基板上に形成された基板側電極と、光電変換のための半導体層と、ある基準値以下の小さいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、該半導体層に接して置かれた低パワー透明導電膜と、前記基準値より大きいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、前記低パワー透明導電膜の面より上に置かれた高パワー透明導電膜とを前記基板からこの順に備える薄膜太陽電池。前記半導体層は、第1導電型の第1非単結晶シリコン系膜と、真性半導体の第2非単結晶シリコン系膜と、第2導電型の第3非単結晶シリコン系膜とが前記基板側電極からこの順に形成されたシリコン系半導体積層体であり、前記低パワー透明導電膜が前記第3非単結晶シリコン系膜に接している請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記第1導電型および前記第2導電型がそれぞれn型およびp型であり、前記シリコン系半導体積層体には、前記高パワー透明導電膜および前記低パワー透明導電膜を通して前記第3非単結晶シリコン系膜の側から光が入射する請求項2に記載の薄膜太陽電池。前記基板および前記基板側電極が透光性を有しており、前記第1導電型および前記第2導電型がそれぞれp型およびn型であり、前記シリコン系半導体積層体には、前記基板および前記基板側電極を通して前記第1非単結晶シリコン系膜の側から光が入射する請求項2に記載の薄膜太陽電池。前記低パワー透明導電膜の厚さが、該低パワー透明導電膜と前記高パワー透明導電膜との合計の厚さの1/3以下である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池。前記低パワー透明導電膜の厚さが6nm以上である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池。前記高パワー透明導電膜を形成する際のプラズマ電力の値が、前記基準値の4倍以上である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池。基板上に基板側電極を形成する工程と、光電変換のための半導体層を形成する半導体層形成工程と、ある基準値以下の小さいプラズマ電力により、低パワー透明導電膜を前記半導体層に接して形成する低パワースパッタリング工程と、前記基準値より大きいプラズマ電力により、高パワー透明導電膜を前記低パワー透明導電膜の面より上に形成する高パワースパッタリング工程とをこの順に含む薄膜太陽電池の製造方法。前記半導体層形成工程が、第1導電型の第1非単結晶シリコン系膜を形成する工程と、真性半導体の第2非単結晶シリコン系膜を形成する工程と、第2導電型の第3非単結晶シリコン系膜を形成する工程とをこの順に含むものであり、第3非単結晶シリコン系膜を形成する工程に次いで、前記低パワースパッタリング工程が実行される請求項8に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記低パワー透明導電膜の厚さが、該低パワー透明導電膜と前記高パワー透明導電膜との合計の厚さの1/3以下である請求項8または請求項9に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記低パワー透明導電膜の厚さが6nm以上である請求項8または請求項9に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記高パワースパッタリング工程のプラズマ電力の値が、前記基準値の4倍以上である請求項8または請求項9に記載の薄膜太陽電池の製造方法。従来の薄膜シリコン太陽電池において透明導電膜を形成するスパッタリング法には、生産効率の観点から、可能な限り高い成膜レートを採用することが望ましい。ところが、高い成膜レートにて形成された透明導電膜を有する薄膜太陽電池では、薄膜太陽電池の光電変換特性が悪化するという問題が生じることに本願の発明者は気づいた。本発明はかかる問題点の少なくともいくつかを解決することを課題とする。本発明は、半導体層の特性を良好に保ちつつ、高い成膜レートにより透明導電膜を形成する手法を提供することにより、高い変換効率の薄膜太陽電池の量産性を高めることに貢献するものである。より詳細には、本願の発明者は、スパッタリング法により高い成膜レートの条件にて透明導電膜を形成する場合に、特にスパッタリングの成膜レートを高めるために調整されるプラズマ電力と、最終的な薄膜太陽電池の特性との間に関連があることを見出した。すなわち、高い成膜レートを得るためにプラズマ電力を増大させて半導体層に接する位置の透明導電膜を成膜すると、より弱いプラズマ電力により当該透明導電膜を成膜した場合に比べ薄膜太陽電池の特性が低下する。だからといって、小さなプラズマ電力により透明導電膜を成膜すると、処理に長大な時間を要してしまう。本願の発明者は、上記特性低下の原因として、透明導電膜を形成する際に、その時点で既に形成されている半導体層が、透明導電膜のスパッタリングのためのプラズマからダメージを受けているためと推測した。この推測に基づき、太陽電池の特性に影響する位置、つまり半導体層に影響を及ぼす範囲の透明導電膜を弱いプラズマ電力により成膜することが有用であろうと予測した。さらに言えば、半導体層に接する位置の透明導電膜が、ある厚み以上に形成された後には、その時点で形成されている透明導電膜が、半導体層をプラズマから保護する役割を果たすことを期待できる。端的には、あるタイミングまではプラズマ電力を弱めて透明導電膜を形成し、そのタイミングから後はプラズマ電力を高めても薄膜太陽電池の特性には影響しないのではないか。本発明は、このような着想に基づくとともに、さらにその着想を実験的に確認したことにより創出された。すなわち、本発明のある態様においては、基板上に形成された基板側電極と、光電変換のための半導体層と、ある基準値以下の小さいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、該半導体層に接して置かれた低パワー透明導電膜と、前記基準値より大きいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、前記低パワー透明導電膜の面より上に置かれた高パワー透明導電膜とを前記基板からこの順に備える薄膜太陽電池が提供される。また、本発明のある態様においては、基板上に基板側電極を形成する工程と、光電変換のための半導体層を形成する半導体層形成工程と、ある基準値以下の小さいプラズマ電力により、低パワー透明導電膜を前記半導体層に接して形成する低パワースパッタリング工程と、前記基準値より大きいプラズマ電力により、高パワー透明導電膜を前記低パワー透明導電膜の面より上に形成する高パワースパッタリング工程とをこの順に含む薄膜太陽電池の製造方法が提供される。上述の本発明の各態様において、低パワー透明導電膜が形成されるスパッタリングつまり低パワースパッタリング工程の小さいプラズマ電力は、ある値基準値以下になるように制御される。これに対し、高パワー透明導電膜を形成するスパッタリングつまり高パワースパッタリング工程の大きいプラズマ電力は、低パワー透明導電膜のための当該基準値よりも大きな電力値とされる。そして、高パワー透明導電膜は、低パワー透明導電膜の面より上に配置されるか、または、低パワースパッタリング工程と高パワースパッタリング工程とがこの順に含まれている。本発明の各態様における基準値は、使用される成膜装置や、成膜のための条件、成膜される面積など各種の要因により決定される。このため、具体的な値によりこの基準値を表現することは本質的ではない。むしろその基準値は、低パワー透明導電膜または低パワースパッタリング工程のための小さいプラズマ電力の値と、高パワー透明導電膜または高パワースパッタリング工程のための大きいプラズマ電力の値との間に、互いの相対的な制御のための基準が存在することのみを規定している。さらに、低パワー透明導電膜や低パワースパッタリング工程の際のプラズマ電力は、その基準値以下の範囲でさまざまに制御されてもよい。同様に、高パワー透明導電膜や高パワースパッタリング工程の際のプラズマ電力は、その基準値を超える範囲でさまざまに制御されてもよい。したがって、この基準値は、必ずしも事前に決定されていることは要さず、低パワー透明導電膜や低パワースパッタリング工程の際のプラズマ電力の最大値を事後的に特定して当該基準値とすることができる。さらに、形成された透明導電膜において、高パワー透明導電膜は、低パワー透明導電膜に接していても良い。また、別例として、低パワー透明導電膜を形成した後、プラズマ電力を漸増させ、その後に高パワー透明導電膜を形成する場合のように、低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜との間に、両者の中間的なプラズマ電力により形成された透明導電膜が挟まれていてもよい。加えて、低パワー透明導電膜を形成する低パワースパッタリング工程から高パワー透明導電膜を形成する高パワースパッタリング工程への切り替えの際には、プラズマ電力以外の条件を変更したり、中断させる必要はない。その切り替えの際には、例えばプラズマを消弧させたり、ターゲットを変更したり、ガス条件や真空度を変更したり、別の成膜室に移送したり、といった条件変更は必ずしも要さない。最も典型的には、低パワースパッタリング工程と高パワースパッタリング工程とを同一の製造装置において、同一のスパッタリングターゲットを用いて、同一のガス条件と真空度により、低パワースパッタリング工程と高パワースパッタリング工程とが行なわれる。本発明のいずれかの態様によれば、高い変換効率の薄膜太陽電池を実効的な成膜レートを高めた透明導電膜を形成する処理により作製することが可能となる。以下、本発明の実施形態について説明する。以下の説明に際し特に言及がない限り、全図にわたり共通する部分または要素には共通する参照符号が付されている。また、図中、各実施形態の要素のそれぞれは、必ずしも互いの縮尺比を保って示されてはいない。<第1実施形態>[1薄膜太陽電池の構造]本実施形態の薄膜太陽電池は、サブストレート型とスーパーストレート型の薄膜シリコン太陽電池に適用することができる。以下、本実施形態における薄膜太陽電池の典型的な構造を、薄膜シリコン太陽電池サブストレート型、スーバーストレート型を例に説明する。[1-1薄膜シリコン太陽電池][1-1-1サブストレート型]図1は、サブストレート型の薄膜シリコン太陽電池の主要部の構造を示す概略断面図である。薄膜シリコン太陽電池1000は、例えばガラス基板や可撓性基板である基板100の上に形成された基板側電極である裏面電極110と、光電変換のためのシリコン系半導体積層体120以下、Si系積層体120と記すと、前面電極130とを基板100からこの順に形成し作製される。前面電極130は、透明導電膜からなり、Si系積層体120に接して配置された低パワー透明導電膜132と、低パワー透明導電膜132の面の上または上方に形成された高パワー透明導電膜134とを備えている。低パワー透明導電膜132は、ある基準値の電力以下の小さいプラズマ電力のスパッタリング法により形成されるのに対し、高パワー透明導電膜134は、当該基準値より大きいプラズマ電力のスパッタリング法により形成される。Si系積層体120は、例えば、n型非単結晶シリコン系膜122第1非単結晶シリコン系膜、以下n型Si系膜122と記すと、真性半導体であるi型非単結晶シリコン系膜124第2非単結晶シリコン系膜、i型Si系膜124と、p型非単結晶シリコン系膜126第3非単結晶シリコン系膜、p型Si系膜126とを裏面電極110からこの順に形成したシリコン系半導体積層体である。そして、低パワー透明導電膜132は、p型Si系膜126に接して配置されている。n型Si系膜122、i型Si系膜124、p型Si系膜126は、いずれも、アモルファスや微結晶または多結晶のシリコン系材料を採用することができる。p型Si系膜126としては、例えば、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、アモルファス炭化ケイ素a-SiC、アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGeなど各種のシリコン系の材料を採用することができる。このため、Si系積層体120には、高パワー透明導電膜134および低パワー透明導電膜132を通して紙面上の上方に位置するp型Si系膜126の側から発電のための太陽光hνが入射する。全体として、薄膜シリコン太陽電池1000は、サブストレート型の薄膜太陽電池として機能する。薄膜シリコン太陽電池1000において、典型的な低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134は、ともにITOIndiumTinOxide、スズドープインジウム酸化物から構成されている。ここで、低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134の間の界面鎖線にて図示は、必ずしも明瞭な界面または境界をなしているとは限らない。[1-1-2スーパーストレート型]図2は、スーパーストレート型の薄膜シリコン太陽電池の主要部の構造を示す概略断面図である。薄膜シリコン太陽電池2000は、例えばガラス基板である基板200の上に形成された基板側電極である前面電極210と、光電変換のためのシリコン系半導体積層体220Si系積層体220と記すと、裏面電極230とを基板200からこの順に形成し作製される。裏面電極230は、透明導電膜を備えており、Si系積層体220に接して配置された低パワー透明導電膜232と、低パワー透明導電膜232の面の上または上方に形成された高パワー透明導電膜234とを備えている。裏面電極230は、さらに金属反射電極層236を備えている。低パワー透明導電膜232は、ある基準値の電力以下の小さいプラズマ電力のスパッタリング法により形成されるのに対し、高パワー透明導電膜234は、当該基準値より大きいプラズマ電力のスパッタリング法により形成される。薄膜シリコン太陽電池2000におけるSi系積層体220は、例えば、p型非単結晶シリコン系膜222第1非単結晶シリコン系膜、p型Si系膜222と、真性半導体であるi型非単結晶シリコン系膜224第2非単結晶シリコン系膜、i型Si系膜224と、n型非単結晶シリコン系膜226第3非単結晶シリコン系膜、n型Si系膜226とを前面電極210からこの順に形成したシリコン系半導体積層体である。そして、低パワー透明導電膜232は、n型Si系膜226に接して配置されている。前面電極210は、適当な透明導電膜により形成されている。さらに基板200も透光性を有している。このため、Si系積層体220、基板200および前面電極210を通して、p型Si系膜222の側から太陽光hνが入射する。全体として、薄膜シリコン太陽電池2000は、スーパーストレート型の薄膜太陽電池として機能する。薄膜シリコン太陽電池2000において、典型的な低パワー透明導電膜232および高パワー透明導電膜234は、ともにZnO酸化亜鉛から構成されている。薄膜シリコン太陽電池2000においても、低パワー透明導電膜232および高パワー透明導電膜234の間の界面鎖線にて図示は、必ずしも明瞭な界面または境界となっているとは限らない。[1-2他の構成]本実施形態の薄膜太陽電池は、上述した薄膜シリコン太陽電池1000および2000のほか、多接合型など各種の構造の薄膜太陽電池を含む。いずれの構造のものであっても、本実施形態の薄膜太陽電池は、基板上に形成された基板側電極と、光電変換のための半導体層と、低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜とを基板からこの順に備えており、低パワー透明導電膜が、ある基準値以下の小さいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、半導体層に接して配置されたものである。そして、高パワー透明導電膜が当該基準値より大きいプラズマ電力のスパッタリング法により形成され、低パワー透明導電膜の面の上または上方に置かれているものである限り、本実施形態の薄膜太陽電池とすることができる。また、上述した薄膜シリコン太陽電池1000および2000の低パワー透明導電膜は、それを成膜する時点において、すでに形成されている半導体層Si系積層体120、Si系積層体220の面に接する位置に配置され、半導体層と高パワー透明導電膜とにより挟まれる位置に配置される。さらには、低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜は、互いに同一の材質とされると好ましい。低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜の材質は、特に酸化物から選択される。なお、低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜において、透明であることとは、半導体層が感度を有する少なくともいずれかの波長域において透過性を有することを意味しており、また、導電性とはたとえ電気抵抗が高くても構わない。加えて、低パワー透明導電膜と高パワー透明導電膜は、例えば裏面電極230のように、透光性のある導電体の膜としての機能の他に、例えば長期動作時においてSi系積層体220が金属反射電極層236の影響を受けることを防止する効果があっても構わない。[2薄膜太陽電池の製造工程]次に、本実施形態において提供される薄膜太陽電池の製造工程の一例を説明する。薄膜シリコン太陽電池1000に関し、基板100が可撓性基板である場合を一例として、また、薄膜シリコン太陽電池2000を別例として説明する。図3は、本実施形態の薄膜太陽電池のいくつかの例の作製手順を示すフローチャートである。また、図4は、本実施形態の一例の薄膜太陽電池を製造する一部の工程を処理する製造装置の概略構造を示す構成図である。さらに、図5および図6は、それぞれ、半導体層形成工程、ならびに低パワースパッタリング工程および高パワースパッタリング工程が実行される製造装置の部分を拡大して示す構成図である。図3は、本実施形態の薄膜太陽電池の一例である薄膜シリコン太陽電池1000の製造方法を示している。本製造方法は、基板側電極の形成工程S120と、半導体層形成工程S140と、低パワースパッタリング工程S160と、高パワースパッタリング工程S180とをこの順に含んでいる。このうち、半導体層形成工程S140は、光電変換のための半導体層を形成する工程である。また、低パワースパッタリング工程S160は、該半導体層に接する位置に低パワー透明導電膜を形成する工程である。そして、高パワースパッタリング工程S180は、低パワー透明導電膜の面の上または上方に高パワー透明導電膜を形成する工程である。低パワースパッタリング工程S160は、ある基準値の電力以下の小さいプラズマ電力により低パワー透明導電膜132を形成する処理である。これに対し、高パワースパッタリング工程S180は、その基準値の電力より大きいプラズマ電力により、高パワー透明導電膜134を形成する処理である。[2-1サブストレート薄膜太陽電池の製造工程]図1の薄膜シリコン太陽電池1000を作製する場合、半導体層形成工程S140の第1導電型の第1非単結晶シリコン系膜の形成工程S142は、n型Si系膜122を形成する工程である。同様に、真性半導体の第2非単結晶シリコン系膜の形成工程S144は、i型Si系膜124を形成する工程とされ、第3非単結晶シリコン系膜の形成工程S146は、p型Si系膜126を形成する工程である。これらの工程S142~工程S146はこの順に実行される。低パワースパッタリング工程S160は、第3非単結晶シリコン系膜の形成工程S146に次いで実行する。[2-1-1サブストレート薄膜太陽電池の製造工程]図4~図6に基づき薄膜シリコン太陽電池1000の例示の構造および形成工程について詳述する。薄膜シリコン太陽電池1000を製造する際の基板100は、可撓性を有する基板、例えば樹脂基板を採用することができる。最も典型的には、基板100は、ポリイミドフィルムとすることができる。基板100の一方の面の上に、裏面電極110としてAg/ZnO裏面電極膜を形成する。なお、図1においては、裏面電極110を単一の層により示している。裏面電極110を形成するための基板側電極の形成工程S120においては、例えば直流スパッタ法を採用する。そして、Si膜であるSi系積層体120を形成する工程半導体層形成工程S140を実行する前には、脱ガスのため真空中で熱処理する図示しない。本実施形態における基板100は、製造途中においては長尺の製造用基板100Sであり、必要に応じて巻取られ再びロール状とされる。裏面電極110が形成され熱処理を終えた製造用基板100Sは、次に、図4に示す製造装置5000に搭載される。製造装置5000には、巻出し室502および巻取り室504と、巻出し室502および巻取り室504の間に配置された半導体層形成室510と、TCO室520とを備えている。半導体層形成室510は、N室512、I室514、およびP室516を、巻取り室504の側からこの順に有している。ロールに巻かれた製造用基板100Sは最初に巻出し室502にロードされる。この際、製造用基板100Sは、大半が巻出しロール502Rに巻取られている。同様に、処理を終えた製造用基板100Sは、最後に巻取り室504に収容され、巻き取りロール504Rに巻取られる。巻出し室502と巻取り室504の間の製造用基板100Sの搬送は、一般には、間欠的なものである。つまり、時間的に、搬送のために製造用基板100Sが移動している期間と、成膜処理のために100Sが静止する期間が繰り返しも受けられる。このようにして、製造用基板100Sは、長尺の長手方向の一端から他端まで必要に応じて順次に処理される。Si系積層体120は、半導体層形成室510を利用するプラズマCVD成膜により成膜する。図11に示すようにn型Si系膜122、i型Si系膜124、そしてp型Si系膜126の順に、N室512、I室514、P室516の各成膜室において成膜処理する。次いで、TCO室520において、前面電極130をスパッタリング法により成膜する。Si系積層体120を形成するためのN室512、I室514、そしてP室516の各成膜室は、図5に示す構造の成膜室600を内蔵している。成膜室600は製造装置5000の内部の真空度よりも成膜に適した高真空に排気するための排気系図示しないを備えている。成膜室600は、内部に、カソード電極602およびアノード電極604を備えている。カソード電極602およびアノード電極604は、互い平行平板対をなすように配置されている。また、カソード電極602およびアノード電極604の間には高周波電力が印加できるようにされている。つまり、例えばカソード電極602に整合器614を介し高周波電源612を接続し、アノード電極604は接地させる。製造用基板100Sは、カソード電極602とアノード電極604の間隙に配置し、その成膜面をカソード電極602に向け、成膜面とは逆の面をアノード電極604に接触させて配置する。カソード電極602の製造用基板100Sに向かう面には多数の穴を設けておき、成膜室600の外部から導入管図示しないを通じカソード電極602の内部に送られた原料ガスを、シャワー状にカソード電極602から製造用基板100Sの成膜面に向け放出する。この構造により、製造用基板100Sの成膜面に到達するガスの流れは均等となるように配慮されている。成膜処理の間、原料ガスの流量は、ガス流量の制御器図示しないにより一定に保っておく。カソード電極602にはヒーター図示しないが備わっており、アノード電極604および製造用基板100Sが所定の温度に昇温できるようになっている。成膜室600の排気系図示しないには成膜室600の内部の圧力真空度を一定に保つ制御装置図示しないが備えられている。Si系積層体120の成膜工程S140の実行に際し、SiH4と水素などの原料ガスや希釈ガスを一定流量だけ流しながら、成膜室600の内部の圧力を所定の値になるよう調整する。この際、高周波電源612によりカソード電極602に高周波電力を出力しプラズマを励起する。整合器614は、この放電によるプラズマの励起が安定するように調整しておく。N室512およびP室516におけるn型とp型の非単結晶シリコン系膜を形成するための原料ガスおよび希釈ガスとしては、例えば、SiH4および水素を採用し、そこに不純物ドーピングのためのホスフィンガスまたはジボランガスを加えたものとする。N室512、I室514およびP室516におけるそれぞれの成膜室600において、それぞれ、工程S142~工程S146を実行する。工程S142~工程S146を終えると、n型Si系膜122、i型Si系膜124、およびp型Si系膜126が形成される。その後、製造用基板100Sの部分はTCO室520に送られる。TCO室520においては直流スパッタ法により前面電極130を形成する。前面電極130は、例えばITOである。TCO室520は、図6に示す構造の成膜室700を内蔵している。成膜室700も、成膜室600図5と同様に高真空に排気するための排気系およびスパッタリングガスを定量供給するためのガス供給系、ならびに、成膜室700を一定圧力に維持するための制御系いずれも図示しないを備えている。成膜室700は、内部に、互い平行をなすように配置されているカソード電極702およびアノード電極704を備えている。カソード電極702およびアノード電極704の間には直流電力が印加できるように、例えばカソード電極702に直流電源712が、カソード電極702を負電位とするような向きに接続されている。カソード電極702には、アノード電極704に向かう面に前面電極130のためのターゲット720が配置されている。製造用基板100Sは、ターゲット720とアノード電極704の間隙に、成膜面をターゲット720に向け、成膜面とは逆の面をアノード電極704に接触させて配置する。カソード電極702のターゲット720からみて背面にはマグネトロンスパッタリングのための永久磁石図示しないが配置されている。スパッタリングガスは、例えば、Ar-O2ガスとされる。アノード電極704は、図示しないヒータを内蔵しており、アノード電極704および製造用基板100Sを加熱することが可能となっている。成膜室700においては、前面電極130をなす低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134の成膜工程工程S160および工程S180のために、スパッタリングガスを一定流量だけ供給しながら、直流電源712によりプラズマを励起する。直流電源712の出力は、低パワースパッタリング工程S160においてある基準値以下になるように制御し、高パワースパッタリング工程S180においてはその基準値を超えるように制御する。低パワースパッタリング工程S160と高パワースパッタリング工程S180は共に同一の成膜室700において行なわれる。このような制御のために、直流電源712として、例えば電圧出力または電流出力以下、単に出力パワーというを変化させプラズマ電力を調整しうる可変直流電源を採用する。直流電源712を制御するためのコントローラー714が直流電源712に接続されることも好ましい。低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134が形成された製造用基板100Sの部分は、巻取り室504に送られ巻き取りロール504Rに巻取られる。[2-2スーパーストレート薄膜太陽電池の製造工程]図2の薄膜シリコン太陽電池2000を作製する場合、半導体層形成工程S140の第1非単結晶シリコン系膜の形成工程S142は、p型Si系膜222を形成する工程である。同様に、第2非単結晶シリコン系膜の形成工程S144は、i型Si系膜224を形成する工程とされ、第3非単結晶シリコン系膜の形成工程S146は、n型Si系膜226を形成する工程である。これらの工程S142~工程S146はこの順に実行される。低パワースパッタリング工程S160は、第3非単結晶シリコン系膜の形成工程S146に次いで実行する。[3実験例]次に、本実施形態の薄膜シリコン太陽電池1000を実際に作製したサンプルに基づく実験例を、いくつかの実施例、ならびにそれらに関連する比較例および予備実験例として説明する。以下の実施例等に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することかできる。したがって、本発明の範囲は以下の具体例に限定されるものではない。また、これまで説明した図面を適宜参照する。まず、比較例1~3、予備実験例1~5および実施例1~3の各例のサンプルに共通する条件や作製工程を説明する。各例のサンプルにおいて薄膜太陽電池の構造は、図1の薄膜シリコン太陽電池1000とほぼ同様とした。具体的には、各例の薄膜太陽電池において、n型Si系膜122、i型Si系膜124およびp型Si系膜126の位置には微結晶シリコン層μc-Siである非単結晶シリコン系の薄膜太陽電池以下、μc-Si太陽電池というを作製した。つまり、製造用基板100Sの裏面電極110が形成されている面の上にμc-Siのn型Si系膜122、i型Si系膜124、p型Si系膜126以下、それぞれ、n層、i層、およびp層と記すを成膜した。この成膜には、図4および図5に示した製造装置5000とそれが内蔵している成膜室600とを用いるプラズマCVD法が実行される。作製された各サンプルのn層、i層、p層それぞれの厚さは、30nm、2500nm、30nmいずれも成膜レートからの換算値とした。比較例1および予備実験例1~5においては、前面電極130を、直流電源712からの出力パワーを時間変化させず、一定の出力により形成した。各例のサンプルにおいて、前面電極130または前面電極130に相当する透明導電膜の厚みは、同一の70nmに統一した。ITO膜の形成は、図4および図6に示した製造装置5000と成膜室700により行なった。その際のITO膜の形成条件は、いずれの例も、Ar-O21.2、ガス流量10sccm、圧力3mtorr約0.4Paとし、成膜時の基板温度アノード電極704の制御温度を200°Cとした。以下、各例のサンプルの間で相異させた条件について説明する。[3-1比較例一部]比較例1として、Si系積層体120の面の上に、前面電極130に相当する透明導電膜として、ITO膜膜厚70nmを直流スパッタ法で積層しサンプル1-1を作製した。サンプル1-1では、直流電源712の出力パワーを終始一定の140Wとした。こうして作製された太陽電池の比較例1サンプル1-1の変換効率を実測したところ7.7であった。なお、ITO膜を140Wにて70nm厚に成膜するのに要する時間は200秒であった。[3-2予備実験例]次に予備実験例1~5として、いくつかの値の直流電源712の出力パワーにより比較例1と同様の構造の太陽電池を作製した。予備実験例1~5においては、前面電極130に相当する透明導電膜のITO膜の成膜の際、直流電源712の出力パワーは終始一定の値としたサンプル2-1~2-5を作製した。ただし、サンプル2-1~2-5において、前面電極130に相当する透明導電膜のITO膜を成膜する際の直流電源712の出力を、それぞれ、35W、50W、70W、120Wおよび140Wと変更した。なお、これらのうち140Wのサンプル2-5は、上記比較例1のサンプル1-1と同条件にて作製されたものである。そして、予備実験例1~5として作製されたサンプル2-1~2-5それぞれの変換効率を実測し表1の結果を得た。表1に示す予備実験例1~5の結果から、ITO膜を形成するスパッタリング時の出力パワーを、比較例1サンプル1-1の140Wから弱めることにより、最終的な薄膜太陽電池の変換効率が増加することを確認した。さらに、その出力パワーを70W以下にすることにより、変換効率がほぼ飽和することを確認した。本願の発明者は、これらの実験事実、とりわけ表1に示す予備実験例1~5サンプル2-1~2-5の変換効率の値から、ITO膜を低いプラズマ電力で成膜することが、薄膜太陽電池の変換効率を高める効果をもたらしていると判断した。なお、直流電源712の出力パワーを変化させた予備実験例1~5サンプル2-1~2-5において、成膜レートが直流電源712の出力パワーに比例していることも確認した。端的には、直流電源712の出力パワーを小さくし高い変換効率が得られるサンプルにおけるITO膜の成膜時間は、それに応じて長くなった。なお、ITO膜を35Wにて70nm厚に成膜するのに要する時間は800秒であった。[3-3実施例および追加の比較例]次に、実施例1~3として、薄膜シリコン太陽電池1000の構造の薄膜シリコン系太陽電池のサンプル3-3、3-5、および3-7を作製した。前面電極130として形成したITO膜の形成条件は、成膜途中にて直流電源712の出力パワーを変更し、図3に示した低パワースパッタリング工程S160と高パワースパッタリング工程S180の二段階の成膜とした。具体的には、これらの実施例1~3の各サンプルにおいては、低パワースパッタリング工程S160として、直流電源712の出力パワーを35Wとした低パワーにより低パワー透明導電膜132を成膜した。続けて、プラズマの励起を継続させながら、高パワースパッタリング工程S180に切り替えた。高パワースパッタリング工程S180においては、同出力パワーを140Wとした高パワーにより高パワー透明導電膜134を成膜した。こうして、低パワースパッタリング工程S160における出力パワーの基準値を35Wとし、高パワースパッタリング工程S180における出力パワーの140Wは、当該基準値の4倍となるようにした。図7は、サンプル3-3、3-5、および3-7などにおいて採用した35W低いプラズマ電力と140W高いプラズマ電力における電力を切り替える様子を模式的に例示するグラフである。こうして実施例1~3においては、図1に示したとおりの、低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134が互いに接して形成されている前面電極130を形成した。本願の発明者は、実施例1~3として作製されたサンプル3-3、3-5、3-7において低パワー透明導電膜132と高パワー透明導電膜134図1の境界をいくつかの分析手段により確認しようと試みたものの明瞭な境界は確認されなかった。ただし、これらのサンプルにおいては、図1に示したような低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134の各層は成膜処理の順序通りに図1に示したように形成されており、また、特段経時変化しないものと本願の発明者は確信している。その理由の一つは、別途の実験により、35Wおよび140Wの出力パワーにおける成膜レートに応じて低パワー透明導電膜132および高パワー透明導電膜134の膜厚が増加することが確認されているためである。さらに、実施例1および2サンプル3-3および3-5に対応させて、低パワーと高パワーの時間的順序を反転させた比較例2および3サンプル3-4および3-6も作製した。そして、比較例1および予備実験例1~5と同様に、変換効率を測定した。表2に、各サンプルの変換効率を示している。実施例1~3の各サンプルは、サンプル3-3実施例1、3-5実施例2、サンプル3-7実施例3であり、サンプル3-4比較例2、3-6比較例3は、それぞれ、サンプル3-3実施例1、サンプル3-5実施例2と対比されるべき比較例である。なお、表2には、各サンプルのITO膜形成時のパワー条件、低いプラズマ電力35Wにて形成されたITO膜の膜厚、およびITO膜の成膜時間も示している。これらの膜厚は、別途の成膜レートを決定する実験からの換算値である。表2のパワー条件は、ITO膜の形成の順に、先の成膜条件/後の成膜条件の順にスラッシュにより区切り記載している。比較のため、表2には、上述した比較例1および予備実験例5の条件に相当するサンプルサンプル3-1、3-2も再掲している。先述したように、各サンプルにおいて形成されるITO膜の膜厚は合計70nmとなるように統一している。このため、各サンプルにおける成膜時間の逆数が実効的な成膜レートのための相対的な指標となる。表2に示した実験例から、本願の発明者は以下の知見を得ている。まず、サンプル3-1比較例1とサンプル3-2予備実験例1との対比により、ITO膜の成膜レートが直流電源712の出力と反比例していることを確認した。加えて、成膜レートが低いほど、変換効率は高くなっている。これらは、上述したように、比較例1と予備実験例1~5からも導かれる知見である。次に、サンプル3-2予備実験例1とサンプル3-3実施例1の対比により、ITO膜のすべてを低いプラズマ電力にて形成しない場合であっても、サンプル3-2予備実験例1にて実現された高い変換効率の薄膜太陽電池を作製することは可能であることを確認した。なお、サンプル3-3実施例1において35Wの低いプラズマ電力により形成された低パワー透明導電膜132の膜厚は、前面電極130の膜厚である70nmの約2/3である。ここで、サンプル3-3実施例1において高い変換効率が得られた要因を実験に基づき確認した。具体的には、前面電極130の膜の一部に低パワー透明導電膜132のような低パワー透明導電膜が形成されている影響を評価するため、次にサンプル3-3実施例1とサンプル3-4比較例2とを対比した。サンプル3-4比較例2におけるITO膜は、サンプル3-3実施例1の前面電極130の低パワー透明導電膜132と高パワー透明導電膜134の順序を丁度入れ替えた位置関係となるように形成したものである。その結果、サンプル3-4比較例2では、サンプル3-3実施例1に比べ変換効率が多少ではあるものの低下した。この実験事実は、サンプル3-3実施例1の前面電極130において、低いプラズマ電力にて形成されたITO膜の位置が、薄膜シリコン太陽電池1000の光電変換特性に影響することを示している。仮に、サンプル3-1実施例1が低パワー透明導電膜132それ自体の導電率などの膜の性質に起因してその変換効率を向上させているなら、低いプラズマ電力にて形成されたITO膜の位置と変換効率の関係は明瞭となるとは考えにくい。ところが、サンプル3-3実施例1とサンプル3-4比較例2との対比においては、変換効率に明瞭な関係が見られたため、低いプラズマ電力にて形成されたITO膜の位置が重要な役割を果たしているといえる。この際、本願の発明者は、サンプル3-1~サンプル3-4までの実験事実において、低いプラズマ電力にて形成されたITO膜がSi系積層体120に接している場合に、変換効率が高まっていることに気づいた。その原因に関して、直流電源712の出力パワーを低下させると、Si系積層体120がスパッタリング処理によりうけるダメージが軽減するためと本願の発明者は考えている。そのダメージは、例えば、アルゴンガスによるイオン衝撃ionbombardmentなどである。さらには、Si系積層体120に対して接する位置に置かれる低パワー透明導電膜132は、その低パワー透明導電膜132の面より上に置かれる高パワー透明導電膜134のためのスパッタリング時のイオン衝撃などからSi系積層体120を保護する役目を果たすことが期待できると本願の発明者は推測した。そこで、低パワー透明導電膜132によるSi系積層体120の保護の効果が、低パワー透明導電膜132の膜厚とどのような関連を持つかを探るため、また、成膜処理の時間をより短くして実効的な成膜レートを高めるために、低パワー透明導電膜132を可能な限り薄くし、高パワー透明導電膜134の膜厚を厚くしうる可能性を追求した。具体的には、サンプル3-3実施例1において前面電極130の約2/3の膜厚の低パワー透明導電膜132、約1/3の高パワー透明導電膜134を採用していたのに対し、サンプル3-5実施例2においては、132の膜厚を、前面電極130の約1/3である23nm程度とし、残り約2/3を高パワー透明導電膜134とすることを試みた。その結果、サンプル3-5実施例2においては、依然として、サンプル3-3実施例1と同程度の高い変換効率が維持されていることを確認した。なお、ダメージに関する発明者による知見を確認する趣旨にて、サンプル3-5実施例2の低パワー透明導電膜132と高パワー透明導電膜134の順序を反転させたサンプル3-6比較例3を作製した。この場合にも、サンプル3-5実施例2に比べて変換効率が低下するという上記知見をサポートする現象が再現した。最後に、低パワー透明導電膜132を可能な限り薄くし、高パワー透明導電膜134の膜厚を厚くしうる可能性を追求するために、サンプル3-7実施例3を作製した。そして、低パワー透明導電膜132の厚みを6nmとしたサンプル3-7実施例3において、変換効率がサンプル3-5実施例2と同程度であることを確認した。このように、低パワー透明導電膜132の膜厚は、少なくとも6nmの厚みだけ形成されていれば、低パワー透明導電膜132によるSi系積層体120の保護の効果が得られることを確認した。以上に述べたように、本実施形態においては、低パワー透明導電膜132と高パワー透明導電膜134を設けることにより、また、低パワースパッタリング工程S160と高パワースパッタリング工程S180を実行することにより、高い変換特性を維持しつつ短い成膜処理時間を実現する薄膜太陽電池が作製されることが実験的に確認された。さらには、低パワー透明導電膜132の膜厚は、低パワー透明導電膜132と高パワー透明導電膜134の膜厚の合計の1/3より薄く形成しても十分な効果が見込めることも確認した。また、前面電極130の実効的な成膜レートを高めるための特に好ましい条件は、低パワー透明導電膜132の厚みを6nm以上とすることである。[4他のタイプの薄膜太陽電池における低パワースパッタリングの効果]上述した薄膜シリコン太陽電池1000の構造における低パワー透明導電膜132と同様の効果は、図2を参照し説明した薄膜シリコン太陽電池2000においても同様に発揮される。[4-1スーパーストレート型]図2の薄膜シリコン太陽電池2000では、基板200に形成されたSi系積層体220の面に接して低パワー透明導電膜232が形成される。低いプラズマ電力にて低パワー透明導電膜232を、そして、それよりも高いプラズマ電力により高パワー透明導電膜234をスパッタリングすることにより、裏面電極230を形成する際の実効的な成膜レートの低下を防止しつつ、Si系積層体220に対するダメージを軽減することが可能となる。[4-2その他の変形]本実施形態は、図1および図2を参照して説明した薄膜シリコン太陽電池1000および2000のいずれにも記載されていない部材、材質または構造上の特徴を付加することが排除されていない点には、留意が必要である。例えば、直列接続するために集積型の構造を有する薄膜太陽電池においても例えば低パワー透明導電膜132の構成は有用である。また、図1および2においては、単接合のシリコン系半導体積層体120または220を有する構成を説明したが、多接合のシリコン系半導体積層体を有するような薄膜太陽電池においても、低パワー透明導電膜をシリコン系半導体積層体に接して配置することにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。上述の実施形態、実施例は、発明を説明するために記載されたものであり、本出願の発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきものである。また、実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。