"集電極を有する太陽電池素子の製造方法であって、前記集電極の形成を、集電極形成位置における導電性ペーストのスクリーン印刷の重ね合わせを複数回行うと共に、該導電性ペーストの複数回の重ね印刷において、二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度を一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度以上で行うことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。前記二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度の値から、一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度の値を引いた結果が、0mm/秒以上300mm/秒以下であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池素子の製造方法。前記二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度の値から、一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度の値を引いた結果が、10mm/秒以上100mm/秒以下であることを特徴とする請求項2記載の太陽電池素子の製造方法。請求項1、2又は3記載の製造方法によって得られる太陽電池素子。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、集電極を精度よく印刷することができると共に、抵抗値を低減させることができ、良好な電気特性を有し、しかも製造タクトを短縮することができる太陽電池素子及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、複数回のスクリーン印刷による集電極形成において、二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度を、一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度以上に速くすることで、集電極の抵抗値の低減を可能にすることを見出した。これにより、スクリーンメッシュのパターン変更による集電極のズレなどを発生させることなく、更に製造タクトを短縮することが可能になり、このような信頼性及び外観を損ねることなく、更に製造タクトを短縮することのできるスクリーン印刷方法によって集電極を形成することが、太陽電池素子の製造に有利であることを知見し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、集電極を有する太陽電池素子の製造方法であって、前記集電極の形成を、集電極形成位置における導電性ペーストのスクリーン印刷の重ね合わせを複数回行うと共に、該導電性ペーストの複数回の重ね印刷において、二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度を一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度以上で行うことを特徴とする太陽電池素子の製造方法、及びこれによって得られた太陽電池素子を提供する。この場合、前記二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度の値から、一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度の値を引いた結果が、0mm/秒以上300mm/秒以下であることが好ましい。本発明によれば、太陽電池素子に対し集電極のスクリーン印刷を行うに際して、一回目の集電極印刷速度以上の速度で二回目以降の集電極印刷を行うことで、信頼性及び外観を損ねることなく太陽電池の電気特性を改善することができるのみならず、太陽電池素子の製造タクトを短縮することができる。これは高い電気特性を持つ太陽電池素子の製造方法に広く利用することができる。以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は下記説明に加えて広範な他の実施形態で実施することが可能であり、本発明の範囲は、下記に制限されるものではなく、特許請求の範囲に記載されるものである。更に、図面は原寸に比例して示されていない。本発明の説明や理解をより明瞭にするために、関連部材によっては寸法が拡大されており、また、重要でない部分については図示されていない。前述したように、図1は太陽電池素子の一般的な構造を示す断面図である。図1において、1は半導体基板、2は拡散層拡散領域、3は反射防止膜兼パッシベーション膜、4はBSF層、5は集電極表面電極、6は裏面電極を示す。ここで、図1に示す太陽電池素子の製造工程を説明する。まず、半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、単結晶又は多結晶シリコンなどからなり、p型、n型のいずれでもよい。半導体基板1は、ボロンなどのp型の半導体不純物を含み、比抵抗は0.1~4.0Ωcmのp型シリコン基板が用いられることが多い。以下、p型シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造方法を例にとって説明する。大きさは100~150mm角、厚みは0.05~0.30mmの板状のものが好適に用いられる。そして、太陽電池素子の受光面となるp型シリコン基板の表面に、例えば酸性溶液中に浸漬してスライスなどによる表面のダメージを除去してから、更にアルカリ溶液で化学エッチングして洗浄、乾燥することで、テクスチャとよばれる凹凸構造を形成する。凹凸構造は、太陽電池素子受光面において光の多重反射を生じさせる。そのため、凹凸構造を形成することにより、実効的に反射率が低減し、変換効率が向上する。その後、例えばPOCl3などを含む、約850°C以上の高温ガス中にp型シリコン基板を設置し、p型シリコン基板の全面にリン等のn型不純物元素を拡散させる熱拡散法により、シート抵抗が30~300Ω/□程度のn型拡散層2を表面に形成する。なお、n型拡散層を熱拡散法により形成する場合には、p型シリコン基板の両面及び端面にもn型拡散層が形成されることがあるが、この場合には、必要なn型拡散層の表面を耐酸性樹脂で被覆したp型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に浸漬することによって、不要なn型拡散層を除去することができる。その後、例えば希釈したフッ酸溶液などの薬品に浸漬させることにより、拡散時に半導体基板の表面に形成されたガラス層を除去し、純水で洗浄する。更に、上記p型シリコン基板の表面側に反射防止膜兼パッシベーション膜3を形成する。この反射防止膜兼パッシベーション膜は、例えばSiNなどからなり、例えばSiH4とNH3との混合ガスをN2で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させるプラズマCVD法などで形成される。この反射防止膜兼パッシベーション膜は、p型シリコン基板との屈折率差などを考慮して、屈折率が1.8~2.3程度になるように形成され、厚み500~1,000Å程度の厚みに形成され、p型シリコン基板の表面で光が反射するのを防止して、p型シリコン基板内に光を有効に取り込むために設けられる。また、このSiNは、形成の際にn型拡散層に対してパッシベーション効果があるパッシベーション膜としても機能し、反射防止の機能と併せて太陽電池素子の電気特性を向上させる効果がある。次に、裏面に、例えばアルミニウムとガラスフリットとワニスなどを含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させる。しかる後、表面に、例えば銀とガラスフリットとワニスなどを含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させる。この後、各電極用ペーストを500~950°C程度の温度で焼成することで、BSF層4と表面電極即ち集電極5と裏面電極6とを形成する。上記のような典型的な結晶シリコン太陽電池素子の製造方法においては、集電極の抵抗値が高いため、高い電気特性をもつ太陽電池素子が得られない。本発明にかかる太陽電池素子の製造方法は、上記スクリーン印刷法による集電極形成工程の後に、更に集電極形成位置における導電性ペーストのスクリーン印刷を、一回目のスキージ速度以上に速いスキージ速度で複数回行うことで形成することにより、上記太陽電池素子の電気特性を高めることを特徴とする。かかるスクリーン印刷工程による電気特性の向上は、以下の理由によるものである。典型的なスクリーン印刷法の場合、銀などを含む導電性ペーストにより一回目に集電極を形成する際のスキージ速度は50~300mm/秒である。これより遅いと、印刷対象物であるシリコン基板とペーストの版離れが悪くなってペーストがにじんだり、膜厚が不均等になったりという問題が生じる。一方、これより速いと、前記版離れが急速に発生してペーストが十分にシリコン基板に転写されず、集電極がかすれたり、膜厚が薄くなったりという問題が生じる。しかし、スクリーン印刷の重ね合わせによる集電極の形成を二回目以降に行う場合は、印刷対象物がシリコン基板でなく一層目の集電極であるため、印刷対象物とペーストの版離れの状態が一回目の時点と異なる。シリコン基板表面と比較すると、一層目の集電極は表面状態が粗く、ペーストに含まれるワニスなどが馴染みやすくなっている。そのため、一層目の集電極を印刷したとき以上にスキージ速度を速くして印刷することで、ペーストと下地の版離れが良くなり、ペースト塗布量が増大し、結果集電極の膜厚が厚くなって抵抗値が低減され、太陽電池素子の電気特性を高くすることができる。この場合、前記二回目以降のスクリーン印刷時のスキージ速度の値から、一回目のスクリーン印刷時のスキージ速度の値を引いた結果が、0mm/秒以上300mm/秒以下、好ましくは10mm/秒~100mm/秒、更に好ましくは40mm/秒~80mm/秒である。また、三回目以降のスクリーン印刷を行う場合、その前のスクリーン印刷時のスキージ速度との差も同様に、好ましくは10mm/秒~100mm/秒、更に好ましくは40mm/秒~80mm/秒である。更に、スクリーン印刷に用いるスクリーンメッシュのパターンは、各回のスクリーン印刷において同じとすることが好ましい。なお、スクリーン印刷における集電極の形成において、各スクリーン印刷によって形成する集電極の厚さは5~50μm、特に8~35μmとなるように形成することが好ましく、また集電極の総厚さは3層形成の場合は25~70μm、4層形成の場合は30~90μmとなるように形成することが好ましい。また、スクリーン印刷に用いるインキとしては、公知の導電性銀ペーストなど、公知のインキを用いることができ、上記スキージ速度を上記のように調整する以外は、常法によってスクリーン印刷を行うことができる。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例1、比較例1]まず、ボロンがドープされ、厚さ0.2mmにスライスして作製された比抵抗が約1Ωcmのp型の単結晶シリコンからなるp型シリコン基板に外径加工を行うことによって、一辺15cm角の正方形の板状とした。そして、このp型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に15秒間浸漬させてダメージエッチングし、更に2質量のKOHと2質量のIPAを含む70°Cの溶液で5分間化学エッチングした後に純水で洗浄し、乾燥させることで、p型シリコン基板表面にテクスチャ構造を形成した。次に、このp型シリコン基板に対し、POCl3ガス雰囲気中において、870°Cの温度で30分間の条件で熱拡散法により、p型シリコン基板にn層を形成した。ここで、n層のシート抵抗は約40Ω/□、深さは0.4μmであった。そして、n層上に耐酸性樹脂を形成した後に、p型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に10秒間浸漬することによって、耐酸性樹脂が形成されていない部分のn層を除去した。その後、耐酸性樹脂を除去することによって、p型シリコン基板の表面のみにn層を形成した。続いて、SiH4とNH3、N2を用いたプラズマCVD法により、p型シリコン基板のn層が形成されている表面上に、反射防止膜兼パッシベーション膜となるSiNを厚さ1,000Åで形成した。次に、p型シリコン基板の裏面に、導電性アルミニウムペーストを印刷し、150°Cで乾燥させた。その後、p型シリコン基板に対し、表面にスクリーン印刷法により、導電性銀ペーストを用いて、集電極をスキージ速度150mm/秒で20μm形成し、150°Cで乾燥させた。更に、集電極の重ね合わせ印刷を100mm/秒で行った比較例と、200mm/秒で行った実施例を作製し、それぞれ150°Cで乾燥させて、最終的な印刷電極厚み30μmを得た。焼成炉にこれまでの処理済の基板を投入することにより、最高温度800°Cで導電性ペーストを焼成して電極を形成することで、太陽電池素子を作製した。これらの太陽電池素子の電気特性と印刷タクトタイムを測定した。表1に、上記方法で実施例と比較例それぞれ10枚ずつの太陽電池素子を作製した際の太陽電池素子の電気特性と印刷タクトタイムの平均を示す。表1に示すように、本発明によるスクリーン印刷法を用いることで、比較例と比べると太陽電池素子の電気特性の上昇が認められる変換効率の絶対値にして0.3。この場合、スキージ速度条件の変更のみで0.3の変換効率を改善したことは、様々な条件を積み重ねることで効率上昇をもたらす素子変換効率において、大きな貢献であると評価し得る。また、印刷タクトタイムも長くならないので、製造コストの低減にもつながる。[実施例2、比較例2]実施例1と同様にしてp型シリコン基板を作製し、表面にスクリーン印刷法により、導電性銀ペーストを用いて集電極を形成した。この場合、一層目はスキージ速度150mm/秒で20μmを形成し、二層目はスキージ速度200mm/秒で12μmを形成し、三層目はスキージ速度250mm/秒で8μmを形成し、その最終的な印刷電極厚みは40μmとした。得られた太陽電池素子の電気特性と印刷タクトタイムは表2の通りであった。なお、比較のため、一層目のスキージ速度150mm/秒、二層目のスキージ速度100mm/秒、三層目のスキージ速度90mm/秒で総厚み40μmの電極を印刷、形成した。得られた電気特性と印刷タクトタイムの結果を表2に示す。"