"亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を還元して処理する亜酸化窒素含有ガスの処理方法であって、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層に、該触媒層の温度が-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスを導入して前記触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程と、前記第1の触媒層を350~500°Cに加熱して、少なくとも前記触媒が吸着した亜酸化窒素を還元する還元工程とを有することを特徴とする亜酸化窒素含有ガスの処理方法。前記還元工程は、前記第1の触媒層を亜酸化窒素含有ガスの導入経路から切り離し、該触媒層を加熱炉に導入して行う、請求項1に記載の亜酸化窒素含有ガスの処理方法。前記第1の触媒層を2層以上用い、一方の第1の触媒層で前記吸着工程を行っている間、他方の第1の触媒層で前記還元工程を行い、それぞれの触媒層で吸着工程と還元工程とを交互に繰り返し行う、請求項1又は2に記載の亜酸化窒素含有ガスの処理方法。亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を還元して処理する亜酸化窒素含有ガスの処理方法であって、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層に、該触媒層の温度が-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスを導入して前記触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程と、前記吸着工程後の前記第1の触媒層を100~250°Cに調整し、キャリアガスを導入して、前記触媒が吸着した亜酸化窒素を脱離させる脱離工程と、前記触媒から脱離した亜酸化窒素を含むガスを、350~500°Cに調整された、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒が充填された第2の触媒層に導入して、亜酸化窒素を還元する還元工程とを有することを特徴とする亜酸化窒素含有ガスの処理方法。前記第1の触媒層を2層以上用い、一方の第1の触媒層で前記吸着工程を行っている間、他方の第1の触媒層で前記脱離工程を行い、それぞれの第1の触媒層で吸着工程と脱離工程とを交互に繰り返し行う、請求項4に記載の亜酸化窒素含有ガスの処理方法。前記亜酸化窒素含有ガスを脱水処理した後、前記第1の触媒層に導入する、請求項1~5のいずれか1項に記載の亜酸化窒素含有ガスの処理方法。亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を還元して処理する亜酸化窒素含有ガス処理装置であって、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層と、前記第1の触媒層の入口側に配設された亜酸化窒素含有ガス導入経路と、前記第1の触媒層を加熱する第1の加熱手段とを備え、前記第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって、該第1の触媒層を-30~50°Cにする工程と、350~500°Cにする工程とを、それぞれ所定時間ごとに交互に繰り返すように制御されていることを特徴とする亜酸化窒素含有ガス処理装置。前記第1の触媒層を2層以上備え、前記第1の加熱手段は、一方の第1の触媒層を-30~50°Cとしている間は、他方の第1の触媒層を350~500°Cとするように制御されている、請求項7に記載の亜酸化窒素含有ガス処理装置。亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を還元して処理する亜酸化窒素含有ガス処理装置であって、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層と、前記第1の触媒層の入口側に配設された亜酸化窒素含有ガス導入経路及びキャリアガス導入経路と、前記第1の触媒層を加熱する第1の加熱手段と、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒が充填された第2の触媒層と、前記第1の触媒層の出口側及び、前記第2の触媒層の入口側を連結する連結経路と、前記第2の触媒層を加熱する第2の加熱手段とを備え、前記第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって、該第1の触媒層を-30~50°Cにする工程と、100~250°Cにする工程とを、それぞれ所定時間ごとに交互に繰り返すように制御され、前記第2の触媒層は、前記第2の加熱手段によって、該第2の触媒層が350~500°Cに調整され、前記第1の触媒層を-30~50°Cにする工程中は、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路から亜酸化窒素含有ガスを前記前記第1の触媒層に導入させ、前記第1の触媒層を100~250°Cにする工程中は、前記キャリアガス導入経路からキャリアガスを前記第1の触媒層に導入させるように構成されていることを特徴とする亜酸化窒素含有ガス処理装置。前記第1の触媒層を2層以上備え、前記2層の第1の触媒層に、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路と前記キャリアガス導入経路とが交互に連通するように構成され、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路が連通している第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって-30~50°Cにされ、前記キャリアガス導入経路が連通している第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって100~250°Cとされるように構成されている、請求項9に記載の亜酸化窒素含有ガス処理装置。前記第1の触媒層の上流側に、亜酸化窒素含有ガスの脱水手段を備える、請求項7~10のいずれか1項に記載の亜酸化窒素含有ガス処理装置。亜酸化窒素の発生源の一つとして、排水を曝気して活性汚泥処理する際に排出される曝気排ガスがある。かかる曝気排ガスは、10~100ppm程度の微量の亜酸化窒素を含み、排水処理設備から大量に排出される。また、田んぼなどの農耕地や、窒素施肥土壌などからも、極めて微量であるが亜酸化窒素が発生する。このような亜酸化窒素濃度が低い亜酸化窒素含有ガスを加熱処理する場合、亜酸化窒素の処理量に比べて、亜酸化窒素含有ガスの加熱処理エネルギーが膨大であることから、化石燃料等の消費量が嵩み、二酸化炭素の排出量が増大する問題があった。よって、本発明の目的は、亜酸化窒素を効率よく処理できる亜酸化窒素含有ガスの処理方法及び処理装置を提供することにある。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1は、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層に、該触媒層の温度が-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスを導入して前記触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程と、前記第1の触媒層を350~500°Cに加熱して、少なくとも前記触媒が吸着した亜酸化窒素を還元する還元工程とを有することを特徴とする。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1によれば、上記触媒は、-30~50°C温度下では、亜酸化窒素の吸着性に優れ、350~500°C温度下では、亜酸化窒素の還元反応性に優れるため、上記触媒が充填された-30~50°Cの触媒層に、亜酸化窒素含有ガスを導入することで、亜酸化窒素含有ガスに含まれる亜酸化窒素が触媒に吸着されて、触媒層内で亜酸化窒素濃度が濃縮する。そして、該触媒層を350~500°Cに加熱することで、触媒が吸着した亜酸化窒素がほぼ完全に窒素ガスなどまで還元されて分解し、触媒から脱離する。このように、処理対象となる亜酸化窒素含有ガスの亜酸化窒素濃度が極めて低くても、触媒層内で亜酸化窒素濃度を濃縮できるので、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。また、亜酸化窒素を吸着した上記触媒を350~500°Cに加熱することで、触媒に吸着された亜酸化窒素がほぼ完全に還元されて触媒から脱離する。このため、触媒を繰り返し使用でき、メンテナンス性に優れる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1において、前記還元工程は、前記第1の触媒層を亜酸化窒素含有ガスの導入経路から切り離し、該触媒層を加熱炉に導入して行うことが好ましい。この態様によれば、加熱手段を処理装置内に組み込む必要がないので、装置構成をよりコンパクトにできる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1において、前記第1の触媒層を2層以上用い、一方の第1の触媒層で前記吸着工程を行っている間、他方の第1の触媒層で前記還元工程を行い、それぞれの触媒層で吸着工程と還元工程とを交互に繰り返し行うことが好ましい。この態様によれば、亜酸化窒素含有ガスを連続して処理できるので、亜酸化窒素含有ガスの処理効率に優れる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第2は、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層に、該触媒層の温度が-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスを導入して前記触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程と、前記吸着工程後の前記第1の触媒層を100~250°Cに調整し、キャリアガスを導入して、前記触媒が吸着した亜酸化窒素を脱離させる脱離工程と、前記触媒から脱離した亜酸化窒素を含むガスを、350~500°Cに調整された、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒が充填された第2の触媒層に導入して、亜酸化窒素を還元する還元工程とを有することを特徴とする。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第2によれば、上記触媒が充填された、-30~50°Cの第1の触媒層に亜酸化窒素含有ガスを導入することで、亜酸化窒素含有ガスに含まれる亜酸化窒素が第1の触媒層に充填された触媒に吸着される。このようにして吸着工程を行った後、第1の触媒層を100~250°Cに調整し、キャリアガスを導入することで、第1の触媒層に充填された触媒が吸着した亜酸化窒素が脱離する。該触媒を100~250°Cにすることで、該触媒から亜酸化窒素が脱離し易くなり、少量のキャリアガスで触媒から亜酸化窒素を脱離でき、亜酸化窒素濃度の高いガスを第2の触媒層に導入できる。そして、第2の触媒層では、触媒層の温度が350~500°Cに調整されており、上記触媒は350~500°C温度下では、亜酸化窒素の還元反応性に優れるため、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。このように、処理対象となる亜酸化窒素含有ガスの亜酸化窒素濃度が極めて低くても、第1の触媒層の触媒に亜酸化窒素を吸着させることにより、亜酸化窒素濃度が高められたガスを第2の触媒層に導入できるので、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。また、上記触媒は、亜酸化窒素の吸着最適温度と、亜酸化窒素の還元処理最適温度がそれぞれ大きく異なるが、この実施形態では、亜酸化窒素の吸着工程と、亜酸化窒素の還元工程とを、それぞれ別の触媒層で行うので、触媒が激しい温度変化に曝されることを防止できる。このため、触媒の熱劣化による損傷や、シンタリングを抑えることができ、長期にわたって安定した処理を行うことができる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第2において、前記第1の触媒層を2層以上用い、一方の第1の触媒層で前記吸着工程を行っている間、他方の第1の触媒層で前記脱離工程を行い、それぞれの第1の触媒層で吸着工程と脱離工程とを交互に繰り返し行うことが好ましい。この態様によれば、亜酸化窒素含有ガスを連続して処理できるので、亜酸化窒素含有ガスの処理効率に優れる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1及び第2において、前記亜酸化窒素含有ガスを脱水処理した後、前記第1の触媒層に導入することが好ましい。亜酸化窒素含有ガスを脱水処理することで、亜酸化窒素の還元効率が向上する。一方、本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第1は、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層と、前記第1の触媒層の入口側に配設された亜酸化窒素含有ガス導入経路と、前記第1の触媒層を加熱する第1の加熱手段とを備え、前記第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって、該第1の触媒層を-30~50°Cにする工程と、350~500°Cにする工程とを、それぞれ所定時間ごとに交互に繰り返すように制御されていることを特徴とする。本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第1は、前記第1の触媒層を2層以上備え、前記第1の加熱手段は、一方の第1の触媒層を-30~50°Cとしている間は、他方の第1の触媒層を350~500°Cとするように制御されていることが好ましい。また、本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第2は、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒を充填した第1の触媒層と、前記第1の触媒層の入口側に配設された亜酸化窒素含有ガス導入経路及びキャリアガス導入経路と、前記第1の触媒層を加熱する第1の加熱手段と、ベータ型及び/又はモルデナイト型のゼオライトにコバルトを担持させた触媒が充填された第2の触媒層と、前記第1の触媒層の出口側及び、前記第2の触媒層の入口側を連結する連結経路と、前記第2の触媒層を加熱する第2の加熱手段とを備え、前記第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって、該第1の触媒層を-30~50°Cにする工程と、100~250°Cにする工程とを、それぞれ所定時間ごとに交互に繰り返すように制御され、前記第2の触媒層は、前記第2の加熱手段によって、該第2の触媒層が350~500°Cに調整され、前記第1の触媒層を-30~50°Cにする工程中は、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路から亜酸化窒素含有ガスを前記前記第1の触媒層に導入させ、前記第1の触媒層を100~250°Cにする工程中は、前記キャリアガス導入経路からキャリアガスを前記第1の触媒層に導入させるように構成されていることを特徴とする。本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第2は、前記第1の触媒層を2層以上備え、前記2層の第1の触媒層に、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路と前記キャリアガス導入経路とが交互に連通するように構成され、前記亜酸化窒素含有ガス導入経路が連通している第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって-30~50°Cにされ、前記キャリアガス導入経路が連通している第1の触媒層は、前記第1の加熱手段によって100~250°Cとされるように構成されていることが好ましい。本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第1及び第2は、前記第1の触媒層の上流側に、亜酸化窒素含有ガスの脱水手段を備えることが好ましい。本発明によれば、処理対象となる亜酸化窒素含有ガスの亜酸化窒素濃度が極めて低くても、亜酸化窒素濃度を濃縮して加熱処理できるので、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。本発明の処理対象となる亜酸化窒素含有ガスは、亜酸化窒素を含有するものであればよく、特に限定はない。また、亜酸化窒素以外の成分として、NOX、SOX、CO2、H2O、H2S等を含有していてもよい。また、本発明では、後述するように、亜酸化窒素濃度を濃縮して、還元処理するので、従来では処理が困難であった、亜酸化窒素濃度が低濃度である亜酸化窒素含有ガスの処理に好ましく用いられ、亜酸化窒素濃度が1000ppm以下の亜酸化窒素含有ガスが特に好ましく用いられる。具体的には、排水を曝気して活性汚泥処理する際に排出される曝気排ガス亜酸化窒素10~100ppm程度、農業用ハウスや畜舎内のガス等が挙げられる。本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法では、ベータ型ゼオライト好ましくはSi/Alのモル比=13.5~100、モルデナイト型ゼオライト好ましくはSi/Alのモル比=8.85~50に、コバルトを担持させた触媒以下、単に触媒と記すを充填した触媒層を用いる。この触媒は、アルミナ系セラミック等のバインダーと混合し、成型加工して触媒成型体として用いてもよい。触媒成型体として用いる場合、粒径は5~10mmが好ましい。粒径が5mm未満であると、取り扱い性が劣り、粒径が10mmを超えると、触媒性能が低下することがある。上記触媒は、-30~50°C温度下では、亜酸化窒素の吸着性が良好なので、-30~50°Cの触媒層に亜酸化窒素含有ガスを導入することで、亜酸化窒素が触媒に吸着されて、触媒層内で亜酸化窒素濃度が濃縮する。また、350~500°C温度下では、亜酸化窒素の還元反応性が良好なので、触媒層を350~500°Cに加熱することで、触媒が吸着した亜酸化窒素は、ほぼ完全に窒素ガスなどまで還元されて分解し、触媒から脱離する。なお、後述する実施例に示すように、ベータ型ゼオライトやモルデナイト型ゼオライトに、コバルト以外のイオン種を担持させても、亜酸化窒素の吸着性が低く、亜酸化窒素濃度を十分濃縮できない。また、亜酸化窒素を吸着した触媒を加熱しても、触媒から脱離せずにそのまま触媒内に残留し易い。更に、亜酸化窒素の還元反応性が低く、亜酸化窒素を十分に分解できない。また、ベータ型ゼオライトやモルデナイト型ゼオライト以外の結晶構造のゼイライトに、コバルトを担持させても、亜酸化窒素の吸着性が低く、亜酸化窒素濃度を十分濃縮できない。上記触媒層に充填する触媒は、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、ベータ型ゼオライト、モルデナイト型ゼオライトを、コバルト塩硝酸塩、硫酸塩、塩化物等の水溶液中に浸漬し、不活性ガスN2などでバブリングしながらコバルトイオンを含浸させた後、300~600°Cで焼成することで得られる。上記触媒は、コバルトの担持量が3~15質量であることが好ましく、6~10質量がより好ましい。コバルトの担持量が3質量未満であると、亜酸化窒素の分解効率が十分でないことがある。15質量を超えると、ゼオライト細孔の閉塞や表面積の低下が生じ、吸着性、分解効率が低下することがある。コバルトの担持量は、コバルト塩水溶液のコバルト濃度を調整することで制御できる。上記触媒は、細孔容積が0.3~0.7ml/gであることが好ましく、0.5~0.6ml/gがより好ましい。触媒の細孔容積が0.3ml/g未満であると、亜酸化窒素の吸着性が十分でないことがある。0.7ml/gを超えると、ゼオライトの結晶性が維持できなくなり、水蒸気雰囲気下で細孔構造が崩壊することがある。本発明において、触媒の細孔容積は、窒素吸着測定の方法で測定した値である。上記触媒の比表面積は、5×108~1×109m2/m3が好ましく、6×108~8×108m2/m3がより好ましい。比表面積が5×108m2/m3未満であると、亜酸化窒素の吸着性が十分でないことがある。1×109m2/m3を超えると、ゼオライトの結晶性が維持できなくなり、水蒸気雰囲気下で細孔構造が崩壊することがある。本発明において、触媒の比表面積は、窒素吸着測定の方法で測定した値である。亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1の実施形態本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第1の実施形態について説明する。この実施形態では、亜酸化窒素の吸着工程と、還元工程とをそれぞれ同じ触媒層内で行う。以下、詳しく説明する。まず、触媒層へ亜酸化窒素含有ガスを導入して、触媒層に充填された触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程。吸着工程では、触媒層の温度が、-30~50°Cであることが必要であり、10~40°Cが好ましく、20~30°Cがより好ましい。触媒層の温度が-30°C未満であったり、50°Cを超えると、触媒が亜酸化窒素を十分に吸着できない。なお、本発明の処理対象となる亜酸化窒素含有ガスは、亜酸化窒素の他に、水蒸気H2Oなどを含有していてもよいが、上記触媒は、水蒸気H2Oの存在下では、亜酸化窒素の分解効率が低下し、特に低温下での分解効率が低下する傾向にあるので、水蒸気H2Oを含有する亜酸化窒素含有ガスの場合は、亜酸化窒素含有ガスを脱水処理した後、触媒層に供給することが好ましい。亜酸化窒素含有ガスの脱水処理方法としては、特に限定はない。好ましくは、亜酸化窒素含有ガスをシリカゲルに接触させて脱水処理する方法が挙げられる。シリカゲルは、自重の40程度の水分を吸着でき、吸着した水分を110°C程度で放出するので、水分を吸着したシリカゲルを110°C以上、好ましくは110~140°Cに加熱することで繰り返し使用できる。このようにして触媒に亜酸化窒素を吸着させた後、次に、触媒層を加熱して、少なくとも触媒が吸着した亜酸化窒素を還元処理して分解する還元工程。吸着工程から還元工程への切り替えは、例えば、触媒層に充填された触媒が吸着できる亜酸化窒素量の限界量を予め調べておき、亜酸化窒素含有ガスの供給量から予測される触媒の吸着量が、予め調べておいた限界量に達したら触媒層の加熱を開始して、還元工程へ切り替える方法が好ましい一例として挙げられる。還元工程において、触媒層の加熱温度は、350~500°Cが好ましく、350~450°Cがより好ましい。加熱温度が350°C未満であると、亜酸化窒素を十分に分解できないことがある。また、加熱温度が500°Cを超えても、亜酸化窒素の分解効率はさほど変化しないことがあり、エネルギーコストが嵩む。更には、触媒にシンタリングが生じて触媒が損傷することがある。触媒層の加熱は、例えば、以下のようにして行うことができる。1触媒層にヒータなどの加熱装置を設置し、加熱装置を作動して触媒層を加熱する方法。2触媒層をカートリッジ化して、還元工程時に触媒層を亜酸化窒素含有ガスの導入経路から切り離して別置きの加熱炉に導入し、別置きの加熱炉内で触媒層を加熱する方法。還元工程において、触媒層の加熱時間は、0.5~5時間が好ましく、1.5~3時間がより好ましい。0.5時間未満であると、亜酸化窒素を十分に分解できないことがある。また、5時間を超えても、亜酸化窒素の分解効率などは殆ど変化がないので、処理効率の観点から上限は5時間が好ましい。このように、この実施形態によれば、触媒層に亜酸化窒素含有ガスを導入して、触媒層に充填された触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させて、触媒層内で亜酸化窒素濃度を濃縮させ吸着工程、その後、該触媒層を加熱して、触媒が吸着した亜酸化窒素を還元して分解する還元工程ので、処理対象となる亜酸化窒素含有ガスの亜酸化窒素濃度が極めて低くても、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。また、亜酸化窒素を吸着した触媒は、350~500°Cに加熱することで、該触媒に吸着された亜酸化窒素が、ほぼ完全に還元されて該触媒から脱離するので、触媒内に亜酸化窒素が残留し難くい。このため、触媒を繰り返し使用でき、メンテナンス性に優れる。また、この実施形態においては、触媒層を2層以上用意し、一方の触媒層に亜酸化窒素含有ガスを供給して吸着工程を行っている間、他方の触媒層では還元工程を行い、それぞれの触媒層で吸着工程と還元工程とを交互に繰り返し行うようにしてもよい。このようにすることで、亜酸化窒素含有ガスを連続的に処理することができる。亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第2の実施形態次に、本発明の亜酸化窒素含有ガスの処理方法の第2の実施形態について説明する。上述した第1の実施形態では、亜酸化窒素の吸着工程と、還元工程とをそれぞれ同じ触媒層内で行うこととしたが、この実施形態では、亜酸化窒素の吸着工程と、亜酸化窒素の還元工程とをそれぞれ別の触媒層で行う点で相違する。すなわち、この実施形態では、第1の触媒層と、その後段に配設された第2の触媒層を用い、第1の触媒層で亜酸化窒素の吸着工程を行い、第2の触媒層で亜酸化窒素の還元工程を行う。以下、詳しく説明する。まず、第1の触媒層へ亜酸化窒素含有ガスを導入して、該触媒層に充填された触媒に亜酸化窒素含有ガス中の亜酸化窒素を吸着させる吸着工程。吸着工程は、上述した第1の実施形態と同様にして行うことが好ましい。次に、該触媒層を加熱すると共にキャリアガスを導入して、該触媒が吸着した亜酸化窒素を脱離させる脱離工程。脱離工程では、第1の触媒層を100~250°Cに加熱することが必要であり、100~200°Cが好ましく、120~150°Cがより好ましい。触媒層の温度が100°C未満であると、触媒から亜酸化窒素が十分に脱離しない。250°Cを超えても、亜酸化窒素の脱離量は殆ど変化しないが、エネルギー的に不利である。また、触媒が熱サイクルにより劣化して損傷したり、シンタリングが発生することがある。キャリアガスとしては、特に限定は無く、空気、Ar、N2等を用いることができる。キャリアガスの流量は、亜酸化窒素含有ガスの流量の1/1000~1/10が好ましい。上記触媒の温度を100~250°Cにすることで、該触媒から亜酸化窒素が脱離し易くなり、少量のキャリアガスで触媒から亜酸化窒素が脱離する。このため、第1の触媒層に、キャリアガスを上記流量で流通させることで、触媒から亜酸化窒素をほぼ完全に脱離させて、亜酸化窒素濃度の高いガスを第2の触媒層に導入できる。キャリアガスの流量が亜酸化窒素含有ガスの流量の1/1000未満であると、脱離工程に時間を要することになり、処理効率が低下する。亜酸化窒素含有ガスの流量の1/10を超えると、亜酸化窒素濃度の高いガスを、後段の第2の触媒層に導入できない。吸着工程から脱離工程への切り替えは、例えば、触媒層に充填された触媒が吸着できる亜酸化窒素量の限界量を予め調べておき、亜酸化窒素含有ガスの供給量から予測される触媒の吸着量が、予め調べておいた限界量に達したら触媒層の加熱を開始して、脱離工程へ切り替える方法が好ましい一例として挙げられる。このようにして、第1の触媒層に充填された触媒から亜酸化窒素を脱離させ、第1の触媒層から排出される触媒から脱離した亜酸化窒素を含むガスを、上記触媒が充填された第2の触媒層に導入して、亜酸化窒素を還元して分解処理する還元工程。第2の触媒層は、350~500°Cに加熱されていることが好ましく、350~450°Cがより好ましい。第2の触媒層の温度が350°C未満であると、亜酸化窒素を十分に分解できないことがある。また、500°Cを超えても、亜酸化窒素の分解効率はさほど変化しないことがあり、エネルギーコストが嵩む。更には、触媒にシンタリングが生じて触媒が損傷することがある。この実施形態によれば、処理対象となる亜酸化窒素含有ガスの亜酸化窒素濃度が極めて低くても、第1の触媒層の触媒に亜酸化窒素を吸着させた後、該触媒層を加熱しつつキャリアガスを導入して脱離させ、亜酸化窒素濃度が高められたガスを第2の触媒層に導入するので、亜酸化窒素を効率よく還元して分解できる。また、上記触媒は、亜酸化窒素の吸着最適温度は-30~50°Cであり、亜酸化窒素の還元処理最適温度は350~500°Cであり、大きく異なるが、亜酸化窒素の吸着工程と、亜酸化窒素の還元工程とを、それぞれ別の触媒層で行うので、触媒の熱サイクルによる劣化や、シンタリングを抑えることができ、長期にわたって安定した処理を行うことができる。また、この実施形態においては、第1の触媒層を2層以上用意し、一方の第1の触媒層に亜酸化窒素含有ガスを供給して吸着工程を行っている間、他方の第1の触媒層では脱離工程を行い、それぞれの第1の触媒層で吸着工程と脱離工程とを交互に繰り返し行うようにしてもよい。このようにすることで、亜酸化窒素含有ガスを連続的に処理することができる。また、第1の触媒層を2層以上用いる場合、第2の触媒層は、それぞれの第1の触媒層に併設して第1の触媒層と同じ数だけ設けてもよく、複数の第1の触媒層で共通化してもよい。亜酸化窒素含有ガスの処理装置の第1の実施形態次に、本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第1の実施形態について、図1を用いて説明する。この亜酸化窒素含有ガス処理装置は、上述した第1の実施形態の亜酸化窒素含有ガスの処理方法において好ましく用いることができる。この亜酸化窒素含有ガス処理装置は、亜酸化窒素含有ガスの供給源から伸びた配管L1が、配管L2aと配管L2bとに分岐している。配管L2aは、開閉弁V1を介して、加熱装置2aを備えたシリカゲル層1aの入り口側に接続している。シリカゲル層1aの出口側からは、配管L3aが伸びて、加熱装置4aを備えた触媒層3aの入り口側に接続している。触媒層3aの出口側からは、配管L4aが伸びて、図示しない排ガス系に接続する配管L5に接続している。配管L2bは、開閉弁V2を介して、加熱装置2bを備えたシリカゲル層1bの入り口側に接続している。シリカゲル層1bの出口側からは、配管L3bが伸びて、加熱装置4bを備えた触媒層3bの入り口側に接続している。触媒層3bの出口側からは、配管L4bが伸びて、図示しない排ガス系に接続する配管L5に接続している。この亜酸化窒素含有ガス処理装置の動作は、以下のように制御されている。すなわち、図2に示すように、起動信号が入力されると、まず、開閉弁V1を開き、開閉弁V2を閉じ、加熱装置2a,2b、4a,4bをそれぞれ停止する。これにより、亜酸化窒素含有ガスが、配管L1,L2aを通り、シリカゲル層1aを経由して、触媒層3aに供給されるステップS1。シリカゲル層1aに備えられた加熱装置2aは、停止しているので、シリカゲル層1aはほぼ常温であり、また、亜酸化窒素含有ガスはシリカゲル層1aを経由することで、亜酸化窒素含有ガス中の水分が除去される。また、触媒層3aに備えられた加熱装置4aは、停止しているので、触媒層3aはほぼ常温であり、-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスが触媒層3aに供給される。次に、開閉弁V1を開弁してから所定時間経過したのちステップS2、開閉弁V1を閉じ、開閉弁V2を開き、加熱装置2b,4bを停止する。また、加熱装置4aを作動させて触媒層3aを350~500°Cまで昇温すると共に、加熱装置2aを作動させてシリカゲル層1aを110°C以上好ましくは110~140°Cに加熱するステップS3。これにより、亜酸化窒素含有ガスの供給経路が、配管L1,L2aを通り、シリカゲル層1aを経由して、触媒層3aに供給される経路から、配管L1,L2bを通り、シリカゲル層1bを経由して、触媒層3bに供給される経路に切り替わり、触媒層3bに亜酸化窒素含有ガスが供給されると共に、触媒層3aへの亜酸化窒素含有ガスの供給が停止する。また、ステップS3では、加熱装置2b,4bがそれぞれ停止しているので、シリカゲル層1b、触媒層3bはほぼ常温であり、亜酸化窒素含有ガスがシリカゲル層1bで脱水処理されて触媒層3bに供給される。また、加熱装置2a,4aがそれぞれ作動しており、触媒層3aは、加熱装置4aにより350~500°Cに加熱されているので、触媒が吸着した亜酸化窒素の還元反応が行われる。また、シリカゲル層1aは、加熱装置2aにより110°C以上に加熱されているので、シリカゲルが吸着した水分の放出が行われる。次に、開閉弁V2を開弁してから所定時間経過したのちステップS4、開閉弁V2を閉じ、開閉弁V1を開き、加熱装置2a,4aを停止する。また、加熱装置4bを作動させて触媒層3bを350~500°Cまで昇温すると共に、加熱装置2bを作動させてシリカゲル層1bを110°C以上好ましくは110~140°Cに加熱するステップS5。これにより、亜酸化窒素含有ガスの供給経路が、配管L1,L2aを通り、シリカゲル層1aを経由して、触媒層3aに供給される経路に切り替わり、触媒層3aに亜酸化窒素含有ガスが供給されると共に、触媒層3bへの亜酸化窒素含有ガスの供給が停止する。また、ステップS5では、加熱装置2a,4aがそれぞれ停止しているので、シリカゲル層1a、触媒層3aはほぼ常温であり、亜酸化窒素含有ガスがシリカゲル層1aで脱水処理されて触媒層3aに供給される。また、加熱装置2b,4bがそれぞれ作動しており、触媒層3bは、加熱装置4bにより350~500°Cに加熱されているので、触媒が吸着した亜酸化窒素の還元反応が行われる。また、シリカゲル層1bは、加熱装置2bにより110°C以上に加熱されているので、シリカゲルが吸着した水分の放出が行われる。次に、開閉弁V1を開弁してから所定時間経過したのちステップS6、ステップS3に戻り、上述したステップS3~S6の処理を、出力停止信号が入力されるまで行う。なお、この実施形態に示す処理装置では、それぞれの触媒層、シリカゲル層に加熱装置を設けたが、触媒層やシリカゲル層をカートリッジ化し、触媒層やシリカゲル層を加熱する際に、触媒層やシリカゲル層を、配管から切り離して、別置きの加熱炉に導入して触媒層やシリカゲル層を加熱するようにされていてもよい。亜酸化窒素含有ガスの処理装置の第2の実施形態本発明の亜酸化窒素含有ガス処理装置の第2の実施形態について、図3を用いて説明する。この亜酸化窒素含有ガス処理装置は、上述した第2の実施形態の亜酸化窒素含有ガスの処理方法において好ましく用いることができる。この亜酸化窒素含有ガス処理装置は、亜酸化窒素含有ガスの供給源から伸びた配管L11が、配管L12aと配管L12bとに分岐している。配管L12aは、開閉弁V11を介して、加熱装置12aを備えたシリカゲル層11aの入り口側に接続している。シリカゲル層11aの出口側からは、配管L13aが伸びて、加熱装置14aを備えた第1触媒層13aの入り口側に接続している。この配管L13aは、ブロアP1を介装した配管L14aが接続している。第1触媒層13aの出口側からは、配管L15aが伸びて、開閉弁V12を介装した図示しない排ガス系に接続する配管L16aと、開閉弁V13を介装した加熱装置16を備えた第2触媒層15の入り口側に接続する配管L17aとに分岐している。配管L12bは、開閉弁V14を介して、加熱装置12bを備えたシリカゲル層11bの入り口側に接続している。シリカゲル層11bの出口側からは、配管L13bが伸びて、加熱装置14bを備えた第1触媒層13bの入り口側に接続している。この配管L13bは、ブロアP2を介装した配管L14bが接続している。第1触媒層13bの出口側からは、配管L15bが伸びて、開閉弁V15を介装した図示しない排ガス系に接続する配管L16bと、開閉弁V16を介装した加熱装置16を備えた第2触媒層15の入り口側に接続する配管L17bとに分岐している。第2触媒層15の入口側には、上述した配管L17a、L17bがそれぞれ接続している。第2触媒層15の出口側からは、図示しない排ガス系に接続する配管L18が伸びている。この亜酸化窒素含有ガス処理装置の動作は、以下のように制御されている。すなわち、図4に示すように、起動信号が入力されると、開閉弁V11,V12を開き、開閉弁V13,V14,V15,V16を閉じる。また、加熱装置16を作動させて第2触媒層15を350~500°Cまで昇温する。また、加熱装置12a,12b、14a,14bを停止させる。また、ブロアP1,P2を停止させる。これにより、亜酸化窒素含有ガスが、配管L11,L12aを通り、シリカゲル層11aを経由して、第1触媒層13aに供給されるステップS11。シリカゲル層11aに備えられた加熱装置12aは停止しているので、シリカゲル層11aはほぼ常温であり、また、亜酸化窒素含有ガスはシリカゲル層11aを経由することで、亜酸化窒素含有ガス中の水分が除去される。また、第1触媒層13aに備えられた加熱装置14aは停止しているので、第1触媒層13aはほぼ常温であり、-30~50°Cの温度下で亜酸化窒素含有ガスが第1触媒層13aに供給されて、第1触媒層13aの触媒に該ガス中の亜酸化窒素が吸着される。第1触媒層13aを通過したガスは、亜酸化窒素が殆どなく、配管L16aを通って排ガス系へ送られる。次に、開閉弁V11を開弁してから所定時間経過したのちステップS12、開閉弁V11,V12,V16を閉じ、開閉弁V13,V14,V15を開く。また、加熱装置12aを作動してシリカゲル層11aを110°C以上好ましくは110~140°Cに加熱すると共に、加熱装置14aを作動して第1触媒層13aを100~250°C好ましくは100~200°C、より好ましくは120~150°Cまで加熱する。そして、ブロアP1を作動させる。なお、加熱装置16は作動したままであり、第2触媒層15を350~500°Cに加熱している。また、加熱装置12b,14b、ブロアP2は停止させたままであるステップS13。これにより、亜酸化窒素含有ガスの供給経路が、配管L11,L12aを通り、シリカゲル層11aを経由して、第1触媒層13aに供給される経路から、配管L11,L12bを通り、シリカゲル層11bを経由して、第1触媒層13bに供給される経路に切り替わり、第1触媒層13bに亜酸化窒素含有ガスが供給されると共に、第1触媒層13aへの亜酸化窒素含有ガスの供給が停止する。また、ステップS13では、加熱装置12b,14bがそれぞれ停止しているので、シリカゲル層11b、第1触媒層13bはほぼ常温である。このため、亜酸化窒素含有ガスは、シリカゲル層11bで脱水処理されて第1触媒層13bに供給され、第1触媒層13bの触媒に該ガス中の亜酸化窒素が吸着される。また、ステップS13では、ブロアP1、加熱装置12a,14a、16がそれぞれ作動している。シリカゲル層11aは、加熱装置12aにより110°C以上に加熱されているので、シリカゲルが吸着した水分の放出が行われる。第1触媒層13aは、ブロアP1から空気が導入され、加熱装置14aにより100~250°Cに加熱されているので、触媒が吸着した亜酸化窒素が脱離して、ブロアP1によって導入される空気と共に配管L15a,L17aを通って、第2触媒層15に送られる。第2触媒層15は、加熱装置16により350~500°Cに加熱されているので、第1触媒層13aから送られてくるガス中の亜酸化窒素を還元して分解し、配管L18から排ガス系へ排出する。次に、開閉弁V14を開弁してから所定時間経過したのちステップS14、開閉弁V11,V12,V16を開き、開閉弁V13,V14,V15を閉じる。また、加熱装置12a,14a、ブロアP1を停止させる。また、加熱装置12bを作動してシリカゲル層11bを110°C以上好ましくは110~140°Cに加熱すると共に、加熱装置14bを作動して第1触媒層13bを100~250°C好ましくは100~200°C、より好ましくは120~150°Cまで加熱する。そして、ブロアP2を作動させる。なお、加熱装置16は作動したままであり、第2触媒層15を350~500°Cに加熱しているステップS15。これにより、亜酸化窒素含有ガスの供給経路が、配管L11,L12bを通り、シリカゲル層11bを経由して、第1触媒層13bに供給される経路から、配管L11,L12aを通り、シリカゲル層11aを経由して、第1触媒層13aに供給される経路に切り替わり、第1触媒層13aに亜酸化窒素含有ガスが供給されると共に、第1触媒層13bへの亜酸化窒素含有ガスの供給が停止する。また、ステップS15では、加熱装置12a,14aがそれぞれ停止しているので、シリカゲル層11a、第1触媒層13aはほぼ常温である。このため、亜酸化窒素含有ガスは、シリカゲル層11aで脱水処理されて第1触媒層13aに供給され、第1触媒層13aの触媒に該ガス中の亜酸化窒素が吸着される。また、ステップS15では、ブロアP2、加熱装置12b,14b、16がそれぞれ作動している。シリカゲル層11bは、加熱装置12bにより110°C以上に加熱されているので、シリカゲルが吸着した水分の放出が行われる。第1触媒層13bは、ブロアP2から空気が導入され、加熱装置14bにより100~250°Cに加熱されているので、触媒が吸着した亜酸化窒素が脱離して、ブロアP2によって導入される空気と共に配管L15b,L17bを通って、第2触媒層15に送られる。第2触媒層15は、加熱装置16により350~500°Cに加熱されているので、第1触媒層13bから送られてくるガス中の亜酸化窒素を還元して分解し、配管L18から排ガス系へ排出する。次に、開閉弁V11を開弁してから所定時間経過したのちステップS16、ステップS13に戻り、上述したステップS13~S16の処理を、出力停止信号が入力されるまで行う。この実施形態の亜酸化窒素含有ガス処理装置は、亜酸化窒素の吸着工程と、亜酸化窒素の還元工程とをそれぞれ別の触媒層で行うことができるので、触媒が激しい温度変動に曝され難く、各触媒層に充填された触媒の損傷やシンタリングを抑制して、長期にわたって安定した処理を行うことができる。また、触媒の交換頻度を低減できるので、メンテナンス性に優れる。[測定条件]触媒の亜酸化窒素吸着量及び脱離量の測定容器に触媒を充填した状態で試料ガスを流通して得られる波過曲線と、容器に触媒を充填していない状態で試料ガスを流通して得られる波過曲線と差分により、触媒の亜酸化窒素の吸着量及び脱離量を求めた。<ゼオライトの種類及び担持金属による触媒性能の影響についての評価>試験例1下記表1に示す触媒0.3gを流通管に充填した。そして、該流通管触媒層にArガスを導入し、触媒をArガス雰囲気下で、500°Cで1時間焼成したのち、触媒温度を40°Cに調整した。次に、流通ガスを試料ガス亜酸化窒素を1.02含有するArガスに切り替え、該試料ガスを流量30cc/min、0.5時間流通して、触媒が吸着した亜酸化窒素の吸着量q1=総吸着量を測定した。次に、流通ガスをArガスに切り替え、Arガスを0.5時間流通して、触媒から脱離した亜酸化窒素の脱離量q2=物理的吸着量を測定した。そして、吸着量q1の値から、脱離量q2の差分を求めて、触媒が化学的に吸着した亜酸化窒素の吸着量q3=化学的吸着量を求めた。次に、流通ガスをArガスにした状態で、5°C/minの昇温速度で触媒を500°Cまで昇温し、500°Cで0.5時間保持した後、触媒から脱離した亜酸化窒素の脱離量q4を測定した。また、触媒を昇温後の出口ガス中の亜酸化窒素濃度をガスクロマトグラフィー質量分析計で計測し積算して測定し、亜酸化窒素転換率を求めた。上記結果を表1、図5,6に記す。表1に示すように、ベータ型ゼオライト及びモルデナイト型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒試験例1-1,1-6は、40°Cの温度下における亜酸化窒素の吸着量が多く総吸着量q1,化学吸着量q3、また、500°Cに加熱することで、触媒が吸着した亜酸化窒素がほぼ完全に脱離するので、触媒を繰り返し使用できることが分かる。また、図5,6に示すように、ベータ型ゼオライト及びモルデナイト型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒試験例1-1,1-6を350°C以上に加熱することで、亜酸化窒素転換率が向上しており、触媒が吸着した亜酸化窒素をほぼ完全に分解して、触媒から脱離していることが分かる。<触媒の水蒸気による影響についての評価>試験例2ベータ型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒0.3gを流通管に充填して触媒層とした。また、触媒層の前段に、シリカゲル1.0gを充填した流通管シリカゲル層を配置した。そして、触媒層にArガスを導入し、触媒をArガス雰囲気下で、500°Cで1時間焼成したのち、触媒温度を40°Cに調整した。次に、流通ガスを試料ガス亜酸化窒素を1.02、水蒸気H2Oを3.6含有するArガスに切り替え、該試料ガスを、脱水層を通過させて触媒層へ、流量30cc/min、0.5時間流通した。次に、流通ガスをArガスに切り替え、Arガスを0.5時間流通した。次に、流通ガスをArガスにした状態で、5°C/minの昇温速度で触媒を500°Cまで昇温し、触媒を昇温後の出口ガス中の亜酸化窒素濃度をガスクロマトグラフィー質量分析計で計測し積算して測定し、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図7に示す。試験例3試験例2において、シリカゲル層として、シリカゲル2.0gを充填した流通管を用いた以外は、試験例2と同様にして、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図7に示す。試験例4試験例2において、シリカゲル層を配置しない以外は試験例2と同様にして、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図7に示す。なお、前記試験例1-1の結果も併せて記す。図7に示すように、試験例1-1と、試験例2~4との比較から、水蒸気を含有する試料ガスを触媒層に流通させた場合、亜酸化窒素の分解性能が低下し、特に低温での分解効率に低下が認められた。そして、試験例2,3と、試験例4との比較から、水蒸気を含有する試料ガスを、シリカゲル層を通過させた後、触媒層に供給するようにしたことにより、亜酸化窒素の分解性能が大きく向上した。<亜酸化窒素濃度による触媒性能に対する影響についての評価>試験例5モルデナイト型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒0.3gを流通管に充填した。そして、該流通管触媒層にArガスを導入し、触媒をArガス雰囲気下で、500°Cで1時間焼成したのち、触媒温度を40°Cに調整した。次に、流通ガスを、表2に示す亜酸化窒素濃度のArガス試料ガスに切り替え、試験例1と同様にして、亜酸化窒素の総吸着量q1、物理吸着量q2、化学吸着量q3、亜酸化窒素転換率を測定した。結果を表2及び図8に示す。上記結果より、亜酸化窒素が低濃度であると触媒の亜酸化窒素吸着量は減少するが、亜酸化窒素転換率は、亜酸化窒素が低濃度であってもほとんど変化はなかった。このため、処理対象のガス中の亜酸化窒素が低濃度であっても、問題無く処理できることが分かる。<触媒の空気による影響についての評価>試験例6モルデナイト型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒1.0gと、アルミナ系セラミックス商品名:ファインカタロイド特殊品、日揮触媒化成製1.0gと、水1.0gとを混合し、押出成形した後、風乾したのち、空気中、550°Cで2時間焼成して、平均粒径5~10mmの触媒成型体を製造した。上記触媒成型体0.6g触媒量として0.3gに相当を流通管に充填し、試験例1と同様にして、触媒成型体の亜酸化窒素転換率を測定した。また、触媒成型体の製造に用いたアルミナ系セラミックス0.3gを流通管に充填し、同様にして、アルミナ系セラミックスの亜酸化窒素転換率を測定した。結果を図9に示す。なお、図9には対照として、試験例1-6の結果を併せて記す。上記結果より、この触媒は、成型加工して触媒成型体としても、触媒性能は殆ど変わらず良好であった。試験例7モルデナイト型ゼオライトにコバルトを担持させた触媒0.3gを流通管に充填して触媒層とした。そして、触媒層にArガスを導入し、触媒をArガス雰囲気下で、500°Cで1時間焼成したのち、触媒温度を40°Cに調整した。次に、流通ガスを、亜酸化窒素を1.04質量含有するArガス流量3cc/minと、空気流量27cc/minとの混合ガスからなる試料ガスに切り替え、流量30cc/min、0.5時間流通した。次に、流通ガスをArガスに切り替え、Arガスを0.5時間流通した。次に、流通ガスをArガスにした状態で、5°C/minの昇温速度で触媒を500°Cまで昇温し、触媒を昇温後の出口ガス中の亜酸化窒素濃度をガスクロマトグラフィー質量分析計で計測し積算して測定し、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図10に示す。なお、図10には、対照として試験例1-6の結果を併せて記す。試験例8試験例5で製造した触媒成型体0.6gを流通管に充填した触媒層を用いた以外は、試験例7と同様にして、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図10に示す。試験例9試験例8において、試料ガスを、亜酸化窒素を514ppm含有するArガス流量3cc/minと、空気流量27cc/minとの混合ガスとした以外は、試験例9と同様にして、亜酸化窒素転換率を求めた。結果を図10に示す。図10に示されるように、空気共存下であっても、触媒性能は殆ど変わらず、亜酸化窒素を還元することができた。"