"基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも3種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。前記ナップ層を形成するベース樹脂が、エーテル樹脂を含み、更にエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂を含む少なくとも2種類の樹脂であることを特徴とする請求項1記載の基板の製造方法。前記研磨スラリーが、コロイド粒子を含む研磨スラリーであることを特徴とする請求項1又は2記載の基板の製造方法。前記コロイド粒子が、コロイダルシリカ粒子、コロイダルセリア粒子、コロイダルジルコニア粒子から選ばれる請求項3記載の基板の製造方法。前記研磨する工程が、ファイナルポリッシュ工程であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載の基板の製造方法。基板が合成石英ガラス基板又はシリコン基板である請求項1~5のいずれか1項記載の基板の製造方法。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ファイナルポリッシュ工程において基板表面の欠陥数を減らし、かつ高平滑性を創生し、IC、フォトマスク、液晶用大型基板等に使用される合成石英ガラス基板やシリコン基板等の基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために、基板の製造において用いられる研磨布のナップ層を形成するベース樹脂に着目し、エーテル樹脂を含む少なくとも3種類の樹脂、特にエーテル樹脂を必須とし、更にエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂を含む2種類以上混合したナップ層を有する研磨布を用いて研磨することが有用であることを見出した。この研磨布を用いることで、全ての基板サイズにおいて、基板表面の低欠陥化及び高平滑化された基板の製造を可能とする。即ち、本発明は、以下の基板の製造方法を提供する。基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも3種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。前記ナップ層を形成するベース樹脂が、エーテル樹脂を含み、更にエステル樹脂及びポリカーボネート樹脂を含む少なくとも2種類の樹脂であることを特徴とする記載の基板の製造方法。前記研磨スラリーが、コロイド粒子を含む研磨スラリーであることを特徴とする又は記載の基板の製造方法。前記コロイド粒子が、コロイダルシリカ粒子、コロイダルセリア粒子、コロイダルジルコニア粒子から選ばれる記載の基板の製造方法。前記研磨する工程が、ファイナルポリッシュ工程であることを特徴とする~のいずれかに記載の基板の製造方法。基板が合成石英ガラス基板又はシリコン基板である~のいずれかに記載の基板の製造方法。本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。以下、本発明について、詳細に説明する。研磨布は、基材の不織布と、これに含浸されると共に表面に層を形成した樹脂とを有し、該表面に形成された樹脂層がナップ層を形成するもので、この場合、本発明の研磨布は、ナップ層を形成するベース樹脂が、エーテル樹脂を含む少なくとも3種類の樹脂を有し、好ましくはエーテル樹脂と、エステル樹脂と、ポリカーボネート樹脂の少なくとも3種類の樹脂を含むものであり、またナップ層は多数の空孔を有するものである。ここで、エーテル樹脂を必須とした理由は以下の通りである。研磨を行うと研磨布と基板との間で摩擦による研磨熱が発生する。そして、この研磨熱によりスラリー中の水分が蒸発してしまうと、スラリー中の砥粒が凝集して大粒子化しやすくなり、この大粒子化した砥粒が基板の表面にキズをつけ易くする。また、スラリー中の水分が蒸発することにより、スラリーの流動性が悪化し、研磨布と基板との間にかかる摩擦抵抗が大きくなり、ナップ層の摩耗につながる。ここで、ナップ層にエーテル樹脂を用いると、エーテル樹脂中の酸素とスラリー中の水分子とが近づきやすいために、研磨布のナップ層部分ナップ層の空孔部分におけるスラリー保持性が向上すると考えられる。よって、研磨布と基板との間にスラリーが潤沢に行きわたる状態を作り出すことが可能となり、研磨熱由来の砥粒の凝集及びナップ層の摩耗を抑えることができる。また、研磨する工程において同伴される研磨スラリー、例えばコロイド粒子を含む研磨スラリーは、砥粒の分散性向上のためにしばしば添加剤が添加される。この添加剤は、研磨スラリーの液性をアルカリ性又は酸性に大きくシフトさせる場合があり、これに起因するアルカリや酸による加水分解により、ナップ層が崩壊してしまうことが考えられる。この場合にも、ナップ層に耐化学薬品性が良いエーテル樹脂を用いると、水分子は近くに寄ってきやすいものの、エーテル部にはヒドロキシル基が存在しないため、加水分解されない。その結果、研磨布の基材のウレタン部が加水分解されたとしても、ナップ層にエステル樹脂等を含んでいる場合と比べて耐化学薬品性が良く、加水分解を起こしにくくすることができる。一方、ナップ層を形成するベース樹脂がエーテル樹脂のみの場合、機械的せん断性が弱い。また、ナップ層は空孔が真っすぐ表面に抜けていることが理想であるが、エーテル樹脂単独でこのようなナップ層を形成させるためには、大量の界面活性剤が必要となる。大量の界面活性剤を投入すると、界面活性剤と砥粒が結合して基板表面に付着しやすくなり、凸欠陥が増える。更に、細かい泡がナップ層形成過程で多く発生するために、ナップ層の樹脂部分の密度が低く、変形しやすい。また、エーテル樹脂は耐熱水性に弱いため、研磨熱によって研磨スラリーの温度が部分的に上昇すると、その部分的に温度の上昇した水分子によりエーテル樹脂中の結合が切れ、ナップ層の崩壊につながる。更に、エーテル結合部は求核置換反応で酸開裂が起こる可能性があり、pH1付近の酸性のコロイダルシリカ研磨剤等を使用すると、常温の研磨条件においてエーテル樹脂の崩壊、即ちナップ層崩壊のおそれが懸念される。本発明では、上記問題を解決すべく、エステル樹脂を混合することが有効である。これにより、機械的せん断性を補い、ナップ層形成時の界面活性剤の量をエーテル樹脂のみを用いる場合よりも少なくすることができ、縦方向への空孔も形成させやすくすることができる上、ナップ層の樹脂の密度も上げることができる。また、エステル樹脂を形成するモノマーの構造を変更することで耐薬品性を向上させることができ、ある程度の研磨ライフまではエーテル樹脂と共に耐薬品性を与えることができる。エーテル樹脂とエステル樹脂の混合系では、荷重を上げる、回転数を増やす等の少し過酷な研磨条件における耐摩耗性及び機械的せん断性について、不十分であり、この耐久性を補うためにポリカーボネート樹脂を混合することが好ましい。この結果、ナップ層の機械的強度を上げることができる。そこで、研磨する工程において同伴される研磨スラリーに起因するアルカリや酸の加水分解によるナップ層の消耗も、上記スラリー保持性の高い樹脂に耐アルカリ性のあるベース樹脂を加える、もしくは改良したものを使用することで同時に抑え、研磨布の摩耗を抑えることにも有効であると同時に見出したものである。このように、エーテル樹脂を必須とし、種々の樹脂を混合した樹脂からなるナップ層を有する研磨布を用いることで、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑なものが製造される。また、機械的せん断性、耐アルカリもしくは酸性を高めているため、研磨布の使用時間を延長することができる。ナップ層を形成しているベース樹脂は、エーテル樹脂が必須であり、その他エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂を含み、状況に応じてその他の樹脂が選択される。この場合、エーテル樹脂としては、ポリヘキサメチレンエーテル、ポリフェニレンエーテル等のポリアルキレンエーテルが用いられる。また、エステル樹脂としては、ポリエチレンサクシネート、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンアジペート等のグリコール型脂肪酸ポリエステルが用いられる。ポリカーボネート樹脂としては、ポリエチレンカーボネート、ポリヘキサメチレンカーボネート等のポリアルキレンカーボネートが用いられる。これらは市販品を使用することができる。ここで、ナップ層を形成する樹脂の割合は、エーテル樹脂が好ましくは55~85質量、エステル樹脂が好ましくは10~35質量、ポリカーボネート樹脂及びその他のポリウレタン樹脂等の樹脂を足した割合が好ましくは5~10質量の範囲である。この範囲を外れると、期待されるナップ層の耐アルカリ性や耐酸性の能力が十分でない場合や機械的せん断性に対して弱くなる場合がある。また、本発明の研磨布において、不織布基材の種類に制限はないが、ポリエステルとポリアミドからなる不織布基材が好ましい。本発明の研磨布は、公知の方法を採用して得ることができ、例えばエーテル樹脂、エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等をこれらを溶解する溶剤、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド等に溶解すると共に、これにノニオン系又はアニオン系界面活性剤を加え、これを不織布基材の表面に樹脂層を形成するように含浸させた後、この樹脂層中の上記界面活性剤を水で溶解除去し、更に樹脂層表面を研磨調整してナップ層を形成するものである。なお、ナップ層の厚さは特に制限されるものではないが、通常400~550μmである。また、基材の厚さは通常1~2mmである。ナップ層は、空孔を有しているが、このとき空孔の深さは研磨布表面から好ましくは250~600nm、更に好ましくは300~500nmである。空孔が250nmより浅いと、研磨スラリーを十分に保持できず、研磨レートが悪くなる場合がある。逆に、600nmより深すぎると、ナップ層が変形しやすく基板の平坦度を崩す不具合が起きる場合がある。また、開口径の大きさは長径で好ましくは25~70μm、更に好ましくは35~60μmである。開口径が25μmよりも小さいと、砥粒が十分に空孔に入っていけず、研磨レートが悪くなる場合がある。逆に、70μmより大きいと、砥粒が空孔に保持されにくい場合がある。本発明に使用される研磨布は、ナップ層に溝切り加工を施したものも適宜使用される。大型基板のようなサイズの大きい基板は、小さいフォトマスク用合成石英基板等に比べて基板全体にスラリーが行きわたらせにくいために、溝加工をした研磨布を使用することで、基板へのスラリー供給性がより強化される。例えば、溝の形は、V字、U字型等が挙げられる。また、溝のピッチは、研磨条件に応じて適宜選択されてよいが、好ましくは15~40mmの範囲のピッチである。溝のピッチが狭すぎると、研磨布が変形しやすく基板の平坦度及び形状を崩してしまう不具合がしばしば起こる場合があり、大きすぎると溝効果による更なるスラリー供給性があまり得られない場合がある。研磨に同伴させるスラリーは、コロイド粒子を主成分とし、その砥粒の一次粒子径は、5~2,000nmのものが好ましく、より好ましくは、10~1,500nm、特に好ましくは20~1,200nmである。粒子径が小さすぎると、基板表面を高平滑にすることに有利である反面、コロイダル粒子が基板表面に付着しやすいために研磨後の洗浄性を悪くする場合がある。また、逆に粒子径が大きすぎると、研磨レートが上がり、研磨時間短縮の効果から生産性の向上が期待できるが、基板表面の面粗さが悪くなり、ファイナルポリッシュ工程では使用しづらい場合がしばしば見受けられる。なお、コロイダル研磨剤としては、市販品を用いても固形砥粒を純水に分散させたものを使用することができ、コロイダルシリカであれば、例えば株フジミインコーポレーテッド製COMPOL-50、COMPOL-80、COMPOL-120、COMPOL-EXIII、日産化学工業株製ST-XL、ST-YL、ST-ZL、Dupon製SYTON、扶桑化学工業株製GPシリーズ等を用いることができる。また、セリアであれば、昭和電工株製NXシリーズ、三井金属鉱業株製ミレークシリーズ、ジルコニアであれば、第一稀元素化学工業株製の酸化ジルコニアシリーズ、安定化ジルコニアシリーズ、Ferro製Zyroxシリーズ等を用いることができる。上記の研磨布を用いて、研磨スラリーを同伴させて基板を研磨することによって、研磨布のライフを延長、高感度欠陥検査装置で検出される欠陥数を抑制、及び基板表面の平滑性を向上させることが可能となる。本発明の製造方法の対象である基板は、特に半導体関連電子材料に用いることができる合成石英ガラス基板又はシリコン基板であり、特にフォトマスク用、ナノインプリント用、液晶カラーフィルター用、磁気デバイス用として好適に用いることができる。その大きさは特に規定されることはないが、研磨対象としては、例えば、四角形状の基板では5インチ角や6インチ角基板、丸形状のガラス基板では6インチφ、8インチφのウェーハ、大型のものであればG81,220×1,400mm角、G101,620×1,780mm角サイズのもの等が挙げられる。本発明に適用される基板は、例えば合成石英ガラスインゴットを成形、アニール、スライス加工、面取り、ラッピング、基板表面を鏡面化するための研磨工程を経ることにより得られる。このようにして得られた基板を、本発明の製造方法は、好ましくはファイナルポリッシュ工程において適用される。なお、本発明に係る研磨方法としては、バッジ式の両面研磨が一般的であるが、大型基板のようなサイズの大きいものに関しては、片面研磨工程でも使用できる。また、枚葉式研磨等他の研磨方法との組み合わせによって実施されるものであってもよい。なお、研磨圧は60~140gf/cm2、研磨取代は2~8μmが好ましい。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例1]スライスされた合成石英ガラス基板原料6インチ角、厚さ6.35mmを、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。ベース樹脂にエーテル樹脂、エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂の3種類を65:30:5の割合質量で含む平均開口径が50μmの多数の空孔を有するナップ層を有する研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量のコロイダルシリカ水分散液株フジミインコーポレーテッド製、粒子径76.8nmを用いた。研磨圧は100gf/cm2で、研磨取代は粗研磨工程で入ったキズを除去するのに十分な量2μm以上を研磨した。研磨終了後、洗浄乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.1個であった。また、基板表面の面粗さRmsは0.12nmであった。[実施例2]スライスされた8インチφのシリコンウェーハ厚さ1.0mmを、実施例1と同様に研磨を行い、原料基板を用意した。研磨圧50gf/cm2とする以外、実施例1と同様に研磨を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均1.3個であった。表面の面粗さRmsは0.14nmであった。[比較例1]実施例1と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がエステル樹脂のみからなり、平均開口径が50μmの多数の空孔を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、実施例1と同じ条件で研磨を実施した。その結果、同様にしてレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、40nm級以上の欠陥は平均5.7個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.20nmであった。[比較例2]実施例1と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がポリカーボネート樹脂のみからなり、平均開口径が50μmの多数の空孔を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、すべて実施例1と同じ条件で研磨を実施した。その結果、同様にしてレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均25個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.22nmであった。[実施例3]スライスされた合成石英ガラス基板原料6インチ角、厚さ6.35mmを、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。研磨布として実施例1の研磨布に30mmピッチでU字型の溝が切られた研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量のコロイダルシリカ水分散液扶桑化学工業株製、粒子径23nmを用いた以外は、実施例1と同じ条件で研磨を実施した。研磨終了後、洗浄乾燥してからレーザーコンフォーカル光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径40nm級以上の欠陥は平均0.4個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.08であった。[実施例4]スライスされた6インチφのウェーハ厚さ0.775mmを、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。実施例3と同じ研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が20質量のコロイダルシリカ水分散液扶桑化学工業株製、粒子径93.5nmを用いた研磨圧80gf/cm2の条件で研磨を実施した。研磨終了後、洗浄乾燥してから表面の面粗さRmsは0.15nmであった。また、スクラッチやピットといった研磨起因のキズは検出されなかった。[実施例5]スライスされた合成石英ガラス基板原料G6サイズ:800×960mm角を、遊星運動を行う両面ラップ機にてラッピングした後、遊星運動を行う両面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。ベース樹脂にエーテル樹脂、エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂の3種類を65:30:5の割合質量で含み、平均開口径が50μmの多数の空孔を有するナップ層を有し、かつ、15mmピッチでU字型の溝が切られた研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量のコロイダルシリカ水分散液日産化学工業株製、粒子径78.0nmを用いた。研磨圧は90gf/cm2で、研磨取代は10μmとした。研磨終了後、洗浄乾燥してから反射光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は平均0個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.17nmであった。[実施例6]実施例5と同じ原料基板及び研磨布を使用し、研磨布使用5時間経過、100時間経過、200時間経過、300時間経過の時、同条件下で研磨した基板を欠陥検査のために10nmエッチングし、反射光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は研磨布使用5時間経過時で平均2個であり、300時間経過でも同数となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.17nmで同等あった。[実施例7]スライスされたフォトマスク用合成石英ガラス基板原料G8サイズ:1,220×1,400mm角を、揺動運動を行う片面ラップ機にてラッピングした後、揺動運動を行う片面ポリッシュ機にて粗研磨を行い、原料基板を用意した。実施例5と同じ研磨布を用い、研磨剤としてSiO2濃度が40質量のコロイダルシリカ水分散液日産化学工業株製、粒子径78.0nmを用いた。研磨圧は、80gf/cm2で、研磨取代は10μmとした。研磨終了後、洗浄乾燥してから反射光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は平均2個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.15nmであった。[実施例8]実施例5と同じ原料基板及び研磨布を使用し、研磨布使用5時間経過、40時間経過、100時間経過、200時間経過の時、同条件下で研磨した基板を欠陥検査のために10nmエッチングし、反射光学系高感度欠陥検査装置レーザーテック株製を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は研磨布使用5時間経過時で平均15個であり、200時間経過でも同数となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.15nmで同等あった。[比較例3]実施例5と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がエステル樹脂のみからなる平均開口径が50μmの多数の開口径を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、実施例5と同じ条件で研磨を実施した。その結果、同様にして反射光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は平均5個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.20nmであった。[比較例4]実施例6と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がエステル樹脂のみからなる平均開口径が50μmの多数の開口径を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、実施例6と同じ条件で研磨を実施した。同様にして反射光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は研磨布使用5時間経過時で平均10個であった。200時間経過時は平均20個となり、300時間経過以降は30個以上となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.22nmであった。[比較例5]実施例7と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がエステル樹脂のみからなる平均開口径が50μmの多数の開口径を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、実施例7と同じ条件で研磨を実施した。その結果、同様にして反射光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は平均15個となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.18nmであった。[比較例6]実施例8と同じ原料基板を使用し、ベース樹脂がエステル樹脂のみからなる平均開口径が50μmの多数の開口径を有するナップ層が形成されている研磨布を用いたこと以外、実施例8と同じ条件で研磨を実施した。同様にして反射光学系高感度欠陥検査装置を用いて欠陥検査を実施したところ、長径0.22μm級以上の欠陥は研磨布使用5時間経過時で平均30個であったのが、40時間経過時は平均500個となり、100時間経過以降は5,000個以上となった。また、基板表面の面粗さRmsは0.20nmであった。"