"互いに異なる色を発光する複数の副画素をする画素を複数備え、前記副画素がそれぞれ、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子の光出射側に、前記有機化合物層よりも屈折率の高い高屈折率透明層を有し、前記高屈折率透明層の光出射側に光取り出し構造物を有し、前記画素内の副画素上には前記光取り出し構造物を有し、隣り合う二つの画素の間の領域には前記光取り出し構造物がないことを特徴とする表示装置。前記光取り出し構造物がない領域が網目状につながっている請求項1に記載の表示装置。前記画素内の隣り合う二つの副画素の間の領域上にも前記光取り出し構造物が配置されている請求項1又は2に記載の表示装置。画素内の副画素上に形成された光取り出し構造物と、隣り合う二つの副画素の間の領域上に形成された光取り出し構造物とが、互いに異なる形状の光取り出し構造である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。本発明は、有機EL素子を用いた表示装置において有機化合物層よりも高い屈折率の透明層を伝播する伝播光を効率的に外部に取り出し、表示像のにじみを低減することを課題とする。即ち、本発明は、互いに異なる色を発光する複数の副画素をする画素を複数備え、前記副画素がそれぞれ、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子の光出射側に、前記有機化合物層よりも屈折率の高い高屈折率透明層を有し、前記高屈折率透明層の光出射側に光取り出し構造物を有し、前記画素内の副画素上には前記光取り出し構造物を有し、隣り合う二つの画素の間の領域には前記光取り出し構造物がないことを特徴とする。本発明によれば、光取り出し効率を向上させつつ表示像のにじみを低減された表示装置を提供できる。有機EL素子は、第1電極上に発光領域を備えた発光層を含むいくつかの有機化合物層と第2電極とを有している。そして有機EL素子は、該第1電極と第2電極間に電圧を印加して有機化合物層に注入された正孔と電子が再結合する際に生じるエネルギーを利用して発光する素子である。第1電極と第2電極の一方は反射電極であり、他方は透明電極である。また、第1電極と第2電極の一方は陽極、他方は陰極である。本発明の表示装置は、第1電極として反射電極を支持基板上に形成し、透明電極側から発光を取り出す。本発明の表示装置は、有機EL素子内で発光した光を効果的に外部に取り出すために、透明電極に隣接して有機化合物層よりも高い屈折率を有する高屈折率透明層が設けられている。更に、高屈折率透明層に隣接して光を取り出すための光取り出し構造物が配置されている。係る構成により、発光層からの光は全反射せずに光取り出し構造物まで達し、効果的に外へ取り出されることになる。本発明においては表示上のにじみという問題を低減するために、光取り出し構造物を設ける領域と設けない領域に分ける。それによって、画素間領域で混色することによる表示像のにじみを抑制することが本発明の特徴である。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1に、従来の表示装置の一例の平面レイアウトを示す。青、緑、赤の光の三原色をそれぞれ発光する副画素1,2,3により一つの画素4が形成されている。ここで画素4は少なくとも3つの副画素1,2,3と2つの副画素間領域5からなる。一方、画素間領域6は隣り合う二つの画素4の間の領域であり、より詳しく言えば、隣り合う画素間にそれぞれ含まれる副画素1と3の間の領域のことである。図2は、本発明の表示装置の平面レイアウトを示す図であり、図1の従来の表示装置に光取り出し構造物7が配置されている。本発明の表示装置では、図2に示すように画素4上に光取り出し構造物7を設け、画素間領域6上には光取り出し構造物7を設けない構成である。本発明の表示装置の画素4は、複数の副画素1,2,3と光取り出し構造物7を備え、表示の最小単位を構成するものである。尚、副画素1,2,3よりも光取り出し構造物7が配置された領域の方が大きい場合には、光取り出し構造物7が配置された領域をまでを含めて画素4とする。また、光取り出し構造物7は副画素1,2,3上にあればよく、副画素1,2,3上と該副画素に隣接する領域上に跨って配置されていてもよい。本発明の表示装置では副画素1,2,3の発光領域は後述する支持基板側に形成された、パターニングされた電極の面積で決まる。その場合、表示装置は図3に模式的に示すような断面構造になる。また、図3の構成では、画素間のクロストーク、ショート、電極配線の断線などの回避、又は電極間を絶縁して発光領域を限定するために、隔壁15を設けているが、なくても構わない。図3の場合、それぞれの副画素に隔壁15によって設けられた開口部が図1の副画素1,2,3に対応する。各副画素1,2,3は、それぞれの発光色を発光する有機EL素子からなる。図3においては、支持基板9上にそれぞれ第1電極として反射電極9を有し、該反射電極9上に有機化合物層16,17,18を備え、さらに光出射側に第2電極として透明電極20を備えている。有機化合物層16,17,18はそれぞれ、副画素1,2,3の発光色に応じた発光を行う発光層を備えている。透明電極20は表示領域全体にわたって連続して形成されており、その光出射側支持基板9とは反対側に、有機化合物層16,17,18よりも屈折率の高い高屈折率透明層10を有している。そしてさらに、高屈折率透明層10の光出射側に光取り出し構造物7を備えている。副画素1に用いられる有機EL素子の断面構造の構成例を図4に示す。尚、副画素2,3に用いられる有機EL素子の断面構造も図4と同様である。支持基板9上に設けられた第1電極として反射電極22及び透明電極23と、第2電極としての透明電極20との間に、発光層を含むいくつかの有機化合物層があり、発光効率、駆動寿命、光学干渉などの観点から様々な積層構成があることはよく知られている。尚、図3では第1電極として反射電極19のみを示したが、図4の構成では第1電極を反射電極22と透明電極23とで構成しており、本発明では反射性を有する電極構成であればいずれの構成でも構わない。図4の例では、図3の有機化合物層16として、正孔注入層24、正孔輸送層25、発光層26、電子輸送層27、電子注入層28を設けた構成を示す。本発明は、各層に含まれる材料には限定されない。例えば、発光層26を構成する材料は、蛍光材料、燐光材料のいずれでもよく、ホスト材料、発光材料の他に、少なくとも一種類以上の化合物が素子性能向上のために含まれていてもよい。また、正孔輸送層25は電子ブロック層として機能してもよく、電子輸送層27は正孔ブロック層として機能してもよい。有機化合物層16のうち、発光層26の発光位置と反射電極22の反射面との間の膜厚を調節することで、発光層26内部の放射分布を制御することができる。表示装置としては特に正面方向の輝度が高くなるように各有機化合物層の膜厚を設定することで、光学干渉により発光色も制御され、より高効率に正面方向に光が放出されるようになる。より具体的には、発光層26の発光位置から透明電極22と反射電極23の界面までの光学距離を発光波長のn/4n=1、3、5、に調整することで、発光層26から光取り出し方向に向けた正面輝度をより高めることができる。光取り出し効率を高めるためには反射電極22の反射率はより高い方が好ましい。例えば、反射電極22の材料としては、アルミニウムAl電極よりも銀Ag電極の方が好ましい。更に反射率を高める手段として誘電多層膜ミラーのように屈折率の異なる層を積層する手法を用いてもよい。図4の例では第2電極に透明電極20を用いることで素子内に発光が閉じ込められなくなり、この透明電極20の光出射側に高屈折率透明層10を設けることで、閉じ込め及び全反射することなく、光取り出し構造物7へ光が取り出されてくる。即ち、高屈折率透明層10と空気或いは別の媒体などとの間で起こる全反射を光取り出し構造物7を設けることで回避し、効果的に内部の光を外部に取り出すことができる。このようにして、有機EL素子の光取り出し効率は通常20程度と言われるものが飛躍的に向上する。また第2電極の透明電極20に代わって半透明電極を用いてもよい。その場合は第2電極の反射率が上昇し、光学共振器としての特性が発現してくる。しかしながら発光層26からの高角度放射光成分の発生は、程度は少なくても発生している。ゆえに、透明電極20に比べて光取り出し効率の増加は小さいが効果はあるといえる。第2電極が透明かどうかそのものに特に限定されるものではない。高屈折率透明層10は水蒸気や酸素などのガスの侵入に対するバリア層として用いてもよい。バリア層として機能するには用いる材料にもよるが、数μm程度の膜厚であればよいが、0.5μm以上6.0μm以下の範囲である。好ましい膜厚は光取り出し構造物7のサイズにもよるため、規定する必要はない。高屈折率透明層10の膜厚が6.0μmより大きいと該高屈折率透明層10中を長距離伝播し易くなり、隣の画素4上の光取り出し構造物7から光が取り出されやすくなるので好ましくない。高屈折率透明層10の膜厚は、光取り出し効率の向上という点では、より好ましくは0.5μm以上1.0μm以下である。有機化合物層16,17,18の屈折率は材料によっても変化するが、概ね青の発光領域で1.6乃至2.0、緑では1.5乃至1.9、赤では1.5乃至1.8程度である。従って高屈折率透明層10は、青、緑、赤の各発光領域それぞれで少なくとも有機EL素子に用いる有機化合物層16,17,18よりも高い屈折率であればよい。また、高屈折率透明層10としては、酸化チタンや酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。しかしながらこれらの材料を加工するとなると困難である。本発明において高屈折率透明層10は窒化ケイ素膜SiNxなどが好ましい。窒化ケイ素膜SiNxの元素組成及び元素組成比は特に限定されるものではなく、窒素、ケイ素を主成分としてその他の元素が混合されていてもよい。窒化ケイ素膜を得る成膜プロセスとしてはCVDChemicalVaporDeposition法が用いられる。窒化ケイ素膜は成膜条件、例えば基板温度や成膜速度などによっても、光学定数は変化するが、本発明においては有機化合物層16,17,18よりも高い屈折率を有する透明層であればよい。高屈折率透明層10の光透過率は、可視光域で85以上が好ましく、より好ましくは90以上である。本発明に係る光取り出し構造物7は高屈折率透明層10を直接加工して形成され、高屈折率透明層10と光取り出し構造物7の間には屈折率の差を無くすことが好ましい。光取り出し構造物7は図4に示すようなレンズ構造を有するレンズ形状物だけではなく、凹凸構造、回折構造などでもよいが、より好ましくはレンズ形状物であることが好ましい。ここでレンズ形状物とは、光取り出し方向に対して凸な形状を指す。このような構造物があることで全反射による素子内部への光の戻りが低減され、光取り出し効率が向上する。レンズ形状物の底部形状は円、楕円、三角以上の多角形であり、該レンズの高さ方向の断面形状は半球状、台形、錐状のいずれか、或いは半球状、台形状、錐状の足し合わせからなるものである。また、副画素1,2,3上に複数の光取り出し構造物7が配置された構成であることが望ましい。これらは画素4内で平面内に360°放出される光をできるかぎり取り出すために配置されることが好ましい。例えば、底面の形状が円の場合は、光取り出し構造物7は図2に示すように六方最密配置がよい。また底面の形が四角形ならば、図5のような千鳥配置をとってもよい。光取り出し構造物7の配置パターンは全面均一でもよい。また、図6aで示す光取り出し構造物7a,7b、図6bで示す光取り出し構造物7c,7d、図6cで示す光取り出し構造物7e,7fのように、副画素1,2,3上と副画素間領域とでその形状が異なっていてもよい。例えば短辺10μmで長辺60μmの副画素の場合、数μmの半球レンズと数μm幅のシリンドリカルレンズ、数μmの円錐、四角錐、或いは多角形の錐と、幅が数μmで断面が直角三角形や二等辺三角形、或いは台形型の構造物などの組み合わせなどが挙げられる。該光取り出し構造物7の製造方法については、特に限定するものではないが、例えばフォトリソグラフィによってSiNxなどの膜上にレジストパターンを形成後、ドライエッチを行って所望の構造に形成してもよい。ナノインプリントによって所望のモールドのパターンをSiN上に転写した後、ドライエッチによってSiNxを加工してもよい。副画素1,2,3の寸法が数十μm角ならば、光取り出し構造物7のサイズ或いは幅はミクロンサイズが好ましい。なぜならば、高屈折率透明層10中に放出される高角度成分の光が光取り出し構造物7に入った場合に1回で取り出されるとは限らず、2個目、3個目の光取り出し構造物7中に入って取り出されることが考えられるためである。また光取り出し構造物7と空気或いは低屈折率層などとの界面で起こる反射があり、2個目、3個目の光取り出し構造物7に光が当たって角度が変わってから取り出されることも考えられる。従って、副画素1,2,3の面積に対して十分な数と大きさの光取り出し構造物7があることが光取り出し効率向上には好ましい。即ち、より好ましくは各副画素1,2,3上に加えて、画素4内の隣り合う二つの副画素の間の領域図1の副画素間領域5にも光取り出し構造物7が設けられていることが好適である。また光取り出し構造物7が光取り出し効率の向上に十分寄与するためには、光取り出し構造物7が密に配置されていることが好ましい。より好ましくは図7a及びbに示すように光取り出し構造物7の底部の直径図7aの場合、又は隣り合う光取り出し構造物7の中心を通る軸に沿った底面の長さ図7bの場合Aに対して、光取り出し構造物7の中心間の距離Bが1.0≦B/A≦1.21であることが好ましい。尚、図7において、37,47は光取り出し構造物7の水平方向の配置軸、38,48は斜め方向の配置軸、35,45は光取り出し構造物7の中心である。また、31は配置軸37に沿った光取り出し構造物7の底部の直径A、32は配置軸37に沿った光取り出し構造物7の中心間の距離Bである。また、33は配置軸38に沿った光取り出し構造物7の底部の直径A、34は配置軸38に沿った光取り出し構造物7の中心間の距離Bである。さらに、41は配置軸47に沿った光取り出し構造物7の底面の長さA、42は配置軸47に沿った光取り出し構造物7の中心間の距離Bである。また、43は配置軸48に沿った光取り出し構造物7の底面の長さA、44は配置軸48に沿った光取り出し構造物7の中心間の距離Bである。光取り出し構造物7がより密に配置されていることで高屈折率透明層10まで到達した光が該光取り出し構造物7を経て外に出る機会が増えることになる。例えば、ある特定の点からの発光は360°に放出されるため、隣り合う二つの光取り出し構造物7間に隙間がある場合は、その角度の光は取り出されずその次の光取り出し構造物7に入ったところで取り出される。副画素間領域5上に光取り出し構造物7が設けられていると、該副画素間領域5に、該副画素間領域5に隣り合う副画素の発光が侵入し取り出されることになる。しかしながら、画素4内の光取り出し構造物7によって起こる混色、例えば、青、緑、赤の間での混色は階調制御された色同士の加法混色なので、所望の色度を得るための制御に対して影響は与えない。むしろ隣り合う副画素へ伝播した光を取り出すことができるため、取り出し効率が向上するという利点がある。一方、画素間領域6上に設けられた光取り出し構造物7からは、それぞれ別の階調制御された副画素の発光が混ざり合うことになる。例えば互いに異なる画素4に含まれ、画素間領域6を挟んで隣り合う赤色副画素3と青色副画素1の混色は、それぞれの副画素の階調制御が取り出したい発光色に合わせたものにならないため、全く意図しない加法混色された光として取り出される。ここでMacAdamの偏差楕円を例にとって考える。緑は赤や青よりも色度ずれに対して鈍感であり、青は色度ずれに対しては非常に敏感である。よって、図1の構成において発光色が青色の青色副画素1を例にとって表示像のにじみについて説明する。青色副画素1への他色の異なる階調制御された副画素からの光の侵入は青の色度ずれにつながる。この時、青色副画素1の色は所望の色度で発光しているが、隣り合う画素間領域6上から取り出される発光色は隣の赤色副画素3の色が混ざった色度のずれた発光である。ゆえに、青色副画素1上は所定の青に近いが画素間領域6上に所定の青色とは違う色が認識される。青色副画素1は赤色が混ざった発光色で認識されることになり、色がにじむことになる。また、画素間領域6では、画像を表示するための画素単位の所定の階調制御に対する色度のずれが起こるため表示された画像のエッジ部のにじみにつながる。尚、画素4内での副画素の配置が、青色副画素1,赤色副画素3,緑色副画素2の順であれば、画素間領域6において、該画素間領域6を挟んで隣り合う青色副画素1と緑色副画素2の混色が生じる。通常の表示装置の画素の開口レイアウトは等ピッチに配されることが主流であり、通常大きくても開口率50程度なので画素間領域6の占める面積は大きい。従ってここで起こる青色領域の意図しない混色は色度の違う領域を形成し、表示像のにじみの原因となる。よってにじみ防止のために、図2に示すように画素間領域6上に、光取り出し構造物が設けられていない。より好ましくは、光取り出し構造物がない領域で、光取り出し構造物7が設けられた画素4同士を隔てることが好ましい。具体的には、図2のように光取り出し構造物がない領域画素間領域6が、網目状グリッド状につながっていることが好ましい。画素間領域6の幅、つまり、隣り合う画素4同士の距離については、光の伝播距離を考慮する必要がある。光の伝播距離は、発光点と発光点での光の強度が半分になる点との間の距離である。光の伝播距離は高屈折率透明層10の膜厚や吸収率、発光色などに関係する。本発明では、上記の理由より光取り出し構造物がない領域によってにじみ解消する効果は発光色によって規定されるものではないが、画素間領域6の幅は、少なくとも光取り出し構造物7の底面の直径、或いは多角形の底面の最も長い対角線の長さよりも広ければよい。さらには、画素間領域6の幅は、伝播距離以上であることが望ましい。尚、本発明において、画素間領域6の幅とは、図2の如く画素及び副画素がX方向、Y方向にそれぞれ直線状に配置している場合には、画素間領域6のX方向及びY方向の長さである。また、図8のようなレイアウトの場合には、画素間領域6の最も狭い部分の長さをもって画素間領域6の幅とする。副画素1,2,3の開口形状は長方形に限定されるものではなく、図8に示すように円形であってもよい。例えば光が3次元に等方的に放射されるので、円形の開口に対して光取り出し構造物7が有効に配置できる。円形の副画素であっても各画素内の副画素1,2,3上及び副画素間領域上には光取り出し構造物7を設け、画素間領域上には光取り出し構造物7を設けないことが、意図しない、或いは望まない加法混色による表示像のにじみを回避するために有効である。尚、本発明の表示装置を駆動するための回路、配線、及び用いるTFTの配置や特性は特に規定するものではなく、必要な性能を得るために所望の設計を施し具備してよい。また、本発明の表示装置では光取り出し構造物は素子内部に閉じ込められる光を外に取り出すためのものであり、該光取り出し構造物上を更にガラスキャップや板ガラスなどの封止ガラスで封止してもよい。該封止ガラス上には色度の改善のためカラーフィルタや、外光反射低減のために円偏光板を具備してもよい。以下、本発明の具体的な実施例について説明する。実施例1実施例1として、有機EL素子が図4の断面構造を持ち、表示領域が図3の断面構造を持ち、図1及び図2のように画素、副画素及び光取り出し構造物がレイアウトされた構成の表示装置を、以下に示す方法で作製した。即ち、本例の表示装置は、複数の画素を有し、各画素が複数色青色副画素1、緑色副画素2、赤色副画素3の副画素からなり、副画素それぞれが有機EL素子を備えている。本例では、先ず、ガラス基板上に、低温ポリシリコンからなるTFT駆動回路不図示を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜不図示を形成して支持基板9とした。次に、支持基板9上に、反射電極22として、スパッタリングによりAg合金を約150nmの膜厚で形成した。Ag合金からなる反射電極22は、可視光の波長域λ=380nm乃至780nmで分光反射率80以上の高反射膜である。更にスパッタリングにより透明電極23としてITOIndiumTinOxideを成膜した。この後、隔壁15としてポリイミド系樹脂をスピンコートしフォトリソグラフィによって所望の各副画素に開口部を設けた。この後、各有機化合物層を順次、真空蒸着法により成膜して積層した。本表示装置では各副画素1,2,3において、発光層26から反射電極22までの光学膜厚が、各発光色波長の3/4に相当するように正孔輸送層25の膜厚を変えた。青色は蛍光材料を、緑色及び赤色に関してはより高い内部量子効率が期待できる燐光材料を発光層26の発光ドーパントとして用いた。各副画素の有機化合物層のうち最も屈折率の高い層の屈折率は、青色副画素が1.86、緑色副画素が1.80、赤色副画素が1.78であった。次に透明電極20として、IZOIndiumZincOxideをスパッタリングにより成膜した。その後CVD法により窒化ケイ素SiN膜を4μmの厚さで成膜した。このSiN膜の屈折率は450nm青色領域で1.89、520nm緑色領域で1.88、620nm赤色領域で1.86であった。よって、いずれの副画素においても有機化合物層よりも屈折率が高かった。このSiN膜上にヘキサメチルジシラザンをスピンコートして表面を改質した後、フォトレジストのAZ1500をスピンコートし、厚さが約2.5μmの膜厚を得た。これを図2のように画素間領域上にはパターンを持たないフォトマスクであって、直径5μmのドットが画素上に配されたフォトマスクで、マスクアライナーMPA-600FAにより露光を行った。次いでAZ312MIF現像液によって現像を行いレジストパターンを得た。これを120°Cで3分間のポストベークを行い、レジスト形状をリフローさせた。これを四フッ化炭素と酸素によるドライエッチによりレジストパターンごとSiNをエッチングすることで直径5μmのマイクロレンズにSiN膜を加工した。この時、有機化合物層16,17,18よりも屈折率の高い高屈折率透明層10の膜厚は1.5μm、マイクロレンズの高さは2.5μmであった。レンズピッチは7μmであった。また、図8の画素間領域6の幅は、X方向が11.0μm、Y方向が12.3μmであった。従って、画素間領域6光取り出し構造物がない領域中に、マイクロレンズの底部の直径よりも狭い部位はなかった。また、マイクロレンズの底部の直径AとマイクロレンズのピッチBとの比B/Aは1.4であった。以上のようにして作製した表示装置のにじみ程度を確認するために、青空を背景に人物の画像を表示し、皮膚などの白色系の部位の輪郭部の発光色を確認した。本実施例によって得られた表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化は見られなかった。また、本実施例における光取り出し効率については40程度であった。発光強度は全視野角にわたって増加が見られた。比較例1画素間領域7上にも光取り出し構造物7を設けた以外は実施例1と同じ構成の表示装置を実施例1と同様な製造プロセスで作製した。得られた表示装置のにじみ程度を実施例1と同様にして確認したところ、表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化が見られ、青紫色のにじみが輪郭部に視認された。一方で、光取り出し効率については41程度で実施例1と同様であり、輝度は全視野角にわたって増加が見られた。実施例2レンズピッチを6μmに狭めた以外は実施例1と同じ構成の表示装置を実施例1と同様な製造方法で作製した。画素間領域6光取り出し構造物がない領域の幅はX方向が13.0μm、Y方向が12.3μmであり、画素間領域6光取り出し構造物がない領域中に、マイクロレンズの底部の直径よりも狭い部位はなかった。また、マイクロレンズの底部の直径AとマイクロレンズのピッチBとの比B/Aは1.2であった。得られた有機EL表示装置のにじみ程度を実施例1と同様にして確認したところ、表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化はみられなかった。また、光取り出し効率については44程度であった。輝度は全視野角にわたって増加が見られた。実施例3レンズピッチを5μmにして隙間なく直径5μmのマイクロレンズを配置した以外は実施例1と同じ構成の表示装置を、フォトマスクとしてグレートーンマスクを用いた階調露光によるフォトリソグラフィを行った以外は実施例1と同様にして作製した。画素間領域6光取り出し構造物がない領域の長さはX方向が15.0μm、Y方向が15.7μmであり、画素間領域6光取り出し構造物がない領域中に、マイクロレンズの底部の直径よりも狭い部位はなかった。また、マイクロレンズの底部の直径AとマイクロレンズのピッチBとの比B/Aは1.0であった。得られた表示装置のにじみ程度を実施例1と同様にして確認したところ、表示像の人物の輪郭部にはにじみに由来する発光色の変化は見られなかった。また、光取り出し効率については47程度であった。輝度は全視野角にわたって増加が見られた。"