"半導体基板内に形成された第1導電型のドレイン領域と、半導体基板内の前記ドレイン領域よりも主面側に形成された、前記第1導電型と反対の第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された、第1導電型の複数の受光部と、前記ウェル領域内に形成され、前記受光部で発生した電荷を転送する第1導電型の垂直転送部と、前記ウェル領域内に形成され、前記垂直転送部の電荷転送方向の最下流から電荷を受け取り転送する第1導電型の水平転送部とを備え、前記半導体基板内のウェル領域内の前記垂直転送部の最下流の箇所を、前記半導体基板の厚み方向に見たときに、前記垂直転送部よりも深い領域に、第1導電型の電荷排出部が形成されることを特徴とする固体撮像素子。前記電荷排出部の底部が前記ドレイン領域の最上面よりも浅い位置にあり、前記電荷排出部と前記ドレイン領域との間に、第2導電型のオーバーフローバリア領域をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。前記電荷排出部の底部が前記ドレイン領域の最上面よりも浅い位置にあり、前記電荷排出部と前記ドレイン領域との間に、前記ウェル領域が拡がっていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。前記電荷排出部の底部の前記半導体基板最上面からの深さは、0.1μm~2μmであり、前記垂直転送部の底部の前記半導体基板最上面からの深さは、0.1μm~0.2μmであることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。前記電荷排出部は、前記垂直転送部よりも低い不純物濃度を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。ところが、上記従来の固体撮像素子では、多画素化がさらにすすみ画素寸法がさらに微細化し、垂直転送部の列間が狭くなった場合に、電荷排出部を作ることが困難であるという問題がある。従来の固体撮像素子では、VH転送段部分にドレイン領域が設けられている。ここで、ドレイン領域と転送ゲート電極及び埋め込みチャネルとは、それぞれ固有の寸法を必要とするため、画素寸法が微細化し画素セルサイズが1μm程度まで微細化した場合、これらを作り込むことが困難になってしまう。また、垂直CCDのチャネルストップ領域を構成するP型半導体領域とドレイン領域を構成するN型半導体領域とのPN接合部が、ブレークダウンすることを避けるため、垂直転送部をドレイン領域から十分に隙間を空けて配置する必要がある。具体的には、例えば、ドレイン領域に対応する部分の垂直転送部が折れ曲がる形とすれば良いが、この構成を採ると、垂直転送部の折れ曲がった部分で、信号電荷を転送する能力が低下するおそれがある。本発明は、上記問題の解決を図るべくなされたものであって、微細化により垂直転送部の列間が狭くなっても、電荷排出部を作りやすい固体撮像素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板内に形成された第1導電型のドレイン領域と、半導体基板内のドレイン領域よりも主面側に形成された、第1導電型と反対の第2導電型のウェル領域と、ウェル領域内に形成された、第1導電型の複数の受光部と、ウェル領域内に形成され、受光部で発生した電荷を転送する第1導電型の垂直転送部と、ウェル領域内に形成され、垂直転送部の電荷転送方向の最下流から電荷を受け取り転送する第1導電型の水平転送部とを備え、半導体基板内のウェル領域内の垂直転送部の最下流の箇所を、半導体基板の厚み方向に見たときに、垂直転送部よりも深い領域に、第1導電型の電荷排出部が形成されることを特徴とする。本発明に係る固体撮像素子では、電荷排出部が垂直転送部よりも深い領域に形成され、それよりも深い領域にドレイン領域が形成されている。この構成により、垂直転送部内の電荷は電荷排出部を介してドレイン領域に排出される。このように、電荷排出部は、垂直転送部の列間に形成されるのではなく、垂直転送部より深い領域に形成されているので、垂直転送部の列間の幅を確保する必要が無い。すなわち、垂直転送部の列間の幅が狭くなっても、電荷排出部及びドレイン領域をつくる領域には影響しない。従って、本発明に係る固体撮像素子では、微細化により垂直転送部の列間が狭くなっても、電荷排出部を作りやすい。[実施の形態1]1.固体撮像素子100の全体構成図1は、実施の形態1に係る固体撮像素子100における各構成要素のレイアウト図である。固体撮像素子100のセルサイズは、例えば、1μmである。ここで、水平方向を矢印Xの方向、垂直方向を矢印Yの方向とする。図1に示すように、撮像部撮像エリア110は、半導体基板上に行列状に配置された複数のセンサ部画素121、これらセンサ部121の垂直方向に隣り合う列の間に設けられた垂直CCD131、各センサ部121と垂直CCD131との間に設けられ、センサ部121から垂直CCD131へ信号電荷を読み出す読み出しゲート部122を有する。さらに、垂直CCD131の電荷転送方向の最下流から信号電荷を受け取り水平方向X方向に転送する水平CCD141が配置されている。撮像部110と水平CCD141との間には、VH転送段112と電荷排出転送段114とが設けられている。VH転送段112は、信号電荷を電荷排出転送段114へと転送する順番を、列ごとに制御する。センサ部121では入射光により信号電荷が生成され、信号電荷は読出しゲート部122を介して垂直CCD131へと転送される。垂直CCD131は、垂直転送パルスによって転送駆動され、信号電荷をライン行単位で順に垂直方向Y方向に転送する。その後、信号電荷は、水平CCD141を経由し出力部150へと転送される。動画モード時のみ、固体撮像素子100では、水平方向の画素信号を水平CCD141にて加算する。2.VH転送段112及び電荷排出転送段114の構成図2は、図1に示した固体撮像素子100のVH転送段112及び電荷排出転送段114の拡大図である。撮像部110及びVH転送段112において、垂直CCD131は、131a、131b、131cの3列に分類され、電荷排出転送段114において1つに束ねられる。VH転送段112において、垂直CCD131a、131b、131cの上方には、それぞれ転送電極42a,43a,42b,43b,42c,43cがそれぞれ別個に形成されている。VH転送段112における信号電荷の転送及び蓄積は、転送電極42a,43a,42b,43b,42c,43cにより制御される。より具体的には、転送電極42a,43a,42b,43b,42c,43cは、異なる配線に接続されており、異なる電圧を印加できる。また、a列の転送電極42aは全て同じ配線に接続されており、それぞれの転送電極42aには同じ電圧が印加される。これは、転送電極43a,42b,43b,42c,43cでも同様である。このように、電荷排出転送段114では、a,b,c列ごとに、別個に電荷を転送及び蓄積できる。電荷排出転送段114において、垂直CCD131の上方には、転送電極44,45が形成されている。電荷排出転送段114における信号電荷の転送及び蓄積は、転送電極44,45により制御される。転送電極44,45は、それぞれ異なる配線に接続されているが、a,b,c列のすべてに同じ電圧が印加されることとなる。そのため、転送電極44の下方にある垂直CCD131は、a,b,c列に対応する領域すべてで等しく制御される。転送電極45の下方にある垂直CCD131でも同様である。図3は、VH転送段112及び電荷排出転送段114の概略断面図であり、図1、及び、図2のA-A ́矢視断面を示している。図3に示すように、固体撮像素子100における半導体基板11は、N型のドレイン領域10、ドレイン領域10上に形成されたP型ウェル領域20、P型ウェル領域20を介してその主面側に形成されたN-型の電荷排出部22、N型不純物からなり信号電荷を垂直方向Y方向に転送する転送チャネル30を備える。より具体的には、半導体基板11内のP型ウェル領域20内の垂直CCD131の転送チャネル30最下流の箇所を、半導体基板11の厚み方向に見たときに、垂直CCD131の転送チャネル30よりも深い領域に、N-型の電荷排出部22が形成される。転送チャネル30の上方には、転送電極42,43,44,45が配置されている。転送電極42,43,44,45には転送制御信号ΦVが印加される。転送制御信号ΦVを、HレベルまたはLレベルに制御することで、転送チャネル30内の信号電荷の蓄積及び転送を制御している。N型ドレイン領域10にはVLSUB、VMSUB、VHSUBと異なる電圧が印加される。VLSUBは通常の信号電荷転送を行う際の電圧であり、VHSUBはVLSUBより高く、電子シャッター駆動を行う際の電圧である。VMSUBは、VLSUBとVHSUBとの間の基板排出パルス電圧である。VH転送段112において、転送チャネル30は0.1μm程度の深さ位置に形成され、P型ウェル領域20は0.1μm~3μm程度の深さ位置に形成される。電荷排出転送段114において、転送チャネル30とP型ウェル領域20との間に、電荷排出部22が形成されている。これにより、電荷排出転送段114におけるP型ウェル領域20の厚みは、VH転送段112におけるP型ウェル領域20よりも薄くなっている。言い換えると、電荷排出部22の底部の半導体基板11の主面からの深さL1は、転送チャネル30の底部の半導体基板11の主面からの深さL2よりも深い。具体的には、転送チャネル30の底部は0.1μm~0.2μm程度の深さ位置に形成され、電荷排出部22の底部は転送チャネル30よりも深く、かつ、0.1μm~2μm程度の深さ位置に形成され、P型ウェル領域20の底部は2μm~3μm程度の深さ位置に形成される。なお、水平CCD141の断面構造は、電荷排出転送段114と同じで良い。P型ウェル領域20の不純物濃度は、例えば、5×1014/cm3以上1×1017/cm3未満の範囲内で適宜選択でき、転送チャネル30の不純物濃度は、例えば、1×1013/cm3以上1×1018/cm3未満の範囲で適宜選択できる。電荷排出部22の不純物濃度は、例えば、1×1011/cm3以上1×1016/cm3未満の範囲で適宜選択できる。電荷排出部22の不純物濃度は、転送チャネル30の不純物濃度よりも、低いことが望ましい。3.VH転送段112及び電荷排出転送段114の駆動1信号電荷のN型ドレイン領域10への排出動作図4a、bを参照して、電荷排出転送段114の信号電荷のN型ドレイン領域10への排出動作について、詳細に説明する。図6aはVH転送段112、図6bは電荷排出転送段114について、それぞれの断面図における電位分布を、電荷排出パルスVMSUB印加時と電荷排出パルスVMSUBを印加してないときに対応して示した図である。図中、実線で示す電位曲線は、電荷排出パルスVMSUBを印加してないときの分布であり、破線で示す電位曲線は、電荷排出パルスVMSUB印加時の分布を示している。図4aに示すように、VH転送段112では、転送チャネル30とN型ドレイン領域10との間には、P型ウェル領域20が形成されている。そのため、転送チャネル30とP型ウェル領域20との電位障壁は高くなっている。また、P型ウェル領域20のポテンシャルは、1μm~3μmの範囲で0Vとなっている。そのため、ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加してもP型ウェル領域20は空乏化せず、転送チャネル30とP型ウェル領域20との間の電位障壁は高いまま変わらないため、転送チャネル30内の信号電荷が、N型ドレイン領域10に排出されることはない。図4bに示すように、電荷排出転送段114では、転送チャネル30とその下方に形成された電荷排出部22とが接続されており、P型ウェル領域20の厚みが薄くなっている。そのため、転送チャネル30からP型ウェル領域20にかけて電位曲線はゆるやかに浅くなっており、転送チャネル30とP型ウェル領域20の電位障壁は低くなっている。この電位曲線分布のために転送チャネル30とP型ウェル領域20による結合容量は小さくなっており、P型ウェル領域20による電位障壁はドレイン領域10のバイアス変調の影響を受けやすくなっている。そのため、N型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加すると、P型ウェル領域20による電位障壁はなくなり、転送チャネル30中の信号電荷はN型ドレイン領域10に排出される。電荷排出パルスVMSUBは信号電荷を適切に制御できるよう設定すればよく、例えば、10Vであれば良い。上述のように、VH転送段112から電荷排出転送段114に信号電荷が転送されたとき、電荷排出パルスVMSUBをドレイン領域10に印加すると、電荷排出転送段114に蓄積されている信号電荷はドレイン領域10に排出される。2電荷転送時/電荷排出時の駆動図5、図6を参照して、電荷転送時/電荷排出時の駆動を具体的に説明する。図5aは、VH転送段から電荷排出転送段へ信号電荷が転送された時の模式図である。ここで、転送電極42,43,44,45の転送制御信号は、順にLLHLとなっている。そのため、転送電極44に対応する転送チャネル30のポテンシャルが深くなり、ここに信号電荷が蓄積される。信号電荷を転送するには、図5bに示すように、転送電極42,43,44,45の転送制御信号を、順にLLLHとすれば良い。すると、ポテンシャルが深い領域が、転送電極44に対応する転送チャネル30から、転送電極45に対応する転送チャネル30へ変わり、それに伴い信号電荷が転送電極45に対応する転送チャネル30へ転送される。図6aは、図5aと同じく、VH転送段112から電荷排出転送段114へ信号電荷が転送された時の模式図である。ここで、信号電荷を排出するには、図6bに示すように、転送電極42,43,44,45の転送制御信号は、順にLLHLに維持しつつ、N型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加すれば良い。すると、図4bで示したように、信号電荷がN型ドレイン領域10に排出される。3各モード静止画モード動画モードの動作次に、固体撮像素子100の各モード静止画モード動画モードの動作について、図2を用いて説明する。ここでは、3列の中の1列ごとに水平CCD141による水平転送を行い、1ラインを出力するのに水平CCD141を3度転送させる駆動方式、所謂、水平3分割駆動方式を例に挙げて説明する。3-1静止画モード時の動作まず、静止画モード時の動作について説明する。垂直CCD131に読み出された信号電荷は、垂直CCD131内を垂直転送され、VH転送段112に蓄積される。その後、VH転送段112のa列の転送電極42a43aを転送駆動させて、42a43aに蓄積されている信号電荷を電荷排出転送段114に転送する。さらに、電荷排出転送段114における電極44、45を転送駆動させて信号電荷を水平CCD141へ転送する。水平CCD141に蓄積された信号電荷は、水平CCD141の転送動作によって順次水平転送し、電荷電圧変換部150で信号電圧に変換して出力される。以下、VH転送段112のb列、c列も同じ処理を繰り返すと、1ライン分の出力が完了する。ライン毎の動作を全垂直ライン分繰り返すことで、静止画モードの出力は完了する。3-2動画モード時の動作動画モード時の動作について説明する。ここでは、水平CCD141へ転送される3画素の情報うち、1画素の情報を間引く駆動方式について説明する。まず、センサ部121に信号電荷が蓄積されている状態で、半導体基板11のN型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加する。電荷排出パルスVMSUBは、静止画モード時に用いる電子シャッターパルスとは電圧が異なり、一定量を上回る信号電荷のみをN型ドレイン領域10に排出する効果がある。なお、電子シャッターパルスとは、センサ部121に蓄積されている信号電荷をすべてN型ドレイン領域10に排出できる電圧である。例えば、電子シャッターパルスが22Vであるのに対し、電荷排出パルスは10Vである。そのため、N型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBが印加されても、センサ部121に蓄積されている信号電荷のすべてがN型ドレイン領域10に排出されるわけではなく、一定量に満たない蓄積信号電荷に対しては、電荷排出パルスVMSUBを印加しても影響がない。電荷排出パルスVMSUBですり切られた信号電荷は垂直CCD131へと読み出され、垂直CCD131にて同色の複数画素と加算し、VH転送段112へと転送される。以下、水平画素間引きについて、具体例として、間引き対象の水平画素をa列とした場合を説明する。VH転送段112における転送電極42a43aを転送駆動させ、a列の信号画素を電荷排出転送段114へ転送する。このとき、b、c列のVH転送電極は42b、42cがHレベル、43b、43cがLレベルとなっており、該転送段中の信号電荷は蓄積状態で待機している。電荷排出転送段114における転送電極44をHレベル、転送電極45をLレベルとした蓄積状態時に、N型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加すると、上述の信号電荷の基板への排出動作の項で説明したように、電荷排出転送段114における転送チャネル30に蓄積されていた信号電荷は、ドレイン領域10へ排出される。このように、水平3画素情報のうち1画素情報の間引きができる。その後、b列を水平CCD141へと転送させ、水平CCD141を1bit分駆動させ、c列の信号電荷を水平CCD141へ転送させることで、水平2画素加算が完成する。4.固体撮像素子100の製造方法まず、N型半導体基板11の表面にAsヒ素を注入し、転送チャネル30を形成する転送チャネル30は0.1μm程度の深さ位置に、形成される。イオン注入条件は、例えば、注入エネルギーは100keV~200keVで、ドーズ量は1×1012cm-2~1×1013cm-2である。転送チャネル30の下方に、P型ウェル領域20を、高エネルギーイオン注入によって形成する。注入エネルギーは200keV~3MeVで、イオン種はBであり、注入ドーズ量は1×1010cm-2~1×1012cm-2である。ここで、半導体基板11の深さ方向にP型領域の隙間ができないよう、多段注入を行う。P型ウェル領域20は、0.3μm~2μm程度の深さ位置に形成される。転送チャネル30の上方に、転送電極42,43,44,45はポリシリコンで形成される。電荷排出部22はP型ウェル領域20を形成するBの多段注入の一部、注入エネルギー400KeV~2MeVの注入を省略することで形成される。上述のように、電荷排出転送段114における転送チャネル30の下方に電荷排出部22を形成することで、電荷排出転送段114におけるP型ウェル領域20が薄くなる。その結果、電荷排出転送段114の転送チャネル30からドレイン領域10にかけて、電位曲線分布がなだらかに浅くなっていく構造が形成される。5.効果本発明に係る固体撮像素子100では、半導体基板11内のN型ドレイン領域10よりも主面側にP型ウェル領域20が形成され、P型ウェル領域20に転送チャネル30が形成されている。そのため、転送チャネル30と同じ層レベルにはドレイン領域10が形成されておらず、垂直CCD131の列の間にはドレイン領域10が形成されていない。また、新たな構成である電荷排出部22も、垂直CCD131の列の間には形成されていない。従って、本発明に係る固体撮像素子100では、ドレイン領域10及び電荷排出部22を垂直CCD131の列の間に設けずに水平方向の画素情報間引きが実現できる。そのため、微細化により垂直CCD131の列間が狭くなっても電荷排出部22及びドレイン領域10を作りやすい。電荷排出段114において、電荷排出部22の底部がドレイン領域10の最上面よりも浅い位置にあり、電荷排出部22とドレイン領域10との間に、P型ウェル領域20が拡がっている。そのため、ドレイン領域10に基板排出パルスが印加されていない時には、信号電荷がP型ウェル領域20を越えてドレイン領域10に入り込むことが抑制されている。その結果、間引きモードで無いときは、転送チャネル30から水平CCD141へと信号電荷を転送することができる。また、P型ウェル領域20の不純物濃度が転送チャネル30の不純物濃度よりも低いため、信号電荷は転送時に、より不純物濃度の高い転送チャネル30を通ることとなる。そのため、信号電荷が転送チャネル30からP型ウェル領域20全体に拡がりにくい。その結果、水平CCD141に信号電荷が転送しづらくなることを抑制でき、信号電荷が転送されずに残り、残像が生じることを抑制できる。[実施の形態2]1.固体撮像素子200の構成図7は、実施の形態2に係る固体撮像素子200の構造を示す図である。下記以外の構成は、固体撮像素子100と同じなので説明を省略する。転送チャネル230の下に、転送チャネル230のオーバーフローバリアとなる第1オーバーフローバリア226が形成されている。また、N型ドレイン領域10の最上面から深さ2μm~3μmに、センサ部121のオーバーフローバリアとなる第2オーバーフローバリア212が形成されている。図8a、bを参照して、電荷排出転送段114の信号電荷のN型ドレイン領域10への排出動作について、詳細に説明する。下記以外は、固体撮像素子100と同じなので説明を省略する。図8aに示すように、VH転送段112では、転送チャネル230とN型ドレイン領域10との間には、第1オーバーフローバリア226及びP型ウェル領域20が形成されている。第1オーバーフローバリア226及びP型ウェル領域20のポテンシャルは、0Vとなっている。そのため、ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加しても転送チャネル230内の信号電荷が、N型ドレイン領域10に排出されにくい。さらに、第1オーバーフローバリア226が形成されているため、転送チャネル230内の信号電荷が、N型ドレイン領域10に排出されにくくなっている。図8bに示すように、電荷排出転送段114では、転送チャネル30の下方に第1オーバーフローバリアが形成され、さらに電荷排出部22が形成されており、P型ウェル領域20の厚みが薄くなっている。そのため、P型ウェル領域20による電位障壁はドレイン領域10のバイアス変調の影響を受けやすくなっている。そのため、N型ドレイン領域10に電荷排出パルスVMSUBを印加すると、P型ウェル領域20による電位障壁はなくなり、転送チャネル30中の信号電荷はN型ドレイン領域10に排出される。なお、第1オーバーフローバリア226が形成されているため、間引きモードを除いて、転送チャネル230内の信号電荷が、N型ドレイン領域10に排出されにくくなっている。3.固体撮像素子200の製造方法N型半導体基板の最上面から深さ2μm~3μmに、センサ部121のオーバーフローバリアとなる第2オーバーフローバリア212を、高エネルギーイオン注入等により形成する。イオン注入条件は、例えば、ドーズ量が1×1010cm―2、加速エネルギーが2MeV~3MeVで、イオン種はBである。二層構造の埋め込み転送チャネルを形成するには、N型半導体基板11の表面にAsヒ素及びBを注入し、転送チャネル230、及び第1オーバーフローバリア226を形成する。転送チャネル230は、0.1μm程度の深さ位置に形成される。イオン注入条件は、例えば、Asの注入エネルギーは100keV~200keVで、Bの注入エネルギーは200keV~300keV、Asのドーズ量は1×1012cm-2~1×1013cm-2、Bのドーズ量は1×1011cm-2~1×1012cm-2である。4.効果転送チャネル230の下に第2オーバーフローバリア226が形成されている。そのため、N型転送チャネル230からN型ドレイン領域10方向へ信号電荷が広がりにくく、信号電荷の転送漏れを抑制することとなり、固体撮像素子200の感度を向上できる。また、転送チャネル230及び電荷排出部22とドレイン領域10との間に障壁となるオーバーフローバリア212が形成されている。そのため、電荷転送時に転送チャネル230から信号電荷がドレイン領域10へ流れ込むことを抑制できる。これにより、さらに信号電荷の転送漏れを抑制することとなり、固体撮像素子200の感度をさらに向上できる。[変形例]1.静止画モードの動作について実施の形態等では、VH転送段112のabc列を、abcの順で転送したが、これに限らず、abc列の転送順は入れ替わってもよい。2.半導体基板に注入する不純物について実施の形態等では、第1導電型をN型、第2導電型をP型としたが、これに限らず、第1導電型をP型、第2導電型をN型としても良い。3.その他本発明に係る固体撮像素子の構成などは、上記実施の形態及び変形例に係る固体撮像素子の構成に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。そして、技術的思想を逸脱しない範囲において、上述の各工程で使用したプロセスを他の等価なプロセスに置換することが可能である。また、工程順を入れ替えることも、材料種を変更することも可能である。"