被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、剥離装置。前記移動機構は、前記第2の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第2の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させることを特徴とする、請求項1に記載の剥離装置。前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記移動機構は前記第2の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項1又は2に記載の剥離装置。少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項3に記載の剥離装置。前記移動機構は、前記第2の保持部を保持し、且つ前記第2の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部と、前記第1の移動部を保持し、且つ前記第1の移動部と前記第2の保持部を鉛直方向に移動させる第2の移動部と、を有することを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の剥離装置。前記第1の移動部は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、前記複数のシリンダによって前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項5に記載の剥離装置。前記第1の移動部は、前記第2の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項5に記載の剥離装置。前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有することを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載の剥離装置。請求項1~8のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有することを特徴とする、請求項9に記載の剥離システム。剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、前記剥離方法は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離する第1の工程と、その後、第2の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第2の工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。前記第1の工程において、前記第2の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することを特徴とする、請求項11に記載の剥離方法。前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記第1の工程と前記第2の工程において、前記第2の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項11又は12に記載の剥離方法。前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有し、前記第1の工程において、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部の回転を開始した後、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することを特徴とする、請求項13に記載の剥離方法。前記第1の工程において、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給することを特徴とする、請求項11~14のいずれかに記載の剥離方法。請求項11~15のいずかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。請求項16に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。しかしながら、特許文献1に記載の剥離装置を用いた場合、大きい噴射圧で液体を噴射するので、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。また、例えば接着剤を介してウェハと支持基板が接合されている場合、ウェハと支持基板の接合強度が大きいため、非常に大きい噴射圧の液体が必要となり、ウェハと支持基板を剥離するのに多大な時間を要する。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴としている。なお、常温とは、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う処理雰囲気の温度であって、例えば23°Cである。本発明の剥離装置によれば、第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部から中心部に向けて第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離することができる。このように外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離するので、被処理基板と支持基板を容易に剥離することができる。このため、被処理基板が損傷を受けることなく、被処理基板と支持基板を適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。前記移動機構は、前記第2の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第2の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させてもよい。前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記移動機構は前記第2の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有していてもよい。前記移動機構は、前記第2の保持部を保持し、且つ前記第2の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部と、前記第1の移動部を保持し、且つ前記第1の移動部と前記第2の保持部を鉛直方向に移動させる第2の移動部と、を有していてもよい。前記第1の移動部は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、前記複数のシリンダによって前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。前記第1の移動部は、前記第2の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第2の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第2の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第2の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。前記剥離装置は、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有していてもよい。別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。前記剥離システムは、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションを有していてもよい。また別な観点による本発明は、剥離装置を用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、被処理基板を常温の状態で保持する第1の保持部と、支持基板を常温の状態で保持する第2の保持部と、前記第2の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、前記剥離方法は、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、前記第2の保持部に保持された常温の支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第1の保持部に保持された常温の被処理基板から連続的に剥離する第1の工程と、その後、第2の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第2の工程と、を有することを特徴としている。なお、常温とは、被処理基板と支持基板の剥離処理を行う処理雰囲気の温度であって、例えば23°Cである。前記第1の工程において、前記第2の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。前記第1の保持部は前記第2の保持部の上方に配置され、前記第1の工程と前記第2の工程において、前記第2の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。前記剥離装置は、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を回転させる回転機構を有し、前記第1の工程において、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部の回転を開始した後、前記第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。前記第1の工程において、前記第1の保持部と前記第2の保持部に保持された重合基板の外周部の接着剤に対して、当該接着剤の溶剤を供給してもよい。また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を接合面WJといい、当該接合面WJと反対側の面を非接合面WNという。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を接合面SJといい、当該接合面SJと反対側の面を非接合面SNという。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面WJに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面WNが研磨処理され、薄型化例えば厚みが50μmされている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットCW、CS、CTが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション3と、剥離処理ステーション3に隣接する後処理ステーション4との間で被処理ウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3は、X方向図1中の上下方向に並べて配置されている。これら搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間には、ウェハ搬送領域6が形成されている。また、インターフェイスステーション5は、搬入出ステーション2、剥離処理ステーション3及びウェハ搬送領域6のY方向負方向側図1中の左方向側に配置されている。搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向図1中の左右方向に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットCW、CS、CTを搬入出する際に、カセットCW、CS、CTを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。ウェハ搬送領域6には、第1の搬送装置20が配置されている。第1の搬送装置20は、例えば鉛直方向、水平方向Y方向、X方向及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第1の搬送装置20は、ウェハ搬送領域6内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側図1中の左方向側には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、第2の搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側図1中の右方向側には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション3には、第1の洗浄装置31、第2の搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。インターフェイスステーション5には、X方向に延伸する搬送路40上を移動自在な第3の搬送装置41が設けられている。第3の搬送装置41は、鉛直方向及び鉛直軸周りθ方向にも移動自在であり、剥離処理ステーション3と後処理ステーション4との間で被処理ウェハWを搬送できる。なお、後処理ステーション4では、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口図示せずが形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ図示せずが設けられている。処理容器100の底面には、当該処理容器100の内部の雰囲気を吸引する吸気口101が形成されている。吸気口101には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置102に連通する吸気管103が接続されている。処理容器100の内部には、常温、例えば23°Cの被処理ウェハWを下面で吸着保持する第1の保持部110と、常温、例えば23°Cの支持ウェハSを上面で載置して保持する第2の保持部111とが設けられている。第1の保持部110は、第2の保持部111の上方に設けられ、第2の保持部111と対向するように配置されている。すなわち、処理容器100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに剥離処理が行われる。第1の保持部110には、例えばポーラスチャックが用いられている。第1の保持部110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体121が設けられている。多孔質体121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面WNと当接している。なお、多孔質体121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。また、本体部120の内部であって多孔質体121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えば多孔質体121を覆うように形成されている。吸引空間122には、吸引管123が接続されている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されている。そして、吸引管123から吸引空間122と多孔質体121を介して被処理ウェハの非接合面WNが吸引され、当該被処理ウェハWが第1の保持部110に吸着保持される。第1の保持部110の上面には、当該第1の保持部110を支持する支持板130が設けられている。支持板130は、処理容器100の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板130を省略し、第1の保持部110は処理容器100の天井面に当接して支持されてもよい。第2の保持部111の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管140が設けられている。吸引管140は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置図示せずに接続されている。なお、第2の保持部111は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。第2の保持部111の下方には、第2の保持部111及び支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構150が設けられている。移動機構150は、第2の保持部111を保持し、且つ第2の保持部111の外周部のみを鉛直方向に移動させる第1の移動部としての第1の鉛直移動部151と、第1の鉛直移動部151を保持し、且つ第1の鉛直移動部151と第2の保持部111を鉛直方向に移動させる第2の移動部としての第2の鉛直移動部152と、第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152及び第2の保持部111を水平方向に移動させる水平移動部153とを有している。第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152、水平移動部153は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。第1の鉛直移動部151は、第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば6つのシリンダ160と、第2の保持部111の中央部を支持する支持柱161と、シリンダ160と支持柱161を支持する支持板162とを有している。図4に示すように6つのシリンダ160は、支持板162と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ160は、第2の保持部111の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱161は、支持板162の中央部であって、第2の保持部111の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ160によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱161が配置されている。第2の鉛直移動部152は、図3に示すように支持板162を昇降させる駆動部170と、支持板162を支持する支持部材171とを有している。駆動部170は、例えばボールネジ図示せずと当該ボールネジを回動させるモータ図示せずとを有している。また、支持部材171は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板162と水平移動部153との間に例えば3箇所に設けられている。水平移動部153は、例えばボールネジ図示せずと当該ボールネジを回動させるモータ図示せずとを有し、第1の鉛直移動部151、第2の鉛直移動部152及び第2の保持部111を水平方向に移動させることができる。なお、第2の保持部111の下方には、重合ウェハT又は支持ウェハSを下方から支持し昇降させるための昇降ピン図示せずが設けられている。昇降ピンは第2の保持部111に形成された貫通孔図示せずを挿通し、第2の保持部111の上面から突出可能になっている。次に、上述した第1の洗浄装置31の構成について説明する。第1の洗浄装置31は、図5に示すように内部を密閉可能な処理容器180を有している。処理容器180の側面には、被処理ウェハWの搬入出口図示せずが形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ図示せずが設けられている。処理容器180内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるポーラスチャック190が設けられている。ポーラスチャック190は、平板状の本体部191と、本体部191の上面側に設けられた多孔質体192とを有している。多孔質体192は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面WNと当接している。なお、多孔質体192としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体192には吸引管図示せずが接続され、当該吸引管から多孔質体192を介して被処理ウェハWの非接合面WNを吸引することにより、当該被処理ウェハWをポーラスチャック190上に吸着保持できる。ポーラスチャック190の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部193が設けられている。ポーラスチャック190は、チャック駆動部193により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部193には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック190は昇降自在になっている。ポーラスチャック190の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ194が設けられている。カップ194の下面には、回収した液体を排出する排出管195と、カップ194内の雰囲気を真空引きして排気する排気管196が接続されている。図6に示すようにカップ194のX方向負方向図6中の下方向側には、Y方向図6中の左右方向に沿って延伸するレール200が形成されている。レール200は、例えばカップ194のY方向負方向図6中の左方向側の外方からY方向正方向図6中の右方向側の外方まで形成されている。レール200には、アーム201が取り付けられている。アーム201には、図5及び図6に示すように被処理ウェハWに洗浄液、例えば接着剤Gの溶剤である有機溶剤を供給する洗浄液ノズル202が支持されている。アーム201は、図6に示すノズル駆動部203により、レール200上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル202は、カップ194のY方向正方向側の外方に設置された待機部204からカップ194内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム201は、ノズル駆動部203によって昇降自在であり、洗浄液ノズル202の高さを調節できる。洗浄液ノズル202には、例えば2流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル202には、図5に示すように当該洗浄液ノズル202に洗浄液を供給する供給管210が接続されている。供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群212が設けられている。また、洗浄液ノズル202には、当該洗浄液ノズル202に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管213が接続されている。供給管213は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源214に連通している。供給管213には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群215が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル202内で混合され、当該洗浄液ノズル202から被処理ウェハWに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に洗浄液という場合がある。なお、ポーラスチャック190の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン図示せずが設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック190に形成された貫通孔図示せずを挿通し、ポーラスチャック190の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック190を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック190との間で被処理ウェハWの受け渡しが行われる。また、第2の洗浄装置33の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成とほぼ同様である。第2の洗浄装置33には、図7に示すように第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に代えて、スピンチャック220が設けられる。スピンチャック220は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハSを吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハSをスピンチャック220上に吸着保持できる。第2の洗浄装置33のその他の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成と同様であるので説明を省略する。なお、第2の洗浄装置33において、スピンチャック220の下方には、支持ウェハSの裏面、すなわち非接合面SNに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル図示せずが設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハSの非接合面SNと支持ウェハSの外周部が洗浄される。次に、上述した第2の搬送装置32の構成について説明する。第2の搬送装置32は、図8に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック230を有している。ベルヌーイチャック230は、空気を噴出することにより被処理ウェハWを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハWを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック230は、支持アーム231に支持されている。支持アーム231は、第1の駆動部232に支持されている。この第1の駆動部232により、支持アーム231は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部232の下方には、第2の駆動部233が設けられている。この第2の駆動部233により、第1の駆動部232は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、第3の搬送装置41は、上述した第2の搬送装置32と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第3の搬送装置41の第2の駆動部233は、図1に示した搬送路40に取り付けられ、第3の搬送装置41は搬送路40上を移動可能になっている。以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部300が設けられている。制御部300は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部300にインストールされたものであってもよい。次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図9は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。先ず、複数枚の常温、例えば23°Cの重合ウェハTを収容したカセットCT、空のカセットCW、及び空のカセットCSが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。第1の搬送装置20によりカセットCT内の重合ウェハTが取り出され、剥離処理ステーション3の剥離装置30に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、第2の保持部111に吸着保持される。その後、図10に示すように移動機構150の第2の鉛直移動部152により第2の保持部111を上昇させて、第1の保持部110と第2の保持部111で重合ウェハTを挟み込んで保持する。このとき、第1の保持部110に被処理ウェハWの非接合面WNが吸着保持され、第2の保持部111に支持ウェハSの非接合面SNが吸着保持される。このとき、第1の保持部110に保持される被処理ウェハWの温度は常温、例えば23°Cであり、第2の保持部111に保持される支持ウェハSの温度も常温、例えば23°Cである。そして、以後、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間、被処理ウェハWと支持ウェハSの温度は、それぞれ常温に維持される。その後、図11に示すように移動機構150の第1の鉛直移動部151によって第2の保持部111の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ160によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、第2の保持部111の中央部が支持柱161に支持され、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。かかる場合、第2の保持部111に保持された支持ウェハSが、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された被処理ウェハWから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハWの接合面WJには電子回路が形成されているため、被処理ウェハWと支持ウェハSを一度に剥離しようとすると、接合面WJ、SJに多大な荷重がかかり、接合面WJ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハSが被処理ウェハWから連続的に剥離されるので、接合面WJ、SJに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。その後、被処理ウェハWの中心部と支持ウェハSの中心部のみが接着した状態で、図12に示すように第2の鉛直移動部152によって第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハSの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハSが被処理ウェハWから剥離される。その後、図13に示すように第1の鉛直移動部151によって第2の保持部111と支持ウェハSの外周部が鉛直上方に移動され、当該第2の保持部111と支持ウェハSが平坦化される。こうして、第1の保持部110に保持された被処理ウェハWと、第2の保持部111に保持された支持ウェハSとが剥離される図9の工程A1。その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、第2の搬送装置32によって第1の洗浄装置31に搬送される。ここで、第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送方法について説明する。図14に示すように支持アーム231を伸長させて、ベルヌーイチャック230を第1の保持部110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック230を上昇させ、第1の保持部110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、第1の保持部110からベルヌーイチャック230に被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面WJがベルヌーイチャック230に保持されるが、ベルヌーイチャック230は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面WJ上の電子回路が損傷を被ることはない。次に図15に示すように、支持アーム231を回動させてベルヌーイチャック230を第1の洗浄装置31のポーラスチャック190の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック230を反転させて被処理ウェハWを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック190をカップ194よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック230からポーラスチャック190に被処理ウェハWが受け渡され吸着保持される。このようにポーラスチャック190に被処理ウェハWが吸着保持されると、ポーラスチャック190を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム201によって待機部204の洗浄液ノズル202を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック190によって被処理ウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル202から被処理ウェハWの接合面WJに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハWの接合面WJの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面WJが洗浄される図9の工程A2。ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面WJが洗浄された後、第3の搬送装置41によって後処理ステーション4に搬送される。なお、この第3の搬送装置41による被処理ウェハWの搬送は、上述した第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。その後、後処理ステーション4において被処理ウェハWに所定の後処理が行われる図9の工程A3。こうして、被処理ウェハWが製品化される。一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面WJが洗浄された後、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される図9の工程A4。被処理ウェハWに上述した工程A2~A4が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面SJが洗浄される図9の工程A5。なお、第2の洗浄装置33における支持ウェハSの洗浄は、上述した第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄と同様であるので説明を省略する。その後、接合面SJが洗浄された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される図9の工程A6。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。以上の実施の形態の剥離装置30によれば、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させ、第2の保持部111に保持された常温の支持ウェハSを、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された常温の被処理ウェハWから連続的に剥離することができる。このように外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離するので、被処理ウェハWと支持ウェハSを小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理ウェハW上の電子回路が損傷を受けることなく、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本実施の形態によれば、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。また、移動機構150は第1の鉛直移動部151と第2の鉛直移動部152を有しているので、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を段階的に行うことができる。すなわち、第1の鉛直移動部151によって外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の鉛直移動部152によって被処理ウェハWと支持ウェハSを完全に剥離することができる。このように段階的に剥離処理を行うことで、被処理ウェハWと支持ウェハSを均一に剥離することができる。しかも、第1の鉛直移動部151は第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直下方に移動させるので、被処理ウェハWと支持ウェハSをより均一に剥離することができる。以上の実施の形態の剥離システム1によれば、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離した後、第1の洗浄装置31において、剥離された被処理ウェハWを洗浄すると共に、第2の洗浄装置33において、剥離された支持ウェハSを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。以上の実施の形態の剥離装置30において、第1の鉛直駆動部151は、第2の保持部111を保持し、且つ第2の保持部111の外周部のみを鉛直方向に移動させる構成であればよく、種々の構成を取り得る。例えば第1の鉛直駆動部151のシリンダ160と支持柱161に代えて、図16に示すように第1の鉛直駆動部310は、ベローズ311と支持柱312を有していてもよい。ベローズ311は、鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。ベローズ311は、その上面において第2の保持部111を保持すると共に、その下面が支持板162に支持されている。ベローズ311には、当該ベローズの内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管313が接続されている。流体供給管313は、流体供給源図示せずに接続されている。そして、ベローズ311に流体供給管313から流体を供給することで、ベローズ311が伸長するようになっている。支持柱312は、ベローズ311の内部に設けられている。また、支持柱312は、第2の保持部111の中央部を支持している。なお、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、図17に示すように第1の鉛直移動部310によって第2の保持部111の外周部のみを円環状に鉛直下方が移動する。すなわち、ベローズ311によって第2の保持部111の外周部が鉛直下方に移動する際、第2の保持部111の中央部が支持柱312に支持され、当該第2の保持部111の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。そうすると、第2の保持部111に保持された支持ウェハSが、その外周部から中心部に向けて第1の保持部110に保持された被処理ウェハWから連続的に剥離される。したがって、本実施の形態においても、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切且つ均一に剥離することができる。以上の実施の形態の剥離装置30は、図18に示すように第1の保持部110を回転させる回転機構320を有していてもよい。回転機構320は、第1の保持部110と支持板130との間に設けられている。また、回転機構320は、第1の保持部110を回転させるためのモータ図示せずを有している。なお、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、上述した工程A1において、重合ウェハTを第1の保持部110と第2の保持部111で保持した後、回転機構320によって第1の保持部110を回転させる。このときの第1の保持部110の回転速度は、例えば1mm/秒~10mm/秒である。その後、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。なお、この被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。本実施の形態によれば、第1の保持部110を回転させているので、接着剤Gによる被処理ウェハWと支持ウェハSとの平衡状態を崩すことができる。そうすると、その後第2の保持部111の外周部を円滑に移動させることができ、支持ウェハSの外周部を被処理ウェハWから円滑に剥離することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理をより効率よく行うことができる。なお、上記実施の形態では、回転機構320は第1の保持部110を回転させていたが、回転機構320に代えて、第2の保持部111を回転させる回転機構図示せずを設けてもよい。また、回転機構320と第2の保持部を回転させる回転機構を両方設けてもよい。以上の実施の形態の剥離装置30は、図19に示すように第1の保持部110と第2の保持部111に保持された重合ウェハTの外周部の接着剤Gに対して、当該接着剤Gの溶剤である有機溶剤を供給する溶剤供給部330を有していてもよい。溶剤供給部330は、重合ウェハTの外周部を囲うように環状に設けられている。また、溶剤供給部330には、有機溶剤を供給する供給口331が複数形成されている。なお、溶剤供給部330は、本実施の形態の形状に限定されず、有機溶剤を供給する種々の形状を取り得る。例えば溶剤供給部330には、重合ウェハTの外周部を囲うカップ状のものを用いてもよい。また、剥離装置30のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置30の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、上述した工程A1において重合ウェハTを第1の保持部110と第2の保持部111で保持した後、溶剤供給部330から重合ウェハTの外周部において露出した接着剤Gに対して有機溶剤を供給する。そうすると、この有機溶剤に重合ウェハTの外周部の接着剤Gが溶解する。このため、その後に第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重を小さくすることができる。そして、第2の保持部111の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから連続的に剥離した後、第2の保持部111全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する。本実施の形態によれば、工程A1において第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重をより小さくすることができるので、被処理ウェハWと支持ウェハSをより小さい荷重で容易に剥離することができる。したがって、被処理ウェハW上の電子回路が損傷を受けることなく、被処理ウェハWと支持ウェハSを適切に剥離することができる。また、被処理ウェハWと支持ウェハSをより迅速に剥離することもできる。以上の実施の形態では、移動機構150の第1の鉛直移動部151は、第2の保持部111の外周部を円環状に鉛直方向に移動させていたが、第2の保持部111の外周部の一端部側を鉛直方向に移動させてもよい。そして、外周部の一端部から他端部に向けて支持ウェハSを被処理ウェハWから剥離してもよい。かかる場合でも、被処理ウェハWと支持ウェハSは連続的に剥離されるので、当該被処理ウェハWと支持ウェハSを適切且つ均一に剥離することができる。なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、移動機構150は第2の保持部111を鉛直上方に移動させてもよい。以上の実施の形態の第2の搬送装置32において、ベルヌーイチャック230の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口図示せずが形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック230から第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に被処理ウェハWを受け渡す際、ベルヌーイチャック230から被処理ウェハWの接合面WJに洗浄液を供給して当該接合面WJを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック230自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック230も洗浄できるので、次の被処理ウェハWを適切に搬送することができる。以上の実施の形態では、第3の搬送装置41はベルヌーイチャック230を有していたが、このベルヌーイチャック230に代えて、ポーラスチャック図示せずを有していてもよい。かかる場合でも、ポーラスチャックによって薄型化した被処理ウェハWを適切に吸着保持することができる。以上の実施の形態では、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33の洗浄液ノズル202には2流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル202の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル202として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば80°Cに加熱された洗浄液を供給してもよい。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、洗浄液ノズル202に加えて、IPAイソプロピルアルコールを供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル202からの洗浄液によって被処理ウェハW又は支持ウェハSを洗浄した後、被処理ウェハW又は支持ウェハS上の洗浄液をIPAに置換する。そうすると、被処理ウェハW又は支持ウェハSの接合面WJ、SJがより確実に洗浄される。以上の実施の形態の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離方法は、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部が接着剤Gによって強く接着して接合された重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する際に特に有用である。この重合ウェハTは、被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部のみを接着して接合させたものであってもよい。この場合、例えば支持ウェハSの表面の外周部が被処理ウェハW上の接着剤Gと接着して接合されるように形成されており、支持ウェハSの表面の中心部が接着剤Gと接着されないように形成されている。或いは、重合ウェハTは、被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部の接着力が中心部の接着力よりも大きくなるように接着して接合されたものであってもよい。この場合、例えば被処理ウェハWと支持ウェハSの外周部には接着力の強い接着剤が用いられ、中心部には接着力の弱い接着剤が用いられる。かかる場合、上述した工程A1において、第2の保持部111を鉛直下方に移動させる際の荷重をより小さくすることができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをより小さい荷重で容易に剥離することができる。また、被処理ウェハWと支持ウェハSをより迅速に剥離することもできる。また、以上の実施の形態では、後処理ステーション4において被処理ウェハWに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば3次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、3次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを3次元に積層する技術である。この3次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。