"炭化水素系プラズマと酸素プラズマを開口部幅が変化する開口部を有するマスクが形成された半導体表面に照射して、半導体表面を異なる複数の深さにエッチングする半導体素子の作製方法であって、前記酸素プラズマの所定の濃度に対して、前記開口部幅の異なる領域毎に、前記半導体表面のエッチングが進行する第1の状態、または前記半導体表面にポリマーが生成される第2の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスクを前記半導体表面に形成する第1の工程と、前記炭化水素系プラズマを前記マスクが形成された前記半導体表面に照射しつつ、前記酸素プラズマを前記マスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向において前記マスクの端部から前記開口部へ拡散させる第2の工程を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項1に記載の半導体素子の作製方法において前記第1の工程において前記半導体表面に堆積した前記ポリマーを、酸素を有するプラズマ照射により除去する第3の工程を有することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項2に記載の半導体素子の作製方法において前記第2の工程における、前記開口部幅の異なる領域のうち少なくとも1つの領域において発現する前記状態を、前記第1の状態および前記第2の状態のいずれかに変化させるように、前記酸素プラズマの前記所定の濃度を変化させる第4の工程をさらに有し、前記第4の工程の後に前記第2の工程をさらに行うことを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体素子の作製方法において前記マスクが、前記半導体表面に形成された第1のパターンを有する第1のマスク部と、前記第1のマスク部上に形成され、前記第1のマスク部のマスク厚よりも厚く、前記第1のパターンの開口部幅を画定する第2のパターンを有する第2のマスク部とからなることを特徴とする半導体素子の作製方法。しかしながら、マスクのない領域またはマスクの開口部幅が広い領域ポリマーが生成してエッチングが進行しない領域と開口部幅が狭い領域エッチングが進行する領域との境界領域ではポリマーの生成とエッチングが同時に起きる。この場合、ポリマーが生成されてエッチングされない領域とポリマーが生成されずにエッチングされる領域が混在するため、プラズマ照射後の半導体表面に凹凸が生じるという課題があった。図25a、bに、プラズマ照射後の半導体表面に凹凸が生じる状態を示す。このとき、図25aに示すように、半導体InP810の表面に部分的にポリマー811が生成され、そのポリマー811をマスクとしてエッチングが進行するので凹凸が生じる。また、図25bに示すように、ポリマー911が半導体InP910の表面に点在して残留すると残留したポリマー911をマスクとしてエッチングが進行するので針状の突起物が表面に形成され著しく凹凸が生じる場合もある。図26に、メタンプラズマ量を一定とした時のエッチング速度の水素プラズマ量依存性を示す。水素プラズマ量が0からh0までは水素プラズマ量が不足してポリマーが生成されエッチングがされない。h0以上になるとポリマーの生成と同時にエッチングが始まる。h0からh1まではポリマーの生成が支配的でありエッチング速度が遅いため表面に生じる凹凸も大きくない。h1以上になるとエッチング速度が増加し始め表面の凹凸も著しくなる。h2以上になるとエッチングが支配的になりポリマーの生成が減少するので凹凸も小さくなる。1以上になると水素のプラズマ量が十分になるのでポリマーの生成がなくなりエッチングが進行し凹凸が生じなくなる。このように、水素のプラズマ量がh1からh2までの領域ではポリマーの生成とエッチングが同時に起き、表面の凹凸が著しくなる。次に、表面にマスクを有する試料にメタン/水素プラズマを照射する場合について説明する。図27に、マスク端から拡散する水素の分布を示す。縦軸はマスク端での水素濃度Csにより規格化された水素濃度Cx/Csである。マスク端から離れるにつれて水素のプラズマ量は減少して距離L2でh2、L1でh1になる。つまり、マスク端からの距離L2とL1の間では表面の凹凸が著しくなる。このように表面に凹凸が生じると、この表面上に積層する結晶の品質が劣化するので問題となる。また、この表面上に積層する導波路層に光を導波させるときに凹凸部により光が散乱するので問題となる。以上のことから、本発明は上述したような課題を解決するために為されたものであって、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供することを目的としている。前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、炭化水素系プラズマと酸素プラズマを開口部幅が変化する開口部を有するマスクが形成された半導体表面に照射して、半導体表面を異なる複数の深さにエッチングする半導体素子の作製方法であって、前記酸素プラズマの所定の濃度に対して、前記開口部幅の異なる領域毎に、前記半導体表面のエッチングが進行する第1の状態、または前記半導体表面にポリマーが生成される第2の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスクを前記半導体表面に形成する第1の工程と、前記炭化水素系プラズマを前記マスクが形成された前記半導体表面に照射しつつ、前記酸素プラズマを前記マスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向において前記マスクの端部から前記開口部へ拡散させる第2の工程を有することを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、上述した半導体素子の作製方法において、前記第1の工程において前記半導体表面に堆積した前記ポリマーを、酸素を有するプラズマ照射により除去する第3の工程を有することを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、上述した半導体素子の作製方法において、前記第2の工程における、前記開口部幅の異なる領域のうち少なくとも1つの領域において発現する前記状態を、前記第1の状態および前記第2の状態のいずれかに変化させるように、前記酸素プラズマの前記所定の拡散距離を変化させる第4の工程をさらに有し、前記第4の工程の後に前記第2の工程をさらに行うことを特徴とする。また、前述した課題を解決する本発明に係る半導体素子の作製方法は、上述した半導体素子の作製方法において、前記マスクが、前記半導体表面に形成された第1のパターンを有する第1のマスク部と、前記第1のマスク部上に形成され、前記第1のマスク部のマスク厚よりも厚く、前記第1のパターンの開口部幅を画定する第2のパターンを有する第2のマスク部とからなることを特徴とする。本発明に係る半導体素子の作製方法によれば、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる。これにより、高速半導体光素子を提供することができる。本発明に係る半導体素子の作製方法を実施するための形態について、図1および図2に基づいて以下に説明するが、本発明は、図面に基づいて説明する以下の形態のみに限定されるものではない。図1は、マスク端での水素プラズマの濃度を100倍まで増加させた場合のマスク端からの水素プラズマの分布を示す図である。この分布は水素プラズマの拡散距離Ldを5μmと仮定して、マスク端での水素プラズマ濃度は所定の値Csを仮定して、常の拡散方程式;Cx=Cserfcx/Ldを用いて計算される。Csを基準にして100倍まで変化させている。縦軸はCsで規格化された水素濃度Cx/Csである。図1に示すように、マスク端での水素プラズマ濃度がCsである場合、マスク端からの距離が1.8μmのときにh2、距離が3.7μmのときにh1になる。したがって、距離が1.8μmから3.7μmの領域で凹凸が著しくなる。一方、マスク端での水素濃度がCsの5倍である場合、距離が5.4μmのときにh2、距離が6.7μmのときにh1になる。したがって、距離が5.4μmから6.7μmの領域で凹凸が著しくなる。このように、水素プラズマのマスク端での濃度を変化させることにより凹凸が著しい領域を変化させることができる。次に、水素の代わりに酸素を用いる場合を説明する。なお、本明細書では、以降、イオン化あるいは化学的に活性化ラジカル化された酸素を酸素プラズマと呼ぶこととする。図2は酸素プラズマと水素プラズマの分布を比較したものである。この分布において拡散距離は以下の通りとする。上記の非特許文献1における式4によれば、ガスの拡散係数Dは分子質量mの1/2乗に比例する。拡散距離Lは拡散時間tとすると、L=2Dt12なので上記の非特許文献2参照、拡散距離は分子質量mの1/4乗に比例する。したがって、酸素分子の質量は水素分子の質量の16倍なので、酸素ガスプラズマの拡散距離は水素ガスプラズマの拡散距離の1/2である。図2において、図1と同様に考えると、水素の場合には、距離が10μm程度のときにh2、距離が20μm程度のときにh1になる。したがって、距離が10μmから20μm程度の10μm程度の領域で凹凸が著しくなる。一方、酸素の場合には、距離が5μm程度のときにh2、距離が10μm程度のときにh1になる。したがって、距離が5μmから10μm程度の5μm程度の領域で凹凸が著しくなる。このように、酸素を用いることにより凹凸が著しい領域を低減することができる。酸素を用いた場合の反応について詳細を以下に説明する。従来の水素プラズマを供給する場合は以下の反応式で表される。CH4H2InP→In有機化合物P水素化物1上述した化学反応式1に基づきエッチングが生じ、水素が不足すると余剰の炭化水素基を基にポリマーが生成されエッチングが進行しない。選択エッチングにおいては、マスクのないInP表面では水素が不足してポリマーが生じてエッチングが進行せず、マスクの開口部のInP表面ではマスク上の水素プラズマが開口部に拡散することにより水素プラズマが増加してエッチングが生じる。水素プラズマの代わりに酸素プラズマを供給する場合には以下の反応式で表される。CH4O2InP→In有機化合物P水素化物酸化炭素CO、CO2等2上述した化学反応式2に基づきエッチングが生じる。酸素が供給されない場合、または酸素の供給量が微量の場合には、マスクのないInP表面、マスクの開口部のInP表面ともに酸化炭素CO、CO2等が生成されず炭化水素基が過剰に残留するためポリマーが生じてエッチングが生じない条件0。酸素が増加すると、マスクのないInP表面では、この状態の酸素の供給量では酸素が不足して酸化炭素CO、CO2等が生成されず炭化水素基が過剰に残留するためポリマーが生じてエッチングが生じない。一方、マスクの開口部のInP表面ではプラズマ照射によりチャージアップしたマスクに酸素プラズマ主にイオンが引き寄せられ、この酸素プラズマが開口部に拡散して炭化水素基と反応して酸化炭素CO2等が生成される。そこで、酸素プラズマと反応して酸化炭素が生成される分炭化水素基が減少するが、酸素プラズマの量が不十分であるためポリマーの生成が十分に抑制されない。さらに、CH4のプラズマ分解から生じた少量の水素プラズマが開口部に拡散することにより開口部での水素プラズマ密度が増加するので開口部ではInPのエッチングが生じる。このように、ポリマーの生成が十分に抑制されない状態でエッチングも生じるので上述のように表面に凹凸が生じる条件1。さらに、酸素を増加して供給した場合には、マスクのないInP表面ではこの状態の酸素の供給量でもO2が不足して酸化炭素CO、CO2等が生成されず炭化水素基が過剰に残留するためポリマーが生じてエッチングが生じない。一方、マスクの開口部のInP表面ではプラズマ照射によりチャージアップしたマスクに酸素プラズマ主にイオンが引き寄せられ、この酸素プラズマが開口部に拡散して炭化水素基と反応して酸化炭素CO2等が生成される。そこで、酸素プラズマと反応して酸化炭素が生成される分炭化水素基が減少するので、ポリマーの生成が十分に抑制される。さらに、CH4のプラズマ分解から生じた少量の水素プラズマが開口部に拡散することにより開口部での水素プラズマ密度が増加するので開口部ではInPのエッチングが生じる。このように、マスクのない表面のInPはエッチングされず、マスクの開口部のInPはエッチングされる。つまり、マスクのない表面とマスク開口部との間でInPの選択エッチングが生じる条件2。本発明の第1の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図3~図8を参照して具体的に説明する。図3は本実施例において作製される同一面内で層厚が変化する導波路層の断面図である。半導体素子は、図3に示すように、n型InP1800、n型InP1800上に設けられたInGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801、この導波路層1801上に設けられたInPクラッド層1802を備える。本実施例に係る半導体素子の作製方法について以下に説明する。まず、図4に示すように、n型InP1800上に積層したInGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801の表面にマスク開口部1901の開口部幅1905が変化するマスク1900を形成する。マスク開口部1901は、第一の開口部1902と、この開口部1902よりも幅広の第二の開口部1903と、この開口部1903よりも幅広の第三の開口部1904とで構成される。ここでマスク開口部1901の開口部幅1905は以下に示すように決定する。マスク開口部外部のマスク幅1906は5μmで一定である。導波路長1907は500μmである。図5は、図1の拡大図であり、拡散距離が5μmのときにマスク端での水素プラズマ濃度がCs、5×Cs、20×Csである場合について示す。この図において水素プラズマの相対量縦軸が0.3~0.5のときに上述のようにエッチングとポリマーの生成が同時に生じるために表面の凹凸が著しく大きくなると仮定している。図5中、実線は水素プラズマ濃度がCsである場合、点線は水素プラズマ濃度が5×Csである場合、破線は水素プラズマ濃度が20×Csである場合を示す。この図において水素プラズマの相対量縦軸が0.3~0.5のときに上述のようにエッチングとポリマーの生成が同時に生じるために表面の凹凸が著しく大きくなると仮定する。まず、マスク端での水素プラズマ濃度がCsである場合、マスク開口部の開口部幅が1.8μm以下で水素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、3.7μm以上で水素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。次に、マスク端での水素プラズマ濃度が5×Csである場合、マスク開口部の開口部幅が5.4μm以下で水素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、6.7μm以上で水素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。次に、マスク端での水素プラズマ濃度が20×Csである場合、マスク開口部の開口部幅が7.6μm以下で水素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、8.7μm以上で水素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。そこで、上述の第一の開口部1902の開口部幅第一の開口部幅を1.8μm、第二の開口部1903の開口部幅第二の開口部幅を3.7μm以上5.4μm以下の範囲にある4.0μm、第三の開口部1904の開口部幅第三の開口部幅を6.7μm以上7.6μm以下の範囲にある7.0μmにそれぞれ決定する。このようなマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、まず、マスク端での水素プラズマ濃度がCsとなる条件でエッチングメタン/水素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が1.8μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部のみがエッチングされる。一方、3.7μm以上でポリマーの生成が支配的に起きるので、第二の開口部開口部幅:4.0μmと第三の開口部開口部幅:7.0μmの表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない。次に、マスク端での水素プラズマ濃度が5×Csとなる条件でエッチングメタン/水素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が5.4μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部と第二の開口部がエッチングされる。一方、6.7μm以上でポリマーの生成が支配的に起きるので、第三の開口部開口部幅:7.0μmの表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない。次に、マスク端での水素プラズマ濃度が20×Csとなる条件でエッチングメタン/水素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が7.6μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部と第二の開口部と第三の開口部がエッチングされる。ここで、マスク端での水素プラズマ濃度は水素流量に相当するので、マスク端での水素プラズマ濃度がCs、5×Cs、20×Csとするためにプラズマ条件である水素流量をそれぞれ5sccm、25sccm、100sccmと設定する。以上のように、表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件流量とマスク形状開口部幅を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。仮に、本発明によることなく、第二の開口部の開口部幅を3.0μmと設定した場合、マスク端での水素プラズマ濃度がCsとなる条件でエッチングしたとき3μmの開口部幅における水素プラズマの相対量は0.4程度となるのでエッチング後の表面の凹凸は著しく増加する。このように一度生じた表面の凹凸形状は、その後エッチングを施しても維持されるので、作製される導波路層における第二の開口部に相当する領域に導波路層表面には凹凸が残ることになる。このような凹凸が生じると、この表面上に積層する結晶の品質が劣化するので問題となる。また、導波路層に光を導波させるときに凹凸部により光が散乱するので問題となる。以上のように、炭化水素系プラズマと水素プラズマを用いる場合、マスク開口部の開口部幅を1.8μm~7.0μmに設定して、この開口部幅に応じた水素流量を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができるので、導波路層上に積層されるクラッド層の結晶品質を良好に維持することができ、導波路層に凹凸部により光が散乱することなく光損失を抑制して光を導波させることができる。図6は、酸素プラズマの拡散距離が水素の場合の1/2なので2.5μmであり、マスク端での酸素プラズマ濃度がCs、5×Cs、20×Csである場合のマスク端からの酸素プラズマの分布を示す図である。図6において、縦軸はマスク端での酸素濃度Csにより規格化された酸素濃度Cx/Csを示す。図中、実線は酸素プラズマ濃度がCsである場合、点線は酸素プラズマ濃度が5×Csである場合、破線は酸素プラズマ濃度が20×Csである場合を示す。この図において酸素プラズマの相対量縦軸が0.3~0.5のときに上述のようにエッチングとポリマーの生成が同時に生じるために表面の凹凸が著しく大きくなると仮定する上記の条件1に相当。まず、マスク端での酸素プラズマ濃度がCsである場合、マスク開口部の開口部幅が1.1μm以下で酸素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、1.9μm以上で酸素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。次に、マスク端での酸素プラズマ濃度が5×Csである場合、マスク開口部の開口部幅が2.9μm以下で酸素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、3.4μm以上で酸素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。次に、マスク端での酸素プラズマ濃度が20×Csである場合、マスク開口部の開口部幅が3.9μm以下で酸素プラズマの相対量が0.5以上になりエッチングが支配的に起きる。一方、4.4μm以上で酸素プラズマの相対量が0.3以下になりポリマーの生成が支配的に起きる。そこで、上述の第一の開口部1902の開口部幅第一の開口部幅を1.0μm、第二の開口部1903の開口部幅第二の開口部幅を1.9μm以上2.9μm以下の範囲にある2.5μm、第三の開口部1904の開口部幅第三の開口部幅を3.4μm以上3.9μm以下の範囲にある3.5μmにそれぞれ決定する。このようなマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、まず、マスク端での酸素プラズマ濃度がCsとなる条件でエッチングメタン/酸素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が1.1μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部のみがエッチングされる。一方、1.9μm以上でポリマーの生成が支配的に起きるので、第二の開口部開口部幅:2.5μmと第三の開口部開口部幅:3.5μmの表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない。次に、マスク端での酸素プラズマ濃度が5×Csとなる条件でエッチングメタン/酸素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が2.9μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部と第二の開口部がエッチングされる。一方、3.4μm以上でポリマーの生成が支配的に起きるので、第三の開口部開口部幅:3.5μmの表面はポリマーが生成され凹凸はほとんど生じない。次に、マスク端での水素プラズマ濃度が20×Csとなる条件でエッチングメタン/酸素プラズマ照射を行うと、マスク開口部の開口部幅が3.9μm以下でエッチングが支配的に起きるので、第一の開口部と第二の開口部と第三の開口部がエッチングされる。ここで、マスク端での酸素プラズマ濃度は酸素流量に相当するので、マスク端での酸素プラズマ濃度がCs、5×Cs、20×Csとするためにプラズマ条件である酸素流量をそれぞれ5sccm、25sccm、100sccmと設定する。以上のように、表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような酸素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件流量とマスク形状マスク開口部の開口部幅を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。仮に、本発明によることなく、第二の開口部の開口部幅を1.5μmと設定した場合、マスク端での酸素プラズマ濃度がCsとなる条件でエッチングしたとき1.5μmの開口部幅における酸素プラズマの相対量は0.4程度となるのでエッチング後の表面の凹凸は著しく増加する。このように一度生じた表面の凹凸形状は、その後エッチングを施しても維持されるので、作製される導波路層における第二の開口部に相当する領域に導波路層表面には凹凸が残ることになる。このような凹凸が生じると、この表面上に積層する結晶の品質が劣化するので問題となる。また、導波路層に光を導波させるときに凹凸部により光が散乱するので問題となる。以上のように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、水素プラズマに代えて酸素プラズマを用いる場合、マスクの開口部幅を1.0μm~3.5μmに設定して、この開口部幅に応じた酸素流量を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができるので、導波路層上に積層されるクラッド層の結晶品質を良好に維持することができ、導波路層に凹凸部により光が散乱することなく光損失を抑制して光を導波させることができる。このように、水素に代えて酸素を用いることにより、同一流量条件下で凹凸領域を抑制して選択エッチングを施すのに必要な開口部幅を低減することができる。したがって、同様の深さ変化を有する形状を選択エッチングにより加工する場合に必要とする試料面積を、酸素を用いることにより低減できる。このことは酸素を用いた選択エッチングによれば水素を用いた場合に同一面積のウエハから製造できる素子数を2倍程度に増加できることを示すので、素子の生産効率を向上させることができる。図7a~eに本実施例において作製される同一面内で層厚が変化する導波路層の作製方法を示す。InGaAsP組成波長:1.2μm導波路層1801は、n型InP1800の上に設けられ、図7aの左右方向にて同一層厚で形成されている。図7aに示すように、導波路層1801表面に上述のSiO2マスク1900を形成する。この試料について、初めにメタンと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングRIEをメタン流量40sccm、圧力が10Pa、放電電力が100W、酸素流量が5sccmで施すと、図7bに示すように、マスク開口部の開口部幅が1.0μmの第一の開口部においてエッチングが進行し、第二の開口部開口部幅:2.5μmと第三の開口部開口部幅:3.5μmの表面はポリマー1811が生成され凹凸はほとんど生じない。ただし、メタンプラズマをマスクが形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスク開口部の幅方向にてマスクの端部からマスク開口部へ向けて拡散させている。図8a~dに、図7bの上面図とマスク開口部の開口部幅の異なる開口部毎の断面を示す。第二の開口部1903と第三の開口部1904においてほとんどの領域にポリマー1811が堆積するがマスク1900との境界部分でのみエッチングが進行する。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、図7cに示すように、堆積したポリマーが除去される。次に、メタン流量、圧力、放電電力を一定にして、酸素流量を25sccmで施すと、図7dに示すように、マスク開口部の開口部幅が2.9μm以下の第一、第二の開口部においてエッチングが進行し、第三の開口部開口部幅:3.5μmの表面はポリマー1812が生成され凹凸はほとんど生じない。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、堆積したポリマーが除去される。したがって、マスク開口部の開口部幅が1.0μmの第一の開口部においては初めのRIEによるエッチングの後にさらに2度目のRIEによるエッチングが進行するので、第二の開口部の深さよりも深くなる。次に、メタン流量、圧力、放電電力を一定にして、酸素流量を100sccmで施すと、図7eに示すように、マスク開口部の開口部幅が3.9μm以下の第一、第二、第三の開口部においてエッチングが進行する。この結果、エッチング深さは第一、第二、第三の開口部の順に深くなる。さらに、エッチングされた表面の凹凸はほとんどない。その後、マスクを除去し、表面上に有機金属気相成長法MOVPEによりInP層を積層することにより同一面内で層厚が変化する導波路構造が作製される。このように炭化水素系ガスとともに酸素を用いた場合、水素を用いた場合に比べて、凹凸領域を抑制して選択エッチングを施すのに必要なマスク開口部の開口部幅を低減することができるので試料面積を低減でき、同一面積のウエハから製造できる素子数を2倍程度に増加することができる。さらに、水素を用いないので過剰の水素プラズマに半導体と反応することがなく、半導体表面でのV族原子InPにおけるP、GaAsにおけるAsなどの脱離が過剰に生じて欠陥V族原子空格子の誘起または表面モフォロジーの劣化が生じることがない。したがって、欠陥のない高品質の結晶が提供され良好な素子特性を得ることができる。また、良好な表面モフォロジーにより光散乱ない導波路層が提供される。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた酸素流量の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた圧力拡散距離の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。本発明に係る第2の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図9を参照して具体的に説明する。図9aに、本実施例に係る層厚が変化する導波路構造をスポットサイズ変化部に用いた半導体レーザ素子の構造の断面を示し、図9bに図9aにおけるb-b断面を示す。本実施例に係る半導体レーザ素子は出射光部分にスポットサイズ変換部を有することを特徴とする。スポットサイズ変換部とは素子からの出射光の光ファイバに入射する効率結合効率を向上させるために発光ビーム径を広げるものである。このスポットサイズ変換部では導波層の厚みを徐々に薄くすることにより光分布をクラッド層に染み出させてスポットサイズを大きくする。本実施例に係る半導体レーザ素子は、図9aおよび図9bに示すように、n型InP基板2800、n型InPバッファ層2801、活性層2802、スポットサイズ変換用InGaAsP組成波長:1.2μmガイド層2803、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層2804、p型InP埋込み層2805、n型InP埋込み層2806、p型InPクラッド層2807、p型InGaAs組成波長:1.65μmコンタクト層2808、SiO2層2809、n型オーミック電極2810、p型オーミック電極2811を備える。活性層2802はInGaAsP組成波長:1.1μmガイド層、6層のInGaAsP歪量子井戸歪量:0.8層と5層のInGaAsP組成波長:1.1μm障壁層の多重量子井戸層からなる活性層発光波長:1.3μm、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層からなる。このレーザ構造におけるスポットサイズ変換部の作製方法を説明する。活性層2802に隣接するスポットサイズ変換用InGaAsP組成波長:1.2μmガイド層2803の表面に第1の実施例と同様にマスク開口部幅の異なる複数のマスク開口部を有するSiO2マスクを形成する。このマスクは、活性層との境界側のマスク開口部幅が広く出射端側のマスク開口部幅が狭い形状を有する。同時に活性層表面は全面マスクで覆われている。この試料について第1の実施例で示すドライエッチングを施すと、エッチング深さは活性層の境界側で浅く出射端側で深くなる。次に、マスクを除去し、InPクラッド層を積層した後に、メサ形成用ストライプマスクを形成してメサ構造に加工することによりスポットサイズ変換部が形成される。この構造について、pn構造埋め込み層の成長、クラッド層とコンタクト層の成長後に、電極形成することにより本実施例に係る半導体レーザ素子の構造が作製される。このように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、簡易に層厚が変化する導波路層スポットサイズ変換部を作製することができる。作製された素子は導波路層スポットサイズ変換部での光損失が低減され、室温におけるしきい値電流が6.7mA、効率が0.42W/Aである良好な特性を示す。本発明の第3の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図10~図13を参照して説明する。図10に、本実施例に係る半導体素子の作製方法により作製される同一面内で層厚が変化する回折格子を作製するために使用するマスクを示す。図10に示すように、マスク3900の開口部幅回折格子部分3905の幅は、第1の実施例と同様に設定する。すなわち、本実施例では、マスク3900には、複数の第一の開口部3902と、第一の開口部3902よりも幅広の第二の開口部3903と、第二の開口部3903よりも幅広の第三の開口部3904とが形成されている。回折格子外部のマスク幅3906は一定である。このマスク3900を用いて第1の実施例と同様に酸素流量を変化させながらエッチングを施すことにより深さが変化する回折格子が作製できる。図11a~図11eに、本実施例に係る回折格子の作製工程を示す。図11aに示すように、試料3801の表面に上述のマスク3900を形成する。この試料について、初めに、マスク3900上からメタンと酸素の混合ガスを用いたRIEをメタン流量40sccm、酸素流量5sccm、ガス圧力が10Pa、放電電力が100Wで施すと、図11bに示すように、マスク開口部の開口部幅が1.0μmの第一の開口部3902においては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、マスク開口部の開口部幅が1.9μmより広い第二の開口部3903開口部幅:2.5μmおよび第三の開口部3904開口部幅:3.5μmにおいては、ポリマー3811が堆積してエッチングが進行しない。ただし、メタンプラズマをマスクが形成された試料表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスク開口部の幅方向にてマスクの端部からマスク開口部へ向けて拡散させている。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、図11cに示すように、堆積したポリマーが除去される。次に、酸素流量を変化させた条件酸素流量が25sccmでRIEを施すと、図11dに示すように、マスク開口部の開口部幅が2.9μm以下の第一の開口部3902および第二の開口部3903においては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、マスク開口部の開口部幅が3.5μmの第三の開口部3904においては、ポリマー3812が堆積してエッチングが進行しない。したがって、マスク開口部の開口部幅が1.1μm以下の第一の開口部3902においては初めのRIEによるエッチングの後にさらに2度目のRIEによるエッチングが進行するので、その深さは第二の開口部3903の深さよりも深くなる。引き続き酸素プラズマの照射によりポリマーを除去した後に、酸素濃度酸素流量を変化させた条件でのRIE、酸素プラズマの照射を交互に繰り返すことにより、図11eに示すように、深さの異なる回折格子を形成することができる。その後、マスクを除去して、メサ構造加工を行い、次に、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより、例えば、図12に示すように、回折格子を備える素子構造が作製される。図12は、本発明の第3の実施例に係る回折格子を用いたDBR半導体レーザの構造を示す断面図である。本実施例に係る半導体素子の作製方法により作製された深さの異なる回折格子を有する試料表面のSiO2マスクを除去した後、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより、図12に示す深さの変化する回折格子を用いたDBR半導体レーザ構造が作製される。本実施例に係る回折格子を用いたDBR半導体レーザは、図12に示すように、n型InP基板150、n型InPバッファ層151、回折格子152、InGaAsP組成波長:1.1μmガイド層153、8層のInGaAsP歪量子井戸歪量:1.0層と5層のInGaAsP組成波長:1.3μm障壁層の多重量子井戸層からなる活性層発光波長:1.55μm、活性層長:400μm154、DBR回折格子領域InGaAsP組成波長:1.4μmガイド層回折格子長は活性層の前後それぞれ400μm155、InGaAsP組成波長:1.3μmガイド層156、p型InPクラッド層157、p型InGaAs組成波長:1.85μmコンタクト層158、n型オーミック電極1591、p型オーミック電極1592を備える。素子の発振波長は1.55μmである。素子の長さは1500μmである。回折格子152のピッチ周期は240nm凸部:120nm、凹部:120nmであり、深さは素子両端面で浅くなっており5nm、素子中央部で深くなっており30nmである。図13a、bに、図12に示すDBR半導体レーザにおける回折格子により得られる反射特性を示す。図13aは、この回折格子の一端からの距離と結合係数κとの関係を示す。回折格子の深さが素子両端部で5nm、中央部で30nmとなるように変化させることにより、結合係数κは素子両端部で5cm1、中央部で80cm1と変化する。図13bのL2にこの回折格子を用いた場合の反射スペクトルを示す。比較のため、図13bのL3に結合係数が80nm1一定の場合の反射スペクトルを示す。回折格子の深さ、すなわち、結合係数を変化させることにより反射スペクトルのサイドモードが抑制されることがわかる。このことは、この回折格子を用いたDBR半導体レーザを動作させたときの発振スペクトルにおけるサイドモードが抑制されることを示唆する。このように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、簡易に深さ結合係数が変化する回折格子を作製することができる。作製された素子は回折格子における表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、設計通りにサイドモードが抑制された特性を示す。また、上述したように炭化水素系ガスとともに酸素を用いた場合、水素を用いた場合に比べて、凹凸領域を抑制して選択エッチングを施すのに必要なマスク開口部の開口部幅を低減することができるので試料面積を低減でき、同一面積のウエハから製造できる素子数を2倍程度に増加することができる。さらに、水素を用いないので過剰の水素プラズマが半導体と反応することはなく、半導体表面でのV族原子InPにおけるP、GaAsにおけるAsなどの脱離が過剰に生じて欠陥V族原子空格子の誘起または表面モフォロジーの劣化が生じることがない。したがって、欠陥のない高品質の結晶が提供され良好な素子特性を得ることができる。また、良好な表面モフォロジーにより光散乱ない導波路層が提供される。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた酸素流量の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた圧力拡散距離の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。本発明の第4の実施例に係る半導体素子の作製方法について、図14~図19を参照して説明する。第4の実施例として面内で深さが変化する回折格子の作製方法を示す。本実施例では回折格子部分のマスク格子状マスクの厚さと回折格子外部のマスク開口部幅調整マスクの厚さとが異なることを特徴とする。まず、回折格子部分のマスクの厚さと回折格子外部のマスクの厚さとが異なる点作用について説明する。図14に、図10に示す形状のマスク上におけるエッチング種の動きを示す。第3の実施例で使用したマスクを用いて回折格子を作製する場合には、図14に示すように回折格子外部のマスク開口部調整マスク82上に飛来したエッチング種84だけでなく回折格子部分のマスク格子状マスク81上に飛来したエッチング種83もエッチングに影響を与える。そのため、回折格子のエッチング形状の制御が困難になる。次に、本実施例に係る回折格子部分のマスクの厚さと開口部の長手方向の開口部幅を決める回折格子外部のマスクの厚さの異なるマスクを半導体表面上に形成してドライエッチングを行った場合について説明する。図15aに膜厚の薄いマスクを用いる場合におけるエッチング種の挙動を示し、図15bに膜厚の厚いマスクを用いる場合におけるエッチング種の挙動を示す。図15aに示すように、膜厚の薄いマスク1011を用いた場合には、エッチング種1012は半導体1010の表面からマスク端を越えてマスク1011上に拡散できるので半導体1010の表面上のエッチング種1012の密度は高くならない。したがって、半導体のエッチング速度は増加しない。一方、図15bに示すように、膜厚の厚いマスク1021を用いた場合には、エッチング種1022はマスク端が障壁となりマスク端を越えられないため、エッチング種1022が半導体1020の表面に閉じ込められて半導体1020の表面上におけるエッチング種1022の密度は増加する。したがって、マスクがより厚くなると、半導体のエッチング速度が増加する。そこで、回折格子外部のマスク82図14参照の厚さを回折格子部分のマスク81図14参照の厚さに比べて厚くすれば、マスク厚の厚い回折格子外部のマスク82上からのエッチング種の寄与が大きく、マスク厚の薄い回折格子部分のマスク81からのエッチング種の寄与を小さくできる。したがって、マスク開口部幅の広い領域では、膜厚の薄い回折格子部分のマスク81から開口部へのエッチング種の供給はほとんど無く、膜厚の厚い回折格子外部のマスク82上から拡散して開口部へ供給されるエッチングも開口部中央まで到達しないので、開口部中央付近ではエッチング速度は遅くなる。一方、マスク開口部幅の狭い領域では、膜厚の薄い回折格子部分のマスク81から開口部へのエッチング種の供給はほとんど無いが、膜厚の厚い回折格子外部のマスク82上から拡散して開口部へ供給されるエッチング種は、開口部中央まで到達してエッチングに寄与するので、開口部中央付近を含めた開口部全体でエッチング速度が速くなる。すなわち、エッチング深さに関しては、回折格子外部のマスク82が支配的である。このようなことから、このマスクを用いれば、膜厚の薄い回折格子部分のマスク81からマスク開口部へのエッチング種の供給を抑制して、マスク開口部中央付近でのエッチング深さを開口部幅の狭い領域では深く、開口部幅の広い領域では浅くすることができる。図16に、本実施例において試料表面に形成するSiNXSiO2マスクを示す。図16に示すように、SiO2で形成される回折格子部分のマスク格子状マスク4910の厚さが30nm、回折格子の長さ4907が500μm、格子幅4905が変化しており素子中央部から素子両端に向かって1.0μm、2.5μm、3.5μmである。また、ピッチ周期4911は240nmSiO2部:120nm、窓部:120nmである。一方、SiNxで形成される回折格子外部のマスク開口部幅調整マスク4920の厚さが1μm、マスク幅4906は5μmで一定である。なお、上記では、格子状マスク4910が第1のマスク部をなし、開口部幅調整マスク4920が第2のマスク部をなしている。図17a~dに、本実施例における回折格子形成に用いる面内で厚さの異なるマスクの作製工程を示す。初めに、InP基板上のInPクラッド層1310の表面に30nm厚の酸化シリコンSiO2膜を形成する。SiO2膜上にレジストを塗布した後に電子ビーム露光法により回折格子作製マスク用のレジストパターンを作製する。レジストパターンをマスクとしてフッ化炭素系CF4,C2F6などを用いた反応性イオンエッチングReactiveIonEtching,RIEによってSiO2膜を加工することにより、レジストパターンをSiO2膜に転写する。レジストパターンを除去することにより、InP上に回折格子部分作製用のSiO2マスク1311が形成される図17a。次に、上述の回折格子部分SiO2マスクを有するInP表面上に1μm厚の窒化シリコンSiNX膜1321を形成する図17b。SiNX膜上にレジストを塗布した後に回折格子外部のマスク用のレジストパターン1331を作製する図17c。このレジストパターンは電子ビーム露光だけでなく通常のフォトリソグラフィによるレジスト露光により形成できる。レジストパターン1331をマスクとしてフッ化硫黄系ガスSF6などを用いたRIEによってSiNX膜を加工することにより、レジストパターンをSiNX膜1341に転写する。このとき、回折格子部分のSiO2マスクはフッ化硫黄系ガスSF6などに耐性を有するのでエッチングされずに残る。この結果、レジストパターン1331を除去することにより、InP上に回折格子部分格子状部分と回折格子外部開口部幅調整部分で厚さの異なるマスクが形成される図17d。なお、上記では、SiO2マスク1311が第1のマスク部をなし、SiNX膜1341が第2のマスク部をなしている。図18a~eに、本実施例に係る半導体素子の作製方法により作製される回折格子の作製工程を示す。初めに、図18aに示すように、InP基板上のInPクラッド層4801の表面に上述のマスク4900を形成する。マスク4900は、膜厚が薄く、格子状に複数のマスク開口部が形成された回折格子部分のマスク格子状マスクと、回折格子部分のマスクの上に形成され、回折格子部分のマスクよりも膜厚が厚く、回折格子部分のマスクのマスク開口部の開口部幅を画定する回折格子外部のマスク開口部調整マスクとで構成される。ここで、第一の開口部4902の開口部幅は1.0μmとし、第二の開口部4903の開口部幅は2.5μmとし、第三の開口部4904の開口部幅は3.5μmとする。以下に説明する一連のエッチング過程において、マスク厚の厚い回折格子外部からのメタン酸素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄い回折格子部分からのメタン酸素プラズマの寄与は小さい。初めに、メタンと酸素の混合ガスを用いたRIEをメタン流量40sccm、酸素流量5sccm、ガス圧力が10Pa、放電電力が100Wで施すと、図18bに示すように、マスク開口部の開口部幅が1.0μmの第一の開口部4902においては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、マスク開口部の開口部幅が1.9μmより広い第二の開口部4903開口部幅:2.5μmおよび第三の4904開口部幅:3.5μmにおいては、ポリマー4811が堆積してエッチングが進行しない。ただし、メタンプラズマをマスクが形成された試料表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスク開口部の幅方向にてマスクの端部からマスク開口部へ向けて拡散させている。引き続き、酸素プラズマを酸素流量10sccm、ガス圧力10Pa、放電電力400Wで1分間照射すると、図18cに示すように、堆積したポリマーが除去される。次に、酸素流量を変化させた条件酸素流量が25sccmでRIEを施すと、図18dに示すように、マスク開口部の開口部幅が2.9μm以下の第一の開口部4902開口部幅:1.0μmおよび第二の開口部4903開口部幅:2.5μmにおいては、ポリマーが堆積することなくエッチングが進行する。一方、マスク開口部の開口部幅が3.5μmの第三の開口部4904においては、ポリマー4812が堆積してエッチングが進行しない。したがって、マスク開口部の開口部幅が1.1μm以下の第一の開口部4902においては初めのRIEによるエッチングの後にさらに2度目のRIEによるエッチングが進行するので、その深さは第二の開口部4903の深さよりも深くなる。引き続き酸素プラズマの照射によりポリマーを除去した後に、酸素濃度酸素流量を変化させた条件でのRIE、酸素プラズマの照射を交互に繰り返すことにより、図18eに示すように、深さの異なる回折格子を形成することができる。その後、マスクを除去して、メサ構造加工を行い、次に、この回折格子上に有機金属気相成長法MOVPEにより積層することにより、例えば、図12に示すような素子構造が作製される。このように炭化水素系ガスとともに酸素を用いた場合、水素を用いた場合に比べて、凹凸領域を抑制して選択エッチングを施すのに必要なマスク開口部の開口部幅を低減することができるので試料面積を低減でき、同一面積のウエハから製造できる素子数を2倍程度に増加することができる。さらに、水素を用いないので過剰の水素プラズマが半導体と反応することはなく、半導体表面でのV族原子InPにおけるP、GaAsにおけるAsなどの脱離が過剰に生じて欠陥V族原子空格子の誘起または表面モフォロジーの劣化が生じることがない。したがって、欠陥のない高品質の結晶が提供され良好な素子特性を得ることができる。また、良好な表面モフォロジーにより光散乱ない導波路層が提供される。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた酸素流量の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。このように作製された回折格子は第3の実施例と同様の特性を有する。本実施例において、3つのマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて深さが3段階変化するエッチングについて説明したが、より多数のマスク開口部の開口部幅を有すマスクを用いて、その開口部幅に応じた圧力拡散距離の条件下でメタン/酸素RIEを施すことにより、より多段で深さが変化するエッチングを行うことができる。このように作製された回折格子は第3の実施例と同様の特性を有する。以上のように、本実施例に係る半導体素子の作製方法によれば、簡易に深さ結合係数が変化する回折格子の作製することができる。作製された素子は回折格子における表面の凹凸が抑制されるため、光損失が低減され、設計通りにサイドモードが抑制された特性を示す。本実施例において、回折格子の開口部の両端部にはマスク上で反応に寄与しなかった酸素プラズマが流入する。この酸素プラズマ分だけメタンが反応してエッチングが進行する。したがって、ポリマーが堆積する開口部においても両端の一部分のみでエッチングが進行する。このように、開口部全域のおいて深さが均一にならないという問題が生じる場合がある。しかしながら、実際のデバイスにおいてはメサ構造が採用されるため、開口部の両端部はメサ形成時に切り落とされるので、実際のデバイス作製上における問題とはならない。本実施例ではマスクにおける開口部外部のマスク幅を一定としたが、開口部に拡散する酸素プラズマがマスク上にて拡散する距離を無視できる程度の長さ幅であればマスク幅は一定である必要はない。例えば、図19に示すような形状のマスク5900でもよい。マスク5900は、マスク開口部5901の開口部幅5905が導波路長5907に対し変化し、第一の開口部5902と、この開口部5902よりも幅広の第二の開口部5903と、この開口部5903よりも幅広の第三の開口部5904とを有する。マスク590におけるマスク開口部外部のマスク幅5906は導波路長5907に対し変化している。本実施例では、回折格子の深さを5nm-30nmに設定したが、この深さに限られることはなく素子内で回折格子の深さが一定でなく変化していれば同様の効果が得られる。この際、回折格子の深さが素子長方向に対称である必要もない。この深さに対応して変化する結合係数も5cm1-80cm1に設定したが、この値に限られることはない。また、本実施例では素子用半導体結晶として化合物半導体InP結晶を用いたが、GaAs、SiGeなどの化合物半導体結晶やInGaAsP、AlGaInAs、InGaN、GaInNAs、AlGaSbなどの混晶結晶を用いても可能である。また、本発明による装置が対応するレーザ光の波長として1.55μmを用いたが、InGaAsP結晶の組成などの構造、回折格子のピッチ周期を変えることにより波長が1.0μmから1.7μmまでの長波長帯にも対応でき、活性層に他の材料InGaAlN、AlGaInP、AlGaSbなどを用いることにより波長が1.0μm未満の短波長帯や1.7μm以上の長波長帯にも対応できる。また、活性層における多重量子井戸構造には、8層、5nm厚のInGaAsP歪量子井戸層歪量:1.0、5層、10nm厚のInGaAsP障壁層組成波長:1.1μmを用いたが、歪量、層数、層厚、結晶組成などの構造因子は変化させても構わない。また、本実施例では、回折格子等の半導体の加工のためのドライエッチングにおいて、エッチングガスとしてメタンを用いたが、エタン等の他の炭化水素系ガスを用いても構わない。また、エッチングガスとして混合ガスを用いる際の希釈ガスには酸素ガスだけではなく酸素ガスと共に水素、窒素やアルゴンを用いても構わない。また、ポリマーを除去するために酸素プラズマを照射したが、酸素を含むプラズマでもよい。例えば、酸素と窒素、アルゴン等不活性ガスとの混合ガス、酸素と水素の混合ガス等でもよい。また、ドライエッチング法にRIBE、RIE法を用いたが、イオンビームアシストエッチングなどを用いても加工できる。レジストパターン作製には電子ビーム露光法以外にも干渉露光法を用いることができる。エッチングの際に半導体表面に形成するマスクには酸化シリコンSiO2を用いたが、窒化シリコン、酸化チタンなどの誘電体や、金やチタンなどの金属を用いることもできる。"