"絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された裏面電極と、前記裏面電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された透明電極とを有し、前記透明電極側から光が入射されるものであり、前記光電変換層は、CIGS系半導体化合物からなるCIGS膜で構成されており、前記光電変換層に金属ナノ粒子が設けられていることを特徴とする光電変換素子。前記光電変換層は、厚さが2.5μm以下である請求項1に記載の光電変換素子。前記金属ナノ粒子の主成分は、Au、Ag、Cu、Al、Pt、Ni、Tiおよびこれらの合金からなる群より選択される少なくとも1種である請求項1または2に記載の光電変換素子。前記金属ナノ粒子において、前記金属ナノ粒子間の距離が、前記金属ナノ粒子の平均粒子径以下のところが少なくとも1箇所存在する請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属ナノ粒子は、前記光電変換層の厚さ方向と直交する方向に、層状に少なくとも1層配置されている請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属ナノ粒子は、前記裏面電極の表面に配置されている請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。しかしながら、非特許文献1においては、CIGS層の厚さの減少の影響が検討されているものの、CIGS層を厚く作製した後に、エッチングにより溶解することにより、CIGS層を薄膜化しているため、根本的にInの使用量を減らすことにはつながっていない。また、特許文献1においては、プラズモンを用いて近赤外光領域の入射光強度を向上させているものの、金属膜Au膜を所定のパターンにパターニングする必要があり、作業が煩雑となる。さらに、特許文献1においては、入射強度を向上させることが開示されているものの、CIGS層を薄膜化することに関する開示がなされていない。このように、Inの使用量を減らすために、CIGS膜の膜厚を薄膜化し、かつ所定の光電変換効率を有する光電変換素子がないのが現状である。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、CIGS膜からなる光電変換層を薄膜化しても所定の変換効率が得られる光電変換素子を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された裏面電極と、前記裏面電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された透明電極とを有し、前記透明電極側から光が入射されるものであり、前記光電変換層は、CIGS系半導体化合物からなるCIGS膜で構成されており、前記光電変換層に金属ナノ粒子が設けられていることを特徴とする光電変換素子を提供するものである。前記光電変換層は、厚さが2.5μm以下であることが好ましい。また、前記金属ナノ粒子の主成分は、例えば、Au、Ag、Cu、Al、Pt、Ni、Tiおよびこれらの合金からなる群より選択される少なくとも1種である。前記金属ナノ粒子において、前記金属ナノ粒子間の距離が、前記金属ナノ粒子の平均粒子径以下のところが少なくとも1箇所存在する。また、前記金属ナノ粒子は、前記光電変換層の厚さ方向と直交する方向に、層状に少なくとも1層配置されていることが好ましい。また、前記金属ナノ粒子は、前記裏面電極の表面に略平行な面上に層状に少なくとも1層配置されていることが好ましい。例えば、前記金属ナノ粒子は、前記裏面電極の表面に配置されている。本発明によれば、CIGS膜からなる光電変換層を薄膜化しても所定の光電変換効率を有する光電変換素子を得ることができる。これにより、Inの使用量が少なくても、所定の光電変換効率を有する光電変換素子を得ることができる。以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の光電変換素子を詳細に説明する。図1aは、本発明の第1の実施形態の光電変換素子を示す模式的断面図であり、bは、本発明の第1の実施形態の光電変換素子の変形例を示す模式的断面図である。光電変換素子10は、絶縁性基板12以下、単に基板12というと、この基板12の表面12aに形成された裏面電極14と、この裏面電極14の表面14aに形成された光電変換層16と、この光電変換層16上に形成されたバッファ層18と、このバッファ層18上に形成された窓層20と、この窓層20上に形成された透明電極22と、この透明電極22上に形成された集電電極24とを有する。光電変換素子10では、透明電極22側から光入射光Lが入射される。本実施形態の基板12は、光電変換素子10を製造する際に、光電変換層16の形成時に400°Cを超えるような高温に曝されることがあり、この高温に曝されても所定の強度を保持するものが用いられる。基板12には、例えば、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、または無アルカリガラス等のガラス板が用いられる。また、前述の各種のガラス板にモリブデンがコーティングされたものも基板12に用いることができる。基板12には、陽極酸化処理されたアルミニウム板を用いることもできる。さらには、陽極酸化処理されたアルミニウム板の陽極酸化膜にモリブデンがコーティングされたものを基板12に用いることができる。この他、基板12には、ポリイミドを用いることもできる。また、基板12に、ポリイミド基材にモリブデンがコーティングされたものを用いることもできる。なお、上述のようにモリブデンがコーティングされた基板を用いる場合、コーティングされたモリブデンが裏面電極となる。さらには、基板12には、金属基板の表面に電気絶縁層が形成された絶縁層付基板を用いることもできる。この絶縁層付基板としては、例えば、厚さが300μmのJIS1N99材純度99.99質量を陽極酸化処理して、厚さが5μmのポーラス構造の陽極酸化膜が形成されたものを用いることができる。陽極酸化処理としては、例えば、電解浴として、濃度が1mol/L、温度55°Cのシュウ酸水溶液を用い、電解浴中で、電圧40Vの定電圧条件で5分間電解処理がなされる。なお、陽極酸化処理中、電流密度は、特に制御しなかったが陽極酸化処理中の平均値で約10A/dm2であった。なお、陽極酸化処理には、例えば、冷却装置として、NeoCoolBD36ヤマト科学社製、撹拌加温装置として、ペアスターラーPS-100EYELA社製、電源として、GP0650-2R高砂製作所社製を用いることができる。本実施形態の基板12は、例えば、平板状であり、その形状および大きさ等は適用される光電変換素子10の大きさ等に応じて適宜決定されるものである。裏面電極14は、例えば、Mo、Cr、またはW、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極14は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。裏面電極14は、Moで構成することが好ましい。また、裏面電極14の形成方法は、特に制限されるものではなく、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法により形成することができる。裏面電極14は、一般的に厚さが800nm程度であるが、裏面電極14は、厚さが400nm~1000nm1μmであることが好ましい。光電変換層16は、透明電極22を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層であり、光電変換機能を有するものである。光電変換層16については、後に詳細に説明する。バッファ層18は、透明電極22の形成時の光電変換層16を保護すること、透明電極22に入射した光を光電変換層16まで透過させるために形成されたものである。バッファ層18は、例えば、CdS、ZnO、S、OH、またはInS、OH等の少なくともIIb族元素およびVIb族元素を含む化合物により構成される。このバッファ層18は、光電変換層16とともにpn接合層を構成する。バッファ層18は、その厚さが、例えば、20~100nmである。また、このバッファ層18は、例えば、化学浴析出CBD:ChemicalBathDeposition法により形成される。窓層20は、漏れ電流を防ぐためのものであり、例えば、ZnOにより構成される。透明電極22は、例えば、Al、B、Ga、In等がドープされたZnO、またはITOインジウム錫酸化物により構成される。この透明電極22は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極22の厚さは、特に制限されるものではなく、0.3~1μmが好ましい。また、透明電極22の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、CVD法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。集電電極24は、透明電極22の表面22aに、例えば、透明電極22に対して局所的に矩形状に形成されるものである。この集電電極24は、光電変換層16で発生した電流を透明電極22から取り出すための電極であり、例えば、矩形状に形成されている。また、集電電極24は、例えば、アルミニウムより構成されるものである。この集電電極24は、例えば、スパッタ法、蒸着法、CVD法等によって形成される。次に、光電変換層16について説明する。光電変換層16は、CIGS系半導体化合物からなるCIGS膜で構成される。このCIGS膜は、例えば、カルコパイライト結晶構造を有するCuIn,GaSe2により構成される。光電変換層16は、カルコパイライト結晶構造を有するものであるため、光吸収率が高く、光電変換効率が高い。しかも、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。光電変換層16においては、光電変換層16の厚さ方向にGa量の分布を持たせることにより、バンドギャップの幅/キャリアの移動度等を制御できる。これにより、光電変換層16について、シングルグレーデッドバンドギャップ構造、ダブルグレーデッドバンドギャップ構造にすることができる。光電変換層16CIGS膜の厚さは、例えば、2.5μm以下である。このように、光電変換層16の厚さを2.5μm以下とすることにより、Inの使用量を少なくすることができる。光電変換層16には金属ナノ粒子30が設けられている。この金属ナノ粒子30は、プラズモンを励起するものである。金属ナノ粒子30により、入射光Lについてプラズモンが誘起され、光電変換層16CIGS膜に入射する入射光Lを局在化させ、入射光Lの透過および反射を減らし、光電変換層16への光吸収量を向上させることができる。なお、金属ナノ粒子30は、例えば、吸収される光の波長の半波長以下の粒子サイズのときに、吸収光によるプラズモンが励起される。このため、金属ナノ粒子30は、吸収される光の波長の半波長以下であることが好ましい。ここで、例えば、光電変換層16で吸収される最長波長が1300nm程度であれば、金属ナノ粒子30は、直径が650nm以下であることが好ましい。光電変換層16においては、光電変換層16CIGS膜の厚さ方向Dと直交する方向に、金属ナノ粒子30が層状に少なくとも1層配置されていることが好ましい。例えば、図1aに示すように、金属ナノ粒子30が、裏面電極14の表面14aに、1層配置されている。この層状に配置された金属ナノ粒子30により、金属ナノ構造32が構成される。金属ナノ構造32では、例えば、配置される金属ナノ粒子30において、金属ナノ粒子30間の距離が、金属ナノ粒子30の平均粒子径以下のところが少なくとも1箇所存在する。このような金属ナノ構造32においても、入射光Lについてプラズモンが誘起され、光電変換層16CIGS膜に入射する入射光Lを局在化させ、入射光Lの透過および反射を減らし、光電変換層16への光吸収量を向上させることができる。これにより、光電変換効率を高めることができ、光電変換層16を構成するCIGS膜の膜厚を薄膜化しても、所定の変換効率を得ることができる。このため、光電変換層16CIGS膜の形成に要するIn使用量を減らすことができる。また、金属ナノ構造32により、短絡光電流密度Jscの低下を防ぐことができる。本実施形態においては、金属ナノ粒子30を、1層、裏面電極14の表面14aに配置する金属ナノ構造32としたが、これに限定されるものではない。例えば、図1bに示す光電変換素子10aのように、光電変換層16CIGS膜の厚さ方向Dの略中間の位置で、その厚さ方向Dと直交する方向に、金属ナノ粒子30が1層配置された金属ナノ構造32とすることもできる。この場合においても、光電変換層16CIGS膜に入射する入射光Lが局在化されて、入射光Lの透過および反射を減らし、入射光Lの利用効率が高められる。これにより、光電変換層16を構成するCIGS膜の膜厚を薄膜化することができ、In使用量を減らすことができる。さらには、短絡光電流密度Jscの低下を防ぐことができる。また、図1a、bに示す光電変換素子10、10aの金属ナノ粒子構造32を、組合せた2層構造とすることができ、さらには3層以上の多層構造とすることもできる。この場合においても、光電変換層16CIGS膜に入射する入射光Lが局在化されて、入射光Lの透過および反射を減らし、入射光Lの利用効率が高められ、光電変換層16を構成するCIGS膜の膜厚を薄膜化することができる。これにより、In使用量を減らすことができるとともに、短絡光電流密度Jscの低下を防ぐことができる。上述のいずれの金属ナノ構造32でも、例えば、配置される金属ナノ粒子30において、金属ナノ粒子30間の距離が、金属ナノ粒子30の平均粒子径以下のところが少なくとも1箇所存在する。なお、金属ナノ粒子30が複数層、配置されている場合、層間の距離は、金属ナノ粒子30の平均粒子径を超えてもよいことはもちろんである。また、金属ナノ粒子30が、光電変換層16内にランダムに配置される場合、隣接する金属ナノ粒子30の間の距離が金属ナノ粒子30の平均粒子径以下であるところが少なくとも1箇所存在する。金属ナノ粒子30は、例えば、主成分として、Au、Ag、Cu、Al、Pt、Ni、Tiおよびこれらの合金からなる群より選択される少なくとも1種が用いられる。なお、金属ナノ粒子30は、その形状は、特に限定されるものではなく、球状に限定されるものでもない。金属ナノ粒子30としては、例えば、楕円球状、多面体状、球体が歪んだもの、多面体が歪んだものも含まれる。このように、金属ナノ粒子30は、いびつな形状であってもよい。本実施形態の光電変換素子10においては、光電変換素子10の光電変換層16で発生した電流は、裏面電極14および集電電極24から光電変換素子10の外部に取り出される。なお、裏面電極14が正極であり、集電電極24が負極である。また、裏面電極14と、集電電極24とは極性が逆であってもよく、光電変換層16の構成、光電変換素子10構成等に応じて適宜変わるものである。また、光電変換素子10の表面側に封止接着層図示せず、水蒸気バリア層図示せずおよび表面保護層図示せずを配置し、光電変換素子10の裏面側、すなわち、基板12の裏面側に封止接着層図示せずおよびバックシート図示せずを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化する。これにより、薄膜太陽電池を得ることができる。次に、本実施形態の光電変換素子10の製造方法について説明する。本実施形態の光電変換素子10の製造方法においては、まず、基板12として、例えば、所定の大きさのソーダライムガラス板を用意する。このソーダライムガラス板には、例えば、厚さが1mmのATOK製のものが用いられる。次に、基板12の表面12aには、Mo膜が、例えば、600nmの厚さに形成されており、このMo膜が裏面電極14となる。なお、例えば、成膜装置を用いてDCスパッタ法により、裏面電極14としてMo膜を基板12上に形成してもよい。次に、裏面電極14上に、例えば、金を厚さ5nm蒸着し、金アイランド構造を作製する。その後、過熱処理を実施する。これにより、裏面電極14上に金ナノ粒子30が層状に形成される。なお、光電変換層16を形成する際、400°C~500°C程度の温度に基板12を加熱するため、過熱処理はしなくてもよい。この場合でも、金ナノ粒子30が裏面電極14上に層状に形成される。次に、裏面電極14の表面14aに、光電変換層16として、例えば、MBE装置を用いて、膜厚1.5μmのCIGS膜を形成する。この光電変換層16の形成の際の基板加熱温度は、例えば、520°Cである。次に、光電変換層16上に、例えば、バッファ層18となるCdS層n型半導体層を、例えば、CBD法により形成する。これにより、光電変換層16とバッファ層18とでpn接合層が構成される。なお、バッファ層18としては、CdS層に限定されるものではなく、InS,OH、またはZnO,OH,Sなどの少なくともIIb族元素およびVIb族元素を含む化合物層を、例えば、CBD法により形成してもよい。バッファ層18形成後、バッファ層18上に、窓層20として、例えば、厚さ10nmのZnO層を形成する。次に、透明電極22となる、例えば、AlがドープされたZnO層を、成膜装置を用いて、DCスパッタ法により、例えば、厚さ300nm形成する。これにより、透明電極22が形成される。次に、透明電極22の表面22aに、例えば、スパッタ法、蒸着法、CVD法により、アルミニウムからなる集電電極24を形成する。これにより、図1aに示す光電変換素子10を形成することができる。本実施形態においては、裏面電極14の表面14a上に、金属ナノ粒子30となる金属層を形成したが、これに限定されるものではない。例えば、CIGS製膜途中で、金属ナノ粒子30となる金属層を、例えば、蒸着により形成した後、再び、CIGS膜を製膜し、光電変換層16を形成する。この場合でも、CIGS膜を形成する際、400°C~500°C程度の温度に基板12を加熱するため、これにより、金ナノ粒子30が光電変換層16中に形成される。これ以外にも、例えば、CIGS製膜を中断し、一度取り出し、金属ナノ粒子30を成膜中のCIGS膜に分散させた後、再びCIGS膜を製膜し、光電変換層16を形成する。このようにして、金ナノ粒子30を光電変換層16中に形成することもできる。本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の光電変換素子について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。以下、本発明の光電変換素子の効果について、より具体的に説明する。なお、以下に示す例に、本発明は限定されるものではない。本実施例においては、本発明の効果を確認するために、下記に示すCIGS膜の膜厚が1.5μmの実施例1、比較例1の光電変換素子を作製し、それぞれSIMS二次イオン質量分析法を用いて、CIGS膜およびMo膜についてCu、Se、Mo、Auの組成分析を行った。その結果を図2a、bに示す。さらに、実施例1、比較例1について、それぞれ電流密度-電圧特性を測定した。その結果を図3a、bに示す。なお、後に詳細に説明するCIGS膜の膜厚が2.5μmの基準例光電変換素子を作製し、電流密度-電圧特性を測定した。その結果を図3cに示す。また、実施例1、比較例1および基準例の各電流密度-電圧特性から、変換効率η、開放電圧Voc、短絡電流Isc、短絡電流密度Jsc、および曲線因子FFを求めた。その結果を下記表1に示す。なお、図3a~cに示す電流密度-電圧特性において、光照射状態は、AirMassAM=1.5のソーラーシミュレータで、100mW/cm2の擬似太陽光を用いて得られたものである。図3a~cに示す電流密度-電圧特性において、暗状態は、光を照射しない状態で得られたものである。実施例1実施例1では、基板に、裏面電極として厚さ600nmのMo膜が形成されたSLG基板ソーダライムガラス基板を用いた。SLG基板は、ATOK製で、厚さが1mmである。この基板上に、金を、厚さ5nm蒸着し、金アイランド構造を作製した後、過熱処理を実施し、金ナノ粒子を層状に基板のMo層上に形成した。次に、MBE装置エピクエスト製を用いて、Mo層上に、金属ナノ粒子を覆うようにして、膜厚が1.5μmのCIGS膜を作製した。なお、基板加熱温度は、520°Cとした。CIGS膜製膜後、化学浴析出法CBD法により、バッファ層としてCdS層を、CIGS膜上に厚さ50nmに形成した。バッファ層形成後、窓層として、ZnO層を、バッファ層CdS層上にバッファ層上に10nmの厚さに形成し、透明電極としてZnO:Al膜を、窓層ZnO層上に300nmの膜厚にスパッタリング法により連続製膜した。次に、透明電極の表面に、スパッタ法にて、アルミニウムからなる集電電極を形成して光電変換素子を作製した。なお、実施例1の光電変換素子は、図1aに示す光電変換素子10と同様の構成である。比較例1比較例1は、実施例1に比して、金ナノ粒子を形成していない点以外は、実施例1と同様の構成である。このため、比較例1の詳細な説明は省略する。この比較例1は、図1aに示す光電変換素子10において金属ナノ粒子30が形成されていないものに相当する。基準例基準例は、実施例1に比して、金ナノ粒子を形成していない点、およびCIGS膜の膜厚が2.5μmである点以外は、実施例1と同様の構成である。このため、基準例の詳細な説明は省略する。図2aに示すように、金AuのピークがCIGS膜とMo膜との境界β付近にあり、実施例1では、CIGS膜内に金ナノ粒子が含まれていることが明らかである。一方、図2bに示すように、比較例1でも金Auは検出されるものの、バックグランドレベルであり、金ナノ粒子が実質的に含まれていないことは明らかである。図2a、bに示すように、CIGS膜内に金ナノ粒子が含まれているか否かは、SIMS二次イオン質量分析法を用いた組成分析で明らかにすることができる。上記表1に示すように、金ナノ粒子を設けた実施例1は、基準例から膜厚が減少しているが、実施例1では、短絡光電流密度Jscの低下が確認されず、高変換効率を維持している。一方、金ナノ粒子を設けていない比較例1は、基準例からの膜厚減少に伴い、短絡光電流密度Jscが0.8mA/cm2減少しており、また、変換効率も低下していた。このように、金属ナノ粒子をCIGS膜内に配置した本発明の構成により、膜厚を減少させても、短絡光電流密度Jscの低下が確認されず、高変換効率を維持できることは明らかである。"