第1導電型の半導体層、前記第1導電型の半導体層の下に部分的に形成された活性層、前記活性層の下に第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、前記活性層及び第2導電型の半導体層の側面と前記第2導電型の半導体層の下に部分的に配置される絶縁層と、前記第1導電型の半導体層の下に配置され、前記絶縁層により前記活性層及び第2導電型の半導体層と電気的に分離される電極と、前記第2導電型の半導体層、絶縁層、及び電極の下に配置され、前記電極と電気的に連結される第1伝導領域と、前記第2導電型の半導体層と電気的に連結される第2伝導領域と、前記第1伝導領域と第2伝導領域との間に形成されて前記第1伝導領域と前記第2伝導領域とを電気的に分離する絶縁領域を含む金属支持層と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。前記第2導電型の半導体層と前記金属支持層との間にオーミック接触層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1伝導領域及び第2伝導領域は金属層で形成され、前記絶縁領域は酸化金属層で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記金属層はアルミニウムを含み、前記酸化金属層は酸化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項3に記載の発光素子パッケージ。前記絶縁領域は、前記発光構造層に隣接するほど幅が狭くなることを特徴とする、請求項3に記載の発光素子パッケージ。前記第1伝導領域と第2伝導領域は同一の厚さで形成され、同一水平面の上に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記金属支持層は、第1金属層及び第2金属層が複数の対で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1導電型の半導体層の上に蛍光体層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1導電型の半導体層の上にドーム形態のレンズを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1導電型の半導体層の上に成長基板を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子パッケージ。前記第1導電型の半導体層と前記成長基板との間にアンドープド窒化物層を含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光素子パッケージ。前記成長基板の上に蛍光体層を含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光素子パッケージ。前記成長基板の上にドーム形態のレンズを含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光素子パッケージ。発光素子パッケージを光源に使用する照明システムであって、前記照明システムは、基板と、前記基板の上に設けられた少なくとも1つの発光素子パッケージを含む発光モジュールを含み、前記発光素子パッケージは請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の照明システム。本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子パッケージ、発光素子パッケージ製造方法、及び照明システムを提供することにある。本発明の他の目的は、構造が簡単で、かつサイズが減少した発光素子パッケージ、発光素子パッケージ製造方法、及び照明システムを提供することにある。本発明に従う発光素子パッケージは、第1導電型の半導体層、上記第1導電型の半導体層の下に部分的に形成された活性層、及び上記活性層の下に第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、上記活性層及び第2導電型の半導体層の側面と上記第2導電型の半導体層の下に部分的に配置される絶縁層と、上記第1導電型の半導体層の下に配置され、上記絶縁層により上記活性層及び第2導電型の半導体層と電気的に分離される電極と、上記第2導電型の半導体層、絶縁層及び電極の下に配置され、上記電極と電気的に連結される第1伝導領域と、上記第2導電型の半導体層と電気的に連結される第2伝導領域と、上記第1伝導領域と第2伝導領域との間に配置されて上記第1伝導領域と上記第2伝導領域とを電気的に分離する絶縁領域を含む金属支持層と、を含む。本発明に従う発光素子パッケージ製造方法は、成長基板の上に、第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層を含む発光構造層を形成するステップと、上記第1導電型の半導体層が部分的に露出されるように上記第2導電型の半導体層及び活性層を選択的に除去するステップと、上記第2導電型の半導体層及び活性層の側面及び上面の一部に絶縁層を形成するステップと、上記第1導電型の半導体層の上に電極を形成するステップと、上記第2導電型の半導体層、絶縁層、及び電極の上に金属支持層を形成するステップと、上記金属支持層を選択的に酸化処理して上記電極と電気的に連結される第1伝導領域と、上記第2導電型の半導体層と電気的に連結される第2伝導領域とが区分されるように絶縁領域を形成するステップと、上記発光構造層及び金属支持層がパッケージ単位で分離されるようにエッチング工程を進行するステップと、を含む。本発明に従う照明システムは、発光素子パッケージを光源に使用する照明システムであって、上記照明システムは、基板と、上記基板の上に設けられた少なくとも1つの発光素子パッケージを含む発光モジュールとを含み、上記発光素子パッケージは、第1導電型の半導体層、上記第1導電型の半導体層の下に部分的に配置される活性層、上記活性層の下に第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、上記活性層及び第2導電型の半導体層の側面と上記第2導電型の半導体層の下に部分的に配置される絶縁層と、上記第1導電型の半導体層の下に形成され、上記絶縁層により上記活性層及び第2導電型の半導体層と電気的に分離される電極と、上記第2導電型の半導体層、絶縁層、及び電極の下に形成され、上記電極と電気的に連結される第1伝導領域と、上記第2導電型の半導体層と電気的に連結される第2伝導領域と、上記第1伝導領域と第2伝導領域との間に配置されて、上記第1伝導領域と上記第2伝導領域とを電気的に分離する絶縁領域を含む金属支持層と、を含む。本発明によれば、新たな構造を有し、構造が簡単で、かつサイズが減少した発光素子パッケージ、発光素子パッケージ製造方法、及び照明システムを得ることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ、発光素子パッケージ製造方法、及び照明システムについて詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。図1を参照すると、第1実施形態に従う発光素子パッケージは、第1導電型の半導体層20、活性層30、及び第2導電型の半導体層40を含む発光構造層50を含む。上記活性層30は、上記第1導電型の半導体層20及び第2導電型の半導体層40の間に配置されて上記第1導電型の半導体層20及び第2導電型の半導体層40に電源が印加されることで光を放出する。上記発光構造層50は、複数のIII族乃至V族元素の化合物半導体層を含むことができ、例えば、第1導電型の半導体層20、上記第1導電型の半導体層20の下に活性層30、及び上記活性層30の下に上記第2導電型の半導体層40を含むことができる。上記第1導電型の半導体層20は、例えば、n型半導体層を含むことができる。上記第1導電型の半導体層20は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのn型ドーパントがドーピングできる。上記第1導電型の半導体層20は単層または多層で形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記活性層30は、上記第1導電型の半導体層20を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型の半導体層40を通じて注入される正孔または、電子とが互いに会って、上記活性層30の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を放出する層である。上記活性層30は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子点構造、または量子線構造のいずれか1つから形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層30は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成できる。上記活性層30が上記多重量子井戸構造で形成された場合、上記活性層30は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成できる。上記活性層30の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せずが形成されることができ、上記クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記第2導電型の半導体層40は、例えば、p型半導体層で具現できる。上記第2導電型の半導体層40は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングできる。一方、上記第1導電型の半導体層20がp型半導体層を含み、上記第2導電型の半導体層40がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第2導電型の半導体層40の下にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型の半導体層図示せずが形成されることもでき、これによって、上記発光構造層50は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型の半導体層20及び上記第2導電型の半導体層40の内のドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成できる。即ち、上記発光構造層50の構造は多様に形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記発光構造層50で上記活性層30及び第2導電型の半導体層40は一部分が選択的に除去され、上記第1導電型の半導体層20より小さい面積を有する。上記発光構造層50の上には成長基板10が配置される。上記成長基板10は、サファイアAl2O3、Si、SiC、GaAs、GaN、AlN、ZnO、MgO、Ga2O3のいずれか1つから形成されることができ、例えば、上記成長基板10はサファイア基板となることができる。上記成長基板10は、上記第1導電型の半導体層20に接する。図示してはいないが、上記第1導電型の半導体層20と上記成長基板10との間にはアンドープド窒化物層が形成されることもできる。上記活性層30及び第2導電型の半導体層40の側面には絶縁層60が形成される。また、上記絶縁層60は、上記第2導電型の半導体層40が部分的に露出されるように上記第2導電型の半導体層40の下に部分的に形成されることもできる。上記絶縁層60は有機物または無機物で形成されることができ、絶縁物質で形成される。例えば、上記絶縁層60は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成されることもできる。上記第2導電型の半導体層40の下にはオーミック接触層70が形成され、上記第1導電型の半導体層20の下には電極80が形成される。上記オーミック接触層70は上記第2導電型の半導体層40と電気的に連結され、上記電極80は上記第1導電型の半導体層20と電気的に連結される。上記オーミック接触層70と上記電極80は、上記絶縁層60により電気的に分離できる。上記オーミック接触層70は、ITOのような透明伝導性酸化物、透明伝導性酸化窒化物、または透明伝導性窒化物で形成されるか、Ni、Ag、及びAuのうち、少なくともいずれか1つを含む金属または合金で形成されることもできる。上記電極80は、Au、Al、及びPtのうち、少なくともいずれか1つを含む金属または合金で形成されることもできる。上記絶縁層60、オーミック接触層70、及び電極80の下には金属支持層90が配置される。但し、上記オーミック接触層70は選択的に形成されることができ、上記オーミック接触層70が形成されない場合、上記オーミック接触層70の代りに反射率の高い金属層が形成されるか、上記金属支持層90が上記第2導電型の半導体層40に直接接触することもできる。図2を参照すると、上記金属支持層90は、圧縮応力を有する第1金属層90aと引張応力を有する第2金属層90bを含むことができる。上記第1金属層90aと第2金属層90bを1つの単位層に定義する時、上記金属支持層90は複数の単位層に形成できる。例えば、上記金属支持層90は第1金属層90aと第2金属層90bの対が2対以上80対以下の範囲で形成してよい。好ましくは、上記金属支持層90は上記第1金属層90aと第2金属層90bの対が30対以上70対以下の範囲で形成し、より好ましくは、上記金属支持層90は上記第1金属層90aと第2金属層90bの対が40対以上60対以下の範囲で形成する。上記第1金属層90aと第2金属層90bとは互いに反対の応力を持っているので、上記第1金属層90aの圧縮応力と上記第2金属層90bの引張応力とが互いに相殺されて上記金属支持層90を厚く形成することができる。勿論、上記金属支持層90は単一金属層で形成されることもできる。例えば、上記第1金属層90a及び第2金属層90bは、各々0.1~10μmの厚さで形成されることができ、好ましくは、上記第1金属層90a及び第2金属層90bのいずれか1つは0.4~0.8μmの厚さで形成され、上記第1金属層90a及び第2金属層90bのうち、他の1つは0.8~1.2μmの厚さで形成できる。上記金属支持層90は、上記複数の第1金属層90a及び第2金属層90bが積層されて50~200μmの厚さで形成できる。上記金属支持層90は第1伝導領域91と第2伝導領域92、そして、上記第1伝導領域91と上記第2伝導領域92とが互いに電気的に分離されるように、上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92の側面を囲む絶縁領域93を含む。上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92は金属層で形成されることができ、上記絶縁領域93は上記金属層を選択的に酸化させた酸化金属層で形成できる。上記金属支持層90は、銅基板、アルミニウム基板などの金属材質で形成される。例えば、上記金属支持層90はアルミニウム基板で形成されることができ、上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92はアルミニウム基板で形成され、上記絶縁領域93は上記アルミニウム基板を選択的に酸化させた酸化アルミニウムで形成できる。上記絶縁領域93は、上記発光構造層50に隣接するほど幅が狭くなるように形成され、上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92は、上記発光構造層50に隣接するほど幅が広くなるように形成されることもできる。実施形態では上記第1伝導領域91、第2伝導領域92、及び絶縁領域93は金属層を選択的に酸化させて形成することが開示されているが、上記絶縁領域の位置に絶縁層を形成した後、上記第1伝導領域及び第2伝導領域の位置に金属層を蒸着する方法により上記第1伝導領域91、第2伝導領域92、及び絶縁領域93を形成することが可能である。また、上記第1伝導領域及び第2伝導領域の位置、及び上記絶縁領域の位置に金属層を形成した後、上記絶縁領域の位置にある金属層を選択的に除去した後、絶縁層を形成する方法により上記第1伝導領域91、第2伝導領域92、及び絶縁領域93を形成することが可能である。上記のような発光素子パッケージは、上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92が上記発光構造層50の下に配置される。上記第1伝導領域91の一部領域は、上記第1導電型の半導体層20と垂直方向にオーバーラップされて形成されることができ、上記活性層30及び第2導電型の半導体層40とは垂直方向にオーバーラップされない。また、上記第2伝導領域92の一部領域は、上記第1導電型の半導体層20、活性層30、及び第2導電型の半導体層40と垂直方向にオーバーラップされて形成されることもできる。上記第1伝導領域91、第2伝導領域92、及び絶縁領域93は、上記金属支持層90を選択的に酸化させて形成するので、上記第1伝導領域91と第2伝導領域92は同一の厚さを有することができ、同一水平面の上に配置される。上記第1伝導領域91及び第2伝導領域92に各々電源が印加されれば、上記電源は上記電極80及びオーミック接触層70を通じて上記第1導電型の半導体層20と第2導電型の半導体層40に印加され、上記活性層30で光が発生される。上記活性層30で発生した光は上記発光構造層50の側面または上記成長基板10を通じて外部に放出される。また、上記活性層30で発生した光の一部は、上記金属支持層90で反射されて上記発光構造層50の側面または上記成長基板10を通じて外部に放出される。第1実施形態によれば、金属支持層90を用いて発光構造層50のサイズと大きい差を有しない小型の発光素子パッケージを製作することができる。図3は、本発明の第2実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。第2実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と重複する説明は省略する。図3を参照すると、第2実施形態に従う発光素子パッケージは、第1実施形態とは異なり、上記成長基板10の上に蛍光体層110が形成される。上記蛍光体層110には蛍光体が含まれ、上記蛍光体層110は上記活性層30で発生した光の波長を変化させる。例えば、上記活性層30で470nmの青色光を発生し、上記蛍光体層110に黄色蛍光体を含む場合、上記活性層30で発生した光と上記蛍光体層110で励起された光とが組合わせられて白色光が発生できる。図4は、本発明の第3実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。第3実施形態を説明するに当たって、第2実施形態と重複する説明は省略する。図4を参照すると、第3実施形態に従う発光素子パッケージは第2実施形態とは異なり、上記蛍光体層110の上にレンズ120が形成される。上記レンズ120は、シリコンジェルまたはエポキシジェルを用いて上面が凸なドーム形態で形成され、上記成長基板10及び蛍光体層110を経て外部に放出される光が効果的に抽出できるようにする。図5は、本発明の第4実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。第4実施形態を説明するに当たって、第1実施形態と重複する説明は省略する。図5を参照すると、第4実施形態に従う発光素子パッケージは第1実施形態とは異なり、上記第1導電型の半導体層20の上に配置される成長基板10が除去される。上記第1導電型の半導体層20の上面にはホールまたは柱形態の光抽出構造、例えば光結晶21が形成できる。図6は、本発明の第5実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。第5実施形態を説明するに当たって、第4実施形態と重複する説明は省略する。図6を参照すると、第5実施形態に従う発光素子パッケージは第4実施形態とは異なり、上記第1導電型の半導体層20の上に配置される成長基板10が除去され、上記第1導電型の半導体層20の上に蛍光体層110が形成される。図7は、本発明の第6実施形態に従う発光素子パッケージを説明する図である。第6実施形態を説明するに当たって、第5実施形態と重複する説明は省略する。図7を参照すると、第6実施形態に従う発光素子パッケージは第5実施形態とは異なり、上記蛍光体層110の上にレンズ120が形成される。上記レンズ120はシリコンジェルまたはエポキシジェルを用いて上面が凸な形態で形成され、上記蛍光体層110を経て外部に放出される光が効果的に抽出できるようにする。図8乃至図16は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。図8及び図9を参照すると、成長基板10が用意される。そして、上記成長基板10の上に、第1導電型の半導体層20、活性層30、及び第2導電型の半導体層40を含む発光構造層50を形成する。図示してはいないが、上記成長基板10の上に上記第1導電型の半導体層20を形成する前に、上記成長基板10の上にアンドープド窒化物層を形成することもできる。上記成長基板10は、サファイアAl2O3、Si、SiC、GaAs、AlN、GaN、ZnO、MgO、Ga2O3のいずれか1つから形成されることができ、例えば、上記成長基板10としてサファイア基板を使用することができる。上記アンドープド窒化物層は、GaN系半導体層で形成されることができ、例えば、トリメチルガリウムTMGaガス、水素ガス、及びアンモニアガスをチャンバーに注入して成長させたアンドープドGaN層を使用することができる。上記第1導電型の半導体層20は、トリメチルガリウムTMGaガス、n型ドーパント例えば、Siを含むシランSiN4ガス、水素ガス、及びアンモニアガスを上記チャンバーに注入して成長させることができる。そして、上記第1導電型の半導体層20の上に活性層30及び第2導電型の半導体層40を形成する。上記活性層30は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線Quantumwire構造、または量子点Quantumdot構造で形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の積層構造で形成されることもできる。上記第2導電型の半導体層40は、トリメチルガリウムTMGaガス、p型ドーパント例えば、Mgを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mg{MgC2H5C5H42}ガス、水素ガス、及びアンモニアガスを上記チャンバーに注入して成長させることができる。図10を参照すると、上記第2導電型の半導体層40及び活性層30を選択的に除去するメサMESAエッチングを進行する。上記メサエッチングによって上記第1導電型の半導体層20の一部は上側方向に露出される。この際、上記第1導電型の半導体層20も部分的に除去されることもできる。図11を参照すると、上記活性層30及び第2導電型の半導体層40の側面及び上面の一部分に絶縁層60を形成する。上記絶縁層60は絶縁性に優れ、上記活性層30及び第2導電型の半導体層40と接着力に優れる物質を用いて形成できる。例えば、上記絶縁層60は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成できる。上記絶縁層60が形成されるにつれて、上記第2導電型の半導体層40は上面の一部を除外した部分が上記絶縁層60により囲まれる。図12を参照すると、上記第2導電型の半導体層40の上にオーミック接触層70を形成する。上記オーミック接触層70は、上記第2導電型の半導体層40とオーミック接触特性を有する物質を使用して形成される。但し、上記オーミック接触層70を形成する工程は選択的に進行されることができ、上記オーミック接触層70の代りに反射率の高い金属で形成された反射層を形成するか、以後に説明されるように、金属支持層90が直接接触されるようにすることができる。上記オーミック接触層70は、透明伝導酸化物TCO:TransparentConductingOxide、透明伝導窒化物TCN:TransparentConductingNitride、透明伝導酸化窒化物TransparentConductingOxideNitrideのうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記透明伝導酸化物は、ITO、ZnO、AZO、IZO、ATO、ZITO、Sn-O、In-O、Ga-Oのいずれか1つからなることができ、上記透明伝導窒化物は、TiN、CrN、TaN、In-Nのうち、少なくともいずれか1つになることができ、上記透明伝導酸化窒化物は、ITON、ZnON、O-In-N、IZONのいずれか1つからなることができる。また、上記オーミック接触層70は、Ni、Ag、Auのうち、少なくともいずれか1つを含む金属または合金で形成できる。上記オーミック接触層70は、スパッタリング方法または電子ビーム蒸着Ebeamevaporation方法により形成できる。図13を参照すると、上記第1導電型の半導体層20の上に電極80を形成する。上記電極80は、上記絶縁層60の間に露出された上記第1導電型の半導体層20の上に形成される。上記電極80は、Au、Al、Ptのうち、少なくともいずれか1つを含む金属または合金で形成できる。図14を参照すると、上記絶縁層60、オーミック接触層70、及び電極80の上に金属支持層90を形成する。例えば、上記金属支持層90は、引張応力を有する第1金属層90aと圧縮応力を有する第2金属層90bとを交互に形成することができる。例えば、上記第1金属層90aを形成し、上記第1金属層90aの上に第2金属層90bを形成する。そして、上記第2金属層90bの上に第1金属層90aをまた形成し、上記第1金属層90aの上にまた第2金属層90bを形成する工程を繰り返す。上記第1金属層90a及び第2金属層90bは、乾式蒸着方法により形成できる。上記乾式蒸着方法にはスパッタリング方法や電子ビーム蒸着Ebeamevaporation工程が使われることができ、スパッタリング方法を用いる場合、高速スパッタリング方法を適用することができる。上記高速スパッタリング方法は、負極スパッタリングターゲットの後面に磁性物質を設置して電場に垂直な方向に磁場を形成することによって、電子の動きをターゲット周囲に拘束し、回転往復動を誘導して移動経路を長くすることによって、プラズマ密度を高めてスパッタリング歩留まりを向上させるスパッタリング方法である。上記第1金属層90a及び第2金属層90bはアルミニウムで形成されることができ、アルミニウムのような同種金属を用いる場合、スパッタリング工程条件を変化させることによって、上記第1金属層90a及び第2金属層90bが各々引張応力と圧縮応力を有するようにすることができる。例えば、スパッタリングまたは蒸着evaporationされた金属のエネルギーを大きくしてくれれば、基板に到達した金属が希望する位置まで拡散できる充分なエネルギーを有することができるので、圧縮応力を有する金属層を形成することができる。金属のエネルギーを大きくして圧縮応力を有する金属層を形成する方法は、スパッタリング時、パワーを高める方法、スパッタリングガスの圧力を低める方法、基板の温度を高める方法、パルススパッタリング方法を適用する方法がありうる。例えば、電源にパルスソースと直流ソースを用意し、パルスソースを印加する場合は圧縮応力を有する金属層が形成され、直流ソースを印加する場合は引張応力を有する金属層が形成される。同様に、スパッタリング時、パワー、ガスの圧力、基板の温度などを制御することによって、引張応力を有する金属層と圧縮応力を有する金属層を選択的に形成することができる。図15を参照すると、上記金属支持層90の上に感光膜を用いてマスクパターン100を形成する。上記マスクパターン100は、絶縁領域が形成される必要がある部分の上記金属支持層90が露出されるように形成する。図16を参照すると、上記マスクパターン100をマスクにして上記金属支持層90に対して酸化処理を遂行する。例えば、上記酸化処理はアノダイジング工程が遂行できる。上記酸化処理により上記金属支持層90は、第1伝導領域91、第2伝導領域92、及び絶縁領域93に分けられる。即ち、上記酸化処理は、上記金属支持層90に絶縁領域93を形成するものであって、上記絶縁領域93が形成されるにつれて、上記第1伝導領域91と第2伝導領域92とが区分される。そして、上記酸化処理を遂行した後、上記マスクパターン100を除去する。図16に図示された構造物に対し、エッチング工程を行って単位パッケージに分離すれば、図1に示すような第1実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。上記エッチング工程は、レーザダイシング、湿式エッチング、及びブレードダイシング方法を用いて進行できる。また、図16で、上記マスクパターン100を除去した後、エッチング工程を行う前に、上記成長基板10の上に上記蛍光体層110を形成する場合、図3に示すような第2実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。また、図16で、上記マスクパターン100を除去した後、エッチング工程を行う前に、上記成長基板10の上に上記蛍光体層110及びレンズ120を形成する場合、図4に示すような第3実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。ここで、上記レンズ120は、シリコンジェルまたはエポキシジェルを用いてドーム形態で形成できる。また、図16で、上記マスクパターン100を除去した後、エッチング工程を行う前に、上記成長基板10を除去する場合、図5に示すような第4実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。ここで、上記成長基板10は、LLOLaserLiftOff工程またはCLOChemicalLiftOff工程を通じて除去できる。また、図16で、上記マスクパターン100を除去した後、エッチング工程を行う前に、上記成長基板10を除去し、上記第1導電型の半導体層20の上に上記蛍光体層110を形成する場合、図6に示すような第5実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。また、図16で、上記マスクパターン100を除去した後、エッチング工程を行う前に、上記成長基板10を除去し、上記第1導電型の半導体層20の上に上記蛍光体層110を形成し、上記蛍光体層110の上に上記レンズ120を形成する場合、図7に示すような第6実施形態に従う発光素子パッケージが製作できる。実施形態では、上記発光構造層50の下に金属支持層90を形成して選択的に酸化処理することによって、PCBのような外部回路と電気的に連結できる発光素子パッケージが製作できる。実施形態に従う発光素子パッケージは、上記第1導電型の半導体層20及び第2導電型の半導体層40と電気的に連結される金属支持層90が備えられるため、構造が簡単な長所があり、上記金属支持層90の下に配置されるPCBまたはヒートシンクに効果的に熱を伝達することができる長所がある。実施形態に従う発光素子パッケージは、発光構造層50を支持し、電気的な連結のための金属支持層90を乾式蒸着方法を用いて形成するので、従来のソルダー金属を使用する方式で発生されるクラックや低い熱伝達特性による信頼性の低下を防止することができる。図17は、本発明の実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージを含むバックライトユニットを示す図である。但し、図17のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図17を参照すると、上記バックライトユニット1100は、ボトムフレーム1140と、上記ボトムフレーム1140の内に配置された光ガイド部材1120と、上記光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置できる。上記ボトムフレーム1140は、上記光ガイド部材1120、上記発光モジュール1110、及び上記反射シート1130が収納できるように、上面が開口されたボックスbox形状で形成されることができ、金属材質または樹脂材質で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記発光モジュール1110は、基板700と、上記基板700に載置された複数個の発光素子パッケージ600を含むことができる。上記複数個の発光素子パッケージ600は、上記光ガイド部材1120に光を提供することができる。実施形態で、上記発光モジュール1110は、上記基板700の上に発光素子パッケージ600が設けられたものが例示されているが、実施形態に従う発光素子100が直接設置されることも可能である。図示されたように、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の内側面のうち、少なくともいずれか1つに配置されることができ、これによって上記光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。但し、上記発光モジュール1110は上記ボトムフレーム1140の下に配置されて、上記光ガイド部材1120の下面に向けて光を提供することができ、これは上記バックライトユニット1100の設計に従って多様に変形可能であるので、これに対して限定するのではない。上記光ガイド部材1120は、上記ボトムフレーム1140の内に配置できる。上記光ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供を受けた光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドできる。上記光ガイド部材1120は、例えば、導光板LGP:LightGuidePanelでありうる。上記導光板は、例えばPMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つで形成できる。上記光ガイド部材1120の上側には光学シート1150が配置されることもできる。上記光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成できる。この場合、上記拡散シート1150は、上記発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させ、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル図示せずに集光できる。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、上記輝度上昇シートは、上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。また、上記輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmでありうる。また、上記蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムとなることもできる。上記光ガイド部材1120の下には上記反射シート1130が配置できる。上記反射シート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド部材1120の出射面に向けて反射できる。上記反射シート1130は、反射率の良い樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。図18は、本発明の実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージを含む照明ユニットを説明する図である。但し、図18の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図18を参照すると、上記照明ユニット1200は、ケース胴体1210と、上記ケース胴体1210に設けられた発光モジュール1230と、上記ケース胴体1210に設置され、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220を含むことができる。上記ケース胴体1210は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール1230は、基板700と、上記基板700に載置される少なくとも1つの発光素子パッケージ600を含むことができる。実施形態で、上記発光モジュール1110は、上記基板700の上に発光素子パッケージ600が設けられたものが例示されているが、実施形態に従う発光素子100が直接設置されることも可能である。上記基板700は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板700は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば、白色、銀色などで形成できる。上記基板700の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ600が載置できる。上記発光素子パッケージ600は、各々少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために、多様な発光ダイオードの組合を有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。また、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路の上には蛍光シートがさらに配置されることができ、上記蛍光シートは、上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体が含まれることができ、上記発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見られるようになる。上記連結端子1220は、上記発光モジュール1230と電気的に連結されて電源を供給することができる。図18の図示によれば、上記連結端子1220はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1220は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果を得ることができる。以上、説明したように、照明システムは、小型の発光素子パッケージを含むことによって、小さいサイズで製作できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。