"少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物を原料として用い、化学気相成長法により成膜して得られることを特徴とする、炭素含有酸化ケイ素膜。少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式1式中、R1,R2,R3は炭素数1~20の炭化水素基を表す。R1,R2は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R4は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表す。aは0乃至2の整数、lは1以上の整数、xは1乃至4の整数、yは0乃至3の整数、zは0乃至3の整数を表し、xyzは1乃至4の整数を表す。である、請求項1に記載の膜。少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式2式中、R5,R6は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R5とR6は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R7,R8,R9は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表わし、bは0乃至2の整数、mは1以上の整数、fは1乃至2の整数、pは1乃至10の整数を表わす。である、請求項1に記載の膜。化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項1~3いずれかに記載の膜。化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項1~3いずれかに記載の膜。請求項1乃至5のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の膜からなる封止膜。下記一般式3式中、R10,R11は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R10とR11は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R12は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表わし、cは0乃至2の整数、nは1以上の整数、gは1乃至2の整数、qは2乃至10の整数をわす。で示されるアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機環状シロキサン化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成ることを特徴とする封止膜。化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項8に記載の封止膜。化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項8に記載の封止膜。請求項8乃至10のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。請求項7乃至11のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。請求項7乃至11のいずれかに記載の封止膜、または請求項12に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。請求項7乃至11のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。トリスメトキシメチルエチルシラン、トリスエトキシメチルエチルシラン、トリスメトキシメチルn-プロピルシラン、トリスエトキシメチルn-プロピルシラン、トリスメトキシメチルイソプロピルシラン、トリスエトキシメチルイソプロピルシラン、トリスメトキシメチルn-ブチルシラン、トリスエトキシメチルn-ブチルシラン、トリスメトキシメチルイソブチルシラン、トリスエトキシメチルイソブチルシラン、トリスメトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスエトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスメトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスエトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスメトキシメチルsec-アミルシラン、トリスエトキシメチルsec-アミルシラン、トリスメトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスエトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスメトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスエトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスメトキシメチルシクロヘキシルシラン、トリスエトキシメチルシクロヘキシルシラン、トリスメトキシメチルビニルシラン、トリスエトキシメチルビニルシラン、トリスメトキシメチルアリルシラン、トリスエトキシメチルアリルシラン、トリスメトキシメチルフェニルシラン、トリスエトキシメチルフェニルシラン、ビスメトキシメチルジメチルシラン、ビスエトキシメチルジメチルシラン、ビスメトキシメチルジエチルシラン、ビスエトキシメチルジエチルシラン、ビスメトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスエトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスメトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスエトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスメトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジイソブチルシラン、ビスエトキシメチルジイソブチルシラン、ビスメトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスメトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスエトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスメトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスエトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスメトキシメチルジシクロヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジシクロヘキシルシラン、ビスメトキシメチルジビニルシラン、ビスエトキシメチルジビニルシラン、ビスメトキシメチルジアリルシラン、ビスエトキシメチルジアリルシラン、ビスメトキシメチルジフェニルシラン、ビスエトキシメチルジフェニルシラン、トリメチルメトキシメチルシラン、トリメチルエトキシメチルシラン、トリエチルメトキシメチルシラン、トリエチルエトキシメチルシラン、トリn-プロピルメトキシメチルシラン、トリn-プロピルエトキシメチルシラン、トリイソプロピルメトキシメチルシラン、トリイソプロピルエトキシメチルシラン、トリn-ブチルメトキシメチルシラン、トリn-ブチルエトキシメチルシラン、トリイソブチルメトキシメチルシラン、トリイソブチルエトキシメチルシラン、トリsec-ブチルメトキシメチルシラン、トリsec-ブチルエトキシメチルシラン、トリn-ペンチルメトキシメチルシラン、トリn-ペンチルエトキシメチルシラン、トリsec-アミルメトキシメチルシラン、トリsec-アミルエトキシメチルシラン、トリシクロペンチルメトキシメチルシラン、トリシクロペンチルエトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルメトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルエトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルメトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルエトキシメチルシラン、トリビニルメトキシメチルシラン、トリビニルエトキシメチルシラン、トリアリルメトキシメチルシラン、トリアリルエトキシメチルシラン、トリフェニルメトキシメチルシラン、トリフェニルエトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスエトキシメチルシラン、1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタン、ビス[トリスエトキシメチルシリル]エタン、1,3-ビスメトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、または2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン。下記一般式1式中、R1,R2,R3は炭素数1~20の炭化水素基を表す。R1,R2は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R4は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表す。aは0乃至2の整数、lは1以上の整数、xは1乃至4の整数、yは0乃至3の整数、zは0乃至3の整数を表し、xyzは1乃至4の整数を表す。で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。下記一般式2式中、R5,R6は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R5とR6は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R7,R8,R9は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表わし、bは0乃至2の整数、mは1以上の整数、fは1乃至2の整数、pは1乃至10の整数を表わす。で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。下記一般式4式中、R13,R14,R15,R16,R17,R18は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R13とR14、R17とR18は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。dとeは、0乃至2の整数、wとzは1以上の整数である。hとjは、0乃至3の整数であり、hとjの少なくとも一方は、1以上の整数である。iとkは、0乃至3の整数であり、少なくとも一方は、2以下の整数である。hiとjkは、0乃至3の整数である。で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式4式中、R13,R14,R15,R16,R17,R18は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R13とR14、R17とR18は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。dとeは、0乃至2の整数、wとzは1以上の整数である。hとjは、0乃至3の整数であり、hとjの少なくとも一方は、1以上の整数である。iとkは、0乃至3の整数であり、少なくとも一方は、2以下の整数である。hiとjkは、0乃至3の整数である。である、請求項1に記載の膜。化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項19に記載の膜。化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項19に記載の膜。請求項19乃至21のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。請求項19乃至22のいずれかに記載の膜からなる封止膜。請求項23に記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。請求項23に記載の封止膜、または請求項24に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。請求項23に記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する請求項1、2、3、または19記載の炭素含有酸化ケイ素膜。ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する請求項28に記載の封止膜。水透過性が5×10-3g/m2day以下であることを特徴とする請求項24記載のガスバリア部材。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、SiOCH組成を有し、特定の構造を有するケイ素化合物を原料としてCVDにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含んでなるガスバリア部材、FPDデバイス及び半導体デバイスを提供することにある。本発明者らは、特定の構造を有するケイ素化合物を原料として用い、CVDにより得られた膜が封止膜として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下のとおりである。1少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物を原料として用い、化学気相成長法により成膜して得られることを特徴とする、炭素含有酸化ケイ素膜。2少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式1式中、R1,R2,R3は炭素数1~20の炭化水素基を表す。R1,R2は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R4は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表す。aは0乃至2の整数、lは1以上の整数、xは1乃至4の整数、yは0乃至3の整数、zは0乃至3の整数を表し、xyzは1乃至4の整数を表す。である、1に記載の膜。3少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式2式中、R5,R6は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R5とR6は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R7,R8,R9は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表わし、bは0乃至2の整数、mは1以上の整数、fは1乃至2の整数、pは1乃至10の整数を表わす。である、1に記載の膜。4化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、1~3いずれかに記載の膜。5化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、1~3いずれかに記載の膜。6上述の1乃至5のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。7上述の1乃至6のいずれかに記載の膜からなる封止膜。8下記一般式3式中、R10,R11は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R10とR11は互いに結合し環状構造を形成してもよい。R12は炭素数1~20の炭化水素基または水素原子を表わし、cは0乃至2の整数、nは1以上の整数、gは1乃至2の整数、qは2乃至10の整数をわす。で示されるアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機環状シロキサン化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成ることを特徴とする封止膜。9化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、8に記載の封止膜。10化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、8に記載の封止膜。11上述の8乃至10のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。12上述の7乃至11のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。13上述の7乃至11のいずれかに記載の封止膜、または12に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。14上述の7乃至11のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。15トリスメトキシメチルエチルシラン、トリスエトキシメチルエチルシラン、トリスメトキシメチルn-プロピルシラン、トリスエトキシメチルn-プロピルシラン、トリスメトキシメチルイソプロピルシラン、トリスエトキシメチルイソプロピルシラン、トリスメトキシメチルn-ブチルシラン、トリスエトキシメチルn-ブチルシラン、トリスメトキシメチルイソブチルシラン、トリスエトキシメチルイソブチルシラン、トリスメトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスエトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスメトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスエトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスメトキシメチルsec-アミルシラン、トリスエトキシメチルsec-アミルシラン、トリスメトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスエトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスメトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスエトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスメトキシメチルシクロヘキシルシラン、トリスエトキシメチルシクロヘキシルシラン、トリスメトキシメチルビニルシラン、トリスエトキシメチルビニルシラン、トリスメトキシメチルアリルシラン、トリスエトキシメチルアリルシラン、トリスメトキシメチルフェニルシラン、トリスエトキシメチルフェニルシラン、ビスメトキシメチルジメチルシラン、ビスエトキシメチルジメチルシラン、ビスメトキシメチルジエチルシラン、ビスエトキシメチルジエチルシラン、ビスメトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスエトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスメトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスエトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスメトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジイソブチルシラン、ビスエトキシメチルジイソブチルシラン、ビスメトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスメトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスエトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスメトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスエトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスメトキシメチルジシクロヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジシクロヘキシルシラン、ビスメトキシメチルジビニルシラン、ビスエトキシメチルジビニルシラン、ビスメトキシメチルジアリルシラン、ビスエトキシメチルジアリルシラン、ビスメトキシメチルジフェニルシラン、ビスエトキシメチルジフェニルシラン、トリメチルメトキシメチルシラン、トリメチルエトキシメチルシラン、トリエチルメトキシメチルシラン、トリエチルエトキシメチルシラン、トリn-プロピルメトキシメチルシラン、トリn-プロピルエトキシメチルシラン、トリイソプロピルメトキシメチルシラン、トリイソプロピルエトキシメチルシラン、トリn-ブチルメトキシメチルシラン、トリn-ブチルエトキシメチルシラン、トリイソブチルメトキシメチルシラン、トリイソブチルエトキシメチルシラン、トリsec-ブチルメトキシメチルシラン、トリsec-ブチルエトキシメチルシラン、トリn-ペンチルメトキシメチルシラン、トリn-ペンチルエトキシメチルシラン、トリsec-アミルメトキシメチルシラン、トリsec-アミルエトキシメチルシラン、トリシクロペンチルメトキシメチルシラン、トリシクロペンチルエトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルメトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルエトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルメトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルエトキシメチルシラン、トリビニルメトキシメチルシラン、トリビニルエトキシメチルシラン、トリアリルメトキシメチルシラン、トリアリルエトキシメチルシラン、トリフェニルメトキシメチルシラン、トリフェニルエトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスエトキシメチルシラン、1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタン、ビス[トリスエトキシメチルシリル]エタン、1,3-ビスメトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、または2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン。16一般式1で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。17一般式2で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。18下記一般式4式中、R13,R14,R15,R16,R17,R18は炭素数1~20の炭化水素基を表わす。R13とR14、R17とR18は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。dとeは、0乃至2の整数、wとzは1以上の整数である。hとjは、0乃至3の整数であり、hとjの少なくとも一方は、1以上の整数である。iとkは、0乃至3の整数であり、少なくとも一方は、2以下の整数である。hiとjkは、0乃至3の整数である。で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。19少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が一般式4である、1に記載の膜。20化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、19に記載の膜。21化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、19に記載の膜。22上述の19乃至21のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。23上述の19乃至22のいずれかに記載の膜からなる封止膜。24上述の23に記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。25上述の23に記載の封止膜、または24に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。26上述の23に記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。27ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する1、2、3、または19記載の炭素含有酸化ケイ素膜。28ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する28に記載の封止膜。29水透過性が5×10-3g/m2day以下であることを特徴とする24記載のガスバリア部材。以下、本発明の詳細について説明する。本発明において、CVDの原料として使用できる少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は特に限定されるものではないが、前述の一般式1、一般式2、一般式3、および一般式4で示される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも一つであることが好ましい。上記一般式1~4おいて、R1,R2,R3,R5,R6,R10,R11,R13,R14,R15,R16,R17,R18は炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してもよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が20を超える場合は、対応する有機ハライド等の原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。CVD装置での安定的な使用を考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、炭素数1~10の炭化水素基が特に好ましい。R1,R2,R3,R5,R6,R10,R11,R13,R14,R15,R16,R17,R18が示す炭素数1~20の炭化水素基としては特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数1~20のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルケニルアリール基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アルキニルアリール基であり、更に好ましくは炭素数1~10のアルキル基およびアリール基を挙げることができる。具体的な例としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、シクロプロピル、n-ブチル、i-ブチル、sec-ブチル、tert.-ブチル、シクロブチル、n-ペンチル、tert.-アミル、シクロペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、2-エチルヘキシル等のアルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル等のアリール基、ベンジル、メチルベンジル等のアリールアルキル基、o-トルイル、m-トルイル、p-トルイル、2,3-ジメチルフェニル、2,4-ジメチルフェニル、2,5-ジメチルフェニル、2,6-ジメチルフェニル、3,4-ジメチルフェニル、3,5-ジメチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、o-エチルフェニル、m-エチルフェニル、p-エチルフェニル等のアルキルアリール基などが挙げられる。またビニル、アリル、1-プロペニル、1-ブテニル、1,3-ブタジエニル、1-ペンテニル、1-シクロペンテニル、2-シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、1-ヘキセニル、1-シクロヘキセニル、2,4-シクロヘキサジエニル、2,5-シクロヘキサジエニル、2,4,6-シクロヘプタトリエニル、5-ノルボルネン-2-イル等のアルケニル基、2-フェニル-1-エテニル等のアリールアルケニル基、o-スチリル,m-スチリル,p-スチリル等のアルケニルアリール基、エチニル、1-プロピニル、2-プロピニル、1-ブチニル,2-ブチニル,3-ブチニル、1-ペンチニル、2-ペンチニル、3-ペンチニル、4-ペンチニル、1-ヘキシニル、3-ヘキシニル、5-ヘキシニル等のアルキニル基、2-フェニル-1-エチニル等のアリールアルキニル基、2-エチニル-2フェニル等のアルキニルアリール基等を挙げることができる。上記一般式1~3において、R4,R7,R8,R9,R12は炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基または水素原子である。炭素数1~20の飽和または不飽和炭化水素基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してもよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が20を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。CVD装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、炭素数1~10の炭化水素基が特に好ましい。R4,R7,R8,R9,R12が示す炭素数1~20の炭化水素基としては特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数1~20のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルケニルアリール基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アルキニルアリール基であり、更に好ましくは炭素数1~10のアルキル基およびアリール基を挙げることができる。具体的な例としては、上記のR1,R2,R3,R5,R6,R10,R11の具体的な例と同様の置換基を挙げることができる。一般式1において、好ましくは、aは0~2の整数であり、lは1~6の整数であり、xは1~4の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~3の整数である。上記一般式1で表される有機ケイ素化合物の具体例としては、1-メトキシメチルシラン、ビス1-メトキシメチルシラン、トリス1-メトキシメチルシラン、テトラキス1-メトキシメチルシラン、1-エトキシメチルシラン、ビス1-エトキシメチルシラン、トリス1-エトキシメチルシラン、テトラキス1-エトキシメチルシラン、2-メトキシエチルシラン、ビス2-メトキシエチルシラン、トリス2-メトキシエチルシラン、テトラキス2-メトキシエチルシラン、2-エトキシエチルシラン、ビス2-エトキシエチルシラン、トリス2-エトキシエチルシラン、テトラキス2-エトキシエチルシラン、1-メトキシメチルメチルシラン、ビス1-メトキシメチルメチルシラン、トリス1-メトキシメチルメチルシラン、ビスメトキシメチルジメチルシラン、トリメチルメトキシメチルシラン、1-エトキシメチルメチルシラン、ビス1-エトキシメチルメチルシラン、トリス1-エトキシメチルメチルシラン、2-メトキシエチルメチルシラン、ビス2-メトキシエチルメチルシラン、トリス2-メトキシエチルメチルシラン、2-エトキシエチルメチルシラン、ビス2-エトキシエチルメチルシラン、トリス2-エトキシエチルメチルシラン、1-メトキシメチルエチルシラン、ビス1-メトキシメチルエチルシラン、トリス1-メトキシメチルエチルシラン、1-エトキシメチルエチルシラン、ビス1-エトキシメチルエチルシラン、トリス1-エトキシメチルエチルシラン、2-メトキシエチルエチルシラン、ビス2-メトキシエチルエチルシラン、トリス2-メトキシエチルエチルシラン、2-エトキシエチルエチルシラン、ビス2-エトキシエチルエチルシラン、トリス2-エトキシエチルエチルシランなどが挙げられる。また1-メトキシメチルジメチルシラン、1-メトキシメチルトリメチルシラン、ビス1-メトキシメチルジメチルシラン、1-エトキシメチルジメチルシラン、1-エトキシメチルトリメチルシラン、ビス1-エトキシメチルジメチルシラン、2-メトキシエチルジメチルシラン、2-メトキシエチルトリメチルシラン、ビス2-メトキシエチルジメチルシラン、2-エトキシエチルジメチルシラン、2-エトキシエチルトリメチルシラン、ビス2-エトキシエチルジメチルシラン、1-メトキシメチルジエチルシラン、1-メトキシメチルトリエチルシラン、ビス1-メトキシメチルジエチルシラン、1-エトキシメチルジエチルシラン、1-エトキシメチルトリエチルシラン、ビス1-エトキシメチルジエチルシラン、2-メトキシエチルジエチルシラン、2-メトキシエチルトリエチルシラン、ビス2-メトキシエチルジエチルシラン、2-エトキシエチルジエチルシラン、2-エトキシエチルトリエチルシラン、ビス2-エトキシエチルジエチルシランなどが挙げられる。また1-メトキシメチルメチルメトキシシラン、ビス1-メトキシメチルメチルメトキシシラン、トリス1-メトキシメチルメチルシラン、1-エトキシメチルメチルメトキシシラン、ビス1-エトキシメチルメチルメトキシシラン、トリス1-エトキシメチルメチルシラン、2-メトキシエチルメチルメトキシシラン、ビス2-メトキシエチルメチルメトキシシラン、トリス2-メトキシエチルメチルシラン、2-エトキシエチルメチルメトキシシラン、ビス2-エトキシエチルメチルメトキシシラン、トリス2-エトキシエチルメチルシラン、1-メトキシメチルエチルメトキシシラン、ビス1-メトキシメチルエチルメトキシシラン、トリス1-メトキシメチルエチルシラン、1-エトキシメチルエチルメトキシシラン、ビス1-エトキシメチルエチルメトキシシラン、トリス1-エトキシメチルエチルシラン、2-メトキシエチルエチルメトキシシラン、ビス2-メトキシエチルエチルメトキシシラン、トリス2-メトキシエチルエチルシラン、2-エトキシエチルエチルメトキシシラン、ビス2-エトキシエチルエチルメトキシシラン、トリス2-エトキシエチルエチルシランなどが挙げられる。また1-メトキシメチルメチルエトキシシラン、ビス1-メトキシメチルメチルエトキシシラン、1-エトキシメチルメチルエトキシシラン、ビス1-エトキシメチルメチルエトキシシラン、2-メトキシエチルメチルエトキシシラン、ビス2-メトキシエチルメチルエトキシシラン、2-エトキシエチルメチルエトキシシラン、ビス2-エトキシエチルメチルエトキシシラン、1-メトキシメチルエチルエトキシシラン、ビス1-メトキシメチルエチルエトキシシラン、1-エトキシメチルエチルエトキシシラン、ビス1-エトキシメチルエチルエトキシシラン、2-メトキシエチルエチルエトキシシラン、ビス2-メトキシエチルエチルエトキシシラン、2-エトキシエチルエチルエトキシシラン、ビス2-エトキシエチルエチルエトキシシランなどが挙げられる。また1-メトキシメチルメチルジメトキシシラン、1-エトキシメチルメチルジメトキシシラン、2-メトキシエチルメチルジメトキシシラン、2-エトキシエチルメチルジメトキシシラン、1-メトキシメチルエチルジメトキシシラン、1-エトキシメチルエチルジメトキシシラン、2-メトキシエチルエチルジメトキシシラン、2-エトキシエチルエチルジメトキシシラン、1-メトキシメチルメチルジエトキシシラン、1-エトキシメチルメチルジエトキシシラン、2-メトキシエチルメチルジエトキシシラン、2-エトキシエチルメチルジエトキシシラン、1-メトキシメチルエチルジエトキシシラン、1-エトキシメチルエチルジエトキシシラン、2-メトキシエチルエチルジエトキシシラン、2-エトキシエチルエチルジエトキシシランなどが挙げられる。また1-メトキシメチルトリメトキシシラン、1-エトキシメチルトリメトキシシラン、2-メトキシエチルトリメトキシシラン、2-エトキシエチルトリメトキシシラン、1-メトキシメチルトリメトキシシラン、1-エトキシメチルトリメトキシシラン、2-メトキシエチルトリメトキシシラン、2-エトキシエチルトリメトキシシラン、1-メトキシメチルトリエトキシシラン、1-エトキシメチルトリエトキシシラン、2-メトキシエチルトリエトキシシラン、2-エトキシエチルトリエトキシシラン、1-メトキシメチルトリエトキシシラン、1-エトキシメチルトリエトキシシラン、2-メトキシエチルトリエトキシシラン、2-エトキシエチルトリエトキシシラン1-メトキシメチルイソプロピルシラン、ビス1-メトキシメチルイソプロピルシラン、トリス1-メトキシメチルイソプロピルシラン、1-エトキシメチルイソプロピルシラン、ビス1-エトキシメチルイソプロピルシラン、トリス1-エトキシメチルイソプロピルシラン、2-メトキシエチルイソプロピルシラン、ビス2-メトキシエチルイソプロピルシラン、トリス2-メトキシエチルイソプロピルシランなどが挙げられる。また2-エトキシエチルイソブチルシラン、ビス2-エトキシエチルイソブチルシラン、トリス2-エトキシエチルイソブチルシラン、1-メトキシメチルイソブチルシラン、ビス1-メトキシメチルイソブチルシラン、トリス1-メトキシメチルイソブチルシラン、1-エトキシメチルイソブチルシラン、ビス1-エトキシメチルイソブチルシラン、トリス1-エトキシメチルイソブチルシラン、2-メトキシエチルイソブチルシラン、ビス2-メトキシエチルイソブチルシラン、トリス2-メトキシエチルイソブチルシラン、2-エトキシエチルイソブチルシラン、ビス2-エトキシエチルイソブチルシラン、トリス2-エトキシエチルイソブチルシラン等があげられる。またトリスメトキシメチルエチルシラン、トリスエトキシメチルエチルシラン、トリスメトキシメチルn-プロピルシラン、トリスエトキシメチルn-プロピルシラン、トリスメトキシメチルイソプロピルシラン、トリスエトキシメチルイソプロピルシラン、トリスメトキシメチルn-ブチルシラン、トリスエトキシメチルn-ブチルシラン、トリスメトキシメチルイソブチルシラン、トリスエトキシメチルイソブチルシラン、トリスメトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスエトキシメチルsec-ブチルシラン、トリスメトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスエトキシメチルn-ペンチルシラン、トリスメトキシメチルsec-アミルシラン、トリスエトキシメチルsec-アミルシラン、トリスメトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスエトキシメチルシクロペンチルシラン、トリスメトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスエトキシメチルn-ヘキシルシラン、トリスメトキシメチルシクロヘキシルシラン、トリスエトキシメチルシクロヘキシルシラン等があげられる。またトリスメトキシメチルビニルシラン、トリスエトキシメチルビニルシラン、トリスメトキシメチルアリルシラン、トリスエトキシメチルアリルシラン、トリスメトキシメチルフェニルシラン、トリスエトキシメチルフェニルシラン、ビスメトキシメチルジメチルシラン、ビスエトキシメチルジメチルシラン、ビスメトキシメチルジエチルシラン、ビスエトキシメチルジエチルシラン、ビスメトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスエトキシメチルジn-プロピルシラン、ビスメトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスエトキシメチルジイソプロピルシラン、ビスメトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジイソブチルシラン、ビスエトキシメチルジイソブチルシラン、ジスメトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスエトキシメチルジsec-ブチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスエトキシメチルジn-ペンチルシラン、ビスメトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスエトキシメチルジsec-アミルシラン、ビスメトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスエトキシメチルジシクロペンチルシラン、ビスメトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジn-ヘキシルシラン、ビスメトキシメチルジシクロヘキシルシラン、ビスエトキシメチルジシクロヘキシルシラン等があげられる。またビスメトキシメチルジビニルシラン、ビスエトキシメチルジビニルシラン、ビスメトキシメチルジアリルシラン、ビスエトキシメチルジアリルシラン、ビスメトキシメチルジフェニルシラン、ビスエトキシメチルジフェニルシラン、トリエチルメトキシメチルシラン、トリエチルエトキシメチルシラン、トリn-プロピルメトキシメチルシラン、トリn-プロピルエトキシメチルシラン、トリイソプロピルメトキシメチルシラン、トリイソプロピルエトキシメチルシラン、トリn-ブチルメトキシメチルシラン、トリn-ブチルエトキシメチルシラン、トリイソブチルメトキシメチルシラン、トリイソブチルエトキシメチルシラン、トリsec-ブチルメトキシメチルシラン、トリsec-ブチルエトキシメチルシラン、トリn-ペンチルメトキシメチルシラン、トリn-ペンチルエトキシメチルシラン、トリsec-アミルメトキシメチルシラン、トリsec-アミルルエトキシメチルシラン、トリシクロペンチルメトキシメチルシラン、トリシクロペンチルエトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルメトキシメチルシラン、トリn-ヘキシルエトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルメトキシメチルシラン、トリシクロヘキシルエトキシメチルシラン等があげられる。またトリビニルメトキシメチルシラン、トリビニルエトキシメチルシラン、トリアリルメトキシメチルシラン、トリアリルエトキシメチルシラン、トリフェニルメトキシメチルシラン、トリフェニルエトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルメチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルエチルビスエトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスメトキシメチルシラン、イソプロピルビニルビスエトキシメチルシラン等が例示できる。上記一般式1の構造を有する有機ケイ素化合物を製造する方法としては、例えば対応するアルコキシアルキル基を有するグリニャール試薬や有機リチウム化合物、有機ナトリウム化合物とハロゲン化有機シラン化合物を反応させて得ることができる。対応するアルコキシアルキルアルケン化合物ををPt触媒下に水素原子を有する有機シラン化合物に反応させ、製造する方法も用いることができる。一般式2において、好ましくは、bは0~2の整数であり、mは1~6の整数であり、fは1~2の整数であり、pは1~10の整数である。一般式2で表される有機シランケイ素化合物の具体例としては、1,3-ビスメトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシメチル-1,3-ジメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,3-ビスエトキシエチル-1,3-ジメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシメチル-1,3-ジイソプロピル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3-ビスメトキシエチル-1,3-ジイソプロピル-1,3-ジメトキシジシロキサン、1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシメチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシメチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtret.-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシエチル-1,3,5-トリエチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジメトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。また1,3,5-トリスメトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスエトキシエチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-プロポキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスイソプロポキシエチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスn-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスiso.-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピル-1,5-ジエトキシトリシロキサン、1,3,5-トリスtert.-ブトキシエチル-1,3,5-トリイソプロピルメチル-1,5-ジエトキシトリシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシメチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトラエチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。また1,3,5,7-テトラキスメトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスエトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-プロポキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスイソプロポキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスn-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスiso.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスtert.-ブトキシエチル-1,3,5,7-テトライソプロピル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン1,3,5,7-テトラキスメトキシプロピル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジメトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスメトキシプロピル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジエトキシテトラシロキサン、1,3,5,7-テトラキスメトキシプロピル-1,3,5,7-テトラメチル-1,7-ジイソプロポキシテトラシロキサン1,3,5,7,9-ペンタキスメトキシメチル-1,3,5,7,9-ペンタメチル-1,9-ジメトキシペンタシロキサン、1,3,5,7,9-ペンタキスブトキシブチル-1,3,5,7,9-ペンタブチル-1,9-ジブトキシペンタシロキサン等が挙げられる。上記一般式2の有機ケイ素化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば上記一般式1の有機ケイ素化合物を酸、アルカリ触媒存在下に加水分解することで製造することができる。一般式3において、好ましくは、cは0~2の整数であり、nは1~6の整数であり、gは1~2の整数であり、qは2~10の整数である。上記一般式3で示される有機環状シロキサン化合物の具体例としては、2,4,6-トリス2-メトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリス2-tert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキス2-メトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキス2-tert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキス2-メトキシエチル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキス2-tert.-ブトキシエチル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロテトラシロキサン2,4,6-トリス4-メトキシフェニル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリス4-tert.-ブトキシフェニル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキス4-メトキシフェニル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキス4-tert.-ブトキシフェニル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキス4-メトキシフェニル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキス4-tert.-ブトキシフェニル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシメチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリn-プロピルシクロトリシロキサン2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリtert.-ブチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスエトキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-プロポキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスイソプロポキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスn-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスiso.-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスtert.-ブトキシエチル-2,4,6-トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また2,4,6-トリスメトキシプロピル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシプロピル-2,4,6-トリエチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシプロピル-2,4,6-トリイソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシブチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシペンチル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6-トリスメトキシヘキシル-2,4,6-トリメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシメチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサン2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラエチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また、2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラn-プロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラtert.-ブチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。また2,4,6,8-テトラキスメトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスエトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-プロポキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソプロポキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスn-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスイソブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスtert.-ブトキシエチル-2,4,6,8-テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシプロピル-2,4,6,8-テトラメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシプロピル-2,4,6,8-テトラエチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシプロピル-2,4,6,8-テトライソプロピルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシブチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシペンチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロトリシロキサン、2,4,6,8-テトラキスメトキシヘキシル-2,4,6,8-テトラメチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。また、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシメチル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシメチル-2,4,6,8,10-ペンタエチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシメチル-2,4,6,8,10-ペンタイソプロピルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシエチル-2,4,6,8,10-ペンタメチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシエチル-2,4,6,8,10-ペンタエチルシクロペンタシロキサン、2,4,6,8,10-ペンタキスメトキシエチル-2,4,6,8,10-ペンタイソプロピルシクロペンタシロキサン等を挙げることができる。上記一般式3の有機環状シロキサン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば特開2006-237562号公報に記載の方法またはそれに準じて製造することができる。一般式4において、好ましくは、dは0~2の整数であり、eは0~2の整数であり、wは1~6の整数であり、zは1~6の整数であり、hは1~3の整数であり、jは1~3の整数であり、iは0~3の整数であり、kは0~3の整数である。上記一般式4で表される有機ケイ素化合物の具体例としては、1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタン、ビス[トリスエトキシメチルシリル]エタン、1,2-ビス[ビスメトキシメチルメチルシリル]エタン、1,2-ビス[ビスエトキシメチルメチルシリル]エタン、1,2-ビス[ジメチルメトキシメチルシリル]エタン、1,2-ビス[ジメチルエトキシメチルシリル]エタン1-トリメチルシリル-2-トリスメトキシメチルシリルエタン、1-トリメチルシリル-2-トリスエトキシメチルシリルエタン、1-tert.-ブチルジメチルシリル-2-トリスメトキシメチルシリルエタン、1-tert.-ブチルジメチルシリル-2-トリスエトキシメチルシリルエタン等を挙げることができる。上記一般式4で表される有機ケイ素化合物を製造する方法としては、例えば対応するアルキルアルコキシ基を有するグリニャール試薬や有機リチウム化合物、有機ナトリウム化合物とビスポリアルコキシシリルエタンハロゲン化物を反応させて得ることができる。対応するアルコキシアルキルを有するビニルシラン化合物とアルコキシアルキルを有する水素化シラン化合物とをPt触媒下に反応させ、製造する方法も用いることができる。本発明の少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は、CVDにより成膜され、炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成することができ、それは封止膜として使用することができる。本発明によれば、ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する炭素含有酸化ケイ素膜または封止膜を得ることができる。また本発明によれば、水透過性が5×10-3g/m2day以下のガスバリア部材を得ることができる。CVDとしては、例えばPECVDまたは触媒化学気相成長法があげられる。PECVDの種類及び用いる装置は特に限定されるものではないが、このPECVDは半導体製造分野、液晶ディスプレイ製造分野、ロールツーロール方式高分子フィルムの表面処理分野等の当該技術分野で一般的に用いられるものが使用される。PECVD装置において、本発明の有機ケイ素化合物を気化器により気化させて成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により成膜チャンバー内の電極に印加しプラズマを発生させ、成膜チャンバー内のシリコン基板等にPECVD薄膜を形成させることができる。この際、プラズマを発生させる目的でヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン等の不活性ガスを有機ケイ素化合物と共に導入することも本発明の範囲に入る。また、水素、酸素、窒素、アンモニアガス等を原料ガス、不活性ガスとともに導入することも本発明の範囲に入る。PECVD装置のプラズマ発生方法については特に限定されず、当該技術で使用されている誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ECRプラズマ等を用いることができる。またプラズマを発生源としては平行平板型、アンテナ型等の種々のものが使用でき、大気圧PECVD、減圧PECVD、加圧PECVD等いずれの圧力条件下のPECVDでも用いることができる。この際のPECVD条件としては特に限定はないが、1.0W~10000Wが好ましく、1.0W~4000Wの範囲で行うことが更に好ましい。具体的にPECVD装置として、図1の1に平行平板容量結合型PECVD装置を示す。図1に示す平行平板容量結合型PECVD装置は、PECVD装置チャンバー内にシャワーヘッド上部電極と基板の温度制御が可能な下部電極、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。PECVD装置1は、PECVDチャンバー2、原料化合物をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッドを有する上部電極3、Si基板等の薄膜形成用基板5を設置する為の温度制御装置8を有する下部電極4、原料化合物を気化させるための気化装置9~15、プラズマ発生源であるマッチング回路6とRF電源7、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置16から成る。17,18は、アースである。プラズマ発生源であるマッチング回路6とRF電源7は上部電極3に接続され、放電によりプラズマを発生させる。RF電源7の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が1W~2000W、好ましくは10W~1000W、周波数が50kHz~2.5GHz、好ましくは100kHz~100MHz、特に好ましくは200kHz~50MHzのRF電源を用いることができる。基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、-90~1000°C、好ましくは0°C~500°Cの範囲である。気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物13を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管15を備えている容器12、液体である原料化合物13の流量を制御する液体流量制御装置10、液体である原料化合物13を気化させる気化器9、上記不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管14とその流量を制御する気体流量制御装置11からなる。本気化装置は、気化器9からシャワーヘッドを備えた上部電極3に配管接続されている。気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、0.1sccm~10000sccm、好ましくは10sccmから5000sccmである。具体的にPECVD装置として、図2の19に誘導結合型リモートPECVD装置を示す。図2に示す誘導結合型リモートPECVD装置は、PECVD装置チャンバー上部の石英の周りにコイル状に巻かれたプラズマ発生部、温度制御が可能な基板設置部、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。PECVD装置19は、PECVDチャンバー20、プラズマ発生部であるコイル21と石英管22、Si基板等の薄膜形成用基板24を設置する為のヒーター部23と温度制御装置27、原料化合物を気化させるための気化装置28~35、プラズマ発生源であるマッチング回路25とRF電源26、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置36から成る。37はアースである。プラズマ発生部である石英周りのコイルはマッチング回路25に接続され、石英管中にRF電流によるアンテナ電流磁界で放電させ、プラズマを発生させる。RF電源26の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が1W~2000W、好ましくは10W~1000W、周波数が50kHz~2.5GHz、好ましくは100kHz~100MHz、特に好ましくは200kHz~50MHzのRF電源を用いることができる。基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、-90~1000°C、好ましくは0°C~500°Cの範囲である。気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物33を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管35を備えている容器32、液体である原料化合物33の流量を制御する液体流量制御装置29、液体である原料化合物33を気化させる気化器28、上記不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管34とその流量を制御する気体流量制御装置30と不活性ガスとガス化した原料化合物33をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド31から成る。気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、0.1sccm~10000sccm、好ましくは10sccmから5000sccmである。原料化合物は、上記で例示したPECVD装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、RF電源による放電によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、0.1Pa~10000Pa、好ましくは1Pa~5000Paである。具体的にPECVD装置として、図3の38にマイクロ波PECVD装置を示す。石英製チャンバー39、Si基板等の薄膜形成用基板40を設置する為のヒーター部41と温度制御装置42、原料化合物を気化させるための気化装置43~50、マイクロ波発生源であるマッチング回路51とマイクロ波発信器52、及びマイクロ波反射板53、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置54から成る。マイクロ波発生源であるマッチング回路51とマイクロ波発信器52は、石英チャンバーに接続され、マイクロ波を石英チャンバー内に照射することでプラズマを発生させる。マイクロ波の周波数については特に限定されないが、当該技術分野で使用される周波数1MHz~50GHz、好ましくは0.5GHz~10GHz、特に好ましくは1GHz~5MHzのマイクロ波を用いることができる。また、そのマイクロ波出力については、0.1W~20000W、好ましくは1W~10000Wを用いることができる。基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、-90~1000°C、好ましくは0°C~500°Cの範囲である。気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物48を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管50を備えている容器47、液体である原料化合物48の流量を制御する液体流量制御装置44、液体である原料化合物48を気化させる気化器43、上記不活性ガスを気化器経由でPECVD装置チャンバー内に供給する為の配管49とその流量を制御する気体流量制御装置45と不活性ガスとガス化した原料化合物48をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド46から成る。気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、0.1sccm~10000sccm、好ましくは10sccmから5000sccmである。原料化合物は、上記で例示したPECVD装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、マイクロ波の照射によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、0.1Pa~10000Pa、好ましくは1Pa~5000Paである。また本発明では、CVDにより得られた炭素含有酸化ケイ素膜、またはそれからなる封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理、または電子線処理することすることにより、緻密化もしくは機械的強度が向上した膜を得ることができる場合がある。本処理で得られた膜は封止膜やガスバリア膜として好適なものとなる場合がある。前述の一般式2で表される有機ケイ素化合物のうち、前述の15に示したものは新規化合物である。これらに化合物は、例えば上記一般式1の有機ケイ素化合物を酸、アルカリ触媒存在下に加水分解することで製造することができる。また前述の一般式3で表される有機環状シロキサン化合物のうち、前述の15に示したものは新規化合物である。これらの化合物は、例えば特開2006-237562号公報に記載の方法に準じて製造することができる。さらに前述の一般式4で表される有機ケイ素化合物のうち、前述の15に示したものは新規化合物である。これらの化合物は、例えば前述の方法で製造することができる。本発明によれば、少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば上記一般式1~4に示す化合物を原料として用いてCVDにより成膜して得られた炭素含有酸化ケイ素膜は、封止膜として用いることができ、その封止膜を用いて、緻密かつ高機械的強度のガスバリア層が形成可能であり、ガスバリア性能の高いガスバリア部材、それを用いたFPDデバイス及び半導体を提供できる。以下に実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。膜厚測定は、株式会社アルバック製の触針式表面形状測定器デックタックDektak6Mを用いた。また、生成膜の組成をPerkinElmer製ESCA5400MCを用いて測定した。酸素透過性は、JISK7126-1法により、水透過性は、JISK7129A法でにより測定した。全光線透過率は、JISK7361-1法により測定した。線膨張係数は、オーブン中で無荷重状態のフィルムサンプルを室温から240°Cまで5deg./min.で昇温し、この間のフィルム長さの変化をCCDカメラにより測定することで算出した。表面粗さは、Veecoo社製走査型プローブ顕微鏡NanoScopeIIIaを用い、タッピングモードAFMにて測定した。実施例1容量結合型PECVD装置による1-メトキシメチルメチルジメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1-メトキシメチルメチルジメトキシシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚901nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=28atom、C=22atom、O=50atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.25cc/m2day、水透過性0.12g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は87.0、線膨張係数は17ppm/deg.、表面粗さは0.9nmであった。実施例2容量結合型PECVD装置による1-メトキシメチルメチルジメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1-メトキシメチルメチルジメトキシシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、酸素50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚960nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=31atom、C=5atom、O=64atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性0.01g/m2dayの検出限界以下の結果であった。また全光線透過率は88.0、線膨張係数は12ppm/deg.、表面粗さは0.8nmであった。実施例3[1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサンの合成]攪拌装置と滴下濾斗を備えた200mlのシュレンク管にトルエン20.0g0.217molに0.01Nの硫酸水溶液2.4gを仕込み、氷浴で冷却しつつ攪拌した。滴下濾斗より、メチルメトキシメチルジメトキシシラン20.0g0.133molを0°Cにて3分間で滴下した。滴下終了後、0°Cで3時間攪拌した。反応終了後、トルエンを留去し、減圧蒸留により、目的物である1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサンを得た。収率は、22.2であり、メチルメトキシメチルジメトキシシランの転換率は、61.2であった。単離した1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサンを1H-NMR、13C-NMR、GC-MS、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。1H-NMR;δ0.17~0.19ppmm,9H,3CH3-Si、δ3.04~3.07ppmm,6H,3CH3-O-CH2Si、δ3.34~3.36ppmm,9H,3CH3-O-CH2Siδ3.54~3.56ppmm,6H,2CH3-O-Si13C-NMR;δ-2.2ppmCH3-Si、δ50.8ppmCH3-O-Siδ62.9ppmCH3-O-CH2Si、δ65.8ppmCH3-O-CH2SiGC-MS;Mw=358元素分析;C11H30О7Si3[容量結合型PECVD装置による1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1,3,5-トリスメトキシメチル-1,3,5-トリメチル-1,5-ジメトキシトリシロキサンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1563nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=35atom、C=30atom、O=35atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性0.01g/m2dayの検出限界以下の結果であった。また全光線透過率は89.0、線膨張係数は12ppm/deg.、表面粗さは0.5nmであった。実施例4容量結合型PECVD装置による2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた2,4,6,8-テトラキスメトキシメチル-2,4,6,8-テトラメチルシクロテトラシロキサンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は、膜厚1589nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=31atom、C=39atom、O=30atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2day未満、水透過性0.01g/m2day未満であった。また全光線透過率は88.5、線膨張係数は14ppm/deg.、表面粗さは0.8nmであった。実施例5[テトラキスメトキシメチルシランの合成]電磁式攪拌装置と滴下濾斗を備えた500mlの四ツ口フラスコにTHF305ml、平均粒径60μmのNaディスパージョン48.3g2.10mol、テトラメトキシシラン41.7g0.27molを仕込み、室温にて攪拌した。滴下濾斗より、クロロメチルメチルエーテル170g2.11molを室温にて150分間で滴下した。滴下終了後、室温で3時間攪拌した。反応終了後、ガラスフィルターで残渣を除去し、得られたTHF溶液からTHFを留去した。更に減圧蒸留により、目的物であるテトラキスメトキシメチルシランを得た。単離収率は、73.4であった。[容量結合型PECVD装置によるテトラキスメトキシメチルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラキスメトキシメチルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1505nmであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性3.3×10-3g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は89.6、線膨張係数は12ppm/deg.、表面粗さは0.4nmであった。実施例6[トリスメトキシメチルエチルシランの合成]実施例5においてテトラメトキシシランに代えて、エチルトリメトキシシラン40.6g0.27molとしたこと以外は、実施例5と同様にして合成し、目的物であるトリスメトキシメチルエチルシランを得た。単離収率は、77.4であった。単離したトリスメトキシメチルエチルシランを1H-NMR、13C-NMR、IR、GC-MS、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。1H-NMR;δ0.68ppmq,2H,CH3-CH2-Si、δ0.97ppmt,3H,CH3-CH2-Si、δ3.24ppms,6H,3CH3-O-CH2-Si、δ3.29ppms,9H,3CH3-O-CH2Si13C-NMR;δ0.83ppmCH3CH2-Si、δ7.16ppmCH3CH2-Si、δ61.8ppmCH3-OCH2-Si、δ63.4ppmCH3O-OCH2-SiIRcm-1;2974~2808、1215、1178、1103、932~797GC-MS;Mw=192元素分析;C8H20О3Si[容量結合型PECVD装置によるトリスメトキシメチルエチルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたトリスメトキシメチルエチルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1123nmであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性4.0×10-3g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は89.0、線膨張係数は13ppm/deg.、表面粗さは0.5nmであった。実施例7[トリスメトキシメチルシクロヘキシルシランの合成]実施例5においてテトラメトキシシランに代えて、シクロヘキシルトリメトキシシラン55.1g0.27molとしたこと以外は、実施例5と同様にして合成し、目的物であるトリスメトキシメチルシクロヘキシルシランを得た。単離収率は、71.9であった。単離したトリスメトキシメチルシクロヘキシルシランを1H-NMR、13C-NMR、IR、GC-MS、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。1H-NMR;δ0.98ppmm,1H,Cyclo-CH23-CH22-CH-Si、δ1.24ppmm,4H,Cyclo-CH23-CH22-CH-Si、δ1.71ppmm,6H,Cyclo-CH23-CH22-CH-Si、δ3.28ppms,6H,3CH3-O-CH2-Si、δ3.32ppms,9H,3CH3-O-CH2-Si13C-NMR;δ21.6ppmCyclo-CH2-CH22-CH22-CH-Si、δ26.9ppmCyclo-CH2-CH22-CH22-CH-Si、δ27.6ppmCyclo-CH2-CH22-CH22-CH-Si、δ28.0ppmCyclo-CH2-CH22-CH22-CH-Si、δ61.4ppmCH3-OCH2-Si、δ63.5ppmCH3O-OCH2-SiIRcm-1;2974~2806、1447、1422、1218、1179、1104、934~791GC-MS;Mw=246元素分析;C12H26О3Si[容量結合型PECVD装置によるトリスメトキシメチルシクロヘキシルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたトリスメトキシメチルシクロヘキシルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1147nmであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性2.0×10-3g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は89.1、線膨張係数は13ppm/deg.、表面粗さは0.5nmであった。実施例8[ビスメトキシメチルジメチルシランの合成]実施例5においてテトラメトキシシランに代えて、ジメチルジメトキシシラン32.5g0.27molとしたこと以外は、実施例5と同様にして合成し、目的物であるビスメトキシメチルジメチルシランを得た。単離収率は、52.6であった。単離したビスメトキシメチルジメチルシランを1H-NMR、13C-NMR、IR、GC-MS、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。1H-NMR;δ0.072ppms,6H,2CH3-Si、δ3.15ppms,4H,2CH3-O-CH2-Si、δ3.33ppms,6H,2CH3-O-CH2Si13C-NMR;δ-6.10ppmCH3-Si、δ63.5ppmCH3-OCH2-Si、δ65.2ppmCH3O-OCH2-SiIRcm-1;2974~2808、1535、1423、1250、1178、1111、935~708GC-MS;Mw=148元素分析;C6H16О2Si[容量結合型PECVD装置によるビスメトキシメチルジメチルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたビスメトキシメチルジメチルシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1650nmであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性2.0×10-3g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は89.0、線膨張係数は13ppm/deg.、表面粗さは0.4nmであった。実施例9[1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタンの合成]実施例5においてテトラメトキシシランに代えて、1,2-ビストリメトキシシリルエタン36.5g0.135molとしたこと以外は、実施例5と同様にして合成し、目的物である1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタンを得た。単離収率は、14.9であった。単離した1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタンを1H-NMR、13C-NMR、IR、GC-MS、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。1H-NMR;δ0.66ppmm,4H,Si-CH2-CH2-Si、δ3.32ppms,12H,6CH3-O-CH2-Si、δ3.55ppms,18H,6CH3-O-CH2Si13C-NMR;δ0.40ppmSi-CH2-CH2-Si、δ61.8ppmCH3-OCH2-Si、δ63.6ppmCH3O-OCH2-SiIRcm-1;2973~2809、1465、1422、1193、1101、934~784GC-MS;Mw=354元素分析;C14H34О6Si2[容量結合型PECVD装置による1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜]図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた1,2-ビス[トリスメトキシメチルシリル]エタンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は膜厚1149nmであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.01cc/m2dayの検出限界以下、水透過性3.3×10-3g/m2dayの結果であった。また全光線透過率は89.7、線膨張係数は12ppm/deg.、表面粗さは0.4nmであった。比較例1容量結合型PECVD装置によるテトラメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメトキシシランの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧133Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は、膜厚136nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=35atom、C=13atom、O=52atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性1.75cc/m2day、水透過性1.67g/m2dayであった。また全光線透過率は86.4、線膨張係数は32ppm/deg.、表面粗さは26nmであった。比較例2容量結合型PECVD装置によるテトラメチルシクロテトラシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメチルシクロテトラシロキサンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は、膜厚470nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=31atom、C=20atom、O=49atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性0.53cc/m2day、水透過性0.29g/m2dayであった。また全光線透過率は88.5、線膨張係数は20ppm/deg.、表面粗さは1.3nmであった。比較例3容量結合型PECVD装置によるヘキサメチルジシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜図1に示した平行平板容量結合型PECVD装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたヘキサメチルジシロキサンの流量50sccm、ヘリウムガスの流量50sccm、チャンバー内圧10Pa、基板温度室温、RF電源電力200W、RF電源周波数13.56MHzの条件で10分間成膜した。結果は、膜厚493nmであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Si=25atom、C=41atom、O=34atomであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性2.01cc/m2day、水透過性0.70g/m2dayであった。また全光線透過率は88.0、線膨張係数は20ppm/deg.、表面粗さは1.5nmであった。比較例4使用したポリエチレンナフタレートフィルム基板のガス透過性、全光線透過率、線膨張係数及び表面粗さを測定した。酸素透過性21.0cc/m2day、水透過性6.70g/m2dayであった。また全光線透過率は86.9、線膨張係数は35ppm/deg.、表面粗さは1.4nmであった。"