画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する複数の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記複数の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記複数の発光回路の少なくとも一つは、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子を備え、前記画素部に被検出物が重畳する場合に、前記複数の発光回路の少なくとも一つから射出される光が前記被検出物により反射し、前記被検出物からの反射光が前記光検出回路に入射する入出力装置。画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する第1の発光回路及び第2の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記第2の発光回路は、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記画素部に被検出物が重畳する場合に、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路の少なくとも一つから射出される光が前記被検出物により反射し、前記被検出物からの反射光が前記光検出回路に入射する入出力装置。請求項1又は請求項2において、前記発光回路は、前記発光素子が射出する光のうち、特定の色を呈する光を透過する着色層を含む入出力装置。画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する複数の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記複数の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記複数の発光回路の少なくとも一つは、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子を備える入出力装置の駆動方法であって、前記複数の発光回路のそれぞれに表示データ信号を順次入力し、前記複数の発光回路のそれぞれにおいて、前記駆動トランジスタのゲートの電圧を前記表示データ信号の電圧に応じた値に設定することと、前記スイッチング素子を備える前記発光回路の少なくとも一つにおいて、前記スイッチング素子をオン状態にし、前記スイッチング素子がオン状態のときに、前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である光データを生成することと、を含むことを特徴とする入出力装置の駆動方法。画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する第1の発光回路及び第2の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記第2の発光回路は、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備える入出力装置の駆動方法であって、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれに表示データ信号を入力し、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれにおける前記駆動トランジスタのゲートの電圧を前記表示データ信号の電圧に応じた値に設定することと、前記第2の発光回路において、前記スイッチング素子をオン状態にし、前記スイッチング素子がオン状態のときに、前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である光データを生成することと、を含むことを特徴とする入出力装置の駆動方法。画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する複数の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記複数の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記複数の発光回路の少なくとも一つは、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子を備える入出力装置の駆動方法であって、前記複数の発光回路のそれぞれに表示データ信号を順次入力し、前記複数の発光回路のそれぞれにおいて、前記駆動トランジスタのゲートの電圧を前記表示データ信号の電圧に応じた値に設定することと、前記スイッチング素子をオン状態にし、前記スイッチング素子がオン状態のときに、前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である第1の光データを生成することと、前記スイッチング素子がオフ状態のときに前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である第2の光データを生成することと、を含み、前記第1の光データ及び前記第2の光データの差分データを生成することを特徴とする入出力装置の駆動方法。画素部を含み、前記画素部に設けられ、光を射出する第1の発光回路及び第2の発光回路と、前記画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧を生成する光検出回路と、を具備し、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれは、ソース、ドレイン、及びゲートを有する駆動トランジスタと、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子が前記駆動トランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記第2の電流端子に第1の電圧が入力され、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子の間に流れる電流に応じて発光する発光素子と、を備え、前記第2の発光回路は、第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子に第2の電圧が入力され、前記第2端子が前記発光素子における前記第1の電流端子に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備える入出力装置の駆動方法であって、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれに表示データ信号を入力し、前記第1の発光回路及び前記第2の発光回路のそれぞれにおける前記駆動トランジスタのゲートの電圧を前記表示データ信号の電圧に応じた値に設定することと、前記第2の発光回路において、前記スイッチング素子をオン状態にし、前記スイッチング素子がオン状態のときに、前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である第1の光データを生成することと、前記第2の発光回路において、前記スイッチング素子がオフ状態のときに、前記光検出回路に入射する光の照度に応じた値の電圧である第2の光データを生成することと、を含み、前記第1の光データ及び前記第2の光データの差分データを生成することを特徴とする入出力装置の駆動方法。特許文献1に示すような従来の入出力装置では、表示画像の品質が十分ではないといった問題があった。例えば、上記従来の入出力装置では、複数の発光回路の発光輝度が最大になるように、複数の発光回路のそれぞれへの表示データの書き換えを行い、光検出回路による読み取り動作を行う。そのため、複数の発光回路の発光輝度が最大になるように、複数の発光回路のそれぞれへの表示データの書き換えを行う毎に、表示画像が一時的に切り替わり、該表示画像の変化により表示画像のちらつきが起こってしまい、表示画像の品質が低下していた。本発明の一態様では、表示画像の品質を向上させることを課題の一つとする。本発明の一態様は、画素部を含み、画素部に設けられた複数の発光回路と、画素部に設けられ、入射する光の照度に応じた値の電圧である光データを生成する光検出回路と、を備えるものである。さらに、発光回路は、発光素子と、輝度切替選択スイッチとしての機能を有するスイッチング素子と、を少なくとも備える。発光素子は、2つの端子を少なくとも有し、2つの端子の間に印加される電圧に応じて2つの端子の間に電流が流れ、2つの端子の間に流れる電流に応じて発光する。また、スイッチング素子は、上記発光素子の2つの端子の間に印加される電圧を切り替える。例えば、スイッチング素子のオン状態及びオフ状態を切り替えることにより、上記発光素子の2つの端子の間に印加される電圧を切り替えることができる。上記構成にすることにより、発光素子の輝度の切り替えを容易にし、表示画像の切り替わり速度の高速化を図る。また、本発明の一態様は、上記構成の入出力装置において、輝度切替選択スイッチがオン状態のときに、光データを生成することである。また、本発明の一態様は、輝度切替選択スイッチがオン状態のときに第1の光データを生成することと、輝度切替選択スイッチがオフ状態のときに第2の光データを生成することと、を含み、第1の光データ及び第2の光データの差分データを生成することである。上記構成にすることにより、生成される光データにおいて入出力装置の置かれる環境下の光の影響の抑制を図る。本発明の一態様により、表示画像の切り替わり速度が速くなり、表示画像のちらつきを抑制することができるため、表示画像の品質の低下を抑制することができ、表示画像の品質を向上させることができる。本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。なお、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく実施の形態の内容を変更することは、当業者であれば容易である。よって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定されない。なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態の内容を互いに置き換えることができる。また、第1、第2などの序数は、構成要素の混同を避けるために付しており、各構成要素の数は、序数の数に限定されない。実施の形態1本実施の形態では、画像を表示することにより情報の出力が可能であり、且つ入射する光により情報の入力が可能な入出力装置の例について説明する。本実施の形態における入出力装置の例について、図1を用いて説明する。まず、本実施の形態における入出力装置の構成例について、図1Aを用いて説明する。図1Aは、本実施の形態における入出力装置の構成例を示す模式図である。図1Aに示す入出力装置は、発光制御部LECTLと、光検出制御部PSCTLと、画素部PIXと、を含む。発光制御部LECTLは、入出力装置における発光動作を制御する領域である。光検出制御部PSCTLは、入出力装置における光検出動作を制御する領域である。画素部PIXは、発光動作及び光検出動作を行い、画像の表示及び入射する光の検出を行うことにより、情報の入出力を行う領域である。なお、必ずしも発光制御部LECTL及び光検出制御部PSCTLを入出力装置に含めなくてもよい。また、図1Aに示す入出力装置は、発光駆動回路LEDRVともいう101と、表示データ信号出力回路DDOUTともいう102と、光検出駆動回路PSDRVともいう103と、複数の発光回路LEともいう105lと、光検出回路PSともいう105pと、読み出し回路READともいう106と、を具備する。発光駆動回路101は、発光制御部LECTLに設けられる。発光駆動回路101は、発光回路105lの発光動作を制御する回路である。発光駆動回路101は、例えばシフトレジスタを備える。このとき、発光駆動回路101は、シフトレジスタから複数のパルス信号を出力させることにより、発光回路105lを制御するための信号を出力することができる。また、発光駆動回路101を複数のシフトレジスタを備える構成にすることもできる。このとき、発光駆動回路101は、上記複数のシフトレジスタのそれぞれから複数のパルス信号を出力させ、発光回路105lを制御するための複数の信号を出力することもできる。表示データ信号出力回路102は、発光制御部LECTLに設けられる。表示データ信号出力回路102には、画像信号が入力される。表示データ信号出力回路102は、入力された画像信号を元に電圧信号である表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を出力する機能を有する。表示データ信号出力回路102は、例えば複数のトランジスタを備える。なお、入出力装置において、トランジスタは、2つの端子と、印加される電圧により該2つの端子の間に流れる電流を制御する電流制御端子と、を有する。なお、トランジスタに限らず、素子において、互いの間に流れる電流が制御される端子を電流端子ともいい、2つの電流端子のそれぞれを第1の電流端子及び第2の電流端子ともいう。また、入出力装置において、トランジスタとしては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタの場合、第1の電流端子は、ソース及びドレインの一方であり、第2の電流端子は、ソース及びドレインの他方であり、電流制御端子は、ゲートである。また、一般的に電圧とは、ある二点間における電位の差電位差ともいうのことをいう。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルトVで表されることがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、ある一点の電位と基準となる電位基準電位ともいうとの電位差を、該一点の電圧として用いる場合がある。表示データ信号出力回路102は、上記トランジスタがオン状態のときに入力される信号のデータを表示データ信号として出力することができる。上記トランジスタは、電流制御端子にパルス信号である制御信号を入力することにより制御することができる。なお、発光回路105lの数が複数である場合には、複数のスイッチングトランジスタを選択的にオン状態又はオフ状態にすることにより、画像信号のデータを複数の表示データ信号として出力してもよい。光検出駆動回路103は、光検出制御部PSCTLに設けられる。光検出駆動回路103は、光検出回路105pにおける光検出動作を制御するための回路である。光検出駆動回路103は、パルス信号である光検出リセット信号及びパルス信号である出力選択信号を少なくとも出力する。光検出駆動回路103は、例えば少なくとも2つのシフトレジスタを備える。このとき、光検出駆動回路103は、2つのシフトレジスタの一方からパルス信号を出力させることにより、光検出リセット信号を出力し、2つのシフトレジスタの他方からパルス信号を出力させることにより、出力選択信号を出力することができる。複数の発光回路LEともいう105lは、画素部PIXに行列方向に設けられる。複数の発光回路105lのそれぞれには、表示データ信号が入力される。複数の発光回路105lは、表示機能を有し、表示回路として機能させることもできる。なお、赤色を呈する光を射出する発光回路、緑色を呈する光を射出する発光回路、及び青色を呈する光を射出する発光回路を設け、それぞれの発光回路により光を射出し、フルカラーの画像を画素部において表示することもできる。また、上記発光回路に加え、シアン、マゼンタ、及びイエローの一つ又は複数の色を呈する光を射出する発光回路を設けてもよい。シアン、マゼンタ、及びイエローの一つ又は複数の色を呈する光を射出する発光回路を設けることにより、表示画像において再現可能な色の種類を増やすことができるため、表示画像の品質を向上させることができる。例えば、発光回路に、発光素子及び発光素子が発光することにより射出する光のうち、特定の色を呈する光を透過する着色層を設け、発光素子から該着色層を介して光を射出させることにより、特定の色を呈する光を射出することができる。上記構成にすることにより、互いに異なる色を呈する光を射出する複数の発光素子を形成せずにフルカラー画像を表示することができるため、作製工程を容易にし、歩留まりを向上させることができ、また発光素子の品質を向上させ、発光素子の信頼性を向上させることができる。ここで、発光回路105lの回路構成例について、図1Bを用いて説明する。図1Bに示す発光回路LE_Aは、トランジスタ111aと、発光素子LEEともいう112aと、スイッチング素子113と、を少なくとも備える。また、入出力装置において、発光素子は、第1の電流端子と、第2の電流端子と、前記第1の電流端子及び前記第2の電流端子に重畳する電界発光層と、を含む。発光素子は、第1の電流端子及び第2の電流端子の間に印加される電圧に応じて第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れることにより発光する。トランジスタ111aは、入力される表示データ信号に応じて発光素子に供給する電流の値を制御する機能を有し、該機能を有する駆動トランジスタとして機能させることができる。発光素子112aの第1の電流端子は、トランジスタ111aのソース又はドレインに電気的に接続され、発光素子112aの第2の電流端子には、電圧Vaが入力される。スイッチング素子113は、第1端子及び第2端子を有し、スイッチング素子113の第1端子には、電圧Vbが入力され、スイッチング素子113の第2端子は、発光素子112aの第1の電流端子に電気的に接続される。なお、電圧Va及び電圧Vbの一方は、高電源電圧Vddであり、電圧Va及び電圧Vbの他方は、低電源電圧Vssである。電圧Vaの値及び電圧Vbの値の差の絶対値は、少なくとも駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値より大きいことが好ましい。また、電圧Va及び電圧Vbの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入れ替わる場合がある。また、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチとしての機能を有するスイッチング素子を備える発光回路LE_Aに加え、発光回路LE_Aとは別の構成である発光回路LE_Bを画素部PIXに設けてもよい。発光回路LE_Bの回路構成例について図1Cを用いて説明する。図1Cに示す発光回路LE_Bは、トランジスタ111b及び発光素子112bと、を備え、図1Bに示すスイッチング素子113は、設けられていない。トランジスタ111bは、駆動トランジスタとして機能する。発光素子112bの第1の電流端子は、トランジスタ111bのソース又はドレインに電気的に接続され、発光素子112bの第2の電流端子には、電圧Vaが入力される。さらに、図1B及び図1Cに示す発光回路の各構成要素について説明する。トランジスタ111a及びトランジスタ111bとしては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。上記酸化物半導体層は、シリコンよりバンドギャップが高く、真性I型ともいう、又は実質的に真性である半導体層であり、キャリアの数が極めて少なく、キャリア濃度は、1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。また、上記酸化物半導体層を含むトランジスタのオフ電流は、チャネル幅1μmあたり10aA1×10-17A以下、好ましくはチャネル幅1μmあたり1aA1×10-18A以下、さらには好ましくはチャネル幅1μmあたり10zA1×10-20A以下、さらに好ましくはチャネル幅1μmあたり1zA1×10-21A以下、さらに好ましくはチャネル幅1μmあたり100yA1×10-22A以下である。また、上記酸化物半導体層は、キャリア濃度が低いため、該酸化物半導体層を含むトランジスタは、温度が変化した場合であっても、オフ電流が低い。例えばトランジスタの温度が150°Cであっても、オフ電流を、チャネル幅1μmあたり100zAとすることもできる。また、上記酸化物半導体層としては、例えば層表面に垂直に配向c軸配向ともいうした結晶を含む酸化物半導体層を用いることもできる。例えば、基板温度を100°C以上500°C以下にして酸化物半導体層を形成し、その後加熱処理を行い、酸化物半導体層を形成することにより、層表面に垂直に配向した結晶を含む酸化物半導体層を形成することができる。また、酸化物半導体層は複数の酸化物半導体層の積層であってもよい。上記層表面に垂直に配向した結晶を含む酸化物半導体層を用いることにより、例えば光によるトランジスタの電気特性の変化を抑制することができる。例えば、上記酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、トランジスタ111a又はトランジスタ111bのリーク電流によるゲートの電圧の変動を抑制することができる。トランジスタ111a及びトランジスタ111bのそれぞれは、発光素子112a又は発光素子112bの発光輝度を入力される表示データ信号に応じた値に設定する機能を有し、駆動トランジスタとして機能させることができる。発光素子112a及び発光素子112bとしては、例えばエレクトロルミネセンスELともいう素子、発光ダイオード、又は発光トランジスタなどを用いることができる。例えば発光ダイオードの場合、発光ダイオードのアノード及びカソードの一方が発光素子の第1の電流端子に相当し、発光ダイオードのアノード及びカソードの他方が発光素子の第2の電流端子に相当する。スイッチング素子113としては、例えば電界効果トランジスタなどを用いることができ、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタを用いる場合、該電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方が第1端子に相当し、該電界効果トランジスタのソース及びドレインの他方が第2端子に相当し、該電界効果トランジスタのゲートには、パルス信号が入力される。また、スイッチング素子113としては、MEMSMicroElectroMechanicalSystemを用いたスイッチング素子などを用いることもできる。スイッチング素子113は、発光素子112aの第1の電流端子の電圧を電圧Vbに切り替え、発光素子112aの発光輝度を切り替える機能を有し、該機能を有する輝度切替選択スイッチとして機能させることができる。なお、上記発光回路に信号入力選択トランジスタ及び保持容量を設けてもよい。信号入力選択トランジスタの電流制御端子には、パルス信号である信号入力選択信号が入力される。このとき、発光回路には、該信号入力選択信号に応じて信号入力選択トランジスタのソース及びドレインを介して表示データ信号が入力される。信号入力選択信号は、例えば発光駆動回路101のシフトレジスタからパルス信号を出力させることにより入力される。保持容量は、駆動トランジスタのゲートの電圧を一定期間保持する機能を有する。以上が発光回路の構成例である。さらに、図1Aに示す光検出回路105pは、画素部PIXに設けられる。光検出回路105pは、入射する光の照度に応じた電圧を生成する。なお、複数の光検出回路105pを画素部PIXに設けてもよい。光検出回路105pは、入射する光の照度に応じた値の電圧である光データを生成する。光検出回路105pには、例えばパルス信号である光検出リセット信号信号PRSTともいう及び出力選択信号信号OSELともいうが入力される。また、光検出回路105pは、例えば光電変換素子及び増幅トランジスタを少なくとも備える。光電変換素子は、第1の電流端子及び第2の電流端子を有し、光が入射することにより入射した光の照度に応じて第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流光電流ともいうが流れる。光電変換素子としては、例えばフォトダイオード又はフォトトランジスタなどを用いることができる。フォトダイオードの場合、フォトダイオードのアノード及びカソードの一方が光電変換素子の第1の電流端子に相当し、フォトダイオードのアノード及びカソードの他方が光電変換素子の第2の電流端子に相当し、フォトトランジスタの場合、フォトトランジスタのソース及びドレインの一方が光電変換素子の第1の電流端子に相当し、フォトトランジスタのソース及びドレインの他方が光電変換素子の第2の電流端子に相当する。増幅トランジスタは、電流制御端子の電圧が光電変換素子により生成された光電流に応じて設定され、電流制御端子の電圧に応じて駆動トランジスタのチャネル抵抗が変化し、駆動トランジスタの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れる。上記構成である光検出回路105pは、光検出リセット信号に従ってリセット状態になり、その後、光電変換素子により生成される光電流に応じて増幅トランジスタの電流制御端子の電圧が設定される。さらに、上記構成である光検出回路105pは、電流制御端子の電圧に応じて増幅トランジスタのチャネル抵抗が変化し、光データとなる電圧を生成し、出力選択信号に従って光データを出力する。なお、赤色を呈する光を受光する光検出回路、緑色を呈する光を受光する光検出回路、及び青色を呈する光を受光する光検出回路を設け、それぞれの光検出回路により光データを生成し、生成した異なる色を呈する光データを合成してフルカラーの画像信号のデータを生成することもできる。また、上記光検出回路に加え、シアン、マゼンタ、及びイエローの一つ又は複数の色を呈する光を受光する光検出回路を設けてもよい。シアン、マゼンタ、及びイエローの一つ又は複数の色を呈する光を受光する光検出回路を設けることにより、生成される画像信号に基づく画像において、再現可能な色の種類を増やすことができる。例えば、光検出回路に、特定の色を呈する光を透過する着色層を設け、該着色層を介して光検出回路に光を入射させることにより、特定の色を呈する光の照度に応じた値の電圧である光データを生成することができる。また、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチを備える発光回路と、駆動トランジスタ及び発光素子を備える発光回路を画素部PIXに備える構成の場合、赤外線領域の光のみを受光する光検出回路を設けてもよい。赤外線領域の光のみを受光する光検出回路を設けることにより、光検出の精度を向上させることができる。なお、1個以上の発光回路105lにより1つの画素が構成される。また、1個以上の発光回路105l及び1個以上の光検出回路105pにより1つの画素を構成してもよい。読み出し回路106は、光検出回路105pから光データを読み出す機能を有する。読み出し回路106は、例えば選択回路を用いて構成される。例えば、選択回路は、トランジスタを備え、該トランジスタに従って光検出回路105pから光データが光データ信号として入力されることにより、光データを読み出すことができる。次に、本実施の形態における入出力装置の駆動方法例として、図1Aに示す入出力装置の駆動方法例について説明する。ここでは、一例として複数の発光回路105lの少なくとも一つが図1Bに示す構成の発光回路LE_Aである場合について説明する。図1Aに示す入出力装置では、発光駆動回路101により発光回路105lを行毎に選択し、選択した各行の発光回路105lに表示データ信号を順次入力する。表示データ信号が入力された図1Bに示す構成の発光回路LE_Aでは、トランジスタ111aのゲートの電圧を、入力された表示データ信号の電圧に応じた値に設定する。このとき、トランジスタ111aのゲートの電圧に応じてトランジスタ111aのソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れ、発光素子112aが発光する。なお、発光素子112aの第1の電流端子の電圧は、トランジスタ111aのソース及びドレインの間に流れる電流により決まるため、トランジスタ111aのゲートの電圧、すなわち、表示データ信号の電圧に応じた値になるといえる。また、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流は、トランジスタ111aのソース及びドレインの間に流れる電流の値によって設定することができる。発光素子112aの発光輝度は、第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値に応じて変化する。駆動トランジスタトランジスタ111aのソース及びドレインの間に流れる電流電流Idsともいうの値は、駆動トランジスタのゲート及びソースの間に印加される電圧電圧Vgsともいう、並びに駆動トランジスタの閾値電圧電圧Vthdともいうの差の絶対値が大きくなるほど大きくなる。また、電圧Vgs及び電圧Vthdの差の絶対値が駆動トランジスタのソース及びドレインの間に印加される電圧電圧Vdsともいうの絶対値より大きい場合は、駆動トランジスタは、線形領域で動作し、電圧Vgs及び電圧Vthdの差の絶対値が電圧Vdsの絶対値以下の場合には、駆動トランジスタは、飽和領域で動作する。例えば、飽和領域で動作させる場合、電圧Vdsが変化しても電流Idsがほとんど変化しないため、電圧Vgsの値を変化させることにより、電流Idsの値を設定することができる。発光回路では、例えば駆動トランジスタのゲートの電圧により駆動トランジスタのソース及びドレインの間に流れる電流を設定し、さらに、発光素子の第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値を設定し、発光素子の発光輝度を設定することにより、表示画像の階調を表現することができる。よって、発光回路毎に発光素子の発光輝度を設定することにより、画素部において画像を表示することができる。また、図1Aに示す入出力装置では、発光回路LE_Aにおいて、スイッチング素子113を選択的にオン状態にする。スイッチング素子113をオン状態にするタイミングは、適宜設定することができる。スイッチング素子113がオン状態のとき、発光素子112aの第1の電流端子の電圧は、電圧Vbと同等の値に変化する。よって、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値は、電圧Va及び電圧Vbの差の絶対値に応じた値に変化し、発光素子112aの発光輝度も電圧Va及び電圧Vbの差の絶対値に応じた値に変化する。なお、スイッチング素子113がオン状態のときにおける発光素子発光素子112aの輝度は、発光素子の最大輝度であることが好ましい。さらに、例えばスイッチング素子113をオフ状態にした場合、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値は、トランジスタ111aのソース及びドレインの間に流れる電流の値に応じた値になり、発光素子112aの発光輝度は、第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値に応じた値になる。また、図1Aに示す入出力装置では、光検出回路105pにおいて、入射する光の照度に応じた電圧である光データを生成し、該光データを光データ信号として出力する。なお、光検出回路105pによる光データの生成動作は、少なくとも発光回路発光回路LE_Aにおける輝度切替選択スイッチスイッチング素子113がオン状態のときに行えばよい。さらに、輝度切替選択スイッチスイッチング素子113がオフ状態のときも光検出回路105pにより光データを生成してもよい。例えば、画素部PIXに被検出物がある場合、発光回路105lから射出された光が被検出物により反射し、該反射光が光検出回路105pに入射し、光検出回路105pにおいて、入射する光の照度に応じた電圧である光データを生成し、該光データを光データ信号として出力する。さらに、読み出し回路106により光検出回路105pから出力された光データを読み出す。読み出された光データは、例えば被検出物の座標検出又は画像データ生成など、所定の処理に用いられる。また、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチを備える発光回路LE_Aとは別に、図1Cに示すように、駆動トランジスタ及び発光素子を備える発光回路LE_Bを画素部に具備する入出力装置の駆動方法例について以下に説明する。発光回路LE_A及び発光回路LE_Bを含む入出力装置の駆動方法例では、発光駆動回路101により、行毎に複数の発光回路105lを選択し、選択した発光回路105lに表示データ信号を順次入力する。表示データ信号が入力された発光回路LE_A及び発光回路LE_Bのそれぞれでは、駆動トランジスタトランジスタ111a又はトランジスタ111bのゲートの電圧が、入力された表示データ信号の電圧に応じた値に設定される。このとき、駆動トランジスタトランジスタ111a又はトランジスタ111bのゲートの電圧に応じて駆動トランジスタトランジスタ111a又はトランジスタ111bのソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに、発光素子発光素子112a又は発光素子112bの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れ、発光素子発光素子112a又は発光素子112bが発光する。また、図1Aに示す入出力装置では、発光回路LE_Aにおいて、スイッチング素子113を選択的にオン状態にする。スイッチング素子113をオン状態にするタイミングは、適宜設定することができる。このとき、発光回路LE_Aにおいて、発光素子112aの第1の電流端子の電圧は、電圧Vbと同等の値に変化する。よって、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値は、電圧Va及び電圧Vbの差の絶対値に応じた値に変化し、発光素子112aの発光輝度も電圧Va及び電圧Vbの差の絶対値に応じた値に変化する。なお、スイッチング素子113がオン状態のときにおける発光素子発光素子112aの輝度は、発光素子の最大輝度であることが好ましい。また、このとき発光回路LE_Bでは、トランジスタ111bのゲートの電圧が入力された表示データ信号の電圧に応じた値に維持される。よって、発光回路LE_Bは、引き続き表示データ信号の電圧に応じて発光する。さらに、発光回路LE_Aにおいて、例えばスイッチング素子113をオフ状態にした場合、発光素子112aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値は、トランジスタ111aのソース及びドレインの間に流れる電流の値に応じた値になり、発光素子112aの発光輝度は、第1の電流端子及び第2の電流端子の間に流れる電流の値に応じた値になる。このとき、発光回路LE_Bでは、トランジスタ111bのゲートの電圧が入力された表示データ信号の電圧に応じた値に維持される。よって、発光回路LE_Bは、引き続き入力された表示データ信号の電圧に応じて発光する。上記のように、発光回路LE_Bにより、発光回路LE_Aにおいて発光輝度を切り替えている間も、画素部において表示データ信号に応じた画像を表示することができるため、表示画像の品質の低下を抑制することができる。また、発光回路LE_Aにおいて、輝度切替選択スイッチスイッチング素子113がオン状態のときに光検出回路105pにより第1の光データを生成し、輝度切替選択スイッチスイッチング素子113がオフ状態のときに光検出回路105pにより第2の光データを生成し、第1の光データ及び第2の光データの差分データを生成することもできる。例えば、画像処理回路を用いて第1の光データ及び第2の光データの差分データを生成することができる。また、画像処理回路を、必ずしも入出力装置に設けなくてもよい。第1の光データ及び第2の光データの差分データを生成することにより、入出力装置の置かれる環境下の光の影響を抑制することができる。図1を用いて説明したように、本実施の形態における入出力装置の一例は、画素部に複数の発光回路及び光検出回路を具備する構成である。さらに、複数の発光回路の少なくとも一つは、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチを備える構成である。本実施の形態における入出力装置の一例では、上記複数の発光回路のそれぞれに表示データ信号を入力し、上記発光回路のそれぞれにおける駆動トランジスタのゲートの電圧を入力した表示データ信号の電圧に応じた値に設定し、さらに、輝度切替選択スイッチが設けられた発光回路における輝度切替選択スイッチにより発光素子の輝度を切り替え、光検出回路は、少なくとも輝度切替選択スイッチがオン状態のときに光データを生成する。また、本実施の形態における入出力装置の一例では、画素部に被検出物が重畳する場合に、複数の発光回路の少なくとも一つから射出される光が被検出物により反射し、被検出物からの反射光が光検出回路に入射する。上記構成にすることにより、発光回路に表示データ信号を入力し、駆動トランジスタのゲートの電圧を入力した表示データ信号の電圧に応じた値に設定することができる。また、輝度切替選択スイッチをオン状態又はオフ状態にすることにより、発光素子の発光輝度を切り替えることができるため、発光素子の発光輝度の切替時間を速くすることができる。よって、表示画像の切り替わり速度が速くなり、表示画像のちらつきを抑制することができるため、表示画像の品質の低下を抑制することができ、表示画像の品質を向上させることができる。また、本実施の形態における入出力装置の一例では、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチを備える第1の発光回路と、駆動トランジスタ及び発光素子を備える第2の発光回路を画素部に具備する構成にすることもできる。上記構成にすることにより、第1の発光回路において、発光素子の発光輝度を切り替えている間に第2の発光回路を、入力された表示データ信号の電圧に応じて発光させることができるため、表示画像のちらつきを抑制することができ、表示画像の品質の低下を抑制することができる。上記のように、表示画像の品質の低下を抑制することにより、表示画像の品質を向上させることができる。実施の形態2本実施の形態では、上記実施の形態1の入出力装置の一例における、発光回路の例について説明する。本実施の形態における発光回路の例について、図2を用いて説明する。まず、本実施の形態における発光回路の構成例について、図2A及び図2Bを用いて説明する。図2A及び図2Bは、本実施の形態における発光回路の構成例を示す回路図である。図2Aに示す発光回路は、トランジスタ131aと、トランジスタ132aと、発光素子LEEともいう133aと、トランジスタ134aと、容量素子135aと、を備える。なお、図2Aに示す発光回路において、トランジスタ131a、トランジスタ132a、及びトランジスタ134aは、電界効果トランジスタである。なお、入出力装置において、容量素子は、第1の容量電極と、第2の容量電極と、前記第1の容量電極及び前記第2の容量電極に重畳する誘電体層と、を含む。容量素子は、第1の容量電極及び第2の容量電極の間に印加される電圧に応じて電荷が蓄積される。トランジスタ131aのソース及びドレインの一方には、表示データ信号信号DDともいうが入力され、トランジスタ131aのゲートには、信号入力選択信号信号SSELともいうが入力される。トランジスタ132aのソース及びドレインの一方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ132aのゲートは、トランジスタ131aのソース及びドレインの他方に電気的に接続される。発光素子133aの第1の電流端子は、トランジスタ132aのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、発光素子133aの第2の電流端子には、電圧Vaが入力される。トランジスタ134aのソース及びドレインの一方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ134aのソース及びドレインの他方は、発光素子133aの第1の電流端子に電気的に接続され、トランジスタ134aのゲートには、パルス信号である輝度切替選択信号信号LSWともいうが入力される。容量素子135aの第1の容量電極には、電圧Vbが入力され、容量素子135aの第2の容量電極は、トランジスタ132aのゲートに電気的に接続される。また、図2Bに示す発光回路は、トランジスタ131bと、トランジスタ132bと、発光素子133bと、トランジスタ134bと、容量素子135bと、トランジスタ136と、トランジスタ137と、トランジスタ138と、を備える。なお、図2Bに示す発光回路において、トランジスタ131b、トランジスタ132b、トランジスタ134b、トランジスタ136、トランジスタ137、及びトランジスタ138は、電界効果トランジスタである。トランジスタ131bのソース及びドレインの一方には、表示データ信号が入力され、トランジスタ131bのゲートには、信号入力選択信号が入力される。トランジスタ132bのソース及びドレインの一方は、トランジスタ131bのソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ137のソース及びドレインの一方は、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ137のゲートには、パルス信号である第1の導通選択信号信号CSEL1ともいうが入力される。例えば、上記実施の形態1に示す発光駆動回路101に第1の導通選択信号用シフトレジスタを設け、該シフトレジスタにより複数のパルス信号を出力させることにより、複数の第1の導通選択信号を出力し、行毎の発光回路に異なる第1の導通選択信号を入力することができる。発光素子133bの第1の電流端子は、トランジスタ134bのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、発光素子133bの第2の電流端子には、電圧Vaが入力される。トランジスタ134bのソース及びドレインの一方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ134bのゲートには、輝度切替選択信号が入力される。容量素子135bの第1の容量電極には、電圧Vbが入力され、容量素子135bの第2の容量電極は、トランジスタ132bのゲートに電気的に接続される。トランジスタ136のソース及びドレインの一方には、電圧Vbが入力され、トランジスタ136のソース及びドレインの他方は、トランジスタ132bのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ136のゲートには、パルス信号である電圧入力選択信号信号VSELともいうが入力される。例えば、上記実施の形態1に示す発光駆動回路101に電圧入力選択信号用シフトレジスタを設け、該シフトレジスタにより複数のパルス信号を出力させることにより、複数の電圧入力選択信号を出力し、行毎の発光回路に異なる電圧入力選択信号を出力することができる。トランジスタ138のソース及びドレインの一方は、トランジスタ132aのゲートに電気的に接続され、トランジスタ138のソース及びドレインの他方は、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ138のゲートには、パルス信号である第2の導通選択信号信号CSEL2ともいうが入力される。例えば、上記実施の形態1に示す発光駆動回路101に第2の導通選択信号用シフトレジスタを設け、該シフトレジスタにより複数のパルス信号を出力させることにより、複数の第2の導通選択信号を出力し、行毎の発光回路に異なる第2の導通選択信号を出力することができる。さらに、図2A及び図2Bに示す発光回路の各構成要素について説明する。トランジスタ131a及びトランジスタ131bは、表示選択トランジスタである。トランジスタ132a及びトランジスタ132bは、駆動トランジスタである。トランジスタ134a及びトランジスタ134bは、輝度切替選択スイッチである。なお、輝度切替選択スイッチとして機能するトランジスタを輝度切替選択トランジスタともいう。なお、上記実施の形態1に示すように、図2A又は図2Bに示す発光回路とは別に、図2Aにおいてトランジスタ134aを設けない構成の発光回路又は図2Bにおいてトランジスタ134bを設けない構成の発光回路を備えてもよい。容量素子135a及び容量素子135bは、保持容量である。トランジスタ136は、トランジスタ132bのソース及びドレインの一方に電圧Vbを入力するか否かを選択する機能を有する電圧入力選択トランジスタである。トランジスタ137は、トランジスタ132bのソース及びドレインの他方と発光素子133bの第1の電流端子を導通状態にするか否かを選択する機能を有する導通選択トランジスタである。必ずしもトランジスタ137を設けなくてもよいが、トランジスタ137を設けることにより、表示データの書き込み時におけるトランジスタ132bのソース及びドレインの他方から発光素子133bの第1の電流端子に電流が流れることを抑制することができる。トランジスタ138は、トランジスタ132bのゲートとソース及びドレインの他方を導通させるか否かを選択する機能を有する導通選択トランジスタである。なお、トランジスタ131a、トランジスタ131b、トランジスタ132a、トランジスタ132b、トランジスタ134a、トランジスタ134b、トランジスタ136、トランジスタ137、及びトランジスタ138としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。次に、図2A及び図2Bに示す発光回路の駆動方法例について説明する。まず、図2Aに示す発光回路の駆動方法例について、図2Cを用いて説明する。図2Cは、図2Aに示す発光回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号DD、信号SSEL、信号LSW、トランジスタ131a、及びトランジスタ134aのそれぞれの状態を示す。図2Aに示す発光回路の駆動方法例では、期間T11において、信号SSELのパルスplsともいうを入力し、トランジスタ131aをオン状態状態ONともいうにする。トランジスタ131aがオン状態のとき、発光回路に信号DDが入力され、トランジスタ132aのゲートの電圧及び容量素子135aの第2の容量電極の電圧が信号DDの電圧ここでは一例として電圧D11と同等の値になる。このとき、トランジスタ132aのゲートの電圧に応じてトランジスタ132aのソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに、発光素子133aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れ、発光素子133aが発光する。このとき、発光素子133aの第1の電流端子の電圧は、信号DDに応じた値になり、発光素子133aの発光輝度は、信号DDに応じて設定された第1の電流端子の電圧、及び電圧Vaに応じた値になる。さらに、信号SSELのパルスの入力が終わるとトランジスタ131aがオフ状態状態OFFともいうになる。また、信号LSWのパルスを入力し、トランジスタ134aをオン状態にする。図2Cでは、一例として、信号SSELのパルスの入力が終わった後の期間T12においてトランジスタ134aをオン状態にしているが、これに限定されず、期間T11のときにトランジスタ134aをオン状態にしてもよい。トランジスタ134aがオン状態のとき、発光素子133aの第1の電流端子に電圧Vbが入力され、発光素子133aの発光輝度は、電圧Va及び電圧Vbの差の絶対値に応じた値に変わる。さらに、信号LSWのパルスの入力が終わるとトランジスタ134aがオフ状態になる。このとき、発光素子133aの第1の電流端子の電圧の値は、トランジスタ132aのゲートの電圧に応じた値になる。以上が図2Aに示す発光回路の駆動方法例である。次に、図2Bに示す発光回路の駆動方法例について、図2Dを用いて説明する。図2Dは、図2Bに示す発光回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号DD、信号SSEL、信号LSW、信号CSEL1、信号CSEL2、信号VSEL、トランジスタ131b、トランジスタ134b、トランジスタ136、トランジスタ137、及びトランジスタ138のそれぞれの状態を示す。図2Bに示す発光回路の駆動方法例では、期間T21において、信号SSELのパルスを入力してトランジスタ131bをオン状態にし、トランジスタ136をオフ状態にし、信号CSEL1のパルスを入力してトランジスタ137をオン状態にし、信号CSEL2のパルスを入力してトランジスタ138をオン状態にする。このとき、発光回路は、リセット状態になり、トランジスタ132bのゲートの電圧は、基準値になる。さらに、信号CSEL1のパルスの入力が終わると、トランジスタ137がオフ状態になる。次に、期間T22において、トランジスタ131bをオン状態のままにし、トランジスタ136をオフ状態のままにし、トランジスタ137をオフ状態にし、トランジスタ138をオン状態のままにする。このとき、発光回路に信号DDが入力され、トランジスタ132bのゲートの電圧及び容量素子135bの第2の容量電極の電圧が信号DDの電圧ここでは電圧D21からトランジスタ132bの閾値電圧を引いた値と同等の値になる。さらに、信号SSELのパルスの入力が終わると、トランジスタ131bがオフ状態になる。次に、期間T23において、トランジスタ131bをオフ状態にし、信号VSELのパルスを入力してトランジスタ136をオン状態にし、信号CSEL1のパルスを入力してトランジスタ137をオン状態にし、信号CSEL2のパルスの入力を終了してトランジスタ138をオフ状態にする。このとき、トランジスタ132bのゲートの電圧に応じてトランジスタ132bのソース及びドレインの間に電流が流れ、さらに発光素子133bの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に電流が流れ、発光素子133bが発光する。このとき、発光素子133bの第1の電流端子の電圧は、信号DDに応じた値になり、発光素子133bの発光輝度は、信号DDに応じて設定された第1の電流端子の電圧及び電圧Vaに応じた値になる。また、信号LSWのパルスを入力してトランジスタ134bをオン状態にする。図2Dでは、一例として、期間T24においてトランジスタ134bをオン状態にしているが、これに限定されず、期間T21乃至期間T23のときにトランジスタ134bをオン状態にしてもよい。また、期間T24において、トランジスタ131bは、オフ状態のままであり、トランジスタ136は、オン状態のままであり、トランジスタ137は、オン状態のままであり、トランジスタ138は、オフ状態のままである。トランジスタ134bがオン状態のとき、発光素子133bの第1の電流端子に電圧Vbが入力され、発光素子133bの発光輝度は、電圧Va及び電圧Vbの差に応じた値に変わる。さらに、信号LSWのパルスの入力が終わるとトランジスタ134bがオフ状態になる。このとき、発光素子133bの第1の電流端子の電圧の値は、トランジスタ132bのゲートの電圧に応じた値になる。以上が図2Bに示す発光回路の駆動方法例である。図2を用いて説明したように、本実施の形態の発光回路の一例は、信号入力選択トランジスタ、保持容量、駆動トランジスタ、発光素子、及び輝度切替選択スイッチを少なくとも備える構成である。上記構成にすることにより、信号入力選択トランジスタに従って発光回路に表示データ信号を入力し、駆動トランジスタのゲートの電圧を、入力した表示データ信号の電圧に応じた値に設定し、発光素子を発光させることができる。また、輝度切替選択スイッチのオン状態及びオフ状態を切り替えることにより、発光素子の発光輝度を切り替えることができるため、発光素子の発光輝度の切替時間を速くすることができる。よって、表示画像が切り替わる間隔を短くすることができるため、表示画像の質の低下を抑制することができる。よって、表示画像の品質を向上させることができる。実施の形態3本実施の形態では、上記実施の形態の入出力装置における光検出回路の例について説明する。本実施の形態における光検出回路の例について、図3を用いて説明する。図3は、本実施の形態における光検出回路の例を説明するための図である。まず、本実施の形態の光検出回路の構成例について、図3A乃至図3Cを用いて説明する。図3A乃至図3Cは、本実施の形態における光検出回路の構成例を示す図である。図3Aに示す光検出回路は、光電変換素子PCEともいう151aと、トランジスタ152aと、トランジスタ153aと、を備える。なお、図3Aに示す光検出回路において、トランジスタ152a及びトランジスタ153aは、電界効果トランジスタである。光電変換素子151aの第1の電流端子には、光検出リセット信号信号PRSTともいうが入力される。トランジスタ152aのゲートは、光電変換素子151aの第2の電流端子に電気的に接続される。トランジスタ153aのソース及びドレインの一方は、トランジスタ152aのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ153aのゲートには、出力選択信号信号OSELともいうが入力される。なお、トランジスタ152aのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153aのソース及びドレインの他方のうちの一方には、電圧Vaが入力される。さらに、図3Aに示す光検出回路は、トランジスタ152aのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153aのソース及びドレインの他方のうちの他方から光データを光データ信号として出力する。図3Bに示す光検出回路は、光電変換素子151bと、トランジスタ152bと、トランジスタ153bと、トランジスタ154と、トランジスタ155と、を備える。なお、図3Bに示す光検出回路において、トランジスタ152b、トランジスタ153b、トランジスタ154、及びトランジスタ155は、電界効果トランジスタである。光電変換素子151bの第1の電流端子には、電圧Vbが入力される。トランジスタ154のソース及びドレインの一方は、光電変換素子151bの第2の電流端子に電気的に接続され、トランジスタ154のゲートには、パルス信号である電荷蓄積制御信号信号TXともいうが入力される。トランジスタ152bのゲートは、トランジスタ154のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ155のソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ155のソース及びドレインの他方は、トランジスタ154のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ155のゲートには、信号PRSTが入力される。トランジスタ153bのソース及びドレインの一方は、トランジスタ152bのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ153bのゲートには、信号OSELが入力される。なお、トランジスタ152bのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153bのソース及びドレインの他方のうちの一方には、電圧Vaが入力される。また、図3Bに示す光検出回路は、トランジスタ152bのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153bのソース及びドレインの他方のうちの他方から光データを光データ信号として出力する。なお、図3Bに示す光検出回路を複数具備する場合、全ての光検出回路に同じ電荷蓄積制御信号を入力することもできる。このとき、全ての光検出回路に同じ電荷蓄積制御信号を入力して光データを生成する駆動方式をグローバルシャッター方式ともいう。全ての光検出回路に同じ電荷蓄積制御信号を入力して光データを生成することにより、全ての光検出回路により光データを生成する期間の長さを短くすることができる。また、上記構成に限定されず、複数の光検出回路に異なる電荷蓄積制御信号を出力することもできる。例えば、上記実施の形態1に示す光検出駆動回路103に電荷蓄積制御信号用シフトレジスタを設け、該シフトレジスタにより複数のパルス信号を出力させることにより、複数の電荷蓄積制御信号を出力し、行毎の発光回路に異なる電荷蓄積制御信号を出力することができる。図3Cに示す光検出回路は、光電変換素子151cと、トランジスタ152cと、容量素子156と、を備える。光電変換素子151cの第1の電流端子には、信号PRSTが入力される。容量素子156の第1の容量電極には、信号OSELが入力され、容量素子156の第2の容量電極は、光電変換素子151cの第2の電流端子に電気的に接続される。トランジスタ152cのソース及びドレインの一方には、電圧Vaが入力され、トランジスタ152cのゲートは、光電変換素子151cの第2の電流端子に電気的に接続される。なお、図3Cに示す光検出回路は、トランジスタ152cのソース及びドレインの他方から光データを光データ信号として出力する。さらに、図3A乃至図3Cに示す光検出回路の各構成要素について説明する。光電変換素子151a乃至光電変換素子151cとしては、例えばフォトダイオード又はフォトトランジスタなどを用いることができる。フォトダイオードの場合、フォトダイオードのアノード及びカソードの一方が光電変換素子の第1の電流端子に相当し、フォトダイオードのアノード及びカソードの他方が光電変換素子の第2の電流端子に相当し、フォトトランジスタの場合、フォトトランジスタのソース及びドレインの一方が光電変換素子の第1の電流端子に相当し、フォトトランジスタのソース及びドレインの他方が光電変換素子の第2の電流端子に相当する。トランジスタ152a乃至トランジスタ152cは、増幅トランジスタである。トランジスタ154は、増幅トランジスタのゲートの電圧を、光電変換素子に流れる光電流に応じた値に設定するか否かを制御する機能を有する電荷蓄積制御トランジスタである。なお、本実施の形態の光検出回路では、トランジスタ154を必ずしも設ける必要はないが、トランジスタ154を設けることにより、トランジスタ152bのゲートが浮遊状態のときに、一定期間トランジスタ152bのゲートの電圧の値を維持することができる。トランジスタ155は、増幅トランジスタのゲートの電圧を、基準値に設定するか否かを選択する機能を有する光検出リセットトランジスタである。トランジスタ153a及びトランジスタ153bは、光データを出力するか否かを選択する機能を有する出力選択トランジスタである。なお、トランジスタ152a、トランジスタ152b、トランジスタ152c、トランジスタ153a、トランジスタ153b、トランジスタ154、及びトランジスタ155としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層を含むトランジスタ又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。例えば、上記酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、トランジスタ152a、トランジスタ152b、トランジスタ152c、トランジスタ153a、トランジスタ153b、トランジスタ154、及びトランジスタ155のリーク電流によるゲートの電圧の変動を抑制することができる。また、トランジスタ154及びトランジスタ155の一つ又は複数として、上記酸化物半導体層を含むトランジスタを用い、トランジスタ152a、トランジスタ152b、及びトランジスタ152cとして元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層を含むトランジスタを用い、トランジスタ153a及びトランジスタ153bとして元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いてもよい。次に、図3A乃至図3Cに示す光検出回路の駆動方法例について説明する。まず、図3Aに示す光検出回路の駆動方法例について、図3Dを用いて説明する。図3Dは、図3Aに示す光検出回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートであり、信号PRST、信号OSEL、及びトランジスタ153aのそれぞれの状態を示す。なお、ここでは、一例として光電変換素子151aがフォトダイオードである場合について説明する。図3Aに示す光検出回路の駆動方法例では、期間T31に信号PRSTのパルスを入力する。このとき、光電変換素子151aは、順方向に電流が流れる状態になる。また、トランジスタ153aがオフ状態になる。このとき、トランジスタ152aのゲートの電圧は、一定の値にリセットされる。次に、信号PRSTのパルスを入力した後の期間T32において、光電変換素子151aは、順方向とは逆方向に電圧が印加された状態になる。また、トランジスタ153aはオフ状態のままである。このとき、光電変換素子151aに入射した光の照度に応じて、光電変換素子151aの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に光電流が流れる。さらに、光電流に応じてトランジスタ152aのゲートの電圧の値が変化する。このとき、トランジスタ152aのゲートの電圧の値に応じてトランジスタ152aのソース及びドレインの間のチャネル抵抗の値が変化する。次に、期間T33において、信号OSELのパルスを入力してトランジスタ153aをオン状態にする。このとき、光電変換素子151aは、順方向とは逆方向に電圧が印加された状態のままであり、トランジスタ152aのソース及びドレイン、並びにトランジスタ153aのソース及びドレインを介して電流が流れる。トランジスタ152aのソース及びドレイン、並びにトランジスタ153aのソース及びドレインを介して流れる電流は、トランジスタ152aのゲート電圧の値に依存する。よって、光データは、光電変換素子151aに入射する光の照度に応じた値となる。さらに、図3Aに示す光検出回路は、トランジスタ152aのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153aのソース及びドレインの他方のいずれか他方から光データ信号として出力する。以上が図3Aに示す光検出回路の駆動方法例である。次に、図3Bに示す光検出回路の駆動方法例について、図3Eを用いて説明する。図3Eは、図3Bに示す光検出回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。図3Bに示す光検出回路の駆動方法例では、まず期間T41において信号PRSTのパルスを入力し、トランジスタ155をオン状態にし、また、期間T41から期間T42にかけて信号TXのパルスを入力してトランジスタ154をオン状態にする。なお、期間T41において、信号PRSTのパルスの入力開始のタイミングは、信号TXのパルスの入力開始のタイミングより早くてもよい。このとき、期間T41において、光電変換素子151bが順方向に電流が流れる状態になり、トランジスタ152bのゲートの電圧は、電圧Vaと同等の値にリセットされる。さらに信号PRSTのパルスの入力が終わると、トランジスタ155がオフ状態になる。次に、期間T42において、光電変換素子151bが順方向とは逆方向に電圧が印加された状態になり、トランジスタ154がオン状態のままであり、トランジスタ155がオフ状態になる。このとき、光電変換素子151bに入射した光の照度に応じて、光電変換素子151bの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に光電流が流れる。さらに、光電流に応じてトランジスタ152bのゲートの電圧の値が変化する。このとき、トランジスタ152bのソース及びドレインの間のチャネル抵抗の値が変化する。さらに、信号TXのパルスの入力が終わると、トランジスタ154がオフ状態になる。次に、期間T43において、トランジスタ154がオフ状態になる。このとき、トランジスタ152bのゲートの電圧は、期間T42における光電変換素子151bの光電流に応じた値に保持される。なお、期間T43を必ずしも設けなくてもよいが、期間T43を設けることにより、光検出回路において、データ信号を出力するタイミングを適宜設定することができ、例えば複数の光検出回路において、それぞれデータ信号を出力するタイミングを適宜設定することができる。さらに、期間T44において、信号OSELのパルスを入力し、トランジスタ153bをオン状態にする。このとき、光電変換素子151bが順方向とは逆方向に電圧が印加された状態のままであり、トランジスタ153bがオン状態になる。さらに、このとき、トランジスタ152bのソース及びドレイン、並びにトランジスタ153bのソース及びドレインを介して電流が流れ、図3Bに示す光検出回路は、トランジスタ152bのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ153bのソース及びドレインの他方のうちの他方から光データをデータ信号として出力する。以上が図3Bに示す光検出回路の駆動方法例である。次に、図3Cに示す光検出回路の駆動方法例について、図3Fを用いて説明する。図3Fは、図3Cに示す光検出回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。図3Cに示す光検出回路の駆動方法例では、期間T51において、信号PRSTのパルスを入力する。このとき、光電変換素子151cが順方向に電流が流れる状態になり、トランジスタ152cのゲートの電圧は、一定の値にリセットされる。次に、信号PRSTのパルスが入力された後の期間T52において、光電変換素子151cが順方向とは逆方向に電圧が印加された状態になる。このとき、光電変換素子151cに入射した光の照度に応じて、光電変換素子151cの第1の電流端子及び第2の電流端子の間に光電流が流れる。さらに、光電流に応じてトランジスタ152cのゲートの電圧が変化する。次に、期間T53において、信号OSELのパルスを入力する。このとき、光電変換素子151cは、順方向とは逆方向に電圧が印加された状態のままであり、トランジスタ152cのソース及びドレインの間に電流が流れ、図3Cに示す光検出回路は、トランジスタ152cのソース及びドレインの他方から光データをデータ信号として出力する。以上が図3Cに示す光検出回路の駆動方法例である。図3A乃至図3Fを用いて説明したように、本実施の形態の光検出回路の一例は、光電変換素子及び増幅トランジスタを備え、入射する光の照度に応じて光データを生成し、出力選択信号に従って光データをデータ信号として出力する構成である。上記構成にすることにより、光検出回路により光データを生成して出力することができる。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態における入出力装置の構造例について説明する。本実施の形態における入出力装置は、トランジスタなどの半導体素子が設けられた第1の基板アクティブマトリクス基板ともいうと、第2の基板対向基板ともいうと、を含む。まず、本実施の形態の入出力装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例について、図4及び図5を用いて説明する。図4及び図5は、本実施の形態の入出力装置におけるアクティブマトリクス基板の構造例を示す図であり、図4Aは、平面模式図であり、図4Bは、図4Aにおける線分A-Bの断面模式図であり、図5Aは、平面模式図であり、図5Bは、図5Aにおける線分C-Dの断面模式図である。なお、図5では、光検出回路の一例として、図3Aに示す構成の光検出回路の構成に、電荷蓄積制御トランジスタを加えた構成を示す。なお、図4及び図5では、実際の寸法と異なる構成要素を含む。また、便宜のため、図4Bでは、図4Aにおける線分A-Bの断面の一部を省略し、図5Bでは、図5Aにおける線分C-Dの断面の一部を省略している。図4及び図5に示すアクティブマトリクス基板は、基板500と、絶縁層501と、半導体層511a乃至半導体層511eと、絶縁層512と、導電層513a乃至導電層513jと、絶縁層514と、導電層515a乃至導電層515kと、を含む。半導体層511a乃至半導体層511eのそれぞれは、絶縁層501を介して基板500の一平面に設けられる。半導体層511aは、P型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有する複数の不純物領域を有する。半導体層511aは、発光回路における信号入力選択トランジスタのチャネルが形成される層チャネル形成層ともいう及び発光回路の保持容量における第2の容量電極としての機能を有する。半導体層511bは、P型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有する複数の不純物領域を有する。半導体層511bは、発光回路における駆動トランジスタのチャネル形成層及び発光回路における輝度切替選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。半導体層511cは、P型及びN型の一方の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域503a、P型及びN型の他方の導電型を付与する不純物元素を含有する不純物領域503b、並びに不純物領域503a及び不純物領域503bの間に設けられた半導体領域を有する。なお、半導体層511cにおいて、上記半導体領域が不純物領域503a又は不純物領域503bより濃度が低いP型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。半導体層511cは、光検出回路における光電変換素子としての機能を有する。なお、P型不純物領域及びN型不純物領域を含有する半導体層を用いることに限定されず、P型半導体層及びN型半導体層を含む積層を用いて光電変換素子を構成することもできる。半導体層511dは、P型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含む複数の不純物領域を有する。半導体層511dは、光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。半導体層511eは、P型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含む複数の不純物領域を有する。半導体層511eは、光検出回路における増幅トランジスタのチャネル形成層及び光検出回路における出力選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。なお、半導体基板を一つの半導体層とし、該半導体基板に、互いに絶縁分離された半導体領域を形成することにより、半導体層511a乃至半導体層511eの代わりとなる複数の半導体領域を設けてもよい。このとき、半導体基板としては、例えば単結晶半導体基板を用いることができ、例えば単結晶シリコン基板を用いることができる。絶縁層512は、半導体層511a乃至半導体層511eの上に設けられる。絶縁層512は、発光回路における信号入力選択トランジスタ、駆動トランジスタ、及び輝度切替選択トランジスタのゲート絶縁層、発光回路における保持容量の誘電体層、並びに光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタ、増幅トランジスタ、及び出力選択トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。導電層513aは、絶縁層512を介して半導体層511aの一部に重畳する。なお、導電層513aと重畳する半導体層511aの領域が発光回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513aは、発光回路における信号入力選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、図4において、導電層513aは、複数の箇所で半導体層511aの一部に重畳している。必ずしも導電層513aが複数の箇所で半導体層511aの一部に重畳していなくてもよいが、導電層513aが複数の箇所で半導体層511aの一部に重畳することにより、発光回路における信号入力選択トランジスタのスイッチング特性を向上させることができる。なお、導電層513aと重畳する半導体層511aの領域が半導体層511aに設けられた不純物領域の不純物元素の濃度より低い濃度でP型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。導電層513bは、絶縁層512を介して半導体層511aの一部の上及び半導体層511bの一部の上に重畳する。なお、導電層513bと重畳する半導体層511aの領域が発光回路における駆動トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513bは、発光回路における駆動トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、導電層513bと重畳する半導体層511a及び半導体層511bの領域が半導体層511a及び半導体層511bに設けられた不純物領域の不純物元素の濃度より低い濃度でP型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。導電層513cは、絶縁層512を介して半導体層511aの一部の上に設けられる。導電層513cは、発光回路の保持容量における第1の容量電極としての機能を有する。なお、導電層513cと重畳する半導体層511aの領域が半導体層511aに設けられた不純物領域の不純物元素の濃度より低い濃度でP型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。なお、導電層513a乃至導電層513cに重畳しない半導体層511aの領域に上記不純物領域が設けられる。導電層513dは、絶縁層512を介して半導体層511bの一部に重畳する。導電層513dと重畳する半導体層511bの領域が発光回路における輝度切替選択トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513dは、発光回路における輝度切替選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、図4において、導電層513dは、複数の箇所で半導体層511bの一部に重畳している。必ずしも導電層513dが複数の箇所で半導体層511bの一部に重畳していなくてもよいが、導電層513dが複数の箇所で半導体層511bの一部に重畳することにより、発光回路における輝度切替選択トランジスタのスイッチング特性を向上させることができる。なお、導電層513dと重畳する半導体層511bの領域が半導体層511bに設けられた不純物領域の不純物元素の濃度より低い濃度でP型又はN型の導電型を付与する不純物元素を含有していてもよい。なお、導電層513b及び導電層513dに重畳しない半導体層511bの領域に不純物領域が設けられる。導電層513eは、絶縁層512の上に設けられる。導電層513eは、光検出回路の光電変換素子における第1の電流端子としての機能を有する。導電層513fは、絶縁層512の上に設けられる。導電層513fは、光検出回路の光電変換素子における第2の電流端子としての機能を有する。導電層513gは、絶縁層512を介して半導体層511dに重畳する。導電層513gと重畳する半導体層511dの領域が光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513gは、光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、導電層513gに重畳しない半導体層511dの領域に上記不純物領域が設けられる。導電層513hは、絶縁層512の上に設けられる。導電層513hは、光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタに信号を供給するための配線としての機能を有する。導電層513iは、絶縁層512を介して半導体層511eの一部に重畳する。導電層513iと重畳する半導体層511eの領域が光検出回路における増幅トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513iは、光検出回路における増幅トランジスタのゲートとしての機能を有する。導電層513jは、絶縁層512を介して半導体層511eの一部に重畳する。導電層513jと重畳する半導体層511eの領域が光検出回路における出力選択トランジスタのチャネル形成領域になる。導電層513jは、光検出回路における出力選択トランジスタのゲートとしての機能を有する。なお、導電層513i及び導電層513jに重畳しない半導体層511eの領域に上記不純物領域が設けられる。絶縁層514は、導電層513a乃至導電層513jを介して絶縁層512の上に設けられる。導電層515aは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して、半導体層511aにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続される。導電層515aは、発光回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの一方、並びに表示データ信号が入力される配線としての機能を有する。導電層515bは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して、半導体層511aにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続され、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513bに電気的に接続される。導電層515bは、発光回路における信号入力選択トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。なお、半導体層511aにおいて、導電層515aに電気的に接続される不純物領域と、導電層515bに電気的に接続される不純物領域との間には発光回路における信号入力選択トランジスタのチャネル形成領域が存在する。導電層515cは、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513cに電気的に接続され、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511bにおける複数の不純物領域の一つ第1の不純物領域ともいうに電気的に接続され、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する別の開口部を介して半導体層511bにおける上記第1の不純物領域と異なる不純物領域第2の不純物領域ともいうに電気的に接続される。導電層515cは、発光回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの一方、発光回路における輝度切替選択トランジスタのソース及びドレインの一方、並びに電圧Vbが入力される電源線としての機能を有する。なお、図4Aにおいて、導電層515cは、導電層513a及び導電層513dと重畳し、導電層513a及び導電層513dとの重畳部において、導電層515cの幅を導電層513bとの重畳部より狭くしている。必ずしも導電層513a及び導電層513dとの重畳部において、導電層515cの幅を導電層513bとの重畳部より狭くしなくてもよいが、導電層513a及び導電層513dとの重畳部において、導電層515cの幅を導電層513bとの重畳部より狭くすることにより、導電層513a及び導電層513dと導電層515c間の寄生容量を低減することができる。導電層515dは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511bにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続される。導電層515dは、発光回路における駆動トランジスタのソース及びドレインの他方、並びに発光回路における輝度切替選択トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。なお、半導体層511bにおいて、導電層515cに電気的に接続される第1の不純物領域と、導電層515dに電気的に接続される不純物領域との間には発光回路における駆動トランジスタのチャネル形成領域が存在する。また、半導体層511bにおいて、導電層515cに電気的に接続される第2の不純物領域と、導電層515dに電気的に接続される不純物領域との間には発光回路における輝度切替選択トランジスタのチャネル形成領域が存在する。導電層515eは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511cにおける不純物領域503aに電気的に接続され、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513eに電気的に接続される。導電層515eは、光検出回路における光電変換素子の第1の電流端子としての機能を有する。導電層515fは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511cにおける不純物領域503bに電気的に接続され、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513fに電気的に接続される。導電層515fは、光検出回路における光電変換素子の第2の電流端子としての機能を有する。導電層515gは、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513fに電気的に接続され、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511dにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続される。導電層515gは、光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する。導電層515hは、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513gに電気的に接続され、絶縁層514を貫通する別の開口部を介して導電層513hに電気的に接続される。導電層515hは、電荷蓄積制御信号を供給するための配線としての機能を有する。導電層515iは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511dにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続され、絶縁層514を貫通する開口部を介して導電層513iに電気的に接続される。導電層515iは、光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。なお、半導体層511dにおいて、導電層515gに電気的に接続される不純物領域と、導電層515iに電気的に接続される不純物領域との間には光検出回路における電荷蓄積制御トランジスタのチャネル形成領域が存在する。導電層515jは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511eにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続される。導電層515jは、光検出回路における増幅トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。導電層515kは、絶縁層512及び絶縁層514を貫通する開口部を介して半導体層511eにおける複数の不純物領域の一つに電気的に接続される。導電層515kは、光検出回路における出力選択トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。なお、半導体層511eにおいて、導電層515jに電気的に接続される不純物領域と、導電層515kに電気的に接続される不純物領域との間には光検出回路における増幅トランジスタのチャネル形成領域及び光検出回路における出力選択トランジスタのチャネル形成領域が存在する。さらに、本実施の形態における入出力装置の構造例について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態における入出力装置の構造例を示す断面模式図である。図6A及び図6Bに示す入出力装置は、図4及び図5に示すアクティブマトリクス基板に加え、絶縁層516と、導電層517と、絶縁層518と、電界発光層519と、導電層520と、基板521と、着色層522と、絶縁層523と、絶縁層524と、を含む。絶縁層516は、導電層515a乃至導電層515kを介して絶縁層514の上に設けられる。導電層517は、発光回路における絶縁層516の上に設けられ、絶縁層516を貫通して設けられた開口部を介して導電層515dに電気的に接続される。導電層517は、発光回路における発光素子の第1の電流端子としての機能を有する。絶縁層518は、導電層517の上に設けられる。電界発光層519は、絶縁層518の上に設けられ、絶縁層518を貫通して設けられた開口部を介して導電層517に電気的に接続される。電界発光層519は、発光回路における発光素子の電界発光層としての機能を有する。導電層520は、電界発光層519の上に設けられ、電界発光層519に電気的に接続される。導電層520は、発光回路における発光素子の第2の電流端子としての機能を有する。なお、本実施の形態における入出力装置の一例では、発光素子の構造を、上面方向に光を照射する構造としているが、これに限定されず、下面方向に光を射出する構造、又は上面及び下面方向に光を射出する構造にすることもできる。着色層522は、電界発光層519からの光を透過するように、基板521の一平面に設けられる。なお、光検出回路が形成される領域に別の着色層を設けてもよい。絶縁層523は、着色層522を介して基板521の一平面に設けられる。絶縁層524は、絶縁層523と、導電層520の間に設けられる。さらに、図4乃至図6を用いて説明した入出力装置の各構成要素について説明する。基板500及び基板521としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。なお、必ずしも基板500及び基板521を設けなくてもよい。絶縁層501としては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。例えば、絶縁層501としては、酸化シリコン層又は酸化窒化シリコン層などを用いることができる。また、上記酸化絶縁層がハロゲンを含んでいてもよい。また、絶縁層501に適用可能な材料の層の積層により絶縁層501を構成することもできる。また、必ずしも絶縁層501を設けなくてもよい。半導体層511a乃至半導体層511eとしては、例えば非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、又は単結晶半導体を含む層を用いることができる。また、半導体層511a乃至半導体層511eとしては、例えば元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層を用いることができる。絶縁層512としては、例えば絶縁層501に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層512に適用可能な材料の層の積層により絶縁層512を構成してもよい。導電層513a乃至導電層513jとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料を含む材料の層を用いることができる。また、導電層513a乃至導電層513jとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する場合がある、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOなどの金属酸化物、又はシリコン、酸化シリコン、窒素を含む該金属酸化物を用いることができる。例えば、窒化タンタル層及びタングステン層の積層により導電層513a乃至導電層513jを構成することもできる。なお、導電層513a乃至導電層513jの側面は、テーパ状でもよい。また、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層の積層により、導電層513a乃至導電層513jを構成することもできる。絶縁層514としては、例えば絶縁層501に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層501に適用可能な材料の層の積層により絶縁層514を構成してもよい。例えば、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層により絶縁層514を構成することもできる。導電層515a乃至導電層515kとしては、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層を用いることができる。また、導電層515a乃至導電層515kに適用可能な材料の層の積層により導電層515a乃至導電層515kを構成することもできる。例えば、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層の積層により導電層515a乃至導電層515kを構成することもできる。なお、導電層515a乃至導電層515kの側面は、テーパ状でもよい。絶縁層516としては、例えば絶縁層512に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層516に適用可能な材料の層の積層により絶縁層516を構成してもよい。導電層517としては、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層のうち、光を反射する材料の層を用いることができる。また、導電層517に適用可能な材料の層の積層により導電層517を構成することもできる。なお、これに限定されず、本実施の形態における入出力装置における発光素子が下面方向に光を射出する構造、又は上面及び下面方向に光を射出する構造の場合には、導電層517として、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層のうち、光を透過する材料の層を用いることもできる。なお、導電層517の側面は、テーパ状でもよい。絶縁層518としては、例えば有機絶縁層又は無機絶縁層を用いることができる。なお、絶縁層518を隔壁ともいう。電界発光層519は、特定の色の光を呈する単色光を射出する層である。電界発光層519としては、例えば特定の色を呈する光を射出する発光材料を用いた発光層を用いることができる。なお、互いに異なる特性の色を呈する光を射出する発光層の積層を用いて電界発光層519を構成してもよい。発光材料としては、蛍光材料又は燐光材料などのエレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、複数のエレクトロルミネセンス材料を含む材料を用いて発光材料を構成してもよい。例えば青色を呈する光を射出する蛍光材料の層、橙色を呈する光を射出する第1の燐光材料の層、及び橙色を呈する光を射出する第2の燐光材料の層の積層により、白色を呈する光を射出する発光層を構成してもよい。また、エレクトロルミネセンス材料としては、有機エレクトロルミネセンス材料又は無機エレクトロルミネセンス材料を用いることができる。また、上記発光層に加え、例えばホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の一つ又は複数を設けて電界発光層を構成してもよい。導電層520としては、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層のうち、光を透過する材料の層を用いることができる。また、導電層520に適用可能な材料の層の積層により導電層520を構成することもできる。なお、これに限定されず、本実施の形態における入出力装置における発光素子が下面方向に光を射出する構造の場合には、導電層520として、導電層513a乃至導電層513jに適用可能な材料の層のうち、光を反射する材料の層を用いることもできる。なお、導電層520の側面は、テーパ状でもよい。着色層522としては、例えば赤色を呈する光、緑色を呈する光、又は青色を呈する光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いることができる。また、着色層522として、シアン、マゼンタ、又はイエローの色を呈する光を透過し、染料又は顔料を含む層を用いてもよい。例えば、染料を含む場合、着色層522は、例えばフォトリソグラフィ法、印刷法、又はインクジェット法を用いて形成され、顔料を含む場合、着色層522は、フォトリソグラフィ法、印刷法、電着法、又は電子写真法などを用いて形成される。例えばインクジェット法を用いることにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。また、レジストマスクを用いなくても製造することができるため、製造コスト及び製造工程数を低減することができる。絶縁層523としては、例えば絶縁層501に適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層523に適用可能な材料の層の積層により絶縁層523を構成してもよい。なお、絶縁層523を必ずしも設けなくてもよいが、絶縁層523を設けることにより、着色層522からの発光素子への不純物の侵入を抑制することができる。絶縁層524としては、例えば絶縁層501に適用可能な材料の層又は樹脂材料の層を用いることができる。また、絶縁層524に適用可能な材料の層の積層により絶縁層524を構成してもよい。図4乃至図6を用いて説明したように、本実施の形態における入出力装置の構造例は、トランジスタ、発光素子、及び光電変換素子を備えるアクティブマトリクス基板と、対向基板と、を含む構造である。上記構造にすることにより、同一工程により同一基板上に発光回路及び光検出回路を作製することができるため、製造コストを低減することができる。また、本実施の形態における入出力装置の構造例は、発光素子として特定の色の光を呈する単色光を射出する発光素子と、対向基板に設けられ、発光素子から射出される光のうち、特定の波長を有する光を透過する着色層を含む構造である。なお、上記構造に限定されず、互いに異なる色を呈する光を射出する複数の発光素子を形成してもよい。また、対向基板の一部に遮光層を設け、アクティブマトリクス基板に設けられた素子への不要な光の入射を抑制してもよい。上記構造にすることにより、互いに異なる色を呈する光を射出する複数の発光素子を形成せずにフルカラー画像を表示することができるため、作製工程を容易にし、歩留まりを向上させることができ、また発光素子の品質を向上させ、発光素子の信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態の入出力装置において、発光回路及び光検出回路と同一基板上に発光駆動回路及び光検出駆動回路などの回路を設けてもよい。このとき、発光駆動回路及び光検出駆動回路などの回路のトランジスタの構造を、発光回路及び光検出回路におけるトランジスタの構造と同じにしてもよい。発光回路及び光検出回路と同一基板上に発光駆動回路及び光検出駆動回路などの回路を設けることにより、発光回路及び発光駆動回路、又は光検出回路及び光検出駆動回路などの接続配線の数を低減することができる。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態における入出力装置を備えた電子機器の例について説明する。本実施の形態の電子機器の構成例について、図7A乃至図7Dを用いて説明する。図7A乃至図7Dは、本実施の形態の電子機器の構成例を説明するための模式図である。図7Aに示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図7Aに示す情報端末は、筐体1001aと、筐体1001aに設けられた入出力部1002aと、を具備する。なお、筐体1001aの側面1003aに外部機器に接続させるための接続端子、及び図7Aに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。図7Aに示す携帯型情報端末は、筐体1001aの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器との信号の送受信を行うアンテナと、を備える。なお、筐体1001aの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。図7Aに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図7Bに示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図7Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001bと、筐体1001bに設けられた入出力部1002bと、筐体1004と、筐体1004に設けられた入出力部1005と、筐体1001b及び筐体1004を接続する軸部1006と、を具備する。また、図7Bに示す携帯型情報端末では、軸部1006により筐体1001b又は筐体1004を動かすことにより、筐体1001bを筐体1004に重畳させることができる。なお、筐体1001bの側面1003b又は筐体1004の側面1007に外部機器に接続させるための接続端子、及び図7Bに示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、入出力部1002b及び入出力部1005に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表示させてもよい。なお、入出力部1005を必ずしも設ける必要はなく、入出力部1005の代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。図7Bに示す携帯型情報端末は、筐体1001b又は筐体1004の中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。また、筐体1001b又は筐体1004の中に、特定の機能を有する集積回路を1つ又は複数設けてもよい。また、図7Bに示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。図7Bに示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。図7Cに示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図7Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cと、筐体1001cに設けられた入出力部1002cと、を具備する。なお、入出力部1002cを、筐体1001cにおける甲板部1008に設けることもできる。また、図7Cに示す設置型情報端末は、筐体1001cの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備える。なお、筐体1001cの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図7Cに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。さらに、図7Cに示す設置型情報端末における筐体1001cの側面1003cに券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい。図7Cに示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をするための情報通信端末マルチメディアステーションともいう、又は遊技機としての機能を有する。図7Dは、設置型情報端末の例である。図7Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dと、筐体1001dに設けられた入出力部1002dと、を具備する。なお、筐体1001dを支持する支持台を設けてもよい。なお、筐体1001dの側面1003dに外部機器に接続させるための接続端子、及び図7Dに示す設置型情報端末を操作するためのボタンの一つ又は複数を設けてもよい。また、図7Dに示す設置型情報端末は、筐体1001dの中に、CPUと、メインメモリと、外部機器とCPU及びメインメモリとの信号の送受信を行うインターフェースと、を備えてもよい。また、筐体1001dの中に、特定の機能を有する集積回路を一つ又は複数設けてもよい。また、図7Dに示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテナを設けてもよい。図7Dに示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、入出力モニタ、又はテレビジョン装置としての機能を有する。上記実施の形態の入出力装置は、例えば電子機器の入出力部として用いられ、例えば図7A乃至図7Dに示す入出力部1002a乃至入出力部1002dとして用いられる。また、図7Bに示す入出力部1005として上記実施の形態の入出力装置を用いてもよい。図7を用いて説明したように、本実施の形態の電子機器の一例は、上記実施の形態における入出力装置が用いられた入出力部を具備する構成である。上記構成にすることにより、例えば指又はペンを用いて電子機器の操作又は電子機器への情報の入力を行うことができる。また、本実施の形態の電子機器の一例では、筐体に、入射する照度に応じて電源電圧を生成する光電変換部、及び入出力装置を操作する操作部のいずれか一つ又は複数を設けてもよい。例えば光電変換部を設けることにより、外部電源が不要となるため、外部電源が無い場所であっても、上記電子機器を長時間使用することができる。