光源からの光を用いてマスクを照明し、前記マスクのパターンの像を投影光学系を用いて基板に投影する露光装置における前記投影光学系の結像特性の変動量を算出する算出方法において、単位露光エネルギー当たりの前記投影光学系の結像特性の変動量を露光係数として、前記基板を露光するための露光光が第1波長帯域である場合の前記投影光学系の光学特性の変動量のデータを用いて、前記第1波長帯域の露光係数を算出する工程と、前記第1波長帯域とは異なる第2波長帯域の露光係数を、前記第1波長帯域の露光係数を用いて算出する工程と、前記第2波長帯域の露光係数を用いて、前記第2波長帯域の露光光を用いて前記基板を露光する場合の前記投影光学系の結像特性の変動量を算出する工程とを有することを特徴とする算出方法。前記第1波長帯域の露光係数および前記第2波長帯域の露光係数を用いて、前記第1波長帯域の光および前記第2波長帯域の光を含む露光光に対して、前記第1波長帯域の光強度および前記第2波長帯域の光強度および前記投影光学系の透過率に応じた合成露光係数を算出する工程を有し、前記合成露光係数を用いて、前記第1波長帯域の光および前記第2波長帯域の光を含む露光光を用いて前記基板を露光する場合の前記投影光学系の結像特性の変動量を算出することを特徴とする請求項1に記載の算出方法。前記第1波長帯域の露光係数を算出する工程において、前記投影光学系の結像特性の変動量を露光エネルギー値で割ることにより前記露光係数を算出することを特徴とする請求項1に記載の算出方法。前記第2波長帯域の露光係数を、前記第1波長帯域に対する第2波長帯域の光強度比および前記投影光学系の透過率比を用いて算出することを特徴とする請求項1に記載の算出方法。光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、単位露光エネルギー当たりの前記投影光学系の結像特性の変動量を露光係数として、前記基板を露光するための露光光の第1波長帯域の露光係数および前記第1波長帯域とは異なる第2波長帯域の露光係数を記憶する記憶部と、前記投影光学系の結像特性の変動量を算出する算出部とを有し、前記記憶部は、前記露光光が第1波長帯域である場合の前記投影光学系の結像特性の変動量のデータを用いて算出された前記第1波長帯域の露光係数と、前記第1波長帯域の露光係数を用いて算出された前記第2波長帯域の露光係数とを記憶し、前記算出部は、前記第2波長帯域の露光係数を用いて、前記第2波長帯域の露光光を用いて前記基板を露光する場合の前記投影光学系の結像特性の変動量を算出することを特徴とする露光装置。該算出された前記投影光学系の結像特性の変動量を用いて、前記投影光学系、前記マスクを支持するマスクステージおよび前記基板を支持する基板ステージの少なくとも1つを制御することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。請求項5に記載の露光装置を用いて、前記投影光学系の結像特性を制御して前記基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。特許文献1に記載の変動情報は露光光のある波長帯域で予め求められ、記憶装置に記憶されている。一方、使用する露光光の波長帯域および光強度が変われば、露光による投影光学系の結像特性の変動量が変化する。そのため、特許文献1に記載の発明では、予め求めた露光光の波長帯域および光強度に対応した投影光学系の結像特性の変動量しか予測することができない。つまり、波長帯域および光強度の変化は考慮されておらず、それらが変化すると変動量の予測に誤差が生じる。特許文献2では露光光の波長帯域は考慮されておらず、露光光の波長帯域に応じた投影光学系の結像特性の変動量を求めることができない。したがって、投影光学系の結像特性について、予測された変動量と実際の変動量とに誤差が生じ、投影光学系の結像特性を高精度に補正することができない場合があった。そこで、本発明は、投影光学系の結像特性の変動量をより正確に求めることを目的とする。本発明の一側面としての算出方法は、光源からの光を用いてマスクを照明し、前記マスクのパターンの像を投影光学系を用いて基板に投影する露光装置における前記投影光学系の結像特性の変動量を算出する算出方法において、単位露光エネルギー当たりの前記投影光学系の結像特性の変動量を露光係数として、前記基板を露光するための露光光が第1波長帯域である場合の前記投影光学系の光学特性の変動量のデータを用いて、前記第1波長帯域の露光係数を算出する工程と、前記第1波長帯域とは異なる第2波長帯域の露光係数を、前記第1波長帯域の露光係数を用いて算出する工程と、前記第2波長帯域の露光係数を用いて、前記第2波長帯域の露光光を用いて前記基板を露光する場合の前記投影光学系の結像特性の変動量を算出する工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、投影光学系の結像特性の変動量をより正確に求めることができる。以下に本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。本明細書において、結像特性は、フォーカス、倍率、歪曲、非点収差、球面収差、コマ収差、歪曲収差、像面湾曲および波面収差のうち少なくともいずれか一つを含むものとする。主に非点収差、球面収差、コマ収差を含む収差はツェルニケ多項式で展開した各項として表現されうる。また、非点収差、球面収差、コマ収差、歪曲収差および像面湾曲を総じて収差と呼称することもある。なお、光学特性は屈折率や透過率を示す。第1実施形態図1は露光装置の概略構成を示す図である。光源101は、複数の波長の光を露光光として射出することができる。なお、本明細書で波長と表現する場合、特定の値の波長だけでなく、ある程度幅を有する波長帯域を指す場合もある。光源として、例えば、i線およびh線を含む波長の光を射出する光源や、g線、h線およびi線を含む波長の光を射出する光源などがある。図2は光源101から発する光のスペクトルを示す図である。ここでは、光源101として超高圧UVランプから照射される光のスペクトルについて説明する。超高圧UVランプは、i線波長365.0nm、h線波長404.7nm、g線波長435.8nmにおいて輝線ピークを有している。このように、光源101から照射された光は複数の波長においてピーク輝線を有する。光源101からの光を用いてマスク109を照明する照明光学系104は、露光波長変更部102を有する。露光波長変更部102は、マスクや基板ウエハを照明する露光光の波長を変更することができる。露光波長変更部102は、特定の波長帯域例えばi線のみ、または、i線及びh線のみを透過するフィルタ等、異なる波長帯域の光を透過する複数種類のフィルタを有し、それらを切り替えて1つまたは複数光路内に配置する。フィルタとして、バンドパスフィルタ、ショートパスフィルタ、ロングパスフィルタなどが使用可能である。光源101より射出した光は、照明光学系104の整形光学系図示省略を介して所定のビーム形状に整形される。整形されたビームはオプティカルインテグレータ図示省略に入射され、オプティカルインテグレータはマスク109を均一な照度分布で照明するために多数の2次光源を形成する。開口絞り105は、照明光学系104の瞳面に配置され、開口形状はほぼ円形である。照明系制御装置108は開口絞り105の開口の大きさを制御し、照明光学系104の開口数NAを所定の値に設定できるようになっている。なお、後述する投影光学系110の開口数に対する照明光学系104の開口数の比の値がコヒーレンスファクタσ値であるため、照明系制御装置108は開口絞り105を制御することでσ値を設定できることになる。照明光学系104の光路上にはビームスプリッタ106が配置され、マスク109を照明する露光光の一部がビームスプリッタ106により反射され取り出される。ビームスプリッタ106で反射された反射光の光路上にはフォトセンサ107が配置され、フォトセンサ107は光源からの光の強度露光エネルギーに応じた電気信号を出力する。フォトセンサ107の出力値は、光源101の露光エネルギーを表す値に変換され、照明系制御装置108を介して露光装置本体を制御する主制御装置103コンピュータに入力される。原版としてのマスクレチクル109上には、半導体デバイスの回路パターンに相当するパターンが形成されており、照明光学系104より照射される。投影光学系110は、マスク109の回路パターン像を縮小倍率β例えば、β=1/2で縮小し、フォトレジストが塗布された感光基板であるウエハ115上の1つのショット領域に結像投影する。投影光学系110の瞳面マスクに対するフーリエ変換面には、開口部がほぼ円形である開口絞り111が配置され、アクチュエータ等の駆動機構112によって開口部の直径を制御することで所定の値に設定できる。駆動装置113は、投影光学系110を構成している光学素子を移動させるアクチュエータ等である。投影光学系110を構成している光学素子を移動させることにより、投影光学系110の結像特性を調整することができる。これにより諸収差の悪化を防止しつつ、投影倍率を良好にすることができる。投影系制御装置114は、駆動機構112及び駆動装置113を制御する。基板ステージ116はウエハ115を支持し、3次元方向に移動可能にし、投影光学系110の光軸方向Z方向、及び、光軸方向に直交する面内XY面を移動する。そして、基板ステージ116に固定された移動鏡117までの距離をレーザ干渉計118で計測することで基板ステージ116のX-Y面位置を検出する。ステージ制御装置120は、レーザ干渉計118により基板ステージ116の位置を検出し、モータ等の駆動機構119を制御することで、基板ステージ116を所定のX-Y面位置へ移動させる。主制御装置103は、光源101、照明系制御装置108、投影系制御装置114およびステージ制御装置120と電気的に接続されており、それぞれを制御する。主制御装置103は、後述する露光係数記憶部123を有する。投光光学系121と検出光学系122はフォーカス面検出部を構成している。投光光学系121はウエハ115上のフォトレジストを感光させない波長の非露光光から成る複数個の光束を投光し、その光束はウエハ115上に各々集光されて反射される。ウエハ115で反射された光束は、検出光学系122に入射する。検出光学系122内には各反射光束に対応させて複数個の位置検出用の受光素子が配置されており、各位置検出用受光素子の受光面とウエハ115上での各光束の反射点が結像光学系によりほぼ共役となるように構成されている。投影光学系110の光軸方向におけるウエハ115面の位置ずれは、検出光学系122内の位置検出用受光素子上の入射光束の位置ずれとして計測される。次に、投影光学系110の結像特性の変化について説明する。投影光学系は露光光のエネルギーの一部を吸収し、これによって発生する熱に起因して投影光学系の温度変化が生じ、投影光学系の結像特性が変化する。図3は、露光による投影光学系の収差の経時変化の一例を示している。横軸は時間t、縦軸は投影光学系のある像高における収差量Fを示している。また、ΔFは収差の変動量を表し、これは一般には像高ごとに異なる値をとる。投影光学系の結像特性値としての収差量の初期値をF0として、時刻t0から露光が開始されると、時間とともに投影光学系の収差が変動し、時刻t1で一定の収差量F1に安定する。その後、引き続き露光光を投影光学系に照射しても、投影光学系110に吸収されて熱となるエネルギーと、投影光学系より放出される熱エネルギーが平衡状態に達し、収差量はF1から変化しない。そして、時刻t2で露光を停止すると、収差量は時間と共に減り、時刻t3では初期の収差量F0になる。図3に示す時定数TS1とTS2は、投影光学系110の熱伝達特性上の時定数と等価である。これらの時定数は投影光学系に固有の値であり、かつ結像特性毎に異なる値なので、投影光学系の結像特性の検査時に、装置毎に、かつ結像特性毎に取得する。収差変動量ΔFF0からF1までの変動量は、投影光学系に照射される露光エネルギー量によって比例的に変化する。そのため、収差変動量ΔFは、単位露光エネルギー当たりの結像特性の変動量K露光係数と、投影光学系に照射される露光エネルギーQを用いて、式1のように表すことができる。ΔF=K×Q1ここで、ある時刻における収差量をΔFkとすると、それから時間Δtだけ露光した後の収差量ΔFk1は、収差変動量ΔFと結像特性毎に保存している時定数TS1、TS2より、ΔFk1=ΔFkΔF×1-exp-Δt/TS12で近似される。同様に、時間Δtだけ露光しなかった場合は、ΔFk1=ΔFk×exp-Δt/TS23と近似することができる。図3で示した投影光学系の結像特性の変動を示す曲線を、上記した式1、式2、式3の関数でモデル化することにより、露光熱によって変動する投影光学系の結像特性の変動を予測する。ただし、式1、式2、式3のモデル式は本実施形態における一例であり、露光による投影光学系の結像特性変動のモデル式としては、他の公知のモデル式を用いても良い。投影光学系の結像特性変動のモデルは、投影光学系への露光光の照射中における結像特性変動を表す露光モデルと、露光光の照射を停止した状態における結像特性変動を表す非露光モデルとを含み、前者は式2で、後者は式3で表される。露光係数Kについて説明する。露光係数Kは、投影光学系の複数の結像特性例えば、フォーカス、倍率、歪曲収差、非点収差、球面収差、コマ収差などのそれぞれについて定められる。さらに、露光係数Kは露光条件毎に定められる。ここで、露光条件とは、投影光学系のNA、照明光学系のNA、照明光学系の瞳面に形成される有効光源分布、マスクのパターン、及びマスクを照射する領域、中心位置などを含む。なぜなら、これらの露光条件を変化させると、投影光学系に入射する光のエネルギー密度分布が変化し、その結果、投影光学系の結像特性の変動量、及びその像高依存性が変化するためである。露光エネルギーQは、露光エネルギーを決定する条件ウエハの露光時間、露光量、ステージの走査速度、マスクの露光領域の情報大きさ等によって定まる。次に、図4を用いて、以下の第1~5工程を説明する。まず、図5のフローに基づいて、投影光学系の結像特性変動を計測する工程第1工程について説明する。この計測工程では、主制御装置103の制御のもと、ウエハを露光する露光光の波長を所定の波長帯域第1波長帯域にして、その露光光を用いて第1波長帯域についての投影光学系の結像特性変動を計測する。まず、露光波長変更部102により露光光の波長を第1波長帯域に設定するS1。露光波長変更部102は、光源101からの光のうち第1波長帯域の光のみを透過するフィルタを光路内に配置して、露光光の波長を第1波長帯域にする。次に、初期計測を行った後に露光および結像特性の計測を行うS2、S3。S2では、計測用パターンが形成されたマスクを用いてウエハを露光する。S3では、ウエハ上に形成されたパターンの線幅や形状等を計測装置で計測する。そして、計測で得られたデータを用いて結像特性の値変動量を算出する。S4において、主制御装置103は、露光すべき時間として予め決められた所定時間が経過したかどうかを判断する。所定時間が経過していなければS2およびS3を繰り返し、所定時間が経過していればS5へ進む。S5において、主制御装置103は、計測点数として予め設定された点数を取得したどうかを判断する。設定点数に満たない場合はS2およびS3を繰り返し、設定点数を満たす場合は露光を終了する。このように、所定時間および設定点数を満たすまで、S2およびS3を繰り返し行い、時間的に離散的な、結像特性の変動データを取得する。次に、露光を停止してから、投影光学系の結像特性値が露光開始時における初期値F0に戻るまでの結像特性の変動量を計測するS6。複数種類の結像特性の変動データを得たい場合には、結像特性の各々について同様な計測を行う。なお、計測の間隔、所定時間及び設定点数は補正を目的とする収差や装置により異なる。次に、第1工程で得られた結像特性の変動の計測データを用いて、第1波長帯域の露光係数Kを算出する工程第2工程について説明する。最初に、第1工程で得られた結像特性の変動の計測データを用いて、結像特性変動の近似式を求める。近似式は、結像特性の変動の計測データとの残差が最小となるように決められる。そして、近似式に基づいて結像特性の変動量ΔFの値を求める。そして、式1に基づいて、変動量ΔFを露光エネルギー値Qで割って露光係数Kの値を算出する。次に、第1の波長帯域とは異なる波長である第2波長帯域の露光係数を算出する工程第3工程について説明する。例えば、第1の波長帯域としてi線、第2の波長帯域としてh線とする。波長帯域が異なると、露光条件が同じであっても、光源から出力される光の強度の違い、投影光学系を構成している光学素子の波長に対する透過率差などの光学特性の違いから、結像特性の変動量に違いが生じる。図6aは、第1波長帯域における結像特性の変動履歴、および、第2波長帯域における結像特性の変動履歴を示す。結像特性の変動量は、上記の式1、式2、式3を用いて予測する。そのため、第2波長帯域における結像特性の変動量を、第1波長帯域の露光係数を用いて予測すると図6bのように誤差が生じてしまう。そこで、露光光の強度の違い、投影光学系を構成している光学素子の光学特性、例えば波長に対する透過率の違いなどを考慮して、第1波長帯域の露光係数を利用して第2波長帯域の露光係数を算出する。第1工程で使用した第1波長帯域の露光光の強度をα1、第2波長帯域の露光光の強度をα2とし、投影光学系の光透過率について、第1波長帯域の光の透過率をβ1、第2波長帯域の光の透過率をβ2とする。基準となる第1波長帯域の露光係数をK1とすると、第2波長帯域の露光係数K2は式4により求めることができる。K2=K1×α2/α1×β2/β14算出された露光係数K1およびK2は主制御装置103内の露光係数記憶部123に記憶される。なお、光強度比と透過率比を用いて第1波長帯域の露光係数から第2波長帯域の露光係数を算出したが、光強度比と透過率比以外の他のパラメータを用いて算出することもできる。以上のように、実際には第1波長帯域の露光光を用いて結像特性を計測するだけで、任意の波長帯域の露光光における露光係数を算出することができるため、計測時間を短縮することができる。次に、露光係数を用いて投影光学系の結像特性の変動を予測して補正する工程第4工程について説明する。まず、露光装置が、ユーザーによって入力されたデータに従って、設定された波長で実際にウエハを露光できるように露光波長変更部102の設定をする。例えば、使用する波長に関するデータは入力画面等からユーザーによって入力され、その入力データに基づいて、露光波長変更部102が適切なフィルタを選択して光路内に配置する。また、使用する露光光の波長に関するデータを用いて、第3工程に記載のように、主制御部103は露光係数記憶部123に記憶された第1波長帯域の露光係数から第2波長帯域の露光係数を算出する。そして、算出した露光係数Kと露光エネルギーQから式2、3を用いて露光中および非露光中の結像特性の時間変化を予測する。そして、その予測データを用いて、結像特性の変動量による影響を低減するように、主制御装置103が制御情報を算出し、可動部投影光学系を構成する光学素子、マスクステージおよび基板ステージのうちの少なくともいずれか1つを制御する。なお、露光前に可動部の制御を行う場合は、気圧センサにより投影光学系を取巻く周辺気体の気圧が投影光学系に及ぼす影響、及び、露光装置毎に設定されているオフセット量が加味されて制御情報が算出されうる。以上のように、本実施形態では、露光光の各波長帯域の特性を考慮して露光係数モデル式を求めているため、投影光学系の結像特性の変動量をより正確に求めることができる。そのため、光学特性の変動量による影響をより低減することができる。なお、第2波長帯域の露光光を用いてウエハを露光する場合の例を説明したが、その例に限らず、第1波長帯域および第2波長帯域の光を含む露光光を用いてウエハを露光する場合でも適用可能である。第1および2波長帯域の光を含む露光光を用いてウエハを露光する場合、主制御装置103算出部は、記憶された露光係数K1とK2を用いて、第1および第2波長帯域の光を含む露光光の合成露光係数K12を算出する。ウエハを露光するときは、要求される焦点深度やパターンの解像度に応じて、露光光における第1波長帯域の光の強度と第2波長帯域の光の強度が設定される。そのため、それらの強度に応じて露光係数を求める必要がある。実際に投影光学系を透過する第1波長帯域の露光光の強度と、第2波長帯域の露光光の強度とは、露光波長変更部102のフィルタの透過率特性により決まる。第1波長帯域についてε1、第2波長帯域についてε2という比率によって、式5のように合成露光係数K12を算出できる。K12=ε1×K1ε2×K25なお、ε1がゼロのときは第2波長帯域の露光光のみで露光する場合で、ε2がゼロのときは第1波長帯域の露光光のみで露光する場合である。ε1およびε2は、任意の値であり、例えば実際に使用する露光光の各波長帯域の強度と各波長帯域に対する投影光学系の透過率の乗算に応じて設定され、算出される。第1波長帯域および第2波長帯域の2つの波長について説明してきたが、2つに限らず3つ以上の波長帯域についても同様に合成露光係数を算出することができる。例えば、各波長帯域の比をεnn=1、2、3として、式6の式のように、任意の波長帯域における合成露光係数Kxを算出できる。Kx=Σεn×Knn=1、2、3...6そして、ユーザーによって入力されたデータに従って、設定された波長で実際にウエハを露光できるように露光波長変更部102の設定をする。また、使用する露光光の波長に関するデータを用いて、主制御部103は露光係数記憶部123に記憶された各波長帯域に対する比率露光係数を取得し、実際に使用する露光光の合成露光係数を算出する。そして、算出した合成露光係数Kと露光エネルギーQから式2、3を用いて露光中および非露光中の結像特性の時間変化を予測する。そして、その予測データを用いて、結像特性の変動量による影響を低減するように、主制御装置103が制御情報を算出し、可動部投影光学系を構成する光学素子、マスクステージおよび基板ステージのうちの少なくともいずれか1つを制御する。次に、可動部の制御方法を説明する。投影光学系には、結像特性の動的補正のために光学素子を所望の方向に駆動する駆動素子が実装されている。主制御装置103において算出された制御情報は投影系制御装置に伝えられ、光学素子を所望の方向に駆動し、発生している収差を補正することが可能である。また、例えば、投影光学系のフォーカスが変動した場合は、ウエハ面がベストフォーカス位置となるように、主制御装置103からステージ制御装置120に補正量が伝えられる。そして、ウエハが載置されている基板ステージをZ方向駆動や傾斜駆動して、これらの位置姿勢を制御する。さらに、投影光学系や、マスクが載置されているマスクステージも制御装置により制御することができる。本実施形態では変動する結像特性を可動部を駆動して補正する方法を示した。ただし、これに限らず、主制御装置103に結像特性の変動量に対する閾値を記憶しておき、予測された変動量が閾値を超えた場合には、露光量を下げたり、露光を停止したりして露光負荷の調整を行って変動量自体を低減することもできる。なお、これまではある像高における変動モデルおよび変動量の補正について説明したが、従来知られている像高毎の変動モデルを使用することにより、任意の像高における変動量を予測し、補正することも可能である。上述の露光条件が異なるときには、各露光条件に応じて露光係数を求めるが、同一の露光条件であれば、上述のように結像特性の変動量を精度良く予測することができ、良好な状態でウエハを露光できる。第2実施形態次に、本発明の一実施形態のデバイス半導体デバイス、液晶表示デバイス等の製造方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造方法を例に説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。露光工程においては、上述のように投影光学系の結像特性の変動量を予測し、変動量を低減するように制御を行いながらウエハを露光する。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入を含む。なお、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。