"異なる色を発光する複数の副画素を有する画素を複数備え、前記副画素がそれぞれ、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子の光出射側に前記有機化合物層よりも屈折率の高い高屈折率透明層を有し、前記高屈折率透明層は光取り出し構造物を有し、前記光取り出し構造物が各副画素上にはなく各副画素の外周部を取り囲んで設けられ、隣り合う二つの画素に含まれる最近接の副画素間の距離が、それぞれの副画素の発光の導波距離の和以上であることを特徴とする表示装置。一つの前記画素に含まれる複数の副画素が青色を発光する副画素、赤色を発光する副画素、緑色を発光する副画素であり、青色を発光する副画素、赤色を発光する副画素、緑色を発光する副画素のうち、最も導波距離が長い色を発光する副画素が画素の中心に配置されている請求項1に記載の表示装置。本発明は、有機EL素子を用いた表示装置において有機化合物層よりも高い屈折率の透明層を伝播する伝播光を効率的に外部に取り出しながらも、表示装置にとって問題となる表示像のにじみを低減することを課題とする。本発明の表示装置は、有機EL素子の光出射側の透明電極に隣り合う有機化合物層よりも高い高屈折率透明層に光取り出し構造を設けることでより多くの光が素子内部から取り出されるような画素からなる表示装置である。本出願人等は、高屈折率透明層を横方向に伝播する光の導波距離に着目し、本発明を達成した。即ち本発明は、異なる色を発光する複数の副画素を有する画素を複数備え、前記副画素がそれぞれ、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子の光出射側に前記有機化合物層よりも屈折率の高い高屈折率透明層を有し、前記高屈折率透明層は光取り出し構造物を有し、前記光取り出し構造物が各副画素上にはなく各副画素の外周部を取り囲んで設けられ、隣り合う二つの画素に含まれる最近接の副画素間の距離が、それぞれの副画素の発光の導波距離の和以上であることを特徴とする。本発明によれば、光取り出し効率を向上させつつ表示像のにじみが低減された表示装置を提供できる。光取り出し効率の向上により全方位に対して輝度が上昇するため、低消費電力の表示装置を提供できる。有機EL素子は、第1電極上に発光領域を備えた発光層を含むいくつかの有機化合物層と第2電極とを有している。そして、該第1電極と第2電極間に電圧を印加して有機化合物層に注入された正孔と電子が再結合する際に生じるエネルギーを利用して発光する素子である。第1電極と第2電極の一方は反射電極であり、他方は透明電極である。また、第1電極と第2電極の一方は陽極、他方は陰極である。本発明の表示装置は、第1電極として反射電極を支持基板上に形成し、透明電極側から発光を取り出す。本発明の表示装置は、有機EL素子内で発光した光を効果的に外部に取り出すために、透明電極に隣接して有機化合物層よりも高い屈折率を有する高屈折率透明層が設けられ、更に、該高屈折率透明層に隣接して光を取り出すための光取り出し構造物が配置されている。係る構成により、発光層からの光は全反射せずに光取り出し構造物まで達し、効果的に外へ取り出されることになる。本発明においては、前記光取り出し構造物が副画素上にはなく、各副画素の外周部を取り囲んで設けられていることを特徴とする。本発明においては、互いに異なる画素に属する最近接の副画素間の距離が互いの副画素の発光の導波距離の和以上となることを特徴としている。これにより、隣り合う画素間同士の混色で発生する表示像のにじみを抑制することができる。以下、本発明の発光装置の実施の形態について説明する。図1aは、本発明の表示装置の一実施形態の画素の平面レイアウトを示す。本実施形態では、青、緑、赤の光の三原色をそれぞれ発光する副画素1,2,3により一つの画素4が形成されている。ここで画素4は少なくとも3つの副画素1,2,3と2つの副画素間領域5からなる。一方、画素間領域6は隣り合う二つの画素4の間の領域であり、より詳しく言えば、隣り合う画素間にそれぞれ含まれる副画素1と3の間、1と1の間、2と2の間、3と3の間の領域のことである。また、画素間領域6のX方向とY方向の距離をPxとPyと定義しておく。また、図1bは本発明の表示装置の一実施形態の画素の平面レイアウトの別例を示したものであり、画素が三角格子様に配置されたものである。この場合も副画素間の距離を定義することができる。例えば、副画素1と副画素2の中心線上にあってその端部間の距離をP12と定義する。同様に副画素1と副画素3間の距離はP13、副画素2と副画素3間の距離はP23と定義する。以下では、三角格子様に配置されたレイアウトをもとに実施の形態を詳細に説明する。図2は、図1bの表示装置に設けた光取り出し構造物7の平面レイアウトを示す図である。本発明の表示装置では、図2に示すように副画素1,2,3の発光領域上には光取り出し構造物7がなく、光取り出し構造物7は発光領域の外周を取り囲んで設けられている。光取り出し構造物7は、図2aのように複数の円錐状構造が発光領域の外周を取り囲んでいてもよく、或いは図2bのように、円錐状構造が一つなぎになった、一つのリング状構造が一重に発光領域の外周を取り囲んでいてもよい。本発明の表示装置では副画素1,2,3の発光領域は後述する支持基板側に形成された、パターニングされた電極の面積で決まる。その場合、表示装置は図3に模式的に示すような断面構造になる。この場合は後述する反射電極19の電極面積がそれぞれの副画素1,2,3の領域となる。また、図3の構成では、画素間のクロストーク、ショート、電極配線の断線などの回避、又は電極間を絶縁して発光領域を限定するために、隔壁15を設けているが、なくても構わない。図3の場合、それぞれの副画素に隔壁15によって設けられた開口部が図1の副画素1,2,3に対応する。各副画素1,2,3は、それぞれの発光色を発光する有機EL素子からなる。図3においては、支持基板9上にそれぞれ第1電極として反射電極19を有し、該反射電極19上に有機化合物層16,17,18を備え、さらに光出射側に第2電極として透明電極20を備えている。有機化合物層16,17,18はそれぞれ、副画素1,2,3の発光色に応じた発光を行う発光層を備えている。透明電極20は表示領域全体にわたって連続して形成されており、有機化合物層16,17,18よりも屈折率の高い高屈折率透明層10を有している。そしてさらに、高屈折率透明層10は光取り出し構造物7を備えている。各副画素1,2,3に用いられる有機EL素子の断面構造の構成例を図4に示す。支持基板9上に設けられた第1電極として反射電極22及び透明電極23と、第2電極としての透明電極20との間に、発光層を含むいくつかの有機化合物層があり、発光効率、駆動寿命、光学干渉などの観点から様々な積層構成があることはよく知られている。尚、図3では第1電極として反射電極19のみを示したが、図4の構成では第1電極を反射電極22と透明電極23とで構成しており、本発明では反射性を有する電極構成であればいずれの構成でも構わない。図4の例では、図3の有機化合物層16,17,18として、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27、電子注入層28を設けた構成を示す。本発明は、各層に含まれる材料には限定されない。例えば、発光層26を構成する材料は、蛍光材料、燐光材料のいずれでもよく、ホスト材料、発光材料の他に、少なくとも一種類以上の化合物が素子性能向上のために含まれていてもよい。また、正孔輸送層25は電子ブロック層として機能してもよく、電子輸送層27は正孔ブロック層として機能してもよい。有機化合物層16,17,18のうち、発光層26の発光位置と反射電極22の反射面との間の膜厚を調節することで、発光層26内部の放射分布を制御することができる。表示装置としては特に正面方向の輝度が高くなるように各有機化合物層の膜厚を設定することで、光学干渉により発光色も制御され、より高効率に正面方向に光が放出されるようになる。より具体的には、発光層26の発光位置から透明電極21と反射電極22の界面までの光学距離を発光波長のn/4n=1、3、5、に調整することで、発光層26から光取り出し方向に向けた正面輝度をより高めることができる。光取り出し効率を高めるためには反射電極22の反射率はより高い方が好ましい。例えば、反射電極22の材料としては、アルミニウムAl電極よりも銀Ag電極の方が好ましい。更に反射率を高める手段として誘電多層膜ミラーのように屈折率の異なる層を積層する手法を用いてもよい。図4の例では第2電極に透明電極20を用いることで素子内に発光が閉じ込められなくなり、この透明電極20に隣接して高屈折率透明層10を設けることで、閉じ込め及び全反射することなく、光取り出し構造物7へ光が取り出されてくる。即ち、高屈折率透明層10と空気或いは別の媒体などとの間で起こる全反射を光取り出し構造物7を設けることで回避し、効果的に内部の光を外部に取り出すことができる。このようにして、有機EL素子の光取り出し効率は通常20程度と言われるものが飛躍的に向上する。また第2電極の透明電極20に代わって金属薄膜などの半透明電極を用いてもよい。その場合は第2電極の反射率が上昇し、光学共振器としての特性が発現してくる。しかしながら発光層26からの高角度放射光成分の発生は、程度は少なくても発生している。ゆえに、透明電極20に比べて光取り出し効率の増加は小さいが効果はあるといえる。第2電極が透明かどうかそのものに特に限定されるものではない。高屈折率透明層10は水蒸気や酸素などのガスの侵入に対するバリア層として用いてもよい。バリア層として機能するには用いる材料にもよるが、数μm程度の膜厚であればよいが、0.5μm以上6.0μm以下の範囲である。好ましい膜厚は光取り出し構造物7のサイズにもよるため、規定する必要はない。高屈折率透明層10の膜厚が6.0μmより大きいと該高屈折率透明層10中を長距離伝播し易くなり、隣の画素4上の光取り出し構造物7から光が取り出されやすくなるので好ましくない。高屈折率透明層10の膜厚は、光取り出し効率の向上という点では、より好ましくは0.5μm以上1.0μm以下である。有機化合物層16,17,18の屈折率は材料によっても変化するが、概ね青の発光領域で1.6乃至2.0、緑では1.5乃至1.9、赤では1.5乃至1.8程度である。従って高屈折率透明層10は、青、緑、赤の各発光領域それぞれで少なくとも有機EL素子に用いる有機化合物層16,17,18よりも高い屈折率であればよい。また、高屈折率透明層10としては、バリア層としても十分機能する窒化ケイ素膜SiNxを用いるが、酸化チタン、酸化亜鉛など他材料でも上述の光学特性を満たす材料であれば適宜選択することができる。窒化ケイ素膜の元素組成及び元素組成比は特に限定されるものではなく、窒素、ケイ素を主成分としてその他の元素が混合されていてもよい。窒化ケイ素膜を得る成膜プロセスとしてはCVDChemicalVaporDeposition法が用いられる。窒化ケイ素膜は成膜条件、例えば基板温度や成膜速度などによっても、光学定数は変化するが、本発明においては有機化合物層16,17,18よりも高い屈折率を有する透明層であればよい。高屈折率透明層10の光透過率は、可視光域で85以上が好ましく、より好ましくは90以上である。本発明に係る光取り出し構造物7は高屈折率透明層10を直接加工して形成されてもよい。或いは、上述の構成では有機化合物層を作製後、高屈折率透明層を成膜しその上に光取り出し構造物7を作製する方法を示したが、次の別形態での実施も可能である。つまり、支持基板9上に予め所望の光取り出し構造物7と同様の形状例えば後述のリング形状を形成しておき、その上に有機化合物層16,17,18及び透明電極20を順次形成していけば、この形状に沿って有機膜と透明電極が成膜される。その結果、最終的に所望の形状をもった高屈折率透明層10を別途成膜した場合と同等の効果を持つ構造を得ることができる。なぜなら透明電極20として一般的なITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxideは有機化合物層16,17,18よりも屈折率が大きいためである。つまり、予め基板上に作製しておいた形状と有機膜/透明電極の積層構造が光取り出し構造として機能することになる。従って、以下では光取り出し構造物7は高屈折率透明層10を直接加工して実施する方法について詳細に説明するが、ここに記した別形態を採用してもよい。光取り出し構造物7は少なくとも光取り出し方向に対して凸な形状であって、その断面形状は三角形、台形、或いは多角形でありそれらの足し合わせからなるものであってもよい。このような構造物があると画素上に取り出されないような高角度放射成分の光が進入してきた際に、内部反射を利用した光変角によって、さまざまに任意角度の光を強めることができる。同時に光取り出し効率も向上する。特に頂角120乃至135°の二等辺三角形の断面形状、のものであれば正面輝度の光取り出し効率を効果的に高めることができる。本発明ではさらに二つの底角が25°前後のものが正面輝度をより高められるため、ディスプレイ用途として好ましい。このようにして、有機EL素子の光取り出し効率は通常20程度と言われるものが飛躍的に向上する。また、副画素1,2,3が円形の場合の各外周部を囲うようにリング状の光取り出し構造物7が配置された構成であることが望ましい。該光取り出し構造物7及び予め支持基板上に作り込む所望の形状を持つ構造物の製造方法については、特に限定するものではない。例えばフォトリソグラフィによってSiNxなどの膜上にレジストパターンを形成後、ドライエッチを行って所望の構造に形成してもよい。また、ナノインプリントによって所望のモールドのパターンをSiN上に転写した後、ドライエッチによってSiNxを加工してもよい。画素4内部の副画素2と副画素3の間の副画素間領域5上に光取り出し構造物7が設けられていると、該副画素間領域5に隣り合った副画素から発光した光は高屈折率透明層10を伝播して互いの副画素に侵入し取り出されることになる。しかしながら、画素4内の光取り出し構造物7によって起こる混色、例えば、青、緑、赤の間での混色は階調制御された色同士の加法混色なので、所望の色度を得るための制御に対して影響は与えない。むしろ隣り合う副画素へ伝播した光が取り出させるため取り出し効率が向上するという利点がある。一方、画素間領域6上に設けられた光取り出し構造物7からは、それぞれ別の階調制御された副画素の発光が混ざり合うことになる。例えば互いに異なる画素4に含まれ、画素間領域6を挟んで隣り合う赤色副画素3と青色副画素1の混色は、それぞれの副画素の階調制御が取り出したい発光色に合わせたものにならないため、全く意図しない加法混色された光として取り出される。ここでMacAdamの偏差楕円を例にとって考える。緑は赤や青よりも色度ずれに対して鈍感であり、青は色度ずれに対しては非常に敏感である。よって、図1の構成において発光色が青色の青色副画素1を例にとって表示像のにじみについて説明する。青色副画素1への他色の異なる階調制御された副画素からの光の侵入は青の色度ずれにつながる。この時、青色副画素1の色は所望の色度で発光しているが、隣り合う画素間領域6上の光取り出し構造物7によって取り出される発光色は隣の赤色副画素3の色が混ざった色度のずれた発光である。ゆえに、青色副画素1上は所定の青に近いが画素間領域6上に所定の青色とは違う色が認識される。青色副画素1は赤色が混ざった発光色で認識されることになり、色がにじむことになる。また、画素間領域6では、画像を表示するための画素単位の所定の階調制御に対する色度のずれが起こるため表示された画像のエッジ部のにじみにつながる。尚、画素4内での副画素の配置が、青色副画素1,赤色副画素3,緑色副画素2の順であれば、画素間領域6において、該画素間領域6を挟んで隣り合う青色副画素1と緑色副画素2の混色が生じる。このように、光取り出し効率を向上させるために高屈折率透明層10を導入した表示装置では、光が高屈折率透明層10内を横方向に長距離伝播する結果、発せられた光は隣り合う画素にまで達し、にじみの原因となる。本発明においては、このにじみを抑制するために画素間領域の幅を光の導波距離以上に設定した。ここで導波距離とは、発光層で発光された発光が高屈折率透明層10を横方向に光が高屈折率透明層10と空気層界面において全反射しつつ減衰しながら伝播し、輝度がゼロに漸近する距離と定義する。輝度がゼロに漸近することは、発光点で輝度の1以下になることをいう。導波距離は、有機EL素子の構造や材料例えば反射電極の反射率や有機層の吸収係数など多くの因子によって決まる。第1の因子は、高屈折率透明層10中を伝播する光のある波長に対する高屈折率透明層10の屈折率と吸収係数である。特に吸収係数は導波距離に顕著に影響を与える。なぜなら、伝播光は高屈折率透明層10を全反射しながら複数回通過するので、例え小さな吸収係数であっても、減衰が大きくなり、導波距離が短くなるからである。第2の因子は、高屈折率透明層10に備えられた光取り出し構造物7の形状、屈折率、数密度が挙げられる。光取り出し構造物7の機能は高屈折率透明層10から空気側に光が出射する際に全反射で高屈折率透明層10側に光が逆戻りするのを回避し、空気側に取り出すことである。従って、この光取り出し構造物7の数密度が小さい場合、光が光取り出し構造物7に衝突する単位距離当たりの回数が減少する。結果として、光は空気側に取り出されることなく高屈折率透明層10に向かって全反射される頻度が上昇し、導波距離が長くなる。また、光取り出し構造の形状によっても導波距離は変化することになる。こうした主たる因子を用いて計算機による光学シミュレーションで、伝播光が減衰する様子を計算することも可能ではある。光学シミュレーションとしては、光線追跡法やFDTD法などがあるが、計算できる高屈折率透明層10の膜厚や光取り出し構造物7のサイズなど計算できる範囲は限られている。そのため、任意の形状の光取り出し構造物7や素子構造で導波距離を必ずしも算出できるものではない。そこで、本発明においては、導波距離を実験で求めることとする。図5を参照しながら具体的に説明する。支持基板9上に発光層を含む有機化合物層16,17,18、さらにその上に光取り出し構造物7を備えた高屈折率透明層10を考える。円形の発光領域51を対象として、その通電領域と非通電領域の境界線52の正面発光輝度を1と規格化する。図中矢印で示した光は高屈折率透明層10を伝播しながら、光取り出し構造物7によって空気層側に出射、或いは、吸収されていくうちに減衰し、やがて、その輝度はゼロに漸近する。実験的には図中右の光取り出し構造物7から任意の距離で高屈折率透明層10上に光強度検出用のディテクターとして同じ形状の光取り出し構造物8を設ける。そして、この光取り出し構造物8における出射光の強度を観察すれば、輝度がゼロに漸近、つまり境界線52の正面発光輝度の1にまで強度が減衰した時の距離を求めることができ、これを導波距離Lとする。有機EL素子を備えた表示装置においては、例えば図1bに例示したような発光領域即ち副画素1,2,3が青色、緑色、赤色ごとに配置されている。例えば、各色の副画素について、導波距離を求め、青色、緑色、赤色それぞれの発光の導波距離がLB、LG、LRとなったとする。第1の画素内の赤色副画素3と、第2の画素内の青色副画素1が隣りあう最近接する配置である場合、にじみを抑制するには、これら副画素間の距離を、赤色副画素の発光の導波距離LRと青色副画素の発光の導波距離LBの和よりも大きくすればよい。しかしながら、係る副画素間距離を大きくとると、表示装置の解像度が低下するので、より好ましくは、赤色副画素の発光の導波距離と青色副画素の発光の導波距離の和が副画素間距離と等しい方がよい。尚、本発明の表示装置を駆動するための回路、配線などは特に規定するものではなく、必要な性能を得るために所望の設計を施し具備してよい。また、本発明の表示装置では光取り出し構造は素子内部に閉じ込められる光を外に取り出すためのものであり、該光取り出し構造上にさらにガラスキャップや板ガラスなどの封止ガラスで封止してもよい。該封止ガラス上には色度の改善のためカラーフィルタや、外光反射低減のために円偏光板を具備してもよい。以下、本発明の具体的な実施例について説明する。実施例1実施例1として、有機EL素子が図4の断面構造を持ち、図2bのように画素、副画素及び光取り出し構造物がレイアウトされた構成の表示装置を、以下に示す方法で作製した。即ち、本例の表示装置は、複数の画素を有し、各画素が複数色青色副画素1、緑色副画素2、赤色副画素3の副画素からなり、副画素それぞれが有機EL素子を備えている。本例では、先ず、ガラス基板上に、低温ポリシリコンからなるTFT駆動回路不図示を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜不図示を形成して支持基板9とした。次に、支持基板9上に、反射電極22として、スパッタリングによりAg合金を約150nmの膜厚で形成した。Ag合金からなる反射電極22は、可視光の波長域λ=380nm乃至780nmで分光反射率80以上の高反射膜である。更にスパッタリングにより透明電極23としてITOを成膜した。この後、図3で示したような隔壁15としてポリイミド系樹脂をスピンコートしフォトリソグラフィによって所望の位置に開口部直径27μmの円形開口部を設け発光領域となる副画素を設けた。この後、各有機化合物層を順次、真空蒸着法により成膜して積層した。本表示装置では各副画素1,2,3において、発光層26から反射電極22までの光学膜厚が、各発光色波長の3/4に相当するように正孔輸送層25の膜厚を変えた。青色は蛍光材料を、緑色及び赤色に関してはより高い内部量子効率が期待できる燐光材料を発光層26の発光ドーパントとして用いた。各副画素の有機化合物層のうち最も屈折率の高い層の屈折率は、青色副画素が1.86、緑色副画素が1.80、赤色副画素が1.78であった。次に透明電極20として、IZOをスパッタリングにより成膜した。その後CVD法により窒化ケイ素SiN膜を4.3μmの厚さで成膜した。このSiN膜の屈折率は450nm青色領域で1.89、520nm緑色領域で1.88、620nm赤色領域で1.86であった。よって、いずれの副画素においても有機化合物層よりも屈折率が高かった。このSiN膜上にヘキサメチルジシラザンをスピンコートして表面を改質した後、フォトレジストのAZ1500をスピンコートし、厚さが約3.3μmの膜厚を得た。これをマスクアライナーMPA-600FAを用いてフォトリソグラフィ工程により露光を行った。次いでAZ312MIF現像液によって現像を行いレジストパターンを得た。100°Cで3分間のポストベークを行った。これを四フッ化炭素と酸素によるドライエッチによりレジストパターンごとSiNをエッチングすることで副画素を取り囲むリング形状をもつ光取り出し構造物7として加工した。最終的な構成としては有機化合物層よりも屈折率の高い膜厚1.0μmの高屈折率透明層10の上に、光取り出し構造物7であるリング状構造が形成され、その高さは3.3μmであった。また、リング状構造の底面の幅は11.5μm、断面形状は頂角120°の三角形で、底角は内側30°、外側30°であった。このような素子構造において、導波距離を上述のように実験的に求めた。赤色副画素からの発光の様子を光学顕微鏡で観察したところ、通電領域と非通電領域の境界から離れるにつれて、輝度が低下し、最終的には光が減衰しきって視認できなくなっていることがわかった。赤色以外の緑色と青色も同様の方法で観察し、境界線からの導波距離を測定した。測定した導波距離は赤色が一番長く30μm、次いで緑色が13μm、最短が青色の7μmであった。尚、光取り出し構造物7であるリング状構造は一重に副画素を取り囲んでいるだけであるが、リング状構造の外周部で既に発光強度はリング状構造がない場合と比較して1/10程度まで低下する。つまり、リング状構造は光取り出し効果が高く、高屈折率透明層10を導波する光を効率よく空気側に取り出すことができるため、リング状構造を通過した段階で導波光は大きく減少し導波距離が短くなることを示している。また、色によって導波距離が異なるのは高屈折率透明層10に用いたSiNが各色に対して異なる吸収係数を持つためである。つまり、SiNは赤色に対しては吸収を持たないが、緑色から青色と短波長になるにつれ大きな吸収を示すためである。図2bのような画素レイアウトにおいて、例えば、画素4aに属する青色副画素1に注目する。すると、画素4aとは異なる画素に属する最近接の副画素は画素4bに属する緑色副画素2と赤色副画素3及び画素4cに属する緑色副画素2と画素4dに属する赤色副画素3の4つがある。従って、互いに異なる画素に属する副画素間で混色によるにじみが発生しないようにするためには、次のように設定する。即ち、異なる画素に含まれる青色副画素1と赤色副画素3との間の距離を青色の発光の導波距離と赤色の導波距離の和である37μm以上に設定する。さらに青色副画素1と緑色副画素2との間の距離を青色の導波距離と緑色の導波距離の和である20μm以上に設定する。尚、表示装置の解像度は高いほうが望ましいので、異なる画素に含まれる青色と赤色の副画素間距離を37μm、青色と緑色の副画素間距離を20μmと導波距離の和と等しくとればよい。また、各色の副画素間距離を全て等しくしたい場合は、導波距離の和の組み合わせの中で最大である37μmを副画素間距離とした画素配置とすればよい。本実施例では、画素内及び隣り合う画素同士での副画素間距離を全て37μmとして表示装置を試作した。以上のように作製した表示装置のにじみ程度を確認するために、青空を背景に人物の画像を表示し皮膚などの白色系の部位の輪郭部の発光色を確認した。本実施例によって得られた表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化は見られなかった。また、本実施例における光取り出し効率についてはリング状光取り出し構造物が無かった場合の2倍程度、正面輝度は3倍程度に向上していた。発光強度は主に発光する正面方向に増加が見られた。比較例1副画素間距離を全て20μmとした以外は実施例1と同じ構成の表示装置を実施例1と同様な製造プロセスで作製した。得られた表示装置のにじみ程度を実施例1と同様にして確認したところ、表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化が見られ、青紫色のにじみが輪郭部に視認された。一方で、光取り出し効率については光取り出し構造物7であるリング状構造が無かった場合の2倍程度、正面輝度は3倍程度に向上していた。発光強度は主に発光する正面方向に増加が見られた。実施例2実施例2として図6に示す矩形の画素レイアウトと各副画素の外周を取り囲むように光取り出し構造物7を配置する以外は実施例1と同様の構成の表示装置を、実施例1と同様の方法で試作した。図6aは本例の上面模式図、図6bは図6aの線分ABの断面模式図を示す。尚、最終的に光取り出し構造物7は実施例1と同様に膜厚1.0μmの高屈折率透明層10の上に、光取り出し構造物7として、高さ3.3μm、底面の幅11.5μmのリング状構造を形成した。図6のような画素レイアウトにおいて、例えば、右上の画素4の赤色副画素3に注目する。すると、この画素とは異なる画素に属する最近接の副画素は、紙面左の画素に属する青色副画素1と紙面下の画素に属する赤色副画素3、また、不図示ではあるが紙面上の画素に属する赤色副画素の3つがある。矩形画素レイアウトにおいても実施例1と同様に各色の導波距離を求めたところ、導波距離は赤色が最も長く、次いで、緑色、青色と短くなっていった。最も長い導波距離を有する発光の赤色副画素3を画素の左端に配置したレイアウトでは、この赤色副画素3から見て左の画素に属する青色副画素1の発光の導波距離と赤色副画素3の発光の導波距離の和以上に画素間距離Pxをとる。これによって混色にじみが抑制される。しかしながら、この構成は、画素間距離Pxが大きくなり、表示装置の解像度の観点から好ましくない。そこで、最も長い導波距離を有する発光の赤色副画素3を画素4の中心におくことにより、同じ画素4に属する赤色副画素3と青色副画素1との距離と赤色副画素3と緑色副画素2との距離だけ横方向の画素間距離Pxを短縮化することができる。当該構成は表示装置の解像度の観点から好ましい。実際に赤色副画素3を画素の中心に配置するレイアウトにしたところ、画素間距離Pxを37μm未満とした場合でも、20μm以上であれば特に問題なく、にじみが観察されない表示装置が得られた。尚、Pyについては赤色副画素3同士が隣り合うため、赤色副画素3の発光の導波距離の2倍以上である60μm以上が好ましい。"