p型またはn型のドーパントが所定濃度にドープされた半導体粒子の製造方法であって、1前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より高い第1の半導体粉末を準備する工程、2前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より低い第2の半導体粉末を準備する工程、3平均ドーパント濃度が前記所定濃度と等しくなるような比率で前記第1の半導体粉末と前記第2の半導体粉末とを含む組成物を調製する工程、4前記組成物からなる所定質量の小塊を形成する工程、5前記小塊を加熱して、前記各小塊内の半導体粉末を溶融させ、融合させることにより、球状の溶融体を形成する工程、および、6前記溶融体を冷却し、凝固させる工程、を含むことを特徴とする半導体粒子の製造方法。前記工程1が、前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より高い半導体からなるインゴット、ウエハー、粒子、および粉体の少なくとも1つを粉砕する工程、を含む請求項1に記載の半導体粒子の製造方法。前記工程1が、前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より低い半導体粉末を、気化されたドーピング剤を所定濃度で含む雰囲気中において、前記半導体粉末の融点未満の温度下で熱処理を施す工程、を含む請求項1に記載の半導体粒子の製造方法。前記工程2が、前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より低い半導体からなるインゴット、ウエハー、粒子、および粉体の少なくとも1つを粉砕する工程、を含む請求項1~3のいずれかに記載の半導体粒子の製造方法。前記工程3が、前記第1の半導体粉末と前記第2の半導体粉末とを所定比率で混合する工程を含む請求項1~4のいずれかに記載の半導体粒子の製造方法。前記工程3が、前記第1または第2の半導体粉末を所定濃度で含む分散液と、前記第2または第1の半導体粉末とを所定比率で混合する工程、および、得られた混合物を乾燥する工程、を含む請求項1~4のいずれかに記載の半導体粒子の製造方法。前記半導体がシリコンであり、前記ドーパントがホウ素である請求項1~6のいずれかに記載の半導体粒子の製造方法。前記半導体がシリコンであり、前記ドーパントがリンである請求項1~6のいずれかに記載の半導体粒子の製造方法。本発明は、上記の粉末溶融法における問題点を解決することにより、所定濃度のドーパントが均一にドープされ、且つ、ドーパント濃度のばらつきが小さい球状の半導体粒子を合理的に製造し、安価に提供できる方法を提供することを目的とする。本発明は、p型またはn型のドーパントが所定濃度にドープされた半導体粒子の製造方法であって、1前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より高い第1の半導体粉末を準備する工程、2前記ドーパントの濃度が前記所定濃度より低い半導体粉末またはノンドープ半導体粉末からなる第2の半導体粉末を準備する工程、3平均ドーパント濃度が前記所定濃度と等しくなるような比率で前記第1の半導体粉末と前記第2の半導体粉末とを含む組成物を調製する工程、4前記組成物からなる所定質量の小塊を形成する工程、5前記小塊を加熱して、前記各小塊内の半導体粉末を溶融させ、融合させることにより、球状の溶融体を形成する工程、および、6前記溶融体を冷却し、凝固させる工程、を含むことを特徴とするものである。上記工程1は、前記半導体粒子と同じ導電型を有し、前記所定濃度より高いドーパント濃度にドープされた半導体からなるインゴット、ウエハー、粒子、および粉体の少なくとも1つを粉砕する工程、を含むことが好ましい。上記工程1の他の好ましい形態は、前記半導体粒子と同じ導電型を有し、前記所定濃度より低いドーパント濃度にドープされた半導体粉末を、気化されたドーピング剤を所定濃度で含む雰囲気中において、該半導体粉末の融点未満の温度下で熱処理を施す工程、を含む。上記工程2は、前記半導体粒子と同じ導電型を有し、前記所定濃度より低いドーパント濃度にドープされた半導体からなるインゴット、ウエハー、粒子、および粉体の少なくとも1つを粉砕する工程、を含むことが好ましい。上記工程3は、前記第1の半導体粉末と前記第2の半導体粉末とを所定比率で混合する工程を含むことが好ましい。上記工程3の他の好ましい形態は、前記第1または第2の半導体粉末を所定濃度で含む分散液と、前記第2または第1の半導体粉末とを所定比率で混合する工程、および、得られた混合物を乾燥する工程、を含む。本発明は、前記半導体粒子のうち、シリコン粒子を製造する場合に適用するのが好ましく、p型半導体粒子を製造する場合のドーパントがホウ素であり、n型半導体粒子を製造する場合のドーパントがリンであることが好ましい。高濃度のドーパントがドープされた半導体粉末と、ノンドープ半導体粉末もしくは低濃度のドーパントがドープされた半導体粉末とが所定の割合で配合された組成物の所定量からなる小塊を溶融し、凝固させる本発明の半導体粒子の製造方法により、ドーピング工程を設けることなく、ドーパント濃度のバラツキが小さいp型あるいはn型の球状の半導体粒子を合理的に製造することができる。これにより、高品質の半導体粒子を安価に提供することができる。本発明の基本的な特徴は、粉末溶融法により所定のドーパント濃度でドーピングされたp型およびn型のいずれか一方の導電型を有する半導体粒子を製造するに際して、高濃度のドーパントがドープされた半導体粉末と、ノンドープ半導体粉末もしくは低濃度のドーパントがドープされた半導体粉末とが所定比率で含まれる組成物を原料として用いることにある。本発明により、上記の組成物からなる所定質量の小塊を加熱して球状溶融体とし、これを冷却して凝固させることにより、所望濃度でドーピングされた所望質量のほぼ球状の半導体粒子を製造することができる。これにより、ドーピング工程を設けることなく、所望濃度のドーパントが均一にドープされた高品質のp型あるいはn型の球状半導体粒子を合理的に製造し、安価に提供することができる。上記の組成物は、製造しようとする半導体粒子と同じ導電型を有し、その半導体粒子のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有する第1の半導体粉末、および、上記の半導体粒子と同じ導電型を有し、そのドーパント濃度より低いドーパント濃度を有する半導体粉末あるいはノンドープ半導体粉末からなる第2の半導体粉末、を準備し、これら第1と第2の半導体粉末との平均ドーパント濃度が、上記の半導体粒子のドーパント濃度と等しくなるような比率で、第1および第2の半導体粉末を配合することにより調製される。本発明における第1の半導体粉末のドーパント濃度A、第2の半導体粉末のドーパント濃度B、製造しようとする半導体粒子のドーパント濃度C、および、第1の半導体粉末と第2の半導体粉末との配合比率質量比率、X:Y、の関係は、式1で表される。CXY=AXBY、1ただし、A>C>B≧0また、上記の平均ドーパント濃度は、製造しようとする半導体粒子のドーパント濃度Cと等しく、その値は式2から算出される。C=AXBY/XY2本発明の製造方法は、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体粒子の製造に適用することができ、多くの場合には球状のシリコン粒子の製造に適用される。本発明によりp型シリコン粒子を製造する場合には、ドーパントがホウ素であることが好ましく、そのドーピング剤として、ホウ酸、酸化ホウ素および窒化ホウ素などを用いることができる。また、p型シリコン粒子を製造する場合には、ドーパントがリンであることが好ましく、そのドーピング剤として、リン酸および酸化リンなどを用いることができる。第1および第2の半導体粉末の平均粒径は、10~100μmであることが好ましい。この粒径範囲内の半導体粉末を使用すると、質量バラツキが小さい小塊を容易に作製することができ、かつ、小塊中の半導体粉末を短時間にすべて溶融させることが可能となるとともに、溶融した粉末同士が融合して球形化し易くなる。本発明の実施にあたって、第1および第2の半導体粉末並びにそれらの粉末の原料となるインゴットなどの半導体材料のドーパント濃度、さらには製造された半導体粒子のドーパント濃度を確認することが必要となる。半導体のドーパント濃度を正確に測定するための手段には、SIMS、SCM、およびSRAなどがある。上記の分析手法には高度な装置と技術を要するが、C-V法キャパシタンス-ボルテージ法や四端子抵抗測定法による比抵抗の測定値からドーパント濃度を推定するという、簡略な手法を用いることもできる。半導体の比抵抗値とそのドーパント濃度との間には一定の関係があることから、比抵抗の測定値からドーパント濃度をほぼ正確に推定することができる。例えば、四端子抵抗測定法によるp型シリコンおよびn型シリコンの比抵抗とドーパント濃度との間には、図1に示すような関係がある。これらの方法により粉末ないしは粒状の半導体の特性を測定する場合には、必要に応じてこれらを溶融し、凝固させることにより平板状の試料を作製すればよい。試料が粒状である場合には、専用のマイクロ四探針プローブを用いて比抵抗を測定することも可能である。以下に、導電型がp型のシリコン粒子を製造する方法を主体として、本発明を具体的に説明する。例えば、光電変換素子などの前駆体として使用できるp型シリコン粒子のドーパント濃度は、通常、1×1015~3×1016/cm3の範囲内にある。その代表的な実施形態として、ドーパント濃度1016/cm3の光電変換素子用p型シリコン粒子を製造する場合を例に採って説明する。以下の実施形態では、説明を簡略化するために、第2の半導体粉末として、ノンドープシリコン粉末を用いる。この場合、第1の半導体粉末として、製造しようとするシリコン粒子の5倍のドーパント濃度5×1016/cm3を有するシリコン粉末を用いる場合には、式1から、Y/X=4と算出されるので、工程3において、第1の半導体粉末と第2の半導体粉末とを質量比で1:4の割合で配合して組成物を調製すればよい。また、第1および第2の半導体粉末を質量比で1:9の割合で配合して、組成物を調製したい場合には、式1から、A=1017/cm3と算出されるので、第1の半導体粉末として、製造しようとするシリコン粒子の10倍のドーパント濃度を有するシリコン粉末を使用すればよい。以下に、各工程の実施形態を具体的に説明する。1第1の工程について本工程では、製造しようとする半導体粒子の所定のドーパント濃度より高いドーパント濃度の第1の半導体粉末を準備する。第1の半導体粉末のドーパント濃度は、前記の式1およびその具体的な説明に倣って決定すればよい。第1の半導体粉末を準備するための好ましい実施形態は、第1の半導体粉末と同じドーパントが同じ濃度でドープされた半導体材料を粉砕する方法である。この半導体材料は、一般的には粒径1~3mm程度の粒子状であるが、形状を問わず、ウエハー状あるいはインゴットなどであってもよい。例えば、粒子状のシリコンから第1の半導体粉末を作製する場合には、ジエット粉砕機などを用いて粉砕すればよい。他の実施形態は、所定濃度のドーピング材料を含む溶液と、ノンドープ半導体粉末もしくは製造しようとする半導体粒子の所定のドーパント濃度より低濃度にドープされた半導体粉末とを所定の比率で混合し、必要に応じてその組成物を乾燥し、当該半導体粉末の融点未満の温度で熱処理を施す方法である。これにより、製造しようとする半導体粒子の所定のドーパント濃度より高い濃度でドープされた第1の半導体粉末を得ることができる。例えば、質量濃度0.04のホウ酸水溶液20gと、ノンドープシリコン粉末1kgとをバレル振動機中で混合して、ノンドープシリコン粉末にホウ酸水溶液をほぼ均一に湿潤させ、必要に応じて乾燥して水分を除去する。これにより、シリコン粉末の表面にはホウ酸が付着する。この粉末に約1000~1250°Cで約3~100時間の熱処理を施すことにより、ホウ素が5×1016/cm3の濃度でドープされたp型シリコン粉末が得られる。さらに、他の実施形態として、ドーパント濃度が低い半導体粉末を、気化されたドーピング剤を所定濃度で含む雰囲気中において、該半導体粉末の融点未満の温度で熱処理を施すことにより、ドーパント濃度が所望の第1の半導体粉末を得る方法もある。さらに、上記以外の何らかの方法により予め高濃度でドープされた半導体粉末を第1の半導体粉末として用いてもよい。例えば、高濃度にドープされた半導体の削り屑や研磨屑などとして生じた粉末やフレーク状など様々の形態の材料に、必要に応じて、粉砕、篩い分け、あるいは不純物除去などの処理を施して活用することもできる。2第2の工程について本工程では、製造しようとする半導体粒子の所定のドーパント濃度より低いドーパント濃度の半導体粉末、あるいはノンドープ半導体粉末を準備する。本発明では、上記の半導体粉末を第2の半導体粉末と称し、そのドーパント濃度は、前記の式1およびその具体的な説明に倣って決定すればよい。第2の半導体粉末として、通常は、ノンドープ半導体粉末を用いるが、低濃度でドープされた半導体材料をコスト的に好条件で入手できる場合などには、必要に応じてこれを加工して第2の半導体粉末として使いこなすこともできる。低濃度でドープされた半導体粉末を準備する方法には種々の実施形態があるが、ノンドープ半導体材料、または製造しようとする半導体粒子より低いドーパント濃度を有する半導体材料を粉砕する方法が一般的である。この半導体材料は、多くの場合は粒子状であるが、形状を問わず、ウエハー状あるいはインゴットなどであってもよい。さらに、上記以外の何らかの方法により予め低濃度でドープされた半導体粉末を第2の半導体粉末として用いてもよい。さらに、低濃度でドープされた半導体材料の削り屑や研磨屑などとして生じた粉末やフレーク状などの半導体材料に、必要に応じて、粉砕、篩い分け、あるいは不純物除去などの処理を施して、第2の半導体粉末として活用することもできる。3第3の工程について本工程では、平均ドーパント濃度が製造しようとする半導体粒子のドーパント濃度と等しくなるように配合された第1の半導体粉末と第2の半導体粉末とを含む組成物を調製する。第1の半導体粉末と第2の半導体粉末との混合比率は、前記の式1およびその具体的な説明に倣って決定すればよい。上記の組成物を調製する方法には、種々の方法があるが、一般的には、第1の半導体粉末と第2の半導体粉末とを所定比率で混合する方法が簡便である。例えば、混合機としてバレル振動機などを用いることができる。より、均一な組成の組成物を調製するためには、第1の半導体粉末と第2の半導体粉末のうちの、一方の半導体粉末の所定濃度の分散液と、他方の半導体粉末とを、所定比率で混合する方法が好ましい。さらに、第1の半導体粉末の所定濃度の分散液と第2の半導体粉末の所定濃度の分散液とを所定比率で混合してもよい。これらの分散液には、分散剤のほかに、バインダーが含まれていてもよく、液体状に拘らず、スラリー状など高粘度のものであってもよい。これらの方法で得られた組成物は、乾燥などにより、水やアルコールなどの分散媒を除去し、粉体化することが好ましい。これにより、次工程において、上記組成物からなる所定質量の小塊を容易に形成することができる。また、次工程において、造粒などにより固形化された小塊を形成する場合には、上記の混合工程中あるいは混合された半導体粉末に、粉体状あるいは液状のバインダーを添加した組成物を調整することが好ましい。液状のバインダーには、一般的には高分子ポリマーを水や有機溶媒に溶解もしくは分散させた、溶液もしくは分散液を用いる。粉体状のバインダーとして上記の高分子ポリマーそのものを用いることもできる。上記バインダーにおける高分子ポリマーとして、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ヒドロキシプロピルセルロース、パラフィンワックス、カルボキシルメチルセルロース、スターチ、およびグルコースからなる群より選ばれた少なくとも一種の高分子ポリマーを含むものを用いることが好ましい。特に好ましいバインダーは、結着性がよく、高純度のものが入手し易いことなどから、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコールおよびパラフィンワックスからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む粉体、溶液もしくは分散液である。4第4の工程について本工程では、前記の半導体粉末を含む組成物からなる所定質量の小塊を形成する。上記の組成物には、第1および第2の半導体粉末の混合半導体粉末からなるもの、上記半導体粉末と分散媒、分散剤、バインダーなどを含むもの、などがある。本工程で形成する小塊の形態は二つに大別される。第1の形態は、一般的には粉体状の組成物が単に積み重なって形成されたもので、小塊内の粉体相互間の結合力は無いが、所定量の粉体群として小塊の形態を保っているものである。第2の形態は、一般的には造粒操作により固形化されたもので、小塊内の粉体相互間の結合力により所定量の組成物が一体化して、個体としての形態を保っているもの以下、小固形体と称すである。第1の形態の小塊を形成する場合は、一般的に、上記の組成物のうち、第1および第2の半導体粉末の混合物からなる組成物、あるいは、これに分散剤などの成分が微量ながら含まれているものが用いられ、一般的には粉体状である。第1の形態の小塊を形成する好ましい実施形態を図2に例示する。まず、相互に間隔を設けて所定形状の多数の半球状の凹部5が形成された型板1を用意し、それらの凹部5のそれぞれに粉体状の組成物23を満たす。次いで、型板1上に加熱用基板30を重ねあわせる図21。組成物23中のシリコン粉末の平均粒径はたとえば約40μmである。組成物中の第1の半導体粉末はドーパントとしてのホウ素が5×1016/cm3の濃度でドープされたシリコン粉末であり、第2の半導体粉末はノンドープシリコン粉末である。組成物は、上記の第1および第2の半導体粉末が、たとえば1:4の質量比で混合されたものであり、ドーパントの平均濃度は1016/cm3である。次いで、型板1と加熱用基板30を重ねあわせたまま、表裏を反転させた状態で台座31に載置する図22。さらに、型板1を加熱用基板30上から静かに引き上げることにより、それぞれの凹部5内の組成物23を、加熱用基板30上に転写する図23。こうして、型板の凹部5と同じ配列パターンで組成物の多数の小塊32が加熱用基板上に配列される。加熱用基板上に配列された小塊は、次工程において加熱され、それぞれが球状の溶融体となる。上記凹部5の開口部の直径は約1.2mmであり、小塊は凹部5を逆さにした形状のほぼ半球状であり、その質量は約2.5mgである。小塊の形状は特に限定されないが、通常は上記の半球状以外にも円錐状のものがある。第1の形態の小塊の他の形成方法として、加熱用基板上に、相互に間隔を設けて所定形状の多数の貫通孔が形成されたテンプレートを重ね合わせ、それぞれの貫通孔に上記の組成物を満たした後、テンプレートを静かに引き上げることにより、加熱用基板上に組成物の多数の小塊を形成することもできる。この方法は簡便であるが、小塊の形状や質量の均一化のためには、図2の方法が効果的である。第2の形態の小塊小固形体を形成する場合の組成物は、例えば、第1および第2の半導体粉末の混合粉末そのものや、これにバインダー粉末を添加した粉体状のものであってもよく、上記の混合粉末に液体状バインダーや分散媒、あるいは水などの液体を湿潤させたものであってもよい。粉体状組成物から小塊を作製する場合には、代表的な造粒方法として圧縮造粒法が用いられ、たとえば、シリンダーの中に所定量の粉末を充填しておき、上下からプレス機のピストンで圧縮する方法や、回転する二つのロール間で粉末を圧縮する方法がある。液体を湿潤させた組成物を造粒する代表的な方法としては、転動造粒、流動層造粒、攪拌造粒、および噴霧造粒などの方法がある。例えば、転動造粒法は、円筒状の外枠内に配置された皿状の底板上に混合シリコン粉末を投入し、回転する底板の外周部分と外枠の内壁との間で混合シリコン粉末を転動させる。この粉末に向けて、ポリビニルアルコール水溶液からなる液状バインダーを噴霧する。これにより、混合シリコン粉末とバインダー成分が均一に混合され粒状の造粒物が得られ、これらを篩い分けて所定の質量範囲にあるものを選別する。小固形体の質量は、混合シリコン粉末の粒度、バインダーの組成および添加量、ならびに、造粒装置の運転条件などによって適宜調整することができる。この場合、平均粒径が10~100μmの範囲にある粒子からなるシリコン粉末を用いたときに、比較的均一な質量の小塊が得られる。造粒物は、必要に応じて乾燥され、加熱基板上に相互に分離された状態で配列されて、次工程溶融工程に移される。次工程において小塊中の半導体粉末群が融合して球状溶融体となるので、その前駆体である小塊は、必ずしも球状である必要はなく、粒状、ペレット状、フレーク状、または角片状など任意の形状でよい。代表的な球状半導体素子である球状光電変換素子、あるいはその前駆体としての球状のシリコン粒子は、直径が通常0.5~2.0mmの範囲内にあり、それらの質量は約0.15~9.8mgの範囲内にあり、小塊中の混合半導体粉末の質量は、その質量とほぼ等しくなるように設定される。図2の実施形態では、直径約1.25mmの太陽電池用シリコン粒子を製造するために、約2.5mgの混合半導体粉末が含まれる小塊を作製する。5第5の工程について本工程では、前工程で形成された小塊を当該半導体の融点以上の温度で加熱して、各小塊内の半導体粉末を溶融させ、融合させることにより、球状の溶融体を形成する。本工程において溶融体が形成されるまでの過程において、それぞれの半導体粉末に含有されているドーパントが溶融体中に拡散し、溶融体は均一なドーパント濃度にドープされる。また、半導体粉末以外にバインダーなどの成分が小塊中に含まれている場合には、これらの成分は、本工程における加熱処理により、分解、気化、または燃焼することにより、小塊中から実質的に除去される。本発明の実施にあたっては、本工程および次工程6を、それぞれバッチ処理で実施することもできるが、これら二つの工程を連続して実施できる連続熱処理炉を使用するのが合理的である。シリコン粒子を製造する場合には、連続熱処理炉として、例えば、炉内の壁が耐熱性、耐蝕性に優れているセラミックス焼成用の炉を転用することができる。連続熱処理炉は、例えば、搬入部、予備加熱部、溶融部、凝固部、および搬出部からなり、これらを貫通するよう搬送用のローラーコンベアが配置されている。熱処理炉内の各部は所定の雰囲気に保持され、所定の温度プロファイルになるよう設定される。小塊が配列された加熱用基板を搬入部から予備加熱部を経て、連続的に溶融部内に搬入し、それぞれの小塊に含まれるシリコン粉末を溶融、融合させて、小球状の溶融体を作る本工程。次いで、凝固部において上記の溶融体を冷却、凝固させて球状のシリコン粒子とする次工程6。これらシリコン粒子は搬出部から搬出される。図3は、上記の連続熱処理炉を用いて形成されたシリコンの球状溶融体の状態を示す縦断面図である。本実施形態では、前工程により多数の小塊32が配列された加熱用基板30を載せた図23の台座31を、連続熱処理炉の搬入部から予備加熱部を経て、連続的に溶融部内に搬入し、それぞれの小塊32に含まれるシリコン粉末を溶融、融合させて、小球状の溶融体33を形成する。予備加熱部および溶融部における小塊の加熱時間は、それぞれ約3~7分間程度である。加熱基板30上には、図23における小塊32とほぼ同じ配列パターンで球状の溶融体33が配列している。シリコン溶融体には、小塊中の半導体粉末に含まれたドーパントとしてのホウ素が1016/cm3の濃度で均一にドーピングされている。本工程における加熱中には、シリコン粉末あるいはシリコン溶融体の過度の酸化を防止することが必要であるが、シリコン溶融体を球状に保つためには、その表面に適度なシリコン酸化物を形成することが好ましい。そのために、予備加熱部、溶融部の雰囲気中には適度な濃度に管理された酸素が含まれることが好ましい。予備加熱部での加熱温度はシリコンの溶融温度1413°C未満であればよいが、通常は1000~1350°Cである。シリコン粉末を溶融するための溶融部での加熱温度は、1413°C以上であれば良いが、シリコンの溶融体を球状に保ち、かつ、基板の軟化や消耗あるいは炉材や加熱源の消耗を抑制するために、1500°C以下であることが好ましく、1460°C以下であることがさらに好ましい。6第6の工程について本工程では、前工程で形成された球状の溶融体を冷却し、凝固させることにより、溶融体を半導体粒子に変化させる。これにより、所望のドーパント濃度を有するp型あるいはn型の半導体粒子が得られる。図4は、上記の連続熱処理炉を用いて実施した本工程の実施形態により、球状のシリコン粒子が形成された状態を示す縦断面図である。シリコンの球状の溶融体33が所定パターンで配列された加熱用基板30を載せた図3の台座31を、溶融部から凝固部に搬送し、冷却、凝固させて球状のシリコン粒子を得る。これらシリコン粒子は搬出部から搬出される。得られたシリコン粒子34の質量は約2.4mgであり、粒径は約1.25mmである。シリコン粒子の導電型はp型であり、ドーパントとしてのホウ素が1016/cm3の濃度でドーピングされている。溶融部から凝固部に移送されたシリコン溶融体を急冷すると、固化した外殻部内に溶融状態のシリコンが閉じ込められる。冷却が進むにつれて内部のシリコンが凝固すると、内部のシリコンの体積が増大するので、形成されたシリコン粒子にストレスが内蔵される。このストレスにより、粒子の外殻が破れて異常な突起部が形成されたり、クラックが生じたりする場合がある。これらの現象を抑制するために、生産性を損なわない範囲で、冷却速度が適切なものとなるよう、凝固部内の温度プロファイルとローラーコンベアによる搬送速度との関係を設定するのが好ましい。例えば、凝固部の温度を、2~5分間かけて1450°Cから1370~1300°Cまで降温させて、シリコン溶融体を凝固させる。その後、凝固部内および回収容器までの経路において自然冷却させてシリコン粒子を回収する。例えば、図3の溶融体を上記の条件で冷却することにより、図4に示すように、ほぼそのままの配列パターンを保った状態で凝固してシリコン粒子34となり、相互に分離された状態で加熱用基板30上に形成される。形成されたシリコン粒子34のなかには、ほぼ球状のもの34A、上記のような理由により発生した突起部35を多少なりとも有するもの34Bが混在している。本発明により得られる半導体粒子は、ダイオード、センサー、および太陽電池などに用いる球状半導体素子の母体となるものである。上記の実施形態により得られた直径約1.25mmのp型シリコン粒子を加工して製造される代表的な球状太陽電池素子、およびこれを用いた光電変換装置低集光型球状太陽電池について以下に説明する。まず、上記のp型シリコン粒子を、適度の酸素を含む不活性ガス雰囲気中で、シリコンの融点よりやや高い温度で加熱してシリコン粒子を再溶融した後、徐冷する。これにより、シリコン粒子の単結晶化を進める。次いで、研磨などにより、上記のp型シリコン粒子の突起部を除去するとともに真球度を高めて、約1.1mmの球径に揃える。このp型シリコン粒子の表面に燐の拡散層n型半導体層を形成することにより、p-n接合を備えた球状太陽電池素子が得られる。上記の拡散層は、例えば、POCl3の溶液のミストを表面に吹き付けたp型シリコン粒子を900°C程度の温度で熱処理することにより形成される。次に、必要に応じて、上記の球状太陽電池素子の表面に、例えば、フッ素あるいはアンチモンをドープすることにより導電性を付与した厚さ50~100nmのSnO2膜を反射防止膜として形成する。次に、上記の球状太陽電池素子を用いた光電変換装置について説明する。図5は、光電変換装置を構成する発電ユニット101の平面図であり、図6はその発電部102の要部の縦断面図である。直径約1.1mmの球状太陽電池素子以下、素子と略称103はアルミニウム製の支持板104に設けられた約1800個の凹部105のそれぞれに一個ずつ固定されて発電部102が形成される。凹部105の内面に照射された光を素子103に向けて反射させることにより、素子の光電変換効率が高められる。凹部105の底部に設けられた開口部から素子103の一部が支持板104の裏面側に突出している。その突出部分上のn型拡散層106および導電性反射防止膜図示せずはエッチングなどで除去され、素子103のp型半導体107p型シリコン粒子の表面が露出している。その露出部には電極層108が形成されている。支持板104の凹部105内には、エチレン酢酸ビニルコポリマーからなる透光性の保護樹脂116が埋め込まれ、凹部105内に固定された素子103がより強固に固定されている。支持板104の裏面には電気絶縁層110が接着され、電極層108に対向する部位の電気絶縁層110には透孔が開けられている。電気絶縁層110の裏側にはアルミニウム製の導電板109が接着され、電気絶縁層110の透孔に対向する部位の導電板109には透孔が開けられており、これらの透孔によって連通孔が形成されている。支持体104における凹部105の底部開口部の周縁端部と素子103のn型拡散層106は導電性反射防止膜図示せずを介して、導電性接着剤からなる接続部111によって電気的に接続されている。素子のp型半導体107の電極層108と導電板109とは、前記の連通孔を満たすよりやや多量に充填された導電性ペースト113により、電気的に接続されている。支持板104の一端は発電ユニット101の一方の端子115を構成し、これに対向する端部の裏側から突出させた導電板109の一端が他方の端子114を構成している。上記の発電ユニットの出力は約1Wであるが、上記の端子114、115と他の発電ユニットの端子とを電気溶接などで接続することにより、任意の数の発電ユニットが直列または並列に電気的に接続することができる。これにより、希望する電圧の電力を出力する光電変換装置を構成することができる。