"式Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むを有する蛍光体を含む組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項1に記載の組成物。AがEuである請求項1に記載の組成物。Aが前記蛍光体の前記ホスト結晶中に、Srのモル量に対して約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされている、請求項1に記載の組成物。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項1に記載の組成物。前記蛍光体が斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む、請求項1に記載の組成物。式MII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むを有する蛍光体を含む組成物。MIIがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、ZnおよびCdからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項7に記載の組成物。MIIがCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項7に記載の組成物。MIIが2種以上の二価カチオンを含む、請求項8に記載の組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項7に記載の組成物。AがEuである請求項7に記載の組成物。Aが前記蛍光体の前記ホスト結晶中に、MIIのモル量に対して約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされている、請求項7に記載の組成物。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項7に記載の組成物。前記蛍光体が斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む、請求項7に記載の組成物。式MII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むを有する蛍光体を含む組成物。MIIがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、ZnおよびCdからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項16に記載の組成物。MIIがCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項16に記載の組成物。MIIが2種以上の二価カチオンを含む、請求項17に記載の組成物。MIがLi、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項16に記載の組成物。MIがLi、NaおよびKからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項16に記載の組成物。MIが2種以上の一価カチオンを含む、請求項20に記載の組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項16に記載の組成物。AがEuである請求項16に記載の組成物。Aが前記蛍光体の前記ホスト結晶中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされている、請求項16に記載の組成物。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項16に記載の組成物。前記蛍光体が斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む、請求項16に記載の組成物。式MII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、0≦m<2、および[4x/3zm]<8;MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むを有する蛍光体を含む組成物。MIIがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、ZnおよびCdからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項28に記載の組成物。MIIがCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項28に記載の組成物。MIIが2種以上の二価カチオンを含む、請求項29に記載の組成物。MIがLi、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項28に記載の組成物。MIがLi、NaおよびKからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項28に記載の組成物。MIが2種以上の一価カチオンを含む、請求項32に記載の組成物。MIIIがB、Al、Ga、In、ScおよびYからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含む、請求項28に記載の組成物。MIIIがAl、GaおよびBからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含む、請求項35に記載の組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項28に記載の組成物。AがEuである請求項28に記載の組成物。Aが前記蛍光体の前記ホスト結晶中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされている、請求項28に記載の組成物。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項28に記載の組成物。前記蛍光体が斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む、請求項28に記載の組成物。式MIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:A式中、0<a<2、0≦b≦0.6、0≦c<2、0<d≦5、0<e≦8、0<f≦5、0≦g<2.5、および0≦h<0.5;MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;Dは少なくとも1種の四価カチオンを含み;Eは少なくとも1種の三価アニオンを含み;Cは炭素の四価アニオンを含み;Fは少なくとも1種の二価アニオンを含み;Hは少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むを有する蛍光体を含む組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項42に記載の組成物。MIIがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、ZnおよびCdからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIIがCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIIが2種以上の二価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIがLi、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIがLi、NaおよびKからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIが2種以上の一価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIIIがB、Al、Ga、In、Ti、Sc、YおよびLaからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。MIIIがAl、GaおよびBからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。DがC、Si、Ge、Sn、Pb、Ti、ZrおよびHfからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含む、請求項42に記載の組成物。EがN、P、As、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも1種の三価アニオンを含む、請求項42に記載の組成物。FがO、S、SeおよびTeからなる群から選択される少なくとも1種の二価アニオンを含む、請求項42に記載の組成物。HがF、Cl、BrおよびIからなる群から選択される少なくとも1種の一価アニオンを含む、請求項42に記載の組成物。AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む、請求項42に記載の組成物。AがEuである請求項42に記載の組成物。Aが前記蛍光体の前記ホスト結晶中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされている、請求項42に記載の組成物。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項42に記載の組成物。約250nm~約500nmの波長範囲にピークを有する光によって励起される場合に、前記蛍光体が約400nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する、請求項42に記載の組成物。前記蛍光体が斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む、請求項42に記載の組成物。第1のルミネセンススペクトルを放射する光源と、前記光源からの光で照射される場合に、第2のルミネセンススペクトルを有する光を放射する蛍光体組成物とを含む発光素子であって、前記蛍光体組成物が下記a~e:aSr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;bMII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;cMII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、および[4x/3z]<8;dMII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、0≦m<2、および[4x/3zm]<8;およびeMIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:A式中、0<a<2、0≦b≦0.6、0≦c<2、0<d≦5、0<e≦8、0<f≦5、0≦g<2.5、および0≦h<0.5;式中、MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;Dは少なくとも1種の四価カチオンを含み;Eは少なくとも1種の三価アニオンを含み;Cは炭素の四価アニオンを含み;Fは少なくとも1種の二価アニオンを含み;Hは少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びにAは前記ホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むからなる群から選択される式を有する少なくとも1種の蛍光体を含む、発光素子。MIIがBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、ZnおよびCdからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIがLi、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIがB、Al、Ga、In、ScおよびYからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含み;DがC、Si、Ge、Sn、Pb、Ti、ZrおよびHfからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含み;EがN、P、As、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも1種の三価アニオンを含み;FがO、S、SeおよびTeからなる群から選択される少なくとも1種の二価アニオンを含み;HがF、Cl、BrおよびIからなる群から選択される少なくとも1種の一価アニオンを含み;AがCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbからなる群から選択されるルミネセンスアクチベータを含む;請求項62に記載の発光素子。前記第1のルミネセンススペクトルが約250nm~約750nmの波長範囲にピークを有する、請求項62に記載の発光素子。前記第1のルミネセンススペクトルが約400nm~約550nmの波長範囲にピークを有する、請求項62に記載の発光素子。前記光源が発光ダイオードまたはレーザーダイオードである請求項62に記載の発光素子。1種以上の追加の蛍光体をさらに含む請求項62に記載の発光素子。前記追加の蛍光体が光源によって励起される場合に、赤、黄、橙、緑または青色光を放射する、請求項67に記載の発光素子。Ca1-xSrxGa2S4:Eu20≦x≦1、Ca1-x-y-zMgxSryBazSiO4:Eu20≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1、BaMgAl10O17:Eu2、Mn2、MYSi4N7:Eu2M=Ca、Sr、Ba、β-サイアロン:Eu2、MSi2O2N2:Eu2M=Mg、Ca、Sr、Ba、Ba3Si6O12N2:Eu2、M2Si5N8:Ce3M=Ca、Sr、Ba、Y2Si4N6C:Ce3、α-サイアロン:Yb2、MSiO3mSiO2n:Eu2、XM=Mg、Ca、Sr、Ba;X=F、Cl、Br、I;mは1または0であり、かつim=1の場合にはn>3、またはiim=0の場合にはn=l、MAl2O4:Eu2M=Mg、Ca、Sr、Ba、BaMgAl10O17:Eu2、Y3Al5O12:Ce3、並びにα-サイアロン:Eu2からなる群から選択される式を有する第2の蛍光体をさらに含む、請求項62に記載の発光素子。下記のもの:式中、MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;Hは少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びに、Aは前記ホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むからなる群から選択される式を有する第2の蛍光体をさらに含む、請求項62に記載の発光素子。少なくとも2種類の追加の蛍光体をさらに含む請求項62に記載の発光素子。約350nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む、請求項62に記載の発光素子。約480nm~約640nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む、請求項62に記載の発光素子。約520nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む、請求項62に記載の発光素子。前記素子が白色光を放射する請求項62に記載の発光素子。前記素子が冷白色光を放射する請求項75に記載の発光素子。前記素子が温白色光を放射する請求項75に記載の発光素子。前記素子が約400nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する請求項62に記載の発光素子。前記素子が約520nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する請求項62に記載の発光素子。前記素子が約380nm~約750nmの波長範囲にピークを有する光を放射する請求項62に記載の発光素子。前記素子が約400nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する請求項62に記載の発光素子。このたび、本発明においては、特定のカルビドニトリド蛍光体組成物において、特に、比較的高い温度例えば、200°C~400°Cで、炭素が蛍光体のルミネセンスをクエンチするのではなく、実際に増大させることが見いだされた。本発明は、特定の好ましい範囲内で炭素の量が増加するにつれて、望まれる放射スペクトルの波長範囲における特定のケイ素カルビドニトリド蛍光体の反射率が増加することを示す。これらカルビドニトリド蛍光体は発光の優れた熱安定性および高発光効率を有する。ある実施形態においては、本発明は、1Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリドsiliconcarbidonitride蛍光体の新規ファミリーに関する。Aはホスト結晶格子中に、Srのモル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は上記式1のケイ素カルビドニトリド蛍光体を含む組成物に関する。ある実施形態においては、この組成物は1種以上の追加の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、この蛍光体は斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む。ある実施形態においては、本発明は、2MII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIは2種以上の二価カチオンを含む。Aはホスト結晶格子中に、MIIのモル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は上記式2のケイ素カルビドニトリド蛍光体を含む組成物に関する。ある実施形態においては、この組成物は1種以上の追加の蛍光体を含む。ある実施形態においては、この蛍光体は斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む。ある実施形態においては、本発明は、3MII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIは2種以上の二価カチオンを含む。MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み、かつこれに限定されないが、Li、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはLi、NaおよびKまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIは2種以上の一価カチオンを含む。焼成プロセスにおける高温でのMIの蒸発を補うために、追加のMIがこの式においてデザインされている。Aはホスト結晶格子中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は上記式3のケイ素カルビドニトリド蛍光体を含む組成物に関する。ある実施形態においては、この組成物は1種以上の追加の蛍光体を含む。ある実施形態においては、この蛍光体は斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む。ある実施形態においては、本発明は、4MII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、0≦m<2、および[4x/3zm]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIは2種以上の二価カチオンを含む。MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み、かつこれに限定されないが、Li、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはLi、NaおよびKまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIは2種以上の一価カチオンを含む。焼成プロセスにおける高温でのMIの蒸発を補うために、追加のMIがこの式においてデザインされている。MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み、かつこれに限定されないがB、Al、Ga、In、Sc、Yまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはAl、GaおよびBまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIIは2種以上の三価カチオンを含む。Aはホスト結晶格子中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は上記式4のケイ素カルビドニトリド蛍光体を含む組成物に関する。ある実施形態においては、この組成物は1種以上の追加の蛍光体を含む。ある実施形態においては、この蛍光体は斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む。ある実施形態においては、本発明は、5MIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:A式中、0<a<2、0≦b≦0.6、0≦c<2、0<d≦5、0<e≦8、0<f≦5、0≦g<2.5、および0≦h<0.5で表されるカルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIは2種以上の二価カチオンを含む。MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み、かつこれに限定されないが、Li、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはLi、NaおよびKまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIは2種以上の一価カチオンを含む。MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み、かつこれに限定されないがB、Al、Ga、In、Sc、Yまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはAl、GaおよびBまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。ある実施形態においては、MIIIは2種以上の三価カチオンを含む。Aはホスト結晶格子中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。DはC、Si、Ge、Sn、Pb、Ti、ZrおよびHfからなる群から選択される少なくとも1種の四価カチオンを含む。好ましい実施形態においては、DはSiを含む。EはN、P、As、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも1種の三価アニオンを含む。好ましい実施形態においては、EはNを含む。Cは炭素の四価アニオンを含む。FはO、S、SeおよびTeからなる群から選択される少なくとも1種の二価アニオンを含む。好ましい実施形態においては、FはOを含む。HはF、Cl、BrおよびIからなる群から選択される少なくとも1種の一価アニオンを含む。好ましい実施形態においては、HはFを含む。ある実施形態においては、本発明は上記式5の蛍光体を含む組成物に関する。ある実施形態においては、この組成物は1種以上の追加の蛍光体を含む。ある実施形態においては、この蛍光体は斜方晶系または単斜晶系の結晶を含む。ある実施形態においては、本発明の蛍光体は、約250nm~約500nmの波長範囲にピークを有する光によって励起される場合には、約400nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する。ある実施形態においては、本発明は第1のルミネセンススペクトルを放射する光源と、前記光源からの光で照射される場合に、第2のルミネセンススペクトルを有する光を放射する蛍光体組成物とを含む発光素子に関する。本発明の発光素子の蛍光体組成物は上記1、2、3、4および5から選択される式を有する少なくとも1種の蛍光体を含むことができる。ある実施形態においては、第1のルミネセンススペクトルは、約250nm~約500nmの波長範囲にピークを有する。ある実施形態においては、第1のルミネセンススペクトルは、約400nm~約550nmの波長範囲にピークを有する。ある実施形態においては、光源は発光ダイオードまたはレーザーダイオードである。ある実施形態においては、発光素子は1種以上の追加の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、追加の蛍光体は、光源によって励起される場合に、赤、橙、黄、緑または青色光を放射する。ある実施形態においては、発光素子は、Ca1-xSrxGa2S4:Eu20≦x≦1、Ca1-x-y-zMgxSryBazSiO4:Eu20≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1、BaMgAl10O17:Eu2、Mn2、MYSi4N7:Eu2M=Ca、Sr、Ba、β-サイアロン:Eu2、MSi2O2N2:Eu2M=Mg、Ca、Sr、Ba、Ba3Si6O12N2:Eu2、M2Si5N8:Ce3M=Ca、Sr、Ba、Y2Si4N6C:Ce3、α-サイアロン:Yb2、MSiO3mSiO2n:Eu2、XM=Mg、Ca、Sr、Ba;X=F、Cl、Br、I;mは1または0であり、かつim=1の場合にはn>3、またはiim=0の場合にはn=l、MAl2O4:Eu2M=Mg、Ca、Sr、Ba、BaMgAl10O17:Eu2、Y3Al5O12:Ce3、並びにα-サイアロン:Eu2からなる群から選択される式を有する第2の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、発光素子は下記のもの:式中、MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;Hは少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びに、Aはホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含むからなる群から選択される式を有する第2の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、本発明の発光素子は少なくとも2種の追加の蛍光体を含む。ある実施形態においては、本発明の発光素子は、約350nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、本発明の発光素子は、約480nm~約640nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、本発明の発光素子は、約520nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する少なくとも1種の追加の蛍光体をさらに含む。ある実施形態においては、本発明の発光素子は白色光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は冷白色光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は温白色光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は約400nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は約520nm~約600nmの波長範囲にピークを有する光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は約380nm~約750nmの波長範囲にピークを有する光を放射する。ある実施形態においては、本発明の発光素子は約400nm~約700nmの波長範囲にピークを有する光を放射する。定義本明細書において使用される場合、アクチベータとはホスト結晶の支援を伴って光を放射する原子またはイオン種をいう。アクチベータは本明細書においてさらに記載されるように、ホスト結晶中に非常に少量ドープされうる。アクチベータは単一元素、例えば、限定されないが、Eu2などを含んでいて良く、または複数元素すなわち、コ-アクチベータ、例えば、限定されないが、Eu2、Ce3、Tb3、Yb2およびMn2の2以上の組み合わせなどを含んでいても良い。本明細書において使用される場合、コ-アクチベータとは、同じホスト結晶中の追加のアクチベータをいう。本明細書において使用される場合、ドーパントとはホスト結晶中にドープされる原子またはイオン種をいう。本明細書において使用される場合、グレインとは蛍光体粒子が粉体の蛍光体粒子と比較して容易に離散させられない、蛍光体粒子の塊、凝集体、多結晶体または多形体をいう。本明細書において使用される場合、光源とは本発明の蛍光体を励起もしくは照射することができる光のあらゆるソースをいい、例えば、限定されないが、第III-V族半導体量子井戸系発光ダイオード、レーザーダイオード、または本発明の発光素子の蛍光体以外の蛍光体をいう。本発明の光源は蛍光体を直接励起/照射することができ、または別のシステムを励起して、それにより蛍光体のための励起エネルギーを間接的に提供することができる。本明細書において使用される場合、粒子とは蛍光体の個々の結晶をいう。本明細書において使用される場合、用語蛍光体phosphorとはあらゆる適切な形態の蛍光体、例えば、蛍光体粒子、蛍光体グレイン、または蛍光体粒子、グレインもしくはその組み合わせを含んでなる蛍光体粉体をいう。本明細書において使用される場合、蛍光体phosphor組成物とは、特定の蛍光体のために特定される比率の原子を有する蛍光体を含む組成物をいう。それは化学量論的比率であってよいし、そうでなくてもよい。不純物および1以上の結晶相がこの組成物中に存在しうる。本明細書において使用される場合、用語純粋とは特定の結晶相について98より高い純度、すなわち、2以下の第2の相を意味する。本明細書において使用される場合、白色光は特定の色度座標値の光例えば、国際照明委員会CIEであり、これは当該技術分野において周知である。光源の相関色温度は、その光源と同等の色相の光を放射する理想的な黒体放射体の温度である。より高い色温度5,000K以上が寒色または、冷白色と称され、より低い色温度2,700~3,000Kが暖色または、温白色と称される。実質的な気相を伴うプロセスについて本明細書に記載される温度は反応物質自体の温度ではなく、対象となっているオーブンもしくは他の反応容器の温度である。本明細書全体にわたって、MI、MIIおよびMIIIについての言及がなされることができ、MIは少なくとも1種の一価カチオン、MIIは少なくとも1種の二価カチオン、およびMIIIは少なくとも1種の三価カチオンである。特定の配合物に関して付与されうるこれら可変事項についての任意の値に加えて、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、およびCdからなる群から選択されることができ;MIはLi、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuからなる群から選択されることができ;並びに、MIIIはB、Al、Ga、In、Sc、Y、LaおよびGdからなる群から選択される。本明細書に記載される実施例の目的のためには、量子効率QEは同じ内部標準サンプルに対して測定された。他に特定されない限りは、本明細書において使用される全ての科学技術用語は本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。本明細書において使用される全ての科学技術用語は使用される際に同じ意味を有する。本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、文脈が明らかに他のことを示さない限りは、単数形態a、andおよびtheは複数への言及も含むことに留意されたい。蛍光体組成物の説明において、従来の表記法が使用され、そこではホスト結晶についての化学式が最初に記載され、次いでコロン、そしてアクチベータおよびコ-アクチベータ単一もしくは複数についての式が記載される。蛍光体のホスト結晶の構造が論じられる本明細書における特定の例においては、蛍光体の配合物を言及する際にアクチベータ単一もしくは複数が含まれない場合がある。詳細な説明ある実施形態においては、本発明は、1Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。Aはホスト結晶格子中に、Srのモル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は、2MII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。Aはホスト結晶格子中に、MIIのモル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は、3MII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、および[4x/3z]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み、かつこれに限定されないが、Li、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはLi、NaおよびKまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。焼成プロセスにおける高温でのMIの蒸発を補うために、追加のMIがこの式においてデザインされている。Aはホスト結晶格子中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度水準でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は、4MII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:A式中、0<x≦5、0≦w≦0.6、0≦z≦3、0≦m<2、および[4x/3zm]<8で表されるケイ素カルビドニトリド蛍光体の新規ファミリーに関する。MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み、かつこれらに限定されないが、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn、Cdおよび他の二価遷移金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはCa、Sr、Baおよび他のアルカリ土類金属イオンまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み、かつこれに限定されないが、Li、Na、K、Rb、Cu、AgおよびAuまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはLi、NaおよびKまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。焼成プロセスにおける高温でのMIの蒸発を補うために、追加のMIがこの式においてデザインされている。MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み、かつこれに限定されないがB、Al、Ga、In、Sc、Yまたはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはAlおよびBまたはこれらの組み合わせを含む群から選択されうる。Aはホスト結晶格子中に、MIIおよびMIの合計モル量に対して約0.0001モル~約50モル、好ましくは約0.001モル~約20モルの濃度でドープされているルミネセンスアクチベータを含む。AはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、BiおよびSbもしくはこれらの組み合わせを含む群から、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2、およびMn2もしくはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも1種の金属イオンを含むことができる。ある実施形態においては、本発明は、5MIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:A式中、0<a<2、0≦b≦0.6、0≦c<2、0<d≦5、0<e≦8、0<f≦5、0≦g<2.5、および0≦h<0.5で表されるケイ素カルビドニトリド系蛍光体の新規ファミリーに関し、MIIはBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、ZnおよびCd、好ましくはCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIはLi、Na、K、Rb、Cs、AgおよびAu、好ましくはLi、NaおよびKからなる群から選択される少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIはB、Al、Ga、In、Ti、Sc、YおよびLa、好ましくはB、AlおよびGaからなる群から選択される少なくとも1種の三価カチオンを含み;DはC、Si、Ge、Sn、Pb、Ti、ZrおよびHf、好ましくはSiからなる群から選択される少なくとも1種の四価カチオンを含み;EはN、P、As、SbおよびBi、好ましくはNからなる群から選択される少なくとも1種の三価アニオンを含み;Cは炭素の四価アニオンを含み;FはO、S、SeおよびTe、好ましくはOからなる群から選択される少なくとも1種の二価アニオンを含み;HはF、Cl、BrおよびI、好ましくはFからなる群から選択される少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びにAは蛍光体のホスト結晶中にドープされているルミネセンスアクチベータを含む。ある実施形態においては、炭素は四価アニオンおよび四価カチオンの双方としての2つの異なる状態で存在する。ある実施形態においては、発光素子のための波長コンバータwavelengthconverterとして本発明の蛍光体組成物の少なくとも1種が使用される。発光素子は、約300nm~約750nmの波長範囲にピークを有する光を放射する第1の発光体、並びに第1の発光体からの光での照射の際に可視光を放射する第2の発光体を有し、この第2の発光体は少なくとも1種の本発明の蛍光体を含む。第1の発光体は、例えば、約300nm~約750nm、好ましくは約400nm~670nm、または約350nm~約480nm、並びにより好ましくは約420nm~約660nmの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。ある実施形態においては、第1の発光体はレーザーダイオードまたは発光ダイオードLEDである。1種以上の本発明の蛍光体組成物を含む第2の発光体が第1の発光体からの光に照射される場合には、それは、例えば、約460nm~約660nm、好ましくは約480nm~約660nm、より好ましくは約500nm~約650nmの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。ある実施形態においては、第2の発光体は少なくとも1種の追加の蛍光体を含む。この追加の蛍光体単一もしくは複数は、例えば、約480nm~約660nm、好ましくは約500nm~約650nmの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。本発明の蛍光体組成物においては、ルミネセンスアクチベータAは、それぞれの二価または二価および一価カチオンの合計モルに対して、約0.0001モル~約50モルの濃度水準で、置換的にもしくは侵入的に蛍光体のホスト結晶中にドープされうる。ある実施形態においては、Aは二価または二価および一価カチオンの合計モルに対して、約0.001モル~約20モルの濃度水準で蛍光体のホスト結晶中にドープされる。ある実施形態においては、Aは二価または二価および一価カチオンの合計モルに対して、約0.01モル~約7モルの濃度水準で蛍光体のホスト結晶中にドープされる。他の実施形態においては、Aは二価または二価および一価カチオンの合計モルに対して、約0.01モル~約10モルの濃度水準で蛍光体のホスト結晶中にドープされる。ある実施形態においては、Aは少なくとも1種のコ-アクチベータを含む。このコ-アクチベータは、限定されないが、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi、Sb、好ましくはEu2、Ce3、Tb3、Yb2およびMn2を含む群、並びにハロゲンアニオンF、Cl、BrおよびIを含む群から選択されうる。コ-アクチベータの濃度水準はアクチベータに対して約0.0001~約50であり得る。ある実施形態においては、コ-アクチベータの濃度水準はアクチベータに対して約0.001モル~約20モルである。ある実施形態においては、コ-アクチベータはアクチベータに対して約0.01モル~約7モルの濃度水準で蛍光体のホスト結晶格子中にドープされる。別の実施形態においては、Aはアクチベータに対して約0.01モル~約10モルの濃度水準で蛍光体のホスト結晶格子中にドープされる。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は250°Cまでの温度で少なくとも60のその相対発光強度を維持する。他の実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は250°Cまでの温度で少なくとも85のその相対発光強度を維持する。他の実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は250°Cまでの温度で少なくとも90のその相対発光強度を維持する。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は200°Cまでの温度で少なくとも60のその相対発光強度を維持する。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は200°Cまでの温度で少なくとも85のその相対発光強度を維持する。他の実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は200°Cまでの温度で少なくとも90のその相対発光強度を維持する。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は150°Cまでの温度で少なくとも60のその相対発光強度を維持する。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は150°Cまでの温度で少なくとも85のその相対発光強度を維持する。さらなる実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は150°Cまでの温度で少なくとも90のその相対発光強度を維持する。他の実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は150°Cまでの温度で少なくとも95のその相対発光強度を維持する。ある実施形態においては、蛍光体粒子の形状は球状および/または棒状であり得る。ある実施形態においては、本発明の蛍光体粒子のメジアン直径が約2~約50ミクロン、好ましくは約4~約30ミクロン、より好ましくは約5~約20ミクロンでありうる。さらなる実施形態においては、本発明の蛍光体粒子は約2~約10ミクロンの直径、または約3~約9ミクロンの直径でありうる。ある実施形態においては、蛍光体はグレインである。他の実施形態においては、蛍光体は粒子である。ある実施形態においては、本発明は約200~約600nm、好ましくは約350~約490nmの波長範囲にピークを有する光を放射する光源;および少なくとも1種の本発明の蛍光体組成物を含む発光素子であって、前記蛍光体組成物が前記光源からの光出力の少なくとも一部分を吸収するように配置され、かつ前記光源から吸収された光の色を効率的に変えて、結果的に前記光源から吸収された光の波長よりも長い波長の発光をもたらす発光素子をさらに提供する。例えば、本発明の蛍光体組成物はシリコーン樹脂と混合されてスラリーを形成しうる。この蛍光体充填シリコーンは図36~39に示されるようなLEDチップに適用されうる。このLEDは近紫外nUV範囲例えば、約405nmまたは青色範囲例えば、約450nmの光を放射する。本発明に使用される光源は、例えば、量子井戸構造quantumwellstructureを含む発光層を有する窒化ガリウム系LEDを含むことができる。発光素子は本発明の蛍光体およびLEDまたは発光体からの光を向ける様に配置される反射体図36を参照を含むことができる。本発明の蛍光体はLEDの表面に配置されていてよく図36および37またはそれらから離されていてよい図38。発光素子は、図36~39に認められるように、LEDおよび蛍光体を封止する半透明材料をさらに含むことができる。ある実施形態においては、本発明の発光素子は、励起エネルギーを作り出すために、または別の系を励起してそれにより本発明の蛍光体のための励起エネルギーを提供するために光源、例えば、LEDを含む。本発明を使用する素子には、例えば、限定されないが、白色光発生発光素子、インジゴ色光発生発光素子、青色光発生発光素子、緑色光発生発光素子、黄色光発生発光素子、橙色光発生発光素子、ピンク色光発生発光素子、赤色光発生発光素子、または本発明の蛍光体の色度と少なくとも1つの第2の光源の色度との間のラインによって定義される出力色度を有する発光素子が挙げられうる。ヘッドライトまたは車両のための他のナビゲーション光は本発明の発光素子を用いて製造されうる。発光素子は、携帯電話および個人用デジタル補助装置PDAなどの小さな電子装置のための出力インジケータであることができる。本発明の発光素子はTV、携帯電話、PDAおよびラップトップコンピュータのための液晶ディスプレイのバックライトでありうる。一般的な照明目的のための照明装置も本発明の発光素子で製造されうる。適切な電力供給を前提として、室内照明が本発明の素子に基づくことができる。本発明の発光素子の暖かさすなわち、黄色/赤色色度は本発明の蛍光体からの光と、第2の光源例えば、第2の蛍光体からの光との比率の選択によって操作されうる。半導体光源ベースの白色光素子が、例えば、オーディオシステム、家庭用電化製品、測定装置、医療器具などの表示部分上のあらかじめ決定されたパターンまたはグラフィックデザインを表示するための自己発光型ディスプレイにおいて使用されうる。このような半導体光源ベースの光素子も、例えば、限定されないが、液晶ダイオードLCDディスプレイ、プリンタヘッド、ファクシミリ、コピー装置などのためのバックライトの光源として使用されうる。本発明の発光素子は約350nm~約750nmの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。この発光素子は、例えば、少なくとも350nm、または少なくとも355nm、または少なくとも340nmなど5の増分で少なくとも750nmまでの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。この発光素子は、例えば、最大750nm、または最大745nm、または最大740nmなどの5づつ減るようにして350nmまでの波長範囲にピークを有する光を放射することができる。本発明の発光素子の発光におけるピークについての典型的な範囲には、限定されないが、約500nm~約650nm、または約530nm~約560nm、または約550nm~約600nm、または約580nm~約660nmが挙げられる。本発明における使用に適する半導体光源は本発明の蛍光体組成物を励起する光を作り出すもの、または異なる蛍光体を励起し、その異なる蛍光体が次に本発明の蛍光体を励起するものでもある。この半導体光源は、例えば、限定されないが、GaN窒化ガリウム型半導体光源;In-Al-Ga-N型半導体光源、例えば、IniAljGakN式中、ijk=約1であり、並びにi、jおよびkの1以上は0であり得る;BN;SiC;ZnSe;BiAljGakN式中、ijk=約1であり、並びにi、jおよびkの1以上は0であり得る;並びに、BiInjAlkGalN式中、ijkl=約1であり、並びにi、j、kおよびlの1以上は0であり得るをはじめとする光源;並びに他のこのような類似の光源であり得る。半導体光源例えば、半導体チップはIII-VもしくはII-VI量子井戸構造第III族からの化学元素と第V族からのものとの、または第II族からの元素と第VI族からのものとの、周期表の元素を組み合わせた化合物を含む構造を意味するをベースにしていてもよい。ある実施形態においては、青色または近紫外nUV発光半導体光源が使用される。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は主光源、例えば、約300~約500nm、約350nm~約480nm、もしくは約330nm~約390nmの波長範囲で発光する半導体光源例えば、LEDからの光、または第2の光源からの光、例えば、約300nm~約500nm、もしくは約350nm~約420nmの波長範囲で発光する他の蛍光体単一もしくは複数からの放射によって励起されうる。励起光が二次的であって、本発明の蛍光体組成物に関連している場合には、この励起で誘起される光が関連する光源である。本発明の蛍光体組成物を使用する素子は、例えば、限定されないが、本発明の蛍光体組成物によって生じた光を素子の内側に向けるのではなく、その光を光出力に向ける反射鏡、例えば、誘電体反射鏡を含むことができる例えば、一次光源。光源例えば、LEDは、ある実施形態においては、少なくとも約200nm、少なくとも約250nm、少なくとも約255nm、少なくとも約260nmなどで、5nmの増分で、少なくとも約600nmまでの光を放射することができる。ある実施形態においては、光源は、600nmを超える光を放射する。光源は、ある実施形態においては、約600nm以下、約595nm以下、約590nm以下などで、5nmずつの下降分で、約200nm以下までの光を放射することができる。ある実施形態においては、光源は200nm未満の光を放射する。ある実施形態においては、光源は半導体光源である。LEDチップが使用される場合には、LEDチップは、図20~23に示されるようにドーム状の形状の透明封止材で有利に満たされる。封止材は1つには機械的保護を提供し、他方では、封止材は光学特性をさらに向上させるLEDダイの向上した発光。蛍光体組成物は封止材中に分散されうる。封止材によって、基体上に配置されたLEDチップと、ポリマーレンズとが、できるだけガスを含むことなく結合される。LEDダイは封止材によって直接密封されうる。しかし、LEDダイが透明封止材で密封されることも可能であるすなわち、この場合には、透明封止材と、蛍光体組成物を収容するための封止材とが存在する。互いに近い屈折率のせいで、この界面での反射による損失はほとんどない。構造修飾において、1以上のLEDチップが反射鏡内で基体上に配置され、かつ蛍光体組成物が、反射鏡上に配置されたレンズ中に分散させられる。あるいは、1以上のLEDチップは反射鏡内で基体上に配置されることができ、かつ蛍光体は反射鏡上にコーティングされうる。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物はシリコーンおよびエポキシ樹脂のような封止材中に分散されうる。蛍光体混合封止材組成物がLEDチップ上に配置されることができ、このLEDチップは基体上に搭載されている。蛍光体混合封止材組成物と組み合わせられたLEDの構造体は保護層としての透明封止材によって密封されうる。ある実施形態においては、外側透明封止材層は出力光を方向づけかつ分布させるためにドーム形状に形作られる図36~39。代替的な素子構造においては、1以上のLEDチップが基体上に搭載され、および蛍光体混合封止材組成物がこの複数チップ素子上に配置される図39。ある実施形態においては、本発明の蛍光体組成物は、バインダー、固化剤、分散剤、充填剤などと共に発光素子内に分散されうる。バインダーは、例えば、限定されないが、光硬化性ポリマー、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカルボナート樹脂、シリコーン樹脂、ガラス、石英などでありうる。本発明の蛍光体は当該技術分野において知られている方法によってバインダー中に分散されうる。例えば、ある場合には、蛍光体は懸濁されたポリマーと共に溶媒中に懸濁されることができ、よって蛍光体含有スラリー組成物を形成し、ついで、これが発光素子上に適用されることができ、そしてそこから溶媒が蒸発させられうる。ある実施形態においては、蛍光体は液体中に懸濁されることができ、例えば、あらかじめ硬化された前駆体を樹脂に懸濁してスラリーを形成し、次いで、そのスラリーが発光素子上に分散されることができ、そしてその上でポリマー樹脂が硬化されうる。硬化は、例えば、熱、UV、または前駆体と混合された硬化剤例えば、フリーラジカル開始剤によることができる。本明細書において使用される場合、硬化とは物質またはその混合物を重合または固化するプロセスであるか、そのプロセスに関し、多くの場合、その物質またはその混合物の安定性もしくは有用性を向上させる。ある実施形態においては、発光素子中に蛍光体粒子を分散させるために使用されるバインダーは熱で液化されることができ、それによって、スラリーを形成し、次いでそのスラリーが発光素子上に分散させられ、そしてその場での固化を可能にする。分散剤1つの物質の別の物質との混合物例えば、懸濁物の形成および安定化を促進する物質を意味するには、例えば、限定されないが、二酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素などが挙げられる。ある実施形態においては、少なくとも1種の追加の蛍光体が以下から選択される:1緑色光を放射する1種以上の蛍光体組成物、例えば、限定されないが、Ca1-xSrxGa2S4:Eu20≦x≦1、Ca1-x-y-zMgxSryBazSiO4:Eu20≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1、BaMgAl10O17:Eu2、Mn2、MYSi4N7:Eu2M=Ca、Sr、Ba、β-サイアロン:Eu2、MSi2O2N2:Eu2M=Mg、Ca、Sr、Ba、Ba3Si6O12N2:Eu2、M2Si5N8:Ce3M=Ca、Sr、Ba、Y2Si4N6C:Ce3、およびα-サイアロン:Yb2、2青色光を放射する1種以上の蛍光体組成物、例えば、限定されないが、MSiO3mSiO2n:Eu2、XM=Mg、Ca、Sr、Ba;X=F、Cl、Br、I;mは1または0であり、かつim=1の場合にはn>3、またはiim=0の場合にはn=l、MAl2O4:Eu2M=Mg、Ca、Sr、およびBaMgAl10O17:Eu2、3黄色光を放射する1種以上の蛍光体組成物、例えば、限定されないが、Y3Al5O12:Ce3セリウムドープガーネット系蛍光体、並びにα-サイアロン:Eu2、並びに4赤色光を放射する1種以上の蛍光体組成物、例えば、限定されないが、Ca1-xSrxS:Eu20≦x≦1、3.5MgO0.5MgF2GeO2:Mn4、Y2O2S:Eu3、M2Si5N8:Eu2M=Ca、Sr、Ba、MAlSiN3:Eu2M=Ca、Sr、Y2Si4N6C:Eu2、およびCaSiN2:Eu2。ある実施形態においては、1種以上の追加の蛍光体組成物が本発明の蛍光体組成物に追加されて、例えば、限定されないが、白色光LEDランプを作成する。この追加の蛍光体の組成物は、限定されないが、以下のものが挙げられる:aCa1-xAlx-xySi1-xxyN2-x-xyCxy:A、bCa1-x-zNazMIIIx-xy-zSi1-xxyzN2-x-xyCxy:A、cMII1-x-zMIzMIIIx-xy-zSi1-xxyzN2-x-xyCxy:A、dMII1-x-zMIzMIIIx-xy-zSi1-xxyzN2-x-xy-2w/3CxyOw-v/2Hv:A、およびeMII1-x-zMIzMIIIx-xy-zSi1-xxyzN2-x-xy-2w/3-v/3CxyOwHv:A式中、0<x<l、0<y<l、0≦z<l、0≦v<l、0<w<l、xz<l、x>xyz、v/2≦w、x-xy-2w/3-v/3<2、および0<x-xy-z<lであり;MIIは少なくとも1種の二価カチオンであり;MIは少なくとも1種の一価カチオンであり;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンであり;Hは少なくとも1種の一価アニオンであり;並びに、Aはルミネセンスアクチベータである。ある実施形態においては、例えば、限定されないが、白色光LEDランプを作成するために、1種以上の追加の蛍光体組成物が本発明の蛍光体組成物に添加される。この追加の蛍光体の組成は限定されないが、以下の通りであり得る:式中、MIIは少なくとも1種の二価カチオンを含み;MIは少なくとも1種の一価カチオンを含み;MIIIは少なくとも1種の三価カチオンを含み;Hは少なくとも1種の一価アニオンを含み;並びに、Aはホスト結晶格子中にドープされているルミネセンスアクチベータを含む。本明細書に記載される蛍光体のいずれも本発明の発光素子を作成するために使用されうることに留意されたい。複数の蛍光体組成物が使用される場合には、複数の蛍光体組成物がそれぞれのマトリックス中に懸濁されていることが有利であり得る、そしてその場合には、これらマトリックスは光伝播方向の前後に配置されうる。それにより、マトリックス濃度は、異なる蛍光体組成物が一緒に分散されそして混合される場合と比べて低減されうる。製造および加工目標蛍光体組成物のそれぞれについてデザインされたモル比の窒化ケイ素、炭化ケイ素、金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物および/または金属の出発材料の固体状態反応によって、蛍光体サンプルが製造された。金属窒化物および窒化ユーロピウムは事前にそれぞれの金属を窒化物形成することにより調製された。以下の実施例の製造において使用された本発明の蛍光体組成物を構成する特定の元素およびそのソース材料は表1に示される。製造においては、粉体形態のこれらソース材料が乾燥N2保護下でグローブボックス内で秤量され、混合されそしてグラインドされた。この粉体混合物は、次いで、高温炉内で1600~1850°Cで8~12時間にわたってN2/H2雰囲気下で加熱された。生じた蛍光体生成物は粉砕され、ふるいにかけられ、そして洗浄された。この蛍光体生成物はX線回折、ルミネセンス分光分析および光反射技術によって試験され、分析された。実施例1:ファミリー1Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2の蛍光体組成物の製造および特性実施例1.1:Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2z=0蛍光体組成物Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2のサンプルすなわち、組成物1Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2、z=0が、表2に示されるデザインされた比率での窒化ストロンチウムSr2NまたはSr3N2、窒化ケイ素α-Si3N4またはβ-Si3N4、炭化ケイ素α-SiCまたはβ-SiC、窒化ユーロピウムEuNの出発材料の固体状態反応によって合成された。この製造は上述の高温およびポスト焼成処理の手順に従った。この蛍光体生成物のルミネセンス特性は目標化学組成と共に表3に示される。量子効率によって測定されるルミネッセンス効率は組成物中の特定の範囲の炭素の添加によって増強される。図1は典型的なSr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2蛍光体のXRDパターンを示す。この回折パターンはこれら蛍光体の組成物中の炭素含量の順に配置されており、すなわち、最も上の位置のサンプル1.8についてのパターンは組成物中に最も多い量の炭素x=4.0を含むが、最も下の位置のサンプル1.10についてのパターンは組成物中に最も少ない量の炭素x=1.0を含んでいる。結晶性化合物Sr2Si5N8についての疑似回折パターンが参照として最低部位置に提示される。低い炭素含量、例えば、1.10の蛍光体のXRDパターンはSr2Si5N8化合物のと同様の回折パターンを有する。観察されたXRDパターンの分析は、サンプル蛍光体Sr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2はSr2Si5N8に対して同形isotypicalである。Sr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2の組成物中の炭素含量が増大するにつれて、Sr2Si5N8中の格子内への炭素の組み込みのせいで、回折ピークが規則正しい置き換えをより低い回折角2θにする。窒素含量より低い炭素含量のサンプルにおいては、XRDパターンは純粋な単結晶相を示す。しかし、炭素含量が窒素含量を上回るすなわち、C/Nのモル比>1場合には、図1のサンプル1.8のXRDパターンにおいて認められるように少量の第2のSiCの相が存在する。さらに、Sr2Si5N8:Eu2との比較において、Sr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2のカルビドニトリド蛍光体は、棒状の粒子の形態のせいで、特に高い炭素含量で強く好ましい配向を示す。典型的な例として、Sr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2x=3、Eu2=5モルのストロンチウムケイ素カルビドニトリド蛍光体の結晶構造データは表4にまとめられる。炭素原子は蛍光体の構造中の全てのNN[3]およびN[2]上に統計的に分布しうることも注目に値する。よって、この結晶構造データは表において与えられた結果によって限定されない。図2Aおよび2Bはサンプル1.7のリートベルト解析および投影結晶構造示す。図3はサンプル1.7についての代表的なルミネセンス励起および発光スペクトルおよび光反射プロファイルを示す。この励起および反射スペクトルはこの蛍光体が350nm~600nmの範囲の光を吸収し、かつこの光によって効果的に励起されることを示す。この蛍光体は500~800nmのスペクトル範囲において約600nmでピークを形成する赤色光を放射する。蛍光体組成物Sr2Si5N8-4x/3Cx:Eu2において炭素含量が増大されるにつれて、発光帯は1.10対1.12、および1.7対1.8について図4において示されるようにより短い波長の方に向かってシフトするが、Eu2の吸収端は図5に示されるように青色シフトされる。図6には温度の関数として相対発光強度がプロットされ、これはケイ素カルビドニトリド蛍光体が高い熱安定性を有していること、すなわち、ルーメン維持が150°Cで約90であることを示す。実施例1.2:Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2z>0蛍光体組成物Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2のサンプルすなわち、組成物1式中、z>0が、表5に示されるデザインされた比率での窒化ストロンチウムSr2NまたはSr3N2、窒化ケイ素α-Si3N4またはβ-Si3N4、炭化ケイ素α-SiCまたはβ-SiC、酸化ユーロピウムEu2O3の出発材料の固体状態反応によって合成された。この製造は上述の高温およびポスト焼成処理の手順に従った。この蛍光体生成物のルミネセンス特性は目標化学組成と共に表6に示される。量子効率によって測定されるルミネッセンス効率は組成物中の特定の範囲の炭素の添加によって増強される。例えば、組成物Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2が一定の量のEuと変化する量の炭素xを含んでなる1.14、1.15、1.16、1.17、1.18、1.19、1.20、1.21および1.22のグループにおいては、ルミネセンス発光はx=1.0で、最も高い水準のQE=104およびEmInt=119に到達した。図7は組成物Sr2Si5N8-4x/3zCxO3z/2:Eu2中の炭素の量が変動する場合の蛍光体のXRDパターンを示す。図7における回折パターンはこれら蛍光体の組成物中の炭素含量の順に配置されており、すなわち、最も上の位置のサンプル1.22についてのパターンは組成物中に最も多い量の炭素x=5.0を含むが、最も下の位置のサンプル1.23についての回折パターンは組成物中に最も少ない量の炭素x=0.5を含んでいる。結晶性化合物Sr2Si5N8についての疑似回折パターンが参照として最低部位置に提示される。低い炭素含量、例えば、1.23および1.24の蛍光体のXRDパターンはSr2Si5N8化合物のと同様である。観察されたXRDパターンの分析は、蛍光体Sr2Si5N8-4x/3zCxO3z/2:Eu2はSr2Si5N8に対して同形である。炭素含量が増大するにつれて、サンプル1.25、1.26、1.27、1.32および1.22について観察されるように回折パターンが変化する。x<4の炭素含量の蛍光体においては、XRDパターンは純粋な単結晶相を示す。しかし、炭素含量がx>4に増加する場合には、図7において1.22のXRDパターンにおいてXiC結晶相からの回折が現われる。図8および9はサンプル1.19のリートベルト解析および投影結晶構造示す。この蛍光体の詳細な結晶構造は表7にまとめられる。ここで、炭素原子は蛍光体の構造中の全てのNN[3]およびN[2]上に統計的に分布しうることも注目に値する。よって、この結晶構造データは表において与えられた結果によって限定されない。図10はサンプル1.19によって示されるような、Sr2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2の組成物の代表的な蛍光体のルミネセンス励起および発光スペクトルを描く。この励起プロファイルは350nm~550nmの範囲での効果的な励起を示す。一方、図11における反射プロファイルは同じ波長レジームでの強い吸収を示す。近UVおよび青色光励起下で、蛍光体は630nmでの赤色光を高い量子効率~94.2で発光する。さらに、発光帯はEu2濃度によって調節されうるだけでなく、図12に示されるように炭素含量によっても調節されうる。発光帯の青色シフトは図7におけるXRDをより小さい角度にずらすことによって明らかとなるホスト格子の拡張をもたらす窒化物格子における炭素の組み込みによるものとされうる。この発光ピークの青色シフトは図11に示されるようなEu2の吸収端の青色シフトに付随して起こる。図13に示されるように、蛍光体のルーメン維持が150°Cで85を超え、かつ高炭素含量蛍光体サンプル1.15、x=1.0および低炭素含量蛍光体サンプル1.21、x=4.0の双方が高い熱安定性を示す。実施例2:ファミリー2MII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2の蛍光体組成物の製造および特性蛍光体組成物MII2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euy2のサンプルすなわち、組成物2が、表8に示されるデザインされた比率での窒化ストロンチウムSr2NまたはSr3N2、窒化カルシウムCa3N2、窒化バリウムBa3N2、窒化ケイ素α-Si3N4またはβ-Si3N4、炭化ケイ素α-SiCまたはβ-SiC、窒化ユーロピウムEuNの出発材料の固体状態反応によって製造された。この製造は上述の高温およびポスト焼成処理の手順に従った。この蛍光体生成物のルミネセンス特性は目標化学組成と共に表9に示される。具体的な例が以下にされに説明される。実施例2.1:Ba2Si5N8-4x/3Cx:Eu2X線回折パターンのリートベルト解析図14Aは、蛍光体サンプル2.2が純粋な結晶相材料であり、かつBa2Si5N8-4x/3Cx:Eu2x=1のその結晶構造が窒化化合物Ba2Si5N8のと類似することを示す。この結晶構造データは表10にまとめられている。図14Bはこのサンプルの投影結晶構造を描く。370~520nmの波長範囲における励起下で、この蛍光体は約590nmでピークを有する580~650nmの範囲の橙黄色または橙赤色光を発光する図15。この発光ピーク波長は表8および9において観察されるように、組成物中のEuの濃度に応じて決定される。この蛍光体はルミネセンスの良好な熱安定性を示す。ルーメン維持は図16に示されるように150°Cで80を超える。実施例2.2:Ca2Si5N8-4x/3Cx:Eu2Ca2Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2、式中、z=0、x=2この蛍光体組成物サンプル2.7のXRDパターンのリートベルト解析は、図17Aに示されるように、得られた生成物が純粋な単相カルビドニトリドであり、このXRDパターンがCa2Si5N8窒化物化合物のと類似することを示す。しかし、この格子への炭素の組み込みのせいで、内部構造は窒化物格子からずらされている。この結晶構造の投影図が図17Bに示されている。決定された結晶構造データが表11にまとめられる。この蛍光体結晶の構造においては、図17Bにおけるモデルに可視化されているように、格子中のN[3]の形態を有するN位置を炭素原子が部分的に占有する。あるいは、炭素原子は蛍光体の構造中の全てのNN[3]およびN[2]上に統計的に分布しうる。よって、この結晶構造データは表において与えられた結果によって限定されない。蛍光体Ca2Si5N8-4x/3Cx:Eu2x=2は370~540nmの波長範囲における可視光によって効果的に励起され図18かつ約610nmを中心とする広い発光帯の橙赤色光を発光する。この蛍光体の発光ピーク位置はEu濃度によって、およびCaを他の金属、例えば、SrまたはBaまたはこの両方の混合物で置き換えることによって変化させられる。この蛍光体の熱クエンチングプロファイルは図19に示される。この蛍光体の発光強度は温度の上昇によって非線形的に低下する。実施例2.3:Sr0.9Ba0.11.9Eu0.1Si5N8-4x/3Cx:Eu2この蛍光体組成物サンプル2.4、Sr0.9Ba0.12Si5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2z=0、x=1のXRDパターンは、純粋な結晶相を示す図20。この回折パターンは図20に示されるようなSr2Si5N8の疑似パターンにほぼ適合する。この回折は、Sr2Si5N8の疑似パターンのものと比較して低い回折角2θにシフトする。この回折のシフトは結晶構造中での炭素含量およびSrのかわりのBaのせいである。図21は453nmでの青色励起の下での蛍光体サンプル2.4の励起および発光スペクトルと、この蛍光体の反射プロファイルとを示す。この蛍光体は370~550nmのスペクトル範囲に強い吸収を有し、かつ近UVおよび青色光によって効果的に励起されうることが明らかである。青色光から吸収されたエネルギーはEu2の4f65d1→4f7の電子遷移によって赤色光に変わることができる。発光帯は、この蛍光体について予想されるように、BaまたはCaの組み込みによって約632nmでの相対的により長い波長に配置され、この発光ピークも組成物中のEu2含量によって調節されうる。図22におけるSr0.9Ba0.11.9Eu0.1Si5N8-4x/3Cx:Eu2x=1、Eu=5molの温度依存曲線はこの赤色蛍光体が高温で高い熱安定性を有することを示す。残存発光強度は150°Cでその室温の強度の約85である。実施例3:ファミリー3MII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2の蛍光体組成物の製造および特性蛍光体組成物MII2-wMI2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Eu2のサンプルが、表12に示されるデザインされた比率での金属窒化物、純粋金属、窒化ケイ素α-Si3N4またはβ-Si3N4、炭化ケイ素α-SiCまたはβ-SiC、窒化ユーロピウムEuNおよび酸化ユーロピニウムEu2O3の出発材料の固体状態反応によって製造された。この製造は上述の高温およびポスト焼成処理の手順に従った。この蛍光体生成物のルミネセンス特性は目標化学組成と共に表13に示される。具体的な例が以下にされに説明される。図23は蛍光体サンプル3.3のXRDパターンを示す。この回折パターンは、純粋な結晶相を示し、かつ実施例1.2における蛍光体のと類似しており、このことは結晶構造中のSrイオンが部分的にLiまたはNaで置換えられていることを示唆する。反射ピークがより高い回折角2θにシフトされ、一方でこれらピークの相対強度がSr2Si5N8化合物のものから変えられる。この事実は、結晶構造中でSrをより小さなサイズのイオンであるLiまたはNaに置き換えることに起因する結晶の単位胞の収縮を示唆する。近UVおよび青色光励起の下で、この蛍光体は550~750nmの波長範囲の赤色光を発光する。この発光ピークは、蛍光体組成物中のEu、C、LiおよびNaの含量に応じて618~643nmの波長範囲で変化する表13。蛍光体3.3のサンプルは図24に示されるような、約643nmのピークを有する550~750nmの波長範囲で赤色光を効率的に発光する。この蛍光体のルミネセンス発光の熱クエンチングが図15に示される。ルーメン維持は150°Cで約85であり、これはこの蛍光体が発光の高い熱安定性を有することを示す。実施例4:ファミリー4MII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Aの蛍光体組成物の製造および特性蛍光体組成物MII2-wMI2wSi5-mMIIImN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Euのサンプルが、金属窒化物、金属酸化物、窒化ケイ素α-Si3N4またはβ-Si3N4、炭化ケイ素α-SiCまたはβ-SiC、窒化ユーロピウムEuNまたは酸化ユーロピニウムEu2O3および酸化ケイ素の出発材料の固体状態反応によって合成された。上記出発材料は表14に示されるデザインされた量で、グローブボックス内で乾燥N2雰囲気下で、秤量され、次いで混合されおよび/またはグラインドされた。その後、この粉体混合物は1450~1750°Cで、約8~12時間にわたって、N2/H2雰囲気下で高温炉内で焼成された。焼成後、生成物はグラインドされ、ふるいにかけられ、そして水で洗浄された。蛍光体生成物の組成係数およびルミネセンス特性は表15に示される。実施例4.1:Sr2-wLi2wSi5N8-[4x/3z]CxO3z/2:Euこの蛍光体組成物は組成物中で等モル量の酸素および炭素を有する様に、すなわちx=3z/2にデザインされた。この組成物においては、x≠3z/2を有するそれら蛍光体組成物よりも少ない欠陥しか導入しないようにCO6-→2N3-のクロス置換が目標にされる。蛍光体生成物が純粋な単相結晶であることが、図26に示されるXRDパターンに明らかに認められる。蛍光体の結晶構造は化合物Sr2Si5N8と類似する。この蛍光体は図27に示されるように、370~550nmのスペクトル範囲において高い吸収を有し、かつ近UVおよび青色光によって効果的に励起されることができ、これは約631nmでの発光ピークを有する赤色光を発光する。一方、Al、BおよびLi/Naの組み込みによって、並びにC/N/O比率の変動によって、Euの発光帯も調節されうる。このケイ素カルビドニトリドのルミネセンスの温度依存性図28は150°Cでのルミネセンス維持が室温での当初強度の約80であることを示し、このことはこの蛍光体の高い熱安定性を示唆する。実施例4.2:Sr2-wLi2wSi5-mAlmN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Eu図29はこの蛍光体の実施例サンプル4.3についての粉体XRDパターンのリートベルト解析を示す。得られた生成物がケイ素カルビドニトリド蛍光体の純粋な単相固体溶液であり、その構造がSr2Si5N8窒化物材料のと類似することが明らかである。この種の構造においては、LiおよびAl原子がそれぞれSrおよびSi部位に分布させられている。図30は蛍光体サンプル4.3の励起、発光および拡散反射スペクトルを示す。この赤色発光蛍光体は近UVおよび青色光によって効果的に励起されることができ、かつ高い量子効率を生じさせる。さらに、この種の蛍光体は図31に示されるような、発光強度の小さな低下の室温での当初強度に対して150°Cで15未満高い熱安定性を有する。Li-Al添加のない他のケイ素カルビドニトリド材料との比較において、Eu2の発光帯は相対的に長波長に位置する。実施例4.3:Sr2-wLi2wSi5-mAlmN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Euw=0このサンプルサンプル4.6のXRDパターンのリートベルト解析は、この生成物が高純度の単相蛍光体図32参照であることを示す。この蛍光体の構造は化合物Sr2Si5N8と類似し、格子中へのCおよびAl-Oの組み込みのせいでこの窒化物構造からわずかな違いがある。この結晶構造データは表17にまとめられ、その投影結晶構造が図33に示される。図34は蛍光体組成物Sr2-wLi2wSi5-mAlmN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Eu2x=2、w=0、z=0.1、m=0.2の蛍光体サンプル4.6の励起、発光、および拡散反射スペクトルを示す。この種の蛍光体組成物Sr2-wLi2wSi5-mAlmN8-[4x/3zm]CxO3z/2m:Eu2x=2、w=0、z=0.1、m=0.2は図34に示されるように、370~550nmの範囲に強い吸収帯を有し、かつ約630nmでの幅広の発光ピークを有する赤色光を発光する。蛍光体の熱クエンチングは図35に示される。ルーメン維持は150°Cで80を超えており、このことはこの種の蛍光体がEu2発光の高い熱安定性を有することを示す。実施例5:ファミリー5MIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:Aの蛍光体組成物の製造および特性出発材料のSr2N、Si3N4、SiC、およびEuF3を表18に示されるデザインされた比率での固体状態反応によって蛍光体組成物MIIaMIbMIIIcDdEeCfFgHh:A式中、MII=Sr、D=Si、E=N、およびH=F;a=0.19、b=0、c=0、d=5、e=6.9、f=1、g=0、h=0.3が製造された。実施例6:pcLEDの製造本発明の蛍光体組成物が発光ダイオードLEDと組み合わせられて、発光素子を形成することができる。この発光素子は概してそのLEDの色から調節された色の発光を作り出す。本発明の赤色発光カルビドニトリド蛍光体組成物は、例えば、これに限定されないが、樹脂封止材と混合されて蛍光体含有スラリーを形成する。このスラリーは、次いで、図36~39に示されるデザインで青色発光LEDチップ上に適用される。実際には、この蛍光体はシリコーン樹脂シリコーン、シンエツLPS-2511と混合された。この蛍光体含有封止材スラリーは、次いで、AlGaN-ベースの青色発光LEDチップ上にインジェクトされ、次いで、製造者の硬化スケジュールに従って硬化処理を行った。実施例6.1:青色発光LEDおよび赤色発光蛍光体から構成されるpcLED図40は、組成物1サンプル1.29の赤色発光蛍光体が青色発光LEDと共に図37のランプ構造内にパッケージ化されている発光素子の発光スペクトルを示す。この発光光はピンク色を有する。実施例6.2:白色光pcLED組成物1サンプル1.29の赤色発光蛍光体および黄色または緑色発光蛍光体下記表における第2蛍光体を青色発光LEDと共に図37に示された素子構造内で組み合わせることにより白色光pcLEDが製造された。この蛍光体ブレンドはシリコーン樹脂中で表20に示された比率で混合される。このpcLEDの発光スペクトルは図41に示される。このpcLEDの発光性能が表21に示される。この結果は、組成物1の蛍光体の発光が、pcLEDにおいてCCT=2016Kおよび2311Kの温白色照明装置を達成するのを助けることを示す。本発明は、実施例に開示された具体的な実施形態による範囲に限定されず、これら実施例は本発明のいくつかの態様の例示として意図されており、かつ機能的に等価のどの実施形態も本発明の範囲内にある。実際に、本明細書に示されかつ説明されたものに加えて、本発明の様々な改変が当業者には明らかになるであろうし、かつそのような改変は特許請求の範囲内に含まれることが意図される。"