基板上に金属膜を切削して形成したX線吸収部が、一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成されているX線タルボ干渉計用回折格子。前記X線吸収部の幅と前記溝部の幅とが一致し、かつそれぞれ4μm以下である請求項1に記載のX線タルボ干渉計用回折格子。隣接するX線吸収部の間の溝部に樹脂が介装されている請求項1又は2に記載のX線タルボ干渉計用回折格子。基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜を一方向に沿って所定周期で切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の金属層を形成する切削工程と、を有するX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記基板として、炭素かケイ素かアルミニウムのうちの少なくとも1つの元素を主成分とする材料を用いる請求項4に記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記基板と前記金属膜との間に、前記基板より硬度が低く、かつ前記金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む層を形成する中間層形成工程をさらに有する請求項4又は5に記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。さらに、前記溝部に樹脂を充填する樹脂充填工程を有する請求項4~6のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記樹脂が、ポリイミド及び/又はパラキシレン系ポリマーを含む請求項7記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記樹脂ポリイミドを真空注入法によって前記溝部に充填する請求項8に記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記パラキシレン系ポリマーを真空蒸着法によって前記溝部に充填する請求項8に記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。前記切削工程において、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具を用いる請求項4~11のいずれかに記載のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法。請求項1又は2に記載のX線タルボ干渉計用回折格子を用いたX線タルボ干渉計。しかしながら、特許文献2、3記載の技術の場合、微細な溝スリット内に電鋳を行うため、溝のアスペクト比が高くなるほど、電鋳を確実に行うことが難しくなる。又、レジスト樹脂を用いてアスペクト比の高い溝を形成しようとすると、樹脂が柔らかくて絶縁物であるために変形して隣接する畝部が接触しスティッキング、精度の高い回折格子の製造が難しいという問題がある。さらに、アスペクト比の高い溝を作製するためには、シンクロトロン放射による放射光を用い、直線性の高いX線で露光する必要があり、製造コストが大幅に上昇する。従って、本発明の目的は、溝のアスペクト比の高い回折格子を容易かつ高精度で製造することができるX線タルボ干渉計用回折格子及びその製造方法、並びにX線タルボ干渉計を提供することにある。本発明のX線タルボ干渉計用回折格子は、基板上に金属膜を切削して形成したX線吸収部が、一方向に沿って所定周期で畝状に複数形成されている。このように基板上にして形成した溝部の周期や深さは、切削加工機の分解能および安定性に依存する。従って、nmレベルの加工分解能や安定性を実現できる超精密ナノ加工機を用いれば、X線回折格子の回折性能も向上する。また超精密ナノ加工機はX線リソグラフィで使う設備と比べると安価でX線マスクも不要であり、X線回折格子の製造コストを下げられる。又、切削加工で形成した溝部の側壁の凹凸、及び溝部側壁と底面の角の丸み径以降、切削隅部の曲率半径で表記は、切削に使用する刃具の形状に依存する。単結晶ダイヤモンド製の刃具を用いると、切れ刃の凹凸や角の丸み径曲率半径を0.1μm以下とすることができ、結果としてX線回折格子の回折性能も向上する。さらに、溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比は、好ましくは3以上であるが、硬度の高い単結晶ダイヤモンドの刃具を使用して加工を行えば、高いアスペクト比のX線回折格子を作製することができる。なお、従来、軟らかくて絶縁物であるレジストの畝を形成してからX線吸収部を電鋳で形成していた。このため、レジストが倒れたり互いに接触してX線吸収部を精密に形成することが難しいが、本発明では、ヤング率がレジストより1桁高くて導体である金属を切削してX線吸収部となる畝部を形成するため、X線吸収部を精密に形成することが可能になる。前記X線吸収部の幅と前記溝部の幅とが一致し、かつそれぞれ4μm以下であることが好ましい。X線は波長が短く回折角が小さいため、有効な干渉を得るには、線源格子間距離を大きくし、回折格子の周期を小さくし、X線のエネルギーを低くして波長を長くする必要がある。溝部と畝部の幅をそれぞれ4μm以下とすると、実用的な線源格子間距離3m以内で実用的なX線のエネルギー10~40keVで有効な干渉像を得られる。また溝部と畝部の幅は同じときに位相像は最も鮮明になる。隣接するX線吸収部の間の溝部に樹脂が介装されていると、X線吸収部が倒れたり互いに接触することがなくなる。本発明のX線タルボ干渉計用回折格子の製造方法は、基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜を一方向に沿って所定間隔で切削して複数の溝部を彫り、隣接する前記溝部の間に畝状の金属層を形成する切削工程と、を有する。前記基板として、炭素かケイ素かアルミニウムのうちの少なくとも1つの元素を主成分とする材料を用いることが好ましい。基板として上記材料を用いることでX線透過率を高くすることができ、回折特性が向上する。前記基板と前記金属膜との間に、前記基板より硬度が低く、かつ前記金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む層を形成する中間層形成工程をさらに有すると好ましい。一般に基板は金属膜より硬いので、基板を削ると切削刃具を消耗するが、金属膜と基板の間に中間層を形成することにより、金属膜厚分を確実に切削して深い溝部を形成できると共に、基板より柔らかい中間層の一部を切削することで、切削刃具の消耗を防止する。またX線の吸収や位相シフトの量は金属膜の厚さに依存するため、溝部の底には金属膜の削り残しが存在しないことが好ましい。ところで多数の溝加工を行う場合の切削加工機の動きは、1回の溝彫りでは刃具を溝に沿った方向に動かすのみで、溝の深さ方向を一定にすることにより高速の加工を行えるようにしている。この場合、金属膜を削り残さないためには金属膜と中間層を含めた基板が平坦であることが好ましいが、各々の膜の膜厚、及び基板を切削加工機に装着したときのうねりは、それぞれ数ミクロン以下のばらつきがある。そこで金属膜と中間層を含めた基板の平坦度を好ましくは10μm以下にしながら、中間層をその平坦度以上の厚さに形成することにより、金属膜を削り残さず、刃具が基板を削って消耗することを防ぐことができる。硬度としてはビッカース硬度を採用することができる。前記樹脂が、ポリイミド及び/又はパラキシレン系ポリマーを含むと、機械強度に優れ、特に位相イメージング時にX線に対する耐久性が高いので好ましい。前記ポリイミドを真空注入法によって前記溝部に充填すると、溝部の深部までポリイミドが流入するので好ましい。前記パラキシレン系ポリマーを真空蒸着法によって前記溝部に充填すると、溝部の深部までパラキシレン系ポリマーが流入するので好ましい。前記切削工程において、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具を用いると、単結晶ダイヤモンドは硬度が高く、精密な溝加工が可能であるので好ましい。本発明のX線タルボ干渉計は、前記X線タルボ干渉計用回折格子を用いたものである。本発明によれば、溝のアスペクト比の高いX線タルボ干渉計用回折格子を容易かつ高精度で製造することができる。以下、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るX線タルボ干渉計100の概略構成を示す図である。X線タルボ干渉計100は、X線源2と、第1の回折格子10および第2の回折格子20と、X線画像検出器30とを備えている。第1の回折格子10および第2の回折格子20はz方向に所定距離だけ離間して平行に配置され、第1の回折格子10にz方向に沿って対向してX線源2が配置されている。又、第2の回折格子20にz方向に沿って対向してX線画像検出器30が配置されている。そして、観察対象となる試料4がz方向に沿って第1の回折格子10とX線源2の間に配置されている。第1の回折格子10および第2の回折格子20は、その平面に平行な一方向図1ではy方向に沿って延びつつ、互いに所定周期で離間する複数の溝部10a、20aが形成され図2の溝部の断面図参照、溝部10a、20aからX線を透過させる一方、隣接する溝部10aの間の短冊状の畝部10bでX線の位相をπ/2だけシフトして透過させ、畝部20bでX線を遮蔽吸収するようになっている。各溝部10a、20a及び畝部10b、20bは、図1のY方向に延びている。回折格子の材料としては、X線吸収能の高い金を用いると好ましい。なお、この実施形態では、畝部10bの幅間隔と溝部10aの幅間隔が等しく、畝部20bの幅間隔と溝部20aの幅間隔が等しい。X線タルボ干渉計100において、X線源2から試料4を介して第1の回折格子10にX線を照射すると、溝部10aを透過したX線と畝部10bを透過回折したX線とが互いに干渉する。そして、タルボ距離だけ離れた位置で透過直後と同じパターンの自己像が形成される。つまり、第1の回折格子10は、照射X線に位相変調を与える位相型回折格子を構成する。ここで、タルボ効果を生じさせるため、第1の回折格子10の畝部X線吸収部の周期d図2a参照を、X線源2から照射されるX線の可干渉性を確保するよう調整する必要がある。又、第1の回折格子10の後方自己像の位置に配置された第2の回折格子20は、第1の回折格子10により回折されたX線を回折して画像コントラストを形成し、第2の回折格子20の後方のX線画像検出器30で回折X線を検出する。画像コントラストを向上させるには、第2の回折格子20の溝部20aのX線透過率が高く、畝部20bのX線透過率が低いと良い。そのため、第2の回折格子20は第1の回折格子10より厚い振幅型回折格子であることが好ましい。ここで、第1の回折格子10の前方に試料4が配置され、照射X線は試料4内部において僅かに異なる光路を通過するため、このときの位相差によって干渉縞の様子が変化する。従って、自己像は変形し、自己像の位置に第2の回折格子20を重ねると、タルボ干渉像画像コントラストにモアレ縞が生じ、X線画像検出器30で検出される。生成されたモアレ縞が試料4によって受ける変調量は、試料4により照射X線が曲げられた角度に比例するため、モアレ縞を解析することで試料4とその内部構造を測定することができる。なお、モアレ縞の解析法の一つである縞走査法では、第1の回折格子10および第2の回折格子20をX方向に相対的にずらすことで、モアレ縞の位相が変化することに着目している。すなわちモアレ縞の位相を変化させて複数のタルボ干渉像を得た後、これを積分処理等して合成することにより、位相像試料4とその内部構造を得ることができる。又、試料4を回転させて多数の投影方向から微分位相像を取得し、これを積分処理等して合成して試料4の断層像CT像を得ることも可能である。なお、本発明のX線タルボ干渉計100は、X線源2と試料4との間にマルチスリットを配置したタルボロー干渉計も含む。マルチスリットを用いない場合、X線源2としては微小焦点X線源を用いる必要があるが、タルボロー干渉計の場合は通常X線源を用いることができる。ところでX線は波長が短いので、可干渉性を確保するためには、第1の回折格子10および第2の回折格子20の畝部の厚さを10μm以下程度としなければならない。さらに、位相型回折格子においては、位相シフト量がπ/2になるときに自己像のコントラストが最も高くなることから、これを実現するには、畝部の厚さ溝の深さを1~10μm程度とする必要があり、微細な加工や製造技術が要求される。例えば、各回折格子の畝部を金で形成する場合、畝部の厚さを1~3μm程度、銅で形成する場合、畝部の厚さを3~10μm程度とする必要がある。一方、振幅型回折格子として機能するためには、回折格子の溝部のX線透過率を高くし、畝部のX線透過率を低くする必要がある。このため、金を用いても畝部の厚さ溝の深さを10~100μm程度に深くすることが要求される。従って、回折格子の溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比が3以上場合によっては10以上と非常に大きくなる。このようなことから、X線吸収部畝部を微細に形成すると共に、その側壁の形状をシャープに溝の側壁の凹凸や側壁と底面の角の丸み径切削隅部の曲率半径を微細に形成する必要がある。そして、本発明者らは、例えば、硬度が高く精密な溝加工が可能な単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いて金属膜を切削することで、微細で側壁の形状がシャープなX線吸収部溝部を形成できることを見出した。図3は、本発明の実施形態に係るX線タルボ干渉計用回折格子20の構成を示す。X線タルボ干渉計用回折格子20は、上記した図1に示す第2の回折格子振幅型回折格子20であり、溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比が好ましくは3以上である。なお、本発明は、位相型回折格子である第1の回折格子10にも適用可能であるが、上記アスペクト比が高い振幅型回折格子に適用するとより好ましい。X線タルボ干渉計用回折格子20は、基板22と、基板上22に所定間隔で一方向に沿って複数形成された畝状で金属製のX線吸収部20bと、隣接するX線吸収部の間の溝部20aに介装された樹脂26とを有している。X線吸収部20bは、金属膜後述を切削して形成され、X線吸収部20bの側壁20sの凹凸、及び側壁20sと溝部の底との切削隅角部の曲率半径がそれぞれ0.1μm以下であると好ましい。なお、上記側壁の凹凸、直角度、真直度はほとんど刃具の形状に依存し、後述する超精密ナノ加工機の移動機構の精度は刃具の表面の凹凸より高い。又、X線吸収部20bと基板22との間には、中間層24が介装されている。基板22は、X線透過率を高くするため、例えば炭素、ケイ素及びアルミニウムの群から選ばれる少なくとも1つを主成分とする材料からなることが好ましい。基板22の組成の具体例としては、例えば、アモルファスカーボン若しくはシリコンのウェーハ、又は窒化シリコン若しくは炭化シリコンのメンブレン、又は3000系のアルミニウム板やアルミマグネシウム合金板などが挙げられる。基板22として上記材料を用いることでX線透過率を高くすることができ、良好な回折特性が得られる。またX線の吸収や位相シフトの量は金属膜の厚さに依存しているため、溝部の底に金属膜の削り残しが存在しないことが好ましい。ところで多数の溝加工を行う場合の切削加工機の動きは、1回の溝彫りでは刃具を溝に沿った方向に動かすのみで、溝の深さ方向を一定にすることにより高速の加工を行えるようにしている。この場合、金属膜を削り残さないためには金属膜と中間層を含めた基板が平坦であることが好ましいが、各々の膜の膜厚、及び基板を切削加工機に装着したときのうねりは、それぞれ数ミクロン以下のばらつきがある。そこで金属膜と中間層を含めた基板の平坦度を好ましくは10μm以下にしながら、中間層をその平坦度以上の厚さに形成することにより、金属膜を削り残さず、刃具が基板を削って消耗することを防ぐことができる。中間層24は、基板より硬度ビッカース硬度が低く、かつ金属膜X線吸収部20bとなる金属膜より有効原子番号が小さい元素を含む。この元素は、柔らかくてX線を通しやすい軽元素であればよく、金属たとえばアルミニウム、又は樹脂を挙げることができる。中間層24は、基板22上の金属膜を切削してX線吸収部20bを形成する際、深く切削し過ぎて切削刃具が基板22を削ることを防止する。一般に、基板22は金属膜より硬いので、基板22を削ると切削刃具を消耗するが、金属膜と基板22の間に中間層24を形成することにより、金属膜厚分を確実に切削して深い溝部を形成できると共に、基板22より柔らかい中間層24の一部を切削することで、切削刃具の消耗を防止する。なお、中間層自身はX線の吸収や位相変化が小さいので、X線吸収部20bを形成する際に中間層24の一部を切削しても差し支えない。中間層24としては、アルミニウム、又はアルミニウム層を含む多層膜とすることができる。但し、中間層24は必須の構成ではない。X線吸収部20bは金を主成分とした金属膜、例えば純金めっき膜、又は金ニッケル合金めっき、金ニッケルタングステン合金めっきであって金の重量割合が90以上の膜を切削することで形成でき、X線を効率的に吸収して回折格子の特性が向上する。なお、上記したように、金属膜は純金属だけでなく、合金も含む。樹脂26は、溝部の形成後に溝内に充填されてX線吸収部20bを保持し、X線吸収部20bが倒れたり変形するのを防止する。特に、樹脂26として、ポリイミド、パラキシレン系ポリマーの少なくとも1種を用いると、機械強度に優れ、特に位相イメージング時にX線に対する耐久性が高いので好ましい。パラキシレン系ポリマーとしては、パラキシレンポリマー、パラキシレンのベンゼン環の水素の一部又は全部を塩素で置換したポリマー、パラキシレンのα水素原子をフッ素で置換したポリマーが挙げられ、パリレンN、パリレンC、パリレンD、パリレンHTいずれも登録商標が市販されている。次に、図4~図7を参照し、金属膜を切削してX線吸収部20bを形成するのに好適な、単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する切削工具について説明する。単結晶ダイヤモンドは硬度が高く、精密な溝加工が可能である。図4は、単結晶ダイヤモンド切削刃具200を取り付けた工具本体バイト400を示す。単結晶ダイヤモンド切削刃具200は、略台形の台金300の先端に取り付けられて工具本体400を構成し、台金300の先端から単結晶ダイヤモンド切削刃具200の切れ刃図5参照が突出している。工具本体400は、図示しない切削加工機のホルダに固定され、後述するように、単結晶ダイヤモンド切削刃具200により被切削物に溝を彫ることができるようになっている。図5に示すように、単結晶ダイヤモンド切削刃具200は、すくい面201と、すくい面201にそれぞれ隣接する側面となる2つの第1逃げ面203、204と、すくい面201に隣接し、被削物500の切削面に対向する前逃げ面205と、すくい面201と前逃げ面205との境界部に形成される前切れ刃210と、すくい面201と第一逃げ面203、204との境界部に形成される2つの第1切れ刃213、214とを備えている。前逃げ面205及びすくい面201の形状は限定されず、平面であってもよく、曲面であってもよい。すくい面201は所定のすくい角0度又はすくい角がわずかに正方向に傾いていて、切削くずをすくい取るようになっている。第一逃げ面203、204又は前逃げ面205は、集束イオンビームFIBのエッチングにより形成されている。FIBのエッチングは、複雑な形状の加工ができると共に、結晶面を選ばずに加工ができるという利点がある。従って、ダイヤモンドの一番固い結晶面である111面をも容易に加工ができる。これに対し、例えば砥石による研磨では、ダイヤモンドの111面の研磨ができない。前切れ刃210の幅W1を4μm以下とすると、X線タルボ干渉計用の回折格子に適した微小な溝部を彫ることができるので好ましい。図6は、図5のA点から見た単結晶ダイヤモンド切削刃具200の平面図である。第1逃げ面203、204同士の間隔W2は、前切れ刃210の幅W1以下である。つまり、W2≦W1の部分が第1逃げ面203、204を構成し、第1逃げ面203、204より後端側前切れ刃210と反対側の部分の幅はW2より広がって強度を確保している。又、W2≦W1とすると、切削加工時に単結晶ダイヤモンド切削刃具200と被切削物との接触面積が減り、工具のビビリが起こり難くなるので精密な切削加工が行える。特に、図6に示すように、前切れ刃210からの第1逃げ面203、204の長さLを前切れ刃の幅W1の3倍以上とし、深い溝の切削を行うようにする場合、W2≦W1とすると被切削物との接触面積摩擦を低減する効果が大きい。なお、この実施形態では、前切れ刃210から後端に向かって幅W1で平行に延びた部分が第一切れ刃213、214を構成し、第一切れ刃213、214は前切れ刃210の近傍のみに形成されている。以上述べた単結晶ダイヤモンド切削刃具200工具本体400を切削加工機に取り付け、図7に示すようにして溝部20aを形成することができる。ここで、切削で形成される溝部の周期や深さは超精密ナノ加工機の分解能に依存しているため、切削加工機として分解能がnmレベルの超精密ナノ加工機を用いることが好ましい。超精密ナノ加工機としては、例えばファナック株式会社製の製品名FANUCROBONANOα0iBが市販されている。この超精密ナノ加工機は、リニアモータと同期ビルトインサーボモータを制御することにより、同時5軸を高精度にダイレクト駆動し、直線軸で1nmの分解能を有する。このような加工機を用い、図7に示すように単結晶ダイヤモンド切削刃具200により、金属膜20xの一方向図7の矢印方向に沿い、かつ該一方向に垂直な方向に所定幅W3の畝を残した引き切り加工を行う。これにより、金属膜20xが切削されて溝部20aが形成され、隣接する溝部20aの間に畝状のX線吸収部20bを形成することができる。なお、W1=W3とするとよい。ここで、単結晶ダイヤモンド切削刃具200で金属膜20xに溝部20aを彫るため、溝部の側面の凹凸、及び溝部の側面と底面との切削隅部の曲率半径がそれぞれ0.1μm以下の良好な加工が可能になり、レジスト樹脂を用いて形成した微細な溝スリット内に電鋳を行って回折格子を製造する従来技術に比べ、精度の高い回折格子が得られる。又、溝部20aの幅は前切れ刃210の幅W1と同値となり、溝部20aの深さLは第1逃げ面203、204の縦方向長さまで彫ることができる。この場合、図1に示す第2の回折格子振幅型回折格子を製造しようとすると、溝の深さ/溝の幅で表されるアスペクト比を高く例えば3以上する必要がある。そこで、硬度の高い単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いることで、刃具のL/W1が3以上に細長くしても、金属膜を十分に切削することができる。特に、上記したようにW2≦W1とした単結晶ダイヤモンド切削刃具を用いると、被切削物との接触面積摩擦を低減するので、アスペクト比の高い溝部20aを確実に切削することができる。次に、図8を参照し、X線タルボ干渉計用回折格子20の製造方法の一例について説明する。まず、シリコンウェハー基板22上に必要に応じて中間層24を形成した後、中間層24の上に金属膜20bxを形成する図8a;金属膜形成工程。中間層24はアルミニウム膜をイオンプレーティング又はスパッタ蒸着により形成する。中間層24を銅で形成する場合は、電気銅めっきで形成する。基板22と中間層24の間には、中間層の密着性を確保するために薄いクロム蒸着膜を付けても良い。金属膜20bxは金を電気めっきにより形成する。金属膜20bxの密着性を確保するために、中間層24の表面に金を薄く蒸着してから金を電気めっきしても良い。次に、上記した単結晶ダイヤモンド切削刃具200を用い、金属膜20bxを一方向図8の紙面に垂直な方向に沿って所定間隔で切削して複数の溝部20aを彫り、隣接する溝部20aの間に畝状のX線吸収部20bを形成する図8b;切削工程。切削の深さ方向の削り代を0.3~1μm程度にして複数回行うことにより、所定の深さの溝部20aを彫る。そして、必要に応じて、溝部20aに未硬化樹脂26xを充填する図8c;樹脂充填工程。ここで、未硬化樹脂26xは溝部20aを埋めると共に、X線吸収部20bの表面をも覆っている。上記したように、未硬化樹脂26xとして、ポリイミド、パラキシレン系ポリマーの少なくとも1種を用いると好ましい。ポリイミドを用いる場合は、真空注入法によって溝部20aに充填すると、溝部20aの深部までポリイミドが流入するので好ましい。又、パラキシレン系ポリマーを用いる場合は、真空蒸着法によって溝部20aに充填すると、溝部20aの深部までパラキシレン系ポリマーで成膜できるので好ましい。なお、真空注入法は真空に保った系に溝部20aを有する基板22を配置し、低分子量のポリイミドを系に導入して溝部20a内に流入させた後、紫外線照射や加熱によって架橋反応を起こして重合する方法である。またパラキシレン系ポリマーの真空蒸着による充填は、真空内でパラキシレンの2量体を175°C程度に加熱して蒸発させる。パラキシレン2量体の蒸気はその後680°C程度に加熱されて熱分解物質となる。パラキシレンの熱分解物質は溝部20aやX線吸収部20bの表面に到達すると、熱分解物質同士が反応して安定な蒸着膜となる。重合して硬化した未硬化樹脂26xの表面を研削又は灰化してX線吸収部20bの上面を表出させ、樹脂26と面一にする図8d。研削は、例えば精密な研削砥石を溝20aの切削と同じ方向に摺動させて上部にはみ出た樹脂を削り取る。又、灰化アッシングは、半導体技術で用いられる公知のアッシング装置技術を適用することができ、例えば、光励起アッシング、プラズマアッシングが挙げられる。本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。