"溶媒、炭素ナノチューブ及び分散剤を含む混合液で、前記炭素ナノチューブを分散させる段階と、前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階と、を含み、前記炭素ナノチューブは、半導体性炭素ナノチューブを含み、前記分散剤がチオフェン環、及び前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖を含むポリチオフェン誘導体を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列された方法。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示されることを特徴とする請求項1に記載の方法:前記化学式で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示されることを特徴とする請求項1に記載の方法:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示されることを特徴とする請求項1に記載の方法:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記炭素ナノチューブの直径が3nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記炭素ナノチューブの直径が約0.7nmないし約3nmであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記炭素ナノチューブが、単一壁炭素ナノチューブ、二重壁炭素ナノチューブ、多重壁炭素ナノチューブ及び束型炭素ナノチューブ、またはそれらの組み合わせであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記溶媒が有機溶媒を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記炭素ナノチューブが、有機溶媒で、約10mg/L未満の溶解度を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。前記有機溶媒が、クロロホルム、ジクロロエタン、トルエン、キシレン、デカリン、メシチレン、ヘキサン及びテトラヒドロフランのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブに係わる分散剤の重量比が、約10:1ないし約1:10であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、分散剤の含量が、溶媒全容量を基準に、約0.1mg/mlないし約1mg/mlであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブの含量が、溶媒全容量を基準に、約0.1mg/mlないし約1mg/mlであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、およそ-40°Cないし約90°Cで遂行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、およそ-20°Cないし約90°Cで遂行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、約20°Cないし約80°Cで遂行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、約40°Cないし約70°Cで遂行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階が、前記混合液から、遠心分離によって分散された半導体性炭素ナノチューブを含む上澄み液を分離する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上であることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99重量以上であることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.5重量以上であることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.9重量以上であることを特徴とする請求項18に記載の方法。半導体性炭素ナノチューブと、ポリチオフェン誘導体と、を含み、前記ポリチオフェン誘導体は、チオフェン環、及び前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列された電子素子。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示されることを特徴とする請求項23に記載の電子素子:前記化学式で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示されることを特徴とする請求項23に記載の電子素子:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示されることを特徴とする請求項23に記載の電子素子:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。半導体性炭素ナノチューブを含み、前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上である電子素子。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99重量以上であることを特徴とする請求項27に記載の電子素子。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.5重量以上であることを特徴とする請求項27に記載の電子素子。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.9重量以上であることを特徴とする請求項27に記載の電子素子。前記電子素子は、トランジスタ、太陽電池、光検出器、光伝導体、電極及びフレキシブル電子素子のうち一つを含むことを特徴とする請求項27に記載の電子素子。前記電子素子が薄膜トランジスタTFTを含み、前記薄膜トランジスタの正孔移動度が10cm2/Vs以上であり、点滅電流比が106以上であることを特徴とする請求項27に記載の電子素子。ポリチオフェン誘導体と、半導体性炭素ナノチューブと、を含み、前記ポリチオフェン誘導体は、アルキル基と連結されたチオフェン環を含み、前記アルキル基は、炭素数7以上を含み、前記アルキル基が立体規則的に配列された分散液。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示されることを特徴とする請求項33に記載の分散液:前記化学式で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示されることを特徴とする請求項33に記載の分散液:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示されることを特徴とする請求項33に記載の分散液:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。半導体性炭素ナノチューブを含み、前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量の75重量以上である分散液。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量の99重量以上であることを特徴とする請求項37に記載の分散液。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量の99.5重量以上であることを特徴とする請求項37に記載の分散液。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が、炭素ナノチューブ全重量の99.9重量以上であることを特徴とする請求項37に記載の分散液。本発明において、高収率で簡単に半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離することができる方法が提供される。本発明において、該方法で分離した半導体性炭素ナノチューブを含む電子素子が提供される。本発明において、半導体性炭素ナノチューブを含む高収率の炭素ナノチューブ分散液が提供される。一実施形態は、半導体性炭素ナノチューブCNTを選択的に分離する方法に係わるものである。一実施形態は、前述の方法で分離した半導体性炭素ナノチューブを含む電子素子に係わるものである。一実施形態は、高収率の半導体性炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液に係わるものである。一実施形態によれば、1つの方法は、溶媒、炭素ナノチューブ及び分散剤を含む混合液で、前記炭素ナノチューブを分散させる段階を含み、前記炭素ナノチューブは、半導体性炭素ナノチューブを含む。前記分散剤は、チオフェン環と、前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖とを含むポリチオフェン誘導体を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、かつ前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列され、かつ前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階を含む。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式1で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記炭素ナノチューブの直径は、3nm以下であってもよい。前記炭素ナノチューブの直径は、約0.7nmないし約3nmであってもよい。前記炭素ナノチューブは、単一壁炭素ナノチューブ、二重壁炭素ナノチューブ、多重壁炭素ナノチューブ及び束型炭素ナノチューブ、またはそれらの組み合わせである。前記溶媒は、有機溶媒であってもよい。前記炭素ナノチューブは、有機溶媒で、約10mg/L未満の溶解度を有する。前記有機溶媒は、クロロホルム、ジクロロエタン、トルエン、キシレン、デカリンdecalin、メシチレンmesitylene、ヘキサン及びテトラヒドロフランのうち少なくとも一つを含んでもよい。前記混合液は、炭素ナノチューブに対する分散剤の重量比が、約10:1ないし約1:10であるものを含んでもよい。前記混合液で、分散剤の含量が溶媒全容量を基準に、約0.1mg/mlないし約1mg/mlであってもよい。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、およそ-40°Cないし約90°Cで遂行される。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、およそ-20°Cないし約90°Cで遂行される。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、約20°Cないし約80°Cで遂行される。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階が、約40°Cないし約70°Cで遂行される。前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階が、前記混合液から遠心分離によって分散された半導体性炭素ナノチューブを含む上澄み液を分離する段階を含んでもよい。前記上澄み液で半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上であってもよい。前記上澄み液で半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99重量以上であってもよい。前記上澄み液で半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.5重量以上であってもよい。前記上澄み液で半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.9重量以上であってもよい。前記混合液で、分散された炭素ナノチューブは、金属性特性を有する炭素ナノチューブをさらに含んでもよい。前記方法は、前記混合液から金属性特性を有する炭素ナノチューブを選択的に分離する方法をさらに含んでもよい。一実施形態によれば、電子素子は、半導体性炭素ナノチューブ、及びポリチオフェン誘導体を含み、前記ポリチオフェン誘導体は、チオフェン環、及び前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、かつ前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列される。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式1で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の75重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の99重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の99.5重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量が炭素ナノチューブ全重量の99.9重量以上であってもよい。前記電子素子は、トランジスタ、太陽電池、光検出器photodetector、光伝導体photoconductor、電極及びフレキシブル電子素子flexibleelectronicsのうち一つを含んでもよい。前記電子素子は、薄膜トランジスタTFTを含み、前記薄膜トランジスタの正孔移動度が10cm2/Vs以上であり、点滅電流比onoffcurrentratioが106以上であってもよい。一実施形態によれば、分散液は、ポリチオフェン誘導体及び炭素ナノチューブを含み、前記ポリチオフェン誘導体は、アルキル基と連結されたチオフェン環を含み、前記アルキル基は、炭素数7以上を含み、かつ前記アルキル基が立体規則的に配列されたものを含む。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式1で、Rは、C7-C50アルキル基であり、R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つであり、lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。分散液は、半導体性炭素ナノチューブを含み、前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、99.5重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の99.9重量以上であってもよい。追加的な側面は、下記の発明の詳細な説明で一部説明し、一部は、発明の詳細な説明から明白であったり、あるいは実施形態を実行することにより、分かるであろう。高収率で簡単に半導体性炭素ナノチューブCNTを選択的に分離する方法が提供される。向上した電気的特性を有する半導体性炭素ナノチューブを含む電子素子が提供される。半導体性炭素ナノチューブを含む高収率の炭素ナノチューブ分散液が提供される。実施形態は、添付図面と係わってさらに十分に記載し、ここに一部実施形態が示される。実施形態は、多くの異なる形態に具体化されるが、本明細書で説明された実施形態に制限されるものであると解釈されてはならず、むしろ、かような実施形態は、かような開示が徹底したものであって完全なものとなり、当業者に実施形態の概念を十分に伝達するように提供される。図面で、層及び領域の厚みは、明瞭性を目的として誇張される。図面で参照符号は、構成要素のように示し、それに係わる説明は省略する。一構成要素が異なる構成要素に連結されたconnectedまたは結合されたcoupledということを示すとき、それは、他の構成要素に直接的に連結されたり、結合されたり、あるいは媒介するinvervening構成要素が存在する。一方、一構成要素が他の構成要素に直接的に連結されるまたは直接的に結合されるということを示すとき、媒介する構成要素が存在しない。本明細書で使用された用語及び/またはは、一つ以上の関連したリストされたlisted項目のうちいずれか、及び全ての組み合わせを含む。構成要素または層の間での関連性を記載するのに使用される他の用語は、流行している方式のように解釈されなければならない例えば、間にbetween対代直接的に間にdirectlybetween;隣接するadjacent対直接的に隣接するdirectlyadjacent;上にon対直接的に上にdirectlyon。本明細書で使用された用語は、記載する特別な実施形態のみを目的にして実施形態を制限することを意味するものではない。本明細書で使用されているように、単数形態一つa,an及び前記theは、複数の形態も含むということを意味する。用語からなるcomprise、からなるところのcomprising、含むinclude、及び/または含むところのincludingは、本明細書で使用されるとき、明示された特徴、整数、段階、作動、構成要素及び/または構成成分の存在を具体的に明示するが、一つ以上の他の特徴、整数、段階、作動、構成要素、構成成分、及び/またはそれら集団の存在あるいは付加を排除するものではないと理解される。本明細書で実施形態は、実施形態の理想化された実施形態及び中間構造の概略的な例示である断面的な例示と係わって記載する。それにより、例えば、製造技術及び/または許容誤差の結果として例示の形態からの変形例が期待される。このように、実施形態は、本明細書で例示される領域の特別な形状に制限されるものであると解釈されてはならないが、例えば、製造から生じた形状における変形を含む。取り分けて定義されるものではないならば、本明細書で使用された全ての用語技術的用語及び科学的用語を含みは、実施形態が属する分野で当業者によって、一般的に理解される意味と同一の意味を有する。一般的に使用される辞書で定義されたような用語は、関連分野の文脈で、それらの意味と一致する意味を有すると解釈されなければならず、本明細書で、そのように表現されない限り、理想化されたり、あるいは過度に形式的な意味に解釈されるものではない。一実施形態によれば、方法は、溶媒、炭素ナノチューブCNT及び分散剤を含む混合液で、前記炭素ナノチューブを分散させる段階と、前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階と、を含み、前記炭素ナノチューブは、半導体性semiconducting炭素ナノチューブを含み、前記分散剤が、チオフェン環、及び前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖を含むポリチオフェン誘導体を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、かつ前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列される。前記ポリチオフェン誘導体が、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離することができる理由について、さらに具体的に以下で説明する。しかし、かような説明は、本発明の理解を助けるためのものであり、実施形態の範囲として制限されるものではない。ポリチオフェン誘導体は、π-共役構造を有する共役高分子conjugatedpolymerであり、炭素ナノチューブ、例えば、炭素ナノチューブのsp2炭素原子と、ポリチオフェン誘導体の炭化水素基のπ電子との間に強い相互作用を行い、π-π結合を形成する。かようなポリチオフェン誘導体が自己組み立てselfassembledされ、チオフェン環に連結された炭化水素側鎖が互いに組み合いinterdigitated、超分子構造になる。前記ポリチオフェン誘導体で、炭化水素側鎖が立体規則的に配列されることにより、特定の表面配列状態を有するが、炭素ナノチューブの結着性bindingpropertiesを向上させた特定物性を有する炭素ナノチューブが提供される。結果的に、前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列されたポリチオフェン誘導体を使用することにより、高収率の半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離することができる。前記ポリチオフェン誘導体は、導電性を有するので、従来の絶縁性界面活性剤または絶縁性高分子を、炭素ナノチューブ分散液からさらに除去する工程なしにも、高収率の半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離することができる。前記立体規則的regioregularに配列されたということは、チオフェン環、及び前記環に連結された炭化水素側鎖を含む反復単位で、置換基が前記チオフェン環の特定位置にのみ置換されることにより、空間的に一定方向に配位されることを意味する。前記立体規則的に配列されたに比べて、空間不規則的regiorandom配列は、前記炭化水素鎖が、前記チオフェン環にランダムに、位置に係わりなく置換される場合をいい、前記炭化水素側鎖がさまざまな方向に空間不規則的に配列されることになる。前記空間不規則的に配列された炭化水素側鎖の立体的力stericforceのために、炭化水素側鎖またはチオフェン環が傾きtilt、炭素ナノチューブに対するチオフェン環の吸着性が低下してしまうからである。一実施形態によれば、選択的に、半導体性炭素ナノチューブを分離する方法に使用された分散剤は、ポリチオフェン誘導体以外に、他の分散剤を、半導体性炭素ナノチューブ分離能が向上する範囲内で追加して含んでもよい。適切な分散剤は、ポリサッカライドデキストリン、ポリエチレンイミンPEI、ポリビニルピロリドンPVP、ポリエチレンオキシドPEO及びテトラオクチルアンモニウムブロミドTOABを含む。当該分野で一般的に使用される全ての適切な分散剤が使用されてもよい。前記分散剤に追加し、分離能を向上させることができる添加剤がさらに使用されてもよい。適切な添加剤の例は、エチレンジアミン四酢酸EDTAである。かような目的で、当該分野で一般的に使用される全ての適切な添加剤が使用されてもよい。一実施形態によれば、前述の方法で、分散剤、炭素ナノチューブ及び溶媒の混合液を準備するとき、それらを投入する手順に無関係に、分散剤及び炭素ナノチューブを同時に投入したり、あるいは順次に溶媒に投入することができる。一実施形態によれば、前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階で、超音波分散器sonicator、ブレンダblender、または機械的ミキサのようなミキサを使用することができるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。炭素ナノチューブの凝集を破壊及び/または実質的に制限する方法であるならば、いかなる適切な分散方法でも使用される。超音波分散器を使用する場合、分散時間は、約30分ないし約20時間、または約30分ないし約10時間、または約30分ないし約5時間であるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。加えられる超音波の出力は、最大振幅amplitudeのおよそ70ないし約75の範囲である。一実施形態によれば、前記炭素ナノチューブが分散された混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階は、遠心分離によって遂行される。しかし、当該分野で使用される全ての適切な方法が使用されてもよい。前記遠心分離は、約21,000Gないし約25,000Gで、約0.5時間ないし約2時間行われる。前記遠心分離は、低速から高速に変化させていき、多段階に行われる。前記遠心分離は、約13,000rpmないし約17,000rpmで行われる。一実施形態によれば、前記ポリチオフェン誘導体は、少なくとも10反復単位を含む。前述のように、前記反復単位を含むポリチオフェン誘導体は、半導体性炭素ナノチューブを非常に良好に分離させるように、十分に半導体性炭素ナノチューブを覆い包むことができる。一実施形態によれば、前記炭化水素側鎖は、炭素数7ないし50であり、炭素数7ないし30であり、炭素数10ないし30であるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記炭化水素側鎖の炭素数個数が、前記範囲内である場合、前記ポリチオフェン誘導体は、柔軟性を維持しながら、超分子的組み立てを形成することができる。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式1で、Rは、C7-C50アルキル基、C7-C30アルキル基、C10-C30アルキル基のうち一つであるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル基及びハロメチル基のうち一つである。lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2ないし4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5ないし7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記炭素ナノチューブの直径は、3nm以下であってもよい。前記炭素ナノチューブの直径は、約0.7nmないし約3nmであり、約0.8nmないし約3nmであり、約0.85nmないし約3nmである。炭素ナノチューブの直径が前記範囲内である場合、前記半導体性炭素ナノチューブは、選択性を有し、これを、薄膜トランジスタのような電子素子に応用する場合、正孔移動度holemobility及び点滅電流比onoffcurrentratioが改善される。半導体性炭素ナノチューブが混合液で分離される前、前記混合液で炭素ナノチューブは、少なくとも1種以上の単一壁炭素ナノチューブ、二重壁炭素ナノチューブ、多重壁炭素ナノチューブ及び束型炭素ナノチューブを含む。しかし、前記混合液で、炭素ナノチューブは、当該分野で使用される全ての種類の炭素ナノチューブを含んでもよい。一実施形態によれば、半導体性炭素ナノチューブが混合液で分離する前、前記混合液で炭素ナノチューブは、HiPCOhighpressureCO炭素ナノチューブを含んでもよい。かような炭素ナノチューブは、電気放電法、熱分解法、レーザ蒸着法、プラズマ化学気相蒸着法、熱化学気相蒸着法及び電気分解方法を利用して合成されもする。しかし、炭素ナノチューブを合成するために、当該分野で使用される全ての適切な方法が使用されてもよい。一実施形態で、前記半導体性炭素ナノチューブの選択的分離方法での溶媒は、有機溶媒を含んでもよい。しかし、当該技術分野で使用される全ての適切な溶媒が使用されてもよい。前記炭素ナノチューブは、有機溶媒で、約10mg/L未満の溶解度を有したり、あるいは有機溶媒で、約5mg/L未満の溶解度を有することができるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。適切な有機溶媒は、クロロホルム、ジクロロエタン、トルエン、キシレン、デカリンdecalin、メシチレン、ヘキサン、テトラヒドロフランを含む。かような有機溶媒は、単独で、または2以上を組み合わせて使用されてもよい。前記混合液で、炭素ナノチューブに係わる分散剤の重量比が、約10:1ないし約1:10であり、約3:1ないし約1:3であり、約3:1ないし約0.75:1であるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記炭素ナノチューブに係わる分散剤の混合重量比が、前記範囲内にある場合、前記炭素ナノチューブは、さらに効果的に分散され、分離収率が向上するのである。また、例えば、絶縁性分散剤を除去するような追加的な後処理工程を必要としない。前記混合液で分散剤含量は、溶媒全容量を基準に、約0.1mg/mlないし約1mg/mlであり、約0.05mg/mlないし約1mg/mlであってもよい。前記炭素ナノチューブの含量は、溶媒全容量を基準に、約0.01mg/mlないし約1mg/mlであり、約0.005mg/mlないし約1mg/mlであるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階は、およそ-40°Cないし約90°Cの温度で遂行され、およそ-20°Cないし約90°Cの温度で遂行される。例えば、前記混合液で、炭素ナノチューブを分散させる段階は、約20°Cないし約80°Cの温度で遂行され、約40°Cないし約70°Cの温度で遂行されるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記炭素ナノチューブがかような温度範囲内で分散する場合、前記ポリチオフェン誘導体の炭化水素側鎖が溶融され、柔軟性を維持しながら、超分子組み立てを形成することができる。前記炭素ナノチューブが分散される場合、高分子主鎖の立体構造が、所望する立体規則的な配列状態を有するように調節され、前記半導体性炭素ナノチューブの選択的分離が可能になる。前記混合液から、半導体性炭素ナノチューブを選択的に分離する段階が、前記混合液から、遠心分離によって分散された半導体性炭素ナノチューブを含む上澄み液を分離する段階を含んでもよい。前記上澄み液は、分散されていない炭素ナノチューブのパウダーやバンドルを遠心分離によって沈澱させて除去し、完全に分散された炭素ナノチューブのみを含む。一実施形態によれば、前記上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上、及び/または99重量以上、及び/または99.5重量以上、及び/または99.9重量以上の半導体性炭素ナノチューブである。一実施形態によれば、金属性炭素ナノチューブ及び半導体性炭素ナノチューブを含む分散液を、約25,000Gで2時間遠心分離した後、上澄み液を分離することができる。一実施形態によれば、前記上澄み液を除いた残りの分散液は、前記残りの分散液全重量を基準に、金属性炭素ナノチューブ75重量以上、及び/または前記残りの分散液全重量を基準に、金属性炭素ナノチューブ99重量以上、及び/または前記残りの分散液全重量を基準に、金属性炭素ナノチューブ99.5重量以上、及び/または金属性炭素ナノチューブ99.9重量以上を含んでもよい。一実施形態によれば、半導体性炭素ナノチューブの選択的分離方法によって、金属性炭素ナノチューブがさらに選択的に分離される。かような金属性炭素ナノチューブは、電極に使用され、前記電極は、透明であって伝導性があるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。一実施形態によれば、電子素子は、半導体性炭素ナノチューブ、及びポリチオフェン誘導体を含み、前記ポリチオフェン誘導体は、チオフェン環、及び前記チオフェン環に連結された炭化水素側鎖を含み、前記炭化水素側鎖は、炭素数7以上を含むアルキル基を含み、かつ前記炭化水素側鎖が立体規則的に配列される。前記半導体性炭素ナノチューブは、半導体性炭素ナノチューブの特性によって、電荷発生chargegeneration及び電荷輸送chargetransportにさらに使用される。前記ポリチオフェン誘導体は、自己組み立てが可能であり、チオフェン環に連結された炭化水素側鎖が互いに組み合わさりinterdigitated、超分子構造を形成することができ、炭素ナノチューブの選択的分散のために、共役系高分子構造である。これによって、界面活性剤や、使用された高分子を除去する追加工程なしにも、電子ドナーdonorとして使用される。また、前記電子素子は、非常に高収率の、選択的に分離された半導体性炭素ナノチューブを含んでもよい。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式1で、Rは、C7-C50アルキル基、C7-C30アルキル基、C10-C30アルキル基のうち一つであるが、それらに制限されるものではない。R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つである。lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2ないし4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記半導体性炭素ナノチューブを含む電子素子において、前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量を基準に、75重量以上、99重量以上、99.5重量以上、及び99.9重量以上であるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記電子素子は、トランジスタ、太陽電池、光検出器photodetector、光伝導体photoconductor、電極、またはフレキシブル電子素子flexibleelectronicsを含んでもよい。一実施形態によれば、前記電子素子は、薄膜トランジスタTFTである。図7A及び図7Bは、一実施形態による薄膜トランジスタTFTを示している。図7A及び図7Bを参照すれば、一実施形態による薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極gateelectrode、誘電体層のような絶縁層、絶縁層上に離隔されて配列されたソース電極sourceelectrode並びにドレイン電極drainelectrode、及び前記ソース/ドレイン電極を連結する半導体チャネルを含んでもよい。図7Aを参照すれば、薄膜トランジスタは、チャネル、ソース電極並びにドレイン電極、前記ゲート電極上の絶縁層、及び前記基板上のゲート電極を含んでもよい。図7Bを参照すれば、薄膜トランジスタは、基板上に、ソース電極並びにドレイン電極、前記ソース電極並びにドレイン電極を連結するチャネル、前記チャネル上の誘電体層、及び前記チャネル層上のゲート電極を含んでもよい。前記基板は、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英、プラスチック、PMSpolydimethylsiloxane及びそれらの組み合わせのような、各種不導体性ポリマーでからなる材料を含んでもよいが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記絶縁層は、電気的絶縁材料を含んでもよい。適切な電気的絶縁材料は、二酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素Si3N4、テフロン登録商標、ポリジメチルメタクリレート及びポリメチルメタクリレートPMMAを含んでもよいが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記絶縁層は、半導体チャネルの上下、または横の一部分に配置されてもよい。前記ソース電極とドレイン電極は、金、銀、チタンまたは白金を含んでもよいが、実施形態は、それらに制限されるものではない。前記半導体チャネルは、前述の方法を使用して分離された高純度の半導体性炭素ナノチューブを含んでもよい。前記半導体性炭素ナノチューブを含む薄膜トランジスタは、さらなる後処理工程や熱処理工程なしにも、高い正孔移動度と高い点滅電流比とを有する。一実施形態によれば、薄膜トランジスタの正孔移動度が10cm2/Vs以上であり、点滅電流比onoffcurrentratioが106以上である。図8は、実施例19の薄膜トランジスタの、IDS対比VGSのグラフである。図9は、実施例19の薄膜トランジスタの出力曲線outputcurveを示したグラフである。前記正孔移動度は、下記のように、図8及び図9で、リニア領域linearregionに記載される:ここで、μは、正孔移動度であり、Ciは、単位面積当たりゲート絶縁体容量であり、L、Wは、チャネルの距離及び幅である。前記Ci、L及びWは、薄膜トランジスタから得られる。IDS、VGS及びVDSは、図8及び図9で表示されている。図9を参照すれば、IDSは、VGSが20V以上であるとき、おおよそ0である。これは、スイッチトオフswitchedoffを意味する。IDSは、VGSが減少するときに減少する。すなわち、IDSの絶対値は、VGSが減少するときに増加する。これは、薄膜トランジスタの抵抗と共に、スイッチトオンswitchedonを示す。前記点滅電流比は、スイッチトオン/スイッチトオフ電流比である。前記点滅電流比は、与えられたVDSで、VGS/off、VGS/onであるとき、IDS/on/IDS/offである。前記IDS/offは、スイッチトオフで、IDSである。前記IDS/onは、スイッチトオンで、IDSである。前記VDS/offは、スイッチトオフで、VDSである。前記VDS/onは、スイッチトオンで、VDSである。一実施形態によれば、炭素ナノチューブ分散液は、ポリチオフェン誘導体及び炭素ナノチューブを含み、前記ポリチオフェン誘導体は、アルキル基と連結されたチオフェン環を含み、前記アルキル基は、炭素数7以上を含み、かつ前記アルキル基が立体規則的に配列されたものを含む。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式1で表示される:前記化学式で、Rは、C7-C50アルキル基、C7-C30アルキル基、C10-C30アルキル基のうち一つであるが、実施形態は、それらに制限されるものではない。R1及びR2は、互いに独立して、水素、ハロゲン、メチル及びハロメチルのうち一つである。lは、1ないし40,000の整数、及び/または1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式2,3及び4のうち一つで表示される:前記化学式で、s、t及びuは、互いに独立して、1ないし40,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体は、下記化学式5,6及び7のうち一つで表示される:前記化学式で、p、q及びrは、互いに独立して、1ないし10,000の整数である。前記ポリチオフェン誘導体の反復単位の数が、前述の範囲内である場合、半導体性炭素ナノチューブは、前記分散剤の含量を使用して、選択的に分離される。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の75重量以上であってもよい。前記半導体性炭素ナノチューブの含量は、炭素ナノチューブ全重量の99重量以上、99.5重量以上、及び99.9重量以上である。半導体性炭素ナノチューブを含む分散液は、半導体性炭素ナノチューブのみを100及び/または約100純度で含んでもよい。前記ポリチオフェン誘導体は、例えば、マッカルー法McCulloughmethodまたはリーケ法Riekemethodを利用して合成することができる。しかし、前記ポリチオフェン誘導体を合成するために、当該分野で一般的に使用される全ての適切な方法が使用されてもよい。以下、1以上の実施形態について、下記実施例と係わってさらに詳細に記載する。かような実施例は、実施形態の目的及び範囲を制限するものではない。実施例1分散剤として、立体規則性ポリ3-オクチルチオフェンSigma-AldrichCo.社製10mgをトルエン25mLに入れて溶解し、この溶液に単一壁炭素ナノチューブHiPCOSWNT、Unidym社製5mgを添加して混合液を得た。前記単一壁炭素ナノチューブは、超音波分散器sonicbath内に、50°Cで、最大振幅の70で30分間分散させ、金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得た。前記生成された分散液を、約25,000Gで2時間遠心分離した後、上澄み液supernatantを分離し、前記上澄み液を、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液として使用した。実施例2前記単一壁炭素ナノチューブを-40°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例3前記単一壁炭素ナノチューブを-30°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例4前記単一壁炭素ナノチューブを15°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例5前記単一壁炭素ナノチューブを20°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例6前記単一壁炭素ナノチューブを40°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例7前記単一壁炭素ナノチューブを60°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例8前記単一壁炭素ナノチューブを70°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例9前記単一壁炭素ナノチューブを90°Cで分散させることを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例10分散剤として、立体規則性ポリ3-デシルチオフェンSigma-AldrichCo.社製を使用して金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得て、その後、遠心分離して半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得たことを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例11前記単一壁炭素ナノチューブを-40°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例12前記単一壁炭素ナノチューブを-30°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例13前記単一壁炭素ナノチューブを15°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例14前記単一壁炭素ナノチューブを20°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例15前記単一壁炭素ナノチューブを40°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例16前記単一壁炭素ナノチューブを60°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例17前記単一壁炭素ナノチューブを70°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例18前記単一壁炭素ナノチューブを90°Cで分散させることを除き、実施例10と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例19分散剤として、立体規則性ポリ3-ドデシルチオフェンSigma-AldrichCo.社製を使用して金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得て、その後、遠心分離して半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得たことを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。前記炭素ナノチューブ分散液のカラーは、暗い褐色を示した。実施例20前記単一壁炭素ナノチューブを-40°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例21前記単一壁炭素ナノチューブを-30°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例22前記単一壁炭素ナノチューブを15°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例23前記単一壁炭素ナノチューブを20°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例24前記単一壁炭素ナノチューブを40°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例25前記単一壁炭素ナノチューブを60°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例26前記単一壁炭素ナノチューブを70°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。実施例27前記単一壁炭素ナノチューブを90°Cで分散させることを除き、実施例19と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。比較例1分散剤として、立体規則性ポリ3-ヘキシルチオフェンSigma-AldrichCo.社製を使用して金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得て、その後、遠心分離して半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得たことを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。比較例2分散剤として、下記化学式8のポリ3,3’’’-ジドデシル-クオータ-チオフェンSigma-AldrichCo.社製を使用して金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得て、その後、遠心分離して半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得たことを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。前記化学式で、mは、50ないし500の整数である。比較例3分散剤として、下記化学式9の立体規則性ポリ3-メチル-4-デシル-チオフェン-2,5-ジイルSigma-AldrichCo.社製を使用して金属性単一壁炭素ナノチューブ及び半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む分散液を得て、その後、遠心分離して半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得たことを除き、実施例1と同一の方法で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を得た。前記化学式で、nは、50ないし500の整数である。炭素ナノチューブ分離収率評価UV-Vis-NIR吸収スペクトル評価前記実施例1,10,19-27、及び比較例1~3で得られた半導体性単一壁炭素ナノチューブを含む炭素ナノチューブ分散液を、UV-Vis-NIR分光器Varian社製を使用して、波長の範囲内の吸収強度を測定した。その結果を、図1、図2及び図3に示した。前記炭素ナノチューブ分散液のUV-Vis-NIR吸収スペクトルを示した図1を参照すれば、実施例1,10,19の炭素ナノチューブ分散液は、比較例1~3に比べて、750nmないし1,500nmの近赤外線領域での吸収強度が上昇するということを示し、これは、実施例1,10及び19の炭素ナノチューブ分散液が著しく多くの含量の半導体性炭素ナノチューブを含むということを意味する。図2及び図3を参照すれば、-40°Cないし90°Cで、ポリチオフェン誘導体、炭素ナノチューブ及び溶媒の混合液の分散を介して得た実施例19~27の半導体性分散液が、含量の多い半導体性炭素ナノチューブを含んでいる。図2は、実施例19及び22~27で分離した上澄み液のUV-Vis-NIR吸収スペクトルの二次元2Dグラフである。図3は、実施例19~27で分離した上澄み液の1,288nmでの吸収強度の二次元グラフである。ラマン分光法を利用したラマンスペクトル評価ラマン分光測定装置T.Y.Horriba社製を利用して、2.33eV532nm、1.94eV633nm及び1.59eV785nmそれぞれの励起エネルギーexcitationenergyで遠心分離する前の実施例19の炭素ナノチューブ分散液、及びこれを25,000Gで2時間遠心分離した後で得られた上澄み液のラマン分光スペクトルの放射休止モードRBM:radialbreathingmodeスペクトルを測定した。その結果を、図4ないし図6に示した。図4を参照すれば、2.33eV532nmで励起されるとき、180cm-1ないし285cm-1の領域でRBMスペクトルを示し、遠心分離する前の分散液で、金属性単一壁炭素ナノチューブの共鳴ピークが示された。しかし、遠心分離によって、分散液から分離した上澄み液から、金属性炭素ナノチューブの共鳴ピークが除去された。図5を参照すれば、1.94eV633nmで励起されるとき、180cm-1ないし285cm-1の領域でRBMスペクトルを示し、遠心分離する前の分散液で、金属性炭素ナノチューブ及び半導体性炭素ナノチューブの共鳴ピークが示された一方、遠心分離によって、分散液から分離した上澄み液から、金属性炭素ナノチューブの共鳴ピークが除去された。非金属性炭素ナノチューブの共鳴ピークが一般的に現れる240cm-1ないし285cm-1の領域では、半導体性炭素ナノチューブの共鳴ピークがほぼ維持された。図6を参照すれば、1.59eV785nmで励起されるとき、180cm-1ないし285cm-1の領域で、RBMスペクトルを示し、遠心分離する前の分散液で、半導体性炭素ナノチューブの共鳴ピークが示された一方、遠心分離によって、分散液から分離した上澄み液で、半導体性炭素ナノチューブの共鳴ピークが維持された。かような結果に根拠し、遠心分離によって、上澄み液からほぼ完全に除去された金属性炭素ナノチューブを除き、遠心分離した後で得られた上澄み液は、約100の高収率で、半導体性単一壁炭素ナノチューブを含むものと理解される。薄膜トランジスタの正孔移動度及び点滅電流比の評価ソース電極でとしてのPt、ドレイン電極としてのTi、ゲート電極n-ドーピングされたSi基板、及び誘電体層としてのSiO2300nm厚でもって、薄膜トランジスタを製造した。前記SiO2絶縁体層の表面は、アミン末端基を含む自己組み立て単分子膜SAM:selfassembledmonolayerによって変形された。炭素ナノチューブは、SEMscanningelectronmicroscopy分析によって観察されたように、前記ソース電極とドレイン電極とのランダムに分布し、平均長さ1.0μm±0.1μmであった。前記炭素ナノチューブを、ソース電極並びにドレイン電極の間にチャネルを形成するのに使用した。前記炭素ナノチューブチャネル内に、平均>50炭素ナノチューブ/mm2を形成し、厚みは2.3nmであった。図8及び図9を参照すれば、ゲート電極の電圧とドレイン電極の電流とに基づいて、前記薄膜トランジスタの正孔移動度が10cm2/Vs以上であり、点滅電流比が106以上であるということが分かる。前述のように、一実施形態によれば、半導体性炭素ナノチューブの選択的分離方法は、半導体性炭素ナノチューブを高収率で容易に分離させ、前記方法を利用して分離した半導体性炭素ナノチューブを含む電子素子は、向上した電気的特性を有する。太陽電池図10A及び図10Bは、一実施形態による太陽電池の概路図である。図10Aを参照すれば、一実施形態による太陽電池100は、連続してスタックされたstacked基板10、下部電極20、光活性層50及び上部電極60を含んでもよい。基板10の材料は、不導体性高分子、シリコン、ガラス、溶融シリカ、石英、プラスチック、PMSpolydimethylsiloxane、及びそれらの組み合わせのうち一つを含んでもよいが、実施形態は、それらに制限されるものではない。下部電極20及び上部電極60は、それぞれ亜鉛酸化物、スズ酸化物、インジウムスズ酸化物のような、透明な導電性酸化物材料のうち少なくとも一つを含んでもよいが、実施形態は、それらに制限されるものではない。下部電極20及び上部電極60の材料及び/または材料複数は同一であっても異なってもよい。光活性層50は、n-型層30及びp-型層40を含む。p-型層40は、一実施形態による半導体性炭素ナノチューブを含む分散液を含む。前記半導体性炭素ナノチューブは、太陽電池で電荷発生に使用されてもよい。また、前記半導体性炭素ナノチューブは、前記炭素ナノチューブの特性によって、電荷輸送を容易に行うのにも使用されてもよい。前記ポリチオフェン誘導体は、電子ドナーに使用されてもよい。図10Bを参照すれば、一実施形態による太陽電池200は、光活性層90がp-型材料80とn-型材料70との混合物を含むことを除き、図10Aでの太陽電池100と類似している。太陽電池100及び太陽電池200の間に類似した構造的要素の論議は省略する。p-型層80は、一実施形態による半導体性炭素ナノチューブを含む分散液を含んでもよい。一部実施形態について特別に表示して記載しているが、当業者に、特許請求の範囲の範囲を外れない限り、変形及び細部的な事項が特許請求の範囲内で可能であると理解されるであろう。"