"微細な断面を有する液体冷媒流路を有し、熱源に熱的に接続されるヒートシンクと、前記ヒートシンクに設けられ、前記液体冷媒流路の延在方向に平行に延在する熱電素子とを有するマイクロチャネル冷却デバイス。請求項1記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記熱電素子は、前記液体冷媒流路に関して、前記熱源が熱的に接続される面とは反対側の面に設けられたマイクロチャネル冷却デバイス。請求項1記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記熱電素子は、前記ヒートシンクの内部に埋め込まれたマイクロチャネル冷却デバイス。請求項3記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記ヒートシンクは互いに平行に延在する複数の前記液体冷媒通路を有し、前記熱電素子は、隣り合う前記液体冷媒通路の間に配置されるマイクロチャネル冷却デバイス。請求項1乃至4のうちいずれか一項記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記熱電素子は異種金属接合によるゼーベック起電力を利用して発電する素子であるマイクロチャネル冷却デバイス。請求項1乃至5のうちいずれか一項記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記液体冷媒流路のレイノルズ数は2000未満であるマイクロチャネル冷却デバイス。請求項6記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記液体冷媒流路の断面は長方形であり、対角線の長さは500μm以下であるマイクロチャネル冷却デバイス。請求項1乃至7のうちいずれか一項記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記ヒートシンクは半導体材料により形成されるマイクロチャネル冷却デバイス。請求項8記載のマイクロチャネル冷却デバイスであって、前記ヒートシンクは、半導体集積回路が形成された半導体基板により形成されたマイクロチャネル冷却デバイス。熱源となる電子部品と、該電子部品に熱的に接続された、請求項1乃至9のうちいずれか一項記載のマイクロチャネル冷却デバイスと前記マイクロチャネル冷却デバイスで発電した電力を、冷却システムの電動駆動部に供給する電気回路とを有するマイクロチャネル冷却システム。請求項10記載のマイクロチャネル冷却システムであって、前記電動駆動部は、液体冷媒を前記マイクロチャネル冷却デバイスに供給するポンプ及び、液体冷媒を冷却するための熱交換器を冷却するための冷却ファンを含むマイクロチャネル冷却システム。熱源となる電子部品と、該電子部品に熱的に接続された、請求項1乃至9のうちいずれか一項記載のマイクロチャネル冷却デバイスと、液体冷媒を前記マイクロチャネル冷却デバイスに供給するポンプとを有し、前記マイクロチャネル冷却デバイスが発電した電力を、前記ポンプに供給して前記ポンプを駆動する電子機器。従来のウォータージャケットと称される密閉型ヒートシンクに冷媒冷却水を流して冷却する水冷装置と発熱部である電子部品との間の温度差を利用するためには、熱電素子の低温側をヒートシンクに熱的に接続し、高温側を電子部品に熱的に接続する必要がある。ヒートシンクと電子部品との間に熱電素子を挿入した構成であると、熱電素子の熱抵抗が高いため、電子部品の熱を効率的にヒートシンクに伝達することができず、電子部品を効率よく冷却できないこととなる。このため、熱電素子を設けたために電子部品の冷却が不十分になり、電子部品が高温になってしまうおそれがある。また、発熱部である電子部品から伝熱部材を引き出して熱電素子の高温側を接続する場合、伝熱部材は既に冷却されている電子部品の温度となるので、伝熱部材の温度はあまり高くならず、大きな温度差を得ることができない。熱電素子での発電量は印加する温度差に比例するため、熱電素子で発生することのできる電力は僅かなものになってしまい、エネルギ回収効率が低くなってしまう。そこで、以下に説明する実施形態は、水冷式冷却装置を用いて電子部品を冷却する構成において、熱電素子を用いて効率的に熱電変換を行なうことのできる構造を提供することを目的とする。実施形態によれば、微細な断面を有する液体冷媒流路を有し、熱源に熱的に接続される液冷ヒートシンクと、前記液冷ヒートシンクに設けられ、前記液体冷媒流路の延在方向に平行に延在する熱電素子とを有するマイクロチャネル冷却デバイスが提供される。上述の手段によれば、熱源を冷却しながら、熱源の熱を熱電素子を用いて効率的に熱電変換することができる。次に、実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の実施形態で用いられるマイクロチャネルヒートシンクについて説明する。マイクロチャネルヒートシンクは、LSI等の電子部品の冷却装置に用いられることが多い。マイクロチャネルヒートシンクを用いることで小型でありながら冷却能力の高い冷却装置を実現することができる。図1はマイクロチャネルヒートシンクの分解斜視図である。マイクロチャネルヒートシンクは、内部に微小な断面を有する液体冷媒流路マイクロチャネルが形成されたヒートシンクである。液体冷媒として冷却水を用いる場合が多く、以下、液体冷媒流路を冷却水流路と称する。冷却水流路に低温の液体冷媒冷却水を流すことで、ヒートシンク自体が冷却され、ヒートシンクに接続された電子部品を冷却することができる。一般的に、マイクロチャネルヒートシンクの冷却水流路は、レイノルズ数が2000未満となるような断面形状及び断面寸法を有している。レイノルズ数を2000未満とすることで冷却水流路を流れる冷却水の流れが層流となる。層流で冷却水を流すことにより、冷却水流路の内壁面から冷却水に効率的に熱を移動させることができ、既存のヒートシンクのように乱流で冷却水を流すときよりも、冷却効率を大きく高めることができる。図1はマイクロチャネルヒートシンクの一例を示す分解斜視図である。マイクロチャネルヒートシンク1は、マイクロチャネル部2と、マイクロチャネル部2を覆うように接合されるカバー部3とを有する。マイクロチャネル部2及びカバー部3を形成する材料としては、伝熱性が良好で微細加工し易い材料が適しており、例えば、半導体材料のシリコンが用いられる。シリコンの他に、例えば、銅やアルミニウム等の金属材料を用いることもできる。マイクロチャネル部2には、複数の溝部チャネル2aが平行に並んで形成されている。溝部2aの各々が冷却水流路に相当する。溝部2aの各々は、溝部2aで形成される冷却水流路のレイノルズ数が2000未満となるような断面形状及び断面寸法になっている。そのような断面形状として、図1に示す溝部2aの断面形状は縦長の長方形であり、短辺が70μmで長辺が350μmに設定されている。溝部2aの形状は長方形に限られず、また、断面寸法も70μm×350μmに限られるものではない。レイノルズ数が2000未満となるのであれば、溝部2aの断面形状断面寸法はどのようなものであってもよい。図1に示す溝部2aを長方形断面としているのは、長方形断面の溝は加工が容易であるからである。なお、冷却水流路の断面形状を縦長の長方形とし、液体冷媒として冷却水を流すものとすると、長方形の対角線の流さを500μm以下とすれば、冷却水流路のレイノルズ数は2000未満とすることができる。ここで、図1に示すマイクロチャネルヒートシンクを用いて電子部品を冷却する際のマイクロチャネルヒートシンクの温度分布についてシミュレーションにより求めた。シミュレーションでは、溝部2aにより形成される冷却水流路を2本有するマイクロチャネルヒートシンクを用いた。以下、マイクロチャネルヒートシンクを単にヒートシンクとも称する。ヒートシンクの底面電子部品が接続される面から100W/cm2の熱が印加されることとし、冷却水流路に一端側入口側から24°Cの冷却水を層流となるような流量で供給するという条件とした。冷却水流路の断面形状は縦長の長方形であり、短辺が70μmで長辺が350μmに設定した。また、冷却水流路の長さは10mmとした。シミュレーションの結果、冷却水流路の入口側の温度を24°Cとすると、反対端側出口側に向けて温度が上昇し、冷却水流路の反対端側出口側では45°Cとなることがわかった。すなわち、ヒートシンクでは、冷却水の入口側と出口側の温度差は20°C以上にもなることがわかった。このような温度分布は、従来のように冷却水流路での冷却水が乱流となるヒートシンクでは得られないものであり、マイクロチャネルヒートシンクに特有の温度分布である。そこで、マイクロチャネルヒートシンクでの温度分布から得られる温度差に着目し、この温度差で熱電素子を駆動して発電することを考えた。この温度差を利用することで、熱電素子の延在方向高温側電極と低温側電極の間の部分の熱電材料の延在方向を、マイクロチャネルヒートシンクの冷却水流路の延在方向に平行にして配置できることとなる。すなわち、ヒートシンク自体に低温部冷却水入口側と高温部冷却水出口側とが生じるので、この温度差を利用するように熱電素子をヒートシンクに取り付ける。これにより、ヒートシンクと熱源との間に熱抵抗の高い熱電素子を挿入することなく、熱電素子を機能させることができ、より効率的に熱電変換を行なうことができる。次に、第1実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図2は第1実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス20を示す図である。図2Aはマイクロチャネル冷却デバイス20の平面図であり、図2Bは図2AのB-B線に沿った断面図であり、図2Cは図2AのC-C線に沿った断面図であり、図2Dは図2CのD-D線に沿った断面図である。マイクロチャネル冷却デバイス20は、熱電素子10を内蔵したデバイスであり、熱源としてのLSI等の電子部品5を冷却しながら、電子部品5からの熱の一部を熱電変換して電気エネルギに変換して回収することができる。マイクロチャネル冷却デバイス20は、ヒートシンクとして機能するデバイス本体22と、デバイス本体22の表面に形成された熱電素子10を有する。デバイス本体22は、例えば単結晶シリコン等の半導体製造材料により形成されることが好ましいが、例えばアルミニウムや銅などの金属材料であってもよく、伝熱性が良好で微細加工を容易に行える材料であればよい。デバイス本体22の底面22aは、図2B及び図2Cに示すように電子部品5が熱的に接続されるようになっており、電子部品5内で発生した熱はデバイス本体22に伝達される。ヒートシンクを形成するデバイス本体22の内部には、複数の冷却水流路24が形成されている。冷却水流路24は互いに平行に延在している。冷却水流路24の各々は、内部を流れる冷却水が層流となるような断面形状断面寸法を有している。すなわち、冷却水流路24の各々は、例えば、その短辺が70μmで長辺が350μmの縦長の長方形断面を有しており、レイノルズ数が2000未満層流となる条件となるように設定されている。冷却水流路24の一端側入口側に低温の冷却水を供給すると、冷却水は冷却水流路24内を層流で流れて反対端側出口側から吐出される。冷却水流路24を流れる間に冷却水が熱を吸収し、デバイス本体22は冷却される。冷却水としては、低粘度で比重が軽く、比熱の大きい液体が好ましく、純水が最も好ましい。ただし、純水は不純物イオンが混入すると電気抵抗を低下させたり、流路内壁の腐食や微生物の発生を伴うので、エチレングリコール等の有機物を混ぜた水溶液を用いることが一般的である。IT機器などでは漏水による電気ショートや部品腐食を避けるため、ハイドロフロオロエーテルなどのフッ素系液体や、シリコーンオイルなどのシリコン系液体のように高絶縁性を有する液体を用いることが望ましい。あるいは、エタノールを主成分にした冷媒を用いることとしてもよい。デバイス本体22の上面22bには、熱電素子10が形成される。熱電素子10は、複数の第1の熱電材12と複数の第2の熱電材14とそれらを電気的に接続する電極16とを含む。第1の熱電材12は例えばn型半導体材料であり、第2の熱電材は例えばp型半導体材料である。第1の熱電材12のn型半導体材料としては、n型のシリコンあるいはその化合物、ビスマステルルBi2Te3、亜鉛Zn、コバルトCoを含む酸化物を用いることが一般的である。第2の熱電材14のp型半導体材料としては、p型のシリコンあるいはその化合物、ビスマスアンチモンテルルBiSbTe、ナトリウムNaを含む酸化物を用いることが一般的である。電極16の材料としては、金やアルミニウムを用いることが一般的である。なお、図示はしないが、デバイス本体22の表面に酸化膜などの薄い絶縁膜を形成しておき、その上に第1の熱電材12、第2の熱電材14及び電極16を形成することが好ましい。熱電素子10の第1の熱電材12及び第2の熱電材14は、デバイス本体22の上面22bに設けられ、デバイス本体22内に形成された冷却水流路24の延在方向と同じ方向に延在している。第1の熱電材12及び第2の熱電材14の延在方向を、冷却水流路24の延在方向とするのは、この方向で温度分布が生じ、温度差が生じるためである。ただし、第1の熱電材12及び第2の熱電材14の延在方向と、冷却水流路24の延在方向とは完全に平行である必要はなく、第1の熱電材12及び第2の熱電材14の高温側の接続点と低温側の接続点が、冷却水流路24の高温側と低温側に適切に配置され、熱電素子10に温度差が印加できるようになっていればよい。したがって、本明細書では、第1の熱電材12及び第2の熱電材14の延在方向が冷却水流路24の延在方向に平行であるあるいは一致しているということは、完全な平行一致を意味するものではなく、第1の熱電材12及び第2の熱電材14に対して十分な温度差を印加できる程度に冷却水流路24に対して平行に延在するということを意味する。以上のような構成のマイクロチャネル冷却デバイス20の底面22aを、熱源としての電子部品5に熱的に接続し、冷却水を冷却水流路24の入口側低温側から流すと、電子部品5からの熱が冷却水に吸収され、電子部品5は冷却される。このとき、熱電素子10には、冷却水流路24に沿った温度分布で生じた温度差が印加され、熱電素子10は温度差に応じた電圧を発生する。したがって、電子部品5から放出される熱の一部を熱電素子10により電気エネルギに変換して回収し、再利用することができる。熱電素子10は、電子部品5とデバイス本体22との間に配置されておらず、デバイス本体22の上面22b側に配置されるので、熱電素子10が電子部品5とデバイス本体22との間の熱抵抗となることはない。したがって、電子部品5からの熱をマイクロチャネル冷却デバイス20に効率的に伝達することができ、電子部品5を効率的に冷却しながら、熱電素子10によりその熱の一部を電気エネルギに変換して回収することができる。次に、第2実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図3は第2実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス30を示す図である。図3Aはマイクロチャネル冷却デバイス30の平面図であり、図3Bは図3AのB-B線に沿った断面図であり、図3Cは図3AのC-C線に沿った断面図であり、図3Dは図3CのD-D線に沿った断面図である。図3において、図2に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。マイクロチャネル冷却デバイス30は、図3Dに示すように、冷却水供給流路26と冷却水排出流路28とを有する点がマイクロチャネル冷却デバイス20と異なり、他の部分の構成はマイクロチャネル冷却デバイス20と同様である。マイクロチャネル冷却デバイス30において、複数の冷却水流路24は、冷却水供給流路26と冷却水排出流路28との間に設けられる。冷却水は、冷却水供給流路26に供給され、複数の冷却水流路24に分配されて冷却水流路24を流れてから冷却水排出流路28に入り、冷却水排出流路28から排出される。次に、第3実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図4は第3実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス40を示す図である。図4Aはマイクロチャネル冷却デバイス40の平面図であり、図4Bは図4AのB-B線に沿った断面図であり、図4Cは図4AのC-C線に沿った断面図であり、図4Dは図4CのD-D線に沿った断面図である。図4において、図2に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。マイクロチャネル冷却デバイス40は、図4B及び図4Cに示すように、第1の熱電材12及び第2の熱電材14がデバイス本体22に埋め込まれている点がマイクロチャネル冷却デバイス20と異なり、他の部分の構成はマイクロチャネル冷却デバイス20と同様である。第1の熱電材12及び第2の熱電材14は、デバイス本体22の上面22aに溝又は凹部を形成しておき、その中に熱電材料を充填することで形成される。第1の熱電材12及び第2の熱電材14を形成する熱電材料を溝又は凹部に充填することで、第1の熱電材12及び第2の熱電材14の厚みを大きくすることができ、断面積を大きくすることができる。したがって、第1の熱電材12及び第2の熱電材14の電気抵抗を小さくすることができ、発電量の大きい熱電素子を形成することができる。次に、第4実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図5は第4実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス50を示す図である。図5Aはマイクロチャネル冷却デバイス50の平面図であり、図5Bは図5AのB-B線に沿った断面図であり、図5Cは図5AのC-C線に沿った断面図であり、図5Dは図5CのD-D線に沿った断面図である。図5において、図2に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。マイクロチャネル冷却デバイス50は、図5B及び図5Cに示すように、第1の熱電材12及び第2の熱電材14がデバイス本体22の中の冷却水流路24の間に埋め込まれている点がマイクロチャネル冷却デバイス20と異なり、他の部分の構成はマイクロチャネル冷却デバイス20と同様である。第1の熱電材12及び第2の熱電材14を冷却水流路24の間に埋め込んだ構造とするには、例えば、デバイス本体22を上下に2分割して形成し、それらの片方又は両方の面に冷却水流路24と第1の熱電材12及び第2の熱電材14を充填する溝又は凹部を形成しておく。そして、第1の熱電材12及び第2の熱電材14を溝又は凹部に充填してから、分割したデバイス本体を接合して一体とすることで、第1の熱電材12及び第2の熱電材14が冷却水流路24の間に埋め込まれた構造となる。本実施形態では、第1の熱電材12及び第2の熱電材14は冷却水流路24に非常に近接した状態で配置されており、冷却水流路24で生じる温度差を熱電素子10に直接印加することができる。また、電極16のみがデバイス本体22上に配置されており、第1の熱電材12及び第2の熱電材14がデバイス本体22により覆われて保護された状態となる。次に、第5実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図6は第5実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス60を示す図である。図6Aはマイクロチャネル冷却デバイス60の平面図であり、図6Bは図6AのB-B線に沿った断面図であり、図6Cは図6AのC-C線に沿った断面図であり、図6Dは図6CのD-D線に沿った断面図である。図6において、図2に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。マイクロチャネル冷却デバイス60は、冷却水流路が2つに分かれており、それに対応して第1の熱電材12及び第2の熱電材14も2つに分かれている点でマイクロチャネル冷却デバイス20と異なり、他の部分の構成はマイクロチャネル冷却デバイス20と同様である。図6Dに示すようにデバイス本体22の中央に一本の冷却水供給流路26が形成され、冷却水供給流路26の両側に冷却水排出流路28が形成される。冷却水流路24の各々は、冷却水供給流路26から反対方向に分かれ、冷却水排出流路28まで延在する。冷却水は、冷却水供給流路26の左右両側から供給され、冷却水流路24の各々を層流で流れて両側の冷却水排出流路28に入り、両側の冷却水排出流路28から排出される。以上のような冷却水の流れであると、デバイス本体22における温度分布は、中央の冷却水供給流路26の部分が低温となり、両側の冷却水排出流路28の部分が高温となる。したがって、この温度分布に適合するように、熱電素子10も2つに分割される。あるいは、2つの熱電素子10が形成される。本実施形態のように、冷却水流路が分岐している場合でも、冷却水の供給側が低温となり、排出側が高温となるので、その温度差を印加できるように、熱電素子10を適宜配置すればよい。次に、第6実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスについて説明する。図7は第6実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイス70を示す図である。図7Aはマイクロチャネル冷却デバイス70の平面図であり、図7Bは図7AのB-B線に沿った断面図であり、図7Cは図7AのC-C線に沿った断面図であり、図7Dは図7CのD-D線に沿った断面図である。図7において、図2に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。本実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスは、上述の第1乃至第5実施形態によるマイクロチャネル冷却デバイスのように熱源である電子部品5から独立したデバイスではなく、電子部品5の内部に組み込まれたデバイスとして形成される。電子部品5は、例えばLSI等の半導体集積回路装置であり、シリコン等の半導体材料の基板上に半導体集積回路が形成されているものとする。この半導体材料の基板を利用してその中に冷却水流路を形成し、且つ熱電素子も形成してしまう。半導体集積回路装置は、一般的にシリコン等の半導体材料の基板5aの片面回路形成面5bに集積回路が形成され、反対面背面5cは基板5aが露出した面である。上述のマイクロチャネル冷却デバイス20~60は、この背面5cに熱的に接続されて、電子部品から熱が伝達される。本実施形態では、この背面5cに熱電素子10を直接形成してしまう。例えば、図2に示すマイクロチャネル冷却デバイス20のデバイス本体22を、電子部品5の基板5aとして、基板5aの内部に冷却水流路24を形成し、背面5cに熱電素子10を形成する。本実施形態によれば、熱源である電子部品5の本体に冷却デバイスを作り込んでしまうので、電子部品5を直接冷却することができ、冷却効率を高めることができる。また、熱電素子10も電子部品5の本体に組み込んでしまうため熱電素子10への伝熱ロスが少なく、熱電素子10を有効に発電に利用することができる。また、電子部品5とマイクロチャネル冷却デバイスとを組み合わせた全体の厚みを小さくすることができる。次に、マイクロチャネル冷却デバイスの製造方法について、図4に示すマイクロチャネル冷却デバイス40を例にとって説明する。図8はマイクロチャネル冷却デバイス40の製造工程を示す図である。マイクロチャネル冷却デバイス40は、熱電素子形成部22aと流路形成部22bとを接合して形成する。まず、例えば厚さ200μmの単結晶シリコン基板上にレジストパターンを形成する図8a、レジストパターンをマスクとしてディープRIE反応性イオンエッチングを施してシリコン基板に溝又は凹部を形成し、レジストパターンを除去する図8b。次に、シリコン基板の上面に溝を形成した面に厚さ0.1μm程度の酸化膜SiO2膜を形成する。続いて、第2の熱電材14が形成される部分の溝又は凹部のみが露出するようなメタルマスクをシリコン基板に貼り付ける。そして、p型熱電変換材料となるパウダーを一定比率でブレンドして、キャリアガスで吹きつけるエアロゾル成膜法により、開口している溝又は凹部にp型熱電材料を埋め込む図8c。エアロゾル成膜法以外にも、例えば水や有機成分からなるバインダー液によりパウダーを繋ぎ、ホットプレス法やナノプリント法により溝又は凹部に埋め込むこともできる。溝又は凹部に埋め込まれたp型熱電材料を個化させてから、メタルマスクを除去する。個化したp型熱電材料は第2の熱電材14を形成する。続いて、第1の熱電材12が形成される部分の溝又は凹部のみが露出するようなメタルマスクをシリコン基板に貼り付ける。そして、n型熱電変換材料となるパウダーを一定比率でブレンドして、エアロゾル成膜法により、開口している溝又は凹部にn型熱電材料を埋め込む図8d。エアロゾル成膜法以外にも、例えば水や有機成分からなるバインダー液によりパウダーを繋ぎ、ホットプレス法やナノプリント法により溝又は凹部に埋め込むこともできる。溝又は凹部に埋め込まれたn型熱電材料を個化させてから、メタルマスクを除去する。個化したn型熱電材料は第1の熱電材12を形成する。以上の工程で、熱電素子形成部22aの準備が終了する。一方、熱電素子形成部22aの準備とは別に、流路形成部22bを準備する。まず、例えば厚さ525μmの単結晶シリコン基板上にレジストパターンを形成する図8e。続いて、レジストパターンをマスクとしてディープRIE反応性イオンエッチングを施してシリコン基板に溝又は凹部を形成し、レジストパターンを除去する図8f。この溝又は凹部が冷却水流路24に相当する。以上で流路形成部22bの準備が完了する。熱電素子形成部22aの準備と流路形成部22bの準備は別工程で行われるので、特に両者を同時に準備する必要はない。熱電素子形成部22aの準備と流路形成部22bの準備が完了したら、流路形成部22bの冷却水流路24が形成された面の上に熱電素子形成部22aを載せ、100°Cの接合アニールを行うことで強固に接合する図8g。熱電素子形成部22aと流路形成部22bが接合されることで、内部に冷却水流路24が形成されたデバイス本体22が形成される。続いて、熱電素子形成部22aの上に50nmのチタンTi膜及び500nmの金Au膜等を含むメタル膜を形成し、その上にレジストパターンを形成する図8h。このレジストパターンは電極16に相当する部分を覆うようなパターンである。そして、レジストパターンをマスクとしてエッチングを施すことで、電極16に相当する部分のみを残してメタル膜を除去する。最後にレジストパターンを除去してマイクロチャネル冷却デバイス40が完成する図8i。マイクロチャネル冷却デバイス20,30,60,70も、上述のマイクロチャネル冷却デバイス40の製造方法と同様な製造方法により製造することができる。上述の第1乃至第6実施形態は単独で機能するだけでなく、それらの特徴を適宜組み合わせて用いてもよい。例えば、図5に示す第4実施形態の熱電材を冷却水流路の間に配置する構成を、図6に示す2分割した冷却水流路に適用することもできる。また、上述のマイクロチャネル冷却デバイスは、ゼーベック効果を用いる熱電素子10により熱を電気に変換して取り出しているが、これとは逆に熱電素子10に反対に電流を流すことで、熱電素子10はペルチェ素子として機能する。したがって、熱電素子10に適当な電流を供給してペルチェ効果を利用することで、冷却水流路の温度分布を制御することも可能である。次に、マイクロチャネル冷却デバイスの使用形態について説明する。図9はパーソナルコンピュータPCのCPUに上述のマイクロチャネル冷却デバイス40を用いた例を示す図である。動作時に発熱するCPU110は、PC100のメイン回路基板120上に搭載されている。CPU110の背面にマイクロチャネル冷却デバイス40が接合され、熱的に接続される。PC100には、マイクロチャネル冷却デバイス40に冷却水を供給する冷却水回路が設けられている。冷却水回路は、マイクロチャネル冷却デバイス40から排出された暖められた冷却水を冷却するための熱交換器ラジエータ130を有する。熱交換機130は空冷式熱交換器であり、熱交換機130の近傍に電動ファン160が配置される。ポンプ150によりリザーブタンク140内の低温の冷却水が、マイクロチャネル冷却デバイス40の冷却水流路24に供給される。CPU110からの熱は冷却水流路24を流れる冷却水に吸収され、暖められた冷却水がマイクロチャネル冷却デバイス40から排出されて熱交換機130に供給される。したがって、CPU110はマイクロチャネル冷却デバイス40により冷却されて、適当な温度に維持される。暖められた冷却水は熱交換機130で冷却されて再び低温の冷却水となり、リザーブタンク140に戻される。以上の冷却工程において、マイクロチャネル冷却デバイス40には冷却水の流れる方向冷却水流路24の延在方向に温度差が生じ、この温度差がマイクロチャネル冷却デバイス40に組み込まれた熱電素子10に印加される。この温度差により熱電素子10は発電する。熱電素子10の低温側電極と高温側電極を上述のポンプ150に電気的に接続する電気回路170が設けられており、熱電素子10が発電した電力はポンプ150の駆動用又はポンプ150の駆動のアシスト用に使用される。以上のように、CPU110が放出する熱を熱電素子10により電気エネルギに変化し、この電力でポンプ150を駆動するので、CPU110の稼働率に応じてすなわち、CPU110の動作負荷に応じてポンプ150が駆動される。CPU110の稼働率が高くなって発熱量が増大すると、熱電素子10による発電量も増大し、ポンプ150により供給される冷却水水量を自動的に増大することができる。次に、マイクロチャネル冷却デバイスの他の使用形態について説明する。図10はラックサーバに代表される大規模な計算機システムにマイクロチャネル冷却デバイスを用いた例を示す図である。図10において点線で囲まれた部分はサーバルーム200であり、サーバルームには複数のサーバ210が配置されている。サーバはラック状の装置であり、各サーバ210には、複数の回路基板220が収容されている。各回路基板220上にはCPU230が搭載されており、CPU230を冷却するためにマイクロチャネル冷却デバイス240が設けられている。マイクロチャネル冷却デバイス240は、上述のマイクロチャネル冷却デバイス20~70のうちの1つとする。リザーブタンク図示せずに貯められた冷却水は、ポンプ250によりマイクロチャネル冷却デバイス240に供給される。マイクロチャネル冷却デバイス240の冷却水流路を流れた冷却水は、熱交換器260に供給され、冷却されてリザーブタンクに戻って循環する。熱交換器260は、サーバルーム200内で循環する冷媒との間で熱交換を行ない、マイクロチャネル冷却デバイス240に供給される冷却水を冷却する。すなわち、サーバルーム200内で循環する冷媒は、各サーバ210に供給され、サーバ210内で熱交換器260から熱を吸収してから、サーバルーム200に設置された第2の熱交換器300に供給される。ここで、熱交換器260は、マイクロチャネル冷却デバイス240と同じ構成とする。すなわち、マイクロチャネル冷却デバイス240を熱交換器260として使用する。熱交換器260の冷却水流路には暖かい冷却水が供給され、冷媒により冷却されて、低温の冷却水となって熱交換器260から排出される。このとき、冷却水流路の入口側は高温部となり、出口側が低温部となるため、温度差が生じる。この温度差により熱交換器260の熱電素子は発電することができる。第2の熱交換器300は、サーバ210内で熱交換器260から熱を吸収して温度が高くなった冷媒と、サーバルーム200の外部に設置された冷却機400から供給される低温の冷媒との間で熱交換を行ない、熱交換器260から排出された冷媒を冷却する。低温となった冷媒は、ポンプ310により送り出され、再び各サーバ210に供給される。以上のような冷却システムでは、CPU230で発生した熱を、マイクロチャネル冷却デバイス240及び第2の熱交換器300を介してサーバルーム200の外部冷却機400に移送することができ、サーバルーム200内の温度上昇を抑制することができる。また、マイクロチャネル冷却デバイス240の熱電素子10で発生する熱起電力、及び熱交換器260で発生する熱起電力は、CPU230の放熱量すなわち冷却状態を表していることとなる。したがって、マイクロチャネル冷却デバイス240で発電した電力、及び熱交換器260で発電した電力を利用して、ポンプ250及びポンプ310を駆動することとすれば、これらポンプに供給する電力を節約することができる。"