放射ビームを提供するための照明システムと、パターニングデバイスを支持するためのサポート構造であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与する、サポート構造と、基板を保持するための基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影するための投影システムと、前記放射ビームの特性を測定するように構成されたディテクタと、を備えたリソグラフィ装置であって、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第2の一軸性結晶の前記光軸は、前記第1の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される、リソグラフィ装置。前記ディテクタは前記放射ビームの強度を測定するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記照明システムは、少なくとも2つの異なる偏光状態の間で前記放射ビームの偏光を変化させるように構成される、請求項1又は請求項2のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記放射ビームの波長は、深紫外線DUVである、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記第1および第2の一軸性結晶は、互いに隣接する、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記第1および/または第2の一軸性結晶は、サファイアを含む、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記ディテクタは、前記放射ビームが第1の結晶を通り、その後第2の結晶を通って伝播するように向けられ、前記第2の一軸性結晶は、前記放射ビームが前記第1の一軸性結晶を通過する際、および/または前記第1の一軸性結晶から第2の一軸性結晶へと通過する際に起こる放射損失を補償するように構成される、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記第2の一軸性結晶は、前記第1の一軸性結晶と同一の材料であり、前記第2の一軸性結晶は、前記放射ビームの伝播方向における厚さが、前記放射ビームの伝播方向における前記第1の一軸性結晶の厚さよりも大きくなるように構成される、請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記第2の一軸性結晶は、その吸収係数が、第1の一軸性結晶の吸収係数よりも大きくなるように構成される、請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記第1および第2の一軸性結晶は、光学的に接触している、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記第1および第2の一軸性結晶は、光学的に接触していない、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。前記一軸性結晶のうちの1つが回転可能に取り付けられている、請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。照明システムを使って放射ビームを提供することと、パターニングデバイスを使って前記放射ビームの断面にパターンを付与することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、を含むデバイス製造方法であって、前記方法は、さらに、ディテクタを使って前記放射ビームの特性を測定することを含み、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第2の一軸性結晶の前記光軸は、前記第1の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される、デバイス製造方法。放射ビームの特性を測定するように構成されたディテクタであって、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第1の一軸性結晶の前記光軸は、前記第2の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される、ディテクタ。例えば、本明細書中あるいは本明細書以外で特定される従来技術における1つ以上の問題を除去または軽減するディテクタを備えたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。本発明の第1態様では、放射ビームを提供するための照明システムと、パターニングデバイスを支持するためのサポート構造であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与する、サポート構造と、基板を保持するための基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影するための投影システムと、前記放射ビームの特性を測定するように構成されたディテクタと、を備えたリソグラフィ装置が提供され、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第2の一軸性結晶の前記光軸は、前記第1の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される。本発明の第2態様では、照明システムを使って放射ビームを提供することと、パターニングデバイスを使って前記放射ビームの断面にパターンを付与することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、を含む方法が提供され、前記方法は、さらに、ディテクタを使って前記放射ビームの特性を測定することを含み、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第2の一軸性結晶の前記光軸は、前記第1の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される。本発明の第3態様では、放射ビームの特性を測定するように構成されたディテクタであって、前記ディテクタは、各々が光軸を有する第1および第2の発光一軸性結晶を備え、前記第2の一軸性結晶の前記光軸は、前記第1の一軸性結晶の前記光軸に実質的に垂直になるように配置される、ディテクタ。本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有する、および極端紫外線EUV例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。このようにして、反射される放射ビームにはパターンが付けられる。サポート構造は、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式クランプ、真空式、または、例えば真空条件下における静電式クランプといった他のクランプ技術を使うことができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよく、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。本明細書において使用される投影システムという用語は、例えば使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型光学系、反射型光学系、反射屈折型光学系を含む多様な型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、反射屈折型の光コンポーネントを含む多様な型の光コンポーネントを包含することができ、そのようなコンポーネントは、以下の記載において、包括的にまたは単独でレンズと呼ばれることもある。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のサポート構造を有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体例えば水に基板が浸漬されるタイプのものであってもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。図1は、本発明の特定の実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、-放射ビームPB例えば紫外線または深紫外線DUV放射を調整する照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持し、かつアイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1位置決めデバイスPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、-基板例えば、レジストコートウェーハWを保持し、かつアイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決めデバイスPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に結像するように構成されている投影システム例えば、屈折投影レンズPLと、を備える。本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、上述の型のプログラマブルミラーアレイを採用しているものであってもよい。イルミネータILは、放射源SOから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節する調節手段AMを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、断面に所望の均一性および強度分布を有する調整された放射ビームPBを提供する。放射ビームPBは、サポート構造MT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射する。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、ビームPBはレンズPLを通過し、レンズPLは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2位置決めデバイスPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイスを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームPBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1位置決めデバイスPMおよび別の位置センサ図1には明示的に示されていないを使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAをビームPBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、オブジェクトテーブルMTおよびWTの移動は、位置決めデバイスPMおよびPWの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することになる。ただし、ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示の装置は、以下に説明する好適なモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームPBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。2.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームPBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの縮小拡大率および像反転特性によって決められる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームPBに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。リソグラフィ装置は、さらに、放射ビームPBの強度を測定するために使用される強度ディテクタIDを備える。従来技術の強度ディテクタは、発光結晶を備え、この発光結晶の輝度は、フォトダイオードまたは任意の他の好適な強度センサにより測定することができる。発光結晶は、複屈折特性を示す、つまり異なる放射の偏光に対して異なる光学特性を有する結晶と言える。結晶の複屈折性質とは、放射が結晶を通過する際、異なる偏光を有する放射成分どうしの位相が互いにずれ、異なる偏光を有する放射成分の選択的な吸収が起こり得ることを意味する。複屈折特性を示す結晶の一種として、一軸性結晶がある。一軸性結晶は、一般的に、正方晶、六方晶、または三方晶構造を有し、かつ単一の光軸を有し、一軸性結晶の原子はこの光軸を中心に対称的に配置されている。一軸性結晶をその光軸と平行に通過する放射は、対称構造を通るため、等方性の態様で挙動することになる。しかし、一軸性結晶をその光軸と平行でない方向に通過する放射は、非対称構造を経るため、非等方性の態様で挙動し、かつ複屈折を受けることになる。発光一軸性結晶の一例として、aカットサファイア結晶が挙げられる。aカット結晶では、結晶の光軸OAは、入射放射の電界ベクトルと同一面内にある。すなわち、aカット結晶が、その表面に垂直に入射する入射放射用に構成されている場合、このaカット結晶の光軸はその表面に平行になる。放射ビームPBの特性は、リソグラフィ装置により制御され得る。これらの特性は、例えば、基板上に投影されるパターンの種類に応じて調節することができる。そのような調節可能な放射ビームPBの特性の1つに、放射ビームの偏光がある。一部の公知のリソグラフィ装置では、放射ビームPBの偏光は、互いに垂直な2つの状態間で変化することができる。このような偏光の変化が、発光結晶から形成された強度ディテクタに入射する放射内で起ると、この発光結晶の発光効率が変化し得る。この発光効率の変化は、瞬間的なものではなく、いくらかの遅延を含み得る。発光効率の変化に遅延がある場合、ディテクタの応答は、静的成分および遷移成分の両方を含む偏光依存性の変動を有する場合がある。ディテクタの応答変動の遷移成分は、ディテクタの信号安定性を低下させることになり、この信号安定性の低下が、ひいてはリソグラフィ装置の結像性能を低下させる場合がある。さらに、応答変動の静的成分により、ディテクタは、入射放射の偏光の意図しないドリフトに影響を受けやすくなる場合がある。これは、ディテクタにより測定される強度に誤差を生じさせ得る。図2は、サファイア結晶と193nmの波長を有するDUV放射とを使用した公知のディテクタにおける、入射放射の電界ベクトルと結晶のOAとの間の角度を関数とした典型的なディテクタ応答変動を示す。横軸上に角度A°を示し、縦軸上にディテクタ応答Sを示す。応答変動が周期的であることが見て取れる。また、この図は、遷移飽和前破線および遷移飽和後実線の相対的なディテクタ応答も示す。図2は、90°の位相シフトに起因する静的な信号変動が平均信号のおよそ40まで大きくなり得ることを示している。90°の位相シフトは、直線x偏光入射放射から直線y偏光入射放射へと切り替わる偏光状態に相当する。また、この図は、平均ディテクタ応答に対する信号変動の大きさが、遷移飽和前とは対照的に、遷移飽和後により大きくなることも示している。図2は、さらに、遷移効果によるディテクタ応答の差矢印Mで示されるが、静的応答変動と対応していることを示す。所与の角度におけるディテクタ応答と平均ディテクタ応答との差が大きいほど、当該角度における遷移飽和前と遷移飽和後との間のディテクタ応答の差が大きくなる。図3は、サファイア結晶を含み、193nmの波長を有するDUV放射を使用した公知のディテクタにおいて、入射放射の第1偏光状態から、第1偏光状態とは90°位相が異なる入射放射の第2偏光状態へと変化する際の、応答の典型的な遷移曲線を示す。横軸上にはパルス数Nを示し、縦軸にはディテクタにより検出された相対強度Iを示す。例えば、偏光状態の変化は、直線x偏光入射放射と直線y偏光入射放射との間その逆も同様で起こり得る。図示される遷移は、下向きの曲線であり、ディテクタの応答は、第2偏光状態への露光が進むにつれて低下している。当然のことながら、第1および第2偏向状態がどのようなものかによって遷移は、下向き曲線ではなく上向き曲線になり得る。図3は、遷移飽和時間つまり、ディテクタ応答が、偏光状態の変化後に静止状態に到達するのに要する時間が長く、10000を超えるDUVパルスを必要とすることを示している。図3に示す遷移の場合、各パルスは150ナノ秒の長さを有し、パルスレートは6kHzである。このパルスレートでは、10000パルスが約1.7秒の時間に相当する。リソグラフィ装置は、遷移効果が消失するまでに十分な時間がない例えば、基板上へのパターンの投影が偏光の変化直後に続くような態様で動作されるのが一般的である。この場合、遷移効果が消失するまでの間、ディテクタの出力は不正確となる、あるいは系統的な偏差を有する場合がある。これらの不正確性または偏差は、所望の精度でリソグラフィ装置を動作させるが不可能になるほどに大きくなり得る。別のアプローチでは、リソグラフィ装置は、測定がなされる前に遷移効果が消失する時間を与えられるように動作させられる。しかし、遷移効果が消失するために要する時間は、リソグラフィ装置の動作ステップを制限するほどの時間になり得るため、リソグラフィ装置のスループットを低下させてしまう。図4および5は、本発明の一実施形態に係るディテクタの一部を形成する結晶構成10を示す。本発明に係るディテクタは、フォトダイオードまたは任意の他の好適な強度センサを使用して結晶構成の輝度を測定するべく動作する。図4は結晶構成10の端面図を示し、図5は結晶構成10の側面図を示す。結晶構成10は、2つの同様な発光一軸性aカット結晶12、14を備える。第1結晶12は、光軸を有し、この光軸の方向はOA1で示される。第2結晶14は、第1結晶12に隣接する。第2結晶14は光軸を有し、この光軸の方向はOA2で示され、第1結晶12の光軸に垂直である。図6は、第1結晶12破線、第2結晶14実線、ならびに、第1結晶12および第2結晶14の両方の和一点鎖線について、入射放射の電界ベクトルと第1結晶12のOAとの間の角度を関数としたディテクタ応答変動を示す。横軸上には角度Aを示し、縦軸上にはディテクタ応答Sを示す。第1結晶12のディテクタ応答は、第2結晶14のディテクタ応答から90°位相がずれているため、また、第1および第2結晶12、14の両方のディテクタ応答の大きさが等しいため、第1結晶12および第2結晶14の両方の和についてのディテクタ応答は、入射放射の電界ベクトルといずれかの結晶のOAとの間の角度に関して不変である。すなわち、第1結晶12による応答変動への影響は、第2結晶14による応答変動への影響を正確に補償し、全角度範囲にわたって安定した応答性をもたらしている。図6では、入射放射の電界ベクトルと第1結晶12のOAとの間の角度を関数としたディテクタ応答変動を示しているが、入射放射の電界ベクトルと電界ベクトルの面内における任意の方向との間の角度を関数とした場合でも、同一の効果が観察される。本発明に係るディテクタの応答の大きさが、ディテクタに入射する放射の電界ベクトルに関して実質的に不変であるため、ディテクタに入射する放射の偏光が変化した場合、ディテクタの応答性は実質的に一定のまま維持されることになる。この理由から、ディテクタに入射する放射の偏光の変化に起因するディテクタの応答のあらゆる遷移も実質的に除去される。さらに、ディテクタの応答は電界ベクトルに関して不変であるため、従来技術に存在する単一のaカット結晶と比較して、ディテクタに入射する放射の偏光における不本意なドリフトに対して実質的に影響を受けない。ディテクタ信号安定性を高めることで、リソグラフィ装置による結像を改善することができる。例えば、ディテクタID図1を参照の強度を高めることにより、放射ビームPBの強度をより正確に制御することが可能となり、これにより基板W上に投影されるパターンのクリティカルディメンジョンのより正確な制御が可能となる。本発明に係るディテクタを使用すると、単一の結晶および偏光キューブを備えるディテクタを使用した別の可能なアプローチと比較して、いくつかの利点がもたらされる。第一に、偏光キューブは、特にDUV波長での使用が指定されているものの場合、比較的高価になる傾向がある。第二に、偏光キューブの使用は、少なくとも50の信号損失を引き起こすため、当該信号の信号対雑音比が低下する。第三に、偏光キューブおよび結晶がミスアライメントを起こした場合、50よりもかなり大きい信号損失を引き起こす場合がある。図6に示すディテクタ応答は、両結晶12、14においてDUV放射ビームの強度が等しく、かつ第1結晶12のOAが第2結晶14のOAに対して垂直になるよう正確に配置されていることに対応する、理想的なケースである。本発明のいくつかの実施形態では、ディテクタ応答は、これほど理想的ではない場合もある。例えば、各結晶がいくらかのDUV放射を吸収し得ると、結果的に第1および第2の結晶における強度は異なることがある。さらに、フレネル反射損失は、第1結晶12のうち第2結晶14に最も近い表面と、第2結晶14のうち第1結晶12に最も近い表面と、で起こり得る。放射ビームが第1結晶12を通り、その後第2結晶14を通って伝播するようにディテクタが配置される場合、上述した効果により、結晶構成10の第1結晶12内の放射ビームの強度と比較して結晶構成10の第2結晶14内の放射ビームの強度がより低くなる。第1結晶12内の放射ビームの強度が第2結晶14内の放射ビームの強度よりも大きい場合かつ、第1および第2結晶が等しい厚さを有すると想定した場合、第2結晶14によるディテクタ応答変動への影響は、第1結晶12によるディテクタ応答変動への影響を正確には補償しなくなる。これは、入射放射の電界ベクトルに依存して動揺する応答を引き起こすことになる。しかし、第1結晶12の厚さに対して第2結晶14の厚さを調整することにより、これらの効果は補償され得る。例えば、第2結晶14によるディテクタ応答変動を増加させるように、第2結晶14の厚さを増加させるこれにより、第2結晶14を通過する入射放射の距離を増加させることが可能である。第2結晶14の厚さが大きくなるにつれ、放射ビームが第2結晶14を通過する際の第2結晶14との相互作用が大きくなり、従って、第2結晶14によるディテクタ応答変動への影響が大きくなる。このようにして、第2結晶14の厚さは、第2結晶14のディテクタ応答変動への影響が、第2結晶14内の放射ビームの強度低下により引き起こされ得る当該影響の低下に相当する量だけ増加される。ディテクタ応答変動は、第2結晶のディテクタ応答への影響を、第1結晶内の吸収損失および/または両結晶の表面でのフレネル反射損失による第2結晶内の放射ビームの強度の低下を補償する量だけ増加させることにより、低下される。従って、第2結晶のディテクタ応答変動への影響により、第1結晶のディテクタ応答変動への影響を補償することが可能となり、これによって実質的に均一な正味のディテクタ応答がもたらされる。異なる吸収係数を有する結晶を使用して、第2結晶のディテクタ応答変動が確実に第1結晶のディテクタ応答変動への影響を補償するようにすることが可能となり得る。例えば、第2結晶は、第1結晶よりも大きい吸収係数を有するように製造され得る。このように第2結晶の吸収係数を増加させることにより、放射ビームが各結晶を通過する所与の距離において、第2結晶14は、第1結晶12よりも強く放射ビームと相互作用することになる。所与の厚さの第2結晶14について、ディテクタ変動応答への第2結晶14の影響が、第2結晶14内の放射ビームの強度を第1結晶内の放射ビームの強度に比べて低下させることにより引き起こされる、ディテクタ応答変動への第2結晶14の影響の低下に相当する量だけ増加されるように、第2結晶14の吸収係数を構成することができる。材料の吸収係数を変更する1つの可能な方法として、当該材料をドープすることあるいは、材料が既にドープされている場合は、そのドープ剤特性を変更することが挙げられる。また、第1および第2結晶の両方を単結晶成長過程から選択し、かつこれらの結晶を結晶ロッド内の相対位置から選ぶことにより、第1結晶よりも大きい吸収係数を有する第2結晶を得ることも可能である。本発明に係る結晶構成の性能を低下させ得る別の態様として、第1および第2結晶12、14のアライメントが、これら結晶のOAが互いに対して正確に垂直でないような場合が挙げられ得る。図7は、x方向の入射放射と第1および第2結晶12、14の平均OA方向つまり、第1結晶のOAおよび第2結晶のOAの中央を通る方向との間の角度を関数とした、x方向に偏光された放射の強度とy方向に偏光された放射の強度との間の相対的差異を示す。横軸は角度Aを示し、縦軸は相対強度差Iを示す。図7に示す場合における第1結晶12のOAと第2結晶14のOAとの間の角度は、92°であるつまり、第1および第2結晶は、2°ずれている。図7は、第1結晶が全波長板として作用する場合実線と、第1結晶が半波長板として作用する場合破線と、を示す。図7は、結晶のOAが偏光状態とアライメントされている場合、強度差は、位相遅延に関係なく、ゼロに近づくことを示している。結晶構成のミスアライメント精度が±5°であるとすると、異なる偏光を有する放射間の強度差は、1まで低くなり得る。従って、第2結晶に対する第1結晶のわずかなミスアライメントつまり、5°未満、または2°未満は、本発明に係るディテクタの応答に大きな悪影響を与えないということになる。従って、第1結晶のOAと第2結晶のOAとの間の角度は、約85°~95°の範囲、約88°~92°の範囲、および90°とすることができる。第1および第2結晶の相対的なアライメントに関してある程度の許容誤差があるため、本発明に係るディテクタは、許容誤差がない場合と比較して、より容易かつ安価に製造することができる。本発明のいくつかの実施形態では、第1および第2結晶は、光学的に接触していてもよい。例えば、第1および第2結晶は、互いに接触し、かつ互いに対して固定され得る。本発明の他の実施形態では、第1および第2結晶は光学的に接触しておらず、例えば間隙により離隔されていてもよい。このような間隙を設けることは、ディテクタの安定性を向上させることができるため、有利な場合がある。例えば、第1および第2結晶が互いに対して固定されている場合、時間が経過するにつれてそれらが離層する可能性がある。これらの結晶が間隙により離隔されている場合は、互いに固定されていないため、離層も起こり得ない。さらに、第1および第2結晶が互いに離隔している場合、結晶12、14は互いから独立して回転することができ、これにより、これら結晶の光軸の相対的なアライメントの調節が可能になる。例えば、これら結晶のうち、一方が回転可能に取り付けられ、他方が固定されてもよい。あるいは、両方の結晶が回転可能に取り付けられてもよい。第1および第2結晶は、放射ビームの吸収体である媒体により離隔されてもよい。この場合、当然のことながら、第2結晶の特徴例えば、厚さおよび吸収係数は、上述したように、ディテクタ応答の変動に対する第2結晶の影響を、吸収媒体による放射ビームの吸収の結果として第2結晶内の放射ビームの強度を第1結晶に対して低下させることによって、補償するように構成可能である。さらに、第2結晶14内の放射ビームの強度が、第1結晶12と第2結晶14との間で発生する放射ビームの吸収の結果として低下した場合つまり、第1および第2結晶が吸収媒体により離隔されている場合、第2結晶14内の低下した放射ビームの強度は上述したのと同様の態様で補償することができる。説明した実施形態では、ディテクタはDUV放射と組み合わせて使用することを例示したが、当然のことながら、同等のディテクタをリソグラフィ装置の適切な波長を有する放射ビームと共に使用することも本発明の範囲内である。また、当然のことながら、第1および第2結晶は任意の適切な発光一軸性材料により形成することができる。本発明は、発光一軸性材料であって、これら材料を露光させる放射ビームの偏光の変化によって、発光応答が遷移する発光一軸性材料に特に関連する。さらに、当然のことながら、記載したリソグラフィ装置では、放射ビームの強度を検出するためにディテクタを使用するが、同等のディテクタを放射ビームの他の特性を検出するために使用してもよい。リソグラフィ装置との関連においてディテクタを説明したが、このディテクタは、他の種類の装置と共に使用されてもよい。本発明の特定の実施形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明は、上記説明した態様とは別の態様で実施されてもよい。上記説明は、本発明の限定を目的としたものではない。