"フレーム形状としたヒータアセンブリ。請求項1に記載のヒータアセンブリであって,環状に形成されているヒータアセンブリ。請求項1又は2に記載のヒータアセンブリであって,複数のモジュール11,12,13を備え,該モジュールが前記ヒータアセンブリで囲まれた空き領域7の周りに配置され,該モジュール11,12,13が少なくとも1つの加熱エレメント12を備えるヒータアセンブリ。請求項3に記載のヒータアセンブリであって,複数のモジュール11,12,13が放熱エレメント11を備え,1つ又は複数の加熱エレメント12が2つの放熱エレメント11の間に配置されているヒータアセンブリ。請求項4に記載のヒータアセンブリであって,少なくとも1つの加熱エレメント12が,隣接する放熱エレメント11と導電接続されるヒータアセンブリ。請求項3~5の何れか一項に記載のヒータアセンブリであって,少なくとも1つの接触フレーム50,60を備え,該接触フレームが,少なくとも1つのモジュール11,12,13と電気的に接触するヒータアセンブリ。請求項6に記載のヒータアセンブリであって,接触フレーム50,60が,空き領域7に対向又は背向するモジュール11,12,13の側面に沿って延在するヒータアセンブリ。請求項6又は7に記載のヒータアセンブリであって,接触フレーム50,60が,電気的に接続されないモジュール11,12,13に隣接する領域に絶縁体を有するヒータアセンブリ。請求項3~8の何れか一項に記載のヒータアセンブリであって,モジュール11,12,13が,フレームの少なくとも一部に沿って相互にクランプされるヒータアセンブリ。請求項3~9の何れか一項に記載のヒータアセンブリであって,複数のモジュール11,12,13がばねエレメント13を備え,該ばねエレメントが2つのモジュール11,12間でクランプされるヒータアセンブリ。請求項1~10の何れか一項に記載のヒータアセンブリであって,フレーム形状のハウジング2,3を更に備えるヒータアセンブリ。請求項11に記載のヒータアセンブリであって,前記ハウジングが,空き領域7を囲む内面と,これに背向する外面と,前面及び後面とを備え,これらの面の少なくとも1つに凹部23,33,43を有するヒータアセンブリ。請求項4~12の何れか一項に記載のヒータアセンブリであって,放熱エレメント11が,リブ17又は蛇行状の折り込みを備え,或いは凹部を有するボディとして構成されるヒータアセンブリ。図1は,自己制御機能を有する環状ヒータアセンブリの一実施形態を示すものである。このヒータアセンブリはリングヒータ1を備え,リングヒータ1はハウジング2,3内に環状に配置されている。そのリングによって囲まれた空き領域7は,加熱手段の位置決めには利用できない。リングヒータ1は熱を放射し,その熱により空気等の媒体を,放熱エレメント11が配置された流れ断面内で加熱することができる。リングヒータ1は,ハウジングシェル2とハウジングカバー5とを備える環状の同心ハウジング内に配置されている。リングヒータ1及びハウジング2,3は空き領域7の周りに延在しており,その空き領域内にはヒータアセンブリの部品が配置されていない。ハウジング2,3は,空き領域に対向する内面と,空き領域に背向する外面と,内面及び外面にほぼ垂直な前面及び後面とを備えている。内面,外面及び後面は,ハウジングシェル2の一部である。ハウジングカバー3は前面として機能する。内面,前面及び後面には凹部33,43が設けられており,それらを通して熱を自由に放射することができる。ハウジング2,3はプラスチック製とすることができる。図2は,図1に示すヒータアセンブリの分解斜視図である。リングヒータ1は複数のモジュール11,12,13を備えている。これらのモジュールは加熱エレメント12を備え,その加熱エレメントは電圧印加により加熱される。加熱エレメント12としてPTC抵抗加熱エレメントを適用することができ,これは本実施形態において,立方形のセラミックパネルとして構成されている。その材料としては,例えばチタン酸バリウムセラミックスが挙げられる。更に放射体11が設けられており,この放射体11は熱を加熱エレメント12から放散放出するのに適している。放射体11はリブ17を備え,そのリブ17によって熱が流れ方向に放出される。本実施形態において,放熱エレメントは,例えばアルミニウム等の金属で構成されている。ばねエレメント13は,その変形時に反力を発生させる。一実施形態において,ばねエレメント13は予め曲げ加工が施されたばね鋼プレートとして構成される。リングヒータ1は,互いに隣接して環状に配置された複数の放熱エレメント11,加熱エレメント12及びばねエレメント13を備えている。放熱エレメント11は,円形リング全体に亘る空き領域7の周囲に配置されている。放熱エレメント11の間には,加熱エレメント12及びばねエレメント13が配置されている。加熱エレメント12は,常に2つの放熱エレメント11の間に位置している。電気接続及び熱接触のため,放熱エレメント11の間にばねエレメント13が圧入されており,ばねエレメントも円周上に分散配置されている。好適には,2つの放熱エレメント11の間に加熱エレメント12又はばねエレメント13を配置する。加熱エレメント12及びばねエレメント13は交互に配置する。環状に配置されたモジュール11,12,13の周りには,実質的に環状の第1接触フレーム50と,実質的に環状の第2接触フレーム60とが配置されている。接触フレーム50,60には,半径方向外向きの接触ラグ51,61によって電圧が印加される。接触ラグ51,61は,ハウジングシェル2を介して外側に向けられている。接触フレーム50,60は接触領域52,62を備え,これらの接触領域によりモジュールがそれぞれ接触フレーム50,60と電気的に交互に接続され,並列回路を可能にする。リングヒータ1はハウジングシェル2内に位置している。ハウジングシェル2は,ハウジングの後面を形成する底部22と,内面及び外面とを備える。ハウジングの内面は,モジュール11,12,13をその中に配置できるように構成されている。ハウジングシェル2の内面のウェブ21によって送風機が構成され,この送風機はモジュール11,12,13を含むことができる。モジュール11,12,13はハウジングシェル2に固定され,相互に環状にクランプされている。その圧入結合によって隣接するモジュール11,12,13が接触して熱的な直列接続,即ち熱源としての加熱エレメント12が間に介挿された放熱エレメント11の熱的な直列接続が周方向に沿って構成される。ハウジングシェル2は,相互にクランプされたモジュール11,12,13の半径方向変位を防止する。ハウジングカバー3は,モジュール11,12をハウジングシェル2内に配置した後に,ハウジングシェル2上に固定される。ハウジングカバー3はモジュール10,11,12の抜け落ちを防止し,ハウジングシェル2の後面22と同様,内面に凹部23,33,43が設けられている。凹部23,33,43により,加熱すべき媒体を,放熱エレメント11のリブ17を通して直接流すことができる。これにより熱的特性が向上する。図3は,モジュール11,12,13の詳細を示している。放熱エレメント11は一方の面に溝が設けられた長方形のアルミブロックであり,その溝は,本実施形態では空き領域7に対向している。放熱エレメントに亘って形成されるリブ17により,熱が隣接する加熱モジュール12から放射される。放熱エレメント11の一方の面には,2つのウェブ15が設けられている。反対側の面16は平坦である。組み付けの際,隣接する放熱エレメント11は,ウェブ15を設けた面が互いに対向して凹部を構成し,その中にばねエレメント13を設置できるように配置される。ウェブ11により組み立てが簡素化され,ばねエレメント13の滑りが防止される。加熱エレメント12には隣接する放熱エレメント11の平坦面16が対向しており,良好な熱伝達特性を有する最大限の接触を形成可能としている。図4は,ヒータアセンブリにおけるリングヒータの断面を示し,上述したモジュール11,12,13の配置,即ち,放熱エレメント11,加熱エレメント12,放熱エレメント11,及びばねエレメント13の繰り返し配列を明示するものである。モジュール11,12,13は相互に導電接続されており,その導電接続は,モジュール11,12,13間の圧入結合で生じる接触によって実現される。電源電圧は,第1及び第2接触フレーム50,60を介して供給される。本実施形態では,リング片として構成された接触フレーム50,60が,モジュール11,12,13のリング内面に背向する面に沿って延びている。電気的な接触は,放熱エレメント11の一部と接触フレーム50,60との間のみに存在する。電気的接触は,接触フレーム50,60の放熱エレメント11との相互接触によって生じる。本実施形態では,3つの放熱エレメント11おきに接触させる。即ち,第1接触フレーム50が接触する放熱エレメント11は,第2接触フレーム60が接触する放熱エレメント11に対して,2つの放熱エレメント11おきにオフセットしている。本実施形態において,接触フレーム50,60は,全ての放熱エレメント11の外面に接触するのではなく,電気接触すべき放熱エレメント11のみと接触する。これは,接触フレーム50,60の直径を,環状に配置されたモジュール11,12,13の直径よりも大きくすることにより実現される。即ち,接触フレーム50,60は,モジュールと電気接触する領域のみに,半径方向内側に湾曲させた接触領域52,62を備え,これにより放熱エレメント11に電気的に接触させる。接触領域の形状は階段状,尖頭状,円弧状又はその他の形状とすることができる。他の実施形態図示せずでは,電気接触のために半径方向内向きの突起が設けられている。接触領域52,62は,ばね作用により放熱エレメント11が十分な電気接触を達成するように構成されている。好適には,接触フレーム50,60に,内側に湾曲させた接触領域52,62を除き,電気絶縁体が設けられている。その電気絶縁体は,接触フレーム50,60の周囲又は内面のみに取り付けられている。絶縁体はプラスチックで構成してもよい。接触フレーム50,60はハウジングシェル2内に導かれ,又はハウジングシェル2内に強固に固定される。一実施形態では,接触フレーム50,60は,接触領域52,62を除き,ハウジングシェル2に鋳込み成形又は射出成形される。ヒータアセンブリは,PTC抵抗加熱エレメントを使用することにより自己制御される。PTC抵抗加熱エレメントは,電気的に必要とされる並列回路を接触フレーム50,60により実現する。第1接触フレーム50と電気接触する放熱エレメント11は,所定電位にある。第2接触フレーム60と電気接触する放熱エレメント11は,異なる電位にある。これにより,リングヒータ1のうち,第1及び第2接触フレーム50,60と電気接触する放熱エレメント11の間に延在する部分が並列回路となる。その並列回路により,加熱に必要とされる電源電圧を加熱エレメント12に印加することができる。図5は,ハウジングシェル2に配置されたリングヒータ1の詳細を示している。ハウジングシェル2の内面のウェブ状の構造21により,モジュール11,12,13の確実な位置決めが可能である。放熱エレメント11及び加熱エレメント12のために受入れ領域が設けられている。ばねエレメント13は,2つの隣接する放熱エレメント11の間の凹部に配置されている。ばねエレメントのばね作用により,隣接するモジュールに力が作用する。リングヒータ1上に配置された複数のばねエレメント13によって圧入係合が生じる。リングヒータ1をハウジングシェル2に取り付けることにより,放熱エレメント11と加熱エレメント12との間のばねエレメント13によって圧入係合が実現され,圧入係合によって隣接するモジュール11,12,13が相互にクランプされ,モジュール11,12,13が相互に接触して熱的及び電気的な接続が生じる。ハウジングシェル2は,相互にクランプされたモジュール11,12,13の半径方向外向き変位を防止する。締結装置を更に設け,これによりハウジングシェル2を閉じるためのハウジングカバー3を,ハウジングシェル2に固定することができる。これは,例えばハウジングカバー3の穴内に非確動及び/又は確動的に配置される突起24によって実現することができる。また,スナップ接続も考えられる。上述した実施形態の各特徴は,組み合わせることが可能であることに留意されたい。"