基板に形成された配線の短絡部の有無を検査する配線検査方法であって、前記配線に電圧を印加して前記短絡部を発熱させる発熱工程と、前記基板の赤外線画像を取得する画像取得工程と、前記赤外線画像から閾値を用いて2値化画像を生成する2値化工程と、前記2値化画像から前記短絡部の位置を特定する位置特定工程とを含み、前記2値化工程は、前記閾値を変更して2値化処理を繰返すことを特徴とする配線検査方法。前記2値化工程は、前記2値化画像から前記短絡部を含む特徴領域を予測し、次の2値化処理の閾値を、前記特徴領域の所定のパーセンタイル値に変更することを特徴とする請求項1に記載の配線検査方法。前記特徴領域の所定のパーセンタイル値が、前回閾値以下のとき、前記2値化処理の繰り返しを終了することを特徴とする請求項2に記載の配線検査方法。前記所定のパーセンタイル値は、メディアン値であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の配線検査方法。前記特徴領域は、所定の円形ないしは矩形であることを特徴とする請求項2乃至請求項4に記載の配線検査方法。基板に形成された配線の短絡部の有無を検査する配線検査装置であって、前記配線に電圧を印加して前記短絡部を発熱させる電圧印加手段と、前記基板の赤外線画像を撮影する撮像手段と、前記赤外線画像から閾値を用いて2値化画像を生成して短絡部の位置を特定する画像処理手段とを備え、前記画像処理手段は、前記閾値を変更して2値化処理を繰返す2値化画像形成部を有することを特徴とする配線検査装置。請求項1に記載の配線検査方法を動作させる配線検査プログラムであって、コンピュータを上記の各工程として機能させることを特徴とする配線検査プログラム。請求項7に記載の配線検査プログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータ読取可能なプログラム記録媒体。しかしながら、特許文献1および2のように、短絡部および配線を発熱させる場合、熱伝導によりその近傍の温度も上昇する。従って、認識した発熱領域は、短絡部および配線とその近傍領域を含んでいるため、短絡部がその発熱領域の中に埋もれてしまい、短絡部の正確な位置を特定できないという問題があった。本発明は、短絡部を含む配線の赤外線画像を2値化処理して、細線化された2値化画像を生成し、短絡部の位置を正確に特定することを目的とする。基板に形成された配線の短絡部の有無を検査する配線検査方法であって、配線に電圧を印加して短絡部を発熱させる発熱工程と、基板の赤外線画像を取得する画像取得工程と、赤外線画像から閾値を用いて2値化画像を生成する2値化工程と、2値化画像から短絡部の位置を特定する位置特定工程とを含み、2値化工程は、閾値を変更して2値化処理を繰返すことを特徴とする。また、本発明の配線検査方法において、2値化工程は、2値化画像から短絡部を含む特徴領域を予測し、次の2値化処理の閾値を、特徴領域の所定のパーセンタイル値に変更することを特徴とする。また、本発明の配線検査方法において、特徴領域の所定のパーセンタイル値が、閾値以下のとき、2値化処理の繰り返しを終了することを特徴とする。また、本発明の配線検査方法において、所定のパーセンタイル値は、メディアン値であることを特徴とする。また、本発明の配線検査方法において、特徴領域は、所定の大きさの円形ないしは矩形であることを特徴とする。また、本発明の配線検査装置は、基板に形成された配線の短絡部の有無を検査する配線検査装置であって、前記配線に電圧を印加して前記短絡部を発熱させる電圧印加手段と、前記基板の赤外線画像を撮影する撮像手段と、前記赤外線画像から閾値を用いて2値化画像を生成して短絡部の位置を特定する画像処理手段とを備え、前記画像処理手段は、前記閾値を変更して2値化処理を繰返す2値化画像形成部を有することを特徴とする。また、本発明の配線検査プログラムは、上記配線検査方法を動作させる配線検査プログラムであって、コンピュータを上記の各工程として機能させることを特徴とする。本発明の配線検査方法および配線検査装置によれば、短絡部を含む配線の赤外線画像を2値化処理して、細線化された2値化画像を生成し、短絡部の位置を正確に特定することができる。以下、図1から図9に示す図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一の部分又は相当部分を表すものとする。図1は、本発明の一実施例である配線検査装置1の模式図である。検査すべき基板部材2は、載置台3上に載置され、その上に枠体4が載置される。枠体4の底面基板部材2との当接面には、電圧印加手段5に接続された複数の端子が設けられている。枠体4の端子は、基板部材2の周囲に設けられる、後述する複数の配線の端子に押付けられて接触する。複数の配線には、電圧印加手段5から枠体4の端子を介して予め定められた電圧が与えられる。載置台3の上方には、撮像手段6が設置され、所定の電圧が印加された状態の基板部材2の赤外線画像を撮像する。撮像手段6は、たとえば基板部材2表面から放射される赤外線を捕らえて赤外線画像を形成する赤外線カメラで実現される。撮像手段6で撮像された赤外線画像の画像データは、たとえばコンピュータに送信され、アナログ/デジタル変換回路を介して画像処理手段7に与えられる。また、制御手段8は、上述の電圧印加、撮像、後述する画像処理を順次実行するように、電圧印加手段5および画像処理手段7を制御する。図2は、画像処理手段7の構成図である。画像処理手段7は、赤外線画像を形成する赤外線画像形成部11と、2値化画像を形成する2値化画像形成部12と、2値化画像から短絡位置を特定する短絡位置特定部13とを含んでいる。赤外線画像形成部11では、撮像された画像データから、赤外線の放射量に応じて画像コントラストを決定し、たとえば256階調のグレースケール画像である赤外線画像を形成する。赤外線画像は、例えば、基板部材2表面の任意の点から放出される赤外線の放射量が増加するほど、画像の輝度値が白に近付くような画像が形成される。2値化画像形成部12では、赤外線画像形成部11で形成された赤外線画像から、閾値を最適化しながら2値化画像を形成する。2値化画像では、赤外線画像の閾値以下の温度領域が除去されて、短絡欠陥を含む発熱領域が絞り込まれる。短絡位置特定部13では、2値化画像形成部12で形成された2値化画像を解析し、発熱領域の形状から短絡欠陥の位置を特定する。また、2値化画像形成部12は、閾値を発熱領域に応じて最適化するため、短絡部を含むと予測される特徴領域を設定する特徴領域設定部14と、特徴領域について輝度値のヒストグラムを作成するヒストグラム作成部15と、ヒストグラムの結果に基づいて閾値を変更する閾値変更部16とを有している。図3は、図2で示した画像処理手段7で実行される配線検査方法を示すフロー図である。図3の配線検査方法は、プログラム化して記録媒体に記録され、コンピュータ読取可能に保存されている。本発明の配線検査方法は、配線に電圧を印加して短絡部を発熱させる発熱工程21と、発熱工程21で発熱した配線および短絡部を赤外線カメラで撮影して赤外線画像を取得する画像取得工程22と、赤外線画像を発熱領域に対応した閾値を用いて2値化画像に変換する2値化工程23と、2値化画像から前記短絡部の位置を特定する位置特定工程24とを含む。本発明の配線検査方法は、特に、2値化工程23において、赤外線画像の発熱領域が細線化されるように、発熱領域に対応して閾値を最適化して2値化処理を繰り返すことを特徴としている。図3に示す配線検査方法の各工程について以下で詳細に説明する。発熱工程21は、基板部材2の周囲に設けられた枠体3の端子を、配線に押付けて接続するステップS1と、電圧印加手段7から枠体3の端子を介して配線や配線間に所定の電圧を印加するステップS2とを含む。印加する電圧は、配線や短絡部の抵抗値により異なるが、例えば、電圧値=50V、印加時間=5秒とした。画像取得工程22は、短絡部が発熱している基板部材2を赤外線カメラ等の撮像手段6で撮影して赤外線画像を取得するステップS3と、撮影した赤外線画像をメモリ等の記憶装置に保存するステップS4とを含む。図4は、基板部材2を撮影した赤外線画像の一例である。基板部材2は、X方向に形成された複数の配線Xと、Y方向に形成された配線Yが、絶縁体を介して交差している。各交差箇所には、図示しないスイッチング素子として例えば薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorが形成されている。図4では、n番目の配線Xnとm番目の配線Ymの交差部に短絡部39が生じた事例を示している。そして、図4aは、配線間に通電する前の赤外線画像であり、図4bは、配線間に通電後、短絡部39からの発熱により生じた発熱領域40を撮影した赤外線画像を示す。なお、図4を含む以降の赤外線画像を示す図面では、分かりやすくするために、赤外線画像に配線Xと配線Yを重ね合わせて表示している。図4bに示すように、発熱領域40は、配線Xn-短絡部39-配線Ymの短絡経路に沿って形成され、また、抵抗値の大きい部分ほど温度が上昇し、発熱領域40が短絡部39の周辺へ相当な広がりをもって形成されている。このため、通常は赤外線画像からノイズ成分を取り除くための2値化処理が行なわれる。ここで、ノイズによる温度上昇分Δ°Cを、ノイズの標準偏差の定数倍に予め定め、例えば0.1~0.5°Cとする。そして、発熱前の基板温度Δ°Cを初期閾値として、赤外線画像から2値化画像に変換してノイズを除去する。この初期閾値を超えた画素は、有意な温度上昇があったと判断する。しかしながら、この初期閾値は比較的低い値であるため、発熱領域40は未だ広がりをもち、短絡部39の位置を正確に特定するのは難しく、短絡部39の位置を隣接する交差部と見誤る虞もある。また、ノイズによる温度変化の影響を受けているので、最高温度を示した一画素の位置が短絡部であるとは限らない。そこで、赤外線画像の最高温度より若干低い2値化閾値により2値化すると、最高温度を示した一画素を含む小片領域の2値化画像となる。図5は、最高温度より若干低い2値化閾値により2値化された2値化画像である。この2値化閾値は、例えば最高温度-Δ°Cである。この2値化画像からは、どの配線経路が発熱しているのかを示す情報は全く失われている。従って、この2値化画像から、短絡部の位置を特定することは難しく、更にどのような配線経路が発熱したのかを特定することも難しくなっている。また、短絡箇所は一か所ではなく複数個所発生する場合がある。そのような場合、赤外線画像の最高温度より若干低い2値化閾値により2値化すると、最高温度近傍の短絡箇所は残るが、それ以外の短絡箇所は除去されてしまい見逃してしまう問題が起こる。このように、2値化閾値は、発熱前の基板温度Δ°Cのような比較的低い値、最高温度-Δ°Cのような比較的高い値のいずれに設定しても、短絡箇所39の位置を特定するためには不適切である。このため、2値化工程23では、閾値を最適化しながら2値化処理を繰返していくことにより、短絡部39を含む発熱領域40を細線化し、短絡部39の位置を特定し易くしている。2値化工程23では、最初にステップS5として、予め設定された初期閾値を用いて2値化処理を行なう。初期閾値は、例えば、発熱前の基板温度Δ°Cである。このステップS5により、赤外線画像の背景ノイズが除去される。図6aは、図4bの赤外線画像をステップS5で2値化処理し、2値化画像に変換したものである。図6aの2値化画像では、初期閾値以下の温度領域が除かれたものとなり、ある程度の細線化がされているが未だ十分ではない。続いて、短絡部39を含む発熱領域40をさらに細線化するため、閾値の最適化を行なう。まず、ステップS6として、図6aの2値化画像において、短絡部39が含まれる特徴領域41を予測する。なお、発熱の程度によって、予測した特徴領域41の内部に短絡部39が必ず含まれるとは限らない予測が正しいとは限らないが、途中段階であるので問題はない。特徴領域41の予測は、まず発熱領域40の先端画素42を特定する。もし先端画素が複数ある場合、すなわち線分であった場合は、その線分の中点画素を先端画素42とすればよい。もし一つの線分でなかった場合は、複数の画素の座標のメディアン値とすればよい。次にこの画素42を上辺の中心として、所定の大きさの矩形領域を、特徴領域41として設定する。特徴領域41の大きさは、発熱開始から赤外線画像を撮像するまでに熱伝導によって広がる発熱領域の画素数を設定すればよい。例えば、特徴領域41は、5×5画素の正方形とすることができる。また、発熱開始から赤外線画像を撮像するまでの時間によって、特徴領域41の所定の大きさを適切に調整してもよい。すなわち、発熱開始から赤外線画像を撮像するまでの時間が短い場合は、特徴領域41の大きさは小さくし、すなわち、発熱開始から赤外線画像を撮像するまでの時間が長い場合は、特徴領域41の大きさは大きくする。また、特徴領域41を円形としてもよい。短絡部が配線部より発熱量が大きい場合、短絡部を中心に円形に発熱するので、特徴領域41を円形とするのが望ましい。例えば、発熱領域41は、直径5画素の円形とすることができる。次いで、ステップS7として、この特徴領域41の輝度値を用いてヒストグラムを生成する。これにより短絡部39近傍の輝度値情報を取得することができる。図6bは、図6aの特徴領域41の輝度値のヒストグラムを示す。ステップS8では、このヒストグラムの面積を二分するメディアン値を求めて、このメディアン値を新たな閾値として初期閾値から変更する。次いで、ステップS9として、変更後の閾値を用いて図4bの赤外線画像について、再び2値化処理を行う。図7aは、変更後の閾値を用いた2値化画像を示す。変更後の閾値は、初期閾値よりも短絡部39の温度に近づいた値となっているため、閾値変更後の2値化画像は、初期閾値による2値化画像よりも細線化されたものになっている。新たな閾値としてメディアン値を設定していることから、図7の特徴領域41の面積は、新たな2値化画像において半分になる。また、図7に示す新たな発熱領域40の面積は、図6に示す前回の発熱領域40の面積の概ね半分になっている。すなわち、もし図7に示す特徴領域41のヒストグラムと、図6に示す発熱領域40のヒストグラムとの形状が全く一致していれば、半分の面積に一致する。しかし、ヒストグラムは全く一致することはまれであり、通常概ね似ている程度なので、概ね半分の面積になっている。このように、面積が概ね半分になっているため、閾値変更後の2値化画像は、初期閾値による2値化画像よりも細線化されたものになっているのである。次いで、ステップS10として、閾値が何回変更されたものであるか判断し、所定回数だけ閾値変更と2値化処理を繰り返す。閾値が所定回数に満たない場合、閾値の最適化が未だ十分でないと判断し、ステップS6に戻る。ステップS6では、前回と同様に、図7aの2値化画像を用いて、発熱領域40の先端画素42から5×5画素分の領域を新たな特徴領域41として再設定し、新たな特徴領域41のヒストグラムを生成する。この所定回数が多すぎると、2値化閾値が大きくなり過ぎて、図5で示したように短絡部の位置を特定することは困難になってしまう。従って、実験により適切な所定回数を調整することが好ましい。図7bは、新たな特徴領域41のヒストグラムである。図7bに示すように、新たな特徴領域41のヒストグラムでは、メディアン値がさらに高温側に移行し、短絡部39の輝度値情報が絞り込まれたことを示している。このように特徴領域41において短絡部39の輝度値情報を絞り込みながら、最適な閾値に変更していくことにより、2値化画像の細線化を進めることができる。閾値の変更は、少なくとも2回行なうことにより、短絡部39の位置を特定可能な程度まで細線化することができる。閾値の変更を2回以上行ない、さらに細線化を進める場合、メディアン値が前回閾値よりも小さくなったときに、十分に細線化された判断として終了するようにしてもよい。なお、ヒストグラムを生成するステップS7は省略することができる。すなわち、ステップS8は、ステップS5が設定した特徴領域の画素値から直接メディアン値を算出し、閾値を変更すればよい。また、新たな2値化閾値として、特徴領域41のメディアン値を用いたが、これに限定されるものではない。新たな2値化閾値として、所定のパーセンタイル値を用いることもできる。パーセンタイルとは、輝度値を小さいものの順に並べ替えた時、小さい方から100p0≦p≦1の所にある値を100pパーセンタイルという。例えば75パーセンタイル値を2値化閾値に用いれば、発熱領域40の面積を概ね1/4にできる。なおメディアン値は、50パーセンタイル値と同値であるp=0.5。p>0.5のパーセンタイル値を用いることで、閾値変更の所定回数を削減できやすくなり、2値化工程23の処理時間を短縮できる効果がある。しかしながら、特徴領域41の画素数は、発熱領域40の画素数に比べて少ないため、特徴領域41の75パーセンタイル値は、発熱領域40の75パーセンタイル値と全く同じにならない。特徴領域41の75パーセンタイル値は、発熱領域40の75パーセンタイル値よりも大きくなってしまう危険がある。そのため、新たな2値化閾値として、特徴領域41のメディアン値が望ましい。図8は、基板部材2を撮影した赤外線画像の別の例である。発熱領域40は、配線Xn-短絡部39-配線Ymの短絡経路に沿って形成され、また、抵抗値の大きい部分ほど温度が上昇して幅広に形成される。図8の赤外線画像の場合は、図4bに比べて短絡部39の発熱量が少なく、短絡部39の近傍領域の大きさが比較的小さくなっている。図9a、bは、細線化された2値化画像の例を示すものである。細線化された2値化画像の形状は、配線抵抗値と短絡部の抵抗値との兼ね合いにより、図9aに示すマッチ棒型の発熱形状になったり、図9bに示す鉛筆型の発熱形状になる。例えば、図4bの赤外線画像は図9aに示す細線化された2値画像に、図8の赤外線画像は図9bに示す細線化された2値画像になる。このような発熱形状の違いにより、短絡部39の位置の特定方法は変わる。発熱形状の違いは、図9cに示すように、発熱領域の先端から水平幅を計測することで判断できる。短絡部の位置は、細線化された2値化画像を用いて、従来の画像処理手法により特定することができる。例えば、マッチ棒型の発熱形状の場合は、先端の円形部分を認識して抽出→重心算出の手順で特定できる。また、鉛筆型の発熱形状の場合も、2値化画像→細線化→細線の先端画素の手順で特定できる。さて、赤外線カメラが測定する温度は、被撮像物の放射率の影響を受ける。基板上にはガラス、クロムやアルミや銅等の配線材料等放射率の異なる物質が形成されている。従って、基板上の基板温度は、全面で一様ではない。従って、発熱を高精度に撮像するためには放射率の影響を除く必要がある。そこで、電圧印加前後の画像を検出し、差を検出してもよい。すなわち、次のような手順で撮像する。1発熱前電圧印加目の状態で、撮像し、1枚目の画像を取得する。2電圧を印加し、発熱させる。3撮像し、2枚目の画像を取得する。42枚目の画像から1枚目の画像を差分し各画素の画素値同士を差分する、差分画像を算出する。5この差分画像に対して、2値化工程23以降の処理を実行する。この差分画像の画素値は、発熱によって上昇した温度を表すことになる。初期閾値は、Δ°Cとすればよい。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。