"支持基板上に接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層が形成された支持基板上にフレキシブルフィルムを形成するフレキシブルフィルム形成工程と、前記フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記接着層にレーザー光を照射し、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとの間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとを分離する分離工程と、を含み、前記接着層形成工程において、前記接着層は、前記電子素子の形成が予定された領域に対応する前記支持基板上の領域外の周縁領域に形成され、前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは前記接着層が形成された領域よりも広範に形成される、フレキシブルデバイスの製造方法。前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは塗布方法により形成される、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記分離工程においては、前記接着層と前記支持基板との界面近傍、または、前記接着層と前記フレキシブルフィルムとの界面近傍において剥離が起こることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとが分離される、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記接着層は、エッチングまたは洗浄により前記支持基板から除去することが可能な材料からなる、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記接着層は、金属または金属酸化物からなる、請求項4に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記金属は、タングステン、モリブデン、銀およびアルミニウムのいずれかである、請求項5に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記金属酸化物は、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズおよび酸化インジウム亜鉛のいずれかである、請求項5に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記分離工程終了後、さらに、前記支持基板に残存した接着層を除去する除去工程を含む、請求項4に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記接着層の膜厚は10~200nmである、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記フレキシブルフィルム形成工程の前に、さらに、前記支持基板上における前記接着層の形成が予定された領域を除く領域、または前記接着層が形成された領域を除く領域に、剥離層を形成する剥離層形成工程を含み、前記剥離層は、前記剥離層から前記フレキシブルフィルムを剥離することを想定した場合の剥離強度が、前記支持基板から前記フレキシブルフィルムを剥離することを想定した場合の剥離強度よりも小さくなるような材料で構成されている、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記剥離層は、ポリアルキルシロキサンまたはアルキルシランアルコキシド重合体を含む、請求項10に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記電子素子は、有機TFT及び有機EL素子の少なくとも一方を含む、請求項1に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。前記フレキシブルデバイスは、有機EL素子が複数配列されてなる有機EL表示パネルである、請求項12に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1に開示される方法では、支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、接着層のみならずフレキシブルフィルム上に形成されている電子素子に対してもレーザー光が照射されることになる。このため、レーザー光により電子素子が損傷を受ける可能性がある。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、レーザー光照射による電子素子の損傷を抑制することが可能なレキシブルデバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様であるフレキシブルデバイスの製造方法は、支持基板上に接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層が形成された支持基板上にフレキシブルフィルムを形成するフレキシブルフィルム形成工程と、前記フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記接着層にレーザー光を照射し、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとの間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとを分離する分離工程と、を含み、前記接着層形成工程において、前記接着層は、前記電子素子の形成が予定された領域に対応する前記支持基板上の領域外の周縁領域に形成され、前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは前記接着層が形成された領域よりも広範に形成される。本発明の一態様によれば、支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、レーザー光照射による電子素子の損傷を抑制することが可能なフレキシブルデバイスの製造方法を提供することができる。≪本発明の一態様の概要≫本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法は、支持基板上に接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層が形成された支持基板上にフレキシブルフィルムを形成するフレキシブルフィルム形成工程と、前記フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記接着層にレーザー光を照射し、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとの間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとを分離する分離工程と、を含み、前記接着層形成工程において、前記接着層は、前記電子素子の形成が予定された領域に対応する前記支持基板上の領域外の周縁領域に形成され、前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは前記接着層が形成された領域よりも広範に形成される。本発明の一態様であるフレキシブルデバイスの製造方法では、接着層形成工程において、支持基板上の領域であって、フレキシブルフィルムにおける電子素子の形成が予定された領域に対応する支持基板上の領域外の周縁領域に接着層を形成する。そして、フレキシブルフィルム形成工程においては、接着層が形成された領域よりも広範にフレキシブルフィルムを形成する。すなわち、本発明の一態様では、電子素子の形成が予定された領域を避けるように接着層を形成する。このようにすることで、分離工程において、電子素子に対してレーザー光を照射しないようにすることができる。したがって、支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、レーザー光照射による電子素子の損傷を抑制することが可能なフレキシブルデバイスの製造方法を提供することができる。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは塗布方法により形成される。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記分離工程においては、前記接着層と前記支持基板との界面近傍、または、前記接着層と前記フレキシブルフィルムとの界面近傍において剥離が起こることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとが分離される。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記接着層は、エッチングまたは洗浄により前記支持基板から除去することが可能な材料からなる。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記接着層は、金属または金属酸化物からなる。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記金属は、タングステン、モリブデン、銀およびアルミニウムのいずれかである。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記金属酸化物は、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化銀、酸化アルミニウム、酸化インジウムスズおよび酸化インジウム亜鉛のいずれかである。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記分離工程終了後、さらに、前記支持基板に残存した接着層を除去する除去工程を含む。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記接着層の膜厚は10~200nmである。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブルフィルム形成工程の前に、さらに、前記支持基板上における前記接着層の形成が予定された領域を除く領域、または前記接着層が形成された領域を除く領域に、剥離層を形成する剥離層形成工程を含み、前記剥離層は、前記剥離層から前記フレキシブルフィルムを剥離することを想定した場合の剥離強度が、前記支持基板から前記フレキシブルフィルムを剥離することを想定した場合の剥離強度よりも小さくなるような材料で構成されている。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記剥離層は、ポリアルキルシロキサンまたはアルキルシランアルコキシド重合体を含む。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記電子素子は、有機TFT及び有機EL素子の少なくとも一方を含む。また、本発明の一態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法の特定の局面では、前記フレキシブルデバイスは、有機EL素子が複数配列されてなる有機EL表示パネルである。≪実施の態様≫[フレキシブルデバイス]図1はフレキシブルデバイス10の構造を示す模式断面図である。フレキシブルデバイス10は、フレキシブルフィルム11、当該フレキシブルフィルム11の上に形成された電子素子12を備える。フレキシブルフィルム11は、可撓性を有する材料からなるフィルムである。フレキシブルフィルム11に用いることが可能な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾイミダゾールのほかにポリイミドを単位構造として含む共重合体、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン-プロピレン共重合体,エチレン-酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル-スチレン共重合体、ブタジエン-スチレン共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。また、これらの材料のうち1種または2種以上を組み合わせた多層構造であってもよい。なお、フレキシブルフィルム11における間隙11aは、フレキシブルデバイス10の製造工程において、支持基板からフレキシブルフィルム11が分離されることにより形成されるものである。間隙11aが存在しない領域におけるフレキシブルフィルム11のZ軸方向の厚みがおおよそ5~40[μm]であるのに対し、間隙11aのZ軸方向の厚みはおおよそ10~200[nm]後述する接着層の厚みに対応する。と非常に薄い。そのため、間隙11aが存在したとしてもデバイスの使用上、問題は生じない。電子素子12は、例えば、有機EL素子、有機EL素子を駆動する駆動素子である有機TFT有機薄膜トランジスタが形成されている。有機EL素子は固体蛍光性物質の電界発光現象を利用した発光素子であり、近年研究開発が進んでいるものである。また、有機EL素子は自発光を行うため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。さらに、電子素子12に有機EL素子を複数個配設することにより、フレキシブルデバイス10をフレキシブルな有機EL表示パネルとすることができる。[フレキシブルデバイスの製造方法]図2,3は、実施の態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法を示す模式図である。図2a1,b1,c1はそれぞれ、フレキシブルデバイスの製造方法を示す斜視図である。また、図2a2,b2,c2はそれぞれ、図2a1,b1,c1におけるA-A’線矢視断面図ZX断面図である。図3についても同様である。本実施の態様に係るフレキシブルデバイスの製造方法は、支持基板13上に接着層14を形成する接着層形成工程と、接着層14が形成された支持基板13上にフレキシブルフィルム11を形成するフレキシブルフィルム形成工程と、フレキシブルフィルム11上に電子素子12を形成する電子素子形成工程と、接着層14にレーザー光を照射し、支持基板13とフレキシブルフィルム11との間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11とを分離する分離工程と、を含む。<接着層形成工程>まず、図2a1,a2に示すように支持基板13を準備する。支持基板13は、電子素子形成工程におけるフレキシブルフィルムの平坦性を確保する目的で用いられているものであるため、平坦度が高く、変形しにくい材料で形成されていることが望ましい。このような材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、サファイア、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、アルミナ等の絶縁性材料等が挙げられる。次に、支持基板13上に接着層14を形成する。具体的には、接着層14は、電子素子形成領域Yを囲繞するように、支持基板13上における周縁領域Xに環状に形成されている。電子素子形成領域Yは、電子素子の形成が予定された領域に対応する。ここでは、接着層14は支持基板13の周縁に沿って枠状に形成されている。接着層14は、支持基板13とその上に形成されるフレキシブルフィルムとを固定することを目的として用いられているものである。したがって、接着層14を構成する材料は、フレキシブルフィルムとの密着性が高いものが選択される。さらに、接着層14は、以降のフレキシブルフィルム形成工程、電子素子形成工程、分離工程における各種製造プロセスに耐え得る必要がある。そのため、接着層14としては、耐熱性および耐薬品性に優れる粘着剤が望ましい。ここで、フレキシブルフィルムとして上記の材料を用いた場合には、フレキシブルフィルム形成工程に含まれる加熱の温度は、おおよそ300~400[°C]である。したがって、接着層14を構成する材料の耐熱温度は、この温度以上であることが望ましい。さらに、本実施の態様における分離工程においては、接着層14にレーザー光を照射することにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11との間の密着性を低下させる。したがって、接着層14は、レーザー光を透過するか、吸収し熱に変換するもしくは変質する材料で構成されている必要がある。このような材料としては、例えば、タングステン,モリブデン,銀およびアルミニウム等の金属、酸化タングステン,酸化モリブデン,酸化銀,酸化アルミニウム、酸化インジウムスズITOおよび酸化インジウム亜鉛IZO等の金属酸化物等が挙げられる。また、接着層14の膜厚は10~200[nm]とすることが望ましい。膜厚が10[nm]未満である場合には、接着層14とフレキシブルフィルムとの間で高い密着性が得られないおそれがある。一方、膜厚の上限を200[nm]とした理由は、製造効率に鑑みてのことである。接着層14の形成方法としては、例えば、支持基板13上における周縁領域Xに相当する部分に開口が設けられたマスクを用いて、上記の金属材料等を蒸着またはスパッタにより成膜する方法、支持基板13上全体に亘って上記の金属材料等からなる膜を蒸着またはスパッタにより成膜し、電子素子形成領域Yに相当する膜をエッチングまたは洗浄等で除去する方法が挙げられる。本実施の態様における接着層形成工程においては、支持基板13上の全体に亘って接着層を形成するのではなく、支持基板13の一部に接着層を形成する。したがって、接着層14をマスクを用いて成膜する場合には、支持基板13上の全体に亘って接着層を形成する場合と比較して、必要な接着層材料の量を削減することができるので、製造コストダウンにつながる。特に、大画面の有機EL表示パネルのような大判のフレキシブルデバイスを形成する場合には、大幅なコストダウンが期待できる。<フレキシブルフィルム形成工程>次に、図2b1,b2に示すように、接着層14が形成された支持基板13上に、接着層14が形成された領域よりも広範にフレキシブルフィルム11を形成する。ここで、接着層14が形成された領域よりも広範にとは、接着層14の内周よりも広範に、の意味である。例えば、本実施の態様のように、接着層14が環状をしている場合には、接着層14の環の内周よりも広範にフレキシブルフィルム11を形成する。接着層14およびフレキシブルフィルム11の材料として上述したような材料を用いた場合、これらの層間で相互作用が生じると考えられている。ここでの相互作用とは、例えば、ファンデルワールス力、共有結合、水素結合、双極子相互作用等の分子間力等が考えられる。フレキシブルフィルム11の製造方法としては、フレキシブルフィルムを構成する材料を塗布方法に基づき支持基板13上に塗布することにより形成することが望ましい。塗布方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、グラビア印刷法、ディスペンサー法、ノズルコート法、凹版印刷、凸版印刷等が挙げられる。フレキシブルフィルムを形成する方法としては、塗布工程以外にも、例えば、接着層が形成された支持基板上に板状のフレキシブルフィルムを貼付する方法も考えられる。しかしながら、このような方法を採った場合、接着層が形成されている部分でフレキシブルフィルムが盛り上がることにより、フレキシブルフィルムの平坦性が損なわれるという問題が生じる。一方、フレキシブルフィルム11を塗布方法により形成することで、図2b2に示すように、接着層14が形成されていることによる段差の影響を受けることなく、フレキシブルフィルム11の上面を平坦に仕上げることができる。また、塗布方法によれば、接着層14の段差に沿ってフレキシブルフィルム11を形成することが可能であるので、接着層14とフレキシブルフィルム11との間の密着性をより高くすることができる。<電子素子形成工程>続いて、図2c1,c2に示すように、フレキシブルフィルム11上における電子素子形成領域Yに電子素子12を形成する。本実施の態様における電子素子形成工程には、有機TFT形成工程と有機EL素子形成工程が含まれる。有機TFT形成工程有機TFT形成工程は、ゲート電極形成工程、ゲート絶縁層形成工程、ソース電極及びドレイン電極形成工程、半導体層形成工程を含む。ゲート電極は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。ゲート電極に用いる金属材料としては、例えば、銀、アルミニウム、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金等が挙げられる。ゲート絶縁層は、例えば、酸化シリコン等の公知のゲート絶縁体材料を、スパッタ法により成膜することで得られる。なお、公知のゲート絶縁体材料として、有機高分子材料、及び無機材料のいずれも使用可能である。ソース電極及びドレイン電極は、金属材料をゲート電極の場合と同様に真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。ソース電極及びドレイン電極に用いる金属材料としては、例えば、金、銀、銅、銀とパラジウムと銅との合金、タングステン、モリブデン等が挙げられる。半導体層は、有機半導体材料と溶媒とを含むインクをインクジェット法、スピンコート法等の公知の塗布方法で成膜することにより得られる。有機半導体材料としては、例えば、アセン系誘導体,ポルフィリン,フタロシアニン誘導体等の塗布型低分子材料オリゴマーや、チオフェン系,フルオレン系等の高分子材料等が挙げられる。有機EL素子形成工程有機EL素子形成工程は、陽極形成工程、有機発光層形成工程、陰極形成工程を含む。陽極は、金属材料を真空蒸着法またはスパッタ法で成膜し、その金属材料膜をエッチング等により選択的に除去することで形成される。陽極に用いる金属材料としては、例えば、上記のゲート電極に用いる金属材料で挙げた金属材料等を用いることができる。有機発光層は、陽極上に、有機発光層を構成する有機材料と溶媒とを含むインクを真空蒸着またはインクジェット法で成膜することにより得られる。有機発光層を構成する有機材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物等、特開平5-163488号公報に記載の公知の材料を用いることができる。陰極は、有機発光層上に、透明導電材料をスパッタ法で成膜することにより得られる。陰極に用いる透明導電材料としては、例えば、ITO、IZO等が挙げられる。なお、有機EL素子には必要に応じて、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を含む場合がある。<分離工程>図3a1,a2,b1,b2は分離工程を示している。まず、図3a1,a2に示すように、周縁領域Xに形成された接着層14に裏面側からレーザー光15を照射する。支持基板13と接着層14を透過したレーザー光15によってフレキシブルフィルム11の接着界面近傍が変質するので、支持基板13とフレキシブルフィルム11との間の密着性はレーザー光15照射前よりも低下する。または、接着層14がレーザー光15を吸収しそのエネルギーを熱に変換できる場合は、フレキシブルフィルム11の接着界面近傍の温度が上昇し変質することにより密着性が低下する。あるいは、接着層14がレーザー光15を吸収することに変質することにより、密着性が低下する。これらにより、図3b1,b2に示すように、支持基板13とフレキシブルフィルム11とが分離される。このとき、フレキシブルフィルム11において、接着層14が存在していた部分に対応する領域に間隙11aが形成される。ここで、レーザー光15を吸収することによるフレキシブルフィルム11または接着層14の変質とは、いわゆるフレキシブルフィルム11または接着層14を構成する材料のアブレーションを指している。アブレーションとは、照射光を吸収した材料が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、フレキシブルフィルム11または接着層14の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散気化等の相変化を生じる現象として現れる。また、相変化によってフレキシブルフィルム11または接着層14の構成材料が微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。レーザー光15としては、例えば、YAGレーザーに代表される固体レーザー、エキシマレーザーに代表されるガスレーザー、色素レーザーに代表される液体レーザー、半導体レーザーレーザーダイオード、自由電子レーザー、化学レーザー、金属蒸気レーザー等が挙げられる。なお、図3b1,b2においては、接着層14とフレキシブルフィルム11との界面近傍において剥離が生じることにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11とが分離される場合を図示している。接着層14とフレキシブルフィルム11との界面近傍以外にも、接着層14と支持基板13との界面近傍、または接着層14のZ軸方向における中央部付近で剥離が生じることにより支持基板13とフレキシブルフィルム11とが分離される場合もあり得る。ここで、接着層14とフレキシブルフィルム11との界面近傍において剥離が生じるとは、接着層14とフレキシブルフィルム11との界面で剥離が生じる場合、および接着層14中であって、接着層14のZ軸方向における中央部よりもフレキシブルフィルム11側で剥離が生じる場合が含まれる。同様に、接着層14と支持基板13との界面近傍において剥離が生じるとは、接着層14と支持基板13との界面で剥離が生じる場合、および接着層14中であって、接着層14のZ軸方向における中央部よりも支持基板13側で剥離が生じる場合が含まれる。本実施の態様では、接着層形成工程において、電子素子形成領域Yを囲繞するように周縁領域Xに接着層14を形成する。このようにすることで、分離工程において、電子素子12に対してレーザー光15を照射しないようにすることができる。したがって、レーザー光15照射による電子素子12の損傷を抑制することが可能である。以上、接着層形成工程~分離工程を経ることで、フレキシブルデバイス10が完成する図3c1,c2。<その他>除去工程分離工程終了後、さらに、支持基板13に残存した接着層14を除去する除去工程を含むこととしてもよい。除去工程を行うことにより、接着層形成工程~分離工程を経た支持基板13を、接着層14が形成される前の状態へ戻すことができる。したがって、支持基板13を再利用することができるため、製造コストダウンにつながる。除去工程を行う場合には、接着層14がエッチングまたは洗浄等で簡単に剥離可能な材料で形成されていることが望ましい。接着層14として上述した金属材料を用いた場合には、エッチングまたは洗浄で比較的容易に除去することが可能であるという利点もある。剥離層形成工程フレキシブルフィルム形成工程の前に、さらに、支持基板13上における接着層14の形成が予定された領域を除く領域、または接着層14が形成された領域を除く領域に、剥離層を形成する剥離層形成工程を含むこととしてもよい。剥離層は、分離工程において、支持基板13とフレキシブルフィルム11との分離を容易にする機能を有する。すなわち、剥離層は、剥離層からフレキシブルフィルム11を剥離することを想定した場合の剥離強度が、支持基板13からフレキシブルフィルム11を剥離することを想定した場合の剥離強度よりも小さくなるような材料で構成されている。このような材料としては、例えば、ポリアルキルシロキサン、アルキルシランアルコキシド重合体等が挙げられる。これらの材料は、表面のアルキル官能基の存在により、表面エネルギーが小さい。そのため、これらの材料とフレキシブルフィルム11との界面における相互作用が、支持基板13とフレキシブルフィルム11との相互作用より小さい。その結果、支持基板13とフレキシブルフィルム11との分離が容易になる。剥離層を形成することにより、分離工程において支持基板13からフレキシブルフィルム11を分離する際に、電子素子12が損傷を受けることを抑制することができる。剥離層形成工程は、接着層形成工程前、または接着層形成工程とフレキシブルフィルム形成工程との間に行うことができる。接着層形成工程前に行う場合は支持基板13上における接着層14の形成が予定された領域を除く領域に、接着層形成工程とフレキシブルフィルム形成工程との間に行う場合は接着層14が形成された領域を除く領域に剥離層を形成することになる。[変形例その他]以上、実施の態様について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。1上記の実施の態様においては、支持基板の最外縁に接着層を設けることしたが、本発明はこれに限定されない。接着層は、支持基板上における周縁領域であって、電子素子の形成が予定された領域に対応する支持基板上の領域外の周縁領域に形成されていればよい。例えば、矩形状の支持基板上に円環状の接着層を形成するような場合も含まれる。すなわち、支持基板上における周縁領域とは、支持基板を平面視した場合における、電子素子が形成される中央領域を除いた領域を指す。2上記の実施の態様においては、接着層を支持基板の形状に沿って、矩形の環状枠状に形成することとしたが、本発明はこれに限定されない。これ以外にも例えば、円環状、三角形の枠状、多角形の枠状等がある。3上記の実施の態様においては、接着層を、電子素子の形成が予定された領域に対応する支持基板上の領域を完全に囲繞するように形成することとしたが、本発明はこれに限定されない。支持基板とフレキシブルフィルムとの密着性が損なわれない程度に、破線状や一点鎖線状のように不連続に接着層を形成することとしてもよい。また、例えば、上記実施の態様のように、支持基板の形状が矩形である場合には、接着層は必ずしも四辺に形成されている必要はなく、向かい合う二辺のみに接着層が形成されていることとしてもよい。さらに、支持基板の形状が円形である場合には、例えば、半円弧状または弧状に接着層が形成されていることとしてもよい。なお、実施の態様にて支持基板の最外縁の領域に連続的に接着層を形成する例を示した理由は、支持基板における最外縁の領域が、電子素子形成工程において支持基板とフレキシブルフィルムとの接合が維持されにくい箇所であるからである。すなわち、支持基板とフレキシブルフィルムとの界面の中で、支持基板における最外縁の領域とこれに接合しているフレキシブルフィルムとの界面が最も外れやすい。4一般的に、接着層として樹脂系の接着剤を用いた場合と比較して、実施の態様のように接着層を構成する材料として金属材料等を用いた場合、接着層の膜厚を薄くすることができる。そのため、仮に、支持基板状に板状のフレキシブルフィルムを貼付することとしたとしても、接着層が形成されている部分でフレキシブルフィルムが盛り上がることによる、フレキシブルフィルムの平坦性に与える影響は小さい。5上記の実施の態様においては、電子素子形成工程に有機EL素子形成工程および有機TFT形成工程が含まれることとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、これらの形成工程のいずれかを欠いている、もしくは、別の工程を含んでいることとしてもよい。また、上記の実施の態様においては、電子素子として、有機TFTおよび有機EL素子を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。これら以外の素子としては、例えば、酸化物TFT、アモルファスシリコンTFT、ポリシリコンTFT等が挙げられる。6上記の実施の態様において説明した有機EL素子の製造方法は、単なる一例であり、他の構成要素を形成する工程が含まれていてもよい。また、上記の実施の態様においては、陰極側から光を取り出す方式の有機EL素子の製造方法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。この他の方式としては、例えば、陽極側から光を取り出す方式、陽極側および陰極側の両方から光を取り出す方式等がある。7本明細書における接着層はAからなるには、接着層がAのみを含有している場合だけでなく、製造工程において通常レベルで混入し得る程度に微量の不純物が混入している場合も含まれる。例えば、接着層は金属または金属酸化物からなるには、接着層に金属または金属酸化物のみを含有している場合だけでなく、微量の不純物が混入している場合も含まれる。8一枚のフレキシブルフィルム上に複数の電子素子を形成する場合には、その複数の電子素子からなる電子素子群の形成が予定された領域に相当する支持基板上の領域外に接着層が形成されていればよい。このことについて図4を用いて説明する。図4は、複数の電子素子を形成する場合における電子素子形成工程および分離工程を示す模式図である。図4a1,a2は電子素子形成工程、図4b1,b2は分離工程をそれぞれ示している。また、図4c1,c2は、複数の電子素子が形成されたフレキシブルフィルム11を切断する切断工程を示している。さらに、図4a1,b1,c1は斜視図であり、図4a2,b2,c2はそれぞれ、図4a1,b1,c1におけるB-B’線矢視断面図ZX断面図である。図4a1,a2に示すように、複数の電子素子12Aからなる電子素子群の形成が予定された領域Zに相当する支持基板13上の領域外の周縁領域に接着層14が形成されている。そして、接着層14が形成された領域よりも広範にフレキシブルフィルム11が形成されている。電子素子形成工程においては、フレキシブルフィルム11上における接着層14が形成された領域の内側に対応する領域に複数の電子素子12Aを形成する。図4b1,b2に示す分離工程においては、接着層14に裏面側からレーザー光を照射することにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11とを分離する。図4c1,c2に示す分離工程においては、接着層14が形成された領域の内側に対応する領域で、かつ、電子素子12Aが形成された領域の外側でフレキシブルフィルム11をカッター16で切断する。図4に示す例では、フレキシブルフィルム11を格子状に切断する。カッター16としては、例えばレーザーカッター、金属製刃物等を用いることができる。以上説明したように、電子素子を複数形成する場合には、切断工程における切断位置に沿って格子状に接着層が形成されている必要はなく、電子素子群が形成されている領域の最外周に対応する領域にのみ形成されていればよい。なお、図4においては、フレキシブルフィルム11上に電子素子12Aを4個形成することとしたが、これは単なる例示であり、適宜形成する個数を変更することができる。9上記の実施の態様で使用している、材料、数値等は好ましい例を例示しているだけであり、この態様に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。なお、数値範囲を示す際に用いる符号~は、その両端の数値を含む。"