固定金型が取り付けられる第1の固定部材と、前記第1の固定部材と対向して配設される第2の固定部材と、可動金型が取り付けられる第1の可動部材と、前記第1の可動部材と連結されて前記第1の可動部材と共に移動する第2の可動部材と、を備え、前記第2の固定部材と前記第2の可動部材は、電磁石による吸着力で型締力を発生させる型締力発生機構を構成し、前記第2の固定部材及び前記第2の可動部材のうちの少なくとも一方の部材は、鋳造物により構成され、該鋳造物は、電気伝導率が所定値より低い物質からなる低電導性層を含んで構成される、射出成形機。前記低電導性層は、前記電磁石を形成するコイルが配置される方の部材における磁場の対称面又は平行面に配置される、請求項1に記載の射出成形機。前記低電導性層は、前記電磁石を形成するコイルが配置される方の部材における断面内の一部に設けられる、請求項1又は2に記載の射出成形機。前記電磁石を形成するコイルが配置される方の部材における前記低電導性層が存在しない部位に、冷却機構が設けられる、請求項3に記載の射出成形機。前記鋳造物を補強する補強部材を備える、請求項1~4のうちのいずれか1項に記載の射出成形機。前記補強部材に冷却機構が設けられる、請求項5に記載の射出成形機。ところで、特許文献1に記載されるような電磁石の吸着力を利用した型締装置を使用する構成の場合、渦電流の発生による応答遅れや鉄損、それによる発熱等が問題となる。そこで、本発明は、渦電流の流路を適切に遮断して応答性を高めることができる射出成形機の提供を目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一局面によれば、固定金型が取り付けられる第1の固定部材と、前記第1の固定部材と対向して配設される第2の固定部材と、可動金型が取り付けられる第1の可動部材と、前記第1の可動部材と連結されて前記第1の可動部材と共に移動する第2の可動部材と、を備え、前記第2の固定部材と前記第2の可動部材は、電磁石による吸着力で型締力を発生させる型締力発生機構を構成し、前記第2の固定部材及び前記第2の可動部材のうちの少なくとも一方の部材は、鋳造物により構成され、該鋳造物は、電気伝導率が所定値より低い物質からなる低電導性層を含んで構成される、射出成形機が提供される。本発明によれば、渦電流の流路を適切に遮断して応答性を高めることができる射出成形機が得られる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。尚、本実施の形態において、型締装置については、型閉じを行う際の可動プラテンの移動方向を前方とし、型開きを行う際の可動プラテンの移動方向を後方とし、射出装置については、射出を行う際のスクリューの移動方向を前方とし、計量を行う際のスクリューの移動方向を後方として説明する。図1は本発明の実施の形態の射出成形機における型締装置の型閉じ時の状態を示す図、図2は本発明の実施の形態の射出成形機における型締装置の型開き時の状態を示す図である。尚、図1及び図2において、ハッチングを付された部材は主要断面を示す。図において、10は型締装置、Frは射出成形機のフレーム架台、Gdは、該フレームFrに対して可動なガイド、11は、図示されないガイド上又はフレームFr上に載置された固定プラテンであり、該固定プラテン11と所定の間隔を置いて、かつ、固定プラテン11と対向させてリヤプラテン13が配設され、固定プラテン11とリヤプラテン13との間に4本のタイバー14図においては、4本のタイバー14のうちの2本だけを示す。が架設される。尚、リヤプラテン13は、フレームFrに対して固定される。タイバー14の前端部図において右端部にはネジ部図示せずが形成され、該ネジ部にナットn1を螺合して締め付けることによって、タイバー14の前端部が固定プラテン11に固定される。タイバー14の後端部はリヤプラテン13に固定される。そして、タイバー14に沿って固定プラテン11と対向させて可動プラテン12が型開閉方向に進退自在に配設される。そのために、可動プラテン12がガイドGdに固定され、可動プラテン12におけるタイバー14と対応する箇所にタイバー14を貫通させるための図示されないガイド穴又は切欠き部が形成される。尚、ガイドGdには、後述の吸着板22も固定される。また、固定プラテン11には固定金型15が、可動プラテン12には可動金型16がそれぞれ固定され、可動プラテン12の進退に伴って固定金型15と可動金型16とが接離させられ、型閉じ、型締め及び型開きが行われる。尚、型締めが行われるのに伴って、固定金型15と可動金型16との間に図示されないキャビティ空間が形成され、射出装置17の射出ノズル18から射出された図示されない樹脂がキャビティ空間に充墳される。また、固定金型15及び可動金型16によって金型装置19が構成される。吸着板22は、可動プラテン12と平行にガイドGdに固定される。これにより、吸着板22は、リヤプラテン13より後方において進退自在となる。吸着板22は、磁性材料で形成されてよい。例えば、吸着板22は、強磁性体から成る薄板を積層することによって形成される電磁積層鋼板により構成されてもよい。或いは、吸着板22は、鋳造により形成されてもよい。リニアモータ28は、可動プラテン12を進退させるため、ガイドGdに設けられる。リニアモータ28は、固定子29、及び可動子31を備え、固定子29は、フレームFr上において、ガイドGdと平行に、かつ、可動プラテン12の移動範囲に対応させて形成され、可動子31は、可動プラテン12の下端において、固定子29と対向させて、かつ、所定の範囲にわたって形成される。可動子31は、コア34及びコイル35を備える。そして、コア34は、固定子29に向けて突出させて、所定のピッチで形成された複数の磁極歯33を備え、コイル35は、各磁極歯33に巻装される。尚、磁極歯33は可動プラテン12の移動方向に対して直角の方向に、互いに平行に形成される。また、固定子29は、図示されないコア、及び該コア上に延在させて形成された図示されない永久磁石を備える。該永久磁石は、N極及びS極の各磁極を交互に着磁させることによって形成される。コイル35に所定の電流を供給することによってリニアモータ28を駆動すると、可動子31が進退させられ、それに伴って、ガイドGdにより可動プラテン12が進退させられ、型閉じ及び型開きを行うことができる。尚、本実施の形態においては、固定子29に永久磁石を、可動子31にコイル35を配設するようになっているが、固定子にコイルを、可動子に永久磁石を配設することもできる。その場合、リニアモータ28が駆動されるのに伴って、コイルが移動しないので、コイルに電力を供給するための配線を容易に行うことができる。尚、ガイドGdに可動プラテン12と吸着板22を固定する構成に限られず、可動プラテン12又は吸着板22にリニアモータ28の可動子31を設ける構成としてもよい。また、型開閉機構としては、リニアモータ28に限定されず、油圧式や電動式等であってもよい。可動プラテン12が前進させられて可動金型16が固定金型15に当接すると、型閉じが行われ、続いて、型締めが行われる。リヤプラテン13と吸着板22との間に、型締めを行うための電磁石ユニット37が配設される。また、リヤプラテン13及び吸着板22を貫通して延び、かつ、可動プラテン12と吸着板22とを連結するセンターロッド39が進退自在に配設される。該センターロッド39は、型閉じ時及び型開き時に、可動プラテン12の進退に連動させて吸着板22を進退させ、型締め時に、電磁石ユニット37によって発生させられた吸着力を可動プラテン12に伝達する。尚、固定プラテン11、可動プラテン12、リヤプラテン13、吸着板22、リニアモータ28、電磁石ユニット37、センターロッド39等によって型締装置10が構成される。電磁石ユニット37は、リヤプラテン13側に形成された電磁石49、及び吸着板22側に形成された吸着部51からなる。また、リヤプラテン13の後端面の所定の部分、本実施の形態においては、センターロッド39まわりに溝45が形成され、溝45よりも内側にコア46、及び溝45よりも外側にヨーク47が形成される。そして、溝45内でコア46まわりにコイル48が巻装される。尚、コア46及びヨーク47は、鋳物の一体構造で構成されてもよい。尚、本実施の形態において、リヤプラテン13とは別に電磁石49が、吸着板22とは別に吸着部51が形成されもよいし、リヤプラテン13の一部として電磁石を、吸着板22の一部として吸着部を形成してもよい。また、電磁石と吸着部の配置は、逆であってもよい。例えば、吸着板22側に電磁石49を設け、リヤプラテン13側に吸着部を設けてもよい。電磁石ユニット37において、コイル48に電流を供給すると、電磁石49が駆動され、吸着部51を吸着し、型締力を発生させることができる。センターロッド39は、後端部において吸着板22と連結させて、前端部において可動プラテン12と連結させて配設される。したがって、センターロッド39は、型閉じ時に可動プラテン12と共に前進させられて吸着板22を前進させ、型開き時に可動プラテン12と共に後退させられて吸着板22を後退させる。そのために、リヤプラテン13の中央部分に、センターロッド39を貫通させるための穴41が形成され、穴41の前端部の開口に臨ませて、センターロッド39を摺動自在に支持するブッシュ等の軸受部材Br1が配設される。型締装置10のリニアモータ28及び電磁石49の駆動は、制御部60によって制御される。制御部60は、CPU及びメモリ等を備え、CPUによって演算された結果に応じて、リニアモータ28のコイル35や電磁石49のコイル48に電流を供給するための回路も備える。制御部60には、また、荷重検出器55が接続される。荷重検出器55は、型締装置10において、少なくとも1本のタイバー14の所定の位置固定プラテン11とリヤプラテン13との間における所定の位置に設置され、当該タイバー14にかかる荷重を検出する。図中では、上下二本のタイバー14に荷重検出器55が設置された例が示されている。荷重検出器55は、例えば、タイバー14の伸び量を検出するセンサによって構成される。荷重検出器55によって検出された荷重は、制御部60に送られる。尚、制御部60は、図2においては便宜上省略されている。次に、型締装置10の動作について説明する。制御部60の型開閉処理部61によって型閉じ工程が制御される。図2の状態型開き時の状態において、型開閉処理部61は、コイル35に電流を供給する。続いて、リニアモータ28が駆動され、可動プラテン12が前進させられ、図1に示されるように、可動金型16が固定金型15に当接させられる。このとき、リヤプラテン13と吸着板22との間、すなわち、電磁石49と吸着部51との間には、ギャップδが形成される。尚、型閉じに必要とされる力は、型締力と比較されて十分に小さくされる。続いて、制御部60の型締処理部62は、型締工程を制御する。型締処理部62は、コイル48に電流を供給し、吸着部51を電磁石49の吸着力によって吸着する。それに伴って、吸着板22及びセンターロッド39を介して型締力が可動プラテン12に伝達され、型締めが行われる。型締め開始時等、型締力を変化させる際に、型締処理部62は、当該変化によって得るべき目標となる型締力、すなわち、定常状態で目標とする型締力を発生させるために必要な定常的な電流の値をコイル48に供給するように制御している。尚、型締力は荷重検出器55によって検出される。検出された型締力は制御部60に送られ、制御部60において、型締力が設定値になるようにコイル48に供給される電流が調整され、フィードバック制御が行われる。この間、射出装置17において溶融させられた樹脂が射出ノズル18から射出され、金型装置19のキャビティ空間に充墳される。キャビティ空間内の樹脂が冷却されて固化すると、型開閉処理部61は、型開き工程を制御する。型締処理部62は、図1の状態において、コイル48への電流の供給を停止する。それに伴って、リニアモータ28が駆動され、可動プラテン12が後退させられ、図2に示されるように、可動金型16が後退限位置に置かれ、型開きが行われる。ここで、図3以降を参照して、本発明の特徴的な構成について説明する。図3は、一実施例実施例1によるリヤプラテン13の単品状態を示す斜視図である。図4は、図3のラインA-Aに沿った断面図である。尚、図3及び図4において、矢印h、矢印Vは、それぞれリヤプラテン13の左右方向水平方向、上下方向垂直方向を示す。但し、これらの方向は射出成形機の設置状態向きに応じて変化するため、あくまで便宜的なものである。また、矢印fはリヤプラテン13の前後方向を示す。本実施例では、リヤプラテン13は、電気伝導率が所定値より低い物質からなる低電導性層80を含んで構成される。低電導性層80は、好ましくは、絶縁物質例えば、ガラス物質や樹脂等により構成される。低電導性層80は、リヤプラテン13の鋳造時に同時に形成される。即ち、リヤプラテン13は、低電導性層80を内部にインサートされた状態で鋳込むことにより形成される。低電導性層80は、スリット状にリヤプラテン13の断面内を延在する。本実施例では、低電導性層80は、磁場対称面X1に延在する態様で設けられる。即ち、低電導性層80は、リヤプラテン13の磁場対称面X1でコア46を横断する態様で配置される。ここで、磁場対称面X1とは、電磁石49の駆動時にリヤプラテン13と吸着板22に形成される磁場図5に模式的に示される磁力線P参照の対称面である。本例では単極構成であり、磁場対称面X1は、図3に示すように、リヤプラテン13の上下方向Vの中心を通って、リヤプラテン13の左右方向hに平行な平面である。図6は、低電導性層80を備えるリヤプラテン13の渦電流流路切断作用の説明図であり、図5Aは、低電導性層80を備えない場合の比較例を示し、図5Bは、本実施例を示し、コイル48が配置されたリヤプラテン13を吸着板22側から型締め方向に視た平面図である。リヤプラテン13が低電導性層80を備えない場合は、図5Aにて矢印Iで示すように、リヤプラテンの中央部コアに渦電流がセンターロッド用の穴まわりに流れる。このような渦電流は、上述の如く、電磁石49の駆動時の応答性型締め力の応答性を悪くする等の問題を生む。これに対して、本実施例によれば、リヤプラテン13は、磁場対称面X1に低電導性層80を含んで構成されるので、図5Bにて矢印I1、I2で示すように、センターロッド用の穴41まわりの渦電流の経路が、低電導性層80即ち磁場対称面X1にて、切断される。このようにして、渦電流の流路を適切に変化させることで、電磁石49の駆動時の応答性を高めることができる。また、低電導性層80は磁場対称面X1に延在するので、磁気的ギャップができず、低電導性層80による電磁石49の駆動時の出力への影響を最小限に抑えることができる。低電導性層80は、リヤプラテン13の前後方向fの全体に亘って設けられてもよいが、好ましくは、低電導性層80に起因した強度低下を抑制するために、一方側に図3及び図4に示す例では、リヤプラテン13の固定プラテン11側に薄肉部13Aが残存するように、配置される。尚、低電導性層80は、リヤプラテン13の吸着板22側に、同様の薄肉部が残存するように、配置されてもよいし、リヤプラテン13の固定プラテン11側とリヤプラテン13の吸着板22側の双方に薄肉部が残存するように、配置されてもよい。また、薄肉部13Aを利用して、水冷管図示せずがリヤプラテン13内に通されてもよい。同様に、低電導性層80は、リヤプラテン13の左右方向hの全体に亘って延在してもよいが図6B参照、両端部を残して延在してもよい。例えば、図6Bに示すように、渦電流の経路はコア46内であることから、左右方向hでコア46の両端間に延在してもよい即ち、図6Bの紙面垂直視で、リヤプラテン13における溝45が形成される範囲には、低電導性層80が延在しない構成であってもよい。また、任意的な構成として、リヤプラテン13には、補強部材90が設けられてもよい。この補強部材90は、低電導性層80の挿入に起因したリヤプラテン13の強度低下を補う機能を果たす。これにより、低電導性層80により応答性を高めつつ、リヤプラテン13として必要な強度を維持することができる。補強部材90は、典型的には、リヤプラテン13から電気的に絶縁された金属板などの板材で構成される。但し、補強部材90は、強度が保たれる限り、プラスティック等強化プラスティックにより形成されてもよい。尚、補強部材90は、リヤプラテン13にボルトや溶接等により結合されてもよいし、インサートによりリヤプラテン13と一体的に形成されてもよい。また、補強部材90は、冷却機構を備えてもよい。冷却機構は、例えば冷却水が流される管や、冷却水の通路が内部に形成された冷却プレートであってよい。後者の場合、補強部材90自体が冷却プレートで構成されてもよい。また、図4に示す例では、補強部材90は、低電導性層80の延在方向リヤプラテン13の左右方向hに沿って、低電導性層80にオーバラップする態様で設けられるが、低電導性層80の延在方向に交差する態様で設けられてもよい。図7は、実施例2によるリヤプラテン13の単品状態を示す斜視図である。図8は、図7のラインB-Bに沿った断面図である。同様に、図7及び図8において、矢印h、矢印Vは、それぞれリヤプラテン13の左右方向水平方向、上下方向垂直方向を示し、矢印fはリヤプラテン13の前後方向を示す。本実施例2においても、上述の実施例1と同様、リヤプラテン13は、電気伝導率が所定値より低い物質からなる低電導性層80を含んで構成される。低電導性層80は、好ましくは、絶縁物質例えば、ガラス物質や樹脂等により構成され、リヤプラテン13の鋳造時に同時に形成される。即ち、リヤプラテン13は、低電導性層80を内部にインサートされた状態で鋳込むことにより形成される。低電導性層80は、スリット状にリヤプラテン13の断面内を延在する。本実施例では、低電導性層80は、磁場平行面に延在する態様で設けられる。即ち、低電導性層80は、リヤプラテン13の上下方向Vでコア46を横断する態様で配置される。磁場平行面とは、電磁石49の駆動時にリヤプラテン13と吸着板22に形成される磁場図5に模式的に示される磁力線P参照の平行面である。従って、磁場平行面は、図5に示す断面に平行な面に相当する。このような低電導性層80の配置態様によっても、上述した実施例1と同様に、センターロッド用の穴41まわりの渦電流の経路図6A参照が、低電導性層80即ち磁場平行面にて、切断される。このようにして、渦電流の流路を適切に変化させることで、電磁石49の駆動時の応答性を高めることができる。また、低電導性層80が磁場平行面に延在するので、磁気的ギャップができず、低電導性層80による電磁石49の駆動時の出力への影響を最小限に抑えることができる。また、同様に、低電導性層80は、リヤプラテン13の前後方向fの全体に亘って設けられてもよいが、好ましくは、低電導性層80に起因した強度低下を抑制するために、一方側に図7及び図8に示す例では、リヤプラテン13の固定プラテン11側に薄肉部13Aが残存するように、配置される。尚、低電導性層80は、リヤプラテン13の吸着板22側に、同様の薄肉部が残存するように、配置されてもよいし、リヤプラテン13の固定プラテン11側とリヤプラテン13の吸着板22側の双方に薄肉部が残存するように、配置されてもよい。また、薄肉部13Aを利用して、水冷管図示せずがリヤプラテン13内に通されてもよい。また、リヤプラテン13の上下方向Vの全体に亘って延在してもよいが、両端部を残して延在してもよい。例えば、図6Bに示したように、渦電流の経路はコア46内であることから、上下方向Vでコア46の両端間に延在してもよい即ち、図6Bと同様の紙面垂直視で、リヤプラテン13における溝45が形成される範囲には、低電導性層80が延在しない構成であってもよい。また、任意的な構成として、リヤプラテン13には、補強部材90が設けられてもよい。この補強部材90は、低電導性層80の挿入に起因したリヤプラテン13の強度低下を補う機能を果たす。これにより、低電導性層80により応答性を高めつつ、リヤプラテン13として必要な強度を維持することができる。補強部材90は、典型的には、リヤプラテン13から電気的に絶縁された金属板などの板材で構成される。但し、補強部材90は、強度が保たれる限り、プラスティック等強化プラスティックにより形成されてもよい。尚、補強部材90は、リヤプラテン13にボルトや溶接等により結合されてもよいし、インサートによりリヤプラテン13と一体的に形成されてもよい。また、補強部材90は、冷却機構を備えてもよい。冷却機構は、例えば冷却水が流される管や、冷却水の通路が内部に形成された冷却プレートであってよい。後者の場合、補強部材90自体が冷却プレートで構成されてもよい。また、図8に示す例では、補強部材90は、低電導性層80の延在方向リヤプラテン13の上下方向Vに交差する方向リヤプラテン13の左右方向hで設けられるが、低電導性層80の延在方向リヤプラテン13の上下方向Vに沿って、低電導性層80にオーバラップする態様で設けられてもよい。また、補強部材90は、複数個、平行に設けられてもよい。尚、本実施例2では、リヤプラテン13は、低電導性層80が2つ配置されているが、低電導性層80の数は任意である。即ち、リヤプラテン13は、磁場平行面に平行に任意の数の低電導性層80が配置されてもよい。尚、本実施例2による構造は、上述した実施例1による構造と組み合わせることも可能である。即ち、リヤプラテン13は、磁場対称面X1に延在する追加の低電導性層80を備えてもよい。尚、上述した実施例においては、特許請求の範囲における第1の固定部材は、固定プラテン11に対応し、特許請求の範囲における第1の可動部材は、可動プラテン12に対応する。また、特許請求の範囲における第2の固定部材は、リヤプラテン13、13に対応し、特許請求の範囲における第2の可動部材は、吸着板22に対応する。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述の如く、吸着板22側に電磁石49を設け、リヤプラテン13、13側に吸着部を設けてもよい。このように吸着板22側に電磁石49を設ける場合には、鋳造により形成される吸着板22について、同様の低電導性層80を含む構造を実現すればよい。また、リヤプラテン13、13側に電磁石49を形成する場合でも、吸着板22を鋳造により形成して、吸着板22に対して同様の低電導性層80を含む構造を実現してもよい。これにより、吸着板22側においても渦電流の流路が同様に変更されるので、電磁石49の駆動時の応答性を高めることに寄与することができる。この場合、吸着板22は、好ましくは、リヤプラテン13、13の低電導性層80の位置に対応した位置に低電導性層を備える。即ち、吸着板22は、好ましくは、リヤプラテン13、13の同一の面内に低電導性層を備える。また、上述の実施例では、低電導性層80は、絶縁物質で構成されているが、絶縁物質は、空気であってもよい。即ち、低電導性層80は空気層から構成されてもよい。また、上述の実施例では、水が冷却用の流体として使用されているが、水以外の流体例えば、油や気体等が使用されてもよい。また、上述の実施例では、リヤプラテン13には、一極の電磁石49が形成されているが、リヤプラテン13には、複数の極が形成されるように電磁石が設けられてもよい即ち多極化が実現されてもよい。また、上述では、特定の構成の型締装置10を例示しているが、型締装置10は、電磁石を利用して型締めを行うものであれば、任意の構成であってよい。