"互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間にサポート部が介在され、そのサポート部上を通って前記分断予定線に沿って分断できるように、前記分断予定線を刃物でなぞりながら前記分断予定線に沿った分断誘導溝を前記液晶マザーパネル表面に形成するようにしたことを特徴とする液晶マザーパネルの分断誘導溝形成方法。前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、サポート部を介在させる請求項1に記載の分断誘導溝形成方法。前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置される請求項1又は2に記載の分断誘導溝形成方法。前記液晶マザーパネルを、エッチング液中に浸漬して前記マザー基板を薄板化しつつ、前記分断誘導溝の幅及び深さを拡大する請求項1~3の何れか1項に記載の分断誘導溝形成方法。互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備え、表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって区切られる複数個の液晶パネル片を有する液晶マザーパネルであって、少なくとも一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線が引かれ、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、更に、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えることを特徴とする液晶マザーパネル。前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える請求項5に記載の液晶マザーパネル。前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置される請求項5又は6に記載の液晶マザーパネル。互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える液晶マザーパネルを前記分断予定線に沿って分断する分断方法であって、前記液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第1スクライブ溝を形成する工程と、前記第1スクライブ溝が形成された前記液晶マザーパネルをエッチング液に浸漬して前記液晶マザーパネルを薄型化しつつ前記第1スクライブ溝を成長させる工程と、前記液晶マザーパネルにおける他方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第2スクライブ溝を形成する工程と、前記第1スクライブ溝及び前記第2スクライブ溝を利用して前記液晶マザーパネルを分断する工程と、を備えることを特徴とする液晶マザーパネルの分断方法。図16に示されるように、各液晶パネル2Pを囲む分断予定線3P,4Pの一部は、シール部9P上を通過していない。その為、スクライバを押し当てつつ、シール部9P上を通過している分断予定線に引き続いて、シール部9P上を通過していない分断予定線に沿って溝を形成すると、液晶マザーパネル1Pの表面に形成される溝の深さ浸透量が不均一となる場合がある。図17は、液晶マザーパネル1Pの表面に、スクライバ11Pで溝スクライブ溝12Pを形成する工程を模式的に表した説明図である。図17には、液晶マザーパネル1Pの断面構造が模式的に示されている。液晶マザーパネル1Pの表面には、分断予定線3P32Pが引かれている。この分断予定線32Pは、液晶パネル21Pにおけるシール部91Pの上方と、液晶パネル23Pにおけるシール部93Pの上方とを、通過している。シール部9P91P,93Pは、マザー基板7Pと、他方のマザー基板13Pとの間で挟まれており、マザー基板7Pと、他方のマザー基板13Pとの間隔を一定に保持している。しかしながら、分断予定線32Pは、シール部9P91P,93Pが介在していない個所も通過している。この個所における基板7Pと、この個所における他方の基板13Pとの間には、間隔を一定に保持できる部材が介在されていない。したがって、このような分断予定線3P32Pに沿ってスクライバカッターホイール11Pを一定の力で押し当てつつ移動させると、シール部9P91P,93Pが介在していない個所において、シール部9Pが介在されている個所よりも深い溝121P,122Pが形成されてしまう。スクライバ11Pが強く押し付けられ、マザー基板7Pが下方に撓んでしまうため、このような深い溝121P,122Pが形成される。以上のように、不均一な深さの溝スクライブ溝が液晶マザーパネル1Pに形成されると、その溝12Pに沿って液晶マザーパネル1Pを分断し難くなる。例えば、その分断予定線3P32Pに不均一な力が加わる等の理由により、その分断予定線3P32Pから大きく逸れて液晶パネル2Pが欠けるように、液晶マザーパネル1Pが分断されてしまうことがある。ところで、液晶マザーパネル1Pの表面に溝12Pを形成した後、液晶マザーパネル1Pを、エッチング液中に浸漬し、液晶マザーパネル1Pを薄型化しつつ、溝12Pを成長させることがある。液晶マザーパネル1Pの表面に、均一な深さの溝スクライブ溝が形成されていれば、エッチング液中に浸漬することによって、均等に前記溝の幅溝幅及び深さ溝深さを拡大することできる。このように、液晶マザーパネル1Pを薄型化しつつ溝を成長させた場合、液晶マザーパネル1Pを分断予定線に沿って分割し易くなる。しかしながら、上述したように、液晶マザーパネル1Pに予定目標値よりも深い溝121P,122Pが形成されると、その溝121P,122Pの底が抜けるように、液晶マザーパネル1Pマザー基板7Pに穴が空き、その穴から、エッチング液が液晶マザーパネル1P中に入り込んでしまう。例えば、図17に示されるように、溝121Pの所に穴が空くと、その穴からエッチング液が侵入し、液晶パネル21Pの端子101Pにエッチング液が接触し、端子101Pが腐食する虞がある。本発明が解決しようとする課題は、液晶マザーパネルから複数個の液晶パネルを分割製造するに際し、その液晶マザーパネルの表面上において、少なくとも液晶パネル片を区切る分断予定線上に不均一な分断誘導溝が形成されることを抑制した分断誘導溝形成方法およびそのような分断誘導溝が形成された液晶マザーパネル、さらにはその液晶マザーパネルから液晶パネルを分割製造するための分断方法を提供することである。本発明に係る分断誘導溝形成方法の要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間にサポート部が介在され、そのサポート部上を通って前記分断予定線に沿って分断できるように、前記分断予定線を刃物でなぞりながら前記分断予定線に沿った分断誘導溝を前記液晶マザーパネル表面に形成するようにしたことにある。この場合に、前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、サポート部を介在させるのも良い。また、前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置されるようにすると良い。さらに、前記液晶マザーパネルを、エッチング液中に浸漬して前記マザー基板を薄板化しつつ、前記分断誘導溝の幅及び深さを拡大するようにすると良い。また、本発明に係る液晶マザーパネルの要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備え、表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって区切られる複数個の液晶パネル片を有する液晶マザーパネルであって、少なくとも一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線が引かれ、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、更に、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えることにある。この場合、前記囲み線以外の分断予定線に沿って重なるように、前記マザー基板間に、更に、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備えると良い。また、前記枠状シール部の前記非重なり部分における外縁側に、前記液晶パネル片の端子が配置されるようにすると良い。さらに、本発明に係る液晶マザーパネルの分断方法の要旨とするところは、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルのうち少なくとも一方のマザー基板の表面上に仮想的に引かれた格子状の分断予定線によって複数個の液晶パネル片が区画形成され、前記枠状シール部が各液晶パネル片を区切る前記分断予定線からなる囲み線に沿うように重なった重なり部分と、前記囲み線と重ならないように前記囲み線よりも内側を通る非重なり部分とからなり、前記枠状シール部上を通っていない区間の前記囲み線に沿って重なるように、前記マザー基板間に介在されるサポート部を備える液晶マザーパネルを前記分断予定線に沿って分断する分断方法であって、前記液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第1スクライブ溝を形成する工程と、前記第1スクライブ溝が形成された前記液晶マザーパネルをエッチング液に浸漬して前記液晶マザーパネルを薄型化しつつ前記第1スクライブ溝を成長させる工程と、前記液晶マザーパネルにおける他方のマザー基板の表面上に前記分断予定線に沿って刃物を押し当てて第2スクライブ溝を形成する工程と、前記第1スクライブ溝及び前記第2スクライブ溝を利用して前記液晶マザーパネルを分断する工程と、を備えることにある。本発明の分断誘導溝形成方法によれば、互いに対向配置される一対のマザー基板の間に液晶層とその液晶層を囲む枠状シール部を備えた液晶マザーパネルの表面上において、複数の液晶パネル片を区画する前記枠状シール部のうち分断予定線からなる囲み線と重ならない部分においては一対のマザー基板間に介在されるサポート部上に分断予定線が通過するようにして少なくとも液晶パネル片を区切る分断予定線上に不均一な分断誘導溝が形成されることが回避される。そのために、その分断予定線に沿って液晶マザーパネルを分断し個々の液晶パネルを分割製造する際に、スムーズにかつ液晶パネルが欠ける等のトラブルもなく良好な生産が行える。以下、図面を参照しつつ、本発明に係る液晶マザーパネルの実施形態、前記液晶マザーパネルの表面上に分断誘導溝を形成する分断誘導溝形成方法の実施形態、及び前記液晶マザーパネルの分断方法の実施形態を説明する。ただし、本発明は、本明細書に例示する実施形態に限定されるものではない。図1は、一実施形態に係る液晶マザーパネル1の平面図である。図2は、図1に示されるA-A’線における液晶マザーパネル1の断面図である。図1には、液晶マザーパネル1の平面図が模式的に示されている。液晶マザーパネル1は、複数個の液晶パネル液晶パネル片2をまとめて製造するために利用され、図1に示されるように、1枚の液晶マザーパネル1中に、4個の液晶パネル液晶パネル片221,22,23,24が割り当てられている。図2に示されるように、液晶マザーパネル1は、間隔をおいて互いに向かい合う一対のマザー基板7,13と、これらのマザー基板7,13間で挟まれる枠状シール部9とを備える。図3は、図1に示されるB-B’線における液晶パネル2の断面図である。ここで、図3を参照しつつ、液晶パネル223について説明する。図3に示されるように、液晶パネル2は、TFT基板130と、このTFT基板130と向かい合うCF基板70と、これらの基板130,70間で挟まれる液晶層14と、この液晶層14を取り囲む枠状シール部993とを備える。枠状シール部9は、前記基板130,70間で挟まれつつ、液晶層14を取り囲んで封止している。前記枠状シール部9は、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の公知の材料からなる。TFT基板130は、透明なガラス板130a上に、複数個の画素電極131がマトリックス状に形成されたものからなる。各画素電極131はコンタクトホール部131aを有し、そして、各画素電極131の周囲には、走査電極線であるゲート電極線132と、画像信号電極線であるソース電極線133とが互いに直交交差するように形成されている。ゲート電極線132と、ソース電極線133とは、それらの交差部において、ソース電極線133が上側に配置し、ゲート電極線132が下側に配置している。その交差部において、ゲート電極線132とソース電極線133とは、ゲート絶縁膜134を介して電気的に絶縁されている。また、ゲート電極線132とソース電極線133との交差部には、ゲート電極線132の一部であるゲート電極132aに接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタTFT135が形成されている。TFT135が形成されている領域のゲート絶縁膜134の上側には、半導体膜136が、ゲート電極132aに重畳するように形成されている。また、その半導体膜136の上側には、ソース電極線133の一部であるソース電極133aと、ドレイン電極133bとが形成されている。この場合、ソース電極133aと、ドレイン電極133bとは、ゲート電極132a上の半導体膜136の両側において互いに離隔して形成されている。そして、ドレイン電極133bがコンタクトホール部131aを介して画素電極131に接続されている。TFT135は、ゲート電極線132のゲート電極132aより供給される走査信号電圧によって、オンオフされる。また、ソース電極線133のソース電極133aより供給される画像信号電圧は、TFT135がオンの状態において、ドレイン電極133bとコンタクトホール部131aを介して画素電極131に供給される。このようなTFT135は、ゲート絶縁膜134の上側に形成された層間絶縁膜137で覆われている。この層間絶縁膜137の上に、画素電極131が形成されている。画素電極131は、例えば、ITOindium-tinoxide等の透明導電膜により形成されている。この画素電極131の上側には、表面にラビング処理が施された配向膜138が形成されている。このようなTFT基板130と向かい合うように配置されるCF基板70は、上述したゲート電極線132とソース電極線133が形成された領域を遮光するように、透明なガラス板70a上に、格子状のブラックマトリックスBM71が形成されている。また、隣り合うBM71で囲まれたガラス板70a上の領域には、赤、青、緑等の着色層72が形成されている。また、着色層72の下側図3において下側には、着色層72を覆うように、TFT基板130の各画素電極131に対して向かい合う共通電極73が形成されている。この共通電極73も、ITO等の透明導電膜により形成されている。また、共通電極73の下側図3において下側には、共通電極73を覆うように、表面がラビング処理された配向膜74が形成されている。このような液晶パネル2が、複数個まとめて、図1及び図2に示される1枚の液晶マザーパネル1として製造される。マザー基板7は、各液晶パネル2のCF基板CF基板片551,52,53,54が、1枚の板状にまとめて製造されたものからなり、他方のマザー基板13は、各液晶パネル2のTFT基板TFT基板片が、1枚の板状にまとめて製造されたものからなる。なお、図1に示されるように各液晶パネル2の周囲には、余白6があり、この余白6を介して各液晶パネル2は、液晶マザーパネル1中で互いに繋がっている。この余白6は、液晶パネル2に含まれない部分であり、最終的に廃棄等される部分である。図1に示されるように、各液晶パネル2は、液晶マザーパネル1の表面上において、仮想的に引かれた分断予定線331,32,33及び441,42,43,44によって区切られている。分断予定線331,32,33と、分断予定線441,42,43,44とは、互いに直交し、格子状をなしている。各液晶パネル2は、これらの分断予定線3,4によって囲まれている。なお、これらの分断予定線3,4は、液晶マザーパネル1の表面上に、実際に引かれている可視的な線ではなく、各液晶パネル2を液晶マザーパネル1から切り出すための仮想的な線である。なお、図1に示される分断予定線3,4は、マザー基板7の表面上に形成されている。例えば、液晶パネル21は、分断予定線31,32と、これらと交差する分断予定線41,42とによって囲まれている。このように液晶パネル221の外縁に沿うように、液晶パネル221を囲む分断予定線3,4の部分を、特に、本明細書では、囲み線30と称する。なお、説明の便宜上、図1には、液晶パネル21においてのみ、囲み線30が図示されている。他の液晶パネル22,23,24においても、液晶パネル21と同様に、各液晶パネル2の外縁に沿うような、囲み線が分断予定線3,4によって形成されている。本実施形態において、液晶パネル21の周りを囲む囲み線30は、その一部が、隣接する液晶パネル22の周りを囲む他の囲み線の一部と、共通している。つまり、囲み線30のうち、分断予定線32からなる部分が、隣接する液晶パネル22の囲み線の一部ともなっている。図1に示されるように、前記囲み線30の下側には、枠状シール部991が配置している。枠状シール部9は、各液晶パネル2に対応するように、それぞれ割り当てられている。各枠状シール部9は、各液晶パネル2におけるそれぞれの表示領域881,82,83,84を囲むように配置している。本実施形態においては、隣り合う液晶パネル2の枠状シール部9同士が、一部繋がっている。図1に示されるように、液晶パネル21の枠状シール部91と、液晶パネル22の枠状シール部92とが、互いに隙間無く配置し、一体的に繋がっている。また、液晶パネル23の枠状シール部93と、液晶パネル24の枠状シール部94とが、互いに隙間無く配置し、一体的に繋がっている。ここで、液晶パネル21の枠状シール部91を例に挙げて、更に、枠状シール部9について説明する。枠状シール部91は、矩形状の表示領域81を囲むような4辺からなる矩形状を有している。枠状シール部91は、囲み線30に沿うように重なった3辺からなる部分重なり部分911,912,913と、囲み線30と重ならないように前記囲み線30よりも内側表示領域8側を通る非重なり部分914とからなる。前記重なり部分911,912の線幅は、囲み線30が略中央を通過するように設定されている。つまり、前記重なり部分911,912は、囲み線30よりも外側にはみ出している。なお、枠状シール部91の重なり部分913は、隣接する他の枠状シール部92の一部と繋がっている。つまり、囲み線30分断予定線32に相当する部分は、枠状シール部91913と枠状シール部92とが繋がって一体となった部分の略中央を通過している。枠状シール部91の非重なり部分914の外縁側には、端子外部接続端子10101が配置されている。この端子10101は、液晶パネル221のTFT基板上に形成されており、ゲート電極線等と接続している。以上、枠状シール部91を例に挙げて説明したように、各枠状シール部9は、部分的に、各囲み線30よりも内側に配置している。つまり、各囲み線30には、枠状シール部9の上方を通過しない区間がある。上記のような、各囲み線30における各枠状シール部9の上方を通過しない区間に、それぞれサポート部15151,152,153,154が配置されている。このサポート部15は、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の樹脂材料からなる。ここで、液晶パネル21に設置されるサポート部151を例に挙げて、更に、サポート部15について説明する。このサポート部151は、マザー基板7,13間で挟まれており、囲み線30に沿って重なるように配置されている。このサポート部151は、端子101を囲むように、非重なり部914の外縁側に配置されている。囲み線30は、サポート部151の略中央を通るように設定されている。このようにサポート部151を、枠状シール部91と重なっていない区間の囲み線30に沿って配置することによって、囲み線30のすべての部分が、マザー基板7の下側から支えられることになる。なお、液晶パネル21におけるサポート部151の一部は、隣り合う液晶パネル22のサポート部152と部分的に繋がっている。囲み線30の一部が、この繋がった部分の略中央を通るようにサポート部151,152が設定されている。以上、サポート部151を例に挙げて説明したように、各サポート部15は、枠状シール部9と重なっていない区間の各囲み線30に沿って重なるように、配置される。そして、各液晶パネル2に対応した各囲み線30は、それぞれマザー基板7の下側から、枠状シール部9及びサポート部15によって支えられることになる。なお、サポート部15は、予めマザー基板7側に設けておいて、その後、前記マザー基板7と他方のマザー基板13との間で挟まれるように構成しても良いし、反対に、予めマザー基板13側に設けておいて、その後、前記マザー基板13と他方のマザー基板7との間で挟まれるように構成してもよい。ただし、後述するように、液晶マザーパネルにおける一方のマザー基板上に第1スクライブ溝分断誘導溝を形成した後、その第1スクライブ溝をエッチング液で処理エッチング処理して成長させる場合は、第1スクライブ溝が形成される側のマザー基板に、サポート部を予め設けておくことが好ましい。サポート部15は、予め設けられた側のマザー基板に対する密着度密閉度の方が、他方のマザー基板に対する密着度密閉度よりも高くなる場合がある。その場合、第1スクライブ溝がエッチング処理されて第1スクライブ溝の底に穴が形成されても、その穴はサポート部15によって効率よく密閉される塞がれる。図4は、液晶マザーパネルを分断して液晶パネルを得る液晶マザーパネルの分断方法の手順を示すフローチャートである。以下、図4等を参照しつつ、液晶マザーパネルの分断方法を説明する。先ず、図4のS1工程について説明する。この工程は、マザー基板13図3等参照を製造する工程である。つまり、複数枚のTFT基板を1枚のマザー基板13にまとめて製造する工程である。この工程では、ガラス基板マザーガラス基板130a表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロム等からなる単層又は多層の導電膜が形成される。この導電膜の形成方法としては、スパッタリング法等の公知の方法を適用できる。そして、形成した導電膜を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンに形成する。これによって、所定のパターンのゲート電極線132及びゲート電極132aが得られる図3参照。次いで、ゲート絶縁膜134が前記ガラス基板130a上に形成される。このゲート絶縁膜134は、例えば、窒化シリコン等からなり、プラズマCVD法等を用いて形成される。そして、半導体膜136、ソース電極線133、ソース電極133a、ドレイン電極133bが形成される。半導体膜136は、例えば、n型のアモルファスシリコン等からなり、プラズマCVD法等を用いて形成される。そして、ソース電極線133、ソース電極133a、ドレイン電極133bは、前記ゲート電極線132と同様の方法で形成される。次いで、感光性樹脂からなる層間絶縁膜137がガラス基板130a上に形成される。そして、形成された層間絶縁膜137に、コンタクトホール部131a形成のための開口部が形成される。この開口部は、フォトリソグラフィ法等を用いて形成される。そして、この層間絶縁膜137の表面に、ITOからなる透明導電膜がスパッタリング法等を用いて形成される。その後、形成された透明導電膜を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンに形成される。これによって、所定のパターンの画素電極131及びそのコンタクトホール131aが得られる。画素電極131が形成された後、配向膜138が形成される。円圧式印刷装置、インクジェット式印刷装置等を用いて、ポリイミド等からなる配向膜138の原料となる液状の配向材が塗布される。その後、配向膜焼成装置等を用いてガラス基板130a上の前記配向材からなる塗膜が焼成され、次いで、その塗膜表面がラビング処理される。このようにして、画素電極131上に配向膜138が形成される。以上のようにして、複数のTFT基板130が配列するように割り当てられたマザー基板13が作製される。次いで、図4に示されるS2工程について説明する。この工程は、S1工程で製造されたマザー基板13中の各TFT基板130において、それぞれサポート部15を形成する工程である。このサポート部15は、例えば、感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィ法等を利用して、各TFT基板130において、それぞれ所定パターンのサポート部15を形成する。このサポート部15は、分断予定線に沿って重なるように形成される。このサポート部15の高さは、液晶パネル2のセルギャップTFT基板とCF基板との間隔と同等に設定される。例えば、サポート部15の高さは3.0μm~5.0μm程度に設定される。また、サポート部15の線幅は、例えば、400μm~2000μm程度に設定される。なお、サポート部15は、液晶マザーパネル1を分断する際に半分に分割されるため、液晶パネル2に残るサポート部15の実質的な線幅は、上記の半分程度200μm~1000μmとなる。なお、本実施形態においては、TFT基板側のマザー基板13に、サポート部15を形成しているが、他の実施形態においては、CF基板側のマザー基板7に形成してもよい。次いで、図4に示されるS3工程について説明する。この工程は、マザー基板7図3等参照を製造する工程である。つまり、複数枚のCF基板70を1枚のマザー基板7にまとめて製造する工程である。この工程では、先ず、ガラス基板マザーガラス基板70aの表面にBMレジスト黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物等が塗布される。次いで、塗布されたBMレジストを、フォトリソグラフィ法等を用いて所定のパターンに形成される。このようにして、所定のパターンのブラックマトリックスBM71が得られる。続いて、赤色、緑色、青色の各色の着色感材感光性樹脂に所定の顔料を分散させた溶液からなる着色インクを塗布し、この塗布物を、フォトリソグラフィ法等を用いて、所定のパターンの着色層72に形成する。そして、着色層72の表面に、ITOからなる透明導電膜を、スパッタリング法等を用いて形成し、共通電極73を得る。次いで、共通電極73の表面に、円圧式印刷装置、インクジェット式印刷装置等を用いて、ポリイミド等からなる配向膜74の原料となる液状の配向材が塗布される。その後、配向膜焼成装置等を用いてガラス基板70a上の前記配向材からなる塗膜が焼成され、次いで、その塗膜表面がラビング処理される。このようにして共通電極73上に配向膜74が形成される。以上のようにして、複数のCF基板70が配列するように割り当てられたマザー基板7が作製される。次いで、図4に示されるS4工程について説明する。この工程は、S3工程で製造されたマザー基板7中の各CF基板70において、それぞれ枠状シール部9を形成する工程である。各枠状シール部9は、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂感光性樹脂からなり、スクリーン印刷方式等を利用して、マザー基板7中の各CF基板70において配向膜74を囲むように形成される。そして、各枠状シール部9で囲まれた領域に、インクジェット方式等を利用して液晶材が滴下され、充填される。図4に示されるS5工程において、サポート部15が形成されたマザー基板13と、枠状シール部9が形成され液晶材が滴下されたマザー基板7とが、貼り合わせられる。この工程では、前記マザー基板13と、前記マザー基板7とが、図示されない真空チャンバ内において互いに向かい合うように配置される。そして、真空チャンバ内が、大気圧以下の減圧状態にされる。その後、真空チャンバ内を大気圧状態に戻すと、前記マザー基板13,7は、外側から常時加圧された状態となる。その後、枠状シール部9を硬化させることによって、前記マザー基板13と、前記マザー基板7との貼り合わせが完了する。なお、この枠状シール部9の硬化時に、前記サポート部15の硬化が行われてもよい。以上のように、S1~S5工程を経ると、図1等に示されるような、液晶マザーパネル1が得られる。なお、他の実施形態においては、サポート部15をマザー基板7側に予め設けてもよい。次いで、図4に示されるS6工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル1をエッチング処理し、その厚みを薄くする工程である。具体的には、液晶マザーパネル1のマザー基板7ガラス基板70aの厚み板厚と、マザー基板13ガラス基板130aの厚み板厚とが、それぞれ目標とする板厚T例えば、0.05mm~0.5mm、好ましくは0.1mm~0.3mmα例えば、50μm~100μmとなるまで、エッチング処理されて、それぞれ薄板化される。図5は、液晶マザーパネルをエッチング処理により薄型化する工程を模式的に表した説明図である。図5に示されるように、エッチング処理は、エッチング槽200内のエッチング液201に、液晶マザーパネル1を浸漬することによって行われる。この場合、液晶マザーパネル1を包囲するように収容するトレイ202を用いて、液晶マザーパネル1はエッチング液201中に浸漬される。液晶マザーパネル1を収容するトレイ202の上面部及び下面部には、多数の孔202aが設けられている。この孔202aを介してトレイ202内部にエッチング液201が浸入し、この浸入したエッチング液201が接触することによって、液晶マザーパネル1の各マザー基板7,13が薄板化される。なお、エッチング槽200の下方には、図示されない供給ポンプに接続された給気管203が配設されている。この給気管203には、多数の小孔203aが開口形成されており、給気ポンプから供給された窒素ガス等の気体を、この小孔203aから噴出させて、気泡204を発生させている。この気泡204によって、エッチング槽200内のエッチング液201が撹拌される。エッチング液201としては、例えば、フッ化水素酸、フッ化ソーダ、フッ化カリウム、酸性フッ化アンモニウム等のフッ素化合物、又はこれらと塩酸等の他の酸化合物との混合物等を含む溶液、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等を含む溶液等が利用される。図6は、エッチング処理後の液晶マザーパネル1の構成を模式的に表した説明図である。図6において、エッチング処理前の液晶マザーパネル1の各マザー基板7,13の厚み板厚が、破線で示されている。図6に示されるように、エッチング処理後の各マザー基板7,13の厚み板厚が薄板薄型化された後、次のS7工程へ移行する。<分断誘導溝形成方法>図4に示されるS7工程は、液晶マザーパネル1の表面に分断誘導溝としてのスクライブ溝第1スクライブ溝を形成する工程である。この工程では、CF基板側のマザー基板7の表面に、分断予定線に沿ってスクライブ溝が形成される。図1に示されるように、マザー基板7の表面には、仮想的な分断予定線3,4が引かれており、これらは各液晶パネル液晶パネル片を区画するように、格子状に配置している。スクライブ溝は、各分断予定線3,4に沿って、直線状に設けられる。図7は、液晶パネル1におけるマザー基板7の表面に、スクライバ11で溝第1スクライブ溝12を形成する工程を模式的に表した説明図である。図7には、液晶マザーパネル1の断面構造が模式的に示されている。このスクライブ溝12は、図7に示されるような、回転刃11aを備えたスクライバカッターホイール11を、用いて形成される。前記スクライバ11の回転刃11aは、人工ダイヤモンドの単結晶体を備えており、この回転刃11aの外周近傍が先細り形状となっている。この回転刃11aの外周部の断面は、V字形状となっている。このスクライバ刃物11を、マザー基板7の表面に押し当てながら分断予定線3等をなぞるように移動させることによって、マザー基板7の表面上に、スクライブ溝12が形成される。このスクライブ溝12の断面幅方向の断面は、V字形状不図示となっている。スクライブ溝12を形成する際、スクライバ11は、マザー基板7に対して、通常、一定の力で押さえ付けられている。なお、図7には、分断予定線31に沿ってスクライブ溝12が形成される工程が示されている。スクライブ溝12の深さ浸透量は、例えば、マザー基板7の厚みエッチング処理後のマザー基板7の厚みの半分程度に設定される。図7に示されるように、液晶マザーパネル1のマザー基板7と、マザー基板13との間には、枠状シール部991,93と共に、サポート部15151,153が介在されている。つまり、隣接する液晶パネル21と、液晶パネル23との間に、マザー基板7がスクライバ11によって下方へ押し下げられる程の大きな隙間がない。その為、スクライバ11を用いて、マザー基板7の表面に一定の深さを有するスクライブ溝12を形成できる。なお、図7に示されるように、液晶パネル21と液晶パネル22との間の余白6部分に、サポート部15等が前記マザー基板7,13間で介在していない僅かな隙間がある。この余白6部分にも、図1等に示されるように、分断予定線331が存在している。本実施形態においては、この余白6部分の分断予定線331に沿って重なるように、サポート部は設けていないが、他の実施形態においては、この部分にも、サポート部を設けてもよい。スクライブ溝12は、各分断予定線3,4に沿うように、それぞれマザー基板7の表面上にスクライバ11を用いて形成される。図8は、マザー基板7の表面上にスクライブ溝12が形成された液晶マザーパネル1を模式的に表した説明図である。図8に示されるように、スクライブ溝第1スクライブ溝12が形成された後、次のS8工程へ移行する。図4に示されるS8工程は、液晶マザーパネル1を再びエッチング処理する工程である。この工程において、液晶マザーパネル1の各マザー基板7,13の更なる薄型化と、第1スクライブ溝12の拡大化とが行われる。この工程において、各マザー基板7,13の厚み板厚は、それぞれ上述した目標の板厚Tとなるようにエッチング処理される。このS8工程のエッチング処理は、前記S6工程と同様の装置図5参照を用いて行われる。なお、このS8工程では、上述したように、各マザー基板7,13の更なる薄型化と共に、第1スクライブ溝12の拡大化も行われる。液晶マザーパネル1がエッチング液中に浸漬されると、スクライブ溝12もエッチング処理されて、幅溝幅及び深さ溝深さが大きくなる。スクライブ溝12がエッチング処理されて成長すると、場所によっては、その底部が枠状シール部9又はサポート部15まで到達し、枠状シール部9等が部分的に露出することがある。なお、通常、枠状シール部9及びサポート部15がある場所において、スクライブ溝12の底部が抜けても、枠状シール部9及びサポート部15がスクライブ溝12の底部の穴を塞ぐように密着しているため、その穴からエッチング液が液晶パネル2内に浸入することが抑制される。なお、枠状シール部9等がない場所において、スクライブ溝12の底部がぬけて穴が空き、その穴からエッチング液が浸入しても、その場所は、通常、液晶パネル2の周囲の余白6部分であり、エッチング液が例えば、端子10と接触して端子10が腐食してしまうことはない。枠状シール部9及びサポート部15は、エッチング液に対する耐久性を備えており、エッチング液と接触しても腐食しない。図9は、2回目のエッチング処理後の液晶マザーパネル1の構成を模式的に表した説明図である。液晶マザーパネル1は、マザー基板7が下側であり、マザー基板13が上側になるように配置されている。図9に示されるように、マザー基板7の表面には、エッチング処理によって、溝幅及び溝深さが拡大された第1スクライブ溝12aが形成されている。また、このエッチング処理によって、各マザー基板7,13の厚み板厚は、目標の板厚Tとされる。なお、図9において、このエッチング処理を行う前の厚みが、破線で示されている。<分断誘導溝形成方法>次いで、図4に示されるS9工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル1の表面に分断誘導溝としてのスクライブ溝第2スクライブ溝を形成する工程である。この工程では、TFT基板側のマザー基板13の表面に、分断予定線に沿ってスクライブ溝が形成される。液晶マザーパネル1は、マザー基板13の表面上にも、仮想的な分断予定線不図示が設定されている。このマザー基板13の表面上の分断予定線も、図1に示されるマザー基板7側の分断予定線3,4と同様、各液晶パネル液晶パネル片2を区画するように格子状に配置されている。また、マザー基板13側の分断予定線は、マザー基板7側の分断予定線3,4と、向かい合うように設定されている。スクライブ溝第2スクライブ溝は、マザー基板13の表面上に仮想的に引かれている分断予定線に沿って、直線状に設けられる。第2スクライブ溝は、第1スクライブ溝12と同様、スクライバ11を利用してマザー基板13の表面上に形成される。スクライバ11をマザー基板13の表面上の分断予定線に沿って押し当てつつ、移動させることによって、第2スクライブ溝が形成される。図10は、マザー基板13の表面上に、第2スクライブ溝121が形成された液晶マザーパネル1の構成を模式的に表した説明図である。図10に示されるように、第2スクライブ溝121は、枠状シール部9の線幅方向において、その略中央を通過している。なお、本実施形態の第2スクライブ溝121の溝幅及び溝深さは、第1スクライブ溝12のものと同じに設定されている。なお、第2スクライブ溝の溝深さ浸透量は、枠状シール部9まで到達するように設定されてもよい。また、図10に示されるように、マザー基板13上の第2スクライブ溝121と、マザー基板7上の第1スクライブ溝12aとは、枠状シール部9等を介して互いに向かい合っている。マザー基板13の分断予定線も、枠状シール部9及びサポート部15の上方を通過している。その為、スクライバ11を用いて、マザー基板13の表面に一定の深さを有する第2スクライブ溝121を形成できる。次いで、図4に示されるS10工程について説明する。この工程は、液晶マザーパネル1を、第1スクライブ溝12a及び第2スクライブ溝121に沿って加圧分割して、液晶パネル2を得る工程である。図11は、液晶マザーパネル1を、第1スクライブ溝12a及び第2スクライブ溝121に沿って分割して液晶パネル2を得る工程を模式的に表した説明図である。液晶マザーパネル1は、第1スクライブ溝12a及び第2スクライブ溝121に誘導されて、分断される。図11に示されるように、液晶マザーパネル1の両面に形成されている第1スクライブ溝12a及び第2スクライブ溝121を利用すれば、液晶マザーパネル1を容易に精度よく分断することができる。そして、所定の外形寸法を有する液晶パネル2を得ることができる。なお、液晶マザーパネル1が分割される際、枠状シール部9も略半分の線幅となるように分割される。例えば、図10に示される液晶パネル24の枠状シール部94は、液晶マザーパネル1が分割されると、図11に示されるように液晶パネル24側に枠状シール部9a94aとして残る部分と、余白6側に残る部分9b94bとに分かれる。また、図10に示される液晶パネル24と液晶パネル23との境界部分にある枠状シール部994、93は、液晶マザーパネル1が分割されると、図11に示されるように液晶パネル24側の枠状シール部9a94aとして残る部分と、液晶パネル23の枠状シール部9a93aとして残る部分とに分かれる。そして、図10に示される液晶パネル23の枠状シール部93は、液晶マザーパネル1が分割されると、図11に示されるように液晶パネル23側に残る枠状シール部9a93aとして残る部分と、余白6側に残る部分9b93bとに分かれる。液晶マザーパネル1が各液晶パネル2に分割されると、サポート部15も第1スクライブ溝12a及び第2スクライブ溝121に沿って分割される。サポート部15もその線幅の略中央で分かれるように、分断される。液晶パネル2に残ったサポート部15は、そのまま残してもよいし、必要に応じて除去してもよい。なお、分割後の液晶パネル2の端面は、適宜、研磨等されて整えられる。以上のようにして、S6工程~S10工程を経て、液晶マザーパネル1から複数個本実施形態では4個の液晶パネル2が得られる。なお、これらの工程のうち、S7工程と、S9工程とにおいて、本発明の分断誘導溝形成方法が利用されている。本実施形態の液晶マザーパネル1は、図1に示されるように、サポート部15は、各囲み線30に沿って重なるように配置されている。このようにサポート部15を配置することによって、少なくとも各液晶パネル2を囲む分断予定線3,4の下側に、サポート部15又は枠状シール部9が配置され、これらによってマザー基板7が支えられる。その為、本実施形態の液晶マザーパネル1は、少なくとも各液晶パネル2を囲う各囲み線30に沿って、溝幅及び溝深さが一定なスクライブ溝分断誘導溝を形成できる。したがって、部分的に欠けることなく、所定の外形寸法を有する液晶パネル2を得ることができる。図12は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル1Aの平面図である。この液晶マザーパネル1Aの基本的な構成は、図1等に示される液晶マザーパネル1のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル1Aは、各々の液晶パネル2における枠状シール部9及びサポート部15が互いに離れており、独立している。その為、液晶マザーパネル1Aの表面上に仮想的に形成される分断予定線3,4が、液晶マザーパネル1のものとは異なっている。液晶マザーパネル1Aには、分断予定線331,32,33,34と、分断予定線441,42,43,44とが、互いに直交するように、格子状に配置されている。そして、液晶パネル21及び液晶パネル22の間と、液晶パネル23及び液晶パネル24の間とには、分断予定線32及び33で挟まれた余白6が存在している。なお、図12に示されていない他方のマザー基板においても、前記分断予定線3,4と向かい合うような分断予定線が設定されている。このように、液晶マザーパネル1A中において、互いに離れるように各液晶パネル2が割り当てられてもよい。このような液晶マザーパネル1Aも、液晶マザーパネル1の分断と同様、各分断予定線3,4に沿って液晶マザーパネル1Aの表裏面に、分断誘導溝が形成され、そしてその分断誘導溝を利用して各液晶パネル2に分断される。図13は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル1Bの平面図である。この液晶マザーパネル1Bの基本的な構成は、上述した液晶マザーパネル11Aのものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル1Bは、囲み線30以外の分断予定線441,42,43,44に沿って重なるように、サポート部15aが設けられている。このサポート部15aは、液晶マザーパネル1のサポート部15と同種の材料からなる。このサポート部15aも、サポート部15と同様、分断予定線がその略中央を通過するように、設定されている。このように、囲み線30以外の分断予定線3にサポート部15aを設けたことによって、余白6の有無に拘わらず、溝幅及び溝深さが一定な分断誘導溝スクライブ溝を、その分断予定線3に形成できる。そして、その分断誘導溝を利用して、余白6の部分も含めて、精度良く液晶マザーパネル1Bを分断することができる。なお、他の実施形態においては、図13における囲み線30以外の分断予定線441,42,43,44に沿って重なるように、サポート部を設けてもよい。ここで、図1を参照しつつ、サポート部15の他の機能について説明する。図1に示されるように、各液晶パネル2の各サポート部15は、それぞれの端子10を囲むように配置している。サポート部15は、枠状シール部9と隙間無く繋がっている。このように、液晶パネル2の端子10が、サポート部15で囲まれていると、上述したS6工程及びS8工程におけるエッチング処理によって、腐食されない。何故ならば、エッチング処理によって、囲み線30に沿って形成されたスクライブ溝が成長して、スクライブ溝の底に穴が形成されても、その穴はサポート部15によって塞がれているため、その穴からエッチング液が浸入できないからである。つまり、サポート部15はスクライブ溝に形成された穴を、エッチング液が浸入できないように塞ぐ機能も有している。図1に示される液晶マザーパネル1におけるサポート部15は、枠状シール部9と重なっていない区間の囲み線30に対して全て重なっているが、他の実施形態においては、サポート部15は、前記囲み線30の区間において、全て重なっている必要はない。図14は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル1Cの一部の平面図である。図14には、液晶マザーパネル1C中に割り当てられている複数個の液晶パネル2のうち、1つの液晶パネル221のみが説明の便宜上、示されている。この液晶マザーパネル1Cの基本的な構成は、図1等に示される液晶マザーパネル1等のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル1Cの液晶パネル221は、そのサポート部15bが、液晶マザーパネル1のサポート部15と比べて、部分的に形成されている。このサポート部15bは囲み線30のうち、分断予定線331及び332のみに沿って重なるように設けられている。その為、囲み線30上には、枠状シール部991及びサポート部15bの何れも存在していない隙間がある。サポート部15bを設けたことによって、前記隙間に相当する区間におけるマザー基板7の撓みが十分抑制されるのであれば、このような液晶マザーパネル1Cが利用されてもよい。図15は、他の実施形態に係る液晶マザーパネル1Dの一部の平面図である。図15には、液晶マザーパネル1D中に割り当てられている複数個の液晶パネル2のうち、1つの液晶パネル221のみが説明の便宜上、示されている。この液晶マザーパネル1Eの基本的な構成は、図1等に示される液晶マザーパネル1等のものと同様である。ただし、この液晶マザーパネル1Dの液晶パネル221も、図14に示されるものと同様、そのサポート部15cが、液晶マザーパネル1のサポート部15と比べて、部分的に形成されている。このサポート部15cは囲み線30のうち、分断予定線442のみに沿って重なるように設けられている。その為、枠状シール部991と、サポート部15cとの間には、枠状シール部991及びサポート部15cが存在していない隙間がある。サポート部15cを設けたことによって、前記隙間に相当する区間におけるマザー基板7の撓みが十分抑制されるのであれば、このような液晶マザーパネル1Dが利用されてもよい。本発明の分断誘導溝形成方法は、上記のように、液晶マザーパネルの分割の際に、エッチング処理を伴うもののみに利用されるものではない。つまり、エッチング処理を伴わずに、液晶マザーパネルが分断される場合においても、本発明の分断誘導溝形成方法は利用できる。各実施形態において、液晶マザーパネルには4個の液晶パネルが割り当てられていたが、他の実施形態においては、これよりも多くの液晶パネルが1枚の液晶マザーパネルに割り当てられていてもよい。"