フッ化リチウム結晶相と、Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数結晶相とからなることを特徴とする金属フッ化物共晶体。Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数結晶相が、マンガン、ユーロピウムおよびセリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのドーパントを含有することを特徴とする請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。前記両結晶相が層状構造を形成しており、フッ化リチウム結晶相の層の厚さが0.1μm~5μmであることを特徴とする請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。前記Ca1-xSrxF2結晶相が一方向に直線的に連続していることを特徴とする、請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。請求項1に記載の金属フッ化物共晶体からなることを特徴とする中性子用シンチレーター。請求項5に記載の中性子用シンチレーターと位置敏感型光電子増倍管とを組み合わせたことを特徴とする中性子撮像装置。本発明は、中性子を検出する際のS/N比に優れ、更には中性子に対する検出効率、n/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーター並びに当該中性子用シンチレーターに好適な結晶体を提供することを目的とする。本発明者等は、フッ化リチウム結晶とともに共晶体を構成する結晶相の化学成分について種々検討した。その結果、当該共晶体の一部を化学式Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数で表される結晶相で構成することにより、優れた発光量を有する中性子用シンチレーターが得られ、その結果、中性子を検出する際のS/N比が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、フッ化リチウム結晶相と、Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数結晶相とからなることを特徴とする金属フッ化物共晶体が提供される。上記金属フッ化物共晶体において、1Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数結晶相が、マンガン、ユーロピウムおよびセリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのドーパントを含有すること、2前記両結晶相が層状構造を形成しており、フッ化リチウム結晶相の厚さが0.1μm~5μmの厚さであること、3前記Ca1-xSrxF2結晶相が一方向に直線的に連続していること、が好適である。また、本発明によれば、上記金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターが提供される。更にまた、本発明によれば、上記中性子用シンチレーターと位置敏感型光電子増倍管とを組み合わせた中性子撮像装置が提供される。本発明によれば、中性子を検出する際のS/N比が良好であり、中性子に対する検出効率が高く、かつn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターおよび当該中性子用シンチレーターに好適な金属フッ化物共晶体を提供できる。かかる中性子用シンチレーターを使用した中性子検出器は、中性子回折による構造解析等の学術研究分野、非破壊検査分野、或いは貨物検査等の保安分野等で好適に使用できる。本発明の金属フッ化物共晶体は、フッ化リチウム以下、LiFともいう結晶相と、化学式Ca1-xSrxF2xは0より大きく、1以下の数以下、CaSrFともいうで表される結晶相との二つの結晶相からなる共晶体である。Ca1-xSrxF2結晶相において、xは0より大きく、1以下の範囲の数である。従って、該結晶相は、少なくともフッ化ストロンチウムを含む結晶であり、SrF2結晶のみから構成される場合に加えて、フッ化カルシウムとフッ化ストロンチウムとの任意の固溶体の結晶、例えば、Ca0.5Sr0.5F2結晶などから構成される場合が挙げられる。固容体結晶中のフッ化カルシウムとフッ化ストロンチウムの構成比は、後述する金属フッ化物共晶体の製造時において、各々の原料の配合量比を変えることにより任意に制御することができる。該金属フッ化物共晶体は、中性子の入射によって、以下の過程に基づくシンチレーション光を発するため、中性子用シンチレーターとして好適に用いることができる。まず、中性子がLiFに入射すると、該中性子がLiF中の6Li同位体に捕獲され、捕獲反応を起こして2次粒子であるα粒子及びトリチウムが生じる。次いで、かかる2次粒子が共晶体中を遊走し、CaSrFに到達してCaSrFを励起する。最終的に、励起されたCaSrFがシンチレーション光を発する。すなわち、本発明の共晶体のLiFおよびCaSrFは、それぞれ中性子捕獲材、シンチレーション光を発する蛍光体として作用する。上記共晶体は、層状のフッ化リチウム結晶相の厚みが0.1~5μmであることが好ましい。前述したように、LiF結晶中で中性子を捕獲して生じた2次粒子は、共晶体中を遊走してCaSrF結晶に到達するが、遊走する過程でエネルギーの一部を失う。したがって、LiF結晶相が厚い場合には、核反応によって生じた2次粒子からCaSrF結晶相に付与されるエネルギーのばらつきが大きくなり、結果としてCaSrF結晶相より発せられる発光量のばらつきが大きくなる。本発明者らの検討によれば、LiF結晶相の層厚みが薄いほど前記発光量のばらつきが小さくなり、層厚みを5μm以下とすることによってn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターを得ることができることが判明した。なお、LiF結晶相の層厚みを0.1μm未満とすることは技術的に困難であり、特段の手段を講じる必要があるため、かかる厚さの下限は0.1μmとする。上記金属フッ化物共晶体において、LiFとCaSrFとの成分比LiF/CaSrFは、特に限定されないが、0.75mol/0.25mol~0.85mol/0.15molが好ましく、LiFとCaSrFの共晶点組成の成分比とすることが特に好ましい。なお、LiFとCaSrFの共晶点組成の成分比は、CaSrFを構成するフッ化カルシウムとフッ化ストロンチウムとの二成分の構成比によって異なるため、予め実験によって求めることが好ましい。かかる共晶点成分比を大きく外れたモル比とした場合には、共晶体が著しく白濁したり、シンチレーターとして用いた際の発光量が低下するおそれがある。上記金属フッ化物共晶体において、LiFの6Li同位体比を20~99とすることが好ましい。6Li同位体比を20以上とすることによって、前記捕獲反応の確率が高まり中性子に対する検出効率が向上する。さらに検出効率を高める目的で、前記6Li同位体比を50以上とすることが特に好ましく、90以上とすることが最も好ましい。一方、同位体濃縮にかかるコストに鑑みて、6Li同位体比を99以下とすることが好ましい。本発明の金属フッ化物共晶体は、前記シンチレーション光を発する蛍光体として機能するCaSrFを含有することを最大の特徴とする。CaSrFの発光量は、他の公知の金属フッ化物共晶体に較べて大きく、中性子を検出して生じる発光によるパルス信号と電気的ノイズによるパルス信号との弁別がきわめて容易である。また、CaSrFの発光量は、中性子を捕獲して生じる2次粒子で励起された場合は充分に高く、γ線で励起された場合は特異的に低い。したがって、本発明の共晶体によれば、発光量の差異に基づいて中性子の入射とγ線の入射を容易に弁別することができ、n/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターを提供できる。本発明の金属フッ化物共晶体はCaSrF結晶中にドーパントを含有させることができる。この結果、シンチレーターとして用いた際の発光量が向上するので、この態様は好ましい。かかるドーパントの含有量は、共晶体を製造する際に原料混合物に添加するドーパント原料の量によって調整することができる。結晶中のドーパント含有量は特に制限されないが、CaSrFに対して0.05~10molとすることが好ましい。ドーパント含有量を0.05mol以上とすることによって、シンチレーターとして用いた際の発光量を高めることができ、また10mol以下とすることによって、共晶体の顕著な白濁、あるいは濃度消光によるシンチレーション光の減退等の問題を回避することができる。なお、ドーパント含有量が多い場合は、ドープ化CaSrF結晶とは別にドーパントのフッ化物の結晶相が生じる場合がある。しかし、基本的には、ドープ化CaSrF結晶が前記メカニズムでシンチレーション機能を発現する限り、障害とはならない。ドーパントとしては、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu及び亜鉛Zn等の遷移金属、並びにセリウムCe、プラセオジウムPr、ネオジウムNd、サマリウムSm、ユーロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm及びイッテルビウムYb等のランタノイド等が挙げられるが、発光量の点で、Mn、EuおよびCeの何れかが好ましい。該ドーパントである原子の正確な存在状態は不明であるが、CaSrF結晶中において、その大部分は、Sr原子またはCa原子と置換して存在し、一部は結晶格子間にも存在すると考えられる。本発明の金属フッ化物共晶体の製造方法は特に限定されず、一般にはフッ化リチウム、フッ化カルシウム、およびフッ化ストロンチウムの基本原料、並びにフッ化マンガン、フッ化ユウロピウム、フッ化セリウムなどのドーパント原料の粉末等を混合して原料混合物を調製し、当該原料混合物を加熱して溶融せしめて融液とした後、当該融液を冷却して凝固せしめる方法を採用することができる。特に層構造厚み、連続性、直線性を制御するためには、前記融液を特定の一方向に凝固せしめる一方向凝固法が好適に採用できる。一方向凝固法について、図1を例にとって説明する。上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を置く。該融液を下降するか、あるいは炉体を上昇すると、融液は下部より冷却され、凝固点を下回った部分は凝固して共晶体となる。このとき、共晶体と融液の間に固液界面が形成される。さらに融液を下降するか、あるいは炉体を上昇すると、固液界面が上方に移動して共晶体が伸長する。かかる操作を連続的に行うことにより、融液を特定の一方向に凝固せしめることができる。なお、本発明において、融液を特定の一方向に凝固せしめる方向を凝固方向といい、凝固を進める速度を凝固速度という。上記一方向凝固法によれば、凝固速度を高めることによって、金属フッ化物共晶体中のLiF結晶相の層厚みを薄くすることが容易であり、当該LiF結晶相の層厚みが5μm以下である共晶体を効率よく製造することができる。また、一方向凝固法により、LiF結晶もCaSrF結晶も、図1に示すように凝固方向に沿って伸長し、その結果、LiF結晶相が一方向に直線的に連続し、且つ、CaSrF結晶相も一方向に直線的に連続している共晶体を製造することができる。このようにCaSrF結晶相が一方向に直線的に連続した金属フッ化物共晶体は、光検出器と組み合わせて中性子検出器とした場合に特段の効果を発揮する。すなわち、一般には、LiF結晶とCaSrF結晶とからなる共晶体において、CaSrF結晶は一方向に直線的に連続しておらず、そのため、CaSrFよりシンチレーション光が発せられると、該シンチレーション光はCaSrF結晶とLiF結晶との界面において散乱される。その結果、シンチレーション光の光検出器への伝搬効率が低下する。これに対して、CaSrF結晶が一方向に直線的に連続した金属フッ化物共晶体を使用した中性子用シンチレーターにおいては、CaSrF結晶が直線的に連続した方向図2中の矢印で示した方向にはシンチレーション光の伝搬効率が高くなるため、かかる連続した結晶方向の端部に光検出器を配置することにより、光検出器におけるシンチレーション光の検出効率を向上させることができる。尚、CaSrF結晶の厚さは、シンチレーション光の伝搬効率に影響を与えるものではないため、特に制限されないが、例えば0.1乃至10μmである。一方向凝固法の具体的な方法を例示すれば、上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を充填した坩堝を置き、坩堝を下降して融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめるブリッジマン法、上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を充填した坩堝を置き、常に下方が低温となる温度分布を保ったまま冷却し、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめる温度勾配固化GradientFreeze法、固液界面を一定の位置に保ったまま、共晶体を一方向に凝固させながら引き上げるチョクラルスキー法、或いは固液界面を一定の位置に保ったまま共晶体を一方向に凝固させながら引き下げるマイクロ引下げ法が挙げられる。以下、一方向凝固法を採用する場合の製造方法について、ブリッジマン法を例にとって詳細に説明する。まず、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム等の各原料の粉末等を混合して原料混合物を調製する。ただし、前記ドーパントをCaSrF結晶中に含有せしめる場合には、当該原料混合物にドーパントのフッ化物を添加するか、あるいは予めドーパントをフッ化ストロンチウムおよび/またはフッ化カルシウムに含有せしめたものを原料とする。なお、CaSrF結晶がフッ化ストロンチウム結晶である場合は、フッ化カルシウムは使用しない。フッ化リチウム、フッ化カルシウム、およびフッ化ストロンチウムの基本原料、或いはフッ化マンガン、フッ化ユウロピウム、フッ化セリウムなどのドーパント原料の純度は特に限定されないが、99.99以上とすることが好ましい。このような純度の高い原料、及び添加助剤を用いることにより、シンチレーターとして用いた際の発光量等の特性が向上する。各原料は、粉末状あるいは粒状の原料を用いても良く、あらかじめ焼結或いは溶融固化させてから用いても良い。次いで、前記原料混合物を坩堝に充填し、加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットする。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を1.0×10-3Pa以下まで真空排気した後、高純度アルゴン等の不活性ガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行う。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は特に限定されないが、大気圧が一般的である。かかるガス置換操作によって、原料或いはチャンバー内に付着した水分を除去することができ、かかる水分に由来する共晶体のシンチレーション光の減退等の問題を回避することができる。上記ガス置換操作によっても除去できない水分による悪影響を避けるため、水分との反応性の高いスカベンジャーを用いて、水分を除去することが好ましい。かかるスカベンジャーとしては、四フッ化メタン等の気体スカベンジャーを好適に用いることができる。なお、気体スカベンジャーを用いる場合には上記不活性ガスに混合してチャンバー内に導入する方法が好適である。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめる。原料混合物を溶融せしめる際の温度は、原料混合物の化学組成によって異なるが、一般にはフッ化リチウムとCaSrFとの共晶点である730°C~900°Cの範囲である。なお、加熱ヒーターの加熱方式は特に限定されず、例えば高周波誘導加熱方式、あるいは抵抗加熱方式等を適宜用いることができる。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに降下せしめる。加熱ヒーター及び断熱材は、上方が高温、下方が低温となるように配置されているため、融液は降下するにつれて下方より凝固する。かかる凝固の際にLiF結晶とCaSrF結晶との相分離が生じ、凝固と同時に共晶体が生成する。さらに融液を連続的に降下せしめることによって、融液は下方より上方へ一方向に凝固し、共晶体が凝固方向に沿って伸長するため、CaSrF結晶相が一方向に直線的に連続した共晶体を製造することができる。上記製造方法において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は特に制限されないが、2~50mm/hrとすることが好ましい。凝固速度が速いほど、LiF結晶相の層厚みは薄くなり、凝固速度を2mm/hr以上とすることによって、LiF結晶相の層厚みが5μm以下の共晶体を製造することができる。一方、凝固速度が50mm/hrを超える場合には、共晶体の白濁や割れが顕著になるおそれがあるため、凝固速度は50mm/hr以下とすることが好ましい。また、凝固方向に沿った単位距離あたりの温度変化、すなわち温度勾配は、特に限定されないが、0.5°C/mm以上とすることが好ましい。温度勾配を0.5°C/mm以上とすることによって、CaSrF結晶相の一方向性を高めることができる。温度勾配の上限は、何ら制限されないが、一般には10°C/mm以下である。得られた共晶体の層構造は、走査型電子顕微鏡SEMを用いて反射電子組成像を観察することにより同定できる。すなわち、反射電子組成像においては、LiF結晶とCaSrF結晶がそれぞれの原子番号の差異に基づく明瞭なコントラストを呈するため、図1に示すような層構造を反映した像を容易に得ることができる。また、共晶体を構成する結晶相の同定は、粉末X線回折測定によって行うことができる。すなわち、共晶体を粉砕した粉末について粉末X線回折測定を行い、得られた回折パターンを解析することにより、LiF結晶とCaSrF結晶からなる共晶体であることが同定される。本発明の共晶体は、良好な加工性を有しており、所望の形状に加工して用いることが容易である。加工に際しては、公知のブレードソー、ワイヤーソー等の切断機、研削機、或いは研磨盤を何ら制限無く用いることができる。本発明の共晶体は、所望の形状に加工して本発明の中性子用シンチレーターとすることができる。中性子用シンチレーターの形状は任意の形状で良く、板状、ブロック状、もしくは四角柱形状の共晶体を複数個配列させたアレイ状とすることができる。本発明の共晶体からなる中性子用シンチレーターは、光電子増倍管等の光検出器と組み合わせて中性子検出器とすることができる。即ち、中性子の照射により中性子用シンチレーターから発せられたシンチレーション光を、光電子増倍管によって電気信号に変換することによって、中性子の有無及び強度を電気信号として捉えることができる。本発明の中性子用シンチレーターから発せられるシンチレーション光は、ドーパントの種類によって異なるが、約300~700nmの波長の光であり、この領域の光を検出できる光電子増倍管が特に好適に使用できる。かかる光電子増倍管として具体的なものを例示すれば、浜松ホトニクス社製R7600U、H7416等が挙げられる。具体的には、例えば光電子増倍管の光電面に、本発明の中性子用シンチレーターを光学グリース等で接着し、該光電子増倍管に高電圧を印加して、光電子増倍管より出力される電気信号を計測する方法が挙げられる。この光電子増倍管より出力される電気信号を利用して中性子線の強度等を解析する目的で、光電子増倍管の後段に増幅器や多重波高分析器等を設けても良い。更に、本発明の共晶体からなる中性子用シンチレーターは、位置敏感型光検出器と組み合わせて中性子撮像装置とすることができる。かかる位置敏感型光検出器としては、位置敏感型光電子増倍管が好適に使用でき、具体的なものを例示すれば、PHOTONIS社製XP85012等が挙げられる。以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限されるものではない。また、実施例の中で説明されている特徴の組み合わせすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。実施例1[金属フッ化物共晶体の製造]まず、フッ化ストロンチウム190g、フッ化リチウム150g、及びフッ化セリウム1.5gをそれぞれ秤量し、よく混合して混合原料を調製した。なお、各原料は、純度が99.99以上の粉末を用い、フッ化リチウムの6Li同位体比は95とした。かかる原料混合物において、フッ化リチウムとフッ化ストロンチウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化ストロンチウム0.2mol/molであり、セリウム添加量はフッ化ストロンチウムに対して0.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンと95volの高純度アルゴンガスとの混合ガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、本発明で使用する金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、凝固方向に平行な方向、及び凝固方向に鉛直な方向にダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、切断面を鏡面研磨した。凝固方向に平行な方向に切断した面の反射電子組成像を図3に、凝固方向に鉛直な方向に切断した面の反射電子組成像を図4に示す。当該反射電子組成像の明部はドーパントとしてCeを含有するSrF2結晶相であり、暗部はLiF結晶相である。図3よりドーパントとしてCeを含有するSrF2結晶相が一方向に直線的に連続していることが分かる。また、図4の反射電子組成像について、SEMの測長機能を用いてLiF結晶相の層厚みを計測した結果、当該金属フッ化物共晶体のLiFの層の厚さは3μmであった。なお、LiF結晶相の層厚みの計測においては、間隔の長さが25μmの標準グリッドで校正して計測した。得られた共晶体を粉砕した粉末について粉末X線回折測定を行い、結晶相を同定した。測定装置にはBrukerAXS社製、D8DISCOVERを用いた。得られた回折パターンより、LiF結晶とSrF2結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該共晶体がLiF結晶とSrF2結晶からなる共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた共晶体を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、研削及び鏡面研磨を行い、長さ7mm、幅2mm、厚さ1mmの形状に加工し、本発明の中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を以下の方法によって評価した。まず光電子増倍管浜松ホトニクス社製R7600Uの光電面に、中性子用シンチレーターの長さ7mm、幅2mmの面を光学グリースで接着し、中性子検出器を製作した。前記光電子増倍管の光電面に外の光が入射しないよう中性子検出器を黒色のビニールシート製の遮光材で覆った後に、1MBqの放射能の252Cfからの中性子を、40mmの厚みのポリエチレンブロックからなる中性子減速材を介して減速して照射した。中性子用シンチレーターより発せられたシンチレーション光を計測するため、光電子増倍管には電源供給線より800Vの高電圧を印加し、シンチレーション光を電気信号に変換し、信号出力線より出力した。ここで、光電子増倍管より出力される電気信号は、シンチレーション光を反映したパルス状の信号であり、パルスの波高がシンチレーション光の輝度を表す。かかる光電子増倍管より出力された電気信号を整形増幅器で整形、増幅した後、多重波高分析器に入力して解析し、波高分布スペクトルを作成した。得られた波高分布スペクトルを図5に実線で示す。該波高分布スペクトルの横軸は、電気信号の波高値すなわちシンチレーション光の輝度を表しており、ここでは、前記多重波高分析器の波高チャンネルの値を示した。また、縦軸は各波高値を示した電気信号の頻度を表し、ここでは、電気信号が計測された回数countsで示した。図5より、波高値が約380の位置に、中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、本発明の共晶体が中性子用シンチレーターとして有効に作用し、また、当該中性子用シンチレーターを用いた中性子検出器が有効であることが分かった。中性子用シンチレーターのn/γ弁別能を評価するため、前記252Cfからの中性子に替えて、1kBqの放射能を有する137Csより生じるγ線を照射し、前記と同様にして波高分布スペクトルを作成した。得られた波高分布スペクトルを図5に破線で示す。当該波高分布スペクトルにおいて、γ線で励起した場合の波高値は最大で約180であり、中性子を照射した場合の波高値のピークに比較して充分に低い。したがって、例えば、波高値180を閾値とし、当該閾値以下の波高値の電気信号を除去し、当該閾値を超える波高値の電気信号のみを選別することでγ線ノイズを除去することが容易であることが分かる。すなわち本発明の中性子用シンチレーターは、優れたn/γ弁別能を有することが分かった。[中性子撮像装置の製作およびその特性評価]金属フッ化物共晶体を中性子用シンチレーターとして用い、位置敏感型光電子増倍管を組み合わせた中性子撮像装置を以下のように作製した。まず、前記製造した金属フッ化物共晶体を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、研削及び鏡面研磨を行い、直径約50mm、厚さ0.5mmの形状に加工し、円形ディスク状のシンチレータープレートを作製した。当該シンチレータープレートを位置敏感型光電子増倍管PHOTONIS社製、XP85012の光検出面に対し、光学グリースを用いて接着することで、中性子撮像装置を作製した。なお、当該位置敏感型光電子増倍管は、縦横に8×8チャンネルのパターンでアノードが配列された64チャンネルマルチアノード光電子増倍管である。位置敏感型光電子増倍管に、ヘッドアンプユニットクリアパルス社製、80190型マルチアノード光電子増倍管ヘッドアンプユニットを接続した後に、外からの光が入射しないよう黒色のビニールシート製の遮光材で覆った。当該ヘッドアンプユニットとインターフェイス装置クリアパルス社製、80190型PCIFの間を信号線で接続し、更に該インターフェイスとパソコンとを接続した。クリアパルス社製の制御用プログラムを用いてこれらの装置を動作させ、64チャンネルのそれぞれの波高値を所定の時間ごとに取得できるようにした。このようにして信号を読み出し可能な状態とした中性子撮像装置を用い、中性子線透過像の撮像を行った。前記シンチレータープレートに対向する位置に1MBqの放射能の252Cfを設置し、当該シンチレータープレートと252Cfとの間に、40mmの厚みのポリエチレンブロックからなる中性子減速材を設置して、当該252Cfからの中性子を減速してシンチレータープレートに照射した。撮像対象としては、中性子に対する遮蔽能が高いカドミウム板を用いた。直径が1、2、3及び5mmの円形の穴を設けた、板面のサイズが35mm×35mm、厚さが0.5mmのカドミウム板を用意し、当該カドミウム板をシンチレータープレートに近接して設置して、中性子透過像の取得を開始した。まず、2200Vの電圧を印加して位置敏感型光電子増倍管及びヘッドアンプユニットを動作させ、64チャンネルのそれぞれの波高値を5マイクロ秒ごとに取得した。64チャンネルの内いずれかの箇所から、閾値として設定した値を超えた波高値の信号が出力された場合の波高値をイベントデータとして記録した。なお、閾値の設定は、中性子用シンチレーター部が発光していない場合でも生じる装置のバックグラウンドノイズによる信号を除去する目的で行った。得られたイベントデータから、さらに中性子による信号のみを選別するため、イベントデータ中の64チャンネルの波高値の合計値を計算し、当該合計値を用いた波高分布スペクトルを作成した。その結果、図5に実線で示したものと同様の波高分布スペクトルが得られ、中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認できた。そこで、当該波高分布スペクトル上のピーク部分に相当するイベントデータを用いて、イベントデータごとの電荷重心を計算し、中性子の入射位置を特定した。電荷重心とは、位置敏感型光電子増倍管の光電面で発生した電子群の重心位置に相当する座標であり、次式より求められる。XD=ΣXi×Ii/ΣIiYD=ΣYi×Ii/ΣIiただし、XD及びYDはそれぞれ電荷重心のX座標及びY座標を表わし、Xi及びYiはそれぞれi番目のチャンネルのX座標及びY座標を表わし、Iiはi番目のチャンネルの波高値を表わす。かかる電荷重心の計算を行うことによって、マルチアノードのアノードのピッチよりもはるかに高い位置分解能で中性子の入射位置を特定することができる。電荷重心の計算によって得られた各イベントデータごとの中性子の入射位置を用いて、100×100ピクセルの中性子透過像を作成した。なお、本実施例で用いた位置敏感型光電子増倍管の光検出面のサイズは、50mm×50mmであるため、各ピクセルのサイズは0.5mm×0.5mmである。また、当該中性子透過像では、中性子の入射が多かった位置を白、少なかった位置を黒として、128階調のグレースケールで示した。得られた中性子透過像を図7に示す。図7より、カドミウム板に設けられた穴の部分で中性子の入射が多くなっており、また、カドミウム板で遮蔽された部分では中性子の入射がほとんど見られない。したがって、本発明の中性子用シンチレーターを用いた中性子撮像装置が有効であることが分かる。前記中性子透過像から、カドミウム板に設けられた穴の形状及びサイズを確認することができ、当該中性子撮像装置が高い位置分解能を有することが分かる。実施例2[金属フッ化物共晶体の製造]まず、フッ化ストロンチウム100g、フッ化カルシウム63g、フッ化リチウム160g、及びフッ化セリウム1.6gをそれぞれ秤量し、よく混合して混合原料を調製した。なお、各原料は、純度が99.99以上の粉末を用い、フッ化リチウムの6Li同位体比は95とした。かかる原料混合物において、フッ化リチウム、フッ化ストロンチウム及びフッ化カルシウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化ストロンチウム0.1/フッ化カルシウム0.1mol/mol/molであり、セリウム添加量はフッ化ストロンチウムとフッ化カルシウムの総量に対して0.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンと95volの高純度アルゴンガスとの混合ガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、本発明で使用する金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、凝固方向に平行な方向、及び凝固方向に鉛直な方向にダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、切断面を鏡面研磨した。凝固方向に平行な方向に切断した面、及び、凝固方向に鉛直な方向に切断した面の反射電子像を観察した結果、それぞれ図3及び図4と同様の反射電子像が観察された。当該反射電子組成像の明部はドーパントとしてCeを含有するCaSrF結晶相であり、暗部はLiF結晶相である。当該反射電子組成像の明部について、エネルギー分散型X線分析装置EDSを用いて化学組成分析を行った結果、CaSrF結晶相の化学組成はCa0.5Sr0.5F2であった。また、実施例1と同様に、ドーパントとしてCeを含有するCaSrF結晶相が一方向に直線的に連続しており、LiFの層の厚さが3μmであることが分かった。実施例1と同様にして粉末X線回折測定を行った結果、LiF結晶とCaSrF結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該共晶体がLiF結晶とCaSrF結晶からなる共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた共晶体を、実施例1と同様にして、長さ7mm、幅2mm、厚さ1mmの形状に加工し、本発明の中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を実施例1と同様に評価した。252Cfからの中性子を照射して得られた波高分布スペクトルを図6に鎖線で示す。図6より、波高値が約320の位置に、中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、本発明の共晶体が中性子用シンチレーターとして有効に作用し、また、当該中性子用シンチレーターを用いた中性子検出器が有効であることが分かった。比較例1[LiFとCaF2との共晶体の製造]本比較例では、フッ化リチウム結晶、及びセリウムを含有するフッ化カルシウム結晶からなる金属フッ化物共晶体を製造した。まず、フッ化カルシウム150g、フッ化リチウム190g、及びフッ化セリウム1.9gをそれぞれ秤量し、よく混合して混合原料を調製した。なお、各原料は、純度が99.99以上の粉末を用い、フッ化リチウムの6Li同位体比は95とした。かかる原料混合物において、フッ化リチウムとフッ化カルシウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化カルシウム0.2mol/molであり、セリウムの添加量はフッ化カルシウムに対して0.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンを混合した高純度アルゴンガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、反射電子組成像を観察した結果、本比較例の共晶体において、CaF2結晶相が一方向に直線的に連続しており、また、LiFの層の層厚みは3μmであることが分かった。得られた金属フッ化物共晶体を粉砕した粉末について、実施例1と同様にして粉末X線回折測定を行い、結晶相を同定した。得られた回折パターンより、LiF結晶とCaF2結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該金属フッ化物共晶体がLiF結晶とCaF2結晶からなる金属フッ化物共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を実施例1と同様にして評価した。252Cfからの中性子を照射して得られた波高分布スペクトルを図6に破線で示す。図6より、実施例1、実施例2及び比較例1のいずれにおいても中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、実施例1、実施例2及び比較例1のシンチレーターは、共に中性子用シンチレーターとして作用することが分かる。当該波高分布スペクトルにおいて、実施例1、実施例2、及び比較例1のシンチレーターが呈するピーク位置での波高値は、それぞれ380、320及び120であって、本発明の金属フッ化物共晶体からなるシンチレーターがきわめて高い発光量を有することが分かる。また、当該波高分布スペクトルにおいて、波高値が約50以下の領域に見られるスロープは、電気的ノイズによるパルス信号に由来するものである。本発明のシンチレーターが中性子を検出して生じる発光によるパルス信号は、当該電気的ノイズによるパルス信号よりも波高値がはるかに高く、したがってS/N比が良好であることが分かる。