"M1、M2、及びLを含む原料混合物を、気相のSiを含むSi含有気体と接触させながら焼成して、M12aM2bLcM3dO4で表される黄色蛍光体を生成させる工程を含み、M1はアルカリ金属から選択される少なくとも一種の元素であり、M2はアルカリ土類金属から選択される少なくとも一種の元素であり、M3は、Siである、又は、Si及びGeであり、Lは希土類元素、Bi及びMnから選択される少なくとも一種の元素であり、aは、0.1~1.5であり、bは、0.8~1.2であり、cは、0.005~0.2であり、dは、0.8~1.2である、黄色蛍光体の製造方法。前記原料混合物がM3を更に含む、請求項1に記載の製造方法。前記Si含有気体は、Si含有化合物を加熱することによって発生した気相のSiを含む、請求項1又は2に記載の製造方法。前記原料混合物を焼成する場所とは異なる場所で前記Si含有化合物を加熱することによって発生させた気相のSiを含む前記Si含有気体と前記原料混合物と接触させる、請求項3に記載の製造方法。前記Si含有化合物を1300°C以上に加熱することによって発生した気相のSiを含む前記Si含有気体を前記原料混合物と接触させる、請求項1~4のいずれか一項に記載の製造方法。前記原料混合物を、700°C~1000°Cに加熱することによって焼成する、請求項1~5のいずれか一項に記載の製造方法。Lが、希土類元素、Bi及びMnから選択される、Euを含む一種以上の元素である、請求項1~6のいずれか一項に記載の製造方法。Lが、希土類元素、Bi及びMnから選択される、2価のEuを含む少なくとも一種以上の元素である、請求項7に記載の製造方法。M1がLiであり、M3がSiである、請求項1~8のいずれか一項に記載の製造方法。M2が、Srのみである、Sr及びBaである、又は、Sr及びCaである、請求項1~9のいずれか一項に記載の製造方法。aが、0.9~1.1である、請求項1~10のいずれか一項に記載の製造方法。bcが1であり、dが1である、請求項1~11のいずれか一項に記載の製造方法。請求項1~12のいずれか一項に記載の方法によって製造することのできる黄色蛍光体。請求項13に記載の黄色蛍光体を有する発光装置。請求項13に記載の黄色蛍光体を有する白色LED。しかし、例えばLi2SrSiO4:Euのような蛍光体に関して、さらなる発光強度の向上が求められている。本発明の目的は、発光強度輝度がより高度に改善された黄色蛍光体を得ることにある。本発明は、M12aM2bLcM3dO4で表される黄色蛍光体の製造方法に関するものである。本発明に係る製造方法は、M1、M2、及びLを含む原料混合物を、気相のSiを含むSi含有気体と接触させながら焼成して、M12aM2bLcM3dO4で表される黄色蛍光体を生成させる工程を含む。言い換えると、この黄色蛍光体は、少なくともM1、M2、及びLを含む原料混合物とSi含有気体とを接触させて焼成することによって製造される。但し、M1はアルカリ金属から選択される少なくとも一種の元素であり、M2はアルカリ土類金属から選択される少なくとも一種の元素であり、M3はSiである、又は、Si及びGeであり、Lは希土類元素、Bi及びMnから選択される少なくとも一種の元素である。aは、0.1~1.50.1以上、1.5以下であり、bは、0.8~1.20.8以上、1.2以下であり、cは、0.005~0.20.005以上、0.2以下であり、dは、0.8~1.20.8以上、1.2以下である。前記Si含有気体は、Si含有化合物を加熱することによって発生した気相のSiを含んでいてもよい。すなわち、前記Si含有気体は、例えば、Si含有化合物の加熱によって発生させることができる。前記原料混合物を焼成する場所とは異なる場所で前記Si含有化合物を加熱することによって発生させた気相のSiを含む前記Si含有気体を前記原料混合物と接触させることが好ましい。すなわち、前記焼成と、前記Si含有気体の発生とは異なる場所で行われるのが好ましい。例えば、前記Si含有化合物を1300°C以上に加熱することによって気相のSiを発生させることができる。すなわち、Si含有気体の発生温度は、例えば、1300°C以上である。前記原料混合物を、例えば、700°C~1000°Cに加熱することによって焼成することができる。すなわち、焼成温度は、例えば、700°C以上、1000°C以下である。前記Lが、希土類元素、Bi及びMnから選択される、少なくともEuを含む一種以上の元素であることが好ましく、このEuは2価のEuを含むことがより好ましい。M1がLiであり、M3がSiであることが好ましい。M2が、Srのみである、Sr及びBaである、又は、Sr及びCaであることが好ましい。前記aは0.9~1.10.9以上、1.1以下であるのが好ましい。b、c及びdは、bc=1、d=1を満たすことが好ましい。本発明には上記製造方法によって得られる黄色蛍光体、及び、この黄色蛍光体を有する発光装置又は白色LEDも含まれる。本発明によれば、Si含有気体を利用しながら原料組成物原料混合物を焼成するため、Si気体の強還元力を利用でき、得られる黄色蛍光体M12aM2bLcM3dO4の発光強度輝度をより高めることができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本明細書において、用語金属元素は、Si、Geなどの半金属元素も含む意味で使用される。本実施形態は、黄色発光を示す蛍光体黄色蛍光体に関する。黄色発光とは波長560nm~590nm付近にピークがある発光を指す。本実施形態の対象となる黄色蛍光体は、式:M12aM2bLcM3dO4式中、M1はアルカリ金属から選択される少なくとも一種の元素を示し、M2はアルカリ土類金属Ca、Sr、Baから選択される少なくとも一種の元素を示し、M3はSiである、又は、Si及びGeであり、Lは希土類元素、Bi及びMnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を示す。aは、0.1~1.5であり、bは、0.8~1.2であり、cは、0.005~0.2であり、dは、0.8~1.2である。前記M1は、好ましくはLi、Na、及びKから選択される一種又は二種以上特に一種の元素であり、より好ましくはLiである。M2は、好ましくはCa、Sr、及びBaから選択される一種又は二種以上特に一種の元素であり、より好ましくはSrを含む。M2がSrを含むときは、このM2はさらにBaを含む、Caを含む、又は、Ba及びCaを含むことも好ましく、特にCaを含むことが好ましい。Lは発光イオンとして賦活される元素であり、このLは、少なくともEuを含むことが好ましい。この場合のLは、Eu単独であってもよいし、EuとEu以外のL元素希土類元素、Bi、Mnから選ばれるの一種以上との組合せであってもよい。特に好ましいLは、Euである。さらに、LとしてのEuは、少なくとも、2価のEuを含むことが好ましい。M3は、好ましくはSiである。M3がSiであるとき、M1がLiであることが好ましい。前記aの下限は、好ましくは0.5、より好ましくは0.8、さらに好ましくは0.9であり、特に好ましくは0.95である。aの上限は、好ましくは1.2、さらに好ましくは1.1、特に好ましくは1.05である。前記bは、好ましくは0.8~1.1である。bの下限は、より好ましくは0.9である。bの上限は、より好ましくは1.05である。前記cは、好ましくは0.01~0.1である。cの下限は、より好ましくは0.015である。cの上限は、より好ましくは0.05である。bcの値及びdは、同一又は異なって、好ましくは0.9~1.1である。bc及びdの下限は、より好ましくは0.95である。bc及びdの上限は、さらに好ましくは1.05である。より好ましくは、bc及びdは、1である。aとbcの比a/bc、aとdの比a/d、bcとdの比bc/dは、同一又は異なって、例えば、0.9~1.1、好ましくは0.95~1.05である。a、bc、dの値がいずれも1±0.03の範囲内にあることが好ましく、1であることが特に好ましい。M1がLiで、M3がSiであり、かつM2はSr単独である、又はSr及びCaであることが好ましい。前記蛍光体は、六方晶又は三方晶であることが好ましい。本実施形態に係る蛍光体は、M1、M2、及びLを含む原料混合物とSi含有気体気相のSiを含む気体とを接触させながら、原料混合物を焼成する工程を含む方法によって製造できる。この原料混合物は、必ずしもM3を含む必要はない。原料混合物がM3成分を含まなくても、M3成分としてのSiは、Si含有気体から供給される。前記原料混合物は、より詳細には、元素M1を含む物質第1原料、元素M2を含む物質第2原料、元素Lを含む物質第3原料の混合物であり、必要に応じて元素M3を含む物質第4原料を含んでいてもよい。元素M1、M2、L、及びM3はいずれも金属元素半金属元素を含むであるため、本明細書では前記第1~第4原料を金属元素含有物質と称する場合があり、それらの混合物を金属化合物混合物と称する場合がある。前記金属元素含有物質は、各金属M1、M2、L、又はM3の酸化物であってもよいし、高温特に焼成温度で分解又は酸化して酸化物を形成する物質であってもよい。この酸化物を形成する物質には、水酸化物、窒化物、酸窒化物、酸誘導体、及び塩炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩などなどが含まれる。第1原料は、好ましくは金属M1特にリチウムの水酸化物、酸化物、及び炭酸塩から選ばれる。特に好ましい第1原料は、水酸化リチウムLiOH、酸化リチウムLi2O、及び炭酸リチウムLi2CO3を含む。これら第1原料は、1種を単独で使用してもよく、複数を組み合わせてもよい。第2原料の好ましい例には、金属M2特にストロンチウム、バリウム、カルシウムなどの水酸化物、酸化物、及び炭酸塩が含まれる。より具体的には、第2原料は、例えば、水酸化ストロンチウムSrOH2、酸化ストロンチウムSrO、及び炭酸ストロンチウムSrCO3から選ばれる。これら第2原料は、1種を単独で使用してもよく、複数を組み合わせてもよい。第3原料は、金属L特にユウロピウムの水酸化物、酸化物、炭酸塩、又は塩化物であることが好ましい。第3原料は、例えば、水酸化ユウロピウムEuOH2、EuOH3、酸化ユウロピウムEuO、Eu2O3、炭酸ユウロピウムEuCO3、Eu2CO33、塩化ユウロピウムEuCl2、EuCl3、及び硝酸ユウロピウムEuNO32、EuNO33から選ばれる。これら第3原料は、1種を単独で使用してもよく、複数を組み合わせてもよい。第4原料は、好ましくは金属M3の酸化物、酸誘導体、又は塩である。好ましい第4原料には、例えば、二酸化珪素、珪酸、珪酸塩、二酸化ゲルマニウム、ゲルマニウム酸、及びゲルマニウム酸塩が含まれる。第1から第3原料は、各原料及びSi含有気体から供給される元素M1、M2、L、M3の原子比が、式:M12aM2bLcM3dO4におけるa、b、c、dの関係を満足する割合で混合する。第4原料を使用する場合も、第1から第4原料及びSi含有気体から供給される元素M1、M2、L、M3の原子比が、式M12aM2bLcM3dO4におけるa、b、c、dの関係を満足する割合で混合することが推奨される。このとき、気相のSiが母体内に供給されてもよい。前記第1~第3原料好ましくは第1~第4原料は、湿式で混合してもよく、乾式で混合してもよい。この混合では、汎用装置、例えば、ボールミル、V型混合機、攪拌機などが使用できる。本実施形態に係る方法では、上述したように、上記原料混合物金属化合物混合物とSi含有気体気相のSi成分を含む気体とを接触させながら原料混合物を焼成して、蛍光体を製造する。Si含有気体を利用しつつ焼成物蛍光体を製造すると、蛍光体の発光強度が向上する。原料混合物とSi含有気体とを接触させながら原料混合物を焼成する工程においては、例えば、Si含有気体雰囲気中で原料混合物を焼成することができる。前記Si含有気体は、後述するように、Si以外のガスで希釈されていてもよいし、加圧されていてもよい。Si含有気体は、例えば、シリコンアルコキシド化合物、ムライト、珪素酸化物SiOxなどなどのSi含有化合物好ましくはSiOを高温に加熱することにより発生させることができる。Si含有化合物を加熱する温度発生温度は、例えば、1300°C以上、好ましくは1350°C以上、さらに好ましくは1380°C以上、特に好ましくは1400°C以上である。加熱温度の上限は特に限定されないが、加熱温度は、例えば、1600°C以下、好ましくは1500°C以下、より好ましくは1450°C以下である。Si含有気体は、Si含有化合物の加熱により発生する成分気相のSiだけから構成されていてもよいが、通常、他のガス不活性ガス、還元性ガスなどで希釈されている。不活性ガスとしては、窒素、アルゴンが例示できる。還元性ガスには、例えば、0.1~10体積の水素と不活性ガス窒素、アルゴンなどとの混合ガス、10~100体積好ましくは50~100体積のNH3と不活性ガス窒素、アルゴンなどとの混合ガスが含まれる。Si含有気体雰囲気中で原料混合物を焼成する場合、Si含有気体は、不活性ガス、又は還元性ガスで希釈されていることが好ましく、0.1~10体積の水素と不活性ガス窒素、アルゴンなどとの混合ガスで希釈されていることがさらに好ましい。この希釈されていてもよいSi含有気体は、必要に応じて、加圧されていてもよい。Si含有気体に含まれる気相のSiの生成は、原料混合物を焼成する場所の温度とは異なる温度の場所で行われるのが好ましい。例えば、温度勾配が形成されている一つの焼成炉の中で、温度の高い第一の領域で気相のSiを生成させ、第一の領域よりも温度の低い第二の領域で原料混合物の焼成を行うことができる。あるいは、原料組成物原料混合物を焼成する焼成室とは異なる場所例えば、加熱炉においてSi含有化合物を加熱して気相のSiを発生させることも可能である。この場合例えば、焼成室と、Si含有化合物が加熱される加熱炉とは、配管により接続される。この場合、Si含有気体の発生場所から焼成場所に向けて他のガスを流し、この他のガスにのせてSi含有気体を焼成場所焼成室に供給すればよい。原料混合物とSi含有気体とを接触させて原料混合物を焼成する限り、本実施形態に係る方法における焼成は、従来のM12aM2bLcM3dO4の焼成に採用されている条件と同等の条件を採用できる。例えば、原料混合物を焼成する場所の雰囲気、すなわち焼成雰囲気は、原料混合物とSi含有気体との接触が許される限り、不活性ガス雰囲気、還元性ガス雰囲気のいずれでもよい。なお強い還元性雰囲気で原料組成物原料混合物を焼成する場合には、上記原料混合物金属化合物混合物に適量の炭素を添加してもよい。焼成は、複数回繰り返してもよい。このとき、第一回目の焼成と、第二回目の焼成とで雰囲気を変更してもよく、第三回目以降の焼成でも雰囲気を変更してもよい。例えば、不活性ガス雰囲気で焼成した場合は、その後さらに還元性ガス雰囲気で焼成を行うことが好ましい。複数回の焼成を行う場合、いずれか一つ以上の焼成で、原料混合物その焼成途中物を含むとSi含有気体とを接触させる限り、他の焼成ではSi含有気体が存在しない雰囲気下で原料混合物を焼成してもよい。焼成温度は、通常、700~1000°Cであり、好ましくは750~950°C、より好ましくは800~900°Cである。焼成時間は、通常、1~100時間であり、好ましくは10~90時間であり、より好ましくは20~80時間である。本実施形態に係る方法は、前記焼成に先立って、必要に応じて、焼成よりも低温例えば500~800°Cで所定時間例えば1~100時間、好ましくは10~90時間、原料組成物原料混合物を保持して、原料組成物原料混合物を仮焼する工程を更に含んでいてもよい。本実施形態に係る方法では、必要により、反応促進剤の存在下で仮焼又は焼成を行ってもよい。反応促進剤を用いることによって、得られる蛍光体の発光強度をより向上できる。反応促進剤は、例えばアルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、ハロゲン化アンモニウム、ホウ素の酸化物B2O3、及びホウ素のオキソ酸H3BO3から選ばれる。前記アルカリ金属ハロゲン化物は、好ましくはアルカリ金属のフッ化物又はアルカリ金属の塩化物であり、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、NaCl、及びKClである。前記アルカリ金属炭酸塩は、例えば、Li2CO3、Na2CO3、及びK2CO3である。前記アルカリ金属炭酸水素塩は、例えば、NaHCO3である。前記ハロゲン化アンモニウムは、例えば、NH4Cl、及びNH4Iである。本実施形態に係る製造方法により得られる蛍光体焼成物は、式:M12aM2bLcM3dO4で表される黄色蛍光体に加えて、原料混合物に由来するハロゲン元素、すなわちF、Cl、Br及びIの1種以上を含有していてもよい。ハロゲン元素の合計含有量は、原料中に含有されるハロゲン元素の合計量に対して同量以下であればよく、好ましくは50以下、さらに好ましくは25以下である。仮焼物又は焼成物に対して、必要により、粉砕、洗浄、及び分級のうちいずれか一つ以上の処理を施してもよい。粉砕には、例えば、ボールミル、ジェットミルなどが使用できる。上記製造方法によって得られる黄色蛍光体は、高い発光強度を有するため、発光装置例えば白色LEDにおいて好適に用いることができる。白色LEDは、紫外から青色の光波長が200~550nm程度、好ましくは380~500nm程度を放出する発光素子LEDチップと、蛍光体を含む蛍光層とから構成される。この白色LEDは、例えば、特開平11-31845号公報、特開2002-226846号公報等に開示の方法によって製造することができる。すなわち、例えば、前記発光素子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの透光性樹脂で封止し、その表面を蛍光体で覆う方法によりで白色LEDを製造できる。蛍光体の量を適宜設定すれば、白色LEDが所望の白色を発光する。図1は、発光装置の一実施形態を示す断面図である。図1に示す発光装置1は、発光素子10と、発光素子10上に設けられた蛍光層20とを備える。蛍光層20を形成する蛍光体は、発光素子10からの光を受光して励起されて蛍光を発光する。蛍光層20を構成する蛍光体の種類、量等を適宜設定することにより、白色の発光を得ることができる。すなわち、白色LEDを構成することができる。本実施形態に係る発光装置又は白色LEDは、図1に示す形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形が可能である。発光層は、蛍光体として、上述の黄色蛍光体のみを含んでいてもよいし、他の蛍光体をさらに含んでいてもよい。他の蛍光体は、例えば、BaMgAl10O17:Eu、Ba,Sr,CaAl,Ga2S4:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mn、BaAl12O19:Eu,Mn、Ba,Sr,CaS:Eu,Mn、YBO3:Ce,Tb、Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、YVO4:Eu、Ca,SrS:Eu、SrY2O4:Eu、Ca-Al-Si-O-N:Eu、Ba,Sr,CaSi2O2N2:Eu、β-サイアロン、及びCaSc2O4:Ce、Li-Ca,Mg-Ln-Al-O-N:Euただし、LnはEu以外の希土類金属元素を表すから選ばれる。波長200nm~550nmの光を発する発光素子としては、紫外LEDチップ、青色LEDチップなどが挙げられる。これらLEDチップには発光層としてGaN、IniGa1iN0<i<1、IniAljGa1ijN0<i<1、0<j<1、ij<1などの層を有する半導体が用いられる。発光層の組成を変化させることにより、発光波長を変化させることができる。蛍光体は、白色LED以外の発光装置、例えば、蛍光体励起源が真空紫外線である発光装置例えば、PDP;蛍光体励起源が紫外線である発光装置例えば、液晶ディスプレイ用バックライト、三波長形蛍光ランプ;蛍光体励起源が電子線である発光装置例えば、CRTやFEDなどにも使用できる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではない。前記及び後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えた態様により本発明を実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。以下の実施例で得られる蛍光体の発光強度は、蛍光分光測定装置日本分光株式会社製FP-6500を用いて決定した。蛍光体のX線回折XRD測定には、X線回折装置リガク製RINT2000を用いた。蛍光体中のEuの価数割合は、X線吸収微細構造XAFS測定によって評価した。XAFS測定は、SPring-8においてビームラインBL14B2を用いて透過法で行った。Eu-L3吸収端である6650~7600eVを測定領域とした。Eu26972eVの標準試料としてBaMgAl10O17:Eu2BAMを用い、Eu36980eVの標準試料として酸化ユウロピウム信越化学工業株式会社製、純度99.99を用いた。解析プログラム株式会社リガク製REX2000を用い、各試料のXAFSデータを、バックグラウンドに基づいて処理し、X線吸収端近傍構造XANESスペクトルを得た。その後、Eu2標準試料及びEu3標準試料のXANESスペクトルを用いて、各試料のXANESスペクトルのパターンフィッティングを行い、Eu2ピークの割合から、試料中のEu2の割合を算出した。比較例1炭酸リチウム関東化学株式会社製、純度99、炭酸ストロンチウム堺化学工業株式会社製、純度99以上、酸化ユウロピウム信越化学工業株式会社製、純度99.99、及び二酸化珪素日本アエロジル株式会社製:純度99.99を、Li:Sr:Eu:Siの原子比が1.96:0.98:0.02:1.0となるように秤取し、これらを乾式ボールミルにより6時間混合して金属化合物混合物を得た。5体積のH2を含有するN2雰囲気中、前記金属化合物混合物を温度800°Cで24時間加熱焼成した。これを室温まで徐冷して、式Li196Sr098Eu002SiO4で表される化合物を含有する蛍光体を得た。得られた蛍光体の発光強度ピーク強度を、100とした。蛍光体の全Eu中の2価のEuEu2の割合は14であった。実施例1炭酸リチウム関東化学株式会社製、純度99、炭酸ストロンチウム堺化学工業株式会社製、純度99以上、酸化ユウロピウム信越化学工業株式会社製、純度99.99、及び二酸化珪素日本アエロジル株式会社製:純度99.99を、Li:Sr:Eu:Siの原子比が1.96:0.98:0.02:1.0となるように秤取し、これらを乾式ボールミルにより6時間混合して金属化合物混合物を得た。得られた金属化合物混合物を焼成炉に収容した。前記金属化合物混合物100質量部に対して50質量部の量のSiOWAKO製を秤取し、前記焼成炉と配管で接続されている密閉式加熱炉に入れた。SiOを1400°Cに加熱しながら、5体積のH2を含有するN2をフローして、SiOから発生した気相のSiを含有する気体を焼成炉に供給し、このSi含有気体を金属化合物混合物と接触させた。Si含有気体を連続で供給しながら、金属化合物混合物を温度800°Cで24時間加熱焼成した。これを室温まで徐冷して、式Li196Sr098Eu002SiO4で表される化合物を含有する蛍光体を得た。得られた蛍光体の発光強度ピーク強度は、前記比較例1で得られた蛍光体の発光強度を100としたとき、155であった。蛍光体の全Eu中の2価のEuEu2の割合は27であった。"