"基材上に導電膜を形成する導電膜形成方法であって、銅微粒子から成る皮膜を基材上に形成する工程と、前記皮膜を光焼成する工程と、光焼成された前記皮膜にめっきを施す工程とを有することを特徴とする導電膜形成方法。前記基材は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の導電膜形成方法。前記熱可塑性樹脂は、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル共重合体、スチレンブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン、スチレン酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリメチルメタクリレート、メタクリルスチレン共重合体、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリアミド、熱可塑性ポリウレタン及びポリテトラフルオロエチレンよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項2に記載の導電膜形成方法。前記基材は、ガラス、ガラスエポキシ、セラミックス、ステンレス、シリコンウェハー、ポリイミド及び透明ポリイミドよりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1に記載の導電膜形成方法。前記めっきは、めっき金属が銅、ニッケル、錫、クロム、パラジウム、金、ビスマス、コバルト、鉄、銀、鉛、白金、イリジウム、亜鉛、インジウム、ルテニウム及びロジウムよりなる群から選ばれる電気めっきであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の導電膜形成方法。前記めっきは、めっき金属が銅、錫、銀、ニッケル、パラジウム及び金よりなる群から選ばれる無電解めっきであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の導電膜形成方法。銅微粒子から成る皮膜を基材上に形成する前記工程は、銅微粒子が液中に分散された銅微粒子分散液から成る液膜を基材上に形成する工程と、前記液膜を乾燥する工程とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の導電膜形成方法。請求項7に記載の導電膜形成方法に用いられる銅微粒子分散液であって、中心粒子径が1nm以上100nm未満の銅微粒子と、前記銅微粒子を含有する少なくとも1種の分散媒と、前記銅微粒子を前記分散媒中で分散させる少なくとも1種の分散剤とを有することを特徴とする銅微粒子分散液。請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の導電膜形成方法によって形成された導電膜を有する回路を基板上に備えることを特徴とする回路基板。本発明は、上記問題を解決するものであり、基材の耐熱性が低くても、光焼成を利用して基材上に電気抵抗が低い導電膜を形成することが可能な導電膜形成方法、この導電膜形成方法に用いられる銅微粒子分散液、及びこの導電膜形成方法を用いて製造される回路基板を提供することを目的とする。本発明の導電膜形成方法は、基材上に導電膜を形成する方法であって、銅微粒子から成る皮膜を基材上に形成する工程と、前記皮膜を光焼成する工程と、光焼成された前記皮膜にめっきを施す工程とを有することを特徴とする。この導電膜形成方法において、前記基材は、熱可塑性樹脂であることが好ましい。この導電膜形成方法において、前記熱可塑性樹脂は、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル共重合体、スチレンブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン、スチレン酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリメチルメタクリレート、メタクリルスチレン共重合体、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリアミド、熱可塑性ポリウレタン及びポリテトラフルオロエチレンよりなる群から選ばれることが好ましい。この導電膜形成方法において、前記基材は、ガラス、ガラスエポキシ、セラミックス、ステンレス、シリコンウェハー、ポリイミド及び透明ポリイミドよりなる群から選ばれてもよい。この導電膜形成方法において、前記めっきは、めっき金属が銅、ニッケル、錫、クロム、パラジウム、金、ビスマス、コバルト、鉄、銀、鉛、白金、イリジウム、亜鉛、インジウム、ルテニウム及びロジウムよりなる群から選ばれる電気めっきであることが好ましい。この導電膜形成方法において、前記めっきは、めっき金属が銅、錫、銀、ニッケル、パラジウム及び金よりなる群から選ばれる無電解めっきであってもよい。この導電膜形成方法において、銅微粒子から成る皮膜を基材上に形成する前記工程は、銅微粒子が液中に分散された銅微粒子分散液から成る液膜を基材上に形成する工程と、前記液膜を乾燥する工程とを有することが好ましい。本発明の銅微粒子分散液は、前記導電膜形成方法に用いられるものであって、中心粒子径が1nm以上100nm未満の銅微粒子と、前記銅微粒子を含有する少なくとも1種の分散媒と、前記銅微粒子を前記分散媒中で分散させる少なくとも1種の分散剤とを有することを特徴とする。本発明の回路基板は、前記導電膜形成方法によって形成された導電膜を有する回路を基板上に備えることを特徴とする。本発明の導電膜形成方法によれば、基材の耐熱性が低くても、光焼成における光の照射エネルギーを小さくすることにより、基材上に導電膜を形成することができる。この導電膜は、めっき層を有するので、電気抵抗が低くなる。本発明の一実施形態に係る導電膜形成方法について図1a~dを参照して説明する。この導電膜形成方法は、基材1上に導電膜2を形成する方法である。図1aに示されるように、銅微粒子分散液から成る液膜3aが基材1上に形成される。銅微粒子分散液は、銅微粒子4が液中に分散された液体である。基材1は、耐熱性が低くてもよく、例えば、熱可塑性樹脂から成る基板である。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリル共重合体、スチレンブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリエチレン、スチレン酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリメチルメタクリレート、メタクリルスチレン共重合体、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリアミド、熱可塑性ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられるが、これらに限定されない。基材1上の液膜3aは、例えば、印刷法で形成される。印刷法では、銅微粒子分散液が印刷用のインクとして用いられ、印刷装置によって基材1上に所定のパターンが印刷され、そのパターンの液膜3aが形成される。次に、液膜3aが乾燥される。液膜3aの乾燥によって、図1bに示されるように、銅微粒子4が基材1上に残り、銅微粒子4から成る皮膜3bが基材1上に形成される。次に、銅微粒子4から成る皮膜3bに光が照射され、この皮膜3bが光焼成される。光焼成において、皮膜3b内の銅微粒子4の表面酸化皮膜の還元と、銅微粒子4の焼結とが起きる。図1cに示されるように、銅微粒子4は、焼結において互いに溶融し、基材1に溶着する。光焼成は、大気下、室温で行われる。光焼成に用いられる光源は、例えば、キセノンランプである。光源にレーザー装置を用いてもよい。光源から照射される光の照射エネルギーは、基材1の耐熱性に応じて設定され、0.1J/cm2以上、100J/cm2以下である。照射時間は、0.1ms以上、100ms以下である。照射回数は、1回でも複数回の多段照射でもよい。光の照射によって光焼成された皮膜3cは、バルク化して導電性となるとともに、基材1に密着する。この皮膜3cは、導電性であれば、電気抵抗シート抵抗が高くても構わない。次に、光焼成された皮膜3cにめっきが施される。このめっきは、電気めっき又は無電解めっきである。電気めっきにおけるめっき金属は、銅、ニッケル、錫、クロム、パラジウム、金、ビスマス、コバルト、鉄、銀、鉛、白金、イリジウム、亜鉛、インジウム、ルテニウム、ロジウム等が挙げられるが、これらに限定されない。無電解めっきにおけるめっき金属は、銅、錫、銀、ニッケル、パラジウム、金等が挙げられるが、これらに限定されない。めっきは合金めっきであってもよい。電気めっきにおいては、光焼成された皮膜3cは、めっき液に浸漬され、シード層としての陰極となる。無電解めっきにおいては、光焼成された皮膜3cは、めっき液に含まれる還元剤の酸化反応に対して触媒活性なシード層となる。図1dに示されるように、めっきによって、皮膜3c上にめっき層21が形成されて導電膜2の膜厚が増大するめっき増膜される。めっきが施される前の導電膜の膜厚は、約0.01μm以上2μm以下である。めっきが施された後の導電膜2の膜厚は、約0.1μm以上50μm以下である。この導電膜形成方法おいて、耐熱性が低い材料を基材1に用いる場合、銅微粒子4から成る皮膜3bに照射される光のエネルギーは、基材1を損傷しないように低く設定される。このため、光焼成された皮膜3cは、バルク化が不十分となって、電気抵抗シート抵抗が高くなる。この皮膜3cは、電気抵抗が高いが、導電性を有しているので、電気めっきにおけるシード層として用いることができる。また、無電解めっきにおいては、シード層の電気抵抗は問題とならない。したがって、光焼成された皮膜3cにめっきを施すことができる。導電膜2は、めっき層21を有するので、導電膜2の電気抵抗はバルク金属の抵抗値となる。耐熱性が低い材料を基材1に用いた場合、銅微粒子4から成る皮膜3bを光焼成して形成される皮膜3cは、基材1とは密着性が得られるが、皮膜3cの膜内で剥離し易い。これは、光焼成における光の照射エネルギーが小さいため、皮膜3cのバルク化が不十分となるためである。ところが、耐熱性が低い基材1上に形成された皮膜3cにめっきを施すと、形成された導電膜2が剥離し難くなることを、本願発明の発明者が実験によって発見した。特に、基材1にポリエチレンテレフタラートPETを用いた場合、導電膜2の密着性が良くなる。ポリエチレンテレフタラートは、熱可塑性樹脂であり、連続耐熱温度が約150°Cと低い。このような導電膜2の密着性の良さは、下記のような作用によると考えられる。銅微粒子4から成る皮膜3bが光焼成される時、銅微粒子4は、光のエネルギーを吸収して発熱し、基材1に接している銅微粒子4は、耐熱性が低い基材1にくい込むように強く溶着する。光焼成された皮膜3cは、光焼成によるバルク化が不十分なために銅微粒子4間に隙間があっても、めっきにおいて析出する金属でその隙間が充填されるので、バルク化される。このようなバルク化によって形成された導電膜2は、基材1に強く溶着した銅微粒子4がアンカーとなって基材1からの剥離が防がれる。なお、上記の作用は、実験結果を説明するための一説であり、本発明を限定するものではない。一方、ガラスやポリイミド等の耐熱性が高い材料を基材1に用いた場合、銅微粒子4から成る皮膜3bを光焼成して形成される皮膜3cは、粘着テープで剥がれない程度に基材1との密着性が良く、電気抵抗シート抵抗が低い。これは、光焼成における光の照射エネルギーを大きくできるので、皮膜3cの基材1への溶着とバルク化が十分に行われるためである。この皮膜3cの電気抵抗をさらに低くするためには、膜厚を増大する必要がある。膜厚を増大する方法として、皮膜3cにめっきを施すことが考えられる。しかし、耐熱性が高い基材1上に形成された皮膜3cにめっきを施して導電膜2を形成すると、導電膜2が基材1から剥離し易くなることを、本願発明の発明者が実験によって発見した。このような、めっきによる導電膜2の密着性の低下は、下記のような作用によると考えられる。銅微粒子4から成る皮膜3bを光焼成して形成される皮膜3cは、光焼成における光の照射エネルギーが十分に大きければ、粘着テープで剥がれない程度に基材1との密着性が良いが、基材1の耐熱性が高いために、耐熱性の低い基材に比べて銅微粒子4の溶着が充分ではない。このため、皮膜3cにめっきを施して形成された導電膜2は、導電膜2のめっき層21内に残留する内部応力によって、基材1から剥離し易くなる。なお、上記の作用は、実験結果を説明するための一説であり、本発明を限定するものではない。ただし、導電膜2及び基材1の露出面の上にさらに別の層を積層する場合や樹脂等で封止する等の場合は、導電膜2の剥離が防がれるので、耐熱性が高い材料を基材1に用いても構わない。耐熱性が高い材料としては、ガラス、ガラスエポキシ、セラミックス、ステンレス、シリコンウェハー、ポリイミド、透明ポリイミド等が挙げられるが、これらに限定されない。基材1上の導電膜2は、めっき層21を有することによって、膜厚が増大するので、電気抵抗が低くなり、電流容量が大きくなる。この導電膜形成方法に用いられる銅微粒子分散液について詳述する。銅微粒子分散液は、中心粒子径が1nm以上100nm未満の銅微粒子銅ナノ粒子と、この銅微粒子を含有する少なくとも1種の分散媒と、少なくとも1種の分散剤とを有する。分散媒は、例えば、プロトン性分散媒又は比誘電率が30以上の非プロトン性の極性分散媒である。分散剤は、銅微粒子を分散媒中で分散させるものであり、例えば、少なくとも1個の酸性官能基を有し、分子量が200以上100000以下の化合物又はその塩である。プロトン性分散媒としては、例えば、3-メトキシ-3-メチルブタノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ-tert-ブチルエーテル、2-オクタノール、2-メチルペンタン-2,4-ジオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,5-ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、ソルビトール等が挙げられるが、これらに限定されない。比誘電率が30以上の非プロトン性極性分散媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、ヘキサメチルフォスフォラミド、N-メチルピロリドン、N-エチルピロリドン、ニトロベンゼン、N、N-ジエチルホルムアミド、N、N-ジメチルアセトアミド、フルフラール、γ-ブチロラクトン、エチレンスルファイト、スルホラン、ジメチルスルホキシド、スクシノニトリル、エチレンカーボネート等が挙げられるが、これらに限定されない。分散剤は、例えば、リン酸基、ホスホン酸基、スルホン酸基、硫酸基、又はカルボキシル基等を酸性官能基として有する。上記の導電膜形成方法を用いて製造される回路基板について説明する。この回路基板は、回路を基板上に有する。基板は、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート等の材料を板状に成形したものであり、例えば、フレキシブル基板又はリジッド基板である。回路は、この導電膜形成方法によって形成された導電膜を有する。導電膜は、例えば、回路素子間を電気的に接続する導線を構成する。導電膜は、回路素子又はその一部、例えば、コイル、キャパシターの電極等を構成してもよい。以上、本実施形態に係る導電膜形成方法によれば、基材1の耐熱性が低くても、光焼成における光の照射エネルギーを小さくすることにより、基材1上に導電膜2を形成することができる。この導電膜2は、めっき層21を有するので、電気抵抗が低くなる。熱可塑性樹脂等の耐熱性が低い材料を基材1に用いた場合、光焼成における光の照射エネルギーを小さくしても、導電膜2は、基材1に溶着し、めっきによって導電膜2がバルク化されるので、基材1からの剥離が防がれるとともに電気抵抗が低くなる。耐熱性の高い材料を基材1に用いた場合、導電膜2は、めっきによって膜厚が増大するので、電気抵抗が低くなり、電流容量が大きくなる。この導電膜形成方法において、銅微粒子4から成る皮膜3bは、銅微粒子分散液を用いることによって、印刷法等によって容易に形成することができる。導電膜形成方法に用いられる銅微粒子分散液は、銅微粒子4の粒径が小さく、分散剤を有するので、銅微粒子4を分散媒中に分散することができる。この導電膜形成方法を用いて回路基板を製造することにより、耐熱性が低い樹脂から成る基板上に電気抵抗の低い導電膜2を形成することができる。本発明の導電膜形成方法を用い、実施例として基材1上に導電膜2を形成し、形成された導電膜2について試験、評価を行った。中心粒子径20nmの銅微粒子を用い、分散媒をプロトン性とし、分散剤を酸性官能基を有する化合物とした銅微粒子分散液を作った。基材1としてポリエチレンテレフタラートPET製の基板DuPont社製、商品名MELINEX登録商標STXRF26、膜厚約50μmを用いた。ポリエチレンテレフタラートの連続耐熱温度は、約150°Cである。この基板上に銅微粒子分散液の液膜3aを形成した。この液膜3aを乾燥して銅微粒子4から成る皮膜3bを形成した。この皮膜3bをキセノンランプを有するフラッシュ照射装置で光焼成して試料基板を作った。光焼成における照射エネルギーの大きさは、基板を熱損傷しないように設定した。試料基板における光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、10Ω/□であった。次に、電気銅めっき液を建浴した。電気銅めっきは、めっき金属が銅である電気めっきである。このめっき液の組成は、2価の銅イオンの供給源として硫酸銅五水和物を120g/L、硫酸を180g/L、塩酸を25ppm、及び純水残余とした。試料基板を10wt硫酸中で前処理を施し、直ちに純水で洗浄した。そして、上記の電気銅めっき液に浸漬し、液温25°C、陰極電流密度4.0A/dm2の条件で試料基板に電気銅めっきを施した。試料基板を、純水で洗浄し、乾燥した。試料基板における導電膜2のめっき厚は、10μmであった。導電膜2の密着性を100マスによる碁盤目テープ法JISK5400によって試験した。この試験において、導電膜2の試験面に1mm×1mm四方の100マスの碁盤目の切り傷を入れ、碁盤目部分に粘着テープを貼り付け、粘着テープを引き剥がし、試験面を観察した。100マスのうち剥離しなかったマスは、100マスであった。基材1としてポリイミド製の基板東レデュポン社製、商品名カプトンEN、膜厚約50μmを用いた以外は、実施例1と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。ポリイミドの連続耐熱温度は、400°C以上である。光焼成における照射エネルギーは、実施例1よりも大きくした。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1Ω/□であった。この皮膜3cに実施例1と同様に電気銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、10μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。基材1としてガラス製の基板スライドガラスを用いた以外は、実施例1と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。光焼成における照射エネルギーは、実施例2よりも大きくした。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1Ω/□であった。この皮膜3cに実施例1と同様に電気銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、10μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。実施例1と同様にして、ポリエチレンテレフタラート製の基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成して試料基板を作った。試料基板における光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、4Ω/□~40Ω/□であった。次に、無電解銅めっき液を建浴した。このめっき液の組成は、2価の銅イオンの供給源として硫酸銅五水和物を2.0g/L、還元剤としてホルムアルデヒドを5.0g/L、キレート剤としてEDTAエチレンジアミン四酢酸を30.0g/L、pH調整剤として水酸化ナトリウムを9.6g/L、及び純水残余とした。めっき液のpH20°Cは、12.8に調整した。試料基板を純水で洗浄した後、上記の無電解銅めっき液中に浸漬し、液温50°Cの条件で無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2を形成した試料基板を、純水で洗浄し、乾燥した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、100マスであった。基材としてポリエチレンナフタレート製の基板帝人デュポン社製、商品名テオネックスQ51、膜厚約100μmを用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。ポリエチレンナフタレートの連続耐熱温度は、160°C~180°Cである。光焼成における照射エネルギーは、基板を熱損傷しないように設定した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1Ω/□~1.2Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、100マスであった。基材としてポリメチルメタクリレートアクリル製の基板を用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。ポリメチルメタクリレートの連続耐熱温度は、60°C~94°Cである。光焼成における照射エネルギーは、基板を熱損傷しないように設定した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、約100000Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、100マスであった。基材としてポリプロピレン製の基板を用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。ポリプロピレンの連続耐熱温度は、107°C~150°Cである。光焼成における照射エネルギーは、基板を熱損傷しないように設定した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、100Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、100マスであった。基材1としてアルミナ製の基板を用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。光焼成における照射エネルギーは、実施例4よりも大きくした。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。基材1としてシリコンウェハーを用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、0.5Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。基材1としてポリイミド製の基板東レデュポン社製、商品名カプトンEN、膜厚約50μmを用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。基材1として透明ポリイミド製の基板を用いた以外は、実施例4と同様にして基板上に銅微粒子4から成る皮膜3bを形成し、この皮膜3bを光焼成した。光焼成した皮膜3cのシート抵抗は、1000Ω/□であった。この皮膜3cに実施例4と同様に無電解銅めっきを施して導電膜2を形成した。導電膜2のめっき厚は、3μmであった。この導電膜2の密着性を碁盤目テープ法で試験した。100マスのうち剥離しなかったマスは、0マスであった。上記の実施例1~3から、光焼成した皮膜3c上に電気めっきを施すことができることが確認された。実施例4~11から、光焼成した皮膜3c上に無電解めっきを施すことができることが確認された。また、実施例1、4~7から、耐熱性が低い材料を基材1に用いた場合、めっきが施された導電膜2の密着性が良いことが確認された。なお、本発明は、上記の実施形態の構成に限られず、発明の要旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、基材1の形状は、板状に限られず、任意の3次元形状であってもよい。"