平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、前記画素が、少なくとも4色以上の光を受光する固体撮像素子。前記画素ユニットは、少なくとも6個の前記画素が組み合わされて構成され、それぞれの画素が受光する光の色について、補色の関係にある前記画素どうしが対角となる位置に配置される請求項1に記載の固体撮像素子。複数の前記画素のうちの、少なくとも1つがカラーフィルタを通さない光を受光する請求項1に記載の固体撮像素子。前記画素ユニットは、平面的に見て六角形の外形形状をした8個の前記画素が組み合わされて構成され、ある1の前記画素を中心として、その周囲を囲うように6個の画素が配置された塊の外側に1個の画素が配置されて構成される請求項1に記載の固体撮像素子。前記画素ユニットにおいて、複数の前記画素が、所定のトランジスタを共有して使用する共有構造が採用される請求項1に記載の固体撮像素子。いずれかの画素から得られる所定の色の画素信号を、他の色の画素信号を合成することにより出力する請求項1に記載の固体撮像素子。平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、前記画素が、少なくとも4色以上の光を受光する固体撮像素子を備える電子機器。上述したように、従来、多色の画素信号を得られる固体撮像素子では、解像度が低下してしまうため、これらを両立して、より高画質な画像を得ることができる固体撮像素子の開発が求められている。本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、より高画質な画像を得ることができるようにするものである。本開示の一側面の固体撮像素子は、平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、前記画素が、少なくとも4色以上の光を受光する。本開示の一側面の電子機器は、平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、前記画素が、少なくとも4色以上の光を受光する固体撮像素子を備える。本開示の一側面においては、平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、画素では、少なくとも4色以上の光が受光される。本開示の一側面によれば、より高画質な画像を得ることができる。以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図2は、本技術を適用した固体撮像素子が有する画素ユニットの第1の実施の形態の構成例を示す図である。図2に示すように、画素ユニット21は、6つの画素22-1乃至22-6が組み合わされて構成される。画素22-1乃至22-6は、平面的に見たときに、それぞれの外形形状が三角形となるように形成されており、隣り合う画素22どうしで2つの辺が対向するように配置される。これにより、画素22-1乃至22-6が組み合わされた画素ユニット21の外形が六角形の形状となる。また、画素22-1乃至22-6は、それぞれ異なる色のカラーフィルタを介して光を受光し、それぞれ対応する色の光を電気的な信号に変換した画素信号を出力する。そして、画素22-1乃至22-6は、それぞれ補色の関係にある画素22どうしが、対角となる位置に配置される。例えば、赤色Rの光を受光する画素22-1と、シアンCの光を受光する画素22-4とが対角となる位置に配置される。同様に、緑色Gの光を受光する画素22-2と、マゼンタMの光を受光する画素22-5とが対角となる位置に配置され、青色Bの光を受光する画素22-3と、黄色Yの光を受光する画素22-6とが対角となる位置に配置される。このような配置を行うことにより、例えば、いずれかの画素22に欠陥が発生した場合、その画素22の補正を行う際に、偽色を発生し難くすることができる。ここで、画素22-1乃至22-6を有する画素ユニット21から出力される画素信号の信号処理について説明する。例えば、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bは、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yを信号処理することで、それぞれ合成可能である。即ち、赤色の画素信号Rは、次の式1に基づいて、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yから求めることができる。同様に、緑色の画素信号Gは、次の式2に基づいて、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yから求めることができる。また、青色の画素信号Bは、次の式3に基づいて、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yから求めることができる。R=-CYM/21G=CY-M/22B=C-YM/23同様に、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yは、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bのいずれかを用いて信号処理することで、それぞれ合成可能である。即ち、シアンの画素信号Cは、次の式4に基づいて、緑色の画素信号Gおよび青色の画素信号Bから求めることができる。また、マゼンタの画素信号Mは、次の式5に基づいて、赤色の画素信号Rおよび青色の画素信号Bから求めることができ、黄色の画素信号Yは、次の式6に基づいて、赤色の画素信号Rおよび緑色の画素信号Gから求めることができる。C=GB4M=BR5Y=GR6ここで、式1乃至6を演算して、それぞれの画素信号を求める際に、必要に応じて、重み付けをして画素信号を合成してもよい。例えば、カラーフィルタの光信号の透過率や、画素22フォトダイオードや光電変換膜などでの変換効率などに応じて、適宜、画素信号に係数を乗算することができる。例えば、画素ユニット21が受光面に配置された固体撮像素子を備える撮像装置により撮像された画像を表示する表示装置が、赤色、緑色、青色、シアン、マゼンタ、および黄色の6色により表現される画像の表示に対応しているとする。この場合には、撮像装置は、画素22-1乃至22-6から出力される画素信号をADAnalogDigital変換した後、画素信号を合成する処理を行わずに表示装置に出力する。一方、例えば、表示装置が、6色により表現される画像の表示に対応せず、例えば、赤色、緑色、青色の3色により表現される画像の表示に対応しているとする。この場合には、撮像装置は、画素22-1乃至22-6から出力される画素信号をAD変換した後、画素信号を合成する処理を行って表示装置に出力する。つまり、シアンの光を受光する画素22-4の座標から出力される画素信号C、マゼンタの光を受光する画素22-5の座標から出力される画素信号M、および、黄色の光を受光する画素22-6の座標から出力される画素信号Yを利用して、上述の式1乃至3を演算することにより、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bを合成することができる。この赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bは、画素22-4乃至22-6の近傍の位置における画素信号として画像処理を行うことができる。例えば、画素信号を合成する処理で算出された画素信号は、それぞれ補色の関係にある画素22の位置における画素信号として画像処理を行うことができる。即ち、算出された赤色の画素信号Rは、画素22-4の位置における画素信号とし、算出された緑色の画素信号Gは、画素22-5の位置における画素信号とし、算出された青色の画素信号Bは、画素22-6の位置における画素信号として画像処理を行ってもよい。このように、画素信号を合成する処理を行うことによって、例えば、赤色、緑色、青色の3色により表現される画像の表示に対応する表示装置に画像を出力する場合に、画像の解像度が低下することを回避することができる。つまり、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bを出力する画素22-1乃至22-3だけを使用する場合には、画素22-4乃至22-6が使用されない分だけ、画像に使用する画素数が削減されることになる。これに対し、画素信号を合成する処理を行うことによって、画素22-4乃至22-6の出力から赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bを得ることができるので、画像に使用する画素数が削減されることを回避することができ、解像度が低下することもない。また、画素ユニット21が受光面に配置された固体撮像素子を備える撮像装置では、いずれかの画素22に欠陥が発生した場合でも、上述の式1乃至6を演算することにより、欠陥が発生した画素22の画素信号を合成することができる。このとき、画素信号を合成する処理において、欠陥が発生した画素22と同一の画素ユニット21に含まれる他の画素22、即ち、欠陥が発生した画素22の近傍の他の画素22から出力される画素信号を使用することで、より正しい色を再現することができる。特に、図2に示すように、それぞれ補色の関係にある画素22どうしを対角となる位置に配置することで、欠陥が発生した画素22の画素信号を補正する精度を向上させることができる。例えば、マゼンタの光を受光する画素22-5に欠陥が発生した場合、画素22-5の近傍に存在する画素22-1が出力する画素信号Rと、画素22-3が出力する画素信号Bとを使用して画素信号Mを合成する。そのため、遠くに存在する画素22が出力する画素信号を使用する場合よりも、画素信号Mの予測精度を向上させることができ、偽色の発生を抑制することができる。また、画素ユニット21は、画素22-1乃至22-6が、光を電荷に変換する光電変換素子をそれぞれ有するとともに、それらの電荷を増幅するためのトランジスタなどが画素22-1乃至22-6により共有される画素共有構造を採用している。図3を参照して、画素ユニット21の第1の構成例について説明する。図3に示すように、画素ユニット21は、画素22-1乃至22-6がそれぞれ有する光電変換素子31-1乃至31-6および転送ゲート32-1乃至32-6と、画素22-1乃至22-6により共有される、FDFloatingDiffusion:フローティングディフュージョン33、増幅トランジスタ34、選択トランジスタ35、およびリセットトランジスタ36とを備えて構成される。光電変換素子31-1乃至31-6は、フォトダイオードや光電変換膜などであり、図示しないオンチップレンズなどを通過して入射する光を受光して電荷を発生し、その電荷を蓄積する素子である。また、光電変換素子31-1乃至31-6は、画素22-1乃至22-6に対応して、三角形の外形形状となるように形成される。なお、オンチップレンズは、光電変換素子31に光を集光するために固体撮像素子の受光面に配置される小型のレンズであり、光電変換素子31の外形形状である三角形に内接するように配置される。また、オンチップレンズは、各画素22が占有する領域内において光電変換素子31よりも広い範囲に配置することができ、例えば、光電変換素子31の外形形状である三角形に外接するように配置してもよい。転送ゲート32-1乃至32-6は、光電変換素子31-1乃至31-6とFD33とをそれぞれ接続するように配置される。そして、転送ゲート32-1乃至32-6を構成するトランジスタの入力がオンになると、それぞれ対応する光電変換素子31-1乃至31-6に蓄積されている電荷が、FD33に転送される。FD33は、所定の蓄積容量を有する浮遊拡散領域であり、転送ゲート32-1乃至32-6を介して光電変換素子31-1乃至31-6から、それぞれのタイミングで転送される電荷を蓄積する。また、FD33は、増幅トランジスタ34のゲート電極に接続されており、FD33に蓄積されている電荷に応じた電位が、増幅トランジスタ34のゲート電極に印加される。増幅トランジスタ34は、FD33に蓄積されている電荷を増幅して、その電荷に応じたレベルの画素信号を出力する。選択トランジスタ35は、増幅トランジスタ34から出力される画素信号を後段の回路に供給する信号線に接続されており、選択トランジスタ35の入力がオンになると、その信号線に増幅トランジスタ34から出力される画素信号が出力可能な状態となる。リセットトランジスタ36は、所定の電位で固定された電源電位に接続されており、リセットトランジスタ36の入力がオンになると、FD33に蓄積されている電荷が電源電位に放出され、次の電荷が転送されるのに備えて、FD33がリセット初期化される。このように構成されている画素ユニット21では、画素22-1乃至22-6ごとの画素信号を読み出すタイミングで、順次、光電変換素子31-1乃至31-6で発生した電荷が、それぞれ対応する転送ゲート32-1乃至32-6を介してFD33に転送される。そして、画素22-1乃至22-6ごとに、増幅トランジスタ34がFD33の電荷を増幅して選択トランジスタ35を介して画素信号を出力し、リセットトランジスタ36がFD33の電荷をリセットする処理が行われる。このように、画素ユニット21では、画素22-1乃至22-6により6色の光を受光して画素信号が出力されるので、例えば、三原色だけを利用する構成よりも、色再現性を向上させることができる。また、画素22-1乃至22-6が、FD33、増幅トランジスタ34、選択トランジスタ35、およびリセットトランジスタ36を共有することにより、それらの素子を画素22ごとに設ける構成と比較して、光電変換素子31の面積を広くすることができる。これにより、画素22-1乃至22-6の特性を向上させることができる。さらに、画素ユニット21の外形形状が、三角形の外形形状である画素22-1乃至22-6が組み合わされて六角形となることより、固体撮像素子の受光面に画素ユニット21を配置する際に、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。例えば、図4には、4つの画素ユニット211乃至214が周期的に並べられた配置例が示されている。このように、画素ユニット21は、六角形の外形形状をしていることにより、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。これにより、画素ユニット21が受光面に配置された固体撮像素子では、多色の画素22を採用しつつ、画素22による平面被覆率を向上させることができる。また、画素ユニット21が単純な周期構造で配置されることにより、固体撮像素子から出力された画素信号から画像を構築する画像処理を容易に行うことができる。また、同色の光を受光する画素22どうしが2画素分のピッチで配置されるので、解像度の低下を回避することができる。なお、画素ユニット21の構造としては、図3に示したような画素22-1乃至22-6の全てが1つのFD33を共有する構成の他、複数のFD33を設け、画素22-1乃至22-6のうちの所定数の画素22ごとにFD33を共有する構成を採用してもよい。また、FD33を共有する構成を採用せずに、画素22-1乃至22-6ごとにFD33を設ける構成を採用することができる。図5には、画素ユニット21の第2および第3の構成例が示されている。なお、図5において、図3の画素ユニット21と共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図5Aに示されている画素ユニット21’は、光電変換素子31-1乃至31-6、転送ゲート32-1乃至32-6、FD33-1および33-2、増幅トランジスタ34-1および34-2、選択トランジスタ35-1および35-2、並びに、リセットトランジスタ36-1および36-2を備えて構成される。画素ユニット21’において、FD33-1には、光電変換素子31-1が転送ゲート32-1を介して接続され、光電変換素子31-2が転送ゲート32-2を介して接続され、光電変換素子31-6が転送ゲート32-6を介して接続される。同様に、画素ユニット21’において、FD33-2には、光電変換素子31-3が転送ゲート32-3を介して接続され、光電変換素子31-4が転送ゲート32-4を介して接続され、光電変換素子31-5が転送ゲート32-5を介して接続される。つまり、画素ユニット21’では、画素22-1、22-2、および22-6ごとの画素信号を読み出すタイミングに応じて、光電変換素子31-1、31-2、および31-6で発生した電荷が、順次、FD33-1に転送される。そして、増幅トランジスタ34-1がFD33-1の電荷を増幅して選択トランジスタ35-1を介して画素信号を出力し、リセットトランジスタ36-1がFD33-1の電荷をリセットする処理が、画素22-1、22-2、および22-6ごとに行われる。同様に、画素ユニット21’では、画素22-3、22-4、および22-5ごとの画素信号を読み出すタイミングに応じて、光電変換素子31-3、31-4、および31-5で発生した電荷が、順次、FD33-2に転送される。そして、増幅トランジスタ34-2がFD33-2の電荷を増幅して選択トランジスタ35-2を介して画素信号を出力し、リセットトランジスタ36-2がFD33-2の電荷をリセットする処理が、画素22-3、22-4、および22-5ごとに行われる。このように、画素ユニット21’では、3つの画素22-1、22-2、および22-6が、FD33-1、増幅トランジスタ34-1、選択トランジスタ35-1、および、リセットトランジスタ36-1を共有するように構成される。また、画素ユニット21’では、3つの画素22-3、22-4、および22-5が、FD33-2、増幅トランジスタ34-2、選択トランジスタ35-2、および、リセットトランジスタ36-2を共有するように構成される。なお、例えば、画素ユニット21に3つのFD33を設け、2つの画素22ごとにFD33を共有する構成を採用してもよい。図5Bに示されている画素ユニット21’’は、光電変換素子31-1乃至31-6、転送ゲート32-1乃至32-6、FD33-1乃至33-6、増幅トランジスタ34-1乃至34-6、選択トランジスタ35-1乃至35-6、並びに、リセットトランジスタ36-1乃至36-6を備えて構成される。画素ユニット21’’では、光電変換素子31-1乃至31-6で発生した電荷が、転送ゲート32-1乃至32-6を介して、それぞれ対応するFD33-1乃至33-6に転送される。そして、増幅トランジスタ34-1乃至34-6が、それぞれ対応するFD33-1乃至33-6の電荷を増幅し、選択トランジスタ35-1乃至35-6を介して画素信号を出力する。また、リセットトランジスタ36-1乃至36-6が、それぞれ対応するFD33-1乃至33-6の電荷をリセットする。このように、画素ユニット21’’では、FD33を共有しない構成が採用され、画素22-1乃至22-6がそれぞれ独立して駆動するように構成される。次に、図6は、本技術を適用した固体撮像素子が有する画素ユニットの第2の実施の形態の構成例を示す図である。図6に示すように、画素ユニット41は、8つの画素42-1乃至42-8が組み合わされて構成される。画素42-1乃至42-8は、平面的に見たときに、それぞれの外形形状が六角形となるように形成されている。そして、6つの画素42-1乃至42-6が画素42-7の周囲を囲うように配置されるとともに、画素42-8が、画素42-1乃至42-7からなる塊の外側に隣接して配置される。これにより、画素ユニット41の外形形状は、回転対象に配置された画素42-1乃至42-7から画素42-8が突出するように配置された変則的な回転対象でない形状となる。つまり、画素ユニット41では、隣り合う行に配置されている画素42が、行方向に互いに半画素ピッチでずれるように、4行に亘って画素42-1乃至42-8が配置される。例えば、画素42-1を基準とすると、画素42-1が配置されている1行目には、画素42-1の下方に隣接して画素42-5が配置される。そして、2行目には、画素42-1より半画素分だけ行の下方向にずれた位置に画素42-7が配置され、画素42-7の下方に隣接して画素42-3が配置され、画素42-7の上方に隣接して画素42-6が配置される。また、3行目において、画素42-7より半画素分だけ行の上方向にずれた位置に画素42-2が配置され、画素42-7より半画素分だけ行の下方向にずれた位置に画素42-4が配置される。そして、4行目には、画素42-2および42-4の間となる位置に画素42-8が配置される。このように、変則的な外形形状となるように構成された画素ユニット41は、固体撮像素子の受光面に画素ユニット41を配置する際に、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。例えば、図7には、3つの画素ユニット411乃至413が周期的に並べられた配置例が示されている。図7に示すように、画素ユニット41は、単純な周期構造で行方向および列方向に規則的に並ぶように平面を埋め尽くすことができる。これにより、画素ユニット41が受光面に配置された固体撮像素子では、多色の画素42を採用しつつ、画素42による平面被覆率を向上させることができる。また、画素ユニット41が単純な周期構造で配置されることにより、固体撮像素子から出力された画素信号から画像を構築する画像処理を容易に行うことができる。ここで、画素ユニット41では、画素42-1乃至42-8ごとにカラーフィルタを配置して、画素42-1乃至42-8が、それぞれのカラーフィルタに対応する色の光を受光するように構成することができる。また、画素ユニット41では、例えば、一部の画素42にカラーフィルタを配置せずに、カラーフィルタが配置されない画素42が、全ての波長の光以下、適宜、白色の光と称するを受光するように構成することができる。さらに、画素ユニット41では、例えば、画素42-1乃至42-8のうちの一部例えば、画素42-7または42-8を形成せずに構成することができる。つまり、画素ユニット41は、8つの画素42-1乃至42-8が配置される領域を確保した外形形状を有していれば、その内側に配置される画素42の個数を8個以下として構成してもよい。図8は、第1の配置例で画素42が配置された画素ユニット41aの構成例を示す図である。図8に示すように、画素ユニット41aは、6つの画素42a-1乃至42a-6が組み合わされて構成される。つまり、画素ユニット41aは、図6の画素ユニット41において画素42-7および42-8が形成されていた領域に画素42aが配置されずに構成されている。また、画素42a-1乃至42a-6は、それぞれ異なる色のカラーフィルタを介して光を受光し、それぞれ対応する色の光を電気的な信号に変換した画素信号を出力する。例えば、画素42a-1は赤色Rの光を受光し、画素42a-2は緑色Gの光を受光し、画素42a-3は青色Bの光を受光する。また、画素42a-4はシアンCの光を受光し、画素42a-5はマゼンタMの光を受光し、画素42a-6は黄色Yの光を受光する。このように、画素42-1乃至42-6は、それぞれ補色の関係にある画素42どうしが対角となる位置に配置される。これにより、例えば、いずれかの画素42に欠陥が発生した場合、その画素42の補正を行う際に、偽色を発生し難くすることができる。また、画素ユニット41aにおいても、図3の画素ユニット21と同様に、画素共有構造を採用することができる。図9を参照して、画素ユニット41aの第1の構成例について説明する。図9に示すように、画素ユニット41aは、画素42a-1乃至42a-6がそれぞれ有する光電変換素子51a-1乃至51a-6および転送ゲート52a-1乃至52a-6と、画素42a-1乃至42a-6により共有される、FD53a、増幅トランジスタ54a、選択トランジスタ55a、およびリセットトランジスタ56aとを備えて構成される。光電変換素子51a-1乃至51a-6は、フォトダイオードや光電変換膜などであり、図示しないオンチップレンズなどを通過して入射する光を受光して電荷を発生し、その電荷を蓄積する素子である。また、光電変換素子51a-1乃至51a-6は、画素42a-1乃至42a-6に対応して、六角形の外形形状となるように形成される。なお、オンチップレンズは、光電変換素子51aの外形形状である六角形に内接または外接するように配置される。転送ゲート52a-1乃至52a-6は、光電変換素子51a-1乃至51a-6とFD53aとをそれぞれ接続するように配置される。そして、転送ゲート52a-1乃至52a-6を構成するトランジスタの入力がオンになると、光電変換素子51a-1乃至51a-6に蓄積されている電荷が、FD53aに転送される。FD53aは、転送ゲート52a-1乃至52a-6を介して光電変換素子51a-1乃至51a-6から、それぞれのタイミングで転送される電荷を蓄積する。また、図9に示すように、FD53aは、光電変換素子51a-1乃至51a-6により囲まれる領域に形成される。つまり、図6の画素ユニット41では画素42-7が形成されていた領域において、画素ユニット41aでは画素が形成されない構成となっており、その領域にFD53aが形成される。このように、FD53aを大型化することにより、FD53aが電荷を蓄積する容量を増加させることができ、例えば、光電変換素子51a-1乃至51a-6が多くの光を受光した場合においても、FD53aから電荷が溢れ出すことを回避することができる。増幅トランジスタ54aは、FD53aに蓄積されている電荷を増幅し、選択トランジスタ55aは、増幅トランジスタ54aと画素信号を出力する信号線とを接続し、リセットトランジスタ56aは、FD53aに蓄積されている電荷をリセットする。このように構成されている画素ユニット41aでは、画素42a-1乃至42a-6により6色の光を受光して画素信号が出力されるので、色再現性を向上させることができる。また、画素42a-1乃至42a-6が、FD53a、増幅トランジスタ54a、選択トランジスタ55a、およびリセットトランジスタ56aを共有することにより、光電変換素子51aの面積を広くすることができる。これにより、画素42a-1乃至42a-6の特性を向上させることができる。さらに、図7を参照して説明したのと同様に、画素ユニット41aは、固体撮像素子の受光面に配置する際に、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。例えば、図10には、5つの画素ユニット41a1乃至41a5が周期的に並べられた配置例が示されている。このように、画素ユニット41aは、画素42a-1乃至42a-6が周期的に配置されるように、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。また、画素ユニット41aの構造としては、図5を参照して説明したのと同様に、所定数の画素42aごとにFD53aを共有する構成や、画素42aごとにFD53aを設ける構成を採用することができる。図11には、画素ユニット41aの第2および第3の構成例が示されている。なお、図11において、図9の画素ユニット41aと共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図11Aに示されている画素ユニット41a’は、光電変換素子51a-1乃至51a-6、転送ゲート52a-1乃至52a-6、FD53a-1および53a-2、増幅トランジスタ54a-1および54a-2、選択トランジスタ55a-1および55a-2、並びに、リセットトランジスタ56a-1および56a-2を備えて構成される。そして、画素ユニット41a’は、図5Aの画素ユニット21’と同様に、3つの画素42a-1、42a-2、および42a-6が、FD53a-1、増幅トランジスタ54a-1、選択トランジスタ55a-1、および、リセットトランジスタ56a-1を共有するように構成される。また、画素ユニット21a’では、3つの画素42a-3、42a-4、および42a-5が、FD53a-2、増幅トランジスタ54a-2、選択トランジスタ55a-2、および、リセットトランジスタ56a-2を共有するように構成される。なお、画素ユニット41a’に3つのFD53aを設け、2つの画素42aごとにFD53aを共有する構成を採用してもよい。図11Bに示されている画素ユニット41a’’は、光電変換素子51a-1乃至51a-6、転送ゲート52a-1乃至52a-6、FD53a-1乃至53a-6、増幅トランジスタ54a-1乃至54a-6、選択トランジスタ55a-1乃至55a-6、並びに、リセットトランジスタ56a-1乃至56a-6を備えて構成される。そして、画素ユニット41a’’は、図5Bの画素ユニット21’’と同様に、FD33の共有は行われず、画素42a-1乃至42a-6がそれぞれ独立して駆動するように構成される。図12は、第2の配置例で画素42が配置された画素ユニット41bの構成例を示す図である。図12に示すように、画素ユニット41bは、7つの画素42b-1乃至42b-7が組み合わされて構成される。つまり、画素ユニット41bは、図6の画素ユニット41において画素42-8が形成されていた領域に画素42bが配置されずに構成されている。また、画素42b-1乃至42b-6は、図8の画素42a-1乃至42a-6と同様に、それぞれ対応する色の光を受光し、画素42b-7は白色Wの光を受光する。即ち、画素ユニット41bは、白色の光を受光する画素42b-7を中心として、それぞれ補色の関係にある画素42どうしが対角となる位置に、画素42b-7の外周を囲うように画素42b-1乃至42b-6が配置されて構成される。これにより、例えば、いずれかの画素42に欠陥が発生した場合、その画素42の補正を行う際に、偽色を発生し難くすることができる。ここで、白色の光を受光する画素42b-7を使用する場合には、上述の式1乃至3に加えて、白色の画素信号Wを用いて、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、および青色の画素信号Bを合成することができる。即ち、赤色の画素信号Rは、次の式7に基づいて、マゼンタの画素信号M、黄色の画素信号Y、および白色の画素信号Wから求めることができる。同様に、緑色の画素信号Gは、次の式8に基づいて、シアンの画素信号C、黄色の画素信号Y、および白色の画素信号Wから求めることができる。また、青色の画素信号Bは、次の式9に基づいて、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および白色の画素信号Wから求めることができる。R=YM-W7G=CY-W8B=CM-W9なお、式7乃至9を演算する際にも、適宜、重み付けをして画素信号を合成してもよい。また、白色の画素信号Wも、赤色の画素信号R、緑色の画素信号G、青色の画素信号B、シアンの画素信号C、マゼンタの画素信号M、および黄色の画素信号Yのいずれかから合成することができる。また、画素ユニット41bにおいても、図9の画素ユニット41aと同様に、画素共有構造を採用することができる。図13に示すように、画素ユニット41bは、画素42b-1乃至42b-7がそれぞれ有する光電変換素子51b-1乃至51b-7および転送ゲート52b-1乃至52b-7と、画素42b-1乃至42b-7により共有される、FD53b、増幅トランジスタ54b、選択トランジスタ55b、およびリセットトランジスタ56bとを備えて構成される。また、光電変換素子51b-1乃至51b-7に光を集光するオンチップレンズは、光電変換素子51bの外形形状である六角形に内接または外接するように配置される。光電変換素子51b-1乃至51b-6および転送ゲート52b-1乃至52b-6は、図9の光電変換素子51a-1乃至51a-6および転送ゲート52a-1乃至52a-6とそれぞれ同様に構成される。そして、光電変換素子51b-7は、光電変換素子51b-1乃至51b-6により囲われる中央に配置され、転送ゲート52b-7は、光電変換素子51b-7とFD53bとを接続するように配置される。FD53bは、転送ゲート52b-1乃至52b-7を介して光電変換素子51b-1乃至51b-7から、それぞれのタイミングで転送される電荷を蓄積する。ここで、図13に示すように、FD53bは、光電変換素子51b-7を囲うように、光電変換素子51b-7と光電変換素子51b-1乃至51b-6との間の領域に形成される。また、増幅トランジスタ54b、選択トランジスタ55b、およびリセットトランジスタ56bは、図9の増幅トランジスタ54a、選択トランジスタ55a、およびリセットトランジスタ56aと同様に構成される。このように構成されている画素ユニット41bでは、画素42b-1乃至42b-7により7色の光を受光して画素信号が出力されるので、色再現性を向上させることができる。また、画素42b-1乃至42b-7が、FD53b、増幅トランジスタ54b、選択トランジスタ55b、およびリセットトランジスタ56bを共有することにより、光電変換素子51bの面積を広くすることができる。これにより、画素42b-1乃至42b-7の特性を向上させることができる。さらに、図7を参照して説明したのと同様に、画素ユニット41bは、固体撮像素子の受光面に配置する際に、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。例えば、図14は、5つの画素ユニット41b1乃至41b4が周期的に並べられた配置例が示されている。このように、画素ユニット41bは、画素42b-1乃至42b-7が周期的に配置されるように、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。また、画素ユニット41bの構造としては、図11を参照して説明したのと同様に、所定数の画素42bごとにFD53bを共有する構成や、画素42bごとにFD53bを設ける構成を採用することができる。図15には、画素ユニット41bの第2および第3の構成例が示されている。なお、図15において、図13の画素ユニット41bと共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図15Aに示されている画素ユニット41b’は、光電変換素子51b-1乃至51b-7、転送ゲート52b-1乃至52b-7、FD53b-1および53b-2、増幅トランジスタ54b-1および54b-2、選択トランジスタ55b-1および55b-2、並びに、リセットトランジスタ56b-1および56b-2を備えて構成される。そして、画素ユニット41b’は、4つの画素42b-1、42b-2、42b-6、および42b-7が、FD53b-1、増幅トランジスタ54b-1、選択トランジスタ55b-1、および、リセットトランジスタ56b-1を共有するように構成される。また、画素ユニット21b’では、3つの画素42b-3、42b-4、および42b-5が、FD53b-2、増幅トランジスタ54b-2、選択トランジスタ55b-2、および、リセットトランジスタ56b-2を共有するように構成される。なお、画素ユニット41b’に3つのFD53bを設け、2つの画素42b、および、3つの画素42bでFD53bをそれぞれ共有する構成を採用してもよい。図15Bに示されている画素ユニット41b’’は、光電変換素子51b-1乃至51b-7、転送ゲート52b-1乃至52b-7、FD53b-1乃至53b-6、増幅トランジスタ54b-1乃至54b-6、選択トランジスタ55b-1乃至55b-6、並びに、リセットトランジスタ56b-1乃至56b-6を備えて構成される。そして、画素ユニット41b’’では、光電変換素子51b-6および51b-7がFD53b-6を共有し、画素42b-1乃至42b-5が、それぞれ対応するFD53b-1乃至53b-5を使用するように構成される。次に、図16は、第3の配置例で画素42が配置された画素ユニット41cの構成例を示す図である。また、図16には、5つの画素ユニット41b1乃至41b5が周期的に並べられた配置例が示されている。図16に示すように、画素ユニット41cは、7つの画素42c-1乃至42c-7が組み合わされて構成される点で、図12の画素ユニット41bと同様の構成とされる。但し、画素ユニット41cでは、画素42c-7が、緑色の光を受光する点で、図12の画素ユニット41bと異なる構成とされている。つまり、画素ユニット41cでは、2つの画素42c-2および画素42c-7が、緑色の光を受光するように構成されている。これにより、緑色の光に対する解像度を向上させることができる。また、画素ユニット41cは、画素42c-1乃至42c-7が周期的に配置されるように、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。また、画素ユニット41cでは、図12の画素ユニット41bと同様に、例えば、いずれかの画素42に欠陥が発生した場合、その画素42の補正を行う際に、偽色を発生し難くすることができる。さらに、画素ユニット41cは、図13および図15を参照して説明したような画素共有構造を採用することができる。次に、図17は、第4の配置例で画素42が配置された画素ユニット41dの構成例を示す図である。図17に示すように、画素ユニット41dは、8つの画素42d-1乃至42d-8が組み合わされて構成される。また、画素42d-1乃至42d-7は、図12の画素42b-1乃至42b-7と同様に、それぞれ対応する色の光を受光し、画素42d-8は白色Wの光を受光する。つまり、画素ユニット41bは、白色の光を受光する画素42d-7を中心として、それぞれ補色の関係にある画素42どうしが対角となる位置に、画素42d-7の外周を囲うように画素42d-1乃至42d-6が配置されて構成される。これにより、例えば、いずれかの画素42に欠陥が発生した場合、その画素42の補正を行う際に、偽色を発生し難くすることができる。さらに、画素ユニット41dでは、2つの画素42d-7および画素42d-8が、白色の光を受光するように構成されている。これにより、輝度に対する解像度を向上させることができる。また、画素ユニット41dにおいても、図9の画素ユニット41aと同様に、画素共有構造を採用することができる。図18に示すように、画素ユニット41dは、画素42d-1乃至42d-8がそれぞれ有する光電変換素子51d-1乃至51d-7および転送ゲート52d-1乃至52d-7と、画素42d-1乃至42d-7により共有される、FD53d、増幅トランジスタ54d、選択トランジスタ55d、およびリセットトランジスタ56dとを備えて構成される。光電変換素子51d-1乃至51d-7および転送ゲート52d-1乃至52d-7は、図13の光電変換素子51b-1乃至51b-7および転送ゲート52b-1乃至52b-7とそれぞれ同様に構成される。そして、光電変換素子51d-8は、光電変換素子51d-1乃至51d-7からなる塊の外側に配置され、転送ゲート52d-8は、光電変換素子51d-8とFD53dとを接続するように配置される。FD53dは、転送ゲート52d-1乃至52d-8を介して光電変換素子51d-1乃至51d-8から、それぞれのタイミングで転送される電荷を蓄積する。ここで、図18に示すように、FD53dは、光電変換素子51d-7および光電変換素子51d-1乃至51d-6の間の領域と、光電変換素子51d-2および51d-4の間を通って光電変換素子51d-8の近傍の領域とに形成される。また、増幅トランジスタ54d、選択トランジスタ55d、およびリセットトランジスタ56dは、図13の増幅トランジスタ54b、選択トランジスタ55b、およびリセットトランジスタ56bと同様に構成される。このように構成されている画素ユニット41dでは、画素42d-1乃至42d-8により7色の光を受光して画素信号が出力されるので、色再現性を向上させることができる。また、画素42d-1乃至42d-8が、FD53d、増幅トランジスタ54d、選択トランジスタ55d、およびリセットトランジスタ56dを共有することにより、光電変換素子51dの面積を広くすることができる。これにより、画素42d-1乃至42d-8の特性を向上させることができる。さらに、図7を参照して説明したのと同様に、画素ユニット41dは、固体撮像素子の受光面に配置する際に、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。例えば、図19は、5つの画素ユニット41d1乃至41d4が周期的に並べられた配置例が示されている。このように、画素ユニット41dは、画素42d-1乃至42d-8が周期的に配置されるように、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。また、画素ユニット41dの構造としては、図11を参照して説明したのと同様に、所定数の画素42dごとにFD53dを共有する構成や、画素42dごとにFD53dを設ける構成を採用することができる。図20には、画素ユニット41dの第2および第3の構成例が示されている。なお、図20において、図18の画素ユニット41dと共通する構成については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図20Aに示されている画素ユニット41d’は、光電変換素子51d-1乃至51d-8、転送ゲート52d-1乃至52d-8、FD53d-1および53d-2、増幅トランジスタ54d-1および54d-2、選択トランジスタ55d-1および55d-2、並びに、リセットトランジスタ56d-1および56d-2を備えて構成される。そして、画素ユニット41d’は、4つの画素42d-1、42d-2、42d-6、および42d-7が、FD53d-1、増幅トランジスタ54d-1、選択トランジスタ55d-1、および、リセットトランジスタ56d-1を共有するように構成される。また、画素ユニット21d’では、4つの画素42d-3、42d-4、42d-5、および画素42d-8が、FD53d-2、増幅トランジスタ54d-2、選択トランジスタ55d-2、および、リセットトランジスタ56d-2を共有するように構成される。なお、画素ユニット41d’に4つのFD53dを設け、2つの画素42dでFD53dをそれぞれ共有する構成を採用してもよい。図20Bに示されている画素ユニット41d’’は、光電変換素子51d-1乃至51d-8、転送ゲート52d-1乃至52d-8、FD53d-1乃至53d-6、増幅トランジスタ54d-1乃至54d-6、選択トランジスタ55d-1乃至55d-6、並びに、リセットトランジスタ56d-1乃至56d-6を備えて構成される。そして、画素ユニット41d’’では、光電変換素子51d-6および51d-7がFD53b-6を共有し、光電変換素子51d-4および51d-8がFD53d-4を共有し、画素42d-1、42d-2、42d-3、および42d-4が、それぞれ対応するFD53d-1、FD53d-2、FD53d-3、およびFD53d-5を使用するように構成される。なお、例えば、画素ユニット41は、図17および図19の画素ユニット41dにおいて白色の光を受光する2つの画素42d-7および画素42d-8が、緑色の光を受光するような配置を採用してもよい。即ち、図21には、第5の配置例で画素42eが配置された画素ユニット41eの構成例が示されており、画素ユニット41eは、画素42e-7および42e-8が、緑色の光を受光する点で、図17および図19の画素ユニット41dと異なる構成とされている。これにより、緑色の光に対する解像度を向上させることができる。また、例えば、画素ユニット41は、図17および図19の画素ユニット41dにおいて白色の光を受光する画素42d-7が、緑色の光を受光するような配置を採用してもよい。即ち、図22には、第6の配置例で画素42fが配置された画素ユニット41fの構成例が示されており、画素ユニット41fは、画素42f-8が、緑色の光を受光する点で、図17および図19の画素ユニット41dと異なる構成とされている。これにより、緑色の光に対する解像度を向上させることができる。また、例えば、画素ユニット41は、図17および図19の画素ユニット41dにおいて白色の光を受光する画素42d-8が、緑色の光を受光するような配置を採用してもよい。即ち、図23には、第7の配置例で画素42gが配置された画素ユニット41gの構成例が示されており、画素ユニット41gは、画素42g-7が、緑色の光を受光する点で、図17および図19の画素ユニット41dと異なる構成とされている。これにより、緑色の光に対する解像度を向上させることができる。なお、画素ユニット41e乃至41gは、画素ユニット41dと同様に、8つの画素42が周期的に配置されるように、単純な周期構造で平面を埋め尽くすことができる。また、いずれかの画素42に欠陥が発生した場合、その画素42の補正を行う際に偽色を発生し難くすることができ、図18および図20を参照して説明したような画素共有構造を採用することができる。また、上述したような各構成例の画素ユニット21および41が受光面に配置された固体撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。図24は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。図24に示すように、撮像装置101は、固体撮像素子102、信号演算装置103、モニタ104、変換装置105、出力装置106、および記録装置107を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。固体撮像素子102は、画素アレイ部108およびAD変換部109を有しており、画素アレイ部108には、上述したいずれかの構成例の画素ユニット21および41が受光面を埋め尽くすように配置されている。画素アレイ部108は、図示しない光学系を介して受光面に結像される像に応じた画素信号色信号を出力し、AD変換部109は、その画素信号をAD変換して出力する。信号演算装置103は、AD変換部109から供給される画素信号に対し、必要に応じて、信号合成処理または欠陥画素信号補正処理を行う。例えば、信号演算装置103は、多色の色信号を出力するように設定されている場合、画素ユニット41内で欠陥が発生した画素42の画素信号を、同じ画素ユニット41内の他の画素42の画素信号を合成することで、その欠陥を補正する処理を行う。また、例えば、信号演算装置103は、三原色の色信号を出力するように設定されている場合、信号合成処理を行うとともに、欠陥画素信号補正処理を行う。信号合成処理では、例えば、上述の式1乃至3を用いて、三原色の色信号RGBが合成される。なお、信号演算装置103が出力する色信号については、モニタ104の対応や、撮像装置101を有するユーザの表示環境などによって設定することができる。モニタ104は、液晶パネルや有機LEElectroLuminescenceパネルなどにより構成され、信号演算装置103により信号処理が行われた画像を表示する。変換装置105は、撮像装置101が画像を出力する装置に応じて、その画像のデータフォーマットを変換して、出力装置106および記録装置107に出力する。出力装置106には、例えば、外部モニタなどが接続され、出力装置106は、変換装置105から出力される画像を外部モニタに出力して表示させる。記録装置107は、フラッシュメモリ例えば、EEPROMElectronicallyErasableandProgrammableReadOnlyMemoryなどにより構成され、変換装置105から出力される画像を記録する。このように構成されている撮像装置101では、固体撮像素子102において、上述したいずれかの構成例の画素ユニット21または41が受光面を埋め尽くすように配置されていることより、より高画質な画像を得ることができる。なお、撮像装置101では、モニタ104の解像度が固体撮像素子102の解像度よりも低く、固体撮像素子102により撮像された画像をモニタ104に表示する際、固体撮像素子102は、モニタ104の解像度に応じて画素ユニット41を動作させる。例えば、固体撮像素子102は、横方向に1つおきに画素ユニット41を動作させたり、縦方向に1つおきに画素ユニット41を動作させたり、縦横1つおきに画素ユニット41を動作させて信号の間引き動作をさせる。これにより、例えば、信号処理での負荷や消費電力などを低減させることができ、ユーザの利便性を向上させることができる。次に、図25を参照して、撮像装置101での処理について説明する。撮像装置101による撮像が開始されると、ステップS11において、固体撮像素子102では、画素アレイ部108がAD変換部109に画素信号を供給する。ステップS12において、AD変換部109は、画素アレイ部108から供給される画素信号をAD変換して、信号演算装置103に供給する。ステップS13において、信号演算装置103は、設定に従って、出力する色信号が、三原色および多色のいずれであるかを判定する。ステップS13において、出力する色信号が三原色であると判定された場合、処理はステップS14に進み、信号演算装置103は、上述のような信号合成処理および欠陥画素信号補正処理を行う。ステップS15において、信号演算装置103は、ステップS14の処理の結果得られる画素信号例えば、RGBの色信号を出力し、処理は終了される。一方、ステップS13において、出力する色信号が多色であると判定された場合、処理はステップS16に進み、信号演算装置103は、上述のような欠陥画素信号補正処理を行う。ステップS17において、信号演算装置103は、ステップS16の処理の結果得られる画素信号例えば、RGBおよびCMYの色信号を出力、処理は終了される。以上のように、撮像装置101では、画像の表示環境に応じて信号合成処理が切り替えられて行われ、三原色または多色の画素信号を出力することができる。なお、欠陥画素信号を補正する処理において、従来から用いられている方法、例えば、同色の隣接画素の信号から、その隣接画素の間にある画素の信号を補完する方法を採用してもよい。なお、撮像装置101に対してレンズや操作コントロール装置を組み合わせて、デジタルカメラが構成される。なお、上述のフローチャートを参照して説明した各処理は、必ずしもフローチャートとして記載された順序に沿って時系列に処理する必要はなく、並列的あるいは個別に実行される処理例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理も含むものである。なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。1平面的に見て同形状の多角形の複数の画素が組み合された画素ユニットが規則的に平面を埋め尽くすように配置されて構成され、前記画素が、少なくとも4色以上の光を受光する固体撮像素子。2前記画素ユニットは、少なくとも6個の前記画素が組み合わされて構成され、それぞれの画素が受光する光の色について、補色の関係にある前記画素どうしが対角となる位置に配置される上記1に記載の固体撮像素子。3複数の前記画素のうちの、少なくとも1つがカラーフィルタを通さない光を受光する上記1または2に記載の固体撮像素子。4前記画素ユニットは、平面的に見て六角形の外形形状をした8個の前記画素が組み合わされて構成され、ある1の前記画素を中心として、その周囲を囲うように6個の画素が配置された塊の外側に1個の画素が配置されて構成される上記1から3までのいずれかに記載の固体撮像素子。5前記画素ユニットにおいて、複数の前記画素が、所定のトランジスタを共有して使用する共有構造が採用される上記1から4までのいずれかに記載の固体撮像素子。6いずれかの画素から得られる所定の色の画素信号を、他の色の画素信号を合成することにより出力する上記1から5までのいずれかに記載の固体撮像素子。なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。