"基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、該複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、前記光源からの露光光を前記チャックに支持された基板へ照射する照射装置と、前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、前記移動手段により前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動し、前記照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、前記照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、前記光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を断続的に点灯させ、前記複数の温度検出手段の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くして、前記強度検出手段により検出した露光光の強度の変化を補う制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。前記強度検出手段は、照度センサーを含み、該照度センサーにより前記照射装置から照射される露光光の照度を測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を断続的に点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くして、検出した露光光の強度の変化を補うことを特徴とする露光方法。照射装置から照射される露光光の照度を照度センサーで測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項3に記載の露光方法。基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、該複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、前記光源からの露光光を前記チャックに支持された基板へ照射する照射装置と、前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、前記移動手段により前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動し、前記照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、前記照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、前記光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、前記複数の温度検出手段の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、前記強度検出手段により検出した露光光の強度の変化を補う制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。前記強度検出手段は、照度センサーを含み、該照度センサーにより前記照射装置から照射される露光光の照度を測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補うことを特徴とする露光方法。照射装置から照射される露光光の照度を照度センサーで測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、該複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、前記光源からの露光光を前記チャックに支持された基板へ照射する照射装置と、前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、前記移動手段により前記チャックと前記照射装置とを相対的に移動し、前記照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、前記照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、前記光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、前記光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、前記強度検出手段の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、前記照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、前記複数の温度検出手段の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくする制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。前記強度検出手段は、照度センサーを含み、該照度センサーにより前記照射装置から照射される露光光の照度を測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくすることを特徴とする露光方法。照射装置から照射される露光光の照度を照度センサーで測定して、露光光の強度を検出することを特徴とする請求項11に記載の露光方法。請求項1又は請求項2に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。請求項3又は請求項4に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。請求項5又は請求項6に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。請求項7又は請求項8に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。請求項9又は請求項10に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。請求項11又は請求項12に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。発光ダイオード等の半導体発光素子の寿命には、個体差によるばらつきがある。また、個々の半導体発光素子の寿命は、点灯時の温度や出力等の使用状況に応じて大きく異なる。そのため、寿命に達した半導体発光素子をその都度交換すると、交換作業を頻繁に行う必要が生じ、露光処理が中断されて生産性の向上が阻害されるという問題がある。一方、交換作業の回数を少なくするため、複数の半導体発光素子をまとめて交換すると、寿命に達していない使用可能な半導体発光素子も撤去されることとなり、ランニングコストが上昇すると共に、半導体発光素子の製造に要したエネルギーの一部が無駄になる。本発明の課題は、複数の半導体発光素子を用いて露光光を形成する際、露光光の強度を一定に保ちながら、各半導体発光素子の寿命を均一化することである。また、本発明の課題は、表示用パネル基板の生産性を向上させることである。本発明の露光装置は、基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置と、チャックと照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと照射装置とを相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を断続的に点灯させ、複数の温度検出手段の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くして、強度検出手段により検出した露光光の強度の変化を補う制御手段とを備えたものである。また、本発明の露光方法は、基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を断続的に点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くして、検出した露光光の強度の変化を補うものである。あるいは、本発明の露光装置は、基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置と、チャックと照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと照射装置とを相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、複数の温度検出手段の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、強度検出手段により検出した露光光の強度の変化を補う制御手段とを備えたものである。また、本発明の露光方法は、基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補うものである。あるいは、本発明の露光装置は、基板を支持するチャックと、複数の半導体発光素子を有し、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成する光源と、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置と、チャックと照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと照射装置とを相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光装置であって、照射装置から照射される露光光の強度を検出する強度検出手段と、光源の複数の半導体発光素子の温度を検出する複数の温度検出手段と、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、強度検出手段の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、複数の温度検出手段の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくする制御手段とを備えたものである。また、本発明の露光方法は、基板をチャックで支持し、複数の半導体発光素子を有する光源で、複数の半導体発光素子から発生した光を重ね合わせて露光光を形成し、チャックと、光源からの露光光をチャックに支持された基板へ照射する照射装置とを、相対的に移動し、照射装置から照射された露光光により基板を露光する露光方法であって、基板の露光が行われない時、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させ、基板の露光が行われる間、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給して、各半導体発光素子を点灯させ、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくするものである。水銀ランプ等の高圧ガスをバルブ内に封入したランプは、点灯を開始してから照度が安定するまでに数時間を要する。そのため、従来のプロキシミティ露光装置では、装置の稼動中にランプを常に点灯し、基板の搬入及び搬出、基板の移動等のために基板の露光が行われないとき、露光光をシャッターで遮断していた。従って、ランプの寿命が早く尽き、また無駄な消費電力が掛かるという問題があった。これに対し、露光光を発生する光源に複数の半導体発光素子を用いる場合、半導体発光素子は、点灯を開始すると直ちに所望の光量が得られるので、基板の搬入及び搬出、基板の移動等のために基板の露光が行われない時は、各半導体発光素子を消灯することにより、基板の露光が行われない時も各半導体発光素子を点灯させる場合に比べて、各半導体発光素子の寿命が延び、また消費電力が抑えられる。半導体発光素子の寿命は、点灯時の温度によって大きく異なり、温度が高い状態で点灯を続けると、寿命が短くなる。そして、半導体発光素子の温度は、その出力に依存し、点灯を続ける時間が長くなる程、また駆動電流が大きくなる程、上昇する。基板の露光が行われる間、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出する。そして、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くし、または、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補う。あるいは、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくする。温度が低い状態で点灯していた半導体発光素子は、温度が上昇してその分だけ寿命が短くなり、温度が高い状態で点灯していた半導体発光素子と同程度の寿命となる。従って、複数の半導体発光素子を用いて露光光を形成する際、露光光の強度を一定に保ちながら、各半導体発光素子の寿命が均一化される。さらに、本発明の露光装置は、強度検出手段が、照度センサーを含み、照度センサーにより照射装置から照射される露光光の照度を測定して、露光光の強度を検出するものである。また、本発明の露光方法は、照射装置から照射される露光光の照度を照度センサーで測定して、露光光の強度を検出するものである。照度センサーを用いて、露光光の強度が容易に検出される。本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかの露光方法を用いて基板の露光を行うものである。各半導体発光素子の寿命が均一化されるので、複数の半導体発光素子の交換をまとめて無駄なく行い、露光処理の中断を少なくして、表示用パネル基板の生産性を向上させることができる。本発明の露光装置及び露光方法によれば、基板の露光が行われないとき、光源の複数の半導体発光素子へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子を消灯させることにより、各半導体発光素子の寿命を延ばし、また消費電力を抑えることができる。そして、基板の露光が行われる間、照射装置から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子の温度を検出し、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くし、または、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補い、あるいは、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくすることにより、複数の半導体発光素子を用いて露光光を形成する際、露光光の強度を一定に保ちながら、各半導体発光素子の寿命を均一化することができる。さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、照度センサーを用いて、露光光の強度を容易に検出することができる。本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、各半導体発光素子の寿命を均一化することができるので、複数の半導体発光素子の交換をまとめて無駄なく行い、露光処理の中断を少なくして、表示用パネル基板の生産性を向上させることができる。図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置の例を示している。プロキシミティ露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック支持台9、チャック10、マスクホルダ20、及び露光光照射装置30を含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。図1において、チャック10は、基板1の露光を行う露光位置にある。露光位置の上空には、マスク2を保持するマスクホルダ20が設置されている。マスクホルダ20には、露光光が通過する開口が設けられており、マスクホルダ20は、開口の周囲に設けられた吸着溝により、マスク2の周辺部を真空吸着して保持している。マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、露光光照射装置30が配置されている。露光時、露光光照射装置30からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。チャック10は、Xステージ5及びYステージ7により、露光位置から離れたロード/アンロード位置へ移動される。ロード/アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、基板1がチャック10へ搬入され、また基板1がチャック10から搬出される。チャック10への基板1のロード及びチャック10からの基板1のアンロードは、チャック10に設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック10の内部に収納されており、チャック10の内部から上昇して、基板1をチャック10にロードする際、基板搬送ロボットから基板1を受け取り、基板1をチャック10からアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板1を受け渡す。チャック10は、チャック支持台9を介してθステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向図1の図面横方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向図1の図面奥行き方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台9は、θステージ8に搭載され、チャック10を複数箇所で支持する。Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10は、ロード/アンロード位置と露光位置との間を移動される。ロード/アンロード位置において、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1のプリアライメントが行われる。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動及びYステージ7のY方向への移動により、チャック10に搭載された基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。また、図示しないZ-チルト機構により、マスクホルダ20をZ方向図1の図面上下方向へ移動及びチルトすることによって、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。そして、Xステージ5のX方向への移動、Yステージ7のY方向への移動、及びθステージ8のθ方向への回転により、基板1のアライメントが行われる。なお、本実施の形態では、マスクホルダ20をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行っているが、チャック支持台9にZ-チルト機構を設けて、チャック10をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク2と基板1とのギャップ合わせを行ってもよい。露光光照射装置30は、コリメーションレンズ群32、平面鏡33、照度センサー35、及び光源ユニット40を含んで構成されている。後述する光源ユニット40は、基板1の露光を行う時に露光光を発生し、基板1の露光を行わない時は露光光を発生しない。光源ユニット40から発生した露光光は、コリメーションレンズ群32を透過して平行光線束となり、平面鏡33で反射して、マスク2へ照射される。マスク2へ照射された露光光により、マスク2のパターンが基板1へ転写され、基板1の露光が行われる。平面鏡33の裏側近傍には、照度センサー35が配置されている。平面鏡33には、露光光の一部を通過させる小さな開口が設けられている。照度センサー35は、平面鏡33の開口を通過した光を受光して、露光光照射装置30からマスク2を介して基板1へ照射される露光光の照度を測定し、露光光の強度を検出する。照度センサー35の測定結果は、光源ユニット40へ入力される。図2は、光源ユニットの一例を示す図である。光源ユニット40は、ベース基板41、半導体発光素子42、拡大レンズ43、集光レンズ44、レンズ群45、制御回路46、冷却部材47、冷却装置48、及び温度センサー50を含んで構成されている。ベース基板41には、複数の半導体発光素子42が搭載されている。ベース基板41は、制御回路46の制御により、各半導体発光素子42を駆動する。各半導体発光素子42は、発光ダイオードやレーザーダイオード等から成り、露光光を形成する光を発生する。各半導体発光素子42には、各半導体発光素子42の温度を測定する温度センサー50がそれぞれ取り付けられている。制御回路46は、照度センサー35及び温度センサー50の測定結果に基づき、各半導体発光素子42の駆動電流をベース基板41へ供給し、各半導体発光素子42の駆動を制御する。なお、図2では、13個の半導体発光素子42が示されているが、実際の光源ユニットには、数百~数千個程度の半導体発光素子が使用されている。各半導体発光素子42に対応して、拡大レンズ43が設けられており、各拡大レンズ43は、各半導体発光素子42から発生した光を拡大して、集光レンズ44へ照射する。集光レンズ44は、各拡大レンズ43により拡大された光を集光して、レンズ群45へ照射する。レンズ群45は、フライアイレンズ又はロッドレンズ等からなり、露光光の照射面における露光光の照度分布を均一化する。各拡大レンズ43、集光レンズ44、及びレンズ群45の働きにより、各半導体発光素子42から発生した光が重ね合わされて、露光光が形成される。図2に示した例では、ベース基板41が球面の一部を切り取った形状に構成されている。そして、各半導体発光素子42から発生した光が、各拡大レンズ43及び集光レンズ44を介してレンズ群45へ照射される様に、各半導体発光素子42が、ベース基板41上に配置されている。ベース基板41の裏面には、冷却部材47が取り付けられている。冷却部材47は、内部に冷却水が流れる冷却水通路を有し、冷却装置48から冷却水通路へ供給される冷却水により、各半導体発光素子42を冷却する。なお、冷却部材47及び冷却装置48はこれに限らず、放熱板及び冷却ファンを含む空冷式としてもよい。図2に示した例では、冷却部材47が、ベース基板41の形状に合わせて、球面の一部を切り取った形状に構成されている。図3は、半導体発光素子及び拡大レンズを正面から見た図である。拡大レンズ43は、同じスペースにより多くの拡大レンズ43を配置できる様に、できるだけ隙間無く配置するのが望ましい。また、本実施の形態では、半導体発光素子42が正六角形に構成されているが、半導体発光素子42の形状はこれに限らず、さらに角の多い多角形又は円形に構成してもよい。半導体発光素子42の形状を拡大レンズ43の形状に近づける程、拡大レンズ43の受光面を有効に利用することができる。図4~図6は、本発明の一実施の形態による露光方法を説明する図である。図2において、制御装置46は、チャック10をロード/アンロード位置と露光位置との間で移動する際、ロード/アンロード位置において基板1の搬入及び搬出、基板1のロード及びアンロード、並びに基板1のプリアライメントを行う際、露光位置において基板1のXY方向へのステップ移動、マスク2と基板1とのギャップ合わせ、及び基板1のアライメントを行う際等の様に、基板1の露光が行われない時、各半導体発光素子42の駆動電流をベース基板41へ供給しないで、各半導体発光素子42を消灯させる。基板1の露光が行われない時、光源ユニット40の複数の半導体発光素子42へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子42を消灯させるので、基板1の露光が行われない時も各半導体発光素子42を点灯させる場合に比べて、各半導体発光素子42の寿命が延び、また消費電力が抑えられる。そして、制御装置46は、基板1の露光が行われる間、各半導体発光素子42の駆動電流をベース基板41へ供給して、各半導体発光素子42を点灯させる。本実施の形態は、制御回路46が、各半導体発光素子42を断続的に点灯させて、露光光の照度を調節し、複数の半導体発光素子の一部を、他の半導体発光素子と異なるタイミングで点灯させるものである。図4~図6は、制御回路46が、複数の半導体発光素子42の内、同時に点灯させる半導体発光素子の数を全体の3分の2にして、露光光の照度を、全ての半導体発光素子42を点灯するときの3分の2に調節する場合を示す。この場合、制御回路46は、各半導体発光素子42を、図3において符号A,B,Cを付した3つのグループに分割する。図4aは、図3で符号Aを付したグループの半導体発光素子42の点灯/消灯状態を示し、図4bは、図3で符号Bを付したグループの半導体発光素子42の点灯/消灯状態を示し、図4cは、図3で符号Cを付したグループの半導体発光素子42の点灯/消灯状態を示している。制御回路46は、図4a,b,cに示す様に、消灯させる半導体発光素子を、時間の経過に伴って変更しながら、露光光の照度を一定に保つ。各半導体発光素子42を冷却しながら、各半導体発光素子42を断続的に点灯して、露光光の照度を調節するので、各半導体発光素子42は、連続して点灯する場合に比べ、冷却部材47により温度が下げられて、冷却が効率良く行われる。そして、複数の半導体発光素子の一部を、他の半導体発光素子と異なるタイミングで点灯するので、露光光の照度が断続的に急激に変化することがない。図1において、露光光照射装置30からマスク2を介して基板1へ照射される露光光の強度が変化すると、照度センサー35の測定結果が変化する。従って、照度センサー35を用いて、露光光の強度の変化が容易に検出される。図2において、制御回路46は、照度センサー35の測定結果が変化すると、各温度センサー50が測定した各半導体発光素子42の温度に基づき、予め決めた所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くして、照度センサー35の測定結果が所定範囲例えば、基準値±数内となる様に、露光光の強度の変化を補う。例えば、照度センサー35により測定された露光光の照度が下限値より低下した場合、制御回路46は、まず、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の総数から、露光光の照度を所定範囲内とするために必要な追加の総点灯時間を算出する。次に、制御回路46は、図3で符号A,B,Cを付した各グループにつき、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数に応じて、追加の総点灯時間を各グループへ割り振る。続いて、制御回路46は、グループ毎に、各グロープへ割り振った追加の点灯時間と、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数とから、それらの半導体発光素子の追加の点灯時間を算出する。そして、制御回路46は、グループ毎に、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子を、算出した点灯時間分だけ長く点灯させる。逆に、照度センサー35により測定された露光光の照度が上限値より上昇した場合、制御回路46は、まず、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の総数から、露光光の照度を所定範囲内とするために必要な追加の総消灯時間を算出する。次に、制御回路46は、図3で符号A,B,Cを付した各グループにつき、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の数に応じて、追加の総消灯時間を各グループへ割り振る。続いて、制御回路46は、グループ毎に、各グロープへ割り振った追加の消灯時間と、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の数とから、それらの半導体発光素子の追加の消灯時間を算出する。そして、制御回路46は、グループ毎に、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子を、算出した消灯時間分だけ長く消灯させる。図5は、照度センサー35により測定された露光光の照度が下限値より低下し、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数が、各グループとも同じであった場合の例である。図5aは、図3で符号Aを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示し、図5bは、図3で符号Bを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示し、図5cは、図3で符号Cを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示している。本例では、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数が各グループとも同じであるため、追加の点灯時間が各グループとも同じになっている。図6は、照度センサー35により測定された露光光の照度が下限値より低下し、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数が、図3で符号Aを付したグループに対し、図3で符号Bを付したグループでは2倍、図3で符号Cを付したグループでは半分であった場合の例である。図6aは、図3で符号Aを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示し、図6bは、図3で符号Bを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示し、図6cは、図3で符号Cを付したグループの半導体発光素子42の内、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯/消灯状態を示している。本例では、追加の点灯時間が、図3で符号Aを付したグループに対し、図3で符号Bを付したグループでは半分、図3で符号Cを付したグループでは2倍となっている。この様に、グループ毎に、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の数に応じて追加の点灯時間を決定し、あるいは、各グループ内の所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の数に応じて追加の消灯時間を決定することにより、露光光の強度を一定に保って、パターンの露光を均一に行うことができる。次に、本発明の他の実施の形態について説明する。図7は、光源ユニットの他の例を示す図である。図7に示した例では、ベース基板41が複数に分割されており、各ベース基板41に、各半導体発光素子42の温度を測定する温度センサー50がそれぞれ取り付けられている。各ベース基板41上には、複数の半導体発光素子42が平面的に配置されている。そして、各ベース基板41に搭載された複数の半導体発光素子42から発生した光が、各拡大レンズ43及び集光レンズ44を介してレンズ群45へ照射される様に、各ベース基板41が異なった角度で配置されている。各半導体発光素子42を各ベース基板41上に平面的に配置することにより、各半導体発光素子42の位置調整を容易に行うことができる。各ベース基板41の裏面には、冷却部材47が取り付けられている。冷却部材47は、内部に冷却水が流れる冷却水通路を有し、冷却装置48から冷却水通路へ供給される冷却水により、各半導体発光素子42を冷却する。なお、冷却部材47及び冷却装置48はこれに限らず、放熱板及び冷却ファンを含む空冷式としてもよい。図7に示した例では、冷却部材47が、各ベース基板41の配置に合わせた形状に構成されている。その他の構成要素は、図2に示した例と同様である。本実施の形態は、基板の露光が行われる間、制御回路46が、各半導体発光素子42を連続的に点灯させ、各半導体発光素子42の駆動電流を調節して、露光光の照度を調節するものである。図1において、露光光照射装置30からマスク2を介して基板1へ照射される露光光の強度が変化すると、照度センサー35の測定結果が変化する。従って、照度センサー35を用いて、露光光の強度の変化が容易に検出される。図7において、制御回路46は、照度センサー35の測定結果が変化すると、各温度センサー50が測定した各半導体発光素子42の温度に基づき、予め決めた所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、照度センサー35の測定結果が所定範囲例えば、基準値±数内となる様に、露光光の強度の変化を補う。図8は、半導体発光素子の駆動電流と光量との関係の一例を示す図である。図8の縦軸は、半導体発光素子42から発生する光の光量を、駆動電流が500mAであるときを1とした相対光量で示している。図8に示す様に、半導体発光素子42から発生する光の光量は、駆動電流に応じてほぼ直線的に増加する。例えば、照度センサー35により測定された露光光の照度が下限値より低下した場合、制御回路46は、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の総数と、図8に示した半導体発光素子の駆動電流と光量との関係から、露光光の照度を所定範囲内とするために必要な、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流の大きさを算出する。そして、制御回路46は、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子へ、算出した大きさの駆動電流を供給する。逆に、照度センサー35により測定された露光光の照度が上限値より上昇した場合、制御回路46は、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の総数と、図8に示した半導体発光素子の駆動電流と光量との関係から、露光光の照度を所定範囲内とするために必要な、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流の大きさを算出する。そして、制御回路46は、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子へ、算出した大きさの駆動電流を供給する。図9は、本発明の他の実施の形態による露光方法を説明する図である。図9は、基板1の露光を行う5秒の間、各半導体発光素子42へ500mAの駆動電流を連続して供給しているとき、照度センサー35により測定された露光光の照度が下限値より低下した場合の例である。図9aは、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流を示し、図9bは、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を示している。本例では、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流が、500mAから520mAへ増加されている。図10は、本発明のさらに他の実施の形態による露光方法を示すフローチャートである。本実施の形態は、基板の露光が行われる間、制御回路46が、各半導体発光素子42を連続的に点灯させ、各半導体発光素子42の駆動電流を調節して、露光光の照度を調節するものである。図7において、制御回路46は、まず、各半導体発光素子42へ規定の大きさの駆動電流を供給して、各半導体発光素子42を点灯させるステップ301。図1において、照度センサー35は、露光光照射装置30から照射される露光光の照度を測定するステップ302。露光光照射装置30からマスク2を介して基板1へ照射される露光光の強度が変化すると、照度センサー35の測定結果が変化する。従って、照度センサー35を用いて、露光光の強度の変化が容易に検出される。図10において、制御回路46は、照度センサー35の測定結果が所定範囲例えば、基準値±数内であるか否かを判断するステップ303。照度センサー35の測定結果が所定範囲内でない場合、制御回路46は、第1の駆動電流調節を行うステップ304。第1の駆動電流調節において、制御回路46は、後述する第2の駆動電流調節ステップ307が未だ実施されていない場合は、全部の半導体発光素子42について、また、第2の駆動電流調節が実施された場合は、直前の第2の駆動電流調節で駆動電流が調節されていない半導体発光素子42について、図8に示した半導体発光素子の駆動電流と光量との関係から、露光光の照度を所定範囲内とするために必要な、各半導体発光素子の駆動電流の大きさを算出する。そして、制御回路46は、各半導体発光素子へ、算出した大きさの駆動電流を供給して、ステップ302へ戻る。ステップ302~304により、露光光照射装置30から照射される露光光の強度が所定範囲内に保たれる。ステップ303において、照度センサー35の測定結果が所定範囲内である場合、図7の各温度センサー50は、各半導体発光素子42の温度を測定するステップ305。制御回路46は、各温度センサー50の測定結果から、各半導体発光素子42間の温度差が許容範囲内か否かを判断するステップ306。各半導体発光素子42間の温度差が許容範囲を超えた場合、制御回路46は、第2の駆動電流調節を行うステップ307。第2の駆動電流調節において、制御回路46は、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくする。このとき、制御回路46は、図8に示した半導体発光素子の駆動電流と光量との関係から、露光光の照度が所定範囲内に留まる様に、最高温度及び最低温度の半導体発光素子へ供給する駆動電流を決定する。なお、図10に示した実施の形態では、基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、ショット毎にステップ305~307が行われるが、基板毎に1回目のショットの時だけステップ305~307を行ってもよい。第2の駆動電流調節ステップ307で駆動電流が小さくなった半導体発光素子は、出力が低下して温度が下がり、駆動電流が大きくなった半導体発光素子は、出力が上昇して温度が上がる。従って、第2の駆動電流調節の対象となる最高温度及び最低温度の半導体発光素子は毎回同じではなく、ステップ305~307がショット毎又は基板毎に行われることにより、各半導体発光素子42の点灯時の温度が均一化される。ステップ306において、各半導体発光素子42間の温度差が許容範囲内である場合、制御回路46は、所定の露光時間が経過したか否かを判断しステップ308、経過していない場合はステップ302へ戻り、経過した場合は各半導体発光素子42を消灯させる。半導体発光素子の寿命は、点灯時の温度によって大きく異なり、温度が高い状態で点灯を続けると、寿命が短くなる。そして、半導体発光素子の温度は、その出力に依存し、点灯を続ける時間が長くなる程、また駆動電流が大きくなる程、上昇する。基板1の露光が行われる間、露光光照射装置30から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子42の温度を検出し、各半導体発光素子42の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くし、または、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補い、あるいは、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子42へ供給する駆動電流を調節して、露光光照射装置30から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子42の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子42間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくするので、温度が低い状態で点灯していた半導体発光素子は、温度が上昇してその分だけ寿命が短くなり、温度が高い状態で点灯していた半導体発光素子と同程度の寿命となる。従って、複数の半導体発光素子42を用いて露光光を形成する際、露光光の強度を一定に保ちながら、各半導体発光素子42の寿命が均一化される。以上説明した実施の形態によれば、基板1の露光が行われないとき、光源ユニット40の複数の半導体発光素子42へ駆動電流を供給しないで、各半導体発光素子42を消灯させることにより、各半導体発光素子42の寿命を延ばし、また消費電力を抑えることができる。そして、基板1の露光が行われる間、露光光照射装置30から照射される露光光の強度を検出すると共に、各半導体発光素子42の温度を検出し、各半導体発光素子42の温度の検出結果に基づき、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の点灯時間を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の点灯時間より長くし、または、所定温度又は所定温度範囲より低い温度の半導体発光素子の駆動電流を、所定温度又は所定温度範囲より高い温度の半導体発光素子の駆動電流より大きくして、検出した露光光の強度の変化を補い、あるいは、露光光の強度の検出結果に基づき、各半導体発光素子へ供給する駆動電流を調節して、照射装置から照射される露光光の強度を所定範囲内に保ちながら、各半導体発光素子の温度の検出結果に基づき、各半導体発光素子間の温度差が許容範囲を超えたとき、最高温度の半導体発光素子の駆動電流を小さくし、最低温度の半導体発光素子の駆動電流を大きくすることにより、複数の半導体発光素子42を用いて露光光を形成する際、露光光の強度を一定に保ちながら、各半導体発光素子42の寿命を均一化することができる。本発明は、プロキシミティ露光装置に限らず、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置にも適用することができる。本発明の露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、本発明の露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、各半導体発光素子の寿命を均一化することができるので、複数の半導体発光素子の交換をまとめて無駄なく行い、露光処理の中断を少なくして、表示用パネル基板の生産性を向上させることができる。例えば、図11は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程ステップ101では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長CVD法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程ステップ102では、ロール塗布法等により感光樹脂材料フォトレジストを塗布して、薄膜形成工程ステップ101で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程ステップ103では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程ステップ104では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程ステップ105では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程ステップ101で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程ステップ106では、エッチング工程ステップ105でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。また、図12は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程ステップ201では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程ステップ202では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程ステップ203では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程ステップ204では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。図11に示したTFT基板の製造工程では、露光工程ステップ103において、図12に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程ステップ201及び着色パターン形成工程ステップ202の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。"