"試料の上方に配置され、それぞれが並列して前記試料の表面に電子ビームを照射する複数のコラムセルと、前記複数のコラムセルの各ショットの露光位置、露光パターン及び露光時間を含む露光データを生成する統合制御部と、前記コラムセルの各々に設けられ、前記露光データに基づいてコラムセルを制御するコラムセル制御部と、前記統合制御部に設けられ、前記複数のコラムセルのいずれかから選ばれる基準コラムセルの露光量と線幅の関係式に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを記憶する補正パラメータ記憶部と、前記統合制御部に設けられ、前記基準コラムセルで所定の基準パターンを設計値通りの線幅に形成するのに必要な基準露光時間を記憶する基準露光時間記憶部と、前記統合制御部に設けられ、前記補正パラメータに基づいて前記基準露光時間を補正して前記補正対象コラムセルの露光時間を求める露光時間演算部と、を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。前記補正パラメータは、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の傾きを補正する第1の補正パラメータと、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の切片を補正する第2の補正パラメータとを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。前記露光時間演算部は、前記補正対象コラムセルの露光時間を前記基準露光時間に前記第1の補正パラメータを乗じた値と前記第2の補正パラメータとを加算して求めることを特徴とする請求項2に記載の電子ビーム露光装置。前記基準パターンは、対向するエッジ間の距離が、電子ビームの散乱によるぼやけの範囲よりも大きいパターンであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子ビーム露光装置。前記露光時間演算部は、露光対象パターンで設計値どおりの線幅を得るのに必要な露光量と前記基準パターンで設計値通りの線幅を得るのに必要な露光量との比を表す近接効果補正係数に、前記基準露光時間を乗じることにより、前記基準コラムセルで前記露光対象パターンの露光に必要な露光時間を求めることを特徴とする請求項4に記載の電子ビーム露光装置。前記第1の補正パラメータ及び第2の補正パラメータは、前記近接効果補正係数の関数で表され、前記第1の補正パラメータ及び第2の補正パラメータの値は、前記露光対象パターンの近接効果補正係数に基づいて決定されることを特徴とする請求項5に記載の電子ビーム露光装置。前記補正パラメータ記憶部は、前記基準コラムセルの補助露光量と線幅の関係式に前記補正対象コラムセルの補助露光量と線幅の関係を一致させる補助露光量補正パラメータを記憶するとともに、露光時間演算部は、前記補助露光量補正パラメータに基づいて前記基準コラムセルの補助露光時間を補正して前記補正対象コラムセルの補助露光時間を求めることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム露光装置。電子ビームを照射するコラムセルを複数使用して一枚のウェハ上に並列して複数のパターンを露光する電子ビーム露光方法であって、各コラムセルで所定のパターンを露光時間を変えながら露光を行って前記パターンの線幅を測定して、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求め、前記各コラムセルのいずれかから選ばれた基準コラムセルの線幅と露光量の関係式に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式を一致させる補正パラメータを求め、前記基準コラムセルで所定の基準パターンを設計値通りの線幅に形成するのに必要な基準露光時間を求め、前記補正パラメータと前記基準露光時間とに基づいて、前記補正対象コラムセルの露光時間を算出し、前記補正対象コラムセルの露光時間に基づいて、前記補正対処コラムで露光を行うことを特徴とする電子ビーム露光方法。前記補正パラメータは、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の傾きを補正する第1の補正パラメータと、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の切片を補正する第2の補正パラメータとを含むことを特徴とする請求項8に記載の電子ビーム露光方法。前記補正対象コラムセルの露光時間は、前記基準露光時間に前記第1の補正パラメータを乗じた値と前記第2の補正パラメータとを加算して求めることを特徴とする請求項9に記載の電子ビーム露光方法。前記基準パターンは、対向するエッジ間の距離が、電子ビームの散乱によるぼやけの範囲よりも大きいパターンであることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の電子ビーム露光方法。露光対象パターンで設計値どおりの線幅を得るのに必要な露光量と前記基準パターンで設計値通りの線幅を得るのに必要な露光量との比を表す近接効果補正係数に、前記基準露光時間を乗じることにより、前記基準コラムセルで前記露光対象パターンの露光に必要な露光時間を求めることを特徴とする請求項11に記載の電子ビーム露光方法。孤立パターンと密集パターンについて、それぞれ前記第1の補正パラメータ及び第2の補正パラメータを求め、線形補完により前記第1の補正パラメータ及び前記第2の補正パラメータの前記近接効果補正係数に対する依存性を求め、前記露光対象パターンの近接効果補正係数に基づいて前記第1の補正パラメータ及び第2の補正パラメータの値を決定することを特徴とする請求項12に記載の電子ビーム露光方法。電子ビームを照射するコラムセルを複数使用して一枚のウェハ上に並列して複数のパターンを露光した後、補助露光を行って前記露光の際の近接効果の影響を補正する電子ビーム露光方法であって、前記各コラムセルの各々で露光されたパターンに補助露光時間を変えながら補助露光を行って前記パターンの線幅を測定して、前記各コラムセルの補助露光量と線幅の関係を求め、前記各コラムセルのいずれかから選ばれた基準コラムセルの補助露光量と線幅の関係式に、補正対象コラムセルの補助露光量と線幅の関係式を一致させるための補正パラメータを求め、前記補正パラメータに基づいて前記基準コラムセルの補助露光時間を補正して前記補正対象コラムセルの補助露光時間を算出し、前記補正対象コラムセルの補助露光時間に基づいて、前記補正対象コラムセルで補助露光を行うことを特徴とする電子ビーム露光方法。しかし、マルチコラム型の電子ビーム露光装置では、機械的工作精度の制約等により、各コラムセル間で電子光学系の収差、電子ビームの実効電流密度、及び露光マスク又は矩形アパーチャの開口サイズ等が異なる。そのため、同じパターンを同じ露光時間で露光しても、各コラムセルで仕上がり線幅がばらついてしまう。そこで、各コラムセルの仕上がり線幅を測定し、その仕上がり線幅が一致するように各コラムセルの露光時間を補正することが考えられる。ところが、電子ビームを用いた露光では、パターンの粗密に応じて電子ビームの後方散乱量が変わってパターンの線幅が変化する、いわゆる近接効果が生じる。このため、電子ビーム露光装置では、近接効果の補正を行うべくパターンの粗密に応じて露光時間を変えている。しかし、上記のように特定の仕上がり線幅に対して各コラムセルの露光時間を合わせ込むだけでは、近接効果の補正等で露光時間を変えたときに各コラムセルの線幅のばらつきを防ぐことができない。また別の補正方法として、近接効果の補正計算を利用して各コラムセルの線幅のばらつきを補正することが考えられる。この場合には、各コラムセルの線幅が等しくなるようにコラムセルに固有の前方散乱長、後方散乱長及び散乱強度を実験的に定め、これらのパラメータに基づいて近接効果の補正計算を行って各コラムセルの露光時間を算出する。しかし、各コラムセル毎に固有の条件で近接効果補正計算を行うと、計算量が増加して露光データの生成時間が長くなってしまう。また、各コラムセルに固有の露光データを多数管理する必要があり現実的ではない。さらに、近接効果補正計算のための3つのパラメータでは、近接効果、電子光学系の収差、電子ビームの実効電流密度、及び露光マスクの開口サイズといった線幅のばらつきの発生原因の補正には自由度が足りず、精度の良い補正を行うことができない。そこで、近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供することを目的とする。上記した課題は、試料の上方に配置され、それぞれが並列して前記試料の表面に電子ビームを照射する複数のコラムセルと、前記複数のコラムセルの各ショットの露光位置、露光パターン及び露光時間を含む露光データを生成する統合制御部と、前記コラムセルの各々に設けられ、前記露光データに基づいて個々のコラムセルを制御するコラムセル制御部と、前記統合制御部に設けられ、前記複数のコラムセルのいずれかから選ばれる基準コラムセルの露光量と線幅の関係式に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを記憶する補正パラメータ記憶部と、前記統合制御部に設けられ、前記基準コラムセルで所定の基準パターンを設計値通りの線幅に形成するのに必要な基準露光時間を記憶する基準露光時間記憶部と、前記統合制御部に設けられ、前記補正パラメータに基づいて前記基準コラムセルの露光時間を補正して前記補正対象コラムセルの露光時間を求める露光時間演算部と、を有することを特徴とする電子ビーム露光装置により解決する。上記電子ビーム露光装置において、前記補正パラメータは、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の傾きを補正する第1の補正パラメータと、前記補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式の切片を補正する第2の補正パラメータとを含んでもよい。また、前記露光時間演算部は、前記基準コラムセルの露光時間に前記第1の補正パラメータを乗じるとともに、前記第2の補正パラメータを加算して前記補正対象コラムセルの露光時間を求めてもよい。さらに、上記した課題は、電子ビームを照射するコラムセルを複数使用して一枚のウェハ上に並列して複数のパターンを露光する電子ビーム露光方法であって、各コラムセルで所定のパターンを露光時間を変えながら露光を行って前記パターンの線幅を測定して、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求め、前記各コラムセルのいずれかから選ばれた基準コラムセルの線幅と露光量の関係式に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係式を一致させる補正パラメータを求め、前記基準コラムセルで所定の基準パターンを設計値通りの線幅に形成するのに必要な基準露光時間を求め、前記補正パラメータと前記基準露光時間とに基づいて、前記補正対象コラムセルの露光時間を算出し、前記補正対象コラムセルの露光時間だけ前記補正対象コラムセルで露光を行う電子ビーム露光方法により解決する。上記の電子ビーム露光装置では、基準コラムセルの露光量と線幅の関係式に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータに基づいて、基準コラムセルの露光時間を補正して各コラムセルの露光時間を求める。これにより、露光量露光時間が近接効果の補正等により変わった場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できる。以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係る電子ビーム露光装置のブロック図である。図1のように、電子ビーム露光装置1は、複数のコラムセル11を備えた電子ビームコラム10と、電子ビームコラム10を制御する制御部20とを備える。このうち、制御部20は、電子銃高圧電源21、レンズ電源22、バッファメモリ23、ステージ駆動コントローラ24及びステージ位置センサ25を有する。電子銃高圧電源21は、電子ビームコラム10内の各コラムセル11の電子銃を駆動させるための高電圧を発生させる。レンズ電源22は、電子ビームコラム10内の各コラムセル11の電磁レンズに駆動電流を供給する。バッファメモリ23は、コラムセル11の数に対応する分だけ用意されており、統合制御系26から送出された露光データを格納し、露光データに含まれる各ショットの露光条件を順次読みだしてコラムセル11に転送する。ステージ駆動コントローラ24は、ステージ位置センサ25からの位置情報に基づいて、ウェハ12の位置を移動させる。上記の制御部20の各部21~24は、ワークステーション等よりなる統合制御系26によって制御される。電子ビームコラム10は、同等なコラムセル11を複数、例えば4本備えている。そして、各コラムセル11の下には、ウェハ12を搭載するウェハステージ13が配置されている。図2は、ウェハ上で各コラムが描画を行う領域の一例を示す平面図である。なお、図2は電子ビームコラム10が4本のコラムセル11を備えている場合を示している。図2に示すように、1回のショット露光ステップにおいて、各コラムセル11はそれぞれウェハ12上の異なる領域a1、b1、c1、d1に同時に電子ビームを照射して露光を行う。各コラムセル11は、このようなショットを電子ビームの照射位置及びウェハの位置を変えながら複数回繰り返すことで、ウェハ12の上の各領域a~dの露光を行う。図3は、図1の電子ビーム露光装置1のコラムセル11のブロック図である。図3に示すように、コラムセル11は、露光部100と、露光部100を制御するコラムセル制御部31とに大別される。このうち、露光部100は、電子ビーム生成部130、マスク偏向部140及び基板偏向部150を備えている。電子ビーム生成部130では、電子銃101から電子ビームEBを発生させ、この電子ビームEBを第1電子レンズ102で収束させて、所定の電流密度の電子ビームEBを生成する。さらに、収束された電子ビームEBは、ビーム整形用マスク103の矩形アパーチャ103aを通過することにより、矩形状の断面に整形される。このようにして電子ビーム生成部130で生成された電子ビームEBは、マスク偏向部140の第2電子レンズ105によって露光マスク110上に結像される。そして、電子ビームEBは、第1静電偏向器104及び第2静電偏向器106により、露光マスク110に形成された特定のパターンSiに偏向される。露光マスク110を通過することにより、電子ビームEBの断面の形状がパターンSiの形状に整形される。なお、露光マスク110はマスクステージ123に固定されるが、そのマスクステージ123は水平面内で移動することができる。第1静電偏向器104及び第2静電偏向器106の偏向範囲ビーム偏向領域を超える部分にあるパターンSiを使用する場合には、マスクステージ123を移動させて、そのパターンSiをビーム偏向領域内に移動させる。露光マスク110の上下に配置された第3電磁レンズ108及び第4電磁レンズ111は、電子ビームEBをウェハ12上で結像させる。露光マスク110を通った電子ビームEBは、第3静電偏向器112及び第4静電偏向器113によって光軸Cに振り戻された後、第5電磁レンズ114によってそのサイズが縮小される。マスク偏向部140の静電偏向器104、106、112、113で発生する電子ビームEBの偏向収差は、第1補正コイル107及び第2補正コイル109によりが補正される。その後、電子ビームEBは、基板偏向部150に設けられた遮蔽板115のアパーチャ105aを通過して、第5静電偏向器119及び電磁偏向器120によってウェハ12上の所定の位置に偏向される。そして、電子ビームEBは、第1投影用電磁レンズ116及び第2投影用電磁レンズ121を通じてウェハ12の表面に投影される。なお、基板偏向部150の偏向器119、120で生じた電子ビームEBの偏向収差は、第3補正コイル117及び第4補正コイル118によって補正される。以上の電子光学系により、露光マスク110のパターンSiの像が、所定の縮小率、例えば1/20の縮小率でウェハ12上に転写される。一方、コラムセル制御部31は、電子銃制御部202、電子光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マスクステージ制御部205、ブランキング制御部206及び基板偏向制御部207を有する。これらのうち、電子銃制御部202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの加速電圧やビーム放射条件などを制御する。また、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、105、108、111、114、116及び121へ供給する電流量を制御して、電子光学系の倍率や焦点位置を調整する。ブランキング制御部206は、ブランキング電極127へ印加する電圧を制御して、電子ビームEBを所定の露光時間の間だけ遮蔽板115のアパーチャ115aを通過させてウェハ12の表面に照射させる。基板偏向制御部207は、第5静電偏向器119に印加する電圧と、電磁偏向器120に供給する電流量を制御して、ウェハ12の所望の位置に電子ビームEBを偏向させる。上記のコラムセル制御部31の各部202~207は、統合制御系26からバッファメモリ23を介して送出された露光データに基づいて動作する。以上の電子ビーム露光装置1の各コラムセル11間には、電子光学系の収差、実効電流密度、及び露光マスクのパターンサイズ等に差があり、同一のパターンを同じ露光時間で露光しても各コラムセル11で形成されるパターンの仕上がり線幅が異なる。そこで、本実施形態の電子ビーム露光装置1では、統合制御系26により各コラムセル11の露光時間の補正計算を行い、各コラムセル11間の線幅の誤差を補正する。図4は、図1の統合制御系26のブロック図である。図4に示すように、統合制御系26は、露光データ分割部27、露光時間演算部28、基準露光時間演算部29、及び補正パラメータ記憶部30を有する。このうち、露光データ分割部27は、電子ビーム露光装置1に入力された全体露光データ80を各コラムセル11用の露光データ81に分割する。基準露光時間記憶部29には、各コラムセル11のいずれか一つから選ばれる基準コラムセルにおいて、露光されたパターンの仕上がり線幅が設計値又は入射電子ビームの線幅と等しくなる露光時間以下、基準露光時間T0と呼ぶが記憶されている。また、補正パラメータ記憶部30には、基準コラムセルの露光量と線幅の関係に、他のコラムセルの露光量と線幅の関係を一致させるための補正パラメータが記憶される。露光時間演算部28は、基準露光時間T0、露光データに含まれる近接効果補正係数P、及び補正パラメータに基づいて、基準コラムセル及びその他のコラムセルの露光時間を算出して各コラムセル11の露光データ81を生成する。以下、統合制御系26による各コラムセル11の露光データ81の生成方法について説明する。ここに、図5は、統合制御系26による各コラムセル11の露光データ81の生成方法を示すフローチャートである。まず、図5のステップS10において、統合制御系26は、全体露光データ80を読み込む。ここで、図6は、可変矩形ビームの場合の全体露光データ80の一例を示す表である。図6に示すように、全体露光データ80には、各ショットの露光位置座標x,yと、ビームサイズX,Yと、近接効果補正係数Pとを含む。このうち、露光位置座標x,yは、ウェハ12上で電子ビームEBの照射位置をウェハ12上の座標系で指定する。ビームサイズは可変矩形ビームを用いる際のX方向及びY方向のビームサイズを指定する。なお、部分一括露光法による露光を行う場合には、ビームサイズの代わりに露光マスク上のパターンを指定するデータとしてもよい。また、近接効果補正係数Pは、露光対象パターンで設計通りの線幅を得るのに必要な露光量と、基準パターンで設計通りの線幅を得るのに必要な露光量との比を表している。以下、近接効果補正係数Pについて更に説明する。近接効果の補正では、無限小のサイズの電子ビームEBをレジストに照射したときに、前方散乱及び後方散乱による電子ビームの広がりを、下記の露光量分布ExposureIntensityDistributionEID関数で表す。上記の1式の第1項は電子ビームの前方散乱をガウス分布で近似し、第2項は電子ビームの後方散乱をガウス分布で近似している。なお、1式においてηはレジスト材料及び下地材料等によって決まる電子ビームの散乱強度であり、aは前方散乱長さ、βは後方散乱長である。βは電子ビームEBの加速電圧等によって変わるが、例えば加速電圧が50kevの場合には約6μm程度の長さである。レジストの堆積エネルギーの分布は、照射する電子ビームEBのエネルギー分布と上記のEID関数との畳み込み積分で求められる。例えば、エネルギー密度がEで、x方向のサイズがΔx=x1-x2、y方向のサイズがΔy=y1-y2の矩形状の電子ビームEBを照射したときの堆積エネルギーの分布Ex、yは、下記の式で表される。上記の堆積エネルギー分布Ex、yの中心の露光量のうち、EID関数の第1項の寄与分を2εとし、第2項の寄与分をαηとすると、εは露光対象パターンの面積、幅、形状によって近似される。また、αは後方散乱長さβの3倍程度の範囲内の重みつきパターン密度で近似できる。図7は、2式のエネルギー密度Eを、照射する電子ビームEBの電流密度Jに置き換えて求めた露光対象パターンの露光量の分布Qxの一例を示すグラフである。なお、図7においてQAは、電子ビームEBの電流密度Jと、電子ビームEBの露光時間tとの積による露光量の設定値を示している。図7に示すように、露光対象パターンの露光量の分布Qの最大値は、EID関数の第1項の寄与分の2εQAと、EID関数の第2項の寄与分によるαηQAとの和で表される。この露光対象パターンにおいて、εQA及びαηQAの和とレジストの最小解像露光量RTとが一致するように露光量QAを設定すると、露光対象パターンの線幅が設計値の線幅と等しくなる。このRT=εQAαηQAを満たす露光量QAが、露光対象パターンで設計通りの線幅を得るのに必要な露光量である。なお、図7に示す例では、εQA及びαηQAの和がRTよりも小さいため、QAを増加させる必要がある。図8は基準パターンにおける露光量の分布を示している。ここで、基準パターンは電子ビームの左右、上下のエッジのぼけblurが互いに干渉せず、中央部に平坦な部分が生じるような十分な大きさのパターンである。この基準パターンでは、ε=1/2であり、α=1となる。基準パターンにおいて、設計値と同じサイズとなる露光量基準露光量をQ0とすると、この基準露光量Q0とレジストの最小解像露光量RTとは、RT=Q0/2ηQ0の関係を満たす。従って、露光対象パターンに必要な露光量QAは、基準露光量Q0に基づいて、下記の式から求められる。そして、各ショットの近接効果補正係数Pは、下記の式のように露光対象パターンの露光量QAを基準露光量Q0で除算して求める。近接効果補正係数Pは、パターン自身の形状や周辺のパターン密度等を反映したパラメータε、α及びレジスト材料を反映した基準露光量Q0等によってによって決まり、電子ビーム露光装置に固有の条件からは独立している。そのため、露光位置、電子ビームサイズ及び近接効果補正係数Pを含む全体露光データ80は、異なる電子ビーム露光装置間で共有できる。このように、全体露光データ80を異なる電子ビーム露光装置1間で共有化しておけば、近接効果補正の計算を個々の電子ビーム露光装置1で行う必要がなく、露光データの作成時間を短縮でき、露光データの管理も容易となる。次に、図5のステップS20において、統合制御系26の露光データ分割部27が全体露光データ80を分割する。ここでは、露光データ分割部27は、全体露光データ80図6参照の露光位置座標に基づいて、全体露光データ80の各ショットを各コラムセル11に割り振る。そして、露光データ分割部27は露光位置座標を、各コラムセル11の座標系に変換する。以上により、全体露光データ80の分割が完了する。次に、ステップS30に移行し、露光時間演算部28が基準露光時間記憶部29に記憶された基準露光時間T0と、分割された露光データに含まれる近接効果補正係数Pとに基づいて、基準コラムセルの露光時間T1を算出する。なお、基準露光時間T0は、基準露光量Q0を、予め測定して求めた基準コラムセルの電子ビームEBの電流密度dで除算して求めた値であり、基準コラムセルで基準パターンを設計値どおりに形成するのに必要な露光時間を与える。露光時間演算部28は、上記の基準露光時間T0に近接効果補正係数Pを乗ずることにより、近接効果を考慮した基準コラムセルの露光時間T1を求める。次に、ステップS40に移行し、統合制御系26の露光時間演算部29が補正パラメータ記憶部30の補正パラメータと、基準露光時間記憶部28の基準露光時間T0及び近接効果補正係数Pとに基づいて、基準コラムセル以外の各コラムセル11の露光時間Tnを算出する。なお、nはコラムセルの番号を示している。ここでは、露光時間演算部29は、n番目のコラムセルの露光時間Tnを、基準露光時間T0に第1の補正パラメータAnを乗じた値に、第2の補正パラメータBnを加算して求める。ここで、補正パラメータAn、Bnは、n番目のコラムセルの露光量と線幅の関係Qnwを、基準コラムセルの露光量と線幅の関係式Qwに一致させるための補正パラメータである。第1の補正パラメータAnは、n番目のコラムセルの露光量と線幅の関係Qnwの傾きを補正し、第2の補正パラメータBnはn番目のコラムセルの露光量と線幅の関係Qnwの切片を補正する。図9は、第1の補正パラメータA及び第2の補正パラメータBの求め方を示すフローチャートである。まず、図9のステップS41において、孤立したラインパターンを露光する場合の露光量と線幅の関係を各コラムセル11について求める。図10は、線幅の設定値が80nmの孤立したラインパターンを露光する場合の、各コラムセル11の露光量と線幅との関係の一例を示している。図10に示すように、露光量Qdoseと線幅wwidthとの関係が各コラムセル11で、切片及び傾きがそれぞれ異なっている。そのため、各コラムセル11間の露光量と線幅の関係を切片及び傾きのいずれか一方のみで補正するだけでは、全ての露光量の範囲で線幅を一致させることができない。基準コラムセルの露光量と線幅の関係に他の各コラムセル11の露光量と線幅の関係を一致させるためには、切片及び傾きを補正する2つの補正パラメータが必要となる。次に、ステップS42において、基準コラムセルの露光量Qと線幅wの関係を下記の式でフィッティングした近似関数Q1iwを求める。ここで、erfは誤差関数であり、RTはレジストの最小解像露光量μC/cm2であり、DA/cm2は電子ビームのエネルギー密度である。また、wnmはビーム幅であり、blurnmはビームのぼけ量であり、BSは方散乱寄与量である。Q1iwが基準コラムセルの露光量Qと線幅wの測定結果と一致するように、6式のBS、Blur及びRTを定めることにより基準コラムセルの近似関数Q1iwが求まる。なお、図10の場合には、BSが0.097、RTが42.32μC/cm2、blurが14.61nmとなる。次に、ステップS43において、n番目のコラムセルの露光量Qと線幅wとの関係Qniwと、基準コラムセルの関数Q1iwとに基づいて、下記の式を満たすn番目のコラムセルの第1の補正パラメータAni及び第2の補正パラメータBniを最小二乗法で求める。ここでは、基準コラムセル以外の全てのコラムセルについて第1の補正パラメータAni及び第2の補正パラメータBniを求める。図11は、孤立パターンにおいて、基準コラムセルの露光量と線幅の関係に他のコラムセルの露光量と線幅の関係を一致させた例を示している。図11の場合には、第1の補正パラメータA3iを0.797、第2の補正パラメータB3iを11.62μCとすることで、露光量と線幅の関係が一致する。ところで、各コラムセル11の露光量と線幅の関係はパターンの粗密近接効果補正係数Pによって変化し、これに伴い第1の補正係数Ani、第2の補正係数Bniは近接効果補正係数Pに応じて変化する。そこで、本実施形態では下記のステップS44~S47に示すように密集パターンについても補正パラメータAnd、Bndを求め、線形補完により、補正パラメータAn,Bnの近接効果補正係数Pに対する依存性を求める。すなわち、ステップS44において、密集パターンを露光した場合の、各コラムセル11の露光量と線幅の関係を求める。なお、本実施形態では、密集パターンとしてラインパターン及びスペースの幅がそれぞれ1:1のラインアンドスペースパターンを用いるものとする。密集パターンのパターン密度は50あれば十分である。パターン密度が50以上のパターンは、ネガとポジの関係を反転すれば実質的にパターン密度が50以下のパターンとして露光できる。次いで、ステップS45において、密集パターンでの基準コラムセルの露光量と線幅の関係を6式でフィッティングした近似関数Q1dwを求める。その後、ステップS46において、n番目のコラムセルの露光量Qと線幅wとの関係Qndwを、基準コラムセルの関数Q1dwに一致させる第1の補正パラメータAnd及び第2の補正パラメータBndを最小二乗法で求める。図12は、ラインパターン及びスペースの幅がそれぞれ80nmのラインアンドスペースパターンにおいて、基準コラムセルの露光量と線幅の関係式に他のコラムセルの露光量と線幅の関係とを一致させた例を示している。図12の場合には、第1の補正パラメータA3dを0.985、第2の補正パラメータB3dを-1.126とすることで、露光量と線幅の関係が一致する。次に、ステップS47において、孤立パターン及び密集パターンの補正パラメータA、Bを線形補完して、第1の補正パラメータAn及び第2の補正パラメータBnの近接効果補正係数Pに対する依存性を求める。ここで、孤立パターン及び密集パターンの近接効果補正係数をそれぞれPi、Pdとすると、n番目のコラムセルの第1の補正パラメータAnPは下記の式により求まる。また、第2の補正パラメータBnPは下記の式で求まる。以上により、近接効果補正係数Pの関数として、第1の補正パラメータAnP及び第2の補正パラメータBnPが求まる。統合制御系26の補正パラメータ記憶部30図4参照には、各コラムセル11の第1の補正パラメータAnP及び第2の補正パラメータBnPが、上記8式及び9として記憶される。そして、露光時間演算部28が、8式及び9式に露光対象パターンの近接効果補正強度Pを代入することにより、第1の補正パラメータAnの値及び第2の補正パラメータBnの値を決定する。以上により、各コラムセル11の第1の補正パラメータA及び第2の補正パラメータBが求まる。そして、露光時間演算部28が5式により各コラムセル11の露光時間Tnを算出して各コラムセル11の露光データ81が完成する。本実施形態に係る電子ビーム露光装置1において、統合制御系26で生成された各コラムセル11の露光データ81はバッファメモリ23に格納される。そして、各コラムセル11のコラムセル制御部31は、バッファメモリ23から露光データ81に含まれる各ショットの露光条件を順次読み込んで、各コラムセル11で露光を行う。以上のように、本実施形態では、基準コラムセルの露光量と線幅の関係式に補正対象となるコラムセルの露光量と線幅の関係式を一致させる補正パラメータに基づいて、基本コラムセルの露光時間を補正することで補正対象となるコラムセルの露光時間を求める。これにより、全ての露光量の範囲で基準コラムセルと補正対象コラムセルとの線幅を一致させることができる。また、コラムセル間の露光時間の補正に用いる補正パラメータA、Bを、孤立パターン及び密集パターンのそれぞれの露光量と線幅の関係から求めた補正パラメータAi、Bi、Ad、Bdと、近接効果補正係数Pといった5つのパラメータに基づいて決定する。そのため、1各コラム間の収差の差、2露光マスクの開口サイズの差、3各コラム間の実効電流密度の差、及び4パターンの形状密度による電子ビームの後方散乱による線幅の差、といった4つの誤差要因の補正に対して十分な自由度を有している。さらに、各コラムセル11の露光時間は、基準コラムセルの基準露光時間T0の一次関数として簡単に求めることができる。これにより、各コラムセル11毎に固有の近接効果補正係数Pを求める場合に比べて迅速に各コラムセル11の露光データ81を生成できる。また、各コラムセル11に固有の露光データを保存する必要もないので露光データの管理も容易となる。その他の実施形態上記の実施形態では、近接効果の補正を露光時間で行う場合の各コラムセル11間の線幅を補正する方法について説明したが、上記実施形態の補正方法は近接効果の補正を補助露光で行う場合にも適用できる。以下、補助露光を行う場合の各コラムセル11間の線幅の補正方法について説明する。まず、各コラムセル11で、所定のパターンを露光及び補助露光を行って形成し、補助露光時間と線幅との関係を求める。次に、基準コラムセルの補助露光時間と線幅の関係式に補正対象となるコラムセルの補助露光時間と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める。ここでは、補正パラメータとして、補正対象となるコラムセルの補助露光時間と線幅の関係式の傾きを補正する第3の補正パラメータと、同じく切片を補正する第4の補正パラメータとを求める。以上のようにして求めた、第3の補正パラメータ及び第4の補正パラメータは、図4の統合制御系26の補正パラメータ記憶部30に記憶される。そして、統合制御系26の露光時間演算部28が基準コラムセルの補助露光時間に第3の補正パラメータを乗じた値と第4の補正パラメータとを加算して、補正対象のコラムセルの補助露光時間を求める。上記の方法で求めた補助露光時間に基づいて各コラムセル11で補助露光を行うことにより、近接効果補正を補助露光で行う場合にも各コラムセル11の線幅のばらつきを補正できる。"