"窒素含有フッ化ジケトン化合物であって:3~10個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基;第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する、直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメントを少なくとも1つ;及び鎖内炭素原子を3~10個有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、前記第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が、ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、窒素含有フッ化ジケトン化合物。前記第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、前記第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、又はこれらの両方が鎖内酸素原子を少なくとも一個含有する、請求項1に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物。鎖内炭素又は酸素原子を3~10個有し、場合により鎖内酸素原子を含有し得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、前記第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基が前記ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、請求項1に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物。前記ペルフルオロアルキレンセグメントが、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含有する、請求項1に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物。周囲気圧下で170°C以上の沸点を有する、請求項1に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物。フッ化窒素含有モノケトンであって:第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、前記ペルフルオロアルキル基が、鎖内炭素原子又は窒素原子を8~15個有するペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を有する、環状ペルフルオロアルキル基;前記第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している炭素原子を1~4個有する直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメント;及び第2の末端分岐ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基を含む、フッ化窒素含有モノケトン。前記ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、ペルフルオロピロリジニル、又はこれらの組み合わせが、炭素原子を1~4個有するペルフルオロアルキル基で置換される、請求項6に記載のフッ化窒素含有モノケトン。周囲気圧下で170°C以上の沸点を有する、請求項6に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物。式を有する化合物;式中、Rf1は、分岐又は環状又はこれらの組み合わせである炭素原子数3~10個のペルフルオロアルキル基を表し、Rf2は、炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり、Rf3は、炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型のペルフルオロアルキル基又は-Rf2CORf5であり、Rf4はF-であるか、又は炭素原子数1~4の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基であり、かつRf5は-CFCF32である。前記Rf1のペルフルオロアルキル基が鎖内酸素原子を少なくとも1つ含有する、請求項9に記載の化合物。及びこれらの組み合わせから選択される、請求項6に記載の化合物。デバイスと、デバイスに又はデバイスから熱を伝導するための機構を含む伝熱装置であって、前記機構が、伝熱流体を含み、前記伝熱流体が、a窒素含有フッ化ジケトン化合物であって:3~10個の鎖内炭素原子を有する、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基;第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する、少なくとも1つの直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメント;及び鎖内炭素原子を3~10個有する第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基であって、前記第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が前記ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、を含む、窒素含有フッ化ジケトン化合物;b窒素含有フッ化モノケトンであって:第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含む、環状ペルフルオロアルキル基;前記第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメントであって、炭素原子を1~4個有する、ペルフルオロアルキレンセグメント;及び第二末端の分岐型ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基、又はこれらの組み合わせ、を含む窒素含有フッ化モノケトン、の一方又は両方を含む、伝熱装置。前記第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基が鎖内酸素原子を1個以上含む、請求項12に記載の装置。前記第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基が鎖内酸素原子を1個以上含む、請求項12に記載の伝熱装置。前記ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基が、炭素原子を1~4個有するペルフルオロアルキル基で置換されている、請求項12に記載の伝熱装置。前記デバイスが、マイクロプロセッサ、半導体デバイスを製造するために使用される半導体ウエハ、電力制御半導体、電気化学電池リチウムイオン電池を含む、配電スイッチ装置、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された又はパッケージ化されていない半導体デバイス、燃料電池、及びレーザーから選択される、請求項12に記載の装置。前記機構が、熱を前記デバイスへと伝導させる、請求項12に記載の装置。前記機構が、熱を前記デバイスから伝導させる、請求項12に記載の装置。前記機構が、前記デバイスを選択温度に維持する、請求項12に記載の装置。前記装置が冷蔵系、冷却系、試験装置、及び機械加工装置を含む、請求項12に記載の装置。前記デバイスが、はんだ付けされる電子的構成要素及びはんだごてを含む、請求項12に記載の装置。前記機構が気相はんだ付けを含む、請求項21に記載の装置。デバイスを準備することと、機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む伝熱方法であって、前記機構が、請求項1に記載のフッ化ケトン化合物を包含する伝熱流体を含む、方法。前記デバイスがはんだ付けされる電子的構成要素である、請求項23に記載の気相はんだ付け方法。例えば、気相はんだ付けで使用されるような、市場に必要とされる高温に対し好適である伝熱流体が引き続き必要とされている。使用温度にて熱安定性であり、かつ地球温暖化係数を低下させる程度に大気寿命の短い伝熱流体も引き続き必要とされている。提供されるフッ化ケトンは、製造しやすく、高温下で伝熱流体として良好に機能し、及び持続的に製造することができる産物を生成する。加えて、このようなフッ化ケトンは使用温度下、典型的には170°C以上で熱に対し安定であり、従来の物質と比較して大気寿命がより短い。これらのフッ化ケトンを含む高温伝熱用の、装置及びプロセスも必要とされている。本開示では、鎖内ヘテロ原子とは、炭素-ヘテロ原子-炭素鎖を形成するように、炭素鎖内で炭素原子に結合している炭素以外の原子例えば、酸素及び窒素を意味する。デバイスとは、加熱される、冷却される、又は所定の温度に維持される物体又は装置を意味する。不活性とは、通常の使用状況下では一般に化学的に反応しない化学的組成物を意味する。機構とは、一部のシステム又は機械設備を意味する。ペルフルオロ-例えば、ペルフルオロアルキレン又はペルフルオロアルキルカルボニル又はペルフルオロ化の場合のような、基又は部分に関してとは、特記しない限り、炭素に結合している、フッ素で置換可能な水素原子が存在しないように、完全にフッ素化されていることを意味する。第三級窒素は、水素以外に置換基を3つ有する窒素原子を意味する;及び末端とは、分子の末端部分であるか、又は自身に結合した基を1つだけ有する部分又は化学基を意味する。一態様では、窒素含有フッ化ジケトン化合物であって、3~10個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基;第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する、直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメントを少なくとも1つ;及び鎖内炭素原子を3~10個有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が、ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、窒素含有フッ化ジケトン化合物が提供される。典型的には、提供されるフッ化ジケトンは、周囲気圧下で170°C以上の沸点を有する。別の態様では、窒素含有フッ化モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素原子数1~4のペルフルオロアルキル基により置換されてよく又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含有し、環状ペルフルオロアルキル基;第一末端の環状ペルフルオロアルキル基と結合しており、炭素原子を1~4個有する、直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメント、並びに第二末端の分岐型ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基、を含む、窒素含有フッ化モノケトン化合物が提供される。別の態様では、提供される化合物は、式を有する:式中、Rf1は、炭素原子数3~10個であり、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであるペルフルオロアルキル基を表し、Rf2は、炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基を表し、Rf3は炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキル基又は-Rf2CORf5であり、Rf4は、F-又は炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキル基であり、かつRf5は-CFCF32である。一部の実施形態では、Rf1は鎖内酸素原子を少なくとも1つ含有し得る。別の態様では、デバイスと、デバイスに又はデバイスから熱を伝導するための機構を含む伝熱装置であって、この機構は、伝熱流体を含み、この伝熱流体は、窒素含有フッ化ジケトン化合物であって、3~10個の鎖内炭素原子を有する、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する、少なくとも1つの直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、及び鎖内炭素原子を3~10個有する第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基であって、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基がペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、を含む、窒素含有フッ化ジケトン化合物、あるいは、場合により、窒素含有フッ化モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素数1~4のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含む、環状ペルフルオロアルキル基、第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメントであって、炭素原子を1~4個有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、及び第二末端の分岐型ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基、を含む窒素含有フッ化モノケトン化合物、を含む、伝熱装置が提供される。デバイスは電子的構成要素であってよい。機構は熱をデバイスに又はデバイスから伝導し、及びフッ化ケトンを含有する。装置は、例えば、電子部品の気相はんだ付けに使用することができる。最後に、別の態様では、デバイスを準備することと、機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む伝熱方法が提供され、この機構は伝熱流体を含む。ここで、伝熱流体は、フッ化ケトン化合物であって、3~10個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基;第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する、直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメント;及び鎖内炭素原子を3~10個有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、上記第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が、ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、フッ化ケトン化合物、あるいは場合によりフッ化窒素含有モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、上記ペルフルオロアルキル基が、場合により炭素数1~4のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得るペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を有する、環状ペルフルオロアルキル基、上記第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している炭素原子を1~4個有するペルフルオロアルキレンセグメントで置換されてもよい、ペルフルオロアルキル基、及び第2の末端分岐ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基を含む、フッ化窒素含有モノケトン化合物を含む。提供される窒素含有フッ化モノ及びジケトンは、伝熱流体に有用であり得る化合物を提供する。提供されるフッ化ケトンは熱に対する安定性が驚くほど良好である。また、これらのフッ化ケトンは、高絶縁耐力、低電気伝導率、化学的不活性さ、及び良好な環境特性をも有する。提供されるフッ化ケトンは、気相はんだ付けにも有用であり得る。上記の概要は、本発明のすべての実施の開示された各実施形態を記述することを意図したものではない。以下の詳細な説明により、例示的な実施形態をより具体的に示す。以下の説明において、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、その他の実施形態を想到し実施し得ることが、理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、物理特性を表わす数字はすべて、どの場合においても用語約によって修飾されるものとして理解されるべきである。それゆえに、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内例えば、1~5は、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、及び5を含むのすべての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。例えば、気相はんだ付けなどで、市場に必要とされる高温に対し特に好適である伝熱流体が引き続き必要とされている。気相はんだ付けなどの用途では、170°C~250°Cの温度が典型的に使用され、鉛系のはんだを用いるはんだ付け用途では200°Cが特に有用であり、無鉛はんだをより高温で溶解させる際には230°Cが有用である。この用途で使用される本発明の物質は、ペルフルオロポリエーテルの部類である。過去には、この気相はんだ付けの領域では特定のペルフルオロ化アミンが市販されてきた。ペルフルオロポリエーテルは、使用時温度下で必要とされる熱安定性を有するものの、大気寿命が非常に長く、環境中に非常に持続的に存在するという欠点を有すると同時に、フッ素含量が高いことから地球温暖化係数が高いという欠点も有する。そのため、大気寿命が非常に短いだけでなく、更には気相はんだ付けに、並びにその他の高熱伝導用途に有用である充分な安定性も保有している新しい物質が必要とされている。一部のハイドロフルオロエーテルは、伝熱流体として開示されている。例示的なハイドロフルオロエーテルは、米国特許出願番号第12/263,661号、表題MethodsofMakingFluorinatedEthers,FluorinatedEthersandUsesThereof2008年11月3日出願、及び米国特許公報第2007/0267464号Vitcaketal.及び同第2008/0139683号Flynnetal.、及び米国特許番号第7,128,133号及び同第7,390,427号Costelloetal.に見出すことができる。しかしながら、不活性で、高い絶縁耐力、低い電気伝導率、化学的不活性、熱安定性、及び効果的熱伝導を有し、幅広い温度範囲にわたって液体であり、広い範囲の温度で良好な熱伝達特性を有し、更には地球温暖化係数が比較的低くなるように大気中での寿命が適度に短い伝熱流体が必要とされている。少なくとも170°Cの沸点を有する、好適な構造のペルフルオロ化ケトンは、必要とされる安定性、並びに必要とされる短い大気寿命を保有しているものと考えられ、ひいては高温伝熱用途で使用可能な候補になる程地球温暖化係数が低い。例えば、低分子量ケトン、C2F5COCFCF32は、3MCompanySt.Paul,MNからNOVEC649として入手可能であり、より低い周囲大気圧下でも光化学的に活性であり、大気寿命は約5日程度である。分子量がより大きいペルフルオロ化窒素含有モノ又はジケトンは、UVスペクトルにおいて、それらの構造によりほんの僅かに異なることが予想されるものの、同様の光化学的な寿命をもたらす同様の吸収帯を有するものと見込まれる。3~10個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を1つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基;第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有する直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を1つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメントを少なくとも1つ;及び鎖内炭素原子を3~10個有し、場合によりさない酸素原子を1つ以上含み得る第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基はペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、窒素含有フッ化ケトン、あるいは、場合により第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素数1~4のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル又はペルフルオロピロリジニル基を含有している、環状ペルフルオロアルキル基;第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合した直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメントであって、炭素原子を1~4個有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、並びに第二末端の分岐ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基を含む、窒素含有フッ化モノケトン化合物が提供される。分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基は、鎖内炭素原子を3~10個含むペルフルオロアルキル基を有する。加えて、ペルフルオロアルキルカルボニル基のアルキル部分は、炭素原子を1~4個有する分岐型ペルフルオロアルキル基を有することができ、かつ鎖内に酸素基を1つ以上含有することもできる。提供される窒素含有フッ化ケトンは、カルボニル基を1つ又は2つ含有する。提供される窒素含有フッ化ジケトンは、典型的には、直鎖型、分岐型又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントの各末端に末端ペルフルオロアルキルカルボニル基を有するものであり、このセグメントは、2つの末端ペルフルオロアルキルカルボニル基間に実質的に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を4個以上有し、上記ペルフルオロアルキレンセグメントは鎖内第三級窒素原子を1個以上含有する。一部の実施形態では、提供されるジケトンは、構成A-B-Aの対称的な分子である。式中、Aはペルフルオロアルキルカルボニル基であり、かつBはペルフルオロアルキレンセグメントである。提供される窒素含有フッ化モノケトンは、場合により炭素原子数1~4のペルフルオロアルキル基により置換されてもよいペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含有する、ペルフルオロアルキル基を有する。提供される窒素含有フッ化ケトンは:を含む化学構造を有する式中、Rf1は炭素原子数3~10のペルフルオロアルキル基であって、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであり、場合により鎖内酸素を少なくとも1つ含有する、ペルフルオロアルキル基を表し;Rf2は炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり;Rf3は炭素原子数1~4の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基又は-Rf2CORf5であり;Rf4はF-又は炭素原子数1~4の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基であり;Rf5はCF32CF-である。例示的なRf1基としては、CF32CF-、C3F7OCFCF3-、CF3OC3F6OCFCF3-、C4F9OCFCF3-及びCF3OCFCF3-が挙げられる。一部の実施形態では、提供されるフッ化ケトンは、を含む。一部の実施形態では、伝熱を必要とする装置が提供される。この装置は、デバイスと、伝熱流体を用いてデバイスへ、又はデバイスから熱を伝導する機構と、を含む。代表的な装置として、冷房システム、冷却システム、試験装置、及び機械加工装置が挙げられる。その他の例として、半導体ダイスの性能検査用自動試験装置に用いられるテストヘッド、アッシャー、ステッパー、エッチャー、PECVD装置内のシリコンウエファーの保持に使用されるウエファーチャック、恒温槽、及び熱衝撃試験用槽が挙げられる。更に他の実施形態では、提供される装置として、冷凍輸送車両、ヒートポンプ、スーパーマーケットの食料用冷却器、業務用陳列ケース、保管倉庫用冷房システム、地熱暖房システム、太陽熱暖房システム、有機ランキンサイクルデバイス、及びこれらの組み合わせを挙げることができる。特定の実施形態では、提供される装置としてはデバイスが挙げられる。本明細書では、デバイスは、冷却される、加熱される、又は選択温度に維持される、構成要素、加工対象物、アセンブリなどとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例としては、限定するものではないが、マイクロプロセッサ、半導体素子製造に用いられるウエファー、出力制御用半導体、配電スイッチギヤ、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された、及びパッケージ化されていない半導体素子、レーザー、化学反応器、燃料電池、及び電気化学セルが挙げられる。一部の実施形態では、デバイスとして、冷却装置、加熱装置、又はこれらの組み合わせを挙げることができる。他の実施形態では、デバイスとしては、はんだ付けされる電子的構成要素及びはんだごてsolderを挙げることができる。典型的には、はんだ付けに必要とされる熱は、170°C超、200°C超、230°C超、又は更にはそれ以上の温度を有する蒸気相により供給することができる。特定の実施形態では、本開示は、熱を伝導する機構を含む。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触して配置されると、デバイスから熱を除去し、又は、デバイスに熱を提供し、又は、デバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向デバイスから又はデバイスへは、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。伝熱機構としては、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷房システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムを非制限的に含む、伝熱流体を管理するための設備を挙げることができる。好適な伝熱機構の例としては、限定するものではないが、PECVD装置内の温度制御されたウエファーチャック、ダイ性能試験用の温度制御されたテストヘッド、半導体プロセス装置内の温度制御されたワークゾーン、熱衝撃試験用槽の液体リザーバ、及び恒温槽が挙げられる。エッチャー、アッシャー、PECVDチャンバー、気相はんだ付けデバイス、及び熱衝撃試験器などの一部の系では、上記所望される実用温度は170°C、200°C、又は更にはそれ以上の温度に達する。伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。提供される伝熱流体は、化学構造:を有する窒素含有フッ化ケトンにより表わすことができる式中、Rf1は、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであり、場合により鎖内酸素を少なくとも1つ含有する、炭素原子数3~10のペルフルオロアルキル基を表し;Rf2は炭素原子数1~4の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり;Rf3は直鎖型又は分岐型の炭素原子数1~4のペルフルオロアルキル基であるか、又は-Rf2CORf5であり;Rf4はF-であるか、又は炭素原子数1~4の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基であり;Rf5はCF32CF-である。例示的なRf1基としては、CF32CF-、C3F7OCFCF3-、CF3OC3F6OCFCF3-、C4F9OCFCF3-及びCF3OCFCF3-が挙げられる。提供される装置及び伝熱流体は、高温伝熱流体に対する市場の必要を満たす。提供される窒素含有フッ化ケトンは、安定な高温伝熱流体を提供する。一部の実施形態では、提供される窒素含有フッ化ケトンは、少なくとも7日間231°Cの温度に加熱され、維持された場合にも、ガスクロマトグラフィ/質量分析CG/MSで測定される純度が実質的に変化しない安定な高温伝熱流体を提供する。一実施形態では、デバイスは、半導体ダイスの性能を試験するために使用される機器を備えることができる。ダイスは、半導体基材のウエファーから切り出される個々のチップである。ダイスは、半導体製造工場から入手され、必要とされる機能及びプロセッサ速度を満たすものであるか確認するために検査しなければならない。試験は、良品保証済みダイスKGDと、性能要件を満たさないダイスとを選別するために使用される。この試験は、通常、約-80°C~約100°Cの範囲の温度にて行われる。一部の場合では、ダイスは一つずつ試験され、個々のダイは、チャックに把持される。このチャックは、そのデザインの一部として、ダイの冷却の供給をもたらす。他の場合では、複数のダイスがチャックに把持され、連続して又は並行して試験される。この状況で、チャックは、試験手順中に複数のダイスに冷却を提供する。高温条件下でダイスの性能の特徴を判定するために高温でダイスを試験することが有利であり得る。この場合、室温を優に上回る良好な冷却性能を有する伝熱流体が有利である。一部の場合では、ダイスは、非常に低温にて試験される。例えば、相補的な金属酸化物半導体CMOSデバイスは、特に低温であるほど迅速に機能する。自動化試験機器ATEが恒久論理ハードウェアの部品として基板上にCMOSデバイスを採用する場合、論理ハードウェアを低温にて維持することは有利であり得る。それゆえに、ATEに最大の汎用性をもたらすために、伝熱流体は、典型的には、低温及び高温の両方にて良好に機能しすなわち、典型的には広い温度範囲にわたって良好な伝熱特性を有し、不活性でありすなわち、不燃性、低毒性、非化学反応性であり、高い絶縁耐力を有し、環境影響が低く、操作温度範囲全体にわたって予測可能な伝熱特性を有する。別の実施形態では、デバイスは、エッチャーを備えることができる。エッチャーは、約70°C~約150°Cの温度範囲にわたって稼働させることができる。典型的には、エッチング中、反応性プラズマを使用して、構造体に非等方散乱的にエッチングして半導体にする。半導体には、シリコンウエファーを含ませることができ、あるいは、II-VI又はIII-V半導体を含ませることができる。一部の実施形態では、半導体材料としては、例えば、GaAs、InP、AlGaAs、GaInAsP又はGaInNAsといった、例えば、III-V半導体材料を挙げることができる。他の実施形態では、提供されるプロセスは、II-VI半導体材料例えば、カドミウム、マグネシウム、亜鉛、セレン、テルル、及びこれらの組み合わせを含むことができる材料などをエッチングするのに有用であり得る。代表的なII-VI半導体材料としては、CdMgZnSe合金を挙げることができる。CdZnSe、ZnSSe、ZnMgSSe、ZnSe、ZnTe、ZnSeTe、HgCdSe、及びHgCdTeなどの他のII-VI半導体材料もまた、提供されるプロセスを用いてエッチングされることができる。処理されることになる半導体は、典型的には、一定温度で保持される。したがって、温度範囲全体にわたって単相を有することができる伝熱流体が、典型的には使用される。加えて、伝熱流体は、典型的には、範囲全体にわたって予測可能な性能を有し、その結果、温度を正確に維持することができる。他の実施形態では、デバイスには、約40°C~約150°Cの範囲の温度で稼働するアッシャーを備えることができる。アッシャーは、ポジ型又はネガ型フォトレジストから作られる光電性有機マスクを除去できるデバイスである。これらのマスクは、エッチング中に使用されて、エッチングされる半導体上にパターンを提供する。一部の実施形態では、デバイスには、約40°C~約80°Cの範囲の温度で稼動させることができるステッパーを備えることができる。ステッパーは、半導体製造で使用されるフォトリソグラフィの本質的な部分であり、ここで、製造に必要とされるレチクルが製造される。レチクルは、ウエファー又はマスク全体を露光するためにステッパーを用いてステッピングし、繰り返す必要があるパターン像を含有するツールである。レチクルを使用して、光電性マスクを露光するのに必要とされる光と影のパターンを作り出す。ステッパーに使用されるフィルムは、典型的には、仕上がりレチクルの良好な性能を維持するために±0.2°Cの温度帯内に維持される。更に他の実施形態では、デバイスには、約50°C~約150°Cの範囲の温度で稼動させることができるプラズマ強化化学蒸着PECVDチャンバーを備えることができる。PECVDのプロセスでは、ケイ素と、酸素、窒素又は炭素のうちの少なくとも1つとを含有する試薬気体混合物中で開始する化学反応により、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素のフィルムをウエファー上で成長させることができる。ウエファーが置かれるチャックは、それぞれ選択された温度にて均一で一定の温度に保持される。更に他の実施形態では、デバイスは、マイクロプロセッサなどのプロセッサのような電子デバイスを備えることができる。これらの電子デバイスが強力になるにつれて、単位時間当たりに生成する熱量も増加する。したがって、伝熱の機構は、プロセッサ性能において重要な役割を果たす。伝熱流体は、典型的には、良好な伝熱性能、良好な電気適合性冷却板を採用するもののような間接接触用途で使用される場合でも、並びに低毒性、低又は不燃性及び低環境影響性を有する。電気適合性が良好であるには、伝熱流体候補は、高絶縁耐力、高体積固有抵抗、及び極性物質に対する乏しい溶解性を呈することが必要とされる。加えて、伝熱流体は、良好な機械適合性を呈さなければならず、すなわち、伝熱流体は、構造体の典型的材料に悪影響を与えてはならない。提供されるデバイスは、本明細書では、選択された温度にて冷却、加熱又は維持される、構成要素、部品組立体などとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例としては、限定するものではないが、マイクロプロセッサ、半導体デバイス製造に使用されるウエファー、電力制御半導体、配電用スイッチギヤ、電力変圧器、回路板、マルチチップモジュール、パッケージ化された及びパッケージされていない半導体デバイス、化学反応素子、燃料電池及びレーザーが挙げられる。提供される装置は、伝熱機構を備える。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触して配置されると、デバイスから熱を除去し、又はデバイスに熱を提供し、又はデバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向デバイスから又はデバイスへは、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。提供される装置はまた、冷凍システム、冷却システム、試験機器及び加工機器を備えることもできる。一部の実施形態では、提供される装置は、恒温槽又は熱衝撃試験槽であることができる。伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。加えて、伝熱機構としては、例えば、限定するものではないが、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷凍システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムが挙げられる、伝熱流体を管理するための設備を備えてもよい。好適な伝熱機構の例としては、限定するものではないが、PECVDツールにおける温度制御ウエファーチャック、ダイ性能試験のための温度制御試験ヘッド、半導体加工機器内の温度制御作業領域、熱衝撃試験槽液体貯蔵室、及び恒温槽が挙げられる。恒温槽は、典型的には、広い温度範囲にわたって操作される。したがって、望ましい伝熱流体は、好ましくは、広い液体範囲及び良好な低温伝熱特性を有する。このような特性を有する伝熱流体は、恒温槽に対して非常に広い稼動範囲を可能にする。典型的には、ほとんどの試験流体は、広い温度限界に対して流体の交換を必要とする。また、良好な温度制御は、伝熱流体の物理特性を精確に予測するにあたり必須のものである。他の態様では、デバイスを提供することと、機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む、伝熱方法が提供される。この機構は、本明細書で開示される窒素含有フッ化ケトンなどの伝熱流体を含む。提供される方法には、気相はんだ付けを包含し得る。その場合のデバイスは、はんだ付けされる電子的構成要素である。本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈されるべきではない。別途記載のない限り、すべての溶媒及び試薬はAldrichChemicalCo.Milwaukee,WIから入手することができる。本明細書で使用するとき、NOVEC-7200は、3MCompanySt.Paul,MNから入手することのできるエチルペルフルオロブチルエーテルを意味する。同様に、本明細書で使用するとき、HFPOはヘキサフルオロプロペンオキシドを意味し、及びHFPはヘキサフルオロプロペンを意味する。ジグリムは、ジエチレングリコールジメチルエーテルを意味する。実施例1:1,1’-ペルフルオロピペラジン-1,4-ジイルビス1,1,3,4,4,4-ヘキサフルオロ-3-トリフルオロメチルブタン-2-オンの調製V中間体:4-エトキシカルボニルメチル-ピペラジン-1-イル酢酸エチルエステルの調製5Lの三口丸底フラスコにオーバーヘッドスターラー、水凝縮器、温度計及び滴加漏斗を取り付け、凝縮器の頂部にガラス製のT字管を用い、装置を窒素雰囲気下に置いた。フラスコに、ピペラジン230.9g,2.68molAldrich、メチルt-ブチルエーテル2.0L及びイソプロパノール280gを加えた。混合物を50°Cに加熱し、クロロ酢酸エチルClCH2CO2Et,658g,5.37molAldrichを迅速に滴加した。イソプロパノールを更に150mL加え、この滴下中、混合流体を維持した。反応物中でHClを生成させて使用するために、クロロ酢酸エチルの添加終了間際にトリエチルアミン542g,5.37molAldrichを迅速に滴加し、反応混合物を16時間55°Cに加熱した。反応混合物を冷却し、ろ過したトリエチルアミン塩酸塩固体及びろ過ケーキをメチルt-ブチルエーテルで1回洗浄した。回転蒸発によりエーテルを除去し、残留物を140~150°C/2mmHgの真空下で蒸留することで、純度97の生成物を得た。この生成物を、本質的に米国特許第2,713,593号Briceetal.及びR.E.Banks,Preparation,PropertiesandIndustrialApplicationsofOrganofluorineCompounds,pages19~43,HalstedPress,NewYork1982に記載されるように2つの他の調製物と組み合わせ、SimonsECFセルで電気化学的にフッ素化し、蒸留することで2,2’-ペルフルオロピペラジン-1,4-ジイルビス2,2-ジフルオロ酢酸フルオリドを得た。2,2’-ペルフルオロピペラジン-1,4-ジイルビス2,2-ジフルオロ酢酸フルオリド純度70,140g,0.33mol、フッ化カリウム9.57g,0.16mol、及びジグリム270gを600mLのParrリアクタ内で組み合わせた。リアクタを密閉し、混合物を75°Cに加熱した。ヘキサフルオロプロペン100g,0.66mol,MDAを気体として混合物に加えた。次に、反応混合物を18時間撹拌して、二酸フルオリドをヘキサフルオロプロペンと最高速度で反応させた。18時間後、反応混合物を室温に冷却し、及び真空ろ過により塩を除去した。次に液体を分液漏斗に移し、低フッ化物相をジグリム相から分離させた。同心円のチューブカラムを用い、粗生成物を分別蒸留により精製した。GC-FIDによると、最終的な試料純度は91.4であった。生成物の質量をGC/MSで確認した。760mmHg下での生成物の沸点を測定したところ、209°Cであった。実施例2:5,5’-トリフルオロメチルアザンジイルビス1,1,1,2,4,4,5,5-オクタフルオロ-2-ペルフルオロプロポキシペンタン-3-オンの調製VI中間体:CH3NCH2CH2CO2CH32の調製ウォーターバスで冷却し、オーバーヘッドスターラー、温度計、ガス取り込み管、及び固形二酸化炭素/アセトンを充填した凝縮器、を取り付けた、窒素雰囲気下の3Lの丸底フラスコに、4-メトキシフェノールAldrich,3.5g及びメチル酢酸Aldrich,907g,10.5molを加えた。温度を約30°C未満に維持しつつ、メチルアミンAldrich,163g,5.25molをガス取り込み管から2時間かけてゆっくりと加えた。添加終了後、反応混合物を室温で16時間撹拌した。次に、3mmHgの真空下で、過剰量の酢酸メチル及び十分量の1:1の付加生成物を反応混合物から希釈し、純度96.6の、所望の最終生成物CH3NCH2CH2CO2CH32を得た。CF3NCF2CF2COF2の調製米国特許第2,713,593号Briceetal.及びR.E.Banks,Preparation,PropertiesandIndustrialApplicationsofOrganofluorineCompounds,pages19~43,HalstedPress,NewYork1982に記載されるようなタイプのSimonsECFセルでCH3NCH2CH2CO2CH32を電気化学的にフッ素化することで化合物を調製した。分留により精製することで、純度94.7GC-FID及びGC/MS分析により測定で化合物を得た。CF3NCF2CF2COF2240g,0.636mol、フッ化セシウムAldrich,77g,0.51mol、ペルフルオロプロピルビニルエーテルDyneon,618g,2.32mol及びジグリム溶媒400mLを、2LのParr圧力反応器内で組み合わせた。リアクタを密閉し、65°Cで72時間加熱した。72時間後、混合物を冷却し、試料をGC-FIDにより分析した。GC-FIDによると変換率は87であった。生成物の混合物をフッ化セシウム塩からろ別し、1Lの分液漏斗に移した。下側のフルオロケトン生成物相をジグリム溶媒から取り出した。このフルオロケトン相をシリカゲルカラムに通過させ、ジグリム残渣を除去した。次に20トレーのOldershawカラムにより分留しケトンを精製した。生成物の質量をGC/MSにより確認し、構成及び純度を1H及び19FNMRにより確認した。この試料の純度は98.9であった。760mmHg下での沸点は231°Cであると測定された。実施例3:中間体:の調製55°Cにて、メチルメタクリレート500g,5.0mol,Aldrich/メタノール375mL溶液に1-エチルピペラジン570g,5.0mol,Aldrichを迅速に滴加した。添加終了後、反応混合物を55°Cで16時間保持した。50gのメチルメタクリレートを更に加え、反応混合物を65°Cで16時間保持した。メタノール及びほとんどの過剰量のメチルメタクリレートを回転蒸発により除去し、残留物を真空下105~110°C/4mmHgで蒸留することで、純度99超のエステルXIを1051g得、次にこのエステルを本質的に実施例1に記載されるようにECFすることで、ペルフルオロ化アシルフッ化物生成物XIIを得たこの生成物は、蒸留により更に精製した沸点=158°C,純度90。蒸留した酸フッ化物75g,純度90,0.124mol、フッ化セシウム6.21g,0.041mol,Aldrich、及び無水ジグリム28g,Aldrichを600mLのParrリアクタに加え、リアクタを密閉し、窒素下で脱ガスし、40°Cに加熱した。ヘキサフルオロプロピレン66.4g,0.44mol,3M,St.Paul,MNを何回かに分けて2時間かけて加え、次に更に40°Cで88時間保持した。次に反応物を冷却し、任意の過剰量のヘキサフルオロプロピレンをベントし、下側のフッ化物相をジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒から分離し、蒸留することで純度95でケトン生成物を生成した沸点=200°C。生成物の質量をGC/MSで確認した。ケトンのIRは1770cm-1にてカルボニルの吸収を示した。実施例4:の調製中間体:の調製約60°Cにて、メチルメタクリレート1284g,12.84molmol,Aldrich/メタノール432g溶液にピペラジン502g,5.84mol,Aldrichを迅速に滴加した。添加終了後、温度を70°Cに上昇させ、反応混合物を70°Cにて18時間保持した。メタノール及びほとんどの過剰量のメチルメタクリレートを回転蒸発により除去し、残留物を真空下沸点155°C/0.1mmHg未満の物質はすべて廃棄で蒸留することで、純度95のエステルを得、次にこのエステルを本質的に実施例1に記載されるようにECFすることで、ペルフルオロ化アシルフッ化物生成物を得たこの生成物は、蒸留により低沸点の不純物から更に精製した。酸フッ化物生成物は固体であった。酸フッ化物126.5g,純度約90、フッ化セシウム18.2g,0.12mol及びジグリム50gを600mLのParrリアクタ内で組み合わせ、リアクタを密閉し、窒素下で脱ガスし、次に40°Cに加熱した。ヘキサフルオロプロピレン90g,0.6mol,3Mを何回かに分けて5時間かけて加え、次に更に40°Cで68時間保持した。次にリアクタを冷却し、過剰量のヘキサフルオロプロピレンをベントし、固形のフッ化セシウムを濾去した。溶媒から下側のフッ化物相を分離し、この物質132gをフッ化セシウム10g及びジグリム27gと共に600mLのParr反応槽に移し、記載のように大過剰量のHFP210gを添加することで反応を繰り返した。ワークアップ後に、記載のように下側フッ化物相を分析したところ、所望のケトンが約6.3含有されていることがGC/MSにより見出された。ケトンを純度83に蒸留した沸点>218°C。実施例5:C2F5N[CF2CF2COCFCF3]2の調製中間体:C2H5NCH2CH2CO2CH32の調製2モルのメチルメタクリレートのメチルアミンへの添加に関し本質的に実施例2に記載されるように、2モルの酢酸メチルをエチルアミンに添加することでジメチルエステルを調製した。C2F5NCF2CF2COF2の調製この化合物は、米国特許第2,713,593号Briceetal.及びR.E.Banks,Preparation,PropertiesandIndustrialApplicationsofOrganofluorineCompounds,pages19~43,HalstedPress,NewYork1982に記載されるようなタイプのSimonsECFセルで、C2H5NCH2CH2CO2CH32を電気化学的にフッ素化することで調製した。分留により精製することで、純度76GC-FID及びGC/MS分析により測定で表題化合物を得た。清潔な、乾燥している600mLのステンレス鋼製Parr圧力容器に、噴霧乾燥させたフッ化カリウム3.4g、無水ジグリム180g、NOVEC-7200124g及びC2F5NCF2CF2COF2165gを充填した。容器を密閉し、76°Cに加熱した。7時間かけてHFP112.5gを添加し、反応物を更に16時間撹拌した。次に7時間かけてHFP58.5gの2度目の充填を行い、反応物を76°Cに16時間保持した。混合物を室温に冷却し、40mmHgの真空ワンプレート蒸留を行なうために配置した1Lの丸底フラスコに移し、混合物を75°Cに加熱してNOVEC-7200を除去した。フラスコを使用時温度に冷却し、500mLの分液漏斗に移した。約1時間後に下側のフッ化物相を分離し、およそ等量の水で2回洗浄することで、下層の生成物相216gを純度82.8で得た。大気圧下での分留により、GC-FID、GC/MS、1H-NMR及び19F-NMR分析により測定されるものとして純度97.1の物質C2F5N[CF2CF2COCFCF32]2を得た。C3F7OCFCF3COCF2CF2NCF3CF2CF2COCFCF3OC3F7の安定性試験0.73gのAMTECHNC559ASはんだを流動させながら存在させ、50mLのC3F7OCFCF3COCF2CF2NCF3CF2CF2COCFCF3OC3F7試料を大気圧下沸点の231°Cにて7日間還流させた。はんだを含有しない同一の試料も7日間還流させた。これらの液体を純度に関しGCFIDにより相対面積百分率法で分析した。フッ化物の分析結果を下表2に要約する。2つ組み分析するための試料が不足。本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない本発明の様々な変更や改変は、当業者には明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、こうした実施例及び実施形態は、本明細書において以下に記述する特許請求の範囲によってのみ限定されると意図する本発明の範囲に関する例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。本開示に引用されたすべての参照文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。"