"基板の上に多層耐エッチング性スタックを形成する方法であって、a互いから間隔を置いた複数のレジストフィーチャを有するパターン形成されたレジスト層を形成するステップと、biパターン形成されたレジスト層を有する基板をプロセスゾーンの中に設置し、iiBDEASおよび酸素含有ガスを含むプロセスガスをプロセスゾーンの中に導入することにより、パターン形成されたレジスト層のレジストフィーチャの上に二酸化ケイ素層を堆積するステップとを含む、方法。レジストフィーチャが、上面、側壁、およびそれらの間に間隔を置く間隙を含み、前記bが、前記レジストフィーチャの上面および側壁を覆う二酸化ケイ素層を堆積するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記bが、二酸化ケイ素層の側壁の厚さTsの、二酸化ケイ素層の上部の厚さTtに対する比率が、約0.95:1から約1:1であるように、レジストフィーチャの上面および側壁を覆う二酸化ケイ素層を堆積するステップを含む、請求項2に記載の方法。前記bが、基板を70°C未満の温度に維持するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記酸素含有ガスがオゾンを含む、請求項1に記載の方法。ガスがプロセスゾーンの直上の混合ゾーンの中で混合するように、別個のガスコンジットを通るBDEASおよび酸素含有ガスを導入するステップを含む、請求項1に記載の方法。混合ゾーンを少なくとも90°Cの温度に維持するステップを含む、請求項6に記載の方法。電子回路の製造において用いられる中間的な製品であって、a基板と、b上面および側壁を有する間隔を置いた複数のレジストフィーチャ、ならびにレジストフィーチャの間に間隔を置く間隙を有する、基板の上のパターン形成されたレジスト層と、cレジストフィーチャの上面および側壁を偏差が5未満の厚さで覆う、パターン形成されたレジスト層のレジストフィーチャに等角の二酸化ケイ素層とを含む、製品。前記二酸化ケイ素層が、BDEAS由来の二酸化ケイ素層である、請求項8に記載の製品。基板の上に二酸化ケイ素層を堆積するための基板処理装置であって、a基板を受け取るための基板支持体を含むプロセスチャンバと、bオゾンを発生することが可能なオゾン発生装置と、cBDEASの蒸気を発生するためのBDEAS気化器と、d混合されたBDEASおよびオゾンをプロセスゾーンの中に放出する前にプロセスゾーンの直上の混合ゾーンの中でBDEASおよびオゾンが混合するように、BDEASの蒸気を受け取るための第1のガスコンジット、およびオゾンを受け取るための第2のガスコンジットを有するガスマニホールドを含むプロセスガス分配器とを含む、装置。混合ゾーンを少なくとも90°Cの温度に加熱するためのヒータを含む、請求項10に記載の装置。aシリコンプレートの中に、側壁、および底部の壁を含む複数の貫通孔をエッチングするステップと、bi複数の貫通孔を有するシリコンプレートをプロセスゾーンの中に提供し、iiBDEASおよび酸素含有ガスを含むプロセスガスをプロセスゾーンの中に導入して、貫通孔の側壁および底部の壁の上に二酸化ケイ素層を堆積することにより、貫通孔の側壁および底部の壁の上に二酸化ケイ素層を堆積するステップとを含む、スルーシリコンビアの製造方法。前記aが、少なくとも約10:1のアスペクト比を有する貫通孔をエッチングするステップを含む、請求項12に記載の方法。前記酸素含有ガスがオゾンを含む、請求項12に記載の方法。前記基板を200°C未満の温度に維持するステップを含む、請求項12に記載の方法。基板の上に現行のプロセスにより堆積された二酸化ケイ素層は、種々の用途を有する。基板は、例えば、iシリコンウエハ、ゲルマニウムウエハもしくはシリコンゲルマニウムウエハ等の半導体ウエハ、iiガリウムヒ素等の化合物半導体ウエハ、またはiiiホウリンケイ酸塩ガラス、リンケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、ポリマー、および他の材料を包含しうる、ガラスまたはポリマーパネル等の誘電体パネル、であってもよい。基板12は、図1Aにおいて示されるように、1つまたは複数の層15も包含することができ、金属含有の、誘電性の、または半導性の材料から作製され得る。層15は、基板12の中に、または基板12の表面上に位置付けられた、集積回路、ディスプレイ部品、光電池部品、トランジスタ、および同様のもの等の、単一の連続的な層、セグメント化された層、または種々の能動または受動フィーチャを表すことができる。基板12の上に多層耐エッチング性スタック10を製造するために有用なプロセスの代表的な実施形態を、図1Aから1Eにおいて例示する。レジスト層14は、図1Aにおいて示されるように、基板12の上に形成される。一般に、レジスト層14は、すでに基板12の上にある層15の上に堆積される。しかし、レジスト層14は、基板12の上に直接的に形成されてもよい。レジスト層14はパターン形成されて、レジストフィーチャ26の間にある層15の露出した部分を通ってエッチングすることにより基板12の上の下層15にパターンを転写するための、耐エッチング性フィーチャとしての役目をするレジストフィーチャ26を有する、パターン形成されたレジスト層24を形成する。ある変形において、レジスト層14は、フォトンまたは光に感受性がある材料に限定されず、感光性、電子感受性、X線感受性、および他の照射18に感受性がある材料であることができる、照射に感受性がある材料であるフォトレジスト層16である。ある変形において、フォトレジスト層16は、光に感受性があるポジフォトレジストまたはネガフォトレジストである。ポジレジストは、光に曝露された部分のフォトレジストがフォトレジストの現像液に可溶となり、曝露されない部分がフォトレジストの現像液に不溶のままであるものである。ネガレジストは、光に曝露された部分のフォトレジストがフォトレジストの現像液に不溶となり、曝露されない部分がフォトレジストの現像液により溶解されるものである。フォトレジスト層16は、ポリメチルメタクリレートPMMA,ポリメチルグルタルイミドPMGI、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ジアゾナフトキノンDNQおよびノボラック樹脂フェノールホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ系ネガフォトレジストであるSU-8等のフォトレジスト材料であることができる。レジスト層14は、HoechstAZ4620、HoechstAZ4562、Shipley1400-17、Shipley1400-27、Shipley1400-37およびShipleyMicropositDeveloperから入手可能である。ある変形において、フォトレジスト層16は、約20から約500nm、例えば、約50から約200nm、あるいは約120から150nmの厚さに形成される。レジスト層14は、ディップコーティングまたはスピンコーティングにより、液体として塗布され得る。スピンコーティングプロセスにおいて、液体のレジストは、基板12の表面上に分取される一方で、基板12は、乾燥するまで急速に回転される。スピンコーティングプロセスは、しばしば、約20から約30秒間、約3000から約7000rpmの回転速度で実行される。レジストのコーティングには、スピンコーティングされたレジスト層を加熱して、スピンオンされたレジストから溶媒を蒸発する、基板12へのレジストの接着を改善する、あるいはレジスト層14をアニールしてスピンコーティング中に導入される剪断応力を低減する軟化焼成プロセスが続く。軟化焼成は、熱対流、赤外線またはホットプレートのオーブン等のオーブンの中で行われ得る。軟化焼成のための一般的な温度範囲は、約80から約100°Cである。別の例として、照射に感受性がある、ポリマー膜等の乾燥した膜が塗布されることもある。乾燥した膜は、膜の性質に応じて焼成または硬化される必要があってもよく、またはなくてもよい。その後に、例えばフォトレジスト層16を含むレジスト層14は、例えば図1Bにおいて示されるように、マスク20を通って照射源19により提供されるパターンの照射18に曝露される。マスク20は、照射18をマスクの一部を通って選択的に透過させて、交差する線または弧の照射パターンを形成させるパターンに対応する、孔22図示するまたは透明な部分図示しないを有するプレート21であることができる。マスク20は、従来の方法により製造される。ある変形において、フォトレジスト層16は、ジアゾナフトキノン等の感光性の材料である。照射源19により、水銀ランプ等の、300nm未満、例えば、約248nmの波長を有する紫外光が提供される。ジアゾナフトキノンDNQを含むフォトレジスト層16は、約300nmから約450nmの波長を有する光を強く吸収する。別の変形において、フォトレジスト層16は、ジアゾナフトキノンDNQおよびノボラック樹脂フェノールホルムアルデヒド樹脂の混合物をベースとしたポジフォトレジストである。このフォトレジスト層のために適切な照射源19は水銀灯であり、水銀灯からI線、G線およびH線を含む光を提供するように設定される。なお別の変形において、フォトレジスト層16は、0.1マイクロメートルから2ミリメートルの範囲の厚さにわたって回転されまたは広げられ、標準的なコンタクトのリソグラフィで処理されることがある粘性のポリマーであるSU-8を含む。好都合にも、このフォトレジスト層16は、20以上である高いフィーチャの高さの幅に対する比率であるアスペクト比を有するレジストフィーチャ26をパターン形成するために用いられ得る。この変形において、照射源19により、193nmの波長を有する紫外光が提供される。もっと別の変形において、フォトレジスト層16は、電子に感受性がある材料を含み、照射源19は、電子ビーム源である。電子ビームリソグラフィは、通常、とりわけ電子ビーム曝露のためのフォトレジスト材料に依存する。従来の電子ビームリソグラフィの技術および材料が用いられ得る。図1Cにおいて示されるように、レジスト層14は照射18に曝されて、レジスト層14の中にパターンを作り出した後に、曝露されたレジスト層14は現像されて、互いから間隔をおいた複数のレジストフィーチャ26を有するパターン形成されたレジスト層24を形成する。現像のステップにおいて、照射に曝露されたフォトレジスト層16は、曝露された部分と曝露されていない部分とを入れ込む現像液で処理されて、パターン形成されたレジスト層24を形成する。現像液は、曝露されたレジスト層14の中で化学反応を開始し、レジストがポジレジストであるかネガレジストであるかに応じて、フォトレジスト層16の曝露されていない部分または曝露された部分が現像液の中に溶解する。適切な現像液には、炭酸ナトリウムまたは炭酸カリウム等の塩基の希釈溶液が包含される。例えば、現像液は、炭酸ナトリウム一水和物Na2CO3.H2Oもしくは炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウム、またはそれらの混合物の1溶液であることができる。自動化されペーハー制御されたフィードアンドブリード式の現像も、10.5に設定されたペーハーの水準で用いられ得る。レジスト層14は、選択された現像液の中において浸漬または噴霧することにより現像されることもある。現像後に、レジストフィーチャ26をもつ基板12は、濯ぎおよび乾燥されて、現像液が基板12から除去された後に現像が継続しないことを確実にする。次のステップにおいて、図1Dおよび1Eにおいて示されるように、二酸化ケイ素層28は、パターン形成されたレジスト層24のレジストフィーチャ26の上に堆積されて、多層耐エッチング性スタック10を形成する。多層スタック10は、上面30および側壁32を有し、レジストフィーチャ26の間に間隔を置く間隙34も有するレジストフィーチャ26を含む。二酸化ケイ素層28は、二酸化ケイ素層の側壁の厚さTsの、二酸化ケイ素層の上部の厚さTtに対する比率が約0.95:1から約1:1、あるいは1:1であり、Ttの、二酸化ケイ素層の底部の厚さTbに対する比率が、約0.95:1から約1:1、あるいは1:1でもあるように、レジストフィーチャ26の上面30および側壁32、ならびにレジストフィーチャ26の間に間隔を置く間隙34を覆う連続的な層を形成する。約5未満のTtおよびTsの間の厚さの違い、ならびに1未満のTtおよびTbの間の違いは、優れた予想外の結果であった。等角の二酸化ケイ素層28により、300mmのシリコンウエハを含む基板全体において、5未満、あるいは3未満の偏差の厚さを有する層でレジストフィーチャ26が連続的に覆われた。等角の二酸化ケイ素層28により、下にあるレジストフィーチャ26の形状および寸法が保護される。これにより、パターン形成されたレジスト層24が、基板12の上のパターン形成されたレジスト層24の下方の層15を通ってエッチングするための次のプロセス中に、限界寸法等のより正確な寸法を維持することを可能になる。層15は、誘電性の、金属含有の、または半導性の材料の層、あるいはディスプレイまたはウエハの一部であることができる。等角の二酸化ケイ素層28により、特に、レジスト層14がポリマー材料を含むときに、次の堆積またはエッチングのプロセスにおけるバーンオフまたは酸化から、下にあるレジスト層14が保護される。別の代表的な実施形態において、図2Aから2Gにおいて示されるように、二酸化ケイ素層28は、シリコンプレート25を含む基板12の中におけるスルーシリコンビアTSVの製造において用いられる。ある一般に用いられる製造方法において、例えば、図2Aにおいて示されるように、シリコンプレート25はキャリア27の上に搭載される。シリコンプレート25は、シリコンの層等の様々な形態、例えば、キャリア27の上に堆積された単結晶シリコン、多結晶シリコンの層を含む薄いシリコンウエハ、または結晶性もしくはアモルファスのシリコンの他の形態を有することができる。スルーシリコンビアTSV45を製造するステップ中に、シリコンプレート25は、例えば、ガラス、ポリマー、セラミック、またはシリコンウエハまたは他の材料から作製されるもの等の半導体プレートであることができるキャリア27により支持される。ある実施形態において、キャリア27は、約400から約800ミクロン例えば、約700ミクロンの厚さを有するシリコンウエハであり、シリコンプレート25は、約50から約500ミクロン例えば、約100ミクロンの厚さを有するより薄いシリコンウエハである。接着層29により、シリコンプレート25はキャリア27に接合される。適切な接着層29には、例えば、熱可塑性接着剤、例えば、UV硬化性または熱硬化性の熱可塑性樹脂が包含される。適切な熱可塑性樹脂には、ミネソタ州の3MCorp.により製造されたBREWER商標等の炭化水素ポリマーが含まれる。特定の熱可塑性樹脂は、約350°C未満、例えば、250°Cあるいは200°C等の温度で流動し硬化する。TSV45を製造するために、シリコンプレート25がガラスのキャリア27に接合された後に、複数の貫通孔31がシリコンプレート25を通ってエッチングされる。図2Aにおいて示されるように、エッチングプロセスの前に、従来のレジストおよびリソグラフィのプロセスが用いられて、複数のレジストフィーチャ35をシリコンプレート25の上に形成する。エッチングプロセスにおいて、図2Bにおいて示されるように、上にあるパターンのレジストフィーチャ35を有するシリコンプレート25を含む基板12は、プロセスゾーン42aの中に設置され、シリコンのエッチングガス36に曝露されて、レジストフィーチャ35の間に間隔をおいてある、シリコンプレート25の露出したシリコンの表面38をエッチングする。ある実施形態において、エッチング剤ガスは、テトラフルオロメタンCF4およびヘキサフルオロプロピレンC3F6を含む。シリコンのエッチングプラズマは、約100ワットから約10,000ワットの電力の水準で、プロセスゾーン42aの周りのプロセス電極に13.6MHzの周波数の電流を印加することにより持続されて、基板12をエッチングする。図2Bにおいて示されるように、エッチングプラズマにより、シリコン露出部38がエッチングされて、シリコン露出部38において複数の貫通孔31が形成される。概して、貫通孔31は、実質的に垂直であり、シリコンプレート25の大部分、あるいはシリコンプレート25の全部を通って延在する。ある実施形態において、貫通孔31がエッチングされて、少なくとも約10:1、あるいは約10:1から約15:1のアスペクト比フィーチャの幅により割った高さの比率をもつ孔を形成する。この実施形態において、貫通孔31は、約4ミクロンから約50ミクロンの直径を有していた。エッチングプロセスの後に、従来のレジストのアッシングおよびストリッピングのプロセスを用いて、例えば、残余のレジストをアッシングするための酸素含有プラズマを用い、基板12の上に残った残余のレジスト材料を除去する。その後に、図2Cにおいて示されるように、二酸化ケイ素層28が貫通孔31の中に堆積されて、貫通孔31の側壁39および底部の壁41、ならびにシリコンプレート25の表面38を覆う。堆積プロセス中に、チャンバ40は、約5から約200Torr、あるいは約10から100Torrの圧力に維持される。約100から約5000mgm、あるいは約300から約3000mgmの流量のBDEASと、約200から約20,000sccm、あるいは約2000から約12,000sccmの流量の酸素ガスとを含む堆積ガスが、チャンバ40の中に導入される。酸素含有ガスは、例えば、O2もしくはO3オゾンであることができる、またはO2を提供してO3オゾンを形成することができる。温度は、堆積中において、180°C以下に維持され得る。好都合にも、この堆積プロセスにおいて用いられる低いプロセス温度により、キャリア27をシリコンプレート25に接合するために用いられる接着剤のリフロー温度未満である200°C未満の温度で、貫通孔31の中に等角の二酸化ケイ素層28が堆積され得る。さらに、本プロセスにより、従来のプロセスを用いて低温で行うことが困難である等角の二酸化ケイ素層28の堆積が可能になる。二酸化ケイ素層28は、貫通孔31の側壁39を電気的に絶縁するための役目をする。二酸化ケイ素層28の堆積の後に、基板12に、反応性イオンエッチングRIEプロセスを受けさせて、貫通孔31の底部の壁41の上に形成された二酸化ケイ素層28をエッチングして取り去る。このプロセスにおいて、図2Dにおいて示されるように、基板12は、プロセスチャンバ40bの中に設置され、フッ素含有ガス等の酸化物エッチング剤ガス37のプラズマを用いる従来の酸化物エッチングプロセスが、チャンバ40bのプロセスゾーン42bの中に導入されて、貫通孔31の底部の壁41の上の二酸化ケイ素層28をエッチングして取り去る。その後に、金属堆積プロセスを用いて、貫通孔31の中に金属含有材料47を堆積する。ある実施形態において、図2Eにおいて示されるように、従来の電気化学的プロセスを用いて、貫通孔31の中に金属を電気メッキする。このプロセスにおいて、基板12は、適切な金属含有イオンを含有する電気メッキ浴の中に浸漬される。基板12は、例えば、カソードとして荷電され、アノード図示しない等の別の電極が、電気メッキ浴の中に設置される。生成する電流により、貫通孔31の中に金属イオンが堆積されて、金属含有材料47が構築される。電気メッキプロセスの前に、金属含有材料47の金属原子と同じ金属原子を含有するシード層を、貫通孔31の表面上に物理的気相堆積により堆積することができる。加えて、チタンまたはタンタルの層等のバリア層を堆積して、金属イオンの拡散を防止することもできる。電気メッキプロセスの代わりに、物理的気相堆積等の従来の金属堆積プロセスを用いて、貫通孔31の中に金属含有材料47と堆積することもできる。適切な金属含有材料47には、アルミニウム、銅、金、チタン、タングステン、ならびにそれらの合金および化合物が包含される。金属含有材料47の堆積の後に、図2Fに示されるように、基板12を裏返し、従来の化学機械研磨法を用いて、シリコンプレート25の表面38の上に堆積された過剰な金属含有材料47を磨き取る。化学機械研磨のステップは、全部の金属含有材料47が磨き去られるまで実行される。研磨プロセスを用いて、シリコンプレート25の表面38においてなお残った残余の二酸化ケイ素層28をすべて除去することもできる。結果として、金属含有材料47の上部の部分がこのとき露出されて、接点としての役目をする。二酸化ケイ素層28は、多層スタック10の一部として堆積され、または側壁39の上に堆積され、TSV45は熱CVDプロセスを用いる。熱CVDにより二酸化ケイ素層28を堆積するために用いられ得る基板処理チャンバ40の実施形態は、図3Aにおいて例示される。チャンバ40は、代表的なチャンバとして提供されるが、当業者に明らかな他のチャンバも用いられ得る。したがって、本発明の範囲は、本明細書において説明される代表的なチャンバに限定されるべきではない。堆積法において、BDEASビスジエチルアミノシランであり、式SiH2NC2H52を有することができるを含むプロセスガスが、二酸化ケイ素層28のためのシリコン源として好都合に用いられる。理論的なシミュレーションおよび実験を用いて、酸素含有ガスと組み合わせた前駆体ガスとしてBDEASを選択した。この前駆体の独特の態様は、パターン形成されたレジスト層24のレジストフィーチャ26、もしくは接着剤層29、または基板12の上の他の室温の材料を損傷する、過剰な量の反応性のラジカルまたはイオンを発生することなく、二酸化ケイ素層28の堆積を可能にすることである。理論的なシミュレーションモデルにより、BDEAS前駆体は、堆積プロセス中に直接または遠隔のプラズマの形成を必要とすることなく、比較的低い温度で、控えめな生成熱とともに、O-ラジカルまたはO3ラジカルのいずれかにより酸化され得ることが予測される。反応障壁の計算による、BDEASの可能な酸化反応の経路は、以下の通りである。このプロセスにおいて、パターン形成されたレジスト層24、またはTSV45のための貫通孔31をもつ基板12は、処理チャンバ40のプロセスゾーン42の中に設置される。BDEASおよび酸素含有ガスを含むプロセスガスがプロセスゾーン42の中に提供されて、基板12の上に二酸化ケイ素を堆積する。液体のBDEASは、いろいろな方法により処理チャンバ40に提供され得る。ある方法において、BDEASの液体気化器210および噴射バルブ211を含むガス供給システム200を用いて、プロセスチャンバ40に、ガスライン288を通り、キャリアガスにより、液体の形態で輸送されるBDEASを提供する。液体気化器210は、液体流量計223を経て液体BDEAS源225に結合された噴射バルブ211を含む。液体BDEAS源225は、液体BDEASを噴射バルブ211に押し出し、供給するために用いられる、ヘリウム源等のそれぞれの加圧ガス源229に結合される。別個のキャリアガス源233により、噴射バルブ211にキャリアガスが供給され、質量流量コントローラ239についての制御を可能にし、詰まり検出の目的のために質量流量コントローラ239の温度を監視することを可能にするシステムコントローラに、同様に接続され制御される質量流量コントローラ239によりキャリアガスの流量が制御されている。稼働中において、ヘリウム等の不活性キャリアガスは、キャリアガス源233から流動して、気化器210の中において提供される処理液体を気化する。気化器210の内外への流動は、ガス供給ライン288の上に、気化器210の上流および下流の両方に位置するバルブ289、290により制御される。とりわけ、上流の閉止バルブ289により、気化器210へのガスライン288を通るキャリアガスの流動が制御される。最終バルブ290は、気化器210から下流に、供給ライン288の出口の前に位置し、気化器210からプロセスチャンバ40のガス分配器72へのキャリアガス/気化された液体の混合物の流動を管理するために用いられ得る。ガス源233からのキャリアガスの流量は、質量流量コントローラ239を用いて所望の流量に設定される。図3A~3Bを参照して説明されるように、気化されたBDEASおよびヘリウムの混合物を、噴射バルブ211の出口217から、最終バルブ290および分流バルブ291を通り、プロセスチャンバ40に流す気化器210の中において、処理液体は気化される。気化器210は、BDEAS液体等の処理液体を投入するための処理液体入口213と、不活性キャリアガスを投入するためのキャリアガス入口215と、気化された処理液体/キャリアガスの混合物を出すための出口217を有する従来の噴射バルブ211とを含む。それぞれの噴射バルブ211の内部において、処理液体入口213は、処理液体入口213、キャリアガス入口215および出口217が交わる中心領域221につながるオリフィス219に終端がくる。噴射バルブ211は、従来、当技術分野において公知であるように、オリフィス219および中心領域221の相対的な大きさ、ならびに処理液体およびキャリアガスの流動の、圧力、流量および相対的な方向により、中心領域221の区域内部における圧力低下が引き起こされるように構成される。この圧力低下により、処理液体入口213に供給される処理液体は、処理液体が処理液体入口213から、オリフィス219を通り、中心領域221に通過するときに気化する。処理液体入口213は、噴射バルブ211に進む処理液体の流量を制御する液体流量計LFM223に結合される。液体流量計223も、ライン227を経て、加圧ヘリウムの缶等の加圧ガス源229に同様に結合される、気化器210の内部の液体BDEAS源225に結合される。稼働中において、加圧ヘリウムの流動により、処理液体は、処理液体BDEAS源225から、ライン227を通り、液体流量計223に追いやられる。液体流量計223は、処理液体が液体流量計223から、処理液体入口213およびオリフィス219を通り、噴射バルブ211の中心領域221に進むときに、処理液体の流量を制御する。ヘリウム等の、キャリアガス源233からの加圧キャリアガスは、キャリアガス入口215を通り、中心領域221の中に流動する。処理液体は、処理液体が中心領域221に入ったときに、処理液体がオリフィス219から中心領域221に進むときに受ける圧力減少に起因して、気化しキャリアガスと混合する。結合して気化された処理液体/キャリアガスは、噴射バルブ211から、出口217を経て、プロセスチャンバ40に流動する。別の方法において、図3Cにおいて示されるように、BDEASは、液体BDEASを含むバブラー336を通るキャリアガスをバブリングし、キャリアガスによりプロセスチャンバ40に輸送されるBDEAS蒸気とともにキャリアガスを流動することにより提供される。キャリアガスは、バブラー336を通ってバブリングされて、プロセスチャンバ40のガス分配器72に、気化されたBDEASの形態の液体を輸送する。バブラー336は、液体BDEASを保持することが可能である容器337と、キャリアガス源339からの加圧ガスとして提供されるキャリアガス源339のための入口管345と、輸送されたBDEASとともにキャリアガスを放出するための出口管346とを含む。適切なキャリアガス源339には、圧縮されたヘリウムまたはヘリウムおよびアルゴン等の他のガスの混合物の缶が含まれる。バブラー336を通ってバブリングされたときに、キャリアガスにより、気化されたBDEAS、あるいは液体前駆体の一部が、チャンバ40に輸送される。BDEASのために適切な質量流量は、約200から約2000mg/min、あるいは約500から約1000mg/minである。適切なキャリアガスには、不活性ガス、またはBDEASと非反応性であるガスが包含される。ある変形において、図3Aにおいて示されるように、キャリアガスにより、液体前駆体が加熱および気化されるプロセスゾーン42の上方の混合ゾーン43に液体前駆体が輸送される。そのような流量のBDEASを発生するために、キャリアガスは、約100から約5000mgm、あるいは約500から約3000sccmの流量で、バブラー336を通ってバブリングされる。いろいろな種類の酸素含有ガスが、堆積プロセスにおいて用いられ得る。例えば、酸素含有ガスには、オゾン、酸素、またはそれらの混合物が包含され得る。酸素含有ガスのために適切な流量は、約200から約20,000sccm、あるいは約2000から約10,000sccmである。ある変形において、酸素含有ガスはオゾンを含む。好都合にも、オゾンガスは、O-2等の酸素ラジカルを発生せず、結果的に、フォトレジスト層16等のレジスト層14の酸化および腐食に寄与しない。オゾンにより、酸素のガスまたはプラズマから発生されるラジカルより、フォトレジスト層16との反応性が実質的に低いO-3ラジカルが発生される。オゾンは、酸素等の酸素含有ガスを、オゾン発生装置を通って通過させることにより発生され得る。適切なオゾン発生装置には、マサチューセッツ州、アンドーバー、MKS,MKSInstrumentsから入手可能であるMKS8403等のオゾン発生器が含まれる。オゾンが用いられるときに、オゾンについての体積流量は、オゾンを作製するために用いられる酸素含有ガスの体積流量と同じであり、約200から約20,000sccmである。ある変形において、BDEASの、オゾン等の酸素含有ガスに対する適切な比率は、約0.005:1から約50:1、あるいは約0.05:1から約15:1である。この比率により、SiO2、またはSixOy等の他の化学量論比の中であることができる、堆積された二酸化ケイ素層28の化学量論が制御される。比率により、二酸化ケイ素層28の中に共堆積される炭素の量も制御される。混合ゾーン43を含むガス分配器72は、BDEASおよび酸素含有ガスを混合するために用いられ得る。この変形において、BDEASおよび酸素含有ガスは、別個の流動の経路を通って導入されるので、ガスは、プロセスゾーン42の直上の混合ゾーン43の中において混合する。混合ゾーン43により、プロセスソーン42の中へのこれらのガスの導入前における、これらのガスの望ましくない反応が防止される。混合ゾーン43は、混合ゾーン43の温度を制御することにより、所定の温度でのプロセスガスの混合も可能にする。ある変形において、混合ゾーン43は、少なくとも約90°C、あるいは少なくとも約120°Cの温度に維持される。この温度は、抵抗加熱電気ヒータ、ランプ、または他のヒータ等のヒータを用いて混合ゾーンを積極的に加熱することにより達成される。堆積プロセス中に、基板12は、BDEASおよび酸素含有ガスの間の反応を促進するために、比較的低い温度に維持されて、基板12の上に二酸化ケイ素層28を堆積することができる。ある変形において、基板12は、特に、レジスト層14がポリマー性フォトレジスト層であるときに、基板12の上のレジスト層14を損傷しないために十分低い温度に維持される。十分低い温度は、70°C未満、あるいは50°C未満である。しかし、レジスト層14が熱に感受性がある場合には、BDEASの堆積プロセスは、なお低い温度例えば室温でさえ行われ得る。好都合にも、熱または温度に支援された反応により、フォトレジスト層16にあり得る損傷を回避するためにいかなるプラズマも使用することなく、気相反応が促進される。プロセスゾーン42の中のガス圧力は、約1から約60Torr、あるいは約2から約10Torr、あるいは約4Torrに維持される。ガス圧力は、スロットルバルブ、ならびに粗引きポンプおよびターボ分子ポンプ等の排気ポンプを含むガス排気部90により制御され得る。ここで図3Aを参照すると、概して、チャンバ40は、シリコンウエハ等の基板12を処理するために適切な化学気相堆積チャンバであり、適切なチャンバは、カリフォルニア州、サンタクララ、AppliedMaterialsのProducer登録商標SE型チャンバである。チャンバ40は、天井52、側壁54および底部の壁56を包含し、プロセスゾーン42を囲む、囲み壁48を含む。チャンバ40は、プロセスゾーン42の周りに囲み壁48の少なくとも一部に沿ったライナ図示しないも含むことができる。300mmのシリコンウエハを処理するために、チャンバは、一般に約20,000から約30,000cm3、より一般には約24,000cm3の体積を有する。プロセスのサイクル中に、基板支持体59が低くされ、基板12が、入口ポート62を通って通過され、ロボットアーム等の基板輸送具64により支持体58の上に設置される。基板支持体58は、ローディングおよびアンローディングのためのより低い位置と、基板12の処理のための調整可能なより高い位置との間を移動することができる。基板支持体58は、密封された電極44aを包含して、チャンバ40の中に導入されるプロセスガスからプラズマを発生することができる。基板支持体58は、冷却または加熱されて、流体循環熱交換器、ヒータ、加熱ランプ、チラーであることができる熱交換器68により所望の温度を維持することもできる、または基板温度はプラズマ自体により維持され得る。例えば、熱交換器68は、基板支持体の上の基板12を200°C未満の温度に維持するように適合され得る。基板12は、ガス分配器72の面板74の近くに基板を上げることにより加熱されてもよい。基板支持体58は、一般に、基板12を受け取るための受け取り面を有し、チャンバ環境から電極44aを保護する、セラミックおよび/または金属の構造を含む。使用中において、高周波RF電圧が電極44aに印加され、直流DC電圧が熱交換器68に印加される。基板支持体58の中の電極44aは、基板12を支持体58に静電気的に留めるためにも用いられ得る。基板支持体58は、支持体58の上の基板12の周縁を少なくとも部分的に囲う1つまたは複数の環図示しないも含むことができる。基板12を基板支持体58の上にローディングした後に、支持体58は、ガス分配器72の面板74により近い処理位置に上げられて、基板および面板の間に所望の間隔を置く間隙の距離、dsを提供する。間隔を置く距離は、約2mmから約50mmであることができる。ガス分配器72の面板74は、基板12全体に均一にプロセスガスを分散するために、プロセスゾーン42の上方に位置付けられる。ガス分配器72は、第1および第2のプロセスガスの2つの独立した流れを、混合ゾーン43にガス流を導入する前にガス流を混合することなく、別個に供給することができるガスマニホールド73も包含することができる。例えば、第1のガス流は、BDEAS等のシリコン含有前駆体ガスを供給することができ、第2のガス流は、オゾン等の酸素前駆体ガスを供給することができる。これにより、BDEAS等のシリコン含有前駆体ガスは、酸素含有ガスから別個の流動経路を有して、ガスがチャンバ40の混合ゾーン43および/またはプロセスゾーン42に達するまでにガスを前もって混合することを回避することが可能になる。面板74は、プロセスガスが通って通過することを可能にするガス孔76を有する。面板74は、一般に、電圧または電位の印加を可能にすることにより、チャンバ40の中における電極44aとしての役目をするように、金属で作製される。適切な面板74は、陽極処理コーティングをもつアルミニウムから作製され得る。基板処理チャンバ40は、第1および第2のプロセスガスをガス分配器72に供給するための第1および第2のガス供給源80a、bも含み、ガス供給源80a、bは、それぞれ、ガス源82a、bと、1つまたは複数のガスコンジット84a、bと、1つまたは複数のガスバルブ86a、bとを含む。例えば、ある変形において、第1のガス供給源80aは、ガス源82aからガス分配器72の第1の入口78aに第1のプロセスガスを供給するための第1のガスコンジット84aおよび第1のガスバルブ86aを含み、第2のガス供給源80bは、第2のガス源82bからガス分配器72の第2の入口78bに第2のプロセスガスを供給するための第2のガスコンジット84bおよび第2のガスバルブ86bを含む。ある変形において、第1のガス供給源80aは、BDEAS源を含む第1のガス源82aを包含することができ、第2のガス供給源80bは、オゾン源を含む第2のガス源82bを包含することができる。BDEASは、前述のように、液体気化器210またはバブラー336により供給され得る。BDEASがシリコン含有ガスとして用いられるときに、ガス分配器72の面板74は、ガス分配器72の面板74を、前駆体の気相反応を促進するために十分高い温度に加熱するためのヒータ75を包含することもできる。ヒータ75は、抵抗加熱電気ヒータ、ランプ、流体熱交換器、または他のヒータであることができる。適切な温度には、例えば約160°C等の、少なくとも約120°C、あるいは少なくとも約140°Cが含まれる。場合によって、プロセスガスは、電磁エネルギー例えば高周波電圧エネルギーをプロセスガスに結合することによりエネルギーが付与されて、プロセスガスからプラズマを形成することができる。しかし、いくつかの用途において、特に、プロセスガスがBDEASを含むとき、またはレジスト層が酸素含有プラズマイオンにより酸化されることがあるポリマー性レジストであるときには、プロセスガスにエネルギーが付与されないことが好ましい。プロセスガスにエネルギーを付与するために、iガス分配器72、天井52またはチャンバ側壁54であることができる第1の電極44aと、ii支持体58の中の電極44bとの間に電圧が印加される。電極対44a、b全体に印加された電圧は、プロセスゾーン42の中のプロセスガスにエネルギーを容量結合する。一般に、電極44a、bに印加される電圧は、高周波で発振する交流電圧である。概して、高周波は、約3kHzから約300GHzの範囲を対象とする。本出願の目的のために、低い高周波は、約1MHz未満、より好ましくは約100kHzから1MHz例えば、約300kHzの周波数のものである。また、本出願の目的のために、高い高周波は、約3MHzから約60MHz、より好ましくは13.56MHzのものである。選択された高周波電圧は、約10Wから約1000Wの電力水準で、第1の電極44aに印加され、第2の電極44bは一般に接地される。しかし、用いられる特定の高周波の範囲、および印加される電圧の電力水準は、堆積されるべき材料の種類に依存する。チャンバ40は、チャンバ40からの消費されたプロセスガスおよび副生成物を除去し、プロセスゾーン42の中の所定の圧力のプロセスガスを維持するために、ガス排気部90も含む。ある変形において、ガス排気部90は、プロセスゾーン42から消費されたプロセスガスを受け取るポンプ輸送チャネル92、排気口94、スロットルバルブ96、および1つまたは複数の排気ポンプ98を包含して、チャンバ40の中のプロセスガスの圧力を制御する。排気ポンプ98には、1つまたは複数のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、粗引きポンプ、2つ以上の機能を有する組合せ機能のポンプが包含され得る。チャンバ40は、チャンバ40の中にパージガスを供給するために、チャンバ40の底部の壁56を通る入口のポートまたは管図示しないも含むことができる。パージガスは、一般に、入口ポートから、基板支持体58を通り過ぎ、環状のポンプ輸送チャネルに、上に流動する。パージガスは、基板支持体58および他のチャンバ部品の表面を、処理中に望ましくない堆積から保護するために用いられる。パージガスは、望ましい様式でプロセスガスの流動に影響を及ぼすためにも用いられ得る。コントローラ102は、チャンバ40の稼働および稼働パラメータを制御するためにも提供される。コントローラ102は、例えば、プロセッサおよびメモリを含むことができる。プロセッサは、メモリの中に記憶されたコンピュータプログラム等のチャンバ制御ソフトウエアを遂行する。メモリは、ハードディスクドライブ、読取専用メモリ、フラッシュメモリ、または他の種類のメモリであることができる。コントローラ102は、フロッピー登録商標ディスクドライブおよびカードラック等の他の部品も含むことができる。カードラックは、シングルボードコンピュータ、アナログおよびデジタルの入力/出力のボード、インターフェースボード、およびステッパモータコントローラボードを含有することができる。チャンバ制御ソフトウエアには、特定のプロセスの、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、マイクロ波の電力水準、高周波数の電力水準、支持体の位置、および他のパラメータを指示する命令群を包含する。チャンバ40は、基板支持体58の中の第1の電極44a、およびチャンバの中の第2の電極44b等の、様々なチャンバ部品に電力を供給するために、電源104も含む。チャンバ電極44a、bに電力を供給するために、電源104は、選択された高周波および所望の選択可能な電力水準を有する電圧を提供する高周波電圧源を含む。電源104は、単一の高周波電圧源、または高いおよび低い高周波の両方を提供する多数の電圧源を包含することができる。電源104は、RF整合回路を包含することもできる。電源104は、基板支持体58の中において、しばしば静電チャックである、電極に静電荷を提供するための静電荷源をさらに含むことができる。熱交換器68が基板支持体58の内部に用いられるときに、電源104は、適当な制御可能な電圧を熱交換器68に提供するヒータ電源も包含する。DCバイアスが、ガス分配器72または基板支持体58に印加されるべきときに、電源104は、ガス分配器72の面板74の導電性金属の部分の接続されるDCバイアス電圧源も包含する。電源104は、他のチャンバ部品、例えば、チャンバ40のモータおよびロボットのための電力源も包含することができる。基板処理チャンバ40は、チャンバ40の内部で、部品の表面または基板12の表面等の表面の温度を検出するための、熱電対または干渉計等の温度センサ図示しないも含む。温度センサは、例えば、基板支持体58の中の抵抗加熱要素を制御することにより、次いで、処理チャンバ40の温度を制御するために温度データを用いることができる、チャンバコントローラ102に温度センサのデータを伝達することが可能である。以下の例示的な実施例により、本方法に従って堆積された二酸化ケイ素層28の有効性および利点が論証される。二酸化ケイ素層28を、基板12の上に多層耐エッチング性スタック10の一部として、およびシリコンプレート25の中に形成されるTSVフィーチャ45の中の酸化物のライナとしても堆積した。本明細書において説明される構造および方法は、これらの例示的な実施例を参照することで、より良く理解されるであろう。しかし、本明細書において説明されるフィーチャのそれぞれは、単に特定の実施例において説明されなくとも、それ自体で、または任意の組合せで用いられ得ると理解されるべきである。このように、本明細書において提供される例示的な実施例は、本発明の範囲を限定するために用いられるべきではない。多層スタック多層スタックの実施例については、反射防止コーティングの層15を、いくつかの基板12の上に最初に堆積した。これらの実験のいくつかについて、EPIC2135のフォトレジスト等のフォトレジスト層16を約193nmの厚さで含む、上にあるブランケットレジスト層14を、基板12の上の形成した。場合によって、レジストフィーチャ26を、従来のリソグラフィプロセスでレジスト層14から作製した。その後に、特定の実施例において、等角の二酸化ケイ素層28を、BDEASおよびオゾンを含むプロセスガスを用い、以下のプロセス条件、すなわち、キャリアガス流量4000sccmで液体気化器により流量2000mgmで発生したBDEAS、オゾン流量10,000sccm、プロセスガス圧力4Torr、基板温度70°C、および面板温度160°Cで、レジストフィーチャ26の上に堆積した。上述のように堆積された二酸化ケイ素層28のフーリエ変換赤外FTIRスペクトルを、図4に示す。グラフから見られるように、Si-Oのシグナルのピークがかなり明確であり、低い強度のSi-OHのピークとともに検出された。堆積された二酸化ケイ素層28の中のSi-OHの存在を、堆積圧力を低くすることにより低減することができると思われる。さらに、堆積された層の中のSi-OH含有率を低くする、例えば、Si-OHのSi-Oに対する比率を10未満任意のFTIR強度の単位にすると、堆積された二酸化ケイ素層28が、下にあるフォトレジスト層16に、より等角になったことが認められた。より等角の二酸化ケイ素層28は、レジストフィーチャ26の形状に密接に追従し、均一な厚さの二酸化ケイ素でフィーチャの上面30および側壁32を覆った。堆積された二酸化ケイ素層の中におけるより高いSi-OH含有率により、堆積された層がより流動可能になったことによって、層が、上面30、側壁32、および間隔を置く間隙34を均一な様式で覆わなかったが、代わりに、間隔を置く間隙34をより厚い層で充填した一方で、二酸化ケイ素のより薄い膜で上面30および側壁32を覆ったことが意味される。FTIRスペクトルにおいて検出された少量の炭素が、堆積後のプラズマ処理により除去され得ることが、さらに決定された。また、二酸化ケイ素層28の堆積速度は、プロセスガス圧力および面板温度等のプロセスパラメータを変えることにより調整可能であった。70°C未満の基板温度例えば、より低温の熱交換器を用いることによるに基板12を維持することにより、より低い堆積速度を提供することもできる。ブランケットフォトレジスト層16を含むレジスト層14に対するいろいろな酸化の環境の効果を、基板12の上のブランケットフォトレジスト層16をいろいろな酸化の環境に曝露することにより決定した。図5において示されるように、基板12を70°Cの温度に維持し、酸化プロセスにおいてエッチングして取り去られた、基板12の上のブランケットフォトレジスト層16の厚さを測定した。酸化の環境を実際の堆積プロセスと同じプロセス条件の下でシミュレートしたが、BDEASをプロセスゾーン42の中に導入しなかった。第1の実験において、O2またはN2O等の酸素含有ガスを、マイクロ波のエネルギーによる遠隔ゾーンの中の遠隔プラズマ源により活性化またはエネルギーを付与し、次いで、プロセスゾーン42の中に導入して、遠隔でエネルギーが付与された酸素イオンをプロセスゾーン42の中に提供した。第2の実験において、MKS4803等のオゾン発生装置により発生されたオゾンガスを、プロセスゾーン42の中に導入し、プラズマをオゾンガスから形成しなかった。これらの実験を行って、BDEASの存在に起因して二酸化ケイ素を堆積させることなく、フォトレジスト層16に対する酸化の環境の定量的な効果を推定した。遠隔プラズマ源により提供される酸素ラジカルにより、フォトレジスト層16の実質的な量のエッチングが引き起こされることが認められた一方で、オゾンによりフォトレジスト層16がエッチングまたは損傷されることは実質的になかった。この実験により、酸化物層を堆積するための酸化ガスとしてオゾンを用いることが望ましいと確認された。二酸化ケイ素層28を堆積するためにBDEASおよび酸素含有ガスを、低温で、90°C未満の温度でさえ用いる堆積プロセスの利点は、堆積された二酸化ケイ素層28の顕微鏡写真から明らかである。堆積プロセスの前のフォトレジスト層16のレジストフィーチャ26の断面形状の走査電子顕微鏡写真を、図6Aに示す。そのようなフォトレジスト層16の上に堆積されたBDEAS由来の二酸化ケイ素層28を、図6Bに示す。堆積された二酸化ケイ素層28が良好なステップカバレッジを示し、レジストフィーチャ26を腐食、またはそうでなければ損傷することなく、レジストフィーチャ26の上面30および側壁32の輪郭に追従したことが見られる。レジストフィーチャ26を覆った均一な厚さの二酸化ケイ素を示す同じ二酸化ケイ素層28の透過電子顕微鏡写真を、図7に示す。写真により、堆積された二酸化ケイ素層28がフィーチャ26と等角であり、フィーチャ26のフォトレジスト材料を損傷しなかったことも示される。これらの顕微鏡写真から、等角の二酸化ケイ素層28により、レジストフィーチャ26が連続的に覆われて、均一な厚さをもつ層が形成されたことが決定された。例えば、堆積された二酸化ケイ素層28は、十分に等角であり、図6の写真から測定される、図1Eにおいて示されるように層の側壁の厚さTsの、上部の厚さTtに対する比率が、約0.95:1から約1:1の範囲内、あるいは1:1であり、また、Ttの、底部の厚さTbに対する比率が、約0.95:1から約1:1の範囲内、あるいは1:1であった。このデータにより、70°C未満の温度で実行され得る、BDEASを用いた堆積反応が、気相反応、および二酸化ケイ素の堆積を促進することが論証される。プラズマを用いないことにより、フォトレジスト層16への酸化の損傷が、オゾンの形態の酸素イオンの存在下においてでさえ回避された。さらに、BDEAS系プロセスにより、良好なステップカバレッジおよび二酸化ケイ素の等角の層が提供され、堆積速度等のパラメータは、特有の目標を提供するために容易に選択可能であった。このプロセスにより、70°C未満の温度でも酸化物の膜が堆積され、これにより、リソグラフィプロセス等の多くのリソグラフィ関連の用途のためのこのプロセスの使用が、レジストフィーチャおよびエッチングされたフィーチャの限界寸法の収縮を低減し、ダブルパターニングを可能にする。スルーシリコンビア別の実施例において、等角の二酸化ケイ素層を、シリコンプレートの中に形成されているTSVの貫通孔を通る内側に堆積した。BDEASおよびオゾンを含む堆積ガスを、以下のプロセス条件、すなわち、ヘリウムキャリアガス流量4000sccmで液体気化器により流量2000mgmで発生したBDEAS、10,000sccmの流量で提供したオゾン、堆積ガス圧力4Torr、および180°Cに維持した基板を用いた。シリコンウエハを通ってエッチングし、BDEAS系プロセスを用いて堆積した二酸化ケイ素ライナを有する、TSVフィーチャまたは複数のフィーチャの貫通孔の断面のSEM顕微鏡写真を、図8に示す。貫通孔は、高さ約100ミクロンおよび直径約9ミクロンで、約11の高いアスペクト比を有していた。見られるように、二酸化ケイ素層により、少なくとも約10:1の高いアスペクト比の孔についてでさえ、貫通孔の側壁、底部の壁、および底部の角の良好なカバレッジが提供された。BDEASで堆積した二酸化ケイ素層は、1シグマの標準偏差で1パーセントの膜内均一性を示した。0.16ミクロン未満の大きさの欠陥を数え、30個未満であることが認められた。屈折率および屈折率の範囲は、1.45±0.01であった。堆積速度は、550オングストローム/minと良好であった。対照的に、図9に、プラズマ増強化学気相堆積PECVDプロセスにより堆積された従来の二酸化ケイ素層を含むTSVフィーチャの断面のSEM顕微鏡写真を示す。顕微鏡写真は、分類されているように、貫通孔の中部および底部のものである。本プロセスによっても、予想外の驚くべき結果が生じた。例えば、図8からのBDEASで堆積した二酸化ケイ素層の側壁のカバレッジ側壁の厚さの上部の厚さに対する比率により定義されるを、図9におけるPECVDの二酸化ケイ素層についてのカバレッジと比べたときに、BDEASで堆積した層による貫通孔の側壁の厚さでのカバレッジが、PECVDの二酸化ケイ素のカバレッジより、一貫して良好であることを見出した。例えば、側壁の底部の角で、BDEASのステップカバレッジが46であるのに対し、PECVDの二酸化ケイ素層はわずかに3であった。表1に、これらの結果と、BDEAS由来の二酸化ケイ素層の驚くほど良好な特性を論証するための他のものとを示す。本発明の例示的な実施形態を示し説明するが、当業者は、本発明を組み込み、本発明の範囲内でもある、他の実施形態を工夫することができる。そのうえ、下方、上方、底部、上部、上に、下に、第1および第2、ならびに他の相対的または位置的な用語は、図の中の代表的な実施形態について示され、互換性がある。したがって、添付した特許請求の範囲は、本発明を例示するために本明細書において説明される、好ましい変形、材料または空間的配置の記載に限定されるべきではない。"