"放熱フィンと、前記放熱フィンに固定された金属ベースと、前記金属ベースに搭載された絶縁基板と、前記絶縁基板に搭載され、所定の半導体素子が形成された回路基板とを備え、前記金属ベースは、前記金属ベースにおける外周部分の一箇所をねじで前記放熱フィンに留めることによって前記放熱フィンに固定された、半導体装置。前記ねじは、樹脂材を介在させて前記放熱フィンに留められた、請求項1記載の半導体装置。前記ねじは、金属ワッシャを介在させて前記放熱フィンに留められた、請求項1記載の半導体装置。放熱フィンと、前記放熱フィンに固定された金属ベースと、前記金属ベースに搭載された絶縁基板と、前記絶縁基板に搭載され、所定の半導体素子が形成された回路基板と前記絶縁基板を覆うように前記金属ベースに取り付けられた覆い部材と前記覆い部材と前記絶縁基板との間に設けられ、前記絶縁基板および前記回路基板のいずれかの中央部の一箇所を上方から押え付ける押え部材とを備えた、半導体装置。前記押え部材は樹脂である、請求項4記載の半導体装置。前記押え部材と前記覆い部材は一体的に形成された、請求項4記載の半導体装置。前記押え部材は金属である、請求項4記載の半導体装置。本発明は、パワーモジュールの開発の一環でなされたものであり、その目的は、放熱が効率的に行われる半導体装置を提供することである。本発明の半導体装置は、放熱フィンと金属ベースと絶縁基板と回路基板とを備えている。金属ベースは放熱フィンに固定されている。絶縁基板は金属ベースに搭載されている。回路基板は絶縁基板に搭載され、所定の半導体素子が形成されている。金属ベースは、金属ベースにおける外周部分の一箇所をねじで放熱フィンに留めることによって放熱フィンに固定されている。本発明の他の半導体装置は、放熱フィンと金属ベースと絶縁基板と回路基板と覆い部材と押え部材とを備えている。金属ベースは放熱フィンに固定されている。絶縁基板は金属ベースに搭載されている。回路基板は絶縁基板に搭載され、所定の半導体素子が形成されている。覆い部材は絶縁基板を覆うように金属ベースに取り付けられている。押え部材は覆い部材と絶縁基板との間に設けられ、絶縁基板および回路基板のいずれかの中央部の一箇所を上方から押え付ける。本発明の半導体装置および他の半導体装置によれば、放熱を効率的に行うことができ、半導体装置の破壊を未然に防ぐことができる。実施の形態1本発明の実施の形態1に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図1および図2に示すように、絶縁回路基板としてのセラミックス基板CSの一方の表面には、アルミニウム回路基板ASがはんだ付けされている。アルミニウム回路基板には、電力を制御する所定の半導体素子図示せずが形成されている。一方、セラミックス基板CSの他方の表面には、放熱用のアルミニウムベースABが接合されている。そのアルミニウムベースABのうち、たとえば、長手方向の一端側の外周部分の1箇所に貫通孔AHが形成されている。その貫通孔AHに雄ねじを挿通して放熱フィンFNに設けた雌ねじに螺合することにより、アルミニウムベースABが放熱フィンFNに固定されている。上述した半導体装置では、アルミニウムベースABは、長手方向の一端側の1箇所において雄ねじによって放熱フィンFNに固定されている。これにより、比較例に係る半導体装置に比べて、アルミニウムベースの変形等を抑制することができる。このことについて説明する。図3に示すように、比較例に係る半導体装置では、セラミックス基板HCSの一方の表面にアルミニウム回路基板HASがはんだ付けされ、セラミックス基板HCSの他方の表面にアルミニウムベースHABが接合されている。そのアルミニウムベースHABのうち、外周部分における、長手方向の一端側と他端側との2箇所に貫通孔図示せずが形成されている。その2箇所の貫通孔に雄ねじHSRを挿通して放熱フィンHFNに設けた雌ねじに螺合することにより、アルミニウムベースHABが放熱フィンHFNに固定されている。半導体装置の使用によって、アルミニウム回路基板HASに形成されている半導体素子図示せずから熱が発生する。そうすると、発生した熱によってアルミニウムベースHABが膨張を始める。このとき、アルミニウムベースHABは、その長手方向の一端側と他端側との2箇所において放熱フィンHFNに固定されて放熱フィンHFNに拘束されている。このため、図3の矢印YHに示すように、雄ねじHSRによって固定されている部分からアルミニウムベースABが膨張して、放熱フィンHFNに対してアルミニウムベースHABが反ってしまい、アルミニウムベースHABと放熱フィンHFNとの間に隙間ができてしまう。隙間ができてしまうと、アルミニウム回路基板HASにおいて発生してアルミニウムベースHABに伝導した熱が放熱フィンHFNに伝導するのが妨げられてしまうことになる。その結果、放熱が良好に行われなくなって、半導体装置が破壊されてしまうことがある。これに対して、上述した半導体装置では、アルミニウムベースABは長手方向の一端側の1箇所において放熱フィンFNに固定されて、他端側では放熱フィンFNに固定されていない。このため、図4の矢印Y1に示すように、雄ねじSRによって固定されている一端側の部分から膨張するアルミニウムベースABは、他端側において拘束されずに膨張することができる。これにより、放熱フィンFNに対してアルミニウムベースABが反ってしまうのを防止して、アルミニウムベースABと放熱フィンFNとの間に隙間ができるのを抑制することすることができる。その結果、半導体装置において発生する熱を効率的に放熱することができ、半導体装置の破壊を未然に防ぐことができる。また、比較例に係る半導体装置では、アルミニウムベースHABに2箇所の貫通孔が設けられているのに対して、上述した半導体装置では、アルミニウムベースABに設ける貫通孔は1箇所でよく、その分、アルミニウムベースABのサイズを小さくすることができ、半導体装置の小型化に寄与することができる。さらに、貫通孔が1箇所であることで、作業効率も上がり、生産コストの削減に寄与することができる。実施の形態2本発明の実施の形態2に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図5および図6に示すように、アルミニウムベースABは、アルミニウムベースABと雄ねじSRのねじ頭との間に樹脂材RMを介在させて放熱フィンFNに固定されている。なお、これ以外の構成については、図1および図2に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。上述した半導体装置では、実施の形態1において説明した半導体装置と同様に、アルミニウムベースABが長手方向の一端側の1箇所において放熱フィンFNに固定されていることで、放熱フィンFNに対してアルミニウムベースABが反ってしまうのを防止することができる効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、アルミニウムベースABが樹脂材RMを介在させるようにして雄ねじSRによって放熱フィンFNに固定されていることで、雄ねじSRの緩みが抑制されて、アルミニウムベースABを放熱フィンFNに密着させて放熱を効率的に行うことができる。実施の形態3本発明の実施の形態3に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図7および図8に示すように、アルミニウムベースABは、アルミニウムベースABと雄ねじSRのねじ頭との間に金属ワッシャMWを介在させて放熱フィンFNに固定されている。なお、これ以外の構成については、図1および図2に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。上述した半導体装置では、実施の形態1において説明した半導体装置と同様に、アルミニウムベースABが長手方向の一端側の1箇所において放熱フィンFNに固定されていることで、放熱フィンFNに対してアルミニウムベースABが反ってしまうのを防止することができる効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、アルミニウムベースABが金属ワッシャMWを介在させるようにして雄ねじSRによって放熱フィンFNに固定されていることで、雄ねじSRの緩みがさらに抑制されて、アルミニウムベースABを放熱フィンFNに密着させて放熱を効率的に行うことができる。実施の形態4本発明の実施の形態4に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図9および図10に示すように、アルミニウム回路基板ASが搭載されたセラミックス基板CSを覆うように、樹脂ケースRFがアルミニウムベースABに取り付けられている。その樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、セラミックス基板CSの中央付近の一箇所を上方から押え付ける樹脂の押え部材PMRが設けられている。また、樹脂ケースRFの内側にはゲルGEが充填されている。さらに、アルミニウムベースABは、雄ねじSRによって放熱フィンFNに固定されている。パワーモジュールでは、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱と、アルミニウムベースABの線膨張係数とセラミックス基板CSの線膨張係数の違いによって、セラミックス基板CSがアルミニウムベースABに対して反ってしまうことがある。上述した半導体装置では、図11に示すように、アルミニウムベースABに取り付けられた樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、セラミックス基板CSの中央付近の一箇所を上方から押え付ける樹脂の押え部材PMRが設けられている。これにより、アルミニウムベースABの熱による変形に伴って、セラミックス基板CSが変形しようとするのを効果的に抑制矢印Y2することができる。その結果、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱を、セラミックス基板CSからアルミニウムベースABを経て放熱フィンFNに効率よく伝導させることができる。また、セラミックス基板CSの変形を抑制することで、アルミニウム回路基板ASの回路面を有効に使用することができる。実施の形態5本発明の実施の形態5に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図12および図13に示すように、樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、セラミックス基板CSの中央付近の一箇所を上方から押え付ける金属の押え部材PMMが設けられている。なお、これ以外の構成については、図9および図10に示す半導体装置の構成と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。上述した半導体装置では、アルミニウムベースABに取り付けられた樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、セラミックス基板CSの中央付近の一箇所を上方から押え付ける金属の押え部材PMMが設けられている。これにより、アルミニウムベースABの熱による変形に伴って、セラミックス基板CSが変形しようとするのを確実に抑制することができる。その結果、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱を、セラミックス基板CSからアルミニウムベースABを経て放熱フィンFNに効率よく伝導させることができる。また、セラミックス基板CSの変形を抑制することで、アルミニウム回路基板ASの回路面を有効に使用することができる。実施の形態6本発明の実施の形態6に係る半導体装置パワーモジュールについて説明する。図14および図15に示すように、アルミニウム回路基板ASが搭載されたセラミックス基板CSを覆うように、樹脂ケースRFがアルミニウムベースABに取り付けられている。その樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、アルミニウム回路基板ASの中央付近の一箇所を上方から押え付ける樹脂の押え部材PMRが設けられている。また、樹脂ケースRFの内側にはゲルGEが充填されている。なお、これ以外の構成については、図9および図10に示す半導体装置の構成と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。パワーモジュールでは、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱と、アルミニウムベースABの線膨張係数とセラミックス基板CSの線膨張係数の違いによって、セラミックス基板CSがアルミニウムベースABに対して反ってしまうことがある。上述した半導体装置では、アルミニウムベースABに取り付けられた樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、アルミニウム回路基板ASの中央付近の一箇所を上方から押え付ける樹脂の押え部材PMRが設けられている。これにより、アルミニウムベースABの熱による変形に伴って、セラミックス基板CSが変形しようとするのを効果的に抑制することができる。その結果、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱を、セラミックス基板CSからアルミニウムベースABを経て放熱フィンFNに効率よく伝導させることができる。また、セラミックス基板CSの変形を抑制することで、アルミニウム回路基板ASの回路面を有効に使用することができる。実施の形態7本発明の実施の形態7パワーモジュールについて説明する。図16および図17に示すように、アルミニウム回路基板ASが搭載されたセラミックス基板CSを覆うように、樹脂ケースRFがアルミニウムベースABに取り付けられている。その樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、アルミニウム回路基板ASの中央付近の一箇所を上方から押え付ける金属の押え部材PMMが設けられている。なお、これ以外の構成については、図9および図10に示す半導体装置の構成と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。上述した半導体装置では、アルミニウムベースABに取り付けられた樹脂ケースRFの天板部分とセラミックス基板CSとの間に、アルミニウム回路基板ASの中央付近の一箇所を上方から押え付ける金属の押え部材PMMが設けられている。これにより、アルミニウムベースABの熱による変形に伴って、セラミックス基板CSが変形しようとするのを確実に抑制することができる。その結果、アルミニウム回路基板ASにおいて発生した熱を、セラミックス基板CSからアルミニウムベースABを経て放熱フィンFNに効率よく伝導させることができる。また、セラミックス基板CSの変形を抑制することで、アルミニウム回路基板ASの回路面を有効に使用することができる。なお、実施の形態4~7では、アルミニウムベースABをその2箇所において雄ねじSRにより放熱フィンFNに固定する場合を例に挙げたが、実施の形態1~3のように、アルミニウムベースABをその1箇所において雄ねじSRにより放熱フィンFNに固定した構造に対しても、押え部材PMR,PMMを適用することが可能である。また、樹脂の押え部材PMRの場合、樹脂ケースRFとは別体の部材であってもよいし、樹脂ケースRFと一体的に形成された部材であってもよい。今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。"