"放熱器と半導体装置の間に設けられており、前記放熱器と前記半導体装置のそれぞれにはんだを介して接合されるとともに前記放熱器側に向けて凸状に反っている絶縁基板であって、前記放熱器側に配置される第1配線層と、前記半導体装置側に配置される第2配線層と、前記第1配線層と前記第2配線層の間に設けられている絶縁層と、を備えており、前記第1配線層は、1又は複数の層で構成されており、前記第2配線層は、1又は複数の層で構成されており、前記第1配線層を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2耐力と厚みの積の合計が、前記第2配線層を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2耐力と厚みの積の合計よりも小さい絶縁基板。前記第1配線層は、前記放熱器に対向する側の面に溝が形成されている請求項1に記載の絶縁基板。前記第2配線層は、前記半導体装置に対向する側の面に溝が形成されている請求項1又は2に記載の絶縁基板。請求項1~3のいずれか一項に記載の絶縁基板を介して放熱器と半導体装置が接合されているパワーモジュール。冷熱サイクル試験では、図9に示されるように、下側はんだ層140の端部142に過度のストレスが印加され、この端部142にクラックが発生することが経験的に知られている。一方、パワーサイクル試験では、図9に示されるように、上側はんだ層160の中央部162に過度のストレスが印加され、この中央部162にクラックが発生することが経験的に知られている。本明細書で開示される技術は、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する絶縁基板を提供することを目的としている。本明細書で開示される技術はさらに、そのような絶縁基板を介して放熱器と半導体装置が接合されているパワーモジュールを提供することを目的としている。本明細書で開示される技術では、絶縁基板が放熱器側に向けて凸状に反っていることを特徴としている。絶縁基板が放熱器側に向けて凸状に反っていると、絶縁基板と放熱器の間の下側はんだ層は、端部において厚みが増加する構成となっており、端部での歪みを緩和することができ、端部でのクラックの発生が抑えられる。このため、本明細書で開示されるパワーモジュールは、冷熱サイクル試験の信頼性を大幅に向上させることができる。さらに、絶縁基板が放熱器側に向けて凸状に反っていると、絶縁基板と半導体装置の間の上側はんだ層は、中央部において厚みが増加する構成となっており、中央部での歪みを緩和することができ、中央部でのクラックの発生を抑えることができる。このため、本明細書で開示されるパワーモジュールは、パワーサイクル試験の信頼性を大幅に向上させることができる。このように、本明細書で開示されるパワーモジュールは、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する特性を有することができる。即ち、本明細書で開示される技術は、放熱器と半導体装置の間に設けられており、放熱器と半導体装置のそれぞれにはんだを介して接合される絶縁基板に具現化される。本明細書で開示される絶縁基板は、放熱器側に配置される第1配線層と、半導体装置側に配置される第2配線層と、第1配線層と第2配線層の間に設けられている絶縁層とを備えている。第1配線層は、1又は複数の層で構成されている。第2配線層は、1又は複数の層で構成されている。第1配線層を構成する1又は複数の層のそれぞれの0.2耐力と厚みの積の合計が、第2配線層を構成する1又は複数の層のそれぞれの0.2耐力と厚みの積の合計よりも小さいことを特徴としている。第1配線層と第2配線層の間に0.2耐力と厚みの積に関する上記関係が成立していると、第1配線層と絶縁層と第2配線層を接合したときに第1配線層よりも第2配線層の収縮の方が大きいことから、第1配線層の中央部が凸状に突出した状態で変形する。したがって、この絶縁基板は、放熱器と半導体装置の間に設けられたときに、放熱器側に向けて凸状に反った状態となる。これにより、絶縁基板と放熱器の間のはんだ層は、端部の厚みが増加する構成となり、端部での歪みを緩和することができ、端部でのクラックの発生が抑えられる。一方、絶縁基板と半導体装置の間のはんだ層は、中央部の厚みが増加する構成となり、中央部での歪みを緩和することができ、中央部でのクラックの発生を抑えることができる。このため、本明細書で開示される絶縁基板は、熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する特性を有することができる。第1配線層は、放熱器に対向する側の面に溝が形成されているのが望ましい。また、第2配線層は、半導体装置に対向する側の面に溝が形成されているのが望ましい。このような溝が形成されていると、絶縁基板の反り量が大きくなるので、絶縁基板と放熱器の間のはんだ層の端部の厚みがさらに増加し、絶縁基板と半導体装置の間のはんだ層の中央部の厚みがさらに増加する。このため、これらはんだ層のクラックの発生をさらに抑えることができる。本明細書で開示される絶縁基板は、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方において高い信頼性を有している。第1実施形態図1に、車載用のパワーモジュール10の構成を示す。パワーモジュール10は、直流電源と交流モータの間に接続されるインバータ回路に用いられる。パワーモジュール10は、放熱器30と絶縁基板50と半導体装置70を備えている。放熱器30は、半導体装置70で発生した熱を放熱するために用いられており、ヒートシンク32とベースプレート36を有している。ヒートシンク32とベースプレート36は、放熱グリス34を介して接合されている。ヒートシンク32は、水冷式であり、冷却水が流動する複数の貫通孔を備えている。ヒートシンク32の材料には、アルミニウム合金が用いられている。ベースプレート36は、半導体装置70で発生した熱を効率良くヒートシンク32に伝熱するヒートスプレッダーであり、その材料には銅Cu又は銅とマンガン等の銅合金が用いられている。絶縁基板50は、放熱器30と半導体装置70の間に設けられており、第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56が積層した構造を備えている。第1配線層52が放熱器30側に配置されており、第2配線層56が半導体装置70側に配置されている。第1配線層52と放熱器30は、Sn-Cu系、Sn-Ag-Cu系の下側はんだ層40を介して接合されている。第2配線層56と半導体装置70も、Sn-Cu系、Sn-Ag-Cu系の上側はんだ層60を介して接合されている。絶縁基板50の第1配線層52の材料には、Al-Mn系のアルミニウム合金JIS記号:A3003が用いられている。第1配線層52のアルミニウムの重量パーセントは、97.55以下である。第1配線層52の0.2耐力は43MPaである。一例では、第1配線層52の厚みは約0.2mmである。絶縁基板50の絶縁層54の材料には、セラミックが用いられており、典型的には窒化アルミニウムAlNが用いられる。この例に代えて、絶縁層54の材料には、窒化ケイ素Si3N4、アルミナAl2O3等のセラミックを用いてもよい。一例では、絶縁層54の厚みは約0.3~1.0mmである。絶縁基板50の第2配線層56の材料には、純系のアルミニウムが用いられている。第2配線層56のアルミニウムの重量パーセントは、99.99以上である所謂、4NAl。第2配線層56の0.2耐力は15MPaである。一例では、第2配線層56の厚みは約1.5mmである。半導体装置70には、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor又はIGBTInsulatedGateBipolarTransistorのパワーデバイスが用いられている。図1に示されるように、パワーモジュール10の絶縁基板50は、放熱器30側に向けて凸状に反っていることを特徴としている。具体的には、絶縁基板50は、中央部が放熱器30に最も接近し、両端が放熱器30から最も離反するように、一方の端部から他方の端部まで連続して湾曲している。このため、絶縁基板50と放熱器30の間の下側はんだ層40では、その端部42の厚みが厚くなっている。一方、絶縁基板50と半導体装置70の間の上側はんだ層60では、その中央部62の厚みが厚くなっている。図2を参照して、絶縁基板50が凸状に反っている理由を説明する。図2Aに、絶縁基板50の第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56を接合する前の段階を示す。この段階では、第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56は扁平な平板状である。次に、図2Bに示されるように、第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56をAl-Si系のろう材を介してろう付する。このろう付工程では、絶縁基板50の温度が600~700°Cの範囲にまで加熱される。このため、図2Bに示されるように、第1配線層52と第2配線層56は、膨張した状態で絶縁層54に接合される。次に、図2Cに示されるように、絶縁基板50が冷却されると、降温過程において第1配線層52と第2配線層56が収縮する。本実施例では、第2配線層56の収縮が第1配線層52よりも大きいので、第1配線層52が外側に向けて凸状に反った状態に変形する。ここで、以下の数式1の関係が成立すると、第2配線層56の収縮が第1配線層52よりも大きくなり、図2Cに示されるように、第1配線層52が外側に向けて凸状に反った状態に変形する。Saは第1配線層52の0.2耐力であり、taは第1配線層52の厚みであり、Sbは第2配線層56の0.2耐力であり、tbは第2配線層56の厚みである。上記したように、絶縁基板50の第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56をろう付するろう付工程では、絶縁基板50の温度が600~700°Cの範囲にまで加熱される。このような高温範囲では、第1配線層52と第2配線層56は非弾性変形する。非弾性変形における変形のし易さは、0.2耐力と厚みの積を指標とすることができる。例えば、この指標の値が大きいほど、ろう付工程時の膨張及び収縮が大きい。図3に、第1配線層52の厚みを0.2mmに固定し、第2配線層56の厚みを0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、2.1mmに変更したときの絶縁基板50の反り量を計測した結果を示す。第2配線層56の厚みが0.2mm、0.4mmのとき、絶縁基板50は第2配線層56が外側に向けて凸状に突出する状態図2Cとは反対向きに突出する状態で変形した。一方、第2配線層56の厚みが0.8mm、2.1mmのとき、絶縁基板50は第1配線層52が外側に向けて凸状に突出する状態図2Cと同じ向きに突出する状態で変形した。第2配線層56の厚みが0.6mmのとき、絶縁基板50の反り量が計測されなかった。このように、絶縁基板50は、第2配線層56の厚みが0.6mmを境に、反り量が反転する。第2配線層56の厚みが0.6mmの例は、第1配線層52の0.2耐力と厚みの積が第2配線層56の0.2耐力と厚みの積と等しくなるときの結果である。この結果から、0.2耐力と厚みの積を指標として、絶縁基板50の反り量及びその向きを評価可能であることが分かる。このように凸状に変形された絶縁基板50を予め準備し、その絶縁基板50を介して放熱器30と半導体装置70をはんだ接合してパワーモジュール10が製造される。このため、製造されるパワーモジュール10は、図1に示されるように、絶縁基板50が放熱器30側に向けて凸状に反った状態として完成される。パワーモジュール10は、低温と高温の間で変動する温度環境に繰返し曝されたときの応力耐性に関する冷熱サイクル試験において、高い信頼性が要求される。さらに、パワーモジュール10は、半導体装置70のONOFFを繰り返したときの応力耐性に関するパワーサイクル試験においても、高い信頼性が要求される。冷熱サイクル試験では、図1に示されるように、下側はんだ層40の端部42に過度のストレスが印加され、この端部42にクラックが発生することが経験的に知られている。一方、パワーサイクル試験では、図1に示されるように、上側はんだ層60の中央部62に過度のストレスが印加され、この中央部62にクラックが発生することが経験的に知られている。パワーモジュール10では、絶縁基板50が放熱器30側に向けて凸状に反っていることから、下側はんだ層40の端部42が厚くなっており、ここでの歪みを緩和することができ、クラックの発生が抑えられる。このため、パワーモジュール10では、冷熱サイクル試験の信頼性を大幅に向上させることができる。さらに、パワーモジュール10では、絶縁基板50が放熱器30側に向けて凸状に反っていることから、上側はんだ層60の中央部62が厚くなっており、ここでの歪みを緩和することができ、クラックの発生を抑えることができる。このため、パワーモジュール10では、パワーサイクル試験の信頼性を大幅に向上させることができる。このように、パワーモジュール10は、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する特性を有することができる。第2実施形態図4に、第2実施形態のパワーモジュール11の構成を示す。なお、第1実施形態のパワーモジュール10に対応する構成に関しては同一の符号を付す。パワーモジュール11は、第1配線層52と第2配線層56の材料が第1実施形態のパワーモジュール10と異なっていることを特徴としている。絶縁基板50の第1配線層52の材料には、純系のアルミニウムが用いられている。第1配線層52のアルミニウムの重量パーセントは、99.99以上である所謂、4NAl。第1配線層52の0.2耐力は15MPaである。一例では、第1配線層52の厚みは約0.2mmである。絶縁基板50の第2配線層56の材料には、Al-Mn系のアルミニウム合金JIS記号:A3003が用いられている。第2配線層56のアルミニウムの重量パーセントは、97.55以下である。第2配線層56の0.2耐力は43MPaである。一例では、第2配線層56の厚みは約0.2mmである。第2実施形態でも、第1配線層52と第2配線層56の間には、上記の数式1の関係が成立している。このため、図4に示されるように、パワーモジュール11は、絶縁基板50が放熱器30側に向けて凸状に反った状態で完成され、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する特性を有することができる。図5に、第2実施形態のパワーモジュール11の変形例の構成を示す。この変形例のパワーモジュール11では、第1配線層52において、放熱器30に対向する側の面に溝53が形成されていることを特徴としている。さらに、第2配線層56において、半導体装置70に対向する面に側の溝57が形成されていることを特徴としている。このような溝53,57が形成されていると、絶縁基板50をろう付で製造するときに、絶縁基板50の反り量が大きくなる。このため、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の特性をより改善することができる。なお、図6に示すように、第1配線層52の溝53は端部側に選択的に形成されていてもよく、第2配線層56の溝57は中央部側に選択的に形成されていてもよい。第3実施形態図7に、第3実施形態のパワーモジュール12の構成を示す。なお、第1実施形態のパワーモジュール10に対応する構成に関しては同一の符号を付す。パワーモジュール12は、第1配線層52と第2配線層56がそれぞれ2つの層で構成されていることを特徴としている。第1配線層52は、下側第1配線層52aと上側第1配線層52bを有している。下側第1配線層52aの材料にはアルミニウム合金A3003が用いられており、0.2耐力が43MPaであり、その厚みが約0.2mmである。上側第1配線層52bには高純系アルミニウム4NAlが用いられており、0.2耐力が15MPaであり、その厚みが約0.2mmである。第2配線層56は、下側第2配線層56aと上側第2配線層56bを有している。下側第2配線層56aの材料には高純系アルミニウム4NAlが用いられており、0.2耐力が15MPaであり、その厚みが約1.5mmである。上側第2配線層56bにはアルミニウム合金A3003が用いられており、0.2耐力が43MPaであり、その厚みが約0.2mmである。この例によると、絶縁層54の両面に対して同一純度の材料がろう付けされている。このため、第1配線層52の上側第1配線層52bを絶縁層54にろう付する接合条件と第2配線層56の下側第2配線層56aを絶縁層54にろう付する接合条件を共通化し、最適な条件で実施することができる。図7に示される絶縁基板50のように、第1配線層52と第2配線層56が複数の層で構成されている場合、以下の数式2が成立するのが望ましい。ここで、Saiは、第1配線層52の各層の0.2耐力である。taiは、第1配線層52の各層の厚みである。Sbjは、第2配線層56の各層の0.2耐力である。tbjは、第2配線層56の各層の厚みである。上記の数式2の関係が成立するように第1配線層52と第2配線層56が構成されていると、ろう付で絶縁基板50を製造したときに、第1配線層52が外側に向けて凸状に反った状態で変形する。このため、図7に示されるように、パワーモジュール12は、絶縁基板50が放熱器30側に向けて凸状に反った状態で完成され、冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する特性を有することができる。図8に、第3実施形態のパワーモジュール12の変形例の構成を示す。このパワーモジュール12では、第1配線層52に中間第1配線層52cが設けられているとともに、第2配線層56にも中間第2配線層52cが設けられていることを特徴としている。中間第1配線層52c及び中間第2配線層52cの材料には、アルミニウムの重量パーセントが高純系アルミニウム4NAlとアルミニウム合金A3003の間である低純系アルミニウムA1100が用いられている。この形態によると、冷熱サイクルが印加されたときに、アルミニウム合金A3003である下側第1配線層52aに含まれる不純物が高純系アルミニウム4NAlである上側第1配線層52bに拡散することが抑制されるとともに、同様に、アルミニウム合金A3003である上側第2配線層56bに含まれる不純物が高純系アルミニウム4NAlである下側第2配線層56aに拡散することが抑制される。このため、第1配線層52及び第2配線層56の変質が低減され、信頼性が向上する。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記実施例では、絶縁基板を製造する工程でろう付を用いる例を説明したが、高温処理を用いた他の接合技術、例えば、ダイレクトボンディング法を利用することも可能である。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"