"方法であって、所望の磁化状態への選択された磁気メモリセルの磁気歳差運動を開始するために、前記選択された磁気メモリセルに書込電流を印加するステップと、前記所望の磁化状態への前記選択されたセルの磁気歳差運動を助ける磁場を生成するために、隣接メモリセルにフィールドアシスト電流を同時に流すステップとを備える、方法。前記フィールドアシスト電流によって生成される前記磁場は、前記所望の磁化状態に対応する磁化方向で前記選択されたセルの自由層を通過する、請求項1に記載の方法。前記隣接メモリセルは第1の隣接メモリセルとして特徴付けられ、前記フィールドアシスト電流は第1のフィールドアシスト電流として特徴付けられ、前記磁場は第1の回転アシスト場として特徴付けられ、前記同時に流すステップは、第2の回転アシスト場を生成するために、第2の隣接メモリセルに第2のフィールドアシスト電流を同時に流すステップをさらに含み、前記第1および第2の回転アシスト場は、前記所望の磁化状態への前記選択されたセルの歳差を助けるように、前記選択されたセルを通過する、請求項1に記載の方法。前記第1の回転アシスト場は、第1の回転方向で回転し、前記第2の回転アシスト場は、前記第1の回転方向とは反対の第2の回転方向で回転する、請求項3に記載の方法。前記第1および第2の隣接メモリセルは、メモリアレイ内の選択された行に沿って揃えられ、前記選択されたセルは前記第1および第2の隣接メモリセルの間にある前記選択された行に沿って配置される、請求項4に記載の方法。前記選択されたセルは、基準層、およびトンネリングバリヤ層によって前記基準層から分離された自由層を有するスピントルクトランスファランダムアクセスメモリSTRAMメモリセルを備え、前記基準層は、固定された磁化方向を有し、前記自由層は、前記基準層の方向に対して平行な方向および逆平行な方向の間を切換えることが可能な可変磁化方向を有し、前記書込電流および前記磁場は、前記所望の磁化状態へ前記自由層を歳差させるように、協働して動作する、請求項1に記載の方法。中間メモリセルは、前記選択されたセルと前記隣接セルとの間に配置され、前記フィールドアシスト電流によって確立される前記磁場は、前記書込電流によって生成される磁場と反対の回転方向であり、それによって、前記中間セルの既存の磁化方向を安定化する、請求項1に記載の方法。前記隣接セルを通る前記フィールドアシスト電流の方向は、前記磁場を、前記選択されたセルの自由層上に前記所望の磁化状態に対応する方向で印加するように選択される、請求項1に記載の方法。前記印加するステップの間に印加される前記書込電流は、前記所望の磁化状態への前記磁気歳差運動を完了させるには不十分な大きさを有する、請求項1に記載の方法。装置であって、各々が選択された磁化方向に個別にプログラム可能な不揮発性磁気データ記憶セルのアレイと、前記アレイの選択されたセルに書込電流を印加して、所望の磁化方向へ前記選択されたセルの磁気歳差運動を開始するとともに、前記アレイの隣接メモリセルにフィールドアシスト電流を同時に印加して前記所望の磁化状態への前記選択されたセルの前記歳差運動を助ける磁場を生成するように適合された制御回路とを備える、装置。前記フィールドアシスト電流によって生成される前記磁場は、前記所望の磁化方向に対応する磁化方向で前記選択されたセルの自由層を通過し、それによって、前記磁場が前記書込電流と協働して前記所望の磁化方向を確立する、請求項10に記載の装置。携帯電子機器に関連して適合されて、それのための不揮発性メモリを提供する携帯メモリカードとして特徴付けられる、請求項10に記載の装置。前記アレイにおける前記セルの各々は、それの自由層のプログラムされた磁化方向に応答して、選択された電気抵抗にプログラム可能な磁気トンネル接合MTJを含み、前記アレイにおける前記セルの各々は、前記MTJに結合されて、関連するセルへの選択的アクセスを提供するスイッチングデバイスをさらに含み、前記スイッチングデバイスは、前記書込電流を提供するためには十分な電流搬送容量を有するが、前記スイッチングデバイスの飽和を伴わずに、関連したMTJを選択的にプログラムされた状態に遷移させるのに十分な第2の書込電流を提供するためには不十分な電流搬送容量を有する、請求項10に記載の装置。メモリモジュールジュールを有する携帯メモリカードを含む装置であって、不揮発性磁気メモリセルのアレイと、前記メモリセルを異なる電気抵抗にプログラムしてその中にデータを記憶するように適合された制御回路とを備え、前記制御回路は、前記アレイ内の第1の選択されたセルにフィールドアシスト電流を通過させるとともに、前記アレイ内の隣接する第2の選択されたセルを通る書込電流の経路を同時に有し、アシスト磁場を生成するように動作する前記フィールドアシスト電流は、前記書込電流と協力して、選択されたプログラム状態へ前記第2の選択されたセルをプログラムするように適合される、装置。アレイは、各々が基準層、およびトンネリングバリヤ層によって前記基準層から分離された自由層を有する、スピンルクトランスファランダムアクセスメモリSTRAMメモリセルを備え、前記基準層は、固定された磁化方向を有し、前記自由層は、前記基準層の方向に対して平行な方向および逆平行な方向の間を切換えることが可能な可変磁化方向を有し、前記書込電流および前記磁場は、前記所望の磁化方向へ、前記第2の選択されたセルの前記自由層を協働して歳差させる、請求項14に記載の装置。前記書込電流は、前記第2の選択されたセルを通して、前記第1の選択されたセルからの前記磁場の追加の動作を伴わずに、前記選択されたプログラム状態への前記第2の選択されたセルの歳差運動を完了させるには不十分な電流密度を提供する、請求項14に記載の装置。さまざまな実施形態に従えば、書込電流が選択された磁気メモリセルを通して印加され、所望の磁化状態への選択されたセルの磁気歳差動作を開始する。フィールドアシスト電流が、隣接メモリセルに同時に流されて、所望の磁化状態への選択されたセルの歳差運動を助ける磁場を生成する。本発明のさまざまな実施形態を特徴付けるこれらおよび他の多くの特徴および利点は、以下の詳細な議論および添付の図面に照らして理解することができる。詳細な説明本開示は、限定はされないが、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリSTRAMセルのような磁気メモリセルへデータが書込まれ得る手法の改善を記載する。ソリッドステート磁気メモリセルのアレイは、データビットの不揮発性記憶を提供するために用いられ得る。いくつかの磁気メモリセル構成は、磁気トンネリング接合MTJのような、プログラム可能な抵抗素子を含む。MTJは、選択された方向に固定された磁化方向を有する固定基準層を含む。自由層は、トンネリングバリヤによって基準層から分離され、自由層は選択的に可変な磁化方向を有する。固定層に対する自由層の方向は、セルの全体的な電気抵抗を確立し、それは読出検出動作中に検出され得る。磁気メモリセルは、小型の半導体アレイ環境においてデータを効果的に記憶するために見出されたが、そのようなセルの1つの課題は、異なるプログラム状態を生成するために必要とされる電力である。たとえば、STRAMセルは、スピントルクを用いて自由層の磁化方向を変化させるようにしばしば構成され、それによって、MTJに十分な電流密度レベルで書込電流を印加することを要求する。これは、次に、そのような大きな電流密度を提供するために、各セルに対して相対的に大きなスイッチングデバイスたとえば、nMOSFETを要求する。各セルにおいて自由層を切換えるために必要とされる電流密度を低減することは、一般的に、記憶装置の全体的な電力消費を低減する傾向があり、それは発熱を低減し、さらにバッテリで動作する用途においてはバッテリ寿命を延長することができる。より低いスイッチング電流密度は、また、個別のメモリセルにおいてより小さいスイッチングデバイスの使用を可能にし、それによって、より高密度に充填された、より高いデータ容量のアレイを促進する。したがって、本開示は、概して、プログラム電流密度を低減するための、磁気メモリセルへのデータのフィールドアシスト書込みに向けられる。以下に説明されるように、書込電流は、アレイ内の選択されたメモリセルへ印加されて、選択されたプログラム状態を生じさせる。フィールドアシスト電流が、アレイの少なくとも1つの近隣セルに同時に印加される。フィールドアシスト電流は、近隣のセルのプログラム状態に影響を与えるのに十分な大きさではないが、選択されたセルにおけるプログラミング動作を助けるアンペア場Amperefieldを確立するには十分な大きさである。このようなフィールドアシスト電流の使用が、アレイの全体的な電力消費レベルを低減し、より高速で低電流のスイッチング動作を提供することが予期される。図1は、本発明のさまざまな実施形態に従って構築されかつ動作されるデータ記憶装置100の単純化されたブロック図を示す。装置は、携帯電子ホスト機器と関連し得るメモリカードを構成し、装置についてのデータ記憶を提供することが予期される。しかしながら、主張する課題はそれには限定されないことが理解されるであろう。装置100は、コントローラ102およびメモリモジュール104を含むように示される。コントローラ102は、個別に図示されないホストとのインターフェース動作を含む、装置の上位制御を提供する。コントローラ機能は、ハードウェアまたはプログラム可能なプロセッサによって実現され、あるいはメモリモジュール104に直接含まれ得る。他のフィーチャも、同様に装置100に含まれ得、それは、限定されないがI/Oバッファ、ECC回路、および局部コントローラキャッシュを含む。メモリモジュール104は、図2に一般的に示されるような不揮発性メモリセル106のソリッドステートアレイを含む。各セル106は、抵抗検知メモリ素子108およびスイッチングデバイス110を含む。メモリ素子108は、図2において可変抵抗として表され、素子はセルへのプログラミング入力に応答する異なる電気抵抗を確立する。スイッチングデバイス110は、読出動作および書込動作の間に、個々のセルへの選択的アクセスを容易にする。いくつかの実施形態においては、メモリセル106はスピントルクトランスファメモリSTRAMセルとして特徴付けられる。メモリ素子108は、磁気トンネリング接合MTJとして特徴付けられ、スイッチングデバイス110は、nMOSFETnチャンネル金属酸化電界効果トランジスタとして特徴付けられる。他のセル構成が容易に用いられ得ることが理解されるであろう。セル106へのアクセスは、ビットラインBL112、ソースラインSL114、およびワードラインWL116を含む、さまざまな制御ラインを通して実行される。選択されたワードライン116に沿ったセル106のすべては、読出動作および書込動作の間に現在アクセスされているメモリのページを形成する。アレイは、行および列に配列された、任意の数のN×Mのメモリセルを含み得る。2つの制御ラインが直接各セルに結合される交点アレイを用いることができる。図2に表されるさまざまなビットライン112、ソースライン114、および制御ライン116は、アレイにわたって直交して伸延し、必要に応じて、互いに平行または垂直であり得る。適当なドライバ回路図示せずがさまざまな制御ラインに結合されて、選択された読出電流および書込電流を個々のセル106に流す。図3は、いくつかの実施形態に従う、図2からの選択されたメモリセル106の縦型積層表現を提供する。MTJ118は、導電性の上部電極122および下部電極120それぞれ、TEおよびBEによって分離される。MTJ118は、選択された方向の固定磁化方向を有する基準層RL124を含む。基準層124は、永久磁石のような隣接ピニング層によって確立される固定磁化方向を有する反強磁性固定層のような、多くの形態をとり得る。合成反強磁性SAF構造が、代替的に用いられてもよい。トンネリングバリヤ層126は、しばしば記憶層とも称される軟強磁性自由層128から、基準層を分離する。自由層128は、素子108への書込電流の印加に応答して確立される、選択的にプログラム可能な磁化方向を有する。自由層128のプログラムされた磁化方向は、基準層124の方向と同じ方向平行であるかもしれないし、または、基準層126の方向と対向する方向逆平行であるかもしれない。平行方向は、メモリセルを通してより低い抵抗RLを与え、逆平行方向は、セルを通してより高い抵抗RHを与える。複数の自由層および/または基準層を有する積層構造を含む他のMTJ構成を容易に用いることができることが、当業者には理解されるであろう。106のようなメモリセルは、他のプログラム状態と比較して、いくつかのプログラム状態へ切換えるためにより大きなドライバ動作が必要とされ得る点において、非対称書込特性を有し得る。図3は、矢印130によってMTJ118についての困難プログラミング方向を特定し、矢印132によってMTJについての容易プログラミング方向を特定する。困難方向130は、MTJ118を平行状態から逆平行状態へ切換えるための、SL114からBL112への電流の流れの方向に対応する。容易方向132は、MTJ118を逆平行状態から平行状態へ切換えるための、BL112からSL114への電流の流れの方向に対応する。困難方向への逆平行スイッチングをもたらす電流密度は、ときどき、容易方向への平行スイッチングをもたらすために必要とされる電流密度よりも、十分に大きくなり得る。困難方向130への電流の流れはSLからBLであるように示され、容易方向132における電流の流れはBLからSLであるように示されるが、これらの電流の印加中の電子の流れの実際の方向は、反対の方向であることが想起されるであろう。したがって、困難方向へのプログラミングは、電子をBLから自由層へ向け、容易方向へのプログラミングは、電子をSLから基準層を通して自由層へ通過させる。メモリセル106内のMTJ118およびスイッチングデバイス110の相対的順序も、非対称書込特性に寄与する。困難プログラム方向130において、書込電流は、MTJ118に到達する前に、MOSFET110のドレイン-ソースチャンネルを通過することに気付くであろう。MTJ118に与えられる電圧は、したがって、実質的に、WLの電圧たとえば、VDDからトランジスタのゲート-ソース電圧VGSを引いたものである。それに対して、容易プログラム方向132においては、書込電流はトランジスタ110より前にMTJ118を通過し、MTJ118に与えられる電圧は、実質的にBL112の電圧たとえば、VDDになる。トランジスタ110は、通常、トランジスタの飽和または損傷を誘導することなく、自由層を切換えるために必要とされる電流の最大振幅に適合するようなサイズにされる。これらのスイッチング電流密度は十分であり得るので、本発明のさまざまな実施形態は、各セル106についての困難方向および容易方向の双方における、プログラミング電流の振幅および持続時間を低減するような方法で、装置100を動作させる。図4は、x-y軸に沿った行および列に配列された多くのメモリセル106の一般化表現である。セル106のプログラム状態は、個々のセルにz方向の電流を印加することによって書込まれ得る。図中のメモリセルおよび他の素子のさまざまな記載は、単なる一般化表現にすぎず、そのため、他のフォームファクタ、形状、サイズ、空間などが用意に活用され得ることが理解されるであろう。図4における3つのすぐ横に隣接するセル106が、セルA、セルBおよびセルCとして示される。いくつかの実施形態においては、平行状態のような選択された状態へのセルBの書込みは、セルBへの適当な書込み電流を印加することによって実行される。同時に、フィールドアシスト電流が、関連する行または列に沿ったセルBの対向する方向にある隣接セルAおよびCの各々に印加される。セルBに印加された書込電流は、矢印134で示され、実質的にY軸に沿っている磁場Hを生成する。少なくともいくつかの実施形態においては、書込電流密度はセルBの自由層の磁化状態を所望の状態に歳差させるには不十分な大きさである。しかしながら、セルAおよびCに印加されるフィールドアシスト電流が、それらを通して対向する方向に印加され、フィールドアシスト電流は反対の回転方向を有するアンペア場Amperefield136,138をそれぞれ確立する。磁場136,138は、まさにセルBに隣接して同じ共通の方向に通過するので、書込電流へのこれらの磁場の正味の追加は、セルBを所望の状態へ切換えるのに十分である。セルAおよびCに印加されるフィールドアシスト電流は、セルBに印加される書込電流よりも大きさが小さく、フィールドアシスト電流はセルAおよびCの既存のプログラム状態を切換えるのには不十分な大きさであることに注意すべきである。経験的な解析を通して、約100ナノメータnmのサイズ直径または断面長さを有するいくつかのタイプの磁気メモリセルは、1平方センチあたり約107アンペアA/cm2の電流密度の印加に応答する、約30エルステッドOeのオーダのエネルギレベルで、メモリセルの境界においてアンペア場を生成し得ることが見出された。約500nmはなれて位置するまさに隣接するメモリセル上のアンペア場の強さは、約3Oeのオーダのレベルまで低減され得る。このような2つの磁場が、図4におけるセルA,B,Cを有するような中央配置されたセルの対向する側に生成されると、セルBを通る結合された追加の磁場は、約6Oeのオーダであり得る。これは、中間セルBを切換えるために必要とされる全体の磁場強度の主要部分を構成する。より近接したセルの配置は、他のすべてのファクタが等しければ、中間セルによって経験される磁場強度は増加する傾向にあることが理解されるであろう。図4Aは、図4からのセルA,B,Cの、一般化された上面図であり、印加される対向磁場136,138およびそれらから生成される結合された追加磁場134Aを示す。磁場134Aは、図4における磁場134へ加えられる。図5は、図4からのセルA,B,Cが横並びになった図である。中間セルBに印加される書込み電流が、矢印140で示され、書込ドライバ回路ドライバB142によって供給される。書込電流は、セルBを通って、電気的接地のような基準ライン144へと流れる。第1のフィールドアシスト電流146は、隣接セルAを通って、書込ドライバ回路ドライバA148から接地144へ流れ、第2のフィールドアシスト電流150は、隣接セルCを通って、書込ドライバ回路ドライバC152から接地144へ流れる。さまざまな電流140,146,150のそれぞれの方向および大きさは、所与の用途の要件に応じて変化し得る。このような手法によるそれぞれの電流の印加によって、近隣のアンペア場の合計は書込電流と結合されて、中間セルを所望の状態へ歳差させる。図6は、さらなる実施形態に従うメモリモジュール104の動作を示す。図4において前述したように、図6は、メモリセルの行および列を提供し、メモリセルの選択された隣接セルは、セルA,B,C,D,Eで示される。書込電流がセルBに印加されて、セルBの自由層の磁化を、逆平行状態のような選択された状態へ設定する。矢印160は、この書込動作の間に生成されるH場を示し、磁場160は、y軸から約45°離れたx-y平面に沿って回転する。セルBの磁化はそれぞれのセルA,C,D,Eへのフィールドアシスト電流の印加によってアシストされる。これらの電流は適切な方向で印加されて、関連した回転磁気アシスト場162,164,166,168を確立する。これらそれぞれの書込電流およびフィールドアシスト電流は。図を単純化するために図6には示されていないが、これらの電流の、z方向のそれぞれの向きは、図5の検討から決定され得る。近隣のセルA,C,D,Eからのアシスト場は、合計されてセルBの自由層に作用して、所望の歳差運動の方向に実質的に向けられる正味磁場を提供する。したがって、これらのアシスト電流は、セルBを所望の状態に切換えるために必要とされるスピントルク書込電流の電流密度を低減する傾向にある。非対称パターンを形成するセルたとえば、プログラムされるべきセルの1つの側の3つのセルを含む任意の数の隣接セルに、フィールドアシスト電流が供給され得ることが理解されるであろう。この点において、スピン電流の大きさを低減することは、より小さなより低い電流容量のスイッチングデバイス110の使用を可能とし、それによって、メモリ装置の全体の電力消費の低減をもたらし得る。本明細書で開示されたように隣接セルを用いてアシスト場を生成することは、スイッチング動作を助ける構造を生成する導体または他の磁場の形成におけるように、アレイへのさらなる金属化を追加する必要性を排除する。全体の回路設計に対する少量の複雑性の追加が、ドライバ回路たとえば、図5参照が、各セルについてのさまざまな読出動作、書込動作およびフィールドアシスト動作のための可変量電流の出力ができることを可能とするために必要とされ得る。それぞれのフィールドアシスト電流の大きさは、製造または後続の現場での使用の間の経験的な解析に基づいて、適切なレベルに適合的に調整され得ることが予期される。いくつかの実施形態においては、どの近接セルが同時に書込まれているかに応じて、異なる大きさのフィールドアシスト電流が、同じ方向たとえば、容易方向または困難方向で同じセルに印加され得る。書込アシスト電流を受ける所与のセルの既存のプログラム状態も、そのセルに印加されるアシスト電流の量に影響を与え得る。電流の方向たとえば、容易方向または困難方向も、アシスト電流の大きさの調整をもたらし得、たとえば、容易方向と比べて困難方向に印加される場合に、所与のセルは、より大きな電流振幅を受容して、近隣のセルに与えられた磁場強度を生成する。ここまで議論された実施形態は、プログラムされるまさに隣接したセルたとえば、プログラムされるセルBに対するセルA,C,D,Eである近隣セルへのフィールドアシスト電流の印加を利用したが、そのようには必ずしも限定されない。フィールドアシスト電流は、プログラムされるセルにまさに隣接していない近隣のセルに、追加的にまたは代替的に供給されてもよい。例示として、図7は、さらなる実施形態に従って動作するメモリモジュール104を示す。メモリセル106は、前のように、行および列に配列され、さまざまなセルが個々にセルA,B,C,D,E,F,Gとして示される。セルBが、困難方向の書込電流170の印加によって選択された状態にプログラムされる。この書込電流は、隣接セルA,C,D,Eに作用し得るアンペア場172を確立する。フィールドアシスト電流が、上述のように、これらの隣接セルに印加され得る。セルBの最終的な望ましい磁化方向は示されていないが、それは図4または図6に示される。隣接セルFおよびGは、それぞれ、フィールドアシスト電流174,176を受け、それは対応するアンペア場178,180を生成する。これらのアンペア場174,176は、書込電流170によってセルB内に生成されるアンペア場172に対して、反対の回転方向であり。したがって、磁場178は、概して、セルCについての磁場172の効果を相殺するように動作し、磁場180は、セルEについての磁場172の効果を相殺するように動作する。したがって、セルBからの周辺磁場が隣接セルの磁化をうっかり切換えるリスクを冒すことなく、適当な書込電流がセルBに供給されることを可能とすることによって、フィールドアシスト電流174,176の印加は、セルBについてのプログラミング動作を助ける。このような、追加電流がセルA,C,D,Eに印加されるか否かという手法によって、これらのセルが不所望の状態に歳差される確率が低減される。隣接セルたとえば、セルCに印加されるフィールドアシスト電流の方向が、現在プログラムされている状態とは反対の方向である場合に、フィールドアシスト電流174,176の印加が特に有効である。図7には具体的に示されていないが、セルBに対して反対側のセルAおよびDについてのセル図示せず、ならびにアレイ内の任意の他の適当なセルを含むアレイ内の他の隣接セルにも、フィールドアシスト電流が印加され得ることが理解されるであろう。図8は、フィールドアシストされたデータ書込みルーチン200のためのフローチャートを提供し、本発明のさまざまな実施形態に従って実行されるステップを一般的に例示する。アレイ104に書込まれるべきデータがステップ202にて受信され、装置100は、受信データを記憶するために、それぞれの状態にプログラムされるべきさまざまなセルを特定する。各選択されたセルについて、適当な書込電流I1がステップ204にて印加され、所望の状態へのセルのプログラミングを開始する。いくつかの実施形態においては、書込電流I1は、選択されたセルの自由層を所望の磁化へ歳差させるのに十分な密度を有しておらず、たとえば、その密度は、必要な密度のたとえば80そこそこしかないかもしれない。ステップ206にて、少なくとも1つのフィードアシスト電流I2の流れが、書込電流I1の連続した印加中に同時に開始される。フィールドアシスト電流I2が、隣接する近隣セルたとえば、図7におけるセルA,C,D,E,F,Gに印加される。多くの実施形態においては、個別のフィールドアシスト電流が、複数の隣接する近隣セルに印加される。ステップ204において、選択されたセルのプログラミングを促進するように、これらフィールドアシスト電流I2の各々の大きさおよび方向が選択される。いくつかの実施形態においては、ステップ208に示されるように、アシスト電流I2が図6におけるセルA、C、D、またはEのような、まさに隣接するセルに印加される。このように、アシスト電流は、選択されたセルについて、所望の状態へのそのセルの歳差を助けるように作用するアンペア場を生成する。代替的に、アシスト電流I2は、それに代えて、ステップ210によって示されるように、少なくとも1つの介在セルによってステップ204の選択されたセルから隔てられた近隣の隣接セルにたとえば、セルCおよびEによってそれぞれセルBから隔てられたセルFおよびG印加することもできる。この後者の場合においては、アシスト電流は、介在セルを安定化することを助ける磁場を確立する。必要に応じて、ステップ210において、読出し検証動作がセルに対して実行され、セルが所望の状態を達成しているか否かを判定する。しかしながら、本明細書で適用されたさまざまな技術は、選択されたセルが所望の最終状態へ磁気的に歳差される確率を強化するように作用し、通常動作中におけるそのような読出し検証動作を不必要とする。図1に示されるコントローラ102のような適当な制御回路に応答して、さまざまな書込電流およびフィールドアシスト電流が、個別のセルに印加される。代替的にあるいは追加的に、制御回路は、メモリモジュールの一部を形成するとともに、図5に示されたタイプのさまざまな電流ドライバおよび/または電圧ドライバを含み得る。本明細書において上記で提示されたさまざまな実施形態が、磁気メモリセルへのデータの書込みにおいて多くの利益を提供することがさらに理解されるであろう。本明細書に記載された、フィールドアシストされた磁化歳差書込みの使用は、メモリセルが1回の書込試行で所望の書込状態を達成する確率を大幅に改善する。アンペア場は、必要とされる書込電流パルスの持続時間および振幅を低減することができ、それによって、より低い全体的な電力消費要件を有する高速データアクセスを、少なくとも潜在的に提供する。より小さいスイッチングデバイス、および/または、より高いデータ面積密度も、これらの技術を通して達成され得る。本明細書に開示されたさまざまな実施形態は、1回書込型メモリまたは多数回書込メモリにおける使用に適している。STRAMメモリセルが例示的な実施形態として用いられたが、ソリッドステートメモリおよび回転磁気メモリの他のタイプを含む、他の多くの異なるタイプの磁気素子構造が上記の技術に含まれるので、本開示はそれに限定されない。添付の特許請求の範囲について、メモリセルの磁化状態の歳差運動の開始への言及は、必ずしもその磁化状態の実際の変化を必要とはしないが、その代わりに、そのプロセスの開始に言及している。たとえ、本発明のさまざまな実施形態の多くの特徴および利点が、本発明のさまざまな実施形態の構造および機能の詳細とともに上記の説明に記載されたとしても、この詳細な説明はほんの例示的なものに過ぎず、詳細において、特に本発明の原理の範囲内で部品の構造および配列の点において、添付の特許請求の範囲に表現された語句の広く一般的な意味によって示される全範囲までの変更がなされても良いことが理解されるべきである。"