"多孔質材料を製造する連続法であって、非イオン界面活性剤を所定の材料の前駆体と混合し、連続相と、該非イオン界面活性剤を含む液晶中間相とを含み、該前駆体が本質的に該連続相に位置する混合物を形成すること;該混合物を、可とう性基材上にコーティングまたは沈着すること;および該所定の材料の前駆体を変換することを含む連続法。塩基を前記所定の材料の前駆体を含む層にコーティングまたは沈着することをさらに含む、請求項1に記載の連続法。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸fugitiveacidの混合物を、前記混合物に加えることをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記液晶中間相が、スメクティック相またはスメクティック六方相である、請求項1に記載の連続法。前記液晶中間相が、約2nm~約20nmの直径を有する円柱状である、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤が、5~24のHLB値を有する、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤が、10~14のHLB値を有する、請求項6に記載の連続法。前記混合物が、2つの連続相、または連続液晶中間相および連続非液晶相を含む、請求項1に記載の連続法。前記混合物を前記可とう性基材にロールツーロール方式でコーティングまたは沈着することをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記可とう性基材が、金属または重合体を含む、請求項1に記載の連続法。前記所定の材料の前駆体を変換した後、加熱または乾燥することをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記界面活性剤を除去することをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記界面活性剤を除去することが、溶媒または溶剤混合物で界面活性剤を洗浄することを含む、請求項12に記載の連続法。沈殿、加水分解、縮合、酸化還元反応、重合、または架橋によって、前記前駆体が変換されて前記材料を得る、請求項1に記載の連続法。前記混合物が、可とう性基材上にキャスティング、含浸、噴霧、浸漬、付着、グラビア、ドクターブレード、スロット、スリット、カーテンcurtain、反転もしくは転写コーティングまたは印刷によってコーティングまたは沈着される、請求項1に記載の連続法。前記所定の材料が、二酸化ケイ素、二酸化チタン、水酸化ニッケル、酸化ニッケル、および酸化マンガンからなる群から選択される、請求項1に記載の連続法。前記前駆体が、テトラエトキシシラン、チタン塩、有機チタン、チタンアルコキシド、ニッケル塩、有機ニッケル複合体、マンガン塩、有機マンガン複合体、またはそれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の連続法。添加剤、金属塩、導電剤、炭素ナノチューブ、カーボンブラック、グラファイト、グラフエンまたは金属粒子を、前記混合物に加えることをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤が、ブロック、グラフト、または分岐共重合体を含む、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤が、酸化エチレンEO共重合体、酸化プロピレンPO共重合体、ブチレンオキシド共重合体、ビニルピリジン共重合体、ビニルピロリドン、エピクロルヒドリン共重合体、スチレン共重合体、アクリル共重合体、またはそれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤が、CxH2x1EOyHの化学式を有するポリオキシエチレンアルキルエーテルを含み、式中、EOは酸化エチレンを表わし、xは12以上であり、yは6以上である、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤の分子量が、500~20000である、請求項1に記載の連続法。前記非イオン界面活性剤の分子量が、600~10000である、請求項22に記載の連続法。膨潤剤を前記混合物に加えることをさらに含む、請求項1に記載の連続法。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物を前記所定の材料の前駆体を含む層にコーティングまたは沈着することをさらに含む、請求項1に記載の連続法。前記塩基前駆体または前記塩基およびフュージティブ酸の混合物が、窒素含有化合物である、請求項25に記載の連続法。前記塩基前駆体または前記塩基およびフュージティブ酸の混合物が、グアニジン、尿素、アミン、イミン、またはその誘導体を含む、請求項25に記載の方法。前記塩基前駆体または前記塩基およびフュージティブ酸の混合物が、30°C~150°Cの範囲の温度下で加熱される、請求項25に記載の連続法。前記塩基前駆体または前記塩基およびフュージティブ酸の混合物が、30°C~70°Cの範囲の温度下で加熱される、請求項28に記載の連続法。多孔質材料を製造する方法であって、非イオン界面活性剤を、所定の材料の前駆体および塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の第1の混合物のいずれかと混合し、連続相と、該非イオン界面活性剤を含む液晶中間相とを含み、該前駆体が本質的に該連続相に位置する第2の混合物を形成すること;該第2の混合物を、可とう性基材上にコーティングまたは沈着すること;該塩基前駆体または該塩基およびフュージティブ酸の第1の混合物を加熱または照射すること;および該所定の材料の前駆体を変換することを含む方法。多孔質材料を製造する連続法であって、非イオン界面活性剤を所定の材料の前駆体と混合し、連続相と、該非イオン界面活性剤を含む液晶中間相とを含み、該前駆体が本質的に該連続相に位置する混合物を形成すること;該混合物を、可とう性基材上にコーティングまたは沈着すること;塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物を、該所定の材料の前駆体を含む層に沈着すること;該塩基前駆体または該塩基およびフュージティブ酸の混合物を加熱または照射すること;および該所定の材料の前駆体を変換することを含む連続法。電極を製造する連続法であって、非イオン界面活性剤を所定の材料の前駆体と混合し、連続相と、該非イオン界面活性剤を含む液晶中間相とを含み、該前駆体が本質的に該連続相に位置する混合物を形成すること;該混合物を、金属基材上にコーティングまたは沈着すること;該所定の材料の前駆体を変換することを含む連続法。多孔質材料を製造する連続法であって、界面活性剤をニッケル塩または有機ニッケル複合体と混合し、混合物を形成すること;ハロゲン化銀および展開剤または還元剤を混合物に加えること;該混合物を、可とう性基材上にコーティングまたは沈着すること;照射下において該ハロゲン化銀を該展開剤または還元剤と反応させること;および該ニッケル塩または有機ニッケル複合体を変換し、水酸化ニッケルを得ることを含む連続法。前記展開剤または還元剤が、有機化合物を含む、請求項33に記載の連続法。前記展開剤または還元剤が、ヒドロキノン、アミノフェノール、フェニレンジアミン、その誘導体、またはそれらの組み合わせを含む、請求項33に記載の連続法。前記展開剤または還元剤が、メチルp-アミノフェノール、N-メチル-p-アミノフェノール塩、1-フェニル-3-ピラゾリジノン、その誘導体、またはそれらの組み合わせを含む、請求項33に記載の連続法。電極を製造する連続法であって、界面活性剤をニッケル塩または有機ニッケル複合体と混合し、混合物を形成すること;ハロゲン化銀および展開剤または還元剤を混合物に加えること;該混合物を、金属基材上にコーティングまたは沈着すること;照射下においてハロゲン化銀を展開剤または還元剤と反応させること;および該ニッケル塩または有機ニッケル複合体を変換し、水酸化ニッケルを得ることを含む連続法。以下の説明は、本発明の一般的な原理を説明する目的でなされたものであり、限定的な意味に解釈されるべきではない。多孔質材料の製造大量生産可能な合成方法が提供され、界面活性剤を細孔形成剤として使用して多孔質材料を合成する。本発明によれば、多孔質材料を製造する連続法は、非イオン界面活性剤を所定の材料の前駆体と混合し、混合物を形成する工程、およびその混合物を可とう性基材上にロールツーロール方式でコーティングまたは沈着する工程を含む。次に、変換が行われ、複合ゾルを得る。非イオン界面活性剤および残留イオンを除去した後、多孔質材料が得られる。さらに、多孔質材料によっては、乾燥工程後に脱水または相転換を行うように、加熱処理が任意に行われうる。バッチ法では、反応物質の濃度勾配が存在するために、変換の均一性を制御することは難しい。本発明の実施形態によれば、反応物質の拡散距離が、変換工程において調節可能な膜厚を用いて制御され、連続的な大量生産における均一な変換を達成することができる。図1は、多孔質材料を製造する例示的な連続法を示すフローチャートである。図1に示されるように、混合工程S1では、少なくとも1つの非イオン界面活性剤および所定の材料の前駆体などの原料が混合され、混合物を得る。その混合物は、連続相と、非イオン界面活性剤を含む液晶中間相とを含む。前駆体は、本質的に連続相に位置し、そこにおいて混合物は、2つの連続相、または連続液晶中間相および連続非液晶相を含む。好ましくは、液晶中間相は、スメクティック相である。より好ましくは、液晶中間相は、スメクティック六方相である。スメクティック六方相の柱は、約2nm~約20nmの直径を有する。コーティングまたは沈着工程S2では、図2に示すように、混合物は、連続過程例えば、図2a~2cに示されるように塗工機202によって行われるの間に、可とう性基材例えば、図2a~2cに示されるように基材200上にコーティングまたは沈着される。可とう性基材は、金属または重合体であることができる。コーティングまたは沈着工程の後、所定の材料の前駆体は、非イオン界面活性剤を含む連続相に位置し、所定の材料へと変換されることができる。変換の方法は、沈殿、加水分解、縮合、酸化還元反応、重合、架橋またはその組み合わせであることができる。コーティングまたは沈着工程S2では、混合物は、キャスティング、含浸、噴霧、浸漬、グラビア、ドクターブレード、スロット、スリット、カーテンcurtain、反転もしくは転写コーティングまたは印刷によって、可とう性基材上にコーティングまたは沈着され、膜例えば、膜204を得る。変換均一性は、膜厚および連続法における反応物質の拡散距離を調整することによって制御することができる。さらに、塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物を、混合物に加える場合、ヒドロキシルイオン濃度を、加熱または照射によって制御することができる。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物、および前駆体は、変換工程の前によく混合することが可能であるので、変換均一性を、バッチおよび連続法の両方に対して制御することができる。所定の材料は、二酸化ケイ素、二酸化チタン、水酸化ニッケル、酸化ニッケル、酸化マンガンおよびその組み合わせなどの酸化物または水酸化物であることができる。例えば、所定の材料が二酸化ケイ素である場合、テトラエトキシシランTEOSを、前駆体として使用することができる。所定の材料が、二酸化チタンである場合、チタン塩、有機チタン複合体またはチタンアルコキシドを、前駆体として使用することができる。所定の材料が、水酸化ニッケルまたは酸化ニッケルである場合、ニッケル塩または有機ニッケル複合体を、前駆体として使用することができる。所定の材料が、酸化マンガンMnOxである場合、有機マンガン複合体、過マンガン酸カリウムなどのマンガン塩および硫酸マンガン,または過マンガン酸カリウムおよび酢酸マンガンを、前駆体として使用することができる。非イオン界面活性剤は、ブロック、グラフト、または分岐共重合体であることができる。さらに、非イオン界面活性剤は、酸化エチレンEO共重合体、酸化プロピレンPO共重合体、ブチレンオキシド共重合体、ビニルピリジン共重合体、ビニルピロリドン、エピクロルヒドリン共重合体、スチレン共重合体、アクリル共重合体、およびその組み合わせからなる群から選択することができる。さらに、非イオン界面活性剤は、式中、xが12以上であり、yが6以上であるCxH2x1EOyHなどのポリオキシエチレンアルキルエーテルを含みうる。好ましくは、非イオン界面活性剤の分子量が、500~20000である。より好ましくは、非イオン界面活性剤の分子量が、600~10000である。好ましくは、非イオン界面活性剤は、5~24のHLB値を有しうる。より好ましくは、非イオン界面活性剤は、10~14のHLB値を有しうる。沈殿とは、少なくとも1種類の金属イオンが変換されて不溶性物質を得ることを指す。例えば、コバルト塩をヒドロキシルイオンと反応させることによって、CoOH2を得ることができる。ヒドロキシルイオンは、塩基、塩基前駆体、または塩基およびフュージティブ酸の混合物から作製することができる。塩基に関して、ヒドロキシルイオン濃度は、塩基を水溶液に溶かすことによって増やすことができる。例えば、ナトリウム水酸化物およびカリウム水酸化物が、一般によく使用される塩基である。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物に関して、ヒドロキシルイオン濃度は、加熱または照射によって徐々に増加され、塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物が分解されるときに、反応速度が制御される。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物は、グアニジン、尿素、アミン、イミン、またはその誘導体などの窒素含有化合物であることができる。図1に示されるように、コーティングまたは沈着工程S2の後、可とう性基材は、連続ロールツーロール法例えば、図2a、2bおよび2cに示されるロールツーロール型運搬装置222によって行われる方法による次の工程に運ばれる。図2aに示されるように、前駆体および非イオン界面活性剤を含有する混合物が、可とう性基材上にコーティングまたは沈着された後、変換工程S3が、図1に示されるように適用され、前駆体を所定の材料に変換する。別の実施形態では、混合物が、可とう性基材例えば、基材200上にコーティングまたは沈着されて膜例えば、膜204を形成した後、塩基、塩基前駆体、または塩基およびフュージティブ酸の混合物を、可とう性基材上にコーティングまたは沈着することができる。コーティングまたは沈着する方法は、ディッピング、噴霧図2bの噴霧器206を参照、コーティング図2cの塗工機208を参照、付着、キャスティング、含浸、グラビア、ドクターブレード、スロット、スリット、カーテンcurtain、反転もしくは転写コーティングまたは印刷であることができ、それらにより所定の材料を得る。塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物が、反応物質として使用される場合、所定の材料を得るのに、加熱または照射処理工程図示せずが変換工程S3中に必要である。図2に示されるように、塩基前駆体または塩基およびフュージティブ酸の混合物を、反応物質として、工程S1で得られた混合物に混合することができる。図1に示されるように、変換工程S3の後、除去工程S4が行われ、可とう性基材表面の複合材ゾル中の非イオン界面活性剤および残留イオンを除去し、そこにおいて、複合材ゾルは、所定の材料、非イオン界面活性剤および残留イオンを含有する。非イオン界面活性剤および残留イオンを除去した後、多孔質材料が得られる。好ましい実施形態では、水または好適な溶媒を、非イオン界面活性剤および残留イオンを除去するために使用することができる。除去工程S4では、図3aに示されるように、噴霧洗浄例えば、噴霧器310によるが基材上で直接行われ、多孔質材料を得ることができる。除去工程S4後、多孔質材料は、乾燥され例えば、乾燥機312による、削られ例えば、スクレーパー314による、集められる。別の実施形態では、変換工程S3後、図3bに示されるように、複合材ゾルは、洗浄タンク例えば、タンク316によるに削られ例えば、スクレーパー314による、非イオン界面活性剤および残留イオンを除去する。図1に示されるように、工程S4で非イオン界面活性剤および残留イオンを除去した後、次に、図3aおよび3bに示されるように、乾燥工程S5が、噴霧乾燥、凍結乾燥、もしくは連続トンネル乾燥によって、またはバッチオーブンを使用することによって行われ、溶媒または水を除去する。図1に示されるように、加熱処理S6が、乾燥工程S5の後に任意に行われ、脱水または相転換を行いうる。例えば、TiO2結晶相を、アナターゼから、加熱処理の後にルチルに変えることができる。本発明の方法は、界面活性剤を細孔形成剤として使用することによって合成することができ、特定物質、多孔性金属酸化物、水酸化物などを合成することにのみに限定されない。本発明の好ましい実施形態では、ゾルゲル法を使用することによってSiO2を得るために、テトラエトキシシランTEOSが、前駆体として使用され、P123BASF登録商標社Corp.製のトリブロック共重合体またはC16H33EO10Hなどの非イオン界面活性剤に組み込まれる。P123またはC16H33EO10Hの除去後、多孔性のSiO2を得る。TiO2を得るために、チタンアルコキシドなどのチタン塩または有機チタン複合体を、前駆体として使用することができる。例えば、チタンイソプロポキシドまたはチタンブトキシドが、非イオン界面活性剤と混合され、次に可とう性基材上にコーティングまたは沈着される。変換工程の後、除去工程を行い、非イオン界面活性剤を除去して多孔性TiO2を得る。所定の材料の伝導性を高めるために、添加剤を混合物に加えることができる。添加剤は、金属塩または導電剤であることができる。例えば、コバルト塩または有機コバルト複合体を、ニッケル塩または有機ニッケル複合体、C16H33EO10HまたはP123界面活性剤の混合物に加えることができる。変換および除去工程の後、コバルト添加水酸化ニッケルの多孔質材料を得ることができる。別の実施形態では、グラファイト、グラフエン、カーボンブラック、炭素ナノチューブCNTなどの導電剤、またはTi、Pt、Ag、Au、Al、Ru、Fe、V、Ce、Zn、Sn、Si、W、Ni、Co、Mn、In、Os、Cu、またはNbを含む金属粒子を、混合物に加えることができる。前駆体は、所定の材料に変換され、次に除去工程が行われ、多孔質構造をもつ複合材を得る。好ましくは、製造方法が、膨潤剤を混合物に加える工程をさらに含み、その膨潤剤が、1,3,5-トリメチルベンゼンTMB、コレステロール、ポリスチレンポリエーテル、ポリエーテルアミン、ポリアクリレート、ポリアクリル酸、およびその誘導体からなる群から選択される。多孔質材料をもつ電極の製造電極の製造に関して、ニッケル、銅、またはアルミニウムからなる金属基材を適用することができる。非イオン界面活性剤および残留イオンの除去工程および乾燥工程の後、金属基材から複合材ゾルを削ることなく、多孔質材料を金属基材上に得ることができる。多孔質材料を含む電極を、連続法において適切な切断工程を使用することによって例えば、図4に示されるカッター318による製造することができる。電極は、電池、超コンデンサーまたは燃料電池に適用することができる。所定の材料の伝導性を高めるために、添加剤を、混合物に加えることができる。添加剤は、金属塩または導電剤であることができる。例えば、ニッケル塩または有機ニッケル複合体、C16H33EO10HまたはP123界面活性剤、およびコバルト塩または有機コバルト複合体が混合され、混合物を得て、金属基材上にコーティングまたは沈着される。変換および除去工程の後、コバルト添加水酸化ニッケルの多孔質材料が金属基材上に得られることができる。別の実施形態では、グラファイト、グラフエン、カーボンブラック、炭素ナノチューブCNTなどの導電剤、またはTi、Pt、Ag、Au、Al、Ru、Fe、V、Ce、Zn、Sn、Si、W、Ni、Co、Mn、In、Os、Cu、またはNbを含む金属粒子が、混合物に加えられることができる。混合物は、複合材ゾルに変換される。非イオン界面活性剤および残留イオンの除去工程および乾燥工程の後、多孔質材料をもつ電極が、適切な切断工程によって得られることができる。銀粒子を含有する多孔質材料をもつ電極の製造所定の材料の伝導性を増加させるために、塩化銀、臭化銀、およびヨウ化銀などのハロゲン化銀、ならびに展開剤または還元剤を、混合物に加えることができる。電極の製造の間、ハロゲン化銀は、多孔質材料中の銀粒子に還元される。照射例えば、図5aに示された照射装置520による下で、核として銀原子に還元されることになる銀イオンは少ない。銀原子の存在下において、展開剤または還元剤が使用され、残留銀イオンを銀粒子に還元することができる。典型的には、展開剤または還元剤は、ヒドロキノン、アミノフェノール、フェニレン-ジアミン、その誘導体、およびそれらの組み合わせを含む有機化合物である。好ましくは、展開剤または還元剤は、メチルp-アミノフェノール、N-メチル-p-アミノフェノール塩、1-フェニル-3-ピラゾリジノン、その誘導体、およびそれらの組み合わせであることができる。別の実施形態では、図5a~5bに示されるように、塩化銀、臭化銀、およびヨウ化銀などのハロゲン化銀、ならびに展開剤または還元剤を、混合物に加えることができる。コーティングまたは沈着工程が、混合工程の後に行われる。変換工程の前に、照射下例えば、図5aおよび5bに示される照射装置520によるで展開剤または還元剤を用いて反応させることによってハロゲン化銀が銀粒子に還元される。塩基が、可とう性基材上にコーティングまたは沈着され例えば、それぞれ、図5aおよび5bに示される噴霧器206または塗工機208による、前駆体をNiOH2に変換する。残留銀イオンは、塩基性条件下でさらに銀粒子に還元することができる。除去工程例えば、図5cに示される噴霧器310によるおよび乾燥工程例えば図5cに示される乾燥機312によるの後、図5cに示されるように、銀粒子を含有する多孔性NiOH2が得られる。図5dに示される別の実施形態では、複合材ゾルは、洗浄タンク例えば、タンク316によるに削られ例えば、スクレーパー314による、非イオン界面活性剤および残留イオンを除去する。次に、銀粒子を含有する多孔性NiOH2が、乾燥工程後に得られる。本発明の別の実施形態では、塩化銀、臭化銀、およびヨウ化銀などのハロゲン化銀、ならびに展開剤または還元剤を、混合物に加えることができる。混合物が、金属基材上にコーティングまたは沈着される。金属基材は、ニッケル、銅、またはアルミニウムであることができる。変換工程の後、複合材ゾルは、金属基材から削られない。銀粒子を含有する多孔性NiOH2をもつ電極が、除去工程および切断工程例えば、図5eに示される切断318によるによって得られることができる。電極は、電池、超コンデンサーまたは燃料電池に適用することができる。次の通り、本発明は多孔性水酸化ニッケルを製造する例示的な実施形態を2つ提供する。実施例1界面活性剤C16H33EO10H、メタノール、および塩化ニッケルを水に混合して混合物を形成する。混合物中のC16H33EO10Hの含有量は、60重量である。混合物を基材上に沈着して、4mmの厚さを有する膜を形成する。25°C未満でNaOH溶液を噴霧することによって変換工程を行い、NiOH2複合ゾルを得る。水およびエタノールで洗浄後、乾燥工程を60°Cで行い、多孔性水酸化ニッケルを得る。図6aに示されるように、水酸化ニッケルの等温プロットは、0.4~0.8の相対圧にて毛管凝縮ステップを示し、これは、水酸化ニッケルにおける細孔構造を示す。図6bに示されるように、多孔性水酸化ニッケルの孔径分布は狭く、多孔性水酸化ニッケルの比表面積および細孔直径はそれぞれ、525.0m2/gおよび約6.1nmである。実施例2界面活性剤C16H33EO10H、尿素、および塩化ニッケルを水に混合して混合物を形成する。混合物中のC16H33EO10Hの含有量は、60重量である。65°Cで加熱することによって変換工程を行い、NiOH2複合ゾルを得る。水およびエタノールで洗浄後、乾燥工程を60°Cで行い、多孔性水酸化ニッケルを得る。図7aは、実施例2の多孔性水酸化ニッケルの等温プロットを示す。図7aに示されるように、水酸化ニッケルの等温プロットは、0.4~0.8の相対圧にて毛管凝縮ステップを示し、これは、水酸化ニッケルにおける細孔構造を示す。図7bに示されるように、多孔性水酸化ニッケルの孔径分布は狭く、多孔性水酸化ニッケルの比表面積および細孔直径はそれぞれ、285.5m2/gおよび約3.8nmである。例を通して、好ましい実施形態の観点から本発明を説明してきたが、本発明は開示された実施形態に限定されないことが理解されるべきである。逆に言えば、当業者なら明らかなはずであるように様々な修正および類似の構成をカバーすることを意図している。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのような修正および類似の構成のすべてを包含するように最も広い解釈が認められるべきである。"