坩堝内のSi-C溶液を用い、該溶液面に接触させたSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、SiC単結晶の成長起点となるSiC種結晶の結晶成長面を上記溶液面に接触させる際に、SiC種結晶の側面への溶液の濡れ上がり高さを、結晶成長面から成長したSiC単結晶と側面から成長したSiC単結晶とが一体のSiC単結晶として成長する範囲内とすることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1において、上記SiC種結晶の結晶成長面のみを上記溶液面に接触させて上記濡れ上がり高さを0とすることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1または2において、上記種結晶の上記結晶成長面と上記溶液との間でメニスカスを形成した状態で成長を行うことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項3において、上記メニスカスと上記種結晶の側面との成す角度が200度以下であることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項3または4において、上記種結晶の引き上げ軸と上記メニスカスとの角度によって、成長する結晶の径の拡大率または縮小率を制御することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項5において、上記種結晶の引き上げ高さによって、上記引き上げ軸と上記メニスカスとの角度を制御することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項5または6において、上記引き上げ高さと上記引き上げ軸と上記メニスカスとの角度との関係を示すマップを予め作成し、このマップを用いて上記引き上げ高さを調節することにより上記引き上げ軸と上記メニスカスとの角度を調節することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1~7のいずれか1項において、該坩堝内のSi-C溶液内には、内部から溶液面に向けて温度低下する温度勾配を維持していることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1~8のいずれか1項において、上記種結晶の上記結晶成長面と上記側面とのなす角度が90度以下であることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1~9のいずれか1項において、上記種結晶の上記結晶成長面がSiC結晶の[0001]面または[000-1]面であることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項2~10のいずれか1項において、上記種結晶の上記結晶成長面を上記溶液面に接触させたら直ちに種結晶を引き上げて上記メニスカスを形成させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項11において、上記種結晶を引き上げてメニスカスを形成した後に、上記溶液面に対する上記種結晶の回転を開始することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1~12のいずれか一項において、上記溶液面が振動している場合に、この振動を利用して上記溶液面と上記種結晶の上記結晶成長面との接触を行うことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1~13のいずれか1項記載のSiC単結晶の製造方法を行なうための装置であって、原料溶液を収容するための黒鉛坩堝と、上記坩堝内の原料を加熱し融解して上記原料溶液を形成し且つSiC単結晶の成長に必要な温度勾配を維持するための加熱手段と、下端に種結晶を保持する支持棒と、SiC種結晶の側面への溶液の濡れ上がり高さが、結晶成長面から成長したSiC単結晶と側面から成長したSiC単結晶とが一体のSiC単結晶として成長する範囲内になるように、上記保持を維持する保持機構とを備えたことを特徴とするSiC単結晶の製造装置。坩堝内のSi-C溶液を用い、該溶液面に接触させたSiC種結晶を起点としてSiC種結晶の径拡大によりSiC単結晶を成長させる方法において、該成長したSiC単結晶の側面と前記SiC種結晶の側面とのなす角度が200度以上となるように成長を行なうことを特徴とするSiC単結晶の成長方法。坩堝内のSi-C溶液を用い、該溶液面に接触させたSiC種結晶を起点としてSiC種結晶の径拡大によりSiC単結晶を成長させる方法において、溶液面からSiC単結晶の成長面までの引き上げ高さにより、上記径拡大の拡大角度を制御することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。図2に、本発明の方法を行なうのに適した、溶液法によるSiC単結晶の成長装置の基本構造を示す。黒鉛坩堝10の周囲を取り巻く高周波加熱コイル12により、坩堝10内の原料を加熱溶解して溶液14を形成し、その上方に黒鉛製支持棒16の下端に支持したSiC種結晶18を溶液14の溶液面Sに接触させ、Arガス等の不活性雰囲気20中でSiC種結晶18の下面にSiC単結晶を成長させる。黒鉛坩堝10は全体が断熱材22で覆われている。溶液面Sの温度を放射温度計24により非接触方式で測定すると共に、種結晶18の裏面温度をW-Re等の熱電対26により接触方式で測定する。CCDカメラ24は、溶液面Sを直視できる溶液面上方の観察窓に設置し、SiC成長中の溶液面Sを直接観察することができる。放射温度計をCCDカメラ24と同様に溶液面Sを直視できる溶液面上方の観察窓に設置し、種結晶18を溶液14に接触させる前後の溶液面温度を測定することができる。熱電対26は、その検知端を、種結晶18が接着される黒鉛製支持棒16の下端内側種結晶18の接着面から2mm程度の位置に固定し、種結晶18を溶液14に接触させた直後からの種結晶温度を測定することができる。一般に、黒鉛坩堝10内にSi溶液の原料としてSiを投入し、高周波加熱コイル12により加熱してSi溶液を形成する。黒鉛坩堝10の内壁からCがこのSi溶液に溶解してSi-C溶液14が形成される。このようにSiCのC源は基本的には黒鉛坩堝10であるが、補助的に黒鉛ブロックを投入することもできる。また坩堝10はSiC製であってもよく、その場合は、C源として黒鉛ブロックの投入が必須である。場合によっては、成長速度を高めるために、最初に黒鉛坩堝10内にSiの他に例えばCr、Ni等を投入し、Si-Cr溶液、Si-Cr-Ni溶液等を形成することもできる。以上の構成は従来から用いられてきたが、本発明においては、更に、SiC種結晶の側面への溶液の濡れ上がり高さが、結晶成長面から成長したSiC単結晶と側面から成長したSiC単結晶とが一体のSiC単結晶として成長する範囲内になるように、維持して成長を行なうための制御装置30を備えている点が特徴である。最良の形態においては、種結晶の成長面のみを溶液に接触させて濡れ上がり高さを0にする。制御装置30は、図示しない溶液面高さ検知器および種結晶支持棒駆動装置と電気的および/または機械的に連携して、溶液面からの種結晶の結晶成長面の高さを時々刻々適正値に制御する。本発明の方法は、図2の基本構成を備えた装置を用いて、黒鉛坩堝内のSi溶液内に内部から溶液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該溶液面に接触させたSiC種結晶を起点としてSiC単結晶を成長させる方法において、SiC単結晶の成長起点となる、SiC種結晶の結晶成長面のみを、上記溶液面に接触させることを特徴とする。本発明の特徴を従来技術と対比して説明する。図31に、従来技術の溶液法における種結晶と溶液面との関係を模式的に示す。Aまず、支持棒16の下端に種結晶18を保持し、結晶成長面Gを溶液14の溶液面Sに接触させる。その際、図に示したように結晶成長面Gと溶液面Sとが一致するか、結晶成長面Gが溶液面Sより若干下方になって溶液14中に僅かに浸漬した状態になる。Bこの状態で保持すると、溶液14は種結晶18の側面を濡れ上がり、図示したようにメニスカス40が形成される。C種結晶18は、下面が優先成長方位[0001]または[000-1]の結晶成長面であり、側面はSiC単結晶の優先成長方位ではないため、側面に接触してメニスカス40を形成する部分からはばらばらな方位の多数の単結晶から成る多結晶42となる。すなわち、図1に示したような多結晶化が起こる。そこで本発明においては、図31のBに示すような種結晶側面への濡れ上がり高さを制御して、多結晶化を防止する。最良の形態においては、濡れ上がり高さを0とする。すなわち最良の形態においては図32に示すように、Aに示す接触の際には、必ず結晶成長面Gと溶液面Sとを一致させ、結晶成長面Gが溶液面Sより下方になって溶液14中への浸漬が起きないように厳格に防止する。かつ、望ましくは、Aの接触が起きたら直ちに例えば2分以内に若干引き上げて引き上げ高さh:図4、Bに示すように結晶成長面Gと溶液との間でメニスカス50を形成させ、この状態を維持してSiC単結晶の成長を行う。更に望ましくは、メニスカス50と種結晶18の側面との成す接触角α図4が200度以下である。これにより、多結晶化を有利に防止できる。一般的な形態においては、SiC種結晶の側面への溶液の濡れ上がり高さが、種結晶の結晶成長面から成長したSiC単結晶と種結晶の側面から成長したSiC単結晶とが一体のSiC単結晶として成長する範囲内になるように、維持して成長を行なう。多くの場合、結晶成長面から成長した結晶と側面から成長した結晶は間にマクロ欠陥を伴い一体化しない。これが従来からの認識であり、上記した最良の形態で説明したように、結晶成長面のみを溶液面に接触させ、側面への溶液の濡れ上がりは厳密に回避してきた。これに対し、本発明による新規な知見として、濡れ上がり高さが必ずしも0でなくとも、マクロ欠陥を伴わずに側面から成長した結晶側面結晶と結晶成長面から成長した結晶主結晶と一体化する場合があることが観察された。図5に一例を示す。図51は、濡れ上がり高さが種結晶の高さである1mmに達した場合であり、側面結晶と主結晶との間にマクロ欠陥が発生し、溶液の浸潤インクルージョンが起きてしまい、側面結晶と主結晶は別々の結晶として成長している。これは多結晶化を引き起こすだけでなく、SiC単結晶の拡大成長を阻害する。拡大成長は、実用的な直胴部を持つ形状のSiC単結晶の成長に必須である。図52は、種結晶の側面に高さ0.3mmまで濡れ上がりが起きた場合であるが、側面結晶と主結晶とはマクロ欠陥を伴わず一体の単結晶として成長している。図53は、最良の形態である濡れ上がり高さ0mmの場合、すなわち結晶成長面のみが溶液面に接触した場合であり、マクロ欠陥は発生していない。このように種結晶の側面への溶液の濡れ上がり高さには、許容される範囲があることが分かった。したがって、予備実験を行ない、マクロ欠陥の発生の有無と濡れ上がり高さとの関係を求めておき、この関係に従って引き上げ高さを調整する等により、濡れ上がり高さの許容範囲内で成長を行なうことができる。このように成長のパラメータに許容幅があることは、工業的なSiC単結晶の成長の観点から非常に有意義である。本発明において、望ましくは、種結晶18の結晶成長面Gと側面とのなす角度β図4が90度以下である。これにより、多結晶化を有利に防止できる。望ましくは、種結晶18を引き上げてメニスカス50を形成した後に、溶液面Sに対する種結晶18の回転を開始する。回転により、溶液の温度および組成がより均一になる。溶液面Sが振動している場合に、この振動を利用して溶液面Sと種結晶18の結晶成長面Gとの接触を行うこともできる。この場合も、接触したら直ちに種結晶18を引き上げてメニスカス50を形成させる。更に、種結晶18を保持する支持棒16の下端の形状は、溶液14による濡れが起きやすい形状は避けることが望ましい。悪い典型例として、図6Aに示すように、支持棒16の先端面の種結晶装着部分が窪んでいると、先端面の他の部分凸部分が溶液面Sに近づき、図6Bに示すように種結晶18の結晶成長面Gを溶液面Sに接触させたときに、この凸部分も溶液面Sに接触してしまい、結局、図示の例では種結晶の溶液14が支持棒16の先端部と種結晶18の側面にも接触してしまう。支持棒16の先端面は平坦であることが望ましく、もっとも望ましくは種結晶18の外形と先端面の外形とが一致することである。これにより、結晶成長に直接影響を及ぼす、種結晶から支持棒への熱伝達が均一化する。実施例1図2に示した基本構成を有する単結晶成長装置を用いた。坩堝10内に固体のSi、Cr、Niを投入し、加熱コイル12により融解して、Si-20Cr-5Ni溶液を形成した。ここで、Cr、NiはCの溶解度を高めるための添加元素であり、成長するSiC単結晶中には混入しない。SiC種結晶18は[0001]面を結晶成長面とし、結晶成長面と側面との角度βは、最も望ましい90°とした。投入した固体が全て融解して上記の溶液が形成された後に、溶液温度1900°Cに保持した状態で、種結晶の結晶成長面のみを溶液面に接触させた。接触後、2時間の結晶成長を行なった。その際、溶液面Sからの種結晶18の結晶成長面Gの高さhをa0mm、b1.5mm、c2.5mmに変えて結晶成長を行なった。得られた結晶の成長状況を図7に示す。a引き上げ高さh=0mmの場合、結晶成長面Gに加えて支持棒16まで溶液14が濡れ上がった結果、支持棒16からも多結晶42が発生して、種結晶18を全て覆ってしまった。b引き上げ高さh=1.5mmの場合、支持棒16からは多結晶が発生していないが、種結晶18の結晶成長面G以外の部位から多結晶が発生している。c引き上げ高さh=2.5mmの場合、種結晶18の結晶成長面Gのみから結晶成長が起きており、支持棒16や種結晶18の側面からの多結晶化が防止できた。引き上げ高さhに応じて、種結晶18の側面とメニスカス50との成す接触角αが変化する。上記の例に加えて、引き上げ高さhを0~3.5mmの範囲で変化させたときの接触角αと多結晶化の有無との関係を表1に示す。表1に示されるように、引き上げ高さhが2.0mm以上で接触角αが200度以下となっており、多結晶が発生しない。多結晶化に関係するパラメータのうち、引き上げ高さhに比べて接触角αの方がより本質的な関係があると考えられる。表1には更に、成長する結晶の径の拡大を示す拡大角度γを併せて示した。図8に示すように、拡大角度γは、種結晶18の引き上げ軸鉛直方向と結晶成長中のメニスカス50との角度である。拡大角度γが正の値であれば結晶は成長に伴って径拡大し、逆に負であれば結晶は成長に伴って径縮小する。表1に示した拡大角度γと引き上げ高さhとの関係を図9にプロットする。表1および図9に示すように、引き上げ高さhの増加に伴い拡大角度γは減少する。引き上げ高さhが3.0mm弱のときに拡大角度γ=0°となり、結晶径を一定に維持した成長が達成される。このように、引き上げ高さhの設定により結晶成長時の径拡大、径縮小、径一定維持を選択的に制御できる。実施例2実施例1と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。ただし、種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βは60度とした。また引き上げ高さは1.0mmとした。接触角α=180度であり、200度以下であった。図10に、得られたSiC単結晶を示す。結晶成長面G以外の部位から結晶成長しておらず、多結晶化が防止されている。実施例3実施例2と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。ただし、種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βを種々に変えた。得られた結果を表2に示す。表2に示されるように、種結晶の結晶成長面Gと側面との角度βが90度以下の場合に、多結晶化が防止されている。実施例4実施例1と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。ただし、種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βは30度とした。種結晶の結晶成長面Gと溶液面Sと接触させた後、直ちにメニスカスを形成し、引き上げ高さhを0.5~1.5mmの範囲で変えて、2時間の結晶成長を行なった。その他の条件は、実施例1と同様にした。これにより、図8および図11に示すように種結晶18に対して径拡大したSiC単結晶が得られた。結晶成長面G以外から結晶成長しておらず、側面からの多結晶化が抑制できていることが確認できる。この場合の接触角はα=180°になっており、200°以下の条件を満たしている。得られた結果を表3および図12にまとめて示す。ただし図12中、黒菱形プロットは前記の実施例1β=90°の結果である。引き上げ高さの調整によって拡大角度を制御できることが分かる。実施例5実施例1と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。ただし、Si-23Ti溶液を用い、種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βは30度とした。種結晶の結晶成長面Gと溶液面Sと接触させた後、直ちにメニスカスを形成し、引き上げ高さhを2~5mmの範囲で変えて、2時間の結晶成長を行なった。その他の条件は、実施例1と同様にした。これにより、種結晶に対して径拡大したSiC単結晶が得られた。結晶成長面G以外から結晶成長しておらず、側面からの多結晶化が抑制できていることが確認できる。この場合の接触角はα=180°になっており、200°以下の条件を満たしている。得られた結果を表4および図13にまとめて示す。図13には、比較のため図11に示したSi-Cr-Ni溶液の結果も併せて示す。ただし、縦軸/横軸を入れ替えてある。表4および図13の結果からも、引き上げ高さの調整によって拡大角度を制御できることが分かる。同時に、溶液の組成によって拡大角と引き上げ高さとの関係曲線がシフトしていることが分かる。シフトする一因は溶液の粘性であろうと考えられる。この場合、Si-Cr-Ni溶液よりもSi-Ti溶液の方が粘性が高い。実施例6実施例1と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βは同じく90度とした。種結晶の結晶成長面Gと溶液面Sと接触させた後、直ちにメニスカスを形成し、引き上げ高さhを3.5mm一定とし、種結晶18の側面と溶液面Sとの接触角α=158.5°とした。成長中に接触角αを徐々に増加させ、成長終了時に195°とした。その他の条件は、実施例1と同様にした。図14に、得られたSiC単結晶を示す。結晶成長面G以外から結晶成長しておらず、側面からの多結晶化が抑制できていることが確認できる。また、成長した結晶径は、経時的に見ると、まず縮小し、次いで一定に維持され、最後に拡大していることが確認できる。実施例7以上の実施例は本発明の最良の形態により種結晶の結晶成長面のみを溶液に接触させ、すなわち濡れ上がり高さ0でSiC単結晶の成長を行なった。本実施例では、本発明の一般的な形態により、濡れ上がり高さの許容範囲を求めた。すなわち、実施例1と同様にしてSiC単結晶の成長を行なった。ただし、種結晶18の結晶成長面Gと側面との角度βは90度とした。また引き上げ高さの調整1.0mm~3.0mmにより、濡れ上がり高さを種々0mm~0.9mmに変化させた。接触角α=180度であり、200度以下であった。図151~4に、得られたSiC単結晶を示す。結果を表5にまとめて示す。1濡れ上がり高さ0mm引き上げ高さ3.0mmとした場合、すなわち種結晶の結晶成長面のみを溶液面に接触させた場合本発明の最良の形態は、結晶成長面以外の部位から結晶成長しておらず、マクロ欠陥あるいは多結晶化が防止された良好なSiC単結晶が成長している。2濡れ上がり高さ0.3mm引き上げ高さ2.0mmとした場合は、種結晶の結晶成長面から成長した結晶主結晶と種結晶の側面から成長した結晶側面結晶とが一体の単結晶として成長しており、1と同様に、マクロ欠陥あるいは多結晶化が防止された良好なSiC単結晶が成長している。3濡れ上がり高さ0.68mm引き上げ高さ1.5mmとした場合は、主結晶と側面結晶との間にマクロ欠陥が発生しており、良好なSiC単結晶は成長できなかった。4濡れ上がり高さ0.9mm引き上げ高さ1.0mmとした場合は、3と同様に、主結晶と側面結晶との間にマクロ欠陥が発生しており、良好なSiC単結晶は成長できなかった。本実施例の場合、濡れ上がり高さの許容上限は0.3mm以上0.68mm以下の範囲の値である。更に濡れ上がり高さを細かく設定して実験を行なえば、より詳細な上限値を求めることができる。すなわち、予備実験により濡れ上がり高さの上限値を求め、これを超えないように引き上げ高さ等の製造パラメータを設定してSiC単結晶の成長を行なうことができる。このように、種結晶18の引き上げ軸とメニスカス50との角度γによって、成長する結晶の径を拡大率または縮小率を制御することができる。また、種結晶18の引き上げ高さhによって、引き上げ軸とメニスカス50との角度γを制御することができる。更に、引き上げ高さhと引き上げ軸とメニスカス50との角度γとの関係を示すマップを予め作成しておき、このマップに用いて引き上げ高さhを調節することにより引き上げ軸とメニスカス50との角度を調節することができる。