放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームにその断面内でパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分の上に投影する投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、n次ウェーハアライメントモデルを適用して前記基板全体にわたってn次歪みをモデル化するようにさらに動作可能であり、ここでnが1よりも大きい整数であり、前記モデルが、少なくとも1つのフィールド内効果を考慮に入れた少なくとも1つの入力パラメータを使用して適用される、リソグラフィ装置。前記フィールド内効果に対応するために使用される前記少なくとも1つの入力パラメータが並進移動パラメータを含むように動作可能である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。少なくとも1つのスキャンモードで動作可能な請求項1または2に記載のリソグラフィ装置であって、前記パターン付き放射ビームが前記基板の前記ターゲット部分全体にわたってスキャンされ、前記スキャン方向が別々のターゲット部分で異なり、前記フィールド内効果が、別々のターゲット部分で異なる前記スキャン方向の結果として生じる、リソグラフィ装置。前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータが、第1の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータであって、前記第1の次元で第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、前記第1の次元で反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとを含むように動作可能である、請求項2に記載の、あるいは請求項3が請求項2に従属する限り請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記第1の次元がy次元になるように動作可能である、請求項4に記載のリソグラフィ装置。前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータがまた、別の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータも含むように動作可能である、請求項4または5に記載のリソグラフィ装置。並進移動エラーが、前記基板上で露光されるべき次の各層で同じであると分かっている場合に、第1の方向にスキャンされる前記ターゲット部分と、反対の第2の方向にスキャンされる前記ターゲット部分との並進移動差が計算され、前記少なくとも1つの入力パラメータがこの並進移動差に対して補正されるように動作可能である、請求項3が請求項2に従属する限り請求項3に記載のリソグラフィ装置。前記少なくとも1つの補正された入力パラメータが、第1の方向にスキャンされる前記ターゲット部分の前記第1の並進移動パラメータと、第2の方向にスキャンされる前記ターゲット部分の前記第2の並進移動パラメータとの平均を求めることによって決定されるように動作可能である、請求項7に記載のリソグラフィ装置。パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影する段階と、n次ウェーハアライメントモデルを適用して前記基板全体にわたってn次歪みをモデル化する段階とを含み、ここでnが1より大きい整数であり、前記モデルが、少なくとも1つのフィールド内効果を考慮に入れた少なくとも1つの入力パラメータを使用して適用される、デバイス製造方法。前記フィールド内効果に対応するために使用される少なくとも1つの入力パラメータが並進移動パラメータを含む、請求項9に記載のデバイス製造方法。前記パターン付き放射ビームが、前記投影工程中に前記基板の前記ターゲット部分全体にわたってスキャンされ、前記スキャン方向が別々のターゲット部分で異なり、前記フィールド内効果が、別々のターゲット部分で異なる前記スキャン方向の結果として生じる、請求項9または10に記載のデバイス製造方法。前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータが、第1の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータであって、前記第1の次元で第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、前記第1の次元で反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとを含む、請求項10に記載の、あるいは請求項11が請求項10に従属する限り請求項11に記載のデバイス製造方法。前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータがまた、別の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータも含む、請求項12に記載のデバイス製造方法。並進移動エラーが、次の各スキャン層で同じであると分かっている場合に、第1の方向にスキャンされる前記ターゲット部分と、第2の方向にスキャンされる前記ターゲット部分との並進移動差が計算され、前記少なくとも1つの入力パラメータがこの並進移動差に対して補正される、請求項11が請求項10に従属する限り請求項11に記載のデバイス製造方法。前記少なくとも1つの補正された入力パラメータが、第1の方向にスキャンされる前記ターゲット部分の前記第1の並進移動パラメータと、反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の前記第2の並進移動パラメータとの平均を求めることによって決定される、請求項14に記載のデバイス製造方法。図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えばUV放射またはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAをサポートするように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。照明システムは、放射を配向付けし、成形しまたは制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよい。サポート構造は、パターニングデバイスを支持し、すなわちその重量を担う。サポート構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に左右される形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。本明細書における用語レチクルまたはマスクのいかなる使用も、より一般的な用語パターニングデバイスと同義と見なされてよい。本明細書において使用されるパターニングデバイスという語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。パターニングデバイスは、透過式または反射式のものであってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフトおよびハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例が、小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームをそれぞれに異なる方向に反射するように個別に傾斜させることが可能である。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。本明細書で使用される投影システムという用語は、使用される露光放射に適した、または液浸液の使用もしくは真空の使用など、他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものとして、広義に解釈すべきである。本明細書において、投影レンズという用語を使用している場合、より一般的な用語である投影システムと同義語と見なすことができる。ここで示したように、この装置は、例えば、透過マスクを使用する透過型である。あるいは、装置は、例えば、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する反射型でもよい。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または複数のマスクテーブルを有するタイプの装置であってもよい。このようなマルチステージマシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、あるいは1つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、1つまたは複数のテーブルに対して予備工程を実行することができる。また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを満たすように、基板の少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプのものであってよい。また、液浸液を、例えばマスクと投影システムとの間などの、リソグラフィ装置内の他のスペースに適用することができる。液浸技術は、当技術において、投影システムの開口数を増大させることでよく知られている。本明細書において使用される液浸という語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光の際に投影システムと基板との間に配置されることを意味するにすぎない。図1を参照すると、イルミネータILが、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザであるとき、別々のものとすることができる。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームが、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを用いて、放射源SOからイルミネータILに渡される。別の場合には、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ぶことができる。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、σouter、σinnerとそれぞれ呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、放射ビームの断面内に所望の均一性および強度分布を持つように放射ビームを条件付けすることができる。放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスによりパターン付けされる。マスクMAを横断すると、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、同システムは基板Wのターゲット部分C上にビームを集束させる。第2のポジショナPWおよび位置センサIF例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサの補助により、例えば放射ビームBの経路中に個々のターゲット部分Cを位置決めするように、基板テーブルWTを正確に移動させることが可能となる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には図示されないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械検索の後に、またはスキャンの最中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることが可能である。一般的には、マスクテーブルMTの移動は、ロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めの補助により実現することができ、これらのモジュールが、第1のポジショナPMの一部を形成する。同様に、基板テーブルWTの移動は、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができ、これらのモジュールが、第2のポジショナPWの一部を形成する。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータのみに連結することができ、または固定することができる。マスクMAおよび基板Wは、マスクアラインメントマークM1、M2および基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示されているような基板アラインメントマークは専用ターゲット部分に位置を占めるが、これらはターゲット部分間のスペースに配置することができるそれらはけがき線アラインメントマークとして知られる。同様に、2つ以上のダイがマスクMA上に設けられる状況では、マスクアラインメントマークはダイ間に配置することができる。図示の装置は少なくともスキャンモード使用することができ、そのモードでマスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大率縮小率および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャニング方向の幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分のスキャニング方向の高さを決定する。別のモードでは、マスクテーブルMTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTが移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Cの上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各動作後に、またはスキャン中連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。前述の使用モードまたは全く異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてよい。以下の説明では、スキャンアップ-スキャンダウンSUSD効果およびステップレフト-ステップライトSLSR効果、ならびに高次ウェーハアライメントHOWAモデル化がどのようにしてこれらのフィールド内効果の結果を補償または補正するように適合できるのかに注目する。しかし、当業者であれば、これらが特定の例にすぎず、本発明が、例えばレンズ加熱の結果として生じたものなど、他のフィールド内効果にも同様に適用できることを理解されよう。前に説明したように、ウェーハ変形に追従するために、したがってそれを補償するために高次ウェーハアライメントHOWAモデル化を実施することが望ましい場合がある。ウェーハアライメントモデルの1つの重要なパラメータは、それがHOWAモデルであろうとなかろうと、並進移動であるある特定の方向の相対変位であり、例えばこのモデルパラメータはx並進移動およびy並進移動を含みうる。並進移動は、フィールド内パラメータまたはフィールド間パラメータとして扱えることに注意されたい。前述のように、並進移動をフィールド内パラメータとして扱う場合にはすべてのフィールドを並進させ、並進移動をフィールド間パラメータとして扱う場合にはウェーハ格子を並進させる。本明細書に関係するタイプのリソグラフィ露光中、ウェーハ上の各フィールドはスキャンで露光されるしたがって一般に用いられる名称スキャナ。このスキャンは通常、ウェーハが置かれたステージ/チャックのY方向の動きによって行われる。スキャナの生産性/スループットを改善するために、スキャンは、次のフィールドのストロークで反対の方向に行われることが多く順序はY、-Y、Y、-Yなど、したがって、フィールドの半分がY方向に、別の半分が-Y方向にスキャンされることになる。並進移動パラメータなど、Yで露光されるフィールドのいくつかのパラメータが、-Yで露光されるフィールドのパラメータとわずかに異なることが分かっている。この現象は、スキャンアップ-スキャンダウンSUSD効果と呼ばれる。一般にSUSD効果により、アップスキャンされるフィールドとダウンスキャンされるフィールドとの間に1nmまでの並進移動差が生じうる。前述のように、SUSDに類似のステップレフト-ステップライトSLSR効果と呼ばれる効果があり、これはいくつかのフィールドパラメータに同様の影響を及ぼす可能性があるが、これに対しても以下の方法を同様に用いてその影響に対処することができる。実際、背景情報ある露光でフィールドが左方向にスキャンされたのか右方向にスキャンされたのかなど、およびSLSRの結果として生じたフィールド内効果についての知識を用いて、影響を受けるパラメータを別々にモデル化し、ここで説明するSUSDの例のようにそれを除去することができる。HOWAモデル化は、全体効果フィールド間であるウェーハ処理効果に対処するように意図されているので、SUSD効果などの局部スキャナ効果フィールド内は、HOWA格子を歪ませてオーバーレイエラーを引き起こす。したがって、前の露光でフィールドが上にスキャンされたか下にスキャンされたかについての知識は、HOWAモデルが計算されるときには考慮されない。通常使用される6パラメータモデルではなくHOWAモデルを使用してウェーハ格子を決定する場合は、自由度の数が増大される。使用されるHOWAモデルの次数が高いほど、モデルにはより大きい自由度が伴う。通常使用される線形6パラメータモデルは6度の自由度を有するのに対し、3次多項式HOWAモデルは20度の自由度を有し、5次多項式HOWAモデルは42度の自由度を有する。したがって、線形6パラメータモデルではなくHOWAモデルを使用する場合、ウェーハ格子が正確であるためには正確に決定されなければならない自由度の数が大きく増大する。ウェーハ縁部の測定値の密度は通常、ウェーハの中心と比べると小さいので、ウェーハ格子の精度に関する問題が特にウェーハ縁部で生じ、その結果、歪みがあればウェーハ縁部で顕著になる。図2はこの歪みの効果をウェーハアライメントモデルのそれぞれ異なる次数について、1nmのSUSD相対並進移動の結果として生じるオーバーレイ影響を示すことによって表す。図2aは、この効果を標準的な線形6パラメータモデルで示し、図2b~2eは、この効果をそれぞれ次数2~5の高次多項式アライメントHOWAモデルで示す。5次HOWAモデルではオーバーレイ影響が、典型的なSUSD変位1nmに対して5.8nmにもなることが分かる。これらの図はまた、前の段落で説明した理由の結果として、このオーバーレイ影響がウェーハ縁部でどのくらい大きくなるかも表している。したがって、ウェーハアライメント方法では、追加情報を用いること、例えば前の層および場合により現在の層の露光ルーティングを用いることが有益である。前の層の露光ルーティングは、アライメントによって測定できるSUSD効果をその層が含むので、最も重要である。現在の層の露光ルーティングは、先進のプロセス制御システムによってこの露光のSUSD効果に対処できるので、重要性が低い。露光ルーティングを考慮するフィードバック解決法が以前に試みられたこと、これらはしかしオーバーレイが複雑であることを前に述べた。代わりに、HOWAモデル化が行われるときに露光ルーティングが考慮に入れられるフィードフォワード解決法を使用することを提案する。これは、実際のスキャンを行ってこれをフィードバックした後に並進移動パラメータに対する実際のSUSD/SLSR効果を単純に測定するのではなく、並進移動パラメータ、特にy並進移動パラメータすなわちスキャン方向の並進移動のパラメータに対するSUSDの効果を考慮することによって、あるいは同様に、並進移動パラメータ、特にx並進移動パラメータすなわち進行方向の並進移動のパラメータに対するSLSRの効果を考慮することによって実現することができる。特にSUSDに関して、2つの方法を提案する。どちらかを行うことにより、ウェーハ格子上の特にサンプリング密度が低いウェーハ縁部で、SUSD効果の結果として生じる影響が大幅に小さくなる。これらの方法から当業者には、等価な方法がSLSR効果に対して存在し、そのような方法をどのように実施できるかということが明らかになるはずである。第1の方法は、HOWAモデル内で、ウェーハごとに入力並進移動パラメータ並進移動xおよび並進移動yを並進移動Tx_up上スキャンされたフィールドのx並進移動パラメータ、並進移動Tx_down下スキャンされたフィールドのx並進移動パラメータ、並進移動Ty_up上スキャンされたフィールドのy並進移動パラメータ、および並進移動Ty_down下スキャンされたフィールドのy並進移動パラメータに分割するものである。しかし、SUSDの効果がy方向にだけ影響を及ぼすならばこの場合が多い、通常のxの単一パラメータで十分である。この方法は、露光ルーティングが前の層と異なる場合、またはSUSD効果が現在の層の露光ツールと前の層の露光ツールとで異なる場合に特に適切である。この方法を用いると、先進のプロセス制御システムでフィールド内デルタに対処することができる。これは簡単な補正である。というのは、アライメントシステムは前の層に対処しそれが測定、モデル化されて、補正されることになる、APCシステムが、現在の層のフィールド内エラーを補正するのに、現在の層の露光からの情報しか必要としないからである。その結果、APCは前の層の背景を必要とせず、これは前述の従来技術に対するさらなる改善になる。別法として、前の層に存在するのと全く同じフィールド内効果が現在の層で生じることが分かっている場合には、上スキャンされるフィールドと下スキャンされるフィールドの並進移動差を計算することができ、この並進移動差に対して並進移動入力パラメータを補正することができる。次に、この補正された並進移動パラメータは、現在のHOWAモデルを適用する場合に、通常の方法でy並進移動パラメータに対して使用することができる。特定の一実施形態では、使用されるy並進移動パラメータは、TyupTydown/2で計算することができる。ここでTy_upは上スキャンされたフィールドのy並進移動パラメータであり、Ty_downは下スキャンされたフィールドのy並進移動パラメータである。同じフィールド内エラーが2回起きた場合、フィールド内オーバーレイデルタは取り消される。同様な技法をx並進移動パラメータに対して、それがSUSD効果による影響を受けるならば、実施することができる。Ty_upおよびTy_downは、フィールド内効果がSUSDである場合にフィールド間モデルにおける大きな縁部効果を回避するために、なおモデル化されなければならないことに注意されたい。本文中では、ICの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書におけるウェーハまたはダイという用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である基板またはターゲット部分と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、例えば、トラック一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。本明細書で使用される放射およびビームという語は、紫外UV放射例えば365、355、248、193、157または126nmの、またはほぼそれらの値の波長を有するおよび極端紫外EUV放射例えば5~20nmの範囲の波長を有するを含むすべてのタイプの電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。文脈によって許される場合、レンズという用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の1つまたは組合せを意味している。上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上述の方法について説明する機械可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクの形態をとることができる。上述の説明は例示として意図され、限定的なものではない。したがって、以下に述べられる条項の範囲から逸脱することなく、説明される発明に変更をなし得ることが、当業者には明らかになろう。1.放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームにその断面内でパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートと、基板を保持するようにそれぞれ構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するように構成された投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、n次ウェーハアライメントモデルを適用して基板全体にわたってn次歪みをモデル化するようにさらに動作可能であり、ここでnが1よりも大きい整数であり、前記モデルが、少なくとも1つのフィールド内効果を考慮に入れた少なくとも1つの入力パラメータを使用して適用される、リソグラフィ装置。2.n次ウェーハアライメントモデルへの前記フィールド内効果の影響が測定値によって既定されていない、条項1に記載のリソグラフィ装置。3.前記フィールド内効果に対応するために使用される少なくとも1つの入力パラメータが並進移動パラメータを含むように動作可能である、条項1または2に記載のリソグラフィ装置。4.少なくとも1つのスキャンモードで動作可能な条項1、2または3に記載のリソグラフィ装置であって、パターン付き放射ビームが基板の前記ターゲット部分全体にわたってスキャンされ、そのスキャン方向が別々のターゲット部分で異なり、前記フィールド内効果が、別々のターゲット部分で異なる前記スキャン方向の結果として生じる、リソグラフィ装置。5.ターゲット部分の約半分が第1の方向にスキャンされ、ターゲット部分の残りが反対の第2の方向にスキャンされるように動作可能である、条項4に記載のリソグラフィ装置。6.前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータが、第1の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータと、前記第1の次元で第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、前記第1の次元で反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとを含むように動作可能である、条項3に記載の、あるいは条項4が条項3に従属する限り、条項4に記載のリソグラフィ装置。7.前記第1の方向がy次元になるように動作可能である、条項6に記載のリソグラフィ装置。8.前記モデルの少なくとも1つの入力パラメータがまた、別の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータも含むように動作可能である、条項6または7に記載のリソグラフィ装置。9.並進移動エラーが、基板上で露光されるべき次の各層で同じであると分かっている場合に、第1の方向にスキャンされるターゲット部分と、反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分との並進移動差が計算され、前記少なくとも1つの入力パラメータがこの並進移動差に対して補正されるように動作可能である、条項4に記載の、あるいは条項4が条項3に従属する限り条項5に記載のリソグラフィ装置。10.前記少なくとも1つの補正された入力パラメータが、第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとの平均を求めることによって決定されるように動作可能である、条項9に記載のリソグラフィ装置。11.前記n次ウェーハアライメントモデルがn次多項式ウェーハアライメントモデルを含む、条項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ装置。12.パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影する段階と、n次ウェーハアライメントモデルを適用して基板全体にわたってn次歪みをモデル化する段階とを含み、ここでnが1より大きい整数であり、前記モデルが、少なくとも1つのフィールド内効果を考慮に入れた少なくとも1つの入力パラメータを使用して適用される、デバイス製造方法。13.n次ウェーハアライメントモデルへの前記フィールド内効果の影響が測定値によって既定されていない、条項12に記載のデバイス製造方法。14.前記フィールド内効果に対応するために使用される少なくとも1つの入力パラメータが並進移動パラメータを含む、条項12または13に記載のデバイス製造方法。15.前記パターン付き放射ビームが、前記投影工程中に基板の前記ターゲット部分全体にわたってスキャンされ、そのスキャン方向が別々のターゲット部分で異なり、前記フィールド内効果が、別々のターゲット部分で異なる前記スキャン方向の結果として生じる、条項12、13または14に記載のデバイス製造方法。16.ターゲット部分の約半分が第1の方向にスキャンされ、ターゲット部分の残りが反対の第2の方向にスキャンされる、条項15に記載のデバイス製造方法。17.前記モデルの前記少なくとも1つの入力パラメータが、第1の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータと、前記第1の次元で第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、前記第1の次元で反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとを含む、条項14に記載の、あるいは条項15が条項14に従属する限り条項15に記載のデバイス製造方法。18.前記第1の方向がy次元である、条項17に記載のデバイス製造方法。19.前記モデルの少なくとも1つの入力パラメータがまた、別の次元に対応する2つ別個の並進移動パラメータも含む、条項17または18に記載のデバイス製造方法。20.並進移動エラーが、次の各スキャン層で同じであると分かっている場合に、第1の方向にスキャンされるターゲット部分と、第2の方向にスキャンされるターゲット部分との並進移動差が計算され、前記少なくとも1つの入力パラメータがこの並進移動差に対して補正される、条項15に記載の、あるいは条項15が条項14に従属する限り条項16に記載のデバイス製造方法。21.前記少なくとも1つの補正された入力パラメータが、第1の方向にスキャンされるターゲット部分の第1の並進移動パラメータと、反対の第2の方向にスキャンされるターゲット部分の第2の並進移動パラメータとの平均を求めることによって決定される、条項20に記載のデバイス製造方法。22.前記n次ウェーハアライメントモデルがn次多項式ウェーハアライメントモデルを含む、条項12から21のいずれかに記載のデバイス製造方法。23.適切な装置で実施された場合に、条項12から22のいずれかの方法を実行するように動作可能であるプログラム命令を含む、コンピュータプログラム製品。