"一般式G1で表される有機金属錯体。式中、R11~R14のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。R15~R19のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基、炭素数1~6のアルキルチオ基、炭素数6~12のアリールチオ基、炭素数2~8のアルキルアミノ基、炭素数6~12のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R20は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数4~10のヘテロアリール基、のいずれかを表す。また、Mは第9族元素又は第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。一般式G2で表される有機金属錯体。式中、R11~R14のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。R15~R19のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基、炭素数1~6のアルキルチオ基、炭素数6~12のアリールチオ基、炭素数2~8のアルキルアミノ基、炭素数6~12のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R20は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数4~10のヘテロアリール基、のいずれかを表す。一般式G3で表される有機金属錯体。式中、R31、R32は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R33~R37は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。一般式G4で表される有機金属錯体。式中、R31、R32は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R33~R37は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。一般式G5で表される有機金属錯体。式中、R41、R42は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R43~R47は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。一般式G6で表される有機金属錯体。式中、R41、R42は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R43~R47は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。請求項3又は請求項4において、R31、R32は、フルオロ基であることを特徴とする有機金属錯体。請求項5又は請求項6において、R41、R42は、フルオロ基であることを特徴とする有機金属錯体。請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む層を電極間に有することを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の有機金属錯体を発光物質として用いることを特徴とする発光素子。請求項9または請求項10に記載の発光素子を画素または光源として用いることを特徴とする発光装置。請求項11に記載の発光装置を表示部に含むことを特徴とする電子機器。しかし、特許文献1においても報告されているように、緑色や青色を示す燐光材料の開発も進んできてはいるものの、緑色や青色の発光を示す燐光材料の報告は多くない。緑色や青色を示す燐光材料において、例えば2-フェニルピリジンおよびその誘導体を配位子とするIr錯体は、緑色~青色の波長域の発光を示すことが知られている。しかし、このような燐光材料は、正孔が入りやすく電子が入りにくいという性質を有しているため、発光素子に適用する場合にはその素子構造が限られてしまう。また、有機金属錯体全般に言えることではあるが、耐熱性に乏しいという問題もある。そのため、燐光材料を発光素子に適用する場合に、様々なホスト材料、正孔輸送材料、電子輸送材料等の周辺材料との組み合わせに対応できるように、緑色~青色の波長域の発光を示す種々の燐光材料の開発が求められている。また、耐熱性の高い緑色、青色を示す燐光材料の開発が求められている。つまり、信頼性、発光特性、またはコストといった面でより優れた燐光材料の開発が望まれている。また、従来よりも広い範囲で緑色~青色の波長域の発光を示す新規な有機金属錯体を提供できれば、従来よりも演色性の高い発光素子が提供できる。例えば、有機金属錯体を2色の光源から白色光を生成する照明装置に用いた場合は、一方の光源として用いる有機金属錯体がより広い発光スペクトルを示すと演色性も高く好ましい。また、2色の光源で白色光を生成する発光素子に限らず、演色性の高い発光素子が作製可能になる。したがって、上記課題に鑑み本発明は、以下を課題とする。第1の課題は、燐光を発光することが可能な有機金属錯体を提供することである。第2の課題は、緑色~青色の波長域にて幅広い発光スペクトルを示す新規な有機金属錯体を提供することである。第3の課題は、燐光発光を示し、かつ耐熱性に優れた新規な有機金属錯体を提供することである。第4の課題は、緑色~青色の波長域に発光を示し、合成プロセスにおいて、収率の高い新規な有機金属錯体を提供することである。第5の課題は、上述の有機金属錯体を用いた発光素子を提供することである。第6の課題は、上述の発光素子を用いた表示装置、照明装置、発光装置及び電子機器を提供することである。なお、第1乃至第6の課題の少なくともいずれか一を解決できれば良い。以下に、従来の有機金属錯体に比べて、緑色~青色の波長域にて幅広い発光スペクトルを示す有機金属錯体を示す。本発明の一は、一般式G1で表される構造を含む有機金属錯体である。一般式G1において、R11~R14のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。R15~R19のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基、炭素数1~6のアルキルチオ基、炭素数6~12のアリールチオ基、炭素数2~8のアルキルアミノ基、炭素数6~12のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R20は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数4~10のヘテロアリール基、のいずれかを表す。また、Mは第9族元素又は第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。ここで、R11~R14および、R15~R19におけるハロゲン基の具体例としては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基が挙げられ、炭素数1~4のハロアルキル基の具体例としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロクロロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、ブロモメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピル基などが挙げられる。R20の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、1-メチルシクロヘキシル基、2,6-ジメチルシクロヘキシル基、2,6-ジメチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、ピラジル基、キノキサリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基などが挙げられる。ここで、上述の一般式G1で表される構造を有する有機金属錯体において、具体的には、下記一般式G2で表される有機金属錯体のように、発光効率および耐熱性の観点からは、中心金属としてイリジウムがより好適である。一般式G2において、R11~R14のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。R15~R19のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基、炭素数1~6のアルキルチオ基、炭素数6~12のアリールチオ基、炭素数2~8のアルキルアミノ基、炭素数6~12のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R20は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数4~10のヘテロアリール基、のいずれかを表す。ここで、上述の一般式G1で表される構造を有する有機金属錯体として、具体的には、下記一般式G3で表される有機金属錯体は合成が容易なため好ましい。一般式G3において、R31、R32は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R33~R37は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。なお、R31は、結合するベンゼン環の3、4、5、6位のいずれか一に結合している置換基を示す。R32は、結合するベンゼン環の2、3、4、5、6位のいずれか一に結合している置換基を示す。ここで、上述の一般式G2で表される構造を有する有機金属錯体として、具体的には、下記一般式G4で表される有機金属錯体は合成が容易なため好ましい。一般式G4において、R31、R32は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表すか、又は、R31、R32は、それぞれ電子吸引基を表す。また、R33~R37は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。ここで、上述の一般式G3で表される構造を有する有機金属錯体として、具体的には、下記一般式G5で表される有機金属錯体は合成が容易なため好ましい。一般式G5において、R41、R42は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表すか、又はR41、R42は、それぞれ電子吸引基を表す。また、R43~R47は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Mは第9族元素または第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。ここで、上述の一般式G4で表される構造を有する有機金属錯体として、具体的には、下記一般式G6で表される有機金属錯体は合成が容易なため好ましい。一般式G6において、R41、R42は、それぞれハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表すか、又はR41、R42は、それぞれ電子吸引基を表す。また、R43~R47は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。本発明の一は、一般式G3、G4において、R31、R32は、フルオロ基であることを特徴とする有機金属錯体である。本発明の一は、一般式G5、G6において、R41、R42は、フルオロ基であることを特徴とする有機金属錯体である。本発明の一は、上述の有機金属錯体を含む層を電極間に有することを特徴とする発光素子である。本発明の一は、上述の有機金属錯体を発光物質として用いることを特徴とする発光素子である。本発明の一は、上述の発光素子を画素又は光源として用いる発光装置である。本発明の一は、上述の発光装置を表示部に含む電子機器である。なお、本発明の有機金属錯体を蛍光材料と併用し、その蛍光材料の発光効率を高めるという用途に用いることもできる。すなわち、発光素子において、蛍光材料に対する増感剤として用いることもできる。発光素子を発光装置として用いる場合には、発光素子の発光の演色性が問題となる。しかし、本発明の有機金属錯体では、発光スペクトルがブロードであれば可視光領域全体にわたって発光することになるため演色性が高くなり、自然光に近い発光を得ることができる。特に発光素子を照明装置として用いる場合には、発光素子の発光の演色性が問題となる。複数の発光材料を用いて白色発光素子を作製した場合、それぞれの発光材料の発光スペクトルがシャープであると演色性は低くなる。一方、本発明の有機金属錯体では、発光スペクトルがブロードであれば可視光領域全体にわたって発光することになるため演色性が高くなり、自然光に近い発光を得ることができる。また、本明細書において、発光装置とは、発光素子を有するデバイス全般を指し、具体的には、テレビや携帯電話機等の表示装置に用いるバックライト、信号機、街灯や街頭イルミネーション等の照明用途のライト、照明装置、ビニールハウスなどで使用できる育種用のライトなどを範疇に含む。本発明の一態様によって、燐光を発光することが可能な新規物質を提供することができる。また、本発明の一態様の有機金属錯体を発光物質として用いることによって、緑色~青色の発光を呈することのできる高効率な発光素子を得ることができる。さらに、本発明の一態様の有機金属錯体の補色である赤色~黄色の発光を呈する他の発光材料と組み合わせて、容易に白色を作ることが出来る。また、本発明の一態様の有機金属錯体と赤色~黄色の発光を呈する他の発光材料とを組み合わせた発光素子を用いて、表示装置、照明装置等の発光装置を作製した場合、従来の緑色~青色の波長域の発光を示す物質等特許文献1に記載の物質等を用いた場合に比べて、自然光に近い白色、つまり演色性の高い白色を発光する表示装置、照明装置等の発光装置を得ることができる。本発明の一態様によって、燐光を発光することができる有機金属錯体を得ることができる。特に、緑色~青色の波長域の燐光を示す有機金属錯体を得ることができる。また、燐光発光を示し、かつ耐熱性に優れた有機金属錯体を得ることができる。また、本発明によって、増感剤として用いることのできる有機金属錯体を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本発明において発光素子の一対の電極のうち、陽極として機能する電極とは当該電極の電位が高くなるように電圧をかけた際、発光が得られる方の電極を言い、陰極として機能する電極とは当該電極の電位が低くなるように電圧をかけた際、発光が得られる方の電極を言う。また、本明細書において、AとBとが接続されていると記載する場合は、AとBとが電気的に接続されている場合つまり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続されている場合と、AとBとが機能的に接続されている場合つまり、AとBとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合と、AとBとが直接接続されている場合つまり、AとBとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合とを含むものとする。実施の形態1本実施形態では、本発明の一態様である有機金属錯体について説明する。以下の一般式G1で表される構造を含む有機金属錯体は本発明の一態様である。一般式G1において、R11~R14のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。R15~R19のうち少なくとも1つの置換基は、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基、炭素数1~6のアルキルチオ基、炭素数6~12のアリールチオ基、炭素数2~8のアルキルアミノ基、炭素数6~12のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数1~4のハロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、R20は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~8のシクロアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数4~10のヘテロアリール基、のいずれかを表す。また、Mは第9族元素又は第10族元素を表す。Mが第9族元素のときはn=3であり、Mが第10族元素のときはn=2である。一般式G1で表される構造を含む有機金属錯体の具体例としては、構造式100~139で表される有機金属錯体が挙げられる。但し、本発明は、ここに記載したものに限定されるものではない。以上に示す本発明の一態様である有機金属錯体は、燐光を発光することが可能な新規物質である。次に、一般式G1で表される構造を含む有機金属錯体の合成方法の一例について説明する。≪一般式G0で表される4H-1,2,4-トリアゾール誘導体の合成法≫下記一般式G0で表される4H-1,2,4-トリアゾール誘導体は、以下のような簡便な合成スキームにより合成できる。例えば、下記スキームaに示すように、ジアロイルヒドラジン誘導体A1を五塩化リン等の塩素化剤でジクロロ化したアリールアルダジン誘導体A2を、1級アミンA3と共に加熱し、閉環することにより得られる。上述の化合物A1、A2、A3は、様々な種類が市販されているか、あるいは合成可能であるため、一般式G0で表される4H-1,2,4-トリアゾール誘導体は数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様である有機金属錯体は、その配位子のバリエーションが豊富であるという特徴がある。≪一般式G1で表される本発明の有機金属錯体の合成法≫次に、一般式G0で表される4H-1,2,4-トリアゾール誘導体をオルトメタル化して形成される本発明の一態様である有機金属錯体、すなわち、一般式G1で表される構造を有する有機金属錯体について説明する。まず、下記合成スキームbに示すように、一般式G0で表される4H-1,2,4-トリアゾール誘導体と、MZハロゲンを含む第9族または第10族の金属化合物もしくは第9族または第10族の有機錯体化合物とを混合した後、不活性ガス雰囲気にて加熱することにより、一般式G1で表される構造を有する本発明の有機金属錯体を得ることができる。この加熱プロセスは無溶媒で行ってもよいし、もしくは溶媒としてアルコール系溶媒グリセロール、エチレングリコール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール等を用いてもよい。また、加熱手段としては特に限定はないが、オイルバス、サンドバス、又はアルミブロックを加熱手段として用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。なお、スキームbでは、Mは第9族元素または第10族元素を表す。また、Mが第9族元素の時はn=3、Mが第10族元素の時はn=2である。なお、ハロゲンを含む第9族または第10族の金属化合物は、塩化ロジウム水和物、塩化パラジウム、塩化イリジウム水和物、ヘキサクロロイリジウム酸アンモニウム、テトラクロロ白金酸カリウム等を示す。また、ハロゲンを含む第9族または第10族の有機錯体化合物は、アセチルアセトナト錯体、ジエチルスルフィド錯体等を示す。以上に示した本発明の有機金属錯体は燐光を発光する。その為、本発明の有機金属錯体を発光物質として用いることによって、内部量子効率が高く、発光効率の高い発光素子を作製することができる。また、緑色~青色の波長域の発光を呈することのできる高効率な発光素子を得ることができ、緑色~青色の波長域に幅広い発光を示す燐光材料を作製することができる。なお、本発明の有機金属錯体を蛍光材料と併用し、その蛍光材料の発光効率を高めるという用途に用いることもできる。すなわち、発光素子において、蛍光材料に対する増感剤として用いることもできる。また、一般的に有機金属錯体の耐熱性は乏しい。しかしながら、本発明の有機金属錯体は燐光発光を示し、且つ耐熱性にも優れている。実施の形態2実施の形態1に記載の有機金属錯体を用いた発光素子の一態様について、図1Aを用いて説明する。発光素子は、一対の電極第1の電極102及び第2の電極104と、前記一対の電極間に挟まれたEL層103を有する。また、本実施の形態で説明する発光素子は、基板101上に設けられている。基板101は、発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができる。また、基板101として、可撓性を有する基板フレキシブル基板や曲面を有する基板を用いることもできる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、基板101としてこれら以外の基板を用いることも可能である。第1の電極102及び第2の電極104は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。本実施の形態においては、第1の電極102を陽極として用い、第2の電極104を陰極として用いるものとして説明するが、本発明はこの構成に限定されるものではない。陽極として用いる材料は、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、又はこれらの混合物などが好ましい。具体的には、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、又は金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。陰極として用いる材料は、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、導電性化合物、又はこれらの混合物などが好ましい。具体的には、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属が挙げられる。また、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む合金例えばMgAg、AlLiを用いることもできる。また、ユウロピウムEu、イッテルビウムYbなどの希土類金属、又は希土類金属を含む合金を用いることもできる。また、EL層103の一部として、第2の電極104に接する電子注入層を設ける場合、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITOなどの様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。EL層103は、単層構造で構成されることも可能であるが、通常積層構造から構成される。EL層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層電子輸送層又は正孔輸送性の高い物質を含む層正孔輸送層、電子注入性の高い物質を含む層電子注入層、正孔注入性の高い物質を含む層正孔注入層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層、発光物質を含む層発光層などを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。図1Aにおいては、第1の電極102の上に形成されたEL層103として、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114が順に積層された構造を示している。発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極102又は第2の電極104のいずれか一方又は両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102又は第2の電極104のいずれか一方又は両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102及び第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102及び第2の電極104を通って、基板側及び基板と逆側の両方から取り出される。本発明の一態様である一般式G1で表される有機金属錯体は、例えば発光層113に用いることができる。この場合、一般式G1で表される有機金属錯体からなる薄膜で発光層113が形成されていてもよいし、一般式G1で表される有機金属錯体がホスト材料にドーピングされた薄膜で発光層113が形成されていてもよい。発光層113に接する正孔輸送層112や電子輸送層114、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア電子又は正孔輸送層は、発光層113で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制することを目的として、発光層を構成する発光物質、又は発光層に含まれる発光中心物質が有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層であり、第1の電極102から正孔輸送層112へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。正孔注入層111を設けることによって、第1の電極102と正孔輸送層112との間のイオン化ポテンシャルの差が緩和され、正孔が注入され易くなる。正孔注入層111は、正孔輸送層112を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが小さく、第1の電極102を形成している物質よりもイオン化ポテンシャルが大きい物質、又は正孔輸送層112と第1の電極102との間に1~2nmの薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるような物質を用いて形成することが好ましい。つまり、正孔注入層111のイオン化ポテンシャルが正孔輸送層112のイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を正孔注入層111として選択することが好ましい。正孔注入性の高い物質の具体例としては、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPc等のフタロシアニン系の化合物、又はポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液PEDOT/PSS等の高分子が挙げられる。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高いものを指し、好ましくは電子の移動度に対する正孔の移動度の比の値=正孔移動度/電子移動度が100よりも大きい物質である。また、正孔輸送性の高い物質としては、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。正孔輸送性の高い物質の具体例としては、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB、4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N,N-ジm-トリルアミノ]ベンゼン略称:m-MTDAB、4,4’,4’’-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTA、フタロシアニン略称:H2Pc、銅フタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPcが挙げられる。また、正孔輸送層112は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とは、正孔よりも電子の移動度が高いものを指し、好ましくは正孔の移動度に対する電子の移動度の比の値=電子移動度/正孔移動度が100よりも大きい物質である。また、電子輸送性の高い物質としては、1×10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質が好ましい。電子輸送性の高い物質の具体例としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体が挙げられる。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqが挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2が挙げられる。また、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ01、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。具体例を挙げた上述の物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、前記以外の物質を電子輸送層114として用いてもよい。また、電子輸送層114は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。また、発光層113と電子輸送層114との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けてもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が通り抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層114と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2などのようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたものを用いればよい。具体例としては、Alq中にマグネシウムMgを含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けることにより、第2の電極104からの電子注入を効率良く行うことができる。また、EL層103の形成方法は、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、又はスピンコート法を用いることができる。また、EL層103を積層構造とする場合、各層毎に異なる成膜方法を用いて形成してもよいし、各層全てを同一の成膜方法で形成してもよい。また、第1の電極102、第2の電極104は、ゾル-ゲル法を用いた湿式法で形成してもよいし、金属材料のペーストを用いた湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法で形成してもよい。実施の形態3本実施の形態では、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、タンデム型の発光素子というの態様について、図1Bを参照しながら説明する。タンデム型の発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態2で示したEL層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態3の発光素子は、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されている。第1の電極501と第2の電極502は、実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態2と同様なものを適用することができる。第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には、電荷発生層513が設けられている。電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含み、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。有機化合物としては、正孔輸送性の有機化合物であり正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを用いることが好ましい。有機化合物の具体例としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等が挙げられる。また、金属酸化物は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体例としては、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられ、これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ましい。また、電荷発生層513は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを積層した構造としてもよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、タンデム型の発光素子は、3つ以上の発光ユニットを有する発光素子でもよい。なお、3つ以上の発光ユニットを有する発光素子の場合、各発光ユニットの間には電荷発生層を有する。例えば、本発明の一態様である有機金属錯体を用いて作製される第1のユニットと、前記有機金属錯体よりも長波長の発光例えば、赤色の発光を呈する発光材料を用いて作製される第2のユニットとを有する発光素子を構成してもよい。また、本発明の一態様である有機金属錯体を用いて作製される第1のユニットと、前記有機金属錯体よりも長波長の発光例えば、赤色の発光を呈する第1の発光材料を用いて作製される第2のユニットと、前記有機金属錯体よりも長波長、かつ前記第1の発光材料よりも短波長の発光例えば、緑色の発光を呈する第2の発光材料を用いて作製される第3のユニットとを有する発光素子を構成してもよい。これらの発光素子を用いることにより、白色の発光装置を得ることができる。特に、本発明の一態様である有機金属錯体の発光スペクトルは、ブロードなピークを有する特長がある。このため、タンデム型の発光素子において少なくとも1つの発光ユニットに本発明の一態様である有機金属錯体を用いることで、白の再現力演色性に優れた発光装置を容易に提供することができる。そして、本実施の形態に係るタンデム型の発光素子は、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域で発光する長寿命素子を実現することができる。実施の形態4本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光素子を用いて作製される発光装置の一例である、パッシブマトリクス型の発光装置、及びアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。図2、図3にパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。パッシブマトリクス型単純マトリクス型ともいうの発光装置は、ストライプ状帯状に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された電圧が印加された陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。図2A乃至図2Cは、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図2A乃至図2C中の鎖線A-A’で切断した断面図が図2Dである。基板601上には、下地絶縁層として絶縁層602が形成されている。なお、絶縁層602は必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層602上には、ストライプ状の複数の第1の電極603が等間隔で配置されている図2A。なお、本実施の形態で示す第1の電極603は、実施の形態2における第1の電極102に相当する。また、第1の電極603上には、各画素に対応する開口部605を有する隔壁604が設けられている。隔壁604は、絶縁材料で形成されている。例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、もしくはベンゾシクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、アルキル基を含むSiOx膜等のSOG膜を絶縁材料として用いることができる。また、各画素に対応する開口部605は、発光領域となる図2B。開口部を有する隔壁604上には、第1の電極603と交差する複数の隔壁606が設けられている図2C。複数の隔壁606は、それぞれ互いに平行に設けられており、逆テーパ状をなしている。第1の電極603及び隔壁604上には、EL層607及び第2の電極608が順次積層されている図2D。なお、本実施の形態で示すEL層607は、実施の形態2におけるEL層103に相当し、第2の電極608は、実施の形態2の第2の電極104に相当する。隔壁604及び隔壁606を合わせた高さは、EL層607及び第2の電極608の膜厚より大きくなるように設定されているため、図2Dに示すように複数の領域に分離されたEL層607、及び第2の電極608が形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。第2の電極608は、第1の電極603と交差する方向に伸長するストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁606上にもEL層607及び第2の電極608を形成する導電層の一部が形成されるが、EL層607、及び第2の電極608とは分断されている。また、必要であれば、基板601に封止缶やガラス基板などの封止材をシール材などの接着剤で貼り合わせて封止し、発光素子が密閉された空間に配置されるようにしても良い。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。なお、密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填しても良い。さらに、水分などによる発光素子の劣化を防ぐために基板と封止材との間に乾燥材などを封入することが好ましい。乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属の酸化物、ゼオライト、又はシリカゲル等を用いることができる。アルカリ土類金属の酸化物は、化学吸着によって水分を吸収する性質を有する。また、ゼオライトやシリカゲルは、物理吸着によって水分を吸着する性質を有する。次に、図2A乃至図2Dに示したパッシブマトリクス型の発光装置にFPCフレキシブルプリントサーキットなどを実装した場合の上面図を図3に示す。図3において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。ここで、図2における第1の電極603が、図3の走査線703に相当し、図2における第2の電極608が、図3のデータ線708に相当し、逆テーパ状の隔壁606が隔壁706に相当する。データ線708と走査線703の間には、図2のEL層607が挟まれており、領域705で示される交差部が画素1つ分となる。走査線703は配線端で接続配線709と電気的に接続され、接続配線709が入力端子710を介してFPC711bに接続される。また、データ線708は入力端子712を介してFPC711aに接続される。また、必要に応じて、光の射出面に偏光板、円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に加えて反射防止膜を設けてもよい。反射防止膜を設けることにより、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。なお、図3では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、基板上に駆動回路を有するICチップを実装させてもよい。また、ICチップを実装させる場合には、画素部の周辺外側の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側IC、走査線側ICをそれぞれ実装する。実装方式は、COG方式、TCP、ワイヤボンディング方式等を用いることができる。TCPはTABテープにICを実装したものであり、TABテープを素子形成基板上の配線に接続してICを実装する。データ線側IC及び走査線側ICは、シリコン基板やSOISiliconOnInsulator基板に形成されたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板、又はプラスチック基板上に形成されたものであってもよい。次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図4を用いて説明する。なお、図4Aは発光装置を示す上面図であり、図4Bは図4Aを鎖線A-A’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板801上に設けられた画素部802と、駆動回路部ソース側駆動回路803と、駆動回路部ゲート側駆動回路804とを有する。画素部802、駆動回路部803、及び駆動回路部804は、シール材805によって、素子基板801と封止基板806との間に封止されている。素子基板801上には、駆動回路部803及び駆動回路部804に外部からの信号ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線807が設けられる。ここでは、外部入力端子としてFPC808を設ける例を示している。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にFPC又はPWBが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。次に、アクティブマトリクス型の発光装置の断面構造について図4Bを用いて説明する。なお、素子基板801上には駆動回路部803及び駆動回路部804及び画素部802が形成されているが、図4Bにおいては、ソース側駆動回路である駆動回路部803と、画素部802を示している。駆動回路部803が、nチャネル型TFT809とpチャネル型TFT810とを組み合わせたCMOS回路を有する例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路、又はNMOS回路で形成することができる。また、本実施の形態では、画素部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、画素部が形成された基板とは別の基板に駆動回路駆動回路部803若しくは駆動回路部804の一方、又は、その両方を形成することもできる。画素部802は、スイッチング用のTFT811と、電流制御用のTFT812と、電流制御用TFT812の配線ソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された陽極813とを含む複数の画素により形成されている。また、陽極813の端部を覆って絶縁物814が形成されている。ここでは、絶縁物814はポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、スイッチング用のTFT811や電流制御用のTFT812といったTFTの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のTFTでもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、トップゲート型のTFTでもよいし、ボトムゲート型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の材料についても特に限定されず、シリコンを用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物等の酸化物半導体を用いてもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。発光素子817は、陽極813、EL層815、及び陰極816によって構成されている。発光素子の構造、材料等については実施の形態2で説明したため、ここでは詳細な説明を省略する。なお、図4における陽極813、EL層815、及び陰極816はそれぞれ実施の形態2における第1の電極102、EL層103、第2の電極104に相当する。また、ここでは図示しないが、陰極816は外部入力端子であるFPC808に電気的に接続されている。絶縁物814は、陽極813の端部に設けられている。そして、絶縁物814の上層に形成される陰極816の被覆性を少なくとも良好なものとするため、絶縁物814の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物814の上端部又は下端部に曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせるのが好ましい。また、絶縁物814の材料としては、光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等の無機化合物を用いることもできる。また、図4Bに示す断面図では発光素子817を1つのみ図示しているが、画素部802においては、複数の発光素子がマトリクス状に配置されている。例えば、画素部802に3種類R、G、Bの発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、発光素子817は、素子基板801、封止基板806、及びシール材805で囲まれた空間818に設けられている。空間818は、希ガス又は窒素ガスが充填されていてもよいし、シール材805が充填されていてもよい。シール材805は、できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが好ましく、例えばエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、封止基板806としては、ガラス基板、石英基板、又はFRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステル、もしくはアクリルからなるプラスチック基板等を用いることができる。以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。また、発光素子をアクティブマトリクス型の発光装置に用いる場合には、発光素子の発光の演色性が問題となる。複数の発光材料を用いて白色発光素子を作製した場合、それぞれの発光材料の発光スペクトルがシャープであると演色性は低くなる。一方、本発明の有機金属錯体では、発光スペクトルがブロードであれば可視光領域全体にわたって発光することになるため演色性が高くなり、自然光に近い発光を得ることができる。本実施の形態は、他の全ての実施の形態、他の全ての実施例と組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光装置を用いて作製される電子機器、照明装置の具体例について、図5、図6を用いて説明する。本発明に適用可能な電子機器の一例として、テレビジョン装置テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機パチンコ機、スロットマシン等、ゲーム機器が挙げられる。これらの電子機器及び照明装置の具体例を図5、図6に示す。図5Aは、テレビジョン装置9100を示している。テレビジョン装置9100は、筐体9101に表示部9103が組み込まれている。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、表示部9103に用いることが可能であり、表示部9103により映像を表示することが可能である。なお、ここではスタンド9105により筐体9101を支持した構成を示している。テレビジョン装置9100の操作は、筐体9101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9110により行うことができる。リモコン操作機9110が備える操作キー9109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9110に、当該リモコン操作機9110から出力する情報を表示する表示部9107を設ける構成としてもよい。図5Aに示すテレビジョン装置9100は、受信機やモデムなどを備えている。テレビジョン装置9100は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者又は双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、高い発光効率と、長い寿命を有するため、当該発光装置をテレビジョン装置の表示部9103に用いることで、従来に比べて画質の向上した画像を表示することが可能となる。図5Bはコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。コンピュータは、本発明の一態様を用いて作製される発光装置をその表示部9203に用いることにより作製される。また、本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、高い発光効率と、長い寿命を有する発光装置であるため、当該発光装置をコンピュータの表示部9203に用いることで、従来に比べて画質の向上した画像を表示することが可能となる。図5Cは携帯型ゲーム機であり、筐体9301と筐体9302の2つの筐体で構成されており、筐体は連結部9303により、開閉可能に連結されている。筐体9301には表示部9304が組み込まれ、筐体9302には表示部9305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型ゲーム機は、操作キー9309、接続端子9310、センサ9311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン9312等の入力手段を備えている。さらに、スピーカー部9306、記録媒体挿入部9307、LEDランプ9308等を備えていてもよい。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定されず、表示部9304及び表示部9305の両方、又は一方に上記実施の形態を適用して形成される発光装置が少なくとも用いられていればよい。図5Cに示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型ゲーム機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。また、本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、高い発光効率と、長い寿命を有する発光装置であるため、当該発光装置を携帯型ゲーム機の表示部9304、9305に用いることで、従来に比べて画質の向上した画像を表示することが可能となる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機9400は、筐体9401に組み込まれた表示部9402の他、操作ボタン9403、外部接続ポート9404、スピーカー9405、マイクロフォン9406、アンテナ9407などを備えている。携帯電話機9400は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を表示部9402に用いることにより作製される。図5Dに示す携帯電話機9400は、表示部9402を指などで触れることで、情報を入力する、電話を掛ける、又はメールを作成するなどの操作を行うこともできる。表示部9402の画面は、主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、又はメールを作成する場合は、表示部9402を文字の入力を主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部9402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機9400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機9400の向き縦向きか横向きかを判断して、表示部9402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部9402を触れる、又は筐体9401の操作ボタン9403の操作により行われる。また、表示部9402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部9402の光センサで検出される信号を検知し、表示部9402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。また、表示部9402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部9402に掌や指を触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、高い発光効率と、長い寿命を有する発光装置であるため、当該発光装置を携帯電話機の表示部9402に用いることで、従来に比べて画質の向上した画像を表示することが可能となる。図5Eは卓上型の照明装置であり、照明部9501、傘9502、可変アーム9503、支柱9504、台9505、電源9506を含む。卓上型の照明装置は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を照明部9501に用いることにより作製される。なお、照明装置の形式は、卓上型に限らず、天井固定型や、壁掛け型、携帯型も含まれる。図6は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を、室内の照明装置1001として用いた例である。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、上記実施の形態で示した発光装置は、薄型化が可能であるため、ロール型の照明装置1002として用いることもできる。なお、図6に示すように、室内の照明装置1001を備えた部屋で、図5Eで説明した照明装置と同様な卓上型の照明装置1003を併用してもよい。また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。図7は、本発明の一態様の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図7に示した液晶表示装置は、筐体1101、液晶層1102、バックライト1103、筐体1104を有し、液晶層1102は、ドライバーIC1105と接続されている。また、バックライト1103は、本発明の一態様の発光装置が用いられており、端子1106により、電流が供給されている。このように本発明の一態様の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の一態様の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。本発明の一態様の発光装置を電子機器に用いる場合には、発光素子の発光の演色性が問題となる。特に表示装置や照明装置等の電子機器では演色性が大きな問題となる。複数の発光材料を用いて白色発光素子を作製した場合、それぞれの発光材料の発光スペクトルがシャープであると演色性は低くなるためである。一方、本発明の有機金属錯体では、発光スペクトルがブロードであれば可視光領域全体にわたって発光することになるため演色性が高くなり、自然光に近い発光を得ることができる。特に本発明の一態様の発光装置は、表示装置や照明装置等に好適な発光装置と言える。以上のように、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を用いた電子機器や照明装置を提供することができる。本発明の一態様を用いて作製される発光装置の適用範囲は極めて広く、様々な分野の電子機器に適用することが可能である。本実施の形態は、他の全ての実施の形態、他の全ての実施例と組み合わせることが可能である。≪合成例1≫本合成例1では、実施の形態1の構造式100で表される本発明の一態様である有機金属錯体、トリス[3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrFtaz3]の合成例を具体的に例示する。<ステップ1;4-フルオロベンゾイルヒドラジンの合成>まず、500mL三ツ口フラスコに4-フルオロ安息香酸エチル25g、エタノール100mLを入れ撹拌した。この混合溶液にヒドラジン一水和物20mLを加え、80°Cで6時間加熱撹拌した。撹拌後、反応混合物を水250mLに加えたところ、白色固体が析出した。この混合物に酢酸エチルを加え固体を溶解した。有機層と水層を分液し、水層を酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液と有機層をあわせて飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え乾燥した。乾燥後、この混合物を自然ろ過し、得られたろ液を濃縮して白色固体を得た。得られた白色固体をヘキサンで洗浄し、4-フルオロベンゾイルヒドラジンを得た白色固体、収率57。ステップ1の合成スキームを下記a-1に示す。<ステップ2;N,N’-ビス4-フルオロベンゾイルヒドラジンの合成>次に、上記ステップ1で得た4-フルオロベンゾイルヒドラジン5.0g、N-メチル-2-ピロリドン略称:NMP50mLを200mLの三ツ口フラスコに入れ混合した。この混合溶液に4-フルオロベンゾイルクロライド4mLとNMP5mLの混合溶液を50mL滴下ロートより滴下し、室温で1時間半撹拌した。撹拌後、この混合溶液を水250mLに加えたところ、白色固体が析出した。析出した固体を1Mの塩酸で洗浄し、吸引ろ過して白色固体を得た。得られた固体をメタノールで洗浄し、N,N’-ビス4-フルオロベンゾイルヒドラジンを得た白色固体、収率56。ステップ2の合成スキームを下記b-1に示す。<ステップ3;1,2-ビス[4-フルオロフェニルクロロメチリデン]ヒドラジンの合成>次に、上記ステップ2で得たN,N’-ビス4―フルオロベンゾイルヒドラジン5.0g、トルエン100mLを500mL三ツ口フラスコに入れ混合した。この混合溶液に五塩化リン7.5gを加え、110°Cで6時間撹拌した。撹拌後、反応溶液を水200mLに注ぎ、1時間撹拌した。有機層と水層を分液し、得られた有機層を水、次いで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。洗浄後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加え乾燥した。得られた混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して黄色固体を得た。この固体をメタノールで洗浄し、1,2-ビス[4-フルオロフェニルクロロメチリデン]ヒドラジンを得た黄色固体、収率87。ステップ3の合成スキームを下記c-1に示す。<ステップ4;3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HFtazの合成>次に、上記ステップ3で得た1,2-ビス[4-フルオロフェニルクロロメチリデン]ヒドラジン4.9g、アニリン1.5g、N,N-ジメチルアニリン50mLを200mL三ツ口フラスコに入れ、120°Cで5時間加熱撹拌した。撹拌後、反応溶液を1Mの塩酸に加え30分撹拌したところ、固体が析出した。析出した固体を吸引ろ過し固体を得た。得られた固体を、ヘキサンとエタノールの混合溶媒にて再結晶し、3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HFtazを得た白色固体、収率73。ステップ4の合成スキームを下記d-1に示す。<ステップ5;トリス[3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrFtaz3]の合成>さらに、上記ステップ4で得た配位子HFtaz1.76g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII0.52gを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、250°Cにて49時間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解させ、セライトをろ紙の上に敷いた状態で、この溶液を吸引ろ過した。得られたろ液の溶媒を留去し、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。さらに、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]を得た黄色粉末、収率76。ステップ5の合成スキームを下記e-1に示す。≪参考例≫本参考例では、実施の形態1の構造式100で表される本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]の配位子HFtazについて、上述の合成例と異なる方法を具体的に例示する。<3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HFtazの合成>まず、p-トルエンスルホン酸一水和物略称:TsOHH2O1.9g、1,2-ジクロロベンゼン15mLを100mL三ツ口フラスコに入れ混合した。次に、2,5-ビス4-フルオロフェニル-1,3,4-オキサジアゾール2.6g、アニリン0.93gを加えて150°Cで11時間加熱撹拌した。撹拌後、反応溶液を冷却し、析出した固体を吸引ろ過した。得られた固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HFtazを得た白色固体、収率53。本ステップの合成スキームを下記f-1に示す。なお、上記ステップ5で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果1H-NMRデータを下記に示す。また、1H-NMRチャートを図8に示す。このことから、本合成例1において、上述の構造式100で表される本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:6.29-6.40m,6H,6.58dd,3H,6.87t,6H,7.32-7.45m,12H,7.48-7.54m,3H,7.59-7.62m,6H.また、得られた本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]の分解温度を高真空差動型示差熱天秤ブルカーエイエックスエス株式会社製、TG-DTA2410SAにより測定した。昇温速度を10°C/minに設定し、昇温したところ、402°Cにて5の重量減少が見られ、良好な耐熱性を示すことがわかった。次に、[IrFtaz3]の紫外可視線吸収スペクトル法UVによる解析を行った。UVスペクトルの測定は紫外可視分光光度計株日本分光製V550型を用い、ジクロロメタン溶液0.967mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。また、[IrFtaz3]の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用い、脱気したジクロロメタン溶液0.967mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。測定結果を図9に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図9に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]は、499nmに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。比較例1≪合成例2≫本合成例2では、トリス[4-2,6-ジメチルフェニル-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[Irtaz-dmp3]の合成例を具体的に例示する。なお、[Irtaz-dmp3]の構造を以下に示す。<ステップ1;N,N’-ジベンゾイルヒドラジンの合成>まず、200mLの三ツ口フラスコにベンゾイルヒドラジン6.6g、N-メチル-2-ピロリドン略称:NMP50mLを入れ撹拌した。この混合溶液にベンゾイルクロライド5mLとNMP10mLの混合溶液を50mL滴下ロートより滴下し、室温で1時間撹拌した。撹拌後、反応混合溶液を水250mLに加えたところ、白色固体が析出した。析出した固体を1Mの塩酸で洗浄し、吸引ろ過して白色固体を得た。得られた固体をメタノールで洗浄し、N,N’-ジベンゾイルヒドラジンを得た白色固体、収率65。ステップ1の合成スキームを下記a-2に示す。<ステップ2;1,2-ジ[クロロフェニルメチリデン]ヒドラジンの合成>次に、上記ステップ1で得たN,N’-ジベンゾイルヒドラジン7.5gとトルエン100mLを300mL三ツ口フラスコに入れ撹拌した。この混合溶液に五塩化リン13gを加えて110°Cで4時間加熱撹拌した。撹拌後、反応溶液を水250mLの水に加えて1時間撹拌した。撹拌後、有機層と水層を分離し、有機層を水、次いで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。洗浄後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体をメタノールで洗浄して1,2-ジ[クロロフェニルメチリデン]ヒドラジンを得た黄色固体、収率82。ステップ2の合成スキームを下記b-2に示す。<ステップ3;4-2,6-ジメチルフェニル-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:Htaz-dmpの合成>まず、200mLナスフラスコに上記ステップ2で得た1,2-ジ[クロロフェニルメチリデン]ヒドラジン4.0g、ジメチルアニリン40mL、2,6-ジメチルアニリン2mLを入れ、120°Cで28時間加熱撹拌した。この反応溶液を1M塩酸100mLに注ぎ入れ、撹拌したところ固体が析出した。この固体を吸引ろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはトルエン:酢酸エチル=1:1の混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。さらに、ヘキサンとエタノールの混合溶媒にて再結晶し、4-2,6-ジメチルフェニル-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾールを得た白色固体、収率50。ステップ3の合成スキームを下記c-2に示す。<ステップ4;トリス[4-4-tert-ブチルフェニル-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[Irtaz-dmp3]の合成>さらに、上記ステップ4で得た配位子Htaz-dmp0.82g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII0.25gを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、250°Cにて48時間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解させ、セライトをろ紙の上に敷いた状態で、この溶液を吸引ろ過した。得られたろ液の溶媒を留去し、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。さらに、酢酸エチルにて再結晶し、[Irtaz-dmp3]を得た黄色粉末、収率38。ステップ4の合成スキームを下記d-2に示す。なお、上記ステップ4で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果1H-NMRデータを下記に示す。また、1H-NMRチャートを図10に示す。このことから、本比較例1において、[Irtaz-dmp3]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:1.92s,3H,2.16s,3H,6.24d,1H,6.55t,1H,6.73t,1H,6.96d,1H,7.15t,2H,7.22~7.27m,3H,7.38~7.43m,3H.次に、[Irtaz-dmp3]の紫外可視線吸収スペクトル法UVによる解析を行った。UVスペクトルの測定は紫外可視分光光度計株日本分光製V550型を用い、ジクロロメタン溶液0.558mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。また、[Irtaz-dmp3]の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用い、脱気したジクロロメタン溶液0.558mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。測定結果を図11に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図11に示す通り、[Irtaz-dmp3]は、486、511nmに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。比較例2≪合成例3≫本合成例3では、トリス[3,5-ビス4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrtButaz3]の合成例を具体的に例示する。なお、[IrtButaz3]の構造を以下に示す。<トリス[3,5-ビス4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrtButaz3]の合成>まず、配位子である3,5-ビス4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HtButaz1.41g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII0.34gを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、250°Cにて43時間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解させ、セライトをろ紙の上に敷いた状態で、この溶液を吸引ろ過した。得られたろ液の溶媒を留去し、酢酸エチルにて再結晶し、[IrtButaz3]を得た黄色粉末、収率68。合成スキームを下記a-3に示す。なお、上記で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果1H-NMRデータを下記に示す。また、1H-NMRチャートを図12に示す。このことから、本比較例2において、[IrtButaz3]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:1.05s,18H,1.22s,18H,6.34m,6H,7.21d,6H,7.35m,9H,7.55m,15H.次に、[IrtButaz3]の紫外可視線吸収スペクトル法UVによる解析を行った。UVスペクトルの測定は紫外可視分光光度計株日本分光製V550型を用い、ジクロロメタン溶液0.078mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。また、[IrtButaz3]の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用い、脱気したジクロロメタン溶液0.47mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。測定結果を図13に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図13に示す通り、[IrtButaz3]は、515nmに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。比較例3≪合成例4≫本合成例4では、アセチルアセトナトビス[3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrFtaz2acac]の合成例を具体的に例示する。なお、[IrFtaz2acac]の構造を以下に示す。<ステップ1;ジ-μ-クロロ-ビス{ビス[3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]}イリジウムIII略称:[IrFtaz2Cl]2の合成>まず、2-エトキシエタノール15mLと水5mL、合成例1の方法で合成した配位子HFtaz1.23g、塩化イリジウム水和物IrCl3nH2O0.50gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波2.45GHz100Wを30分間照射し、反応させた。反応溶液をろ過し、得られたろ取物をエタノールにて洗浄することにより複核錯体[IrFtaz2Cl]2を黄色粉末として得た収率28。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置CEM社製Discoverを用いた。また、ステップ1の合成スキームを下記a-4に示す。<ステップ2;アセチルアセトナトビス[3,5-ビス4-フルオロフェニル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrFtaz2acac]の合成>さらに、2-エトキシエタノール20mL、上記ステップ1で得た複核錯体[IrFtaz2Cl]20.43g、アセチルアセトン略称:Hacac0.074mL、炭酸ナトリウム0.25gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波2.45GHz100Wを30分間照射し、反応させた。反応溶液を濃縮乾固して得られた残渣を、酢酸エチルに溶解し、ろ過した。得られたろ液を濃縮乾固し、残渣をメタノールにて再結晶することにより、[IrFtaz2acac]を黄色粉末として得た収率25。ステップ2の合成スキームを下記b-4に示す。なお、上記ステップ2で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果1H-NMRデータを下記に示す。また、1H-NMRチャートを図14に示す。このことから、本合成例4において、[IrFtaz2acac]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:1.96s,6H,5.33s,1H,6.20-6.32m,6H,7.00t,4H,7.49-7.56m,6H,7.58-7.69m,8H.次に、[IrFtaz2acac]の紫外可視線吸収スペクトル法UVによる解析を行った。UVスペクトルの測定は紫外可視分光光度計株日本分光製V550型を用い、ジクロロメタン溶液0.051mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。また、[IrFtaz2acac]の発光スペクトルを測定した。発光スペクトルの測定は蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用い、脱気したジクロロメタン溶液0.30mmol/Lを用いて、室温で測定を行った。測定結果を図15に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図15に示す通り、[IrFtaz2acac]は、504nmに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。図16は、比較例2、3の有機金属錯体である[IrFtaz2acac]、[IrtButaz3]と、実施の形態1の構造式100で表される本発明の一態様である有機金属錯体[IrFtaz3]の発光スペクトルを比較したものである。測定結果は、それぞれ図9、図13、図15に対応する。図16において、[IrFtaz3]と[IrFtaz2acac]の発光スペクトルを比較すると、[IrFtaz3]の方が、長波長側にも短波長側にも広く発光していることがわかる。また、図16において、[IrtButaz3]と[IrFtaz3]の発光スペクトルを比較すると、[IrFtaz3]の方が、発光ピークが短波長側にあるにもかかわらず、[IrtButaz3]の発光ピークよりも長波長側において、[IrtButaz3]よりも[IrFtaz3]の発光強度が強く観察されている。したがって、[IrFtaz2acac]、[IrtButaz3]と比較しても、[IrFtaz3]は幅広い発光スペクトルを示すことが確認できた。つまり、[IrFtaz2acac]、[IrtButaz3]よりも、[IrFtaz3]は緑色~青色の波長域にて幅広い発光を示す有機金属錯体であることが確認できた。さらに、図16の発光スペクトルの比較から上記錯体G7を用いて以下のような考察が可能である。上記錯体G7のR12とR17に電子吸引基からなる置換基を有することで、緑色~青色の波長域にて幅広い発光を示す燐光材料となった。このことは、以下のように考えられる。R12が電子吸引基であると、ベンゼン環Ph1の電子主にπ電子がR12に引き寄せられ、金属Mから電子が供与されやすくなる。つまり、R12が電子吸引基でない場合と比べると金属Mから配位子主にベンゼン環Ph1に電荷が移動しやすい状況MLCT遷移をとりやすい状況にあるとともに、R12に十分に電子が引き寄せられてもベンゼン環Ph1に電子が存在している。したがって、誘起効果を考慮すると錯体G7全体のエネルギー状態が不安定化するのに寄与する。特にフルオロ基のような比較的に電子吸引性が高くない電子吸引基の場合、錯体G7がMLCT遷移状態となっても、フルオロ基はベンゼン環Ph1の電子を十分に引き寄せられず、ベンゼン環Ph1に金属Mから電子が供与されている。したがって、錯体G7全体のエネルギー状態が不安定化する。一方、R17が電子吸引基であると、ベンゼン環Ph2の電子主にπ電子がR17に引き寄せられ、ベンゼン環Ph2は不活性化する。また、トリアゾール環にもベンゼン環Ph2の電子主にπ電子が引き寄せられる。これらのため、誘起効果を考慮するとPh2は安定化する。その結果、錯体G7全体のエネルギー状態が安定化するのに寄与する。以上のように、有機電子論的な考察から少なくともR12とR17に電子吸引基からなる置換基を有することで、R12は錯体G7全体のエネルギー状態が不安定化するのに寄与し、R17は錯体G7全体のエネルギー状態が安定化するのに寄与している。このことが起因して、緑色~青色の波長域にて幅広い発光スペクトルを示す燐光を示すものと推測される。したがって、少なくともR12とR17に電子吸引基からなる置換基を有することで緑色~青色の波長域にて幅広い発光を示す燐光材料を提供することが可能である。なお、電子吸引基としては、ハロゲン基、ハロアルキル基、シアノ基などの共鳴効果、誘起効果などにより電子をひきつける原子団が挙げられる。本実施例では、実施の形態1の構造式100で表される有機金属錯体、[IrFtaz3]を用いた発光素子以下、発光素子1というについて説明する。なお、本実施例で用いた材料の一部の構造式を以下に示す。発光素子1まず、ガラス基板上に酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物をスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極を形成した。第1の電極の膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成されたガラス基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した。その後、第1の電極上に、4,4’,4’’-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTAと酸化モリブデンVIとを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層を形成した。複合材料を含む層の膜厚は50nmとし、TCTAと酸化モリブデンの比率は、重量比で2:1=TCTA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源を用いて、複数の材料を同時に蒸着する方法を指す。次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層上にTCTAを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層を形成した。さらに、9-[4-4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzTAZIと、実施の形態1の構造式100で表される有機金属錯体である[IrFtaz3]とを共蒸着することにより、正孔輸送層上に30nmの膜厚の発光層を形成した。ここで、CzTAZIと[IrFtaz3]との重量比は、1:0.06=CzTAZI:[IrFtaz3]となるように調節した。その後、抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層上に、3-4-tert-ブチルフェニル-4-フェニル-5-4-ビフェニリル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ01を膜厚10nmとなるように成膜し、続いてTAZ01層の上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜した。こうして、TAZ01からなる層及びBPhenからなる層を積層した電子輸送層を発光層上に形成した。さらに、電子輸送層上にフッ化リチウムを1nmの膜厚となるように成膜し、電子注入層を形成した。最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、陰極として機能する第2の電極を形成した。このようにして、発光素子1を作製した。発光素子1に0.5mAの電流を流した時の発光スペクトルを図17に示す。また、発光素子1の電圧-輝度特性を図18に示す。また、発光素子1の電流密度-輝度特性を図19に示す。また、図17から、発光素子1の発光は、[IrFtaz3]からの発光であることがわかった。898cd/m2の輝度の時の発光素子1のCIE色度座標はx,y=0.24,0.42であり、青緑色の発光が得られた。また、図18からわかるように、発光素子1において、898cd/m2における駆動電圧は5.2Vであり、パワー効率は6.91m/Wであった。この結果から、発光素子1は、ある一定の輝度を得るための電圧が低く、低消費電力でありながら、高い電流効率、パワー効率を有することがわかった。"