"ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基とカルボキシル基の両方を1分子内に有する塩基発生剤とを含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、前記第1のレジスト膜を高エネルギー線で露光した後、加熱処理PEBし、現像液を用いて前記第1のレジスト膜を現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンを100~180°Cで3~180秒間加熱して上記塩基発生剤よりアミン化合物を発生させて酸に対して不活性化し、前記基板上の前記第1のレジストパターン上に該パターンを溶解させずかつ第1のレジスト溶液の溶剤と異なる炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、前記第2のレジスト膜を高エネルギー線で露光し、PEB後、現像液を用いて前記第2のレジスト膜を現像して第2のレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。塩基発生剤が、下記一般式1又は2で表されるものであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。式中、R1、R2、R3、R5は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数4~14の芳香族基又は複素芳香族基で、該アルキル基は2重結合、3重結合、芳香族基、複素芳香族基、エーテル基、スルフィド基、カルボニル基、エステル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、ラクトン環、マレイミド基、スルホン、又はハロゲン原子を有していてもよく、該芳香族基又は複素芳香族基は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、マレイミド基、アミド基、又はスルホンを有していてもよく、R1とR2、R3とR5、R3とR4、R4とR5とが結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R4は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、又は炭素数2~12のアルキニレン基で、エーテル基、スルフィド基、アミノ基、カルボニル基、ヒドロキシ基、又はエステル基を有していてもよい。R1とR2の内どちらか一方あるいは両方に1つ以上のカルボキシル基を有し、R3、R4、R5の内少なくともどちらかに1つ以上のカルボキシル基を有する。塩基発生剤が、下記式1’又は2’で表されるものであることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。式中、Rは-COO-基、-CONH-基又は-NHCO-基がそれぞれ介在してもよい炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2~8の直鎖状又は分岐状のアルケニレン基又は炭素数7~14のアラルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又はハロゲン置換もしくは炭素数1~6のアルコキシ基で置換されたアリール基が結合した炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R’は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基より水素原子が1個脱離した3価の基を示す。塩基発生剤が、下記式BG1~BG36のいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。第1のポジ型レジスト材料のベース樹脂が、下記繰り返し単位Aを有すると共に、弱酸性のヒドロキシ基を有する繰り返し単位の存在量が共重合比で0~12モル以下であり、炭素数3~8のアルコール又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの混合溶媒に溶解しないものであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。式中、R31、R24は水素原子又はメチル基、RAはラクトン構造を有する1価の有機基、R25は酸不安定基であり、0<a0<1.0、0<b<1.0、0<a0b≦1.0の範囲である。炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料に用いられるベース樹脂が、2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位が、下記一般式3で示されるものであることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。下記一般式4で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bを共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。0<a<1.0、0<b<1.0、0<ab≦1.0の範囲である。下記一般式5で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bと、ヒドロキシナフチル基を有する繰り返し単位c-1を共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。R26は水素原子又はメチル基であり、Yは単結合、-C=O-O-、-C=O-NH-又は-O-、R27は単結合、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、-CH2x-O-又は-CH2x-O-C=O-xは1~6の整数で、-CH2x-は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。vは1又は2であり、0<a<1.0、0<b<1.0、0<c-1<1.0、0<abc-1≦1.0の範囲である。下記一般式6で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bと、ヒドロキシアセナフチレンを重合してなる繰り返し単位c-2を共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。wは1又は2であり、0<a<1.0、0<b<1.0、0<c-2<1.0、0<abc-2≦1.0の範囲である。前記第1のレジストパターンのパターンが形成されていないスペース部分に前記第2のレジストパターンを形成することによって、前記第1のレジストパターンと前記第2のレジストパターンとの間の距離を縮小させることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第2のレジストパターンを、前記第1のレジストパターンと交差させて形成することを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1のレジストパターンのパターンが形成されていない部分に、前記第1のレジストパターンとは異なる方向に、前記第2のレジストパターンが形成されることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。第1のレジストパターンの露光、第2のレジストパターンの露光の少なくともどちらか一方あるいは両方が水を用いた液浸リソグラフィーであることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、下記一般式1又は2で示される塩基発生剤と、有機溶媒とを含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、R1、R2、R3、R5は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数4~14の芳香族基又は複素芳香族基で、該アルキル基は2重結合、3重結合、芳香族基、複素芳香族基、エーテル基、スルフィド基、カルボニル基、エステル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、ラクトン環、マレイミド基、スルホン、又はハロゲン原子を有していてもよく、該芳香族基又は複素芳香族基は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、マレイミド基、アミド基、又はスルホンを有していてもよく、R1とR2、R3とR5、R3とR4、R4とR5とが結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R4は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、又は炭素数2~12のアルキニレン基で、エーテル基、スルフィド基、アミノ基、カルボニル基、ヒドロキシ基、又はエステル基を有していてもよい。R1とR2の内どちらか一方あるいは両方に1つ以上のカルボキシル基を有し、R3、R4、R5の内少なくともどちらかに1つ以上のカルボキシル基を有する。塩基発生剤が、下記式1’又は2’で表されるものであることを特徴とする請求項15に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、Rは-COO-基、-CONH-基又は-NHCO-基がそれぞれ介在してもよい炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2~8の直鎖状又は分岐状のアルケニレン基又は炭素数7~14のアラルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又はハロゲン置換もしくは炭素数1~6のアルコキシ基で置換されたアリール基が結合した炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R’は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基より水素原子が1個脱離した3価の基を示す。塩基発生剤が、下記式BG1~BG36のいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項16に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。上述したように、2回の露光と現像により作製したレジストパターンを2回のドライエッチングで基板加工を行おうとすると、スループットが半分に低下する。また、ドライエッチングによるパターンの位置ずれの問題が生じる。前記レジストパターンの不溶化方法では、高温の加熱や光照射によってパターンの収縮による変形が生じる。即ちパターンの高さが低下したり、ライン幅が狭くなったり、長さ方向の収縮が起こる。熱塩基発生剤を添加した第1レジストパターンを加熱によって塩基を発生させ、第1レジストパターンを溶解させないアルコール溶媒の第2レジスト材料を第1レジストパターン上に塗布し、第1レジストパターン間あるいは第1レジストパターンと交差する第2パターンを形成する場合、第1レジストパターン内に発生した塩基化合物の蒸発が起こると、第2レジストパターン露光時に第1レジストパターン内に発生した酸の中和が十分に行われず、第2レジストの現像後に第1レジストパターンの線幅が細くなったり、第1レジストパターンが消失してしまう問題が生じる。本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、1回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこのパターン形成方法に用いる化学増幅ポジ型レジスト材料を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明者らは、鋭意検討を行い、ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位を共重合してなる高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を用いた1回目のレジストパターン1回目のレジスト膜をベークによって発生したアミン化合物で酸に対して不活性化し、その上に上記レジストパターンを溶解させない炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布し、1回目と2回目のレジスト膜のミキシングを防止し、更に2回目の光照射で1回目のレジストパターンに発生した酸が前記不活性化処理のために、第1のレジストパターンが2回目の現像液に溶解しないことを実現するためのパターン形成方法を見出した。従って、本発明は、下記パターン形成方法及び化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。請求項1:ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基で置換されたアミノ基とカルボキシル基の両方を1分子内に有する塩基発生剤とを含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、前記第1のレジスト膜を高エネルギー線で露光した後、加熱処理PEBし、現像液を用いて前記第1のレジスト膜を現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンを100~180°Cで3~180秒間加熱して上記塩基発生剤よりアミン化合物を発生させて酸に対して不活性化し、前記基板上の前記第1のレジストパターン上に該パターンを溶解させずかつ第1のレジスト溶液の溶剤と異なる炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、前記第2のレジスト膜を高エネルギー線で露光し、PEB後、現像液を用いて前記第2のレジスト膜を現像して第2のレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項2:塩基発生剤が、下記一般式1又は2で表されるものであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。式中、R1、R2、R3、R5は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数4~14の芳香族基又は複素芳香族基で、該アルキル基は2重結合、3重結合、芳香族基、複素芳香族基、エーテル基、スルフィド基、カルボニル基、エステル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、ラクトン環、マレイミド基、スルホン、又はハロゲン原子を有していてもよく、該芳香族基又は複素芳香族基は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、マレイミド基、アミド基、又はスルホンを有していてもよく、R1とR2、R3とR5、R3とR4、R4とR5とが結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R4は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、又は炭素数2~12のアルキニレン基で、エーテル基、スルフィド基、アミノ基、カルボニル基、ヒドロキシ基、又はエステル基を有していてもよい。R1とR2の内どちらか一方あるいは両方に1つ以上のカルボキシル基を有し、R3、R4、R5の内少なくともどちらかに1つ以上のカルボキシル基を有する。請求項3:塩基発生剤が、下記式1’又は2’で表されるものであることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。式中、Rは-COO-基、-CONH-基又は-NHCO-基がそれぞれ介在してもよい炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2~8の直鎖状又は分岐状のアルケニレン基又は炭素数7~14のアラルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又はハロゲン置換もしくは炭素数1~6のアルコキシ基で置換されたアリール基が結合した炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R’は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基より水素原子が1個脱離した3価の基を示す。請求項4:塩基発生剤が、下記式BG1~BG36のいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。請求項5:第1のポジ型レジスト材料のベース樹脂が、下記繰り返し単位Aを有すると共に、弱酸性のヒドロキシ基を有する繰り返し単位の存在量が共重合比で0~12モル以下であり、炭素数3~8のアルコール又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの混合溶媒に溶解しないものであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。式中、R31、R24は水素原子又はメチル基、RAはラクトン構造を有する1価の有機基、R25は酸不安定基であり、0<a0<1.0、0<b<1.0、0<a0b≦1.0の範囲である。請求項6:炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料に用いられるベース樹脂が、2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項7:2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位が、下記一般式3で示されるものであることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。請求項8:下記一般式4で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bを共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。0<a<1.0、0<b<1.0、0<ab≦1.0の範囲である。請求項9:下記一般式5で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bと、ヒドロキシナフチル基を有する繰り返し単位c-1を共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。R26は水素原子又はメチル基であり、Yは単結合、-C=O-O-、-C=O-NH-又は-O-、R27は単結合、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、-CH2x-O-又は-CH2x-O-C=O-xは1~6の整数で、-CH2x-は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。vは1又は2であり、0<a<1.0、0<b<1.0、0<c-1<1.0、0<abc-1≦1.0の範囲である。請求項10:下記一般式6で示される2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基を有する繰り返し単位aと、酸不安定基を有する繰り返し単位bと、ヒドロキシアセナフチレンを重合してなる繰り返し単位c-2を共重合した高分子化合物を第2のレジスト材料のベースポリマーとすることを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。wは1又は2であり、0<a<1.0、0<b<1.0、0<c-2<1.0、0<abc-2≦1.0の範囲である。請求項11:前記第1のレジストパターンのパターンが形成されていないスペース部分に前記第2のレジストパターンを形成することによって、前記第1のレジストパターンと前記第2のレジストパターンとの間の距離を縮小させることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項12:前記第2のレジストパターンを、前記第1のレジストパターンと交差させて形成することを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項13:前記第1のレジストパターンのパターンが形成されていない部分に、前記第1のレジストパターンとは異なる方向に、前記第2のレジストパターンが形成されることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項14:第1のレジストパターンの露光、第2のレジストパターンの露光の少なくともどちらか一方あるいは両方が水を用いた液浸リソグラフィーであることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項15:ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、下記一般式1又は2で示される塩基発生剤と、有機溶媒とを含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、R1、R2、R3、R5は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数4~14の芳香族基又は複素芳香族基で、該アルキル基は2重結合、3重結合、芳香族基、複素芳香族基、エーテル基、スルフィド基、カルボニル基、エステル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、ラクトン環、マレイミド基、スルホン、又はハロゲン原子を有していてもよく、該芳香族基又は複素芳香族基は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、マレイミド基、アミド基、又はスルホンを有していてもよく、R1とR2、R3とR5、R3とR4、R4とR5とが結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R4は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、又は炭素数2~12のアルキニレン基で、エーテル基、スルフィド基、アミノ基、カルボニル基、ヒドロキシ基、又はエステル基を有していてもよい。R1とR2の内どちらか一方あるいは両方に1つ以上のカルボキシル基を有し、R3、R4、R5の内少なくともどちらかに1つ以上のカルボキシル基を有する。請求項16:塩基発生剤が、下記式1’又は2’で表されるものであることを特徴とする請求項15に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、Rは-COO-基、-CONH-基又は-NHCO-基がそれぞれ介在してもよい炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2~8の直鎖状又は分岐状のアルケニレン基又は炭素数7~14のアラルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又はハロゲン置換もしくは炭素数1~6のアルコキシ基で置換されたアリール基が結合した炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R’は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基より水素原子が1個脱離した3価の基を示す。請求項17:塩基発生剤が、下記式BG1~BG36のいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項16に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。このようなパターン形成方法を適用することによって、第1のレジストパターンの変形を起こすことなく2回の露光によるダブルパターニングによって第1のレジストパターンのスペース部分に第2のレジストパターンを形成することが可能になる。本発明によれば、ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成し、前記第1のレジスト膜を高エネルギー線で露光した後、加熱処理PEBし、現像液を用いて前記第1のレジスト膜を現像して第1のレジストパターンを形成し、第1のレジストパターンの加熱によって塩基を発生させて酸に対して不活性化し、前記基板上の前記第1のレジストパターン上に該パターンを溶解させない炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルの混合溶媒を溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成し、前記第2のレジスト膜を高エネルギー線で露光し、PEB後、現像液を用いて前記第2のレジスト膜を現像して第2のレジストパターンを形成することによって、第1のレジストパターンのパターンが形成されていない部分に第2のパターンを形成し、パターンとパターンのピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工することができる。本発明者らは、2回の露光と現像によって半分のピッチのパターンを得るダブルパターニングリソグラフィーにおいて、1回のドライエッチングによって基板を加工するためのポジ型レジスト材料及びこれを用いるパターニング方法につき鋭意検討を行った。即ち、本発明者らは、第1のポジ型レジスト材料を用い、露光と現像によって第1のパターンを形成後、加熱によって塩基化合物を発生させて酸を中和し、前記基板上の前記第1のレジストパターン上に該パターンを溶解させない炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルの混合溶媒を溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布し、露光と現像によって第1のレジストパターンを保持したままで第2のレジストパターンを形成することによって第1のレジストパターンと第2のレジストパターンのピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工することが可能であることを見出し、本発明を完成させたものである。前記第1及び第2のポジ型レジスト材料は、化学増幅ポジ型レジスト材料であり、少なくとも第1のポジ型レジスト材料は、第2のポジ型レジスト材料の溶剤に溶解しないことが必要である。第1のポジ型レジスト材料のベースポリマーとして、ラクトンを主要な密着性基として有している場合、アルコールやエーテル系の溶剤には溶解しない。一方、第2のレジスト材料がアルコールやエーテル系の溶剤に溶解するようにするためにはベースポリマーとして弱酸性のヒドロキシ基の存在が必須である。弱酸性のヒドロキシ基とは、2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基で表されるヘキサフルオロアルコール基、あるいはフェノール基、カルボキシル基が挙げられる。フェノール基は波長193nmにベンゼン環の強い吸収があるためレジスト用のベースポリマーとしては用いることができないが、ナフトール基であれば吸収最大波長が長波長側にシフトするために適用することができる。これまで提案されてきた前述の第1のレジストパターンの不溶化方法は、加熱処理による架橋反応の硬化による。架橋を行うための加熱処理は、一般的には140°C以上の高温で行われることが多く、ガラス転移点以上の温度で加熱すればパターンのフローが起きるし、酸不安定基の脱保護によるパターンのシュリンクが起こる。パターンのシュリンクによりラインの線幅や、パターンの高さや、パターンの長さが縮小したり、エルボパターンのコーナー部分が丸く変形する問題が生じる。パターンの変形を抑えるためには、加熱処理を伴わない、あるいはパターンが変形しない程度の低い温度での第1レジストパターンの不溶化が望まれている。第2パターンの露光時に、第1パターンには光が照射される。第2レジスト材料として第1レジストパターンを溶解させない溶剤を用いると第2レジスト材料の塗布時に第1レジストパターンとのミキシングや溶解を防ぐことはできるが、第1レジストパターン内に発生した酸によって第2レジスト膜の現像時に第1レジストパターンは溶解消失してしまう。ここで、第1レジストパターン内に2回目の露光によって発生する酸に対して過剰なアミン成分が存在していると、第2レジスト膜露光時に発生した酸を中和し、第2レジスト膜現像時に第1レジストパターンを溶解させることがない。フォトレジスト材料として、コントラストを上げ、酸拡散を抑制させる目的でアミンクエンチャーが添加されているが、酸発生剤よりは少量である。第1パターン内に酸発生剤の分解で生じる酸よりも多くのアミンを存在させるためには、第1レジスト材料として熱塩基発生剤を添加しておき、第1パターン形成後の加熱によって第1パターン内にアミン化合物を発生させてやる方法が考えられる。塩基発生剤としては、感光性がなく、それ自身が塩基性でなく、90~180°Cの加熱によって分解し、アミン類を発生させる化合物が理想的である。アミンとカルボン酸の塩や、アミンとスルホン酸の塩は感光性がなく、熱塩基発生剤として機能するが、レジスト膜の光露光で発生したフルオロスルホン酸とイオン交換することによってクエンチャーとして機能するために不適である。特開2001-166476号公報記載のt-ブチルカルバメート系のアミン化合物は、酸によって分解しアミン化合物を生成する。ポストエクスポジュアーベークPEB中にアミンが生成してしまうと、この段階でアミンが消失してしまうので好ましくない。メチルカルバメートは熱安定性に優れるため、分解させるために200°C以上の高温の熱処理が必要になる。200°C以上の高温処理を行うと、レジストパターンが熱フローしてしまうか、酸不安定基の分解によるシュリンクが起きる。9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基は、アミン、特には2級のアミンによって容易に分解し、オレフィンと炭酸ガスとアミン化合物を生成する。加熱によっても分解し、アミン化合物を生成する。酸の存在下では安定なので、PEB中にアミンが生成してしまうことがなく、レジスト膜の解像性や感度に影響を及ぼさない。更に本発明に係る9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基を有する化合物は、カルボキシル基も同時に分子内に有しているため、熱分解でアミノ基が発生すると共にカルボキシル基と塩を形成し、アミン化合物の蒸発を防止する。パターン形成後の加熱時にアミン化合物が発生すると共にそれが蒸発してしまうと、2回目のレジスト膜の露光で発生した酸の中和性能が低下するため、これまではバルキーなアミン化合物やベースポリマーの主鎖に結合したアミノ基が発生する塩基発生剤が用いられてきたが、これらのバルキーなアミンが発生する塩基発生剤は分子量が非常に大きいために蒸留精製が難しいなど合成が困難であるという欠点や、酸の不活性化能が低いという欠点があった。また、アミンの蒸発を防ぐために、ベースポリマーにメタクリル酸などのアミンの蒸発を防ぐカルボキシル基含有モノマーを共重合する必要があり、カルボキシル基の存在によってアルカリ現像液中での膨潤が発生し、エッジラフネスが劣化するといった欠点があった。本発明の9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基とカルボキシル基の両方を有する化合物を添加するフォトレジスト材料を第1パターン用のフォトレジスト材料として用いることによって、現像後のベーク時にアミンを発生させると共に、アミノ基とカルボキシル基の分子内中和反応による塩形成によって発生したアミン化合物の蒸発を防いで、かつベースポリマーとしてアミン蒸発防止のためのカルボキシル基を有していなくてもよく、2回目の露光に用いるアルコール溶剤のフォトレジスト膜の露光で発生した酸を効率よく中和することができる。従って、本発明の第1のレジスト材料は、ベース樹脂としてラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基とカルボキシル基の両方を有する塩基発生剤とを含み、第2のレジスト材料は、上記第1レジスト材料のレジスト膜レジストパターンを溶解させない炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの混合溶媒と、ベース樹脂としてこの溶媒に溶解し、酸不安定基を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物とを含む。ここで、塩基発生剤は、下記式1又は2で表されるものが好ましく、より好ましくは下記式1’又は2’で示されるものである。式中、R1、R2、R3、R5は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数4~14の芳香族基又は複素芳香族基で、該アルキル基は2重結合、3重結合、芳香族基、複素芳香族基、エーテル基、スルフィド基、カルボニル基、エステル基、ヒドロキシ基、アミノ基、アミド基、ラクトン環、マレイミド基、スルホン、又はハロゲン原子を有していてもよく、該芳香族基又は複素芳香族基は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、マレイミド基、アミド基、又はスルホンを有していてもよく、R1とR2、R3とR5、R3とR4、R4とR5とが結合してこれらが結合する窒素原子と共に環を形成してもよい。R4は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、炭素数2~12のアルケニレン基、又は炭素数2~12のアルキニレン基で、エーテル基、スルフィド基、アミノ基、カルボニル基、ヒドロキシ基、又はエステル基を有していてもよい。R1とR2の内どちらか一方あるいは両方に1つ以上のカルボキシル基を有し、R3、R4、R5の内少なくともどちらかに1つ以上のカルボキシル基を有する。式中、Rは-COO-基、-CONH-基又は-NHCO-基がそれぞれ介在してもよい炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、炭素数2~8の直鎖状又は分岐状のアルケニレン基又は炭素数7~14のアラルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又はハロゲン置換もしくは炭素数1~6のアルコキシ基で置換されたアリール基が結合した炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R’は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基より水素原子が1個脱離した3価の基を示す。一般式1で示されるフルオレンメチルカルバメート型塩基発生剤は、下記反応式で示される分解機構でアミンを生成する。分解によってオレフィンと炭酸ガスと2級あるいは1級のアミン化合物が生成される。分解によって生成されるアミン化合物としては、第一級、第二級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類が挙げられる。例えば、一般式1でR1、R2が水素原子の場合、生成するアミンはアンモニアであり、R1が水素原子、R2がメチル基の場合、メチルアミン、R1、R2がブチル基の場合はジブチルアミンが生成する。一般式1で示される塩基発生剤は、アミノ酸の窒素原子にフルオレンメトキシカルボニル基が結合したものが多く、この場合D体とL体の両方の光学異性体が存在する。具体的には下記に例示される。塩基発生剤の添加量は、ベース樹脂100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下、好ましくは0.2質量部以上8質量部以下である。塩基発生剤は1回目のパターン形成用レジスト材料に添加する必要があるが、2回目のアルコールを主溶媒とするレジスト材料には添加してもしなくてもよい。第1のレジストパターンを形成するためのレジスト材料は、ベース樹脂として、ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位a0と、酸不安定基を有する繰り返し単位bを有するものが用いられ、下記式Aで示される繰り返し単位を有するものが好ましい。式中、R31、R24は水素原子又はメチル基、RAはラクトン構造を有する1価の有機基、R25は酸不安定基であり、0<a0<1.0、0<b<1.0、0<a0b≦1.0の範囲である。上記繰り返し単位a0としては、後述する繰り返し単位dの内ラクトン構造を有するものと同様のものが例示される。なお、繰り返し単位bについては後述する。また、上記第1のレジスト材料のベース樹脂は、繰り返し単位a0、bに加えて後述する繰り返し単位dの内ラクトン構造を有するもの以外の単位やg1、g2、g3の単位を有していてもよい。なお、第1のポジ型レジスト材料のベース樹脂は、弱酸性のヒドロキシ基を有する繰り返し単位繰り返し単位a、c-1、c-2の割合は、共重合比として0~12モル、特に0~10モルとすることが好ましい。2回目の露光に用いられるレジスト材料としては、1回目のレジストパターンを溶解させない炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルに溶解する必要がある。これらの溶媒に溶解させるためにはベース樹脂は2,2,2-トリフルオロ-1-ヒドロキシエチル基、あるいはヒドロキシナフチル基が必須であり、少なくとも下記一般式7で示される共重合体で構成することが好ましい。式中、R21は水素原子又はメチル基、Xは単結合、-O-又は-C=O-O-、uは1又は2であり、uが1の場合、R22は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エステル基、エーテル基、又はフッ素原子を有していてもよく、R23と結合してこれらが結合する炭素原子と共に非芳香環を形成してもよい。uが2の場合、R22は上記アルキレン基又は非芳香環から水素原子が1個脱離した基である。R23は水素原子、炭素数1~6のアルキル基、ジフルオロメチル基又はトリフルオロメチル基であるが、R22と結合する場合は炭素数1~6のアルキレン基又はジフルオロメチレン基を示す。R24は水素原子又はメチル基であり、R25は酸不安定基である。R26は水素原子又はメチル基であり、Yは単結合、-C=O-O-、-C=O-NH-又は-O-、R27は単結合、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、-CH2x-O-又は-CH2x-O-C=O-xは1~6の整数で、-CH2x-は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。v、wは1又は2であり、0<a<1.0、0<b<1.0、0≦c-1<1.0、0≦c-2<1.0、0<abc-1c-2≦1.0の範囲である。繰り返し単位aを得るためのモノマーは、下記に示されるモノマーを挙げることができる。R21は前述と同じである。繰り返し単位c-1、c-2を得るためのモノマーは、下記に示されるモノマーを挙げることができる。R26は前述と同じである。ヒドロキシビニルナフタレン共重合ポリマーは特許第3829913号公報に、ヒドロキシアセナフチレン共重合ポリマーは特許第3796568号公報に記載されている。繰り返し単位a、c-1、c-2に示されるモノマーのヒドロキシ基は、アセタール基やホルミル基、アセチル基、ピバロイル基などで置換したモノマーを用いて重合し、重合後にアセタール基の場合は酸を用いて、ホルミル基、アセチル基、ピバロイル基の場合はアルカリで加水分解を行ってヒドロキシ基にしてもよい。第1及び第2のポジ型レジスト材料におけるベース樹脂としての高分子化合物は、前記繰り返し単位a0又はaに加えて、酸不安定基を有する繰り返し単位bを有する。式中、R24は水素原子又はメチル基を示す。R25は酸不安定基である。第1、第2のレジスト材料に用いられる繰り返し単位bを得るためのモノマーとしては、下記Mbで示される。式中、R24、R25は前述と同じである。R25で示される酸不安定基は種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、第1、第2のレジスト材料に用いられる酸不安定基は同一でも異なっていてもよく、特に下記式A-1~A-3で置換された基で示されるものが挙げられる。式A-1において、RL30は炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式A-3で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が挙げられる。a11は0~6の整数である。式A-2において、RL31、RL32は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基等を例示できる。RL33は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。RL31とRL32、RL31とRL33、RL32とRL33とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するRL31、RL32、RL33はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は3~10、特に4~10である。上記式A-1の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。更に、下記式A-1-1~A-1-10で示される置換基を挙げることもできる。ここで、上記中RL37は互いに同一又は異種の炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基、RL38は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。また、RL39は互いに同一又は異種の炭素数2~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基である。a11は上記の通りである。上記式A-2で示される酸不安定基の内、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式A-2-1~A-2-35のものを例示することができる。上記式A-2で示される酸不安定基の内、環状のものとしては、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。また、下記一般式A-2aあるいはA-2bで表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。上記式中、RL40、RL41は水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、RL40とRL41は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL40、RL41は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。RL42は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、b11、d11は0又は1~10、好ましくは0又は1~5の整数、c11は1~7の整数である。Aは、c111価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。この場合、好ましくは、Aは2~4価の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数6~30のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、c11は好ましくは1~3の整数である。一般式A-2a、A-2bで示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式A-2-36~A-2-43のものが挙げられる。次に、式A-3においてRL34、RL35、RL36は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、RL34とRL35、RL34とRL36、RL35とRL36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3~20の脂環を形成してもよい。式A-3に示される三級アルキル基としては、tert-ブチル基、トリエチルカルビル基、1-エチルノルボニル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、tert-アミル基等を挙げることができる。また、三級アルキル基としては、下記に示す式A-3-1~A-3-18を具体的に挙げることもできる。式A-3-1~A-3-18中、RL43は同一又は異種の炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。RL44、RL46は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。RL45は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。更に、下記式A-3-19、A-3-20に示すように、2価以上のアルキレン基、アリーレン基であるRL47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。式A-3-19、A-3-20中、RL43は前述と同様、RL47は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。e1は1~3の整数である。式A-1、A-2、A-3中のRL30、RL33、RL36は、フェニル基、p-メチルフェニル基、p-エチルフェニル基、p-メトキシフェニル基等のアルコキシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これらの基に酸素原子を有する、あるいは炭素原子に結合する水素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示されるようなアルキル基、あるいはオキソアルキル基を挙げることができる。特に式A-3の酸不安定基を有する繰り返し単位としては、下記式A-3-21に示されるエキソ体構造を有するメタアクリル酸エステルの繰り返し単位が好ましく挙げられる。上記式中、R24、bは前述の通り、Rc3は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。Rc4~Rc9及びRc12、Rc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、Rc10、Rc11は水素原子を示す。あるいは、Rc4とRc5、Rc6とRc8、Rc6とRc9、Rc7とRc9、Rc7とRc13、Rc8とRc12、Rc10とRc11又はRc11とRc12は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またRc4とRc13、Rc10とRc13又はRc6とRc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、2重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。ここで、一般式A-3-21に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開2000-327633号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。次に式A-3に示される酸不安定基としては、下記式A-3-22に示されるフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有するメタアクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。上記式中、R24、bは前述の通りである。Rc14、Rc15はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。又は、Rc14、Rc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Rc16はフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基から選ばれる2価の基を示す。Rc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。フランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、Acはアセチル基、Meはメチル基を示す。2回目の露光に用いるレジスト材料のベース樹脂の繰り返し単位としては、上記一般式7中のa、b、c-1、c-2単位が挙げられるが、これ以外のヒドロキシ基、ラクトン環、カーボネート基、シアノ基、エーテル基、エステル基などを有する繰り返し単位dを共重合してもよい。具体的には繰り返し単位dを与える単量体は、下記に例示することができる。更に、第2のレジスト材料のベース樹脂には、下記一般式8で示されるスルホニウム塩を持つ繰り返し単位g1、g2、g3のいずれかを共重合することができる。上記式中、R200、R240、R280は水素原子又はメチル基、R210は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y-R-である。Yは酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基-CO-、エステル基-COO-、エーテル基-O-又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R220、R230、R250、R260、R270、R290、R300、R310は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z1は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R320-、又は-C=O-Z2-R320-である。Z2は酸素原子又はNH、R320は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Mは非求核性対向イオンを表す。g1は0≦g1≦0.3、g2は0≦g2≦0.3、g3は0≦g3≦0.3、0≦g1g2g3≦0.3である。Mの非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1-トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、1,2,3,4,5-ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネート、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロエチルスルホニルイミド、ビスパーフルオロブチルスルホニルイミド等のイミド酸、トリストリフルオロメチルスルホニルメチド、トリスパーフルオロエチルスルホニルメチドなどのメチド酸を挙げることができる。更には下記一般式K-1、K-2で示されるα位がフルオロ置換されたスルホネートが挙げられる。一般式K-1中、R102は水素原子、炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アシル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数6~20のアリール基、又はアリーロキシ基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はラクトン環を有していてもよい。一般式K-2中、R103は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はラクトン環を有していてもよい。1回目のパターニングに用いられるレジスト材料のベースポリマーとしては、上述したように、炭素数3~8のアルコール、及び炭素数6~12のエーテルの溶媒に溶解しない特性が必要である。これらの溶剤に溶解させないためには、ラクトンを有する密着性基が必要である。一方、炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの混合溶剤への溶解性を促進させるため、第1パターン用のレジストベースポリマーへ繰り返し単位a、c-1、c-2の導入はしないか、あるいは導入したとしても共重合比として12モル以下にすることが望まれる。即ち1回目のパターニングに用いられるレジスト材料のベースポリマーとしては、繰り返し単位bで示される酸不安定基を有する繰り返し単位、ラクトンを有する繰り返し単位a0が必要であり、更にヒドロキシ基、カーボネート基、シアノ基、エーテル基、又はエステル基を有する繰り返し単位dを共重合してもよい。1回目のパターニングレジスト用ベースポリマーの共重合組成としては、0<a0<1.0、0<b<1.0、0≦d<1.0、0<a0bd≦1.0、好ましくは0.1≦a0≦0.9、0.1≦b≦0.8、0.05≦d≦0.9、0.15≦a0bd≦1.0、より好ましくは0.2≦a0≦0.8、0.15≦b≦0.7、0.1≦d≦0.85、0.5≦a0bd≦1.0である。2回目のパターニングに用いられるレジスト材料のベースポリマーとしては、上述したように、炭素数3~8のアルコール、及び炭素数6~12のエーテルの溶媒に溶解する必要がある。これらの溶剤に溶解させるためにはフルオロアルコールを含有する密着性基aが必須であり、必要に応じてナフトールを含有する密着性基c-1、c-2を併用することで溶剤溶解性が向上する。2回目のパターニングレジスト用ベースポリマーの共重合組成としては、0<a<1.0、0<b<1.0、0≦c-1<1.0、0≦c-2<1.0、0<abc-1c-2≦1.0、0.1≦ac-1c-2≦0.9、好ましくは0.1≦a≦0.9、0.1≦b≦0.8、0≦c-1c-2≦0.5、0.3≦abc-1c-2≦1.0、0.15≦ac-1c-2≦0.85、より好ましくは0.2≦a≦0.8、0.15≦b≦0.7、0≦c-1≦0.4、0≦c-2≦0.4、0.4≦abc-1c-2≦1.0、0.2≦ac-1c-2≦0.8である。なお、dは0≦d<1.0、好ましくは0≦d≦0.7、より好ましくは0≦d≦0.6であり、abc-1c-2d≦1.0である。ここで、例えばabc-1c-2d=1とは、繰り返し単位a、b、c-1、c-2、dを含む高分子化合物において、繰り返し単位a、b、c-1、c-2、dの合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モルであることを示し、abc-1c-2d<1とは、繰り返し単位a、b、c-1、c-2、dの合計量が全繰り返し単位の合計量に対して100モル未満でa、b、c-1、c-2、d以外に他の繰り返し単位gg1~g3のいずれかを有していることを示す。また、繰り返し単位g1、g2、g3の割合は、0≦g1g2g3≦0.2であることが好ましい。本発明のパターン形成方法に用いられるレジストのベースポリマーとなる高分子化合物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000~500,000、特に2,000~30,000であることが好ましい。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料現像後の熱架橋における架橋効率が低下することがあり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなる可能性がある。更に、本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト材料のベースポリマーとなる高分子化合物においては、分子量分布Mw/Mnが広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりするおそれがある。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。また、組成比率や分子量分布や分子量が異なる2つ以上のポリマーをブレンドすることも可能である。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法としては上記繰り返し単位を得るための不飽和結合を有するモノマーを有機溶剤中、ラジカル開始剤を加え加熱重合を行う方法があり、これにより高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としては、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。酸不安定基は、モノマーに導入されたものをそのまま用いてもよく、酸不安定基を酸触媒によって一旦脱離し、その後保護化あるいは部分保護化してもよい。なお、上記ベース樹脂を構成する高分子化合物は1種に限らず2種以上を添加することができる。複数種の高分子化合物を用いることにより、レジスト材料の性能を調整することができる。本発明のパターン形成方法に用いる第1及び第2のポジ型レジスト材料は、化学増幅ポジ型レジスト材料として機能させるために酸発生剤を含んでもよく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。酸発生剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている。その配合量は、ベース樹脂100質量部に対し、0.1~30質量部、特に0.5~25質量部である。本発明のレジスト材料は、更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、界面活性剤、アセチレンアルコール類のいずれか1つ以上を含有することができる。第1パターンレジスト材料用の有機溶剤の具体例としては、特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]に記載されている化合物を用いることができる。即ち、ここで使用される有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベース樹脂100質量部に対して200~3,000質量部、特に400~2,500質量部が好適である。第2パターンレジスト材料用の有機溶媒として炭素数3~8のアルコールとしては、具体的にはn-プロパノール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノールを挙げることができる。炭素数3~8のアルコールの中でも炭素数4~8の1級アルコールが好ましく、具体的には1-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、1-ペンタノール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、1-ヘキサノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、2,2-ジエチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノールである。炭素数4~8のアルコールは、第1パターンのレジストの溶解性が低く、1級のアルコールは第2レジストのフルオロアルコールを有するポリマーの溶解性が高い。炭素数6~12のエーテルとしては、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、メチルシクロペンチルエーテル、メチルシクロヘキシルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-secブチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-t-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、アニソール、2-メチルアニソール、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、2,5-ジメチルアニソール、2,6-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、3,6-ジメチルアニソール、2,3,4-トリメチルアニソール、2,3,6-トリメチルアニソール、2,4,6-トリメチルアニソール、2,4,5,6-テトラメチルアニソール、2-エチルアニソール、3-エチルアニソール、4-エチルアニソール、2-イソプロピルアニソール、3-イソプロピルアニソール、4-イソプロピルアニソール、4-プロピルアニソール、2-ブチルアニソール、3-ブチルアニソール、4-ブチルアニソール、2-t-ブチルアニソール、3-t-ブチルアニソール、4-t-ブチルアニソール、ペンタメチルアニソール、2-ビニルアニソール、3-ビニルアニソール、4-メトキシスチレン、エチルフェニルエーテル、プロピルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、エチル-3,5-キシリルエーテル、エチル-2,6-キシリルエーテル、エチル-2,4-キシリルエーテル、エチル-3,4-キシリルエーテル、エチル-2,5-キシリルエーテル、メチルベンジルエーテル、エチルベンジルエーテル、イソプロピルベンジルエーテル、プロピルベンジルエーテル、メチルフェネチルエーテル、エチルフェネチルエーテル、イソプロピルフェネチルエーテル、プロピルフェネチルエーテル、ブチルフェネチルエーテル、ビニルフェニルエーテル、アリルフェニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、アリルベンジルエーテル、ビニルフェネチルエーテル、アリルフェネチルエーテル、4-エチルフェネトール、t-ブチルフェニルエーテルを挙げることができる。炭素数6~12のエーテルの中では、好ましくは炭素数8~12のエーテルであり、具体的には、ジイソブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、ジ-secブチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-t-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、2-メチルアニソール、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、2,5-ジメチルアニソール、2,6-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、3,6-ジメチルアニソール、2,3,4-トリメチルアニソール、2,3,6-トリメチルアニソール、2,4,6-トリメチルアニソール、2,4,5,6-テトラメチルアニソール、2-エチルアニソール、3-エチルアニソール、4-エチルアニソール、2-イソプロピルアニソール、3-イソプロピルアニソール、4-イソプロピルアニソール、4-プロピルアニソール、2-ブチルアニソール、3-ブチルアニソール、4-ブチルアニソール、2-t-ブチルアニソール、3-t-ブチルアニソール、4-t-ブチルアニソール、ペンタメチルアニソール、2-ビニルアニソール、3-ビニルアニソール、4-メトキシスチレン、エチルフェニルエーテル、プロピルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、エチル-3,5-キシリルエーテル、エチル-2,6-キシリルエーテル、エチル-2,4-キシリルエーテル、エチル-3,4-キシリルエーテル、エチル-2,5-キシリルエーテル、メチルベンジルエーテル、エチルベンジルエーテル、イソプロピルベンジルエーテル、プロピルベンジルエーテル、メチルフェネチルエーテル、エチルフェネチルエーテル、イソプロピルフェネチルエーテル、プロピルフェネチルエーテル、ブチルフェネチルエーテル、ビニルフェニルエーテル、アリルフェニルエーテル、ビニルベンジルエーテル、アリルベンジルエーテル、ビニルフェネチルエーテル、アリルフェネチルエーテル、4-エチルフェネトール、t-ブチルフェニルエーテルである。炭素数8~12のエーテルは、第1パターンを殆ど溶解させることがない特徴があり、このもの単独では第2レジストに用いられるポリマーを溶解させることはできないが、炭素数3~8のアルコールと混合することによって、第2レジスト用のポリマーを溶解させることができる。アルコールは一般的には粘度が高く、アルコールを溶媒とするフォトレジストはスピンコートしにくい欠点がある。一方、エーテルは粘度が低いため、アルコールとエーテルの混合溶媒によって粘度を下げてコーティング性能を向上させることができる。第2レジスト材料に用いられるアルコール溶媒として、イソブチルアルコールや、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノールは優れた溶解性を示すが、沸点が低くスピンコート中の蒸発速度が速い。液浸リソグラフィーにおいて、保護膜を用いないトップコートレジストにおいて、レジスト材料として撥水性を向上させる高分子化合物を添加する手法が一般的に行われている。スピンコートによる成膜中にレジスト表面に撥水性材料が配向するが、溶媒の沸点が低いと撥水性材料の配向が十分に進行する前に固化してしまい、撥水性が十分に上がらない問題が生じる。このため、前記溶解性が高く沸点が低い溶媒に、高沸点の溶媒をブレンドする手法が採られる。高沸点溶媒としては炭素数6~8の1級のアルコールや、炭素数8~12のエーテルが用いられる。炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルは、第1のレジストパターンを溶解させず、かつ、第2のレジスト材料を溶解させる必要がある。第1のレジストパターンを溶解させないための目安としては、炭素数3~8のアルコール、又は炭素数3~8のアルコール及び炭素数6~12のエーテルを第1のレジスト膜上に30秒間ディスペンスし、スピンドライと130°C以下のベークによって前記溶媒を乾燥した後の膜減り量が10nm以下である。この場合、炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの混合溶剤については、炭素数3~8のアルコールと炭素数6~12のエーテルとの割合を質量比として1:0.001~1:0.5、特に1:0.01~1:0.4とすることが好ましい。また、第2パターンレジスト材料用の有機溶媒の使用量は、ベース樹脂100質量部に対して200~3,000質量部、特に400~2,500質量部が好適である。第1パターンレジスト材料用と第2パターンレジスト材料用の塩基性化合物含窒素有機化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カルバメート類等が挙げられ、特開2008-111103号公報の段落[0149]~[0163]に記載されている化合物を用いることができる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えばアニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えばピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えばオキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えばチアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えばピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えばピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、4-ピロリジノピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えばキノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノ-ル、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド類としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、1-シクロヘキシルピロリドン等が例示される。イミド類としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。カーバメート類としては、N-t-ブトキシカルボニル-N,N-ジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、オキサゾリジノン等が例示される。更に、下記一般式B-1で示される含窒素有機化合物が例示される。NXnY3nB-1上記式中、nは1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式X1、X2又はX3で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1~20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成してもよい。上記一般式X1~X3中、R300、R302、R305は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、又はラクトン環を1個あるいは複数個含んでいてもよい。R303は単結合、又は炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1個あるいは複数個含んでいてもよい。上記一般式B-1で表される化合物として具体的には、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24-ヘキサオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18-テトラオキサ-1,10-ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13-テトラオキサ-7,16-ジアザビシクロオクタデカン、1-アザ-12-クラウン-4、1-アザ-15-クラウン-5、1-アザ-18-クラウン-6、トリス2-ホルミルオキシエチルアミン、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-プロピオニルオキシエチルアミン、トリス2-ブチリルオキシエチルアミン、トリス2-イソブチリルオキシエチルアミン、トリス2-バレリルオキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-アセトキシアセトキシエチルアミン、トリス2-メトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス2-メトキシカルボニルエチルアミン、トリス2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-エトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-メトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-ヒドロキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-アセトキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[メトキシカルボニルメトキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-2-オキソプロポキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-アセトキシエチル2-[2-オキソテトラヒドロフラン-3-イルオキシカルボニル]エチルアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル2-4-ヒドロキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-4-ホルミルオキシブトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル2-2-ホルミルオキシエトキシカルボニルエチルアミン、N,N-ビス2-メトキシエチル2-メトキシカルボニルエチルアミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-ヒドロキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-アセトキシエチルビス[2-エトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-ヒドロキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-3-アセトキシ-1-プロピルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-2-メトキシエチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-メトキシカルボニルエチル]アミン、N-ブチルビス[2-2-メトキシエトキシカルボニルエチル]アミン、N-メチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-エチルビス2-アセトキシエチルアミン、N-メチルビス2-ピバロイルオキシエチルアミン、N-エチルビス[2-メトキシカルボニルオキシエチル]アミン、N-エチルビス[2-tert-ブトキシカルボニルオキシエチル]アミン、トリスメトキシカルボニルメチルアミン、トリスエトキシカルボニルメチルアミン、N-ブチルビスメトキシカルボニルメチルアミン、N-ヘキシルビスメトキシカルボニルメチルアミン、β-ジエチルアミノ-δ-バレロラクトンが例示される。更に、下記一般式B-2に示される環状構造を持つ含窒素有機化合物が例示される。上記式中、Xは前述の通り、R307は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基、又はスルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。上記一般式B-2として具体的には、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-[2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン、酢酸2-1-ピロリジニルエチル、酢酸2-ピペリジノエチル、酢酸2-モルホリノエチル、ギ酸2-1-ピロリジニルエチル、プロピオン酸2-ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸2-モルホリノエチル、メトキシ酢酸2-1-ピロリジニルエチル、4-[2-メトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、1-[2-t-ブトキシカルボニルオキシエチル]ピペリジン、4-[2-2-メトキシエトキシカルボニルオキシエチル]モルホリン、3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-ピペリジノプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸メチル、3-チオモルホリノプロピオン酸メチル、2-メチル-3-1-ピロリジニルプロピオン酸メチル、3-モルホリノプロピオン酸エチル、3-ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-ヒドロキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸2-アセトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、3-モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、3-ピペリジノプロピオン酸グリシジル、3-モルホリノプロピオン酸2-メトキシエチル、3-1-ピロリジニルプロピオン酸2-2-メトキシエトキシエチル、3-モルホリノプロピオン酸ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α-1-ピロリジニルメチル-γ-ブチロラクトン、β-ピペリジノ-γ-ブチロラクトン、β-モルホリノ-δ-バレロラクトン、1-ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、1-ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸2-メトキシエチル、2-メトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-2-メトキシエトキシ酢酸2-モルホリノエチル、2-[2-2-メトキシエトキシエトキシ]酢酸2-モルホリノエチル、ヘキサン酸2-モルホリノエチル、オクタン酸2-モルホリノエチル、デカン酸2-モルホリノエチル、ラウリン酸2-モルホリノエチル、ミリスチン酸2-モルホリノエチル、パルミチン酸2-モルホリノエチル、ステアリン酸2-モルホリノエチルが例示される。更に、下記一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物が例示される。上記式中、X、R307、nは前述の通り、R308、R309は同一又は異種の炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。上記一般式B-3~B-6で表されるシアノ基を含む含窒素有機化合物として具体的には、3-ジエチルアミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-シアノエチル-N-エチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピル-3-アミノプロピオノニトリル、N-2-シアノエチル-N-テトラヒドロフルフリル-3-アミノプロピオノニトリル、N,N-ビス2-シアノエチル-3-アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-アセトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチル-3-アミノプロピオン酸メチル、N-シアノメチル-N-2-ヒドロキシエチルアミノアセトニトリル、N-2-アセトキシエチル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-ホルミルオキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-2-メトキシエチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-[2-メトキシメトキシエチル]アミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ヒドロキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N-3-アセトキシ-1-プロピル-N-シアノメチルアミノアセトニトリル、N-シアノメチル-N-3-ホルミルオキシ-1-プロピルアミノアセトニトリル、N,N-ビスシアノメチルアミノアセトニトリル、1-ピロリジンプロピオノニトリル、1-ピペリジンプロピオノニトリル、4-モルホリンプロピオノニトリル、1-ピロリジンアセトニトリル、1-ピペリジンアセトニトリル、4-モルホリンアセトニトリル、3-ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸シアノメチル、3-ジエチルアミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ヒドロキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-アセトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-ホルミルオキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス2-メトキシエチル-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、N,N-ビス[2-メトキシメトキシエチル]-3-アミノプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、1-ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、4-モルホリンプロピオン酸シアノメチル、1-ピロリジンプロピオン酸2-シアノエチル、1-ピペリジンプロピオン酸2-シアノエチル、4-モルホリンプロピオン酸2-シアノエチルが例示される。更に、下記一般式B-7で表されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上記式中、R310は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基のいずれかを1個あるいは複数個含む。R311、R312、R313は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。更に、下記一般式B-8で示されるベンズイミダゾール骨格及び極性官能基を有する含窒素有機化合物が例示される。上記式中、R314は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基である。R315は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基のいずれかを一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基のいずれかを一つ以上含んでいてもよい。更に、下記一般式B-9及びB-10で示される極性官能基を有する含窒素複素環化合物が例示される。上記式中、Aは窒素原子又は≡C-R322である。Bは窒素原子又は≡C-R323である。R316は炭素数2~20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R317、R318、R319、R320は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基であるか、又はR317とR318、R319とR320はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R321は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R322、R323は水素原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はアリール基である。R321とR323は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。更に、下記一般式B-11~B-14で示される芳香族カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上記式中、R324は炭素数6~20のアリール基又は炭素数4~20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数1~10のアシルオキシ基、又は、炭素数1~10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R325はCO2R326、OR327又はシアノ基である。R326は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1~10のアルキル基又はアシル基である。R328は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は-OCH2CH2On-基である。n=0,1,2,3又は4である。R329は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。Xは窒素原子又はCR330である。Yは窒素原子又はCR331である。Zは窒素原子又はCR332である。R330、R331、R332はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR330とR331又はR331とR332が結合して、炭素数6~20の芳香環又は炭素数2~20のヘテロ芳香環を形成してもよい。更に、下記一般式B-15で示される7-オキサノルボルナン-2-カルボン酸エステル構造を有する含窒素有機化合物が例示される。上記式中、R333は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。R334及びR335はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を1個又は複数個含んでいてもよい炭素数1~20のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、又は炭素数7~20のアラルキル基であって、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R334とR335は互いに結合して、炭素数2~20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。塩基性化合物の配合量は、第1及び第2レジスト材料共、ベース樹脂100質量部に対し、0.0001~10質量部、特に0.001~8質量部とすることが好ましい。また、界面活性剤としては特開2008-111103号公報の段落[0165]~[0166]、溶解制御剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]、アセチレンアルコール類としては段落[0179]~[0182]に記載されている材料を用いることができる。界面活性剤、溶解制御剤、アセチレンアルコール類は、公知の配合量範囲とすることができ、例えばベース樹脂100質量部に対し、溶解制御剤は0~50質量部、特に0~40質量部、界面活性剤は0~10質量部、特に0.0001~5質量部、アセチレンアルコール類は0.01~2質量部、特に0.02~1質量部の配合量とすることが好ましい。ここで、ダブルパターニングについて説明する。図4~6は従来のダブルパターニング方法を示す。図4に示すダブルパターニング方法1において、基板10上の被加工層20上にレジスト膜30を塗布、形成する。レジストパターンのパターン倒れ防止のため、レジスト膜の薄膜化が進行しており、それに伴うエッチング耐性の低下を補うためにハードマスクを用いて被加工基板を加工する方法が行われている。ここで、図4に示すダブルパターニング方法としては、レジスト膜30と被加工層20の間にハードマスク40を敷く積層膜である図4-A。ダブルパターニング方法において、ハードマスクは必ずしも必須ではないし、ハードマスクの代わりにカーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜を敷いてもよく、ハードマスクとレジスト膜との間に有機反射防止膜を敷いてもよい。ハードマスクとしては、SiO2、SiN、SiON、p-Si、TiNなどが用いられる。また、ダブルパターニング方法1において、用いるレジスト材料はポジ型レジスト材料である。この方法においては、上記レジスト膜30を露光、現像し図4-B、次いでハードマスク40をドライエッチングし図4-C、レジスト膜を剥離後、2回目のレジスト膜50を塗布、形成し、露光、現像を行う図4-D。次に、被加工層20をドライエッチングする図4-Eが、ハードマスクパターンと、2回目のレジストパターンをマスクにしてエッチングするために、ハードマスク40とレジスト膜50のエッチング耐性の違いにより被加工基板のエッチング後のパターン寸法にずれが生じる。前記問題を解決するために、図5に示すダブルパターニング方法2では、ハードマスクを2層敷き、1回目のレジストパターンで上層のハードマスク42を加工し、2回目のレジストパターンで下層のハードマスク41を加工し、2つのハードマスクパターンを用いて被加工基板をドライエッチングする。第1ハードマスク41と第2ハードマスク42のエッチング選択比が高いことが必要であり、かなり複雑なプロセスになる。図6に示すダブルパターニング方法3は、トレンチパターンを用いる方法である。これならばハードマスクは1層で済む。しかしながら、ラインパターンに比べてトレンチパターンは光のコントラストが低いために、現像後のパターンの解像が難しく、マージンが狭い欠点がある。広いトレンチパターンを形成してからサーマルフローやRELACS法などでシュリンクさせることも可能であるが、プロセスが煩雑化する。ネガ型レジスト材料を用いれば高い光学コントラストで露光が可能であるが、ネガ型レジスト材料は一般的にポジ型レジスト材料に比べてコントラストが低く、解像性能が低い欠点がある。トレンチプロセスは、1回目のトレンチと2回目のトレンチの位置ずれが、最終的に残るラインの線幅ずれにつながるため、非常に高精度なアライメントが必要である。いずれにしてもこれまでに挙げたダブルパターニング方法1~3は、ハードマスクのエッチングを2回行うことになり、プロセス上の欠点である。これに対し、本発明に係るダブルパターニング方法は、図1に示す通りであり、図4-Aと同様に、基板10上の被加工層20上にハードマスク40を介して第1のポジ型レジスト材料による第1のレジスト膜30を形成する図1-A。次いで、第1のレジスト膜30を露光、現像し図1-B、その後ベークによる塩基発生剤の分解と塩基発生でレジスト膜30を酸に対して不活性化させたレジストパターン30aを形成する図1-C。加熱温度としては、50~170°C、5~600秒の範囲が好ましい。170°Cよりも高い温度ではパターンの熱フローによる変形、酸不安定基の脱保護による収縮が起き易くなるため好ましくない。本発明のパターン形成方法では、第1のレジストパターンを加熱によって架橋させ、不溶化させるものではない。ベーク温度は塩基発生剤を熱分解させる程度の温度であり、より低温ベークが可能である。加熱温度としては好ましくは160°C以下、より好ましくは150°C以下、更に好ましくは140°C以下である。140°C以下の加熱に抑えることによってパターンの変形は殆ど起こらなくなる。更に、その上に第2のレジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成し、露光、現像して、上記第1のレジスト膜30酸不活性レジストパターン30aのパターンが形成されていない部分に第2のレジスト膜のパターン50を形成する図1-D。次に、ハードマスク40をエッチングし図1-E、更に被加工層20をドライエッチングし、上記酸不活性レジストパターン30a及び第2のレジストパターン50を除去する図1-F。図1に示されるのは、第1のパターンの間に第2のパターンを形成する方法であるが、第1のパターンと直交する第2のパターンを形成してもよい図2。1回の露光で直交するパターンを形成することもできるが、ダイポール照明と偏光照明を組み合わせればラインパターンのコントラストを非常に高くすることができる。図2-Aに示されるようにY方向のラインをパターニングし、このパターンを本発明の方法で溶解から保護し、図2-Bに示されるように2回目のレジストを塗布しX方向ラインを形成する。XとYのラインを組み合わせて格子状パターンを形成することによって空いた部分をホールにする。形成するのは直交パターンだけとは限らず、T型パターンもよいし、図3に示されるように離れていてもよい。この場合、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工層20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。また、ハードマスク40としては、上述した通りである。なお、ハードマスクの代わりにカーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜あるいは有機反射防止膜等の中間介在層を形成してもよい。本発明においては、上記被加工層に直接又は上記ハードマスク等の中間介在層を介して第1のポジ型レジスト材料による第1のレジスト膜を形成するが、第1のレジスト膜の厚さとしては、10~1,000nm、特に20~500nmであることが好ましい。このレジスト膜は、露光前に加熱プリベークを行うが、この条件としては60~180°C、特に70~150°Cで10~300秒間、特に15~200秒間行うことが好ましい。次いで、露光を行う。ここで、露光は波長140~250nmの高エネルギー線、その中でもArFエキシマレーザーによる193nmの露光が最も好ましく用いられる。露光は大気中や窒素気流中のドライ雰囲気でもよいし、水中の液浸露光であってもよい。ArF液浸リソグラフィーにおいては液浸溶媒として純水、又はアルカンなどの屈折率が1以上で、露光波長に高透明の液体が用いられる。液浸リソグラフィーでは、プリベーク後のレジスト膜と投影レンズの間に、純水やその他の液体を挿入する。これによってNAが1.0以上のレンズ設計が可能となり、より微細なパターン形成が可能になる。液浸リソグラフィーはArFリソグラフィーを45nmノードまで延命させるための重要な技術である。液浸露光の場合は、レジスト膜上に残った水滴残りを除去するための露光後の純水リンスポストソークを行ってもよいし、レジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために、プリベーク後のレジスト膜上に保護膜を形成させてもよい。液浸リソグラフィーに用いられるレジスト保護膜としては、例えば、水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。レジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよく、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンスポストソークを行ってもよい。レジスト材料として、レジスト表面の撥水性を上げるための添加剤を加えてもよい。このものは、フルオロアルコール基を有する高分子体であり、スピンコート後のレジスト表面に配向することによって表面エネルギーを低下させ、滑水性が向上する。このような材料は、特開2007-297590号公報、特開2008-122932号公報に示される。露光における露光量は1~200mJ/cm2程度、好ましくは10~100mJ/cm2程度となるように露光することが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、1~5分間、好ましくは80~120°C、1~3分間ポストエクスポジュアーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。第2のレジスト膜については、常法に従って、露光、現像を行い、第2のレジスト膜のパターンを第1レジスト膜パターンのパターンが形成されていない部分に形成し、パターン間の距離を半減することが好ましい。なお、第2のレジスト膜の膜厚、露光、現像等の条件としては、上述した条件と同様とすることができる。次いで、これら第1レジスト膜及び第2のレジスト膜をマスクとしてハードマスク等の中間介在層をエッチングし、更に被加工層のエッチングを行う。この場合、ハードマスク等の中間介在層のエッチングは、フロン系、ハロゲン系のガスを用いてドライエッチングすることによって行うことができ、被加工層のエッチングは、ハードマスクとのエッチング選択比をとるためのエッチングガス及び条件を適宜選択することができ、フロン系、ハロゲン系、酸素、水素等のガスを用いてドライエッチングすることによって行うことができる。次いで、第1レジスト膜、第2のレジスト膜を除去するが、これらの除去は、ハードマスク等の中間介在層のエッチング後に行ってもよい。なお、第1レジスト膜の除去は、酸素、ラジカルなどのドライエッチングによって行うことができ、第2のレジスト膜の除去は上記と同様に、あるいはアミン系、又は硫酸/過酸化水素水などの有機溶媒などの剥離液によって行うことができる。以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例等に制限されるものではない。なお、重量平均分子量MwはGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量を示す。[合成例]レジスト材料に添加される高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶媒下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物ポリマー1~24を得た。得られた高分子化合物の組成は1H-NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフにより確認した。ポリマー1分子量Mw=8,300分散度Mw/Mn=1.76ポリマー2分子量Mw=8,800分散度Mw/Mn=1.77ポリマー3分子量Mw=7,600分散度Mw/Mn=1.79ポリマー4分子量Mw=8,600分散度Mw/Mn=1.93ポリマー5分子量Mw=8,100分散度Mw/Mn=1.83ポリマー6分子量Mw=8,300分散度Mw/Mn=1.89ポリマー7分子量Mw=8,600分散度Mw/Mn=1.82ポリマー8分子量Mw=8,600分散度Mw/Mn=1.82ポリマー9分子量Mw=8,100分散度Mw/Mn=1.83ポリマー10分子量Mw=8,300分散度Mw/Mn=1.94ポリマー11分子量Mw=9,600分散度Mw/Mn=1.89ポリマー12分子量Mw=8,100分散度Mw/Mn=1.90ポリマー13分子量Mw=8,000分散度Mw/Mn=1.83ポリマー14分子量Mw=7,100分散度Mw/Mn=1.88ポリマー15分子量Mw=7,600分散度Mw/Mn=1.81ポリマー16分子量Mw=9,100分散度Mw/Mn=1.92ポリマー17分子量Mw=9,000分散度Mw/Mn=1.93ポリマー18分子量Mw=8,200分散度Mw/Mn=1.95ポリマー19分子量Mw=8,600分散度Mw/Mn=1.99ポリマー20分子量Mw=8,300分散度Mw/Mn=1.82ポリマー21分子量Mw=7,600分散度Mw/Mn=1.92ポリマー22分子量Mw=7,900分散度Mw/Mn=1.77ポリマー23分子量Mw=7,300分散度Mw/Mn=1.71ポリマー24分子量Mw=7,200分散度Mw/Mn=1.74[第1レジストの組成]上記で合成した高分子化合物ポリマー1~4、11を用いなお、比較例としてはポリマー5も使用、酸発生剤PAG1、塩基発生剤BG1~36、比較BG1,2、アミンクエンチャー塩基性化合物、レジスト表面撥水剤、住友スリーエム株製界面活性剤;FC-4430が50ppm混合された溶剤を表1,2の組成で混合し、0.2μmのテフロン登録商標フィルターで濾過した溶液を調製した。比較例1-3のレジスト溶液は、ポリマー3が溶媒に溶解しなかった。なお、下記表中の各組成は次の通りである。酸発生剤光酸発生剤:PAG1アミンクエンチャー:Quencher1塩基発生剤:BG1~36、比較BG1,2レジスト表面撥水剤:撥水剤ポリマー1,2有機溶剤:PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHシクロヘキサノン[第2レジストの組成]上記で合成した高分子化合物ポリマー5~10、12~24、酸発生剤、アミンクエンチャー、レジスト表面撥水剤、住友スリーエム株製界面活性剤;FC-4430が50ppm混合された溶剤を表3の組成で混合し、0.2μmのテフロン登録商標フィルターで濾過した溶液を調製した。[実施例、比較例]第1レジスト膜の溶媒による膜減り表1,2中に示される第1パターニング用レジスト材料を、シリコンウエハーに塗布し、100°Cで60秒間ベークして、100nm膜厚のレジスト膜を作製した。レジスト膜上に表4,5記載の溶媒を20秒間静止ディスペンスし、その後スピンドライ、100°Cで60秒間ベークして溶媒を蒸発させ、膜厚を測定して溶媒ディスペンスによる減少した膜厚を求めた。結果を表4,5に示す。レジスト1-1~1-40は、上記のアルコール系の溶媒に不溶であることが確認された。ダブルパターニング評価1表1,2中に示される第1パターン用レジスト材料を、シリコンウエハーにスピンオンカーボン膜ODL-102信越化学工業株製を200nmの膜厚、スピンオン珪素含有膜SHB-A940信越化学工業株製を35nmの膜厚で成膜した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.78、35度クロスポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いてAzimuthally偏光照明でY方向40nm,ライン160nmピッチのパターンを露光し、露光後、実施例1-1~1-54、比較例1-1,1-2は100°Cで60秒間ベークし、比較例1-3、1-4は80°Cで60秒間ベークし、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、ラインとスペースの比が1:3のライン寸法が40nmの第1パターンを得た。第1パターンが形成された基板を、表6,7に示す温度で60秒間ベークし、塩基発生剤からアミン化合物を発生させた。次に第1パターン上に第2パターン用の表3に示される第2レジスト材料を塗布し、100°Cで60秒間ベークし、ArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.78、35度クロスポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて第1パターンよりX方向に80nmずらした位置にAzimuthally偏光照明でY方向40nm,ライン160nmピッチのパターンを露光し、露光後、比較例1-2以外は80°Cで60秒間ベークし、比較例1-2は100°Cで60秒間ベークし、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、寸法が40nmのラインアンドスペースの第2パターンを得た図7。なお、図7中、Aは第1パターン、Bは第2パターンを示す。第1パターンと、これと平行する第2パターンのそれぞれのラインの幅を測長SEM株日立製作所製S-9380で測定した。結果を表6,7に示す。ダブルパターニング評価2表1,2中に示される第1パターン用レジスト材料を、シリコンウエハーにスピンオンカーボン膜ODL-102信越化学工業株製を200nmの膜厚、スピンオン珪素含有膜SHB-A940信越化学工業株製を35nmの膜厚で成膜した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.78、20度ダイポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いてs偏光照明でX方向40nm,ライン80nmピッチのラインアンドスペースパターンを露光し、露光後、実施例2-1~2-54、比較例2-1、2-2は100°Cで60秒間ベークし、比較例2-3、2-4は80°Cで60秒間ベークし、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、寸法が40nmのラインアンドスペースの第1パターンを得た。第1パターンが形成された基板を、表8,9に示す温度で60秒間ベークし、塩基発生剤からアミン化合物を発生させた。次に第1パターン上に第2パターン用の表3に示される第2レジスト材料を塗布し、100°Cで60秒間ベークし、ArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.78、20度ダイポール照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いてs偏光照明でY方向40nm,ライン80nmピッチのラインアンドスペースパターンを露光し、露光後、比較例2-2以外は80°Cで60秒間ベークし、比較例2-2は100°Cで60秒間ベークし、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、寸法が40nmのラインアンドスペースの第2パターンを得た図8。なお、図8中、Aは第1パターン、Bは第2パターンを示す。第1パターンと、これと直交する第2パターンのそれぞれのラインの幅を測長SEM株日立製作所製S-9380で測定した。結果を表8,9に示す。実施例1-1~1-54のパターン形成方法では、第1のパターンの間に第2のパターンのラインが形成されていることが確認された。実施例2-1~2-54のパターン形成方法では、第1のパターンと交差する第2のパターンのラインが形成されていることが確認された。比較例1-1、2-1では、第1パターン形成後にベークによる熱塩基発生剤の分解を行わなかったために、第2パターン形成時に第1パターンが現像液に溶解してしまった。比較例1-2、1-4、2-2、2-4では、2回目のレジスト塗布時に第1パターンが溶解してしまった。比較例1-3、2-3では、第1レジストにアミン発生剤が添加されていないために、2回目の現像時に第1パターンが溶解してしまった。比較例1-4、1-5、2-4、2-5ではカルボキシル基を含有していない熱塩基発生剤を添加しており、かつベースポリマー中にアミン化合物の蒸発を防ぐためのカルボキシル基が存在していないために、第1レジスト現像後のベーク中に熱塩基発生剤の分解により発生したアミン化合物が蒸発してしまい、2回目のレジスト現像後の1回目のレジストパターンの線幅が細くなってしまった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様の作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"