"モリブデンを含む電極と、該電極上に設けられた、酸素およびセレンを含む光吸収層とを備え、前記光吸収層は、前記酸素および前記セレンを含む、複数の第1結晶粒および複数の第2結晶粒を有し、前記第1結晶粒および前記第2結晶粒は、前記電極と接しており、前記第2結晶粒は、前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度が前記第1結晶粒の前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度よりも大きい、光電変換装置。前記第2結晶粒は、前記電極と接する部位における前記セレンのモル濃度が前記第1結晶粒の前記電極と接する部位における前記セレンのモル濃度よりも小さい、請求項1に記載の光電変換装置。前記第2結晶粒の平均結晶粒径は、前記第1結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記光吸収層は、該光吸収層の平均厚みよりも平均結晶粒径が大きい前記第2結晶粒を有する、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記第2結晶粒は、前記光吸収層を平面視した領域において単位面積当たりに占める面積の割合が、3~10である、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。このようなMoSe2層と上述した光吸収層との接着強度は、比較的良好である。しかしながら、MoSe2層は、Mo薄膜の電極の表面に対してc軸が垂直な状態で複数層生成されると、MoSe2層間の接着強度が低くなり、MoSe2層間で剥離が生じ、光吸収層が電極から剥離する場合があった。本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は電極と光吸収層との接着強度を高め、信頼性の高い光電変換装置を提供することにある。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置は、モリブデンを含む電極と、該電極上に設けられた、酸素およびセレンを含む光吸収層とを備える。さらに、本実施形態において、前記光吸収層は、前記酸素および前記セレンを含む、複数の第1結晶粒および複数の第2結晶粒を有している。さらに、本実施形態において、前記第1結晶粒および前記第2結晶粒は、前記電極と接している。そして、本実施形態において、前記第2結晶粒は、前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度が前記第1結晶粒の前記電極と接する部位における前記酸素のモル濃度よりも大きい。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置によれば、光吸収層の第2結晶粒と電極との界面で生じるMoSe2の過度な生成を低減することができるため、MoSe2層間の剥がれによって生じ得る、電極からの光吸収層の剥離の発生を低減できる。その結果、本実施形態では、電極と光吸収層との接着強度を高めることにより、信頼性を向上させることができる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1から図10には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の概略構成><光電変換装置の概略構成>光電変換装置20は、図1乃至図3に示すように、基板1と、該基板1の一主面上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は分離溝部P3によって分離されている。すなわち、光電変換装置20では、所定の配列方向本実施形態ではX方向に沿って、分離溝部P3を介して複数の光電変換セル10が基板1の一主面上に配列されている。図1では、図示の都合上、分離溝部P1が上面透視されており、点線で示されている。また、図1では、3つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、光電変換装置20には、図面の左右方向に、多数例えば、8個の光電変換セル10が平面的に二次元的に配列されていても良い。そして、例えば、光電変換装置20のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が設けられ得る。なお、光電変換装置20には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。また、例えば、各光電変換セル10の上面の形状が概ね長方形であり、光電変換装置20の上面の形状が概ね正方形である態様が採用され得る。なお、各光電変換セル10の上面の形状は概ね長方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。また、光電変換装置20の上面の形状は概ね正方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。但し、光電変換装置20では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置20において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置20から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置20に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、基板1上に設けられた電極以下、下部電極2とする、光電変換層3、および光電変換層3上に設けられた電極以下、上部電極45とするを備えている。また、各光電変換セル10には、分離溝部P1と分離溝部P2とが設けられている。そして、光電変換装置20では、上部電極45が設けられた側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属等が挙げられる。ここでは、基板1が、1~3mm程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスであるものとする。下部電極2は、基板1のZ側の一主面の上に設けられた導電層である。下部電極2にはモリブデンが含まれている。また、下部電極2の厚さは、例えば、0.2~1μm程度である。下部電極2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成され得る。光電変換層3は、下部電極2の上に設けられており、順に積層された光吸収層31とバッファ層32とを有している。光吸収層31およびバッファ層32は、主に半導体を含む層であるため、光電変換層3は、主に半導体を含む層半導体層とも言うである。光吸収層31は、下部電極2のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、第1導電型ここではp型の導電型を有する半導体を主に含む。光吸収層31の厚さは、例えば、1~3μm程度である。また、光吸収層31は、例えば、セレンを有するI-III-VI族化合物半導体を主として含む。これにより、光吸収層31の薄層化が可能となり、少ない材料で安価に変換効率が高められ得る。I-III-VI族化合物半導体は、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。ここで、セレンを有するI-III-VI族化合物としては、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISとも言う、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSとも言う、およびCuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSとも言う等の材料が採用され得る。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含む例で説明するものとする。なお、光吸収層31は、例えば、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムを主に含む薄膜を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体の薄膜であっても良い。光吸収層31は、スパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。この塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置20の製造にかかるコストが低減され得る。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型ここではn型の導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。また、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等によって形成され得る。また、バッファ層32は、光吸収層31の一主面の法線方向Z方向に厚さを有する。この厚さは、例えば、10~200nmに設定される。バッファ層32の厚さが100~200nmであれば、バッファ層32の上に透光性導電層4がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極45は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている。この上部電極45は、透光性導電層4とグリッド電極部5とを備えている。透光性導電層4は、バッファ層32の一主面の上に設けられており、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。この透光性導電層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うとなる。透光性導電層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。透光性導電層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウムITO、および酸化錫SnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウム、およびフッ素のうちの何れか1つの元素等が含まれたものであれば良い。透光性導電層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。透光性導電層4の厚さは、例えば、0.05~3.0μmであれば良い。ここで、透光性導電層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および透光性導電層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、透光性導電層4の厚さが0.05~0.5μmであれば、透光性導電層4における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、透光性導電層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。グリッド電極部5は、透光性導電層4のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている線状の電極部線状電極部とも言うである。グリッド電極部5は、複数の集電部5aと連結部5bと垂下部5cとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間しており、各集電部5aがX軸方向に延在している。連結部5bは、Y軸方向に設けられており、各集電部5aが接続されている。垂下部5cは、連結部5bの下部に接続され、分離溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極2に接続する。集電部5aは、光電変換層3において発生して透光性導電層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電部5aが設けられることで、透光性導電層4における導電性が補われるため、透光性導電層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層4における光透過性の向上とが両立し得る。なお、グリッド電極部5が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換装置20における変換効率が向上し得る。また、グリッド電極部5に含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であっても良い。透光性導電層4および複数の集電部5aによって集電された電荷は、連結部5bと垂下部5cとを通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置20においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。具体的には、一方の光電変換セル10の上部電極45の集電部5aと電気的に接続された垂下部5cと、他方の光電変換セル10の下部電極2とが電気的に接続されることで直列に接続されている。また、集電部5aの幅が50~400μmであれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に設けられる複数の集電部5aの間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。<分離溝部の配置とその役割>分離溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。この分離溝部P1が1以上設けられることで、複数の下部電極2がX軸方向に分離されている。図2では、3つの下部電極2が示されている。分離溝部P1には、直上に設けられた光吸収層31の延在部分が埋入している。これにより、隣り合う一方の光電変換セル10の下部電極2と、他方の光電変換セル10の下部電極2との間が、電気的に分離されている。分離溝部P1の幅は、例えば、グリッド電極部5の幅と同程度の50μm~400μm程度であれば良い。分離溝部P2は、透光性導電層4の一主面から下部電極2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に直線状に延在している。このため、分離溝部P2は、光電変換層3と透光性導電層4とが積層された積層部をX軸方向に分離している。すなわち、分離溝部P2は、光電変換層3を基板1の一主面に垂直な方向に貫通するように設けられる。分離溝部P3は、光電変換セル10の上面から下部電極2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に延在している。分離溝部P3の幅は、例えば、40~1000μm程度であれば良い。受光面の上方ここではZ側から光電変換装置20を平面透視した場合、分離溝部P1と分離溝部P3との間に分離溝部P2が設けられている。換言すれば、X方向に、分離溝部P1と分離溝部P2と分離溝部P3とがこの順に設けられている。また、各光電変換セル10では、下部電極2の上から分離溝部P1を越えて、隣の下部電極2の上に至るまで光電変換層3が設けられている。ここで、隣の下部電極2は、隣の光電変換セル10から延伸している下部電極2である。そして、受光面の上方ここではZ側から光電変換装置20を平面透視した場合、光電変換装置20には、分離溝部P1および分離溝部P2を包含して、分離溝部P1と分離溝部P2とに挟まれた領域接続用領域とも言うと、分離溝部P2と分離溝部P3とに挟まれた領域と、残余の領域とがある。そして、例えば、図3に示すように、この残余の領域が、発電に寄与する領域発電寄与領域とも言うとなる。一方で、例えば、図3に示すように、分離溝部P2と分離溝部P3とに挟まれた領域が、発電に寄与しない領域非発電寄与領域とも言うとなる。<光吸収層の詳細構造>光吸収層31は、図4に示すように、複数の結晶粒を有している。そして、この結晶粒は酸素を含んでいる。この結晶粒31Aは、光吸収層31が主として含むCIGSと酸素との混合物となっている。このような結晶粒31Aは、下部電極2と接する部位を有している。酸素を含む結晶粒31Aとモリブデンを含む下部電極2との界面には、MoSe2の層が形成される。このMoSe2は、過剰に生成して複数の層が形成されることによってZ方向における厚みが増大すると、MoSe2の層間の剥離が生じやすくなる。このような場合、光吸収層31は下部電極2から剥離しやすくなる。本実施形態において、結晶粒31Aは、下部電極2と接する部位における酸素のモル濃度が異なる2種類の結晶粒第1結晶粒および第2結晶粒を有している。このとき、第1結晶粒および第2結晶粒の平均結晶粒径は、例えば、0.1~2μmであればよい。そして、第2結晶粒の酸素のモル濃度は、第1結晶粒の酸素のモル濃度よりも大きくなっている。そのため、第2結晶粒と下部電極2との接触部位に生じるMoSe2は、第1結晶粒と下部電極2との接触部位に生じるMoSe2よりも少なくなる。すなわち、本実施形態では、光吸収層31の第2結晶粒と下部電極2との界面で生じるMoSe2の過度な生成が低減される。それゆえ、本実施形態では、MoSe2層間の剥がれによって生じ得る、下部電極2からの光吸収層31の剥離の発生を小さくすることができる。その結果、本実施形態では、下部電極2と光吸収層31との接着強度を高めることにより、信頼性を向上させることができる。本実施形態において、下部電極2と接する部位における第2結晶粒の酸素のモル濃度は、例えば、8~12molである。また、下部電極2と接する部位における第1結晶粒の酸素のモル濃度は、例えば、4~7molである。そして、この第2結晶粒の酸素のモル濃度は、下部電極2と接する部位における第1結晶粒の酸素のモル濃度よりも、1.5~2.5倍大きい。なお、第1結晶粒および第2結晶粒における酸素のモル濃度は、例えば、光吸収層31のXZ面における断面を電子顕微鏡観察しながらエネルギー分散型X線分析法EDS:EnergyDispersivexraySpectroscopyを用いて測定すればよい。また、上記した酸素のモル濃度は、例えば、オージェ電子分光AES:AugerElectronSpectroscopyで測定してもよい。そして、酸素のモル濃度は、例えば、次のように算出する。まず、光吸収層31の任意の60個の結晶粒について、下部電極2と接する部位における酸素のモル濃度を測定する。次いで、これらの結晶粒の酸素のモル濃度をプロットし、酸素のモル濃度の分布を示すグラフを作成する。次に、20個以上の結晶粒より成る2つのグループに分ける。このとき、これらのグループにおいて、一方のグループにおける平均の酸素のモル濃度よりも1.5~2.5倍高い平均の酸素のモル濃度を有する他方のグループが第2結晶粒の群となる。また、本実施形態では、下部電極2と接する部位における第2結晶粒のセレンのモル濃度は、下部電極2と接する部位における第1結晶粒のセレンのモル濃度よりも、小さくてもよい。これにより、本実施形態では、第2結晶粒と下部電極2との界面で生じるMoSe2の過剰な生成を低減できる。このとき、下部電極2と接する部位における第2結晶粒のセレンのモル濃度は、35~40molである。一方で、下部電極2と接する部位における第1結晶粒のセレンのモル濃度は、45~50molである。この第2結晶粒のセレンのモル濃度は、下部電極2と接する部位における第1結晶粒のセレンのモル濃度よりも、20程度小さければよい。なお、第1結晶粒および第2結晶粒におけるセレンのモル濃度は、上述した酸素のモル濃度と同様の方法で測定できる。また、本実施形態において、第2結晶粒は、光吸収層31を平面視した領域において、単位面積当たりに占める面積の割合が、3~10であってもよい。なお、この単位面積とは、例えば、10~1000mm2程度であればよい。これにより、本実施形態では、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングで分離溝部P2および分離溝部P3を形成する場合、上記スクライブ針の走査を妨げにくくなるため、生産性が向上する。具体的に、上述したように、下部電極2と光吸収層31との界面におけるMoSe2は、その厚みが大きくなると、光吸収層31が下部電極2から剥離しやすくなる。そのため、光吸収層31を下部電極2から剥離させて分離溝部P2および分離溝部P3を形成するメカニカルスクライブでは、上記した分離溝部を比較的容易に形成できる。なお、光吸収層31を平面視した領域における第2結晶粒の単位面積当たりに占める面積の割合は、顕微鏡写真より確認することができる。具体的には、例えば、顕微鏡を用いて光吸収層31の表面図4におけるXY平面の写真を撮影した後、画像処理ソフトを使って第1結晶粒と第2結晶粒を色等で識別し、各結晶粒の占有面積を算出すればよい。次に、本発明の光電変換装置の他の実施形態について説明する。本実施形態は、図5に示すように、平均結晶粒径が異なる第1結晶粒および第2結晶粒を有している光吸収層31を備えている点で上述した実施形態と相違する。そのため、本実施形態では、上述した実施形態と同様に、第1結晶粒と第2結晶粒とでは酸素のモル濃度に差が生じている。本実施形態では、第2結晶粒31Aaの平均結晶粒径が第1結晶粒の平均結晶粒径よりも大きい。なお、図5では、図示の都合上、第2結晶粒にのみ符号を付しており、第2結晶粒31Aa以外の結晶粒が第1結晶粒に相当する。本実施形態において、第1結晶粒の平均結晶粒径は、0.1~1μmであればよい。一方で、第2結晶粒31Aaの平均結晶粒径は、0.5~2μmである。すなわち、第2結晶粒31Aaの平均結晶粒径は、第1結晶粒の平均結晶粒径の2~20倍の大きさを有している。なお、各結晶粒の平均結晶粒径は、例えば、断面の顕微鏡写真に結晶粒の境界を書き入れたのち、画像処理ソフトを用いて算出することで求めることができる。具体的には、第1結晶粒および第2結晶粒について任意の20個ずつ粒径を測定し、その平均値を算出すればよい。このように、本実施形態では、第2結晶粒31Aaの平均結晶粒径が大きいため、第2結晶粒31Aaと下部電極2との接触面積が大きくなる。これにより、本実施形態では、第1結晶粒に比べて下部電極2と剥離が生じにくい第2結晶粒31Aaが下部電極2と接触しやすくなるため、光吸収層31が下部電極2から剥離しにくくなる。また、第2結晶粒31Aaの平均結晶粒径は、図5に示すように、光吸収層31の平均厚みより大きくてもよい。このような形態であれば、第2結晶粒31Aaが位置する光吸収層31の受光面積を大きくできるため、変換効率を向上させることができる。また、第1結晶粒で構成されている光吸収層31の受光面Z方向側の上面よりも突出している第2結晶粒31Aaの表面が曲面を成していれば、より受光面積を大きくできる。なお、光吸収層31の平均厚みは、例えば、1~2μmである。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置20の製造プロセスの一例について説明する。以下では、光吸収層31が塗布法あるいは印刷法が用いられて形成され、更にバッファ層32が形成される場合を例として説明する。図6から図10は、光電変換装置20の製造途中の様子を模式的に示すXZ断面図である。<下部電極2の形成>まず、図6で示されるように、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Mo等を主に含む下部電極2が形成される。<分離溝部P1の形成>次に、下部電極2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、直線状の分離溝部P1が形成される。図7は、分離溝部P1が形成された後の状態を示す図である。分離溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザー光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。<光電変換層3の形成>次に、下部電極2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順次に形成されることで、光電変換層3が形成される。図8は、光電変換層3が形成された後の状態を示す図である。ここで、光吸収層31は、所定の溶液が、下部電極2の表面に塗布された後に、乾燥および熱処理が順に施されることで形成され得る。所定の溶液は、例えば、セレン含有有機化合物と塩基性有機溶剤とを含む溶媒混合溶媒とも言うに、I-B族金属とIII-B族金属とが直接溶かされることで作製され得る。所定の溶液では、例えば、I-B族金属とIII-B族金属との合計濃度が10wt以上となり得る。所定の溶液を塗布する方法としては、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、およびダイコータ等の種々の手法が採用され得る。なお、セレン含有有機化合物とは、セレン元素を含む有機化合物である。セレン含有有機化合物としては、例えば、セレノール、セレニド、ジセレニド等が採用され得る。ここでは、例えば、光吸収層31の一形成方法として、主に下記工程~が順に行われる形成方法が採用され得る。ベンゼンセレノールが、ピリジンに対し100molとなるように溶解させられて混合溶媒が作製される。この混合溶媒に、地金の銅、地金のインジウム、地金のガリウム、および地金のセレンが直接溶解させられて溶液が作製される。この溶液が、下部電極2の表面にブレード法によって塗布された後に、乾燥されて皮膜が形成され、この皮膜に対して水素ガスの雰囲気下で熱処理が施される。なお、金属が混合溶媒に直接溶解させられる処理は、単体金属または合金の地金が、直接、混合溶媒に混入され、溶解させられる処理のことである。また、本実施形態において、皮膜の乾燥は、さらに酸素と、数ppm程度の水分の存在下で5~15分程度行なわれる。この乾燥工程後の皮膜には、該皮膜の深さ方向図8の-Z方向に複数のクラックが生じる。上述したように、乾燥工程は、酸素雰囲気下で行われるため、下部電極2と接する皮膜の一部に酸素が入り込む。その後、還元雰囲気で熱処理が行なわれる。還元雰囲気は、例えば、窒素雰囲気、水素雰囲気および水素と窒素またはアルゴンの混合気体の雰囲気のうち何れかであれば良い。熱処理温度は、例えば、400~600°Cであれば良い。以上の工程により、複数の結晶粒を有する光吸収層31が形成され得る。また、下部電極2と接する部位における結晶粒の酸素のモル濃度は、上述したクラックの有無に依存する。すなわち、下部電極2と接する部位において、クラックが生じた部位に位置する結晶粒第2結晶粒は、クラックを介して外部から酸素が取り込まれるため、クラックが生じていない部位に位置する結晶粒第1結晶粒よりも酸素のモル濃度が大きくなる。さらに、上述した製法であれば、第2結晶粒に酸素が取り込まれることにより、下部電極2付近のセレンが揮発しやすくなるため、セレンのモル濃度を小さくすることもできる。また、他の方法としては、例えば、皮膜の乾燥工程において、基板1側からヒータ等を用いて皮膜を部分的に短時間で乾燥することにより、部分的にセレンを揮発させてセレンのモル濃度が小さい結晶粒を形成するようにしてもよい。また、図5に示したような第1結晶粒よりも平均結晶粒径が大きい第2結晶粒を形成するには、例えば、以下のようにすればよい。まず、酸素存在下における皮膜の乾燥工程において、上述したクラックを介する方法あるいは部分的にセレンを揮発させる方法により、下部電極2付近の皮膜におけるセレンのモル濃度に分布を生じさせる。その上で、速い昇温速度で皮膜の熱処理を行なう。なお、このときの昇温速度は、30°C/min程度であり、通常よりも10~20°C/min程度速く設定されている。このセレンのモル濃度が小さい部分では、銅とセレンの化合物であるCuSeがIn、GaおよびSeと反応してCIGSの結晶が形成されにくくなる。熱処理中にCuSeが液相で存在することで、CIGSの粒成長をより促すことができるため、平均結晶粒径が大きくなる。また、セレンのモル濃度が小さい部分では、セレンに比べて相対的に酸素が多く存在するようになる。それゆえ、平均結晶粒径が大きい結晶粒第2結晶粒の下部電極2付近における酸素のモル濃度は、下部電極2付近における第1結晶粒の酸素のモル濃度よりも大きくできる。バッファ層32は、溶液成長法CBD法によって形成される。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31の形成までが行われた基板1が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。<透光性導電層4の形成>次に、光電変換層3の上に透光性導電層4が形成される。図9は、透光性導電層4が形成された後の状態を示す図である。透光性導電層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。例えば、バッファ層32の上に、アルミニウムが添加された酸化亜鉛を主に含む透明な透光性導電層4が形成される。<分離溝部P2の形成>次に、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P2が形成される。図10は、分離溝部P2が形成された後の状態を示す図である。分離溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。なお、分離溝部P2は、分離溝部P1と同様に、レーザー光によって形成されても良い。<グリッド電極部5の形成>次に、分離溝部P2が形成された透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から分離溝部P2の内部にかけてグリッド電極部5が形成される。図11a、bは、グリッド電極部5が形成された後の状態を示す図である。グリッド電極部5は、例えば、銀等の金属粉が樹脂製のバインダー等に分散させられた金属ペーストが集電部5aおよび連結部5bを有するように印刷され、印刷後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。このとき、分離溝部P2にも金属ペーストが入り込み、乾燥によって固化されることでグリッド電極部5の垂下部5cが形成される。ここで言う固化には、金属ペーストに含まれるバインダーが熱可塑性樹脂である場合における熔融後の固化と、バインダーが熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合における硬化による固化とが含まれる。ここで、グリッド電極部5上部電極45の連結部5bは、他の部位よりも厚みが大きくなるように印刷される。この方法としては、例えば、連結部5bの部位の印刷回数を他の部位よりも多くすればよい。他の方法としては、連結部5bの印刷時のスキージの速度を遅くすることにより、他の部位よりも多く金属ペーストを印刷するようにしてもよい。これにより、基板1の一主面に垂直な方向であるZ方向におけるグリッド電極部5の連結部5bの厚みが、集電部5a等の他のグリッド電極部5の部位の厚みに比べて大きくなる。なお、金属ペーストの印刷工程では、1回の印刷が行われても良いし、2回以上の印刷が行われても良い。金属ペーストとしては、銀の含有率が85~98wtであり、樹脂成分の含有率が2~15wtであるものが採用され得る。例えば、金属ペーストにおける銀の含有率が88~92wtであれば、印刷に適した粘性と良好な導電性とが得られる。<分離溝部P3の形成>グリッド電極部5が形成された後、透光性導電層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極2の上面に至る領域に、分離溝部P3が形成される。これにより、図1から図4で示された光電変換装置20が得られる。分離溝部P3は、分離溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングによって形成され得る。このとき、グリッド電極部5の端部が若干削られても良い。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。"