表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、前記チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの該表面に、前記ストリートに沿って溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面から、前記半導体ウエハを通して前記溝の位置を検出する工程と、前記溝が検出された位置に基づいて、前記半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、前記溝に対応する位置の前記半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する工程と、前記溝及び前記改質領域の位置で、前記半導体ウエハを小片に分離する工程とを有する半導体チップの製造方法。前記溝を形成する前に、さらに、前記半導体ウエハを、前記裏面から研削して薄くする工程と、研削された前記裏面にダイシングテープを貼付する工程とを有し、前記溝の位置を検出する工程において、前記ダイシングテープを通して前記溝の位置を検出する請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記改質領域を形成する工程において、前記半導体ウエハに入射した前記レーザビームのうち、前記半導体ウエハを透過したレーザビームのパワーを観測する請求項1または2に記載の半導体チップの製造方法。表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、前記チップ領域の間にストリートが画定された半導体ウエハを、透明なチャックテーブルに固定する工程と、前記チャックテーブルに固定された状態で、前記半導体ウエハの前記表面を、該表面側から観察し、前記ストリートの位置を検出する工程と、前記ストリートの位置の検出結果に基づいて、前記チャックテーブルに固定された状態で、前記半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射し、前記ストリートに沿って走査することにより、前記半導体ウエハを改質して改質領域を形成する工程と、前記改質領域の位置で、前記半導体ウエハの小片に分離する工程とを有する半導体チップの製造方法。前記チャックテーブルに固定する工程において、前記半導体ウエハの前記表面が前記チャックテーブルに対向する姿勢で前記半導体ウエハを固定し、前記ストリートの位置を検出する工程において、前記チャックテーブルを通して前記半導体ウエハの前記表面を観察する、または前記チャックテーブルに固定する工程において、前記半導体ウエハの前記裏面が前記チャックテーブルに対向する姿勢で前記半導体ウエハを固定し、前記改質領域を形成する工程において、前記チャックテーブルを通して前記半導体ウエハに前記レーザビームを入射させる請求項4に記載の半導体チップの製造方法。シリコン等の半導体ウエハの裏面からレーザ照射を行う場合、ウエハの分離予定線ストリートの位置を検出しなければならない。素子が形成されている表面には、表面保護テープが貼付され、半導体ウエハは、その表面を下向きにしてステージに保持される。半導体ウエハを透過する赤外線を用い、半導体ウエハの裏面から、表面に形成されているパターンを観察することにより、ストリートの位置が検出される。半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動する。赤外線の吸収量が多くなると、表面に形成されているパターンの認識が困難になる。本発明の一観点によると、表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、前記チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの該表面に、前記ストリートに沿って溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面から、前記半導体ウエハを通して前記溝の位置を検出する工程と、前記溝が検出された位置に基づいて、前記半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、前記溝に対応する位置の前記半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する工程と、前記溝及び前記改質領域の位置で、前記半導体ウエハを小片に分離する工程とを有する半導体チップの製造方法が提供される。本発明の他の観点によると、表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、前記チップ領域の間にストリートが画定された半導体ウエハを、透明なチャックテーブルに固定する工程と、前記チャックテーブルに固定された状態で、前記半導体ウエハの前記表面を、該表面側から観察し、前記ストリートの位置を検出する工程と、前記ストリートの位置の検出結果に基づいて、前記チャックテーブルに固定された状態で、前記半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射し、前記ストリートに沿って走査することにより、前記半導体ウエハを改質して改質領域を形成する工程と、前記改質領域の位置で、前記半導体ウエハの小片に分離する工程とを有する半導体チップの製造方法が提供される。半導体ウエハに溝を形成しておくことにより、ストリートの位置を容易に検出することができる。また、半導体ウエハの表面を、表面側から観察することにより、ストリートの位置を容易に検出することができる。図面を参照しながら、実施例1~実施例4について説明する。[実施例1]図1Aに、半導体チップに分離する前の半導体ウエハの平面図を示す。半導体ウエハ20の素子形成面表面に、行列状に配列した複数の素子形成領域チップ領域21が画定されている。チップ領域21内に、半導体素子等を含む回路パターンが形成されている。チップ領域21の間に、分離予定線であるストリート22が画定されている。図1Bに、図1Aの一点鎖線1B-1Bにおける断面図を示す。半導体ウエハ20の表面24に画定されたチップ領域21内に、半導体素子等を含む回路パターンが形成されている。チップ領域21の間に、ストリート22が画定されている。半導体ウエハ20の表面24とは反対側の面、すなわち回路パターンが形成されていない面を裏面25ということとする。一例として、半導体ウエハ20の直径は300mmであり、厚さは780μmである。この半導体ウエハ20から分離される半導体チップの厚さが500μmになる場合について説明する。図2Aに示すように、半導体ウエハ20の表面24に、表面保護テープ30を貼り付ける。半導体ウエハ20を、その裏面25が上方を向く姿勢で、研削テーブル31の上に吸着して固定する。バックグラインドホイール32で、半導体ウエハ20を、その厚さが500μmになるまで研削する。図2Bに示すように、ダイシングテーブル37に、ダイシングテープ35を載置する。ダイシングテープ35は、その外周部分においてウエハフレーム36に支持されている。研削された半導体ウエハ20の裏面25を、ダイシングテープ35に貼り付ける。ダイシングテープ35は、近赤外光を透過させる素材で形成されている。ダイシングテープ35の粘着剤の種類は特に限定されないが、本実施例では、紫外線硬化樹脂を用いた場合について説明する。図2Cに示すように、半導体ウエハ20から表面保護テープ30を剥離する。図3Aに示すように、ブレード38を用いて、半導体ウエハ20の表面24側に、ストリート22に沿う溝39を形成する。溝39の深さは、例えば400μmとする。溝39の底から裏面25までの厚さは100μmになる。図3Bに示すように、すべてのストリート22に沿って溝39が形成される。図4に示すように、半導体ウエハ20を、その表面24を下方に向けて、レーザダイシング装置のチャックテーブル40に固定する。なお、本実施例では、半導体ウエハ20をチャックテーブル40の上に直接載置するが、接触による半導体ウエハ20の破損が懸念される場合には、ポーラス状のシートをチャックテーブル40に載せ、その上に半導体ウエハ20を載置してもよい。チャックテーブル40には、近赤外光を反射する素材、例えばステンレス等の金属が用いられる。以下、実施例1で用いるレーザダイシング装置について説明する。レーザダイシング装置は、観察用光源45、レーザ光源46、カメラ47、及び制御装置50を含む。観察用光源45は、半導体ウエハ20を透過する波長域の近赤外光を放射する。観察用光源45には、例えばハロゲンランプが用いられる。レーザ光源46は、半導体ウエハ20内に集光することによって、半導体ウエハ20を改質させることができる波長域の赤外パルスレーザビームを出射する。具体的には、赤外パルスレーザビームの波長は、半導体ウエハ20を透過する波長域であるが、焦点位置において多光子吸収が生じる程度のパワーを有する。レーザ光源46には、例えば波長1064nmの赤外レーザビームを出射するNd:YAGレーザが用いられる。観察用光源45から放射された近赤外光の一部が、ビームスプリッタ49で反射し、ダイクロイックミラー48を透過して、ダイシングテープ35に入射する。さらに、ダイシングテープ35を透過し、半導体ウエハ20に入射する。半導体ウエハ20によって一部が吸収され、チャックテーブル40で反射した近赤外光は、ダイクロイックミラー48を透過し、一部がビームスプリッタ49を透過して、カメラ47に入射する。カメラ47は、観察用光源45から放射される近赤外光の波長域に感度を有する。レーザ光源46から出射した赤外レーザビームは、ダイクロイックミラー48で反射し、半導体ウエハ20の内部に集光される。制御装置50は、観察用光源45、レーザ光源46を制御し、カメラ47で撮像された画像信号を受信する。ダイシングテープ35が貼付された半導体ウエハ20をチャックテーブル40に固定した後、観察用光源45から近赤外光を放射し、カメラ47で半導体ウエハ20を透過してチャックテーブル40で反射した反射光を受光する。制御装置50が、カメラ47から受信した画像信号を分析することにより、溝39の位置を検出する。溝39の位置が検出されると、チャックテーブル40のθ補正を行うと共に、レーザビームで走査するべき位置を決定する。図5に示すように、レーザ光源46から赤外レーザビームを出射させる。レーザビームの焦点は、溝39の底面と、半導体ウエハ20の裏面25との間に位置するように調節されている。チャックテーブル40を面内方向に移動させることにより、ストリート22溝39に沿ってレーザビームを走査する。レーザビームの焦点位置におけるパワー密度は、1×108W/cm2以上にすることが好ましい。レーザビームのパルス幅は、1μs以下とすることが好ましい。レーザビームの焦点位置の半導体ウエハ20が改質され、改質領域26が形成される。図6Aに示すように、全てのストリート22に沿って改質領域26が形成される。なお、半導体ウエハ20をチャックテーブル40に固定した状態で、図4に示したように、改質領域26の形成に伴って半導体ウエハ20の内部に発生した亀裂を、カメラ47を用いて観察してもよい。亀裂の形状及び大きさにより、レーザビームの再照射の必要性の有無を判定することができる。図6Bに示すように、ダイシングテープ35を、ウエハエキスパンドステージ55を用いて放射状に引き伸ばすことにより、半導体ウエハ20に面内方向の引張り力を加える。これにより、改質領域26を起点として、半導体ウエハ20が小片の半導体チップ20Aに分割される。図6Cに示すように、半導体チップ20を分割した後、ダイシングテープ35に紫外線56を照射する。紫外線照射により、ダイシングテープ35の粘着力が低下する。図7Aに示すように、ダイシングテープ35及び半導体ウエハ20をピックアップ装置に載置する。突き上げピン56により、半導体チップ20Aを突き上げる。突き上げられた半導体チップ20Aの上方にコレット57を移動させる。図7Bに示すように、突き上げられた半導体チップ20Aを、コレット57で吸着して取り上げる。実施例1においては、図4に示した工程で、溝39をカメラ47で観察する。半導体ウエハ20の表面24に形成された回路パターンを観察する場合に比べて、コントラストの高い画像情報を得ることができる。このため、ストリート22の位置を容易に検出することができる。溝39の検出を容易にするために、溝39の深さを、半導体ウエハ20の厚さの1/4以上にすることが好ましい。一例として、50μm以上にすることが好ましい。また、溝39が深すぎると、ブレードを用いたダイシング時に、欠けや割れが生じやすくなる。さらに、レーザ光による改質領域形成可能な領域が狭く薄くなり、加工位置のの制御が困難になる。従って、溝39の深さは、半導体ウエハ20の厚さの4/5以下とすることが好ましい。一例として、100μm以下にすることが好ましい。[実施例2]図8~図10を参照して、実施例2について説明する。実施例1の図3Bに示した溝39を形成するまでの工程は、実施例2の製造方法と共通である。図8に示すように、ダイシングテープ35が貼付された半導体ウエハ20を、その表面24を下方に向けて、レーザダイシング装置のチャックテーブル40に固定する。なお、チャックテーブル40と半導体ウエハ20との間に、ポーラス状のシートを挟んでもよい。以下、実施例2で用いるレーザダイシング装置について説明する。なお、実施例1で用いたレーザダイシング装置と同一の構成については説明を省略する。チャックテーブル40は、近赤外光及び可視光を透過させる素材で形成されている。チャックテーブル40には、例えば透明なアクリル、ガラス等を用いることができる。レーザ光源46から出射した赤外レーザビームが、ダイクロイックミラー48で反射され、ダイシングテープ35を透過して、半導体ウエハ20に入射する。半導体ウエハ20を透過した赤外レーザビームは、チャックテーブル40を透過し、ダイクロイックミラー60で反射されて、パワーメータ61に入射する。チャックテーブル40の下方に配置された観察用光源45が、近赤外光及び可視光を放射する。放射された近赤外線の一部は、ビームスプリッタ49で反射され、ダイクロイックミラー60、チャックテーブル40、半導体ウエハ20、ダイシングテープ35、ダイクロイックミラー48、及びビームスプリッタ65を透過して、赤外及び可視域で感度を持つカメラ47に入射する。観察用光源45から放射された可視光の一部は、ビームスプリッタ49で反射され、ダイクロイックミラー60及びチャックテーブル40を透過して、半導体ウエハ20に入射する。半導体ウエハ20の表面24で反射した可視光が、ダイクロイックミラー60を透過し、一部の可視光がビームスプリッタ49を透過して、カメラ67に入射する。カメラ67は可視域で感度を有する。チャックテーブル40の上方に配置された観察用光源66が、可視光を放射する。放射された可視光の一部が、ビームスプリッタ65で反射され、ダイクロイックミラー48及びダイシングテープ35を透過して、半導体ウエハ20に入射する。半導体ウエハ20の裏面25で反射した可視光が、ダイクロイックミラー48を透過し、一部の可視光がビームスプリッタ65を透過してカメラ47に入射する。上述のように、チャックテーブル40の上方に配置されたカメラ47は、半導体ウエハ20を透過した近赤外光、及び半導体ウエハ20の裏面25で反射した可視光の両方を受光する。チャックテーブル40の下方に配置されたカメラ67は、半導体ウエハ20の表面24で反射した可視光を受光する。制御装置50が、観察用光源45、66、及びレーザ光源46を制御する。パワーメータ61で測定されたレーザパワー、及びカメラ47、67で生成された画像信号が、制御装置50に入力される。ダイシングテープ35が貼付された半導体ウエハ20をチャックテーブル40に固定した状態で、観察用光源45から近赤外光及び可視光を放射し、半導体ウエハ20を透過した近赤外光を、カメラ47で観察する。観察結果が、画像信号として制御装置50に入力される。制御装置50は、画像信号を分析することにより、溝39の位置を検出する。検出結果に基づいて、チャックテーブル40のθ補正を行う。図9に示すように、レーザ光源46から赤外レーザビームを出射し、半導体ウエハ20内に集光させる。赤外レーザビームの焦点は、溝39の底面と裏面25との間に位置する。赤外レーザビームが集光された位置に、改質領域26が形成される。一部の赤外レーザビームは、集光された後、発散ビームとなり、半導体ウエハ20及びチャックテーブル40を透過し、ダイクロイックミラー60で反射されてパワーメータ61に入射する。パワーメータ61で測定されたレーザパワーが制御装置50に入力される。チャックテーブル40を面内方向に移動させることにより、溝39に沿って改質領域26を形成する。図10に示すように、観察用光源45、66から可視光を放射し、カメラ67、47で、それぞれ半導体ウエハ20の表面24及び裏面25からの反射光を観察する。これにより、改質領域26から裏面25や溝39の底面まで達した亀裂を検出することができる。亀裂の形状及び大きさ等に基づいて、レーザダイシングの良否の判定を行うことができる。内部に発生した亀裂を近赤外光を用いて観察する場合に比べて、判定精度を高めることができる。改質領域26の形成が不十分である場合には、赤外レーザビームの再照射を行うことにより、歩留まりを高めることができる。なお、図9に示したレーザ加工中に、カメラ47、67を用いて亀裂の観察を行ってもよい。その後の工程は、実施例1の図6A~図7Bに示した工程と同一である。実施例2においても、図8に示した近赤外域の透過光を観察することにより、溝39の位置を容易に検出することができる。さらに、実施例2では、図9に示した工程で、半導体ウエハ20を透過した赤外レービームのパワーを測定することができる。透過光のパワーを測定することにより、半導体ウエハ20に形成された半導体素子等に与える熱影響を評価することができる。以下、熱影響を評価する方法について説明する。回路パターンが形成されていない半導体ウエハをチャックテーブル40に固定し、ステルスダイシングと同じ条件で赤外レーザビームを出射する。このときのパワーメータ61によるレーザパワーの測定結果を、参照パワーとして記憶しておく。回路パターンが形成された半導体ウエハ20に改質領域26を形成しているときに、パワーメータ61で測定されたレーザパワーと、参照パワーとを比較する。両者の差が、回路パターンで吸収されたレーザパワーに相当すると考えられる。従って、回路パターンで吸収されたレーザエネルギを推定することができる。回路パターンで吸収されたレーザエネルギに基づいて、回路パターンへの熱影響を評価することが可能である。また、レーザ加工中に、パワーメータ61の測定結果に基づいて、レーザパワー等の加工条件をリアルタイムに調整することも可能である。[実施例3]図11~図13Cを参照して、実施例3について説明する。実施例1の図2Aに示した半導体ウエハ20を研削するまでの工程は、実施例3の製造方法と共通である。図11に示すように、レーザダイシング装置のチャックテーブル40に、表面保護テープ30が貼付された半導体ウエハ20を、その表面24を下方に向けて固定する。半導体ウエハ20には、実施例1の溝39に相当する溝は形成されていない。制御装置50、レーザ光源46、パワーメータ61、ダイクロイックミラー48、60、観察用光源45、ビームスプリッタ49、及びカメラ67の構成は、図8に示した実施例2のレーザダイシング装置の構成と同一である。表面保護テープ30が貼付された半導体ウエハ20をチャックテーブル40に固定した状態で、観察用光源45から可視光を放射し、カメラ67で半導体ウエハ20の表面24の回路パターンを観察する。観察された画像信号が、制御装置50に入力される。この画像信号を分析することにより、半導体ウエハ20の表面24に画定されているストリート22の位置を検出する。図12に示すように、レーザ光源46から赤外レービームを出射させ、半導体ウエハ20のストリート22に対応する領域に改質領域26を形成する。改質領域26の形成方法は、図9に示した実施例2による方法と同一である。ただし、実施例3では、溝39図9が形成されていないため、半導体ウエハ20の表面24と裏面25との間に、赤外レーザビームが集光される。改質領域26を形成した後、図11に示したように、カメラ67で半導体ウエハ20の表面24を観察してもよい。改質領域26から発生し、表面25まで到達した亀裂の形状や大きさを観察することができる。なお、図8に示したように、半導体ウエハ20を透過する近赤外光を用いて、半導体ウエハ20の内部に発生した亀裂を観察してもよい。さらに、図10に示したように、チャックテーブル40の上方に配置した観察用光源66及びカメラ47を用いて、半導体ウエハ20の裏面25まで達した亀裂を観察してもよい。半導体ウエハ20の表面24及び裏面25まで達した亀裂の形状や大きさを観察することにより、レーザダイシングの良否の判定精度を高めることができる。図13Aに示すように、改質領域26が形成された半導体ウエハ20の裏面25、ダイシングテープ35を貼り付ける。図13Bに示すように、半導体ウエハ20から表面保護テープ30を剥離する。図13Cに示したように、ダイシングテープ35を放射状に引き伸ばし、半導体ウエハ20を、改質領域26を起点として、小片の半導体チップ20Aに分割する。その後の工程は、図6C~図7Bに示した工程と同一である。実施例3においては、実施例1~実施例2とは異なり、半導体ウエハ20に溝が形成されていない。図11に示した工程で、可視光を用いて半導体ウエハ20の表面24を、表面24側から観察することにより、ストリート22の位置を容易に検出することができる。[実施例4]図14及び図15を参照して、実施例4について説明する。以下、実施例3との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例3では、図11に示すように、半導体ウエハ20を、その表面24を下方に向けて、表面保護テープ30を介してチャックテーブル40に固定していた。図14に示すように、実施例4では、半導体ウエハ20の裏面25を下方に向けて、チャックテーブル40に半導体ウエハ20を固定している。このため、半導体ウエハ20の表面24は上方を向く。これに対応し、チャックテーブル40の上方に配置された観察用光源60及びカメラ47を用いて、半導体ウエハ20の表面24に形成されている回路パターンを観察する。表面保護テープ30は、可視光の波長域で透明である。カメラ47で得られた画像信号が、制御装置50に入力される。画像信号を分析することにより、ストリート22の位置を容易に検出することができる。図15に示すように、実施例4では、レーザ光源46から出射した赤外レーザビームが、チャックテーブル40の下方からチャックテーブル40を透過して、半導体ウエハ20に入射する。これにより、改質領域26が形成される。半導体ウエハ20及び表面保護テープ30を透過した赤外レーザビームが、ダイクロイックミラー60で反射されてパワーメータ61に入射する。パワーメータ61で測定されたレーザパワーの測定値が制御装置50に入力される。改質領域26が形成された後の工程は、実施例3の図13A~図13Cに示した工程と同一である。実施例4においても、図14に示したように、半導体ウエハ20の表面24に形成された回路パターンを、可視光を用いて、表面24側から観察するため、容易にストリート22の位置を検出することができる。改質領域26を形成した後、図14に示したように、観察用光源60及びカメラ47を用いて、半導体ウエハ20の表面24まで達した亀裂を観察してもよい。さらに、図11に示したように、チャックテーブル40の下方に配置された観察用光源45及びカメラ67を用いて、半導体ウエハ20の裏面25まで達した亀裂を観察してもよい。実施例3の場合と同様に、レーザダイシングの良否の判定精度を高めることができる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。