"少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該膜の少なくとも一部を除去するエッチング方法。前記アニオン界面活性剤がスルホン酸もしくはスルホン酸塩である請求項1に記載のエッチング方法。前記アニオン界面活性剤がアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である請求項1又は2に記載のエッチング方法。前記アニオン界面活性剤が炭素数8~12のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である請求項1~3のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記シリコンエッチング液を適用する前に、前記シリコン膜の酸化膜を除去する工程を含む請求項1~4のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成する請求項1~5のいずれか1項に記載のエッチング方法。前記キャパシタ構造を構成する凹凸形状部がTi化合物を含んでなる請求項6に記載の形成方法。前記凹凸形状として、アスペクト比開口幅/深さ15~100のシリンダ構造を形成する請求項6又は7に記載の形成方法。多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むことを特徴とするシリコンエッチング液。前記アニオン界面活性剤がアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である請求項9に記載のシリコンエッチング液。前記アニオン界面活性剤が炭素数8~12のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である請求項9又は10に記載のシリコンエッチング液。前記無機アルカリ化合物がアンモニア及び水酸化カリウムの少なくとも1つを含む請求項9~11のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。前記無機アルカリ化合物がアンモニアである請求項9~12のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。前記無機アルカリ化合物を3~25質量含有し、前記ヒドロキシルアミン化合物を0.1~20質量含有することを特徴とする請求項9~13のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。前記アニオン性化合物を0.0001~0.1質量含有することを特徴とする請求項9~14のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。上記のような近時採用されているキャパシタ構造の形成を始め、半導体基板に凹凸をなすエッチング液については、いまだ十分な研究開発が進められていない。特に本発明者らは、半導体基板に凹凸を形成するに当たり、ウエハの端部と中央部とでできるだけ均一にバランスよくエッチングすることが、素子としたときの製造品質の向上等の観点から重要であると考えた。そこで、本発明は、アモルファスシリコン又は多結晶シリコン膜を的確かつ効率よく除去して半導体基板に凹凸を形成するに当たり、ウエハの中央部から端部に至るまでバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法の提供を目的とする。上記の課題は以下の手段により解決された。1少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むシリコンエッチング液を、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該膜の少なくとも一部を除去するエッチング方法。2前記アニオン界面活性剤がスルホン酸もしくはスルホン酸塩である1に記載のエッチング方法。3前記アニオン界面活性剤がアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である1又は2に記載のエッチング方法。4前記アニオン界面活性剤が炭素数8~12のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である1~3のいずれか1項に記載のエッチング方法。5前記シリコンエッチング液を適用する前に、前記シリコン膜の酸化膜を除去する工程を含む1~4のいずれか1項に記載のエッチング方法。6前記多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成する1~5のいずれか1項に記載のエッチング方法。7前記キャパシタ構造を構成する凹凸形状部がTi化合物を含んでなる6に記載の形成方法。8前記凹凸形状として、アスペクト比開口幅/深さ15~100のシリンダ構造を形成する6又は7に記載の形成方法。9多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜をエッチングするためのエッチング液であって、少なくとも無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物、及びアニオン性化合物を含むことを特徴とするシリコンエッチング液。10前記アニオン界面活性剤がアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である9に記載のシリコンエッチング液。11前記アニオン界面活性剤が炭素数8~12のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩である9又は10に記載のシリコンエッチング液。12前記無機アルカリ化合物がアンモニア及び水酸化カリウムの少なくとも1つを含む9~11のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。13前記無機アルカリ化合物がアンモニアである9~12のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。14前記無機アルカリ化合物を3~25質量含有し、前記ヒドロキシルアミン化合物を0.1~20質量含有することを特徴とする9~13のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。15前記アニオン性化合物を0.0001~0.1質量含有することを特徴とする9~14のいずれか1項に記載のシリコンエッチング液。本発明のシリコンエッチング液及びエッチング方法によれば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコン膜を的確かつ効率よく除去して半導体基板に所望の凹凸を付与し、しかもウエハの中央部から端部に至るまでバランスよくエッチングすることができる。[キャパシタ構造の形成]まず、本発明に係るエッチング液について説明する前に、本発明において好適に採用することができるキャパシタ構造の製造例について図1~5に基づき説明する。なお、下記詳細な説明ではキャパシタ構造の形成について主に説明するが、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。工程a本実施形態の製造例においては、シリコンウエハ3の上に第1の成形膜1と第2の成形膜2が形成されている。第1の成形膜1はシリンダ孔の開孔時のエッチングストッパー膜であり、第2の成形膜2と異方性ドライエッチングプロセスでエッチングレート比を有する膜である。第1の成形膜1としては、例えばLP-CVDプロセスで形成した窒化膜等が挙げられる。一方、第2の成形膜2には多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンの膜が挙げられる。さらに図示していないが保護膜を設けてもよい。なお、シリコンウエハ3は大幅に簡略化して単層のものとして示しているが、通常はここに所定の回路構造が形成されている。たとえば、分離絶縁膜、ゲート酸化膜、ゲート電極、拡散層領域、ポリシリコンプラグ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、ビット線、金属プラグ、窒化膜、プラズマ酸化膜、BPSG膜などを用いたものが挙げられる例えば前記特許文献1参照。また、図1~5においては、特にハッチングを付して示していないが、各部材の断面を示している図3fの下図は平面図である。工程b次に、フォトリソグラフィー工程を用いてフォトレジスト4をパターンニングした後、異方性ドライエッチングにて開孔する凹部Ka。このときのフォトレジスト4及びドライエッチングの手法については、この種の製品に適用される通常の物あるいは方法を適用すればよい。工程c、工程dさらに、開孔後に凹部Kaの壁面Waと成形膜シリコン膜2の上面Wbに沿って、TiNからなる導電膜5を形成する。そして、さらに導電膜5を保護するための埋設膜6例えば多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンの膜を凹部に充填するように順次成膜する。このとき中間的に導電膜5形成後に形成される凹部をKbとして示している。工程e埋設膜6の成膜後はCMPにてウエハ表面の埋設膜6及び導電膜5図2,3の一部を除去し、エッチバックラインEまで露出させる。ここで、第2の絶縁膜2及び埋設膜6をウエットエッチングにより除去する。本発明においてはこの工程が重要であり、後述する本発明に係るエッチング液が高い効果を発揮する。この工程を経て、シリンダ孔Kcを有するキャパシタの下部電極シリンダ壁50図3が形成される。シリンダ孔壁の深さh2は特に限定されないが、この種のデバイスの通常の構造を考慮すると、300~2000nmであることが実際的である。なお、本発明のエッチング液は上記のようにエッチバック等により平滑にされた面に適用することが好ましく、そこから埋設膜を除去して、トレンチ構造を形成することが好ましい。工程f上記のようにして形成したキャパシタの下部電極50形成後に、容量絶縁膜9を形成し、次いでプレート電極上部電極図示せずの形成を順次行うことでキャパシタ構造10が形成できる。なお、本明細書においてキャパシタ構造とは、キャパシタそのものであっても、キャパシタの一部を構成する構造部であってもよく、図4に示した例では、下部電極50と容量絶縁膜9とから構成されるものとしてキャパシタ構造10を示している。なお、図示したものでは下部電極50とウエハ3とを成形膜1で隔てた構成として示しているが、必要により同図の断面もしくは別の位置で両者が電気的に接続された構成であるものとして解してよい。例えば、成形膜1の部分にプラグ構造やダマシン構造を形成して導通を確保する構造であったり、下部電極50を成形膜1を貫通する形で形成したものであったりしてもよい。また、容量絶縁膜は下部電極50のみではなく、その他の基板表面に形成されていてもよい。半導体基板の上下は特に定めなくてもよいが、本明細書において、図示したものに基づいて言えば、ウエハ3の側を下部底部の方向とし、導電膜5の側を上部天部の方向とする。図5は上記実施形態のキャパシタ構造の変形例を示している。この例では下部電極シリンダ構造の底部81と主要部82とは別の材料で構成されている。例えば、底部81をSi3N4で構成し、主要部82をTiNで構成する例が挙げられる。なお、図4、図5では構造を端面図として示している。次に、図6、図7に基づいて、上記実施形態の変形例保護部7のある形態について説明する。本実施形態では、電極保護膜7を形成する。電極保護膜はキャパシタ構造形成時のシリコン材料の除去に用いるウエットエッチング液に対して充分な耐性を持つ絶縁膜であることが望ましい。更にシリンダ孔Kaの全体に均一に成膜できることが望ましい。例えば、ALDAtomicLayerDeposition法を用いた窒化膜や五酸化タンタルTa2O5膜等が挙げられる。これを形成する手順は特に限定されないが、等方性エッチングにより、電極保護膜の成長後、電極保護膜を除去する。具体的には、まず成形膜2を、成形層21を含む3層のものに構成しておく図6a。これをエッチングするが、成形膜21は等方性エッチングにおいてエッチングされやすいものが採用されている。そのため、等方性エッチングによりこの部分に窪みVaが形成される図6b。その後、保護膜図示せずを形成すると、凹部Kaの壁面に形成されたこの窪み部を含め表面が保護膜に覆われる。つまり、この窪み部内に電極保護膜が充填される。その後、等方性エッチングを施すと、保護部7のみが残された状態となる。これ以降は、上記実施形態と同様に導電膜5を適用し、下部電極50を形成することができる。次いで、本実施形態のエッチング液でシリコン膜及び埋設膜を除去すると、後記下部電極50をなしたとき、そこに、突出した電極保護部図示せずを形成することができる図6c。この電極保護用突出部の構造や利点については、特開2010-199136号公報に詳細に開示されている。本変形例においては、シリンダ孔Kcからの埋設膜の除去が困難なことはもとより、保護部7があるため、電極50間の間隙凹状部Kdからの成形膜2の除去も難しくなる。むしろ、外方に突出する保護部7が堰のように機能し、その下方にある成形膜の除去放出を著しく困難にすることがある。本発明のエッチング液は、このような除去が困難な態様において特に高い効果を発揮するため、その適用が好ましい。[シリコンエッチング液]次に、上記工程eにおいて説明したウエットエッチングに極めて効果的に用いることができる本発明のシリコンエッチング液の好ましい実施形態について説明する。本実施形態のエッチング液においては、無機アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン化合物及びアニオン性化合物を組み合わせて適用することにより、電極等の部材を傷めずに、上述のような凹凸形状のあるキャパシタ構造の形成に係る多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の除去を的確に行うことを可能にした。その詳細な理由は未解明の点を含むが、以下のように推定される。ヒドロキシルアミン化合物はシリコンと錯体を作ると解される。また、アルカリ化合物はシリコンをシラノール化しながら、溶解する。これに対し、本発明のエッチング液においては特定のアルカリ化合物とヒドロキシルアミン化合物を併用し、上記どちらかの反応が優先的に起こるのではなく、これら2つの反応を同時に進行させることで、エッチング速度を大きくすることができると考えている。一方、エッチング速度が高まると、そのばらつきも大きくなることは避けがたい。これに対し、その理由は十分に解明されていないが、上記エッチング液にアニオン性化合物を共存させることで、特定のアルカリ化合物とヒドロキシルアミン化合物とを併用した特有の系において、上記の高いエッチング速度を十分に維持しつつ、前記アニオン性化合物が作用し、ウエハの中央部から端部に至るまでバランスの良いエッチングを可能にしたものと解される。以下、本発明についてその好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。なお、本明細書において、特定の剤を含む液あるいは組み合わせた液とは、当該剤を含有する液組成物を意味するほか、使用前にそれぞれの剤ないしそれを含有する液を混合して用いるキットとしての意味を包含するものである。ヒドロキシルアミン化合物本実施形態のエッチング液はヒドロキシルアミン化合物を含有する。ここでヒドロキシルアミン化合物とは、当該化合物そのものに加え、その塩、そのイオン等を含む意味に用いる。典型的には、当該化合物及び/又はその塩を意味する。したがって、上記ヒドロキシルアミン化合物というときには、ヒドロキシルアンモニウムイオン、ヒドロキシルアミン、及び/又はその塩を含む意味であり、典型的には、ヒドロキシルアミン及び/又はその塩を意味する。本実施形態のエッチング液を形成するのに使われるヒドロキシルアミンの塩としては、ヒドロキシルアミン硝酸塩HANとも称される、ヒドロキシルアミン硫酸塩HASとも称される、ヒドロキシルアミンリン酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩などが例示できる。エッチング液に、ヒドロキシルアミンの有機酸塩も使用することができ、ヒドロキシルアミンクエン酸塩、ヒドロキシルアミンシュウ酸塩などが例示できる。これらヒドロキシルアミンの塩のうち、ヒドロキシルアミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン硫酸塩、ヒドロキシルアミンリン酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩などの無機酸塩が、アルミニウムや銅、チタンなどの金属に対して不活性なので好ましい。特に、ヒドロキシルアミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン硫酸塩が好ましい。これらヒドロキシルアミン化合物は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。ヒドロキシルアミン化合物は、本実施形態のエッチング液の全質量に対して、0.1~20質量の範囲内で含有させることが好ましく、5~20質量含有させることがより好ましく、5~15質量含有させることがさらに好ましい。上記上限値以下とすることで、高いエッチング速度を保持することができるため好ましい。上記下限値以上とすることが、面内均一性の観点で好ましい。無機アルカリ化合物本実施形態のエッチング液は、無機アルカリ化合物を含む。無機アルカリ化合物としては、強アルカリ性を示す化合物であれば使用可能であり、所望のエッチング特性が得られる通常の無機アルカリ化合物を使用すればよいが、なかでもアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ヒドラジンが好ましく、アンモニア、水酸化カリウムがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。無機アルカリ化合物は2種以上を組合せて用いてもよい。無機アルカリ化合物の含有量は、本実施形態のエッチング液の全質量に対して、3~25質量の範囲内で含有させることが好ましく、5~20質量含有させることがより好ましい。上記上限値以下及び下限値以上とすることで、高いエッチング速度を保持することができるため好ましい。なお、性能が飽和するため、その観点からも上記上限以下で対応すればよい。アニオン性化合物本実施形態のエッチング液は、アニオン性化合物含み、アニオン界面活性剤であることが好ましい。その理由は定かではないが、特定のアルカリ化合物とヒドロキシルアミン化合物とを併用した特有の系において、高いエッチング速度と良好な面内均一性とを両立することができる。また、アニオン性化合物をエッチング液に添加することで、その粘度が好適化され、これがエッチングの面内均一性をさらに向上させることを期待することができる。本明細書においてアニオン性化合物とは、親水基と親油基とを分子内に有し、親水基の部分が水溶液中で解離して、アニオンとなる化合物を意味する。典型的にはアニオン界面活性剤であるが、それ以外のものを含む。アニオン性化合物としては、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物、リン酸化合物等が挙げられる。アニオン界面活性剤としては、スルホン酸化合物、アルキル硫酸エステル、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルプロピオン酸、リン酸アルキル、およびそれらの塩が挙げられる。これらのうち、スルホン酸化合物が好ましく、なかでもアルキルスルホン酸、アルキルスルホン酸塩がより好ましく、炭素数8~12のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩が特に好ましい。塩としてはアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエタノールアミン塩が上げられる。アニオン界面活性剤は、2種以上を組合せて用いてもよい。アニオン界面活性剤は、本実施形態のエッチング液の全質量に対して、0.0001~0.1質量の範囲内で含有させることが好ましく、0.001~0.05質量含有させることがより好ましく、0.005~0.02質量含有させることがさらに好ましい。上記上限値以下とすることで、泡立ちの抑制もしくは高いエッチング速度を保持することができるため好ましい。上記下限値以上とすることが、エッチングのバランスの保持の観点で好ましい。また、本発明の好ましい実施形態においてアニオン界面活性剤は、無機アルカリ化合物及びヒドロキシルアミンの洗浄力を適切にかつ選択的に抑制する作用を発揮する。この作用を効果的に引き出すために、無機アルカリ化合物及びヒドロキシルアミンの合計量100質量部に対して、アニオン界面活性剤を0.001~0.1質量部配合することが好ましく、0.01~0.08質量部配合することがより好ましい。なお、本明細書において化合物という語を末尾に付して呼ぶとき、あるいは特定の名称ないし化学式で示すときには、当該化合物そのものに加え、その塩、錯体、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換無置換を明記していない置換基については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換無置換を明記していない化合物についても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Tが挙げられる。置換基Tアルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、例えば、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルホンアミド、N-フェニルスルホンアミド等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、シアノ基、又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基又はシアノ基が挙げられる。シリコン基板表面処理本実施形態においては、さらにシリコン基板表面に自然に形成される酸化膜除去処理を組み合わせて適用することが好ましく、前記エッチング液を適用する前に適用しておくことが好ましい。表面処理の方法は、形成される酸化膜が除去できる限り限定されないが、例えばフッ素原子を含有する酸性水溶液で処理することが挙げられる。フッ素原子を含有する酸性水溶液として、好ましくはフッ化水素酸であり、フッ化水素酸の含有量は、本実施形態の液の全質量に対して、約0.1~約5質量であることが好ましく、0.5~1.5質量であることがより好ましい。上記上限値以下とすることで、部材へのダメージを十分に抑制することができ好ましい。上記下限値以上とすることで、酸化膜の除去性を十分に発揮させることができるため好ましい。なお、上記フッ化水素酸は塩の形で存在していてもよい。pH本発明のシリコンエッチング液はアルカリ性であり、pH9以上に調整されていることが好ましい。この調整は上記アルカリ化合物とヒドロキシルアミン化合物の添加量を調整することで行うことができる。ただし、本発明の効果を損なわない限りにおいて、他のpH調整剤を用いて上記範囲のpHとしてもよい。シリコンエッチング液のpHは、9以上であることが好ましく、11以上であることがより好ましい。このpHが上記下限値以上であることで、十分なエッチング速度を得るとすることができる。上記pHに特に上限はないが、14以下であることが実際的である。なお、本発明においてpHは特に断らない限り室温25°CにおいてHORIBA社製、F-51商品名で測定した値である。その他の成分有機溶剤の添加本発明のシリコンエッチング液においては、さらに水溶性有機溶剤を添加してもよい。これにより、ウエハの面内における均一なエッチング性を更に向上しうる点で有効である。水溶性有機溶剤は、アルコール類例えば、エチレングリコール、グリセリン、1,3-プロパンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、プロピレングリコール、フルフリルアルコール、2-メチルー2,4-ペンタンジオール、グリコール類例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、エーテル類例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテルが好ましい。添加量はエッチング液全量に対して0.1~20質量であることが好ましく、1~15質量であることがより好ましい。この量が上記下限値以上であることで、上記のエッチングの均一性の向上を効果的に実現することができる。一方、上記上限値以下であることで、多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜、その他金属膜に対しての濡れ性を確保することができる。水性媒体本実施形態のエッチング液は、水性媒体を媒体とする水系の液組成物であることが好ましい。水性媒体とは、水及び水に可溶な溶質を溶解した水溶液を言う。溶質としては、例えば、アルコールや無機化合物の塩が挙げられる。ただし、溶質を適用する場合でもその量は所望の効果が奏する範囲に抑えられていることが好ましい。また、上記水系の組成物とは、水性媒体が主たる媒体となっていることをいい、固形分以外の媒体の過半が水性媒体であることが好ましく、70質量以上がより好ましく、90質量以上であることが特に好ましい。なお、本明細書において、半導体基板とは、ウエハのみではなくそこに回路構造が施された基板構造体全体を含む意味で用いる。半導体基板部材とは、上記で定義される半導体基板を構成する部材を指し1つの材料からなっていても複数の材料からなっていてもよい。なお、加工済みの半導体基板を半導体基板製品として区別して呼ぶことがあり、これに必要によりさらに加工を加えダイシングして取り出したチップ及びその加工製品を半導体素子という。被加工物本実施形態のエッチング液を適用することによりエッチングされる材料はどのようなものでもよいが、一般的なキャパシタの製造に用いられる基板材料として多結晶シリコン又はアモルファスシリコンが挙げられる。一方、キャパシタ構造の中核をなす電極材料としては窒化チタンTiNなどのTi化合物が挙げられるただし、本発明は電極材料に限らずTiNを含む基板構成部材の一部を残すエッチング形態としてもよい。。すなわち、本実施形態のエッチング液は、上記基板材料のエッチングレートERsと電極材料等の構成部材のエッチングレートEReとの比率ERs/EReが大きいことが好ましい。具体的な比率の値は材料の種類や構造にもよるので特に限定されないが、ERs/EReが100以上であることが好ましく、200以上であることが好ましい。なお、本明細書においては、シリコン基板をエッチングするようエッチング液を用いることを適用と称するが、その実施態様は特に限定されない。例えば、バッチ式のもので浸漬してエッチングしても、枚葉式のもので吐出によりエッチングしてもよい。なお、Ti化合物とはTiそのもの及びこれを含む化合物を含む意味である。TiNのほか、Ti、Ti,N,Cの複合化合物などが挙げられる。なかでもTiNが好ましい。加工されるキャパシタ構造の形状や寸法は特に限定されないが、上述したようなシリンダ構造を有するものとしていうと、そのシリンダ孔のアスペクト比が5以上である場合に特に本実施形態のエッチング液の高い効果が活かされ好ましい。同様の観点でアスペクト比が15以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。上限は特にないが、アスペクト比1000以下であることが実際的である。シリンダ孔の開口径dcは特に限定されないが、本実施形態において効果が発揮され、近時のキャパシタ構造の微細化を考慮すると、20~80nmであるものが好ましい。なお、本明細書においてトレンチないしその構造とは、シリンダ構造を含む概念であり、特定の断面において凹状の形態を呈する構造であれば特に限定されず、溝状の形状のみならず、孔状の形状、逆に針状の構造部多数突出したその周囲などであってもよい。図3を例に言うと、凹状部Kdが針状の構造部多数突出したその周囲からなるトレンチ構造にあたり、シリンダ孔Kcが孔状のトレンチ構造にあたる。アスペクト比は、シリンダ孔Kcについては、その凹状部の幅dcを深さh2で除した値である。針状の構造部多数突出したその周囲をなす凹状部Kdのアスペクト比は、例えば、凹状部の幅ddを深さh2で除した値である。さらにここで強調しておくべきことは、本発明によれば、ウエハの端部と中央部とでキャパシタ構造の均一なエッチング性が実現されることである。これをエッチング速度でいうと、端部のエッチング速度Reと中央部のエッチング速度Rcとの比率Rc/Reが、0.7~1.5であることが好ましく、0.85~1.15であることがより好ましい。これにより近時要求されるキャパシタ製造の高い製造品質と高い製造効率との両立の実現に資するため好ましい。さらに、上記の観点から、本発明においては、TiNを含んでなるキャパシタ構成部材を少なくとも前記凹凸構造の壁面に残しつつ、前記多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜についてエッチングを行うことが好ましい。この構成部材は、TiN以外に、HfOx、SiN、SiO2等を含んでいてもよい。なお、TiNは典型的には電極膜をなしている。また、前記多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜を有する実質的に平らな面をもつ半導体基板を準備し、該半導体基板の表面に前記エッチング液を適用し、前記多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜を除去して、その除去された部分を凹部とし、基板内に残された凸部をキャパシタとすることが好ましい。このとき、前記凹部の壁面には、TiN膜が残存していることが好ましい。すなわち、本発明の好ましい実施形態のエッチング液によれば、必要により、シリンダ構造をもつ電極で構成されたキャパシタ構造にも対応することができ、シリンダ孔内部等シリンダ構造が密集した部分の孔外も含むの多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜を選択的に除去することができる。本発明において好ましい半導体基板製品の製造方法に係る工程要件を以下に記載しておく。1多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜からなるシリコン膜を有する半導体基板を準備する工程、及び前記半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記シリコン膜の少なくとも一部をエッチングする工程を有する。2前記半導体基板を準備する工程において、前記シリコン膜を含む多層膜構造を形成し、かつ前記半導体基板に凹凸を形成しておき、その後、前記凹凸表面の少なくとも上面と凹部壁面とに導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に埋設膜を付与して前記凹部を該埋設膜で充填する工程と、前記上面に付与された導電膜部分および前記埋設膜の一部を除去して、前記半導体基板のシリコン膜を露出させる工程とを有し、次いで、前記シリコン膜のエッチング工程において、前記半導体基板に前記エッチング液を付与して、前記凹部壁面の導電膜は残しつつ、前記露出したシリコン膜と前記埋設膜とを除去する。3半導体基板として実質的に平らな面をもつものを準備し、該半導体基板の表面に前記エッチング液を適用し、前記シリコン膜と前記埋設膜とを除去して、その除去された部分を凹部とし、基板内に残された前記導電膜を含む凸部をキャパシタの電極とする。<実施例1、比較例1>以下の表1に示す成分及び下記処方に示した組成質量で含有させてエッチング液を調液した。なお、試験No.101~113のエッチング液はいずれもpH9以上であった。<エッチング試験>試験ウエハ:単結晶<100>シリコン上に製膜された500nmの膜厚の多結晶シリコンもしくは500nmの膜厚のアモルファスシリコンのウエハを準備した。これに対して、枚葉式装置SPS-EuropeB.V.社製、POLOS商品名にて下記の条件でエッチングを行い、評価試験を実施した。なお、ウエハには直径300mmのものを用い、その平均エッチング速度Aveとともに、最大エッチング速度Maxと、最小エッチング速度Minとを対比して評価した。測定は、ウエハの中央から端部まで均等に5点を設定し、この5点の結果から評価した。薬液温度:80°C吐出量:1L/min.ウエハ回転数500rpmなお、上記の結果は、下記のように区分して表中に示した。[シリコンエッチング平均速度]Aveについて、以下のように区分して表中に示した。C:400nm/min未満B:400nm/min以上600nm/min未満A:600nm/min以上1000nm/min未満AA:1000nm/min以上[シリコンエッチング速度差の割合]Max-Min/Aveを算出し、以下のように区分して表中に示した。C:0.15を超えるB:0.15以下0.1超A:0.1以下0.05超AA:0.05以下試験No.1実施例試験No.c比較例比較例3,4:特開2006-351813号公報に記載の液組成に相当する上表に示したとおり、本発明のシリコンエッチング液によれば、特にアモルファスシリコン及び多結晶シリコンに対応して、十分なエッチング速度を実現し、しかもウエハ面内でむらのないエッチング処理が可能であることが分かる。さらに、本発明のシリコンエッチング液は、素子の電極材料等の構成部材であるTiNへの各膜へのダメージが非常に小さいことを確認した。一方、比較例のものでは、ウエハの中央部と端部とでエッチング速度のバランスをとることが難しく、特に端部の速度が大幅に低下してしまう傾向があった。あるいは、平均して、エッチング速度が劣った。"