更に好ましく、3質量部以下であることが特に好ましい。IV-ii.金属防食剤本発明のCMP研磨液に用いられる金属防食剤は、導電性物質に対する保護膜形成能を有していれば特に制限はないが、具体的には例えば、トリアゾール骨格を有するもの、ピラゾール骨格を有するもの、ピラミジン骨格を有するもの、イミダゾール骨格を有するもの、グアニジン骨格を有するもの、チアゾール骨格を有するもの、テトラゾール骨格を有するもの等が挙げられる。これらは1種類単独で又は2種類以上混合して用いることができる。金属防食剤の含有量としては、CMP研磨液100質量部に対して、0~10質量部とすることが好ましい。前記含有量は、配線用金属のエッチングを抑制し被研磨面に荒れが生じるのを防ぐことができる点で、0.001質量部以上がより好ましく、0.01質量部以上が更に好ましい。また、上限としては、導電性物質層及びバリア層の研磨速度を実用的な研磨速度に保つことができる点で5質量部以下がより好ましく、2質量部以下が更に好ましい。IV-iii.金属酸化剤本発明のCMP研磨液に用いることのできる金属酸化剤は、前記導電性物質を酸化する能力を有していれば特に制限はないが、具体的には例えば、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。これらは1種類単独で又は2種類以上混合して用いることができる。基板が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しいため、過酸化水素が最も適している。なお、適用対象の基体が半導体素子を含まないガラス基板等である場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。金属酸化剤の含有量は、CMP研磨液100質量部に対して、0.01~50質量部とすることが好ましい。前記含有量は、金属の酸化が不十分となりCMP速度が低下することを防ぐ観点から、0.02質量部以上が好ましく、0.05質量部以上が更に好ましい。また、上限としては、被研磨面に荒れが生じるのを防ぐことができる点で、30質量部以下がより好ましく、10質量部以下が更に好ましい。なお、酸化剤として過酸化水素を使用する場合、通常過酸化水素水として入手できるので、過酸化水素が最終的に前記範囲になるように過酸化水素水を配合する。以下に、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明の技術思想を逸脱しない限り、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。例えば、研磨液の材料の種類やその配合比率は、本実施例記載の種類や比率以外でも差し支えなく、研磨対象の組成や構造も、本実施例記載以外の組成や構造でも差し支えない。I.CMP研磨液用濃縮液の調製実施例1容器にリンゴ酸を1.8質量部、ベンゾトリアゾールを0.6質量部入れ、そこに超純水をX質量部注ぎ、攪拌混合して、両成分を溶解させた。次に、プロピレングリコールモノプロピルエーテルを18.0質量部入れ、攪拌した。更に、表1に示すコロイダルシリカAをシリカ粒子として12.0質量部に相当する量添加し、CMP研磨液用濃縮液スラリ1を得た。なお、本発明で用いるコロイダルシリカは、それぞれ固形分シリカ粒子含有量が相違するため、前記超純水のX質量部は、合計が100質量部になるよう計算して求めた。実施例及び比較例に用いたコロイダルシリカの物性について、表1にまとめる。実施例2及び3表2に示す各成分に対し、前記実施例1と同様の操作を実施し、CMP研磨液用濃縮液2及び3を得た。比較例1~6表2に示す各成分に対し、前記実施例1と同様の操作を実施し、CMP研磨液用濃縮液4~9を得た。II.評価II-i.砥粒分散安定性評価前記CMP研磨液用濃縮液について、それぞれ、作製直後作製直後とは、作製してから30分以内をいう。以下同じ。と、30°Cの恒温槽で6ヶ月間保管した後における二次粒子の平均粒径を測定し、保管後の平均粒径-作製直後の平均粒径を、作製直後の平均粒径で除して、粒径変化率を求めた。結果を表2に示す。平均粒径の測定方法前記CMP研磨液用濃縮液を0.5g量り取り、99.5gの水で希釈200倍希釈して測定サンプルを調製した。次に、この測定サンプルを、光回折散乱式粒度分布計BECKMANCOULTER社製、商品名:COULTERN5型を用いて測定し、D50の値をCMP研磨液中の二次粒子の平均粒径以下、平均粒径という。II-ii.研磨速度評価前記CMP研磨液用濃縮液を用いて下記POUスラリCMP研磨液を調整し、研磨条件でブランケット基板を研磨洗浄し、30°C恒温槽で6ヶ月間保管する前後での研磨速度を確認した。POUスラリの調整前記CMP研磨液用濃縮液1~9の作製直後、100質量部のCMP研磨液に超純水を200質量部添加して3倍に希釈し、30質量の過酸化水素水を1.44質量部過酸化水素として0.8質量部に相当する量添加し、攪拌混合して、実際研磨に使用するCMP研磨液としてPOUスラリ1~9POUはPointofUseを意味する。以下同じ。を得た。同様に、前記CMP研磨液用濃縮液1~9を30°Cで6ヶ月保管した後、100質量部のCMP研磨液に超純水を200質量部添加して3倍に希釈し、30質量の過酸化水素水を1.44質量部過酸化水素として0.8質量部に相当する量添加し、攪拌混合して、実際研磨に使用するCMP研磨液としてPOUスラリ1-1~9-1を得た。研磨条件研磨洗浄装置:CMP用研磨機AppliedMaterials社製、商品名:ReflexionLK研磨布:発泡ポリウレタン樹脂RohmandHaas製、商品名:IC1010定盤回転数:120min-1ヘッド回転数:118min-1研磨圧力:20kPaPOUスラリの供給量:200ml/min研磨時間:100secブランケット基板厚さ:1000nmの二酸化ケイ素をCVD法で形成したシリコン基板。研磨洗浄後のブランケット基板について、以下のようにして研磨速度を求めた。研磨前後での膜厚を膜厚測定装置大日本スクリーン製造株式会社製、商品名:RE-3000を用いて測定し、その膜厚差から求めた。研磨速度の測定結果を表2に示す。なお、表2において、作製直後とは、CMP研磨液用濃縮液の作製直後に調整したCMP研磨液を用いた場合の研磨速度Aを示し、30°C/6ヶ月後とは、CMP研磨液用濃縮液を30°Cで6ヶ月保管した後に調整したCMP研磨液を用いた場合の研磨速度Bを示し、研磨速度変化率とは、研磨速度B/研磨速度A×100[]として計算される値を示す。III.評価結果実施例1~3のCMP研磨液は、濃縮液の状態において、30°Cで6ヶ月保管した後の粒径の変化率は10以下であった。また、研磨速度変化率は95以上であった。保存時の液中に含まれる砥粒シリカ粒子含有量が多い時であっても、コロイダルシリカAを用い、プロピレングリコールモノプロピルエーテル又は3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノールを10質量部以上含むCMP研磨液の分散安定性が高いこと、研磨特性が低下しないことが明らかである。これに対し、比較例1~6のCMP研磨液は、30°Cで6ヶ月保管した後の粒径の変化率は10以上、研磨速度変化率が95未満と、分散安定性が低く、研磨特性の低下が大きい。特に、比較例5では、30°Cで6ヶ月保管した後の粒径の変化率は240、研磨速度変化率は80と、実施例1~3のCMP研磨液と比較すると非常に劣っている。