"電子モジュールを構築するための方法であって、該方法は、i基板の第一面内の第一キャビティー、ii該第一キャビティーから延びるフィルホール、およびiii該基板の第二面内の第二キャビティーを形成することであって、該第二キャビティーは該フィルホールと流体的に連絡している、こと、該第二キャビティー内にダイの位置を定めること、および該第二キャビティー内に位置を定められた該ダイをカプセル化するために該フィルホールを通して該第二キャビティー内へとカプセル材料を注入することを含む、方法。前記第一キャビティーの容積が前記第二キャビティーの容積とほぼ等しい、請求項1に記載の方法。前記第一キャビティーの深さが前記第二キャビティーの深さとほぼ等しい、請求項1に記載の方法。前記フィルホールの少なくとも一部が前記第一キャビティーの形成の間に形成される、請求項1に記載の方法。前記フィルホールの少なくとも一部が前記第一キャビティーの形成の前に形成される、請求項1に記載の方法。前記第二キャビティー内に前記ダイをカプセル化する間に前記カプセル材料が前記第一キャビティー内に注入される、請求項1に記載の方法。前記カプセル材料を硬化することをさらに含む請求項1に記載の方法。前記カプセル材料が硬化された後、前記基板は実質的に湾曲がない、請求項7に記載の方法。複数の第一キャビティーが前記基板の前記第一面に形成され、かつ複数の第二キャビティーが該基板の前記第二面に形成され、それぞれの第二キャビティーは該第一キャビティーの少なくとも一つから延びるフィルホールを通して該第一キャビティーの少なくとも一つと流体的に連絡している、請求項1に記載の方法。前記カプセル材料の注入の前に、前記第一キャビティーのすべてを包囲するために前記基板の前記第一面の近くに単一のO‐リングの位置を定めることをさらに含む請求項9に記載の方法。前記O‐リングが前記基板の前記第一面の周の内側にちょうど合う寸法で作られた直径を含む、請求項10に記載の方法。前記第二キャビティー内に前記ダイの位置を定めることが、該ダイを層上に配置すること、および該ダイが該第二キャビティー内に配置されるように、前記基板の前記第二面の上に該層を配置することを含む、請求項1に記載の方法。前記層が、フィルム上に配置された誘電体から本質的に成る、請求項12に記載の方法。前記層が接着性フィルムから本質的に成る、請求項12に記載の方法。前記第二キャビティー内にポストを形成することをさらに含む請求項1に記載の方法。前記ポストおよび前記第二キャビティーの内部表面の上に伝導性材料を形成することをさらに含む請求項15に記載の方法。第二ダイを前記カプセル化されたダイに電気的に接続することをさらに含む請求項16に記載の方法。前記電気的接続の少なくとも一部が前記ポストを含む、請求項17に記載の方法。前記ポストが前記第二キャビティーの形成の間に形成される、請求項15に記載の方法。前記ポストを形成することが前記第二キャビティー内にビアチップの位置を定めることを含み、該ビアチップは該ポストの周りに配置された基質を含む、請求項15に記載の方法。前記基質がシリコンを含み、前記ポストが金属を含む、請求項20に記載の方法。前記基質の厚みを通して穴を画定することにより前記ビアチップを形成すること、および該穴内に金属を形成することにより、前記ポストを形成することをさらに含む請求項20に記載の方法。前記基板の前記第二面の上に伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層を形成することをさらに含む請求項1に記載の方法。前記基板の前記第二面の上に前記伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層を形成する前に、前記第二キャビティーの外側の領域の該基板の該第二面からいずれの金属および酸化物も除去することをさらに含む請求項23に記載の方法。前記基板の前記第一面の少なくとも一部を除去することにより、前記ダイの少なくとも一部を露出することをさらに含む請求項1に記載の方法。前記ダイの前記露出した部分の上に伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層を形成することをさらに含む請求項25に記載の方法。前記除去することの前に、前記基板の前記第二面の上にハンドルウェーハを配置することをさらに含む請求項25に記載の方法。前記基板の前記第二面の上に前記ハンドルウェーハを配置する前に、該ハンドルウェーハの上に一時的接合材料の層を形成することをさらに含む請求項27に記載の方法。構造であって、該構造は、基板であって、該基板は、i該基板の第一面内の第一キャビティー、ii該第一キャビティーから延びる少なくとも一つのフィルホール、およびiii該基板の第二面内の第二キャビティーを画定し、該第二キャビティーは該少なくとも一つのフィルホールと流体的に連絡している、基板、および該第二キャビティー内にカプセル材料によって少なくとも部分的にカプセル化されたダイを含む、構造。複数のフィルホールが前記第二キャビティーと流体的に連絡している、請求項29に記載の構造。前記第一キャビティーの容積が前記第二キャビティーの容積とほぼ等しい、請求項29に記載の構造。前記第一キャビティーの深さが前記第二キャビティーの深さとほぼ等しい、請求項29に記載の構造。前記第一キャビティー内にカプセル材料をさらに含む請求項29に記載の構造。前記基板が実質的に湾曲がない、請求項33に記載の構造。前記第二キャビティーの上に、前記ダイと接触して配置された層をさらに含む請求項29に記載の構造。前記層が、フィルム上に配置された誘電体から本質的に成る、請求項35に記載の構造。前記層が接着性フィルムから本質的に成る、請求項35に記載の構造。前記第二キャビティー内に位置するポストをさらに含む請求項29に記載の構造。前記ポストおよび前記第二キャビティーの内部表面の上に配置された伝導性材料をさらに含む請求項38に記載の構造。前記少なくとも部分的にカプセル化されたダイと電気的に接続した第二ダイをさらに含む請求項39に記載の構造。前記電気的接続の少なくとも一部が前記ポストを含む、請求項40に記載の構造。概要特定の実施形態に従って、カプセル化されたダイならびに信頼性のある中間層および/またはダイ内部の相互連結を含む高密度電子モジュールを形成するための技術が提供される。ダイは、好ましくは、能動素子表面を保護する誘電性層および装置の残りの部分を包囲するカプセル材料を含む二部から成る構造でカプセル化される。そのうえ、ポストは、好ましくは、ダイを収容するキャビティーと同時に形成される。それらのポストは、ダイの間または単一のダイを横切る電気的接続の少なくとも一部を形成する。本発明の追加の実施形態に従って、カプセル化されたポストのみ含むつまり電子ダイなしのモジュールが製作される。そのようなモジュールは他の電子部品に接合されえ、熱的および/または電気的挿入層として利用されえ、ポストは電気および/または熱をモジュールを通して運ぶ。一般に、一つの局面において、本発明の実施形態は電子モジュールを構築するための方法を特徴とする。その方法は基板の第一面に第一キャビティー、第一キャビティーから延びるフィルホール、および基板の第二面に第二キャビティーを形成することを含む。第二キャビティーはフィルホールと流体的に連絡し、ダイは第二キャビティー内に位置を定められる。カプセル材料がフィルホールを通して第二キャビティー内へと注入されることにより、ダイをカプセル化する。本発明のこの局面のいくつかの実施形態は、以下の特徴の一つまたはそれより多い特徴を含みうる。第一キャビティーの容積は第二キャビティーの容積とほぼ等しくありうる。あるいは、またはその上、第一キャビティーの深さは第二キャビティーの深さとほぼ等しくありうる。第二キャビティー内にダイをカプセル化する間に、カプセル材料はまた、第一キャビティー内に注入されうる。カプセル材料は硬化されえ、カプセル材料が硬化された後、基板は実質的に湾曲なしでありうる。フィルホールの一部は第一キャビティーの形成の前に形成されえ、一方フィルホールの別の部分は第一キャビティーの形成の間に形成されうる。一実施形態では、複数の第一キャビティーが基板の第一面に形成され、複数の第二キャビティーが基板の第二面に形成される。それぞれの第二キャビティーは、少なくとも一つの第一キャビティーから延びるフィルホールを通して、少なくとも一つの第一キャビティーと流体的に連絡している。これらの場合は、単一のO‐リングが、カプセル材料の注入の前に第一キャビティーのすべてを包囲するために、基板の第一面の近くに位置を定められうる。O‐リングは基板の第一面の周の内側にちょうど合う寸法で作られた直径を有しうる。接着性フィルムまたは、あるいは、フィルム上に配置された誘電体でありうる層上にダイを配置することにより、およびダイが第二キャビティー内に配置されるように基板の第二面の上にその層を配置することにより、ダイは第二キャビティー内に位置を定められうる。少なくとも一つのポストが第二キャビティー内に形成されうる。ポストは第二キャビティーの形成の間に形成されうるか、またはポストの形成は第二キャビティー内にビアチップの位置を定めることを含みうる。ビアチップはポストの周りに配置された基質を含みうる。基質はシリコンを含みえ、ポストは銅のような金属を含みうる。ビアチップを形成することは、基質の厚みを通して穴を画定すること、および穴内に金属を形成することによりポストを形成することを含みうる。伝導性材料はポストおよび第二キャビティーの内部表面の上に形成されうる。カプセル化されたダイは第二ダイと電気的に接続しえ、電気的接続の少なくとも一部はポストを含みうる。伝導性相互連結の少なくとも一つの層は基板の第二面の上に形成されうる。そのような伝導性相互連結の形成の前に、金属および/または酸化物は第二キャビティーの外側の領域の基板の第二面から除去されうる。基板の第一面の少なくとも一部は、ダイの少なくとも一部を露出するために除去されえ、伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層は、ダイの露出した部分の上に形成されうる。ハンドルウェーハは、基板の第一面の少なくとも一部を除去する前に、基板の第二面の上に配置されうる。一時的接合材料の層は、基板の第二面の上にハンドルウェーハを配置する前に、ハンドルウェーハの上に形成されうる。一般に、別の局面において、本発明の実施形態は基板を含む構造を特徴とする。基板は、その第一面に第一キャビティー、第一キャビティーから延びる少なくとも一つのフィルホール、および基板の第二面に第二キャビティーを画定する。第二キャビティーはフィルホールと流体的に連絡している。ダイはカプセル材料により第二キャビティー内に少なくとも部分的にカプセル化される。本発明のこの局面のいくつかの実施形態は、以下の特徴の一つまたはそれより多い特徴を含みうる。複数のフィルホールが第二キャビティーと流体的に連絡しうる。第一キャビティーの容積は第二キャビティーの容積とほぼ等しくありうる。あるいは、またはその上、第一キャビティーの深さは第二キャビティーの深さとほぼ等しくありうる。カプセル材料はまた、第一キャビティー内に存在しえ、基板は実質的に湾曲なしでありうる。層は第二キャビティーの上に配置されえ、ダイと接触しうる。層はフィルム上に配置された誘電体でありうるかまたは、あるいは、層は単に接着性フィルムでありうる。ポストは第二キャビティー内に位置しうる。伝導性材料はポストおよび第二キャビティーの内部表面の上に配置されうる。その上、構造はカプセル化されたダイに電気的に接続した第二ダイを含みうる。電気的接続の少なくとも一部はポストを含みうる。一般に、さらに別の局面において、本発明の実施形態は挿入物を形成するための方法を特徴とする。フィルホールが基板の第一面に形成され、キャビティーが第二面に形成され、キャビティーはフィルホールと流体的に連絡している。複数のポストがキャビティーに形成され、カプセル材料がフィルホールを通してキャビティー内へと注入されることにより、複数のポストをカプセル化する。いくつかの実施形態では、伝導性材料が複数のポストの上に形成される。伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層は基板の第二面の上に形成されうる。複数のポストを露出するために、基板の第一面の少なくとも第一部は除去されえ、伝導性インターコネクトの少なくとも一つの層が、露出した複数のポストの上に形成されうる。回路構成および熱だめの構成要素は結果として生じる構造と関連付けられうる。たとえば、受動素子がキャビティーに提供されえ、熱だめおよび電子部品が基板の反対側に配置されえ、または電子部品および回路基板が基板の反対側に配置されうる。一般に、さらに別の局面において、本発明の実施形態は、複数のカプセル化されたポストを含むまたは本質的にそのポストから成る挿入物の反対側に、電子部品および熱だめを配置することを含む熱処理の方法を特徴とする。たとえば、それぞれのポストは半導体材料もしくは半導体材料上に配置された伝導性材料の層を含みうるか、または本質的にその材料もしくはその層から成る。いくつかの実施形態では、それぞれのポストは実質的に円筒形であり、シリコン上の環状の銅の層から本質的に成る。挿入物の伝熱有効性は2より大きくありえ、またはおよそ1000よりさらに大きくありうる。一般に、さらなる局面において、本発明の実施形態は、基板および複数のポストを含む挿入物を特徴とし、それぞれのポストは、実質的に、基板の厚みを通して延びる。複数のポストはカプセル化されうる。挿入物は、基板の前面および/または裏面の上に伝導性インターコネクトの層をさらに含みえ、2より大きい、またはおよそ1000よりさらに大きい伝熱有効性を有しうる。受動素子は基板内に配置されうる。基板および複数のポストは同一の材料たとえば半導体材料を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。伝導性材料はそれぞれのポストの少なくとも横側面の上に配置されうる。熱だめは基板の下に配置されうる。一般に、追加の一局面において、本発明の実施形態は、挿入物を含むか、または本質的にその挿入物から成る電子システムを特徴とし、その挿入物自身は複数のカプセル化されたポスト、および挿入物の上に配置された電子部品を含むか、または本質的にそれらから成る。熱だめおよび/または回路基板は挿入物の下に配置されうる。受動素子は挿入物内に配置されえ、第二電子部品は挿入物の下に配置されうる。それぞれのポストは、金属の層により少なくとも横側面上を包囲された半導体材料を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。それぞれのポストは、銅の層により少なくとも横側面上を包囲されたシリコンを含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。挿入物は2より大きい、またはおよそ1000よりさらに大きい伝熱有効性を有しうる。本発明の利点および特徴に加えて、これらのおよび他の目的が、以下の説明、添付の図面および特許請求の範囲への参照を通じて、より明らかになる。さらに、本明細書において説明されるいくつかの実施形態の特徴は矛盾せず、かついくつかの組み合わせおよび置換に現れうることが理解される。たとえば、本発明の特定の局面に関して説明される実施形態の要素は、本発明の別の局面のいくつかの実施形態に使用されうる。特に、一つの独立請求項に従属する従属請求項の特徴は、他の独立請求項のいずれかの器具、システム、および/または方法において使用されうるということが予期される。詳細な説明図1Aを参照すると、基板100に、基板100の裏面120に形成された一つまたはそれより多いフィルホール110が提供される。基板100は、好ましくは、堅くかつ/または非伝導性の材料、たとえばガラスまたはシリコンのような半導体を含むか、または本質的にその材料から成る。一実施形態では、基板100は少なくとも一変形可能かつ矯正不能な材料を含むか、または本質的にその材料から成る。以下でさらに説明されるように、基板100の少なくとも一部は複数の超小型電子ダイを含む高密度電子モジュールのための支持構造を形成する。一実施形態では、基板100は少なくとも裏面120および前面130に配置された誘電性層を有するシリコンウェーハである。誘電性層は酸化物、たとえば二酸化ケイ素でありえ、およそ1μmの厚さを有しうる。フィルホール110は好ましくは、保護層示されていないたとえばフォトレジストを前面130および裏面120上に、たとえばスピンオンプロセスにより、形成することで基板100内に形成される。それから、裏面120上の保護層は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーにより、フィルホール110が製作される裏面120の領域が実質的に保護層がないようにパターニングされる。フィルホール110は、たとえばプラズマエッチングまたはウェットエッチングにより、続いて形成される。好ましい実施形態では、フィルホール110は基板100のエッチングされてない前面130へと完全には貫かず、およそ200μmからおよそ400μmまでの範囲の深さを有する。フィルホール110の底と前面130との間の残りの厚さt1はおよそ150μmでありうる。一実施形態では、それぞれのフィルホール110はおよそ1mmの直径を有する。図1Bおよび図1Cを参照すると、少なくとも一つのキャビティー140が基板100の前面130内に形成される。それぞれのキャビティー140の深さはおよそ100μmから250μmまでありえ、好ましくは、1キャビティー140をフィルホール110と流体的に接続することおよび2以下でさらに説明されるような超小型電子ダイ200を実質的に含むことに十分な深さである。それぞれのキャビティー140は、好ましくは、複数のたとえばおよそ25個と36個との間の個数、または最大およそ100個でさえフィルホール110と流体的に連絡するが、10個、5個または1個にまで少ないフィルホール110ともまた流体的に連絡しうる。キャビティー140は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーおよびエッチングにより形成されうる。それぞれのキャビティー140内に少なくとも一つのポスト150が形成されえ、ポスト150の高さは実質的にキャビティー140の深さと等しい。それぞれのポスト150は、キャビティー140の形成の間にたとえば同じエッチングプロセスによって同時に形成されうる。それぞれのポスト150はほぼ円筒形でありえ、およそ10μmからおよそ35μmまでの直径を有しうる。他の実施形態では、それぞれのポストはピラミッド状ではなくつまりその厚みを通じておよそ同じ直径を有するかつ/またはほぼ正方形または長方形の断面を有する角柱形である。複数のポストを組み入れる実施形態では、このポストはおよそ20μmからおよそ100μmまでの範囲のピッチたとえばおよそ50μmを有しうる。一つの好ましい実施形態では、それぞれのポスト150は一端で堅く接続されたままであり、基板100と同じ材料および/または非金属の材料を含むか、または本質的にその材料から成る。一つの好ましい実施形態では、それぞれのポスト150はシリコンのような半導体材料を含むか、または本質的にその材料から成る。別の実施形態では、それぞれのポスト150は銅のような金属を含むか、または本質的にその材料から成る。図1Cに図示されるように、伝導性材料160の層が基板100の前面130上に形成されえ、好ましくは少なくともすべてのそれぞれのポスト150の横側面およびそれぞれのキャビティー140の内側の表面を覆いうる。伝導性材料160は銅のような金属を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、およそ0.5μmとおよそ7μmとの間の、またはおよそ7μmよりさらに大きい厚さを有しうる。一実施形態では、伝導性材料160の厚さはおよそ3μmである。一実施形態では、電気めっきをするための種となる部分になりうる伝導性材料160の一部は物理的堆積たとえばスパッタリングまたは蒸着により形成され、残りの部分は電気めっきにより形成される。伝導性材料160の物理的に堆積した部分はおよそ100nmのチタン上におよそ200nmの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、電気めっきされた部分はおよそ3μmの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。別の実施形態では、実質的にすべての伝導性材料160は物理的堆積により形成される。所望されるとき、伝導性材料160は焼結されえ、これによりポスト150の材料と反応し、ポスト150の少なくとも一部を伝導性の合金たとえば金属ケイ化物に変える。一つの好ましい実施形態では、ポスト150を金属化するための伝導性材料160の形成後でさえ、ポスト150は完全に金属で形成されるわけではない。いくつかの実施形態では、少なくとも以下で説明されるような適切な薄くするプロセスが実行されるまで、キャビティー140内に形成された伝導性材料160は除去されない。一実施形態では、一つまたはそれより多いポスト150は、キャビティー140内の以下で説明されるように超小型電子ダイが位置する場所の実質的に下に形成される。そのようなポスト150は、熱を超小型電子ダイからその周囲またはたとえば熱だめもしくは他の熱処理構造たとえば熱パイプもしくは超小型流体層へ以下で説明される熱的挿入物1300と同様の方法で運び去ることに利用されうる。このポストは超小型電子ダイの下に規則的なパターンで形成されえ、その場合運ばれる熱量はそれぞれのポストの直径、このパターンの密度およびこのポストの材料に依存する。あるいは、このポストは不動産が利用可能な場所に日和見主義的に配置されうる。図1Dおよび図1Eを参照すると、いくつかの実施形態では、一つまたはそれより多いポスト150は基板100のエッチングによって形成されない。そのような実施形態では、一つまたはそれより多いポスト150はビアチップ170内にあらかじめ形成されうる。ビアチップ170は、一つまたはそれより多いポスト150が内に形成される基質180を含みうるか、または本質的にその基質から成りうる。基質180は誘電性材料または半導体材料たとえばシリコンを含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。ポスト150は、好ましくは、ビアチップ170の厚さ全体を通して延びる。ビアチップ170は、たとえばエッチングにより、一つまたはそれより多い穴を基質180を通して形成することで製作されうる。この一つまたはそれより多い穴は、伝導性材料たとえば金属によって少なくとも実質的に埋められえまたは穴の内部表面を覆われえ、ポスト150を形成する。この伝導性材料はたとえば電気めっきおよび/または物理蒸着法により形成されうる。本方法では、一つまたはそれより多いポスト150はビアチップ170内にスルーシリコンビアTSVプロセスに似ているプロセスによって形成されうる。ビアチップ170はキャビティー140内へと導入され、超小型電子ダイ200に関して以下で説明されるようにカプセル化されうる。以下でさらに説明される別の実施形態では、ビアチップ170の機能性は、超小型電子ダイ200が存在することなしに一つまたはそれより多いポスト150をカプセル化することにより複製される。図2は超小型電子ダイを基板100にたとえば基板100のキャビティー140内に取り付けかつ整列させるための例示的な器具を描写する。より一般的には一つほどに少ない超小型電子ダイ200がフィルム210上に配置されうるけれども、図2に図示されるように、複数の超小型電子ダイ200がフィルム210上に配置される。一実施形態では、上記に説明されるような基板100内に用意されたそれぞれのキャビティー140に対して一つの超小型電子ダイ200が、フィルム210上に配置される。それぞれの超小型電子ダイ200は、少なくとも一つのSi、GaAsまたはInPのような半導体材料を含みうるか、もしくは本質的にその材料から成りえ、かつベアダイもしくはパッケージされたダイでありうる。一実施形態では、少なくとも一つの超小型電子ダイ200は複数の装置たとえば密閉してパッケージされたセンサーおよび/または超小型電子機械システムMEMS装置のパッケージされたアセンブリである。いくつかの実施形態では、それぞれの超小型電子ダイ200は、マイクロコントローラ、中央処理装置またはセンサーもしくはコンピュータのようないくつかの電子部品に利用される他のタイプのチップである。超小型電子ダイ200は均一でない厚さを有しえ、サイズおよび形状が異なりうる‐超小型電子ダイ200は以下に説明されるようにキャビティー140内にカプセル化されうるため、個々に作られたくぼみまたは台座は広範囲の異なる超小型電子ダイ200を収容するのに適したキャビティー140に対して必要とされなくてもよい。一つの好ましい実施形態では、誘電性層220はそれぞれの超小型電子ダイ200とフィルム210との間に配置され、かつそれぞれの超小型電子ダイ200およびフィルム210に接触している。誘電性層220はおよそ10μmの厚さを有しえ、スピンオンプロセスによってフィルム210上に形成されうる。本発明のいくつかの実施形態では、誘電性層220は充填材を含まないポリマーたとえばいくつかのInterviaPhotodielectricsPhiladelphia、PAのRohmandHaasCompanyから利用可能またはSINR3100シリーズPhoenix、AZのShin-EtsuMicroSi、Inc.から利用可能の一つのようなネガティブトーンスピンオン材料を含むか、または本質的にその材料から成る。それぞれの超小型電子ダイ200の第一表面であって、その上に製作された回路構成を概して含む第一表面は、フィルム210または誘電性層220に接触している。一つの好ましい実施形態では、誘電性層220は優良な電気絶縁体であり、均一な被覆を平らでない表面上に形成し、かつ比較的に透明である。誘電性層220は初めに液体としてフィルム210上に形成されうる。一実施形態では、誘電性層220は半導体装置の製作に概して用いられる設備を使用して、均一な厚さの被覆またはフィルムを製造するために使用されることが可能である。誘電性層220の初めの熱処理は、誘電性層220をべたべたにすなわち少なくとも少し粘着性にすることを可能にしうる。なお一層の熱処理は誘電性層220を堅い構造の材料のように最終的に硬化/橋かけ結合しうる。一実施形態では、誘電性層220は光への感度に対して選択されるつまり誘電性層220は光電性またはフォトイメージアブルである。したがって、誘電性層220の領域はたとえば完全に硬化される前に標準のフォトリソグラフィーの方法により除去されうる。別の実施形態では、誘電性層220は感光性がない。そのような場合、誘電性層220は、完全に硬化される前または後に、マスキング、機械加工、ディープリアクティブイオンエッチングDRIEまたはレーザーを用いた除去のような機械的方法を使用してパターニングされうる。超小型電子ダイ200の正確な配置を容易にするために、フィルム210は、基板100上に定められたキャビティー140およびポスト150のパターンと対応する特徴を含むダイ配置マスク230上に配置されうる。フィルム210および誘電性層220は好ましくは少なくとも部分的に透明であり、そういうものとして、超小型電子ダイ200は誘電層220上のその下のダイ配置マスク230上に定められた位置内に配置されうる。フィルム210は実質的に透明な材料たとえばMylarまたはKaptonを含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、フィルム210およびその上の誘電性フィルム220は、整列リング240によりその周囲を支持されうる。一実施形態では、整列リング240は金属などの堅い材料を含むか、または本質的にその材料から成る。ダイ配置マスク230、フィルム210および誘電性層220は、好ましくは、ダイ配置マスク240の下に配置された熱されたプラテン250によりおよそ60°Cからおよそ100°Cまでの温度に熱される。それぞれの超小型電子ダイ200がダイ配置マスク230上のパターンに規定される所望される位置に配置され、誘電性層220に接着するように、高められた温度は誘電性層220を軟化する。ひとたび誘電性層220に接触すると、超小型電子ダイ200の前面の能動面は±2μm以内のほぼ同一平面にありうる。超小型電子ダイの前面は誘電性層220により実質的に覆われうる、つまり封じられうる。図3を参照すると、誘電性層220に接着した超小型電子ダイ200は、基板100内のキャビティー140上に配置されえ、かつキャビティー140に対して整列されうる。ポスト150は整列の目印として利用されえ、これによりキャビティー140への超小型電子ダイ200の正確な整列を容易にする。基板100はホットプレート300上かつ隔壁310内に配置される。ひとたび超小型電子ダイ200がキャビティー140に対して整列されると、誘電性層220が基板100の表面に接触し、超小型電子ダイ200がキャビティー140内に実質的に配置されるように、整列リング240が下げられる。誘電性フィルム220が好ましくはおよび実質的に均一に基板100の上面およびポスト150に接触するように、実質的な真空が、フィルム210と基板100との間の空間この時点では隔壁310、320の間の接触が原因で封じられる空間に引き込まれうる。したがって、図4に示されるように、誘電性フィルム220は超小型電子ダイ200をキャビティー140内に封じる。一実施形態では、超小型電子ダイ200がキャビティー140内で誘電性フィルム220と接着するが、キャビティー140の内部表面とは接着しない。図4を参照すると、カプセル化チャンバー400はキャビティー140内に超小型電子ダイ200をカプセル化するために使用されうる。誘電性フィルム220自身がフィルム210および整列リング240上に配置され、その誘電性フィルム220にこの時点では接着された基板100は、カプセル化チャンバー400内に配置される。さらに基板100の反対側にカプセル化チャンバー400内で配置されるのは、プラテン410および圧力プレート420である。少なくとも一つのO‐リング430たとえば図示されるような複数のO‐リング430がプラテン410上に配置され、フィルム440がプラテン410およびO‐リング430上に配置され、これによりポケット445を形成する。それぞれのポケット445はカプセル材料450を収容しうる。プラテン410は、好ましくは、堅い材料たとえば金属を含むか、または本質的にその材料から成り、かつ加熱可能である。O‐リング430はシリコーンのようなエラストマー材料を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、フィルム440はTeflonを含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。プラテン410は、以下でさらに説明されるように、圧縮気体たとえば圧縮空気を誘導することに適した穴460をまた含む。穴460を通した圧縮空気の導入はポケット445内のフィルム440の裏面に圧力を印加し、フィルム440は印加された圧力に反応して曲折しうる。カプセル化キャンバー400は、カプセル化キャンバー400に真空状態を作り出すことができる真空ポンプ示されていないへ接続される真空ポート470をまた含む。いくつかの実施形態では、複数のO‐リング430たとえば図4に図示されるようにそれぞれのキャビティー140に対して一つよりむしろ、図14に示されるように、キャビティー140に対応するすべての領域を包囲する単一のO‐リング430が、プラテン410と共に利用される。同一のカプセル化固定具が基板100内のキャビティー140の種々の構成に対して利用されうるため、単一のO‐リング430の使用はより大きい順応性を見込み、それぞれの異なる所望された構成のためにあつらえ設計されたカプセル化固定具に対する必要性を回避する。単一のO‐リング430の使用は、キャビティー140のより広範囲の種々の構成をカプセル材料450で埋めることをまた容易にし、そのキャビティー140は個々のO‐リング430がそれとともに使用されるとき、埋めることが困難でありうる。たとえば、単一のO‐リング430の使用は複数の接近して間隔をあけられたたとえば典型的なO‐リング430の厚さまたはそれより小さいオーダーで間隔をあけられたキャビティー140を埋めることを可能にしうる。いくつかの実施形態では、基板100の直径とほぼ同じ直径たとえば、基板100の周の内側にちょうど合う寸法で作られた直径を画定する単一のO‐リング430が利用され、これにより基板100内の複数のキャビティー140をカプセル材料450の同じ部分で同時に埋めることを可能にする。単一のO‐リング430を利用する実施形態では、より大きな厚さのO‐リング430が利用されえ、それによってカプセル化の間に基板100での封じ込めを容易にし、かつ向上させる。一つの例示的な実施形態では、超小型電子ダイ200は以下の工程に従ってカプセル化される。第一に、図4を再度参照して、プラテン410がおよそ30°Cまで熱され、カプセル化チャンバー400はカプセル材料450の気体を抜くためにおよそ5分間排気される。カプセル化チャンバー400内の真空はまた、以下で説明するような超小型電子ダイ200のカプセル化の間にキャビティー140内に閉じ込められる空気泡の形成を実質的に防ぐ。フィルホール110はポケット445の上方に整列され、基板100の裏面をフィルム440で覆われたO‐リング430に対して封じるために圧力プレート420に力が印加される。およそ15ポンド毎平方インチpsiの圧力がフィルム440の裏面に穴460を通した圧縮気体の導入によって印加され、これによりカプセル材料450をフィルホール110を通してキャビティー140内へと押し込む。圧力プレート420によって支えられる誘電性層220は、少なくとも実質的に、カプセル材料450が超小型電子ダイ200と誘電性層220との間に流れることを防ぎ、超小型電子ダイ200の上面の実質的な同一平面を維持する。圧力がおよそ5分間印加され、その後圧力はたとえばおよそ1psiまで弱められる。プラテン410はカプセル材料450を少なくとも実質的に硬化するのに十分な期間たとえばおよそ4時間の間およそ60°Cまで熱される。カプセル材料450が硬化するにつれて、カプセル材料450の体積は減少しえ、フィルム440に対して印加される圧力は追加のカプセル材料450をキャビティー140内へと注入するのに十分である。したがって、キャビティー140は硬化の間カプセル材料450で連続的に埋められ、硬化後確実にキャビティー140がカプセル材料450で実質的にまたは完全に埋められているようにする。いくつかの実施形態では、真空の下および高められた圧力での超小型電子ダイ200のカプセル化の後、カプセル化チャンバー400はカプセル化チャンバー400および/または基板100の冷却を容易にするために気体、たとえば窒素、でパージされる。それから、基板100はカプセル化チャンバー400から除去され、基板100の裏面上に存在する過剰のカプセル材料450は、たとえばかみそり刃での解体および/または適切な溶剤の使用により除去されうる。硬化は、およそ60°Cの温度でおよそ3時間から5時間までの期間の間継続しうる。それから、フィルム210は基板100から除去され、誘電性層220を実質的にまたは完全に無傷のままにする。フィルム210の除去の後、誘電性層220の露出した面は好ましくは±2μm以内の平面である。超小型電子ダイ200上の誘電性層220の存在は、好ましくは、カプセル材料450の導入の後でさえこの平面性を維持し、カプセル化後にカプセル材料450および/または超小型電子ダイ200を別々に平面化する必要性を回避する。他の実施形態では、カプセル材料450をキャビティー140内へと導入するために他の技術が利用される。たとえば、注入器、射出成形スクリューまたはピストンポンプがカプセル材料450をキャビティー140内へとフィルホール110を通して導入するために利用されうる。いくつかの実施形態では、図15に描写されるように、超小型電子ダイ200はキャビティー140内に、図2~4に描写されるような誘電性層220およびフィルム210の利用によるよりもむしろ単一の接着性フィルム215の利用によって整列されかつ配置される。単一の接着性フィルム215は、カプセル化の間、それぞれの超小型電子ダイ200の能動回路構成を含む表面をなお保護する。しかし、単一の接着性フィルム215たとえばアクリル接着剤の使用は、カプセル材料450に対してより高い硬化温度、たとえばおよそ80°Cまたはさらに高い温度、の利用を可能にし、その温度は別のやり方では誘電性層220の橋かけ結合に有害となりうる。カプセル材料450の硬化の後、接着性フィルム215は除去されえたとえばはがされえ、それから誘電性層たとえば誘電性層220が基板100の表面およびカプセル化された超小型電子ダイ200上に形成されうるたとえばスピンコートされうる。いくつかの実施形態では、以下でさらに説明されるように、カプセル材料を収容するキャビティー140の間の基板100の表面上に存在するいずれの金属および/または酸化物の層でも、誘電性層220の形成より前に除去されえ、それによってそれの向上した接着力を増進する。一つの例示的な実施形態では、カプセル材料450は成形したエポキシ樹脂のような充填材を含むポリマーを含むか、または本質的にそのポリマーから成る。充填材はポリマーの熱膨張を減少させえ、かつおよそ50μmよりも小さい特徴的な寸法たとえば直径を有する微粒子の形態たとえば球体の鉱物たとえば石英を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。カプセル材料450はシリコンの熱膨張係数CTEとほぼ等しいCTEを有する絶縁材料でありうる。カプセル材料450は、ペーストもしくは濃い流体の形態もしくはそこへの圧力の印加で融ける粉末の形態でポケット445内に存在する。後の処理はカプセル材料450が実質的に堅くなるように、カプセル材料450を硬化/橋かけ結合しうる。いくつかの実施形態では、カプセル材料450は、Shin-EtsuSemicoat505またはSMC-810のような多量に充填材を含む材料を含むか、または本質的にその材料から成る。上記に説明されるように、カプセル材料450および誘電性層220または、あるいは、カプセル材料450および接着性フィルム215は超小型電子ダイ200を協同してカプセル化しうる。それぞれの超小型電子ダイ200の大部分の周りに成形されたカプセル材料450およびそれぞれの超小型電子ダイ200の能動回路構成を含む表面を覆う誘電性層220/接着性フィルム215が異なる材料特性および処理方法を好都合に有しえるため、複数の材料によるカプセル化は好ましくありうる。カプセル材料450は誘電性層220/接着性フィルム215を湿らせ、かつ直接接合しえ、それによって実質的に縫い目のない境界面を形成する。特定の実施形態では、抵抗器、コンデンサーおよび/または誘導器のような一つまたはそれより多い受動素子は基板100内に超小型電子ダイ200に代えてまたは加えてカプセル化されうる。そのような受動素子を含むモジュールは、たとえば高密度インターコネクトHDI基板として使用されうる。HDI基板およびその中の受動素子もまた回路基板のようなプラットフォームにたとえばポスト150との接触により電気的に接続しえ、HDI基板自身が、たとえば以下に説明されるような一つまたはそれより多い電子部品または電子モジュールに対してプラットフォームとして機能しうる。図5A~5Cを参照すると、金属化されたポスト150へおよび超小型電子ダイ200の表面上の接触パッドへの伝導性接続、および第一金属化層は、以下の例示的な工程に従って形成されうる。上記で言及されるように、単一の接着性フィルム215がキャビティー140内に超小型電子ダイ200の位置を定めるために利用される場合、接着性フィルム215はまず除去され、それからキャビティー140の間つまりキャビティー140の外側の基板100の表面上のいずれの金属および/または酸化物の層でも除去されうる。金属および/もしくは酸化物の層は、キャビティー140の間のそれぞれの基板100の表面領域全体から除去されえ、または金属および/もしくは酸化物の層はちょうどストリートにおいて除去されえ、後のそれらのストリートに沿った基板100の方形切断を容易にする別のやり方では、方形切断が金属を通して行われるとき基板100は割れうる。たとえば、金属は金属エッチングにより除去されえ、一方酸化物はリアクティブイオンエッチングにより除去されうる。カプセル材料で埋められたキャビティー140内の金属および/または酸化物の層はカプセル材料450により保護され、一般的に除去されない。それから誘電性層220が基板100の表面およびカプセル化された超小型電子ダイ200上に形成されうるたとえばスピンコートされうる。基板100の材料たとえばシリコンに直接接触するような誘電性層220の形成はまた、一般的に、後の処理の間での誘電性層220の接着力を向上させる。一方で、誘電性層220およびフィルム210がキャビティー140内に超小型電子ダイ200の位置を定めるために利用される場合、図4に関して上記で説明されるようにフィルム210はあらかじめ除去されて誘電性層220はまたキャビティー140の間のそれぞれの基板100の表面領域全体からまたはストリートにおいて、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーによって除去されうる。それから、除去された誘電性層220の下の金属および/または酸化物の層またはそれの一部はまた上記に説明される理由で除去されうる。ひとたび金属および/または酸化物の層がキャビティー140の間のそれらの基板100の表面領域から除去されると、誘電性層220はそこへ再び付加されうるたとえばスピンコートされうる。好ましくは光電性である誘電性層220は、この時点では基板100の上面全体を覆う。それから、図5Aに図示されるように、誘電性層220は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーによって、パターニングされえ、ビアホール500を形成する。パターニングの前に、誘電性層220はおよそ90°Cでおよそ60秒間穏やかに焼かれうる。ビアホール500はおよそ5μmとおよそ20μmとの間の直径を有しうる。それから、パターニングされた誘電性層220はおよそ190°Cでおよそ1時間の激しい焼きにさらされ、、その後、パターニングされた誘電性層220は実質的に±2μm以内の平面である。図5Bに図示されるように、伝導性材料510は実質的に誘電性層220上に形成され、ビアホール500を覆いかつ実質的にもしくは完全に埋めるこれによりそこに伝導性ビアを形成する。伝導性材料510は銅のような金属を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、およそ0.5μmとおよそ7μmとの間またはおよそ7μmよりもさらに大きな厚さを有しうる。一実施形態では、電気めっきをするための種となる部分になりうる伝導性材料510の一部は、物理的堆積たとえばスパッタリングまたは蒸着により形成され、残りの部分は電気めっきにより形成される。いくつかの実施形態では、電気めっきされた部分は省略されえ、つまり実質的にすべての伝導性材料510が物理的堆積により形成される。伝導性材料510の物理的に堆積した部分は、およそ100nmのチタン上におよそ200nmからおよそ2000nmまでの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、電気めっきされた部分はおよそ3μmからおよそ7μmまでの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。伝導性材料510はまた、およそ100nmのチタンのキャッピング層を含みえ、そのキャッピング層は、たとえば、スパッタリングのような物理的堆積方法により形成されうる。ビアホール500が誘電性層220の厚みを通じて延びるにすぎず、そこで少なくともいくつかのビアホール500が金属化されたポスト150に届くという事実によって、ビアホール500を伝導性材料510で埋めることは容易にされる。この配置は、以下で説明するように基板を薄くした後で後に超小型電子ダイ200の裏面上またはその近くに相互連結を形成するために高アスペクト比のビアを埋めることに対する必要性を回避し、高アスペクト比のビアを埋めることは多くの事情で困難がありうる。図5Cに図示されるように、伝導性材料510は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーおよびエッチングたとえばウェットエッチングもしくはプラズマエッチングにより、パターニングされ、相互連結層520を形成する。一つの好ましい実施形態では、伝導性材料510は、塩化鉄IIIまたはクロム酸のような工業用に利用可能な金属のエッチング剤の使用によりエッチングされる。エッチングの後、相互連結層520は、好ましくは、およそ12.5μmより小さいまたはおよそ5μmよりもさらに小さい最小の線幅を有する伝導性の線を含む。図6Aを参照すると、相互連結層520の形成後、誘電性層220と実質的に同一でありうる別の誘電性フィルムが相互連結層520上に配置されえ、図5A~5Cに関して上記で説明される工程が一回または複数回さえ繰り返されうる。結果として生じるあらかじめ薄くされたモジュール層600は所望される数および配置の金属の相互連結層を含む。図6Bを参照すると、ソルダーマスク610があらかじめ薄くされたモジュール層600上に形成されえ、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーにより、パターニングされうる。ソルダーマスク610は光電性誘電性材料たとえば誘電性層220について上記で説明されるものを含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。ソルダーマスクの開放部620は、後ほど、たとえば一番上の相互連結層630とのはんだボールの接続部を、形成するために利用されうる。図7Aおよび図7Bを参照すると、本発明のいくつかの実施形態では、ハンドルウェーハ700は、あらかじめ薄くされたモジュール層600に以下の工程に従って接合したウェーハである。一時的接合材料710は、あらかじめ薄くされたモジュール層600上に、たとえばスピンオンまたはシルクスクリーンプロセスにより、形成される。一時的接合材料710はたとえばWaferBONDまたはWaferBONDHT-250どちらもRolla,MOのBrewerScience,Inc.から利用可能を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。一実施形態では、一時的接合材料710は、およそ1000からおよそ3500rpmまでの速度で一時的接合材料710を回転させることでハンドルウェーハ700に付加される。それから、一時的接合材料710はおよそ170°Cから220°Cまでの温度でおよそ7分間焼かれうる。それから、ハンドルウェーハ700は、たとえばEVG501ウェーハ接合ツールAustriaのEVGroupE.ThallnerGmbHから利用可能を利用して、あらかじめ薄くされたモジュール層600と接触させられうる。ウェーハ接合プロセスはおよそ15psiの圧力をハンドルウェーハ700およびあらかじめ薄くされたモジュール層600に印加すること、ならびにおよそ140°Cからおよそ220°Cまで高められた温度をそこへ加えることを含みうる。ハンドルウェーハ700はガラスを含みうるか、もしくは本質的にその材料から成りえ、または上に誘電性層たとえば、二酸化ケイ素のような酸化物が形成された半導体たとえばシリコンウェーハでありうる。ハンドルウェーハ700を、あらかじめ薄くされたモジュール層600の第一表面に接合した後、図7Bに図示されるように、薄くするプロセスが、あらかじめ薄くされたモジュール層600の反対側の第二面に対して行われうる。薄くする間に、図7Aに図示されるあらかじめ薄くされたモジュール層600の厚さt2は好ましくは除去され、これにより、カプセル化された超小型電子ダイ200の底面の少なくとも一部および金属化されたポスト150の少なくとも一部を露出するまたは除去さえする。超小型電子ダイ200およびポスト150はカプセル材料450でカプセル化されるため、超小型電子ダイ200およびポスト150は所望される位置に残る。薄くするプロセスは、ポリッシングスラリーたとえば、水のような液体中に浮遊させたダイヤモンドの微粒子を用いた機械的なグラインディングまたはたとえば銅のラッピングプレート上でのラッピングを含みうるか、または本質的にその工程からなりうる。一実施形態では、このように形成された薄くされたモジュール層720の露出した表面は、たとえばケミカルメカニカルポリッシングによって、さらになめらかにされる。あらかじめ薄くされたモジュール層600の厚さt2の除去後、それぞれのポスト150は、好ましくは、基板100を通した電気的接続の少なくとも実質的な部分を形成する。以下でさらに説明されるように、この接続はたとえば、超小型電子ダイ200の前面および裏面を接続するダイ内部のインターコネクトおよび/または電子モジュール内の超小型電子ダイのさらなる層へのインターコネクトとして利用されうる。図8A~8Cを参照すると、金属化されたポスト150への裏面の伝導性接続、および第一裏面金属化層は以下の例示的な工程に従って形成されうる。第一に、好ましくは光電性かつ誘電性層220について上記で説明される材料を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる誘電性層800は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーにより、パターニングされ、裏面ビアホール810を形成する。それぞれの裏面ビアホール810はおよそ20μmの直径を有しうる。図8Bに図示されるように、伝導性材料820は誘電性層800の上に実質的に形成され、裏面ビアホール810を実質的にまたは完全に埋めるこれによりそこに伝導性ビアを形成する。伝導性材料820は銅のような金属を含みうるか、もしくは本質的にその材料から成りえ、およそ0.5μmとおよそ7μmとの間またはおよそ7μmよりもさらに大きな厚さを有しうる。一実施形態では、電気めっきをするための種となる部分になりうる伝導性材料820の一部は、物理的堆積たとえばスパッタリングまたは蒸着により形成され、残りの部分は電気めっきにより形成される。いくつかの実施形態では、電気めっきされた部分は省略されえ、つまり実質的にすべての伝導性材料820が物理的堆積により形成される。伝導性材料820の物理的に堆積した部分は、およそ100nmのチタン上におよそ200nmからおよそ2000nmまでの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りえ、電気めっきされた部分はおよそ3μmからおよそ7μmまでの銅を含みうるか、または本質的にその材料から成りうる。伝導性材料820はまた、およそ100nmのチタンのキャッピング層を含みえ、そのキャッピング層は、たとえば、スパッタリングのような物理的堆積方法により形成されうる。ビアホール500に関して上記で説明されるように、裏面ビアホール810を通した接続は金属化されたポスト150の存在により容易にされ、このことは高アスペクト比のビアを埋めることに対する必要性を回避する。図8Cに図示されるように、伝導性材料820は、たとえば従来のマスクフォトリソグラフィーおよびエッチングたとえばウェットエッチングもしくはプラズマエッチングにより、パターニングされ、裏面相互連結層830を形成する。一つの好ましい実施形態では、伝導性材料820は、塩化鉄IIIまたはクロム酸のような工業用に利用可能な金属のエッチング剤の使用によりエッチングされる。エッチングの後、裏面相互連結層830は、好ましくは、およそ12.5μmよりも小さいまたはおよそ5μmよりもさらに小さい最小の線幅を有する伝導性の線を含む。裏面相互連結層830を有する薄くされたモジュール層720は、必要に応じて、同様に処理された第二の薄くされたモジュール層850にたとえば、図9Aに示されるようにそれぞれのモジュール720、850の裏面相互連結層を共に接合することにより接続されうる。第二モジュール層850のハンドルウェーハ示されていないは除去されえ、別の一つのまたは複数のモジュール層が第二モジュール層850の露出した表面に接続されうる。一つの好ましい実施形態では、それぞれの追加のモジュール層は、薄くされたモジュール層720への取り付けの前にカプセル化された少なくとも一つの超小型電子ダイを含む。図9Bに図示されるように、所望された数0の場合もあるの追加のモジュール層が、薄くされたモジュール層720に接続された後、モジュール900は、積み重ねられたモジュール層から、たとえばダイソーイングにより、個別化されうる。ポスト150は超小型電子ダイ200の前面および裏面を相互に連結させうるか、またはそれぞれのモジュール900内にダイ間の相互連結を形成しうる。ハンドルウェーハ700は、モジュール900の個別化の前か後のどちらかに除去されうる。ハンドルウェーハ700の除去は、選択された一時的接合材料710に応じて、およそ130°Cからおよそ250°Cまででありうる適切な分離温度まで熱し、ハンドルウェーハ700を滑り取り去ることで成し遂げられうる。それから、モジュール900は適切に掃除されえ、かつ超小型センサー、量およびサイズの制限がある宇宙利用、完全に集積されたMEMS―相補型金属酸化膜半導体MEMS-CMOS構造、および移植可能な生物学的センサーを含む種々の応用のどれにでも利用されうる。モジュール900内の超小型電子ダイ200は、アナログもしくはデジタル集積回路、デジタル信号処理装置、ラジオ周波数受信機もしくは送信機のような無線通信構成要素、光信号処理装置、導波管のような光伝送構成要素、生物学的および化学的センサー、変換器、アクチュエーター、エネルギー源、MEMS装置、ならびに/または抵抗器、コンデンサーおよび誘導器のような受動素子を含みうる。ウェーハの湾曲抑制いくつかの実施形態では、図4に関して上記で詳述されるようにキャビティー140内のカプセル材料450の硬化および結果として生じる縮小は、基板100における応力および/または湾曲に帰着する。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、基板100内に裏面キャビティーを組み込み、硬化の間に基板100内おけるいずれの応力および/または湾曲も実質的に排除するように、その裏面キャビティーもカプセル材料450で埋められる。図16Aは、裏面キャビティー190を組み込む基板100の例示的な実施形態の断面図であり、一方図16Bおよび16Cは、それぞれ、基板100の上面図および底面図である。図示されるように、基板100はなお、フィルホール110を画定し、この場合ではフィルホール110は裏面キャビティー190から前面キャビティー140まで延びる。一つまたはそれより多いポスト150はまた、上記に説明されるように前面キャビティー140内に位置しうる。裏面キャビティー190は、好ましくは、前面キャビティー140と同一の容積および/または寸法たとえば深さを有し、概してその内に一つもポスト150を含まない。簡単のために図16Aには図示されないが、一つまたはそれより多い超小型電子ダイ200がまた、上記で説明された例示的な方法のいずれか使用して、前面キャビティー140のうちの一つまたはそれより多くの前面キャビティー140内に位置を定められえ、かつそこにカプセル材料450でカプセル化されうる。図示されるように、カプセル材料450はまた、フィルホール110および裏面キャビティー190内に存在する。いくつかの実施形態では、裏面キャビティー190の面積の寸法および/またはその深さは、前面キャビティー140の面積の寸法および/またはその深さよりも、ポスト150および/または内部にカプセル化された超小型電子ダイ200によって占められた前面キャビティー140の容積を補うために、わずかに小さくありうる。本設計で、カプセル材料450の硬化の間、結果として生じるカプセル材料450のいずれの縮小も、裏面キャビティー190および前面キャビティー140の両方において実質的に同じである傾向があり、これにより基板100はその後は実質的に湾曲がないかつこれにより実質的に平らなままである。いくつかの実施形態では、カプセル材料450の硬化後、基板100の湾曲の量は前面キャビティー140および裏面キャビティー190における容積の違いに直接関連する。したがって、前面キャビティー140および裏面キャビティー190について相対的な容積の賢明な選択は、特定の応用で所望されるように、基板100内の湾曲の量をカスタマイズするために利用されうる。図17A~17Jに描写されるように、裏面キャビティー190の形成は、図1A~1Cに関して上記で説明されるプロセスと同様のプロセス内へと組み込まれうる。図17Aにおいて、基板100たとえばブランクなDSP800μm厚シリコンウェーハが提供される。それから、図17Bに描写されるように、たとえば酸化物の、薄いたとえば1μm層1810が、たとえば堆積または酸化により、基板100の両面に付加されうる。それから、第二マスク材料1820たとえば、クロムのような金属が基板100の裏面上に形成されえ図17B、かつフォトレジスト1830たとえばStockleyPark,EnglandのAZElectronicMaterialsにより供給されるAZ4620でパターニングされえ、裏面キャビティー190のエッチングマスクを形成する図17C。それから、金属1820が、裏面キャビティー190の領域内でエッチングされえ、酸化物片1810が、たとえばリアクティブイオンエッチングにより、そこから除去されうる図17D。それから、フォトレジスト1830が除去されえ、フォトレジスト1830の新しい層が付加されえ、かつパターニングされフィルホール110について所望されるパターンを形成しうる図17D。図17Eに図示されるように、第一エッチング工程たとえば、ディープリアクティブイオンエッチングのような第一プラズマエッチングはそれぞれのフィルホール110の一部を画定するつまり基板100の一部を、完成したフィルホール110に対して所望される深さよりも小さい初期深さまで除去する。一実施形態では、この初期深さはフィルホール110の最終的な深さよりも、およそ裏面キャビティー190に対して所望される深さだけ小さい。それから、図17Eにまた図示されるように、フィルホール110を画定するフォトレジスト1830が除去される。それから、図17Eに図示されるように、第二エッチング工程たとえば、ディープリアクティブイオンエッチングのような第二プラズマエッチングが行われ、これは裏面キャビティー190を画定する。第二エッチング工程の間に、フィルホール110はまた、所望される最終的な深さまで同時にエッチングされる。フィルホール110および裏面キャビティー190を画定するエッチングの後、フィルホール110は、好ましくは、図1A~1Cに関して上記でまた詳述されたように、基板100の反対側まで貫通しない。フィルホール110および裏面キャビティー190の形成の後、金属1820が、たとえば金属エッチングにより除去され、基板100が適切なハンドルウェーハ1840上に真空の下裏面を下にして取り付けられる図17G。それから、図17Gに図示されるように、追加のフォトレジスト1850たとえばAZ4620が基板100の前面に付加されうる。それから、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程が前面キャビティー140およびポスト150を画定するために利用されうる。特に、図17Hに図示されるように、フォトレジスト1850がパターニングされえ、基板100の前面上の酸化物片1810の部分がたとえばリアクティブイオンエッチングにより除去されえ、前面キャビティー140およびポスト150がたとえば、ディープリアクティブイオンエッチングのようなプラズマエッチングにより基板100内に形成されうる。それから、フォトレジスト1850およびハンドルウェーハ1840が除去されえ、エッチングたとえばバッファードオキサイドエッチングが、基板100の前面および裏面上の酸化物片1810を除去するために用いられえ、それによって図17Iに図示されるように画定されたフィルホール110、ポスト150、前面キャビティー140および裏面キャビティー190を基板100に残す。それから、図17Jに描写されるように、たとえば酸化物の、薄いたとえば1μm層1860が、たとえば堆積または酸化により、基板100の両面に付加されうる。図17Jにまた図示されるように、基板100の前面がまた、たとえばクロム1870で、金属化されうる。それから、たとえば図2~4、14、15に関して上記で説明されるように、一つまたはそれより多い超小型電子ダイ200が、前面キャビティー140の一つまたはそれより多い前面キャビティー140内に位置を定められうる。特に、当業者が容易に理解するように、カプセル材料450が裏面キャビティー190内に、フィルホール110を通して、前面キャビティー140内へと注入されえ、その中に位置するダイ200をカプセル化する。ここで図18を参照して、かつ上記で説明されるように、前面キャビティー140内のダイ200のカプセル化カプセル化されたダイは簡単のために図18には図示されないのあとで、金属1870および酸化物1860が基板100の表面から除去されえ、その基板100の表面は前面キャビティー140および裏面キャビティー190の外側である。以前に説明されるように、金属1870は金属エッチングにより除去されえ、一方酸化物1860はリアクティブイオンエッチングにより除去されうる。図18に図示されるように、カプセル材料で埋められたキャビティー140、190内の金属および/または酸化物の層はカプセル材料450により保護され、一般的に除去されない。それから、図18に描写される図示されていないが、カプセル化された超小型電子ダイ200を含む結果として生じる基板100は、図5A~9Bに関して上記で説明されるように、後で処理されうる。挿入物本発明の実施形態はまた、挿入物つまり内部にいずれの能動電子ダイも能動電子部品もカプセル化されていない、上記に説明されるモジュールを製作するために好都合に利用されうる。図10Aおよび10Bを参照すると、本発明の実施形態に従って、挿入物製作プロセスは、図1Bおよび1Cに関して上記で説明されるように、フィルホール110およびポスト150の形成で始まる。図10Bに図示されるように、伝導性材料160の層が、基板100の前面130上に形成されえ、好ましくは、それぞれのポスト150の少なくともすべての横側面を覆いうる。それから、図11Aおよび11Bを参照するとかつ図4および5A~5Cに関して上記で説明されるように、ポスト150がカプセル材料450でカプセル化されうる。カプセル材料450は、好ましくは、ポスト150の熱膨張係数に実質的に釣り合った熱膨張係数を有する。誘電性層220または他の適切な誘電性層が、カプセル化されたポスト150を含む基板100上に、たとえばスピンオンプロセスにより、形成されうる。誘電性層220は、好ましくは、パターニングされビアホール500を形成し、伝導性材料510がその上に形成され、ビアホール500を覆いかつ実質的にもしくは完全に埋める。それから、伝導性材料510が上記で説明されるようにパターニングされかつエッチングされ、相互連結層520を形成する。相互連結層520もまた、一つまたはそれより多いポスト150に電気的接触をなしえ、たとえば電気的コンタクトの特定のパターンまたはピッチを有する電気的構成要素との、後の接続に対して設計されうる。一つまたはそれより多い受動素子が基板100内にカプセル化される場合の実施形態では、相互連結層520はまた、受動素子へ電気的接触をなしえ、これにより受動素子の、たとえば回路基板または別の電気的構成要素もしくは電気的モジュールとの、電気的接続を容易にする。図6Aおよび6Bに関して上記で説明されるように、複数の相互連結層520が基板100上に形成されうる。図12を参照するとかつ図7A~9Aに関して、電気的挿入物1200が以下の工程に従って形成されうる。第一に、基板100の反対側が薄くされ、これによりポスト150の少なくとも底の一部が露出する。ポスト150はカプセル材料450でカプセル化されるため、所望される位置に残る。薄くした後、ポスト150は、基板100を通した電気的および/または熱的接続の少なくとも実質的な部分を形成する。誘電性層が基板100の反対側に付加され、パターニングされえ、ビアホールを形成する。伝導性材料が付加されパターニングされ、裏面相互連結層830を形成する。裏面相互連結層830は一つまたはそれより多いポスト150に電気的接触をなしえ、たとえば電気的コンタクトの特定のパターンまたはピッチを有する電気的構成要素との、後の接続に対して設計されうる。裏面相互連結層のパターンおよび/またはピッチは、相互連結層520のパターンおよび/またはピッチと実質的に同一でありうるか、または実質的に異なりうる。したがって、電気的挿入物1200は、電気的構成要素と、たとえば異なる電気的コンタクトのピッチを有するプラットフォームたとえば回路基板との間の、電気的接触を容易にするために利用されうる。いくつかの実施形態では、電気的挿入物1200はまた、以下でさらに説明されるように熱的挿入物として機能しうる。図13に関して、熱的挿入物1300が、上記で説明される電気的挿入物1200の方法と同様の方法で形成されうるが、熱的挿入物1300は相互連結層520および/または裏面相互連結層830なしに形成されうる。熱的挿入物1300は、一つもしくはそれより多い電気的構成要素から熱を運び去るためかつ/またはそのような構成要素を追加の熱だめに接続することを容易にするために利用されうる。たとえば、ボールグリッドアレイを含むか、または本質的にボールグリッドアレイから成る裏面相互連結層830は熱的挿入物1300上に形成されえ、たとえば、銅または銅‐グラファイト合金のような熱伝導性材料を含むか、または本質的にその材料から成る熱だめが、裏面相互連結層830に熱的に接続しうる。熱的挿入物1300と熱的に接触している電気的構成要素描かれていないから発生した熱は、ポスト150ならびに存在するときは相互連結層530および/または裏面相互連結層830により、その周囲または熱だめへと運び去られる。一実施形態では、基板100内の、そのような電気的構成要素またはそれの熱い箇所が熱的挿入物1300に付着する位置に、より大きな密度のポスト150が位置を定められる。別の実施形態では、電気的構成要素またはその熱い箇所に熱的な接触をなすために位置を定められた一つまたはそれより多いポストが、この構成要素から離れて位置を定められた少なくとも一つのポスト150と比較して、より大きな直径および/またはより厚いその上の伝導性材料160の層を有する。いくつかの実施形態では、熱的挿入物1300は、少なくとも2の以下で説明されるような伝熱有効性を有する。好ましい実施形態では、伝熱有効性はおよそ100より大きく、またはおよそ1000よりさらに大きい。当業者に理解されるように、電気的挿入物1200および熱的挿入物1300の両方はまた、実質的に湾曲がないように製作されうる。特に、図10Aおよび10Bに描写される基板100は、あるいは、上記に説明されるように、処理されえ、前面キャビティー140内の図示されたフィルホール110およびポスト150に加えて、裏面キャビティー190を画定する。前のように、裏面キャビティー190が形成されえ、前面キャビティー140とおよそ同じ容積および/または寸法たとえば深さを有するが、裏面キャビティー190は、概して、内部にいずれのポスト150も含まない。それからまた、上記に説明されるようにカプセル材料450でそれらの裏面キャビティー190を埋めることおよび図11A~13に関して説明される処理を完了することにより、基板100内のならびに、最終的に、電気的挿入物1200内および熱的挿入物1300内のいずれの応力および/または湾曲も実質的に排除される。例たとえば熱的挿入物1300内のポスト150を通した伝熱有効性は、1cm2の表面領域および100°Cの温度を有する電気的構成要素の場合に対してモデル化されてきた。一つの例示的なポスト150はシリコンで形成され、10μmの直径を有する均一な円筒形断面を有し、かつ電気めっきされた銅の5μmの厚さの環形で覆われる。したがって、それぞれのポスト150の直径全体は20μmであり、シリコンおよび銅のそれぞれの単位長さあたりの体積分率は0.5である。ポスト150は50μmのピッチを有し、およそ62,500ポスト/cm2に相当する。発明者らは、周囲の媒体よどんだ周囲のエアスペースに相当への伝熱は乏しく、ポスト150の熱伝導性は混合の法則に従うつまりシリコンおよび銅の成分の体積パーセントに比例すると想定する。ポスト150は、一端で電気的構成要素に、かつもう一端で25°Cの熱だめに接触している。ポスト150を通る熱流束は、広大な表面マイクロフィンを通した定常状態の伝熱としてモデル化される。そのようなマイクロフィンは、有効な表面領域を増加させることによって表面からの伝熱を増加させるために利用される。フィン有効性を評価するために利用される良度指数はεf、フィンの伝熱率とフィンがない場合に存在する伝熱率との間の比、であり、ここで、qfはフィンの伝熱率であり、hはフィンとその周囲との間の伝熱係数であり、Abaseはフィンのない電気的構成要素の断面積であり、θbaseは構成要素とその周囲との間の温度差である。ポスト150のような円筒形のマイクロフィンおよび既知温度の熱だめに対して、伝熱率qfは、であり、ここで、hはマイクロフィンとよどんだ空気との間の伝熱係数であり、Pはチップの下のマイクロフィンの全周長であり、kはマイクロフィンの熱伝導性であり、Acはチップの下のマイクロフィンの全断面積であり、θbaseは構成要素とその周囲との間の温度差であり、θtipは熱だめとその周囲との間の温度差であり、Lはマイクロフィンの先端でのx座標である。上記に列挙される想定を利用すると、伝熱率はおよそ15.4Wであり、フィン有効性はおよそ1,026である。本明細書中に利用される想定は控えめであり、したがって熱的挿入物1300およびポスト150のフィン有効性は、本評価よりもさらに大きくありうる。本明細書中に用いられる用語および表現は、説明するが制限しない用語および表現として使用され、そのような用語および表現の使用に、示されかつ説明される特徴と同等のいずれのものも、またそれの一部も除外する意図はない。そのうえ、本発明の特定の実施形態を説明してきたので、本明細書中に開示された概念を組み込む他の実施形態が、本発明の精神および範囲からはずれることなしに使用されうることが、当業者にとって明白である。したがって、説明された実施形態は、すべての点で、実例となるだけでかつ制限しないものとして考慮されるべきである。"