"基板上に半導体膜と、前記半導体膜の第1の領域上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上の第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上の前記薄膜トランジスタの凹凸を平坦化する第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上の透明導電膜と、を有する半導体装置であって、前記半導体膜の第2の領域は、バックライトの透過領域において、前記透明導電膜と一部重なり、前記半導体膜の前記第2の領域は、前記透明導電膜と重なる部分において、一導電型を付与する不純物元素を有し、前記半導体膜の前記第2の領域は、前記透明導電膜との間に電界が生じることを特徴とすることを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記第1の層間絶縁膜は無機絶縁膜であり、前記第2の層間絶縁膜は有機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。請求項1または2において、前記半導体膜は、透過率が50以上であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記半導体膜は、レーザーで結晶化されたポリシリコンであることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記半導体装置を用いた電子機器。上記したように、第1の電極例えば画素電極の下方に第2の電極例えば共通電極を配置する構造とした場合、従来は共通電極と画素電極の双方をITOで形成していた。このため、製造工程数やマスク数が多くなり、製造コストが高くなっていた。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造工程数やマスク数が少なく、製造コストが低い液晶表示装置、電子機器、及び液晶表示装置の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明に係る液晶表示装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、第2の電極の上方に配置された液晶を有し、第2の電極は、開口パターンを有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を具備する。本発明に係る半導体装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極を有し、第2の電極は、開口を有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を具備する。本発明に係る液晶表示装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、第2の電極の上方に配置された液晶と、基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、第2の電極は、開口を有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、第1の電極が有する半導体膜は、トランジスタが有する半導体膜と同時に成膜することを特徴とする。本発明に係る半導体装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、第2の電極は、開口パターンを有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、第1の電極が有する前記半導体膜は、トランジスタが有する半導体膜と同時に成膜することを特徴とする。この液晶表示装置および半導体装置によれば、第1の電極は、トランジスタが有する半導体膜と同時に成膜される。成膜後、同時にエッチングされて、同時にパターニングされる。したがって、同一の材料を含むこととなる。また、n型不純物やp型不純物も、同時に導入される場合がある。その場合は、不純物の濃度も概ね等しい部分を有することとなる。ただし、トランジスタは、不純物を導入される部分と、僅かに不純物を導入される部分と、ほとんど不純物が導入されない部分などを有している。第1の電極は、トランジスタが有する半導体膜において、不純物が導入される部分と概ね同じ状態となっている場合が多い。このように、トランジスタと同時に第1の電極を形成することが出来る。そのため、追加で工程が増えることなく、第1の電極を形成することが出来る。また、広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供することができる。なお、開口には、スリット等の閉じられた開口のみではなく、例えば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンの相互間に位置していて該導電体パターンが形成されていないスペースを含むものとする。以下、同様である。なお、上記した液晶表示装置、半導体装置において、第1の電極と第2の電極の間に位置する層間絶縁膜を具備し、第1の開口以外の、第2の電極と第1の電極とが相互に重なっている部分において、第1の電極、層間絶縁膜、及び第2の電極は容量素子として機能させることが出来る。この場合、保持容量を大きくすることができる。従って、前記トランジスタがオフになったとき、画素電極の電位は保持されやすくなる。本発明に係る液晶表示装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、第2の電極の上方に配置された液晶と、基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、第2の電極は、開口有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、第1の電極が有する半導体膜は、トランジスタが有する半導体膜と同時に成膜され、第1の電極が有する半導体膜と、トランジスタが有する半導体膜とは、同じ導電型の不純物を含むことを特徴とする。本発明に係る半導体装置は、基板の上方に形成された第1の電極と、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、第2の電極は、開口パターンを有し、第1の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、第1の電極が有する半導体膜は、トランジスタが有する半導体膜と同時に成膜され、第1の電極が有する半導体膜と、トランジスタが有する半導体膜とは、同じ導電型の不純物を含むことを特徴とする。このように、第1の電極と、トランジスタとが、同じ導電型の不純物n型やp型などを有することにより、レイアウトを効率的に行うことができ、開口率が向上する。本発明に係る液晶表示装置は、基板の上方に形成されたトランジスタを有し、トランジスタは、半導体膜を有し、半導体膜の一部は、第1の電極を構成し、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極と、第2の電極の上方に配置された液晶とを有し、第2の電極は、開口を具備する。本発明に係る半導体装置は、基板の上方に形成されたトランジスタを有し、トランジスタは、半導体膜を有し、半導体膜の一部は、第1の電極を構成し、第1の電極の上方に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上方に形成された第2の電極とを有し、第2の電極は、開口を具備する。このように、第1の電極と、トランジスタの有する半導体膜とが、同じアイランド島に形成されていることにより、レイアウトを効率的に行うことができ、開口率が向上する。本発明に係る液晶表示装置は、上記構成において、第1の電極は画素電極であり、第2の電極は共通電極であることを特徴とする。本発明に係る半導体装置は、上記構成において、第1の電極は画素電極であり、第2の電極は共通電極であることを特徴とする。本発明に係る液晶表示装置は、上記構成において、第1の電極は共通電極であり、第2の電極は画素電極であることを特徴とする。本発明に係る半導体装置は、上記構成において、第1の電極は共通電極であり、第2の電極は画素電極であることを特徴とする。本発明に係る液晶表示装置は、上記構成において、第1の電極と第2の電極との間の電界によって、液晶の配向を制御することを特徴とする。なお、本発明に示すスイッチには、様々な形態のものを用いることができ、一例としては、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオードPNダイオード、PINダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなどでもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性導電型は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、LDD領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源Vss、GND、0Vなどに近い状態で動作する場合はNチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源Vddなどに近い状態で動作する場合はPチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして動作しやすいからである。なお、Nチャネル型とPチャネル型の両方を用いて、CMOS型のスイッチにしてもよい。CMOS型のスイッチにすると、スイッチを介して出力する電圧つまり入力電圧が、出力電圧に対して、高かったり、低かったりして、状況が変化する場合においても、適切に動作を行うことが出来る。なお、本発明におけるスイッチとしては、例えば、画素電極を制御するTFTや、駆動回路部に用いるスイッチ素子等が挙げられるが、これ以外の部分においても、電流の流れを制御する必要がある部分であれば、スイッチを用いることができる。なお、本発明において、接続されている、とは、電気的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、電気的に接続されているとは、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなどが配置されていてもよい状態を言うものとする。また、直接接続されているとは、電気的に接続されているのなかでも、特に、電気的な接続を可能とする他の素子を間に介さずに接続されていて、直接接続されている場合のみを言うものとする。つまり、直接接続されているとは、電気的に接続されている場合において、所定の接続関係の間に他の素子を含まないものを特に指すこととする。なお、直接接続されていると同様の意味を指すものとして直接的に接続されているを用いることがある。なお、表示素子や表示装置や発光装置は、様々な形態を用いることや、様々な素子を有することが出来る。例えば、EL素子有機EL素子、無機EL素子又は有機物及び無機物を含むEL素子、電子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブGLV、プラズマディスプレイPDP、デジタルマイクロミラーデバイスDMD、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、EL素子を用いた表示装置としてはELディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイFEDやSED方式平面型ディスプレイSED:Surface-conductionElectron-emitterDisplyなど、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある。液晶素子以外に対する本発明の適用方法としては、例えば、シリコンを含む電極をEL素子等の電極として用いることが挙げられる。これにより、低コストにEL素子等の素子を作製することができる。この場合、電極は開口パターンを有していても良いし、有さなくても良い。有機EL素子に本発明のシリコンを含む電極を用いるのであれば、電極間に有機化合物を含む層を挟む構成であることが好ましいが、これに限られない。一方で、無機EL素子に本発明のシリコンを含む電極を用いるのであれば、電極間に無機化合物を含む層を挟む構成であっても良いし、電極上に無機化合物を含む層を形成する構成であっても良い。無機EL素子においては交流駆動が可能なためである。この場合、第1の電極と第2の電極とにより形成される横方向電界を用いて発光させることができる。この様な構成を用いることで、光が射出する側に、電極等の光を減衰させる構造を設けずとも良いため、EL表示装置の輝度が向上し、また、EL素子の劣化が低減することにつながる。なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタTFT、半導体基板やSOI基板を用いて形成されるトランジスタ、MOS型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ZnO、a-InGaZnOなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、SOI基板、ガラス基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板上に形成させることができる。したがって、回路の全てが、ガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、SOI基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。回路の全てが基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコストを低減させることや、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させることができる。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成し、回路の別の一部は、単結晶基板上に形成し、そのICチップをCOGChipOnGlassで接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのICチップをTABTapeAutoBondingやプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコストを低減させることや、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させることができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分は同じ基板に形成しないようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができ、特定の構成に限定されない。例えば、ゲート本数が2本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減させることや、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くすることや、飽和領域で動作する時に、ドレインソース間電圧が変化しても、ドレインソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることで、チャネル形成領域が増えることにより電流値を大きくすることや、空乏層ができやすくなることによりS値を小さくすることができる。また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル形成領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネルもしくはその一部にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネルもしくはその一部にソース電極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、LDD領域があってもよい。LDD領域を設けることにより、オフ電流を低減させることや、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くすることや、飽和領域で動作する時に、ドレインソース間電圧が変化しても、ドレインソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、R赤G緑B青の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、RGBWWは白や、RGBに、イエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、別の例としては、1つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。なお、一画素三色分と記載する場合は、RとGとBの三画素分を一画素と考える場合であるとする。一画素一色分と記載する場合は、一つの色要素につき、複数の画素がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置配列されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクスに配置配列されているとは、縦縞と横縞を組み合わせたいわゆる格子状にストライプ配置されている場合を含んでいる。そして、三色の色要素例えばRGBでフルカラー表示を行う場合に、三つの色要素がいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、RGBWWは白や、RGBに、イエロー、シアン、マゼンダを追加したものなどがある。また、色要素毎にその発光領域の大きさが異なっていてもよい。トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領域を有する。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本発明においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、それぞれ第1端子、第2端子と表記する。なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線ゲート線またはゲート信号線等とも言うとを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル形成領域やLDDLightlyDopedDrain領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続するためや、ゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル形成領域がある場合、その領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながっている領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル形成領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、レイアウトの簡略化などの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、1つのトランジスタのゲート電極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを1つのトランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続している部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線ソース線またはソース信号線等とも言うとを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、p型不純物ボロンやガリウムなどやn型不純物リンやヒ素などが多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけp型不純物やn型不純物が含まれる領域、いわゆる、LDDLightlyDopedDrain領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続するためや、ソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していなかったりする場合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、又はレイアウトの簡略化などの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続している部分の導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。なお、ソース端子とは、ソース電極の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。なお、ドレインについては、ソースと同様である。なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子トランジスタやダイオードなどを含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般でもよい。また、表示装置とは、表示素子液晶素子や発光素子などを有する装置のことを言う。なお、基板上に液晶素子やEL素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させる周辺駆動回路が形成された表示パネル本体のことでもよい。さらに、フレキシブルプリントサーキットFPCやプリント配線基盤PWBが取り付けられたものも含んでもよい。また、発光装置とは、特にEL素子やFEDで用いる素子などの自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、ある物上に形成されている、というように、ある物の上に、あるいは、ある物上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Aの上にもしくは層A上に、層Bが形成されている、という場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して別の層例えば層Cや層Dなどが形成されていて、その上に直接接して層Bが形成されている場合とを含むものとする。また、ある物の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Aの上方に、層Bが形成されている、という場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して別の層例えば層Cや層Dなどが形成されていて、その上に直接接して層Bが形成されている場合とを含むものとする。なお、ある物の下に、あるいは、ある物の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。ここで特に指定しない場合には、基板の一方の面を上方向とし、基板の他方の面を下方向とする。つまり、作製段階において、層Aの上に層Bを形成した構成を有している場合、その完成物の天地を逆転したとしても、層Aの上に層Bが形成された構成と言うことができる。すなわち、上または下といった方向の持つ意味は、ある物に対して、対象物がそのどちら側に形成されるのかを示すに留まり、一般的な上および下の持つ意味である重力に対する方向を言うものではない。もちろん、左、右といった、その他の方向についても同様である。なお、特に指定する場合にはこれに限られず、重力の方向を基準としても良いし、その他の基準を用いても良い。本発明によれば、トランジスタの有する半導体膜と液晶を駆動する第1の電極とを同一工程で形成することができる。その結果、第1の電極を、マスク数レチクル数や製造工程数を増やすことなく製造することが出来る。従って、広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。第1の実施形態図1は、本発明の基本的な場合の例を示す。図1Aには、平面図、図1Bには、断面図を示す。基板100の上に、第1の電極102が形成されている。第1の電極102は、従来は、ITOインジウム錫酸化物を用いて形成されていた。本発明において、第1の電極102は、一例としては、シリコンを含む半導体材料で形成される。ただし、これに限定されない。また、アモルファス非晶質シリコンでもよいが、導電性をあげるために、ポリ多結晶シリコンや単結晶シリコンなども用いられる。また、さらに導電性をあげるために、リンやボロンやガリウムやヒ素などの不純物p型不純物やn型不純物を含む場合が多い。第1の電極102にシリコンを含む半導体材料を用いるのは、シリコンの透過率が高いためである。また第1の電極102は、膜厚が薄いため、光を透過させることが出来る。透過率は、好ましくは50以上、より好ましくは、80以上が望ましい。これにより、視認性のよいものが実現できる。なお、基板100と第1の電極102との間には、別の絶縁層や導電層が配置されていてもよい。例えば、基板100から侵入する不純物をブロックするための絶縁層や、ゲート電極や、ゲート配線や、ゲート絶縁膜などが配置されていてもよい。第1の電極102の上には、絶縁膜106が形成されている。なお、絶縁膜106は、単層でもよいし、多層構造になっていてもよい。なお、絶縁膜106を構成する材料は、無機材料又は有機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、シロキサン、又はポリシラザンなどを用いることができる。無機材料としては、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。また、有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。なお、絶縁膜として無機材料を用いることにより、水分や不純物の侵入を止めることが出来る。特に、窒素を含む層を用いると、水分や不純物をブロックする機能が高い。なお、絶縁膜として有機材料を用いることにより、表面を平坦にすることが出来る。そのため、その上の層に対して、よい効果をもたらすことが出来る。例えば、有機材料の上に形成する層も平坦にすることが出来るため、液晶の配向の乱れを防いだりすることが出来たり、配線が切れてしまうことを防いだり、レジストを正確に形成することができたりする。絶縁膜106の上には、第2の電極108を形成する。第2の電極108は、光透過性の高い材料が望ましい。例えば、インジウムIn、錫Sn、酸素Oで構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSOが望ましい。特に、IZOは、パターニングしやすく、正確な形状で微細に形成しやすいため、好適である。ただし、これに限定されない。なお、第2の電極108では、開口パターンスリットを形成する。なお、この開口パターンは、第1の電極102と第2の電極108との間に、基板に概略平行な方向の電界を発生させるためのものである。したがって、基板に概略平行な方向を含む電界を発生させることが可能であれば、さまざまな形状を取ることが出来る。ここで、概略平行とは、多少のずれを含みつつ、平行な場合を指す。したがって、表示に支障が出ない範囲において、平行な方向からずれていてもよい。例えば、±10度、より望ましくは±5度程度のずれを有している場合を含んでいる。よって、前記開口パターンには、スリット等の閉じられた開口パターンのみではなく、例えば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンの相互間に位置していて該導電体パターンが形成されていないスペースを含むものとする。つまり、電極と電極との間に、隙間や間隔があいていればよい。このように、第2の電極108と第1の電極102との間で電界を発生させ、液晶分子の配向状態を制御することが出来る。なお、各画素に電極が形成されている場合、映像信号に応じて画素毎に異なる信号が供給される電極、いわゆる画素電極は、第2の電極108と第1の電極102のどちらにおいても適用させることが出来る。よって、例えば、第2の電極108を画素電極とし、第1の電極102を共通電極とすることが可能であるし、また第2の電極108を共通電極とし、第1の電極102を画素電極とすることも可能である。画素電極は、トランジスタのソースもしくはドレインと接続される場合が多いため、第1の電極102や第2の電極108を画素電極とすることにより、構造を簡略化することが出来る。また、共通電極は、全ての画素同士で接続される場合が多いため、第1の電極102や第2の電極108を共通電極にすることにより、構造を簡略化することが出来る。次に、トランジスタ201を有する場合について、図2Aには、平面図、図2Bには、断面図を示す。トランジスタ201は、第1の電極102や第2の電極108の近辺に配置される。このとき、トランジスタ201が有する膜と、第1の電極102とを同時に形成することが出来る。その結果、第1の電極を、マスク数レチクル数や製造工程数を増やすことなく製造することが出来る。一例としては、トランジスタ201が有する半導体層と、第1の電極102とを同時に形成することが出来る。したがって、トランジスタ201が有する半導体層と第1の電極102を同時に成膜し、同時にエッチングすることによって、同時にパターニングすることが出来る。また、半導体層がポリシリコンの場合は、同時に結晶化されることとなる。そのため、トランジスタ201が有する半導体層と、第1の電極102とは、同じ材料を含むこととなる。なお、トランジスタ201が有する半導体層の一部に、リンやボロンやガリウムやヒ素などの不純物p型不純物やn型不純物を導入する場合、同時に、第1の電極102にも、導入することが望ましい。同時に導入する場合は、導入される部分の上の膜の厚さや材質に影響を受けるが、同様な層構造の下に形成されている場合は、少なくとも、トランジスタ201が有する半導体層の一部のある領域では、第1の電極102のある領域と、概ね等しい濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有することとなる。例えば、トランジスタ201が有する半導体層のうちソース領域又はドレイン領域を形成する層と第1の電極102を形成する半導体層とが概ね等しい濃度の不純物領域を有することとなる。なお、トランジスタ201が有する半導体層には、チャネル形成領域を含む場合が多い。チャネル形成領域上には、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極が配置されている。このチャネル形成領域には、通常、濃度の高い不純物p型不純物やn型不純物は、導入されない。ただし、濃度が非常に低い不純物p型不純物やn型不純物は、しきい値電圧値を調整するために、導入される場合がある。また、トランジスタ201が有する半導体層には、濃度が低い不純物p型不純物やn型不純物が、LDDLightlydopeddrain領域を形成するために、導入される場合がある。以上のことから、トランジスタ201が有する半導体層は、様々な濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有する領域が複数存在する場合が多い。なお、トランジスタ201が有する半導体層と、第1の電極102とにおいて、同時に不純物p型不純物やn型不純物を導入する場合、トランジスタ201が有する半導体層と第1の電極102とは、非常に近接して配置されていてもよい。なぜなら、同じ不純物p型不純物やn型不純物を導入することが多いためである。そのため、トランジスタ201と第1の電極102とを、非常に効率的にレイアウトすることができ、開口率を向上させることが出来る。ただし、トランジスタ201が有する半導体層の一部と、第1の電極102とで、導電型が異なっていてもよい。その場合は、トランジスタ201とは別のトランジスタと同時に、不純物p型不純物やn型不純物が導入されることとなる。したがってその場合は、少なくとも、トランジスタ201とは別のトランジスタが有する半導体層の一部のある領域では、第1の電極102のある領域と、概ね等しい濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有することとなる。一例としては、トランジスタ201とは別のトランジスタは、ソース信号線駆動回路やゲート信号線駆動回路などの一部として配置されている。なお、トランジスタ201と、第1の電極102、もしくは、第2の電極108とは、電気的に接続される場合が多い。そして、電気的に接続された電極が、画素電極となる場合が多い。トランジスタ201と、第1の電極102、もしくは、第2の電極108とは、接続孔や配線などを介して、電気的に接続される場合が多い。なお、図2では、第1の電極102が、トランジスタ201が有する膜と同時に形成される場合について述べたが、これに限定されない。第1の電極102が、別のもの、例えば、配線や抵抗素子や容量素子などが有する膜と同時に形成されてもよい。次に、トランジスタ301を有していて、かつ、トランジスタ301の一部と、第1の電極102とが地続きになっていて、一つの島アイランドを形成している場合について、図3に示す。図3Aには、平面図、図3Bには、断面図を示す。なお、本明細書中において、地続きとは、一体に形成されていることを言うものとする。このとき、トランジスタ301が有する膜と、第1の電極102とは、1つの膜として繋がっているため、同時に形成することが出来る。その結果、第1の電極を、マスク数レチクル数や製造工程数を増やすことなく製造することが出来る。一例としては、トランジスタ301が有する半導体層と、第1の電極102とが繋がっていて、同時に形成することが出来る。したがって、トランジスタ301が有する半導体層と第1の電極102とを同時に成膜し、同時にエッチングすることによって、同時にパターニングすることが出来る。また、半導体層がポリシリコンの場合は、同時に結晶化されることとなる。この場合、トランジスタ301が有する半導体層と第1の電極102を構成する半導体層の結晶の粒界は概略同一の方向に向かって延伸している。ここで、結晶の粒界が概略同一の方向に向かって延伸している、とは、例えば、結晶化において形成される長手方向及び該長手方向と直交する方向短手方向ともいうを有する粒界の、該長手方向の向きがそろっていることを言う。そのため、トランジスタ301が有する半導体層と、第1の電極102とは、同じ材料を含むこととなる。なお、トランジスタ301が有する半導体層と、第1の電極102とは、地続きになっていて、繋がっているため、トランジスタ301が有する半導体層がどこまでであり、第1の電極102がどこまでであるかは、明確には区別出来ない場合がある。なお、トランジスタ301が有する半導体層の一部に、リンやボロンやガリウムやヒ素などの不純物p型不純物やn型不純物を導入する場合、同時に、第1の電極102にも、導入することが望ましい。同時に導入することにより、地続きになっているため、電気的に接続された状態とすることが出来る。その場合、トランジスタ301が有する半導体層と、第1の電極102とを接続するために、接続孔を設けて、別の配線を用いて接続する必要がない。そのため、効率的にレイアウトすることができ、開口率を向上させることが出来る。なお、トランジスタ301と、第1の電極102とは、地続きになっているため、電気的に接続された状態にある場合が多く、そのため、電気的に接続された電極が、画素電極となる場合が多い。なお、同時に不純物を導入する場合は、導入される部分の上の膜の厚さや材質に影響を受けるが、同様な層構造の下に形成されている場合は、少なくとも、トランジスタ301が有する半導体層の一部のある領域では、第1の電極102のある領域と、概ね等しい濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有することとなる。なお、トランジスタ301が有する半導体層には、チャネル形成領域を含む場合がおおい。チャネル形成領域は、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極が配置されている。このチャネル形成領域には、通常、濃度の高い不純物p型不純物やn型不純物は、導入されない。ただし、濃度が非常に低い不純物p型不純物やn型不純物は、しきい値電圧値を調整するために、導入される場合がある。また、濃度が低い不純物p型不純物やn型不純物は、LDDLightlydopeddrain領域を形成するために、導入される場合がある。以上のことから、トランジスタ301が有する半導体層は、様々な濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有する領域が複数存在する場合が多い。ただし、トランジスタ301が有する半導体層の一部と、第1の電極102とで、導電型が異なっていてもよい。その場合は、トランジスタ301とは別のトランジスタと同時に、不純物p型不純物やn型不純物が導入されることとなる。したがってその場合は、少なくとも、トランジスタ301とは別のトランジスタが有する半導体層の一部のある領域では、第1の電極102のある領域と、概ね等しい濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有することとなる。一例としては、トランジスタ301とは別のトランジスタは、ソース信号線駆動回路やゲート信号線駆動回路などの一部として配置されている。なお、トランジスタ301と、第1の電極102とは、電気的に接続される場合が多い。そして、電気的に接続された電極、つまり、第1の電極102が、画素電極となる場合が多い。その結果、効率的に電極とトランジスタを配置することができるため、好適である。なお、図3では、第1の電極102が、トランジスタ301が有する膜と同時に形成される場合について述べたが、これに限定されない。第1の電極102が、別のもの、例えば、配線や抵抗素子や容量素子などが有する膜と同時に形成されてもよい。なお、図1、図2、図3において、第2の電極108のみ、開口パターンを有する場合について記載したが、これに限定されない。第1の電極102でも同様に、開口パターンを有しても良い。これにより、基板に概略平行な電界を発生させ、液晶分子を制御することが出来る。この場合の図を、図4、図5、図6に示す。図4は、図1について、第1の電極102も開口パターンを有している場合に相当する。図5は、図2について、第1の電極102も開口パターンを有している場合に相当する。図6は、図3について、第1の電極102も開口パターンを有している場合に相当する。図4、図5、図6のように、第1の電極102に開口パターンがあると、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が第2の電極108に重なっていないからである。第1の電極102が重なっていると、透過率が100でない限り、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が重なっていない部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させることや、消費電力を低減させることが出来る。図7Aは、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。なお、ここでは、液晶表示装置に設けられた複数の画素のうち、1画素分の画素を示している。この液晶表示装置は、FFS方式で液晶の配向方向を制御する装置である。本図において、複数のソース配線107aが互いに平行図中上下方向に延伸かつ離間した状態で配置されている。複数のゲート配線104cは、ソース配線107aに略直交する方向図中左右方向に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。補助配線104bは、複数のゲート配線104cそれぞれに隣り合う位置に配置されており、ゲート配線104cに略平行な方向、つまり、ソース配線107aに略直交する方向図中左右方向に延伸している。ソース配線107aと、補助配線104b及びゲート配線104cとによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極が配置されている。画素電極を駆動する薄膜トランジスタは、図中左上の角に配置されている。なお、ゲート配線104c、補助配線104b、及びソース配線107aなどは、アルミニウムAl、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、クロムCr、ニッケルNi、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、マグネシウムMg、スカンジウムSc、コバルトCo、ニッケルNi、亜鉛Zn、ニオブNb、シリコンSi、リンP、ボロンB、ヒ素As、ガリウムGa、インジウムIn、錫Sn、酸素Oで構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、アルミネオジムAl-Nd、マグネシウム銀Mg-Agなど、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などを用いて形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物シリサイド例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなどや、それらと窒素の化合物例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等を有して形成される。なお、シリコンSiには、n型不純物リンなどやp型不純物ボロンなどを多く含んでいてもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上して、通常の導体と同様な振る舞いをするため、配線や電極として利用しやすくなる。なお、シリコンは、単結晶でもよいし、多結晶ポリシリコンでもよいし、非晶質アモルファスシリコンでもよい。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さくすることが出来る。非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ、エッチングしやすいので、パターニングしやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ITOやIZOなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、パターニングやエッチングがしやすく、耐熱性も高いため、望ましい。なお、チタンは、ITOやIZOなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、耐熱性も高いため、望ましい。なお、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジムは、耐熱性が高いため、望ましい。特に、ネオジムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、トランジスタが有する半導体層と同時に形成でき、耐熱性も高いため、望ましい。なお、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、シリコンSiは、透光性を有しており、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。たとえば、画素電極や共通電極として用いることができる。なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよい。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程数を少なくでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成することが出来る。たとえば、抵抗の低い材料アルミニウムなどを多層構造の中に含むようにすることにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むようにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすることが出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだような形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するような部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る。例えば、インジウム錫酸化物ITOと、アルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。なお、ゲート配線104c、補助配線104bの方が、ソース配線107aよりも耐熱性が高い材料を用いることが望ましい。なぜなら、ゲート配線104c、補助配線104bの方が、製造工程の過程で、高い温度状態に配置されることが多いからである。なお、ソース配線107aの方が、ゲート配線104cよりも、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。なぜなら、ゲート配線104cには、H信号とL信号の2値の信号を与えるだけであるが、ソース配線107aには、アナログの信号を与え、それが表示に寄与するからである。よって、ソース配線107aには、正確な大きさの信号を供給できるようにするため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。なお、補助配線104bを設けなくてもよいが、補助配線104bを設けることにより、各画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図7では、補助配線104bは、ゲート配線104cと概略平行には配置されているが、これに限定されない。ソース配線107aと概略平行に配置されていてもよい。その時は、ソース配線107aと同じ材質で形成されることが望ましい。ただし、補助配線104bは、ゲート配線104cと概略平行に配置したほうが、開口率を大きくすることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。図7Bは、図7AのA-B断面図及びC-D断面図である。図7Bに示すように、基板100上には、基板100から不純物が拡散することを防止するために、下地絶縁膜101が形成されている。下地絶縁膜101は、例えば、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質から構成される。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。なお、基板100は、ガラス基板、石英基板、アルミナなど絶縁物で形成される基板、後工程の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板、シリコン基板、または金属基板である。また、ポリシリコンであってもよい。なお、透過型の表示装置として動作させる場合は、基板100は、光透過性を有することが望ましい。下地絶縁膜101上には、半導体膜102f及び液晶の配向方向を制御する第1の電極102cが形成されている。半導体膜102fと第1の電極102cは、例えばポリシリコン膜であり、同時に成膜された同一の膜を同一工程で選択的にエッチングすることにより、形成される。即ち、半導体膜102fと第1の電極102cは、下地膜101上であって、同層に形成される。ただし、同時に成膜することや、同一工程でエッチングすることに、本発明を限定するものではない。半導体膜102fには、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物領域102d、並びにドレイン領域又はソース領域となる不純物領域102bが形成されている。不純物領域102d,102bは、例えばリン又はヒ素が導入されたn型の不純物領域であるが、p型の不純物領域であってもよい。n型を付与する不純物としては、例えばリンP及びヒ素Asがあり、p型を付与する不純物としては、例えばボロンB及びガリウムGaがある。ただし、導電率が高いn型の不純物領域であるのが望ましい。一方、駆動回路をp型トランジスタのみで形成する場合には、不純物領域102d,102bもp型にするのが望ましい。これは、製造コストを下げることができるためである。第1の電極102cは、他の画素においても共通の電圧が供給される共通電極として機能し、例えば不純物が導入されたポリシリコン膜によって形成されている。第1の電極102cは、不純物が導入されることにより抵抗が下がり、電極として機能する。図7Aの点線で示すように、第1の電極102cは、長方形の一角図中左上の角に角を欠いた部分102gを有する形状であり、画素の略全面に形成されている。なお、長方形の角を欠いた部分102eには薄膜トランジスタが配置されている。この角を欠いた部分102eに薄膜トランジスタを配置することにより、画素内における表示に有効な領域を、より効率的に形成することができる。つまり、開口率の向上につながる。第1の電極102cは、膜厚が例えば45nm以上60nm以下であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に上げる場合には、第1の電極102cの膜厚を40nm以下にすることが望ましい。第1の電極102cは、例えばポリシリコンで形成されているが、他の半導体材料、例えばアモルファスシリコン、単結晶シリコン、有機半導体、又はカーボンナノチューブで形成されていてもよい。この場合、薄膜トランジスタには、半導体膜102fの代わりにアモルファスシリコン膜又は有機半導体膜などが用いられる。なお、トランジスタを形成する半導体膜102fと第1の電極102cとは同一の膜を同時に選択的にエッチングすることにより形成されることが望ましい。この場合、マスクレチクル数や工程数を削減できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域102b,不純物領域102dには、同じ種類の不純物元素が同時に導入されることが望ましい。なぜなら、同じ種類の不純物元素を導入すると、不純物領域102b,不純物領域102dを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができるからである。p型又はn型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。半導体膜102f上を含む全面上には、トランジスタのゲート絶縁膜103が形成されている。ただし、ゲート絶縁膜103は、チャネル形成領域近傍にのみ配置され、それ以外の部分では、配置されていない場合もある。また、場所によって厚さや積層構造や厚さが異なる場合がある。例えば、チャネル近傍のみ厚かったり、層の数が多かったりして、それ以外の場所では、膜厚が薄かったり、層の数が少なかったりする場合もある。このようにすることにより、ソース領域やドレイン領域への不純物の添加が制御しやすくなる。また、チャネル近傍のゲート絶縁膜103の厚さや層の数を変えることにより、半導体層への不純物の添加量が場所によって変わるようにして、LDD領域等を形成することが出来る。LDD領域を形成することにより、漏れ電流の低減や、ホットキャリアの発生を抑えて信頼性を向上させることが出来る。ゲート絶縁膜103は、例えば、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質から構成される。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。ゲート絶縁膜103上には、2本のゲート電極104aが形成されている。図7B及び図7Aに示すように、ゲート電極104aは補助配線104b及びゲート配線104cと同一配線層であり、ゲート配線104cに電気的に接続している。半導体膜102fにおいて、ゲート電極104aの下方に位置する領域102aは、チャネル形成領域として機能する。なお、2つのチャネル形成領域102aの相互間に位置する半導体領域にも、不純物領域102b,102dと同一の不純物が導入されている。なお、本実施形態においては、2本のゲート電極104aを有するマルチゲート構造としたが、本発明をこの構成に限定するものではない。ゲート絶縁膜103上及びゲート電極104a上には、絶縁膜105及び第1層間絶縁膜106aがこの順に形成されている。なお、絶縁膜105及び第1層間絶縁膜106aのいずれか1つのみが形成されていてもよいし、各々の絶縁膜が、多層構造になっていてもよい。また、これらの絶縁膜には、無機材料又は有機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、シロキサン、又はポリシラザンなどを用いることができる。無機材料としては、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。また、有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。ゲート絶縁膜103、絶縁膜105及び第1層間絶縁膜106aには、不純物領域102b上に位置する接続孔、不純物領域102d上に位置する接続孔、第1の電極102c上に位置する接続孔、及び補助配線104b上に位置する接続孔が形成されている。第1層間絶縁膜106a上には、ソース配線107a、ドレイン配線107b、及び接続用配線107cが形成されている。なお、絶縁膜として無機材料を用いることにより、水分や不純物の侵入を止めることが出来る。特に、窒素を含む層を用いると、水分や不純物をブロックする機能が高い。なお、絶縁膜として有機材料を用いることにより、平面を平坦にすることが出来る。そのため、その上の層に対して、よい効果をもたらすことが出来る。例えば、有機材料の上に形成する層も平坦にすることが出来るため、液晶の配向の乱れを防ぐことが出来る。ソース配線107aは、ソースすなわち不純物領域102dの上方に位置しており、一部が接続孔に埋め込まれることにより、不純物領域102dに電気的に接続している。したがって、ソース電極は、ソース配線107aの一部となって存在していることとなる。ドレイン配線107bは、ドレインすなわち不純物領域102bの上方に位置しており、一部が接続孔に埋め込まれることにより、不純物領域102bに接続している。接続用配線107cは、第1の電極102cの上方から補助配線104bの上方まで延伸しており、一部が接続孔に埋め込まれることにより、第1の電極102c及び補助配線104bそれぞれに電気的に接続している。このように、接続用配線107cを配置することにより、接続孔を深くあける必要がないので、正確に形成することが出来る。また、図7Bに示す例では、ソース配線107a及び接続用配線107cと同時にドレイン配線107bが形成される。この場合、ドレイン配線107bの一部が埋め込まれている接続孔と、第2の電極108の一部が埋め込まれている接続孔とは位置が互いに異なっている。このようにすることにより、ドレイン配線107b及び第2の電極108のうち、接続孔上に位置する部分が窪んでも、この窪みが重なることはない。このため、第2の電極108に深く窪む部分が形成されずに、上に形成されるレジストパターンの形成不良が発生することを抑制できる。ただし、図8に示すように、第2の電極108と、不純物領域102bとを、ドレイン配線107bを介さずに、直接接続してもよい。この場合、第2の電極108と、不純物領域102bとを接続するための接続孔は、深く開ける必要が出てくるが、図7Bにおけるドレイン配線107bが必要ないため、その領域を開口領域として画像表示に利用できる。そのため、開口率が向上し、低消費電力化をはかることが出来る。このように、第1の電極102cは、接続用配線107cを介して補助配線104bに接続している。なお、接続用配線107cは、抵抗を下げるために複数設けられるのが好ましい。このようにすると、第1の電極102cの電位が安定化する。図7Aに示す例では、接続用配線107cは、第1の電極102cが有する4つの角のうち、薄膜トランジスタの近くの角を除く3つの角の上方それぞれに形成されている。このように、複数の経路で接続させることにより、第1の電極102c内に電位分布が生じることが抑制される。また、接続用配線107cを介して第1の電極102cと補助配線104bを接続することにより、接続孔を開ける回数を減らすことが出来るので、プロセス工程を簡略化することが出来る。なお、接続用配線107cは、ソース配線107aと同時に、同じ材料を用いて形成したが、これに限定されない。第2の電極108と同時に、同じ材料を用いて形成してもよい。ソース配線107a、ドレイン配線107b、接続用配線107c、及び第1層間絶縁膜106a上には、第2層間絶縁膜106bが形成されている。なお、第2層間絶縁膜106bを形成しない構成としても良い。第2層間絶縁膜106bには、無機材料又は有機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、又はシロキサン、ポリシラザンなどを用いることができる。無機材料としては、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。また、有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。第2層間絶縁膜106bには、ドレイン配線107b上に位置する接続孔が形成されている。第2層間絶縁膜106b上には、液晶の配向方向を制御する第2の電極108が形成されている。第2の電極108は、画素ごとに個別の電圧が供給される画素電極として機能し、ITOインジウム錫酸化物、ZnO酸化亜鉛、又は酸化インジウムに2~20wtのZnOを混合したターゲットを用いて形成されたIZOなどによって形成されている。なお、第2の電極108と不純物領域102bは、ドレイン配線107bを介して電気的に接続してもよいが、相互に直接接続してもよい。なお、図8に示すように、接続用配線がない場合は、第2の電極108は、薄膜トランジスタの不純物領域102bに直接接続している。図8及び図7Aに示すように、第2の電極108は略長方形であり、第1の電極102cの上方及びその周囲に位置しているが、第1の電極102cの上方に位置している部分に、複数の開口パターン112を有している。開口パターン112の例としては、スリット状で互いに平行であるものを多く含み、図7Aに示す例ではソース配線107aに対して斜めである。開口パターン112が形成されることにより、基板に平行な成分を有する電界が、第2の電極108の上方において生じる。このため、第2の電極108の電位を制御することにより、後述する液晶の配向方向を制御することができる。なお、開口パターンの形状は本実施形態の形状に限定されない。第2の実施形態以降で記載する開口パターンの形状も適用することができる。すなわち開口パターンには、例えば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンが形成されていないスペースも含まれるものとする。また、開口パターンの向きが異なるものを配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン配向分割ともいう構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。また、図7Aに示すように、基板100に対して垂直な方向から見た場合に、共通電極として機能する第1の電極102cの周縁部が、画素電極として機能する第2の電極108よりも外側に配置するように形成されている。このようにすることにより、信号を受け取った後フローティング状態になった第2の電極108が、ソース配線107aを介して他の画素へ伝達される信号の影響を受けることが抑制される。その結果、クロストークなどの画質不良を低減することが出来る。なお、本発明はこのような電極構造に限定されるものではなく、第1の電極102cが第2の電極108の内側に配置される部分を有していても良い。第2層間絶縁膜106b上及び第2の電極108上には、第1配向膜109a及び液晶110が積層されている。液晶110としては、強誘電性液晶FLC、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、又はホメオトロピック配向になるような液晶などを用いることができる。液晶110上には、第2配向膜109bを有する対向基板111が配置されている。なお、対向基板111には、カラーフィルタが配置されていることが多い。また、基板100及び対向基板111それぞれには、外側に、偏光板が設けられている。なお、偏光板のほかに、位相差板やλ/4板などが配置されている場合も多い。なお、本発明に係る積層の構成は、本実施形態における積層の構成に限定されない。次に、本半導体装置、本液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。まず、基板100上に下地絶縁膜101を形成する。次いで、下地絶縁膜101上にポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜等の半導体膜を形成し、この半導体膜上にレジストパターン図示せずを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして半導体膜を選択的にエッチングする。このようにして、半導体膜102f及び第1の電極102cが同一工程で形成される。その後、レジストパターンを除去する。次いで、半導体膜102f上、第1の電極102c上、及び下地絶縁膜101上に、ゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103は例えば酸化窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマCVD法により形成される。なお、ゲート絶縁膜103を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により形成してもよい。次いで、ゲート絶縁膜103上に導電膜を形成し、この導電膜を、レジストパターンをマスクとしたエッチングを行うことにより、選択的に除去して、パターニングする。これにより、半導体膜102f上に位置するゲート絶縁膜103上には、2つのゲート電極104aが形成される。また、ゲート電極104aと同時に補助配線104b及びゲート配線104cが形成される。なお、上記したように補助配線104bを設けることにより、各画素において第1の電極102cや第2の電極108の電位を安定化させることができる。また、補助配線104bを形成しなくてもよい。また、補助配線104bを他の層例えばソース配線107aと同一の層、又は第1の電極102cと同一の層、又は第2の電極108と同一の層に設けてもよく、複数の層に分けて形成してもよい。また、本図において補助配線104bは、ソース配線107aに直交する方向に延伸しているが、ソース配線107aと同一方向に延伸する構成であってもよい。なお、導電膜は、アルミニウムAl、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、クロムCr、ニッケルNi、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、マグネシウムMg、スカンジウムSc、コバルトCo、ニッケルNi、亜鉛Zn、ニオブNb、シリコンSi、リンP、ボロンB、ヒ素As、ガリウムGa、インジウムIn、錫Sn、酸素Oで構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、アルミネオジムAl-Nd、マグネシウム銀Mg-Agなど、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などを用いて形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物シリサイド例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなどや、それらと窒素の化合物例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等を用いて形成される。なお、シリコンSiには、n型不純物リンなどやp型不純物ボロンなどを多く含んでいてもよい。なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよい。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程数を少なくでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成することが出来る。たとえば、抵抗の低い材料アルミニウムなどを多層構造の中に含むようにすることにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むようにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすることが出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだような形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するような部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る。例えば、インジウム錫酸化物ITOと、アルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させたい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。次いで、ゲート電極104a及びレジストパターン図示せずなどをマスクとして、半導体膜102fに不純物を注入する。これにより、半導体膜102fには、不純物領域102b,102d、及びゲート電極104a相互間に位置する不純物領域が形成される。なお、n型、p型の不純物元素を個別に注入してもよいし、特定の領域にはn型の不純物元素及びp型の不純物元素を共に注入してもよい。ただし後者の場合には、n型の不純物元素又はp型の不純物元素のどちらか一方の注入量が多くなるようにする。なお、このとき、ゲート絶縁膜103の厚さや積層構造を変えることにより、LDD領域を形成してもよい。LDD領域を形成したい部分は、ゲート絶縁膜103を厚くすることや、層の数を増やせばよい。その結果、不純物の注入量が減るため、LDD領域を容易に形成することが出来る。なお、本工程において、レジストパターンをマスクとして用いてもよい。また、不純物領域を形成する工程において、第1の電極102cに不純物元素を注入してもよい。このようにすると、第1の電極102cを不純物領域102b,102dと同時に形成することができるため、工程が増加せずに済み、液晶表示装置の製造コストを低コストにすることができる。なお、不純物領域に対する不純物元素の注入は、ゲート電極104aを形成する前、例えばゲート絶縁膜103を形成する前又は形成した後に行ってもよい。その場合は、レジストパターンをマスクとして用い注入する。このとき、第1の電極102cに不純物元素を注入しても良い。この場合においても、トランジスタの不純物領域の形成工程と、第1の電極102cに不純物元素を注入する工程を同一の工程にすることができるため、液晶表示装置の製造コストを低コストにすることができる。また、これにより、ゲートと同じ層の電極と、不純物が注入された半導体膜との間で、容量を形成することが出来る。ゲートと同じ層の電極と、不純物が注入された半導体膜との間には、ゲート絶縁膜が配置されているので、膜厚がうすく、大きな容量を形成することが出来る。次いで、第1層間絶縁膜106a及び各接続孔を形成する。次いで、第1層間絶縁膜106a上及び各接続孔中に導電膜例えば金属膜を形成し、この金属膜をパターニング、すなわち選択的に除去する。これにより、ソース配線107a、ドレイン配線107b、及び接続用配線107cが形成される。なお、導電膜は、既に述べたように、様々な材料を用いて、様々な構造で形成することができ、一例としては、アルミニウムAl、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo、チタンTi、タンタルTa、ネオジムNd、白金Pt、金Au、銀Agなどから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、n型不純物が導入されたシリコンSiを用いてもよい。次いで、第2層間絶縁膜106b及び各接続孔を形成する。次いで、第2層間絶縁膜106b上及び各接続孔中にITO膜、IZO膜、又はZnO膜を形成し、この膜をレジストパターンを用い選択的に除去する。これにより、第2の電極108が形成される。なお、ドレイン配線107bの一部が埋め込まれている接続孔と、第2の電極108の一部が埋め込まれている接続孔とは位置が互いに異なっている。このようにすることにより、ドレイン配線107b及び第2の電極108のうち、接続孔上に位置する部分が窪んでも、この窪みが重なることはない。このため、第2の電極108に深く窪む部分が形成されず、上記したレジストパターンの形状不良が発生することを抑制できる。その後、レジストパターンを除去する。ただし、これに限定されない。例えば、ドレイン配線107bの一部が埋め込まれている接続孔と、第2の電極108の一部が埋め込まれている接続孔とは、位置が重なってオーバーラップしていてもよい。その場合、1つの場所に収めることが出来るため、効率的にレイアウトすることが出来る。そのため、開口率を向上させることが出来る。次いで、第1配向膜109aを形成し、第2配向膜109bが形成された対向基板111との間に液晶を封止する。その後、液晶110と接しない側の対向基板111や基板100すなわち、液晶表示装置の外側に、偏光板、位相差板、λ/4板、拡散板、又はプリズムシート等の光学フィルム等を設ける。さらに、バックライトやフロントライトを設ける。バックライトとしては、直下型やサイドライト型を用いることが出来る。光源としては、冷陰極管やLED発光ダイオードを用いることができる。LEDとしては、白色LEDや、色ごとのLED例えば、白、赤、青、緑、シアン、マゼンダ、イエローなどを組み合わせて用いればよい。LEDを用いると、光の波長のピークが鋭いため、色純度を上げることが出来る。このようにして、液晶表示装置が形成される。なお、液晶表示装置とは、基板と対向基板と、それに挟まれた液晶のみの部分を呼ぶものとしても良く、また、それに、偏光板や位相差板などの光学フィルムを配置したものまで含めても良いし、さらに、拡散板やプリズムシートや光源冷陰極管やLEDなどや導光板などを含んでいても良い。以上、本発明の第1の実施形態によれば、FFS方式で液晶の配向方向を制御する液晶表示装置において、第1の電極102cは不純物が導入されたポリシリコン膜によって形成されており、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域が形成されている半導体膜102fと同一工程で形成される。従って、共通電極をITOで形成する場合と比較して、製造工程数を少なくして製造コストを低くすることができる。なお、本実施形態では、接続用配線107cを、ソース配線107a及びドレイン配線107bと同一層に配置したが、他の配線層例えばゲート配線104c、第1の電極102c、又は第2の電極108と同一層に配置してもよい。また、ゲート絶縁膜103は全面に形成されていなくてもよい。また、補助配線104bは、ソース配線107aと同一層でもよい。この場合、補助配線104bをゲート配線104cと平行に配置し、かつソース配線107aと交差する部分のみゲート配線104cと同一層にしてもよい。また、補助配線104bをソース配線107aと平行に配置してもよい。また、ゲート電極104aとゲート配線104cは別の層に形成されていてもよいし、別の材料で形成されていてもよい。また、本実施形態では、チャネル形成領域の上方にゲート電極を配置した、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるものではない。チャネル形成領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の薄膜トランジスタにしてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート電極が配置された構造を有するトランジスタを形成してもよい。第2の実施形態図9Aは、本発明の第2の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図であり、図9Bは、図9AのA-B断面図及びC-D断面図である。本実施形態は、第1の電極102cがトランジスタを介してソース配線107aに電気的に接続されていて画素電極として機能している点、第2の電極108が補助配線104bに電気的に接続されていて共通電極として機能している点、第2の電極108に形成された開口パターン112の形状が異なる点、並びに、第1の電極102c及び第2の電極108と各配線の接続構造が異なる点を除いて、第1の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域102bは、第1の電極102cに直接接続している。つまり、トランジスタを構成している半導体層と、第1の電極102cとは、地続きとなっていて、一つのアイランド島を形成している。また、第1層間絶縁膜106aには、第1の実施形態と異なり、不純物領域102b上に位置する接続孔、及び第1の電極102c上に位置する接続孔が形成されていない。従って、その領域を表示領域として利用することができるため、開口率を向上させることができる。なお、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域102bと、第1の電極102cとは、地続きになっていて、繋がっているため、トランジスタが有する不純物領域102bがどこまでであり、第1の電極102cがどこまでであるかは、明確には区別出来ない場合がある。なお、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域に、リンやボロンやガリウムやヒ素などの不純物p型不純物やn型不純物を導入する場合、同時に同じ導電型の不純物を、第1の電極102cにも、導入することが望ましい。同時に導入することにより、地続きになっているため、電気的に接続された状態とすることが出来る。このとき、導入される部分の上の膜の厚さや材質に影響を受けるが、同様な層構造の下に形成されている部分は、少なくとも、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域のある領域では、第1の電極102cのある領域と、概ね等しい濃度の不純物p型不純物やn型不純物を有することとなる。第2層間絶縁膜106bには、接続用配線107c上に位置する接続孔が形成されている。第2の電極108は、一部がこの接続孔に埋め込まれることにより、接続用配線107cに接続している。また、図9Aに示すように、本実施形態では、第2の電極108には、2種類の開口パターン112a,112bが形成されている。図中上側の領域に形成された開口パターン112aと、図中下側の領域に形成された開口パターン112bとは、向きが互いに異なる。開口パターン112a,112bのように、開口パターンの向きが異なるものを配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。また、図9に示すように、第1の電極102cが画素電極として機能し、第2の電極108が共通電極として機能し、画素電極よりも、共通電極の方が液晶と近接して配置されている。その結果、画素ごとに画素電極の電圧が変化しても、液晶が存在する部分の電界は、画像によって変化しにくいので、隣接する別の画素に影響を与えにくく、クロストークを低減することが出来る。本実施形態でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第2の電極108に、互いに向きが異なる開口パターン112a,112bを形成している。このため、第1の電極102cと第2の電極108の間で生じる電界勾配のうち液晶110に位置する部分の方向を、基板に平行な面内で2つに分けることができる。従って、液晶表示装置の視野角をさらに広げることができる。なお、第1の実施形態において、第2の電極108の形状を本実施形態のようにしてもよい。また、第2の電極108が有する開口パターンの形状を第1の実施形態のようにしてもよい。また、本図では画素を一つのみ図示したが、実際には複数の画素がマトリックス状に配置されている。この場合、接続用配線107cを介して、各画素の第2の電極108を相互に接続してもよい。このようにすることにより、抵抗を低くし、第2の電極108に電圧が十分に加わるようにすることができる。なお、本実施形態は、第1の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、複数の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第3の実施形態図10Aは、本発明の第3の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図10Bは、図10AのA-B断面図、C-D断面図、及びE-F断面図である。本実施形態は、第1の電極102cに開口パターン115が形成されている点、及び開口パターン112の形状を除いて、第1の実施形態と同様の構成である。すなわち本実施形態に係る液晶表示装置は、IPS方式で液晶の配向方向を制御する装置であり、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、画素電極及び共通電極が主要部分で互い違いかつ略平行となっている。上記したFFS方式では、画素電極及び共通電極のうち下方に位置する電極は開口パターンを有していない。なお、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。開口パターン115は、第2の電極108のうち開口パターン112が形成されていない領域の下方及びその周囲に位置している。このようにすることにより、共通電極である第1の電極102cと、画素電極である第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行となる。このような電極構造を有することにより、第1の電極102cと第2の電極108の間で基板に平行方向の電界を発生させることができ、IPS方式の特徴である視野角向上という効果を得ることができる。開口パターン112,115は、本実施形態では波線形状をしている。このように、開口パターンの向きが異なるように配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。また、本実施形態では、第1の電極102cと第2の電極108とが、一部図中符号120a,120bで示す部分で、ゲート絶縁膜103、絶縁膜105、第1層間絶縁膜106a、及び第2層間絶縁膜106bを挟んでいる。このため、符号120a,120bで示す部分において、第1の電極102c、第2の電極108、及びこれらの間に位置する絶縁膜は、容量素子として機能する。容量素子120a,120bを設けることにより、保持容量を大きくすることができる。従って、薄膜トランジスタがオフになったとき、第2の電極108の電位は保持されやすくなる。本実施形態でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態において、第2の電極108が有する開口パターン112の形状を、図7又は図9に示した開口パターン112の形状にしてもよい。この場合、第1の電極102cが有する開口パターン115の形状も、図7又は図9に示した開口パターン112と同様の形状になる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン112,115は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。また、第1又は第2の実施形態において、開口パターン112の形状を本実施形態のようにしてもよい。この場合、開口パターン112の形状が図10に示した形状である、FFS方式の液晶表示装置を得ることができる。なお、本実施形態では、第1の電極102cに開口パターン115がある。そのため、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が無いからである。第1の電極102があると、透過率が100とならないため、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が無い部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させ、消費電力を低減させることが出来る。なお、本実施形態は、第1~第2の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第2の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第4の実施形態図11Aは、本発明の第4の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図11Bは、図11AのA-B断面図及びC-D断面図である。本実施形態は、第1の電極102cに開口パターン115が形成されている点、及び開口パターン112の形状を除いて、第2の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第2の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第2の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。このように、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域102bは、第1の電極102cに直接接続している。つまり、トランジスタを構成している半導体層と、第1の電極102cとは、地続きとなっていて、一つのアイランド島を形成している。また、第1層間絶縁膜106aには、第1の実施形態と異なり、不純物領域102b上に位置する接続孔、及び第1の電極102c上に位置する接続孔が形成されていない。従って、その領域を表示領域として利用することができるため、開口率を向上させることができる。開口パターン115は、第2の電極108のうち開口パターン112が形成されていない領域の下方及びその周囲に位置している。このようにすることにより、画素電極である第1の電極102cと、共通電極である第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行となる。このような電極構造を有することにより、第1の電極102cと第2の電極108の間で横方向の電界を発生させることができ、IPS方式の特徴である視野角向上という効果を得ることができる。開口パターン112,115は、本実施形態ではソース配線107aと略平行である。また、本実施形態では、第1の電極102cと第2の電極108とが、一部図中符号121a,121bで示す部分で、ゲート絶縁膜103、絶縁膜105、第1層間絶縁膜106a、及び第2層間絶縁膜106bを挟んでいる。このため、符号121a,121bで示す部分において、第1の電極102c、第2の電極108、及びこれらの間に位置する絶縁膜は、容量素子として機能する。容量素子121a,121bを設けることにより、保持容量を大きくすることができる。従って、薄膜トランジスタがオフになったとき、第1の電極102cの電位は保持されやすくなる。本実施形態でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態において、開口パターン112,115の形状を図10に示した形状にしてもよい。また、開口パターン112の形状を、図7又は図9に示した形状にしてもよい。この場合、開口パターン115の形状も、図7又は図9に示した開口パターン112と同様の形状になる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン112,115は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。また、第3の実施形態に示したIPS方式の液晶表示装置において、開口パターン112,115の形状を図11に示した形状にしてもよい。また、第1又は第2の実施形態において、開口パターン112の形状を本実施形態のようにしてもよい。後者の場合、開口パターン112の形状が図11に示した形状である、FFS方式の液晶表示装置を得ることができる。なお、本実施形態では、第1の電極102cに開口パターン115がある。そのため、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が無いからである。第1の電極102があると、透過率が100とならないため、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が無い部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させることや、消費電力を低減させることが出来る。なお、本実施形態は、第1~第3の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第3の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第5の実施形態図12Aは、本発明の第5の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図12Bは、図12AのA-B断面図及びC-D断面図である。本実施形態は、第2層間絶縁膜106bが形成されておらず、第1層間絶縁膜106a上に第2の電極108が形成されている点を除いて、第1の実施形態と同様である。第2の電極108は、一部がドレイン配線107b上に位置しており、この部分を介してドレイン配線107bに直接接続している。第2の電極108は、ソース配線107a、ドレイン配線107b、及び接続用配線107cが形成された後に形成される。ドレイン配線107bを形成した後で第2の電極108を形成すると、第2の電極108の表面にドレイン配線107bをエッチングした際の残渣が残らないため、第2の電極108の表面を平坦にすることができる。なお、第2の電極108がドレイン配線107bを覆う構成であってもよい。なお、第2の電極108は、ソース配線107aやドレイン配線107bと同時に形成してもよい。つまり、同様な材料を用いて、同時にパターニングして形成してもよい。その結果、透明な電極を形成する工程を省くことが出来、コストを低減することが出来る。よって、第2の電極108は、光透過性を有していなくてもよい。つまり、光を反射する性質も持っていてもよい。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第2層間絶縁膜106bの形成工程が省略される点を除いて、第1の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。なお、第2層間絶縁膜106bの形成工程が省略されることにより、液晶表示装置の製造コストが低くなる。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、層間絶縁膜が第1の実施形態より1層少ないため、第1の電極102c及び第2の電極108相互間の電界勾配が大きくなる。従って、低電圧でも同等の電位勾配を得ることができるため、液晶表示装置を低消費電力化することができる。この効果は、第1層間絶縁膜106aを誘電率の高い材料例えば窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル等で形成すると、大きくなる。なお、第1層間絶縁膜106aを誘電率の高い材料で形成した場合、電極間の保持容量が大きくなるという効果も得ることができる。また、第2層間絶縁膜106bの形成工程が省略されているため、第1の実施形態と比較して製造コストが低くなる。なお、本実施形態において、第2の実施形態と同様の構造によって第1の電極102cとドレインとなる不純物領域102bを接続し、第1の電極102cを画素電極として機能させてもよい。この場合、第2の実施形態と比較して、第2層間絶縁膜106bを形成しなくてもよいという効果がある。また第2の電極108は、図12におけるドレイン配線107bと第2の電極108の接続構造のように、一部が接続用配線107c上に位置することにより、接続用配線107cに直接接続する。これにより、第2の電極108は共通電極として機能する。また、本実施形態において、第2の電極108の形状を、開口パターン112の形状を含めて、図9、図10、又は図11に示した形状にしてもよい。図10又は図11に示した形状にすると、図10において符号120a,120bで示した容量素子、又は図11において符号121a,121bで示した容量素子が形成されるため、保持容量を大きくすることができる。従って、薄膜トランジスタがオフになったとき、第2の電極108の電位は保持されやすくなる。なお、本実施形態は、第1~第4の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第4の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第6の実施形態図13Aは、本発明の第6の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図13Bは、図13AのA-B断面図、C-D断面図、及びE-F断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、第2の電極108に接続している容量素子114を有している点を除いて、第3の実施形態と同様の構成である。なお、容量素子は補助配線104bと第2の電極108に接続される構成であればよく、本実施形態に示す構成に限定されない。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第3の実施形態と略同様である。従って、第3の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第3の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。第1層間絶縁膜106a上には、補助配線104bの上方に位置する容量素子用電極113が形成されている。容量素子用電極113は、ソース配線107aと同一層に位置しており、ソース配線107aと同一工程で形成される。容量素子114は、補助配線104bと容量素子用電極113の間に、絶縁膜105及び第1層間絶縁膜106aが位置することにより形成されている。補助配線104bの上方に容量素子を形成しているため、開口部の面積が小さくならない。従って、容量素子を設けた場合にも開口率が下がらない。第2層間絶縁膜106bには、容量素子用電極113上に位置する接続孔が形成されている。第2の電極108は、一部がこの接続孔に埋め込まれることにより、容量素子用電極113に接続している。本実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、画素電極として機能する第2の電極108及び補助配線104bの間に容量素子114を接続したため、薄膜トランジスタがオフになったときに、第2の電極108の電圧が保持されやすい。なお、本実施形態において、開口パターン112,115の形状を図11に示した形状にしても良い。さらに、開口パターン112の形状を図7又は図9に示した形状にしてもよい。この場合、第1の電極102cが有する開口パターン115の形状も、図7又は図9に示した開口パターン112の形状になる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン112,115は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。また、図7に示した第1の実施形態において、容量素子114を形成して第2の電極108に接続しても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、容量素子用電極113を、ゲート配線104cの上方に配置しても、同様の効果を得ることができる。なぜなら、ゲート配線104cの電位は、画素が非選択の状態では略一定値になっているためである。容量素子は、画素電極の電位を保持できればよいので、画素電極と、ある一定の電位を有する配線の間に形成すればよい。より望ましくは、容量素子を接続するゲート配線104cは一行前のゲート配線である。なぜなら、選択状態が既に終了しているため、電位が略一定に保たれているためである。このように、開口パターンの向きや形状が異なるように配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。なお、本実施形態では、第1の電極102cに開口パターン115がある。そのため、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が無いからである。第1の電極102があると、透過率が100とならないため、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が無い部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させることや、消費電力を低減させることが出来る。なお、本実施形態は、第1~第5の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第5の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第7の実施形態図14Aは、本発明の第7の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図14Bは、図14AのA―B断面図、C-D断面図、及びE-F断面図である。本実施形態は、開口パターン115及び開口パターン112の形状が略く字形状である点、及び、第1の電極102cと補助配線104bに電気的に接続している容量素子117を有する点を除いて、第4の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置と同様の構成である。従って、第4の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第4の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。容量素子117は、第1の電極102cの一部図14Aの中では下端部を補助配線104bの下方に位置させることにより形成される。すなわち、容量素子117は、第1の電極102c、補助配線104b、及びこれらの間に位置するゲート絶縁膜103によって構成される。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1の電極102cへの不純物注入が、補助配線104bとなる導電膜が形成される前に行われ、ゲート電極104a及び補助配線104b等が形成された後に半導体膜102fへの不純物注入が行われる点を除いて、第3の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法と同様である。このため、第1の電極102cは、容量素子117を形成する部分の全体が低抵抗になり、補助配線104bに対する第1の電極102cの電位を変化させるだけで、容量素子117が動作する。本実施形態によっても、第4の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、画素電極として機能する第1の電極102c及び補助配線104bの間に容量素子117を接続したため、薄膜トランジスタがオフになったときに、第1の電極102cの電圧が保持されやすい。なお、第2の実施形態において容量素子117を設けてもよい。この場合、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において開口パターン112,115の形状を、図10又は図11に示す形状にしてもよい。さらに、開口パターン112の形状を図7又は図9に示した形状にしてもよい。この場合、開口パターン115の形状も、図7又は図9に示した開口パターン112の形状になる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン112,115は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。また、第3、第4、又は第6の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置において、開口パターン112,115の形状を図14に示す形状にしてもよい。また、第1、第2、又は第5の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置において、開口パターン112の形状を図14に示す形状にしてもよい。このように、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域102bは、第1の電極102cに直接接続している。つまり、トランジスタを構成している半導体層と、第1の電極102cとは、地続きとなっていて、一つのアイランド島を形成している。また、第1層間絶縁膜106aには、第1の実施形態と異なり、不純物領域102b上に位置する接続孔、及び第1の電極102c上に位置する接続孔が形成されていない。従って、その領域を表示領域として利用することができるため、開口率を向上させることができる。このように、開口パターンの向きが異なるように配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。なお、本実施形態では、第1の電極102cに開口パターン115がある。そのため、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が無いからである。第1の電極102があると、透過率が100とならないため、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が無い部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させることや、消費電力を低減させることが出来る。なお、本実施形態は、第1~第6の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第6の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第8の実施形態図15Aは、本発明の第8の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図15Bは、図15AのA―B断面図、C-D断面図、及びE-F断面図である。本実施形態は、容量素子120bの代わりに容量素子118を有している点、第2の補助配線104eが形成されている点、及び開口パターン112,115の形状が略く字形状である点を除いて、第3の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置と同様の構成である。従って、第3の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第3の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。容量素子118は、第2の電極108と第2の補助配線104eの間に接続されており、下地絶縁膜101上に位置する半導体膜102e、半導体膜102e上に位置するゲート絶縁膜103、及びゲート絶縁膜103上に形成されていて半導体膜102eの一部の上方に位置する導電体パターン104dによって構成されており、第1の電極102cとは重ならない位置に配置されている。半導体膜102e及び導電体パターン104dはそれぞれ長方形であり、補助配線104bに隣接する位置に、補助配線104bに対して略平行に配置されている。半導体膜102eは、導電体パターン104dの下方に位置する領域を除いて、第1の電極102cと同一の不純物が導入されている。第1層間絶縁膜106aには、導電体パターン104dの上方に位置する接続孔、及び半導体膜102eのうち不純物が導入された領域の上方に位置している接続孔が形成されている。第1層間絶縁膜106a上には導電体パターン107d,107eが形成されている。導電体パターン107dは接続孔を介して導電体パターン104dに電気的に接続しており、導電体パターン107eは接続孔を介して、半導体膜102eのうち不純物が導入された領域に電気的に接続している。導電体パターン107dは細長い長方形であり、補助配線104bに対して略平行に配置されている。導電体パターン107eは略ロ字形状であり、導電体パターン107dを囲んでいる。第2層間絶縁膜106bには、導電体パターン107dの上方に位置する接続孔が形成されている。第2の電極108は、この接続孔を介して導電体パターン107d及び導電体パターン104dに電気的に接続している。また、ゲート絶縁膜103上には第2の補助配線104eが形成されている。第2の補助配線104eは補助配線104bに隣接する位置に配置されており、補助配線104bと平行に延伸している。第1層間絶縁膜106aには、第2の補助配線104e上に位置する接続孔が複数形成されており、この接続孔を介して導電体パターン107eが第2の補助配線104eに電気的に接続している。第2の補助配線104eは、導電体パターン104dと同一層に位置しているが、途中で分断されている。分断されている領域には導電体パターン104dが配置されている。ただし、第2の補助配線104eのうち分断されている部分は、導電体パターン107eを介して互いに電気的に接続されている。第2の補助配線104eの電位は、半導体膜102eにn型不純物が導入されている場合、ソース配線107aの最低電位より低くなっており、半導体膜102eにp型不純物が導入されている場合、ソース配線107aの最高電位より高くなっている。このような構造を有する液晶表示装置において、駆動用の薄膜トランジスタがオンになると、導電体パターン104eのうち導電体パターン104dの下方に位置する部分には電荷が蓄積される。このようにして容量素子118は機能する。なお、半導体膜102eは半導体膜102fと同一工程で形成される。また導電体パターン104d及び第2の補助配線104eは、補助配線104bと同一工程で形成される。また半導体膜102fに不純物を注入して不純物領域102b,102dを形成する工程において、半導体膜102eのうち導電体パターン104dに覆われていない領域に不純物が注入される。また導電体パターン107d,107eは、ソース配線107aと同一工程で形成される。また、第1層間絶縁膜106aに形成される接続孔は全て同一工程で形成され、第2層間絶縁膜106bに形成される接続孔は全て同一工程で形成される。液晶表装置の製造工程の他の部分は、第3の実施形態に係る液晶表示装置の製造工程と同様である。本実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、画素電極として機能する第2の電極108と第2の補助配線104eの間に容量素子118を接続したため、薄膜トランジスタがオフになったときに、第2の電極108の電圧が保持されやすい。また、半導体膜102fに不純物を注入して不純物領域102b,102dが形成される工程において、半導体膜102eのうち導電体パターン104dに覆われていない領域に不純物が注入され、覆われている領域には不純物を注入する必要がないため、製造工程数を増加させなくてよい。なお第1の実施形態において容量素子118を設けてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において開口パターン112,115の形状を、図10又は図11に示す形状にしてもよい。さらに、開口パターン112の形状を図7又は図9に示した形状にしてもよい。この場合、開口パターン115の形状も、図7又は図9に示した開口パターン112の形状になる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン112,115は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。このように、トランジスタのドレインもしくはソースとなる不純物領域102bは、第1の電極102cに直接接続している。つまり、トランジスタを構成している半導体層と、第1の電極102cとは、地続きとなっていて、一つのアイランド島を形成している。また、第1層間絶縁膜106aには、第1の実施形態と異なり、不純物領域102b上に位置する接続孔、及び第1の電極102c上に位置する接続孔が形成されていない。従って、その領域を表示領域として利用することができるため、開口率を向上させることができる。このように、開口パターンの向きが異なるように配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結果、視野角を向上させることが出来る。なお、本実施形態では、第1の電極102cに開口パターン115がある。そのため、その開口パターンの部分は、光の透過量が増える。なぜなら、第1の電極102が無いからである。第1の電極102があると、透過率が100とならないため、光の透過量が減ってしまう。それに対して、第1の電極102が無い部分は、光が減衰しないため、光の透過量が増える。その結果、輝度を向上させることや、消費電力を低減させることが出来る。なお、本実施形態は、第1~第7の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した場合の一例を示している。したがって、第1~第7の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第9の実施形態図16Aは、第9の実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、複数の画素がマトリックス状に配置されている。各画素の構成は、図中縦方向に延伸する第2の補助配線104fが形成されている点を除いて、第7の実施形態に係る液晶表示装置の構成と同様である。第2の補助配線104fは補助配線104bと同一層に形成されており、補助配線104bと交差する部分それぞれで補助配線104bと電気的に接続している。本実施形態によっても第7の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第2の補助配線104fを設けたことにより、すべての画素において、共通電極の電位を同一の値に保ちやすくなる。なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、FFS方式であってもよいしIPS方式であってもよい。また、画素電極及び共通電極が有する開口パターンの形状は、上記した第1~第8の実施形態で示した開口パターンと同様の形状にしてもよいが、これらに限定されない。なお、本実施形態は、第1~第8の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第8の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第10の実施形態図16Bは、第10の実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、複数の画素がマトリックス状に配置されている。各画素の構成は、第8の実施形態に係る液晶表示装置と同様である。本実施形態によっても第8の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、FFS方式であってもよいしIPS方式であってもよい。また、画素電極及び共通電極が有する開口パターンの形状は、上記した第1~第8の実施形態で示した開口パターンと同様の形状にしてもよいが、これらに限定されない。なお、本実施形態は、第1~第9の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第9の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第11の実施形態図17Aは、第11の実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、FFS方式又はIPS方式の液晶表示装置であり、一つの画素が複数例えば二つのサブ画素で構成されている。各サブ画素の構造は、第1~第10の実施形態で示した画素のいずれかと同様の構造である。従って、第1~第10の実施形態で説明した内容は本実施形態においても適用可能である。本図では、第7の実施形態で示した画素と同様の構成である場合を例示している。以下、第7の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。同一の画素を構成する複数のサブ画素は、同一のゲート配線104cに電気的に接続しており、かつ互いに異なる補助配線104bに電気的に接続している。本実施形態によっても、第1~第10の実施形態で示した液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。また、一つの画素を複数のサブ画素で構成したため、視野角をさらに広げることができる。なお、画素に冗長性を持たせることができるという効果、及び面積階調表示が可能である、という効果も得ることができる。なお、本実施形態は、第1~第10の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第10の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第12の実施形態図17Bは、第12の実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、FFS方式又はIPS方式の液晶表示装置であり、同一の画素を構成する複数のサブ画素が互いに異なるゲート配線104cに電気的に接続している点、及び、同一の画素を構成する複数のサブ画素が同一の補助配線104bに電気的に接続している点を除いて、第11の実施形態と同様の構成である。各サブ画素の構造は、第1~第10の実施形態で示した画素のいずれかと同様の構造である。従って、第1~第10の実施形態で説明した内容は本実施形態においても適用可能である。本図では、第7の実施形態で示した画素と同様の構成である場合を例示している。以下、第7の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態によっても、第11の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態は、第1~第11の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第11の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第13の実施形態図18Aは、本発明の第13の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である。図18Bは、図18AのA―B断面図及びC-D断面図である。本実施形態は、画素を駆動するトランジスタがボトムゲート型であり、下地絶縁膜101が形成されていない点を除いて、第1の実施形態と同様の構成である。すなわち本実施形態は、FFS方式の液晶表示装置である。従って、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態において、ゲート電極104a、補助配線104b、及びゲート配線104cは基板100上に形成されており、ゲート絶縁膜103は、基板100、ゲート電極104a、補助配線104b、及びゲート配線104cそれぞれ上に形成されている。また、半導体膜102f及び第1の電極102cは、ゲート絶縁膜103上に形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、以下の通りである。まず、基板100上に導電膜を形成し、この導電膜を選択的に除去する。これにより、基板100上には、2つのゲート電極104a、補助配線104b、及びゲート配線104cが形成される。なお、導電膜としては、アルミニウムAl、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo、チタンTi、タンタルTa、ネオジムNd、白金Pt、金Au、銀Agなどから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、n型不純物が導入されたシリコンSiを用いてもよい。次いで、ゲート絶縁膜103を形成する。次いで、ゲート絶縁膜103上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。このようにして、半導体膜102f及び第1の電極102cが、同一工程で形成される。その後、レジストパターンを除去する。次いで、半導体膜102f上にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとして半導体膜102fに不純物を注入する。これにより、不純物領域102b,102d、及びゲート電極104a相互間に位置する不純物領域が形成される。なお、本処理において、第1の電極102cにも不純物が注入される。なお、基板100がガラス等の透過性を有する材料から形成されている場合、マスクパターンを形成する際に、露光用のマスクを用いずに、ゲート配線を露光用パターンとして基板100の裏面から露光することにより、マスクパターンを形成する場合もある。この場合は露光用のマスクを用いない分だけ工程を省略できるため、製造コストを削減できる。また、自己整合的にマスクパターンを形成できるため、マスクパターンのずれが抑制され、このずれを考慮しなくても良い、という利点もある。その後の工程は、第1の実施形態と同様である。本実施形態でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第2又は第5の実施形態に示したFFS方式の液晶表示装置において、画素を駆動するトランジスタを、本実施形態と同様の構造を有するボトムゲート型のトランジスタとしてもよい。また第3、第4、第6~12のいずれかの実施形態に示したIPS方式の液晶表示装置において、画素を駆動するトランジスタを、本実施形態と同様の構造を有するボトムゲート型のトランジスタとしてもよい。このように、上記したいずれのFFS方式の液晶表示装置及びIPS方式の液晶表示装置においても、ボトムゲート型のトランジスタを採用することができる。また、本実施形態に係る液晶表示装置、又は第1~第12のいずれかの実施形態において、画素を駆動するトランジスタを本実施形態と同様の構造を有するボトムゲート型のトランジスタとした液晶表示装置において、ゲート絶縁膜103上にポリシリコン膜を形成する前に、基板100上に位置するゲート絶縁膜103を、ゲート電極104aの周囲に位置する部分を除いて除去してもよい。この場合、第1の電極102cは基板100上に直接形成される。なお、本実施形態は、第1~第12の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第12の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第14の実施形態図19Aは、本発明の第14の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の断面図である。この断面図は、図12のA-B断面及びC-D断面に相当する断面を示している。本実施形態は、第2の電極108の全てが第1層間絶縁膜106a上に位置している点、及びドレイン配線107bの一部が第2の電極108上に位置している点を除いて、第5の実施形態に示したFFS方式の液晶表示装置と同様の構成である。本実施形態では、第2の電極108が形成された後、ドレイン配線107bが形成される。このような構成とすることにより、第2の電極108の段切れを防止することができる。つまり、第5の実施形態のように第2の電極108がドレイン配線107bの上部に形成されると、第2の電極108よりドレイン配線107bが厚く形成されることが多いため、ドレイン配線107bの端部で第2の電極108が段切れを起こしてしまう可能性があるためである。一方、本実施形態のように第2の電極108をドレイン配線107bの下部に形成すれば、第2の電極108が段切れを起こすことを防止できる。なお、上記したようにドレイン配線107bは厚く形成される場合が多いため、ドレイン配線107bが段切れを起こす可能性は低い。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第5の実施形態と略同様である。このため、第1の実施形態で述べた内容は、本実施形態においても適用することが可能である。以下、第5の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、第2の電極108が有する開口パターン112の形状は、第1~第4、第7のいずれかで示した形状にすることができるが、他の形状であっても良い。本実施形態によっても、第5の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第1の電極102cに、第2の電極108が有する開口パターン112に平行な開口パターンを形成することにより、IPS方式の液晶表示装置にすることもできる。開口パターンの形状は、上記した第1~第4、第7の実施形態のいずれかで示した形状にすることができる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、第1の電極102cの開口パターン及び開口パターン112は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。なお、本実施形態は、第1~第13の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第13の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第15の実施形態図19Bは、本発明の第15の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の断面図である。この断面図は、図7のA-B断面及びC-D断面に相当する断面を示している。本実施形態は、第2層間絶縁膜106b上に第2のドレイン配線116が形成されている点、及び第2の電極108が第2のドレイン配線116を覆うように形成されている点を除いて、第1の実施形態に示したFFS方式の液晶表示装置と同様の構成である。なお、第2の電極108の一部が第2のドレイン配線116上に重なる構成としても良い。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は本実施形態においても適用することが可能である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、第2の電極108が有する開口パターン112の形状は、第1~第4、第7のいずれかで示した形状にすることができるが、他の形状であっても良い。本実施形態でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第1の電極102cに、第2の電極108が有する開口パターン112に平行な開口パターンを形成することにより、IPS方式の液晶表示装置にすることもできる。開口パターンの形状は、上記した第1~第4、第7の実施形態のいずれかで示した形状にすることができる。ただし、液晶表示装置の基板100に対して垂直な方向から見た場合に、第1の電極102cの開口パターン及び開口パターン112は、第1の電極102c及び第2の電極108が周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要がある。なお、本実施形態は、第1~第14の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第14の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第16の実施形態図20は、本発明の第16の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の画素部の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置の画素部は、第1層間絶縁膜106aの代わりに赤色のカラーフィルタ130r、青色のカラーフィルタ130b、及び緑色のカラーフィルタ130gを配置した点を除いて、第1の実施形態に示した液晶表示装置と略同様の構成である。従って、第1の実施形態で説明した内容は本実施形態においても適用できる。以下、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、絶縁膜105は、カラーフィルタ130r,130b,130gと半導体膜102fの間に位置する為、各カラーフィルタから半導体膜102fに不純物が拡散することを抑制する、という機能も有することになる。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第1層間絶縁膜106aを形成する工程の代わりにカラーフィルタ130r,130g,130bを形成する工程が入る点を除いて、第1の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法と同様である。カラーフィルタ130r,130g,130bは、カラーフィルタ層を形成する工程、カラーフィルタ層上にレジストパターンを形成する工程、及びレジストパターンをマスクとしてカラーフィルタ層を選択的にドライエッチングする工程を3回繰り返すことにより形成される。なお、カラーフィルタ層相互間にスペースが生じるが、このスペースには第2層間絶縁膜106bが埋め込まれる。また、カラーフィルタ130r,130g,130bは液滴吐出法例えばインクジェット法を用いても形成することができる。このため、液晶表示装置の製造工程数を減らすことができる。また、基板100側にカラーフィルタを設けているため、対向基板にカラーフィルタを設ける場合と比較して、対向基板との間に位置ずれが生じても、開口率の低下が抑制できる。すなわち対向基板の位置ずれに対するマージンが大きくなる。なお、カラーフィルタの色は、赤、青、緑以外の色でも良いし、3色よりも多く、例えば、4色や6色でもよい。例えば、イエローやシアンやマゼンダや白が追加されてよい。また、カラーフィルタだけでなく、ブラックマトリックスブラックマスクとも呼ぶも配置してもよい。図21Aは、図20に示した液晶表示装置の平面図である。図21Aに示すように、本液晶表示装置は、画素部150の周囲に、周辺駆動回路であるソース線駆動回路160及びゲート線駆動回路170が設けられている。ソース線駆動回路160及びゲート線駆動回路170それぞれ上には、赤色のカラーフィルタ130rが設けられている。カラーフィルタ130rが設けられることにより、ソース線駆動回路160及びゲート線駆動回路170が有する薄膜トランジスタの活性層の光劣化が防止され、かつ平坦化が図られている。図21Bは、図21Aの画素部150の一部3×3行列を拡大した図である。画素部150には、赤色のカラーフィルタ130r、青色のカラーフィルタ130b、及び緑色のカラーフィルタ130gがストライプ状に交互に配置されている。また、各画素が有する薄膜トランジスタ上には赤色のカラーフィルタ130rが配置されている。また、ソース配線図示せず及びゲート配線図示せずは、各カラーフィルタの相互間のスペースと重なるように配置されているため、光漏れが生じることが抑制される。このようにカラーフィルタ130rはブラックマスクの役割を果たすため、従来必要であったブラックマスクの形成工程を省略できる。以上、本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1層間絶縁膜106aの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gを設けたため、液晶表示装置の製造工程数を減らすことができる。また、対向基板にカラーフィルタを設ける場合と比較して、対向基板との間に位置ずれが生じても、開口率の低下が抑制できる。すなわち対向基板の位置ずれに対するマージンが大きくなる。なお、第2~第4、第6~13、及び第15の実施形態で示したFFS方式又はIPS方式の液晶表示装置において、本実施形態と同様に、第1層間絶縁膜106aの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gを設けてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、ゲート電極と、ソース配線との間に、カラーフィルタを配置してもよいが、これに限定されない。ソース配線と第2の電極108の間に配置してもよい。また、カラーフィルタだけでなく、ブラックマトリックスを配置してもよい。なお、カラーフィルタとソース配線との間や、カラーフィルタと第2の電極108との間に、無機材料の絶縁膜を配置してもよい。無機材料としては、酸化シリコンSiOx、窒化シリコンSiNx、酸化窒化シリコンSiOxNy:x>y、窒化酸化シリコンSiNxOy:x>yなど、酸素又は窒素を有する絶縁物質から構成される。不純物の侵入をブロックするためには、窒素を多く含む材料にすることが望ましい。なお、本実施形態は、第1~第15の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第15の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第17の実施形態図22Aは、本発明の第17の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図であり、図22Bは、図22Aの画素部の構成を説明するための拡大図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、カラーフィルタ130r,130b,130gのレイアウトを除いて、第16の実施形態と同様の構成である。従って、第16の実施形態で説明した内容は本実施形態においても適用できる。以下、第16の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態では、カラーフィルタ130r,130b,130gは、画素単位でマトリクス状に交互に配置されている。詳細には、青色のカラーフィルタ130b及び緑色の130gの隙間を埋めるように、赤色のカラーフィルタ130rが設けられている。また、周辺駆動回路であるソース線駆動回路160及びゲート線駆動回路170の上にもカラーフィルタ130rが設けられているが、ソース線駆動回路160及びゲート線駆動回路170それぞれと画素部150の間のスペースにも、カラーフィルタ130rが設けられている。このため、カラーフィルタ層相互間にスペースが生じることが抑制される。本実施形態によっても第16の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第1層間絶縁膜106aを形成した上で、第2層間絶縁膜106bの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gを設けてもよい。この場合においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第2~第4、第6~13、及び第15の実施形態で示したFFS方式又はIPS方式の液晶表示装置において、本実施形態と同様に、第1層間絶縁膜106aの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gを設けてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態は、第1~第16の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第16の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第18の実施形態図23は、本発明の第18の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、第1層間絶縁膜106aの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gが設けられている点を除いて、第5の実施形態と同様の構成である。本実施形態におけるカラーフィルタ130r,130b,130gのレイアウトは、第17の実施形態に示したレイアウトと同様である。従って、第5の実施形態で説明した内容、及び第17の実施形態で説明した内容それぞれは、本実施形態においても適用することができる。以下、第5の実施形態と同様の構成、及び第17の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態においても第17の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第14の実施形態で示したFFS方式の液晶表示装置において、本実施形態と同様に、第1層間絶縁膜106aの代わりにカラーフィルタ130r,130b,130gを設けてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、カラーフィルタ130r,130b,130gのレイアウトは、上記した第16~第18の実施形態に示したレイアウトに限定されるものではなく、三角モザイク配列、RGBG四画素配列、RGBW四画素配列等、様々なレイアウトを取ることができる。なお、これらの場合においても、薄膜トランジスタの活性層の上方に赤色のカラーフィルタ130rを配置することが望ましい。なお、本実施形態は、第1~第17の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第17の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第19の実施形態図24A~Dそれぞれは、本発明の第19の実施形態に係るFFS方式の液晶表示装置の電極の形状を説明する為の平面図である。各図に示す実施形態は、第2の電極108の形状を除いて、第1の実施形態で示したFFS方式の液晶表示装置と同様の構成であるため、第1の電極102c及び第2の電極108を除いて図示を省略している。図24Aにおいて第2の電極108は櫛歯状の形状を有しており、櫛歯部分の相互間に位置するスペースが、第1の実施形態で示した開口パターン112の役割を果たしている。図24Bにおいて第2の電極108は、それぞれが円周に沿う形状を有していて半径が異なる複数の電極を同心に配置し、これらを接続した形状である。そして、各電極の相互間のスペースが、第1の実施形態で示した開口パターン112の役割を果たしている。図24Cにおいて第2の電極108は、長方形の第1の電極102cの長辺方向に延伸する直線状の電極を、互いに重ならないように第1の電極102cの面内に複数配置し、互いに隣接する直線状の電極の上端部及び下端部のいずれかを交互に接続した形状である。すなわち第2の電極108は、細長い電極を第1の電極102cの面内を上下に繰り返し引き回した形状であるが、その一方の端部は、第1の電極102cの一方の長辺図では右側の長辺に最も近い部分に配置され、かついずれにも接続されていない。そして、直線状の電極の相互間のスペースが、第1の実施形態で示した開口パターン112の役割を果たしている。図24Dにおいて第2の電極108は、図24Cに示した第2の電極108において、第1の電極102cの一方の長辺図では右側の長辺に最も近い部分に配置された端部を更に延伸して、第1の電極102cの短辺図では上側の短辺に沿って引き戻し、第1の電極102cの他方の長辺図では右側の長辺に最も近い部分に接続した形状である。第2の電極108の両端が互いに接続されているため、図24Cに示した形状と比較して第2の電極108の電位を一定に保ちやすい。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、いずれの場合においても第1の実施形態と略同様である。従って、第1の実施形態で述べた内容は本実施形態にも適用することができる。本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第2の実施形態、第5の実施形態、及び、第13~第18の実施形態それぞれにおいて、第2の電極108の形状を図24のいずれかに示す形状にしてもよい。なお、本実施形態は、第1~第18の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第18の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第20の実施形態図25A~Dそれぞれは、本発明の第20の実施形態に係るIPS方式の液晶表示装置の電極の形状を説明する為の平面図である。本実施形態は、第1の電極102c及び第2の電極108それぞれの形状を除いて、第3の実施形態と同様の構成であるため、第1の電極102c及び第2の電極108を除いて、図示を省略している。図25Aにおいて、第1の電極102c及び第2の電極108それぞれは櫛歯形状であり、互いに逆向きに配置されている。そして櫛歯の部分は、互い違いに配置されている。図25Bにおいて第1の電極102cは、長方形の本体部分の中央部に円形の開口パターン115を設け、開口パターン115内に、円周に沿う形状であり互いに半径が異なる複数の電極を開口パターン115と同心に配置し、これら円周に沿う形状の電極それぞれを一本の直線状の電極で本体部分に接続した形状である。また、第2の電極108は、長方形の本体部分の中央部に円形の開口パターン112を設け、開口パターン112内に、円周に沿う形状の電極を開口パターン112と同心に配置し、この電極と本体部分を直線状の電極で接続した形状である。なお、第2の電極108が有する円周に沿う形状の電極は、複数であってもよい。また、開口パターン112,115は互いに同心であるため、第1の電極102cが有する円周に沿う形状の電極と、第2の電極108が有する円周に沿う形状の電極は、互いに同心である。なお、第1の電極102cが有する円周に沿う形状の電極と、第2の電極108が有する円周に沿う形状の電極は、互いに半径が異なるため、互い違いかつ互い平行である。図25Cにおいて第1の電極102cは、図中上下に延伸する直線状の電極を複数互いに平行に配置し、これらの上端部及び下端部それぞれを、図中横方向に延伸する直線状の電極で接続した形状である。また第2の電極108は櫛歯形状であり、櫛歯部分が、第1の電極102cを構成する直線状の電極相互間のスペースに位置している。図25Dにおいて第1の電極102c及び第2の電極108は、それぞれ図中上下に延伸する直線状の電極を、互いに重ならないように複数互いに平行に配置し、互いに隣接する直線状の電極の上端部及び下端部のいずれかを交互に接続した形状である。すなわち第2の電極108は、細長い電極を第1の電極102cの面内を上下に繰り返し引き回した形状である。そして第1の電極102c及び第2の電極108は、図中上下に延伸する部分が互い違いかつ互い平行になっており、かつ図中横に延伸する部分が互いにずれている。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、いずれの場合においても第3の実施形態と略同様である。従って、第3の実施形態で述べた内容は本実施形態にも適用することができる。本実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第4の実施形態、第6~第12の実施形態それぞれにおいて、第1の電極102c及び第2の電極108の形状を、図25のいずれかに示した形状にしてもよい。また、上記した各実施形態において、半導体膜102fの代わりに他の半導体膜例えば有機半導体又はアモルファスシリコン膜を用いてもよい。この場合、第1の電極102cも、上記した他の半導体膜により形成してもよい。なお、本実施形態は、第1~第19の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、変形、別の見方をする、又は別の観点から記載した場合の一例を示している。したがって、第1~第19の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。また、さまざまな図を用いて述べてきたが、1つの図は、様々な構成要件により成り立っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さらなる構成を作ることも可能である。第21の実施形態図32は、本発明を用いた無機EL素子の構成を説明するための断面図である。本実施形態に係る無機EL素子は、ボトムゲート型のトランジスタを用いた構成を有しており、第1の電極102cと第2の電極108を用いる点において、第13の実施形態に係る液晶表示装置に近い構成となっている。トランジスタや電極等の構成は本実施形態に示す構成に限られず、トップゲート型のトランジスタを用いても良いし、他の実施形態に示す電極の構成を用いても良い。本実施形態の断面図においては一つのトランジスタのみを示すが、駆動用トランジスタ、選択用トランジスタ、電流制御用トランジスタなど、一画素に複数のトランジスタを有する構成としても良い。第2の電極として用いる材料としては、アルミニウムAl、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、クロムCr、ニッケルNi、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、マグネシウムMg、スカンジウムSc、コバルトCo、ニッケルNi、亜鉛Zn、ニオブNb、シリコンSi、リンP、ボロンB、ヒ素As、ガリウムGa、インジウムIn、錫Snで構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、アルミネオジムAl-Nd、マグネシウム銀Mg-Agなど、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などが挙げられる。または、前述した材料とシリコンとの化合物シリサイド例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなどや、前述の材料と窒素との化合物例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等を用いることができる。なお、シリコンSiには、n型不純物リンなどやp型不純物ボロンなどを多く含んでいてもよい。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類され、前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光材料を含む層を有し、後者は、薄膜からなる発光材料を含む層を有している点に違いはあるが、高電界で加速された電子を必要とする点では共通である。本実施形態においては、第2の電極108の上方に発光材料を含む層501を設ける。分散型の無機EL素子の場合には、第2の電極上に接して発光材料を含む層501を設ける構成図32A参照とすることが好ましいが、これに限られない。また、薄膜型の無機EL素子とする場合には、第2の電極108上に誘電体502を形成し、誘電体上502に発光材料を含む層501を設ける構成図32Bが好ましいが、これに限られない。発光のメカニズムとしては、ドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光と、金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光とが知られている。一般的に、分散型無機ELではドナー-アクセプター再結合型発光、薄膜型無機EL素子では局在型発光である場合が多い。本実施形態の発光材料を含む層501は、母体材料と発光中心となる不純物元素とで構成され、含有させる不純物元素を変化させることで、様々な色の発光を得ることができる。発光材料の作製方法としては、噴霧熱分解法、複分解法、プレカーサーの熱分解反応による方法、逆ミセル法、これらの方法と高温焼成を組み合わせた方法、又は凍結乾燥法などを用いることができる。固相法は、母体材料と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を秤量し、乳鉢で混合、電気炉で加熱、焼成を行い反応させ、母体材料に不純物元素を含有させる方法である。焼成温度は、700~1500°Cが好ましい。温度が低すぎる場合は固相反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましく、比較的高温での焼成を必要とするが、簡単な方法であるため、生産性がよく大量生産に適している。液相法共沈法は、母体材料又は母体材料を含む化合物と、不純物元素又は不純物元素を含む化合物を溶液中で反応させ、乾燥させた後、焼成を行う方法であり、発光材料の粒子が均一に分布し、粒径が小さく、低い焼成温度でも反応を促進させることができる。発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。硫化物としては、例えば、硫化亜鉛ZnS、硫化カドミウムCdS、硫化カルシウムCaS、硫化イットリウムY2S3、硫化ガリウムGa2S3、硫化ストロンチウムSrS、硫化バリウムBaS等を用いることができ、酸化物としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化イットリウムY2O3等を用いることができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムInN等を用いることができる。さらに、セレン化亜鉛ZnSe、テルル化亜鉛ZnTe等も用いることができ、硫化カルシウム-ガリウムCaGa2S4、硫化ストロンチウム-ガリウムSrGa2S4、硫化バリウム-ガリウムBaGa2S4等の3元系の混晶であってもよい。局在型発光の発光中心として、マンガンMn、銅Cu、サマリウムSm、テルビウムTb、エルビウムEr、ツリウムTm、ユーロピウムEu、セリウムCe、プラセオジウムPrなどを用いることができる。なお、電荷補償として、フッ素F、塩素Clなどのハロゲン元素が添加されていてもよい。一方、ドナー-アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第1の不純物元素及びアクセプター準位を形成する第2の不純物元素を含む発光材料を用いることができる。第1の不純物元素としては、例えば、フッ素F、塩素Cl、アルミニウムAl等を用いることができ、第2の不純物元素としては、例えば、銅Cu、銀Ag等を用いることができる。なお、無機EL発光素子は、一対の電極層間に電圧を印加することにより発光を得ることができるが、本実施形態においては交流駆動を用いることが好ましい。本実施形態に示す無機EL発光素子においては、第1の電極102cおよび第2の電極108により形成される電界を用いることによって発光させるためである。なお、発光のために形成される電界は、他の実施形態において説明した液晶表示装置における電界と同様である。本実施形態に用いることのできるバインダとしては、有機材料や無機材料の絶縁材料を用いることができ、有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機絶縁材料としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールpolybenzimidazoleなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂ポリベンゾオキサゾール等の樹脂材料を用いてもよく、また光硬化型などを用いることができる。さらに、これらの樹脂にチタン酸バリウムBaTiO3やチタン酸ストロンチウムSrTiO3等の高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。また、バインダに用いる無機絶縁材料としては、酸化珪素SiOX、窒化珪素SiNX、酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウムAlN、酸素及び窒素を含むアルミニウム、又は酸化アルミニウムAl2O3、酸化チタンTiO2、BaTiO3、SrTiO3、チタン酸鉛PbTiO3、ニオブ酸カリウムKNbO3、ニオブ酸鉛PbNbO3、酸化タンタルTa2O5、タンタル酸バリウムBaTa2O6、タンタル酸リチウムLiTaO3、酸化イットリウムY2O3、酸化ジルコニウムZrO2、ZnSその他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる添加等によってことによって、発光材料及びバインダよりなる発光物質を含む層の誘電率を制御することができ、より誘電率を大きくすることもできる。本実施形態に示すように、シリコンを含む電極を無機EL素子の電極として用いることにより、低コストに無機EL素子を作製することができる。また、本実施形態に示す構成とすることにより、電極による光の減衰を考慮せずとも良いため、電極材料の選択の幅を広げることができる。例えば、第2の電極として金属材料を用い、その厚みを大きくすることも可能である。また、第1の電極と第2の電極との間に発光材料を含む層を設ける必要がないため、表示装置としての輝度が向上し、EL素子に対する負荷を低減することが可能であり、素子の劣化を低減することができる。第22の実施形態図33は、本発明のシリコンを含む電極を用いた有機EL素子の構成を説明するための断面図である。本実施形態に係る有機EL素子は、ボトムゲート型のトランジスタ600を用いた構成である。本実施形態において、有機化合物を含む層601は第1の電極102cと第2の電極602によって挟まれている。トランジスタの構成は本実施形態に示す構成に限られず、トップゲート型のトランジスタを用いても良い。第2の電極として用いる材料としては、アルミニウムAl、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、クロムCr、ニッケルNi、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、マグネシウムMg、スカンジウムSc、コバルトCo、ニッケルNi、亜鉛Zn、ニオブNb、シリコンSi、リンP、ボロンB、ヒ素As、ガリウムGa、インジウムIn、錫Sn、酸素Oで構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料例えば、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、アルミネオジムAl-Nd、マグネシウム銀Mg-Agなど、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などが挙げられる。または、前述した材料とシリコンとの化合物シリサイド例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなどや、前述の材料と窒素との化合物例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等を用いることがもできる。なお、シリコンSiには、n型不純物リンなどやp型不純物ボロンなどを多く含んでいてもよい。有機化合物を有する層601は少なくとも、発光性の高い物質を含む層発光層を有する。発光層について特に限定は無いが、発光層として機能する層には大きく分けて2つの態様がある。一つは発光中心となる物質発光物質またはゲスト材料のエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料ホスト材料に発光物質を分散させた構成のホスト‐ゲスト型の層であり、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層である。前者の方が濃度消光が起こりにくいため、好ましい。発光物質としては、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル-4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-t-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル-4H-ピラン、ペリフランテン、2,5-ジシアノ-1,4-ビス[2-10-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル]ベンゼン、N,N-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6、クマリン545T、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,9-ビアントリル、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAや9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン略称:TBP等が挙げられる。また、ホスト材料としては、9,10-ジ2-ナフチル-2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuDNA等のアントラセン誘導体、4,4-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP等のカルバゾール誘導体、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlq、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルピリジナト]亜鉛略称:Znpp2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOXなどの金属錯体等を用いることができる。また、発光物質のみで発光層を構成することのできる材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、ビス2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニルフェノラト-アルミニウム略称:BAlqなどがある。なお、有機化合物を有する層としては、他にも、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの層を有していても良い。なお、有機EL発光素子は、一対の電極層間に電圧を印加することにより発光を得ることができる。本実施形態に示す有機EL発光素子においては、第1の電極102cおよび第2の電極602により生じる電流を用いることによって発光させる。本実施形態に示すように、シリコンを含む電極を無機EL素子の電極として用いることにより、低コストに無機EL素子を作製することができる。第23の実施形態図34は、単結晶シリコン基板を用いた反射型の液晶表示装置およびその作製方法を説明するための断面図である。以下、作製方法を簡単に説明する。まず、単結晶シリコン基板700上に、一定の加速度で酸素イオンを打ち込む図34A参照。その後、高温で加熱することにより、表面に単結晶シリコン層701を残したまま、酸化珪素層702を形成する図34B参照。次に、単結晶シリコン層701を島状にエッチングし、トランジスタ703を形成する。この際、同時に第1の電極102cを形成する図34C参照。なお、トランジスタ703のソース領域およびドレイン領域704と第1の電極102cには、不純物元素を添加し、導電性を持たせる。不純物元素としては他の実施形態にて示した元素を用いることができる。また、電極、配線等も、他の実施形態にて示した材料を用いて形成することができる。次に層間絶縁膜705を形成する図34C参照。層間絶縁膜についても、他の実施形態および実施例にて説明する材料を用いることができるため、ここでは詳細な説明は省略する。なお、本実施形態において、層間絶縁膜は単層の構成としたが、2層以上の積層構造としても良い。層間絶縁膜705を形成した後、接続孔を形成し、画素電極となる第2の電極706を形成する図34D参照。本実施形態においては、反射型の液晶表示装置を作製するため、第2の電極706の材料としては、可視光の反射率が高い材料を用いることが好ましいが、これに限られない。反射率の高い材料としては、例えば、アルミニウムAl、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、ネオジムNd、クロムCr、ニッケルNi、白金Pt、金Au、銀Ag、銅Cu、マグネシウムMg、スカンジウムSc、コバルトCo、ニッケルNi、亜鉛Zn、ニオブNb、シリコンSi、リンP、ボロンB、ヒ素As、ガリウムGa、インジウムIn、錫Sn、等の金属材料が挙げられる。なお、電極706と同時に接続用の配線707を形成することが好ましい。その後、配向膜や液晶、対向基板等を配置して反射型の液晶表示装置が完成する。本実施形態に示す液晶表示装置は、上面対向基板側からの光を第1の電極102cまたは第2の電極706により反射することで、映像を視認させるものである。したがって、第2の電極706としては、反射率の高い材料を用いることが好ましい。第1の電極102cの材料である結晶珪素は、表面の状態にも依存するが、一定以上の反射率を有しているため、反射型液晶表示装置の反射膜として用いることができる。なお、反射型液晶表示装置としては、本実施形態の構成に限られず、その他のさまざまな構成を用いることができる。例えば、本実施形態においてはトランジスタ703としてトップゲート型のトランジスタを用いたが、ボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、第1の電極102cとして、金属材料からなる電極としてもよい。本実施形態に示すように、単結晶シリコン基板を用いて液晶表示装置を作製することにより、高速動作が必要となる用途において適した液晶表示装置を作製することができる。つまり、基板上に駆動回路を直接作製することが可能であり、駆動回路等の高速動作が可能となる。もちろん、駆動回路のみに限らず、その他の回路も単結晶珪素を用いて形成することができるため、一つの基板上に全ての回路を搭載した表示装置を形成することが可能となる。本発明の実施例1を、図26、図27、及び図28を参照しつつ説明する。本実施例に係る液晶表示モジュールにおいて、画素部は、第1~第20のいずれかの実施形態に示した液晶表示装置と同様の構造を有している。このため、従来と比較して製造コストを低くすることができる。まず、図26Aに示すように、基板801上に下地膜802を形成する。基板801は、ガラス基板、石英基板、アルミナなど絶縁物で形成される基板、後工程の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板、シリコン基板、または金属板である。また、基板100は、ステンレスなどの金属または半導体基板などの表面に酸化珪素や窒化珪素などの絶縁膜を形成した基板であってもよい。なお、基板801にプラスチック基板を用いる場合、PCポリカーボネート、PESポリエーテルサルフォン、PETポリエチレンテレフタレートもしくはPENポリエチレンナフタレート等のガラス転移点が比較的高いものを用いることが好ましい。下地膜802は、例えば窒化シリコンSiNx膜上に酸化シリコン膜SiOxを積層したものであるが、他の絶縁物例えば酸化窒化シリコンSiOxNyx>y又は窒化酸化シリコンSiNxOyx>yであってもよい。また、下地膜802は、基板801の表面を高密度プラズマによって処理することによって形成されてもよい。高密度プラズマは、例えば2.45GHzのマイクロ波を用いることによって生成され、電子密度が1×1011~1×1013/cm3かつ電子温度が2eV以下、イオンエネルギーが5eV以下のものであるとする。このような高密度プラズマは活性種の運動エネルギーが低く、従来のプラズマ処理と比較してプラズマによるダメージが少なく、欠陥の少ない膜を形成することができる。マイクロ波を発生するアンテナから基板100までの距離は20~80mm、好ましくは20~60mmとするとよい。窒素雰囲気、例えば窒素と希ガスを含む雰囲気下、または窒素と水素と希ガスを含む雰囲気下、またはアンモニアと希ガスを含む雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行うことによって基板801の表面を窒化することができる。基板801としてガラス基板、石英基板またはシリコンウエハなどを用いて、上記高密度プラズマによる窒化処理を行った場合、基板801表面に形成される窒化膜は窒化シリコン膜を主成分とするため、下地膜802として利用することができる。この窒化膜の上に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成することにより、下地膜802を複数層で形成してもよい。また酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などからなる下地膜802の表面に同様に高密度プラズマによる窒化処理を行うことによって、下地膜802の表面に窒化膜を形成することができる。窒化膜は基板801からの不純物の拡散を抑制することができ、また極めて薄く形成できるため、その上に形成される半導体層への応力の影響を少なくできる。次いで、図26Bに示すように、下地膜802上に、結晶性半導体膜例えばポリシリコン膜を形成する。結晶性半導体膜の形成方法としては、下地膜802上に直接結晶性半導体膜を形成する方法、及び、下地膜802上に非晶質半導体膜を形成した後に結晶化させる方法が挙げられる。非晶質半導体膜を紺晶化させる方法としては、レーザー光を照射する方法、半導体膜の結晶化を助長させる元素例えばニッケル等の金属元素を用いて加熱して結晶化させる方法、又は、半導体膜の結晶化を助長させる元素を用いて加熱して結晶化させた後、レーザー光を照射する方法を用いることができる。もちろん前記元素を用いずに非晶質半導体膜を熱結晶化させる方法を用いることもできる。ただし基板が石英基板、シリコンウエハなど高温に耐えられるものに限られる。レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザービームCWレーザービームやパルス発振型のレーザービームパルスレーザービームを用いることができる。ここで用いることができるレーザービームは、Arレーザー、Krレーザー、エキシマレーザーなどの気体レーザー、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ti:サファイアレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Nd:YVO4レーザー基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを用いることができる。このときレーザーのエネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、走査速度を10~2000cm/sec程度として照射する。なお、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Arイオンレーザー、またはTi:サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Qスイッチ動作やモード同期などを行うことによって10MHz以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。10MHz以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。媒質としてセラミック多結晶を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数mm、長さ数十mmの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。発光に直接寄与する媒質中のNd、Ybなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービームは射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利である。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形することによって、短手の長さ1mm以下、長手の長さ数mm~数mの線状ビームを容易に得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長手方向にエネルギー分布の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。このようにして得られた強度が均一な線状ビームを用いて半導体膜をアニールし、この半導体膜を用いて電子機器を作製すると、その電子機器の特性は、良好かつ均一である。非晶質半導体膜の結晶化を助長させる元素を用いて加熱して結晶化させる方法としては、特開平8-78329号公報記載の技術を用いることができる。同公報記載の技術は、非晶質半導体膜アモルファスシリコン膜とも呼ばれるに対して結晶化を助長する金属元素を添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として非晶質半導体膜を結晶化させるものである。また、加熱処理の代わりに強光の照射を行うことにより、非晶質半導体膜の結晶化を行うこともできる。この場合、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光を用いる。ランプ光源を1~60秒、好ましくは30~60秒点灯させ、それを1回~10回、好ましくは2~6回繰り返す。ランプ光源の発光強度は任意なものとするが、半導体膜が瞬間的に600~1000°C程度にまで加熱されるようにする。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する非晶質半導体膜に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、加熱処理と強光の照射の双方を行うことにより結晶化を行ってもよい。加熱処理後に結晶性半導体膜の結晶化率膜の全体積における結晶成分の割合を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶性半導体膜に対してレーザー光を大気または酸素雰囲気で照射してもよい。レーザー光としては、上述したものを用いることが可能である。また、添加した元素を結晶性半導体膜から除去することが必要であるが、その方法を以下に説明する。まずオゾン含有水溶液代表的にはオゾン水で結晶性半導体膜の表面を処理することにより、結晶性半導体膜の表面に酸化膜ケミカルオキサイドと呼ばれるからなるバリア層を1nm~10nmの厚さで形成する。バリア層は、後の工程でゲッタリング層のみを選択的に除去する際にエッチングストッパーとして機能する。次いで、バリア層上に希ガス元素を含むゲッタリング層をゲッタリングサイトとして形成する。ここでは、CVD法又はスパッタリング法により希ガス元素を含む半導体膜をゲッタリング層として形成する。ゲッタリング層を形成するときには、希ガス元素がゲッタリング層に添加されるようにスパッタリング条件を適宜調節する。希ガス元素としては、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeから選ばれた一種または複数種を用いる。なお、不純物元素であるリンを含む原料ガスを用いた場合やリンを含むターゲットを用いてゲッタリング層を形成した場合、希ガス元素によるゲッタリングに加え、リンのクーロン力を利用してゲッタリングを行うことができる。また、ゲッタリングの際、金属元素例えばニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、ゲッタリング層に含まれる酸素濃度は、例えば5×1018cm-3以上とすることが望ましい。次いで結晶性半導体膜、バリア層およびゲッタリング層に熱処理例えば加熱処理または強光を照射する処理を行って、金属元素例えばニッケルのゲッタリングを行い、結晶性半導体膜中における金属元素を低濃度化し、又は除去する。次いでバリア層をエッチングストッパーとして公知のエッチング方法を行い、ゲッタリング層のみを選択的に除去する。その後酸化膜からなるバリア層を、例えばフッ酸を含むエッチャントにより除去する。ここで、作製されるTFTのしきい値特性を考慮して不純物イオンをドーピングしてもよい。次いで、結晶性半導体膜上にフォトレジスト膜図示せずを塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、結晶性半導体膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして結晶性半導体膜をエッチングする。これにより、下地膜802上には、薄膜トランジスタが形成される結晶性半導体膜803、及び共通電極となる結晶性半導体膜803aが形成される。次いで、結晶性半導体膜803,803aの表面をフッ酸含有エッチャントなどで洗浄した後、結晶性半導体膜803上にゲート絶縁膜804を10nm~200nmの厚さで形成する。ゲート絶縁膜804は、シリコンを主成分とする絶縁膜、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などで形成される。また単層であっても積層膜であってもよい。なお、結晶性半導体膜803a上及び下地膜802上にもゲート絶縁膜804が形成される。次いで、図26Cに示すように、ゲート絶縁膜804を洗浄した後、ゲート絶縁膜804上に、第1の導電膜及び第2の導電膜を、この順に形成する。第1の導電膜は、例えばタングステン膜であり、第2の導電膜は窒化タンタル膜である。次いで、第2の導電膜上にフォトレジスト膜図示せずを塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第2の導電膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、第1の導電膜及び第2の導電膜を第1の条件でエッチングし、さらに、第2の導電膜を第2の条件でエッチングする。これにより、結晶性半導体膜803上には第1のゲート電極805a,805b、及び第2のゲート電極806a,806bが形成される。第1のゲート電極805a,805bは相互に離間している。第2のゲート電極806aは第1のゲート電極805a上に位置しており、第2のゲート電極806bは第1のゲート電極805b上に位置している。第1のゲート電極805a,805bそれぞれの側面の傾斜角は、第2のゲート電極806a,806bそれぞれの側面の傾斜角より緩やかである。また、本エッチング処理によって、結晶性半導体膜803aの近くに、第1の配線807及び、第1の配線807上に位置する第2の配線808が形成される。ここで上記した各ゲート電極及び各配線は、基板801に垂直な方向からみた場合に角が丸くなるように引き回すのが好ましい。角部を丸くすることによって、ゴミなどが配線の角部に残るのを防止することができ、ゴミが原因で発生する不良を抑制し、歩留まりを向上できる。その後、フォトレジスト膜を除去する。次いで、図26Dに示すように、第1のゲート電極805a,805b、及び第2のゲート電極806a,806bをマスクとして、結晶性半導体膜803に第1導電型例えばn型の不純物元素例えばリンを注入する。これにより、結晶性半導体膜803には、第1の不純物領域810a,810b,810cが形成される。第1の不純物領域810aは、薄膜トランジスタのソースとなる領域に位置しており、第1の不純物領域810cは、薄膜トランジスタのドレインとなる領域に位置している。第1の不純物領域810bは、第1のゲート電極805a,805b相互間に位置している。なお、本処理において、共通電極となる結晶性半導体膜803aにも第1導電型の不純物元素が注入され、低抵抗化する。次いで、図26Eに示すように、第1のゲート電極805a,805b、第2のゲート電極806a,806bそれぞれ上を含む全面上に、フォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第1のゲート電極805a、第2のゲート電極806aそれぞれの上面及びその周囲、並びに第1のゲート電極805b、第2のゲート電極806bそれぞれの上面及びその周囲は、レジストパターン812a,812bで覆われる。次いで、レジストパターン812a,812bをマスクとして、結晶性半導体膜803に第1導電型の不純物元素811例えばリンを注入する。これにより、第1の不純物領域810a,810b,810cそれぞれの一部には第1導電型の不純物元素811が再び注入され、第2の不純物領域813a,813b,813cが形成される。また、共通電極となる結晶性半導体膜803aにも第1導電型の不純物元素が再び注入され、抵抗が十分低くなる。なお、第1の不純物領域810a,810b,810cの残りの部分は、第3の不純物領域814a,814b,814c,814dとして残る。その後、図27Aに示すように、レジストパターン812a,812bを除去する。次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜図示せずを形成する。この絶縁膜は、例えば酸化シリコン膜であり、プラズマCVD法により形成される。次いで、結晶性半導体膜803,803aに熱処理を行い、それぞれに添加された不純物元素を活性化する。この熱処理は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法RTA法、或いはYAGレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法を複数組み合わせた方法による処理である。上記した熱処理により、不純物元素が活性化すると同時に、結晶性半導体膜803を結晶化する際に触媒として使用した元素例えばニッケル等の金属元素が、高濃度の不純物例えばリンを含む第2の不純物領域813a~813cにゲッタリングされ、結晶性半導体膜803のうち主にチャネル形成領域となる部分中のニッケル濃度が低減する。その結果、チャネル形成領域の結晶性がよくなる。従って、TFTのオフ電流値は下がり、かつ高い電界効果移動度が得られる。このようにして、良好な特性を有するTFTが得られる。次いで、結晶性半導体膜803,803aの上方を含む全面上に、絶縁膜815を形成する。絶縁膜815は、例えば窒化シリコン膜であり、プラズマCVD法により形成される。次いで、絶縁膜815上に、層間絶縁膜816となる平坦化膜を形成する。層間絶縁膜816としては、透光性を有する無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸素を含む窒化シリコンなど、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、またはこれらの積層などを用いる。また、平坦化膜に用いる他の透光性を有する膜としては、塗布法によって得られるアルキル基を含むSiOX膜からなる絶縁膜、例えばシリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどを用いて形成された絶縁膜を用いることができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB-K1、PSB-K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS-5PHが挙げられる。層間絶縁膜は単層膜であっても多層膜であってもよい。次いで、層間絶縁膜816上にフォトレジスト膜図示せずを塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、層間絶縁膜816上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜816、絶縁膜815、及びゲート絶縁膜804をエッチングする。これにより、層間絶縁膜816、絶縁膜815、及びゲート絶縁膜804には、接続孔817a,817b,817c,817dが形成される。接続孔817aは、トランジスタのソースである第2の不純物領域813a上に位置しており、接続孔817bは、トランジスタのドレインである第2の不純物領域813c上に位置している。接続孔817cは、第2の配線808上に位置しており、接続孔817dは共通電極である結晶性半導体膜803a上に位置している。その後、レジストパターンを除去する。次いで、図27Bに示すように、接続孔817a~817dそれぞれの中、及び層間絶縁膜816上に、第1の導電膜818を形成する。第1の導電膜818は透光性を有する導電膜であり、例えばITO膜、Si元素を含むインジウム錫酸化物や、酸化インジウムに更に2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いて形成されたIZOIndiumZincOxideである。次いで、第1の導電膜818上に第2の導電膜819を形成する。第2の導電膜819は例えば金属膜である。次いで、第2の導電膜819上にフォトレジスト膜820を塗布する。次いで、フォトレジスト膜820の上方に、レチクル840を配置する。レチクル840は、ガラス基板上に半透膜パターン842a,842b,842c,842dを形成し、さらに半透膜パターン842a~842dそれぞれの一部上に、遮光パターン841a,841b,841cを形成したものである。半透膜パターン842a及び遮光パターン841aは接続孔817aの上方に位置し、半透膜パターン842b及び遮光パターン841bは接続孔817bの上方に位置し、半透膜パターン842c及び遮光パターン841cは接続孔817c及び接続孔817dの上方に位置し、半透膜パターン842dは結晶性半導体膜803aの上方に位置する。次いで、レチクル840をマスクとして、フォトレジスト膜820を露光する。これにより、フォトレジスト膜820は、遮光パターン841a~841cの下方に位置する部分、及び半透膜パターン842a~842dの下方に位置する部分の下層を除いて感光する。なお、感光していない部分には符号821a,821b,821c,821dを付している。次いで、図27Cに示すように、フォトレジスト膜820を現像する。これにより、フォトレジスト膜820のうち感光している部分が除去され、レジストパターン822a,822b,822c,822dが形成される。レジストパターン822aは接続孔817aの上方に位置し、レジストパターン822bは接続孔817bの上方及びその周囲に位置している。レジストパターン822cは接続孔817cの上方、接続孔817dの上方、及びこれらの間に位置している。レジストパターン822dは共通電極となる結晶性半導体膜803aの上方に位置している。なおレジストパターン822bのうち接続孔817bの上方以外の部分、及びレジストパターン822dは、他のレジストパターンと比べて薄い。次いで、図27Dに示すように、レジストパターン822a~822dをマスクとして第1及び第2の導電膜818,819をエッチングする。これにより、レジストパターン822a~822dに覆われていない領域からは、第1及び第2の導電膜818,819が除去される。また、レジストパターン822a~822dも徐々にエッチングされるため、エッチング処理中に、レジストパターンの薄い部分具体的には、レジストパターン822bのうち接続孔817bの上方以外の部分、及びレジストパターン822dが除去される。このため、レジストパターン822bのうち接続孔817bの上方以外の部分、及びレジストパターン822dそれぞれの下に位置する領域では、第2の導電膜819が除去され、第1の導電膜818のみが残る。その後、レジストパターン822a~822cを除去する。このようにして、一枚のレジストパターン及び一回のエッチング処理によって、ソース配線823a,824a、ドレイン配線823b,824b、接続用配線823c,824c、及び画素電極823dが形成される。ソース配線823a,824a及びドレイン配線823b,824bは、結晶性半導体膜803及び結晶性半導体膜803に形成された各不純物領域、ゲート絶縁膜804、第1のゲート電極805a,805b、及び第2のゲート電極806a,806bと共に、薄膜トランジスタ825を形成している。接続用配線823c,824cは、第2の配線808と結晶性半導体膜803aを接続している。その後、第1の配向膜826を形成する。このようにして、アクティブマトリクス基板が形成される。なお、図26及び図27に示した処理によって、図28に示す液晶表示装置のゲート信号線駆動回路領域854にも、薄膜トランジスタ827,829図28Bに図示が形成される。また、図27B~Dに示す処理によって、アクティブマトリクス基板と外部とを接続する第1の端子電極838a及び第2の端子電極838b図28Bに図示が形成される。その後、図28Aの平面図及び図28BのK-L断面図に示すように、アクティブマトリクス基板上にアクリル樹脂膜等の有機樹脂膜を形成し、この有機樹脂膜をパターニングする。これにより、アクティブマトリクス基板上には、柱状のスペーサ833が形成される。次いで、封止領域853にシール材834を形成した後、アクティブマトリクス基板上に液晶を滴下する。液晶を滴下する前に、シール材上に、シール材と液晶が反応することを防ぐ保護膜を形成してもよい。その後、アクティブマトリクス基板に対向する位置に、カラーフィルタ832及び第2の配向膜831が形成された対向基板830を配置し、これら2つの基板シール材834で張り合わせる。このとき、スペーサ833によって、アクティブマトリクス基板と対向基板830は、均一な間隔を持って貼り合わせられる。次いで、両基板の間を完全に封止する。このようにしてアクティブマトリクス基板と対向基板の間には液晶が封止される。次いで、必要に応じて、アクティブマトリクス基板または対向基板もしくは双方の基板を、所望の形状に分断する。さらに、偏光板835a,835bを設ける。次いで、フレキシブルプリント基板FlexiblePrintCircuit:以下FPCと記載837を、異方性導電膜836を介して、外部端子接続領域852に配置された第2の端子電極838bに接続する。このようにして形成された液晶表示モジュールの構成を説明する。アクティブマトリクス基板の中央には、画素領域856が配置されている。画素領域856には複数の画素が形成されている。図28Aにおいて、画素領域856の上下それぞれには、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路領域854が配置されている。また、画素領域856とFPC837の間に位置する領域には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路領域857が配置されている。ゲート信号線駆動回路領域854は片側のみの配置でも良く、液晶表示モジュールにおける基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、画素領域856を挟んで対称に配置されるのが望ましい。そして各駆動回路への信号の入力は、FPC837から行われる。本発明の実施例2に係る液晶表示モジュールについて、図29及び図30の各図を用いて説明する。各図において、画素部930の構成は、実施例1で示した画素領域856の構成と同様であり、基板100上に複数の画素が形成されている。図29においてAは液晶表示モジュールの平面概略図であり、Bはソースドライバ910の回路構成を説明する為の図である。図29に示す例では、図29Aに示すようにゲートドライバ920及びソースドライバ910の双方が、画素部930と同一の基板100上に一体的に形成されている。ソースドライバ910は、図29Bに示すように、入力されたビデオ信号をいずれのソース信号線に伝達するかを制御する複数の薄膜トランジスタ912と、複数の薄膜トランジスタ912を制御するシフトレジスタ911とを有している。図30においてAは液晶表示モジュールの平面概略図であり、Bはソースドライバの回路構成を説明する為の図である。図30に示す例では、図30Aに示すようにソースドライバが、基板100上に形成された薄膜トランジスタ群940と、基板100とは別体のIC950とで構成されている。IC950と薄膜トランジスタ群940とは、例えばFPC960で電気的に接続されている。IC950は、例えば単結晶シリコン基板を用いて形成されており、薄膜トランジスタ群940を制御し、かつ薄膜トランジスタ群940にビデオ信号を入力する。薄膜トランジスタ群940は、ICからの制御信号に基づいて、いずれのソース信号線にビデオ信号を伝達するかを制御する。実施例2においても、液晶表示モジュールの製造コストを低くすることができる。本発明の実施例3による電子機器について、図31を参照しつつ説明する。この電子機器は、本発明の発光装置を有し、前述した実施形態にその一例を示したようなモジュールを搭載したものである。この電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図31に示す。図31Aはテレビ受像器又はパーソナルコンピュータのモニターである。筺体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。表示部2003には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、テレビ受像器又はパーソナルコンピュータのモニターの製造コストを低くすることができる。図31Bはデジタルカメラである。本体2101の正面部分には受像部2103が設けられており、本体2101の上面部分にはシャッター2106が設けられている。また、本体2101の背面部分には、表示部2102、操作キー2104、及び外部接続ポート2105が設けられている。表示部2102には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、デジタルカメラの製造コストを低くすることができる。図31Cはノート型パーソナルコンピュータである。本体2201には、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングデバイス2206が設けられている。また、本体2201には、表示部2203を有する筐体2202が取り付けられている。表示部2203には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、ノート型パーソナルコンピュータの製造コストを低くすることができる。図31Dはモバイルコンピュータであり、本体2301、表示部2302、スイッチ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。表示部2302にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部2302には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、モバイルコンピュータの製造コストを低くすることができる。図31Eは画像再生装置である。本体2401には、表示部B2404、記録媒体読み込み部2405及び操作キー2406が設けられている。また、本体2401には、スピーカー部2407及び表示部A2403それぞれを有する筐体2402が取り付けられている。表示部A2403及び表示部B2404それぞれには、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、画像再生装置の製造コストを低くすることができる。図31Fは電子書籍である。本体2501には操作キー2503が設けられている。また、本体2501には複数の表示部2502が取り付けられている。表示部2502には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、電子書籍の製造コストを低くすることができる。図31Gはビデオカメラであり、本体2601には外部接続ポート2604、リモコン受信部2605、受像部2606、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キー2609、及び接眼部2610が設けられている、また、本体2601には、表示部2602を有する筐体2603が取り付けられている。表示部2602には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、ビデオカメラの製造コストを低くすることができる。図31Hは携帯電話であり、本体2701、筐体2702、表示部2703、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。表示部2703には、第1~第20の実施形態のいずれかで示した液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置を有していることにより、携帯電話の製造コストを低くすることができる。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。"