光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、前記投射光学系による前記光の投射領域を、当該投射光学系の正面から前記受光光学系側に変位させる投射変位手段と、を有する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記投射光学系は、レーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズとを備え、前記投射変位手段は、前記レーザ光源の光軸と前記コリメータレンズの光軸とが互いにずれるように、前記レーザ光源の光軸と前記コリメータレンズとを配置する構成を含む、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記投射変位手段は、前記投射光学系の設置面を、前記受光光学系の設置面に平行な状態から前記受光光学系側に傾ける構成を含む、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記投射光学系は、レーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズと、前記コリメータレンズによって平行光に変換された前記レーザ光を回折によりドットパターンの光に変換する回折光学素子を備え、前記投射変位手段は、前記回折光学素子による回折作用を調整する構成を含む、ことを特徴とする情報取得装置。光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系の設置面に平行な方向に前記投射光学系から所定の距離だけ離れて配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、前記受光光学系による撮像領域を、当該受光光学系の正面から前記投射光学系側に変位させる受光変位手段と、を有する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項5に記載の情報取得装置において、前記受光光学系は、撮像素子と、前記目標領域からの光を前記撮像素子に集光する集光レンズとを備え、前記受光変位手段は、前記集光レンズの光軸が前記撮像素子の受光領域の中心から前記投射光学系側にずれるように、前記集光レンズと前記撮像素子を配置する構成を含む、ことを特徴とする情報取得装置。請求項5に記載の情報取得装置において、前記投射変位手段は、前記受光光学系の設置面を、前記投射光学系の設置面に平行な状態から前記投射光学系側に傾ける構成を含む、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし7の何れか一項に記載の情報取得装置を有する物体検出装置。上記物体検出装置では、投射光学系と受光光学系が、光の投射方向に垂直な方向に所定距離だけに互いに離れるように設置される。このため、目標領域では、投射光学系から光が投射された領域と、受光光学系によって撮像可能な領域とが互いに重ならない不使用領域が生じる。かかる不使用領域のため、従来の物体検出装置では、物体の検出効率が低下するとの問題があった。本発明は、このような問題を解消するためになされたものであり、検出効率を高めることが可能な情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。本態様に係る情報取得装置は、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、前記投射光学系による前記光の投射領域を、当該投射光学系の正面から前記受光光学系側に変位させる投射変位手段と、を有する。本発明の第2の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。本態様に係る情報取得装置は、前記目標領域に所定のドットパターンの光を投射する投射光学系と、前記投射光学系の設置面に平行な方向に前記投射光学系から所定の距離だけ離れて配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、前記受光光学系による撮像領域を、当該受光光学系の正面から前記投射光学系側に変位させる受光変位手段と、を有する。本発明の第3の態様は、物体検出装置に関する。この態様に係る物体検出装置は、上記第1および第2の態様に係る情報取得装置を有する。本発明によれば、検出効率を高めることが可能な情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することができる。本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態には、所定のドットパターンを持つレーザ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置が例示されている。まず、図1に本実施の形態に係る物体検出装置の概略構成を示す。図示の如く、物体検出装置は、情報取得装置1と、情報処理装置2とを備えている。テレビ3は、情報処理装置2からの信号によって制御される。情報取得装置1は、目標領域全体に赤外光を投射し、その反射光をCMOSイメージセンサにて受光することにより、目標領域にある物体各部の距離以下、3次元距離情報というを取得する。取得された3次元距離情報は、ケーブル4を介して情報処理装置2に送られる。情報処理装置2は、たとえば、テレビ制御用のコントローラやゲーム機、パーソナルコンピュータ等である。情報処理装置2は、情報取得装置1から受信した3次元距離情報に基づき、目標領域における物体を検出し、検出結果に基づきテレビ3を制御する。たとえば、情報処理装置2は、受信した3次元距離情報に基づき人を検出するとともに、3次元距離情報の変化から、その人の動きを検出する。たとえば、情報処理装置2がテレビ制御用のコントローラである場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人のジャスチャーを検出するとともに、ジェスチャに応じてテレビ3に制御信号を出力するアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定のジェスチャをすることにより、チャンネル切り替えやボリュームのUp/Down等、所定の機能をテレビ3に実行させることができる。また、たとえば、情報処理装置2がゲーム機である場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人の動きを検出するとともに、検出した動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させ、ゲームの対戦状況を変化させるアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定の動きをすることにより、自身がテレビ画面上のキャラクタとしてゲームの対戦を行う臨場感を味わうことができる。図2は、情報取得装置1と情報処理装置2の構成を示す図である。情報取得装置1は、光学部の構成として、投射光学系11と受光光学系12とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPUCentralProcessingUnit21と、レーザ駆動回路22と、撮像信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。投射光学系11は、所定のドットパターンのレーザ光を、目標領域に照射する。受光光学系12は、目標領域から反射されたレーザ光を受光する。投写光学系11と受光光学系12の構成は、追って、図5を参照して説明する。CPU21は、メモリ25に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU21には、投射光学系11内のレーザ光源111後述を制御するためのレーザ制御部21aと、3次元距離情報を生成するための3次元距離演算部21bの機能が付与される。レーザ駆動回路22は、CPU21からの制御信号に応じてレーザ光源111後述を駆動する。撮像信号処理回路23は、受光光学系12内のCMOSイメージセンサ123後述を制御して、CMOSイメージセンサ123で生成された各画素の信号電荷をライン毎に順次取り込む。そして、取り込んだ信号を順次CPU21に出力する。CPU21は、撮像信号処理回路23から供給される信号撮像信号をもとに、情報取得装置1から検出対象物の各部までの距離を、3次元距離演算部21bによる処理によって算出する。入出力回路24は、情報処理装置2とのデータ通信を制御する。情報処理装置2は、CPU31と、入出力回路32と、メモリ33を備えている。なお、情報処理装置2には、同図に示す構成の他、テレビ3との通信を行うための構成や、CD-ROM等の外部メモリに格納された情報を読み取ってメモリ33にインストールするためのドライブ装置等が配されるが、便宜上、これら周辺回路の構成は図示省略されている。CPU31は、メモリ33に格納された制御プログラムアプリケーションプログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU31には、画像中の物体を検出するための物体検出部31aの機能が付与される。かかる制御プログラムは、たとえば、図示しないドライブ装置によってCD-ROMから読み取られ、メモリ33にインストールされる。たとえば、制御プログラムがゲームプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きを検出する。そして、検出された動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させるための処理が制御プログラムにより実行される。また、制御プログラムがテレビ3の機能を制御するためのプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きジェスチャを検出する。そして、検出された動きジェスチャに応じて、テレビ3の機能チャンネル切り替えやボリューム調整、等を制御するための処理が制御プログラムにより実行される。入出力回路32は、情報取得装置1とのデータ通信を制御する。図3aは、目標領域に対するレーザ光の照射状態を模式的に示す図、図3bは、CMOSイメージセンサ123におけるレーザ光の受光状態を模式的に示す図である。なお、同図bには、便宜上、目標領域に平坦な面スクリーンが存在するときの受光状態が示されている。同図aに示すように、投射光学系11からは、ドットパターンを持ったレーザ光以下、このパターンを持つレーザ光の全体をDMP光というが、目標領域に向けて照射される。同図aには、DMP光の投射領域が破線の枠によって示されている。DMP光内の各ドットは、投射光学系11内の回折光学素子による回折作用によってレーザ光の強度が点在的に高められた領域を模式的に示している。DMP光の光束中には、レーザ光の強度が高められた領域が、所定のドットパターンに従って点在している。目標領域に平坦な面スクリーンが存在すると、これにより反射されたDMP光の各ドット位置の光は、同図bのように、CMOSイメージセンサ123上で分布する。たとえば、目標領域上におけるP0のドット位置の光は、CMOSイメージセンサ123上では、Ppのドット位置の光に対応する。上記3次元距離演算部21bでは、各ドットに対応する光がCMOSイメージセンサ123上のどの位置に入射したかが検出され、その受光位置から、三角測量法に基づいて、検出対象物体の各部ドットパターン上の各ドット位置までの距離が検出される。かかる検出手法の詳細は、たとえば、上記非特許文献1第19回日本ロボット学会学術講演会2001年9月18-20日予稿集、P1279-1280に示されている。図4は、投射光学系11と受光光学系12の設置状態を示す斜視図である。投射光学系11と受光光学系12は、熱伝導性の高いベースプレート300上に設置される。投射光学系11を構成する光学部材は、シャーシ11aに設置され、このシャーシ11aがベースプレート300の設置面P1に設置される。これにより、投射光学系11がベースプレート300上の設置面P1に設置される。受光光学系12は、ベースレート300上の2つの台座300aの上面設置面P2と、2つの台座300aの間のベースプレート300の上面設置面P2に設置される。2つの台座300aの間のベースプレート300の上面設置面P2には、後述するCMOSイメージセンサ123が設置され、台座300aの上面設置面P2には、後述するフィルタ121および撮像レンズ122を保持する保持板12aが設置される。撮像レンズ122は、保持板12aに装着されたレンズホルダ12bに保持され、レンズホルダ12bの前部にフィルタ121が装着される。投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に所定の距離をもって並んでいる。投射光学系11と受光光学系12との間のスペースSに、回路基板後述が設置される。<比較例>図5aは、比較例に係る投射光学系11と受光光学系12の構成を模式的に示す図である。本比較例では、投射光学系11と受光光学系12の設置面P1、P2は、ともにX-Y平面に平行であり、投射光学系11と受光光学系12の正面方向はZ軸方向である。なお、便宜上、図5aでは、設置面P2が一つの面として模式的に示されている。投射光学系11は、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、立ち上げミラー113と、回折光学素子DOE:DiffractiveOpticalElement114を備えている。また、受光光学系12は、フィルタ121と、撮像レンズ122と、CMOSイメージセンサ123とを備えている。レーザ光源111は、波長830nm程度の狭波長帯域のレーザ光を出力する。レーザ光源111は、レーザ光の光軸がX軸に平行となるように設置される。コリメータレンズ112は、レーザ光源111から出射されたレーザ光を略平行光に変換する。コリメータレンズ112は、自身の光軸がレーザ光源111から出射されたレーザ光の光軸に整合するように設置される。立ち上げミラー113は、コリメータレンズ112側から入射されたレーザ光を反射する。レーザ光の光軸は、立ち上げミラー113によって90°折り曲げられてZ軸に平行となる。DOE114は、入射面に回折パターンを有する。回折パターンは、たとえば、ステップ型のホログラムにより構成される。この回折パターンによる回折作用により、立ち上げミラー113により反射されDOE114に入射したレーザ光は、ドットパターンのレーザ光に変換されて、目標領域に照射される。回折パターンは、目標領域において所定のドットパターンとなるように設計されている。図5bに示すように、レーザ光がDOE114を透過すると、レーザ光は、回折パターンにより回折された回折光回折次数が0以外の回折光と、回折パターンでは回折を受けない0次光に分離される。本比較例では、レーザ光の光軸OがZ軸方向となっているため、0次光は、Z軸に平行に進む。図5cは、目標領域にZ軸に直交する仮想平面を設定したときのDMP光ドットパターンと0次光D0の関係を模式的に示す図である。DMP光は、DOE114に入射するときのレーザ光の光軸を中心に上下左右に均等に広がる長方形の輪郭の光に変換される。DMP光の中には、無数のドットパターンが点在する。0次光は、DMP光の中心、すなわち、レーザ光の光軸の位置に入射する。図5aに戻って、目標領域から反射されたレーザ光は、フィルタ121を透過して撮像レンズ122に入射する。フィルタ121は、レーザ光源111の出射波長830nm程度を含む波長帯域の光を透過し、その他の波長帯域をカットするバンドパスフィルタである。フィルタ121の透過波長帯域を狭帯域にする場合、フィルタ121は、2つのバンドパスフィルタを組み合わせることによって構成される。撮像レンズ122は、フィルタ121を介して入射された光をCMOSイメージセンサ123上に集光する。撮像レンズ122は複数のレンズから構成され、所定のレンズとレンズとの間にアパーチャとスペーサが介挿されている。CMOSイメージセンサ123は、撮像レンズ122にて集光された光を受光して、画素毎に、受光光量に応じた信号電荷を撮像信号処理回路23に出力する。ここで、CMOSイメージセンサ123は、各画素における受光から高レスポンスでその画素の信号電荷を撮像信号処理回路23に出力できるよう、信号の出力速度が高速化されている。フィルタ121は、受光面がZ軸に直交するように配置される。撮像レンズ122は、光軸がZ軸に平行となるように設置される。CMOSイメージセンサ123は、受光面がZ軸に垂直になるように設置される。また、フィルタ121の中心とCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心が撮像レンズ122の光軸上に並ぶように、フィルタ121、撮像レンズ122およびCMOSイメージセンサ123が配置される。投射光学系11と受光光学系12は、図4を参照して説明したように、ベースプレート300に設置されている。ベースプレート300には、さらに、回路基板200が設置され、この回路基板200から、レーザ光源111およびCMOSイメージセンサ123に配線フレキシブル基板201、202が接続されている。回路基板200には、図2に示すCPU21やレーザ駆動回路22等の情報取得装置の回路部が実装されている。図6aは、目標領域にX-Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDMP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域受光領域R1との関係を模式的に示す図である。本比較例では、図5cに示したように、DMP光は、0次光を中心としてX軸方向およびY軸方向に均等に広がる。よって、図6aに示すように、DMP光のX軸方向の照射領域E1は、仮想平面Pa上において、0次光を中心にX軸方向に均等に広がる。他方、受光光学系12では、撮像レンズ122の光軸とCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心とが一致し、且つ、撮像レンズ122の光軸がZ軸に平行となっているため、CMOSイメージセンサ123により撮像可能な撮像領域R1は、撮像レンズ122の光軸を中心としてX軸方向およびY軸方向に均等に広がる。よって、図6aに示すように、X軸方向の撮像領域R1は、仮想平面Pa上において、撮像レンズ122の光軸を中心にX軸方向に均等に広がる。ここで、投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に所定の距離だけ離れている。このため、図6aに示すように、仮想平面Pa上において、照射領域E1と撮像領域R1は、領域A1においてのみ重なり、照射領域E1の領域A2と、撮像領域R1の領域A3は、物体検出に用いられない不使用領域となる。撮像領域R1を有効に用いる場合には、たとえば、図6bのように、照射領域E1の右端X軸正方向の端を撮像領域R1の右端まで延ばすように、DOE114の回折パターンを調整する方法が用いられ得る。こうすると、撮像領域R1の撮像可能領域R1の全てに、DMP光を投射できる。しかし、この場合、照射領域E1の不使用領域A6が図6aの場合よりも顕著に広がり、DMP光の照射に無駄が生じる。このように、比較例では、照射領域E1と撮像領域R1が有効に利用されておらず、物体検出に用いられない不使用領域A2、A3、A6が生じるため、物体の検出効率が低下するとの問題がある。以下、かかる問題を解消するための実施例を示す。以下の実施例では、投射光学系11と受光光学系12の基本的な構成は、上記比較例と同じである。このため、以下の実施例では、上記比較例の番号と同じ番号が各部材に付されている。<実施例1>図7aは、本実施例の構成を示す図である。この図は、上記比較例の図5aに対応する。図示のように、本実施例では、コリメータレンズ112の配置位置が、上記比較例に比べて、下方向Z軸負方向にずらされている。すなわち、上記比較例では、レーザ光源111から出射されたレーザ光の光軸とコリメータレンズ112の光軸が一致するようコリメータレンズ112が配置されたが、本実施例では、レーザ光の光軸に対してコリメータレンズ112の光軸が下方向にずらされている。これにより、コリメータレンズ112を透過した後のレーザ光の光軸が、X軸に平行な方向からZ軸負方向に傾き、これに伴い、立ち上げミラー113により反射されたレーザ光の光軸が、Z軸正方向から、X軸正方向、すなわち、受光光学系12の方向に傾く。図7bは、DOE114を透過した後のレーザ光の状態を模式的に示す図である。レーザ光がDOE114を透過すると、レーザ光は、回折パターンにより回折された回折光回折次数が0以外の回折光と、回折パターンでは回折を受けない0次光に分離される。本実施例では、レーザ光の光軸OがZ軸方向からX軸正方向に傾いているため、0次光は、Z軸方向からX軸正方向に傾いた方向に進む。また、回折光の進行方向も、図5bの場合に比べて、X軸正方向に傾く。すなわち、DMP光は、全体的に、図5bの場合よりもX軸正方向に傾く方向に進む。図7cは、目標領域にZ軸に直交する仮想平面を設定したときのDMP光ドットパターンと0次光D0の関係を模式的に示す図である。上記のように、DMP光は、図5bの場合よりもX軸正方向に傾く方向に進むため、仮想平面上におけるDMP光の輪郭は、図7cのように台形状になる。DMP光の中には、無数のドットパターンが点在するが、ドットパターンの密度は、X軸正方向に向かうにつれて疎になり、X軸負方向に向かうにつれて密になる。0次光は、DMP光の中心からX軸負方向にずれた位置に入射する。なお、本実施例では、図7bに示すように、DOE114の配置を、DOE114の入射面がZ軸に直交する状態のままとしたが、レーザ光の光軸OがDOE114の入射面に垂直となるように、DOE114を傾けても良い。また、仮想平面においてDMP光の輪郭が長方形に近づくように、DOE114の回折パターンを調整しても良い。図8aは、目標領域にX-Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDMP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域受光領域R1との関係を模式的に示す図である。本実施例では、上記のように、DMP光の投射方向が、Z軸方向からX軸正方向に傾けられたため、比較例に比べ、X軸方向におけるDMP光の照射領域E1が、受光光学系12の撮像領域により多く重なるようになる。図8aには、仮想平面Paにおいて投射領域E1と撮像領域R1とが完全に重なった状態が示されている。このように、本実施例によれば、物体検出に用いられない不使用領域が削減され、照射領域E1と撮像領域R1を物体検出のために有効に利用できるため、物体の検出効率を高めることができる。なお、本実施例では、比較例に対し、コリメータレンズ112の位置をZ軸負方向にずらしたが、コリメータレンズ112の位置は比較例と同じとし、レーザ光源111の位置をZ軸正方向にずらしても良い。また、コリメータレンズ112の光軸がレーザ光源111の光軸から下方向Z軸負方向にずれるように、コリメータレンズ112とレーザ光源111の両方の配置位置を調整しても良い。コリメータレンズ112の光軸とレーザ光源111の光軸のずらし量は、図8aに示す照射領域E1を撮像領域R1側にどの程度シフトさせるかによって、適宜設定される。<実施例2>図8bは、本実施例の構成を示す図である。この図は、上記比較例の図5aの投射光学系11の部分に対応する。図示の如く、本実施例では、投射光学系11の設置面P1が、Z軸に垂直な状態から時計方向に傾けられている。設置面P1は、ベースプレート300に形成された台座301の上面に設定されている。このように設置面P1が傾けられることにより、投射光学系11全体が時計方向に傾けられる。これにより、DMP光の投射方向も、時計方向に傾けられる。図8cは、DOE114を透過した後のレーザ光の状態を模式的に示す図である。レーザ光がDOE114を透過すると、レーザ光は、回折パターンにより回折された回折光回折次数が0以外の回折光と、回折パターンでは回折を受けない0次光に分離される。本実施例では、上記のように投射光学系11全体を傾けることによりレーザ光の光軸OがZ軸方向からX軸正方向に傾いているため、0次光は、Z軸方向からX軸正方向に傾いた方向に進む。また、回折光の進行方向も、図5bの場合に比べて、X軸正方向に傾く。すなわち、DMP光は、全体的に、図5bの場合よりもX軸正方向に傾く方向に進む。本実施例における仮想平面Pa上の照射領域E1と撮像領域R1の関係は、上記実施例1で示した図8aの場合と同様である。すなわち、本実施例では、上記のように、DMP光の投射方向が、Z軸方向からX軸正方向に傾けられたため、比較例に比べ、X軸方向におけるDMP光の照射領域E1が、受光光学系12の撮像領域により多く重なるようになる。このように、本実施例によれば、物体検出に用いられない不使用領域が削減され、照射領域E1と撮像領域R1を物体検出のために有効に利用できるため、物体の検出効率を高めることができる。なお、設置面P1の傾き角は、図8aに示す照射領域E1を撮像領域R1側にどの程度シフトさせるかによって、適宜設定される。<実施例3>図9aは、本実施例の構成を示す図である。この図は、上記比較例の図5aの投射光学系11の部分に対応する。図示のように、本実施例における投射光学系11の配置状態および投射光学系11内の各部材の配置状態は、比較例図5a参照と同じである。本実施例では、DOE114の回折作用が、比較例から変更されている。図9cは、DOE114を透過した後のレーザ光の状態を模式的に示す図である。レーザ光がDOE114を透過すると、レーザ光は、回折パターンにより回折された回折光回折次数が0以外の回折光と、回折パターンでは回折を受けない0次光に分離される。本実施例では、回折光の進行方向が、比較例の場合に比べてX軸正方向に傾くように、DOE114の回折パターンが調整されている。これにより、DMP光は、全体的に、図5bの場合よりもX軸正方向に傾く方向に進む。なお、0次光は、レーザ光の光軸に沿ってZ軸方向に進む。図9cは、目標領域にX-Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDMP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域受光領域R1との関係を模式的に示す図である。本実施例では、上記のように、DMP光の投射方向が、Z軸方向からX軸正方向に傾けられたため、比較例に比べ、X軸方向におけるDMP光の照射領域E1が、受光光学系12の撮像領域により多く重なるようになる。なお、本実施例では、0次光はレーザ光の光軸に沿って進むため、仮想領域Pa上の投射光学系11の正面の位置に0次光が投射される。このように、本実施例によれば、物体検出に用いられない不使用領域が削減され、照射領域E1と撮像領域R1を物体検出のために有効に利用できるため、物体の検出効率を高めることができる。なお、本実施例では、回折光の進行方向が、比較例の場合に比べてX軸正方向に傾くように、DOE114の回折パターンが調整されたが、比較例とは無関係に、図9の照射領域E1に略均等な密度でドットが分散するように、DOE114の回折パターンを設定しても良い。<実施例4>図10aは、本実施例の構成を示す図である。この図は、上記比較例の図5aに対応する。図示のように、本実施例では、撮像レンズ122の配置位置が、上記比較例に比べて、左方向X軸負方向にずらされている。すなわち、上記比較例では、撮像レンズ122の光軸がCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心に一致するよう撮像レンズ122が配置されたが、本実施例では、撮像レンズ122の光軸がCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心から左方向にずらされている。これにより、図10bに示すように、撮像レンズ122を介したCMOSイメージセンサ123の光の取り込み方向がX軸負方向に傾き、これに伴い、受光光学系12の撮像領域R1が、上記比較例の場合に比べ、X軸負方向、すなわち、投射光学系11の方向にシフトする。図10cは、目標領域にX-Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDMP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域受光領域R1との関係を模式的に示す図である。本実施例では、上記のように、受光光学系12の撮像領域が、X軸負方向にシフトしたため、上記比較例に比べ、X軸方向におけるDMP光の照射領域E1と、受光光学系12の撮像領域とがより多く重なるようになる。図10cには、仮想平面Paにおいて投射領域E1と撮像領域R1とが完全に重なった状態が示されている。このように、本実施例によれば、物体検出に用いられない不使用領域が削減され、照射領域E1と撮像領域R1を物体検出のために有効に利用できるため、物体の検出効率を高めることができる。なお、本実施例では、比較例に対し、撮像レンズ122の位置をX軸負方向にずらしたが、撮像レンズ122の位置は比較例と同じとし、CMOSイメージセンサ123の位置をX軸正方向にずらしても良い。また、撮像レンズ122の光軸がCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心から左方向X軸負方向にずれるように、撮像レンズ122とCMOSイメージセンサ123の両方の配置位置を調整しても良い。撮像レンズ122の光軸とCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心のずらし量は、図10cに示す撮像領域R1を照射領域E1側にどの程度シフトさせるかによって、適宜設定される。<実施例5>図11aは、本実施例の構成を示す図である。この図は、上記比較例の図5aに対応する。図示の如く、本実施例では、受光光学系12の設置面P2が、Z軸に垂直な状態から反時計方向に傾けられている。設置面P2は、ベースプレート300に形成された台座302の上面に設定されている。このように設置面P2が傾けられることにより、受光光学系12全体が反時計方向に傾けられる。これにより、受光光学系12の撮像方向も、反時計方向に傾けられる。図11bは、目標領域にX-Y平面に平行な仮想平面Paを設定したときのDMP光の照射領域E1と、受光光学系12による撮像領域受光領域R1との関係を模式的に示す図である。本実施例では、上記のように、受光光学系12の撮像方向が、Z軸方向からX軸負方向に傾けられたため、上記比較例に比べ、X軸方向におけるDMP光の照射領域E1と、受光光学系12の撮像領域とがより多く重なるようになる。したがって、本実施例によれば、物体検出に用いられない不使用領域が削減され、照射領域E1と撮像領域R1を物体検出のために有効に利用できるため、物体の検出効率を高めることができる。なお、受光光学系12の傾き角は、図11bに示す撮像領域R1を照射領域E1側にどの程度シフトさせるかによって、適宜設定される。以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は、上記実施例に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施例も上記の他に種々の変更が可能である。たとえば、上記実施例では、受光素子として、CMOSイメージセンサ123を用いたが、これに替えて、CCDイメージセンサを用いることもできる。また、上記実施例では、レーザ光源111とコリメータレンズ112をX軸方向に並べ、立ち上げミラー113でレーザ光の光軸をZ軸方向に折り曲げるようにしたが、レーザ光をZ軸方向に出射するようレーザ光源111を配置し、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、DOE114をZ軸方向に並べて配置するようにしても良い。この場合、立ち上げミラー113を省略できるが、投射光学系11の寸法がZ軸方向に大きくなる。さらに、受光光学系12の構成も、適宜変更可能である。また、上記のように種々の実施例について説明したが、これらは適宜組み合わせて実施することもできる。本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。