"四塩化ケイ素含有の出発物質流1と水素含有の出発物質流2を、水素化脱塩素反応器3中で熱の供給により反応させて、トリクロロシラン含有及びHCl含有の生成物混合物4を生成する方法において、前記方法は次の更なる特徴を有する:-前記四塩化ケイ素含有の出発物質流1及び/又は前記水素含有の出発物質流2を、加圧運転される水素化脱塩素反応器3中へ加圧下で導入し、-前記反応器3は、反応室21中へ突出する少なくとも1つの流動管22を有し、前記流動管22を通して前記出発物質流1及び/又は2を前記反応室21中へ導入し、-前記生成物混合物4を、加圧下にある流れとして前記反応室21から搬出し、-前記反応室21及び、場合により、前記流動管22はセラミック材料からなり、-前記反応室21中で生成された前記生成物混合物4を前記反応室21から、前記反応室21の内部の出発物質流/生成物流が、少なくとも部分的に、前記反応室21中へ突出する流動管22の外側に沿って案内されるように搬出し、-熱の供給を、反応室21を少なくとも部分的に取り囲む加熱ジャケット15又は加熱室15によって行い、及び-前記反応室21は、前記加熱ジャケット15又は加熱室15によって加熱された反応室21の領域の下流側に、前記加熱された生成物混合物4を冷却する組込型熱交換器5を有し、その際に、排出された熱を、四塩化ケイ素含有の出発物質流1及び/又は水素含有の出発物質流2の予熱のために使用することを特徴とする前記方法。前記反応器3は唯一の流動管22を有し、この唯一の流動管22を通して前記出発物質流1及び2を一緒に導入するか、又は前記反応器3は1つより多くの流動管22を有し、前記流動管22を通して前記出発物質流1及び2を前記複数の流動管22のそれぞれの中で選択的に一緒に前記反応室21中へ導入するか、又は前記出発物質流1及び2は互いに別個にそれぞれ異なる複数の流動管22中で前記反応室21中へ導入することを特徴とする、請求項1記載の方法。前記セラミック材料が、Al2O3、AlN、Si3N4、SiCN又はSiCから選択されることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。前記セラミック材料は、Si溶浸SiC、アイソスタティックプレスされたSiC、ホットアイソスタティックプレスされたSiC又は無加圧焼結されたSiCSSiCから選択されることを特徴とする、請求項3記載の方法。前記反応室21及び/又は流動管22は無加圧焼結されたSiCSSiCからなることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記四塩化ケイ素含有の出発物質流1及び/又は前記水素含有の出発物質流2は、1~10barの範囲内、好ましくは3~8barの範囲内、特に好ましくは4~6barの範囲内の圧力で、かつ150°C~900°Cの範囲内、好ましくは300°C~800°Cの範囲内、特に好ましくは500°C~700°Cの範囲内の温度で、前記水素化脱塩素反応器3中へ導入されることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記四塩化ケイ素含有の出発物質流を、前記水素含有の出発物質流と別個に前記水素化脱塩素反応器中へ導入し、かつ前記四塩化ケイ素含有の出発物質流は液状又はガス状であることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。熱の供給を、電気抵抗加熱によって加熱される加熱ジャケット15によって又は加熱室15によって行い、前記加熱室は、燃料ガス18及び燃焼空気19で運転される燃焼室15であることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。前記反応室21中の反応は、前記反応を触媒する、前記反応室の内部被覆により及び/又は前記反応を触媒する、前記反応室21中に配置された固定床の被覆により触媒されることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。冶金学的シリコンからトリクロロシランを製造するための装置の組込型構成要素としての水素化脱塩素反応器3の使用において、-前記反応器3は加圧下で運転され、-前記反応器3は、導入する出発物質流のための反応室21中へ突出する少なくとも1つの流動管22を有し、-前記反応室21及び場合により前記流動管22はセラミック材料からなり、-前記反応室21の内部の前記出発物質流/生成物流は、前記出発物質流/生成物流が少なくとも部分的に、前記反応室21中へ突出する流動管22の外側に沿って導かれるように案内され-熱の供給は、前記反応室21を少なくとも部分的に取り囲む加熱ジャケット15又は加熱室15によって行われ、かつ-前記反応室21は、前記加熱ジャケット15又は前記加熱室15により加熱される前記反応室21の領域の下流側に、加熱された生成物混合物の冷却のための組込型熱交換器5を有することを特徴とする、前記使用。冶金学的シリコンからトリクロロシランを製造するための前記装置が、a四塩化ケイ素を水素と反応させてトリクロロシランを生成する部分装置と、b冶金学的シリコンをHClと反応させて四塩化ケイ素を生成する部分装置とを有し、四塩化ケイ素を水素と反応させてトリクロロシランを生成する前記部分装置は、-反応室21を有する水素化脱塩素反応器3;-加熱ジャケット15又は加熱室15により少なくとも部分的に取り囲まれた、前記反応室21の領域;-四塩化ケイ素含有の出発物質流のための少なくとも1つの導管1及び水素含有の出発物質流のための少なくとも1つの導管2、これらの導管は水素化脱塩素反応器3中へ導かれ、その際、場合により、別個の導管1及び2の代わりに、前記四塩化ケイ素含有の出発物質流と前記水素含有の出発物質流のための1つの共通の導管1,2が設けられている;-前記反応室21中へ突き出した少なくとも1つの流動管22、この流動管22を通して前記四塩化ケイ素含有の出発物質流1及び/又は前記水素含有の出発物質流2を前記反応室21中へ導入することができ、その際、前記反応室21及び、場合により前記流動管22はセラミック材料からなる;-前記反応室21中で生成された生成物混合物4のための出口、この場合、前記出口は、前記生成物混合物4を装置の運転の際に前記反応室21から、前記反応室21の内部の出発物質流/生成物流は少なくとも部分的に、前記反応室21中へ突出する流動管22の外側に沿って導かれるように搬出できるように配置されている;-トリクロロシラン含有の及びHCl含有の生成物混合物のための、前記水素化脱塩素反応器3から引き出された導管4;-水素化脱塩素反応器3中に組み込まれた熱交換器5、前記熱交換器5を通して前記生成物混合物導管4並びに前記四塩化ケイ素含有の出発物質流のための少なくとも1つの導管1及び/又は前記水素含有の出発物質流のための少なくとも1つの導管2は、前記生成物混合物導管4から前記四塩化ケイ素含有の出発物質流のための前記少なくとも1つの導管1及び/又は前記水素含有の出発物質流のための前記少なくとも1つの導管2へ熱伝達が可能であるように導かれ、その際、前記組込型熱交換器5は、前記加熱ジャケット15又は前記加熱室15により加熱された前記反応室21の前記領域の下流側に配置されている;-場合により、四塩化ケイ素、トリクロロシラン、水素及びHClを含む1つ以上の生成物のそれぞれを分離するための部分装置7又は複数の部分装置7a,7b,7cを有する装置;-場合により、分離された四塩化ケイ素を、前記四塩化ケイ素含有の出発物質流のための導管1中へ、好ましくは熱交換器5の上流側に導く導管8;-場合により、分離されたトリクロロシランを最終生成物取り出し部に供給する導管9;-場合により、分離された水素を、水素含有の出発物質流のための導管2中へ、好ましくは熱交換器5の上流側に導く導管10;及び-場合により、分離されたHClを、シリコンの塩化水素処理のための装置に供給する導管11を有し、冶金学的シリコンをHClと反応させて四塩化ケイ素を生成する前記部分装置は、-四塩化ケイ素と水素との反応のための部分装置の前方に配置された塩化水素処理装置12、この場合、場合により、使用されたHClの少なくとも一部がHCl流11を経由して前記塩化水素処理装置12中に導入される;-前記塩化水素処理装置12中の反応から由来するカップリング生成物の水素の少なくとも一部を分離するための凝縮器13、その際、前記水素は、前記水素含有の出発物質流のための導管2を介して前記水素化脱塩素反応器3中に導入される;-少なくとも四塩化ケイ素及びトリクロロシランを、前記塩化水素処理装置12中の反応から由来する残りの生成物混合物から分離するための蒸留装置14、その際、前記四塩化ケイ素は、前記四塩化ケイ素含有の出発物質流のための導管1を介して前記水素化脱塩素反応器3中に導入される、を有し、加熱ジャケット15の代わりに加熱室15を使用する場合に、かつ-場合により、前記加熱室15のために予定された燃焼空気19を、前記加熱室15から流出する煙道ガス20を用いて予熱するためのレキュペレーター16;及び-場合により、前記レキュペレーター16から流出する煙道ガス20からの蒸気製造のための装置17を有することを特徴とする、請求項10記載の使用。"