半導体材料からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、前記上部クラッド層と第1のコンタクト層を介して対向する第1の電極と、前記下部クラッド層と第2のコンタクト層を介して対向する第2の電極と、を備え、前記上部クラッド層は前記第1のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に前記上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、前記下部クラッド層は前記第2のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に前記下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である受光素子。前記上部クラッド層のうち低屈折率部分は他の部分よりも格子定数が小さいか、下部クラッド層のうち低屈折率部分は他の部分よりも格子定数が小さいか、その両方である請求項1に記載の受光素子。前記光吸収層は、井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸層であることを特徴とする請求項2に記載の受光素子。前記上部クラッド層は外縁に沿った溝を有し、前記上部クラッド層の前記溝よりも内側にある表面および外周に沿った側面が他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分である請求項3に記載の受光素子。前記上部クラッド層は、歪み付加部分を有する、請求項3または4に記載の受光素子。前記上部クラッド層および下部クラッド層の低屈折率部分は、前記上部クラッド層または下部クラッド層を酸化処理することにより形成された、請求項3乃至5に記載の受光素子。第2のコンタクト層、下部クラッド層、光吸収層、上部クラッド層、及び第1のコンタクト層を積層する工程と、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の少なくとも一方の外周に沿った側面の一部を酸化する工程と、前記第2のコンタクト層に接する下部電極を形成する工程と、前記第1のコンタクト層に接する上部電極を形成する工程と、を備える請求項1に記載の受光素子の製造方法。半導体光源と、一端が前記半導体光源に接続され、他端が渦巻き状に形成されたた細線光導波路と、前記細線光導波路の他端上に設けられた半導体材料からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、前記上部クラッド層と第1のコンタクト層を介して対向する第1の電極と、前記下部クラッド層と第2のコンタクト層を介して対向する第2の電極と、を備え、前記上部クラッド層は前記第1のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に前記上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、前記下部クラッド層は前記第2のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に前記下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である受光素子と、を備える光送受信ユニット。前記他端が渦巻き状に形成された光細線導波路は、終端部に近づくほど幅が細くなるテーパ形状を有することを特徴とする請求項8に記載の受光素子。発明が解決しようとする課題は、高効率で受光する小型の受光素子および光送受信ユニットを得ることにある。一実施形態による受光素子は、半導体材料からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、前記上部クラッド層と第1のコンタクト層を介して対向する第1の電極と、前記下部クラッド層と第2のコンタクト層を介して対向する第2の電極と、を備える。前記上部クラッド層は前記第1のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に前記上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、前記下部クラッド層は前記第2のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に前記下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である。一実施形態による上記受光素子の製造方法は、第2のコンタクト層、下部クラッド層、光吸収層、上部クラッド層、及び第1のコンタクト層を積層する工程と、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の少なくとも一方の外周に沿った側面の一部を酸化する工程と、前記第2のコンタクト層に接する下部電極を形成する工程と、前記第1のコンタクト層に接する上部電極を形成する工程と、を備える。一実施形態による光送受信ユニットは、半導体光源と、一端が前記半導体光源に接続され、他端が渦巻き状に形成されたた細線光導波路と、前記細線光導波路の他端上に設けられた半導体材料からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、ディスク状あるいはリング状であり、半導体材料からなる光吸収層と、光吸収層上に設けられ半導体材料からなる上部クラッド層、前記上部クラッド層と第1のコンタクト層を介して対向する第1の電極と、前記下部クラッド層と第2のコンタクト層を介して対向する第2の電極と、を備え、前記上部クラッド層は前記第1のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部に前記上部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、前記下部クラッド層は前記第2のコンタクト層および前記光吸収層と接する部分以外の側面の少なくとも一部分に前記下部クラッド層の他の部分よりも屈折率が低い低屈折率部分を有するか、その両方である受光素子と、を備える。以下に、実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態の受光素子100の上部電極および下部電極形成前の状態を示す上面図Aおよび下面図Bであり、図2は図1に示す破線II-IIに沿った断面図である。図1では、受光素子100は電極形成前の状態を示している。図1A、Bでは左側を細線光導波路20の上流とする受光素子100は、基板10上に設けられた誘電体層11の上の一部に細線光導波路20が形成されている。細線光導波路20の下流部は少なくとも一周以上の渦巻き状に加工されており、渦巻き内部において細線光導波路20の終端部がその外周と合流している。図1Bは、基板10および誘電体層11上にある細線光導波路20の位置を破線で示している。細線光導波路20上には、接合層35を介して下部クラッド層30が設けられている。下部クラッド層30上にコンタクト層80が設けられている。コンタクト層80の上には細線光導波路20の範囲を覆うように光吸収層40が設けられている。光吸収層40上には上部クラッド層50が設けられている。上部クラッド層50上には、第1のコンタクト層60および上部電極70がこの順に積層されている。また、下部クラッド層30上の光吸収層40で囲まれた内側には、下部電極90が設けられている。接合層35、下部クラッド層30、第2のコンタクト層80、光吸収層40、上部クラッド層50、および第1のコンタクト層60は、それぞれ半導体層からなる。上部クラッド層50のうち、第1のコンタクト層60と光吸収層40の間にある外周に沿った側面部分51および間隙を囲む内周に沿った側面部分52は、上部クラッド層50の他の部分53を構成する材料の酸化物である。上部クラッド層50の側面部分51、52は、上部クラッド層50の他の部分53よりも屈折率が低い。下部クラッド層30のうち、細線光導波路20と光吸収層40の間にある外周に沿った側面部分31は、下部クラッド層30の他の部分を構成する材料の酸化物である。下部クラッド層30の側面部分31は、下部クラッド層30の他の部分32よりも屈折率が低い。基板10は、例えばSiからなる。誘電体層11は、例えばSiO2からなり、その厚さは3μmである。細線光導波路20は、例えばSiからなり、その厚さは250nm、受光部の外側の部分の幅は450nmであり、受光部に接して渦巻き状になって終端に近づくにつれて徐々に幅が細くなり、最も細い終端部では幅200nmである。接合層35は、例えばGaAsからなり、その厚さは50nmである。下部クラッド層30は側面部分31を除いて例えばAlGaAsからなり、その側面部分31はAl2O3からなる。第2のコンタクト層80は、例えばp型AlGaAsからなる。光吸収層40は、例えば2層のノンドープInGaAs光閉じ込め層と、その間に設けられた井戸層と障壁層が交互に積層されてなるInGaAs/GaAs多重量子井戸層とからなる。上部クラッド層50は、側面部分51、52を除いて例えばAlGaAsからなり、その側面部分51、52はAl2O3からなる。第1のコンタクト層60は、例えばn型AlGaAsからなる。第1の電極70および第2の電極90は、例えばAuGe合金からなり、その厚さは20nmである。細線光導波路20に入射され伝播した光は、渦巻き状の終端部に到達すると、その上面に接合されたリング状の光吸収層40に染み出して結合し吸収される。細線光導波路20が曲線を有する場合には、直線状の場合に比べて光は導波路の外に大きく染み出す。その結果として、光吸収層40への光結合および吸収が増強されることになる。図3は受光素子100直径10μmの吸収効率のシミュレーション結果であり、細線光導波路20に入力した光の95以上が入射してから2ピコ秒以内に吸収されている。この光結合および吸収の増強効果は、細線光導波路の曲率半径が小さいほど、また細線光導波路20の断面サイズが小さいほど大きくなる。例えば、曲率半径10μmで断面サイズ450nm×250nmの細線光導波路が、前記InGaAs/GaAs多重量子井戸層を含む半導体多層構造の下面に接している場合、吸収効率は直線状の細線光導波路の場合の約1.5倍に増大する。渦巻き状の細線光導波路では、終端に近づくとさらに曲率半径が小さくなり、さらなる結合吸収の増強が期待できる。また、渦巻きの終端に近づくほど細線光導波路の幅が細くなるようにテーパ状の加工を加えることにより、細線光導波路を伝播する光が半導体多層構造の側へより速やかに移行し、さらに結合吸収を増強することができる。さらに、上部クラッド層50および下部クラッド層30の側面部分51、52、31が酸化狭窄されていることにより、光吸収層40に結合した光が上部電極70側に漏出して吸収されて光電流に寄与しない損失成分が増大することを抑制できる。さらには、光がリング状の光吸収層40の内側に光閉じ込められるため、側壁による光散乱損失や、吸収されて生成したキャリアが側壁における表面再結合により消失するキャリア損失を抑制できる。以上のことにより超小型かつ高効率な受光素子の実現が可能となる。なお細線光導波路20の形状は、上記のようなものに加え、空洞がないディスク状のものや渦巻き状で終端部が外周と合流せずに終端しているものであってもよいことは言うまでもない。このような形状の細線光導波路20を用いる場合にも、光吸収層40よりも上側の半導体層はリング状に形成することができる。また、本実施例ではGaAs基板上のInGaAs/GaAs多重量子井戸を活性層とする場合について述べたが、これを、例えばInP基板上のInGaAsP/InAlAs多重量子井戸で置き換えても良い。その場合は、上からp型InGaAsコンタクト層、p型InAlAsクラッド層、ノンドープInGaAsP光閉じ込め層、InGaAsP多重量子井戸活性層、ノンドープInGaAs光閉じ込め層、n型InAlAsクラッド層、n型InPコンタクト層とすれば良い。または、これらを他の材料からなる半導体多層構造とすることも可能である。図1、図2に示す受光素子100の製造方法について以下に説明する。図4は受光素子100の製造方法を示す断面図である。まず、SOI基板である誘電体層11を有する基板10の上にSi細線光導波路20を形成し、その終端部を渦巻き状に加工する図4A。この螺旋状のSi細線光導波路20の上に、光吸収層40を含む半導体多層構造を接合する図4B。半導体多層構造としては、たとえばGaAs基板1上に形成されたn型AlGaAsからなる第1のコンタクト層60、AlGaAsからなる上部クラッド層50、GaAs光閉じ込め層とInGaAs/GaAs多重量子井戸層とGaAs光閉じ込め層とからなる光吸収層40、p型AlGaAsからなる第2のコンタクト層80、AlGaAsの下部クラッド層30、およびGaAsからなる接合層35を有する多層構造である。また、接合方法としてはウエハ直接接合法や接着層を介した接合方法などを用いることが出来る。その後、基板1を剥離し、半導体多層構造に対して、リング形状のパターニングを行う図4C。ここで半導体多層構造の上部クラッド層50及び下部クラッド層30は、酸化処理により側面部分51、52、31を絶縁性のある低屈折率の酸化物とする図4D。この酸化処理において、Al組成の少ない光閉じ込め層、多重量子井戸層は酸化がほとんど進まないため、半導体層のまま残っている構造となる。その後、上部電極70および下部電極90を形成し、受光素子100を完成させる図4E。なお、上部クラッド層50の側面部分51、52および下部クラッド層30の側面部分31は、上部クラッド層50および下部クラッド層31の他の部分53、32を形成するAlGaAsよりも格子定数が小さく、光吸収層40のInGaAs/GaAs多重量子井戸層に引っ張り歪みが印加されている。選択酸化の量を適切に選ぶことで、InGaAs/GaAs多重量子井戸層に印加される引っ張り歪みの大きさを制御することができ、InGaAs/GaAs多重量子井戸層における光吸収端のシフト量を制御することが可能である。半導体レーザは、周囲環境の温度上昇や半導体レーザ自身の発熱により発振波長が長波長化する。そのため、半導体レーザと共通の層構造よりなる受光素子においては、光吸収端の裾野のさらに透明領域側の光を受光することになり、受光感度が大幅に低下してしまう場合がある。しかしながら、選択酸化の量によって光吸収端のシフト量を調節することができる。本実施形態によれば、細線光導波路からの受光が高効率で小型な受光素子を形成することができる。第2の実施形態図5は第2の実施形態の受光素子101の上部電極70および下部電極90の形成前の状態を示す上面図であり、図6は図5に示す破線VI-VIに沿った断面図である。本実施形態においては、半導体多層構造のうち、外周に近い上部クラッド層50の一部が除去されて溝が形成されている。図5に示すように、上部電極70および下部電極90の形成前の状態で、半導体多層構造を上面から見ると、中心部から順に、nAlGaAs下部コンタクト層80、AlGaAs上部クラッド層50、光吸収層40、AlGaAs上部クラッド層50が見られる。上部クラッド層50と下部クラッド層30の側面部分は選択酸化されている。上部クラッド層50は、溝の外側にある外周に沿った側面部分51、間隙を囲む内周に沿った側面部分52、および溝の内側の表面部分54が低屈折率部分である。下部クラッド層30は、第1の実施形態と同様に、外周に沿った側面部分31が低屈折率部分である。光吸収層40には中心に向かう方向と外周に向かう方向に応力がかかるため、より効率的に引っ張り歪みを印加することができる。本実施例においては上部クラッド層の最外周がリング形状をしているが、他の形状であってよいことは言うまでもない。本実施形態によれば、細線光導波路からの受光が高効率で小型な受光素子を形成することができる。第3の実施形態図7は第3の実施形態に係る受光素子102の上部クラッド層50およびその下に設けられた細線光導波路20を示す平面図である。本実施形態においては、上部クラッド層50の外周に突起状の部分歪み付加部分55が付加されていることを特徴とする。突起状の構造55は、上部クラッド層50の外周に沿った側面とともに選択酸化されている。本構成において上部クラッド層50と下部クラッド層30を選択酸化すると、突起状の部分55がない場合に比べて酸化される体積が多くなるため、酸化による堆積収縮による応力が効果的に光吸収領域に印加される。ここでの突起状の部分55の形状はどんな形状であってよい。図7に示すように、上面から見てT字型の突起状の構造は、酸化が均一に進み、光吸収層40への応力が均一にかかるので望ましい。なお、本実施形態のリング形状の上部クラッド層にT字型の突起状の付加された構造は、第2の実施形態における溝の外側にある外周に沿った側面部分51を形成する場合と同様のプロセスで、例えば光リソグラフィとドライエッチングを用いて、容易に形成することが出来る。本実施形態によれば、細線光導波路からの受光が高効率で小型な受光素子を形成することができる。第4の実施形態上述の受光素子は、半導体レーザと共通の層構造とすることが可能である。図8は、光送受信ユニットを示す斜視図である。光送受信用ユニットは、誘電体層10上に形成された半導体レーザ110と受光素子100とこれらをつなぐ細線光導波路20を有する。受光素子は、第1の実施形態の受光素子100に限らない。細線光導波路20と半導体レーザ110と受光素子100とを共通の工程で形成することができるので、光送受信ユニットを低コストで製造することが可能である。このとき、半導体レーザ110は出来るだけ小型であるもの、すなわちマイクロリングまたはマイクロディスクレーザが望ましい。本実施形態によれば、細線光導波路からの受光が高効率で小型な受光素子を有する光送受信ユニットを形成することができる。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。