"厚み方向の一表面側に信号線が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置されたフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された可動部形成基板と、前記信号線を囲むシールド構造部とを備え、前記可動部形成基板が、前記ベース基板の前記一表面に当接する支点突起が一体に設けられ前記ベース基板に揺動自在に支持される可動部と、前記可動部における前記ベース基板側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記信号線に設けられた固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部形成基板は、前記可動部と前記接点保持部とが第1半導体基板を用いて形成され、前記フレーム部は、前記第1半導体基板に比べて抵抗率の低い第2半導体基板を用いて形成され、前記シールド構造部において前記ベース基板に形成された前記第1シールド部に電気的に接続される第2シールド部を兼ねていることを特徴とするMEMSリレー。前記カバー基板は、前記第1半導体基板に比べて抵抗率の低い第3半導体基板を用いて形成されてなり、前記シールド構造部において前記第2シールド部に電気的に接続される第3シールド部を兼ねていることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記フレーム部と前記カバー基板とは、前記第2半導体基板と前記第3半導体基板との互いの対向面に形成された金属層同士を介して接合されてなることを特徴とする請求項2記載のMEMSリレー。前記カバー基板は、前記フレーム部とともに前記第2半導体基板を用いて形成されてなることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。上述の配線構造を備えたマイクロリレーでは、高周波特性を向上させることが可能となる。しかしながら、接地線路500を構成するために、ベース100に形成される5つの導電部510~514と、カバー300に形成される1つの導電部517とを電気的に接続するために、機能部200に2つの導電部515,516を形成する必要があり、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなってしまう。また、特許文献1のマイクロリレーでは、ベース100を厚み方向に貫通する貫通孔配線114と、フレーム220を厚み方向に貫通する貫通孔配線226と、カバー300を厚み方向に貫通する貫通孔配線334とで構成される配線路700を形成する必要があり、これによっても、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなってしまう。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に信号線が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置されたフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された可動部形成基板と、前記信号線を囲むシールド構造部とを備え、前記可動部形成基板が、前記ベース基板の前記一表面に当接する支点突起が一体に設けられ前記ベース基板に揺動自在に支持される可動部と、前記可動部における前記ベース基板側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記信号線に設けられた固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部形成基板は、前記可動部と前記接点保持部とが第1半導体基板を用いて形成され、前記フレーム部は、前記第1半導体基板に比べて抵抗率の低い第2半導体基板を用いて形成され、前記シールド構造部において前記ベース基板に形成された前記第1シールド部に電気的に接続される第2シールド部を兼ねていることを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記カバー基板は、前記第1半導体基板に比べて抵抗率の低い第3半導体基板を用いて形成されてなり、前記シールド構造部において前記第2シールド部に電気的に接続される第3シールド部を兼ねていることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記フレーム部と前記カバー基板とは、前記第2半導体基板と前記第3半導体基板との互いの対向面に形成された金属層同士を介して接合されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記カバー基板は、前記フレーム部とともに前記第2半導体基板を用いて形成されてなることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。実施形態1以下、本実施形態のMEMSリレーについて図1~図5を参照しながら説明する。MEMSリレーは、ベース基板1と、ベース基板1の厚み方向の一表面側に対向配置されたカバー基板3と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置されたフレーム部5と、フレーム部5の内側に配置された可動部形成基板2とを備えている。また、MEMSリレーは、ベース基板1に形成された収納部16に収納された電磁石装置4と、後述の信号線13を囲むシールド構造部6とを備えている。このMEMSリレーは、可動部形成基板2に設けられた磁性体板からなるアーマチュア24を電磁石装置4によって動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側の信号線13に設けられた固定接点14と可動部形成基板2に設けられた可動接点27とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1とフレーム部5とカバー基板3との外形サイズを、同じ値に設定してある。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる基板10を用いて形成されている。基板10は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。基板10として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述のベース基板1は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、ベース基板1の上記一表面側において基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13それぞれの一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13それぞれの他端部が、基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15と電気的に接続されている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができる。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1において上述の貫通孔配線15が内側に設けられた貫通孔12図5参照は、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線15は、貫通孔12の内面に沿って形成されベース基板1の上記一表面側において貫通孔12を閉塞している。また、ベース基板1は、上述のように電磁石装置4を収納する収納部16が形成されている。ここで、ベース基板1は、基板10の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入される開口部17が形成されている。また、ベース基板1は、基板10における可動部形成基板2側の一表面側に、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間が収納部16を構成している。これにより、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と可動部形成基板2のフレーム部21とカバー基板3とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部18の材料としては、Siを採用している。蓋体部18の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。上述の開口部17は、基板10の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板1は、可動部形成基板2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、基板10の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部17および貫通孔12は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、ヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを備えている。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、コイル巻回部40aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。そして、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を備えている。しかして、電磁石装置4は、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。上述の電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、この電磁力によって、矩形板状のアーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石41は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、上述の電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。しかして、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板43を備えており、プリント基板43の導体パターン図示せずを介してコイル42,42へ励磁電流が流れるようになっている。コイル42,42は、励磁電流を流したときにヨーク40の両側片40b,40bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。可動部形成基板2は、高抵抗率の第1のシリコン基板からなる第1半導体基板20を用いて形成された後述の可動部23を備えている。第1のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。第1半導体基板20は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよい。なお、各シリコン層は、上述の高抵抗率のシリコン基板と同様に、抵抗率が高いことが好ましい。可動部形成基板2は、ベース基板1の上記一表面に当接する支点突起23cを有しベース基板1に揺動自在に支持される可動部23を備えている。また、可動部形成基板2は、可動部23におけるベース基板1側に配置され電磁石装置4とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュア24と、アーマチュア24の中央部との間に可動部23を挟んで配置されたプレート25とを有している。また、可動部形成基板2は、可動部23に支持されアーマチュア24の揺動に伴って一対の固定接点14に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28を有している。アーマチュア24を構成する磁性体板の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。また、プレート25の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。プレート25は、可動部23の厚み方向に貫通した貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。プレート25をアーマチュア24に溶接するにあたっては、可動部23の一面側にアーマチュア24を配置し他面側にプレート25を配置した状態で、プレート25において貫通孔29に対応する部分にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてアーマチュア24に溶接させるようにしている。要するに、プレート25は、アーマチュア24にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、YAGレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート25の材料に応じて適宜変更してもよい。可動部23には、上述の貫通孔29が2つ形成されている。これら2つの貫通孔29は、可動部23の長手方向の中央部において可動部23の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔29は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート25は、長手方向の寸法が、可動部23の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート25は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔29の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔29の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート25の短手方向の寸法は、可動部23の上記他面における貫通孔29の最大寸法可動部23の長手方向における貫通孔29の最大寸法よりも大きな値であればよい。そして、プレート25は、可動部23の各貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。要するに、プレート25は、アーマチュア24に2箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、2箇所に限定するものではない。ところで、可動部形成基板2は、可動部23とアーマチュア24とプレート25とを含む部分が、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、可動部23の上記一面におけるアーマチュア24の配置領域を規定し、可動部23の上記他面におけるプレート25の配置領域を規定している。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部23の重心とアーマチュア24およびプレート25各々の重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように設計してある。また、可動部形成基板2は、可動部23に、可動部23の上記一面から突設されアーマチュア24を位置決めする第1突起23g図3、図4参照と、可動部23の上記他面から突設されプレート25を位置決めする第2突起23f図2、図4参照とが一体に設けられている。第1突起23gの突出寸法は、第1突起23gがアーマチュア24の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア24の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア24の厚さ寸法が100μmの場合、第1突起23gの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2突起23fの突出寸法は、第2突起23fがプレート25の揺動範囲を狭めないように、プレート25の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート25の厚さ寸法が100μmの場合、第2突起23fの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、可動部形成基板2は、第1突起23gおよび第2突起23fの各々を複数備え、複数の第1突起23gが、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第2突起23fが、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、可動部形成基板2は、複数の第1突起23gが、アーマチュア24の外周に沿って配置され、複数の第2突起23fが、プレート25の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第1突起23gの数を8個、第2突起23fの数を6個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。ただし、第1突起23gは、可動部23の上記一面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第2突起23fは、可動部23の上記他面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。各第1突起23gおよび各第2突起23fは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第1突起23gは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第2突起23fは、全てが同じ形状である必要はない。また、第1突起23gについては、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第2突起23fについては、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第1突起23gは、アーマチュア24の規定の配置領域との間に所定の第1隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア24の配置が容易になるとともに、アーマチュア24の寸法公差などに起因してアーマチュア24を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第2突起23fは、プレート25の規定の配置領域との間に所定の第2隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート25の配置が容易になるとともに、プレート25の寸法公差などに起因してプレート25を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。可動部形成基板2は、可動部23の厚みがフレーム部5の厚みよりも薄く、アーマチュア24の厚み寸法を、可動部形成基板2がベース基板1に揺動自在に支持された状態においてアーマチュア24とベース基板1との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート25の厚み寸法は、可動部23とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。フレーム部5は、第2半導体基板50を用いて形成されている。本実施形態では、フレーム部5の厚さを200μm、可動部23の厚さを50μm、アーマチュア24の厚さを100μm、プレート25の厚さを100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、フレーム部5は、第2半導体基板50として第2のシリコン基板を用いる場合、第2のシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、第2半導体基板50の厚さ寸法および第1半導体基板20の厚さ寸法に基づいて、可動部23の厚さ、アーマチュア24の厚さ、およびプレート25の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア24の厚さ寸法は、電磁石装置4による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、可動部23およびプレート25それぞれの厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。また、第2半導体基板50としては、第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第2のシリコン基板低抵抗率のシリコン基板を用いている。要するに、フレーム部5は、第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第2半導体基板50を用いて形成されている。第2のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率が導体の抵抗率により近い方が好ましい。具体的には、抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましく、0.01Ωcm以下であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が低い方が好ましい。本実施形態のMEMSリレーでは、フレーム部5が、矩形枠状に形成され、可動部23が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア24は、可動部23よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート25は、長手方向の寸法が可動部23の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート25は、可動部23の長手方向の中央部において、プレート25の長手方向を可動部23の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート25の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。また、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。一方、フレーム部5は、このフレーム部5の内周面において可動部23の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片53aが1つずつ延設されている。すなわち、可動部形成基板2とフレーム部5とは、1対1で対応する第1突片23aと第2突片53aとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部23から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、凸部23bが形成されている。一方、フレーム部5から延設された各第2突片53aの各々の先端面には、凸部23bが入り込む凹部53bが形成されている。したがって、可動部形成基板2は、凸部23bが凹部53bの内周面に当接することにより、フレーム部5の厚み方向に直交する面内における可動部23の移動が規制される。可動部形成基板2は、可動部23の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、上述の支点突起23cが突設されている。この支点突起23cは、可動部23が当該可動部23に一体化されているアーマチュア24とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがベース基板1の上記一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、可動部形成基板2は、可動部23の4隅から当該可動部23の短手方向の両側に向かって矩形状の第3突片23dが延設され、各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面には、可動部23の揺動範囲を規制するストッパ部23e図3参照が形成されている。これらのストッパ部23eは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、可動部23の変位量を制限する。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24と蓋体部18とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア24や蓋体部18が破損するのを防止することが可能となる。また、可動部形成基板2は、可動部23の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、一対のばね部以下、接圧ばね部と称する26,26を介して可動部23に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の厚み方向において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。可動接点27は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点27は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点27は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、可動接点27の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。各接点保持部28の厚さ寸法は、フレーム部5の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部23の厚さ寸法よりも小さな値に設定してある。また、接点保持部28の厚み方向において重なる接点保持部28と可動接点27とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部23の長手方向に一致するように配置されている。各接圧ばね部26は、一端部が可動部23の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部26の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各接圧ばね部26の長さを適当な長さとして各接圧ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。可動部形成基板2は、ベース基板1およびカバー基板3に接合されたフレーム部5の内側に配置されてベース基板1の厚み方向に直交する方向へ移動がフレーム部5により規制され、ベース基板1の収納部16に収納されている電磁石装置4の電磁力によりベース基板1の厚み方向への移動が規制される。これにより、可動部形成基板2は、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図2において右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a図3参照、図2において左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27b図3参照と称することもある。可動部形成基板2は、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、可動部形成基板2の基礎となる第1半導体基板20として、上述のダブルSOI基板を用いれば、可動部23とベース基板1との距離をベース基板1側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、MEMSリレーは、可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが開放されている状態での可動接点27と一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となり、また、アーマチュア24と電磁石装置4との距離磁気ギャップ長を高精度に設定することが可能となる。上述のアーマチュア24およびプレート25については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。一方、可動部形成基板2は、アーマチュア24およびプレート25以外の構成要素を、マイクロマシニング技術などを利用して形成してある。つまり、可動部形成基板2の可動部23、第1突片23a、支点突起23c、接圧ばね部26、接点保持部28、第1突起23fおよび第2突起23gは、第1半導体基板20第1半導体基板20の基礎となるウェハを、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。また、カバー基板3は、第3半導体基板30を用いて形成されている。第3半導体基板30としては、第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第3のシリコン基板低抵抗率のシリコン基板を用いている。要するに、カバー基板3は、第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第3半導体基板30を用いて形成されている。第3のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率が導体の抵抗率により近い方が好ましい。具体的には、抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましく、0.01Ωcm以下であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が低い方が好ましい。カバー基板3は、可動部形成基板2との対向面に可動部23の揺動空間を確保する凹所31が形成されている。上述のシールド構造部6は、ベース基板1に設けられた第1シールド部61を備えている。また、本実施形態では、フレーム部5が、第1シールド部61に電気的に接続される第2シールド部62を兼ねており、カバー基板3が、第2シールド部62に電気的に接続される第3シールド部63を兼ねている。シールド構造部6は、第1シールド部61と第2シールド部62と第3シールド部63とで、信号線13の長さ方向に直交する断面において信号線13を囲んでいる。第1シールド部61は、ベース基板1の上記一表面側において信号線13の幅方向の両側で信号線13に並行する第1グランド配線61a,61aと、ベース基板1の厚み方向に貫設されて各第1グランド配線61aの各々に電気的に接続され信号線13に並行する第2グランド配線61bと、ベース基板1の他表面側において第2グランド配線61b同士を電気的に接続し信号線13に並行する第3グランド配線61cとを有している。ここで、第1グランド配線61aは、信号線13と同様に、基板10の上記一表面上に形成されている。第1グランド配線61aは、信号線13に並行するようにパターニングされた金属層例えば、Au層により構成されている。第1グランド配線61aの材料としては、Auを採用しているが、Auに限らず、例えば、Al、Cuなどを採用してもよい。また、第2グランド配線61bは、基板10の厚み方向に貫設された貫通孔11の内側に形成されている。第2グランド配線61bおよび第3グランド配線61cの材料としては、Cuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Ni、Auなどを採用してもよい。なお、上述の信号線13は、基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15を介して、基板10の上記他表面側の外部接続電極図示せずと電気的に接続されている。ベース基板1の第1シールド部61の形成にあたっては、まず、基板10の厚み方向に貫通する貫通孔11,12を基板10の他表面側からサンドブラスト法、レーザ加工法、エッチング法などにより形成する。その後、第2グランド配線61b、第3グランド配線61c、貫通孔配線15および外部接続電極の基礎となり貫通孔11,12を閉塞する金属材料例えば、Cu、Ni、Auなどからなる金属部を、基板10の貫通孔11,12の内面および基板10の上記他表面に、めっき法などにより形成する。その後、金属部のうち基板10の上記他表面側の不要部をエッチング除去することで、それぞれ金属部の一部からなる第2グランド配線61b、第3グランド配線61c、貫通孔配線15および外部接続電極を形成する。その後、基板10の上記一表面側に、第1グランド配線61aの基礎となるAu層などからなる金属層を例えばスパッタ法や蒸着法などによって形成する。続いて、金属層のうち基板10の上記一表面側表面側の不要部をエッチング除去することで、それぞれ金属層の一部からなる第1グランド配線61aを形成する。次に、基板10の上記一表面側に、信号線13の形成予定領域に対応する部位が開口されたレジスト層を形成し、金属材料例えば、Auなどからなる信号線13をめっき法により形成してから、レジスト層を除去することにより、第1シールド部61が形成される。ここにおいて、ベース基板1の形成にあたっては、貫通孔11,12の形成時に、基板10における収納部16の形成予定領域に開口部17を形成する。そして、第1シールド部61の形成後に、基板10の上記一表面側に開口部17を閉塞する蓋体部18を形成することで収納部16を形成する。また、フレーム部5は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第2半導体基板50を加工することにより形成することができる。また、カバー基板3の凹所31は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第3半導体基板30を加工することにより形成することができる。次に、本実施形態のMEMSリレーの製造方法について簡単に説明する。本実施形態のMEMSリレーの製造にあたっては、ベース基板1の上記他表面側からベース基板1の収納部16に電磁石装置4を収納してベース基板1に固定する。その後、ベース基板の上記一表面側に可動部形成基板2を配置する。その後、フレーム部5とカバー基板3とを接合してから、フレーム部5とベース基板1とを接合する。これにより、可動部形成基板2は、ベース基板1とフレーム部5とカバー基板3とで囲まれた気密空間内に収納されたMEMSリレーが得られる。ここにおいて、電磁石装置4をベース基板1に固定するにあたっては、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接させてから、接着用の樹脂例えば、シリコーン樹脂などにより電磁石装置4をベース基板1に固定すればよい。また、フレーム部5とカバー基板3との接合にあたっては、表面活性化接合法を採用している。表面活性化接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、所定温度下で適宜の荷重を印加して、フレーム部5とカバー基板3とを直接接合する。このような表面活性化接合法では、常温下でもフレーム部5とカバー基板3とを直接接合することができる。また、接合強度を高めるために、例えば、80~150°C程度に加熱した状態で直接接合するようにしてもよく、常温下で接合する場合に比べて、接合強度の向上を図ることが可能となる。また、フレーム部5とベース基板1との接合方法についても、例えば、表面化活性化接合法を採用することができる。これにより、フレーム部5とベース基板1との接合温度を、上述の接着用の樹脂の耐熱温度よりも低くすることが可能となる。また、上述の製造方法では、フレーム部5とカバー基板3とを接合してから、フレーム部5とベース基板1とを接合しているが、これに限らず、例えば、フレーム部5とベース基板1とを接合してから、フレーム部5とカバー基板3とを接合するようにしてもよい。なお、MEMSリレーの製造にあたっては、上述のフレーム部5を多数形成したウェハと、上述のベース基板1を多数形成したウェハおよび上述のカバー基板3を多数形成したウェハとを接合してから、ダイシング工程などによって個々のMEMSリレーに分割することが好ましい。次に、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、可動部形成基板2における可動部23と接点保持部28とが第1半導体基板20を用いて形成され、フレーム部5が第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第2半導体基板50を用いて形成され、シールド構造部6においてベース基板1に形成された第1シールド部61に電気的に接続される第2シールド部62を兼ねているので、図12に示した従来例のように機能部30に2つの導電部515,516を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、カバー基板3が第1半導体基板20に比べて抵抗率の低い第3半導体基板30を用いて形成されており、シールド構造部6において第2シールド部62に電気的に接続される第3シールド部63を兼ねているので、図12に示した従来例のようにカバー300に導電部517を形成する場合に比べて、より簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。実施形態2以下、本実施形態のMEMSリレーについて図6に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と略同じであり、フレーム部5とカバー基板3とが、互いに対向面側に形成した金属層52,32同士を接合することで接合され電気的に接続されている点が相違する。金属層52,32の材料としては、例えば、Au、Al、Cuなどを採用することができる。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。本実施形態のMEMSリレーの製造時に、フレーム部5とカバー基板3とを接合するにあたっては、実施形態1と同様、表面活性化接合法を採用している。表面活性化接合法では、接合前に金属層52,32の表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して金属層52,32の表面の清浄化活性化を行ってから、金属層52,32同士を接触させ、所定温度下で適宜の荷重を印加して、フレーム部5とカバー基板3とを直接接合する。このような表面活性化接合法では、常温下でもフレーム部5とカバー基板3とを直接接合することができる。また、接合強度を高めるために、例えば、80~150°C程度に加熱した状態で直接接合するようにしてもよく、常温下で接合する場合に比べて、接合強度の向上を図ることが可能となる。なお、本実施形態では、金属層52,32をTi膜とAu膜との積層膜により構成してある。ここで、Ti膜の膜厚を15~50nm、Ti膜上のAu膜の膜厚を200~500nmに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、Au膜と下地との間に密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、金属層52,32は、Au膜の代わりに、Al膜やCu膜を採用してもよい。本実施形態のMEMSリレーにおいても、実施形態1と同様、図12に示した従来例のように機能部200に2つの導電部515,516を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、フレーム部5とカバー基板3とが、第2半導体基板50と第3半導体基板30との互いの対向面に形成された金属層52,32同士を介して接合されているので、実施形態1に比べて、高周波特性の向上を図ることが可能となる。実施形態3以下、本実施形態のMEMSリレーについて図7に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と略同じであり、カバー基板3がフレーム部5とともに第2半導体基板50を用いて形成されている点が相違する。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、カバー基板3とフレーム部5とが連続一体に形成されている。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、実施形態1と同様、図12に示した従来例のように機能部200に2つの導電部515,516を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、カバー基板3がフレーム部5とともに第2半導体基板50を用いて形成されているので、製造工程の簡略化を図るとともに、低コスト化を図ることが可能となる。実施形態4以下、本実施形態のMEMSリレーについて図8に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と略同じであり、カバー基板3が、ガラス基板60を用いて形成されており、ベース基板1側の全面に金属膜からなる第3シールド部63が形成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、実施形態1に比べて、高周波特性を向上させることが可能となる。なお、本実施形態のMEMSリレーにおいては、ガラス基板60を用いてカバー基板3を形成してあるが、ガラス基板60に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、LTCC基板を用いてもよい。ところで、実施形態1~4では、2つの可動接点27と、各可動接点27の各々に対して対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点27と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点27と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。"