"下記一般式Iで表される構造単位を有することを特徴とする有機半導体ポリマー。式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、Rは-SOpX、-CN、-NO2、-P=OOR1OR2または-CR1’=CCN2を表す。ここで、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。R1、R2、R1’、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。前記一般式Iで表される構造単位が、下記一般式I-1で表される構造単位であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体ポリマー。式中、Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。ここでR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。前記一般式I-1におけるpが2であることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体ポリマー。前記一般式I-1におけるX1がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基であることを特徴とする請求項2または3に記載の有機半導体ポリマー。前記一般式I-1における-SOpX1が-SO2NR3R4R3およびR4は一般式I-1のR3およびR4と同義であるであることを特徴とする請求項2に記載の有機半導体ポリマー。前記一般式I-1におけるpが1であることを特徴とする請求項2または4に記載の有機半導体ポリマー。前記有機半導体ポリマーが共重合体であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマー。前記有機半導体ポリマーが下記一般式IIで表される構造単位をさらに有する共重合体であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマー。式中、QはSi、S、OまたはNを表す。G1およびG2は各々独立に、S、O、SeまたはTeを表す。R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、p’は0、1または2を表す。p’が2のとき、2つのR5は互いに同じでも異なってもよい。ここで、QとR5との間の結合は、QがSiおよびNである場合は単結合であり、XがSであるとき、二重結合である。またQがOである場合、p’は0であり、QがNの場合、p’は2である。請求項1~8のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーとn型有機半導体分子を含有することを特徴とする有機半導体材料用組成物。前記n型有機半導体分子が、フラーレンもしくはその誘導体であることを特徴とする請求項9に記載の有機半導体材料用組成物。前記フラーレンもしくはその誘導体が、フェニルC61酪酸エステル、ジフェニルC62ビス酪酸エステル、フェニルC71酪酸エステル、フェニルC85酪酸エステルまたはチエニルC61酪酸エステルであることを特徴とする請求項10に記載の有機半導体材料用組成物。請求項1~11のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を有することを特徴とする光電池。第一の電極と第二の電極の間に、請求項1~11のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層を有することを特徴とする光電池。前記第一の電極と、前記有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層との間に、ホール輸送層を有することを特徴とする請求項13に記載の光電池。前記第二の電極と、前記有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層との間に、電子輸送層を有することを特徴とする請求項13または14に記載の光電池。前記第一の電極が透明電極であることを特徴とする請求項13~15のいずれか1項に記載の光電池。前記第二の電極が金属電極であることを特徴とする請求項13~16のいずれか1項に記載の光電池。下記一般式Iで表される構造単位を有するポリマー。式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、Rは-SOpX、-CN、-NO2、-P=OOR1OR2または-CR1’=CCN2を表す。ここで、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。R1、R2、R1’、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。前記一般式Iで表される構造単位が、下記一般式I-1で表される構造単位であることを特徴とする請求項18に記載のポリマー。式中、Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。ここでR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。前記一般式I-1におけるpが2であることを特徴とする請求項19に記載のポリマー。前記有ポリマーが下記一般式IIで表される構造単位をさらに有する共重合体であることを特徴とする請求項18または19に記載のポリマー。式中、QはSi、S、OまたはNを表す。G1およびG2は各々独立に、S、O、SeまたはTeを表す。R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、p’は0、1または2を表す。p’が2のとき、2つのR5は互いに同じでも異なってもよい。ここで、QとR5との間の結合は、QがSiおよびNである場合は単結合であり、XがSであるとき、二重結合である。またQがOである場合、p’は0であり、QがNの場合、p’は2である。本発明の課題は、光電変換効率、耐久性、特に酸素存在下での耐久性に優れ、しかも光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少なく、光電変換層の異なる場所でも均一な電池性能が得られる有機半導体ポリマーを提供することにある。特に、本発明においては、光電変換効率を向上させるために行う狭いバンドキャップ化と耐久性の向上の両立を課題とし、光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少なく、光電変換層の異なる場所でも均一な電池性能が得られる有機半導体ポリマーを提供することにある。さらに本発明の課題は、このような有機半導体ポリマーを含む有機半導体材料用組成物、該ポリマーまたは該組成物を有する光電池特に有機薄膜太陽電池を提供することにある。さらに本発明の別の課題として、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜トランジスタ素子等の有機エレクトロデバイス他に有用なポリマーを提供することにある。本発明者等は、上記課題を達成するため、鋭意検討を行った結果、有機半導体ポリマーの効率の向上、特に耐久性の向上のために有機半導体ポリマーの深いHOMO準位に着目し、このようなポリマー構造の化合物を種々検討することにより、特定の構造を有する有機半導体ポリマーが、光電池の狭いバンドギャップ化における吸収波長の長波化、と耐久性の向上の両立を達成できることを見出した。特に、光電変換効率と耐久性との両立は、縮合環の環数とその縮合様式と縮合環の種類が重要であり、チエノ[3,4-d]チアゾールの構造を取り、なおかつ2位に電子吸引性の置換基を持たせることにより、ポリマーとして深いHOMO準位とすることが可能になり、しかも光電変換層の膜厚ムラやピンホールの低減に対しては、極性の高いチエノ[3,4-d]チアゾール骨格と2位に電子吸引性の極性基を持たせることにより、ポリマーとしての極性が高まり、主に下層となるPEDOT:PSS等の極性の高いホール輸送層に対する濡れ性が向上するため、このポリマーを含む光電活性層塗布液のハジキや抜けピンホール、そして膜厚ムラが低減することを見出したものである。本発明はこの知見に基づきなされたものである。以下の手段で前述の本発明の課題がいずれも達成できた。<1>下記一般式Iで表される構造単位を有することを特徴とする有機半導体ポリマー。式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、Rは-SOpX、-CN、-NO2、-P=OOR1OR2または-CR1’=CCN2を表す。ここで、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。R1、R2、R1’、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。<2>前記一般式Iで表される構造単位が、下記一般式I-1で表される構造単位であることを特徴とする<1>に記載の有機半導体ポリマー。式中、Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。ここでR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。<3>前記一般式I-1におけるpが2であることを特徴とする<2>に記載の有機半導体ポリマー。<4>前記一般式I-1におけるX1がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基であることを特徴とする<2>または<3>に記載の有機半導体ポリマー。<5>前記一般式I-1における-SOpX1が-SO2NR3R4R3およびR4は一般式I-1のR3およびR4と同義であるであることを特徴とする<2>に記載の有機半導体ポリマー。<6>前記一般式I-1におけるpが1であることを特徴とする<2>または<4>に記載の有機半導体ポリマー。<7>前記有機半導体ポリマーが共重合体であることを特徴とする<1>~<6>のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマー。<8>前記有機半導体ポリマーが下記一般式IIで表される構造単位をさらに有する共重合体であることを特徴とする<1>~<7>のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマー。式中、QはSi、S、OまたはNを表す。G1およびG2は各々独立に、S、O、SeまたはTeを表す。R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、p’は0、1または2を表す。p’が2のとき、2つのR5は互いに同じでも異なってもよい。ここで、QとR5との間の結合は、QがSiおよびNである場合は単結合であり、XがSであるとき、二重結合である。またQがOである場合、p’は0であり、QがNの場合、p’は2である。<9>前記<1>~<8>のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーとn型有機半導体分子を含有することを特徴とする有機半導体材料用組成物。<10>前記n型有機半導体分子が、フラーレンもしくはその誘導体であることを特徴とする<9>に記載の有機半導体材料用組成物。<11>前記フラーレンもしくはその誘導体が、フェニルC61酪酸エステル、ジフェニルC62ビス酪酸エステル、フェニルC71酪酸エステル、フェニルC85酪酸エステルまたはチエニルC61酪酸エステルであることを特徴とする<10>に記載の有機半導体材料用組成物。<12>前記<1>~<11>のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を有することを特徴とする光電池。<13>第一の電極と第二の電極の間に、<1>~<11>のいずれか1項に記載の有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層を有することを特徴とする光電池。<14>前記第一の電極と、前記有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層との間に、ホール輸送層を有することを特徴とする<13>に記載の光電池。<15>前記第二の電極と、前記有機半導体ポリマーまたは有機半導体材料用組成物を含有する層との間に、電子輸送層を有することを特徴とする<13>または<14>に記載の光電池。<16>前記第一の電極が透明電極であることを特徴とする<13>~<15>のいずれか1項に記載の光電池。<17>前記第二の電極が金属電極であることを特徴とする<13>~<16>のいずれか1項に記載の光電池。<18>下記一般式Iで表される構造単位を有するポリマー。式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、Rは-SOpX、-CN、-NO2、-P=OOR1OR2または-CR1’=CCN2を表す。ここで、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。R1、R2、R1’、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。<19>前記一般式Iで表される構造単位が、下記一般式I-1で表される構造単位であることを特徴とする<18>に記載のポリマー。式中、Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。ここでR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。<20>前記一般式I-1におけるpが2であることを特徴とする<19>に記載のポリマー。<21>前記有ポリマーが下記一般式IIで表される構造単位をさらに有する共重合体であることを特徴とする<18>または<19>に記載のポリマー。式中、QはSi、S、OまたはNを表す。G1およびG2は各々独立に、S、O、SeまたはTeを表す。R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、p’は0、1または2を表す。p’が2のとき、2つのR5は互いに同じでも異なってもよい。ここで、QとR5との間の結合は、QがSiおよびNである場合は単結合であり、XがSであるとき、二重結合である。またQがOである場合、p’は0であり、QがNの場合、p’は2である。本発明により、光電変換効率、耐久性、特に酸素存在下での耐久性に優れ、しかも光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少ない光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少なく、光電変換層の異なる場所でも均一な電池性能が得られる有機半導体ポリマー、該有機半導体ポリマーを含む有機半導体材料用組成物、該ポリマーまたは該組成物を有する光電池特に有機薄膜太陽電池、およびポリマーを提供できる。<本発明の一般式Iで表される構造単位を有するポリマー>最初に、本発明の下記一般式Iで表される構造単位を有するポリマーを説明する。式中、Z1およびZ2は各々独立にS、O、SeまたはTeを表し、Rは-SOpX、-CN、-NO2、-P=OOR1OR2または-CR1’=CCN2を表す。ここで、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。R1、R2、R1’、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。pは1または2を表す。Z1およびZ2はS、OまたはSeが好ましく、SまたはOがより好ましく、Sが最も好ましい。Rは-SOpXが好ましい。Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表し、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基がさらに好ましく、アルキル基またはアリール基が特に好ましく、アルキル基が最も好ましい。Xにおけるアルキル基は、置換もしくは無置換の直鎖または分岐のアルキル基で、好ましくは炭素数1~30のアルキル基であり、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、t-ブチル、n-オクチル、エイコシル、2-クロロエチル、2-シアノエチル、2-エチルヘキシルが挙げられる。Xにおけるシクロアルキル基は、置換もしくは無置換のシクロアルキル基で、好ましくは炭素数3~30のシクロアルキル基であり、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、4-n-ドデシルシクロヘキシルが挙げられる。Xにおけるアリール基は、置換もしくは無置換のアリール基で、好ましくは、炭素数6~30のアリール基であり、例えばフェニル、p-トリル、ナフチル、m-クロロフェニル、o-ヘキサデカノイルアミノフェニルが挙げられる。Xにおける芳香族へテロ環基は、置換もしくは無置換の芳香族へテロ環基で、好ましくは炭素数0~30であり、5員環または6員環が好ましく、これらの環は、脂環、芳香環、ヘテロ環および芳香族へテロ環で縮環されていてもよく、芳香族へテロ環基におけるヘテロ環としては、例えば、フラン環、ピロール環、ピリジン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、キノリン環が挙げられる。Xにおける-NR3R4中のR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基置換もしくは無置換の直鎖または分岐のアルキル基で、好ましくは炭素数1~30のアルキル基、シクロアルキル基置換もしくは無置換のシクロアルキル基で、好ましくは炭素数3~30のシクロアルキル基、アリール基置換もしくは無置換のアリール基で、好ましくは、炭素数6~30のアリール基または芳香族へテロ環基置換もしくは無置換の芳香族へテロ環基で、好ましくは炭素数0~30であり、5員環または6員環が好ましく、これらの環は、脂環、芳香環、ヘテロ環または芳香族へテロ環で縮環されていてもよいを表す。R3およびR4における具体的な基は、例えば、Xで挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基における具体的な基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。Xが-NR3R4である場合、R3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基がより好ましい。また、R3とR4の一方が水素原子またはアルキル基である場合が好ましく、この場合、他方がアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましく、アルキル基が最も好ましい。さらにR3とR4の一方がアルキル基である場合がより好ましく、この場合、他方がアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基がさらに好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましく、アルキル基が最も好ましい。ここで、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。これらが結合して形成される環としては、5員または6員の含窒素へテロ環が好ましく、例えばピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環が挙げられる。Xが-NR3R4である場合、pは2が好ましい。pは2が好ましい。ここで、pが1である場合、Xは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基がより好ましく、アルキル基、アリール基がさらに好ましく、アルキル基が最も好ましい。また、pが2の場合、Xはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、-NR3R4が好ましい。さらに、pが1である場合は、pが2であって、かつXが-NR3R4である場合より好ましい。Rが-P=OOR1OR2である場合、R1およびR2は、Xで挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基における具体的な基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。R1およびR2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基がより好ましく、アルキル基、アリール基がさらに好ましい。また、R1とR2がともにアルキル基、アリール基から選択される基であることが好ましい。Rが-CR1’=CCN2である場合、R1’は、Xで挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基における具体的な基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。R1’は水素原子、アルキル基が好ましく、水素原子が最も好ましい。R1、R2、R1’、R3およびR4におけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基および芳香族へテロ環基は、上述のように置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基好ましくは5または6員の、置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アミノ基、アルキルアミノ基およびアニリノ基を含む、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、チオアシルオキシ基、アルキルチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アリールチオチオカルボニル基、アルキルチオチオカルボニル基、チオアシルチオ基、カルバモイル基、アリールもしくはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基およびシリル基が挙げられる。これらのうち、好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基、アリール基、ヘテロ環基好ましくは5または6員の、置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基およびアシル基が挙げられる。また、これらの置換基は更に置換されていても良い。その際、置換基の例としては、上述の置換基を挙げることができる。これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基および芳香族へテロ環基が有してもよい置換基のうち、電子吸引性の基が好ましく、ハメット則におけるσm値が0以上の基が好ましい。ハメット則におけるσm値は、J.A.Dean編Lange’sHandbookofChemistry第12版,McGraw-Hill1979年、化学の領域増刊,122号,96~103頁,南江堂1979年に記載されている。これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基および芳香族へテロ環基が有してもよい置換基のうち、さらに好ましくは、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシ基好ましくは、炭素数1~30で、例えばメトキシ、エトキシ、イソブトキシ、n-オクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、アリールオキシ基好ましくは炭素数6~30で、例えばフェノキシ、ナフトキシ、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~30で、例えばメチルチオ、エチルチオ、n-オクチルチオ、2-エチルヘキシルチオ、n-デシルチオ、アリールチオ基好ましくは、炭素数1~30で、例えば、フェニルチオ、ナフチルチオ、アシル基好ましくは、炭素数1~30で、ホルミル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、ヘテロ環カルボニル基を含み、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、イソブチリル、ピバロイル、アクリロイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフトイル、フロイル、チエノイル、ニコイノイル、アルコキシカルボニル基好ましくは、炭素数2~30で、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルカルボニル、n-オクチルオキシカルボニル、2-エチルヘキシルカルボニル、アリールオキシカルボニル基好ましくは、炭素数7~30で、例えばフェノキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、アシルオキシ基好ましくは、炭素数1~30で、ホルミルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、ヘテロ環カルボニルオキシ基を含み、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、イソブチリルオキシ、ピバロイルオキシ、アクリロイルオキシ、オレオイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ナフトイルオキシ、フロイルオキシ、チエノイルオキシ、ニコイノイルオキシ、アルキルもしくはアリールスルホニル基好ましくは、炭素数2~30のアルキルスルホニル基、炭素数6~30のアリールスルホニル基で、例えばメタンスルホニル、エタンスルホニル、n-オクタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、ナフタレンスルホニル、シアノ基、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは、炭素数2~30で、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、2-エチルヘキシルオキシカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ基好ましくは、炭素数7~30で、例えばフェノキシカルボニルオキシ、4-メチルフェノキシカルボニルオキシ、ナフチルオキシカルボニルオキシ、アルコキシチオカルボニル基好ましくは、炭素数2~30で、メトキシチオカルボニル、エトキシチオカルボニル、2-エチルヘキシルオキシチオカルボニル、n-ドデシルオキシチオカルボニル、アリールオキシチオカルボニル基好ましくは、炭素数7~30で、例えばフェニルオキシチオカルボニル、3-メチルフェニルオキシチオカルボニル、ナフチルオキシチオカルボニル、アルキルチオカルボニル基好ましくは、炭素数2~30で、例えばメチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、イソプロピルチオカルボニル、2-エチルへキシルチオカルボニル、アリールチオカルボニル基好ましくは、炭素数7~30で、フェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル、チオアシルオキシ基好ましくは炭素数1~30で、チオホルミルオキシ基、アルキルカルボチオニルオキシ基、アリールカルボチオニルオキシ基、ヘテロ環カルボチオニルオキシ基を含み、例えば、チオホルミルオキシ、チオアセチルオキシ、チオプロピオニルオキシ、チオイソブチリルオキシ、チオピバロイルオキシ、チオアクリロイルオキシ、チオオレオイルオキシ、チオベンゾイルオキシ、チオナフトイルオキシ、チオフロイルオキシ、チオチエノイルオキシ、チオニコイノイルオキシ、アルキルチオチオカルボニル基好ましくは、炭素数2~30で、例えばメチルチオチオカルボニル、エチルチオチオカルボニル、2-エチルヘキシルチオチオカルボニル、アリールチオチオカルボニル基好ましくは、炭素数7~30で、フェニルチオチオカルボニル、ナフチルチオチオカルボニルおよびチオアシルチオ基好ましくは、炭素数1~30で、チオホルミルチオ基、アルキルカルボチオニルチオ基、アリールカルボチオニルチオ基、ヘテロ環カルボチオニルチオ基を含み、例えば、チオホルミルチオ、チオアセチルチオ、チオプロピオニルチオ、チオイソブチリルチオ、チオピバロイルチオ、チオアクリロイルチオ、チオオレオイルチオ、チオベンゾイルチオ、チオナフトイルチオ、チオフロイルチオ、チオチエノイルチオ、チオニコイノイルチオから選択される置換基である。これらのうち、好ましくは、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、シアノ基から選択される置換基である。本発明において、これらの中でも、前記一般式Iで表される構造単位の好ましい構造単位は、下記一般式I-1として表すことができる。式中、Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または-NR3R4を表す。ここでR3およびR4は各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表す。なお、R3とR4が互いに結合して環を形成してもよい。Z1、Z2およびpは一般式IのZ1、Z2およびpと同義であり、好ましい範囲も同じである。-SOpX1の好ましい範囲は前記一般式Iにおける-SOpXにおける好ましい範囲と同じである。なお、重合体における構造単位の連結位置4位、6位について、隣接する構造単位の向きは特に限定されず、4位同士や6位同士が結合してもランダムでも良く、また、4位と6位が規則的に連結していても良い。得られるポリマーの結晶性、ひいては得られる光電池の短絡電流Jscが高くなることから、4位と6位が規則的に連結することが好ましい。以下に、上記のX1とpとの組み合わせた場合の好ましい構造として、下記一般式I-1A、一般式I-1B、一般式I-1Cで表すことができる。一般式I-1A~I-1C中、Z1およびZ2は一般式I-1のZ1およびZ2と同義であり、好ましい範囲も同じである。X1はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基が好ましく、アルキル基またはアリール基がさらに好ましく、アルキル基が最も好ましい。R3およびR4は一般式I-1におけるR3およびR4と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、一般式I-1A~一般式I-1Cで表される構造のうち、一般式I-1Aおよび一般式I-1Bで表される構造が好ましく、一般式I-1Aで表される構造がより好ましい。以下に一般式Iで表される構造単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。本発明の一般式Iで表される構造単位は、クロスカップリング反応等、例えば、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,p.8661979やAngew.Chem.Int.Ed.,25,p.5081986等に記載の方法またはこの方法に準じて容易に合成することができる。ここで、原料の有機スズ化合物は、例えば、Chem.Lett.,p.3011977等に記載の方法で容易に合成できる。本発明のポリマーは、少なくとも前記一般式Iで表される構造単位を有するものであるが、前記一般式Iで表される構造単位の一種からなるホモポリマーであっても、一般式I-1~I-1Cのいずれかの構造単位同士の組み合わせのコポリマーであっても、一般式I以外の構造単位とのコポリマーであっても構わない。コポリマーである場合、本発明の一般式Iで表される構造単位以外の構造単位としては一般式Iで表される構造単位と、互いにπ電子共役系でこれらの構造単位が連結するものが用いられる。このような構造単位はπ電子共役系で共役でき、共役系がポリマー分子全体に広がるものであればどのような構造単位でも構わない。コポリマーを形成する本発明の一般式Iで表される構造単位以外の構造単位としては、シラシクロペンタジチオフェン構造単位、シクロペンタジチアゾール構造単位、ベンゾチアゾール構造単位、チアジアゾロキノキサリン構造単位、シクロペンタジチオフェン構造単位、酸化シクロペンタジチオフェン構造単位、ベンゾイソチアゾール構造単位、ベンゾチアゾール構造単位、酸化チオフェン構造単位、チエノチオフェン構造単位、酸化チエノチオフェン構造単位、ジチエノチオフェン構造単位、酸化ジチエノチオフェン構造単位、テトラヒドロイソインドール構造単位、フルオレン構造単位、フルオレノン構造単位、チアゾール構造単位、セレノフェン構造単位、シロール構造単位、チアゾロチアゾール部分、シクロペンタジチアゾール部分、ナフトチアジアゾール部分、チエノピラジン構造単位、オキサゾール構造単位、イミダゾール構造単位、ピリミジン構造単位、ベンゾオキサゾール構造単位、ベンジイミダゾール構造単位、チエノチアゾール構造単位およびシクロペンタジピリジン構造単位が挙げられる。これらの構造単位は、好ましくは、下記一般式IIで表される構造単位がより好ましい。式中、QはSi、S、OまたはNを表す。G1およびG2は各々独立に、S、O、SeまたはTeを表す。R5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基を表し、p’は0、1または2を表す。p’が2のとき、2つのR5は互いに同じでも異なってもよい。ここで、QとR5との間の結合は、QがSiおよびNである場合は単結合であり、XがSであるとき、二重結合である。またQがOである場合、p’は0であり、QがNの場合、p’は2である。ここで、QがSiおよびのNの場合、p’は2を表し、QがSまたはOの場合、p’は0であることが好ましい。QはSi、SまたはOが好ましく、SiまたはOがより好ましく、Siが最も好ましい。G1およびG2は、各々独立にS、OまたはSeが好ましく、SまたはOがより好ましく、Sが最も好ましい。R5は一般式I-1におけるR1、R2と同義であり、好ましい範囲も同じである。ここで、R5は、p’が2で、かつQがSiの場合、一方のR5がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基であり、他方のR5が水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基である場合が好ましく、一方のR5がアルキル基またはアリール基で、他方のR5が水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基である場合がより好ましく、2つのR5がともにアルキル基、アリール基から選択される基である場合がさらに好ましく、2つのR5がともにアルキル基の場合が特に好ましい。また、R5は、p’が2で、かつQがNの場合、一方のR5が水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基であり、他方のR5がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または芳香族へテロ環基である場合が好ましく、一方のR5が水素原子、アルキル基またはアリール基であり、他方のR5がアルキル基またはアリール基である場合がより好ましく、2つのR5がともにアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基である場合がさらに好ましく、2つのR5がともにアルキル基である場合が最も好ましい。以下に、一般式IIで表される構造単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。本発明の一般式IIで表される構造単位は、前記一般式Iで表される構造単位と同様な方法で容易に合成できる。本発明の一般式Iで表される構造単位と一般式IIで表される構造単位を有するポリマーは、SyntheticCommunications,Vol.11No.7,p.5131981、MakromoleculareChemistry,RapidCommunications,Vol.12,p.4891992、Polymer,Vol.38,p.12211997等に記載の方法またはこの方法に準じて容易に合成することができる。以下に本発明の共重合ポリマーを例示するが、これにより本発明が限定されるものではない。<有機半導体ポリマー>本発明の前記一般式Iで表される構造単位を有するポリマーは、有機半導体ポリマーとして有用である。有機半導体ポリマーとは、半導体としての性質を示すことが可能な有機化合物のポリマーであり、本発明のポリマーは、とりわけp型有機半導体ポリマーとして有用である。なお、ポリマーを含むp型有機半導体化合物は、一般的に最高被占軌道HOMO準位が4.5~6.0eVのπ電子共役系化合物である。有機半導体ポリマーは有機エレクトロニクス分野で使用される、電気を流すと発光する有機エレクトロルミネッセンス素子、光照射で発電する有機光電変換素子、電流量や電圧量を制御する有機薄膜トランジスタ素子、電気化学センサー、プリンタブル回路等で利用される。本発明においては、光電池、特に有機薄膜太陽電池で使用するのが好ましい。<有機半導体材料用組成物>本発明の有機半導体材料用組成物に関して説明する。本発明の前記一般式Iで表される構造単位を有するポリマーは、p型有機半導体ポリマーとして有用であり、本発明の有機半導体材料用組成物は、この一般式Iで表される構造単位を有するポリマーとn型半導体化合物を含有するが、特に本発明においてはn型有機半導体化合物を含有することが好ましい。また、必要によっては、一般式Iで表される構造単位を有するポリマー以外のp型有機半導体化合物、半導体以外の化合物例えば、その他のp型半導体化合物として、ポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HTや、ポリ[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレンビニレンMEH-PPV、ポリ[2-メトキシ-5-3’,7’-ジメチルオクチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン]MDMO-PPV、ポリ[9,9-ジ-n-オクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,8-ジイル]F8BT等が例示され、半導体以外の化合物としては、後述するポリエステル系樹脂やメタクリル樹脂等の他のポリマーを含有してもよい。組成物の質量を100としたとき、一般式Iで表される構造単位を有するポリマーを10~90、n型有機半導体化合物を10~90、一般式Iで表される構造単位を有するポリマー以外のp型有機半導体化合物を0~50、半導体以外の化合物を0~50含有する。n型有機半導体化合物n型有機半導体化合物としては、特に限定されないが、一般的に、その最低空軌道LUMO準位が3.5~4.5eVであるようなπ電子共役系化合物であり、例えば、フラーレンもしくはその誘導体、カーボンナノチューブやカーボンナノチューブもしくはその誘導体、オクタアザポルフィリン等、p型有機半導体化合物の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることができる。これらのn型有機半導体化合物のうち、本発明の一般式Iで表される構造単位を有する有機半導体ポリマーp型有機半導体化合物と高速かつ効率的に電荷分離ができるためフラーレンもしくはその誘導体、およびカーボンナノチューブやカーボンナノホーンもしくはその誘導体が好ましく、フラーレンもしくはその誘導体がより好ましい。フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーンやそれらの誘導体としては、C60フラーレン、C70フラーレン、C76フラーレン、C78フラーレン、C84フラーレン、C240フラーレン、C540フラーレン、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン円錐型等、およびこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、シリル基等によって置換されたフラーレン誘導体を挙げることができる。フラーレン誘導体としては、フェニル-C61-酪酸エステル、ジフェニル-C62-ビス酪酸エステル、フェニル-C71-酪酸エステル、フェニル-C85-酪酸エステルまたはチエニル-C61-酪酸エステルが好ましく、上記の酪酸エステルのアルコール部分の好ましい炭素数は1~30、より好ましくは1~8、さらに好ましくは1~4、最も好ましくは1である。好ましいフラーレン誘導体を例示すると、フェニル-C61-酪酸メチルエステル[60]PCBM、フェニル-C61-酪酸n-ブチルエステル[60]PCBnB、フェニル-C61-酪酸イソブチルエステル[60]PCBiB、フェニル-C61-酪酸n-ヘキシルエステル[60]PCBH、フェニル-C61-酪酸n-オクチルエステル[60]PCBO、ジフェニル-C62-ビス酪酸メチルエステルビス[60]PCBM、フェニル-C71-酪酸メチルエステル[70]PCBM、フェニル-C85-酪酸メチルエステル[84]PCBM、チエニル-C61-酪酸メチルエステル[60]ThCBM、C60ピロリジントリス酸、C60ピロリジントリス酸エチルエステル、N-メチルフラロピロリジンMP-C60、1,2-メタノフラーレンC60-61-カルボン酸、1,2-メタノフラーレンC60-61-カルボン酸t-ブチルエステル、特開2008-130889号公報等のメタロセン化フラーレン、米国特許第7,329,709号明細書等の環状エーテル基を有するフラーレンが挙げられる。本発明の有機半導体材料用組成物には、本発明の前記一般式Iで表される構造単位を有するポリマーとともに、他のp型半導体化合物縮合多環芳香族低分子化合物、オリゴマーまたはポリマーを含有してもよい。p型半導体化合物である縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、サーコビフェニル、アントラジチオフェン等の化合物、ポルフィリンや銅フタロシアニン、テトラチアフルバレンTTF-テトラシアノキノジメタンTCNQ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレンBEDTTTF-過塩素酸錯体、及びこれらの誘導体や前駆体が挙げられる。また、上記の縮合多環を有する誘導体の例としては、国際公開第03/16599号パンフレット、国際公開第03/28125号パンフレット、米国特許第6,690,029号明細書、特開2004-107216号公報等に記載の置換基をもったペンタセン誘導体、米国特許出願公開第2003/136964号明細書等に記載のペンタセンプレカーサ、J.Amer.Chem.Soc.,vol.127,4986頁2005年、J.Amer.Chem.Soc.,vol.123,9482頁2001年、J.Amer.Chem.Soc.,vol.130,2706頁2008年等に記載のトリアルキルシリルエチニル基で置換されたアセン系化合物、特開2008-16834号公報等に記載のポルフィリン系化合物等が挙げられる。p型半導体化合物である共役系ポリマーやオリゴマーとしては、例えば、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT等のポリチオフェン及びそのオリゴマー、またはTechnicalDigestoftheInternationalPVSEC-17,Fukuoka,Japan,1225頁2007年に記載の重合性基を有するようなポリチオフェン、NatureMaterial,vol.5,328頁2006年に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、国際公開第2008/000664号パンフレットに記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、AdvMater,4160頁2007年に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体,NatureMat.vol.6,497頁2007年に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー等のポリマーが挙げられる。また、チオフェン6量体であるα-セクシチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、α,ω-ビス3-ブトキシプロピル-α-セクシチオフェン等のオリゴマーも挙げられる。光電変換層本発明の有機半導体材料用組成物は、光電変換層特にバルクへテロ結合層の塗工用組成物として好ましく使用される。電子供与材料であるp型有機半導体化合物と電子受容材料であるn型半導体化合物の混合比は光電変換効率が最も高くなるように調整されるが、通常は、質量比で、10:90~90:10、好ましくは20:80~80:20の範囲から選ばれる。このような混合層の形成方法は、例えば、共蒸着法が用いられる。あるいは、両方の有機材料に共通する溶媒を用いて溶剤塗布することによって作製することも可能である。正孔と電子が電荷分離する界面の面積を増大させ、高い光電変換効率を有するためには、塗布法が好ましい。ここで、光電変換層における電子供与領域ドナーと電子受容領域アクセプターの相分離促進、光電変換層に含まれる有機材料の結晶化、電子輸送層の透明化などを目的として、種々の方法で加熱処理アニールしても良い。蒸着等の乾式製膜法の場合は、例えば、製膜中の基板温度を50°C~150°Cに加熱する方法がある。印刷や塗布等の湿式製膜法の場合は、塗布後の乾燥温度を50°C~150°Cとする方法などがある。また、後の工程、例えば、金属負極の形成が終了した後に50°C~150°Cに加熱しても良い。相分離が促進されることで、キャリア移動度が向上し、高い光電変換効率を得ることができるようになる。<光電変換素子、光電池>以下、本発明の一般式Iで表される構造単位のポリマー、本発明の有機半導体材料用組成物を使用する光電変換素子、該光電変換素子の代表例である光電池によって説明する。光電池、特に有機薄膜太陽電池では、本発明の有機半導体材料用組成物を前述の光電変換層、特に好ましくはバルクへテロ結合層として使用する。光電池は、特に有機薄膜太陽電池は、一般に、p-i-n三層構造を有するp-i-n接合型有機薄膜太陽電池とバルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池に分類され、本発明においてはそのいずれでも構わないが、バルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池に特に好ましく適用される。光電池は、光電変換層、特にバルクへテロ接合型有機薄膜太陽電池におけるバルクへテロ接合層は本発明の有機半導体材料用組成物を使用して層を形成するが、この光電変換層は単一層で構成されても、電子供与化合物であるp型半導体化合物と電子受容化合物であるn型半導体化合物の種類、混合比を変えた複数の層で構成されてもよい。この光電変換層は、第一の電極と第二の電極の間に設けられる。本発明においては、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設けるのが好ましく、また第二の電極と光電変換層の間に電子輸送層を設けることが好ましく、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設け、かつ光電変換層と第二の電極の間に電子輸送層を設けるのが特に好ましい。これらのホール輸送層や電子輸送層を設けることにより、光電変換層で発生した電荷をより効率的に取り出すことが可能となる。電極本発明に関わる光電変換素子においては、少なくとも第一の電極と第二の電極を有する。第一の電極と第二の電極は、いずれか一方が正極で、残りが負極となる。また、タンデム構成をとる場合には中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。なお、本発明においては主に正孔ホールが流れる電極を正極と称し、主に電子が流れる電極を負極と称す。また透光性があるかどうかといった機能面から、透光性のある電極を透明電極と称し、透光性のない電極を対電極または金属電極と称す。通常、正極は透光性のある透明電極であり、負極は透光性のない対電極または金属電極であるが、第一の電極と第二の電極の両方を透明電極とすることもできる。第一の電極第一の電極は、正極であり、太陽電池の場合、好ましくは可視光から近赤外光380~800nmの光を透過する透明電極である。材料としては、例えば、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ用いることができる。またポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性ポリマー等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせて正極とすることもできる。なお、光透過性が要求されない場合は、ニッケル、モリブデン、銀、タングステン、金などの金属材料によって正極を形成してもよい。透明な太陽電池とする場合は、正極の透過率は、太陽電池に使用する厚さ例えば、0.2μmの厚さで、波長380nm~800nm領域における平均光透過率が75以上であることが好ましく85以上であることがより好ましい。第二の電極本発明の第二の電極は負極であり、標準電極電位が正値である金属負極である。負極は導電材単独層であっても良いが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。負極の導電材としては、仕事関数の小さい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子の取り出し性能及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。負極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。負極の導電材として金属材料を用いれば負極側に到達した光は反射されて第一の電極側に反射され、この光が再利用可能となり、光電変換層で再度吸収され、より光電変換効率が向上し好ましい。また、負極は、金属例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等、炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノワイヤーの分散物であれば、透明で導電性の高い負極を塗布法により形成でき好ましい。また、負極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の負極に適した導電性材料を薄く1~20nm程度の膜厚で作製した後、上記正極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性負極とすることができる。ホール輸送層本発明においては、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設けるのが好ましい。ホール輸送層を形成する導電性ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレン、ポリアセチレン、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジアゾール等や、これら導電骨格を複数有するポリマー等が挙げられる。これらのなかではポリチオフェンおよびその誘導体が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリチエノチオフェンが特に好ましい。これらのポリチオフェンは導電性を得るために、通常、部分酸化されている。導電性ポリマーの電気伝導率は部分酸化の程度ドープ量で調節することができ、ドープ量が多いほど電気伝導率が高くなる。部分酸化によりポリチオフェンはカチオン性となるので、電荷を中和するための対アニオンを要する。そのようなポリチオフェンの例としては、ポリスチレンスルホン酸を対イオンとするポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT-PSSやp-トルエンスルホン酸を対アニオンとするポリエチレンジオキシチオフェンPEDOT-TsOが挙げられる。ホール輸送層には、所望の導電性を損なわない範囲であれば、他のポリマーが添加されても良い。他のポリマーは塗布性を向上させる目的や膜強度を高める目的で添加される。他のポリマーの例としては、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸-マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂や、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール等の親水性ポリマー等が挙げられる。これらのポリマーは膜強度を高めるために架橋しても良い。また、ホール輸送層には、国際公開第2006/019270号パンフレット等に記載のシアン化合物等を用いることができる。なお、光電変換層に用いられるn型半導体化合物のLUMO準位よりも浅いLUMO準位を有するホール輸送層には、光電変換層で生成した電子を正極側には流さないような整流効果を有する、電子ブロック機能が付与される。このようなホール輸送層は、電子ブロック層とも称し、このような機能を有するホール輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、特開平5-271166号公報等に記載のトリアリールアミン系化合物、また酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化タングステン等の金属酸化物等を用いることができる。また、光電変換層に用いたp型半導体化合物単体からなる層を用いることもできる。これらの層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。光電変換層を形成する前に、下層に塗布膜を形成すると塗布面をレベリングする効果があり、リーク等の影響が低減するため好ましい。ホール輸送層の厚みは、10~500nmが好ましく、20~200nmであることがさらに好ましい。電子輸送層本発明においては、第二の電極と光電変換層の間に電子輸送層を設けることが好ましく、第一の電極と光電変換層の間にホール輸送層を設け、かつ光電変換層と第二の電極の間に電子輸送層を設けるのが特に好ましい。電子輸送層に用いることのできる電子輸送材料としては、前記の光電変換層で挙げた電子受容材料であるn型半導体化合物および、ケミカルレビュー第107巻,953~1010頁2007年にElectron-TransportingandHole-BlockingMaterialsとして記載されているものが挙げられる。本発明においては、無機塩や無機酸化物を使用することが好ましい。無機塩としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等が好ましい。各種金属酸化物は安定性が高い電子輸送層の材料として好ましく利用され、例えば、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化ニオブ、酸化ルテニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化バリウムが挙げられる。これらのうち比較的に安定な酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛がより好ましい。電子輸送層の膜厚は0.1~500nmであり、好ましくは0.5~300nmである。電子輸送層は、塗布などによる湿式製膜法、蒸着やスパッタ等のPVD法による乾式製膜法、転写法、印刷法など、いずれによっても好適に形成することができる。なお、光電変換層に用いられるp型半導体化合物のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する電子輸送層には、光電変換層で生成した正孔ホールを負極側には流さないような整流効果を有する、正孔ホールブロック機能が付与される。より好ましくは、n型半導体化合物のHOMO準位よりも深い材料を電子輸送層として用いることである。また、電子を輸送する特性から、電子移動度の高い化合物を用いることが好ましい。このような電子輸送層は、正孔ホールブロック層とも称し、このような機能を有する電子輸送層を使用するほうが好ましい。このような材料としては、バソキュプロイン等のフェナントレン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等のn型半導体化合物、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物及びフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属化合物等を用いることができる。また、光電変換層に用いたn型半導体化合物単体からなる層を用いることもできる。支持体本発明の光電池を構成する支持体は、その上に少なくとも第一の電極正極、光電変換層、第二の電極金属負極、より好ましい態様では、第一の電極正極、ホール輸送層、光電変換層、電子輸送層、第二の電極金属負極を形成して保持することができるものであれば特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチックフィルムなど、目的に応じて適宜選択しうる。以下、支持体の代表的な例としてプラスチックフィルム基板について説明する。プラスチックフィルム基板の材質、厚み等に特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光透過性を有する有機薄膜太陽電池とする場合には、光、例えば、400nm~800nmの波長範囲の光に対する透過性に優れることが好ましい。光透過率は、JISK7105に記載された方法、すなわち積分球式光透過率測定装置を用いて全光透過率及び散乱光量を測定し、全光透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。支持体に用いうるプラスチックフィルムの素材としては、具体的には、例えば、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸-マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィルンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂が挙げられる。プラスチックフィルム基板は、耐熱性を有する素材からなることが好ましい。具体的には、ガラス転移温度Tgが100°C以上、及び、線熱膨張係数が40ppmK-1以下の少なくともいずれかの物性を満たす耐熱性を有し、さらに、前記したように露光波長に対し高い透明性を有する素材により成形されることが好ましい。なお、プラスチックフィルムのTg及び線膨張係数は、JISK7121に記載のプラスチックの転移温度測定方法、及び、JISK7197に記載のプラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法により測定され、本発明においては、この方法により測定した値を用いている。プラスチックフィルム基板のTgや線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。このような耐熱性に優れる熱可塑性樹脂として、例えば、ポリエチレンナフタレートPEN:120°C、ポリカーボネートPC:140°C、脂環式ポリオレフィン例えば日本ゼオン製ゼオノア1600:160°C、ポリアリレートPAr:210°C、ポリエーテルスルホンPES:220°C、ポリスルホンPSF:190°C、シクロオレフィンコポリマーCOC:特開2001-150584号公報の化合物:162°C、フルオレン環変性ポリカーボネートBCF-PC:特開2000-227603号公報の化合物:225°C、脂環変性ポリカーボネートIP-PC:特開2000-227603号公報の化合物:205°C、アクリロイル化合物特開2002-80616号公報の化合物:300°C以上、ポリイミド等が挙げられ括弧内はTgを示す、これらは本発明における基材として好適である。なかでも、特に透明性が求められる用途には、脂環式ポリオレフィン等を使用するのが好ましい。支持体として用いるプラスチックフィルムは、光に対して透明であることが求められる。より具体的には、400nm~800nmの波長範囲の光に対する光透過率は、通常80以上が好ましく、より好ましくは85以上、さらに好ましくは90以上である。プラスチックフィルムの厚みに関して特に制限はないが、典型的には1μm~800μmであり、好ましくは10μm~300μmである。プラスチックフィルムの裏面正極を設置しない側の面には、公知の機能性層を設けても良い。機能層の例としては、ガスバリア層、マット剤層、反射防止層、ハードコート層、防曇層、防汚層等が挙げられる。このほか、機能性層に関しては特開2006-289627号公報の段落番号0036~0038に詳しく記載されている。易接着層/下塗り層プラスチックフィルム基板の表面正極を形成する側の面は、密着性向上の観点から、易接着層もしくは下塗り層を有していてもよい。易接着層もしくは下塗り層は、単層であってもよく、多層であってもよい。易接着層もしくは下塗り層の形成には、各種の親水性下塗ポリマーが用いられる。本発明に使用する親水性下塗ポリマーとしては、ゼラチン、ゼラチン誘導体、カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマー、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロースエステル、塩化ビニル含有共重合体、塩化ビニリデン含有共重合体、アクリル酸エステル含有共重合体、酢酸ビニル含有共重合体、ブタジエン含有共重合体などのラテックスポリマー、ポリアクリル酸共重合体、無水マレイン酸共重合体等が例示される。易接着層もしくは下塗り層の乾燥後の塗布膜厚は、50nm~2μmの範囲であることが好ましい。なお、支持体を仮支持体として用いる場合には、支持体表面に易剥離性処理を施すことも可能である。機能性層支持体の裏面側正極を形成しない面側には機能性層を設けてもよい。例えば、ガスバリア層、マット剤層、反射防止層、ハードコート層、防曇層、防汚層、易接着層等が挙げられる。このほか、機能性層に関しては特開2006-289627号公報の段落番号0036~0038に詳しく記載されており、ここに記載の機能性層を目的に応じて設けてもよい。<再結合層>本発明に係る太陽電池は複数の光電変換層を積層した、いわゆるタンデム型構成を採っても良い。タンデム型構成は直列接続型であっても、並列接続型であっても良い。2層の光電変換層を有するタンデム型の素子では、2層の光電変換層の間に再結合層が設けられる。再結合層の材料としては、導電材料の超薄膜が用いられる。好ましい導電材料としては、金、銀、アルミニウム、白金、酸化チタン、酸化ルテニウム等が挙げられる。これらのうち、比較的に安価で安定な銀が好ましい。再結合層の膜厚は0.01~5nmであり、0.1~1nmが好ましく、0.2~0.6nmが特に好ましい。再結合層の形成方法については特に制限はなく、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のPVD法で形成することができる。<その他の半導体層>必要に応じて、正孔ホール阻止層、励起子拡散防止層等の補助層を有していてもよい。なお、本発明において、第一の電極と第二の電極正極と金属負極の間に形成された、光電変換層、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、ホール阻止層、励起子拡散防止層等の層を有してもよく、電子または正孔ホールを輸送する層の総称として、半導体層の言葉を用いる。<保護層>本発明に係る光電池は、保護層によって被覆されていてもよい。保護層に含まれる材料としては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪素SiOx、酸化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム等の金属酸化物、窒化珪素SiNx等の金属窒化物、窒化酸化珪素SiOxNy等の金属窒化酸化物金属酸化窒化物、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウム等の金属弗化物、ダイヤモンド状炭素DLC、などの無機材料が挙げられる。有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ弗化ビニリデン、ポリパラキシリレン、ポリビニルアルコール等のポリマーが挙げられる。これらのうち、金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物やDLCが好ましく、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。保護層は単層でも多層構成であっても良い。保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、MBE分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法などのPVD法や、原子層堆積法ALD法またはALE法を含む各種CVD法、塗布法、印刷法、転写法を適用できる。本発明においては、保護層が導電性層として使用されてもよい。<ガスバリア層>水分子や酸素分子など活性因子の浸透を阻止する目的の保護層を特にガスバリア層ともいい、本発明に係る光電池、特に有機薄膜太陽電池はガスバリア層を有することが好ましい。ガスバリア層は、水分子や酸素分子等の活性因子を遮断する層であれば、特に制限はないが、保護層として先に例示した材料が通常利用される。これらは純物質でもよいし、複数組成からなる混合物や傾斜組成でもよい。これらのうち、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が好ましい。ガスバリア層は単層でも、複数層でも良い。有機材料層と無機材料層の積層でも良く、複数の無機材料層と複数の有機材料層の交互積層でも良い。有機材料層は平滑性があれば特に制限はないが、メタアクリレートの重合物からなる層などが好ましく例示される。無機材料層は、上述の保護層材料が好ましく、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。無機材料層の厚みに関しては特に限定されないが、1層に付き、通常は5~500nmであり、好ましくは10~200nmである。無機材料層は複数のサブレイヤーから成る積層構造であってもよい。この場合、各サブレイヤーが同じ組成であっても異なる組成であってもよい。また、米国特許出願公開2004/0046497号明細書に開示してあるようにポリマーからなる有機材料層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層であってもよい。本発明に係る光電池の厚さは特に限定されないが、光透過性を有する有機薄膜太陽電池とする場合は、50μm~1mmであることが好ましく、100μm~500μmであることがより好ましい。本発明に係る光電池を用いて太陽光発電用モジュールを作製する場合、濱川圭弘著、太陽光発電最新の技術とシステム、シーエムシー出版平成12年等の記載を参酌することができる。本発明の一般式Iで表される構造単位を有するポリマーに対し、光電池について説明してきたが、いくつかの実施形態では、本発明の一般式Iで表される構造単位を有するポリマーを、その他の素子およびシステムに使用することができる。例えば、電界効果トランジスタ、光検出器例えば、赤外光検出器、光起電力検出器、撮像素子例えば、カメラまたは医用画像撮影システムのRGB撮像素子、発光ダイオードLED例えば、有機LED、または赤外もしくは近赤外LED、レーザー素子、変換層例えば、可視発光を赤外発光に変換する層、電気通信用の増幅器兼放射器例えば、ファイバ用ドープ剤、記憶素子例えば、ホログラフィック記憶素子、並びにエレクトロクロミック素子例えば、エレクトロクロミックディスプレイのような好適な有機半導体素子に、これらのポリマーを使用することができる。以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。実施例1ポリマー1の合成下記のScheme1のように合成を行った。中間体2の合成エタノール250mlに111.3gの化合物1および38.1gのチオ尿素を加え、2時間加熱還流した。反応液を氷水に注加し、10水酸化ナトリウム水溶液を弱アルカリ性になるまで添加し、酢酸エチルで抽出した。飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒から晶析して、100.2gの中間体2を得た。収率82.0。中間体3の合成アセトニトリル1lに塩化銅II56.5gを加え、亜硝酸イソアミル44.5gを室温にて添加した。30°Cまで昇温した後、30~32°Cにて92.8gの中間体2を1時間かけて添加した。40°Cに昇温して2時間反応した後、水に注加し、酢酸エチルを添加した。セライトを通してろ過した後、分液し、有機層を亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、71.8gの中間体3を得た。収率71.7。中間体4の合成アセトン250mlに水冷下、22.1gの中間体3、12.3gのn-オクタンチオールおよび23.1gの炭酸カリウムを添加し、室温にて6時間反応した。氷水に注加し、酢酸エチルおよび次亜塩素酸ナトリウム水溶液5mlを添加した。分液後、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、30.6gの中間体4を得た。収率97.7。中間体5の合成乾燥THF300mlに、4.56gの水素化アルミニウムリチウムを添加し、氷-アセトンの冷媒で冷却しながら5°C以下にて、29.9gの中間体4を乾燥THF100mlに溶解した溶液を45分かけて滴下した。5°C以下にて15分反応した後、アセトン50mlを17°C以下にて5分かけて滴下した。室温にて10分攪拌した後、1規定塩酸水50mlを水冷下、15分かけて滴下した。室温にて30分攪拌した後、酢酸エチルおよびヘキサンを添加し、セライトを通してろ過した後、分液し、有機層を水、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、19.1gの中間体5を得た。収率82.3。中間体6の合成トルエン200mlに17.4gの中間体5およびピリジン1.5mlを添加し、氷-アセトンの冷媒で冷却しながら4°C以下にて、13.1mlの塩化チオニルをトルエン100mlに溶解した溶液を25分かけて滴下した。7°C以下にて1時間反応した後、氷水に注加し、酢酸エチルで抽出した。分液し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、18.2gの中間体6を得た。収率92.8。中間体7の合成アセトン200mlに、16.3gの中間体6および50mlの1規定塩酸水を添加し、3時間加熱還流した。さらに20mlの1規定塩酸水を添加し、5.5時間加熱還流した。酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、15.4gの中間体7を得た。収率100。中間体8の合成アセトン200mlに、15.1gの中間体7および6.3gのチオ酢酸ナトリウムを添加し、室温にて1時間攪拌した。水に注加し、酢酸エチルで抽出した。分液し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、14.9gの中間体8を得た。収率87.5。中間体9の合成トルエン150mlに13.9gの中間体8およびピリジン1.0mlを添加し、氷-アセトンの冷媒で冷却しながら5°C以下にて、4.4mlの塩化チオニルをトルエン50mlに溶解した溶液を30分かけて滴下した。5°C以下にて1時間反応した後、氷水に注加し、酢酸エチルで抽出した。分液し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、14.1gの中間体9を得た。収率96.5。中間体10の合成アセトン200mlに、13.2gの中間体9を添加し、窒素気流下、氷-アセトンの冷媒で冷却しながら0°C以下にて、7.4mlの28ナトリウムメトキシド-メタノール溶液を10分かけて滴下した。5°C以下にて30分攪拌した後、水に注加し、酢酸エチルで抽出した。分液し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、8.53gの中間体10を得た。収率82.3。中間体11の合成トルエン100mlに8.04gの中間体10を添加し、室温にて6.81gのDDQを10分かけて添加した。2時間加熱還流した後、氷水に注加し、酢酸エチルで抽出した。分液し、有機層を亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6.56gの中間体11を得た。収率82.2。中間体12の合成クロロホルム100mlに5.75gの中間体11を添加し、氷冷下7.59gのm-CPBAを30分かけて添加した。室温に昇温し3時間攪拌した後、氷水に注加し、クロロホルムで抽出した。分液し、有機層を亜硫酸ナトリウム水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、4.87gの中間体12を得た。収率76.7。中間体13の合成クロロホルム100mlに4.76gの中間体12を添加し、氷冷下5.87gのN-ブロモスクシンイミドを30分かけて添加した。室温に昇温し1時間攪拌した後、氷水に注加し、クロロホルムで抽出した。分液し、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、6.54gの中間体13を得た。収率91.8。ポリマー1の合成窒素雰囲気下、乾燥THF50mlにマグネシウムの小片60.0mgを入れ、95.1mgの中間体13を乾燥THF10mlに溶かした溶液を徐々に滴下し、マグネシウムからの細かい発泡が持続する状態を維持しつつ、中間体13の溶液の滴下を続けた。滴下終了後、50°Cでさらに1時間攪拌した。放冷後この溶液をシリンジにて抜き取り、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパンニッケル塩化物50mgを乾燥THF20mlに分散させた懸濁液に加えた。この混合物を50°Cに加熱し、10時間反応した。放冷後、反応混合物を1規定塩酸に注加し、固形物を濾取して水、メタノール、およびエチレンジアミン四酢酸水溶液にて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、53.3mgのポリマー1を得た。ポリマー1をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは21,000、重量平均分子量と数平均分子量Mnとの比である分散度Mw/Mnは1.61であった。また、クロロベンゼンに溶解したポリマー1をガラス基板にスピンコート塗布し、その塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=690nmであった。実施例2ポリマー2の合成下記のScheme2のように合成を行った。中間体14は実施例1と同様な手法で合成した。ポリマー2の合成窒素雰囲気下、乾燥THF50mlにマグネシウムの小片60.0mgを入れ、91.9mgの中間体14を乾燥THF10mlに溶かした溶液を徐々に滴下し、マグネシウムからの細かい発泡が持続する状態を維持しつつ、中間体14の溶液の滴下を続けた。滴下終了後、50°Cでさらに1時間攪拌した。放冷後この溶液をシリンジにて抜き取り、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパンニッケル塩化物50mgを乾燥THF20mlに分散させた懸濁液に加えた。この混合物を50°Cに加熱し、10時間反応した。放冷後、反応混合物を1規定塩酸に注加し、固形物を濾取して水、メタノール、およびエチレンジアミン四酢酸水溶液にて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、51.6mgのポリマー2を得た。ポリマー2をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは20,500、分散度Mw/Mnは1.48であった。同様に、ポリマー2の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=650nmであった。実施例3ポリマー3の合成下記のScheme3のように合成を行った。中間体15は実施例1と同様な手法で合成した。ポリマー3の合成窒素雰囲気下、乾燥THF50mlにマグネシウムの小片60.0mgを入れ、109mgの中間体15を乾燥THF10mlに溶かした溶液を徐々に滴下し、マグネシウムからの細かい発泡が持続する状態を維持しつつ、中間体15の溶液の滴下を続けた。滴下終了後、50°Cでさらに1時間攪拌した。放冷後この溶液をシリンジにて抜き取り、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパンニッケル塩化物50mgを乾燥THF20mlに分散させた懸濁液に加えた。この混合物を50°Cに加熱し、10時間反応した。放冷後、反応混合物を1規定塩酸に注加し、固形物を濾取して水、メタノール、およびエチレンジアミン四酢酸水溶液にて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、52.1mgのポリマー3を得た。ポリマー3をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは19,600、分散度Mw/Mnは1.41であった。同様に、ポリマー3の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=660nmであった。実施例4ポリマー4の合成下記のScheme4のように合成を行った。中間体16は実施例1と同様な手法で合成した。ポリマー4の合成窒素雰囲気下、乾燥THF50mlにマグネシウムの小片60.0mgを入れ、90.6mgの中間体16を乾燥THF10mlに溶かした溶液を徐々に滴下し、マグネシウムからの細かい発泡が持続する状態を維持しつつ、中間体16の溶液の滴下を続けた。滴下終了後、50°Cでさらに1時間攪拌した。放冷後この溶液をシリンジにて抜き取り、1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパンニッケル塩化物50mgを乾燥THF20mlに分散させた懸濁液に加えた。この混合物を50°Cに加熱し、10時間反応した。放冷後、反応混合物を1規定塩酸に注加し、固形物を濾取して水、メタノール、およびエチレンジアミン四酢酸水溶液にて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、50.1mgのポリマー4を得た。ポリマー4をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは17,000、分散度Mw/Mnは1.38であった。同様に、ポリマー4の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=680nmであった。実施例5ポリマー5の合成下記のScheme5のように合成を行った。ポリマー5の合成951mgの中間体13、1.38gの中間体17J.Amer.Chem.Soc.,vol.130,7670頁2008年記載の化合物、100mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムをフラスコに入れ、真空にしてアルゴンで置換する操作を3回行った。乾燥DMF8mlと乾燥トルエン32mlをシリンジで添加した後、120°Cで12時間反応した。反応液をメタノールに添加し、固形物を濾取してメタノールにて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、1.11gのポリマー5を得た。ポリマー5をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは23,000、分散度Mw/Mnは1.53であった。同様に、ポリマー5の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=660nmであった。実施例6ポリマー6の合成下記のScheme6のように合成を行った。ポリマー6の合成919mgの中間体14、1.55gの中間体18J.Amer.Chem.Soc.,vol.130,13433頁2008年記載の化合物、100mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムをフラスコに入れ、真空にしてアルゴンで置換する操作を3回行った。乾燥DMF8mlと乾燥トルエン32mlをシリンジで添加した後、120°Cで12時間反応した。反応液をメタノールに添加し、固形物を濾取してメタノールにて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、839mgのポリマー6を得た。ポリマー6をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは17,400、分散度Mw/Mnは1.40であった。同様に、ポリマー6の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=630nmであった。実施例7ポリマー7の合成下記のScheme7のように合成を行った。ポリマー7の合成1.09gの中間体15、1.93gの中間体19Macromolecules,vol.41,5582頁2008年記載の化合物、100mgのテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムをフラスコに入れ、真空にしてアルゴンで置換する操作を3回行った。乾燥DMF8mlと乾燥トルエン32mlをシリンジで添加した後、120°Cで12時間反応した。反応液をメタノールに添加し、固形物を濾取してメタノールにて洗浄した。この粗生成物をクロロホルムに溶解し、セライトを通してろ過し、ヘキサンに添加して再沈殿させ、濾取してヘキサンで洗浄後、真空下で乾燥し、1.65gのポリマー7を得た。ポリマー7をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは16,000、分散度Mw/Mnは1.38であった。同様に、ポリマー7の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=660nmであった。ここで、ポリマー1は例示のI-35、ポリマー2は例示のI-1、ポリマー3は例示のI-36、ポリマー4は例示のI-4、ポリマー5は例示のIII-11、ポリマー6は例示のIII-12、ポリマー7は例示のIII-13の構造単位を持つポリマーである。下記の比較ポリマー1をPolymerPreprints,441,11632003に記載の方法に従い、比較ポリマー1を合成した。合成した比較ポリマー1をGPCにて分子量分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは22,500、分散度Mw/Mnは1.49であった。同様に、比較ポリマー1の塗膜の吸収スペクトルを測定した結果、λmax=620nmであった。これらの各ポリマーの塗膜の吸収スペクトルにおけるλmaxを下記表1に記載した。光電池の作成ポリマー1~7、比較ポリマー1を使用して、以下の手順にてガラスITO基板上に光電池を形成した。清浄かつUVオゾン処理したITOガラス基板上に、ホール輸送層として使用するPEDOT:PSSH.C.Stark社CleviosPVPAI4083層をスピンコートし、120°C×15分間乾燥させた。引き続き、上記ポリマー1~7、比較ポリマー1で合成したp型半導体ポリマーとPC61BMSolenne社製[60]PCBMとの混合物質量比1:1をo-ジクロロベンゼンに溶解させた後、上記PEDOT:PSS層の上にスピンコートし、120°Cで15分間乾燥させ、光電変換層を形成させた。さらに、この光電変換層上にチタンイソプロポキシドシグマアルドリッチ社製の脱水エタノール溶液2質量をスピンコートし、室温で1時間乾燥させ酸化チタン層の電子輸送層を形成させた。その後、アルミニウムの高真空蒸着により上部電極を形成させることにより、光電池素子とした。この際、用いるガラスITO基板のサイズ、ITOと蒸着アルミニウムのパターンサイズを変えることによって、2mm□の素子と10mm□の2種類の素子を作成した。光電池の評価上記のようにして作製したそれぞれの2mm□素子および10mm□素子を以下のようにして性能評価した。1素子の電流密度-電圧J-V特性得られた素子を窒素雰囲気下酸素濃度1ppm以下、水分濃度1ppm以下で、ケースレー社Keithley製SMU2400型I-V測定装置を用いて、素子の電流密度-電圧J-V特性を評価した。オリエルOriel社製太陽光シミュレータからの濾波キセノン灯光を使用して、100mW/cm2のAM1.5Gスペクトルに近づけた。上記装置にて、出力された短絡電流Jsc、開放電圧Voc、フィルファクターFFおよび発電効率ηを下記表1に記載した。2大気放置での発電効率の保持率上記で得られた2mm□素子を遮光した大気23°C、50RH下に72時間曝し、その後、上記1と同様にして素子の電流密度-電圧J-V特性を評価した。これらの結果を下記表1に示した。3膜厚ムラ、ピンホールの評価上記と同様にして、清浄な100mm□ガラスITO基板上にPEDOT:PSS層をスピンコートし、引き続き自動コーターで光電活性層を塗布乾燥し、10mm間隔で10mm□の素子が25個となる様に不要部をエタノールの付いた綿棒で除去した。その後も上記と同様にして処理し、25個の素子が形成された光電池素子を10枚作製した合計250素子。これら素子一つ一つについて、光電変換層の厚みを測定し、その厚みの標準偏差を求めた。また、目視で250素子全ての中でのピンホール数をカウントした。これらの結果をまとめて表1に記載した。表1から明らかなように、本発明の有機半導体ポリマーを用いた太陽電池素子は、発電効率ηが高く、大気放置後の発電効率の保持率が高く、さらに、10mm□素子における光電変換層の膜厚ムラが少なく、かつピンホール数が少ない。これに対し、比較例の有機半導体ポリマーを用いた素子は、発電効率が低く、大気放置後の発電効率の低下が大きく、また、膜厚ムラが大きく、さらに、ピンホール数が多い。"