"柱状の本体を備え、前記本体は、第1の材料からなる柱状の中心部と、第2の材料からなり、前記中心部の側面を覆う外部筒とを有し、前記第2の材料の硬度及び比抵抗は、前記第1の材料の硬度及び比抵抗と異なることを特徴とするプローブカード用接触端子。前記第2の材料の硬度は前記第1の材料の硬度よりも高く、前記第1の材料の比抵抗は前記第2の材料の比抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項1記載のプローブカード用接触端子。前記第1の材料の硬度は前記第2の材料の硬度よりも高く、前記第2の材料の比抵抗は前記第1の材料の比抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項1記載のプローブカード用接触端子。前記本体における半導体デバイスとの接触部分は錘形状を呈することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子。前記本体における半導体デバイスとの接触部分は砲弾形状を呈することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子。前記本体における半導体デバイスとの接触部分は柱端形状を呈することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子。前記本体における半導体デバイスとの接触部分は、前記本体の中心軸に対して傾斜した面に沿って前記本体を切除することによって形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子。前記中心部の太さは0.5μm~50μmであり、前記外部筒の厚さは0.5μm~100μmであることを特徴とする請求項2記載のプローブカード用接触端子。前記中心部の太さは0.5μm~50μmであり、前記外部筒の厚さは0.5μm~100μmであることを特徴とする請求項3記載のプローブカード用接触端子。半導体基板に形成された半導体デバイスを検査するプローブカードであって、板状の基部と、該基部における前記半導体基板と対向する面に配された複数のプローブカード用接触端子を備え、前記プローブカード用接触端子の各々は柱状の本体を有し、前記本体は、第1の材料からなる柱状の中心部と、第2の材料からなり、前記中心部の側面を覆う外部筒とを有し、前記第2の材料の硬度及び比抵抗は、前記第1の材料の硬度及び比抵抗と異なることを特徴とするプローブカード。しかしながら、一般に高耐摩耗性材料は比抵抗が大きく、また、接触端子も小径化によって電流に対するコンダクタンスが低下し、その結果、接触端子の抵抗値が大きくなるため、接触端子へ電流を流す際に、該接触端子が大きく発熱して酸化するとともに、周りの接触端子も酸化させる。また、接触端子の発熱量が非常に大きいと当該接触端子が溶損するおそれもある。本発明の目的は、酸化及び溶損を防止することができるプローブカード用接触端子及びプローブカードを提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載のプローブカード用接触端子は、柱状の本体を備え、前記本体は、第1の材料からなる柱状の中心部と、第2の材料からなり、前記中心部の側面を覆う外部筒とを有し、前記第2の材料の硬度及び比抵抗は、前記第1の材料の硬度及び比抵抗と異なることを特徴とする。請求項2記載のプローブカード用接触端子は、請求項1記載のプローブカード用接触端子において、前記第2の材料の硬度は前記第1の材料の硬度よりも高く、前記第1の材料の比抵抗は前記第2の材料の比抵抗よりも小さいことを特徴とする。請求項3記載のプローブカード用接触端子は、請求項1記載のプローブカード用接触端子において、前記第1の材料の硬度は前記第2の材料の硬度よりも高く、前記第2の材料の比抵抗は前記第1の材料の比抵抗よりも小さいことを特徴とする。請求項4記載のプローブカード用接触端子は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子において、前記本体における半導体デバイスとの接触部分は錘形状を呈することを特徴とする。請求項5記載のプローブカード用接触端子は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子において、前記本体における半導体デバイスとの接触部分は砲弾形状を呈することを特徴とする。請求項6記載のプローブカード用接触端子は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子において、前記本体における半導体デバイスとの接触部分は柱端形状を呈することを特徴とする。請求項7記載のプローブカード用接触端子は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプローブカード用接触端子において、前記本体における半導体デバイスとの接触部分は、前記本体の中心軸に対して傾斜した面に沿って前記本体を切除することによって形成されることを特徴とする。請求項8記載のプローブカード用接触端子は、請求項2記載のプローブカード用接触端子において、前記中心部の太さは0.5μm~50μmであり、前記外部筒の厚さは0.5μm~100μmであることを特徴とする。請求項9記載のプローブカード用接触端子は、請求項3記載のプローブカード用接触端子において、前記中心部の太さは0.5μm~50μmであり、前記外部筒の厚さは0.5μm~100μmであることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項10記載のプローブカードは、半導体基板に形成された半導体デバイスを検査するプローブカードであって、板状の基部と、該基部における前記半導体基板と対向する面に配された複数のプローブカード用接触端子を備え、前記プローブカード用接触端子の各々は柱状の本体を有し、前記本体は、第1の材料からなる柱状の中心部と、第2の材料からなり、前記中心部の側面を覆う外部筒とを有し、前記第2の材料の硬度及び比抵抗は、前記第1の材料の硬度及び比抵抗と異なることを特徴とする。本発明によれば、外部筒をなす第2の材料の硬度及び比抵抗は、中心部をなす第1の材料の硬度及び比抵抗と異なるので、外部筒及び中心部のいずれか一方が摩耗せず、結果として本体の変形を抑制し、他方が円滑に電流を流して本体が発熱するのを防止し、結果として本体の酸化及び溶損を防止することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係るプローブカードの構成を概略的に示す斜視図である。図1において、プローブカード10は、円板状のベース11基部と、該ベース11における半導体ウエハと対向する面図1では下面に配された複数のポゴピン12とを備える。複数のポゴピン12は、半導体ウエハに形成された半導体デバイスにおける各電極パッドや各半田バンプの配置に対応するように配されており、プローブカード10が半導体ウエハと対向する際、各ポゴピン12の先端が各電極パッドや各半田バンプに接触する。図2は、図1におけるポゴピンの構成を概略的に示す拡大断面図である。図2において、ポゴピン12は、筒状の外部ケース13と、該外部ケース13内に摺動可能に嵌合された円柱状のプランジャー14プローブカード用接触端子と、コイルスプリング15とを備える。外部ケース13は大径の下半部13aと小径の上半部13bからなる段付ケースであり、下半部13aと上半部13bの間には肩部13cが形成されている。プランジャー14は、下半部13aに摺動自在に嵌合された大径のガイド部14aと、上半部13bに摺動自在に嵌合された小径の上軸部14bと、ガイド部14aを挟んで上軸部14bと反対側に延伸し且つガイド部14aよりも径が小さい接触部14c本体とを有する。コイルスプリング15は、外部ケース13の肩部13cとプランジャー14のガイド部14aとの間に配置されている。このポゴピン12では、電極パッドとの接触によってプランジャー14が外部ケース13へ押し込まれると、コイルスプリング15が圧縮されて反力を発生させるので、プランジャー14の接触部14cが再度、電極パッドへ向けて押し出される。その結果、接触部14cは電極パッドと接触を維持することができる。プローブカード10において、各ポゴピン12の外部ケース13はベース11に埋設され、プローブカード10の下面からプランジャー14のみが突出する。また、各ポゴピン12へは電流が流され、該電流はさらにポゴピン12を介して接触する電極パッドや半田バンプへ流れる。図3は、図2のポゴピンにおけるプランジャーの接触部の拡大断面図である。図3において、接触部14cは、柱状の中心部14dと、該中心部14dの側面を覆う外部筒14eとを有し、中心部14d及び外部筒14eの間には密着層14fが介在して中心部14d及び外部筒14eを密着させる。接触部14cは、電極パッドとの接触部分以下、先端部分という。が砲弾形状を呈する。これにより、電極パッドに対して接触部14cが傾いても、当該接触部14cと電極パッドとの接触形態が急変せず、接触圧をほぼ一定に維持することができる。なお、本実施の形態では、接触部14cの先端部分の端部に至るまで中心部14dの側面を外部筒14eが覆う。中心部14dと外部筒14eとは互いに異なる材料によって構成される。具体的には、外部筒14eを構成する材料以下、外部材料第2の材料の硬度及び比抵抗は、中心部14dを構成する材料以下、中心部材料第1の材料の硬度及び比抵抗と異なる。本実施の形態では、中心部材料及び外部材料の組み合わせとして、外部材料を中心部材料よりも硬度の高い高耐摩耗性材料とし、中心部材料を外部材料よりも比抵抗が小さい低抵抗材料とする組み合わせ以下、第1の組み合わせという。や、中心部材料を外部材料よりも硬度の高い高耐摩耗性材料とし、外部材料を中心部材料よりも比抵抗が小さい低抵抗材料とする組み合わせ以下、第2の組み合わせという。が採用される。上述した第1の組み合わせでは、接触部14cが電極パッドとの接触を繰り返しても、外部筒14eが摩耗せず、これに伴い、外部筒14e近傍の中心部14dの摩耗も防止できるため、結果として接触部14cの変形を抑制することができる。また、電極パッドとの接触の際に中心部14dが円滑に電流を流して高電導性を実現するので、接触部14cが発熱するのを防止し、結果として接触部14cの酸化及び溶損を防止することができる。また、上述した第2の組み合わせでは、接触部14cが電極パッドとの接触を繰り返しても、中心部14dが摩耗せず、これに伴い、中心部14d近傍の外部筒14eの摩耗も防止できるため、結果として接触部14cの変形を抑制することができる。また、電極パッドとの接触の際に外部筒14eが円滑に電流を流して高電導性を実現するので、接触部14cが発熱するのを防止し、結果として接触部14cの酸化及び溶損を防止することができる。本実施の形態で用いられる低抵抗材料としては、比抵抗が小さいだけでなく、比熱が大きく、熱伝導率が低いことが好ましい。比熱が大きいと、接触部14cに大電流が流れてジュール熱が発生しても、低抵抗材料の温度が上昇しにくいため、当該温度が低抵抗材料の融点や軟化点に近付きにくくなり、低抵抗材料で構成される中心部14dや外部筒14eが焼き切れたり、形状が崩れることがない。これにより、接触部14cに大電流を流し続けることができる。また、熱伝達率が低いと、発生したジュール熱を他部材、例えば、外部ケース13やコイルスプリング15へ伝えにくいので、外部ケース13やコイルスプリング15が熱膨張してポゴピン12が円滑に作動しなくなるのを防止することができる。本実施の形態で用いられる低抵抗材料の比抵抗としては10×10-8Ωm以下が好適であり、1.6×10-8Ωm~6×10-8Ωmがより好ましい。また、同低抵抗材料の比熱としては、1000J/kgK以下が好適であり、100J/kgK~500J/kgKがより好ましい。さらに、同低抵抗材料の熱伝導率としては、10W/mK~1000W/mKが好適であり、20W/mK~500W/mKがより好ましい。また、本実施の形態で用いられる低抵抗材料としては、例えば、Au金、Ag銀、Cu銅、Cu/Au、Au/DLCDiamondLikeCarbon、Au/ナノダイヤが該当し、高耐摩耗性材料としては、Pt白金、Pdパラジウム、Wタングステン、Rhロジウム、Niニッケル、DLC、Ni/DLC、Au/DLC、Au/ナノダイヤ、Tiチタン、さらには、Ti合金、BeCuベリウム銅やリン青銅等の銅合金、鋼線類が該当し、密着剤としてはNi、Ti,Taタンタルが該当する。低抵抗材料、密着層及び高耐摩耗性材料の好適な組み合わせとしては、例えば、Au、Ni、Ptからなる組み合わせ、Au、Ni、Wからなる組み合わせ、Cu、Ni、Au/DLCからなる組み合わせ、Au、Ti、Ptからなる組み合わせ、Au、Ti、Wからなる組み合わせ、Au、Ta、Ptからなる組み合わせ、Au、Ta、Wからなる組み合わせが該当する。なお、プランジャー14が電極パッドとの接触を繰り返す内に、中心部14d及び外部筒14eが互いに剥離しても接触部14cに電流が流れることができれば、半導体デバイスの検査を行うことができるため、中心部14d及び外部筒14eの間に密着層14fが介在しなくてもよい。プランジャー14において、外部筒14eは中心部14dの周りに高耐摩耗性材料又は低抵抗材料を積層することによって形成される。外部筒14eの形成方法としては、電気鋳造、CVDChemicalVaporDepositionやPVDPhysicalVaporDepositionが用いられる。本実施の形態において中心部14d及び外部筒14eともに所定の機能耐摩耗性、高電導性を実現するためには、ある程度の厚みが必要であり、例えば、上記第1の組み合わせでは、中心部14dの太さtは0.5μm~50μm、好ましくは3μm~50μmであり、外部筒14eの厚さTは0.5μm~100μm、好ましくは10μm~30μmであるのが好ましい。これにより、中心部14dの抵抗値を低いままに留めることができ、もって、中心部14dに電流を円滑に流して接触部14cが発熱するのを確実に防止できるとともに、外部筒14eにおける電極パッドとの接触圧を低いままに留めることができ、もって、外部筒14eの摩耗を抑制し、結果として接触部14cの変形を確実に抑制することができる。また、上記第2の組み合わせでは、中心部14dの太さtは0.5μm~50μm、好ましくは3μm~30μmであり、外部筒14eの厚さTは0.5μm~100μm、好ましくは5μm~50μmであるのが好ましい。これにより、外部筒14eの抵抗値を低いままに留めることができ、もって、外部筒14eに電流を円滑に流して接触部14cが発熱するのを確実に防止できるとともに、中心部14dにおける電極パッドとの接触圧を低いままに留めることができ、もって、中心部14dの摩耗を抑制し、結果として接触部14cの変形を確実に抑制することができる。以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上述した接触部14cは先端部分が砲弾形状を呈するが、先端部分の形状はこれに限られず、柱端形状図4Aや錐形状図4Bを呈してもよく、さらには、先端部分を、接触部14cの中心軸に対して傾斜した面以下、単に傾斜面という。に沿って当該接触部14cの先端を切除することによって形成してもよい図4C。柱端形状の場合、接触部14cは電極パッドと面接触することができ、接触部14cの摩耗を極力抑えることができる。錐形状の場合、電極パッドが微細であっても、接触部14cの先端が極細となるため、当該電極パッドと確実に接触することができる。また、傾斜面に沿って接触部14cの先端を切除する場合、先端部分の加工工程を減らすことができ、当該先端部分を容易に形成することができる。また、上述した実施の形態では、接触部14cが中心部14dと外部筒14eからなる2層構造を有するが、少なくとも1つの層が低抵抗材料で構成され、他の少なくとも1つの層が高耐摩耗性材料で構成されれば、接触部14cは少なくとも3つの層が積層された構造を有してもよい。また、プランジャー14が円柱状の部材から構成されたが、プランジャー14を構成する部材の形状は円柱に限られず、例えば、角柱であってもよい。さらに、上述した実施の形態では本発明がポゴピンのプランジャーに適用されたが、本発明をコンタクトプローブの接触部に適用してもよい。"