"1基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜に露光する露光工程、3露光した上記レジスト膜を110°C以上にならない温度で加熱する加熱工程、及び4加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程を有するパターン形成方法におけるレジスト膜形成用感放射線性樹脂組成物であって、[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式1で表される構造単位I及び下記式2で表される構造単位IIを有する重合体を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は水素原子又はメチル基である。Qは炭素数1~4の2価の連結基である。Xは1価のラクトン基である。但し、この1価のラクトン基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。式2中、R2は水素原子又はメチル基である。Yは1価のラクトン基である。但し、この1価のラクトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記X及びYで表されるラクトン基の水素原子の全部が置換されていない請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記Qが、-CH2CH2O-、又は-CH2COO-である請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。但し、は上記Xと結合する部位を示す。上記X及びYで表されるラクトン基が同一構造の基である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。上記X及びYで表されるラクトン基がノルボルナンラクトン骨格を有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。[A]重合体のMw/Mnが、1.0以上1.5以下である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。1請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜に露光する露光工程、3露光した上記レジスト膜を110°C以上にならない温度で加熱する加熱工程、及び4加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程を有するパターン形成方法。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感度等の基本特性だけではなく、LWR、MEEF、DOF、CDU等のリソグラフィ特性に優れると共に、レジストパターン形成方法の加熱工程における加熱温度が比較的低温であっても良好な微細パターンを形成できるレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、1基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜に露光する露光工程、3露光した上記レジスト膜を110°C以上にならない温度で加熱する加熱工程、及び4加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程を有するパターン形成方法におけるレジスト膜形成用感放射線性樹脂組成物であって、[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式1で表される構造単位I及び下記式2で表される構造単位IIを有する重合体を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は水素原子又はメチル基である。Qは炭素数1~4の2価の連結基である。Xは1価のラクトン基である。但し、この1価のラクトン基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。式2中、R2は水素原子又はメチル基である。Yは1価のラクトン基である。但し、この1価のラクトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。当該感放射線性樹脂組成物を上記パターン形成方法に用いると、形成されるレジスト膜は、レジストの基本特性である感度に優れ、さらにLWR、DOF、MEEF、CDU等が高度にバランスされ、リソグラフィ特性に優れる。当該感放射線性樹脂組成物が上述の効果を発揮する理由は必ずしも明らかではないが、例えば以下のことが考えられる。当該感放射線性樹脂組成物は、上記式1で表される構造単位I及び上記式2で表される構造単位IIを同一又は異なる重合体分子中に有する[A]重合体を含有する。構造単位Iは1価のラクトン基とエステル基との間に上記Qで表される基を有する。一方、構造単位IIはエステル基に1価のラクトン基が直接結合している。[A]重合体がこれらの構造単位を両方含むと、ラクトン骨格部分が重合体鎖の周辺に分散して配置されるため、空間が確保され、重合体の剛直性が適度に低下する。その結果[A]重合体中に現像液が浸透し易くなり、現像液に対する溶解度が高まる。また上記と同様の理由により、例えば酸発生剤等から発生する酸と酸解離性基との反応等も促進される。これらの結果として、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、LWR、DOF、MEEF、CDU等が高度にバランスされ、リソグラフィ特性に優れる。また、当該感放射線性樹脂組成物を用いると、ポストエクスポージャーベークPEBの際の温度を110°C以下とすることができるため、製造工程におけるエネルギー使用量を減らすことができる。上記X及びYで表されるラクトン基の水素原子の全部が置換されていないことが好ましい。構造単位Iと構造単位IIが有する1価のラクトン基が置換基を有さないことで、当該感放射線性樹脂組成物から得られるレジスト膜の、LWR等のリソグラフィ特性及び密着性が向上する。上記Qが、-CH2CH2O-、又は-CH2COO-であることが好ましい。但し、はXで示される基と結合する部位を示す。上記式1で表される構造単位において、Qが上記特定構造の連結基であると、重合体鎖周辺のラクトン基の分散がより適度になり、得られるレジスト膜のLWR等のリソグラフィ特性が向上する。上記X及びYで表される基が同一構造を有していることが好ましい。構造単位Iと構造単位IIが有するラクトン骨格を含む基が同一構造の基であることで溶解性がより高くなり、得られるレジスト膜のLWR等のリソグラフィ特性がさらに向上する。またX及びYで表される基が同一であると、[A]重合体の合成が簡便となる。上記X及びYで表されるラクトン基がノルボルナンラクトン骨格を有することが好ましい。構造単位I及び構造単位IIが有するラクトン基がノルボルナンラクトン骨格を有すると、得られるレジスト膜のLWR等のリソグラフィ特性と、基板等への密着性とを高いレベルで両立できる。[A]重合体のMw/Mnは、1.0以上1.5以下であることが好ましい。[A]重合体のMw/Mnの範囲を上記特定の範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト膜は、解像性能に優れる。本発明は、1当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜に露光する露光工程、3露光した上記レジスト膜を110°C以上にならない温度で加熱する加熱工程、及び4加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程を有するパターン形成方法を含む。本発明のパターン形成方法によればLWR等に優れる微細なパターンを形成することができる。なお、本明細書にいう感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。本発明によれば、感度等の基本特性だけではなく、LWR、MEEF、DOF、CDU等のリソグラフィ特性に優れると共に、レジストパターン形成方法の加熱工程における加熱温度が比較的低温であっても良好な微細パターンを形成できるレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供することができる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体を含有する。また、必要に応じて[B]フッ素原子を含む重合体、[C]酸発生体、[D]酸拡散制御体、[E]溶媒、さらに本発明の効果を損なわない限りその他の任意成分を含有できる。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>当該感放射線性樹脂組成物が含有する[A]重合体は同一又は異なる重合体分子中に上記式1で表される構造単位I及び上記式2で表される構造単位IIを有する。構造単位I及び構造単位IIを有する[A]重合体の態様としては特に限定されず、以下のような態様が挙げられる。i同一の重合体分子中に構造単位I及び構造単位IIの両方を有しており、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合、ii一の重合体分子中に構造単位Iを有し、それと異なる重合体分子中に構造単位II有しており、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合、iii一の重合体分子中に構造単位I及び構造単位IIの両方を有し、それとは異なる重合体分子中に構造単位Iを有し、これとはさらに異なる重合体分子中に構造単位IIを有しており、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合、ivi~iiiに規定の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。いずれの場合であっても、本発明の効果を享受することができる。構造単位Iは1価のラクトン基とエステル基との間に上記Qで表される基を有する一方、構造単位IIはエステル基に1価のラクトン基が直接結合している。[A]重合体がこれらの構造単位を両方含むと、両者のラクトン基部分が重合体鎖の周辺に分散して配置されるため、空間が確保されて重合体の剛直性が適度に低下する。その結果[A]重合体と現像液との親和性が向上し、現像液に対する溶解度が高まる。また上記と同様の理由により、例えば酸発生剤等から発生する酸と酸解離性基との反応等も促進される。これらの結果として、得られるパターンの解像性が上がると考えられる。[A]重合体は同一又は異なる重合体分子中に上記構造単位I及び構造単位IIを有し、さらに必要に応じて酸解離性基を含む下記式4で示される構造単位III、水酸基を含む構造単位IVを有する。以下それぞれについて詳述する。[構造単位I]式1中、R1は水素原子又はメチル基である。Qは炭素数1~4の2価の連結基である。Xは1価のラクトン基である。但し、この1価のラクトン基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記式1中、Qで表す炭素数1~4の2価の連結基としては、下記式3で表されるものが好ましい。-R3-R4-O-3式3中、R3は炭素数1~3のアルキレン基である。R4は単結合又はカルボニル基である。但し、は式1中のXと結合する部位である。上記式3中、R3で表す炭素数1~3のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が挙げられる。中でもメチレン基及びエチレン基が好ましく、Qとしては、-CH2CH2O-、及び-CH2COO-が好ましい。上記式1中、Xは1価のラクトン基である。ここで、ラクトン基とは、ラクトン環から水素原子を1つ除いた基である。また、ラクトン環とは、-O-CO-で表される結合を含むひとつの環を示す。ラクトン環を1つめの環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。Xが表す1価のラクトン基としては、例えば下記式L-1~L-6で示される基等が挙げられる。式L-1~L-6中、RLc1は酸素原子又はメチレン基である。RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は0又は1である。nLc2は0~3の整数である。は上記式1中、Qに結合する部位を示す。なお、式L-1~L-6で示される基は置換基を有していてもよい。上記1価のラクトン基が有してもよい置換基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基等が挙げられる。これらのうち、メチル基又はエチル基が好ましい。また、好ましい態様として、上記1価のラクトン基がシアノ基以外の置換基で置換されているものを挙げることができる。上記ラクトン基がシアノ基以外の置換基を有することで、LWR等のリソグラフィ性能が向上する。さらに、別の好ましい態様として、上記1価のラクトン基が全く置換基を有しないものが挙げられる。上記ラクトン基が置換基を有さないと、LWR等のリソグラフィ性能が向上すると共に得られるレジスト膜の密着性が向上する。構造単位Iとしては、例えば下記式で示される構造単位等が挙げられる。式中、R1は上記式1と同義である。これらのうち、1-1及び1-2が好ましい。[A]重合体において、構造単位Iの含有率は、[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位Iの総量が2モル~70モルであることが好ましく、5モル~40モルであることがより好ましい。なお、[A]重合体は、構造単位Iを1種又は2種以上有してもよい。[構造単位II]式2中、R2は水素原子又はメチル基である。Yは1価のラクトン基である。但し、このラクトン基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記式2中、Yで表す1価のラクトン基としては、上記式1中、Xで表す1価のラクトン基として例示した基と同様の基等が挙げられる。構造単位IIとしては、例えば下記式で示される構造単位等が挙げられる。式中、R2は上記式2と同義である。これらのうち、2-1が好ましい。[A]重合体において、構造単位IIの含有率は、[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位IIの総量が5モル~80モルであることが好ましく、20モル~70モルであることがより好ましい。なお、[A]重合体は、構造単位IIを1種又は2種以上有してもよい。[A]重合体は上記構造単位I及び構造単位IIを有し、それぞれが含有するラクトン基が同一構造の基であることが好ましい。構造単位Iと構造単位IIが有するラクトン基が同一構造の基となることで、得られるレジスト膜のLWR等がさらに向上する。[構造単位III][A]重合体としては、酸解離性基を含む下記式4で示される構造単位IIIを有することが好ましい。上記酸解離性基は、露光によって[C]酸発生体から発生した酸の触媒作用により解離する。その結果、[A]重合体の露光部の極性が増大し、露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度に差が生じ、リソグラフィ特性に優れるレジストパターンを形成することができる。式4中、R5は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは酸解離性基である。Rpで示される酸解離性基としては下記式5で表される基が好ましい。式5中、Rp1は炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。Rp2及びRp3はそれぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。なお、Rp2及びRp3は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。Rp1、Rp2及びRp3で示される炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。Rp1、Rp2及びRp3で示される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。これらのうち、Rp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともにアダマンタン骨格又はシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。構造単位IIIとしては、例えば下記式3-1~3-4で示される構造単位が挙げられる。式3-1~3-4中、R5は上記式4と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は上記式5と同義である。npは1~3の整数である。上記式4で示される構造単位としては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。式中、R5は上記式4と同義である[A]重合体において、構造単位IIIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して20モル~60モルであることが好ましい。なお、[A]重合体は構造単位IIIを1種、又は2種以上を有してもよい。[構造単位IV][A]重合体は、本発明の効果を妨げない限り、下記式で示される水酸基を含む構造単位IV等をさらに有していてもよい。構造単位IVとしては、構造単位中に水酸基を有する限り、特に限定されない。構造単位中における水酸基の数は1個でもよく、2個以上であってもよい。また、構造単位中における水酸基の位置も特に限定されない。構造単位IVとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。式中、R6は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における構造単位IVの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して1モル~50モルが好ましく、5モル~30モルがより好ましい。なお、[A]重合体は構造単位IVを1種、又は2種以上有していてもよい。[A]重合体は、上記構造単位I~IV以外にも、その他の構造単位を有することができる。例えば、環状カーボネート構造を有する構造単位等が挙げられる。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上が特に好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30°C~180°Cであり、40°C~160°Cが好ましく、50°C~140°Cがさらに好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~7時間が好ましく、1時間~6時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用できる。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。重合溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステルラクトン系溶媒、ニトリル系溶媒及びその混合溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を併用できる。重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上100,000以下が好ましく、2,000以上50,000以下がより好ましく、3,000以上10,000以下が特に好ましい。なお、[A]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[A]重合体のMwが500,000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常、1.0以上3以下であり、1.0以上1.5以下が好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、レジスト膜が解像性能に優れたものとなる。本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した値をいう。<[B]フッ素原子を有する重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[B]フッ素原子を有する重合体をさらに含有できる。当該感放射線性組成物が[B]重合体を含有することで、レジスト膜の疎水性が向上し液浸露光を行った場合においても物質溶出抑制に優れ、また、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分に高くでき、高速でスキャン露光した場合に水滴が残らない等の効果を奏する為、当該感放射線性組成物の液浸露光用としての有用性が高まる。[B]フッ素原子を有する重合体の態様としては、例えば主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造が挙げられる。主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばノルボルネン等の脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸又はメタクリル酸の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物の側鎖をフッ素化アルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換し、かつ側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。なお、脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[B]重合体は、下記式6で示されるb1構造単位及び/又は式7で示されるb2構造単位を有することが好ましく、またb1構造単位及びb2構造単位以外の他の構造単位を有してもよい。以下、各構造単位を詳述する。[b1構造単位]b1構造単位は下記式6で示される構造単位である。式6中、R7は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R8はフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。上記炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロペンチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクチルメチル基等が挙げられる。b1構造単位を与える単量体としては、例えばトリフルオロメチルメタアクレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロn-プロピルメタアクリレート、パーフルオロi-プロピルメタアクリレート、パーフルオロn-ブチルメタアクリレート、パーフルオロi-ブチルメタアクリレート、パーフルオロt-ブチルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメタアクリレート、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロペンタメタアクリレート、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリレート、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート等が挙げられる。b1構造単位としては、例えば下記式6-1及び6-2で示される構造単位が挙げられる。式6-1及び6-2中、R7は上記式6と同義である。[B]重合体において、b1構造単位の含有率としては[B]重合体を構成する全構造単位に対して、10モル~70モルが好ましく、20モル~50モルがより好ましい。なお[B]重合体は、b1構造単位を1種又は2種以上を有してもよい。[b2構造単位]b2構造単位は、下記式7で示される構造単位である。式7中、R9は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R10はk1価の連結基である。Aはフッ素原子を有する2価の連結基である。R11は水素原子又は1価の有機基である。kは1~3の整数である。但し、kが2又は3の場合、複数のA及びR11はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式7中、R10が示すk1価の連結基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。また、上記k1価の連結基は置換基を有していてもよい。上記炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン、イコサン、トリアコンタン等の炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等の多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基からm1個の水素原子を除いた基が挙げられる。上記式7中、Aが示すフッ素原子を有する2価の連結基としては、フッ素原子を有する炭素数1~20の2価の直鎖状炭化水素基が挙げられる。Aとしては、例えば下記式A-1~A-6で示される構造等が挙げられる。Aとしては、上記式A-1、及びA-2で示される構造が好ましい。上記式7中、R11が示す有機基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。上記b2構造単位としては、例えば下記式7-1及び7-2で示される構造単位が挙げられる。式7-1中、R10は炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。R9、A及びR11は上記式7と同義である。式7-2中、R9、A、R11及びkは上記式7と同義である。但し、kが2又は3の場合、複数のA及びR11はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記式7-1及び式7-2で示される構造単位としては、例えば下記式7-1-1、式7-1-2及び式7-2-1で示される構造単位が挙げられる。式7-1-1、7-1-2及び7-2-1中、R9は上記式7と同義である。b2構造単位を与える単量体としては、例えばメタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル、メタアクリル酸2-{[5-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル等が挙げられる。[B]重合体において、b2構造単位の含有率としては[B]重合体を構成する全構造単位に対して、20モル~80モルが好ましく、30モル~70モルがより好ましい。なお、[B]重合体は、b2構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[B]重合体において、他の構造単位の含有率としては[B]重合体を構成する全構造単位に対して、通常90モル以下であり、20モル~80モルが好ましく、30モル~70モルがより好ましい。なお、[B]重合体は、他の構造単位を1種、又は2種以上を有してもよい。[B]重合体の配合量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部~20質量部が好ましく、1質量部~10質量部がより好ましく、1質量部~7.5質量部が特に好ましい。0.1質量部未満であると、レジスト表面の撥水性が十分ではない場合がある。一方、20質量部を超えると、レジスト表面の撥水性が高くなりすぎて現像不良が起こる場合がある。[B]重合体におけるフッ素原子の含有割合としては、[A]重合体よりも大きいことが好ましい。[B]重合体におけるフッ素原子の含有割合としては、[B]重合体全量を100質量として、通常5質量以上であり、好ましくは5質量~50質量であり、より好ましくは5質量~45質量である。なお、このフッ素原子含有割合は13C-NMRにより測定することができる。[B]重合体におけるフッ素原子含有割合が[A]重合体よりも大きいものであると、[B]重合体及び[A]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物によって形成されたフォトレジスト膜表面の撥水性を高めることができ、液浸露光時に上層膜を別途形成する必要がなくなる。上記の効果を十分に発揮するためには、上記[B]重合体におけるフッ素原子の含有割合と、上記[B]重合体におけるフッ素原子の含有割合との差が1質量以上であることが好ましく、5質量以上であることがより好ましい。<[B]重合体の合成方法>[B]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[B]重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、2,000~20,000がより好ましく、2,500~10,000が特に好ましい。[C]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な後退接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[B]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、1~5が好ましく、1~4がより好ましい。<[C]酸発生体>[C]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ、その結果[A]重合体が現像液に溶解性となる。当該組成物における[C]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[C]酸発生剤と称することがあるでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[C]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[C]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-アダマンタン-エタン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート及びトリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-アダマンタン-エタン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[C]酸発生剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[C]酸発生体が酸発生剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上25質量部以下、好ましくは5質量部以上20質量部以下である。この場合、[C]酸発生剤の使用量が0.1質量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方25質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<[D]酸拡散制御体>酸拡散制御体は、露光により[C]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御体の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態以下、[D]酸拡散制御剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、4,4-ジアミノベンゾフェノン、4,4-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等が挙げられる。また、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式8で示されるスルホニウム塩化合物、下記式9で表されるヨードニウム塩化合物が挙げられる。式8及び式9中、R12~R16はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。また式8及び式9中、Z-はOH-、R17-COO-又はR17-SO3-である。但し、R17はアルキル基、アリール基、アルカリール基又は下記式10で示されるアニオンである。式10中、R18は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。uは1又は2である。これらの酸拡散抑制剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部未満が好ましい。合計使用量が5質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。<[E]溶媒>当該組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体、[B]重合体、[C]酸発生体、[D]酸拡散制御体、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。その他の溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうち、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、必須成分である[A]重合体、必要に応じて加えられる[B]重合体、[C]酸発生体、[D]酸拡散制御剤、及び[E溶媒に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分として界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。[増感剤]増感剤は、[C]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。<感放射線性樹脂組成物の調製>当該組成物は、[A]重合体、[B]重合体、[C]酸発生体、[D]酸拡散制御剤、[E]溶媒、及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該組成物は、適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。<パターン形成方法>本発明のパターン形成方法は、1当該感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程以下、1工程ともいう、2上記レジスト膜に露光する露光工程以下、2工程ともいう、3露光した上記レジスト膜を110°C以上にならない温度で加熱する加熱工程以下、3工程ともいう、及び4加熱した上記レジスト膜を現像する現像工程以下、4工程ともいうを含む。以下、各工程を詳述する。[1工程]本工程では、当該感放射線性樹脂組成物又はこれを溶媒に溶解させて得られた組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって、シリコンウエハー、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハー等の基板上に所定の膜厚となるように塗布し、次いでプレベークすることにより塗膜中の溶媒を揮発させることにより、レジスト膜を形成する。[2工程]本工程では、1工程で形成されたレジスト膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し露光させる。なお、この際所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選択して照射する。ArFエキシマレーザー波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。[3工程]次いで、露光されたフォトレジスト膜をポストエクスポージャーベークPEBすることで、レジスト膜の露光された部分において[A]酸発生剤から発生した酸で重合体が脱保護される。本発明においてPEBは、110°C以上にならない範囲で適宜選択して実施される。本発明のパターン形成方法においては、PEBの温度を110°C以下とすることができるため、製造工程におけるエネルギー使用量を減らすことができる。なお、上記PEBの温度としては、60°C以上110°C以下が好ましく、70°C以上110°C以下がより好ましい。80°C以上110°C以下が特に好ましい。60°C未満では、十分な脱保護を行うことができない。[4工程]本工程は、露光されたレジスト膜を、現像液で現像することにより、所定のフォトレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。また、液浸露光を行う場合は、2工程の前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、4工程の前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜例えば、特開2006-227632号公報参照、現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜例えば、WO2005-069076号公報、WO2006-035790号公報参照のいずれを用いてもよい。但し、スループットの観点からは、現像液剥離型液浸用保護膜を用いることが好ましい。このようにして得られるレジストパターンは、解像性に優れ、リソグラフィー技術を応用した微細加工に好適である。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の部及びは、特に断らない限り質量基準である。また、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。重合体のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、以下の条件により測定した。カラム温度:40°C溶出溶媒:テトラヒドロフラン和光純薬工業社流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子社、JNM-EX270を使用し測定した。低分子量成分の残存割合は、ジーエルサイエンス社製の商品名InertsilODS-25μmカラム4.6mmφ×250mmを使用し、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液の分析条件で、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより測定した。なお、低分子量成分とは、分子量1,000未満の成分をいう。<[A]重合体の合成>[合成例1]化合物M-337.56g40モル、化合物M-56.28g5モル、化合物M-86.22g10モル、化合物M-912.74g10モル、及び化合物M-1137.21g35モルを200gの2-ブタノンに溶解し、AIBN7.85gを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。2,000gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を400gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た70g、収率70。得られた重合体A-1のMwは4,300であり、Mw/Mnは1.37であり、低分子量成分の残存割合は0.05であった。また、化合物M-3由来の構造単位:化合物M-5由来の構造単位:化合物M-8由来の構造単位:化合物M-9由来の構造単位:化合物M-11由来の構造単位の含有比率が38.6:4.2:11.010.845.4モルの共重合体であった。[合成例2~21]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、合成例1と同様に操作して重合体A-2~A-15及びa-1~a-6を得た。また、得られた各重合体のMw、Mw/Mn、収率及び各重合体における各単量体に由来する構造単位の含有率を合わせて表1に示す。なお、[A]重合体の合成に使用した単量体、及び後述する[B]重合体の合成に使用した単量体は下記式で示される。<[B]重合体の合成>[合成例21]化合物M-737.41g40モル、及び化合物M-1262.59g60モルを100gの2-ブタノンに溶解し、AIBN4.79gを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。その重合溶液をエバポレーターにて重合溶液の重量が150gになるまで減圧濃縮した。その後、760gのメタノール及び40gの水の混合液中に濃縮液を投入し、スライム状の白色固体を析出させた。デカンテーションにて液体部を取り除き、回収した固体を60°C15時間で真空乾燥することにより、白色の粉体である重合体B-1を47g得た収率47。Mwは3,700であり、Mw/Mnは1.40であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-7由来の繰り返し単位:化合物M-12由来の繰り返し単位の含有比率が42.5:57.5モルの共重合体であった。なお、使用した単量体の化学式は下記に示す。<感放射線性樹脂組成物の調製>当該組成物の調製で使用した[C]酸発生剤、[D]酸拡散抑制剤及び[E]溶媒は下記のとおりである。<[C]酸発生剤>C-1:トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートC-2:トリフェニルスルホニウム1,1-ジフルオロ-2-アダマンタン-エタン-1-スルホネート<[D]酸拡散制御剤>D-1:トリフェニルスルホニウムサリチレート下記式D-1で示される化合物D-2:N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン下記式D-2で示される化合物<[E]溶媒>以下、実施例及び比較例で用いた溶媒を示す。E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1]合成例1で得られた重合体A-1100質量部、合成例19で得られた重合体B-13質量部、酸発生剤C-111質量部、酸拡散制御剤D-17.9質量部、及び溶媒E-12,590質量部、E-21,110質量部、E-3200質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物を調製した。この感放射線性樹脂組成物を組成物J-1とした。[実施例2~16、比較例1~5]表2に示す配合処方にしたこと以外は、実施例1と同様の操作を行い各感放射線性樹脂組成物の組成物J-2~J-16及びj-1~j-5を調製した。<LSラインスペースパターンの評価>得られた実施例1~11及び16、並びに比較例1~4の感放射線性樹脂組成物について、ArFエキシマレーザーを光源として、LWR、MEEF及びトレンチDOFついて下記に示す評価方法に従って評価を行った実施例17~30及び比較例6~10。なお、各感放射線性樹脂組成物に対して行ったSB及びPEBの条件は、表3に示した。[LineWidthRoughnessLWR]まず、下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚75nmの被膜を形成し、表3に記載の温度で60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した。露光後、各感放射線性樹脂組成物について表3に記載の温度で60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、50nmLine100nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅50nmのLineを形成する露光量Jm2を最適露光量Eopとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。上記Eopにて形成された線幅50nmのLineをパターン上部から観察し、任意の10点ポイントで線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRnmとした。このLWRの値が5nm以下である場合、形成されたパターン形状が良好であると評価した。[マスクエラーファクターMEEF]上記Eopにて、マスクパターンが48nmライン100nmピッチ、49nmライン100nmピッチ、50nmライン100nmピッチ、51nmライン100nmピッチ、52nmライン100nmピッチとするパターン形成用のマスクパターンをそれぞれ介して、ピッチ100nmのLSパターンを形成した。このとき、各マスクの設計パターンサイズのラインサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きが4以下である場合、マスク再現性が良好であると評価した。[トレンチ焦点深度DOF]上記Eopにて、パターンサイズが50nmTrench160nmPitchとなるパターンの焦点をずらした際にTrenchの幅が45nm~55nmに収まる焦点をずらせる範囲をDOFnmとした。DOFが70nm以上である場合、良好であると評価した。評価の結果を表3に示す。表3に示されたように、本感放射線性樹脂組成物を用いれば、LSラインスペースパターンにおいてMEEFに優れると共に、LWR及びDOFを向上させることができた。<コンタクトホールパターンの評価>得られた実施例12~15及び比較例5の感放射線性樹脂組成物について、ArFエキシマレーザーを光源として、CDU及びMEEFについて、下記に示す評価方法に従って評価を行った実施例31~34及び比較例11。[CriticalDimentionUniformityCDU]まず、下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚100nmの被膜を形成し、100度で60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、75nmHole110nmPitchのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した。露光後、各感放射線性樹脂組成物について表3に記載の温度で60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、75nmHole110nmPitchのマスクパターンを介して露光した部分が直径65nmのホールを形成する露光量を最適露光量Eopとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。上記Eopにて形成された直径65nmのホールパターンを計30個測長し、計30個の測長値の平均偏差を算出し、3倍した値をCDUとして算出した。CDUが4以下である場合、良好であると評価した。[マスクエラーファクターMEEF]上記Eopにて、マスクパターンの設計パターンサイズのホール直径が73nm、74nm、75nm、76nm、77nmの部分を用いてレジスト膜に形成されたホールの直径nmを縦軸に、マスクパターンのサイズnmを横軸に、プロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEFが5.0以下である場合、良好であると評価した。[ホール焦点深度DOF]上記Eopにて、焦点をずらした際にホールの直径が60nm~70nmに収まる焦点をずらす範囲をDOFとした。DOFが100nm以上である場合、良好であると評価した。評価の結果を表4に示す。表4に示す通り、本感放射線性樹脂組成物を用いれば、コンタクトホールパターンにて優れたMEEF値を維持しつつ、CDU及びDOFをさらに向上させることができた。"