試料が収容される複数の区画が形成されたバイオチップに対向して配置される、複数の受光素子が配列された受光部と、予め取得された各前記受光素子の雑音特性に基づいて、各前記受光素子の重み付け比率を決定する決定部と、各前記受光素子の出力に前記重み付け比率を乗じて、各前記受光素子の重み付け出力を算出する乗算部と、各前記区画に対向する各前記受光素子の前記重み付け出力を加算する加算部とを具備する発光強度測定装置。請求項1に記載の発光強度測定装置であって、前記決定部は、各前記受光素子の雑音強度の二乗の逆数に比例する値を前記重み付け比率とする発光強度測定装置。請求項2に記載の発光強度測定装置であって、前記決定部は、さらに、同一の前記各区画に対向する複数の前記受光素子で構成される受光素子群において、前記受光素子の受光強度分布に基づいて前記重み付け比率を算出する発光強度測定装置。請求項3に記載の発光強度測定装置であって、前記決定部は、前記受光強度分布に比例する値を前記重み付け比率とする発光強度測定装置。請求項4に記載の発光強度測定装置であって、前記決定部は、各前記受光素子群が同一の受光強度に対して同一の出力となるように前記重み付け比率を規格化する発光強度測定装置。請求項5に記載の発光強度測定装置であって、前記受光素子は、相補型金属酸化膜半導体イメージセンサである発光強度測定装置。受光素子において発生するノイズを除去するために、予め大きなノイズを発生する受光素子を選別し、発光の検出の際にその受光素子の出力を除外することが一般的である。しかしながら、特に、CMOSイメージセンサにおいては、受光素子のノイズ強度の分布は連続的であり、特定の閾値をもって画素の使用、不使用を振り分けることは困難である。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、発光強度測定の際に受光素子において発生するノイズの影響を低減することが可能な発光強度測定装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る発光強度測定装置は、受光部と、決定部と、乗算部と、加算部とを具備する。上記受光部は、複数の受光素子が配列され、試料が収容される複数の区画が形成されたバイオチップに対向して配置される。上記決定部は、予め取得された各上記受光素子の雑音特性に基づいて、各上記受光素子の重み付け比率を決定する。上記乗算部は、各上記受光素子の出力に上記重み付け比率を乗じて、各上記受光素子の重み付け出力を算出する。上記加算部は、各上記区画に対向する各上記受光素子の上記重み付け出力を加算する。この構成によれば、決定部によって雑音特性の大きい受光素子には小さい重み付け比率が設定され、雑音特性の小さい受光素子には大きい重み付け比率が設定され、乗算部によってそれぞれ各受光素子の出力に乗算される。したがって、受光素子の雑音特性による測定結果への影響を低減することが可能である。上記決定部は、各上記受光素子の雑音強度の二乗の逆数に比例する値を上記重み付け比率としてもよい。この構成によれば、決定部は、予め取得された各上記受光素子の雑音特性に基づいた重み付け比率を決定することが可能となる。上記決定部は、さらに、同一の上記各区画に対向する複数の上記受光素子で構成される受光素子群において、上記受光素子の受光強度分布に基づいて上記重み付け比率を算出してもよい。受光素子群において、各区画との位置関係により受光強度に分布が生じる場合がある。例えば、区画のひとつにおいて発光が生じた際、当該区画の直下に位置する受光素子は、直下に位置しない受光素子より受光強度が大きくなる。したがって、決定部が受光素子の受光強度分布に基づいて重み付け比率を算出することにより、受光強度の小さい受光素子に起因する雑音の増幅を防止することが可能となる。上記決定部は、上記受光強度分布に比例する値を上記重み付け比率としてもよい。この構成によれば、決定部は受光素子の受光強度分布に基づいて重み付け比率を算出することが可能となる。上記決定部は、各上記受光素子群が同一の受光強度に対して同一の出力となるように上記重み付け比率を規格化してもよい。この構成によれば、複数の受光素子群の受光強度、即ち各区画の発光強度を互いに比較することが可能となる。上記受光素子は、相補型金属酸化膜半導体イメージセンサであってもよい。相補型金属酸化膜半導体CMOSイメージセンサは、その構造上、各受光素子の雑音特性が連続的に分布しやすいものであり、特定の閾値をもって受光素子の使用不使用を判断する従来の方式は不適当である一方、本発明の適用が有効である。以上のように本発明のよれば、発光強度測定の際に受光素子において発生するノイズの影響を低減することが可能な発光強度測定装置を提供することが可能となる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。発光強度測定装置の構成図1は、本発明の一実施形態に係る発光強度測定装置1の概略を示す模式図である。図2は、発光強度測定装置1の一部を拡大した図である。これらの図に示すように、発光強度測定装置1は、バイオチップ2、励起光カットフィルタ3、受光部4及び信号処理装置5を有する。図2において励起光カットフィルタ3は省略されている。バイオチップ2と受光部4は励起光カットフィルタ3を介して対向しており、受光部4は信号処理装置5に接続されている。なお、本実施形態では、発光強度測定装置1は抗原の蛍光発光を検出するための装置として構成されているが、発光を検出するものであれば他の構成とすることも可能である。バイオチップ2は配列された複数のウェル21を有する。ウェル21は互いに区画して形成された凹部とすることができ、各ウェル21には他のウェル21と独立して試料を収容することが可能とされている。バイオチップ20はDNADeoxyribonucleicacidチップ、プロテインチップ、糖鎖チップ、細胞チップ等の種類があるが、どの種類であってもよい。バイオチップ2は例えば一辺が数cm程度、ウェル21の直径が数十μm程度のものとすることができる。励起光カットフィルタ3は、バイオチップ2に照射される励起光が受光部4に到達しないように遮蔽し、励起光とその照射によって生じる蛍光を分離するためのものである。励起光カットフィルタ3は任意のものを用いることができる。受光部4は、配列された複数の受光素子41を有する。受光素子41は、CCDChargeCoupledDeviceやCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor等の光電変換素子である。受光部4は、受光素子41が2次元的に配列されたイメージセンサであってもよく、受光素子41が1次元的に配列されたラインセンサであってもよい。特に、ウェル21と受光素子41の位置合わせを行うことが容易であり、ウェル21の形状と受光素子41の形状の適合性に優れるイメージセンサが好適である。受光部4は、各受光素子41の出力を信号処理装置5に出力する。出力方式はCCDやCMOS等の素子構造によって異なるが、各受光素子41の出力は互いに個別に出力される。受光部4はバイオチップ2に対向して配置される。具体的には、図2に示すように、バイオチップ2の各ウェル21に複数の受光素子41が対向するように配置される。この各ウェル21に対向する受光素子41の群をクラスター42とする。即ち、受光部4はウェル21と同数のクラスター42を有する。クラスター42内には、種々の雑音ノイズ特性を有する受光素子41が存在する。雑音は例えば受光素子41がCMOSである場合、暗電流ノイズ、スイッチングノイズ等である。さらに例えば暗電流ノイズは、時間に比例し予想可能な系統的ノイズ成分と、暗電流に比例した分散を持つ予想不能な統計的ノイズ成分に分けられる。このうち特に、発光強度測定において問題となるのは校正することができない統計的ノイズであり、以下雑音は統計的ノイズであるものとする。図2に、各受光素子41のノイズ強度を濃淡で例示する。このように各クラスター42にはノイズ強度が異なる受光素子41が含まれている。信号処理装置5は、受光部4の各受光素子41の出力に基づいて後述する信号処理を行う。図1に示すように、信号処理装置5は、決定部51、乗算部52、及び加算部53を有する。これらの各構成は、信号処理回路によって実現されてもよく、演算処理装置のプログラムによって実現されるものであってもよい。乗算部52は受光部4に接続され、決定部51は乗算部52に接続されている。加算部53は乗算部52に接続され、加算部53の出力が信号処理装置5から出力される。決定部51は、各受光素子41の重み付け比率を決定する。決定部51の重み付け比率の決定方法の詳細については後述するが、決定部51は、各受光素子41の受光素子41の固有ノイズに由来する統計的ノイズ強度とクラスター42内における想定光強度に由来する信号感度から重み付け比率を決定する。また、決定部51は必要に応じて、クラスター42間で受光強度が比較できるように、重み付け比率を規格化する。決定部51は重み付け比率を乗算部52に出力する。乗算部52は、各受光素子41の出力に、決定部51から出力された重み付け比率を乗じる。以下、重み付け比率が乗じられた各受光素子41の出力を重み付け出力とする。これにより、各受光素子41の出力は上記統計的ノイズ強度及び信号感度に応じて増減される。乗算部52は重み付け出力を加算部53に出力する。加算部53は、乗算部52から出力された各受光素子41の重み付け出力をクラスター42毎に加算する。これにより、クラスター42単位での受光強度が算出される。加算部53は、クラスター42単位での受光強度を信号処理装置5から出力する。発光強度測定装置を用いた発光強度測定方法発光強度測定装置1を用いた発光強度測定方法について説明する。まず、ユーザによってバイオチップ2が準備される。バイオチップを用いる発光強度測定方法は多くの種類があるが、本実施形態はそのいずれにも適用することが可能である。ここでは、そのひとつであるELISAEnzymeLinkedImmunoSorbentAssay法サンドイッチ法について概略的に説明する。図3はELISA法の概要を示す模式図である。同図は、バイオチップ2のひとつのウェル21を模式的に示すものである。図3aに示すように、ウェル21に定量対象のタンパク質以下、目的タンパク質に結合可能な抗体Aを固定する。このとき、例えば他のウェル21には、異なる構造の目的タンパク質に結合可能な抗体を固定させておくことができる。次に、図3bに示すように、ウェル21に目的タンパク質を含む試料を供給し、抗体Aに目的タンパク質Bを結合させる。続いて、図3cに示すように、ウェル21に目的タンパク質と結合可能な一次抗体Cを供給し、目的タンパク質Cに一次抗体Cを結合させる。その後に結合しなかった目的タンパク質Bと一次抗体Cを洗い流す。図3dに示すように、ウェル21に一次抗体Cと結合可能な二次抗体Dを供給し、一次抗体Cに二次抗体Dを結合させる。なお、二次抗体は蛍光分子によって標識されている。図3eに示すようにウェル21に励起光を照射すると、蛍光分子が蛍光を生じる。即ち、特定のウェル21についてその蛍光発光の強度が分かると、当該ウェル21に対応する目的タンパク質Pの定量分析が可能となる。ここで、ELISA法における蛍光発光は、その発光体が分子レベルであり、発光強度が微少である。したがって、受光素子の露光時間を長くする等の工夫が行われるが、その際に受光素子のノイズが問題となる。特にこのような分析では発光強度が分析値に直結するため、ノイズの影響を排除した正確な発光強度測定が必要となる。このような事情はELISA法以外の発光強度測定方法においても同様である。発光強度測定装置の動作発光強度測定装置1の動作について説明する。発光強度測定装置1のバイオチップ2は上述のように蛍光分子による標識がなされているものとする。図4は、バイオチップ2のひとつのウェル21に励起光が照射されている状態を示す模式図である。同図に示すように、ウェル21に励起光L1が照射されると、蛍光L2が生じる。蛍光L2は励起光カットフィルタ3図4では省略を透過して、当該ウェル21に対向するクラスター42に入射する。ここで、図4に示すように当該クラスター42の受光素子41において、ウェル21との位置関係により受光強度分布Sが形成される。各受光素子41が入射する蛍光を光電変換し、乗算部52に出力する。各受光素子41の出力はその出力順序によって、いずれの受光素子41の出力かが特定される。決定部51が重み付け比率を決定する。決定部51は、発光強度測定の事前に各受光素子41について測定された暗電流を保持している。発光強度測定が開始されると、決定部51はその測定時間における暗電流を求め、その平方根を算出する。さらに、これにスイッチングノイズ等の他の統計的ノイズを二乗平方和根として加えたものを各受光素子41の雑音強度Nijとする。なお、Nijは配列された受光素子41のうちi行j列の受光素子41の雑音強度を意味する以下、下付き文字について同様。また、決定部51は、予め測定あるいは計算により求められたクラスター42内の受光強度分布Sを保持している。決定部51はこれを想定受光強度とし、さらに同一光強度に対する受光素子41間の感度差がある場合には、当該感度差を想定受光強度に乗じて信号感度SiJとする。決定部51は上記統計的ノイズ強度Nij及び上記信号感度Sijから重み付け比率Rijを算出する。以下、重み付け比率Rijの導出方法について説明する。各受光素子41の雑音は相互に無相関であるとすると、クラスター42を構成する受光素子41の重み付け後のSN比は以下の数1に示す式で与えられる。このSN比を最小化する重み付け比率Rijを以下の数2に示す式で求める。このとき重み付け比率Rijは以下の数3に示す式で与えられる。一般に数3に示す式の解は解析的には求まらないため、以下の数4に示す式のように近似する。この近似は、どの特定の受光素子41を問題にしても、それ以外の受光素子41についはRklNklやRklSklの総和が一定になることを前提としており、受光素子41の数が十分に多い場合には妥当な近似である。この近似のもとでは数4に示す式の重み付け比率Rijは以下の数5に示す式のようになり、重み付け比率Rijはこれに比例させるのが最適となる。ここで信号感度Sijは各受光素子41の光に対する感受性であると同時に特定の受光素子41においての想定光強度観察される発光現象が特定の受光素子41において検出される確率をも含む。また、雑音強度Nijは、検出される光強度に依存しない雑音となる。さらにクラスター42間の信号感度Sijが同一となるように規格化し、最終的な重み付け比率Rijは以下の数6に示す式に比例する形で与えられる。なお、クラスター42間での受光強度の比較をしない場合には、規格化は必ずしも必要ではない。以上のようにして重み付け比率Rijが決定される。決定部51によって雑音特性の大きい受光素子41には小さい重み付け比率Rijが設定され、雑音特性の小さい受光素子41には大きい重み付け比率Rijが設定される。したがって、受光素子41の雑音特性による測定結果への影響を低減することが可能である。また、決定部51が、ウェル21との位置関係により形成される受光素子41の受光強度分布Sによる信号感度Sijに基づいて重み付け比率Rijを算出することにより、受光強度の小さい受光素子41に起因する雑音の増幅を防止することが可能となる。決定部51は、以上のようにして算出した重み付け比率Rijを乗算部52に出力する。乗算部52は、各受光素子41の出力に対してそれぞれ対応する重み付け比率Rijを乗算して、重み付け出力を生成する。加算部53は、各受光素子41の重み付け出力を加算する。これにより、各クラスター42の受光強度が算出される。各クラスターの受光強度は信号処理装置5から出力され、ユーザあるいは情報処理装置によって、目的物質の定量等が行われる。上述のように、発光強度測定装置1は、受光素子41の固有ノイズに由来する統計的ノイズ強度に基づいて、重み付け比率を決定する。このため、ノイズの大きい受光素子41からの出力は減衰され、ノイズの小さい受光素子41からの出力は増幅される。したがって、発光強度測定装置1は測定結果における受光素子41の固有ノイズによる影響を低減することが可能である。また、これにより、受光部4のサイズを低減することが可能となる。具体的には、本実施形態に係る発光強度測定装置1では、受光素子41がCMOSイメージセンサである場合にはノイズを15改善することが可能であり、これにより受光部4の面積を25ノイズ改善の2乗分の1縮小することが可能である。一般的にCMOSイメージセンサは価格が面積に比例するため、発光強度測定に要する費用を削減することが可能である。本発明はこの実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更することが可能である。本実施形態では、バイオチップにおいて生じる発光の強度を測定するための発光強度測定装置について説明したが、本発明は他の測定装置についても適用することが可能である。具体的には、phセンサ、抗原抗体反応に基づく電位変化を検出するセンサ等の同一の因果関係に支配される現象を複数のセンサによって検出する系に適用することができる。