"セル領域と、そのセル領域に隣接する非セル領域とを備える半導体基板と、前記半導体基板の非セル領域の表面上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜の表面上に配置される少なくとも1つの電極と、前記電極に電圧を印加する電圧印加回路と、を有しており、前記セル領域には、半導体素子が形成されており、前記非セル領域には、耐圧構造が形成されており、前記電極は、半導体基板から電気的に分離されており、前記電圧印加回路は、前記半導体素子に電圧が印加されていない期間の少なくとも一部において前記電極に電圧を印加する、半導体装置。前記耐圧構造は、前記半導体基板の表面に露出する第1導電型の第1半導体領域と、一部が前記半導体基板の表面に露出し、前記第1半導体領域の裏面及び前記セル領域から遠い側の側面に少なくとも接触する第2導電型の第2半導体領域と、を有しており、前記絶縁膜が前記第1半導体領域と前記第2半導体領域の表面上に配置されている、請求項1に記載の半導体装置。前記第1半導体領域では、前記半導体基板を平面視したときに、前記セル領域に近い側の端部における第1導電型の不純物濃度が、前記セル領域から遠い側の端部における第1導電型の不純物濃度よりも高い、請求項2に記載の半導体装置。前記電圧印加回路は、前記半導体素子に電圧が印加されている期間においては、前記電極に電圧を印加しない、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記電圧印加回路は、半導体装置の起動時であって、前記半導体素子に電圧が印加される前に、前記電極に電圧を印加する、請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。特許文献1の技術では、絶縁膜に付着した可動イオンを導電層によってある程度はブロックできるが、その全てをブロックすることはできない。このため、絶縁膜内には導電層によってブロックできなかった可動イオンが存在する。したがって、半導体装置が駆動されて半導体基板に電圧が印加されると、それによって絶縁膜内を可動イオンが移動し、絶縁膜内の特定の部分に偏る。絶縁膜内の特定の部分に偏在する可動イオンは、耐圧構造に影響を与え、半導体装置の耐圧を低下させてしまう。本明細書は、絶縁膜内の可動イオンの動きを制御することで、半導体装置の耐圧の低下を抑制する技術を提供する。本明細書で開示する半導体装置は、半導体基板と、絶縁膜と、少なくとも1つの電極と、電圧印加回路を有している。半導体基板は、セル領域と、そのセル領域に隣接する非セル領域とを備えている。絶縁膜は、半導体基板の非セル領域の表面上に配置される。電極は、絶縁膜の表面上に配置される。電圧印加回路は、電極に電圧を印加する。セル領域には、半導体素子が形成されている。非セル領域には、耐圧構造が形成されている。電極は、半導体基板から電気的に分離されている。電圧印加回路は、半導体素子に電圧が印加されていない期間の少なくとも一部において電極に電圧を印加する。上記の半導体装置では、絶縁膜の表面に配置された電極が半導体基板から電気的に分離されているため、電圧印加回路は半導体基板から独立した電圧を電極に印加することができる。このため、電極に印加する電圧を調整することで、絶縁膜に所望の電圧を印加し、絶縁膜内の可動イオンの動きを制御することができる。したがって、絶縁膜内の特定の部分に可動イオンが偏っていたとしても、電極に電圧を印加することで可動イオンを絶縁膜内に分散させることができる。これによって、半導体装置の耐圧が低下することを抑制することができる。また、電圧印加回路は、半導体素子に電圧を印加していない期間すなわち、半導体素子が駆動されていない期間において、電極に電圧を印加する。このため、電極への電圧の印加により、半導体素子の特性が変化してしまうことを防止することができる。上記の半導体装置では、耐圧構造として種々の耐圧構造を用いることができる。例えば、耐圧構造は、半導体基板の表面に露出する第1導電型の第1半導体領域と、その一部が半導体基板の表面に露出し、第1半導体領域の裏面及びセル領域から遠い側の側面に少なくとも接触する第2導電型の第2半導体領域を有していてもよい。この場合、絶縁膜が第1半導体領域と第2半導体領域の表面上に配置されていることが好ましい。ここで、第1導電型及び第2導電型とは、n型またはp型のいずれかを意味する。すなわち、第1導電型がn型である場合には第2導電型がp型であり、第1導電型がp型である場合には第2導電型がn型となる。この半導体装置では、半導体基板の非セル領域に電圧が印加されたときに、第1半導体領域と第2半導体領域の境界面から空乏層が広がり、これによって耐圧が確保される。絶縁膜は、第1半導体領域と第2半導体領域の表面上に配置され、この絶縁膜内の可動イオンの動きが電極により制御される。このため、第1半導体領域と第2半導体領域の境界面から広がる空乏層が可動イオンの影響を受けることを抑制し、半導体装置の耐圧の低下を抑制することができる。なお、上記の耐圧構造を用いる場合、第1半導体領域では、半導体基板を平面視したときに、セル領域に近い側の端部における第1導電型の不純物濃度が、セル領域から遠い側の端部における第1導電型の不純物濃度よりも高いことが好ましい。また、上記の電圧印加回路は、半導体素子に電圧が印加されている期間においては、電極に電圧を印加しないことが好ましい。このような構成によると、半導体素子に電圧が印加されている期間すなわち、半導体素子が駆動され得る期間において、電極に電圧が印加されない。このため、電極への電圧の印加によって、駆動時における半導体素子の特性が変化してしまうことを防止することができる。なお、電圧印加回路による電極への電圧の印加は、種々のタイミングで行うことができる。例えば、電圧印加回路は、半導体装置の起動時であって、半導体素子に電圧が印加される前に、電極に電圧を印加してもよい。実施例1以下、図面を参照して実施例を説明する。本実施例の半導体装置54は、自動車などの車両に搭載され、入力する直流電力を交流電力に変換してモータに供給する電力変換装置インバータである。図1に示すように、半導体装置54は、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor40と、ダイオード10と、スイッチ42と、駆動回路44請求項の電圧印加回路に相当を備えている。なお、半導体装置54は、IGBT40とダイオード10によって構成されるスイッチング回路を複数有しているが、図1では1組のIGBT40とダイオード10のみを図示している。また、半導体装置54を構成する各要素のうちIGBT40は、従来の電力変換装置インバータに用いられているIGBTと同一であるため、その詳細な説明については省略する。IGBT40は、スイッチング素子であり、ゲート電極に印加される電圧に応じてオン状態とオフ状態とに切替えられる。IGBT40がオン状態となると、IGBT40のエミッタ電極とコレクタ電極の間を電流が流れ得る状態となる。IGBT40がオフ状態となると、エミッタ電極とコレクタ電極の間を流れる電流が遮断される。ダイオード10は、IGBT40に逆並列に接続されている。すなわち、ダイオード10の表面電極アノード電極12はIGBT40のエミッタ電極に接続され、ダイオード10の裏面電極カソード電極28はIGBT40のコレクタ電極に接続されている。ダイオード10の詳細な構成については、後で詳述する。スイッチ42は、半導体装置54と図示しない外部直流電源との間に配置されている。スイッチ42がオンとなると、外部直流電源と半導体装置54とが接続される。スイッチ42がオフとなると、外部直流電源と半導体装置54とが接続されていない状態となる。駆動回路44は、IGBT40、ダイオード10及びスイッチ42に接続されている。駆動回路44は、スイッチ42をオン/オフ制御すると共にIGBT40をオン/オフ制御し、さらに、ダイオード10の制御電極16,18請求項の電極に相当に電圧を印加する。次に、ダイオード10の構成について詳述する。図2に示すように、ダイオード10は、半導体素子すなわち、ダイオードが形成されている半導体素子領域100セル領域に相当と、半導体素子領域100の周囲を取り囲む周辺耐圧領域200非セル領域に相当を備えている。半導体素子領域100は、半導体基板50の略中央部に形成されている。周辺耐圧領域200は、半導体基板50の外周端52に沿って形成されている。周辺耐圧領域200は、半導体基板50の外周端52と半導体素子領域100との間の耐圧を確保するための領域である。図1,2に示すように、ダイオード10は、半導体基板50と、絶縁膜20と、表面電極12と、外周電極14と、制御電極16,18と、裏面電極28を備えている。半導体基板50は、シリコンにより構成されている。表面電極12は、半導体基板50の半導体素子領域100の表面50aに形成されている。表面電極12は、ダイオードのアノード電極である。裏面電極28は、半導体基板50の裏面50bの全体すなわち、半導体素子領域100と周辺耐圧領域200の両者に形成されている。裏面電極28は、ダイオードのカソード電極である。外周電極14は、半導体基板50の表面50aであって周辺耐圧領域200内に形成されており、半導体基板50の外周端52に沿って伸びている。外周電極14は、チャネルストップ電極である。絶縁膜20は、半導体基板50の表面50aであって周辺耐圧領域200内に形成されており、表面電極12と外周電極14の間に形成されている。絶縁膜20には、酸化シリコンSiO2やポリイミド等を用いることができる。制御電極16,18は、絶縁膜20の表面20aに互いに間隔を空けて形成されている。図2に示すように、制御電極16,18は、半導体素子領域100を取り囲むようにリング状に形成されている。表面電極12と制御電極16との間には間隔が設けられ、制御電極18と外周電極14の間にも間隔が設けられている。このため、制御電極16,18は、表面電極12、半導体基板50及び外周電極14から電気的に分離されている。制御電極16,18は、配線45によって駆動回路44に接続されており、ダイオード10の他の電極12,14,28から独立した電圧を印加可能となっている。なお、絶縁膜20及び制御電極16,18の表面は、ポリイミド等の保護膜でさらに被覆されていてもよい。図1に示すように、半導体基板50の内部には、アノード領域22と、ドリフト領域24と、カソード領域26と、リサーフ領域30と、外周電極コンタクト領域32が形成されている。アノード領域22は、半導体基板50の略中央であって、半導体基板50の表面50aに露出する範囲に形成されている。アノード領域22は、高濃度にp型不純物を含有するp型領域である。アノード領域22は、表面電極12に対してオーミック接続されている。ドリフト領域24は、アノード領域22、リサーフ領域30及び外周電極コンタクト領域32の下方に形成されている。ドリフト領域24は、低濃度にn型不純物を含有するn型領域である。ドリフト領域24の一部は、リサーフ領域30と外周電極コンタクト領域32の間において、半導体基板50の表面50aに露出している。このため、ドリフト領域24は、リサーフ領域30の外側の側面に接すると共に、外周電極コンタクト領域32の内側の側面に接している。カソード領域26は、ドリフト領域24の下方に形成されている。カソード領域26は、半導体基板50の裏面50bに露出する範囲に形成されている。カソード領域26は、高濃度にn型不純物を含有するn型領域である。カソード領域26のn型不純物濃度は、ドリフト領域24のn型不純物濃度よりも高い。カソード領域26は、裏面電極28に対してオーミック接続されている。外周電極コンタクト領域32は、高濃度にn型不純物を含有するn型領域である。外周電極コンタクト領域32は、半導体基板50の表面50aに露出する範囲であって、周辺耐圧領域200の最も外周側に形成されている。すなわち、外周電極コンタクト領域32は、半導体基板50の外周端52に露出する位置に形成されている。外周電極コンタクト領域32のn型不純物濃度は、ドリフト領域24のn型不純物濃度よりも高い。外周電極コンタクト領域32は、外周電極14に対してオーミック接続されている。外周電極コンタクト領域32は、チャネルストップ領域である。リサーフ領域30は、低濃度にp型不純物を含有するp型領域である。リサーフ領域30は、半導体基板50の表面50aに露出する範囲であって、周辺耐圧領域200内に形成されている。リサーフ領域30の一方の端部半導体基板50の中央側は、アノード領域22に接している。リサーフ領域30の他方の端部半導体基板50の外周端52側は、ドリフト領域24に接している。リサーフ領域30のp型不純物濃度は、アノード領域22のp型不純物濃度よりも低い。また、リサーフ領域30のp型不純物濃度分布は、アノード領域22側で高く、外周電極コンタクト領域32側で低くなっている。外周電極コンタクト領域32とリサーフ領域30の間には、上述したドリフト領域24が存在している。ドリフト領域24によって、外周電極コンタクト領域32はリサーフ領域30から分離されている。なお、アノード領域22とリサーフ領域30の間には、両者を分離する分離領域が形成されていてもよい。図1,2から明らかなように、本実施例では、半導体素子領域100は、表面電極12が半導体基板50の表面50aと接触している領域である。半導体素子領域100には、アノード領域22とドリフト領域24とカソード領域26が形成され、これらによってダイオードが構成されている。周辺耐圧領域200には、リサーフ領域30とドリフト領域24とカソード領域26と外周電極コンタクト領域32が形成され、リサーフ領域30とドリフト領域24によってリサーフ構造耐圧構造が構成されている。制御電極16は、リサーフ領域30の上方に配置され、制御電極18は、リサーフ領域30とドリフト領域24の境界リサーフ領域30の外周端側の端部の上方に配置されている。次に、上述した半導体装置54の動作について説明する。本実施例の半導体装置54は、1半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態と、2半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態と、に切替えられる。以下、各状態について説明する。なお、上述したように、半導体装置54を構成する各要素のうちIGBT40については、従来の電力変換装置インバータに用いられているIGBTと同一であるため、IGBT40の動作の詳細な説明は省略する。1半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態とするためには、駆動回路44がスイッチ42をオンする。この状態において、駆動回路44が複数のIGBT40をオン/オフ制御することで、半導体装置54は、外部直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換してモータに供給する。半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態では、aIGBT40に電流が流れる状態と、bダイオード10に還流電流が流れる状態と、cIGBT40及びダイオード10に電流が流れない状態とに切替る。なお、半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態では、駆動回路44は、制御電極16,18に電圧を印加しておらず、制御電極16,18の電圧は0Vとなっている。aIGBT40に電流が流れる状態IGBT40に電流を流すためには、IGBT40のコレクタ電極に高電位が印加される一方でエミッタ電極に低電位が印加される状態とし、駆動回路44がIGBT40のゲート電極にオン電位を印加する。これによって、IGBT40が導通しオン状態となり、IGBT40を電流が流れる。この際、ダイオード10では、裏面電極カソード電極28に高電位が印加され、表面電極アノード電極12に低電位が印加されるため、ダイオード10に電流は流れない。なお、IGBT40に電流が流れる状態では、ダイオード10の表面電極12と裏面電極28の間には高い電位差は生じない。なお、駆動回路44がIGBT40のゲート電極へのオン電位の印加を停止すると、IGBT40がオフ状態となり、IGBT40を流れる電流が遮断される。bダイオード10に還流電流が流れる状態上述したように、半導体装置54はモータに接続されているため、モータに流れる電流が遮断されると、モータのインダクタンス成分によって高電圧が発生する。このような場合には、IGBT40と逆並列に接続されているダイオード10に還流電流が流れる。すなわち、IGBT40のエミッタ電極の電位がコレクタ電極の電位に対して上昇すると、それと同時にダイオード10の表面電極12の電位が裏面電極28の電位に対して上昇し、ダイオード10がオンする。ダイオード10がオンすると、ダイオード10内を表面電極12から裏面電極28に向かって電流が流れる。これによって、IGBT40に高電圧が作用することが防止され、IGBT40の破壊が防止される。cIGBT40及びダイオード10に電流が流れない状態この状態では、ダイオード10の外周電極14及び裏面電極28の電位が、表面電極12の電位に対して上昇する。すると、アノード領域22からドリフト領域24内に空乏層が伸びる。周辺耐圧領域200内においては、空乏層は、アノード領域22から外周側に向かって伸びる。このとき、リサーフ領域30は、空乏層が外周側に向かって伸びるのを促進する。これによって、アノード領域22の近傍で電界が集中することが抑制される。周辺耐圧領域200の空乏層は、外周電極コンタクト領域32に到達する。外周電極コンタクト領域32はn型不純物濃度が高いので、空乏層は外周電極コンタクト領域32の内部には伸展しない。したがって、空乏層は、外周電極コンタクト領域32より外周側へは伸展せず、空乏層が半導体基板50の外周端52まで伸展することが防止される。このように、IGBT40がオフしている状態で、ダイオード10の表面電極12と裏面電極28の間に逆電圧が印加されると、アノード領域22と外周電極コンタクト領域32の間の領域すなわち、リサーフ領域30とドリフト領域24に空乏層が形成される。表面電極12と外周電極14の間の電圧の大部分は、この空乏化された領域が分担する。これによって、電界の集中が緩和され、高耐圧が実現される。ここで、上述したように、本実施例では、リサーフ領域30のp型不純物濃度は、アノード領域22のp型不純物濃度よりも低い。このため、リサーフ領域30によって空乏層が伸びやすくなっている。また、リサーフ領域30のp型不純物濃度分布は、アノード領域22側から外周電極コンタクト領域32側に向かって徐々に減少している。このため、アノード領域22とリサーフ領域30における電界の傾きが急峻となることが抑制され、電界集中が防止されている。なお、上記のようなp型不純物濃度分布を有するリサーフ領域30は、種々の方法により形成することができる。例えば、p型不純物注入時のレジストの開口径を、中央側から外周側に向けて徐々に小さくしていくことによって、上記のようなp型不純物濃度分布を有するリサーフ領域30を形成することができる。あるいは、レジストの開口の間隔を中央側から外周側に向けて徐々に広くしていくことでも、上記のようなp型不純物濃度分布を有するリサーフ領域30を形成することができる。次に、可動イオンがダイオード10の耐圧に与える影響について説明する。絶縁膜20の表面に可動イオンが付着すると、その可動イオンは絶縁膜20内を移動する。上述したように、半導体装置54が外部直流電源に接続された状態スイッチ42がオンの状態では、絶縁膜20の半導体基板50側が制御電極16,18側よりも高電位となる。すなわち、制御電極16,18の電圧は0Vとなっているため、半導体基板50の電圧の方が制御電極16,18の電圧より高い状態となる。したがって、絶縁膜20に付着した正電荷の可動イオンは、制御電極16,18側に移動し、絶縁膜20に付着した負電荷の可動イオンは、半導体基板50側に移動する。このため、時間の経過と共に絶縁膜20に付着した可動イオンは、絶縁膜20内の半導体基板50側又は制御電極16,18側に偏在してゆくこととなる。その結果、半導体基板50におけるキャリアの分布が乱され、それが空乏層の形成に影響を及ぼし、ダイオード10の耐圧を低下させていくこととなる。2半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態上述したように、半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態では、絶縁膜20に付着した可動イオンは、時間の経過に伴って絶縁膜20内を移動し、絶縁膜20内に偏在した状態となる。このため、本実施例では、半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態において、制御電極16,18に所定の電圧を所定の時間だけ印加する。すなわち、駆動回路44は、制御電極16,18の電位が半導体基板50の電位よりも高くなるように、制御電極16,18に電圧を印加する。具体的には、半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態では、半導体基板50は接地されているため、制御電極16,18には正電圧例えば、5Vが印加される。制御電極16,18に正電圧が印加されると、絶縁膜20の制御電極16,18側が高電位となり、半導体基板50側が低電位となる。すなわち、半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態とは、反対の状態となる。このため、絶縁膜20内に偏在する可動イオンの移動方向は、半導体装置54と外部直流電源とが接続された状態における可動イオンの移動方向に対して反対となる。例えば、絶縁膜20内の制御電極16,18側に正電荷の可動イオンが偏在する場合は、その正電荷の可動イオンは半導体基板50側に移動する。また、絶縁膜20内の半導体基板50側に負電荷の可動イオンが偏在する場合は、その負電荷の可動イオンは制御電極16,18側に移動する。したがって、制御電極16,18に正電圧が所定の時間だけ印加されると、それによって絶縁膜20内の可動イオンの偏在が解消される。絶縁膜20内の可動イオンの偏在が解消されると、半導体基板50におけるキャリアの分布が正常となり、空乏層が正常に形成される。その結果、ダイオード10の耐圧の低下も解消される。ここで、本実施例では、絶縁膜20の表面に複数の制御電極16,18が配置されている。したがって、絶縁膜20の表面に1つの制御電極を設ける場合と比較して、絶縁膜20に効果的に電圧を印加することができ、また、制御電極16,18へ印加する電圧を小さくすることができる。なお、制御電極16,18に正電圧を印加する時間前記の所定時間は、絶縁膜20内の可動イオンの偏在を解消できる程度の時間とすればよい。例えば、制御電極16,18に正電圧を印加する時間は、数秒程度とすることができる。また、駆動回路44による制御電極16,18への正電圧の印加は、半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態に行われる。すなわち、半導体装置54が駆動されていないときに行われる。このため、制御電極16,18への正電圧の印加がダイオード10の特性に影響を与えることはない。次に、制御電極16,18へ電圧を印加するタイミングについて、図3を参照して説明する。図3に示す例では、始動スイッチが操作される毎に、制御電極16,18へ電圧を印加し、その後に半導体装置54と外部直流電源とを接続する。すなわち、時刻t1で車両の始動スイッチがオンされると、駆動回路44は、スイッチ42をオフした状態半導体装置54と外部直流電源とが接続されていない状態のまま、ダイオード10の制御電極16,18に電圧を印加する。制御電極16,18へ電圧を印加してから所定時間が経過すると時刻t2、駆動回路44は、制御電極16,18への電圧の印加を停止する。次いで、駆動回路44は、スイッチ42をオンとし時刻t3、半導体装置54からモータへ交流電力を供給可能な状態とする。駆動回路44は、始動スイッチがオフされるまで時刻t4、スイッチ42をオンの状態で維持する。時刻t4で始動スイッチがオフされると、駆動回路44はスイッチ42をオフし、半導体装置54と外部直流電源とを非接続の状態とする。その後は、始動スイッチの操作毎に同様の手順が繰り返される。ここで、図3に示すタイミングで制御電極16,18に正電圧を印加した場合のダイオード10の耐圧特性の経時変化を説明する。図4に示すように、時刻t1で始動スイッチが操作されて制御電極16,18に電圧が印加されると、絶縁膜20の可動イオンの偏在が解消されるため、ダイオード10の耐圧特性は徐々に回復する時刻t1~t2。そして、時刻t3でスイッチ42がオンされて半導体装置54と外部直流電源が接続されると、時間の経過に伴って可動イオンの移動が進むため、ダイオード10の耐圧特性は徐々に低下する。時刻t4で始動スイッチがオフされてスイッチ42がオフされると、ダイオード10の耐圧特性の低下が停止する。次に、時刻t5で始動スイッチが操作されると、時刻t6まで制御電極16,18へ電圧が印加され、ダイオード10の耐圧特性が回復する。以下、同様に変化する。したがって、始動スイッチを操作した時点でダイオード10の耐圧特性が低下していても、制御電極16,18への電圧の印加によってダイオード10の耐圧特性が回復し、その後にモータへの交流電力の供給が行われる。したがって、ダイオード10が駆動される期間では、充分な耐圧特性を有することができる。上述した説明から明らかなように、本実施例の半導体装置54では、リサーフ領域30の表面を被覆する絶縁膜20の表面に制御電極16,18を配置し、この制御電極16,18に電圧を印加する。このため、絶縁膜20内の可動イオンの偏在が解消され、可動イオンの偏在による耐圧の低下を抑制することができる。また、制御電極16,18への電圧の印加は、ダイオード10が駆動されていないときに行われる。このため、制御電極16,18への電圧の印加が、ダイオードの特性に影響を与えることもない。また、本実施例では、絶縁膜20上に制御電極16,18を形成し、これら制御電極16,18に駆動回路44により電圧を印加するだけでよい。このため、極めて簡易な構成によって、可動イオンによる耐圧低下を抑制することができる。また、制御電極16,18と表面電極12は同一のプロセスで形成することができるため、制御電極16,18を形成するための新たな工程を追加する必要もない。また、上述した耐圧低下抑制技術は、絶縁膜20への可動イオンの付着を積極的に防止する技術ではなく、絶縁膜20へ付着した可動イオンの動きを制御することで耐圧の低下を抑制する技術である。このため、絶縁膜20への可動イオンの付着を防止するための複雑な構造を設ける必要はない。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。例えば、上述した実施例では、半導体素子領域100にダイオードが形成されている例であったが、半導体素子領域にはダイオード以外の半導体素子例えば、IGBTやMOSFET等の他のパワー半導体素子が形成されていてもよい。さらには、1つの半導体基板の半導体素子領域に、IGBTと還流ダイオードの両者が形成されていてもよい。半導体素子領域にIGBTが形成されている例について、図5を参照して具体的に説明する。図5に示す例においても、周辺耐圧領域200については実施例1と同様の構成を備えているため、実施例1と同様の構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。図5に示すように、半導体基板50の半導体素子領域110には、裏面電極コレクタ電極80にオーミック接続するp型第1導電型のコレクタ領域78と、コレクタ領域78上に配置されたn-型第2導電型のドリフト領域76と、ドリフト領域76上に配置されたp型のボディ領域69と、ボディ領域69上に配置されたn型のエミッタ領域68及びp型のボディコンタクト領域62を備えている。半導体基板50の表面にはトレンチ70が形成されている。トレンチ70は、エミッタ領域68及びボディ領域69を貫通して、その先端がドリフト領域76に達している。トレンチ70の内壁面には絶縁膜74が形成され、絶縁膜74の内部にゲート電極72が形成されている。ゲート電極72の上端面には絶縁膜66が形成されている。ゲート電極72は、エミッタ領域68とドリフト領域76を分離する範囲のボディ領域69に絶縁膜74を介して対向している。半導体基板50の表面電極64及び裏面電極80は、ダイオード94に逆並列に接続されている。図5に示す例においても、駆動回路44は、IGBT素子に電圧が印加されていない状態すなわち、表面電極64と裏面電極80の間に電圧が印加されていない状態で、制御電極16,18に電圧を印加する。これによって、絶縁膜20内の可動イオンの偏りが解消され、半導体装置の耐圧の低下を抑制することができる。なお、上述した説明から明らかなように、電力変換装置に備えられるIGBTとダイオードの両者に本発明の構成絶縁膜上の制御電極に電圧を印加する構成を適用してもよい。また、上述した実施例では、耐圧構造としてリサーフ構造リサーフ領域30を形成していたが、耐圧構造にはリサーフ構造以外の耐圧構造例えば、FLR構造等を採用してもよい。この場合でも、耐圧構造の上方に位置する絶縁膜内の可動イオンの偏りを解消することができ、これによって半導体装置の耐圧の低下を抑制することができる。また、上述した実施例では、自動車等の車両の始動スイッチを操作したときに制御電極16,18へ電圧を印加したが、制御電極へ電圧を印加するタイミングは、このような例に限られない。例えば、自動車の一時停止時に、半導体装置と外部直流電源との接続をオフし、その間に制御電極に電圧を印加してもよい。また、始動スイッチをオフした後に、所定の時間だけ制御電極に電圧を印加してもよい。また、上述した実施例では、本発明を自動車に搭載される電力変換装置インバータに適用した例であったが、本発明はこのような例に限られず、耐圧構造を備えた半導体装置に適用することができる。また、上述した実施例では、半導体材料にシリコンが用いられた例であったが、半導体材料には、炭化シリコン、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等の他の半導体材料を用いてもよい。また、上述した実施例では、制御電極16,18に正の電圧を印加したが、制御電極16,18に印加する電圧は、半導体装置を駆動する際に絶縁膜20に印加される電圧に応じて適宜変更することができる。例えば、半導体装置を駆動する際に、絶縁膜20の半導体基板側が低電位となり、制御電極16,18側が高電位となる場合は、制御電極16,18に負の電圧を印加すればよい。上述した実施例では、絶縁膜20の表面に2つの制御電極16,18を配置したが、絶縁膜20の表面に配置する制御電極の数は任意の数を採ることができる。例えば、絶縁膜20上に1つの制御電極のみを配置してもよいし、3つ以上の制御電極を配置してもよい。また、絶縁膜の表面に複数の制御電極を配置する場合は、各制御電極に異なる電圧を印加してもよい。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"