"基板と、前記基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、を含み、前記ウィンドウ層の全体及び前記光吸収層の一部を貫通する第3貫通溝が形成されることを特徴とする、太陽光発電装置。前記裏面電極層を貫通し、前記第3貫通溝に隣接する第1貫通溝が形成され、前記光吸収層を貫通し、前記第1貫通溝及び前記第3貫通溝の間に第2貫通溝が形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第3貫通溝の内側面は前記ウィンドウ層の上面に対して傾斜することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記ウィンドウ層の上面に垂直な方向に対し、前記第3貫通溝の内側面の角度は約3 ゚乃至約10 ゚であることを特徴とする、請求項3に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層及び前記ウィンドウ層の間に介されるバッファ層を含み、前記第3貫通溝は、前記バッファ層の全体を貫通することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第3貫通溝の底面は前記光吸収層の上面及び下面の間に位置することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。基板と、前記基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置され、第3貫通溝が形成されるウィンドウ層と、前記第3貫通溝及び前記裏面電極層の間に介されるダミー保護部と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記ダミー保護部は前記光吸収層と一体形成されることを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。前記ダミー保護部は前記第3貫通溝に対応することを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。前記ダミー保護部の上面は前記光吸収層の上面及び下面の間に配置されることを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。前記ダミー保護部は前記裏面電極層の上面を覆うことを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。前記ダミー保護部の上面は前記第3貫通溝の底面と一致することを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層及び前記ウィンドウ層の間に介されるバッファ層を含み、前記第3貫通溝は前記バッファ層及び前記光吸収層の一部を貫通することを特徴とする、請求項7に記載の太陽光発電装置。基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、前記ウィンドウ層の全体及び前記光吸収層の一部を貫通する第3貫通溝を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。前記第3貫通溝を形成するステップは、前記ウィンドウ層の上にマスクパターンを形成するステップと、前記マスクパターンをエッチングマスクとして使用して、前記ウィンドウ層及び前記光吸収層をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第3貫通溝を形成するステップで、前記ウィンドウ層及び前記光吸収層は湿式エッチング法によりパターニングすることを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第3貫通溝を形成するステップは、前記光吸収層にレーザーを照射するステップを含むことを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、短絡を防止し、向上した光-電変換効率を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、及び上記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層を含み、上記ウィンドウ層の全体及び上記光吸収層の一部を貫通する第3貫通溝が形成される。本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置される光吸収層、上記光吸収層の上に配置され、第3貫通溝が形成されるウィンドウ層、及び上記第3貫通溝及び上記裏面電極層の間に介されるダミー保護部を含む。本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、上記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップ、及び上記ウィンドウ層の全体及び上記光吸収層の一部を貫通する第3貫通溝を形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置は、光吸収層の一部を貫通して、第3貫通溝を形成する。これによって、第3貫通溝は裏面電極層を露出させずに形成される。したがって、裏面電極層は外部に露出しないので、外部の異質物などによって損傷されない。即ち、上記第3貫通溝が形成されても、上記裏面電極層の上面は上記ダミー保護部によって保護される。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は裏面電極層の損傷による効率の低下を防止することができる。また、第3貫通溝はエッチング工程により形成される。特に、第3貫通溝は湿式エッチング工程により形成される。これによって、第3貫通溝を形成する過程で発生する異質物がエッチング液によって容易に除去される。これによって、第3貫通溝の内側には異質物などが残っていないで、異質物によるショートなどが防止できる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、短絡を防止し、不良率を減少させることができる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図2を参照すると、太陽光発電装置は、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、ウィンドウ層600、及び多数個の接続部700を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、上記ウィンドウ層600、及び上記接続部700を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100は、ソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100は透明でありえる。上記支持基板100はリジッドまたはフレキシブルである。上記裏面電極層200は上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどの金属が挙げられる。また、上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。上記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は、上記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、第1方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1の幅は約80μm乃至200μmでありうる。上記第1貫通溝TH1によって、上記裏面電極層200は多数個の裏面電極に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1によって上記裏面電極が定義される。上記裏面電極は上記第1貫通溝TH1によって互いに離隔する。上記裏面電極はストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記裏面電極はマトリックス形態に配置される。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。上記光吸収層300は上記裏面電極層200の上に配置される。また、上記光吸収層300に含まれた物質は上記第1貫通溝TH1に詰められる。上記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層400は上記光吸収層300の上に配置される。上記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層500は上記バッファ層400の上に配置される。上記高抵抗バッファ層500は不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500には、第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は上記光吸収層300を貫通する。また、上記第2貫通溝TH2は上記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。上記第2貫通溝TH2は上記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、上記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、上記第1貫通溝TH1の傍らに形成される。上記第2貫通溝TH2は上記第1方向に延びる形状を有する。上記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。また、上記光吸収層300は上記第2貫通溝TH2によって、多数個の光吸収部を定義する。即ち、上記光吸収層300は上記第2貫通溝TH2によって上記光吸収部に区分される。上記バッファ層400は上記第2貫通溝TH2によって、多数個のバッファとして定義される。即ち、上記バッファ層400は上記第2貫通溝TH2によって上記バッファに区分される。上記高抵抗バッファ層500は上記第2貫通溝TH2によって、多数個の高抵抗バッファとして定義される。即ち、上記高抵抗バッファ層500は上記第2貫通溝TH2によって上記高抵抗バッファに区分される。上記ウィンドウ層600は上記高抵抗バッファ層500の上に配置される。上記ウィンドウ層600は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。上記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層600に使われる物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZOまたはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどが挙げられる。上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600には、第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は、上記光吸収層300の一部、上記バッファ層400の全体、上記高抵抗バッファ層500の全体、及び上記ウィンドウ層600の全体を貫通する。上記第3貫通溝TH3は上記光吸収層300の一部を貫通するので、上記光吸収層300には多数個のダミー保護部301が形成される。また、上記第3貫通溝TH3の底面602は、上記光吸収層300の上面及び下面の間に介される。上記ダミー保護部301は上記光吸収層と一体形成される。上記ダミー保護部301は上記第3貫通溝TH3に各々対応する。これによって、上記ダミー保護部301の上面は上記第3貫通溝TH3の底面と一致することができる。上記ダミー保護部301の上面は上記光吸収層300の上面及び下面の間に位置する。上記ダミー保護部301は上記光吸収層300と一体形成される。より詳しくは、上記ダミー保護部301は上記光吸収層300の一部でありうる。上記ダミー保護部301は、上記第3貫通溝TH3及び上記裏面電極層200の間に介される。また、上記ダミー保護部301は上記裏面電極層200の上面を覆う。これによって、上記ダミー保護部301は上記裏面電極層200の上面を露出させない。上記第3貫通溝TH3は、上記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の傍らに配置される。即ち、平面視して、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の傍らに並べて配置される。上記第3貫通溝TH3は、上記第1方向に延びる形状を有することができる。上記第3貫通溝TH3の内側面601は、上記ウィンドウ層600の上面に対して傾斜することができる。この際、上記ウィンドウ層600の上面に垂直な方向に対し、上記第3貫通溝TH3の内側面601は約3 ゚乃至約10 ゚の角度に傾斜することができる。上記第3貫通溝TH3は上記ウィンドウ層600を貫通する。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は、上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500を貫通する。また、上記第3貫通溝TH3は上記光吸収層300を一部貫通する。これによって、上記第3貫通溝TH3の底面602は上記光吸収層300の内側に配置される。即ち、上記第3貫通溝TH3の底面602は上記光吸収層300の上面及び下面の間に配置される。これによって、上記第3貫通溝TH3によって、上記裏面電極層200の上面が露出しない。即ち、上記裏面電極層200は上記光吸収層300で保護される。上記裏面電極層200は外部に露出しないので、上記裏面電極層200の外部の物理的及び化学的な衝撃による損傷を防止することができる。上記第3貫通溝TH3によって、上記ウィンドウ層600は多数個のウィンドウに区分される。即ち、上記ウィンドウは上記第3貫通溝TH3によって定義される。上記ウィンドウは上記裏面電極等と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウはマトリックス形態に配置される。また、上記第3貫通溝TH3によって、多数個のセルC1,C2...が定義される。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記セルC1,C2...が定義される。即ち、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記セルC1,C2...に区分される。また、上記セルC1,C2...は、上記第1方向と交差する第2方向に互いに連結される。即ち、上記セルC1,C2...を通じて上記第2方向に電流が流れることができる。この際、上記第3貫通溝TH3は、上記光吸収層300の一部まで貫通されるので、上記ウィンドウ層600を上記ウィンドウに完全に分離することができる。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置は、ウィンドウの間に発生するショートを防止することができる。上記接続部700は上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部700は、上記ウィンドウ層600から下方に延びて、上記裏面電極層200に接続される。例えば、上記接続部700は上記第1セルC1のウィンドウから延びて、上記第2セルC2の裏面電極に接続される。したがって、上記接続部700は隣り合うセルを連結する。より詳しくは、上記接続部700は隣り合うセルC1,C2...に各々含まれたウィンドウと裏面電極とを連結する。上記接続部700は上記ウィンドウ層600と一体形成される。即ち、上記接続部700に使われる物質は、上記ウィンドウ層600に使われる物質と同一である。実施形態に従う太陽光発電装置は、上記光吸収層300の一部を貫通して上記第3貫通溝TH3を形成する。これによって、上記第3貫通溝TH3は上記裏面電極層200を露出させずに形成される。したがって、上記裏面電極層200は外部に露出しないので、外部の異質物などによって損傷されない。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記裏面電極層200の損傷による効率の低下を防止することができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、向上した光-電変換効率を有することができる。また、上記第3貫通溝TH3は上記光吸収層300の一部まで貫通するので、上記ウィンドウの間のショートが防止できる。図3乃至図8は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考する。前述した太陽光発電装置に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。図3を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、上記裏面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、上記支持基板100の上に多数個の裏面電極が形成される。上記裏面電極層200はレーザーによりパターニングされる。上記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。上記裏面電極層200は互いに異なる工程条件で2つ以上の層で形成される。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、上記支持基板100及び上記裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介され、この際、上記第1貫通溝TH1は上記追加的な層の上面を露出するようになる。図4を参照すると、上記裏面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。上記光吸収層300はスパッタリング工程または蒸発法などにより形成される。例えば、上記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により上記裏面電極200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、上記金属プリカーサ膜はセレン化selenization工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成される。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層400が形成される。以後、上記バッファ層400の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層500が形成される。上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500の厚さは約1nm乃至約80nmである。以後、上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップによって、上記光吸収層300及び上記バッファ層400はパターニングできる。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmでありうる。また、上記第2貫通溝TH2は、上記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、上記光吸収層300の上及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明導電層600aが形成される。即ち、上記透明導電層600aは上記高抵抗バッファ層500の上及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。例えば、上記透明導電層600aは、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが上記高抵抗バッファ層500の上面及び上記第2貫通溝TH2の内側にスパッタリング工程により蒸着されて形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記透明な導電物質が詰められ、上記透明導電層600aは上記裏面電極層200に直接接触するようになる。図6を参照すると、上記透明導電層600aの上にマスクパターン800が形成される。上記マスクパターン800は、上記透明導電層600aの上面を露出する露出ホール801を含む。上記露出ホール801は上記第2貫通溝TH2に各々隣接して形成される。上記露出ホール801は第1方向に延びる形状を有する。上記マスクパターン800に使われる物質の例としては、シリコンオキサイドまたはシリコンナイトライドなどが挙げられる。図7及び8を参照すると、上記透明導電層600aは湿式エッチング法によりエッチングされる。これによって、上記透明導電層600a、上記高抵抗バッファ層500、及び上記バッファ層400を貫通する第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は上記光吸収層300の一部を貫通する。上記第3貫通溝TH3を形成するために多様なエッチング液が使用できる。上記第3貫通溝TH3は、湿式エッチング方式によりエッチングされるので、上記第3貫通溝TH3の内側面601は傾斜することができる。これとは異なり、上記第3貫通溝TH3はレーザーにより形成される。上記レーザーは、上記光吸収層300の上部を基準に照射される。即ち、上記レーザーのエネルギーが上記光吸収層300の上部に集中するように照射できる。これによって、上記レーザーは上記光吸収層300の一部を貫通するように、上記第3貫通溝TH3を形成することができる。上記湿式エッチング方式またはレーザーパターニングにより、上記第3貫通溝TH3を含むウィンドウ層600が形成される。即ち、上記透明導電層600aが上記第3貫通溝TH3によって多数個のウィンドウに区分されて、上記ウィンドウ層600が形成される。即ち、上記第3貫通溝TH3によって、上記ウィンドウ層600に多数個のウィンドウ及び多数個のセルC1,C2...が定義される。上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。上記第3貫通溝TH3はエッチング工程により形成されるので、上記第3貫通溝TH3を形成する過程で発生する異質物が容易に除去できる。特に、上記異質物はエッチング液等により洗われて、上記第3貫通溝TH3の内側に残る異質物は容易に除去できる。また、上記第3貫通溝TH3はエッチング工程により形成されるので、上記第3貫通溝TH3の内側面601は滑らかに形成される。即ち、機械的なスクライビング工程などにより形成される場合よりエッチング工程により形成される時、上記第3貫通溝TH3の内側面601はより滑らかである。これによって、上記ウィンドウ層600で発生するショートが防止できる。即ち、ウィンドウの間がショートされて実施形態に従う太陽電池パネルの性能が低下することを防止することができる。また、上記第3貫通溝TH3の内側面601が滑らかに形成されるので、上記第3貫通溝TH3の幅が狭くなることがある。即ち、機械的なスクライビング工程により形成される場合と比較すると、エッチング工程により形成された上記第3貫通溝TH3の幅が狭くなっても、上記ウィンドウを十分に物理的及び/または電気的に分離することができる。これによって、実施形態に従う太陽電池パネルの有効面積、即ち、実際に発電する面積が増加する。したがって、実施形態に従う太陽電池パネルはショートを防止し、向上した光-電変換効率を有することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"