"下記の一般式g1で表される一価の基又は一般式g2で表される一価の基を有する化合物Gと、下記の一般式h1で表される一価の基又は一般式h2で表される一価の基を有する化合物Hとを含有することを特徴とするレジスト組成物。[式g1中、R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。][式h1中、R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。]前記化合物Hの含有物質量が、前記化合物Gの含有物質量以上である請求項1記載のレジスト組成物。前記化合物Gが、下記一般式g1-1で表される化合物Gm-1及び下記一般式g2-1で表される化合物Gm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位g’を有する樹脂成分を含む請求項1又は2記載のレジスト組成物。[式g1-1中、RP1は下記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式g2-1中、RP2は下記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。Xはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を示す。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。][式I~III中、Raは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。]前記化合物Hが、下記一般式h1-1で表される化合物Hm-1及び下記一般式h2-1で表される化合物Hm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位h’を有する樹脂成分を含む請求項1~3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。[式h1-1中、RP1は前記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式h2-1中、RP2は前記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。Xはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を示す。前記樹脂成分が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する請求項3又は4記載のレジスト組成物。前記化合物Gが、請求項3における前記化合物Gm-1、請求項3における前記化合物Gm-2、下記の一般式g1-2で表される化合物Gm-3及び一般式g2-2で表される化合物Gm-4からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含む請求項1~5のいずれか一項に記載のレジスト組成物。[式g1-2中、R1はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式g2-2中、R4はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。]前記化合物Hが、請求項4における前記化合物Hm-1、請求項4における前記化合物Hm-2、下記の一般式h1-2で表される化合物Hm-3及び一般式h2-2で表される化合物Hm-4からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含む請求項1~6のいずれか一項に記載のレジスト組成物。[式h1-2中、R5はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式h2-2中、R8はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。]露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有する請求項1~7のいずれか一項に記載のレジスト組成物。前記Mが、下記一般式g-c1で表される有機カチオンである請求項1~8のいずれか一項に記載のレジスト組成物。[式g-c1中、R1~R3はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基、又はアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する重合体を含有する請求項1~9のいずれか一項に記載のレジスト組成物。支持体上に、請求項1~10のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。しかしながら、特許文献3に記載された感放射線性樹脂組成物においては、当該樹脂組成物を調製して一定の期間保存されることにより、保存前後で形成されるレジストパターンの寸法が異なるという問題がある。一方、レジストパターンの微細化がますます進み、レジスト材料には、良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状がこれまで以上に求められる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、下記の一般式g1で表される一価の基又は一般式g2で表される一価の基を有する化合物Gと、下記の一般式h1で表される一価の基又は一般式h2で表される一価の基を有する化合物Hとを含有することを特徴とするレジスト組成物である。[式g1中、R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。][式h1中、R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。]本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び特許請求の範囲において、露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。ハロゲン化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基であり、フッ素化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。本発明によれば、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、前記の一般式g1で表される一価の基又は一般式g2で表される一価の基を有する化合物G以下G成分ともいう。と、前記の一般式h1で表される一価の基又は一般式h2で表される一価の基を有する化合物H以下H成分ともいう。とを含有する。本発明におけるG成分及びH成分は、それぞれ、基材成分として、又は基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。ここで、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であってレジスト膜を構成する主成分であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物をいう。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。本明細書において低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書および特許請求の範囲において樹脂という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。基材成分と共に配合される添加剤としてG成分及びH成分を用いる場合、本発明のレジスト組成物としては、G成分及びH成分に加えて、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分ともいう。と、露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分ともいう。とを含有するもの以下このレジスト組成物を第一の実施形態という。が挙げられる。基材成分A成分としてG成分及びH成分の一方又は両方を用いる場合、本発明のレジスト組成物としては、基材成分A成分としてのG成分と、添加剤としてのH成分と、B成分とを含有するもの以下このレジスト組成物を第二の実施形態という。;基材成分A成分としてのH成分と、添加剤としてのG成分と、B成分とを含有するもの以下このレジスト組成物を第三の実施形態という。;基材成分A成分としてのG成分と、基材成分A成分としてのH成分と、B成分とを含有するもの以下このレジスト組成物を第四の実施形態という。が挙げられる。かかる第一~第四の実施形態のレジスト組成物を用いてレジスト膜をそれぞれ形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてB成分から酸が発生し、該酸の作用によりA成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部ではA成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。その際、レジスト膜の未露光部におけるG成分は、B成分から発生する酸とイオン交換反応を行い、酸の拡散現象を抑制する作用を奏し、露光部におけるG成分は、露光により分解することで、B成分から発生する酸に対しての塩基性を失う。これにより、リソグラフィー特性、レジストパターン形状等の向上が図られる。H成分は、主として、レジスト組成物の経時保存安定性の向上に寄与する。本発明のレジスト組成物は、上述した第一~第四の実施形態に限定されず、基材成分A成分として同一の共重合体内にG成分から誘導される構成単位とH成分から誘導される構成単位とを有する共重合体と、B成分とを含有するもの以下このレジスト組成物を第五の実施形態という。;添加剤としてのG成分と、添加剤としてのH成分と、露光により酸を発生し得るA成分とを含有するもの以下このレジスト組成物を第六の実施形態という。なども挙げられる。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、アルカリ現像液に可溶性の基材成分以下アルカリ可溶性基材成分という。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。アルカリ可溶性基材成分としては、通常、樹脂アルカリ可溶性樹脂が用いられる。アルカリ可溶性基材成分は、通常、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等のアルカリ可溶性基を有しており、架橋剤成分としては、メチロール基、アルコキシメチル基等の、酸の作用により該アルカリ可溶性基と反応し得る反応性基を有するものが用いられる。そのため、かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてたとえばB成分から酸が発生し、該酸の作用によりアルカリ可溶性基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、アルカリ可溶性基材成分のアルカリ可溶性基の減少およびそれに伴う極性の低下、分子量の増大等が生じ、その結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。なお、アルカリ可溶性基材成分が自己架橋性を有する場合たとえばアルカリ可溶性基材成分が、酸の作用によりアルカリ可溶性基と反応し得る基を有する場合は、必ずしも架橋剤成分は配合しなくてもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する基材成分以下A0成分ともいう。が用いられる。A0成分は露光前後で極性が変化するため、A0成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A0成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりたとえばB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A0成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりたとえばB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。<G成分>G成分は、下記の一般式g1で表される一価の基又は一般式g2で表される一価の基を有する化合物である。[式g1中、R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。]前記式g1中、R2は、単結合又は-C=O-O-基であり、単結合であることが好ましい。但し、R2が単結合の場合、G成分には、式中のN-が-C=O-基に結合するもの-N--C=O-基を有するものは含まれない。R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基について、炭素数は1~10であり、1~5が好ましく、1~3がより好ましい。R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。R3における、環状の1価の炭化水素基について、炭素数は3~20であり、3~12であることが好ましい。R3における、環状の1価の炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R3における、環状の部分構造を有する1価の炭化水素基としては、環状の炭化水素が直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基の末端に結合した基、環状の炭化水素が直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。当該環状の部分構造は、その炭素数が3~20であり、好ましくは3~12であり、上述したモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、環状の1価の炭化水素基、環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、それぞれ、当該炭化水素基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。また、フッ素原子以外の置換基で置換されていてもよく、当該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記式g1、g2中、Mは、それぞれ独立に有機カチオンである。Mの有機カチオンは、特に限定されず、なかでも、従来のレジスト組成物に配合されているオニウム塩系酸発生剤のカチオン部として知られている有機カチオンが好適なものとして挙げられる。かかるカチオン部としては、スルホニウムイオン又はヨードニウムイオンが好ましく、スルホニウムイオンが特に好ましい。Mの有機カチオンのなかで好適なものとしては、下記の一般式g-c1又は一般式g-c2で表される有機カチオンが挙げられる。[式g-c1中、R1~R3はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基、又はアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。式g-c2中、R5~R6はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。]前記式g-c1中、R1~R3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。また、リソグラフィー特性とレジストパターン形状がより向上することから、R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R1~R3のうち、2つ以上がアリール基であることがより好ましく、R1~R3のすべてがアリール基であることが特に好ましい。R1~R3のアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’等で置換された置換アリール基等が挙げられる。R6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1~25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2~5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。R1~R3において、無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。R1~R3の置換アリール基における置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。置換アリール基における置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基であることが最も好ましい。置換アリール基における置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。置換アリール基における置換基としてのアリール基としては、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられ、炭素数6~20のアリール基が好ましく、炭素数6~10のアリール基がより好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。置換アリール基におけるアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-CR47R48-O-R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1~15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。R49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。R49における環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。置換アリール基におけるアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-R55-C=O-O-R56[式中、R55は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。R55における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R56における第3級アルキル基としては、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-エチル-1-シクロヘキシル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルプロピル基、1-1-アダマンチル-1-メチルブチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルブチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルブチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルペンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘキシル基などが挙げられる。さらに、前記一般式:-O-R55-C=O-O-R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述のB成分についての説明の中で例示する、式L1~L6、S1~S4で表される基等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子が酸素原子=Oに置換されたもの等が挙げられる。-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’におけるR6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1~25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2~5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基は、炭素数1~25であり、炭素数1~15であることが好ましく、4~10であることがより好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、第3級アルキル基を除き、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R6’、R7’、R8’における炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基としては、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合-C=O-O-を有していてもよい。具体的には、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、低級アルキル基等が挙げられる。また、R6’、R7’、R8’は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と、環状アルキル基との組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と環状アルキル基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基に置換基として環状のアルキル基が結合した基、環状のアルキル基に置換基として直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合した基等が挙げられる。R6’、R7’、R8’における直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。R6’、R7’、R8’における分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。該直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7’、R8’においては、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。R1~R3のアリール基としては、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。R1~R3のアルキル基としては、たとえば、炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。なかでも、解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。R1~R3のアルケニル基としては、たとえば、炭素数2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3~10員環を形成していることが好ましく、5~7員環を形成していることが特に好ましい。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。前記式g-c1で表される化合物におけるカチオン部の具体例としては、たとえば、トリフェニルスルホニウム、3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-アダマントキシメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-アダマントキシメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ-3,5-ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム、トリ4-メチルフェニルスルホニウム、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウム、モノフェニルジメチルスルホニウム、ジフェニルモノメチルスルホニウム、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウム、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウム、1-フェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム、1-フェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウム、1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウム等が挙げられる。また、前記式g-c1で表される化合物におけるカチオン部のなかで好適なものとして、具体的には以下に示すものが挙げられる。[式中、g1は繰返し数を示し、1~5の整数である。][式中、g2、g3は繰返し数を示し、g2は0~20の整数であり、g3は0~20の整数である。]前記式g-c2中、R5~R6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R5~R6のいずれもアリール基であることが特に好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルケニル基としては、R1~R3のアルケニル基と同様のものが挙げられる。これらの中でも、R5~R6は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。前記式g-c2で表されるカチオン部の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム等が挙げられる。また、Mの有機カチオンの好適なものとしては、たとえば、下記の一般式g-c3又は一般式g-c4で表されるカチオンも挙げられる。[式中、R81~R86はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n1~n5はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6は0~2の整数である。]R81~R86において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R81~R86に付された符号n1~n6が2以上の整数である場合、複数のR81~R86はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n1は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。n4は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。前記式g-c3又は式g-c4で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。また、Mの有機カチオンの好適なものとしては、たとえば、下記の一般式g-c5又は一般式g-c6で表されるカチオンも挙げられる。式g-c5、g-c6中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。この置換基としては、上記R1~R3のアリール基についての説明のなかで例示した置換アリール基における置換基アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’、前記一般式:-O-R55-C=O-O-R56中のR56をR56’で置き換えた基等と同様である。R4’は炭素数1~5のアルキレン基である。uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。前記式b-7又は式b-8で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式中、RCは、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’である。上記のなかでも、Mの有機カチオンとしては、レジスト組成物に配合した際、より良好なリソグラフィー特性とレジストパターン形状が得られやすいことから、前記一般式g-c1で表される有機カチオンが最も好ましい。G成分として具体的には、下記の一般式g1-1で表される化合物Gm-1、一般式g2-1で表される化合物Gm-2、一般式g1-2で表される化合物Gm-3、一般式g2-2で表される化合物Gm-4等の低分子化合物成分が挙げられる。また、G成分としては、前記の化合物Gm-1及び化合物Gm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位g’を有する樹脂成分なども挙げられる。[式g1-1中、RP1は下記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式g2-1中、RP2は下記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。Xはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を示す。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。][式I~III中、Raは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。][式g1-2中、R1はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。R2は単結合又は-C=O-O-基である。但し、R2が単結合の場合、式中のN-が-C=O-基に結合するものはG成分には含まれないものとする。R3はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式g2-2中、R4はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に有機カチオンである。][化合物Gm-1]化合物Gm-1は、上記一般式g1-1で表される化合物である。式g1-1中、RP1は、上記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。式I、II中、Raは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Raにおける炭素数1~5のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Raにおける炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、上記Raにおける炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Raとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。式II中、Rnは、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。式g1-1中、Xは、単結合又は2価の連結基を示す。Xにおける2価の連結基は、特に限定されず、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。前記Xにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記Xにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基;前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アルキレン基アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。前記Xのヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-C=O-、=N-、一般式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。]等が挙げられる。Xが-NH-の場合、そのHはアルキル基、アリール基芳香族基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基アルキル基、アリール基等は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがより好ましく、1~5であることが特に好ましい。式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でXにおける置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基としては、式-Y21-C=O-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-CH2a’-C=O-O-CH2b’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基がより好ましい。上記のなかでも、Xの2価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基がより好ましい。式g1-1中、R2、R3及びMは、前記式g1中のR2、R3及びMとそれぞれ同様である。以下に、化合物Gm-1の具体例を例示する。[化合物Gm-2]化合物Gm-2は、上記一般式g2-1で表される化合物である。式g2-1中、RP2は、上記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。Ra、Rnについては、前記と同様である。式g2-1中、X及びMは、前記式g1-1中のX及びMとそれぞれ同様である。RP2が上記一般式IIIで表される1価の基である場合、Xにおける2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基が好ましく、アリーレン基がより好ましい。以下に、化合物Gm-2の具体例を例示する。[化合物Gm-3]化合物Gm-3は、上記一般式g1-2で表される化合物である。式g1-2中、R1は、フッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。R10における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基について、炭素数は1~10であり、1~5が好ましく、1~3がより好ましい。R10における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。R10における、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式g1中のR3における、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様である。R1における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基について、炭素数は1~20であり、1~15が好ましく、1~10がより好ましく、1~5がさらに好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。R1における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、i-トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、i-ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。R1における、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式g1中のR3における、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様のものが挙げられる。加えて、当該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は5~20であることが好ましく、6~15がより好ましく、6~12が特に好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基;ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基;当該アリール基又は当該アリールアルキル基から1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、フッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基以外に、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で置換された基が挙げられる。式g1-2中、R2、R3及びMは、前記式g1中のR2、R3及びMとそれぞれ同様である。以下に、化合物Gm-3の具体例を例示する。[化合物Gm-4]化合物Gm-4は、上記一般式g2-2で表される化合物である。式g2-2中、R4は、フッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基であり、前記式g1-2中のR1と同様である。式g2-2中、Mは、前記式g1中のMと同様である。以下に、化合物Gm-4の具体例を例示する。上述した化合物Gm-1、化合物Gm-2、化合物Gm-3及び化合物Gm-4等の低分子化合物成分は、レジスト組成物において、基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。レジスト組成物中、かかる添加剤としてのG成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。添加剤としてのG成分は、化合物Gm-1、化合物Gm-2、化合物Gm-3及び化合物Gm-4からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。レジスト組成物中、添加剤としてのG成分の含有量は、レジスト組成物の基材成分100質量部に対して、0.5~20質量部が好ましく、1.0~15質量部がより好ましく、1.5~10質量部が特に好ましい。G成分の含有量が上記範囲内であることにより、酸の拡散制御の効果がより高まり、また、未露光部と露光部におけるコントラストが良好になるため、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。[構成単位g’を有する樹脂成分]構成単位g’は、前記の化合物Gm-1及び化合物Gm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位である。以下、構成単位g’のうち、化合物Gm-1から誘導される構成単位を構成単位g’1、化合物Gm-2から誘導される構成単位を構成単位g’2ともいう。ここでいう化合物Gm-1から誘導される構成単位、化合物Gm-2から誘導される構成単位とは、それぞれの化合物のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。構成単位g’1構成単位g’1は、下記の一般式Gm-1-I又は一般式Gm-1-IIで表される構成単位である。[式中、Ra,Rn、R2、R3、X及びMはそれぞれ前記と同様である。]前記式Gm-1-I中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。R2は、単結合であることが好ましい。R3は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。Mは、前記一般式g-c1で表される有機カチオンであることが好ましい。前記式Gm-1-II中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。R2は、単結合であることが好ましい。R3は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。Mは、前記一般式g-c1で表される有機カチオンであることが好ましい。以下に、構成単位g’1の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。構成単位g’2構成単位g’2は、下記の一般式Gm-2-I、一般式Gm-2-II又は一般式Gm-2-IIIで表される構成単位である。[式中、Ra,Rn、X及びMはそれぞれ前記と同様である。]前記式Gm-2-I中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。Mは、前記一般式g-c1で表される有機カチオンであることが好ましい。前記式Gm-2-II中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。Mは、前記一般式g-c1で表される有機カチオンであることが好ましい。前記式Gm-2-III中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、単結合、または置換基を有していてもよいアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。Mは、前記一般式g-c1で表される有機カチオンであることが好ましい。以下に、構成単位g’2の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。mは、0または1である。樹脂成分が含有する構成単位g’は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。構成単位g’を有する樹脂成分中、構成単位g’の割合は、当該樹脂成分を構成する全構成単位に対し、0.5~30モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1~10モルがさらに好ましい。構成単位g’の割合を上記範囲内とすることによって、酸の拡散制御の効果がより高まり、また、未露光部と露光部におけるコントラストが良好になるため、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。その他の構成単位構成単位g’を有する樹脂成分は、構成単位g’以外のその他の構成単位を有してもよい。かかるその他の構成単位は、上述した構成単位g’に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。かかるその他の構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位後述の構成単位a1を有することが好ましい。特に、この構成単位a1と、上述した構成単位g’とを有する共重合体は、レジスト組成物の基材成分A成分として用いることができる。本発明のレジスト組成物において、構成単位g’を有する樹脂成分は、構成単位g’と構成単位a1とを有する共重合体であること、すなわち基材成分A成分としてのG成分であること、が好ましい。基材成分A成分としての、構成単位g’を有する樹脂成分は、構成単位g’及び構成単位a1に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位a0、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位a2からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。また、基材成分A成分としての、構成単位g’を有する樹脂成分は、構成単位g’及び構成単位a1に加えて、又は、構成単位a0及び構成単位a2の少なくとも一方と構成単位a1と構成単位g’とに加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位a3を有するものが好ましい。当該構成単位a1~a3、a0の詳細については後述する。レジスト組成物中、構成単位g’を有する樹脂成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。<H成分>H成分は、下記の一般式h1で表される一価の基又は一般式h2で表される一価の基を有する化合物である。[式h1中、R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。]前記式h1中、R6は、単結合又は-C=O-O-基であり、単結合であることが好ましい。R7における、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式g1中のR3における、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様である。H成分として具体的には、下記の一般式h1-1で表される化合物Hm-1、一般式h2-1で表される化合物Hm-2、一般式h1-2で表される化合物Hm-3、一般式h2-2で表される化合物Hm-4等の低分子化合物成分が挙げられる。また、H成分としては、前記の化合物Hm-1及び化合物Hm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位h’を有する樹脂成分なども挙げられる。[式h1-1中、RP1は前記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式h2-1中、RP2は前記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。Xはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基を示す。][式h1-2中、R5はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。R6は単結合又は-C=O-O-基である。R7はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。式h2-2中、R8はフッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基である。][化合物Hm-1]化合物Hm-1は、上記一般式h1-1で表される化合物である。式h1-1中、RP1は、前記の一般式I又は一般式IIのいずれかで表される1価の基である。式h1-1中、R6、R7及びXは、前記式g1-1中のR2、R3及びXとそれぞれ同様である。化合物Hm-1の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物Gm-1で挙げた化合物のアニオン部における-N--を-NH-に置き換えた化合物等が挙げられる。[化合物Hm-2]化合物Hm-2は、上記一般式h2-1で表される化合物である。式h2-1中、RP2は、前記一般式I~IIIのいずれかで表される1価の基である。式h2-1中、Xは、前記式g2-1中のXと同様である。以下に、化合物Hm-2の具体例としては、前記化合物Gm-2で挙げた化合物のアニオン部における-COO-を-COOHに置き換えた化合物が挙げられる。[化合物Hm-3]化合物Hm-3は、上記一般式h1-2で表される化合物である。式h1-2中、R5は、フッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-NH-C=O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子であり、前記式g1-2中のR1と同様である。式h1-2中、R6及びR7は、前記式h1-1中のR6及びR7とそれぞれ同様である。以下に、化合物Hm-3の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物Gm-3で挙げた化合物のアニオン部における-N--を-NH-に置き換えた化合物等が挙げられる。[化合物Hm-4]化合物Hm-4は、上記一般式h2-2で表される化合物である。式h2-2中、R8は、フッ素原子、ヒドロキシ基、-O-R10基、-O-C=O-R10基、又は-C=O-O-R10基但し、R10は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。で置換されていてもよい、炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3~20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基であり、前記式h1-2中のR5と同様である。以下に、化合物Hm-4の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物Gm-4で挙げた化合物のアニオン部における-COO-を-COOHに置き換えた化合物等が挙げられる。上述した化合物Hm-1、化合物Hm-2、化合物Hm-3及び化合物Hm-4等の低分子化合物成分は、レジスト組成物において、基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。レジスト組成物中、かかる添加剤としてのH成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。添加剤としてのH成分は、化合物Hm-1、化合物Hm-2、化合物Hm-3及び化合物Hm-4からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。レジスト組成物中、添加剤としてのH成分の含有量は、レジスト組成物の基材成分100質量部に対して、0.1~15質量部が好ましく、0.3~7質量部がより好ましく、0.5~5質量部が特に好ましい。H成分の含有量が上記範囲内であることにより、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。[構成単位h’を有する樹脂成分]構成単位h’は、前記の化合物Hm-1及び化合物Hm-2からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位である。以下、構成単位h’のうち、化合物Hm-1から誘導される構成単位を構成単位h’1、化合物Hm-2から誘導される構成単位を構成単位h’2ともいう。ここでいう化合物Hm-1から誘導される構成単位、化合物Hm-2から誘導される構成単位とは、それぞれの化合物のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。構成単位h’1構成単位h’1は、下記の一般式Hm-1-I又は一般式Hm-1-IIで表される構成単位である。[式中、Ra,Rn、R6、R7及びXはそれぞれ前記と同様である。]前記式Hm-1-I中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。R6は、単結合であることが好ましい。R7は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。前記式Hm-1-II中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。R6は、単結合であることが好ましい。R7は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。以下に、構成単位h’1の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。構成単位h’2構成単位h’2は、下記の一般式Hm-2-I、一般式Hm-2-II又は一般式Hm-2-IIIで表される構成単位である。[式中、Ra,Rn及びXはそれぞれ前記と同様である。]前記式Hm-2-I中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。前記式Hm-2-II中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。前記式Hm-2-III中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、単結合、または置換基を有していてもよいアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。以下に、構成単位h’2の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。mは、0または1である。樹脂成分が含有する構成単位h’は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。構成単位h’を有する樹脂成分中、構成単位h’の割合は、当該樹脂成分を構成する全構成単位に対し、0.5~30モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1.5~10モルがさらに好ましい。。構成単位h’の割合を下限値以上とすることによって、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。一方、構成単位h’の割合を上限値以下とすることにより、現像液特にアルカリ現像液の溶解コントラストが良好となり、解像性パターン形状等のリソグラフィー特性が良好になる。その他の構成単位構成単位h’を有する樹脂成分は、構成単位h’以外のその他の構成単位を有してもよい。かかるその他の構成単位は、上述した構成単位h’に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。かかるその他の構成単位としては、後述の構成単位a1を有することが好ましい。特に、この構成単位a1と、上述した構成単位h’とを有する共重合体は、レジスト組成物の基材成分A成分として用いることができる。本発明のレジスト組成物において、構成単位h’を有する樹脂成分は、構成単位h’と構成単位a1とを有する共重合体であること、すなわち基材成分A成分としてのH成分であること、が好ましい。構成単位h’を有する樹脂成分は、構成単位h’及び構成単位a1に加えて、さらに、前記の構成単位a0及び構成単位a2からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。また、構成単位h’を有する樹脂成分は、構成単位h’及び構成単位a1に加えて、又は、構成単位a0及び構成単位a2の少なくとも一方と構成単位a1と構成単位h’とに加えて、さらに、前記構成単位a3を有するものが好ましい。レジスト組成物中、、構成単位h’を有する樹脂成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、上述した構成単位g’を有する樹脂成分、構成単位h’を有する樹脂成分としては、同一の共重合体内に、G成分から誘導される構成単位構成単位g’と、H成分から誘導される構成単位構成単位h’と、を有する共重合体も挙げられる。かかる構成単位g’と構成単位h’とを有する共重合体中、構成単位g’の割合は、当該共重合体を構成する全構成単位に対し、0.5~30モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1~10モルがさらに好ましく、構成単位h’の割合は、当該共重合体を構成する全構成単位に対し、0.5~30モルが好ましく、1~15モルがより好ましく、1~10モルがさらに好ましい。構成単位g’の割合を上記範囲内とすることによって、酸の拡散制御の効果がより高まり、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。構成単位h’の割合を下限値以上とすることによって、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。一方、構成単位h’の割合を上限値以下とすることにより、現像液特にアルカリ現像液の溶解コントラストが良好となり、解像性パターン形状等のリソグラフィー特性が良好になる。本発明のレジスト組成物においては、前記化合物Hの含有物質量が、前記化合物Gの含有物質量以上であることが好ましい。これにより、レジスト組成物を調製して一定の期間保存した際の、経時の影響による寸法変動が抑制される。本発明において、化合物H又は化合物Gが低分子化合物成分である場合の含有物質量とは、基材成分100質量部を基準としてレジスト組成物に配合されるその化合物のモルmol数を意味する。化合物H又は化合物Gが基材成分としての樹脂成分である場合の含有物質量は、下記手順1~3により算出されるモルmol数とする。手順1:レジスト組成物に使用する樹脂について、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより当該樹脂の共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比を求める。これにより、構成単位h’又は構成単位g’の割合モル比が求められる。手順2:手順1で求めたモル比より、構成単位h’又は構成単位g’の質量比を求め、これより、樹脂成分の全体を100質量部とした際のそれぞれの構成単位の割合質量比を求める。手順3:手順2で求めた構成単位の割合質量比を、化合物H又は化合物Gの質量とみなし、これより、化合物H又は化合物Gのモルmol数を算出する。<A成分>本発明のレジスト組成物において、A成分としては、酸の作用により極性が増大する基材成分A0成分を用いることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。該A0成分は、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であってもよく、酸の作用により極性が増大する低分子化合物成分であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。A0成分としては、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であることが好ましく、特に、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する重合体A1以下A1成分ともいう。を含有するものが好ましい。A1成分は、前記構成単位a1に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位a0、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位a2からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。また、A1成分は、前記構成単位a1に加えて、又は、構成単位a0及び構成単位a2の少なくとも一方と前記構成単位a1とに加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位a3を有するものが好ましい。加えて、A1成分としては、前記構成単位a1に加えて、さらに、上述した構成単位g’を有する共重合体基材成分としてのG成分も好適なものとして挙げられる。また、A1成分としては、前記構成単位a1に加えて、さらに、上述した構成単位h’を有する共重合体基材成分としてのH成分も好適なものとして挙げられる。ここで、本明細書および特許請求の範囲において、アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記α位の置換基としてのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。α置換アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。[構成単位a1]構成単位a1は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、露光によりたとえばB成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、露光によりたとえばB成分から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、A1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、他方、現像液が有機溶剤を含む現像液有機系現像液の場合には溶解性が減少する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。該基本の環を構成する炭素数は3~30が好ましく、3~20がより好ましく、5~15がさらに好ましく、5~12が特に好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基は1.68であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o/p/q=34.7/23.5/16.3/14.5/9.8/1.2であった。[ポリマー合成例2~9共重合体1、3~9の合成]共重合体1、3~9は、各共重合体を構成する構成単位を誘導する下記化合物1~10を所定のモル比で用いた以外は、上記ポリマー合成例1と同様の方法により合成した。各共重合体について、各構成単位を誘導する化合物、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求めた共重合組成比、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量、及び分子量分散度Mw/Mnを表1に示す。<レジスト組成物の調製>[実施例1~52、比較例1~20]表2~6に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表2~6中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下のものを示す。A-1~A-9:前記の共重合体1~共重合体9。B-1:下記化学式B-1で表される化合物。G-1~G-11:下記化学式G-1~G-11で表される化合物。H-1~H-11:下記化学式H-1~H-11で表される化合物。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノメチルエーテル=6/4質量比の混合溶剤。<レジストパターンの形成>8インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC-29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。次いで、該反射防止膜上に、上記のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、下記の表に示す温度で60秒間のプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。次に、該レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60,2/3輪帯照明により、マスク6ハーフトーンを介して、ArFエキシマレーザー193nmを選択的に照射した。そして、下記の表に示す温度で60秒間の露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液NMD-3商品名、東京応化工業社製で30秒間のアルカリ現像処理を行い、その後30秒間、純水リンスし、振り切り乾燥を行った。その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、スペース幅120nmのスペースが等間隔ピッチ240nmに配置されたスペースアンドラインのレジストパターン以下SLパターンという。が形成された。かかるSLパターンが形成される最適露光量EopmJ/cm2、すなわち感度を求めた。その結果を表に示す。[ラインワイズラフネスLWRの評価]上記レジストパターンの形成と同じ手順に従い、前記Eopにて形成されたスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンにおいて、測長SEM走査型電子顕微鏡、加速電圧800V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差sの3倍値3sを求め、そのなかで5箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果をLWRnmとして表に示す。この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のSLパターンが得られたことを意味する。[マスクエラーファクタMEFの評価]上記レジストパターンの形成と同じ手順に従い、前記Eopにおいて、スペース幅120nm、ピッチ260nmのSLパターンをターゲットとするマスクパターンと、スペース幅130nm、ピッチ260nmのSLパターンをターゲットとするマスクパターンとを用いてそれぞれSLパターンを形成し、以下の式からMEFの値を求めた。その結果をMEFとして表に示す。MEF=|CD130-CD120|/|MD130-MD120|上記式中、CD130、CD120は、それぞれ、スペース幅130nm、120nmをターゲットとするマスクパターンを用いて形成されたSLパターンの実際のスペース幅nmである。MD130、MD120は、それぞれ、当該マスクパターンがターゲットとするスペース幅nmであり、MD130=130、MD120=120である。このMEFの値が1に近いほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。[露光余裕度ELマージンの評価]前記Eopで、SLパターンのスペースがターゲット寸法スペース幅120nmの±5114nm~126nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン単位:を求めた。その結果をELとして表に示す。ELマージン=|E1-E2|/Eop×100E1:スペース幅114nmのSLパターンが形成された際の露光量mJ/cm2E2:スペース幅126nmのSLパターンを形成された際の露光量mJ/cm2なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。[レジストパターン形状の評価]前記Eopにて形成されたスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンについて、走査型電子顕微鏡SEM製品名SU8000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いて観察し、当該SLパターンの断面形状を評価した。その結果を表に示す。[G成分とH成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合モル比]各例のレジスト組成物において、G成分とH成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合モル比を算出した。その結果を、G成分に対するH成分のモル比G:Hモル比として表に示す。実施例1~38、45、52、比較例1、2については、G成分及びH成分がいずれも低分子化合物添加剤である場合のモル比を示す。実施例39~43、46~50については、G成分が樹脂基材成分、H成分が低分子化合物添加剤である場合のモル比を示す。実施例44、51については、G成分が低分子化合物添加剤、H成分が樹脂基材成分である場合のモル比を示す。一例として、実施例39のG:Hモル比について説明する。実施例39において、G成分は樹脂基材成分、H成分は低分子化合物添加剤である。G成分の含有物質量G成分基材成分Aとして共重合体2が用いられている。下記手順1~3より、G成分の含有物質量が決定される表7を参照。手順1:共重合体2中、G成分に該当する化合物6から誘導される構成単位の割合は1.2モルである。手順2:手順1で求めた構成単位の割合モル比より、樹脂全体当該共重合体2を100質量部とした際、化合物6から誘導される構成単位の割合質量比は、2.73[=523.59×1.2/100/229.99×100]と求められる。手順3:手順2で求めた構成単位の割合質量比を化合物6の質量とみなし、化合物6の含有物質量を求めると、5.21mmol=2.73/523.59×103と算出される。H成分の含有物質量H成分添加剤としてH-2分子量355.11が用いられている。レジスト組成物中、H-2の含有量は、A成分100質量部に対して3.39質量部である。これより、H-2の含有物質量は9.55mmol=3.39/355.11×103と算出される。G:Hモル比G成分とH成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合モル比は次のようになる。G:Hモル比=1:9.55/5.21≒1:1.8。[経時の影響によるレジストパターンの寸法変動の評価]各例のレジスト組成物について1ヶ月間冷凍保存したもの冷凍保存品と1ヶ月間室温保存したもの室温保存品とを用い、上記レジストパターンの形成と同じ方法により、前記Eopと同一の露光量でスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンをそれぞれ形成した。そして、冷凍保存品及び室温保存品とによりそれぞれ形成されたSLパターンの所定位置のライン幅寸法を測定し、両者の寸法差を求めた。かかる両者の寸法差が、2以下だった場合を◎◎、2超5以下だった場合を◎、5超10以下だった場合を○、10超50以下だった場合を△、冷凍保存品及び室温保存品の一方又は両方においてSLパターンを形成できなかった場合を×、として、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動の評価を行った。その結果を1M後CD変化として表に示す。表に示す結果から、本発明を適用した実施例1~52のレジスト組成物は、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れていることが分かる。実施例1~3より、化合物Hの含有物質量が化合物Gの含有物質量以上であると、経時の影響による寸法変動がより効果的に抑制できていることが確認できた。またH成分に対するG成分の組み合わせは、pKa値等を考慮することが、経時の影響による寸法変動の抑制の点で好ましい。また、H成分としてG成分と同様の構造を有する化合物を使用した場合実施例1~12、実施例45、実施例52、経時の影響による寸法変動を抑制でき、かつ、LWR又はMEFがより向上することが確認できた実施例4に対する実施例13~16、実施例6に対する実施例17~20、実施例7に対する実施例21~24、実施例8に対する実施例25~28。"