複数の半導体レーザを有する半導体レーザ部と、前記半導体レーザから出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器を有する半導体光増幅部と、前記半導体レーザ部と前記半導体光増幅部との間に配置され、前記レーザ光を前記半導体光増幅器に入力させる光導波部と、前記半導体レーザ部に接触し、前記複数の半導体レーザの温度を調節する温度調節素子と、を備え、前記半導体光増幅部を冷却せずに動作させることを特徴とする半導体レーザ装置。前記光導波部は多モード干渉型光合流器を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記光導波部は所定の波長のレーザ光を選択的に前記半導体光増幅器に入力させる光選択素子を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。前記光導波部は石英系ガラスからなる平面光波回路で構成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体レーザ装置。前記半導体光増幅器の活性層の半導体材料はAlGaInAs系材料であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体レーザ装置。前記半導体光増幅器の活性層の半導体材料はGaInNAs系材料であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。請求項1~6のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置を備え、前記半導体レーザ部、前記光導波部、および前記半導体光増幅部が同一筺体内に収納されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。前記半導体レーザ装置は、前記光導波部と前記半導体光増幅部とが空間光学系によって光学結合されることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザモジュール。前記半導体レーザ装置の前記光導波部と前記半導体光増幅部との間に配置された光アイソレータをさらに備えることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体レーザモジュール。前記半導体レーザ装置は、前記光導波部と前記半導体光増幅部とがバットカップリングによって光学結合されることを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザモジュール。ところで、DWDM光通信ネットワークシステムにおいては、その機能が高度且つ複雑になるにつれて、消費電力が増加する。この電力の増加を抑制するために、システム内で使用される半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールについてもより低消費電力であることが要求されている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、より低消費電力である半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザを有する半導体レーザ部と、前記半導体レーザから出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器を有する半導体光増幅部と、前記半導体レーザ部と前記半導体光増幅部との間に配置され、前記レーザ光を前記半導体光増幅器に入力させる光導波部と、前記半導体レーザ部に接触し、前記複数の半導体レーザの温度を調節する温度調節素子と、を備え、前記半導体光増幅部を冷却せずに動作させることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記の発明において、前記光導波部は多モード干渉型光合流器を有することを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記の発明において、前記光導波部は所定の波長のレーザ光を選択的に前記半導体光増幅器に入力させる光選択素子を有することを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記の発明において、前記光導波部は石英系ガラスからなる平面光波回路で構成されていることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記の発明において、前記半導体光増幅器の活性層の半導体材料はAlGaInAs系材料であることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記の発明において、前記半導体光増幅器の活性層の半導体材料はGaInNAs系材料であることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記の発明の半導体レーザ装置を備え、前記半導体レーザ部、前記光導波部、および前記半導体光増幅部が同一筺体内に収納されていることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記半導体レーザ装置は、前記光導波部と前記半導体光増幅部とが空間光学系によって光学結合されることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記半導体レーザ装置の前記光導波部と前記半導体光増幅部との間に配置された光アイソレータをさらに備えることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記半導体レーザ装置は、前記光導波部と前記半導体光増幅部とがバットカップリングによって光学結合されることを特徴とする。本発明によれば、より低消費電力である半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールを実現できるという効果を奏する。以下に、図面を参照して本発明に係る半導体レーザ装置および半導体レーザモジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付し、適宜説明を省略している。さらに、図面は模式的なものであり、各層の厚みと幅との関係、各層の比率などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。実施の形態1図1は、実施の形態1に係る半導体レーザ装置の模式的な平面図である。図2は、図1に示す半導体レーザ装置の模式的な側面図である。図1、2に示すように、本実施の形態1に係る半導体レーザ装置100は、半導体レーザ部10と、半導体光増幅部20と、光導波部30と、温度調節素子40とを備えている。半導体レーザ部10は、複数の半導体レーザ11と、各半導体レーザの出力側に設けられた複数のスポットサイズ変換器SpotSizeConverter:SSC12とを有している。各半導体レーザ11は、分布帰還型DistributedFeedback:DFBレーザで構成されている。各半導体レーザ11は、各々の活性層のメサ幅が1.5μm~3μmのストライプ状の埋め込みメサ構造を有する端面発光型レーザであり、半導体レーザ部10の幅方向に対してたとえば25μmピッチで形成されている。各半導体レーザ11は、各々に備えられた回折格子の周期を互いに異ならせることにより、出力光が単一モード発振のレーザ光となり、かつそのレーザ発振波長が、所望の波長範囲において3nm~4nm程度の間隔で並ぶように設計されている。また、各半導体レーザ11は、温度調節によって例えば3nm~4nm程度の範囲内でレーザ発振波長を変化させることができる。なお、半導体レーザ11の数はたとえば8、12、16等であるが、特に限定はされず、半導体レーザ装置100を波長可変光源として動作させる際の、所望の波長可変範囲に応じて適宜設定される。複数のSSC12は、半導体からなる埋め込みメサ構造を有しており、かつコア層の半導体レーザ11側のメサ幅よりも光導波部30側のメサ幅が広いフレア型のSSCである。半導体レーザ11側のメサ幅は半導体レーザ11のメサ幅と略同様であり、光導波部30側のメサ幅はたとえば4μm~10μmである。光導波部30は、石英系ガラスからなる平面光波回路PlannerLightwaveCircuit:PLCで構成されており、半導体レーザ部10と、半導体光増幅部20との間に介挿されている。光導波部30は、複数の曲がり導波路31と、光合流器32とを有している。各曲がり導波路31は、半導体レーザ部10の各SSC12にそれぞれ接続している。各曲がり導波路31は、接続された各半導体レーザ11から出力されるレーザ光を光合流器32にシングルモードで導波する。なお、半導体レーザ11から出力されるレーザ光は、SSC12によって、スポットサイズが曲がり導波路31のスポットサイズとほぼ整合するように変換されるので、SSC12から出力したレーザ光は低損失で曲がり導波路31に入力される。光合流器32は、多モード干渉MultiModeInterferometer:MMI型の光カプラである。光合流器32は、各曲がり導波路31が導波したレーザ光を出力ポート32aから出力させることができる。半導体光増幅部20は、いずれも半導体からなる埋め込みメサ構造であるSSC21と半導体光増幅器SOA22とを有している。SSC21は、光合流器32の出力ポート32aに接続している。SSC21は、光導波部30側のコア層のメサ幅がSOA22側のメサ幅よりも広いフレア型のSSCである。SSC21のSOA22側のメサ幅はSOA22のメサ幅と略同様であり、光導波部30側のメサ幅はたとえば4μm~10μmである。SOA22は、ストライプ状の埋め込みメサ構造を有している。活性層のメサ幅はたとえば半導体レーザ11と同様に1.5μm~3μmであるが、半導体レーザ11が出力するレーザ光を単一モードで導波できるメサ幅であれば特に限定はされない。SOA22は、光合流器32の出力ポート32aからSSC21を介して入力されたレーザ光を増幅して紙面左側の出力端から出力する。図3は、SOA22の模式的な断面図である。図3に示すように、SOA22は、裏面にn側電極22aが形成されたn型InP基板22b上に、順次積層した、下部クラッドを兼ねるn型InPバッファ層22c、組成を連続的に変化させた下部InGaAsP-SCHSeparateConfinementHeterostructure層22d、MQWMultiQuantumWell構造の活性層22e、上部InGaAsP-SCH層22f、およびp型InP層22gを備えている。p型InP層22gからn型InPバッファ層22cの一部に到るまでの層はストライプ状のメサ構造を有している。このメサ構造は、p型InP埋め込み層22hとn型InP電流ブロッキング層22iにより埋め込まれている。また、p型InP層22gとn型InP電流ブロッキング層22iとの上には、p型InPクラッド層22j、InGaAsコンタクト層22kが順次積層している。また、InGaAsコンタクト層22kの表面はSiN保護膜22lにより保護されている。さらに、SiN保護膜22lはInGaAsコンタクト層22k上でその一部が開口している。この開口部にはp側電極22mが形成されている。活性層22eは、交互に積層した複数の井戸層と障壁層とを有している。井戸層および障壁層は、たとえばGaInNAsP系半導体材料、またはAlGaInAs系半導体材料からなる。活性層22eの組成は、複数の半導体レーザ11のレーザ発振波長の範囲に対応する帯域の中央近傍に利得ピークの波長を有するように設定されている。なお、各半導体レーザ11もSOA22と同様の断面構造を有する。ただし、各半導体レーザ11においては、p型InP層22g内に、InGaAsPまたはAlGaInAsからなり、回折格子が形成されたグレーティング層が配置される点がSOA22の構造とは異なる。なお、回折格子は、たとえばλ/4シフト型のものでもよいし、位相シフトさせていない通常型のものでもよい。温度調節素子40は、半導体レーザ部10の裏面に接触するように設けられている。温度調節素子40はたとえばペルチェ素子等の電子冷却素子である。半導体レーザ装置100は、半導体からなる半導体レーザ部10および半導体光増幅部20と、石英系ガラスからなる光導波部30とが、UV硬化樹脂等の接着剤によって互いに接合されることによってハイブリット集積されたものである。なお、接着剤としては、半導体レーザ11からのレーザ光の波長において透明なものを用いることができ、たとえばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等を用いることができる。つぎに、半導体レーザ装置100の動作について説明する。はじめに、不図示の制御装置によって、半導体レーザ装置100から出力させたい波長のレーザ光を出力できる半導体レーザ11が選択的に電力を供給されて駆動される。これとともに、駆動すべき半導体レーザ11のレーザ発振波長が所望の波長になるように、当該半導体レーザ11の温度が、不図示の制御装置によって電力を供給された温度調節素子40によって温度調節される。これによって、選択的に駆動された半導体レーザ11が所望の波長のレーザ光を出力する。選択的に駆動された半導体レーザ11に接続されたSSC12は、出力されたレーザ光のスポットサイズを広げるように変換して所定の曲がり導波路31に入力させる。曲がり導波路31は、レーザ光を光合流器32に導波する。光合流器32は、入力されたレーザ光を出力ポート32aから出力する。ここで、光合流器32は、曲がり導波路31に接続される入力ポートの数に依存した挿入損失を有しており、入力ポートの数が12である場合には、挿入損失はたとえば約1/12すなわち約10.8dBである。SSC21は、出力ポート32aから出力されたレーザ光のスポットサイズを狭めるように変換してSOA22に出力する。SOA22は、入力されたレーザ光を増幅して半導体レーザ装置100の外部に出力する。このとき、SOA22は、不図示の制御装置によって電力を供給され、光合流器32の挿入損失によるレーザ光の強度の減衰を補償し、かつレーザ光が所望の光強度になるように光増幅する。半導体レーザ装置100において、出力させるレーザ光の波長を変更したいときは、駆動する半導体レーザ11の温度を調節する、および/または、駆動する半導体レーザ11を切り換える。このように、この半導体レーザ装置100は、駆動する半導体レーザ11の切り換えと、半導体レーザ11の温度調整とによって、単体の半導体レーザ素子よりも広帯域な連続した波長帯域のレーザ光を出力することができる。なお、WDM通信用の波長帯域全体例えば1.53μm~1.56μmのCバンド又は1.57~1.61μmのLバンドをカバーするためには、それぞれ3nm~4nmの範囲内でレーザ発振波長を変化させることが可能な10個以上の半導体レーザ11を備えることによって、30nm以上の波帯域に亘って波長を変化させることができる。さらに、本実施の形態1に係る半導体レーザ装置100は、上記の構成によって、従来よりも一層の低消費電力が実現されている。すなわち、従来のこの種の半導体レーザ装置は、半導体レーザ部、光導波部、および半導体光増幅部がモノリシックに集積化されて温度調節素子に載置されていた。そのため、温度調節素子によって、半導体レーザのレーザ発振波長の調節のために温度調節をする場合に、同時にSOAも冷却する構造であっために、SOAの冷却のための過剰な電力を消費していた。これに対して、温度調整素子40を半導体レーザ部10にのみ接触させて、半導体レーザ部10については半導体レーザ11のレーザ発振波長の調節のために温度調節するが、半導体光増幅部20を冷却せずに動作させている。これによって、SOA22の冷却のために電力が消費されないので、従来よりも一層の低消費電力が実現される。半導体レーザ11およびSOA22について、例示として以下の構成とした場合の消費電力の低減効果について説明する。まず、活性層の構造については、半導体レーザ11およびSOA22のいずれも、8QWの量子井戸構造とする。井戸層厚は6nm、障壁層厚は10nmとし、井戸層は0.5~1の圧縮歪を有する。井戸層は、組成波長が1.849μmとなるような組成のAlGaInAsからなり、障壁層は、組成波長が1.2μmとなるような組成のAlGaInAsからなるものとする。また、半導体レーザ11については、メサ幅が2μm、共振器長が600μmとする。SOA22については、メサ幅が2μm、SOA長が900μmとする。上記の構成において、半導体レーザ11の駆動電流を150mA、駆動電圧を1.399Vとすると、半導体レーザ11の動作時の消費電力は0.15×1.399=0.21Wである。このとき、半導体レーザ11の温度を調節する温度調節素子40の消費電力は、通常は半導体レーザ11の消費電力の約5倍であるから、約1.05Wである。一方、SOA22の駆動電流を175mA、駆動電圧を1.528Vとすると、SOA22の動作時の消費電力は0.175×1.528=0.27Wである。このとき、従来のように半導体レーザのレーザ発振波長の調節のための温度調節素子が、同時にSOAも冷却する構造の場合は、SOAの消費電力の約5倍である1.35Wの電力が過剰に消費される。これに対して、本実施の形態1の装置の場合は、従来よりも1.35Wだけ消費電力が低減されるので、温度調節のための消費電力としては従来の半分以下となり、装置全体としても従来の半分程度の消費電力を実現できる。また、この種の複数の半導体レーザを備える集積型の半導体レーザ装置の場合、複数の半導体レーザからのレーザ光を1つのSOAに導波するための光導波部が必要である。光導波部はある程度の挿入損失を有するため、光導波部の挿入損失を補償するためのSOAの光増幅が必要となる。そのため、より消費電力が増加し、これに伴ってSOAの冷却のための消費電力も増加する。しかしながら、本実施の形態1の装置ではSOA22を冷却せずに動作させるので、このような光導波部を必要とする構成において、消費電力の低減の効果が特に顕著となる。また、SOA22の活性層22eの構成材料が、上述したようにGaInNAsP系半導体材料、またはAlGaInAs系半導体材料等のAlを含む半導体材料であれば、その光増幅特性の温度依存性が、半導体レーザ装置100の動作温度たとえば25°C~75°Cの範囲で小さい。そのため、SOA22を冷却せずに動作させる上で好ましい。ただし、活性層22eの構成材料は上記の材料に限定されない。光増幅特性の温度依存性が大きい構成材料であっても、その構成材料の温度特性等に合わせてSOA22の駆動条件を制御することで、温度に依存しない安定した増幅特性を得ることができる。以上説明したように、本実施の形態1に係る半導体レーザ装置100は、従来よりも一層の低消費電力のものである。実施の形態2図4は、実施の形態2に係る半導体レーザ装置の模式的な平面図である。図5は、図4に示す半導体レーザ装置の模式的な側面図である。図4、5に示すように、本実施の形態2に係る半導体レーザ装置200は、半導体レーザ部10Aと、半導体光増幅部20と、光導波部30Aと、温度調節素子40とを備えている。半導体レーザ部10Aは、半導体レーザ部10と同様に複数の半導体レーザ11を有しているが、複数のSSC12を有していない点が半導体レーザ部10とは異なる。光導波部30Aは、埋め込みメサ構造の半導体導波路で構成されており、半導体レーザ部10Aとモノリシックに形成されている。光導波部30Aは、複数の曲がり導波路31Aと、光合流器32Aと、SSC33Aを有している。各曲がり導波路31Aは、半導体レーザ部10Aの各半導体レーザ11にそれぞれ接続している。各曲がり導波路31Aのコア層のメサ幅は各半導体レーザ11のメサ幅と略同様である。各曲がり導波路31Aは、接続された各半導体レーザ11から出力されるレーザ光を光合流器32Aにシングルモードで導波する。光合流器32Aは、MMI型の光カプラである。光合流器32Aは、各曲がり導波路31Aが導波したレーザ光を出力ポート32aAから出力させることができる。SSC33Aは、光合流器32Aの出力ポート32aAに接続している。SSC33Aは、半導体光増幅部20側のコア層のメサ幅が出力ポート32aAのメサ幅よりも広いフレア型のSSCである。SSC33Aの出力ポート32aA側のメサ幅は出力ポート32aAのメサ幅と略同様のたとえば1.5μm~3μmであり、半導体光増幅部20側のメサ幅は、対向する半導体光増幅部20のSSC21のメサ幅と略同様のたとえば4μm~10μmである。なお、半導体光増幅部20、温度調節素子40については重複説明を省略する。半導体レーザ装置200は、モノリシックに形成された半導体レーザ部10Aおよび光導波部30Aと、半導体光増幅部20とが、UV硬化樹脂等の接着剤等によって互いに接合されることによって集積されたものである。光導波部30AのSSC33Aと半導体光増幅部20のSSC21とはバットカップリングによって光学結合している。なお、出力ポート32aAのメサ幅とSOA22のメサ幅はともにたとえば1.5μm~3μmと狭く、光のスポットサイズも小さい。そのため、そのまま互いにバットカップリングした場合は、互いの光軸がずれて接合された場合の接続損失が大きくなる。これに対して、本実施の形態2に係る半導体レーザ装置200では、出力ポート32aAとSOA22とを、ともにスポットサイズの大きいSSC33AとSSC21とを介して接続している。これによって、接合時の光軸ずれに対する接続損失の増大が抑制され、光軸ずれのトレランスを大きくすることができる。本実施の形態2に係る半導体レーザ装置200は実施の形態1に係る半導体レーザ装置100と同様に動作させることができる。半導体レーザ装置200も、半導体レーザ装置100と同様に、温度調整素子40を半導体レーザ部10Aにのみ接触させて、半導体レーザ部10Aについては半導体レーザ11のレーザ発振波長の調節のために温度調節するが、半導体光増幅部20を冷却せずに動作させている。これによって、SOA22の冷却のために電力が消費されないので、従来よりも一層の低消費電力が実現される。実施の形態3図6は、実施の形態3に係る半導体レーザ装置の模式的な平面図である。図6に示すように、本実施の形態3に係る半導体レーザ装置300は、半導体レーザ部10Bと、半導体光増幅部20Aと、光導波部30Bと、温度調節素子40とを備えている。半導体レーザ部10Aは、16個の半導体レーザ11を有している。また、半導体光増幅部20Aは、半導体光増幅部20と同様にSOA22を有しているが、SSC21を有していない点が半導体光増幅部20とは異なる。光導波部30Bは、所定の波長のレーザ光を選択的にSOA22に入力させる光選択素子を有する。すなわち、光導波部30Bは、それぞれ2入力1出力の構成を有する8つのMZIMachZehnderInterferometer素子34、4つのMZI素子35、および2つのMZI素子36が多段に接続された構成を有する。8つのMZI素子34の入力側は半導体レーザ11に接続している。8つのMZI素子34の出力側は4つのMZI素子35の入力側に接続している。4つのMZI素子35の出力側は2つのMZI素子36の入力側に接続している。2つのMZI素子36の出力側は出力ポート37のY分岐の入力側に接続している。出力ポート37の出力側は半導体光増幅部20AのSOA22に接続している。これらのMZI素子34~36は、MZI素子34の各入力側に接続された各半導体レーザ11から出力された各レーザ光が、低損失でMZI素子34、MZI素子35、MZI素子36によって順次導波され、出力ポート37から出力するように、光入出力の波長特性が設定されている。なお、光導波路部30Bは、石英系ガラスからなるPLCで構成してもよいし、半導体導波路で構成してもよい。半導体レーザ装置300は、半導体レーザ部10Bと、半導体光増幅部20Aと、光導波部30Bとが、UV硬化樹脂等の接着剤Rによって互いに接合されることによって集積されたものである。なお、接着剤Rとしては、半導体レーザ11からのレーザ光の波長において透明なものを用いることができる。本実施の形態3に係る半導体レーザ装置300は実施の形態1、2に係る半導体レーザ装置100、200と同様に動作させることができる。半導体レーザ装置300も、半導体レーザ装置100、200と同様に、温度調節素子40を半導体レーザ部10Bにのみ接触させて、半導体レーザ部10Bについては半導体レーザ11のレーザ発振波長の調節のために温度調節するが、半導体光増幅部20Aを冷却せずに動作させている。これによって、SOA22の冷却のために電力が消費されないので、従来よりも一層の低消費電力が実現される。なお、本実施の形態3に係る半導体レーザ装置300はSSCを有していないが、実施の形態1、2と同様に、半導体レーザ部10B、半導体光増幅部20A、および光導波部30Bが光学的に結合される部分に適宜SSCを設けてもよい。また、光導波部30Bを半導体導波路で構成する場合は、半導体レーザ部10B、半導体光増幅部20A、および光導波部30Bをモノリシックに集積して形成してもよい。実施の形態4つぎに、実施の形態4に係る半導体レーザモジュールについて説明する。図7は、実施の形態4に係る半導体レーザモジュールの模式的な平面断面図である。図7に示すように、半導体レーザモジュール1000は、筐体1010内に、ベースプレート1020、ベースプレート1020に載置されたサブマウント1030、コリメートレンズ1040、光アイソレータ1050、ビームスプリッタ1060、パワーモニタ用フォトダイオード1070、エタロンフィルタ1080、波長モニタ用フォトダイオード1090、および半導体レーザ装置400が収容され、かつ光ファイバ1100が挿入されて構成されている。半導体レーザ装置400は、半導体レーザ/光導波部50と、半導体光増幅部20Bとからなる。半導体レーザ/光導波部50と、半導体光増幅部20Bとは空間的に分離して配置されており、コリメートレンズ1040を用いた空間結合系で光学的に結合されている。半導体レーザ/光導波部50は、図4に示した半導体レーザ装置200の半導体レーザ部10Aと光導波部30Aとがモノリシックに形成され、かつ温度調節素子40を備えたものである。ただし、光導波部30AのSSC33Aの光軸とレーザ光出射端面の法線とが7度程度だけ傾斜するように構成されている。この傾斜によって、レーザ光出射端面でレーザ光が反射して生じた反射光の戻りが抑制されている。なお、光導波部30AのSSC33Aは必ずしも備えなくてもよい。この半導体レーザ/光導波部50はサブマウント1030上に載置されている。コリメートレンズ1040は、半導体レーザ/光導波部50のレーザ光出射端面出力端近傍に配置されている。コリメートレンズ1040は、半導体レーザ/光導波部50から出射されたレーザ光を平行光に変換し、平行光に変換されたレーザ光を光アイソレータ1050に導く。光アイソレータ1050は、平行光に変換されたレーザ光を光ファイバ1100側に透過するとともに、光ファイバ1100側からの戻り光が半導体レーザ/光導波部50に入力することを阻止する。ビームスプリッタ1060は、光アイソレータ1050を透過したレーザ光の大部分を透過するとともに、残りの部分をパワーモニタ用フォトダイオード1070側に反射する。パワーモニタ用フォトダイオード1070は、ビームスプリッタ1060によって反射されたレーザ光の強度を検出し、検出された強度に応じた電気信号を図示しない制御装置に入力する。図8は、図7に示す半導体光増幅部20Bの模式的な平面図である。図7に示すように、半導体光増幅部20Bは、いずれも半導体からなる埋め込みメサ構造であるSOA22と、分岐導波路23と、SSC24とを有している。分岐導波路23は、SOA22とSSC24との間に介挿されており、直線部23aとU字形状の分岐部23bとを有している。SSC24は、分岐導波路23側のコア層のメサ幅が光ファイバ1100に対向する出力側のメサ幅よりも広いフレア型のSSCである。SSC24の光ファイバ1100に対向する出力側は、光ファイバ1100の端面との距離がたとえば1μm~10μmになるように近接しており、かつ光ファイバ1100と低損失で光学接続できるようなメサ幅に設定されている。この半導体光増幅部20Bでは、SOA22は、ビームスプリッタ1060を透過したレーザ光が入力され、入力されたレーザ光を増幅して分岐導波路23に出力する。分岐導波路23は、増幅されたレーザ光の大部分を、直線部23aの出力側からSSC24に出力するとともに、残りの部分を分岐部23bの出力側から出力する。SSC24から出力されたレーザ光は低損失で光ファイバ1100に結合し、光ファイバ1100を介して半導体レーザモジュール1000の外部に出力される。エタロンフィルタ1080は、波長スペクトル上で周期的にピークを有する透過特性を有している。エタロンフィル1080は、分岐導波路23の分岐部23bから出力されたレーザ光を選択的に透過して、波長モニタ用フォトダイオード1090に入力する。波長モニタ用フォトダイオード1090は、エタロンフィルタ1080から入力されたレーザ光の強度を検出し、検出された強度に応じた電気信号を図示しない制御装置に入力する。パワーモニタ用フォトダイオード1070及び波長モニタ用フォトダイオード1090によって検出されたレーザ光の強度は、図示しない制御装置による波長ロック制御に用いられる。具体的には、波長ロック制御では、図示しない制御装置は、パワーモニタ用フォトダイオード1070によって検出されたレーザ光の強度と波長モニタ用フォトダイオード1090によって検出されたレーザ光の強度との比が、レーザ光の強度及び波長が所望の強度及び波長になるときの比になるように、半導体レーザ/光導波部50の動作を制御する。これにより、レーザ光の強度及び波長を所望の強度及び波長に制御することができる。本実施の形態4に係る半導体レーザモジュール1000も、半導体レーザ/光導波部50において、温度調節素子40を半導体レーザ部10Aにのみ接触させて、半導体レーザ部10Aについては半導体レーザ11のレーザ発振波長の調節のために温度調節する。一方、半導体光増幅部20Bは冷却せずに動作させている。これによって、SOA22の冷却のために電力が消費されないので、従来よりも一層の低消費電力が実現される。ここで、集積型の半導体レーザ装置においては、半導体増幅器から半導体レーザ側に出力されるASEAmplifiedSpontaneousEmission光が、半導体レーザに入力されることによって、半導体レーザから出力されるレーザ光のスペクトル線幅が広がってしまう場合がある。この場合、集積型半導体レーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅が所望の線幅よりも広くなる場合がある。このような線幅の広がりは、たとえば伝送速度が40、100、400Gbpsのデジタルコヒーレント伝送用途の信号光源または局発光源の用途には好ましくない。これに対して、この半導体レーザモジュール1000では、半導体レーザ/光導波部50の光導波部30Aと半導体光増幅部20Bとの間に光アイソレータ1050が配置されている。したがって、SOA22から半導体レーザ11にASE光が入力されることが阻止されるため、半導体レーザ11から出力されるレーザ光、およびこれが増幅されて半導体光増幅部20Bから出力されるレーザ光のスペクトル線幅の広がりが抑制される。実施の形態5つぎに、実施の形態5に係る半導体レーザモジュールについて説明する。図9は、実施の形態5に係る半導体レーザモジュールの模式的な平面断面図である。図7に示す半導体レーザモジュール2000は、半導体レーザモジュール1000の構成において、半導体レーザ装置400を、半導体レーザ/光導波部50と半導体光増幅部20Cとからなる半導体レーザ装置500に置き換え、かつベースプレート1020上の、半導体光増幅部20Cと光ファイバ1100との間に、集光レンズ1110を配置した構成を有する。半導体光増幅部20Cは、半導体光増幅部20Bの構成からSSC24を削除した構成を有する。この半導体レーザモジュール2000では、SOA22によって増幅され、分岐導波路23の直線部23aから出力されたレーザ光は、集光レンズ1110によって集光されて、低損失で光ファイバ1100に結合される。本実施の形態5に係る半導体レーザモジュール2000も、半導体レーザモジュール1000と同様に、SOA22の冷却のために電力が消費されないので、従来よりも一層の低消費電力が実現される。さらに、光アイソレータ1050によって、半導体レーザ11から出力されるレーザ光、およびこれが増幅されて半導体光増幅部20Cから出力されるレーザ光のスペクトル線幅の広がりが抑制される。なお、上記実施の形態では、SSCとしてフレア型のものを使用しているが、SSCとしては、光の進行方向に対してメサ幅が徐々に狭くなる形状を有するテーパ型のSSCを使用してもよい。また、上記実施の形態3では、光導波部における光選択素子として、MZI素子を多段に接続したものを使用しているが、光選択素子としては、MEMSMicroElectroMechanicalSystems型光スイッチやSi細線型光スイッチを使用してもよい。また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。たとえば、実施の形態4、5の半導体レーザモジュール1000、2000において、半導体レーザ/光導波部50の代わりに、図1や図5に示した半導体レーザ部と光導波部との組み合わせを使用しても良い。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。