チャンバーと、該チャンバー内に配設されたサセプタと、該サセプタのウェーハ載置面に設けられた貫通孔から挿入され、上下動することでシリコン単結晶基板の載置及び離間を行うリフトピンとを備えた気相成長装置を用いて、前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記サセプタとして、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタを前記チャンバー内に配設し、前記黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、前記ウェーハ載置面上に前記リフトピンにより前記シリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、前記エピタキシャル成長において前記シリコン単結晶基板の裏面の前記リフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記エピタキシャル成長を、トリクロロシランを前記シリコン単結晶基板上に供給しながら行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。上記したような枚葉式気相成長装置でのエピタキシャル成長について、本発明者が検討した結果、以下の課題があることが判明した。1エピタキシャル成長後のウェーハの裏面を観察すると、全体または局所的にクモリエッチング斑、裏面クモリともいうが観察される。2上記したように、シリコン単結晶基板をサセプタ上に搬送載置する際に必要となるウェーハリフトピンの挿入のための貫通孔が設けられているが、貫通孔内のウェーハリフトピン先端部と対向するシリコン単結晶基板の裏面には、ピンハローと呼ばれるドーナツ状のクモリが発生する。このような裏面クモリやピンハローが目視でも確認できるようになると、外観不良となり製品ウェーハとしては好ましくない。更に、近年、デバイス工程ではデザインルールの微細化に伴い、エピタキシャルウェーハに対し、より高度な平坦度が要求されている。そのため、これまでデバイス特性に影響を及ぼさなかった裏面クモリやピンハローによる面荒れ凹凸が問題視されてきている。従って、高品質なエピタキシャルウェーハを得るためには、裏面クモリおよびピンハローを抑制することが求められる。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、チャンバーと、該チャンバー内に配設されたサセプタと、該サセプタのウェーハ載置面に設けられた貫通孔から挿入され、上下動することでシリコン単結晶基板の載置及び離間を行うリフトピンとを備えた気相成長装置を用いて、前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記サセプタとして、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタを前記チャンバー内に配設し、前記黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、前記ウェーハ載置面上に前記リフトピンにより前記シリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、前記エピタキシャル成長において前記シリコン単結晶基板の裏面の前記リフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このように、リフトピンを用いた気相成長装置によりエピタキシャル成長を行う際にも、サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンをコートしないでエピタキシャル成長させることで、シリコン単結晶基板の裏面での局所的なエッチングやシリコンの異常成長を抑制することができ、面荒れを防止できる。この際、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタを用いることで、サセプタからのシリコン単結晶基板への不純物汚染も効果的に抑制できる。このため、裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。このとき、前記エピタキシャル成長を、トリクロロシランを前記シリコン単結晶基板上に供給しながら行うことが好ましい。このようなシリコン原料ガスを用いることで、汎用性のあるプロセスで本発明の効果を得ることができる。以上のように、本発明によれば、裏面クモリ及びピンハローを抑制しながらエピタキシャル成長させることができ、高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。本発明者は、エピタキシャル成長の際にウェーハ裏面のクモリ及びピンハローが生じるという課題を見出し、この課題を解決するために鋭意検討を重ねた。検討の結果、裏面クモリ及びピンハローは、エピタキシャル成長中にキャリアガスがサセプタとウェーハとの隙間から侵入して自然酸化膜をエッチングした際の境界でみられるエッチング反応斑や、成膜ガス原料の侵入による異常成膜によって他領域と比較し粗さが不均一になったことに起因することを見出した。そして、この反応は、通常行われるポリシリコンによるコートが施されたサセプタの温度が大きく関係していることを見出した。以上のような知見を基に、本発明者は以下のような本発明を完成させた。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は、本発明の製造方法に用いることができる枚葉式の気相成長装置を示す概略図である。図1に示す気相成長装置10のチャンバー反応容器12は、チャンバーベース11と、チャンバーベース11を上下から挟む透明石英部材13、14とから形成される。このチャンバー12内には、シリコン単結晶基板Wを上面のウェーハ載置面座ぐり部19で支持するサセプタ17が配設されている。このサセプタ17には、例えば3つ以上の貫通孔16が設けられ、この貫通孔16に挿入されて上下動することでシリコン単結晶基板Wの載置、離間を行うリフトピン15が配置されている。このサセプタ17はウェーハ回転機構18に接続されており、エピタキシャル成長中はサセプタ17を回転させることで、載置されたシリコン単結晶基板Wを回転させ、シリコンエピタキシャル層をシリコン単結晶基板W上に膜厚均一に成長させる。チャンバー12には、チャンバー12内に原料ガス及びキャリアガス例えば、水素を含む気相成長ガスを導入して、サセプタ17上に載置されたシリコン単結晶基板Wの表面上に原料ガスとキャリアガスを供給するガス導入管20が接続されている。また、チャンバー12のガス導入管20が接続された側の反対側には、チャンバー12内からガスを排出するガス排出管21が接続されている。本発明では、上記した気相成長装置10を用いる際に、サセプタ17としてSiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタを準備し、これをチャンバー12内に配設する。本発明において、サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンを気相成長によりコートしなくても、SiCにより表面をコートされた黒鉛製サセプタを用いることで、不純物汚染を効果的に抑制することができ、汚染の少ないシリコンエピタキシャルウェーハを製造できる。そして、本発明では、通常行われるサセプタのウェーハ載置面上へのポリシリコンの気相成長によるコートを行わずに、投入温度例えば650°Cに調整したチャンバー内で、シリコン単結晶基板を上記黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上へ載置する。この際、例えば、搬送装置でシリコン単結晶基板をチャンバー内に移送して、リフトピンを上昇させてサセプタのウェーハ載置面より上方に突き出させることでシリコン単結晶基板を支持し、その後リフトピンを下降させることでシリコン単結晶基板をウェーハ載置面上に載置する。次に、水素熱処理温度例えば1050~1200°Cまで加熱し、その後シリコン単結晶基板を所望の成長温度例えば950~1180°Cにして、シリコン単結晶基板の表面上に、ガス導入管を介して原料ガス例えばトリクロロシラン:SiHCl3及びキャリアガス例えば水素をそれぞれ略水平に供給することによって、シリコン単結晶基板の表面上にシリコンエピタキシャル層をエピタキシャル成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。エピタキシャル成長後には、上記と逆に、リフトピンを上昇させてシリコン単結晶基板を支持してウェーハ載置面から離間させ、ロボットアームにより搬送装置に移して炉外へ移送する。このとき原料ガスは、特に限定されないが、トリクロロシランにすることで、汎用性のあるプロセスで本発明を実施できる。従来のようにサセプタの表面にポリシリコンの気相成長によるコートを実施すると、エピタキシャル成長の際に、サセプタの特にリフトピンを挿入する貫通孔近傍での温度が不均一な状態になる。このため、シリコンエピタキシャル層を成長させると、不均一な温度分布により、ウェーハ裏面のサセプタの貫通孔に対応する位置リフトピンの先端部に対向する領域で、エッチング斑や異常成長が発生して、裏面クモリ及びピンハローが顕在化する。しかし、本発明のように、サセプタの表面にポリシリコンの気相成長によるコートを実施しないことで、サセプタの表面の温度は均一となり、シリコンエピタキシャル層を成長させる際にシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止でき、裏面クモリ及びピンハローの発生を抑制することができる。以上のような本発明であれば、裏面の形状が平坦な、高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造できる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例、比較例P型の直径300mmのシリコン単結晶ウェーハを使用し、その上に抵抗率10Ωcm、膜厚5μmのエピタキシャル層を成長させた。この際、SiCが表面にコートされた黒鉛製サセプタが配設され、リフトピンによるウェーハ載置を行う図1に示す気相成長装置を用いた。比較例として、エピタキシャル成長前に、1100°Cで、コート時間を10~60秒としてトリクロロシランを導入することで、サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆した。その後エピタキシャル成長工程を行い、それぞれエピタキシャル成長後のシリコンエピタキシャルウェーハの裏面クモリ量HazeDWNPeakをSP-2パーティクルカウンター:KLAテンコール社製にて測定した。図2に測定結果を示す。次に実施例として、エピタキシャル成長前のサセプタへのポリシリコンのコートを実施しないで、その他は同様の条件でエピタキシャル成長を実施した。そしてエピタキシャル成長後のシリコンエピタキシャルウェーハの裏面クモリ量HazeDWNPeakをSP-2パーティクルカウンター:KLAテンコール社製にて測定した。図2に測定結果を示す。図2では、実施例をコート時間0秒として示す。図2より明らかなように、裏面クモリ量は、サセプタへのポリシリコンのコートを実施しないことで、比較例に比べて大きく改善されていることが確認できた。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。