少なくとも部分的に窒化化合物デバイスを形成するために1以上の基板を処理する方法であって、窒素及び第1のIII属元素を備える第1の層を、第1の処理チャンバ内に配置された1以上の基板上に堆積させるステップと、塩素ガスを備える洗浄用前駆物質ガスを前記第1の処理チャンバの処理領域へ送り、これによって上に堆積した前記第1の層の一部を除去するステップとを備える方法。前記第1の層を堆積するステップは、III属前駆物質をガス分配プレートを通して前記1以上の基板へ送るステップを備え、洗浄用前駆物質ガスを送るステップは、前記洗浄用前駆物質ガスを前記ガス分配プレートの表面へ送るステップを備える請求項1に記載の方法。前記ガス分配プレートを前記洗浄用前駆物質ガスを備えるプラズマを生成することによって形成されるプラズマ種にさらすステップを更に備える請求項2に記載の方法。前記洗浄用前駆物質ガスを前記処理領域へ送る前に、前記洗浄用前駆物質ガスを活性化してプラズマ種を形成するステップを更に備える請求項1に記載の方法。第1の層を堆積するステップは、前記第1の処理チャンバ内に配置された前記1以上の基板をランプを使用して加熱するステップと、ガリウム含有前駆物質、アルミニウム含有前駆物質、又はインジウム含有前駆物質を備える第1の前駆物質ガスを加熱されたガス分配プレートを通して前記第1の処理チャンバ内へ流すステップと、アンモニアを前記加熱されたガス分配プレートを通して前記第1の処理チャンバ内へ流すステップとを更に備える請求項1に記載の方法。前記1以上の基板の上及び第2の処理チャンバ内に配置されたガス分配プレートの上に第2の層を堆積するステップとであって、前記第2の処理チャンバは前記第1の処理チャンバに結合され、前記第2の層は窒素及び第2のIII属元素を備えるステップと、前記第2の処理チャンバ内に配置された前記1以上の基板をランプを使用して加熱するステップと、塩素ガスを備える洗浄用前駆物質ガスを前記第2の処理チャンバ内に配置された前記ガス分配プレートに送り、これによって上に配置された前記第2の層の一部を除去するステップとを更に備える請求項1に記載の方法。前記洗浄用前駆物質ガスを前記ガス分配プレートへ送る前に、前記第1の処理チャンバの1以上の壁及び前記第1の処理チャンバ内に配置されたガス供給プレートを加熱するステップを更に含む請求項1に記載の方法。少なくとも部分的に窒化化合物デバイスを形成するために1以上の基板を処理する方法であって、1以上の基板の表面を、塩素を備えるガスにさらすステップと、前記表面を前記ガスにさらした後で、前記表面上に窒素及び第1のIII属元素を備える第1の層を堆積するステップとを備える方法。ランプを使用して前記1以上の基板を加熱するステップを更に含み、前記1以上の基板はサファイアを備える請求項8に記載の方法。少なくとも部分的に窒化化合物デバイスを形成するために1以上の基板を処理する方法であって、III属前駆物質を前記1以上の基板の表面に送ることによって、窒素及び第1のIII属元素を備える第1の層を1以上の基板上に堆積させるステップと、前記1以上の基板を前駆物質ガスから形成されたプラズマ生成種にさらすステップとを備える方法。前記前駆物質ガスは、ガリウム含有前駆物質、アルミニウム含有前駆物質、インジウム含有前駆物質及び塩素ガスを備えるガスの群から選択される請求項10に記載の方法。前記第1の層を堆積するステップは、ガス分配プレートを通してIII属前駆物質を前記1以上の基板へ送るステップを更に備える請求項10に記載の方法。前記1以上の基板を前記第1の処理チャンバから除去するステップと、前記第1の層を1以上の基板上に堆積した後で、塩素ガスを備える洗浄ガスに前記ガス分配プレートをさらすステップとを更に備える請求項12に記載の方法。前記第1の層を前記1以上の基板上に堆積する前に、前記1以上の基板及び前記ガス分配プレートを塩素ガスにさらすステップを更に備える請求項12に記載の方法。前記1以上の基板及び前記ガス分配プレートをプラズマ生成種にさらす前に、前記第1の処理チャンバの1以上の壁及び前記ガス分配プレートを加熱するステップを更に備える請求項12に記載の方法。少なくとも部分的に窒化化合物デバイスを形成するために1以上の基板を処理する方法であって、a第1処理チャンバの処理領域内に配置された1以上の基板の表面上に、第1のIII属窒化層を堆積するステップであって、前記第1のIII属窒化層を堆積するステップは、ガリウム含有前駆物質及び窒素含有前駆物質を前記1以上の基板の表面に流すステップを備えるステップと、b前記1以上の基板を前記第1の処理チャンバから第2の処理チャンバへ移送するステップと、c前記第2の処理チャンバの処理領域内に配置された前記1以上の基板の上に形成された前記第1のIII属窒化層の上に第2のIII属窒化層を堆積するステップであって、前記第2のIII属窒化層を堆積するステップは、ガリウム含有前駆物質及び窒素含有前駆物質を前記1以上の基板に流すステップを備えるステップと、d少なくとも1以上の基板上で、ステップa、b及びcを繰り返すステップと、e塩素ガスを備える洗浄用前駆物質ガスを前記第1の処理チャンバの表面に送ることによって、前記第1の処理チャンバの表面上に堆積された前記第1のIII属窒化層の少なくとも一部を除去するステップ、又は塩素ガスを備える洗浄用前駆物質ガスを前記第2の処理チャンバの表面に送ることによって、前記第2の処理チャンバの表面上に堆積された前記第2のIII属窒化層の少なくとも一部を除去するステップとを備える方法。前記第1の処理チャンバの表面上に堆積された前記第1のIII属窒化層の少なくとも一部を除去するステップは、ステップaを実行した後で実行される、又は前記第2の処理チャンバの表面上に堆積された前記第2のIII属窒化層の少なくとも一部を除去するステップは、ステップc又はステップdを実行した後で実行される請求項16に記載の方法。1以上の基板の表面上に前記第1のIII属窒化層を堆積する前に、塩素ガスを備えるガスに前記1以上の基板の表面をさらすステップを更に備える請求項16に記載の方法。窒化化合物半導体構造を製造する方法であって、第1のIII属前駆物質及び第1の窒素前駆物質を使用して第1の処理チャンバ内で1以上の基板上に第1の層を堆積するステップであって、前記第1の層は窒素及び前記第1のIII属元素を備え、前記第1の層を堆積するステップは、前記第1のIII属前駆物質又は前記第1の窒素前駆物質を前記1以上の基板に均一に送るために指向された複数の穴を有するガス分配装置を通して、前記第1のIII属前駆物質又は前記窒素前駆物質を送るステップと、前記1以上の基板を前記ガス分配装置から第1の距離に配置するステップとを更に含むステップと、前記第1のIII属前駆物質及び前記第1の窒素前駆物質を使用して、前記第1の処理チャンバ内の前記第1の層の上に第2の層を堆積するステップであって、前記第2の層は、窒素及び前記第1のIII属元素を備え、前記第1の層の上に前記第2の層を堆積する前に、前記1以上の基板は前記ガス分配装置から第2の距離へ動かされるステップと、前記1以上の基板を前記第1の処理チャンバから前記第1の処理チャンバとは異なる第2の処理チャンバへ移送するステップと、前記第2のIII属前駆物質及び前記第2の窒素前駆物質を使用して、前記第2の処理チャンバ内の前記第2の層の上に第3の層を堆積するステップとを備える方法。前記第1の処理チャンバ内で前記第1の層を堆積又は前記第2の層を堆積しながら、前記1以上の基板と前記ガス分配装置の間の間隔を制御するステップを更に備える請求項19に記載の方法。前記間隔を制御するステップは、プロセスガス組成、プロセスガス流量、ペデスタル温度、チャンバ壁温度、圧力及びプラズマ条件からなる群から選択される1以上のプロセスパラメータを調整するステップと、前記1以上のプロセスパラメータを調整するステップの後で、前記1以上の基板を前記ガス分配装置から第1の処理距離から、前記ガス分配装置から第2処理距離まで移動するステップとを更に備える請求項20に記載の方法。