基板の上に、第1の絶縁膜と第1のマスク膜を形成する工程と、前記第1のマスク膜の上に、配線パターンに対応する第1の開口が設けられたマスクパターンを形成する工程と、前記配線パターンに依存する物理量に基づいて前記第1のマスク膜のエッチング条件である第1のエッチング条件を決定する工程と、前記マスクパターンをマスクとして、前記第1のエッチング条件で前記第1のマスク膜をエッチングすることにより、前記第1のマスク膜に、前記配線パターンに対応する第2の開口を形成する工程と、前記第2の開口が形成された前記第1のマスク膜をマスクとしたエッチング処理を行うことにより、前記第1の絶縁膜に、前記配線パターンに対応する配線溝を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。前記配線パターンに依存する物理量が、前記配線パターンの前記面積占有率と、前記配線パターンの長さに依存する物理量との積である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記配線パターンの長さに依存する物理量が、前記配線パターンの周辺長の合計に依存する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の絶縁膜から前記マスクパターンまでの積層構造が同一であり、配線パターンの面積占有率が相互に異なる複数の試料を、前記第1のマスク膜のエッチングの条件を同一にして作製する工程と、前記複数の試料について、前記第1の絶縁膜に形成される溝の幅と、前記マスクパターンに形成されている開口の幅との差であるパターン幅変動量を測定する工程とを実行することにより、前記パターン幅変動量と、前記パターン依存物理量との第1の関係が予め求められており、前記第1のエッチング条件を決定する工程が、前記パターン依存物理量を前記第1の関係に適用することにより、前記パターン幅変動量を求める工程と、求められた前記パターン幅変動量に基づいて、前記第1のエッチング条件を決定する工程とを含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の絶縁膜から前記マスクパターンまでの積層構造が同一である複数の試料に、前記第1のマスク膜のエッチング条件を異ならせて、前記第1の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記複数の試料に形成された前記配線溝の幅を測定する工程とを実行することにより、前記第1のマスク膜のエッチング条件と、当該エッチング条件で形成された前記配線溝の幅との第2の関係が予め求められており、前記第1のエッチング条件を決定する工程において、前記パターン幅変動量と、前記配線溝の目標幅と、前記第2の関係とに基づいて、前記第1のエッチング条件を決定する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のマスク膜を形成する前に、前記第1の絶縁膜の上に、酸素を含む無機材料からなるハードマスク膜を形成する工程を含み、前記第1のマスク膜に前記第2の開口を形成した後、前記配線溝を形成する前に、さらに、前記第1のマスク膜をマスクとして前記ハードマスク膜をエッチングすることにより、前記ハードマスク膜に、前記配線パターンに対応する第3の開口を形成する工程を有し、前記配線溝を形成する工程において、前記第3の開口が形成された前記ハードマスク膜をマスクとして、前記第1の絶縁膜をエッチングする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の絶縁膜の下に第2の絶縁膜が形成されており、前記第1のマスク膜を形成する前に、さらに、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜にビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内を樹脂で埋め込む工程とを有し、前記第1のマスク膜に前記第2の開口を形成した後、さらに、前記ビアホール内の前記樹脂を除去する工程を含む請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。エッチングマスクに形成されている配線パターンの幅が一定でも、実際に形成される配線溝の幅は、製品間や多層配線層の層間でばらつきが生じる。最終的に形成される配線溝の幅を目標値に近づけるために、エッチングマスクに形成する配線パターンの幅を調整しなければならない。以下に説明する実施例では、エッチングマスクに形成する配線パターンの幅を調整することなく、配線溝の幅を目標値に近づけることができる。本発明の一観点によると、基板の上に、第1の絶縁膜と第1のマスク膜を形成する工程と、前記第1のマスク膜の上に、配線パターンに対応する第1の開口が設けられたマスクパターンを形成する工程と、前記配線パターンに依存する物理量に基づいて前記第1のマスク膜のエッチング条件である第1のエッチング条件を決定する工程と、前記マスクパターンをマスクとして、前記第1のエッチング条件で前記第1のマスク膜をエッチングすることにより、前記第1のマスク膜に、前記配線パターンに対応する第2の開口を形成する工程と、前記第2の開口が形成された前記第1のマスク膜をマスクとしたエッチング処理を行うことにより、前記第1の絶縁膜に、前記配線パターンに対応する配線溝を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。第1のエッチング条件を、配線パターンに依存する物理量に基づいて決定することにより、配線パターンに依存する物理量の異なる種々の配線層の形成において、配線溝の幅を目標値に近づけることができる。[実施例1]図1A~図1Fを参照して、実施例1による半導体装置の製造方法について説明する。図1Aに示すように、下地基板20の上に、配線層絶縁膜21、マスク膜22、及びレジスト膜23を順番に形成する。下地基板20は、例えば、トランジスタ等の電子回路素子が形成された半導体基板、及びその上に形成された配線層を含む。配線層絶縁膜21は、例えば無機ポーラス絶縁材料等の低誘電率材料で形成される。マスク膜22は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等で形成される。マスク膜22を、これらの複数の材料で形成された多層構造としてもよい。レジスト膜23は、例えばArFエキシマレーザ用の感光性レジスト材料で形成される。図1Bに示すように、レジスト膜23を露光及び現像することにより、レジスト膜23に開口24を形成する。開口24は、配線層絶縁膜21に形成すべき配線溝のパターンに対応する。開口24の幅をW1とする。図1Cに示すように、開口24が形成されたレジスト膜23をエッチングマスクとして、マスク膜22を第1のエッチング条件でエッチングすることにより、マスク膜22に開口25を形成する。第1のエッチング条件の決定方法の詳細については、後述する。図1Dに示すように、マスク膜22をエッチングマスクとして、配線層絶縁膜21をエッチングすることにより、配線溝26を形成する。配線溝26の幅をW3とする。このエッチングにより、レジスト膜23図1Cも除去される。図1Eに示すように、マスク膜22の上に、銅等の導電膜27を、電解めっきにより形成する。配線溝26及び開口25が、導電膜27で埋め込まれる。必要に応じて、導電膜27を形成する前に、バリアメタル膜、シード膜等を形成しておく。図1Fに示すように、導電膜27の余分な部分を化学機械研磨CMPにより除去する。これにより、マスク膜22が露出する。配線溝26内には、銅配線27Aが残る。図1A~図1Fでは、マスク膜22をエッチングマスクとして、配線層絶縁膜21をエッチングしたが、マスク膜22と配線層絶縁膜21との間に、他のハードマスクを配置してもよい。他のハードマスクを配置する場合には、まず、マスク膜22をエッチングマスクとして、その下のハードマスクをエッチングする。エッチングされたハードマスクをエッチングマスクとして、配線層絶縁膜21をエッチングする。この場合にも、レジスト膜23図1Cをエッチングマスクとしたマスク膜22のエッチングを通して、配線層絶縁膜21に配線溝26が形成される。すなわち、マスク膜22に形成された開口25図1Cの平面形状が、配線溝26に引き継がれる。図2に、配線パターンの平面図の一例を示す。半導体ウエハ上に、複数の配線パターンが形成されている。図2では、4本の配線パターンのみを示しているが、実際には、より多くの配線パターンが配置される。配線パターンの面積を、それぞれS1、S2、S3、S4、とする。配線パターンの周辺長を、それぞれL1、L2、L3、L4、とする。半導体ウエハの上面の面積をWAとする。単位面積あたりの配線パターンの周辺長の長さの合計L、及び配線パターンの面積占有率Rを、以下の式で定義する。L=L1L2L3L4/WAR=S1S2S3S4/WAすなわち、Lは、すべての配線パターンの周辺長の合計をウエハ面積WAで除した大きさであり、Rは、配線パターンの総面積をウエハ面積WAで除した大きさである。次に、図3A、図3B、図4及び図5を参照して、第1のエッチング条件の決定方法について説明する。予め、面積占有率Rの異なる複数の試料を作製し、形成された配線溝26の幅を測定しておく。各試料は、実施例1で作製する半導体装置の配線層絶縁膜21からレジスト膜23までの積層構造と同一の積層構造を有する。レジスト膜23に形成される開口24の幅W1、マスク膜22のエッチング条件、及び配線層絶縁膜21のエッチング条件は、すべての試料において同一である。このときのマスク膜22のエッチング条件を標準エッチング条件ということとする。なお、マスク膜22は、テトラエトキシシランTEOSと酸素とを用いた化学気相成長CVDにより形成した。図3Aに、面積占有率Rと、パターン幅変動量との関係を示す。横軸は、面積占有率Rを任意単位で表し、縦軸は、パターン幅変動量を単位nmで表す。パターン幅変動量は、形成された配線溝26の幅をW3rとし、レジスト膜23の開口24の幅をW1とした時、W3r-W1と定義される。ここでW3rに付された添字rは、マスク膜22のエッチング条件として標準エッチング条件を適用したことを意味している。図3Aの四角記号は、実際に作製した試料の測定結果を示す。実線は、実際の測定点に基づいて、面積占有率Rとパターン幅変動量との関係を一次式で近似したグラフである。破線は、実際の測定点のばらつきの上限と下限とを示す。エッチング条件が同一であるにもかかわらず、面積占有率が大きくなるに従って、パターン幅変動量の絶対値が小さくなっている、具体的には配線溝26の幅が太くなっていることがわかる。図3Bに、面積占有率Rと周辺長の合計Lとの積と、パターン幅変動量との関係を示す。横軸は、面積占有率Rと周辺長の合計Lとの積を、任意単位で表す。縦軸は、図3Aの縦軸と同一である。面積占有率Rと周辺長の合計Lとの積が大きくなるに従って、パターン幅変動量の絶対値が小さくなっていることがわかる。図3Bを図3Aと比較すると、図3Bに示した測定点のばらつきの方が、図3Aに示した測定点のばらつきより小さいことがわかる。面積占有率R、及び面積占有率Rと周辺長の合計Lとの積は、配線パターンの形状に依存する。従って、これらの物理量を、パターン依存物理量ということとする。さらに、予め、マスク膜22図1Cのエッチング条件を異ならせて、複数の試料を作製し、形成された配線溝26の幅W3を測定しておく。各試料は、実施例1で作製する半導体装置の配線層絶縁膜21からレジスト膜23までの積層構造と同一の積層構造を有する。レジスト膜23に形成される開口24の幅W1、配線層絶縁膜21のエッチング条件、及び配線パターンの面積占有率は、すべての試料において同一である。なお、マスク膜22は、テトラエトキシシランTEOSと酸素とを用いた化学気相成長CVDにより形成した。マスク膜22を標準エッチング条件でエッチングして作製した配線溝の幅W3rを基準として、各試料の配線溝26の幅W3の偏差を求める。図4に、配線溝の幅の偏差と、マスク膜22図1Cのエッチング条件との関係を示す。配線溝の幅の偏差が0の試料は、マスク膜22のエッチング条件を標準エッチング条件として作製したものである。標準エッチング条件からC4F6の流量を増加させると、配線溝26の幅W3が狭くなる。標準エッチング条件からO2の流量を増加させると、配線溝26の幅が太くなる。なお、エッチング時間は、すべての試料において、配線溝がマスク膜22の底面まで達するように設定されている。図5に、マスク膜22図1Cの第1のエッチング条件を決定する方法のフローチャートを示す。ステップS1において、配線パターンの設計データCADデータに基づいて、配線パターンの面積占有率Rd、及び単位領域内の配線パターンの周辺長の合計Ldパターン依存物理量を算出する。面積占有率Rd、及び周辺長の合計Ldの定義は、図2を参照して説明したとおりである。ここで、添字のdは、設計データに基づいて算出された値であることを意味する。ステップS2において、パターン依存物理量とパターン幅変動量との関係図3Aまたは図3Bと、ステップS1で算出されたパターン依存物理量Rd、Ldとから、パターン幅変動量を求める。ここで、パターン依存物理量とパターン幅変動量との関係として、図3Aの関係を用いてもよいし、図3Bの関係を用いてもよい。得られたパターン幅変動量W3r1-W1は、マスク膜22図1Cを標準エッチング条件でエッチングしたと仮定した場合に、配線層絶縁膜21に形成される配線溝26図1Dの幅W3r1と、レジスト膜23の開口24図1Aの幅W1との差を表している。幅W1は、設計データから算出することができる。従って、配線溝の幅W3r1を算出することが可能である。ステップS3において、配線幅の偏差とエッチング条件との関係図4、ステップS2で求められた配線溝の幅W3r1、及び配線溝26の目標幅W3tとに基づいて、エッチング条件を決定する。具体的には、まず、配線溝の幅W3r1を基準として、配線溝26の目標幅W3tの偏差を算出する。この偏差が決定されると、図4に示した図表から、エッチング条件を決定することができる。偏差が0のときには、エッチング条件が、標準エッチング条件Erと同一になる。決定されたエッチング条件を、マスク膜22図1Cをエッチングするための第1のエッチング条件として採用する。第1のエッチング条件でマスク膜22をエッチングすることにより、配線溝26図1Dの幅W3を、目標幅W3tに近づけることができる。一般に、パターン依存物理量、例えば配線パターンの面積占有率や、配線パターンの周辺長は、同一の製品の配線層ごとに異なる。実施例1では、ステップS2図5において、パターン依存物理量に基づいて、パターン幅変動量を求めている。このため、パターン依存物理量の異なる複数の配線層において、配線溝の幅を、目標幅に近づけることができる。従来は、形成された配線溝26の幅と目標幅との差に基づいて、レジスト膜23図1Bに形成する開口24の幅W1を調整していた。開口24の幅W1の調整は、露光条件を変えることにより行う。実施例1では、配線溝26を形成する前に、マスク膜22の第1のエッチング条件を決定することができる。このため、配線溝26の形成、幅の測定、及びプロセス条件の修正という工程を経ることなく、配線溝26の幅を目標幅に近づけることができる。また、実施例1では、レジスト膜23図1Bに形成する開口24の幅を一定にしておき、マスク膜22図1Cのエッチング条件を調整することにより、配線溝26図1Eの幅を調整することが可能である。既に説明したように、図3Bに示した測定点のばらつきは、図3Aに示した測定点のばらつきより小さい。このため、ステップS2図5において、パターン依存物理量とパターン幅変動量との関係として、図3Bに示した関係を用いると、配線溝26の幅の精度を高めることができる。次に、図3Bに示した測定点のばらつきが、図3Aに示した測定点のばらつきより小さい理由について説明する。図1Cに示した状態で、配線層絶縁膜21をエッチングするとき、開口25の側面から、マスク膜22に含有されている酸素が放出される。放出された酸素は、配線層絶縁膜21のエッチングガスとして作用する。このため、酸素の放出量が多くなると、配線層絶縁膜21のエッチング速度が速くなると考えられる。酸素の放出量は、開口25の側面の面積に依存する。側面の面積は、配線パターンの周辺長に依存する。このため、配線パターンの面積占有率が同一の試料であっても、配線パターンの周辺長が異なると、マスク膜22のエッチング速度が異なってしまう。そうすると、最終的に形成される配線溝26の幅も異なってしまう。上述の理由により、配線パターンの面積占有率のみを考慮した図3Aにおいては、配線パターンの周辺長に起因して、測定点のばらつきが大きくなっていると考えられる。配線パターンは、通常は細長い平面形状を有するため、配線パターンの周辺長のうち、幅方向の縁の長さが占める割合は非常に少ない。このため、パターン依存物理量を算出する基礎となる物理量として、配線パターンの周辺長に代えて、配線パターンの長さを採用してもよい。[実施例2]図6A~図6Oを参照して、実施例2による半導体装置の製造方法について説明する。図6Aに示すように、層間絶縁膜30及びエッチングストッパ31の表層部に、下層配線32が形成されている。層間絶縁膜30、エッチングストッパ31、及び下層配線32が、図1Aに示した実施例1の下地基板20に対応する。エッチングストッパ31及び下層配線32の上に、エッチングストッパ35、ビア層絶縁膜36、配線層絶縁膜37、下層ハードマスク38、中層ハードマスク39、及び上層ハードマスク40をこの順番に形成する。配線層絶縁膜37が、図1Aに示した実施例1の配線層絶縁膜21に対応する。エッチングストッパ35は、例えばSiCで形成されており、その厚さは50nmである。ビア層絶縁膜36は、例えばSiOCで形成されており、その厚さは150nmである。配線層絶縁膜37は、例えば無機ポーラス絶縁材料等の低誘電率絶縁材料で形成されており、その厚さは150nmである。下層ハードマスク38は、例えばSiCで形成されており、その厚さは50nmである。中層ハードマスク39は、例えばSiO2で形成されており、その厚さは150nmである。上層ハードマスク40は、例えばSiNで形成されており、その厚さは50nmである。エッチングストッパ35から上層ハードマスク40までの各層の成膜には、例えばプラズマ励起型化学気相成長PE-CVD等を適用することができる。図6Bに示すように、上層ハードマスク40から、ビア層絶縁膜36の厚さ方向の途中まで達するビアホール42を形成する。ビアホール42の形成には、例えばレジストパターン図示せずをエッチングマスクとしたドライエッチングを適用することができる。上層ハードマスク40のエッチングには、CH2F2、O2及びArの混合ガスが用いられる。中層ハードマスク39のエッチングには、C4F6、O2及びArの混合ガスが用いられる。下層ハードマスク38のエッチングには、CH2F2、O2及びN2の混合ガス用いられる。配線層絶縁膜37のエッチングには、CF4、CHF3及びN2の混合ガスが用いられる。ビア層絶縁膜36のエッチングには、C4F6、O2、N2及びArの混合ガスが用いられる。ビアホール42を形成した後、エッチングマスクとして使用したレジストパターンを除去する。図6Cに示すように、上層ハードマスク40の上に、下層レジスト膜45を成膜する。ビアホール42内が、下層レジスト膜45で埋め込まれる。上層ハードマスク40の上に形成された下層レジスト膜45の厚さは、例えば300nmである。下層レジスト膜45の上に、マスク膜46及び反射防止膜47を形成する。マスク膜46と反射防止膜47とが、図1Aに示した実施例1のマスク膜22に対応する。マスク膜46は、例えばTEOSと酸素とを用いたPE-CVDにより成膜され、その厚さは50nmである。反射防止膜47には、樹脂が用いられ、その厚さは50nmである。反射防止膜47の上に、上層レジスト膜48を形成する。上層レジスト膜48には、ArFエキシマレーザ用の感光性樹脂が用いられ、その厚さは300nmである。上層レジスト膜48は、図1Aに示した実施例1のレジスト膜23に対応する。図6Dに示すように、上層レジスト膜48の露光及び現像を行うことにより、配線パターンに対応する開口49を形成する。開口49は、図1Bに示した実施例1の開口24に対応する。図6Eに示すように、レジスト膜48をエッチングマスクとして、反射防止膜47及びマスク膜46をエッチングする。反射防止膜47及びマスク膜46のエッチングには、例えばCF4及びO2の混合ガスを用いたドライエッチングが適用される。これにより、開口50が形成される。開口50は、図1Cに示した実施例1の開口25に対応する。エッチング条件は、図5に示した実施例1による第1のエッチング条件の決定方法と同一の方法で決定される。図6Fに示すように、マスク膜46をエッチングマスクとして、下層レジスト膜45を、ビアホール42の深さの途中までエッチングする。下層レジスト膜45のエッチングには、例えばN2、O2及びCOを用いたドライエッチングが適用される。ビアホール42内に残った下層レジスト膜45の上面の高さは、例えば中層ハードマスク39の底面と上面との間である。このエッチング時に、マスク膜46の上の上層レジスト膜48及び反射防止膜47図6Eが除去される。図6Gに示すように、下層レジスト膜45をエッチングマスクとして、上層ハードマスク40をエッチングする。上層ハードマスク40のエッチングには、例えばAr、CF4及びCHF3を用いたドライエッチングが適用される。このエッチング時に、下層レジスト膜45の上に形成されていたマスク膜46図6Fが除去される。図6Hに示すように、下層レジスト膜45図6Gを除去する。下層レジスト膜45の除去には、COとO2との混合ガスを用いたアッシングが適用される。これにより、ビアホール42内に残っていた下層レジスト膜45図6Gも除去される。図6Iに示すように、上層ハードマスク40をエッチングマスクとして、中層ハードマスク39をエッチングする。中層ハードマスク39のエッチングには、例えばAr、CO、C4F8及びO2の混合ガスを用いたドライエッチングが適用される。これにより、中層ハードマスク39に、配線パターンに対応する開口41が形成される。このエッチング時に、ビアホール42が深く掘り下げられ、その底面にエッチングストッパ35が露出する。図6Jに示すように、中層ハードマスク39をエッチングマスクとして、下層ハードマスク38をエッチングする。下層ハードマスク38のエッチングには、例えばAr、CF4、CHF3及びO2の混合ガスを用いたドライエッチングが適用される。これにより、下層ハードマスク38にも、配線パターンに対応する開口41が形成される。このエッチング時に、中層ハードマスク39の上に形成されていた上層ハードマスク40図6Iが除去される。さらに、ビアホール42の底面に露出していたエッチングストッパ35がエッチングされ、下層配線32が露出する。図6Kに示すように、中層ハードマスク39をエッチングマスクとして、配線層絶縁膜37をエッチングすることにより、配線溝51を形成する。配線層絶縁膜37のエッチングには、例えばCF4とCHF3との混合ガスを用いたドライエッチングが適用される。このエッチング時に、中層ハードマスク39の表層部分がエッチングされる。これにより、開口41の開口面の肩が丸みを帯びた形状になる。配線溝51は、図1Dに示した実施例1の配線溝26に対応する。図6Lに示すように、基板表面をN2とH2との混合ガスのプラズマに晒すことにより、エッチング後処理を行う。図6Mに示すように、ビアホール42及び配線溝51の底面と側面、及び中層ハードマスク39の上面に、バリアメタル膜及びシード膜の2層からなる下地膜55を、例えばスパッタリングにより形成する。バリアメタル膜には、例えばTaが用いられ、シード膜には、例えばCuが用いられる。図6Nに示すように、下地膜55の上に、めっき法により導電膜56を堆積させる。導電膜56には、例えば銅または銅合金が用いられる。ビアホール42及び配線溝51内が、導電膜56で埋め込まれる。図6Oに示すように、導電膜56、下地膜55、上層ハードマスク39図6Nを、下層ハードマスク38が露出するまで化学機械研磨CMPする。ビアホール42及び配線溝51内には、銅配線56Aが残る。実施例2においては、図1Aに示した実施例1の配線層絶縁膜21に対応する配線層絶縁膜37図6Aと、マスク膜22に対応するマスク膜46と反射防止膜47図6Cとの間に、下層ハードマスク38図6Aから下層レジスト膜45図6Cまでの積層構造が配置されている。この場合でも、マスク膜46及び反射防止膜47のエッチング処理を通して、配線溝51図6Kが形成される。すなわち、マスク膜46及び反射防止膜47に形成された開口50図6Eの平面形状が、配線層絶縁膜37に形成される配線溝51図6Kに引き継がれる。実施例2においても、図6Eに示したマスク膜46及び反射防止膜47のエッチング条件を決定する際に、図3Aまたは図3Bに示されたパターン依存物理量とパターン幅変動量との関係、及び図4に示した配線幅の偏差とエッチング条件との関係が利用される。これらの関係を求めるために作製される複数の試料は、図6Cに示した配線層絶縁膜37から上層レジスト膜48までの積層構造と同一の積層構造を有する。実施例2においても、実施例1と同様に、配線溝51の形成、幅の測定、及びプロセス条件の修正という工程を経ることなく、配線溝51の幅を目標幅に近づけることができる。また、実施例2においては、図6Eに示した反射防止膜47とマスク膜46のエッチング条件を調整することにより、配線溝51図6Kの幅を調整している。図6Hに示したビアホール42の側面及び底面が露出した後の種々のエッチング条件は、配線パターンのパターン依存物理量に依存せず固定されている。このため、図6K及び図6Lに示したビアホール42の形状を一定に維持することができる。[実施例3]図7A~図7Hを参照して、実施例3による半導体装置の製造方法について説明する。実施例3で製造される半導体装置の複数の膜の成膜方法及びエッチング方法として、実施例2の対応する膜の成膜方法及びエッチング方法を適用することができる。図7Aに示した層間絶縁膜30、エッチングストッパ31、及び下層配線32の構成は、図6Aに示した構成と同一である。エッチングストッパ31及び下層配線32の上に、エッチングストッパ60、絶縁膜61、下層ハードマスク62、及び上層ハードマスク63をこの順番に形成する。エッチングストッパ60は、例えばSiCで形成されており、その厚さは50nmである。絶縁膜61は、例えばSiOCで形成されており、その厚さは400nmである。下層ハードマスク62は、例えばTEOSと酸素とを用いたPE-CVDで形成され、その厚さは100nmである。上層ハードマスク63は、例えばSiNで形成されており、その厚さは50nmである。絶縁膜61が、図1Aに示した実施例1の配線層絶縁膜21に対応する。図7Bに示すように、上層ハードマスク63からエッチングストッパ60の厚さ方向の途中まで達するビアホール64を形成する。図7Cに示すように、上層ハードマスク63の上に、下層レジスト膜65を成膜する。ビアホール64内が下層レジスト膜65で埋め込まれる。下層レジスト膜65の上に、マスク膜66、反射防止膜67及び上層レジスト膜68を形成する。上層レジスト膜68を露光及び現像することにより、配線パターンに対応する開口69を形成する。マスク膜66、反射防止膜67及び上層レジスト膜68は、それぞれ図6Cに示した実施例2のマスク膜46、反射防止膜47及び上層レジスト膜48に対応する。マスク膜66と反射防止膜67との2層構造は、図1Aに示した実施例1のマスク膜22に対応する。図7Dに示すように、上層レジスト膜68をエッチングマスクとして、反射防止膜67、マスク膜66、及び下層レジスト膜66の表層部をエッチングする。これにより、配線パターンに対応する開口70が形成される。開口70は、図1Cに示した実施例1の開口25に対応する。図7Eに示すように、マスク膜66をエッチングマスクとして、下層レジスト膜65をエッチングする。ビアホール64の下方の一部分には下層レジスト膜65が残る。このエッチング時に反射防止膜67及び上層レジスト膜68図7Dは除去される。図7Fに示すように、下層レジスト膜65をエッチングマスクとして、上層ハードマスク63をエッチングする。さらに、上層ハードマスク63をエッチングマスクとして、下層ハードマスク62をエッチングする。さらに、絶縁膜61を、その厚さ方向の途中までエッチングする。これにより、絶縁膜61の厚さ方向の途中まで達する配線溝73が形成される。このエッチング時に、マスク膜66図7Eが除去される。図7Gに示すように、上層ハードマスク63の上、及びビアホール64内の下層レジスト膜65図7Fを除去する。図7Hに示すように。上層ハードマスク63図7Gを除去する。この時、ビアホール64が深く掘り下げられ、その底面に下層配線32が露出する。その後の工程は、図6M~図6Oに示した実施例2の工程と同一である。実施例3においても、マスク膜66及び反射防止膜67のエッチング処理図7Dを通して、絶縁膜61に配線溝73図7Fが形成される。マスク膜66及び反射防止膜67のエッチング条件の決定方法は、図5に示した実施例1の方法と同様である。実施例3においても、実施例1と同様に、配線溝73の形成、幅の測定、及びプロセス条件の修正という工程を経ることなく、配線溝73の幅を目標幅に近づけることができる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。