"光の入力部、前記光の出力部、及び前記入力部と前記出力部の間に設けられた分極反転構造を有する強誘電体結晶と、前記入力部に、前記分極反転構造によって波長変換される出力光を入射する出力光入射部と、前記分極反転構造に、前記強誘電体結晶に吸収される波長の光である温度制御光を照射する温度制御光照射部と、前記温度制御光の出力を制御する制御部と、を備える光源装置。請求項1に記載の光源装置において、前記温度制御光照射部は、前記入力部に前記温度制御光を入射する光源装置。請求項1又は2に記載の光源装置において、前記分極反転構造に設けられ、発熱及び吸熱の少なくとも一方を行う温度調節素子を備える光源装置。請求項3に記載の光源装置において、前記制御部は、前記温度調節素子の出力を制御し、前記温度調節素子の稼働時間は、前記温度制御光照射部の稼働時間よりも長い光源装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の光源装置において、前記出力部から出力される前記出力光の強度を検出する出力検出部を備え、前記制御部は、前記出力検出部の検出結果に基づいて、前記温度制御光の強度を制御する光源装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の光源装置において、前記分極反転構造の温度を検出する温度検出部を備え、前記制御部は、前記温度検出部の検出結果に基づいて、前記温度制御光の強度を制御する光源装置。請求項1~6のいずれか一項に記載の光源装置において、前記強誘電体結晶は、複数の導波路を備え、前記複数の導波路は、それぞれ前記入力部及び前記出力部を有しており、前記出力光入射部及び前記温度制御光照射部は、前記複数の導波路それぞれに対して設けられている光源装置。強誘電体結晶の光の入力部及び出力部の間に設けられた分極反転構造に、前記強誘電体結晶に吸収される波長の光である温度制御光を照射することで前記分極反転構造の温度を制御し、前記入力部に、前記分極反転構造によって波長変換される出力光を入射することで、前記出力部から、前記分極反転構造によって波長変換された前記出力光を出力させる、波長変換方法。ヒータやペルチェ素子は時定数が長い。このため、ヒータやペルチェ素子を用いて分極反転構造の温度制御を行った場合、分極反転構造を所望の温度にするまでに時間を要してしまう。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分極反転構造を所望の温度にするまでの時間が短い光源装置及び波長変換方法を提供することにある。本発明に係る光源装置は、強誘電体結晶、出力光入射部、温度制御光照射部、及び制御部を有している。強誘電体結晶は、光の入力部、光の出力部、及び分極反転構造を有する。分極反転構造は、入力部と出力部の間に設けられている。出力光入射部は、強誘電体結晶の入力部に出力光を入射する。出力光は、強誘電体結晶の分極反転構造によって波長変換される。温度制御光照射部は、強誘電体結晶の分極反転構造に温度制御光を照射する。温度制御光は、強誘電体結晶に吸収される波長を有している。制御部は、温度制御光の出力を制御する。本発明に係る波長変換方法は、強誘電体結晶の光の入力部及び出力部の間に設けられた分極反転構造に、強誘電体結晶に吸収される波長の光である温度制御光を照射する。これにより、分極反転構造の温度が制御される。そして強誘電体結晶の入力部に、分極反転構造によって波長変換される出力光を入射することで、強誘電体結晶の出力部から、分極反転構造によって波長変換された出力光を出力させる。本発明によれば、分極反転構造を所望の温度にするまでの時間を短くすることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、強誘電体結晶20、出力光源10、温度制御光源30、及び制御部32を備えている。強誘電体結晶20は、例えばMgを添加したLiNbO3であるが、これに限定されない。強誘電体結晶20は、光の入力部及び出力部を有している。本図に示す例では、強誘電体結晶20には導波路21が形成されている。導波路21の構造は限定されない。導波路21は、例えばリッジ構造であっても良いし、埋め込み形であってもよい。そして導波路21の一端が光の入力部になっており、他端が光の出力部になっている。分極反転構造22は、導波路21に設けられている。分極反転構造22の分極反転の周期は、出力光源10が出力する光の波長に基づいて定められている。出力光源10は、光ファイバ40を介して導波路21の入力側端部に結合している。出力光源10は、導波路21に、出力光を入射する。この出力光は、導波路21の分極反転構造22によって波長変換される波長を有している。すなわち出力光源10の出力光は、導波路21の分極反転構造22で波長変換された後、導波路21の出力側端部から出射される。温度制御光源30は、導波路21の分極反転構造22に、温度制御光を照射する。温度制御光は、強誘電体結晶20に吸収される波長を有する。温度制御光は、強誘電体結晶20における吸収率が10以上90以下の範囲であるのが好ましい。温度制御光の波長は、例えば強誘電体結晶20の短波長側の吸収領域の吸収端よりも短いか、又は、強誘電体結晶20の長波長側の吸収領域の吸収端よりも長い。例えば強誘電体結晶20がMgを添加したLiNbO3である場合、温度制御光の波長は、例えば300nm以下、又は4.5μm以上である。本図に示す例では、温度制御光源30は、導波路21の入力側端部に温度制御光を入射している。具体的には、温度制御光源30は、光ファイバ42に温度制御光を出力する。光ファイバ42は、合波部50例えばカプラを介して光ファイバ40に繋がっている。このため光ファイバ42に入射した温度制御光は、合波部50及び光ファイバ40を介して、導波路21の入力側端部に入力される。なお、強誘電体結晶20に導波路を形成せず、強誘電体結晶20をバルクのまま使用しても良い。また温度制御光源30は、発光する光の波長が固定されていても良いし、可変であっても良い。また本図に示す例では、温度制御光源30を一つのみ設けている。ただし、互いに異なる波長の光を発光する複数の温度制御光源30を設けても良い。また、出力光源10と強誘電体結晶20の間の光路は光ファイバ40ではなく、レンズやミラーによって形成されていても良い。同様に、温度制御光源30と強誘電体結晶20の間の光路は光ファイバ42ではなく、レンズやミラーによって形成されていても良い。制御部32は、温度制御光源30の出力を制御する。次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態において、温度制御光源30は、分極反転構造22に温度制御光を照射する。温度制御光は、強誘電体結晶20に吸収される波長を有している。このため、温度制御光源30の出力を制御することにより、分極反転構造22の温度を制御することができる。温度制御光源30の出力の制御性は高い。従って、ヒータやペルチェ素子のみで温度調節を行う場合と比較して、分極反転構造22が所望の温度になるまでの時間は短くなる。また本実施形態では、温度調節光を導波路21の入力側端部から入射している。従って、分極反転構造22を局所的に加熱することができる。従って、分極反転構造22が所望の温度になるまでの時間は、さらに短くなる。第2の実施形態図2は、第2の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、光ファイバ42が直接強誘電体結晶20に接続している点を除いて、第1の実施形態に係る光源装置と同様の構成である。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。第3の実施形態図3は、第3の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、温度制御光源30が温度制御光を分極反転構造22の側部に照射する点を除いて、第1の実施形態に係る光源装置と同様の構成である。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。第4の実施形態図4は、第4の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、出力検出部34を有している点を除いて、第1~第3の実施形態のいずれかに示した光源装置と同様の構成である。本図は、第1の実施形態と同様の場合を示している。出力検出部34は、導波路21の出力側端部から出力される出力光の強度を検出する。出力検出部34による検出結果は、制御部32に送信される。制御部32は、出力検出部34から受信した検出結果に基づいて、温度制御光源30の出力を制御する。具体的には、制御部32は、出力検出部34が検出した強度が最大となるように、温度制御光源30の出力を制御する。なお図5に示すように、分岐部52を用いることで強誘電体結晶20から出力された出力光の一部を分岐し、出力検出部34に入射するようにしてもよい。このようにすると、出力検出部34が強誘電体結晶20の出力に与える影響を少なくすることができる。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、制御部32は、出力検出部34から受信した検出結果に基づいて、温度制御光源30の出力を制御する。従って、分極反転構造22の温度制御を容易に行うことができる。第5の実施形態図6は、第5の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、温度検出部36を有している点を除いて、第1~第3の実施形態のいずれかに示した光源装置と同様の構成である。本図は、第1の実施形態と同様の場合を示している。温度検出部36は、分極反転構造22の温度を検出する。温度検出部36による検出結果は、制御部32に送信される。制御部32は、温度検出部36から受信した検出結果に基づいて、温度制御光源30の出力を制御する。具体的には、制御部32は、温度検出部36が検出した温度が予め定められた値となるように、温度制御光源30の出力を制御する。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、制御部32は、温度検出部36から受信した検出結果に基づいて、温度制御光源30の出力を制御する。従って、分極反転構造22の温度制御を容易に行うことができる。第6の実施形態図7は、第6の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、温度調節素子24を有している点を除いて、第1~第5の実施形態のいずれかに示した光源装置と同様の構成である。本図は、第1の実施形態と同様の場合を示している。温度調節素子24は、強誘電体結晶20のうち導波路21の近傍に取り付けられており、発熱及び吸熱の少なくとも一方を行う。温度調節素子24は、例えばヒータ又はペルチェ素子である。温度調節素子24は、制御部32によって制御される。制御部32は、温度調節素子24をメインの温度調節機構として使用し、温度制御光源30をサブの温度調節機構として用いる。具体的には、温度調節素子24を用いてある程度分極反転構造22の温度を制御しておき、温度制御光源30を用いて分極反転構造22の温度の微調整を行う。このため、温度調節素子24の稼働時間は、温度制御光源30の稼働時間よりも長くなる。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また温度調節素子24をメインの温度調節機構として使用しているため、分極反転構造22の温度制御範囲が広くなる。第7の実施形態図8は、第7の実施形態に係る光源装置の構成を示す図である。この光源装置は、以下の点を除いて第1~第6の実施形態のいずれかと同様である。本図は、第6の実施形態と同様の場合を示している。まず、強誘電体結晶20には、複数の導波路21が設けられている。複数の導波路21は、いずれも分極反転構造22を有している。そして出力光源10、温度調節素子24、温度制御光源30、光ファイバ40,42、及び合波部50は、複数の導波路21それぞれに対して設けられている。制御部32は、複数の温度調節素子24及び温度制御光源30を制御している。なお、図8に示す例では、複数の導波路21に対して温度制御光源30を一つずつ設けているが、複数の導波路21に対して、一つの温度制御光源30を用いてもよい。本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、温度制御光源30を制御することにより、複数の導波路21の温度を局所的に制御することができる。従って、複数の導波路21が同一の強誘電体結晶20に形成されていても、導波路21の温度を個別に精度よく制御することができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"