"液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する表示パネル。当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている請求項1に記載の表示パネル。前記ドレイン電極は反射電極としても機能する請求項1に記載の表示パネル。液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている表示パネル。前記画素電極は反射電極としても機能する請求項4に記載の表示パネル。行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備え、各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている表示パネル。前記画素電極は反射電極としても機能する請求項6に記載の表示パネル。複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、液晶素子およびトランジスタを前記サブピクセルごとに有し、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する表示装置。複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている表示装置。複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを有し、各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている表示装置。ところで、反射型の表示装置では、反射電極による反射率を高めるために、通常、TFTを含む表面全体に層間絶縁膜が設けられ、その上に反射電極が設けられている。しかし、そのような構造を作り込むためには、多くのプロセスステップが必要となり、製造コストの低減を妨げているという問題があった。本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、プロセスステップを減らすことの可能な表示パネル、およびそれを備えた表示装置を提供することにある。本技術による第1の表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備えたものである。トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有している。ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能する。本技術による第1の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第1の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第1の表示パネルと同一の構成要素を有している。本技術による第1の表示パネルおよび第1の表示装置では、各サブピクセルのトランジスタにおいて、ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能する。本技術による第2の表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備えたものである。液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体である。トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有している。画素電極は、ドレイン電極と接続されると共にドレイン電極と同層に配置されている。本技術による第2の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第2の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第2の表示パネルと同一の構成要素を有している。本技術による第2の表示パネルおよび第2の表示装置では、各サブピクセルの画素電極は、トランジスタのドレイン電極と接続されると共にドレイン電極と同層に配置されている。本技術による第3の表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、ゲート線およびデータ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備えたものである。各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有している。液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体である。画素電極は、データ線と同層に配置されている。本技術による第3の表示装置は、複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、表示パネルを駆動する駆動部とを備えたものである。第3の表示装置に含まれる表示パネルは、上記の第3の表示パネルと同一の構成要素を有している。本技術による第3の表示パネルおよび第3の表示装置では、各サブピクセルの画素電極は、データ線と同層に配置されている。本技術による第1の表示パネルおよび第1の表示装置によれば、ドレイン電極そのものが、液晶素子を駆動する画素電極として機能するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。本技術による第2の表示パネルおよび第2の表示装置によれば、画素電極をトランジスタのドレイン電極と接続すると共にドレイン電極と同層に配置するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。本技術による第3の表示パネルおよび第3の表示装置によれば、画素電極をデータ線と同層に配置するようにしたので、トランジスタを含む表面全体に層間絶縁膜を設け、その上に反射電極を設けた場合と比べて、プロセスステップを減らすことができる。以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態ゲート線がシングルゲートとなっている例2.第2の実施の形態図5~図8ゲート線がデュアルゲートとなっている例3.適用例図11上記各実施の形態に係る液晶表示装置が電子機器に適用されている例<1.第1の実施の形態>構成図1は、本技術の第1の実施の形態に係る液晶表示装置1の概略構成を表したものである。この液晶表示装置1は、液晶表示パネル10と、液晶表示パネル10を駆動する駆動回路30とを備えている。この表示装置1において、液晶表示パネル10の表面のうち外縁以外の領域が各種画像やデータ等を表示する表示領域10Aとなっており、液晶表示パネル10の表面のうち表示領域10Aの周縁が非表示領域となっている。液晶表示パネル10液晶表示パネル10は、反射型、または反射部と透過部とを兼ね備えた半透過型の液晶パネルである。液晶表示パネル10は、複数の画素12が表示領域10A内に2次元配置されたものであり、映像信号30Aに応じて各画素12が駆動されることによって画像を表示するものである。各画素12は、例えば、複数のサブピクセル11R,11G,11Bを含んで構成されている。ここで、サブピクセル11Rは赤色の光を出射するものである。サブピクセル11Rは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち赤色の波長帯の光を選択的に透過することにより、赤色の光を出射するようになっている。サブピクセル11Gは緑色の光を出射するものである。サブピクセル11Gは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち緑色の波長帯の光を選択的に透過することにより、緑色の光を出射するようになっている。サブピクセル11Bは青色の光を出射するものである。サブピクセル11Bは、後述の反射電極から反射されてきた光のうち青色の波長帯の光を選択的に透過することにより、青色の光を出射するようになっている。なお、以下では、サブピクセル11R,11G,11Bの総称としてサブピクセル11を適宜、用いるものとする。図2は、表示領域10A内の回路構成の一例を表したものである。表示領域10Aは、例えば、図1、図2に示したように、行状に配置された複数のゲート線WSLと、列状に配置された複数のデータ線DTLとを有している。各ゲート線WSLと各データ線DTLとの交差部に対応して、複数のサブピクセル11が行列状に配置されている。各サブピクセル11は、例えば、図2に示したように、液晶素子14と、トランジスタ15とを有している。液晶素子14は、例えば、駆動基板上に、画素電極後述の画素電極16、配向膜、液晶層後述の液晶層47、配向膜および共通電極後述の共通電極48を積層したものである。駆動基板は、例えば、ガラス基板上に、上記のトランジスタ15などが形成されたものである。液晶層は、例えば、ネマティックNematic液晶を含んで構成され、後述するように、駆動回路30からの印加電圧により、液晶層に入射する光をサブピクセル11ごとに透過または遮断する変調機能を有している。画素電極は、サブピクセル11ごとの電極として機能するものであり、例えば、共通電極との対向領域に配置されている。これにより、画素電極と共通電極との間に電圧が印加されると、液晶層内に縦方向の電界が生じるようになっている。共通電極は、液晶層を介して画素電極と対向する対向電極である。共通電極は、各サブピクセル11における共通の電極であり、表示領域10A全体に形成されている。なお、液晶素子14は、上で例示した構成とは異なる構成となっていてもよい。トランジスタ15は、例えば、電界効果型のTFTThinFilmTransistor;薄膜トランジスタであり、チャネルを制御するゲートと、チャネル両端に設けられたソースおよびドレインとによって構成されている。液晶素子14の一端がトランジスタ15のソースまたはドレインに接続されており、液晶素子14の他端が図示しない基準電位線例えばグラウンド線に接続されている。トランジスタ15のゲートがゲート線WSLに接続されており、トランジスタ15のソースおよびドレインのうち液晶素子14に未接続の方がデータ線DTLに接続されている。ここで、1水平ラインに属する複数のサブピクセル11において、トランジスタ15のゲートが共通のゲート線WSLに接続されている。駆動回路30次に、液晶表示パネル10の周辺に設けられた駆動回路30内の各回路について、図1を参照して説明する。駆動回路30は、例えば、図1に示したように、映像信号処理回路31、タイミング生成回路32、信号線駆動回路33および走査線駆動回路34を有している。映像信号処理回路31は、外部から入力されたデジタルの映像信号30Aを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号線駆動回路33に出力するものである。タイミング生成回路32は、信号線駆動回路33および走査線駆動回路34が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路32は、例えば、外部から入力された同期信号30Bに応じて同期して、これらの回路に対して制御信号32Aを出力するようになっている。信号線駆動回路33は、制御信号32Aの入力に応じて同期して、映像信号処理回路31から入力されたアナログの映像信号映像信号30Aに対応する信号電位を、各データ線DTLに印加して、選択対象のサブピクセル11に書き込むものである。信号線駆動回路23は、例えば、映像信号30Aに対応する信号電圧Vsigを出力することが可能となっている。走査線駆動回路34は、制御信号32Aの入力に応じて同期して、複数のゲート線WSLに選択パルスを順次印加して、複数のサブピクセル11をゲート線WSL単位で順次選択するものである。走査線駆動回路34は、例えば、トランジスタ15をオンさせるときに印加する電圧Vonと、トランジスタ15をオフさせるときに印加する電圧Voffとを出力することが可能となっている。ここで、電圧Vonは、トランジスタ15のオン電圧以上の値一定値となっている。電圧Voffは、トランジスタ15のオン電圧よりも低い値一定値となっている。レイアウト断面図3は、表示領域10Aのうちサブピクセル11に対応する部分のレイアウトの一例を表したものである。図4は、トランジスタ15およびその近傍の断面構成の一例を表したものであり、図3のA-A線に対応する部分の断面構成の一例を表したものである。サブピクセル11は、例えば、図4に示したように、表示パネル40上に光学機能部50を備えた構造となっている。表示パネル40は、例えば、図4に示したように、基板41上に、トランジスタ15を有している。トランジスタ15は、例えば、基板41上に、ゲート電極42、ゲート絶縁膜43、チャネル層44、ソース電極45およびドレイン電極46を含んで構成されている。基板41は、可視光に対して透明な基板、例えば、板ガラスまたは透光性の樹脂基板からなる。基板41は、可視光に対して不透明な基板、例えば、シリコンウェハーなどであってもよい。ソース電極45は、データ線DTLと同一面内に形成されており、例えば、データ線DTLと一体に形成されている。なお、ソース電極45は、製造過程においてデータ線DTLとは別体に形成されたものであってもよい。ドレイン電極46も、データ線DTLと同一面内に形成されており、データ線DTLおよびソース電極45と接触しないように、データ線DTLおよびソース電極45とは所定の間隙を介して配置されている。ドレイン電極46は、同一面内に形成されたサブピクセル11の画素電極16に接続されている。画素電極16は、例えば、図3に示したように、サブピクセル11全体に渡って広がっている。ドレイン電極46は、例えば、画素電極16と一体に形成されている。ドレイン電極46が画素電極16と一体に形成されている場合には、ドレイン電極46そのものが画素電極16であると言うこともできる。なお、ドレイン電極46は、製造過程において画素電極16とは別体で形成されたものであってもよい。画素電極16は、反射電極としての役割も有しており、その表面が平坦面例えば鏡面となっている。ドレイン電極46および画素電極16は、例えば、Alや、Al-Nd合金などの金属材料で構成されている。表示パネル40は、さらに、例えば、図4に示したように、画素電極16を含む表面の上方に液晶層47を有しており、液晶層47の上方に、共通電極48および基板49を液晶層47側から順に有している。液晶層47は、例えば、ネマティック液晶を含んで構成され、後述するように、駆動回路30からの印加電圧により、液晶層47に入射する光をサブピクセル11ごとに透過または遮断する変調機能を有している。共通電極48は、液晶層47を介して画素電極16と対向する対向電極である。共通電極48は、各サブピクセル11における共通の電極であり、全てのサブピクセル11と向き合って配置されている。共通電極48は、可視光に対して透明な導電性材料からなり、例えば、ITOIndiumTinOxide;酸化インジウムスズからなる。なお、図示しないが、例えば、ドレイン電極46と液晶層47との間には、トランジスタ15を保護するパッシベーション層と、液晶層47内の液晶分子を配向させる配向膜とがドレイン電極46側から順に積層したものが配置されている。配向膜は、液晶層47と直接に接している。また、図示しないが、例えば、液晶層47と共通電極48との間には、液晶層47内の液晶分子を配向させる配向膜が配置されている。この配向膜も、液晶層47と直接に接している。また、図示しないが、例えば、共通電極48と基板49との間には、カラーフィルタが配置されている。カラーフィルタは、液晶層47を透過してきた光を、例えば、赤R、緑Gおよび青Bの三原色にそれぞれ色分離するためのカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。カラーフィルタは、例えば、サブピクセル11Rに対応して赤用フィルタを有しており、サブピクセル11Gに対応して緑用フィルタを有しており、サブピクセル11Bに対応して青用フィルタを有している。光学機能部50は、例えば、図4に示したように、光散乱層51、位相差層52および偏光層53を表示パネル40側から順に有している。光散乱層51は、例えば、基板49の上面に貼り合わされている。光散乱層51は、例えば、屈折率の互いに異なる2種類の領域が厚さ方向に延在するとともに所定の方向に傾斜して形成された光学フィルムである。光散乱層51は、例えば、特定方向から入射した光を散乱する異方性前方散乱フィルムである。光散乱層51は、例えば、特定方向から光が入射してきた場合に、その入射光をほとんど散乱せずに透過させ、反射電極で反射され戻ってきた光を大きく散乱するようになっている。また、光散乱層51は、例えば、特定方向とは異なる方向から光が入射してきた場合には、偏光層53側からの光入射時だけでなく偏光層53側への光出射時にも、ほとんど散乱せずに透過させるようになっている。なお、光散乱層51は、常にフィルム状である必要はなく、例えば、基板49と位相差層52とを互いに貼り合わせる粘着剤または接着剤であってもよい。また、光散乱層51は、基板49と位相差層52との間以外の部位に配置することも可能である。光散乱層51は、例えば、基板49と位相差層52との間ではなく、位相差層52と偏光板53との間に配置されていてもよい。また、光散乱層51は、基板49と位相差層52との間だけでなく、それ以外の部位にも配置することが可能である。光散乱層51は、例えば、基板49と位相差層52との間に配置されるとともに、位相差層52と偏光板53との間に配置されていてもよい。位相差層52は、例えば、そのリタデーションが可視光領域のうち最も視感度の高い緑色光波長の約1/4に相当する値となっている光学フィルムである。位相差層52は、例えば、偏光層53側から入射してきた直線偏光光を円偏光に変換する機能を有しており、1/4波長板として機能する。なお、高帯域にするために、偏光層53と、位相差層52との間に、可視光の最も視感度が高い緑色光波長の約1/2に相当するリタデーションを有する位相差層例えば1/2波長板がさらに設けられていてもよい。偏光層53は、所定の直線偏光成分を吸収し、それ以外の偏光成分を透過する機能を有している。従って、偏光層53は、外部から入射してきた外光を直線偏光に変換する機能を有している。効果次に、本実施の形態の液晶表示装置1の効果について説明する。通常、反射型の表示装置では、図9および図10図9のA-A線に対応する断面図に示したように、画素電極72による反射率を高めるために、トランジスタ15を含む表面全体に層間絶縁膜71が設けられ、その上に画素電極72が設けられている。しかし、そのような構造を作り込むためには、多くのプロセスステップが必要となり、製造コストの低減を妨げているという問題があった。一方、本実施の形態では、図3、図4に示したように、画素電極16がドレイン電極46、ソース電極45およびデータ線DTLと同層に形成されており、さらにドレイン電極46と接続されている。また、画素電極16がドレイン電極46と一体に形成されている場合には、ドレイン電極46そのものが画素電極16として機能しているとも言える。さらに、本実施の形態では、画素電極16が反射電極も兼ねている。そのため、図9、図10に示したような層間絶縁膜71や画素電極72を設ける必要がない。これにより、反射型の表示装置としての機能を損なうことなく、プロセスステップを減らし、製造コストを下げることができる。<2.第2の実施の形態>図5は、本技術の第2の実施の形態に係る液晶表示装置2の概略構成を表したものである。この液晶表示装置2は、液晶表示パネル60と、液晶表示パネル60を駆動する駆動回路30とを備えている。この表示装置2において、液晶表示パネル60の表面のうち外縁以外の領域が各種画像やデータ等を表示する表示領域60Aとなっており、液晶表示パネル60の表面のうち表示領域60Aの周縁が非表示領域となっている。液晶表示パネル60液晶表示パネル60は、反射型、または反射部と透過部とを兼ね備えた半透過型の液晶パネルである。液晶表示パネル60は、複数の画素12が表示領域60A内に2次元配置されたものであり、映像信号30Aに応じて各画素12が駆動されることによって画像を表示するものである。図6は、表示領域60A内の回路構成の一例を表したものである。表示領域60Aは、例えば、図5、図6に示したように、行状に配置された複数組のゲート線WSL1,WSL2と、列状に配置された複数のデータ線DTLとを有している。複数組のゲート線WSL1,WSL2は、走査線駆動回路34に接続されており、走査線駆動回路34によって順次非同時に駆動されるようになっている。1水平ラインに属する複数のサブピクセル11において、1本のデータ線DTLに対応して、2つのサブピクセル11が接続されており、それら2つのサブピクセル11は、互いに異なるゲート線WSL1,WSL2にそれぞれ接続されている。このように、液晶表示パネル60は、デュアルゲート型の表示パネルとなっている。図7は、表示領域60Aのうちサブピクセル11に対応する部分のレイアウトの一例を表したものである。図7に示したように、1水平ラインに属する複数のサブピクセル11のうち互いに異なるデータ線DTLに接続された2つのサブピクセル11の間には、データ線DTLが存在しておらず、データ線DTLが存在しない分だけ、画素電極16またはドレイン電極46の面積が広くなっている。ただし、液晶表示パネル60がデュアルゲート型となっているので、ゲート線WSL2が増えた分だけ、画素電極16またはドレイン電極46の面積は狭くなっている。しかし、通常、サブピクセル11の形状は、水平方向に短く、垂直方向に長い長方形状となっており、サブピクセル11の長手方向に延在しているデータ線DTLが存在しなくなったことにより増える面積の方が、サブピクセル11の短手方向に延在しているゲート線WSL2が存在することになったことにより減少する面積よりも大きくなっている。従って、液晶表示パネル60がデュアルゲート型となっていることにより、画素電極16またはドレイン電極46の面積を、第1の実施の形態における画素電極16またはドレイン電極46の面積よりも大きくすることができる。従って、各サブピクセル11の開口率についても、第1の実施の形態よりも大きくすることができる。[変形例]上記第2の実施の形態において、例えば、図8に示したように、画素電極16またはドレイン電極46が、他のサブピクセル11のトランジスタ15のゲートが接続されているゲート線WSL1の直上にまで延在していてもよい。このようにした場合には、各サブピクセル11の開口率を更に大きくすることができる。<3.適用例>次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る表示装置1,2の一適用例について説明する。図11は、本適用例に係る電子機器100の概略構成の一例を表す斜視図である。電子機器2は、携帯電話機であり、例えば、図11に示したように、本体部111と、本体部111に対して開閉可能に設けられた表示体部112とを備えている。本体部111は、操作ボタン115と、送話部116を有している。表示体部112は、表示装置113と、受話部117とを有している。表示装置113は、電話通信に関する各種表示を、表示装置113の表示画面114に表示するようになっている。電子機器100は、表示装置113の動作を制御するための制御部図示せずを備えている。この制御部は、電子機器100全体の制御を司る制御部の一部として、またはその制御部とは別に、本体部111または表示体部112の内部に設けられている。表示装置113は、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置1と同一の構成を備えている。これにより、表示装置113の製造コストを、プロセスステップが減った分だけ下げることができる。なお、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係る表示装置1,2を適用可能な電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末器等が挙げられる。1液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する表示パネル。2当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている1に記載の表示パネル。3前記ドレイン電極は反射電極としても機能する1または2に記載の表示パネル。4液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに備え、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている表示パネル。5行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを備え、各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている表示パネル。6前記画素電極は反射電極としても機能する4または5に記載の表示パネル。7複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、液晶素子およびトランジスタを前記サブピクセルごとに有し、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記ドレイン電極そのものが、前記液晶素子を駆動する画素電極として機能する表示装置。8当該表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線とを備え、前記サブピクセルは、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置され、前記ドレイン電極は、前記データ線と同層に配置されている7に記載の表示装置。9前記ドレイン電極は反射電極としても機能する7または8に記載の表示装置。10複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、液晶素子およびトランジスタをサブピクセルごとに有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記トランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、前記画素電極は、前記ドレイン電極と接続されると共に前記ドレイン電極と同層に配置されている表示装置。11複数のサブピクセルが行列状に配置された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動部とを備え、前記表示パネルは、行状に配置された複数のゲート線と、列状に配置された複数のデータ線と、前記ゲート線および前記データ線のレイアウトに対応して行例状に配置された複数のサブピクセルとを有し、各サブピクセルは、液晶素子およびトランジスタを有し、前記液晶素子は、画素電極、液晶層および対向電極をこの順に含む積層体であり、前記画素電極は、前記データ線と同層に配置されている表示装置。12前記画素電極は反射電極としても機能する10または11に記載の表示装置。"