波長5nmから15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、基板と、前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、前記基板の、前記多層反射膜が形成された面とは反対面上に形成された導電膜とを備え、前記基板は、石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、前記多層反射膜は、前記基板上にモリブデンMoを材料とする層と珪素Siを材料とする層とが重ねられた層が、複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は、前記多層反射膜上に形成され、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、前記導電膜は、酸化インジウムスズITOまたは酸化亜鉛ZnOのいずれかを含む材料の層を有する積層構造を有する反射型マスクブランク。請求項1に記載の反射型マスクブランクにおいて、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護層と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されて成る、反射型マスク。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域においてEUVおよび紫外線領域から近赤外線領域の光の反射を低減した反射型マスクを提供することにある。本発明は、波長5nmから15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、基板と、基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、基板の、多層反射膜が形成された面とは反対面上に形成された導電膜とを備え、基板は、石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を含む材料で形成され、多層反射膜は、基板上にモリブデンMoを材料とする層と珪素Siを材料とする層とが重ねられた層が、複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、保護膜は、多層反射膜上に形成され、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、吸収膜は、保護膜上に形成され、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、導電膜は、酸化インジウムスズITOまたは酸化亜鉛ZnOのいずれかを含む材料の層を有する積層構造を有する。本発明はまた、上述の反射型マスクブランクにおいて、吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、回路パターンを除く回路パターンの周囲の部分に、吸収膜と保護層と多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されて成る、反射型マスクである。本発明によれば、EUVおよびDUVの反射を除去する手段として、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域の吸収層、保護層および多層反射膜の一部を選択的に除去し枠状の領域を形成し、また、基板に対して対向位置の裏面導電膜は紫外線領域から可視領域の反射率が低いことを特徴とするフォトマスクを提供し、マスク領域においてEUVおよび紫外線領域から近赤外線領域の光の反射を低減することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。本実施形態では説明のため、膜として記載しているが、膜を層としてもよい。先ず、本発明の第1の実施形態について図1を参照して説明する。図1は、反射型マスクブランクス10の断面図である。反射型マスクブランクス10は、より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。EUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11の一面上に多層反射膜12、保護膜13、吸収膜14をこの順に形成する。基板11は石英基板であり、6インチ角で厚さは6.35mmである。多層反射膜12はモリブデンMoを4.2nm、珪素Siを2.8nm、イオンビームスパッタリング装置で交互に40対、合計80層を、最上層が珪素Siとなるように積層する。次に保護膜13としてルテニウムRuをマグネトロンスパッタにて0.5nmから3nm積層する。次に吸収膜14を、タンタルTaを母材として珪素Siを含む化合物からなる合金を窒素ガスの雰囲気中に混合し、マグネトロンスパッタにより20nmから150nm堆積し、さらにその上層にタンタルTaを母材として珪素Siを含む化合物からなる合金を、窒素ガス、酸素ガスを混合したガスの雰囲気中に混合し、マグネトロンスパッタにより5nmから20nm堆積することで形成する。さらに、基板11の、多層反射膜12とは反対側面には、裏面導電膜15として酸化インジウムスズITOをマグネトロンスパッタにより100nm積層して形成する。次に、本発明の第2の実施形態について、図2を参照して説明する。図2は、図1で示した反射型マスクブランクス10を用いた露光用反射型マスク100であって、図2aはそのマスク100の平面図、図2bはそのマスク100の断面図である。図2a、bに示すように、マスク100は、回路パターンAの領域の外側に、吸収膜14、保護膜13及び多層反射膜12の一部にわたり、遮光枠領域Bを形成した構造である。次に、マスク100の製造方法を図3乃至図5に示す。ここで、図3は工程のステップを示し、図4及び図5は各工程での加工状態の断面図を示す。まず、図1に示したマスクブランクス10を用意し、吸収膜14に回路パターンAと領域Bを形成する。つまり、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト21を吸収膜14に200nmの膜厚で塗布しS1、所定の回路パターンAと遮光枠領域Bを電子線描画装置により描画するS2。その後、アルカリ溶液などで現像を行いS3、これにより形成したレジスト21のパターンをマスクにして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチングを行いS4、不要なレジスト21のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないし有機溶剤などで溶解除去するS5。その後、必要に応じて、酸アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理S6と、遠心力を利用したスピン乾燥S7を行う。以上の工程により回路パターンAと遮光枠領域Bが形成される。次に、遮光枠領域Bの保護膜13と多層反射膜12の部分を形成する。まず、吸収膜14に紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布するS8。この後、遮光枠領域Bを露光または電子線で描画するS9。上述のS3-S7と同様、現像S10、エッチングS11、レジストの除去S12、洗浄S13、乾燥S14を行い、領域Bを完成する。エッチング工程S11では、まず、保護膜13の除去をフッ素系ガスプラズマを用い、多層反射膜12は保護膜13と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを交互に用いる方法で行い、遮光枠領域Bを形成する。以上の工程により反射型マスク100が完成する。遮光枠領域Bの形成だけでは、基板11を一旦透過して裏面導電膜15から反射して再度戻ってくる光成分を除去しきれない。図6に従来の裏面導電膜材料の一例としてクロムCrと、本発明のITOとによる透過率および反射率スペクトルの比較を示す。反射光とは吸収膜14側から入射し、基板11を透過して裏面導電膜15を反射して再度基板11を透過して吸収膜14から射出した光である。測定には反射率計を用いた。測定の結果、波長250nmから850nmの範囲において従来のクロムCrに対して本発明のITOは平均で反射率は42.1から13.5に低減した。またITOのシート抵抗は90オーム/cm2オーム/□とも記すであった。なお、シート抵抗とは、JIS規格K6911-1995において定義された表面抵抗率を意味する。本発明により、裏面導電膜の導電性を確保しつつ透明性を向上させた材料を用いることにより、アウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避けることが可能となった。本発明は上述の実施形態そのままに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、明細書に示される事項の適宜の組み合わせによって種々の発明を想定できるものである。