"真空プロセスチャンバ内の基板9を支持し、該基板9に対向配置され該基板9と熱伝導するように接触している表面11を備える、サセプタであって、上記サセプタは、少なくとも3つの隣り合うゾーン5、6、8である、外部ゾーン8、中央ゾーン6及び内部ゾーン5を備え、上記ゾーン5、6、8は、互いを同心状に取り囲むように配置され、上記表面11に沿って延びており、上記外部ゾーン8は上記中央ゾーン6を完全に取り囲み、上記中央ゾーン6は上記内部ゾーン5を完全に取り囲み、上記内部ゾーン5は、該内部ゾーン5に影響を与える少なくとも一つの内部発熱素子13を備え、上記外部ゾーン8は、該外部ゾーン8に影響を与える少なくとも一つの外部発熱素子19を備え、上記中央ゾーン6は上記内部ゾーン5の最小厚さ12より小さく、かつ上記外部ゾーン8の最小厚さ16より小さい、最大厚さ15を露出し、各厚さ12、15、16は上記表面11に対して垂直に延びている、サセプタ。上記内部ゾーン5の上記最小厚さ12は、上記外部ゾーン8の最大厚さ16より大きい、請求項1に記載のサセプタ。上記サセプタ1は、上記中央ゾーン6の上記小厚さ15を実現するための、矩形断面を有する少なくとも1つの凹部23を備えている、請求項1又は2に記載のサセプタ。上記表面11に並行する上記凹部23の幅は、8mm以上15mm以下であり、好ましくは11mmである、請求項3に記載のサセプタ。上記サセプタ1は、上記内部ゾーン5と同じ厚さ12を有する中間ゾーン18を備え、上記中間ゾーン18は該記中間ゾーン18に影響を与える複数の中間加熱素子17を備え、上記内部ゾーン5は複数の内部加熱素子13を備え、上記中央ゾーン6は上記中間ゾーン18を完全に取り囲み、上記中間ゾーン18は上記内部ゾーン5を完全に取り囲み、上記内部加熱素子13と上記中間加熱素子17とは互いに加熱配線として備えられ、それぞれの上記内部加熱配線は、互いから、上記中間配線よりも、大きい配線寸法及び大きいスペースを有する、請求項1から4の何れか1項に記載のサセプタ。上記加熱素子13、17、19は、上記サセプタ1内に設けられている、請求項1から5の何れか1項に記載のサセプタ。上記中央ゾーン6の上記厚さ6は、1mm以上4mm以下であり、好ましくは2mmであり、及び/又は、上記内部ゾーン5の上記厚さ12は、10mm以上20mm以下であり、好ましくは14mmである、請求項1から6の何れか1項に記載のサセプタ。上記サセプタ1は、ポケット21及びバー22として該ポケット21間に提供される、凹部23を有する、上記中央ゾーン6の上記小厚さ15を実現するための、ハニカムのような構造20を備えている、請求項1から7の何れか1項に記載のサセプタ。上記表面11に並行して延びる上記ポケット21の幅は、8mm以上15mm以下であり、好ましくは11mmである、請求項8に記載のサセプタ。上記外部ゾーン8、上記中央ゾーン6及び/又は上記内部ゾーン5は、矩形基板9が上記表面11上に位置されるように、矩形の表面11形状を有する、サセプタ。請求項1から10の何れか1項に記載のサセプタ1及び上記基板9を備えるサセプタ装置1であって、上記表面11のサイズは、上記基板9のサイズよりも大きい又は同じである、サセプタ装置。請求項1から10の何れか1項に記載のサセプタ1を製造する方法であって、上記中央ゾーン16の上記小厚さ15は、上記サセプタ1における上記基板9が配置されている側とは反対側に配置された、長い凹み、スリット及び/又は穴を加えることにより実現される、方法。基板9上に膜を形成することと、プロセスチャンバ内に、請求項1から10の何れか1項に記載の上記サセプタ1を設けることと、上記サセプタ1の上記表面11上に上記基板9を支持することと、上記基板9を加熱するために、上記内部加熱素子13及び上記外部加熱素子19に、エネルギーを提供することと、前駆体物質を上記プロセスチャンバに供給して、上記基板9上の上記膜を形成することと、を含む方法。よって、本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を克服すること、すなわち、広い領域の基板表面における高い均一性の基板温度を設定するためのサセプタを提供することにある。この目的は、独立請求項により達成される。有利な実施形態は、従属請求項において詳述される。特に、上記目的は、真空プロセスチャンバ内の基板を支持し、該基板に対向配置され該基板と熱伝導するように接触している表面を備える、サセプタであって、上記サセプタは、少なくとも3つの隣り合うゾーンである、外部ゾーン、中央ゾーン及び内部ゾーンを備え、上記ゾーンは、互いを同心状に取り囲むように配置され、上記表面に沿って延びており、上記外部ゾーンは上記中央ゾーンを完全に取り囲み、上記中央ゾーンは上記内部ゾーンを完全に取り囲み、上記内部ゾーンは該内部ゾーンに影響を与える少なくとも一つの内部発熱素子を備え、上記外部ゾーンは該外部ゾーンに影響を与える少なくとも一つの外部発熱素子を備え、上記中央ゾーンは上記内部ゾーンの最小厚さより小さく、かつ上記外部ゾーンの最小厚さより小さい、最大厚さを露出し、各厚さは上記表面に対して垂直に延びている、サセプタにより達成される。意外にも、単一の物質、例えばアルミニウム、銅及び/又はカーボンから製造されるサセプタの提供が見出され、上記基板面の全体に亘って高い均一性の基板温度を提供する、少なくとも3つの異なるゾーンを有することが見出され、もし上記外部ゾーン及び上記内部ゾーンの間の上記中央ゾーンが、周囲のゾーンすなわち上記内部ゾーン及び上記外部ゾーンよりも厚さが小さい場合、これにより上記内部ゾーン及び上記外部ゾーンの両方は、それぞれのゾーンにおける上記基板に影響を与えるための加熱素子を構成する。本発明に係るこのようなサセプタによれば、消極的に影響を与えないすなわち過熱している間、上記内部ゾーンの領域における上記基板のエッジ及びコーナーで、強い最大の加熱を提供することができる。よって、本発明は、完全な表面上のスムーズな温度特性を提供できることにより、高い均一性の基板温度となり、例えば化学気相成長プロセスにおいて提供されるコーティングの厚さの均一性が向上する。同様に、本発明に係るサセプタは、基板コーティングの品質が向上する一方、製造コストが削減される。要するに、上記サセプタは、従来のシステムと比較してコーティング層の特性を向上させるために提供される。本発明のプロセスprocessingの用語は、基板に作用する、全ての化学的、物理的、及び/又は機械的な効果を含む。本発明の基板substrateの用語は、本発明における真空プロセスシステムで取り扱われる、構成要素、部品又は工作物を含む。基板は、矩形状、四角形状、又は円形状を有する、フラット状、板状に限定されない。好ましくは、基板は、薄膜太陽電池の製造に適用され、フロートガラス、セキュリティガラス、及び/又はクォーツガラスを含む。より好ましくは、上記基板は、薄いガラス基板のような、1m2以上のサイズの平坦面を有する、実質的に好ましくは略完全にフラット基板として設けられている。本発明の真空プロセス又は真空調整システムの用語は、少なくとも大気圧よりも低い圧力下で扱われる基板のための囲いを含む。本発明のCVD、化学気相成長、及びそのフレーバーの用語は、加熱された基板上の層を除去する周知の技術を含む。通常の液体又はガスの前駆体物質、ガスは、プロセスシステムに与えられ、前駆体の熱的反応により、層が除去される。しばしば、DEZ、ジエチル亜鉛は、減圧CVD、に用いる真空プロセスシステムにおいて、TCO層の生産のために前駆体材料として用いられる。TCOの用語は、透明な導電性酸化物を表し、すなわちTCO層は透明な導電層を表し、これにより、上記用語の層、コーティング、除去、及び膜は、CVD、LPCVD、プラズマ強化CVDPECVD又は物理気相成長PVDの真空プロセスにおいて除去される膜のために互換的に上記発明に用いられる。本発明の太陽電池又は光電池、PV電池の用語は電気的構成要素を含み、電気的構成要素は、光、実質的に太陽光を、光効果により直接的に電気的エネルギーへの変換を可能にする。薄膜太陽電池は、通常、第1又は前方電極、1つ以上の半導体薄膜PIN接合、及び第2又は後方電極を含み、これらは連続的に基板上に積層される。それぞれのPIN接合又は薄膜光変換ユニットは、p層とn層とに挟まれたi層を含み、pは正のドープを表し、nは負のドープを表す。i層は実質的に固有の半導体層であり、薄膜PIN接合の厚さの大部分を占める。このため、光変換は主にこのi層で起こる。よって、上記基板は、好ましくは、薄膜光電池の製造に用いられる基板である。本発明のフラットの用語は、粗くない表面すなわち穴等を有していない表面を含む。好ましくは、フラットの用語は、それぞれの表面の表面粗さのグレードがN9以下であることを意味する。本発明の好ましい実施形態によれば、上記内部ゾーンの上記最小厚さは上記外部ゾーンの上記最大厚さよりも大きい。有利な実施形態では、さらに、上記外部ゾーンに対向する上記基板の端部及び/又はエッジのそれぞれにおいて、上記外部ゾーンの温度のより細かい制御を可能にする、上記内部ゾーンよりも小さい厚さを有する外部ゾーンを有する、表面を横切る、均一な基板温度を備えている。一般的に、中央ゾーンの小厚さは従来技術より知られるあらゆる手段、例えば、長い凹み、スリット及び/又はドリルにより実現され得る。しかし、本発明の特に好ましい形態では、上記サセプタが、上記中央ゾーンの上記小厚さを実現するための矩形断面を有する、少なくとも一つの凹部を備えている。好ましくは、上記サセプタは2つの矩形凹部を備え、これら凹部は、互いに背面で、上記内部ゾーンから上記外部ゾーンへ延びて配置され、好ましくは隔壁により細分されている。さらに好ましくは、上記凹部は、上記サセプタにおける上記基板が配置されている側すなわち上記表面とは反対側に配置されている。この構成において、さらに好ましくは、上記表面に並行する上記凹部の幅が、8mm以上15mm以下であり、好ましくは11mmである。他の実施形態では、上記表面は、上記内部ゾーンと同じ厚さを有する中間ゾーンを備え、上記中間ゾーンは該記中間ゾーンに影響を与える複数の中間加熱素子を備え、上記内部ゾーンは複数の内部加熱素子を備え、上記中央ゾーンは上記中間ゾーンを完全に取り囲み、上記中間ゾーンは上記内部ゾーンを完全に取り囲み、上記内部加熱素子と上記中間加熱素子とは互いに加熱配線として備えられ、それぞれの上記内部加熱配線は、互いから、上記中間配線よりも、大きい配線寸法及び大きいスペースを有する。このような実施形態ではさらに、上記内部ゾーンが、上記中央ゾーンに隣り合って位置される中間ゾーンに分離されるため、基板温度のより細かい制御を可能にする。これはまた、異なるゾーン間の温度の均一化を可能にし、これによりコーティングの品質が向上する。好ましくは、全ての加熱素子は加熱配線として設けられており、上記発明の特に好ましい実施形態では、上記サセプタ内に設けられている。さらなる実施形態では、上記加熱素子は、異なるゾーンの周囲を完全に囲んで延びており、及び/又は、それぞれのゾーンを完全に覆っている。他の実施形態では、上記中央ゾーンの上記厚さは、1mm以上4mm以下であり、好ましくは2mmであり、及び/又は、上記内部ゾーンの上記厚さは、10mm以上20mm以下であり、好ましくは14mmである。このような厚さを有する上記サセプタによれば、上記サセプタの表面に亘って最適な温度配分が行われ、これにより、加熱された基板上の層の除去のために最適な温度となる。特に好ましい実施形態では、上記サセプタは、ポケット及びバーとして該ポケット間に提供される、凹部を有する、上記中央ゾーンの上記小厚さを実現するための、ハニカムのような構造を備えている。好ましくは、上記表面に並行して延びる上記ポケットの幅は、8mm以上15mm以下であり、好ましくは11mmである。上記サセプトの上記中央ゾーンを実現するための、このようなハニカムのような構造を備えることにより、高い温度において基板の信頼性が保持される。上記バーは、長さが増加し、好ましくは標準的なサセプタの厚さが導入される。換言すると、このようなハニカムのような構造を備えることにより、上記外部ゾーンと上記内部ゾーンとの間の温度勾配を小さくすることができる。さらなる実施形態では、上記外部ゾーン、上記中央ゾーン及び/又は上記内部ゾーンは、矩形基板が上記表面上に位置されるように、矩形の表面形状を有し、これにより、上記基板のボーダー及び/またはエッジは、好ましくは、外部ゾーンに配置されている。上記発明の目的はさらに、前述のサセプタ及び上記基板を備えるサセプタ装置により解決され、上記表面のサイズは、上記基板のサイズよりも大きい又は同じである。さらに、本発明の目的は、上記中央ゾーンの上記小厚さは、上記サセプタにおける上記基板が配置されている側とは反対側に配置された、長い凹み、スリット及び/又は穴を加えることにより実現される方法により、解決される。さらなる実施形態及びこのような方法による利点は、上記発明に係る前述のサセプタからこの分野における知識を有する者により派生され得る。本発明の目的は、さらに、基板上に膜を形成することと、プロセスチャンバ内に前述の上記サセプタを設けることと、上記サセプタの上記表面上に上記基板を支持することと、上記基板を加熱するために、上記内部加熱素子及び上記外部加熱素子に、エネルギーを提供することと、前駆体物質を上記プロセスチャンバに供給して、上記基板上の上記膜を形成することと、を含む方法により解決される。図3は、本発明の好ましい実施形態に係る、基板9を支持及び熱的に制御するサセプタ1を示す側面図である。サセプタ1は、基板9に対向する、熱的に導電接触する、実質的に平坦な平面表面11を示し、表面11に垂直方向に測定される、非接触の厚さ12を有する。表面11は、互いに同心状に取り囲んで配置される、少なくとも3つの領域又はゾーン5,6,7を表す。内部ゾーン5は、内部ソーン5に影響を及ぼす、少なくとも一つの内部加熱素子13を表す、最も内側又は中央のゾーンである。外部又はリムゾーン7は、内部ゾーン5を完全に覆っており、加熱プレート1の動作中に、基板9のエッジ及びコーナー14が配置される領域を含む。中央ゾーン6は、内部ゾーン5と外部ゾーン7との間に配置されており、完全に外部ゾーン7に取り囲まれ、完全に内部ゾーン5を取り囲んでいる。本発明によれば、中央ゾーン6は、中央ゾーン6に熱的に導電接触するように配置された基板9に活発に影響を及ぼす、いかなる加熱装置を表していない。また、中央ゾーン6における加熱プレート1の厚さ15は、少なくとも中央ゾーン6の主な部分が減らされており、外部ゾーン7における厚さ16と内部ゾーン5における厚さ12より小さくなっている。加熱プレート1は、好ましくは、内部ゾーン5、中央ゾーン6及び外部ゾーン7の少なくとも実質的な部分、好ましくは外部ゾーン7の全体、を覆う一つの部材から成っている。中央ゾーン6の厚さ15の減少は、凹部23が形成された、プレート1における基板9が配置されている側とは反対側に配置された、長い凹み又はスリットあるいは穴により実現される。一つの実施形態において、加熱プレート1は、薄いガラスシートのような矩形状の基板9を受け入れるために、実質的に矩形状を有する。加熱プレート1の全温度パターンに影響を与えることなく基板9を部分的に加熱するために、薄いサセプタ1の材料の、位置付けられた領域6が導入されている。配線13を加熱する内部ゾーン5は異なる寸法、例えば4mmの配線を有し、中間ゾーン18の、例えば3mmの加熱ゾーン配線17が配置されている。外部加熱素子19は、基板11を支持する基板9とは反対側の、サセプタ1の下側に配置されており、サセプタ1により固定されている。図2に示す従来のサセプタ1と、図3に示す本発明による現在の課題との間の大きな違いは、内部ゾーン5と外部ゾーン7との間の、サセプタ1の材料の薄さである。ここでは、いわゆる熱伝導ゾーンすなわち中央ゾーン6と呼ばれ、内部ゾーン5における14mmの厚さ12と比較して、サセプタ1の表面11に対して直交する、サセプタ1の材料の厚さ15は1~4mmにとどまっている。現在の実施形態では、サセプタ1の上表面と下表面11との距離15は、ほんの約2mmの厚さである。実施形態において、Alが、約200°Cで動作する、サセプタ1の材料として用いられる。それらの温度で動作するために、図4に示すように、ハニカムのような構造20が、中央ゾーン6に用いられる。ハニカム構造20のほとんどは、11mmの幅を有するポケット21を備える凹部23から成っている。温度においてスムーザの過渡状態transientが、サセプタ1の内部ゾーン5と外部ゾーン7との間に必要とされる場合、ポケット21の深さ又は幅はハニカム構造20で異なっている。上記実施形態において、外部ポケット21は、内部ポケット21の4mmの厚さよりも、サセプタ1の厚さ2mm深い。これは、外部ゾーン7と内部ゾーン5との間の温度勾配を減らすことを可能にする。この構造は、次のテーブルから分かるように、加熱ゾーン5,7の分離を明確に可能にする。加熱ゾーン5,7の実温度は、加熱プレート1用の、オペレータの設定値と等しい。この例では、ゾーン温度は、上記に例示した従来技術のように、個別に制御される。オペレータが読む実際の温度設定値内部ゾーン5192°C192°C中間ゾーン18195°C195°C外部ゾーン7204°C204°C上記提案の構成を提供することにより、非常に均一な基板9の温度配分を達成することができる。例えば図5には、本発明による、サセプタ1のプレート上の3mmのガラス基板9の温度特性を示している。サセプタ1の上面11からハニカム構造20までの距離15は、最小で2mmである。温度スキャンによれば、3Kの温度差が達成される。ゾーン5,6,7の温度設定は、以下に示す通りである。オペレータの設定値内部ゾーン1192°C中間ゾーン18195°C外部ゾーン7204°Cこの加熱プレート1の構成は、あらゆる加熱プレート1用に広く用いることができ、基板9上の良好な温度均一性を得るために用いることができる。特に、薄膜太陽電池の製造等の、広い領域のコーティングへの応用に用いることができる。本発明は図面及び前述の明細書において詳細に示され、また説明されている。このような図面及び説明は考察された説明または例示であり限定的ではなく、本発明は開示された実施形態に限定されない。開示された実施形態の他の形態は、図面、開示及び添付の請求項の検討から、請求された発明の実践において、これらの知識により理解され、また成し遂げることができる。請求項において、備えるcomprisingの用語は、他の要素又はステップを除外せず、不定冠詞a又はanは複数形を除外しない。明確な手段が互いに異なる従属請求項において引用されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが利点になり得ないことを示すものではない。請求項における全ての参照符号は、限定的な範囲として解釈すべきではない。"