MEMSマイクロフォンであって、メンブレン層にあるメンブレンMと、第1のバックプレート層にある第1のバックプレートBPと、当該メンブレン層と当該第1のバックプレート層との間のアンカー層にあるアンカー部材ANと、保護フィルムPFとを備え、活性領域AARと当該活性領域AARを包囲する縁部領域RRとを備え、前記保護フィルムPFは、前記縁部領域RRにおいて前記第1のバックプレートBPおよび/または前記アンカー部材ANを覆っていることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項1に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、前記保護フィルムPFは、VHF環境に耐性のある材料から成ることを特徴とするMEMSマイクロフォン。前記保護フィルムPFは光感応性であることを特徴とする、請求項1または2に記載のMEMSマイクロフォン。前記保護フィルムPFはproTEKPSBフィルムであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。前記アンカー部材ANは、前記第1のバックプレートと揃っていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。前記アンカー部材ANは、SiO2から成ることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。請求項1乃至6のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、追加のバックプレート層における、追加のバックプレートABLをさらに備え、前記メンブレン層が、前記第1のバックプレート層と前記追加のバックプレート層との間に設けられることを特徴とするMEMSマイクロフォン。請求項7に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、さらに、前記追加のバックプレート層ABLにおける円環形状の絶縁部材IEを備え、前記円環形状の絶縁部材IEは、絶縁材料から成り、前記追加のバックプレートABLの中央部を包囲することを特徴とするMEMSマイクロフォン。MEMSマイクロフォンの製造方法であって、メンブレン層にメンブレンMを形成するステップと、当該メンブレン層の上にアンカー層を堆積するステップと、当該アンカー層の上に第1のバックプレート層を堆積するステップと、当該第1のバックプレート層において、第1のバックプレートBPをパターニングするステップと、前記第1のバックプレートBPおよび/または前記アンカー層に、縁部領域における保護フィルムPFを堆積するステップと、中央領域AARにおけるアンカー層の材料を除去するステップと、を備えることを特徴とする方法。前記中央領域AARにおける前記アンカー層の材料を除去するために、VHF法が用いられることを特徴とする、請求項9に記載の方法。したがって、本発明の課題は、寄生容量を低減したMEMSマイクロフォンおよびこのようなマイクロフォンの製造方法を提供することである。このため、MEMSマイクロフォンおよびこのようなマイクロフォンの製造方法が独立請求項に記載されている。従属請求項は、本発明の好ましい実施形態を記載する。MEMSマイクロフォンは、メンブレン層にあるメンブレンと、第1のバックプレート層にある第1のバックプレートと、これらのメンブレン層と第1のバックプレート層との間のアンカー層にあるアンカー部材と、保護フィルムとを備える。このマイクロフォンは、さらに活性領域と縁部領域とを備える。縁部領域は、活性領域を包囲している。保護フィルムは、縁部領域において第1のバックプレートおよび/またはアンカー部材を覆っている。このように、このMEMSマイクロフォンは、それぞれの機能素子、メンブレン、バックプレートおよびアンカー部材が形成された層の積層体を備える。活性領域は、音響的活性領域として画定される。縁部領域は、バックプレートとメンブレンとをマイクロフォンのボディおよび/またはASICのような外部の電子回路に、機械的および/または電気的に接続するための手段を備える。バックプレートの不活性部は、メンブレンと重なる所定の幅を有している。保護フィルムは、少なくともバックプレートの不活性部の影響の出る領域を覆っている。この結果、バックプレートの不活性部、およびこのバックプレートとメンブレンとの間のアンカー部材は、環境の影響に対して保護されている。このアンカー部材は、バックプレートとメンブレンとを機械的に接続する接続手段として機能する。さらに、このアンカー部材は、バックプレートをメンブレンから空間的に分離し、電気短絡を防いでいる。このようなMEMSマイクロフォンの製造工程中に、バックプレートからメンブレンを分離するために、中央部のアンカー層の材料が除去される。しかしながら、この縁部内でアンカー部材を形成するために、アンカー層の材料がバックプレートとメンブレンの間に残っていなければならない。通常、縁部内のバックプレートの部材は、この工程中でアンカー部材を保護している。このアンカー部材の機械的安定性のために、バックプレートの縁部の所定の幅が必要である。幅広のバックプレートの縁部は、大きな寄生容量Cpをもたらす。大きな寄生容量Cpは、信号品質の劣化をもたらす。保護フィルムは、縁部において小さな領域を有するバックプレートを備えたマイクロフォンに対し、悪影響無くアンカー部材の機械的安定性を実現することが見出された。このようにして、良好な機械的安定性および良好な電気信号品質を備えたMEMSマイクロフォンが得られる。1つの実施形態では、この保護フィルムは、VHF環境フッ化水素酸を用いたHF気相エッチング環境、VapourPhaseHFetchingenvironmentに耐性のある材料から成っている。VHF環境は、音響的活性領域内のアンカー層の材料を除去するのに用いられる。この保護フィルムは、このようなエッチング環境に耐性があり、このためエッチング処理後も残っていなければならないアンカー部材が保護される。1つの実施形態では、この保護フィルムは、光感応性である。これよりこの保護フィルムは、フォトリソグラフィー処理を用いてパターニングすることができる。この保護フィルムはポリマー材料から成っていてよい。1つの実施形態では、この保護フィルムはproTEK登録商標PSBフィルムであってよい。このようなフィルムは、VHF環境に耐性のある光感応性ポリマーフィルムである。1つの実施形態では、アンカー部材は、第1のバックプレートと揃っている。これより、このアンカー部材の縁部表面と第1のバックプレートの縁部表面とは直接上下に配置される。これによって、この保護フィルムはこれら2つの部材を容易に同時に被覆でき、簡素でありながら効果的な形態とすることができる。さらに、このマイクロフォンの縁部領域内のバックプレートの不活性部の面積およびこれに対応する寄生容量Cpは、このマイクロフォンの安定性を損なうことなく低減される。1つの実施形態では、このアンカー部材は、酸化珪素、たとえば二酸化珪素SiO2からなっている。SiO2は絶縁材料である。これよりバックプレートとメンブレンとは電気的に絶縁される。さらにSiO2は、バックプレートとメンブレンとの間の機械的に安定な接合を形成するための良好な接着特性を備えている。さらには、SiO2は、マイクロフォンの音響的活性領域内で、VHF技術を用いて容易に除去可能である。1つの実施形態では、MEMSマイクロフォンは、さらに追加のバックレートを追加のバックプレート層に備える。メンブレン層は、第1のバックプレート層と追加のバックプレート層の間に配設される。こうしてさらに信号品質が改善された2重バックプレートマイクロフォンが得られる。このメンブレンは、さらなる絶縁層によって、この追加のバックプレートから、電気的および機械的に分離されてよい。1つの実施形態では、MEMSマイクロフォンは、さらに追加のバックプレート層に円環形状の絶縁部材を備える。この円環形状の絶縁部材は、絶縁材料を備え、この追加のバックプレートを包囲している。この円環形状の絶縁部材は、酸化珪素、たとえば二酸化珪素から成っていてよい。縁部領域内のこの追加のバックプレートの部分と、この縁部領域のメンブレンの部分とは、さらにマイクロフォンの信号品質を劣化させる寄生容量を形成する。円環形状の絶縁部材は、縁部領域における追加のバックプレートの主要部分を、この音響的不活性領域の追加のバックプレートの部分から電気的に分離するので、望ましくない寄生容量がさらに低減される。MEMSマイクロフォンの製造方法は、以下のステップを備える。-メンブレン層にメンブレンを形成するステップ。-このメンブレン層の上にアンカー層を堆積するステップ。-このアンカー層の上に第1のバックプレート層を堆積するステップ。-この第1のバックプレート層において、第1のバックプレートをパターニングするステップ。-第1のバックプレートおよび/またはアンカー層に、縁部領域における保護フィルムを堆積するステップ。-中央領域におけるアンカー層の材料を除去するステップ。第1のバックプレートおよび/またはアンカー層に、保護フィルムが堆積されるので、エッチング剤は、後でアンカー部材を形成する、縁部に位置するアンカー部材の材料を損傷することができない。1つの実施形態では、中央領域におけるアンカー層の材料を除去するために、VHF法が用いられる。MEMSマイクロフォンの例を図に示す。図1は、バックプレートBPと、メンブレンMとを備えたMEMSマイクロフォンの断面を示す。このマイクロフォンは、音響的活性領域AARと、この音響的活性領域AARを包囲する縁部領域RRとを有する。縁部領域RR内で、バックプレートBPおよびメンブレンMがマイクロフォンのボディに機械的に接続されている。アンカー部材ANは、バックプレートBPをメンブレンMから電気的に絶縁し、かつバックプレートBPをメンブレンMに機械的に接続する。縁部領域RR内のバックプレートBPの音響的不活性部は、幅Wを有し、このメンブレンMの対応する部分と重なっている。このようにして、このマイクロフォンの総容量は、幅Wに依存した寄生容量を含む。保護フィルムPFは、とくに製造工程中に縁部に位置する部位から作用する侵襲的な環境に対してアンカー部材ANを保護するので、悪影響無くこの幅Wを極小とすることができ、このためマイクロフォンの安定性に悪影響を与えない。バックプレートBPは、アンカー部材ANと揃っている。基板SUとメンブレンMとの間に酸化層を配設することが可能である。もし基板SUが珪素から成る場合、この酸化層は酸化珪素の層であってよい。図2は、2重バックプレートマイクロフォンの断面を示す。二酸化珪素SiO2を含む接着層が、基板SUの上に直接設けられる。この2重バックプレートマイクロフォンは、補償層CLおよび追加のバックプレート層ABLを備えた追加のバックプレートを有する。この補償層CLは、化学量論的窒化物Si3N4または非化学量論的窒化物SixNyを含んでよい。珪素リッチな窒化物のような非化学量論的窒化物は、化学量論敵窒化物層の引張応力より小さい引張応力を有する低応力窒化物とすることができる。追加のバックプレート層ABLは、ポリシリコンのような珪素から成ってよい。珪素と窒化物とを備えた追加のバックプレートは、引張応力を有してよい。当然ながら、第1のバックプレートもまた、圧縮応力成分を有するヤング率を有する材料を備えてよい。円環形状であってよい絶縁部材IEは、追加のバックプレートに設けられ、音響的活性部を追加のバックプレートの音響的不活性部から絶縁している。こうして寄生容量がさらに低減される。さらに、メンブレンMと追加のバックプレート層ABLとの間に絶縁層ILが設けられている。図3は、音響的活性領域においてアンカー層の材料が除去される前のMEMSマイクロフォンの断面を示す。図4は、図3に示すMEMSマイクロフォンの適切なエッチング処理後の断面を示す。このエッチング処理では、音響的活性部におけるアンカー層の材料を除去するために、HFのような化学剤がこのマイクロフォンに適用されてよい。この化学的に最も不活性な部分である縁部側バックプレートRSBは、アンカー部材ANをエッチングから保護するシールドとして機能する。しかしながら、エッチング剤は縁部側の位置からアンカー部材ANを侵襲し得る。充分に幅広のアンカー部材ANを得るためには、バックプレートRSBの縁部側領域RSBは、アンカー部材より大きな幅を有しなければならない。このバックプレートRSBは、アンカー部材ANと揃っていなくてよい。こうして寄生容量Cpとマイクロフォンの安定性との間の関係は完璧なものではなくなる。たとえば、アンカーが保護フィルムによって保護されている場合は、縁部側バックプレートRSBの幅は、23μmから16μmに減らしてよい。MEMSマイクロフォンは、本明細書またはこれらの図に記載した実施形態に限定されない。さらなる部材または層、またはさらなる活性領域または不活性領域または保護膜、またはこれらの組み合わせもまた本発明に含まれる。