被処理体を加熱するための加熱源装置において、加熱光を発する複数の半導体素子が一方の面に取り付けられた素子基板と、前記素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室と、前記減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構と、を備えたことを特徴とする加熱源装置。前記素子基板には、前記減圧冷却室内に向けて延びる複数の冷却フィンが形成されていることを特徴とする請求項1記載の加熱源装置。前記冷却フィン内には、空間部が形成されており、前記空間部には、前記半導体素子に電力を供給する配線部が収容されていることを特徴とする請求項2記載の加熱源装置。前記冷媒供給機構は、途中に圧縮機と凝縮器とが介設された冷媒循環通路と、前記減圧冷却室内の圧力を減圧するために前記冷媒循環通路のガス状の前記冷媒が流れる部分に接続された冷媒用排気ポンプと、を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記凝縮器の下流側の前記冷媒循環通路の途中には、膨張弁が介設されていることを特徴とする請求項4記載の加熱源装置。前記凝縮器の下流側の前記冷媒循環通路には、液状の前記冷媒を貯留する冷媒貯留槽が設けられており、前記減圧冷却室内と前記冷媒貯留槽内とに液状の前記冷媒が共に存在するように前記減圧冷却室と前記冷媒貯留槽の高さ方向の位置がそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項4又は5記載の加熱源装置。前記減圧冷却室は、前記素子基板の上方に設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記冷媒供給機構は、下方に位置する前記素子基板側に向けて前記冷媒を吐出する冷媒吐出口を有することを特徴とする請求項7記載の加熱源装置。前記冷媒吐出口は、前記冷媒を噴霧状態で吐出させるための噴射ノズルよりなることを特徴とする請求項7又は8記載の加熱源装置。前記減圧冷却室には、維持すべき前記冷媒の液面レベルの高さに設定された液排出口が設けられていることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記減圧冷却室には、液状の前記冷媒を循環させる液状冷媒循環機構が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記液状冷媒循環機構は、維持すべき前記冷媒の液面レベルの高さに設定された液排出口を有する液状冷媒循環路と、前記液状冷媒循環路の途中に介設された冷媒貯留槽と、前記冷媒貯留槽内の前記冷媒を圧送する圧送ポンプと、前記圧送された冷媒を前記素子基板に向けて噴射する噴射ノズルとを有することを特徴とする請求項11記載の加熱源装置。前記冷媒循環機構の前記冷媒循環路は、前記冷媒貯留槽に接続されていることを特徴とする請求項12記載の加熱源装置。前記減圧冷却室は、前記素子基板の下方に設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記減圧冷却室内の底部には、液状の前記冷媒を貯留するための液冷媒溜めが設けられると共に、前記液冷媒溜めには、前記液冷媒溜め内の前記液状の冷媒を前記減圧冷却室内へ飛散させる羽根車が設けられることを特徴とする請求項14記載の加熱源装置。前記減圧冷却室の底部には、液状の前記冷媒を貯留するための液冷媒溜めが設けられると共に、前記液冷媒溜め内の前記液状の冷媒を上方に位置する前記素子基板側に向けて噴射するための噴射機構が設けられることを特徴とする請求項14記載の加熱源装置。前記噴射機構は、前記液冷媒溜め内の前記液状の冷媒を一度外へ取り出して再度、前記減圧冷却室内へ戻すための液状冷媒循環路と、前記液状冷媒循環路の途中に設けた圧送ポンプと、前記液状冷媒循環路の先端に設けられて上方に位置する前記素子基板側に対して前記液状の冷媒を噴射する噴射ノズルとを有することを特徴とする請求項16記載の加熱源装置。前記複数の半導体素子は、内側に位置するLED素子と、該LED素子群の外周側に配置されて、前記被処理体の外周側に設けた均熱リング板に指向性を定めた複数のレーザ素子とよりなることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載の加熱源装置。前記レーザ素子は、該レーザ素子より放射されたレーザ光の光スポットの拡散の長手方向が、前記均熱リング板の周方向に沿って形成されるように配置されていることを特徴とする請求項18記載の加熱源装置。被処理体に対してアニール処理を行うアニール装置において、排気が可能になされた処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を支持する支持手段と、前記処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内の前記被処理体の上方と下方とにそれぞれ対向させて設けられて加熱光を透過する透過板と、前記上方に位置する透過板に対向させて設けた請求項1乃至13及び18、19のいずれか一項に記載の加熱源装置と、前記下方に位置する透過板に対向させて設けた請求項1乃至6及び14乃至19のいずれか一項に記載の加熱源装置とを備えたことを特徴とするアニール装置。ところで、上述したように加熱源装置6にあっては、多大な発熱を伴うLED素子を有するLEDモジュール8の裏面側に冷却ジャケット10を設けていることから、そのLEDモジュール8を冷却することができる。しかしながら、半導体ウエハWの大面積化及び個々のLED素子の高出力化に伴ってLEDモジュールの効率的な冷却がより求められている現状にあっては、上述したような冷却ジャケット10の冷却機構では、このLEDモジュール8を効率的に冷却することが難しくなってくる、といった問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、加熱光を発するLED素子等の半導体素子を取り付けた素子基板を安価に、且つ効率的に冷却することが可能な加熱源装置及びこれを備えたアニール装置に関する。請求項1に係る発明は、被処理体を加熱するための加熱源装置において、加熱光を発する複数の半導体素子が一方の面に取り付けられた素子基板と、前記素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室と、前記減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構と、を備えたことを特徴とする加熱源装置である。このように、被処理体を加熱するための加熱源装置において、加熱光を発する複数の半導体素子が一方の面に取り付けられた素子基板と、上記素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室と、上記減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構とを備えるようにし、冷媒を蒸発させて蒸発時に発生する気化熱によって素子基板及び半導体素子を冷却するようにしているので、この素子基板及び半導体素子を効率的に冷却することが可能となる。また、冷却効率を向上させることができることから、より大きな電力を半導体素子に投入することが可能となる。請求項20に係る発明は、被処理体に対してアニール処理を行うアニール装置において、排気が可能になされた処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を支持する支持手段と、前記処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内の前記被処理体の上方と下方とにそれぞれ対向させて設けられて加熱光を透過する透過板と、前記上方に位置する透過板に対向させて設けた請求項1乃至13及び18、19のいずれか一項に記載の加熱源装置と、前記下方に位置する透過板に対向させて設けた請求項1乃至6及び14乃至19のいずれか一項に記載の加熱源装置とを備えたことを特徴とするアニール装置である。本発明に係る加熱源装置及びアニール装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。被処理体を加熱するための加熱源装置において、加熱光を発する複数の半導体素子が一方の面に取り付けられた素子基板と、上記素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室と、上記減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構とを備えるようにし、冷媒を蒸発させて蒸発時に発生する気化熱によって素子基板及び半導体素子を冷却するようにしているので、この素子基板及び半導体素子を効率的に冷却することができる。また、冷却効率を向上させることができることから、より大きな電力を半導体素子に投入することができる。以下に、本発明に係る加熱源装置及びこれを用いたアニール装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る加熱源装置を用いたアニール装置の一例を示す構成図、図2は加熱源装置に用いた素子基板の部分の一例を示す拡大図、図3は空間部内の配線部の一例を示す部分斜視図である。図示するように、このアニール装置12は、内部に被処理体として例えば半導体ウエハWを収容して排気が可能になされ処理容器14と、この処理容器14内で上記ウエハWを水平状態に支持する支持手段16と、処理容器14内へ必要なガスを導入するガス導入手段18と、上記処理容器14内に上記ウエハWに対向させて、この上方と下方とに設けられた上部及び下部の透過板20A、20Bと、上方に位置する透過板20Aに対向させてその上方に設けた本発明に係る上部の加熱源装置22Aと下方に位置する透過板20Bに対向させてその下方に設けた本発明に係る下部の加熱源装置22Bとにより主に構成されている。具体的には、上記処理容器14は、中央部の上下が大きく開口されて、全体が例えばドーナツ状に成形されており、この処理容器14は例えばアルミニウム合金やステンレススチール等により構成されている。この処理容器14は、内側に上下に位置する円筒体状の内周ブロック14A、14Bと、底部と側壁側を形成する外周ブロック14Cと、上部の内周ブロック14Aと外周ブロック14Cの上部とを連結する天井ブロック14Dとにより主に構成されており、各ブロック14A~14Dは、それぞれ図示しないシール部材を介してボルト15により気密に連結されている。そして、上記天井ブロック14Dと上部の内周ブロック14Aとで天井板17を形成している。この処理容器14の上部の開口部、すなわち上部の内周ブロック14Aの下端部には、後述するLED素子等の発する加熱光に対して透明な材料、例えば石英板よりなる上記上部の透過板20AがOリング等のシール部材24Aを介して気密に取り付けられている。また、下部の開口部、すなわち下部の内周ブロック14Bの上端部には、同じく加熱光に対して透明な材料、例えば石英板よりなる上記下部の透過板20BがOリング等のシール部材24Bを介して気密に取り付けられている。この上部及び下部の透過板20A、20Bにより囲まれた領域が処理空間Sとして構成されている。そして、この処理空間S内に、上記支持手段16によりウエハWが水平状態で支持される。この支持手段16は、例えばウエハWの周方向に沿って等間隔で配置された3本の支持ピン26図1中では2本のみ記すを有しており、ウエハWの裏面を支持するようになっている。この支持手段16は、ウエハWの搬出入時に移載ができるように、図示しない昇降機構により昇降可能になされている。また、処理容器14の外周ブロック14C内はリング状のガス室28として形成されており、その内周側で上記処理空間Sに連通されている。上記外周ブロック14Cには、先のガス導入手段18が設けられている。このガス導入手段18は、上記ガス室28内に連通されるガス通路30を有している。このガス通路30には、開閉弁32やマスフローコントローラのような流量制御器34が介設されており、処理に必要なガスを流量制御しつつ処理容器14内へ導入できるようになっている。また、この外周ブロック14Cには、処理容器14内の雰囲気を排気する排気系36が接続されている。この排気系36は、上記ガス室28に連通された排気通路38を有している。この排気通路38の途中には、処理容器14内の圧力調整を行う圧力調整弁40や真空ポンプ等よりなる排気ポンプ42等が接続されており、処理容器14内を所望の圧力に維持できるようになっている。また、この外周ブロック14Cの側壁には、ウエハWを搬出入する開口44が形成されており、この開口44にゲートバルブ46を取り付けることにより、ウエハWの搬出入時にこのゲートバルブ46を開閉するようになっている。また、上記処理容器14の外周ブロック14Cの一側において、この上端部と天井ブロック14Dとの間は、回動可能になされたヒンジ部48により連結されており、この天井ブロック14Dと外周ブロック14Cとを連結するボルト15Aを取り外した状態で、天井板17の全体を上記ヒンジ部48を支点として展開して開閉できるようになっている。そして、この処理容器14の上部と下部に、先の上記上部の加熱源装置22Aと先の下部の加熱源装置22Bとがそれぞれ取り付けられている。<加熱源装置の構造>次に加熱源装置について説明する。上記上部の加熱源装置22Aは、図2にも示すように、加熱光を発する複数の半導体素子50が一方の面に取り付けられた素子基板52と、この素子基板52の他方の面側に設けられて減圧状態になされた上部の減圧冷却室54と、この上部の減圧冷却室54内へ冷媒を供給するための上部の冷媒供給機構56図1参照とにより主に構成されている。また、上記下部の加熱源装置22Bも、図2にも示すように、加熱光を発する複数の半導体素子50が一方の面に取り付けられた素子基板58と、この素子基板52の他方の面側に設けられて減圧状態になされた下部の減圧冷却室60と、この下部の減圧冷却室60内へ冷媒を供給するための下部の冷媒供給機構62図1参照とにより主に構成されている。ここで、上記素子基板52、58の構造は、上部と下部の加熱源装置22A、22Bとが互いに上下方向に対して逆に形成されている点を除いて同じ構造になされており、また、図1では両冷媒供給機構56、62の一部が共通になされている。具体的には、上部の素子基板52は、上部の透過板20Aへ下部が接近するように下方へ向けて凸状になされた上部素子取付ブロック64Aの底部として一体的に形成されている。この上部素子取付ブロック64Aの底部は、ウエハWの面積よりも少し大きく設定されており、この下面に上記複数の半導体素子50が取り付け固定されている。この半導体素子50は、ユニット化されており、1つの素子ユニット66に複数、例えば1000~2000個程度の半導体素子50を設けている。そして、1つの素子ユニット66の半導体素子50を例えば複数のゾーンに分け、各ゾーン100~300個程度の直列接続した半導体素子50を取り付けて構成され、ウエハWの大きさにもよるが、例えば直径が300mmの場合にはこの素子ユニット66を例えば両面合わせて100~200ユニット程度設けており、強力な加熱光をウエハWの全面に向けて放射するようになっている。具体的には、後述するようにこの素子ユニット66の全体は六角形状に成膜されており、その一面のほぼ全体に亘って上述のように半導体素子50を1000~2000個程度取り付けている。この素子ユニット66は、熱伝導率の良い金属、例えば純銅、銅合金、アルミ等よりなる板状の素子ベース68に個々に取り付けられており、この素子ベース68を上記上部素子取付ブロック64Aの平坦な底部64A-1の下面に取り付けている。従って、この底部64A-1と素子ベース68とで一体化して素子基板52が形成されることになる。この素子基板52の上面側には、上記上部の減圧冷却室54内に向けて延びる複数の冷却フィン70が並列に起立させて設けられている。この冷却フィン70は、熱伝導率の良い金属、例えば純銅、銅合金、アルミ等により構成されており、その内部には長手方向に沿って空洞になされた空間部72が形成されている。そして、上記素子ユニット66側からは、上記空間部72に向けてボルト状の複数の電極ネジ74が挿通されている。各電極ネジ74は、各素子ユニット66に対応させて設けられており、この電極ネジ74は対応する素子ユニット66の半導体素子50に電気的に接続されている。そして、上記空間部72には、上記半導体素子50に電力を供給するための配線部76が設けられており、外部より導入した電力を上記各電極ネジ74を介して半導体素子50に供給できるようになっている。この配線部76は、例えば図3Aに示すように樹脂基板77に複数の配線膜79を形成してなるプリント配線基板81や図3Bに示すように上記各電極ネジ74に接続される配線ケーブル83によって形成される。この配線部76を、特にプリント配線基板により形成する場合には、このプリント配線基板81を冷却フィン70の長手方向に沿ってスライド可能に設けることで、外部より着脱可能となるように構成することができる。ここで、加熱光を発する上記半導体素子50としては、例えばLED素子を用いることができる。また上記上部素子取付ブロック64Aの周辺部は、上記上部の内周ブロック14Aの上端部にボルト78によって取り付け固定されている。更に、この上部素子取付ブロック64Aの上部には、この上部素子取付ブロック64Aを底部とする上部容器80がOリング等よりなるシール部材82を介してボルト84により気密に取り付け固定されている。これにより、上記上部素子取付ブロック64Aと上部容器80とを区画壁として区画された上部の上記減圧冷却室54が形成されることになる。この上部容器80の一部、例えば天井部には、口径が比較的大きな排出口86が形成されている。そして、上記上部の減圧冷却室54へ冷媒を供給する先の上部の冷媒供給機構56は、上部の減圧冷却室54から冷媒を一旦、外部へ取り出して循環させる上部の冷媒循環通路88を有している。この上部の冷媒循環通路88の一端は上記排出口86に気密に接続されている。また、この上部の冷媒循環通路88の途中には、上記上部の減圧冷却室54内で気化した冷媒を圧縮する圧縮機90と、圧縮された冷媒を、例えば冷却水によって冷却することによって凝縮させる凝縮器92が上流側から下流側に向けて順次介設されている。そして、上部の減圧冷却室54には、上記循環されてきた冷媒を下方に位置する素子基板52側に向けて吐出させる冷媒吐出口94が設けられる。この冷媒吐出口94に上記上部の冷媒循環通路88の他端が気密に接続されている。上記冷媒吐出口94としては、ここでは、その噴射口が中心部まで延びて冷媒を噴霧状態で吐出させるための噴射ノズル96が用いられている。そして、下方の冷却フィン70に向けて液状の冷媒を拡散させつつ噴霧できるようになっている。ここでは、冷媒として例えば冷却水を用いることができる。尚、上記噴射ノズル96を用いないで、冷媒吐出口94より液状の冷媒を単に流下させるようにしてもよい。また、上記上部の冷媒循環通路88の途中であってガス状の冷媒が流れる部分に冷媒用排気ポンプ98が設けられる。具体的には、上記上部の冷媒循環通路88に分岐管100を接続し、この分岐管100に開閉弁102及び上記冷媒用排気ポンプ98を順次介設している。これにより、必要に応じて上部の減圧冷却室54内の雰囲気を排気して減圧状態を維持できるようになっている。尚、上記冷媒用排気ポンプ98の接続場所を、上記上部の冷媒循環通路88に替えて、後述する下部の冷媒循環通路であって、ガス状の冷媒が流れる部分に接続させるようにしてもよい。他方、下部の素子基板58は、下部の透過板20Bへ上部が接近するように上方へ向けて凸状になされた下部素子取付ブロック64Bの底部として一体的に形成されている。この下部素子取付ブロック64Bの天井部は、ウエハWの面積よりも少し大きく設定されており、この上面に上記複数の半導体素子50が取り付け固定されている。この半導体素子50は、先に説明した上部の加熱源装置22Aと同様にユニット化されており、1つの素子ユニット66に複数、例えば1000~2000個程度の半導体素子50を設けている。そして、1つの素子ユニット66の半導体素子50を、例えば複数のゾーンに分け、各ゾーン100~300個程度の直列接続した半導体素子50を取り付けて構成され、ウエハWの大きさにもよるが、例えば直径が300mmの場合にはこの素子ユニット66を例えば両面合わせて100~200ユニット程度設けており、強力な加熱光をウエハWの全面に向けて放射するようになっている。具体的には、後述するようにこの素子ユニット66の全体は六角形状に成膜されており、その一面のほぼ全体に亘って上述のように半導体素子50を1000~2000個程度取り付けている。この素子ユニット66は、熱伝導率の良い金属、例えば純銅、銅合金、アルミ等よりなる板状の素子ベース68に個々に取り付けられており、この素子ベース68を上記下部素子取付ブロック64Bの平坦な天井部64B-1の上面に取り付けている。従って、この天井部64B-1と素子ベース68とで一体化して素子基板58が形成されることになる。尚、前述したように下部の加熱源装置22Bの場合には、図2では上下を逆様にして表記されている。この素子基板58の下面側には、上記下部の減圧冷却室60内に向けて延びる複数の冷却フィン70が並列に起立させて設けられている。この冷却フィン70は、熱伝導率の良い金属、例えば純銅、銅合金、アルミ等により構成されており、その内部には長手方向に沿って空洞になされた空間部72が形成されている。そして、上記素子ユニット66側からは、上記空間部72に向けてボルト状の複数の電極ネジ74が挿通されている。各電極ネジ74は、各素子ユニット66に対応させて設けられており、この電極ネジ74は対応する素子ユニット66の半導体素子50に電気的に接続されている。そして、上記空間部72には、上記半導体素子50に電力を供給するための配線部76が設けられており、外部より導入した電力を上記各電極ネジ74を介して半導体素子50に供給できるようになっている。この配線部76は、先に説明した上部の素子基板52と同様に、例えば図3Aに示すように樹脂基板77に複数の配線膜79を形成してなるプリント配線基板81や図3Bに示すように上記各電極ネジ74に接続される配線ケーブル83によって形成される。この配線部76を、特にプリント配線基板により形成する場合には、このプリント配線基板81を冷却フィン70の長手方向に沿ってスライド可能に設けることで、外部より着脱可能となるように構成するのがよい。ここで加熱光を発すここで上記半導体素子50としては、例えばLED素子を用いることができる。また上記下部素子取付ブロック64Bの周辺部は、上記下部の内周ブロック14Bの下端部にボルト104によって取り付け固定されている。更に、この下部素子取付ブロック64Bの上部には、この下部素子取付ブロック64Bを天井部とする下部容器108がOリング等よりなるシール部材110を介してボルト112により気密に取り付け固定されている。これにより、上記下部素子取付ブロック64Bと下部容器108とを区画壁として区画された下部の上記減圧冷却室60が形成されることになる。この下部容器108の一部、例えば側壁には、口径が比較的大きな排出口114が形成されている。そして、上記下部の減圧冷却室60へ冷媒を供給する先の下部の冷媒供給機構62は、下部の減圧冷却室60から冷媒を一旦、外部へ取り出して循環させる下部の冷媒循環通路116を有している。この下部の冷媒循環通路116の一端は上記排出口114に気密に接続されている。また、この下部の冷媒循環通路116の途中には、上記下部の減圧冷却室60内で気化した冷媒を圧縮する圧縮機90と、圧縮された冷媒を、例えば冷却水によって冷却することによって凝縮させる凝縮器92が上流側から下流側に向けて順次介設されている。図1に示す場合には、上記上部と下部の冷媒循環通路88、116は、途中で接続されて部分的に共通通路118として形成されており、この共通通路118に上記圧縮機90及び凝縮器92を介設してこれらを共用するようにしている。尚、上記上部と下部の冷媒循環通路88、116を互いに独立させて設け、上記圧縮機90及び凝縮器92及び後述する冷媒用排気ポンプをそれぞれ別個独立に設けるようにしてもよい。また上記下部容器108の底部には、これを下方へ凸状に窪ませるようにして設けられた液冷媒溜め120が、下部の減圧冷却室60内の一部として形成されており、この液冷媒溜め120内に液状の冷媒Mを貯留できるようになっている。そして、下部の減圧冷却室60には、上記循環されてきた冷媒を導入する冷媒供給口122が設けられる。この冷媒供給口122に上記下部の冷媒循環通路116の他端が気密に接続されている。上記冷媒供給口122は、ここでは液冷媒溜め120の側壁に設けられている。尚、この冷媒供給口122を下部容器108の側壁に設けるようにしてもよい。そして、上記上部の冷媒循環通路88に接続した冷媒用排気ポンプ98は、上述したように、この下部の冷媒循環通路116に対して共用されており、下部の減圧冷却室60内の雰囲気を排気して上部の減圧冷却室54内と同じ圧力の減圧状態を維持できるようになっている。また、上記下部の減圧冷却室60側には、上記液冷媒溜め120内の液状の冷媒Mを上方に位置する素子基板58側に向けて噴射するための噴射機構124が設けられる。この噴射機構124は、一端がこの液冷媒溜め120の底部に接続されて、他端が下部容器108に接続された液状冷媒循環路126を有しており、液状の冷媒Mを一度外へ取り出して再度、減圧冷却室60内へ戻して循環できるようになっている。そして、この液状冷媒循環路126の途中には圧送ポンプ128が介設されて、上述のように冷媒を循環させることができるようになっている。そして、この液状冷媒循環路126の先端部には、その先端が中央部まで延びて上向きになされた噴射ノズル130が取り付けられており、上方に位置する素子基板58側に対して上記液状の冷媒を噴射するようになっている。これにより、冷媒は噴射ノズル130より噴霧状態で吐出されることになる。このように形成された上部及び下部の各加熱源装置22A、22Bの動作も含めてアニール装置12の全ての動作は、コンピュータよりなる制御部140の指示によって行われることになる。また、この動作に必要なコンピュータプログラムは記憶媒体142に記憶されている。この記憶媒体142は、例えばフレキシブルディスク、CDCompactDisc、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。<動作の説明>次に、以上のように構成された本発明のアニール装置12の動作について説明する。まず、未処理の半導体ウエハWは、開放されたゲートバルブ46を介して図示しない搬送アームにより開口44を通って処理容器14内へ搬入され、この半導体ウエハWは処理空間Sに位置された支持ピン26上に保持される。このように、未処理のウエハWが搬入されたならば、上記ゲートバルブ46を閉じて処理容器14内を密閉する。そして、ガス導入手段18より必要なガスを流量制御しつつ処理容器14内へ導入して処理空間Sに流し、これと同時に排気系36によって処理容器14内の雰囲気を排気してこの中を所定のプロセス圧力に維持する。上記必要なガスとしては、例えば半導体ウエハWをアニール処理する場合には、窒素、或いはアルゴンやヘリウム等の希ガスが用いられるが、これらに限定されるものではない。これと同時に、処理容器14の天井部側に設けた上部の加熱源装置22A及び底部側に設けた下部の加熱源装置22Bをそれぞれ駆動させて、これらに設けられているLED素子よりなる各半導体素子50より加熱光を発する。この加熱光は、例えば石英板よりなる上部及び下部の透過板20A、20Bを透過してウエハWの上面及び下面の全面に到達してこれを急速に昇温して所定のプロセス温度を維持し、所定の時間のアニール処理が行われることになる。このアニール温度は、プロセス条件にもよるが、例えば最大800°C程度である。上記加熱光には例えば赤外線や可視光が含まれる。上記したようなアニール処理が行われている間、各加熱源装置22A、22Bの素子基板52、58に設けられた多数の半導体素子50図2参照には多量の発熱が生じて半導体素子50自体の発光効率の低下や寿命の劣化等の危惧が生じることになる。しかし、本発明においては、上部の加熱源装置22A及び下部の加熱源装置22Bでは、例えば冷却水よりなる冷媒の気化熱を利用した冷却操作を行っているので、上記半導体素子50を効率的に冷却することができ、上記した発光効率の低下や寿命の劣化等が生ずることを防止することができる。すなわち、上部の加熱源装置22Aでは、素子基板52の上方に設けた上部の減圧冷却室54内には、上部の冷媒供給機構56の噴射ノズル96から冷媒が噴霧状態で下方へ向けて拡散するように吹き出されており、この噴霧状態の冷媒が下方に位置する冷却フィン70の表面全体に付着して薄膜状になる。そして、冷却フィン70からの熱によりこの薄膜状の冷媒は直ちに蒸発して気化し、この時に、冷却フィン70から気化熱を奪って冷却フィン70を冷却してこの温度を下げるように作用する。この上部の減圧冷却室54内の圧力は、上部の冷媒循環通路88の途中に設けた冷媒用排気ポンプ98により予め真空引きされて所定の圧力の減圧雰囲気になされており、冷却水よりなる冷媒の蒸発及び気化がし易い状態になされている。ここで気化した冷媒は、上部容器80の天井部に設けた排出口86より排出されて上部の冷媒供給機構56の一部を形成する冷媒循環通路88内を流れて行く。そして、この気化状態の冷媒は、両冷媒循環通路88、116の一部として共用される共通通路118に介設した圧縮機90内で圧縮された後に更に下流側に位置する凝縮器92内へ流れて冷却水で冷却され、ここで液化されることになる。上記圧縮機90での圧縮時の圧力は例えば1000~5000Paの範囲内、例えば2000Pa程度である。そして、液化された冷媒は、更に上部の冷媒循環通路88内を下流側へ流れて行き、噴射ノズル96より上部の減圧冷却室54内の下方に向けて再度噴射されることになる。このように冷媒は、蒸発と液化を繰り返しながら上部の減圧冷却室54と上部の冷媒循環通路88よりなる系内を循環して、気化熱により冷却フィン70及びこれに接近して設けられる半導体素子50を冷却することができる。ここで上部の減圧冷却室54内は、冷却水を冷媒として用いている場合には、例えば600~3000Paの範囲内、例えば1000Pa程度に維持されており、冷却水が気化し易い状態に設定されている。また、上部の減圧冷却室54の底部には、液状の冷媒Mが溜ることになるが、この液状の冷媒Mの深さL1図2参照が大きくなり過ぎると、その時の水圧が大きくなって冷媒が沸騰気化し難くなるので好ましくない。従って、上記深さL1の最大値は40mm程度であり、好ましくは1mm以下になるように設定する。他方、本発明においては、下部の加熱源装置22Bでも、上述した上部の加熱源装置22Aと同様に、例えば冷却水よりなる冷媒の気化熱を利用した冷却操作を行っているので、上記半導体素子50を効率的に冷却することができ、上記した発光効率の低下や寿命の劣化等が生ずることを防止することができる。すなわち、下部の加熱源装置22Bでは、素子基板58の下方に設けた下部の減圧冷却室60内には、この減圧冷却室60に設けた噴射機構124の噴射ノズル130から冷媒が噴霧状態で上方へ向けて拡散するように吹き出されており、この噴霧状態の冷媒が上方に位置する冷却フィン70の表面全体に付着して薄膜状になる。そして、冷却フィン70からの熱によりこの薄膜状の冷媒は直ちに蒸発して気化し、この時に、冷却フィン70から気化熱を奪って冷却フィン70を冷却してこの温度を下げるように作用する。この下部の減圧冷却室60内の圧力は、下部の冷媒循環通路116に連通された上部の冷媒循環通路88の途中に設けた冷媒用排気ポンプ98により予め真空引きされて所定の圧力の減圧雰囲気になされており、冷却水よりなる冷媒の蒸発及び気化がし易い状態になされている。ここで気化した冷媒は、下部容器108の側壁に設けた排出口114より排出されて下部の冷媒供給機構62の一部を形成する冷媒循環通路116内を流れて行く。そして、この気化状態の冷媒は、両冷媒循環通路88、116の一部として共用される共通通路118に介設した圧縮機90内で圧縮された後に更に下流側に位置する凝縮器92内へ流れて冷却水で冷却され、ここで液化されることになる。上記圧縮機90での圧縮時の圧力は例えば1000~5000Paの範囲内、例えば2000Pa程度である。そして、液化された冷媒は、更に下部の冷媒循環通路116内を下流側へ流れて行き、下部の減圧冷却室60内の底部に設けられた液冷媒溜め120内の冷媒供給口122より戻されて循環使用される。また、前述したように、この液冷媒溜め120内の液状の冷媒は、液状冷媒循環路126内を圧送ポンプ128により圧送されて噴射ノズル130より上方へ向けて拡散するように再度噴射され、循環されることになる。この場合、余分な冷媒は落下して液冷媒溜め120内に溜ることになる。このように冷媒は、蒸発と液化を繰り返しながら下部の減圧冷却室60と下部の冷媒循環通路116よりなる系内を循環して、気化熱により冷却フィン70及びこれに接近して設けられる半導体素子50を冷却することができる。ここで下部の減圧冷却室60内は、上部の減圧冷却室54と同様に冷却水を冷媒として用いている場合には、例えば600~3000Paの範囲内、例えば1000Pa程度に維持されており、冷却水が気化し易い状態に設定されている。このように、本発明によれば、被処理体、例えば半導体ウエハWを加熱するための加熱源装置において、加熱光を発する複数の半導体素子50が一方の面に取り付けられた素子基板52、58と、上記素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室54、60と、上記減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構56、62とを備えるようにし、冷媒を蒸発させて蒸発時に発生する気化熱によって素子基板及び半導体素子を冷却するようにしているので、この素子基板及び半導体素子を効率的に冷却することができる。また、冷却効率を向上させることができることから、より大きな電力を半導体素子に投入することができる。<本発明の評価結果>次に、上述のように構成された本発明の加熱源装置の実験を行ったので、その評価結果について説明する。図4は水冷却水の飽和蒸気圧の変化を示すグラフ、図5は冷却水を気化させるようにしたときの熱伝達率を示すグラフ、図6は従来の加熱源装置と本発明の加熱源装置における素子基板の温度変化を示すグラフである。ここでは、まず先に説明したように加熱光を発する半導体素子を冷却するために冷媒を気化させるようにした時の有効性について説明する。冷媒を用いて物を冷却する場合、この冷媒の相変化を伴うことなく熱伝導で冷却するときには、その時の冷却効率は冷媒の比熱に依存するが、冷媒の相変化を伴った冷却、例えば液体から気体に変化するような相変化が伴った冷却を行うと、上記比熱よりも遥かに大きな気化熱を奪うことになることから、冷却効率を非常に大きくすることができる。ここで先に説明したように、冷媒として水冷却水を用いた場合を例にとって説明すると、この水の飽和蒸気圧曲線は図4に示すようになっている。気化熱を冷却に用いるために低温で冷却水を沸騰させるためには、図4中のA部に示すように圧力をかなり低く設定することが必要であり、しかも圧力が低い程、小さな圧力変化に対して沸騰する温度が大きく変動するので制御が難しくなる。従って、本発明では、図4中のA部の領域を冷却に利用するために、前述したように上部及び下部の両減圧冷却室54、60内を減圧雰囲気に設定して効率的に冷却を行うようにしている。ここで、実験により冷却のために上記したような水の気化熱を用いた時の熱伝達率を測定したので、その評価結果について説明する。ここでは、素子基板に見立てた金属プレートの下面に加熱ヒータを設け、金属プレートの上面に減圧状態になされた冷却室を形成して、この金属プレートの上面に冷却水を薄く噴霧して気化して冷却するようにした。この時の金属プレートの上面の温度及び冷却水の温度をそれぞれ測定し、熱伝達率を求めた。また冷却室の圧力は1000Paに設定した。この時の結果を図5に示す。図5では左側の縦軸に温度°Cを示し、右側の縦軸に熱伝達率W/m2Kを示す。この結果から明らかなように、冷却のために水の気化熱を用いると約5000~6000W/m2K程度の高い熱伝達率を達成できることを確認することができた。この場合、相変化を伴うことのない状態で水を冷媒として用いた時の熱伝導効率は約1000W/m2K程度なので、上述のように冷却のために気化熱を用いることにより、物を効率的に冷却できることが判る。さて、上述したような考察に基づいてなされた本発明の加熱源装置を用いて実際にLEDの素子基板の温度を測定して冷却効率を確認したので、その結果を図6に示す。ここでは比較例として図22に示すような冷却ジャケットを用いた従来の加熱源装置についても測定を行った。冷却水は工場循環水を用い、その温度は25°Cであった。図6においては、横軸にLED素子に流す電流をとり、縦軸にLEDの素子基板の温度をとっている。図6から明らかなように、両者共に電流の増加に従って、略直線的に素子基板の温度は上昇している。そして、従来の加熱源装置に比較して本発明の加熱源装置の場合には、常に約20°C程度低くなっており、本発明の加熱源装置の場合には、LED素子をより効率的に冷却できることが判った。換言すれば、このように、LED素子の温度を低くできることは、より多くの電流を流して加熱光を多量に発生できることを意味する<第1の変形実施例>次に、本発明の第1の変形実施例について説明する。図7は本発明の第1の変形実施例の一部を示す部分構成図である。図1及び図2に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。図7は上部の加熱源装置22Aに対応する。先に説明したように、水を冷却水として用いる場合には低圧雰囲気下では僅かな圧力変化によって沸騰するか否かが左右されるので、減圧冷却室54の底部に溜る冷媒Mの深さL1図2参照が大きくなるとその水圧によって冷媒である水の沸騰が抑制されて好ましくない。そこで、ここでは図7に示すように、冷媒Mの深さL1を低く維持するために液状冷媒循環機構150を設けている。この液状冷媒循環機構150は、上記減圧冷却室54の底部に貯まった液状の冷媒Mを一旦外部へ取り出して減圧冷却室54内へ再度戻す液状冷媒循環路152を有している。この場合、液状の冷媒を外へ取り出す液排出口153は、上部素子取付ブロック64Aの側壁であって、維持すべき液状の冷媒Mの液面レベルの高さL1の位置に対応させて設けている。すなわち、この液排出口153は、上部素子取付ブロック64A内の底部よりも高さL1だけ上方の部分に位置させて設けられている。そして、この液排出口153に接続された液状冷媒循環路152は、例えば処理容器14内を通るなどして下方に向けて延びており、液状の冷媒が自重で自動的に減圧冷却室54内の底部から流れ出るようにしている。そして、上記液状冷媒循環路152の途中には、上記液状の冷媒を一時的に貯留する冷媒貯留槽154と圧送ポンプ156とが順次介設されており、上記冷媒貯留槽154内の冷媒を再び減圧冷却室54に向けて圧送するようになっている。また、この冷媒貯留槽154に接続した液状冷媒循環路152の先端には、図1において説明した噴射ノズル96が取り付けられており、圧送されてきた液状の冷媒を図1にて説明したと同様に下方に位置する素子基板52に向けて拡散しつつ噴霧するようになっている。この場合、上部の冷媒循環通路88は、上記液状冷媒循環機構150の冷媒貯留槽154へ接続されており、気化後に凝縮された冷媒をこの冷媒貯留槽154へ戻すようになっている。そして、この冷媒貯留槽154内の冷媒は、上述したように圧送ポンプ156によって液状冷媒循環路152内を圧送されて減圧冷却室54内へ噴霧される。従って、この液状冷媒循環路152は、上記冷媒循環通路88の一部を構成することになる。このように構成された第1の変形実施例の場合にも、先に図1及び図2を参照して説明した実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また、この第1の変形実施例の場合には、減圧冷却室54内の底部の液状の冷媒M、例えば冷却水の深さを所定の深さL1に確実に維持できるので、液状の冷媒Mの気化が抑制されることを防止して冷媒を効果的に気化させることができ、効率的に半導体素子を冷却することができる。尚、ここでは減圧冷却室54内の底部に貯留する液状の冷媒Mを自重で流下させて取り出すようにしたが、これに限定されず、液排出口153を減圧冷却室54内の底面より高さL1の位置に設け、これより吸引ポンプ図示せずにより強制的に液状の冷媒を吸い込んで先の冷媒貯留槽154へ流し込むようにしてもよく、この構成でも冷媒Mの液面レベルを深さL1に維持することができる。<第2の変形実施例>次に、本発明の第2の変形実施例について説明する。図8は本発明の第2の変形実施例の一部を示す部分構成図である。図1及び図2に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。図8は下部の加熱源装置22Bに対応し、図8Aは縦断面図を示し、図8Bは羽根車を示す。図1に示す実施例では、下部の加熱源装置22Bには、液冷媒溜め120内の液状の冷媒冷却水を循環させる噴射機構124や噴射ノズル130を設けたが、これに替えて、図8に示すような羽根車160を設けるようにしてもよい。具体的には、液冷媒溜め120内の液状の冷媒Mはその表面が、減圧冷却室60内に臨むように貯留されている。そして、上記羽根車160は、その下部が上記液状の冷媒M中に浸漬するように設置される。この羽根車160の回転軸162は、磁性流体シール軸受164を介して下部容器108の側壁に気密状態を維持しつつ回転自在に支持されている。そして、この回転軸162は、駆動モータ166に連結されており、この羽根車160を回転させるようになっている。この場合には、上記羽根車160を回転させることは、液冷媒溜め120内の液状の冷媒Mは、羽根車160によって掻き上げられて上方へ散布されてミスト状になり、上方に位置する冷却フィン70を含む素子基板58の表面に薄く付着することになる。この場合、掻き上げられた冷媒Mの液滴が直接に付着したり、ミスト状の冷媒が付着したりする。いずれにしても、この第2の変形実施例の場合にも、先に説明した実施例と同様な作用効果を生ずることができる。尚、図7に示す構成と図8に示す構成とを組み合わせて用いるようにしてもよいのは勿論である。<第3の変形実施例>次に、本発明の第3の変形実施例について説明する。図9は本発明の第3の変形実施例の一部を示す部分構成図である。図1、図2及び図8に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。図9は下部の加熱源装置22Bに対応する。先に説明した各実施例では、上部、或いは下部の冷媒循環通路88、116における圧縮機90及び凝縮器92にて液化された冷媒は上部の減圧冷却室54や下部の減圧冷却室60内へ自動的に流れるようにしているが、この冷媒の流れをここで説明する第3の変形実施例のように確実に行うようにしてもよい。この第3の変形実施例では、上部の冷媒循環通路88と下部の冷媒循環通路116とを完全に分離して独立した系として形成し、各冷媒循環通路88、116にそれぞれ圧縮機90、凝縮器92及び冷媒用排気ポンプ98を設けるようにする。ここでは図1に示した下部の加熱源装置22Bに第3の変形実施例を適用した場合を例にとって説明する。図9に示すように、下部の冷媒循環通路116であって、凝縮器92の下流側の途中には、液化された冷媒を貯留するための冷媒貯留槽168が設けられる。そして、この冷媒貯留槽168の底部の方から上記下部の減圧冷却室60に向けて液状の冷媒Mを流すようにしている。ここで上記冷媒貯留槽168の上記下部容器108に対する相対的な高さ位置、すなわち高さ方向の位置やこの下部の冷媒循環通路116や下部の減圧冷却室60等で形成される閉じられた系内における冷媒量を調整し、上記下部の減圧冷却室60内と上記冷媒貯留槽168内に共に常時液状の冷媒Mが存在するように設定する。例えば、圧縮機90の上流側の圧力が1000Paであると仮定し、圧縮機90の下流側の圧力が2000Paであると仮定すると、上記下部の減圧冷却室60内の冷媒Mの基準となる液面レベルと上記冷媒貯留槽168内の冷媒Mの液面レベルとの差L2は、常に上記圧縮機90の前後の差圧となるように維持されることになる。このため、上記冷媒貯留槽168の下面を上記冷媒貯留槽168内の冷媒Mの液面レベルよりもL2以上低くする必要がある。例えば冷媒が冷却水の場合には、上記差L2は10cm程度になる。この構成により、冷媒貯留槽168内へ液状の冷媒が流れ込んで溜れば、その溜った分の冷媒は下部の減圧冷却室60内に向けて流れて行き、自己循環系を成立させることができる。この自己循環系は、図8に示した第2の変形実施例に対しても適用することができる。また、上記構成は、上部の冷媒循環通路88に対しても同様に適用されるのは勿論である。この場合には、上部の減圧冷却室54内の底部に溜った冷媒の液面のレベルが基準となるのは勿論である。尚、上記各実施例では、半導体素子50を冷却する冷媒として主に冷却水水を用いる場合を例にとって説明したが、この冷媒としては冷却水に限定されず、フロン、代替フロン、二酸化炭素、窒素の他に、アルゴンやヘリウム等の希ガス等も用いることができる。また、必要に応じて各減圧冷却室54、60の直ぐ上流側の各冷媒循環通路88、116、或いは共通通路118に膨張弁を設けるようにして霧状の冷媒を発生させるようにしてもよい。この場合には、噴射ノズル96、130を設けることなく、各冷媒吐出口94、122より各減圧冷却室54、60内へ冷媒を霧状にして供給することができる。また、下部の減圧冷却室60側には、液冷媒溜め120やこれに付随して設けた噴射機構124も不要にすることができる。また、上記各実施例では、半導体素子50としてLED素子を主に用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、レーザ素子を用いるようにしてもよい。<本発明の第1の関連技術>次に、本発明の第1の関連技術について説明する。先に説明したように構成されたアニール装置12を保守点検する場合には、例えば図1に示すアニール装置において、天井板17の周辺部を固定するボルト15Aを取り外し、天井板17の一側に設けたヒンジ部48を支点としてこの天井板17を展開して開くようにする。この場合、上部及び下部の加熱源装置22A、22Bに用いられている半導体素子50からは強力な加熱光が放射されているので、安全のために半導体素子50の発光を完全に停止させることが必要である。本発明の第1の関連技術は、上述のように天井板17を開いた時に半導体素子50の発光を完全に停止させる電気遮断機構に関するものである。図10は第1の関連技術における電力供給用の配線系統の一例を示す模式図であり、図10Aは側面図を示し、図10Bは背面図を示す。図11は天井板に設けた電気遮断機構の一例を示し、図11Aは部分断面図、図11Bは電気遮断機構に用いるバネ付きのピンの概略図を示す。まず、先に図1を参照して説明したように、このアニール装置12では、上部の加熱源装置22Aは天井板17に一体的に取り付けられ、この天井板17は、ヒンジ部48を支点として展開自在になされている。また処理容器14の底部には下部の加熱源装置22Bが取り付けられている。図10にも示すように、上記処理容器14と天井板17の側面には、一対の開閉用エアシリンダ170が取り付けられており、天井板17の展開を補助できるようになっている。電源部171からは配線172が延びており、上部の加熱源装置22Aへは、処理容器14側へ接続された配線172Aを介して電力が供給され、下部の加熱源装置22Bへは天井板17側へ接続された配線172Bを介して電力が供給される。そして、上記配線172Aは、一方の電気遮断機構174Aへ接続され、配線172Bは、他方の電気遮断機構174Bへ接続される。図11は下部の加熱源装置22B用の電気遮断機構174Bを示している。上記配線172Bは、複数に並列化されて、天井板17の基端部側に設けた電気遮断機構174Bへ接続されている。この電気遮断機構174Bは、天井板17に例えばPTFEポリテトラフルオロエチレン、POMポリアセタール等の合成樹脂やアルミナ等のセラミックスよりなる絶縁材176を設け、この絶縁材176を貫通するように並列に複数個埋め込まれた導電性のバネ付きピン178を有している。このバネ付きピン178に対向する処理容器14側には同じく絶縁材180を設け、この絶縁材180を貫通するようにして並列に導電性の接続ピン182が複数個埋め込まれている。上記各接続ピン182の上端は、対応する各バネ付きピン178の下端部と接触して電気を流すようになっている。上記バネ付きピン178は、図11Bに示すように円筒体状の容器184内にバネ186を収容すると共に、この円筒体状の容器184内に上記バネ186を圧縮した状態でピン部188を収容して構成されている。そして、このピン部188は、円筒体状の容器184の一端からその外側へ上記バネ186の弾発力により出没可能になされている。このようなバネ付きピン178は、いわゆる一般的にポゴピンやスプリングピンと称されている。従って、天井板17が閉じられている時には、このバネ付きピン178のピン部188の先端は、容器184内にバネ186の弾発力に抗して没した状態で接続ピン182の上端に接触して導通状態となっており、天井板17が図11Aに示すように展開して開いた時に、上記バネ付きピン178は接続ピン182から離れて両者の導通が断たれることになる。これにより、下部の加熱源装置22Bへの電力供給を完全に遮断できることになる。すなわち、上記バネ付きピン178と接続ピン182とによりスイッチ機構が形成されることになる。また、上部の加熱源装置22A用の電気遮断機構178Aも、上記した構成と同様に形成されている。ただし、上記とは逆に前述したように、接続ピン182は電源部171側へ接続され、バネ付きピン178側が上部の加熱源装置22A側へ接続されることになる。<本発明の第2の関連技術>次に本発明の第2の関連技術について説明する。この第2の関連技術の目的は、先の第1の関連技術と同じであり、天井板17を開いた時に安全のために半導体素子50の発光を完全に停止することである。図12は第2の関連技術における電力供給用の配線系統の一例を示す模式図、図13は天井板の支持部を示す拡大斜視図、図14は電気遮断機構の一例を示す図、図15は天井板17の展開動作を説明する図である。ここで図15では、上下部の加熱源装置22A、22Bの記載は省略している。尚、図10及び図11と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。ここでは、先の第1の関連技術で説明したバネ付きピン178と接続ピン182に替えて、図14に示すように棒状のプラグ電極190と、この棒状のプラグ電極190を密接状態で収容するための凹部192を有するレセクタプル電極194とにより両電気遮断機構174A、174Bが構成されている。すなわち、上記プラグ電極190とレセクタプル電極194とでコネクタ形式の電気遮断機構となっている。尚、図14ではプラグ電極190等は2本しか記載していないが、実際には更に多くのプラグ電極190及びレセクタプル電極194が設けられている。この場合、プラグ電極190をレセクタプル電極194から引き抜くためには、少なくともプラグ電極190の挿入部190Aの長さに相当する距離だけ天井板17を垂直方向上方へ移動させる必要がある。そこで、ここでは、図12に示すように、処理容器14の側壁部分の両側に、一対の持ち上げ用エアシリンダ198を設けている。図12では、持ち上げ用エアシリンダ198を1個しか記載していないが、反対側にも持ち上げ用エアシリンダが設けられている。この持ち上げ用エアシリンダ198は、出没可能になされた持ち上げピン198Aを有しており、天井板17には上記持ち上げピン198Aの先端を受ける受け部200が設けられている。従って、この持ち上げピン198Aを上方へ延出させることによって、この先端が天井板17の受け部200に当接して、この天井板17自体を持ち上げピン198Aのストローク長だけ上方へ持ち上げるようになっている。この場合、上記天井板17の上下方向への垂直移動を許容するために、図13に示すように、ヒンジ部48の構造は、軸受け部202に縦方向への長溝図示せずを形成するなどして支持軸204が上下方向へスライド移動できるような構造になっている。このような構成において、天井板17を展開するには、まず、図15Aに示すような状態から、図15Bに示すように処理容器14の側面に設けられている一対の持ち上げ用エアシリンダ198を動作して持ち上げピン198Aを上方へ突き上げる。すると、持ち上げピン198Aの上端は天井板17の受け部200に当接してこの天井板17自体を垂直方向上方へ持ち上げられることになる。この際、図14Aに示すように、レセクタプル電極194の凹部192へ密接状態で収容されていたプラグ電極190の挿入部190Aは、天井板17の上昇に伴って図14Bに示すように凹部192内から引き抜かれることになり、これにより両者間の導通が断たれて半導体素子50の発光が遮断されることになる。その後は、図15Cに示すように、天井板17は大きく展開されてメンテナンス等がなされることになる。尚、天井板を閉じる時は、上記した操作とは逆の操作を行うことになる。このように、この第2の関連技術の場合にも、天井板17の展開に伴って下部の加熱源装置22Bへの電力供給を完全に遮断できることになる。すなわち、上記プラグ電極190とレセクタプル電極194とによりスイッチ機構が形成されることになる。また、上部の加熱源装置22A用の電気遮断機構178Aも、先の第1の関連技術で説明したように、上記した構造と同様に形成されている。<第3の関連技術>次に本発明の第3の関連技術について説明する。先に説明したアニール装置では、スループットを向上させるために被処理体の高速な昇温は勿論のこと、最大1000°C程度まで昇温した被処理体を高速に降温させることが必要である。この場合、図1において上部及び下部の両透過板20A、20Bは、加熱光に対しては透過性があるので加熱されないが、被処理体Wからの輻射熱によりかなりな温度、例えば被処理体Wの温度の1~4割程度の温度まで昇温してしまうことは避けられない。このように、被処理体Wからの輻射熱により例えば石英板よりなる透過板20A、20Bが加熱されると、上述したように被処理体Wを高速で降温させる際に、上記透過板20A、20Bからの放熱が障害となって被処理体の迅速な高速降温が阻害される危惧が生ずる。そこで、この第3の関連技術では透過板20A、20Bと素子基板52、58との間に形成される空間部に冷却ガスを流すことにより、透過板20A、20Bをそれぞれ冷却するようにしている。図16はこのような本発明の第3の関連技術を説明するためのアニール装置の部分断面図である。尚、図1乃至図15に示した構成部分と同一構成部分については、同一参照符号を付して、その説明を省略する。図16に示すように、上部の加熱源装置22Aに関しては、上部の透過板20Aと上部の素子基板52と上部素子取付ブロック64Aと上部の内周ブロック14Aとで区画される領域には密閉状態の上部空間部210Aが形成されている。そして、この上部空間部210Aに冷却ガスを流すために、この上部空間部210Aを区画する区画壁、例えばここでは上部の内周ブロック14Aに上部冷却ガス導入路212Aを形成し、更に、上部の素子基板52の下部の領域を通過した反対側には上部冷却ガス排出路214Aを形成し、図示しないガス供給源からガス流量制御器を介して上部冷却ガス導入路212Aへガスを供給することで、この上部空間部210Aに冷却ガスを流量制御しつつ流すことができるようになっている。また、下部の加熱源装置22Bに関しては、下部の透過板20Bと下部の素子基板58と下部素子取付ブロック64Bと下部の内周ブロック14Bとで区画される領域には密閉状態の下部空間部210Bが形成されている。そして、この下部空間部210Bに冷却ガスを流すために、この下部空間部210Bを区画する区画壁、例えばここでは下部の内周ブロック14Bに下部冷却ガス導入路212Bを形成し、更に、下部の素子基板58の上部の領域を通過した反対側には下部冷却ガス排出路214Bを形成し、図示しないガス供給源からガス流量制御器を介して下部冷却ガス導入路212Bへガスを供給することで、この下部空間部210Bに冷却ガスを流量制御しつつ流すことができるようになっている。また、上記各透過板20A、20Bの厚さは、アニール処理時における処理空間Sと上部空間部210A及び下部空間部210Bとの間の差圧に十分に耐え得る程度の厚さに設定されている。このような構成により、ウエハWの降温時に、上記上部空間部210Aと下部空間部210Bに流量制御しつつ矢印220、222に示すように、冷却ガスを流すことにより、上記各透過板20A、20Bの温度を下げることができる。従って、これらの透過板20A、20Bからの輻射熱が少なくなり、ウエハWの高速降温を実現することができる。更に、このように両空間部210A、210Bに冷却ガスを流すことにより、これらの透過板20A、20Bと例えば-50~25°C程度の冷却状態になされている素子基板52、58との間に冷却ガスを介した熱伝導を生じさせることができ、この点からも両透過板20A、20Bの温度を更に低下させることができる。この場合、上記両空間部210A、210B内を減圧雰囲気にして、この空間部210A、210B内の圧力よりも処理空間S内の圧力を高く維持して差圧をつけることにより、LED加熱源を用いた場合に、上記差圧を用いて電極ネジ74を介して素子基板52を素子取付ブロック64A、64Bに押さえつけることができ、素子基板52の冷却効率が向上する。また、そうすることにより透過板20A、20Bの強度が補強され、透過板20A、20Bの厚さを薄くすることができ、LED加熱源をウエハに極力近づけることができる為、加熱効率が向上する。この場合、電極ネジ74に透過板を接触させるのではなく、補強柱を数本立て透過板に接触させても透過板の厚さを薄くすることができる。この時、上記両透過板20A、20Bの破損を防止するために、上部の素子基板52と上部の透過板20Aとの間、及び下部の素子基板58と下部の透過板20Bとの間に、複数本の例えば樹脂性の支柱を設けるようにしてもよい。ここで冷却ガスとしては、空気、窒素の他にヘリウム、アルゴン等の希ガスを用いることができる。また、この第3の関連技術は、本発明の各実施例に適用できるのみならず、図22に示したような従来の加熱源装置を用いたアニール装置にも適用することができるのは勿論である。<第4の変形実施例>上記各実施例では、支持手段16で支持された半導体ウエハWの外周側には何も設けていなかったが、実際には均熱リング板を設けるのが好ましい。この場合、上記均熱リング板に対しては半導体素子50から放射されて発せられた光が当たるようにしてこの均熱リング板を加熱するようにする。図17はこのように構成された本発明の加熱源装置の第4の変形実施例の主要部を示す図である。図18は加熱源装置の素子ユニットの部分の平面図を示し、図18Aは1つの素子ユニットの拡大図を示し、図18Bは素子ユニットの全体図を示す。図17及び図18では加熱源装置の素子ユニットの部分を取り出して示しており、他の部分に関しては先に説明した各図の記載と同じなので、その記載を省略している。例えば電極ネジ等の記載は省略している。尚、図17及び図18において先に説明した部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。図17に示すように、半導体ウエハWの外周側には、これより僅かに離間させて幅が20mm程度の環状の均熱リング板221が設けられている。尚、ウエハWの直径は例えば300mmである。この均熱リング板221は、例えば石英やセラミック材よりなる複数の支持ピン223により支持されている。上記均熱リング板221は、例えば単結晶シリコン、ポリシリコン或いはSiCやAlN等のセラミック材で形成することができる。この均熱リング板221は、放熱量が大きいウエハWの周縁部に対して熱を補給してウエハ温度の面内均一性を高めるためのものであり、そのため、ウエハWと同程度の温度に維持される必要がある。そのため、上部及び下部の加熱源装置22A、22Bの素子ユニット66には、この均熱リング板221を専用に加熱する素子ユニット66Xが設けられている。上記素子ユニット66Xを含む各素子ユニット66に設けられる半導体素子50としては、ここでは放射する光の拡散が大きいLED素子が設けられており、指向性の低い拡散光によりウエハWの表面や均熱リング板221の表面をできるだけ均等に加熱するようになっている。尚、図17においては、点線の矢印が各素子ユニット6666Xから出る拡散光の範囲を示している。上記各素子ユニット6666Xは、先にも説明したように、例えば図18Aに示すように六角形状に成形されており、この表面全体に半導体素子50を例えば1000~2000個程度密集させて取り付けている。この六角形の一辺は、例えば10~30mm程度である。そして、このような素子ユニット66を100~200ユニット程度の数だけ素子基板52、58図1参照の表面に、図18Bに示すように半導体ウエハW及び均熱リング板221全体の上方及び下方を覆うように密集させて取り付けている。図18Bでは、略同心円状に複数、例えば内周から外周に向けて第1ゾーン~第5ゾーン224A、224B、224C、224D、224Eまで5つのゾーンになるように区分している。尚、このゾーンの区分数は特に限定されない。ここでは、最外周のゾーンである第5ゾーン224Eに配置された素子ユニット66Xにより主に均熱リング板221を加熱するようになっている。尚、図18Bにおいては、半導体素子50として拡散光を発するLED素子を用いていることから、第5ゾーン224Eの一部には素子ユニット66Xを設けておらず、この第5ゾーン224Eには、素子ユニット66Xが一部集合させて設け、均熱リング板221の周方向に向けて離散的に配置されている。尚、実際には図18Bに示すように、第5ゾーンは、上下方向から見て平面的には均熱リング板221の外側に位置するように配置されている。このように、ウエハWの外周側に均熱リング板221を配置し、これを最外周のゾーンである第5ゾーン224Eに配置した素子ユニット66Xから放射する光によってウエハWの温度と同じように加熱するようにしたので、ウエハ温度の面内均一性を高く維持することができる。上記作用効果についてコンピュータによるシミュレーション結果に基づいて説明する。図19は第1ゾーンから第5ゾーンの各素子ユニットにより半導体ウエハの表面側に投入される光の強度のシミュレーションを示すグラフである。図19において横軸はウエハ中心からの位置を示し、縦軸は相対的な光の強度を示す任意単位arbitaryunitとする。ここでは第1ゾーン~第5ゾーンまでの個別のゾーンの光の強度を示すと共に、第1ゾーンから第4ゾーンまでの合計の曲線A及び第1ゾーンから第5ゾーンまでの合計の曲線Bを併記してある。尚、ここでは半導体素子としては全てLED素子が用いられている。半導体ウエハの直径は300mmであり、従って半径は150mmになっている。図19のグラフに示すように、第1ゾーンの素子ユニット66からの光はウエハの表面のほぼ中央部に位置しており、この第1ゾーンから第4ゾーンまでの各ゾーンの素子ユニット66からの光は、ウエハの表面の中央部から周縁部に向けて次第にシフトしている。また第4ゾーンの素子ユニット66からの光のピークは、ウエハ周縁部よりも少し、例えば10mm程度外側に位置されている。更に、最外周である第5ゾーンの素子ユニット66Xからの光のピークは、ウエハ周縁部よりも更に大きく、例えば40mm程度外側に位置されている。ここで各素子ユニット6666X含むを形成するLED素子からの光は拡散光になっているので、隣り合うゾーンからの光が互いに重なり合ってウエハ表面が加熱されている。そして、曲線Aに示すように、第1ゾーンから第4ゾーンまでの各光を合計した場合には第5ゾーンはなし、ウエハ周辺部の温度は急激に低下しており、ウエハ温度の面内均一性は低下していることが判る。これに対して、曲線Bに示すように、第1ゾーンから第5ゾーンまでの各光を合計した場合には、ウエハ周辺部の温度の低下は僅かであり、ウエハ温度の面内均一性は高く維持されていることが判る。このように、均熱リング板221を設けると共に、この均熱リング板221を主に加熱する素子ユニットを設けて、この均熱リング板221を十分な温度に加熱することにより、ウエハ温度の面内均一性を十分に高くできることが理解できる。<第5の変形実施例>次に、第5の変形実施例について説明する。上記第4の変形実施例では、均熱リング板221を主に加熱するために最外周ゾーンである第5ゾーン224Eに設けた半導体素子50としては、拡散光を発するLED素子を用いているため、このLED素子から発せられた光の内で均熱リング板221に届く光は一部でしかなく、他の光は無駄になってしまい、エネルギー効率が低下してしまう。そこで、この第5の変形実施例では、最外周のゾーンである第5ゾーン224Eの半導体素子50としては、LED素子に代えて指向性の高い光を発するレーザ素子を用いるようにする。図20はこのように構成された本発明の加熱源装置の第5の変形実施例の主要部を示す図、図21はレーザ素子から発せられるレーザ光のX方向とこれに直交するY方向への拡散の状態を示す図である。図20において図17に示す構成と同一構成部分については同一参照符号を付し、その説明を省略する。尚、図17に示していない他の部分に関しては、先に説明した各図の記載と同じである。図20に示すように、ここでは下部の加熱源装置22Bにおいて、最外周である第5ゾーン224Eには、半導体素子50図2参照としてレーザ素子230を搭載した素子ユニット66Yを設けている。すなわち、第1ゾーン224A~第4ゾーン224Dには、半導体素子50として多数のLED素子が用いられており、このLED素子群の外周側である第5ゾーン224Eに上記複数のレーザ素子230を設けている。この場合、各レーザ素子230より発せられるレーザ光は強い指向性を有しているので、その指向性方向を上記均熱リング板221に向けている。更に、レーザ素子230より放射されるレーザ光は僅かではあるが拡散して光スポットは細長い楕円形状になり、図21に示すようにX軸方向へは拡散が少なく、Y軸方向へは拡散が大きくなっている。そして、ここではレーザ光の拡散する光スポットの細長い楕円形状の長手方向、すなわちY軸方向が上記均熱リング板221の周方向に沿って形成されるように上記各レーザ素子230を取り付けている。これにより、均熱リング板221を一層効率的に加熱することが可能となる。また、図18Bに示すように、第5ゾーン224Eに半導体素子としてLED素子を用いた場合には、素子ユニット66Xは均熱リング板221の周方向に沿って一部は集合させて設けると共に全体では離散的に設けたが、半導体素子としてレーザ素子230を用いた場合には、上述したようにレーザ光の指向性が高いので、レーザ素子230を用いた素子ユニット66Yでは第5ゾーン224Eに均熱リング板221の周方向に沿って連続的に設けるようにするのが好ましい。また、ここではレーザ素子230から放射される指向性の高いレーザ光により均熱リング板221を効率的に加熱することができるので、素子ユニット66Yは下部の加熱源装置22B側にしか設けておらず、上部の加熱源装置22A側の第5のゾーン224Eの領域は空状態にしている。尚、上記レーザ素子230を有する素子ユニット66Yは、下部の加熱源装置22B側ではなくて、上部の加熱源装置22A側に設けてもよいし、或いは上部及び下部の両加熱源装置22A、22B側に設けるようにしてもよい。このように、最外周ゾーンである第5ゾーン224Eに、均熱リング板221を専用に加熱するために半導体素子50としてレーザ素子230を用いた素子ユニット66Yを設けるようにしたので、上記均熱リング板221を効率的に加熱することができると共に、ウエハ温度の面内均一性も高く維持することができる。尚、以上説明した各実施例では、半導体ウエハWは固定された状態でアニール処理等を行っているが、これに限定されず、図示しない回転機構を設けてウエハWを加熱源装置に対して相対的に回転させるようにしてもよい。また、以上の各実施例や関連技術では、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。