"対象光に対し透明な基板と、前記基板の片面にのみに形成される、バンドパス特性における短波長側の立ち上がり部と反射帯域を形成するLWPF部と、バンドパス特性における長波長側の立ち下がり部と反射帯域を形成するSWPF部と、対象光の斜め入射により前記LWPF部及び前記SWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を制御する偏波依存性改善部と、を備え、前記LWPF部、前記SWPF部、及び前記偏波依存性改善部は、第1誘電体で形成された高屈折率層と、この第1誘電体より屈折率が低い第2誘電体で形成された低屈折率層と、を交互に複数積層した構造を備えることを特徴とする光学多層膜バンドパスフィルタ。前記偏波依存性改善部は2種類の物質のみから構成されることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜バンドパスフィルタ。前記偏波依存性改善部と、前記LWPF部及び前記SWPF部と、がそれぞれバンドパス特性における共通する透過帯域を持ち、前記LWPF部及び前記SWPF部における、前記立ち上がり部、前記立ち下がり部に対応して、前記偏波依存性改善部は、対象光の斜め入射により前記LWPF部及び前記SWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を小さくするような、立ち上がり部、立ち下がり部、及び、透過率が部分的に低下するリップル部の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜バンドパスフィルタ。前記偏波依存性改善部の前後の一方、又は両方に、マッチング層を備え、前記マッチング層は、前記第1誘電体で形成された層及び前記第2誘電体で形成された層の一方又は両方であり、これらの層は、前記偏波依存性改善部を構成する前記高屈折率層及び前記低屈折率層の数倍の厚さの厚膜層を備えることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜バンドパスフィルタ。前記偏波依存改善部は、前記LWPF部と前記SWPF部の間、又は、前記LWPF部及び前記SWPF部より基板側又は外表面側に、1つ以上形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜バンドパスフィルタ。前記LWPF部及び前記SWPF部と、バンドパス特性において前記LWPF部及び前記SWPF部よりも長波長域又は短波長域の反射帯域を形成する、別個のLWPF部又はSWPF部を組み合わせたことを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜バンドパスフィルタ。しかしながら、上記1のファブリペロー型のバンドパスフィルタを利用する方法では、立ち上り部あるいは立ち下り部のどちらか一方しか偏波依存を少なく出来ず、他方の立ち上がり部又は立ち下がり部では偏波依存によるp波とs波の分離が起きている。また、上記2の方法では、反射光の利用に対して光がガラス基板を通過する際の光軸ズレに伴う入射角度変化の影響や、表面と裏面での2面反射によるゴースト発生などの問題が生じる。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、斜め入射に対して偏波依存性が少なく、基板の片面のみに形成することによって2面反射によるゴースト発生などの問題を解消することのできる光学多層膜バンドパスフィルタを提供することにある。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、対象光に対し透明な基板と、基板の片面にのみに形成される、バンドパス特性における短波長側の立ち上がり部と反射帯域を形成するLWPF部と、バンドパス特性における長波長側の立ち下がり部と反射帯域を形成するSWPF部と、対象光の斜め入射によりLWPF部及びSWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を制御する偏波依存性改善部と、を備え、LWPF部、SWPF部、及び偏波依存性改善部は、第1誘電体で形成された高屈折率層と、この第1誘電体より屈折率が低い第2誘電体で形成された低屈折率層と、を交互に複数積層した構造を備えることを特徴としている。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、偏波依存性改善部は、2種類の物質のみから構成されることが好ましい。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、偏波依存性改善部と、LWPF部及びSWPF部と、がそれぞれバンドパス特性における共通する透過帯域を持ち、LWPF部及びSWPF部における、立ち上がり部、立ち下がり部に対応して、偏波依存性改善部は、対象光の斜め入射により前記LWPF部及び前記SWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を小さくするような、立ち上がり部、立ち下がり部、及び、透過率が部分的に低下するリップル部の少なくとも一つを有することが好ましい。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、偏波依存性改善部の前後の一方、又は両方に、マッチング層を備え、マッチング層は、第1誘電体で形成された層及び第2誘電体で形成された層の一方又は両方であり、これらの層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さの厚膜層を備えることが好ましい。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、偏波依存改善部は、LWPF部とSWPF部の間、又は、LWPF部及びSWPF部より基板側又は外表面側に、1つ以上形成されていることが好ましい。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記LWPF部及び前記SWPF部と、バンドパス特性において前記LWPF部及び前記SWPF部よりも長波長域又は短波長域の反射帯域を形成する、別個のLWPF部又はSWPF部を組み合わせることが好ましい。本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、斜め入射に対して偏波依存性が少なく、2面反射によるゴースト発生などの問題を解消することができる、という効果を奏する。以下に、本発明に係る光学多層膜バンドパスフィルタの実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。実施例の説明に先立ち、本発明の実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成について説明する。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、対象光に対し透明な基板の一面のみに形成された、所定角度の斜め入射光に対して透過帯域と反射帯域との境界の立ち上がり部及び立ち下がり部について偏波依存性を少なくした光学多層膜バンドパスフィルタを提供するものである。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、対象光に対し透明な基板と、前記基板の片面にのみに形成される、バンドパス特性における短波長側の立ち上がり部と反射帯域を形成するLWPF部と、バンドパス特性における長波長側の立ち下がり部と反射帯域を形成するSWPF部と、対象光の斜め入射により前記LWPF部及び前記SWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を制御する偏波依存性改善部と、を備え、前記LWPF部、前記SWPF部、及び前記偏波依存性改善部は、第1誘電体で形成された高屈折率層と、この第1誘電体より屈折率が低い第2誘電体で形成された低屈折率層と、を交互に複数積層した構造を備えることを特徴とするものである。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記偏波依存性改善部は2種類の物質のみから構成されることが好ましい。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記偏波依存性改善部と、前記LWPF部及び前記SWPF部と、がそれぞれバンドパス特性における共通する透過帯域を持ち、前記LWPF部及び前記SWPF部における、前記立ち上がり部、前記立ち下がり部に対応して、前記偏波依存性改善部は、対象光の斜め入射により前記LWPF部及び前記SWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、P波とS波の分離を小さくするような、立ち上がり部、立ち下がり部、及び、透過率が部分的に低下するリップル部の少なくとも一つを有することが好ましい。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記偏波依存性改善部の前後の一方、又は両方に、マッチング層を備え、前記マッチング層は、前記第1誘電体で形成された層及び前記第2誘電体で形成された層の一方又は両方であり、これらの層は、前記偏波依存性改善部を構成する前記高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さの厚膜層を備えることが好ましい。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記偏波依存改善部は、前記LWPF部と前記SWPF部の間、又は前記LWPF部及び前記SWPF部より基板側、又は外表面側に、1つ以上形成されていることが好ましい。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記LWPF部及び前記SWPF部と、バンドパス特性において前記LWPF部及び前記SWPF部よりも、長波長域又は短波長域の反射帯域を形成する、別個のLWPF部又はSWPF部を組み合わせることが好ましい。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記対象光に対し透明な基板としては、例えば、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスや水晶、BK7商品名、Tempax商品名等の光学ガラス、サファイア等の結晶材料、半導体基板、及び合成樹脂から選択することができる。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、第1誘電体と第2誘電体は、高屈折率層を構成する物質と、この高屈折率層より屈折率が低い低屈折率層を構成する物質と、の組み合わせとして、例えばTiO、TiO2、Y2O3、Ta2O5、ZrO、ZrO2、Si、SiO2、HfO2、Ge、Nb2O5、Nb2O6、CeO2、Cef3、ZnS、ZnO、Fe2O3、MgF2、AlF3、CaF2、LiF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Al2O3、MgO、LaF、PbF2、及びNdF3、並びに、これらの混合材料の中から、少なくとも2種類を選択することができる。本実施形態に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいて、前記高屈折率層と、この高屈折率層より屈折率が小さい低屈折率層を積層する方法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングのPVD法物理膜厚気相成長法、抵抗加熱蒸着、電子ビームEB加熱蒸着、高周波加熱蒸着、レーザービーム加熱蒸着、イオン化スパッタ、イオンビームスパッタ、プラズマスパッタ、イオンアシスト、ラジカルアシストスパッタの何れかを採用することができる。つづいて、本実施形態の実施例について説明する。以下の実施例は例示であって、例えば、光学多層膜バンドパスフィルタを構成する層の数は、実施例に示すものに限定されることなく、要求されるスペックに合わせて増減することができる。以下の実施例において、基板の材質としてはBK7商標を用いている。各実施例に用いる誘電体において、TiO2及びTa2O5は第1誘電体で形成された高屈折率層、Al2O3、SiO2は第1誘電体より屈折率が低い第2誘電体で形成された低屈折率層である。また、光学多層膜バンドパスフィルタを構成する誘電体各層の厚さは、λ/4=1とする光学膜厚にて表現している。ここで、λは対象光の波長である。各実施例及び比較例においてバンドパス特性を示す図は、縦軸に透過率単位、横軸に波長単位nmをとり、偏波分離状態を示している。実施例1図1は、実施例1に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性を示すグラフである。図2は、実施例1に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成を示す断面図である。図3は、実施例1に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質を示す図である。図1において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。また、図3においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。図2、図3に示すように、実施例1に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、対象光に対して透明な基板側からAir側へ順に、SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部を積層した構成を備える。別言すると、基板の片面のみにSWPF部が形成され、このSWPF部の上に偏波依存改善部、及びLWPF部が順に積層されている。ここで、Air側とは、基板から最も遠い外表面側を意味する。SWPF部は、層1から層62の62層からなり、長波長側において透過帯域から立ち下がる立ち下がり部と反射帯域を形成する。偏波依存改善部は、層63から層76の14層からなり、その層構成により、LWPF部及びSWPF部がそれぞれ形成する立ち上がり部及び立ち下がり部に生じる、バンドパス特性におけるP波とS波の分離を制御する。LWPF部は、層77から層136の60層からなり、基板の片面にのみに形成され、短波長側において透過帯域へ立ち上がる立ち上がり部と反射帯域を形成する。SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。比較例図4は、比較例に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性を示すグラフである。図5は、比較例に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成を示す断面図である。図6は、比較例に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質を示す図である。図4において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。また、図6においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。図5、図6に示すように、比較例に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部及びLWPF部を積層した構成を備える。これは、実施例1の構成から偏波依存改善部を除いた構成となっている。具体的には、SWPF部は、層1から層62の62層からなり、LWPF部は、層63から層122の60層からなる。SWPF部及びLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。図1と図4を比較すると、比較例に比べ、実施例1は立ち上がり部及び立ちの下がりの偏波依存性が改善されている。したがって、偏波依存改善部を組み込むことが、偏波依存性の改善に効果をもたらしていることを示している。実施例1では偏波依存性改善部を組み込む際にLWPF部及びSWPF部とのマッチングを調整していないため、透過帯域において部分的に透過率が低下している部位リップル部が比較的大きく生じていた。以下の実施例2以降においては、偏波依存性改善部を組み込む際にLWPF部及びSWPF部とのマッチングを調整するために、マッチング層としての厚膜層を形成している。実施例2~実施例5図7、図11、図15、及び図19は、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図8、図12、図16、及び図20は、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図9、図13、図17、及び図21は、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成をそれぞれ示す断面図である。図10、図14、図18、及び図22は、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質をそれぞれ示す図である。図7、図11、図15、及び図19において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図8、図12、図16、及び図20において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図10、図14、図18、及び図22においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例2~実施例5に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部、第1の厚膜層、偏波依存改善部、第2の厚膜層、及びLWPF部を積層した構成を備える。また、実施例2~実施例5に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部として、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。実施例2において、SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層51、72として設けられている。偏波依存改善部は、層52から層71の20層からなる。LWPF部は、層73から層122の50層からなる。なお、実施例2以降の説明において、光学多層膜バンドパスフィルタの各部の作用のうち、実施例1と共通するものは記載を省略する。厚膜層は、SWPF部側の層51はTa2O5で形成され、LWPF部側の層72はSiO2で形成される。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層72に隣接する層71、73はTa2O5で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例3において、SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層51、72として設けられている。偏波依存改善部は、層52から層71の20層からなる。LWPF部は、層73から層122の50層からなる。厚膜層は、SWPF部側の層51はTa2O5で形成され、LWPF部側の層72はSiO2で形成される。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層72に隣接する層71、73はTa2O5で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例4において、SWPF部は、層1から層49の49層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層50、71として設けられている。偏波依存改善部は、層51から層70の20層からなる。LWPF部は、層72から層122の51層からなる。厚膜層は、SWPF部側の層50はSiO2で形成され、LWPF部側の層71はTa2O5で形成される。ここで、厚膜層50に隣接する層49、51はTa2O5で形成され、厚膜層71に隣接する層70、72はSiO2で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例5において、SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層51、78として設けられている。偏波依存改善部は、層52から層77の26層からなる。LWPF部は、層79から層128の50層からなる。厚膜層は、SWPF部側の層51はTa2O5で形成され、LWPF部側の層78はSiO2で形成される。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層78に隣接する層77、79はTa2O5で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例2~5は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の膜厚の比率について次のように設定している。1実施例2:高屈折率層>低屈折率層図72実施例3:高屈折率層≒低屈折率層図113実施例4:高屈折率層<低屈折率層図154実施例5:高屈折率層>低屈折率層図19これらの条件における、LWPF部、SWPF部、及び偏波依存性改善部のそれぞれの特性を図8、図12、図16、図20に示す。実施例2~5におけるバンドパス特性図7、11、15、19において偏波依存性改善の効果が示されていることから、偏波依存性改善部は、高屈折率層と低屈折率層の厚みの比率に拘わらず、偏波依存性改善の効果を現すことが分かる。また、実施例2~5において、偏波依存改善部は、LWPF部とSWPF部が作る透過帯域と共通する範囲に透過帯域を有する。実施例2においては、図8に示すように、SWPF部が形成する立ち下がり部に、偏波依存性改善部の立ち下がり部が重なっている。実施例3においては、図12に示すように、LWPF部が形成する立ち上がり部とSWPF部が形成する立ち下がり部に、偏波依存性改善部のリップル部がそれぞれ重なっている。実施例4においては、図16に示すように、LWPF部が形成する立ち上がり部とSWPF部が形成する立ち下がり部に、偏波依存性改善部のリップル部と立ち下がり部がそれぞれ重なっている。実施例5においては、図20に示すように、LWPF部が形成する立ち上がり部とSWPF部が形成する立ち下がり部に、偏波依存性改善部の立ち上がり部とリップル部がそれぞれ重なっている。偏波依存改善部の特性は前記の条件を満たしている。図7、11、15、19から分かるように、偏波依存性改善部を組み込むことにより、光学多層膜バンドパスフィルタの偏波依存性が改善されている。これは、偏波依存性改善部が形成する、立ち上がり部、立ち下がり部、及びリップル部が、LWPF部及びSWPF部がそれぞれ作る立ち上がり部及び立ち下がり部に重なることによって、p波とs波に分離していた、LWPF部及びSWPF部が形成する立ち上がり部及び立ち下がり部において、p波の特性曲線がs波の特性曲線側へと押される形となり、結果として偏波依存性の改善されたバンドパス特性が得られるためである。ここで、p波の特性曲線がs波の特性曲線側へと押されるとは、バンドパスフィルタの特性として見た場合、1p波が形成する、立ち上がり部及び立ち下がり部と、2p波が形成する立ち上がり部とs波が形成する立ち上がり部の間の、p波が形成する透過帯域と、3p波が形成する立ち下がり部とs波が形成する立ち下がり部の間の、p波が形成する透過帯域とに、4偏波依存改善部が形成する、立ち上がり部、立ち下がり部、及びリップル部を重ねることによって、重なった領域においてp波の透過率が低減し、その結果p波の透過帯域が狭められることを意味する。実施例6~7上述の実施例1~5は、いずれも、Ta2O5からなる高屈折率層と、SiO2からなる低屈折率層と、を交互に積層した構成であったが、実施例6、7においては、これ以外の誘電体の組み合わせとしている。図23及び図27は、実施例6及び実施例7に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図24及び図28は、実施例6及び実施例7におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図25及び図29は、実施例6及び実施例7に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成をそれぞれ示す断面図である。図26及び図30は、実施例6及び実施例7に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質をそれぞれ示す図である。図23及び図27において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図24及び図28において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図26及び図30においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例6、7に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部、厚膜層、偏波依存改善部、厚膜層、及びLWPF部を積層した構成を備える。実施例6において、SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層51、72として設けられている。偏波依存改善部は、層52から層71の20層からなる。LWPF部は、層73から層122の50層からなる。実施例6に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部として、第1誘電体としてのTiO2からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層は、SWPF部側の層51はTiO2で形成され、LWPF部側の層72はSiO2で形成される。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層72に隣接する層71、73はTiO2で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例7において、SWPF部は、層1から層40の40層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の両方の層41、66として設けられている。偏波依存改善部は、層42から層65の24層からなる。LWPF部は、層67から層106の40層からなる。実施例7に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部として、第1誘電体としてのTiO2からなる高屈折率層と第2誘電体としてのAl2O3からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層は、SWPF部側の層41はTiO2で形成され、LWPF部側の層66はAl2O3で形成される。ここで、厚膜層41に隣接する層40、42はAl2O3で形成され、厚膜層66に隣接する層65、67はTiO2で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。図23、27から分かるように、実施例1~5とは異なる高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ実施例6,実施例7であっても、偏波依存性が改善した特性が得られている。したがって、第1誘電体と第2誘電体として、種々の物質の組み合わせが適用できることを示している。実施例8図31は、実施例8に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性を示すグラフである。図32は、実施例8におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性を示すグラフである。図33は、実施例8に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成を示す断面図である。図34は、実施例8に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質を示す図である。図31において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図32において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図34においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例8に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部を積層した構成を備える。SWPF部は、層1から層52の52層からなる。偏波依存改善部は、層53から層71の19層からなる。LWPF部は、層72から層122の51層からなる。SWPF部、偏波依存改善部、及びLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。実施例8に係る光学多層膜バンドパスフィルタにおいては、厚膜層は形成していないものの、図31に示すように、立ち上がり部及び立ち下がり部の偏波依存性は改善されている。ただし、立ち上がり部の始まり部分の手前に、小さな山の様な盛り上がりが形成される傾向があるため、より立ち上がり部や立ち下がり部のきれいな特性を得るためには、厚膜層があることが望ましい。実施例9図35は、実施例9に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性を示すグラフである。図36は、実施例9におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性を示すグラフである。図37は、実施例9に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成を示す断面図である。図38は、実施例9に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質を示す図である。図35において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図36において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図38においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例9に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、偏波依存改善部を複数組み込んでおり、基板側からAir側へ順に、SWPF部、第1の厚膜層、第1の偏波依存改善部、第2の厚膜層、第2の偏波依存改善部、第3の厚膜層、及びLWPF部を積層した構成を備える。SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、第1及び第2の偏波依存改善部の前後の層51、60、71として設けられている。第1の偏波依存改善部は、層52から層59の8層からなる。第2の偏波依存改善部は、層61から層70の10層からなる。LWPF部は、層72から層122の51層からなる。SWPF部、2つの偏波依存改善部、及びLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層は、SWPF部側の層51はTa2O5で形成され、層60はSiO2で形成され、層71はTa2O5で形成されている。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層60に隣接する層59、61はTa2O5で形成され、厚膜層71に隣接する層70、72はSiO2で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。図36に示すように、第1の偏波依存性改善部はSWPF部が形成する立ち下がり部に重なる立ち下がり部を持つ特性を備え、第2の偏波依存性改善部はLWPF部が形成する立ち上がり部に重なる立ち上がり部を持つ特性を備える。図35から分かるように、偏波依存性改善部を複数個組み込んでも目的とする偏波依存性を改善した特性は獲得できている。したがって、偏波依存性改善部を複数組み込むことも可能であることを分かる。実施例10~11上述の実施例1~9においては、SWPF部とLWPF部の間に偏波依存改善部を設けていたが、実施例10においてはSWPF部及びLWPF部よりも基板側に、実施例11においてはSWPF部及びLWPF部よりも外表面側Air側に、偏波依存性改善部をそれぞれ組み込んでいる。図39、図43は、実施例10、11に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図40、図44は、実施例10、11におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性をそれぞれ示すグラフである。図41、45は、実施例10、11に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成をそれぞれ示す断面図である。図42、46は、実施例10、11に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質をそれぞれ示す図である。図39、図43において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図40、図44において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図42及び図46においては、入射角度を45度、対象光の波長λを500nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例10に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、偏波依存改善部、厚膜層、SWPF部、及びLWPF部を積層した構成を備える。偏波依存改善部は、層1から層29の29層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の後の層30として設けられている。SWPF部は、層31から層72の42層からなる。LWPF部は、層73から層122の50層からなる。偏波依存改善部、SWPF部、及びLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層30はSiO2で形成され、隣接する層29、31はTa2O5で形成されている。また、厚膜層30は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。実施例11に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部、LWPF部、厚膜層、及び偏波依存改善部を積層した構成を備える。SWPF部は、層1から層50の50層からなる。LWPF部は、層51から層92の42層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前の層93として設けられている。偏波依存改善部は、層94から層122の29層からなる。SWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層93はTa2O5で形成され、隣接する層92、94はSiO2で形成されている。また、厚膜層93は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。図39、図43に示すように、偏波依存改善部をSWPF部及びLWPF部の前後のどちらにおいても偏波依存性は改善されており、偏波依存性改善部の組み込み位置が、SWPF部とLWPF部の間に限定されないことが分かる。実施例12実施例12においては、反射帯域を広げる為にLWPF部を複数設けている。図47は、実施例12に係る光学多層膜バンドパスフィルタのバンドパス特性を示すグラフである。図48は、実施例12におけるSWPF部、LWPF部、及び偏波依存改善部のバンドパス特性を示すグラフである。図49は、実施例12に係る光学多層膜バンドパスフィルタの構成を示す断面図である。図50は、実施例12に係る光学多層膜バンドパスフィルタの各層の膜厚及び構成物質を示す図である。図47において、実線はp偏光透過特性を示し、破線はs偏光透過特性を示し、一点鎖線はp偏光透過特性とs偏光透過特性の平均を示している。図48において、実線はSWPF部の透過特性を示し、破線はLWPF部の透過特性を示し、一点鎖線は偏波依存改善部の透過特性を示している。また、図50においては、入射角度を45度、対象光の波長λを498nmとしたときの光学膜厚λ/4=1を示している。実施例12に係る光学多層膜バンドパスフィルタは、基板側からAir側へ順に、SWPF部、第1の厚膜層、偏波依存改善部、第2の厚膜層、第1のLWPF部、及び第2のLWPF部を積層した構成を備える。第1のLWPF部は立ち上がり部を構成し、第2のLWPF部は第1のLWPF部よりも短波長側に反射帯域を形成する。SWPF部は、層1から層50の50層からなる。厚膜層は、偏波依存改善部の前後の層51、72として設けられている。偏波依存改善部は、層52から層71の20層からなる。第1のLWPF部は、層73から層118の46層からなる。第2のLWPF部は、層119から層152の34層からなる。SWPF部、偏波依存改善部、第1のLWPF部、及び第2のLWPF部は、第1誘電体としてのTa2O5からなる高屈折率層と第2誘電体としてのSiO2からなる低屈折率層とを交互に複数積層した構成を備える。厚膜層は、SWPF部側の層51はTa2O5で形成され、第1のLWPF部側の層72はSiO2で形成される。ここで、厚膜層51に隣接する層50、52はSiO2で形成され、厚膜層72に隣接する層71、73はTa2O5で形成されている。また、これらの厚膜層は、偏波依存性改善部を構成する高屈折率層及び低屈折率層の数倍の厚さを備える。図47から分かるように、偏波依存性が改善された特性が得られており、立ち上がり部及び立ち下がり部を形成するLWPF部及びSWPF部、並びにそれらの偏波依存性を改善する偏波依存改善部以外に、複数のLWPF部又はSWPF部を組み合わせた構成を用いることも可能であることが分かる。"