"結晶の粉を付着させたことを特徴とする基板。前記結晶の粉がシリコン、GaN、シリコンカーバイドSiC、人工ダイヤモンドC、窒化アルミニュームAlN、サファイアのいずれか一つ、またはこれらの少なくとも一つを含む結晶の粉であることを特徴とする請求項1記載の基板。前記結晶の粉が、大きさ1000nm以下の粉を含むことを特徴とする請求項1,2記載の基板。前記基板がシリコン、サファイアを含む半導体基板であることを特徴とする請求項1~3記載の基板。前記基板の上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を含む絶縁膜を付着させてあることを特徴とする請求項1~4記載の基板。前記基板がSiCや窒化アルミニュームAlN、ジルコニュームボロンオキサイドZrBO、酸化アルミニュームAl2O3などのセラミクスの膜を成長させたシリコン基板あることを特徴とする請求項1~5記載の基板。前記結晶の粉が溶液に分散してあり、前記基板を当該溶液に接触させて、当該粉を当該基板に転写付着させたことを特徴とする請求項1~6記載の基板。前記溶液が水溶液であることを特徴とする請求項1~7記載の基板。サファイア基板に粉を付着させ、当該粉をマスクに当該サファイア基板をエッチングし、当該基板にランダムな凹みを作製したことを特徴とするサフファイア基板。予めシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を含む絶縁膜を成長させてあるサファイア基板に粉を付着させ、当該粉をマスクに当該絶縁膜を、または当該絶縁膜と当該サファイア基板をエッチングし、当該基板にランダムな凹みを作製したことを特徴とするサフファイア基板。前記粉がレジスト痕を含む有機物や、または石英の粉を含む絶縁物の粉、またはシリコンやGaN、AlNの結晶、それらの混晶AlGaN、人工ダイヤモンド、シリコンカーバイド、サファイアを含む結晶の粉、またはアルミニュームやニッケルを含む金属、または金属で覆われた粉であることを特徴とする請求項9、10記載のサファイア基板。前記粉を除去してあることを特徴とする請求項9~11記載のサファイア基板。前記ランダムな凹みは1000nm以下の幅の凹みを含むことを特徴とする請求項9~12記載のサファイア基板。前記基板に作製したLED。図1と2は自然核の形成を示す模式図である。例えばサファイア基板の上に500°C程度の低温でGaNのアモルファス膜を成長させる。使用するガスは水素H2、アンモニアNH3、トリメチルガリュームTMGである。これらのガスを例えば常圧で導入して加熱分解反応をさせ、水素を含むアモルファスのGaN膜を例えば20nmの厚みで基板の上に成長する図1参照。これを1000°C程度に加熱すると水素元素Hやカーボン元素Cが膜から離脱しながら膜が凝集してGaN結晶の島ができる図2参照。この結晶の島が、次に続く約1000°Cで行うGaNのCVD結晶成長の核となる。即ち、この核を種結晶として結晶成長が起きるので、種結晶の密度が欠陥密度を制御する。当該核を用いる方法は、装置依存や装置の成長履歴、基板表面の清浄度に依存して、再現性に乏しい。清浄度は基板の洗浄や保存、基板の加工履歴などに依存する。即ち、サファイア基板メーカー依存でGaN成長結果が異なるので、製造管理が困難になる。このようなことが起きる理由は当該核ができる場所は基板表面のゴミや粒子、金属汚染などがある場所であるからである。欠陥密度を減らし、かつ量子井戸層からの発光を外部に取り出すために用いられる基板として、凹凸パターン形成したサファイア基板PSSがある。このときの課題は高コストである余計なマスク膜成長工程、リソグラフィー工程、サファイア基板エッチング工程、マスク除去工程が必要であることである。またパターンは特定のパターン四角、丸、ストライプなどであるために、発光した光のうち、当該パターンに依存して特定方向の反射を起こし、高い屈折率のGaN層から外部に取り出せない光がある。この取り出せない光の割合を減らすためには、パターンは不規則ランダムであることが望ましい。サファイア基板表面に凹凸をランダムに安価に作製することが課題である。図3に課題を解決する本発明の第1の基本構造を示す。即ち、当該核となる原因物を制御されてない汚染物でなく、制御された原因物を制御された密度で付与した基板構造が本発明である。制御された当該原因物は粉である。粉は結晶の粉である。この結晶の粉の表面は結晶面結晶のファセット面と呼ぶであるので、成長面として期待する面がファセット面として露出している。この上にアモルファスGaNをMOCVDで例えば500°Cで成長させる。MOCVDのキャリアーガスは水素である。MOCVD原料ガスはアンモニアとトリメチルガリュームTMGである。500°Cで成長させるとアモルファスのGaN膜が成長する。これを1000°Cに加熱して結晶島33を形成する。結晶島の成長面は結晶粉のファセット面を反映した面になるので、安定面成長速度が遅い面として残る。この上に、追加してn型GaN層、InGaN量子井戸層、p型GaN層Alを含むGaNをMOCVDで成長させると、LEDの構造が出来上がる。このとき、n型のGaNを成長させる前に横方向成長速度のはやいアルミニュームナイトライドAlNとGaNの混晶を成長させても良い。n型にドープするときはシランガスを添加する。p型にドープするときはCp2Mgガスを添加する。このように結晶の粉を制御して基板の上に付着させ,これを種結晶とすることで核の形成が制御される。従って結晶粉の密度を制御して付着させることにより核の密度を制御できる。このときに用いる基板はサファイア基板のほかに、シリコン基板の上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を成長させた基板であっても良い。また基板はシリコンの拡散を防ぐSiCや窒化アルミニュームAlN、ジルコニュームボロンオキサイドZrBO、酸化アルミニュームAl2O3などのセラミクスの膜を成長させたシリコン基板であっても良い。このとき用いる結晶粉はシリコンのほかGaN,AlGaN、AlN、SiC、人工ダイヤモンド、サファイアの粉であっても良い。以上の基板表面の構造は結晶欠陥を減らす効果がある。このほかに、基板表面にランダムな光の反射面を安価に作製することが同時に要求されている。そのための構造が本発明の第2の基本構造である。その構造を図4に模式的に示す。図4は予めアルミニュームの膜44を20nmの厚みでサファイア基板41に蒸着させ粉42を付着させこれをマスクに当該膜44と当該基板41をプラズマエッチングした後の断面構造の模式図である。この場合、粉42は例えばシリコン結晶の粉である。この粉をマスクにして臭化水素ガスHBrガスプラズマエッチングするとアルミニュームがエッチングされる。そのあと、塩素を含む塩素系ガス例えばHClを用いてサファイア基板41をエッチングし、粉に依存した凹み43を形成する。粉42の大きさと形は不規則ランダムなので、凹み43のパターンもランダムである。当該の構造を製作するのに、高価なリソグラフィーの工程を必要としてない。従って、安価にランダムな凹みパターンをサファイア基板41の上に作製できる。当該のランダムな凹み構造は膜44だけをエッチングしてサファイア基板はエッチングしなくても作製可能である。また材料の組み合わせによっては、粉42も残したままでも良い。即ち、点線で示した粉42と膜44は洗浄で取り除いても、取り除かなくて良い。粉42としてはプラズマエッチングに対してマスクとしての機能を持つ材料であれば良い。従って、膜44までをエッチングするときと、さらにサファイア基板をもエッチングするかで、当該粉42の材料を選ぶことはプロセス設計で自由に選べる。エッチングの選択比被エッチング膜とマスクのエッチング速度の比が1ならば、膜44と粉42は同じ材料でよい。粉42として、シリコンの結晶を用いた例を述べたがGaNやAlNの結晶、それらの混晶AlGaNであっても良い。また人口のダイヤモンドやシリコンカーバイド、サファイアの結晶の粉であっても良い。これらの結晶の粉42はそのまま残しておいて、それをGaNの結晶成長のための基板として用いることができる。一方、洗浄して粉42を、または粉42と膜44を取り除いたサファイア基板をGaN成長基板として用いることができる。取り除く粉42は膜44またはサファイア基板41のエッチングのマスクになれば良いので、結晶である必要はない。粉42は従ってレジストを噴霧して残したレジスト痕を含む有機物であってもよい。また粉42は石英の粉を含む絶縁物の粉であっても良い。膜44は、これを取り除かないときはサファイア基板41に優先的に成長を起こさせる絶縁物成長のマスク材料、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜であっても良い。LEDを照明として用いるとき可視光の分散をよくする必要があるので、可視光の波長の大きさの凹み形状が含まれていることが有効である。当該凹みの幅形状の大きさとして、例えば、可視光の波長を含む1000nm以下の大きさのものが含まれているように、粉42の密度を調整することが求められる。そして、請求項1に係る発明は、結晶の粉を付着させてある基板である。請求項2に係る発明は、前記結晶の粉がシリコン、GaN、シリコンカーバイドSiC、人工ダイヤモンドC、窒化アルミニュームAlN、サファイアのいずれか一つ、またはこれらの少なくとも一つを含む結晶の粉であることを特徴とする請求項1記載の基板である。請求項3に係る発明は、前記結晶の粉が、大きさ1000nm以下の粉を含むことを特徴とする請求項1,2記載の基板である。請求項4に係る発明は、前記基板がシリコン、サファイアを含む半導体基板であることを特徴とする請求項1~3記載の基板である。請求項5に係る発明は前記基板の上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を含む絶縁膜を付着させてあることを特徴とする請求項1~4記載の基板である。請求項6に係る発明は、前記基板がSiCや窒化アルミニュームAlN、ジルコニュームボロンオキサイドZrBO、酸化アルミニュームAl2O3などのセラミクスの膜を成長させたシリコン基板あることを特徴とする請求項1~5記載の基板である。請求項7に係る発明は、前記結晶の粉が溶液に分散してあり、前記基板を当該溶液に接触させて、当該粉を当該基板に転写付着させたことを特徴とする請求項1~6記載の基板である。請求項8に係る発明は、前記溶液が水溶液であることを特徴とする請求項1~7記載の基板である。請求項9に係わる発明は、サファイア基板に粉を付着させ、当該粉をマスクに当該サファイア基板をエッチングし、当該基板にランダムな凹みを作製したことを特徴とするサフファイア基板である。請求項10に係わる発明は、予めシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を含む絶縁膜を成長させてあるサファイア基板に粉を付着させ、当該粉をマスクに当該絶縁膜を、または当該絶縁膜と当該サファイア基板をエッチングし、当該基板にランダムな凹みを作製したことを特徴とするサフファイア基板である。請求項11に係わる発明は、前記粉がレジスト痕を含む有機物や、または石英の粉を含む絶縁物の粉、またはシリコンやGaN、AlNの結晶、それらの混晶AlGaN、人工ダイヤモンド、シリコンカーバイド、サファイアを含む結晶の粉、またはアルミニュームやニッケルを含む金属、または金属で覆われた粉であることを特徴とする請求項9、10記載のサファイア基板である。請求項12に係わる発明は、前記粉を除去してあることを特徴とする請求項9~11記載のサファイア基板である。請求項13に係る発明は、前記ランダムな凹みは1000nm以下の幅の凹みを含むことを特徴とする請求項9~12記載のサファイア基板である。請求項14に係る発明は、前記基板に作製したLEDである。本発明は成分としてアルミニューム、インジュームを含むGaNの結晶GaN系結晶の結晶成長に用いる基板の発明である。この結晶を用いるGaN系結晶の結晶欠陥の密度が107~108/cm2の密度あるいはそれ以上でも、LEDに用いるならば十分に実用になることが分かっている。そのとき再現性よくGaN系の結晶成長をCVDで行うために、種結晶を基板の上に再現性よく安定に分布させて形成することが製造管理の立場から必要である。請求項1~4に係わる発明によれば、結晶の粉が表面に分布した基板を種結晶形成に用いる。アモルファスのGaN膜を当該粉結晶の上に成長させて、これを1000°C程度の高温にすることにより、アモルファス相はこの粉結晶を種に結晶化する。結晶化したGaNは結晶の島になる。当該結晶島は粉結晶の密度で島を形成するので、粉結晶を制御して付着させると、GaN島結晶の方位、密度は制御される。粉結晶は結晶面ファセット面をもっている。結晶面と基板は密着する性質があるので、当該結晶島の結晶方位は一定の方向にそろう性質がある。但し、基板主面の法線を軸としての回転は制御することはできないので、回転双晶の発生は原理的に制御できない。このような粉結晶を用いないとき、当該の結晶核は基板の汚染物質や傷など制御してない物質に依存するので、種結晶の形成の再現性は無い。これに対して、本発明では溶液に分散した結晶の粉を基板に付着させる。当該粉は結晶成長の核として作用する。当該核の付着は制御できるので、その密度や方位の再現性が高くなる。請求項5,6に係わる発明によれば、基板として膜を付着させた基板,例えばシリコン基板を用いることができる。この付着させた膜で基板とGaN系結晶成長層を分離することが可能である。例えばSiCなどの膜を付着させた基板を用いると、LEDとなる結晶層を成長させた後、KOHなどの薬品で光の不透明層となるSi基板を溶かして除去できる。またシリコン酸化膜SiO2を形成したシリコン基板を用いると、シリコン基板を研磨除去したあとバックグラインドという残りのシリコンをKOHのなどの薬品で除去できる。請求項7と8に係わる発明によれば、結晶の粉を一様に分散した水溶液から当該結晶粉を基板に平均的に一様に付着させることが可能である。酸化された表面はCVD装置の中で水素中加熱することで除去できる。結晶粉の濃度や粒度を制御することで、結晶粉が制御されて配置された基板を提供できる。請求項9~13に係わる発明によれば、光の散乱効果の高い基板表面を提供できる。当該基板の上にLEDの基本構造の層、即ちGaNのバッファー層、n型GaN層、量子井戸層、p型GaN層を成長させて得たLEDからの発光は当該基板表面でよく散乱される。このことにより外部に取り出せる光の量が増加する。請求項14に係わる発明によれば、再現性の高いLEDの製造管理が可能となる。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。なお、これら添付図面中、同一または相当部分には同一符号を付した。実施例1を図5で説明する。図5はシリコンの粉52,53を付着させたサファイア基板41の模式図である。シリコンの粉43は平坦な表面を持つ例である。シリコンの粉はシリコンの結晶を乳鉢ですり潰して作製した。粉の大きさは50nm以下から5umくらいまで分布している。粉の大きさを一定の大きさ以下に揃える必要があるときは、例えばフィルターでろ過する方法がある。乳鉢ですり潰したシリコンの粉を純水に分散させ、シリコン粉の分散水溶液を作製し、その中に2インチのサファイア基板11を浸し、その後それを引く抜き、水を乾燥させるとシリコンの粉が分散して付着したサファイア基板41が得られる。平均的な付着密度は当該溶液に分散させるシリコンの粉の量を制御することで制御可能である。粉の大きさが小さいものは数えることができないので、制御の方法は、例えば、表面密度が1000nm以上の粉が100000000個/cm2以下、1000000個/cm2以下、10000個/cm2以下という指標を用いて、分類することが可能であった。粉の個数のカウントは1個/cm2以下の清浄なシリコン基板上に付着したパーティクルをパーティクル測定器で測定して溶液指標を得た。また時間がたつと粉は沈殿するので、溶液内で濃度分布が生じる。一定濃度のものを作製したら、それを水で希釈し、攪拌することで、濃度の再現性の制御が可能であった。ここではシリコン結晶の粉の例を示したが、当該粉は、このほか、GaN、シリコンカーバイドSiC、人工ダイヤモンドC、窒化アルミニュームAlN、AlNとGaNの混晶、サファイアの粉であっても良い。またこれらのいずれか一つを含む混合の粉であっても良い。実施例2を図6で説明する。図5はシリコンの粉6263を付着させた4インチのシリコン基板61の模式図である。同様にしてシリコン粉の分散水溶液を作製し、その中に4インチのシリコン基板61を浸し、その後それを引く抜き、水を乾燥させるとシリコンの粉が分散して付着したシリコン基板61が得られる。平均的な付着密度は当該溶液に分散させるシリコンの粉の量を制御することで制御可能である。実施例3を図7で説明する。図7はシリコンの粉7273を付着させた4インチのシリコン基板71の模式図である。シリコン基板71の上には予め、厚さ200nmのシリコン窒化膜74を形成させてある。シリコン結晶粉の粉73は当該シリコン窒化膜74の上に付着して面が平坦である。当該シリコン窒化膜74の代わりに、シリコン酸化膜SiO2やシリコンカーバイド膜SiCを用いることも可能である。実施例4を図8で説明する。図8はシリコンカーバイド膜84を200nmの厚みに成長させたシリコン基板81にシリコンの粉6263を付着させ、この上にアモルファスGaNを通常の市販のMOCVD装置で500°Cで成長させた。MOCVDのキャリアーガスは水素である。MOCVD原料ガスはアンモニアNH3とトリメチルガリュームTMGである。500°Cで成長させるとアモルファスのGaN膜が成長する。これを1000°Cに昇温して結晶島33を形成する。結晶島33の成長面は結晶粉のファセット面を反映した面になるので、安定面成長速度が遅い面として残る。それを種結晶として標準的な基本構造、即ち、n型GaN結晶層85を前述のMOCVDで成長させ、次にInGaN/GaNの量子井戸層86を3層成長させ、次にp型GaN結晶層87を成長させた。そのあと、シリコン基板81表面を接着剤でアクリル板に接着し、グラインダーで基板背面研削しバックグラインド、基板を約50umの厚みまで薄くし、残ったシリコンをKOHの薬品に接触させて溶かす。シリコンカーバイド膜84は水酸化カリュームKOHに溶けないので溶解はシリコンカーバイド84で止まる。破線で示したのは除かれたシリコン基板81である。KOHを洗い流すとLEDとして働く3つの層、n型GaN結晶層85、InGaN/GaNの量子井戸層86、p型GaN結晶層87が残る。量子井戸層75から発する光はシリコン基板で遮蔽されないので、有効に光を取り出せる。実施例5を図9で説明する。図9はランダムな凹みを作製したサファイア基板91の上に図8に示したLEDの基本構造を作製した断面の模式図である。サファイア基板91をサファイアの粉の水溶液に浸し、引き上げると、図示しないサファイア粉が付着する。当該基板の表面を塩素系ガスを用いてプラズマエッチング装置でエッチグすると、凹み43がランダムに形成される。これを洗浄して、表面にLEDの基本構造をMOCVD装置で作製した。MOCVDのキャリアーガスは水素である。MOCVD原料ガスはアンモニアNH3とトリメチルガリュームTMGである。500°Cで成長させるとアモルファスのGaN膜が成長する。これを1000°Cに昇温して凹みのファセット面にアラインした種結晶層を成長させ、清浄なファセット面を出した。それを種結晶として、n型GaN結晶層85を成長させ、次にInGaN/GaNの量子井戸層86を3層成長させ、次にp型GaN結晶層87を成長させ、標準的なLEDの基本構造を得た。当該のランダムな凹み43を設けない、平坦なサファイア基板を用いた場合のLEDに比べて、約15の明るさの改善があった。凹みの形成に用いたフ ゚ラス ゙マエッチングのマスクの役目をする粉は支障が無ければ残しておいても良い。サファイアは基板と同じ材料なので、残しても良い材料である。また、サファイアのほかにエッチングガスと対応してエッチングの選択比が得られるなら、マスクは他の材料であっても良い。例えば、粉はアルミニュームやニッケルの粉またはそれらで被覆した粉であっても良い。この場合、粉は除去する必要がある。"