"基板上に形成される複数の層の各層毎に、ショット領域の合わせズレを測定するための測定用パターンが外周側に形成されたフォトマスクによって、複数のショット領域のそれぞれを順次露光する露光工程と、前記各層毎に、前記フォトマスクによって前記ショット領域に形成された前記測定用パターンの位置を検出する検出工程と、前記検出工程による検出結果に基づいて、前記各層毎に前記露光工程における露光条件の補正を行う補正工程とを含む半導体装置の製造方法。前記露光工程は、複数の基板に対して露光処理を順次行い、前記検出工程は、前記露光工程によって前記複数の基板に形成された前記測定用パターンの位置に基づいて、前記露光工程における前記フォトマスクの熱膨張によって生じる前記ショット領域の合わせズレを検出し、前記補正工程は、前記フォトマスクの熱膨張によって生じている場合、前記露光処理が行われる順番に応じて前記基板毎に露光条件の補正を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記検出工程は、前記フォトマスクの熱膨張によって生じる前記ショット領域の合わせズレを、前記基板に対する露光処理の数が増加するほど、前記ショット領域の合わせズレが増加する傾向にあるか否かによって判定することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記補正工程は、前記各層毎に、前記検出工程による検出が行われる度に前記露光工程における露光条件の補正を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。基板上に形成される複数の層の各層毎に、ショット領域の合わせズレを測定するための測定用パターンの位置を検出する検出工程と、前記検出工程によって検出された前記ズレ測定用パターンの位置に基づいて、前記各層毎に前記露光工程における露光補正値を算出する算出工程と、を含むことを特徴とする露光補正方法。本発明の一つの実施形態の目的は、歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法および露光補正方法を提供することである。実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。前記半導体装置の製造方法は、露光工程、検出工程および補正工程を含む。前記露光工程は、基板上に形成される複数の層の各層毎に、測定用パターンが外周側に形成されたフォトマスクによって、複数のショット領域のそれぞれを順次露光する。前記検出工程は、前記各層毎に、前記フォトマスクによって前記ショット領域に形成された前記測定用パターンの位置を検出する。前記補正工程は、前記検出工程によって検出された前記測定用パターンの位置に基づいて、前記各層毎に前記露光工程における露光条件の補正を行う。以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法および露光補正方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下では、半導体装置の製造方法を単に製造方法と記載する。第1の実施形態まず、第1の実施形態にかかる製造方法について、図1を用いて説明する。図1は、第1の実施形態にかかる製造方法の説明図である。第1の実施形態にかかる製造方法では、ステップアンドリピート方式の露光装置が用いられる。かかる露光装置は、フォトマスクレクチルを介して、半導体基板上のショット領域のそれぞれを順次露光する。そして、現像処理等を行うことによって、フォトマスクに形成されたパターン以下、マスクパターンと記載するが半導体基板上の各ショット領域に形成される。図1aは、このような露光処理が3層以上に対して行われるショット領域10の配列の模式図である。図1aに示すように、ショット領域10のうち重複領域11には、ショット領域10の合わせズレ配列誤差を測定するための複数の合わせズレ測定用パターン20,30,40が形成される。合わせズレ測定用パターン20,30,40は、ショット領域10に対するマスクパターンの転写精度を検出するためのパターンである。重複領域11は、隣接するショット領域10同士が重なる領域であり、デバイス領域12の周囲に形成される。なお、図1aでは、各層に形成された合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置が分かるように各合わせズレ測定用パターン20,30,40を透かした状態で模式的に表している。合わせズレ測定用パターン20は、大きさの異なる矩形状パターン21,22が互いに対向した位置に形成される。具体的には、合わせズレ測定用パターン20は、相対的に大きめの矩形状パターン21以下、主尺パターン21と記載すると、相対的に小さめの矩形状パターン22以下、副尺パターン22と記載するとにより形成される。かかる合わせズレ測定用パターン20は、重複領域11に対する2回の露光処理によって形成される。すなわち、合わせズレ測定用パターン20は、互いに隣接して一部の領域が重複する2つのショット領域10への露光処理によって、その重複する領域である重複領域11に形成される。そして、主尺パターン21の位置に対する副尺パターン22の位置のズレ量以下、合わせズレ量と記載するを検出した後、かかる検出結果に基づいて、露光装置による各ショット領域10への転写精度を判断し、露光装置の露光条件を補正する。すなわち、合わせズレ量が低減する露光条件となるように露光装置の露光条件を補正する。これにより、各ショット領域10への転写精度を向上させることができる。なお、合わせズレ測定用パターン30,40も合わせズレ測定用パターン20と同様の構成であり、合わせズレ測定用パターン20の場合と同様に、合わせズレ測定用パターン30,40の合わせズレ量を検出し、露光装置の露光条件を補正する。上記補正対象となる露光条件は、たとえば、フォトマスクに形成されたパターンの半導体基板上への結像特性である。かかる結像特性の補正には、フォトマスクのパターンを半導体基板上に投影する投影光学系のパラメータの設定がある。たとえば、投影光学系の半導体基板に対する光軸方向の距離に関するパラメータや投影光学系の光軸方向に直交する二方向のそれぞれに関する傾きに関するパラメータがある。また、ショット領域に対する像面湾曲に関するパラメータ、ショット領域に対する像面倍率に関するパラメータ、ショット領域に対する光軸周りの回転に関するパラメータなどがある。ここで、合わせズレ量の検出は、全ての層を形成した後に行うようにしてもよく、また、各層毎にそれぞれ露光した後に行うようにしてもよい。各層毎にそれぞれ露光した後に合わせズレ量の検出を行う場合、露光処理および現像処理によってレジストパターンに形成される合わせズレ測定用パターン20,30,40を検出対象とすることができる。また、全ての層を形成した後や各層毎にそれぞれ露光した後に合わせズレ量の検出を行う場合、レジストパターンを用いた選択的なエッチングやイオン注入の後に半導体基板W上に形成される合わせズレ測定用パターン20,30,40を検出対象とすることができる。かかる合わせズレ量の検出は、SEMScanningElectronMicroscope式測定機、光学式測定機、SEM、AFMAtomicForceMicroscope、FIBFocusedIonBeam等の断面測定機を用いて行うことができる。また、各合わせズレ測定用パターン20,30,40は、たとえば、OPCOpticalProximityCorrectionやMDPMaskDataPreparation等のシミュレーションまたは手書きによって作成することができる。図1bは、図1aに示す領域13の拡大図上図およびI-I線断面図下図を模式的に表した図である。図1bに示すように、ショット領域10のうち重複領域11には、半導体基板W上に形成された第1層L1~第3層L3にそれぞれ合わせズレ測定用パターン20,30,40が形成される。そして、第1層L1~第3層L3のそれぞれの合わせズレ測定用パターン20,30,40について、合わせズレ量を検出し、各層L1~L3毎に露光装置の露光条件を補正する。すなわち、露光処理によって第1層L1に形成された合わせズレ測定用パターン20から検出された合わせズレ量に基づいて、第1層L1に対する露光条件を補正する。また、露光処理によって第2層L2に合わせ形成された合わせズレ測定用パターン30から検出された合わせズレ量に基づいて第2層L2に対する露光条件を補正する。さらに、露光処理によって第3層L3に形成された合わせズレ測定用パターン40から検出された合わせズレ量に基づいて、第3層L3に対する露光条件を補正する。このように、第1の実施形態にかかる製造方法では、露光処理を行う各層に対して合わせズレ測定用パターン20,30,40を形成し、各層毎に露光装置の露光条件を補正する。そのため、層間のパターンの重ね合わせをより精度よく行うことが可能となり、歩留まりを向上させることができる。たとえば、第1~第3層のそれぞれに層間の重ね合わせを検出するためのパターン以下、層間測定用パターンと記載するを用いて、各層毎に露光装置の露光条件を補正した場合、設計値に対するズレ量が上層のパターンほど大きくなる。これは、ズレ量を有する第1層の層間測定用パターンに対して第2層の層間測定用パターンの位置合わせが行われ、さらにこの第2層の層間測定用パターンに対して第3層の層間測定用パターンの位置合わせが行われて、ズレ量が累積するためである。一方、第1の実施形態にかかる製造方法では、露光処理を行う各層L1~L3に対して合わせズレ測定用パターン20,30,40を形成し、各層L1~L3において合わせズレ量を検出することになる。そのため、下層のパターンのズレ量に依存せず、層間のパターンの重ね合わせをより精度よく行うことができる。また、合わせズレ測定用パターン20,30,40は重複領域11のうちダイシングラインとなる部分に形成されることから、チップ領域の妨げとなることがない。なお、重複領域11のうちダイシングラインとならない部分に合わせズレ測定用パターン20,30,40を形成するようにしてもよい。以下、第1の実施形態にかかる製造方法について、さらに具体的に説明する。なお、以下においては、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorを備える半導体装置を製造する例を挙げて説明する。また、AAアクティブ層Laaが上記第1層に対応し、GCゲート層Lgcが上記第2層に対応し、CSホール層Lcsが上記第3層に対応する。図2は、第1の実施形態にかかる製造方法の手順を示す図、図3は、ショット領域10の配列の模式図、図4は、各層を形成するフォトマスクの構成を示す模式図である。図2に示すように、第1の実施形態にかかる製造方法では、半導体基板Wたとえば、シリコンウェハ上にAA層Laaを形成するステップS10。半導体基板Wには、図3に示すように、露光処理の単位であるショット領域10が配列される。なお、ショット領域10には、隣接するショット領域10と重複する重複領域11図1a参照がある。また、ショット領域10は、複数個のチップ形成領域を有する。たとえば、ショット領域10には、3行×3列で配列されたチップ形成領域がデバイス領域12図1a参照として含まれる。ステップS10では、AA層Laaを形成するために、まず、半導体基板W上にレジストを塗布し、AA層Laa用フォトマスクを用いた露光処理および現像処理を行う。具体的には、AA層Laa用フォトマスクによる半導体基板W上の露光位置を順次移動させつつ露光処理を行い、ショット領域10の全ての露光処理が終了した後に、現像処理を行う。これにより、AA層Laa用のレジストパターンが形成され、かかるレジストパターンをマスクとしてイオン注入装置により不純物を注入することによって、半導体基板Wに不純物層を形成する。図4aに示すように、AA層用フォトマスク50は、右側および下側の重複領域11に対応する位置に主尺パターン51が形成され、左側および上側の重複領域11に対応する位置に副尺パターン52が形成される。また、AA層用フォトマスク50には、重複領域11に対応する位置に層間測定用パターン53が形成されている。かかる層間測定用パターン53は、AA層LaaとGC層Lgcとの重ね合わせ精度を検出するために設けられている。なお、図示していないが、AA層用フォトマスク50には、デバイス領域12に対応する位置に複数のチップのパターンが形成される。たとえば、3行×3列で配列されたチップのパターンがデバイス領域12に対応する位置に形成される。このように形成されたAA層用フォトマスク50によって、半導体基板W上の領域が露光されて現像された様子を図5に示す。図5に示す例では、説明を分かり易くするために、半導体基板W上に形成される複数のショット領域10のうち、2行×2列で配列される4つのショット領域10を示している。図5に示すように、AA層Laaにおいて、各ショット領域10の重複領域11には、主尺パターン21と副尺パターン22とによって合わせズレ測定用パターン20が形成される。かかる主尺パターン21と副尺パターン22との位置関係によって合わせズレ量を検出することができる。なお、主尺パターン21は主尺パターン51によって形成され、副尺パターン22は副尺パターン52によって形成される。次に、AA層Laaの合わせズレ成分を検出する図2に示すステップS11。すなわち、ステップS10において露光および現像された各ショット領域10間の合わせズレ成分を検出する。合わせズレ成分の検出は、たとえば、次のように行われる。図6は、主尺パターン21と副尺パターン22の位置関係の一例を示す模式図である。まず、重なり合う関係にある主尺パターン21と副尺パターン22との距離Xa,Xb,Ya,Ybを測定する。そして、X方向のパターンの合わせズレ量XdをXa-Xbとし、Y方向のパターンの合わせズレ量YdをYa-Ybとする。そして、合わせズレ測定用パターン20毎に検出された合わせズレ量Xd,Ydに基づいて、設計値に対する各ショット領域10の合わせズレ成分を検出する。合わせズレ成分には、回転誤差成分θR、X方向倍率誤差成分Mx、Y方向倍率誤差成分My、および直交度誤差成分θoなどがあり、これらのうち一つ以上の誤差成分によって、ショット領域10の合わせズレ成分が形成される。なお、ここでは、合わせズレ測定用パターン20をショット領域10毎に配置することによって、ショット領域10の合わせズレ成分を検出することとしたが、これに限定されるものではない。たとえば、合わせズレ測定用パターン20を一部のショット領域10に配置して、ショット領域10の合わせズレ成分を検出することもできる。また、合わせズレ測定用パターン20を半導体基板W上にランダムに配置し、これらの合わせズレ測定用パターン20に基づいてショット領域10の合わせズレ成分を検出することもできる。図7は合わせズレを構成する各成分を模式的に示した図である。図7に示すように、回転誤差成分θRは、各ショット領域10の中心を軸とする回転方向の誤差、X方向倍率誤差成分Mxは、設計値に対するX方向の誤差、Y方向倍率誤差成分Myは、設計値に対するY方向の誤差、直交度誤差成分θoは、設計値に対する直交度の誤差である。なお、設計値とは、たとえば、GDSGraphicDataSystemに基づく値である。なお、上述においては、AA層用フォトマスク50に基づく露光処理および現像処理によってレジストパターンに形成される合わせズレ測定用パターン20を検出対象として、設計値に対する各ショット領域10の合わせズレ成分を検出するが、これに限定されるものではない。たとえば、AA層Laaにおいて、イオン注入によって形成された不純物層によって形成された合わせズレ測定用パターン20に基づいて設計値に対する各ショット領域10の合わせズレ成分を検出するようにしてもよい。次に、上述のように形成されたAA層Laa上にGC層Lgcを形成する図2に示すステップS12。GC層Lgcを形成するために、まず、半導体基板W上にゲート絶縁膜およびポリシリコンを順に形成した後、ポリシリコン上にレジストを塗布する。その後、GC層用フォトマスクを用いた露光処理および現像処理を行う。具体的には、GC層用フォトマスクによる半導体基板W上の露光位置を順次移動させつつ露光処理を行い、ショット領域10の全ての露光処理が終了した後に、現像処理を行う。これにより、GC層Lgc用のレジストパターンが形成される。その後、GC層Lgc用のレジストパターンを用いてポリシリコンおよびゲート絶縁膜を選択的に除去してGC層Lgcを形成する。図4bに示すように、GC層用フォトマスク60は、右側および下側の重複領域11に対応する位置に主尺パターン61が形成され、左側および上側の重複領域11に対応する位置に副尺パターン62が形成される。また、GC層用フォトマスク60には、層間測定用パターン63が形成される。かかる層間測定用パターン63は、GC層LgcおよびCS層Lcsとの重ね合わせ精度を検出するために設けられ、層間測定用パターン53と層間測定用パターン63とにより、AA層Laaに対するGC層Lgcの位置ズレが検出される。かかる検出方法は、合わせズレ測定用パターン20,30,40と同様である。そして、AA層Laaに対するGC層Lgcの位置ズレに基づいて、露光条件が補正される。なお、図示していないが、GC層用フォトマスク60には、AA層用フォトマスク50と同様に、デバイス領域12に対応する位置に複数のチップのパターンが形成される。このように形成されたGC層用フォトマスク60によって、半導体基板W上の領域が露光されて現像された様子を図8に示す。図8に示すように、GC層Lgcにおいて、各ショット領域10の重複領域11には、合わせズレ測定用パターン30が形成される。合わせズレ測定用パターン30は、主尺パターン61図4b参照による主尺パターンと副尺パターン62図4b参照による副尺パターンとが重なり合ったものである。かかる合わせズレ測定用パターン30の主尺パターンと副尺パターンとの位置関係によって合わせズレ量を検出することができる。なお、図8では、AA層Laaに形成された合わせズレ測定用パターン20の位置が分かるように合わせズレ測定用パターン20を透かした状態で模式的に表している。次に、GC層Lgcの合わせズレ成分を検出する図2に示すステップS13。すなわち、ステップS12において露光および現像された各ショット領域10間の合わせズレ成分を検出する。合わせズレ成分の検出は、AA層Laaにおける処理図2に示すステップS11の処理と同様の処理である。このようにGC層Lgcにおけるショット領域10の合わせズレ成分を検出した後、層間絶縁膜等を形成して、GC層Lgcの形成を終了する。なお、上述においては、GC層Lgcにおいて、ポリシリコンおよびゲート絶縁膜によって形成された合わせズレ測定用パターン30に基づいて設計値に対する各ショット領域10の合わせズレ成分を検出したがこれに限定されるものではない。たとえば、GC層用フォトマスク60に基づく露光処理および現像処理によってレジストパターンに形成される合わせズレ測定用パターン30を検出対象として、設計値に対する各ショット領域10の合わせズレ成分を検出することもできる。次に、上述のように形成されたGC層Lgc上にCS層Lcsを形成する図2に示すステップS14。CS層Lcsを形成するために、まず、GC層Lgc上にメタル層および絶縁膜を順次形成した後、絶縁膜上にレジストを塗布し、CS層用フォトマスクを用いた露光処理および現像処理を行う。具体的には、CS層用フォトマスクによる半導体基板W上の露光位置を順次移動させつつ露光処理を行い、ショット領域10の全ての露光処理が終了した後に、現像処理を行う。これにより、CS層Lcs用のレジストパターンが形成される。図4cに示すように、CS層用フォトマスク70は、右側および下側の重複領域11に対応する位置に主尺パターン71が形成され、左側および上側の重複領域11に対応する位置に副尺パターン72が形成される。また、CS層用フォトマスク70には、層間測定用パターン73が形成される。かかる層間測定用パターン73は、GC層LgcとCS層Lcsとの重ね合わせ精度を検出するために設けられ、層間測定用パターン63と層間測定用パターン73とにより、GC層Lgcに対するCS層Lcsの位置ズレが検出される。かかる検出方法は、合わせズレ測定用パターン20,30,40と同様である。そして、GC層Lgcに対するCS層Lcsの位置ズレに基づいて、露光条件が補正される。なお、図示していないが、CS層用フォトマスク70には、他のフォトマスク50,60と同様に、デバイス領域12に対応する位置に複数のチップのパターンが形成される。このように形成されたCS層用フォトマスク70によって、半導体基板W上の領域が露光されて現像された様子を図9に示す。図9に示すように、CS層Lcsにおいて、各ショット領域10の重複領域11には、合わせズレ測定用パターン20,30と同様に、合わせズレ測定用パターン40が形成される。合わせズレ測定用パターン40は、主尺パターン71図4c参照による主尺パターンと副尺パターン72図4c参照による副尺パターンとが重なり合ったものである。かかる合わせズレ測定用パターン40の主尺パターンと副尺パターンとの位置関係によって合わせズレ量を検出することができる。なお、図9では、AA層LaaおよびGC層Lgcに形成された合わせズレ測定用パターン20,30の位置が分かるように合わせズレ測定用パターン20,30を透かした状態で模式的に表している。次に、CS層Lcsの合わせズレ成分を検出する図2に示すステップS15。すなわち、ステップS14において露光された後現像された各ショット領域10間の合わせズレ成分を検出する。合わせズレ成分の検出は、AA層LaaやGC層Lgcにおける処理ステップS11,S13の処理と同様に行われる。ステップS15の処理が終了すると、1ロットの半導体基板Wに対する処理が終了したか否かを判定するステップS16。たとえば、1ロットが100枚の半導体基板Wから構成される場合、100枚の半導体基板Wに対してステップS10~S15の処理が行われたか否かを判定する。1ロットの半導体基板Wに対する処理が終了していない場合ステップS16:No、残りの半導体基板Wに対してステップS10~S15の処理を繰り返す。一方、1ロットの半導体基板Wに対する処理が終了した場合ステップS16:Yes、各層のズレ成分に基づいて、各層の露光条件を設定するステップS17。すなわち、今回のロットに対して適用された露光条件に対して、各層のズレ成分に基づいた補正を行って、次のロットに対して適用する各層の露光条件を設定する。具体的には、主に回転誤差成分θR、X方向倍率誤差成分Mx、Y方向倍率誤差成分My、および直交度誤差成分θoなどが許容値になるように露光条件の補正を行う。なお、誤差成分の補正は、たとえば、露光装置を構成する光学系のパラメータなどを変更することによって行うことができる。このように、第1の実施形態にかかる製造方法では、1ロットの各半導体基板Wに対して順次行った各層の合わせズレ成分の検出に基づいて、各層の露光条件を設定するため、次回以降のロットに対して適切な露光条件で露光処理を行うことができる。そのため、デザインルールの微細化によって合わせズレ成分の影響が大きくなる層間のパターンの重ね合わせをより精度よく行うことが可能となり、歩留まりを向上させることができる。ところで、上述のように、1ロットの各半導体基板Wに対して順次行った各層の合わせズレ成分を検出することで、図10に示すように、処理する半導体基板Wの枚数が増加する程、各層の合わせズレ量が大きくなる傾向となる場合がある。図10は、同一ロット内における各半導体基板Wの合わせズレ量の一例を示す図である。かかる傾向は、露光によってフォトマスクが膨張するために発生する。たとえば、図11に示すように、AA層Laaの露光処理において、AA層用フォトマスク50が露光装置の固定部材80によりX方向の面が固定されて保持される場合を考える。この場合、露光装置において露光を行うことによって光の一部がAA層用フォトマスク50に当たってAA層用フォトマスク50が発熱して膨張する。AA層用フォトマスク50のX方向の面は固定されているため、AA層用フォトマスク50はY方向に膨張する。かかる膨張度合いは、AA層用フォトマスク50への照射量に応じて増加するため、図10に示すように、処理する半導体基板Wの枚数が増加する程、各層の合わせズレ量が大きくなる傾向となる。特に、被覆率の高いフォトマスクでは光を吸収する割合が高いため発熱量が大きく、また、露光量の高い場合にもフォトマスクへの照射量が増加することから熱膨張割合が高い。そのため、これらの場合には、ロット内の半導体基板W間でフォトマスク膨張による変化量が大きくなる。そこで、1ロットの各半導体基板Wに対して順次行った各層の合わせズレ成分を検出し、図10に示す合わせズレ量の傾向を検出することにより、ステップS17において、検出した合わせズレ量の傾向に基づいて合わせズレ量が低減するように各層の露光条件を設定する。具体的には、合わせズレ測定用パターン20の位置に基づいて検出された倍率誤差成分の情報を、半導体基板Wの露光順番に対応させて記憶手段に記憶する。そして、記憶手段に記憶された所定方向の倍率誤差成分の情報が露光順番の増加に伴って増加する傾向にある場合、AA層用フォトマスク50の熱膨張によって生じるショット領域10の合わせズレであると判定する。そして、記憶手段に記憶された倍率誤差成分の情報に基づいて、倍率誤差成分を低減するように露光条件を補正する。たとえば、100枚の半導体基板Wを1ロットとすると、これらの半導体基板Wのうち、最初に露光される半導体基板Wの露光順番は、1番となり、最後に露光される半導体基板Wの露光順番は100番となる。したがって、上記記憶手段には、倍率誤差成分の情報と半導体基板Wの露光順番の情報とが関連付けて記憶される。そして、露光順番毎に露光条件の補正値露光補正値を演算し、かかる露光補正値によって露光条件の補正が行われる。これにより、AA層用フォトマスク50の熱膨張による合わせズレを精度よく補正することができる。このことは、GC層用フォトマスク60およびCS層用フォトマスク70についても同様である。このように、各層の露光条件が各層に形成される合わせズレ測定用パターン20,30,40に基づいて補正されることから、下層パターンにおける合わせズレの影響とは無関係に各層の露光条件を補正することが可能となる。図12に各層の露光条件が各層に形成される合わせズレ測定用パターン20,30,40に基づいて補正した場合の合わせズレ量を示す。図12に示すように、第1の実施形態にかかる製造方法では、図10に示す場合に比べて各層の合わせズレ量を大幅に低減することができる。以上のように、第1の実施形態にかかる製造方法では、各層Laa,Lgc,Lcsに、合わせズレ測定用パターン20,30,40が外周側に形成されたフォトマスク50,60,70によって、複数のショット領域10のそれぞれを順次露光する。そして、各層Laa,Lgc,Lcsにショット領域10に形成された合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置を検出し、合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置に基づいて、各層Laa,Lgc,Lcs毎に露光工程の露光条件の補正を行う。そのため、デザインルールの微細化によって合わせズレ成分の影響が大きくなる層間のパターンの重ね合わせをより精度よく行うことが可能となり、歩留まりを向上させることができる。なお、上述の例では、主尺パターンおよび副尺パターンを矩形状パターンとしたが、ショット領域10の合わせズレを測定できるものであればよく、主尺パターンおよび副尺パターンの形状はこれに限定されない。たとえば、主尺パターンおよび副尺パターンの形状を円形や多角形にしてもよい。また、上述の例では、フォトマスクの熱膨張に伴って発生する合わせズレについて説明したが、その他の要因で発生する合わせズレに対しても同様にその合わせズレ量を低減することができる。また、上述の例では、1ロットの半導体基板Wの合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置に基づいて、露光条件の補正を行うこととしたが、これに限定されるものではない。たとえば、複数のロットについて検出した半導体基板Wの合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置に基づいて、露光条件の補正を行うようにしてもよい。たとえば、露光によるフォトマスクの膨張による合わせズレに対しては、複数のロットについて検出した半導体基板Wの合わせズレ測定用パターン20,30,40の位置から、ロット内における露光順番毎に合わせズレ量の平均値を算出し、かかる算出結果に基づいて露光条件の補正を行うようにしてもよい。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる製造方法について説明する。第2の実施形態にかかる製造方法では、ロット単位ではなく半導体基板W単位で合わせズレ量を検出した結果に基づいて露光条件の補正を行う点で第1の実施形態にかかる製造方法と異なる。図13は第2の実施形態にかかる製造方法の手順を示す図である。図13に示すように、第2の実施形態にかかる製造方法では、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にAA層Laaを形成しステップS20、その後、AA層Laaにおけるショット領域10の合わせズレ成分を検出するステップS21。そして、検出されたショット領域10の合わせズレ成分に基づいて、AA層Laaの露光条件が設定されるステップS22。かかる露光条件は、次の半導体基板Wの露光処理に用いられる。次に、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にGC層Lgcを形成しステップS23、その後、GC層Lgcにおけるショット領域10の合わせズレ成分を検出するステップS24。そして、検出されたショット領域10の合わせズレ成分に基づいて、GC層Lgcの露光条件が設定されるステップS25。かかる露光条件は、次の半導体基板Wの露光処理に用いられる。次に、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にCS層Lcsを形成しステップS26、その後、CS層Lcsにおけるショット領域10の合わせズレ成分を検出するステップS27。そして、検出されたショット領域10の合わせズレ成分に基づいて、CS層Lcsの露光条件が設定されるステップS28。かかる露光条件は、次の半導体基板Wの露光処理に用いられる。以上のように、第2の実施形態にかかる製造方法では、半導体基板W単位で合わせズレ量を検出する度に露光条件の補正を行う。そのため、様々な合わせズレ傾向を有する要因などに対して対応することができ、これにより、各層の合わせズレ量を低減して層間のパターンの重ね合わせをより精度よく行うことが可能となる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。たとえば、上述の実施形態においては、3層以上の露光処理について説明したが、これに限定されるものではなく、2層の露光処理であってもよい。"