"アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とし、次にそれを脱水する反応工程を含む下記の式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。式1中、nは1~6の整数を示し、Aは下記のA1基およびA2基からなる群から選ばれた基を示し、かつ少なくとも一つがA2基である。A1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。A2基:下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物が、下記の式3で示されることを特徴とする請求項1に記載のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法。式3中、mは1~6の整数を示し、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基を示し、かつ少なくとも一つがE2基である。E1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。E2基:下記の式4で示されるアセチルフェノキシ基。還元反応が、パラジウム触媒、ニッケル触媒若しくはルテニウム触媒を用いた水素添加反応、または水素化ホウ素ナトリウム若しくは水素化リチウムアルミニウムを用いた反応であり、かつ脱水反応が、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、五酸化リン、クエン酸、シュウ酸、活性アルミナまたはアルキルベンゼンスルホン酸の脱水触媒を用いる請求項1および2のいずれかに記載の製造方法。樹脂成分と、式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とを含む難燃性樹脂組成物。熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を含む請求項4に記載の難燃性樹脂組成物。重合開始剤を含んでいてもよい請求項4および5のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくは式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物並びに熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料、を反応してなる難燃性重合組成物である請求項4から6のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物。前記樹脂成分が、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスチレン樹脂およびポリイソプレン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項4から7のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物請求項4から8のいずれかに記載の難燃性樹脂組成物からなる樹脂成形体。請求項9に記載の樹脂成形体を用いた電気電子部品。本発明の目的は、樹脂成形体の難燃性を効果的に高めることができ、樹脂成形体の電気特性、特に、誘電率εおよび誘電正接tanδが低く、しかも耐熱性が高いホスファゼン化合物を実現することにある。本発明者らは、上述の課題を解決すべく研究を重ねた結果、エテニルフェノキシ基を有する環状ホスファゼン化合物を含む新規な難燃性樹脂組成物からなる成形体が、優れた難燃性を示し、同時に電気特性および耐熱性に優れていることを見出した。本発明の製造方法は、本発明に係る下記の式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法に関するものであり、アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とし、次にそれを脱水する反応工程を含んでいる。式1中、nは1~6の整数を示す。また、Aは下記のA1基およびA2基からなる群から選ばれた基を示し、かつ少なくとも一つがA2基である。A1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。A2基:下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。本発明の製造方法は、下記の式3で示されるアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を使用する。式3中、mは1~6の整数を示す。また、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基を示し,かつ少なくとも一つがE2基である。E1基:炭素数1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい炭素数6~20のアリールオキシ基。E2基:下記の式4で示されるアセチルフェノキシ基。この製造方法において用いられる還元反応としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒若しくはルテニウム触媒を用いた水素添加反応、または水素化ホウ素ナトリウム若しくは水素化リチウムアルミニウムを用いた反応であり、かつ、脱水反応に用いられる触媒としては、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、五酸化リン、クエン酸、シュウ酸、活性アルミナまたはアルキルベンゼンスルホン酸である。本発明の難燃性樹脂組成物は、樹脂成分と上記1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とを含んでいる。本発明の難燃性樹脂組成物は、熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を含んでいてもよい。本発明の難燃性樹脂組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。本発明の難燃性樹脂組成物は、式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくは式1で示されるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物並びに熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料、を反応してなる難燃性重合組成物であってもよい。ここで用いられる樹脂成分は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスチレン樹脂およびポリイソプレン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一種である。本発明の樹脂成形体は、本発明の難燃性樹脂組成物からなる。本発明の電気電子部品は、本発明の樹脂成形体を用いたものである。本発明に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、上述のような工程を含むものであるため、本発明に係る特定の構造を有するエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を製造することができる。本発明の難燃性樹脂組成物は、樹脂成分と上述のような特定の構造のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物からなることから、樹脂成形体を形成するための難燃性樹脂組成物において用いられた場合、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の樹脂成形体は、本発明の難燃性樹脂組成物からなるため、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の難燃性樹脂組成物は、上述のような特定の構造のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物からなる難燃性重合組成物を含むことから、樹脂成形体を形成するための難燃性樹脂組成物において用いられた場合、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。本発明の電気電子部品は、本発明の樹脂成形体を用いているため、優れた難燃性および耐熱性を示し、優れた電気特性、特に低誘電率および低誘電正接を達成することができる。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、下記の式1で示されるものである。式1において、nは、1から6の整数を示しているが、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式1のnが小さいものの方が、後述する樹脂組成物に用いられた場合において、ガラス転移温度の高い樹脂成形体を実現しやすい。このため、式1のnは、1から4の整数が好ましく、1若しくは2が特に好ましい。すなわち、この環状ホスファゼン化合物として、式1のnが1であるシクロトリホスファゼン化合物3量体、式1のnが2であるシクロテトラホスファゼン化合物4量体、式1のnが3であるシクロペンタホスファゼン化合物5量体、式1のnが4であるシクロヘキサホスファゼン化合物6量体、式1のnが5であるシクロヘプタホスファゼン化合物7量体および式1のnが6であるシクロオクタホスファゼン化合物8量体を挙げることができる。このうち、式1のnが1であるシクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるシクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるシクロペンタホスファゼン化合物および式1のnが4であるシクロヘキサホスファゼン化合物が好ましく、nが1のシクロトリホスファゼンおよびnが2のシクロテトラホスファゼンが特に好ましい。また、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、式1においてnが異なる二種以上のものの混合物であってもよいが、この混合物は、式1のnが小さいホスファゼン化合物の含有量の多いものの方が、後述する樹脂組成物に用いられた場合において、ガラス転移温度の高い樹脂成形体を実現しやすい。したがって、この混合物は、式1のnが1~4のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を重量比率で95以上含む混合物が好ましく、式1のnが1または2のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を重量比率で95以上含む混合物が特に好ましい。式1において、Aは、下記のA1基とA2基からなる群から選ばれた基を示している。[A1基]炭素数が6~20のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、n-プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、n-ブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、n-ペンチルフェノキシ基、n-ヘキシルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、n-プロポキシフェノキシ基、iso-プロポキシフェノキシ基、n-ブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、4-メトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-エトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-プロポキシフェノキシ基、4-iso-プロポキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-tert-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。[A2基]下記の式2で示されるエテニルフェノキシ基。式1において、Aは2n4個含まれているが、このうちの少なくとも一つがA2基である。したがって、式1で示される本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。[形態1]2n4個の全てのAがA2基のものである。このような形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物を挙げることができる。また、この形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、これらの好ましいエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の任意の混合物であってもよい。このうち、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物がさらに好ましく、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物が特に好ましい。[形態2]2n4個のAのうちの一部すなわち、少なくとも一つがA2基であり、他のAがA1基からなる群から選ばれた基のものである。この場合、A2基以外の他のAは、全てが同じA1基であってもよいし、二種以上のA1基が混在したものであってもよい。この形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、2n4個のAのうちの1個~2n3個がA2基のもの並びにこれらの任意の混合物が好ましい。この種のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、本発明の他の形態のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に比べ、機械的強度特に高いガラス転移温度がより優れた樹脂成形体を実現可能な点において有利である。このような好ましいエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式1のnが5であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式1のnが6であるエテニルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるジメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるナフチルオキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。このうち、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式1のnが3であるエテニルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式1のnが4であるエテニルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物がさらに好ましく、式1のnが1であるエテニルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物および式1のnが2であるエテニルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Aが、A1基であるフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのもの、A1基であるメチルフェノキシ基とA2基であるエテニルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が特に好ましい。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼンの製造方法は、各種の文献や特許、例えば、非特許文献1~3および特許文献8に記載されている。LianhuiCongandChristopherW.Allen,Phosphorus,Sulfur,andSilicon,179,961,2004LianhuiCongandChristopherW.Allen,PMreprints,93,783,2005HoLimandJiYoungChang,JMaterChem,20,749,2010特開平10-53596号公報しかし、これら非特許文献および特許文献に記載されているエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼンの製造方法は、クロロホスファゼン化合物と、p-ヒドロキシスチレンのアルカリ金属塩、若しくは塩基存在下でp-ヒドロキシスチレンを反応している。これらの製造方法では、p-ヒドロキシスチレンが不安定な化合物であるため、クロロホスファゼン化合物との反応工程にて、p-ヒドロキシスチレンのエテニル基が反応して副生物を生成し、収率が低下するおそれがある。また、高価なp-ヒドロキシスチレンのアルカリ金属塩を過剰量使用するため経済的でない。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とし、次にそれを脱水する反応工程を含んでいる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、安定なアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を用い、そのアセチル基を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とした後、それを脱水することによりエテニル基に変換することから、エテニル基が反応した副生物の生成を抑制することができる。また、安価なp-ヒドロキシアセトフェノンを使用するため経済的である。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次のような方法により製造することができる。まず、下記の式3で表されるアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を用意する。式3において、mは1~6の整数を示しているが、1から4の整数が好ましく、1若しくは2が特に好ましい。このような環状ホスファゼン化合物として、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物3量体、式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物4量体、式3のmが3のシクロペンタホスファゼン化合物5量体、式3のmが4のシクロヘキサホスファゼン化合物6量体、式3のmが5のシクロヘプタホスファゼン化合物7量体および式3のmが6のシクロオクタホスファゼン化合物8量体を挙げることができる。このうち、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3のシクロペンタホスファゼン化合物および式3のmが4のシクロヘキサホスファゼン化合物が好ましく、式3のmが1のシクロトリホスファゼン化合物および式3のmが2のシクロテトラホスファゼン化合物が特に好ましい。また、式3において、Eは下記のE1基およびE2基からなる群から選ばれた基であり、Eのうち少なくとも一つはE2基である。[E1基]炭素数が6~20のアリールオキシ基。このアリールオキシ基は、炭素数が1~6のアルキル基、アルキルオキシ基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。このようなアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、エチルメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、n-プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、イソプロピルメチルフェノキシ基、イソプロピルエチルフェノキシ基、ジイソプロピルフェノキシ基、n-ブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、n-ペンチルフェノキシ基、n-ヘキシルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、n-プロポキシフェノキシ基、iso-プロポキシフェノキシ基、n-ブトキシフェノキシ基、tert-ブトキシフェノキシ基、4-メトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-エトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-プロポキシフェノキシ基、4-iso-プロポキシ-3-メチルフェノキシ基、4-n-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、4-tert-ブトキシ-3-メチルフェノキシ基、フェニルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基およびフェナントリルオキシ基等を挙げることができる。このうち、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、フェニルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が好ましく、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基およびナフチルオキシ基が特に好ましい。[E2基]下記の式4で示されるアセチルフェノキシ基。式3において、Eは2m4個含まれているが、このうち少なくとも一つがE2基である。したがって、式3で示されるアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、次の形態に大別することができる。[形態A]2m4個の全てのEがE2基のものである。このような形態のアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の具体例としては、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3であるアセチルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6であるアセチルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物を挙げることができる。また、この形態のアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、これらの好ましいアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の任意の混合物であってもよい。このうち、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3であるアセチルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物が好ましく、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物およびこれらの任意の混合物が特に好ましい。[形態B]2m4個のEのうちの一部すなわち、少なくとも一つがE2基であり、他のEがE1基からなる群から選ばれた基のものである。この場合、E2基以外の他のEは、全てが同じE1基であってもよいし、二種以上のE1基が混在したものであってもよい。この形態のアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物としては、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3であるアセチルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6であるアセチルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、2m4個のEのうちの1個~2m3個がE2基のもの並びにこれらの任意の混合物が好ましい。このようなアセチルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物の具体例としては、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3であるアセチルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物、式3のmが4であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物、式3のmが5であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘプタホスファゼン化合物および式3のmが6であるアセチルフェノキシ基含有シクロオクタホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるジメチルフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるナフチルオキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物を挙げることができる。このうち、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物、式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物、式3のmが3であるアセチルフェノキシ基含有シクロペンタホスファゼン化合物および式3のmが4であるアセチルフェノキシ基含有シクロヘキサホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が好ましく、式3のmが1であるアセチルフェノキシ基含有シクロトリホスファゼン化合物および式3のmが2であるアセチルフェノキシ基含有シクロテトラホスファゼン化合物であって、Eが、E1基であるフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのもの、E1基であるメチルフェノキシ基とE2基であるアセチルフェノキシ基との組み合わせのものおよびこれらの任意の混合物が特に好ましい。このようなアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、各種の文献、例えば、下記のような非特許文献4および特許文献9に記載されている。E.Cil,M.Arslan,A.O.Gorgulu,HeteroatomChemistry,172,112,2006.特開2009-161716号公報本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物のアセチル基を還元してヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とし、次にそれを脱水することで得ることができる。還元反応によるアセチル基からヒドロキシエチル基への変換は、各種文献、例えば、下記の非特許文献5に記載されている。第4版実験化学講座、26巻、有機合成VIII:不斉合成還元糖標識化合物、1992年刊、丸善株式会社本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法で用いられる還元反応は、具体的には、金属水素錯化合物による還元、ボラン化合物による還元、Meervein-Vonndorf-Verley反応および接触水素添加を挙げることができる。このうち、金属水素錯化合物による還元および接触水素添加が好ましい。金属水素錯化合物による還元で用いられる還元剤は、特に制限しないが、具体的には、水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、ジイソブチルアルミニウムヒドリド、水素化ビス2-メトキシエトキシアルミニウムナトリウム、トリメトキシ水素化ホウ素ナトリウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウム、トリアセトキシ水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウムおよび水素化ホウ素亜鉛を挙げることができる。このうち、水素化ホウ素ナトリウムおよび水素化リチウムアルミニウムが好ましい。これらの還元剤の使用量は、有効なヒドリドの当量がアセチル基に対して1.0~1.5当量になるよう設定するのが好ましく、1.05~1.2当量が特に好ましい。還元剤の使用量が1.0当量未満の場合は、アセチル基からヒドロキシエチル基への変換が不十分となり、未反応のアセチル基が残るおそれがある。また、還元剤の使用量が1.5当量より多い場合は、生成したヒドロキシエチル基がさらに還元され、目的のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を得られなくなるおそれがあり、また、経済的でない。接触水素添加による還元では、触媒を用いてもよい。ここで用いられる触媒としては、特に制限しないが、具体的には、パラジウム-活性炭素、パラジウム-アルミナおよびパラジウム-硫酸バリウム等のパラジウム触媒、ルテニウム-活性炭素等のルテニウム触媒、ラネーニッケル等のニッケル触媒およびロジウム-活性炭素等のロジウム触媒を挙げることができる。このうち、パラジウム-活性炭素、パラジウム-アルミナおよびパラジウム-硫酸バリウム等のパラジウム触媒およびラネーニッケル等のニッケル触媒が好ましい。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法において、このような還元反応は、溶媒中または無溶媒で実施することができる。ここで使用する溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、エチルエーテル、テトラヒドロフランTHFおよびジオキサン等のエーテル類、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類を挙げることができる。また、反応温度はエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物が反応しない温度であれば、特に制限はないが、-78~110°Cが好ましい。このようなアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の還元反応により得られる、目的とするヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、濾過、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィーおよび再結晶等の通常の方法によって、反応系から単離精製することができるが、そのまま次の工程に使用してもよい。このようなヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造は、前記のアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の還元反応以外に、ホルミルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とアルキル金属化合物との求核置換反応、ブロモフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物より誘導されるリチウム塩とホルムアルデヒドとの求核置換反応、アセトキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物のエステル加水分解反応並びにエチル基のα位に脱離基を有するエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物のヒドロキシ化反応によっても製造することができる。これらの製造方法によって得たヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を用いて、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造することもできる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法は、アセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の還元反応によって得られるヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を脱水してエテニル基に変換する。脱水反応によるヒドロキシエチル基からエテニル基への変換は、各種文献、例えば、下記の非特許文献6に記載されている。第4版実験化学講座、19巻、有機合成I:炭化水素ハロゲン化合物、1992年刊、丸善株式会社ヒドロキシエチル基からエテニル基への脱水反応は加熱により進行するが、反応速度を上げるために触媒を添加してもよい。ここで用いられる触媒は、特に制限しないが、具体的には、硫酸、リン酸、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、五酸化リン、クエン酸、シュウ酸、アルキルベンゼンスルホン酸、三フッ化ホウ素エーテル錯体、ヨウ素、活性アルミナ、ジメチルスルホキシドおよびヘキサメチルリン酸トリアミドを挙げることができる。このうち、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、五酸化リン、クエン酸、シュウ酸、活性アルミナおよびアルキルベンゼンスルホン酸が好ましい。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法において、このような脱水反応は、溶媒中または無溶媒で実施することができる。ここで使用する溶媒は、特に限定されるものではないが、具体的には、エチルエーテル、THFおよびジオキサン等のエーテル類、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、1,2-ジクロロエタンおよびクロロベンゼン等のハロゲン溶媒類を挙げることができる。また、反応温度は、生成したエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物が反応しない温度であれば特に制限しないが、0~140°Cが好ましい。このようなヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の脱水反応により得られる、目的とするエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、濾過、溶媒抽出、カラムクロマトグラフィーおよび再結晶等の通常の方法によって、反応系から単離精製することができる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造方法において、生成したエテニル基の反応を防ぐためにフェノール類または含硫黄化合物等の重合防止剤を使用することができる。フェノール類としては、例えば、tert-ブチルハイドロキノン、4-tert-ブチルカテコール、2,5-ジ-tert-ブチルハイドロキノン、2,5-ジ-tert-アミルハイドロキノン、3-メチル-6-ジ-tert-ブチルフェノール、2-tert-ブチル-4-メチル-フェノール、2-tert-ブチル-4-エチル-フェノール、2,5-ジ-tert-ブチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチルフェノール、2,4-ジメチル-6-tert-ブチルフェノール、2,6-ジ-tert-ブチル-4-メチル-フェノール、2,4,6-トリ-tert-ブチルフェノール、2,4-ジニトロフェノール、4-メトキシフェノールおよび4,4’-ブチリデンビス6-tert-ブチル-3-メチルフェノール等を挙げることができる。また、含硫黄化合物としては、例えば、4,4’-チオビス6-tert-ブチル-m-クレゾール、フェノチアジンおよびジミリスチル-3,3’-ジチオプロピオネート等を挙げることができる。そのうち、tert-ブチルハイドロキノン、4-tert-ブチルカテコール、4,4’-ブチリデンビス6-tert-ブチル-3-メチルフェノール4,4’-チオビス6-tert-ブチル-m-クレゾールおよびフェノチアジンが好ましい。重合防止剤の使用量は、通常、エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に対して、0.001~20重量、好ましくは0.01~1.0重量の範囲で用いる。本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、前記のヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の脱水反応以外に、エチル基のα位にハロゲン原子若しくはエステル等の脱離基を有するエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の脱離反応または2-カルボキシエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の脱炭酸反応によっても製造することができる。樹脂組成物本発明の樹脂組成物は、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と樹脂成分とを含むものである。本発明の樹脂組成物において、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、一種のものを用いてもよいし、二種以上のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物を併用してもよい。また、樹脂成分としては、各種の熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂を使用することができる。これらの樹脂成分は、天然のものであってもよいし、合成のものであってもよい。ここで利用可能な熱可塑性樹脂の具体例としては、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、耐衝撃性ポリスチレン、アクリロニトリル-スチレン樹脂AS樹脂、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂ABS樹脂、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン樹脂MBS樹脂、メチルメタクリレート-アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂MABS樹脂、アクリロニトリル-アクリルゴム-スチレン樹脂AAS樹脂、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリプロピレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリチオエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン並びに液晶ポリマー等を挙げることができる。変性ポリフェニレンエーテルとしては、ポリフェニレンエーテルの一部または全部に、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、無水ジカルボキシル基などの反応性官能基を、グラフト反応や共重合などの何らかの方法により導入したものが用いられる。なお、本発明の樹脂組成物を電子機器用途、特に、OA機器、AV機器、通信機器および家電製品用の筐体や部品用の材料として用いる場合は、熱可塑性樹脂としてポリエステル樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブタジエン樹脂若しくはポリイソプレン樹脂等を用いるのが好ましい。一方、ここで利用可能な熱硬化性樹脂の具体例としては、ポリウレタン、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、マレイミド-シアン酸エステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリカルボジイミド並びにエポキシ樹脂等を挙げることができる。また、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリカルボジイミド、マレイミド樹脂、マレイミド-シアン酸エステル樹脂等のポリイミド系樹脂は、その取り扱い加工性および接着性を向上するために、熱可塑性や溶媒可溶性が付与されたものであってもよい。なお、本発明の樹脂組成物を電子部品用途、特に、各種IC素子の封止材、配線板の基板材料、層間絶縁材料や絶縁性接着材料等の絶縁材料、Si基板またはSiC基板等の絶縁材料、導電材料および表面保護材料として用いる場合は、熱硬化性樹脂として、ポリウレタン、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ビスマレイミド-シアン酸エステル樹脂、ポリイミド系樹脂若しくはエポキシ樹脂等を用いるのが好ましい。上述の各種樹脂成分は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。本発明の樹脂組成物において、エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の使用量は、樹脂成分の種類、樹脂組成物の用途等の各種条件に応じて適宜設定することができるが、通常、固形分換算での樹脂成分100重量部に対して0.1~100重量部に設定するのが好ましく、0.5~50重量部に設定するのがより好ましく、1~30重量部に設定するのがさらに好ましい。エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の使用量が0.1重量部未満の場合は、当該樹脂組成物からなる樹脂成形体が十分な難燃性を示さないおそれがある。逆に、100重量部を超えると、樹脂成分本来の特性を損ない、当該特性による樹脂成形体が得られなくなるおそれがある。本発明の樹脂組成物は、熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一つの重合性材料をさらに含んでいてもよい。ここで用いられる重合性材料としては、例えば、ビニル系化合物、ビニリデン系化合物、ジエン化合物、ラクトン、ラクタムおよび環状エーテル等の環状化合物、アクリル系化合物並びにエポキシ系化合物が挙げられる。より具体的には、塩化ビニル、ブタジエン、イソプレン、スチレン、耐衝撃性ポリスチレン前駆体、アクリロニトリル-スチレン樹脂AS樹脂前駆体、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂ABS樹脂前駆体、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン樹脂MBS樹脂前駆体、メチルメタクリレート-アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン樹脂MABS樹脂前駆体、アクリロニトリル-アクリルゴム-スチレン樹脂AAS樹脂前駆体、メチルメタアクリレート、エポキシアクリレート樹脂前駆体、エポキシ化油アクリレート樹脂前駆体、ウレタンアクリレート樹脂前駆体、ポリエステルアクリレート樹脂前駆体、ポリエーテルアクリレート樹脂前駆体、アクリルアクリレート樹脂前駆体、不飽和ポリエステル樹脂前駆体、ビニル/アクリレート樹脂前駆体、ビニルエーテル系樹脂前駆体、ポリエン/チオール樹脂前駆体、シリコンアクリレート樹脂前駆体、ポリブタジエンアクリレート樹脂前駆体、ポリスチリルエチルメタクリレート樹脂前駆体、ポリカーボネートアクリレート樹脂前駆体、光または熱硬化性ポリイミド樹脂前駆体、光または熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂前駆体、光または熱硬化性ケイ素含有樹脂前駆体、光または熱硬化性エポキシ樹脂前駆体、脂環式エポキシ樹脂前駆体、グリシジルエーテルエポキシ樹脂前駆体等を挙げることができる。このうち、ブタジエン、イソプレン、スチレン、エポキシアクリレート樹脂前駆体、ウレタンアクリレート樹脂前駆体およびポリエステルアクリレート樹脂前駆体等が好ましい。これらの重合性材料は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。また、本発明の樹脂組成物は、樹脂成分の種類や樹脂組成物の用途等に応じ、その目的とする物性を損なわない範囲で、各種の添加剤を配合することができる。利用可能な添加剤としては、例えば、天然シリカ、焼成シリカ、合成シリカ、アモルファスシリカ、ホワイトカーボン、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、ホウ酸亜鉛、錫酸亜鉛、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化モリブデン、モリブデン酸亜鉛、天然マイカ、合成マイカ、アエロジル、カオリン、クレー、タルク、焼成カオリン、焼成クレー、焼成タルク、ウオラストナイト、ガラス短繊維、ガラス微粉末、中空ガラスおよびチタン酸カリウム繊維等の無機充填剤、アラミド繊維またはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール繊維等の有機繊維、シランカップリング剤などの充填材の表面処理剤、ワックス類、脂肪酸およびその金属塩、酸アミド類およびパラフィン等の離型剤、塩素化パラフィン、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、リン酸アミド、リン酸アミドエステル、ホスフィネート、ホスフィネート塩、リン酸アンモニウムおよび赤リン等のリン系難燃剤、メラミン、メラミンシアヌレート、メラム、メレム、メロンおよびサクシノグアナミン等の窒素系難燃剤、シリコーン系難燃剤並びに臭素系難燃剤等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難燃助剤、ポリテトラフルオロエチレンPTFE等のドリッピング防止剤、ベンゾトリアゾールなどの紫外線吸収剤、ヒンダートフェノール、スチレン化フェノールなどの酸化防止剤、チオキサントン系などの光重合開始剤、スチルベン誘導体などの蛍光増白剤、硬化剤、染料、顔料、着色剤、光安定剤、光増感剤、増粘剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、重合禁止剤、チクソ性付与剤、可塑剤並びに帯電防止剤等を挙げることができる。本発明の樹脂組成物を電気電子分野用の材料、具体的には、LSI等の電子部品の封止剤や基板等に用いる場合、樹脂成分として下記の式5に示されるポリフェニレンエーテルを用いることができる。式5において、rは30~1,000の整数を示す。また、L1~L4は、水素原子、または炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルケニル基および炭素数6~20のアリール基から選ばれる基である。炭素数6~20のアリール基は、炭素数1~6のアルキル基、アルケニル基およびアリール基から選ばれる少なくとも一種の基が置換されていてもよい。式5で示されるポリフェニレンエーテル類の具体例としては、その単独重合体として、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-エチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルエチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジエチルフェニレンエーテル類、ポリ2-エチル-6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリエチルプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-n-プロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-n-ブチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルブチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-イソプロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルイソプロピルフェニレンエーテル類、ポリ2-エチル-6-イソプロピル-1,4-フェニレンエーテル等のポリエチルイソプロピルフェニレンエーテル類およびポリ2-メチル-6-ヒドロキシエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルヒドロキシエチルフェニレンエーテル類などのホモポリマーが挙げられる。また、フェニレンエーテル構造を主単量体単位とする共重合体として、2,6-ジメチルフェノールとo-クレゾールとの共重合体並びに2,6-ジメチルフェノールと2,3,6-トリメチルフェノールおよびo-クレゾールとの共重合体が挙げられる。このうち、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類、ポリ2-メチル-6-エチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルエチルフェニレンエーテル類、ポリ2,6-ジエチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジエチルフェニレンエーテル類および2,6-ジメチルフェノールと2,3,6-トリメチルフェノールおよびo-クレゾールとの共重合体が好ましく、ポリ2-メチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリメチルフェニレンエーテル類およびポリ2,6-ジメチル-1,4-フェニレンエーテル等のポリジメチルフェニレンエーテル類が特に好ましい。上述のポリフェニレンエーテル類は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。本発明の樹脂組成物は、その物性を損なわない範囲で、重合開始剤を配合することができる。重合開始剤としては、加熱または紫外線若しくは電子線などの活性エネルギー線を吸収し、エテニルフェノキシ基等の不飽和基を重合させるものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルまたはベンゾインエチルエーテル等のベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシ-2-フェニルアセトフェノンまたは1,1-ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類、2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルホリノアミノ-1-プロパノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンおよびN,N-ジメチルアミノアセトフェノン等のアミノアセトフェノン類、2-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、2-tert-ブチルアントラキノンおよび1-クロロアントラキノン等のアントラキノン類、2,4-ジメチルチオキサントン、2-クロロチオキサントンおよび2,4-ジイソプロピルキサントン等のチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタールおよびベンジルジメチルケタール等のケタール類、ベンゾイルパーオキシドおよびクメンパーオキシド等の有機過酸化物、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、リボフラビンテトラブチレート、2-メルカプトベンゾイミダゾール、2-メルカプトベンゾオキサゾールおよび2-メルカプトベンゾチアゾール等のチオール類、2,4,6-トリス-sec-トリアジン、2,2,2-トリブロモエタノール、およびトリブロモメチルフェニルスルホン等の有機ハロゲン化物、ベンゾフェノンおよび4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、芳香族スルホン酸塩等の酸発生剤および2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等が挙げられ、2-メチル-1-[4-メチルチオフェニル]-2-モルホリノアミノ-1-プロパノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-1-ブタノンおよび芳香族スルホン酸塩が特に好ましい。本発明の樹脂組成物によれば、誘電率および誘電正接が低い樹脂組成物が得られる。したがって、本発明の樹脂組成物は、半導体封止用や回路基板特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク形成用等の電気電子部品の製造用材料として特に好適である。難燃性重合組成物本発明の樹脂組成物は、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、若しくはエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と熱重合性モノマー、熱重合性オリゴマー、光重合性モノマー、光重合性オリゴマー、放射線重合性モノマーおよび放射線重合性オリゴマーからなる重合性材料群から選ばれた少なくとも一種の重合性材料を反応した難燃性重合組成物を含んでいる。ここで用いられるエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。ここで用いられる重合性材料は、必要に応じ、本発明のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物と反応共重合可能な他の重合性材料を含んでいてもよい。ここで用いられる重合性材料は、特に限定されるものではないが、通常、芳香族ビニルモノマー、極性官能基含有ビニルモノマーおよびビニルエーテルモノマーなどのビニル基を有する化合物が好ましい。これらの重合性材料は、二種以上のものが併用されてもよい。芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、アセトキシスチレン、ヒドロキシスチレンおよびブロモスチレン等が挙げられる。このうち、スチレンが特に好ましい。極性官能基含有ビニルモノマーとしては、例えば、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、アクリル酸、メタアクリル酸、アクリル酸メチル、メタアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタアクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸オクチル、メタアクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタアクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタアクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸グリシジル、メタアクリル酸グリシジル、アクリル酸ビニルおよびメタアクリル酸ビニル等のアクリル酸エステル若しくはメタアクリル酸エステル並びに酢酸ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニルおよびステアリン酸ビニル等のビニルエステル等が挙げられる。このうち、アクリロニトリル、アクリル酸メチルおよびメタアクリル酸メチルが特に好ましい。ビニルエーテルモノマーとしては、通常、ジビニルエーテル類を用いるのが好ましい。これらの重合性材料を加熱により反応させる場合、重合開始剤を用いるのが好ましい。ここで用いられる重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドおよびジイソプロピルパーオキシジカーボネート等の過酸化物、2,2-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキシルニトリル、アゾビスシアノ吉草酸、2,2-アゾビス2-メチルブチロニトリル等のアゾ系化合物および芳香族スルホン酸塩等の酸発生剤等を挙げることができる。一方、これらの重合性材料をエネルギー線の照射により反応させる場合、光重合開始剤と、必要に応じて増感剤を用いるのが好ましい。ここで用いられる光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、スルホニウム系光重合開始剤およびヨードニウム系光重合開始剤等を挙げることができる。また、増感剤としては、例えば第三級アミン等を挙げることができる。重合性材料をエネルギー線の照射により反応させる場合は、通常、重合性材料に対して光重合開始剤および必要に応じて増感剤を添加し、これに対して各種のエネルギー線を照射すると、目的の難燃性重合組成物を得ることができる。さらに、本発明の難燃性重合組成物は、必要に応じて公知の反応性希釈剤や添加剤を含んでいてもよい。利用可能な反応性希釈剤は、特に限定されるものではないが、例えば、ブチルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテルおよびアリルグリシジルエーテル等の脂肪族アルキルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートおよび3級カルボン酸グリシジルエステル等のアルキルグリシジルエステル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p-s-ブチルフェニルグリシジルエーテルおよびノニルフェニルグリシジルエーテル等の芳香族アルキルグリシジルエーテル等を挙げることができる。これらの反応性希釈剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、必要に応じて二種以上のものを併用してもよい。一方、本発明の樹脂組成物において用いられるものと同様のものを用いることができる。本発明の難燃性重合組成物は、耐熱特性、電気特性、機械的特性および耐熱性に優れており、また、エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に基づく優れた難燃性および低発煙性を示す。このため、この難燃性重合組成物は、各種の樹脂成形体の製造用材料、塗料用、接着剤用およびその他の用途用として、広く用いることができる。特に、この難燃性重合組成物は、半導体封止用や回路基板特に、金属張り積層板、プリント配線板用基板、プリント配線板用接着剤、プリント配線板用接着剤シート、プリント配線板用絶縁性回路保護膜、プリント配線板用導電ペースト、多層プリント配線板用封止剤、回路保護剤、カバーレイフィルム、カバーインク形成用等の電気電子部品の製造用材料として好適である。以下に実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、以下において、unitmolのunitは、環状ホスファゼン化合物の最小構成単位、例えば、式1についてはPNA2を意味し、Aが塩素原子の場合、その1unitmolは115.87gである。また、以下においては、特に断りがない限り、および部とあるのは、それぞれ重量および重量部を意味する。合成例、参考例及び実施例で製造したホスファゼン化合物は、1H-NMRスペクトル及び31P-NMRスペクトルの測定、並びにTOF-MS及びIRスペクトル測定の結果に基づいて同定した。合成例1形態Bに係るアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを備え付けた5リットルの四つ口フラスコに、窒素気流下でヘキサクロロシクロトリホスファゼン243.8g,2.10unitmolのTHF800mL溶液を仕込み、これに、予め調製したナトリウムフェノキシド243.8g,2.10molのTHF1,000mL溶液を、20°C以下で1.5時間かけて滴下した。25°Cで5時間撹拌して得られた反応液を予め調製したナトリウム4-アセチルフェノキシド431.70g,2.73molのトルエン2,000mL懸濁液に添加し、濃縮して110°Cで3時間還流した。反応混合物を室温に冷却後、トルエン1,000mLおよび5水酸化ナトリウム水溶液500mLを加えて分液ロートに移した。水層を分離後、トルエン層を5水酸化ナトリウム水溶液500mLで洗浄し、さらに希硝酸で中和して水洗した。トルエン層を減圧濃縮し、556.55gの生成物を得た収率:97.0。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:2.63H,6.9~7.47H,7.8~8.02H◎31P-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:三量体P=N39.0~10.0◎13C-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:26.0,121.0,125.5,130.0,134.5,150.5,154.0,196.0◎TOF-MS:778,820,861以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は、[N3P3OC6H4COCH34OC6H52]、[N3P3OC6H4COCH33OC6H53]および[N3P3OC6H4COCH32OC6H54]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4COCH33.0OC6H53.0]のアセチルフェノキシ環状ホスファゼン化合物であることを確認した。合成例2形態Aに係るアセチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造温度計、撹拌機、冷却管および滴下ロートを備え付けた5リットルの四つ口フラスコに、窒素気流下でヘキサクロロシクロトリホスファゼン243.4g,2.10unitmolのTHF800mL溶液を仕込み、これに、予め調製したナトリウム4-アセチルフェノキシド797.0g,5.04molのTHF2,000mL溶液を10~20°Cで3.5時間かけて滴下した後、還流条件下で15時間撹拌した。反応混合物を室温に冷却後、減圧下で溶媒を留去してトルエン2,000mLで希釈し、5水酸化ナトリウム水溶液500mLを加えて分液ロートに移した。水層を分離後、トルエン層を5水酸化ナトリウム水溶液500mLで洗浄し、さらに希硝酸で中和して水洗した。トルエン層を減圧濃縮し、642.19gの生成物を得た収率:97.0。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:2.53H,7.02H,7.72H◎31P-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:三量体P=N39.0~10.0◎13C-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:26.0,125.5,134.5,154.0,196.0◎TOF-MS:946以上の分析結果から、この工程で得られた生成物は、[N3P3OC6H4COCH36]のアセチルフェノキシ環状ホスファゼン化合物であることを確認した。参考例1フェノキシ基全置換環状ホスファゼン化合物の製造PHOSPHORUS-NITROGENCOMPOUNDS、H.R.ALLCOCK著、1972年刊、151頁、ACADEMICPRESS社に記載されている方法に従い、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンを用いて[N=POC6H52]3白色固体/融点:110°Cを得た。実施例1形態2に係るエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の製造還元工程5リットルのオートクレーブに、窒素気流下、合成例1で得たアセチルフェノキシ環状ホスファゼン化合物546.44g,2.0unitmolのTHF3,000mL溶液を仕込み、これに、10wパラジウム-活性炭素5.46gを添加した。次にオートクレーブ内を水素で加圧し、室温で5時間熟成した。反応終了を確認後、Pd/Cをろ別し、THFを減圧留去した後、534.0gの生成物を得た収率97.0。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:1.43H,4.8~5.01H,6.8~7.49H◎31P-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:三量体P=N310.0◎13C-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:26.0,68.5,121.0,125.0,127.0,130.0,144.0,149.5,151.0◎TOF-MS:782,826,870以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CHOHCH34OC6H52]、[N3P3OC6H4CHOHCH33OC6H53]、[N3P3OC6H4CHOHCH32OC6H54]の混合物であり、その平均組成が[N3P3OC6H4CHOHCH33OC6H53]のヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物であることを確認した。脱水工程温度計、撹拌機、冷却管を備え付けた5リットルの反応器に、窒素気流下、前記還元工程で得たヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物275.24g,1.0unitmolのトルエン1,000mL溶液を仕込み、これに、硫酸水素カリウム13.8gを添加した。還流条件下で3時間撹拌し、濃縮後、140°Cで5時間撹拌した。反応終了を確認後、トルエン1,000mLで希釈し、水洗後、トルエン層を減圧濃縮し、213.49gの生成物を得た収率:83.0。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:5.11H5.61H,6.61H,6.7~7.39H◎31P-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:三量体P=N339.5~10.5◎IRスペクトルKBrPellet,cm-13100,1629,1264,1200-1160,950◎TOF-MS:746,772,798以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CH=CH24OC6H52]、[N3P3OC6H4CH=CH23OC6H53]、[N3P3OC6H4CH=CH22OC6H54]の混合物であり、その平均組成が[NPOC6H4CH=CH23OC6H53]のエテニルフェノキシ基含有ホスファゼン化合物であることを確認した。実施例2形態1に係るエテニルフェノキシ含有環状ホスファゼン化合物の製造還元工程合成例1で得たアセチルフェノキシ環状ホスファゼン化合物の代わりに、合成例2で得たアセチル基を有するフェノキシ環状ホスファゼン化合物315.26g、1.00unitmolを用いた以外は実施例1の還元工程と同様に操作して、309.7gの生成物を得た。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:1.43H,4.8~5.01H,6.8~7.44H◎31P-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:三量体P=N310.0◎13C-NMRスペクトル重アセトン中、δ、ppm:26.0,68.5,121.0,127.0,144.0,149.5◎TOF-MS:958以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CHOHCH36]のヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物であることを確認した。脱水工程実施例1の還元工程で得たヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の代わりに、前記還元工程で得たヒドロキシエチルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物159.7g、0.50unitmolを用いた以外は実施例1の脱水工程と同様に操作して、117.55gの生成物を得た。この生成物の分析結果は以下の通りであった。◎1H-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:5.11H5.61H,6.61H,6.7~7.34H◎31P-NMRスペクトル重クロロホルム中、δ、ppm:三量体P=N39.5~10.5◎IRスペクトルKBrPellet,cm-1:3100,1629,1264,1200-1160,950◎TOF-MS:850以上の分析結果から、この生成物は[N3P3OC6H4CH=CH26]のエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物であることを確認した。実施例3,4難燃性樹脂組成物→難燃性重合組成物→樹脂成形体実施例1および2で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物、スチレン東京化成の試薬、ビスフェノールA型エポキシ樹脂三菱化学の商品名jER828、酸発生剤三新化学工業の商品名サンエイドSI-100LおよびメチルエチルケトンMEKを表1に示す割合で加えて撹拌してワニスを調製した。調製したワニスをPETフィルムに塗布して室温で1時間、90°Cで30分乾燥した。これを剥離してPTFE製のスペーサー内に所定量を入れ、真空下、120°Cで30分、150°Cで30分、180°Cで100分加熱、加圧して硬化物を得た。この硬化物について、難燃性、誘電特性および耐熱性を評価した。比較例1難燃性樹脂組成物→樹脂成形体実施例1および2で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物に代えて、参考例1で製造した環状ホスファゼン化合物を使用した以外は、実施例3および4と同様に操作して試験片を作製した。これらの試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。難燃性アンダーライターラボラトリーズUnderwriter’sLaboratoriesInc.のUL-94規格垂直燃焼試験に基づき、長さ125mm、幅12.5mmおよび厚み1.2mmの試験片を用いて実施し、10回接炎時合計燃焼時間と燃焼時の滴下物による綿着火の有無により、V-0、V-1、V-2および規格外の四段階の難燃性クラスに分類判定した。V-0が最高評価であり、V-1、V-2、規格外の順に評価が下がる。誘電特性長さ50mm、幅50mmおよび厚さ2.0mmの試験片について、JISC2138比誘電率および誘電正接の測定方法に従って周波数1GHzの比誘電率と誘電正接を測定した。耐熱性株式会社島津製作所製DTG-60商品名を用いて、窒素雰囲気下、30~600°Cの温度範囲を10°C/分で昇温し、5重量減量温度{Td5}を評価した。5重量減少温度が高いほど、耐熱性が優れている。表1から明らかなように実施例3および4の硬化物は、優れた誘電特性、難燃性および耐熱性を示している。合成例3エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物の製造1リットルのセパラブルフラスコに実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物150g、AIBN4.5gおよびトルエン300mLを仕込み、窒素条件下で加熱し70°Cで3時間撹拌した。さらにAIBN3.0gを加えて70°Cで3時間撹拌後、100°Cにて1時間加熱して反応を完結させた。反応液を濃縮してトルエンを留去し、157.5gの難燃性重合組成物を得た。合成例4エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物の製造実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の代わりに実施例2で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物150gを使用した以外は、合成例3と同様に操作して、157.5gの難燃性重合組成物を得た。合成例5エテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物とスチレンモル比率=50/50の難燃性重合組成物の製造1リットルのセパラブルフラスコに実施例1で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物134g、スチレン東京化成の試薬、16g、AIBN4.5gおよびトルエン300mLを仕込み、窒素条件下で加熱し70°Cで3時間撹拌した。さらにAIBN3.0gを加えて70°Cで3時間撹拌後、100°Cにて1時間加熱して反応を完結させた。反応液を濃縮してトルエンを留去し、157.5gの難燃性重合組成物を得た。実施例5~7難燃性樹脂組成物の難燃性重合組成物→樹脂成形体合成例3~5で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物、ポリスチレンPSジャパン社の商品名HF77およびポリフェニレンエーテル旭化成ケミカルズの商品名ザイロンS202Aを表1に示す割合で秤量し、ブレンダーにて均一に混合した。この混合物を、二軸押出機スクリュウ径30mm,L/D=42のホッパーに投入し、シリンダー温度250~280°C、スクリュウ回転数200rpmの条件にて、溶融混練してペレット化した。ペレットを90°Cで6時間乾燥後、射出成形機にて、シリンダー温度260~280°C、金型温度80°Cの条件で射出成形を行い、試験片を作製した。作製した試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。比較例2難燃性樹脂組成物→樹脂成形体合成例3~5で製造したエテニルフェノキシ基含有環状ホスファゼン化合物の難燃性重合組成物に代えて、参考例1で製造した環状ホスファゼン化合物を使用した以外は、実施例5~7と同様に操作して試験片を作製した。作製した試験片について、誘電特性、難燃性および耐熱性を評価した。表2から明らかなように実施例5~7で製造した樹脂成形体は、優れた誘電特性、難燃性および耐熱性を示している。"