"光を電荷に変換する光電変換部と、前記電荷を浮遊拡散領域に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散領域に転送された前記電荷に応じた画素信号を出力する増幅トランジスタと、前記画素信号を選択的に信号線に読み出す選択トランジスタとを有する複数の画素と、複数の前記画素の前記浮遊拡散領域同士を連結する連結スイッチと、前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を複数の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出す読出し制御部と、を備えることを特徴とする固体撮像素子。請求項1に記載の固体撮像素子において、前記読出し制御部は、N-1個Nは2以上の整数の前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を2個以上N個以下の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出すことを特徴とする固体撮像素子。請求項1または2に記載の固体撮像素子において、前記浮遊拡散領域に接続され、前記浮遊拡散領域の前記電荷をリセットするリセットトランジスタをさらに備えることを特徴とする固体撮像素子。請求項1から3のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、前記増幅トランジスタは電界効果トランジスタであることを特徴とする固体撮像素子。光を電荷に変換する光電変換部と、前記電荷を浮遊拡散領域に転送する転送トランジスタとを有する複数の受光部と、前記浮遊拡散領域に転送された前記電荷に応じた画素信号を出力する増幅トランジスタと、前記画素信号を選択的に信号線に読み出す選択トランジスタと、複数の前記浮遊拡散領域同士を連結する連結スイッチと、前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を複数の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出す読出し制御部と、を備えることを特徴とする固体撮像素子。請求項5に記載の固体撮像素子において、前記読出し制御部は、N-1個Nは2以上の整数の前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を2個以上N個以下の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出すことを特徴とする固体撮像素子。請求項5または6に記載の固体撮像素子において、前記浮遊拡散領域は、複数の前記受光部の光電変換部からの電荷が転送されることを特徴とする固体撮像素子。請求項5から7のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、前記浮遊拡散領域の電荷をリセットするリセットトランジスタをさらに備えることを特徴とする固体撮像素子。請求項5から8のいずれか一項に記載の固体撮像素子において、前記増幅トランジスタは電界効果トランジスタであることを特徴とする固体撮像素子。固体撮像素子のノイズの1つであるランダム性輝点の主因はRTSノイズRandomTelegraphSignalNoiseであるが、RTSノイズの強さは、増幅トランジスタのゲート酸化膜容量Cox、ゲート長L、ゲート幅Wの積に反比例することが知られている。ところが、近年の固体撮像素子の小型化や高解像度化に伴って、増幅トランジスタの微細化が求められ、RTSノイズは悪化する傾向にある。上記課題に鑑み、本発明の目的は、増幅トランジスタのRTSノイズを低減できる固体撮像素子を提供することにある。本発明に係る固体撮像素子は、光を電荷に変換する光電変換部と、前記電荷を浮遊拡散領域に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散領域に転送された前記電荷に応じた画素信号を出力する増幅トランジスタと、前記画素信号を選択的に信号線に読み出す選択トランジスタとを有する複数の画素と、複数の前記画素の前記浮遊拡散領域同士を連結する連結スイッチと、前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を複数の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出す読出し制御部と、を備えることを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子は、光を電荷に変換する光電変換部と、前記電荷を浮遊拡散領域に転送する転送トランジスタとを有する複数の受光部と、前記浮遊拡散領域に転送された前記電荷に応じた画素信号を出力する増幅トランジスタと、前記画素信号を選択的に信号線に読み出す選択トランジスタと、複数の前記浮遊拡散領域同士を連結する連結スイッチと、前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を複数の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出す読出し制御部と、を備えることを特徴とする。特に、前記読出し制御部は、N-1個Nは2以上の整数の前記連結スイッチにより連結された前記浮遊拡散領域の前記電荷に応じた前記画素信号を2個以上N個以下の前記選択トランジスタを介して前記信号線に読み出すことを特徴とする。また、前記浮遊拡散領域に接続され、前記浮遊拡散領域の前記電荷をリセットするリセットトランジスタをさらに備えることを特徴とする。さらに、前記増幅トランジスタは電界効果トランジスタであることを特徴とする。また、前記浮遊拡散領域は、複数の前記転送トランジスタと接続され、前記転送トランジスタは、複数の前記光電変換部からの前記電荷を前記浮遊拡散領域に転送することを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子は、増幅トランジスタのRTSノイズを低減することができる。以下、本発明に係る固体撮像素子の実施形態について図面を用いて詳しく説明する。[固体撮像素子101の構成]図1は、本発明に係る固体撮像素子101の構成を示すブロック図である。図1において、固体撮像素子101は、画素部102と、垂直走査回路103と、カラム回路104と、水平出力回路105とを有する。画素部102は、N行M列N,Mは自然数の行列状に配置された複数の画素を有し、例えば3200×2400画素などで構成される。ここで、一般的な固体撮像素子の場合は、入射光量に応じた電荷を蓄積する回路と、蓄積された電荷量に応じた電気信号を読み出す回路とが各画素毎に1つずつ設けられているが、図1に示した固体撮像素子101では、入射光量に応じた電荷を蓄積する回路が各画素毎に1つずつ設けられ、蓄積された電荷量に応じた電気信号を読み出す回路は複数の画素図1の例では隣接するペアとなる行の2つの画素で共用している。特に、本実施形態に係る固体撮像素子101では、電荷を蓄積する浮遊拡散領域FDを複数の行図1の例では2行単位で連結するための連結スイッチが配置されている。尚、画素部102の詳細な構成例については、後で説明する。垂直走査回路103は、画素部102の各画素で光電変換されて蓄積された電荷を各列に配置された垂直信号線VLINEに読み出すための複数のタイミング信号を出力する。尚、垂直走査回路103は、固体撮像素子101の外部から与えられるクロックや制御信号によって動作するが、図1では省略してある。カラム回路104は、PGAProgramableGainAmplifier:可変ゲインアンプ回路、ADCAnalogDigitalConverter:AD変換器回路などで構成される。水平出力回路105は、画素部102から行単位で読み出される信号を一時的に保持し、1画素毎に固体撮像素子101の外部に読み出す。尚、水平出力回路105は、垂直走査回路103の読み出しタイミングに同期して動作するが、図1では省略してある。[画素部102の構成]図1において、画素部102は、入射光量に応じた電荷を蓄積する画素p1,p2と、蓄積された電荷量に応じた電気信号を読み出す読出回路aと、電荷を蓄積する浮遊拡散領域FD1,FD2を画素間で連結するか否かを切り替えるための連結スイッチFDSWとを有する。尚、図1では、ペアとなる2行を1組として、n-1,n,n1の3組の6行2列で構成される12個の画素p1,p2を中心として描いてある。そして、各組は、画素p1の行と画素p2の行の2行で構成され、画素p1と画素p2とで共用される1つの読出回路aが配置されている。ここで、N行M列の画素のうちペアとなる2行に配置された画素を画素p1および画素p2と表記する。従って、各列の画素p1および画素p2はそれぞれN/2個となり、読出回路aもN/2個である。尚、nは2行を1つとする組番号に対応し、1からN/2までの整数である。また、以降の説明において、便宜上、N/2をKKは1からN/2までの整数と置く。例えば図1の画素部102において、n-1組の行の1列目は、画素p1n-1,1と、画素p2n-1,1とを有し、画素p1n-1,1または画素p2n-1,1から共用して信号を読み出す1つの読出回路an-1,1が配置されている。同様に、2列目は、画素p1n-1,2と、画素p2n-1,2とを有し、画素p1n-1,2または画素p2n-1,2から共用して信号を読み出す1つの読出回路an-1,2が配置されている。次に、画素部102の画素配列について、図2を用いて説明する。図2において、画素部102は、N行M列K組M列に対応のN×M個の画素画素p1および画素p2がベイヤー配列で配置されており、各組毎にRGB三色のカラー信号が得られる。例えばK=1組目において、1行1列目の画素p11,1はR画素、2行1列目の画素p21,1はG画素、1行2列目の画素p11,2はG画素、2行2列目の画素p21,2はB画素で、その他の列および組行も同様にRGBの各フィルタを有する画素が配置され、カラー画像を撮影することができる。ここで、各実施形態の説明において、N行M列K組M列に対応のN×M個の画素p1および画素p2のうち特定の画素を指す場合は座標組番号,列番号を付加して、例えば画素p11,1、p21,1のように表記し、全ての画素に共通の場合は座標を省略して画素p1または画素p2と表記する。また、読出回路aや連結スイッチFDSWについても同様に、特定の回路を指す場合は座標組番号,列番号を付加して、例えば読出回路a1,1や連結スイッチFDSW1,1のように表記し、全てに共通の場合は座標を省略して読出回路aや連結スイッチFDSWと表記する。さらに、垂直信号線VLINEやカラム回路104についても同様に、特定の回路を指す場合は列番号を付加して、例えば垂直信号線VLINE1やカラム回路1041のように表記し、全てに共通の場合は列番号を省略して垂直信号線VLINEやカラム回路104と表記する。[回路例]次に、画素p1および画素p2、読出回路a、連結スイッチFDSWの具体的な回路例について図3を用いて説明する。尚、図3は、図1に示した1列目のn-1,n,n1の3組に対応する6行分の画素p1n-1,1および画素p2nー1,1から画素p1n1,1および画素p2n1,1までの6個の画素と、読出回路an-1,1から読出回路an1,1までの3つの読出回路aと、連結スイッチFDSWn-1,1から連結スイッチFDSWn1,1までの3つの連結スイッチFDSWの回路例を示している。例えば図3において、画素p1n,1は、フォトダイオードPD1n,1と、転送トランジスタTXTr1n,1と、浮遊拡散領域FD1n,1とを有する。同様に、画素p2n,1は、フォトダイオードPD2n,1と、転送トランジスタTXTr2n,1と、浮遊拡散領域FD2n,1とを有する。尚、その他の画素p1n-1,1、画素p2nー1,1、画素p1n1,1、画素p2n1,1についても同じ回路構成である。読出回路an,1は、増幅トランジスタAMTrn,1と、選択トランジスタSELTrn,1と、リセットトランジスタRSTTrn,1とを有する。尚、その他の読出回路an-1,1および読出回路an1,1についても同様の回路構成である。連結スイッチFDSWn,1は、連結トランジスタFDSWTrn,1で構成される。尚、その他の連結スイッチFDSWn-1,1および連結トランジスタFDSWTrn1,1についても同様の回路構成である。ここで、例えば連結スイッチFDSWn,1および連結スイッチFDSWn1,1がオフの場合、読出回路an,1は、画素p1n,1または画素p2n,1で光電変換された電荷量に応じた電気信号を垂直信号線VLINE1に出力する。同様に、読出回路an1,1は、画素p1n1,1または画素p2n1,1で光電変換された電荷量に応じた電気信号を垂直信号線VLINE1に出力する。その他の組またはその他の列の読出回路aについても同様に動作する。このように、読出回路aの上下に配置された連結スイッチFDSWがオフの場合は、読出回路aはペアとなる2つの画素p1または画素p2から信号を読み出すだけの従来回路と同じである。尚、ペアとなる同じ組の2つの画素p1および画素p2の何れの画素で光電変換された信号を読み出すかは、垂直走査回路103から出力されるタイミング信号VTX1またはVTX2により選択される。ここで、先に説明した画素p1などの表記と同様に、垂直走査回路103から出力される各タイミング信号についても表記する。例えばタイミング信号VTX1およびタイミング信号VTX2が特定の画素に与えられることを説明する場合は、座標組番号,列番号を付加して、例えばタイミング信号VTX1n,1、タイミング信号VTX2n,1のように表記し、全ての画素に共通の場合は座標を省略してタイミング信号VTX1およびタイミング信号VTX2と表記する。その他のタイミング信号についても同様である。一方、連結スイッチFDSWがオンの場合は、複数の浮遊拡散領域が連結スイッチFDSWによって電気的に接続される。つまり、各組のペアとなる2つの画素の浮遊拡散領域FD1およびFD2を連結スイッチFDSWによって複数の組の他の浮遊拡散領域FD1およびFD2と連結することができ、且つ、複数の読出回路aで並列に電気信号を垂直信号線VLINEに読み出すことができる。例えば図3において、連結スイッチFDSWn,1は、画素p1n-1,1および画素p2n-1,1の浮遊拡散領域FD1n-1,1およびFD2n-1,1と、画素p1n,1および画素p2n,1の浮遊拡散領域FD1n,1およびFD2n,1とを連結することができる。且つ、読出回路an-1,1および読出回路an,1の増幅トランジスタAMTrn-1,1と増幅トランジスタAMTrn,1のゲートも接続されるので、選択トランジスタSELTrn-1,1および選択トランジスタSELTrn,1の両方をオンすることにより、読出回路an-1,1および読出回路an,1から連結された浮遊拡散領域に蓄積されている電荷量に応じた電気信号を垂直信号線VLINE1に並列に読み出すことができる。さらに、連結スイッチFDSWn1,1をオンすると、画素p1n-1,1および画素p2n-1,1の浮遊拡散領域FD1n-1,1およびFD2n-1,1と、画素p1n,1および画素p2n,1の浮遊拡散領域FD1n,1およびFD2n,1と、画素p1n1,1および画素p2n1,1の浮遊拡散領域FD1n1,1およびFD2n1,1とを連結することができる。この場合、読出回路an-1,1と読出回路an,1と読出回路an1,1の増幅トランジスタAMTrn-1,1と増幅トランジスタAMTrn,1と増幅トランジスタAMTrn1,1の3つのゲートも並列に接続されるので、選択トランジスタSELTrn-1,1と選択トランジスタSELTrn,1と選択トランジスタSELTrn1,1とをオンすることにより、連結された浮遊拡散領域に蓄積されている電荷量に応じた電気信号を並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。このように、複数の画素p1,p2の浮遊拡散領域FD1,FD2を連結し、且つ、複数の読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に垂直信号線VLINEに読み出すことができるので、増幅トランジスタAMTrに起因するRTSノイズを低減することができる。尚、図3の例では、わかり易いように浮遊拡散領域FD1またはFD2を各画素に設けたが、ペアとなる画素p1と画素p2で共用化してもよい。例えばn組のペアとなる画素p1n,1および画素p2n,1には、それぞれ浮遊拡散領域FD1n,1および浮遊拡散領域FD2n,1が配置されているが、1つにまとめてFDn,1のようにしてもよい。いずれの場合でも、浮遊拡散領域FDには複数のフォトダイオードPDPD1,PD2から電荷が転送される。また、本実施形態に係る固体撮像素子101では、ペアとなる2つの画素p1,p2に対して1つの読出回路aを配置したが、従来のように各画素毎に読出回路を配置する場合でも、本実施形態のように連結スイッチFDSWを設けて各画素の浮遊拡散領域を連結し、連結した浮遊拡散領域に対応する複数の読出回路の増幅トランジスタAMTrにより並列に信号を読み出すことにより同様の効果が得られる。ここで、連結された浮遊拡散領域に蓄積されている電荷量に応じた電気信号を複数の読出回路aで並列に垂直信号線VLINEに読み出すことによって、増幅トランジスタAMTrに起因するRTSノイズが低減できる理由について説明する。図4は、増幅トランジスタAMTrの半導体構造の一例を示す図である。図4において、gはゲート、sはソース、dはドレインである。また、Toxはゲート酸化膜、Lはゲート長、Wはゲート幅である。ここで、RSTノイズは、ゲート酸化膜Toxの容量をCoxとして、RSTノイズの強さRSTは式1で表すことができ、ゲート酸化膜容量Coxと、ゲート長Lと、ゲート幅Wとに反比例する。RST∝1/√LWCox式1つまり、ゲート酸化膜容量Cox、ゲート長L、ゲート幅Wのいずれかを大きくすれば、RTSノイズは低減できるが、ゲート酸化膜容量Cox、ゲート長L、ゲート幅Wのいずれも大きくすると増幅トランジスタAMTrの半導体構造自体が大きくなってしまう。これは、近年の固体撮像素子の高解像度化や小型化に伴う半導体の微細化に適していない。そこで、本実施形態に係る固体撮像素子101では、複数の読出回路aの増幅トランジスタAMTrを並列にして動作させることにより、見かけ上のゲート幅Wを大きくしてRSTノイズを低減することができる。例えば図5aは、1つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrと選択トランジスタSELTrが浮遊拡散領域FDに蓄積された電荷量に応じた電気信号を垂直信号線VLINEに読み出す部分の回路を描いた図である。一方、図5bは、3つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrと選択トランジスタSELTrが連結された3つの浮遊拡散領域FDに蓄積された電荷量に応じた電気信号を垂直信号線VLINEに読み出す部分の回路を描いた図である。ここで、光電変換するフォトダイオードPDの数が同じであれば、1つの浮遊拡散領域に蓄積される電荷量と連結後の複数の浮遊拡散領域FDに蓄積される電荷量とは同じであるが、図5aでは1つの増幅トランジスタAMTrにより読み出され、図5bでは3つの増幅トランジスタAMTrにより並列に読み出される点が異なる。これにより、図4で説明した増幅トランジスタAMTrのゲート幅Wが見かけ上3倍に広がったことと等価となり、式1のWが3倍になるので、RSTノイズの強さRSTを1/√3に低減することができる。次に、増幅トランジスタAMTrで並列読み出しを行う場合の具体例について説明する。本実施形態に係る固体撮像素子101は、垂直走査回路103が画素部102に出力する各タイミング信号のタイミングによって、様々な読み出し方を実現することができる。ここでは、1つの画素で光電変換された電荷を複数の画素の浮遊拡散領域に蓄積するFD連結を行う場合と、複数の画素で光電変換されて浮遊拡散領域に蓄積された電荷を混合する画素混合の場合の2つの具体例について説明する。[FD連結のタイミングチャート]先ず、図3に示した回路において、FD連結による読み出しを行う場合のタイミングチャートについて図6を用いて説明する。尚、図6の各タイミング信号は、図1および図3のタイミング信号と同じものである。また、図6において、各タイミング信号はHighレベルでトランジスタがオン、Lowレベルでトランジスタがオフするものとする。さらに、図6において、1Hは1行毎に読み出す期間を示し、この期間で他の列の各画素からも同様に信号が読み出される。図6において、先ずタイミング信号VFDSWn-1はLowレベルなので連結スイッチFDSWn-1,1はオフである。そして、時刻T1からT2の期間でタイミング信号VRSTn-1,VRSTnがHighレベルになるのでリセットトランジスタRSTTrn-1,1,RSTTrn,1がオンし、浮遊拡散領域FD1n-1,1,FD2n-1,1,FD1n,1,FD2n,1に蓄積されていた電荷がリセットされる。尚、他のリセットトランジスタRSTTrも同時にリセットするようにしてもよいが、ここでは動作がわかり易いように、読み出す画素に対応する浮遊拡散領域の電荷を読み出し前にその都度リセットするものとして説明する。また、リセットトランジスタRSTTrn-1,1,RSTTrn,1の両方をオンにするようにしたが、少なくとも1つのリセットトランジスタRSTTrをオンするようにしてもよい。次に、時刻T3からT4の期間でタイミング信号VTX1n-1がHighレベルになるので転送トランジスタTXTr1n-1,1がオンし、フォトダイオードPD1n-1,1で光電変換された電荷が浮遊拡散領域FD1n-1,1およびFD2n-1,1に転送される。この時、時刻T1からT5の期間でタイミング信号VFDSWnがHighレベルになっており、連結スイッチFDSWn,1がオンの状態なので、フォトダイオードPD1n-1,1で光電変換された電荷は、浮遊拡散領域FD1n-1,1およびFD2n-1,1だけでなく、浮遊拡散領域FD1n,1およびFD2n,1にも分割して蓄積される。実際には、時刻T3からT4の期間はタイミング信号VSELn-1およびVSELnがHighレベルなので、選択トランジスタSELTrn-1,1およびSELTrn,1はオンされた状態にあり、増幅トランジスタAMTrn-1,1およびAMTrn,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出される。尚、フォトダイオードPD1n-1,1のペアとなる行のフォトダイオードPD2n-1,1で光電変換された電荷を読み出す場合の動作およびタイミングについての詳しい説明は省略するが、図6のタイミングチャートの時刻T3からT4の期間でタイミング信号VTX2n-1をHighレベルにして転送トランジスタTXTr2n-1,1をオンするようにすれば、上記の例と同様にフォトダイオードPD2n-1,1で光電変換された電荷を増幅トランジスタAMTrn-1,1およびAMTrn,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。次に、時刻T5からT6の期間でタイミング信号VRSTn,VRSTn1がHighレベルになるのでリセットトランジスタRSTTrn,1,RSTTrn1,1がオンし、浮遊拡散領域FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1,FD2n1,1に蓄積されていた電荷がリセットされる。そして、時刻T7からT8の期間でタイミング信号VTX1nがHighレベルになるので転送トランジスタTXTr1n,1がオンする。この時、時刻T5からT9の期間でタイミング信号VFDSWn1がHighレベルになっており、連結スイッチFDSWn1,1がオンの状態なので、フォトダイオードPD1n,1で光電変換された電荷は、浮遊拡散領域FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1およびFD2n1,1に分割して蓄積される。実際には、時刻T3からT4の期間と同様に、時刻T7からT8の期間はタイミング信号VSELnおよびVSELn1がHighレベルなので、選択トランジスタSELTrn,1およびSELTrn1,1はオンされた状態にあり、増幅トランジスタAMTrn,1およびAMTrn1,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出される。尚、フォトダイオードPD2n,1で光電変換された電荷を読み出す場合の動作およびタイミングについては省略するが、例えば図6のタイミングチャートの時刻T7からT8の期間でタイミング信号VTX2nをHighレベルにして転送トランジスタTXTr2n,1をオンするようにすれば、同様にフォトダイオードPD2n,1で光電変換された電荷を増幅トランジスタAMTrn,1およびAMTrn1,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。以下、時刻T9以降において、フォトダイオードPD1n1,1およびPD2n1,1についても同様のタイミングで光電変換された電荷を2つの増幅トランジスタAMTrn1,1およびAMTrn2,1で並列に読み出すことができる。他のn2やn3の場合も同様のタイミングで動作し、固体撮像素子101から1画面分の画像データを読み出すことができる。このように、特定の画素で光電変換された電荷を連結された浮遊拡散領域に蓄積し、且つ、複数の読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に垂直信号線VLINEに読み出すことにより、増幅トランジスタAMTrに起因するRTSノイズを低減することができる。尚、上記の説明では、1つの連結スイッチFDSWをオンして2つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に信号を読み出すようにしたが、2つの連結スイッチFDSWをオンして3つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に信号を読み出すようにしてもよい。また、3つ以上の連結スイッチFDSWをオンにしてもよく、この場合はオンする連結スイッチFDSWの数をJ個Jは自然数とすると、並列読出しする増幅トランジスタAMTrの数はJ1個になり、RSTノイズは理論的に1/√J1に低減できる。尚、上記の実施形態では、オンする連結スイッチFDSWの数は、並列読み出しする読出回路aの増幅トランジスタAMTrの数より1つ少ない場合について説明したが、オンする連結スイッチFDSWの数が4つで、対応する3つの選択トランジスタSELTrのうち2つだけオンして、2つの増幅トランジスタAMTrで並列読み出しするようにしてもよい。この場合のRSTノイズは、理論的に1/√2に低減できる。つまり、並列読み出しする増幅トランジスタAMTrの数が2つ以上J個以下であれば同様の効果が得られる。[画素混合のタイミングチャート]次に、図3に示した回路において、画素混合による読み出しを行う場合のタイミングチャートについて図7を用いて説明する。尚、図7の各タイミング信号は、図1の垂直走査回路103および図3に示したタイミング信号と同じものである。また、図6と同様に、各タイミング信号はHighレベルでトランジスタがオン、Lowレベルでトランジスタがオフするものとする。さらに、図7において、1Hは1行毎に読み出す期間を示し、この期間に同じ行の各画素からも同様に信号が読み出される。先ず、フォトダイオードPD1n-1,1,PD1n,1,PD1n1,1で光電変換された電荷を画素混合して読み出す場合の動作およびタイミング時刻T11からT15までに対応について説明する。尚、フォトダイオードPD2n-1,1,PD2n,1,PD2n1,1で光電変換された電荷を画素混合して読み出す場合の動作およびタイミングは、以下の説明において、タイミング信号VTX1n-1,VTX1n,VTX1n1をタイミング信号VTX2n-1,VTX2n,VTX2n1に置き換えて考えればよいので、重複する説明は省略する。図7において、タイミング信号VFDSWn-1はLowレベルなので連結スイッチFDSWn-1,1はオフである。そして、時刻T11からT12の期間でタイミング信号VRSTn-1,VRSTn,VRSTn1がHighレベルになるのでリセットトランジスタRSTTrn-1,1,RSTTrn,1,RSTTrn1,1がオンし、浮遊拡散領域FD1n-1,1,FD2n-1,1,FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1,FD2n1,1に蓄積されていた電荷がリセットされる。尚、他のリセットトランジスタRSTTrも同時にリセットするようにしてもよいが、ここでは動作がわかり易いように、読み出す画素に対応する浮遊拡散領域の電荷を読み出し前にその都度リセットするものとして説明する。また、リセットトランジスタRSTTrn-1,1,RSTTrn,1,RSTTrn1,1を全てオンにするようにしたが、少なくとも1つのリセットトランジスタRSTTrをオンするようにしてもよい。次に、時刻T13からT14の期間でタイミング信号VTX1n-1,VTX1n,VTX1n1がHighレベルになるので転送トランジスタTXTr1n-1,1,TXTr1n,1,TXTr1n1,1がオンし、フォトダイオードPD1n-1,1,PD1n,1,PD1n1,1で光電変換された電荷の転送が行われるが、時刻T11からT15の期間でタイミング信号VFDSWnおよびVFDSWn1がHighレベルになっており、連結スイッチFDSWn,1およびFDSWn1,1がオンの状態なので、フォトダイオードPD1n-1,1,PD1n,1,PD1n1,1で光電変換された電荷は、浮遊拡散領域FD1n-1,1,FD2n-1,1,FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1,FD2n1,1にも分割して蓄積される。ここで、時刻T13からT14の期間はタイミング信号VSELn-1,VSELn,VSELn1がHighレベルなので、選択トランジスタSELTrn-1,1,SELTrn,1,SELTrn1,1はオンされた状態にあり、3つの増幅トランジスタAMTrn-1,1,AMTrn,1,AMTrn1,1を介して並列に信号が垂直信号線VLINE1に読み出される。尚、同じ読出回路aのペアとなる行のフォトダイオードPD2n-1,1,PD2n,1,PD2n1,1で光電変換された電荷を読み出す場合の動作およびタイミングは、図7のタイミングチャートの時刻T13からT14の期間でタイミング信号VTX2n-1,VTX2n,VTX2n1をHighレベルにして転送トランジスタTXTr2n-1,1,TXTr2n,1,TXTr2n1,1をオンするようにすれば、同様にPD2n-1,1,PD2n,1,PD2n1,1で光電変換された電荷を画素混合して3つの増幅トランジスタAMTrn-1,1,AMTrn,1,AMTrn1,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。次に、フォトダイオードPD2n,1,PD2n1,1,PD2n2,1で光電変換された電荷を画素混合して読み出す場合の動作およびタイミング時刻T15からT19までに対応について説明する。尚、フォトダイオードPD1n,1,PD1n1,1,PD1n2,1で光電変換された電荷を画素混合して読み出す場合の動作およびタイミングは、以下の説明において、タイミング信号VTX2n,VTX2n1,VTX2n2をタイミング信号VTX1n,VTX1n1,VTX1n2に置き換えて考えればよいので、重複する説明は省略する。図7において、時刻T15からT16の期間でタイミング信号VRSTn,VRSTn1,VRSTn2がHighレベルになるのでリセットトランジスタRSTTrn,1,RSTTrn1,1,RSTTrn2,1がオンし、浮遊拡散領域FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1,FD2n1,1,FD1n2,1,FD2n2,1に蓄積されていた電荷がリセットされる。そして、時刻T17からT18の期間でタイミング信号VTX2n,VTX2n1,VTX2n2がHighレベルになるので転送トランジスタTXTr2n,1,TXTr2n1,1,TXTr2n2,1がオンする。この時、時刻T15からT17の期間でタイミング信号VFDSWn1およびVFDSWn2がHighレベルで連結スイッチFDSWn1,1およびFDSWn2,1がオンの状態なので、フォトダイオードPD2n,1,PD2n1,1,PD2n2,1で光電変換された電荷は、浮遊拡散領域FD1n,1,FD2n,1,FD1n1,1,FD2n1,1,FD1n2,1,FD2n2,1に分割して蓄積される。ここで、時刻T13からT14の期間と同様に、時刻T17からT18の期間はタイミング信号VSELn,VSELn1,VSELn2がHighレベルなので、選択トランジスタSELTrn,1,SELTrn1,1,SELTrn2,1はオンされた状態にあり、3つの増幅トランジスタAMTrn,1,AMTrn1,1,AMTrn2,1を介して並列に信号が垂直信号線VLINE1に読み出される。尚、フォトダイオードPD1n,1,PD1n1,1,PD1n2,1で光電変換された電荷を読み出す場合の動作およびタイミングは、例えば図7のタイミングチャートの時刻T17からT18の期間でタイミング信号VTX1n,VTX1n1,VTX1n2をHighレベルにして転送トランジスタTXTr1n,1,TXTr1n1,1,TXTr1n2,1をオンするようにすれば、同様にPD1n,1,PD1n1,1,PD1n2,1で光電変換された電荷を画素混合して3つの増幅トランジスタAMTrn,1,AMTrn1,1,AMTrn2,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。以下、時刻T19以降において、フォトダイオードPD1n1,1,PD1n2,1,PD1n3,1およびPD2n1,1,PD2n2,1,PD2n3,1についても同様のタイミングで光電変換された電荷を画素混合して3つの増幅トランジスタAMTrn1,1,AMTrn2,1,AMTrn3,1を介して並列に垂直信号線VLINE1に読み出すことができる。また、他のn4やn5においても同様のタイミングで動作し、固体撮像素子101から1画面分の画像データを画素混合して読み出すことができる。このように、複数の画素で光電変換された電荷を画素混合して読み出す場合に、複数の読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に垂直信号線VLINEに読み出すことにより、増幅トランジスタAMTrに起因するRTSノイズを低減することができる。尚、上記の説明では、2つの連結スイッチFDSWをオンして3つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に画素混合した信号を読み出すようにしたが、1つの連結スイッチFDSWをオンして2つの読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に画素混合した信号を読み出すようにしてもよい。また、3つ以上の連結スイッチFDSWをオンにしてもよく、この場合は先にFD連結で説明したように、オンする連結スイッチFDSWの数をJ個とすると、並列読出しする増幅トランジスタAMTrの数はJ1個になり、RSTノイズは理論的に1/√J1に低減できる。尚、上記の実施形態では、オンする連結スイッチFDSWの数は、並列読み出しする読出回路aの増幅トランジスタAMTrの数より1つ少ない場合について説明したが、オンする連結スイッチFDSWの数が4つで、対応する3つの選択トランジスタSELTrのうち2つだけオンして、2つの増幅トランジスタAMTrで並列読み出しするようにしてもよい。この場合のRSTノイズは、理論的に1/√2に低減できる。つまり、並列読み出しする増幅トランジスタAMTrの数が2つ以上J個以下であれば同様の効果が得られる。また、上記の画素混合の実施形態では、1画素置きに配置される複数の画素p1同士または複数の画素p2同士の電荷を混合するようにしたが、これは図2で説明したベイヤー配列の同色同士を混合するためであり、モノクロの撮像素子や配列が異なる撮像素子の場合は、1画素置きである必要はなく、画素p1と画素p2の電荷を複数の画素で混合するようにしてもよい。以上、各実施形態で説明したように、本実施形態に係る固体撮像素子101は、低ISO感度の実現及び画像品質向上のために、複数の画素で電荷を蓄積する領域を連結する画素混合の技術などにおいて、撮影画像に現れるランダム性輝点の原因である増幅トランジスタAMTrのRTSノイズを低減することができる。尚、上記の実施形態では、行方向に画素混合やFD連結する例について説明したが、列方向であっても構わない。また、画素が行列状に配置されないハニカム配置の固体撮像素子であっても同様に連結スイッチFDSWを設けて、複数の読出回路aの増幅トランジスタAMTrで並列に信号を読み出すことにより、同様の効果を得ることができる。また、上記のFD連結および画素混合の各実施形態では、2つの画素p1と画素p2の読出回路aを共有する構成にしたが、画素毎に読出回路aを配置する構成でも構わない。この場合、連結スイッチFDSWは、画素毎に配置される。また、本発明に係る固体撮像素子について、各実施形態で例を挙げて説明してきたが、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の多様な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。"