インプリント法を用いて、第1の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層を基板上に形成する工程と、前記溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、前記第1の方向に直交する第2の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介して前記レジスト材料を露光する工程と、前記透光パターンを介して露光された前記レジスト材料の部分を除去することでホールパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。インプリント法を用いて、第1の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層を基板上に形成する工程と、前記溝パターンをネガ型のレジスト材料で埋める工程と、前記第1の方向に直交する第2の方向に延伸する遮光パターンを有するマスクを介して前記レジスト材料を露光する工程と、前記遮光パターンにより露光されなかった前記レジスト材料の部分を除去することでホールパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。前記インプリント材料層を形成する工程は、前記基板上にインプリント材料を供給する工程と、前記基板上に供給されたインプリント材料に前記第1の方向に延伸する凸パターンを有するテンプレートを接触させる工程と、前記テンプレートが接触した状態で前記インプリント材料を硬化させる工程と、前記テンプレートを離型することで前記凸パターンに対応した前記溝パターンを有する前記インプリント材料層を得る工程と、を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記ホールパターンの一対の側面を規定する前記レジスト材料の部分に側壁膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記レジスト材料を露光する工程は、光又は電子線を用いて行われることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記レジスト材料を露光する工程は、EUV光を用いて行われることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。請求項1又は2に記載のホールパターンを用いてエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能な方法を提供する。実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第1の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層を基板上に形成する工程と、前記溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、前記第1の方向に直交する第2の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介して前記レジスト材料を露光する工程と、前記透光パターンを介して露光された前記レジスト材料の部分を除去することでホールパターンを形成する工程と、を備える。実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第1の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層を基板上に形成する工程と、前記溝パターンをネガ型のレジスト材料で埋める工程と、前記第1の方向に直交する第2の方向に延伸する遮光パターンを有するマスクを介して前記レジスト材料を露光する工程と、前記遮光パターンにより露光されなかった前記レジスト材料の部分を除去することでホールパターンを形成する工程と、を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。実施形態1図1~図5は、第1の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した図である。図1a~図5aは平面図、図1b~図5bは図1a~図5aのB-B線に沿った断面図、図5cは図5aのC-C線に沿った断面図である。まず、図1a及び図1bに示すように、半導体基板半導体ウェハ11上に、光硬化型のインプリント材料ナノインプリント材料12を例えばインクジェット法によって供給する塗布する。次に、図2a及び図2bに示すように、半導体基板11上に供給されたインプリント材料12に、所定の方向第1の方向に延伸する凸パターンを有するテンプレート図示せずを接触させる押し付ける。具体的には、テンプレートに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。続いて、テンプレートが接触した状態で紫外UV光を照射し、インプリント材料12を硬化させる。さらに、テンプレートを半導体基板11から離型する。これにより、図2a及び図2bに示すように、テンプレートの凸パターンに対応した溝パターン13を有するインプリント材料層12aが得られる。なお、実際には、上述した工程を必要な回数ショット数繰り返すことで、半導体基板11の全面にインプリントパターンが形成される。次に、図3a及び図3bに示すように、溝パターン13をポジ型レジスト材料14で埋める。具体的には、EUV用のポジ型レジスト材料をスピン塗布法によって、インプリントパターンを有する半導体基板11上に塗布する。さらに、ポジ型レジスト材料14に対してベーク処理を行う。なお、図3a及び図3bでは、ポジ型レジスト材料14がインプリントパターンインプリント材料層12aを完全に覆っているが、少なくともポジ型レジスト材料14が溝パターン13を埋めていればよい。次に、図4a及び図4bに示すように、溝パターン13の延伸方向第1の方向に直交する方向第2の方向に延伸する透光パターンを有するフォトマスク図示せずを介して、ポジ型レジスト材料14をEUV光によって露光する。具体的には、フォトマスクに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。この露光処理により、ポジ型レジスト材料14には、非露光領域14a及び露光領域14bが形成される。さらに、露光されたポジ型レジスト材料14に対してベーク処理を行う。次に、図5a及び図5bに示すように、ポジ型レジスト材料14を現像する。具体的には、2.38TMAH水溶液を用いて現像処理を行う。この現像処理により、ポジ型レジスト材料14の露光領域14bが除去され、非露光領域14aがラインパターンとして残る。その結果、ライン状のインプリント材料層12a及びライン状のポジ型レジスト材料層非露光領域14aのいずれも形成されていない領域にホールパターン15が形成される。以上のように、本実施形態によれば、インプリント材料層のパターン12aはラインパターンである。そのため、ホールパターンに比べてパターン占有率が大きく、インプリント樹脂をテンプレートの凹部内に確実に充填することが可能である。また、レジスト材料層のパターン14aの形成には、1回のEUV露光を行えばよい。そのため、製造コストの上昇を抑えることができる。したがって、本実施形態によれば、微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能となる。実施形態2図6~図10は、第2の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した図である。図6a~図10aは平面図、図6b~図10bは図6a~図10aのB-B線に沿った断面図、図10cは図10aのC-C線に沿った断面図である。まず、図6a及び図6bに示すように、半導体基板半導体ウェハ21上に、光硬化型のインプリント材料ナノインプリント材料22を例えばインクジェット法によって供給する塗布する。次に、図7a及び図7bに示すように、半導体基板21上に供給されたインプリント材料22に、所定の方向第1の方向に延伸する凸パターンを有するテンプレート図示せずを接触させる押し付ける。具体的には、テンプレートに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。続いて、テンプレートが接触した状態で紫外UV光を照射し、インプリント材料22を硬化させる。さらに、テンプレートを半導体基板21から離型する。これにより、図7a及び図7bに示すように、テンプレートの凸パターンに対応した溝パターン23を有するインプリント材料層22aが得られる。なお、実際には、上述した工程を必要な回数ショット数繰り返すことで、半導体基板21の全面にインプリントパターンが形成される。次に、図8a及び図8bに示すように、溝パターン23をネガ型レジスト材料24で埋める。具体的には、EUV用のネガ型レジスト材料をスピン塗布法によって、インプリントパターンを有する半導体基板21上に塗布する。さらに、ネガ型レジスト材料24に対してベーク処理を行う。なお、図8a及び図8bでは、ネガ型レジスト材料24がインプリントパターンインプリント材料層22aを完全に覆っているが、少なくともネガ型レジスト材料24が溝パターン23を埋めていればよい。次に、図9a及び図9bに示すように、溝パターン23の延伸方向第1の方向に直交する方向第2の方向に延伸する遮光パターンを有するフォトマスク図示せずを介して、ネガ型レジスト材料24をEUV光によって露光する。具体的には、フォトマスクに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。この露光処理により、ネガ型レジスト材料24には、露光領域24a及び非露光領域24bが形成される。さらに、露光されたネガ型レジスト材料24に対してベーク処理を行う。次に、図10a及び図10bに示すように、ネガ型レジスト材料24を現像する。具体的には、2.38TMAH水溶液を用いて現像処理を行う。この現像処理により、ネガ型レジスト材料24の非露光領域24bが除去され、露光領域24aがラインパターンとして残る。その結果、ライン状のインプリント材料層22a及びライン状のネガ型レジスト材料層露光領域24aのいずれも形成されていない領域にホールパターン25が形成される。以上のように、本実施形態によれば、インプリント材料層のパターン22aはラインパターンである。そのため、ホールパターンに比べてパターン占有率が大きく、インプリント樹脂をテンプレートの凹部内に確実に充填することが可能である。また、レジスト材料層のパターン24aの形成には、1回のEUV露光を行えばよい。そのため、製造コストの上昇を抑えることができる。したがって、本実施形態によれば、微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能となる。実施形態3図11~図17は、第3の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した図である。図11a~図17aは平面図、図11b~図17bは図11a~図17aのB-B線に沿った断面図、図15c~図17cは図15a~図17aのC-C線に沿った断面図である。まず、図11a及び図11bに示すように、半導体基板半導体ウェハ31上に、光硬化型のインプリント材料ナノインプリント材料32を例えばインクジェット法によって供給する塗布する。次に、図12a及び図12bに示すように、半導体基板31上に供給されたインプリント材料32に、所定の方向第1の方向に延伸する凸パターンを有するテンプレート図示せずを接触させる押し付ける。具体的には、テンプレートに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。続いて、テンプレートが接触した状態で紫外UV光を照射し、インプリント材料32を硬化させる。さらに、テンプレートを半導体基板31から離型する。これにより、図12a及び図12bに示すように、テンプレートの凸パターンに対応した溝パターン33を有するインプリント材料層32aが得られる。なお、実際には、上述した工程を必要な回数ショット数繰り返すことで、半導体基板31の全面にインプリントパターンが形成される。次に、図13a及び図13bに示すように、溝パターン33をポジ型レジスト材料34で埋める。具体的には、EUV用のポジ型レジスト材料をスピン塗布法によって、インプリントパターンを有する半導体基板31上に塗布する。さらに、ポジ型レジスト材料34に対してベーク処理を行う。なお、図13a及び図13bでは、ポジ型レジスト材料34がインプリントパターンインプリント材料層32aを完全に覆っているが、少なくともポジ型レジスト材料34が溝パターン33を埋めていればよい。次に、図14a及び図14bに示すように、溝パターン33の延伸方向第1の方向に直交する方向第2の方向に延伸する透光パターンを有するフォトマスク図示せずを介して、ポジ型レジスト材料34をEUV光によって露光する。具体的には、フォトマスクに形成されたパターンは、24nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。この露光処理により、ポジ型レジスト材料34には、非露光領域34a及び露光領域34bが形成される。さらに、露光されたポジ型レジスト材料34に対してベーク処理を行う。次に、図15a及び図15bに示すように、ポジ型レジスト材料34を現像する。具体的には、2.38TMAH水溶液を用いて現像処理を行う。この現像処理により、ポジ型レジスト材料34の露光領域34bが除去され、非露光領域34aがラインパターンとして残る。その結果、ライン状のインプリント材料層32a及びライン状のポジ型レジスト材料層非露光領域34aのいずれも形成されていない領域にホールパターン35が形成される。次に、図16a及び図16bに示すように、ホールパターン35が形成された半導体基板31上に側壁材料36を塗布する。具体的には、側壁材料36としてRELACS剤をスピンコートによって塗布する。これにより、ホールパターン35が側壁材料36によって埋められる。次に、図17a及び図17bに示すように、加熱処理を行う。この加熱処理により、ポジ型レジスト材料層34a中に残存している酸と側壁材料RELACS剤36とが架橋反応する。さらに、水洗処理を行うことで、未反応の側壁材料36を除去する。これにより、ホールパターン35の一対の側面を規定するポジ型レジスト材料層34aの部分に側壁膜36aが形成される。その結果、シュリンクされたホールパターン35aが得られる。以上のように、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能とである。また、本実施形態では、ホールパターンのシュリンクを行うことで、レジスト材料層のパターン34aのピッチを大ききしても、微細なホールパターンを形成することが可能である。実施形態4図18~図24は、第4の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示した図である。図18a~図24aは平面図、図18b~図24bは図18a~図24aのB-B線に沿った断面図、図22c~図24cは図22a~図24aのC-C線に沿った断面図である。まず、図18a及び図18bに示すように、半導体基板半導体ウェハ41上に、光硬化型のインプリント材料ナノインプリント材料42を例えばインクジェット法によって供給する塗布する。次に、図19a及び図19bに示すように、半導体基板41上に供給されたインプリント材料42に、所定の方向第1の方向に延伸する凸パターンを有するテンプレート図示せずを接触させる押し付ける。具体的には、テンプレートに形成されたパターンは、20nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。続いて、テンプレートが接触した状態で紫外UV光を照射し、インプリント材料42を硬化させる。さらに、テンプレートを半導体基板41から離型する。これにより、図19a及び図19bに示すように、テンプレートの凸パターンに対応した溝パターン43を有するインプリント材料層42aが得られる。なお、実際には、上述した工程を必要な回数ショット数繰り返すことで、半導体基板41の全面にインプリントパターンが形成される。次に、図20a及び図20bに示すように、溝パターン43をネガ型レジスト材料44で埋める。具体的には、EUV用のネガ型レジスト材料をスピン塗布法によって、インプリントパターンを有する半導体基板41上に塗布する。さらに、ネガ型レジスト材料44に対してベーク処理を行う。なお、図20a及び図20bでは、ネガ型レジスト材料44がインプリントパターンインプリント材料層42aを完全に覆っているが、少なくともネガ型レジスト材料44が溝パターン43を埋めていればよい。次に、図21a及び図21bに示すように、溝パターン43の延伸方向第1の方向に直交する方向第2の方向に延伸する遮光パターンを有するフォトマスク図示せずを介して、ネガ型レジスト材料44をEUV光によって露光する。具体的には、フォトマスクに形成されたパターンは、24nmのハーフピッチを有するラインアンドスペースパターンである。この露光処理により、ネガ型レジスト材料44には、露光領域44a及び非露光領域44bが形成される。さらに、露光されたネガ型レジスト材料44に対してベーク処理を行う。次に、図22a及び図22bに示すように、ネガ型レジスト材料44を現像する。具体的には、2.38TMAH水溶液を用いて現像処理を行う。この現像処理により、ネガ型レジスト材料44の非露光領域44bが除去され、露光領域44aがラインパターンとして残る。その結果、ライン状のインプリント材料層42a及びライン状のネガ型レジスト材料層露光領域44aのいずれも形成されていない領域にホールパターン45が形成される。次に、図23a及び図23bに示すように、ホールパターン45が形成された半導体基板41上に側壁材料46を塗布する。具体的には、側壁材料46としてRELACS剤をスピンコートによって塗布する。これにより、ホールパターン45が側壁材料46によって埋められる。次に、図24a及び図24bに示すように、加熱処理を行う。この加熱処理により、ポジ型レジスト材料層44a中に残存している酸と側壁材料RELACS剤46とが架橋反応する。さらに、水洗処理を行うことで、未反応の側壁材料46を除去する。これにより、ホールパターン45の一対の側面を規定するポジ型レジスト材料層44aの部分に側壁膜46aが形成される。その結果、シュリンクされたホールパターン45aが得られる。以上のように、本実施形態においても、第2の実施形態と同様に、微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能とである。また、本実施形態では、ホールパターンのシュリンクを行うことで、レジスト材料層のパターン44aのピッチを大ききしても、微細なホールパターンを形成することが可能である。なお、上述した第1~第4の実施形態の方法は、半導体装置の製造方法に適用可能である。図25は、半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。まず、第1~第4の実施形態のいずれかの方法によってホールパターンを形成するS1。次に、ホールパターンを規定するインプリント材料層及びレジスト材料層のパターンをマスクとして用いて、下地層のエッチングを行う。その結果、下地層にホールパターンが形成される。このように、上述した第1~第4の実施形態のパターン形成方法を半導体装置の製造方法に適用することで、微細なホールパターンを形成することができる。また、上述した第1~第4の実施形態では、レジスト材料を露光する工程において、EUV光を用いたが、一般には光又は電子線を用いることが可能である。例えば、G線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、等を用いることが可能である。また、上述した第1~第4の実施形態では、規則的に配列されたホールパターンの形成方法について説明したが、所望のホールパターンの形成方法に上述した方法を適用することが可能である。例えば、単一のホールパターンの形成にも上述した方法を適用することが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。