シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられる半導体素子部と、前記半導体素子部を封止する封止部材と、から構成され、前記封止部材が、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において前記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含む半導体素子の製造方法であって、シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程と、前記シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程と、前記樹脂が設けられている領域において、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程と、を有し、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程が、ダイシングによって前記シリコン基板をハーフカットする工程と、スクライブによって前記ガラス基板をカットする工程と、前記ダイシング及び前記スクライブを行った後、前記シリコン基板と、前記ガラス基板と、前記樹脂と、を分断する工程と、を含むことを特徴とする、半導体素子の製造方法。前記シリコン基板をハーフカットする工程の後、前記シリコン基板を分断してから、前記ガラス基板をカットする工程を行うことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の製造方法。しかし、特許文献1にて提案された方法でも樹脂自体をダイシングで切断することには変わりなく、従来技術と同様に上記ダイシング品質の低下は避けられない。また、ガラス基板と樹脂とを全てダイシングで切断するためには、シリコン基板の樹脂との界面もある程度ダイシングする必要があり、上述したシリコンとガラスとの双方を切断できるダイシングブレードを用いなければならない。さらに、切断部の一部に樹脂が存在しない部分があった場合では樹脂が存在しない部分に切削水が浸入することになる。本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、切断部の品質に優れ、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にし、かつダイシングによる切断を行う際に使用される切削水が半導体素子に浸入することがない半導体素子の製造方法を提供することにある。本発明の半導体素子の製造方法は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられる半導体素子部と、前記半導体素子部を封止する封止部材と、から構成され、前記封止部材が、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において前記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含む半導体素子の製造方法であって、シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程と、前記シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程と、前記樹脂が設けられている領域において、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程と、を有し、前記シリコン基板と前記ガラス基板とをそれぞれ切断する工程が、ダイシングによって前記シリコン基板をハーフカットする工程と、スクライブによって前記ガラス基板をカットする工程と、前記ダイシング及び前記スクライブを行った後、前記シリコン基板と、前記ガラス基板と、前記樹脂と、を分断する工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、切断部の品質に優れ、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にし、かつダイシングによる切断を行う際に使用される切削水が半導体素子に浸入することがない半導体素子の製造方法を提供することができる。つまり本発明の半導体素子の製造方法は、樹脂をダイシングすることがないため、ダイシングブレードへの樹脂の目詰まりがなく、切断部の品質、特に、シリコン基板のチッピングを少なくすることができる。また本発明の半導体素子の製造方法は、ダイシングの際に、シリコン基板専用のダイシングブレードを用いることができるため薄いブレードを用いることができる。従って、切断に必要なシリコン基板上の領域を最小限にすることができる。さらに、ダイシングの際に、樹脂がない領域についてシリコン基板を切断しても、ダイシングの際に使用される切削水がシリコン基板とガラス基板との間に浸入することがないので、樹脂のある部分とない部分で切断方法を変える必要がない。このため工程を簡略化することができる。本発明の製造方法は、シリコン基板と、このシリコン基板上に設けられる半導体素子部と、当該半導体素子部を封止する封止部材と、から構成される半導体素子を製造する方法である。また本発明において、封止部材は、前記シリコン基板であって前記半導体素子が設けられる面において上記シリコン基板と対向するように設けられるガラス基板と、上記シリコン基板と上記ガラス基板とを接着する樹脂と、を含んでいる。ここで本発明の半導体素子の製造方法は、下記1乃至3の工程を有している。1シリコン基板上に、半導体素子部を相互に隣接するように複数配置する工程半導体素子部の形成工程2シリコン基板とガラス基板とを樹脂を用いて貼り合わせる工程貼付工程3上記樹脂が設けられている領域において、シリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する工程基板切断工程また本発明においては、上記3の工程である基板切断工程が、下記工程3-1乃至3-3を含んでいる。3-1ダイシングによって上記シリコン基板をハーフカットする工程3-2スクライブによって上記ガラス基板をカットする工程3-3上記ダイシング及び上記スクライブを行った後、上記シリコン基板と、上記ガラス基板と、上記樹脂と、を分断する工程尚、本発明においては、上記工程3-1を行った後、上記シリコン基板を分断してから、上記工程3-2を行うのが好ましい。ところで本発明の製造方法によって製造される半導体素子とは、無機半導体又は有機半導体から構成される部材を有する電子素子をいうものである。またこの半導体素子には、無機半導体から構成される部材及び有機半導体から構成される部材を有する電子素子、並びに無機半導体と有機半導体とを組み合わせてなる部材を有する電子素子も当然に含まれる。具体的には、有機発光素子、LCOS等が挙げられる。以下、適宜図面を参照しながら、本発明の半導体素子の製造方法の実施形態について説明する。尚、本発明は上述した趣旨を逸脱しない限り、以下に説明する実施形態はあくまでも本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれら実施形態に限られることはなく、種々の応用変形が可能である。図1は、本発明の半導体素子の製造方法によって製造される半導体素子の例を示す斜視図である。尚、図1に示される半導体素子1として、例えば、有機発光素子が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。図1の半導体素子1は、シリコン基板10と、シリコン基板10上であってシリコン基板10の中央部に設けられている表示部11と、シリコン基板10上であってシリコン基板10のある一辺の縁部に設けられている電極パッド12を有している。また図1の半導体素子1において、表示部11は、ガラス基板13と、樹脂14とによって封止されている。尚、本発明において、封止とは、例えば図1に示されるように、表示部11上及びこの表示部11の周辺のシリコン基板10上に樹脂14を塗布した上でシリコン基板10とガラス基板13とを貼り合わせることをいう。ただし本発明において、封止の具体的態様は図1に示される態様に限定されるものではない。例えば、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下で、表示部11の周辺のシリコン基板10上にのみ選択的に樹脂14を塗布した上でシリコン基板10とガラス基板13とを貼り合わせる態様であってもよい。つまり、封止の際に使用される樹脂14は、必ずしも表示部11上に塗布される必要はない。一方、図1の半導体素子1において、電極パッド12には、ワイヤーボンディング等を利用して外部からの配線が接続される。このため、電極パッド12上には封止部材となるガラス基板13はなるべく除去する必要があるので、電極パッド12上に樹脂14が設けられないようにする必要がある。ところで、図1の半導体素子1を複数製造する際には、生産効率の観点から、大きいサイズのシリコン基板マザー基板に表示部を複数形成し、ガラス基板と樹脂とを用いて各表示部をそれぞれ封止してから素子1個単位で切断する方法が採用される。図2は、図1の半導体素子を製造する際に使用される貼付基板の具体例を示す平面模式図である。尚、図2において、図1の半導体素子と同一の部材については同一の符号が付けられている。図2に示される貼付基板15は、円形状のシリコン基板10と、このシリコン基板10と同じ形状のガラス基板13と、シリコン基板10とガラス基板13とを貼り合わせるための樹脂14と、が含まれている。また図2中のシリコン基板10上には、図1の半導体素子を構成する表示部不図示と、電極パッド不図示と、がそれぞれ所定の領域に複数設けられている。ところで、図2の貼付基板15において、樹脂14は、シリコン基板10上の全面にわたって塗布されているわけではなく、図1の半導体素子を構成する電極パッド不図示及びその周辺の領域、具体的には、符号16の領域を避けて塗布されている。このように樹脂14の塗布領域を制限することによって、図1の半導体素子1を構成する電極パッド12上に樹脂14が塗布されることはない。次に、図2の貼付基板15の作製を経て図1の半導体素子1を製造するプロセスについて説明する。1半導体素子部の形成工程まずシリコン基板10上に、半導体素子部を、相互に隣接するように複数配置する。ここで半導体素子部というのは、図1の半導体素子を構成し、シリコン基板10上に形成される表示部11や電極パッド12等の部材の集合体を言うものである。また後述する切断線LA、LBを境界線として、構成部材やその部材の配置態様が同じである半導体素子部を複数設けることにより、シリコン基板10上に設けられている複数の半導体素子部が相互に隣接するように配置されることになる。2貼付工程次に、シリコン基板10とガラス基板13とを樹脂14を用いて貼り合わせる。貼り合わせの方法としては、特に限定されないが、上述したように、半導体素子を構成する電極パッド不図示及びその周辺の領域を避けて樹脂14を塗布した上でシリコン基板10とガラス基板13とを貼り合わせる。この工程にて使用される樹脂は、シリコン基板10とガラス基板13との貼り合わせを行った後で硬化する樹脂の方が、次の工程で行われる基板の分断が容易に行えるので好ましい。本工程貼付工程で使用される好適な樹脂としては、熱硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型アクリル樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。3基板切断工程次に、樹脂が設けられている領域において、シリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する。ここでシリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断する際には、例えば、図2に示されている三種類の切断線、即ち、LA、LB、LCに沿ってシリコン基板10、ガラス基板13又は樹脂14を切断する。具体的には、切断線LAにおいてシリコン基板10、ガラス基板13及び樹脂14をそれぞれ切断する。また切断線LBにおいてシリコン基板10及びガラス基板13をそれぞれ切断する。さらに切断線LCにおいてガラス基板13のみを切断する。これにより、図2に示される貼付基板15から少なくとも54個の半導体素子1が得られる。また樹脂14が設けられている領域にてシリコン基板とガラス基板とをそれぞれ切断するため、シリコン基板又はガラス基板の切断の際に、ガラス基板13と樹脂14とで封止されている半導体素子に含まれている表示部図2では不図示が露出する可能性が低減される。ここで図面を適宜参照しながらシリコン基板及びガラス基板の切断の具体的な方法を詳細に説明する。図3は、図2中の囲み領域符号2を示す部分拡大図である。また図4aは、図3中のX-X’断面を示す断面模式図であり、図4bは、切断後の様子を示す断面模式図である。さらに図5aは、図3中のY-Y’断面を示す断面模式図であり、図5bは、切断後の様子を示す断面模式図である。ところで本発明においては、上記3の工程である基板切断工程が、下記工程3-1乃至3-3を含んでいる。3-1ダイシングによってシリコン基板をハーフカットする工程3-2スクライブによってガラス基板をカットする工程3-3上記ダイシング及び上記スクライブを行った後、貼付基板に含まれるシリコン基板と、ガラス基板と、樹脂と、を分断する工程本実施例において、ダイシングによるシリコン基板のハーフカットが行われるのは、図3で示される切断線LA及びLBである。尚、ダイシングが行われるのは、2面あるシリコン基板10の面のうちガラス基板13と対向する側の面とは反対側の面である。ダイシングによるシリコン基板10のハーフカットを行う場合、シリコン基板10に付与するハーフカットの深さは、応力をかければシリコン基板10を分断できる深さであれば特に制限はない。ただ分断の位置精度を高めるために、シリコン基板10に付与するハーフカットの深さはなるべく深いほうが好適である。例えば、シリコン基板10の厚さからシリコン基板10に付与するハーフカット深さを引いたハーフカット残し量は、20μm以上100μm以下であることが好ましく、20μm以上75μm以下であることがより好ましい。尚、ハーフカット残し量が100μmを超えると、シリコン基板10の分断が困難になると同時に分断位置のばらつきが大きくなることがある。これにより、切断ストリートの増加につながる可能性がある。一方、ハーフカット残し量が20μm未満の場合は、ダイシング時や基板のハンドリング時にシリコン基板10が容易に割れてしまうことがある。図4a及び図5aに示されるようにダイシングによるシリコン基板10のハーフカットを行う場合、使用するダイシングブレード21の厚みは、チッピングを抑制して切断に必要なシリコン基板10の領域を最小限にするために薄いほうが望ましい。ただしダイシングブレード21の厚みがあまりにも薄いと、ブレード自体の耐久性が不足してダイシングを行う際にブレードが破損する原因になる。本発明において使用されるダイシングブレード21の厚みは、好ましくは、15μm以上60μm以下であり、より好ましくは、25μm以上50μm以下である。例えば、厚さ34μmのダイシングブレード21を用いた場合、チッピングを含めたシリコン基板10の切断領域の幅を70μm以下にすることは可能である。本実施例において、図4a及び図5aに示されるスクライブ22によるガラス基板13のカットが行われるのは、図3で示される切断線LA、LB及びLCである。ここでガラス基板をスクライブ22によってカットする際に、スクライブ22によって生ずる垂直クラックをなるべく深く進行させることが望ましい。例えば、三星ダイヤモンド工業社製のスクライビングホイールPenett登録商標を使用することで垂直クラックをなるべく深く進行させることができる。尚、切断線LCにおけるガラス基板13のスクライブは、切断線LA、LBでガラス基板13を分断する前に行ってもよいし、分断後に行ってもよい。シリコン基板10のハーフカット及びガラス基板13のカットが終わった後、ハーフカットを入れた箇所21a、21b又はカットを入れた箇所22a、22b、22cにおいてシリコン基板10、ガラス基板13及び樹脂14をそれぞれ分断する。具体的には図4bや図5bに示されるように、切断線LA、LBにおいて、ガラス基板13側からシリコン基板10へ向けて押圧してシリコン基板10のハーフカット溝が広がる方向に応力を与える。これにより、シリコン基板10のチッピングを抑制しながらシリコン基板10、ガラス基板13及び樹脂14をそれぞれ分断することが可能である。本実施例においては、各切断線LA、LB、LCにおいて下記表1に示される加工が施されており、各切断線において、シリコン基板10、ガラス基板13及び樹脂14のいずれかが分断されることになる。以上の工程を経て、図1に示される切断部の品質に優れた半導体素子を作製することができる。本実施例は、実施例1において、ダイシングによってシリコン基板をハーフカットした後、シリコン基板10を分断してからスクライブによるガラス基板のカットを行ったことを除いては、実施例1と同様の方法で半導体素子を作製している。具体的には、シリコン基板をダイシングによりハーフカットした後、ハーフカット溝が広がる方向に応力を与えてシリコン基板10のうち上記ハーフカットの処理が施されなかった部分について厚み方向に亀裂を生じさせてシリコン基板10を分断する。その後、ガラス基板13をスクライブする。これ以外は第一の実施形態実施例1と同様である。以上説明したように、スクライブを行う前にシリコン基板10を分断することによって、シリコン基板10のチッピングをさらに抑制することが可能となる。このため、切断部の品質がより高い半導体素子を得ることができる。[比較例1]実施例1において、切断線LA及びLBにてダイシングを行う際に、貼付基板15をフルカットした。即ち、シリコン基板10と樹脂14とガラス基板13とを含む貼付基板15の全体の厚さよりもやや深くダイシングブレードをガラス基板側から入れてシリコン基板10と樹脂14とガラス基板13とがそれぞれ完全に分断されるようにダイシングした。その後、切断線LCにおいてスクライブを行いガラス基板13の切断を行った。以上を除いては、実施例1と同様の方法で半導体素子を作製している。得られた半導体素子を評価したところ、ダイシング時の切削水の一部がシリコン基板10とガラス基板13との間に浸入していたために、電極パッド12上に切削粉の付着が認められた。その結果、基板切断工程後に行われるパッドワイヤーボンディングによる電極パッド12への実装工程において、ボンディング不良接触不良が発生した。また、シリコン基板とガラス基板とを同時にダイシングするためのブレードの厚みが100μmであるためチッピングが大きくなり、切断に必要なシリコン基板の領域の幅は150μmであった。[比較例2]実施例1において、切断線LA及びLBにてガラス基板13を切断する際に、ダイシングを利用した。即ち、ダイシングによってシリコン基板10をハーフカットした後、切断線LA及びLBにおいて、ダイシングによってガラス基板をハーフカットした。以上を除いては、実施例1と同様の方法で半導体素子を作製している。得られた半導体素子を評価したところ、ガラス基板が所望の位置切断線LA、LBで分断されない場合があることが判明した。これは、シリコン基板10とガラス基板13とを同時に分断する際、シリコン基板10に施されたハーフカット溝が広がる方向に応力を与えると、ガラス基板13に施されたハーフカット溝が狭くなる方向に応力が加わることになる。このようにハーフカット溝が狭くなるように応力が働いた状態で分断する場合、ガラス基板13の分断の際に生じたクラックがハーフカット溝よりも外側に向かって進行する場合があり、これが分断位置のばらつきの原因と考えられる。以上より、本発明によれば、従来と比べて切断部の品質に優れる有機EL表示素子等の半導体素子を作製することができる。ここで切断部の品質に優れるとは、具体的には、シリコン基板のチッピング抑制、切断に必要なシリコン基板上の領域削減、シリコン基板とガラス基板の間へのダイシング時切削水の浸入防止、ガラス基板の分断位置精度向上が挙げられる。