"式Iで表される構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するポジ型レジスト組成物。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表すか、R1及びR2が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成する。R3は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。T1は、炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1の整数を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。A10、A11及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表し、X10、X11、A10、A11及びA12の炭素数の合計は17以下である。mは0又は1の整数を表す。]前記樹脂が、前記式IのR1及びR2が、互いに結合してシクロヘキサン環を形成する構造単位を有する請求項1記載のポジ型レジスト組成物。前記樹脂が、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂である請求項1又は2記載のポジ型レジスト組成物。さらに、塩基性化合物を含有する請求項1~3のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。さらに、溶剤Dを含む請求項1~4のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。1請求項1~5のいずれか記載のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。本発明は、特定の構造単位を有する樹脂を含有する新規なポジ型レジスト組成物を提供する。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するポジ型レジスト組成物。[式I中、R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表すか、又はR1及びR2が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の環を形成する。R3は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。T1は、炭素数1~17の2価の脂肪族飽和炭化水素基又は式a-1式a-1中、sは0又は1の整数を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。A10、A11及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を表し、X10、X11、A10、A11及びA12の炭素数の合計は17以下である。で表される基を表す。mは0又は1の整数を表す。]2前記樹脂が、前記式IのR1及びR2が、互いに結合してシクロヘキサン環を形成する構造単位を有する前記1記載のポジ型レジスト組成物。3前記樹脂が、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂である前記1又は2記載のポジ型レジスト組成物。4さらに、塩基性化合物を含有する前記1~3のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。5さらに、溶剤Dを含む前記1~4のいずれか記載のポジ型レジスト組成物。61前記1~5のいずれか記載のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むパターン形成方法。本発明によれば、新規なポジ型レジスト組成物を提供することができる。<本レジスト組成物>本レジスト組成物は、構造単位Iを有する樹脂Aを含有することを特徴する新規なポジ型レジスト組成物である。本レジスト組成物は、該樹脂Aを含有することにより、優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造できるという効果を発現する。また、本レジスト組成物は、樹脂Aに加えて、酸発生剤Bを含有する。さらに、本レジスト組成物は、溶剤Dを含むことが好ましく、必要に応じて、当技術分野でクエンチャーと呼ばれる塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。などの添加剤を含有することがある。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、は結合手を表す。以下の置換基の例示において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類される。本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基であり、該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基、特に飽和のアルキル基が好ましい。2価の鎖式炭化水素基は、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。脂環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。のうち1価のものは、典型的には、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素を例示することにより、脂環式炭化水素基を例示することにする。単環式の脂環式炭化水素は典型的にはシクロアルカンであり、その具体例を示すと、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素は例えば、式KA-8で示されるビシクロ2.2.1ヘプタン以下ノルボルナンという場合がある。C7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、式KA-13で示される脂環式炭化水素C10、式KA-14で示される脂環式炭化水素C11、式KA-15で示される脂環式炭化水素C15、式KA-16で示される脂環式炭化水素C12、式KA-17で示される脂環式炭化水素C14、式KA-18で示される脂環式炭化水素C15、式KA-19で示される脂環式炭化水素C17、式KA-20で示される脂環式炭化水素C9、式KA-21で示される脂環式炭化水素C8及び、式KA-22で示される脂環式炭化水素C10などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素ということがある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が該当する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基である。具体的にいえば、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などである。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基の代表例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子は特に限定のない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられ、該アルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキサノイル基C6、ヘプタノイル基C7、オクタノイル基C8、デカノイル基C10及びドデカノイル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。該アシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐でもよい。アリール基の具体例は、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基の具体例は、当該アリール基と酸素原子とが結合したものである。アラルキル基の具体例は、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などである。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<樹脂A>樹脂Aは前記構造単位Iを有する。かかる樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、優れたラインエッジラフネス以下、場合によりLERと略称する。のレジストパターンを製造できるという効果を発現する。R1及びR2における脂肪族炭化水素基は典型的には、炭素数1~6のアルキル基である。該アルキル基としては、炭素数が1~6の範囲において、すでに例示したものを含む。R1及びR2が互いに結合し、これらが結合している炭素原子とともに環を形成している構造単位Iも、当該構造単位Iを有する樹脂を含有するレジスト組成物が、一層優れたLERのレジストパターンを製造できる点で好ましいものである。R1及びR2が互いに結合して形成される環としては、好ましくは上述した脂環式炭化水素基であり、より好ましくは飽和脂環式炭化水素基であり、中でも、シクロへプタン環、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが好ましく、シクロヘキサン環がより好ましい。R3のハロゲン原子は、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基のうち、アルキル基はR1などで説明したとおりである。かかるアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されたものが、ハロゲン原子を有する炭素数1~6のアルキル基に該当する。ハロゲン原子を有するアルキル基の中では、フッ素原子を有するアルキル基が好ましく、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置換されたペルフルオロアルキル基がさらに好ましい。このペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。T1は、2価の炭素数1~17の脂肪族飽和炭化水素基又は前記式a-1で表される基以下、場合により基a-1という。を表す。該脂肪族飽和炭化水素基は典型的にはアルカンジイル基又は脂環式炭化水素基、あるいはこれらの組み合わせである。該アルカンジイル基及び該脂環式炭化水素基は炭素数17以下の範囲において、すでに例示したものを含む。アルカンジイル基及び該脂環式炭化水素基の組み合わせである脂肪族炭化水素基は、炭素数17以下となるように、アルカンジイル基及び該脂環式炭化水素基のそれぞれを選択できる。基a-1は、X10及びX11のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基といった原子又は原子団を含む。ここで、基a-1について具体例を示す。酸素原子を有する基a-1としては、などが挙げられるは結合手を表す。カルボニル基を有する基a-1としては、などが挙げられるは結合手を表す。カルボニルオキシ基を有する基a-1としては、などが挙げられるは結合手を表す。オキシカルボニル基を有する基a-1としては、などが挙げられるは結合手を表す。以上、基a-1の具体例を示したが、構造単位Iを誘導する化合物該化合物の説明は後述する。の製造上の容易さを考慮すると、カルボニル基を含む基a-1が好ましく、このカルボニル基を含む基a-1は以下の式T1-Aで表される。なお、は結合手である。[T11は、炭素数1~16の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。]T11は、-CH2-、-CH22-、-CH24-、-CH28-、-CH212-などである。ここで、構造単位Iの具体例を挙げる。以上の式I-1~式I-8のいずれかで表される構造単位Iの具体例において、以下に示す部分構造Aを、以下に示す部分構造Mに置き換えたものも構造単位Iの具体例として挙げることができる。以上の構造単位Iの具体例の中でも、式I-1、式I-2、式I-5、式I-6、式I-8のいずれかで表される構造単位Iが好ましく、式I-2、式I-6、式I-8のいずれかで表される構造単位Iがより好ましい。構造単位Iは、以下に示す式Iaで表される化合物以下、場合により化合物Iaという。から誘導される。式Ia中の符号はいずれも、上記と同じ意味を表す。化合物Iaは前記特許文献1記載の方法を参考にすれば、容易に製造できる。まず、特許文献1記載の方法により、対応するカルボニル基含有化合物R1-CO-R2とグリセリンとから、以下の式Ibで表される化合物以下、場合により化合物Ibという。を製造する。式Ib中の符号はいずれも、上記と同じ意味を表す。mが0である場合の化合物Iaの製造は以下の反応式で表される。式Icで表される化合物以下、場合により化合物Icという。において、R3は前記と同義であり、Xはメチル基やエチル基などの低級アルコキシ基である。化合物Icは所望のR3の種類に応じ、公知の製造方法により製造したり、市場から容易に入手できる市販品を選択したりすれば、容易に入手できる。該市販品としては、メタアクリル酸メチルやメタアクリル酸エチルなどがある。かかる反応は溶媒の存在下又は不在下、適当なエステル交換触媒を用いることで容易に進行する。該エステル交換触媒としては、遷移金属化合物及びアルカリ土類金属アルコラートなどが挙げられる。また、かかる反応は適当な重合禁止剤の存在下で行うことが望ましい。この反応条件の詳細は、前記特許文献1に記載されている。一方、mが1である場合の化合物Iaを、T1が好適な式TA-1で表される基の場合で例示すると、以下の反応式で表される。式Idで表される化合物以下、場合により化合物Idという。のXは化合物Icの場合と同じであり、かかる化合物Idは公知の方法により製造することができる。また、化合物Idと化合物Ibとから、化合物Iaを製造する際の反応条件は、化合物Icと化合物Ibとの反応と同じ条件が採用される。化合物Iaの具体例は以下のとおりである。樹脂Aにおける構造単位Iの含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、通常10~95モルの範囲であり、好ましくは15~90モル、より好ましくは20~85モルの範囲である。本レジスト組成物に含有される樹脂は、本レジスト組成物に含有される酸発生剤からの酸の作用により、ポジ型レジストとして機能するものが必要である。このような樹脂は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る特性以下、場合により酸作用特性という。を有している。構造単位Iを有する樹脂Aは酸作用特性を有するものであっても、樹脂A自体は酸作用特性を有することなく、樹脂Aとは別に、酸作用特性を有する樹脂を本レジスト組成物に含有させてもよいが、樹脂A自体が酸作用特性を有するものであると、本レジスト組成物の調製などがより容易になり、本レジスト組成物の製造管理も容易になるので好ましい。酸作用特性を有する樹脂Aは、酸に対して不安定な基以下、場合により酸不安定基という。を有する。構造単位Iも、T1の種類によっては、酸不安定基を有するものとなることもあるが、好ましくは、構造単位Iとは別に、酸不安定基を有する構造単位を樹脂Aが有していると、樹脂Aの製造自体がより一層容易になるので好ましい。酸不安定基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。以下、該酸不安定基を含む構造単位を場合により構造単位a1という。<酸不安定基>親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の炭素原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表される基以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が結合して形成される環及び該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は、アルキル基又は脂環式炭化水素基が好ましい。該アルキル基としては、炭素数が1~8の範囲において、すでに例示したものを含む。該脂環式炭化水素基も、炭素数が8以下の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra1及びRa2が結合して環を形成するとは、-CRa1Ra2Ra3で表される基が、下記に示すいずれかの基となることをいう。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンタン環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3が結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、Rb2及びRb3が結合して形成される環に含まれるメチレン基も、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、その具体例も炭素数が20以下である範囲において、すでに例示したものを含むが、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であると好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。構造単位a1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導されるものであり、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーから誘導されるものである。当該構造単位a1は好ましくは、酸不安定基1又は酸不安定基2を有するものであり、これらの酸不安定基をともに有していてもよい。より好ましくは酸不安定基1を有する構造単位a1である。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、炭素数5~20の脂肪族環構造を有する基が好ましい。立体的に嵩高い脂肪族環構造を有する基の構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂肪族環構造の酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。及び式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。が好ましい。酸不安定基を有する樹脂Aは、これらを単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1及びは上記と同じ意味を表す。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~5の整数を表す。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ここで、構造単位a1-1の具体例を挙げる。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、上述の部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。構造単位a1-1としては、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1、並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを製造する際に、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート又は2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートなどを製造用原料モノマーとして用いればよい。なお、これらモノマーは例えば、特開2010-204646号公報などに記載されている。次に、構造単位a1-2の具体例を示す。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートなどをモノマーとして用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造する場合、該樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましく、25~60モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。具体的には、樹脂Aを製造するために全モノマー量100モルに対して、構造単位a1-1及び構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量が、それぞれ、10~95モルの範囲であると好ましく、15~90モルの範囲であるとより好ましく、20~85モルの範囲であるとさらに好ましく、25~60モルの範囲であると一層好ましい。構造単位a1がアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定構造単位>樹脂Aとしては、構造単位a及び構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位という。を有していると好ましい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。該樹脂Aが有する構造単位Iは当該構造単位Iが酸不安定基を有する構造単位に該当するか否かを判定してから、この構造単位Iを構造単位a1又は酸安定構造単位に含め、上述の構造単位a1/酸安定構造単位比を求めればよい。酸安定構造単位としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という。及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3という。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。一方、短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。酸安定構造単位a2としては、酸安定構造単位a2-0及び酸安定構造単位a2-1が好ましい。なお、以下の説明において、酸安定構造単位a2を誘導するモノマーを酸安定モノマーa2といい、酸安定構造単位a3を誘導するモノマーを酸安定モノマーa3という。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2-1としては、以下の式a2-1で示される構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2-1という。が挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。例示した酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1、並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換わったものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がより好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルなどを、樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0という。も挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基及びハロゲン原子の具体例は、式a1-4のRa32で例示したものと同じである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31のアルコキシ基としては、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0として、以下の酸安定構造単位a2-0を誘導するモノマー以下、場合により酸安定モノマーa2-0という。などが挙げられる。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。例えば、塩基又は酸で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、塩基又は酸の接触により該保護基が脱保護されるため、酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位は、脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなる前駆構造単位を脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基との接触により脱保護する保護基としては例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン及びトリエチルアミンなどが挙げられる。酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。もちろん、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを場合により酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを場合により酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを場合により酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は同一でも異なっていてもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は同一でも異なっていてもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は同一でも異なっていてもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子及び、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6のいずれかで表される酸安定構造単位a3-3において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも、各々酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましく、15~55モルの範囲が特に好ましく、15~50モルの範囲が一層好ましい。また、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3それぞれの含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましく、15~55モルの範囲が特に好ましく、15~50モルの範囲が一層好ましい。<その他の構造単位>該樹脂Aには、本発明の目的を著しく損なわない限り、上述したような構造単位以外のものを有していてもよい。<樹脂Aの製造方法>樹脂Aは、化合物Ia構造単位Iを誘導するモノマー、構造単位a1を誘導するモノマーを、さらに好ましくは酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマー、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導するモノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供し、重合共重合することにより製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。<酸発生剤B>酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、その組み合わせであってもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤Bとしては、例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。また、酸発生剤Bは、公知の方法によって製造したものを利用することができる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。が好ましい。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。本レジスト組成物に含有される酸発生剤B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1における前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。ここで、好ましい式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基の具体例を挙げる。なお、の定義はすでに説明したとおりである。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに説明したとおりである。式B1におけるYは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。なかでも、Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がより好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、該置換基としては例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、なかでも、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基が、より好ましく、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基がさらに好ましい。なお、これらの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置換されていてもよい。置換基を有する脂環式炭化水素基としては例えば、以下のものである。Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基が好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-9のように表記する。で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。以下、好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基であり、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9のいずれかで表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、より好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4以下、式b2-1~式b2-4のように表記する。のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、該炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環は、脂肪族環又は、該脂肪族環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などが挙げられる。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが挙げられる。Rb12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などが挙げられる。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものとしては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10とは、互いに結合してイオウ原子を含む3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とは、互いに結合して-CH-CO-を含む3員環~12員環好ましくは4員環~7員環を形成していてもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、場合によりカチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1としては、以下のものが挙げられる。また、有機カチオンとしては、式b2-3で表される有機カチオンのうち、以下の有機カチオンも好適なものとして挙げることができる。酸発生剤B1は上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せである。これらは任意に組み合わせることができる。その組み合わせを表1に示す。なお、表1において、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表す。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、酸発生剤Bは、中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む塩及びトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩が好ましく酸発生剤B1である、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14のいずれかで表される塩がより好ましい。また、すでに述べたように、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基が好ましいので、この点では、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7及び式B1-11のいずれかで表される塩がより好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよい。この場合は、酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましい。ただし、本レジスト組成物における酸発生剤Bは、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物C>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cは上述のとおり、本技術分野でクエンチャーと呼ばれるものである。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び、塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なっていてもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一でも異なっていてもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc15は同一でも異なっていてもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc20は同一でも異なっていてもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂Aなどの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤は、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、樹脂A及び酸発生剤B、必要に応じて用いられる溶剤D及び塩基性化合物C以外の構成成分を、必要に応じて含有していてもよい。この構成成分を場合により成分Fという。かかる成分Fに特に限定はなく、本技術分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物の調製>本レジスト組成物は、樹脂A及び酸発生剤B並びに、必要に応じて用いられる塩基性化合物C、溶剤D及び成分Fを混合することで調製することができる。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。このように、各成分を混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。本レジスト組成物に対する樹脂Aの含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下が好ましい。固形分とは、本発明のレジスト組成物から溶剤Dを除いた成分の合計を意味する。溶剤Dの含有量が90質量である場合、本発明のレジスト組成物総質量に対する固形分の含有量は10質量に該当する。本レジスト組成物における酸発生剤Bの含有量は、樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。本レジスト組成物に溶剤Dを用いる場合、その含有量は、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できる。溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物の総質量に対して、好ましくは90質量以上、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、好ましくは99質量以下であり、より好ましくは99.9質量以下である。レジスト組成物がこのような含有量で溶剤Dを含有することにより、後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の薄い組成物層を形成することができる。樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び塩基性化合物Cの各々の含有量は、レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能であり、レジスト組成物を調製後には、本発明のレジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本発明のレジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。<レジストパターンの製造方法>本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法は、ポジ型レジストパターンの製造方法であり、具体的には以下の、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。このようにして基板上に、本レジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて、溶剤溶剤Dを除去する。このような乾燥は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤Dを蒸発させることにより行われる。乾燥の条件は、本レジスト組成物に含有される溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。このようにして塗布膜を乾燥させることにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するものなど、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線又は超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。このように、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置を用いて現像する工程である。現像する工程で、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層は該アルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、製造されたレジストパターンに、超純水などでリンス処理を行うことが好ましく、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本レジスト組成物は、優れたLERのレジストパターンを製造できる。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製なお、樹脂中の構造単位の比率共重合比は、樹脂製造後の反応液に残存しているモノマーを高速液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーにより定量し、樹脂製造に消費されたモノマー各々の量を求めることで算出した。実施例及び比較例において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをその式番号に応じて、モノマーa1-1-2、モノマーIなどという。なお、モノマーI1などは例えば、特許文献1記載の方法で製造できる。合成例1樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーI1を用い、そのモル比[モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーI1]が32:7:8:48:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.5×103の樹脂A1共重合体を収率68で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-2:構造単位a1-2-3:構造単位a2-1-1:構造単位a3-1-1:構造単位I1=23.78.2:9.4:52.6:6.1であった[なお、ここでいう構造単位a1-1-2は、モノマーa1-1-2から誘導された構造単位であり、以下、モノマー式番号に応じて、構造単位の種類を称することとする]。合成例2樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-2-3、モノマーa3-1-1及びモノマーI1を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-2-3:モノマーa3-1-1:モノマーI1が32:7:8:13:33:7となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.6×103の樹脂A2共重合体を収率65で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-3:構造単位a1-2-3:構造単位a2-1-1:構造単位a3-2-3:構造単位a3-1-1:構造単位I1=23.88.1:9.1:14.2:37.2:7.6であった。合成例3樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーI1を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーI1が40:10:45:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×103の樹脂A3共重合体を収率68で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-2:構造単位a2-1-1:構造単位a3-1-1:構造単位I1=29.711.2:53.1:6.0であった。合成例4樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1及びモノマーa3-1-1を用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1が50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A4共重合体を収率60で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-2:構造単位a2-1-1:構造単位a3-1-1=42.6:28.7:28.7であった。合成例5樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-2-3、モノマーa3-1-1及びモノマーI2を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-2-3:モノマーa3-1-1:モノマーI2が32:7:8:13:33:7となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.7×103の樹脂A5共重合体を収率72で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-3:構造単位a1-2-3:構造単位a2-1-1:構造単位a3-2-3:構造単位a3-1-1:構造単位I2=23.98.0:9.1:14.3:37.4:7.3であった。合成例6樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-2-3、モノマーa3-1-1及びモノマーI3を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-2-3:モノマーa3-1-1:モノマーI3が32:7:8:13:33:7となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×103の樹脂A6共重合体を収率70で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-3:構造単位a1-2-3:構造単位a2-1-1:構造単位a3-2-3:構造単位a3-1-1:構造単位I3=23.68.0:9.0:14.2:37.3:7.9であった。合成例7樹脂A7の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa1-2-3、モノマーa2-1-1、モノマーa3-2-3、モノマーa3-1-1及びモノマーI4を用い、そのモル比モノマーa1-1-3:モノマーa1-2-3:モノマーa2-1-1:モノマーa3-2-3:モノマーa3-1-1:モノマーI4が32:7:8:13:33:7となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.5×103の樹脂A7共重合体を収率69で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位の共重合比は、構造単位a1-1-3:構造単位a1-2-3:構造単位a2-1-1:構造単位a3-2-3:構造単位a3-1-1:構造単位I4=23.98.1:9.1:14.4:37.6:6.9であった。実施例1~7及び比較例1<レジスト組成物の調製>合成例1~7で得られた樹脂A1~A7;以下に示す酸発生剤B1~B2;以下に示す塩基性化合物C1;の各々を表2に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2A3:樹脂A3A4:樹脂A4A5:樹脂A5A6:樹脂A6A7:樹脂A7<酸発生剤>B1:B2:<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン東京化成工業株製<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表2のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏向]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表2のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行った。さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。ラインエッジラフネス評価LER:リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅を求めた。その結果を表3に示す。"