"ボトムエミッション型の有機EL表示装置であって、透明基板上に形成され、隔壁で区画された領域に設けられた透明な画素電極と、前記画素電極上に形成された正孔輸送層と、前記画素電極上に前記正孔輸送層を介して形成され、少なくとも赤色、緑色、青色の発光色に対応して設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆うように形成された対向電極と、を備え、前記画素電極は、前記有機発光層からの発光色と同色の光を選択透過する着色成分を含有されてなり、前記画素電極の膜厚が0.3μm以上、2μm以下であることを特徴とする有機EL表示装置。前記画素電極が導電性高分子からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。前記導電性高分子がポリチオフェン誘導体からなることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。前記画素電極の導電率が100S/cm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。前記画素電極と前記正孔輸送層との間に、正孔注入層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。前記有機発光層と前記対向電極の間に、電子輸送層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。ボトムエミッション型の有機EL表示装置の製造方法であって、透明基板上において隔壁で区画された領域に、導電性高分子と着色成分とを含む液体をインクジェット法を用いて塗布し、塗布された前記液体を乾燥して画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に機能層形成材料を含む液体をインクジェット法を用いて塗布し、塗布された前記液体を乾燥して有機発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層を覆う対向電極を形成する工程と、を備え、前記画素電極の膜厚が0.3μm以上、2μm以下であることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。前記機能層を形成する工程は、前記画素電極と前記有機発光層との間に、正孔輸送層を形成する工程を有し、インクジェット方式により正孔輸送層形成材料を含む液体を吐出した後、加熱により架橋させて前記正孔輸送層を形成することを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。前記有機発光層と前記対向電極の間に、電子輸送層を形成する工程を有し、真空蒸着法を用いて、前記電子輸送層および前記対向電極を形成することを特徴とする請求項7または8に記載の有機EL表示装置の製造方法。通常、有機EL素子の透明な画素電極はITO酸化インジウムスズ合金などのスパッタ膜からなり、上記特許文献2においては、公知技術であるゾルゲル法を用いて、顔料の微粒子が混入した電極膜を形成していた。ゾルゲル法とは金属をアルコキシド化して得られたゾルを加水分解重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を得る方法である。有機Inと有機Sn成分からなるITOのゾルは、450°C以上の焼成で良好な薄膜が形成され、焼成温度を高くするほど低抵抗が得られる。1回の塗布当たりの膜厚は100nm以下が一般的であり、塗布焼成を繰り返すと、より厚い膜が得られる。しかし、顔料の微粒子を混入させたゾルは、300°C以上に加熱するのが難しいため抵抗が高く、またクラックの発生や繰り返しプロセスを考慮すると、300nm以下の膜厚にせざるを得なかった。その電極膜に着色成分を含有させても十分な光吸収が得られない。そのためフルカラー表示装置として、十分なコントラストと色純度を提供できないという課題があった。また有機EL素子としてみた場合、着色成分が発光層に拡散したり、電子と正孔のキャリアバランスが崩れることで、発光寿命の短時間化という課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の有機EL表示装置は、ボトムエミッション型の有機EL表示装置であって、透明基板上に形成され、隔壁で区画された領域に設けられた透明な画素電極と、前記画素電極上に形成された正孔輸送層と、前記画素電極上に前記正孔輸送層を介して形成され、少なくともた赤色、緑色、青色の発光色に対応して設けられた有機発光層と、前記有機発光層を覆うように形成された対向電極と、を備え、前記画素電極は、前記有機発光層からの発光色と同色の光を選択透過する着色成分を含有されてなり、前記画素電極の膜厚が0.3μm以上、2μm以下であることを特徴とする。この構成によれば、コントラストと色純度が高いフルカラー表示が可能な有機EL表示装置を提供することができる。[適用例2]上記適用例の有機EL表示装置において、前記画素電極が導電性高分子からなることを特徴とする。これにより、有機EL表示装置の消費電力と発光寿命を、特に優れたものとすることができる。[適用例3]上記適用例の有機EL表示装置において、前記導電性高分子がポリチオフェン誘導体からなることを特徴とする。これにより、有機EL表示装置の消費電力と発光寿命を、特に優れたものとすることができる。[適用例4]上記適用例の有機EL表示装置において、前記画素電極の導電率が100S/cm以上であることを特徴とする。これにより、有機EL表示装置の消費電力と発光寿命を、特に優れたものとすることができる。[適用例5]上記適用例の有機EL表示装置において、前記画素電極と前記正孔輸送層との間に、正孔注入層が形成されていることが好ましい。これにより、有機EL表示装置の消費電力と発光寿命を、特に優れたものとすることができる。[適用例6]上記適用例の有機EL表示装置において、前記有機発光層と前記対向電極の間に、電子輸送層が形成されていることが好ましい。これにより、有機EL表示装置の消費電力と発光寿命を、特に優れたものとすることができる。[適用例7]本適用例の有機EL表示装置の製造方法は、ボトムエミッション型の有機EL表示装置の製造方法であって、透明基板上において隔壁で区画された領域に、導電性高分子と着色成分とを含む液体をインクジェット法を用いて塗布し、塗布された前記液体を乾燥して画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に機能層形成材料を含む液体をインクジェット法を用いて塗布し、塗布された前記液体を乾燥して有機発光層を含む機能層を形成する工程と、前記機能層を覆う対向電極を形成する工程と、を備え、前記画素電極の膜厚が0.3μm以上、2μm以下であることを特徴とする。これにより、低コストで製造するために、大型基板を用いたとしても、少ない部品構成で、生産性の良いフルカラー表示が可能な有機EL表示装置の製造方法を提供することができる。[適用例8]上記適用例の有機EL表示装置の製造方法において、前記機能層を形成する工程は、前記画素電極と前記有機発光層との間に、正孔輸送層を形成する工程を含み、インクジェット方式により正孔輸送層形成材料をい含む液体を吐出した後、加熱により架橋させて前記正孔輸送層を形成することが好ましい。これにより、低コストで製造するために、大型基板を用いたとしても、少ない部品構成で、生産性を特に優れたものとすることができる。[適用例9]上記適用例の有機EL表示装置の製造方法において、前記有機発光層と前記対向電極の間に、電子輸送層を形成する工程を有し、真空蒸着法を用いて、前記電子輸送層および前記対向電極を形成することが好ましい。これにより、低コストで製造するために、大型基板を用いたとしても、少ない部品構成で、生産性を特に優れたものとすることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。本実施形態の有機EL表示装置について図1~図4を参照して説明する。図1は本実施形態の有機EL表示装置の電気的な構成を示す等価回路図、図2は本実施形態の有機EL表示装置における有機EL素子の構成を示す模式図、図3は本実施形態の有機EL表示装置の画素領域の平面図、図4は図3におけるXとYを結ぶ直線で切断した、本実施形態の有機EL表示装置における画素領域の断面図である。図1に示すように、本実施形態の有機EL表示装置100は、基板上に、複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線132に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に画素領域Aが形成されている。信号線132には、例えば、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131には、シフトレジスター及びレベルシフターを含む走査側駆動回路104が接続されている。画素領域Aには、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスター123と、この第1の薄膜トランジスター123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスター124と、この第2の薄膜トランジスター124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極111陽極と、画素電極111と対向電極12陰極との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。機能層110は、後述する有機EL層発光層を含んでいる。画素領域Aでは、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスター123がオンとなると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて、第2の薄膜トランジスター124の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスター124のチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を通じて対向電極12陰極に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、機能層110が発光する。以降、第1の薄膜トランジスター123をスイッチング用TFT123、第2の薄膜トランジスター124を駆動用TFT124と呼ぶ。図2には、有機EL素子10の層構成の模式図が示されている。有機EL素子10は、透明な画素電極陽極111と、対向電極陰極12と、これらの電極間に挟み込まれた機能層110とを有している。画素電極111は、発光層からの発光色と同色の光を選択透過する着色成分を含有している。機能層110は、正孔注入層110aと、正孔輸送層110bと、有機EL層発光層110cと、電子輸送層110dから構成されている。また、対向電極12は電子注入層12aと反射電極層12bとが積層されて構成されている。図3には赤色R、緑色G、青色Bの各色に対応する3つの画素領域Aの平面図が示されている。画素を区画する隔壁としてのバンク部112とを主体として構成されている。バンク部112は、無機物バンク層第1バンク層112aと、有機物バンク層第2バンク層112bとの積層にて構成されている。画素の縁部に駆動用TFTに接続されるコンタクトホール108が配置されている。図4には赤色R、緑色G、青色Bの各色に対応する3つの画素領域Aの断面構造が示されている。有機EL表示装置100は、基板2上に、上記スイッチング用TFT123などの回路が形成された回路素子部14、画素電極陽極111、機能層110が形成された発光素子部11、及び対向電極陰極12が順次積層して構成されている。この有機EL表示装置100では、発光層110cから基板2側に発した光が、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側光出射側に出射されるとともに、発光層110cから基板2の反対側に発した光が対向電極陰極12により反射されて、回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側に出射されるようになっている。回路素子部14においては、基板2上に遮光性材料からなる遮光層BMが島状に形成され、さらにこれを覆う形にてシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成されている。この下地保護膜2c上には、遮光層BMと平面的に重畳する位置に対し、島状の半導体膜141が形成されている。さらに回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成されており、該ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、Wなどからなるゲート電極走査線143が形成されている。また、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。各層間絶縁膜としては、例えばSiO2或いはSiNからなるもの透光性絶縁膜を適当な膜厚例えば200nm程度としたものを採用することができる。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域に対応する位置に設けられている。また、第1層間絶縁膜144aおよび第2層間絶縁膜144bを貫通して、半導体膜141のソース領域、ドレイン領域にそれぞれ接続されるコンタクトホール146,108が形成されている。そして、第2層間絶縁膜144b上には、導電性高分子からなる透明な画素電極111が形成されている。該画素電極111は、マトリクス状に形成されており、その厚さは、0.3μm~2μm例えば1μmの範囲とされている。また、画素電極111は、上述したコンタクトホール108を介して駆動用TFT124に接続されている。なお、他方のコンタクトホール146は電源線133に接続されている。このようにして、回路素子部14には、画素電極111に接続された半導体膜141を含む駆動用TFT124が形成されている。図4においては図示省略したが、スイッチング用TFT123も同様にして回路素子部14に形成されている。そして、上記のような画素電極111の上に発光素子部11が形成されている。発光素子部11は、画素電極111上に積層された機能層110と、機能層110同士の間に配されて各機能層110を区画する隔壁としてのバンク部112とを主体として構成されている。機能層110上には、アルミニウムなどの反射性金属膜からなる対向電極陰極12が配置されている。有機EL素子10は、このような画素電極111、機能層110、対向電極陰極12を含むものである。バンク部112は、基板2側に位置する無機物バンク層第1バンク層112aと、基板2から離れて位置する有機物バンク層第2バンク層112bとの積層にて構成されている。無機物バンク層112aは、例えばSiO2、SiNxなどの無機材料からなり、画素開口を備える形にて厚さ50nm程度に形成されている。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶媒性のあるレジストを用い、2μm~3μmの膜厚で形成されている。以降、より具体的な有機EL素子10の構成と製造方法について、実施例や比較例を挙げて説明する。実施例1図2は実施例1の有機EL素子10の層構成を示す模式図である。有機EL素子10は画素電極着色層111と機能層110と対向電極陰極12からなり、機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入層110aと、正孔輸送層110bと、有機EL層発光層110cと、電子輸送層110dから構成されている。画素電極陽極111から注入された正孔と、対向電極陰極12から注入される電子が有機EL層110cの中で再結合し、発光が得られる。正孔注入層110aは、正孔を画素電極陽極111から機能層110に注入する機能を有する。正孔輸送層110bは正孔の輸送量を調整する機能を有する。このような正孔輸送層110bを正孔注入層110aと有機EL層110cの間に設けることにより、有機EL層110cの発光効率、寿命などの素子特性が向上する。また、電子輸送層110dは電子の輸送量を調整する機能を有する。このような電子輸送層110dを対向電極陰極12と有機EL層110cの間に設けることにより、有機EL層110cの発光効率、寿命などの素子特性が向上する。このような有機EL素子10を有する有機EL表示装置100は、図5に示す工程フローチャートで製造することができる。図6に有機EL表示装置の製造工程の断面図を示す。まず、図5のコンタクトホール形成工程ステップS1では、図6aに示すように、通常のTFTアレイを製造するプロセスにおいて、層間絶縁膜144に駆動用TFT124に接続されるコンタクトホール108を形成する。層間絶縁膜144のパターニングは、一般的なフォトリソグラフィプロセスでよい。コンタクトホール108の位置は、図3に示すように隔壁としてのバンク部112の縁に配置されるのが好ましい。次に、図5のバンク部形成工程ステップS2では、図6bに示すように、各画素の開口部に対応する隔壁としてのバンク部112を形成する。バンク部112は、無機物バンク層第1バンク層112aと、有機物バンク層第2バンク層112bとの積層にて構成されていて、第1バンク層112aがインクジェットインクに濡れ易く、第2バンク層112bがインクジェットインクをはじき易い機能を有する。バンク部112の形成は一般的なフォトリソグラフィプロセスでよく、バンク膜厚は2μm~4μmが適正範囲である。次いで、図5の画素電極着色層形成工程ステップS3では、図6cに示すように、画素電極着色層111をインクジェット法で形成する。コンタクトホール108内にも導電性材料が満たされ、駆動用TFT124と導通を取ることができる。画素電極111には導電性高分子が膜厚自由度とプロセス容易性で適しており、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体などがよい。特に、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物PEDOT/PSSが好適である。一方、この画素電極111は、赤色R、緑色G、青色Bの各色に対応する画素毎に異なる構成を有している。具体的には、以下のような構成とされている。まず、赤色Rの画素以下、R画素とも言うにおいては、赤色Rの光を選択透過するとともに該赤色R以外の光を選択吸収する着色成分が含有された画素電極111Rが形成されている。また、緑色Gの画素以下、G画素とも言うにおいては、緑色Gの光を選択透過するとともに該緑色G以外の光を選択吸収する着色成分が含有された画素電極111Gが形成されている。さらに、青色Bの画素以下、B画素とも言うにおいては、青色Bの光を選択透過するとともに該青色B以外の光を選択吸収する着色成分が含有された画素電極111Bが形成されている図4参照。ここで、画素電極111は、導電性材料としてCLEVIOSPH500H.C.Starck社製を用いた。R画素の画素電極111Rに含有されている着色成分はPigmentRed177山陽色素株式会社製で、G画素の画素電極111Gに含有されている着色成分はPigmentGreen7、またB画素の画素電極111Bに含有されている着色成分はPigmentBlue60である。上記PEDOT/PSSと上記着色成分を混合してインク化し、インクジェット法にて塗分けし、200°Cで乾燥させたところ、500S/cmの導電性を示した。膜厚はRGB各画素共通とし、0.1μm~3.0μmの水準で画素電極着色層111を形成した。必要に応じて、複数回の吐出乾燥を繰り返すことで、クラックの無い、ほぼ平坦な導電性高分子膜が得られた。次に、図5の正孔注入層および正孔輸送層形成工程ステップS4では、図6dに示すように、正孔注入層110aと正孔輸送層110bとをインクジェット法で形成する。正孔注入層110aとしては、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体などが用いられる。ここでは、ポリチオフェン誘導体であるPlecoreOCPLEXTRONICS社製を用いた。溶媒を調合してインク化し、インクジェット法にて各画素部の画素電極上に吐出し、180°Cで乾燥させて膜厚50nmの正孔注入層110aを形成した。正孔輸送層110bとしては、芳香族アミン化合物が多く使用され、連結する材料としてポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリメチルフェニルシランなどのポリシラン系などの高分子有機材料が好適に用いられる。ここで、正孔輸送層110bは、以下の化学式1に示すように架橋性正孔輸送性材料としてフルオレンとトリフェニルアミンのコポリマー誘導体P1を用いた。5のアミン単位はスチリル架橋基を含んでいる。芳香族の高沸点溶剤に溶解させてインク化し、インクジェット法にて各画素部の正孔注入層110a上に吐出し、窒素雰囲気中にて180°Cで乾燥、架橋させて膜厚20nmの正孔輸送層110bを形成した。試みに、トルエンで洗浄したが、膜厚の減少は見られなかった。また、画素電極着色層111からの着色成分の溶出も、観察されなかった。次に、図5の有機EL層発光層形成工程ステップS5では、図6dに示すように、赤R、緑G、青Bに対応した画素の正孔輸送層110b上に当該発光色が得られる有機EL層発光層110cをインクジェット法で形成する。正孔輸送層110b上に形成された有機EL層110cは、R画素では、赤色Rに発光する材料からなる赤色有機EL層110cRにて構成され、同様に緑色Gの画素では、緑色Gに発光する材料からなる緑色有機EL層110cGにて構成され、さらに青色Bの画素では、青色Bに発光する材料からなる青色有機EL層110cBにて構成されている。赤色有機EL層110cRを形成する発光材料としては、例えばローダミン色素を添加したPPVやMEH-PPVあるいはポリフルオレン系及びその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができ、緑色有機EL層110cGを形成する発光材料としては、例えばPPV及びその誘導体やF8BTポリジオクチルフルオレンなどのフルオレン誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。青色有機EL層110cBを形成する発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレン及びその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。芳香族の高沸点溶剤に溶解させてインク化し、インクジェット法にて各画素部の正孔輸送層上に吐出し、窒素雰囲気中にて150°Cで乾燥させた。乾燥後の厚さは全ての画素で80nm程度とした図4参照。次に、図5の電子輸送層形成工程ステップS6、対向電極陰極形成工程ステップS7では、図6eに示すように、電子輸送層110dと電子注入層12aと反射電極層12bとを真空蒸着法で形成する。電子輸送層110dを形成する電子輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体、シロールなどが挙げられ、これらの形成材料を用いた成膜方法としては、真空蒸着法が好ましい。発光素子部11の全面に形成されていればよく、RGBに対応する各画素毎に選択成膜する必要が無い。本例では表示エリアの開口を備えたオープンメタルマスクを介して、キノリノールアルミ錯体Alq3を20nmの膜厚で形成した。対向電極陰極12も、RGBに対応する各画素毎に選択成膜する必要が無く、画素電極陽極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この対向電極陰極12は、本例ではフッ化リチウムからなる電子注入層12aとアルミニウムからなる反射電極層12bとが積層されて構成されている。反射電極層12bは、電流を供給する役割と共に、有機EL層110cから発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜などを採用することもできる。また、その厚さは、例えば100nm~1000nmの範囲とすることができる。基板上において表示エリアおよびその周辺に配置された陰極コンタクト部と導通するように、オープンメタルマスクを介して、真空蒸着法にて形成した。引き続き窒素雰囲気中にて、ガラス基板と紫外線硬化樹脂からなるシール剤を用いる、公知の封止工程を行なって、有機EL表示装置100を作製した。このように構成された有機EL表示装置100においては、画素電極111が、画素単位毎に有機EL層110cの発光色と同色の色光を選択透過する着色成分が含有されているため、有機EL層110cに対し、該有機EL層110c自身の発光色と異なる色の光が入射されることを防止ないし抑制できるようになる。その結果、当該表示装置のコントラストを向上させることが可能となり、また当該画素の色純度を高めることが可能となる。図7に画素電極着色層111の膜厚に対する、有機EL表示装置100のコントラスト比と駆動電圧を示す。明室コントラスト比は鉛直面照度100ルクスlx、水平面照度70ルクスlxの明所条件で、100の全白信号と0の全黒信号を加え、画面の中央部の輝度を測定して算出した。コントラスト比は視認性の観点から最低でも500:1以上は必要である。したがって、図7に示したグラフによれば、画素電極111の膜厚は0.3μm以上が好ましい。また、バンク部112の膜厚とプロセスの制約を考慮すると、2μm以下が素子構成上適している。実施例2実施例1と同様の方法で、基板2上にコンタクトホール108とバンク部112を公知のフォトリソグラフィ技術により形成した。そして、形成したバンク内にインクジェット法にて画素電極着色層111を形成する。ここで、画素電極111は、導電性材料としてCLEVIOSシリーズH.C.Starck社製から選択し、着色成分を含有させ、200°Cで乾燥した後の導電率が、1S/cm~1000S/cmとなるようにインクを調合した。インクジェット法にて各画素に塗布し、乾燥させることで、各色の画素共通に厚さ1.0μmの画素電極着色層111R,111G,111Bを得た。他の膜構成と製造方法は、実施例1と同様で、有機EL表示装置100を作製した。図8に画素電極111の導電率に対する、有機EL表示装置100を白表示200nitで点灯させた時の画素内輝度分布を示す。画素内の発光状態を観察すると、コンタクトホール108の付近が明るく、遠ざかるにつれ輝度低下が見られた。画素内輝度分布は輝度寿命や消費電力の観点から10以下が望まれる。したがって、図8に示したグラフによれば、画素電極111の導電率は100S/cm以上であることが好ましい。実施例3図9は実施例3の有機EL素子20の層構成を示す模式図である。有機EL素子20は画素電極着色層111と機能層110と対向電極陰極12からなり、機能層110は、画素電極111上に積層された正孔輸送層110bと、有機EL層発光層110cと、電子輸送層110dから構成されている。画素電極陽極111から注入された正孔と、対向電極陰極12から注入される電子が有機EL層110cの中で再結合し、発光が得られる。実施例1と比較し、正孔注入層110aを含まない構成であり、他の膜構成と製造方法は実施例1と同様にして、有機EL表示装置100を作製した。画素電極111は、導電性材料としてポリチオフェン誘導体を用いているため、正孔注入機能を有しており、本有機EL素子20の膜構成が可能となる。表示性能を評価したところ、コントラスト比や色純度は実施例1と変わらなかった。一方、実施例1と比べて、消費電力が20増加し、輝度寿命が2分の1に低下した。電子と正孔のキャリアバランスが崩れたと考えられる。そこで、正孔輸送層110bは正孔の輸送量を調整する機能を有するため、架橋性正孔輸送性材料であるフルオレンとトリフェニルアミンの比率を変更したコポリマー誘導体を用いて、有機EL表示装置100を作製した。発光効率、寿命などの素子特性が向上し、実施例1と遜色ない表示性能が得られた。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせなどは一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求などに基づき種々変更可能である。"