"電子部品素子を収納するためのセラミック基体11と前記セラミック基体に接合されて電気的導通状態を形成するためのメタライズ層12とを還元雰囲気中で同時焼成してなる電子部品素子収納用パッケージ10において、前記セラミック基体11のセラミック組成物は、アルミナAl2O3と、イットリアY2O3を固溶させた部分安定化ジルコニアY2O3-ZrO2と、焼結助剤と、を含有し、前記焼結助剤は、シリカSiO2カルシアCaO酸化マンガンMnO,MnO2,Mn2O3,Mn3O4から選択される少なくとも1種と、マグネシアMgOと、の組合せからなり、前記セラミック組成物における前記部分安定化ジルコニアの含有量は10~30wtの範囲内であり、前記セラミック組成物における前記焼結助剤の含有量は15~45wtの範囲内であり、前記セラミック組成物における前記部分安定化ジルコニア前記焼結助剤以外の残部は前記アルミナであり、前記メタライズ層12のメタライズ組成物は、タングステンWと、モリブデンMoと、アルミナとガラスとからなるセラミック成分と、を含有し、前記メタライズ組成物における前記タングステンの含有量は70~94wtの範囲内であり、前記メタライズ組成物における前記モリブデンの含有量は3~20wtの範囲内であり、前記メタライズ組成物における前記セラミック成分の含有量は3~20wtの範囲内であり、同時焼成後の前記セラミック基体11のジルコニア結晶内の正方晶の割合は60以上であることを特徴とする電子部品素子収納用パッケージ10。同時焼成後の前記セラミック基体11の曲げ強度は550MPa以上であり、同時焼成後の前記セラミック基体11と前記メタライズ層12の接合強度は25MPa以上であることを特徴とする請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージ10。前記ガラスは、シリカSiO2、マグネシアMgO、カルシアCaO、酸化チタンTiO2から選択される少なくとも1種類であり、前記セラミック成分における前記ガラスの含有量は、5~10wtの範囲内であることを特徴とする請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージ10。前記ガラスは、シリカSiO2、マグネシアMgO、カルシアCaO、酸化チタンTiO2から選択される少なくとも1種類であり、前記セラミック成分における前記ガラスの含有量は、5~10wtの範囲内であり、前記部分安定化ジルコニアにおける前記イットリアのモル分率は、0015~0035の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージ10。しかしながら、前述したような従来の電子部品素子収納用パッケージは、次のような問題がある。1特開平6-13481号公報で開示されるような電子部品素子収納用パッケージは、電子部品素子を搭載したセラミック基体と、蓋体とが間にリード端子を挟み込んで封止用低融点ガラスで接合されるもので、セラミック基体にメタライズ層を還元雰囲気中で同時焼成して設ける積層構造からなるパッケージとは全く異なるものであり、例え、セラミック基体及び蓋体の少なくとも一方をジルコニア入りアルミナの焼結体にして曲げ強度を向上できたとしても、セラミック基体の曲げ強度の向上と、セラミック基体に設けるメタライズ層のメタライズ接合強度の確保の両方を併せ持つパッケージを得ることができなくなっている。2特開平7-38014号公報で開示されるような電子部品素子収納用パッケージは、セラミック基体にメタライズ層に相当する銅板を銅の融点を利用する直接接合法で接合するもので、セラミック基体にメタライズ層を還元雰囲気中で同時焼成して設ける積層構造からなるパッケージとは全く異なるものであり、例え、セラミック基体及び蓋体の少なくとも一方をジルコニア入りアルミナの焼結体にして曲げ強度を向上できたとしても、セラミック基体の曲げ強度の向上と、セラミック基体に設けるメタライズ層のメタライズ接合強度の確保の両方を併せ持つパッケージを得ることができなくなっている。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、セラミック基体の曲げ強度を向上できると共に、セラミック基体に同時焼成して形成するメタライズ層のメタライズ接合強度を確保できる電子部品素子収納用パッケージを提供することを目的とする。さらに、上記効果に加えてセラミック基体の表面における可視光線の反射率が高い電子部品素子収納用パッケージを提供することを目的とする。上記目的を達成するため請求項1記載の発明である電子部品素子収納用パッケージは、電子部品素子を収納するためのセラミック基体とセラミック基体に接合されて電気的導通状態を形成するためのメタライズ層とを還元雰囲気中で同時焼成してなる電子部品素子収納用パッケージにおいて、セラミック基体のセラミック組成物は、アルミナAl2O3と、イットリアY2O3を固溶させた部分安定化ジルコニアY2O3-ZrO2と、焼結助剤と、を含有し、焼結助剤は、シリカSiO2カルシアCaO酸化マンガンMnO,MnO2,Mn2O3,Mn3O4から選択される少なくとも1種と、マグネシアMgOと、の組合せからなり、セラミック組成物における部分安定化ジルコニアの含有量は10~30wtの範囲内であり、セラミック組成物における焼結助剤の含有量は15~45wtの範囲内であり、セラミック組成物における部分安定化ジルコニア焼結助剤以外の残部はアルミナであり、メタライズ層のメタライズ組成物は、タングステンWと、モリブデンMoと、アルミナとガラスとからなるセラミック成分と、を含有し、メタライズ組成物におけるタングステンの含有量は70~94wtの範囲内であり、メタライズ組成物におけるモリブデンの含有量は3~20wtの範囲内であり、メタライズ組成物におけるセラミック成分の含有量は3~20wtの範囲内であり、同時焼成後のセラミック基体のジルコニア結晶内の正方晶の割合は60以上であることを特徴とするものである。請求項2記載の発明である電子部品素子収納用パッケージは、請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージであって、同時焼成後のセラミック基体の曲げ強度は550MPa以上であり、同時焼成後のセラミック基体とメタライズ層の接合強度は25MPa以上であることを特徴とするものである。請求項3記載の発明である電子部品素子収納用パッケージは、請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージであって、ガラスは、シリカSiO2、マグネシアMgO、カルシアCaO、酸化チタンTiO2から選択される少なくとも1種類であり、セラミック成分におけるガラスの含有量は、5~10wtの範囲内であることを特徴とするものである。請求項4記載の発明である電子部品素子収納用パッケージは、請求項1記載の電子部品素子収納用パッケージであって、ガラスは、シリカSiO2、マグネシアMgO、カルシアCaO、酸化チタンTiO2から選択される少なくとも1種類であり、セラミック成分におけるガラスの含有量は、5~10wtの範囲内であり、部分安定化ジルコニアにおけるイットリアのモル分率は、0015~0035の範囲内であることを特徴とするものである。上記請求項1乃至請求項4記載の電子部品素子収納用パッケージは、セラミック基体のセラミック組成物がイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアY2O3-ZrO2を10~30wtと、シリカSiO2カルシアCaO酸化マンガンMnO,MnO2,Mn2O3,Mn3O4から選択される少なくとも1種類とマグネシアMgOの組み合わせからなる焼結助剤を15~45wtと、残部にアルミナAl2O3を含有してなると共に、メタライズ層のメタライズ組成物がタングステンWを70~94wtと、モリブデンMoを3~20wtと、アルミナとガラスとからなるセラミック成分を3~20wt含有してなり、同時焼成後のセラミック基体のジルコニア結晶内の正方晶の割合を60以上にすることで、同時焼成後のセラミック基体の曲げ強度を550MPa以上に、また、同時焼成後のセラミック基体とメタライズ層の接合強度を25MPa以上にすることができる。これにより、アルミナに焼結助剤と、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアを含有させて焼成したセラミック基体請求項1乃至請求項4に記載のセラミック基体が、アルミナに焼結助剤を含有させて焼成したアルミナ単体からなるセラミック基体の場合よりも高い曲げ強度を得ることができる。また、イットリアを固溶させた高強度、高靭性の部分安定化ジルコニアを含有したセラミック基体は、ジルコニア結晶内の正方晶の割合を60以上に保つことで、破壊時に正方晶ジルコニアの一部が単斜晶ジルコニアに変態し、体積膨張を起こして破壊エネルギーを吸収し、材料強度を高めることができる。一般にセラミック基体は、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの含有率を多くすることでセラミック基体の曲げ強度を更に向上させることができるものの、アルミナより低熱伝導率であるジルコニアの含有率が大きくなると、セラミック基体の熱伝導率が低下して好ましくない。このため上記請求項1乃至請求項4記載の発明では、セラミック組成物における部分安定化ジルコニアの含有量を10~30wtの範囲内とすることで、アルミナ単体の場合より高い550MPa以上の曲げ強度を保ちつつ、アルミナ単体の場合と同等程度の熱伝導率を保つことができる。上記請求項1乃至請求項4記載の電子部品素子収納用パッケージは、セラミック基体のセラミック組成物に焼結助剤としてマグネシアを必須の成分として含有し、この他にシリカ、カルシア、酸化マンガンから選択される少なくとも1種類を加えることで、セラミック基体からのガラス質を毛管現象によりメタライズ層へ移動させることができる。そして、セラミック基体からメタライズ層に移動したガラス質は、メタライズ層において物理的なアンカー効果を発揮してセラミック基体との密着強度を向上させることができる。なお、セラミック基体を形成するための焼結助剤シリカ、カルシア、酸化マンガンから選択される少なくとも1種類とマグネシアとの組合せの含有率を多くし過ぎるとセラミック基体自体の曲げ強度を低下させ、少なくし過ぎるとメタライズ層との接合強度を低下させる原因となり好ましくない。このため、請求項1乃至請求項4記載の発明では、セラミック組成物における焼結助剤の含有量を15~45wtの範囲内とすることで、セラミック基体自体の高い曲げ強度と、セラミック基体とメタライズ層との高い接合強度を同時に確保することができる。また、上記請求項1乃至請求項4記載の電子部品素子収納用パッケージは、メタライズ層のメタライズ組成物の内のタングステンと、モリブデンを、適量ずつの混合体にすることで、セラミック基体と、メタライズ層の還元雰囲気中での同時焼成時の焼成温度範囲を広げることができる。更に、メタライズ層のメタライズ組成物に、セラミック成分を含有させることで、メタライズ層の焼結開始温度を下げることができ、メタライズ層の収縮タイミングをセラミックの収縮タイミングとマッチさせることができるので、反りの発生を抑制したメタライズ層を備えたセラミック基体を作製することができる。なお、上記の電子部品素子収納用パッケージは、セラミック基体を黒色系に発色させるために混入させるモリブデン酸等の発色剤は入れないようにして、ジルコニア自体が持つ高い屈折率によって、反射率の高い白色のセラミック基体を得ることもできる。従って、このセラミック基体は、LEDLightEmittingDiode等の発光素子からの発光の反射率を向上でき、発光効率を向上できる発光素子収納用パッケージとして用いることができる。続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。図1は本発明の一実施の形態に係る電子部品素子収納用パッケージの説明図である。図1に示すように、本発明の一実施の形態に係る電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11と、このセラミック基体11に接合して設けられるメタライズ層12からなっている。この電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11に半導体素子や、水晶振動子や、発光素子等の電子部品素子13を実装し、蓋体14で電子部品素子13を気密に封止するのに用いられている。この電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11を作成するために、セラミック組成物に有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えて混練したスラリーを、例えば、ドクターブレード法でシート状に成形した複数枚のセラミックグリーンシートを用いている。そして、それぞれのセラミックグリーンシートには、導体ペーストを用いてスクリーン印刷で上、下層間の電気的導通状態を形成するためのビア導体や、スルーホール導体を含む電気的導通用のメタライズ層12用の印刷配線を形成している。更に、印刷配線が形成された複数枚のセラミックグリーンシートは、重ね合わせて温度と圧力をかけて積層した後、セラミックグリーンシートと、印刷配線を還元雰囲気中で同時焼成してセラミック基体11の表面や、内部や、層間にメタライズ層12を接合して設ける積層セラミック型の電子部品素子収納用パッケージ10に形成している。上記の電子部品素子収納用パッケージ10を構成するセラミック基体11のセラミック組成物は、アルミナと、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアと、焼結助剤からなっている。この電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11のセラミック組成物に上記のようなイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアを10~30wt含有している。この部分安定化ジルコニア自体は、強度が高く、靭性を高めることができるという極めて優れた特性を有している。そして、部分安定化ジルコニアは、セラミック組成物における含有量を増加させることで、セラミック基体11自体の曲げ強度を向上させることができるものの、一方でアルミナよりも低熱伝導率であるので、過剰に添加するとセラミック基体11自体の熱伝導率を低下させることになる。従って、本実施の形態に係る電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11のセラミック組成物の部分安定化ジルコニアの含有量を10~30wtの範囲内とすることで、従来のアルミナのみからなるセラミック基体の場合よりも高い曲げ強度アルミナ単体では、320MPa程度、部分安定化ジルコニア含有アルミナセラミックでは、550MPa以上を有すると共に、従来のアルミナのみからなるセラミック基体の場合と同等程度の熱伝導率15W/mKを有することができる。この部分安定化ジルコニアの含有量が10wtを下まわる場合には、焼成後の強度向上効果が不足して平均400MPa程度の曲げ強度しか得られなくなる。また、部分安定化ジルコニアの含有量が30wtを超える場合には、熱伝導率が12W/mK以下となって電子部品素子13からの発熱をセラミック基体11を介して速やかに外部に放熱させることができなくなる。なお、セラミック基体11には、電子部品素子13を金属製の蓋体14を用いてシーム溶接等で気密封止する場合にも、封止時に発生する高熱に対する耐熱衝撃性のために、高い曲げ強度と共に、高い熱伝導率を有することが必要である。上記のセラミック基体11の曲げ強度は、部分安定化ジルコニアの含有量を30wtを超えて含有させたとしても、顕著な向上は得られなくなっている。また、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアは、粉体の作製方法の一つである共沈法で作製するのがよい。この共沈法とは、2種類以上の金属イオンを含む溶液にアルカリを添加し、溶液中のイオン濃度積が溶解度積よりも高くなる過飽和の状態にすることで、複数種類の難溶性塩が同時に沈殿でき、均一性の高い粉体が調整できる方法であり、固体試料を粉砕して混合するだけでは得られない特性を示すことがある。この共沈法で作製することで、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアは、極めて均一性の高い粉体とすることができる。また、電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11のセラミック組成物に焼結助剤として、シリカカルシア酸化マンガンから選択される少なくとも1種類とマグネシアとの組合せからなるものを、15~45wt含有している。このような、セラミック基体11は、セラミック組成物に部分安定化ジルコニア及びマグネシアを含有させたことで、焼成温度を1450~1600°C程度に低温化させて緻密な焼成体とすることができ、熱伝導率を高めることができる。更に、焼成温度の低温化は、ジルコニア結晶粒子の肥大成長を抑制し、メタライズ層12とセラミック基体11との接合強度を高めることができる。なお、セラミック組成物におけるマグネシアの含有量は、005wtを下まわる場合には、焼成温度の低温化が難しくなり、セラミック基体11中のジルコニア結晶粒子の肥大成長の抑制ができなくなる。この結果、緻密な焼成体が得られなくなる。また、セラミック組成物におけるマグネシアの含有量は、1wtを超える場合には、焼結性に変化はみられないものの、セラミック基体11の曲げ強度が低下するようになる。また、マグネシアを必須とし、シリカカルシア酸化マンガンから選択される少なくとも1種類を含む焼結助剤をセラミック組成物に含有させることで、セラミック基体11中のガラス質を毛管現象によりメタライズ層12へ移動させることができ、このガラス質の物理的なアンカー効果でセラミック基体11とメタライズ層12との密着強度を向上させることができる。セラミック組成物における焼結助剤の含有量が、15wtを下まわる場合には、セラミック基体11からのガラス質のメタライズ層12への移動量が不足して、セラミック基体11とメタライズ層12との接合強度が低下する。また、セラミック組成物における焼結助剤の含有量が、45wtを超える場合には、セラミック基体11中のガラス質が多くなりすぎて、セラミック基体11の曲げ強度が低下する。なお、後段においては、焼結助剤である酸化マンガンの一例として、化学式がMn2O3で示される酸化マンガンを用いた場合を例示しているが、この酸化マンガンMn2O3に代えて、化学式の異なる他の酸化マンガン例えば、MnO、MnO2、Mn3O4を単独であるいは化学式の異なる複数種類の酸化マンガンを複数種類組み合わせて焼結助剤として利用することも可能である。この電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11のセラミック組成物に、部分安定化ジルコニアを10~30wtと、焼結助剤を15~45wtの外には、残部にアルミナを含有している。従って、電子部品素子収納用パッケージ10を構成するセラミック基体11のセラミック組成物におけるアルミナの含有量は、最大で885wt、最小で655wt含むこととなっている。セラミック基体11のセラミック組成物におけるアルミナの含有量がこの範囲にあれば、低熱伝導率材料であるジルコニアの添加があったとしても、熱伝導率を従来技術に係るアルミナ基体アルミナ:91~94wt,焼結助剤:6~9wtからなるセラミック組成物からなるセラミック基体と同程度に維持でき、セラミック基体11の熱伝導率の低下を抑えることができる。上記の電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11に接合して形成するメタライズ層12のメタライズ組成物がタングステンと、モリブデンと、セラミック成分を含有してなっている。このメタライズ組成物には、タングステンが70~94wtと、モリブデンが3~20wtと、セラミック成分が3~20wt含まれている。そして、セラミック基体11にメタライズ層12を設けるには、メタライズ組成物にバインダーや、溶剤を含有させた導体ペーストを用いて、スクリーン印刷機でセラミックグリーンシートに印刷配線を形成し、これを還元雰囲気中で同時焼成して形成している。このメタライズ組成物のタングステンや、モリブデンは、それぞれ、高融点タングステンの融点:3407°C、モリブデンの融点:2620°C金属と呼ばれる金属であって、還元雰囲気中でセラミックと同時焼成できる導通金属として、従来から一般的に知られている。上記のメタライズ組成物には、モリブデンを適量含有させることで、モリブデンの融点がタングステンの融点より低いことを利用して、メタライズ組成物の導体金属としてタングステンのみを用いた場合1550~1600°Cに比べて、同時焼成温度範囲を、低温化、且つ、広い範囲1450~1600°Cにすることができるようにしている。これによって、メタライズ層12は、部分安定化ジルコニアを含有させて焼成温度の低温化を可能としたセラミック基体11との同時焼成が可能であるようにしている。また、このメタライズ組成物は、導体金属を複数種類により構成することで、アルミナの含有量に合わせた同時焼成が可能であるようにしている。すなわち、セラミック組成物に含有されるアルミナの含有量が変化して適切な焼成温度が変化した場合でも、モリブデンが添加されることによるメタライズ組成物の焼成温度の広範化により、支障なく同時焼成することが可能になる。更に、上記のメタライズ組成物は、メタライズ組成物と、セラミックグリーンシートを同時焼成することで、タングステン粒子や、モリブデン粒子の周りにセラミック組成物中のガラス成分を取り込んで粒子間の接合を強固にするメタライズ層12を形成できるようにしている。これと共に、上記のメタライズ組成物は、モリブデンのガラスとの濡れ性が優れることを利用して、セラミックグリーンシートのガラス成分を吸い上げながら同時焼成することで、セラミック基体11と、メタライズ層12間を強固に接合できるようにしている。また、メタライズ組成物には、セラミック成分を適量含有させることで、セラミックグリーンシートにガラス成分を補給しながら焼成して、同時焼成後のセラミック基体11と、メタライズ層12間の接合強度を向上させることができるようにしている。また、メタライズ組成物には、セラミック成分を含有させることで、セラミックグリーンシートに形成した貫通孔に導体ペーストを充填するビア用印刷配線の同時焼成時の収縮差で発生するセラミック基体11とメタライズ層12の剥離を防止することができるようにしている。更に、メタライズ組成物に、セラミック成分を含有させることで、メタライズ層12の焼成収縮開始タイミングを早めてセラミックに近づけて、セラミック基体11とメタライズ層12の焼成収縮タイミング時間量をマッチングさせることにより、メタライズ層12を設けたセラミック基体11の反り発生を抑制することができるようにしている。なお、セラミック成分は、シリカSiO2マグネシアMgOカルシアCaO酸化チタンTiO2から選択される少なくとも1種類のガラスと、アルミナとの組合せにより構成されるものであり、このセラミック成分におけるガラスの含有率は5~10wtの範囲内とすることが望ましい。なお、メタライズ組成物は、電気導通性の比較的低いタングステンと、モリブデンを合わせた導体金属を少なくとも80wtとすることで電気導通性を確保できるようにしている。また、モリブデンの含有量が20wtを超えると、焼成温度の低温化が進みすぎてセラミックグリーンシートとの同時焼成が難しくなる。更に、タングステンの含有量は、94wtを超える場合には、モリブデンセラミック成分の少なくとも一方の含有量が3wtを下まわることとなる。そして、モリブデンの含有量が3wtを下まわる場合には、焼成温度の低温化が難しくなり、セラミックグリーンシートとの同時焼成ができなくなる。一方、セラミック成分の含有量が3wtを下まわる場合には、同時焼成時の焼成収縮タイミングを調整する効果が低下し、メタライズ層12を設けるセラミック基体11に反りが発生しやすくなる。また、セラミック成分の含有量が3wtを下まわる場合には、メタライズ層12中のガラス成分量が不足して、セラミック基体11へのアンカー効果が低下し、接合強度が低下することとなる。また、セラミック成分の含有量は、20wtを超える場合には、ガラス成分量が多くなりすぎて、逆に、メタライズ層12自体の内部強度が低下したり、導体としての電気抵抗値が増加したり、めっき被膜との密着強度が低下したりするという問題が発生することとなる。上記の電子部品素子収納用パッケージ10は、同時焼成後のセラミック基体11のジルコニア結晶内の正方晶の割合を60以上有している。このセラミック基体11に含有する部分安定化ジルコニアを構成する酸化ジルコニウムZrO2自体は、耐熱性が高く、高温での蒸気圧が低く、化学的耐食性が良く、熱伝導率がアルミナに比べて1桁以上低い等の特性を有しており、高温耐熱材料として非常に優れている。しかしながら、酸化ジルコニウムは、単斜晶、正方晶、立方晶の三変態を有し、特に、単斜晶と正方晶の相変態では大きな体積変化を伴うことから、純粋な酸化ジルコニウムのままでは高温耐熱材料として用いることができない。そこで、酸化ジルコニウムは、これに低原子価酸化物であるイットリアY2O3等を固溶させると、最高温相である螢石型立方晶が低温まで安定相として存在する安定化ジルコニアを形成することができる。100立方晶の安定化ジルコニアに必要なイットリアの添加量は、6モル程度であるが、これを少なく、例えば、3モル程度添加させることで、より具体的には、部分安定化ジルコニアにおけるイットリアのモル分率を0015~0035の範囲内とすることで、立方晶と正方晶、立方晶と単斜晶、正方晶と単斜晶の混合相、あるいは、正方晶単相の部分安定化ジルコニアを形成することができる。従って、このジルコニア結晶内の正方晶の割合を60以上含むイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアを含有するセラミック基体11からなる電子部品素子収納用パッケージ10は、曲げ強度を高くでき、靭性を高めることができるという優れた特性を有する。この結果、電子部品素子収納用パッケージ10を構成するセラミック基体11を薄層化することが可能になるので、電子部品素子収納用パッケージ10を極めて小型低背化に対応できるパッケージにすることができる。なお、セラミック基体11を構成するジルコニア結晶内の正方晶の割合が60を下まわる場合には、これを含有するセラミック基体11からなる電子部品素子収納用パッケージの曲げ強度が低くなると共に、靭性も低くなり、薄いセラミック基体の作製が困難となる。また、上記の電子部品素子収納用パッケージ10は、同時焼成後のセラミック基体11の曲げ強度を550MPa以上有している。曲げ強度が550MPa以上からなる電子部品素子収納用パッケージ10は、セラミック基体11に実装した電子部品素子13を、金属製の蓋体14でシーム溶接等で加圧しながら封止しても、セラミック基体11に亀裂や、破壊を発生させることなく接合することができる。なお、この曲げ強度の測定は、JISR1601の試験方法で測定している。従って、このセラミック基体11では、従来のセラミック基体の厚みより薄くした電子部品素子収納用パッケージ10を提供することができ、パッケージや、これを組み込む電子装置の小型低背化に対応させることができる。更に、上記の電子部品素子収納用パッケージ10は、同時焼成後のセラミック基体11とメタライズ層12の接合強度を25MPa以上有している。セラミック基体11とメタライズ層12の接合強度が25MPa以上からなる電子部品素子収納用パッケージ10は、電子部品素子13とボンディングワイヤ15を介して電気的に接続状態とするためのワイヤボンドパッド16や、蓋体14を接合させるためのシールパッド17や、外部と半田接合を介して電気的に接続状態とするための外部接続端子パッド18等のメタライズ層12に、メタライズ剥がれを発生させることなくそれぞれを接合させることができる。なお、この接合強度の測定は、幅1mmのメタライズ層12に直角に折り曲げた金属製リード端子をAgCuろう付けし、これを垂直方向に引っ張って、セラミック基体11の表面からメタライズ層12が剥離した場合の強度で測定している。本願発明の発明者は、アルミナのみからなるセラミック基体、及び、アルミナとイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの組成割合を95:5、90:10、80:20、70:30の各種としたセラミック基体からなる試料を作製して、それぞれのセラミック基体の曲げ強度を測定した。また、前記各種セラミック基体に、タングステン94wt、モリブデン3wt、セラミック成分3wtからなるメタライズ層を形成してセラミック基体とメタライズ層の接合強度を測定した。表1は、その結果を示したものである。表1に示されるように、イットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアが10wt以上あれば、曲げ強度を550MPa以上確保できることが確認できた。しかしながら、セラミック基体とメタライズ層の接合強度は、いずれも10MPa以下であり、接合強度が殆どないことが確認できた。すなわち、セラミック基体11を形成するセラミック組成物から焼結助剤を除くと、メタライズ層12の接合強度を全く確保できないことが明らかになった。このため、本願発明に係るセラミック組成物における焼結助剤は、本願発明が独自の効果を奏するための必須の構成要素であるといえる。次いで、本願発明の発明者は、セラミック組成物におけるイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの組成割合を22wt、マグネシアを05wtとし、シリカ、カルシア、酸化マンガンから選択される少なくとも1種類の焼結助剤の合計含有量を05~6wtとし、残部をアルミナとする各種セラミック基体を作製してこれらについて、セラミック基体の曲げ強度を測定した。また、前記各種セラミック基体に、タングステン94wt、モリブデン3wt、セラミック成分3wtからなるメタライズ層を形成してセラミック基体とメタライズ層の接合強度を測定した。表2は、その結果を示したものである。表2に示されるように、セラミック組成物における、シリカカルシア酸化マンガンから選択される少なくとも1種類とマグネシアとの組合せからなる焼結助剤の含有量が15~45wtである実施例が、曲げ強度を550MPa以上確保できると共に、セラミック基体とメタライズ層の接合強度を25MPa以上確保できることが確認できた。また、セラミック組成物におけるイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの組成割合を22wtとマグネシアを05wtのみとした比較例、又は、セラミック組成物におけるイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの組成割合を22wtとマグネシアを05wtとしシリカカルシア酸化マンガンから選択される少なくとも1種類の焼結助剤の合計含有量が15wtを下まわる比較例は、セラミック基体の曲げ強度550MPa以上を確保できるものの、セラミック基体とメタライズ層の接合強度が10MPaを下まわり、メタライズ層の接合強度25MPa以上を確保できないことが確認できた。更に、セラミック組成物におけるイットリアを固溶させた部分安定化ジルコニアの組成割合を22wtと、マグネシアを05wtとしシリカカルシア酸化マンガンから選択される少なくとも1種類の焼結助剤の合計含有量が45wtを超える比較例は、セラミック基体とメタライズ層の接合強度を25MPa以上確保できるものの、曲げ強度が500MPa以下となり、550MPa以上の曲げ強度が確保できないことが確認できた。なお、下記表2に示される各実施例の試料において、セラミック組成物に含有される焼結助剤の酸化マンガンは、化学式がMn2O3で示されるものを使用した。上述のとおり、本願発明においては、セラミック組成物における焼結助剤の含有量,及び,その成分組成も必須の構成要素であるといえる。また、セラミック組成物における、部分安定化ジルコニアを22wt、マグネシアを05wt、シリカを10wt、カルシアを05wt、酸化マンガンMn2O3を10wtとし、残部をアルミナとした実施例に係る試料を作製し、本実施の形態に係る電子部品素子収納用パッケージ10への搭載が見込まれる波長450nmの青色光の反射率を測定したところ、この試料表面の反射率は83であった。なお、反射光の測定には、コニカミノルタ社製分光測色計CM-3700dを使用し、測定条件は、SCI正反射を含むエリアφ8mmとした。他方、セラミック組成物における、部分安定化ジルコニアを22wt、マグネシアとシリカとカルシアとからなる焼結助剤を7wtとし、残部をアルミナとした従来例に係る試料比較例を作製して、同条件にて波長450nmの青色光の反射率を測定したところ、試料表面の反射率は75であった。なお、反射率の測定のために使用する実施例及び従来例に係るセラミック基体からなる試料の厚みは1mmとした。従って、本実施の形態に係る電子部品素子収納用パッケージ10は、従来例と比較してセラミック基体10の表面における反射性が大幅に高く、電子部品素子収納用パッケージ10に搭載される電子部品素子が発光素子である場合には、セラミック基体10自体を高反射材としても十分に機能させることができる。"