信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子の駆動方法であって、第1の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第3の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第4の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第5の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定することを周期的に行うことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が入力された相関二重サンプリング回路とを備えたことを特徴とするカメラ。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が入力された相関二重サンプリング回路とを備えたカメラの駆動方法であって、第1の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第3の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用リセットレベルを前記相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第4の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用信号レベルを前記相関二重サンプリング回路でサンプルさせ、第5の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用信号レベルを前記相関二重サンプリング回路でサンプルさせることを周期的に行うことを特徴とするカメラの駆動方法。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が各々入力された第1および第2相関二重サンプリング回路とを備えたことを特徴とするカメラ。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が各々入力された第1および第2相関二重サンプリング回路とを備えたカメラの駆動方法であって、第1の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用リセットレベルを前記第1相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第3の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用リセットレベルを前記第2相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第4の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用信号レベルを前記第2相関二重サンプリング回路でサンプルさせ、第5の時刻に、前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用信号レベルを前記第1相関二重サンプリング回路でサンプルさせることを周期的に行うことを特徴とするカメラの駆動方法。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインと、ポリシリコン電極または金属電極で形成され、かつ前記第2浮遊拡散層に接続された容量とを有することを特徴とする固体撮像素子。信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子であって、前記第1リセットゲートのチャネル電位を前記第2リセットゲートのチャネル電位よりも浅くしたことを特徴とする固体撮像素子。上記特許文献1の技術では、1つ撮影シーンに暗く高いSN比を実現したい部分と明るく大きい飽和が欲しい部分とが同居しているときには対応できていないという課題があった。本発明の目的は、高いSN比と大きい飽和とを両立した、固体撮像素子、カメラ、およびその駆動方法を提供することにある。本発明の第1の観点による固体撮像素子の駆動方法は、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子の駆動方法であって、第1の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第3の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第4の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第5の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定することを周期的に行うことを特徴とする。本発明の第2の観点によるカメラは、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が入力された相関二重サンプリング回路とを備えたことを特徴とする。本発明の第3の観点によるカメラの駆動方法は、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が入力された相関二重サンプリング回路とを備えたカメラの駆動方法であって、第1の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、第3の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用リセットレベルを前記相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第4の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用信号レベルを前記相関二重サンプリング回路でサンプルさせ、第5の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用信号レベルを前記相関二重サンプリング回路でサンプルさせることを周期的に行うことを特徴とする。本発明の第4の観点によるカメラは、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が各々入力された第1および第2相関二重サンプリング回路とを備えたことを特徴とする。本発明の第5の観点によるカメラの駆動方法は、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子と、前記増幅器の出力が各々入力された第1および第2相関二重サンプリング回路とを備えたカメラの駆動方法であって、第1の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオンレベルにそれぞれ設定し、第2の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用リセットレベルを前記第1相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第3の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオンレベル、前記第1リセットゲートを0ボルトより深いチャネルレベルに設定されたオフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用リセットレベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用リセットレベルを前記第2相関二重サンプリング回路でクランプさせ、第4の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートを前記オフレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、高ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記高ゲイン用信号レベルを前記第2相関二重サンプリング回路でサンプルさせ、第5の時刻に前記電荷転送素子の最終蓄積電極をオフレベル、前記第1リセットゲートをオンレベル、前記第2リセットゲートをオフレベルにそれぞれ設定し、低ゲイン用信号レベルを前記増幅器より出力させ、前記低ゲイン用信号レベルを前記第1相関二重サンプリング回路でサンプルさせることを周期的に行うことを特徴とする。本発明の第6の観点による固体撮像素子は、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインと、ポリシリコン電極または金属電極で形成され、かつ前記第2浮遊拡散層に接続された容量とを有することを特徴とする。本発明の第7の観点による固体撮像素子は、信号電荷を出力部に転送する電荷転送素子と、前記電荷転送素子の終端に隣接して設けられ、かつ信号出力のための増幅器に接続された第1浮遊拡散層と、前記第1浮遊拡散層に隣接して設けられた第1リセットゲートと、前記第1リセットゲートに前記第1浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられた第2浮遊拡散層と、前記第2浮遊拡散層に前記第1リセットゲートとは反対側に隣接して設けられた第2リセットゲートと、前記第2リセットゲートに前記第2浮遊拡散層とは反対側に隣接して設けられたリセットドレインとを有する固体撮像素子であって、前記第1リセットゲートのチャネル電位を前記第2リセットゲートのチャネル電位よりも浅くしたことを特徴とする。本発明によれば、1つの撮影シーンに暗く高いSN比を実現したい部分と明るく大きい飽和が欲しい部分とが同居している場合でも、高いSN比と大きい飽和とを両立した、固体撮像素子、カメラ、およびその駆動方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。《第1の実施形態》図1および図2は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像素子100のCCD出力部における概略平面図および概略断面図である。p型のシリコン基板1または図示していないn型基板上に設けられたp型ウェルの主面に左方向より2相駆動CCDの転送電極であり、障壁部2と蓄積部3との対からなるH1電極4、同様なH2電極5、CCDの最終転送電極であるH2電極5に隣接して出力電極6が形成されている。出力電極6に隣接してn型の第1浮遊拡散層7が形成されており、第1浮遊拡散層7上にはコンタクトが設けられ、ソースフォロア増幅器8に電気接続されている。第1浮遊拡散層7の右方には第1リセットゲート9、n型の第2浮遊拡散層10、第2リセットゲート11、n型のリセットドレイン12がそれぞれ隣接して形成されている。CCDは埋込型であり、H1電極4、H2電極5、出力電極6の下方のシリコン基板1の表面にはn型の埋込チャネルが設けられている。スレッシュホールド電圧を設定するために、第1リセットゲート9および第2リセットゲート11の下方のシリコン基板1の表面にはn型のドープ層がそれぞれ設けられている。これらは埋込チャネルと同一工程で作成される。図3は、図1の固体撮像素子100の駆動タイミング図である。また、図4、図5、図6、図7および図8は、駆動タイミング図中の時刻t1、t2、t3、t4、t5の各々における電位分布図である。時刻t1では、図4に示すとおり、H2電極5はオンレベルにされており、信号電荷が蓄積されている。第1リセットゲート9と第2リセットゲート11がオンレベルにされ、第1浮遊拡散層7と、第1リセットゲート9下のチャネルと、第2浮遊拡散層10と、第2リセットゲート11下のチャネルとは、リセットドレイン12の電位と同一にされる。時刻t2では、図5に示すとおり、第2リセットゲート11がオフレベルにされ、第1浮遊拡散層7と、第1リセットゲート9下のチャネルと、第2浮遊拡散層10とが浮遊状態になる。これらの容量とソースフォロア増幅器8の入力容量、配線などの寄生容量の合計が大きい検出容量になる。時刻t2でのソースフォロア増幅器8の出力が大きい検出容量の場合のリセットレベルである。時刻t5において、大きい検出容量で信号電荷を検出することになる。時刻t3では、図6に示すとおり、第1リセットゲート9がオフレベルにされ、第1浮遊拡散層7と第2浮遊拡散層10とが互いに電気的に分離される。第1浮遊拡散層7の容量とソースフォロア増幅器8の入力容量、配線などの寄生容量の合計の容量が小さい検出容量になる。時刻t3でのソースフォロア増幅器8の出力が小さい検出容量の場合のリセットレベルである。時刻t4において、小さい検出容量で信号電荷を検出することになる。時刻t4では、図7に示すとおり、H2電極5がオフレベルにされ、信号電荷が出力電極6を通って、第1浮遊拡散層7へ転送される。第1浮遊拡散層7に貯められる信号電荷量は第1リセットゲート9のオフレベルのチャネル電位で決まる。左上から右下への粗いハッチング部分は、信号電荷が転送される以前から存在する電子を示す。右上から左下への細かいハッチング部分は、転送されてきた信号電荷電子を示す。信号電荷量が第1浮遊拡散層7に貯められる信号電荷量より小さい場合である。この場合、ソースフォロア増幅器8の出力は小さい検出容量の場合の信号出力になる。信号電荷量が第1浮遊拡散層7に貯められる信号電荷量より大きい場合、信号電荷の一部は第1リセットゲート9のオフレベルのチャネルを通って、第2浮遊拡散層10へ流れ込む。第1リセットゲート9のチャネル電位は出力電極6のチャネル電位より深いほうが好ましい。この状況の信号電荷電子を示したのが左上から右下への細かいハッチング部分である。この場合、ソースフォロア増幅器8の出力は信号電荷量に対応した信号を出力せず、飽和した値になる。時刻t5において、図8に示すとおり、第1リセットゲート9がオンレベルにされ、第1浮遊拡散層7と、第1リセットゲート9下のチャネルと、第2浮遊拡散層10とが1つの容量となる。ソースフォロア増幅器8の出力は、検出容量が大きい場合の信号出力になる。時刻t1から時刻t5までの動作を周期的に繰り返すことで、小さい検出容量の出力信号と大きい検出容量の出力信号との対を順次得ることができる。カメラでは小さい検出容量からの出力信号と大きい検出容量からの出力信号とを合成する。小さい検出容量の出力信号に対しては、小さい検出容量の飽和電荷量以下にしきい値を設定し、しきい値までは小さい検出容量からの出力信号を使用し、しきい値以上では大きい検出容量からの出力信号を使用する。《第2の実施形態》図9は、本発明の第2の実施形態に係るカメラの概略回路図である。図2と同一符号は同一構成要素を示す。ソースフォロア増幅器8の出力は相関二重サンプリング回路14に入力され、その後ADC15に入力される。相関二重サンプリング回路14には、サンプルスイッチ16とクランプスイッチ17とが設けられている。クランプスイッチ17を介してクランプされたリセットレベルを、サンプルスイッチ16を介してサンプルされた信号レベルから引き算し、その結果を出力する。リセットレベルを基準にしていることになる。相関二重サンプリング回路14の出力信号はADC15でデジタル信号に変換され、図示していないが、信号処理回路へ向かう。図10は、図9のカメラの駆動タイミング図である。図3と同一符号は同一の構成要素や意味を示す。図3に対して付加された、クランプスイッチ17とサンプルスイッチ16との駆動について説明する。時刻t3において、クランプスイッチ17がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている小さい検出容量の場合のリセットレベルをクランプスイッチ17を介してクランプする。時刻t4では、クランプスイッチ17はオフレベルにされ、サンプルスイッチ16がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている小さい検出容量の場合の信号レベルをサンプルスイッチ16を介してサンプルする。時刻t3でクランプされている小さい検出容量の場合のリセットレベルが、サンプルされた小さい検出容量の場合の信号レベルから差し引かれ、相関二重サンプリング回路14から出力され、ADC15でデジタル信号に変換される。時刻t5では、再度サンプルスイッチ16がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている大きい検出容量の場合の信号レベルをサンプルスイッチ16を介してサンプルする。時刻t3でクランプされている小さい検出容量の場合のリセットレベルが、サンプルされた大きい検出容量の場合の信号レベルから差し引かれ、相関二重サンプリング回路14から出力され、ADC15でデジタル信号に変換される。デジタル化された、小さい検出容量の場合の信号と大きい検出容量の場合の信号とは、信号処理回路で合成される。小さい検出容量の出力信号に対しては、小さい検出容量の飽和電荷量以下にしきい値を設定し、しきい値までは小さい検出容量からの出力信号を使用し、しきい値以上では大きい検出容量からの出力信号を使用する。小さい検出容量からの信号レベルは小さい検出容量からのリセットレベルを基準に相関二重サンプリングを行うために、リセット雑音とソースフォロア増幅器8の1/f雑音とが抑制される。一方、大きい検出容量からの信号レベルは小さい検出容量からのリセットレベルを基準に相関二重サンプリングを行うために、ソースフォロア増幅器8の1/f雑音は抑制されるが、リセット雑音の抑制は十分ではない。大きい検出容量からの信号レベルは光量の大きい場合に用いられる。光量が大きい場合、光ショット雑音が大きくなり、リセット雑音よりも大きくなる。このために、大きい検出容量からの信号レベルに対してリセット雑音の抑制が十分でなくても多くの撮影シーンに対応できる。《第3の実施形態》図11は、本発明の第3の実施形態に係るカメラの概略回路図である。図2、図9と同一符号は同一構成要素を示す。ソースフォロア増幅器8の出力は2個の相関二重サンプリング回路、すなわち、第1相関二重サンプリング回路18と第2相関二重サンプリング回路19とに入力され、その後それぞれ、第1ADC20と第2ADC21とに入力され、デジタル信号に変換され、図示していないが、信号処理回路へ向かう。第1相関二重サンプリング回路18には、第1サンプルスイッチ22と第1クランプスイッチ24とが設けられている。第2相関二重サンプリング回路19には、第2サンプルスイッチ23と第2クランプスイッチ25とが設けられている。図12は、図11のカメラの駆動タイミング図である。図3、図10と同一符号は同一の構成要素や意味を示す。図3に対して付加された、第1クランプスイッチ24、第1サンプルスイッチ22、第2クランプスイッチ25、第2サンプルスイッチ23の駆動について説明する。時刻t2において、第1クランプスイッチ24がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている大きい検出容量の場合のリセットレベルを第1クランプスイッチ24を介してクランプする。時刻t3において、第2クランプスイッチ25がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている小さい検出容量の場合のリセットレベルを第2クランプスイッチ25を介してクランプする。時刻t4では、第2サンプルスイッチ23がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている小さい検出容量の場合の信号レベルを第2サンプルスイッチ23を介してサンプルする。時刻t3でクランプされている小さい検出容量の場合のリセットレベルが、サンプルされた小さい検出容量の場合の信号レベルから差し引かれ、第2相関二重サンプリング回路19から出力され、第2ADC21でデジタル信号に変換される。時刻t5では、第1サンプルスイッチ22がオンレベルにされ、ソースフォロア増幅器8から出力されている大きい検出容量の場合の信号レベルを第1サンプルスイッチ22を介してサンプルする。時刻t2でクランプされている大きい検出容量の場合のリセットレベルが、サンプルされた大きい検出容量の場合の信号レベルから差し引かれ、第1相関二重サンプリング回路18から出力され、第1ADC20でデジタル信号に変換される。デジタル化された、小さい検出容量の場合の信号と大きい検出容量の場合の信号とは、信号処理回路で合成される。小さい検出容量の出力信号に対しては、小さい検出容量の飽和電荷量以下にしきい値を設定し、しきい値までは小さい検出容量からの出力信号を使用し、しきい値以上では大きい検出容量からの出力信号を使用する。小さい検出容量からの信号レベルは小さい検出容量からのリセットレベルを基準に相関二重サンプリングを行うために、リセット雑音とソースフォロア増幅器8の1/f雑音は抑制される。大きい検出容量からの信号レベルは大きい検出容量からのリセットレベルを基準に相関二重サンプリングを行うために、同じく、リセット雑音とソースフォロア増幅器8の1/f雑音共に抑制される。このために、小さい検出容量からの信号が使用される撮影シーンの暗い部分から、大きい検出容量からの信号が使用される撮影シーンの明るい部分まで、リセット雑音が抑制された高SN比の画像が得られる。《第4の実施形態》小さい検出容量は微細化技術の許す限り小さくし、高SN比を実現することが求められる。一方、大きい検出容量は小さい検出容量の数倍から10倍程度に設定することが望まれる。このために、第2浮遊拡散層10の容量が大きいことが求められる。拡散層を大きくして容量を大きくする場合、面積が大きくなりチップコストが大きくなる、第2浮遊拡散層10で発生する暗電流が増加する、リセットの時定数が大きくなる、という欠点がある。図13および図14は、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像素子110のCCD出力部における概略平面図および概略断面図である。図1および図2と同一符号は同一構成要素を示す。第2浮遊拡散層10に付加容量26が接続されている。付加容量26はポリシリコン電極または金属電極で形成された容量である。第2浮遊拡散層10上にコンタクトホールを設け、ビアを介して第2浮遊拡散層10と付加容量26の下部電極とが接続されている。付加容量26の上部電極はDC電源、または、接地に接続されている。ポリシリコン電極または金属電極で形成された容量の場合、他の回路の上に形成することができ、また、容量を分割し、容量自身を多層に形成することが可能で面積を小さくすることが可能である。また、拡散層容量のように、暗電流が増加することはない。さらに、特に金属電極を用いた場合には、電気抵抗が小さく、リセット時の時定数の増加を抑制することができる。《第5の実施形態》本発明の第5の実施形態の固体撮像素子について、図1および図2を用いて説明する。第1~第4の実施形態では、第1リセットゲート9のチャネルと第2リセットゲート11のチャネルとは同一工程で形成され、同一の不純物分布である。第5の実施形態の固体撮像素子100では、第1リセットゲート9のチャネル電位を第2リセットゲート11のチャネル電位より浅くする。撮影シーンのうちのできるだけ多くの部分に対して、SN比が大きい、小さい検出容量による信号を用いた方が画質が良くなる。このためには、小さい検出容量の飽和を大きくすることが好ましい。この目的で、第1リセットゲート9のチャネル電位を第2リセットゲート11のチャネル電位より浅くしているのである。