"溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項1に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が、蒸気拡散法、バッチ法、透析法または自由界面拡散法から選ばれる方法により形成されることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項1又は2に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、単層カーボンナノチューブが、カイラリティのそろったものであることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項1~3に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、溶媒に結晶化剤を添加することを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項4に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、溶媒に更に緩衝剤を添加することを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項2記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記結晶化剤が、塩類、アルコール類、又はポリエチレングリコール類及びその誘導体であり、上記ドロップ溶液が、結晶化剤としての塩類を含む単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項2記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記結晶化剤が、塩類、アルコール類、又はポリエチレングリコール類及びその誘導体であり、上記ドロップ溶液が、結晶化剤としての塩類を含まないことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項7記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われる、シッティングドロップ法であり、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を1.3モル/リットル以上10.0モル/リットル以下の濃度で含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項7記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われる、ハンギングドロップ法であり、上記ドロップ溶液がアルコール類を溶液全体に対して1.5重量以上含有し、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を0.1モル/リットル以上1.4モル/リットル以下の濃度で含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。請求項1~9のいずれか1項に記載の方法により得られた単層カーボンナノチューブ結晶。請求項10に記載の単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス。請求項10記載の電子デバイスにおいて、単層カーボンナノチューブ結晶に金属を蒸着してなる電極を具備することを特徴とする電子デバイス。本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、高純度で、一様な方向性を持ち、且つ電子デバイスに応用できる十分な大きさのSWCNT結晶を得ることができることを新たに見出した。本発明はこの新知見に基づいて成されたものである。すなわち、本発明の目的は、溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブSWCNTを過飽和状態にすることにより、高純度で、且つ電子デバイスに応用できる十分な大きさのSWCNTの結晶を作製する方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、該方法により作製されたSWCNT結晶を提供することである。さらに、本発明の他の目的は、該SWCNT結晶を用いた電子デバイスを提供することである。本発明は、以下に示す、単層カーボンナノチューブの結晶作製方法、単層カーボンナノチューブ結晶及び単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイスに関する。1溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。2上記1に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が、蒸気拡散法、バッチ法、透析法または自由界面拡散法から選ばれる方法により行われることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。3上記1又は2に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、単層カーボンナノチューブが、カイラリティのそろったものであることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。4上記1~3に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、溶媒に結晶化剤を添加することを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。5上記4に記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、溶媒に更に緩衝剤を添加することを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。6上記2記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記結晶化剤が、塩類、アルコール類、又はポリエチレングリコール類及びその誘導体であり、上記ドロップ溶液が、結晶化剤としての塩類を含む単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。7上記2記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記結晶化剤が、塩類、アルコール類、又はポリエチレングリコール類及びその誘導体であり、上記ドロップ溶液が、結晶化剤としての塩類を含まないことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。8上記7記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われる、シッティングドロップ法であり、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を1.3モル/リットル以上10.0モル/リットル以下の濃度で含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。9上記7記載の単層カーボンナノチューブの結晶作製方法において、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われる、ハンギングドロップ法であり、上記ドロップ溶液がアルコール類を溶液全体に対して1.5重量以上含有し、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を0.1モル/リットル以上1.4モル/リットル以下の濃度で含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。10上記1~9のいずれかに記載の方法により得られた単層カーボンナノチューブ結晶。11上記10に記載の単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス。12上記11記載の電子デバイスにおいて、単層カーボンナノチューブ結晶に金属を蒸着してなる電極を具備することを特徴とする電子デバイス。本発明においては、溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、高純度で、電子デバイスに応用できる十分な大きさに成長したSWCNT結晶を得ることができる。また、SWCNT結晶作製の原料として、密度勾配法等により精製したSWCNTを使用することで、直径、カイラリティ等のそろった均一で高純度なSWCNT結晶を作製できる。そして、本発明により作製されるSWCNT結晶は一様な方向性を持ち、また、SWCNT結晶は一本一本取り扱いが可能であり、且つ、同じ電気的特性を示すことから、電気的特性を計算して一本単位で電子デバイスに組み込むことが可能であり、電子デバイス作製用の材料として好適である。また、電子デバイスの製造工程面においても、電子デバイスとは別に作製されたSWCNT結晶を電子デバイスに組み込むことができるので、電子デバイス面に直接SWCNTを成長させる際に必要であった真空装置や高温での処理が不要になることから、プラスチック等の融点の低い材料を電子デバイスの基板として用いることができ、また、電子デバイスのコストダウンを図ることができる。さらに、SWCNT合成の為の触媒、電子デバイス面の事前処理が不要になることから、製造工程も簡単になる。そして、電子デバイスの性能面においては、SWCNT結晶は、一様な方向性を持った結晶であることから、電子デバイス内でのSWCNTの配向制御が可能となり、論理的に予想される性能に近い電子デバイスを作製することができる。本発明は、溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブSWCNTを過飽和状態にすることにより、電子デバイスに応用できる十分な大きさに成長したSWCNTの結晶を作製する方法、該方法により作製されたSWCNT結晶及びSWCNT結晶を用いた電子デバイスに関するものである。以下、本発明の方法、SWCNT結晶及びSWCNT結晶を用いた電子デバイスをさらに具体的に説明する。まず、本発明において用いられる、溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブとは、溶媒中でSWCNTが、孤立分散状態で安定に存在している状態のことを指し、当該技術分野においては、可溶と同義である。また、単層カーボンナノチューブの結晶とは、SWCNTが一様な方向性をもった形で凝集していることを指す。次に、過飽和状態にするとは、ある温度での相平衡状態になる単分散量飽和量に相当するSWCNT量以上のSWCNTを溶媒に単分散させた状態にすることである。過飽和状態にする具体的な方法としては、SWCNTを単分散している溶媒を緩やかに濃縮する方法が挙げられ、具体的には、蒸気拡散法、透析法または自由界面拡散法などの方法が挙げられる。また、溶媒を濃縮するのではなく、初めからSWCNTを過飽和状態にする方法として、バッチ法が挙げられる。これらの方法の中では、高純度な結晶を形成させる観点から、蒸気拡散法が好ましい。溶媒としては、水が用いられることが好ましいが、これに限定されるものではない。また、結晶化を促進させるため、SWCNTを単分散する溶媒には、結晶化剤沈殿剤および/又は緩衝剤が含まれることが望ましい。上記蒸気拡散法は、SWCNT溶液に、たとえば結晶化剤および/又は緩衝剤を含有した溶液リザーバー溶液を加えてSWCNT結晶化溶液ドロップ溶液とし、該SWCNT結晶化溶液と同じ密閉空間内に圧倒的に体積の大きいより濃いリザーバー溶液を同居させると、設置温度における溶媒たとえば水の蒸気圧が平衡に達するまで、SWCNT結晶化溶液から溶媒水分子が移動蒸発してドロップ溶液の体積減少が起き、結果としてSWCNT結晶化溶液の結晶化剤等の濃度がゆっくり上昇し、平衡に近づく過程でSWCNTの結晶成長を図る方法であり、SWCNT結晶化溶液とリザーバー溶液の配置によりハンギングドロップ法とシッティングドロップ法とに分類される。図1は、シッティングドロップ法に用いられる蒸気拡散法用装置及びSWCNT結晶化の原理を示す概略図である。シッティングドロップ法に用いられる蒸気拡散法用装置1は、ドロップチャンバー2、及び該ドロップチャンバー2と空間で繋がっているリザーバーチャンバー3を有している。図1では、ドロップチャンバー2は、リザーバーチャンバー3と空間で繋がった別の場所に設けられているが、例えば、窪みのついたガラス板や、ブリッジと呼ばれるようなドロップチャンバー2をリザーバーチャンバー3内に、リザーバー溶液4の液面より上に出るように設けてもよい。リザーバーチャンバー3には、沈殿剤結晶化剤5を含んだリザーバー溶液4が挿入され、また、ドロップチャンバー2には、SWCNTを単分散した溶液とリザーバー溶液4を混合したSWCNT結晶化溶液6が挿入され、その後、蓋7で密閉される。こうすることにより、蒸気拡散過程でドロップチャンバー2の溶媒がリザーバーに蒸気拡散し、SWCNT結晶化溶液6中の溶媒が揮発されて溶液が濃縮されることにより結晶化剤5などの濃度が緩やかに上昇し、SWCNT結晶8が成長する。この方法では、SWCNT結晶化溶液量を比較的多く数~数10μl設定できるため、大きなSWCNT結晶が得られやすいというメリットがある。本方法では、例えば、24又は96穴細胞培養用プレートのウェル内にガラス或いはプラスチック製のドロップチャンバーを置き装置を作製することができるが、勿論、これらに限定されることはなく、市販の汎用結晶化プレートやシッティングドロップ専用プレートを結晶化容器として用いることができる。ハンギングドロップ法は、カバーグラスをリザーバー上で反転させ、密封する方法であり、カバーグラスに懸架できるSWCNT結晶化溶液は比較的少量数~10μlであるが、一般的に結晶はSWCNT結晶化溶液の表面で成長し、カバーグラスなどからの物理的影響を受け難いため、比較的良質の結晶が得られる。容器としては汎用結晶化プレートも市販されているが、24又は96穴細胞培養用プレートが一般的に使用されている。勿論、24又は96穴細胞培養用プレート以外でも使用可能である。カバーグラスにはシリコナイズ処理したガラス製のものが通常使用される。本発明では、電子デバイスに用いることができる程度に十分に大きいSWCNT結晶を得ることが目的であるので、シッティングドロップ法が好ましい。蒸気拡散法に用いられるリザーバー溶液とは、溶媒たとえば水に、必要に応じ、結晶化剤、pH緩衝剤等が含まれた溶液のことである。結晶化剤としては、例えば、無機酸や有機酸の金属塩、アンモニウム塩、燐酸塩などの塩類好ましくは水溶性塩類、アルコール類、ポリエチレングリコール類およびその誘導体等がおよびその他の水溶性有機化合物が挙げられる。これらは1種単独で使用しても、2種以上を併用することもできる。塩類としては、例えば、塩化ナトリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化リチウム、塩化カドミウム、塩化コバルトなどの塩化物;硫酸ナトリウム、硫酸アンモニウム、硫酸マグネシウム、硫酸リチウム、硫酸カドミウム、硫酸亜鉛などの硫酸塩;リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、無水リン酸アンモニウム、無水リン酸カリウムなどのリン酸塩;リン酸2水素ナトリウムやリン酸2水素カリウムなどのリン酸水素塩;硝酸ナトリウムなどの硝酸塩;酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、酢酸アンモニウム、酢酸亜鉛などの酢酸塩;クエン酸3ナトリウムなどのクエン酸塩;ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、ギ酸マグネシウムなどのギ酸塩;その他、酒石酸カリウムナトリウム、マロン酸ナトリウムなどの有機酸塩;ならびにこれらの水和物などが挙げられる。アルコール類としては、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、イソプロパノール、1,6-ヘキサンジオール、テトラブタノール、エタノール、グリセロール、ジオキサン、エチレングリコール、メタノール、n-プロパノールなどが挙げられる。ポリエチレングリコール類およびその誘導体としては、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル等が含まれる。例えば、ポリエチレングリコール400、ポリエチレングリコール1000、ポリエチレングリコール1500、ポリエチレングリコール8000、ポリエチレングリコール20000、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル550、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル5000、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル20000などが挙げられる。また、水溶性有機化合物としては、イミダゾール、ポリエチレンイミン、およびオルト-2-アミノプロピル-オルト-2-メトキシエチルポリプロピレングリコール500などが挙げられる。これらの結晶化剤は、1種単独で、または2種類以上の組み合わせで使用することができる。これらの中で、特に、イソプロパノール、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、硫酸亜鉛、塩化ナトリウム、酢酸マグネシウム、硫酸アンモニウム、硫酸カドミウム、PEGポリエチレングリコールが好適である。なお、本発明においては、これら結晶化剤を適宜組み合わせるほか、市販品を用いることもできる。市販品としては、例えば、EmeraldBioStructures社製WIZARDIIIIII、HamptonResearch社製Crystalscreen、CrystalscreenIIGridScreenAmmoniumSulfateGridScreenPEG600GridScreenMPDGridScreenPEG/LiClGridScreenNaClQuikScreenSaltRXMembFacNatrix、HamptonResearch社製Index、PEG/Ion、PEG/Ion2、PEGRx1、PEGRx2、MolecularDimensions社製MemGold、MemSys、MemStart、ClearStrategyScreen1、ClearStrategyScreen2、JCSG-plus、ProPlex等が挙げられる。上記リザーバー溶液は、特定のpH領域が好ましく、緩衝剤を含むことが好ましい。緩衝剤としては、リン酸緩衝剤、クエン酸緩衝剤、トリス緩衝剤、グッド緩衝剤などの公知のpH緩衝剤を挙げることができるが、具体的には、酢酸ナトリウム三水和物;リン酸カリウム;イミダゾール;クエン酸ナトリウム;カコジル酸ナトリウム;MES、Bis-Tris、ADA、PIPES、ACES、MOPSO、BES、MOPS、TES、HEPES、DIPSO、TAPSO、POPSO、HEPPSO、EPPS、Tricine、Bicine、TAPS、CHES、CAPSO、CAPS、およびBis-TrisPropaneなどのグッド緩衝剤;そのほか、AMPSO、CABS、glycine、HEPBS、MOBS、TABS、TEAなどが例示される。これらは1種単独で使用することもでき、2種類以上を併用することもできる。緩衝剤は、必要に応じて酸あるいはアルカリなどで中和し所定のpHに調整して使用する。pHは、4.0~10.0の範囲がより好ましい。また、リザーバー溶液は、必要に応じて界面活性剤等を含むことも可能である。リザーバー溶液中の結晶化剤の使用濃度は、塩類では0.01~3モル/リットルが好ましく、pH緩衝剤は、0.005~0.1モル/リットルが好ましく、アルコール類は1~80体積が好ましく、ポリエチレングリコール類およびその誘導体は1~50重量が好ましい。本発明の結晶作製方法としては、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、上記結晶化剤及び/又は上記緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記ドロップ溶液が、結晶化剤、とりわけ塩類を含む単層カーボンナノチューブの結晶作製方法を好ましく採用できる。また、本発明の結晶作製方法は、過飽和状態が上記蒸気拡散法により形成され、上記蒸気拡散法が、単層カーボンナノチューブを含むドロップ溶液と、上記結晶化剤及び/又は緩衝剤を含むリザーバー溶液とを用いて行われ、上記結晶化剤が、塩類、アルコール類、又はポリエチレングリコール類及びその誘導体であり、上記ドロップ溶液が、上記結晶化剤を含んだとしても塩類を含まない単層カーボンナノチューブの結晶作製方法以下、この方法を単に塩類を含まない方法という場合があるを好ましく採用できる。上記塩類を含まない方法は、さらに蒸気拡散法がシッティングドロップ法であるかハンギングドロップ法であるかにより好ましい態様が異なる。すなわち、シッティングドロップ法である場合には、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を1.3モル/リットル以上10.0モル/リットル以下の濃度で含むことが、良好に結晶化を促進する観点から好ましい。さらに好ましい濃度は1.3~5.0モル/リットルである。また、ハンギングドロップ法である場合には、上記ドロップ溶液がアルコール類を溶液全体に対して1.5重量以上50重量以下より好ましくは30重量以下含有し、上記リザーバー溶液が上記結晶化剤を0.1モル/リットル以上より好ましくは0.5モル/リットル以上1.4モル/リットル以下の濃度で含むことが、良好に結晶化を促進する観点から好ましい。SWCNT結晶の作製に用いられるSWCNT原料は、例えば、アーク放電、HiPCO法、CoMoCAT法、レーザーアブレーション法、スーパーグロースCVD法等の公知の方法により作製されたいずれのものであってもよい。また、SWCNT自体市販されているので、原料SWCNTは市販品を用いればよい。SWCNTは、そのグラフェンシートの巻き方カイラリティによって、金属性及び半導体性が存在する。原料のSWCNTとしては、金属性、半導体性、或いは両者の混同したものであっても、高純度化精製を行うことで、SWCNT結晶を作製することは可能である。結晶を作製するには、カイラリティ若しくは金属性及び半導体性、直径、長さを揃えた分離精製をすることが好ましい。その中でも、特にカイラリティが揃ったSWCNTを用いることが好ましい。直径の大きさの揃った金属型又は半導体型SWCNTを作製するには、原料SWCNTの直径分離、及び金属型、半導体型分離を行えばよい。このとき、直径分離と金属型、半導体型分離の順序はどちらが先でも、どちらが後でもよいし、その方法も従来公知の任意の方法によればよい。現在、直径が揃った、種々の直径を有するSWCNTが市販されているのでこれを用い、直径の大きさの揃ったSWCNTを金属型と半導体型に分離精製することが最も簡単な方法といえ、更に、特定のカイラリティの揃ったSWCNTに精製することが好ましい。以下に、金属型、半導体型、又は特定のカイラリティのSWCNTを得る方法を具体的に説明する。金属型及び半導体型SWCNTの混在するSWCNTから金属型及び半導体型SWCNTを分離精製する方法は従来公知の方法が用いられればよい。このような公知の方法の一例として、次のような方法が挙げられる。すなわち、まず、SWCNTをデオキシコール酸ナトリウムなどの界面活性剤を用いて水に分散させる。一方、密度勾配剤としてイオデキサノールなどを用いて、密度の異なる複数の液を作製し、これにさらにコール酸ナトリウム及びドデシル硫酸ナトリウムを加え、遠心分離用溶液を作製する。その後、先に作製したSWCNT分散液にイオデキサノール、ドデシル硫酸ナトリウムなどの界面活性剤を添加し、遠心分離用チューブ内に、イオデキサノール濃度の大きい順に、SWCNT分散液及び密度の異なる複数の遠心分離用溶液が入れられる。その後、遠心分離を行うことにより、金属型と半導体型、および単一カイラリティのSWCNTを得ることができる。このとき、密度勾配剤としてスクロースが用いられてもよい。また、他の方法の例としては、本発明者らが先に出願特願2010-028812号した次のような方法が挙げられる。すなわち、前記密度勾配法において、SWCNT分散液の界面活性剤として、デオキシコール酸アルカリ金属塩、コール酸アルカリ金属塩、高級アルキルベンゼンスルホン酸アルカリ金属塩のような、カーボンナノチューブを単分散させることのできる界面活性剤を用い、一方、遠心分離用溶液に含有される界面活性剤として、金属型単層カーボンナノチューブと半導体型単層カーボンナノチューブやある特定のカイラリティに対して異なる凝集特性を示す、高級アルキルスルホン酸アルカリ金属塩のような界面活性剤以下、凝集用界面活性剤ということもある。を用いることにより、各々1種の界面活性剤を用いるのみで、金属型と半導体型のSWCNTや単一カイラリティの分離を行う方法が挙げられる。この例について更に具体的に説明する。この例において、SWCNT分散水溶液を調製する際に用いられる、SWCNTを単分散させることのできる界面活性剤としては、単分散性の観点から、デオキシコール酸アルカリ金属塩及びコール酸アルカリ金属塩が好ましく、アルカリ金属塩としてはナトリウム塩が好ましい。SWCNTを単分散させることのできる界面活性剤は1種が用いられればよいが、2種以上が併用されてもかまわない。さらに、単分散性の能力においては劣るものの、高級アルキルスルホン酸アルカリ金属塩、例えばドデシル硫酸ナトリウムなどもSWCNTを単分散させることのできる界面活性剤として利用することができる。また、SWCNTを単分散させることのできる界面活性剤の濃度は、使用される界面活性剤の種類、分散されるSWCNTの量により異なるものの、通常0.4~3重量程度の濃度であることが好ましく、臨界ミセル濃度より大きくする必要がある理由から1重量程度であることがより好ましい。一方、SWCNTの量は任意でよいが、通常、界面活性剤水溶液100ml当たり、1~100mg程度の量とされる。超音波分散は、SWCNTの均一分散が行われる限り、従来公知あるいは周知の任意の超音波分散装置やホモジナイザーなどを適宜用いることができ、分散処理時間は任意でよい。一例としては、バス型超音波分散器により0.5~1時間、SWCNTの予備的分散を行った後、1~20時間かけてホモジナイザーを用い分散を行う方法が挙げられる。さらに、用いられる密度勾配剤は、遠心分離用チューブ内の密度勾配を形成するよう充填された遠心分離用溶液に用いられる密度勾配剤と同一のものを用いることが好ましい。前記混合液中の密度勾配剤の濃度は、20~50重量程度が好ましいが、前記混合液層の上に充填される界面活性剤含有水溶液中の密度勾配剤の濃度より高くなるように調整することが必要である。必要であれば、密度勾配剤含有水溶液には、ドデシル硫酸ナトリウムなど遠心分離用溶液で用いられる凝集特性の異なる界面活性剤などの界面活性剤が含まれていてもよい。一方、遠心分離用チューブには、密度勾配剤の含有量により密度が変えられた界面活性剤含有水溶液が密度の高いものから順次チューブ底部より層状に充填されて密度勾配が形成され、遠心分離用溶液が形成される。密度勾配剤としては、従来公知あるいは周知の密度勾配剤であれば良く特に限定されるものではないが、イオデキサノールなどが好ましいものとして挙げられる。遠心分離用溶液の密度は重要であり、カーボンナノチューブ分散溶液に用いられる分散用界面活性剤及び遠心分離用溶液で用いられる凝集用界面活性剤の種類などによって異なるが、例えばカーボンナノチューブ分散溶液の分散用界面活性剤としてデオキシコール酸ナトリウムを用い、遠心分離用溶液の凝集用界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウムを用いる場合、その濃度によっても異なるものの、一般的には密度1.1~1.2g/mlにおいて金属型単層カーボンナノチューブと半導体型単層カーボンナノチューブや単一カイラリティの分離がなされる。密度勾配剤の濃度は、このような密度を含む密度勾配が形成されるような濃度とされればよく、一例としてはイオデキサノール濃度が35重量、32.5重量、30重量、27.5重量、25重量である5種類の濃度の溶液を用意し、これに凝集用界面活性剤をこれら溶液間で同濃度となるよう含有させ、遠心分離用チューブ中に濃度の大きい順に下層から層状に注入して遠心分離用溶液以下、凝縮層ということもある。を形成する。また、この凝縮層に含有される凝集用界面活性剤としては、金属型SWCNTと半導体型SWCNTやある特定のカイラリティにおいて異なる凝集状態を形成することのできる界面活性剤であれば何れのものでも良いが、高級アルキルスルホン酸アルカリ金属塩が好ましいものとして挙げられ、高級アルキルスルホン酸アルカリ金属塩の中では、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましい。この凝集用界面活性剤を用いる場合、SWCNT分散水溶液中でSWCNTの表面に吸着したSWCNT分散用界面活性剤と、凝縮層で用いられる凝集用界面活性剤との置換が起こり、これにより金属型SWCNTと半導体型SWCNTやある特定のカイラリティで異なった凝集状態が形成され、この凝集状態の違いにより金属型SWCNTと半導体型SWCNT、ある特定のカイラリティの密度が異なったものとなり、この密度の違いにより遠心処理により金属型単層カーボンナノチューブと半導体型単層カーボンナノチューブや単一カイラリティが分離すると考えられることから、凝縮層における界面活性剤の濃度は、SWCNT分散用界面活性剤との置換が起こり、金属型SWCNTと半導体型SWCNTやある特定のカイラリティにおいて凝集状態が異なったものとなり、密度の違いが起こるような濃度とされる必要がある。凝縮層で用いられる凝集用界面活性剤の濃度は、使用される界面活性剤により異なるものの、通常0.4~3重量程度の濃度が好ましく、臨界ミセル濃度より大きくする必要がある理由から1重量程度以上であることがより好ましい。前記するようにして調製されたSWCNTの分散水溶液層の上に凝縮層が形成された遠心分離用チューブを、超遠心機を用いて遠心が行われる。遠心処理の結果、遠心分離用チューブ内に色相の異なる単層カーボンナノチューブバンドが形成される。これを分画することにより、金属型及び半導体型やある特定のカイラリティが選択的に含まれる溶液が得られる。本発明の結晶作製方法について好ましい1例をさらに具体的に説明すると、ある特定のカイラリティを選択的に多く含まれる溶液を更に精製し、その精製したSWCNT溶液とリザーバー溶液とを、通常、1対1の体積比で良く混合し、結晶化剤の濃度を最終到達濃度の半分にしたものをSWCNT結晶化溶液試料ドロップ溶液とし、リザーバー側には、リザーバー溶液そのものを用いる。しかし、前記結晶化剤濃度を、最終目的濃度の半分から始める必要はなく、両者の混合比率を変えることで、過飽和度や蒸気平衡に達するまでの時間を適宜制御することができる。SWCNT結晶化溶液試料をドロップチャンバーにドロップした後は、リザーバー容器全体を密封閉鎖し、4~20°Cの温度で静置する。結晶化に要する時間は、温度や結晶化開始時の結晶化剤濃度等の条件により異なるが、通常、数時間~1週間程度でSWCNTの結晶が得られる。得られたSWCNT結晶は、キャビラリーで吸い取ることにより一本単位で取り扱いが可能である。上記により得られたSWCNT結晶は、一様な方向性を持った針状体であり、一本一本の電気的特性はほぼ同じになることから、電子デバイス、導電性フィルム、電界放出源、トランジスタ、導線、スピン伝導デバイス、ナノエレクトロメカニックシステム、ナノカンチレバー、量子コンピュータデバイス、発光ダイオード、太陽電池、表面伝導型電子放出ディスプレイ、フィルター、エネルギー貯蔵システム、燃料電池、センサー等の材料に好適である。SWCNT結晶を用いた電子デバイスの例としては、電界効果トランジスタFETが挙げられる。FETは、基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えており、SWCNT結晶はこのチャンネル部分として好適に用いられる。特に電子デバイスとしては、本発明の単層カーボンナノチューブ結晶に金属を蒸着してなる電極を具備する電界効果トランジスタFET等を好ましく挙げることができる。この際、用いられる金属としては、金、パラジウム、スカンジウム、イットリウム等を挙げることができる。また、蒸着した金属の厚みは30~500nmとするのが好ましい。また、電極としてはソース電極及びドレイン電極のいずれにも適用可能である。SWCNT結晶を用いたFETの基板、ソース電極及びドレイン電極は公知の材料を用いることができる。SWCNT結晶を用いたFETは、例えば、公知のリソグラフィ手法等により基板上に、ソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極などを形成した後に、ソース電極とドレイン電極の間を、所望の本数のSWCNT結晶を導電性接着剤等により固定することで製造することができる。また、予め、所望の本数のSWCNT結晶をチャンネルとして基板上に配置した後に、上記の電極などを作製してもよい。以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の例では、特に断りのない限り、は重量を示す。6,5カイラリティSWCNTの高純度化1SWCNT分散液の作製方法原料SWCNTとして、市販のSWCNTCoMoCAT、アルドリッチ社製を用いた。まず、このSWCNT100mgをデオキシコール酸ナトリウムDOC1水溶液100mlにバス型超音波発生器シャープ社製を用いて分散させた。その後、4時間、ホモジナイズ処理ブランソン社、ソニファイアー、出力20を行い、SWCNT分散液を得た。得られた分散液に対して、超遠心分離器日立工機CP100WX、ローターP40STを用いて40、000rpmで30分間遠心処理を行い、その上澄み液をSWCNT分散液として回収した。2密度勾配遠心分離法密度勾配形成剤としてイオデキサノールを利用し、イオデキサノール濃度25、30、32.5、35の4種類の溶液を用意した。それぞれに、ドデシル硫酸ナトリウムSDSを2.0になるように界面活性剤濃度を調整し、密度勾配液を作製した。また、上記上澄み液であるSWCNT分散液と、イオデキサノール溶液及び界面活性剤を混合し、イオデキサノール濃度40、SDS濃度2.4、コール酸ナトリウムSC濃度0.6、DOC濃度0.33となるように、イオデキサノール含有SWCNT分散液を作製した。その後、遠心分離用チューブ40PAtubeの中に、最下層にイオデキサノール含有SWCNT分散液を約7ml注入し、次に、密度勾配液をイオデキサノール濃度の大きな順に、前記イオデキサノール含有SWCNT分散液の上に、約8mlずつ下から遠心チューブ内に静かに積層させた。その後、超遠心機日立工機CP100WX、ローターP50VT2を用いて、50、000rpmで8時間遠心分離を行い、上から順に1.5mlずつ分画を行った。分画した溶液に対して、それぞれ光吸収スペクトル測定を行い、6,5SWCNTが多く含まれている溶液を取り分けた。3結晶化用のSWCNT溶液作製方法上記方法により得られた6,5SWCNT溶液100mlに1対1の割合でメタノールを加えて藻状にした後、メンブレンフィルター孔径:0.2μm、ミリポア社製を用いて減圧濾過を行った。次いで、メタノール70°C前後の熱湯トルエンを用いて、洗浄減圧濾過を繰り返し行い、SWCNTの洗浄を行った。その後、洗浄されたSWCNTを、再度、DOC1水溶液30mlに1時間ホモジナイズして分散させたブランソン社、ソニファイアー。得られたSWCNT分散液を、40,000rpmで1時間遠心処理を行い、その上澄み液を回収し、結晶化用のSWCNT溶液とした。実施例1蒸気拡散法によるSWCNTの結晶化には、市販の結晶化プレートハンプトンリサーチ:HR3-160を用いた。同プレートのリザーバーチャンバーには、リザーバー溶液0.1M4-2-hydroxyethyl-1-piperazineethanesulfonicacidHEPES、50mM塩化マグネシウムMgCl2、20イソプロパノールIPA、pH7.5を300μl挿入した。なお、リザーバー溶液は水溶液であり、各成分のモル量は溶液1リットル当たりの量である以下同様。また、ドロップチャンバーには、結晶化用のSWCNT溶液3μlとリザーバー溶液を3μl混合したものを挿入した。その後、プレートを市販シールにて密閉し、温度20°Cでインキュベータに保管し、蒸気拡散法により結晶化を行った。一晩経過後、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。得られたSWCNT結晶の顕微鏡写真を図2に示す。次に、実施例1のリザーバー溶液の成分濃度を変化させ、SWCNTの結晶化を行った。実施例2リザーバー溶液として、0.1MHEPES、100mMMgCl2、0IPA、pH7.5の溶液を用いた以外は実施例1と同様にしてSWCNTの結晶化を行ったところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例3リザーバー溶液として、0.1MHEPES、100mMMgCl2、10IPA、pH7.5の溶液を用いた以外は実施例1と同様にしてSWCNTの結晶化を行ったところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。得られたSWCNT結晶の顕微鏡写真を図3に示す。次に、結晶化剤、緩衝剤の種類を変化させてSWCNTの結晶化を行った。なお、以下に示す実施例4~33においては、種々の結晶化剤、緩衝剤の組み合わせで実施するため、リザーバーチャンバーに挿入するリザーバー溶液の量は80μl、ドロップチャンバーに挿入するSWCNT結晶化溶液の量は、SWCNT溶液0.1μlとリザーバー溶液0.1μlを混合したものを用いた。それ以外は、実施例1と同様の条件で行った。実施例4リザーバー溶液として、28v/vポリエチレングリコールPEG400、0.1MHEPES、0.2M塩化カルシウムCaCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例5リザーバー溶液として、25v/vポリエチレングリコールモノエチルエーテルPEGMME550、0.1M2-モルホリノエタンスルホン酸1水和物MESmonohydrate、0.01M硫酸亜鉛ZnSO4、PH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例6リザーバー溶液として、30w/vPEG4000、0.1MTris-HCl、0.2MMgCl2、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例7リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MHEPES-Na、0.2MMgCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例8リザーバー溶液として、20v/vIPA、0.1M酢酸ナトリウムCH3COONa、0.2MCaCl2、pH4.6の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例9リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MCH3COONa、0.1M塩化カドミウムCdCl2、pH4.6の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。得られたSWCNT結晶の顕微鏡写真を図4に示す。実施例10リザーバー溶液として、5v/vPEGMME550、0.1MMESmonohydrate、0.01M硫酸亜鉛ZnSO4、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例11リザーバー溶液として、1MCH3COONa、0.1MHEPES、0.05M硫酸カドミウムCdSO4、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例12リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MMES-NaOH、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例13リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MHEPES-Na/HCl、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例14リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MTris-HCl、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例15リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1M3-シクロヘキシルアミノ-2-ヒドロキシ-1-プロパンスルホン酸/水酸化ナトリウムCAPSO/Sodiumhydroxide、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH9.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例16リザーバー溶液として、30v/vPEG400、0.1MHEPES-Na、0.1MMgCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例17リザーバー溶液として、30v/vIPA、0.1MHEPES-Na、0.2MMgCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例18リザーバー溶液として、2MMgCl2、0.1MN,N-ジ2-ヒドロキシエチルグリシンBicine、pH9.0の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例19リザーバー溶液として、12w/vPEG4000、0.1MTris-HCl、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例20リザーバー溶液として、12w/vPEG4000、0.1MTris-HCl、0.2MMgCl2、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例21リザーバー溶液として、20w/vPEG8000、0.1Mカコジル酸ナトリウム三水和物Nacacodylatetrihydrate、0.2M酢酸マグネシウムCH3COO2Mg、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例22リザーバー溶液として、0.2Mギ酸マグネシウムHCOO2Mgの溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例23リザーバー溶液として、5w/vIPA、2M硫酸アンモニウムNH42SO4の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例24リザーバー溶液として、10エタノールethanol、1.5MNaClの溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例25リザーバー溶液として、1.6MMgSO4、0.1MMES、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例26リザーバー溶液として、1.8MNH42SO4、0.1MMES、0.01M塩化コバルトCoCl2、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例27リザーバー溶液として、12w/vグリセロールGlycerol、0.1MTris、1.5MNH42SO4、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例28リザーバー溶液として、30w/vPEG400、0.1MTris-HCl、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH8.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例29リザーバー溶液として、30w/vPEG400、0.1MHEPES-Na、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH7.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例30リザーバー溶液として、12w/vPEG400、0.1MCAPSO-Na、0.1MNaCl、0.1MMgCl2、pH9.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例31リザーバー溶液として、1MNH42SO4、0.1MN-2-アセトアミドイミノ二酢酸ADA、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例32リザーバー溶液として、1MMg2SO4、0.1Mクエン酸ナトリウムNacitrate、pH5.6の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。実施例33リザーバー溶液として、30w/vPEG400、0.1MADA、0.3M硫酸リチウムLi2SO4、pH6.5の溶液を用いたところ、長さ約200μm、幅約10μmのSWCNT結晶が得られた。以上の実施例より、様々な結晶化剤、緩衝剤を組み合わせたリザーバー溶液を用いた蒸気拡散法により、SWCNT結晶が得られることが確認できた。実施例34シッティングドロップ法を用い、ドロップ溶液に無機塩を用いていない結晶化方法ドロップ溶液として、6,5カイラルの単層カーボンナノチューブを、溶媒として水を用い、界面活性剤としてコール酸ナトリウムSodiumCholateを全体の0.5重量、イソプロピルアルコールを全体の0重量、5重量、10重量、15重量、20重量、25重量となるように添加してなる単層カーボンナノチューブ分散溶液をそれぞれ調整した。即ち、各ドロップ溶液は上述の各実施例と異なり無機塩を含んでいない。別にリザーバー溶液として溶媒としての水に結晶化剤としてMgCl2を2モル/リットルの濃度で含む溶液を調整した。ドロップ溶液イソプロピルアルコール濃度に応じて複数種あるうちのひとつとリザーバー溶液とを各々、図1に示す装置のドロップチャンバー及びリザーバーチャンバーに注入し、結晶化プレートをシールしてインキュベータに静置することにより、結晶化を行った。その結果、いずれのイソプロピルアルコール濃度についても、蒸気の拡散速度が丁度良い条件となり、図5に示すように針状結晶が見られた。また、比較としてMgCl21モル/リットルのリザーバー溶液を調整し、同様に結晶化を行ったが、結晶が見られなかった。実施例35シッティングドロップ法を用い、ドロップ溶液に無機塩を用いていない結晶化方法ドロップ溶液として6,5カイラルの単層カーボンナノチューブを、溶媒として水を用い、界面活性剤としてコール酸ナトリウムSodiumCholateを全体の0.5重量、2メチル2,4ペンタンジオールを0重量、5重量、10重量、15重量、20重量、25重量となるように添加してなる単層カーボンナノチューブ分散溶液をそれぞれ調整した。即ち、各ドロップ溶液は無機塩を含んでいない状態である。別にリザーバー溶液として、水に結晶化剤としてMgCl2を1.6モル/リットルの濃度で含む溶液を調整した。ドロップ溶液イソプロピルアルコール濃度に応じて複数種あるうちのひとつとリザーバー溶液とを各々、図1に示す装置のドロップチャンバー及びリザーバーチャンバーに注入し、結晶化プレートをシールしてインキュベータに静置することにより、結晶化を行った。その結果、いずれの2-メチル-2,4-ペンタンジオール濃度のドロップ溶液についても、蒸気の拡散速度が丁度良い条件となり、実施例34と同様に針状結晶が見られた。また、MgCl22モル/リットルのリザーバー溶液を調整し、同様に結晶化を行ったところ、同様に針状結晶が得られた。また、比較としてMgCl21.2モル/リットルのリザーバー溶液を調整し、同様に結晶化を行ったが、結晶が見られなかった。実施例36ハンギングドロップ法を用い、ドロップ溶液に無機塩を用いていない結晶化方法ドロップ溶液として、6,5カイラルの単層カーボンナノチューブを、溶媒として水を用い、界面活性剤としてコール酸ナトリウムSodiumCholateを全体の0.5重量、イソプロピルアルコールを全体の1.25重量、2.5重量、5重量、10重量、20重量となるように添加して、それぞれイソプロピルアルコール濃度の異なる複数の単層カーボンナノチューブ分散溶液を調整した。即ち、各ドロップ溶液は無機塩を含んでいない状態である。別に、リザーバー溶液として、溶媒としての水に結晶化剤として、MgCl2を0.8モル/リットル、0.9モル/リットル、1.0モル/リットル、1.2モル/リットル、1.3モル/リットル、1.4モル/リットル、1.5モル/リットル添加してなる、結晶化剤濃度の異なる複数の溶液を調整した。得られた各々のドロップ溶液及びリザーバー溶液を、それぞれ1種ずつ組み合わせて、図1に示す装置のドロップチャンバー及びリザーバーチャンバーに注入し、インキュベータに静置し、結晶化を行った。その結果、イソプロピルアルコール濃度が1.25重量の場合、および、MgCl2濃度が1.5モル/リットル以上の場合、結晶が見られなかったが、それ以外の組み合わせの場合、図6に示すように針状結晶が見られた。実施例37単層カーボンナノチューブ結晶をもちいた電界効果型トランジスタデバイスFETデバイスの作製実施例1で得られた針状結晶に、金を直接蒸着厚さ100nmしてソースドレイン電極を形成した。得られた電極を用い、さらにイオン液体EMIM-TFSIをゲート絶縁体として用いることで、FETデバイスを作製した。得られたデバイスの写真を図7に示す。装置のトランジスタ特性を調べたところ、図8に示すように、ゲート電圧図8に示すチャートの横軸の変化に従って、ソースドレイン間の電流縦軸が変化することが分かった。この性質を利用すれば、電圧を制御することで電流を制御することが可能であることが分かり、結晶を用いたFETデバイスが作製可能であることが分かった。"