ウェーハが導入される反応室と、前記反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、前記ウェーハを載置する支持部と、前記ウェーハを回転させるための回転駆動部と、前記ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、前記反応室と接続され、排気ガスの流量を制御する第1のバルブと、前記第1のバルブの下流側に設けられ、前記排気ガスを排出する第1のポンプと、前記反応室の圧力である第1の圧力を検出する第1の圧力計と、前記第1のバルブと前記第1のポンプ間の圧力である第2の圧力を検出する第2の圧力計と、前記第1の圧力に基づき、前記第1のバルブを制御する第1の圧力制御部と、前記第1の圧力と前記第2の圧力に基づき、前記第1のポンプの稼働量を制御する第2の圧力制御部と、を備えることを特徴とする気相成長装置。前記第2の圧力制御部により、第2の圧力が第1の圧力の半分以下となるように、前記稼働量が制御されることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。前記ウェーハを前記反応室に搬送する搬送室と、前記搬送室と接続され、排気ガスの流量を制御する第2のバルブと、前記第2のバルブの下流側に設けられ、前記排気ガスを排出する第2のポンプと、前記搬送室の圧力である第3の圧力を検出する第3の圧力計と、前記第2のバルブと前記第2のポンプ間の圧力である第4の圧力を検出する第4の圧力計と、前記第3の圧力に基づき、前記第2のバルブを制御する第3の圧力制御部と、前記第3の圧力と前記第4の圧力に基づき、前記第2のポンプの稼働量を制御する第4の圧力制御部と、を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長装置。前記排気ガスは、H2を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気相成長装置。反応室内にウェーハを導入して所定の温度に制御し、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給し、前記反応室に接続された排気側のバルブを調整しながらポンプを稼働させ、前記バルブと前記ポンプ間の圧力が、前記反応室内の圧力の1/2以下となるように、前記ポンプの稼働量を制御して、前記反応室より排気を行うことにより、前記反応室を所定の圧力に制御する、ことを特徴とする気相成長方法。真空ポンプの電力消費を抑制するために、真空ポンプの回転数を制御して圧力調整を行うと、反応室内の圧力が高い場合には、ポンプの回転数が低下し、圧力調整が不安定となる。特に、シリコンのエピタキシャル成長に用いられる蒸気圧の高いH2などを排気する場合、排気性能が大きく低下するという問題がある。そこで、本発明は、真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供することを目的とするものである。本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、反応室と接続され、排気ガスの流量を制御するバルブと、バルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出するポンプと、反応室の圧力である第1の圧力を検出する第1の圧力計と、バルブとポンプ間の圧力である第2の圧力を検出する第2の圧力計と、第1の圧力に基づき、バルブを制御する第1の圧力制御部と、第1の圧力と前記第2の圧力に基づき、ポンプの稼働量を制御する第2の圧力制御部と、を備えることを特徴とする。また、本発明の一態様の気相成長装置において、第2の圧力制御部により、第2の圧力が第1の圧力の半分以下となるように、前記稼働量が制御されることが好ましい。また、本発明の一態様の気相成長装置は、ウェーハを反応室に搬送する搬送室と、搬送室と接続され、排気ガスの流量を制御する第2のバルブと、第2のバルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出する第2のポンプと、搬送室の圧力である第3の圧力を検出する第3の圧力計と、第2のバルブと第2のポンプ間の圧力である第4の圧力を検出する第4の圧力計と、第3の圧力に基づき、第2のバルブを制御する第3の圧力制御部と、第3の圧力と第4の圧力に基づき、第2のポンプの稼働量を制御する第4の圧力制御部と、を備えることが好ましい。また、本発明の一態様の気相成長装置は、排気ガスが、H2を含むとき、好適に用いられる。本発明の一態様の気相成長方法は、反応室内にウェーハを導入して所定の温度に制御し、ウェーハ上にプロセスガスを供給し、反応室に接続された排気側のバルブを調整しながらポンプを稼働させ、バルブとポンプ間の圧力が、反応室内の圧力の1/2以下となるように、ポンプの稼働量を制御して、反応室より排気を行うことにより、反応室を所定の圧力に制御する、ことを特徴とする。本発明によれば、真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能となる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。実施形態1図1に本実施形態の気相成長装置の構成を示す。図1に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室チャンバー11と、反応室11からの排気ガスの流量を制御するスロットルバルブ12、例えばスクリューロータを回転させることにより排気ガスを排出するドライポンプ真空ポンプ13が順次接続されている。そして、反応室11とスロットルバルブ12との間には、反応室の圧力を検出する圧力計14aが設けられ、スロットルバルブ12とドライポンプ13との間には、スロットルバルブ12の二次側ドライポンプ13の一次側の圧力を検出する圧力計14bがそれぞれ設けられている。さらに、スロットルバルブ12と圧力計14aと接続され、スロットルバルブ12の開度を制御する圧力制御部15aと、圧力計14a、14bと、ドライポンプ13と接続され、スクリューロータの回転数を制御する圧力制御部15bが設けられている。なお、圧力制御部15a、15bは一体化されていてもよい。図2に反応室11の構成を断面図で示す。ウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー21aが設けられている。反応室11の上部には、ソースガス、キャリアガスを含むプロセスガスを供給するためのガス供給部22と接続されたガス供給口22aが設けられている。そして、反応室11下方には、例えば2か所に、上述したスロットルバルブ12を介して、ドライポンプ13と接続されるガス排出口23が設置されている。ガス供給口22aの下方には、供給されたプロセスガスを整流して供給するための微細貫通孔を有する整流板24が設けられている。そして、整流板24の下方には、ウェーハwを載置するための支持部である、例えばSiCからなるサセプタ25が設けられている。サセプタ25は、回転部材であるリング26上に設置されている。リング26は、ウェーハwを所定の回転速度で回転させる回転軸を介して、モータなどから構成される回転駆動部27と接続されている。リング26内部には、ウェーハwを加熱するための、例えばSiCからなるインヒータ28、アウトヒータ29から構成されるヒータが設置されており、それぞれ所定の昇降温速度で所定の温度となるように制御する温度制御部図示せずと接続されている。そして、これらインヒータ28、アウトヒータ29から下方への熱を反射し、ウェーハwを効率的に加熱するための円盤状のリフレクタ30が設置されている。このような気相成長装置を用いて、以下のように例えばφ200mmのウェーハw上に、Siエピタキシャル膜が形成される。先ず、反応室11にウェーハwを搬入し、サセプタ25上に載置する。そして、インヒータ28、アウトヒータ29を、それぞれ温度制御部により例えば1500~1600°Cとすることにより、ウェーハwが例えば1100°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動部27により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、ガス供給部22により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板24を介して、整流状態でウェーハw上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、トリクロロシランSiHCl3が3SLM、例えば希釈ガスとしてH2ガスが150SLMとなるように供給される。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物などからなる排出ガスは、ガス排出口23より排出される。このとき、圧力制御部15aによりスロットルバルブ12の開度を制御することにより、流量調整されるとともに、ドライポンプ13によりドライポンプ13のスクリューロータの回転数が制御され、ドライポンプ13の稼働量が制御される。そして、圧力計14aで検出される反応室11内の圧力P1が、例えば93.3kPa、圧力計14bで検出されるスロットルバルブ12とドライポンプ13との間の圧力ドライポンプの一次側の圧力P2が、例えば45.3kPaとなるように制御される。通常、ドライポンプ13のスクリューロータの回転数は全負荷状態で一定であり、スロットルバルブ12を制御することにより、所望の圧力が得られる。しかしながら、本実施形態のように、反応室11内の圧力が常圧に近い場合、排気能力としてはかなり余裕のある状態となり、過剰に電力消費することになる。一方、ドライポンプ13のスクリューロータの回転数を低下させることにより、過剰なドライポンプ13の稼働による電力消費を抑制することができる。しかしながら、ポンプの回転数が低下し過ぎると、圧力調整が不安定となる。特に、本実施形態のように、キャリアガスとして蒸気圧の高いH2などを用いる場合、排気性能が大きく低下する。ドライポンプの一次側の圧力:P2は、反応室の圧力:P1の半分以下であれば、排気能力として十分である。そこで、P2をP1の半分以下、すなわち、P2≦P1/2となるようにドライポンプ13を制御することにより、反応室11内の安定した圧力調整が可能となるとともに、スクリューロータの回転数ドライポンプの稼働量を抑えることできる。このようにして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成された後、反応室11よりウェーハwが搬出される。このように、本実施形態によれば、ドライポンプの一次側の圧力に基づきドライポンプの稼働量を抑えることにより、成膜の際のドライポンプの電力消費を、例えば全負荷状態の時と比較して1割程度抑えることができるとともに、反応室内の安定した圧力調整が可能となる。実施形態2本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、成膜の条件をより低圧としている。すなわち、実施形態1と同様に、ウェーハwを反応室11に搬入し、サセプタ25上に載置した後、ウェーハwが例えば1100°Cとなるように加熱するとともに、回転駆動部27により、ウェーハwを、例えば900rpmで回転させる。そして、ガス供給部22により流量が制御されて混合されたプロセスガスが、整流板24を介して、整流状態でウェーハw上に供給される。プロセスガスは、例えばソースガスとして、ジクロロシランSiH2Cl2が0.3SLM、例えば希釈ガスとしてH2ガスが70SLMとなるように供給される。一方、余剰となったプロセスガス、反応副生成物などからなる排出ガスは、ガス排出口23より排出される。このとき、圧力制御部15aによりスロットルバルブ12の開度を制御することにより、流量調整されるとともに、ドライポンプ13によりドライポンプ13のスクリューロータの回転数が制御され、ドライポンプ13の稼働量が制御される。そして、圧力計14aで検出される反応室11内の圧力P1が、例えば40.0kPa、圧力計14bで検出されるスロットルバルブ12とドライポンプ13との間の圧力P2が、例えば18.7kPaとなるように制御される。このようにして、ウェーハw上に所定の膜厚のSiエピタキシャル膜が形成された後、反応室11よりウェーハwが搬出される。このように、本実施形態によれば、反応室内の圧力が40kPa程度と比較的低圧であっても、ドライポンプの一次側の圧力に基づきドライポンプの稼働量を抑えることにより、成膜の際のドライポンプの電力消費を、例えば全負荷状態の時と比較して1割程度抑えるとともに、反応室内の安定した圧力調整が可能となる。実施形態3本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、反応室にウェーハを搬送する搬送室においても同様に圧力制御が行われている。図3に本実施形態の気相成長装置の構成を示す。図3に示すように、反応室31a、31bと、搬入出室32a、32bが、それぞれゲートバルブ33a、33b、33c、33dを介して搬送室34と接続されている。さらに、搬入出室32a、32bには、前工程からウェーハwを搬送するウェーハカセット35a、35bと接続されるゲートバルブ33e、33fが設けられている。搬入搬出室32a、32bの外部大気中、及び搬送室34の内部には、それぞれウェーハwを搬送するハンドラー36a、36bが設けられている。反応室31a、31b、搬送室34、搬入出室32a、32bには、それぞれ排気ガスの流量を制御するスロットルバルブ37a、37b、37c、37d、37e、及び例えばスクリューロータを回転させることにより排気ガスを排出するドライポンプ真空ポンプ38a、38b、38c、38d、38eが設けられている。そして、反応室31a、31b、搬入出室32a、32b、搬送室34内の圧力を検出する圧力計39a1、39b1、39c1、39d、39eが設けられている。反応室31a、31b、搬送室34には、さらに、それぞれスロットルバルブ37a、37b、37cの二次側ドライポンプ38a、38b、38cの一次側を検出する圧力計39a2、39b2、39c2が設けられている。そして、反応室31aには、実施形態1と同様に、スロットルバルブ37aと圧力計39a1と接続され、スロットルバルブ37aの開度を制御する圧力制御部40a1と、圧力計39a1、39a2と、ドライポンプ38aと接続され、スクリューロータの回転数を制御する圧力制御部40a2が設けられている。また、反応室31bには、スロットルバルブ37bと圧力計39b1と接続された圧力制御部40b1と、圧力計39b1、39b2と、ドライポンプ38bと接続された圧力制御部40b2が設けられている。さらに、搬送室34には、スロットルバルブ37cと圧力計39c1と接続された圧力制御部40c1と、圧力計39c1、39c2と、ドライポンプ38cと接続された圧力制御部40c2が設けられている。なお、圧力制御部40a1、40a2、圧力制御部40b1、40b2、圧力制御部40c1、40c2は、それぞれ一体化されていてもよい。このような気相成長装置を用いて、以下のようにウェーハw上に成膜処理が行われる。予め、搬送室34には、MFCMassFlowController図示せずよりH2が5SML供給され、圧力計39c1により測定される搬送室34の圧力が93.3kPaとなるように制御されるとともに、圧力計39c2で測定されるスロットルバルブ37cの二次側ドライポンプ38cの一次側の圧力がそれぞれ45.3kPaとなるように制御されている。以下、反応室31a、搬入出室32aについて説明するが、反応室31b、搬入出室32bについても、同様に制御される。先ず、ウェーハwが、ウェーハカセット35aからハンドラー36aにより取り出され、ノッチ合せの後、ゲートバルブ33eを開け、圧力計39eにより測定される圧力が、予め大気圧101.3kPa状態に制御された搬入出室32aに搬送される。ゲートバルブ33eを閉じ、搬入出室32aを真空にした後、93.3kPaとなるようにH2を供給する。ゲートバルブ33cを開け、ウェーハwがハンドラー36bにより搬送室43に搬送され、ゲートバルブ33cを閉じる。そして、ゲートバルブ33aを開け、ウェーハwは、ハンドラー36bにより予め圧力が93.3kPaとなるように制御された反応室31aに搬送され、ゲートバルブ33aを閉じる。このようにして反応室31aに搬送されたウェーハwは、実施形態1、2と同様に成膜処理された後、ゲートバルブ33aを開け、搬送室34、搬入出室32aを経て搬出される。このように、本実施形態によれば、搬送室においても、実施形態1、2と同様に、ドライポンプの一次側の圧力に基づきドライポンプの稼働量を抑えることにより、搬送室に設けられたドライポンプの電力消費を、例えば全負荷状態の時と比較して1割程度抑えるとともに、搬送室内の安定した圧力調整が可能となる。これら実施形態によれば、反応室や搬送室における真空ポンプの消費電力を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能となり、半導体ウェーハwにエピタキシャル膜などの膜を高い生産性で安定して形成することが可能となる。そして、ウェーハの歩留り向上と共に、素子形成工程及び素子分離工程を経て形成される半導体装置の歩留りの向上、素子特性の安定を図ることが可能となる。特にN型ベース領域、P型ベース領域や、絶縁分離領域などに100μm以上の厚膜成長が必要な、パワーMOSFETやIGBTなどのパワー半導体装置のエピタキシャル形成工程に適用されることにより、良好な素子特性を得ることが可能となる。本実施形態においては、Siエピタキシャル膜形成の場合を例に挙げたが、その他、SiCなどの化合物半導体についても、同様に適用することができる。また、本実施形態は、例えばGaN、GaAlAsやInGaAsなど化合物半導体のエピタキシャル層や、ポリSi層や、例えばSiO2層やSi3N4層などの絶縁膜の成膜時にも適用することも可能である。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。