"レジストを塗布した後に、残余の使用済みレジストを回収し、該使用済レジストから再生レジストを製造する再生レジストの製造方法であって、前記使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が20質量以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、再生レジストの製造方法。前記他の溶剤がプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチル、メチル-3-メトキシプロピオネートから選択される1種以上の溶剤である、請求項1に記載の再生レジストの製造方法。前記濃縮工程では、全溶剤中に占める前記他の溶剤の割合が40質量以下となるように前記使用済み混合液を濃縮する請求項1又は2に記載の再生レジストの製造方法。レジスト貯蔵タンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する供給工程と、前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する塗布工程と、残余の使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が20質量以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、前記再生レジストを前記レジスト貯蔵タンクへ貯蔵する貯蔵工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、レジストのリサイクル使用方法。ところが、特許文献3の方法によって、再生レジストを繰り返しリサイクル使用していると、長期保存時に異物が発生する等、保存安定性に問題があることがわかっている。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、保存安定性の高い再生レジストの製造方法及びレジストのリサイクル使用方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、使用済みレジストとリンス液の廃液と含む使用済み混合液を回収し、濃縮した後に、未使用レジストを所定量添加することにより、長期保存安定性に優れた再生レジストを製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の第一の態様は、レジストを塗布した後に、残余の使用済みレジストを回収し、該使用済レジストから再生レジストを製造する再生レジストの製造方法であって、前記使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が20質量以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、再生レジストの製造方法である。また本発明の第二の態様は、レジスト貯蔵タンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する供給工程と、前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する塗布工程と、残余の使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が20質量以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、前記再生レジストを前記レジスト貯蔵タンクへ貯蔵する貯蔵工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、レジストのリサイクル使用方法である。本発明によれば、長期保存しても、異物の発生が起こりにくく、複数回再生利用しても未使用レジストと遜色ないレジスト膜を形成できる再生レジストを製造し、リサイクル使用することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の再生レジストの製造方法の基本フローチャートである。以下、図1に沿って本発明を説明する。[再生レジストの製造方法][回収工程]回収工程S10は、使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する工程である。基板上にレジストを塗布した際には、基板上に被膜として残らず、塗布用の装置内に飛散したり落下したりすることによって発生する残余のレジストがある。これらを使用済みレジストとして回収する。レジストの塗布は、スピンコート法、ロールコーター法、バーコーター法等公知の方法を用いて行うことができる。本発明で用いられるレジストとは、少なくともベース樹脂成分を含む従来公知のレジスト成分を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを主とする有機溶剤に溶解してなる組成物である。もちろんポジ型レジスト、ネガ型レジストいずれでもよく、必要に応じて酸発生剤、増感剤、感光剤、界面活性剤等の従来公知の化合物を含んでいてもよい。PGMEAの濃度は50以上であればよく、60以上が好ましく、80以上がより好ましい。未使用レジストであっても、本発明の方法により製造された再生レジストであってもよい。レジストの塗布の後、引き続き行うエッジリンス、バックリンス等の洗浄により発生する、レジスト膜の不要部分とリンス液とを含む廃液を更に回収する。これらの廃液と前記使用済みレジストとを含むものが、使用済み混合液である。リンス方法は、浸漬法、スプレー法等特に限定されず、リンス液処理時間も不要部分の洗浄除去に十分な時間であればよく、特に限定されるものではない。本発明で用いられるリンス液とは、PGMEA沸点146°Cより低沸点の他の溶剤を含むものである。前記他の溶剤は、沸点120°Cであるプロピレングリコールモノメチルエーテル、沸点126°Cである酢酸ブチル、沸点142°Cであるメチル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられる。後述する濃縮工程において分留率の低下を防止するために、PGMEAとの沸点差は大きい方が好ましく、10°C以上の沸点差が好ましく、20°C以上の沸点差がより好ましい。これらリンス液は単独で使用しても、複数組み合わせて使用してもよい。[濃縮工程]濃縮工程S11は、前記使用済み混合液から、前記他の溶剤が所定の濃度以下になるように濃縮して濃縮液を得る工程である。前記他の溶剤はPGMEAよりも沸点が低いため、濃縮により、その濃度を下げることができる。なお、本発明における濃縮とは完全な精留を意味するものではなく、沸点差を利用して所定の割合まで他の溶剤を減少させる化学操作を意味する。この濃縮工程S11は、濃縮後の溶剤組成を管理することが好ましいため、塗布装置のあるユーザーサイドではなく、好ましくはレジストメーカーサイドにて行われる。濃縮方法は特に限定されないが、例えば、前記使用済み混合液を攪拌しながら加熱することで前記他の溶剤を蒸発させることにより行う。また、必要に応じて減圧下で前記使用済み混合液を攪拌しながら加熱し、前記他の溶剤を蒸発させるようにしてもよい。また、適宜必要に応じてPGMEAを再添加し、前記他の溶剤を蒸発させやすくしてもよい。濃縮工程S11では、再生レジストの使用目的に応じて濃縮程度を適宜設定することができるが、全溶剤中に占める前記他の溶剤の濃度が40以下となるように濃縮することが好ましい。より好ましくは10以下であり、更に好ましくは1以下である。前記他の溶剤の濃度が40以下であれば、必要性能に応じた用途で、再生レジストとして使用可能である。また、同じ理由でPGMEAの濃度は50以上であることが好ましい。なお、濃縮工程S11において、一回の濃縮で前記他の溶剤の濃度を40以下にすることができるが、濃縮工程S11を複数回行うことで、より前記他の溶剤の濃度を低くすることができる。これにより、前記他の溶剤の濃度をある程度自由に変えることができ、様々な形態の再生レジストの製造に利用でき、ユーザーの要求にも応えることができる。[再生レジスト調製工程]再生レジスト調製工程S12は、前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する工程である。未使用レジストを添加することにより、長期保存において異物の発生を抑える効果が得られる。ここで、長期保存して発生する異物は、パーティクルカウンターにより、単位体積あたりのパーティクルの個数として検出することができるが、パーティクルの数が増えると、均一なレジスト膜を形成できず、レジストとして使用できなくなる。パーティクルの発生しやすさとGPC分析での高分子量成分の濃度には密接な関係があり、レジスト製造直後のGPC高分子量成分ピークの面積百分率が10を超えると、6ヶ月保存後のレジストにはパーティクルの発生が多く、レジスト感度が低くなる等の性能低下を生じ、レジストとして使用できなくなるという関係を見出している。ここで、GPC分析での高分子量成分ピークとは、レジストに含まれるベース樹脂成分のメインピークよりも高分子量側に検出されるピークのことである。GPC分析での高分子量成分ピークは、具体的に、例えば、以下の条件により測定することができ、15.5~18.3分の位置に現れる。装置:ShodexSYSTEM21昭和電工社製ガードカラム:ShodexKF-Gカラム:ShodexKF-801×3検出器:ShodexUV41検出波長:310nm溶離液:テトラヒドロフランTHF流量:1.0mL/分サンプル濃度:各レジスト組成物の固形分濃度0.2質量のTHF溶液表1に、特許文献3の方法でレジストをリサイクルした例を示す。通常未使用レジストであっても、GPC高分子量成分ピークは4~6面積存在するが、特許文献3の方法により、使用済み混合液を濃縮する方法でリサイクルを繰り返すと、3回程度で再生レジスト調製直後のGPC高分子量成分ピークが10面積を超え、6ヵ月後には0.3μm以上のパーティクルの個数が10,000個/mLを超え、レジストとしての使用に適さなくなる。ところが、前記濃縮液に未使用レジストを添加し、レジスト調製直後のGPC高分子量成分ピークを10面積以下にすれば、6ヶ月保存後も安定してレジストへの使用が可能となる。未使用レジストの添加量が多いほど、長期保存安定性は高くなるが、コスト高となるため、添加量の下限をシミュレーションにより求めた。未使用レジストのGPC高分子量成分ピークが6面積であり、濃縮工程を経ると、1面積増加すると仮定し、リサイクルに伴い、高分子量成分の面積が変化する様子を算出した。濃縮液に未使用レジストを添加し再生レジスト中の未使用レジストの割合が10、15、20となるように調製する場合をそれぞれ表2~4に示す。表4のように、未使用レジストのGPC高分子量成分ピークが6面積であり再生レジスト中の未使用レジストの割合が20となるように未使用レジストを添加すれば、再生レジストのGPC高分子量成分ピークの面積がはじめて10になるのが、リサイクル40回のときであり、その後もリサイクル可能であることがわかる。一方表2及び表3のように、未使用レジストの添加量が少ないと、リサイクル回数はあまり増えない。未使用レジストのGPC高分子量成分ピークの面積がもともと6よりも低ければリサイクル可能回数は増え、また濃縮液への未使用レジストの添加量が多くなればリサイクル可能回数は増える。未使用レジストの添加量は、コストも鑑みれば、再生レジスト中の未使用レジストの割合が20質量以上50質量以下となる範囲で、各用途の必要性能に応じて適宜設定することが好ましい。未使用レジストを添加した後、再生レジストの固形分濃度を調整するために、未使用レジストに用いられている溶剤を別途添加してもよい。[レジストのリサイクル使用方法]本発明のもう一つの実施形態であるレジストのリサイクル使用方法について、図面を参照して説明する。図2は、本発明のレジストのリサイクル使用方法の基本フローチャートである。以下、図2に沿って本発明を説明する。[供給工程]供給工程S20は、レジストを貯蔵するタンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する工程である。ここで前記レジストは主に再生レジストであるが、サイクルの開始時は未使用レジストであってもかまわない。[塗布工程]塗布工程S21は、前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する工程である。塗布方法は、スピンコート法、ロールコーター法、バーコーター法等公知の方法を用いることができる。例えば、塗布工程S21は、吐出ノズルと基板とを相対的に移動させる手段を備えた装置によって行うことができる。吐出ノズルは、前記レジストが基板上に塗布されるように構成されているものであればよく特に限定されないが、例えば複数のノズル孔が列状に配列された吐出口を有する吐出ノズルや、スリット状の吐出口を有する吐出ノズルを用いることができる。また、塗布工程S21は、基板上に前記レジストを吐出した後、基板をスピンさせて膜厚を薄く調整する手段を用いることもできる。この塗布工程S21において、例えば、半導体や液晶パネル製造ライン等の大型のレジスト塗布装置においては、塗布後の残余のレジスト液が多量に発生することになる。回収工程S22、濃縮工程S23、再生レジスト調製工程S24は、前記の再生レジストの製造方法において回収工程S10、濃縮工程S11、再生レジスト調製工程S12として説明した通りである。[貯蔵工程]貯蔵工程S25は、再生レジスト調製工程で調製された再生レジストをレジスト貯蔵タンクへ貯蔵する工程である。再生レジストは、0~20°Cの温度に調整されたレジスト貯蔵タンクで貯蔵することが好ましい。また、貯蔵された再生レジストは通常6ヶ月以内に供給工程S20で用いることが好ましい。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。[再生レジストの製造方法]実施例1東京応化工業株式会社製のTFR-970PMを用いて基板に塗布した際に発生した使用済みレジストと、リンス液として用いられた酢酸ブチルとを含む使用済み混合液固形分濃度11、水分3、有機溶剤中のPGMEA20,有機溶剤中の酢酸ブチル80を回収した。使用済み混合液を70~80°Cに加熱して約1/3の量まで濃縮した。これにPGMEAを全体液量と同量添加し、再度70~80°Cに加熱して約1/3の量まで濃縮した。更にPGMEAを全体液量の半量添加し、70~80°Cに加熱して濃縮液固形分濃度45、水分0.04、有機溶剤中のPGMEA98,有機溶剤中の酢酸ブチル2、を得た。この濃縮液に同じ重量の未使用TFR-970PMを添加し、更に固形分濃度23.6となるようにPGMEAを添加して再生レジストAを調製した。再生レジストAを用いて基板に塗布した際に発生した使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む使用済み混合液を、同様に濃縮して濃縮液固形分濃度42、水分0.06、有機溶剤中のPGMEA99,有機溶剤中の酢酸ブチル1、を得た。この濃縮液に同じ重量の未使用TFR-970PMを添加し、更に固形分濃度を調整するためにPGMEAを添加して再生レジストBを調製した。同様にして、再生レジストBを基板塗布に使用後、使用済み混合液を回収し、濃縮して、固形分濃度41、水分0.05、有機溶剤中のPGMEA99,有機溶剤中の酢酸ブチル1、となる濃縮液を調製し、これに同じ重量の未使用TFR-970PMを添加し、更に固形分濃度を調整するためにPGMEAを添加して再生レジストCを調製した。同じ工程を繰り返し、再生レジストD,Eも調製した。未使用TFR-970PM参考例及び再生レジストA~Eの調製直後の成分濃度、粘度及びGPC高分子量成分ピークの面積を表5に示す。[レジスト膜評価]実施例2未使用TFR-970PM参考例及び調製直後の再生レジストA~Eについて、HMDS処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを90°C×90秒間施し、厚さ1.6μmのレジスト膜を形成した。その後、露光装置商品名:キャノン製MPA-600FAにより、ラインアンドスペース1:1で、3μmライン/3μmスペースのマスクパターンを介して露光した後、ポストベークを90°C×90秒間施した。次いで、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で100秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。照度を500mW/cm2で一定にし、露光した時間msを変化させ、得られた実測線幅との関係を評価した。結果を図3に示す。再生レジストA~Eは未使用レジストと有意差がなく、十分使用可能であることがわかる。[保存安定性評価]実施例3未使用TFR-970PM参考例及び再生レジストA~Eについて、調製直後及び、20°Cで3ヵ月後及び6ヵ月後保存した場合の各種性能評価を行った。表6には、パーティクルカウンターで検出した1mL当たりの0.3μm以上のパーティクルの個数個/mLを示す。表7には、レジスト感度EthmJ/cm2の変化を示す。未使用TFR-970PM参考例及び調製直後の再生レジストA~Eについて、HMDS処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを110°C×90秒間施し、厚さ1.52μmのレジスト膜を形成した。その後、露光装置商品名:ニコン製G7Eにより、パターンを介して露光した。次いで、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。不要部分が無くなる露光量とSTD値スタンダードサンプルの露光量との相対値をで示す。なお、スタンダードサンプルとして使用したレジストは、TFR-970PMの冷凍サンプルである。表7中、調製直後の結果とは、調製直後の再生レジスト等の露光量とスタンダードサンプルの露光量とを比較したものである。その後再生レジスト等は20°Cで保存し、スタンダードサンプルは冷凍保存して、3ヵ月後、6ヵ月後に同様の評価を行った。表8には、膜べりの変化を示す。未使用TFR-970PM参考例及び調製直後の再生レジストA~Eについて、HMDS処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを110°C×90秒間施し、厚さ1.52μmのレジスト膜を形成した。その後、露光装置商品名:ニコン製G7Eにより、パターンを介して露光した。次いで、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。次に未露光部の膜厚を測定した。その膜厚値とSTD値スタンダードサンプルの膜厚値との相対値をで示す。なお、スタンダードサンプルとして使用したレジストは、TFR-970PMの冷凍サンプルである。表8中、調製直後の結果とは、調製直後の再生レジスト等の膜厚とスタンダードサンプルの膜厚とを比較したものである。その後再生レジスト等は20°Cで保存し、スタンダードサンプルは冷凍保存して、3ヵ月後、6ヵ月後に同様の評価を行った。再生レジストA~Eは6ヶ月保存後も、パーティクルの発生が少なく、感度の変化、膜べりの変化が小さく、レジストとして使用可能であることがわかる。"