N型の第1半導体層と、前記第1半導体層に形成されたP型の不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の一方の部位に接続され、前記一方の部位に高電位を印加するための高電位用電極と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の他方の部位に接続され、前記他方の部位に低電位を印加するための低電位用電極と、を備え、前記高電位用電極及び前記低電位用電極はそれぞれ前記絶縁膜上に延設されると共に、前記絶縁膜上において前記高電位用電極と前記低電位用電極との間には間隙部が設けられており、前記間隙部は、前記不純物拡散層の前記一方の部位と前記他方の部位との間の中間位置よりも前記一方の部位に近い側に位置することを特徴とする半導体装置。前記一方の部位と前記他方の部位との間の長さをLとし、前記一方の部位と前記間隙部との間の長さをL1としたとき、前記L1は前記Lの10以上、40以下の長さであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。P型の第1半導体層と、前記第1半導体層に形成されたN型の不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の一方の部位に接続され、前記一方の部位に高電位を印加するための高電位用電極と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の他方の部位に接続され、前記他方の部位に低電位を印加するための低電位用電極と、を備え、前記高電位用電極及び前記低電位用電極はそれぞれ前記絶縁膜上に延設されると共に、前記絶縁膜上において前記高電位用電極と前記低電位用電極との間には間隙部が設けられており、前記間隙部は、前記不純物拡散層の前記一方の部位と前記他方の部位との間の中間位置よりも前記他方の部位に近い側に位置することを特徴とする半導体装置。ところで、本発明者は、図7a及びbに示した半導体装置300にBTBiasTemperature試験を行うと、P型拡散抵抗307の抵抗値が変化する現象を確認した。この現象は、下記の理由で生じるものと考えられる。即ち、図7a及びbに示した半導体装置300にBT試験を行う。すると、P型拡散抵抗307の高電位側電極を含むの電位に誘起されて、高電位側のシリコン窒化膜319の表面と、高電位側のシリコン窒化膜319とシリコン酸化膜311との界面にそれぞれマイナス電荷がチャージ蓄積される。また、これら絶縁膜の表面や界面にチャージされたマイナス電荷に誘起されて、P型拡散抵抗307の表面にプラス電荷空孔がチャージされる。その結果、P型拡散抵抗307の抵抗値が低下する。このような抵抗値の変化を低減する手段として、例えば図8に示すように、P型拡散抵抗307の高電位側から低電位側に向けて、シリコン酸化膜311とシリコン窒化膜319との間に高電位側の電極315を延設することが考えられる。図8に示す構造では、シリコン酸化膜311とシリコン窒化膜319との間が電極315でシールドされる。このため、シリコン酸化膜311とシリコン窒化膜319との間で、マイナス電荷はチャージされない。その一方で、図8に示す構造では、電極315の電位によるバイアス依存の課題が新たに生じる。つまり、電極315の高電位によりP型拡散抵抗307の表面がN型に反転して、P型拡散抵抗307の抵抗値が高くなるという課題が生じる。このようなバイアス依存の課題を解決する手段として、電極によるシールドを高電位側と低電位側とで半分ずつに分ける方法が知られている例えば、非特許文献1参照。。具体的には、図9に示すように、拡散抵抗407の高電位側を高電位の電極415で覆い、拡散抵抗407の低電位側を低電位の電極417で覆い、両電極415、417を隔てるスリット421を拡散抵抗407の高電位側と低電位側の中間位置に配置する方法が知られている。しかしながら、本発明者の知見によれば、図9の構造では、バイアスに依存した抵抗値の変化を十分に低減することができなかった。そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、バイアスに依存した抵抗値の変化をさらに低減できるようにした半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、N型の第1半導体層と、前記第1半導体層に形成されたP型の不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の一方の部位に接続され、前記一方の部位に高電位を印加するための高電位用電極と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の他方の部位に接続され、前記他方の部位に低電位を印加するための低電位用電極と、を備え、前記高電位用電極及び前記低電位用電極はそれぞれ前記絶縁膜上に延設されると共に、前記絶縁膜上において前記高電位用電極と前記低電位用電極との間には間隙部が設けられており、前記間隙部は、前記不純物拡散層の前記一方の部位と前記他方の部位との間の中間位置よりも前記一方の部位に近い側に位置することを特徴とする。このような構成であれば、高電位用電極は絶縁膜を介してP型の不純物拡散層に高電位を印加して、その表面を空乏化、反転させる。これにより、P型の不純物拡散層ではバイアスに依存した抵抗値の上昇が生じる。一方、低電位用電極は絶縁膜を介してP型の不純物拡散層に低電位を印加する。この低電位用電極による低電位の印加は、高電位用電極による高電位の印加と比較して、P型の不純物拡散層の表面に正孔を蓄積する方向に作用する。これにより、P型の不純物拡散層のキャリア濃度が増えるため、抵抗値の低下を促すことができる。ここで、高電位用電極と低電位用電極との境目である間隙部は、上記の中間位置よりもP型の不純物拡散層の一方の部位の側即ち、高電位側に位置する。このため、P型の不純物拡散層において、空乏化、反転する領域が減少し、正孔を蓄積する領域が増える。これにより、バイアスに依存した抵抗値の変動を低減することが可能となる。なお、N型の第1半導体層としては、例えば、後述のN型シリコン層3が該当する。P型の不純物拡散層としては、例えば、後述するP型拡散抵抗7が該当する。絶縁膜としては、例えば、後述するシリコン酸化膜11が該当する。一方の部位としては、例えば、後述する一方の端部7aが該当する。他方の部位としては、例えば、後述する他方の端部7bが該当する。間隙部としては、例えば、後述するスリット21が該当する。また、上記の半導体装置において、前記一方の部位と前記他方の部位との間の長さをLとし、前記一方の部位と前記間隙部との間の長さをL1としたとき、前記L1は前記Lの10以上、40以下の長さであることを特徴としてもよい。このような構成であれば、バイアスに依存した抵抗値の変動を十分に低減することが可能となる。即ち、本発明者が行ったシミュレーションの結果によれば、本発明の絶縁膜の種類がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の何れの場合であっても、上記のL1がLの10以上、40以下の長さあれば、図9に示した従来の技術と比べて、バイアスに依存した抵抗値の変動を十分に低減することができることを確認した例えば、図3参照。。また、本発明者が行ったシミュレーションの結果によれば、本発明のP型の不純物拡散層の長さが30μm以上、120μm以下の何れの長さの場合であっても、上記のL1がLの10以上、40以下の長さあれば、図9に示した従来の技術と比べて、バイアスに依存した抵抗値の変動を十分に低減することができることを確認した例えば、図4参照。。さらに、本発明者が行ったシミュレーションの結果によれば、本発明のP型の不純物拡散層を形成する際の不純物のイオン注入条件が3.0E12cm-2以上、1.0E13cm-2以下の何れのドーズ量の場合であっても、上記のL1がLの10以上、40以下の長さあれば、図9に示した従来の技術と比べて、バイアスに依存した抵抗値の変動を十分に低減することができることを確認した例えば、図5参照。。本発明の別の態様に係る半導体装置は、P型の第1半導体層と、前記第1半導体層に形成されたN型の不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の一方の部位に接続され、前記一方の部位に高電位を印加するための高電位用電極と、前記絶縁膜を貫いて前記不純物拡散層の長さ方向の他方の部位に接続され、前記他方の部位に低電位を印加するための低電位用電極と、を備え、前記高電位用電極及び前記低電位用電極はそれぞれ前記絶縁膜上に延設されると共に、前記絶縁膜上において前記高電位用電極と前記低電位用電極との間には間隙部が設けられており、前記間隙部は、前記不純物拡散層の前記一方の部位と前記他方の部位との間の中間位置よりも前記他方の部位に近い側に位置することを特徴とする。このような構成であれば、高電位用電極は絶縁膜を介してN型の不純物拡散層に高電位を印加する。この高電位用電極による高電位の印加は、低電位用電極による低電位の印加と比較して、N型の不純物拡散層の表面に電子を蓄積する方向に作用する。一方、低電位用電極は絶縁膜を介してN型の不純物拡散層に低電位を印加して、その表面を空乏化、反転させる。これにより、N型の不純物拡散層ではバイアスに依存した抵抗値の上昇が生じる。ここで、高電位用電極と低電位用電極との境目である間隙部は、上記の中間位置よりもN型の不純物拡散層の他方の部位の側即ち、低電位側に位置する。このため、N型の不純物拡散層において、空乏化、反転する領域が減少し、電子を蓄積する領域が増える。これにより、バイアスに依存した抵抗値の変動を低減することが可能となる。なお、P型の第1半導体層としては、例えば、後述するP型シリコン層3 ́が該当する。N型の不純物拡散層としては、例えば、後述するN型拡散抵抗7 ́が該当する。本発明によれば、高電位用電極と低電位用電極との境目である間隙部の位置が、不純物拡散層の導電型に応じて調整される。これにより、P型の不純物拡散層において、空乏化、反転する領域が減少し、正孔を蓄積する領域が増える。又は、N型の不純物拡散層において、空乏化、反転する領域が減少し、電子を蓄積する領域が増える。これにより、バイアスに依存した抵抗値の変動を低減することが可能となる。以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。図2は、図1に示す半導体装置100の要部における電荷の蓄積状態を模式的に示す断面図である。図1に示すように、この半導体装置100は、例えば、P型シリコン基板Psub1と、このP型シリコン基板1上にエピタキシャル成長により形成されたN型シリコン層N-3と、P型シリコン基板1とN型シリコン層3との間に埋め込まれたN型不純物拡散層NBL5と、N型シリコン層3の表面及びその近傍であってN型不純物拡散層5の真上の位置に形成されたP型不純物拡散層P7と、N型シリコン層3に形成され、N型シリコン層3を他の領域から電気的に分離するP型アイソレーション層P型Iso9と、を備える。また、この半導体装置100は、P型不純物拡散層7と、N型シリコン層3及びP型アイソレーション層9の各表面を覆うように形成されたシリコン酸化膜SiO211と、このシリコン酸化膜11に設けられた複数の開口部13と、これらの開口部13を埋め込むようにシリコン酸化膜11上に形成された電極15、17と、これらの電極15、17を覆うようにP型シリコン基板1の上方全体に形成されたシリコン窒化膜SiN19と、を備える。これらの中で、P型不純物拡散層7は拡散抵抗として用いられるものである。このP型不純物拡散層以下、P型拡散抵抗7の長さ方向の一方の端部7aには電極15が接続されており、長さ方向の他方の端部7bには電極17が接続されている。また、電極15はN型シリコン層3とも接続している。電極15、17は、例えばアルミニウムAl又は、アルミニウムAlに銅Cu、シリコンSi等の元素を少量含む材料で構成されている。即ち、電極15、17は、例えばAl又は、Al-Cu、Al-Si、若しくは、Al-Cu-Si等の材料で構成されている。また、一方の電極15には高電位VH例えば、電源電位Vccの配線が接続されている。他方の電極には低電位VLの配線が接続されている。このため、電極以下、高電位用電極15はP型拡散抵抗7の一方の端部7aに高電位を印加し、電極以下、低電位用電極17はP型拡散抵抗7の他方の端部7bに低電位を印加する。これにより、P型拡散抵抗7の一方の端部7aと他方の端部7bとの間で電圧が生じて、一方の端部7aから他方の端部7bに電流が流れる。その結果、P型拡散抵抗7は、予め設定された即ち、所定の抵抗値を有する抵抗体として機能する。また、図1に示すように、高電位用電極15はP型拡散抵抗7の一方の端部7a上から開口部13を通ってP型拡散抵抗7上のシリコン酸化膜11上に延設されている。低電位用電極17はP型拡散抵抗7の他方の端部7b上から開口部13を通ってP型拡散抵抗7上のシリコン酸化膜11上に延設されている。そして、P型拡散抵抗7上のシリコン酸化膜11上において、高電位用電極15と低電位用電極17との間にはスリット21が設けられている。このスリット21は、P型拡散抵抗7の一方の端部7aと他方の端部7bとの間の中間位置23よりも一方の端部7aに近い側に位置する。この半導体装置100では、P型拡散抵抗7の上方において、シリコン酸化膜11とシリコン窒化膜19との間の界面が、スリット21の位置を除いて、接触していない。即ち、P型拡散抵抗7の上方において、シリコン酸化膜11とシリコン窒化膜19との間は高電位用電極15又は低電位用電極17で遮られている。このため、信頼性試験の一種であるBT試験即ち、高温環境下で高電圧を印加して、半導体装置の劣化を加速させながら動作させる試験において、シリコン酸化膜11とシリコン窒化膜19との界面にマイナス電荷がチャージされることを防ぐことができる。また、図2に示すように、この半導体装置100にバイアス印加を行うと、高電位用電極15の電位に誘起されて、高電位側のシリコン窒化膜19表面にマイナス電荷がチャージされる。また、この高電位用電極15は、シリコン酸化膜11を介して、高電位用電極15近傍のP型拡散抵抗7に高電位を印加して、その表面を空乏化、反転させる。これにより、P型不純物拡散層ではバイアスに依存した抵抗値の上昇が生じる。一方、低電位用電極17は、シリコン酸化膜11を介して、低電位用電極17近傍のP型不純物拡散層に低電位を印加する。この低電位用電極17による低電位の印加は、高電位用電極15による高電位の印加と比較して、P型拡散抵抗7の表面にプラス電荷正孔がチャージされる方向に作用する。これにより、P型拡散抵抗7のキャリア濃度が増えるため、抵抗値の低下を促すことができる。ここで、本発明の第1実施形態に係る半導体装置100では、高電位用電極15と低電位用電極17との境目であるスリット21が、上記の中間位置23図1参照。よりもP型拡散抵抗7の一方の端部7a側即ち、高電位側に位置する。このため、P型拡散抵抗7において空乏化、反転する領域が減少し、プラス電荷がチャージされる領域が増える。これにより、バイアスに依存した抵抗値の変動を低減することが可能となる。次に、スリット21の位置と、P型拡散抵抗7の抵抗値の変動率との関係について、本発明者が行ったシミュレーション結果を説明する。シミュレーション結果図3は、スリット位置と抵抗率との関係をシミュレーションした結果その1を示す図である。図3において、横軸X軸はスリットの位置を示し、縦軸Y軸はP型拡散抵抗の抵抗値の変動率を示す。なお、スリットの位置は、P型拡散抵抗の上方において、高電位電極及び低電位電極の各長さを足し合わせた値に対する、高電位電極の長さの比で表されている。換言すると、P型拡散抵抗の長さ即ち、一方の端部と他方の端部との間の長さをLとし、P型拡散抵抗の一方の端部からスリットまでの長さをL1としたとき、スリットの位置はX=L1/L×100で表されている。例えば、X=50の場合は、スリットの位置は上記の中間位置と重なることを意味する。0<X<50の場合は、スリットの位置は中間位置よりも高電位側に位置することを意味する本発明の範囲である。。50<X<100の場合は、スリットの位置は中間位置よりも低電位側に位置することを意味する。なお、長さLは、例えば図1に示した半導体装置100において、P型拡散抵抗7の一方の端部7aの位置25と、他方の端部7bの位置27との間の距離に相当する。また、長さL1は、例えば図1に示した半導体装置100において、P型拡散抵抗7の一方の端部7aの位置25と、スリット21の位置との間の距離に相当する。図3のデータは、P型拡散抵抗の長さLが120μmであり、高電位用電極に18Vを印加した時の抵抗値の変動率を示している。また、P型拡散抵抗と電極との間の絶縁膜が図1、2に示したようにシリコン酸化膜SiO2であるとき、及び、上記の絶縁膜がシリコン窒化膜SiNであるときのデータをそれぞれ示している。つまり、上記の抵抗値の変動率について、電極直下の絶縁膜、即ち、下地フィールド膜の膜種との関係も示している。図3に示すように、電極直下の絶縁膜がシリコン酸化膜の場合も、シリコン窒化膜の場合も、上記のスリットが中間位置から高電位側に位置するときに、抵抗値の変動率が低くなることが確認された。図3では、スリットの位置が少なくともX=10~40の範囲内であれば、X=50のときと比べて、バイアス依存での抵抗値の変動を低減することができることがわかった。また、フィールド膜は、シリコン酸化膜よりも誘電率が高いシリコン窒化膜であるときの方が抵抗値の変動率の傾きが大きく、スリット位置の変動による影響を受けやすいということがわかった。図4は、スリット位置と抵抗率との関係をシミュレーションした結果その2を示す図である。図4において、横軸X軸と縦軸Y軸は図3に示した図と同じである。即ち、横軸はスリットの位置を示し、縦軸は抵抗値の変動率を示す。図4のデータは、フィールド膜の膜種がシリコン酸化膜であり、高電位用電極に18Vを印加した時の抵抗値の変動率を示している。また、P型拡散抵抗の長さLが30μm、60μm、120μmであるときのデータをそれぞれ示している。つまり、上記の抵抗値の変動率について、P型拡散抵抗の長さLとの関係も示している。図4に示すように、P型拡散抵抗の長さLが長い場合及び短い場合の何れにおいても、上記のスリットが中間位置から高電位側に位置するときに、抵抗値の変動率が低くなることが確認された。図4では、スリットの位置が少なくともX=10~40の範囲内であれば、X=50のときと比べて、バイアス依存での抵抗値の変動を低減することができることがわかった。また、P型拡散抵抗は、その長さが短いときの方が抵抗値の変動率が大きいということが確認された。さらに、抵抗値の変動率の傾きはP型拡散抵抗の長さに依存しないということがわかった。図5は、スリット位置と抵抗率との関係をシミュレーションした結果その3を示す図である。図5において、横軸X軸と縦軸Y軸は図3に示した図と同じである。即ち、横軸はスリットの位置を示し、縦軸は抵抗値の変動率を示す。図5のデータは、フィールド膜の膜種がシリコン酸化膜であり、高電位用電極に18Vを印加した時の抵抗値の変動率を示している。また、P型拡散抵抗を形成する際のP型不純物のドーズ量が3.0E12cm-2、6.7E12cm-2、1.0E13cm-2であるときのデータをそれぞれ示している。つまり、P型拡散抵抗の抵抗値の変動率について、抵抗値の大小との関係も示している。図5に示すように、P型拡散抵抗の抵抗値が大きい場合及び小さい場合の何れにおいても、上記のスリットが中間位置から高電位側に位置するときに、抵抗値の変動率が低くなることが確認された。図5では、スリットの位置が少なくともX=10~40の範囲内であれば、X=50のときと比べて、バイアス依存での抵抗値の変動を低減することができることがわかった。また、P型拡散抵抗は、その抵抗値が大きいときの方が抵抗値の変動率が大きく、スリット位置の変動による影響を受けやすいということがわかった。第2実施形態ところで、本発明では、第1実施形態において、N型をP型に、P型をN型にそれぞれ入れ替えてもよい。但し、この場合は、高電位用電極と低電位用電極との間の間隙部を、高電位側ではなく、低電位側に設ける。本発明の第2実施形態では、この導電型を入れ替えた形態について説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置200の構成例を示す断面図である。図6に示すように、この半導体装置200は、図示しないN型シリコン基板Nsubと、このN型シリコン基板上にエピタキシャル成長により形成されたP型シリコン層P-3 ́と、P型シリコン層3 ́の表面及びその近傍に形成されたN型拡散抵抗N7 ́と、を備える。また、この半導体装置200は、P型シリコン層3 ́とN型拡散抵抗7 ́とを覆うシリコン酸化膜11と、このシリコン酸化膜11に設けられた複数の開口部13と、これらの開口部13を埋め込むようにシリコン酸化膜11上に形成された高電位用電極15及び低電位用電極17と、高電位用電極15及び低電位用電極17を覆うようにN型シリコン基板の上方全体に形成されたシリコン窒化膜19と、を備える。この半導体装置200において、高電位用電極15及び低電位用電極17はそれぞれシリコン酸化膜11上に延設されている。また、このシリコン酸化膜11上において高電位用電極15と低電位用電極17との間には間隙部21が設けられている。そして、この半導体装置200では、上記の間隙部21が、N型拡散抵抗7 ́の長さ方向の一方の端部7aと長さ方向の他方の端部7bとの間の中間位置よりも、他方の端部7bに近い側に位置する。このような構成であっても、上記の第1実施形態と同様の効果を奏する。即ち、図6に示す半導体装置200において、高電位用電極15による高電位の印加は、低電位用電極17による低電位の印加と比較して、N型拡散抵抗7 ́の表面に電子を蓄積する方向に作用する。一方、低電位用電極17はシリコン酸化膜11を介してN型拡散抵抗7 ́に低電位を印加して、その表面を空乏化、反転させる。これにより、N型拡散抵抗7 ́ではバイアスに依存した抵抗値の上昇が生じる。ここで、半導体装置200の間隙部21は、両端部7a、7bの中間位置より低電位側の端部7bに近い側に位置する。このため、N型拡散抵抗7 ́において、空乏化、反転する領域が減少し、電子を蓄積する領域が増える。これにより、バイアスに依存した抵抗値の変動を低減することが可能となる。