"基板面内で第1のラインパターン群の各ラインパターンが第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第1の層を用いて形成された第1の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第1の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第2の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第2のラインパターン群の各ラインパターンが前記第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第2の層を用いて形成された第3の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第3の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第4の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光し、さらに、前記基板面内で第3のラインパターン群の各ラインパターンが前記第1の方向に垂直な第2の方向に対して平行方向に延設されるよう前記第1の層を用いて形成された第5の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第5の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第6の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第5および第6の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第4のラインパターン群の各ラインパターンが前記第2の方向に対して平行方向に延設されるよう前記第2の層を用いて形成された第7の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第7の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第8の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第7および第8の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光する照明ステップと、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークに対する第1の対称中心座標を算出するとともに、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークに対する第2の対称中心座標を算出し、さらに、前記第5および第6の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向の、前記第5および第6の重ね合わせ計測マークに対する第3の対称中心座標を算出するとともに、前記第7および第8の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向の、前記第7および第8の重ね合わせ計測マークに対する第4の対称中心座標を算出する原点算出ステップと、前記第1の対称中心座標および前記第2の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第2の方向の重ね合わせずれ量を算出するとともに、前記第3の対称中心座標および前記第4の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第1の方向の重ね合わせずれ量を算出するずれ量算出ステップと、を含み、前記第1~第4の重ね合わせ計測マークは、それぞれ前記第2の方向に対して略同じパターン幅で複数種類のスペース幅を有するように配置された3本以上のラインパターンからなり且つ前記第5~第8の重ね合わせ計測マークは、それぞれ前記第1の方向に対して略同じパターン幅で複数種類のスペース幅を有するように配置された3本以上のラインパターンからなり、前記第1~第8の重ね合わせ計測マークで構成されるマークは、ラインスペース型のマークであることを特徴とする重ね合わせ計測方法。基板面内で第1のラインパターン群の各ラインパターンが第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第1の層を用いて形成された第1の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第1の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第2の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第2のラインパターン群の各ラインパターンが前記第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第2の層を用いて形成された第3の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第3の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第4の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光する照明ステップと、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向に垂直な第2の方向の、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークに対する第1の対称中心座標を算出するとともに、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークに対する第2の対称中心座標を算出する原点算出ステップと、前記第1の対称中心座標および前記第2の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第2の方向の重ね合わせずれ量を算出するずれ量算出ステップと、を含み、前記第1~第4の重ね合わせ計測マークは、前記第2の方向に対して複数種類のスペース幅または複数種類のパターン幅を有していることを特徴とする重ね合わせ計測方法。前記照明ステップは、さらに、前記基板面内で第3のラインパターン群の各ラインパターンが前記第2の方向に対して平行方向に延設されるよう前記第1の層を用いて形成された第5の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第5の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第6の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第5および第6の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第4のラインパターン群の各ラインパターンが前記第2の方向に対して平行方向に延設されるよう前記第2の層を用いて形成された第7の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第7の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第8の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第7および第8の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光し、前記原点算出ステップは、さらに、前記第5および第6の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向の、前記第5および第6の重ね合わせ計測マークに対する第3の対称中心座標を算出するとともに、前記第7および第8の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向の、前記第7および第8の重ね合わせ計測マークに対する第4の対称中心座標を算出し、前記ずれ量算出ステップは、さらに、前記第3の対称中心座標および前記第4の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第1の方向の重ね合わせずれ量を算出し、前記第5~第8の重ね合わせ計測マークは、前記第1の方向に対して複数種類のスペース幅または複数種類のパターン幅を有していることを特徴とする請求項2に記載の重ね合わせ計測方法。基板面内で第1のラインパターン領域群の各ラインパターン領域が第1のスペースパターン領域を介して第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第1の層を用いて形成された第1の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第1の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第2の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第2のラインパターン領域群の各ラインパターン領域が第2のスペースパターン領域を介して前記第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第2の層を用いて形成された第3の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第3の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第4の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光する照明ステップと、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向に垂直な第2の方向の、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークに対する第1の対称中心座標を算出するとともに、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークに対する第2の対称中心座標を算出する原点算出ステップと、前記第1の対称中心座標および前記第2の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第2の方向の重ね合わせずれ量を算出するずれ量算出ステップと、を含み、前記第1のラインパターン領域群の各ラインパターン領域は、ラインパターン領域毎に前記第2の方向に対して異なるパターン密度分布を有し、前記第2のラインパターン領域群の各ラインパターン領域は、ラインパターン領域毎に前記第2の方向に対して異なるパターン密度分布を有していることを特徴とする重ね合わせ計測方法。基板面内で第1のラインパターン領域群の各ラインパターン領域が第1のスペースパターン領域を介して第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第1の層を用いて形成された第1の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第1の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第2の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第2のラインパターン領域群の各ラインパターン領域が第2のスペースパターン領域を介して前記第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第2の層を用いて形成された第3の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第3の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第4の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光する照明ステップと、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向に垂直な第2の方向の、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークに対する第1の対称中心座標を算出するとともに、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークに対する第2の対称中心座標を算出する原点算出ステップと、前記第1の対称中心座標および前記第2の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第2の方向の重ね合わせずれ量を算出するずれ量算出ステップと、を含み、前記第1のラインパターン領域群の各ラインパターン領域は、ラインパターン領域毎に異なるパターン密度を有し、前記第2のラインパターン領域群の各ラインパターン領域は、ラインパターン領域毎に異なるパターン密度を有していることを特徴とする重ね合わせ計測方法。本発明が解決しようとする課題は、誤計測を低減した重ね合わせ計測を行うことができる重ね合わせ計測方法を提供することである。実施形態によれば、重ね合わせ計測方法が提供される。重ね合わせ計測方法は、基板面内で第1のラインパターン群の各ラインパターンが第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第1の層を用いて形成された第1の重ね合わせ計測マークと、前記第1の層を用いて形成され且つ前記第1の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第2の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第1および第2の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光するとともに、前記基板面内で第2のラインパターン群の各ラインパターンが前記第1の方向に対して平行方向に延設されるよう第2の層を用いて形成された第3の重ね合わせ計測マークと、前記第2の層を用いて形成され且つ前記第3の重ね合わせ計測マークに対して点対称な関係にある第4の重ね合わせ計測マークと、に対し、照明光を照射して前記第3および第4の重ね合わせ計測マークからの反射光を受光する照明ステップを含んでいる。また、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第1の方向に垂直な第2の方向の、前記第1および第2の重ね合わせ計測マークに対する第1の対称中心座標を算出するとともに、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークにおける各ラインパターンからの反射光の強度プロファイルに基づいて、前記基板面内で前記第2の方向の、前記第3および第4の重ね合わせ計測マークに対する第2の対称中心座標を算出する原点算出ステップを含んでいる。また、前記第1の対称中心座標および前記第2の対称中心座標に基づいて、前記第1の層を用いて形成されたパターンと前記第2の層を用いて形成されたパターンとの間の前記第2の方向の重ね合わせずれ量を算出するずれ量算出ステップを含んでいる。そして、前記第1~第4の重ね合わせ計測マークは、前記第2の方向に対して複数種類のスペース幅または複数種類のパターン幅を有している。以下に添付図面を参照して、実施形態に係る重ね合わせ計測方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、合わせずれ検査装置の構成を示す図である。合わせずれ検査装置1は、下層側に形成された重ね合わせ計測マーク以下、下層側マーク11というと、上層側に形成された重ね合わせ計測マーク以下、上層側マーク12というと、の間の重ね合わせずれ量位置ずれ量を計測する装置である。上層側マーク12は、下層側マーク11よりも後の工程で形成されるパターンであり、例えば、露光処理と現像処理を用いて形成されたレジストパターンである。本実施形態では、下層側マーク11と上層側マーク12を、それぞれ複数の異なるパターンピッチ以下、ピッチというをもつラインスペース構造を有したマークとする。合わせずれ検査装置1は、下層側マーク11と上層側マーク12とを同時に撮像し、撮像した画像に基づいて下層側マーク11と上層側マーク12との間の重ね合わせずれ量を計測する。合わせずれ検査装置1は、測定光源2、ミラー3、顕微鏡4、結像光学系5、信号分析部6を備えている。測定光源2は、ハロゲンランプなどの光源装置であり、照明光を送出する。ミラー3は、測定光源2から送られてくる照明光を透過させて顕微鏡4に送る。顕微鏡4は、光学顕微鏡などであり、照明光をウエハWなどの基板上に照射する。これにより、ウエハWに形成済みの下層側マーク11および上層側マーク12と、これらの周辺領域に照明光が照射される。ウエハWで反射された照明光反射光は、ミラー3で反射されて結像光学系5に送られる。結像光学系5は、反射光を結像させることによって反射光から画像を生成し、画像を信号分析部6に送る。信号分析部6は、下層側マーク11および上層側マーク12が撮像された画像を反射率の波形に変換する。信号分析部6は、下層側マーク11の反射率の波形に基づいて下層側マーク11に対する原点座標Oを算出し、上層側マーク12の反射率の波形に基づいて上層側マーク12に対する原点座標Oを算出する。信号分析部6は、下層側マーク11に対する原点座標Oと上層側マーク12に対する原点座標Oとに基づいて、下層側マーク11と上層側マーク12との間の重ね合わせずれ量を算出する。下層側マーク11と上層側マーク12とによって、後述する重ね合わせ計測マーク10が構成されている。重ね合わせ計測マーク10は、例えば、ウエハW上の複数のショットに形成される。また、重ね合わせ計測マーク10は、各ショット内の複数個所に形成される。合わせずれ検査装置1は、これらの重ね合わせ計測マーク10を用いて、ウエハW上における重ね合わせずれ量の分布を算出する。図2は、第1の実施形態に係る重ね合わせ計測マークの構成を示す図である。図2のaでは、第1の実施形態に係る重ね合わせ計測マーク10の上面図を示している。重ね合わせ計測マーク10は、ラインスペース型のマークであり、例えばAIMAdvancedImagingMetrologyマークである。重ね合わせ計測マーク10は、下層側のパターンと上層側のパターンとを用いて形成されている。例えば、下層側マーク11および上層側マーク12は、それぞれラインスペースのスペース幅が少なくとも2種類以上の異なる寸法となるよう形成されている。重ね合わせ計測マーク10は、下層側マーク11Outerとして下層側マーク11XR,11YR,11XL,11YLを有しており、上層側マーク12Innerとして上層側マーク12XR,12YR,12XL,12YLを有している。なお、以下では下層側マーク11XR,11YR,11XL,11YLを下層側マーク11という場合がある。また、上層側マーク12XR,12YR,12XL,12YLを上層側マーク12という場合がある。下層側マーク11XR,11XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、下層側マーク11YR,11YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。下層側マーク11XRは、下層側マーク11XLに対し、後述する原点座標Oを対称中心とした点対称な関係にある。同様に、下層側マーク11YRは、下層側マーク11YLに対し、原点座標Oを対称中心とした点対称な関係にある。上層側マーク12XR,12XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、上層側マーク12YR,12YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。上層側マーク12XRは、上層側マーク12XLに対し、原点座標Oを対称中心とした点対称な関係にある。同様に、上層側マーク12YRは、上層側マーク12YLに対し、原点座標Oを対称中心とした点対称な関係にある。例えば、第1層を用いて第1の位置に下層側マーク11を形成しておく。その後、第2層を用いて第2の位置に上層側マーク12が形成され、これにより、第1層と第2層とを用いた重ね合わせ計測マーク10が形成される。また、第2層を用いて第2の位置に上層側マーク12を形成する際には、第2層を用いて第3の位置に下層側マーク11を形成しておく。その後、第3層を用いて第4の位置に上層側マーク12が形成され、これにより、第2層と第3層とを用いた重ね合わせ計測マーク10が形成される。ここで、下層側マーク11XR,11YR,11XL,11YLと、上層側マーク12XR,12YR,12XL,12YLの構成について説明する。なお、下層側マーク11XR,11YR,11XL,11YL、上層側マーク12XR,12YR,12XL,12YLは、それぞれ同様の構成を有しているので、ここでは下層側マーク11XRの構成について説明する。図2のbは、第1の実施形態に係る下層側マークの上面図を示している。下層側マーク11XRは、5本のラインパターン13~17を有している。重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oに最も近いのがラインパターン13であり、2番目に近いのがラインパターン14であり、3番目に近いのがラインパターン15である。また、重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oに4番目に近いのがラインパターン16であり、最も遠いのがラインパターン17である。換言すると、ラインパターン13~17は、重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oから遠ざかる方向に、ラインパターン13,14,15,16,17の順番で並べられている。ラインパターン13~17は、ラインパターン幅短手方向が略同じ寸法であり、各ラインパターン間のスペース幅が、複数種類の寸法に設定されている。例えば、ラインパターン13~17は、それぞれ同一形状で同じ大きさであり、各ラインパターンは、重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oから遠ざかるほど、ラインパターン間の距離スペース幅が大きくなるよう配置されている。具体的には、スペース幅の中では、重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oに最も近いラインパターン13と2番目に近いラインパターン14との間のスペース幅が最も小さい。そして、ラインパターン14とラインパターン15との間のスペース幅が2番目に小さく、ラインパターン15とラインパターン16との間のスペース幅が3番目に小さい。そして、ラインパターン16とラインパターン17との間のスペース幅が最も大きくなっている。同様に、下層側マーク11YR,11XL,11YL、上層側マーク12XR,12YR,12XL,12YLには、原点座標Oに近いラインパターンほど隣接するラインパターンとの間の距離が短くなるよう、各ラインパターンが配置されている。なお、下層側マーク11、上層側マーク12に対し、原点座標Oに近いラインパターンほど隣接するラインパターンとの間の距離が長くなるよう、各ラインパターンを配置してもよい。また、原点座標Oからの距離に関係なく、種々のスペース幅となるよう各ラインパターンを配置してもよい。つぎに、重ね合わせずれ量の計測方法について説明する。図3は、重ね合わせずれ量の計測方法を説明するためのものであって、第1の実施形態に係る重ね合わせ計測マークに対する反射率の波形例と一致度を示す図である。図3のaは、重ね合わせずれ量の計測領域であるROIRegionofInterestと重ね合わせ計測マーク10の原点座標Oを示している。ここではROIとして、下層側マーク11XRの計測領域Aと、下層側マーク11XLの計測領域Bと、上層側マーク12XRの計測領域Cと、上層側マーク12XLの計測領域Dと、を示している。合わせずれ検査装置1は、下層側マーク11と上層側マーク12との間のX方向の重ね合わせずれ量を計測するため、下層側マーク11XR,11XLで構成されたマークの原点座標O1図示せずと、上層側マーク12XR,12XLで構成されたマークの原点座標O2図示せずを算出する。具体的には、合わせずれ検査装置1の信号分析部6は、下層側マーク11XR,11XLの原点座標O1を算出するため、原点座標Oと計測領域A,Bとの相対位置を固定した状態で、原点座標Oを重ね合わせ計測マーク10上でX方向に移動させる。そして、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、計測領域A内の画像に基づいて計測領域A内の反射率を導出するとともに、計測領域B内の画像に基づいて計測領域B内の反射率を導出する。これにより、図3のbに示すような反射率の波形61A,61Bが導出される。さらに、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、反射率の波形61Aと反射率の波形61Bとの間の一致度相関値を算出する。これにより、図3のcに示すような、反射率の波形61Aと反射率の波形61Bとの間の一致度に関する情報が導出される。図3のcのグラフでは、横軸が原点座標Oであり、縦軸が一致度である。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に導出した一致度のうち、一致度の最も高い原点座標Oの位置を、下層側マーク11XR,11XLの原点座標O1に採用する。換言すると、原点座標OをX方向に振った場合に、反射光の強度プロファイルである波形61A,61Bの相関が最大になる原点座標Oが原点座標O1に採用される。また、信号分析部6は、上層側マーク12XR,12XLの原点座標O2を算出するため、原点座標Oと計測領域C,Dとの相対位置を固定した状態で、原点座標Oを重ね合わせ計測マーク10上でX方向に移動させる。そして、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、計測領域C内の画像に基づいて反射率を導出することにより、反射率の波形61C図示せずを導出する。また、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、計測領域D内の画像に基づいて反射率を導出することにより、反射率の波形61D図示せずを導出する。さらに、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、波形61Cと波形61Dとの間の一致度を算出する。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に導出した一致度のうち、一致度の最も高い原点座標Oの位置を、上層側マーク12XR,12XLの原点座標O2に採用する。そして、信号分析部6は、下層側マーク11XR,11XLの原点座標O1と、上層側マーク12XR,12XLの原点座標O2と、を比較し、その差分をX方向の重ね合わせずれ量とする。同様に、信号分析部6は、下層側マーク11YR,11YLに基づいて下層側マーク11YR,11YLの原点座標O3図示せずを算出するとともに、上層側マーク12YR,12YLに基づいて上層側マーク12YR,12YLの原点座標O4図示せずを算出する。そして、下層側マーク11YR,11YLの原点座標O3と、上層側マーク12YR,12YLの原点座標O4と、を比較し、その差分をY方向の重ね合わせずれ量とする。信号分析部6は、X方向の重ね合わせずれ量とY方向の重ね合わせずれ量とを足したものを、下層膜を用いて形成されたパターンと上層膜を用いて形成されたパターンとの間の重ね合わせずれ量として算出する。ところで、下層側マーク内のラインパターン幅とスペース幅が全て同じである場合、11ピッチずれ、21/2ピッチずれ、31/4ピッチずれのような、重ね合わせの誤計測が発生する場合がある。なお、ピッチは、ラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されている場合の、隣接するラインパターン幅とスペースパターン幅との合計値である。11ピッチずれは、ラインパターンに出来栄え不良などが発生した場合に発生する誤計測である。例えば、下層側マーク内のラインパターン幅とスペース幅が全て同じである場合に、下層側マーク内の1つのラインパターンに出来栄え不良などが発生すると、反射率の波形として4つの正常な波形しか現れない。このような場合、下層側マークの4つの波形と、上層側マークの5つの波形と、が比較されることにより、一致度が算出される。このため、ラインスペースの1ピッチ分だけずれた位置が、下層側マークの原点座標Oであると判断されてしまう場合がある。また、実際に下層側マークが、上層側マークに対して1ピッチ分だけずれてしまう場合がある。このような場合に、下層側マーク内のラインパターン幅とスペース幅が全て同じであると、1ピッチ分だけずれているにもかかわらず、重ね合わせずれ量が、略ゼロと判断されてしまうおそれがある。21/2ピッチずれは、膜むらが大きい場合、ウエハWの反りが大きい場合などに生じる。膜むらやウエハWに反りがある場合には、下層側マークの位置によってラインパターンとスペース位置の明るさに差を生じてしまう場合がある。例えば、一方の下層側マークでは、ラインパターンの方がスペース位置よりも明るいにもかかわらず、他方の下層側マークでは、ラインパターンの方がスペース位置よりも暗いような場合がある。このような場合には、ラインパターンとスペースを誤認してしまい、その結果、ラインスペースの1/2ピッチ分だけずれた位置が、下層側マークの原点座標Oであると判断されてしまう場合がある。31/4ピッチずれは、下層側マークや上層側マークを構成するラインパターンのエッジコントラストが高い場合などに生じる。ラインパターンのエッジコントラストが高い場合、ラインパターンの各エッジ部分が反射率の波形のピークとなってしまう。このような反射率の波形を用いて、下層側マークの反射率の波形と、上層側マークの反射率の波形との間の一致度を算出すると、ラインスペースの1/4ピッチ分だけずれた位置が、下層側マークの原点座標Oであると判断されてしまう場合がある。一方、本実施形態では、下層側マーク11XR,11XL内や上層側マーク12XR,12XLのラインパターン13~17が、2種類以上のスペース幅を有するよう配置されている。例えば、図2のaに示した下層側マーク11XRの場合、下層側マーク11XRは、ラインパターン13,14の間の第1のスペース幅、ラインパターン14,15の間の第2のスペース幅、ラインパターン15,16の間の第3のスペース幅、ラインパターン16,17の間の第4のスペース幅を有している。このため、下層側マーク11XR内や下層側マーク11XL内の1つのラインパターンに出来栄え不良などが発生しても、ラインスペースの1ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク11XR,11XLの原点座標Oと判断してしまうことはない。同様に、膜むらやウエハWに反りがあっても、ラインスペースの1/2ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク11XR,11XLの原点座標Oと判断してしまうことはない。また、ラインパターンのエッジのコントラストが高い場合であっても、ラインスペースの1/4ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク11XR,11XLの原点座標Oと判断してしまうことはない。これは、ラインパターン13~17が、種々のスペース幅を用いて配置されているので、1ピッチ分、1/2ピッチ分、1/4ピッチ分だけずれた状態では、反射率の波形61Aと反射率の波形61Bとの間の一致度が極端に小さくなるからである。換言すると、下層側マーク11XR,11XLを用いて重ね合わせずれ量を計測すると、ピッチのずれがない位置正しい原点座標Oの位置で、一致度のピークが1つだけ現れることとなる。このため、重ね合わせずれ量を計測する際の誤計測のリスクが低減する。このように、本実施形態では、下層側マーク11XR,11XLのラインパターン13~17が、種々のスペース幅を用いて配置されているので、重ね合わせ計測マーク10および重ね合わせ計測マーク10周辺の出来栄えによって発生しうる誤計測計測飛びを防止することが可能となる。また、突発的な大きな重ね合わせずれを検出することが可能となる。下層側マーク11と上層側マーク12の形成や、合わせずれ検査装置1による重ね合わせずれ量の計測は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。半導体装置半導体集積回路を製造する際には、種々のレイヤで下層側マーク11と上層側マーク12が形成され、これにより、下層側マーク11と上層側マーク12とで重ね合わせ計測マーク10が形成される。具体的には、ウエハW上に下層膜が成膜され、下層膜を用いて下層側回路パターンと下層側マーク11とが形成される。さらに、ウエハW上に上層膜が成膜される。この後、ウエハW上にレジストが塗布され、レジストの塗布されたウエハWにマスクを用いて露光が行なわれ、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンが形成される。このとき、レジストパターンとしては、回路パターンと上層側マーク12とが形成される。そして、上層側マーク12と下層側マーク11との原点座標Oが比較されることにより、上層側マーク12と下層側マーク11との間の重ね合わせずれ量が計測される。この後、重ね合わせずれ量が許容範囲内であれば、レジストパターンをマスクとして上層膜がエッチングされる。これにより、上層膜を用いた上層側回路パターンがウエハW上に形成される。重ね合わせずれ量が許容範囲を逸脱していると、ウエハW上のレジストパターンを剥離した後、重ね合わせずれ量が許容範囲内となるまでウエハW上へのレジストの塗布とレジストパターンの形成が繰り返し行われる。半導体装置を製造する際には、上述した下層膜の成膜、下層膜を用いた下層側回路パターンと下層側マーク11の形成、上層膜の成膜、レジストの塗布、レジストパターンを用いた上層側回路パターンと上層側マーク12の形成露光、現像、重ね合わせずれ量の計測、エッチングなどが、レイヤ毎に繰り返される。なお、重ね合わせ計測マーク10の下層側マーク11と上層側マーク12は、図2に示した配置に限らない。また、下層側マーク11例えば、下層側マーク11XRや上層側マーク12のラインパターンは、5本に限らず、3本以上であればよい。このように第1の実施形態によれば、下層側マーク11および上層側マーク12のラインパターン幅を一定とし、且つスペース幅を少なくとも2種類以上の異なる寸法としているので、反射率の相関グラフにおける擬似ピーク発生が抑制される。この結果、重ね合わせずれ量の誤計測を低減することが可能となる。したがって、微小マークを用いた計測ロバスト性が改善される。第2の実施形態つぎに、図4および図5を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、下層側マーク11および上層側マーク12のスペース幅を一定とし、且つラインパターン幅を少なくとも2種類以上の異なる寸法とする。図4は、第2の実施形態に係る重ね合わせ計測マークの構成を示す図である。図4のaでは、第2の実施形態に係る重ね合わせ計測マーク20の上面図を示している。重ね合わせ計測マーク20は、AIMマークなどであり、下層側のパターンと上層側のパターンとを用いて形成されている。下層側マーク11および上層側マーク12は、それぞれラインスペース型のマークであり、ラインパターン幅が少なくとも2種類以上の異なる寸法で形成されている。重ね合わせ計測マーク20は、下層側マーク11として下層側マーク21XR,21YR,21XL,21YLを有しており、上層側マーク12として上層側マーク22XR,22YR,22XL,22YLを有している。なお、以下では下層側マーク21XR,21YR,21XL,21YLを下層側マーク11という場合がある。また、上層側マーク22XR,22YR,22XL,22YLを上層側マーク12という場合がある。下層側マーク21XR,21XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、下層側マーク21YR,21YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。上層側マーク22XR,22XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、上層側マーク22YR,22YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。本実施形態の下層側マーク21XR,21XL,21YR,21YL、上層側マーク22XR,22XL,22YR,22YLは、それぞれ第1の実施形態の下層側マーク11XR,11XL,11YR,11YL、上層側マーク12XR,12XL,12YR,12YLと同様の位置に配置されている。ここで、下層側マーク21XR,21YR,21XL,21YLと、上層側マーク22XR,22YR,22XL,22YLの構成について説明する。なお、下層側マーク21XR,21YR,21XL,21YL、上層側マーク22XR,22YR,22XL,22YLは、それぞれ同様の構成を有しているので、ここでは下層側マーク21XRの構成について説明する。図4のbは、第2の実施形態に係る下層側マークの上面図を示している。下層側マーク21XRは、5本のラインパターン23~27を有している。重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oに最も近いのがラインパターン23であり、2番目に近いのがラインパターン24であり、3番目に近いのがラインパターン25である。また、重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oに4番目に近いのがラインパターン26であり、最も遠いのがラインパターン27である。換言すると、ラインパターン23~27は、重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oから遠ざかる方向に、ラインパターン23,24,25,26,27の順番で並べられている。ラインパターン23~27は、各ラインパターン間のスペース幅が略同じ寸法となるよう配置され、各ラインパターン幅は、複数種類の寸法に設定されている。例えば、ラインパターン23~27は、重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oから遠ざかるほど、ラインパターン幅が大きくなるよう配置されている。具体的には、ラインパターン幅の中では、重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oに最も近いラインパターン23のラインパターン幅が最も小さい。そして、ラインパターン24のラインパターン幅が2番目に小さく、ラインパターン25のラインパターン幅が3番目に小さい。そして、ラインパターン26のラインパターン幅が4番目に小さく、ラインパターン27のラインパターン幅が最も大きくなっている。同様に、下層側マーク21YR,21XL,21YL、上層側マーク22XR,22YR,22XL,22YLには、原点座標Oに近いラインパターンほどラインパターン幅が小さくなるよう、各ラインパターンが配置されている。なお、下層側マーク11、上層側マーク12に対し、原点座標Oに近いラインパターンほどラインパターン幅が大きくなるよう、各ラインパターンを配置してもよい。また、原点座標Oからの距離に関係なく、種々のラインパターン幅となるよう各ラインパターンを配置してもよい。つぎに、重ね合わせずれ量の計測方法について説明する。合わせずれ検査装置1は、第1の実施形態と同様の処理手順によって下層側マーク11と上層側マーク12との間の重ね合わせずれ量を計測する。具体的には、合わせずれ検査装置1は、下層側マーク11と上層側マーク12との間のX方向の重ね合わせずれ量を計測するため、下層側マーク21XR,21XLの原点座標O1と、上層側マーク22XR,22XLの原点座標O2を算出する。下層側マーク21XR,21XLの原点座標O1を算出する際には、下層側マーク21XR,21XLに計測領域A,Bが設定される。そして、信号分析部6は、各計測領域A,B内の画像に基づいて計測領域A,B内における反射率の波形を求める。図5は、第2の実施形態に係る重ね合わせ計測マークに対する反射率の波形例と一致度を示す図である。図5のaは、重ね合わせずれ量の計測領域であるROIと重ね合わせ計測マーク20の原点座標Oを示している。ここではROIとして、下層側マーク21XRの計測領域Aと、下層側マーク21XLの計測領域Bと、上層側マーク22XRの計測領域Cと、上層側マーク22XLの計測領域Dと、を示している。また、図5のbでは、計測領域A内における反射率の波形62Aと、計測領域B内における反射率の波形62Bと、を示している。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に計測領域A内の反射率を導出するとともに、原点座標Oの位置毎に計測領域B内の反射率を導出する。これにより、図5のbに示すような反射率の波形62A,62Bが導出される。さらに、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、反射率の波形62Aと反射率の波形62Bとの間の一致度を算出する。これにより、図5のcに示すような、反射率の波形62Aと反射率の波形62Bとの間の一致度に関する情報が導出される。図5のcのグラフでは、横軸が原点座標Oであり、縦軸が一致度である。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に導出した一致度のうち、一致度の最も高い原点座標Oの位置を、下層側マーク21XR,21XLの原点座標O1に採用する。また、上層側マーク22XR,22XLの原点座標O2を算出する際には、上層側マーク22XR,22XLに、計測領域C,Dが設定される。そして、第1の実施形態と同様の処理手順によって、計測領域C内における反射率の波形62C図示せずと計測領域D内における反射率の波形62D図示せずが導出される。さらに、信号分析部6は、波形62Cと波形62Dに基づいて、上層側マーク22XR,22XLの原点座標O2を算出する。そして、信号分析部6は、下層側マーク21XR,21XLの原点座標O1と、上層側マーク22XR,22XLの原点座標O2と、を比較し、その差分をX方向の重ね合わせずれ量とする。なお、合わせずれ検査装置1は、第1の実施形態と同様の処理手順によって、下層側マーク11と上層側マーク12との間のY方向の重ね合わせずれ量を計測するので、その説明は省略する。本実施形態では、下層側マーク21XR,21XL,21YR,21YL内、上層側マーク22XR,22XL,22YR,22YL内、のラインパターン23~27が、2種類以上のラインパターン幅を用いて構成されている。例えば、図4のaに示した下層側マーク21XRの場合、下層側マーク21XRの各ラインパターンは、ラインパターン23が有する第1のラインパターン幅、ラインパターン24が有する第2のラインパターン幅、ラインパターン25が有する第3のラインパターン幅、ラインパターン26が有する第4のラインパターン幅、ラインパターン27が有する第5のラインパターン幅で構成されている。このため、第1の実施形態と同様に、ラインスペースの1ピッチ分、1/2ピッチ分、1/4ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク21XR,21XLの原点座標Oと判断してしまうことを防止できる。これは、ラインパターン23~27が、種々のラインパターン幅で構成されているので、ラインパターン23~27を用いて重ね合わせずれ量を計測すると、ピッチのずれがない位置正しい原点座標Oの位置で、一致度のピークが1つだけ現れるからである。このように、本実施形態では、下層側マーク11、上層側マーク12を構成するラインパターン23~27が、種々のラインパターン幅で構成されているので、重ね合わせ計測マーク20および重ね合わせ計測マーク20周辺の出来栄えによって発生しうる誤計測計測飛びを防止することが可能となる。また、突発的な大きな重ね合わせずれを検出することが可能となる。なお、重ね合わせ計測マーク20の下層側マーク11と上層側マーク12は、図4に示した配置に限らない。また、下層側マーク11例えば、下層側マーク21XRや上層側マーク12のラインパターンは、5本に限らず、2本以上であればよい。また、本実施形態では、下層側マーク11および上層側マーク12のスペース幅を一定とした場合について説明したが、下層側マーク11および上層側マーク12のスペース幅を少なくとも2種類以上の異なる寸法とし、且つラインパターン幅を少なくとも2種類以上の異なる寸法としてもよい。このように第2の実施形態によれば、下層側マーク11および上層側マーク12のスペース幅を一定とし、且つラインパターン幅を少なくとも2種類以上の異なる寸法としているので、重ね合わせずれ量の誤計測を低減することが可能となる。第3の実施形態つぎに、図6および図7を用いてこの発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、下層側マーク11および上層側マーク12を構成するラインパターンのピッチを一定とし、且つラインパターン幅およびスペース幅を、それぞれ2種類以上の異なる寸法とする。図6は、第3の実施形態に係る重ね合わせ計測マークの構成を示す図である。図6のaでは、第3の実施形態に係る重ね合わせ計測マーク30の上面図を示している。重ね合わせ計測マーク30は、AIMマークなどであり、下層側のパターンと上層側のパターンとを用いて形成されている。下層側マーク11および上層側マーク12は、それぞれラインスペース型のマークであり、ラインパターン幅およびスペース幅が少なくとも2種類以上の異なる寸法で形成されている。重ね合わせ計測マーク30は、下層側マーク11として下層側マーク31XR,31YR,31XL,31YLを有しており、上層側マーク12として上層側マーク32XR,32YR,32XL,32YLを有している。なお、以下では下層側マーク31XR,31YR,31XL,31YLを下層側マーク11という場合がある。また、上層側マーク32XR,32YR,32XL,32YLを上層側マーク12という場合がある。下層側マーク31XR,31XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、下層側マーク31YR,31YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。上層側マーク32XR,32XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、上層側マーク32YR,32YLは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。本実施形態の下層側マーク31XR,31XL,31YR,31YL、上層側マーク32XR,32XL,32YR,32YLは、それぞれ第1の実施形態の下層側マーク11XR,11XL,11YR,11YL、上層側マーク12XR,12XL,12YR,12YLと同様の位置に配置されている。ここで、下層側マーク31XR,31YR,31XL,31YLと、上層側マーク32XR,32YR,32XL,32YLの構成について説明する。なお、下層側マーク31XR,31YR,31XL,31YL、上層側マーク32XR,32YR,32XL,32YLは、それぞれ同様の構成を有しているので、ここでは下層側マーク31XRの構成について説明する。図6のbは、第3の実施形態に係る下層側マークの上面図を示している。下層側マーク31XRは、5本のラインパターン33~37を有している。重ね合わせ計測マーク30の原点座標Oに最も近いのがラインパターン33であり、2番目に近いのがラインパターン34であり、3番目に近いのがラインパターン35である。また、重ね合わせ計測マーク30の原点座標Oに4番目に近いのがラインパターン36であり、最も遠いのがラインパターン37である。換言すると、ラインパターン33~37は、重ね合わせ計測マーク30の原点座標Oから遠ざかる方向に、ラインパターン33,34,35,36,37の順番で並べられている。ラインパターン33~37は、ピッチが一定となるよう形成され、各ラインパターン幅および各スペース幅は、それぞれ複数種類の寸法に設定されている。例えば、ラインパターン33~37は、重ね合わせ計測マーク30の原点座標Oから遠ざかるほど、ラインパターン幅が大きくなり、且つスペース幅が小さくなるよう配置されている。換言すると、原点座標Oから近いほど、ラインパターン幅が小さくなっている。さらに、原点座標Oから近いほど、スペース幅が大きくなっている。同様に、下層側マーク31YR,31XL,31YL、上層側マーク32XR,32YR,32XL,32YLには、原点座標Oに近いほどラインパターン幅が小さくなるとともにスペース幅が大きくなるよう、各ラインパターンが配置されている。なお、下層側マーク11、上層側マーク12に対し、原点座標Oに近いほどラインパターン幅が大きくなるとともにスペース幅が小さくなるよう、各ラインパターンを配置してもよい。また、原点座標Oからの距離に関係なく、種々のスペース幅および種々のラインパターン幅となるよう各ラインパターンを配置してもよい。つぎに、重ね合わせずれ量の計測方法について説明する。合わせずれ検査装置1は、第1の実施形態と同様の処理手順によって下層側マーク11と上層側マーク12との間の重ね合わせずれ量を計測する。具体的には、合わせずれ検査装置1は、下層側マーク11と上層側マーク12との間のX方向の重ね合わせずれ量を計測するため、下層側マーク31XR,31XLの原点座標O1と、上層側マーク32XR,32XLの原点座標O2を算出する。下層側マーク31XR,31XLの原点座標O1を算出する際には、下層側マーク31XR,31XLに計測領域A,Bが設定される。そして、信号分析部6は、各計測領域A,B内の画像に基づいて計測領域A,B内における反射率の波形を求める。図7は、第3の実施形態に係る重ね合わせ計測マークに対する反射率の波形例と一致度を示す図である。図7のaは、重ね合わせずれ量の計測領域であるROIと重ね合わせ計測マーク30の原点座標Oを示している。ここではROIとして、下層側マーク31XRの計測領域Aと、下層側マーク31XLの計測領域Bと、上層側マーク32XRの計測領域Cと、上層側マーク32XLの計測領域Dと、を示している。また、図7のbでは、計測領域A内における反射率の波形63Aと、計測領域B内における反射率の波形63Bと、を示している。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に計測領域A内の反射率を導出するとともに、原点座標Oの位置毎に計測領域B内の反射率を導出する。これにより、図7のbに示すような反射率の波形63A,63Bが導出される。さらに、信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に、反射率の波形63Aと反射率の波形63Bとの間の一致度を算出する。これにより、図7のcに示すような、反射率の波形63Aと反射率の波形63Bとの間の一致度に関する情報が導出される。図7のcのグラフでは、横軸が原点座標Oであり、縦軸が一致度である。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に導出した一致度のうち、一致度の最も高い原点座標Oの位置を、下層側マーク31XR,31XLの原点座標O1に採用する。この後、第1の実施形態と同様の処理手順によって、上層側マーク32XR,32XLの原点座標O2が算出される。そして、信号分析部6は、下層側マーク31XR,31XLの原点座標O1と、上層側マーク32XR,32XLの原点座標O2と、を比較し、その差分をX方向の重ね合わせずれ量とする。なお、合わせずれ検査装置1は、第1の実施形態と同様の処理手順によって、下層側マーク11と上層側マーク12との間のY方向の重ね合わせずれ量を計測するので、その説明は省略する。本実施形態では、下層側マーク31XR,31XL,31YR,31YL内、上層側マーク32XR,32XL,32YR,32YL内のラインパターン33~37が、2種類以上のラインパターン幅およびスペース幅を用いて構成されている。例えば、図6のaに示した下層側マーク31XRの場合、下層側マーク31XRの各ラインパターンは、ラインパターン33が有する第1のラインパターン幅、ラインパターン34が有する第2のラインパターン幅、ラインパターン35が有する第3のラインパターン幅、ラインパターン36が有する第4のラインパターン幅、ラインパターン37が有する第5のラインパターン幅で構成されている。また、下層側マーク31XRのスペースは、ラインパターン33,34間の第1のスペース幅、ラインパターン34,35間の第2のスペース幅、ラインパターン35,36間の第3のスペース幅、ラインパターン36,37間の第4のスペース幅で構成されている。このため、第1の実施形態と同様に、ラインスペースの1ピッチ分、1/2ピッチ分、1/4ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク31XR,31XLの原点座標Oと判断してしまうことを防止できる。これは、ラインパターン33~37が、種々のラインパターン幅およびラインパターン間隔スペース幅で配置されているので、ラインパターン33~37を用いて重ね合わせずれ量を計測すると、ピッチのずれがない位置正しい原点座標Oの位置で、一致度のピークが1つだけ現れるからである。このように、本実施形態では、下層側マーク11、上層側マーク12が同一ピッチかつ種々のラインパターン幅およびスペース幅で構成されているので、重ね合わせ計測マーク30および重ね合わせ計測マーク30周辺の出来栄えによって発生しうる誤計測計測飛びを防止することが可能となる。また、突発的な大きな重ね合わせずれを検出することが可能となる。なお、重ね合わせ計測マーク30の下層側マーク11と上層側マーク12は、図6に示した配置に限らない。また、下層側マーク11例えば、下層側マーク31XRや上層側マーク12のラインパターンは、5本に限らず、3本以上であればよい。このように第3の実施形態によれば、下層側マーク11および上層側マーク12を構成するラインパターンのピッチを一定とし、且つラインパターン幅およびスペース幅を、それぞれ2種類以上の異なる寸法としているので、重ね合わせずれ量の誤計測を低減することが可能となる。第4の実施形態つぎに、図8~図10を用いてこの発明の第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、下層側マーク11および上層側マーク12を構成するラインパターン領域ラインパターン13~17の配置されていた各位置のそれぞれに種々のパターン密度分布やパターン密度を与える。換言すると、各ラインパターン領域に対し、パターン密度分布やパターン密度が異なるパターン群を配置する。図8は、第4の実施形態に係る重ね合わせ計測マークの構成を示す図である。図8のaでは、第4の実施形態に係る重ね合わせ計測マーク40の上面図を示している。重ね合わせ計測マーク40は、AIMマークなどであり、下層側のパターンと上層側のパターンとを用いて形成されている。下層側マーク11および上層側マーク12は、それぞれラインスペース型のマークである。重ね合わせ計測マーク40は、下層側マーク11として下層側マーク41XR,41YR,41XL,41YLを有しており、上層側マーク12として上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLを有している。なお、以下では下層側マーク41XR,41YR,41XL,41YLを下層側マーク11という場合がある。また、上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLを上層側マーク12という場合がある。下層側マーク41XR,41XLは、Y方向に延びるラインパターン領域をX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、下層側マーク41YR,41YLは、X方向に延びるラインパターン領域をY方向に複数並べたラインスペースパターンである。上層側マーク42XR,42XLは、Y方向に延びるラインパターン領域をX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、上層側マーク42YR,42YLは、X方向に延びるラインパターン領域をY方向に複数並べたラインスペースパターンである。本実施形態の下層側マーク41XR,41XL,41YR,41YL、上層側マーク42XR,42XL,42YR,42YLは、それぞれ第1の実施形態の下層側マーク11XR,11XL,11YR,11YL、上層側マーク12XR,12XL,12YR,12YLと同様の位置に配置されている。ここで、下層側マーク41XR,41YR,41XL,41YLと、上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLの構成について説明する。なお、下層側マーク41XR,41YR,41XL,41YL、上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLは、それぞれ同様の構成を有しているので、ここでは下層側マーク41XRの構成について説明する。図8のbは、第4の実施形態に係る下層側マークの上面図を示している。下層側マーク41XRは、5本のラインパターン領域43~47を有している。重ね合わせ計測マーク40の原点座標Oに最も近いのがラインパターン領域43であり、2番目に近いのがラインパターン領域44であり、3番目に近いのがラインパターン領域45である。また、重ね合わせ計測マーク40の原点座標Oに4番目に近いのがラインパターン領域46であり、最も遠いのがラインパターン領域47である。換言すると、ラインパターン領域43~47は、重ね合わせ計測マーク40の原点座標Oから遠ざかる方向に、ラインパターン領域43,44,45,46,47の順番で並べられている。ラインパターン領域43~47は、ラインパターン領域幅短手方向が略同じ寸法であって且つ各ラインパターン領域間のスペースパターン領域の幅が略同じ寸法である。例えば、ラインパターン領域43~47は、それぞれ同一形状で同じ大きさである。そして、ラインパターン領域43~47内には、X方向に対し種々のパターン密度分布となるよう、あるいは種々のパターン密度を有するよう複数のラインパターンが配置されている。このように、下層側マーク41XRは、5本のラインパターン領域43~47でセグメント化され、各セグメント内でパターン密度分布あるいはパターン密度が変化させられている。同様に、下層側マーク41YR,41XL,41YL、上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLには、ラインパターン領域幅短手方向が略同じ寸法であって且つ各ラインパターン領域間の幅が略同じ寸法のラインパターン領域が配置されている。つぎに、各ラインパターン領域43~47内に配置されるラインパターンの構成について説明する。図9は、ラインパターン領域内に配置されるラインパターンの構成を示す図である。図9では、各ラインパターン領域43~47内の上面図を示している。図9のaは、下層側マーク41XRの一例である下層側マーク41XRaの構成を示している。下層側マーク41XRaでは、ラインパターン領域43~47としてのラインパターン領域43A~47A内にラインパターンが配置されている。なお、図9のaでは、ラインパターン領域44A,46Aの図示を省略している。ラインパターン領域43A~47A内の各ラインパターンは、それぞれ略同一のラインパターン幅である。ラインパターン領域43A内には、左端部側ラインパターン領域44Aとは反対側が右端部側ラインパターン領域44A側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域44A内には、左端部側ラインパターン領域43A側が右端部側ラインパターン領域45A側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。この場合において、ラインパターン領域44Aの左端部側よりも、ラインパターン領域43Aの左端部側の方が、パターン密度が小さくなるようラインパターンを配置しておく。なお、ラインパターン領域44Aの右端部側よりも、ラインパターン領域43Aの右端部側の方が、パターン密度が大きくなるようラインパターンを配置しておいてもよい。換言すると、ラインパターン領域44Aよりもラインパターン領域43Aの方が、左端部側と右端部側とでパターン密度の差が大きくなるよう、ラインパターン領域43A,44A内にラインパターンを配置しておく。また、ラインパターン領域47A内には、右端部側ラインパターン領域46Aとは反対側が左端部側ラインパターン領域46A側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域46A内には、右端部側ラインパターン領域47A側が左端部側ラインパターン領域45A側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。この場合において、ラインパターン領域46Aの右端部側よりも、ラインパターン領域47Aの右端部側の方が、パターン密度が小さくなるようラインパターンを配置しておく。なお、ラインパターン領域46Aの左端部側よりも、ラインパターン領域47Aの左端部側の方が、パターン密度が大きくなるようラインパターンを配置しておいてもよい。換言すると、ラインパターン領域46Aよりもラインパターン領域47Aの方が、左端部側と右端部側とでパターン密度の差が大きくなるよう、ラインパターン領域46A,47A内にラインパターンを配置しておく。また、ラインパターン領域45A内には、ラインパターン領域45A内でパターン密度が略一定となるよう、複数のラインパターンが配置されている。例えば、ラインパターン領域43A,44Aには、左端部側から右端部側にかけて、ラインパターン幅が一定でスペース幅が少しずつ小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域46A,47Aには、右端部側から左端部側にかけて、ラインパターン幅が一定でスペース幅が少しずつ小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域45Aには、ラインパターン幅短手方向が略同じ寸法であって且つ各ラインパターン間のスペース幅が略同じ寸法のラインパターンが複数配置されている。例えば、ラインパターン領域45Aには、同一形状で同じ大きさのラインパターンが複数配置されている。図9のbは、下層側マーク41XRの他の一例である下層側マーク41XRbの構成を示している。下層側マーク41XRbでは、ラインパターン領域43~47としてのラインパターン領域43B~47B内にラインパターンが配置されている。なお、図9のbでは、ラインパターン領域44B,46Bの図示を省略している。ラインパターン領域43B~47B内の各ラインパターン間は、それぞれ略同一のスペース幅である。ラインパターン領域43B~47Bは、それぞれラインパターン領域43A~47Aと同様にパターン密度分布不均一なパターン密度を有している。具体的には、ラインパターン領域43B内には、左端部側ラインパターン領域44Bとは反対側が右端部側ラインパターン領域44B側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域44B内には、左端部側ラインパターン領域43B側が右端部側ラインパターン領域45B側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。この場合において、ラインパターン領域44Bの左端部側よりも、ラインパターン領域43Bの左端部側の方が、パターン密度が小さくなるようラインパターンを配置しておく。なお、ラインパターン領域44Bの右端部側よりも、ラインパターン領域43Bの右端部側の方が、パターン密度が大きくなるようラインパターンを配置しておいてもよい。換言すると、ラインパターン領域44Bよりもラインパターン領域43Bの方が、左端部側と右端部側とでパターン密度の差が大きくなるよう、ラインパターン領域43B,44B内にラインパターンを配置しておく。また、ラインパターン領域47B内には、右端部側ラインパターン領域46Bとは反対側が左端部側ラインパターン領域46B側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域46B内には、右端部側ラインパターン領域47B側が左端部側ラインパターン領域45B側よりもパターン密度が小さくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。この場合において、ラインパターン領域46Bの右端部側よりも、ラインパターン領域47Bの右端部側の方が、パターン密度が小さくなるようラインパターンを配置しておく。なお、ラインパターン領域46Bの左端部側よりも、ラインパターン領域47Bの左端部側の方が、パターン密度が大きくなるようラインパターンを配置しておいてもよい。換言すると、ラインパターン領域46Bよりもラインパターン領域47Bの方が、左端部側と右端部側とでパターン密度の差が大きくなるよう、ラインパターン領域46B,47B内にラインパターンを配置しておく。また、ラインパターン領域45B内には、ラインパターン領域45B内でパターン密度が略一定となるよう、複数のラインパターンが配置されている。例えば、ラインパターン領域43B,44Bには、左端部側から右端部側にかけて、スペース幅が一定でラインパターン幅が少しずつ大きくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域46B,47Bには、右端部側から左端部側にかけて、スペース幅が一定でラインパターン幅が少しずつ大きくなるよう、複数のラインパターンが配置されている。また、ラインパターン領域45Bには、ラインパターン幅短手方向が略同じ寸法であって且つ各ラインパターン間のスペース幅が略同じ寸法のラインパターンが複数配置されている。例えば、ラインパターン領域45Bには、同一形状で同じ大きさのラインパターンが配置されている。図9のcは、下層側マーク41XRのさらに他の一例である下層側マーク41XRcの構成を示している。下層側マーク41XRcでは、ラインパターン領域43~47としてのラインパターン領域43C~47C内にラインパターンが配置されている。なお、図9のcでは、ラインパターン領域44C,46Cの図示を省略している。ラインパターン領域43C~47Cは、それぞれ異なるパターン密度を有している。具体的には、ラインパターン領域43C,44C,45C,46C,47Cの順番でパターン密度が小さくなるよう、ラインパターン領域43C~47C内のそれぞれに、複数のラインパターンが配置されている。例えば、ラインパターン領域43C,44C,45C,46C,47Cの順番でラインパターン幅が小さく且つスペース幅が大きくなるよう、ラインパターン領域43C~47C内のそれぞれに複数のラインパターンを配置しておく。なお、ラインパターン領域43C,44C,45C,46C,47Cの順番でスペース幅が大きくなるよう、ラインパターン領域43C~47C内のそれぞれに、ラインパターン幅が一定のラインパターンを複数配置しておいてもよい。また、ラインパターン領域43C,44C,45C,46C,47Cの順番でラインパターン幅が小さくなるよう、ラインパターン領域43C~47C内のそれぞれに、スペース幅を一定としてラインパターンを複数配置しておいてもよい。さらに、原点座標Oからの距離に関係なく、種々のスペース幅、ラインパターン幅となるよう各ラインパターンを配置してもよい。なお、本実施形態では、下層側マーク41XRaが5種類のパターン密度分布5つのラインパターン領域43A~47Aを有している場合について説明したが、下層側マーク41XRaは2種類以上のパターン密度分布2つ以上のラインパターン領域を有していればよい。また、本実施形態では、下層側マーク41XRbが5種類のパターン密度分布5つのラインパターン領域43B~47Bを有している場合について説明したが、下層側マーク41XRbは2種類以上のパターン密度分布2つ以上のラインパターン領域を有していればよい。また、本実施形態では、下層側マーク41XRcが5種類のパターン密度5つのラインパターン領域43C~47Cを有している場合について説明したが、下層側マーク41XRcは2種類以上のパターン密度2つ以上のラインパターン領域を有していればよい。合わせずれ検査装置1は、第1の実施形態と同様の処理手順によって下層側マーク11と上層側マーク12との間の重ね合わせずれ量を計測する。具体的には、合わせずれ検査装置1は、下層側マーク11と上層側マーク12との間のX方向の重ね合わせずれ量を計測するため、下層側マーク41XR,41XLの原点座標O1と、上層側マーク42XR,42XLの原点座標O2を算出する。下層側マーク41XR,41XLの原点座標O1を算出する際には、下層側マーク41XR,41XLに計測領域A,Bが設定される。そして、信号分析部6は、各計測領域A,B内の画像に基づいて計測領域A,B内における反射率の波形を求める。図10は、第4の実施形態に係る重ね合わせ計測マークに対する反射率の波形例を示す図である。図10のaでは、各ラインパターン領域内のパターン群を図9のaに示した配置とした場合に、下層側マーク41XRに対する計測領域A内の反射率の波形64Aと、下層側マーク41XLに対する計測領域B内の反射率の波形64Bと、を示している。また、図10のbでは、各ラインパターン領域内のパターン群を図9のbに示した配置とした場合に、下層側マーク41XRに対する計測領域A内の反射率の波形65Aと、下層側マーク41XLに対する計測領域B内の反射率の波形65Bと、を示している。また、図10のcでは、各ラインパターン領域内のパターン群を図9のcに示した配置とした場合に、下層側マーク41XRに対する計測領域A内の反射率の波形66Aと、下層側マーク41XLに対する計測領域B内の反射率の波形66Bと、を示している。信号分析部6は、原点座標Oの位置毎に計測領域A内の反射率を導出するとともに、原点座標Oの位置毎に計測領域B内の反射率を導出する。これにより、図9のaに示したパターン配置の場合、図10のaに示すような反射率の波形64A,64Bが導出される。具体的には、波形の各山が左右非対称となる波形64A,64Bが導出される。また、図9のbに示したパターン配置の場合、図10のbに示すような反射率の波形65A,65Bが導出される。具体的には、波形の各山が左右非対称となる波形65A,65Bが導出される。また、図9のcに示したパターン配置の場合、図10のcに示すような反射率の波形66A,66Bが導出される。具体的には、波形の各山が高さの異なる山である波形66A,66Bが導出される。この後、第1の実施形態と同様の処理によって、X方向の重ね合わせずれ量と、Y方向の重ね合わせずれ量と、が算出される。このように、本実施形態では、複数のラインパターン領域に対し、種々のパターン密度分布、種々のパターン密度でラインパターンを配置している。例えば、図9のaに示した下層側マーク41XRaの場合、下層側マーク41XRaの各ラインパターン領域は、ラインパターン領域43Aが有する第1のパターン密度分布、ラインパターン領域44Aが有する第2のパターン密度分布、ラインパターン領域45Aが有する第3のパターン密度分布、ラインパターン領域46Aが有する第4のパターン密度分布、ラインパターン領域47Aが有する第5のパターン密度分布で構成されている。同様に、図9のbに示した下層側マーク41XRbの場合、下層側マーク41XRbのラインパターン領域は、複数種類のパターン密度分布を有している。これにより、下層側マーク41XRbの各ラインパターン領域は、膜むらを有することとなる。また、図9のcに示した下層側マーク41XRcのように、複数のラインパターン領域に対し、種々のパターン密度でラインパターンを配置している。このため、第1の実施形態と同様に、ラインスペースの1ピッチ分、1/2ピッチ分、1/4ピッチ分だけずれた位置を、下層側マーク41XR,41XLの原点座標Oと判断してしまうことはない。これは、ラインパターン領域43~47が、種々のパターン密度分布、種々のパターン密度で構成されているので、マクロ観察した際にグラデーションを発生させるからである。ラインパターン領域43~47を用いて重ね合わせずれ量を計測すると、ピッチのずれがない位置正しい原点座標Oの位置で、一致度のピークが1つだけ現れる。このように、本実施形態では、下層側マーク41XRaや下層側マーク41XRbが種々のパターン密度分布で構成されているので、左右非対称の山を有した反射率の波形を得ることができる。換言すると、ラインパターン領域毎に異なるマークコントラストを得ることができる。また、下層側マーク41XRcが種々のパターン密度で構成されているので、ラインパターン領域毎に異なる高さの山を有した波形を得ることができる。そして、下層側マーク41YR,41XL,41YL、上層側マーク42XR,42YR,42XL,42YLは、下層側マーク41XRと同様の構成を有している。したがって、重ね合わせ計測マーク40および重ね合わせ計測マーク40周辺の出来栄えによって発生しうる誤計測計測飛びを防止することが可能となる。また、突発的な大きな重ね合わせずれを検出することが可能となる。なお、本実施形態では、ラインパターン領域43~47内にラインパターンを配置する場合について説明したが、ラインパターン以外の形状を有したパターンをラインパターン領域43~47内に配置してもよい。例えば、ラインパターン領域43~47内には、コンタクトホールパターンなどを配置してもよい。また、重ね合わせ計測マーク40の下層側マーク11と上層側マーク12は、図8に示した配置に限らない。また、下層側マーク11例えば、下層側マーク41XRや上層側マーク12のラインパターン領域は、5つに限らず、2つ以上であればよい。このように第4の実施形態によれば、下層側マーク11および上層側マーク12を構成するラインパターン領域のそれぞれに種々のパターン密度分布またはパターン密度を与えているので、重ね合わせずれ量の誤計測を低減することが可能となる。第5の実施形態つぎに、図11を用いてこの発明の第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、バーインバー型の重ね合わせ計測マークに対し、第1~第4の実施形態で説明したラインパターンの配置を行なう。図11は、第5の実施形態に係る重ね合わせ計測マークの構成を示す図である。図11では、第5の実施形態に係る重ね合わせ計測マーク50の上面図を示している。重ね合わせ計測マーク50は、バーインバー型のマークであり、下層側のパターンと上層側のパターンとを用いて形成されている。下層側マーク11および上層側マーク12は、それぞれ重ね合わせ計測マーク50の原点座標Oを囲んでその四方に配置されたラインスペースパターンである。重ね合わせ計測マーク50は、下層側マーク11として下層側マーク51XR,51YB,51XL,51YTを有しており、上層側マーク12として上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTを有している。なお、以下では下層側マーク51XR,51YB,51XL,51YTを下層側マーク11という場合がある。また、上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTを上層側マーク12という場合がある。下層側マーク51XR,51XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、下層側マーク51YB,51YTは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。上層側マーク52XR,52XLは、Y方向に延びるラインパターンをX方向に複数並べたラインスペースパターンである。また、上層側マーク52YB,52YTは、X方向に延びるラインパターンをY方向に複数並べたラインスペースパターンである。下層側マーク51XRは、下層側マーク51XLに対し、下層側マーク11の中心を対称中心とした点対称な関係にある。同様に、下層側マーク51YBは、下層側マーク51YTに対し、下層側マーク11の中心を対称中心とした点対称な関係にある。また、上層側マーク52XRは、上層側マーク52XLに対し、上層側マーク12の中心を対称中心とした点対称な関係にある。同様に、上層側マーク52YBは、上層側マーク52YTに対し、上層側マーク12の中心を対称中心とした点対称な関係にある。ここで、下層側マーク51XR,51YB,51XL,51YTと、上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTの構成について説明する。なお、下層側マーク51XR,51YB,51XL,51YT、上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTは、それぞれ同様の構成を有しているので、ここでは下層側マーク51XRの構成について説明する。下層側マーク51XRは、例えば、第1の実施形態で説明した下層側マーク11XRと同様の構成を有している。この場合、下層側マーク51XRは、3本以上のラインパターンを有している。そして、各ラインパターンは、ラインパターン幅短手方向が略同じ寸法のラインパターンであり、各ラインパターン間のスペース幅が、複数種類の寸法に設定されている。なお、下層側マーク51XRは、第2の実施形態で説明した下層側マーク21XRと同様の構成であってもよい。この場合、下層側マーク51XRは、2本以上のラインパターンを有している。そして、下層側マーク51XRの各ラインパターンは、ラインパターン間のスペース幅が略同じ寸法となるよう配置されたラインパターンであり、各ラインパターン幅は、複数種類の寸法に設定されている。また、下層側マーク51XRは、第3の実施形態で説明した下層側マーク31XRと同様の構成であってもよい。この場合、下層側マーク51XRは、3本以上のラインパターンを有している。そして、下層側マーク51XRの各ラインパターンは、ピッチが一定となるよう形成されたラインパターンであり、各ラインパターン幅および各スペース幅は、複数種類の寸法に設定されている。また、下層側マーク51XRは、第4の実施形態で説明した下層側マーク41XRと同様の構成であってもよい。この場合、下層側マーク51XRは、2つ以上のラインパターン領域を有している。そして、下層側マーク51XRの各ラインパターン領域は、種々のパターン密度分布やパターン密度となるようラインパターンが配置されている。このように、本実施形態では、下層側マーク51XRが、第1~第4の実施形態で説明した下層側マーク11XR,21XR,31XR,41XRと同様の構成を有している。そして、下層側マーク51YB,51XL,51YT、上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTは、下層側マーク51XRと同様の構成を有している。したがって、第5の実施形態によれば、下層側マーク51XR,51YB,51XL,51YT、上層側マーク52XR,52YB,52XL,52YTを、第1~第4の実施形態で説明した下層側マーク11、上層側マーク12と同様の構成としているので、重ね合わせずれ量の誤計測を低減することが可能となる。なお、本実施形態では、ボックスインボックス型の重ね合わせ計測マークに対し、第1~第4の実施形態で説明したラインパターンの配置を行ってもよい。以上のように第1~第5の実施形態によれば、誤計測を低減した重ね合わせ計測を行うことが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"