結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜を露出させることを特徴とするエッチング方法。結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられ、上面が第1の領域と第2の領域からなる積層半導体膜の該第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチングにより、前記第2の領域の前記結晶性半導体膜を露出させることを特徴とするエッチング方法。請求項1または請求項2に記載の前記混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うことを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記Br系ガスはHBrガスであることを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記F系ガスはSF6ガスであることを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記Br系ガスと前記F系ガスと前記酸素ガスの流量比は、25:2:1であることを特徴とするエッチング方法。請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とするエッチング方法。請求項7において、前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とするエッチング方法。第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜及び前記不純物半導体膜を除去して島状に加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に第2の導電層となる導電膜を形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜上に第2のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜をエッチングすることで前記第2の導電層を形成し、前記第2の導電層と重畳していない領域の前記薄膜積層体をエッチングすることで、前記第2の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体層を露出させ、前記結晶性半導体層を露出させる前記エッチングには、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜及び前記不純物半導体膜を除去して島状に加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に第2の導電層となる導電膜及び第2の絶縁層となる絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁層となる前記絶縁膜上に第2のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第2の絶縁層となる前記絶縁膜をエッチングすることで前記第2の絶縁層を形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜をエッチングすることで前記第2の導電層を形成し、前記第2の導電層と重畳していない領域の前記薄膜積層体をエッチングすることで、前記第2の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体層を露出させ、前記結晶性半導体層を露出させる前記エッチングには、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項10において、前記第2の絶縁層と前記第2の導電層は、同一のエッチング工程で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項11のいずれか一において、前記第2のエッチングマスクは、前記第2の導電層と重畳していない部分の結晶性半導体層を露出させるエッチングよりも前に除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項12のいずれか一に記載の混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項13のいずれか一において、前記Br系ガスはHBrガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項14のいずれか一において、前記F系ガスはSF6ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項15のいずれか一において、前記Br系ガスと前記F系ガスと前記酸素ガスの流量比は、25:2:1であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項16のいずれか一において、前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項17において、前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項9乃至請求項18のいずれか一において、前記結晶性半導体層の露出された部分では、SIMSによるBrの検出値が1.0×1019atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。第1の導電層と、前記第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられた結晶性半導体層と、前記結晶性半導体層の一部を露出させて設けられた非晶質半導体層と、前記非晶質半導体層上に設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層上に少なくとも一部が接して設けられた第2の導電層と、を有し、前記結晶性半導体層の露出された前記一部では、SIMSによるBrの検出値が1.0×1019atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。特許文献1に開示された薄膜トランジスタのように、微結晶シリコン膜上に非晶質シリコン膜が設けられ、微結晶シリコン膜と非晶質シリコン膜が同種の材料により形成されており、薄膜トランジスタのチャネル形成領域において該微結晶シリコン膜の一部が露出された構造を作製するに際しては、該露出された領域における微結晶シリコン膜の厚さが減少し、または、非晶質シリコン膜が十分にエッチングされない。同種の材料により形成された結晶性半導体膜と非晶質半導体膜のエッチングレートを大きく異ならせるすなわち、エッチング選択比を大きくすることが困難だからである。特許文献1ではこの部分のエッチングとして、フッ素系ガスを原料としたドライエッチング及びフッ化水素酸などによるウエットエッチングが例示されているが、フッ素系ガスを原料としたドライエッチングであっても、微結晶シリコン膜と非晶質シリコン膜の間で十分なエッチング選択比をとることは難しい。本発明の一態様は、結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供することを課題とする。更には、本発明の一態様は、当該エッチング方法を採用して半導体装置の特性を良好なものとすることを課題とする。本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させるエッチング方法である。ここで、Br系ガスとは、Brを含むガスをいい、F系ガスとは、Fを含むガスをいう。このように、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチング方法が開示された先行技術文献として、例えば特許文献2が挙げられる。特許文献2には、酸化シリコン膜に対するタングステンシリサイド膜のエッチング選択比が高いエッチング方法が開示されている。特許文献2によれば、タングステンシリサイド膜のエッチングは、SF6、HBr及びO2の混合ガスを用いて反応性イオンエッチングにより行う。すなわち、特許文献2に開示された技術は、下地膜が酸化シリコン膜であり、エッチングされる膜がタングステンシリサイド膜である場合のエッチング方法であって、これらのエッチング選択比を高くするものである。従って、本発明の一態様であるエッチング方法とはエッチングされる膜が異なり、下地膜も異なるものである。すなわち、本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜を露出させることを特徴とするエッチング方法である。または、本発明の一態様は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられ、上面が第1の領域と第2の領域からなる積層半導体膜の該第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチングにより、前記第2の領域の前記結晶性半導体膜を露出させることを特徴とするエッチング方法である。なお、前記混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うとよい。また、前記Br系ガスはHBrガスであることが好ましい。また、前記F系ガスはSF6ガスであることが好ましい。また、前記Br系ガスと前記F系ガスと前記酸素ガスの流量比は、25:2:1であるとよい。また、前記結晶性半導体膜としては、例えば微結晶半導体膜が挙げられる。また、前記微結晶半導体膜としては、例えば微結晶シリコンが挙げられ、前記非晶質半導体膜としては、例えば非晶質シリコンが挙げられる。また、本発明の一態様は、前記エッチング方法を採用した薄膜トランジスタの作製方法である。すなわち、本発明の一態様は、第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜及び前記不純物半導体膜を除去して島状に加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に第2の導電層となる導電膜を形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜上に第2のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜をエッチングすることで前記第2の導電層を形成し、前記第2の導電層と重畳していない領域の前記薄膜積層体をエッチングすることで、前記第2の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体膜を露出させ、前記結晶性半導体膜を露出させる前記エッチングには、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法である。または、本発明の一態様は、第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記不純物半導体膜上に第1のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第1のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜及び前記不純物半導体膜を除去して島状に加工することで薄膜積層体を形成し、前記第1のエッチングマスクを除去し、前記薄膜積層体上に第2の導電層となる導電膜及び第2の絶縁層となる絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁層となる前記絶縁膜上に第2のエッチングマスクを位置選択的に形成し、前記第2の絶縁層となる前記絶縁膜をエッチングすることで前記第2の絶縁層を形成し、前記第2の導電層となる前記導電膜をエッチングすることで前記第2の導電層を形成し、前記第2の導電層と重畳していない領域の前記薄膜積層体をエッチングすることで、前記第2の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体膜を露出させ、前記結晶性半導体膜を露出させる前記エッチングには、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法である。前記構成の半導体装置の作製方法において、前記第2の絶縁層と前記第2の導電層は、同一のエッチング工程で形成されてもよい。また、前記構成の半導体装置の作製方法において、前記第2のエッチングマスクは、前記第2の導電層と重畳していない部分の結晶性半導体膜を露出させるエッチングよりも前に除去することが好ましい。前記第2のエッチングマスクがレジストマスクである場合に、前記レジストマスクを除去するに際してレジスト剥離液を用いると、バックチャネル部にレジスト剥離液の成分が残存し、オフ電流を増大させる原因となるためである。なお、前記混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行うとよい。また、前記Br系ガスはHBrガスであることが好ましい。また、前記F系ガスはSF6ガスであることが好ましい。また、前記Br系ガスと前記F系ガスと前記酸素ガスの流量比は、25:2:1であるとよい。また、前記結晶性半導体膜としては、例えば微結晶半導体膜が挙げられる。また、前記微結晶半導体膜としては、例えば微結晶シリコンが挙げられ、前記非晶質半導体膜としては、例えば非晶質シリコンが挙げられる。なお、本明細書中において、半導体装置を説明する際にはトランジスタとして画素トランジスタを例示しているが、これに限定されず、本発明の一態様である半導体装置は、画素トランジスタ以外のトランジスタであってもよい。本発明の一態様であるエッチング方法によれば、結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比を高くすることができる。本発明の一態様である薄膜トランジスタの作製方法によれば、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられ、該非晶質半導体膜の一部がエッチングされることでエッチングされた部分の結晶性半導体膜が露出される場合であっても、該領域の結晶性半導体膜の厚さの減少を抑制することができるため、チャネル形成領域となる結晶性半導体膜の厚さを十分に厚く保つことができ、電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することができる。すなわち、サブスレッショルドスイング値S値が小さく、閾値電圧が小さく、またはオフ電流が小さい薄膜トランジスタを得ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様であるエッチング方法について説明する。本実施の形態にて説明するエッチング方法は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させることを特徴の一とする。本実施の形態にて説明するエッチング方法は、結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられ、上面が第1の領域と第2の領域により構成される積層半導体膜の該第1の領域上にエッチングマスクを形成し、少なくとも、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いたエッチングにより、前記第2の領域の前記結晶性半導体膜の一部を露出させることを特徴の一とする。図1は、本実施の形態のエッチング方法を説明する概略図である。まず、結晶性半導体膜102と非晶質半導体膜104が積層して設けられた基板100を準備し、非晶質半導体膜104上にエッチングマスク106を形成する図1A-1。なお、結晶性半導体膜102と非晶質半導体膜104が積層して設けられた半導体膜を積層半導体膜と呼ぶ。基板100としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノシリケートガラスなどのフュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度以上の耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。または、シリコン基板などの半導体基板、若しくはステンレス基板などの金属基板を用いることもできる。すなわち、基板100は、特定のものに限定されるものではない。結晶性半導体膜102は、大部分が結晶性である半導体膜であればよい。結晶性半導体としては、例えば、微結晶半導体が挙げられる。ここで、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造の半導体をいう。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは、20nm以上50nm以下の柱状または針状の結晶粒が基板表面に対して法線方向に成長している半導体である。このため、柱状または針状の結晶粒の界面には、粒界が形成されることもある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径である。また、結晶粒は、非晶質半導体領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子を有する。なお、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶半導体の一である微結晶シリコンでは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。すなわち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、He、Ar、Kr、またはNeなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し、良好な微結晶半導体が得られる。非晶質半導体膜104は、大部分が非晶質である半導体膜であればよい。非晶質半導体膜104には、微小半導体結晶粒などが含まれていてもよい。例えば、非晶質半導体と微小半導体結晶粒を有し、従来の非晶質半導体と比較して、一定光電流法CPM:ConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体膜が挙げられる。このような半導体膜は、従来の非晶質半導体膜と比較して欠陥が少なく、価電子帯のバンド端移動度端における準位のテイル裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜である。なお、本明細書において、このような半導体層を非晶質半導体を含む膜または非晶質半導体を含む層と記載する。非晶質半導体膜104には、ハロゲン、窒素を含んでいてもよい。窒素が含まれる場合には、NH基またはNH2基として含んでいてもよい。エッチングマスク106としては、レジストマスクなどを用いることができる。ただし、特定のものに限定されず、エッチングのマスクとして機能するものであればよい。ここで、エッチングマスク106は、上面図図1A-2において、非晶質半導体膜104の第1の領域111上に形成する。なお、図1A-1の上面図である図1A-2において、非晶質半導体膜104の第1の領域111を除いた部分を第2の領域112とする。そして、第1の領域111に設けられたエッチングマスク106を用いてエッチングを行う。ここで、エッチングは、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行う。Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスによれば、結晶性半導体膜102のエッチングレートを小さくし、非晶質半導体膜104のエッチングレートを大きくすることができる。すなわち、結晶性半導体膜102と非晶質半導体膜104のエッチング選択比を高くすることができる。そのため、第2の領域112の非晶質半導体膜104を除去し、第2の領域112の結晶性半導体膜102を露出させる場合であっても、第2の領域112の結晶性半導体膜102の膜減りを抑えることができ、第1の領域111の結晶性半導体膜102の厚さと、第2の領域112の結晶性半導体膜102の厚さはほぼ等しいものとすることができる図1B。なお、本工程で非晶質半導体膜104はエッチングされて非晶質半導体層108となる。なお、混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよい。このとき、電極の面積は、340cm2以上にするとよい。なお、Br系ガスとしては、例えば、HBrガスが挙げられる。なお、F系ガスとしては、例えば、SF6ガス、CF4ガス、またはNF3ガスが挙げられる。なお、HBrガスとSF6ガスと酸素ガスの流量比は、25:2:1であるとよい。その後、エッチングマスク106を除去する図1C。以上説明したように、本実施の形態のエッチング方法によれば、結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比を高くすることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の作製方法について説明する。具体的には、実施の形態1にて説明したエッチング方法を適用した薄膜トランジスタの作製方法について、図2及び図3を参照して説明する。まず、基板200上に第1の導電層202を形成し、第1の導電層202を覆って第1の絶縁層204を形成する図2A。基板200は、絶縁性基板である。基板200として、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。基板200がガラス基板である場合には、第1世代例えば、320mm×400mm~第10世代例えば、2950mm×3400mmのものを用いればよいが、これに限定されるものではない。なお、本発明の一態様であるエッチング方法を採用することで、基板面内におけるチャネル形成領域となる半導体層の厚さの減少を抑えることができるため、基板面内における半導体層の厚さのばらつきを抑えることができ、第8世代以降の大面積基板を用いる場合に、本発明の効果が、特に強く表れる。第1の導電層202は、例えば、スパッタリング法を用いて導電膜例えば金属膜、または一導電型の不純物元素が添加された半導体膜などを形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことで選択的に形成すればよい。または、インクジェット法などを用いてもよい。なお、第1の導電層202となる導電膜は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造とすればよい。なお、第1の導電層202は、少なくとも走査線とゲート電極を構成する。第1の絶縁層204は、例えば、プラズマCVD法により絶縁性材料例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンなどを用いて形成すればよい。なお、第1の絶縁層204は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。ここでは、例えば、窒化シリコン層上に酸化窒化シリコン層が積層された2層の積層構造とする。なお、第1の絶縁層204は、少なくともゲート絶縁層を構成する。なお、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。なお、ここで、第1の絶縁層204の表面をN2Oガスにより発生させたプラズマに曝すことが好ましい。第1の絶縁層204の表面をN2Oガスにより発生させたプラズマに曝すことで、第1の絶縁層204の表面を酸化し、この上に形成される第1の半導体膜206の結晶性を向上させることができるからである。ここで、プラズマを発生させるガスはN2Oガスに限定されず、第1の絶縁層204の表面を酸化することができるガス酸化性ガスまたは酸素を含むガスであればよい。次に、第1の絶縁層204上に、第1の半導体膜206、第2の半導体膜208及び不純物半導体膜210をこの順に積層して形成し、不純物半導体膜210上にエッチングマスク211を形成する図2B。エッチングマスク211は、レジスト材料により形成すればよい。第1の半導体膜206は、大部分が結晶性である半導体膜である。結晶性半導体としては、例えば、微結晶半導体が挙げられる。ここで、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含む。の中間的な構造の半導体をいう。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは20nm以上50nm以下の柱状または針状の結晶粒が基板表面に対して法線方向に成長している半導体である。このため、柱状または針状の結晶粒の界面には、粒界が形成されることもある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径である。また、結晶粒は、非晶質半導体領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子を有する。なお、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶半導体としては、微結晶シリコンを用いればよい。微結晶半導体の一である微結晶シリコンでは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側にシフトしている。すなわち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、He、Ar、Kr、またはNeなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。なお、結晶性半導体膜に含まれる酸素及び窒素の濃度二次イオン質量分析SIMS:SecondaryIonMassSpectrometry法による測定値を低くし、好ましくは1×1018cm-3未満とすると、結晶性を高めることができる。なお、結晶性半導体膜は、2段階の成膜処理により形成することが好ましく、2段階の成膜処理において、例えば、第1段階では500Pa程度の圧力下で厚さ5nm程度の微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では5000Pa程度の圧力下で所望の厚さの微結晶シリコン膜を形成するとよい。第2段階では第1段階よりもシランの流量比を小さくし、高希釈な条件とするとよい。第2の半導体膜208は、バッファ層として機能し、大部分が非晶質である半導体膜である。好ましくは、非晶質半導体と微小半導体結晶粒を有し、従来の非晶質半導体と比較して、一定光電流法CPM:ConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体膜である。このような半導体膜は、従来の非晶質半導体膜と比較して欠陥が少なく、価電子帯のバンド端移動度端における準位のテイル裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜である。第2の半導体膜208には、ハロゲン、窒素を含んでいてもよい。窒素が含まれる場合には、NH基またはNH2基として含んでいてもよい。なお、ここで、第1の半導体膜206と第2の半導体膜208の界面領域は、微結晶半導体領域、及び当該微結晶半導体領域の間に充填される非晶質半導体領域を有する。具体的には、第1の半導体膜206から錐形状に伸びた微結晶半導体領域と、第2の半導体膜208と同様の非晶質半導体を含む膜と、で構成される。第2の半導体膜208によりバッファ層が設けられるため、トランジスタのオフ電流を小さくすることができる。また、上記の界面領域において、錐形状に伸びた微結晶半導体領域を有するため、縦方向厚さ方向の抵抗、すなわち、第2の半導体膜208と、不純物半導体膜210により構成されるソース領域またはドレイン領域と、の間の抵抗を低くすることができ、トランジスタのオン電流を高めることができる。すなわち、従来の非晶質半導体を適用した場合と比較すると、オフ電流を十分に低減させつつ、オン電流の低下をも抑制することができ、トランジスタのスイッチング特性を高くすることができる。なお、完成したトランジスタにおいて、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が薄くなるとオン電流が低下し、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層が厚くなると、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層と後に形成される第2の導電層の接触面積が広くなり、オフ電流が増大する。従って、オンオフ比を高くするためには、第1の半導体膜206を厚くし、更には後述するように、第1の半導体膜206により形成される第1の半導体層を含む薄膜積層体212の側壁に絶縁化処理を行うことが好ましい。上記の微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状の結晶粒により大部分が構成されているとよい。または、第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって幅が広がる逆錐形状の結晶粒により大部分が構成されていてもよい。上記の界面領域において、微結晶半導体領域が第1の半導体膜206から第2の半導体膜208に向かって先端が細くなる錐形状に伸びた結晶粒である場合には、第1の半導体膜206側のほうが、第2の半導体膜208側と比較して、微結晶半導体領域の占める割合が高い。微結晶半導体領域は、第1の半導体膜206の表面から厚さ方向に成長するが、原料ガスにおいて堆積性ガス例えば、シランに対する水素の流量が小さくすなわち、希釈率が低く、または窒素を含む原料ガスの濃度が高いと、微結晶半導体領域における結晶成長が抑制され、結晶粒が錐形状になり、堆積されて形成される半導体は、大部分が非晶質半導体となる。なお、上記の界面領域は、窒素、特にNH基若しくはNH2基を含有することが好ましい。これは、微結晶半導体領域に含まれる結晶の界面、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面において、窒素、特にNH基若しくはNH2基がシリコン原子のダングリングボンドと結合すると、欠陥を低減させ、キャリアが流れやすくなるためである。このため、窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基を1×1020cm-3乃至1×1021cm-3で含有させると、シリコン原子のダングリングボンドを窒素、好ましくはNH基若しくはNH2基で架橋しやすくなり、キャリアがより流れやすくなる。この結果、結晶粒界や欠陥におけるキャリアの移動を促進する結合ができ、上記の界面領域のキャリア移動度が向上する。そのため、トランジスタの電界効果移動度が向上する。なお、上記の界面領域の酸素濃度を低減させることにより、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域の界面または結晶粒間の界面における欠陥密度を低減させ、キャリアの移動を阻害する結合を低減させることができる。不純物半導体膜210は、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体により形成する。トランジスタがn型である場合には、一導電型を付与する不純物元素を添加した半導体として、例えば、PまたはAsを添加したシリコンが挙げられる。または、トランジスタがp型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えば、Bを添加することも可能であるが、トランジスタはn型とすることが好ましい。そのため、ここでは、一例として、Pを添加したシリコンを用いる。なお、不純物半導体膜210は、非晶質半導体により形成してもよいし、微結晶半導体などの結晶性半導体により形成してもよい。不純物半導体膜210を非晶質半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を1倍以上10倍以下、好ましくは1倍以上5倍以下とすればよい。不純物半導体膜210を結晶性半導体により形成する場合には、堆積性ガスの流量に対する希釈ガスの流量を10倍以上2000倍以下、好ましくは50倍以上200倍以下とすればよい。なお、第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までは同一チャンバー内で連続して形成することが好ましい。第1の絶縁層204から不純物半導体膜210までの各々の層間の界面に不純物が含まれてしまうことを防止するためである。次に、エッチングマスク211を用いて、第1の半導体膜206、第2の半導体膜208及び不純物半導体膜210をエッチングし、薄膜積層体212を形成する図2C。なお、ここで、上述したように、薄膜積層体212の側壁に対して絶縁化処理を行うことが好ましい。なぜなら、完成したトランジスタの第1の半導体層と第2の導電層が接するとオフ電流が増大してしまうことが多いからである。ここで絶縁化処理としては、薄膜積層体212の側壁を酸素プラズマ若しくは窒素プラズマに曝す処理、または薄膜積層体212の側壁が露出された状態で絶縁膜を形成し、該絶縁膜を異方性の高いエッチング方法により基板200の表面に垂直な方向のエッチングを行うことで、薄膜積層体212の側壁に接してサイドウォール絶縁層を形成する処理が挙げられる。次に、第1の絶縁層204及び薄膜積層体212上に、導電膜214を形成する。導電膜214上にエッチングマスク215を形成する図2D。エッチングマスク215は、レジスト材料により形成すればよい。導電膜214は、第1の導電層202と同様に、導電性材料例えば金属、または一導電型の不純物元素が添加された半導体などにより形成すればよい。なお、導電膜214は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造として形成する。次に、エッチングマスク215を用いて導電膜214をエッチングすることで、第2の導電層222を形成する図3A。その後、エッチングマスク215を除去する。なお、第2の導電層222は、少なくとも信号線、ソース電極及びドレイン電極を構成する。次に、第2の導電層222をエッチングマスクとして用いて薄膜積層体212のエッチングを行う。ここで、エッチングは、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行う。Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスによれば、結晶性半導体膜のエッチングレートを小さくし、非晶質半導体膜のエッチングレートを大きくすることができる。すなわち、第1の半導体膜206が結晶性半導体膜であり、第2の半導体膜208が非晶質半導体膜である場合には、第1の半導体膜206により形成された層と第2の半導体膜208により形成された層のエッチング選択比を大きくとることができる。第2の導電層222と重畳していない部分の第2の半導体膜208を除去し、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体膜206により形成される層を露出させる場合であっても、第2の導電層222と重畳していない部分の第1の半導体層216の膜減りを抑えることができる図3B。なお、混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよい。このとき、電極の面積は、340cm2以上にするとよい。なお、Br系ガスとしては、例えば、HBrガスが挙げられる。なお、F系ガスとしては、例えば、SF6ガス、CF4ガス、またはNF3ガスが挙げられる。なお、HBrガスとSF6ガスと酸素ガスの流量比は、25:2:1であるとよい。なお、混合ガスを用いた前記エッチングは、エッチングマスク215を用いて行ってもよい。そして、上記説明したように露出させた第1の半導体層216は、H2Oプラズマに曝すとよい。または、H2Oプラズマに代えて、水素と酸素の混合ガスにより生じさせたプラズマを用いるとよい。以上説明したように、トランジスタを作製することができる。このようなトランジスタは、表示装置の画素に用いる画素トランジスタに適用することができる。その後、これらを覆って第2の絶縁層224を形成する。なお、第2の絶縁層224は、少なくとも第1の半導体層216の露出された部分を覆って形成する。その後、第2の絶縁層224に開口部225を形成する図3C。開口部225は、第2の絶縁層224上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。次に、開口部225を介して第2の導電層222により形成されるソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続されるように第3の導電層226を位置選択的に形成する。第3の導電層226が画素トランジスタに接続される画素電極を構成する場合には、透光性を有する材料により形成するとよい。第3の導電層226は、第2の絶縁層224上に導電膜を形成し、この導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行うことにより形成する。第3の導電層226は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいう。を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した第3の導電層226は、シート抵抗が10000Ω/□以下であり、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、または、アニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体などが挙げられる。第3の導電層226は、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などを用いて形成することができる。第3の導電層226は、上記材料により形成した膜をフォトリソグラフィ法により加工することで、形成すればよい。第3の導電層226を、透光性を有する材料により形成すると、透過型表示装置の画素電極として機能させることができる。なお、図示していないが、第2の絶縁層224と第3の導電層226の間に、スピンコーティング法などにより形成した有機樹脂により形成される絶縁層を有していてもよい。なお、上記説明した本実施の形態の薄膜トランジスタは好ましい一形態であり、これに限定されるものではない。例えば、第1の半導体膜206は微結晶半導体膜でなくてもよいし、第2の半導体膜208には微小半導体結晶粒が含まれていなくてもよい。以上説明したように、第1の半導体層216の膜減りを抑えて図3Dに示す薄膜トランジスタを作製することができる。そのため、電気的特性が良好な例えば、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを作製することができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について図面を参照して説明する。本実施の形態の薄膜トランジスタでは、チャネル形成領域と重畳して、ゲート電極以下、第1のゲート電極と表記することがある。とは反対側に更なるゲート電極以下、第2のゲート電極と表記することがある。を設け、該更なるゲート電極によりチャネル形成領域を拡大する。このように更なるゲート電極を設けることで、オン電流を増大させることができる。図4は、本発明の一態様である半導体装置の断面図と上面図を示す。図4Aは、図4Bに示す上面図のX-Yにおける断面図を示す。図4A及び図4Bに示す半導体装置は、基板300上に設けられた第1の導電層302と、第1の導電層302を覆う第1の絶縁層304と、第1の絶縁層304上に設けられた第1の半導体層306と、第1の半導体層306上に、第1の半導体層306の一部を露出させて離間して設けられた第2の半導体層308と、第2の半導体層308上に設けられた不純物半導体層310と、不純物半導体層310上に、少なくとも一部が接するように設けられた第2の導電層312と、第2の導電層312上にのみ設けられた第2の絶縁層314と、第1の半導体層306、第2の半導体層308、不純物半導体層310、第2の導電層312、及び第2の絶縁層314を覆って設けられた第3の絶縁層316と、少なくとも、第3の絶縁層316上に設けられた第3の導電層318と、を有している。第2の導電層312と第3の導電層318は、開口部320において接続される。ここで、第3の導電層318は、少なくとも第1の半導体層306の第2の半導体層308と重畳していない部分と重畳し、且つ第2の導電層312の一部とも重畳している。図4Bは、第3の導電層318により形成されるゲートが、第1の導電層302により形成されるゲートとは独立して設けられている形態を示す。このとき、第3の導電層318により形成されるゲートの電位は、第1の導電層302により形成されるゲートの電位と異なるものとすることができるため、薄膜トランジスタの閾値電圧を制御することができる。ただし、これに限定されず、図4Cに示すような構成であってもよい。図4Cは、第3の導電層318により形成されるゲートが、第1の導電層302により形成されるゲートと開口部322において接続されている形態を示す。このとき、第3の導電層318により形成されるゲートの電位と、第1の導電層302により形成されるゲートの電位は、等しいものとなる。なお、第1の絶縁層304、第2の絶縁層314、及び第3の絶縁層316は、窒化シリコン層とすることが好ましい。なお、第1の絶縁層304、第2の絶縁層314、及び第3の絶縁層316は、窒化シリコン層に限定されない。更には、これらの層は複数の層が積層して設けられていてもよい。例えば、第2の絶縁層314として、窒化シリコン層上に酸化窒化シリコン層が積層された2層構造であってもよいし、酸化シリコン層上に酸化窒化シリコン層が設けられ、酸化窒化シリコン層上に窒化シリコン層が設けられた3層構造であってもよい。このように、第2の絶縁層314として、酸化シリコン層または酸化窒化シリコン層などを用いると、窒化シリコン層を用いる場合よりも厚さを薄くすることができる。酸化シリコン及び酸化窒化シリコン層のほうが、窒化シリコン層よりも比誘電率が小さいからである。なお、第3の導電層318により形成されるゲートは、図示した形態に限定されない。第3の導電層318により形成されるゲートでは、ゲート電極とゲート配線が異なる層として設けられていてもよく、第3の導電層318により設けられるゲート電極と、第3の導電層318上に設けられた絶縁層上に更に別の導電層を形成し、該別の導電層によりゲート配線が形成されていてもよい。または、第3の導電層318によりゲートのみを形成し、これとは異なる導電層により画素電極が設けられていてもよい。図4A乃至Cに示す半導体装置は、電界効果移動度が高く、且つオン電流を大きくすることができる。図5Aに示す半導体装置は、図4A乃至Cに示す半導体装置との比較例として示すものである。図5Aに示す半導体装置には、第2の絶縁層が設けられておらず、第1の半導体層306、第2の半導体層308、不純物半導体層310及び第2の導電層312を覆って設けられた第3の絶縁層316Aと、少なくとも、第3の絶縁層316A上に設けられた第3の導電層318Aと、を有している点が図4に示す半導体装置と大きく異なる。なお、第3の絶縁層316Aは、図4Aの第3の絶縁層316と同じ厚さで設けられたものである。図5Aに示す半導体装置は、図4Aに示す半導体装置と同様に、電界効果移動度が高く、且つオン電流を大きくすることができる。しかし、第2の導電層312と第3の導電層318Aの重畳する部分には第3の絶縁層316Aのみが挟持されているので、この部分に生じる意図しない容量寄生容量が、図4Aに示す半導体装置の寄生容量よりも大きくなってしまうという問題がある。図5Bに示す半導体装置は、図4A乃至Cに示す半導体装置との比較例として示すものである。図5Bに示す半導体装置には、第2の絶縁層が設けられておらず、第1の半導体層306、第2の半導体層308、不純物半導体層310及び第2の導電層312を覆って設けられた第3の絶縁層316Bと、少なくとも、第3の絶縁層316B上に設けられた第3の導電層318Bと、を有している点が図4Aに示す半導体装置と大きく異なる。なお、第3の絶縁層316Bは、図4Aの第2の絶縁層314と第3の絶縁層316の合計の厚さと同じ厚さで設けられたものである。図5Bに示す半導体装置は、図5Aに示す半導体装置よりも寄生容量を小さくすることができる。しかし、第2の導電層312と第3の導電層318Bの重畳する部分には図4Aの第2の絶縁層314と第3の絶縁層316の合計の厚さと同じ厚さで設けられた第3の絶縁層316Bが挟持されているので、第3の導電層318Bで設けられたゲートにより生じる電界が弱く、薄膜トランジスタの電界効果移動度の向上とオン電流の増大が困難である。図4Aに示す第2の絶縁層314を厚く設けることで、寄生容量が小さく、電界効果移動度が高く、且つオン電流が大きい半導体装置を得ることができる。ここで、図4を参照して説明した半導体装置の作製方法について図6乃至図8を参照して説明する。なお、以下の図6乃至図8を参照した半導体装置の作製方法の説明において、基板400は、図4の基板300に相当する。第1の導電層402は、図4の第1の導電層302に相当する。第1の絶縁層404は、図4の第1の絶縁層304に相当する。第1の半導体層422は、図4の第1の半導体層306に相当する。第2の半導体層424は、図4の第2の半導体層308に相当する。不純物半導体層426は、図4の不純物半導体層310に相当する。第2の導電層420は、図4の第2の導電層312に相当する。第2の絶縁層418は、図4の第2の絶縁層314に相当する。第3の絶縁層428は、図4の第3の絶縁層316に相当する。第3の導電層430は、図4の第3の導電層318に相当する。開口部429は、図4の開口部320に相当する。まず、基板400上に第1の導電層402を形成し、第1の導電層402を覆って第1の絶縁層404を形成する図6A。基板400は、実施の形態1における基板200に相当する。第1の導電層402は、実施の形態1における第1の導電層202に相当する。第1の絶縁層404は、実施の形態1における第1の絶縁層204に相当する。なお、ここで、実施の形態1と同様に、第1の絶縁層404の表面をN2Oガスにより発生させたプラズマに曝すことが好ましい。ここで、プラズマを発生させるガスはN2Oガスに限定されず、第1の絶縁層404の表面を酸化することができるガス酸化性ガスまたは酸素を含むガスであればよい。次に、第1の絶縁層404上に、第1の半導体膜406、第2の半導体膜408及び不純物半導体膜410をこの順に積層して形成し、不純物半導体膜410上にエッチングマスク411を形成する図6B。エッチングマスク411は、レジスト材料により形成すればよい。第1の半導体膜406は、実施の形態1における第1の半導体膜206に相当する。第2の半導体膜408は、実施の形態1における第2の半導体膜208に相当する。不純物半導体膜410は、実施の形態1における不純物半導体膜210に相当する。なお、第1の絶縁層404から不純物半導体膜410までは同一チャンバー内で連続して形成することが好ましい。第1の絶縁層404から不純物半導体膜410までの各々の層間の界面に不純物が含まれてしまうことを防止するためである。次に、エッチングマスク411を用いて、第1の半導体膜406、第2の半導体膜408及び不純物半導体膜410をエッチングし、薄膜積層体412を形成する図6C。なお、ここで、実施の形態1と同様に、薄膜積層体412の側壁に対して絶縁化処理を行うことが好ましい。次に、第1の絶縁層404及び薄膜積層体412上に、導電膜414と絶縁膜416を形成し、絶縁膜416上にエッチングマスク417を形成する図7A。エッチングマスク417は、レジスト材料により形成すればよい。導電膜414は、第1の導電層402と同様に、導電性材料例えば金属、または一導電型の不純物元素が添加された半導体などにより形成すればよい。なお、導電膜414は、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。例えば、Ti層によりAl層を挟持した3層の積層構造として形成する。絶縁膜416は、第1の絶縁層404と同様に、絶縁性材料により形成すればよい。なお、単層で形成してもよいし、複数の層を積層して形成してもよい。ここでは、例えば窒化シリコンにより形成すればよい。次に、エッチングマスク417を用いて絶縁膜416をエッチングすることで、第2の絶縁層418を形成する図7B。次に、導電膜414をエッチングして第2の導電層420を形成する図7C。その後、エッチングマスク417を除去する。なお、第2の導電層420は、少なくとも信号線、ソース電極及びドレイン電極を構成する。なお、絶縁膜416をエッチングする工程図6Aの状態から図6Bの状態に加工する工程と導電膜414をエッチングする工程図6Bの状態から図6Cの状態に加工する工程は同一のエッチング工程により一括して行うことが好ましい。作製工程が簡略化するためである。なお、導電膜414のエッチングは、第2の絶縁層418をエッチングマスクとして用いて行ってもよい。このときには、導電膜414をエッチングして第2の導電層420を形成する前にエッチングマスク417を除去すればよい。なお、導電膜414をエッチングして第2の導電層420を形成する際には、薄膜積層体412の上部がエッチングされる場合が多い。次に、薄膜積層体412の上部をエッチングして第1の半導体層422、第2の半導体層424及び不純物半導体層426を形成する図8A。このとき、薄膜積層体412のエッチングは、一の工程により行ってもよいし、複数の工程により行ってもよいが、最終的には、第1の半導体層422の第2の半導体層424と重畳していない部分すなわち、チャネル形成領域となる部分を露出させるまで行う。第1の半導体層422の第2の半導体層424と重畳していない部分すなわち、チャネル形成領域となる部分を露出させるまで行うエッチングは、Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いて行う。Br系ガスと、F系ガスと、酸素ガスの混合ガスによれば、結晶性半導体膜のエッチングレートを小さくし、非晶質半導体膜のエッチングレートを大きくすることができる。すなわち、第1の半導体膜406が結晶性半導体膜であり、第2の半導体膜408が非晶質半導体膜である場合には、第1の半導体膜406により形成された層と第2の半導体膜408により形成された層のエッチング選択比を大きくとることができる。第2の導電層420と重畳していない部分の第2の半導体膜408を除去し、第2の導電層420と重畳していない部分の第1の半導体膜406により形成される層を露出させる場合であっても、第2の導電層420と重畳していない部分の第1の半導体層422の膜減りを抑えることができる図8B。また、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。なお、混合ガスを用いた前記エッチングは、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよい。このとき、電極の面積は、340cm2以上にするとよい。なお、Br系ガスとしては、例えば、HBrガスが挙げられる。なお、F系ガスとしては、例えば、SF6ガス、CF4ガスまたはNF3ガスが挙げられる。なお、HBrガスとSF6ガスと酸素ガスの流量比は、25:2:1であるとよい。なお、導電膜414をエッチングして第2の導電層420を形成する工程と、薄膜積層体412の上部をエッチングして第1の半導体層422、第2の半導体層424、及び不純物半導体層426を形成する工程は、一の工程として同時に行ってもよい。そして、上記説明したように露出させた第1の半導体層422は、H2Oプラズマに曝すとよい。または、H2Oプラズマに代えて、水素と酸素の混合ガスにより生じさせたプラズマを用いるとよい。以上説明したように、トランジスタを作製することができる。このようなトランジスタは、表示装置の画素に用いる画素トランジスタに適用することができる。その後、これらを覆って第3の絶縁層428を形成する。なお、第3の絶縁層428は、少なくとも第1の半導体層422の露出された部分を覆って形成する。その後、第3の絶縁層428に開口部429を形成する図8B。第3の絶縁層428は、実施の形態1における第2の絶縁層224に相当する。次に、開口部429を介して第2の導電層420により形成されるソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続されるように第3の導電層430を位置選択的に形成する図8C。第3の導電層430は、実施の形態1における第3の導電層226に相当する。第3の導電層430を、透光性を有する材料により形成すると、透過型表示装置の画素電極として機能させることができる。なお、図示していないが、第3の絶縁層428と第3の導電層430の間に、スピンコーティング法などにより形成した有機樹脂により形成される絶縁層を有していてもよい。なお、第2の導電層420導電膜414はTi層によりAl層を挟持した構造とすることが好ましい。Al層により配線抵抗を低減し、Ti層はバリア層として機能させることができるからである。しかしながら、上記説明した構造とは異なり、第2の絶縁層418が設けられておらず、且つ第2の導電層420の上側にTi層がある構造では、第1の半導体層422の第2の半導体層424と重畳していない部分すなわち、チャネル形成領域となる部分を露出させるまで行うエッチングにCF4ガスを用いると、第2の導電層420の上側のTi層から副生成物が生じ、開口部において第3の導電層430のコンタクト抵抗が非常に高くなる。このときの副生成物が生じた状態の開口部429のSTEMScanningTransmissionElectronMicroscopy像を図20A及びBに示す。図20AはSTEM像の明視野像を示し、図20Bは暗視野像Zコントラスト像を示す。図20A及びBに示されるように、第2の導電層420の上側にTi層は略平坦な状態ではなく、副生成物が存在する。図21Aは、図20Aに示すpoint_Aにおいて取得したEDXのスペクトルを示す。図21Bは、図20Aに示すpoint_Bにおいて取得したEDXのスペクトルを示す。図21Bに示されるように、この副生成物の主要な構成物質はTiであることがわかる。一方で、第2の導電層420導電膜414がTi層上にAl層が設けられた2層の積層構造とすることも考えられる。しかし、開口部429において露出される層がAl層であると、例えば第3の導電層430をITO層とした場合には、Al層とITO層が接触し、一般に知られているように、電蝕が生じてしまう。従って、この場合にも該開口部におけるコンタクト抵抗が非常に高くなる。そこで、上記説明したように、第2の絶縁層418を設けることで、第2の導電層420の上側のTi層から副生成物が生じることを効果的に防止することができ、薄膜トランジスタの第2の導電層420と第3の導電層430のコンタクト抵抗を小さくすることができる。ところで、第2の導電層420と第3の導電層430は開口部429において接続されている。そして、第1の導電層402と第3の導電層430は開口部431において接続されている。ここで、開口部429と開口部431の形成方法について図9を参照して説明する。開口部429及び開口部431は、一のエッチング工程により形成してもよいし、複数のエッチング工程により形成してもよい。図9A-1乃至C-1は開口部429の形成方法を説明する図であり、図9A-2乃至C-2は開口部431の形成方法を説明する図である。まず、開口部429と開口部431を形成する部分以外にエッチングマスク440を形成する図9A-1及びA-2。開口部429を形成する部分では、基板400上に第1の絶縁層404、第2の導電層420、第2の絶縁層418及び第3の絶縁層428が設けられている。一方で、開口部431を形成する部分では、基板400上に第1の導電層402、第1の絶縁層404及び第3の絶縁層428が設けられている。次に、エッチングマスク440を用いて第2の絶縁層418及び第3の絶縁層428をエッチングして、開口部429を形成すると同時に、第1の絶縁層404及び第3の絶縁層428をエッチングして、開口部431を形成する図9B-1及びB-2。次に、開口部429と開口部431のそれぞれに、第3の導電層430を選択的に形成する図9C-1及びC-2。または、図10に示すように、開口部429及び開口部431の形成を二段階のエッチング工程により行ってもよい。図10A-1乃至D-1は二段階のエッチング工程による開口部429の形成方法を説明する図であり、図10A-2乃至D-2は二段階のエッチング工程による開口部431の形成方法を説明する図である。まず、開口部429と開口部431を形成する部分以外にエッチングマスク440を形成する図10A-1及びA-2。図9の場合と同様に、開口部429を形成する部分では、基板400上に第1の絶縁層404、第2の導電層420、第2の絶縁層418及び第3の絶縁層428が設けられている。一方で、開口部431を形成する部分では、基板400上に第1の導電層402、第1の絶縁層404及び第3の絶縁層428が設けられている。次に、エッチングマスク440を用いて第3の絶縁層428をエッチングして、開口部429P及び開口部431Pを形成する図10B-1及びB-2。次に、開口部429Pの部分の第2の絶縁層418をエッチングして、開口部429を形成すると同時に、開口部431Pの部分の第1の絶縁層404をエッチングして、開口部431を形成する図10C-1及びC-2。次に、開口部429と開口部431のそれぞれに、第3の導電層430を選択的に形成する図10D-1及びD-2。以上説明したように、開口部429及び開口部431を形成することができる。実施の形態4実施の形態2及び実施の形態3で説明した薄膜トランジスタには、チャネル形成領域と重畳してそれぞれ第3の導電層226、第3の導電層430が設けられており、これがバックゲート電極として機能する。本実施の形態では、薄膜トランジスタへのバックゲート電極の配し方について説明する。図11A乃至Dは、バックゲート電極が設けられた薄膜トランジスタの上面図を示す。なお、断面構造は、実施の形態2で説明したものと同様である。まず、図11Aに示すように、バックゲート508Aは、ゲート500Aと電気的に接続させることなく、独立に引き回して形成することができる。図11Aに示すようにバックゲート508Aを配することで、バックゲート508Aに供給する電位と、ゲート500Aに供給する電位を制御し、各々の電位を独立したものとすることができる。このため、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。また、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート500A側及びバックゲート508A側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図11Aに示すゲート500Aは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図11Aに示す配線502Aは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Aに示す電極504Aは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Aに示す画素電極506Aは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Aに示すバックゲート508Aは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Aに示す開口部510Aは、実施の形態2における開口部225に相当する。または、図11Bに示すように、バックゲートは、ゲートと電気的に接続させてもよい。図11Bでは、ゲート500Bとバックゲート508Bが、開口部512で電気的に接続されている。このため、ゲート500Bの電位とバックゲート508Bの電位は、ほぼ等しいものとなる。従って、図11Aと同様に、キャリアが流れる領域が、第1の半導体層により構成されるチャネル形成領域のゲート500B側及びバックゲート508B側の双方に形成されるため薄膜トランジスタのオン電流を大きくすることができる。なお、図11Bに示すゲート500Bは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図11Bに示す配線502Bは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Bに示す電極504Bは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Bに示す画素電極506Bは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Bに示すバックゲート508Bは、バックゲート電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Bに示す開口部510Bは、実施の形態2における開口部225に相当する。なお、図11Bに示す開口部512は、実施の形態2における開口部225と同一の工程により設けられたものである。開口部512において、ゲート500Bとバックゲート508Bが接続されている。または、図11Cに示すように、バックゲートは、ゲート電極と電気的に接続させず、且つ独立に引き回すことなく、フローティングにしてもよい。なお、図11Cに示すゲート500Cは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図11Cに示す配線502Cは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Cに示す電極504Cは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Cに示す画素電極506Cは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Cに示すバックゲート508Cは、バックゲート電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Cに示す開口部510Cは、実施の形態2における開口部225に相当する。または、図11Dに示すように、バックゲートは、ソース電極及びドレイン電極と重畳して設けられていてもよい。ここでは、図11Aに示す構造の薄膜トランジスタについて示したが、図11B及び図11Cに示すバックゲートも同様に第2の導電層222により構成されるソース電極及びドレイン電極と重畳していてもよい。なお、図11Dに示すゲート500Dは、ゲート電極とゲート配線であり、実施の形態2における第1の導電層202により構成されるものである。なお、図11Dに示す配線502Dは、ソース電極とソース配線であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Dに示す電極504Dは、ドレイン電極であり、実施の形態2における第2の導電層222により構成されるものである。なお、図11Dに示す画素電極506Dは、画素電極であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Dに示すバックゲート508Dは、バックゲート電極とバックゲート配線であり、実施の形態2における第3の導電層226により構成されるものである。なお、図11Dに示す開口部510Dは、実施の形態2における開口部225に相当する。実施の形態5実施の形態2乃至実施の形態4にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図12に示す。図12は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍600は、筐体601および筐体603の2つの筐体で構成されている。筐体601および筐体603は、軸部611により一体とされており、該軸部611を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍と同様に取り扱うことが可能となる。筐体601には表示部605及び光電変換装置606が組み込まれ、筐体603には表示部607及び光電変換装置608が組み込まれている。表示部605及び表示部607は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12では表示部605に文章を表示し、左側の表示部図12では表示部607に画像を表示することができる。また、図12では、筐体601に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体601において、電源621、操作キー623、スピーカ625などを備えている。操作キー623により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍600は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍600は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態6実施の形態2乃至実施の形態4にて作製した薄膜トランジスタを適用した半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器遊技機も含むが挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図13Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置700は、筐体701に表示部703が組み込まれている。表示部703により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド705により筐体701を支持した構成を示している。テレビジョン装置700の操作は、筐体701が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機710により行うことができる。リモコン操作機710が備える操作キー709により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部703に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機710に、当該リモコン操作機710から出力する情報を表示する表示部707を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置700は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図13Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム720は、筐体721に表示部723が組み込まれている。表示部723は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム720は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部723に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム720は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図14は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図14の携帯型のコンピュータは、上部筐体741と下部筐体742とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部743を有する上部筐体741と、キーボード744を有する下部筐体742とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部743を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体742はキーボード744の他に入力操作を行うポインティングデバイス746を有する。また、表示部743をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体742はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体742は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート745を有している。上部筐体741には更に上部筐体741内部にスライドさせて収納可能な表示部747を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部747の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部747をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部743または収納可能な表示部747は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。また、図14の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体741と下部筐体742とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部747をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部743を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。本実施例では、本発明の一態様であるエッチング方法を適用した際に、結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比を高くすることができることについて説明する。本実施例では、基板上に半導体膜非晶質半導体膜または微結晶半導体膜を形成し、該半導体膜上にレジストマスクによりパターンを形成し、ハーフエッチングを行い、その後レジストマスクを除去した。エッチングされた膜を段差計により測定してエッチングレートを得た。なお、サンプルとしては、サンプルA~Fの6つを作製した。なお、結晶性半導体膜としては微結晶シリコン膜を用い、非晶質半導体膜としては非晶質シリコン膜を用いた。ここで、微結晶シリコン膜は、2段階の成膜処理により形成した。2段階の成膜処理において、第1段階では厚さ5nmの微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では厚さ65nmの微結晶シリコン膜を形成した。具体的には、第1段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを4sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を532Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。第2段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを0.3sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を5000Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、250Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。ここで非晶質シリコン膜は、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを25sccm、水素希釈アンモニアガスを100sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを650sccmで導入して反応室内の圧力を1250Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。上記したように形成した非晶質半導体膜上にレジストマスクによりパターンを形成し、ハーフエッチングを行い、その後レジストマスクを除去した。そして、エッチングされた膜を段差計により測定してエッチングレートを得た。サンプルAでは、非晶質シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを60sccm、塩素ガスを20sccmで導入して反応室内の圧力を1.9Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。サンプルBでは、微結晶シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを60sccm、塩素ガスを20sccmで導入して反応室内の圧力を1.9Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。このとき、サンプルAの非晶質シリコン膜のエッチングレートは、160.90nm/min.であり、サンプルBの微結晶シリコン膜のエッチングレートは158.60nm/min.であった。従って、微結晶シリコン膜に対する非晶質シリコン膜のエッチング選択比は1.01となる。サンプルCでは、非晶質シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内にCF4ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には1000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を50Wとした。なお、下部電極の温度は40°Cとした。サンプルDでは、微結晶シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内にCF4ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には1000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を50Wとした。なお、下部電極の温度は40°Cとした。このとき、サンプルCの非晶質シリコン膜のエッチングレートは、66.56nm/min.であり、サンプルDの微結晶シリコン膜のエッチングレートは79.33nm/min.であった。従って、微結晶シリコン膜に対する非晶質シリコン膜のエッチング選択比は0.84となる。サンプルEでは、非晶質シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内にHBrガスを125sccm、SF6ガスを10sccm、酸素ガスを5sccmで導入して反応室内の圧力を1.7Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、500Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を50Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。サンプルFでは、微結晶シリコン膜が形成された基板を反応室内に導入し、基板が搬入された反応室内にHBrガスを125sccm、SF6ガスを10sccm、酸素ガスを5sccmで導入して反応室内の圧力を1.7Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、500Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を50Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。このとき、非晶質シリコン膜のエッチングレートは、189.04nm/min.であり、微結晶シリコン膜のエッチングレートは125.80nm/min.であった。従って、微結晶シリコン膜に対する非晶質シリコン膜のエッチング選択比は1.50となる。従って、本実施例にて説明したように、BCl3ガスと塩素ガスの混合ガスによるエッチングサンプルA及びサンプルBと、CF4ガスのみによるエッチングサンプルC及びサンプルDと、HBrガス、SF6ガス、及び酸素ガスの混合ガスによるエッチングサンプルE及びサンプルFを比較した場合に、HBrガス、SF6ガス、及び酸素ガスの混合ガスによるエッチングサンプルE及びサンプルFのエッチング選択比を最も高いものとすることができる。本実施例では、実施の形態2の薄膜トランジスタを実際に作製し、該薄膜トランジスタの特性を調査して比較した。ここでは、サンプル1と、サンプル2と、比較例サンプル1を作製した。まず、基板上に厚さ200nmのSiONからなる下地膜をプラズマCVD法により形成した。次に、該下地膜上にスパッタリング法により第1の導電層202となる導電膜を形成し、該導電膜を加工して第1の導電層202を形成した。第1の導電層202は、厚さ50nmのTi層、厚さ100nmのAl層、厚さ50nmのTi層が積層された構造である。次に、第1の導電層202を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第1の絶縁層204をプラズマCVD法により形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを15sccm、アンモニアガスを500sccm、窒素ガスを180sccm、水素ガスを200sccmで導入して反応室内の圧力を100Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を26mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、200Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、第1の絶縁層204の表面に対してプラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に一酸化二窒素N2Oガスを400sccmで導入して反応室内の圧力を60Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を30mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、300Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、プラズマ処理後の第1の絶縁層204上に第1の半導体膜206を形成した。なお、本実施例では、第1の半導体膜206は、2段階の成膜処理により形成した。2段階の成膜処理において、第1段階では厚さ5nmの微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では厚さ65nmの微結晶シリコン膜を形成した。具体的には、第1段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを4sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を532Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。第2段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを0.3sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を5000Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、250Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、第1の半導体膜206上に厚さ80nmの第2の半導体膜208を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを25sccm、水素希釈アンモニアガスを100sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを650sccmで導入して反応室内の圧力を1250Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。なお、ここで、水素希釈アンモニアガスとは、アンモニアガスを水素により1000ppmまで希釈したガスをいう。次に、第2の半導体膜208上に厚さ50nmの不純物半導体膜210を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを90sccm、水素希釈ホスフィンガスを10sccm、水素ガスを500sccmで導入して反応室内の圧力を170Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を25mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、30Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。ここで、水素希釈ホスフィンガスとは、ホスフィンガスを水素により体積比で0.5まで希釈したガスをいう。次に、不純物半導体膜210上にレジスト材料によりエッチングマスク211を形成した。そして、エッチングマスク211を用いて、第1の半導体膜206、第2の半導体膜208及び不純物半導体膜210をエッチングして、薄膜積層体212を形成した。ここで、該エッチングは反応性イオンエッチングにより行い、具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを36sccm、四フッ化メタンCF4ガスを36sccm、酸素ガスを8sccmで導入して反応室内の圧力を2.0Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。次に、薄膜積層体212に対して酸素プラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に酸素ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には2000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を350Wとした。なお、下部電極の温度は-10°Cとした。その後、エッチングマスク211を除去した。次に、薄膜積層体212を覆って厚さ300nmの導電膜214をスパッタリング法により形成した。導電膜214上には、エッチングマスク215を形成した。そして、エッチングマスク215を用いて導電膜214をエッチングして、第2の導電層222を形成しつつ、薄膜積層体212の上部もエッチングした。このエッチングでは不純物半導体膜210をエッチングして不純物半導体層220を形成し、第2の半導体膜208の上部のみをエッチングした。具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを60sccm、塩素ガスを20sccmで導入して反応室内の圧力を1.9Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。その後、エッチングマスク215を除去した。次に、上部のみエッチングされた第2の半導体膜208を更にエッチングし、第1の半導体膜206の一部をエッチングし、第1の半導体層216及び第2の半導体層218を形成した。ここで、サンプル1及びサンプル2では、SF6、HBr及びO2の混合ガスを用いてエッチングを行い、比較例サンプル1では、CF4ガスを用いてエッチングを行った。なお、サンプル1及びサンプル2のエッチングの詳細な条件を下記の表1に示す。なお、このとき、電極は、面積340cm2のものを用いた。なお、比較例サンプル1では、基板が搬入された反応室内にCF4ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には1000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を50Wとした。なお、下部電極の温度は40°Cとした。次に、第1の半導体層216の露出された部分をH2Oプラズマに曝した。具体的には、基板が搬入された反応室内に水蒸気H2Oガスを300sccmで導入して反応室内の圧力を66.5Paとし、周波数13.56MHz、1800Wの高周波電力を供給した。なお、下部電極の温度は250°Cとした。次に、第1の半導体層216、第2の半導体層218、不純物半導体層220、第2の導電層222を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第2の絶縁層224となる第2の絶縁膜をプラズマCVD法により形成した。次に、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて第2の絶縁膜をエッチングして開口部を形成することで、第2の絶縁層224を形成する。該開口部は、第2の導電層222のソース電極またはドレイン電極となる部分と重畳して形成した。次に、第2の絶縁層224上に厚さ50nmの第3の導電層226となる導電膜をスパッタリング法により形成した。その後、該導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行い、第3の導電層226を形成した。以上のように形成したサンプル1、サンプル2及び比較例サンプル1のId-Vgカーブを取得した。図15Aは、サンプル1について取得したId-Vgカーブを示し、図15Bは、サンプル2について取得したId-Vgカーブを示し、図16は、比較例サンプル1について取得したId-Vgカーブを示す。ここで、Idは、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を示し、Vgは、ソース電極の電位を基準としたゲート電極の電位との電位差を示す。上記のサンプル1と比較例サンプル1を比較すると、サンプル1のほうが、サブスレッショルドスイング値S値が小さい。上記のサンプル1と比較例サンプル1を比較すると、サンプル1のほうが、閾値電圧をプラス側にシフトさせることができる。オフ電流については、オフ電流の最小値、及びゲート電圧がオフ電流の最小値におけるゲート電圧よりも10V小さいときのいずれの場合であっても、サンプル1のほうが、オフ電流を小さくすることができる。上記した電気的特性の比較結果を下記の表2に示す。上記のサンプル1とサンプル2を比較すると、サンプル2のほうが、オン電流が大きく、移動度が高い傾向が見られる。上記した電気的特性の比較結果を下記の表3に示す。以上説明したように、本発明の一態様である半導体装置の作製方法を適用することで、少なくとも、S値を小さくし、且つ閾値電圧をプラス側にシフトさせ、オフ電流を小さくすることができる。更には、チャネル形成領域を露出させるエッチングの際にバイアス電力を小さくし、0より大きく100W以下のバイアス電力で行えばよく、より好ましくは、バイアス電力は0より大きく50W以下とすればよい。なお、上記のように作製した半導体装置の第1の半導体層216が露出された部分のSTEM像を図17に示す。図17に示されているように、第2の半導体層218と重畳している部分の第1の半導体層216の厚さと、第2の半導体層218と重畳していない部分の第1の半導体層216の厚さにはほとんど差は見られない。これは、第1の半導体層216の一部を露出させるエッチング工程において、第1の半導体膜206に対する第2の半導体膜208のエッチング選択比を高くすることができたためである。図22は、サンプル2における第1の半導体層216が露出された部分第2の絶縁層224と接する部分のSIMSデータを示し、図23は、比較例サンプル1における第1の半導体層216が露出された部分第2の絶縁層224と接する部分のSIMSデータを示す。図22と図23を比較すると、比較例サンプル1の第1の半導体層216が露出された部分ではBrはほとんど検出されていないが、サンプル2の第1の半導体層216が露出された部分ではBrは1.0×1019atoms/cm3以上1.0×1020atoms/cm3以下の濃度で検出されている。なお、図22においてわずかに検出されているBrは妨害イオンによるものである。本実施例では、実施の形態3の薄膜トランジスタを実際に作製し、該薄膜トランジスタの特性を調査して比較した。ここでは、サンプル3と比較例サンプル2を作製した。まず、基板上に厚さ200nmのSiONからなる下地膜をプラズマCVD法により形成する。次に、該下地膜上にスパッタリング法により第1の導電層402となる導電膜を形成し、該導電膜を加工して第1の導電層402を形成した。第1の導電層402は、厚さ50nmのTi、厚さ100nmのAl、厚さ50nmのTiが積層された構造である。次に、第1の導電層402を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第1の絶縁層404をプラズマCVD法により形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを15sccm、アンモニアガスを500sccm、窒素ガスを180sccm、水素ガスを200sccmで導入して反応室内の圧力を100Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を26mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、200Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、第1の絶縁層404の表面に対してプラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に一酸化二窒素N2Oガスを400sccmで導入して反応室内の圧力を60Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を30mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、300Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、プラズマ処理後の第1の絶縁層404上に第1の半導体膜406を形成した。なお、本実施例では、第1の半導体膜406は、2段階の成膜処理により形成した。2段階の成膜処理において、第1段階では厚さ5nmの微結晶シリコン膜を形成し、第2段階では厚さ65nmの微結晶シリコン膜を形成した。具体的には、第1段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを4sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を532Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。第2段階では、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを0.3sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを750sccmで導入して反応室内の圧力を5000Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、250Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、第1の半導体膜406上に厚さ80nmの第2の半導体膜408を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを25sccm、水素希釈アンモニアガスを100sccm、アルゴンガスを750sccm、水素ガスを650sccmで導入して反応室内の圧力を1250Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を15mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、150Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。なお、ここで、水素希釈アンモニアガスとは、アンモニアガスを水素により1000ppmまで希釈したガスをいう。次に、第2の半導体膜408上に厚さ50nmの不純物半導体膜410を形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを90sccm、水素希釈ホスフィンガスを10sccm、水素ガスを500sccmで導入して反応室内の圧力を170Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を25mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、30Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。次に、不純物半導体膜410上にレジスト材料によりエッチングマスク411を形成した。そして、エッチングマスク411を用いて、第1の半導体膜406、第2の半導体膜408及び不純物半導体膜410をエッチングして、薄膜積層体412を形成した。ここで、該エッチングは反応性イオンエッチングにより行い、具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを36sccm、四フッ化メタンCF4ガスを36sccm、酸素ガスを8sccmで導入して反応室内の圧力を2.0Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電圧を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。次に、薄膜積層体412に対して酸素プラズマ処理を行った。具体的には、基板が搬入された反応室内に酸素ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には2000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を350Wとした。なお、下部電極の温度は-10°Cとした。その後、エッチングマスク411を除去した。次に、薄膜積層体412を覆って厚さ300nmの導電膜414をスパッタリング法により形成した。次に、導電膜414上に厚さ100nmの窒化シリコンからなる絶縁膜416をプラズマCVD法により形成した。具体的には、基板が搬入された反応室内にモノシランガスを15sccm、アンモニアガスを500sccm、窒素ガスを180sccm、水素ガスを200sccmで導入して反応室内の圧力を100Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を26mmとし、上部電極には周波数13.56MHz、200Wの高周波電力を供給した。なお、上部電極の温度は200°Cとし、下部電極の温度は300°Cとした。そして、絶縁膜416上には、エッチングマスク417を形成した。そして、エッチングマスク417を用いて絶縁膜416をエッチングした。具体的には、基板が搬入された反応室内にCHF3ガスを50sccm、Heガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を5.5Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、475Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を300Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。次に、エッチングマスク417を用いて導電膜414をエッチングして、第2の導電層420を形成しつつ、薄膜積層体412の上部もエッチングした。このエッチングでは不純物半導体膜410をエッチングして不純物半導体層426を形成し、第2の半導体膜408の上部のみをエッチングした。具体的には、基板が搬入された反応室内に三塩化ホウ素BCl3ガスを60sccm、塩素ガスを20sccmで導入して反応室内の圧力を1.9Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、450Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電圧を100Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。その後、エッチングマスク417を除去した。次に、上部のみエッチングされた第2の半導体膜408を更にエッチングし、第1の半導体膜406の一部をエッチングし、第1の半導体層422及び第2の半導体層424を形成した。ここで、サンプル3では、SF6、HBr及びO2の混合ガスを用いてエッチングを行い、比較例サンプル2では、CF4ガスを用いてエッチングを行った。なお、このとき、電極は、面積340cm2のものを用いた。ここで、サンプル3では、基板が搬入された反応室内にSF6ガスを10sccm、HBrガスを125sccm、酸素ガスを5sccmで導入して反応室内の圧力を1.7Paとし、上部電極には周波数13.56MHz、500Wの高周波電力を供給し、上部電極と下部電極の間のバイアス電力を50Wとした。なお、上部電極の温度は100°Cとし、下部電極の温度は70°Cとした。なお、比較例サンプル2では、基板が搬入された反応室内にCF4ガスを100sccmで導入して反応室内の圧力を0.67Paとし、反応室内に設けられた上部電極と下部電極の間隔を200mmとし、上部電極には1000Wの高周波電力を供給し、バイアス電力を50Wとした。なお、下部電極の温度は40°Cとした。次に、第1の半導体層422の露出された部分をH2Oプラズマに曝した。具体的には、基板が搬入された反応室内に水蒸気H2Oガスを300sccmで導入して反応室内の圧力を66.5Paとし、周波数13.56MHz、1800Wの高周波電力を供給した。なお、下部電極の温度は250°Cとした。次に、第1の半導体層422、第2の半導体層424、不純物半導体層426、第2の導電層420、第2の絶縁層418を覆って厚さ300nmの窒化シリコンからなる第3の絶縁層428となる絶縁膜をプラズマCVD法により形成した。次に、該絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて該絶縁膜をエッチングして開口部を形成することで、第2の絶縁層418を形成する。該開口部は、第2の導電層420のソース電極またはドレイン電極となる部分と重畳して形成した。次に、第3の絶縁層428上に厚さ50nmの第3の導電層430となる導電膜をスパッタリング法により形成した。その後、該導電膜上にエッチングマスクを形成してエッチングを行い、第3の導電層430を形成した。以上のように形成したサンプル3及び比較例サンプル2のId-Vgカーブを取得した。図18は、サンプル3について取得したId-Vgカーブを示し、図19は、比較例サンプル2について取得したId-Vgカーブを示す。ここで、Idは、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を示し、Vgは、ソース電極の電位を基準としたゲート電極の電位との電位差を示す。ゲート電圧がオフ電流の最小値におけるゲート電圧よりも10V小さいときのオフ電流について、上記のサンプル3と比較例サンプル2を比較すると、サンプル3のほうが、オフ電流値が小さい。上記のサンプル3と比較例サンプル2を比較すると、サンプル3のほうが、閾値電圧が大きい。また、上記のサンプル3と比較例サンプル2を比較すると、サンプル3のほうが、電界効果移動度が高い。また、上記のサンプル3と比較例サンプル2を比較すると、サンプル3のほうが、オフ電流が小さい。上記した電気的特性の比較結果を下記の表4に示す。以上説明したように、本発明の一態様である半導体装置の作製方法を適用することで、少なくとも、オフ電流値を小さくし、閾値電圧を小さくし、電界効果移動度を高くすることができることがわかる。