半導体チップにより一部が被覆され、他の部分が露出する溝部を有し、金属により形成されるベースプレートと、前記ベースプレートに設けられるマイクロストリップラインと、前記ベースプレートに設けられ、前記半導体チップを収納する側壁と、を備える半導体パッケージ。前記溝部は、露出部分の深さが前記半導体チップの直下の深さ以上に深い請求項1記載の半導体パッケージ。前記溝部は、信号導通方向に対して垂直方向に設けられる請求項1記載の半導体パッケージ。前記溝部は、半田を溜める半田だまり部を露出部分に有する請求項1記載の半導体パッケージ。前記溝部は、前記半導体チップの縁を周回するように設けられる請求項1記載の半導体パッケージ。前記溝部は、前記ベースプレートに複数設けられる請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体パッケージ。しかし、半導体からベースプレートに熱が効率よく伝わらない場合、このヒートシンクの効果は限定的なものとなる。従って、作業者の技量にかかわらず、半導体チップとベースプレートとの間の半田層の厚さを薄くできる半導体パッケージが求められている。上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は、半導体チップにより一部が被覆され、他の部分が露出する溝部を有し、金属により形成されるベースプレートと、ベースプレートに設けられるマイクロストリップラインと、ベースプレートに設けられ、半導体チップを収納する側壁と、を備える半導体パッケージを提供する。以下、半導体パッケージの一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本実施形態の半導体パッケージは、半導体チップにより一部が被覆され、他の部分が露出する溝部を有し、金属により形成されるベースプレートと、ベースプレートに設けられるマイクロストリップラインと、ベースプレートに設けられ、半導体チップを収納する側壁と、を備える。図1は、本実施形態の半導体パッケージ1の平面図である。図2は、半導体パッケージ1の図1AA線による断面側面図である。図3は、半導体パッケージ1の図1BB線による断面側面図である。図1乃至図3に示すように、半導体パッケージ1は、半導体チップ17により一部が被覆され、他の部分が露出する溝部11を有し、金属により形成されるベースプレート12と、ベースプレート12に設けられるマイクロストリップライン14と、ベースプレート12に設けられ、半導体チップ17を収納する側壁13と、を備える。マイクロストリップライン14は、ベースプレート12に設けられる誘電体層14Bと、誘電体層14Bに設けられる導体パターン14Aと、導体パターン14Aに設けられるリード16と、を備える。図1乃至図3においては、側壁13に載置され、半導体チップ17を封止する蓋部は図示を省略してある。半導体パッケージ1は、マイクロストリップライン14を対向する辺に一対有する。半導体パッケージ1はこの一対のマイクロストリップライン14の間に半導体チップ17を備える。ベースプレート12は銅などの熱伝導の良い金属によって形成される。ベースプレート12はビス穴18を有していてもよい。半導体チップ17は、半田20によってベースプレート12に固定される。本実施形態の半導体パッケージ1は、発熱する半導体チップ17、例えば、GaAsガリウムヒ素素子、GaNiガリウムナイトライド素子などのチップに好適である。溝部11は毛細管現象により溶融した余分な半田を吸い取る。従って、溝部11は幅Wが狭いほどよい。溝部11の幅Wは、例えば0.1mm以上1mm以下が望ましい。溝部11は半田を吸い取り、内部に収納する。半田20は比較的に熱抵抗が大きいため、効率よく放熱するという点から、半導体チップ17の直下の深さh1は浅いほどよい。深さh1は、例えば0.1mm以上1mm以下が望ましい。一方、溝部11の露出部分の深さh2は半田を収納する容積をできるだけ多くするために、ベースプレート12を貫通しない範囲で深いほどよい。深さh2は、例えば0.1mm以上8mm以下が望ましい。すなわち、溝部11の露出部分の深さh2は半導体チップ17の直下の深さh1以上に深い。溝部11の長さLは、半田を収納する容積をできるだけ多くするために、ベースプレート12に搭載する部品と干渉しない範囲で長いほどよい。長さLは、例えば3mm以上20mm以下が望ましい。溝部11の配置は、半田20は熱抵抗が大きいため、効率よく放熱するという点から、半導体チップ17に被覆される範囲が少ないほどよい。溝部11は、例えば信号導通方向に対して垂直方向に設けることができる。半導体チップ17をベースプレート12に固定する場合は、溝部11の両側に溶融した半田20を載置し、この半田20の上に半導体チップ17を載置して押圧する。この際、半導体チップ17をベースプレート12に固定するのに余分な半田20は溝部11に流れ込み、毛細管現象によって溝部11内部に吸引される。従って、半導体チップ17とベースプレート12との間の半田20の厚さを薄くできる。図4は、半導体パッケージ1の第2の応用例を示す平面図である。図4に示すように、半導体パッケージ1は、溝部11に代えて、ベースプレート12に一端を半導体チップ17に被覆され、他端が露出する複数の溝部11Bを複数備えていてもよい。この場合、溝部11Bは半田20を溜める半田だまり部11B1を溝部11Bの露出部分11B2の先端に備えていていてもよい。半田だまり部11B1の直径は露出部分11B2の溝幅より大きいことが望ましい。第2の応用例の半導体パッケージ1は、半導体チップ17の直下の半田が少ないため、放熱効率が良いという効果がある。図5は、半導体パッケージ1の第3の応用例を示す平面図である。図6は、半導体パッケージ1の図5CC線による断面側面図である。図7は、半導体パッケージ1の図5DD線による断面側面図である。図5乃至図7に示すように、半導体パッケージ1は、溝部11に代えて、半導体チップ17の縁を周回し、一部が半導体チップ17に被覆され、他の部分が露出する溝部11Cを備える。半導体チップ17をベースプレート12に固定するのに余分な半田20は溝部11Cに流れ込む。従って、半導体チップ17とベースプレート12との間の半田20の厚さを均一に薄くできるという効果がある。図8は、半導体パッケージ1の第4の応用例を示す平面図である。図8に示すように、半導体パッケージ1はベースプレート12に複数の溝部11を備える。従って、半導体チップ17とベースプレート12との間の半田20の厚さを迅速に薄くできるという効果がある。以上述べたように、本実施形態の半導体パッケージ1は、半導体チップ17により一部が被覆され、他の部分が露出する溝部11を有し、金属により形成されるベースプレート12と、ベースプレート12に設けられるマイクロストリップライン14と、ベースプレート12に設けられ、半導体チップ17を収納する側壁13と、を備える。従って、作業者の技量にかかわらず、半導体チップとベースプレートとの間の半田層の厚さを薄くできるという効果がある。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。