表面増強光検出のための基板100であって、導電層110と、導電部分を含む少なくとも1つのナノ粒子140と、少なくとも1つのナノ粒子140から導電層110を離す誘電体スペーサ130と、を含み、誘電体スペーサ130は、実質的に少なくとも1つのナノ粒子の下にのみ存在して、ナノ粒子140から離れた場所で導電層110を誘電体材料で被覆されないようにし、少なくとも1つのナノ粒子140と誘電体スペーサ130は主表面に沿って接続し、少なくとも1つのナノ粒子140は誘電体スペーサ130の直立面と一致しない直立面を含む基板。少なくとも1つのナノ粒子140は、少なくとも1つのナノリングである請求項1に記載の基板。誘電体スペーサ130は、少なくとも1つのナノ粒子140の下に配置された誘電体ナノリングである請求項2に記載の基板。少なくとも1つのナノ粒子140は、ナノディスクである請求項1に記載の基板。誘電体スペーサ130は、少なくとも1つのナノ粒子140の下に配置された誘電体ディスクである請求項1、2または4に記載の基板。誘電体スペーサ130の直径は、導電層110の方を向くナノ粒子140の底側を、部分的に被覆しないように適用される請求項1~5のいずれかに記載の基板。ナノ粒子140、誘電体スペーサ130および導電層110は、基板100で四重極電荷分布を有するように配置された請求項1~6のいずれかに記載の基板。導電層110は部分的にパターニングされて、誘電体スペーサ130の下にのみ局所的に存在する上部1502と連続膜である底部1504とを含む請求項1~7のいずれかに記載の基板。基板100は、表面増強光検出に基づく検出用の検出デバイスに統合された請求項1~8のいずれかに記載の基板。検出デバイスは、グルコースを検出するように適用される請求項9に記載の基板。導電層110は、金、銀またはアルミニウムの層である請求項1~10のいずれかに記載の基板。表面増強光検出に適した基板100を製造する方法であって、サポート基板120を得る工程と、サポート基板120の上に導電層110を形成する工程と、導電層110の上に誘電体スペーサ層を形成する工程と、誘電体スペーサ層の上に少なくとも1つのナノ粒子140を形成し、誘電体スペーサ材料が少なくとも1つのナノ粒子140の下に位置しない場所において誘電体スペーサ層を除去し、少なくとも1つのナノ粒子140と誘電体スペーサ130とを第1主表面に沿って接続させ、ナノ粒子140は誘電体スペーサの直立面と一致しない直立面を含む工程と、を含む方法。誘電体スペーサ材料を除去する工程は、少なくとも1つのナノ粒子の下に誘電体スペーサが配置されない場所で、誘電体スペーサ材料をエッチングする工程を含む請求項12に記載の方法。更に、導電層を部分的にパターニングして、誘電体スペーサ130の下にのみ部分的に存在する導電層の上部1502と、連続膜である導電層の下部1504を形成する工程を含む請求項12または13に記載の方法。表面増強光検出を行う方法であって、この方法は表面増強光検出のために基板を使用する行程を含み、基板は導電層と、導電部分を含む少なくとも1つのナノ粒子と、少なくとも1つのナノ粒子から導電層を離す誘電体スペーサとを含み、誘電体スペーサ130は、実質的に少なくとも1つのナノ粒子140の下にのみ存在して、ナノ粒子140から離れた場所で導電層110を誘電体材料で被覆されないようにし、少なくとも1つのナノ粒子140と誘電体スペーサ130は第1主表面に沿って接続し、少なくとも1つのナノ粒子140は誘電体スペーサ130の直立面と一致しない直立面を含む方法。本発明の具体例で、ナノ粒子という場合は、例えば開いたナノ粒子、球状ナノ粒子、ナノディスク等のような全てのタイプのナノ粒子をいう。本発明の具体例で、ナノ形状という場合は、ナノポア、ナノホール、ナノ粒子等をいう。ここで使用され、他に言及が無い限り、開いたナノ粒子opennanoparticlesの文言は、ナノリングまたは開いたナノシェルまたは開いたシェルナノ粒子であるナノ粒子をいう。開いたナノシェルや開いたナノシェル粒子は、誘電体コアと、コアの周囲の不完全または部分的な導電層を備えたナノ粒子をいう。ナノリングまたはナノ粒子は、リングまたはドーナツ形の形状を有するナノ構造である。開いたナノシェルは、ナノ球体の非球形対称部分でも良い。ここで使用され、他に言及が無い限り、ナノnanoの文言は、1nmと2000nm、特徴的には1nmと1000nmの間の典型的な特徴的長さを有する物質を言うために使用される。本発明にかかる具体例でナノ粒子から離れた位置の誘電体材料という場合、ナノ粒子の下の誘電体材料の存在をいう。本発明にかかる具体例でナノ粒子の下にunderthenanoparticlesと言う場合、ナノ粒子の導電部分の位置、またはそれにより閉じ込められた領域をいう。本発明は、本発明の様々な具体例の詳細な記載により記載される。添付した請求項の文言によってのみ限定される本発明の技術的な示唆から離れることなく、当業者の知識により本発明の他の具体例が形成できることは明らかである。第1の形態では、本発明は、センシングに基づいた、例えば表面増強ラマン分光SERSのような表面増強光検出に適した基板に関する。基板は、導電層、少なくとも1つのナノ粒子、および少なくとも1つのナノ粒子を導電層から離すスペーサを含む。本発明の具体例では、誘電体スペーサは、実質的に少なくとも1つのナノ粒子の下にのみ存在し、ナノ粒子から離れた場所で、導電層を誘電体材料で被覆されないようにする。少なくとも1つのナノ粒子は、少なくとも1つの開いたナノ粒子でも良い。少なくとも1つの開いたナノ粒子は導電部分を含み、これにより導電部分は下層の材料に開口部を提供してもよい。開口したナノ粒子はこのように、例えばナノリングまたは開いたナノシェルである。少なくとも1つのナノ粒子は、また、より小さな直径を有する誘電体ナノディスクにより支持されたナノディスクでも良い。基板は、特徴的には、表面増強光検出のための高い増大因子を提供する。記載の方法により本発明の具体例をこれに限定するのではなく、本発明の少なくともいくつかの具体例の特徴や長所のより詳細な記載が、図1に示すような例示の基板の開示について記載される。センシングに基づく表面増強光検出に適した基板100は、サポート層またはベース基板120の上に配置されてもよい導電層110を含む。そのようなサポート層は、いずれの適切な材料から形成されても良い。基板はいずれの材料でも良く、導電性でも良い。それは、例えば金属、誘電体、または半導電性材料を含んでも良い。基板に適した金属の例とは、これらに限定されるものではないが、Ti、Cu、Al、Au、Agを含む。基板に適した誘電体材料は、これらに限定されるものではないが、特に、ガラス、石英、雲母、Si3N4、Al2O3およびポリマーを含む。基板に適した半導体材料の例は、これに限定されるものではないが、特にSi、Ge、GaAs、IV族半導体材料、III-V族半導体材料、II-VI族半導体材料、および黄銅鉱を含む。具体例では、基板は平坦な基板、湾曲した基板、または他の表面形状で良い。好適には、基板は平坦な表面を含む。導電層110は、金属材料例えば特に金Au、銀Ag、ニッケルNi、チタンTi、アルミニウムAl、銅Cu、またはプラチナPt、半金属材料、または好適にはドープされた半導体材料例えば特にSiまたはGaAs、またはこの分野で使用されるいずれかの導電性材料から形成されても良い。好適な導電性材料は、金属とドープされた半導体である。更に好適には、導電性材料は金属である。導電層110は単体の導電性材料でもよく、または例えば上記リストから選択された異なる導電性材料を含んでも良い。いくつかの好適な具体例では、導電層110は、Au、AgおよびAlからなるグループから選択される少なくとも1つの材料を含む。もっとも好適には、導電層110は金から形成される。様々な厚さの導電層110が適切である。導電層110の厚さは例えば20nmから200nm、25nmから100nm、または30nmから50nmである。厚さは表面プラズモンを支持するのに十分な厚さ即ち、少なくとも表皮厚と同程度であるべきである。基板100は、更にナノ粒子から導電層110を離す誘電体スペーサ130を含む。誘電体スペーサ130は誘電体材料から形成されても良く、二酸化シリコンSiO2、ポリスチレンのようなポリマー、Fe2O3のような磁気材料、または他の磁気酸化物を含んでも良い。誘電体スペーサ130は、1つの材料から形成されても、または上記リストから選択できるいくつかの材料を含んでも良い。有利には、誘電体スペーサ130は、エッチング可能という追加の長所を有するSiO2、シリカ、を含むまたは、からなる。誘電体スペーサ130の厚さは5nmと100nmの間、例えば10nmと50nmとの間でも良い。誘電体スペーサ130は、いくつかの具体例ではパターニングされた電気的絶縁層に基づく。本発明の具体例では、誘電体スペーサ130は、一般には少なくとも1つのナノ粒子の下のみに存在し、ナノ粒子が存在しない位置で、誘電体層110が誘電体材料に被覆されないで残る。より広い面積の自由な導電性表面が存在するため、より高集積化された電界増大では後者が有利である。そのような構造の模式的な例を図2に示す。ナノ粒子が存在する領域の実質的に下にのみ、誘電体スペーサ130が示される。基板100は、更に、少なくとも1つのナノ粒子140を含むが、有利には複数のナノ粒子140を含む。ナノ粒子140は、より再現性の良い単分散でも良く、またはより広い共鳴を提供する大寸法の分散を有しても良い。本発明の所定の具体例では、ナノ粒子140は埋められない。他の具体例では、ナノ粒子140をつなぐマトリックスが存在し、ナノ粒子140とマトリックスを含む層が誘電体スペーサ130の上に存在する。マトリックスは、ナノ粒子の間のバインダとして働くいずれの材料でも良い。半透明または透明のポリマーが好ましいが、好適には、マトリックスは、適切なバインディング特性を有するいずれかのポリマーのポリマーマトリックスである。少なくとも1つのナノ粒子140は、基板100の表面上に分散した複数のナノ粒子140でも良い。それらは、単層のナノ粒子140の層として提供される。10と30の間、または30と60の間、または60と80の間、最も良い場合は80より多く、多くて90で基板を覆う単層を形成するために、ナノ粒子140は、緩く充填され、または高密度に充填される。被覆は、10から80またはより多く90までまで、ナノ粒子140の濃度により変えられる。ナノ粒子の間に存在する自由空間の少なくとも一部は、空間的な制限により、ナノ粒子の形状により決定される。誘電体スペース130は、ナノ粒子のバインディングのために機能的にされて、表面において高密度に充填されたナノ粒子140が得られてもよい。接着即ち、機能化分子の例は、これには限定されないが、オルガノシランを含み、好適にはオルガノシランは、特に3-メルカプトプロピル-トリメトキシシラン3mercaptopropyltrimethoxysilaneまたは3-メルカプトプロピル-トリエトキシシラン3mercaptopropyltriethoxysilaneを含む。機能化分子は、基板上に機能化層を形成しても良く、基板上でナノ粒子を静止させても良い。より高い程度の被覆は、また並列の、または非常に大寸法のナノ粒子の分散により得られる。本発明の他の具体例では、ナノ粒子は多層構造として提供される。そのような多層は、例えば、層を積み上げた層でも良く、または電場閉じ込め効果と光場閉じ込め効果を提供しても良い。ナノ粒子は、ナノディスク、ナノ球体、開いたナノ粒子等でも良い。いくつかの具体例では、開いたナノ粒子が使用され、これは下層の材料に開口部を提供する導電部分を含む。この要求を満たすナノ粒子は、例えばナノリングまたは開いたナノ球体である。以下において、2つの例が、より詳細に記載される。少なくとも1つのナノ粒子は、例えば少なくとも1つのナノリング、即ちリング形状またはドーナツ形状のナノ粒子である。そのようなナノリングは、60~1000nmの範囲の直径と、15~200nmの範囲のリング幅と、10~100nmの範囲のリング高さを有しても良い。ナノリングの形状は、中央において、下層の材料に対する、例えば下層の電気的絶縁層または導電層に対する開口部が、導電部分の中に形成される。導電部分は、金属材料例えば、金Au、銀Ag、ニッケルNi、チタンTi、アルミニウムAl、銅CuまたはプラチナPt、半金属材料、または好適にはドープされた半導体材料例えば特にSiまたはGaAs、またはこの分野で使用される他のいずれかの導電性材料から形成されても良い。好適には、導電性材料は金属およびドープされた半導体である。更に好適には、導電性材料は金属である。導電部分は、単体の導電性材料から形成されても良く、または例えば上記リストから選択される異なる導電性材料を含んでも良い。いくつかの好適な具体例では、ナノリングの導電部分は、Au、Ag、およびAlからなるグループから選択される少なくとも1つの材料を含む。更に好適には、導電部分は金から形成される。少なくとも1つのナノ粒子は、より小さい直径を有する誘電体ナノディスクにより支持されたナノディスクでも良い。図示の方法により、図3には、本発明の具体例にかかる、複数のナノリングから離れた導電層を含む基板の例が示される。いくつかの具体例では、開いたナノ粒子は開いたシェルナノ粒子である。開いたシェルナノ粒子は、導電性の開いたシェルを形成する導電部分を含み、即ち、導電性シェルは開口部を含み、下層の材料の一部が露出する。それらは、球状または立方体のような形状を有する。好適には、それらは実質的に球状である。導電部分即ちシェルは、金属材料例えば特に金Au、銀Ag、ニッケルNi、チタンTi、アルミニウムAl、銅CuまたはプラチナPt、半金属材料、または好適にはドープされた半導体材料例えば特にSiまたはGaAs、またはこの分野で使用される他のいずれかの導電性材料から形成されても良い。好適には、コアとシェルは異なる材料から形成され、コアは誘電体でシェルは導電性材料である。コアの一部は、導電性材料即ち被覆されない部分で被覆されず、または中空のナノシェルの場合は、存在せずに、そこを通って中空ナノシェルの内側が接続できるシェルの一部は70と1の間で変化し、もし移動可能なイオン源がエッチングプロセスに使用された場合、コアの全表面積の60と5の間が好ましく、50と5の間が特に好ましく、45と5の間が更に好ましく、40と5の間が更に好ましく、30と5の間が更に好ましく、20と5の間が更に好ましく、20と10の間が更に好ましい。開いたナノシェルは、誘電体コアを有しても有さなくても良い。コアは好適には誘電体材料から形成され、例えば二酸化シリコンSiO2例えばナノ粒子を形成するために使用されるコア粒子が二酸化シリコンコロイドである、ポリスチレンのようなポリマー、Fe2O3のような磁気材料、または他の磁気酸化物を含んでも良い。コア粒子は、1つの材料から形成され、または例えば上記リストから選択される多くの材料を含んでも良い。コアが1つより多くの材料を含む場合、もしコアの外部表面が誘電体の場合、これは、導電性材料と誘電体材料の双方を含むことも可能である。例えば、コアは、誘電体コートで覆われた導電性の核から形成されても良い。重要な因子は、少なくともコアの外部表面が誘電体であることである。好適には、コアはSiO2を含みまたは、からなり、知りかはエッチング可能な追加の長所を有する。コアの形状は好適にはシェルの形状と同一である。様々なコアの大きさのナノシェルが適切である。具体例では、開いたナノシェルは、導電性の開いたシェルにより部分的に囲まれた誘電体コアを含む。コア粒子の大きさ即ちコアサイズは、50nmから2000nm、60nmから1500nm、または80nmから1000nmで、好適には80nmから400nmである。導電層即ち、ナノシェル層の厚さは、5nmから100nm、7nmから50nm、または10nmから30nm、または10nmから100nmである。開いたナノシェルは、大多数の、好適には90以上、より好適には実質的に全ての開いたナノシェルが、基板から離れる方向の開口部を有するように即ち、開口部が基板の触れないように、即ち、開口部が基板から離れる方向を向くように、開いたナノシェルは基板上に配置されても良い。具体例では、もし粒子の中心から開口部の中心に矢を放ったら、この矢は好適には基板には向かわず、基板から離れるように向かう。例えば、この矢は基板に対して0から90°、好適には45から90°の角度を形成する。換言すれば、ナノ粒子は、基板と隣り合ったナノ粒子の半分または側面に対向するナノ粒子の半分または側面で、シェルの開いた部分の中心を有する。図4は、誘電体層130によりナノ粒子140から離された導電層110を含む、基板上の開いたシェルナノ粒子の例を示す。開いたナノシェル好適には単層構造を有する本発明の具体例にかかる基板は、表面増強ラマン散乱SERSに基づく生体分子の検出のような、様々なセンシング応用のための、基板上への開いたナノシェルの安定した高密度配置を提供する。特に、比較的小さな粒子サイズを有し近赤外NIRで光応答を有する、小さなコアサイズ<100nmおよび薄いシェル厚さ<10nmを有するナノシェルが、優位には多くの応用に用いられ、所定の主要に対する生物医学的な像および温熱療法のような、様々な応用に使用される。開いたナノ粒子の例が詳しく上述されるが、いくつかの具体例の本発明は、また、ディスク形状のナノ粒子またはナノ球体を含む基板に関する。基板の金属含有量が高く、この結果、最大および平均の電磁場増大が改良されることが、本発明にかかる具体例の長所である。1つの具体例では、スペーサの厚さおよびナノ粒子および/または導電層の性質の調整が、基板の動作の光波長の調整を可能にする。本発明の他の形態では、いくつかの具体例は、基板が、導電層、導電部分を含む複数のナノ形状、およびナノ形状から導電層を離す誘電体スペースを含む、表面増強光検出のための基板である。いくつかの具体例では、複数のナノ形状は、導電膜中のナノホールまたはナノポアでも良い。そのような具体例の可能な置き換え、即ち、増大された電場にする四重極共鳴が得られる置き換えは、3層構造であり、上部導電膜中の複数のナノポールまたはナノポアとして、ナノ形状が置き換えられる。この構造は、更に、上記具体例と同様に、導電性下層および誘電体スペース層を含む。導電性下層は、上述のいずれかの導電層、例えば連続した金属例えばAu膜でも良い。誘電体スペーサは、上述のいずれかのタイプの誘電体層、例えば連即した誘電体膜例えばSiO2でも良い。ナノ形状は、上部導電層中のナノポアまたはナノホールとして提供されても良い。例えば、上部導電層は、箔層で、例えば20nmから50nmの範囲を有しても良い。これは、適した導電層、例えばAuのような金属から形成されても良い。ナノ形状は、導電性上層中に貫通したナノポアまたはナノホールとして提供されても良い。いくつかのグ痛い例では、ナノポールは有利には50~200nmの直径を有する。ナノポールの製造方法の1つの例が、PrikulisinNanoLetters200410031007頁に記載されている。動作では、孔が貫通した上部導電層中に、光が金属膜中で表面プラズモンを誘起し、孔の中で共鳴させるそして、続いて電場が増強される。ホール共鳴holeresonanceの励起は、下部導電層中で映像電荷を形成し、低減された線幅とより大きな電場増強を示す四重極励起となる。更に、上部導電層および/または誘電体スペースの膜厚を調整することで、共鳴波長の調整が可能となる。大きな量の金属が表面を覆うことが、表面増強ラマン散乱にいての本発明にかかる具体例の長所である。本発明の具体例では、少なくとも1つのナノ粒子および誘電体スペースは、少なくとも1つのナノ粒子および誘電体スペースが第1主表面に沿って接続するように配置されても良い。そのような第1主表面は、基板を通る平均的な平面averageplaneと平行でも良い。第1主表面1402は、図14aから図14cに示される本発明の異なる具体例で示される。同様の方法で、ナノ粒子1404の直立面および誘電体スペーサ1406の直立面も、図14aから図14cに示される。本発明の具体例では、直立面および第1主表面は、互いに少なくとも45°の角度を形成する。本発明の具体例では、少なくとも1つのナノ粒子および誘電体スペーサが、第1主表面に沿って接続され、少なくとも1つのナノ粒子は、誘電体スペーサの直立面とは一致しない直立面を含む。後者は、ナノ粒子の内側において、またはナノ粒子と誘電体スペーサにより形成された構造の内部の角において、高電界のスポット、即ちホットスポットとも呼ばれる、が使用中に存在し、この結果良好な電界増強となるという長所となる。記載の方法では、本発明の具体例はこれには限定されないが、ナノリングおよびナノディスクに基づく多くの例が示され、ここでは少なくとも1つのナノ粒子および誘電体スペーサが上述の条件を満たす。図14aから図14cに示された例から始めて、例えばナノ粒子が開いたナノシェルのような代わりに具体例を当業者が導き出すことは明らかである。図14aでは、少なくとも1つのナノ粒子がナノリング140で、誘電体スペーサ130がナノディスクである第1の例が示されている。更に、また、導電層110、主表面1402、および直立面1404、1406が示されている。図14bでは、少なくとも1つのナノ粒子がナノリング140であり、誘電体スペーサ130もまた、同じ内径と外径を有するリングである第2の例が示されている。代わりに、誘電体スペーサ130の内径は、異なるように選択しても良い。更に、また、導電層110、主表面1402、および直立面1404、1406が示されている。図14cでは、少なくとも1つのナノ粒子が所定の直径を有するナノディスク140であり、誘電体スペーサ130はより小さい直径のナノディスクである、第3の例が示されている。後者は、例えばアンダーエッチングにより得られるが、製造方法はこれには限定されない。再度、導電層110、主表面1402、および直立面1404、1406が示されている。本発明の更なる形態では、具体例は、第1の形態で述べたような基板を開示し、下層の導電層110は部分的にパターニングされる。部分的なパターニングは、層が上部1502と底部1504を有することを意味し、ここでは上部1502はパターニングされて、導電層110は誘電体スペーサの下にのみ存在し、一方、底部1504は連続層を形成する。後者は図15aから図15dの多くの例に示されている。図15aは、導電層の上部1502中のナノディスク形状の導電部分の上にそれ自身が積層されるナノディスク形状の誘電体層130の上に、ナノ粒子140ナノリングが積層される。図15bでは、ナノ粒子140がナノリング形状の誘電体スペーサ130の上に配置されたナノリングであり、誘電体スペーサ130が導電層の上部1502中のナノディスク形状の導電部分の上に配置された基板100が示されている。図15cでは、ナノ粒子140が誘電体スペーサ130ナノディスクの上に配置されたナノディスクであり、これにより、誘電体スペーサ130ナノディスクの直径がナノ粒子140ナノディスクより小さい基板100が示されている。誘電体スペーサ130は導電層1502の上部中の導電性ナノディスクにより支持される。図15dでは、実質的に同じ直径を有するナノディスクのスタックが示されており、ナノディスクのスタックはナノ粒子140ナノディスクを含み、誘電体スペーサ130ナノディスクにより支持され、更に導電層の上部1502の部分である導電性ナノディスクにより支持される。全ての例において、連続膜である、導電層の底部1504も示されている。導電層110の部分的なパターニングは、プラズモニックモードをより空間的に良好に規定するため有利であり、この結果より大きな電場増大となる。基板の検出部分がサンプルにより達成できることが本発明の具体例の長所である。更に、プラズモニックモードが金属膜にリークせず、またはリークしにくく、これにより損失が制限されることも長所である。導電層110の部分的なパターニングは、また、ホットスポットの数を、例えば2倍に増加できるという長所を有する。磁場増大は、底部構造上と同様に、上部ディスクの上でも発生する。図示の方法により、本発明の具体例はそれによっては制限されないが、有限差分時間領域シミュレーションが、部分的にパターニングされた導電層110を有する基板上であって、図15dに示される基板に対応し、結果が図16の右側に示される基板上と、従来の導電層を有し、即ち部分的なパターニングはされず、結果が図16の左側に示される基板上との双方で行われた。ナノ粒子と誘電体スペーサとの間の界面においてホットスポットの数が増加するだけでなく、誘電体スペーサと部分的にパターニングされた導電層の上部との間の界面おいてもホットスポットが形成されるのが見られた。最も大きい電場強度は。ナノ粒子の角部または端部であり、ナノ粒子の外側である。本形態の具体例は、開いたナノ粒子、ディスク形状のナノ粒子、ナノリング等を使用できる。他の形態では、本発明は表面増強光検出に適した基板の製造方法に関する。本発明の具体例はこれに限定するものではないが、この方法は、特に、本発明の第1の形態に記載した基板の製造に適している。本発明の具体例にかかる方法は、サポート基板を得る工程を含む。そのようなサポート基板は、第1の形態に示すような特性を有しても良い。この方法は、また、サポート基板上に導電層を形成する工程を含む。導電層は第1の形態に示すような特性を有しても良い。後者は、例えば、スパッタのような物理気相堆積のような物理堆積技術、熱蒸着、電子ビーム蒸着、例えば化学気相堆積のような化学堆積技術、分子線エピタキシのような、適した方法で行っても良い。この方法は、また、導電層の上に誘電体スペーサ層を形成する工程を含む。誘電体スペーサ層は第1の形態に示すような特性を有しても良い。これは、例えば物理気相堆積のような物理堆積技術、化学気相堆積のような化学堆積技術、スピンコート等のような、従来の堆積技術を用いて行われる。続く工程では、製造方法は、誘電体スペーサ層の上に少なくとも1つのナノ粒子を形成する工程を含む。少なくとも1つのナノ粒子は、第1の形態に示すような特性を有しても良い。いくつかの具体例では、ナノ粒子は開いたナノ粒子でも良い。開いたナノ粒子は、これにより下層の材料に対して開口部を提供する導電部分を含む。その例は、ナノリングや開いたナノ粒子である。1つの例示的具体例では、ナノリングは誘電体スペーサそうの上に直接成長させても良い。他の例示的具体例では、開いたナノ粒子は、最初に電気絶縁性スペーサ層の上にナノ球体の溶液を形成および提供し、その後にナノ球体の一部を異方性に除去して形成される。図示の方法により、これがどのようにして達成できるかが以下で述べられるが、本発明はこれによって限定されるものではない。最初に、誘電体コアと導電性シェルとを含むナノ粒子が準備される。誘電体コア粒子から開始して、導電層がその上に堆積される。導電層の堆積は、例えばシーディングseedingが行われ、続いて無電界メッキまたは重合または他の化学的技術が行われる。シェルの表面粗さは、コアの上に導電層を載せるのに使用される堆積技術例えば、シーディングおよび無電界メッキプロセスにより主に決定される。その方向で、導電層で覆われた誘電体ナノ粒子が準備される。開いたナノシェルの直径は、広い範囲で、コアサイズおよびシェル厚さを調整することで制御できる。この方法は、基板上に第1の形態で述べたような層を形成する工程を含んでも良い。堆積の前に、例えば脱イオン水、ピラニア溶液、UVオゾン処理、超音波、または他の公知の方法を用いた洗浄により、基板が処理されても良い。具体例では、基板上に層を形成する前に、基板は科学的に機能化される。機能化は、例えば、基板表面上にオルガノシランを提供することにより行われる。ナノシェル層の堆積は、ナノシェル懸濁液のドロップキャスティング、ナノシェル懸濁液のスピンコート、機能化される基板のナノシェル懸濁液中への浸漬、規則化された単層の形成、セルフアセンブリ、または当業者に知られた他の秘術により行われる。その層は、ナノ粒子を含み、またはナノ粒子からなる。基板上に層を形成すると、基板上にナノシェル粒子の層が形成されることとなる。本発明のこの形態では、形成された層のナノシェル粒子は、誘電体コアと導電性シェルを含む。この具体例では、本発明の第2の形態にかかる方法は、基板上に層を堆積する工程を含み、この層はなの粒子を含み、それにより基板上にナノ粒子の層を形成し、このナノ粒子は誘電体コアと導電性シェルとを含む、一旦、基板上に層が形成されれば、基板表面に接触しない導電性シェルの一部が除去される。好適には、基板に隣接するナノ粒子の側面に対向するナノ粒子の側面で、導電性シェルの一部が除去され、これにより、導電性の開いたシェルを含むナノ粒子が形成される。具体例では、導電性シェルの一部を除去する工程は、イオンミリングのような異方性の除去工程例えば異方性エッチング技術で行われても良い。異方性の除去工程例えばエッチングは、基板から離れた場所例えば、粒子の上側のみで、材料の除去例えばエッチングを可能にし、これにより基板上に開いたナノシェルの層を形成し、これにより開いたナノシェルの少なくとも50、好適には開いたナノシェルの少なくとも90、より好適には開いたナノシェルの実質的に全てが実質的に同じ方位を有するという長所を有する。それで、具体例では、殆どまたは全ての開いたナノシェルは、基板と対向する側面に開口部分を有する上を向いたfacingupものである。この方法で、開いたナノシェル層例えばその単層構造が、基板上に形成できる。エッチング速度は材料に依存し、およびエッチング技術、使用されるシステム、およびシステムの動作条件に依存する。イオンミリングの代わりに、化学アシストイオンビームエッチングCAIBE、反応性イオンエッチングRIE、またはより小さい異方性エッチング挙動を有する他の方法のような他の技術を用いても良い。この方法で、導電性材料を誘電体コアよりずっと早くエッチングするようにエッチング化学剤が選択され、導電性材料は誘電体コアに対して高い選択性でエッチングされ、これにより導電性材料がエッチングされて、一方コアはエッチングされずに残る。ナノ粒子の層がマトリックス例えばポリマーマトリックス中に埋め込まれた場合に適した、代わりの異方性除去技術は、粒子の誘電体コアに達するまでその層の上部層を機械的に除去する例えば、化学機械研磨CMPのようなプロセス研磨することによりことである。これにより、その表面に金属スポットまたはリングを含むポリマー層となる。いくつかの具体例では、導電性の開いたシェルの一部が除去された後、この方法は、更に、開いたシェルナノ粒子から誘電体コアを除去する工程を含む。これにより、中空の開いたナノシェルの層となる。コアを除去するために使用される化学剤は、好適には、導電性シェルに大きく影響せずにコアを選択的に除去できるように選択される。好適には、コアを除去するために選択される化学剤はコアのみを除去し、開いた導電性シェルを無傷で残す。例えばシリカコアを有するAuの開いたナノシェルの場合、シリカコアの除去工程は、懸濁液のための含水HF、またはAuの開いたナノシェル単層構造のために気相HFを用いて行われる。これはAuの開いたナノシェルを無傷で維持する。上記記載において、開いたナノ粒子の製造の例が提供されるが、本発明の具体例はこれに限定されるものでは無い。本発明の具体例にかかる方法は、例えばナノ粒子の低減された対称性の形態のいくつかの具体例のような、ナノ粒子を良好に制御し、良好な制御と再現性を有して、単層構造で、基板上に上方に向いた開口部を実現できる。これは、例えば温熱療法システムおよびSPRバイオセンサ中の活性要素のような、適用の範囲において適切な、形成されたナノリング、開いたナノシェル例えばAuの開いたナノシェルおよびその単層を有する基板を形成する。特に、ナノチップ構造を光学的に含むナノ開口部の特徴を有するそれらに粒子は、表面増強ラマン散乱SERSに基づく分子検出、または表面増強共鳴ラマン散乱SERRS、表面増強コヒーレント反ストークラマン散乱SECARS、表面増強赤外吸収SEIRA、表面増強蛍光発光、表面増強ハイパーラマン散乱SEHRSのような光学分光技術にとって良好な基板である。本発明の具体例では、この製造方法は、また、少なくとも1つの開いたナノ粒子の下に誘電体スペーサが配置されない位置において、誘電体スペーサ層を除去する工程を含む。ナノリングの場合、これは、ナノリングの中心と同様にナノリングの外側の位置を含む。後者は、より自由な金属表面となり、電磁場の増大を大きくできる。そのような除去は、エッチングを用いて行われる。いくつかの具体例では、ウェットエッチングまたはドライエッチングが用いられる。例えばSiO2に対しては、HFエッチングウエットが用いられ、HF気相エッチング気相が用いられ、CF4反応性イオンエッチングが用いられ、SF6反応性イオンエッチングが用いられる。更に、誘電体スペーサおよび少なくとも1つのナノ粒子は、少なくとも1つのナノ粒子と誘電体スペーサが第1主表面に沿って接続され、少なくとも1つのナノ粒子が、誘電体スペーサの直立面とは一致しない直立面を含むように形成される。更に、この方法は、誘電体スペーサの下にのみ部分的に存在し、導電層の底部は連続膜である導電層の上部を形成するために、導電層を部分的にパターニングする工程を含む。1つの形態では、本発明は、また、第1の形態の具体例で記載されたような、または第2の形態の具体例にかかる方法を用いて得られるような、基板の使用に関する。そのような基板の使用は、表面増強共鳴分光器のためだけでなく、表面増強共鳴ラマン散乱SERRS、表面増強コヒーレント反ストークラマン散乱SECARS、表面増強赤外吸収SEIRA、表面増強蛍光発光、表面増強ハイパーラマン散乱SEHRS、屈折率検出のような他の光学技術にも適用できる。図示では、本発明の具体例はこれには限定されないが、図5に記載された例示的なSERS基板に対するシミュレーション結果が示される。本発明の具体例にかかる例示的SERS基板は、金Auリングまたは、本発明の例はSiO2である誘電体スペーサを含み、本例示では金層である金属層をナノリングから離し、SiO2基板の上に金層が堆積される。本例示にかかるSERS基板は、図5に記載する方法で示される。本例示では、本発明の具体例はこれに限定されないが、異なる構成要素の寸法は以下の通りであった。金属ナノリングは、50nmの直径および30nmのリング高さを有した。ナノリングの高さは30nmであった。本例示にかかる誘電体スペーサ層は、10nmの厚さを有した。金層は50nmの厚さを有した。驚くことに、放射がナノリング中で双極性共鳴を励起するため、金属膜中に映像電荷が形成され、これが四重極共鳴を形成することが見出された。共鳴の励起は、ナノ構造の放射散乱を十分に低減する。そうすることで、より高品質の因子と、ナノ構造中へのより良好な光エネルギの閉じ込めが得られる。薄い誘電体層と組合せることで、例えば単体のリングの場合に比較してずっと大きいような、大きな電場を形成することができる。図6は、四重極電荷分布を示す電荷プロット、ナノリング、および導電層を示す、図7において、基板のための磁場Hyプロファイルが示される。この磁場プロファイルは、システム中の磁気共鳴の発生を示す。図8と図9では、ナノリング/導電膜へテロ構造の近傍、および導電膜が無い誘電体層とナノリング構造の近傍のそれぞれの、集積された電場増大が示される。集積された電場増大は、誘電体スペーサの表面802/902、ナノリングの内側804/904、およびナノリングの上部806/906において見られる。得られた改良が約4.5倍であることが見られた。更に、図示の方法では、全体の誘電体スペーサが提供されたナノリングに基づく構造と、金属ナノリングの下の誘電体ナノリングとして誘電体スペーサが形成されたナノリングに基づく構造についての、比較結果が示される。全体の誘電体スペーサを有する行動が図10aに示され、一方、ナノリング形状の誘電体スペーサを有する構造が図10bに示される。図10cは、例示の方法で、基板の走査電子顕微鏡像を示し、ここでは金属ナノリングと誘電体スペーサナノリングの双方が存在し、誘電体スペーサナノリングは図10bに示す模式図に合致するように存在する。示された結果は、SiO2誘電体スペーサ、金である下方の導電層、および金ナノリングに基づく。本例示ではSiO2である誘電体スペーサの表面での集積された電場強度が、複数の状況について、即ち、下方の導電層が存在しない即ち、普通のナノリング場合、ナノリングと下方の導電層との間に10nmの厚さの誘電体スペーサがある場合、ナノリングと下方の導電層との間に30nmの厚さの誘電体スペーサがある場合、およびナノリングと下方の導電層との間に50nmの厚さの誘電体スペーサがある場合のナノリングについて、図11に示される。図12は、金リング上の4-ATP単層について、複数の異なる状況、即ち下方の導電層が存在しない即ち、普通のナノリング場合、ナノリングと下方の導電層との間に30nm、40nm、50nmおよび60nmの厚さのスペーサがある場合に対して得られたSERSデータを示す。図13aおよび図13bは、図10aおよび図10bのそれぞれの構造に対して、多くの異なる位置における波長を関数とした、集積された電界強度を示す。図13aは、ナノリングの直上の面、ナノリングの中心を通る水平面、SiO2面近傍の面において、全体の誘電体層を有する構造についての集積された電界強度を示す。図13bは、ナノリングの直上の面、導電性ナノリングと誘電体スペーサナノリングとの間の面、下方の導電層の表面上において、誘電体スペーサナノリングを有する構造についての集積された電界強度を示す。記載された具体例の他の変形は、図面、開示、および添付の請求項を研究することにより、請求された発明を実施する当業者により理解され、もたらされる。請求の範囲において、含むcomprisingの文言は、他の要素や工程を排除するものではなく、不定冠詞aやanは複数を排除しない。互いに異なる従属請求項において所定の測定が列挙されたという単なる事実は、それらの測定の組合せが都合よく用いることができないことを示すものではない。請求項中のいずれかの参照符号は、その範囲を限定するものと解釈すべきでない。先の記載は、本発明の所定の具体例を詳述する。しかしながら、文章中に先の記載がいかに詳しくても、発明は多くの方法で実施でき、それゆえに記載された具体例には限定されないことが評価される。本発明の所定の特徴または形態を記載する場合の、特定の専門用語の使用は、その専門用語がここで再定義されて、その専門用語が関係する本発明の特徴または形態の特別な特徴を含むように限定されることを暗示するものととられるべきではないことは留意すべきである。