半導体基板と、前記半導体基板の表面近傍に設けられた第一導電型のウェルと、前記ウェルの表面に設けられた第二導電型拡散層と、前記ウェルの上に、前記第二導電型拡散層を囲んでその首位に設けられたフィールド絶縁膜と、前記ウェルの表面に、前記フィールド絶縁膜を囲んでその周囲に設けられた第一導電型拡散層と、前記第二導電型拡散層の上に設けられた層間絶縁膜と、前記第二導電型拡散層の上の前記層間絶縁膜を囲んでその周辺に設けられたコンタクトと、前記層間絶縁膜及び前記コンタクトの上に設けられた金属膜と、前記金属膜における前記パッド開口部を定義する開口部を備え、前記金属膜の上に設けられた保護膜と、からなるパッド部を備えている半導体装置。前記第二導電型拡散層は、前記コンタクトの外周縁よりも外側まで設けられ、前記パッドは、前記コンタクトの内周縁よりも内側に設けられている、請求項1記載の半導体装置。半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられるP型の第一ウェルと、前記第一ウェルの表面に設けられる第一N型拡散層と、前記半導体基板の表面に設けられるN型の第二ウェルと、前記第二ウェルの表面に設けられる第一P型拡散層と、前記第一ウェル及び前記第二ウェルの上に、前記第一N型拡散層を囲うよう設けられ、且つ、前記第一P型拡散層を囲うよう設けられたフィールド絶縁膜と、前記第一ウェルの表面に、前記フィールド絶縁膜に隣接して設けられた第二P型拡散層と、前記第二ウェルの表面に、前記フィールド絶縁膜に隣接して設けられた第二N型拡散層と、前記第一N型拡散層及び前記第一P型拡散層の上に設けられた層間絶縁膜と、前記第一N型拡散層及び前記第一P型拡散層と金属膜とを接続し、前記第一N型拡散層及び前記第一P型拡散層の上の前記層間絶縁膜に、前記層間絶縁膜の中心部を囲うよう設けられたコンタクトと、前記層間絶縁膜及び前記コンタクトの上に設けられた前記金属膜と、前記金属膜における前記パッドを定義する開口部を備え、前記金属膜の上に設けられた保護膜と、からなるパッド部を備えている半導体装置。前記第一N型拡散層及び前記第一P型拡散層は、前記コンタクトの外周縁よりも外側まで設けられ、前記パッドは、前記コンタクトの内周縁よりも内側に設けられている、請求項3記載の半導体装置。前記フィールド絶縁膜と前記コンタクトとの間に設けられる絶縁膜、をさらに備えている請求項3または4記載の半導体装置。ここで、従来の技術では、ワイヤボンディングがパッド57に対して実施されると、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力により、パッド57の下の層間絶縁膜にクラックが入ることがある。このクラックを通し、パッド57が、他のアルミやポリシリコンなどの金属膜や拡散層とショートすることがある。本発明は、上記課題に鑑みてなされ、パッド下のクラックによるショート不良が起こりにくい半導体装置を提供する。本発明は、上記課題を解決するため、ワイヤボンディングに用いられるパッドを備える半導体装置において、半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられるウェルと、前記ウェルの表面に設けられる第二導電型拡散層と、前記ウェルの上に、前記第二導電型拡散層を囲うよう設けられるフィールド絶縁膜と、前記ウェルの表面に、前記フィールド絶縁膜を囲うよう設けられる第一導電型拡散層と、前記第二導電型拡散層の上に設けられる層間絶縁膜と、前記第二導電型拡散層と金属層とを接続し、前記第二導電型拡散層の上の前記層間絶縁膜を囲うよう設けられるコンタクトと、前記層間絶縁膜及び前記コンタクトの上に設けられる前記金属膜と、前記金属膜における前記パッド開口部を定義する開口部を備え、金属膜の上に設けられる保護膜と、からなるパッド部を備えている半導体装置とする。本発明では、パッドの下の層間絶縁膜はコンタクトで囲われているので、ワイヤボンディング時に生じたパッドの下の層間絶縁膜のクラックはコンタクトの外周縁よりも外側に入らない。よって、クラックを通し、パッドが、外周縁よりも外側のアルミやポリシリコンなどの金属膜や拡散層とショートすることが防げる。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。まず、半導体装置の構造について説明する。図1は、半導体装置のパッド部を示す図であり、AはBのX-X断面図であり、Bは平面図である。パッド部10は、図1のAに示すように、半導体基板11、P型ウェル12、N型拡散層13、P型拡散層14、フィールド絶縁膜15、層間絶縁膜16、コンタクト17、金属膜18、及び、金属膜18におけるパッド開口部18aを定義する開口部を備える保護膜19を備える。P型ウェル12とN型拡散層13とP型拡散層14とは、ダイオード14aを構成する。P型ウェル12は、半導体基板11の表面に設けられる。N型拡散層13は、P型ウェル12の表面に設けられる。フィールド絶縁膜15は、P型ウェル12の上に、N型拡散層13を囲うよう設けられる。P型拡散層14は、P型ウェル12の表面に、フィールド絶縁膜15を囲うよう設けられる。層間絶縁膜16は、N型拡散層13の上に設けられる。コンタクト17は、N型拡散層13と金属層18とを接続し、N型拡散層13の上の層間絶縁膜16を囲んで設けられる。金属膜18は、層間絶縁膜16及びコンタクト17の上に設けられる。保護膜19は、金属膜18におけるパッド開口部18aを定義する開口部を備え、金属膜18の上に設けられる。ここで、図1のBに示すように、N型拡散層13は、コンタクト17の外周縁17aよりも外側まで設けられる。また、パッド開口部18aは、コンタクト17の内周縁17bよりも内側に設けられる。半導体装置を動作させるためには、パッド開口部18aには、所定の電圧が印加される。また、P型拡散層14には、接地電圧VSS第二電源電圧が印加される。ここで、ワイヤボンディングがパッド開口部18aに対して実施されると、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力により、パッド開口部18aの下の層間絶縁膜16にクラックが入ることがある。このクラックを通して、金属膜18とN型拡散層13とがショートすることがある。しかし、金属膜18とN型拡散層13とは、コンタクト17で接続され、同電位になっているので、ショートしても問題ない。また、パッド開口部18aの下の層間絶縁膜16はコンタクト17で囲われているので、ワイヤボンディング時に生じたパッド開口部18aの下の層間絶縁膜16のクラックはコンタクト17の外周縁17aよりも外側に広がらない。よって、金億膜18は、クラックを介して、外周縁17aよりも外側にあるアルミやポリシリコンなどの金属膜や拡散層とショートすることがない。次に、パッド部10の回路について説明する。図2は、パッド部を示す等価回路図である。パッド開口部18aを構成する金属膜18は、ダイオード14aのカソードであるN型拡散層13及び内部回路の入力端子に接続される。ダイオード14aのアノードであるP型ウェル12及びP型拡散層14は、接地端子に接続される。[効果]以上のような構成においては、パッド開口部18aの下の層間絶縁膜16はコンタクト17で囲われているので、ワイヤボンディング時に生じたパッド開口部18aの下の層間絶縁膜16のクラックはコンタクト17の外周縁17aよりも外側に入らない。よって、金属層18が、クラックを通し、外周縁17aよりも外側のアルミやポリシリコンなどの金属膜や拡散層とショートすることを防止できる。[変形例1]ダイオード14aは、図1では、アノードをP型ウェル12及びP型拡散層14とし、カソードをN型拡散層13としている。変形例1においては、図示しないが、アノードをP型拡散層14とし、カソードをN型ウェル図示せず及びN型拡散層13とする。[変形例2]図1に示した実施例では、N型拡散層13は、コンタクト17の内周縁17bの内側全面に設けられている。変形例2においては、図3に示すように、N型拡散層13を内側全面には設けず、枠状に配置する。そのためN型拡散層13がない領域もある。[変形例3]図1で示した実施例では、パッド開口部18aは、コンタクト17の内周縁17bよりも内側に設けられている。しかし、変形例3においては、図示しないが、パッド開口部18aの開口端は、コンタクト17の外周縁17aよりも外側に設けられる。この時、コンタクト17がターゲットにならないように、ワイヤボンディングがパッド開口部18aに対して実施される。つまり、コンタクト17は、パッド開口部18aの開口端の内側に、且つ、パッド開口部18aにおけるワイヤボンディングされる領域の外側に設けられる。まず、半導体装置の構造について説明する。図4は、半導体装置のパッド部を示す図であり、AはBのX-X断面図であり、Bは平面図である。実施例1との差異は次の通りである。P型ウェル12がN型ウェル22に変更され、N型拡散層13がP型拡散層23に変更され、P型拡散層14がN型拡散層24に変更されている。N型ウェル22とP型拡散層23とN型拡散層24とは、ダイオード24aを構成する。また、N型拡散層24には、電源電圧VDD第一電源電圧が印加される。次に、パッド部10の回路について説明する。図5は、パッド部を示す等価回路図である。金属膜18は、ダイオード24aのアソードであるP型拡散層23及び内部回路の入力端子に接続される。ダイオード24aのカソードであるN型ウェル22及びN型拡散層24は、電源端子に接続される。[変形例1]図4で示した実施例では、ダイオード24aは、アノードをP型拡散層23とし、カソードをN型ウェル22及びN型拡散層24としている。図示しないが、アノードをP型ウェル図示せず及びP型拡散層23とし、カソードをN型拡散層24としても良い。[変形例2]図4で示した実施例では、P型拡散層23は、コンタクト17の内周縁17bの内側全面に設けられている。しかし、図6に示すように、P型拡散層23を枠状に設け、内側全面には設けなくても良い。[変形例3]図4では、パッド開口部18aは、コンタクト17の内周縁17bよりも内側に設けられている。しかし、図示しないが、パッド開口部18aの開口端を、コンタクト17の外周縁17aよりも外側に設けても良い。この時、コンタクト17がターゲットにならないように、ワイヤボンディングがパッド開口部18aに対して実施される。つまり、コンタクト17は、パッド開口部18aの開口端の内側に、且つ、パッド開口部18aにおけるワイヤボンディングされる領域の外側に設けられる。まず、半導体装置の構造について説明する。図7は、半導体装置のパッド部を示す図であり、AはBのX-X断面図であり、Bは平面図である。パッド部10は、図7のAに示すように、半導体基板11、P型ウェル12、N型拡散層13、P型拡散層14、N型ウェル22、P型拡散層23、N型拡散層24、フィールド絶縁膜15、層間絶縁膜16、コンタクト17、金属膜18、及び、金属膜18におけるパッド開口部18aを定義する開口部を備える保護膜19を備える。P型ウェル12とN型拡散層13とP型拡散層14とは、ダイオード14aを構成する。N型ウェル22とP型拡散層23とN型拡散層24とは、ダイオード24aを構成する。P型ウェル12は、半導体基板11の表面に設けられる。N型拡散層13は、P型ウェル12の表面に設けられる。N型ウェル22は、半導体基板11の表面に設けられる。P型拡散層23は、N型ウェル22の表面に設けられる。フィールド絶縁膜15は、P型ウェル12及びN型ウェル22の上に、N型拡散層13を囲うよう設けられ、且つ、P型拡散層23を囲うよう設けられる。P型拡散層14は、P型ウェル12の表面に、フィールド絶縁膜15に隣接して設けられる。N型拡散層24は、N型ウェル22の表面に、フィールド絶縁膜15に隣接して設けられる。層間絶縁膜16は、N型拡散層13及びP型拡散層23の上に設けられる。コンタクト17は、N型拡散層13及びP型拡散層23と金属層18とを接続し、N型拡散層13及びP型拡散層23の上の層間絶縁膜16を囲うよう設けられる。この時、図7のBに示すように、フィールド絶縁膜15とコンタクト17との間に、不純物が注入されていないポリシリコンなどの絶縁膜15aが設けられている。金属膜18は、層間絶縁膜16及びコンタクト17の上に設けられる。保護膜19は、金属膜18におけるパッド開口部18aを定義する開口部を備え、金属膜18の上に設けられる。ここで、図1のBに示すように、N型拡散層13及びP型拡散層23は、コンタクト17の外周縁17aよりも外側まで設けられる。また、パッド開口部18aは、コンタクト17の内周縁17bよりも内側に設けられる。半導体装置を動作させるために、金属膜18には、所定の電圧が印加される。また、P型拡散層14には、接地電圧VSSが印加される。また、N型拡散層24に、電源電圧VDDが印加される。ここで、絶縁膜15aは、コンタクト17とP型ウェル12とのショート及びコンタクト17とN型ウェル22とのショートを防止している。次に、パッド部10の回路について説明する。図8は、パッド部を示す回路図である。金属膜18は、ダイオード14aのカソードであるN型拡散層13及び内部回路の入力端子に接続される。ダイオード14aのアノードであるP型ウェル12及びP型拡散層14は、接地端子に接続される。また、パッド開口部18aは、ダイオード24aのアソードであるP型拡散層23及び内部回路の入力端子に接続される。ダイオード24aのカソードであるN型ウェル22及びN型拡散層24は、電源端子に接続される。[変形例1]N型拡散層13は、コンタクト17の内周縁17bの内側において、図7では、全面に設けているが、図9に示すように、全面に設けなくても良い。P型拡散層23も同様である。[変形例2]図7では、パッド開口部18aは、コンタクト17の内周縁17bよりも内側に設けられている。しかし、図示しないが、パッド開口部18aの開口端を、コンタクト17の外周縁17aよりも外側に設けても良い。この時、コンタクト17がターゲットにならないように、ワイヤボンディングがパッド開口部18aに対して実施される。つまり、コンタクト17は、パッド開口部18aの開口端の内側に、且つ、パッド開口部18aにおけるワイヤボンディングされる領域の外側に設けられる。[変形例3]図7では、コンタクト17とP型ウェル12とのショート及びコンタクト17とN型ウェル22とのショートを防止するように、絶縁膜15aを設けている。しかし、図示しないが、前述のショートの危険性が無い場合、絶縁膜15aは設けなくても良い。この時、例えば、半導体製造プロセス上、N型拡散層13及びP型拡散層23がフィールド絶縁膜15の下まで延長して設けられる。[変形例4]図7では、コンタクト17とP型ウェル12とのショート及びコンタクト17とN型ウェル22とのショートを防止するように、絶縁膜15aを設けている。しかし、図示しないが、絶縁膜ではなくて導体膜を設けても良い。この時、N型拡散層13とP型拡散層23とはコンタクト17で短絡されているので、導体膜がN型拡散層13及びP型拡散層23に接しても良い。しかし、導体膜はP型ウェル12及びN型ウェル22には接しない。導体膜には、例えば、不純物がイオン注入されたポリシリコンやシリサイド化されたポリシリコン等を用いることができる。