第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に、前記第2の半導体層と直接する透明電極と、当該透明電極上に形成された絶縁層と、当該絶縁層の上に形成され前記絶縁層中に設けられた第1の開口部において前記第1の半導体層と直接接する第1の電極層と、前記絶縁層の上に形成され前記絶縁層中に設けられた第2の開口部において前記透明電極と直接接する第2の電極層とを具備し、平面視における略矩形形状の発光素子であって、前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、前記略矩形形状の対向する2辺に平行に延伸した2本の直線に沿ってそれぞれ形成された部分を具備し、前記透明電極には、前記2本の直線の間において、前記2本の直線と垂直の方向に延伸する透明電極開口部が複数形成されたことを特徴とする発光素子。前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、前記2本の直線にそれぞれ平行に延伸する線状の形態をなす線状部と、当該線状部よりも幅が太くされたパッド部と、をそれぞれ具備することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記2辺は前記略矩形形状の長手方向に沿った2辺であり、前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、それぞれ前記2辺側の端部側に形成されたことを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方は、前記2辺に挟まれた中央部に形成され、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方は、前記2辺側の両端部側に形成されたことを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記第1の電極層におけるパッド部及び前記第2の電極層におけるパッド部は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方が延伸する線上に形成されたことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記第1の電極層におけるパッド部及び前記第2の電極層におけるパッド部は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方が延伸する線上における前記2辺と垂直な2辺側の両端部側にそれぞれ形成され、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方と直接接続された前記第1の電極層、前記第2の電極層の一方における前記パッド部が設けられた側と対向する辺側において、当該対向する辺側に沿った屈曲部を具備することを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方の先端部と前記屈曲部の先端部との間の距離が、前記屈曲部が設けられた前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方における前記略矩形形状の対向する2辺に平行に延伸した2本の直線に沿って形成された部分と前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方までの間隔と、略等しくされたことを特徴とする請求項6に記載の発光素子。前記第1の半導体層は、エピタキシャル成長によって基板上に形成されたことを特徴とする請求項2から請求項7までのいずれか1項に記載の発光素子。前記線状部が延伸する一方向の延長上における前記基板上に、前記基板上における半導体層が部分的に除去された素子分離領域を挟んで、ダイオードが形成され、前記第1の電極層及び前記第2の電極層は前記素子分離領域を越えて前記ダイオードが形成された領域上に延伸し、前記半導体発光機能層を用いて形成された発光ダイオードと前記ダイオードとは、順方向が逆向きとなるべく並列に接続されたことを特徴とする請求項8に記載の発光素子。前記パッド部は、前記ダイオードが形成された領域上に形成されたことを特徴とする請求項9に記載の発光素子。前記第1の半導体層はn型窒化物半導体で構成され、前記第2の半導体層はp型窒化物半導体で構成されたことを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載の発光素子。特許文献1に記載の技術においては、網目状の透明電極が用いられる。前記の通り、透明電極の電気抵抗は高いため、この網目状とされた箇所における抵抗は更に高くなる。このため、これに起因した局所的な電流の不均一が発生する。また、これにより、局所的な発熱や、発光ダイオードにおける順方向降下電圧VFの局所的な変動等が発生しやすくなる。この傾向は、p型半導体層に凹部を設けた場合には更に顕著となる。すなわち、特許文献1に記載の構造においても、電流の不均一に起因した発光の不均一の解消は不充分である。特許文献2に記載の技術においては、光に対して不透明なp側電極とn側電極が多数本形成されるため、発光効率は大きく低下する。また、p側電極とn側電極に挟まれた狭い領域にのみ電流が集中するため、局所的に見ると発光の不均一や電流集中による発熱の問題が発生する。すなわち、半導体発光機能層の一方の面に2つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得ることは困難であった。こうした問題は、特に発光面積が広い場合に顕著である。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の発光素子は、第1の導電型をもつ第1の半導体層上に前記第1の導電型とは逆の導電型である第2の導電型をもつ第2の半導体層が形成された半導体発光機能層が用いられ、前記半導体発光機能層における前記第2の半導体層が形成された側の主面上に、前記第2の半導体層と直接する透明電極と、当該透明電極上に形成された絶縁層と、当該絶縁層の上に形成され前記絶縁層中に設けられた第1の開口部において前記第1の半導体層と直接接する第1の電極層と、前記絶縁層の上に形成され前記絶縁層中に設けられた第2の開口部において前記透明電極と直接接する第2の電極層とを具備し、平面視における略矩形形状の発光素子であって、前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、前記略矩形形状の対向する2辺に平行に延伸した2本の直線に沿ってそれぞれ形成された部分を具備し、前記透明電極には、前記2本の直線の間において、前記2本の直線と垂直の方向に延伸する透明電極開口部が複数形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、前記2本の直線にそれぞれ平行に延伸する線状の形態をなす線状部と、当該線状部よりも幅が太くされたパッド部と、をそれぞれ具備することを特徴とする。本発明の発光素子において、前記2辺は前記略矩形形状の長手方向に沿った2辺であり、前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、それぞれ前記2辺側の端部側に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方は、前記2辺に挟まれた中央部に形成され、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方は、前記2辺側の両端部側に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の電極層におけるパッド部及び前記第2の電極層におけるパッド部は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方が延伸する線上に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の電極層におけるパッド部及び前記第2の電極層におけるパッド部は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方が延伸する線上における前記2辺と垂直な2辺側の両端部側にそれぞれ形成され、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方と直接接続された前記第1の電極層、前記第2の電極層の一方における前記パッド部が設けられた側と対向する辺側において、当該対向する辺側に沿った屈曲部を具備することを特徴とする。本発明の発光素子は、前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方の先端部と前記屈曲部の先端部との間の距離が、前記屈曲部が設けられた前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの他方における前記略矩形形状の対向する2辺に平行に延伸した2本の直線に沿って形成された部分と前記第1の開口部、前記第2の開口部のうちの一方までの間隔と、略等しくされたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の半導体層は、エピタキシャル成長によって基板上に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子は、前記線状部が延伸する一方向の延長上における前記基板上に、前記基板上における半導体層が部分的に除去された素子分離領域を挟んで、ダイオードが形成され、前記第1の電極層及び前記第2の電極層は前記素子分離領域を越えて前記ダイオードが形成された領域上に延伸し、前記半導体発光機能層を用いて形成された発光ダイオードと前記ダイオードとは、順方向が逆向きとなるべく並列に接続されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記パッド部は、前記ダイオードが形成された領域上に形成されたことを特徴とする。本発明の発光素子において、前記第1の半導体層はn型窒化物半導体で構成され、前記第2の半導体層はp型窒化物半導体で構成されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、半導体発光機能層の一方の面に2つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得ることができる。以下、本発明の実施の形態となる発光素子につき説明する。この発光素子は、半導体発光機能層における一方の主面側にp側電極アノードとn側電極カソードが共に形成される。また、半導体発光機能層における発光面は矩形形状をなしている。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態となる発光素子10の上面側から見た平面図である。また、この平面図におけるA-A方向、B-B方向、C-C方向、D-D方向の断面図がそれぞれ図2a~dである。更に、この構成におけるn型GaN層第1の半導体層21、p型GaN層22、透明電極30、絶縁層40、電極p側電極51、n側電極52をそれぞれ上面一方の主面:発光が主として取り出される側から見た平面図が図3a~eである。この発光素子10は平面視において図1中で左右方向に長い矩形形状である。この発光素子10において発光する半導体発光機能層20は、基板11上に形成され、n型GaN層第1の半導体層、以下、n型層と略21、MQWMultiQuantumWell層23、p型GaN層第2の半導体層、以下、p型層と略22からなる積層構造をもつ。この構成における主たる発光層はMQW層23である。また、基板11としては、例えば、サファイア、SiC、Si等、n型GaN層21をこの上にヘテロエピタキシャル成長させることのできる材料を用いることができる。ここで、図3aに示されるように、基板11上のn型層21は図1の構成の全面にわたり形成されている。基板11も同様である。p型層22は、図1、図2c、図3b中の上辺側に沿ったリセス領域60において部分的に除去されている。MQW層23についても同様である。このため、リセス領域60においては、半導体発光機能層20の上面側にはn型層21が露出している。なお、前記の通りn型層21は全面にわたり形成されているが、リセス領域60においてはn型層21も部分的にエッチングされて掘り下げられた形態となっている。なお、図2cに図示されるように、その断面形状はテーパー形状とされている。p型層22の表面一方の主面の大部分には、透明電極30が7分割されて形成されている。透明電極30間の空隙透明電極開口部31は、個々の透明電極30の幅と比べて小さくなっている。また、図3cに示されるように、透明電極30は、リセス領域60には形成されない。この構成により、透明電極30はp型層22と電気的に接続される。この透明電極30が形成された半導体発光機能層20上に、絶縁層40が形成されている。絶縁層40中には、図3dに示されるように、p側コンタクト開口第2の開口部41が、図1、図3dにおける下辺側に沿って個々の透明電極30毎に7箇所形成される。この構成により、絶縁層40で覆われた表面において、p側コンタクト開口41中で透明電極30が露出する。n側コンタクト開口第1の開口部42は、図3b中のリセス領域60中において上辺に沿って形成される。このため、絶縁層40で覆われた表面において、n側コンタクト開口42中でn型層21が露出する。なお、絶縁層40は、リセス領域60、透明電極30の形状に起因する段差部も被覆する形態とされる。p側電極第2の電極層51は、図1、図3eに示されるように、下辺に沿って全てのp側コンタクト開口第2の開口部41を含むように絶縁層40上に線状に形成されたp側電極線状部線状部511を具備する。また、p側電極51においては、左端部の領域で上側に向かって幅が広くされたp側パッド領域パッド部512が形成される。この構成により、p側電極51は、絶縁層40中のp側コンタクト開口41を介して透明電極30と接続され、間接的にp型層22と接続される。n側電極第1の電極層52は、図1、図3eに示されるように、上辺に沿ってn側コンタクト開口第1の開口部42を含むように絶縁層40上に線状に形成されたn側電極線状部線状部521を具備する。また、n側電極52においては、右端部で下側に向かって幅が広くされたn側パッド領域パッド部522が形成される。この構成により、n側電極52は、絶縁層40中のn側コンタクト開口42を介してn型層21に直接接続される。なお、絶縁層40の存在により、p側電極51とn型層21、n側電極52とp型層22等の間は電気的に絶縁される。ここで、基板11の材料としてSiが用いられる場合には、特にシリコンの単結晶基板が用いられ、不純物がドーピングされて高導電性とされていても、ノンドープとされて高抵抗率とされていてもよい。この上に良質の半導体発光機能層20n型層21、MQW層23、p型層22がヘテロエピタキシャル成長できるように、その面方位は適宜設定される。n型層21、MQW層23、p型層22は、MBEMolecularBeamEpitaxy法、あるいはMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって基板11上にエピタキシャル成長させることができる。n型層21にはドナーとなる不純物が、p型層22にはアクセプタとなる不純物が適宜ドーピングされる。n型層21の厚さは例えば5.0μm、p型層22の厚さは例えば0.2μm程度とすることができる。また、MQW層23は、例えば数nm~数10nmの厚さのInGaN、GaN薄膜が複数積層された構造をもち、InGaN、GaNの各層はn型層21、p型層22と同様にエピタキシャル成長により形成される。この半導体発光機能層20に対してリセス領域60を形成するためには、リセス領域60以外の領域にフォトレジストを形成し、これをマスクとしてドライエッチング等を行う。この際のフォトレジストの形状やドライエッチング等の条件を調整することにより、リセス領域60断面のテーパー形状角度を調整することが可能である。透明電極30は、p型層22とオーミック接触が可能で、かつ半導体発光機能層20が発する光に対して透明な材料として、例えばITOIndium-Tin-OxideやZnOZinc-Oxide等で構成される。なお、p型GaN層22との間のオーミック性や密着性等を向上させるために、これらの間に、光が充分透過する程度に薄いチタンTi層やニッケルNi層を挿入することもできる。透明電極30のパターニングは、全面に上記の透明電極材料を成膜し、所望の箇所にフォトレジスト等のマスクを形成してからエッチングを行い、所望の箇所以外の透明電極材料を除去するエッチング法、2所望の箇所以外にフォトレジスト等のマスクを形成してから全面に上記の透明電極材料を成膜し、後でマスクを除去することによって所望の箇所以外の透明電極材料を除去するリフトオフ法、のいずれかの方法を用いることができる。なお、透明電極30を構成する材料には高い光透過率が要求されるため、その導電率はp側電極51、n側電極52を構成する材料よりも低い。このため、透明電極30の電気抵抗は、一般にp側電極51、n側電極52よりも高い。絶縁層40は、充分な絶縁性をもち、かつこの発光素子10半導体発光機能層20が発する光に対して透明な材料で構成され、例えば酸化シリコンSiO2で構成される。その形成は、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等を用いることにより、透明電極開口部31やリセス領域60に起因する段差部においても、これを被覆性よく形成することが可能である。p側コンタクト開口41、n側コンタクト開口42は、前記のエッチング法によって形成することが可能である。あるいは、半導体発光機能層20におけるリセス領域60断面のテーパー角度は、この断面が絶縁層40で充分に被覆されるように調整される。p側電極51は、金Au等の導電性の高い金属で形成される。n側電極52は、n型GaN層21とオーミック接触がとれる材料で構成される。p側電極51、n側電極52のパターニングは、透明電極30のパターニングと同様に行うことができる。p側電極51、n側電極52を構成する材料には、光透過率の高さは要求されない。このため、これらの導電率を透明電極30を構成する透明電極材料よりも高くすることができ、p側電極51やn側電極52中の電気抵抗あるいはこれらによる電圧降下は無視することができる。一方、半導体発光機能層20が発する光は、p側電極51、n側電極52を透過しない。なお、p側パッド領域512、n側パッド領域522は、それぞれp側電極51、n側電極52に対してワイヤボンディングが行えるように、p側電極線状部511、n側電極線状部521よりもそれぞれ太く形成されている。上記の構成により、半導体発光機能層20中において順方向となる電圧をp側電極51とn側電極52との間に印加すれば、半導体発光機能層20を発光させることができる。ここで、主な発光層は図1、図3b中に示されたp型層22と同形状のMQW層23である。このため、発光に寄与するのは、図3b中のリセス領域60以外の領域である。リセス領域60以外の領域から発せられた光は、主に透明電極30等が設けられた上面側に向かって発せられる。この際、透明電極30や絶縁層40はこの光に対して透明であるが、p側電極51、n側電極52はこの光に対して透明ではないため、p側電極51、n側電極52の存在する箇所ではこの光が遮られる。これに対して、図1の構成においては、p側電極51、n側電極52の大部分p側電極線状部511、n側電極線状部521を左右方向に細長くした形態とすることにより、遮光される面積を小さくしている。また、特にp側電極線状部511、n側電極線状部521を発光領域の上下辺に配置することにより、p側電極51、n側電極52による遮光の影響を低減している。この発光素子10において、均一な発光が得られる理由を以下に説明する。ここで、発光の不均一性は透明電極30やp型層22の電気抵抗が高いことに起因するため、これらが長くなる方向における不均一性が特に問題となる。この方向は、図1の構成においては左右方向である。このため、以下では図1中の特に左右方向における均一性について説明する。この発光素子10の発光の均一性を向上させるためには、p側電極51、n側電極52によって遮光された箇所以外の箇所における発光強度を均一とすることが要求される。この発光強度は、主に図1、図3b中の面内の各点におけるMQW層23、あるいはp型層22とn型層21間に流れる電流で決定される。すなわち、この各点においてp型層22とn型層21間に流れる電流を均一化することが必要である。この際、特にp型層22、透明電極30の電気抵抗やこれらにおける電圧降下の影響は無視できないため、この電流分布は、p側電極51、n側電極52、透明電極30等の形状に大きく依存する。n型層21からn側電極52に電流が注入される箇所はn側コンタクト開口42の直下である。また、p側電極51からp型層22に電流が注入される箇所は、透明電極30全体の直下であるが、透明電極30の電気抵抗は高いため、その中でも最も電流密度が高くなるのは、p側コンタクト開口41の直下である。このため、主たる電流経路は、p側コンタクト開口41からn側コンタクト開口42までの間となる。上記の構成においては、透明電極30間の空隙透明電極開口部31からp型層22に電流が注入されにくいため、透明電極30間の空隙の直下においてはp型層22にも電流が流れにくくなる。このため、p側コンタクト開口41n側コンタクト開口42間で流れる電流の方向は制限され、電流は透明電極30直下の領域において主に透明電極30に沿って流れやすくなる。この電流経路を図4に模式的に示す。この電流経路は左側からD1~D7で示されるように、透明電極30毎に下側p側コンタクト開口41側から上側n側コンタクト開口42に向かって流れる。上記の構成においては、電流経路D1~D7の長さは、p側コンタクト開口41とn側コンタクト開口42との間の距離であり、p側コンタクト開口41とn側コンタクト開口42は平行であるため、同一である。また、D1~D7に対応した領域においては左右端部D1、D7の領域にのみp側パッド領域512、n側パッド領域522がそれぞれ設けられている点のみが異なるが、透明電極30よりも下層の構造は同一である。このため、D1~D7における電流分布も同一となる。すなわち、左右方向における均一な発光を得ることができる。特許文献2に記載の技術においては、p側電極やn側電極を交互に並列に複数設けることによって発光を面内で均一化していた。ところが、p側電極やn側電極は発光に対して不透明であるため、この構成によって発光効率は低下する。これに対して、この発光素子10においては、並列に複数設けられるのは、透明電極30あるいはこれらの間の空隙である。これらによって、その下部からの発光が遮られることはない。発光が大きく遮られる箇所は図1中左下のp側パッド領域512と右上のn側パッド領域522のある箇所であるが、p側パッド領域512とn側パッド領域522は、構成に関わらずボンディング用に必要な最低限の領域である。また、透明電極30を7分割せず、7つの透明電極30が一体化された構成比較例とした場合における電流分布を図4と同様に図5に示す。この場合においては、中央部においては斜め方向に流れる電流成分が存在するのに対し、左右端部付近では斜め方向に流れる電流成分が減少する。このため、中央部で大きく、左右端部の領域で電流が小さくなるという分布となり、発光強度分布も同様となる。これに対して、上記の発光素子10においては、1n側コンタクト開口第1の開口部42とp側コンタクト開口第2の開口部41がそれぞれ、矩形における対向する2辺上辺、下辺に平行に延伸した2つの直線に沿って形成されたこと、2この2つの直線の間において、この2つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極30間の空隙透明電極開口部31が、複数形成されたこと、によって図4の電流分布が実現されている。このため、上記の構成においては、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。なお、上記の例では、遮光領域となるp側パッド領域512、n側パッド領域522はそれぞれ左下、右上に形成された。しかしながら、p側電極51、n側電極52における電気抵抗が無視できる限りにおいて、p側パッド領域512、n側パッド領域522の位置によらずに、p側パッド領域512、n側パッド領域522以外の領域における発光の均一化の効果が得られる。例えば、図6に示されるように、p側パッド領域512を中央部よりやや左の下側、n側パッド領域522を中央部よりもやや右側の上側に設けることもできる。このように、p側パッド領域512、n側パッド領域522は、発光素子の使用の態様等に応じて適宜設定することが可能である。第2の実施の形態図7は、第2の実施の形態となる発光素子110の上面側から見た平面図である。また、この平面図におけるE-E方向、F-F方向、G-G方向、H-H方向、I-I方向の断面図がそれぞれ図8a~eである。更に、この構成におけるn型層21、p型層22、透明電極30、絶縁層40、電極p側電極51、n側電極52をそれぞれ上面一方の主面:発光が主として取り出される側から見た平面図が図9a~eである。この発光素子110は、平面視において、図7に示されるような略正方形1辺Lをなしている。この発光素子110において発光する半導体発光機能層20は、前記と同様に、基板11上に形成され、n型層21、MQW層23、p型層22からなる積層構造をもつ。ここで、図9aに示されるように、基板11上のn型層第1の半導体層21は図7の構成の全面にわたり形成された一辺の長さがLの正方形となっている。p型層第2の半導体層22は、図7、図8c、図9b中のリセス領域60において部分的に除去されている。ここで、リセス領域60は、上下方向の中央部において形成されている。p型層22の表面一方の主面の大部分には、透明電極30が形成されている。透明電極30には、図7、図9cに示されるように、図中の上下方向を長手方向とする透明電極開口部31が上下に6本ずつ等間隔で形成されている。透明電極開口部31中においては、p型層22が部分的に露出する。また、図9cに示されるように、リセス領域60には形成されない。この構成により、透明電極30はp型層22と電気的に接続され、n型層21には接続されない。この透明電極30が形成された半導体発光機能層20上に、絶縁層40が形成されている。絶縁層40には、図9dに示されるように、p側コンタクト開口第2の開口部41、n側コンタクト開口第2の開口部42が形成されている。p側コンタクト開口第2の開口部41は、上部p側コンタクト開口部411と下部p側コンタクト開口部416に分割されている。上部p側コンタクト開口部411は、図中の左上頂点で屈曲した形状をなし、上部p側コンタクト開口部上辺部412と上部p側コンタクト開口部屈曲部屈曲部413からなる。下部p側コンタクト開口部416は、これと上下対称な構成をなし、下部コンタクト開口部下辺部417と下部p側コンタクト開口部屈曲部屈曲部418からなる。絶縁層40におけるp側コンタクト開口41中においては、透明電極30が露出する。一方、n側コンタクト開口42は、図9b中のリセス領域60中に形成される。このため、絶縁層40におけるn側コンタクト開口42中においては、n型層21が露出する。なお、絶縁層40は、リセス領域60、透明電極30の形状に起因する段差部も被覆する形態とされる。p側電極51は、図7、図9eに示されるように、左辺と上下辺においてp側コンタクト開口41を含む領域上に形成される。また、p側電極51は、p側電極上辺線状部線状部513、p側電極左辺線状部514、p側電極下辺線状部線状部515と、左辺の中央部の領域で右側に向かって太くされたp側パッド領域パッド部516で構成される。この構成により、p側電極51は、絶縁層40中の2箇所のp側コンタクト開口41上部p側コンタクト開口部411、下部p側コンタクト開口部416を介して透明電極30と接続され、間接的にp型層22と接続される。また、この構成により、上部p側コンタクト開口部411と下部p側コンタクト開口部416中の透明電極30が単一の連続したp側電極51で接続され、遮光部となるp側パッド領域516は最低限必要となる1箇所にのみ設けられている。p側パッド領域516が設けられる箇所は、発光素子110における上下方向の対称性を維持するために、上下方向の中央部となっている。n側電極52は、図7、図9eに示されるように、上下方向の中央部において左側から右側に向かってn側コンタクト開口42を含む領域上に延伸するn側電極線状部線状部521を具備する。また、n側電極52においては、右側端部で上下側に向かって太くされたn側パッド領域パッド部522が形成される。この構成により、n側電極52は、絶縁層40中のn側コンタクト開口42を介してn型層21に直接接続される。なお、上下方向の中央部の左端には前記のp側パッド領域516が存在するため、n側コンタクト開口42、n側電極52は、p側パッド領域516には達さない位置まで左側に延伸している。すなわち、n側コンタクト開口42はp側パッド領域516までは達していない。上記の構成においては、発光に寄与するのは、図9bに示されたように、リセス領域60以外の領域である。リセス領域60は、図9bに示された上下方向中央部にある細長い領域であるため、発光素子110全体の面積に占める割合は小さい。すなわち、この発光素子110においては、発光に寄与する面積を大きくすることができる。また、この光を遮るのは、図9eに示されるp側電極51、n側電極52である。このうち、p側電極51におけるp側電極上辺線状部線状部513、p側電極左辺線状部514、p側電極下辺線状部線状部515は上辺、左辺、下辺に沿った細長い領域であり、これによる遮光の影響は小さい。n側電極52におけるn側電極線状部線状部521は、発光に寄与しないリセス領域60とほぼ等しい領域である。このため、遮光の影響が最も大きいのは、p側パッド領域516とn側パッド領域522である。ただし、これらはワイヤボンディングを施すために必要最小限の領域である。上記の構成においては、上部p側コンタクト開口部上辺部412、下部コンタクト開口部下辺部417をそれぞれ上下辺に沿って線状に設け、これらの間に挟まれた中央部においてこれらと平行にn側コンタクト開口42を線状に設けている。この構成により、1辺がLの正方形である発光素子110において、図7中の上下方向におけるp側コンタクト開口41上部p側コンタクト開口部上辺部412、下部コンタクト開口部下辺部417とn側コンタクト開口42の間隔を約L/2と低減している。すなわち、この発光素子110においては、n側コンタクト開口第1の開口部42を上下2辺に挟まれた中央部に形成し、p側コンタクト開口第2の開口部をこれら2辺側の両端部側に形成することによって、これらの間の電流経路の長さを、第1の実施の形態と同様の構成とした場合と比べて、約1/2としている。これにより、この方向における電流分布を均一化することができる。更に、図7中の上半分、下半分の領域における透明電極30中には、それぞれ透明電極開口部31が6本ずつ形成されている。この透明電極開口部31は、第1の実施の形態における透明電極30間の空隙と同等である。このため、図7中の上半分、下半分のそれぞれにおいて、最も左側の透明電極開口部31よりも右側においては、第1の実施の形態に係る発光素子10がそれぞれ形成されていると考えることができる。すなわち、図7中の上半分、下半分それぞれにおける大部分の領域で均一な発光を得ることができる。また、n側パッド領域522、p側パッド領域516を、n側コンタクト開口第1の開口部42が延伸する線上の両端部側に形成し、n側コンタクト開口から見て上下対称の構成を実現している。このため、上半分、下半分における発光も対称となる。このため、図7中の最も左側の透明電極開口部31よりも右側においては、発光に寄与しないリセス領域60と遮光領域p側電極51がある領域及びn側パッド領域522がある領域以外の面内において、均一な発光を得ることができる。しかしながら、第1の実施の形態に係る発光素子10と大きく異なるのは、p側パッド領域516の存在のためにn側コンタクト開口42が左端部まで達していない点である。このため、図7中における最も左側の透明電極開口部31よりも左側の領域は第1の実施の形態に係る発光素子10とは異なる。以上の点を考慮して、p側コンタクト開口41からn側コンタクト開口42に電流が流れる経路を矢印で示したのが図10である。前記の通り、上半分における最も左側の透明電極開口部31よりも右側における電流経路は第1の実施の形態と同等で、D11~D16となっている。下半分においては、これらと向きが上下が逆転した形でD17~D22となっている。第1の実施の形態と同様に、D11~D16、D17~D22における電流分布はそれぞれ同等である。また、この発光素子110はn側コンタクト開口42から見て上下対称の構造をもつため、結局、電流経路D11~D22にそった電流分布も対称となる。このため、最も左側の透明電極開口部31よりも右側においては、面内で均一な発光が得られる。一方、最も左側の透明電極開口部31よりも左側の領域における上半分において支配的な電流経路がD31、同じく下半分において支配的な電流経路がD32である。これらは、いずれもp側コンタクト開口41からn側コンタクト開口42までの最短距離の経路となっている。D31は上部p側コンタクト開口部屈曲部413の先端部下端部からn側コンタクト開口42の左端部までとなっており、D32は下部p側コンタクト開口部屈曲部418の先端部上端部からn側コンタクト開口42の左端部までとなっている。D31、D32の電流経路の方向は、D11等とは異なり、図10中の上下方向から傾斜した角度となっている。上記の発光素子10においては、D31、D32の経路の長さを、D11等と等しくL/2とする。すなわち、n側コンタクト開口42の先端部と屈曲部上部p側コンタクト開口部屈曲部413、下部p側コンタクト開口部屈曲部418の先端部までの距離を、上部p側コンタクト開口部上辺部412とn側コンタクト開口42の間隔、下部コンタクト開口部下辺部417とn側コンタクト開口42の間隔と等しくしている。この構成は、p側コンタクト開口41上部p側コンタクト開口部411、下部p側コンタクト開口部416において、屈曲部上部p側コンタクト開口部屈曲部413、下部p側コンタクト開口部屈曲部418を設けたことによって実現が可能である。あるいは、D31、D32の経路の長さをD11等と厳密に等しくしない場合でも、こうした屈曲部をp側コンタクト開口41に設けることによって、D31、D32の経路の長さをD11等に近づけることが可能である。この構成により、図10中の最も左側の透明電極開口部31よりも左側の領域における発光強度を、これよりも右側の領域における発光強度と同等にすることができる。これにより、発光に寄与しないリセス領域60と、p側電極41、n側電極42で遮光された狭い領域以外の全面における発光素子10における発光強度を面内で均一とすることができる。すなわち、この発光素子110は、高い発光効率かつ発光強度における高い面内均一性をもつ。なお、上記の構成において、n側コンタクト開口、n側電極等と、p側コンタクト開口、p側電極等を逆転させても同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、上下方向の中央部にp側コンタクト開口等を設け、上下辺、左辺に沿ってリセス領域、n側コンタクト開口等を設けても同様である。すなわち、第1の開口部、第2の開口部のうちの一方を、上下辺に挟まれた中央部に形成し、第1の開口部、第2の開口部のうちの他方を、上下辺側の両端部側に形成すれば同様の効果を奏する。また、第1、第2の実施の形態においては、半導体発光機能層が基板上に形成されていなくとも、上記の効果を奏することは明らかである。また、基板が用いられる場合に、基板と半導体発光機能層との間に、半導体発光機能層の結晶性を高めるための緩衝層を挿入することも可能である。2つの電極を半導体発光機能層の同一主面側に形成する限りにおいて、基板や緩衝層は絶縁性であっても導電性であってもよい。第3の実施の形態第3の実施の形態に係る発光素子210は、第1の実施の形態に係る発光素子10と類似の構成を持つ発光ダイオードと、保護ダイオードダイオードとが基板上でオンチップで接続された構成を具備する。この構成の発光素子210の回路図が図11である。ここでは、発光ダイオード220と保護ダイオード230とが逆方向に接続されている。この場合、発光ダイオード220に過大な電圧が印加された場合に、保護ダイオード230がツェナー効果によってオン状態となって電流がバイパスされることにより、発光ダイオード220が保護される。図12は、この発光素子210の構成を図1と同様に示した平面図である。また、図13a~cは、それぞれこの発光素子210における保護ダイオード部周辺のJ-J方向、K-K方向、L-L方向の断面図である。ここでは、発光ダイオード220における半導体発光機能層20は第1、第2の実施の形態と同様の材料で基板上に形成される。また、保護ダイオード230を構成する材料も、同様の材料で同一基板上に形成される。これらは同一の基板11上に形成される。図12におけるXで示された領域は、第1の実施の形態に係る発光素子10と類似の構成をもつ領域である。その構成においては、p側パッド領域511は第1の実施の形態では左側にあったのに対し、ここでは右側に配置されている点のみが異なる。このため、ここではその詳細については省略する。一方、図12におけるYで示された領域は、保護ダイオード230が形成された領域である。この保護ダイオードは、発光ダイオード220における発光機能層20と同様の構成を利用しているため、発光ダイオード220と保護ダイオード230を同一の基板11上に形成することができる。すなわち、基板11上にn型層21、MQW層23、p型層22を順次形成し、これらをパターニングすることによって、図12中のXで示された領域においては発光ダイオード220を、Yで示された領域においては保護ダイオード230を形成する。これらの間の領域素子分離領域300において、p型層22、MQW層23、n型層21をエッチングで除去することにより、発光ダイオード220と保護ダイオード230を電気的に分離することができる。その後、p側電極51、n側電極52を図11の回路が構成されるように接続することにより、発光素子210が得られる。図12、図13に示されるように、絶縁層40は、素子分離領域300を越えて、領域Yを含む発光素子210の全面に形成されている。この際、素子分離領域300においてp型層22、MQW層23、n型層21がエッチングされた溝の側面が絶縁層40によって被覆され、かつこの溝が絶縁層40で埋め込まれた形態とされる。また、下側のp側電極51、上側のn側電極52は素子分離領域300を越えて、領域Yまで延伸している。図12中のJ-J方向の断面図である図13aに示されるように、領域Yにおいては、p側電極51は、絶縁層40中の保護ダイオード第1コンタクト開口部43中でn型層21に接続される。これにより、p側電極51は、領域Yにおけるn型層21に接続される。また、n側電極52は、絶縁層40中の保護ダイオード第2コンタクト開口部44中で透明電極30に接続される。これにより、n側電極52は、領域Yにおけるp型層22に間接的に接続される。領域Yにおけるn型層21、MQW層23、p型層22によって、保護ダイオード230が形成される。このため、上記の構成により、図11の回路構成が実現される。すなわち、この構成により、領域Xにおいて半導体発光機能層20で構成された発光ダイオードと、領域Yにおいて形成された保護ダイオードとが、順方向が逆向きとなるべく並列に接続される。この発光素子210においては、右側に、第1の実施の形態に係る発光素子10と同様の構成をもった発光ダイオード220が形成されているため、発光強度の高い均一性が得られる。一方、保護ダイオード230が同一の基板11上に形成されているため、サージ等によって破損しにくく、高い信頼性が得られる。また、発光ダイオード220と保護ダイオード230とが同時に得られるため、この発光素子210を低コスト化することができる。なお、上記の構成においては、p側パッド領域511、n側パッド領域521を領域Xにおける右側に配置したが、これらを設置する場所は任意である。例えば、これらを領域Yに形成すれば、領域Xにおいては遮光面積が小さくなるため、高い発光効率が得られる。逆に、p側パッド領域511、n側パッド領域521を領域Xに配置すれば、保護ダイオード230の面積を大きくとることが可能となるため、サージ等に対する耐性をより高めることができる。また、上記の例においては、Si基板を使用し、n型層21、MQW層23、p型層22からなる同一の積層構造を領域X、Yにおいて用いているが、例えば領域Yにおいてのみイオン注入等を施すことによって、これらの層の特性を領域X、Yで異ならせることもできる。これにより、保護ダイオード230としてのより良好な特性を得ることもできる。また、上記の構成においては、基板11上に、半導体発光機能層20として、第1の半導体層としてn型GaN層21、発光層としてMQW層23、第2の半導体層としてp型GaN層22が形成された例につき記載した。しかしながら、MQW層23を用いない場合でも、単純なpn接合を用いた発光ダイオードLEDとして動作することは明らかである。あるいは、発光層として上記の構成のMQW層以外の構成のものを用いることもできる。また、GaN以外の材料で半導体発光機能層を構成することもできる。この場合、発光波長に応じて半導体材料を設定することができる。また、上記の例では基板11側にn型半導体層第1の半導体層を、その上にp型半導体層第2の半導体層を形成したが、上側の半導体層における導電率が低い場合には、これらの導電型が逆であっても同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、第1の半導体層と第2の半導体層の導電型が逆であり、これらの半導体層に接続される2つの電極が半導体発光機能層の一方の主面側において形成された構成であれば、上記の構成は有効である。また、エピタキシャル成長において、基板上にまず初めに導電性の高いn型層が形成され、その上に導電性の低いp型層、透明電極が形成される構造において、特に上記の構成が有効であることは明らかである。こうした構成は、特に上記のようなGaNを初めとする窒化物半導体において特に顕著となるため、上記の構成はこの材料を用いた発光素子において特に有効である。また、Si以外の材料からなる基板を用いた場合においても同様の効果を奏することは明らかである。また、上記の例では、半導体発光機能層等の端部や素子分離領域中の溝の断面をテーパー形状とし、これを絶縁層を介してn側電極やp側電極で覆う形態とした。しかしながら、これらの箇所において、絶縁層によってn側電極、p側電極とp型層、n型層との間の絶縁性が保たれる場合であれば、テーパー形状とする必要はない。また、上記の例では、発光素子を矩形形状であるとしたが、上記の効果を奏する限りにおいて、厳密な矩形形状である必要はない。