第1半導体層及び第2半導体層を有する半導体部と、前記半導体部の第1半導体層側に設けられた第1電極及び第1反射器と、前記半導体部の第2半導体層側に設けられた第2電極及び第2反射器と、を有する面発光レーザ素子であって、前記第2電極は、前記第2半導体層と前記第2反射器との間に設けられ、前記第2電極と前記第2反射器との間には、前記第2反射器よりも熱伝導率の高い熱伝導部が設けられていることを特徴とする面発光レーザ素子。前記半導体部の第2半導体層側には、接続電極を介して、支持基板が設けられ、前記熱伝導部は、前記接続電極と熱的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。透過平面視において、前記接続電極は、前記熱伝導部の周囲に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ素子。透過平面視において、前記熱伝導部は、前記接続電極と重なるように設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の面発光レーザ素子。透過平面視において、前記第2反射器の周囲には電流狭窄部が設けられ、前記熱伝導部は、前記電流狭窄部よりも屈折率が高いことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の面発光レーザ素子。前記第1半導体層は、n型窒化物半導体層であり、前記第2半導体層は、p型窒化物半導体層であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の面発光レーザ素子。しかしながら、従来の面発光レーザ素子は放熱性については十分に考慮されていなかった。そこで、本願発明は、十分な放熱性を得ることが可能な面発光レーザ素子を提供することを目的とする。一実施形態に係る面発光レーザ素子は、第1半導体層及び第2半導体層を有する半導体部と、半導体部の第1半導体層側に設けられた第1電極及び第1反射器と、半導体部の第2半導体層側に設けられた第2電極及び第2反射器と、を有する。特に、第2電極は、第2半導体層と第2反射器との間に設けられ、第2電極と第2反射器との間には、第2反射器よりも熱伝導率の高い熱伝導部が設けられている。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。<第1実施形態>図1に、本実施形態に係る面発光レーザ素子100の半導体積層方向における概略断面図を示す後述する図2のX-Xにおける概略断面図である。面発光レーザ素子100は、第1半導体層11及び第2半導体層12を有する半導体部10と、半導体部10の第1半導体層側に設けられた第1電極31及び第1反射器51と、半導体部10の第2半導体層側に設けられた第2電極32及び第2反射器52と、を有する。第2電極32は、第2半導体層12と第2反射器52との間に設けられ、第2電極32と第2反射器52との間には、第2反射器52よりも熱伝導率の高い熱伝導部40が設けられている。これにより、面発光レーザ素子100の放熱性を向上させることができる。つまり、半導体部10で生じた熱を、第2電極32を介して熱伝導部40に逃がすことができるので、熱伝導部40がない場合と比較して放熱性を向上させることができる。また、放熱性が向上する結果、面発光レーザ素子100の閾値電流を低下させることができる。以下、本実施の形態の面発光レーザ素子の主な構成要素について説明する半導体部10半導体部10は、少なくとも第1半導体層11及び第2半導体層12を有していれば良く、その構造は特に限定されない。第1半導体層11は第1電極31を接続するための部材であり、第2半導体層12と異なる極性を有している。同様に、第2半導体層12は第2電極32を接続するための部材であり、第1半導体層11と異なる極性を有している。本実施形態では、第1半導体層11をn型窒化物半導体層、第2半導体層12をp型窒化物半導体層とし、両者の間に活性層13を備えたものを半導体部10としている。窒化物半導体は、一般的に、p型半導体層がn型半導体層よりも抵抗が高く、p型半導体層の発熱が大きい。よって、第1半導体層はn型窒化物半導体層、第2半導体層はp型窒化物半導体層とすることにより、本発明における放熱の効果がより顕著となる。活性層の構造は限定されず、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造など公知のものを採用することができる。半導体部10を構成する各層の材料は限定されないが、本実施形態では、一般式がInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1で示される窒化物半導体を用いている。電流狭窄部20面発光レーザ素子100は、電流狭窄部20を有することができる。電流狭窄部20は、所望の領域電流狭窄領域に電流を狭窄するためのものであり、電流狭窄領域に相当する領域に開口部が設けられている。また、電流狭窄部20の開口部に対応する領域には第2反射器52が設けられている。つまり、透過平面視図1の上方又は下方から透過して見た平面視において、第2反射器52の周囲に電流狭窄部20が設けられていることになる。電流狭窄部20は、例えば、誘電体単膜で構成することもできるし、誘電体多層膜のDBRで構成することもできる。特に、電流狭窄部20をDBRとすることにより、電流狭窄領域以外の漏れ光を半導体部10に閉じ込めることができるので、接続電極60等による光の吸収が抑制でき、レーザ発振率を向上させることができる。誘電体としては、SiO2、TiO2、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5、HfO2、AlN、SiN、Al2O3、SiC、MgO等が例示される。これらの誘電体のうち、屈折率が異なる2種以上の材料層を所定の膜厚で交互に積層することにより誘電体多層膜とすることができる。電流狭窄部20を誘電体多層膜とする場合、SiO2/Nb2O5、SiO2/ZrO2、SiO2/AlN、Al2O3/SiN等が好ましい。電流狭窄部の膜厚は、0.03μm以上7.0μm未満、好ましくは0.04μm以上5.0μm未満、より好ましくは0.05μm以上3.0μm未満とすることができる。電流狭窄部の膜厚は、電流狭窄部全体の熱伝導率や反射率等から適宜調整すればよい。電流狭窄部20をDBRとする場合は、電流狭窄領域における定在波の位相と合うように調整されていることが好ましい。電流狭窄部20において、光の損失を効果的に低減させることができるからである。また、電流狭窄部上の熱伝導部40が形成されている領域と接続電極60が形成されている領域で層構造が異なっていても良い。光の損失をより低減させることができる。第1電極31本実施形態では、第1電極31をn電極として形成している。n電極としての第1電極は、Pd、Pt、Ni、Au、Ti、W、Cu、Ag、Zn、Sn、In、Al、Ir、Rh、V、ITO等のいずれかを含む構成とすることができる。図2に、面発光レーザ素子100を第1反射器側からみた概略平面図を示す。第1電極31は第1半導体層11が露出した開口部図2の破線部分を有しており、当該開口部において、露出した第1半導体層11と第1反射器51が接して設けられている。また、第1電極31の外縁は第1半導体層11の外縁近傍まで配置されている。第2電極32本実施形態では、第2電極32をp電極として形成している。p電極としての第2電極は、ZnO、In2O3、SnO2、ATO、ITO、MgO、Ni/Au、より好ましくはITOを用いることができる。その膜厚は特に限定されないが、5~100nm程度とすることができる。なお、本実施形態では活性層13からの光が第2電極32を透過して第2反射器52で反射されることを要するため、第2電極32はその光に対して実質的に透明である。熱伝導部40熱伝導部40の材料として例えば、AlN熱伝導率の一例としては150W/mK、SiC熱伝導率の一例としては60W/mK、Al2O3熱伝導率の一例としては30W/mK、SiN熱伝導率の一例としては30W/mKを用いることができ、特に熱伝導率の高いAlNを用いるのが好ましい。なお、本実施形態では活性層13からの光が熱伝導部40を透過して第2反射器52で反射されることを要するため、熱伝導部40はその光に対して実質的に透明である。また、熱伝導部40は、単膜のみならず屈折率が異なる2種以上の材料層を所定の膜厚で交互に積層した誘電体多層膜とすることもできる。この場合、第2半導体層12側において、第2反射器52とは別に、反射器を兼ねた熱伝導部40が設けられることになる。熱伝導部40を誘電体多層膜とする場合、例えば、Al2O3/AlN、Al2O3/SiN、Al2O3/Nb2O5、SiO2/AlNを用いることができ、全体として第2反射器52よりも放熱性が優れるように構成される。熱伝導部40の膜厚としては、0.01μm以上5.0μm未満、好ましくは0.03μm以上3.0μm未満とすることができる。窒化物半導体では、一般的に、p型半導体がn型半導体よりも抵抗が高く、p型半導体がn型半導体よりも発熱が大きい。そこで、p型半導体である第2半導体層の側に熱伝導部40を設けることで、より放熱性を向上させることができる。熱伝導部40は、電流狭窄部20よりも屈折率を高くすることができる。これにより、横方向の光閉じ込めが可能となり、ひいては閾値電流を低減することができる。第1反射器51、第2反射器52第1反射器51及び第2反射器52は、誘電体多層膜や半導体多層膜から形成することができる。第1反射器51及び第2反射器52が誘電体多層膜からなる場合、誘電体多層膜を構成する各層としては、SiO2、TiO2、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5、HfO2等が例示される。これらの誘電体のうち、屈折率が異なる2種以上の材料層を所定の膜厚で交互に積層することにより誘電体多層膜からなる第1反射器51及び第2反射器52を得ることができる。例えば、SiO2/Nb2O5、SiO2/ZrO2等の多層膜が好ましい。第1反射器51、第2反射器52の膜厚としては、0.3μm以上7.0μm未満、好ましくは0.4μm以上6.0μm未満、より好ましくは0.5μm以上5.0μm未満とすることができる。用いる材料によって決まる第1反射器51、第2反射器52、及び熱伝導部40全体の熱伝導率と反射率から適宜調整することが好ましい。第2反射器52が誘電体多層膜から構成される場合、一般に誘電体は半導体よりも熱伝導率が低いので、半導体部からの放熱の問題がより顕著となる。つまり、半導体部では電流狭窄領域に電流が流れるので電流狭窄領域が主に発熱するが、熱伝導率の低い誘電体多層膜からなる第2反射器が電流狭窄領域と支持基板との間に介在する場合、放熱経路が分断されて放熱性が損なわれてしまうという問題がある。そこで、熱伝導部40を設けることで、放熱性を向上させつつ反射率が十分高い面発光レーザ素子とすることができる。接続電極60面発光レーザ素子100は、接続電極60を有することができる。接続電極60は、後述する支持基板70と第2電極32とを電気的に接続する部材である。ここでは、第2半導体層側に接続電極60を介して支持基板70が設けられ、熱伝導部40は接続電極60と熱的に接続されている。一般に、接続電極60は金属からなるので、熱伝導部40よりも熱伝導率が高い。したがって、熱伝導部40における熱をより放熱性に優れた接続電極60に逃がすことができるので、放熱性をさらに向上させることができる。透過平面視において、接続電極60は、熱伝導部40の周囲に設けることができる。つまり、接続電極60は開口部を有しており、当該開口部内に熱伝導部40を設けることができる。熱伝導部40は、接続電極60と熱的に接続されているため熱伝導部40からの放熱経路が増える。これにより、放熱性が向上する。接続電極60には、高い電気伝導率及び熱伝導率が求められるので、その材料及び膜厚の関係から、第2電極32よりも半導体部10からの光に対して透光性が低く、半導体部10からの光を吸収しやすい例えば非透光性。接続電極60は、例えば、Ni、Au、Ag、Cu、Pt、Al、Pd、Rh、Ti、Mo、Cr又はWの少なくともいずれか一種を含む材料から構成することができる。より具体的には、Ti-Rh-Au、Ti-Pt-Au、Cr-Rh-Au、Cr-Pt-Au、Ni-Au、Ni-Au-Pt、Pd-Pt、Ni-Pt等が挙げられる。図1では、接続電極60は、透過平面視において、熱伝導部40及び第2反射器52の周囲に設けられており、第2反射器52と支持基板70との間には設けられていない。ただ、必要に応じて、第2反射器52と支持基板70との間にも接続電極60を介在させてもよいことは言うまでもない。支持基板70支持基板70は、接続電極60を介して半導体部10の第2半導体層側に設けることができ、熱伝導部40は接続電極60と熱的に接続されていることが好ましい。こうすることで、熱を接続電極に直接逃がすことが可能となり、放熱経路を増やすことができる。支持基板70としては種々のものを採用できるが、好ましくはSi、GaN、AlN、より好ましくはSiを用いることができる。なお、実際は、Si等の上部に金属等からなる接続層が形成されているが、図面では、Si等と接続層を含めて支持基板70としている。本実施の形態では導電性の支持基板を用いているが、支持基板70は必ずしも導電性を備えている必要はなく、絶縁性であってもよい。支持基板70を絶縁性とする場合は、例えば支持基板70に導電性のスルーホールを設け、スルーホールを介して通電させることもできる。第2反射器52の支持基板70側にはAl等の高反射率部材を設けることもできる。これにより、電流狭窄領域近傍における反射率をより向上させることができる。<第2実施形態>図3に、本実施形態に係る面発光レーザ素子200の概略断面図を示す。面発光レーザ素子200は、熱伝導部40が接続電極60の側面だけでなく下面にも延在しているつまり、透過平面視において、熱伝導部40は接続電極60と重なるようにして配置されている以外は、第1実施形態と実質的に同一である。これにより、熱伝導部40と接続電極60とが直接接する領域が増え、かつ熱伝導部40と支持基板70が直接接するため、支持基板へ熱を逃がしやすくなる。<第3実施形態>図4に、本実施形態に係る面発光レーザ素子300の概略断面図を示す。面発光レーザ素子300において、半導体部10は、電流狭窄領域の周囲が電流狭窄領域に比較して薄くなっており、それにより凸部が形成されている。このとき、凸部の第2反射器52が設けられている側だけでなく側面にも熱伝導部40が設けられている。これにより、半導体部10における凸部の側面からも効果的に放熱させることができる。また、半導体部10の凸部の周囲に屈折率の低い熱伝導部40を設けることで、横方向における強い光閉じ込めが期待できる。なお、第1~第3実施形態では、第1電極31と第2電極32とが半導体部10を介して互いに反対となるように構成しているが、本願発明に係る面発光レーザ素子はこれに限定されない。例えば、半導体部10の一部を第2半導体層12側から第1半導体層11が露出するように除去し、当該除去部分に第1電極31を形成してもよい。