"導電性の表面を有するナノ流体通路、および前記ナノ流体通路内の電解質を含むナノ流体デバイスを提供するステップと、前記導電性の表面に電圧を印加することによって、前記ナノ流体通路の寸法を電気化学的に変更するステップとを含む、方法。前記導電性の表面を酸化することによって前記ナノ流体通路の前記寸法を減少させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記導電性の表面の厚さを減少させることによって前記ナノ流体通路の前記寸法を増加させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記ナノ流体通路にイオン電流が流れるようにするステップと、前記イオン電流をモニタするステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記ナノ流体デバイスは多数のナノ流体通路を有するナノフィルタ膜を含み、前記方法はさらに、前記膜内の前記ナノ流体通路の前記寸法を電気化学的に変更する前記ステップを含む、請求項1に記載の方法。前記ナノフィルタ膜を通るイオン電流をモニタするステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。前記ナノ流体デバイスを提供する前記ステップは、導体によって境界を定められた前記ナノ流体通路を含む基板を提供するステップと、前記ナノ流体通路に電解質を充填するステップとを含む、請求項6に記載の方法。前記ナノ流体通路に対する目標寸法を設定するステップと、前記ナノ流体通路のサイズをモニタするステップと、前記目標寸法が達成されたときに前記ナノ流体通路の前記寸法を減少させるステップを中止するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。前記ナノ流体通路はナノポアである、請求項8に記載の方法。前記ナノ流体通路の前記寸法を減少させる前記ステップは、前記導体と前記電解質との間に電位を印加するステップを含む、請求項8に記載の方法。前記ナノ流体通路は前記基板内の表面チャネルである、請求項8に記載の方法。前記基板は、内部に延在する多数のナノ流体通路を含む膜を含み、前記ナノ流体通路の各々は前記導体によって境界を定められており、前記方法はさらに、前記導体上に酸化物を電気化学的に形成することによって前記ナノ流体通路の前記寸法を減少させる前記ステップを含む、請求項7に記載の方法。流体要素のアレイを提供するステップであって、前記流体要素の各々は、1つまたはそれ以上のナノ流体デバイスによって前記アレイ内の1つまたはそれ以上の他の流体要素に接続される、ステップと、選択されたナノ流体通路における前記導電性の表面の上に酸化物層を電気化学的に成長させることによって、前記ナノ流体通路の1つまたはそれ以上を選択的に閉じるステップとを含む、請求項2に記載の方法。選択的に閉じる前記ステップは、前記導電性の表面と前記電解質との間に電位を印加するステップを含む、請求項13に記載の方法。前記ナノ流体デバイスを形成する前記ステップは、基板内に目標寸法よりも大きい寸法を有するナノ流体通路を形成するステップと、前記基板上に導電層を形成することによって前記ナノ流体通路の前記寸法を減少させるステップと、前記ナノ流体通路を電解質で充填するステップとを含み、前記方法は、前記ナノ流体通路が前記目標寸法を有するまで前記導電層を電気化学的に酸化するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記導電層を電気化学的に酸化する前記ステップは、前記電解質と前記導電層との間に電位を印加するステップを含む、請求項15に記載の方法。前記ナノ流体通路を通るイオン電流をモニタする前記ステップをさらに含む、請求項15または16に記載の方法。前記ナノ流体通路はチャネルである、請求項15に記載の方法。前記チャネルは前記基板の表面に開口部を有して形成され、前記方法はさらに、前記基板上に前記導電層を形成するときに前記開口部を閉じる前記ステップを含む、請求項18に記載の方法。前記導電層は、チタン、タングステンおよびタンタルからなる群より選択される、請求項15に記載の方法。基板内にナノ流体通路を含むナノ流体デバイスを制御するためのコンピュータプログラム製品であって、前記ナノ流体通路は導電性の表面を含み、かつ電解質を含有し、前記コンピュータプログラム製品は、媒体とともに具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有するコンピュータ読取り可能記憶媒体を含み、前記コンピュータ読取り可能プログラムコードは、前記電解質と前記導電性の表面との間に前記導電性の表面の酸化をもたらすために十分な電位を印加することを容易にするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードと、前記ナノ流体通路を通るイオン電流をモニタするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードとを含む、コンピュータプログラム製品。前記導電性の表面が酸化される際にイオン電流を継続的にモニタするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードをさらに含む、請求項21に記載のコンピュータプログラム製品。所望のナノ流体通路サイズが達成されるまで、前記イオン電流をモニタすることと、前記電解質および前記導電性の表面の間に前記電位を印加することとを交互に行うように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードをさらに含む、請求項21に記載のコンピュータプログラム製品。ナノスケールの流体要素の製作は困難なことがあり、非標準的もしくは非スケーラブルまたはその両方である技術が必要となり得る。本発明は、スケーラブルなリソグラフィまたはその他の技術の後に、要素の流体通路の所望の寸法を提供する処理技術を用いて、デバイスを作製することを可能にする。本発明の原理は、たとえばナノ流体チャネルおよびナノポアなどの流体通路を製作するための技術を提供する。一局面において、例示的方法は、導体によって境界を定められたナノ流体通路を含む基板を提供するステップと、ナノ流体通路に電解質を充填するステップと、導体の上に酸化物層を電気化学的に形成することによってナノ流体通路が少なくとも部分的に閉じるようにするステップとを含む。基板自体が導電性材料で構成されていてもよいし、基板上に導電性材料を蒸着することによって、ナノ流体通路の表面がこうした材料を含むようにしてもよい。さらなる例示的方法は、流体要素のアレイを提供するステップであって、流体要素の各々は1つまたはそれ以上のナノ流体通路によってアレイ内の1つまたはそれ以上の他の流体要素に接続され、ナノ流体通路の各々は導電性の表面を含む、ステップと、選択されたナノ流体通路における導電性の表面の上に酸化物層を電気化学的に成長させることによって、ナノ流体通路の1つまたはそれ以上を選択的に閉じるステップとを含む。さらなる例示的方法は、基板内に目標寸法よりも大きい寸法を有するナノ流体通路を形成するステップと、基板上に導電層を形成することによってナノ流体通路の寸法を減少させるステップと、ナノ流体通路に電解質を充填するステップと、ナノ流体通路が目標寸法になるまで導電層を電気化学的に酸化するステップとを含む。別の例示的方法は、導電性の表面を有するナノ流体通路、およびナノ流体通路内の電解質を含むナノ流体デバイスを提供するステップと、導電性の表面に電圧を印加してナノ流体通路の寸法を電気化学的に変えるステップとを含む。この寸法は増やされても減らされてもよい。基板内のナノ流体通路を含むナノ流体デバイスの製作を制御するための例示的なコンピュータプログラム製品が提供され、このナノ流体通路は導電性の表面を含み、電解質を含有する。この製品は、媒体とともに具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有するコンピュータ読取り可能記憶媒体を含み、前記コンピュータ読取り可能プログラムコードは、電解質と導電性の表面との間に導電性の表面の酸化をもたらすために十分な電位を印加することを容易にするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードと、ナノ流体通路を通るイオン電流をモニタするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードとを含む。本明細書において用いられる、ある動作を容易にするfacilitatingとは、その動作を行うこと、その動作をより簡単にすること、その動作の実行を助けること、またはその動作が行われる原因となることを含む。よって、限定ではなく例として、プロセッサ上で実行される命令は、たとえば電圧供給、メータ、顕微鏡ステージなどのリモートデバイスによって行われる動作を、その動作の実行をもたらすかまたは助けるための適切なデータまたはコマンドを送ることによって容易にしてもよい。疑問を避けるために、動作者actorが動作を行う以外のことによってその動作を容易にするときにも、その動作は何らかのエンティティまたはエンティティの組み合わせによって行われる。本発明の1つもしくはそれ以上の実施形態、またはその要素は、ここに示される方法ステップを行うためのコンピュータ使用可能プログラムコードを伴う有形のコンピュータ読取り可能記録可能記憶媒体を含むコンピュータプログラム製品の形で実装されてもよい。さらに、本発明の1つもしくはそれ以上の実施形態、またはその要素は、メモリと、そのメモリに結合されて、例示的方法ステップを行うために動作する少なくとも1つのプロセッサとを含むシステムまたは装置の形で実装されてもよい。さらに別の局面において、本発明の1つもしくはそれ以上の実施形態、またはその要素は、本明細書に記載される方法ステップの1つまたはそれ以上を実行するための手段の形で実装されてもよい。この手段は、iハードウェアモジュール単数または複数、iiソフトウェアモジュール単数または複数、またはiiiハードウェアおよびソフトウェアモジュールの組み合わせを含んでもよく、i~iiiはいずれも本明細書に示される特定の技術を実装し、ソフトウェアモジュールは有形のコンピュータ読取り可能記録可能記憶媒体または複数のこうした媒体に保存される。本発明の技術は、かなりの有益な技術効果を提供し得る。たとえば、1つまたはそれ以上の実施形態は次の利点の1つまたはそれ以上を提供してもよい。1フィードバック制御によってナノ流体デバイスを製作する。2製作後にチャネルまたはポアのサイズを拡張するか、または狭くすることを可能にする。3水溶液またはその他の液体によるナノ流体デバイスの充填を容易にする。本発明のこれらおよびその他の特徴および利点は、本発明の例示的実施形態についての以下の詳細な説明から明らかになるであろう。この詳細な説明は、添付の図面と関連付けて読まれるものである。本発明によって、たとえばナノポアもしくはナノチャネルまたはその両方などのナノ流体通路を含むデバイスが提供される。下に考察されるとおり、このデバイスはカスタマイズおよび多様性を可能にする特性を有していてもよい。本発明の原理はさらに、流体の流れを制御するための1つまたはそれ以上の機構を含む流体要素のアレイを含むデバイスを提供するために用いられる。こうしたデバイスの製作は、本明細書に開示される製造方法を用いることによって容易にされ得る。図1A~図1Dおよび図2A~図2Dは、それぞれナノチャネルおよびナノポアを有する流体デバイスを製作するための製造ステップを示す。最初に図1Aを参照すると、流体デバイス10は、デバイスの表面に平行に走るチャネル12を含むようにリソグラフィ技術によって形成される。リソグラフィ技術は典型的に、基板上にあるときに光のパターンを受け、次いで部分的に除去されることによって基板の選択部分を露出するフォトレジストの使用を利用する。その後のエッチングステップおよびその他の処理によって、基板上に穿孔またはチャネルなどの特徴が形成される。図1Aに示される例示的デバイスにおいては、二酸化ケイ素、シリコンまたはその他の好適な材料単数または複数を含む層14が基板または基部16の上に蒸着される。この層は、好ましくは等方性エッチングの特徴を有する。層14は、原子層蒸着、化学蒸着、物理蒸着、熱酸化、またはその他の好適な手順によって蒸着されてもよい。基部16は、たとえばシリコン、石英、または窒化ケイ素などで構成されてもよく、その上に蒸着される層14とは組成が異なる。層14を構成する材料単数または複数と同一ではない、窒化ケイ素、二酸化ケイ素またはその他の好適な材料の層20が、たとえば原子層蒸着、化学蒸着または物理蒸着などの手順によって層14の上に蒸着される。たとえばフォトリソグラフィまたは電子ビームリソグラフィなどのリソグラフィ技術を用いて、層20にチャネル開口部18が形成される。チャネル開口部18を通じて層14をエッチングすることによって、層14内にチャネル12が形成される。デバイスの基板または基部16はエッチング停止層として機能する。チャネル12は最終的に望まれる寸法よりも大きい寸法、好ましくはいずれの断面方向にも100ナノメートル以下の寸法を有する。製作中に層20が横方向にアンダーエッチングされるunderetchedことによって、チャネル開口部18の幅がチャネル12の幅よりも小さくなり、結果として図1Aに示されるとおりのデバイスがもたらされる。下に考察されるとおり、上層20の下のアンダーカットは、チャネル12の上の開口部18を閉じることを容易にする。基部16の厚さは約0.25mmから1.0mmの間であってもよいが、これは決定的なものとはみなされない。蒸着層14の厚さはそのデバイスの要求、たとえばチャネルのサイズなどによって変わる。この例示的実施形態において、この層の厚さは10nmから1,000nmの間である。上層20の厚さは少なくとも約50nmの厚さであることによって、機械的安定性を有するアンダーカットが形成され得る。上層20は、こうした安定性を提供するために必要とされる厚さよりも厚くならないことが好ましい。その後の処理の前のチャネル直径は約100ナノメートル以下である。図1Bを参照すると、流体デバイス10は、たとえば電気化学的に活性である金属などの導体22によってコートされる。こうしたコーティングは、たとえば原子層蒸着atomiclayerdeposition:ALDまたは化学蒸着chemicalvapordeposition:CVDなどの技術によって提供され得る。たとえばチタン、タンタルおよびタングステンなどの金属は、蒸着され得る材料の一部である。金属合金も蒸着され得る。材料の選択は、デバイスがさらに処理される際に形成される酸化物によって決まってもよい。特定の状況においては、チャネルまたはポアの形成よりも前に金属が蒸着されてもよく、たとえばチャネルまたはポアなどの特徴はリソグラフィ/エッチング技術によってその金属の中に、またはその金属を通って形成されてもよいことが認識されるだろう。例示的実施形態において、蒸着導体22は、チャネル12に対する開口部18を閉鎖するシールを形成する。チャネルの寸法も、ナノチャネルの表面を形成する蒸着導体の厚さに釣り合う量だけ減少する。図1Cに示されるとおり、コートされた流体デバイス10に、たとえば水または電解質溶液などの電解質24が充填される。デバイスの充填は、導体コーティングを伴ってもなおチャネル12がその最終目標サイズ例、直径10nm以下よりも大きいという事実によって容易にされる。流体通路を横切って電解質に電位を印加することによって、デバイスを通るイオン電流を測定してもよい。この電流は通路の内部寸法に比例する。したがって、このときに通路の寸法を定めることができる。イオン電流を生じるための電極は、流体通路例示的実施形態におけるチャネル12の各端部内またはその近くに置かれる。電極は、たとえばAg/AgCl、AuまたはPtワイヤ電極などであってもよい。図1Dに示されるとおり、導体22の上に酸化物層26を形成することによって、チャネル12の寸法はサイズが減少する。好ましくはこのプロセスは、導体22に電位が印加される際にデバイスを通るイオン電流を測定することによって、フィードバック制御される。針状プローブ、ワニ口クリップまたはワイヤボンディングを用いて、蒸着導体22に電圧が印加される。典型的な印加において、電圧は0.5Vから5.0Vの範囲であってもよい。図3は、酸化物層が図1Cに対応する出発地点Aから図1Dに対応する終了または目標地点Bまで成長する際の、デバイスを通る電流を示す。チャネル寸法は継続的にモニタされてもよいし、電気化学的酸化とイオン電流測定とを交互に繰り返すことによってモニタされてもよい。電流が、受容可能な寸法の範囲であり得る目標チャネル寸法を表すレベルに達したとき、このプロセスは中止される。もし酸化物層26が絶縁性であれば、この金属-酸化物スタックは、さらなる化学的機能化に用いるためにデバイス10の表面電荷を変えるためのゲートとして、またはナノ流体トランジスタとして、または流体中の化学物質もしくは生物学的分析物に対するセンサデバイスとして機能し得る。こうしたデバイスは、DNAセンサもしくはシーケンサまたはその両方としても用いられ得る。絶縁性金属酸化物の例は、酸化チタンおよび酸化白金を含む。たとえばアルミニウム亜鉛酸化物aluminumzincoxide:AZOまたは酸化ルテニウムなどの導電性酸化物が代替的に形成されてもよいことが認識されるだろう。本発明に従う方法は、デバイスの表面と直交して走るナノポアの形成にも、表面に平行に延在するチャネル12の形成にも適用可能である。図2Aを参照して、デバイス30は、図1A~図1Dに見出されるものと同様の層14、16および20を含む。このデバイスは、リソグラフィ技術およびエッチングを用いて、上に考察される流体デバイス10と同様の態様で製作される。上層20に形成されたポア38は、リザーバ32と流体連絡している。ポア38は目標サイズのポアよりも実質的に大きくてもよく、直径約100nmといった大きさであってもよい。前の実施形態におけるチャネル12と同様に、ポアはしたがってナノ流体性と考えられるサイズ範囲にある。透過電子ビームを用いて、2ナノメートルから50ナノメートルの間の直径を有するポアを形成できる。電子ビームまたはフォトリソグラフィのパターン形成を用いて、直径10ナノメートル以上のポアを形成できる。ポアは完全な円形でなくてもよく、この場合には最大直径が約100nm以下であってもよいことが認識されるだろう。図2Bに示されるとおり、たとえば金属またはその他の適切な電気化学的に活性である導電性材料などの導体のコーティング40がデバイス30の上に蒸着される。もし上層20が電気化学的に活性である導電性材料で構成されていれば、こうしたコーティングは必要ないことがある。ポアサイズはコーティング40によって減少するが、それでもなお目標サイズよりは大きい。次いでデバイスに、たとえば水または電解質溶液などの電解質24が充填される。デバイス30の流体部分の寸法が比較的大きいことによって、溶液の導入が容易になる。図2Cは流体が充填されたデバイスを示す。図2Dに示されるとおり、次いで導電性または絶縁性の金属-酸化物フィルム42を形成するために、コーティング40に電位が印加される。酸化が起こる際に、ポアのサイズがモニタされる。ポアが目標サイズに達したとき、電気化学的酸化は中止される。目標サイズは特定の直径であっても、指定された範囲内であってもよいことが認識されるだろう。チャネル開口部18が金属によって封止される図1A~Dに示される方法とは異なり、ポア38はナノ流体通路として機能するために、金属蒸着および酸化のどちらの後も開いたままである。上述の方法を用いた、たとえばナノポアおよびナノ流体チャネルなどのナノ流体通路の形成は、チップごとに完全にカスタマイズされて達成されてもよい。加えてこの方法は、ウェハごとに行われる高スループット処理にも適用され得る。処理後にウェハが個々のチップに分離されてもよい。たとえばTEM穿孔などのより煩雑な手順とは対照的に、フォトリソグラフィ技術を用いたポアもしくはチャネルまたはその両方の形成は、製造を容易にする。最初に形成されるチャネルおよびポアの寸法は決定的なものでも特段に小さいものでもないため、ポアもしくはチャネルまたはその両方の形成におけるチップまたはウェハの初期処理が容易になる。加えて上に考察したとおり、比較的大きな寸法を有する流体デバイスは、電解質またはその他の流体による充填がより簡単である。図7に示されるとおりのテストデバイス60を用いて、本明細書に開示される方法の実行可能性を実証できる。このデバイスは、それぞれSiO2およびSi3N4の層64、66を含むスタックの中に、TiNの5ナノメートルの薄膜62を含む。このデバイスは、KCl溶液を含有する流体セル68を含む。TiN層は、直径100ナノメートル未満、好ましくはそれより小さいポア70を含む。コンタクトパッドおよび針状プローブを用いて、流体体積から離れたTiNに約4ボルトを印加する。測定されるイオン伝導度は数分後に顕著に減少し、ポア70のサイズが減少したことを示す。デバイスは、チップまたはウェハとしての完成形または半完成形でエンドユーザに提供されてもよい。エンドユーザが酸化プロセスを行って、選択された寸法の通路を提供してもよい。必要であれば、酸化プロセスを逆行させて通路寸法を大きくしてもよい。本発明のさらなる局面に従うと、図4に示されるとおり、流体チャネルまたは要素52の一般的な多目的アレイ50が提供されてもよい。各要素は、個々にアドレス指定可能な電気化学的に縮小可能なナノ流体通路54によって別の要素に接続されている。好ましくは、このアレイはすべての接続が開いた状態で製作される。使用時点で、流体の流れを向け直すため、またはアレイ全体から特定の要素52を取り除くために、縮小可能なナノ流体通路54の1つまたはそれ以上が閉じられてもよい。図4に示されるとおり、図面の左側に示される元のアレイ50が2通りの代替的なやり方で修正されて、2つの代替的流路を有するアレイ50A、50Bを生じている。生来の、または部分的に縮小されたナノ流体通路54は実線で示されているのに対し、閉じられた通路56は破線で示されている。通路54は、上に考察したチャネル12と同じ態様で形成されてもよい。各通路54は、通路の寸法を規定する酸化物層を有する導電性の、好ましくは金属のコーティング図示せずを含む。通路内の電解質と金属コーティングとの間に電位を印加し、その通路が完全に閉じられるまで酸化物層図示せずをさらに成長させることによって、選択された通路が閉じられる。要素52は、たとえば流体または流体内に存在するエンティティの特性を制御または変更することなど、あらゆる特定の目的のために設計されてもよい。アレイ50の通路54は金属コーティングのみを含んでもよく、エンドユーザが金属コーティングの酸化の程度を変えることによって特定の通路を部分的に閉じ、他の通路を完全に閉じることを可能にしてもよいことが認識されるだろう。上に考察したとおり、所望であれば酸化プロセスを逆行させて、前に閉じた通路54を開いてもよい。図8Aおよび図8Bに本発明のさらなる例示的実施形態が示されており、これは本発明の原理を用いた多数のナノ流体通路を有するナノフィルタの製作に関する。このナノフィルタは導電性の基板80から製作される。基板80は、リソグラフィ技術およびエッチングを用いて形成され得る複数のナノポア82を含む。代替的に、有向自己集合DirectedSelf-Assembly:DSAとして公知の技術を用いてナノポアを形成してもよい。この技術は次のステップを含む。i基板表面を化学的に機能化することによって、たとえばブロックコポリマーなどのナノ粒子を含む流体を基板表面上に分散させる際にそうしたナノ粒子が基板表面に付着するようにする、ii膜をアニーリングして流体を蒸発させ、基板表面上にナノ粒子を残す、およびiii次いでこのナノ粒子を正または負のハードエッチングマスクとして用いて、ナノ粒子アレイパターンを下の基板内にさらに移行させることによって、基板内にナノポア膜を形成する。機能化した基板表面上への氾濫分散flood-dispersionの際に、ナノ粒子は、あらゆる付加的な整列もしくはパターン形成プロセスまたはその両方を行う必要なく、隣り合う粒子間の自己規定した間隔を含む自己整列パターンアレイを形成する。それによってもたらされる間隔は、ナノ粒子のタイプおよびサイズ、基板表面の形態、ならびにその機能化のタイプによって決まる。格子パターンもドットすなわちナノポアパターンも達成できる。図10は、本発明に従ってナノフィルタを製作するために用いられ得るステップを示す。誘電特性を有する基板93の上に金属フィルム79が蒸着される。基板93の中央部分を取り除くことによってフィルタ膜が作製され、それによって膜を支持する絶縁体94を形成する。上述の技術を用いて金属層79の膜部分にナノポア82のパターンを形成することによって、ナノフィルタ基板80を提供する。下にさらに説明するとおり、所望のフィルタサイズに達するまでポアサイズを減少させるために電圧が印加される。例示的実施形態の基板80内に形成されるポアは直径が100ナノメートル以下であり、好ましくは同様のサイズである。この実施形態において、基板は電気化学的に活性である導電性材料で構成される。したがって、基板への金属コーティングの蒸着は必要ない。図8Aに示されるとおり、サイズAおよびBを有する比較的大きな粒子84および小さな粒子86は、どちらもこのポアを通過できる。この基板が電解質の中に入れられる。伝導度または基板膜を通る電流のベースライン読取り値が得られる。図8Bに示されるとおり、基板80に電圧が印加されることによって、ナノポア82の境界を定める表面上に酸化物層88が形成される。電流密度またはその他の好適なパラメータの変化によって証明されるとおり、ポアサイズが減少して目標直径になったときに、このプロセスは中止される。再び図8Bを参照すると、ポア82の直径が減少したために、サイズB以下を有する比較的小さな粒子86のみがポア82を通過できる。結果として得られるナノフィルタ90は、ウェハもしくはチップの形で、または流体デバイスに組み込まれた形でユーザに提供されてもよい。ナノフィルタ90に印加される電圧を反転することによって、ナノポア82の直径を増加させてもよいことが認識されるだろう。使用においては、ポアサイズよりも大きな粒子を濾過除去するために、電気浸透またはその他の好適な技術を介して液体をフィルタに通してもよい。図9は、基板80またはナノフィルタ90内のポア直径を増加または減少させ、かつポア直径に関するフィードバックを提供するために用いられ得るシステムを含むナノ流体デバイスの概略図である。この例示的実施形態においては、第1および第2の絶縁体92、94の間に導電性の基板80が取り付けられる。基板80の多孔性の膜部分は、電解質を含有する液体セル98の中に置かれる。Oリング96は、基板80の部分を液体セル98から分離するシールを提供する。針状プローブまたはワイヤボンディングによって、液体セルの外側の基板に対する電気的接続が行われる。基板に印加された電圧をモニタするために、第1のマイクロアンペア計100が提供される。基板80またはナノフィルタ90を通る電流を測定するために、第2のマイクロアンペア計100が用いられる。イオン電流は基板内のナノポア82のサイズに比例するため、第2のマイクロアンペア計はポア直径に関するフィードバックを提供する。第2のマイクロアンペア計から、目標とする平均ポア直径に対応する読取り値が得られたときに、酸化または還元プロセスが終了されてもよい。基板80の膜部分を通るイオン電流の測定値は、伝導度の単位で表されてもよいことが認識されるだろう。ポア直径が減少するに従って伝導度も減少する。図5は、上に考察された製作方法を制御するためのシステムの概略図を提供するものである。このシステムは、上に考察されたものなどのナノ流体デバイス110と、ソフトウェアモジュール112と、アナログ-デジタル/デジタル-アナログ変換器114とを含む。ソフトウェアモジュールは、制御電圧設定制御116と、終点条件設定制御118と、計算アルゴリズムの構成および設定制御120と、データおよびプロセス状態の図表提示を提供するディスプレイ122とを含むユーザインタフェース115を含む。制御電圧設定制御116は、基板例、金属基板80またはコートされた流体デバイス10もしくは30を酸化すること、および基板にイオン電流を通すことの両方のために用いられる電圧をユーザが設定することを可能にする。終点条件設定制御118は、イオン電流が目標とするナノポアまたはナノチャネルサイズに対応するレベルに達したときに、酸化または還元プロセスを自動的に終了する能力を提供する。計算アルゴリズムを構成および設定するための制御120は、計算モジュール124において用いられるアルゴリズムをユーザが設定することを可能にする。モジュールメモリは、終点条件設定制御118からの入力を受け取る意志決定アルゴリズム126を保存する。意志決定アルゴリズム126および制御電圧設定制御116は、制御アルゴリズムソフトウェア128に入力を与える。制御アルゴリズムソフトウェア128は、電気化学的酸化もしくは還元またはその両方のために印加される電圧と、プロセス時間とを制御する。ポアまたはチャネルサイズに関するフィードバックが必要とされるとき、制御アルゴリズムソフトウェア128はさらに、ナノ流体デバイス110に流れるイオン電流を生成するための電圧を制御する。イオン電流および表面電流に関する入力が計算モジュール124に与えられる。計算モジュール124において流体デバイスのイオン伝導度が定められ、次いで計算モジュール124は意志決定アルゴリズム126に伝導度情報を与える。イオン伝導度情報はポアまたはチャネルのサイズに関係するため、この情報が意志決定アルゴリズム126に与えられて、さらなる酸化または還元が必要かどうかを決定する。計算モジュール124からの情報は、図表ディスプレイ122にも与えられる。ここまでの考察から、一般的にいって、本発明の局面に従う例示的方法は、導体によって境界を定められたナノ流体通路を含む基板を提供するステップと、ナノ流体通路を電解質で充填するステップと、導体の上に酸化物層を電気化学的に形成することによってナノ流体通路を少なくとも部分的に閉じるステップとを含むことが認識されるだろう。この方法は可逆性であるため、通路の寸法を増加させることもできる。基板自体が導体を含んでいてもよいし、基板上に導電性のフィルムが蒸着されてもよい。本発明のさらなる局面に従うと、例示的方法は、基板内に目標寸法よりも大きな寸法を有するナノ流体通路を形成するステップと、基板上に導電層を形成することによってナノ流体通路の寸法を減少させるステップと、ナノ流体通路に電解質を充填するステップと、ナノ流体通路が目標寸法を有するまで導電層を電気化学的に酸化するステップとを含む。さらなる例示的方法は、導電性の表面を有するナノ流体通路およびナノ流体通路内の電解質を含むナノ流体デバイスを提供するステップと、導電性の表面に電圧を印加することによってナノ流体通路の寸法を電気化学的に変更するステップとを含む。上に考察したとおり、ナノ流体通路は、たとえばナノポアまたはナノチャネルなどの通路を含み得る。たとえばナノフィルタの膜に見出される通路などの多数の通路の寸法を同時に変更するためにもこの方法を適用できる。さらなる例示的方法は、流体要素のアレイの使用に関する。こうした方法は流体要素のアレイを提供するステップを含み、この流体要素の各々は、1つまたはそれ以上のナノ流体通路によってアレイ内の1つまたはそれ以上の他の流体要素に接続されている。ナノ流体通路の各々は導電性の表面を含む。この方法はさらに、選択されたナノ流体通路内の導電性の表面上に酸化物層を電気化学的に成長させることによって、ナノ流体通路の1つまたはそれ以上を選択的に閉じるステップを含む。ナノ流体通路によって接続された流体要素のアレイ、および通路を電気化学的に変更または閉鎖するためのシステムがさらに提供される。基板内にナノ流体通路を含むナノ流体デバイスの製作を制御するためのコンピュータプログラム製品が提供され、このナノ流体通路は導電性の表面を含み、かつ電解質を含有する。媒体とともに具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有するコンピュータ読取り可能記憶媒体は、電解質と導電性の表面との間に導電性の表面の酸化をもたらすために十分な電位を印加することを容易にするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードと、ナノ流体通路を通るイオン電流をモニタするように構成されたコンピュータ読取り可能プログラムコードとを含む。さらに、より大きいサイズまたはより小さいサイズに電気化学的に変更され得るナノ流体通路を含むフィルタ膜を有するナノフィルタが提供される。上に考察したとおり、この膜は導体で構成されていてもよいし、電気化学的に酸化され得る導電性コーティングを含んでいてもよい。本発明のさらなる局面として提供されるナノフィルタアセンブリは、好ましくはフィルタ膜を通るイオン電流を定めるためのフィードバック機構と、電気化学的酸化をもたらすための機構とを含む。ナノ流体通路がどの程度まで狭くされたか、または拡張されたかは、フィードバック機構から定められ得る。図9は、フィルタ膜と、酸化をもたらすための機構と、イオン電流を定めるための機構とを含むナノフィルタアセンブリの例示的実施形態を提供するものである。図8Bは、ナノ流体チャネルのサイズを減少させるために酸化を受けたナノフィルタの膜部分を示す。ナノ流体チャネルを大きくするためにこのプロセスを逆行させてもよい。例示的システムおよび製造品の詳細当業者に認識されるとおり、本発明の局面はシステム、方法またはコンピュータプログラム製品として具現化されてもよい。したがって本発明の局面は、完全にハードウェアの実施形態、完全にソフトウェアの実施形態ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む、またはソフトウェアおよびハードウェアの局面を組み合わせた実施形態の形を取ってもよく、本明細書においてこれらはすべて一般的に回路、モジュールまたはシステムと呼ばれることがある。さらに、本発明の局面は、媒体において具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有する1つまたはそれ以上のコンピュータ読取り可能媒体単数または複数において具現化されるコンピュータプログラム製品の形を取ってもよい。本発明の1つもしくはそれ以上の実施形態、またはその要素は、メモリおよびそのメモリに結合された少なくとも1つのプロセッサを含み、かつたとえばイオン電流を測定するステップおよび金属層酸化に用いられる電位を生成するステップなどの例示的方法ステップを行うために動作する装置の形で実装されてもよい。1つまたはそれ以上の実施形態は、汎用コンピュータまたはワークステーションにおいて実行されるソフトウェアを用いてもよい。図6を参照すると、こうした実装は、たとえばプロセッサ602、メモリ604、ならびにたとえばディスプレイ606およびキーボード608などによって形成された入力/出力インタフェースなどを用いてもよい。本明細書において用いられるプロセッサという用語は、たとえばCPU中央処理ユニットcentralprocessingunitもしくは他の形の処理回路またはその両方を含むものなどのあらゆる処理デバイスを含むことが意図される。さらに、プロセッサという用語は2つ以上の個々のプロセッサを指してもよい。メモリという用語は、プロセッサまたはCPUに関連するメモリ、たとえばRAMランダムアクセスメモリrandomaccessmemory、ROM読み出し専用メモリreadonlymemory、固定メモリデバイスたとえばハードドライブなど、リムーバブルメモリデバイスたとえばディスケットなど、およびフラッシュメモリなどを含むことが意図される。加えて、本明細書において用いられる入力/出力インタフェースという語句は、たとえば処理ユニットにデータを入力するための1つまたはそれ以上の機構たとえばマウスなど、および処理ユニットに関連する結果を提供するための1つまたはそれ以上の機構たとえばプリンタなどなどを含むことが意図される。プロセッサ602、メモリ604、ならびにたとえばディスプレイ606およびキーボード608などの入力/出力インタフェースは、データ処理ユニット612の部分として、たとえばバス610などを介して相互接続されてもよい。たとえばバス610などを介した好適な相互接続は、コンピュータネットワークとインタフェースするために提供され得るたとえばネットワークカードなどのネットワークインタフェース614にも提供されてもよいし、媒体618とインタフェースするために提供され得るたとえばディスケットまたはCD-ROMドライブなどの媒体インタフェース616にも提供されてもよい。ネットワークまたはその他の好適なインタフェース、アナログ-デジタル変換器などを通じて、マイクロアンペア計もしくは電流供給またはその両方などにインタフェースが提供されてもよい。したがって、本明細書において図1A~図1D、図2A~図2D、図8A~図8Bおよび図10に関して説明した本発明の方法論を行うための命令またはコードを含むコンピュータソフトウェアは、関連メモリデバイスたとえばROM、固定またはリムーバブルメモリなどの1つまたはそれ以上に保存されてもよく、使用されるときにはたとえばRAMなどに部分的または全体的にロードされて、CPUによって実装されてもよい。こうしたソフトウェアは、ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含んでもよいがそれに限定されない。プログラムコードの保存もしくは実行またはその両方を行うために好適なデータ処理システムは、システムバス610を通じて直接的または間接的にメモリ要素604に結合された少なくとも1つのプロセッサ602を含む。メモリ要素は、プログラムコードの実際の実行中に用いられるローカルメモリ、バルク記憶装置、および実行中にバルク記憶装置からコードを検索しなければならない回数を減らすために少なくともいくつかのプログラムコードの一時的記憶を提供するキャッシュメモリを含んでもよい。入力/出力Input/outputすなわちI/Oデバイスキーボード608、ディスプレイ606、ポインティングデバイスなどを含むがそれに限定されないは、バス610などを介して直接的に、または介在するI/Oコントローラ明瞭にするために割愛するを通じてシステムに結合されてもよい。介在する私設または公共ネットワークを通じてデータ処理システムが他のデータ処理システムまたはリモートプリンタまたは記憶装置に結合されることを可能にするために、たとえばネットワークインタフェース614などのネットワークアダプタがさらにシステムに結合されてもよい。モデム、ケーブルモデムおよびイーサネットRカードは、現在利用可能なタイプのネットワークアダプタのほんの一部である。請求項を含む本出願において用いられるサーバは、サーバプログラムを実行する物理的データ処理システムたとえば、図6に示されるシステム612などを含む。こうした物理的サーバはディスプレイおよびキーボードを含んでも含まなくてもよいことが理解されるだろう。注記されるとおり、本発明の局面は、媒体において具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有する1つまたはそれ以上のコンピュータ読取り可能媒体単数または複数において具現化されるコンピュータプログラム製品の形を取ってもよい。1つまたはそれ以上のコンピュータ読取り可能媒体単数または複数のあらゆる組み合わせが用いられてもよい。コンピュータ読取り可能媒体はコンピュータ読取り可能信号媒体またはコンピュータ読取り可能記憶媒体であってもよい。コンピュータ読取り可能記憶媒体は、たとえば電子、磁気、光学、電磁気、赤外、または半導体のシステム、装置、もしくはデバイス、または前述のもののあらゆる好適な組み合わせなどであってもよいがそれに限定されない。媒体ブロック618は非限定的な例である。コンピュータ読取り可能記憶媒体のより特定的な例非網羅的なリストは以下を含むであろう。すなわち、1つまたはそれ以上のワイヤを有する電気的接続、ポータブルコンピュータディスケット、ハードディスク、ランダムアクセスメモリRAM、読み出し専用メモリROM、消去可能プログラマブルリードオンリメモリerasableprogrammableread-onlymemoryEPROMまたはフラッシュメモリ、光ファイバ、ポータブルコンパクトディスク読み出し専用メモリcompactdiscread-onlymemoryCD-ROM、光学記憶装置、磁気記憶装置、または前述のもののあらゆる好適な組み合わせである。本文書の状況において、コンピュータ読取り可能記憶媒体は、命令実行システム、装置またはデバイスによる使用、またはそれに関連する使用のためのプログラムを含有または保存できるあらゆる有形の媒体であってもよい。コンピュータ読取り可能信号媒体は、たとえばベースバンド内で、または搬送波の部分などとして媒体内で具現化されるコンピュータ読取り可能プログラムコードを有する伝播データ信号を含んでもよい。こうした伝播信号は、電磁気信号、光学信号、またはそのあらゆる好適な組み合わせを含むがそれに限定されないさまざまな形のいずれかを取ってもよい。コンピュータ読取り可能信号媒体は、コンピュータ読取り可能記憶媒体ではなく、かつ命令実行システム、装置またはデバイスによる使用、またはそれに関連する使用のためのプログラムを通信、伝播または移送できるあらゆるコンピュータ読取り可能媒体であってもよい。コンピュータ読取り可能媒体において具現化されるプログラムコードは、ワイヤレス、ワイヤライン、光ファイバケーブル、RFなど、または前述のもののあらゆる好適な組み合わせを含むがそれに限定されないあらゆる適切な媒体を用いて送信されてもよい。本発明の局面に対する動作を行うためのコンピュータプログラムコードは、オブジェクト指向プログラミング言語、たとえばJavaR、SmalltalkR、Cなど、および従来の手続き型プログラミング言語、たとえばCプログラミング言語、BASICプログラミング言語、または類似のプログラミング言語などを含む、1つまたはそれ以上のプログラミング言語のあらゆる組み合わせで書かれていてもよい。プログラムコードは、すべてがユーザのコンピュータで実行されてもよいし、スタンドアロンソフトウェアパッケージとして部分的にユーザのコンピュータで実行されてもよいし、一部がユーザのコンピュータで、一部がリモートコンピュータで実行されてもよいし、すべてがリモートコンピュータまたはサーバで実行されてもよい。後者のシナリオにおいて、リモートコンピュータは、ローカルエリアネットワークlocalareanetwork:LANまたは広域ネットワークwideareanetwork:WANを含むあらゆるタイプのネットワークを通じてユーザのコンピュータに接続されてもよいし、たとえば、インターネットサービスプロバイダを用いてインターネットを通じて外部コンピュータへの接続が行われてもよい。本明細書においては、本発明の実施形態に従う方法、装置システムおよびコンピュータプログラム製品の流れ図もしくはブロック図またはその両方を参照して、本発明の局面が説明される。図5に提供されるものなどの流れ図もしくはブロック図またはその両方の各ブロック、および流れ図もしくはブロック図またはその両方におけるブロックの組み合わせは、コンピュータプログラム命令によって実装され得ることが理解されるだろう。これらのコンピュータプログラム命令が、汎用コンピュータもしくは特定目的のコンピュータのプロセッサ、またはマシンを生成するためのその他のプログラマブルデータ処理装置に与えられることによって、そのコンピュータのプロセッサまたはその他のプログラマブルデータ処理装置を介して実行された命令が、流れ図もしくはブロック図またはその両方の単数または複数のブロックにおいて指定された機能/動作を実装するための手段を作成するようにしてもよい。これらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータ、その他のプログラマブルデータ処理装置またはその他のデバイスに特定の態様で機能するよう指示できるコンピュータ読取り可能媒体の中に保存されることによって、コンピュータ読取り可能媒体に保存された命令が、流れ図もしくはブロック図またはその両方の単数または複数のブロックにおいて指定された機能/動作を実装する命令を含む製造品を生成するようにしてもよい。さらに、コンピュータプログラム命令は、コンピュータ、その他のプログラマブルデータ処理装置またはその他のデバイスにロードされることによって、そのコンピュータ、その他のプログラマブル装置またはその他のデバイスにおいて一連の動作ステップを行わせることにより、コンピュータまたはその他のプログラマブル装置において実行される命令が、流れ図もしくはブロック図またはその両方の単数または複数のブロックにおいて指定された機能/動作を実装するためのプロセスを提供するような、コンピュータに実装されるプロセスを生成してもよい。図面中の流れ図およびブロック図は、本発明のさまざまな実施形態に従うシステム、方法およびコンピュータプログラム製品の実装可能なアーキテクチャ、機能および動作を例示するものである。これに関して、流れ図またはブロック図における各ブロックは、指定された論理関数単数または複数を実装するための1つまたはそれ以上の実行可能な命令を含むモジュール、セグメント、またはコードの部分を表していてもよい。さらに、いくつかの代替的な実装においては、ブロック中に示される機能が図面に示される以外の順序で起こることがあることに留意すべきである。たとえば、連続して示される2つのブロックは、伴われる機能に依存して、実際には実質的に同時に実行されてもよいし、それらのブロックがときには逆の順序で実行されてもよい。さらに、ブロック図もしくは流れ図またはその両方の各ブロック、およびブロック図もしくは流れ図またはその両方のブロックの組み合わせは、指定された機能もしくは動作を行う特定目的のハードウェアに基づくシステム、または特定目的のハードウェアとコンピュータ命令との組み合わせによって実装され得ることが注目される。本明細書に記載されるいずれの方法も、コンピュータ読取り可能記憶媒体において具現化される別個のソフトウェアモジュールを含むシステムを提供する追加のステップを含み得ることに留意すべきである。そのモジュールは、たとえばブロック図に示される要素もしくは本明細書に記載される要素またはその両方のいずれかまたはすべてなどを含んでもよい。限定ではない例としては、初期化モジュール、テスト点およびパラメータを周期的に繰り返すためのモジュール、出力ファイルを生成するための出力モジュール、データを減らして異常を探すための後処理モジュールなどがある。次いで、1つまたはそれ以上のハードウェアプロセッサ602において実行される、上述のとおりのシステムの別個のソフトウェアモジュールもしくはサブモジュールまたはその両方を用いて、方法ステップが行われてもよい。さらに、コンピュータプログラム製品は、別個のソフトウェアモジュールによるシステムの設備を含む、本明細書に記載される1つまたはそれ以上の方法ステップを行うために実装されるよう適合されたコードを有するコンピュータ読取り可能記憶媒体を含んでもよい。いずれの場合にも、本明細書において示される構成要素は、さまざまな形のハードウェア、ソフトウェアまたはその組み合わせにおいて実装されてもよいことが理解されるべきである。すなわち、たとえば特定用途向け集積回路単数または複数applicationspecificintegratedcircuits:ASICS、機能回路、関連メモリを有する1つまたはそれ以上の適切にプログラムされた汎用デジタルコンピュータなどである。本明細書において提供される本発明の教示を与えられた通常の当業者は、本発明の構成要素の他の実装を予期できるだろう。本明細書において用いられる用語は特定の実施形態を説明する目的のためのみのものであって、本発明を限定することは意図されない。本明細書において用いられる単数形a、anおよびtheは、状況が明らかに別様を示していない限り、複数形をも含むことが意図される。さらに、含むcomprisesもしくは含むcomprisingという用語またはその両方が本明細書において用いられるとき、それは述べられる特徴、完全体、ステップ、動作、要素もしくは構成要素、またはその組み合わせの存在を特定するが、1つまたはそれ以上の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成要素もしくはその群、またはその組み合わせの存在または追加を排除するものではないことが理解されるだろう。添付の特許請求の範囲におけるすべてのミーンズまたはステッププラスファンクションmeansorstepplusfunction要素に対応する構造、材料、動作、および均等物は、特定的に請求される他の請求要素と組み合わせてその機能を行うためのあらゆる構造、材料または動作を含むことが意図される。本発明の説明は例示および説明の目的のために提供されたものであるが、網羅的になったり、開示される形に本発明を制限したりすることは意図されない。本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく、通常の当業者には多くの修正および変更が明らかになるだろう。実施形態は、本発明の原理および実際の適用を最も良く説明し、他の通常の当業者が予期される特定の使用に好適であるようなさまざまな修正を伴うさまざまな実施形態に対して本発明を理解できるようにするために選択されて記載されたものである。"