"絶縁性材料からなり、中央に位置する主部および周縁に位置する周縁部を有する支持基板と、前記主部の上面に位置する半導体層とを含み、前記周縁部は、上面が前記主部の上面よりも下側に位置して厚みが前記主部に比べて薄くなっている複合基板。前記周縁部の上面の算術平均粗さは、前記主部の上面の算術平均粗さに比べて大きい請求項1に記載の複合基板。前記周縁部は、前記主部の周囲の全体を囲むように位置している請求項1または2に記載の複合基板。前記主部の上面は、前記半導体層が位置している被覆領域と、前記半導体層から露出している露出領域とを有する請求項1乃至3のいずれかに記載の複合基板。前記露出領域の算術平均粗さは、前記周縁部の上面の算術平均粗さに比べて小さい請求項1乃至4のいずれかに記載の複合基板。前記支持基板はサファイアからなり、前記半導体層はシリコンからなる請求項1乃至5のいずれかに記載の複合基板。しかし、特許文献1に記載されたSOS構造の複合基板は、取扱いの際に破損しやすく、シリコン層に損傷が及び、生産性が低くなる恐れがあった。本発明は、上述の事情のもとで考え出されたものであって、生産性の高い複合基板を提供することを目的とする。本発明の複合基板は、絶縁性材料からなり、中央に位置する主部および周縁に位置する周縁部を有する支持基板と、前記主部の上面に位置する半導体層とを含み、前記周縁部は、上面が前記主部の上面よりも下側に位置して厚みが前記主部に比べて薄くなっている。本発明によれば、外部衝撃からの半導体層の損傷を抑制することのできる、生産性の高い複合基板を提供することができる。<複合基板の第1の実施形態>本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板1について図面を参照しつつ、説明する。図1に示した複合基板1は、支持基板10と、半導体層20とを含んで構成されている。支持基板10は、絶縁性材料からなり、半導体層20の支持部材となるものである。本実施形態では、酸化アルミニウム単結晶以下、サファイアとするによって形成されている。支持基板10は、中央に位置する主部11とその周縁に位置する周縁部12とを有する。そして、周縁部12は主部11の周囲を囲むように配置されている。ここで、中央とは、主部11と周縁部12との相対的な位置関係を示すものであり、支持基板1全体に対する絶対的な位置関係を示すものではない。すなわち、支持基板1の中心と主部11の中心は必ずしも一致する必要はない。周縁部12は、その上面12aが主部11の上面11aに比べて下側に位置している。この例では、主部11の下面11bと周縁部12の下面12bとは揃えて配置され、同一平面に位置している。また、周縁部12における支持基板10の厚みd2は、主部11における厚みd1に比べて薄くなっている。主部11における厚みd1は、上部に位置する半導体層20を支持できれば特に限定はされないが、例えば600μm~650μm程度とすればよい。周縁部12における厚みd2は、例えばd1-d2>10μm程度とすればよい。なお、支持基板10は欠けを防ぐために外周部が面取りされていることがある。その場合には、周縁部12の厚みd2としては、互いに平行な上面12aと下面12bとの間で測定するものとする。この支持基板10の主部11の上面11aには、半導体層20が支持されて、貼り合わされている。この例では、半導体層20は、主部11の上面11a全面を被覆するように配置されている。言い換えると、主部11の側面と半導体層20の側面とは揃えて配置され、段差のない同一平面に位置している。この半導体層20の厚みとしては、例えば50~300nmの範囲が挙げられる。半導体層20は、半導体素子として機能する素子機能部を一部に形成するものである。本例では、半導体層20としてシリコン単結晶を採用している。そして、支持基板10と半導体層20とを貼り合わせることで、支持基板10上に半導体層20を配置させる。支持基板10と半導体層20とを貼り合わせる方法としては、貼り合わせる面の表面を活性化して接合する方法、および静電気力を利用して接合する方法が挙げられる。表面を活性化する方法としては、例えば真空中でイオンビームを照射して表面をエッチングして活性化する方法などが挙げられる。この接合は常温で行うことが好ましい。この接合に際しては、樹脂系などの接着剤を使用しない方法が採用され、原子間力などを利用した固相接合SolidStateBondingによって接合される。ここで、支持基板10および半導体層20は、接合する面の面粗さが小さいことが好ましく、例えば平均面粗さRaが10nm未満の範囲が挙げられる。平均面粗さを小さくすることによって、互いに接合する際に加える圧力を小さくすることができる。特に、Raを1nm以下とすることによって、極めて小さい加圧で接合することができる。なお、この貼り合せ工程は、主部11と周縁部12とを有する支持基板10と半導体層20とを貼り合せてもよいし、支持基板10となる平板状の支持基体と半導体層20とを貼り合わせた後に、半導体層20と接合されている側の主面上面の周縁において厚みを薄くすることで、支持基体を主部11と周縁部12とを有する支持基板10に加工してもよい。このように、支持基板10と半導体層20とを貼り合わせることにより、支持基板10と半導体層20との間において不純物の介在を抑制することができ、高品質な複合基板1とすることができる。また、半導体層20に熱伝導率の高いサファイアからなる支持基板10が直接接合されていることにより、放熱性の高い複合基板1とすることができる。さらに、半導体層20として高い結晶性を有するシリコン単結晶を用いることができるので、支持基板10上に格子定数の異なる半導体層を成長させる場合に比べ、半導体層20Aの品質を高めることができる。支持基体に周縁部12を形成する方法としては、例えば、フォトマスクを利用して部分的に除去したり、マスクを利用して所望の部分をエッチングしたり、機械的に除去したりする方法が挙げられる。エッチングとしては、化学的な方法、およびイオンビームなどの物理的な方法が挙げられる。また、マスクとしては、例えばメタルマスクおよびフォトマスクなどがあり、エッチングの方法に応じて適宜選択される。このようにして、支持基板10の主部11の上面11a上に半導体層20が被覆する複合基板1を製造することができる。上述の複合基板1は、半導体素子として機能する素子機能部が形成される半導体層20が配置されている主部11に比べ、周縁部12の厚みを薄くしている。このような構成により、複合基板1に外部から衝撃が加えられたとしても、周縁部12が衝撃を緩和し、半導体層20へ衝撃による応力が加わることを抑制することができ、その結果、生産性の高いものとすることができる。言い換えると、半導体層20が配置されている主部11に比べ、敢えて強度の低い半導体層20が配置されていない周縁部12を設けることにより、例え外部からの衝撃により周縁部12が破損したとしても、半導体素子が形成される半導体層20を外部衝撃によるダメージから守ることができる。また、複合基板1は、周縁部12が主部11の周囲を全て囲うように配置されているので、支持基板10の厚み方向を除く全ての方向からの衝撃に対応できる。さらに、複合基板1は、主部11と周縁部12との下面11b,12bが段差なく同一面に配置されているので、通常のウエハと同等の取り扱いが可能となり、ハンドリングの容易なものとすることができる。なお、支持基板10の主部11の上面11aと半導体層20とが直接接合されている。この場合には、支持基板10と半導体層20の間に緩衝層が存在しないため、特に外部からの衝撃による応力から半導体層20だけでなく支持基板10をも保護する必要性が高まる。このような事情により、周縁部12が重要となる。また、本例において、支持基板10は親水性材料であるサファイアからなり、半導体層20は撥水性材料であるシリコンからなる。このような構成によれば、例えば純水や水溶液で半導体層20を洗浄したり、エッチング等の目的により水溶液を半導体層20に接触させたりする場合に、周縁部12において純水や水溶液を保持し半導体層20に接触させることができる。<複合基板の第1の実施形態の変形例>本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板1の変形例について説明する。図1に示す複合基板1において、周縁部12の上面12aの算術平均粗さを、主部11の上面11aの算術平均粗さに比べて大きくすることが好ましい。主部11の上面11aとは、半導体層20が被覆された領域をさすものとする。このような構成にすることにより、外部からの衝撃による応力を周縁部12の上面12aで緩和することができる。すなわち、周縁部12の上面12aを破壊起点とすることにより、半導体層20が被覆する主部11の上面11aに外部からの衝撃による応力が集中することを抑制することができ、半導体層20を外部衝撃から保護することができる。主部11の上面11aは、支持基板10と半導体層20とを接合する観点からもその算術平均粗さは小さいことが好ましく、前述の通り、例えば、算術平均粗さを10nm未満とすることが好ましい。これに対して、周縁部12の上面12aは、その算術平均粗さを主部11の上面11aに比べ大きくすればよい。具体的には、例えば、主部11の上面11aの算術平均粗さを1nmとしたときに、周縁部12の上面12aの算術平均粗さを5nm以上とすればよい。このような構成とすることにより、複合基板1に周囲から衝撃が加わったときに主部11の上面11aに比べ周縁部12の上面12aに破壊起点を集めることができる。周縁部12の上面12aを破壊起点とすることにより、破壊を周縁部12の下面12b側に進行させるよう制御することができ、周縁部12より平面視で内側にあり、かつ、周縁部12の上面12aよりも上側に位置する半導体層20へのダメージを抑制することができる。このように主部11と周縁部12とで上面11a,12aの算術平均粗さを変えるためには、例えば、周縁部12の上面12aにおいてスパッタリングを行なったり、ブラスト加工のように機械的な加工を加えたりすればよい。支持基体を加工して周縁部12を形成する際にエッチング等の条件を適宜調整して、周縁部12の形成と同時にその表面12aを荒らすように加工してもよい。<複合基板の第2の実施形態>本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板1Aについて、図2を用いて説明する。複合基板1Aは、主部11Aおよび周縁部12Aを有する支持基板10Aと半導体層20Aとを備える。支持基板10Aの主部11Aの上面11Aaは、半導体層20Aが位置している被覆領域11xと、半導体層20Aから露出する露出領域11yとを有する。すなわち、厚み方向における断面視において、主部11Aの側面と半導体層20Aの側面とをずらして配置している。なお、この例では、周縁部12Aは、平面視で主部11Aの周囲を囲むように配置されており、主部11Aの露出領域11yは被覆領域11xの周囲を囲むように配置されている。このように、平面視で被覆領域11xの周囲に露出領域11yを配置することにより、主部11Aの側面と半導体層20Aの側面とをずらして配置できるので、外部からの応力による、主部11Aの被覆領域11xと半導体層20Aとの剥離を抑制することができる。このような露出領域11yは、例えば、支持基板10A上に半導体層20Aを配置した後に、半導体層20Aの外周部を除去して形成してもよいし、予め主部11Aに比べ小さい半導体層20Aを用意して主部11A上の中央付近に配置することで形成してもよい。なお、複合基板11Aを形成する様々な工程で半導体層20Aの周縁領域外周部はダメージを受ける恐れがある。そこで、半導体層20Aの外周部を除去することで露出領域11xを形成すれば、ダメージを受けた恐れのある領域を除去することができるので、半導体層20Aの品質を高めることとなる。<複合基板の第2の実施形態の変形例>次に、本発明の第2の実施形態に係る複合基板1Aの変形例について説明する。図2に示す複合基板1Aにおいて、周縁部12Aの上面12Aaの算術平均粗さを、主部11Aの露出領域11yの算術平均粗さに比べて大きくすることが好ましい。このような構成とすることで、外部からの衝撃による応力を周縁部12Aの上面12Aaで緩和することができる。すなわち、周縁部12Aの上面12Aaを破壊起点とすることにより、半導体層20Aが被覆する主部11Aの被覆領域11xに外部からの衝撃による応力が集中することを抑制することができ、半導体層20Aを外部衝撃から保護することができる。なお、このように主部11Aの露出領域11yと周縁部12Aの上面12Aaとの算術平均粗さを変えるためには、例えば、周縁部12Aの上面12Aaにおいてスパッタリングを行なったり、ブラスト加工のような機械的な加工を加えたりすればよい。その際に、露出領域11yにマスク等を配置して保護してもよい。また、支持基体を加工して周縁部12Aを形成する場合には、エッチング等の条件を適宜調整して、周縁部12の形成と同時にその表面12aを荒らすように加工してもよい。<複合基板の第3の実施形態>本発明の複合基板の実施形態の一例である複合基板1Bについて、図3を用いて説明する。複合基板1Bは、主部11Bおよび周縁部12Bを有する支持基板10Bと半導体層20Bとを備える。支持基板10Bの主部11Bの上面11Baは、半導体層20Bが位置している被覆領域11Bxと、半導体層20Bから露出する露出領域11Byとを有する。そして、半導体層20Bの側面は傾斜面となっている。このような構成とすることにより、半導体層20Bの上面周縁部は他の物体と接触しにくくなるとともに、接触した場合であっても鈍角となっているため、欠けが生じにくい構成とすることができる。この例では、半導体層20Bの側面と主部11Bの上面11Baとが成す角度は鋭角となっている。このような構成により、複合基板1Bを用いて半導体素子を製造する際に、半導体層20B上にレジスト等を形成する工程において、レジスト膜の厚みが周縁端部において厚くなることを抑制し、均一とすることができる。これにより正確な加工を容易に行なうことのできる、生産性に優れた複合基板1Bを提供することができる。なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、図1~3に示す複合基板1,1A,1Bは、主部11,11A,11Bと周縁部12,12A,12Bの下面が揃っており、段差のない状態となっているが、下面が揃っていなくてもよい。すなわち、主部11,11A,11Bの厚み方向における中心と、周縁部12,12A,12Bの厚み方向における中心とを揃えるように配置されていてもよい。また、図1~3に示す複合基板1,1A,1Bは、周縁部12,12A,12Bは主部11,11A,11Bを囲うように配置されているが、図4に示す複合基板11Cのように、主部11Cの周縁領域の一部分に配置されていてもよい。同様に、露出領域11yは被覆領域11xを囲うように配置されているが、被覆領域11xの周縁領域の一部分に配置されていてもよい。なお、上述の例では、支持基板10,10A,10Bに直接半導体層20,20A,20Bを貼り合わせた例について説明したが、酸化物層等を介して接合してもよいし、支持基板10,10A,10B上に半導体層20,20A,20Bをエピタキシャル成長させてもよい。また、支持基板10,10A,10Bに直接半導体基板を貼り合わせ、半導体基板を所望の厚さになるように薄く加工することで半導体層20,20A,20Bとしてもよい。薄く加工する方法としては、砥粒研磨、化学エッチング、イオンビームエッチングなど種々のものが採用でき、複数の方法を組み合わせてもよい。この薄く加工するのと併せて、精密エッチングによって、半導体基板の表面を平らにする加工を採用してもよい。この精密エッチングに用いるエッチング手段としては、例えばドライエッチングが挙げられる。このドライエッチングには、化学的な反応によるものと、物理的な衝突によるものとが含まれる。化学的な反応を利用するものとしては、反応性の気体ガス、イオンおよびイオンビーム、ならびにラジカルを利用するものなどが挙げられる。この反応性イオンに使われるエッチングガスとしては、六フッ化硫黄SF6、四フッ化炭素CF4などが挙げられる。また、物理的な衝突によるものとしては、イオンビームを利用するものが挙げられる。このイオンビームを利用するものには、ガスクラスタイオンビームGasClusterIonBeam;GCIBを用いた方法が含まれている。これらのエッチング手段を用いて狭い領域をエッチングしながら、可動ステージで半導体基板を走査することで、大面積の素材基板であっても良好に精密エッチングをすることができる。さらにウェットエッチングや機械的研磨,メカノケミカル研磨を行なってもよい。"