"i金、マグネシウム、及び白金から選択される少なくとも1つの元素と銅とを含む混合物並びに銅から選択される金属を含む銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素と500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒を形成する工程、及びii前記ケイ素含有銅触媒をハロゲン化水素と100~600°Cで接触させ、トリハロシランを形成する工程を、別個に連続して含む、トリハロシランの調製方法。iii工程iiにおいて前記ハロゲン化水素と接触させた前記ケイ素含有銅触媒を、前記水素ガス及び前記四ハロゲン化ケイ素と500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含む前記ケイ素含有銅触媒を改質する工程、及びiv前記改質されたケイ素含有銅触媒を前記ハロゲン化水素と100~600°Cの温度において接触させ、トリハロシランを形成する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。工程iii及びivの少なくとも1回の反復を更に含む、請求項2に記載の方法。工程ivにおける、前記改質されたケイ素含有銅触媒と前記ハロゲン化水素との接触の前に、パージすることを更に含む、請求項2又は3に記載の方法。前記パージが、アルゴン又は四塩化ケイ素によって行われる、請求項4に記載の方法。工程iiにおける、前記ケイ素含有銅触媒と前記ハロゲン化水素との接触の前に、パージすることを更に含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記パージが、アルゴン又は四塩化ケイ素によって行われる、請求項6に記載の方法。前記銅触媒が、担体を更に含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記銅触媒が、0.1~35w/wの前記混合物を含み、当該混合物が、銅、金及びマグネシウムを含む、請求項8に記載の方法。前記担体が、活性炭である、請求項8又は9に記載の方法。前記ケイ素含有銅触媒が、1~5w/wのケイ素を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。工程iにおける水素対四ハロゲン化ケイ素のモル比が、20:1~5:1である、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。工程iiが、水素の存在下行われる、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。前記トリハロシランが、式HSiX3[式中、Xが、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素である]を有する、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記ハロゲン化水素が、HClであり、前記四ハロゲン化ケイ素が、SiCl4であり、前記トリハロシランが、HSiCl3である、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。前記トリハロシランを回収することを更に含む、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。前記水素及び四ハロゲン化ケイ素の滞留時間が、1~10sであり、前記ハロゲン化水素の前記滞留時間が、1~10sである、請求項1~16のいずれか一項に記載の方法。工程iiにおける前記接触が、7~1000kPagの圧力で行われる、請求項1~17のいずれか一項に記載の方法。工程iが、7~1000kPagの圧力で行われる、請求項1~18のいずれか一項に記載の方法。したがって、ゼロ価ケイ素使用の必要性を避ける、より経済的なトリハロシランの製造方法の要求がある。本発明は、i金、マグネシウム、及び白金から選択される少なくとも1つの元素と銅とを含む混合物並びに銅から選択される金属を含む銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素と500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒を形成する工程、及びiiケイ素含有銅触媒をハロゲン化水素と100~600°Cの温度で接触させ、トリハロシランを形成する工程の、別個の連続した工程を含むトリハロシランの調製方法を目的とする。本発明の方法は、四ハロゲン化ケイ素を使用してトリハロシランを製造する。四ハロゲン化ケイ素は、工業プロセスの副生成物であり、ゼロ価ケイ素の製造に要求されるより少ないエネルギーで製造され得る。したがって、この発明の方法は、以前のトリハロシランの製造のプロセスと比較してより経済的であり得る。この発明の方法により製造されるトリハロシランは、太陽電池又は電子チップにおいて使用される高純度ポリシリコンの製造に使用することができ、あるいは多くの工業及び応用において用途が見いだされるポリシロキサンを製造するために既知のプロセスにより加水分解することができる。下記の別個の連続する工程を含むトリハロシランの調製方法である。i金、マグネシウム、及び白金から選択される少なくとも1つの元素と銅とを含む混合物並びに銅から選択される金属を含む銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素と500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒を形成する工程、及びiiケイ素含有銅触媒をハロゲン化水素と100~600°Cの温度で接触させ、トリハロシランを形成する工程。工程iにおいて、金、マグネシウム、及び白金から選択される少なくとも1つの元素と銅とを含む混合物並びに銅から選択される金属を含む銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素と500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒を形成する。銅触媒は、金、マグネシウム、及び白金から選択される少なくとも1つの元素と銅とを含む混合物並びに銅から選択される金属を含む。混合物は、典型的には、混合物の全重量に基づき、0.1~100w/w未満、あるいは、50~100w/w未満、あるいは、70~100w/w未満、あるいは、80~99.9w/w未満の銅を含み、混合物の残部は、上述の元素のうちの少なくとも1つである。銅触媒は、担体を更に含んでよい。担体の例としては、これらに限定されるものではないが、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、及びケイ素の酸化物;活性炭;カーボンナノチューブ;フラーレン、グラフェン及び炭素の他の同素形が挙げられる。1つの実施形態においては、担体は、活性炭である。銅触媒が担体を含む場合には、触媒は、担体及び銅又は混合物の総合重量に基づき、典型的には、0.1~100w/w未満、あるいは0.1~50w/w、あるいは0.1~35w/wの銅又は混合物を含む。銅触媒は、塊、顆粒、フレーク、及び粉末を含むが、これらに限定されず、種々の物理形状を持つことができる。本明細書において使用するとき、用語金属は、ゼロ価金属、金属化合物、又はゼロ価金属と金属化合物の組み合わせを指す。金属の酸化数は、例えば、0から元素の周期表における金属の族番号に等しい酸化数まで変わることができ、あるいは酸化数は0から2、あるいは酸化数は銅、金及び白金に関しては0、及びマグネシウムに関しては2である。担持されていない銅触媒の例として、これらに限定されないが、ゼロ価銅、ゼロ価銅と金属金の混合物;ゼロ価銅、ゼロ価金及び塩化マグネシウムの混合物、並びにゼロ価銅とゼロ価白金の混合物が挙げられる。担持銅触媒の例として、活性炭担体上の上述の非担持銅触媒が挙げられる。非担持及び担持銅触媒は、当該技術分野において既知のプロセスにより作製することができる。例えば、非担持触媒の作製には、金属銅、金属金、塩化マグネシウム、及び金属白金を混合して銅触媒を形成してよい。別の方法としては、銅、金、マグネシウム、及び白金のハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩、及びカルボン酸塩を含むが、これらに限定されない、金属塩を望ましい割合で混合し、次いで典型的には500°C前後の高温において水素により還元してもよい。担持銅触媒作製のための1つのこれらの還元方法を以下に述べる。この方法では、塩化マグネシウムなどの幾つかの塩が、他は還元されるが、還元されずに残る。担持銅触媒は、例えば、塩化第二銅などの銅塩を、水又は酸などの溶媒に溶解し、この銅塩溶液を担体に適用し、次いで担体表面上の銅塩を還元して調製してもよい。例えば、CuCl2を水又は塩酸に溶解し、活性炭と混合してもよい。過剰のCuCl2溶液を除去し、次いで活性炭-CuCl2混合物を乾燥してもよい。CuCl2を活性炭上で、水素により典型的には約500°Cの高温において還元し、担持銅触媒を得てもよい。担持触媒を調製するために、添加及び還元の異なる順序並びに塩の多段階添加とそれに引き続く還元もまた行い得ることを当業者は、理解するであろう。これに加えて、別個の担体上の別個の金属を別個に還元し、次いで別個に担持された金属を混合して銅触媒を形成することにより、担持銅触媒が調製できると、想到される。担持金属触媒を作る方法は、以下の実施例の項にも詳細に記載されている。これらの触媒の幾つかは、市場でも購入できる。四ハロゲン化ケイ素は、式SiX4[式中、Xが、塩素、臭素、フッ素、又はヨウ素、あるいは塩素、臭素、又はヨウ素、あるいは塩素である]を有する。四ハロゲン化ケイ素の例としては、これらに限定されないが、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四ヨウ化ケイ素、及び四フッ化ケイ素が挙げられる。1つの実施形態において、四ハロゲン化ケイ素は、四塩化ケイ素である。工程iの反応装置は、ガスと固体との混合に適したどのような反応装置でもよい。例えば、反応装置の形体は、充填床、撹拌床、振動床、移動床、再循環床、又は流動床であってよい。再循環床を使用する場合には、ケイ素含有銅触媒は、工程iを行う床から工程iiを行う別の床へ循環することができる。反応を促進するために、反応装置には、反応領域の温度を制御する手段が必要である。水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させる温度は、典型的には、500~1400°C、あるいは600~1200°C、あるいは650~1100°Cである。水素及び四ハロゲン化ケイ素が銅触媒と接触する圧力は、亜大気圧、大気圧、又は超大気圧であってよい。例えば、圧力は、典型的には、大気圧から4000キロパスカルゲージkPag、あるいは0~2000kPag、あるいは7~1000kPagである。銅触媒に接触する水素対四ハロゲン化ケイ素のモル比は、典型的には、10,000:1~0.01:1、あるいは100:1~1:1、あるいは20:1~2:1、あるいは20:1~5:1である。水素と四ハロゲン化ケイ素の滞留時間は、水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させケイ素含有銅触媒を形成させるのに十分な時間である。例えば、水素及び四ハロゲン化ケイ素の十分な滞留時間は、典型的には、少なくとも0.01秒s、あるいは少なくとも0.1秒、あるいは0.1秒~10分min、あるいは0.1秒~1分、あるいは1秒~10秒である。本明細書において使用するとき、滞留時間は、反応ガスすなわち、水素及び四ハロゲン化ケイ素の1反応装置容量が銅触媒を充填した反応装置を通過する時間を指す。望ましい滞留時間は、水素及び四ハロゲン化ケイ素の流量を調節することにより達成できる。水素及び四ハロゲン化ケイ素は、典型的には、反応装置へ同時に供給されるが、しかし、別個のパルスなどによる他の混合方法も想定できる。銅触媒は、十分な量存在する。本明細書において使用するとき、銅触媒の十分な量は、水素及び四ハロゲン化ケイ素を銅触媒と接触させるとき、ケイ素含有銅触媒を形成するのに十分な、以下に記載の、触媒である。例えば、触媒の十分な量は、少なくとも触媒0.01mg/反応装置容積cm3、あるいは少なくとも触媒0.5mg/反応装置容積cm3、あるいは触媒1~10,000mg/反応装置容積cm3である。工程iを行うための時間の上限はない。例えば、工程iは通常、少なくとも0.1秒、あるいは1秒~5時間、あるいは1分~1時間、行われる。工程iでは、どのような担体も含めケイ素含有銅触媒の全重量に基づき、少なくとも0.1w/w、あるいは0.1~90w/w、あるいは1~20w/w、あるいは1~5w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒が製造される。ケイ素含有銅触媒中のケイ素の百分率は、標準的な分析試験により測定することができる。例えば、ケイ素の百分率は、誘導結合プラズマ発光分光法ICP-AES及びICP質量分析ICP-MSを使用して、測定することができる。この方法の工程iiにおいて、上の工程iに記載されたケイ素含有銅触媒は、ハロゲン化水素と100~600°Cの温度で接触させられ、トリハロシランを形成する。ハロゲン化水素は、式HX[式中、Xが、四ハロゲン化ケイ素に関して上で定義したものであり、四ハロゲン化ケイ素に関するものと同じでも異なっていてもよい]を有する。ハロゲン化水素の例としては、塩化水素、臭化水素、及びヨウ化水素が挙げられるが、これらに限定されない。iiにおける使用に好適な反応装置は、iについて記載したようなものである。工程iiで使用されるのと同じ反応装置を工程iで使用してもよいが、しかし、別の反応装置を使用してもよい。典型的には、工程iで製造されたケイ素含有銅触媒を含む反応装置にハロゲン化水素を供給することにより、ケイ素含有銅触媒とハロゲン化水素とを接触させる。ハロゲン化水素の滞留時間は、ハロゲン化水素がケイ素含有銅触媒と反応してトリハロシランを形成するのに十分な時間である。例えば、ハロゲン化水素の十分な滞留時間は、典型的には、少なくとも0.01秒、あるいは少なくとも0.1秒、あるいは0.5秒~10分、あるいは1~60秒、あるいは1~10秒である。望ましい滞留時間は、ハロゲン化水素の流量を調節することにより達成できる。ハロゲン化水素をケイ素含有銅触媒に接触させる温度は、典型的には、100~600°C、あるいは200~500°C、あるいは250~375°Cである。工程iiは、典型的には、ケイ素含有銅触媒中のケイ素が所定の限界値を下回るまで行われる。例えば、工程iiは、典型的には、ケイ素含有銅触媒中のケイ素がその初期重量の90w/w未満、あるいは1~90w/w、あるいは1~40w/wになるまで、行われる。本明細書において使用するとき、ケイ素含有銅触媒中のケイ素の初期重量は、工程iiにおける、ハロゲン化水素と接触させる前のケイ素含有銅触媒中のケイ素の重量を意味する。工程iiにおける、ハロゲン化水素と接触させたケイ素含有触媒中のケイ素の量は、工程iのケイ素含有触媒に関して記載されたように測定され得る。iiにおける、ハロゲン化水素がケイ素含有銅触媒と接触する圧力は、亜大気圧、大気圧、又は超大気圧であることができる。例えば、圧力は、典型的には、大気圧~4000kPag、あるいは0~2000kPag、あるいは7~1000kPagである。ケイ素含有銅触媒は、十分な量存在する。本明細書において使用するとき、ケイ素含有銅触媒の十分な量は、ハロゲン化水素と接触させたときに、トリハロシランの形成に十分な以下に記載の触媒量である。例えば、ケイ素含有銅触媒の十分な量は、少なくともケイ素含有銅触媒0.01mg/反応装置容量cm3、あるいは少なくともケイ素含有銅触媒0.5mg/反応装置容量cm3、あるいはケイ素含有銅触媒1~10,000mg/反応装置容量cm3である。1つの実施形態においては、工程iiは、水素の存在下行われる。存在する場合には、水素及びハロゲン化水素は、少なくとも0.05:1、あるいは0.05:1~50:1、あるいは0.25:1~20:1、あるいは2:1~10:1の水素対ハロゲン化水素のモル比である。水素及びハロゲン化水素が一緒の場合の滞留時間、圧力、温度及び他のパラメーターは、ハロゲン化水素に関して上に記載した通りである。この方法の工程i及び工程iiは、別個に連続して行われる。本明細書において使用するとき、別個には、工程i及び工程iiが重複又は同時ではないことを意味する。本明細書において使用するとき、連続しては、この方法において工程iiが工程iの後に実行されることを意味する。しかし、工程i及びiiの間に、以下に記載するような追加の工程が実行されてよい。この発明の方法はまた、工程iiにおける、ケイ素含有銅触媒とハロゲン化水素との接触の前に、及び下に記載のivにおける、改質されたケイ素含有触媒とハロゲン化水素との接触の前に、パージすることを含んでもよい。本明細書において使用するとき、パージはケイ素含有銅触媒を含む反応装置にガス流を導入し、望ましくない材料を除去することを意味する。望ましくない材料は、例えば、O2及びH2Oである。パージは、アルゴン、窒素、若しくはヘリウムなどの不活性ガス、又は水蒸気と反応し、それを除去する四塩化ケイ素などの反応性ガスにより達成することができる。1つの実施形態において、この方法は、工程iii;工程iiにおいてハロゲン化水素と接触させたケイ素含有銅触媒を、水素ガス及び四ハロゲン化ケイ素を含む混合物に500~1400°Cの温度において接触させ、少なくとも0.1w/wのケイ素を含むケイ素含有銅触媒を改質する工程、及び工程iv;改質されたケイ素含有銅触媒をハロゲン化水素と100~600°Cの温度において接触させ、トリハロシランを形成する工程を更に含む。他の実施形態において、本発明の方法は、工程iii及びivの繰り返しを少なくとも1回、あるいは1~105回、あるいは1~1000回、あるいは1~100回、あるいは1~10回、更に含む。この方法は、工程i及びiiiにおける、銅触媒との接触の前に、四ハロゲン化ケイ素を公知の方法により予備加熱し、ガス化することを、更に含むことができる。あるいは、プロセスは、工程iにおける、銅触媒との接触の前に、及び工程iiiにおける、ケイ素含有銅触媒との接触の前に、水素を四ハロゲン化ケイ素に通して泡立たせ、四ハロゲン化ケイ素を蒸発させることを、更に含むことができる。プロセスは、製造されたトリハロシランを回収することを更に含むことができる。トリハロシランは、例えば、ガス状トリハロシラン及び任意の他のガスを反応装置から取りだし、次いでトリハロシランを蒸留により分離して回収することができる。上に記載し例示したプロセスにより製造されるトリハロシランは、式HSiX3[式中、Xが、四ハロゲン化ケイ素に関して定義し例示した通りである]を有する。本プロセスにより調製されるトリハロシランの例として、HSiCl3、HSiBr3、及びHSiI3が挙げられるが、これらに限定されない。本発明の方法は、四ハロゲン化ケイ素からトリハロシランを製造する。四塩化ケイ素などの四ハロゲン化ケイ素は他の工業プロセスの副生成物であり、ゼロ価ケイ素の製造に要求されるより少ないエネルギーで製造され得るので、発明の方法はゼロ価ケイ素を使用するトリハロシランの製造方法より、より経済的であり得る。本発明のプロセスは、高純度ポリシリコンの作製に使用できる、又はポリシロキサンの製造のために公知の方法により加水分解できるトリハロシランを製造する。高純度ポリシリコンは、例えば、太陽電池及びコンピュータチップに用途が見いだされ、ポリシロキサンは多くの工業及び応用に用途が見いだされる。下記の実施例は、本発明の方法をよりよく説明するために示されるものであり、添付の特許請求の範囲内において示される発明を制限するものと考えられるべきではない。特に断りのない限り、実施例に記録されるすべての部及び百分率は重量による。次の表において、実施例で使用される略称及び用語を説明する。銅、金、及びマグネシウムを含む銅触媒の製造方法CuCl22H2O99、1.0526g、0.0192gのAuCl399、及び0.0357gのMgCl26H2O99.995を2.1mLの脱イオンH2O及び0.1mLの濃HClに溶解し、金属塩混合物を作った。次いで、この金属塩混合物を1.1734gの活性炭に加えた。活性炭により吸着されなかった過剰な液体を軽くふきとり、次いで、活性炭を175°Cで乾燥させた。乾燥活性炭の最終乾燥重量は、1.9355gであった。活性炭及び充填した金属溶液の出発重量に基づく活性炭上の金属の充填は、22.3w/wCu、0.71w/wAu、及び0.24w/wMgと計算された。金属を充填した活性炭0.77gを石英ガラス管に詰め、流通式反応装置に入れた。触媒の活性化及び還元は、100sccmMKS1179Aマスフローコントローラによる制御のH2を反応装置中の触媒を含むガラス管に、600°Cで5時間流して行った。Lindberg/BlueMinimiteの1インチ2.54cmの管状炉を使用して加熱した。反応装置反応装置は、流通式反応装置中に内径4.8mmの石英ガラス管を有していた。反応管をLindberg/BlueMinimiteの2.54cmの管状炉を使用して加熱した。ガス流速を制御するために、MKS1179Aマスフローコントローラを使用した。ステンレス鋼製のSiCl4バブラーを使用して、SiCl4をH2ガス流に導入した。SiCl4のH2ガス流中の量は、よく知られた熱力学の原理を使用する計算に従って、泡立て器中のSiCl4の温度を変化させ調節した。大気圧を超える圧力で行った反応では、背圧調節器0~500psig0~3447.4kPa等級のGO型Hastelloy登録商標を反応装置の終端に導入した。反応装置流出物は、Vici製6方作動バルブを通した。試薬実施例に使用した活性炭、CuCl22H2O、AuCl3及びMgCl26H2O並びに他の試薬は、SigmaAldrichMilwaukee、WIから購入した。生成物の分析生成物及び副生成物を含む反応装置からの流出物を、廃棄前に、100μLの一定量の注入ループを有する6方作動バルブViciを通した。注入バルブを作動させて試料を反応流から採取し、分析のために100μLの試料を注入口におけるスプリット比を5:1として、Agilentの6890A型GCの注入口に直接通した。GCには出口でスプリットする30mのRtx-DCAカラムRestek、内径320μm、厚さ1μmのフィルムが1本取り付けられていた。1つの流路は反応生成物の定量のためにTCDに繋がり、他の流路は水素炎イオン化検出器に繋がっていた。流量既知の熱力学の原理並びに標準温度及び圧力における水素及びSiCl4の流量を使用して、流量比を測定した。実施例1活性炭に担持された22.3w/wのCu、0.71w/wのAu、及び0.24w/wのMgの混合物を含む銅触媒0.6085gを、上に記載の通りに調製した。次いで、H2100sccmを液体SiCl4を含むステンレス鋼製泡立て器を通して約0°Cで泡立たせ、銅触媒を含む750°Cの流通式反応装置に流し込み、H2対SiCl4のモル比を16:1として、H2及びSiCl4により、30分間銅触媒を処理して、約4w/wのSiを含むケイ素含有銅触媒を形成した。30分後、SiCl4の流れを止め、水素の流れを約1時間保持し、この間に反応装置を300°Cまで冷却した。次いで、50sccmのアルゴン流により、ケイ素含有銅触媒を含む反応装置を約15分間パージした。パージ後、HClを5sccmの流速で反応装置に供給し、通過させた。反応流出物を定期的にGCにより分析し、HSiCl3の選択性を測定した。シランの生成速度が低下した後、HClの供給を止め、ケイ素含有銅触媒を再度H2及びSiCl4に30分間、750°Cで接触させ、ケイ素含有銅触媒を改質した。次いで、改質されたケイ素含有銅触媒をアルゴンでパージし、再度上に記載したようにHClと接触させた。ケイ素含有銅触媒を形成するための銅触媒のH2及びSiCl4による処理工程i、及び形成されたケイ素含有触媒のHClへの暴露工程iiのこのサイクルを6回繰り返した。幾つかのサイクルでは、水素又はアルゴンをHClとともに触媒に供給した。それぞれのサイクル条件及び選択性の結果を表2に示す。この実施例は、SiCl3が、選択性よく生成し得ること、ハロゲン化水素とともに水素を加えることの利益、及びケイ素含有銅触媒が繰り返し再生できることを、示している。-材料の残部は、メチル化されたケイ素含有生成物である。実施例2活性炭上に16.5のCu、0.7のAu、及び0.2のMgを含む触媒を調製し、H2対SiCl4のモル比を10:1とするためにステンレス鋼製泡立て器を23°Cとしたこと、及び時間を表3に示すように変化させたことを除き、実施例1に記載したように処理して、約4w/wのSiを含むケイ素含有銅触媒を形成した。工程2において、ケイ素含有銅触媒を、実施例1のように、しかし表3に記載したパラメーターを使用し、かつすべてのサイクルを300°Cとして反応させた。この実施例は、HSiCl3が、選択性よく生成し得ること、ハロゲン化水素とともに水素を加えることの利益、及びケイ素含有銅触媒が繰り返し再生できることを、示している。実施例3活性炭上に15.2w/wのPt及び1.4w/wのCuを含む触媒を調製し、表4に記載した条件で実施例1のように接触させ、生成物をGC-MSで分析した。表4に記載したもの以外の他のシランは、第2工程後の流出液には検出されなかった。この実施例は、HSiCl3が、選択性よく生成し得ること、及びケイ素含有銅触媒が繰り返し再生できることを示している。実施例4活性炭上に16.3w/wのCu、0.7w/wのAu、及び0.2w/wのMgを含む触媒を調製し、H2対SiCl4のモル比を10:1とするためにステンレス鋼製泡立て器を22°Cとしたこと、及び時間を表3に示すように変化させたことを除き、実施例1に記載したように処理して、約4w/wのSiを含むケイ素含有銅触媒を形成した。工程2において、実施例1のように、しかし表5に記載したパラメーターを使用し、かつすべてのサイクルを300°Cとしてケイ素含有銅触媒を反応させた。実施例5活性炭上に17.3w/wのCu、0.7w/wのAu、及び0.2w/wのMgを含む触媒を調製し、H2対SiCl4のモル比を10:1とするためにステンレス鋼製泡立て器を23°Cとしたこと、及び時間を表6に示すように変化させたことを除き、実施例1に記載したように処理して、約4w/wのSiを含むケイ素含有銅触媒を形成した。工程2において、ケイ素含有銅触媒を、実施例1のように、しかし表6に記載したパラメーターを使用し、かつすべてのサイクルを300°Cとして反応させた。"