"直流電流を交流電流に変換するインバータ回路のU相の上アーム回路及び下アーム回路を有するU相パワー半導体モジュールと、前記インバータ回路のV相の上アーム回路及び下アーム回路を有するV相パワー半導体モジュールと、前記インバータ回路のW相の上アーム回路及び下アーム回路を有するW相パワー半導体モジュールと、前記直流電流を平滑化するコンデンサ素子を有するコンデンサモジュールと、を備え、前記U相,V相及びW相パワー半導体モジュールに接続される第1バスバーと、前記U相,V相及びW相パワー半導体モジュールは、それぞれ分離して構成され、前記コンデンサモジュールは、前記コンデンサ素子を収納するケースと、前記コンデンサ素子を封止する封止材と、前記コンデンサ素子と前記封止材内で接続されかつ前記封止材の表面から一部が突出する第2バスバーとを有し、前記第1バスバーは、第1正極側バスバーと、第1負極側バスバーと、当該第1正極側バスバーと当該第1負極側バスバーとの間に配置される第1絶縁部材とにより構成され、さらに前記第1バスバーは、前記U相パワー半導体モジュールから延びる端子と接続される第1端子と、前記V相パワー半導体モジュールから延びる端子と接続される第2端子と、前記W相パワー半導体モジュールから延びる端子と接続される第3端子と、前記第2バスバーの前記封止材の表面から突出した部分の端部と接続される第4端子とを有する電力変換装置。請求項1に記載された電力変換装置であって、前記U相パワー半導体モジュールは、前記インバータ回路の上アーム回路を有する上アーム側U相パワー半導体モジュールと、前記インバータ回路の下アーム回路を有する下アーム側U相パワー半導体モジュールと、を有してそれぞれを分離して構成し、前記V相パワー半導体モジュールは、前記インバータ回路の上アーム回路を有する上アーム側V相パワー半導体モジュールと、前記インバータ回路の下アーム回路を有する下アーム側V相パワー半導体モジュールと、を有してそれぞれを分離して構成し、前記W相パワー半導体モジュールは、前記インバータ回路の上アーム回路を有する上アーム側W相パワー半導体モジュールと、前記インバータ回路の下アーム回路を有する下アーム側W相パワー半導体モジュールと、を有してそれぞれを分離して構成する電力変換装置。請求項1又は2に記載されたいずれかの電力変換装置であって、前記第1バスバーは、バッテリから供給される直流電流を受けるバッテリ側端子を有する電力変換装置。請求項1ないし3に記載されたいずれかの電力変換装置であって、前記第2バスバーは、第2正極側バスバーと、第2負極側バスバーと、当該第2正極側バスバーと当該第2負極側バスバーとの間に配置される第2絶縁部材とにより構成される電力変換装置。請求項1ないし4に記載のいずれかの電力変換装置であって、前記第1バスバーは、前記第2バスバーと対向する位置に配置される電力変換装置。請求項5に記載の電力変換装置であって、前記U相,V相及びW相パワー半導体モジュールは、前記コンデンサモジュールを挟むように、分けて配置される電力変換装置。請求項1ないし5に記載のいずれかの電力変換装置であって、前記コンデンサモジュールの側部に配置される第1流路と、前記コンデンサモジュールを介して前記第1流路と対向する第2流路と、を形成する流路形成体を有し、前記U相,V相及びW相パワー半導体モジュールは、前記第1流路側と前記第2流側とに分けて配置される電力変換装置。請求項1ないし7に記載のいずれかの電力変換装置であって、前記コンデンサモジュールのケースは、前記流路形成体と一体に形成される電力変換装置。パワー半導体モジュールと平滑用コンデンサモジュールとを接続するバスバーに発熱を低減することが、各モジュール間の伝熱を抑制することになる。本発明の課題は、配線インダクタンスの大幅な増大を抑制しながら発熱低減を図ることである。本発明は、平滑用コンデンサモジュールに集中する電流を分解し、他のバスバーが電流の一部を請け負って流すことで、コンデンサモジュール内に樹脂封止されているバスバーに流れる電流を軽減する構造である。本発明により、電力変換装置の各モジュール間の伝熱を抑制して、電力変換装置の小型化を図ることができる。以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。本実施例のインバータは、電動機を車輌の唯一の駆動源とする電気自動車や、内燃機関であるエンジンと電動機とを車輌の駆動源とするハイブリッド電気自動車等の電動車輌に搭載されるものであって、車載電源であるバッテリから供給された直流電力を三相交流電力に変換して電動機に供給する電力変換装置である。本発明の実施形態に係る電力変換装置について、図面を参照しながら以下詳細に説明する。図1は、ハイブリッド自動車以下HEVと記述するの制御ブロックを示す図である。エンジンEGNおよびモータジェネレータMG1は車両の走行用トルクを発生する。また、モータジェネレータMG1は回転トルクを発生するだけでなく、モータジェネレータMG1に外部から加えられる機械エネルギーを電力に変換する機能を有する。モータジェネレータMG1は、例えば同期機あるいは誘導機であり、上述のごとく、運転方法によりモータとしても発電機としても動作する。モータジェネレータMG1を自動車に搭載する場合には、小型で高出力を得ることが望ましく、ネオジウムなどの磁石を使用した永久磁石型の同期電動機が適している。また、永久磁石型の同期電動機は誘導電動機に比べて回転子の発熱が少なく、この観点でも自動車用として優れている。エンジンEGNの出力側の出力トルクは動力分配機構TSMを介してモータジェネレータMG1に伝達され、動力分配機構TSMからの回転トルクあるいはモータジェネレータMG1が発生する回転トルクは、トランスミッションTMおよびデファレンシャルギアDEFを介して車輪に伝達される。一方、回生制動の運転時には、車輪から回転トルクがモータジェネレータMG1に伝達され、供給されてきた回転トルクに基づいて交流電力を発生する。発生した交流電力は後述するように電力変換装置200により直流電力に変換され、高電圧用のバッテリ136を充電し、充電された電力は再び走行エネルギーとして使用される。次に電力変換装置200について説明する。インバータ回路140は、バッテリ136と直流コネクタ138を介して電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ回路140との相互において電力の授受が行われる。モータジェネレータMG1をモータとして動作させる場合には、インバータ回路140は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流コネクタ188を介してモータジェネレータMG1に供給する。モータジェネレータMG1とインバータ回路140からなる構成は第1電動発電ユニットとして動作する。なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって第1電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータMG1の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、第1電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジンEGNの動力或いは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。なお、電力変換装置200は、インバータ回路140に供給される直流電力を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。電力変換装置200は、上位の制御装置から指令を受けたりあるいは上位の制御装置に状態を表すデータを送信したりするための通信用のコネクタ21を備えている。電力変換装置200は、コネクタ21から入力される指令に基づいて制御回路172でモータジェネレータMG1の制御量を演算し、さらにモータとして運転するか発電機として運転するかを演算し、演算結果に基づいて制御パルスを発生し、その制御パルスをドライバ回路174へ供給する。ドライバ回路174は、供給された制御パルスに基づいて、インバータ回路140を制御するための駆動パルスを発生する。次に、図2を用いてインバータ回路140の電気回路の構成を説明する。なお、以下で半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。上アームとして動作するIGBT328及びダイオード156と、下アームとして動作するIGBT330及びダイオード166とで、上下アームの直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相,V相,W相の3相に対応して備えている。これらの3相は、この実施の形態ではモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アームの直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159及び交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である以下に説明の交流バスバー802や804と接続される。上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ21を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。IGBT328は、コレクタ電極153と、信号用エミッタ電極155と、ゲート電極154を備えている。また、IGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164を備えている。ダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ以下略してMOSFETと記すを用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。コンデンサモジュール500は、正極側のコンデンサ端子506と負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。一方、交流電力からインバータ回路140によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。制御回路172は、IGBT328及びIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ以下、マイコンと記述するを備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、及びモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ不図示から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めても良い。制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸,q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電流指令値と、検出されたd軸,q軸の電流値との差分に基づいてd軸,q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸,q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相,V相,W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相,V相,W相の電圧指令値に基づく基本波正弦波と搬送波三角波との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWMパルス幅変調信号としてドライバ回路174に出力する。ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極にそれぞれ出力する。また、制御回路172内のマイコンは、異常検知過電流,過電圧,過温度などを行い、直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。例えば、各アームの信号用のエミッタ電極155及び信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328とIGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部ICに入力されている。これにより、各駆動部ICは過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT330を過電流から保護する。直列回路150に設けられた温度センサ不図示からは直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには直列回路150の直流正極側電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知及び過電圧検知を行い、過温度或いは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。図3乃至図7を用いてインバータ回路140に使用されるパワー半導体モジュール300a~300cの詳細構成を説明する。上記パワー半導体モジュール300a~300cはいずれも同じ構造であり、代表してパワー半導体モジュール300aの構造を説明する。尚、図3乃至図7において信号端子325Uは、図2に開示したゲート電極154および信号用エミッタ電極155に対応し、信号端子325Lは、図2に開示したゲート電極164およびエミッタ電極165に対応する。また直流正極端子315Bは、図2に開示した正極端子157と同一のものであり、直流負極端子319Bは、図2に開示した負極端子158と同一のものである。また交流端子320Bは、図2に開示した交流端子159と同じものである。図3aは、本実施形態のパワー半導体モジュール300aの斜視図である。図3bは、本実施形態のパワー半導体モジュール300aを断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。図4は、理解を助けるために、図3に示す状態からネジ309および第二封止樹脂351を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す図である。図4aは斜視図であり、図4bは図3bと同様に断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。また、図4cはフィン305が加圧されて湾曲部304Aが変形される前の断面図を示している。図5は、図4に示す状態からさらにモジュールケース304を取り除いたパワー半導体モジュール300aを示す図である。図5aは斜視図であり、図5bは図3b,図4bと同様に断面Dで切断して方向Eから見たときの断面図である。図6は、図5に示す状態からさらに第一封止樹脂348および配線絶縁部608を取り除いたパワー半導体モジュール300aの斜視図である。図7は、モジュール一次封止体302の組立工程を説明するための図である。上下アームの直列回路150を構成するパワー半導体素子IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166が、図5および図9に示す如く、導体板315や導体板318によって、あるいは導体板320や導体板319によって、両面から挟んで固着される。導体板315等は、その放熱面が露出した状態で第一封止樹脂348によって封止され、当該放熱面に絶縁シート333が熱圧着される。第一封止樹脂348は図5に示すように、多面体形状ここでは略直方体形状を有している。第一封止樹脂348により封止されたモジュール一次封止体302は、モジュールケース304の中に挿入して絶縁シート333を挟んで、CAN型冷却器であるモジュールケース304の内面に熱圧着される。ここで、CAN型冷却器とは、一面に挿入口306と他面に底を有する筒形状をした冷却器である。モジュールケース304の内部に残存する空隙には、第二封止樹脂351が充填される。モジュールケース304は、電気伝導性を有する部材、例えばアルミ合金材料Al,AlSi,AlSiC,Al-C等で構成され、かつ、つなぎ目の無い状態で一体に成形される。モジュールケース304は、挿入口306以外に開口を設けない構造であり、挿入口306は、フランジ304Bによって、その外周を囲まれている。また、図3aに示されるように、他の面より広い面を有する第1放熱面307A及び第2放熱面307Bがそれぞれ対向した状態で配置され、これらの放熱面に対向するようにして、各パワー半導体素子IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166が配置されている。当該対向する第1放熱面307Aと第2放熱面307Bと繋ぐ3つの面は、当該第1放熱面307A及び第2放熱面307Bより狭い幅で密閉された面を構成し、残りの一辺の面に挿入口306が形成される。モジュールケース304の形状は、正確な直方体である必要が無く、角が図3aに示す如く曲面を成していても良い。このような形状の金属製のケースを用いることで、モジュールケース304を水や油などの冷媒が流れる冷媒流路19内に挿入しても、冷媒に対するシールをフランジ304Bにて確保できるため、冷却媒体がモジュールケース304の内部に侵入するのを簡易な構成で防ぐことができる。また、対向した第1放熱面307Aと第2放熱面307Bに、フィン305がそれぞれ均一に形成される。さらに、第1放熱面307A及び第2放熱面307Bの外周には、厚みが極端に薄くなっている湾曲部304Aが形成されている。湾曲部304Aは、フィン305を加圧することで簡単に変形する程度まで厚みを極端に薄くしてあるため、モジュール一次封止体302が挿入された後の生産性が向上する。上述のように導体板315等を絶縁シート333を介してモジュールケース304の内壁に熱圧着することにより、導体板315等とモジュールケース304の内壁の間の空隙を少なくすることができ、パワー半導体素子の発生熱を効率良くフィン305へ伝達できる。さらに絶縁シート333にある程度の厚みと柔軟性を持たせることにより、熱応力の発生を絶縁シート333で吸収することができ、温度変化の激しい車両用の電力変換装置に使用するのに良好となる。モジュールケース304の外には、コンデンサモジュール500と電気的に接続するための金属製の直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aが設けられており、その先端部に直流正極端子315B157と直流負極端子319B158がそれぞれ形成されている。また、モータジェネレータMG1あるいはMG2に交流電力を供給するための金属製の交流配線320Aが設けられており、その先端に交流端子320B159が形成されている。本実施形態では、図6に示す如く、直流正極配線315Aは導体板315と接続され、直流負極配線319Aは導体板319と接続され、交流配線320Aは導体板320と接続される。モジュールケース304の外にはさらに、ドライバ回路174と電気的に接続するための金属製の信号配線324Uおよび324Lが設けられており、その先端部に信号端子325U154,155と信号端子325L164,165がそれぞれ形成されている。本実施形態では、図6に示す如く、信号配線324UはIGBT328と接続され、信号配線324LはIGBT328と接続される。直流正極配線315A,直流負極配線319A,交流配線320A,信号配線324Uおよび信号配線324Lは、樹脂材料で成形された配線絶縁部608によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体600として一体に成型される。配線絶縁部608は、各配線を支持するための支持部材としても作用し、これに用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。これにより、直流正極配線315A,直流負極配線319A,交流配線320A,信号配線324Uおよび信号配線324Lの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。補助モールド体600は、モジュール一次封止体302と接続部370において金属接合された後に、配線絶縁部608に設けられたネジ穴を貫通するネジ309によってモジュールケース304に固定される。接続部370におけるモジュール一次封止体302と補助モールド体600との金属接合には、たとえばTIG溶接などを用いることができる。直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、配線絶縁部608を間に挟んで対向した状態で互いに積層され、略平行に延びる形状を成している。こうした配置および形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流配線320Aや信号端子325U,325Lも、直流正極配線315A及び直流負極配線319Aと同様の方向に向かって延びている。モジュール一次封止体302と補助モールド体600が金属接合により接続されている接続部370は、第二封止樹脂351によりモジュールケース304内で封止される。これにより、接続部370とモジュールケース304との間で必要な絶縁距離を安定的に確保することができるため、封止しない場合と比較してパワー半導体モジュール300aの小型化が実現できる。図6に示されるように、接続部370の補助モジュール600側には、補助モジュール側直流正極接続端子315C,補助モジュール側直流負極接続端子319C,補助モジュール側交流接続端子320C,補助モジュール側信号接続端子326Uおよび補助モジュール側信号接続端子326Lが一列に並べて配置される。一方、接続部370のモジュール一次封止体302側には、多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って、素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320D,素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327Lが一列に並べて配置される。こうして接続部370において各端子が一列に並ぶような構造とすることで、トランスファーモールドによるモジュール一次封止体302の製造が容易となる。ここで、モジュール一次封止体302の第一封止樹脂348から外側に延出している部分をその種類ごとに一つの端子として見た時の各端子の位置関係について述べる。以下の説明では、直流正極配線315A直流正極端子315Bと補助モジュール側直流正極接続端子315Cを含むおよび素子側直流正極接続端子315Dにより構成される端子を正極側端子と称し、直流負極配線319A直流負極端子319Bと補助モジュール側直流負極接続端子319Cを含むおよび素子側直流負極接続端子315Dにより構成される端子を負極側端子と称し、交流配線320A交流端子320Bと補助モジュール側交流接続端子320Cを含むおよび素子側交流接続端子320Dにより構成される端子を出力端子と称し、信号配線324U信号端子325Uと補助モジュール側信号接続端子326Uを含むおよび素子側信号接続端子327Uにより構成される端子を上アーム用信号端子と称し、信号配線324L信号端子325Lと補助モジュール側信号接続端子326Lを含むおよび素子側信号接続端子327Lにより構成される端子を下アーム用信号端子と称する。上記の各端子は、いずれも第一封止樹脂348および第二封止樹脂351から接続部370を通して突出しており、その第一封止樹脂348からの各突出部分素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320D,素子側信号接続端子327Uおよび素子側信号接続端子327Lは、上記のように多面体形状を有する第一封止樹脂348の一つの面に沿って一列に並べられている。また、正極側端子と負極側端子は、第二封止樹脂351から積層状態で突出しており、モジュールケース304の外に延出している。このような構成としたことで、第一封止樹脂348でパワー半導体素子を封止してモジュール一次封止体302を製造する時の型締めの際に、パワー半導体素子と当該端子との接続部分への過大な応力や金型の隙間が生じるのを防ぐことができる。また、積層された正極側端子と負極側端子の各々を流れる反対方向の電流により、互いに打ち消しあう方向の磁束が発生されるため、低インダクタンス化を図ることができる。補助モジュール600側において、補助モジュール側直流正極接続端子315C,補助モジュール側直流負極接続端子319Cは、直流正極端子315B,直流負極端子319Bとは反対側の直流正極配線315A,直流負極配線319Aの先端部にそれぞれ形成されている。また、補助モジュール側交流接続端子320Cは、交流配線320Aにおいて交流端子320Bとは反対側の先端部に形成されている。補助モジュール側信号接続端子326U,326Lは、信号配線324U,324Lにおいて信号端子325U,325Lとは反対側の先端部にそれぞれ形成されている。一方、モジュール一次封止体302側において、素子側直流正極接続端子315D,素子側直流負極接続端子319D,素子側交流接続端子320Dは、導体板315,319,320にそれぞれ形成されている。また、素子側信号接続端子327U,327Lは、ボンディングワイヤ371によりIGBT328,330とそれぞれ接続されている。図7に示すように、直流正極側の導体板315および交流出力側の導体板320と、素子側信号接続端子327Uおよび327Lとは、共通のタイバー372に繋がれた状態で、これらが略同一平面状の配置となるように一体的に加工される。導体板315には、上アーム側のIGBT328のコレクタ電極と上アーム側のダイオード156のカソード電極が固着される。導体板320には、下アーム側のIGBT330のコレクタ電極と下アーム側のダイオード166のカソード電極が固着される。IGBT328,330およびダイオード155,166の上には、導体板318と導体板319が略同一平面状に配置される。導体板318には、上アーム側のIGBT328のエミッタ電極と上アーム側のダイオード156のアノード電極が固着される。導体板319には、下アーム側のIGBT330のエミッタ電極と下アーム側のダイオード166のアノード電極が固着される。各パワー半導体素子は、各導体板に設けられた素子固着部322に、金属接合材160を介してそれぞれ固着される。金属接合材160は、例えばはんだ材や銀シート及び微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材、等である。各パワー半導体素子は板状の扁平構造であり、当該パワー半導体素子の各電極は表裏面に形成されている。図7に示されるように、パワー半導体素子の各電極は、導体板315と導体板318、または導体板320と導体板319によって挟まれる。つまり、導体板315と導体板318は、IGBT328及びダイオード156を介して略平行に対向した積層配置となる。同様に、導体板320と導体板319は、IGBT330及びダイオード166を介して略平行に対向した積層配置となる。また、導体板320と導体板318は中間電極329を介して接続されている。この接続により上アーム回路と下アーム回路が電気的に接続され、上下アーム直列回路が形成される。上述したように、導体板315と導体板318の間にIGBT328及びダイオード156を挟み込むと共に、導体板320と導体板319の間にIGBT330及びダイオード166を挟み込み、導体板320と導体板318を中間電極329を介して接続する。その後、IGBT328の制御電極328Aと素子側信号接続端子327Uとをボンディングワイヤ371により接続すると共に、IGBT330の制御電極330Aと素子側信号接続端子327Lとをボンディングワイヤ371により接続する。図8は、本実施形態に係るコンデンサモジュール500の斜視図である。コンデンサケース502には、コンデンサモジュール500を流路形成体12に固定するための固定手段例えば螺子を貫通させるための孔520a~520cが設けられる。また、コンデンサケース502の長辺側の一側面には、突出収納部502aが形成される。この突出収納部502a内には、フィルムコンデンサ及び電源端子508,509に対して電気的に直列または並列に接続される電気回路素子が収納される。本実施形態においては、バッテリ136からのノイズを除去しかつグラウンドに電気的に接続されたノイズ除去用のコンデンサが収納される。このコンデンサはフィルムコンデンサに比べて小型のため、突出収納部502aの高さはコンデンサケース502の高さよりも小さく形成されている。つまり、突出収納部502aの下方には空間が形成される。後述する流路形成体12は、この空間に冷媒流路19の一部を形成している。これにより、ノイズ除去用のコンデンサを冷却することが出来るとともに、冷媒流路19の断面積を局所的に大きくすることを抑制して圧力損失の増大を防止している。第1バスバー590は、コンデンサケース502の収納空間の外部に配置され、パワー半導体モジュール300a~300cと接続される。また、第1バスバー590は、負極側バスバーと、正極側バスバーと、負極側バスバーと正極側バスバーの間に配置された絶縁性部材を有する。図8には示されていないが、コンデンサケース502の内部には、後述するフィルムコンデンサが複数設けられ、当該フィルムコンデンサは負極側バスバー及び正極側バスバーに電気的に接続される。負極側バスバーと正極側バスバーとの間には配線インダクタンスを低減するために絶縁性部材が配置され、負極側バスバーと正極側バスバーは積層状態で構成される。つまり負極側バスバーと正極側バスバーは積層状態の第2バスバー548を構成する。図8では省略されているが、樹脂製の封止材が、コンデンサケース502にフィルムコンデンサ及び第2バスバー548を固定するために当該コンデンサケース502内に充填される。負極側の電源端子508及び正極側の電源端子509は、コンデンサケース502内に配置された第2バスバー548にそれぞれ電気的に接続され、コンデンサケース502の開口から突出し、さらにコンデンサケース502の側面の方に折り曲げられる。正極側の電源端子509及び負極側の電源端子508には、図2で説明した如く、直流コネクタ138を介して直流電力が供給される。なお、本実施形態においては、直流電流を伝達するバスバーは、第1バスバー590及び第2バスバー548のように積層状態であると説示したが、積層状態に限定されることはなく、コンデンサケース502内のバスバーと、コンデンサケース502外部のバスバーとにより構成されていればよい。第1端子503a,第2端子503b及び第3端子503cは、第1バスバー590にそれぞれ電気的に接続され、パワー半導体モジュール300a~300cの正極端子157315B及び負極端子158319Bに対応して設けられる。第1端子503aを構成する負極側端子504aと正極側端子506aとの間には、絶縁シートが設けられ、絶縁が確保されている。他の第2端子503b,第3端子503cも同様である。さらに第1バスバー590は、封止材の表面から突出した第2バスバー548の部分の端部548aと548bに対応して接続される第4端子591a及と591bを有する。ここで図8にて示された還流電流595a~595cについて図9を用いて説示する。図9はインバータ回路の簡略図である。U相上アームIGBTがON下アームは常時OFF、V相下アームがOFF上アームは常時OFF、W相下アームがON上アームは常時OFFのときは図9の矢印のように電流が流れる。このときV相に流れる電流はバッテリ側に戻らず、インピーダンスが低いU相上アームIGBTに向かって流れる。この電流が相間を流れる還流電流595a~595cであり、還流電流は上下アーム間で流れることはなく、上アーム間だけまたは下アーム間だけで流れる。還流電流の流れ方は、各相の電流入出流組み合わせから上下アームそれぞれ9通りある。還流電流595a~595cは前述の通り、上アーム間または下アーム間で完結し、図8に示された第1バスバー590の第4端子591a及び591bを通して第2バスバー548に流れることは抑制される。つまり、還流電流595a~595cは、第1バスバー590の平面部596を介して各パワー半導体モジュール300a~300c間を流れる。従って、本実施形態のような第1バスバー590を設けることにより、還流電流595a~595cによる発熱は第1バスバー590のみに発生し、コンデンサ素子への熱影響を防いでいる。図10aは、パワー半導体モジュール300とコンデンサモジュール500を組み付けた外観斜視図である。図10bは、図10aの部分Aの拡大図である。パワー半導体モジュール300cは、コンデンサモジュール500を介してパワー半導体モジュール300aと向かい合うように固定され、さらにノイズ除去用コンデンサ素子593は、コンデンサモジュール500を介してパワー半導体モジュール300bと向かい合う位置に配置される。これにより、相毎に設けられたパワー半導体モジュール300a~300cをコンデンサモジュール500の一方の側面に2つ、他方の側面に1つ設けるように配置しても、パワー半導体モジュール300a~300cとコンデンサモジュール500とが整然と構成される。さらにパワー半導体モジュール300a~300cとコンデンサモジュール500との間に冷却冷媒を流すことにより、両方のモジュールを冷却することができるので、電力変換装置200の更なる小型化に寄与する。さらに前述した通り、電源端子508及び509は突出収納部502aから突出している。そのため、電源端子508及び509はパワー半導体モジュール300a~300cのいずれよりもノイズ除去用コンデンサ素子593に近い配置となり、パワー半導体モジュール300a~300に対するノイズの影響を低減している。直流正極端子315B及び直流負極端子319Bの電流経路の面積は、第1バスバー590及びコンデンサモジュール500内の第2バスバー548の電流経路面積より非常に小さい。そのため、電流が直流正極端子315B及び直流負極端子319Bに流れる際には、電流経路の面積が大きく変化することになる。つまり、電流が直流正極端子315B及び直流負極端子319Bに集中することになる。そこで、本実施形態では、負極側端子504cは、第1バスバー590から立ち上がっている立ち上がり部543を有し、その先端部に接続部542を有している。また、正極側端子506cは、第1バスバー590から立ち上がっている立ち上がり部544を有し、その先端部に接続部545を有している。前記接続部542と前記接続部545との間にパワー半導体モジュール300cの直流負極端子319Bや直流正極端子315Bが挟まれるようにして接続されている。これにより、負極側端子504aと正極側端子506aが接続部542と接続部545の直前まで絶縁シートを介した積層構造を成すため、電流が集中する当該コンデンサ端子の配線部分のインダクタンスを低減することができる。さらに、直流負極端子319Bの先端と接続部542の側辺とは溶接により接続され、同様に直流正極端子315Bの先端と接続部545の側辺とは溶接により接続される。このため、低インダクタンス化による特性改善に加え、一方向からの加工作業により導体間接続を連続して行うことができ、生産性が向上する。図11は平滑コンデンサモジュール500の分解図を示したものである。平滑コンデンサモジュール500は大きく4部品で構成される。コンデンサモジュールの内容物を収納するコンデンサケース502の中に平滑用のコンデンサ素子560及びノイズ除去用コンデンサ素子593が収まる。平滑用のコンデンサ素子560は単一または複数個で構成され、第2バスバー548と接続される。コンデンサ素子560a~560cと第1バスバー590の間に存在する部材または物質をコンデンサ素子560から第1バスバー590に向かって列挙すると、樹脂製の封止材,第2バスバー548,樹脂製の封止材及び空気となる。前記列挙した部材及び物質のうち、樹脂製の封止材と空気の層は熱伝導率が低く断熱材の働きをする。従って、第1バスバー590に還流電流が流れることによって発生した第1バスバー590上の熱は、充填樹脂及び空気層によって断熱され、コンデンサ素子温度の上昇が抑えられている。第2バスバー548は、コンデンサケース502内に収まる幅で最大限に拡がること、例えば平滑用のコンデンサ素子560を覆う程度まで拡げて構成されることにより、電気抵抗を小さくし、発熱低減に貢献している。この第2バスバー548は積層構造を保ったまま、上方に立ち上がり、正極負極が互いに離れる方向に折れ曲がることで第1バスバー590との接続点である第4端子548a及び548bを形成している。この構造により細部にまで積層構造を用いて低インダクタンス化を図ることができる。第1バスバー590についても、第2バスバー548と同様に積層構造による低インダクタンス化と、幅を広く取って電気抵抗を抑え発熱低減を図っている。前述の通り、パワーモジュールへの接続を含めて積層構造により、低インダクタンス化を実現している。また、第1バスバー590と第2バスバー548は互いに対向する位置に配置されており、それぞれを接続する配線を短くして回路の低インダクタンス化を図っている。また、幅広平面を対向させて近接することで、部品配置スペースが小さくなり電力変換装置の低背化が可能となる。この部品配置において、コンデンサモジュール500を跨ぐように第1バスバー590が配置しており、パワー半導体モジュール300a~300c間に流れる電流はコンデンサモジュール500と対向する幅広面を通るため電流の偏りが少ない。つまり、第1バスバー590は略均一に発熱する。本発明に係る他の実施形態について、図12を参照しながら以下詳細に説明する。図7はコンデンサモジュール500の分解図を示したものであり、実施例1と同様にコンデンサモジュール500は大きく4部品で構成される。なお、実施例1と同じ符号を付した構造は、実施例1と同様の機能を有する。本実施形態では第2バスバー549は電源端子508及び509を有さない。一方、第1バスバー599が電源端子508及び509を形成しており、第1バスバー599は第2バスバー549よりも先にバッテリからの電力供給を受ける。この構造により、直流電流597a~597cは第2バスバー549を通過せずに直接パワー半導体モジュール300に流れる。従ってこの場合、第1バスバー599にのみ直流電流が流れ、第2バスバー549には還流電流とDC電流を除いたリップル電流のみが流れることとなる。この結果、第2バスバー549の発熱が低減し、許容最大温度の低いコンデンサ素子560a~560cの受熱を緩和することができる。本発明に係る他の実施形態について、図13を参照しながら以下詳細に説明する。本実施形態の筐体10は、流路形成体12aと、コンデンサモジュール500の収納空間10aを介して当該流路形成体12aと対向して配置される流路形成体12bと、を有する。流路形成体12aは、パワー半導体モジュール300aを流路内に挿入するために開口400aと、パワー半導体モジュール300bを流路内に挿入するために開口400bとを形成する。流路形成体12bは、パワー半導体モジュール300cを流路内に挿入するために開口400cを形成する。本実施形態では、コンデンサモジュール500が有するコンデンサケース502を設けることなく、コンデンサ素子560や第2バスバー548や封止材を、流路形成体12a及び12bによって形成される収納空間10aに配置する。これにより、コンデンサ素子560や第2バスバー548の冷却を促進することができる。"