"検知素子と温度補償素子を備えた接触燃焼式のガスセンサにおいて、前記温度補償素子が熱伝導式によりガス濃度が検出可能な温度となるように前記温度補償素子に通電して当該熱伝導式によりガス濃度を検出し、前記熱伝導式によって所定ガス濃度以上が検出された際に、前記検知素子および前記温度補償素子が接触燃焼式によりガス濃度が検出可能な温度となるように通電して該接触燃焼式によりガス濃度を検出する制御手段を備えることを特徴とするガス検知システム。前記制御手段は、熱伝導式によりガス濃度の検出を行っている間は、前記検知素子を低温で作動させる低温作動状態とすることを特徴とする請求項1に記載のガス検知システム。前記所定ガス濃度は、異常信号を出力するガス濃度以下に設定されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガス検知システム。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、接触燃焼式のセンサと熱伝導式のセンサを別体で構成しているため、検出方式を移行する際に検出に時間が掛かるという問題があった。また、別体で構成しているため、部品点数も多くなり、コスト高となる問題もある。本発明は、前記従来の問題を解決するものであり、検出時間を短縮でき、しかもコストを抑えることができるガス検知システムを提供することを課題とする。本発明は、検知素子と温度補償素子を備えた接触燃焼式のガスセンサにおいて、前記温度補償素子が熱伝導式によりガス濃度が検出可能な温度となるように前記温度補償素子に通電して当該熱伝導式によりガス濃度を検出し、前記熱伝導式によって所定ガス濃度以上が検出された際に、前記検知素子および前記温度補償素子が接触燃焼式によりガス濃度が検出可能な温度となるように通電して該接触燃焼式によりガス濃度を検出する制御部を備えることを特徴とする。また、温度補償素子を熱伝導式と接触燃焼式の両方式で作動させるため、熱伝導式のセンサと接触燃焼式のセンサを別個に設ける必要がなく、回路の部品点数を削減することが可能になる。また、検知素子の使用頻度を少なくすることで、シリコン等の被毒物質による被毒を抑制し、ガスセンサの寿命を向上させることが可能になる。また、制御部は、熱伝導式によりガス濃度の検出を行っている間は、前記検知素子を低温で作動させる低温作動状態とすることを特徴とする。これによれば、検知素子の通電をオフ電圧をゼロにするのではなく、検知素子を低温で作動するように通電することにより、接触燃焼式に移行する際の検知素子の起動検出可能な温度にする暖機を速めることができ、熱伝導式から接触燃焼式への移行をさらに迅速にすることが可能になる。なお、低温とは、例えば、ガスが検出可能となる温度よりも低く、かつ、素子の結露を防止抑制できる温度である。また、前記所定ガス濃度は、異常信号を出力するガス濃度以下に設定されることを特徴とする。これによれば、ガス濃度が異常である状態を検知する際は高精度な接触燃焼式でガス濃度を検知するため、高精度に異常を検知することができる。本発明によれば、検出時間を短縮でき、しかもコストを抑えることができるガス検知システムを提供できる。以下、本発明の一実施形態に係るガス検知システムを燃料電池システム1に適用した場合について図面を参照して説明する。なお、以下では、ガス検知システムを燃料電池自動車に適用した場合を例に挙げて説明するが、これに限定されず、船舶用や航空機用、または家庭用や業務用の定置式の燃料電池システムなど電気を必要とする様々なものに適用することができる。また、水素を直接に燃焼して動力を取り出す内燃機関を備えた自動車などにも適用できる。また、検出対象ガス被検出ガスとしては、水素に限定されるものではなく、メタン、プロパンなどの可燃性ガスにも適用できる。図1に示すように、燃料電池システム1は、例えば、燃料電池2と、燃料極アノード側の入口側配管3および出口側配管5と、酸素極カソード側の入口側配管4および出口側配管カソードオフガス流路6と、水素センサ10と、ECUElectronicControlUnit、電子制御装置20とを含んで構成されている。燃料電池2は、例えば陽イオン交換膜等からなる固体高分子電解質膜を燃料極と酸素極で挟持した膜電極接合体を、更に一対のセパレータで挟持してなる単セル図示しないを多数組積層して構成されたスタックからなる。燃料電池2には、例えば高圧の水素タンク等を備える水素供給装置図示しないから燃料極側の入口側配管3を介して燃料として水素が燃料極に供給されるとともに、コンプレッサ11により酸素極側の入口側配管4を介して酸化剤として空気が酸素極に供給される。燃料極の触媒電極上では、触媒反応により水素がイオン化され、生成された水素イオンが適度に加湿された固体高分子電解質膜を拡散通過して酸素極まで移動する。そして、この水素イオンが移動する間に、電子が走行モータなどを含む外部回路に取り出され、直流の電気エネルギ電力として利用される。また、酸素極には酸素を含む空気が供給されているために、この酸素極において、水素イオン、電子および酸素が、酸素極の触媒の作用により化学反応して水が生成される。なお、コンプレッサ11は、ECU20により発電要求アクセルの踏込み量などに対応してモータの回転速度が適宜制御される。そして、燃料極側の出口側配管5および酸素極側の出口側配管6から未反応の反応ガス例えば、水素や空気等を含むいわゆるオフガスが排出される。また、出口側配管6からは、反応ガスに同伴して凝縮水が排出され、出口側配管5からも、固体高分子電解質膜を透過した水分凝縮水、水蒸気が排出される。ここで、未反応の水素を含む水素オフガスアノードオフガスは、燃料電池2の燃料極側の出口側配管5から水素循環配管12に排出され、エゼクタ13を介して燃料極側の入口側配管3に戻され、再び燃料電池2の燃料極に供給されるようになっている。一方、反応済みの空気中に水分を多量に含んだ空気オフガスカソードオフガスは、希釈器16および出口側配管6を介して大気中へ排出される。したがって、燃料電池システム1において、燃料電池2の酸素極の出口に接続される出口側配管6は水分を多く含んだ加湿環境下であり、この加湿環境下に水素センサ10が設置されている。さらに、燃料電池2の燃料極側の出口側配管5にはパージ弁14を介して水素排出配管15が接続され、この水素排出配管15には希釈器16が接続されている。そして、水素オフガスは、パージ弁14を介して水素排出配管15に排出可能とされ、さらに、水素排出配管15を通って希釈器16に導入可能とされている。希釈器16は、水素排出配管15から取り込んだ水素オフガスを、酸素極側の出口側配管6から排出された空気オフガスによって規定の水素濃度を超えないように希釈し、希釈ガスとして排出することができるように構成されている。なお、パージ弁14は、ECU20によって開閉制御される。そして、この希釈器16の下流側の出口側配管6には、水素を検出する接触燃焼式の水素センサ10が配置されており、これによりオフガス希釈ガス中の水素濃度が監視されるようになっている。水素センサ10は、オフガスの流通方向が水平方向となるように配置された出口側配管6の鉛直方向上部に配置されている。また、水素センサ10は、燃料電池システム1の運転を制御するECU20と電気的に接続されている。なお、図示していないが、入口側配管4には、コンプレッサ11によって導入された乾燥空気低湿度なガスを加湿する加湿器が設けられている。この加湿器は、例えば、複数本の水透過性を有する中空糸膜を束ねた中空糸膜束を備えて構成され、燃料電池2の酸素極側の出口から排出される水分を利用して前記乾燥ガスを加湿するように構成されている。ECU20は、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、各種インタフェイス、電子回路などを含んで構成され、水素センサ10と、車室内に設けられた警報装置22と、イグニッションIG23と電気的に接続されている。警報装置22は、水素センサ10の異常を運転者に対して警告するものであり、光や音などの警告手段を有して構成されている。IG23は、燃料電池自動車燃料電池システム1の起動スイッチであり、ECU20がオン信号を取得することにより燃料電池システム1の運転燃料電池2の発電が開始され、オフ信号を取得することにより燃料電池システム1の運転燃料電池2の発電が停止される。図2に示すように、水素センサ10は、出口側配管6カソードオフガス流路内を流れるオフガスカソードオフガス、希釈ガス中の水素を検出する機能を有している。また、水素センサ10は、制御基板41を収容した直方体形状のケース30と、このケース30の下面30aに設けられた筒状部34とを備え、酸素極側の出口側配管6に図示しないボルト等によって締結されて構成されている。筒状部34の先端下面は開口しており、水素を含むオフガスを取り込むガス取込部36となっている。筒状部34の内部は、ガス検出室35として機能しており、検知素子Sと温度補償素子Rとが設けられている。すなわち、検知素子Sと温度補償素子Rは、同じガス検出室35内に配置されている。検知素子Sおよび温度補償素子Rは、それぞれ金属などで形成された導電性のステー電極ピン33a,33aを介して、ガス検出室35の天井部を構成するベース37に固定されている。また、ステー33aは、ベース37を貫通して、制御基板41と接続されている。また、筒状部34のガス取込部36には、例えば、防爆フィルタ38と撥水フィルタ39とを積層したフィルタが設けられている。防爆フィルタ38は、防爆性を確保するためのフィルタであり、液体状の水を通すことが可能な程度の金属製のメッシュや多孔質体などから構成されている。撥水フィルタ39は、例えば、テトラフルオロエチレン膜から構成され、気体状のオフガス水素などをガス検出室35に取り込みつつ、液体の水分をはじいてガス検出室35内に侵入しないようになっている。なお、筒状部34のガス取込部36には、素子の感度劣化の原因となるSi、Si化合物、有機物といった劣化物質をセンサ素子付近から除去するために、またこれらの劣化物質を吸着したり、ガス検出室35内に混入するのを防御する目的で、吸着フィルタや防御フィルタを設けるようにしてもよい。また、吸着フィルタや防御フィルタに撥水機能を持たせてもよく、また撥水フィルタを吸着フィルタや防御フィルタと同時に使用してもよい。また、ガス検出室35内に劣化物質を吸着する吸着剤が充填設置されていてもよい。ちなみに、劣化物質による劣化とは、例えば、タイヤ等に含まれるシロキサンであり、このシロキサンが燃料電池自動車のボンネット内に配置されたコンプレッサ11の吸気口から燃料電池システム1内に吸い込まれ、通電による過熱によってシリコンが素子に付着することによって発生するものである。また、水素センサ10にはヒータ40A,40Bが設けられている。ヒータ40Aは、筒状部34の天井部を構成するベース37の上部に設けられている。ヒータ40Aは、検知素子S、温度補償素子R、防爆フィルタ38、撥水フィルタ39を加熱する電気ヒータであり、例えば、PTCPositiveTemperatureCoefficientヒータ、焼結体ヒータ、薄いステンレス板SUS板で構成されたヒータ、ニクロム線によって構成される。なお、ヒータ40Aの位置は、筒状部34の外周面側などに設けられていてもよい。一方、ヒータ40Bは、制御基板41に設けられ、該制御基板41が結露するのを防止するようになっている。図3に示すように、本実施形態のガス検知システムに用いられる水素センサ10は、検知素子S、温度補償素子R、固定抵抗Rm1,Rm2,Rm3、切替スイッチSW、電圧発生回路17、検出回路18、制御装置19を有している。検知素子Sは、接触燃焼式のセンサとして動作するものであり、例えば、電気抵抗に対する温度係数が高い白金等を含む金属線のコイルが、触媒を坦持したアルミナ等の坦体で被覆されて形成されている。触媒は、被検出ガス水素ガスに対して活性な貴金属などからなる。温度補償素子Rは、熱伝導式のセンサおよび接触燃焼式のセンサとして動作するものであり、被検出ガス水素ガスに対して不活性とされ、例えば検知素子Sと同等のコイルの表面が、アルミナ等の坦体やSiO2、または水素と反応しない金属例えば、Auなどで被覆されて形成されている。また、水素センサ10は、検知素子S、温度補償素子Rおよび固定抵抗Rm1,Rm2により第1ブリッジ回路が構成され、温度補償素子R、固定抵抗Rm1,Rm2,Rm3により第2ブリッジ回路が構成されている。第1ブリッジ回路は、固定抵抗Rm1と固定抵抗Rm2とが直列接続された直列辺の両端と、検知素子Sと温度補償素子Rとが直列接続された直列辺の両端とが接続されて構成されている。第2ブリッジ回路は、固定抵抗Rm1と固定抵抗Rm2とが直列接続された直列辺の両端と、温度補償素子Rと固定抵抗Rm3とが直列接続された直列辺の両端とが接続されて構成されている。すなわち、温度補償素子Rおよび固定抵抗Rm1,Rm2は、第1ブリッジ回路と第2ブリッジ回路に共通の回路である。また、固定抵抗Rm3は、検知素子Sと並列に配置され、後記する切替スイッチSWの切り替え制御によって、温度補償素子Rと直列に接続されるように構成されている。なお、固定抵抗Rm1,Rm2,Rm3は、いずれも温度に対する特性は同様に形成され、それぞれ制御基板41上に設けられている。切替スイッチSWは、検知素子Sと固定抵抗Rm3のいずれかを選択的に接続するスイッチである。すなわち、切替スイッチSWは、固定抵抗Rm3に接続されることにより、温度補償素子Rを熱伝導式のセンサとして動作させ、また検知素子Sに接続されることにより、温度補償素子Rと検知素子Sを接触燃焼式のセンサとして動作させるように構成されている。なお、検知素子Sと温度補償素子Rは、互いに近接して配置されている。また、検知素子Sおよび温度補償素子Rは、ステー33a図2参照を介してベース37図2参照から所定距離離間して設置され、ベース37に対し同じ高さに位置している。なお、ここでいう近接とは、雰囲気が同じ領域内であることをいい、例えば、被検出ガスである水素の濃度や温度が実質的に同一な領域であることをいう。電圧発生回路17は、検知素子Sと温度補償素子Rまたは固定抵抗Rm3と温度補償素子Rが直列接続されてなる直列辺と、固定抵抗Rm1と固定抵抗Rm2が直列接続されてなる直列辺とに対して、図示しない外部電源から供給される電圧に基づいて所定の電圧作動電圧を印加する。なお、作動電圧とは、水素センサ10が水素濃度を検知できるようになる電圧である。検出回路18は、検知素子Sと温度補償素子Rまたは固定抵抗Rm3と温度補償素子Rとの接続点PSと、固定抵抗Rm1と固定抵抗Rm2との接続点PRとの間における電圧を検出するものであり、この検出回路18で検出された電圧出力値が制御装置19に送られる。制御装置19は、CPU、RAM、ROMなどで構成され、出力判定部19a、モード切替部19bを有している。出力判定部19aは、検出回路18から送られた電圧出力値に応じて、熱伝導式モードから接触燃焼式モードに切り替える必要があるか否かを判定する機能を有する。例えば、熱伝導式モードにおいて出力された出力値が、所定出力値以上であるか否かによって判定する。所定出力値は、熱伝導式モードから接触燃焼式モードに切り替える際の水素濃度に対応した値に設定される。モード切替部19bは、出力判定部19aによって算出された出力に基づいて切替スイッチSWを検知素子Sおよび固定抵抗Rm3のいずれかに切り替えるものである。すなわち、モード切替部19bは、出力判定部19aによって、出力が所定出力値所定ガス濃度未満であると判定した場合には、切替スイッチSWを固定抵抗Rm3側に切り替えて、温度補償素子Rと固定抵抗Rm3とを直列接続して、温度補償素子Rを熱伝導式のセンサとして機能させる。すなわち、温度補償素子Rの周囲に水素が多くなると放熱し易くなるので水素が温度補償素子Rの熱を吸収し易くなるので、その結果、温度補償素子Rの温度が下がって抵抗値が下がることにより通電量が増える。よって、検出回路18から制御装置19に出力される通電量電圧が変化する。このように、温度補償素子Rの通電量電圧が変化し、検出回路18によって検出される出力値電位差が変化する。また、モード切替部19bは、出力判定部19aによって、出力が所定出力値所定ガス濃度以上であると判定した場合、切替スイッチSWを検知素子S側に切り替えて、検知素子Sと温度補償素子Rとを直列接続して、温度補償素子Rを接触燃焼式のセンサとして機能させる。すなわち、固定抵抗Rm1の抵抗値をr1、固定抵抗Rm2の抵抗値をr2、温度補償素子Rの抵抗値をr3、検知素子Sの抵抗値をr4とした場合、ガス検出室35図2参照内に導入された検査対象ガス中に水素被検出ガスが存在しないときには、ブリッジ回路はバランスしてr1×r4=r2×r3の平衡状態にあり、検出回路18への出力がゼロとなる。一方、水素が存在すると、検知素子Sの担体の触媒において水素が燃焼することでコイルの温度が上昇し、抵抗値r4が増大する。これに対して温度補償素子Rにおいては水素燃焼による抵抗値変化はない。これにより、ブリッジ回路の平衡が破れ、検出回路18に対して水素濃度の増大変化に応じた電圧値が出力される。この出力値電圧値と水素濃度とが関連付けられたマップ等を参照することで、水素濃度を検出することができる。なお、雰囲気温度による電気抵抗値の変化は、温度補償素子Rを利用することにより相殺されるようになっている。次に、本実施形態に係るガス検知システムでの動作について図4および図5を参照適宜、図1ないし図3を参照して説明する。図4本実施形態に係るガス検知システムの動作を示し、aは検出モード切替処理を示すフローチャート、bは接触燃焼式での異常判定処理を示すフローチャート、図5は本実施形態に係るガス検知システムの動作を示すタイムチャートである。図4aに示すように、制御装置19は、ステップS101において、IG23のON操作による燃料電池自動車燃料電池システム1のECU20から起動信号を取得したか否かを判断し、起動信号を取得していないと判断した場合にはNo、エンドに進み処理を終了、また起動信号を取得したと判断した場合にはYes、ステップS102に進む。なお、ECU20は、IG23の起動信号を取得すると、燃料電池2の発電を開始して、走行モータやコンプレッサ11などの外部負荷に発電電力を供給するように制御する。また、必要に応じて、燃料電池2の発電電力が高圧バッテリや低圧バッテリ例えば、12Vバッテリに充電される。ステップS102において、制御装置19は、水素センサ10を熱伝導式のモードで動作させる。すなわち、制御装置19モード切替部19bは、切替スイッチSWを固定抵抗Rm3と接続されるように切り替えて、温度補償素子Rを熱伝導式として水素濃度を検出する。この場合、制御装置19は、電圧発生回路17によって作動電圧V1をブリッジ回路の両電源端子間に印加し、温度補償素子RR素子および固定抵抗Rm1~Rm3に通電する。したがって、水素センサ10では、温度補償素子Rの温度温度補償素子Rの抵抗値が、水素ガスによる熱の吸収量に応じて変化し、第2ブリッジ回路では、温度補償素子Rの温度温度補償素子Rの抵抗値の変化に対応する電位差を検出回路18によって検出する。そして、ステップS103に進み、制御装置19は、温度補償素子Rを熱伝導式で作動させたときの出力出力電位差が、所定出力値以上か否かを判断する。なお、所定出力値は、特許請求の範囲に記載の所定ガス濃度に対応し、システムとして精度のよい検出を望む閾値であり、例えば水素濃度1.5に対応する出力に設定される。ステップS103において、制御装置19は、所定出力値以上ではないと判断した場合にはNo、ステップS101に戻り、また所定出力値以上であると判断した場合にはYes、ステップS104に進む。そして、ステップS104に進み、制御装置19モード切替部19bは、温度補償素子Rを熱伝導式のモードから接触燃焼式のモードに切り替える。すなわち、共通の温度補償素子Rを用いて、熱伝導式と接触燃焼式の切り替えを実現できるように構成されている。制御装置19は、切替スイッチSWを検知素子Sと接続されるように切り替えて、接触燃焼式にて水素濃度を検出する。このとき、制御装置19は、電圧発生回路17によって作動電圧V1をブリッジ回路の両電源端子間に印加し、検知素子SS素子、温度補償素子RR素子、固定抵抗Rm1,Rm2に通電する。検知素子Sは、水素濃度の増加に応じて抵抗値r4が増加し、一方、温度補償素子Rは、水素濃度の増加に拘らず抵抗値r3が変化しないことから、水素濃度の増加に応じて出力出力電位差が変化する。そして、ステップS105に進み、制御装置19は、検知素子Sを作動させたときの出力出力電位差が、所定出力値未満か否かを判断し、所定出力値未満ではないと判断した場合にはNo、ステップS104に戻り、所定出力値未満であると判断した場合にはYes、ステップS101に戻る。なお、ステップS101において、制御装置19は、IG23による起動信号がオフにされたと判断した場合にはNo、水素センサ10への電力の供給を停止して、水素濃度の検出を停止するエンド。また、ECU20は、反応ガス水素および空気の供給を停止して、発電を停止する。また、制御装置19において図4aに示す処理が実行されている最中、これに並行してECU20では図4bに示す処理が実行されている。すなわち、ステップS104において接触燃焼式モードで水素センサ10が動作中、検出回路18によって検出された出力値がECU20に定期的に送られている。ECU20は、ステップS201において、検出回路18によって検出された出力値を取得し、そしてステップS202に進み、水素濃度を算出する。なお、水素濃度は、出力値と水素濃度とが関係付けられたマップ不図示などに基づいて算出される。なお、マップは、テーブル形式であっても関数形式であってもよい。また、マップ等は、事前の実験やシミュレーションなどによって求められ、ECU20に記憶されている。そして、ステップS203に進み、ECU20は、ステップS202で算出された水素濃度が所定水素濃度以上であるか否かを判断する。なお、所定水素濃度は、水素濃度が異常であり、異常信号を出力するか否かを判断するための閾値であり、例えば、水素濃度1.5に設定される。ステップS203において、ECU20は、水素濃度が所定水素濃度以上であると判断した場合にはYes、ステップS204に進み、警報装置22図1参照を作動させる異常出力。これにより、運転者に対して水素濃度が異常であること高めであることを警告する。また、ステップS203において、ECU20は、異常状態警報作動状態であることを示すフラグF=1を設定する。一方、ステップS203において、ECU20は、水素濃度が所定水素濃度以上ではないと判断した場合にはNo、ステップS205に進み、設定されているフラグが1であるか否かを判断する。すなわち、フラグが1である場合には、異常状態警報作動状態であることを示し、フラグが0である場合には、異常状態警報作動状態ではないことを示している。ステップS205において、ECU20は、フラグに1が設定されている場合にはYes、ステップS206に進み、水素濃度が正常であると判断して、警報装置22の作動を停止する異常出力停止。また、ステップS205において、ECU20は、フラグに0が設定されている場合にはNo、ステップS201に戻る。このように、本実施形態では、熱伝導式モードで動作している場合にはS102、図4bに示す異常判定処理は実行されず、接触燃焼式モードで動作している場合S104に異常判定処理が実行される。なお、熱伝導式モードステップS102においても、ECU20は、制御装置19から出力値を取得して、その出力値に基づいて水素濃度を算出している。さらに、図5を参照して説明すると、時刻t0において、起動信号IG-ONを検出した場合にはS101、Yes、水素センサ10を熱伝導式モードで動作させる。すなわち、IG-ON起動信号オンと同時に、温度補償素子Rに作動電圧V1を印加する。なお、作動電圧V1とは、温度補償素子Rが水素濃度を検知可能となる電圧である。作動電圧V1が印加されることにより、温度補償素子Rの温度が上昇して、水素濃度を検出可能な温度Tmとなるまで暖機され、暖機後に熱伝導式モードによる水素濃度の検出が開始されるS102。時刻t1において、熱伝導式モードで作動させたときの出力が所定水素濃度以上所定出力値以上になった場合にはS103、Yes、切替スイッチSWを切り替えて、検知素子Sに対して作動電圧V1を印加する。これにより、検知素子Sが検出可能な温度Tmまで上昇して、接触燃焼式モードにて水素濃度の検出が開始される。時刻t2において、接触燃焼式モードで作動させたときの出力が所定水素濃度未満になった場合にはS105、Yes、切替スイッチSWを切り替えて、検知素子SをOFF通電を遮断して、再び熱伝導式モードにて水素濃度を検出するS102。同様にして、時刻t3において、熱伝導式モードによる出力が所定水素濃度以上所定出力値以上になった場合にはS103、Yes、切替スイッチSWを切り替えて、検知素子Sを起動して、接触燃焼式モードで水素濃度を検出する。また、時刻t4において、接触燃焼式モードによる出力が所定水素濃度未満になった場合にはS106、Yes、切替スイッチSWを切り替えて、検知素子SをOFF通電を遮断して、熱伝導式モードにて水素濃度を検出する。以上説明したように、本実施形態に係るガス検知システムでは、温度補償素子Rが熱伝導式により水素濃度が検出可能な温度Tmとなるように温度補償素子Rに通電して当該熱伝導式により水素濃度を検出し、当該熱伝導式によって所定出力値所定ガス濃度以上の水素が検出された際に、検知素子Sおよび温度補償素子Rが接触燃焼式により水素濃度が検出可能な温度となるように通電して該接触燃焼式により水素濃度を検出する制御装置19を備えている。これにより、まず温度補償素子Rが熱伝導式で作動するため、熱伝導式の水素検出から接触燃焼式の水素検出に移行する際に温度補償素子Rが既に暖機されており、素子の物としてのバラツキや設計時点で温度補償素子Rの熱容量が検知素子よりも大きい場合においても、接触燃焼式の水素検出に早期スムーズに移行できる。また、本実施形態によれば、温度補償素子Rを熱伝導式と接触燃焼式の両方式で作動させることで、熱伝導式の水素センサと接触燃焼式の水素センサを別個に設ける必要がなく、水素センサ10の回路の部品点数を削減することが可能になる。また、本実施形態によれば、検知素子Sの使用頻度を少なくできるので、シリコン等の被毒物質による被毒を抑制し、水素センサ10の寿命を向上させることが可能になる。また、本実施形態によれば、熱伝導式モードから接触燃焼式モードに検出モードを切り替える際の所定出力値所定ガス濃度の設定を、異常信号を出力する水素濃度以下ガス濃度以下に設定することで、水素濃度が異常である状態を検知したときには高精度な水素検知が可能な接触燃焼式で作動するため、その後は水素濃度を高精度に検知することで、高精度に異常を検知することができる。他の実施形態図6は他の実施形態に係るガス検知システムを示し、aは熱伝導式モード時の全体回路構成図、bは接触燃焼式モード時の要部回路構成図であり、図7は他の実施形態に係るガス検知システムの動作を示すタイムチャートである。なお、他の実施形態に係るガス検知システムは、熱伝導式モードでの水素濃度検出時に検知素子Sに対する通電を遮断V2:電圧をゼロする構成に替えて、熱伝導式モードでの水素濃度検出時に検知素子Sを低温作動状態となるように電圧待機電圧V2を印加する構成である。また、この実施形態に係る水素センサ10Aについて、前記した水素センサ10と同様の構成については同一の符号を付して重複した説明を省略する。図6に示すように、他の実施形態に係るガス検知システムに用いられる水素センサ10Aは、前記した水素センサ10に、さらに電圧源50、スイッチSW1,SW2を追加した構成である。電圧源50は、熱伝導式モード時に検知素子Sを低温作動状態とするための電圧を印加する機能を有する。スイッチSW1は、電圧源50の一端を検知素子Sの一端に接続する位置と、電圧源50の一端を検知素子Sの一端から遮断して電圧源50の一端を開放する位置とを切り替えるものである。スイッチSW2は、検知素子Sの他端を電圧源50の他端に接続する位置と、検知素子Sの他端を温度補償素子Rに接続して電圧源50の他端を解放する位置とに切り替えるものである。このように構成されたガス検知システムでは、熱伝導式モード時、図6aに示すように、温度補償素子Rと固定抵抗Rm3とが接続されるように切替スイッチSWが切替えられ、検知素子Sの一端と電圧源50の一端とが接続されるように切替スイッチSW1が切替えられるとともに、検知素子Sの他端と電圧源50の他端とが接続されるように切替スイッチSW2が切り替えられる。これにより、検知素子Sに対して電圧源50から低温作動状態となる電圧V2が印加される。また、このガス検知システムでは、接触燃焼式モード時、図6bに示すように、検知素子Sの一端と接続されるように切替スイッチSWが切替えられ、検知素子Sの一端と電圧源50の一端との接続が解除されるように切替スイッチSW1が切替えられるとともに、検知素子Sの他端と温度補償素子Rとが接続されるように切替スイッチSW2が切替えられる。これにより、電圧源50の両端が開放状態となる。なお、図6に示す回路構成図は一例であり、適宜変更することができる。例えば、接触燃焼式モード時に電圧源50の両端を開放状態にする構成に限定されるものではなく、電圧源50の両端に高抵抗を有する抵抗体を設けて、接触燃焼式モード時に電圧源50の両端を前記抵抗体に接続するようにしてもよい。また、検知素子Sを低温作動状態にするための電圧源50を別個に設けるのではなく、電圧発生回路17入力電圧から分圧したものを検知素子Sに印加するようにしてもよい。また、図7に示すように、ガス検知システムが起動されるとIG-ON、時刻t0、温度補償素子Rに対して作動電圧V1が印加されるとともに、検知素子Sが電圧源50と接続されることで検知素子Sに対して低温作動状態となるように電圧待機電圧V2が印加される。これにより、熱伝導式モード時における検知素子Sの素子温度は、電圧V2がゼロのときの素子温度図5参照よりも高い温度に設定される。そして、ガス検知システムでは、出力値が所定出力値所定ガス濃度以上となって熱伝導式モードから接触燃焼式モードに切り替えられ、検知素子Sの印加電圧が待機電圧V2から作動電圧V1に切り替えられると時刻t1、検知素子Sの素子温度が作動温度Tmとなるまで上昇する。このように、熱伝導式モード時における検知素子Sの待機電圧が電圧V2低温作動状態に設定されているので、熱伝導式モードから接触燃焼式モードに切り替えられたときに、検知素子Sの温度が作動温度Tmとなるまでの時間を、待機電圧がゼロの場合図7の破線部分参照と比べて短縮することが可能になる。なお、検知素子Sを低温作動状態とする電圧待機電圧V2は、例えば、出口側配管6カソードオフガス流路に流れるカソードオフガス希釈ガスの温度以上、かつ、水素濃度を検知可能な温度未満となるように設定されることが好ましい。これにより、検知素子Sや温度補償素子Rが結露するのを抑制することができ、結露による劣化や水蒸気応力による劣化を抑制できる。以上説明したように、他の実施形態に係るガス検知システムによれば、熱伝導式モードにより水素の濃度の検出を行っている場合に検知素子Sを低温作動状態待機電圧V2とすることにより、熱伝導式モードから接触燃焼式モードに移行する際の検知素子Sの起動素子温度が水素検知可能となる温度まで上昇させることを早めることができ、接触燃焼式による水素濃度の検出を早期に開始することができる。なお、本発明は前記した各実施形態に限定されるものではなく、ガス検出室35内に検知素子Sと温度補償素子Rを備えた水素センサ10,10Aに替えて、図8に示すように、検知素子S1と温度補償素子R1を備えた筒状部34と、検知素子S2と温度補償素子R2を備えた筒状部34を有する水素センサ100としてもよい。この場合、検知素子S1および温度補償素子R1によって水素濃度を検知し、検知素子S2および温度補償素子R2によって検知素子S1および温度補償素子R1の劣化度合いなどを検出できるようになる。また、本実施形態に係るガス検知システムに用いられる水素センサ10,10Aの素子は、白金やPd等の触媒機能を持たせたワイヤをコイル状にした形態でもよく、薄膜状にした形態でもよい。また、水素センサ10,10Aは、カソードオフガス流路以外にも適用可能である。"