"工程A:式I[化1]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒または低級アルコール系溶媒を含む混合溶媒中、反応液中の濃度が、0.5~5質量の水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、又は、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒であって低級アルコール系溶媒を含まない溶媒中、式Iで表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル~20モルの水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、工程B:工程Aの反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または工程Aの反応液を濃縮乾固することにより、固形分、または油状物を得る工程、工程C:工程Bで得られた固形物又は油状物を、炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒及びシリコン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒と混合し、必要に応じて不溶分を除去して、有機薄膜形成溶液を得る工程、工程D:工程Cで得られた有機薄膜形成溶液に、基板を接触させ、有機薄膜が積層された基板を製造する工程、を含む有機薄膜積層板の製造方法。工程Aと工程Bの中間に、前記酸を中和する工程を設けた請求項1に記載の有機薄膜積層板の製造方法。工程Aにおいて、少なくとも固形分が析出または油状分が分離するまで、加水分解または縮合させる請求項1または2に記載の有機薄膜積層板の製造方法。工程Aにおいて、少なくとも48時間、加水分解または縮合させる請求項1~3のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法。有機薄膜が、単分子膜である請求項1~4のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法。式I[化2]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒中、反応液中濃度0.5~5質量の水、及び酸の存在下で加水分解及び縮合させて固形物又は油状物を得る有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法。式I[化3]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒中、式Iで表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル~20モルの水及び酸の存在下で加水分解及び縮合させて固形物又は油状物を得る有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法。請求項1~5のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法で製造された有機薄膜積層板。請求項6または7に記載の有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法で製造された有機薄膜形成用固形物又は油状物。しかしながら、上記の方法は、いずれも有機薄膜形成用溶液を作製して、溶液のまま保存するため、薄膜を作製するまでの間に有機薄膜形成用成分が沈殿するなどの問題があった。本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであり、長期間保存可能な有機薄膜形成用組成物及び前記組成物を用いた有機薄膜積層板の製造方法を提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の条件で有機金属化合物を加水分解することで、固体もしくは油状の縮合体を作製し、固体もしくは油状のまま保存した後、それらを有機溶媒に溶解し、その溶液を用いることで、基板上に不純物の少ない緻密な単分子膜又は有機薄膜を迅速に形成することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、1工程A:式I[化1]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒または低級アルコール系溶媒を含む混合溶媒中、反応液中の濃度が、0.5~5質量の水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、又は、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒であって低級アルコール系溶媒を含まない溶媒中、式Iで表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル~20モルの水及び酸の存在下で、加水分解及び/または縮合させる工程、工程B:工程Aの反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または工程Aの反応液を濃縮乾固することにより、固形分、または油状物を得る工程、工程C:工程Bで得られた固形物又は油状物を、炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒及びシリコン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の溶媒と混合し、必要に応じて不溶分を除去して、有機薄膜形成溶液を得る工程、工程D:工程Cで得られた有機薄膜形成溶液に、基板を接触させ、有機薄膜が積層された基板を製造する工程、を含む有機薄膜積層板の製造方法に関し、2工程Aと工程Bの中間に、前記酸を中和する工程を設けた1に記載の有機薄膜積層板の製造方法に関し、3工程Aにおいて、少なくとも固形分が析出または油状分が分離するまで、加水分解または縮合させる1または2に記載の有機薄膜積層板の製造方法に関し、4工程Aにおいて、少なくとも48時間、加水分解または縮合させる1~3のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法に関し、5有機薄膜が、単分子膜である1~4のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法に関する。また、6式I[化2]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、低級アルコール系溶媒中、反応液中濃度0.5~5質量の水、及び酸の存在下で加水分解及び縮合させて固形物又は油状物を得る有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法に関し、7式I[化3]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。で表される少なくとも1種の有機金属化合物を、脂肪族エーテル系溶媒及び脂肪族ケトン系溶媒から選ばれる少なくとも1種を含む溶媒中、式Iで表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル~20モルの水及び酸の存在下で加水分解及び縮合させて固形物又は油状物を得る有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法に関する。また、本発明は、81~5のいずれかに記載の有機薄膜積層板の製造方法で製造された有機薄膜積層板に関し、96または7に記載の有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法で製造された有機薄膜形成用固形物又は油状物に関する。本発明によれば、有機薄膜形成用の組成物を、保存や輸送に好適な固形物又は油状物で得ることができる。本発明の有機薄膜形成用の固形物又は油状物は、室温であれば少なくとも1年間保存が可能である。また、前記有機薄膜形成用の固形物又は油状物は、有機薄膜形成時に有機溶媒に溶解させて有機薄膜形成用溶液とすることにより、種々の材質からなる基板上に、不純物が少ない緻密な単分子膜等の有機薄膜を迅速に形成することができる。以下、本発明の好ましい例を説明するが、本発明はこれらの例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。1有機金属化合物本発明において使用される有機金属化合物は、式Iで表される化合物である。[化4]R1nMXm-nI式中、R1は、置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基を表す。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属原子を表す。Xは、水酸基又は加水分解性基を表す。nは、1~m-1のいずれかの整数を表し、mはMの原子価を表し、nが2以上の場合、R1は、同一または相異なっていてもよく、m-nが2以上の場合、Xは同一であっても、相異なっていてもよい。式Iにおける置換基の定義は以下のとおりである。R1における、炭素数1~30の炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、n-へキシル基、イソへキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-オクタデシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、n-デセニル基、n-オクタデセニル基等のアルケニル基;1-シクロブテニル基、2-シクロペンテニル基、3-シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、n-デシニル基、n-オクタデシニル基等のアルキニル基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。炭素数1~30のハロゲン化炭化水素基は、上記炭素数1~30の炭化水素基の水素原子がハロゲン原子で置換されたものを意味する。これらの中でも、炭素数1~30のアルキル基中の水素原子の2個以上がハロゲン原子に置換された基が好ましい。ここで、ハロゲン原子は、F、Cl、Br又はIを意味する。置換基を有していてもよいにおける置換基の例としては、カルボキシル基;水酸基;アミノ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基等のアルキル置換アミノ基;メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基等のアリールオキシ基;メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等のアルキルカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基;ベンゾイル基、ナフトイル基等のアリールカルボニル基;フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基;メチルチオ基、エチルチオ基等のアルキルチオ基;メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基等のアルキルスルフィニル基;メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等のアルキルスルホニル基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基等のアリールチオ基;フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基等のアリールスルフィニル基;フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等のアリールスルホニル基;ピロール-2-イル基、イミダゾール-2-イル基、ピリミジン-2-イル基等のヘテロ環基;トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等のシリル基等が挙げられる。これらの置換基の数は0~3であるのが好ましい。R1の好ましい具体例としては、次のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。炭化水素基CH3CH29-、CH3CH210-、CH3CH211-、CH3CH212-、CH3CH213-、CH3CH214-、CH3CH215-、CH3CH216-、CH3CH217-、CH3CH218-、CH3CH219-、CH3CH220-、CH3CH221-、CH3CH222-、CH3CH223-、CH3CH224-、CH3CH225-等。ハロゲン化炭化水素基CF3CH22-、CF3CF23CH22-、CF3CF25CH22-、CF3CF27CH22-、CF3CF27CH22-等。Mは、Si、Ge、Sn、Ti及びZrからなる群から選ばれる1種の原子を表す。これらの中でも、原料の入手容易性、反応性等の観点から、ケイ素原子であるのが特に好ましい。Xにおける加水分解性基としては、水と反応して分解する基であれば特に制限されない。例えば、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルコキシ基;置換基を有していてもよいアシルオキシ基;F、Cl、Br、I等のハロゲン原子;イソシアネート基;シアノ基;アミノ基;又はアミド基等が挙げられる。炭素数1~6のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-へキシルオキシ基等が挙げられる。アシルオキシ基の例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数1~6のアルキルカルボニルオキシ基;フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;ベンジルカルボニルオキシ基、フェネチルカルボニルオキシ基等のアリールアルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。置換基を有していてもよいの置換基の例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基が挙げられる。Xとしては、水酸基、炭素数1~4のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、又はイソシアネート基が好ましく、炭素数1~4のアルコキシ基又はアシルオキシ基がより好ましい。nは、通常1から3のいずれかの整数を表す。高密度の有機薄膜を製造する上では、nは1であるのが好ましい。nが2以上のとき、各R1は同一であっても相異なっていてもよく、m-nが2以上のとき、各Xは同一であっても相異なっていてもよい。式Iで示される有機金属化合物の具体例としては、下記に示すものが挙げられる。以下においてはR1が炭化水素基であって、MがSiである化合物を代表例としているが、本発明はこれらに限定されるものではない。CH3CH29SiOCH33、CH3CH211SiOCH33、CH3CH213SiOCH33、CH3CH215SiOCH33、CH3CH217SiOCH33、CH3CH219SiOCH33、CH3CH221SiOCH33、CH3CH217SiOCH2CH33、CH3CH217SiCl3、CH3CH29SiOCH2CH33、CH3CH29SiCl3、CH3CH29SiCH3OCH2CH32、CH3CH29SiCH3OCH32、CH3CH217SiOCH32OH、CH3CH217SiOCH3OH2、CH3CH217SiOH3、CH3CH217SiOCOCH33、CH3CH217SiCl3、CH3CH217SiCN3、CH3CH217SiNH23、CH3CH217SiNHCOCH33、CH3CH29SiNCO3、CH3CH210SiNCO3、CH3CH211SiNCO3等。また、これらの化合物は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。2有機薄膜形成用固形物又は油状物の製造方法本発明で用いられる有機薄膜形成用固形物及び油状物は、以下の2つの方法のいずれかによって製造される。2-1低級アルコール系溶媒中での製造上記式Iで表される化合物を、低級アルコール系溶媒中、水及び酸触媒の存在下に加水分解及び縮合反応を行う方法である。本発明において低級アルコールとは、炭素数1~4のアルキル基を有するアルコールであり、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、イソブタノール、tert-ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。これらは一種単独もしくは二種以上を混合して用いることができる。使用量は、特に制限はなく、反応液全量中、1~99質量使用される。本方法においては、上記低級アルコール系溶媒に加え、脂肪族、芳香族、エーテル、ケトン、塩素系などの溶媒を含有することができる。水の使用量は、反応液中濃度0.5~5質量、好ましくは1~4質量、さらに好ましくは1~2質量使用される。反応液中の水分濃度が高いと、式Iで表される有機金属化合物の加水分解及び縮合反応が過剰に進行し、生成物の溶解性が極端に低下する。一方水の使用量が少なすぎると、加水分解及び縮合反応の進行が遅くなる。本発明の加水分解生成物は、加水分解によって生じたヒドロキシ基を有するとともに、加水分解性基が適度に残存することが望ましい。酸触媒の例としては、塩酸、硫酸、硝酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等の鉱酸、トリフルオロ酢酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸、好ましくは、pKa≦0の酸が挙げられる。鉱酸及び有機酸の使用量は、形成する有機金属薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、有機金属化合物1モルに対して0.01ミリモル~1モル使用される。一方、固体酸の使用量は、形成する有機薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、有機金属化合物に対して0.05~20質量使用される。反応温度は、溶媒により異なり、0°C~溶媒の沸点たとえば、メタノールの場合は65°C、反応時間は、目的により異なり、1分~100日であり、少なくとも固形分が析出または油状物が分離するまで行うのが好ましく、具体的には、少なくとも48時間以上行うのが好ましい。反応時間が短いと、未反応有機金属の残存量が多く、2量体の方が3量体以上のものより多くなる。反応時間が長くなると、未反応有機金属化合物が消失し、3量体以上の縮合体が主成分となる。得られた縮合体は、反応時間の経過と共に縮合度が増加する。即ち、反応初期は、未反応の有機金属化合物が残存すると共に、2量体が3量体より多い。その後、時間が経過するにつれて、未反応の有機金属化合物がほとんど消失すると共に、2量体が減少し、3量体以上の縮合体が増加する。本発明において、3量体以上の縮合体は環状である場合が多い。前記方法では、固形物又は油状物が縮合するに伴い生成し沈降する。固形物又は油状物は濾過、分液などの方法により分離することができる。2-2脂肪族エーテル系溶媒又は脂肪族ケトン系溶媒中での製造上記式Iで表される化合物を、脂肪族エーテル系溶媒又は脂肪族ケトン系溶媒中、水及び酸触媒の存在下に加水分解及び縮合反応を行う方法である。加水分解縮合の際に使用する溶媒は、本発明の縮合体を作製することができる限り制限はないが、特に、テトラヒドロフランTHF、テトラヒドロピランTHP、シクロペンチルメチルエーテル、1,2-ジエトキシエタン等の脂肪族エーテル又はアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の脂肪族ケトンが好ましい。中でも、脂環式エーテルが好ましく、特にテトラヒドロフランTHF又はテトラヒドロピランTHPが好ましい。使用量は、特に制限はないが、通常、反応液全量中、1~99質量使用される。水の使用量は、式IIで表される有機金属化合物1モルに対して0.1モル~20モル、好ましくは0.5モル~6モル、さらに好ましくは1~4モル使用される。酸触媒、反応温度、及び反応時間は、上記と同様のものを選択することができる。本方法は、加水分解によって得られた縮合体の溶液もしくは縮合体が沈殿した分散液を濃縮、濃縮乾固、濾過、分液、抽出などの操作もしくはそれらを組み合わせた操作により、固形物又は油状物質の反応生成物を得ることを特徴とする。2-3中和工程安定な有機薄膜形成用固形物又は油状物を得るため、上記2-1及び2-2の方法において、加水分解または縮合させる工程と、前記工程の反応液から析出した固形分、若しくは分離した油状物を分離する、または前記工程の反応液を濃縮乾固する工程との中間に、用いた酸を中和する工程を設けることが好ましい。具体的には、反応液スラリーに水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム等、アルカリ金属水酸化物もしくはアルカリ土類金属水酸化物、またはピリジン、ジエチルアミン等の有機アミン化合物等を加えて撹拌することにより中和を行う。3縮合反応生成物上記2の方法により得られる縮合反応生成物は、Iで表される化合物の加水分解生成物、部分加水分解生成物及び/またはそれらの縮合体もしくはそれらの部分加水分解生成物である。ここで、重合度の異なる有機金属化合物の存在とそれらの割合は、例えば、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーにおけるピーク位置と面積の存在比から求めることができる。また、OH基の数の異なる有機金属化合物の存在とそれらの割合は、例えば、HPLC高速液体クロマトグラフィーのピーク位置と存在比から求めることができる。また、GPCによる縮合度とNMRによる加水分解性基の残存率から加水分解度を求めることもできる。4有機金属化合物を含有する有機薄膜形成用溶液有機薄膜形成用溶液とは、基材に接触させることができるように調製された溶液のことであり、有機金属化合物等の有機薄膜を形成する物質が溶媒に含有されている液を意味する。本発明における縮合体は、式Iで表される有機金属化合物から製造されるため、溶媒中に未反応の式Iで表される有機金属化合物などが存在する場合がある。しかしながら、好適な有機薄膜を作製するためには式Iで表される有機金属化合物はできるだけ減らすことが望ましい。5有機薄膜形成用溶液の調製本発明の有機薄膜形成用溶液は、上記2に記載の方法により製造した縮合体固形物又は油状物を、有機溶媒と撹拌混合して調製される。最終的に有機薄膜形成用溶液中に含まれる有機金属化合物の全量は、0.01~20質量、好ましくは、0.1~5質量である。有機薄膜形成用溶液作製のために使用される有機溶媒の例としては、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、及びシリコーン系溶媒が挙げられ、炭化水素系溶媒が好ましく、沸点が100~250°Cの炭化水素系溶媒が特に好ましい。具体的には、n-ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、SOLVESSO登録商標150エクソンモービル社製品、石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、灯油、リグロイン等の炭化水素系溶媒;CBr2ClCF3、CClF2CF2CCl3、CClF2CF2CHFCl、CF3CF2CHCl2、CF3CBrFCBrF2、CClF2CClFCF2CCl3、ClCF2CFCl2Cl、ClCF2CFCl2CF2CCl3、ClCF2CFCl3Cl等フロン系溶媒、フロリナート3M社製品、登録商標、アフルード旭ガラス社製品等のフッ化炭素系溶媒;ノベックHFE7200、同7300、同7600以上3M社製品、登録商標等のフッ素系溶媒;ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン等のシリコーン系溶媒;が挙げられる。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。混合物の撹拌温度は、通常-100°C~100°C、好ましくは-20°C~50°Cである。撹拌時間は、通常、数分から数時間である。また、この場合においては、均一な有機薄膜形成用溶液を得るために、超音波処理を施すことも好ましい。調製した有機薄膜形成用溶液中に、金属酸化物等を含む析出物が生じる場合があるが、これらの析出物等の不純物は、不純物のない緻密な単分子の有機薄膜を得るためには、ここで除去しておくのが好ましい。析出物は、濾過、デカント等の操作で簡便に除去することができる。本発明の有機薄膜形成用溶液は保存安定性に優れるものであり、40~60日間、室温20~30°Cで密封保存した後においても、良好な有機薄膜を形成することができる。6有機薄膜の作成本発明の有機薄膜は、上記のようにして得られた有機薄膜形成用溶液を基板と接触させることにより、前記基板表面に作製することができる。用いる基板としては、表面に活性水素を有する基板が好ましい。具体的にはアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属;シリコン;セラミックス;ガラス;プラスチック;紙;天然繊維又は合成繊維;皮革;その他親水性の物質等からなる基板が挙げられる。表面に水酸基等をもたない材質からなる基板の場合には、予め基板の表面を、酸素を含むプラズマ雰囲気中で処理したり、コロナ処理して親水性基を導入したりすることができる。親水性基としては、水酸基-OHが好ましいが、活性水素を有する-COOH、-CHO、=NH、-NH2等の官能基等でも良い。また、表面に活性水素をもたない基板の場合、この基板の表面に、予めSi4又はその加水分解縮合体を接触させた後、必要に応じて脱アルコール反応させるか、あるいは、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2又はCl-SiCl2Oc-SiCl3式中、cは0又は自然数を表す。を接触させた後、脱塩化水素反応させることにより、表面に活性水素を有するシリカ下地層を形成しておくこともできる。本発明の有機薄膜形成用溶液を基板表面に接触する方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。具体的には、ディップ法、スピンコート法、スプレー法、ローラコート法、メイヤバー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法等が挙げられ、これらの中でも、ディップ法が好ましい。本発明の有機薄膜形成用溶液を基板表面に接触する温度は、本発明溶液が安定性を保てる温度範囲であれば、特に制限されない。通常、室温から溶液の調製に用いた溶媒の還流温度までの範囲で行うことができる。接触に好適な温度とするには、本発明の有機薄膜形成用溶液を加熱するか、基板そのものを加熱すればよい。また、膜形成を促進するために超音波を用いることもできる。基板表面に接触する工程は、1度に長い時間行っても、短時間のコーティングを数回に分けて行ってもよい。本発明の有機薄膜形成用溶液を基板表面に接触した後、膜表面に付着した余分な試剤、不純物等を除去するために、洗浄工程を設けることもできる。洗浄工程を設けることにより、より膜厚を制御することができる。洗浄方法は、表面の付着物を除去できる方法であれば、特に制限されない。具体的には、用いた有機金属化合物を溶解し得る溶媒中に基板を浸漬させる方法;真空中又は常圧下で大気中に放置して蒸発させる方法;乾燥窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて吹き飛ばす方法等が挙げられる。本発明の有機薄膜形成用溶液を基板上に接触又は洗浄した後は、基板表面上に形成された膜を安定化させるために、基板を加熱するのが好ましい。加熱する温度は、基板、形成された有機薄膜の安定性等によって適宜選択することができる。7有機薄膜本発明の有機薄膜形成用溶液を基板上に接触させると、前記有機薄膜形成用溶液中の有機金属化合物が基板表面に吸着され、薄膜が形成される。有機金属化合物が基板表面に吸着される機構の1つとしては、表面に活性水素を有する基板の場合には、有機金属化合物中のOH基が基板表面の活性水素と反応して、基板と強固な化学結合を形成する機構が考えられる。本発明の方法は、特に単分子膜の製造に好適に用いることができる。また、物理的な吸着により表面に膜を形成させる方法としても用いることができる。本発明により形成される有機薄膜としては、特に制約されないが、結晶性の有機薄膜であるのが好ましい。本発明により形成される有機薄膜が結晶性であることは、前記有機薄膜を、薄膜X線回折装置を使用して測定することにより確認することができる。本発明により形成される有機薄膜の膜厚は、単分子膜の場合には、式IのRの鎖長にほぼ等しい厚さになる。本発明により形成される有機薄膜は、化学吸着膜である場合があり、前記基板が結晶性を有さず、かつ、化学吸着膜が結晶性を有する場合がある。この場合、結晶性とは、多結晶であっても単結晶であっても構わない。化学吸着膜としては、金属-酸素結合を介して共有結合した有機薄膜を例示することができる。本発明により形成される有機薄膜は、自己集合膜または自己組織化膜であるのが好ましい。ここで自己集合膜とは、外部からの強制力なしに秩序だった構造を形成してなる膜を意味する。以上述べたように、本発明の有機薄膜形成用溶液を使用することで、基板の種類に係わらず、従来のものより高速で、かつ、不純物の少ない緻密な有機薄膜を形成することができる。このような有機薄膜は、電気デバイス用等の設計パターンの形成用として、また、エレクトロニクス製品、特に電化製品、自動車、産業機器、鏡、眼鏡レンズ等の耐熱性、耐候性、耐摩耗性超薄膜コーティングを必要とする機器に極めて容易に適用できる。それ以外にも、金型などの離型剤としても有用である。以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。オクタデシルトリメトキシシラン以下ODSという、純度98質量以上、1.91gにメタノール58.35gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.85gを加えて反応液中の水分含量は約1.4質量室温下で3日間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末1.28gを得た。上記白色粉末0.184gをSOLVESSO登録商標15029.82gに超音波処理により溶解し、室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルターマイレクス、ミリポア社製にて濾過して、自己集合単分子膜SAM形成溶液を得た。UVオゾン処理を行ったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60°Cで乾燥させて、SAM成膜基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で109°、テトラデカンで41°を示した。ODS純度98質量以上、1.91gにメタノール25.94gを加えて攪拌し、これに水2.60g、0.05N塩酸0.10gを加えて反応液中の水分含量は約8.5質量室温下で4時間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末ODS加水分解体混合物、1.47gを得た。上記白色粉末0.184gをSOLVESSO登録商標15029.82gに超音波処理により溶解しようとしたが、完全には溶けなかった。この分散体を室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルターマイレクス、ミリポア社製にて濾過して、SAM形成溶液を得た。UVオゾン処理を行ったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60°Cで乾燥させて、SAM成膜基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、成膜活性は低かった水で63°、テトラデカンで20°。ODS純度98質量以上、4.78gにメタノール25.35gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.43gを加えて反応液中の水分含量は約1.4質量室温下で3日間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥90°C、<10torrして、白色粉末3.97gを得た。実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で109°、テトラデカンで44°を示した。微小角入射X線回折測定GIXD結果からODS分子が規則的な分子配列を持つことがわかった。またX線反射率測定XRRの結果、膜厚は2.4nmであった。ODS純度98質量以上、150.14gにメタノール441.46gを加えて攪拌し、これに0.2N塩酸8.39gを加えて反応液中の水分含量は約1.4質量室温下で2日間攪拌した。反応液スラリーを遠心濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末131.72gを得た。上記白色粉末0.307gをSOLVESSO登録商標15049.69gに超音波処理により溶解し、室温で終夜放置した後、PTFE製カートリッジフィルターマイレクス、ミリポア社製にて濾過して、SAM形成溶液を得た。実施例1と同様にして、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで42°を示した。ODS純度98質量以上、4.78gにアセトニトリル/メタノール1:125.35gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.43gを加えて反応液中の水分含量は約1.4質量室温下で3日間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末3.87gを得た。実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで43°を示した。ODS純度98質量以上、4.78gにアセトニトリル/テトラヒドロフラン1:125.35gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.43gを加えて反応液中の水分含量はODS1モルに対して1.9モル室温下で3日間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末3.85gを得た。実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で108°、テトラデカンで43°を示した。ODS純度98質量以上、4.78gにテトラヒドロフラン25.35gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.43gを加えて反応液中の水分含量はODS1モルに対して1.9モル室温下で3日間攪拌した。反応液をエバポレーターにより濃縮乾固し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末3.25gを得た。実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で110°、テトラデカンで41°を示した。テトラデシルトリメトキシシランTDS、純度95質量以上、0.81gにメタノール29.17gを加えて攪拌し、これに0.1N塩酸0.43gを加えて反応液中の水分含量は約1.4質量室温下で3日間攪拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、得られた固体を減圧乾燥30°C、<10torrして、白色粉末0.13gを得た。実施例1と同様にして、SAM形成溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した。成膜面における静的接触角は、水で107°、テトラデカンで42°を示した。以上のとおり、反応液中の水分濃度を0.5~5質量とした実施例1~7の方が、水分濃度を約8.5質量と高くした比較例1に比して、生成物の溶解性が良好で、かつ成膜活性が高いことが分かった。[安定性試験]上記の実施例3で得られた固体10gをポリエチレン製瓶に入れて蓋をし、室温で5日、3ヶ月、6ヶ月及び12ヶ月保管したものを、実施例1と同様にしてSAM溶液を調製し、SAM成膜基板を作成した後、成膜面における静的接触角を測定した。その結果を表1に示す。安定性試験の結果、実施例3の固体は12ヶ月保管しても静的接触角、すなわち成膜活性が低下せず、安定性に優れていることが分かった。ODS純度98質量以上25.0gにメタノール73.6gを加えて撹拌し、これに0.2N塩酸1.88gを加えて反応液中の水分含有量は、約1.9質量室温下で2日間撹拌した。反応液スラリーを吸引濾過し、メタノール8mlで3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥90°C、<10torrして、白色粉末A21.2gを得た。上記白色固体0.48gをSOLVESSO登録商標15079.52gに超音波処理により溶解し、SAM形成溶液を得た。UVオゾン処理を行なったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60°Cで乾燥させて、SAM形成基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で108°、テトラデカンで41°を示した。ODS純度98質量以上25.0gにメタノール73.6gを加えて撹拌し、これに0.2N塩酸1.88gを加えて反応液中の水分含有量は、約1.9質量室温下で2日間撹拌した。この反応液スラリーに0.2N苛性ソーダ水溶液1.7gを加えて撹拌1時間後、吸引濾過し、メタノール8mlで3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥90°C、<10torrして、白色粉末B20.8gを得た。上記白色固体0.48gをSOLVESSO登録商標15079.52gに超音波処理により溶解し、SAM形成溶液を得た。UVオゾン処理を行なったSi単結晶ウエハーを、上記SAM形成溶液に3分間浸漬し、NSクリーン100で洗浄後に60°Cで乾燥させて、SAM形成基板を得た。成膜面における静的接触角を測定したところ、水で110°、テトラデカンで40°を示した。[安定性試験]実施例8、及び実施例9で得られた白色固体を常温で保管し、GPC分析により安定性を確認した。その結果を表2に示す。GPC条件カラム:KF-802/Shodex分離範囲:150~5000移動相:THF流量:1ml/minカラム温度:40°C安定性試験の結果、二週間後の縮合度は、実施例8よりも実施例9の方が2量体から3量体以上の縮合体への増加が抑制されていた。このことから、濾過前に中和を行なった実施例9の白色固体の方が中和を行わない実施例8の白色固体に比して安定性に優れていることが判った。"