主成分が銅であって、硫黄が0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウムが400質量ppm以上5000質量ppm以下添加されたことを特徴とする銅ボンディングワイヤ。前記硫黄の添加量が0.1質量ppm以上1質量ppm以下、前記パラジウムの添加量が400質量ppm以上2000質量ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の銅ボンディングワイヤ。更に銀が5質量ppm以上50質量ppm以下添加されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の銅ボンディングワイヤ。線径が18.0μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の銅ボンディングワイヤ。しかしながら、Au線を使用した民生用LSIで広く使用されるようになった直径が17~18μmのボンディングワイヤで、かつ潰しボールの平均直径が35~36μmといった小ボール接合が要求されるパッケージの領域で、上述の高純度ベア銅ボンディングワイヤを用いて接合する場合には、ボンダーのボンディングツールヘッドの慣性モーメントが、ボールの潰れ変形に要するエネルギーよりも大き過ぎてしまい、ボールボンディング時にボールが潰れ過ぎ易いといった現象が観察された。またこうした高純度銅では、潰したボールが花弁状に潰れ易いといった現象も観察され、ボールが潰れやすい場合には、花弁状に潰れたボールの一部が、半導体素子上の40μm角のアルミニウム電極開口部からはみ出し、電極開口枠のパッシベーション膜を破壊したり、隣接ボールや電極との電気的短絡を起こしたりするという問題があった。これを回避するためには、ボールの潰し径を抑制してアルミニウム電極の開口部内でボール接合するために、ボンダー側のボンディング条件であるツール下降速度、荷重、超音波出力等を低下させ、ボンディングエネルギーを下げて接合を行わなければならない。しかしながら、ボンディングエネルギーを下げての接合では、ボール形状の潰れ過ぎは防ぐことができるのでアルミニウム電極開口部内に収まるとしても、肝心のアルミニウムと銅との拡散接合が十分広く均一に行われないことから、初期接合性が低下するという問題があった。かかる初期接合性の低下が発生すると、高温においては接合界面で成長する金属間化合物が部分的な成長に留まってカーケンダルボイドが発生し易くなり、更に高湿度が加わるHASTにおいては、銅とアルミニウムとの金属間化合物の腐食によって電気抵抗が上昇するまでの時間が金線よりも短くなる、いわゆる寿命の低下が深刻な問題となっていた。そこで、かかるボール接合時のボールの潰れ性を抑制し、かつ接合性を向上することを目的に、純度99.99程度で酸素濃度が5ppm以下の無酸素銅の使用も試みられた。無酸素銅の使用により、ボールは潰れ難くなり、潰れたボール径がアルミニウム電極の開口部内に収まって接合はできるようになったが、アルミニウム電極下の誘電体膜の損傷が発生した。そのため、損傷を回避しようと接合条件を和らげると、今度は従来型のエポキシコンパウンドを用いてのHASTにおいてはやはり寿命は金線よりも短くなるという現象が観察された。更に高密度なパッケージで、使用する線径が15μmで、アルミニウムパッドの開口部が30μm角しかない場合には、狙いの潰しボール径が27μm以下となり、ボールの潰れ径を抑えるためにボンディングエネルギーを抑制しなければならず、寿命が低下する傾向はさらに顕著に観察された。寿命を長くするためには、誘電体膜を損傷せずかつ十分なボンディングエネルギーを印加してアルミニウム電極の開口部内で銅とアルミニウムとの初期接合を十分に行い、高温においては金属間化合物の成長が均一で、かつその成長速度を遅くして接合面積の小ささによる電気抵抗の上昇を抑制し、さらに成長した金属間化合物がハロゲン元素等の腐食性元素に侵されない腐食耐性を有する必要がある。ところで、接合時におけるボンディングエネルギーによる銅ボールの容易な潰れ変形を抑制するためには、銅の原子サイズとは異なるサイズを有する不純物原子を添加して加工硬化し易くする、いわゆる固溶硬化と呼ばれる強化法がある。かかる強化法を用いて、99.9999以上の高純度銅に種々の不純物元素を添加し、加工硬化を調整した場合、加工硬化を示す程度に不純物を添加すると、ボールボンディング時のボールのつぶれ変形によってボールが異常に硬化してアルミニウム電極の下の誘電体膜を損傷し易くなったり、単位面積あたりのシア強度が低下する初期接合性の悪化が生じたりするという問題があった。そこで、本発明は、半導体素子組立に要求される、線径が18μm以下の銅ワイヤを用いた直径36μm以下のボール潰し径での接合において、ボンディング時のボールのアルミニウム電極への接触時の衝撃によりアルミニウム電極下の誘電体膜を損傷せず、更にボールが花弁状に潰れすぎることなくアルミニウム電極の開口部内で十分な初期接合を行うことができ、更に高温高湿試験ではボイドが発生することなく銅とアルミニウムの金属間化合物が均一に成長し、HASTでは成長した金属間化合物がハロゲン元素等の腐食性元素による腐食に対して耐性を有する銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る銅ボンディングワイヤは、主成分が銅であって、硫黄が0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウムが400質量ppm以上5000質量ppm以下添加されたことを特徴とする。これにより、硫黄を所定量添加することで、ボールボンディング時のボールつぶれ変形時の加工硬化を発生させるが、その加工硬化が過剰とならず、アルミニウム電極下への損傷を与えずに十分なボール接合を行うためのボールボンディングエネルギーを印加できるため、初期接合性が向上し、所定量のパラジウムを添加することで信頼性を高めることができる。また、前記硫黄の添加量が0.1質量ppm以上1質量ppm以下、前記パラジウムの含有量が400質量ppm以上2000質量ppm以下であってもよい。これにより、Low-kの次の誘電体材料であり、Low-kよりも脆弱なULKにおいても、アルミ電極下の構造を破壊せずに良好な形状を有するボールボンディングが可能となり、またHAST信頼性も改善される。また、更に銀が5質量ppm以上50質量ppm以下添加されてもよい。これにより、高温での小ボールボンディングにおいてもボールが潰れにくくなるため、高温小ボール接合が可能となる。また、線径が18.0μm以下であってもよい。本発明によれば、銅ボンディングワイヤの初期接合性を向上させることができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。本発明の実施形態に係る銅ボンディングワイヤは、銅を主成分として構成されたボンディングワイヤであり、硫黄が0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウムが400質量ppm以上5000質量ppm以下添加され、これらを添加成分として含有する。本実施形態に係る銅ボンディングワイヤの形状は、一般的なワイヤと同様の接続線の形状であるため、その外観の図示は省略する。なお、本実施形態に係る銅ボンデシィングワイヤの線径は、用途に応じて種々の大きさとしてよいが、例えば、18.0μm以下の線径に構成されてもよい。本実施形態に係る銅ボンディングワイヤは、18.0μm、15.0μmといった細い線径のボンディングワイヤに利用することができる。硫黄の原子サイズは銅よりも非常に小さく、微量であれば銅に固溶し、塑性変形時には、硫黄原子の周囲に発生する格子歪のポテンシャルエネルギーによって転位の移動が妨げられるため、塑性変形には硫黄含有量に応じて高い変形エネルギーが必要となる。即ち、銅ボンディングワイヤにおける硫黄含有量は、塑性変形による加工硬化に強く影響する。銅ボンディングワイヤの硫黄含有量が0.1質量ppm未満では加工硬化が現れず、小ボールボンディング時にボールは容易に押しつぶされてアルミニウム電極の開口部からはみ出したり、潰れ形状が花びら状になったりする。そして、銅ボンディングワイヤの硫黄含有量が3質量ppmを越えると、加工硬化が顕著に現れるようになる。特に、銅ボンディンングワイヤにパラジウムを400質量ppm以上5000質量ppm以下添加する場合には、ボールの加工硬化は極めて大きく、初期接合を十分に行おうと小ボールボンディング時にボンディングエネルギーを高めると、衝撃でアルミニウム電極下の誘電体膜が容易に損傷してしまう。一方、銅ボンディングワイヤにパラジウムを400質量ppm以上5000質量ppm以下添加する場合に、硫黄含有量を0.1質量ppm未満とすると、パラジウムの原子サイズは銅とさほど変わらないためか加工硬化が十分発揮されず、小ボールボンディング時にはボールが容易に潰れてしまったり、接合のための超音波エネルギーが十分に伝わらないためか初期接合性が低下してしまったりする。銅ボンディングワイヤの硫黄含有量が0.1質量ppm以上3質量ppm以下の場合には、パラジウムを400質量ppm以上5000質量ppm以下で添加しても加工硬化が過剰となる箇所がなく、ボールボンディング時のアルミニウム電極下の誘電体膜は損傷しにくい。よって、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤは、パラジウムが400質量ppm以上5000質量ppm以下で添加される場合には、硫黄添加量は、0.1質量ppm以上3質量ppm以下に構成されることが好ましい。銅ボンディングワイヤにパラジウムを400質量ppm未満で添加した場合には、ブロムやアンチモンを含む従来型の樹脂を用いたHASTでは、パラジウムを添加しないものに比べて寿命が長くなる効果は発現されない。一方、パラジウムの添加量が5000質量ppmを越えると、ボールの初期接合性が低下する。また、初期接合性を高めるためにボンディングエネルギーを高めると、アルミニウム電極下の誘電体膜が損傷する。よって、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤが含有するパラジウムの濃度は、400質量ppm以上5000質量ppm以下とするのが好ましい。硫黄を0.1質量ppm以上1質量ppm以下とし、かつパラジウムを400質量ppm以上2000質量ppm以下とした場合には、加工硬化はボールボンディング時に十分な初期接合性を与える程度までしか上昇しない。よって、従来型のLow-k膜よりも脆弱なULKに対するボールボンディングでも、誘電体の損傷が無く良好な初期接合性が得られ、かつHASTでは高信頼性が発現される。銅ボンディングワイヤへの銀の添加は、5質量ppm以上の添加により、200°Cといった高温でのボールボンディングにおける加工硬化によるボールボンディング時の過剰なつぶれ変形を低減させる効果を現す。このように、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤは、銀が添加され、銀を含有するように構成されてもよい。一方、銀の含有量が50ppmを超えると、加工硬化が過剰となってアルミニウム電極下の誘電体損傷が発生してしまうため、銀の含有量は50質量ppm以下とするのが好ましい。よって、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤにおいては、銀の含有量は5質量ppm以上50質量ppm以下であることが好ましい。なお、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤにおいては、銀の添加は必須ではなく、必要に応じて行うようにしてよい。銅ボンディングワイヤ表面や内部の酸素は、HASTの信頼性を低下させることが知られている。つまり、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤにおいて、酸素の含有量は少ない方が好ましい。硫黄を0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウムを400質量ppm以上5000質量ppm含有する本実施形態に係る銅ボンディングワイヤでは、燃焼法によるLECO社製の酸素濃度計で計測される酸素濃度として3質量ppm以下の酸素しか含有していなければ、HASTの信頼性は著しく向上する。長期間の保管において表面が多少酸化しても、3質量ppm以下であれば高信頼性は維持されるが、3ppmを超えるとHASTの信頼性が低下するため、酸素濃度は3質量ppm以下であることが好ましい。また、銅ボンディングワイヤ表面や内部の塩素もHASTの信頼性を低下させることが知られている。つまり、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤにおいて、塩素の含有量は少ない方が好ましい。硫黄を0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウムを400質量ppm以上5000質量ppm以下含有する本実施形態に係る銅ボンディングワイヤでは、グロー放電質量分析による塩素量が3質量ppm以下の塩素しか含有していなければ、HASTの信頼性は著しく向上する。銅ボンディングワイヤを製造する伸線工程の途中で長期間保管し、これを製品化するために表面が酸化してしまったワイヤの表面を希塩酸等の酸洗浄により酸化膜を除去して、これをボンディングワイヤの中間材として使用して引き続き伸線加工を施し、製品表面へ多少塩素が残留してしまっても、塩素の含有量が3質量ppm以下であれば高信頼性が維持される。しかしながら、塩素の含有量が3質量ppmを超えると、HASTの信頼性が低下する。よって、本実施形態に係る銅ボンディングワイヤの塩素濃度は3質量ppm以下であることが好ましい。表1に本発明の実施例と、比較例との成分分析値を示す。表1において、実施例1~12に係る銅ボンディングワイヤの成分組成と、比較例1~11に係る銅ボンディングワイヤの成分組成が各々示されている。成分としては、硫黄、パラジウム、銀及び酸素と塩素が示されている。硫黄濃度については、グロー放電質量分析GDMSによる硫黄分析値が0.01質量ppm未満の高純度電気銅と、硫黄が添加され、GDMSによる硫黄分析値が3.7質量ppmのJIS合金番号C1011無酸素銅とを、所定の硫黄濃度となるように重量を調整して調合した。パラジウム、銀の濃度については、純度99.99以上のショット粒の重量と、上述の調合した銅の重量とから算出される所定の濃度となるように重量を調整して調合した。銀のように、C1011無酸素銅に不可避不純物として含有されているものがある場合には、その含有量を含めて所定の濃度なるようにショット粒の重量を調整した。そして、真空溶解連続鋳造炉において、純度99.99以上の高純度カーボンルツボ内に、銅と、パラジウムを含んだ添加する金属のショット粒とを入れ、溶解チャンバー内を真空度1×10-4Pa以下に保持して高周波溶解を行った。溶湯温度1200°C、保持時間10分以上で十分に脱ガスした後、窒素ガスで溶解チャンバー内を大気圧に戻し、連続鋳造によって直径8mmに鋳造し銅鋳造線材とした。次に、この線材を、伸線ダイスを用いて直径約1mmまで縮径し、更に引き続き直径約200μmまで縮径して、途中酸洗浄を行う場合には、この線径で連続的に行った。一旦、5水素95窒素のフォーミングガス雰囲気中で、線速50m/minで線材の再結晶以上の温度で連続焼鈍を施して軟化させた後、更に直径18μm又は15μmまで縮径し、伸び率が約10となる温度で5水素95窒素のフォーミングガス雰囲気焼鈍し、ワイヤ試料とした。塩素濃度は、酸洗浄後の水洗浄時間や洗浄流速などの方法で調整し、酸素濃度は、最終線径での連続焼鈍におけるフォーミングガスの供給量で調整した。酸素を除く各成分の濃度分析については、ワイヤ試料をアルミニウム製キャップに挿入し、20tプレスを用いて平板状にしたものを測定試料とした。測定前に装置内で約1時間の予備放電を行い、試料表面を数ミクロン程度除去した後、除去面をグロー放電質量分析法にて測定した。酸素濃度については、燃焼法を用いたLECO社製酸素濃度計によって測定した。こうして種々の成分濃度に作製したワイヤ試料を、ボンディングワイヤとして用いるため、ボンディングテストを実施してその特性評価を行った。ボンディングテストは、ワイヤボンダキューリックソファ社製のIConnを使用し、5水素95窒素のフォーミングガスを用いて、電気放電によって線径18μmでは直径28μmのボールを、線径15μmでは直径23μmのボールを形成した。ボールボンディング評価用の半導体素子としては、組成が99.5Al0.5Cuで厚さ0.8μmのアルミニウム電極と、アルミニウム電極とシリコン層との間に50nm厚のチタン層と50nm厚の酸化シリコン層とを有する半導体素子を用いた。銅線用アルミニウムパッドの厚さは通常3μmであり、厚さ0.8μmのアルミニウム電極でチタン層と酸化シリコン層に損傷がないボンディング条件下では、厚さ3μmのアルミニウム電極下に形成される4層からなるLow-k層にも損傷しないことは確認されている。表1において、実施例1~12に係る銅ボンディングワイヤは、総て硫黄濃度が0.1質量ppm以上3質量ppm以下、パラジウム濃度が400質量ppm以上5000質量ppm以下、酸素濃度が3質量ppm以下、塩素濃度が3質量ppm以下となっており、上述の本実施形態に係る銅ボンディングワイヤの条件を満たしている。一方、銀濃度については、実施例4~6、10~12に係る銅ボンディングワイヤが5質量ppm以上50質量ppm以下の範囲内にあり、その他の実施例1~3、7~9に係る銅ボンディングワイヤは、5質量ppn未満となっている。実施形態において説明したように、銀を添加含有することは必須ではないので、銀を5質量ppm以上50質量ppm以下の範囲で添加した場合の実施例4~6、10~12と、添加していない場合の実施例1~3、7~9の両方の実施例が存在することになる。一方、表1において、比較例1~11に係る銅ボンディングワイヤは、硫黄濃度、パラジウム濃度、銀濃度、酸素濃度及び塩素濃度のうち、少なくともいずれか1つの項目が本実施形態に係る銅ボンディングワイヤの所定の範囲内にない。具体的には、比較例1~4に係る銅ボンディングワイヤは、硫黄濃度が0.1質量ppm未満で所定範囲内になく、比較例10、11に係る銅ボンディングワイヤは、硫黄濃度が3質量ppmより大きく、硫黄濃度の所定範囲を満たさない。また、比較例5~8、11に係る銅ボンディングワイヤは、パラジウム濃度が400質量ppm未満で所定範囲内になく、比較例4、9に係る銅ボンディングワイヤは、パラジウム濃度が5000質量ppmより大きく所定範囲内にない。つまり、比較例12、13に係る銅ボンディングワイヤ以外の比較例1~11に係る銅ボンディングワイヤは、硫黄濃度又はパラジウム濃度が所定範囲内にない。表2に、ワイヤ試料を用いてボール形状、ボール潰し形状、単位面積あたりシア強度、チップクラック、パッド下損傷、HASTの評価を行なった結果を示す。表2において、各評価項目について、OKは○、NGは×として示している。ボール形状の評価は、ワイヤボンダに搭載されているボール形成プログラムを使用してボールを200個作製し、全てのボールが真球状に形成された場合をOK、ボール底部が伸張したイチゴ形状ボールや楕円体となった場合やボール底部に引け巣の穴が開いたボールが200個中1個でも発生した場合をNGと判定した。ボール潰し形状の評価は、ボンディング時のワイヤボンダのトランスデューサの振動方向をY方向、その直角方向をX方向とし、X方向の潰しボール直径の平均値Dxと、その標準偏差Sxと、アルミニウムパッドの開口部幅Wが、W-Dx/3/Sx>0.75を満たすように、かつY方向の直径の平均値Dyと、その標準偏差Syと、アルミニウムパッドの開口部幅Wが、W-Dy/3/Sy>0.75を満たすように超音波出力と時間を調整してボールボンディングした。ボールつぶれ径の上限規格と下限規格の差を4μmと設定しての工程能力指数である4μm/3/SxSyの値が1.33以上となる場合をOK、未満となる場合をNGとした。なお、Wは40.0μm、平均直径D=DxDy/2は35~36μmである。但し、試料番号7-Sについては、線径が15μmであり、Wは30.0μm、平均直径Dは約27μmであり、工程能力指数を計算するためのボールつぶれ径の上限規格と下限規格の差は3μmとした。単位面積あたりシア強度については、デイジ社のボンドテスター5000を用いて、ワイヤボンダのトランスデューサの振動方向であるY方向にワイヤボンディングされたワイヤ50本のボールシア強度を測定した。各平均直径Dから計算される円の面積を接合面積とみなし、各ボールのシア強度を各接合面積で除した値を単位面積あたりシア強度とし、この単位面積あたりシア強度が11kg/平方mm以上である場合をOK、11kg/平方mm未満となった場合をNGとした。表2では、シア強度と表示している。チップクラック評価には、デイジ社のボンドテスター5000を用いて、ワイヤ中央にフックを掛けて引っ張って200本のワイヤのスティッチプル破壊試験を行い、破壊モードのうち、チップが損傷してチップの欠けが発生した場合をNGとした。表2では、チップ損傷と表示している。アルミニウムパッド下損傷については、各ワイヤ試料を用いて超音波熱圧着ボールボンディングを行った後に、水酸化カリウム水溶液で銅ボールごとアルミニウムを洗い流し、アルミニウム電極下のTi膜やSi層の損傷具合を観察し、いずれか一方にひび割れ欠け等の損傷が200個中1個でも発生した場合をNGと判定した。表2では、パッド下損傷と表示している。図1は、本実施例に係る銅ボンディングワイヤの評価を行うHAST装置の一例の概略構成を示した図である。信頼性に関しては、図1に示されるHAST装置で評価した。図1において、HAST装置は、試料となる銅ボンディングワイヤ10と、ボール20と、半導体素子30と、アルミニウム電極40と、アルミニウム配線41と、銀めっき付きリード50と、封止エポキシ樹脂60と、抵抗測定器70とを備える。HAST装置は、隣接する2個のアルミニウム電極40がアルミニウム配線41で連結されて電極対を構成している。半導体素子30の周辺に配置されているボンダーを用いて、アルミニウム電極40側をボールボンディングし、銅製リードフレームの銀めっき付きリード50の先端の銀めっき電極をスティッチボンディングし、ワイヤ10、アルミニウム電極40、ワイヤ10、銀めっき、ワイヤ10、アルミニウム電極20、と続くいわゆる数珠繋ぎ配線のデイジーチェーンを形成している。そして、デイジーチェーンの抵抗値を、抵抗測定器70で測定できるように構成されている。これをBrやSbを含有する封止エポキシ樹脂60でモールドして個片試料とし、この個片試料を温度130°C、気圧0.2MPa、湿度85、バイアス20Vの環境で400時間および450時間放置した後、通電テストにて15組すなわちボールボンディング接合部30個分の平均電気抵抗が高温放置前の20以上上昇した場合をNGと判断した。表2では、それぞれHAST400HAST450と表示している。表2に示す本評価で重要な項目は、小さな開口部内でボール接合するためのボールつぶし形状、Low-k膜などの低誘電体材料を損傷しないためのプル試験損傷とパッド下損傷、従来の4N純度のベア銅線よりも高い信頼性を得るための450時間のHASTである。なお、表2において、OKの場合は○、NGの場合は×で評価結果を示している。表2に示すように、実施例1~12では、それら総ての項目で評価は良好であった。比較例1~13では、ボールは花弁状となりボール潰し形状がNG、また450時間のHASTがNGであった。比較例17から20では信頼性は従来の4N純度ベア銅線と同等であったが、450時間のHASTはNGであった。比較例9と比較例10では、ボールの加工硬化が大きすぎてプル試験損傷とパッド下損傷でNGとなり、超音波接合エネルギーを下げたために初期接合性が不十分ともなり450時間のHASTはNGとなった。比較例11では、ボールの加工硬化が大きすぎてプル試験損傷とパッド下損傷でNGとなり、400時間のHASTもNGとなった。次に、各試料のボールボンディング部について、日立ハイテクノロジーズ製イオンミリング装置を使用して加工し、ワイヤの長手軸を含むように断面を作製した。図2は、本実施例に係る銅ボンディングワイヤのボールボンディング部の断面の一例を示した図である。本実施例に係る銅ボンディングワイヤ10の各試料について、ボール20とアルミニウム電極40との接合界面を観察した結果、図2のようにボール20の底部の接合部がアルミニウム電極40側に凸状に押し込んでいる凸状押し込み80がある試料が観察された。こうした凸状押し込み80があると、低誘電体膜としてULK膜を使用したパッド下回路はボールボンディング時に完全に破壊されるため、こうした銅ボンディングワイヤ10はULK膜には使用できない。図3は、凸状の押し込みの無いULK膜にも使用できるボール断面形状の一例を示した図である。図3において、アルミニウム電極40とボール20との接合断面が示されているが、図2に示すような凸状押し込み80は存在せず、ボール20の底面は平坦な形状となっている。このような、凸状押し込み80の存在しないボール断面形状が形成される銅ボンディングワイヤ10は、ULK膜にも使用することができる。ボール20によるアルミニウム電極10側への凸状押し込み80の有無を調査した結果、実施例2、3、5、6、12に係る銅ボンディングワイヤ10では凸状押し込み80が観察されたが、実施例1、4、7、8、9、10、11に係る銅ボンディングワイヤ10では凸状押し込み80は観察されなかった。実施例2、3、5、6、12に係る銅ボンディングワイヤ10はLow-k膜向け、実施例1、4、7、8、9、10、11に係る銅ボンディングワイヤ10はULK膜への使用も可能な塑性変形を示すワイヤとなっている。このように、本実施例に係る銅ボンディングワイヤ10は、Low-k膜をアルミニウム電極40の下の誘電体膜として用いた場合にも使用することができ、更に成分調整を行うことにより、ULK膜にも使用することができる。本発明に係る銅ボンディングワイヤによれば、ボールボンディング時にボールが潰れすぎて花弁状になって隣接ボールとの電気的短絡を発生させたり、潰れたボールがアルミニウムパッド開口部周辺のパッシベーション膜へ接触してパッシベーション膜を破壊したりすることが無く、開口部内で十分な余裕を持ってボールボンディングが可能である。また、ボールが潰れすぎないために銅ボールとアルミニウムパッドとの接合面積を十分取るための超音波エネルギーを印加することが可能だが、潰しボールによるパッド構造の損傷が発生しない。さらに、従来の4N純度のベア銅線に比べて高いHASTの信頼性を示す。脆弱なLow-k膜材料やULK膜材料を用いたアルミニウム電極へも、安価な銅ワイヤの適用が可能となるなど、半導体産業界での利用価値は多大である。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。