炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記炭化珪素基板に形成されたソース領域を備えたMOSFETを含む炭化珪素半導体装置において、前記MOSFETのチャネル領域若しくは前記炭化珪素基板と前記ゲート絶縁膜との界面に導入された窒素と、前記ゲート絶縁膜内に前記ゲート絶縁膜の膜厚の10以下の膜厚の金属酸化膜を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜の膜厚の5以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜は、前記炭化珪素基板の表面と3nm以上離れていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項2記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜は、前記炭化珪素基板の表面と3nm以上離れていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、前記ゲート絶縁膜の膜厚は30nm以上100nm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項2記載の炭化珪素半導体装置において、前記ゲート絶縁膜の膜厚は30nm以上100nm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜の上下に窒化珪素膜が形成され、前記窒化珪素膜の夫々は前記金属酸化膜に接していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項2記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜の上下に窒化珪素膜が形成され、前記窒化珪素膜の夫々は前記金属酸化膜に接していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜は、アルミ酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項2記載の炭化珪素半導体装置において、前記金属酸化膜は、アルミ酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置。しかしながら、上記方法で移動度を向上させた場合には以下に説明する技術課題が存在する。本発明者らが検討したところ、熱酸化後にN2Oを用いて熱処理を行う、または上記窒化処理により酸化膜を形成する、または直接SiC基板をN2OもしくはNOを用いて熱処理を行った後に酸化膜を堆積法により形成する、またはSiC基板へ窒素インプラを行ったのちにゲート絶縁膜を形成した場合にはMOSFETの閾値電圧が負の方向にシフトすることが明らかになった。閾値電圧が負の方向にシフトするとノーマリオンとなってしまうため、フェイルセーフの観点から望ましくない。また、本発明者らが検討したところ、ゲート絶縁膜へ高誘電体膜を用いる際にはゲート絶縁膜全体の膜厚に占める高誘電体膜の膜厚の割合が10を超えると信頼性絶縁破壊特性、電気ストレス印加による閾値電圧の安定性が悪化するという問題があることが明らかになった。ゲート絶縁膜全体の膜厚に占める高誘電体膜の膜厚の割合が特許文献3では90以上、特許文献4では34以上となり、いずれも信頼性の観点から問題となる。上記課題を解決するため代表的な本発明は以下のとおりである。即ち、炭化珪素基板と、炭化珪素基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、炭化珪素基板に形成されたソース領域を備えたMOSFETを含む炭化珪素半導体装置において、MOSFETのチャネル領域若しくは前記炭化珪素基板とゲート絶縁膜との界面に導入された窒素と、ゲート絶縁膜内にゲート絶縁膜の膜厚の10以下の膜厚の金属酸化膜を有する炭化珪素半導体装置である。本発明を用いて得られる代表的な効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。ゲート絶縁膜中に負の固定電荷を有する金属酸化膜を有することによりMOSFETの閾値電圧を正の方向にシフトさせることができる。すなわち、SiC基板のチャネル領域若しくはSiC基板界面に窒素を導入し移動度を向上させる手段と組み合わせれば、高い移動度とノーマリオフの両立を実現することが可能となる。また、上記手段に加え、ゲート絶縁膜の膜厚の10以下の膜厚の金属酸化膜とすることで、高い移動度とノーマリオフを両立し、更に高い信頼性の炭化珪素半導体装置を提供することができる。本発明の実施例1による炭化珪素半導体装置の断面図を図1により説明する。図において、符号1はドレイン領域となるn基板、2はn-ドリフト層、3はpベース領域、4はpコンタクト領域、5はnソース領域、6はゲート絶縁膜、7はゲート電極、8はソース/ゲート間を電気的に絶縁するための層間絶縁膜、9はソース電極、10はドレイン電極である。本明細書では符号1及び2を合わせてSiC基板と称することもあり、n-ドリフト層2の表面チャネル領域若しくはゲート絶縁膜とSiC基板界面には窒素が導入されている。ゲート絶縁膜6はSiC基板側から第1のゲート絶縁膜6a、金属酸化膜6b、第2のゲート絶縁膜6cを順次形成した積層膜により構成されており、第1のゲート絶縁膜6a、第2のゲート絶縁膜6cは例えば酸化シリコン膜からなり、金属酸化膜6bは例えばアルミ酸化物などの金属酸化膜からなる。第1のゲート絶縁膜6aの膜厚は3nm以上であり、金属酸化膜6bはSiC基板の表面と3nm以上離れている。ゲート絶縁膜6の全体膜厚は30nm以上100nm以下である。金属酸化膜6bのゲート絶縁膜6全体に占める膜厚割合は10以下である。このMOSFETの動作としては、ドレイン電極10とソース電極9との間に電圧が印加された状態で、ゲート電極7に正の電圧が印加されると、pベース領域3の表層に電子の反転層が形成される。その結果、ドレイン電極10からドレイン領域1、ドリフト層2、ソース領域5を経て、ソース電極10に電流が流れる。次に本発明の実施例1による炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。SiC基板1上に、n-ドリフト層2が積層された基体を準備する。そして、前記SiC基板1上の形成されたn-ドリフト層2に、イオン注入用マスク材によりパターニングし、p型ベース領域3を形成するためにAlをイオン注入する。このときのイオン注入条件は、ドーズ量を3×1013cm-2としている。これにより、p型ベース領域3は、ドーピング濃度が1×1017cm-3~1×1018cm-3程度、厚さが0.5~3.0μm程度で形成される。前記p型ベース領域3を形成後、n-ドリフト層2及びp型ベース領域3の表面上にイオン注入用マスク材をパターニングし、pコンタクト領域4を形成するために、Alをイオン注入する。pコンタクト領域4を形成後、n-ドリフト層2、p型ベース領域3及びpコンタクト領域4の表面上にイオン注入用マスク材をパターニングし、nソース領域5を形成するために窒素をイオン注入する。nソース領域5を形成後、イオン注入用マスク剤をパターニングし、n-ドリフト層2チャネル領域のみに窒素をイオン注入する。これにより、チャネル領域に窒素が導入される。イオン注入用マスク材を除去後、注入されたAl及び窒素を活性化するために1700度で熱処理する。次に、1000~1300度程度のプロセス温度範囲内において熱酸化により第1ゲート絶縁膜6aを形成する。第1ゲート絶縁膜6aは例えばNOガスもしくはN2Oガスを用いて形成する。これにより、SiC基板とゲート絶縁膜との界面に窒素が導入される。また、第1ゲート絶縁膜6aの膜厚は3nm以上である。次に金属酸化膜6b、第2ゲート絶縁膜を順次形成する。ここで金属酸化膜6bの膜厚はゲート絶縁膜6全体の膜厚の10以下である。またゲート絶縁膜6全体の膜厚は30nm以上100nm以下である。金属酸化膜は例えばアルミ酸化物である。次に、多結晶シリコンによりゲート電極7を形成する。この後、ゲート電極7表面に絶縁分離用の層間絶縁膜8を形成する。そして、層間絶縁膜8にエッチングマスク材をパターニングし、層間絶縁膜8、ゲート絶縁膜6をドライエッチにより加工し、pコンタクト領域4及びnソース領域5が表出するコンタクト窓を形成する。最後にマスク材を除去後、n基板1の表面にドレイン電極10を形成する。この後、pコンタクト領域4及びnソース領域5が表出する所定のコンタクト窓にソース電極9を形成することにより、図1に示したMOSFETが完成する。なお、本製造工程においては、チャネルに窒素を導入する工程とSiC基板とゲート絶縁膜との界面に窒素を導入する工程の両方を説明したが、一方の工程を実施せず、他方の工程を実施して窒素を導入する製造工程も本実施例に含まれる。次に本発明の実施例1による炭化珪素半導体装置の第1ゲート絶縁膜膜厚の膜厚とMOSFETの移動度との関係を図3に示す。第1ゲート絶縁膜膜厚を5nmとした際の移動度を100と定義した。3nm以上で移動度が飽和する傾向を示すことから第1ゲート絶縁膜膜厚は3nm以上であることがより望ましい。次に本発明の実施例1による炭化珪素半導体装置のアルミ酸化物膜厚6bのゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する割合を様々に変化させて閾値電圧のシフト量を評価した。図4にその結果を示す。縦軸は閾値電圧の正側へのシフト量、横軸はアルミ酸化物膜厚6bのゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する割合である。この結果よりアルミ酸化物を挿入することにより閾値電圧を正側へシフトさせることが可能となり、そのシフト量はアルミ酸化物膜厚6bのゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する割合が10あたりで飽和傾向を示している。また、0.5以上という極わずかな割合でも閾値電圧シフトの効果が得られることが分かる。次に本発明の実施例1による炭化珪素半導体装置の金属酸化膜のゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する金属酸化膜6bの割合を様々に変化させて電気特性を評価したところ、10を超える割合になるとゲート絶縁膜へストレス電圧を印加した際にトランジスタの閾値電圧が大きく変化することが明らかになった。これは、10を超えるとトランジスタの信頼性が大きく低下することを示している。すなわち、金属酸化膜6bの膜厚の割合は信頼性の観点から10以下が望ましいことが分かる。また、5以下であればストレス電圧の変化量を少なく抑制することが出来ることが分かる。以上の結果より金属酸化膜のゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する金属酸化膜6bの割合は10以下であることが望ましく、5以下であればなお望ましい。本実施例においては金属酸化膜としてアルミ酸化物を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなくチタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物のいずれかであってもよい。本発明の実施例2による炭化珪素半導体装置の断面図を図6により説明する。図において、符号1はドレイン領域となるn基板、2はn-ドリフト層、3はpベース領域、4はpコンタクト領域、5はnソース領域、6はゲート絶縁膜、7はゲート電極、8はソース/ゲート間を電気的に絶縁するための層間絶縁膜、9はソース電極、10はドレイン電極である。本明細書では符号1及び2を合わせてSiC基板と称することもあり、n-ドリフト層2の表面チャネル領域若しくはゲート絶縁膜とSiC基板界面には窒素が導入されている。ゲート絶縁膜6はSiC基板側から第1のゲート絶縁膜6a、窒化珪素膜SiN膜6d、金属酸化膜6b、窒化珪素膜SiN膜6e、第2のゲート絶縁膜6cを順次形成した積層膜により構成されており、第1のゲート絶縁膜6a、第2のゲート絶縁膜6cは例えば酸化シリコン膜からなり、金属酸化膜6bは例えばアルミ酸化物などの金属酸化膜からなる。金属酸化膜6bは上下に窒化珪素膜6d、6eが形成され、夫々の膜は金属酸化膜に接している。第1のゲート絶縁膜6aの膜厚は3nm以上であり、金属酸化膜6bはSiC基板の表面と3nm以上離れている。ゲート絶縁膜6の全体膜厚は30nm以上100nm以下である。金属酸化膜6bのゲート絶縁膜6全体に占める膜厚割合は10以下である。このMOSFETの動作としては、ドレイン電極10とソース電極9との間に電圧が印加された状態で、ゲート電極7に正の電圧が印加されると、pベース領域3の表層に電子の反転層が形成される。その結果、ドレイン電極10からドレイン領域1、ドリフト層2、ソース領域5を経て、ソース電極10に電流が流れる。次に本発明の実施例2による炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。SiC基板1上に、n-ドリフト層2が積層された基体を準備する。そして、前記SiC基板1上の形成されたn-ドリフト層2に、イオン注入用マスク材によりパターニングし、p型ベース領域3を形成するためにAlをイオン注入する。このときのイオン注入条件は、ドーズ量を3×1013cm-2としている。これにより、p型ベース領域3は、ドーピング濃度が1×1017cm-3~1×1018cm-3程度、厚さが0.5~3.0μm程度で形成される。前記p型ベース領域3を形成後、n-ドリフト層2及びp型ベース領域3の表面上にイオン注入用マスク材をパターニングし、pコンタクト領域4を形成するために、Alをイオン注入する。pコンタクト領域4を形成後、n-ドリフト層2、p型ベース領域3及びpコンタクト領域4の表面上にイオン注入用マスク材をパターニングし、nソース領域5を形成するために窒素をイオン注入する。nソース領域5を形成後、イオン注入用マスク剤をパターニングし、n-ドリフト層2チャネル領域のみに窒素をイオン注入する。これによりチャネル領域に窒素が導入される。イオン注入用マスク材を除去後、注入されたAl及び窒素を活性化するために1700度で熱処理する。次に、1000~1300度程度のプロセス温度範囲内において熱酸化により第1ゲート絶縁膜6aを形成する。第1ゲート絶縁膜6aは例えばNOガスもしくはN2Oガスを用いて形成する。これにより、SiC基板とゲート絶縁膜との界面に窒素が導入される。また、第1ゲート絶縁膜6aの膜厚は3nm以上である。次に窒化珪素膜SiN膜6d、金属酸化膜6b、窒化珪素膜6e、第2ゲート絶縁膜6cを順次形成する。ここで金属酸化膜6bの膜厚はゲート絶縁膜6全体の膜厚の10以下である。またゲート絶縁膜6全体の膜厚は30nm以上100nm以下である。金属酸化膜は例えばアルミ酸化物である。次に、多結晶シリコンによりゲート電極7を形成する。この後、ゲート電極7表面に絶縁分離用の層間絶縁膜8を形成する。そして、層間絶縁膜8にエッチングマスク材をパターニングし、層間絶縁膜8、ゲート絶縁膜6をドライエッチにより加工し、pコンタクト領域4及びnソース領域5が表出するコンタクト窓を形成する。最後にマスク材を除去後、n基板1の表面にドレイン電極10を形成する。この後、pコンタクト領域4及びnソース領域5が表出する所定のコンタクト窓にソース電極9を形成することにより、図6に示したMOSFETが完成する。なお、本製造工程においては、チャネルに窒素を導入する工程とSiC基板とゲート絶縁膜との界面に窒素を導入する工程の両方を説明したが、一方の工程を実施せず、他方の工程を実施して窒素を導入する製造工程も本実施例に含まれる。実施例2の炭化珪素半導体装置においては、実施例1と同等の評価結果が得られ、金属酸化膜のゲート絶縁膜6全体の膜厚に対する金属酸化膜6bの割合は10以下であることが望ましく、5以下であればなお望ましい。それに加え、実施例1の窒化珪素膜を設けない構造に比べ、信頼性が向上することが確認できた。具体的にはTDDBTime-DependentDielectricBreakdown寿命、Vthの安定性などが向上した。これは、金属酸化膜中の金属原子のゲート絶縁膜中への拡散をこの窒化珪素膜により抑制することができたためと考えられる。本実施例においては金属酸化膜としてアルミ酸化物を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなくチタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物のいずれかであってもよい。