異なる色を呈する複数の光源のそれぞれが点滅を繰り返し、且つm行n列m、nは、4以上の自然数に配設された複数の画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで画素部に画像を形成する液晶表示装置の駆動方法であって、1行目乃至A行目Aは、m/2以下の自然数に配設された複数の画素に対して第1の色を呈する光の透過を制御するための画像信号を入力し且つA1行目乃至2A行目に配設された複数の画素に対して第2の色を呈する光の透過を制御するための画像信号を入力する期間内において、1行目乃至B行目Bは、A/2以下の自然数に配設された複数の画素に対して前記第1の色を呈する光の透過を制御するための画像信号が入力され且つA1行目乃至AB行目に配設された複数の画素に対して前記第2の色を呈する光の透過を制御するための画像信号が入力された後に、前記1行目乃至B行目に配設された複数の画素のそれぞれに対して第1の色を呈する光を照射し且つ前記A1行目乃至AB行目に配設された画素のそれぞれに対して第2の色を呈する光を照射し、前記第1の色を呈する光及び前記第2の色を呈する光の一方は、前記異なる色を呈する複数の光源の少なくとも2つを点灯させることで形成される有彩色を呈する光であることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1において、前記有彩色を呈する光は、赤を呈する光、緑を呈する光、及び青を呈する光のいずれか2つを混色させることによって形成されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1又は請求項2において、C行目Cは、A以下の自然数に配設された複数の画素及びAC行目に配設された複数の画素に対する画像信号の入力が、異なる期間において行われることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。請求項1又は請求項2において、C行目Cは、A以下の自然数に配設された複数の画素及びAC行目に配設された複数の画素に対する画像信号の入力が、同一期間において行われることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では色情報が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される表示が本来の表示情報に基づく表示から変化劣化することカラーブレイク、色割れともいうがある。そこで、本発明の一態様は、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の画質の低下を抑制することを課題の一とする。本発明の一態様は、異なる色を呈する複数の光源のそれぞれが点滅を繰り返し、且つm行n列m、nは、4以上の自然数に配設された複数の画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで画素部に画像を形成する液晶表示装置の駆動方法であって、1行目乃至A行目Aは、m/2以下の自然数に配設された複数の画素に対して第1の色を呈する光の透過を制御するための画像信号を入力し且つA1行目乃至2A行目に配設された複数の画素に対して第2の色を呈する光の透過を制御するための画像信号を入力する期間内において、1行目乃至B行目Bは、A/2以下の自然数に配設された複数の画素に対して前記第1の色を呈する光の透過を制御するための画像信号が入力され且つA1行目乃至AB行目に配設された複数の画素に対して前記第2の色を呈する光の透過を制御するための画像信号が入力された後に、前記1行目乃至B行目に配設された複数の画素のそれぞれに対して第1の色を呈する光を照射し且つ前記A1行目乃至AB行目に配設された画素のそれぞれに対して第2の色を呈する光を照射し、前記第1の色を呈する光及び前記第2の色を呈する光の一方は、前記異なる色を呈する複数の光源の少なくとも2つを点灯させることで形成される有彩色を呈する光であることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法である。本発明の一態様の液晶表示装置は、画素部全面において画像信号の入力及びバックライトの点灯を順次行うのではなく、画素部の特定の領域毎に画像信号の入力及びバックライトの点灯を順次行うことが可能である。これにより、当該液晶表示装置の各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることなどが可能になる。その結果、当該液晶表示装置において生じるカラーブレイクなどの表示劣化を抑制し、画質を向上させることが可能である。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の液晶表示装置について図1~図6を参照して説明する。<液晶表示装置の構成例>図1Aは、液晶表示装置の構成例を示す図である。図1Aに示す液晶表示装置は、画素部10と、走査線駆動回路11と、信号線駆動回路12と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路11によって電位が制御されるm本の走査線13と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路12によって電位が制御される、n本の信号線14と、を有する。さらに、画素部10は、3つの領域領域101~領域103に分割され、領域毎にマトリクス状に配設された複数の画素を有する。なお、各走査線13は、画素部10においてm行n列に配設された複数の画素のうち、いずれかの行に配設されたn個の画素に電気的に接続される。また、各信号線14は、m行n列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素に電気的に接続される。図1Bは、図1Aに示す液晶表示装置が有する画素15の回路図の一例を示す図である。図1Bに示す画素15は、ゲートが走査線13に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線14に電気的に接続されたトランジスタ16と、一方の電極がトランジスタ16のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線容量配線ともいうに電気的に接続された容量素子17と、一方の電極画素電極ともいうがトランジスタ16のソース及びドレインの他方及び容量素子17の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極対向電極ともいうが対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子18と、を有する。なお、トランジスタ16は、nチャネル型のトランジスタである。また、容量電位と対向電位を同一の電位とすることが可能である。<走査線駆動回路11の構成例>図2Aは、図1Aに示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路11の構成例を示す図である。図2Aに示す走査線駆動回路11は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1を供給する配線乃至第4の走査線駆動回路用クロック信号GCK4を供給する配線と、第1のパルス幅制御信号PWC1を供給する配線乃至第6のパルス幅制御信号PWC6を供給する配線と、1行目に配設された走査線13_1に電気的に接続された第1のパルス出力回路20_1、乃至、m行目に配設された走査線13_mに電気的に接続された第mのパルス出力回路20_mと、を有する。なお、ここでは、第1のパルス出力回路20_1~第kのパルス出力回路20_kkは、m/2未満の4の倍数が、領域101に配設された走査線13_1から13_kにそれぞれ電気的に接続され、第k1のパルス出力回路20_k1~第2kのパルス出力回路20_2kが、領域102に配設された走査線13_k1から13_2kにそれぞれ電気的に接続され、第2k1のパルス出力回路20_2k1~第mのパルス出力回路20_mが領域103に配設された走査線13_2k1から13_mにそれぞれ電気的に接続されることとする。また、第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路20_mは、第1のパルス出力回路20_1に入力される走査線駆動回路用スタートパルスGSPをきっかけとしてシフト期間毎にシフトパルスを順次シフトする機能を有する。さらに、第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路において複数のシフトパルスのシフトを並行して行うことが可能である。すなわち、第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路20_mにおいてシフトパルスのシフトが行われている期間内であっても、第1のパルス出力回路20_1に走査線駆動回路用スタートパルスGSPを入力することが可能である。図2Bは、上記信号の具体的な波形の一例を示す図である。図2Bに示す第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1は、周期的にハイレベルの電位高電源電位Vddとロウレベルの電位低電源電位Vssを繰り返す、デューティー比が1/4の信号である。また、第2の走査線駆動回路用クロック信号GCK2は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1から1/4周期分位相がずれた信号であり、第3の走査線駆動回路用クロック信号GCK3は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1から1/2周期位相がずれた信号であり、第4の走査線駆動回路用クロック信号GCK4は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1から3/4周期位相がずれた信号である。第1のパルス幅制御信号PWC1は、周期的にハイレベルの電位高電源電位Vddとロウレベルの電位低電源電位Vssを繰り返す、デューティー比が1/3の信号である。また、第2のパルス幅制御信号PWC2は、第1のパルス幅制御信号PWC1から1/6周期位相がずれた信号であり、第3のパルス幅制御信号PWC3は、第1のパルス幅制御信号PWC1から1/3周期位相がずれた信号であり、第4のパルス幅制御信号PWC4は、第1のパルス幅制御信号PWC1から1/2周期位相がずれた信号であり、第5のパルス幅制御信号PWC5は、第1のパルス幅制御信号PWC1から2/3周期位相がずれた信号であり、第6のパルス幅制御信号PWC6は、第1のパルス幅制御信号PWC1から5/6周期位相がずれた信号である。なお、ここでは、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1乃至第4の走査線駆動回路用クロック信号GCK4のパルス幅と第1のパルス幅制御信号PWC1乃至第6のパルス幅制御信号PWC6のパルス幅の比は、3:2とする。上述した液晶表示装置においては、第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路20_mとして、同一の構成を有する回路を適用することができる。ただし、パルス出力回路が有する複数の端子の電気的な接続関係は、パルス出力回路毎に異なる。具体的な接続関係について図2A、Cを参照して説明する。第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路20_mのそれぞれは、端子21~端子27を有する図2C参照。なお、端子21~端子24及び端子26は入力端子であり、端子25及び端子27は出力端子である。まず、端子21について述べる。第1のパルス出力回路20_1の端子21は、走査線駆動回路用スタートパルスGSPを供給する配線に電気的に接続され、第2のパルス出力回路20_2~第mのパルス出力回路20_mの端子21は、前段のパルス出力回路の端子27に電気的に接続される。次いで、端子22について述べる。第4a-3のパルス出力回路aは、m/4以下の自然数の端子22は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1を供給する配線に電気的に接続され、第4a-2のパルス出力回路の端子22は、第2の走査線駆動回路用クロック信号GCK2を供給する配線に電気的に接続され、第4a-1のパルス出力回路の端子22は、第3の走査線駆動回路用クロック信号GCK3を供給する配線に電気的に接続され、第4aのパルス出力回路の端子22は、第4の走査線駆動回路用クロック信号GCK4を供給する配線に電気的に接続される。次いで、端子23について述べる。第4a-3のパルス出力回路の端子23は、第2の走査線駆動回路用クロック信号GCK2を供給する配線に電気的に接続され、第4a-2のパルス出力回路の端子23は、第3の走査線駆動回路用クロック信号GCK3を供給する配線に電気的に接続され、第4a-1のパルス出力回路の端子23は、第4の走査線駆動回路用クロック信号GCK4を供給する配線に電気的に接続され、第4aのパルス出力回路の端子23は、第1の走査線駆動回路用クロック信号GCK1を供給する配線に電気的に接続される。次いで、端子24について述べる。第2b-1のパルス出力回路bは、k/2以下の自然数の端子24は、第1のパルス幅制御信号PWC1を供給する配線に電気的に接続され、第2bのパルス出力回路の端子24は、第4のパルス幅制御信号PWC4を供給する配線に電気的に接続され、第2c-1のパルス出力回路cは、k/21以上k以下の自然数の端子24は、第2のパルス幅制御信号PWC2を供給する配線に電気的に接続され、第2cのパルス出力回路の端子24は、第5のパルス幅制御信号PWC5を供給する配線に電気的に接続され、第2d-1のパルス出力回路dは、k1以上m/2以下の自然数の端子24は、第3のパルス幅制御信号PWC3を供給する配線に電気的に接続され、第2dのパルス出力回路の端子24は、第6のパルス幅制御信号PWC6を供給する配線に電気的に接続される。次いで、端子25について述べる。第xのパルス出力回路xは、m以下の自然数の端子25は、x行目に配設された走査線13_xに電気的に接続される。次いで、端子26について述べる。第yのパルス出力回路yは、m-1以下の自然数の端子26は、第y1のパルス出力回路の端子27に電気的に接続され、第mのパルス出力回路の端子26は、第mのパルス出力回路用ストップ信号STPを供給する配線に電気的に接続される。なお、第mのパルス出力回路用ストップ信号STPは、仮に第m1のパルス出力回路が設けられていれば、当該第m1のパルス出力回路の端子27から出力される信号に相当する信号である。具体的には、これらの信号は、実際にダミー回路として第m1のパルス出力回路を設けること、又は外部から当該信号を直接入力することなどによって第mのパルス出力回路に供給することができる。各パルス出力回路の端子27の接続関係は既出である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。<パルス出力回路の構成例>図3Aは、図2A、Cに示すパルス出力回路の構成例を示す図である。図3Aに示すパルス出力回路は、トランジスタ31乃至トランジスタ39を有する。トランジスタ31は、ソース及びドレインの一方が高電源電位Vddを供給する配線以下、高電源電位線ともいうに電気的に接続され、ゲートが端子21に電気的に接続される。トランジスタ32は、ソース及びドレインの一方が低電源電位Vssを供給する配線以下、低電源電位線ともいうに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ31のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ33は、ソース及びドレインの一方が端子22に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が端子27に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ31のソース及びドレインの他方並びにトランジスタ32のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。トランジスタ34は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が端子27に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ32のゲートに電気的に接続される。トランジスタ35は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ32のゲート及びトランジスタ34のゲートに電気的に接続され、ゲートが端子21に電気的に接続される。トランジスタ36は、ソース及びドレインの一方が高電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ32のゲート、トランジスタ34のゲート、並びにトランジスタ35のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ゲートが端子26に電気的に接続される。なお、トランジスタ36のソース及びドレインの一方が、低電源電位Vssよりも高電位であり且つ高電源電位Vddよりも低電位である電源電位Vccを供給する配線に電気的に接続される構成とすることもできる。トランジスタ37は、ソース及びドレインの一方が高電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ32のゲート、トランジスタ34のゲート、トランジスタ35のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ36のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ゲートが端子23に電気的に接続される。なお、トランジスタ37のソース及びドレインの一方が、電源電位Vccを供給する配線に電気的に接続される構成とすることもできる。トランジスタ38は、ソース及びドレインの一方が端子24に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が端子25に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ31のソース及びドレインの他方、トランジスタ32のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ33のゲートに電気的に接続される。トランジスタ39は、ソース及びドレインの一方が低電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が端子25に電気的に接続され、ゲートがトランジスタ32のゲート、トランジスタ34のゲート、トランジスタ35のソース及びドレインの他方、トランジスタ36のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ37のソース及びドレインの他方に電気的に接続される。なお、以下においては、トランジスタ31のソース及びドレインの他方、トランジスタ32のソース及びドレインの他方、トランジスタ33のゲート、並びにトランジスタ38のゲートが電気的に接続するノードをノードAとし、トランジスタ32のゲート、トランジスタ34のゲート、トランジスタ35のソース及びドレインの他方、トランジスタ36のソース及びドレインの他方、トランジスタ37のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ39のゲートが電気的に接続するノードをノードBとして説明する。<パルス出力回路の動作例>上述したパルス出力回路の動作例について図3B~Dを参照して説明する。なお、ここでは、第1のパルス出力回路20_1の端子21に入力される走査線駆動回路用スタートパルスGSPの入力タイミングを制御することで、第1のパルス出力回路20_1、第k1のパルス出力回路20_k1、及び第2k1のパルス出力回路20_2k1の端子27から同一タイミングでシフトパルスを出力する場合の動作例について説明する。具体的には、図3Bは、走査線駆動回路用スタートパルスGSPが入力される際の第1のパルス出力回路20_1の各端子に入力される信号の電位、並びにノードA及びノードBの電位を示しており、図3Cは、第kのパルス出力回路20_kからハイレベルの電位が入力される際の第k1のパルス出力回路20_k1の各端子に入力される信号の電位、並びにノードA及びノードBの電位を示しており、図3Dは、第2kのパルス出力回路20_2kからハイレベルの電位が入力される際の第2k1のパルス出力回路20_2k1の各端子に入力される信号の電位、並びにノードA及びノードBの電位を示している。なお、図3B~Dでは、各端子に入力される信号を括弧書きで付記している。また、それぞれの後段に配設されるパルス出力回路第2のパルス出力回路20_2、第k2のパルス出力回路20_k2、第2k2のパルス出力回路20_2k2の端子25から出力される信号Gout2、Goutk2、Gout2k2及び端子27の出力信号SRout2=第1のパルス出力回路20_1の端子26の入力信号、SRoutk2=第k1のパルス出力回路20_k1の端子26の入力信号、SRout2k2=第2k1のパルス出力回路20_2k1の端子26の入力信号も付記している。なお、図中において、Goutは、パルス出力回路の走査線に対する出力信号を表し、SRoutは、当該パルス出力回路の、後段のパルス出力回路に対する出力信号を表している。まず、図3Bを参照して、第1のパルス出力回路20_1に走査線駆動回路用スタートパルスGSPとしてハイレベルの電位が入力される場合について説明する。期間t1において、端子21にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。これにより、トランジスタ31、35がオン状態となる。そのため、ノードAの電位がハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ31のしきい値電圧分下降した電位に上昇し、且つノードBの電位が低電源電位Vssに下降する。これに付随して、トランジスタ33、38がオン状態となり、トランジスタ32、34、39がオフ状態となる。以上により、期間t1において、端子27から出力される信号は、端子22に入力される信号となり、端子25から出力される信号は、端子24に入力される信号となる。ここで、期間t1において、端子22及び端子24に入力される信号は、共にロウレベルの電位低電源電位Vssである。そのため、期間t1において、第1のパルス出力回路20_1は、第2のパルス出力回路20_2の端子21、及び画素部において1行目に配設された走査線にロウレベルの電位低電源電位Vssを出力する。期間t2において、各端子に入力される信号は期間t1から変化しない。そのため、端子25及び端子27から出力される信号も変化せず、共にロウレベルの電位低電源電位Vssを出力する。期間t3において、端子24にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。なお、ノードAの電位トランジスタ31のソースの電位は、期間t1においてハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ31のしきい値電圧分下降した電位まで上昇している。そのため、トランジスタ31はオフ状態となっている。この時、端子24にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力されることで、トランジスタ38のソースとゲートの容量結合によって、ノードAの電位トランジスタ38のゲートの電位がさらに上昇するブートストラップ動作。また、当該ブートストラップ動作を行うことによって、端子25から出力される信号が端子24に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddから下降することがない。そのため、期間t3において、第1のパルス出力回路20_1は、画素部において1行目に配設された走査線にハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号を出力する。期間t4において、端子22にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。ここで、ノードAの電位は、ブートストラップ動作によって上昇しているため、端子27から出力される信号が端子22に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddから下降することがない。そのため、期間t4において、端子27からは、端子22に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddが出力される。すなわち、第1のパルス出力回路20_1は、第2のパルス出力回路20_2の端子21にハイレベルの電位高電源電位Vdd=シフトパルスを出力する。また、期間t4において、端子24に入力される信号はハイレベルの電位高電源電位Vddを維持するため、第1のパルス出力回路20_1から画素部において1行目に配設された走査線に対して出力される信号は、ハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号のままである。なお、期間t4における当該パルス出力回路の出力信号には直接関与しないが、端子21にロウレベルの電位低電源電位Vssが入力されるためトランジスタ35はオフ状態となる。期間t5において、端子24にロウレベルの電位低電源電位Vssが入力される。ここで、トランジスタ38はオン状態を維持する。そのため、期間t5において、第1のパルス出力回路20_1から画素部において1行目に配設された走査線に対して出力される信号は、ロウレベルの電位低電源電位Vssとなる。期間t6において、各端子に入力される信号は期間t5から変化しない。そのため、端子25及び端子27から出力される信号も変化せず、端子25からはロウレベルの電位低電源電位Vssが出力され、端子27からはハイレベルの電位高電源電位Vdd=シフトパルスが出力される。期間t7において、端子23にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。これにより、トランジスタ37がオン状態となる。そのため、ノードBの電位がハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ37のしきい値電圧分下降した電位に上昇する。つまり、トランジスタ32、34、39がオン状態となる。また、これに付随して、ノードAの電位がロウレベルの電位低電源電位Vssへと下降する。つまり、トランジスタ33、38がオフ状態となる。以上により、期間t7において、端子25及び端子27から出力される信号は、共に低電源電位Vssとなる。すなわち、期間t7において、第1のパルス出力回路20_1は、第2のパルス出力回路20_2の端子21、及び画素部において1行目に配設された走査線に低電源電位Vssを出力する。次いで、図3Cを参照して、第k1のパルス出力回路20_k1の端子21に第kのパルス出力回路20_kからシフトパルスとしてハイレベルの電位が入力される場合について説明する。期間t1及び期間t2において、第k1のパルス出力回路20_k1の動作は、上述した第1のパルス出力回路20_1と同様である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。期間t3において、各端子に入力される信号は期間t2から変化しない。そのため、端子25及び端子27から出力される信号も変化せず、共にロウレベルの電位低電源電位Vssを出力する。期間t4において、端子22及び端子24にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。なお、ノードAの電位トランジスタ31のソースの電位は、期間t1においてハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ31のしきい値電圧分下降した電位まで上昇している。そのため、トランジスタ31は、期間t1においてオフ状態となっている。ここで、端子22及び端子24にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力されることで、トランジスタ33のソースとゲート及びトランジスタ38のソースとゲートの容量結合によって、ノードAの電位トランジスタ33、38のゲートの電位がさらに上昇するブートストラップ動作。また、当該ブートストラップ動作を行うことによって、端子25及び端子27から出力される信号が端子22及び端子24に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddから下降することがない。そのため、期間t4において、第k1のパルス出力回路20_k1は、画素部においてk1行目に配設された走査線及び第k2のパルス出力回路20_k2の端子21にハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号、シフトパルスを出力する。期間t5において、各端子に入力される信号は期間t4から変化しない。そのため、端子25及び端子27から出力される信号も変化せず、ハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号、シフトパルスを出力する。期間t6において、端子24にロウレベルの電位低電源電位Vssが入力される。ここで、トランジスタ38はオン状態を維持する。そのため、期間t6において、第k1のパルス出力回路20_k1から画素部においてk1行目に配設された走査線に対して出力される信号は、ロウレベルの電位低電源電位Vssとなる。期間t7において、端子23にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。これにより、トランジスタ37がオン状態となる。そのため、ノードBの電位がハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ37のしきい値電圧分下降した電位に上昇する。つまり、トランジスタ32、34、39がオン状態となる。また、これに付随して、ノードAの電位がロウレベルの電位低電源電位Vssへと下降する。つまり、トランジスタ33、38がオフ状態となる。以上により、期間t7において、端子25及び端子27から出力される信号は、共に低電源電位Vssとなる。すなわち、期間t7において、第k1のパルス出力回路20_k1は、第k2のパルス出力回路20_k2の端子21、及び画素部においてk1行目に配設された走査線に低電源電位Vssを出力する。次いで、図3Dを参照して、第2k1のパルス出力回路20_2k1の端子21に第2kのパルス出力回路20_kからシフトパルスとしてハイレベルの電位が入力される場合について説明する。期間t1乃至期間t3において、第2k1のパルス出力回路20_2k1の動作は、上述した第k1のパルス出力回路20_k1と同様である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。期間t4において、端子22にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。なお、ノードAの電位トランジスタ31のソースの電位は、期間t1においてハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ31のしきい値電圧分下降した電位まで上昇している。そのため、トランジスタ31は、期間t1においてオフ状態となっている。ここで、端子22にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力されることで、トランジスタ33のソースとゲートの容量結合によって、ノードAの電位トランジスタ33のゲートの電位がさらに上昇するブートストラップ動作。また、当該ブートストラップ動作を行うことによって、端子27から出力される信号が端子22に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddから下降することがない。そのため、期間t4において、第2k1のパルス出力回路20_2k1は、第2k2のパルス出力回路20_2k2の端子21にハイレベルの電位高電源電位Vdd=シフトパルスを出力する。なお、期間t4における当該パルス出力回路の出力信号には直接関与しないが、端子21にロウレベルの電位低電源電位Vssが入力されるためトランジスタ35はオフ状態となる。期間t5において、端子24にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。ここで、ノードAの電位は、ブートストラップ動作によって上昇しているため、端子25から出力される信号が端子24に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddから下降することがない。そのため、期間t5において、端子25からは、端子22に入力されるハイレベルの電位高電源電位Vddが出力される。すなわち、第2k1のパルス出力回路20_2k1は、画素部において2k1行目に配設された走査線にハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号を出力する。また、期間t5において、端子22に入力される信号はハイレベルの電位高電源電位Vddを維持するため、第2k1のパルス出力回路20_2k1から第2k2のパルス出力回路20_2k2の端子21に対して出力される信号は、ハイレベルの電位高電源電位Vdd=シフトパルスのままである。期間t6において、各端子に入力される信号は期間t5から変化しない。そのため、端子25及び端子27から出力される信号も変化せず、共にハイレベルの電位高電源電位Vdd=選択信号、シフトパルスを出力する。期間t7において、端子23にハイレベルの電位高電源電位Vddが入力される。これにより、トランジスタ37がオン状態となる。そのため、ノードBの電位がハイレベルの電位高電源電位Vddからトランジスタ37のしきい値電圧分下降した電位に上昇する。つまり、トランジスタ32、34、39がオン状態となる。また、これに付随して、ノードAの電位がロウレベルの電位低電源電位Vssへと下降する。つまり、トランジスタ33、38がオフ状態となる。以上により、期間t7において、端子25及び端子27から出力される信号は、共に低電源電位Vssとなる。すなわち、期間t7において、第2k1のパルス出力回路20_2k1は、第2k2のパルス出力回路20_2k2の端子21、及び画素部において2k1行目に配設された走査線に低電源電位Vssを出力する。図3B~Dに示すように、第1のパルス出力回路20_1乃至第mのパルス出力回路20_mでは、走査線駆動回路用スタートパルスGSPの入力タイミングを制御することで、複数のシフトパルスのシフトを並行して行うことが可能である。具体的には、走査線駆動回路用スタートパルスGSPの入力後、第kのパルス出力回路20_kの端子27からシフトパルスが出力されるタイミングと同じタイミングで再度走査線駆動回路用スタートパルスGSPを入力することによって、第1のパルス出力回路20_1及び第k1のパルス出力回路20_k1から同じタイミングでシフトパルスを出力させることが可能である。また、同様に走査線駆動回路用スタートパルスGSPを入力することによって、第1のパルス出力回路20_1、第k1のパルス出力回路20_k1、及び第2k1のパルス出力回路20_2k1から同じタイミングでシフトパルスを出力させることが可能である。加えて、第1のパルス出力回路20_1、第k1のパルス出力回路20_k1、及び第2k1のパルス出力回路20_2k1は、上記の動作に並行して、それぞれ異なるタイミングで走査線に対する選択信号の供給を行うことが可能である。すなわち、上述した走査線駆動回路は、固有のシフト期間を有するシフトパルスを複数シフトし且つ同一タイミングにおいてシフトパルスが入力された複数のパルス出力回路がそれぞれ異なるタイミングで走査線に対して選択信号を供給することが可能である。<信号線駆動回路12の構成例>図4Aは、図1Aに示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路12の構成例を示す図である。図4Aに示す信号線駆動回路12は、第1の出力端子乃至第nの出力端子を有するシフトレジスタ120と、画像信号DATAを供給する配線と、ソース及びドレインの一方が画像信号DATAを供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部において1列目に配設された信号線14_1に電気的に接続され、ゲートがシフトレジスタ120の第1の出力端子に電気的に接続されたトランジスタ121_1、乃至、ソース及びドレインの一方が画像信号DATAを供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部においてn列目に配設された信号線14_nに電気的に接続され、ゲートがシフトレジスタ120の第nの出力端子に電気的に接続されたトランジスタ121_nと、を有する。なお、シフトレジスタ120は、信号線駆動回路用スタートパルスSSPをきっかけとしてシフト期間毎に順次第1の出力端子乃至第nの出力端子からハイレベルの電位を出力する機能を有する。すなわち、トランジスタ121_1乃至トランジスタ121_nは、シフト期間毎に順次オン状態となる。図4Bは、画像信号DATAを供給する配線が供給する画像信号のタイミングの一例を示す図である。図4Bに示すように、画像信号DATAを供給する配線は、期間t4において、1行目に配設された画素用画像信号data1を供給し、期間t5において、k1行目に配設された画素用画像信号datak1を供給し、期間t6において、2k1行目に配設された画素用画像信号data2k1を供給し、期間t7において、2行目に配設された画素用画像信号data2を供給する。以下、同様に画像信号DATAを供給する配線は、特定の行毎に配設された画素用画像信号を順次供給する。具体的には、s行目sは、k未満の自然数に配設された画素用画像信号→ks行目に配設された画素用画像信号→2ks行目に配設された画素用画像信号→s1行目に配設された画素用画像信号という順序で画像信号を供給する。上述した走査線駆動回路及び信号線駆動回路が当該動作を行うことにより、走査線駆動回路が有するパルス出力回路におけるシフト期間毎に画素部に配設された3行の画素に対する画像信号の入力を行うことが可能である。<バックライトの構成例>図5は、図1Aに示す液晶表示装置の画素部10の後方に設けられるバックライトの構成例を示す図である。図5に示すバックライトは、赤R、緑G、青Bのいずれか一を呈する光を発光する3種の光源を備えたバックライトユニット40を複数有する。なお、複数のバックライトユニット40は、マトリクス状に配設されており、且つ特定の領域毎に点灯を制御することが可能である。ここでは、m行n列に配設された複数の画素15に対するバックライトとして、少なくともt行n列毎ここでは、tは、k/4とするにバックライトユニット40が設けられ、該バックライトユニット40の点灯を独立に制御できることとする。すなわち、当該バックライトが、少なくとも1行目乃至t行目用バックライトユニット~2k3t1行目乃至m行目用バックライトユニットを有し、それぞれのバックライトユニット40の点灯を独立に制御できることとする。さらに、バックライトユニット40において、赤R、緑G、及び青Bの3色を呈する光源のそれぞれの点灯も独立に制御できることとする。すなわち、バックライトユニット40において、赤R、緑G、及び青Bのいずれか一つの光源を点灯させることで画素部10に対して赤R、緑G、又は青Bを呈する光を照射すること、赤R、緑G、及び青Bのいずれか二つの光源を点灯させることで画素部10に対して二つの光の混色によって形成される有彩色を呈する光を照射すること、並びに赤R、緑G、及び青Bの全ての光源を点灯させることで画素部10に対して三つの光の混色によって形成される白Wを呈する光を照射することが可能であることとする。<液晶表示装置の動作例>図6は、上述した液晶表示装置における選択信号の走査と、バックライトが有する1行目乃至t行目用バックライトユニット~2k3t1行目乃至m行目用バックライトユニットの点灯タイミングとを示す図である。なお、図6において縦軸は画素部における行1行目乃至m行目を表し、横軸は時間を表している。具体的には、図6において、1乃至mは、行数を表し、実線は、該当する行において画像信号が入力されるタイミングを表している。図6に示すように当該液晶表示装置では、1行目に配設された走査線~m行目に配設された走査線に対して順次選択信号を供給するのではなく、k行分隔離されて配設された走査線に対して順次選択信号を供給する1行目に配設された走査線→k1行目に配設された走査線→2k1行目に配設された走査線→2行目に配設された走査線という順序で選択信号を供給することが可能である。そのため、期間T1において、1行目に配設されたn個の画素からt行目に配設されたn個の画素を順次選択し、且つk1行目に配設されたn個の画素からkt行目に配設されたn個の画素を順次選択し、且つ2k1行目に配設されたn個の画素から2kt行目に配設されたn個の画素を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。なお、ここでは、1行目に配設されたn個の画素乃至t行目に配設されたn個の画素には、赤Rを呈する光及び緑Gを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御する画像信号が入力され、k1行目に配設されたn個の画素乃至kt行目に配設されたn個の画素には、青Bを呈する光の透過を制御する画像信号が入力され、2k1行目に配設されたn個の画素乃至2kt行目に配設されたn個の画素には、緑Gを呈する光の透過を制御する画像信号が入力されることとする。また、図6に示すように当該液晶表示装置では、特定の領域において画像信号の入力が行われる合間の期間において、バックライトユニット40の点灯を行うことが可能である。具体的には、期間T1及び期間T2の合間の期間において、1行目乃至t行目用バックライトユニットにおいて赤R及び緑Gの光源を点灯させ、且つk1行目乃至kt行目用バックライトユニットにおいて青Bの光源を点灯させ、且つ2k1行目乃至2kt行目用バックライトユニットにおいて緑Gの光源を点灯させることが可能である。なお、当該液晶表示装置においては、図6に示す、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトユニットにおける青B及び赤Rの光源の点灯までの動作によって画素部に1枚の画像が形成されることとする。<本実施の形態で開示される液晶表示装置について>本実施の形態の液晶表示装置は、画像信号の入力と、バックライトの点灯とを並行して行うことが可能である。そのため、当該液晶表示装置の各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることなどが可能になる。その結果、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置において生じるカラーブレイクを抑制し、該液晶表示装置が表示する画質を向上させることが可能である。また、本実施の形態で開示される液晶表示装置は、上記の動作を簡便な画素構成でありながら実現することが可能である。具体的には、特許文献1で開示される液晶表示装置の画素には、本実施の形態で開示される液晶表示装置の画素の構成に加えて、電荷の移動を制御するトランジスタが必要になる。また、該トランジスタのスイッチングを制御するための信号線も別途必要になる。これに対し、本実施の形態の液晶表示装置の画素構成は、簡便である。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置は、特許文献1で開示される液晶表示装置と比較して画素の開口率を向上させることが可能である。また、画素部に延在する配線数を低減することで各種配線間に生じる寄生容量を低減することが可能である。すなわち、画素部に延在する各種配線の高速駆動が可能となる。また、図6に示す動作例のようにバックライトを点灯する場合、隣接するバックライトユニットが異なる色を呈する光を発光することがない。具体的には、期間T1において画像信号の入力が行われる領域に対して当該書き込み後にバックライトを点灯する場合、隣接するバックライトユニットが異なる色を呈する光を発光することがない。例えば、期間T1において、k1行目に配設されたn個の画素からkt行目に配設されたn個の画素に対して青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が終了した後にk1行目乃至kt行目用バックライトユニットにおいて青Bの光源を点灯させる際に、3t1行目乃至k行目用バックライトユニット及びkt1行目乃至k2t行目用バックライトユニットにおいては、青Bの光源が点灯される又は点灯自体が行われない赤R、緑Gが点灯されることがない。そのため、特定の色の画像情報が入力された画素を、当該特定の色と異なる色を呈する光が透過する確率を低減することが可能である。また、図6に示す動作例のようにバックライトユニットが有する2つの光源を同時に点灯させる期間を設ける場合、液晶表示装置の表示輝度の向上を図ることが可能である。また、バックライトユニットが有する複数の光源のそれぞれの点灯期間を長期間確保することで、液晶表示装置の表示色調の細分化を図る表示する色の濃淡などをより細かく表現することが可能である。ここで、図6に示す動作例においては、赤R、緑G、及び青Bの光源のいずれか一が点灯される期間のみならず、それらの2つが同時に点灯される期間を有する。そのため、図6に示す動作例においては、6回の画像信号の走査を行うことで赤R、緑G、及び青Bの光源のそれぞれが3回点灯する期間を確保することが可能である。すなわち、図6に示す動作例においては、複数の光源のそれぞれの点灯期間を効率よく長期化することが可能である。その結果、図6に示す動作例においては、効率よく表示色調の細分化を図ることが可能である。<変形例>本実施の形態の液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部10を3つの領域に分割し、該3つの領域に並行して画像信号を供給する構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部10を3つ以外の複数の領域に分割し、該複数の領域に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。なお、当該領域数を変化させる場合、当該領域数に応じて走査線駆動回路用クロック信号及びパルス幅制御信号を設定する必要があることを付記する。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための容量素子が設けられる構成図1B参照について示したが、当該容量素子を設けない構成とすることも可能である。この場合、画素の開口率を向上させることが可能である。また、画素部に延在する容量配線を削除することができるため、画素部に延在する各種配線の高速駆動が可能となる。また、パルス出力回路として、図3Aに示したパルス出力回路に、ソース及びドレインの一方が高電源電位線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ32のゲート、トランジスタ34のゲート、トランジスタ35のソース及びドレインの他方、トランジスタ36のソース及びドレインの他方、トランジスタ37のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ39のゲートに電気的に接続され、ゲートがリセット端子Resetに電気的に接続されたトランジスタ50を付加した構成図7A参照を適用することが可能である。なお、当該リセット端子には、画素部に1枚の画像が形成された後の期間においてハイレベルの電位が入力され、その他の期間においてはロウレベルの電位が入力される。なお、トランジスタ50は、ハイレベルの電位が入力されることでオン状態となるトランジスタである。これにより、各ノードの電位を初期化することができるので、誤動作を防止することが可能となる。なお、当該初期化を行う場合には、画素部に1枚の画像が形成される期間後に初期化期間を設ける必要があることを付記する。また、図9を参照して後述するが、画素部に1枚の画像を形成する期間後にバックライトを消灯する期間を設ける場合、当該消灯する期間において当該初期化を行うことが可能である。また、パルス出力回路として、図3Aに示したパルス出力回路に、ソース及びドレインの一方がトランジスタ31のソース及びドレインの他方並びにトランジスタ32のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ33のゲート及びトランジスタ38のゲートに電気的に接続され、ゲートが高電源電位線に電気的に接続されたトランジスタ51を付加した構成図7B参照を適用することも可能である。なお、トランジスタ51は、ノードAの電位がハイレベルの電位となる期間図3B~Dに示した期間t1~期間t6においてオフ状態となる。そのため、トランジスタ51を付加した構成とすることで、期間t1~t6において、トランジスタ33のゲート及びトランジスタ38のゲートと、トランジスタ31のソース及びドレインの他方並びにトランジスタ32のソース及びドレインの他方との電気的な接続を遮断することが可能となる。これにより、期間t1~期間t6に含まれる期間において、当該パルス出力回路で行われるブートストラップ動作時の負荷を低減することが可能である。また、パルス出力回路として、図7Bに示したパルス出力回路に、ソース及びドレインの一方がトランジスタ33のゲート並びにトランジスタ51のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ38のゲートに電気的に接続され、ゲートが高電源電位線に電気的に接続されたトランジスタ52を付加した構成図8A参照を適用することも可能である。なお、上述したようにトランジスタ52を設けることによって、当該パルス出力回路で行われるブートストラップ動作時の負荷を低減することが可能である。特に、当該パルス出力回路がトランジスタ33のソースとゲートとの容量結合のみによってノードAの電位を上昇させる場合図3D参照、当該負荷の低減する効果が大きい。また、パルス出力回路として、図8Aに示したパルス出力回路からトランジスタ51を削除し、且つソース及びドレインの一方がトランジスタ31のソース及びドレインの他方、トランジスタ32のソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ52のソース及びドレインの一方に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がトランジスタ33のゲートに電気的に接続され、ゲートが高電源電位線に電気的に接続されたトランジスタ53を付加した構成図8B参照を適用することも可能である。なお、上述したようにトランジスタ53を設けることによって、当該パルス出力回路で行われるブートストラップ動作時の負荷を低減することが可能である。また、当該パルス出力回路に生じる不正パルスが、トランジスタ33、38のスイッチングに与える影響を軽減することが可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、バックライトユニットとして赤R、緑G、青Bのいずれか一を呈する光を発光する3種の光源を横に直線的に並べる構成図5参照について示したが、バックライトユニットの構成は、当該構成に限定されない。例えば、当該3種の光源を3角配置しても良いし、当該3種の光源を縦に直線的に並べてもよいし、赤Rのバックライトユニット、緑Gのバックライトユニット、及び青Bのバックライトユニットを別途設けても良い。また、上述した液晶表示装置においては、バックライトとして直下型方式のバックライトを適用する構成図5参照について示したが、当該バックライトとしてエッジライト方式のバックライトを適用することも可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯を連続的に行う構成図6参照について示したが、液晶表示装置の動作は、当該構成に限定されない。例えば、画素部において1枚の画像を形成する期間図6では、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトユニットにおいて青B及び赤Rの光源が点灯される期間に相当するの前後に、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯が行われない期間を設ける構成とすることが可能である図9参照。これにより、当該液晶表示装置において生じるカラーブレイクを抑制し、該液晶表示装置が表示する画質を向上させることが可能である。なお、図9においては、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯の双方を行わない構成について例示しているが、選択信号の走査を行い各画素に対して光を透過させないための画像信号を入力する構成とすることも可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部の特定の領域毎にバックライトユニットが有する3つの光源の1つ又は2つを点灯させる期間を設ける構成図6参照について示したが、バックライトユニットが有する3つの光源のすべてが点灯される期間を設ける構成図10参照とすることも可能である。この場合、液晶表示装置の表示輝度をさらに向上させること及び表示色調をさらに細分化させることが可能である。なお、図10に示す動作例においては、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトユニットにおける赤Rの光源、緑Gの光源、及び青Bの光源の点灯までの動作によって画素部に1枚の画像が形成されることとする。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部の特定の領域毎にバックライトユニットを赤R→緑G→青B→赤R及び緑G→緑G及び青B→青B及び赤Rの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図6参照について示したが、本実施の形態の液晶表示装置における光源の点灯順は当該順に限定されない。例えば、青B→青B及び緑G→緑G→緑G及び赤R→赤R→赤R及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図11参照、青B→青B及び赤R→赤R→赤R及び緑G→緑G→緑G及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図12参照、青B→赤R及び緑G→緑G→青B及び赤R→赤R→緑G及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図13参照、青B→赤R及び緑G→青B及び緑G→赤R→緑G→赤R及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図14参照などとすることも可能である。なお、光源の点灯順に合わせて、特定色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力順も適宜設計する必要があることは言うまでもない。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、バックライトユニットが有する赤R、緑G、及び青Bの光源のそれぞれが3回点灯することで1枚の画像を形成する構成図6参照について示したが、本実施の形態の液晶表示装置における光源毎の点灯回数を異ならせることも可能である。例えば、視感度が高い赤R及び緑Gを呈する光が2回点灯され、且つ視感度の低い青Bが3回点灯されるように、バックライトユニットを点灯することで1枚の画像を形成する構成図15参照とすることも可能である。なお、図15に示す動作例においては、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトユニットにおける緑G及び青Bの光源の点灯までの動作によって画素部に1枚の画像が形成されることとする。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、バックライトユニットとして赤R、緑G、青Bのいずれか一を呈する光を発光する3種の光源を組み合わせて用いる構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、任意の色を呈する光源を組み合わせてバックライトを構成することが可能である。例えば、赤R、緑G、青B、白W、若しくは赤R、緑G、青B、黄Yの4種の光源を組み合わせて用いること、又はシアンC、マゼンタM、イエローYの3種の光源を組み合わせて用いることなどが可能である。なお、バックライトユニットが白Wを呈する光を発光する光源を有する場合は、白Wを呈する光を混色によって形成するのではなく、当該光源を用いて白Wを呈する光を形成することができる。当該光源は、発光効率が高いため、当該光源を用いてバックライトを構成することで、消費電力を低減することが可能である。また、バックライトユニットが補色の関係にある光を発光する2種の光源を有する場合例えば、青Bと黄Yの2色の光源を有する場合、それぞれが発光する光を混色することで白Wを呈する光を形成することも可能である。さらに、淡色の赤R、緑G、及び青B、並びに濃色の赤R、緑G、及び青Bの6種の光源を組み合わせて用いること、又は赤R、緑G、青B、シアンC、マゼンタM、イエローYの6種の光源を組み合わせて用いることなども可能である。このように、より多種の光源を組み合わせて用いることで、当該液晶表示装置において表現できる色域を拡大し、画質を向上させることが可能である。なお、本実施の形態の変形例として述べた構成の複数を、本実施の形態の液晶表示装置に対して適用することも可能である。また、本実施の形態の内容又は該内容の一部を、他の実施の形態の内容又は該内容の一部と組み合わせることが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構成を有する、本発明の一態様の液晶表示装置について図16~図19を参照して説明する。<液晶表示装置の構成例>図16Aは、液晶表示装置の構成例を示す図である。図16Aに示す液晶表示装置は、画素部60と、走査線駆動回路61と、信号線駆動回路62と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路61によって電位が制御される3i本iは、2以上の自然数の走査線63と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路62によって電位が制御される、j本jは、2以上の自然数の信号線641、j本の信号線642、及びj本の信号線643と、を有する。さらに、画素部60は、3つの領域領域601~領域603に分割され、領域毎にマトリクス状i行j列に配設された複数の画素を有する。なお、各走査線63は、画素部60においてマトリクス状3i行j列に配設された複数の画素のうち、いずれかの行に配設されたj個の画素に電気的に接続される。また、各信号線641は、領域601においてマトリクス状i行j列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたi個の画素に電気的に接続される。また、各信号線642は、領域602においてマトリクス状i行j列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたi個の画素に電気的に接続される。また、各信号線643は、領域603においてマトリクス状i行j列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたi個の画素に電気的に接続される。なお、走査線駆動回路61には、外部から走査線駆動回路用スタート信号GSP、走査線駆動回路用クロック信号GCK、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路62には、外部から信号線駆動回路用スタートパルスSSP、信号線駆動回路用クロック信号SCK、画像信号data1~data3などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。図16B~Dは、画素の回路構成例を示す図である。具体的には、図16Bは、領域601に配設された画素651の回路構成例を示す図であり、図16Cは、領域602に配設された画素652の回路構成例を示す図であり、図16Dは、領域603に配設された画素653の回路構成例を示す図である。図16Bに示す画素651は、ゲートが走査線63に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線641に電気的に接続されたトランジスタ6511と、一方の電極がトランジスタ6511のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線容量配線ともいうに電気的に接続された容量素子6512と、一方の電極画素電極ともいうがトランジスタ6511のソース及びドレインの他方並びに容量素子6512の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極対向電極ともいうが対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子6513と、を有する。図16Cに示す画素652及び図16Dに示す画素653も回路構成自体は、図16Bに示す画素651と同一である。ただし、図16Cに示す画素652では、トランジスタ6521のソース及びドレインの一方が信号線641ではなく信号線642に電気的に接続される点が図16Bに示す画素651と異なり、図16Dに示す画素653では、トランジスタ6531のソース及びドレインの一方が信号線641ではなく信号線643に電気的に接続される点が図16Bに示す画素651と異なる。<走査線駆動回路61の構成例>図17Aは、図16Aに示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路61の構成例を示す図である。図17Aに示す走査線駆動回路61は、i個の出力端子を有するシフトレジスタ611~613を有する。なお、シフトレジスタ611が有する出力端子のそれぞれは、領域601に配設されたi本の走査線63のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ612が有する出力端子のそれぞれは、領域602に配設されたi本の走査線63のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ613が有する出力端子のそれぞれは、領域603に配設されたi本の走査線63のいずれかに電気的に接続される。すなわち、シフトレジスタ611は、領域601において選択信号を走査するシフトレジスタであり、シフトレジスタ612は、領域602において選択信号を走査するシフトレジスタであり、シフトレジスタ613は、領域603において選択信号を走査するシフトレジスタである。具体的には、シフトレジスタ611は、外部から入力される走査線駆動回路用スタートパルスGSPをきっかけとして、1行目に配設された走査線63を起点として順次選択信号をシフト走査線63を走査線駆動回路用クロック信号GCK1/2周期毎に順次選択する機能を有し、シフトレジスタ612は、外部から入力される走査線駆動回路用スタートパルスGSPをきっかけとして、i1行目に配設された走査線63を起点として順次選択信号をシフトする機能を有し、シフトレジスタ613は、外部から入力される走査線駆動回路用スタートパルスGSPをきっかけとして、2i1行目に配設された走査線63を起点として順次選択信号をシフトする機能を有する。上述した走査線駆動回路61の動作例について図17Bを参照して説明する。なお、図17Bには、走査線駆動回路用クロック信号GCK、シフトレジスタ611が有するi個の出力端子から出力される信号SR611out、シフトレジスタ612が有するi個の出力端子から出力される信号SR612out、及びシフトレジスタ613が有するi個の出力端子から出力される信号SR613outを示している。サンプリング期間t1において、シフトレジスタ611によって、1行目に配設された走査線63_1を起点としてi行目に配設された走査線63_iまでハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトされ、シフトレジスタ612によって、i1行目に配設された走査線63_i1を起点として2i行目に配設された走査線63_2iまでハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトされ、シフトレジスタ613によって、2i1行目に配設された走査線63_2i1を起点として3i行目に配設された走査線63_3iまでハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトされる。そのため、走査線駆動回路61は、1行目に配設されたj個の画素651からi行目に配設されたj個の画素651を順次選択するとともに、i1行目に配設されたj個の画素652から2i行目に配設されたj個の画素652を順次選択し、2i1行目に配設されたj個の画素653から3i行目に配設されたj個の画素653を順次選択することになる。すなわち、走査線駆動回路61は、水平走査期間毎に異なる3行に配設された3j個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。サンプリング期間t2乃至サンプリング期間t6において、シフトレジスタ611~613の動作は、サンプリング期間t1と同じである。すなわち、走査線駆動回路61は、サンプリング期間t1と同様に、水平走査期間毎に特定の3行に配設された3j個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。<信号線駆動回路62の構成例>図18Aは、図16Aに示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路62の構成例を示す図である。図18Aに示す信号線駆動回路62は、j個の出力端子を有するシフトレジスタ620と、j個のトランジスタ621と、j個のトランジスタ622と、j個のトランジスタ623と、を有する。なお、トランジスタ621のゲートは、シフトレジスタ620が有するp番目pは、1以上j以下の自然数の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、第1の画像信号DATA1を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、画素部60においてp列目に配設された信号線641に電気的に接続される。また、トランジスタ622のゲートは、シフトレジスタ620が有するp番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、第2の画像信号DATA2を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、画素部60においてp列目に配設された信号線642に電気的に接続される。また、トランジスタ623のゲートは、シフトレジスタ620が有するp番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、第3の画像信号DATA3を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、画素部60においてp列目に配設された信号線643に電気的に接続される。図18Bは、第1の画像信号DATA1乃至第3の画像信号DATA3を供給する配線が供給する画像信号のタイミングの一例を示す図である。図18Bに示すように、第1の画像信号DATA1を供給する配線は、サンプリング期間t1において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号dataR1→iを供給し、サンプリング期間t2において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光の透過を制御するための画像信号dataG1→iを供給し、サンプリング期間t3において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号dataB1→iを供給し、サンプリング期間t4において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光及び緑Gを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataRG1→iを供給し、サンプリング期間t5において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataGB1→iを供給し、サンプリング期間t6において、1行目に配設された画素乃至i行目に配設された画素用の青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataBR1→iを供給する。また、第2の画像信号DATA2を供給する配線は、サンプリング期間t1において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataBRi1→2iを供給し、サンプリング期間t2において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号dataRi1→2iを供給し、サンプリング期間t3において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光の透過を制御するための画像信号dataGi1→2iを供給し、サンプリング期間t4において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号dataBi1→2iを供給し、サンプリング期間t5において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光及び緑Gを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataRGi1→2iを供給し、サンプリング期間t6において、i1行目に配設された画素乃至2i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataGBi1→2iを供給する。また、第3の画像信号DATA3を供給する配線は、サンプリング期間t1において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataGB2i1→3iを供給し、サンプリング期間t2において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataBR2i1→3iを供給し、サンプリング期間t3において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号dataR2i1→3iを供給し、サンプリング期間t4において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の緑Gを呈する光の透過を制御するための画像信号dataG2i1→3iを供給し、サンプリング期間t5において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号dataB2i1→3iを供給し、サンプリング期間t6において、2i1行目に配設された画素乃至3i行目に配設された画素用の赤Rを呈する光及び緑Gを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号dataRG2i1→3iを供給する。<バックライトの構成例>本実施の形態の液晶表示装置のバックライトとして、実施の形態1に示したバックライト図5参照と同様のバックライトを適用することが可能である。ただし、本実施の形態のバックライトは、3i行j列に配設された複数の画素に対するバックライトとして、少なくともh行j列毎ここでは、hは、i/4とするにバックライトユニットが設けられ、該バックライトユニットの点灯を独立に制御できることとする。すなわち、当該バックライトが、少なくとも1行目乃至h行目用バックライトユニット~2i3h1行目乃至3i行目用バックライトユニットを有し、それぞれのバックライトユニットの点灯を独立に制御できることとする。<液晶表示装置の動作例>図19は、上述した液晶表示装置における選択信号の走査と、バックライトの点灯タイミングとを示す図である。なお、図19において縦軸は画素部における行を表し、横軸は時間を表している。具体的には、図19において、1乃至3iは、行数を表し、実線は、該当する行において画像信号が入力されるタイミングを表している。当該液晶表示装置は、サンプリング期間t1~サンプリング期間t6のそれぞれにおいて、1行目に配設されたj個の画素651からi行目に配設されたj個の画素651を順次選択し、且つi1行目に配設されたj個の画素652から2i行目に配設されたj個の画素652を順次選択し、且つ2i1行目に配設されたj個の画素653から3i行目に配設されたj個の画素653を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。サンプリング期間t1を例に挙げて具体的に述べると、当該液晶表示装置は、当該サンプリング期間t1において、1行目に配設されたj個の画素651が有するトランジスタ6511からi行目に配設されたj個の画素651が有するトランジスタ6511を順次オン状態とすることで、信号線641を介して赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、i1行目に配設されたj個の画素652が有するトランジスタ6521から2i行目に配設されたj個の画素652が有するトランジスタ6521を順次オン状態とすることで、信号線642を介して青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、2i1行目に配設されたj個の画素653が有するトランジスタ6531から3i行目に配設されたj個の画素653が有するトランジスタ6531を順次オン状態とすることで、信号線643を介して緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号を各画素に順次入力することが可能である。さらに、当該液晶表示装置では、サンプリング期間t1内において、1行目に配設されたj個の画素651からh行目に配設されたj個の画素651に対して赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が終了した後に1行目乃至h行目用バックライトユニットにおいて赤Rの光源を点灯させ、且つi1行目に配設されたj個の画素652からih行目に配設されたj個の画素652に対して青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が終了した後にi1行目乃至ih行目用バックライトユニットにおいて青Bの光源及び赤Rの光源を点灯させ、且つ2i1行目に配設されたj個の画素653から2ih行目に配設されたj個の画素653に対して緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が終了した後に2i1行目乃至2ih行目用バックライトユニットにおいて緑Gの光源及び青Bの光源を点灯させることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置では、画素部の特定の領域1行目乃至i行目、i1行目乃至2i行目、及び2i1行目乃至3i行目毎に、選択信号の走査と、特定色を呈するバックライトユニットの点灯とを並行して行うことが可能である。なお、当該液晶表示装置においては、1行目乃至i行目に配設された画素を有する領域601において、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける青Bの光源及び赤Rの光源の点灯までの動作が行われ、且つi1行目乃至2i行目に配設された画素を有する領域602において、青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける緑Gの光源及び青Bの光源の点灯までの動作が行われ、且つ2i1行目乃至3i行目に配設された画素を有する領域603において、緑Gを呈する光及び青Bを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける赤Rの光源及び緑Gの光源の点灯までの動作が行われることによって画素部に1枚の画像が形成されることとする。<本実施の形態の液晶表示装置について>本実施の形態で開示される液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。その結果、当該液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置、又は倍速駆動を行う液晶表示装置として好適である。さらに、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置として本明細書で開示される液晶表示装置を適用することは、以下の点で好ましい。上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では色情報が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される表示が本来の表示情報に基づく表示から変化劣化することカラーブレイク、色割れともいうがある。ここで、カラーブレイクの抑制には、フレーム周波数を高くすることが効果的である。一方、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行うためには、フレーム周波数よりも高い頻度で各画素に対して画像信号を入力する必要がある。そのため、従来の液晶表示装置においてフィールドシーケンシャル方式且つ高フレーム周波数駆動によって表示を行う場合、当該液晶表示装置を構成する素子の性能高速応答性に対する要求が非常に厳しくなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置は、素子の特性に制約されることなく各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能である。そのため、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置におけるカラーブレイクの抑制を容易に行うことが可能である。さらに、図19に示すようにバックライトユニットを点灯する場合、隣接するバックライトユニットが異なる色を呈することがない。例えば、サンプリング期間t4内において、i1行目に配設されたj個の画素652からih行目に配設されたj個の画素652に対して青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力が終了した後にi1行目乃至ih行目用バックライトユニットにおいて青Bの光源を点灯させる際に、3h1行目乃至i行目用バックライトユニット及びih1行目乃至i2h行目用バックライトユニットにおいては、青Bの光源が点灯される又は点灯自体が行われない赤R、緑Gが点灯されることがない。そのため、特定の色の画像情報が入力された画素を、当該特定の色と異なる色を呈する光が透過する確率を低減することが可能である。また、図19に示す動作例のようにバックライトユニットが有する2つの光源を同時に点灯させる期間を設ける場合、液晶表示装置の表示輝度の向上を図ることが可能である。また、図19に示す動作例においては、複数の光源のそれぞれの点灯期間を効率よく長期化することが可能である。その結果、図19に示す動作例においては、効率よく表示色調の細分化を図ることが可能である。<変形例>本実施の形態の液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部60を3つの領域に分割する構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部60を任意の複数領域に分割する構成とすることが可能である。なお、自明ではあるが、当該領域数を変化させる場合、当該領域数と同数のシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、3つの領域に含まれる画素数が同一である構成全ての領域においてi行j列の画素が含まれる構成について示したが、本発明の液晶表示装置では、領域毎に含まれる画素数を変化させることが可能である。具体的には、第1の領域にはa行j列aは、自然数の画素が含まれ、第2の領域にはb行j列bは、aと異なる自然数の画素が含まれる構成とすることが可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、走査線駆動回路がシフトレジスタを用いて構成される液晶表示装置について示したが、当該シフトレジスタを同等の機能を有する回路に置換することが可能である。例えば、当該シフトレジスタをデコーダに置換することが可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための容量素子が設けられる構成図16B~D参照について示したが、当該容量素子を設けない構成とすることも可能である。この場合、画素の開口率を向上させることが可能である。また、画素部に延在する容量配線を削除することができるため、画素部に延在する各種配線の高速駆動が可能となる。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯を連続的に行う構成図19参照について示したが、液晶表示装置の動作は、当該構成に限定されない。例えば、画素部において1枚の画像を形成する期間の前後に、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯が行われない期間を設ける構成とすることが可能である図20参照。これにより、当該液晶表示装置において生じるカラーブレイクを抑制し、該液晶表示装置が表示する画質を向上させることが可能である。なお、図9においては、選択信号の走査及びバックライトユニットの点灯の双方を行わない構成について例示しているが、選択信号の走査を行い各画素に対して光を透過させないための画像信号を入力する構成とすることも可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部の特定の領域毎にバックライトユニットが有する3つの光源の1つ又は2つを点灯させる期間を設ける構成図19参照について示したが、バックライトユニットが有する3つの光源のすべてが点灯される期間を設ける構成図21参照とすることも可能である。この場合、液晶表示装置の表示輝度をさらに向上させること及び表示色調をさらに細分化させることが可能である。なお、図21に示す動作例においては、1行目乃至i行目に配設された画素を有する領域601において、赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける赤Rの光源、緑Gの光源、及び青Bの光源の点灯までの動作が行われ、且つi1行目乃至2i行目に配設された画素を有する領域602において、赤Rを呈する光、緑Gを呈する光、及び青Bを呈する光の混色によって形成される白Wを呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける青Bの光源及び赤Rの光源の点灯までの動作が行われ、且つ2i1行目乃至3i行目に配設された画素を有する領域603において、青Bを呈する光及び赤Rを呈する光の混色によって形成される有彩色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力~バックライトにおける青Bの光源及び赤Rの光源の点灯までの動作が行われることによって画素部に1枚の画像が形成されることとする。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部の特定の領域毎にバックライトユニットを赤R→緑G→青B→赤R及び緑G→緑G及び青B→青B及び赤Rの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図19参照について示したが、本実施の形態の液晶表示装置における光源の点灯順は当該順に限定されない。例えば、青B→青B及び緑G→緑G→緑G及び赤R→赤R→赤R及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図示しない、青B→青B及び赤R→赤R→赤R及び緑G→緑G→緑G及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図示しない、青B→赤R及び緑G→緑G→青B及び赤R→赤R→緑G及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図示しない、青B→赤R及び緑G→青B及び緑G→赤R→緑G→赤R及び青Bの順で点灯することで1枚の画像を形成する構成図示しないなどとすることも可能である。なお、光源の点灯順に合わせて、特定色を呈する光の透過を制御するための画像信号の入力順も適宜設計する必要があることは言うまでもない。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、バックライトユニットが有する赤R、緑G、及び青Bの光源のそれぞれが3回点灯することで1枚の画像を形成する構成図19参照について示したが、本実施の形態の液晶表示装置における光源毎の点灯回数を異ならせることも可能である。例えば、視感度が高い赤R及び緑Gを呈する光が2回点灯され、且つ視感度の低い青Bが3回点灯されるように、バックライトユニットを点灯することで1枚の画像を形成する構成図示しないとすることも可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、バックライトとして赤R、緑G、青Bのいずれか一を呈する光を発光する3種の光源を組み合わせて用いる構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、任意の色を呈する光の光源を組み合わせてバックライトを構成することが可能である。例えば、赤R、緑G、青B、白W、若しくは赤R、緑G、青B、黄Yの4種の光源を組み合わせて用いること、又はシアンC、マゼンタM、イエローYの3種の光源を組み合わせて用いることなどが可能である。なお、バックライトユニットが白Wを呈する光を発光する光源を有する場合は、白Wを呈する光を混色によって形成するのではなく、当該光源を用いて白Wを呈する光を形成することができる。当該光源は、発光効率が高いため、当該光源を用いてバックライトを構成することで、消費電力を低減することが可能である。また、バックライトユニットが補色の関係にある光を発光する2種の光源を有する場合例えば、青Bと黄Yの2種の光源を有する場合、それぞれの光を混色することで白Wを呈する光を形成することも可能である。さらに、淡色の赤R、緑G、及び青B、並びに濃色の赤R、緑G、及び青Bの6種の光源を組み合わせて用いること、又は赤R、緑G、青B、シアンC、マゼンタM、イエローYの6種の光源を組み合わせて用いることなども可能である。このように、より多種の光源を組み合わせて用いることで、当該液晶表示装置において表現できる色域を拡大し、画質を向上させることが可能である。なお、本実施の形態の変形例として述べた構成の複数を、本実施の形態の液晶表示装置に対して適用することも可能である。また、本実施の形態の内容又は該内容の一部を、他の実施の形態の内容又は該内容の一部と組み合わせることが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1又は2に示した液晶表示装置の具体的な構成について、説明する。<トランジスタの具体例>まず、上述した液晶表示装置の画素部又は各種回路に用いられるトランジスタの具体例について図22を参照して説明する。なお、当該液晶表示装置において、画素部及び各種回路のそれぞれに設けられるトランジスタは、同一構成を有するトランジスタを適用してもよいし、それぞれ毎に異なる構成を有するトランジスタを適用してもよい。図22Aに示すトランジスタ2450は、基板2400上にゲート層2401が形成され、ゲート層2401上にゲート絶縁層2402が形成され、ゲート絶縁層2402上に半導体層2403が形成され、半導体層2403上に、ソース層2405a、及びドレイン層2405bが形成されている。また、半導体層2403、ソース層2405a、及びドレイン層2405b上に絶縁層2407が形成されている。また、絶縁層2407上に保護絶縁層2409を形成してもよい。トランジスタ2450は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタの一つでもある。図22Bに示すトランジスタ2460は、基板2400上にゲート層2401が形成され、ゲート絶縁層2402上に半導体層2403が形成され、半導体層2403上にチャネル保護層2406が形成され、チャネル保護層2406及び半導体層2403上に、ソース層2405a、及びドレイン層2405bが形成されている。また、ソース層2405a、及びドレイン層2405b上に保護絶縁層2409を形成してもよい。トランジスタ2460は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタの一つでもある。図22Cに示すトランジスタ2470は、基板2400上に下地層2436が形成され、下地層2436上に半導体層2403が形成され、半導体層2403、及び下地層2436上に、ソース層2405a、及びドレイン層2405bが形成され、半導体層2403、ソース層2405a、及びドレイン層2405b上にゲート絶縁層2402が形成され、ゲート絶縁層2402上にゲート層2401が形成されている。また、ゲート層2401上に保護絶縁層2409を形成してもよい。トランジスタ2470は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。図22Dに示すトランジスタ2480は、基板2400上に、第1のゲート層2411が形成され、第1のゲート層2411上に第1のゲート絶縁層2413が形成され、第1のゲート絶縁層2413上に半導体層2403が形成され、半導体層2403、及び第1のゲート絶縁層2413上に、ソース層2405a、及びドレイン層2405bが形成されている。また、半導体層2403、ソース層2405a、及びドレイン層2405b上に第2のゲート絶縁層2414が形成され、第2のゲート絶縁層2414上に第2のゲート層2412が形成されている。また、第2のゲート層2412上に保護絶縁層2409を形成してもよい。トランジスタ2480は、トランジスタ2450とトランジスタ2470を併せた構造を有する。第1のゲート層2411と第2のゲート層2412を電気的に接続して一つのゲート層として機能させることができる。また、第1のゲート層2411と第2のゲート層2412のうち、どちらか一方を単にゲートと呼び、他方をバックゲートと呼ぶことがある。なお、トランジスタ2480において、バックゲートの電位を変化させることで、ゲートの電位によってスイッチングを制御する際のトランジスタ2480のしきい値電圧を変化させることができる。なお、基板2400としては、半導体基板例えば単結晶基板又はシリコン基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が設けられた導電性基板、又はプラスチック基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、若しくは基材フィルムなどの可撓性基板などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPESに代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。また、ゲート層2401及び第1のゲート層2411としては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、ゲート絶縁層2402、第1のゲート絶縁層2413、第2のゲート絶縁層2414としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が55~65原子、窒素が1~20原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が15~30原子、窒素が20~35原子、Siが25~35原子、水素が15~25原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、半導体層2403としては、シリコンSi若しくはゲルマニウムGeなどの周期表第14族元素を主構成元素とする材料、シリコンゲルマニウムSiGe若しくはガリウムヒ素GaAsなどの化合物、酸化亜鉛ZnO若しくはインジウムIn及びガリウムGaを含む酸化亜鉛などの酸化物、又は半導体特性を示す有機化合物などの半導体材料を適用することができる。また、これらの半導体材料からなる層の積層構造を適用することもできる。さらに、半導体層2403としてシリコンSiを適用する場合、当該半導体層2403の結晶状態は限定されない。すなわち、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、及び単結晶シリコンのいずれかを半導体層2403として適用することが可能である。なお、微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。また、半導体層2403として酸化物酸化物半導体を適用する場合、少なくともIn、Ga、Sn、Zn、Al、Mg、Hf及びランタノイドから選ばれた一種以上の元素を含有する。例えば、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Hf-Zn-O系、In-La-Zn-O系、In-Ce-Zn-O系、In-Pr-Zn-O系、In-Nd-Zn-O系、In-Pm-Zn-O系、In-Sm-Zn-O系、In-Eu-Zn-O系、In-Gd-Zn-O系、In-Tb-Zn-O系、In-Dy-Zn-O系、In-Ho-Zn-O系、In-Er-Zn-O系、In-Tm-Zn-O系、In-Yb-Zn-O系、In-Lu-Zn-O系、二元系金属酸化物であるIn-Ga-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系、または単元系金属酸化物であるIn-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体として、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどを選択することができる。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=1.5:1~15:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=3:4~15:2とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。また、ソース層2405a、ドレイン層2405b、及び第2のゲート層2412としては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、ソース層2405a、ドレイン層2405bこれらと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜は導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズIn2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。なお、チャネル保護層2406としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、絶縁層2407としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、保護絶縁層2409としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化酸化アルミニウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、下地層2436としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウムなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、半導体層2403として酸化物半導体を適用する場合、該酸化物半導体に接する絶縁層ここでは、ゲート絶縁層2402、絶縁層2407、チャネル保護層2406、下地層2436、第1のゲート絶縁層2413、第2のゲート絶縁層2414が相当するとしては、第13族元素および酸素を含む絶縁材料を用いることが好ましい。酸化物半導体材料には第13族元素を含むものが多く、第13族元素を含む絶縁材料は酸化物半導体との相性が良く、これを酸化物半導体に接する絶縁層に用いることで、酸化物半導体との界面の状態を良好に保つことができる。第13族元素を含む絶縁材料とは、絶縁材料に一または複数の第13族元素を含むことを意味する。第13族元素を含む絶縁材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどがある。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量原子よりアルミニウムの含有量原子が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量原子がアルミニウムの含有量原子以上のものを示す。例えば、ガリウムを含有する酸化物半導体層に接して絶縁層を形成する場合に、絶縁層に酸化ガリウムを含む材料を用いることで酸化物半導体層と絶縁層の界面特性を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体層と酸化ガリウムを含む絶縁層とを接して設けることにより、酸化物半導体層と絶縁層の界面における水素のパイルアップを低減することができる。なお、絶縁層に酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。例えば、酸化アルミニウムを含む材料を用いて絶縁層を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体層への水の侵入防止という点においても好ましい。また、半導体層2403として酸化物半導体を適用する場合、該酸化物半導体に接する絶縁層は、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープなどにより、絶縁材料を化学量論的組成比より酸素が多い状態とすることが好ましい。酸素ドープとは、酸素をバルクに添加することをいう。なお、当該バルクの用語は、酸素を薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、酸素ドープには、プラズマ化した酸素をバルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。また、酸素ドープは、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行ってもよい。例えば、当該絶縁層として酸化ガリウムを用いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープを行うことにより、酸化ガリウムの組成をGa2OXX=3α、0<α<1とすることができる。また、当該絶縁層として酸化アルミニウムを用いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープを行うことにより、酸化アルミニウムの組成をAl2OXX=3α、0<α<1とすることができる。また、当該絶縁層として酸化ガリウムアルミニウム酸化アルミニウムガリウムを用いた場合、酸素雰囲気下による熱処理や、酸素ドープを行うことにより、酸化ガリウムアルミニウム酸化アルミニウムガリウムの組成をGaXAl2-XO3α0<X<2、0<α<1とすることができる。酸素ドープ処理を行うことにより、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層を形成することができる。このような領域を備える絶縁層と酸化物半導体層が接することにより、絶縁層中の過剰な酸素が酸化物半導体層に供給され、酸化物半導体層中、または酸化物半導体層と絶縁層の界面における酸素不足欠陥を低減し、酸化物半導体層をI型化またはI型に限りなく近い酸化物半導体とすることができる。なお、半導体層2403として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層2403に接する絶縁層のうち、上層に位置する絶縁層及び下層に位置する絶縁層の一方のみを化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層とすることもできるが、両方の絶縁層を化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層とすることが好ましい。化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層を、半導体層2403に接する絶縁層の、上層及び下層に位置する絶縁層に用い、半導体層2403を挟む構成とすることで、上記効果をより高めることができる。また、半導体層2403として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層2403の上層または下層に用いる絶縁層は、上層と下層で同じ構成元素を有する絶縁層としても良いし、異なる構成元素を有する絶縁層としても良い。例えば、上層と下層とも、組成がGa2OXX=3α、0<α<1の酸化ガリウムとしても良いし、上層と下層の一方を組成がGa2OXX=3α、0<α<1の酸化ガリウムとし、他方を組成がAl2OXX=3α、0<α<1の酸化アルミニウムとしても良い。また、半導体層2403として酸化物半導体を適用する場合において、半導体層2403に接する絶縁層は、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層の積層としても良い。例えば、半導体層2403の上層に組成がGa2OXX=3α、0<α<1の酸化ガリウムを形成し、その上に組成がGaXAl2-XO3α0<X<2、0<α<1の酸化ガリウムアルミニウム酸化アルミニウムガリウムを形成してもよい。なお、半導体層2403の下層を、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層の積層としても良いし、半導体層2403の上層及び下層の両方を、化学量論的組成比より酸素が多い領域を有する絶縁層の積層としても良い。ここで、半導体層として酸化物半導体が適用されたトランジスタ951、及び半導体層として酸化物半導体が適用され且つバックゲートを備えたトランジスタ952を作製し、光負バイアス劣化前後でのしきい値電圧Vth変化量を評価した結果を示す。まず、図30Aを用いてトランジスタ951の積層構成及び作製方法について説明する。基板900上に、下地層936として、CVD法により窒化シリコン膜厚さ200nmと酸化窒化シリコン膜厚さ400nmの積層膜を形成した。次に、下地層936上に、スパッタ法により窒化タンタル膜厚さ30nmと、タングステン膜厚さ100nmの積層膜を成膜し、選択的にエッチングしてゲート層901を形成した。次に、ゲート層901上に、ゲート絶縁層902として、高密度プラズマCVD法により酸化窒化シリコン層厚さ30nmを形成した。次に、ゲート絶縁層902上に、スパッタ法によりIn-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いて、酸化物半導体膜厚さ30nmを形成した。続いて、酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、島状の酸化物半導体層903を形成した。次に、窒素雰囲気下、450°Cで60分間の第1の加熱処理を行った。次に、酸化物半導体層903上にチタン膜厚さ100nm、アルミニウム膜厚さ200nm、及びチタン膜厚さ100nmの積層膜をスパッタ法により成膜し、選択的にエッチングしてソース層905a及びドレイン層905bを形成した。次に、窒素雰囲気下、300°Cで60分間の第2の加熱処理を行った。次に、酸化物半導体層903の一部に接し且つソース層905a及びドレイン層905b上に形成される絶縁層907として、スパッタ法により酸化シリコン膜厚さ300nmを形成し、絶縁層907上に、絶縁層908として、ポリイミド樹脂層厚さ1.5μmを形成した。次に、窒素雰囲気下、250°Cで60分間の第3の加熱処理を行った。次に、絶縁層908上に絶縁層909として、ポリイミド樹脂層厚さ2.0μmを形成した。次に、窒素雰囲気下、250°Cで60分間の第4の加熱処理を行った。図30Bに示すトランジスタ952は、トランジスタ951と同様に作製することができる。なお、トランジスタ951とは、絶縁層908と絶縁層909の間にバックゲート層912が形成されている点が異なる。バックゲート層912は、絶縁層908上に、チタン膜厚さ100nm、アルミニウム膜厚さ200nm、及びチタン膜厚さ100nmの積層膜をスパッタ法により成膜し、選択的にエッチングすることで形成した。なお、バックゲート層912は、ソース層905aと電気的に接続される。また、トランジスタ951及びトランジスタ952とも、チャネル長は3μm、チャネル幅は20μmとした。続いて、本実施の形態で作製したトランジスタ951及びトランジスタ952に対して行った光負バイアス試験について説明する。光負バイアス試験は加速試験の一種であり、光が照射されている環境下におけるトランジスタの特性変化を、短時間で評価することができる。特に、光負バイアス試験におけるトランジスタのVthの変化量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。光負バイアス試験において、Vthの変化量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。光負バイアス試験の前後におけるVthの変化量は、1V以下が好ましく、0.5V以下がさらに好ましい。具体的には、光負バイアス試験は、トランジスタが形成されている基板の温度基板温度を一定に維持し、トランジスタのソース及びドレインを同電位とし、光を照射しながら、ゲートにソース及びドレインよりも低い電位を一定時間印加することで行う。光負バイアス試験の強度は、光照射条件、基板温度、ゲート絶縁層に加えられる電界強度、電界印加時間により決定することができる。ゲート絶縁層に加えられる電界強度は、ゲートと、ソース及びドレインとの電位差をゲート絶縁層の厚さで除して決定される。例えば、厚さが100nmのゲート絶縁層に印加する電界強度を2MV/cmとしたい場合は、電位差を20Vとすればよい。なお、光が照射されている環境下において、ソース及びドレインの電位よりも高い電位をゲートに印加して行う試験を光正バイアス試験というが、光正バイアス試験よりも、光負バイアス試験の方が、トランジスタの特性変動が起きやすいため、本実施の形態では光負バイアス試験にて評価している。ここでは、光負バイアス試験における基板温度を室温25°Cとし、ゲート絶縁層902に印加する電界強度を2MV/cmとし、光照射及び電界印加時間を1時間として行った。また、光照射の条件は、朝日分光社キセノン光源MAX-302を用いて、ピーク波長400nm半値幅10nm、放射照度326μW/cm2とした。光負バイアス試験に先立ち、まず、試験対象となるトランジスタの初期特性を測定した。ここでは、基板温度を室温25°Cとし、ソースとドレイン間の電圧以下、ドレイン電圧またはVdというを3Vとし、ソースとゲート間の電圧以下、ゲート電圧またはVgというを-5V~5Vまで変化させた時の、ソースとドレイン間に流れる電流以下、ドレイン電流またはIdというの変化特性、すなわちVg-Id特性を測定した。次に、絶縁層908側から光照射を開始し、トランジスタのソース及びドレインの電位を0Vとし、トランジスタのゲート絶縁層902へ印加される電界強度が2MV/cmとなるようにゲートに負の電圧を印加した。ここでは、トランジスタのゲート絶縁層902の厚さが30nmであるため、ゲートに-6Vを印加し、そのまま1時間保持した。ここでは印加時間を1時間としたが、目的に応じて適宜時間を変更してもよい。次に、電圧の印加を終了し、光を照射したまま、初期特性の測定と同じ条件でVg-Id特性を測定し、光負バイアス試験後のVg-Id特性を得た。ここで、Vthの算出方法について図31を例示して説明しておく。図31の横軸はゲート電圧をリニアスケールで示しており、縦軸はドレイン電流の平方根以下、√Idともいうをリニアスケールで示している。曲線921は、Vg-Id特性におけるIdの値を平方根で表した曲線以下、√Id曲線ともいうである。まず、測定したVg-Id曲線から√Id曲線曲線921を求める。次に、√Id曲線上の、√Id曲線の微分値が最大になる点の接線924を求める。次に、接線924を延伸し、接線924上でIdが0Aとなる時のVg、すなわち接線924のゲート電圧軸切片925の値をVthとして定義する。図32に、光負バイアス試験前後におけるトランジスタ951及びトランジスタ952のVg-Id特性を示す。図32A及び図32Bとも、横軸はゲート電圧Vgで、縦軸はゲート電圧に対するドレイン電流Idを対数目盛で示している。図32Aは、光負バイアス試験前後におけるトランジスタ951のVg-Id特性を示している。初期特性931は、光負バイアス試験前のトランジスタ951のVg-Id特性であり、試験後特性932は、光負バイアス試験後のトランジスタ951のVg-Id特性である。初期特性931のVthは、1.01Vであり、試験後特性932のVthは、0.44Vであった。図32Bは、光負バイアス試験前後におけるトランジスタ952のVg-Id特性を示している。また、図32Cは、図32B中の部位945を拡大した図である。初期特性941は、光負バイアス試験前のトランジスタ952のVg-Id特性であり、試験後特性942は、光負バイアス試験後のトランジスタ952のVg-Id特性である。初期特性941のVthは、1.16Vであり、試験後特性942のVthは、1.10Vであった。なお、トランジスタ952のバックゲート層912はソース層905aと電気的に接続されているため、バックゲート層912とソース層905aの電位は同電位となる。図32Aにおいて、試験後特性932は、初期特性931に比べてVthがマイナス方向に0.57V変化しており、図32Bにおいて、試験後特性942は、初期特性941に比べてVthがマイナス方向に0.06V変化している。トランジスタ951及びトランジスタ952とも、Vthの変化量は1V以下であり、信頼性が高いトランジスタであることが確認できる。また、バックゲート層912を設けたトランジスタ952は、Vthの変化量が0.1V以下であり、トランジスタ951よりもさらに信頼性の高いトランジスタであることが確認できる。<画素レイアウトの具体例>次いで、上述した液晶表示装置の画素のレイアウトの具体例について図23A、B、24を参照して説明する。なお、図23Aは、図1Bに示した画素のレイアウトの上面図を示す図であり、図23Bは、図23A上に示した画素上に設けられる遮蔽層242を含んだレイアウトを示す図であり、図24は、図23A、Bに示すA-B線における断面図を示す図である。なお、図23A、Bにおいては、液晶層、対向電極などの構成は割愛している。以下、具体的な構造について図24を参照して説明する。トランジスタ16は、基板220上に絶縁層221を介して設けられた導電層222と、導電層222上に設けられた絶縁層223と、導電層222上に絶縁層223を介して設けられた半導体層224と、半導体層224の一端上に設けられた導電層225aと、半導体層224の他端上に設けられた導電層225bと、を有する。なお、導電層222は、ゲート層として機能し、絶縁層223は、ゲート絶縁層として機能し、導電層225a及び導電層225bの一方は、ソース層、他方はドレイン層として機能する。容量素子17は、基板220上に絶縁層221を介して設けられた導電層226と、導電層226上に設けられた絶縁層227と、導電層226上に絶縁層227を介して設けられた導電層228と、を有する。なお、導電層226は、容量素子17の一方の電極として機能し、絶縁層227は、容量素子17の誘電体として機能し、導電層228は、容量素子17の他方の電極として機能する。また、導電層226は、導電層222と同一材料からなり、絶縁層227は、絶縁層223と同一材料からなり、導電層228は、導電層225a及び導電層225bと同一材料からなる。また、導電層226は、導電層225bと電気的に接続されている。なお、トランジスタ16及び容量素子17上には、絶縁層229及び平坦化絶縁層230が設けられている。液晶素子18は、平坦化絶縁層230上に設けられた透明導電層231と、対向基板240上に設けられた透明導電層241と、透明導電層231と透明導電層241に挟持された液晶層250と、を有する。なお、透明導電層231は、液晶素子18の画素電極として機能し、透明導電層241は、液晶素子18の対向電極として機能する。また、透明導電層231は、導電層225b及び導電層226と電気的に接続されている。なお、透明導電層231と液晶層250の間、または透明導電層241と液晶層250の間に、配向膜を適宜設けても良い。配向膜は、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、ラビングなどの、液晶分子を一定方向に配列させるための配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に接するように、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦ることで、行うことができる。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すことなく、蒸着法で配向特性を有する配向膜を直接形成することも可能である。また、液晶層250を形成するために行われる液晶の注入は、ディスペンサ式滴下式を用いても良いし、ディップ式汲み上げ式を用いても良い。なお、対向基板240上には、画素間における液晶の配向の乱れに起因するディスクリネーションが視認されるのを防ぐため、又は、拡散した光が隣接する複数の画素に並行して入射するのを防ぐために、光を遮蔽することができる遮蔽層242が設けられている。遮蔽層242には、カーボンブラック、二酸化チタンよりも酸化数が小さい低原子価酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。また、クロムを用いた膜で、遮蔽層242を形成することも可能である。特に、トランジスタ16の半導体層224として酸化物半導体が適用される場合、図24に示す構成は以下の点で好ましい。上述したように、半導体層として酸化物半導体が適用されたトランジスタは、光照射によって劣化する。これに対し、図24に示すトランジスタ16は、少なくとも導電層222、225a、225b及び遮蔽層242によって半導体層224を遮光することが可能である。そのため、トランジスタ16の信頼性を向上させることが可能である。透明導電層231及び透明導電層241は、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムスズITSO、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛IZO、ガリウムを添加した酸化亜鉛GZOなどの透光性を有する導電材料を用いることができる。なお、図24では、透明導電層231と透明導電層241の間に液晶層250が挟持される構造を有する液晶素子を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る液晶表示装置はこの構成に限定されない。IPS型の液晶素子やブルー相を用いた液晶素子のように、一対の電極が共に一の基板に形成されていても良い。<液晶表示装置の具体例>次いで、液晶表示装置のパネルの具体例について、図25を用いて説明する。図25Aは、基板4001と対向基板4006とをシール材4005によって接着させたパネルの上面図であり、図25Bは、図25AのC-D線における断面図に相当する。基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むように、シール材4005が設けられている。また、画素部4002、走査線駆動回路4004の上に対向基板4006が設けられている。よって、画素部4002と走査線駆動回路4004は、基板4001とシール材4005と対向基板4006とによって、液晶4007と共に封止されている。また、基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路4003が形成された基板4021が、実装されている。図25では、信号線駆動回路4003に含まれるトランジスタ4009を例示している。また、基板4001上に設けられた画素部4002、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有している。図25Bでは、画素部4002に含まれるトランジスタ4010、トランジスタ4022を例示している。また、液晶素子4011が有する画素電極4030は、トランジスタ4010と電気的に接続されている。そして、液晶素子4011の対向電極4031は、対向基板4006に形成されている。画素電極4030と対向電極4031と液晶4007とが重なっている部分が、液晶素子4011に相当する。また、スペーサ4035が、画素電極4030と対向電極4031との間の距離セルギャップを制御するために設けられている。なお、図25Bでは、スペーサ4035が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペーサを用いていても良い。また、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、引き回し配線4014及び引き回し配線4015を介して、接続端子4016から供給されている。接続端子4016は、FPC4018が有する端子と、異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。なお、基板4001、対向基板4006、基板4021には、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックには、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。但し、液晶素子4011からの光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラスチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。図26は、本発明の一態様に係る液晶表示装置の構造を示す、斜視図の一例である。図26に示す液晶表示装置は、画素部を有するパネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、バックライトパネル1607と、回路基板1608と、信号線駆動回路の形成された基板1611とを有している。パネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、バックライトパネル1607とは、順に積層されている。バックライトパネル1607は、複数のバックライトユニットで構成されたバックライト1612を有している。導光板1605内部に拡散されたバックライト1612からの光は、第1の拡散板1602、プリズムシート1603及び第2の拡散板1604によって、パネル1601に照射される。なお、ここでは、第1の拡散板1602と第2の拡散板1604とを用いているが、拡散板の数はこれに限定されず、単数であっても3以上であっても良い。そして、拡散板は導光板1605とパネル1601の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート1603よりもパネル1601に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズムシート1603よりも導光板1605に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。また、プリズムシート1603は、図26に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、導光板1605からの光をパネル1601側に集光できる形状を有していれば良い。回路基板1608には、パネル1601に入力される各種信号を生成する回路、またはこれら信号に処理を施す回路などが設けられている。そして、図26では、回路基板1608とパネル1601とが、COFテープ1609を介して接続されている。また、信号線駆動回路の形成された基板1611が、COFChipOnFilm法を用いてCOFテープ1609に接続されている。図26では、バックライト1612の駆動を制御する制御系の回路が回路基板1608に設けられており、該制御系の回路とバックライトパネル1607とがFPC1610を介して接続されている例を示している。ただし、上記制御系の回路はパネル1601に形成されていても良く、この場合はパネル1601とバックライトパネル1607とがFPCなどにより接続されるようにする。<液晶表示装置を搭載した各種電子機器について>以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図27を参照して説明する。図27Aは、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。図27Bは、携帯情報端末PDAを示す図であり、本体2211には表示部2213と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。図27Cは、電子書籍2220を示す図である。電子書籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙の書籍のように用いることが可能である。筐体2221には表示部2225が組み込まれ、筐体2223には表示部2227が組み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図27Cでは表示部2225に文章を表示し、左側の表示部図27Cでは表示部2227に画像を表示することができる。また、図27Cでは、筐体2221に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2221は、電源2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えている。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2220は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図27Dは、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体2240および筐体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備えている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。表示パネル2242はタッチパネル機能を備えており、図27Dには映像表示されている複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル2249から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。表示パネル2242は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、図27Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2248はACアダプタやUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図27Eは、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体2261、表示部A2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、表示部B2265、バッテリー2266などによって構成されている。図27Fは、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置2270では、筐体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した構成を示している。テレビジョン装置2270の操作は、筐体2271が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置2270は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に係る液晶表示装置において用いられる、基板の一形態について図28、29を参照して説明する。まず、作製基板6200上に、剥離層6201を介して、トランジスタや層間絶縁膜、配線、画素電極など、素子基板として必要な要素を含む被剥離層6116を形成する。作製基板6200としては、石英基板、サファイア基板、セラミック基板や、ガラス基板、金属基板などを用いることができる。なお、これら基板は、可撓性を明確に表さない程度に厚みのあるものを使用することで、精度良くトランジスタなどの素子を形成することができる。可撓性を明確に表さない程度とは、通常液晶ディスプレイを作製する際に使用されているガラス基板の弾性率程度、またはより弾性率が大きいことを言う。剥離層6201は、スパッタリング法やプラズマCVD法、塗布法、印刷法等により、タングステンW、モリブデンMo、チタンTi、タンタルTa、ニオブNb、ニッケルNi、コバルトCo、ジルコニウムZr、亜鉛Zn、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、珪素Siから選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。剥離層6201が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。また、剥離層6201として、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成することも可能である。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。剥離層6201が積層構造の場合、好ましくは、1層目として金属層を形成し、2層目として金属酸化物層を形成する。代表的には1層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、2層目として、タングステン、モリブデン若しくはタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、それらの窒化物、それらの酸化窒化物、又はそれらの窒化酸化物を形成すると良い。2層目の金属酸化物層の形成は、1層目の金属層上に、酸化物層例えば酸化シリコンなどの絶縁層として利用できるものを形成することで金属層表面に当該金属の酸化物が形成されることを応用しても良い。続いて、剥離層6201上に、被剥離層6116を形成する図28A参照。被剥離層6116としては、トランジスタや層間絶縁膜、配線、画素電極など、素子基板として必要な要素が含まれる。これらは、フォトリソグラフィ法などを用いて作製することができる。次いで、剥離用接着剤6203を用いて被剥離層6116を仮支持基板6202に接着した後、被剥離層6116を作製基板6200の剥離層6201から剥離して転置する図28B参照。これにより被剥離層6116は、仮支持基板側に設けられる。なお、本明細書において、作製用基板から仮支持基板に剥離層を転置する工程を転置工程という。仮支持基板6202は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、以降の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。また、ここで用いる剥離用接着剤6203は、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化させることが可能であるような、必要時に仮支持基板6202と被剥離層6116とを分離することが可能な接着剤を用いる。なお、仮支持基板6202への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層6201として、被剥離層6116と接する側に金属酸化膜を含む膜を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化させることにより脆弱化して、被剥離層6116を作製基板6200から剥離することができる。また、作製基板6200と被剥離層6116の間に、剥離層6201として水素を含む非晶質シリコン膜を形成した場合は、レーザ光の照射またはエッチングにより当該水素を含む非晶質シリコン膜を除去して、被剥離層6116を作製基板6200から剥離することができる。また、剥離層6201として窒素、酸素や水素等を含む膜例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜などを用いた場合には、剥離層6201にレーザ光を照射して剥離層6201内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ、被剥離層6116と作製基板6200との分離を促進することができる。他の方法として、剥離層6201と被剥離層6116との界面に液体を浸透させて作製基板6200から被剥離層6116を剥離してもよい。剥離層6201をタングステンで形成し、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層6201をエッチングしながら剥離を行う方法もある。また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層6201へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる機械的な除去を部分的に行い、剥離層6201と被剥離層6116とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力機械等によるによって剥離を行う工程などがこれに当たる。剥離層6201を金属と金属酸化物との積層構造により形成した場合、レーザ光の照射によって形成される溝や鋭いナイフやメスなどによる傷などをきっかけとして、剥離層6201から物理的に引き剥がすことも容易となる。また、これら剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。被剥離層6116を作製基板6200から分離する方法としては、他に、被剥離層6116が形成された作製基板6200を、機械的に研磨などを行って除去する方法や、溶液やNF3、BrF3、ClF3等のフッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等も用いることができる。この場合は、剥離層6201を設けなくとも良い。続いて、作製基板6200から剥離され、露出した剥離層6201、若しくは被剥離層6116表面に剥離用接着剤6203とは異なる接着剤による第1の接着剤層6111を用いて転置基板6110を接着する図28C1参照。第1の接着剤層6111の材料としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。転置基板6110としては、じん性が大きい各種基板を用い、例えば、有機樹脂のフィルムや金属基板などを好適に使用することができる。じん性の大きい基板は耐衝撃性に優れ、破損し難い基板である。有機樹脂のフィルムは軽量であり、また、金属基板も薄いものは軽量であることから、通常のガラス基板を使用する場合と比較して、大幅な軽量化が可能となる。このような基板を用いることによって、軽く、破損しにくい表示装置を作製することができるようになる。このような基板を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET又はポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂PC、ポリエーテルスルフォン樹脂PES、ポリアミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル等などが挙げられる。これら有機材料からなる基板は、じん性が大きいことから、耐衝撃性にも優れ、破損しにくい基板である。また、これら有機材料は軽量であることから、通常のガラス基板と比較して、非常に軽量化された表示装置を作製することが可能となる。また、この場合、転置基板6110は、少なくとも各画素の光が透過する領域と重なる部分に開口が設けられた金属板6206をさらに備えることが好ましい構成である。この構成とすることによって、寸法変化を抑制しながらじん性が大きく、耐衝撃性が高く破損しにくい転置基板6110を構成できる。さらに、金属板6206の厚さを薄くすることで、従来のガラス基板よりも軽い転置基板6110を構成できる。このような基板を用いることによって、軽く、破損しにくい表示装置を作製することができるようになる。図28D1参照。図29は、液晶表示装置の上面図の一例を示す図である。図29のように、第1の配線層6210と第2の配線層6211とが交差し、第1の配線層6210と第2の配線層6211に囲まれた領域が光の透過する領域6212である液晶表示装置の場合、第1の配線層6210及び第2の配線層6211と重なる部分が残り、碁盤の目状に開口が設けられた金属板6206を用いれば良い。このような金属板6206を貼り合わせて用いることにより、有機樹脂からなる基板を用いたことによる合わせ精度の悪化や基板の伸びによる寸法変化を抑制することができる。なお、偏光板図示せずが必要な場合には、転置基板6110と金属板6206の間に設けても、金属板6206のさらに外側に設けても良い。偏光板はあらかじめ金属板6206に貼り付けられていても良い。なお、軽量化の観点からは、金属板6206として上記寸法安定化の効果を奏する範囲内において薄い基板を採用することが好ましい。その後、被剥離層6116から仮支持基板6202を分離する。剥離用接着剤6203は必要時に仮支持基板6202と被剥離層6116とを分離することが可能な材料で形成されているので、当該材料に合った方法により仮支持基板6202を分離すれば良い。なお、バックライトが点灯することによって、図面矢印の方向から転置基板6110に対して光が照射される図28E1参照。以上により、トランジスタから画素電極までが形成された被剥離層6116を転置基板6110上に作製することができ、軽量かつ耐衝撃性の高い素子基板を作製することができる。<変形例>上述した構成を有する表示装置は、本発明の一態様であり、当表示装置と異なる構成を備える以下の表示装置も、本発明に含まれる。上述の転置工程図28B参照の後、転置基板6110を貼り付ける前に、露出した剥離層6201、若しくは被剥離層6116表面に、金属板6206を貼り付けても良い図28C2参照。この場合、金属板6206からの汚染物質が、被剥離層6116におけるトランジスタの特性に悪影響を及ぼすことを防ぐため、バリア層6207を間に設けると良い。バリア層6207を設ける場合は、露出した剥離層6201、または被剥離層6116表面にバリア層6207を設けてから、金属板6206を貼り付ければ良い。バリア層6207は無機材料や有機材料などにより形成すれば良く、代表的には窒化シリコンなどが挙げられるが、トランジスタの汚染を防止することができれば、これらに限られることはない。バリア層6207は透光性を有する材料で形成するか、もしくは透光性を有する程度に薄い膜とするなど、少なくとも可視光に対する透光性を有するように作製する。なお、金属板6206は、剥離用接着剤6203とは異なる接着剤を用いて第2の接着剤層図示せずを形成し、接着すればよい。この後、第1の接着剤層6111を金属板6206表面に形成し、転置基板6110を貼り付け図28D2、被剥離層6116から仮支持基板6202を分離する図28E2ことにより、同様に軽量且つ耐衝撃性の高い素子基板を作製することができる。なお、バックライトが点灯することによって、図面矢印の方向から転置基板6110に対して光が照射される。このように作製した軽量かつ耐衝撃性の高い素子基板と、対向基板とを液晶層を間に挟持させてシール材で固着することによって、軽量かつ耐衝撃性の高い液晶表示装置を作製することができる。対向基板としては、じん性が大きく、可視光に対する透光性を有する基板転置基板6110に用いることが可能なプラスチック基板と同様のものを用いることができる。必要に応じてこれに偏光板、ブラックマトリクス、及び配向膜が設けられていても良い。液晶層を形成する方法としては、ディスペンサ法や注入法などを適用することができる。以上のように作製された軽量かつ耐衝撃性の高い液晶表示装置は、トランジスタなどの微細な素子の作製を、寸法安定性が比較的良好なガラス基板上などで行うことができ、また、従来どおりの作製方法の適用が可能であることから、微細な素子であっても精度良く形成することができる。このため、耐衝撃性を有しながらも、高精細で高品質な画像を提供でき、且つ軽量な液晶表示装置を提供することが可能となる。さらに、上記のように作製した液晶表示装置は、可撓性を有せしめることも可能である。