α線放出量が0.05cph/cm2以下の金属Snを酸に溶解させて酸性水溶液を調製する工程と、前記酸性水溶液を中和させ水酸化第一錫を調製する工程と、前記水酸化第一錫を脱水させ酸化第一錫を作製する工程とを有し、前記酸性水溶液を調製する工程で、溶解後に、α線放出量が0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に浸漬しておくことを特徴とするSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法。請求項1に記載のSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法により作製されたことを特徴とするSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、めっきで形成するはんだバンプにおいても低α線化を実現するために、上記特許文献1に記載の技術で作製した低α線量錫を原料として、特許文献2に記載の製法でSn成分補給用のSnO粉末を製造すると、Sn-Agめっき液等のSn合金めっき液へ補給した際に溶解性が十分でないという問題があった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、低α線化され溶解性が良好なSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、Sn合金めっき液へのSn成分補給用として低α線化されたSnO粉末の製法について鋭意検討の結果、SnO粉末製造時にSn4が多く生成されるとSnO粉末の溶解性が低下することを突き止めた。したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法は、α線放出量が0.05cph/cm2以下の金属Snを酸に溶解させて酸性水溶液を調製する工程と、前記酸性水溶液を中和させ水酸化第一錫を調製する工程と、前記水酸化第一錫を脱水させ酸化第一錫を作製する工程とを有し、前記酸性水溶液を調製する工程で、溶解後に、α線放出量が0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に浸漬しておくことを特徴とする。また、本発明のSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末は、上記Sn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法により作製されたことを特徴とする。上記Sn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法では、酸性水溶液を調製する工程で、溶解後に、α線放出量が0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に浸漬しておくので、酸性水溶液に浸漬したSn塊が溶解性を低下させるSn44価錫に対して還元剤として働き、Sn22価錫とすることで、溶解性の良好な酸化第一錫粉末を得ることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係るSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法によれば、酸性水溶液を調製する工程で、溶解後に、α線放出量が0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に浸漬しておくので、浸漬したSn塊がSn44価錫の発生を抑制することで、溶解性の良好な酸化第一錫粉末を得ることができる。したがって、上記本発明で作製された酸化第一錫粉末を用いてSn合金めっき液へのSn成分補給を行うことで、SnO粉末が良好に溶解してSn成分調製されたSn合金めっき液が得られ、このSn合金めっき液を用いた電解めっき法により低α線化したバンプ等を形成することができる。以下、本発明に係るSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法の一実施形態について、図1を参照して説明する。本実施形態におけるSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法は、α線放出量α線カウント数が0.05cph/cm2以下の金属Snを酸に溶解させて酸性水溶液を調製する工程と、酸性水溶液を中和させ水酸化第一錫を調製する工程と、水酸化第一錫を脱水させ酸化第一錫を作製する工程とを有している。さらに詳述すれば、本製造方法は、図1に示すように、α線放出量が0.05cph/cm2以下の金属Snを電解法により酸に溶解して酸性水溶液を調製する工程酸性水溶液調製工程S1と、酸性水溶液にアルカリ水溶液を添加して中和させ水酸化第一錫のスラリーを調製する工程中和工程S2と、水酸化第一錫のスラリーを加熱して水酸化第一錫を脱水させ酸化第一錫のスラリーを作製する工程脱水工程S3と、酸化第一錫のスラリーを濾過する工程濾過工程S4と、該濾過で得られた酸化第一錫の沈殿物を水洗する工程水洗工程S5と、さらに乾燥させて酸化第一錫粉末とする工程乾燥工程S6とを有している。上記酸性水溶液調製工程S1では、酸としては塩酸が好ましく、好ましい塩酸濃度は30~40質量例えば、1N、温度は20~35°Cであり、18~30時間かけて金属SnのSn板を電解法により溶解し、Sn濃度を100~250g/Lとする。また、Sn4低減処理として、溶解後に、温度を80~100°Cにキープしながら、α線放出量が0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に24~72時間浸漬しておく。なお、本実施形態では、Sn塊としてSn板を採用するが、Sn塊として板状のもの以外にもショット状や棒状のSnを用いても良い。なお、上記金属SnおよびSn板Sn塊のα線放出量を0.05cph/cm2以下に設定した理由は、0.05cph/cm2を越えると、例えば、半導体等において、形成されたはんだ突起電極バンプから放出されるα線が原因で、メモリ中のデータが書き換えられるといったソフトエラー等が生じたり、或いは半導体が破壊されることがあるからである。また、酸性水溶液を調整する工程S1では、塩酸濃度1Nの溶液を用いてSnを電解によって酸性水溶液中のSn濃度が100~250g/L例えば200g/Lになるまで溶解し、その後80~100°CにキープしながらSn板を浸漬させてSn4低減処理を24~72h例えば3日間実施する。その後、FA低減処理として、FA濃度を低減させるために煮沸濃縮し、塩酸濃度が0.5N以下になるまで行う。なお、このFA低減処理は、Sn4低減処理後に、液量が半分になるまでの煮沸と、煮沸の後に純水で希釈して元の液量に戻すこととを繰り返し、塩酸濃度を0.5N以下とする。上記中和工程S2では、上記アルカリ水溶液として、アンモニア水、炭酸アンモニウム溶液、重炭酸アンモニウム溶液又はこれらの混合液が例示される。ここで水酸化第一錫のスラリーを調製する中和工程は、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中で行う。この中和工程S2を不活性ガス雰囲気中で行うと、大気中で行った場合に比べ、酸性水溶液中のSn2が、酸に溶けにくい酸化第二錫SnO2に酸化されることを防ぐ効果が得られる。これは雰囲気中に酸素が存在しない不活性ガス雰囲気中でこの中和工程を行えば、スラリー中に酸素が溶け込むのを防ぐことができるからである。また、アルカリ水溶液としてアンモニア水を添加する場合には、使用するアンモニア水の濃度は、好ましくは28~30質量である。アンモニア水の濃度が下限値未満であると中和反応が十分に進行しないため好ましくなく、上限値を越えると水酸化第一錫の脱水反応が早く進行し、酸化第一錫に残留する塩素濃度が高くなるため好ましくない。なお、アルカリ水溶液としてアンモニア水を使用すると、製造される酸化第一錫粉末の粒径を制御することが容易となる。また、アルカリ水溶液には、炭酸アンモニウム溶液や重炭酸アンモニウムの単独でも、アンモニア水と同時に炭酸アンモニウム溶液または重炭酸アンモニウム溶液を混合して用いてもよい。この中和反応は、反応液の液温が30~50°Cで行われ、pHが6~8の範囲で行うことが好ましい。反応液の液温が下限値未満では酸化第一錫に残留する塩酸濃度が高くなるため好ましくなく、上限値を越えると中和反応とともに水酸化第一錫の脱水反応が進むため好ましくない。また、反応液のpHを上記範囲としたのは、中和反応の進行性及び作製した粉末の易溶性の面で好適な範囲だからである。pHが下限値未満では、中和反応が十分に進行しないため好ましくなく、上限値を越えると錫酸アンモニウムなどの難溶性の錫塩及び金属錫が形成され、収量が低下したり、まためっき液に溶解し難い成分を多く含むものになるため好ましくない。上記脱水工程S3では、不活性ガス雰囲気中で行う。この脱水工程S3を不活性ガス雰囲気中において行うと、大気中で行う場合に比べ、スラリー中の酸化第一錫SnOが、酸に溶けにくい酸化第二錫SnO2に酸化されることを防ぐ効果が得られる。これは雰囲気中に酸素が存在しない不活性ガス雰囲気中でこの脱水工程を行えば、スラリー中に酸素が溶け込んで、生成した酸化第一錫粉末と接触するのを防ぐことができるからである。また、加熱保持温度は、80~100°Cが好ましい。加熱保持温度が下限値未満では水酸化第一錫の脱水が十分に進行せず、白色の水酸化第一錫が系内に残留するため好ましくなく、水の沸点よりも高い温度まで加熱するのは物理的に不可能であるからである。また、加熱保持時間は、スラリーの量や加熱保持温度にもよるが1~2時間が好ましい。上記濾過工程S4および水洗工程S5では、水洗いした後、再度ろ過し、再度水洗いするという工程を、好ましくは3~5回繰り返すことにより行う。そして、水洗後の乾燥工程S6は、真空乾燥により行う。乾燥を真空乾燥により行うのは、酸化第一錫が酸化第二錫へ酸化されるのを防止する点で好適だからである。また、真空乾燥の際の温度は、40~100°Cが好ましい。真空乾燥の際の温度が下限値未満では、乾燥するまで時間が長く掛かるか又は乾燥が不十分になり好ましくなく、上限値を越えるとコストの面で好ましくない。以上の工程を経ることにより、本発明のSn合金めっき液へのSn成分補給方法に使用されるのに好適な酸又は酸性めっき液への溶解性が高く低α線化された酸化第一錫粉末を製造できる。このように本実施形態のSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法では、酸性水溶液を調製する工程S1で、溶解後に、0.05cph/cm2以下のSn塊を酸性水溶液に浸漬しておくので、酸性水溶液に浸漬したSn塊が溶解性を低下させるSn44価錫に対して還元剤として働き、Sn22価錫とすることで、溶解性の良好な酸化第一錫粉末を得ることができる。すなわち、以下の反応式によりSn4の発生が抑制され、Sn2が発生する。Sn4Sn=2Sn24価のSnが存在すると酸化物はSnO2となるが、この4価酸化物であるSnO2は溶解性が低い。これに対して、上記反応式により、Sn4が低減されて2価のSnが多く存在すると酸化物の多くはSnOとなり、2価酸化物であるSnOは高い溶解性を有することから、溶解性の良好なSnO粉末を得ることができる。次に、上記実施形態におけるSn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末の製造方法によって、実際に酸化第一錫粉末を作製した実施例について評価した結果を説明する。まず、本発明の実施例の製造工程として、酸性水溶液調製工程S1では、以下の条件の電解法により酸性水溶液を作製した。Sn板:180×155×1mm、約200g、α線量:0.002cph/cm2以下、純度:99.995以上槽:隔膜電解槽アノード槽:3.5NのHClを2.5L使用カソード槽:3.5NのHClを2.5L使用電解量:2V定電圧で30h電解する。電解終了後の目標Sn組成:200g/L電解終了後のHCl濃度:規定度1Nまた、Sn4低減処理として、電解後、Sn板180×155×1mm、約200g、α線量:0.002cph/cm2以下、純度:99.995以上を80°Cで3日間、酸性水溶液に浸漬して還流処理電解槽アノード槽、カソード槽からオーバーフローした液をポンプで電解槽内に再び戻す処理したと共に、液量が半分になるまでの煮沸と、煮沸の後に純水で希釈して元の液量に戻すこととを繰り返し、塩酸濃度を0.5N以下とするFA低減処理を実施した。中和工程S3は、以下の条件で行った。雰囲気:N2ガスアルカリ水溶液:炭酸アンモニウム溶液40酸性水溶液の液温:30~50°C酸性水溶液のpH:6~8また、脱水工程S4は、以下の条件で行った。雰囲気:N2ガス液温:80~100°C、1~2時間また、濾過工程S4は、吸引濾過方式で行い、水洗工程S5は、温水70°Cで2回、純水で1回行った。さらに、乾燥工程S6は、25°Cで1晩、真空乾燥を行った。このように作製した本実施例の酸化第一錫粉末について、XPSX線光電子分光分析法により分析した結果を、図2に示す。このXPSでは、実施例の表面をEtchingrate:SiO2=6.0nm/minで1分スパッタしたもの実施例S有と、スパッタしていないもの実施例S無とを分析した。なお、比較例として、上記Sn4低減処理およびFA低減処理を行わない以外は同条件で酸化第一錫粉末を作製し、同様にXPSにより分析した結果を図2に併せて示す。また、比較例についても、表面をEtchingrate:SiO2=6.0nm/minで1分スパッタしたもの比較例S有と、スパッタしていないもの比較例S無とを分析した。<XPSの測定条件>装置:PHImodel5600LS条件X線源:MonochlomatedAlKα200Wパスエネルギー:187.85eV、58.5eV測定間隔:0.8eVstep、0.125eVNarrow試料面に対する光電子取り出し角:45deg図2の測定結果から、比較例では、SnO2が多く含有されているのに対し、本実施例では、SnOが多く含有されていることがわかる。また、上記実施例および上記比較例の酸化第一錫粉末について、それぞれSn-Agめっき液への溶解性について調べたところ、比較例では溶解性が不十分であったのに対し、上記実施例では良好な溶解性を得ることができた。このように本発明の実施例では、上記Sn4低減処理によってSnO2が大幅に低減されて溶解性の高い酸化第一錫粉末を作製することができる。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。