"下記式1で表される構成単位を含む高分子化合物。[式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数を表す。R1及びR2が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。]前記式1で表される構成単位が、下記式2で表される構成単位である、請求項1に記載の高分子化合物。更に、下記式3で表される構成単位及び下記式4で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位を含む、請求項1又は2に記載の高分子化合物。[式3中、Ar1は、非置換若しくは置換の炭素原子数が6~18のアリーレン基を表す。但し、式3で表される構成単位は、式1で表される構成単位とは異なる。][式4中、Ar2、Ar3及びAr4はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換の炭素原子数が6~18のアリーレン基を表す。R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。cは0又は1を表す。]前記式3で表される構成単位が、下記式5で表される構成単位である、請求項3に記載の高分子化合物。[式5中、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。]下記式6:[式6中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数を表す。R1及びR2が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。X1及びX2はそれぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。]で表される化合物を重合することを含む、下記式1:[式1中、R1、R2、a及びbは、前記と同義である。]で表される構成単位を含む高分子化合物の製造方法下記式6で表される化合物。[式6中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数を表す。R1及びR2が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。X1及びX2はそれぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。]下記式a:[式a中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数を表す。R1及びR2が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。X1はハロゲン原子を表す。Z1は、ホウ酸エステル残基、又は、ホウ酸残基を表す。]で表される化合物と、ハロゲン化剤とを反応させることを含む、下記式6:[式6中、R1、R2、a、b及びX1は、前記と同義である。X2は、ハロゲン原子を表す。]で表される化合物の製造方法。請求項1~4のいずれか一項に記載の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料とを含有する組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載の高分子化合物と、溶媒とを含有する液状組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む薄膜。陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた請求項1~4のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む層と、を有する発光素子。しかし、上記高分子化合物は、発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の色純度が十分ではない。そこで、本発明は、発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の色純度が優れる高分子化合物を提供することを目的とする。本発明は第一に、下記式1で表される構成単位を含む高分子化合物を提供する。[式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数を表す。R1及びR2が複数存在する場合には、同一でも異なっていてもよい。]本発明は第二に、下記式6で表される化合物を提供する。[式6中、R1、R2、a及びbは、前記と同義である。X1及びX2はそれぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。]本発明は第三に、下記式aで表される化合物と、ハロゲン化剤とを反応させることを含む、前記式6で表される化合物の製造方法を提供する。[式a中、R1、R2、a、b及びX2は、前記と同義である。Z1は、ホウ酸エステル残基、又は、ホウ酸残基を表す。]本発明は第四に、前記高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料とを含有する組成物を提供する。本発明は第五に、前記高分子化合物と、溶媒とを含有する液状組成物を提供する。本発明は第六に、前記高分子化合物を含む薄膜を提供する。本発明は第七に、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた前記高分子化合物を含む層と、を有する発光素子を提供する。本発明の高分子化合物は、発光素子の作製に用いた場合に、得られる発光素子の色純度特に青色が優れたものである。以下、本発明の実施形態について説明する。まず、本明細書で用いられる用語を説明する。構成単位とは、高分子化合物中に1個以上存在する単位を意味する。アリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子2個を除いてなる原子団を意味し、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環の2個以上が直接結合又はビニレン基等を介して結合した基を含む。アリール基とは、芳香族炭化水素から水素原子1個を除いてなる原子団を意味し、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環の2個以上が直接結合した基を含む。ホウ酸残基とは、-BOH2で表される基を意味する。[高分子化合物]以下、好適な実施形態に係る高分子化合物について説明する。<式1で表される構成単位>本発明の高分子化合物は、前記式1で表される構成単位を含む。式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表し、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基が好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基がより好ましく、非置換若しくは置換のアルキル基が更に好ましい。式1中、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素原子数は通常1~50であり、好ましくは3~30であり、より好ましくは4~20である。非置換若しくは置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-n-ヘキシル-デシル基、等の非置換アルキル基;トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等の置換アルキル基が挙げられる。式1中、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアリール基は、置換基の炭素原子数を含まないで、炭素原子数が、通常、6~18である。非置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、1-ビフェニレニル基、2-ビフェニレニル基、2-フェナンスレニル基、9-フェナンスレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基が挙げられる。置換のアリール基としては、例えば、非置換のアリール基における水素原子の少なくとも1個が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アシル基、N,N-ジアルキルアミノ基、N,N-ジアリールアミノ基、シアノ基、ニトロ基、塩素原子、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、好ましくは、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、3-n-ブチルフェニル基、4-n-ブチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、3-n-ヘキシルフェニル基、4-n-ヘキシルフェニル基、4-n-オクチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、3-n-ヘキシル-5-メチルフェニル基、3,5-ジヘキシルフェニル基である。式1中、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルコキシ基は、置換基の炭素原子数を含まないで、炭素原子数が、通常、1~20である。非置換若しくは置換のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基が挙げられる。式1中、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアリールオキシ基は、置換基の炭素原子数を含まないで、炭素原子数が、通常、6~20である。非置換のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基が挙げられる。置換のアリールオキシ基としては、例えば、非置換のアリールオキシ基における水素原子の少なくとも1個が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アシル基、N,N-ジアルキルアミノ基、N,N-ジアリールアミノ基、シアノ基、ニトロ基、塩素原子、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。式1中、R1及びR2で表される置換のシリル基としては、例えば、シリル基における水素原子の1~3個が、非置換のアルキル基、及び、非置換若しくは置換のアリール基からなる群から選ばれる1~3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。非置換のアルキル基、及び、非置換若しくは置換のアリール基の定義、例は、前記と同じである。置換のシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ-n-プロピルシリル基、トリ-イソプロピルシリル基、ジメチル-イソプロピリシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。式1中、R1及びR2で表されるアルコキシカルボニル基は、炭素原子数が、通常、1~20である。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、n-ブチルオキシカルボニル基、tert-ブチルオキシカルボニル基が挙げられる。式1中、a及びbは、それぞれ独立に、好ましくは0~2であり、より好ましくは0である。前記式1で表される構成単位は、得られる発光素子の色純度がより優れるので、好ましくは、下記式2:で表される構成単位である。本発明の高分子化合物は、得られる発光素子の色純度がより優れるので、前記式1で表される構成単位に加えて、下記式3で表される構成単位及び下記式4で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上の構成単位を含むことが好ましい。[式3中、Ar1は、非置換若しくは置換の炭素原子数が6~18のアリーレン基を表す。但し、式3で表される構成単位は、式1で表される構成単位とは異なる。][式4中、Ar2、Ar3及びAr4はそれぞれ独立に、非置換若しくは置換の炭素原子数が6~18のアリーレン基を表す。R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。cは0又は1を表す。]前記式3中、Ar1で表される非置換若しくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、6~18であり、好ましくは6~13である。非置換のアリーレン基としては、例えば、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等のフェニレン基、1,4-ナフタレンジイル基、2,6-ナフタレンジイル基等のナフタレンジイル基、9,10-アントラセンジイル基等のアントラセンジイル基、2,7-フェナントレンジイル基等のフェナントレンジイル基、5,12-ナフタセンジイル基等のナフタセンジイル基、2,7-フルオレンジイル基等のフルオレンジイル基、2,8-クリセンジイル基、6,12-クリセンジイル基等のクリセンジイル基、ビフェニレン基、ジフェニルエーテルジイル基、2,2-ジフェニルプロパンジイル基が挙げられ、フルオレンジイル基が好ましい。置換のアリーレン基は、非置換のアリーレン基における水素原子の少なくとも1個が、置換基で置換された基である。この置換基としては、例えば、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基が挙げられ、好ましくは、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基であり、より好ましくは、非置換アルキル基、置換のアリール基である。前記置換基となり得る非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、置換のシリル基、アルコキシカルボニル基の定義、例は、それぞれ、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、置換のシリル基、アルコキシカルボニル基の定義、例と同じである。前記式4中、Ar2、Ar3及びAr4で表される非置換若しくは置換のアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、6~18であり、好ましくは6~13である。非置換のアリーレン基としては、例えば、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等のフェニレン基、1,4-ナフタレンジイル基、2,6-ナフタレンジイル基等のナフタレンジイル基、9,10-アントラセンジイル基等のアントラセンジイル基、2,7-フェナントレンジイル基等のフェナントレンジイル基、5,12-ナフタセンジイル基等のナフタセンジイル基、2,7-フルオレンジイル基等のフルオレンジイル基、ピレンジイル基、2,8-クリセンジイル基、6,12-クリセンジイル基等のクリセンジイル基、下記式4-Aで表される基等のビフェニレン基、ジフェニルエーテルジイル基、2,2-ジフェニルプロパンジイル基が挙げられ、フルオレンジイル基が好ましい。置換のアリーレン基としては、例えば、非置換のアリーレン基における水素原子の少なくとも1個が、前記置換基で置換された基が挙げられる。前記式4中、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、好ましくは、非置換若しくは置換の1,3-フェニレン基、非置換若しくは置換の1,4-フェニレン基、非置換若しくは置換の1,4-ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の2,6-ナフタレンジイル基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換の1,4-フェニレン基又は非置換若しくは置換の1,4-ナフタレンジイル基であり、更に好ましくは、非置換若しくは置換の1,4-フェニレン基である。前記式4中、Ar4は、好ましくは、非置換若しくは置換の1,3-フェニレン基、非置換若しくは置換の1,4-フェニレン基、非置換若しくは置換の14-ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の2,7-フルオレンジイル基、9,10-アントラセンジイル基、前記式4-Aで表される基であり、より好ましくは、非置換若しくは置換の1,4-フェニレン基、非置換若しくは置換の1,4-ナフタレンジイル基、非置換若しくは置換の2,7-フルオレンジイル基、9,10-アントラセンジイル基、前記式4-Aで表される基であり、更に好ましくは、非置換の1,4-フェニレン基、置換の2,7-フルオレンジイル基、前記式4-Aで表される基である。前記式4中、R3及びR4で表される非置換若しくは置換のアルキル基、及び、非置換若しくは置換のアリール基の説明、例は、R1及びR2の項における説明、例と同じである。前記式4中、cは、好ましくは1である。前記式3で表される構成単位としては、例えば、以下の式3-1~3-12で表される構成単位が挙げられる。[式3-1~3-12中、RAは、非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアルコキシ基、非置換若しくは置換のアリール基、非置換若しくは置換のアリールオキシ基、非置換若しくは置換のシリル基、フッ素原子、塩素原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、又は、シアノ基を表す。pは0~2の整数であり、qは0~3の整数であり、rは0~4の整数であり、sは0~5の整数である。RA、q、r及びsが複数ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。]前記式4で表される構成単位としては、例えば、以下の式4-1~4-3で表される構成単位が挙げられる。[式4-1~4-3中、RA、r及びsは、前記と同じ意味を有する。RAが複数ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。]前記式3で表される構成単位は、得られる発光素子の色純度がより優れるので、好ましくは、下記式5で表される構成単位である。[式5中、R5及びR6はそれぞれ独立に、水素原子、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。]前記式5中、R5及びR6で表される非置換若しくは置換のアルキル基、及び、非置換若しくは置換のアリール基の説明、例は、R1及びR2の項における説明、例と同じである。本発明の高分子化合物としては、例えば、以下の式P-1~P-19で表される高分子化合物が挙げられる。なお、以下の式P-1~P-19において、nn、x、y及びzは、構成単位数を表す。[式P-1~P-19中、R1、R2、RA、a、b、p、q、r及びsは、前記と同義である。]本発明の高分子化合物において、全構成単位の合計モル数に対する、式1で表される構成単位、式3で表される構成単位及び、式4で表される構成単位の合計モル数の割合は、80~100が好ましく、90~100がより好ましく、95~100が更に好ましく、100が特に好ましい。本発明の高分子化合物において、全構成単位の合計モル数に対する、式1で表される構成単位の合計モル数の割合は、1~100が好ましく、30~100がより好ましく、50~100が更に好ましく、60~100が特に好ましい。本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、GPCと言う。によるポリスチレン換算の数平均分子量Mnは、通常、1×103~1×108であり、好ましくは1×104~1×106である。高分子化合物のGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは、通常、2×103~2×108であり、成膜性が良好になるので、好ましくは2×104~2×106であり、より好ましくは3×104~1×106であり、更に好ましくは5×104~5×105である。本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に寿命が低下することがあるので、安定な基であることが好ましい。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素-炭素結合を介してアリール基が挙げられる。本発明の高分子化合物は、ホモポリマー、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。本発明の高分子化合物において、各構成単位は、それぞれ一種のみ含まれていてもよいし、二種以上組み合わせて含まれていてもよい。[高分子化合物の製造方法]本発明の高分子化合物の好ましい製造方法を説明する。本発明の高分子化合物は、例えば、前記式6で表される化合物を重合することを含む方法により製造することができるし、好ましい実施形態の高分子化合物は、例えば、前記式6で表される化合物と、下記式M-2で表される化合物及び下記式M-3で表される化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物とを重合することにより製造することができる。[式M-2中、Ar1は前記と同義である。Y1及びY2は、それぞれ独立に、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基、式a-2で表される基、式a-3で表される基、又は、式a-4で表される基を表す。][式M-3中、Ar2、Ar3、Ar4、R3、R4及びcは前記と同義である。Y3は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メトキシ基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基、下記式a-1で表される基、下記式a-2で表される基、下記式a-3で表される基、又は、下記式a-4で表される基を表す。2個存在するY3は、同一であっても異なっていてもよい。][式a-1中、RTは、非置換若しくは置換のアルキル基、又は、非置換若しくは置換のアリール基を表す。][式a-2中、XCは、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子を表す。][式a-3中、XCは、前記と同義である。][式a-4中、RTは、前記と同義である。複数存在するRTは、同一であっても異なっていてもよい。]Y1、Y2及びY3で表されるホウ酸エステル残基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。式a-1、a-4中、RTで表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基の定義、例は、R1及びR2で表される非置換若しくは置換のアルキル基、非置換若しくは置換のアリール基の定義、例と同じである。式a-1で表されるとしては、例えば、メタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基、フェニルスルホネート基、4-メチルフェニルスルホネート基が挙げられる。式a-4で表される基としては、例えば、トリメチルスタナニル基、トリエチルスタナニル基、トリブチルスタナニル基が挙げられる。X1及びX2は、反応性が向上するので、臭素原子であることが好ましい。Y1及びY2は、化合物の合成が簡便であり、かつ、取り扱いが容易であるので、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基であることが好ましい。Y3は、化合物の合成が簡便であり、かつ、取り扱い易いが容易であるので、臭素原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基であることが好ましい式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物は、予め合成し単離したものを用いることも、反応系中で調製してそのまま用いることもできる。本発明の製造方法における重合の方法としては、式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物を、適切な触媒及び適切な塩基を用いて反応させる方法が挙げられる。触媒としては、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、[トリスジベンジリデンアセトン]ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル[テトラキストリフェニルホスフィン]、[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]ジクロロニッケル、[ビス1,4-シクロオクタジエン]ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体と、必要に応じて、更にトリフェニルホスフィン、トリtert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子とからなる触媒が挙げられる。触媒は、予め合成したものを用いることもできるし、反応系中で調製したものをそのまま用いることもできる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。触媒を用いる場合には、その使用量は、式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物のモル数の合計に対する遷移金属の量として、0.00001~3モル当量が好ましく、0.00005~0.5モル当量がより好ましく、0.0001~0.2モル当量が更に好ましい。塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。塩基を用いる場合には、その使用量は、式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物のモル数の合計に対して、0.5~20モル当量が好ましく、1~10モル当量がより好ましい。重合は、通常、有機溶媒等の溶媒の存在下で行うことができる。有機溶媒は、式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物、式M-4で表される化合物の種類及び反応によって異なるが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフランTHF、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMFである。副反応を抑制するために、これらの溶媒に対して、脱酸素処理を行うことが望ましい。有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。有機溶媒の使用量は、式6で表される化合物、式M-2で表される化合物、式M-3で表される化合物の合計濃度が、通常、0.1~90重量、好ましくは1~50重量、より好ましくは2~30重量となる量である。重合の反応温度は、好ましくは-100~200°Cであり、より好ましくは-80~150°Cであり、更に好ましくは0~120°Cである。縮合の反応時間は、反応温度等の条件によるが、通常1時間以上であり、好ましくは2~500時間である。重合は、Y1、Y2又はY3が式a-2で表される基である場合には、無水条件下で行うことが望ましい。重合の方法としては、例えば、Suzuki反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、山本重合法により重合する方法が挙げられる。縮合重合の後処理は、メタノール等の低級アルコールに重合で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過し、乾燥させる方法等の公知の方法で行うことができる。後処理により本発明の高分子化合物が得られるが、高分子化合物の純度が低い場合には、再結晶、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。[化合物]前記式6で表される化合物は、得られる発光素子の色純度がより優れるので、好ましくは、下記式7で表される化合物である。[式7中、X1及びX2は、前記と同義である。]式6で表される化合物としては、例えば、下記式N-1~N-5で表される化合物が挙げられる。[式N-1~N-5中、a、b、R1及びR2は、前記と同義である。][化合物の製造方法]前記式6で表される化合物は、例えば、前記式aで表される化合物とハロゲン化剤とを反応させることにより、製造することができる。式a中、Z1で表されるホウ酸エステル残基の説明及び例は、前記Y1、Y2及びY3で表されるホウ酸エステル残基の説明及び例と同じである。ハロゲン化剤としては、銅塩とハロゲン化合物との組み合わせが挙げられる。銅塩がハロゲン化銅IIの場合、ハロゲン化合物は使用しなくてもよい。銅塩としては、例えば、銅I塩、及び銅II塩が挙げられる。銅I塩としては、例えば、ハロゲン化銅I、酢酸銅Iが挙げられる。銅II塩としては、例えば、ハロゲン化銅II、硝酸銅II、硫酸銅IIが挙げられる。ハロゲン化銅Iとしては、例えば、塩化銅I、臭化銅I、ヨウ化銅Iが挙げられる。ハロゲン化銅IIとしては、例えば、フッ化銅II、塩化銅II、臭化銅II、ヨウ化銅IIが挙げられる。銅塩の使用量は、式aで表される化合物に対して、通常、0.01モル以上100モル以下であり、0.05モル以上80モル以下が好ましく、0.1モル以上50モル以下がより好ましい。ハロゲン化合物としては、例えば、塩素分子、臭素分子、ヨウ素分子、N-クロロスクシンイミド、N-ブロモスクシンイミド、N-ヨードスクシンイミド、1,3-ジブロモ-5,5-ジメチルヒダントイン、及びリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオンからなる群から選ばれる一種の陽イオンと、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンからなる群から選ばれる一種の陰イオンからなる塩が挙げられる。ハロゲン化合物の使用量は、式aで表される化合物に対して、通常、1モル以上100モル以下であり、2モル以上80モル以下が好ましく、2モル以上50モル以下がより好ましい。式6で表される化合物の製造方法が簡便であり、かつ、取り扱いが容易であるので、ハロゲン化剤としては、ハロゲン化銅IIが好ましく、塩化銅II、臭化銅II、ヨウ化銅IIがより好ましく、臭化銅IIが更に好ましい。ハロゲン化剤の使用量は、式aで表される化合物に対して、通常、1モル以上100モル以下であり、2モル以上80モル以下が好ましく、2モル以上50モル以下がより好ましい。式6で表される化合物の製造において、溶媒を使用することが好ましい。この溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒、アセトニトリル、アセトンが挙げられ、反応活性が優れるので、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒が好ましく、アルコール系溶媒とアミド系溶媒との混合溶媒がより好ましい。この溶媒の使用量は、式aで表される化合物の重量に対して、1重量倍以上500重量倍以下が好ましく、3重量倍以上100重量倍以下がより好ましい。2種類以上の溶媒を混合して使用する場合、その使用比率は制限されないが、その使用量は、それぞれ、式aで表される化合物の重量に対して、1重量倍以上500重量倍以下が好ましく、3重量倍以上100重量倍以下がより好ましい。ハロゲン化剤としてハロゲン化銅IIを使用する場合、反応活性が優れるので、水を共存させることが好ましい。反応に使用する水としては、不純物の混入を防止するために、イオン交換水、蒸留水等が好ましい。反応に使用する水の量は、反応活性が優れるので、式aで表される化合物に対して0.1重量倍以上が好ましく、0.5重量倍以上がより好ましく、0.5重量倍以上100重量倍以下が更に好ましく、1重量倍以上50重量倍以下が特に好ましい。式6で表される化合物の製造において、反応温度は0°C以上250°C以下が好ましく、0°C以上200°C以下がより好ましく、20°C以上180°C以下が更に好ましい。副反応を抑制するために、脱酸素処理を行い、不活性ガス雰囲気下で反応を行うことが望ましい。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガスが挙げられる。式6で表される化合物の製造において、反応時間は、ハロゲン化剤の量、反応温度等の条件によるが、通常10分以上であり、好ましくは10分以上100時間以下であり、より好ましくは10分以上60時間以下である。式6で表される化合物の製造において、反応終了後、不要成分を除去し、精製することが好ましい。除去方法は、限定されないが、公知の方法を適用することができる。例えば、不要成分の減圧留去、溶媒による洗浄除去、生成物の抽出、カラムクロマトグラフィーによる精製、再結晶、蒸留、昇華が挙げられる。また、ハロゲン化剤として銅塩を使用した場合、銅成分の除去には、酸や金属補足剤による処理を行うことができる。[組成物]本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料と、本発明の高分子化合物とを含有する。この組成物は、例えば、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料としては、後述する発光素子が有する有機層が含み得る正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料が挙げられる。正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも1種の材料と本発明の高分子化合物との含有比率は、用途に応じて決めればよい。例えば、発光材料の用途の場合は、組成物全体の重量100重量部に対して、本発明の高分子化合物の重量が、通常20~99重量部であり、好ましくは40~95重量部である。本発明の組成物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、1×103~1×108であり、好ましくは1×104~1×106である。また、この組成物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、1×103~1×108であり、成膜性が良好になり、かつ、得られる素子の発光効率が優れるので、1×104~5×106であることが好ましい。組成物の平均分子量とは、該組成物をGPCで分析して求めた値をいう。本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物と、溶媒とを含有する。この液状組成物は、溶液、インク、インク組成物と呼ぶことがある。本発明の液状組成物は、インクジェットプリント法や印刷法等の塗布による素子作製に有用である。また、本発明の液状組成物は、高分子化合物及び溶媒以外に、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、増粘剤粘度を高めるための高分子量の化合物や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、界面活性剤表面張力を下げるための化合物、酸化防止剤を含んでいてもよい。本発明の液状組成物における本発明の高分子化合物の割合は、液状組成物100重量部に対して、通常、0.1~99.9重量部であり、好ましくは0.1~10重量部であり、より好ましくは0.2~7重量部であり、更に好ましくは0.5~2重量部である。本発明の液状組成物の粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由するものである場合には、吐出時の目づまり及び飛行曲がりを防止するために、25°Cにおいて、1~20mPasの範囲であることが好ましい増粘剤として用いられる高分子量の化合物は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレートを用いることができる。高分子量の化合物は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が50万以上であることが好ましく、100万以上であることがより好ましい。増粘剤として貧溶媒を用いることもできる。本発明の液状組成物中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、該液状組成物の粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、液状組成物中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、液状組成物100重量部に対して、50重量部以下であることが好ましく、30重量部以下であることが更に好ましい。酸化防止剤は、液状組成物の保存安定性を向上させるためのものである。酸化防止剤は、高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。本発明の液状組成物の溶媒は、溶液中の固形成分を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられ、高分子化合物の溶解性、成膜時の均一性、及び、粘度特性が良好になるので、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、1-メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、4-メチルアニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n-ヘプチルシクロヘキサン、n-ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、2-プロピルシクロヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-オクタノン、2-ノナノン、2-デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。溶媒は、1種単独で用いても2種以上を併用してもよいが、成膜性及び素子特性が良好になるので、2種以上を併用することが好ましく、2~3種を併用することがより好ましく、2種を併用することが特に好ましい。本発明の液状組成物中に2種の溶媒が含まれる場合、そのうちの1種の溶媒は25°Cにおいて固体状態のものでもよい。成膜性が良好になるので、1種の溶媒は沸点が180°C以上の溶媒であることが好ましく、200°C以上の溶媒であることがより好ましい。また、良好な粘度が得られるので、2種の溶媒のいずれにも60°Cにおいて1重量以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましく、2種の溶媒のうちの1種の溶媒には、25°Cにおいて1重量以上の濃度で高分子化合物が溶解することが好ましい。本発明の液状組成物中に2種以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性を良好にするために、沸点が最も高い溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の40~90重量であることが好ましく、50~90重量であることがより好ましく、65~85重量であることが更に好ましい。本発明の液状組成物に含まれる本発明の高分子化合物は、1種でも2種以上でもよい。また、素子特性を損なわない範囲で、本発明の高分子化合物以外の高分子量の化合物を含んでいてもよい。本発明の液状組成物には、水、金属及びその塩を重量基準で1~1000ppmの範囲で含んでいてもよい。金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウムが挙げられる。また、本発明の液状組成物は、ケイ素、リン、フッ素、塩素、臭素を重量基準で1~1000ppmの範囲で含んでいてもよい。[薄膜]本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物を含有するものであり、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜である。本実施形態の薄膜は、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ-コート法、ノズルコート法により作製することができる。好ましくは、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、より好ましくは、インクジェット法により作製することができる。本発明の液状組成物を用いて薄膜を作製する場合、液状組成物に含まれる本発明の高分子化合物のガラス転移温度が高いため、100°C以上の温度で加熱することが可能である。発光性薄膜は、素子の輝度及び発光開始電圧が良好になるので、発光量子収率が30以上であることが好ましく、50以上であることがより好ましく、60以上であることが更に好ましく、70以上であることが特に好ましい。導電性薄膜は、表面抵抗が1KΩ/□以下であることが好ましく、100Ω/□以下であることがより好ましく、10Ω/□以下であることが更に好ましい。導電性薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度の大きい方が、1×105cm2/Vs以上であることが好ましく、1×103cm2/Vs以上であることがより好ましく、1×101cm2/Vs以上であることが更に好ましい。SiO2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したSi基板上に有機半導体薄膜を形成し、Au等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。[発光素子]次に、本発明の発光素子について説明する。本発明の発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物を含む層と、を有する発光素子である。本発明の高分子化合物を含有する層は、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層及びインターレイヤー層の1種以上の層であることが好ましく、電子輸送層、電子注入層及び発光層のうちの1種以上の層であることがより好ましく、発光層であることがより好ましい。発光層は、発光する機能を有する層を意味する。正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層を意味する。正孔注入層、電子注入層は、電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、発光素子の駆動電圧を下げる効果を有する層を意味する。インターレイヤー層は、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割を担う層のことである。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言い、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と言う。発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層及びインターレイヤー層は、各々、一層のみからなるものでも二層以上からなるものでもよい。高分子化合物を含有する層が発光層である場合には、発光層が更に、その他の化合物を含んでいてもよい。その他の化合物としては、本発明の高分子化合物以外の蛍光及び/又は燐光を示す発光材料が例示できる。高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と正孔輸送材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物と正孔輸送材料との合計100重量部に対する正孔輸送材料の割合は、通常、1~80重量部であり、好ましくは5~60重量部である。高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と電子輸送材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物と電子輸送材料との合計100重量部に対する電子輸送材料の割合は、通常、1~80重量部であり、好ましくは5~60重量部である。高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と発光材料とを含有する場合には、本発明の高分子化合物と発光材料との合計100重量部に対する発光材料の割合は、通常、1~80重量部であり、好ましくは5~60重量部である。高分子化合物を含有する層が、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる2種以上とを含有する場合には、該層に含まれる全材料の合計100重量部に対する発光材料の割合は、通常、1~50重量部であり、好ましくは5~40重量部である。また、該層に含まれる全材料の合計100重量部に対する正孔輸送材料及び電子輸送材料の合計割合は、通常、1~50重量部であり、好ましくは5~40重量部である。正孔輸送材料及び電子輸送材料としては、後述する材料が挙げられる。発光材料としては、三重項発光錯体が好ましく、以下の式で表される化合物がより好ましい。三重項発光錯体は、本発明の高分子化合物の主鎖、側鎖、末端のいずれに位置してもよい。添加剤としては、例えば、2,2’-ビピリジル、3,3’-ビピリジル、4,4’-ビピリジル等のビピリジル、4-メチル-2,2’-ビピリジル、5-メチル-2,2’-ビピリジル、5,5’-ジメチル-2,2’-ビピリジル等のビピリジル誘導体が挙げられる。発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、より好ましくは5nm~200nmであり、更に好ましくは50nm~150nmである。発光層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法が挙げられる。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ-コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができ、パターン形成や多色の塗分けを容易にできるので、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法が好ましい。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、アニソール、4-メチルアニソール等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。発光素子としては、例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子、及び、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子が挙げられる。このような発光素子の構造としては、以下のa~dの構造が例示される。a陽極/発光層/陰極b陽極/正孔輸送層/発光層/陰極c陽極/発光層/電子輸送層/陰極d陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。また、これら構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設けてもよい。このような発光素子の構造としては、以下のa’~d’の構造が例示される。a’陽極/インターレイヤー層/発光層/陰極b’陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発光層/陰極c’陽極/インターレイヤー層/発光層/電子輸送層/陰極d’陽極/正孔輸送層/インターレイヤー層/発光層/電子輸送層/陰極発光素子が正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層には、通常、正孔輸送材料高分子量の化合物、低分子量の化合物が含まれる。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体が例示される。これらの中でも、高分子量の化合物としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がより好ましい。低分子量の化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が好ましい。これらの低分子量の化合物は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害せず、可視光に対する吸収が強くない化合物が好ましい。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリp-フェニレンビニレン及びその誘導体、ポリ2,5-チエニレンビニレン及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが挙げられる。ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーをカチオン重合又はラジカル重合することによって得られる。ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカルレビューChem.Rev.第89巻、1359頁1989年、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物が例示される。その合成方法も、これらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。ポリシロキサン及びその誘導体としては、側鎖又は主鎖に低分子量の正孔輸送材料の構造を有する化合物が好ましく、正孔輸送性の芳香族アミンに由来する構造を側鎖又は主鎖に有する化合物がより好ましい。正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子量の化合物を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒は、発光層の形成方法の説明において、溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものと同じである。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ-コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよく、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2~500nmであり、より好ましくは5~200nmである。発光素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層には、通常、電子輸送材料高分子量の化合物、低分子量の化合物が含まれる。電子輸送材料としては、公知のものが使用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が例示され、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス8-キノリノールアルミニウム、ポリキノリンが更に好ましい。電子輸送層の成膜法としては、低分子量の化合物を用いる場合には、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が例示される。高分子量の化合物を用いる場合には、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜による方法では、上記高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜に用いる溶媒は、電子輸送材料及び/又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒は、発光層の形成方法の説明において、溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものと同じである。溶液又は溶融状態からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ-コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよく、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2~500nmであり、より好ましくは5~200nmである。電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して電荷注入層又は絶縁層通常、平均厚さで0.5~4.0nmであり、以下、同じである。を設けてもよい。また、界面の密着性向上や混合の防止のために、電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数及び各層の厚さは、発光効率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。本実施形態において、電荷注入層を設けた発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子が挙げられる。このような発光素子の構造としては、以下のe~pの構造が挙げられる。e陽極/電荷注入層/発光層/陰極f陽極/発光層/電荷注入層/陰極g陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極h陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極i陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極j陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極k陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極l陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極m陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極n陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極o陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極p陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極これらの構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び/又は正孔輸送層を兼ねてもよい。電荷注入層としては、例えば、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が挙げられる。電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、導電性高分子の電気伝導度は、1×105~1×103S/cmであることが好ましく、更に発光画素間のリーク電流を小さくできるので、1×105~1×102S/cmがより好ましく、1×105~1×101S/cmが更に好ましい。通常、導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが例示される。カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが例示される。電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよい。電荷注入層に用いる材料としては、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン銅フタロシアニン等、カーボンが例示される。絶縁層の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料が挙げられる。絶縁層を設けた発光素子としては、例えば、陰極に隣接して絶縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた発光素子が挙げられる。このような発光素子の構造としては、以下のq~abの構造が挙げられる。q陽極/絶縁層/発光層/陰極r陽極/発光層/絶縁層/陰極s陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極t陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極u陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極v陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極w陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極x陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極y陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極z陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極aa陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極ab陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極これらの構造の各々について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤー層を設ける構造も例示される。なお、この場合、インターレイヤー層が正孔注入層及び/又は正孔輸送層を兼ねてもよい。上述した構造a~abにインターレイヤー層を適用する場合、インターレイヤー層は、陽極と発光層との間に設けられ、陽極又は正孔注入層若しくは正孔輸送層と、発光層を構成する高分子化合物との中間のイオン化ポテンシャルを有する材料で構成されることが好ましい。インターレイヤー層に用いる材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマーが例示される。インターレイヤー層の成膜方法としては、高分子量の材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、インターレイヤー層に用いる材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。溶媒は、発光層の形成方法の説明において、溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものと同じである。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ-コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。インターレイヤー層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2~500nmであり、より好ましくは5~200nmである。インターレイヤー層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、2層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与えることがある。インターレイヤー層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、2層の材料の混合を少なくする方法としては、インターレイヤー層を塗布法で形成し、このインターレイヤー層を加熱して発光層作製に用いる有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。加熱の温度は、通常、150~300°Cである。加熱の時間は、通常、1分~1時間である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱後、発光層を形成する前に、インターレイヤー層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすればよい。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、リンスを省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、インターレイヤー層に用いる高分子量の化合物として分子内に重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。更に、重合可能な基の数が、分子内の構成単位の数に対して5以上であることが好ましい。発光素子における基板は、電極を形成することができ、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の材料からなるものが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜等が挙げられ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及び、それらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等からなる導電性化合物を用いて作製された膜、NESA、金、白金、銀、銅が好ましく、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズがより好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。陽極は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができ、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、より好ましくは50~500nmである。陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層や、金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる絶縁層を設けることができる。陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、又はそれらのうち2種以上の合金、又はそれらのうち1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1種以上との合金、並びにグラファイト及びグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金が挙げられる。陰極は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。陰極の厚さは、電気伝導度及び耐久性を考慮して調整すればよく、通常、10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、より好ましくは50~500nmである。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層即ち、本発明の高分子化合物を含むいずれかの層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均厚さ2nm以下の層を設けてもよく、陰極作製後、発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び/又は保護カバーを装着することが好ましい。保護層としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。例えば、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易である。この空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができる。更に、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより、製造工程で吸着した水分又は硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、1種以上の方策を採ることが好ましい。発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等に有用である。発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等に用いることができる。更に、面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。発光の色度は国際照明委員会で定められた色度座標によって表され、y値が小さいほど、色純度が良好な青色であることを示す。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC、島津製作所製、商品名:LC-10Avpにより求めた。測定する高分子化合物は、約0.5重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに30μL注入した。GPCの移動相にはテトラヒドロフランを用い、0.6ml/分の流速で流した。カラムは、TSKgelSuperHM-H東ソー製2本とTSKgelSuperH2000東ソー製1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器島津製作所製、商品名:RID-10Aを用いた。<実施例1>化合物2の合成窒素雰囲気下、1-ブロモピレン24.48g、ビスピナコラートジボロン44445555-オクタメチル-22-ビ-1,3,2-ジオキサボロラン23.74g、ビスジ-μ-メトキシジイリジウムI2.25gアルドリッチ社製、4,4-ジtert-ブチル-2,2’-ジピリジル2.28g、及び、シクロヘキサン425mlの混合物を80°Cで5時間攪拌した。冷却後、シクロヘキサンを減圧下で留去し、残留物にヘキサン及び活性炭を加え、60°Cで1時間撹拌した。次いで、セライトをプレコートした濾過器にて熱時ろ過し、得られたろ液を減圧下で濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒;ヘキサンクロロホルム11体積比により精製し、淡黄色油状物以下、化合物1と言う。を15.5g得た。MSESI、positive:[M]406窒素雰囲気下、化合物113.09g、2-プロパノール150ml、DMF150ml、及び、水150mlの混合液に、臭化銅II27.83gを加え、100°Cで4時間攪拌した。冷却後、反応液にクロロホルムを加えて攪拌した後、有機層を分液し、該有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を留去した。残留物にトルエン及び活性炭を加え、90°Cで1時間撹拌した後、セライトをプレコートした濾過器にて熱時ろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた固体をトルエンで再結晶し、白色固体以下、化合物2と言う。を6.2g得た。MSESI、positive[M]3581H-NMR600MHz、THF-d8:δ8.081H,d,8.121H,d,8.131H,d,8.161H,d,8.301H,d,8.421H,s,8.431H,s,8.451H,dppm<合成例1>高分子化合物1の合成不活性雰囲気下、下記式:で表される化合物32.6882g、2.96mmol、下記式:で表される化合物40.4245g、0.75mmol、下記式:で表される化合物51.6396g、1.80mmol、下記式:で表される化合物60.2377g、0.45mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム2.1mg、及び、トルエン62mlを混合し、105°Cに加熱した。反応液に、20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液10mlを滴下し、4.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸36.8mg、及び、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム2.1mgを加え、更に16.5間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、水で2回、3重量酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物1を3.12g得た。高分子化合物1のポリスチレン換算の数平均分子量は7.8×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.6×105であった。高分子化合物1は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:で表される構成単位と、下記式:で表される構成単位と、下記式:で表される構成単位と、下記式:で表される構成単位とが、50:12.5:30:7.5のモル比で構成されてなるランダム共重合体である。<実施例2>高分子化合物2の合成不活性雰囲気下、下記式:で表される化合物11.8075g、1.98mmol、下記式:で表される化合物20.7244g、2.00mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mg、及び、トルエン47mlを混合し、105°Cに加熱した。反応液に、20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液8mlを滴下し、3.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24.4mg、及び、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgを加え、更に18間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、水で2回、3重量酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物2を1.37g得た。高分子化合物2のポリスチレン換算の数平均分子量は4.8×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.5×105であった。高分子化合物2は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:で表される構成単位と、下記式:で表される構成単位とが、50:50のモル比で構成されてなる高分子化合物である。<比較例1>高分子化合物3の合成不活性雰囲気下、下記式:で表される化合物11.7896g,1.97mmol、下記式:で表される化合物40.7201g、2.00mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mg、及び、トルエン47mlを混合し、105°Cに加熱した。反応液に、20重量水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液8mlを滴下し、3.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸24.4mg、及び、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム1.4mgを加え、更に18時間還流させた。次いで、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、水で2回、3重量酢酸水溶液で2回、水で2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物3を1.41g得た。高分子化合物3のポリスチレン換算の数平均分子量は6.1×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1.5×105であった。高分子化合物3は、仕込み原料から求めた理論値では、下記式:で表される構成単位と、下記式:で表される構成単位とが、50:50のモル比で構成されてなる高分子化合物である。<実施例3>有機EL素子1の作製スパッタ法により45nmの厚さでITO膜を形成したガラス基板に、Plextronics社から入手した、ポリチオフェンスルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200商品名をスピンコート法により35nmの厚さで成膜し、得られた膜を、ホットプレート上で170°Cで15分間乾燥させることにより、有機EL用基材を作製した。次に、キシレン溶媒中に0.7重量の濃度で溶解させた高分子化合物1の溶液をスピンコートして、約20nmの厚さで成膜した。その後、得られた膜を、窒素雰囲気下において、ホットプレート上で180°C、60分間加熱した。次に、クロロベンゼン溶媒中に1.0重量の濃度で溶解させた高分子化合物2の溶液を調製し、スピンコート法により2000rpmの回転速度で上記有機EL用基材上に成膜した。厚さは約60nmであった。これを窒素雰囲気下130°Cで10分間乾燥させた後、陰極としてフッ化ナトリウムを約3nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着して、有機EL素子を作製した。なお、真空度が、1×104Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。この有機EL素子に電圧を印加したところ、青色のEL発光が得られた。また、印加電圧時の発光スペクトルから求めた発光のピーク波長ELピークnm及びCIE色度座標を表1に示す。<比較例2>有機EL素子C1の作製実施例3において、高分子化合物2の代わりに高分子化合物3を用いた以外は、実施例3と同様にして、有機EL素子C1を作製した。"