"トランジスタを備えた圧電発振器であって、前記トランジスタのゲートには共振回路が接続され、前記トランジスタのドレインには出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、前記トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続され、前記反射素子の発振周波数と前記共振回路の共振周波数を略同じにしたことを特徴とする圧電発振器。トランジスタを備えた圧電発振器であって、前記トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、前記トランジスタのドレインには第2のマッチング回路を介して出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、前記トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続され、前記第1のマッチング回路及び前記第2のマッチング回路及び前記第3のマッチング回路により、前記共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と前記反射素子の発振周波数を略同じにしたことを特徴とする圧電発振器。トランジスタを備えた圧電発振器であって、前記トランジスタのゲートには共振回路が接続され、前記トランジスタのドレインには電源電圧が印加され、前記トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、前記反射素子の発振周波数と前記共振回路の共振周波数を略同じにしたことを特徴とする圧電発振器。トランジスタを備えた圧電発振器であって、前記トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、前記トランジスタのドレインには電源電圧が第2のマッチング回路を介して印加され、前記トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、前記第1のマッチング回路及び前記第2のマッチング回路及び前記第3のマッチング回路により、前記共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と前記反射素子の発振周波数を略同じにしたことを特徴とする圧電発振器。反射素子を圧電共振器としたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の圧電発振器。共振回路をコイルとコンデンサの並列接続回路で構成したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の圧電発振器。共振回路を圧電共振器としたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の圧電発振器。反射素子と共振回路とを共に圧電共振器とし、前記反射素子の圧電共振器と前記共振回路の圧電共振器について、1つの圧電素子に2つの電極を形成し、当該2つの電極をそれぞれ前記2つの圧電共振器の電極とする共振器で構成したことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の圧電発振器。マッチング回路は、可変容量素子と可変抵抗を備え、前記可変容量素子又は/及び前記可変抵抗の設定を変更し、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にすることを特徴とする請求項2又は4記載の圧電発振器。共振回路をマイクロストリップライン及び共振器で構成したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の圧電発振器。出力端子の前段にフィルタを設けたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか記載の圧電発振器。トランジスタを電界効果型トランジスタとしたことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか記載の圧電発振器。トランジスタをNPN型トランジスタとしたことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか記載の圧電発振器。しかしながら、従来の圧電発振器では、周波数が高周波になるに従い、その波長が短くなることから、プリント基板の線路長、共振子からパッケージまでの線路長、共振子搭載時のずれなどを考慮する必要があり、またこれらにより線路長がすれることから、所望の周波数からずれてしまい、周波数を調整するために位相調整がセンシティブとなり、高安定化させることが難しくなっているという問題点があった。本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、反射素子の反射特性を用いて高周波化、周波数の早期安定化を図ることができる圧電発振器を提供することを目的とする。上記従来例の問題点を解決するための本発明は、トランジスタを備えた圧電発振器であって、トランジスタのゲートには共振回路が接続され、トランジスタのドレインには出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続され、反射素子の発振周波数と共振回路の共振周波数を略同じにしたことを特徴とする。本発明は、トランジスタを備えた圧電発振器であって、トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、トランジスタのドレインには第2のマッチング回路を介して出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続され、第1のマッチング回路及び第2のマッチング回路及び第3のマッチング回路により、共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにしたことを特徴とする。本発明は、トランジスタを備えた圧電発振器であって、トランジスタのゲートには共振回路が接続され、トランジスタのドレインには電源電圧が印加され、トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、反射素子の発振周波数と共振回路の共振周波数を略同じにしたことを特徴とする。本発明は、トランジスタを備えた圧電発振器であって、トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、トランジスタのドレインには電源電圧が第2のマッチング回路を介して印加され、トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、第1のマッチング回路及び第2のマッチング回路及び第3のマッチング回路により、共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにしたことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、反射素子を圧電共振器としたことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、共振回路をコイルとコンデンサの並列接続回路で構成したことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、共振回路を圧電共振器としたことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、反射素子と共振回路とを共に圧電共振器とし、反射素子の圧電共振器と共振回路の圧電共振器について、1つの圧電素子に2つの電極を形成し、当該2つの電極をそれぞれ2つの圧電共振器の電極とする共振器で構成したことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、マッチング回路が、可変容量素子と可変抵抗を備え、可変容量素子又は/及び可変抵抗の設定を変更し、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にすることを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、共振回路をマイクロストリップライン及び共振器で構成したことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、出力端子の前段にフィルタを設けたことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、トランジスタを電界効果型トランジスタとしたことを特徴とする。本発明は、上記圧電発振器において、トランジスタをNPN型トランジスタとしたことを特徴とする。本発明によれば、トランジスタのゲートには共振回路が接続され、トランジスタのドレインには出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続され、反射素子の発振周波数と共振回路の共振周波数を略同じにした圧電発振器としているので、高周波にて周波数を早期に安定化できる効果がある。本発明によれば、トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、トランジスタのドレインには第2のマッチング回路を介して出力端子が設けられると共に電源電圧が印加され、トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続され、第1のマッチング回路及び第2のマッチング回路及び第3のマッチング回路により、共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにした圧電発振器としているので、高周波にて周波数を早期に安定化できる効果がある。本発明によれば、トランジスタのゲートには共振回路が接続され、トランジスタのドレインには電源電圧が印加され、トランジスタのソースには共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、反射素子の発振周波数と共振回路の共振周波数を略同じにした圧電発振器としているので、高周波にて周波数を早期に安定化できる効果がある。本発明によれば、トランジスタのゲートには第1のマッチング回路を介して共振回路が接続され、トランジスタのドレインには電源電圧が第2のマッチング回路を介して印加され、トランジスタのソースには第3のマッチング回路を介して共振によって反射させる反射素子が接続されると共に、出力端子が設けられ、第1のマッチング回路及び第2のマッチング回路及び第3のマッチング回路により、共振回路の共振周波数を可変にし、当該可変にした共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにした圧電発振器としているので、高周波にて周波数を早期に安定化できる効果がある。本発明によれば、マッチング回路が、可変容量素子と可変抵抗を備え、可変容量素子又は/及び可変抵抗の設定を変更し、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にする上記圧電発振器としているので、発振周波数を可変にし、可変した周波数を早期に安定化させることができる効果がある。本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。[実施の形態の概要]本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、トランジスタのゲートベースに共振回路が接続し、トランジスタのドレインコレクタに出力端子が接続され、当該出力端子側に電源電圧が印加され、トランジスタのソースエミッタに反射素子が接続され、共振回路の共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにしたものであり、高周波にて周波数を早期に安定化できるものである。また、本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、トランジスタのゲートベースに共振回路が接続し、トランジスタのドレインコレクタに電源電圧が印加され、トランジスタのソースエミッタに反射素子と出力端子が接続され、共振回路の共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにしたものであり、高周波にて周波数を早期に安定化できるものである。[第1の実施形態の圧電発振器:図1]本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器について図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器の回路図である。本発明の第1の実施形態に係る圧電発振器第1の圧電発振器は、図1に示すように、トランジスタ1と、共振回路3と、インピーダンスZ0となる抵抗4と、反射素子の圧電共振器6と、出力端子OUTPUT8とを基本的に有している。トランジスタ1は、電界効果型トランジスタFET1であり、共振回路3の一端にFET1のゲートGが接続し、ドレインDは出力端子8に接続し、ソースSは圧電共振器6の一端に接続している。トランジスタ1は、共振回路3から出力された共振周波数を増幅する。共振回路3の一端は、FET1のゲートGに接続し、共振回路3の他端は抵抗4の一端に接続している。共振回路3は、LC共振器、圧電共振器、圧電フィルタ、SAWSurfaceacousticwave:弾性表面波共振器、MEMSMicroElectroMechanicalSystems共振器等で構成され、周波数の発振動作を行い、共振周波数をトランジスタ1に出力する。尚、出力端子8側に電源電圧が抵抗を介して印加されるようになっている。反射素子の圧電共振器6は、反射特性を用いて共振させ、発振周波数を出力するものである。この発振周波数によって出力端子8から発振出力が得られる。ここで、圧電共振器6の発振周波数と共振回路3の共振周波数は、ほぼ同じになるよう設定されている。何故ならば、共振回路3の共振周波数を圧電共振器6に出力することで、圧電共振器6の発振起動を早くすることができ、周波数を早期に安定化できるものである。つまり、圧電共振器6を反射素子として共振させることで、出力端子8から得られる発振出力を、高周波にて周波数を早期に安定化させることができる。また、トランジスタ1は、FETとしているが、NPN型トランジスタであってもよい。この場合、コレクタCには出力端子8が接続され、エミッタEには反射素子の圧電共振器6が接続され、ベースBには共振回路3の一端が接続され、共振回路3の他端には抵抗4を介して接地されるものである。尚、出力端子8の前段にフィルタを設けるようにしてもよい。[第2の実施形態の圧電発振器:図2]本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器について図2を参照しながら説明する。図2は、本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器の回路図である。本発明の第2の実施形態に係る圧電発振器第2の圧電発振器は、図2に示すように、基本的には、図1の回路と同様であるが、FET1のゲートGがマッチング回路M2を介して共振回路3に接続し、FET1のドレインDはマッチング回路M7を介して出力端子8に接続し、ソースSはマッチング回路M5を介して圧電共振器6の一端に接続し、圧電共振器6の他端が接地している。尚、第2の圧電発振器でも、高周波にて周波数の早期安定化のために、共振回路3の共振周波数と圧電共振器6の発振周波数はほぼ同じに設定されている。マッチング回路2,5,7は、共振回路3からの共振周波数を可変にし、その周波数の調整を行う。つまり、共振回路3の共振周波数と圧電共振器6の発振周波数はほぼ同じに設定しているものの、両者の不一致が適性でない場合も想定されるので、マッチング回路2,5,7を調整することにより、共振回路3の共振周波数を可変にして、圧電共振器6の発振周波数に近づけるものである。具体的には、マッチング回路2,5,7は、内部の可変容量素子又は/及び可変抵抗の値を変更することにより、ゲート側、ソース側に形成される回路のインピーダンスを不平衡にし、それにより、回路が平衡になろうとして平衡状態に落ち着き、周波数を可変にするものである。マッチング回路の具体的な構成は、後述する。尚、出力端子8側に電源電圧が抵抗を介して印加されるようになっている。トランジスタ1は、NPN型トランジスタを用いてもよい。[第2の実施形態の具体例1:図3]第2の実施形態における具体的圧電発振器の例1について図3を参照しながら説明する。図3は、第2の実施形態における具体的圧電発振器の例1を示す回路図である。第2の実施形態における具体的圧電発振器の例1具体的圧電発振器1は、図3に示すように、図2の第2の圧電発振器において、共振回路3がコイルL131とコンデンサC1の並列接続回路となっており、マッチング回路7と出力端子8との間にフィルタ9が形成され、マッチング回路7とフィルタ9との間に抵抗R110を介して電源電圧Vが印加されている。尚、図3における構成において、FET1をNPN型トランジスタに置き換えてもよい。尚、第2の実施形態の具体的圧電発振器1でも、高周波にて周波数の早期安定化のために、L131とC132の並列回路で構成される共振回路3の共振周波数と圧電共振器6の発振周波数はほぼ同じに設定されている。[第2の実施形態の具体例2:図4]第2の実施形態における具体的圧電発振器の例2について図4を参照しながら説明する。図4は、第2の実施形態における具体的圧電発振器の例2を示す回路図である。第2の実施形態における具体的圧電発振器の例2具体的圧電発振器2は、図4に示すように、図3における共振回路の代わりに、圧電共振器30が設けられている。図4において、ゲートG側に接続する圧電共振器30とソースSに接続する圧電共振器6とは別の構成とし、ソースSに接続する圧電共振器6の共振特性により出力周波数を決定する。つまり、圧電共振器30の共振周波数と圧電共振器6の発振周波数はほぼ同じ設定されている。また、図4において、圧電共振器30と圧電共振器6を別々の構成とはせず、1つの圧電素子から2つの電極を形成した共振器とし、一方をゲートG側に接続し、他方をソースS側に接続する構成としてもよい。この場合も、ソースS側にある圧電共振器の共振特性により出力周波数を決定する。尚、図4における構成において、FET1をNPN型トランジスタに置き換えてもよい。[第3の実施形態の圧電発振器:図5]本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器について図5を参照しながら説明する。図5は、本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器の回路図である。本発明の第3の実施形態に係る圧電発振器第3の圧電発振器は、図5に示すように、トランジスタ1と、マッチング回路M2と、共振回路3と、インピーダンスZ0となる抵抗4と、反射素子のフィードバックリアクタンス12と、マッチング回路M11と、出力端子OUTPUT8′と、フィルタ9′と、抵抗R110とを基本的に有している。トランジスタ1は、FETであり、ドレインDには抵抗10を介して電源電圧Vが印加され、ソースSにはマッチング回路M11を介して反射素子のフィードバックリアクタンス12が接続され、ゲートGにはマッチング回路M2を介して共振回路3の一端が接続され、共振回路3の他端には抵抗4を介して接地されている。また、マッチング回路11とフィードバックリアクタンス12を接続する線にフィルタ9′を介して出力端子8′が設けられている。フィルタ9′は、出力端子8′の前段に設けられ、特定帯域の周波数を通過させ、精度の高い周波数を出力できる。フィルタとしてSAWフィルタ等の圧電フィルタであってもよい。マッチング回路11は、フィードバックリアクタンス12からの発振周波数を可変にし、その周波数の調整を行う。フィードバックリアクタンス12は、反射素子として動作するもので、LCRで構成される帰還リアクタンスであり、ICにて回路を実現でき、発振器を高周波化し、製品を小型化できる。また、フィードバックリアクタンス12に、圧電共振器を用いてもよく、圧電共振器の一端をマッチング回路M11に接続し、圧電共振器の他端を接地せず、開放とする。トランジスタ1、マッチング回路2、共振回路3、抵抗4については、図1又は図2で説明したものと同様である。図5の第3の圧電発振器においても、共振回路3の共振周波数とフィードバックリアクタンス12における発振周波数がほぼ同じになるよう設定されている。また、共振回路3とフィードバックリアクタンス12にて、別の共振帯域を使用することにより、出力周波数をN倍若しくは1/n倍にすることもできる。更に、図5のFET1の代わりに、NPN型トランジスタを用いてもよい。尚、トランジスタ1のドレインDと抵抗10との間にマッチング回路を設けるようにしてもよい。[第4の実施形態の圧電発振器:図6]本発明の第4の実施形態に係る圧電発振器について図6を参照しながら説明する。図6は、本発明の第4の実施形態に係る圧電発振器の回路図である。本発明の第4の実施形態に係る圧電発振器第4の圧電発振器は、図6に示すように、図5のマッチング回路11の代わりに、ソースSにコイルL213の一端を接続し、その他端をフィルタ9′の入力に接続し、コイル13の他端とフィルタ9′の入力側との間の点に抵抗R214の一端が接続し、その他端が接地されている。図6の第4の圧電発振器においても、共振回路3の共振周波数とフィードバックリアクタンス12における発振周波数がほぼ同じになるよう設定されている。図5のマッチング回路11の代わりに、図6のL13とR14用いた回路であっても図5と同様の効果を達成できるものである。つまり、マッチング回路2を調整することにより、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にし、周波数を安定化させるものである。尚、図6のFET1の代わりに、NPN型トランジスタを用いてもよい。また、トランジスタ1のドレインDと抵抗10との間にマッチング回路を設けるようにしてもよい。[第5の実施形態の圧電発振器:図7]本発明の第5の実施形態に係る圧電発振器について図7を参照しながら説明する。図7は、本発明の第5の実施形態に係る圧電発振器の回路図である。本発明の第5の実施形態に係る圧電発振器第5の圧電発振器は、図7に示すように、図6のフィルタ9′と出力端子8′を取り除き、トランジスタ1のドレインDにはマッチング回路7、フィルタ9を介して出力端子8が接続し、マッチング回路7とフィルタ9との間の点に抵抗R110を介して電源電圧Vが印加されている。図7の第4の圧電発振器においても、共振回路3の共振周波数とフィードバックリアクタンス11における発振周波数がほぼ同じになるよう設定されている。図7の回路であっても図5、図6と同様の効果を達成できるものである。つまり、マッチング回路2,7を調整することにより、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にし、周波数を安定化させるものである。尚、図7のFET1の代わりに、NPN型トランジスタを用いてもよい。[マッチング回路1:図8]次に、本実施の形態におけるマッチング回路の例1マッチング回路1について図8を参照しながら説明する。図8は、マッチング回路1の回路図である。マッチング回路1は、図8に示すように、可変コイルL3と可変コンデンサC2とから構成され、可変コイルL3の出力側に可変コンデンサC2の一端が接続し、その他端が接地されている。マッチング回路1では、可変コイルL3と可変コンデンサC2の一方又は双方の値を変更することにより、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にするものである。[マッチング回路2:図9]更に、本実施の形態におけるマッチング回路の例2マッチング回路2について図9を参照しながら説明する。図9は、マッチング回路2の回路図である。マッチング回路2は、図9に示すように、図8のコンデンサC2の代わりに、可変ダイオードDを用い、可変ダイオードDのカソード側がコイルL3の出力側に接続し、可変ダイオードDのアノード側が接地されている。マッチング回路2では、可変コイルL3と可変ダイオードDの一方又は双方の値を変更することにより、不平衡状態を作り出し、平衡状態に戻ることを利用して周波数を可変にするものである。図1~図7のマッチング回路として、上記マッチング回路1,2が用いられる。[共振回路マイクロ波回路:図10]次に、本実施の形態における共振回路についてマイクロ波回路の場合を、図10を参照しながら説明する。図10は、共振回路がマイクロ波回路である場合を示す回路図である。共振回路がマイクロ波回路である場合は、マイクロストリップライン33と、共振器34で構成され、マイクロストリップライン33との脇に非接触で共振器34を設ける。マイクロ波回路の場合、図1,2、図5~図7の共振回路に、図10の共振回路が用いられる。[シミュレーション回路:図11]次に、本実施の形態についてシミュレーションを行って動作検証したことを説明する。まず、シミュレーション回路は、図1の回路を基礎とし、共振回路3をコイルとコンデンサの並列回路としたものであり、図11に示すものである。図11は、シミュレーション回路の回路図である。シミュレーション回路は、図11に示すように、FET1のゲートGのLCの共振回路3の一端が接続し、共振回路3の他端は抵抗Z0を介して接地されている。共振回路3は、コイルL1とコンデンサC1の並列接続回路である。FET1のソースSは、圧電共振器56の一端に接続し、圧電共振器56の他端が接地している。尚、FET1のソースS側に電流計を設けている。また、FET1のドレインDは、出力端子Vout8に接続すると共に抵抗R110の一端に接続し、抵抗10の他端が電源電圧VDCに接続している。尚、抵抗10の他端には電流計が設けられ、また、ノイズ除去用のコンデンサC2の一端が接続し、そのコンデンサの他端が接地している。ここで、共振回路3の共振周波数f3は、以下の式で求められる。f3=1/2π√L1C1また、圧電共振器6の発振周波数をf5とすると、f5=f3となるよう、L1とC1の値を決定する。これにより、圧電共振器6の発振周波数f5に対して共振回路3の共振周波数f3をほぼ等しくでき、高周波で周波数安定を早期に実現できる。[シミュレーション結果:図12]次に、シミュレーション結果について図12を参照しながら説明する。図12は、発振起動時間のシミュレーション結果を示す図である。尚、図12では、横軸が時間time[μsec]を表し、縦軸がドレインの電圧Voutの振幅ドレイン振幅を表している。図12では、圧電共振器6の水晶のQについて、Q=1000とQ=10000の場合に、出力電圧[V]の起動時間における推移を示している。水晶Q=10000の場合、発振起動時間が30μsを実現した。また、水晶Q=1000の場合、発振起動時間が50μsを実現した。従来の水晶発振器では起動時間は300μs程度であるから、水晶Qが低い状態においても、実施の形態では、起動時間を著しく短縮できる。また、図11のシミュレーション回路において、圧電共振器6に流れる電流IXは、0.045mAであり、従来技術では数mAであるのに対して非常に小さいものとなった。本実施の形態に係る圧電発振器では、圧電共振器6の持つ抵抗成分が小さく、圧電共振器6が容量成分として機能しているためである。従来、共振器として用いられる水晶振動子では、温度変化経年変化による抵抗成分の変動があり、従来は設計時にパラメータを変化させ安定領域を検討していた。これに対して、本実施の形態では、圧電共振器6の持つ抵抗成分を小さくしているので、抵抗成分の変動によらない、安定した動作を実現できるものである。[アクティビティディップへの対応]水晶振動子に電流が流れる状態で使用すると、アクティビティディップという周波数ジャンプを引き起こし、支障をきたす場合があった。この周波数ジャンプを回避するためには、水晶振動子に流れる電流を0.3mA以下にする必要があるが、従来の回路では実現が難しい。特許文献5では、圧電振動子に供給される駆動電流を0.3mA以下とする発振回路が示されているが、反射素子として利用される圧電共振器6に流れる電流を0.3mA以下にすることは困難であった。本シミュレーション回路では、圧電共振器6に流れる電流IXが0.04mA~0.05mAとなるので、0.3mA未満を実現でき、周波数ジャンプが発生しない状態で使用することが可能となるものである。[実施の形態の効果]本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、トランジスタ1のゲートに共振回路3が接続し、ドレインに出力端子8が接続され、当該出力端子8側に電源電圧Vが印加され、ソースに反射素子が接続され、共振回路3の共振周波数と反射素子の発振周波数を略同じにしたものであり、高周波にて周波数を早期に安定化できる効果がある。本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、トランジスタ1のゲートと共振回路3との間にマッチング回路2が接続され、ドレインと出力端子8との間にマッチング回路7が接続されたものであり、マッチング回路2,5,7を調整することにより、共振回路3の共振周波数を可変にし、反射素子の発振周波数に近づけるようにしているので、高周波にて周波数を安定化できる効果がある。また、本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、トランジスタ1のゲートと共振回路3との間にマッチング回路2が接続され、ドレインに電源電圧Vが印加され、ソースにマッチング回路11を介して反射素子と出力端子が接続されたものであり、高周波にて周波数を安定化できる効果がある。また、本発明の実施の形態に係る圧電発振器は、マッチング回路における可変容量素子又は/及び可変抵抗等を可変にすることにより、ゲート側、ソース側のインピーダンスの不平衡を作り出して発振周波数を可変にし、平衡状態に落ち着くことで可変した周波数を安定化させることができる効果がある。"