"基板上に、組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜に対してフッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてドライエッチングを行う工程とを含む圧電体膜素子の製造方法。前記圧電体膜を形成する工程は、前記基板上にPtを含む金属からなる下部電極を形成し、前記下部電極上に前記圧電体膜を形成する工程を含み、前記ドライエッチングを行う工程は、前記圧電体膜と前記下部電極とのエッチング選択比が20以上となる条件で前記圧電体膜のエッチングを行うものである請求項1に記載の圧電体膜素子の製造方法。前記ドライエッチングを行う工程は、CHF3、C2F6、CF4、SF6、C4F8及びはC3F7Iを含むフッ素系反応ガスの1種若しくは2種類以上とArとを混合したガス、又は前記フッ素系反応ガス同士の混合ガスを用いるものである請求項1又は2に記載の圧電体膜素子の製造方法。前記ドライエッチングを行う工程は、前記ドライエッチングを行うチャンバー内の圧力が1.5Pa以下で行う請求項1乃至3のいずれか1項に記載の圧電体膜素子の製造方法。基板と、前記基板上に形成され、111に配向したPtからなる下部電極と、前記下部電極上に形成され、組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜とを備えた圧電体膜素子。前記下部電極の算術平均表面粗さRaは、1nm以下である請求項5に記載の圧電体膜素子。前記圧電体膜は、結晶構造が擬立方晶であり、かつ001面方位に優先配向されている請求項5又は6に記載の圧電体膜素子。前記圧電体膜は、前記組成式K1-xNaxNbO3のxが0.4≦x≦0.7の範囲である請求項5乃至7のいずれか1項に記載の圧電体膜素子。請求項5乃至8のいずれか1項に記載の圧電体膜素子と、前記圧電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極に接続された電圧印加手段又は電圧検知手段とを備えた圧電体デバイス。しかし、上記ドライエッチングプロセスを用いて微細加工を行った場合、一般的な2~3μm厚のKNN膜の加工に1時間以上の長時間を要し、選択比も1桁と低く、大面積を均質に加工するには問題がある。加えて、エッチング後にKFやNaFなどの残渣が残り、後工程における製品歩留まりが低下するという大きな問題がある。したがって、本発明の目的は、ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供することにある。本件発明者らは、上述した現象について鋭意検討を行い、KNNの加工性とCF2などのF系イオン密度やイオン衝突エネルギーとの間の関係に着目して調査した。その結果、フッ素系反応性ガスを用い、かつ、低圧プラズマを用いたドライエッチングにより、KNN膜を短時間で加工できることに加え、下部電極層との優れたエッチング選択性を見出した。上記知見を踏まえて、エッチング残渣を十分に除去できるKNNのオーバーエッチングが可能となり、本件発明に至ったものである。具体的には、本発明は、上記目的を達成するため、以下の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。[1]基板上に、組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜に対してフッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてドライエッチングを行う工程とを含む圧電体膜の製造方法。[2]前記圧電体膜を形成する工程は、前記基板上にPtを含む金属からなる下部電極を形成し、前記下部電極上に前記圧電体膜を形成する工程を含み、前記ドライエッチングを行う工程は、前記圧電体膜と前記下部電極とのエッチング選択比が20以上となる条件で前記圧電体膜のエッチングを行うものである前記[1]に記載の圧電体膜の製造方法。[3]前記ドライエッチングを行う工程は、CHF3、C2F6、CF4、SF6、C4F8及びはC3F7Iを含むフッ素系反応ガスの1種若しくは2種類以上とArとを混合したガス、又は前記フッ素系反応ガス同士の混合ガスを用いるものである前記[1]又は[2]に記載の圧電体膜の製造方法。[4]前記ドライエッチングを行う工程は、前記ドライエッチングを行うチャンバー内の圧力が1.5Pa以下で行う前記[1]乃至[3]のいずれかに記載の圧電体膜の製造方法。[5]基板と、前記基板上に形成され、111に配向したPtからなる下部電極と、前記下部電極上に形成され、組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜とを備えた圧電体膜素子。[6]前記下部電極の算術平均表面粗さRaは、1nm以下である前記[5]に記載の圧電体膜素子。[7]前記圧電体膜は、結晶構造が擬立方晶であり、かつ001面方位に優先配向されている前記[5]又は[6]に記載の圧電体膜素子。[8]前記圧電体膜は、前記組成式K1-xNaxNbO3のxが0.4≦x≦0.7の範囲である前記[5]乃至[7]のいずれかに記載の圧電体膜素子。[9]前記[5]乃至[8]のいずれかに記載の圧電体膜素子と、前記圧電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極に接続された電圧印加手段又は電圧検知手段とを備えた圧電体デバイス。本発明によれば、非鉛の圧電体膜を短時間で微細加工することができ、かつ、エッチング残渣が少ない、後工程における信頼性が高い圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図中、実質的に同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付してその重複した説明を省略する。[実施の形態の要約]本実施の形態は、基板上に、組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜に対してドライエッチングを行う工程とを含む圧電体膜の製造方法において、前記ドライエッチングを行う工程は、前記圧電体膜に対してフッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてドライエッチングを行うものであることを特徴とする。組成式K1-xNaxNbO3で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜に対してフッ素系反応ガスを含む雰囲気中でドライエッチングを行うことにより、短時間の微細加工が可能となる。また、低圧プラズマを用いてドライエッチングを行うことにより、フッ素系のイオンがある程度の衝突エネルギーを維持した状態で界面に供給される。ここで、低圧プラズマとは、0.05~5.0Paの範囲で行うプラズマ処理をいう。[第1の実施の形態]図1は、本発明の第1の実施の形態に係る圧電体膜素子の概略の構成を示す断面図である。この圧電体膜素子1は、基板2と、基板2上に形成された密着層3と、密着層3上に形成された下部電極4と、下部電極4上にドライエッチングによって所定のパターンに形成された圧電体膜5とを備える。基板2としては、例えばSi基板、MgO基板、SrTiO3基板、SrRuO3基板、ガラス基板、石英ガラス基板、GaAs基板、GaN基板、サファイア基板、Ge基板、ステンレス等からなる金属基板等を用いることができる。本実施の形態では、低価格で工業的に実績のあるSi基板を用いる。また、熱酸化膜付き001面Si基板を用いることができ、異なる面方位のSi基板や、熱酸化膜無しのSi基板、SOI基板でもよい。密着層3は、基板2と下部電極4との密着性を高めると共に、下部電極4を所定の配向性とするためのものであり、Ti、Ta等を用いることができる。なお、本実施の形態では、密着層3にTiを用いるが、Ti、Ta等の密着層や密着層なしでも下部電極4の面方位を制御することにより、同様の効果が得られる。下部電極4は、Pt若しくはPtを主成分とする合金からなる電極層、又はPt膜とPtを主成分とする合金膜を積層した電極層を用いることができる。本実施の形態では、111に配向したPtからなる下部電極4を用いる。下部電極4を111に配向させることで、その上に形成される圧電体膜5を001に優先配向させることができる。圧電体膜5は、ペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物以下KNNとも略す。からなる。具体的には、KNNは、組成式K1-xNaxNbO3で表わされ、xは、例えば0.4≦x≦0.7である。また、ペロブスカイト構造は、擬立方晶のペロブスカイト構造が好ましい。なお、本実施の形態では、KNN膜は特に他の元素を添加していないが、5以下のLi、Ta、Sb、Ca、Cu、Ba、Ti等をKNN膜に添加してもよい。圧電体膜素子の製造方法次に、上記圧電体膜素子1の製造方法の一例について説明する。基板2として、熱酸化膜付きSi基板を準備し、基板2上にTiからなる密着層3を形成し、密着層3上にPtからなる下部電極4を形成する。次に、下部電極4上に、RFマグネトロンスパッタリング法によりK1-xNaxNbO3からなる圧電体膜KNN膜ともいう。5を形成する。以下、圧電体膜5の形成後の基板をKNN膜付き基板ともいう。圧電体膜5は、xが0.425≦x≦0.730の範囲のの条件に固定し、チャンバー内の圧力のみを変動させたエッチングの結果図5参照を評価する。実施例8,9好適な圧力範囲1.5Pa、2.5Paでそれぞれエッチングを行った実施例8、9については、再付着がみられず、エッチング速度、選択比ともに良好であるため、総合評価が◎となる。実施例10,11低圧ではあるが、実施例8,9よりも多少チャンバー内圧力3Pa、5Paを高くした実施例10,11については、KNN/Ptの選択比は共に20以上であるが、エッチング速度が実施例10については47nm/min、実施例11については30nm/minと、好適な場合に比べ多少劣るため、評価を△とした。さらに再付着も多少みられるため、総合評価は△となる。比較例1チャンバー内圧力を55Paとした比較例1は、選択比は良好であるが、再付着が多少あり△、エッチング速度が24nm/minと遅いため、総合評価が×となる。比較例2さらに圧力を上げ6Paとした比較例2では、選択比、エッチング速度共に低い値となり、且つNaFやKFの付着が広範囲に確認されたため×、総合評価も×となる。比較例3圧力を65Paとした比較例3でも比較例2と同様の傾向がみられ、エッチング速度については20nm/minと低く、製造時間の短縮が望めないことが分かる。実施例8~11及び比較例1~3から、エッチングのチャンバー内圧力は、5Pa以下、さらに好ましくは2.5Pa以下であることが分かる。以上の結果から、不純物の付着制御及びエッチング速度は、チャンバー内の圧力にも依存し、これを制御することによって好適な製造が可能であることがわかる。なお、本発明は、上記実施の形態及び上記実施例に限定されず、発明の要旨を変更しない範囲で種々に変形実施が可能である。"