少なくとも内部に積層欠陥を有する炭化珪素基板において、前記基板の内部に前記炭化珪素との界面に不整合界面を形成する内包領域を有し、前記不整合界面において、炭化珪素内の積層欠陥の伝搬が遮断されていることを特徴とする炭化珪素基板。前記内包領域は、珪素、炭素、窒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素基板。前記内包領域は、空間であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素基板。当該炭化珪素基板は、略平行かつ異なる積層欠陥密度を有する二つの平面を有し、前記炭化珪素と内包領域との不整合界面において、前記平面のうち積層欠陥密度の高い面側から積層欠陥密度の低い面への積層欠陥の伝搬が遮断されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。前記内包領域は、当該炭化珪素基板の厚さ方向と平行な方向である高さをHとした場合に、幅S、互いに隣り合う内包領域との中心間距離をP、積層欠陥と前記不整合界面とのなす角をθとすると、H≧P-S/tanθを満たすことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。少なくとも内部に積層欠陥を有し、かつ、少なくとも1つ以上の主表面を有する炭化珪素基板であって、内部に複数の内包領域を備え、前記複数の内包領域は、前記主表面の1つにほぼ平行に分布し、前記積層欠陥が、前記内包領域との界面である側壁で伝搬が遮断されており、前記内包領域は、当該炭化珪素基板の厚さ方向と平行な方向である高さをHとした場合に、幅S、互いに隣り合う内包領域との中心間距離をP、積層欠陥と前記側壁とのなす角をθとすると、H≧P-S/tanθを満たすことを特徴とする炭化珪素基板。前記炭化珪素基板は、立方晶炭化珪素であり、主表面が{001}面であり、前記不整合界面が、{110}面に平行であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。前記炭化珪素基板は、立方晶炭化珪素であり、主表面が{111}面であり、前記不整合界面が、{111}面、{110}面、{211}面のいずれかに平行であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。前記炭化珪素基板は、六方晶炭化珪素であり、主表面が{0001}面であり、前記不整合界面が、{11-20}面または{―1100}面に平行であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。請求項1~9いずれか1項に記載の炭化珪素基板を用いて形成された半導体素子であって、前記炭化珪素基板表面には、前記炭化珪素基板を形成する炭化珪素と同一結晶構造の炭化珪素層が形成され、前記炭化珪素層には、内部電界が形成されることを特徴とする半導体素子。001面を表面とする炭化珪素基板に{110}面を側壁として有する複数の離散領域を形成する工程と、前記炭化珪素基板上にホモエピタキシャル成長する工程と、を有し、前記ホモエピタキシャル成長する工程は、以下に示す2式を満たすように成長させる工程を備えることを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。rg[001]×tan35.3°-rg[110]>02なお、rg[001]は、[001]方向の結晶成長速度であり、rg[110]は、[110]方向の結晶成長速度である。前記炭化珪素基板上にホモエピタキシャル成長する工程の後、前記複数の離散領域同士の上端を横方向成長させて互いに連結させる工程を備えることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素基板の製造方法。本発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、構造的な格子欠陥の延伸方向に異方性を生じせしめることなくそれらの密度を低減させ、かつ、格子歪に起因するいかなる積層欠陥の伝播も阻むことにより、高機能な半導体素子を実現させうる低欠陥密度の表面を有する炭化珪素基板を提供することを目的とする。本発明は、上述の課題を解決するために、以下の事項を提案している。本発明の第1の態様は、少なくとも内部に積層欠陥を有する炭化珪素基板において、前記基板の内部に前記炭化珪素との界面に不整合界面を形成する内包領域を有し、前記不整合界面において、炭化珪素内の積層欠陥の伝搬が遮断されていることを特徴とする炭化珪素基板である。本発明の第2の態様は、前記内包領域は、珪素、炭素、窒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする上記第1の態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第3の態様は、前記内包領域は、空間であることを特徴とする上記第1の態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第4の態様は、当該炭化珪素基板は、略平行かつ異なる積層欠陥密度を有する二つの平面を有し、前記炭化珪素と内包領域との不整合界面において、前記平面のうち積層欠陥密度の高い面側から積層欠陥密度の低い面への積層欠陥の伝搬が遮断されていることを特徴とする上記第1乃至第3の態様のいずれか1態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第5の態様は、前記内包領域は、当該炭化珪素基板の厚さ方向と平行な方向である高さをHとした場合に、幅S、互いに隣り合う内包領域との中心間距離をP、積層欠陥と前記不整合界面内包領域の側壁とのなす角をθとすると、H≧P-S/tanθを満たすことを特徴とする上記第1乃至第4の態様いずれか1態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第6の態様は、少なくとも内部に積層欠陥を有し、かつ、少なくとも1つ以上の主表面を有する炭化珪素基板であって、内部に複数の内包領域を備え、前記複数の内包領域は、前記主表面の1つにほぼ平行に分布し、前記積層欠陥が、前記内包領域との界面である内包領域側壁で伝搬が遮断されており、前記内包領域は、当該炭化珪素基板の厚さ方向と平行な方向である高さをHとした場合に、幅S、互いに隣り合う内包領域との中心間距離をP、積層欠陥と前記側壁とのなす角をθとすると、H≧P-S/tanθを満たすことを特徴とする炭化珪素基板である。本発明の第7の態様は、前記炭化珪素基板は、立方晶炭化珪素であり、主表面が{001}面であり、前記不整合界面が、{110}面に平行であることを特徴とする上記第1乃至第6の態様いずれか1態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第8の態様は、前記炭化珪素基板は、立方晶炭化珪素であり、主表面が{111}面であり、前記不整合界面が、{111}面、{110}面、{211}面のいずれかに平行であることを特徴とする上記第1乃至第6の態様いずれか1態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第9の態様は、前記炭化珪素基板は、六方晶炭化珪素であり、主表面が{0001}面であり、前記不整合界面が、{11-20}面または{-1100}面に平行であることを特徴とする上記第1乃至第6の態様いずれか1態様に記載の炭化珪素基板である。本発明の第10の態様は、上記第1~9のいずれか1態様に記載の炭化珪素基板を用いて形成された半導体素子であって、前記炭化珪素基板表面には、前記炭化珪素基板を形成する炭化珪素と同一結晶構造の炭化珪素層が形成され、前記炭化珪素層には、内部電界が形成されることを特徴とする半導体素子である。本発明の第11の態様は、001面を表面とする炭化珪素基板に{110}面を側壁として有する複数の離散領域を形成する工程と、前記炭化珪素基板上にホモエピタキシャル成長する工程と、を有し、前記ホモエピタキシャル成長する工程は、以下に示す2式を満たすように成長させる工程を備えることを特徴とする炭化珪素基板の製造方法である。rg[001]×tan35.3°-rg[110]>02なお、rg[001]は、[001]方向の結晶成長速度であり、rg[110]は、[110]方向の結晶成長速度を表す。本発明の第12の態様は、前記炭化珪素基板上にホモエピタキシャル成長する工程の後、前記複数の離散領域同士の上端を横方向成長させて互いに連結させる工程を備えることを特徴とする上記第11の態様に記載の炭化珪素基板の製造方法である。本発明によれば、構造的な格子欠陥の延伸方向に異方性を生じせしめることなくそれらの密度を低減させ、かつ、格子歪に起因する、いかなる積層欠陥の伝播も阻むことにより、高機能な半導体素子を実現させうる低欠陥密度の表面を有する炭化珪素基板を提供することを可能とする。これは、積層欠陥が、単結晶中だからこそ特定の方向に伝搬するという特性を利用して、積層欠陥を結晶の連続性がない不整合界面と接するように内包領域を設けることで、積層欠陥の伝搬を阻止することを可能としたものである。そのため、歪みの有無にかかわらず、積層欠陥密度が低減可能である。また、内部に内包領域を設けることで、炭化珪素の結晶格子に生ずる格子歪に起因する積層欠陥の発生を抑制可能である。これは、積層欠陥が発生したとしても内包領域がその伝搬を阻止するためである。また、内包領域のヤング率が、炭化珪素のヤング率以下であるため、歪みを内包領域が吸収し、発生自体を抑制していると考えられる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係る炭化珪素基板1の断面図である。炭化珪素基板1の表面の中で最も露出している面積の大きい部分である主表面12は、001面に平行であり、炭化珪素基板1は、主表面12と平行な裏面を有する板状の結晶である。炭化珪素基板1を形成する立方晶炭化珪素11の内部には、主表面12から炭化珪素基板1の内部に向けて100μm以内、望ましくは50μm以内、さらに望ましくは20μm以内に、複数の内包領域13が均等に存在している。これら内包領域13は、炭化珪素との界面に不整合界面を形成している。立方晶炭化珪素11と内包領域13とは、連続しておらず不整合であればよい。なお、不整合界面とは、格子整合していない界面を意味している。本発明の炭化珪素基板は、実質的に単結晶炭化珪素からなる。実質的にとは、基板内部に不整合界面を隔てて内包領域を有すること、および基板内部に欠陥を有することから、完全な単結晶炭化珪素ではないことを意味するものである。本発明の炭化珪素基板は、内部に積層欠陥と内包領域を含有するが、基板全体に対して内包領域や欠陥の割合は非常に少なく、実質的には単結晶炭化珪素である。また、内包領域13は、珪素、炭素、窒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのうち少なくとも1つを含んでいたり、空間真空の場合も含むとなっていたりすればよい。言い換えれば、内包領域13は、単結晶基板自体の結晶性と配向が異なるため不整合界面を有する場合、多結晶、またはアモルファスの炭化珪素、炭化珪素以外の材料、もしくは空間により形成されている。また、内包領域13が分布している層は、主表面12と略平行であり、内包領域13の側壁内包領域を構成する壁面のうち、主表面と略平行でない壁面は、{110}面に略平行である。ここで、効果的に積層欠陥密度の低減を導くためには、全ての積層欠陥14が内包領域13に会合する条件を満たす必要がある。具体的には、図1に示すように、隣り合う内包領域13の間隔をW、内包領域13の高さをH、積層欠陥14と内包領域13の側壁との内角をθとすると、以下の式1を満たす必要がある。上述の式1によれば、積層欠陥14の伝播する最稠密面と内包領域13とが平行ではなく、かつ、積層欠陥14と内包領域13の側壁との内角θが0度よりも大きく90度未満であれば、効果的に積層欠陥密度の低減を導くことができる。上記の式1および後述の式7を満たす内包領域を含む炭化珪素基板1は、主表面12とその裏面において、積層欠陥密度が異なる。積層欠陥密度が高い面裏面側から、積層欠陥密度が低い面主表面12側へ、伝搬する積層欠陥が内包領域の側壁不整合界面において伝搬が遮断されるため、このような構成が実現される。炭化珪素基板1では、上述のように、主表面12が001面に平行であり、内包領域13の側壁が{110}面に略平行である。また、立方晶炭化珪素11に含まれる積層欠陥14は、最稠密面である{111}面と平行に伝播する。このため、上述の式1より、積層欠陥14と内包領域13の側壁との内角θは、35.3度となる。ここで、複数の内包領域13のそれぞれにおいて、主表面に平行な方向の幅S、間隔W、および高さHのそれぞれは、厳密に一致している必要はないが、内包領域13の間隔Wについては、100nm以上100μm以下、望ましくは1μm以上50μm以下、さらに望ましくは2μm以上20μm以下とすることが好ましい。これは、内包領域13の間隔Wが狭くなるに従って、内包領域13の加工が困難になるばかりか、内包領域13の体積占有率が増えてしまい、半導体デバイスとして動作させる場合の基板抵抗が増大してしまうためである。また、内包領域13の間隔Wが大きくなるに従って、自ずと内包領域13の高さHも大きくする必要が生じ、さらに内包領域13の体積占有率が減少してしまい、歪を吸収しきれなくなるおそれがでてくるためである。また、内包領域13の高さHは、上述の内包領域13の間隔Wおよび式1を用いて求めることができる。ただし、内包領域13の高さHが小さくなるに従って、内包領域13の加工が困難となるばかりか、内包領域13の体積占有率が減少してしまい、歪を吸収しきれなくなるおそれがでてくる。一方、内包領域13の高さHが大きくなるに従って例えば、100μm以上になると、内包領域13の加工が困難になるばかりか、内包領域13の体積占有率が増えてしまい、半導体デバイスとして動作させる場合の基板抵抗が増大してしまう。また、内包領域13の幅Sが狭くなるに従って、内包領域13の加工が困難になるばかりか、内包領域13の体積占有率が減少してしまい、歪を吸収しきれなくなるおそれがでてくる。一方、内包領域13の幅Sが大きくなるに従って、内包領域13の体積占有率が増えてしまい、半導体デバイスとして動作させる場合の基板抵抗が増大してしまうばかりか、内包領域13の間隔Wを望ましい値に設定することが困難となる。このため、内包領域13の幅Sについては、100nm以上100μm以下、望ましくは1μm以上50μm以下、さらに望ましくは2μm以上20μm以下とすることが好ましい。また、主表面12から内包領域13の層までの深さ主表面から基板内部に向けた距離Tが極端に小さい場合には、内包領域13上の立方晶炭化珪素11の層が機械的に弱くなり、内包領域13が主表面12に露出するおそれがある。また、半導体デバイスとして上層に活性層を設けた場合、主表面12から内包領域13の層までの深さTが小さいと、電流分布が不均一になってしまい、局部的な過熱や破壊が生ずるおそれがある。一方、主表面12から内包領域13の層までの深さTが極端に大きい場合には、内包領域13と主表面12との間の層の歪を吸収することができなくなり、主表面12における積層欠陥密度を低減することが困難となる。このため、主表面12から内包領域13の層までの深さTについては、100nm以上100μm以下、望ましくは1μm以上50μm以下、さらに望ましくは10μm以上30μm以下とすることが好ましい。以上によれば、主表面12と垂直な方向に対する内包領域13の幅Hについては、主表面12と平行な方向に対する幅Sの5倍以上とし、主表面12と平行な方向にみなす内包領域13の切片の面積については、主表面12の面積の10分の1以下とすることが好ましい。なお、内包領域は、その側壁で積層欠陥密度の低減を導くものであるため、側壁がそのような効果を有する形態であれば、内包領域のそれぞれが孤立せずに連結していてもかまわない。例えば、基板断面が図1のような形態で、かつ、基板主表面に平行な面において、基板内部が図2のような形態であっても良い。もちろん、基板断面が図1のような形態で、かつ、基板主表面に平行な面においてラインスペースのような形態であっても良い。以上の炭化珪素基板1を作製する詳細な手法については、後述する第1実施形態~第3実施形態にて説明をするが、ここでは、その概略について説明をする。上述の特許文献2や非特許文献2に示されているようなSi001基板上において、[-110]方向に平行な尾根を有する起伏の斜面を形成する。この斜面の最大斜度は2度以上90度以下で、かつ、隣接しあう起伏の断面形状は連続しているものとする。すなわち、隣接する起伏同士の境界部と起伏頂部の斜度は0度であり、斜面方向の斜度は0度から最大斜度まで連続して変化するものとする。最大斜度が2度未満の場合には、極性面が露出すべき原子ステップの端面が非極性面である001面の面積に対して無視できるほどに小さくなるため、反位相領域境界面密度を意図的に操作することができなくなる。一方、斜度が90度を超える場合には、起伏の断面がオーバーハング状となり、単結晶成長が妨げられる。上述の基板上において、立方晶炭化珪素を成長させる。立方晶炭化珪素の成長にあたっては、CVD、MBE、LPEなどを用いることができるが、いずれにしてもSi源およびC源の供給量を個々に調整できることが望ましく、さらにはガスとしてその流量を精密に調整してSi源およびC源の供給比率を適宜調整することが望ましい。Si源およびC源の供給比率を適宜調整することにより、Si面とC面との成長速度に差を設けると、特定の結晶面が特定の方位に配向するようになり、例えば、Si面が111面および-1-11面、C面が-111面および1-11面に配向することとなる。このようにして配向方位を調整することにより、面欠陥の一種である反位相領域境界面は消滅する。一方、積層欠陥は基板上に残留するが、全ては最稠密面である{111}面内に分布し、主表面である001とは54.7度の角度で交わる。このような炭化珪素基板に対して、{110}面に略平行となる側壁を有する内包領域を形成すると、この内包領域と炭化珪素との界面に不整合界面が形成される。この不整合界面にて、炭化珪素内の積層欠陥の伝搬を遮断することができる。<第1実施形態>以下に、本発明の第1実施形態に係る炭化珪素基板について説明する。第1実施形態は、以下に示すI~IIIのような製造手順を実行することで、基板の表面において積層欠陥密度を低減させることができる。第1実施形態では、このメカニズムについて詳細に説明をしながら炭化珪素からなる所望の炭化珪素基板を形成する過程について説明していく。I離散領域の形成IIホモエピタキシャル成長による積層欠陥密度の低減III離散領域同士の連結による低積層欠陥領域の拡大以下、I~IIIについて詳細に説明をする。I離散領域の形成まず、図12に示すように、3C-SiCである立方晶炭化珪素基板以下、単にSiC基板200とも呼ぶ。の001面上に{110}面の側壁を持つ、突起形状以下、離散領域210と呼ぶ。を形成する。この離散領域210は、俗にいうラインスペースであってもよいし、単なる凹凸などであってもよい。条件としては、上述したように、{110}面の側壁を持つことが極めて好ましい。このような、離散領域210は、SiC基板200上の一部にマスクを施して、SiC基板自体をエッチングして形成することもできるし、後述する第2実施形態のようにSiC基板200の表面の一部にマスクを施して、マスク以外の部分にSiCを成膜して形成しても良い。以下に、具体的に形成した離散領域の一例について説明をする。図14は、フォトリソ工程によりパターニングされた3C-SiC基板上に、メッキによって形成されたNi膜膜厚0.5μmをマスクとして、反応性イオンエッチングRIEを用いて加工して形成した離散領域の平面形状を光学顕微鏡によって撮影した様子を示したものである。図14bは、離散領域の断面を示した図である。この方法で形成された離散領域の形状として、ラインスペースを採用している。サイズは、それぞれ、ライン幅WL=5μm、スペース幅WS=20μm、ライン高さd=15~20μmとした。図14に示す離散領域は、ラインを[-110]方向に平行に形成することで、その側壁を110面及び-1-10面とした。このように形成した離散領域に対しては、3C-SiC中に存在する2種類の積層欠陥のうち基板表面にカーボン面を露出する積層欠陥以下、C-SFと呼ぶ。に対して、後述する積層欠陥密度の低減機構が働くことになる。なお、以下の説明では、SiC基板自体をエッチングして離散領域を形成した場合を中心に説明する。IIホモエピタキシャル成長による積層欠陥密度の低減離散領域210を有するSiC基板200には、上述したように001面と54.7度の角度、言い換えれば{110}面と35.3°の角度をなす積層欠陥が残留することになる。このように残留した積層欠陥は、機構M1と機構M2との2つの機構によりその密度を大幅に低減することができる。<機構M1>まず、機構M1について説明をする。図13に示すようにSiC基板200に対して更に炭化珪素をホモエピタキシャル成長させると、もともとSiC基板200内に存在していた積層欠陥SF1も新たな炭化珪素内に伝搬することになる。しかしながら図13の点線201までホモエピタキシャル成長に伴い積層欠陥SF1が成長すると、同じくホモエピタキシャル成長した成長中離散領域211の側壁に阻まれて、その領域内部への侵入を阻止されることになる。このような積層欠陥密度の低減手法を機構M1と呼ぶ。なお、後述する第2実施形態のようにSiC基板200の表面の一部にマスクを施した後にSiCをホモエピタキシャル成長させる場合には、マスクの存在によりSF1の領域内部への侵入が阻止されることになる。<機構M2>次に、機構M2について説明をする。図13に示すようにSiC基板200をホモエピタキシャル成長させると、もともとSiC基板200内に存在していた積層欠陥SF2も新たな炭化珪素内に伝搬することになる。これは、離散領域210内についても変わらず同じである。積層欠陥SF2は、図13に示すように欠陥がSiC基板200の表面に露出した状態となっている。まず、図13に示すように、ファーストステップとして、点線201まで、つまり成長中離散領域211までホモエピタキシャル成長させたとする。しかしながら、この状態においても積層欠陥SF2は、成長中離散領域211の表面に露出した状態となっている。次に、セカンドステップとして、実線202まで、つまり成長後離散領域212までホモエピタキシャル成長させると、今まで成長中離散領域211の表面に露出していた積層欠陥SF2が、成長後離散領域212の側壁へと到達し内包領域へとぶつかるため、これ以上の欠陥成長が阻止される。このような積層欠陥密度の低減手法を機構M2と呼ぶ。機構M2に示したように成長前の離散領域210の表面に露出していた積層欠陥SF2を、成長後離散領域212の側壁へと抜けさせるための条件としては、離散領域210の表面に露出していた積層欠陥SF2が、ホモエピタキシャル成長に伴い離散領域212の側壁に向かう方向、すなわち<110>方向へ変位する速度が、離散領域212の側壁の<110>方向への成長速度を上回ればよい。これは、離散領域210表面の[001]方向への成長速度rg[001]、及び<110>方向への成長速度rg[110]を用いて、下記2式のように表される。rg[001]×tan35.3°-rg[110]>02上記を満たすような結晶成長速度比のコントロールは、成長温度、材料ガスの供給比、成長圧力を調整することにより達成される。このような機構M1、機構M2による積層欠陥密度の低減によりSiC基板200をホモエピタキシャル成長させた後の基板表面の積層欠陥は大幅に低減された良好なものとなり低積層欠陥密度領域が形成されることになる。より具体的には、1つの離散領域上に存在する全ての積層欠陥を側壁へ排出するための条件として、以下の3式が与えられる。ここでは、一つの離散領域の幅をWL、[001]方向への成長膜厚をΔt[001]、[110]方向への成長膜厚をΔt[110]で表している。t[001]×tan35.3°-Δt[110]>WL3さらに、実際には離散領域は単体で形成されているわけではなく、複数の離散領域がある間隔で配列している。そのため、隣り合う別の離散領域の存在を考慮する必要がある。積層欠陥密度低減機構に不可欠な領域の離散性を維持するために、ここでは、隣接する側壁同士が会合する前に、1つの離散領域上の積層欠陥を側壁に排出させるという条件を加える。そのため、離散領域間の間隔をWSとすると、3式には以下に示す4式の制限が加わる。これにより、一定間隔WSで配列している幅WLの離散領域内の全ての積層欠陥が、側壁へ排出されるための条件は、各方位への成長速度rg[001]、rg[110]を用いて以下に示す5式のように規定することができる。これは、[110]と[001方向への成長速度の比が5式を満たす条件において、ホモエピタキシャル成長を行うことで、図15に示すように、離散領域内の全ての積層欠陥を側壁へと排出することが可能であるということを示している。このような炭化珪素の成長は、後述する第2実施形態の表2で示す成長条件にて、原料供給比や成膜温度を変化させて結晶成長方向を制御することで実現することができる。図17に、実際に離散領域を成長させた際の断面を光学顕微鏡で撮影した様子を示す。また、図18に、実際に離散領域を成長させた際の断面を偏光型の透過顕微鏡で撮影した様子を示した透過偏光像を示す。図18に示すように、偏光像においては、積層欠陥が輝線として見える。また、図18によると、離散領域内に存在していた積層欠陥が離散領域の側壁へと排出され、その結果として離散領域の上端近傍が低積層欠陥密度を示す暗いコントラストになっている。これにより、離散領域内の積層欠陥の側壁への排出が可能であることが実証されたことになる。III離散領域同士の連結による低積層欠陥領域の拡大次に、IIで説明したように離散領域内の全ての積層欠陥を側壁へと排出することで図15に示す低積層欠陥密度のアレイが形成されている状態から、図16に示すように離散領域同士を連結することで低積層欠陥密度領域を拡大させる。なお、図16は、離散領域同士を横方向成長させて連結させた状態を模式的に示した図である。離散領域同士の連結を行うには、積層欠陥が排出された側壁をそのままの状態で維持しながら離散領域同士を連結することが重要である。例えば、積層欠陥が排出された側壁をそのままの状態で維持することなく連結させてしまった場合、側壁がなくなったことにより、IIにおいて一旦、排出させた積層欠陥が結晶内を再び伝搬してしまうことになる。このような状態で連結させると基板表面にまで積層欠陥が到達してしまうことになり、本来の目的を逸脱してしまう。このため、離散領域同士の連結は、図16に示すように離散領域の上端を横方向に成長させることで連結させることが好ましい。離散領域の上端を横方向に成長させるには、後述する第2実施形態の表3で示す成長条件にて、原料供給比や成膜温度を変化させて結晶成長方向を制御することで実現することができる。このような条件の下に離散領域同士を連結させた際の断面を光学顕微鏡で撮影した様子を図19に示す。図19からも分かるように、離散領域同士の連結部において、結晶性の不整合に起因するような異常な接合界面の発生は見られない。また、成長させた基板のどの部位を検証しても連結部と同様に異常な接合界面の発生が見られない。続いて、基板表面上への積層欠陥の伝搬の有無を検証するために、図20に離散領域同士を連結させた基板の断面を光学顕微鏡で撮影した様子を示す。図20aは断面の形状像であり、bは同じ箇所の透過偏光像である。これらを比較するとbの偏光像中に輝線として確認される積層欠陥が、内包領域の側壁においてその伝搬を遮断されており、且つ、それらが離散領域の連結部分を含む基板表面に到達していない様子が、図中の広い範囲に渡り確認できる。このようにIIIの過程、すなわち離散領域の側壁を維持しながら領域上部を横方向成長により連結することで、積層欠陥の伝搬の遮断を維持しつつ、低積層欠陥密度の拡大をすることが可能である。以上の工程を経て形成された炭化珪素基板は、略平行な平面状態であり、一方主面である表面が低積層欠陥密度、他方主面である裏面が高積層欠陥密度となっている。また、主面の表面は、それぞれ{001}面である。最終的に形成された炭化珪素基板について上述したI~IIIにて説明したように、第1実施形態において形成される炭化珪素基板は、例えば、ラインスペースの離散領域の状態から炭化珪素を成長させながら積層欠陥を排出する機構により最終的な基板となっている。そこで、この第一実施形態を例に、最終的に得られる炭化珪素基板を成長させる前の離散領域を規定するパラメータを用いつつ、炭化珪素基板における内包領域13、積層欠陥の関係を規定した関係式から1式が帰納されることを以下に示す。なお、以下、説明のため成長前の離散領域を形成した基板は、ライン以下、離散領域とも呼ぶ。スペースとして説明をするが、図12に示したSiC基板200のような状態であれば、Iで説明したようにどのような基板であってもよい。上述したように、第1実施形態において形成された炭化珪素基板は、内包領域13によって積層欠陥の伝搬を遮断することができるが、炭化珪素基板内を伝搬する積層欠陥には、図21に示すように、ライン離散領域から伝搬してくる積層欠陥SF3、図22に示すように、スペースから伝搬してくる積層欠陥SF4の2タイプに大別することができる。以下に、それぞれの場合における、内包領域13、積層欠陥の関係を規定した関係式を導出する。aライン離散領域から伝搬してくる積層欠陥の場合まず、上述した図12に基づき成長前の離散領域を離散領域210とする。次に、図21に示すように、成長前の基板における各パラメータと成長後に形成されることになる内包領域13に関係する各パラメータを以下に示すように規定する。成長前の基板における各パラメータL:成長前の離散領域幅C:成長前のスペース幅h:成長前の離散領域の高さなお、内包領域の側壁と積層欠陥とのなす角度をθとする場合、ライン離散領域から伝搬してくる積層欠陥の場合は、h≧C/tanθである。ここで、積層欠陥が{111}面に平行、内包領域の側壁が{110}の場合、θは35.3°である。内包領域13に関係する各パラメータH:内包領域の高さS:内包領域の幅以上のパラメータにより図21を参照し、内包領域の高さHを規定すると以下に示すような式が得られる。H={LC-S/2}/tanθ{h-CS/2/tanθ}=L-S/tanθh≧LC-S/tanθ6となる。この6式においてLCは、隣り合う内包領域13の中心間距離Pであるため、以下に示す7式のように変換することができる。H≧P-S/tanθ7bスペースから伝搬してくる積層欠陥の場合上述したaと同様、図12に基づき成長前の離散領域を離散領域210とする。次に、図22に示すように、成長前の基板における各パラメータと内包領域13に関係する各パラメータを以下に示すように規定する。成長前の基板における各パラメータL:成長前の離散領域幅C:成長前のスペース幅h:成長前の離散領域の高さなお、内包領域の側壁と積層欠陥とのなす角度をθとする場合、ライン離散領域から伝搬してくる積層欠陥の場合は、h<C/tanθである。ここで、積層欠陥が{111}面に平行、内包領域の側壁が{110}の場合、θは35.3°である。内包領域13に関係する各パラメータH:内包領域の高さS:内包領域の幅以上のパラメータにより図22を参照し、内包領域の高さHを規定すると以下に示すような式が得られる。H={LCC-S/2}/tanθ-CS/2/tanθ=LC-S/tanθ8となる。この8式においてLCは、隣り合う内包領域13の中心間距離Pであるため、上述した7式を満たすことになる。H≧P-S/tanθ7このようにして導出された7式において、隣り合う内包領域13の中心間距離Pと内包領域の幅Sの差P-Sは、1式における隣り合う内包領域の幅Wに他ならず、上述した1式を満たす。第1実施形態の効果第1実施形態においては、I~IIIにおいて説明した製造手順を実行することで、内部に炭化珪素との界面に不整合界面を形成する内包領域を有する。これにより、不整合界面にて、炭化珪素内の積層欠陥の伝搬を遮断することができるため、炭化珪素基板の表面を低積層欠陥密度とすることができる。これにより、半導体デバイス用基板として好ましい炭化珪素基板となる。なお、本実施形態では、基板として001面を主表面とした立方晶炭化珪素を用いたが、111面を主表面とした立方晶炭化珪素基板を用いても良い。この場合には、内包領域の側壁を{111}面、{110}面または{211}面のいずれかと平行とする。また、立方晶に限らず、例えば、{11-20}面や{03-38}面を主表面とした六方晶炭化珪素を用いることもできる。この場合、積層欠陥が伝播する最稠密面は0001面であり、積層欠陥は主表面と30~60度の角度で交わるので、本実施形態における上述の各工程を実施することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、{0001}面を主表面とした六方晶炭化珪素を用いる場合には、内包領域の側壁を{11-20}面または{-1100}面と平行にする。この場合、積層欠陥が伝播する最稠密面は0001面であり、積層欠陥は主表面と30~60度の角度で交わるので、本実施形態における上述の各工程を実施することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態で形成された炭化珪素基板は、基板形成後に二次的後発的に発生する積層欠陥の伝搬も遮断することができる。<第2実施形態>以下に、本発明の第2実施形態に係る炭化珪素基板について説明する。まず、直径4インチのSi001基板表面に、[-110]方向に平行に研磨砥粒を擦りつけることにより、[-110]方向に平行な起伏形成基板を全面に作製した一方向研磨傷導入。一方向研磨傷導入に用いた研磨剤は、粒径約9μmのダイヤモンドスラリーであり、これを市販の研磨クロスエンギスM414に浸透させつつ、Si001基板表面に所定方向に擦ることにより、略平行な無数の研磨傷を形成した。Si001基板表面に所定方向に擦る際の圧力は、0.2kg/cm2であり、研磨クロスを一度の研磨傷導入のために約300回往復させた一方向研磨処理。次に、[-110]方向に平行に研磨処理を施したSi001基板表面には、研磨砥粒などが付着しているので、超音波洗浄機で洗浄を実施した後、過酸化水素水と硫酸混合溶液とを1:1で混合した溶液、HF溶液にて洗浄した。次に、熱処理装置を用いて、起伏加工処理基板上に、膜厚が約0.5μmである熱酸化膜を形成した後に、形成した熱酸化膜を、希フッ酸により除去した。起伏形成領域の断面は、連続した波状であり、常に[-110]方向に平行な起伏の連続状態にある。溝の深さは30~50nm、幅は1~2μm、斜度は3~5度であった。次に、以上の工程により作製した起伏つきSi001基板を、CVD装置内にてC2H2とH2との混合雰囲気で1350度まで加熱し、極薄の炭化珪素層を形成した。原料ガスであるC2H2と、キャリアガスであるH2とは、室温より基板表面に供給した。これらC2H2およびH2の供給量と圧力とについては、表1に示す。次に、基板表面の温度が1350度に到達した後は、15分間、上述のC2H2とH2との混合雰囲気を保持した。次に、温度1350度でSiH2Cl2とC2H2とH2とを供給することにより、炭化珪素を成長させた。なお、炭化珪素を成長させた際の成長条件は、表2に示した通りであり、成長時の圧力は、反応室-ポンプ間に設置した圧力調整バルブにて調整した。表2に示した成長条件で8時間、炭化珪素の成長を行い、450μmの立方晶炭化珪素をSi001基板上に成長させた。次に、Si001基板をフッ酸と硝酸との混酸でエッチングし、単独の立方晶炭化珪素基板を作製した。以上の工程により作製した立方晶炭化珪素基板について、欠陥密度を測定するために、500度の溶融KOHに5分間浸漬させて、欠陥を顕在化させた。その後、この立方晶炭化珪素基板に対して光学顕微鏡観察を実施したところ、表面における欠陥密度は8×105/cm2であることが分かり、主表面上において反位相領域境界面は認められなかった。次に、1100度の乾燥酸素酸化を30分実施し、炭化珪素の主表面上に100nmの酸化膜を形成した。次に、酸化層の上層に2μmBRフポジ型レジストをスピン塗布し、フォトマスクにて正方形のパターン配列を露出するように紫外線水銀のg線で露光した。次に、個々の正方形のマスクパターンの辺が立方晶炭化珪素基板の<110>方位に平行になるように、アライメントした。ここで、個々の正方形のマスクパターンの辺の幅上述の内包領域13の幅Sに相当は2μmであり、その間隔上述の内包領域13の間隔Wに相当は5μmである。次に、レジストを現像して露光領域に開口部を設け、100WのFプラズマにさらすことにより、開口部下の酸化膜を除去した。これによれば、図2に示すように、立方晶炭化珪素基板の表面において、酸化膜が選択的に除去され、酸化膜で覆われた部分21と、酸化膜が無い開口部22と、が形成されることとなる。次に、上述の表2に示した成長条件で10分間、炭化珪素の成長を行い、10μmの立方晶炭化珪素をSi001基板上に成長された炭化珪素上に成長させた。これによれば、図3に示すように、シリコン基板34上に成長させた炭化珪素層31上に、酸化膜32で覆われた面を除いて、炭化珪素33が選択的に成長することとなる。次に、Si001基板をフッ酸と硝酸との混酸に浸して、シリコン基板34を溶解により消滅させた。すると、酸化膜32についても、シリコン基板34と同様に、溶解により消滅する。これによれば、図4に示すように、113μmの炭化珪素層31上に高さ10μmの離散した単結晶炭化珪素幅2μm、間隔5μm33が形成されることとなる。次に、表3に示した成長条件で60分間、炭化珪素の成長を行い、10μmの立方晶炭化珪素41を成長させた。これによれば、図5に示すように、離散した炭化珪素33の上部が立方晶炭化珪素41により連結し、主表面の下部10μmの深さに幅2μm、間隔5μm、高さ10μmの内包領域42が形成されることとなる。次に、以上の工程により作製した立方晶炭化珪素基板を500度の溶融KOHに5分間浸漬させて、欠陥を顕在化させた。その後、この立方晶炭化珪素基板の主表面に対して光学顕微鏡観察を実施したところ、表面における欠陥密度は2×102/cm2であることが分かった。以上のように、本実施形態においては、内包領域を設けることにより、積層欠陥密度を3桁低減させることができた。なお、本実施形態では、基板として001面を主表面とした立方晶炭化珪素を用いたが、これに限らず、例えば、{11-20}面や{03-38}面を主表面とした六方晶炭化珪素を用いることもできる。この場合、積層欠陥が伝播する最稠密面は0001面であり、積層欠陥は主表面と30~60度の角度で交わるので、本実施形態における上述の各工程を実施することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、表3に示した成長条件での炭化珪素の成長を、60分間行ったが、この時間を300~1200分の間で調節することで、離散的に選択成長させた炭化珪素33上に成長させる立方晶炭化珪素41の膜厚を変化させることができる。立方晶炭化珪素41の膜厚が変化すると、主表面からみた内包領域の深さは、50~200μmの間で変化する。そこで、主表面からみた内包領域の深さを50~200μmの間で変化させたところ、表面における欠陥密度は表4に示すように変化することが分かった。この表4によれば、本実施形態による積層欠陥密度の低減効果は、100μm以下の内包領域の深さにて発現することが分かる。次に、内包領域の深さを表4に示したように変化させて作製した各基板上に、表5に示す成長条件で、ホモエピタキシャル成長により膜厚が10μmである3C-SiC層を形成させる。すると、意図的な不純物添加は行わないが、ホモエピタキシャル層はnタイプの伝導を示し、そのキャリア濃度は5×1015/cm3となる。次に、ホモエピタキシャル層の表面全面に、Alのイオンを注入する。注入深さは1μmで、Alの濃度が深さ方向に1×1018/cm3の一定となるように、加速エネルギーを30~700keVの間で変化させる。Al注入後、Ar雰囲気中において1600度で10分間の活性化アニールを施し、最表面にp伝導層を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術により、表面に直径100μmのNiマスク領域を設け、CF4100secO220sccmのガスを導入しつつ200Wでのrf-RIEを5分間施し、表面層に深さ0.2μmのメサ構造によるpnダイオードを形成する。次に、メサダイオードの表面側p伝導層側が負、基板裏面が正となるように、600Vの電圧を印加して、pn接合部の内部電界領域幅をn層側に8μmまで拡張して、漏洩電流を測定する。すると、表6に示すように、明らかに100μm以下、特に50μmの内包領域深さにて、漏洩電流密度の低減が確認される。以上のように、深さ100μm以下の内包領域を含んだ炭化珪素基板上に、これと同一構造の炭化珪素層ホモエピタキシャル成長層を形成し、これに内部電界を拡張する半導体素子を設けると、積層欠陥に起因する漏洩電流が顕著に低減される。すなわち、本実施形態では内包領域を有する炭化珪素基板を用いてpnダイオードを形成したが、同様にMOSFET等の半導体素子を作製可能であり、この場合、積層欠陥に起因する漏洩電流が顕著に低減された半導体素子を作製することができる。なお、本実施形態では、基板として立方晶炭化珪素を用いたが、漏洩電流の支配的要因が積層欠陥である限り、六方晶炭化珪素基板を用いても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。このようにして形成された炭化珪素基板は、略平行な平面状態であり、一方主面である表面が低積層欠陥密度、他方主面である裏面が高積層欠陥密度となっている。また、主面の表面は、それぞれ{001}面である。また、本実施形態で形成された炭化珪素基板は、基板形成後に二次的後発的に発生する積層欠陥の伝搬も遮断することができる。<第3実施形態>以下に、本発明の第3実施形態に係る炭化珪素基板について説明する。まず、本発明の第2実施形態と同様に、直径4インチのSi001基板表面に、[-110]方向に平行に研磨砥粒を擦りつけることにより、[-110]方向に平行な起伏形成基板を全面に作製した。次に、本発明の第1実施形態と同様に、超音波洗浄機で洗浄を実施した後、過酸化水素水と硫酸混合溶液とを1:1で混合した溶液、HF溶液にて洗浄した。次に、本発明の第1実施形態と同様に、熱処理装置を用いて、起伏加工処理基板上に、膜厚が約0.5μmである熱酸化膜を形成した後に、形成した熱酸化膜を、希フッ酸により除去した。起伏形成領域の断面は、連続した波状であり、常に[-110]方向に平行な起伏の連続状態にある。溝の深さは30~50nm、幅は1~2μm、斜度は3~5度であった。次に、以上の工程により作製した起伏つきSi001基板の表面に、本発明の第2実施形態と同様に、上述の表1に示した条件で炭化珪素層を形成した。次に、上述の表2に示した成長条件で2時間、炭化珪素の成長を行い、113μmの立方晶炭化珪素をSi001基板上に成長させた。以上の工程により作製した立方晶炭化珪素基板について、欠陥密度を測定するために、500度の溶融KOHに5分間浸漬させて、欠陥を顕在化させた。その後、この立方晶炭化珪素基板に対して光学顕微鏡観察を実施したところ、表面における欠陥密度は8×105/cm2であることが分かり、主表面上において反位相領域境界面は認められなかった。次に、1100度の乾燥酸素酸化を30分実施し、炭化珪素の主表面上に100nmの酸化膜を形成した。次に、酸化層の上層に2μmのポジ型レジストをスピン塗布し、フォトマスクにて正方形のパターン配列を露出するように紫外線水銀のg線で露光した。次に、個々の正方形のマスクパターンの辺が立方晶炭化珪素基板の<110>方位に平行になるように、アライメントした。ここで、個々の正方形のマスクパターンの辺の幅上述の内包領域13の幅Sに相当は2μmであり、その間隔上述の内包領域13の間隔Wに相当は5μmである。次に、レジストを現像して露光領域に開口部を設け、100WのFプラズマにさらすことにより、開口部下の酸化膜を除去した。次に、上述の表2に示した成長条件で10分間、炭化珪素の成長を行い、10μmの立方晶炭化珪素をSi001基板上に成長された炭化珪素上に成長させた。これによれば、第2実施形態と同様に、酸化膜で被覆された部分には炭化珪素が成長せず、酸化膜の開口部には単結晶の炭化珪素が成長することとなる。次に、Si001基板をフッ酸と硝酸との混酸に浸して、シリコン基板を溶解により消滅させた。すると、酸化膜についても、シリコン基板と同様に、溶解により消滅する。これによれば、図4に示したように、113μmの炭化珪素層上に高さ10μmの離散した単結晶炭化珪素幅2μm、間隔5μmが形成されることとなる。次に、表7に示した成長条件で240分間、珪素層を成長させた。これによれば、図6に示すように、離散した炭化珪素52の表面を有する炭化珪素層51が、膜厚が20μmである多結晶珪素53で被覆されることとなる。次に、0.5μmダイヤモンド砥粒および0.1μmダイヤモンド砥粒を用いて、研磨処理を施し、表面層を20μm除去することにより、平坦化処理を施した。これによれば、図7に示すように、離散した炭化珪素52の頂部が表面に露出するとともに、その隙間が多結晶珪素53にて充填されることとなる。次に、表3に示す成長条件で10分間、炭化珪素の成長を行い、10μmの立方晶炭化珪素を成長させた。この条件は、多結晶珪素がエッチングされやすい条件のため、離散した炭化珪素上のみに炭化珪素が成長し、それぞれが連結する、すなわち、図8に示すように、離散した炭化珪素52の上部と、多結晶珪素53の上部と、に連続した炭化珪素層54が成長し、主表面の下部10μmの深さに、幅2μm、間隔5μm、高さ10μmの多結晶珪素で充填された内包領域が形成されることとなる。次に、炭化珪素基板を500度の溶融KOHに5分間浸漬させて、欠陥を顕在化させた。その後、この炭化珪素基板の主表面に対して光学顕微鏡観察を実施したところ、表面における欠陥密度は2×102/cm2であることが分かった。以上のように、本実施形態においては、内包領域を設けることにより、積層欠陥密度を3桁低減させることができた。なお、本実施形態では、内包領域を多結晶珪素で構成したが、これに限らず、例えば、単結晶珪素、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、窒化珪素などで構成しても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、基板として001面を主表面とした立方晶炭化珪素を用いたが、これに限らず、例えば、{11-20}面や{03-38}面を主表面とした六方晶炭化珪素を用いることもできる。この場合、積層欠陥が伝播する最稠密面は0001面であり、積層欠陥は主表面と30~60度の角度で交わるので、本実施形態における上述の各工程を実施することで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。このようにして形成された炭化珪素基板は、略平行な平面状態であり、一方主面である表面が低積層欠陥密度、他方主面である裏面が高積層欠陥密度となっている。また、主面の表面は、それぞれ{001}面である。また、本実施形態で形成された炭化珪素基板は、基板形成後に二次的後発的に発生する積層欠陥の伝搬も遮断することができる。以上詳述したように、本発明により、主表面から適宜の深さの領域に幅、高さ、間隔を制御して内包領域を設けることにより、最稠密面に平行に伝播する積層欠陥が阻止されて、半導体デバイス用基板として好ましく用いることのできる炭化珪素基板を得ることができる。言い換えると、本発明の炭化珪素基板は、珪素、炭素、窒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのうち少なくとも1つを含んだ内包領域、または、空間真空を含むからなる内包領域を有する。これにより、炭化珪素と内包領域との界面にて格子整合していない界面である不整合界面が形成されるため、炭化珪素内の積層欠陥の伝搬を遮断することができる。したがって、炭化珪素基板の表面を低積層欠陥密度とすることができる。つまりは、半導体デバイス用基板として好ましい炭化珪素基板となる。なお、本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。また、上述した各実施形態における構成要素は適宜、既存の構成要素などとの置き換えが可能であり、また、他の既存の構成要素との組み合わせを含む様々なバリエーションが可能である。したがって、上述した各実施形態の記載をもって、特許請求の範囲に記載された発明の内容を限定するものではない。