"式A、B、又はC:かかる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、nは、独立して0、1、又は2であり;R1、R2、R3、及びR4は、独立して水素又はヒドロカルビル基から選択され;R5及びR6は、独立して-CH2p-OHここで、pは、0、1、2、又は3であるから選択され;X及びX’のそれぞれは、独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され、ここで、それぞれのX’は、存在する場合にはXの配向と同じか又は反対に配向している;のいずれかによって表される少なくとも1種類の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマー;及び光酸発生剤、熱酸発生剤、及びこれらの組合せから選択される酸発生剤;を含む犠牲ポリマー組成物。R5及びR6がそれぞれ-CH2OHである、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物。少なくとも1種類のモノマーが式Aによって表される、請求項2に記載の犠牲ポリマー組成物。R5及びR6がそれぞれ-CH2OHである、請求項3に記載の犠牲ポリマー組成物。少なくとも1種類のモノマーが式B又はCによって表される、請求項2に記載の犠牲ポリマー組成物。R5及びR6がそれぞれ-CH2OHである、請求項5に記載の犠牲ポリマー組成物。R1、R2、R3、及びR4の少なくとも1つがヒドロカルビル基から選択される、請求項6に記載の犠牲ポリマー組成物。ヒドロカルビル基が、独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、他のものがそれぞれ水素である、請求項7に記載の犠牲ポリマー組成物。式のそれぞれに関して、nが0であり、R1、R2、R3、及びR4の1つが、ヒドロカルビル基であって、Xに対してエキソ配向している、請求項8に記載の犠牲ポリマー組成物。ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、更なる式D、E、及びF:かかる更なる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、mは、0、1、又は2であり;それぞれのZ及びZ’は、独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され;Zは-CH-であり;R7、R8、R9、及びR10は、それぞれの場合において独立して、水素及びヒドロカルビル基から選択され;R11及びR12は、それぞれ-CH2p-OHここで、R11及びR12に関して、pは、独立して0、1、2、又は3から選択されるであり;それぞれのZ’は、存在する場合にはそれぞれZ又はZの配向と同じか又は反対に配向しているによって表される少なくとも1種類の多環式ジオールモノマーから更に誘導される、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物。ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、更なる式G:式中、Zは、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され;R11及びR12は、それぞれ-CH2p-OHここで、pは、独立して0、1、2、又は3から選択されるによって表される少なくとも1種類の多環式ジオールモノマーから更に誘導される、請求項10に記載の犠牲ポリマー組成物。ヒドロカルビルが、独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Z又はZに対してエキソ配向している、請求項11に記載の犠牲ポリマー組成物。ポリカーボネートポリマーの繰り返し単位が、式I~XII:式中、R13は独立してC1~C6アルキルから選択されるによって表されるジオールモノマーから選択される少なくとも1種類の更なるジオールモノマーから更に誘導される、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物。光酸発生剤が、ハロニウム塩、スルホニウム塩、及びこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物。光酸発生剤が、4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート;ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフレート;ジ4-tert-ブチルフェニルヨードニウムビスペルフルオロメタンスルホニルイミド;ジ4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリスペルフルオロメタンスルホニルメチド;トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート;トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート;トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート;トリフェニルスルホニウムビスペルフルオロメタンスルホニルイミド;トリフェニルスルホニウムトリスペルフルオロメタンスルホニルメチド;2-4-メトキシナフタレン-1-イル-2-オキソエチルジメチルスルホニウム;ビス[2-4-メトキシフェニル-2-オキソエチル]メチルスルホニウム;トリス2-オキソ-2-フェニルエチルスルホニウム;[2-オキソ-2-2-フェナントレニルエチル]ジメチルスルホニウム;及びこれらの組合せ;から選択される、請求項14に記載の犠牲ポリマー組成物。熱酸発生剤が、アンモニウム、ピリジニウム、ハロニウム、及びスルホニウムから選択されるカチオン、並びに弱配位アニオン;N-スルホキシイミド;及びこれらの組合せ;を含む熱酸発生剤から選択される、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物。弱配位アニオンが、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートFABA、テトラキス3,5-ビストリフルオロメチルフェニルボレート、トリフルオロメタンスルホネートCF3SO3-、ペルフルオロブチルスルホネートC4F9SO3-、ペルフルオロオクチルスルホネートC8F17SO3-、ビストリフルオロメチルスルホニルイミドアニオンCF3SO22N-、4,4,5,5,6,6-ヘキサフルオロジヒドロ-4H-1,3,2-ジチアジン-1,1,3,3-テトラオキシド、及びトリストリフルオロメチルスルホニルメチドから選択される、請求項16に記載の犠牲ポリマー組成物。式A、B、又はC:かかる式によって表されるそれぞれのモノマーに関して、nは、独立して0、1、又は2であり;R1、R2、R3、及びR4は、独立して水素又はヒドロカルビル基から選択され;R5及びR6は、独立して-CH2p-OHここで、pは、0、1、2、又は3であるから選択され;X及びX’のそれぞれは、独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され、ここで、それぞれのX’は、存在する場合にはXの配向と同じか又は反対に配向している;のいずれかによって表される少なくとも1種類の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導されるポリカーボネートポリマー。R5及びR6がそれぞれ-CH2OHである、請求項18に記載のポリカーボネートポリマー。少なくとも1種類のモノマーが、式A、Bによって表されるモノマー、及びこれらの組合せから選択される、請求項19に記載のポリカーボネートポリマー。式のそれぞれに関して、nが0であり、R1、R2、R3、及びR4の1つが、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Xに対してエキソ配向している、請求項20に記載のポリカーボネートポリマー。基材の表面上に、請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物を含む三次元構造を形成し;三次元構造の上にオーバーコート層を施し;酸発生剤を活性化して、それによってポリカーボネートポリマーを少なくとも部分的に解重合し;そして解重合したポリカーボネートポリマーを昇温温度において分解して、それによってオーバーコート層と基材との間に挟まれた三次元空間を形成する;ことを含む構造の形成方法。第1の基材の第1の表面の上に重なっており、及び/又は第2の基材の第2の表面の上に重なっている請求項1に記載の犠牲ポリマー組成物の層を形成し;犠牲ポリマー組成物の層がその間に挟まれるように第1の基材及び第2の基材を配向し;そして第1及び第2の基材に有効な温度及び有効な圧力を加えて、犠牲ポリマー組成物の層によって犠牲ポリマー組成物の層を介して第1の基材が第2の基材に結合するようにする;ことを含む、第1の基材及び第2の基材を一時的に結合させる方法。0008本明細書において用いる冠詞a、an、及びtheは、明確に且つ明白に1つの指示物に限定していない限り複数の指示物を含む。0009本明細書において用いる光酸発生剤という用語、並びに光触媒酸発生剤及び光開始剤のような同様の用語は、適当な化学線への露光の後にプロトン酸などしかしながらこれに限定されないの1種類以上の酸を発生させる材料を意味する。0010本明細書において用いる基又は複数の基という用語は、化合物及び/又は代表的な化学構造/式に関して用いる場合には、1以上の原子の配列を意味する。0011本明細書において用いるノルボルナン-2,3-ジオール又は2,3-ノルボルナンジオールという用語は、互換的に用いられ、式A、A1、B、B1、C、C1、D、D1、D1’、E、E1、E1’、F、F1、F1’、G、D-DU-1、及びD-DU-2のいずれかによるモノマー及び繰り返し単位の両方を指す。本発明による幾つかの態様においては、かかる2,3-ノルボルナンジオールは2つのヒドロキシル基の間に奇数の炭素原子を有する。0012本明細書において用いる重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mnのようなポリマーの分子量の値は、ポリスチレン標準試料を用いてゲル透過クロマトグラフィーによって求められる。0013本明細書において用いる多分散指数PDIの値は、ポリマーの数平均分子量Mnに対する重量平均分子量Mwの比即ちMw/Mnを示す。0014他に示さない限りにおいて、本明細書において用いるポリマーガラス転移温度Tgの値は、米国材料試験協会ASTM法D-3418にしたがって示差走査熱量測定によって求められる。0015本明細書において用いる熱酸発生剤という用語及び熱触媒酸発生剤のような同様の用語は、適当な昇温温度へ曝露した後に、プロトン酸などしかしながらこれに限定されないの1種類以上の酸を発生させる材料を意味する。0016他に示さない限りにおいて、本明細書で開示する全ての範囲又は比は、その中に包含されるありとあらゆる部分的な範囲又は部分的な比を包含すると理解すべきである。例えば、1~10の規定されている範囲又は比は、1の最小値と10の最大値の間及び端値を含めるのありとあらゆる部分的な範囲を含むと考えるべきであり、即ち、全ての部分的な範囲又は部分的な比は、1以上の最小値から始まって10以下の最大値で終わり、例えば1~6.1、3.5~7.8、及び5.5~10であるしかしながらこれらに限定されない。0017実施例以外又は他に示されていない限りにおいては、明細書及び特許請求の範囲において用いる成分の量、反応条件などを表す全ての数は、全ての場合において、かかる値を求めることに関連する不確かさを考慮した用語約によって修飾されていると理解すべきである。0018本発明の幾つかの態様を特徴付ける特徴は、特に、本明細書に添付されてその一部を形成する特許請求の範囲において示す。かかる態様のこれら及び他の特徴、これらの実施上の有利性、及び用途は、下記の本発明における幾つかの態様の記載からより完全に理解されるであろう。0019本発明による幾つかの態様は、式A、B、又はC:によって表され、これらから選択される少なくとも1種類の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリカーボネートポリマーを提供する。0020式A、B、及びCによって表されるそれぞれのモノマーに関して、nは、独立して0、1、又は2であり;R1、R2、R3、及びR4のそれぞれは、独立して、水素、又は限定なしに1~25個の炭素原子を含むヒドロカルビル基から選択され;R5及びR6のそれぞれは、独立して-CH2p-OHここで、pは、0、1、2、又は3であるから選択され;X及びX’のそれぞれは、独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され、ここで、それぞれのX’は、存在する場合にはXの配向と同じか又は反対に配向している。本発明による幾つかの態様に関しては、R5及びR6の少なくとも1つに関して、pは1、2、又は3である。0021本発明の幾つかの態様によれば、上記に記載のポリカーボネートポリマーが更に提供される。本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様は、上記に記載し且つ示される式A、B、又はCの1以上から選択され且つこれらによって表される少なくとも1種類の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む。式A、B、及びCのそれぞれに関して、R1~R4は、それぞれの場合において独立して、水素、或いは1~25個の炭素原子を含んでいてよく、C1~C25ヒドロカルビル基としてここで呼ぶこともできるヒドロカルビル基から選択される。0022本明細書において用いるヒドロカルビルという用語、及びヒドロカルビル基のような同様の用語は、炭素及び場合によっては水素を含む基のラジカルを意味し、非限定的な例は、アルキル、シクロアルキル、ポリシクロアルキル、アリール、アラルキル、アルカリール、アルケニル、シクロアルケニル、ポリシクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、及びポリシクロアルキニルである。本明細書において用いるハロヒドロカルビルという用語は、炭素に共有結合している少なくとも1つの水素がハロゲンによって置き換えられているヒドロカルビル基を意味する。本明細書において用いるペルハロカルビルという用語は、全てのかかる水素がハロゲンによって置き換えられているヒドロカルビル基を意味する。更に、本明細書において用いるヘテロヒドロカルビルという用語は、少なくとも1つの炭素原子が、酸素、窒素、及び/又はイオウのようなヘテロ原子で置き換えられているヒドロカルビル基を意味する。0023本明細書において用いるアルキルという用語は、C1~C25の炭素鎖の長さを有する線状又は分岐の非環式又は環式の飽和炭化水素基を意味する。好適なアルキル基の非限定的な例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イソカニル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、及びシクロオクチルが挙げられる。本明細書において用いるヘテロシクロアルキルという用語は、環式環の1以上の炭素が、酸素、窒素、及び/又はイオウのようなヘテロ原子で置き換えられているシクロアルキル基を意味する。代表的なヘテロシクロアルキル基としては、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、モルホリニル、及びピペリジニルが挙げられるが、これらに限定されない。0024本明細書において用いるアリールという用語は、限定なしに、フェニル、ビフェニル、ベンジル、キシリル、ナフタレニル、アントラセニルなどの芳香族基を意味する。本明細書において用いるヘテロアリールという用語は、1つ又は複数の芳香環の1以上の炭素が、酸素、窒素、及び/又はイオウのようなヘテロ原子で置き換えられているアリール基を意味する。代表的なヘテロアリール基としては、フラニル、ピラニル、及びピリジニルが挙げられるが、これらに限定されない。0025アルカリール及びアラルキルという用語は、本明細書においては互換的に用いられ、少なくとも1つのアリール基、例えばフェニルで置換されており、C1~C25のアルキル炭素鎖の長さを有する線状又は分岐の非環式アルキル基を意味する。上記の非環式アルキル基はハロアルキル又はペルハロアルキル基であってよいことが更に理解されるであろう。0026本明細書において用いるアルケニルという用語は、1以上の二重結合を有し、C2~C25のアルケニル炭素鎖の長さを有する線状又は分岐の非環式又は環式炭化水素基を意味する。アルケニル基の非限定的な例としては、中でも、ビニル、アリル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、及びイソセニルが挙げられる。0027本明細書において用いるアルキニルという用語は、1以上の炭素-炭素三重結合を有し、C2~C25のアルキニル炭素鎖の長さを有する線状又は分岐の非環式又は環式炭化水素基を意味する。代表的なアルキニル基としては、エチニル、1-プロピニル、2-プロピニル、1-ブチニル、2-ブチニル、ペンチニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ウンデシニル、ドデシニル、トリデシニル、テトラデシニル、ペンタデシニル、ヘキサデシニル、ヘプタデシニル、オクタデシニル、ノナデシニル、イソシニルが挙げられるが、これらに限定されない。0028本明細書において用いる線状又は分岐アルキルのような線状又は分岐の基という記述は、メチレン基、線状のC2~C25アルキル基のような線状である基、及び分岐C3~C25アルキル基のような適当に分岐している基を含むと理解されるであろう。0029式A、B、及びCに関して、それぞれのX基は頁の外へ上向きに伸びるものとして示される。式Aに関しては、R5及びR6はそれぞれ頁の外へ上向きに伸びるものとして示され、それ自体は互いに対してシスであり、X基に対してエキソである。したがって、式Aは多環式シス-エキソ2,3-ジオールモノマーを指す。式Bに関しては、R5及びR6はそれぞれ頁の中へ下向きに伸びるものとして示され、それ自体は互いに対してシスであり、X基に対してエンドである。したがって、式Bは多環式シス-エンド2,3-ジオールモノマーを指す。式Cに関しては、R5は頁の外へ上向きに伸びるものとして示され、X基に対してエキソであり、R6は頁の中へ下向きに伸びるものとして示され、X基に対してエンドであり、互いに対してトランスである。したがって、式Cは、多環式エンド/エキソ2,3-ジオールモノマー、又は多環式トランス2,3-ジオールモノマーを指す。0030上記に記載のポリカーボネートポリマーの幾つかの態様は、式A、B、及びCのそれぞれから選択されるか又はかかる式のいずれか1つ又は2つから選択される多環式2,3-ジオールから誘導される繰り返し単位を含んでいてよい。0031かかるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様が、式A、式B、及び式Cによって表され、これらから選択される2種類の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む場合には、かかる繰り返し単位のモル比は、1~99、10~90、30~70であってよく、或いはかかる繰り返し単位のモルの合計が100モルであるという条件で、そのような示されている比の任意のものの中に包含される任意の他の部分的な比であってよい。0032本発明のポリカーボネートポリマーの幾つかの態様は、式A、式B、及び式Cのそれぞれによって表され、これらから選択されるモノマーを含む。かかる対応は、任意の単一のモルが1であり、任意の単一のモルが98であるモル比、並びにその中に包含される任意の他の部分的な比を包含すると理解される。限定なしに、かかるモル比としては、かかる繰り返し単位のモルの合計が100モルであるという条件で、1:1:98、10:10:80、及び33.33:33.33:33.33が挙げられる。0033本発明による幾つかのポリカーボネートポリマーの態様に関しては、式A、B、及びCのそれぞれのR5及びR6は、独立して-CH2p-OHここで、pは、0、1、2、又は3であるから選択することができる。更に、他のかかる態様に関しては、R5及びR6の少なくとも1つに関して、pは、独立して1、2、又は3であり、例えば-CH2OHここではpは1であるを与える。更に他のかかる態様においては、R5及びR6のそれぞれに関して、pは独立して、1、2、又は3である。0034本発明の幾つかのポリカーボネートポリマーの態様は、式A及び/又は式Bによって表され、これらによって表されるモノマーのみから選択される1種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む。例えば、かかる態様は、式A単独、式B単独、又は式Aと式Bの組み合わせから独立して選択される2種類以上のモノマーから誘導される繰り返し単位を含んでいてよい。更に、幾つかのかかる態様に関しては、R5及びR6は、それぞれの場合において独立して-CH2p-OHここで、pは、1、2、又は3であるから選択される。多環式2,3-ジオールモノマーが式A及び式Bの両方から選択される場合には、式A及び式Bから誘導される繰り返し単位は、かかる多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位のモルの合計が100モルであるという条件で、それぞれ、限定なしに、独立して式A及び式Bによって表されるかかる多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位の全モル量を基準として1~99モル、又は5~95モル、又は10~90モルの量で存在させることができる。0035本発明による幾つかのポリカーボネートの態様に関しては、繰り返し単位は、式C単独によって表され、これから選択される1種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーから誘導することができる。かかる更なる態様に関して、多環式2,3-ジオールモノマーが式C単独から選択される場合には、R1~R4の少なくとも1つはヒドロカルビルから選択される。それからR1~R4のそれぞれを独立して選択することができるヒドロカルビル基としては、本明細書において上記で列記した種類及び例のものが挙げられるが、これらに限定されない。更なる態様によれば、多環式2,3-ジオールモノマーが式C単独から選択される場合には、R5及びR6は、それぞれの場合において独立して-CH2p-OHここで、pは1、2、又は3であるから選択される。0036式A、式B、及び式Cのそれぞれに関し、本発明の幾つかの態様によれば、R1~R4の少なくとも1つは、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから独立して選択され、かかる非水素基からは選択されないR1~R4の他のものは、存在する場合にはそれぞれ水素である。それからR1~R4のそれぞれを選択することができるアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキル基の例としては、本明細書において上記で列記した種類及び例のものが挙げられるが、これらに限定されず、これらは場合によっては、-CF3などしかしながらこれに限定されないのC1~C25線状又は分岐ペルフルオロアルキル基などしかしながらこれに限定されないのハロヒドロカルビル置換基;-COOR’ここで、R’はヒドロカルビル基であるなどしかしながらこれに限定されないのカルボン酸エステル;並びに-ORここで、Rはヒドロカルビル基であるなどしかしながらこれに限定されないのエーテル基;などしかしながらこれらに限定されないの1以上の更なる置換基を含んでいてよい。0037本発明の更なる幾つかの態様に関しては、式A、B、及びCのそれぞれに関して、nは0であり;R1~R4の3つはそれぞれ水素であり;R1~R4の1つは、独立して、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Xに対してエキソ配向している。例示の目的のために、n=0である場合には、Xは-CH2-であり、R1、R2、及びR3は、それぞれ水素であり、R4は、Xに対してエキソの非水素基であり、R5及びR6は、それぞれ-CH2OHであり、式A、B、及びCは、下式A1、B1、及びC1によって表すことができる。0038式A1、B1、及びC1のそれぞれに関し、R4は、それぞれの場合において独立して、例えばR1~R4に関して本明細書において上記に記載した種類及び例のものなどしかしながらこれらに限定されないのヒドロカルビル基から選択することができる。0039本発明による幾つかのポリカーボネートポリマーの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、a式A、B、及び/又はCの1以上によって表される多環式2,3-ジオールモノマー;及びb式A、B、及びCによって表される多環式2,3-ジオールモノマー以外の1種類以上の更なるジオールモノマー;から誘導される繰り返し単位を含む。かかる更なるジオールモノマーとしては、本明細書において更に記載するように、i式D、E、F、及びGの少なくとも1つによって表される多環式ジオールモノマー;ii式I~XIIの少なくとも1つによって表される環式ジオールモノマー;iii式XIVa~XIVbの少なくとも1つによって表される多環式ジオールモノマー;iv2以上のヒドロキシル基を有するヒドロカルビルのような更なる随意的なジオールモノマー;及びこれらの組合せ;が挙げられるが、これらに限定されない。00401種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーa及び1種類以上の更なるジオールbから誘導される繰り返し単位を含む本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様に関しては、多環式2,3-ジオールモノマーaから誘導される繰り返し単位は、1~99モル、又は5~95モル、又は10~90モルの量で存在させることができ、更なるジオールbから誘導される繰り返し単位は、aに関して記載した量及び範囲で存在させることができる。それぞれの場合におけるモルは、多環式2,3-ジオールモノマーa及び更なるジオールbから誘導される繰り返し単位の合計モル量を基準とするものであり、但し多環式2,3-ジオールモノマーa及び更なるジオールbから誘導される繰り返し単位のモルの合計は100モルである。0041かかる更なるジオールbは、得られるポリカーボネートポリマーの物理特性を変化させる目的で用いることができる。例えば、かかる更なるジオールbは、得られるポリカーボネートポリマーに弱い結合を与えることができ、これによってポリカーボネートポリマーはプロトン酸のような酸の存在下において解重合をより受けやすいようになる。或いは、又は弱い結合を与えるのに加えて、かかる更なるジオールbは、得られるポリカーボネートポリマーのTgを変化させることができ、例えばそのTgを低下又は上昇させることができる。しかしながら、かかる更なるジオールはまた、ポリマーのキャリア溶媒相溶性を変化させて、これによって更なるジオールが導入されたポリマーの溶解度を増加又は減少させる可能性もある。更には、かかる更なるジオールはまた、得られるポリカーボネートポリマーの接着性を変化させる可能性もあることを認識すべきである。0042随意的な更なるジオールモノマーとしては、次式D、E、及びFによって表される多環式ジオールモノマーが挙げられる。0043式D、E、及びFによって表されるそれぞれの更なる多環式ジオールモノマーに関して独立して、mは0、1、又は2であり;Z及びZ’は、それぞれ独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択され;Zは-CH-であり;R7、R8、R9、及びR10は、それぞれの場合において独立して水素及びヒドロカルビル基から選択され;R11及びR12は、それぞれの場合において独立して-CH2p-OHここで、R11及びR12に関しては、pはそれぞれの場合において独立して、0、1、2、又は3から選択されるから選択され;それぞれのZ’は、存在する場合には、それぞれZ又はZの配向と同じか又は反対に配向している。0044式D、E、及びFに関しては、それぞれのZ基及びZ基は頁の外へ上向きに伸びるように示される。式Dに関しては、それぞれのZ’は、存在する場合には、それぞれのmに関して独立して、Zの配向に対して同じか又は反対の配向を有する。式E及びFに関しては、それぞれのZ’は、存在する場合には、それぞれのmに関して独立して、Zの配向に対して同じか又は反対の配向を有する。0045それからR7~R10をそれぞれ独立して選択することができるヒドロカルビル基としては、本明細書において上記に列記した種類及び例のものが挙げられるが、これらに限定されない。式D~Fのそれぞれに関し、本発明の幾つかの態様においては、R7~R10の少なくとも1つは、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから独立して選択される基であり、かかる非水素基からは選択されない他の1つ又は複数のR7~R10基は、存在する場合にはそれぞれ水素である。それからR7~R10基のそれぞれを選択することができるアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルの例としては、R1~R4に関して本明細書において上記に列記した種類及び例のものが挙げられるが、これらに限定されない。0046更なる幾つかの態様においては、式D~Fのそれぞれに関し、mは0であり;R7~R10の3つはそれぞれ水素であり;R7~R10の1つは、独立してアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びアラルキルから選択され、Z又はZに対してエキソ配向している。例示の目的で、m=0の場合には、Zは-CH2-であり、R7、R8、及びR9はそれぞれ水素であり、R10は非水素エキソ基であり、R11及びR12はそれぞれ、式Dに関しては-CH2OHであり、式E及びFに関しては-OHであり、式D~Fは、次式:D1、E1、及びF1によって表すことができる。更なる例示の目的で、m=0の場合には、Zは-CH2-であり、R8、R9、及びR10はそれぞれ水素であり、R7は非水素エキソ基であり、R11及びR12はそれぞれ、式Dに関しては-CH2OHであり、式E及びFに関しては-OHであり、式D~Fは、次式:D1’、E1’、及びF1’によって表すことができる。具体的に示していない限りにおいては、ここで示す全ての式は、そのエナンチオマー及びジアステレオマー類縁体を含むことが理解されるであろう。0047随意的な更なるジオールモノマーとしては、次式Gによって表される多環式ジオールモノマーが挙げられる。0048式Gによって表される多環式ジオールに関しては、Z、R11及びR12は、それぞれ式E~Fに関して本明細書において上記に記載したものである。0049随意的な更なるジオールモノマーとしては、次式I~XIIによって表される環式ジオールモノマーが挙げられる。0050式X及びXIIに関しては、R13は、独立して、C1~C6線状アルキル又はC3~C6分岐アルキルなどしかしながらこれらに限定されないのC1~C6アルキルから選択される。0051随意的な更なるジオールモノマーとしては、次式XIVa、XIVb、及びXIVcによって表される多環式ジオールモノマーが挙げられる。0052更なる随意的なポリオールモノマーとしては、2、3、又は4つのヒドロキシル基などしかしながらこれらに限定されないの2つ以上のヒドロキシル基を有するヒドロカルビルが挙げられるが、これらに限定されない。随意的なジオールモノマーの例としては、1,2-エチレンジオール、1,3-プロピレンジオール、及び1,2-プロピレンジオールのようなC1~C25線状又は分岐アルキレンジオール;並びに、ジ、トリ、テトラ、及びより高級のエチレングリコール、ジ、トリ、テトラ、及びより高級のプロピレングリコールのようなポリアルキレングリコール;が挙げられるが、これらに限定されない。2つより多いヒドロキシル基を有する随意的なポリオールモノマーは、通常は、ヒドロキシル官能性モノマーの全モルを基準として10モル未満、又は5モル未満などしかしながらこれらに限定されないの少量で存在する。2つより多いヒドロキシル基を有するポリオールモノマーの例としては、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、及びジトリメチロールプロパンが挙げられるが、これらに限定されない。幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは2つより多いヒドロキシル基を有するポリオールモノマーからは誘導されない。0053式A、B、及びCによって表される多環式2,3-ジオールモノマーは、当該技術において認められている方法によって製造することができる。非限定的な例示の目的で、式Aによって表される多環式シス-エキソ2,3-ジオールモノマーは、下記の合成式1ここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5及びR6はそれぞれ-CH2OHであるにしたがって製造することができる。0054合成式1を参照すると、エンド-2,3-ノルボルネンジカルボン酸無水物エンド-ナジック酸無水物とも呼ばれる1aを、140~210°Cの温度に、溶融後15分間乃至24時間のような十分な時間曝露し、続いて酢酸エチル又はトルエンから2回以上再結晶のような繰り返し再結晶を行って、エキソ-2,3-ノルボルネンジカルボン酸無水物エキソ-ナジック酸無水物とも呼ばれる1bを形成する。水素ガスH2、多孔質炭素上に担持されているパラジウム触媒Pd/C、及び酢酸エチルEtOAcの存在下でシス-エキソ-ナジック酸無水物1bを水素化することによって、エキソ-2,3-ノルボルナンジカルボン酸無水物1cを形成させる。水素化リチウムアルミニウムLiAlH4及びエチルエーテルEt2Oの存在下でエキソ-2,3-ノルボルナンジカルボン酸無水物1cを還元することによって、シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノールA2を形成させる。0055更なる非限定的な例示の目的で、式Bによって表される多環式シス-エンド2,3-ジオールモノマーは、下記の合成式2ここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5及びR6はそれぞれ-CH2OHであるにしたがって製造することができる。0056合成式2を参照すると、シス-エンド-2,3-ノルボルネンジカルボン酸無水物エンド-ナジック酸無水物とも呼ばれる1aを、水素ガスH2、多孔質炭素上に担持されているパラジウム触媒Pd/C、及び酢酸エチルEtOAcの存在下で水素化して、エンド-2,3-ノルボルナンジカルボン酸無水物2aを形成させる。水素化リチウムアルミニウムLiAlH4及びエチルエーテルEt2Oの存在下でエンド-2,3-ノルボルナンジカルボン酸無水物2aを還元することによって、シス-エンド-2,3-ノルボルナンメタノールB2を形成させる。0057式Cによって表される多環式エンド-エキソ-2,3-ジオールモノマーは、非限定的な例示の目的で与える下記の合成式3ここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5及びR6はそれぞれ-CH2OHであるにしたがって製造することができる。0058合成式3を参照すると、シクロペンタジエン3aとフマル酸ジエチル3bを、0°Cのような低下した温度においてディールスアルダー反応によって一緒に反応させて、エンド-エキソ-2,3-ノルボルネンビスエチルカルボキシレート3cを形成する。水素ガスH2、多孔質炭素上のパラジウム触媒Pd/C、及び酢酸エチルEtOAcの存在下でエンド-エキソ-2,3-ノルボルネンビスエチルカルボキシレート3cを水素化して、エンド-エキソ-2,3-ノルボルナンビスエチルカルボキシレート3dを形成させる。水素化リチウムアルミニウムLiAlH4及びエチルエーテルEt2Oの存在下でエンド-エキソ-2,3-ノルボルナンビスエチルカルボキシレート3dを還元して、エキソ-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノールC2を形成させる。0059式Aによって表される多環式シス-エキソ-2,3-ジオールモノマーは、非限定的な例示の目的で与える下記の合成式4ここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5は-OHであり、R6は-CH2OHであるにしたがって製造することができる。0060合成式4を参照すると、無水酢酸Ac2O及び触媒量の硫酸H2SO4の存在下で、ヘキサヒドロ-4H-5,8-メタノベンゾ[d]-エキソ-[1,3]ジオキサン4aを、シス-エキソ-3-アセトキシノルボルン-2-イルメチルアセテート4b及びシス-エキソ-3-アセトキシノルボルン-2-イルメトキシメチルアセテート4cに転化させる。中間体4a及び4bを、水及び触媒量の水酸化ナトリウムNaOHの存在下で、シス-エキソ-3-ヒドロキシルメチルノルボルナン-2-イルA3に転化させる。0061式Bによって表される多環式シス-エンド-2,3-ジオールモノマーは、非限定的な例示の目的で与える下記の合成式5ここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5は-OHであり、R6は-CH2OHであるにしたがって製造することができる。0062合成式5を参照すると、ヘキサヒドロ-4H-5,8-メタノベンゾ[d]-エンド-[1,3]ジオキサン5aを、無水酢酸Ac2O及び触媒量の硫酸H2SO4の存在下で、シス-エンド-3-アセトキシノルボルン-2-イルメチルアセテート5b及びシス-エンド-3-アセトキシノルボルン-2-イルメトキシメチルアセテート5cに転化させる。水及び触媒量の水酸化ナトリウムNaOHの存在下で、中間体5a及び5bをシス-エンド-3-ヒドロキシメチルノルボルナン-2-イルB3に転化させる。0063式D、E、F、及びGによって表される随意的な多環式ジオールは、当該技術において認められている方法によって製造することができる。非限定的な例示の目的で、式Fによって表される随意的な多環式ジオールは、下記の合成式6ここでは、mは0であり、R7~R10はそれぞれ水素であり、Zは-CH2-であり、R11は-OHであり、R12は-CH2OHであるにしたがって合成することができる。0064合成式6を参照すると、ギ酸HCOOH、硫酸H2SO4、及びホルムアルデヒドH2COの存在下で、2,3-ノルボルネン6aを2-ホルミルオキシノルボルン-7-イル-エキソ-メチルホルメート6bに転化させる。次に、中間体6bを、水酸化ナトリウムNaOH及びメタノールMeOHの存在下で7-ヒドロキシメチルノルボルナン-2-エキソ-オールF1に転化させる。0065本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様は、当該技術において認められている方法によって製造することができる。例えば、本発明の幾つかの態様によるポリカーボネートポリマーは、式A、B、又はCによって表される1種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーを、カルボニルハロゲン化物X2C=Oここで、それぞれのXは独立してハロ基から選択されると反応させるカルボニルハロゲン化物経路によって製造することができる。カルボニルハロゲン化物の例としては、ホスゲンここでは、それぞれのXはクロロClであるが挙げられるが、これに限定されない。或いは、本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様に関しては、式A、B、又はCによって表される1種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーを、N,N-カルボニルジイミダゾールと反応させるカルボニルジイミダゾール経路を用いることができる。0066通常は、本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様に関しては、式A、B、又はCによって表される1種類以上の多環式2,3-ジオールモノマーを、ジエチルカーボネートのようなジアルキルカーボネート、ジフェニルカーボネートのようなジアリールカーボネート、及び/又はアルキル-アリールカーボネートと反応させるカーボネート経路を用いることができる。本発明による幾つかの態様の非限定的な例示の目的で、ポリカーボネートポリマーは下記の合成式7にしたがって製造することができる。0067合成式7を参照すると、シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノールモノマーA2を、ナトリウムエトキシドNaOEt及びエタノールEtOHの存在下でジエチルカーボネート7aと反応させて、ポリシス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール7bここで、yは繰り返し単位の数であるを形成させる。シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノールモノマーA2は、式Aによる多環式2,3-ジオールモノマーここでは、nは0であり、R1~R4はそれぞれ水素であり、Xは-CH2-であり、R5及びR6はそれぞれ-CH2OHであるである。0068本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、式A、B、又はCの1つから誘導される単一のタイプの繰り返し単位を含むホモポリマーのようなホモポリマー、又はランダムコポリマー、又はブロックコポリマー、又は交互コポリマーこれらは、或いは本明細書においてランダムポリマー、ブロックポリマー、及び交互ポリマーと呼ぶから選択することができる。本発明によるランダム、ブロック、及び交互ポリカーボネートコポリマーの幾つかの態様には、式A、B、又はCの少なくとも1つから誘導される2以上のタイプの繰り返し単位を含ませることができる。0069本発明による幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは広範囲の分子量を有することができる。例えば、幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、2000~250,000、又は8000~100,000、又は9000~60,000の重量平均分子量Mwの値を有することができる。0070本発明による幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、0°C~200°C、又は50°C~180°C、又は60°C~175°CのTg値などしかしながらこれらに限定されないの広範囲のガラス転移温度Tgを有することができる。0071本発明による幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、ポリマーが気化する温度気化温度又は劣化温度又は分解温度と呼ぶこともできるに関して特徴付けることができる。幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーの気化温度は、その5Td5、50Td50、及び95Td95分解温度に関して定量化することができる。かかる値は、5、50、及び95の重量損失が観察される温度である。かかる分解温度は、通常は熱重量分析TGAによって求められ、ポリマー単独に関して、その活性化の前又は後の光酸発生剤の存在下でのポリマーに関して、或いは一般にその活性化後の熱酸発生剤の存在下でのポリマーに関して求めることができる。0072本発明による幾つかの態様はまた、本明細書において上記に記載した1種類以上のポリカーボネートポリマー;並びに、少なくとも1種類の光酸発生剤PAG及び/又は少なくとも1種類の熱酸発生剤TAGから選択される酸発生剤;を含む犠牲ポリマー組成物も提供する。本発明による犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様には、本発明による単一のポリカーボネートポリマー又は2種類以上のポリカーボネートポリマーの幾つかの態様を含ませることができる。0073本発明の幾つかの態様に関しては、犠牲ポリマー組成物には、本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様の組合せを含ませることができる。犠牲ポリマー組成物には、式A及びBの両方によって表される多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む第1のポリカーボネートポリマー;並びに、式Cによって表される多環式2,3-ジオールモノマーから誘導される繰り返し単位を含む第2のポリカーボネートポリマー;を含ませることができる。0074本発明による犠牲組成物の幾つかの態様において用いる光酸発生剤は、紫外光などしかしながらこれに限定されないの化学線、及び/又は少なくとも100°Cの温度などしかしながらこれに限定されないの昇温温度に曝露した後に、プロトン酸などしかしながらこれに限定されないの酸を発生させる。本発明の犠牲組成物の幾つかの態様において用いる熱酸発生剤は、少なくとも100°Cの温度などしかしながらこれに限定されないの昇温温度に曝露した後に、プロトン酸などしかしながらこれに限定されないの酸を発生させる。幾つかの態様に関しては、熱酸発生剤は、光酸発生剤などしかしながらこれに限定されないの光活性でもある熱酸発生剤から選択される。幾つかの態様に関しては、熱酸発生剤は、光酸発生剤ではない熱酸発生剤などしかしながらこれに限定されないの光活性ではない熱酸発生剤から選択される。0075本発明による犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様に含ませることができる光酸発生剤及び熱酸発生剤は、1種類以上の酸を発生させて、これによって、本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様の接触解重合などしかしながらこれに限定されないの解重合を引き起こす。本明細書において用いる解重合という用語は、ポリカーボネートポリマーを、それぞれ解重合の前のポリカーボネートポリマーの分子量よりも小さい分子量を有するより小さい単位に少なくとも部分的に分解することを意味する。概して解重合の前のポリマーのものと異なる特性を有する解重合された単位としては、それからポリマーを誘導したモノマー;ポリカーボネートオリゴマー;ヒドロキシル末端多環式カーボネートオリゴマー;多環式カーボネート;多環式エーテル;環式カーボネート;及び/又はCO及び/又はCO2などしかしながらこれらに限定されないの気体;が挙げられるが、これらに限定されない。0076非限定的な例示の目的で、式Aによって表される多環式2,3-ジオールここでnは0であり、Xは-CH2-であり、R1~R4はそれぞれ水素であるから誘導されるポリカーボネート又はポリカーボネートセグメントを解重合して、多環式の環内に少なくとも1つのカーボネート結合を含む多環式カーボネート;及び/又は多環式の環内に少なくとも1つのエーテル結合を含む多環式エーテル;を形成する反応を、下式8によって表す。式8においては、光酸発生剤及び/又は熱酸発生剤によって生成したプロトン酸のような酸の存在下にポリカーボネートを配し、及び場合によっては昇温温度を用いることによって、ポリカーボネートの少なくとも部分的な解重合を引き起こす。0077式8によって示される多環式カーボネート及び/又は多環式エーテルは、昇温温度これは、本明細書において或いは気化温度とも呼ぶを同時か又はその後に適用することによって気化させる。本発明の幾つかの態様に関しては、多環式カーボネート及び/又は多環式エーテルのような気化した解重合単位は、本明細書において更に詳細に記載するように、オーバーコート層を通して透過する。式1~8のいずれに関しても、適当な場合にはかかる反応は大気圧又はそれより低い圧力で行うことができることを認識すべきである。0078本発明の幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーに、多環式ジオールモノマーDから誘導される1種類以上のモノマー単位を含ませることができる。酸の存在下において、及び場合によっては昇温温度を用いてかかるポリカーボネートポリマーを少なくとも部分的に解重合することによって、それぞれ下式D-DU-1及びD-DU-2によって表される1種類以上の多環式カーボネート及び/又は多環式エーテル解重合単位を形成することができる。0079幾つかの態様に関しては、式:D-DU-1及びD-DU-2のそれぞれに関し、少なくとも1つのpは少なくとも1である。式D-DU-1及びD-DU-2によって表される気化した解重合単位は、本明細書において更に詳細に記載するように、オーバーコート層を通して透過することができる。0080犠牲組成物中に含ませることができる光酸発生剤は、例えばハロニウム塩及び/又はスルホニウム塩から選択することができる。本発明による犠牲組成物の幾つかの態様において含ませることができる光酸発生剤の例としては、4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート;ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフレート;ジ4-tert-ブチルフェニルヨードニウムビスペルフルオロメタンスルホニルイミド;ジ4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリスペルフルオロメタンスルホニルメチド;トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート;トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート;トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート;トリフェニルスルホニウムビスペルフルオロメタンスルホニルイミド;トリフェニルスルホニウムトリスペルフルオロメタンスルホニルメチド;トリス[4-[4-アセチルフェニルチオ]フェニル]スルホニウムトリストリフルオロメチルスルホニルメタニド商品名:GSID261;トリフェニルスルホニウムトリス[トリフルオロメチルスルホニル]メタニド商品名:TPSC1;トリフェニルスルホニウム4,4,5,5,6,6-ヘキサフルオロジヒドロ-4H-1,3,2-ジチアジン-1,1,3,3-テトラオキシド商品名:TPSN3;及びこれらの2以上の組合せ;が挙げられるが、これらに限定されない。GSID261はBASFCorporationから商業的に入手できる。TPSC1及びTPSN3はDayChemLaboratoriesIncから商業的に入手できる。0081本発明による犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様において含ませることができる熱酸発生剤としては、アンモニウム、ピリジニウム、ヨードニウムなどしかしながらこれに限定されないのハロニウム、及びスルホニウムから選択されるカチオン、並びに弱配位アニオン;N-スルホキシイミド;及びこれらの2以上の組合せ;を含む熱酸発生剤が挙げられるが、これらに限定されない。弱配位アニオンの例としては、-2以下のpKa値を有していてよい強酸のアニオンが挙げられ、ヘキサフルオロアルセネートAsF6-;ヘキサフルオロアンチモネートSbF6-;ヘキサフルオロホスフェートPF6-;ペルフルオロアルキルスルホネート、例えばトリフルオロメタンスルホネートCF3SO3-、ペルフルオロブチルスルホネートC4F9SO3-、及びペルフルオロオクチルスルホネートC8F17SO3-;ビスペルフルオロアルキルスルホニルイミドアニオン、例えばビストリフルオロメチルスルホニルイミドアニオン:CF3SO22N-;トリスペルフルオロアルキルスルホニルメチド、例えばトリストリフルオロメチルスルホニルメチド:CF3-SO23C-;テトラキスペンタフルオロフェニルボレート:C6F54B-;テトラキス3,5-ペルフルオロアルキルフェニルボレート、例えばテトラキス3,5-トリフルオロメチルフェニルボレート:3,5-CF32C6H34B-;及びこれらの2以上の組合せ;が挙げられるが、これらに限定されない。0082それから熱酸発生剤を選択することができるアンモニウム塩は、次の一般式:TGA-1によって表すことができる。0083式:TGA-1に関して,R14R15R16R17Nはアンモニウムカチオンを表し、ここでR14、R15、R16、及びR17は、それぞれ独立して水素及びヒドロカルビルから選択される。幾つかの態様においては、R14、R15、R16、及びR17の1つ以下は水素から選択される。幾つかの態様においては、R14、R15、R16、及びR17のそれぞれは独立してヒドロカルビルから選択され、R14、R15、R16、及びR17のいずれも水素ではない。それからそれぞれのR14、R15、R16、及びR17を独立して選択することができるヒドロカルビルとしては、本明細書において上記に記載した種類及び例のものが挙げられる。式:TGA-1の記号A-は、本明細書において上記に記載した種類及び例のものから選択することができる弱配位アニオンを表す。0084式:TGA-1を更に参照すると、R14、R15、R16、及びR17の少なくとも1つは、-O-R25ここで、R25はヒドロカルビル基であるによって表されるエーテル基を含む。幾つかの態様に関しては、R14及びR15はそれぞれメチル-CH3であり、R16はフェニル-C6H5であり、R17は4-メトキシベンジル:である。0085それから熱酸発生剤を選択することができるピリジニウム塩は、次の一般式:TAG-2によって表すことができる。0086式TAG-2を参照すると、R18zC5H5-zN-R19はピリジニウムカチオンを表し、ここで、R18は、存在する場合にはそれぞれのzに関して独立してヒドロカルビルから選択され、R19は独立してヒドロカルビル又は水素から選択され、zは、0~5、例えば0、1、2、3、4、又は5である。それからR18及びR19のそれぞれを独立して選択することができるヒドロカルビルとしては、本明細書において上記に記載した種類及び例のものが挙げられる。式:TAG-2の記号A-は、本明細書において上記に記載した種類及び例のものから選択することができる弱配位アニオンを表す。0087それから熱酸発生剤を選択することができるN-スルホキシイミドとしては、次の一般式:TAG-3によって表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。0088式:TAG-3に関して、R26は少なくとも2つの隣接する炭素を有するヒドロカルビル結合基であり、R26の少なくとも2つの隣接する炭素は、場合によっては、非芳香環、多環式環、及び芳香環から選択される縮合環がそれに結合しており、R20はハロヒドロカルビル及びペルハロカルビルから選択される。それから熱酸発生剤を選択することができるN-スルホキシイミドの例としては、次の一般式TAG-4~TAG-8によって表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。0089一般式TAG-3~TAG-8を参照すると、R20は、それぞれの場合において独立してハロヒドロカルビル基を表す。一態様においては、一般式:TAG-3~TAG-8のR20は、独立して、ペルフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘプチル、及びペルフルオロオクチルなどしかしながらこれらに限定されないのペルハロカルビル基を表す。一態様においては、一般式:TAG-3~TAG-8のR20はトリフルオロメチルである。0090一般式:TAG-6及びTAG-7を参照すると、Yは、それぞれの場合において独立して、-CH2-、-CH2-CH2-、及び-O-から選択される。幾つかの態様に関しては、一般式:TAG-6及びTAG-7のYは、それぞれの場合において独立して-CH2-及び-O-から選択される。0091それから熱酸発生剤のカチオンを選択することができるハロニウム及びスルホニウムカチオンとしては、当業者に公知のものが挙げられる。通常は、ヨードニウムなどしかしながらこれに限定されないのハロニウムカチオンは、フェニル或いは4-tert-ブチルフェニルなどしかしながらこれらに限定されないの置換フェニル基などしかしながらこれに限定されないの2つのアリール基で置換されている。スルホニウムカチオンは、通常は、フェニル或いは4-tert-ブチルフェニルなどしかしながらこれに限定されないの置換フェニル基などしかしながらこれらに限定されないの3つのアリール基で置換されている。ハロニウム及びスルホニウムカチオンの例としては、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム及びトリフェニルスルホニウムなどしかしながらこれらに限定されないの、光酸発生剤に関して本明細書において上記に列記したものが挙げられるが、これらに限定されない。0092それから熱酸発生剤を選択することができるスルホニウム塩としては、次の一般式:TAG-9によって表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。0093一般式:TAG-9を参照すると、R21は、それぞれのpに関して独立して、ハロ基、ヒドロカルビル基、又はR24-O-ここで、R24はヒドロカルビル基であるから選択することができ、pは0~4、例えば0、1、2、3、又は4である。一般式:TAG-9の基R22及びR23は、それぞれ独立してヒドロカルビルから選択することができ、或いは5又は6員環などしかしながらこれらに限定されないの環を一緒に形成していてよい。例えば、R22及びR23は、それぞれ独立して、メチル、エチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及び2-ノルボルニルから選択することができる。一般式:TAG-9のT基は、-CH2-、-C2H4-、又は-CH2-O-から選択することができる。式:TAG-9の記号A-は、本明細書において上記に記載した種類及び例のものから選択することができる弱配位アニオンを表す。0094本発明による幾つかの態様に関しては、ポリカーボネートポリマーは、犠牲ポリマー組成物の全重量を基準として1~99.5重量、又は1~75重量、又は1~60重量の量で犠牲ポリマー組成物中に存在させることができる。の重量の残りは、キャリア溶媒、光酸発生剤及び/又は熱酸発生剤、並びに、随意的な酸化防止剤、随意的な酸化防止剤相乗剤、随意的な共溶媒、及び/又はギ酸のような随意的なフラックス剤などしかしながらこれらに限定されないの随意的な成分によって構成される。0095本発明による幾つかの態様に関しては、光酸発生剤及び/又は熱酸発生剤は、それぞれ独立して、犠牲ポリマー組成物の全重量を基準として0.5~6重量、又は0.75~4重量、又は1~3重量の量で犠牲ポリマー組成物中に存在させることができる。0096本発明による幾つかの態様に関しては、犠牲ポリマー組成物には、場合によって1種類以上の溶媒を更に含ませることができる。溶媒は、犠牲ポリマー組成物の全重量を基準として10~99重量、又は40~90重量、又は50~80重量の量で存在させることができる。犠牲ポリマー組成物中に含ませることができる溶媒の例としては、アセトニトリル、アセトフェノン、α-アンゲリカラクトン、アニソール、γ-ブチロラクトン、酢酸ブチル、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、デカヒドロナフタレン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、2-ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、メシチレン、2-メトキシエチルエーテル、1-メチル-2-ピロリジノン、2-メチルテトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフルフリルエーテル、γ-オクタノラクトン、炭酸プロピレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン、及びこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。0097本発明による幾つかの態様に関しては、犠牲ポリマー組成物は、概してポジ型の材料である感光性犠牲ポリマー組成物であってよい。感光性犠牲ポリマー組成物は、通常は、シリコンチップ又はウエハのような基材の上に被覆の形態で施して、その上に層又は膜を形成する。通常は、かかる層を形成した後、組成物を適当な波長及びエネルギーの化学線に像様露光する。ポジ型の感光性犠牲ポリマー組成物の場合においては、フォトマスクを通過した化学線に露光された部分は、溶剤洗浄又は熱分解などしかしながらこれらに限定されないの現像工程中に除去され、未露光の部分は基材上に残留する。0098フォトマスクはグレースケールのフォトマスクであってよい。グレースケールのフォトマスクは、光学密度プロファイルを下層の感光性犠牲ポリマー組成物中にエンコードし、それによってその中に三次元の光で画定された構造を画定する。グレースケールのフォトマスクを通過した化学線は、通常は下層の感光性犠牲ポリマー組成物中に可変の深度で侵入して、それによってその後に現像される被覆内に三次元構造を形成する。0099本発明の感光性組成物の幾つかの態様は、一般に、本明細書において上記に記載した光酸発生剤を含む。本明細書において上記で議論したように、適当な波長及びエネルギーの化学線に露光することによって、光酸発生剤は酸を発生し、これによって犠牲ポリカーボネートポリマーの少なくとも部分的な解重合が引き起こされる。かかる解重合の結果として露光した領域の分解温度の低下が起こり、一方、未露光の部分は解重合されず、ポリマーの元の分解温度を保持する。一般に、かかる解重合はまた、露光した領域の溶解度を未露光の領域と比べて増加させ、これにより溶解に基づくパターン現像プロセスを用いることが可能になる。0100本発明によるポリカーボネートポリマーの幾つかの態様に関して本明細書において上記で議論したように、本発明による犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様は、ポリマーが解重合又は分解する温度に関して特徴付けることができる。この温度は、犠牲ポリマーの解重合温度又は分解温度と呼ぶことができる。かかる温度は、本明細書において上記に記載したTd50分解温度に関して定量化することができる。0101更に本発明の幾つかの態様によれば、構造を形成する方法も提供される。この構造形成方法は、基材の表面上に三次元構造を形成することを含み、ここで三次元構造は、通常は上記に記載の犠牲ポリマー組成物を含む。次に、オーバーコート層を三次元構造の上に施す。かかるオーバーコート層が、光酸発生剤を活性化することができる適当な波長の放射線に対して実質的に透明である場合には、かかる光への露光を用いてかかる酸発生剤を活性化することができるが、多くの光酸発生剤は熱によっても活性化されるので、一般に、上記記載の三次元構造を有する基材を、犠牲ポリマーの解重合、及びかかる解重合の生成物の分解を引き起こすのに十分な昇温温度に加熱する。かかるプロセスによって、オーバーコート層と基材との間に挟まれている三次元空間ここには、かかる犠牲ポリマーの三次元構造がこれまで存在していたが形成される。かかる空間は、少なくとも部分的に解重合したポリマー及びその解重合生成物が気体成分へ転化して、オーバーコート層を通して透過する結果である。かかるオーバーコート層が実質的に不透明である場合には、上記記載の三次元構造は光源に露光されず、適当な昇温温度への加熱によって直接分解される。この昇温温度は、オーバーコート層及び基材の分解温度未満である。0102三次元構造及び対応する三次元空間は、それぞれ独立して、高さ、長さ、及び/又は幅のような任意の好適な寸法を有することができる。三次元構造及び対応する三次元空間は、それぞれ独立して、0.01~200μmの高さ;0.01~10,000μmの幅;及び0.01μm~100mの長さ;を有することができる。本発明の幾つかの態様による方法において、複数の相互接続三次元構造/三次元空間などしかしながらこれらに限定されないの複数の三次元構造/三次元空間を形成して、x、y、及び/又はz面において複数の屈曲部及び/又は湾曲部を含んでいてよい、より大きいか及び/又はより複雑な三次元構造/三次元空間を生成させることができる。0103オーバーコート層は、それを通して犠牲ポリマーの任意の分解生成物が透過することを可能にする特性を有しているならば、任意の好適な厚さを有していてよい。通常は、オーバーコート層は、1~500μm、又は2~300μm、又は5~100μmの厚さを有する。0104本発明による幾つかの犠牲ポリマー組成物の態様においては、光酸発生剤及び熱酸発生剤の両方を存在させる。かかる態様に関しては、熱酸発生剤は、構造をオーバーコートした後に露光工程を必要としないで有効な昇温温度に加熱することによって犠牲ポリマー組成物から形成される三次元構造の分解を確保するために与える。かかる昇温温度は、幾つかの態様に関しては50°C~450°Cであり、幾つかの他の態様に関しては80°C~250°Cであり、更に他の態様に関しては70°C~150°Cである。0105本発明の更なる態様によれば、第1の基材と第2の基材を一時的に一緒に結合させる方法が提供される。この一時的結合方法は、第1の基材、第2の基材、及び第1の基材と第2の基材の間に挟まれている一時的結合層を含む多相構造を形成し、有効な量の圧力及び/又は熱を加えて、第1の基材を第2の基材に固定して結合させることを含む。一時的結合層は、上記に記載の本発明の犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様を含む。かかる一時的結合層は、或いは一時的接着層と呼ぶことができる。0106かかる基材を固定して結合させた後に第1及び第2の基材を切り離すか又は分離するために、犠牲ポリマー組成物の酸発生剤を活性化させ、それによって酸を発生させ、これによってポリカーボネートポリマーを少なくとも部分的に解重合してポリマーの分子量の低下を引き起こし、それによって一時的結合層を少なくとも部分的に分解させる。この結合層の分解の結果として、任意の適当で有効なプロセスによって、例えばスライドオフ又はウェッジオフ剥離プロセスによって、基材を互いから有効に分離することができる。かかる分離は、一般に一方又は両方の基材上に結合層の残渣を残留させるが、有利なことに、解重合したポリマーの残渣は、1解重合したポリマーの残渣の分解の気体状生成物を形成するのに十分な昇温温度に基材を加熱するか、2基材を適当な水性及び/又は有機溶媒ですすぐことの一方又は両方によって容易に除去される。上述のように、かかる解重合を行う昇温温度は、第1の基材の分解温度未満で、且つ第2の基材の分解温度未満である。0107一時的結合層は、基材を接合して結合層を挟み込んで多層構造を形成する前に、被覆又は膜の形態で基材の一方又は両方のいずれかの表面に施すことができる。一時的結合層は、本明細書において上記に記載したものなどしかしながらこれらに限定されないの任意の適当な被覆法を用いてかかる1つ又は複数の表面に施すことができる。第1及び第2の基材は、その間に挟まれている一時的結合層と共に、多層構造として任意の適当なプロセス例えばウエハ薄化又は平坦化にかけて、次に上記記載のウェッジオフ又はスライドオフプロセスのいずれかによって剥離させることができる。0108本発明による犠牲ポリマー組成物の幾つかの態様には、場合によっては、熱及び/又は光で活性化させる架橋剤を含ませることができる。架橋剤は、犠牲ポリマー組成物内に三次元架橋ネットワークを形成し、これによって上昇したポリマー分解温度を与えることができる。この架橋したポリマーは、上昇した分解温度が有利である種々のマイクロエレクトロニクスデバイス例えばMEMSデバイスの製造のために有用である。0109第1及び第2の基材は、それぞれ独立して、銅、アルミニウム、鋼、及び金属合金などしかしながらこれらに限定されないの金属;二酸化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化アルミニウムなどしかしながらこれらに限定されないの無機材料;架橋有機ポリマー組成物などしかしながらこれに限定されないの有機ポリマーなどしかしながらこれに限定されないの有機材料;並びにこれらの2以上の組合せ;などしかしながらこれらに限定されないの任意の好適な材料から選択することができる。第1及び/又は第2の基材は、一時的に互いに対して結合している間に、通常は化学的機械的研磨又は平坦化などしかしながらこれらに限定されないの機械加工などしかしながらこれらに限定されないの方法によって加工する。特に、第1の基材の第1の表面及び/又は第2の基材の第2の表面を加工する。幾つかの態様に関しては、第2の基材はダイであり、第1の基材は半導体ウエハである。半導体ウエハ/第1の基材をウエハ薄化プロセスにかける場合には、半導体ウエハの活性表面は第1の基材の第2の表面に対応し、第2の基材の第1の表面の反対側に向いている。半導体ウエハ/第1の基材をウエハ平坦化プロセスにかける場合には、半導体ウエハの活性表面は第1の基材の第1の表面に対応し、したがって第2の基材の外側に向いている。0110本発明の幾つかの態様による犠牲ポリマー組成物、ポリカーボネートポリマー、及び方法は、マイクロプロセッサーチップ、通信チップ、及びオプトエレクトロニクスチップなどしかしながらこれらに限定されないのマイクロエレクトロニクス;マイクロ流体;センサー;及びマイクロクロマトグラフィー装置などしかしながらこれに限定されないの分析装置;などしかしながらこれらに限定されないの数多くの用途において又はこれらと組み合わせて用いることができる。0111以下の実施例は例示の目的のものであり、いかなるようにも本発明を限定することは意図しない。ポリマー骨格中に含ませる繰り返し単位の比はモル重量で与え;ガラス転移データTgを与える場合には、かかるデータは10°C/分の加熱速度での示差走査熱量測定によって求め;熱分解データを与える場合には、かかるデータ通常は、Td5、Td50、及びTd95値は、10°C/分の加熱速度での熱重量分析によって求め;分子量を与える場合には、他に示さない限りにおいて、これはポリスチレン標準試料を用いるゲル透過クロマトグラフィーGPCによって求めた。0112下記の重合実施例1~12に記載の合成手順にしたがって、本発明の幾つかの態様によるポリカーボネートポリマーを調製した。かかるポリカーボネートポリマーの特性をそれと共に含まれている表にまとめる。組成物実施例A~Fに示すように、重合実施例1~4及び8のポリマーを用いて、本発明の幾つかの態様による犠牲ポリマー組成物を調製した。膜評価実施例1~7は、上述の組成物の幾つかの態様から形成された膜の特性を示す。重合実施例1:シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール及びシス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール:0113適当な寸法で適当に装備した多口反応容器に、22.5gのシス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール144ミリモル、15.0gのシス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール96ミリモル、51.3gの炭酸ジフェニル240ミリモル、及び12mgの水素化リチウム1.5ミリモルを加えた。容器の内容物を、窒素スイープ下において反応溶液を形成するのに十分な時間120°Cに加熱してその温度に保持し、次に窒素下において一定の撹拌を行いながら2時間その温度に保持した。次に、反応容器の圧力を等温的に10kPaに低下させ、更に1時間撹拌を継続した。次に、容器の圧力を更に等温的に0.5kPaに低下させ、更に1.5時間撹拌し、続いて反応溶液の温度を180°Cに上昇させ、撹拌しながらその温度を更に1.5時間保持した。次に、反応容器の内容物を室温に冷却し、撹拌しながらテトラヒドロフラン800mLを加え、得られた溶液を濾過した。次に、濾液を8Lの9:1のメタノール:水の溶液に滴加して、所望のポリマーを沈殿させた。沈殿物を単離して、それを更に4Lの9:1のメタノール:水の溶液で洗浄した後、ポリマーを一定重量まで乾燥した。30.7gのポリマーが得られた。ポリマー収率は70であり、その分子量Mwは41,000であり、多分散指数PDIは1.70であった。重合実施例2:1,2-シクロヘキサンジオール及びシス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール:0114反応容器に、20.5gの1,3-シクロヘキサンジオール176ミリモルTCIAmericaPortlandOR;15.5gのシス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール99ミリモル;56.6gの炭酸ジフェニル264ミリモル;及び13.2mgの水素化リチウム1.7ミリモル;を充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。28.1gのポリマーが69の収率で得られた。ポリマーは、47,000のMw及び1.75のPDIを有することが分かった。重合実施例3:1,3-シクロヘキサンジオール及びシス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール::0115反応容器に、19.2gの1,3-シクロヘキサンジオール165ミリモル、TCIAmerica;14.5gのシス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール93ミリモル;53gの炭酸ジフェニル248ミリモル;及び10.1mgの水素化リチウム1.3ミリモル;を充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。28.7gのポリマーが76の収率で得られた。ポリマーのMwは38kであり、1.61のPDIを有していた。0116重合実施例1~3から得られたポリカーボネートの特性を、下表1及び2にまとめる。表2において、末端Phの欄は、重合中に充填されて取り出されていない炭酸ジフェニル原材料の初期量に基づくフェノールの理論量を示す、連鎖末端フェニル基のモル値であり;モルの欄は、1H-NNMR分析によって求めた値を与え、示されるように、シス-エキソ-又はシス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノールモノマーから誘導されたポリマー中のモノマー単位のを示し;溶解度の欄は、目標の樹脂含量RC、20重量のポリマーが示されている溶媒中に可溶であったか又は不溶であったかを定性的に示すものであり、ここでAはアニソールを指し、Gはγ-ブチロラクトンを指す。重合実施例4:シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール:0117反応容器に、25.0g160ミリモルのシス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール、及び34.3g185ミリモルの炭酸ジフェニル、並びに6.4mg0.80ミリモルの水素化リチウムを充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。最初のポリマーの沈殿の後、物質をテトラヒドロフラン中に再溶解し、純粋なメタノール中にもう一度沈殿させた。濾過し、ダイナミック真空オーブン内で乾燥した後、23.5gの白色のポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=72k、PDI=3.0、Tg=85°C、Td50=313°C。重合実施例5:5-エキソ-フェニル-シス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール:0118反応容器に、25.0g108ミリモルの5-エキソ-フェニル-シス-エンド-2,3-ノルボルナンジメタノール、及び23.1g108ミリモルの炭酸ジフェニル、並びに58.0mg0.55ミリモルの炭酸ナトリウムを充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。沈殿中において、テトラヒドロフラン中のポリマー溶液を純粋なメタノールに滴加した。濾過し、ダイナミック真空オーブン内で乾燥した後、19.6gの白色のポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=63k、PDI=2.0、Tg=114°C、Td50=321°C。重合実施例6:5-エキソ-フェニル-シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノールホモポリマー:0119反応容器に、10.0g43ミリモルの5-エキソ-フェニル-シス-エキソ-2,3-ノルボルナンジメタノール、及び9.2g43ミリモルの炭酸ジフェニル、並びに1.7mg0.22ミリモルの水素化リチウムを充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。沈殿中において、塩化メチレンとテトラヒドロフランの混合物中のポリマー溶液を純粋なメタノールに滴加した。濾過し、ダイナミック真空オーブン内で乾燥した後、9.1gの白色のポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=49k、PDI=2.0、Tg=115°C、Td50=284°C。重合実施例7:シス-ビシクロ[2.2.2]オクタン-2,3-ジメタノールホモポリマー:0120反応容器に、10g58.7ミリモルのシス-ビシクロ[2.2.2]オクタン-2,3-ジメタノール、及び12.6g58.7ミリモルの炭酸ジフェニル、並びに4.2mg0.53ミリモルの水素化リチウムを充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。沈殿中において、塩化メチレンとテトラヒドロフランの混合物中のポリマー溶液を、9:1のメタノール:水の混合物に滴加した。濾過し、ダイナミック真空オーブン内で乾燥した後、9.5gの白色のポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=74k、PDI=2.1、Tg=103°C、Td50=266°C。重合実施例8:トランス-2,3-ノルボルナンジメタノールホモポリマー:0121反応容器に、70.0g448ミリモルのトランス-2,3-ノルボルナンジメタノール、及び96.5g450ミリモルの炭酸ジフェニル、並びに238mg2.24ミリモルの炭酸ナトリウムを充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。沈殿中において、テトラヒドロフラン中のポリマー溶液を純粋なメタノールに滴加した。濾過し、ダイナミック真空オーブン中内で乾燥した後、75.4gの白色のポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=177k、PDI=2.1、Tg=81°C、Td50=360°C。重合実施例9:イソソルビドホモポリマー:0122反応容器に、102.3gのイソソルビド0.7モル、CargillIncMinneapolisMinnesota;149.95gの炭酸ジフェニル0.7モル;及び3.0mgの炭酸セシウム0.01ミリモル;を充填した他は、実施例1において用いた手順にしたがった。粗ポリマーをγ-ブチロラクトンGBL中に溶解した。7:3のイソプロパノール:水の中に沈殿させ、濾過し、真空乾燥した後に、約119gのポリカーボネートポリマーが得られた。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=38.5k、PDI=2.61、Tg=167°C、Td50=376°C。重合実施例10:イソソルビド及びトランス-2,3-ノルボルナンジメタノール:0123好適な寸法の磁気スターラーを装填した250mLの丸底フラスコに、次のもの:13.17gのイソソルビド90ミリモル、CargillInc、14.09gのトランス-2,3-ノルボルナンジメタノール90ミリモル、38.63gの炭酸ジフェニル180ミリモル、及び95.6mgの炭酸ナトリウム9.0ミリモル;を加えた。3回、フラスコを1.3kPaに排気して窒素を再充填した。内容物を窒素下に保持し、この時点でフラスコを120°Cの油浴中に浸漬した。窒素スイープ下において反応を120°Cに2時間保持した。次に、フラスコの内容物を、120°Cにおいて10kPaの減圧に1時間かけた。その後、10kPaにおいて油浴の温度を120°Cから180°Cに徐々に上昇させ、その間にフェノールの大部分を留去し、液体窒素冷却トラップ中に回収した。圧力を0.7kPaに徐々に低下させ、反応を180°Cにおいて更に2時間保持した。フラスコの内容物を室温に冷却し、回転撹拌しながら150mLのような好適な量のテトラヒドロフラン中に溶解した。溶液をテトラヒドロフランで500mLに更に希釈し、濾過した。濾過した溶液を5Lのメタノールに滴加した。濾過し、真空オーブン70°C、29.4インチ-水の真空度内で18時間乾燥することによって、白色のポリマーが回収された。乾燥ポリマー重量は30.2gであった。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=32k、PDI=1.94、Tg=116°C、Td50=372°C。重合実施例11:イソソルビド及び1,4-シクロヘキサンジメタノール:0124反応容器に、29.04gのイソソルビド199ミリモル、CargillInc、28.7gの1,4-シクロヘキサンジメタノール199ミリモル、85.2gの炭酸ジフェニル398ミリモル、及び211mgの炭酸ナトリウム19.9ミリモルを充填した他は、実施例10において用いた手順にしたがった。乾燥ポリマー重量は65.1gであった。ポリマーの特性は次の通りであった:Mw=72k、PDI=2.84、Tg=110°C、Td50=373°C。重合実施例12:環式ノルボルナンスピロカーボネートホモポリマー:01250°C、窒素雰囲気下において、sec-ブチルリチウム0.21mL、シクロヘキサノン中1.4Mを、トルエン200mL中のスピロ[ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2,5’-[1.3]ジオキサン]-2’-オン15g、82.3ミリモルに加えた。反応混合物を0°Cにおいて5時間撹拌し、次に室温に徐々に加温した。室温において撹拌を更に12時間継続し、その後、ポリマーをメタノールから沈殿させ、真空下で乾燥して9gの白色のポリマーを与えた。ポリマーのMwは32kであると求められ、1.63のPDIを有していた。熱重量分析実施例:0126重合実施例1~4及び8のそれぞれの方法で調製したポリマーを用いて、本発明による幾つかの態様による犠牲ポリマー組成物を調製した。それぞれの組成物は、2.0pphrの光酸発生剤であるトリス[4-[4-アセチルフェニルチオ]フェニル]スルホニウムトリストリフルオロメチルスルホニルメタニドBASFCorpからのGSID261を含んでいた。実施例B及びCに関しては注型溶媒はGBLであり、実施例Eに関してはシクロヘキサノンであり、他に関してはアニソールであった。0127次に、それぞれの組成物を上記に記載の方法で2枚の4インチシリコンウエハに施してポリマー被覆を生成させ、かかるウエハの1つをUV線365nm、1J/cm2に露光し、他のウエハを未露光とした。次に、それぞれのポリマー未配合及びそれぞれの露光及び未露光ウエハからの被覆の試料を熱重量分析にかけた。実施例A~Cに関しては132°C/10分の加熱速度を用いてTd10、Td50、及びTd90を°Cで報告し、実施例D~Fに関しては10°C/分の加熱速度を用いてTd10、Td50、及びTd90を°Cで報告する。TGA実施例A:0128重合実施例1のポリカーボネートポリマー、及び上記に記載したその犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を下表3にまとめ、それから分解温度を誘導した熱重量測定プロットのグラフを図1に与える図中、線1はポリマーであり、線2は未露光の被覆であり、線3は露光した被覆である。TGA実施例B:0129重合実施例2のポリカーボネートポリマー、及び上記に記載したその犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を下表4にまとめ、それから分解温度を誘導した熱重量測定プロットのグラフを図2に与える図中、線1はポリマーであり、線2は未露光の被覆であり、線3は露光した被覆である。TGA実施例C:0130重合実施例3のポリカーボネートポリマー、及び上記に記載したその犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を下表5にまとめ、それから分解温度を誘導した熱重量測定プロットのグラフを図3に与える図中、線1はポリマーであり、線2は未露光の被覆であり、線3は露光した被覆である。TGA実施例D:0131重合実施例4のポリカーボネートポリマー、及び上記に記載したその犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を下表6にまとめる。TGA実施例E:0132重合実施例8のポリカーボネートポリマーMw=127k、及び組成物に0.5pphrのGSID261を加えた他は上記に記載の犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を下表7にまとめる。TGA実施例F:0133重合実施例1のポリカーボネートポリマー、及び組成物に5pphrのRhodorsilPI2074及び1.5pphrのCPTXを加えた他は上記に記載の犠牲ポリマー組成物の熱重量分析を表8にまとめる。0134実施例Fのデータを実施例Aのそれと比較すると、RhodorsilPI2074は熱酸発生剤及び光酸発生剤として作用することができ、一方、GSID261は光酸発生剤のみであることが示される。而して、ポリマー単独に関する表8におけるデータは表1からのものと合致し、一方、未露光及び露光した被覆の両方に関する表8のデータはそれぞれ分解温度の大きな低下を示す。実施例Aにおけるポリマー組成物を加熱すると、ポリマー実施例1単独のTGA曲線が実質的に再現され、一方、実施例Fにおけるポリマー組成物を加熱すると酸が発生して、これがポリマー実施例1をより低い温度において分解し、それに応じてTGA曲線をシフトさせる。実施例Fにおけるポリマー組成物を露光すると、PAG及びTAGの効果の両方が組み合わさるので、ポリマー分解温度が更に低下する。TGA実施例G:0135実施例8の方法で製造したポリマーMw=127k及び適当な量のシクロヘキサノンからポリマー組成物を配合した。組成物を4インチのシリコン基材上にスピンコートし、次に120°Cにおいて5分間焼成した。ウエハを半分に分割し、その1つを1J/cm2の365nmUV線に露光し、他の半分は未露光のままにした。両方の半分の試料を、次に200°Cで5分間焼成した。膜の試料をそれぞれから剥離し、GPC及びTGAによって分析した。露光試料から求められたMwは122kであり、これは未露光試料から求められたMw127kに対する実験誤差の範囲内である。両方の試料から求められたTd5データは、予測された345°Cの1°C以内であった。TGA実施例H~J:01360.5pphrのPAGGSID261も組成物に加えた他は、TGA実施例Gの方法でポリマー組成物を配合した。TGA実施例Gに記載の手順にしたがって、未露光及び露光365nm、1J/cm2の試料を調製し、GPC及びTGAによって分析した。露光試料から求められたMwは12.8kであり、これは未露光試料から求められたMw124kよりも非常に低い。露光試料から求められたTd5は263°Cであり、これは未露光試料から求められたTd5よりも69°C低い。それぞれ示されているように異なるMwを有する他は重合実施例8の方法で製造した他のポリマーを用いて、同じ実験を繰り返した。全て、GSID261がUV線への露光及び熱現像の後にポリマー分解温度を低下させたことを示した。得られたMw及びTd5のデータのリストを下表9にまとめる。ウエハ接合実施例1:0137重合実施例8の方法で製造したトランス-2,3-PNDMCポリマーMw=54k14.99g、及び40.4の樹脂含量を有する組成物37.10gを形成するのに十分なシクロヘキサノンからポリマー組成物を配合した。組成物を4インチのシリコン基材上にスピンコートし、120°Cにおいて5分間焼成し、その後、温度を160°Cに上昇させ、その温度に更に10分間保持した。表面形状測定によって膜厚を測定したところ、40μmであることが分かった。次に、4インチのガラスウエハを配置して、シリコン基材上にウエハ膜を重ね、150°Cの温度に設定したSB8e基材接合装置SussMicroTecセットを用いて、0.32MPaの圧力を真空10-2mbar下で5分間加えて互いに接合させて接合ウエハ積層体を形成した。ガラスウエハを通して接合ウエハ積層体を視認検査したところ、欠陥は観察されなかった。接合ウエハ積層体は、260°Cで15分間加熱した後に完全にボイドを含まないままであった。ウエハ接合実施例2:0138重合実施例8の方法で製造したトランス-2,3-PNDMCポリマーMw=177k5.90g、及び23.6の樹脂含量を有する組成物25.02gを形成するのに十分なシクロヘキサノンからポリマー組成物を配合した。組成物を4インチのシリコン基材上にスピンコートし、120°Cにおいて5分間焼成し、その後160°Cで10分間焼成して、厚さ25μmの膜を生成させた。次に、4インチのガラスウエハを配置して、シリコン基材上にウエハ膜を重ねた。温度を200°Cに設定し、圧力を0.18MPaに設定した他はウエハ接合実施例1において記載したようにしてウエハを互いに接合させて、接合ウエハ積層体を形成した。ガラスウエハを通して接合ウエハ積層体を視認検査したところ、欠陥は観察されなかった。220°Cで15分間加熱した後に限られたボイド<5が観察されたが、260°Cの温度に上昇させて接合ウエハ及び基材をその温度に更に15分間保持した後に更なる欠陥は観察されなかった。理論的ウエハ接合実施例:0139有効量のPAGをポリマー組成物に加える他はウエハ接合実施例1又は2に記載のようにして接合ウエハ積層体を製造する。ウエハ積層体をDGF8540自動表面グラインダーDisco上に載置し、所望の厚さ、例えば50μmに薄化した。薄化の後、接合ウエハ積層体を、ガラスウエハを通して、有効線量、例えば0.5~2J/cm2の365nmのUV線に露光する。例えばEVG805ウエハ剥離装置EVGroupオーストリアを用いるスライドオフ法によって、170°Cにおいて、薄化したウエハをガラスウエハから剥離する。剥離装置は1~3mm/秒のスライドオフ速度に設定する。剥離したウエハ上の残渣は、メシチレン中で5分間振盪し、次に水ですすぐことによって完全に除去する。0140ここまでの時点で、本明細書に示す種々の合成式の記載、並びにこれも示した種々の重合実施例によって、新しいポリカーボネートポリマー及びかかる新しく開発されたポリカーボネートポリマーを含む犠牲組成物が示されたことが認識される。更に、与えられている種々のTGA実施例によって、本発明によるポリカーボネートポリマーは、有効な熱酸発生剤又は光酸発生剤を加えることによって、非常により低い温度において分解させることができることが示された。したがって、本発明によるポリマー組成物の幾つかの態様を製造することができ、且つこれを用いて、容易に分解及び/又は解重合して残渣を少ししか残留させないか又は全く残留させないポリマー膜を形成することができ、かかる膜は、構造、空隙を形成するため、及び解離可能か又は一時的な結合を形成するのに有用であることを理解すべきである。"