内部に処理空間を形成する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配設され、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、前記処理チャンバー内に、前記下部電極と対向するように配設された上部電極と、前記下部電極に高周波電力を印加するための高周波電源と、前記処理空間にプラズマ化される処理ガスを供給するための処理ガス供給機構と、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が前記処理空間に露出するように前記処理チャンバー内に配設され接地電位を形成するための第一のグランド部材と、前記処理チャンバーの下方に形成された排気空間内に、前記第一のグランド部材と対向するように設けられ、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が前記排気空間に露出する、接地電位を形成するための第二のグランド部材と、前記第一及び第二のグランド部材の間で上下動させ、前記第一及び第二のグランド部材のいずれかと接触させて、前記第一及び第二のグランド部材の接地状態を調整可能とされた接地棒とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記上部電極に直流電圧を印加するための直流電源を具備し、前記第一及び第二のグランド部材は、直流電源から印加される直流電圧に対するグランド電極として作用することを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1又は2記載のプラズマ処理装置であって、前記第一及び第二のグランド部材が、シリコン、炭化ケイ素、アルミニウムの無垢材のいずれかから形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~3いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記第一及び第二のグランド部材が、前記下部電極の周囲を囲むように配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~4いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記接地棒が複数配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。近年、半導体装置の製造分野では、多層膜構造の一括エッチングが主流となってきたため、1つの処理チャンバー内で複数のプラズマエッチング工程等を実施する必要性が生じている。このため、個々のプロセス条件に合ったより細かなプラズマの制御を可能とすることが求められている。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。本発明のプラズマ処理装置の一態様は、内部に処理空間を形成する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配設され、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、前記処理チャンバー内に、前記下部電極と対向するように配設された上部電極と、前記下部電極に高周波電力を印加するための高周波電源と、前記処理空間にプラズマ化される処理ガスを供給するための処理ガス供給機構と、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が前記処理空間に露出するように前記処理チャンバー内に配設され接地電位を形成するための第一のグランド部材と、前記処理チャンバーの下方に形成された排気空間内に、前記第一のグランド部材と対向するように設けられ、導電性材料から全体形状がリング状に形成され、少なくとも一部が前記排気空間に露出する、接地電位を形成するための第二のグランド部材と、前記第一及び第二のグランド部材の間で上下動させ、前記第一及び第二のグランド部材のいずれかと接触させて、前記第一及び第二のグランド部材の接地状態を調整可能とされた接地棒とを具備したことを特徴とする。本発明によれば、従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置10の概略構成を示す縦断面図である。プラズマエッチング装置10は、気密に構成され、内部に処理空間PSを形成する処理チャンバー11を有している。この処理チャンバー11は、円筒状とされ、例えば表面に陽極酸化被膜を形成されたアルミニウム等から構成されている。この処理チャンバー11内には、被処理基板である半導体ウエハWを水平に支持する円柱状の載置台12が設けられている。処理チャンバー11の内壁側面は、側壁部材13で覆われ、処理チャンバー11の内壁上面は上壁部材14で覆われている。側壁部材13及び上壁部材14は、例えば、アルミニウムからなり、その処理空間PSに面する面はイットリアや所定の厚さを有する陽極酸化被膜でコーティングされている。処理チャンバー11は電気的に接地されているため、側壁部材13及び上壁部材14の電位は接地電位である。また、載置台12は、導電性材料、例えば、アルミニウムからなる導電体部15と、該導電体部15の側面を覆う、絶縁性材料からなる側面被覆部材16と、側面被覆部材16の上に載置される、石英Qzからなるエンクロージャー部材17と、絶縁性材料からなり、導電体部15の下部に位置する載置台基部15aとを有する。処理チャンバー11の内部には、処理チャンバー11の内壁と載置台12の側面との間に、処理空間PS内に導入された処理ガスを、処理チャンバー11の外へ排気する流路として機能する排気流路18が形成されている。この排気流路18には、多数の通気穴を有する板状部材である排気プレート19が配置されている。この排気プレート19によって、排気流路18と、処理チャンバー11の下部空間である排気空間ESとが仕切られている。排気空間ESには粗引き排気管20及び本排気管21が開口しており、粗引き排気管20には図示しないドライポンプが接続され、本排気管21には図示しないターボ分子ポンプが接続されている。これらのドライポンプ及びターボ分子ポンプによって、処理空間PSを所定の圧力の減圧雰囲気に設定可能とされている。一方、処理チャンバー11の側壁には、半導体ウエハWの搬入出口44が設けられている。この搬入出口44には、当該搬入出口44を開閉するゲートバルブ46が設けられている。載置台12の導電体部15には、第1の高周波電源22が第1の整合器23を介して接続されている。第1の高周波電源22は、プラズマ発生用のものであり、比較的高い所定周波数27MHz以上例えば40MHzの高周波電力を導電体部15に供給する。なお、第1の整合器23は、導電体部15からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の導電体部15への供給効率を高める。また、導電体部15には、さらに第2の高周波電源24が第2の整合器25を介して接続されている。第2の高周波電源24は、イオン引き込み用バイアス用のものであり、第1の高周波電源22が供給する高周波電力より低い所定周波数13.56MHz以下、例えば3.2MHzの高周波電力を導電体部15に供給する。載置台12の上部には、誘電体内に電極板26を収容した構造の静電チャック27が配設されている。静電チャック27の電極板26には静電チャック用直流電源28が電気的に接続されている。この静電チャック用直流電源28から電極板26に直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハWは、クーロン力又はジョンソンラーベック力によって静電チャック27の上面に吸着保持されるようになっている。また、載置台12の上部には、載置台12の上面に吸着保持された半導体ウエハWの周りを囲うように環状のフォーカスリング29が配設されている。このフォーカスリング29は、シリコンSi、シリカSiO2、炭化ケイ素SiCなどからなる。また、フォーカスリング29の周囲には、フォーカスリング29の側面を保護する、石英からなる環状のカバーリング30が配設されている。載置台12の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室31が設けられている。この冷媒室31には、チラーユニット図示せずから冷媒用配管32を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン登録商標液が循環供給され、当該冷媒によって載置台12の上面に吸着保持された半導体ウエハWの処理温度が制御される。載置台12の上面の半導体ウエハWが吸着保持される吸着面には、複数の伝熱ガス供給孔33が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔33は、載置台12内部に配置された伝熱ガス供給ライン34を介して図示しない伝熱ガス供給部に接続され、この伝熱ガス供給部は、伝熱ガスとして例えばヘリウムHeガスを、伝熱ガス供給孔33を介して吸着面とウエハWの裏面との間隙に供給する。また、載置台12には、載置台12の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン35が配置されている。これらのプッシャーピン35は、半導体ウエハWを吸着面に吸着保持してエッチング処理を施す際には、載置台12内に収容される。そして、半導体ウエハWを載置台12に搬入搬出する際には、プッシャーピン35は吸着面から突出して半導体ウエハWを載置台12上に支持する。処理チャンバー11の天井部には、載置台12と対向するように上部電極としての機能を有するシャワーヘッド36が配設されている。このシャワーヘッド36と載置台12は、一対の電極上部電極と下部電極として機能するようになっている。シャワーヘッド36はバッファ室37が内部に形成された、絶縁性材料からなる円板状のクーリングプレート38と、このクーリングプレート38の下部に支持された上部電極板39と、クーリングプレート38の上部を覆う蓋体40とを備えている。上部電極板39は、処理空間PSにその下面が露出している。この上部電極板39は、導電性材料、例えば、シリコン製とされており、円板状に形成されている。上部電極板39の周縁部は絶縁性材料からなる環状のシールドリング41によって覆われている。すなわち、上部電極板39は、接地電位である処理チャンバー11の壁部からクーリングプレート38及びシールドリング41によって電気的に絶縁されている。また、上部電極板39は、上部直流電源42と電気的に接続されている。この上部直流電源42から上部電極板39に、負の直流電圧を印加することよって、処理空間PSに直流電圧が印加される。クーリングプレート38のバッファ室37には、処理ガス導入管43が接続されている。この処理ガス導入管43は、図示しない処理ガス供給部に接続されている。また、シャワーヘッド36には、バッファ室37を処理空間PSに連通させる複数の貫通ガス孔48が配設されている。シャワーヘッド36は、処理ガス導入管43からバッファ室37へ供給された処理ガスを、貫通ガス孔48を介して処理空間PSへ供給する。図2にも示すように、処理チャンバー11内の、排気プレート19より上側の処理空間PS内には、第一のグランド部材としての上側接地リング61グランド電極が配設されている。上側接地リング61は、導電性材料、例えば、シリコン又は炭化ケイ素又はアルミニウムの無垢材から全体形状が環状に形成されており図3参照。、その外側面が、処理空間PSに露出するように、内側部分が側面被覆部材16内に埋設されるように配設されている。上側接地リング61の下方であって、排気プレート19より下側の排気空間ES内には、上側接地リング61と上下に対向するように、第二のグランド部材としての下側接地リング62グランド電極が配設されている。下側接地リング62は、上側接地リング61と同様に、導電性材料、例えば、シリコン又は炭化ケイ素又はアルミニウムの無垢材から全体形状が環状に形成されており図3参照。、その外側面が、排気空間ESに露出するよう、内側部分が側面被覆部材16内に埋設されるように配設されている。なお、上側接地リング61及び下側接地リング62は、一部材によって環状に構成してもよく、複数の分割された部材を組み合わせて全体形状が環状になるように構成してもよい。上側接地リング61と、下側接地リング62との間には、側面被覆部材16内に形成された円孔65の内部に収容されるように、接地電位に接続された接地棒66が配設されている。接地棒66は、駆動機構67によって上下動自在とされており、上側接地リング61と接触し下側接地リング62とは非接触の状態と、下側接地リング62とは接触し上側接地リング61とは非接触の状態の、2つの状態に設定できるようになっている。図1に示すように、本実施形態では、この接地棒66は、載置台12の周囲の180°離れた位置に1つずつ合計2つ配設されている。しかし、接地棒66の数は、1つでも、3つ以上であってもよい。上記接地棒66が、上側接地リング61と接触し下側接地リング62とは非接触の状態では、上側接地リング61が電気的に接地され、下側接地リング62が電気的に浮遊状態フローティング状態となる。また、接地棒66が、下側接地リング62と接触し上側接地リング61とは非接触の状態では、下側接地リング62が電気的に接地され、上側接地リング61が電気的に浮遊状態フローティング状態となる。上側接地リング61及び下側接地リング62は、上部直流電源42から上部電極板39に直流電圧が印加される際には、この直流電圧のグランド電極として機能する。すなわち、この場合、上部電極板39から放出された電子が接地電位とされた上側接地リング61又は下側接地リング62に到達し、これによって、処理空間PS内に直流電流が流れるようになっている。したがって、接地棒66を上側に位置させ、上側接地リング61が電気的に接地され、下側接地リング62が電気的に浮遊状態とされた設定の場合は、排気プレート19より下側の排気空間ES内にプラズマが漏れることが抑制され、処理空間PS内のプラズマ密度が高い状態となる。一方、接地棒66を下側に位置させ、上側接地リング61が電気的に浮遊状態とされ、下側接地リング62が電気的に接地された設定の場合は、排気プレート19より下側の排気空間ES内にプラズマが漏れることが促進され、処理空間PS内のプラズマ密度が低い状態となる。このように、接地棒66を上下動させることによって、プラズマの状態をより細かく制御できるようになっている。なお、上部電極板39に直流電圧が印加されない場合、上側接地リング61及び下側接地リング62は、プラズマに対するグランド電極として機能する。上記構成のプラズマエッチング装置10では、処理空間PSに高周波電力を供給することにより、該処理空間PSにおいてシャワーヘッド36から供給された処理ガスから高密度のプラズマを生成し、さらに、処理空間PSの直流電流によって、生成されたプラズマを所望の状態に保ち、該プラズマによってウエハWにエッチング処理を施す。次に、上記構成のプラズマエッチング装置で、半導体ウエハWに形成された薄膜をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ46が開かれ、半導体ウエハWが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して搬入出口44から処理チャンバー11内に搬入され、載置台12上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー11外に退避させ、ゲートバルブ46を閉じる。そして、図示しない真空ポンプにより粗引き排気管20及び本排気管21を介して処理チャンバー11内が排気される。処理チャンバー11内が所定の真空度になった後、処理チャンバー11内にはシャワーヘッド36を介して所定の処理ガスエッチングガスが導入され、処理チャンバー11内が所定の圧力に保持され、この状態で第1の高周波電源22から載置台12に、周波数が例えば40MHzの高周波電力が供給される。また、第2の高周波電源24からは、イオン引き込みのため、載置台12に周波数が例えば3.2MHzの高周波電力バイアス用が供給される。このとき、静電チャック用直流電源28から静電チャック27の電極板26に所定の直流電圧例えば、プラス2500Vの直流電圧が印加され、半導体ウエハWは、クーロン力又はジョンソンラーベック力により静電チャック27に吸着される。上述のようにして下部電極である載置台12に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド36と下部電極である載置台12との間には電界が形成される。この電界により、半導体ウエハWが存在する処理空間PSには放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハW上に形成された薄膜がエッチング処理される。また、プラズマ処理中に上部直流電源42からシャワーヘッド36に直流電圧を印加することができるので次のような効果がある。すなわち、プロセスによっては、高い電子密度でかつ低いイオンエネルギーであるプラズマが要求される場合がある。このような場合に直流電圧を用いれば、半導体ウエハWに打ち込まれるイオンエネルギーが抑えられつつプラズマの電子密度が増加されることにより、半導体ウエハWのエッチング対象となる膜のエッチングレートが上昇すると共にエッチング対象の上部に設けられたマスクとなる膜へのスパッタレートが低下して選択性が向上する。この時、シャワーヘッド36に印加される直流電圧に対する接地電極として作用する上側接地リング61及び下側接地リング62の電気的状態を、駆動機構67によって接地棒66を上下に移動させることによって変更し、プラズマ密度の高い状態とプラズマ密度の低い状態のいずれかに設定することができる。すなわち、例えば、多層膜構造の一括エッチングのため、処理チャンバー11内で複数の工程を実施するような場合、プラズマ密度の高い条件でエッチング処理を行う工程と、プラズマ密度の低い条件でエッチング処理を行う工程とを実施しなければならない場合がある。このような場合に、接地棒66を上下に移動させることによって、工程毎に適切なプラズマ密度の状態に設定して、所望のエッチング処理を実施することができる。そして、上記したエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給、直流電圧の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー11内から搬出される。以上説明したとおり、本実施形態によれば、上側接地リング61及び下側接地リング62の電気的状態を、接地棒66を上下に移動させることによって変更し、従来に比べてより細かなプラズマの制御を行うことができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。