"半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部の上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、前記光導波部を形成する工程は、前記半導体基板上方に、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜を形成する第一の工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記光電変換部上方に前記第一の凹部内にまで達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜を形成する第二の工程と、前記高屈折率材料膜上に、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタを形成する第三の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記複数の画素部は、透過波長範囲が異なる複数種類のカラーフィルタをそれぞれ有する画素部を含み、前記第三の工程を前記複数種類の画素部毎に分けて行い、前記複数種類の画素部のうち最後に前記第三の工程を行う画素部を除く画素部のうちの任意の種類の前記画素部における前記第三の工程は、全ての前記画素部上にポジ型レジスト材料を成膜する工程と、前記任意の種類以外の種類の前記画素部上に成膜された前記ポジ型レジスト材料の膜を露光して現像する工程とを含み、前記露光して現像する工程では、前記任意の種類以外の種類のうち、前記カラーフィルタがまだ形成されていない種類の前記画素部については、当該画素部の前記高屈折率材料膜上に成膜された前記ポジ型レジスト材料の膜に対し、その全ての範囲を露光する第一の露光と、前記第一の露光よりも露光範囲を狭めた第二の露光とを行い、前記第二の露光では、少なくとも前記第二の凹部に埋まっている部分を含む範囲を露光する固体撮像素子の製造方法。請求項1又は2記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記複数の画素部は、前記カラーフィルタの透過波長範囲が異なる3種類以上の画素部を含み、前記第三の工程を前記3種類以上の画素部毎に分けて行い、前記カラーフィルタの透過波長が最も短い種類の前記画素部における前記第三の工程を最初又は最後に行う固体撮像素子の製造方法。請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記透過波長が最も短いカラーフィルタが青色光を透過するカラーフィルタである固体撮像素子の製造方法。請求項2~4のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、全ての種類の前記画素部における前記第三の工程を終了した後、全ての前記画素部の前記カラーフィルタ表面を平坦化する工程を含む固体撮像素子の製造方法。請求項1~5のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第一の工程は、前記半導体基板上方に平坦な絶縁材料膜を形成する工程と、当該絶縁材料膜のうち前記光電変換部の一部領域の上方の部分を全て削って前記第一の凹部を有する前記絶縁膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。請求項1~5のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第一の工程は、前記半導体基板上のゲート絶縁膜上に形成される構造物による凹凸形状を反映させて前記構造物及び前記ゲート絶縁膜上に絶縁材料膜を形成する工程と、前記絶縁材料膜のうち前記光電変換部の一部領域上方の部分を全て削って前記第一の凹部を有する前記絶縁膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。請求項1~7のいずれか1項記載の固体撮像素子の製造方法であって、前記第二の工程で形成する前記高屈折率材料膜がパッシベーション膜である固体撮像素子の製造方法。半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する固体撮像素子であって、前記光導波部は、前記半導体基板上方に形成され、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記第一の凹部内に達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜と、前記高屈折率材料膜上に形成され、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタとにより構成される固体撮像素子。請求項9記載の固体撮像素子であって、前記第一の凹部内における前記高屈折率材料膜と前記半導体基板との間に前記絶縁膜が存在しない部分がある固体撮像素子。請求項9又は10記載の固体撮像素子であって、前記高屈折率材料膜がパッシベーション膜である固体撮像素子。請求項9~11のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、前記絶縁膜の屈折率<前記カラーフィルタの屈折率<前記高屈折率材料膜の屈折率の条件を満たす固体撮像素子。しかし、特許文献3に記載の光導波部の製造方法は、プラズマ窒化シリコン膜の間にポリイミド系樹脂層を埋めてこの層を平坦化する工程が必要であるため、上述した一般的な製造方法と比べて製造工程数が増加してしまう。また、特許文献3に記載の光導波部では、カラーフィルタを透過した光のうちの一部の光が、ポリイミド系樹脂層クラッドを通過してからプラズマ窒化シリコン膜コアに入射することになる。この結果、ポリイミド系樹脂層にて光吸収が起こるため、光利用効率が低下してしまう。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子を提供することを目的とする。本発明の固体撮像素子の製造方法は、開示された固体撮像素子の製造方法は、半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部の上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、前記光導波部を形成する工程が、前記半導体基板上方に、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜を形成する第一の工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記光電変換部上方に前記第一の凹部内にまで達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜を形成する第二の工程と、前記高屈折率材料膜上に、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタを形成する第三の工程とを含むものである。この方法によれば、高屈折率材料膜がそれよりも屈折率の低い絶縁膜とカラーフィルタによって挟まれるため、マイクロレンズにより集光されてカラーフィルタを透過した光は高屈折率材料膜にダイレクトに入射し、高屈折率材料膜内を通って光電変換部まで到達することができる。この結果、カラーフィルタを透過した光を効率よく光電変換部まで導くことができ、光利用効率を向上させることができる。また、この方法によれば、光導波部とカラーフィルタとを同時に形成することができるため、製造コストの増大を防ぐことができる。また、この方法によれば、高屈折率材料膜を第一の凹部を埋めることなく形成するため、高屈折率材料膜内にボイドが生じることがなく、ボイドによる感度低下を防ぐことができる。本発明の固体撮像素子は、半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する固体撮像素子であって、前記光導波部は、前記半導体基板上方に形成され、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記第一の凹部内に達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜と、前記高屈折率材料膜上に形成され、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタとにより構成されるものである。この構成により、高屈折率材料膜がそれよりも屈折率の低い絶縁膜とカラーフィルタによって挟まれるため、マイクロレンズにより集光されてカラーフィルタを透過した光は高屈折率材料膜にダイレクトに入射し、この高屈折率材料膜内を通って光電変換部まで到達することができる。この結果、カラーフィルタを透過した光を効率よく光電変換部まで導くことができ、光利用効率を向上させることができる。また、この構成によれば、光導波部の一部をカラーフィルタと兼用しているため、光導波部とカラーフィルタとを同時に形成することができ、製造工程数を減らすことができる。また、この構成によれば、高屈折率材料膜が第一の凹部を埋める平坦な形状ではないため、高屈折率材料膜を形成する際に高屈折率材料膜内にボイドが発生するのを防ぐことができ、ボイドによる感度低下を防ぐことができる。本発明によれば、製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態を説明するための固体撮像素子の1画素部の断面構成を示す模式図である。この固体撮像素子は、図1に示す画素部を複数有し、この複数の画素部が二次元状に配置された構成になっている。図1に示す画素部は、半導体基板としてのシリコン基板1内に形成された光電変換部フォトダイオード:PD2と、光電変換部2上方に形成された分光を行うためのカラーフィルタ7と、カラーフィルタ7上方に形成されたマイクロレンズ8と、マイクロレンズ8と光電変換部2との間に形成され、マイクロレンズ8で集光された光を光電変換部2に効率的に導くための光導波部9とを備える。シリコン基板1上には酸化シリコン膜又はONO膜等のゲート絶縁膜3が形成されている。ゲート絶縁膜3上には、平面視において光電変換部2を囲うように構造物4が配置されている。構造物4は、固体撮像素子がCCD型であれば、CCDを構成する電荷転送電極とそれを遮光する遮光膜、絶縁のための膜等を含む層であり、固体撮像素子がMOS型であれば、MOS回路の配線、MOS回路を遮光する遮光膜、絶縁のための膜等を含む層である。構造物4及びゲート絶縁膜3上には、光導波部9のクラッドとして機能する絶縁膜5が形成されている。絶縁膜5は、構造物4の周囲に沿って形成されており、光電変換部2上方においてゲート絶縁膜3まで達する凹部5Kを有する形状となっている。絶縁膜5は、例えばプラズマCVDによって形成されたプラズマ酸化シリコンP-SiOで形成されている。絶縁膜5及びゲート絶縁膜3上には、光導波部9のコア光導波路として機能する高屈折率材料膜6が形成されている。高屈折率材料膜6は、凹部5Kを完全に埋める形で形成されているのではなく、光電変換部2上方において凹部5K内にまで達する凹部6Kを有する形で形成されている。高屈折率材料膜6は、絶縁膜5よりも屈折率の高い材料で形成されており、例えばプラズマCVDによって形成されたプラズマ窒化シリコンP-SiNで形成されている。高屈折率材料膜6上には屈折率が高屈折率材料膜6よりも低い材料で構成される、上面が平坦なカラーフィルタ7が形成されている。カラーフィルタ7は、高屈折率材料膜6の凹部6Kを埋めて形成されているため、光電変換部2上方において絶縁膜5の凹部5K内にまで達する凸部を有する形状となっている。また、カラーフィルタ7は、高屈折率材料膜6よりも屈折率が低くなっているため、高屈折率材料膜6で構成される光導波部9のコアに対してクラッドとして機能する。このように、光導波部9は、シリコン基板1上方に形成された凹部5Kを有する絶縁膜5と、絶縁膜5上に形成され、光電変換部2上方において凹部5K内にまで達する凹部6Kを有する高屈折率材料膜6と、高屈折率材料膜6上に凹部6Kを埋めて形成されたカラーフィルタ7とにより構成されている。マイクロレンズ8によって集光された光はカラーフィルタ7に入射し、ここを透過した光がカラーフィルタ7と高屈折率材料膜6の界面で屈折して高屈折率材料膜6内に進入する。高屈折率材料膜6内に進入した光は、絶縁膜5と高屈折率材料膜6との界面、高屈折率材料膜6とカラーフィルタ7との界面で全反射を繰り返しながら光電変換部2へと到達する。なお、高屈折率材料膜6光導波路からの光の染み出しを抑制するため、高屈折率材料膜6の膜厚導波路径は、最も小さいところで200nm程度としておくことが好ましい。高屈折率材料膜6の厚みは、凹部5Kのシリコン基板1表面に平行な方向の幅が大きいほど大きくすることができる。このため、絶縁膜5の厚みはできるだけ小さくすることが好ましい。しかし、絶縁膜5の厚みが小さすぎると、絶縁膜5と高屈折率材料膜6との界面で全反射が起こりにくくなるため、絶縁膜5の厚みは100nm~400nmの範囲にするのが好ましい。また、光導波部9において効率的に光を導くためには、絶縁膜5の屈折率<カラーフィルタ7の屈折率<高屈折率材料膜6の屈折率の関係を満たしていることが好ましい。具体的には、絶縁膜5の屈折率をn=1.4~1.5とし、高屈折率材料膜6の屈折率をn=1.9~2.0とし、カラーフィルタ7の屈折率をn=1.6~1.7とすることが好ましい。以上のように、図1に示す固体撮像素子によれば、コアとなる高屈折率材料膜6がそれよりも屈折率の低い絶縁膜5及びカラーフィルタ7によって挟まれるため、マイクロレンズ8により集光されてカラーフィルタ7を透過した光は高屈折率材料膜6にダイレクトに入射し、この高屈折率材料膜6内を通って光電変換部2まで到達することができる。この結果、カラーフィルタ7を透過した光を効率よく光電変換部2まで導くことができ、光利用効率を向上させることができる。また、この固体撮像素子によれば、光導波部9の一部をカラーフィルタ7と兼用しているため、後述の製造工程で説明するように、光導波部9とカラーフィルタ7とを同時に形成することができ、製造工程数を減らすことができる。また、この固体撮像素子によれば、高屈折率材料膜6が凹部5Kを埋める平坦な形状ではないため、後述の製造方法で説明するように、高屈折率材料膜6内にボイドが発生しないように高屈折率材料膜6を形成することができ、ボイドによる感度低下を防ぐことができる。また、この固体撮像素子によれば、カラーフィルタ7が高屈折率材料膜6の凹部6K内にまで埋まっているため、カラーフィルタ7の上面の位置を、シリコン基板1側に下げることができる。つまり、カラーフィルタ7の薄型化が可能となり、固体撮像素子の低背化が可能となる。また、この固体撮像素子によれば、高屈折率材料膜6を窒化シリコンで形成しているため、高屈折率材料膜6をパッシベーション膜としても機能させることができ、パッシベーション膜を別途設ける場合と比較して、固体撮像素子の厚みを小さくすることができる。次に、図1に示した固体撮像素子の製造方法について説明する。図2及び図3は、図1に示した固体撮像素子の製造方法の一例を説明するための図である。シリコン基板1内の光電変換部2等の構成要素及びシリコン基板1上方の構造物4を周知の方法によって形成した後、構造物4及びゲート絶縁膜3上に、絶縁膜5の材料として例えばBPSGBoronPhosphorusSiliconGlassをCVDによって成膜してBPSG膜5aを形成し、これをリフローして平坦化する図2a。次に、BPSG膜5a上にフォトリソグラフィによりハードマスクを形成し、このハードマスクを介してRIEReactiveIonEtchingを行い、光電変換部2の一部領域の上方にあるBPSG膜5aを全て除去して、光電変換部2上方に凹部5Kを有する絶縁膜5を形成する図2b。次に、絶縁膜5及びゲート絶縁膜3上にプラズマCVDにより高屈折率材料膜6の材料となる窒化シリコンを成膜して、窒化シリコン膜6aを形成する図2c。窒化シリコン膜6aは、構造物4及び絶縁膜5によってゲート絶縁膜3上に形成される凹凸の形状を反映する形で形成され、光電変換部2上方において絶縁膜5の凹部5K内にまで達する凹部6Kを有するものとなる。次に、レジストエッチバックを行って窒化シリコン膜6aの表面を削り、その後、プラズマCVDによって窒化シリコンを再び成膜する。この工程を繰り返すことにより、窒化シリコン膜6aのシリコン基板1表面からの高さを一定にしながら、凹部5K内における窒化シリコン膜6aの厚みだけを調整することができる。なお、この厚みを調整する工程は省略することも可能である。窒化シリコン膜6aの厚みの調整を終了した後は、アルゴンスパッタエッチングを行って、窒化シリコン膜6aの凹部6Kを広げる加工を行う。この加工により高屈折率材料膜6が完成する図3d。なお、この凹部6Kを広げる加工は省略してもよい。次に、カラーフィルタ材料を例えばスピンコートにより高屈折率材料膜6上に成膜し、露光、現像、ベーク等を行ってカラーフィルタ7を形成する図3e。なお、カラーフィルタ材料は、凹部6Kへの埋め込み性とカラーフィルタ7上面の平坦性改善とを考慮して、その粘度を6cP以下とすることが好ましい。また、カラーフィルタ7上面の平坦性を更に上げるために、カラーフィルタ7を形成した後、CMP又はエッチバック等によってカラーフィルタ7上面を平坦化する工程を追加してもよい。これにより、マイクロレンズ8の形成がよりしやすくなり、集光効率を上げることができる。カラーフィルタ7上面を平坦化する工程を追加する場合は、カラーフィルタ材料を成膜するときの厚みを、カラーフィルタ7の所望の厚みよりも大きくしておけばよい。次に、カラーフィルタ7上にマイクロレンズ8を周知の方法によって形成し図3f、図1に示した構造を得る。以上のように、図2,3に示した製造方法によれば、高屈折率材料膜6を、凹部5K内に達する凹部6Kができるように形成している。このため、高屈折率材料膜6内にボイドが発生するのを防止することができる。また、この製造方法によれば、高屈折率材料膜6上にカラーフィルタ7を直接形成して、凹部6Kをカラーフィルタ7で埋め込んでいるため、凹部6Kにカラーフィルタ7とは別の材料を埋め込んでからその上にカラーフィルタ7を形成する場合と比較して、製造工程数の増加を防ぐことができる。また、この製造方法によれば、絶縁膜5の上面は平坦化されているため、その上に形成される高屈折率材料膜6の上面も平坦になり、その結果、高屈折率材料膜6上に平坦化膜を形成することなく、平坦性の高いカラーフィルタ7を形成することができる。したがって、平坦化膜を形成する工程を省略することができ、製造工程数を削減することができる。また、この製造方法によれば、高屈折率材料膜6を窒化シリコン膜で形成しているため、絶縁機能、パッシベーション膜としての機能、平坦化膜としての機能も得ることができる。このため、パッシベーション膜及び平坦化膜等を別途形成する工程を省略することができ、製造工程数を削減することができる。また、この製造方法によれば、窒化シリコン膜6aを形成した後、アルゴンスパッタエッチングを行って、窒化シリコン膜6aの凹部6Kを広げる加工を行っているため、後のカラーフィルタ材料の成膜時に、当該カラーフィルタ材料を凹部6Kに埋めやすくすることができる。図4、5は、図1に示した固体撮像素子の製造工程の別の例を示す図である。図4,5に示す製造方法は、絶縁膜5の形成方法が異なる点を除いては図2,3で説明したものと同じである。シリコン基板1内の光電変換部2等の構成要素及びシリコン基板1上方の構造物4を周知の方法によって形成した後、構造物4及びゲート絶縁膜3上に絶縁膜5の材料として例えば酸化シリコンをプラズマCVDによって成膜して酸化シリコン膜5a’を形成する図4a。酸化シリコン膜5a’は、構造物4によってゲート絶縁膜3上に形成される凹凸の形状を反映する形で形成される。次に、酸化シリコン膜5a’上にフォトリソグラフィによりハードマスクを形成し、このハードマスクを介してRIEを行い、光電変換部2の一部領域の上方にある酸化シリコン膜5a’を全て除去して、光電変換部2上方に凹部5Kを有する絶縁膜5を形成する図4b。次に、絶縁膜5及びゲート絶縁膜3上に、プラズマCVDにより窒化シリコン膜6aを形成する図4c。窒化シリコン膜6aは、構造物4及び絶縁膜5によってゲート絶縁膜3上に形成される凹凸の形状を反映する形で形成され、光電変換部2上方において絶縁膜5の凹部5K内にまで達する凹部6Kを有するものとなる。以降は、図3dと同様に、窒化シリコン膜6aの厚み調整及び凹部6Kを広げる加工を行って高屈折率材料膜6を形成する図5d。次に、図3eと同様に、高屈折率材料膜6上にカラーフィルタ材料を例えばスピンコートにより成膜し、露光、現像、ベーク等を行ってカラーフィルタ7を形成する図5e。最後に、カラーフィルタ7上にマイクロレンズ8を周知の方法によって形成し図5f、図1に示した構造を得る。図4,5に示す製造方法によれば、図2,3に示す製造方法と比較して、絶縁膜5を形成する際のリフロー工程を省略することができ、工程数を少なくすることができる。なお、図4aにおいて酸化シリコン膜5a’を形成する前に、光電変換部2上方のゲート絶縁膜3上に、高屈折率材料膜6を構成する材料と同じ材料ここでは窒化シリコンをプラズマCVDにより形成しておくことが好ましい。この窒化シリコン膜を形成しておくことで、この窒化シリコン膜が酸化シリコン膜5a’をエッチングする際のストッパとして機能するため、酸化シリコン膜5a’のパターニングが容易になる。また、この窒化シリコン膜は高屈折率材料膜6と同じ材料であるため、この窒化シリコン膜も導波路として機能させることができる。図6は、図1に示した固体撮像素子の変形例を示す断面模式図である。図1に示した固体撮像素子は、絶縁膜5の凹部5Kが絶縁膜5の上面からゲート絶縁膜3まで達する構成凹部5K内における高屈折率材料膜6とシリコン基板1との間に絶縁膜5が存在しない部分がある構成であるが、図6に示した固体撮像素子は、絶縁膜5の凹部5Kが絶縁膜5の上面からゲート絶縁膜3まで達しておらず、構造物4の間のゲート絶縁膜3上に絶縁膜5が存在している構成である。図6に示した構成であっても、絶縁膜5の厚みを光が透過できる程度に薄くしておことで、高屈折率材料膜6に進入した光を、光電変換部2上方の絶縁膜5を透過させて光電変換部2に入射させることができる。図7,8は、図6に示した固体撮像素子の製造工程の一例を示す図である。シリコン基板1内の光電変換部2等の構成要素及びシリコン基板1上方の構造物4を周知の方法によって形成した後、構造物4及びゲート絶縁膜3上に、例えば酸化シリコンをプラズマCVDによって成膜して絶縁膜5を形成する図7a。絶縁膜5は、構造物4によってゲート絶縁膜3上に形成される凹凸の形状を反映する形で形成され、光電変換部2上方において凹部5Kを有するものとなる。次に、絶縁膜5上にプラズマCVDにより窒化シリコン膜6aを形成する図7b。窒化シリコン膜6aは、絶縁膜5の凹凸の形状を反映する形で形成され、光電変換部2上方において絶縁膜5の凹部5K内にまで達する凹部6Kを有するものとなる。以降は、図3dと同様に、窒化シリコン膜6aの厚み調整及び凹部6Kを広げる加工を行って高屈折率材料膜6を形成する図7c。次に、図3eと同様に、高屈折率材料膜6上にカラーフィルタ材料を例えばスピンコートにより成膜し、露光、現像、ベーク等を行ってカラーフィルタ7を形成する図8d。最後に、カラーフィルタ7上にマイクロレンズ8を周知の方法によって形成し図8e、図6に示した構造を得る。図7,8に示した製造方法によれば、絶縁膜5をパターニングなしに形成することができるため、図2,3に示した製造方法、図4,5に示した製造方法よりも工程数を削減することができる。次に、図1に示した固体撮像素子の感度と、図1に示した固体撮像素子において高屈折率材料膜6の凹部6K内に、カラーフィルタ7とは別の低屈折率材料が埋められていると仮定したときの感度と、図1に示した固体撮像素子において、高屈折率材料膜6が凹部5Kをボイドなく完全に埋めた平坦な膜であると仮定したときの感度とをシミュレーションした結果を説明する。図9は、図1に示した固体撮像素子において凹部6K内が全て高屈折率材料膜6で埋まっているボイドレス品と仮定したときの感度を基準100として、図1に示した固体撮像素子の感度と、図1に示した固体撮像素子において凹部6K内にボイド空気が埋まっているものの感度とをシミュレーションにより求めた結果を示す図である。図9において、CFと記載したものが図1に示した固体撮像素子の感度を示し、Airと記載したものが図1に示した固体撮像素子において凹部6K内に空気があるものの感度を示している。図10に示すように、F値5.6、F値2.8のいずれの場合でも、高屈折率材料膜6内にボイド空気がある場合と比較すると、図1に示した固体撮像素子の感度は20近く向上することがわかった。また、F値5.6、F値2.8のいずれの場合でも、図1に示す固体撮像素子において高屈折率材料膜6に凹部6Kもボイドも存在しない固体撮像素子ボイドレス品と比較すると、図1に示した固体撮像素子の感度は10程度しか低下しないことがわかった。図9の結果から分かるように、高屈折率材料膜6をボイドなく平坦に形成した固体撮像素子の感度が最も高い。しかし、前述したように、微細化が進んだ固体撮像素子においては、ボイドを形成することなく平坦な高屈折率材料膜6を形成することが難しい。これに対し、図1に示した固体撮像素子によれば、ボイドの発生を防止しながら、図1に示す固体撮像素子において高屈折率材料膜6に凹部6Kもボイドも存在しないと仮定した固体撮像素子と同等の感度を得ることができる。したがって、微細化された素子であっても、製造コストを増大させることなく、感度の低下を防いだ高品質の固体撮像素子を製造することができる。図1、6に示した固体撮像素子は、カラーフィルタ7が、高屈折率材料膜6の凹部6K内にまで埋め込まれた構成である。このため、カラーフィルタ材料としてポジ型レジストを用いた場合には、以下で説明する理由により、カラーフィルタ材料の残渣が発生しやすい。例えば、固体撮像素子が、カラーフィルタ7として赤色の波長域の光を透過する赤色カラーフィルタを有するR画素部と、カラーフィルタ7として緑色の波長域の光を透過する緑色カラーフィルタを有するG画素部と、カラーフィルタ7として青色の波長域の光を透過する青色カラーフィルタを有するB画素部との3種類の画素部を有する場合について説明する。このような固体撮像素子は、カラーフィルタ7が3色あるため、図3dに示す状態まで素子を製造した後、カラーフィルタ7の色毎に、カラーフィルタ7の形成工程を分けて行う必要がある。例えば、最初にR画素部に赤色カラーフィルタを形成する場合、図3dに示す状態にある全ての画素部の高屈折率材料膜6上に、ポジ型レジストからなる赤色カラーフィルタ材料を成膜する。このとき、R画素部以外のG画素部とB画素部にも、R画素部と同様に赤色カラーフィルタ材料が高屈折率材料膜6上に成膜される。次に、R画素部にのみ赤色カラーフィルタ材料を残すために、R画素部のみをマスクするレチクルフォトマスクを用意し、このレチクルフォトマスクを介してB画素部とG画素部に成膜された赤色カラーフィルタ材料を露光する。露光終了後、現像を行ってG画素部とB画素部に成膜された赤色カラーフィルタ材料を除去する。しかし、図1に示す固体撮像素子は従来の固体撮像素子と違い、赤色カラーフィルタ材料がシリコン基板1側に近い位置にも存在するため、従来の露光だけではG画素部とB画素部の凹部6K内に埋められた赤色カラーフィルタ材料を除去しきれない。この結果、G画素部とB画素部の凹部6K内には赤色カラーフィルタ材料の残渣が発生し、この残渣が、B画素部とG画素部に後に形成するカラーフィルタの品質を低下させてしまう。このような残渣は、最後にカラーフィルタを形成する画素部を除く画素部においてカラーフィルタを形成するときに発生する。以下では、このような残渣が発生するのを防ぐための製造方法について説明する。図10は、本発明の一実施形態を説明するための固体撮像素子の全体構成を示す平面模式図である。図10に示す固体撮像素子は、R画素部10rとG画素部10gとB画素部10bの3種類の画素部を含み、これらの画素部がベイヤー状に配列された構成である。各画素部の構成は図1又は図6に示した構成となっており、画素部の種類毎に、カラーフィルタの透過波長が異なっている。図10に示す固体撮像素子において、例えば、最初にB画素部に青色のカラーフィルタ7を形成する場合を説明する。図11は、図10に示す固体撮像素子におけるカラーフィルタ材料の残渣を防ぐための製造方法を説明するための図であり、各工程における図10に示すa-a線断面を示す図である。図11では、高屈折率材料膜6、絶縁膜5、及び構造物4において、画素部同士の境界を示すために境界線を記してあるが、実際にはこのような境界線はない。以降の図においても同様である。まず、図3dに示す状態にある全ての画素部の高屈折率材料膜6上に、ポジ型レジストからなる青色カラーフィルタ材料7bを成膜する。このとき、B画素部以外のR画素部とG画素部にも、B画素部と同様に青色カラーフィルタ材料7bが高屈折率材料膜6上に成膜される図11a。次に、B画素部にのみ青色カラーフィルタ材料7bを残すために、B画素部のみをマスクするレチクルフォトマスクM1を用意し、このレチクルフォトマスクM1を介してR画素部とG画素部に成膜された青色カラーフィルタ材料7bを露光する図11b。露光終了後、R画素部とG画素部の各々の露光範囲がレチクルフォトマスクM1よりも狭いレチクルフォトマスクM2を用意し、このレチクルフォトマスクM2を介してR画素部とG画素部に成膜された青色カラーフィルタ材料7bをもう1度露光する図11c。この2回目の露光では、R画素部とG画素部の各々の凹部6K内にある青色カラーフィルタ材料7bを少なくとも露光できればよく、そのようなレチクルフォトマスクM2を用いる。2回目の露光では、R画素部とG画素部の各々の凹部6K内にある青色カラーフィルタ材料7bを確実に露光するために、露光エネルギー例えば露光時間を適度に調整すると良い。2回目の露光終了後は、現像を行ってR画素部とG画素部に成膜された青色カラーフィルタ材料7bを除去する。R画素部とG画素部の凹部6K内に成膜された青色カラーフィルタ材料7bは、2回の露光によって十分に露光されているため、この現像工程により、R画素部とG画素部に成膜された青色カラーフィルタ材料7bは全て除去される。現像後は、ベーク工程等の周知の工程を行って、B画素部に成膜されている青色カラーフィルタ材料7bからカラーフィルタ7を形成する図11d。次にカラーフィルタを形成する画素部例えばR画素部とするについても、B画素部とほぼ同様の方法でカラーフィルタ7を形成する。ただし、このR画素部のカラーフィルタ形成工程においては、R画素部以外の画素部に成膜されたカラーフィルタ材料を露光する際に、既にカラーフィルタが形成されているB画素部以外の画素部については、B画素部のときと同じような2回露光を行い、既にカラーフィルタが形成されているB画素部については、当該2回露光のうち、少なくとも1回の露光B画素部全体を露光範囲とする露光を行う。このようにするのは、既にカラーフィルタが形成されている画素部では、残渣の心配がないため、2回露光を行う必要がないためである。最後にカラーフィルタを形成する画素部例えばG画素部とするについては、他の全ての画素部にカラーフィルタが既に形成されており、残渣の心配はないため、2回露光を行う必要はない。したがって、R画素部とB画素部各々に成膜されたカラーフィルタ材料の全範囲を露光する通常の1回露光だけを行えばよい。全ての画素部にカラーフィルタ7を形成した後は、カラーフィルタ7をCMP又はレジストエッチバックによって平坦化し、その後、マイクロレンズ8を形成する。このようにすることで、マイクロレンズ8の形成がしやすくなる。以上のように、図11に示す製造方法によれば、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部以外の画素部のうち、カラーフィルタがまだ形成されていない画素部に成膜されたカラーフィルタ材料を2回露光するため、カラーフィルタがまだ形成されていない画素部に成膜されたカラーフィルタ材料全体を十分に露光することができ、この画素部における残渣の発生を防ぐことができる。また、2回目の露光では、露光エネルギー例えば露光時間を1回目よりも大きくすることもできるため、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部以外の画素部に成膜されたカラーフィルタ材料全体を十分に露光することが可能となり、残渣の発生を確実に防ぐことができる。また、図11に示す製造方法によれば、2回目の露光では、露光範囲を1回目の露光のときよりも狭くしているため、2回目の露光時に、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部に光が入射してしまうのを防ぐことができる。この結果、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部のカラーフィルタ7の形状や寸法に影響を与えることなく、残渣を防ぐことができる。なお、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部のカラーフィルタ7の形状や寸法に影響を与えることなく残渣を防ぐためには、2回目の露光時における、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部以外の画素部の露光範囲を、当該画素部の隣の画素部の端部から0.1μm以上内側の範囲に設定することが好ましい。また、以上の説明では、固体撮像素子が3種類の画素部を有する構成を例示したが、残渣の課題は固体撮像素子が2種類の画素部を有する構成であれば発生するため、このような構成であっても、上述した2回露光工程を採用することで、残渣を防ぐことができる。また、以上の説明では1回目の露光の露光範囲を画素部の平面視サイズとし、2回目の露光の露光範囲を1回目の露光範囲よりも狭くしているが、これは逆にしてもよい。つまり、1回目の露光で狭い範囲で露光を行い、2回目の露光で画素部全体を露光してから現像を行ってもよい。また、以上の説明では露光を2回しか行っていないが、3回以上行うようにしてもよい。また、カラーフィルタ材料を残しておきたい画素部にカラーフィルタ材料を残す方法としては、上述したように露光を2回行ってから現像を行う方法の他に、以下のような方法を採用してもよい。1回目の露光→2回目の露光→PEBPostExposureBake→現像1回目の露光→PEB→2回目の露光→PEB→現像1回目の露光→PEB→現像→2回目の露光→PEB→現像図1、6に示した固体撮像素子が、3種類以上の画素部を有する場合は、カラーフィルタ7を形成する順序によっても残渣の発生度合が変化する。図12~図15は、図10に示す固体撮像素子の製造工程を説明する図であり、aは各工程における図10のb-b線断面を示した図であり、bは各工程における図10のc-c線断面を示した図である。まず、図11に示したような方法で、G画素部に緑色光を透過するカラーフィルタ7を形成する。このときの状態を示したのが図12である。次に、シリコン基板1全体にポジ型レジストからなる青色カラーフィルタ材料7bを成膜する。このときの状態を示したのが図13である。図13に示すように、B画素部以外のR画素部にも、B画素部と同様に青色カラーフィルタ材料7bが高屈折率材料膜6上に成膜され、G画素部にはカラーフィルタ7上に青色カラーフィルタ材料7bが成膜される。次に、B画素部にのみ青色カラーフィルタ材料7bを残すために、B画素部のみをマスクするレチクルフォトマスクM3を用意し、このレチクルフォトマスクM3を介してR画素部とG画素部に成膜された青色カラーフィルタ材料7bを露光する。このときの状態を示したのが図14である。図14bに示すように、R画素部の隣のG画素部には、R画素部の青色カラーフィルタ材料7bよりも高い位置に青色カラーフィルタ材料7bが存在している。このため、露光中、R画素部の青色カラーフィルタ7bは、G画素部の青色カラーフィルタ7bによって光がけられてしまう。特に、R画素部の高屈折率材料膜6の凹部6K内にある青色カラーフィルタ材料7bには光が入射しにくくなる。この結果、露光終了後に現像を行うと、図15bに示すように、R画素部の高屈折率材料膜6の凹部6K内にある青色カラーフィルタ材料7bが残渣として残ってしまう。なお、図10に示す固体撮像素子では、R画素部のためのカラーフィルタ形成工程、G画素部のためのカラーフィルタ形成工程、B画素部のためのカラーフィルタ形成工程の3回のカラーフィルタ形成工程が必要になるが、この3回のカラーフィルタ形成工程のうち、最初と最後のカラーフィルタ形成工程においては、上述したような光のけられによる残渣は発生しない。これは、1回目のカラーフィルタ形成工程では、露光すべき全ての画素部が、同じ高さにカラーフィルタ材料が成膜された状態になるため、どの画素部でも露光を均等に行うことができるからである。また、3回目のカラーフィルタ工程では、露光すべき全ての画素部が、カラーフィルタ7の上にカラーフィルタ材料が成膜された状態になるため、どの画素部でも露光を均等に行うことができるからである。3回のカラーフィルタ形成工程のうち、最初と最後のカラーフィルタ形成工程を除くカラーフィルタ工程において発生する残渣は、そのカラーフィルタ形成工程において成膜するカラーフィルタ材料が、短波長の光を透過する材料である場合に顕著となる。つまり、図10に示した固体撮像素子では、青色カラーフィルタを形成する工程を2回目に行った場合に、3回目にカラーフィルタを形成すべき画素部に残渣が多く発生し、カラーフィルタの品質が劣化する。青色カラーフィルタ材料は、一般的なカラーフィルタの形成工程で用いられる露光条件においては光を透過しやすく、残渣が発生しやすいという特徴がある。このような特徴に加えて、隣の画素部のカラーフィルタ上にあるカラーフィルタ材料によって光がけられるという現象が加わる。このため、青色カラーフィルタ材料については2回目に成膜を行った場合に残渣が発生しやすくなるのである。したがって、図10に示した固体撮像素子においては、B画素部のカラーフィルタ7を形成する工程を、3回のカラーフィルタ形成工程のうちの1回目又は3回目に行うことが好ましい。このようにすることで、残渣を抑制して高品質のカラーフィルタを形成することができる。なお、固体撮像素子が4種類以上の画素部を有する場合は、4種類以上の画素部のうち、最も短波長の光を透過するカラーフィルタを含む画素部のカラーフィルタ形成工程を、実施すべき全てのカラーフィルタ工程のうちの最初又は最後に実施すればよい。また、図12~図15で説明したような、露光時の光のケラレによる製造方法への影響は、カラーフィルタ材料がネガ型の場合でも同様に発生する。カラーフィルタ材料がネガ型の場合は、図14の状態で、レチクルM3で覆っている部分だけを露光することになるが、この部分の隣にはG画素部のカラーフィルタ7上に形成されたカラーフィルタ材料膜が存在するため、このカラーフィルタ材料膜によって光がケラレてしまい、B画素部の深い位置においてカラーフィルタ材料が露光されにくくなる。この結果、B画素部の深い位置に形成されるカラーフィルタの特性が不安定になりやすい。したがって、B画素部のカラーフィルタ7を形成する工程を、3回のカラーフィルタ形成工程のうちの1回目又は3回目に行うことで、B画素部のカラーフィルタ7の特性が不安定になるのを防ぐことができる。以上説明してきたように、本明細書には以下の事項が開示されている。開示された固体撮像素子の製造方法は、半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部の上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、前記光導波部を形成する工程が、前記半導体基板上方に、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜を形成する第一の工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記光電変換部上方に前記第一の凹部内にまで達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜を形成する第二の工程と、前記高屈折率材料膜上に、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタを形成する第三の工程とを含むものである。この方法によれば、高屈折率材料膜がそれよりも屈折率の低い絶縁膜とカラーフィルタによって挟まれるため、マイクロレンズにより集光されてカラーフィルタを透過した光は高屈折率材料膜にダイレクトに入射し、高屈折率材料膜内を通って光電変換部まで到達することができる。この結果、カラーフィルタを透過した光を効率よく光電変換部まで導くことができ、光利用効率を向上させることができる。また、この方法によれば、光導波部とカラーフィルタとを同時に形成することができるため、製造コストの増大を防ぐことができる。また、この方法によれば、高屈折率材料膜を第一の凹部を埋めることなく形成するため、高屈折率材料膜内にボイドが生じることがなく、ボイドによる感度低下を防ぐことができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記複数の画素部は、透過波長範囲が異なる複数種類のカラーフィルタをそれぞれ有する画素部を含み、前記第三の工程を前記複数種類の画素部毎に分けて行い、前記複数種類の画素部のうち最後に前記第三の工程を行う画素部を除く画素部のうちの任意の種類の前記画素部における前記第三の工程は、全ての前記画素部上にポジ型レジスト材料を成膜する工程と、前記任意の種類以外の種類の前記画素部上に成膜された前記ポジ型レジスト材料の膜を露光して現像する工程とを含み、前記露光して現像する工程では、前記任意の種類以外の種類のうち、前記カラーフィルタがまだ形成されていない種類の前記画素部については、当該画素部の前記高屈折率材料膜上に成膜された前記ポジ型レジスト材料の膜に対し、その全ての範囲を露光する第一の露光と、前記第一の露光よりも露光範囲を狭めた第二の露光とを行い、前記第二の露光では、少なくとも前記第二の凹部に埋まっている部分を含む範囲を露光するものである。この方法により、カラーフィルタ材料の残渣の発生を防止することができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記複数の画素部は、前記カラーフィルタの透過波長範囲が異なる3種類以上の画素部を含み、前記第三の工程を前記3種類以上の画素部毎に分けて行い、前記カラーフィルタの透過波長が最も短い種類の前記画素部における前記第三の工程を最初又は最後に行うものである。この方法により、カラーフィルタ材料の残渣の発生を防止することができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記透過波長が最も短いカラーフィルタが青色光を透過するカラーフィルタであるものである。この方法により、カラーフィルタ材料の残渣の発生を防止することができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、全ての種類の前記画素部における前記第三の工程を終了した後、全ての前記画素部の前記カラーフィルタ表面を平坦化する工程を含むものである。この方法により、カラーフィルタ表面の平坦性が向上するため、その上に形成するマイクロレンズの形成精度を向上させることができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第一の工程は、前記半導体基板上方に平坦な絶縁材料膜を形成する工程と、当該絶縁材料膜のうち前記光電変換部の一部領域の上方の部分を全て削って前記第一の凹部を形成する前記絶縁膜を形成する工程とを含むものである。この方法により、高屈折率材料膜と光電変換部との位置あわせの精度、高屈折率材料膜の厚みの寸法精度を向上させることができる。また、高屈折率材料膜を光電変換部に近づけることができるため、集光効率を向上させることができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第一の工程は、前記半導体基板上のゲート絶縁膜上に形成される構造物による凹凸形状を反映させて前記構造物及び前記ゲート絶縁膜上に絶縁材料膜を形成する工程と、前記絶縁材料膜のうち前記光電変換部の一部領域上方の部分を全て削って前記第一の凹部を形成する前記絶縁膜を形成する工程とを含むものである。この方法により、また、高屈折率材料膜を光電変換部に近づけることができるため、集光効率を向上させることができる。開示された固体撮像素子の製造方法は、前記第二の工程で形成する前記高屈折率材料膜がパッシベーション膜であるものである。この方法により、パッシベーション膜と高屈折率材料膜を同時に形成することができるため、製造工程数の増加を防ぐことができる。開示された固体撮像素子は、半導体基板内に形成された光電変換部と、前記光電変換部上方に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上方に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換部との間に形成され、前記マイクロレンズで集光された光を前記光電変換部に導く光導波部とを有する固体撮像素子であって、前記光導波部は、前記半導体基板上方に形成され、前記光電変換部上方に第一の凹部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記絶縁膜よりも屈折率が高くかつ前記第一の凹部内に達する第二の凹部を有する高屈折率材料膜と、前記高屈折率材料膜上に形成され、前記高屈折率材料膜よりも屈折率が低くかつ前記第二の凹部を埋める前記カラーフィルタとにより構成されるものである。この構成により、高屈折率材料膜がそれよりも屈折率の低い絶縁膜とカラーフィルタによって挟まれるため、マイクロレンズにより集光されてカラーフィルタを透過した光は高屈折率材料膜にダイレクトに入射し、この高屈折率材料膜内を通って光電変換部まで到達することができる。この結果、カラーフィルタを透過した光を効率よく光電変換部まで導くことができ、光利用効率を向上させることができる。また、この構成によれば、光導波部の一部をカラーフィルタと兼用しているため、光導波部とカラーフィルタとを同時に形成することができ、製造工程数を減らすことができる。また、この構成によれば、高屈折率材料膜が第一の凹部を埋める平坦な形状ではないため、高屈折率材料膜を形成する際に高屈折率材料膜内にボイドが発生するのを防ぐことができ、ボイドによる感度低下を防ぐことができる。開示された固体撮像素子は、前記第一の凹部内における前記高屈折率材料膜と前記半導体基板との間に前記絶縁膜が存在しない部分があるものである。この構成により、絶縁膜が存在しない部分において高屈折率材料膜を半導体基板に近づけることができるため、より効率よく光電変換部に光を導くことができる。開示された固体撮像素子は、前記高屈折率材料膜がパッシベーション膜であるものである。この構成により、工程数の追加なしに光導波部を形成することができる。開示された固体撮像素子は、前記絶縁膜の屈折率<前記カラーフィルタの屈折率<前記高屈折率材料膜の屈折率の条件を満たすものである。この構成により、光を効率よく光電変換部まで導くことができる。"