"プラズマ処理システム内での処理のエンドポイントを検出するための方法であって、前記処理を開始することと、少なくとも1つのエンドポイント信号を測定することと、前記少なくとも1つのエンドポイント信号にSavitskyGolayフィルタを適用することにより、少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させることと、前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号から前記処理のエンドポイントを決定することとを具備する方法。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、平滑化されたエンドポイント信号を有している請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、前記少なくとも1つのエンドポイント信号の平滑化された第1の導関数、及び前記少なくとも1つのエンドポイント信号の平滑化された第2の導関数のうちの少なくとも1つを有している請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、エンドポイント変移を有している請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号から前記エンドポイントを前記決定することは、前記エンドポイント変移の開始時間、前記エンドポイント変移の終了時間、及び前記エンドポイント変移の変曲時間のうちの少なくとも1つを使用することを備えている請求項4に記載の方法。前記少なくとも1つのエンドポイント信号は、前記プラズマ処理システムからの光信号を有している請求項1に記載の方法。前記光信号は、前記プラズマ処理システムから発せられた光のスペクトル放射照度に関係づけられている請求項6に記載の方法。前記光信号は、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、CCDアレイ、及びCIDアレイの内の少なくとも1つを備えている光診断サブシステムを使用して測定される請求項6に記載の方法。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、第1のフィルタリングされたエンドポイント信号及び第2のフィルタリングされたエンドポイント信号を有している請求項1に記載の方法。前記エンドポイントは、前記第1のフィルタリングされたエンドポイント信号と、前記第2のフィルタリングされたエンドポイント信号との比率により生成された比率信号から決定される請求項9に記載の方法。前記エンドポイントは、前記比率信号の第1の導関数及び第2の導関数のうちの少なくとも1つ有している微分信号から決定される請求項10に記載の方法。前記SavitskyGolayフィルタを前記適用することは、フィルタウィンドウ幅及び多項式オーダーを設定することを備えている請求項1に記載の方法。処理のエンドポイントを検出するための方法であって、前記処理を開始することと、第1のエンドポイント信号を測定することと、第2のエンドポイント信号を測定することと、前記第1のエンドポイント信号と、前記第2のエンドポイント信号との比率から、エンドポイント変移を有している比率信号を決定することと、前記比率信号に、SavitskyGolayフィルタを備えている微分フィルタを適用することにより、前記比率信号から微分信号を決定することと、前記微分信号から前記処理のエンドポイントを決定することとを具備する方法。前記第1のエンドポイント信号を前記測定することは、前記第1のエンドポイント信号を、移動平均、有限インパルス応答フィルタ、及びSavitskyGolayフィルタのうちの少なくとも1つを有しているフィルタリングすることを、更に備えている請求項13に記載の方法。前記第2のエンドポイント信号を前記測定することは、前記第2のエンドポイント信号を、移動平均、有限インパルス応答フィルタ、及びSavitskyGolayフィルタのうちの少なくとも1つを有しているフィルタリングすることを、更に備えている請求項14に記載の方法。前記第1のエンドポイント信号及び前記第2のエンドポイント信号のそれぞれは、プラズマ処理からの光信号を有している請求項13に記載の方法。前記光信号のそれぞれは、前記プラズマ処理から発せられた光のスペクトル放射照度に関係づけられている請求項16に記載の方法。前記光信号は、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、CCDアレイ、及びCIDアレイのうちの少なくとも1つを有している光診断サブシステムを使用して測定される請求項16に記載の方法。前記微分フィルタを前記適用することは、フィルタウィンドウ幅及び多項式オーダーを設定することを備えている請求項13に記載の方法。前記微分信号は、前記比率信号の第1の導関数、及び前記比率信号の第2の導関数のうちの少なくとも1つを有している請求項13に記載の方法。前記エンドポイントを前記決定することは、前記エンドポイント変移の開始時間、前記エンドポイント変移の終了時間、及び前記エンドポイント変移の変曲時間のうちの少なくとも1つを使用することを備えている請求項13に記載の方法。処理チャンバと、前記処理チャンバに結合され、少なくとも1つのエンドポイント信号を測定するように構成されている診断システムと、前記診断システムに結合され、SavitskyGolayフィルタを使用して前記少なくとも1つのエンドポイント信号をフィルタリングするように構成され、前記フィルタリングされたエンドポイント信号からエンドポイントを決定するように構成されているコントローラとを具備するプラズマ処理システム。前記診断システムは、光診断サブシステムを備えている請求項22に記載のプラズマ処理システム。前記光診断サブシステムは、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、CCDアレイ、及びCIDアレイのうちの少なくとも1つを有している請求項23に記載のプラズマ処理システム。前記少なくとも1つのエンドポイント信号は、エンドポイント変移を有している請求項22に記載のプラズマ処理システム。前記コントローラは、前記エンドポイント変移の開始時間、前記エンドポイント変移の終了時間、及び前記エンドポイント変移の変曲時間のうちの少なくとも1つを使用して、前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号から前記エンドポイントを決定するように、さらに構成されている請求項25に記載のプラズマ処理システム。前記少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、第1のフィルタリングされたエンドポイント信号及び第2のフィルタリングされたエンドポイント信号を有している請求項22に記載のプラズマ処理システム。前記コントローラは、前記第1のフィルタリングされたエンドポイント信号と、前記第2のフィルタリングされたエンドポイント信号との比率によって生成された比率信号から前記エンドポイントを決定するように構成されている請求項27に記載のプラズマ処理システム。前記コントローラは、前記比率信号の第1の導関数及び第2の導関数のうちの少なくとも1つを有している微分信号から前記エンドポイントを決定するように構成されている請求項28に記載のプラズマ処理システム。前記SavitskyGolayフィルタは、フィルタウィンドウ幅及び多項式オーダーを有している請求項22に記載のプラズマ処理システム。本発明の実施形態に従って、プラズマ処理チャンバ10と、該処理チャンバ10に結合される診断システム12、該診断システム12に結合されるコントローラ14とを備えるプラズマ処理システム1が、図1に示されている。該コントローラ14は、該診断システム12から少なくとも1つのエンドポイント信号を受信し、該処理のエンドポイントを正確に決定するために該少なくとも1つのエンドポイント信号を後処理するように構成されている。示された実施形態では、図1に示すプラズマ処理システム1が材料処理のためにプラズマを活用する。望ましくは、プラズマ処理システム1は、エッチチャンバを備える。図2に示す本発明の実施形態に従って、プラズマ処理システム1は、プラズマ処理チャンバ10と、処理対象の基板25例えば、半導体ウェハまたは液晶ディスプレイパネルがその上で固着されている基板ホルダ20と、真空ポンプシステム30とを備える場合がある。基板25は、例えば、半導体基板、ウェハまたは液晶ディスプレイである場合がある。プラズマ処理チャンバ10は、例えば、基板25の表面に隣接する処理領域15内でのプラズマの生成を助長するように構成される場合がある。イオン化ガス、またはガスの混合物はガス注入システム図示せずを介して導入され、処理圧力が調整される。例えば、真空ポンプシステム30を抑えるために制御機構図示せずを使用できる。望ましくは、プラズマは所定の材料処理の特殊な材料を作成するため、及び基板25の露呈面からの材料の除去を補助するために活用される。該プラズマ処理システム1は、200mmの基板、300mmの基板、またはさらに大きな基板を処理するように構成できる。基板25は、例えば、それが基板ホルダ20の中に収容されている基板リフトピン図示せずによって受け取られ、その中に収容されている装置によって機械的に変換されるロボット基板移送システムを介して、スロット弁図示せず及びチャンバフィードスルー図示せずを通ってプラズマ処理チャンバ10の中に、及び中から移送される。いったん基板25が基板移送システムから受け取られると、それは基板ホルダ20の上面まで引き下げられる。基板25は、例えば、静電型締方式を介して基板ホルダ20に固着できる。さらに、基板ホルダ20は、例えば、さらに、基板ホルダ20から熱を受け取り、熱を熱交換器システム図示せずに伝達する、あるいは加熱時に熱交換器システムから熱を伝達する再循環冷却剤の流れを含む冷却システムを含む場合がある。さらに、ガスは、例えば、基板25と基板ホルダ20の間のガス-空隙熱伝導係数を改善するために裏面ガスシステムを介して基板25の裏面に送達できる。基板の温度制御が高温で、または低温で必要とされるときにこのようなシステムを活用することができる。他の実施形態では、抵抗加熱要素などの加熱要素、熱電加熱器/冷却器を含むことができる。プラズマ処理チャンバ10は、例えば、基板ホルダ20及びプラズマ処理チャンバ10に結合され、プラズマ処理チャンバ10の中の減圧大気から縦型並進装置を密封するように構成されているベローズ図示せずによって取り囲まれている、縦型並進装置図示せずをさらに備える場合がある。さらにベローズシールド図示せずは、例えば、基板ホルダ20に結合され、処理プラズマからベローズを保護するように構成できる。基板ホルダ20は、例えば、さらにフォーカスリング図示せず、シールドリング図示せず、及び調整板図示せずを提供することがある。図2に図示されている実施形態では、基板ホルダ20は、RF電力がその中を通って処理空間15内の処理プラズマに結合される電極を備えることがある。例えば、基板ホルダ20は、インピーダンスマッチネットワーク50を通してRFジェネレータ40から基板ホルダ20へのRF電力の伝達を介して、RF電圧で電気的にバイアスをかけることができる。該RFバイアスはプラズマを形成、維持するために電子を加熱するために役立つことがある。この構成では、システムは反応性イオンエッチRIEリアクタとして動作し、チャンバ及び上部ガス注入電極は接地面としての役割を果たす。RFバイアスのための典型的な周波数は1MHzから100MHzの範囲となる場合があり、好ましくは13.56MHzである。プラズマ処理用のRFシステムは当業者に周知である。代わりに、RF電力は複数の周波数で基板ホルダ電極に印加される。さらに、インピーダンスマッチネットワーク50は、反射電極を最小限に抑えることによってプラズマ処理チャンバ10内のプラズマへのRF電力の伝達を増大する役割を果たす。マッチネットワークトポロジ例えばL型、π型、T型等及び自動制御方法は当業者にとって周知である。引き続き図2に関して、プロセスガスは例えば、ガス注入システム図示せずを通して処理領域15に導入できる。プロセスガスは、例えば、アルゴン、CF4及びO2の混合物、または酸化物エッチ応用例の場合はアルゴン、C4F8及びO2、あるいはO2/CO/Ar/C4F8、O2/CO/Ar/C5F8、O2/CO/Ar/C4F6、O2/Ar/C4F6、O2/Ar/C5F8、N2/H2などの他の化学作用を含む場合がある。ガス注入システムはシャワーヘッドを含む場合があり、プロセスガスはガス注入プレナム図示せず、一連の調整板図示せず及びマルチオリフィスシャワーヘッドガス注入プレート図示せずを通して、ガス送達システム図示せずから処理領域15に供給される。ガス注入システムは真空処理の当業者にとって周知である。真空ポンプシステム30は、例えば、毎秒5000リットル以上までポンプ速度を上げることができるターボ分子真空ポンプTMPと、チャンバ圧力を抑えるためのゲート弁を含む場合がある。乾式プラズマエッチに活用される従来のプラズマ処理装置では、一般的には毎秒1000リットルから3000リットルのTMPが利用される。TMPは、通常50mトル未満の低圧処理のために有効である。より高圧では、TMPポンプ速度は劇的に低下する。高圧処理つまり100mトルを上回るの場合、機械ブースタポンプ及び乾式粗選ポンプを利用できる。さらに、チャンバ圧力を監視するための装置図示せずが、プラズマ処理チャンバ10に結合できる。圧力測定装置は、例えば、マサチューセッツ州、アンドーバーAndover,MAのMKSインスツルメンツ社MKSInstrumetns,Inc.から市販されている628B型バラトロンBaratron絶対キャパシタンスマノメータである場合がある。コントローラ14は、マイクロプロセッサ、メモリ、及びプラズマ処理システム1からの出力を監視するだけではなく、プラズマ処理システム1に対する入力を伝達、活性化するにも十分な制御電圧を生成できるデジタルI/Oポートを備える。さらに、コントローラ14は、裏面ガス送達システム図示せず、基板/基板ホルダ温度測定システム図示せず、及び静電型締方式図示せずだけではなく、RFジェネレータ40、インピーダンスマッチネットワーク50、ガス注入システム図示せず、真空ポンプシステム30にも結合し、それらと情報を交換できる。例えば、メモリに記憶されているプログラムは、記憶されているプロセスレシピに従って、プラズマ処理システム1の前述された構成要素に対する入力を活性化するために活用できる。コントローラ14の一例が、テキサス州、オースチンAustin,TexasのデルコーポレーションDellCorporationから入手できるDELLPRECISIONWORKSTATION610商標である。診断システム12は、光診断サブシステム図示せずを含むことがある。該光診断サブシステムは、プラズマから発せられる光強度を測定するためのシリコンフォトダイオードまたは光電子倍増管PMTなどの検出器を備えることがある。診断システム12は、さらに狭帯域干渉フィルタなどの光フィルタを含むことがある。代替実施形態では、診断システム12は、線路CCD電荷結合素子、CID電荷注入素子アレイ、及び回折格子またはプリズムなどの分光装置の内の少なくとも1つを含むことがある。さらに、診断システム12は、指定波長で光を測定するための単色光分光器例えば、回折格子/検出器システム、あるいは例えば米国特許第5,888,337号に説明されている装置などの光スペクトルを測定するための例えば回転回折格子付きの分光計を含むことがある。診断システム12は、ピークセンサシステムズPeakSensorSystemsまたはヴェリティインスツルメンツ社VerityInstruments,Inc.からの高解像度OESセンサを含むことがある。このようなOESセンサは紫外線UV、可視VIS及び近赤外線NIR光スペクトルに及ぶ幅広いスペクトルを有する。解像度は約1.4オングストロームである。すなわち、センサは240nmから1000nmまでの5550の波長を収集できる。例えばOESセンサは、同様に2048ピクセル線形CCDアレイと一体化されている高感度小型光ファイバUV-VIS-NIR分光計を備えることができる。分光計は、単一光ファイバまたはバンドル光ファイバを通して伝達される光を受け取り、光ファイバから出力される光は、固定回折格子を使用して線路CCDアレイ全体に分散される。前述された構成と同様に、光真空ウィンドウを通る発光は、凸型球面レンズを介して光ファイバの入力端の上に焦点を合わせられる。それぞれが特に指定スペクトル範囲のために明確に同調している3つの分光計UV、VS及びNIRが、処理チャンバ用のセンサを形成する。各分光計は独立したA/D変換器を含む。そして最後に、センサの活用に応じて完全放射スペクトルが、0.1秒から1.0秒ごとに記録できる。図3に示されている実施形態では、プラズマ処理システム1は、例えば、さらに、図1及び図2に関して説明されているそれらの構成要素に加えて、プラズマ密度を潜在的に増大する、及び/またはプラズマ処理均一性を改善するために、固定的に、あるいは機械的または電気的にどちらかで回転する磁場システム60を備えることがある。さらに、コントローラ14は、回転速度及び場の強さを調整するために、磁場システム60に結合される。回転式磁場の設計及び実現は当業者に周知である。図4に図示される実施形態では、例えば、図1及び図2のプラズマ処理システム1は、さらに、インピーダンスマッチネットワーク74を通してRFジェネレータ72からRF電力を結合できる上部電極70を備える場合がある。RF電力の上部電極への印加のための通常の周波数は10MHzから200MHzの範囲となる場合があり、好ましくは60MHzである。さらに、電力の下部電極への印加のための通常の周波数は0.1MHzから30MHzの範囲となる場合があり、好ましくは2MHzである。さらに、コントローラ14は、RF電力の上部電極70への印加を制御するために、RFジェネレータ72及びインピーダンスマッチネットワーク74に結合される。上部電極の設計及び実現は当業者に周知である。図5に図示されている実施形態では、図1のプラズマ処理システムは、例えば、RF電力がインピーダンスマッチネットワーク84を通してRFジェネレータ82を介して結合される誘導コイル80をさらに備える場合がある。RF電力は誘電体窓図示せずを通して誘電コイル80からプラズマ処理領域45に誘導結合されている。誘電コイル80に対するRF電力の印加のための通常の周波数は10MHzから100MHzの範囲となる場合があり、好ましくは13.56MHzである。同様に、チャック電極に対する電力の印加のための通常の周波数は0.1MHzから30MHzの範囲となり、好ましくは13.56MHzである。さらに、スロット付きファラデーシールド図示せずは、誘電コイル80とプラズマの間の容量結合を削減するために利用できる。さらに、コントローラ14は誘電コイル80に対する電力の印加を制御するために、RFジェネレータ82及びインピーダンスマッチネットワーク84に結合される。代替実施形態では、誘電コイル80は、変圧器結合プラズマTCPリアクタにおいてのように上からプラズマ処理領域15と連通する螺旋状のコイルまたはパンケーキコイルであってよい。誘電結合プラズマICPソース、あるいは変圧器結合プラズマTCPソースの設計及び実現は、当業者にとって周知である。代わりに、プラズマは電子サイクロトロン共鳴ECRを使用して形成できる。さらに別の実施形態では、プラズマはヘリコン波の発射から形成される。さらに別の実施形態では、プラズマは伝搬する表面波から形成される。前述したそれぞれのプラズマソースは当業者にとって周知である。再び図1から図5を参照すると、診断システム12は、プラズマから発せられる光の放射照度、つまりスペクトル放射照度を測定するために活用される光診断サブシステムである場合がある。例えば、図6は処理空間15内のプラズマから発せられる指定波長の光のための例示的なエンドポイント信号100を提示している。エンドポイント信号100は、さらにエンドポイント変移110を備える場合があり、エンドポイント信号100の明確な変化がエンドポイントを表す。例えば、図6でのように崩壊するか、または濃度したがってスペクトル放射照度が上昇するかのどちらかの、エッチ反応の間に存在する特殊な化学構成要素に対応する光の放射は、監視目的のために選択できる。図6でのエンドポイント信号100の検査により、エンドポイントがエンドポイント変移110の開始時間112、エンドポイント変移110の終了時間114、あるいはエンドポイント変移110の変曲点に対応するエンドポイント変移110の変曲時間116に発生すると判断できる。代わりに、エンドポイント信号100の第1の導関数118を計算することができ、エンドポイント変移110の第1の導関数118の負の傾きでの最大はエンドポイントを決定するために活用できる。代わりに、エンドポイント信号100の第2の導関数図示せずを計算することができ、ゼロ交差がエンドポイントを決定するために活用できる。代わりに、エンドポイントは、それぞれ図7A及び図7Bに図示されているエンドポイント信号100Aと100Bなどの光診断12からの2つ以上の信号から決定することができる。エンドポイント信号100Aは、例えば、その濃度がエンドポイントの間に崩壊する化学的成分からの放射に相当し、エンドポイント信号100Bは、例えば、その濃度がエンドポイントの間に上昇する化学的成分からの放射に相当する。図7C及び図7Dを参照すると、1つ以上の比率信号が、該2つ以上のエンドポイント信号100A、100Bから決定できる。例えば、比率信号130図7Cは、それぞれの瞬間にエンドポイント信号100Bでエンドポイント信号100Aを除算することによって求めることができる。さらに、1つ以上の微分信号が該1つ以上の比率信号から決定できる。例えば、該比率信号130の第1の導関数から求められた微分信号140図示7Dである。該第1の導関数は、一次前方または後方差分方式または二次中央差分方式を使用して推定できる。前述したように、エンドポイントは比率信号130の変曲点、あるいは微分信号140の負の傾きで最大142に対応する変曲時間から求めることができる。しかしながら、図6100及び図7A及び図7B100A、100Bで示されているようなエンドポイント信号は雑音を受けることがあり、したがって信号対雑音比が低くなる場合がある。通常、信号対雑音比は、プラズマ処理システムに固有の雑音がエンドポイント信号に課されるときには、低い場合がある。例えば、図3を参照すると、プラズマ処理システム1は、基板ホルダ20にかけられる電気バイアスによって確立されるそれぞれの電場Eに実質的に垂直である磁場システム60によって形成される、横断方向の磁場Bを備える場合がある。EXBドリフトの結果として、プラズマの中の電子は、電場E及び磁場Bのクロス積の方向で処理領域15の側面にドリフトする場合がある。以後、プラズマ密度の増加が処理領域15のこの場所で観察される。磁場システム60により生じる磁場が回転しているときには、プラズマ密度の中心を外れたピークが処理領域15を通して回転される。プラズマ内でのこの回転の結果として診断システム12は、光学発光分光法OES使用時など、強度の周期的な変動を観察する。例えば、図8A及び図8Bは、典型的な未処理エンドポイント信号101A、101B、及び移動平均を使用して計算される対応する平滑化されたエンドポイント信号150A、150Bを提示する。エンドポイント信号101A及び101Bの変動102A及び102Bは、回転式磁場が処理空間15内のプラズマに対して有する影響に相当する。変動102A及び102Bの周波数は、磁場の回転周波数に関連付けられている。1つ以上のエンドポイント信号及び比率信号などの以後の信号の第1の導関数が使用されるケースでは、前記に特定された雑音を緩和し、エンドポイントを特定するために、事後処理の間に該信号のなんらかの平滑化またはフィルタリングを課すことが必要である。しかしながら、正確なエンドポイント検出を達成するためには、活用される該事後処理の工程は、該エンドポイント信号複数の場合があるの中に埋め込まれている変動の動的な範囲を守らなければならない。データ例えば、時系列、スペクトルの一次元ストリームの雑音を削減し、データの変動の動的範囲を保持するための方法は、Savitzky-GolaySG有限インパルス応答FIR平滑化フィルタとも呼ばれる最小二乗平滑化多項式フィルタを適用することである。数値レシピNumericalRecipesPressら、1992年、第14.8項その内容は参照によりここに組み込まれるを参照されたい。一般的には、SGフィルタは、雑音とともに信号の高周波内容の重要な部分を削除する傾向がある、標準的な平均FIRフィルタより性能が優れている。SGフィルタは通常、広帯域周波数スペクトルを備える信号から雑音を除去するために利用され、それらはそれらがデータのウィンドウに多項式を適合させる際に最小二乗誤差を最小限に抑えるという意味で最適である。SGフィルタのローパスフィルタ係数は、移動ウィンドウの中で多項式に適合する実質上最小二乗によって計算され、各データポイントで中心合わせされ、その結果各データポイントの新しい値は多項式のゼロ番目の係数となるであろう。データの近似第1導関数は各多項式の一次係数を使用して計算できる等である。指定された多項式オーダーのためのフィルタ係数及びフィルタウィンドウ幅は、任意のデータとは無関係に計算され、記憶される。その後、SGフィルタは該データと畳み込まれ、雑音は削減したが、高次変動を保持する平滑化されたデータストリームを提供する。移動平均などの他の平滑化技法の活用は、データストリームの高次変動を保たない。データを後処理するためのSGフィルタを実現するアルゴリズムは、マスワークス社TheMathworks,Inc.マサチューセッツ州01760-2098、ナティック、3アップルヒルドライブ3AppleHillDrive、Natick、MA01760-2098から入手できるMATLABを通して市販されている。再び図7A及び図7Bを参照すると、エンドポイント信号100A及び100Bは、移動平均を使用して平滑化され、微分信号140図7Dは、簡略な差分表現及び追加の平滑化を使用して比率信号130図7Cから計算される。その結果として、エンドポイント変移の時間分144は不当に広げられ、エンドポイント変移のピーク142は後の時間にオフセットされる。SGフィルタの利点を図解するために、図9A1から図9D1は多様な後処理技法を使用するエンドポイント信号150Aと150B図8A及び図8Bの多くの操作を提示している。比率信号130図9A1は、図7A及び図7Bの平滑化されたエンドポイント信号100A及び100Bの比率を備え、平滑化は移動平均を使用して課される。微分信号160図9A2は比率信号130の簡略な差異を表している。エンドポイント変移の時間分及びピークは微分信号160の中で捕捉されるが、それらは未処理のエンドポイント信号の平滑化の間に除去されない雑音の残余の中に巻き込まれる。微分信号162図9B1は、29のデータポイントの移動ウィンドウを使用する微分信号160の移動平均を表す。微分信号162の検査から、エンドポイント変移の時間分は拡大され、エンドポイント変移のピークは微分信号160に対してさらに大きな時間にシフトされる。微分信号164図9B2は微分信号162に対する有限インパルス応答FIRフィルタの適用を表し、検査により時間分の拡大及びピークのシフトが悪化する。微分信号166図9C1は、第2の度合いの多項式適合及び11個のデータポイントのフィルタウィンドウ幅を使用した比率信号130に対するSavitskyGolaySGフィルタの適用を表す。検査により、微分信号160に対する性能は改善されるが、雑音は依然として信号上に残る。微分信号168図9C2はさらに、移動平均を課すことにより差分信号166を平滑化するが、それは前記に特定された問題のいくつかを被っている。微分信号170図9D1は、第1の度合いの多項式適合及び29個のデータポイントのフィルタウィンドウを使用する、比率信号130に対するSGフィルタの適用を表す。その結果生じる信号は、エンドポイント変移の時間分、及びエンドポイント変移のピークに関して著しく改善され、検査により微分信号160にひけをとらない。図10は、本発明の実施形態に従ったプラズマ処理システム内の基板をエッチングするためのエッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。方法は、図1から図5に関して説明されているシステムのようなプラズマ処理システム内の基板をエッチングするステップ310で始まるフローチャート300に示されている。基板は、例えば、円形のウェハまたは矩形のディスプレイである場合がある。ステップ320では、少なくとも1つのエンドポイント信号が測定される。各エンドポイント信号は、例えばエンドポイント変移を備え、エンドポイント信号の明確は変化はエンドポイントを示す。さらに、エンドポイント信号は光診断サブシステムを使用して獲得される光信号を備えることがあり、該光診断サブシステムは、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、電荷結合素子CCDアレイ、及び電荷注入素子CIDアレイの内の少なくとも1つを備える。ステップ330では、少なくとも1つのエンドポイント信号がフィルタリングされ、少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させる。該少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させるために活用されるフィルタは、SavitskyGolayフィルタを備える場合があり、該フィルタを該適用することは前述されたように、フィルタウィンドウ幅及び多項式オーダーを設定することを備える。例えば、フィルタウィンドウ幅は奇数の整数である場合があり、値9から109の範囲となる場合がある。さらに、フィルタウィンドウ幅は、データストリーム長の一部分、つまりデータストリームの中の獲得されたデータポイントの数の0.01から5を表すことができる。さらに、例えば、多項式オーダーは1から4の範囲となる場合があり、望ましくは多項式オーダーは単一である。該少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、例えば、少なくとも1つの平滑化されたエンドポイント信号を備えることがある。あるいはそれはエンドポイント信号の少なくとも1つの平滑化された第1の導関数、あるいはエンドポイント信号の少なくとも1つの平滑化された第2の導関数を備えることがある。ステップ340では、処理のエンドポイントは該少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定される。一般的にはそれぞれのフィルタリングされたエンドポイント信号は、エンドポイント変移を備えることができ、エンドポイント変移はエンドポイントを決定するために活用される。例えば、エンドポイントは、前述したようにエンドポイント変移の開始時間、エンドポイント変移の終了時間、及びエンドポイント変移の変曲時間に決定することができる。代わりに、該少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号は、第1のフィルタリングされたエンドポイント信号及び第2のフィルタリングされたエンドポイント信号を備えることがある。比率信号は、該第1のフィルタリングされたエンドポイント信号及び第2のフィルタリングされたエンドポイント信号の比率から求めることができる。それ以後、エンドポイントは、前述された技法を使用して比率信号におけるエンドポイント変移から求めることができる。代わりに、微分信号は無線信号から求めることができ、微分信号は、比率信号の第1の導関数及び第2の導関数の少なくとも1つを備える。該導関数は、簡略な差分表現、あるいはSavitskyGolayフィルタを使用して求めることができる。それ以降、エンドポイントは前述した技法を使用して微分信号のエンドポイント変移から求めることができる。図11は、本発明の別の実施形態に従ったプラズマ処理システム内の基板をエッチングするためのエッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。該方法は、図1から図5に関して説明されているシステムのようなプラズマ処理システム内の基板をエッチングするステップ410で始まるフローチャート400に示されている。基板は、例えば円形のウェハまたは矩形のディスプレイである場合がある。ステップ420では、第1のエンドポイント信号が測定される。該第1のエンドポイント信号は、例えばエンドポイント変移を備え、該エンドポイント信号の明確な変化がエンドポイントを表す。さらに、第1のエンドポイント信号は光診断を使用して獲得された光信号を備え、該光診断は、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、電荷結合素子CCDアレイ、及び電荷注入素子CIDアレイの内の少なくとも1つを備える。ステップ430では、第2のエンドポイント信号が測定される。該第2のエンドポイント信号は、例えばエンドポイント変移を備えることがあり、該エンドポイント信号の明確な変化がエンドポイントを表す。さらに、第2のエンドポイント信号は光診断を使用して獲得された光信号を備えてもよく、該光診断は、検出器、光フィルタ、回折格子、プリズム、単色光分光器、分光計、電荷結合素子CCDアレイ、及び電荷注入素子CIDアレイの内の少なくとも1つを備える。ステップ440では、比率信号が、それぞれの瞬間に第1のエンドポイント信号及び第2のエンドポイント信号の比率から求められる。ステップ450では、微分信号が微分フィルタを適用することによって比率信号から求められ、微分フィルタはSavitskyGolayフィルタを備える。該SavitskyGolayフィルタの適用は、フィルタウィンドウ幅及び多項式オーダーを設定することをさらに備える。さらに、該フィルタウィンドウ幅は、データストリーム長の一部分、つまりデータストリームの中の獲得されたデータポイントの数の0.01から5を表す場合がある。さらに、例えば、多項式オーダーは1から4の範囲となり、望ましくは多項式オーダーは単一である。ステップ460では、処理のエンドポイントは微分信号から求められ、微分信号はエンドポイント変移を備える。例えば、エンドポイントは、前述されたように、エンドポイント変移の開始時間、エンドポイント変移の終了時間、及びエンドポイント変移の変曲時間で求めることができる。代わりにステップ420及び430では、第1のエンドポイント信号及び第2のエンドポイント信号が、移動平均、有限インパルス応答フィルタ、及びSavitskyGolayフィルタの少なくとも1つを使用してフィルタリングできる。本発明の特定の例示的な実施形態だけが前記に詳細に説明されてきたが、当業者は、多くの変形が本発明の新規の教示及び利点から著しく逸脱することなく、例示的な実施形態で可能であることを容易に理解するであろう。したがって、すべてのこのような変形は本発明の範囲内に含まれることが意図される。"