"剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有し、前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、前記剥離基材上における前記粘着フィルムの外方に形成されており、前記支持層は、支持接着剤層と、該支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように前記支持接着剤層上に積層された支持粘着フィルムとを有している接着シートを用いる半導体装置の製造方法であり、前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記剥離基材を鋭角に曲げることにより、前記接着剤層及び前記粘着フィルムからなる積層体を前記剥離基材から剥離することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記接着シートにおいて、前記支持層は、前記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び前記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されてなるものであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。前記接着シートにおいて、前記剥離基材は長尺のものであり、前記支持層は、少なくとも前記剥離基材の短手方向の両端部上に形成されていることを特徴とする請求項1~3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記接着シートがロール状に巻き取られた接着シートであることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。上記プリカット加工が施された接着シート200は、通常、図12に示すように長尺の剥離基材1を用いて円筒状の巻き芯11に巻きつけて、ロール状の接着シートロール210として提供される。このとき、上記接着シート200等の従来のプリカット加工が施された接着シートでは、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート200においては、図11bに示すように、部分的に接着剤層2と粘着フィルム3とを積層するため、接着剤層2と粘着フィルム3との積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロールの直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなった場合、図13aに示すように、接着剤層2の部分に他の接着剤層2の巻き跡12が転写され、図13aのY-Y端面図である図13bに示すように、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤層2の厚みが厚くなった場合、巻き跡12が更に転写されやすくなる。これら巻き跡12の転写により接着シート200に平滑性の欠陥があると、接着シート200を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層2との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。なお、接着シートとしては、図14a及び図14aのZ-Z端面図である図14bに示すように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層2及び粘着フィルム3の外方にも粘着フィルム3が形成された接着シート220及び接着シートロール230も知られているが、この場合にも、上記と同様に接着剤層2に巻き跡12が転写され、半導体装置組み立て方法上の不具合が生じることがある。本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、前記剥離基材上における前記粘着フィルムの外方に形成されていることを特徴とする接着シートを提供する。ここで、本発明において上記支持層の膜厚が上記接着剤層及び上記粘着フィルムの合計の膜厚と同等であるとは、支持層の膜厚が接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と実質的に同一であることを意味する。また、本発明において上記支持層の膜厚は、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚の1.0~1.5倍であることが好ましい。なお、上記膜厚はそれぞれの層の最大膜厚を意味する。本発明の接着シートは、所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートであるが、剥離基材上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、これらの積層部分と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が形成されていることにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。従来の接着シートでは、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分が他の部分に比べて厚くなるため、ロール状に巻き取ると、この積層部分に巻き取りの圧力が集中していた。そのため、この積層部分と粘着フィルムのみの部分との段差が巻き取りの圧力により他の接着剤層に転写されることとなる。これに対して本発明の接着シートは、支持層を備えることで、プリカット加工が施された接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集めることができ、上記積層部分と粘着フィルム3のみの部分との段差が他の接着剤層に転写されることを抑制することが可能となる。そして、接着剤層への巻き跡の転写が抑制されることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生を十分に抑制することができる。また、本発明の接着シートにおいて、上記支持層は、上記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び上記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されてなるものであることが好ましい。これにより、支持層を設けるために新たに粘着フィルム等を用意する必要がなく、プリカットの形状の変更のみで、容易に支持層を設けることができる。また、上記支持層は、上記支持接着剤層と、該支持接着剤層を覆い、且つ、一部が前記剥離基材と接するように上記支持接着剤層上に積層された上記支持粘着フィルムと、からなるものであることが好ましい。このように、支持粘着フィルムの一部が剥離基材に接していることにより、支持層が剥離基材に貼り付けられた状態を十分に維持することができる。そのため、本発明の接着シートにおける接着剤層及び粘着フィルムを半導体ウェハに貼り付ける際に、半導体ウェハに貼り付けるべき接着剤層及び粘着フィルムが剥離基材1から剥離する前に不要な部分である支持層が剥離して工程の不具合が発生することを十分に抑制することができる。また、本発明の接着シートにおいて、前記剥離基材は長尺のものであり、上記支持層は、少なくとも上記剥離基材の短手方向長手方向に直交する方向の両端部上に形成されていることが好ましい。これにより、接着シートをロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることをより十分に抑制することができる。そして、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生をより十分に抑制することができる。また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層及び上記粘着フィルムの少なくとも一方は、円形形状あるいは上記剥離基材を剥離した後に上記接着剤層又は上記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有していることが好ましい。上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また、一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が円形形状である場合でも、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け、及び、半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向にある。また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。ここで、上記熱可塑性樹脂は、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分であることが好ましい。これにより、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易い接着シートにすることができる。また、重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を用いることにより、接着剤層の室温での硬さを高めることができ、接着シートを巻き取った際の圧力により接着剤層に巻き跡が転写されることを抑制することができる。更に、何らかの原因で接着剤層に巻き跡の転写が生じた場合でも、上記の熱可塑性樹脂を用いていることで、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際の熱により容易に変形し、ボイドを低減することができる。また、上記高分子量成分は、エポキシ基含有メタアクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製の作業の中で、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、作製上の不具合を低減することができる。また、上記熱重合性成分は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることが好ましい。これにより、かかる接着剤層を介して、半導体装置作製後、半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置が使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、25°Cでの硬化前の貯蔵弾性率が10~10000MPaであり、且つ、260°Cでの硬化後の貯蔵弾性率が0.5~30MPaであることが好ましい。ここで、本発明における貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験によって求めることができる。本発明の接着シートにおいて、接着剤層が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材との間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保することが可能となる。これにより、半導体装置作製の作業中あるいは半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。更に、本発明の接着シートは、高エネルギー線の照射により、上記接着剤層と上記粘着フィルムとの間の粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層と粘着フィルムとを剥離する際において、高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。本発明はまた、上記本発明の接着シートを製造するための接着シートの製造方法であって、上記剥離基材上に上記接着剤層を積層する第1の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第1の切断工程と、上記所定の平面形状の接着剤層上に、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接するように上記粘着フィルムを積層するとともに、上記支持接着剤層上に、上記粘着フィルムと同一組成であり、且つ、上記粘着フィルムの膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持粘着フィルムを積層する第2の積層工程と、を含むことを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。本発明はまた、上記本発明の接着シートを製造するための接着シートの製造方法であって、上記剥離基材上に上記接着剤層を積層する第1の積層工程と、上記接着剤層の上記剥離基材に接する側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層の外方に配置される支持接着剤層とを形成する第1の切断工程と、上記所定の平面形状の接着剤層、上記支持接着剤層及び上記剥離基材を覆うように、上記粘着フィルムを積層する第3の積層工程と、上記粘着フィルムの上記剥離基材側と反対側の面から上記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、上記所定の平面形状の接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接する上記粘着フィルムと、上記支持接着剤層上に配置される支持粘着フィルムとを形成する第2の切断工程と、を含むことを特徴とする接着シートの製造方法を提供する。これらの接着シートの製造方法によれば、ロール状に巻き取った際に、接着剤層に他の接着剤層の巻き跡が転写されることを十分に抑制することが可能な本発明の接着シートを効率的に製造することができる。本発明はまた、上記本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層及び上記粘着フィルムからなる積層体を上記剥離基材から剥離し、上記積層体を、上記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、上記積層体付き半導体ウェハを、上記接着剤層と上記粘着フィルムとの界面までダイシングし、上記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、上記積層体に高エネルギー線を照射して上記粘着フィルムの上記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、上記粘着フィルムから上記半導体素子を上記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、上記接着剤層付き半導体素子における上記半導体素子を、上記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。かかる製造方法によれば、その製造工程において本発明の接着シートを用いているため、半導体ウェハに接着剤層を貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等の発生を十分に抑制することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。ここで、上記被着体は、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子であることが好ましい。本発明はまた、剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で上記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有し、上記接着剤層及び上記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、上記剥離基材上における上記粘着フィルムの外方に形成されており、上記支持層は、支持接着剤層と、該支持接着剤層を覆い、且つ、一部が上記剥離基材と接するように上記支持接着剤層上に積層された支持粘着フィルムとを有している接着シートを用いる半導体装置の製造方法であり、上記接着剤層及び上記粘着フィルムからなる積層体を上記剥離基材から剥離し、上記積層体を、上記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。上記製造方法においては、上記剥離基材を鋭角に曲げることにより、上記接着剤層及び上記粘着フィルムからなる積層体を上記剥離基材から剥離することが好ましい。また、上記接着シートにおいて、上記支持層は、上記接着剤層と同一組成の支持接着剤層及び上記粘着フィルムと同一組成の支持粘着フィルムが積層されてなるものであることが好ましい。また、上記接着シートにおいて、上記剥離基材は長尺のものであり、上記支持層は、少なくとも上記剥離基材の短手方向の両端部上に形成されていることが好ましい。更に、上記接着シートがロール状に巻き取られた接着シートであることが好ましい。本発明は更に、上記本発明の半導体装置の製造方法により製造されていることを特徴とする半導体装置を提供する。本発明によれば、プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。接着シート以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。図1~6は、それぞれ本発明の接着シートの第1~第6実施形態を示す模式図である。ここで、図1aは、本発明の接着シートの第1実施形態を示す平面図であり、図1bは、図1aに示す接着シート100を図1aのA-A線に沿って切断した場合の模式端面図である。図2aは、本発明の接着シートの第2実施形態を示す平面図であり、図2bは、図2aに示す接着シート110を図2aのB-B線に沿って切断した場合の模式端面図である。図3aは、本発明の接着シートの第3実施形態を示す平面図であり、図3bは、図3aに示す接着シート120を図3aのC-C線に沿って切断した場合の模式端面図である。図4aは、本発明の接着シートの第4実施形態を示す平面図であり、図4bは、図4aに示す接着シート130を図4aのD-D線に沿って切断した場合の模式端面図である。図5aは、本発明の接着シートの第5実施形態を示す平面図であり、図5bは、図5aに示す接着シート140を図5aのE-E線に沿って切断した場合の模式端面図である。図6aは、本発明の接着シートの第6実施形態を示す平面図であり、図6bは、図6aに示す接着シート150を図6aのF-F線に沿って切断した場合の模式端面図である。図1~6に示すように、接着シートは、長尺の剥離基材1上に、接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体10が形成された構成を有している。また、接着剤層2は所定の平面形状を有して剥離基材1上に部分的に積層されており、粘着フィルム3は、接着剤層2を覆い、且つ、接着剤層2の周囲で剥離基材1に接するように積層されている。そして、積層体10の外方には、支持接着剤層22及び支持粘着フィルム23からなる支持層20が形成されている。この支持層20は、積層体10の最大膜厚接着剤層2と粘着フィルム3とが積層されている部分の膜厚と同等又はそれ以上の最大膜厚支持接着剤層22と支持粘着フィルム23とが積層されている部分の膜厚を有するように形成されている。図1に示す接着シート100において、支持層20は、接着シート100の短手方向中央部以外の部分に、積層体10の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート100における支持層20は、支持粘着フィルム23が支持接着剤層22を覆い、且つ、支持粘着フィルム23の積層体10側と反対側の端部が剥離基材1と接するように構成されている。図2に示す接着シート110において、支持層20は、接着シート110の短手方向中央部以外の部分に、積層体10の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート110における支持層20は、支持粘着フィルム23と支持接着剤層22とが略同一形状となるように構成されている。図3に示す接着シート120において、支持層20は、接着シート120の短手方向中央部以外の部分に、積層体10の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート120における支持層20は、支持粘着フィルム23が支持接着剤層22を覆い、且つ、支持粘着フィルム23の積層体10側の端部が剥離基材1と接するように構成されている。図4に示す接着シート130において、支持層20は、接着シート130の短手方向中央部以外の部分に、積層体10の周囲を囲むように形成されている。また、接着シート130における支持層20は、支持粘着フィルム23が支持接着剤層22を覆い、且つ、支持粘着フィルム23の短手方向両端部が剥離基材1と接するように構成されている。図5に示す接着シート140において、支持層20は、接着シート140の短手方向両端部に形成されている。また、接着シート140における支持層20は、支持粘着フィルム23が少なくとも支持接着剤層22の積層体10側と反対側の端部を覆うように構成されている。図6に示す接着シート150において、支持層20は、接着シート150の短手方向両端部に形成されている。また、接着シート150における支持層20は、支持粘着フィルム23が支持接着剤層22の短手方向中央部を覆うように構成されている。以下、これら本発明の接着シートの各構成要素について詳細に説明する。支持接着剤層22は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持接着剤層22の形状は、断続的でも連続的でもよいが、ロール状に巻き取った際の接着剤層2への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、剥離基材1の長手方向に連続的に形成されていることが好ましい。なお、支持接着剤層22は、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは剥離基材1の短手方向についても連続的に形成されていることが好ましいが、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーの構成上、短手方向中央部についてのみは支持接着剤層22が形成されていないことが好ましい。支持接着剤層22の大きさは、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、できる限り大きい方が好ましい。なお、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置構成上、積層体10とは重ならないことが望ましい。また、支持接着剤層22の組成は特に制限されないが、例えば、後述する接着剤層2と同様の組成とされる。支持粘着フィルム23は、その形状、大きさ、位置について特に制限されるものではない。支持粘着フィルム23の形状は、断続的でも連続的でもよいが、ロール状に巻き取った際の接着剤層2への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、図1a及びbに示すように、剥離基材1の長手方向に連続的に形成されていることが好ましい。なお、支持粘着フィルム23は、巻き跡の転写をより十分に低減する観点からは剥離基材1の短手方向についても連続的に形成されていることが好ましいが、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーの構成上、短手方向中央部についてのみは支持粘着フィルム23が形成されていないことが好ましい。支持粘着フィルム23の大きさは、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、できる限り大きい方が好ましい。なお、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置構成上、積層体10とは重ならないことが望ましい。また、支持粘着フィルム23の組成は特に制限されないが、例えば、後述する粘着フィルム3と同様の組成とされる。本発明の接着シートにおいては、これら支持接着剤層22及び支持粘着フィルム23が積層されて支持層20が形成されている。支持層20は、接着シートをロール状に巻き取った際の接着剤層2への巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、少なくとも剥離基材1の短手方向の両端部上に形成されていることが好ましい。支持層20の形成位置は、巻き跡の転写が起こりやすい位置を考慮すると、積層体10の存在する部分の剥離基材1の長手方向前後と短手方向左右の4箇所にあることが好ましく、積層体10と重ならないように、全面に存在することがより好ましい。但し、半導体ウェハと接着シートとを貼り合わせる装置のセンサーを考慮すると、短手方向中央部についてのみは支持接着剤層20はない方が好ましい。すなわち、支持層20は、剥離基材1における積層体10が形成されている部分と短手方向中央部とを除く部分をできる限り多く覆うように形成されていることが好ましい。また、支持層20は、上述したように、接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体10の膜厚接着剤層2と粘着フィルム3とが積層されている部分の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有しているが、支持層20の膜厚は、積層体10の膜厚の1.0~1.5倍であることが好ましい。支持層20において、支持接着剤層22と支持粘着フィルム23との大きさの関係について特に制限はないが、巻き取り時の圧力を支持層20に分散させ、巻き跡の転写をより十分に低減する観点から、両方とも面積が大きい方が好ましく、図1~6に示される接着シートのうち、図1、図2、図3及び図5に示される接着シートが好ましい。さらに、支持接着剤層22と支持粘着フィルム23とが積層されている部分が大きい方が好ましく、図1~3に示される接着シートがより好ましく、支持層20が全て支持接着剤層20と支持粘着フィルム23とが積層された構造となっている、図2に示される接着シートが特に好ましい。一方、支持接着剤層22及び支持粘着フィルム23をそれぞれ後述する接着剤層2及び粘着フィルム3と同様の組成で形成した場合、通常、支持接着剤層22と剥離基材1との間の接着力は、支持粘着フィルム23と剥離基材1との間の接着力よりも小さくなる。この場合、半導体ウェハと接着シートにおける積層体10とを貼り合わせる際に、半導体ウェハに貼り付けるべき積層体10が剥離基材1から剥離する前に不要な部分である支持層20が剥離して工程の不具合が発生することを抑制するため、支持粘着フィルム23が支持接着剤層22を覆い、且つ、支持粘着フィルム23の一部が剥離基材1と接するように支持層20を形成することが好ましく、図1~6に示される接着シートのうち、図1、図3及び図4に示される接着シートが好ましい。さらに、半導体ウェハと積層体10とを貼り合わせる際に、不要な部分である支持層20の剥離を防ぐためには、支持層20の端部すべてで剥離基材1と支持粘着フィルム23とが接している、図4に示される接着シートが特に好ましい。これら2点と上記支持層20の形成位置から、支持層20は端部すべてで剥離基材1と支持粘着フィルム23とが接しており、両方の面積ができる限り大きく、剥離基材1における積層体10が形成されている部分と短手方向中央部とを除く部分をできる限り多く覆うように形成されていることが最も好ましい。本発明の接着シートにおいて、接着剤層2と粘着フィルム3との積層状態は、それぞれが同じ大きさでちょうど重なり合うように積層されている構造も考えられるが、ウェハリングと半導体素子の大きさの関係上、粘着フィルム3はその外周の50以上、好ましくは70以上、より好ましくは90以上が、接着剤層の外周の外側にあることが好ましい。その部分は剥離基材1と粘着フィルム層3とがこの順に備えた形状であることが好ましい。更に、本発明の接着シートにおいて、接着剤層2と粘着フィルム3との積層状態は、粘着フィルム3が接着剤層2を覆い、且つ、接着剤層2の周囲で剥離基材1に接するように形成されていることが好ましい。すなわち、接着剤層2の平面形状の面積よりも粘着フィルム3の平面形状の面積が大きく、接着剤層2が包み込まれており、接着剤層2の周囲において剥離基材1と粘着フィルム層3とが直接接している状態となっていることが好ましい。なお、接着剤層2は、剥離起点として外周の一部に突出部を有していてもよく、この突出部は粘着フィルム3で覆われていなくてもよい。接着剤層2の形状としては、半導体ウェハの貼り付けが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、ウェハ形状円の外周の一部が直線である形状、四角形、五角形、六角形、八角形などが挙げられる。なお、接着剤層2において、半導体ウェハを貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、円形の平面形状を有する一般的な半導体ウェハと貼り合わせる場合には、接着剤層2は、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状半導体ウェハ形状であることが好ましい。また、接着剤層2の外周の一部が粘着フィルム3の外周の一部の近傍にあるようにするために、外周の一部に凸部を有していてもよい。粘着フィルム3の形状としては、ウェハリングと密着させることが可能な形状であれば特に制限はなく、例えば、平面形状として、円形、四角形、五角形、六角形、八角形、菱形形状、星型などが挙げられる。なお、現在のウェハリングの形状及び半導体素子の形状を考慮すると、粘着フィルム3の平面形状は、円形もしくは円形に順ずる形状であることが好ましい。更に、半導体素子との貼付けを考慮すると、接着剤層2の平面形状と似た平面形状であることが好ましい。接着剤層2は、特に制限されないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等により構成される。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層2は熱硬化性接着剤により構成されていることが好ましい。熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、または少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限されないが、ATgガラス転移温度が10~100°Cであり、且つ、重量平均分子量が5000~200000であるもの、又はBTgが-50°C~10°Cであり、且つ、重量平均分子量が100000以上であるもの、が好ましい。前者の熱可塑性樹脂Aとしては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。後者の熱可塑性樹脂Bとしては、官能性モノマーを含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基などが挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能基モノマーを含むグリシジル基含有メタアクリル共重合体などが好ましく、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。上記官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有メタアクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有メタアクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス株製のHTR-860P-3商品名等が挙げられる。上記グリシジル基含有メタアクリル共重合体としては、例えば、メタアクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。上記グリシジル基含有メタアクリル共重合体における、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ樹脂含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として0.5~6.0質量が好ましく、0.5~5.0質量がより好ましく、0.8~5.0質量が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチルメタアクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有メタアクリル共重合体のTgを考慮して決定し、Tgが-10°C以上となるようにすることが好ましい。Tgが-10°C以上であると、Bステージ状態での接着剤層2のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。上記モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、10万以上であるが、30万~300万であることが好ましく、50万~200万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、10~400質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、15~350質量部がより好ましく、20~300質量部が特に好ましい。また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株製のエピコートシリーズエピコート807、エピコート815、エピコート825、エピコート827、エピコート828、エピコート834、エピコート1001、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009、ダウケミカル社製のDER-330、DER-301、DER-361、及び、東都化成株製のYD8125、YDF8170等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株製のエピコート152、エピコート154、日本化薬株製のEPPN-201、ダウケミカル社製のDEN-438等が挙げられる。更に、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株製のEOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、東都化成株製のYDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株製のEpon1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト0163、ナガセケムテックス株製のデナコールEX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株製のエピコート604、東都化成株製のYH-434、三菱ガス化学株製のTETRAD-X及びTETRAD-C、住友化学株製のELM-120等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトPT810、UCC社製のERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD-2090、フェノライトTD-2149、フェノライトVH-4150、フェノライトVH4170、明和化成株製、商品名:H-1、ジャパンエポキシレジン株製、商品名:エピキュアMP402FPY、エピキュアYL6065、エピキュアYLH129B65、及び、三井化学株製、商品名:ミレックスXL、ミレックスXLC、ミレックスRN、ミレックスRS、ミレックスVR等が挙げられる。接着剤層2は、25°Cでの硬化前の貯蔵弾性率が10~10000MPaであり、且つ、260°Cでの硬化後の貯蔵弾性率が0.5~30MPaであることが好ましい。ここで、接着剤層2の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。上記接着剤層2が熱重合性成分を含む場合、接着剤層2には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましい。この添加量が5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。接着剤層2には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分などが挙げられる。これらは、単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用することもできる。熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量100質量部に対して、40質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層2のTgを確保することができる。また、接着剤層2には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整およびチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。無機フィラーの添加量は、接着剤層2の総量を基準として1~20質量が好ましい。添加量が1質量未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、20質量を超えると、接着剤層2の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。また、接着剤層2には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層2全量を基準として0.01~10質量とするのが好ましい。更に、接着剤層2には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層2全量を基準として0.1~10質量が好ましい。接着剤層2の厚さは、0.1~100μmであることが好ましく、1~50μmであることがより好ましく、5~40μmであることが特に好ましい。厚さが0.1μm未満であると、接着剤として十分な接着力が確保できなくなる傾向があり、100μmを超えると、半導体装置が肉厚になり、半導体装置の使用用途が制限される傾向がある。粘着フィルム3は、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム3における接着剤層2と接する側の層が上記接着剤層となっている。粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、上記基材フィルムは異なる2種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、25°Cでの引張弾性率が2000MPa以上であることが好ましく、2200MPa以上であることがより好ましく、2400MPa以上であることが特に好ましい。また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、25°Cでの引張弾性率が1000MPa以下であることが好ましく、800MPa以下であることがより好ましく、600MPa以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、JISK7113号に準じて測定されるものである。基材フィルムが2種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限はなく、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、2種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて2種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。粘着フィルム3を構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化するすなわち、粘着力を制御できるものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層14に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタンメタアクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましい。この添加量が5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’-テトラメチル-4,4’-ジアミノベンゾフェノンミヒラーケトン、N,N’-テトラエチル-4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4’-ジメチルアミノベンゾフェノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジm-メトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-o-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-p-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジp-メトキシフェニル-5-フェニルイミダゾール二量体、2-2,4-ジメトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9’-アクリジニルヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量100質量部に対して通常0.01~30質量部である。粘着フィルム3において、粘着剤層の厚さは、0.1~20μmであることが好ましい。この厚さが0.1μm未満であると、十分な粘着力を確保することが困難となる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散する可能性があり、20μmを超えると、経済的でなくなる上に、特性上特に有利な点はない。剥離基材1は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材1としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。また、剥離基材1の接着剤層2と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。剥離基材1の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、10~500μmであることが好ましく、25~100μmであることがより好ましく、30~50μmであることが特に好ましい。以上説明した本発明の接着シートは、上記各層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材1上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性などを考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。また、塗膜性を向上させるなどの目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、3本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。以上説明したような構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層2と粘着フィルム3との界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層2を保持したまま粘着フィルム3から容易にピックアップすることが可能となる。本発明の接着シートにおいて、接着剤層2と粘着フィルム3との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、50~170°Cの温度が好ましい。接着シートの製造方法次に本発明の接着シートを製造する方法について説明する。本発明の接着シートは、例えば、接着剤層2を剥離基材1に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層2を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材1にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材1の全面に接着剤層2を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム3を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。ここで、図7a~fは本発明の接着シートの製造方法の第1実施形態を示す一連の工程図である。第1実施形態にかかる本発明の接着シートの製造方法においては、まず、図7aに示すように、剥離基材1上の全面に接着剤層2を積層する第1の積層工程。次に、図7bに示すように、金型5又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層2の剥離基材1に接する側と反対側の面F1から剥離基材1に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す第1の切断工程。その後、図7cに示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層2の不要部分6を除去し、図7dに示すように、所定の平面形状を有する接着剤層2と、その外方に配置される支持接着剤層22とを形成する。次に、図7e及びfに示すように、接着剤層2の平面形状よりも一回り大きい平面形状に予め切断された粘着フィルム3を、接着剤層2を覆い、且つ、接着剤層2の周囲で剥離基材1と接するように積層するとともに、支持接着剤層22と略同一形状に予め切断された支持粘着フィルム23を、支持接着剤層22上に積層する第2の積層工程。このとき、粘着フィルム3と支持粘着フィルム23とは同一の組成を有するものであってもよく、異なる組成を有するものであってもよい。以上により、接着シート160を作製することができる。また、図8a~gは本発明の接着シートの製造方法の第2実施形態を示す一連の工程図である。第2実施形態にかかる本発明の接着シートの製造方法においては、まず、図8aに示すように、剥離基材1上の全面に接着剤層2を積層する第1の積層工程。次に、図8bに示すように、金型5又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層2の剥離基材1に接する側と反対側の面F1から剥離基材1に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す第1の切断工程。その後、図8cに示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層2の不要部分6を除去し、図8dに示すように、所定の平面形状を有する接着剤層2と、その外方に配置される支持接着剤層22とを形成する。次に、図8eに示すように、接着剤層2、支持接着剤層22及び露出している剥離基材1の全体を覆うように粘着フィルム3を積層する第3の積層工程。次に、図8f及びgに示すように、粘着フィルム3に対して金型等を用いて打ち抜き加工を施すことにより、接着剤層2を覆い、且つ、接着剤層2の周囲で剥離基材1と接するように積層された粘着フィルム3と、支持接着剤層22を覆い、且つ、一端が剥離基材1と接するように積層された支持粘着フィルム23とを形成する第2の切断工程。以上により、接着シート170を作製することができる。これらの接着シートの製造方法において、第1の積層工程による接着剤層2の積層は、例えば、接着剤層2を構成する材料を溶剤に溶解又は分散してなる接着剤層形成用ワニスを剥離基材12上に塗布し、加熱により溶剤を除去することで行うことができる。また、第3の積層工程における粘着フィルム3の積層は、例えば、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布した後、加熱により溶剤を除去して、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルム3を形成する。そして、得られた粘着フィルム3を、接着剤層2、支持接着剤層22及び露出している剥離基材1の全体を覆うように積層することによって行うことができる。ここで、剥離基材1及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。また、粘着フィルム3の積層は、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。半導体装置の製造方法次に、本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について、図9を用いて説明する。なお、以下の説明においては、接着シートとして図1に示した接着シート100を用いる場合について説明する。また、接着シート100において、粘着フィルム3は、粘着剤層と基材フィルムとが積層された構成を有していることとする。図9a~cは、接着シート100における積層体10を半導体ウェハ32に貼り付ける作業を行う一連の工程図である。図9aに示すように、接着シート100は、剥離基材1がキャリアフィルムの役割を果たしており、2つのロール62及び66と、楔状の部材64とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯44に接続された状態で巻回され第1のロール42を形成し、他端が円柱状の巻芯54に接続された状態で巻回され第2のロール52を形成している。そして、第2のロール52の巻芯54には、当該巻芯54を回転させるための巻芯駆動用モータ図示せずが接続されており、積層体10が剥離された後の剥離基材1が所定の速度で巻回されるようになっている。まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第2のロール52の巻芯54が回転し、第1のロール42の巻芯44に巻回されている接着シート2が第1のロール42の外部に引き出される。そして、引き出された接着シート100は、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ32及びそれを囲むように配置されたウェハリング34上に導かれる。次に、剥離基材1から、接着剤層2及び粘着フィルム3からなる積層体10が剥離される。このとき、接着シート100の剥離基材1側から楔状の部材64が当てられており、剥離基材1は部材64側へ鋭角に曲げられ、剥離基材1と積層体10との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材1と積層体10との境界面にエアーが吹き付けられている。このようにして剥離基材1と積層体10との間に剥離起点が作り出された後、図9bに示すように、粘着フィルム3がウェハリング34と密着し、接着剤層2が半導体ウェハ32と密着するように積層体10の貼り付けが行われる。このとき、ロール68によって積層体10は半導体ウェハ32に圧着されることとなる。そして、図9cに示すように、半導体ウェハ32上への積層体10の貼り付けが完了し、積層体付き半導体ウェハが得られる。以上のような手順により、半導体ウェハ32への積層体10の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ32への積層体10の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株製のRAD-2500商品名等が挙げられる。このような工程により積層体10を半導体ウェハ32に貼り付ける場合、接着シート100はロール状に巻き取られた状態第1のロール42で用いられるが、このとき、接着シート100が支持層20を有していることにより、接着剤層2に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。これにより、半導体ウェハ32に積層体10を貼り付ける際に空気の巻き込み等を低減することができ、半導体ウェハ32と接着剤層2との界面におけるボイドの発生を十分に抑制することができる。次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層2及び粘着フィルム3により半導体ウェハ32は積層体10に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。次に、放射線等の高エネルギー線を積層体10の粘着フィルム3に照射し、粘着フィルム3における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着フィルム3への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層2との間の粘着力は、接着剤層2と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層2と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層2が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層2を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層2は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。半導体装置図10は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図10に示すように、半導体装置300は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板70上に、接着剤層2及び半導体素子72からなる接着剤層付き半導体素子が2つ積層されている。また、有機基板70には、回路パターン74及び端子76が形成されており、この回路パターン74と2つの半導体素子72とが、ワイヤボンド78によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材80により封止され、半導体装置300が形成されている。この半導体装置300は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート100を用いて製造されるものである。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。接着剤層形成用ワニスの作製まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂商品名:YDCN-703、東都化成株製、エポキシ当量:22060質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂商品名:XLC-LL、三井化学株製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物40質量部に、シクロヘキサノン1500質量部を加えて撹拌混合し、第1のワニスを調製した。次に、この第1のワニスに、カップリング剤としてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名:NUCA-189、日本ユニカー株製1.5質量部、及び、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン商品名:NCUA-1160、日本ユニカー株製3質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー商品名:R972V、日本アエロジル株製32質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第2のワニスを調製した。次に、この第2のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体商品名:HTR-860P-3、帝国化学産業株製200質量部、及び、硬化促進剤として1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール商品名:キュアゾール2PZ-CN、四国化成株製0.5質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。実施例1上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム商品名:テイジンピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株製上に塗布し、140°Cで5分間加熱乾燥を行い、膜厚10μmのBステージ状態の接着剤層を形成した。得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節してφ210mmの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層支持接着剤層が残る形状になるよう加工を行った第1の切断工程。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ290mmの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に残った支持接着剤層上に粘着フィルム支持粘着フィルムが積層され、該支持粘着フィルムが支持接着剤層を覆い、且つ、支持粘着フィルムの剥離基材中央部側の端部が剥離基材と接した状態となるよう加工を行った第2の切断工程。これにより、図3に示す構造を有する接着シートを得た。実施例2接着剤層の膜厚を25μmとした以外は実施例1と同様にして接着シートを得た。実施例3接着剤層の膜厚を40μmとした以外は実施例1と同様にして接着シートを得た。実施例4上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム商品名:テイジンピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株製上に塗布し、140°Cで5分間加熱乾燥を行い、膜厚10μmのBステージ状態の接着剤層を形成した。得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節してφ210mmの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層支持接着剤層が残る形状になるよう加工を行った第1の切断工程。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ290mmの円形プリカット加工を行うとともに、支持接着剤層への切り込み深さが10μm以下となるように調節して、剥離基材の短手方向の両端部に残った支持接着剤層上に粘着フィルム支持粘着フィルムが支持接着剤層の短手方向中央部に積層された状態となるよう加工を行った第2の切断工程。これにより、図6に示す構造を有する接着シートを得た。実施例5接着剤層の膜厚を25μmとした以外は実施例4と同様にして接着シートを得た。実施例6接着剤層の膜厚を40μmとした以外は実施例5と同様にして接着シートを得た。比較例1上記接着剤層形成用ワニスを、膜厚50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム商品名:テイジンピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株製上に塗布し、140°Cで5分間加熱乾燥を行い、膜厚10μmのBステージ状態の接着剤層を形成した。得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節してφ210mmの円形プリカット加工を行った。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で貼付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節して接着剤層と同心円状にφ290mmの円形プリカット加工を行った。これにより、図11に示す構造を有する接着シートを得た。比較例2接着剤層の膜厚を25μmとした以外は比較例1と同様にして接着シートを得た。比較例3接着剤層の膜厚を40μmとした以外は比較例1と同様にして接着シートを得た。[巻き跡の転写抑制性評価試験]実施例1~6及び比較例1~3の接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が300枚になるように、巻き取り張力を1kg又は3kgとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを2週間冷蔵庫内5°Cで放置した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、150枚目のフィルムについて目視にて巻き跡の転写の有無を観察し、以下の評価基準に従って、○、△、×の3段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。その結果を表1に示す。○:あらゆる角度から観察しても凹み巻き跡の転写を確認できない、△:フィルム上面からは凹み巻き跡の転写が確認できないが、フィルムの角度を変え観察することで凹みが確認できる、×:フィルム上面から観察し、フィルム上に凹み巻き跡の転写が確認できる。また、巻き跡の転写抑制性を評価した後の接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムを剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。その結果、上記巻き跡の転写抑制性の評価結果が○であったものは、ボイドの発生も十分に抑制されており、△であったものは、ボイドがやや発生しており、×であったものは、ボイドが多く発生していることが確認された。以上の結果から明らかなように、本発明の接着シート実施例1~6によれば、比較例の接着シート比較例1~3と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができ、それによって、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。"