硫酸1~25重量、過酸化水素0.5~10重量、エチレングリコール誘導体0.01~5重量を含有し、かつ硫酸と過酸化水素のモル比H2SO4/H2O2が0.65~1.40であることを特徴とする銅または銅合金表面用処理剤。前記のエチレングリコール誘導体が、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載の銅または銅合金表面用処理剤。硫酸1~25重量、過酸化水素0.5~10重量、エチレングリコール誘導体0.01~5重量を含有し、かつ硫酸と過酸化水素のモル比H2SO4/H2O2が0.65~1.40であることを特徴とする処理剤を用いて、銅または銅合金表面をスプレーエッチング処理した時の銅厚みバラツキ最大厚みと最小厚みの差を0.5μm以下にする銅または銅合金表面の処理方法。エチレングリコール誘導体が、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項3記載の銅または銅合金表面の処理方法。本発明は、銅または銅合金に対してスプレーエッチング処理時に銅および銅合金の表面の均一性に優れるバラツキの小さい銅または銅合金表面を得るための表面用処理剤および表面の処理方法を提供することを目的とする。本発明者らは、硫酸、過酸化水素、エチレングリコール誘導体を含有する金属表面用処理剤で、銅または銅合金表面をスプレーエッチング処理した時の表面を均一に出来ることを見出し本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は以下の通りである。1.硫酸1~25重量、過酸化水素0.5~10重量、エチレングリコール誘導体0.01~5重量を含有し、かつ硫酸と過酸化水素のモル比H2SO4/H2O2が0.65~1.40であることを特徴とする銅または銅合金表面用処理剤。2.前記のエチレングリコール誘導体が、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびエチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載の銅または銅合金表面用処理剤。3.硫酸1~25重量、過酸化水素0.5~10重量、エチレングリコール誘導体0.01~5重量を含有し、かつ硫酸と過酸化水素のモル比H2SO4/H2O2が0.65~1.40であることを特徴とする処理剤を用いて、銅または銅合金表面をスプレーエッチング処理した時の銅厚みバラツキ最大厚みと最小厚みの差を0.5μm以下にする銅または銅合金表面の処理方法。4.エチレングリコール誘導体が、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項3記載の銅または銅合金表面の処理方法。本発明の銅または銅合金表面処理剤によって、従来困難であった銅または銅合金表面の面内均一性を向上させるバラツキの小さいことができ、産業上の利用価値は極めて高い。本発明の硫酸の濃度は、1~25重量であり、好ましくは2~20重量であり、更に好ましくは3~15重量であり、特に好ましくは5~10重量である。濃度が1重量未満では十分な銅の溶解速度が得られず、また濃度が25重量を越えるとそれ以上の溶解速度向上が得られず経済上好ましくない。過酸化水素の濃度は、0.5~10重量であり、好ましくは1~8重量、更に好ましくは2~7重量であり、特に好ましくは3~6重量である。濃度が0.5重量未満では金属に対する酸化効果が期待できず十分な銅の溶解速度が得られず、また濃度が10重量を越えるとそれ以上の酸化効果が得られず経済上好ましくない。硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素が0.65~1.40であり、好ましくは0.70~1.35で、更に好ましくは0.75~1.30であり、特に好ましくは0.80~1.20である。エチレングリコール誘導体は、処理液の表面張力を低下させる効果があり、銅または銅合金をエッチング処理時に表面平滑性が良好となる。エチレングリコール誘導体の中でも、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルが挙げられるが、これらのうち好ましいものは、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルである。エチレングリコール誘導体の濃度は、0.01~5重量であり、好ましくは0.02~2重量であり、特に好ましくは0.05~1重量である。本発明の処理剤は、主に処理剤をノズルから噴霧して対象の銅基板に吹きつけエッチングを行うスプレー法で使用する。スプレー圧力は、0.03~0.30MPaが好ましく、より好ましくは0.05~0.25MPaであり、特に好ましくは0.10~0.20MPaである。本発明の処理剤を使用時の銅及び銅合金の溶解速度は、種々の条件下で変化するが、例えば30°Cの処理条件下で、1~15μm/分であり、好ましくは3~12μm/分で、特に好ましくは5~10μm/分である。本発明の処理剤の使用温度に関しては特に制限はないが、20~50°Cであり、好ましくは25~40°Cで、更に好ましくは25~35°Cである。使用温度が高いほど銅の溶解速度は早くなるが、50°Cを越えると過酸化水素の分解が激しくなり好ましくない。本発明の処理剤を使用時の銅または銅合金の溶解量エッチング量は、用途によって異なるが一般的に1~20μmである。以下に実施例及び比較例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。銅厚み測定;渦電流方式膜厚計FISCHER製を使用して、銅張積層板サイズ500mm×500mm面内で16ヶ所において、エッチング処理前後に測定した。銅厚み面内バラツキ:以下の式により算出した。バラツキμm=処理後銅厚み最大値-処理後銅厚み最小値実施例112μm厚みの電解銅箔三井金属鉱業製3EC-IIIを絶縁材と接着した銅張積層板サイズ:500mm×500mmを硫酸7wt、過酸化水素3wt硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素=0.81、エチレングリコールモノメチルエーテル0.05wt表1、残部が水である組成からなる処理剤でスプレー式エッチング装置東京化工機製を使用して、液温30°C、スプレー圧0.2MPaでスプレーエッチング処理して電解銅箔の厚みを3μmまで薄くした。処理した積層板の表面の銅厚み測定16ヶ所した結果、処理後銅厚み最大値は3.2μm、処理後銅厚み最小値は2.8μmで銅厚みバラツキは0.4μmであった。銅厚み等高線図を図1に示す。図1に見られるように2500cm2の正方形において凹凸が小さく、面全体おいて均一であることが分かる。実施例2実施例1より硫酸10wt、過酸化水素4wt硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素=0.87、エチレングリコールモノエチルエーテルをエチレングリコールモノイソプロピルエーテル0.5wtに変更した以外は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは0.5μmであった。実施例3実施例1より硫酸20wt、過酸化水素7wt硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素=0.99、エチレングリコールモノエチルエーテルをエチレングリコールモノブチルエーテル1wtに変更した以外は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは0.4μmであった。実施例4実施例1より硫酸15wt、過酸化水素5wt硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素=1.04、エチレングリコールモノエチルエーテルをエチレングリコールモノブチルエーテル2wtに変更した以外は実施例1と同様に行った。銅厚みのバラツキは0.5μmであった。実施例5実施例1より硫酸5wt、過酸化水素1.5wt硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素=1.16、エチレングリコールモノエチルエーテルをエチレングリコールモノブチルエーテル4wtに変更した以外は実施例1と同様に行った。銅厚みのバラツキは0.4μmであった。比較例1エチレングリコール誘導体を含有しない組成で実施例1と同様に行なった結果、処理後銅厚み最大値は4.0μm、処理後銅厚み最小値は2.2μmで銅厚みバラツキは1.8μmであった。銅厚み等高線図を図2に示す。図2に見られるように2500cm2の正方形において凹凸が大きく、面全体おいて均一でないことが分かる。比較例2硫酸と過酸化水素のモル比硫酸/過酸化水素が1.74である組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.5μmであった。比較例3特許文献1の実施例1に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.8μmであった。比較例4特許文献2の実施例5に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.0μmであった。比較例5特許文献3の実施例1に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.2μmであった。比較例6特許文献4の実施例1に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.7μmであった。比較例7特許文献5の実施例1に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは1.8μmであった。比較例8特許文献6の実施例1に記載された組成で、他は実施例1と同様に行なった。銅厚みのバラツキは2.8μmであった。