第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、当該半導体発光機能層を発光させるための通電に用いられる2つの電極が共に前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に形成された発光素子であって、前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所で、前記第1の半導体層と接続するように形成された第1の電極と、前記第2の半導体層の表面において、他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成された透明電極と、前記他方の端部の側において、前記透明電極と接続するように前記透明電極上に形成された第2の電極と、を具備し、少なくとも、動作上において前記半導体発光機能層上における最も発光強度の高い領域上が、絶縁層を介して前記第1の電極又は前記第2の電極によって覆われたことを特徴とする発光素子。前記半導体発光機能層上における最も発光強度の高い領域は、前記透明電極の前記一方の端部側の一端を含む領域であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記半導体発光機能層の端部はテーパー加工され、前記第1の電極、前記第2の電極のうちの少なくとも一方は、テーパー加工された前記半導体発光機能層の端部を、前記絶縁層を介して覆っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。前記絶縁層は、前記透明電極及び前記半導体発光機能層を覆って形成され、前記第1の電極、前記第2の電極は、前記絶縁層中に形成された開口を通してそれぞれ前記第1の半導体層、前記透明電極に接続されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の発光素子。前記第2の電極の一部は、前記他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成され、当該延伸して形成された部分において前記透明電極と接続されたことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記第1の電極は、前記第2の電極と接触しない状態で、前記第2の電極の一部が前記一方の端部に向かって延伸した部分の先端部よりも前記他方の端部の側に向かって延伸した形状とされたことを特徴とする請求項5に記載の発光素子。前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所は、前記第1の半導体層が底部に露出するように前記半導体発光機能層に形成された開口部であり、前記第1の電極は、前記底部において前記第1の半導体層と接続されたことを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の発光素子。前記第1の半導体層は、エピタキシャル成長によってシリコン基板上に形成されたことを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の発光素子。前記第1の半導体層はn型窒化物半導体で構成され、前記第2の半導体層はp型窒化物半導体で構成されたことを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の発光素子。しかしながら、p型半導体層193における電気抵抗の影響は無視できないために、図12の構成を用いた場合においても、長手方向の発光の不均一性を解消することは困難であった。特に、例えば発光領域の縦横比が1:100となるような大きなアスペクト比をもつ場合においてはこうした不均一性は顕著となった。特許文献2に記載の技術においては、側面から発せられる光を抑制することはできるものの、上方に発せられる光の不均一性を改善することはできなかった。すなわち、半導体発光機能層の一方の面に2つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得ることは困難であった。こうした問題は、特に2つの電極の間隔が広い場合に顕著である。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の発光素子は、第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、当該半導体発光機能層を発光させるための通電に用いられる2つの電極が共に前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に形成された発光素子であって、前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所で、前記第1の半導体層と接続するように形成された第1の電極と、前記第2の半導体層の表面において、他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成された透明電極と、前記他方の端部の側において、前記透明電極と接続するように前記透明電極上に形成された第2の電極と、を具備し、少なくとも、動作上において前記半導体発光機能層上における最も発光強度の高い領域上が、絶縁層を介して前記第1の電極又は前記第2の電極によって覆われたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記半導体発光機能層上における最も発光強度の高い領域は、前記透明電極の前記一方の端部側の一端を含む領域であることを特徴とする。本発明の発光素子において、前記半導体発光機能層の端部はテーパー加工され、前記第1の電極、前記第2の電極のうちの少なくとも一方は、テーパー加工された前記半導体発光機能層の端部を、前記絶縁層を介して覆っていることを特徴とする。本発明の発光素子において、前記絶縁層は、前記透明電極及び前記半導体発光機能層を覆って形成され、前記第1の電極、前記第2の電極は、前記絶縁層中に形成された開口を通してそれぞれ前記第1の半導体層、前記透明電極に接続されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第2の電極の一部は、前記他方の端部の側から前記一方の端部の側に向かって延伸して形成され、当該延伸して形成された部分において前記透明電極と接続されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の電極は、前記第2の電極と接触しない状態で、前記第2の電極の一部が前記一方の端部に向かって延伸した部分の先端部よりも前記他方の端部の側に向かって延伸した形状とされたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記半導体発光機能層の一方の端部において前記第2の半導体層が前記主面側から除去された箇所は、前記第1の半導体層が底部に露出するように前記半導体発光機能層に形成された開口部であり、前記第1の電極は、前記底部において前記第1の半導体層と接続されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の半導体層は、エピタキシャル成長によってシリコン基板上に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の半導体層はn型窒化物半導体で構成され、前記第2の半導体層はp型窒化物半導体で構成されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、半導体発光機能層の一方の面に2つの電極を形成した構成の発光素子において、長手方向で均一な発光強度を得ることができる。以下、本発明の実施の形態となる発光素子につき説明する。この発光素子は、半導体発光機能層における一方の主面側にp側電極アノードとn側電極カソードが共に形成される。また、半導体発光機能層は、特にp側電極からn側電極に向かう方向において細長い形態をなしている。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態となる発光素子10の上面図a、及びそのA-A方向の断面図bである。また、図2a~eは、それぞれ図1aにおけるB-B方向、C-C方向、D-D方向、E-E方向、F-F方向の断面図である。この発光素子10において発光する半導体発光機能層20は、Si基板11上に形成され、n型GaN層第1の半導体層21、MQWMultiQuantumWell層22、p型GaN層第2の半導体層23からなる積層構造をもつ。この構成における主たる発光層はMQW層22である。図1b中の一方の端部右端部側の領域においては、p型GaN層23とMQW層22とが部分的に除去されている。このため、発光に寄与する半導体発光機能層20の右側の端部は、図1中にTで示された位置となる。また、図1b、図2でその断面が図示されるように、この構造においては、Si基板11、n型GaN層21、MQW層22、p型GaN層23、及びこれらからなる積層構造の端部は、テーパー形状とされている。なお、図示を省略しているが、図1の構造全体は支持基板上に形成されている。p型GaN層23の表面一方の主面には、他方の端部左端部側から右端部側に向かって延伸する形態で、p型GaN層23の右端部Tの位置付近まで透明電極31が形成されている。更に、この構造全体を覆う形態で絶縁層32が形成されている。左端部側の領域断面B-Bの箇所と、右端部側でp型GaN層23とMQW層22とが部分的に除去された領域断面F-Fの箇所の2箇所において、この絶縁層32には開口が形成されている。また、これらの間の透明電極31上における7箇所例えば断面D-Dの箇所においても、より小さな開口が絶縁層32に形成されている。なお、上面図図1aにおいては絶縁層32の記載は省略されている。この左端部の領域にはp側電極アノード:第2の電極33が接続されている。また、この7箇所の領域にも、p側電極33の部分的に右側に延伸した領域が接続されている。p側電極33には、発光に対して透明ではないが電気抵抗率の小さな金属材料が用いられる。上面図図1aで示されるように、p側電極33は、左側の領域においては、半導体発光機能層20全体を、そのテーパー化された端部も含み絶縁層32を介して覆うように形成されている。一方、これよりも右側の領域における部分的に延伸した領域は、図1a中における上下方向には透明電極31よりも細く形成されており、開口の部分においてのみわずかに太くされている。この延伸した領域における開口上でない箇所断面C-Cの箇所の断面が図2bであり、開口上の箇所断面D-Dの箇所の断面が図2cである。一方、n側電極第1の電極:カソード34は断面F-Fの箇所においてn型GaN層21と接続され、透明電極31、p側電極33とn側電極34とは接触していない構成とされる。n側電極34も、左側の領域におけるp側電極33と同様に、右側の領域における半導体発光機能層20を含むこの積層構造全体を、そのテーパー化された端面も含んで覆うように形成されている。また、n側電極34は、p型GaN層23とMQW層22とが部分的に除去された領域の左側の領域、すなわち、図1aにおける半導体発光機能層20の右端部図1aにおけるTの位置を越えて、これよりも左側の発光機能層20の上面も覆っている。ここで、Si基板11は、シリコンの単結晶基板であり、不純物がドーピングされて高導電性とされていても、ノンドープとされて高抵抗率とされていてもよい。この上に良質の半導体発光機能層20n型GaN層21、MQW層22、p型GaN層23がヘテロエピタキシャル成長できるように、その面方位は適宜設定される。n型GaN層21、MQW層22、p型GaN層23は、MBEMolecularBeamEpitaxy法、あるいはMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によってSi基板11上にエピタキシャル成長させることができる。n型GaN層21にはドナーとなる不純物が、p型GaN層23にはアクセプタとなる不純物が適宜ドーピングされる。n型GaN層21の厚さは例えば5.0μm、p型GaN層23の厚さは例えば0.2μm程度とすることができる。また、MQW層22は、例えば数nm~数10nmの厚さのInGaN、GaN薄膜が複数積層された構造をもち、InGaN、GaNの各層はn型GaN層21、p型GaN層23と同様にエピタキシャル成長により形成される。半導体発光機能層20の右端部の領域でp型GaN層23、MQW層22を除去してn型GaN層21を露出させるためには、この領域以外にフォトレジストを形成し、これをマスクとしてドライエッチングを行う。また、半導体発光機能層20を図1の形態に加工し、かつ端部をテーパー化する工程は、半導体発光機能層20を上記の順序で形成した後に、テーパー形状とされたフォトレジストをその上に形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより行われる。フォトレジストのテーパー化は、露光条件や現像条件の調整によって行うことができる。これにより、図1bに示された端部のテーパー角を、例えば30~60°とすることができる。透明電極31は、p型GaN層23とオーミック接触が可能で、かつ半導体発光機能層20が発する光に対して透明な材料として、例えばITOIndium-Tin-OxideやZnOZinc-Oxide等で構成される。なお、p型GaN層23との間のオーミック性や密着性等を向上させるために、これらの間に、光が充分透過する程度に薄いチタンTi層やニッケルNi層を挿入することもできる。透明電極31のパターニングは、全面に上記の透明電極材料を成膜し、所望の箇所にフォトレジスト等のマスクを形成してからエッチングを行い、所望の箇所以外の透明電極材料を除去するエッチング法、2所望の箇所以外にフォトレジスト等のマスクを形成してから全面に上記の透明電極材料を成膜し、後でマスクを除去することによって所望の箇所以外の透明電極材料を除去するリフトオフ法、のいずれかの方法を用いることができる。なお、透明電極31を構成する材料には高い光透過率が要求されるため、その導電率はp側電極33、n側電極34を構成する材料よりも低い。このため、図1中の左右方向における透明電極31の電気抵抗は、一般にp側電極33、n側電極34よりも高い。絶縁層32は、充分な絶縁性をもち、かつこの発光素子10半導体発光機能層20が発する光に対して透明な材料で構成され、例えば酸化シリコンSiO2で構成される。その形成は、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等を用いることにより、右端部の領域においてp型GaN層23とMQW層22が除去された箇所の段差部や、テーパー化された端部においてもこれを被覆性よく形成することが可能である。p側電極33は、アルミニウムAl等の導電性の高い金属で形成される。n側電極34は、n型GaN層21とオーミック接触がとれる材料で構成される。p側電極33、n側電極34のパターニングは、透明電極31のパターニングと同様に行うことができる。p側電極33、n側電極34を構成する材料には、光透過率の高さは要求されない。このため、これらの導電率を透明電極31を構成する透明電極材料よりも高くすることができ、p側電極33やn側電極34中の電気抵抗あるいはこれらによる電圧降下は無視することができる。一方、半導体発光機能層20が発する光は、p側電極33、n側電極34を透過しない。図1の構成により、p側電極33と透明電極31との間の電気的接続を図1中の左右方向の広い範囲でとることができるため、p側電極33と透明電極31との間の電気抵抗を小さくすることができる。これにより、p側電極33とp型GaN層23との間の電気抵抗も小さくすることができ、左右方向長手方向における発光の均一性を高めることができる。ここで、発光層からの光は、右側に延伸したp側電極33によって遮られるが、この延伸した領域は上下方向に細いため、その遮られる量を小さくすることができる。この点においては図12の構造と同様である。この際、半導体発光機能層20の上にp側電極33、n側電極34が形成された領域においては、半導体発光機能層20からの発光が遮られる。一方、半導体発光機能層20上にp側電極33、n側電極34が形成されていない領域からはその発光が図1bの上側に向かって発せられる。上記のp側電極33の構成により、長手方向における発光の均一性は高まる。しかしながら、この場合においても、一般的には、半導体発光機能層20におけるn側電極34とのコンタクト領域開口部に近い側の発光が最も強くなる。図1の構造においては、この発光がもっとも強くなる領域が特にn側電極34によって覆われるため、長手方向にわたって均一な発光を得ることができる。一般的には、n側電極34が半導体発光機能層20透明電極31をその右端部から覆う長さは、100μm程度以上とすることが有効である。この領域において半導体発光機能層20が図1b中の上側に向かって発した光は、n側電極34で遮られて下側に反射される。その後、GaNよりも禁制帯幅の狭いシリコンで構成されたSi基板11中で吸収される。また、半導体発光機能層20の右側の領域が図1aの右側、上側、下側の端面から発する光も、端部を覆うn側電極34で反射され、吸収される。この際、図1b中の上側に発する光と同様に、半導体発光機能層20の右側の領域においてはこの光も強くなる。この光は、この発光素子10をアレイとして使用する場合には、隣接する素子の発光と識別することが困難となるため、好ましくない。すなわち、この影響も上記の構造によって低減する。同様に、半導体発光機能層20の左側の領域が図1a中の左側、上側、下側の側面から発する光は、端部を覆うp側電極33で反射され、吸収される。半導体発光機能層20/Si基板11の端面を上記の通りにテーパー加工することにより、p側電極33、n側電極34のこれらの側面における被覆性を高めることができる。なお、上記の構成において、n側電極34は、半導体発光機能層20p型GaN層23を、その右端部Tからp側電極33の右側の先端部近くまでの範囲にかけて覆っていた。しかしながら、左右方向長手方向の発光の均一性が得られる限りにおいて、これを覆う範囲は、特にその左側においては適宜設定することができる。一般的に、最も発光強度が高くなるのは、透明電極31の右端部一方の端部側における透明電極31の一端周辺である。この場合、少なくとも、透明電極31の右端部を含む領域におけるp型GaN層23の上部が、絶縁層32を介してn側電極34によって覆われていればよい。第2の実施の形態図3は、第2の実施の形態となる発光素子110の上面図a、及びそのG-G方向の断面図bである。また、図4a~cは、それぞれ図3aにおけるH-H方向、I-I方向、J-J方向の断面図である。これを構成するSi基板11、半導体発光機能層20等については第1の実施の形態と同様であるため、説明を省略する以降の実施の形態においても同様である。また、図3aにおいて半導体発光機能層20の右端部はTで示された位置となる点についても同様である。なお、図1におけるB-B方向、C-C方向、D-D方向、F-F方向の断面に対応する箇所の構造については、第1の実施の形態と同様である。この発光素子110においては、n側電極34は、半導体発光機能層20の右端部Tよりも左側には形成されていない。すなわち、半導体発光機能層20が発する光は、n側電極34によっては遮られない。その代わりに、この発光素子110においては、p側電極33の右端部が大きく広がり、半導体発光機能層20の右端部Tを越えて、半導体発光機能層20の右側端部付近及びその図3aにおける上側、下側、右側の側面を覆っている。これにより、第1の実施の形態と同様に、発光強度の高い領域からの発光がp側電極33によって遮られ、長手方向にわたって均一な発光を得ることができる。また、高い放熱効果を得ることができることも同様である。p側電極33がp型GaN層23半導体発光機能層20を覆うべき範囲についても、第1の実施の形態と同様である。第3の実施の形態図5は、第3の実施の形態となる発光素子210の上面図a、及びそのK-K方向の断面図bである。また、図6a、bは、それぞれ図5aにおけるL-L方向、M-M方向の断面図である。また、図1におけるB-B方向、C-C方向、D-D方向の断面に対応する箇所の構造については、第1の実施の形態と同様である。この発光素子210においては、特に右側の領域における半導体発光機能層20等の構造が、前記の実施の形態と大きく異なる。まず、前記の実施の形態においてはn型GaN層21上のMQW層22、p型GaN層23が右側端部付近においては一様に除去されていたのに対し、この発光素子210においては、n型GaN層露出領域212のみにおいて局所的にこれらを除去する。すなわち、半導体発光機能層20中におけるこの領域において、n型GaN層21がその底部に露出した開口部を形成する。その後、この開口部に含まれるn側コンタクト領域213における絶縁層32に対して開口を形成し、その上にn側電極34を形成することにより、この底部においてn側電極34とn型GaN層21が接続される。このn側電極34の平面形状は第1の実施の形態と同様であり、n型GaN露出領域212の左側までも覆う形態とされる。p側電極33の構造、形態は第1の実施の形態と同様である。この構造においても、最も発光強度が高くなる、透明電極31の右端部とp型GaN層23が主面側から除去された箇所との間が、n側電極34によって覆われる。このため、第1の実施の形態と同様に、長手方向にわたって均一な発光を得ることができる。また、この構造の場合には、n型GaN層露出領域212以外の広い領域にわたってp型GaN層21、透明電極31等も残されており、n側コンタクト領域213の周囲におけるn側電極34の表面積も大きくなるために、特に放熱効果を高めることができる。第4の実施の形態図7は、第4の実施の形態となる発光素子310の上面図a、及びそのN-N方向の断面図bである。また、図8は、図7aにおけるO-O方向の断面図である。また、図1におけるB-B方向、C-C方向、D-D方向、E-E方向、F-F方向の断面に対応する箇所の構造については、第1の実施の形態と同様である。この発光素子310においては、第1の実施の形態の発光素子10と比べて、n側電極34がより左側に延伸した形状とされ、p側電極33の右端部を取り囲んだ形状とされる。すなわち、n側電極34は、p側電極33と接触しない状態で、p側電極33の一部が右側一方の端部側に向かって延伸した部分の先端部よりも左側他方の端部の側に向かって延伸した形状とされている。この構造においては、第1~第3の実施の形態と比べて、n側電極34によて遮光される領域をより左側まで広げることができるため、より均一な発光を得ることが可能である。また、n側電極34の面積が大きくなるため、これによる放熱効果もより高まる。第5の実施の形態図9は、第5の実施の形態となる発光素子410の上面図a、及びそのP-P方向の断面図bである。この発光素子410は、第1~第4の実施の形態に係る発光素子とは異なり、p側電極33からn側電極34に向かう方向が長手方向ではなく、これと垂直な方向が長手方向となっている。p側電極33の形状は、図10におけるp側電極94と同様であり、n側電極34に向かって延伸した形状とはされていない。図9bはこの長手方向における断面図となっており、この構造は図1bと同様である。すなわち、半導体発光機能層20の端部Tよりもp側電極側33にn側電極34が延伸することによって、発光強度の高い箇所が遮光される。このように、p側電極からn側電極に向かう方向が長手方向でない場合であっても、同様の構造を採用することができる。これによって放熱効果が高まることも同様である。なお、上記の第1~第5の実施の形態に係る構造を、適宜組み合わせて用いることができることは明らかである。上記の例以外でも、半導体発光機能層の一方の端部側p側電極が形成された側と反対の側と透明電極端部との間の領域において、n側電極又はp側電極が絶縁層を介して半導体発光機能層の表面を覆う形態であれば、同様の効果を奏することは明らかである。この場合、n側電極又はp側電極がこの領域以外の発光領域を覆う面積を小さくし、この領域以外における発光を阻害しない構成とすることが好ましい。こうしたn側電極又はp側電極の形状は、上記の例の他にも適宜設定が可能である。また、上記の構成においては、Si基板11上に、半導体発光機能層20として、第1の半導体層としてn型GaN層21、発光層としてMQW層22、第2の半導体層としてp型GaN層23が形成された例につき記載した。しかしながら、MQW層22を用いない場合でも、単純なpn接合を用いた発光ダイオードLEDとして動作することは明らかである。あるいは、発光層として上記の構成のMQW層以外の構成のものを用いることもできる。また、GaN以外の材料で半導体発光機能層を構成することもできる。この場合、発光波長に応じて半導体材料を設定することができる。また、上記の例では基板Si基板11側にn型半導体層第1の半導体層を、その上にp型半導体層第2の半導体層を形成したが、上側の半導体層における導電率が低い場合には、これらの導電型が逆であっても同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、第1の半導体層と第2の半導体層の導電型が逆であり、これらの半導体層に接続される2つの電極が半導体発光機能層の一方の主面側において形成された構成であれば、上記の構成は有効である。更に、半導体発光機能層が基板上に形成されていなくとも、上記の効果を奏することは明らかである。また、基板が用いられる場合に、基板と半導体発光機能層との間に、半導体発光機能層の結晶性を高めるための緩衝層を挿入することも可能である。2つの電極を半導体発光機能層の同一主面側に形成する限りにおいて、基板や緩衝層は絶縁性であっても導電性であってもよい。また、エピタキシャル成長において、基板上にまず初めに導電性の高いn型層が形成され、その上に導電性の低いp型層、透明電極が形成される構造において、特に上記の構成が有効であることは明らかである。こうした構成は、特に上記のようなGaNを初めとする窒化物半導体において特に顕著となるため、上記の構成はこの材料を用いた発光素子において特に有効である。また、上記の例では、半導体発光機能層等の端部をテーパー形状とし、これを絶縁層を介してn側電極やp側電極で覆う形態とした。しかしながら、端面からの光の漏れを無視できる場合においては、こうした構成は不要である。すなわち、n側電極やp側電極がこれらの端面を覆う必要はない。この場合には、端部をテーパー形状とすることも不要である。この場合、電極によって半導体発光機能層が覆われる部分以外での絶縁層は必ずしも必要ではない。