変曲点を境に低輝度側がリニア特性を示し、高輝度側がログ特性を示す光電変換特性を持つ画素回路を複数有する撮像素子と、前記撮像素子の受光面に光を照射する光源と、前記光源に光を照射させ、第1露光時間で各画素回路に信号電荷を蓄積させて前記各画素回路から第1出力を出力させ、前記第1露光時間よりも短い第2露光時間で前記各画素回路に前記信号電荷を蓄積させて前記各画素回路から第2出力を出力させる制御手段と、前記第1出力及び第2出力を用いて、前記各画素回路の変曲点を算出する算出手段と、前記算出手段が算出した前記各画素回路の変曲点を用いて通常撮影時に前記撮像素子が出力した画像信号を補正する補正手段と、を備えた固体撮像装置。前記光源は、第1光強度及び当該第1光強度と異なる第2光強度の光を照射し、前記制御手段は、前記第1光強度及び前記第2光強度のそれぞれの照射期間中において前記各画素回路から前記第1出力及び前記第2出力を出力させ、前記算出手段は前記第1光強度の照射期間中に出力された前記第1出力及び前記第2出力と、前記第2光強度の照射期間中に出力された前記第1出力及び前記第2出力とを用いて前記各画素回路の変曲点を算出する請求項1に記載の固体撮像装置。前記撮像素子の受光面側に当該受光面へ入射する外光を遮断する絞りを更に備え、前記制御手段は前記絞りを閉じた後に前記光源に光を照射させて前記各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させ、前記算出手段は前記第1出力及び前記第2出力を用いて前記各画素回路の変曲点を算出する請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記撮像素子の温度を測定する測定手段を更に備え、前記算出手段は、前記測定手段が測定した温度、前記第1出力及び前記第2出力を用いて前記各画素回路の変曲点を算出する請求項1~3の何れか一項に記載の固体撮像装置。前記測定手段が測定した温度が所定時間内に基準値以上変化したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させる請求項4に記載の固体撮像装置。通常撮影時における前記撮像素子の露光時間を設定する露光時間設定手段を更に備え、前記露光時間設定手段が前記露光時間の設定を変更したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて前記各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させる請求項1~5の何れか一項に記載の固体撮像装置。前記画素回路は、前記光電変換素子が蓄積した信号電荷を蓄積する蓄積手段と、前記光電変換素子が蓄積した信号電荷を前記蓄積手段に転送する転送トランジスタと、前記蓄積手段に蓄積された信号電荷に対応する電気信号を増幅して出力する増幅トランジスタと、を有するものであり、露光期間中の前記転送トランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を更に備え、前記ゲート電圧設定手段が前記転送トランジスタのゲート電圧の設定を変更したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて前記撮像素子に前記第1出力及び前記第2出力を出力させる請求項1~6の何れか一項に記載の固体撮像装置。しかしながら、各画素回路が備える転送トランジスタは製造誤差等によってそれぞれ特性が異なる。光電変換素子のリニアログ特性は、転送トランジスタの特性に依存するため、転送トランジスタの特性が画素回路毎に異なると、画素回路毎に変曲点がばらついてしまう。この結果、撮像素子が取得した画像にノイズが含まれてしまい、画質の良い画像を得ることができなかった。本発明の目的は、各画素回路の変曲点を精度良く算出し、算出された変曲点を用いて画像信号の補正を行うことで高画質の画像を得ることができる固体撮像装置を提供することである。請求項1に記載の発明の固体撮像装置は、変曲点を境に低輝度側がリニア特性を示し、高輝度側がログ特性を示す光電変換特性を持つ画素回路を複数有する撮像素子と、前記撮像素子の受光面に光を照射する光源と、前記光源に光を照射させ、第1露光時間で各画素回路に信号電荷を蓄積させて前記各画素回路から第1出力を出力させ、前記第1露光時間よりも短い第2露光時間で前記各画素回路に前記信号電荷を蓄積させて前記各画素回路から第2出力を出力させる制御手段と、前記第1出力及び第2出力を用いて、前記各画素回路の変曲点を算出する算出手段と、前記算出手段が算出した前記各画素回路の変曲点を用いて通常撮影時に前記撮像素子が出力した画像信号を補正する補正手段と、を備えたものである。この構成によれば、撮像素子を構成する各画素回路の変曲点を求めるために固体撮像装置内に専用の光源を設け、この光源から一定の光が照射されている期間中に撮像素子が第1露光時間及び第2露光時間にて信号電荷を蓄積して得た第1出力及び第2出力を用いて算出手段が各画素回路の変曲点を求めるため、光量が変化しやすい外光を用いて変曲点を求める場合に比べて正確に変曲点を算出することができる。そして補正手段は各画素の正確な変曲点を用いて画像信号の補正を行うことができるため、高画質な画像を得ることができる。ここで、第1露光時間とは通常撮影時に用いられる露光時間のことである。そして、撮像素子が第1露光時間において蓄積して得た第1出力が、画素回路の光電変換特性におけるログ特性の領域の値となるよう、光源が照射する光強度が予め設定されている。更に第2露光時間は、撮像素子が第2露光時間において蓄積して得た第2出力が、画素回路の光電変換特性におけるリニア特性の領域の値となるよう、第1露光時間より短い時間として予め設定されている。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の固体撮像装置であって、前記光源は、第1光強度及び当該第1光強度と異なる第2光強度の光を照射し、前記制御手段は、前記第1光強度及び前記第2光強度のそれぞれの照射期間中において前記各画素回路から前記第1出力及び前記第2出力を出力させ、前記算出手段は前記第1光強度の照射期間中に出力された前記第1出力及び前記第2出力と、前記第2光強度の照射期間中に出力された前記第1出力及び前記第2出力とを用いて前記各画素回路の変曲点を算出するものである。この構成によれば、2種類の光強度を用いて各画素の変曲点を算出するため、算出手段はより正確な変曲点を算出することができる。従って、補正手段は正確な変曲点を用いて画像信号の補正ができるため、高画質な画像を得ることができる。ここで、撮像素子が第1露光時間において蓄積して得た第1出力が、画素回路の光電変換特性におけるログ特性の領域の値となるよう、第1光強度及び第2光強度は予め設定されている。請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の固体撮像装置であって、前記撮像素子の受光面側に当該受光面へ入射する外光を遮断する絞りを更に備え、前記制御手段は前記絞りを閉じた後に前記光源に光を照射させて前記各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させ、前記算出手段は前記第1出力及び前記第2出力を用いて前記各画素回路の変曲点を算出するものである。この構成によれば、撮像素子に入射する外光成分を遮断することによって、撮像素子は光量の変化しやすい外光成分の影響を受けずに第1出力及び第2出力を出力することができる。従って、算出手段は各画素の変曲点を正確に算出することができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~3の何れか一項に記載の固体撮像装置であって、前記撮像素子の温度を測定する測定手段を更に備え、前記算出手段は、前記測定手段が測定した温度、前記第1出力及び前記第2出力を用いて前記各画素回路の変曲点を算出するものである。撮像素子の光電変換特性は、温度に依存して変化する。従って、算出手段は撮像素子の温度を加味して各画素の変曲点を算出することにより、より正確な変曲点を得ることができる。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の固体撮像装置であって、前記測定手段が測定した温度が所定時間内に基準値以上変化したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させるものである。撮像素子の温度変化は光電変換特性の変化を引き起こし、つまりは画素毎の変曲点も変化する。従って、測定手段による測定温度が所定時間内に基準値以上変化したときに算出手段が各画素の変曲点を算出することによって、算出手段は正確な変曲点情報を常に提供することができる。従って、補正手段は常に正確な補正処理を行うことができ、高画質の画像を提供することができる。請求項6に記載の発明は、請求項1~5の何れか一項に記載の固体撮像装置であって、通常撮影時における前記撮像素子の露光時間を設定する露光時間設定手段を更に備え、前記露光時間設定手段が前記露光時間の設定を変更したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて前記各画素回路に前記第1出力及び前記第2出力を出力させるものである。露光時間が変化すると撮像素子の光電変換特性も変化し、つまりは画素毎の変曲点も変化する。従って、通常撮影時の露光時間つまり第1露光時間が変化したときに算出手段が各画素の変曲点を算出することによって、算出手段は正確な変曲点情報を常に提供することができる。従って、補正手段は常に正確な補正処理を行うことができ、高画質の画像を提供することができる。請求項7に記載の発明は、請求項1~6の何れか一項に記載の固体撮像装置であって、前記画素回路は、前記光電変換素子が蓄積した信号電荷を蓄積する蓄積手段と、前記光電変換素子が蓄積した信号電荷を前記蓄積手段に転送する転送トランジスタと、前記蓄積手段に蓄積された信号電荷に対応する電気信号を増幅して出力する増幅トランジスタと、を有するものであり、露光期間中の前記転送トランジスタのゲート電圧を設定するゲート電圧設定手段を更に備え、前記ゲート電圧設定手段が前記転送トランジスタのゲート電圧の設定を変更したとき、前記制御手段は前記光源に光を照射させて前記撮像素子に前記第1出力及び前記第2出力を出力させるものである。露光期間中における転送トランジスタのゲート電圧中間電圧が変化すると撮像素子の光電変換特性も変化し、つまりは画素毎の変曲点も変化する。従って、転送トランジスタのゲート電圧が変化したときに算出手段が各画素の変曲点を算出することによって、算出手段は正確な変曲点情報を常に提供することができる。従って、補正手段は常に正確な補正処理を行うことができ、高画質の画像を提供することができる。本発明によれば、リニアログ特性を持つ固体撮像装置において、正確な変曲点を算出することができる。従って、補正手段は正確な変曲点を用いて画像信号の補正を行うことができるため、高画質な画像を提供することができる。図1は、本実施の形態における固体撮像装置1の構成を示すブロック図である。固体撮像装置1は、撮像レンズ2、レンズ絞り3、光源4、撮像素子5、画像信号解析部6、バラツキ補正部7、画像処理部8及び制御部9を備える。撮像レンズ2は、所謂カメラレンズであり、制御部9によってフォーカス制御がなされる。レンズ絞り3は、外光の撮像素子5への入射光量を制御するための絞りであり、制御部9によって絞り量の調整がなされる。光源4は、撮像素子5の変曲点算出の際に撮像素子5の受光面に光を照射するための光源である。光源4は、制御部9の制御によって光強度の異なる2種類以上の光を出射することが可能であり、レンズ絞り3と撮像素子5の受光面の間の、例えばレンズ筐体内に埋め込まれて配置される。尚、図1では光源4を2つとして図示しているが、個数はこの限りではない。また、光源4は例えば白色LEDLightEmittingDiode等が用いられるが、撮像素子5にカラーフィルタ不図示がなければ白色以外の光源であってもよい。更に、光源4は撮像素子5の受光面に対して時間軸上で一定の光強度の光が照射されればよく、受光面全面を均一な光量で照射する必要はない。撮像素子5は、入射光をその光量に基づいて電気信号に線形変換する線形変換動作と、対数変換する対数変換動作を行うリニアログCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorイメージセンサであり、制御部9によって変曲点位置や露光時間等の各種制御がなされている。画像信号解析部6は、撮像素子5が出力した画像信号から撮像素子5を構成する各画素回路の変曲点を算出し、算出結果を制御部9へ出力する。バラツキ補正部7は、撮像素子5が通常撮影時に出力した画像信号に対して、制御部9から送られる変曲点情報を基に画素毎の補正処理を行う。画像処理部8は、バラツキ補正部7が出力した補正処理後の画像信号を取り込み、この画像信号に対して階調特性、色処理等の画像処理を施す。制御部9は、CPUCentralProcessingUnit:中央処理装置等によって構成され、記憶部不図示に記憶されたプログラムを読み出して処理を実行し、各機能部への指示信号の出力、データ転送等を行って固体撮像装置1を統括的に制御するものである。図2は、撮像素子5の構成を示したブロック図である。撮像素子5は、列並列型AD変換方式カラムAD変換方式のCMOSイメージセンサであって、画素アレイ部51、ローデコーダ52、カラムADCアレイ部53、カラムデコーダ54、PLLPhaseLockedLoop55、タイミングジェネレータ以下、TGと記述する。56、D/Aコンバータ以下、DACと記述する。57、センスアンプ58、ランプ生成回路59、シリアライザ60、クロック端子61、レジスタ制御端子62、出力端子63及び温度センサ71を備えている。本実施の形態では、画素アレイ部51~出力端子63は、1チップに集積化されており、撮像素子を構成している。画素アレイ部51は、MMは2以上の正の整数行×NNは2以上の正の整数列にマトリックス状に配列された複数の画素回路GCにより構成されている。尚、図2の例では、画素回路GCは、14行×17列でマトリックス状に配列されている。画素アレイ部51は、撮像レンズ2において結像された光像及び光源4が照射した光を光電変換して、例えば、R赤、G緑及びB青の各色成分の画素値からなる画像信号を生成し、カラムADCアレイ部53へ出力する。ローデコーダ52は、例えば、垂直走査回路とドライバ回路とを備えている。垂直走査回路は、例えば、シフトレジスタにより構成され、TG56から出力される垂直同期信号に同期して、画素アレイ部51の各行をサイクリックに選択することで、画素アレイ部51を垂直走査する。ドライバ回路は、画素制御信号を生成し、垂直走査回路により選択された行に属する各画素回路GCに画素制御信号を出力することで、各画素回路GCを駆動させる。カラムADCアレイ部53は、画素アレイ部51の各列に対応するN個のカラムADC31を備えている。カラムADC31は、画素アレイ部51の各列に対応する垂直信号線L_1を介して各列の画素回路GCと接続され、垂直走査回路により選択された行の画素回路GCからノイズ信号及びシグナル信号を読み出す。そして、カラムADC31は、読み出したノイズ信号及びシグナル信号に対して相関二重サンプリング処理を行って画像信号を取得する。そして、カラムADC31は、取得した画像信号に対してA/D変換を行い、デジタルの画像信号を保持する。カラムデコーダ54は、例えばシフトレジスタにより構成され、TG56から出力される水平同期信号に同期した列選択信号を出力することで、1水平走査期間において、各列のカラムADC31をサイクリックに選択し、カラムADCアレイ部53を水平走査し、各列のカラムADC31が保持するデジタルの画像信号をセンスアンプ58に順次に出力させる。PLL55は、クロック端子61を介して外部の装置例えば、制御部9から供給されるクロック信号SYSCLKを逓倍し、TG56に出力する。TG56は、PLL55から供給されるクロック信号に従って、垂直同期信号及び水平同期信号等の、撮像素子5を構成する各要素を制御するために必要なタイミング信号を生成して出力する。DAC57は、TG56から出力される信号をD/A変換して、ローデコーダ52に供給する。ランプ生成回路59は、ランプ信号を生成して、各カラムADC31に出力する。センスアンプ58は、カラムADCアレイ部53から水平信号線L_2を介して出力されるデジタルの画像信号を増幅し、シリアライザ60に出力する。本実施の形態では、カラムADC31は、14ビットのデジタルの画像信号を生成し、各ビットの信号の位相を180度ずらし、位相が180度ずらされた信号と、位相がずらされていない信号とからなる合計28個の信号をセンスアンプ58に出力する。よって、カラムADCアレイ部53とセンスアンプ58とを接続する水平信号線L_2は、合計28本となる。そして、センスアンプ58は、28本の水平信号線L_2を流れる信号をそれぞれ増幅して、各信号の波形を成形してシリアライザ60に出力する。シリアライザ60は、例えば、LVDSLowVoltagedifferentialsignaling規格に準拠したシリアライザにより構成され、センスアンプ58から28本の水平信号線L_2を介してパラレルで出力される信号を差動増幅して14ビットの信号とし、シリアルに変換して出力端子63に出力する。出力端子63は、シリアライザ60からの信号を画像信号解析部6及びバラツキ補正部7へ出力する。温度センサ71は、画素アレイ部51の温度を測定するためのセンサであり、測定信号をカラムADCアレイ部53に出力する。測定信号は、出力端子63から画像信号と共に出力され、画像信号解析部6を介して制御部9が取り込む。そして制御部9がこの測定信号に基づいて画素アレイ部51の温度を算出する。尚、温度センサ71は画素アレイ部51の近傍に配置されることが望ましいが、配置位置は画素アレイ部51の温度が検知可能な場所であればよい。図3は、画素回路GCの一例を示した回路図である。図3に示すように画素回路GCは、光電変換素子以下、PDと記述する。、転送トランジスタ以下、TXと記述する。、リセットトランジスタ以下、RSTと記述する。、増幅トランジスタ以下、SFと記述する。、及び行選択トランジスタ以下、SELと記述する。を備える。PDは被写体からの光を受光し、受光した光量に応じた信号電荷を発生し、寄生容量で蓄積する。ここで、PDはカソードがTXのソースに接続され、アノードに駆動電圧であるPVSSが入力される。TXは、例えばnMOSnegativechannelMetalOxideSemiconductorにより構成され、PDにより蓄積された信号電荷を浮遊拡散層以下、FDfloatingdiffusionと記述する。に転送する。TXのゲートには、TXを導通状態、非導通状態及び中間状態で駆動するための信号ゲート電圧。以下、φTXと記述する。が入力される。TXのドレインは、FDに接続されている。φTXがゼロ電圧又は負電圧以下、VLと記述する。になるとTXのゲートが閉じてTXが非導通状態なる。また、φTXが中間電圧以下、VMと記述する。になると、TXのゲートが半開してTXが導通状態と非導通状態との中間状態になる。また、φTXがハイレベルの電圧以下、VHと記述する。になると、TXのゲートが開いてTXが導通状態になる。φTXは、ローデコーダ52から出力される画素制御信号である。FDは、PDから転送された信号電荷を蓄積する。これにより、FDには信号電荷に応じた電圧が現れる。RSTは、例えばnMOSにより構成され、ゲートにRSTを導通状態又は非導通状態にするための信号であるφRSTが入力され、ドレインに駆動電圧であるPVDDが入力され、ソースがFDを介して増幅トランジスタSFのゲートに接続されている。φRST=VHになると、RSTが導通状態となり、φRST=VLになると、RSTが非導通状態になる。そして、RSTは、導通状態になるとFDの信号電荷を排出して、FDをリセットする。尚、PVDD及びPVSSは図略の電圧源から出力され、φRSTは、ローデコーダ52から出力される画素制御信号である。SFは、例えばnMOSにより構成され、ゲートがFDを介してTX及びRSTに接続され、ドレインに駆動電圧であるPVDDが入力され、ソースがSELに接続されている。そして、SFはFDに現れる電圧を電流増幅してSELに出力する。SELは、例えばnMOSにより構成され、ゲートに行選択信号であるφVSENが入力され、ドレインがSFに接続され、ソースが垂直信号線L_1を介して対応する列のカラムADC31に接続されている。そして、SELは、SFにより電流増幅された電圧を出力信号として、垂直信号線L_1を介して対応する列のカラムADC31に出力する。ここで、φVSENはローデコーダ52から出力される画素制御信号である。図4は、画素回路GCのタイミングチャートである。図4に示すように画素回路GCは、露光期間T_Eと、読出期間T_Rとがサイクリックに繰り返され、露光期間T_Eにおいて蓄積した信号電荷に応じたシグナル信号を出力する。露光期間T_Eでは、時刻t0に示すように、φTX=VMとされている。そのため、PDは高輝度光入射時にはサブスレショルド状態となり、FDに信号電荷を流しつつ信号電荷を蓄積する。これにより、リニアログ特性が実現される。尚、露光期間T_Eでは、FDはRSTにより常時リセットされるため、PDから流れ出る信号電荷を絶えず排出し、信号電荷を蓄積しない。そのため、FDの電圧は絶えずPVDDを維持する。また、露光期間T_EではφVSEN=VLであるため、画素回路GCからカラムADC31にシグナル信号は出力されない。露光期間T_Eが終了され、読出期間T_Rが開始されると、φRST=VLにされ、RSTはFDのリセットを終了し、φTX=VLにされ、TXは非導通状態となる。時刻t1において、φVSEN=VHであり、SELが導通状態にされている。これにより、垂直信号線L_1からは、FDに現れるノイズレベルの電圧V_nがSFで電流増幅され、ノイズ信号としてカラムADC31に出力される。ここで、FDの電圧が、PVDDから電圧V_nに下がっているのは、主にφRSTをVHからVLに変化させたことによるFDとRSTとの間の寄生容量の影響によるものであるが、FDのktcノイズの影響も含まれている。このktcノイズは画素回路GC毎にばらついているため、ノイズ信号は画素回路GC毎にバラツキを持つ。尚、FDの電圧は、蓄積する信号電荷量が増大するにつれて低下する。時刻t2において、φVSEN=VLであり、SELが非導通状態であり、ノイズ信号の出力が停止されている。また、時刻t2において、φTX=VHにされ、TXが導通状態となり、PDの信号電荷がFDに転送される。これにより、FDの電圧はFDに転送される信号電荷に応じて低下し、シグナルレベルの電圧V_sとなる。時刻t3において、φVSEN=VHであり、FDの電圧V_sがSFで電流増幅され、シグナル信号として、垂直信号線L_1を介してカラムADC31に出力されている。出力されたシグナル信号は、カラムADC31によりノイズ信号との差分がとられ、画像信号が生成される。ここで、画像信号は、FDのノイズレベルの電圧V_nと、シグナルレベルの電圧V_sとの差分に相当する値を有している。よって、ノイズ信号とシグナル信号との差分をとることで、シグナル信号に含まれるノイズ成分が除去された画像信号が得られるのである。読出期間T_Rが終了すると、再度、φRST=VH、φVSEN=VL、φTX=VMとされ、次のフレームの画像信号を得るための露光期間T_Eが開始される。図5は、画素回路GCの光電変換特性を示したグラフであり、異なる3つの画素回路画素a、画素b及び画素cの光電変換特性を示している。図5において、縦軸は線形軸であり画素回路GCから出力される画像信号を示し、横軸は対数軸であり、光電変換素子PDに入射する入射光の強度を示している。このグラフから分かるように、光電変換特性は、変曲点を境に低輝度領域がリニア特性を示すリニア領域と、高輝度領域がログ特性を示すログ領域とからなるリニアログ特性を持つ。また、画素a~cの光電変換特性において、リニア領域の特性のバラツキはないが、ログ特性は画素毎に変曲点KPa、KPb及びKPcの位置が異なっていることが分かる。このように画素毎の変曲点のバラツキは、撮影した画像にパターンノイズとして現れ、画質悪化を引き起こしていた。このようなノイズを防ぐために、各画素の変曲点を算出し、算出した変曲点を用いて画像信号の補正を行う。以下、その方法について詳しく説明する。尚、以下の説明において、画素回路GCを単に画素と記述する。図6は、撮像素子51を構成する各画素の変曲点を算出するための処理の流れを示したフローチャートである。図7は、画素の光電変換特性を示したグラフである。図6及び7を用いて変曲点算出処理について説明する。まず、制御部9は光源4を光強度L1で点灯させステップS11、通常撮影時に用いられる第1露光時間例えば1/30秒、低速シャッタで撮像素子5に撮影させるステップS12。そして、画像信号解析部6は、撮像素子5から出力された画像信号P4を取り込むステップS13。ここで、光強度L1での撮影において、撮像素子5を構成する画素が出力する画像信号はログ領域の信号図7の実線で示したグラフにおける直線で示した領域の信号である必要がある。従って、光強度L1の値は、第1露光時間での撮影において撮像素子5にログ領域の信号を確実に出力させる値として固体撮像装置1の設計者等によって予め設定されている。続いて、制御部9は高速撮影時に用いられる第2露光時間例えば1/3000秒、高速シャッタで撮像素子5に撮影させるステップS14。そして、画像信号解析部6は、撮像素子5から出力された画像信号P3を取り込むステップS15。撮像素子5の光電変換特性は、露光時間が短くなると光電変換特性のリニア領域の割合が大きくなる。つまり、第2露光時間の時の光電変換特性は、図7において一点鎖線で示した特性となる。従って、同じ光強度L1であっても露光時間が異なると、撮像素子5からは実線のグラフに則したログ領域の画像信号P4と、一点鎖線のグラフに則したリニア領域の画像信号P3という2種類の画像信号を得ることができる。このようにログ領域とリニア領域の両方の画像信号を得るために、第2露光時間の値は、光強度L1での撮影において画素にリニア領域の信号を確実に出力させる値として固体撮像装置1の設計者等によって予め設定されている。次に、制御部9は光源4を光強度L1とは値の異なる光強度L2で点灯させステップS16、第1露光時間で撮像素子5に撮影させるステップS17。そして、画像信号解析部6は、撮像素子5から出力された画像信号P2を取り込むステップS18。続いて、制御部9は第2露光時間で撮像素子5に撮影させるステップS19。そして、画像信号解析部6は、撮像素子5から出力された画像信号P1を取り込むステップS20。尚、光強度L2の値も光強度L1と同様に、第1露光時間での撮影において撮像素子5にログ領域の信号を確実に出力させる値として固体撮像装置1の設計者等によって予め設定されている。図8は、変曲点算出処理の時の撮像素子5の露光時間、撮像素子5による画像信号の読み出し時間及び光源4の点灯時間の各タイミングを示した図である。変曲点算出処理が開始すると、制御部9は光源4に光強度L1の光を照射させ、撮像素子5は第1露光時間及び第2露光時間で撮影を行って、画像信号P4及びP3を出力する。同様に、制御部9は光源4に光強度L2の光を照射させ、撮像素子5は第1露光時間及び第2露光時間で撮影を行って、画像信号P2及びP1を出力する。ここで、第2露光時間の時の画素の光電変換特性におけるリニア領域の特性は、y=a1/3000x1で表されるため、画像信号解析部6は画素信号P1及びP3を式1のyに代入してx、つまり光強度L1及びL2を算出するステップS21。次に、第1露光時間の時の画素の光電変換特性におけるログ領域の特性は、y=αlogxβ2で表される。そして、画像信号P1~P4を用いて式2を変形すると、α=P2-P4/{log10P1/P3}3となり、画像信号解析部6は式3を用いてαを算出するステップS22。続いて、β=y-αlogx4となり、画像信号解析部6は式3から求めたαと、画像信号P2及び式1から求めた光強度L2又は画像信号P4及び光強度L1を用いてβを算出するステップS23。次に、第1露光時間の時の画素の光電変換特性におけるリニア領域の特性は、y=a1/30x5で表されるため、画像信号解析部6は式2と式5の交点のx軸の値Lkpを求める。a1/30x=αlogxβ6画像信号解析部6は、式6をxについて解くことによってLkpを算出するステップS24。尚、a1/30とa1/3000は、露光時間が1/100の関係にあるため、a1/30:a1/3000=1:100次に、画像信号解析部6はステップS24で算出したLkpを式5に代入して、Pkpを算出するステップS25。Pkp=a1/30×Lkp7制御部9及び画像信号解析部6は、以上で説明した処理を繰り返し、全ての画素について変曲点Lkp及びPkpを算出する。そして、バラツキ補正部7は、画像信号解析部6が算出した全ての画素の変曲点を変曲点情報として制御部9を介して取得し、通常撮影時に撮像素子5が出力した画像信号に対してバラツキ補正処理を行うステップS26。このバラツキ補正処理については、公知技術が用いられ、例えば以下の方法が挙げられる。まず、バラツキ補正部7は、撮像素子5が出力した各画素の画素値画像信号について出力ばらつき量D所定の基準画素値と各画素の画素値との差の絶対値を算出し、出力ばらつき量Dが補正手段判定ID出力ばらつき量Dの最大値未満の場合はメモリ補正画素値に対して加減算等の演算を行うことによる補正を行い、補正手段判定IDと一致する場合は補間補正補正対象の画素に近接する画素の画素値を加算平均する等によって行う補正を行う。そして、バラツキ補正部7は、補正後の画素値が変曲点未満の値リニア領域の値であるか、変曲点以上の値ログ領域の値であるかを判定し、リニア領域の値である場合は撮像素子5から出力された画素値をそのまま画像処理部8へ出力する。一方、ログ領域の値である場合、バラツキ補正部7は補正後の画素値を画像処理部8へ出力する。この補正処理は、特開2008-28623号公報に記載されている方法である。他のバラツキ補正処理としては、バラツキ補正部7は、各画素の変曲点情報に基づいて、撮像素子5の出力した各画素値がリニア領域の値か、ログ領域の値かを判定する。画素値がリニア領域の値であると判定した場合、バラツキ補正部7は画素値をそのまま画像処理部8へ出力する。一方、画素値がログ領域の値であると判定した場合、バラツキ補正部7は、ログ特性の画素値をリニア特性の画素値に変換する場合の対応関係を予め定めたルックアップテーブルを用いて、ログ特性の画素値をリニア特性の画素値に変換し、変換後の画素値を画像処理部8へ出力する。このようにバラツキ補正部7が変曲点情報を用いて画像信号の補正を行うことにより、画素毎に変曲点位置が異なることによって発生する画像のノイズを排除することができる。尚、上記した変曲点の算出方法では、光電変換特性のリニア領域は温度に依存しないことを前提に説明した。しかし、実際にはリニア領域はわずかながら温度特性を持っている。そこで、第2露光時間の時の光電変換特性のリニア領域の特性を示した式1と、第1露光時間の時の光電変換特性のリニア領域の特性を示した式5に対して温度係数を加えた式とする。つまり、y=a1/3000t×x8y=a1/30t×x9となる。制御部9は、温度センサ71が出力した測定信号に基づいて撮像素子5の温度tを算出し、温度tを画像信号解析部6へ出力する。図9は、温度とリニア感度係数の関係の一例を示したグラフであり、画像信号解析部6は内蔵メモリ不図示にこのグラフが示すデータテーブルを予め記憶している。画像信号解析部6は、上記した式1を式8に、式5を式9に替えて、上記データテーブルを用いて温度tからリニア感度係数を導出して変曲点を求める。このように、リニア領域の特性に温度特性を加味することによって、画像信号解析部6は各画素の変曲点をより正確に算出することができる。従って、バラツキ補正部7は、より正確な補正処理を行うことができ、高画質の画像を提供することができる。以上で説明した変曲点算出処理は、a温度センサ71の測定温度が所定時間内に基準値以上変化した直後、b制御部9によって通常撮影時の撮像素子51の露光時間つまり第1露光時間が変更された直後、c制御部9によって転送トランジスタTXの中間電圧が変更された直後、に実行されることが望ましい。a~cに示した条件変化は、撮像素子51の光電変換特性の変化を引き起こし、つまりは画素毎の変曲点も変化する。従って、制御部9はa~cで示したタイミングで画像信号解析部6に変曲点算出処理を指示することによって、画像信号解析部6は正確な変曲点情報を常に提供することができる。従って、バラツキ補正部7は常に正確な補正処理を行うことができ、高画質の画像を提供することができる。尚、上記では、制御部9は光源4を2種類の光強度L1及びL2で発光させ、それぞれの光強度の時に第1露光時間及び第2露光時間にて撮像素子5に撮影を行わせて、画像信号解析部6が各画素の変曲点を算出することとして説明したが、各画素についてログ領域の傾きαが同じであれば、1種類の光強度であっても全ての画素の変曲点を算出可能である。しかし、2種類の光強度を用いた方が精度良く変曲点を算出することができるため、上記したように2種類の光強度L1及びL2を用いて変曲点を算出することが望ましい。また、変曲点算出処理の実行前に、制御部9がレンズ絞り3を閉めることによって、撮像素子5への外光成分の入射を遮断するようにしてもよい。特に、光源4が照射する光の光強度に対して撮像素子5へ入射する外光の光強度が無視できない値である場合、変曲点算出処理の実行前に制御部9はレンズ絞り3を閉めるよう制御する。光源4が照射する光の光強度に対して撮像素子5へ入射する外光の光強度が無視できる程度の小さな値である場合は、レンズ絞り3を開放したまま変曲点算出処理を行っても構わない。