"下記一般式1で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、XはO、S、Se、N-R、SO、SO2のいずれかを表し、Rはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。Yは炭素数3以上のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、NR′R〃R′およびR〃は各々水素原子、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、または、芳香族複素環基を表す。、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。R1~R7は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。]前記一般式1のYが、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはNR′R〃であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。前記一般式1のYが、下記一般式2または一般式3で表される基であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、Y1~Y8は各々CまたはNを表す。R8~R15は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y1~Y8のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR8~R15は各々非共有電子対を表す。][式中、Y9~Y16は各々CまたはNを表す。R16~R23は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y9~Y16のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR16~R23は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]前記一般式1のXがOまたはN-Rであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。前記一般式1のR1~R7のうち少なくとも1つが下記一般式4または一般式5で表される基であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、Y17~Y24は各々CまたはNを表す。R24~R31は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y17~Y24のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR24~R31は各々非共有電子対を表す。][式中、Y25~Y32は各々CまたはNを表す。R32~R39は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y25~Y32のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR32~R39は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]下記一般式1で表されることを特徴とする化合物。[式中、XはOを表す。Yは下記一般式2または一般式3の基を表す。R1~R7は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。][式中、Y1~Y8は各々CまたはNを表す。R8~R15は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y1~Y8のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR8~R15は各々非共有電子対を表す。][式中、Y9~Y16は各々CまたはNを表す。R16~R23は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y9~Y16のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR16~R23は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]少なくとも1対の陽極と陰極により挟まれた有機層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層を含む少なくとも1層からなり、該有機層のうち少なくとも1層が請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層が請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層が正孔輸送層であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層が電子輸送層であることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層がリン光ドーパントを含有することを特徴とする請求項7~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記リン光ドーパントがIr錯体であることを特徴とする請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。ウェットプロセスで作製されることを特徴とする請求項7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。請求項7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。請求項7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。このように従来においては、有機EL素子材料に関して様々な化合物が開示されており、低駆動電圧で発光効率が高く、耐久性寿命に優れ、さらには駆動時の電圧上昇を小さくすることができる有機EL素子の開発が試みられている。しかしながら、これらの性能を従来よりも増してさらに向上させた有機EL素子の開発が望まれている。本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、発光効率が高く、低駆動電圧であり、且つ耐久性が高く、駆動時の電圧上昇が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子材料、それを構成する化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、並びに照明装置を提供することを課題とする。本発明の上記課題は、以下の構成により達成することができる。1.下記一般式1で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、XはO、S、Se、N-R、SO、SO2のいずれかを表し、Rはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。Yは炭素数3以上のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、NR′R〃R′およびR〃は各々水素原子、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、または、芳香族複素環基を表す。、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。R1~R7は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。]2.前記一般式1のYが、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはNR′R〃であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。3.前記一般式1のYが、下記一般式2または一般式3で表される基であることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、Y1~Y8は各々CまたはNを表す。R8~R15は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y1~Y8のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR8~R15は各々非共有電子対を表す。][式中、Y9~Y16は各々CまたはNを表す。R16~R23は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y9~Y16のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR16~R23は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]4.前記一般式1のXがOまたはN-Rであることを特徴とする前記1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。5.前記一般式1のR1~R7のうち少なくとも1つが下記一般式4または一般式5で表される基であることを特徴とする前記1~4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。[式中、Y17~Y24は各々CまたはNを表す。R24~R31は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y17~Y24のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR24~R31は各々非共有電子対を表す。][式中、Y25~Y32は各々CまたはNを表す。R32~R39は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y25~Y32のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR32~R39は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]6.下記一般式1で表されることを特徴とする化合物。[式中、XはOを表す。Yは下記一般式2または一般式3の基を表す。R1~R7は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの基を表す。][式中、Y1~Y8は各々CまたはNを表す。R8~R15は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表し、Y1~Y8のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR8~R15は各々非共有電子対を表す。][式中、Y9~Y16は各々CまたはNを表す。R16~R23は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表し、Y9~Y16のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR16~R23は各々非共有電子対を表す。R〃′は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表す。]7.少なくとも1対の陽極と陰極により挟まれた有機層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層を含む少なくとも1層からなり、該有機層のうち少なくとも1層が前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。8.前記発光層が前記1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有することを特徴とする前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。9.前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層が正孔輸送層であることを特徴とする前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。10.前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層が電子輸送層であることを特徴とする前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。11.前記発光層がリン光ドーパントを含有することを特徴とする前記7~10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。12.前記リン光ドーパントがIr錯体であることを特徴とする前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。13.ウェットプロセスで作製されることを特徴とする前記7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。14.前記7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。15.前記7~12のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。本発明によれば、発光効率が高く、低駆動電圧であり、且つ耐久性が高く、駆動時の電圧上昇が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することができる。また、この有機EL素子材料を構成する化合物を提供することができる。また、この有機EL素子材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することができる。以下本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。《有機EL素子材料有機エレクトロルミネッセンス素子材料》本発明の有機EL素子材料について説明する。本発明の有機EL素子材料は、下記一般式1で表される化合物である。[式中、XはO、S、Se、N-R、SO、SO2のいずれかを表し、Rは所定の置換基を表す。Yは所定の置換基を表す。R1~R7は、各々独立に水素原子、または所定の置換基を表す。]一般式1で表される化合物である、本発明の有機EL素子材料は、本発明の有機EL素子の発光層に好ましく用いられ、特に好ましくは、発光層中のホスト化合物として用いられることである。尚、本発明の有機EL素子の構成層、ホスト化合物等については後に詳細に説明する。まず、当該有機EL素子材料を発明するに至った経緯及びその特徴について説明した後、一般式1で表される化合物について詳述する。ホスト化合物や電子輸送材料等としてカルバゾール骨格やジベンゾフラン骨格をはじめとした一般式1で表される骨格はこれまでに多くの化合物が提案されているが、そのほとんどが置換基の導入が容易なカルバゾール骨格の1位または3位、もしくはジベンゾフラン骨格の2位または4位に置換基を導入した化合物であった。本発明により、一般式1のように、ジベンゾフラン骨格の1位やカルバゾール骨格の4位に置換基を導入することにより、高い発光効率と長寿命を両立することができ、更には素子の駆動電圧を従来の化合物に比べて大きく低下させることができることが分かった。このような効果が発現されるのは、本発明の有機EL材料が一般式1のような立体障害性の大きい位置に置換基を有しているためである。ジベンゾフラン骨格の1位やカルバゾール骨格の4位に置換基を導入した場合、分子全体の平面性が低下し、より立体障害が大きい化合物となるため、化合物同士の相互作用が抑制されることで、凝集が抑制される。これにより、発光層に含有されるリン光性化合物のような発光材料と相互作用しやすくなり、発光材料へのエネルギー移動がより一層効率化される。これにより、発光効率がより一層向上することが可能となり、有機EL材料の劣化も防げ、更には低電圧化を図ることも可能となった。さらには、駆動時の電圧上昇を小さくすることができた。《一般式1で表される化合物》一般式1で表される化合物について説明する。まず、R1~R7について説明した後、XおよびYについて説明する。一般式1におけるR1~R7は、各々独立に水素原子または置換基であり、各々表される置換基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、シクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等、アルケニル基例えば、ビニル基、アリル基等、アルキニル基例えば、プロパルギル基等、芳香族炭化水素基アリール基ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等、非芳香族複素環基例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε-カプロラクトン環、ε-カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3-ジオキサン環、1,4-ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン-1,1-ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]-オクタン環等、芳香族複素環基ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等、ハロゲン原子例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等、アルコキシル基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等、シクロアルコキシル基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等、アリールオキシ基例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等、アルキルチオ基例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等、シクロアルキルチオ基例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等、アリールチオ基例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等、アルコキシカルボニル基例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等、アリールオキシカルボニル基例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等、スルファモイル基例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等、ウレイド基例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等、アシル基例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等、アシルオキシ基例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等、アミド基例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等、カルバモイル基例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等、スルフィニル基例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等、アミノ基例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ジアリールアミノ基例えば、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基又はアリールシリル基例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基、2-ピリジルシリル基等、アルキルホスフィノ基又はアリールホスフィノ基ジメチルホスフィノ基、ジエチルホスフィノ基、ジシクロヘキシルホスフィノ基、メチルフェニルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、ジナフチルホスフィノ基、ジ2-ピリジルホスホスフィノ基、アルキルホスホリル基又はアリールホスホリル基ジメチルホスホリル基、ジエチルホスホリル基、ジシクロヘキシルホスホリル基、メチルフェニルホスホリル基、ジフェニルホスホリル基、ジナフチルホスホリル基、ジ2-ピリジルホスホリル基、アルキルチオホスホリル基又はアリールチオホスホリル基ジメチルチオホスホリル基、ジエチルチオホスホリル基、ジシクロヘキシルチオホスホリル基、メチルフェニルチオホスホリル基、ジフェニルチオホスホリル基、ジナフチルチオホスホリル基、ジ2-ピリジルチオホスホリル基等が挙げられる。なおこれらの基は、さらに上記の置換基によって置換されていてもよいし、また、それらが互いに縮合してさらに環を形成してもよい。R1~R7は、少なくとも1つ以上が置換基であることが好ましく、特にR1~R7のいずれか1つまたは2つが置換基であることがより好ましい。R1~R7のうち、R4~R7のいずれかが置換基であることが好ましく、さらにはR4またはR6のいずれかが置換基であることがより好ましい。R4が置換基である場合には、ヘテロ原子周辺が遮蔽されることにより電荷に対する安定性が増し、耐久性向上に繋がるため好ましい形態として挙げられる。一方、R6が置換基である場合には、活性部位を塞ぐことにより耐久性が向上するため好ましい形態として挙げられる。R1~R7が置換基である場合、好ましい置換基としては芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基のいずれかであり、中でも芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基のいずれかであることが好ましく、特に芳香族複素環基であることが好ましい。R1~R7が芳香族炭化水素基である場合には、電荷に対する安定性が高く耐久性が向上するためより好ましい形態として挙げられる。また、アミノ基である場合には、アミノ基の窒素原子の電子ドナー性により高い正孔輸送能を発揮するためより好ましい形態として挙げられ、特にジアリールアミノ基であることがより好ましい。さらに、芳香族複素環基である場合には、高い電荷輸送能を有し電荷に対する耐久性が高いだけでなく、熱的安定性も高いため、最も好ましい形態として挙げられる。特にジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基等がより好ましい形態として挙げられ、さらにはカルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基等が最も好ましい形態として挙げられる。一般式1におけるR1~R7の最も好ましい形態は、より具体的にはR1~R7の少なくとも1つが前記一般式4または5で表される。一般式4において、Y17~Y24は各々CまたはNを表す。Y17~Y24のいずれか1つ以上がNである場合には、電荷輸送性が向上し、低電圧で駆動時の電圧上昇を小さく抑えることができる。Y17~Y24のいずれか1つまたは2つがNであることが好ましく、さらにY17~Y24のいずれか1つがNであることがより好ましい形態として挙げられる。また一方で、Y17~Y24が全てCである場合も、耐久性をより向上させることができるため、好ましい形態として挙げられる。特に一般式4においては、Y17~Y24はいずれもCであることが好ましい。R24~R31は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基を表す。Y17~Y24のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR24~R31は各々非共有電子対を表す。R24~R31は、いずれか1つ以上が置換基であることが好ましく、さらにR24~R31のうち1つまたは2つが置換基であることが好ましく、特にR24~R31のうち1つのみが置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。さらにR25またはR27が置換基であることが好ましく、特にR25が置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。R24~R31で表される好ましい基としては、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基が挙げられ、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基がより好ましい置換基として挙げられる。さらに芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が特に好ましい形態として挙げられる。よって、一般式4においてR24~R31は、R25が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましく、R24及びR26~R31は水素原子であることがさらに好ましい形態である。一般式1におけるR1~R7のいずれかが一般式4で表される基である場合、一般式1で表される化合物は高い電荷輸送性を示すことにより効率が向上し、且つ耐久性も向上するため、好ましい形態として挙げられる。一般式5において、Y25~Y32は各々CまたはNを表す。Y25~Y32のいずれか1つ以上がNである場合には、電荷輸送性が向上し、低電圧で駆動時の電圧上昇を小さく抑えることができる。Y25~Y32のいずれか1つまたは2つがNであることが好ましく、さらにY25~Y32のいずれか1つがNであることが特に好ましい形態として挙げられる。特にY25~Y28のいずれかがNであることが好ましい形態として挙げられる。また一方で、Y25~Y32が全てCである場合も、耐久性をより向上させることができるため、好ましい形態として挙げられる。特に一般式5においては、Y25~Y32はいずれもCであることが好ましい。一般式1と結合する原子に関しては、Y29~Y32のいずれかの原子で結合し、特にY31またはY32で結合することが好ましく、Y32で結合することが最も好ましい。R32~R39は各々独立に前記一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基を表す。Y25~Y32のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR32~R39は各々非共有電子対を表す。R32~R39は、いずれか1つ以上が置換基であることが好ましく、特にR32~R39のうち1つのみが置換基であることが好ましい。さらに、R32~R35のいずれかが置換基であることが好ましく、R33またはR35が置換基であることがより好ましく、特にR33が置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。R32~R39で表される好ましい基としては、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基が挙げられ、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基がより好ましい置換基として挙げられる。さらに芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が特に好ましい形態として挙げられる。よって、一般式5においてR32~R39は、R39で一般式1と結合していることが好ましく、R33が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることがより好ましく、R32及びR34~R39は水素原子であることがさらに好ましい形態である。R〃′は水素原子または置換基を表し、置換基としてはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表し、特に芳香族炭化水素基であることが最も好ましい。一般式1におけるR1~R7のいずれかが一般式5で表される基である場合、一般式1で表される化合物は電荷に対する耐久性が高く、且つ窒素原子が含まれることで電荷輸送性の向上も見られ、寿命と効率の両方が良好となるため、好ましい形態として挙げられる。一般式1におけるXはO、S、Se、N-R、SO、SO2のいずれかを表し、O、SまたはN-Rであることが好ましく、より好ましくはOまたはN-Rである。Rはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表し、好ましくは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、特に芳香族炭化水素基であることが最も好ましい。一般式1において、Yは、炭素数3以上のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、NR′R〃R′およびR〃は各々水素原子、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、または、芳香族複素環基を表す。、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基から選ばれる何れかの置換基である。一般式1において、Yで表される炭素数3以上のアルキル基としては、直鎖または分岐のアルキル基、例えば、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。一般式1において、Yで表されるNR′R〃としては、R′およびR〃は各々水素原子、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、または、芳香族複素環基を示し、R′とR〃が結合していてもよい。アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基は、各々一般式1におけるR1~R7で表される置換基として挙げた化合物例と同様な化合物が挙げられる。R′およびR〃としては、特に芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい形態として挙げられる。一般式1において、Yで表される、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基としては、各々一般式1におけるR1~R7で表される置換基として挙げた化合物例と同様な化合物が挙げられる。一般式1において、Yで表される基は、一般式1において、R1~R7で各々表される基を更に有していても良い。本発明において、一般式1におけるYに前述の置換基が置換することで、置換基の立体障害性が強く発揮され、これにより化合物同士の凝集が抑制され、目的を達成するものである。驚くべきことに、一般式1においては特にYの位置に置換基が置換する場合に、顕著にこの効果が発揮される。この理由は不明だが、現在鋭意検討中である。一般式1において、Yは芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、NR′R〃、アリールシリル基、アリールホスホリル基であることが好ましく、特に芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、NR′R〃であることがより好ましく、更には芳香族複素環基であることが最も好ましい形態として挙げられる。Yで表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基またはビフェニル基が好ましく、さらにこれらの基が置換基を有していることが好ましい。特に一般式1で表される骨格と結合している原子に対して、オルト位又はパラ位に置換基を有することが好ましく、パラ位に置換基を有することがより好ましい。オルト位に置換基を有する場合には立体障害性が増すことによりねじれがより大きくなり、膜質の改善につながるため好ましい形態として挙げられる。また、パラ位に置換基を有する場合には電荷の分布が広がることで電荷に対する耐久性向上に繋がるため、好ましい形態として挙げられる。置換基を有する芳香族炭化水素基としては、より好ましくは一般式1におけるYが下記一般式Aで表される基で表される。―Arn―L―Z一般式A一般式Aにおいて、nは1~10の整数を表し、は結合位置を表す。Arは芳香族炭化水素基を表し、置換基を有していることが好ましい。Arに置換する置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同義の基が挙げられ、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。Lは単結合または連結基を表し、Lとして表される連結基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基等が挙げられる。Lは連結基であることが好ましく、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。Zは一般式1におけるR1~R7で表される基と同義の基等が挙げられ、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基であることが好ましく、さらには芳香族炭化水素基、芳香族複素環基またはアミノ基であることが好ましく、アミノ基または芳香族複素環基であることがより好ましい。さらにはZが窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれか1つ以上を含むことが好ましい。窒素原子を含む場合には、電荷輸送性が増すことで効率向上につながるため好ましく、より好ましくは熱的安定性向上のため芳香族複素環であり、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基が好ましい。特にカルバゾリル基である場合には熱的電子的に安定なため耐久性向上に繋がり、最も好ましい形態の1つである。また、酸素原子または硫黄原子を含む置換基を含有している場合には電荷の状態が安定となり耐久性向上に繋がるため好ましく、より好ましくは熱的安定性向上のため芳香族複素環であり、特にジベンゾチエニル基またはジベンゾフリル基が好ましい形態として挙げられる。特にジベンゾフリル基を含有する場合には、電荷輸送性を持つため効率の向上に繋がり、好ましい形態の1つである。具体的には、一般式1におけるYが下記一般式6~31で表される基である。一般式6~一般式10において、R40~R79は各々独立に水素原子または置換基であり、R40~R79で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。Ar1~Ar10は芳香族炭化水素基を表し、L1~L5は単結合または連結基を表す。L1~L5として表される連結基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシル基、シクロアルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基、アリールチオホスホリル基等が挙げられる。は結合位置を表す。一般式11~一般式14において、R80~R107は各々独立に水素原子または置換基であり、R80~R107で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。Ar11~Ar18は芳香族炭化水素基を表し、L6~L9は単結合または連結基を表す。L6~L9として表される連結基としては、一般式6~一般式10におけるL1~L5で表される連結基と同様な連結基等が挙げられる。は結合位置を表す。一般式15~一般式18において、R108~R135は各々独立に水素原子または置換基であり、R108~R135で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。Ar19~Ar26は芳香族炭化水素基を表し、L10~L13は単結合または連結基を表す。L10~L13として表される連結基としては、一般式6~一般式10におけるL1~L5で表される連結基と同様な連結基等が挙げられる。は結合位置を表す。一般式19~一般式23において、R136~R175は各々独立に水素原子または置換基であり、R136~R175で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。Ar27~Ar31は芳香族炭化水素基を表し、は結合位置を表す。Ar27~Ar31は置換基を有していても良く、好ましくは置換基を有する場合である。特に置換基として芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基のいずれかを有することが好ましく、さらには芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を置換基として有していることがより好ましい。一般式19~一般式23のうちでは、一般式19、一般式20、一般式22のいずれかであることがより好ましく、特に一般式22であることがより好ましい。一般式19で表されるようにカルバゾリル基の1位で結合する場合には、窒素原子の周辺を遮蔽することにより電荷に対する耐久性が向上するため好ましく、一般式20で表されるようにカルバゾリル基の2位で結合する場合には、Ar28へ電荷の分布の広がりが生じるため耐久性が向上し、好ましい形態として挙げられる。また、一般式22で表されるようにカルバゾリル基の4位で結合する場合には、ねじれが大きくなることで膜質が向上するため好ましい。一方、一般式21で表されるようにカルバゾリル基の3位で結合する場合には、Ar29がさらに置換基を有していることが好ましい。この場合には、窒素原子の電子ドナー性が発揮されることにより正孔輸送性が向上するとともに、電荷の分布が広がることにより耐久性が向上するため好ましい。さらに、R152~R158のうち、少なくとも1つ以上が置換されていることが好ましく、特にR156が置換されていることがより好ましい。R152~R158で表される置換基としては、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基またはジアリールアミノ基であることが好ましく、特に芳香族炭化水素基であることがより好ましい形態の1つである。また、一般式23で表されるようにカルバゾリル基の窒素原子で結合する場合には発光効率が向上するため好ましく、特に芳香族炭化水素基のオルト位に結合している場合には、ねじれにより膜質が向上することから好ましく、芳香族炭化水素基のパラ位に結合している場合には、電荷の分布が広がることにより電荷に対する耐久性が向上するため好ましい。特に芳香族炭化水素基のパラ位に結合している場合が最も好ましい形態として挙げられる。一般式24~一般式27において、R176~R203は各々独立に水素原子または置換基であり、R176~R203で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。一般式24において、R176~R182のうちいずれか1つのみが置換基であることが好ましく、また一般式26において、R190~R196のうちいずれか1つのみが置換基であることが好ましい。Ar32~Ar35は芳香族炭化水素基を表し、は結合位置を表す。Ar32~Ar35は置換基を有していても良く、好ましくは置換基を有する場合である。特に置換基として芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基のいずれかを有することが好ましく、さらには芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を置換基として有していることがより好ましい。一般式24~一般式27のうちでは、一般式24、一般式25、一般式27のいずれかであることがより好ましく、さらには一般式25または一般式27であることが好ましい。一般式27で表されるようにジベンゾフリル基の1位で結合する場合には、ねじれが大きくなることで膜質が向上するため好ましく、一般式24で表されるように4位で結合する場合には、酸素原子周辺がねじれにより遮蔽されることで電荷の安定性が増し、耐久性の向上につながるため好ましく、特にAr32が置換されている場合には電荷の広がりにより耐久性が向上するためより好ましい。一般式25で表されるようにジベンゾフリル基の3位で結合する場合には、Ar33へ電荷の分布の広がりが生じるため耐久性が向上し、好ましい形態として挙げられる。一方、一般式26で表されるようにジベンゾフリル基の2位で結合する場合には、Ar34がさらに置換されていることが好ましい。この場合には、酸素原子の活性部位を塞ぐことで耐久性の向上が得られるとともに、電荷の分布が広がることにより耐久性が向上するため好ましい。一般式28~一般式31において、R204~R231は各々独立に水素原子または置換基であり、R204~R231で表される置換基としては、一般式1におけるR1~R7で表される置換基と同様な置換基等が挙げられる。ただし、一般式28において、R204~R210のうちいずれか1つのみが置換基であることが好ましく、また一般式30において、R218~R224のうちいずれか1つのみが置換基であることが好ましい。Ar36~Ar39は芳香族炭化水素基を表し、は結合位置を表す。Ar36~Ar39は置換基を有していても良く、好ましくは置換基を有する場合である。特に置換基として芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基のいずれかを有することが好ましく、さらには芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を置換基として有していることがより好ましい。一般式28~一般式31のうちでは、一般式28、一般式29、一般式31のいずれかであることがより好ましく、さらには一般式29または一般式31であることが好ましい。一般式31で表されるようにジベンゾチエニル基の1位で結合する場合には、ねじれが大きくなることで膜質が向上するため好ましく、一般式28で表されるように4位で結合する場合には、硫黄原子周辺がねじれにより遮蔽されることで電荷の安定性が増し、耐久性の向上につながるため好ましく、特にAr36が置換されている場合には電荷の広がりにより耐久性が向上するためより好ましい。一般式29で表されるようにジベンゾチエニル基の3位で結合する場合には、Ar37へ電荷の分布の広がりが生じるため耐久性が向上し、好ましい形態として挙げられる。一方、一般式30で表されるようにジベンゾフリル基の2位で結合する場合には、Ar38がさらに置換されていることが好ましい。この場合には、硫黄原子の活性部位を塞ぐことで耐久性の向上が得られるとともに、電荷の分布が広がることにより耐久性が向上するため好ましい。Yで表されるNR′R〃としては、R′またはR〃は芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が好ましく、特に芳香族炭化水素基であることがより好ましい形態として挙げられる。Yで表される芳香族複素環基としては、ピリミジニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基等が好ましい置換基として挙げられ、さらに酸素原子または窒素原子を含む置換基であることがより好ましく、特に窒素原子を含む置換基であることが最も好ましい。酸素原子を含む置換基である場合には、電荷の状態が安定となり耐久性向上に繋がるため好ましく、特に電荷に対する安定性が高いことからジベンゾフリル基であることがより好ましい形態として挙げられる。特にジベンゾフリル基の1位で結合した場合には、ねじれがより大きくなるため膜質の向上に繋がり、特に好ましい形態の1つとして挙げられ、さらにジベンゾフリル基の3位で結合した場合には、電荷の分布の広がりが生じるため耐久性が向上し、特に好ましい形態として挙げられる。ジベンゾフリル基またはジベンゾチエニル基の2位または4位で結合する場合、一般式1におけるYはさらに置換基を1つ有することが好ましい。置換基としては特に芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を含有することが好ましく、特に芳香族炭化水素基を置換基として含有することが好ましい形態として挙げられる。一般式1のYがジベンゾフリル基またはジベンゾチエニル基であり、さらに2位または4位で一般式1と結合した場合には、一般式1におけるYがさらに置換基を2つ以上持つことで、耐久性や効率等が大幅に低下する。この原因は不明だが、本発明者はYが立体障害性の大きい位置であることに加え、置換基が2つ以上置換することで、さらに立体障害性が増大することで、酸素原子や硫黄原子のオルト位やパラ位に位置する結合が電荷に対して不安定化し、分解しやすくなるためと考察した。一方、窒素原子を含む置換基である場合には電荷輸送性が増すことで効率向上につながるため好ましく、特にカルバゾリル基またはカルボリニル基である場合には熱的電子的な安定性が高く、耐久性の向上がみられるため、最も好ましい形態として挙げられる。一般式1におけるYは、より具体的には前記一般式2または3で表されることが特に好ましい。一般式2において、Y1~Y8は各々CまたはNを表す。Y1~Y8のいずれか1つ以上がNである場合には、電荷輸送性が向上し、低電圧で駆動時の電圧上昇を小さく抑えることができる。Y1~Y8のいずれか1つまたは2つがNであることが好ましく、さらにY1~Y8のいずれか1つがNであることが特に好ましい形態として挙げられる。また一方で、Y1~Y8が全てCである場合も、耐久性をより向上させることができるため、好ましい形態として挙げられる。特に一般式2においては、Y1~Y8はいずれもCであることが好ましい。R8~R15は各々独立に一般式1におけるR1~R7と同義の基である。Y1~Y8のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR8~R15は各々非共有電子対を表す。R8~R15は、いずれか1つ以上が置換基であることが好ましく、さらにR8~R15のうち1つまたは2つが置換基であることが好ましく、特にR8~R15のうち1つのみが置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。さらにR9またはR11が置換基であることが好ましく、特にR9が置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。R8~R15で表される好ましい基としては、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基が挙げられ、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基がより好ましい置換基として挙げられる。さらに芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が特に好ましい形態として挙げられる。よって、一般式2においてR8~R15は、R9が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましく、R8及びR10~R15は水素原子であることが最も好ましい形態である。一般式3において、Y9~Y16は各々CまたはNを表す。Y9~Y16のいずれか1つ以上がNである場合には、電荷輸送性が向上し、低電圧で駆動時の電圧上昇を小さく抑えることができる。Y9~Y16のいずれか1つまたは2つがNであることが好ましく、さらにY9~Y16のいずれか1つがNであることが特に好ましい形態として挙げられる。特にY9~Y12のいずれがNであることが好ましい形態として挙げられる。また一方で、Y9~Y16が全てCである場合も、耐久性をより向上させることができるため、好ましい形態として挙げられる。一般式1と結合する原子に関しては、Y13~Y16のいずれかの原子で結合し、特にY15またはY16で結合することが好ましく、Y16で結合することが最も好ましい。特に一般式3においては、Y9~Y16は、いずれもCであることが好ましく、Y16で一般式1と結合することがより好ましい。R16~R23は各々独立に一般式1におけるR1~R7と同義の基または連結基である。Y9~Y16のいずれかがNである場合、該N原子に結合しているR16~R23は各々非共有電子対を表す。R16~R23は、いずれか1つ以上が置換基であることが好ましく、特にR16~R23のうち1つのみが置換基であることが好ましい。さらに、R16~R19のいずれかが置換基であることが好ましく、R17またはR19が置換基であることがより好ましく、特にR17が置換基であることが最も好ましい形態として挙げられる。R16~R23で表される好ましい基としては、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基、アリールシリル基、アリールホスホリル基が挙げられ、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アミノ基がより好ましい置換基として挙げられる。さらに芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が特に好ましい形態として挙げられる。よって、一般式3においてR16~R23は、R23で一般式1と結合することが好ましく、R17が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることがより好ましく、さらにR16及びR18~R22は水素原子であることが特に好ましい形態である。R〃′は水素原子または置換基を表し、置換基としてはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基から選ばれる何れかの基を表し、特に芳香族炭化水素基であることが最も好ましい。一般式1の化合物をホスト化合物として用いる場合に好ましい形態としては、XがOまたはN-R、且つYが一般式2または3で表されることが挙げられ、この場合には、高い発光効率及び耐久性を達成することができる。特に高い効率及び耐久性を達成するためには、XがOで表されることが好ましく、さらには一般式2または3のY1~Y16がいずれもCである場合が最も好ましい形態として挙げられる。加えて、一般式1のR4~R7のうちいずれか1つ以上が一般式4または一般式5で表されることが好ましい。さらには一般式4または一般式5のY17~Y32がいずれもCであることが最も好ましい。すなわち、ホスト化合物として用いる場合には、XがO、且つYはY1~Y16がいずれもCである一般式2または一般式3であり、且つR6はY17~Y32がいずれもCである一般式4または一般式5であることが最も好ましい形態である。また、正孔輸送層に用いる場合には、XがN、且つYが一般式2または3で表される場合に高い発光効率を達成することができ、さらにはXがN且つYが一般式3であることがより好ましい形態として挙げられる。特に一般式3のY9~Y16がいずれもCである場合が最も好ましい形態として挙げられる。また、電子輸送層に用いる場合には、XがN、且つYが一般式2または3で表される場合に高い発光効率を達成することができ、さらにはXがN且つYが一般式3であることがより好ましい形態として挙げられる。特に一般式2のY9~Y16がいずれか1つがNである場合が最も好ましい形態として挙げられる。以下に、本発明に係る化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。以下、本発明に係る一般式1で表される化合物の合成の一例を示すが、本発明はこれらに限定されない。ここでは特に、X=Oである化合物の合成を詳細に説明するが、その他の場合においても同様に合成することができる。《合成例;例示化合物1-35の合成》下記の方法により例示化合物1-35を合成した。中間体1の合成8.0gの2-ブロモ-3-メトキシアニリン39.6mmol、9.38gの2,3-ジフルオロフェニルボロン酸59.4mmol、酢酸パラジウム0.89g、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニルS-Phos6.50g、リン酸三カリウム25.2g119mmolにトルエン130mlを加え、窒素気流下で11時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:9し、中間体1を3.26g収率35得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。中間体2の合成窒素気流下、酢酸パラジウム0.707g、トリブチルホスフィンの50キシレン溶液5mLを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン40mL、3.2gの中間体112.6mmol、2,2’-ジブロモ-1,1‘ビフェニル4.14g13.3mmol、ナトリウムt-ブチラート3.63g37.8mmolを加え、8時間加熱環流を行った。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエン:ヘプタン=1:10し、中間体2を3.2g収率66得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。中間体3の合成3.2gの中間体28.3mmolの塩化メチレン溶液83mLを-78°Cに冷却した後、三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液1.0mol/L25mLをゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を3時間行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:4し、中間体3を1.9g収率62得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。中間体4の合成N,N-ジメチルホルムアミド50mLに1.9gの中間体35.1mmol、水素化ナトリウム558mg7.7mmolを加え、窒素気流下、100°Cで1時間撹拌を行った。反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエン:ヘプタン=1:2し、中間体4を1.6g収率89得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数6.19d,J=7.8Hz,1H,6.78-6.84m,1H,7.07-7.12m,3H,7.28-7.35m,4H,7.52d,J=7.8Hz,1H,7.70t,J=8.1Hz,1H,7.80d,J=8.3Hz,1H,8.22dd,J=6.1,2.7Hz,2H。MSES:mz=352M1例示化合物1-35の合成N,N-ジメチルホルムアミド14mLにカルバゾール0.5g4.7mmol、1.5gの中間体44.3mmol、水素化ナトリウム465mg6.4mmolを加え、窒素気流下で8時間加熱還流を行った。反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエン:ヘプタン=1:4し、例示化合物1-35を1.6g収率78得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。なお、後述する有機EL素子の作製にはこの化合物をさらに昇華精製したものを用いた。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数6.57d,J=7.8Hz,1H,7.10t,J=8.1Hz,1H,7.21d,J=7.8Hz,2H,7.25d,J=6.3Hz,2H,7.31-7.43m,8H,7.53-7.56m,2H,7.59-7.67m,2H,8.20d,J=7.8Hz,2H,8.28d,J=6.3Hz,2H。MSES:mz=499M1《合成例;例示化合物1-31の合成》下記の方法により例示化合物1-31を合成した。中間体5の合成2-アミノ-3-ニトロフェノール24.0g155.7mmolの水溶液12mLに48臭化水素酸40mL237.3mmolを加え、さらに氷冷下で亜硝酸ナトリウム11.2g162.3mmolの水溶液40mLをゆっくりと滴下した。氷冷下で15分撹拌後、臭化銅I24.6g171.5mmolを48臭化水素酸80mLに溶解させた溶液をゆっくりと滴下した。氷冷下でさらに15分撹拌後室温に戻し、さらに1時間加熱還流を行った。反応溶液を放冷後ろ過し、得られた茶色の固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエンし、中間体5を29.3g収率86得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。中間体6の合成窒素気流下、4フルオロニトロベンゼン19.4g138mmolのジメチルスルホキシド溶液460mLに30.0g138mmolの中間体5、水素化ナトリウム9.9g207mmolを加えた。反応液を130°C3時間加熱後放冷し、水にあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:4し、中間体6を18.9g収率41得た。構造は核磁気共鳴スペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数7.03d,J=9.3Hz,2H,7.33dd,J=8.1,1.2Hz,1H,7.54t,J=8.1Hz,1H,7.71dd,J=8.1,1.2Hz,1H,8.27d,J=9.3Hz,2H。中間体7の合成窒素気流下、18.9g55.7mmolの中間体6のジメチルホルムアミド溶液560mLに炭酸カリウム12.9g93.3mmol、酢酸パラジウム1.25g5.55mmolを加えた。反応液を150°Cで4時間加熱後放冷し、不溶物をセライトろ過後、ろ液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:4し、中間体6を2.35g収率16得た。構造は核磁気共鳴スペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数7.74-7.79m,2H,8.02d,J=8.3Hz,1H,8.36d,J=8.8Hz,1H,8.56dd,J=8.8,2.4Hz,1H,9.67d,J=2.4Hz,1H。中間体8の合成2.35gの中間体7をテトラヒドロフラン70mLに溶解し、さらにエタノール20mL、10パラジウム/炭素0.24gを加え、水素気流下10時間撹拌した。パラジウムをセライトろ過で除去した後、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:1し、中間体8を0.8g収率44得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数3.69s,2H,4.19s,2H,6.57d,J=7.8Hz,1H,6.78dd,J=8.5,2.2Hz,1H,6.96d,J=8.3Hz,1H,7.14d,J=2.0Hz,1H,7.21t,J=8.1Hz,1H,7,34d,J=8.2Hz,1H。MSES:mz=199M1例示化合物1-31の合成窒素気流下、トリブチルホスフィンの50キシレン溶液1.3mLに酢酸パラジウム181mgを加え、室温で30分間撹拌した。続いて、脱水キシレン14mL、0.8g4.04mmolの中間体8、2,2’-ジブロモ-1,1’-ビフェニル2.58g8.28mmol、ナトリウムt-ブチラート1.16g12.1mmolを加え、6時間加熱環流を行った。反応液を放冷後、セライトろ過し、ろ液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエン:ヘプタン=1:9し、例示化合物1-31を0.55g収率28得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。なお、後述する有機EL素子の作製にはこの化合物をさらに昇華精製したものを用いた。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数6.68d,J=2.4Hz,1H,6.89d,J=7.3Hz,2H,7.15-7.24m,6H,7.29t,J=7.7Hz,2H,7.41td,J=7.7,1.1Hz,2H,7.53-7.56m,2H,7.71-7.77m,2H,7.82dd,J=8.3,1.1Hz,1H,8.00dd,J=7.8,1.5Hz,2H,8.04dJ=7.8Hz,2H。MSES:mz=499M1《合成例;例示化合物1-291の合成》下記の方法により例示化合物1-291を合成した。例示化合物1-291は、以下に簡単に説明するように、例示化合物1-35と同様の方法で合成することができる。2-ブロモ-3-メチルチオアニリンと3-ジフルオロフェニルボロン酸を酢酸パラジウムとS-Phos存在下で鈴木カップリングを行い、中間体9を合成した。中間体9のアミノ基と2,2’-ジブロモ-1,1‘ビフェニルとを酢酸パラジウムとトリブチルホスフィン存在下で反応させ、中間体10を得た。得られた中間体10を三臭化ホウ素で処理し、中間体11へと変換した。中間体11を水素化ナトリウムで処理し、環化させることで中間体12を得た。得られた中間体12とカルバゾールを水素化ナトリウム存在下で反応させることで例示化合物1-291を合成した。《合成例;例示化合物1-67の合成》下記の方法により例示化合物1-67を合成した。例示化合物1-67は、以下に簡単に説明するように、例示化合物1-31と同様の方法で合成することができる。2-アミノ-3-ニトロベンゼンチオールのアミノ基をザンドマイヤー反応によりBrへと変換し、中間体13を得た。中間体13と3-フルオロニトロベンゼンとを水素化ナトリウム存在下反応させ、中間体14を合成した。中間体14を酢酸パラジウムで処理することで、中間体15へと変換し、得られた中間体15のニトロ基を水素添加によりアミノ基へと変換し、中間体16を得た。中間体16と2,2’-ジブロモ-1,1‘ビフェニルとを酢酸パラジウムとトリブチルホスフィン存在下で反応させ、例示化合物1-67を合成した。《合成例;例示化合物1-66の合成》下記の方法により例示化合物1-66を合成した。例示化合物1-66は、以下に簡単に説明するように、例示化合物1-31と同様の方法で合成することができる。2-ニトロ-N-フェニルベンゼン-1,2-ジアミンの第1級アミノ基をザンドマイヤー反応によりBrへと変換し、中間体17を得た。中間体17と3-フルオロニトロベンゼンとを水素化ナトリウム存在下反応させ、中間体18を合成した。中間体18を酢酸パラジウムで処理することで、中間体19へと変換し、得られた中間体19のニトロ基を水素添加によりアミノ基へと変換し、中間体20を得た。中間体20と2,2’-ジブロモ-1,1‘ビフェニルとを酢酸パラジウムとトリブチルホスフィン存在下で反応させ、例示化合物1-66を合成した。《合成例;例示化合物1-71の合成》下記の方法により例示化合物1-71を合成した。中間体22の合成5.0gの中間体2116.0mmolをエチレングリコールジメチルエーテル80mLに溶解させた後水20mLを加え、そこへ5.9gの3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9-フェニルカルバゾール16.0mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム0.56g、炭酸カリウム5.45g40.0mmolを加え、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製トルエン:ヘプタン=1:4し、中間体22を5.0g収率73得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数3.97s,3H,6.93dd,J=8.3,1.5Hz,1H7.08dd,J=7.6,1.2Hz,1H,7.27-7.31m,1H,7.34t,J=7.8Hz,1H,7.40-7.42m,2H,7.45-7.50m,3H,7.61t,J=2.9Hz,4H,8.12-8.16m,2H。中間体23の合成3.3gの中間体227.7mmolの塩化メチレン溶液77mLを-78°Cに冷却した後、三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液1.0mol/L23mLをゆっくりと滴下した。反応液を室温に戻し、撹拌を1時間行った。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:5し、中間体23を2.9g収率91得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数5.80s,1H,7.02-7.07m,2H,7.27-7.32m,2H,7.51-7.42m,5H,7.56-7.65m,4H,8.13-8.16m,2H。中間体24の合成窒素気流下、4フルオロニトロベンゼン0.27g1.93mmolのジメチルホルムアミド溶液4mLに0.8g1.93mmolの中間体23、炭酸セシウム1.26g3.86mmolを加え、2時間加熱環流した。放冷後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:9し、中間体24を0.9g収率87得た。構造は核磁気共鳴スペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数7.06d,J=8.8Hz,2H,7.16dd,J=7.8,2.2Hz,1H,7.33-7.29m,1H,7.40-7.44m,3H,7.47-7.51m,4H,7.60-7.65m,4H,8.16d,J=7.8Hz,1H,8.20s,1H,8.25d,J=9.3Hz,2H。中間体25の合成窒素気流下、0.9g1.68mmolの中間体24のジメチルアセトアミド溶液8mLに炭酸カリウム460mg3.36mmol、酢酸パラジウム38mg0.168mmol、トリシクロヘキシルホスホニウムテトラフルオロボラート125mg0.336mmolを加えた。反応液を140°Cで3時間加熱後放冷し、不溶物をセライトろ過後、ろ液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:2し、中間体25を0.6g収率79得た。構造は核磁気共鳴スペクトルで確認した。測定条件及び得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。1H-NMR400MHz,CDCl3測定装置:JEOLJNM-AL400400MHz:日本電子社製スペクトルの帰属ケミカルシフトδ、ピーク形状、プロトン数7.32td,J=7.1,2.4Hz,1H,7.45-7.54m,4H,7.60-7.66m,4H,7.67-7.70m,5H,8.16d,J=7.8Hz,1H,8.34dd,J=9.0,2.2Hz,1H,8.38d,J=1.5Hz,1H,8.56d,J=2.4Hz,1H。中間体26の合成2.35gの中間体25をテトラヒドロフラン40mLに溶解し、さらにエタノール40mLと、5パラジウム/炭素0.6gを加え、水素気流下2時間撹拌した。パラジウムをセライトろ過で除去した後、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製酢酸エチル:ヘプタン=1:4し、中間体26を0.45g収率80得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。中間体27の合成0.45g1.06mmolの中間体26の塩酸溶液5mLに氷冷下で亜硝酸ナトリウム88mg1.27mmolの水溶液1mLを滴下した。氷冷下で15分撹拌後、ヨウ化カリウムI530mg3.18mmolを塩酸3mLに溶解させた溶液をゆっくりと滴下した。氷冷下でさらに15分撹拌後室温に戻し、さらに2時間加熱還流を行った。反応溶液を放冷後30水酸化ナトリウム水溶液mLにあけ、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体27を426mg収率75得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。例示化合物1-71の合成426mgの中間体270.80mmolをエチレングリコールジメチルエーテル4mLに溶解させた後水1mLを加え、そこへ235mgの2-ジベンゾフラン-2-イル―4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン0.8mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム56mg0.08mmol、炭酸カリウム272mg2.0mmolを加え、窒素気流下で4時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。得られた油状の粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、例示化合物1-71を408mg収率89得た。構造は核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで確認した。なお、後述する有機EL素子の作製にはこの化合物をさらに昇華精製したものを用いた。《有機EL素子有機エレクトロルミネッセンス素子》次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、少なくとも1対の陽極と陰極により挟まれた有機層を含有する素子である。そして、前記有機層が発光層を含む少なくとも1層からなり、該有機層のうち少なくとも1層が、前記説明した本発明の有機EL素子材料を含有する。なお、発光層を含む少なくとも1層とは、発光層を必須で有し、この発光層1層でもよく、あるいは、この発光層と共に、例えば以下に説明する正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等の有機層を含んでもよいことを意味する。すなわち、発光層1層、あるいは、発光層と他の1層以上の有機層と、からなる有機層を意味する。有機EL素子の構成層本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。i陽極/発光層/電子輸送層/陰極ii陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極iii陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極iv陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極v陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極vi陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極vii陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極なお、阻止層としては正孔阻止層の他に、電子阻止層を用いることもできる。本発明においては、有機EL素子の各層いずれに一般式1で表される化合物を含有していても良いが、中でも正孔輸送層、発光層、電子輸送層のいずれか1つ以上の層に含有することが好ましく、発光層又は電子輸送層に含有することがより好ましい。さらには、発光層に一般式1で表される化合物を含有することがより好ましく、特にホスト化合物として含有することが特に好ましい形態として挙げられる。本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430~480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510~550nm、赤色発光層は発光極大波長が600~640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。さらに、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。次に、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。[発光層]発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2~200nmの範囲、特に好ましくは、10~20nmの範囲である。発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパントリン光ドーパントリン光発光性ドーパントともいうや蛍光ドーパント等の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。ホスト化合物発光ホスト等ともいう本発明に用いられるホスト化合物としては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又は、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。等が挙げられる。ホスト化合物としては、上記のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、前記の一般式1で表される部分構造を含む化合物、また後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。また、本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物蒸着重合性発光ホストでも良い。併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076号公報、同2002-308855号公報、同2001-313179号公報、同2002-319491号公報、同2001-357977号公報、同2002-334786号公報、同2002-8860号公報、同2002-334787号公報、同2002-15871号公報、同2002-334788号公報、同2002-43056号公報、同2002-334789号公報、同2002-75645号公報、同2002-338579号公報、同2002-105445号公報、同2002-343568号公報、同2002-141173号公報、同2002-352957号公報、同2002-203683号公報、同2002-363227号公報、同2002-231453号公報、同2003-3165号公報、同2002-234888号公報、同2003-27048号公報、同2002-255934号公報、同2002-260861号公報、同2002-280183号公報、同2002-299060号公報、同2002-302516号公報、同2002-305083号公報、同2002-305084号公報、同2002-308837号公報等。発光ドーパント発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう、リン光ドーパントリン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいうを用いることができる。ここで、本発明の有機EL素子を構成する発光層がリン光ドーパントを含有することが好ましい。しかしながら、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点から、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント単に、発光材料ということもあるとしては、前記の一般式1で表される部分構造を含む化合物をリン光ドーパントとして含有することが好ましい。リン光ドーパントリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物である。具体的には、室温25°Cにてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25°Cにおいて0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁1992年版、丸善に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率0.01以上が達成されればよい。リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。リン光ドーパントとしては、好ましくは元素周期表で8族~10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物すなわち、Ir錯体である。本発明においては、有機EL素子の発光層に使用されるリン光ドーパントとして、公知のリン光ドーパントを用いることができる。以下に、リン光ドーパントとして用いられる公知の化合物の具体例を示すが、リン光ドーパントとしてはこれらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等により合成できる。蛍光ドーパント蛍光性化合物ともいう蛍光ドーパント蛍光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。[電子輸送層]電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなる層である。電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有するものを用いる。その材料としては本発明に係る有機EL素子材料を電子輸送材料として用いることにより本発明の効果を奏することができる。しかしながら、その他に、本発明に係る有機EL素子材料すなわち電子輸送材料の効果を損なわない範囲において、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して併用することもできる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も挙げることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を挙げることもできる。また8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も挙げることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも挙げることができる。また、ジスチリルピラジン誘導体や、n型-Si、n型-SiC等の無機半導体も挙げることができる。電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層として用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。[注入層:電子注入層、正孔注入層]注入層は必要に応じて設ける層であり、電子注入層と正孔注入層がある。注入層は、上記の層構成に示すように陽極と正孔輸送層との間や、陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。あるいは、陽極と発光層との間や、陰極と発光層との間に存在させてもよい。注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、正孔注入層陽極バッファー層と電子注入層陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。[阻止層:正孔阻止層、電子阻止層]阻止層は、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11-204258号公報、同11-204359号公報、及び有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の237頁等に記載されている正孔阻止ホールブロック層がある。正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなる。電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。なお、本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、またカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層最短波層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましい。そしてこのような場合、最短波層と、この最短波層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。さらには、この位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量以上が、前記最短波層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO最高被占分子軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。1米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98Gaussian98、RevisionA.11.4,M.J.Frisch,etal,Gaussian,Inc.,PittsburghPA,2002.を用い、キーワードとしてB3LYP/6-31Gを用いて構造最適化を行うことにより算出した値eV単位換算値の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。2イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置ModelAC-1を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3~100nmであり、さらに好ましくは5~30nmである。[正孔輸送層]正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、さらには米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si、p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、特開平11-251067号公報、J.Huangetal.著文献AppliedPhysicsLetters802002,p.139に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種又は2種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,57732004等に記載されたものが挙げられる。本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。[陽極]有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、10~1000nmの範囲であり、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。[陰極]一方、陰極としては仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。次に、有機EL素子に関する構成層以外の事項について説明する。[支持基板]本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板以下、基体、基板、基材、支持体等ともいうとしては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートCAP、セルロースアセテートフタレートTAC、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホンPES、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン商品名JSR社製あるいはアペル商品名三井化学社製といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが0.01g/m224h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3cm3/m224hatm以下、1atmは、1.01325×105Paである水蒸気透過度が10-3g/m224h以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度が10-5g/m224h以下であることがさらに好ましい。バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。不透明な支持基板としては、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。[封止]本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材は、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムは、JISK7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3cm3/m224hatm以下、JISK7129-1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度25±0.5°C、相対湿度90±2RHが1×10-3g/m224h以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型二液混合を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80°Cまでに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ-イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等、硫酸塩例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等、金属ハロゲン化物例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等、過塩素酸類例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。[保護膜、保護板]有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板フィルム、金属板フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。[光取り出し]有機EL素子は空気よりも屈折率の高い屈折率が1.7~2.1程度層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15から20程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面透明基板と空気との界面に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法米国特許第4,774,435号明細書、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法特開昭63-314795号公報、素子の側面等に反射面を形成する方法特開平1-220394号公報、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法特開昭62-172691号公報、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法特開2001-202827号公報、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法特開平11-283751号公報等がある。本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間含む、基板と外界間に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、さらに高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、さらに1.35以下であることが好ましい。また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が一次の回折や二次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中透明基板内や透明電極内に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中透明基板内や透明電極内でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。[集光シート]本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10μm~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルムBEF等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状三角形状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、きもと社製拡散フィルムライトアップ等を用いることができる。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の有機化合物薄膜を形成させる。これら各層の形成方法としては、蒸着法、ウェットプロセススピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法等がある。しかしながら、本発明においてはウェットプロセスで有機EL素子を作製することが好ましい。ウェットプロセスで作製することで、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の効果を奏することができる。中でも、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。これらの塗布法は、高効率、簡便で大面積化が容易であるという利点を有し、またインクジェット法によればピクセル単位での塗り分けが可能といった利点を有する。本発明に係る有機EL素子材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。《表示装置,照明装置》本発明の表示装置あるいは照明装置は、前記した本発明の有機EL素子を具備するものである表示装置及び照明装置の具体的な例については後記する用途において説明する。すなわち、一般式1で表される化合物である有機EL素子材料が用いられたものである。本発明の表示装置あるいは照明装置は、本発明の有機EL素子を用いたものであるため、低い電圧で駆動するこができ、駆動時の電圧上昇も小さい。また、発光効率が高く、且つ耐久性に優れるため、長寿命な装置とすることができる。《用途》本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置家庭用照明、車内照明、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれらに限定するものではない。しかしながら、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000コニカミノルタセンシング社製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることをいう。以下、実施例1~10を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらにより限定されるものではない。[実施例1]《有機EL素子1-1の作製》有機EL素子を以下のように作製した。陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα-NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにCBPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロインBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに燐光性化合物トリス2-フェニルビリジナートイリジウムIIIIrppy3を100mg入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにトリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α-NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し、膜厚25nmの正孔輸送層を設けた。さらに、CBPと燐光性化合物Irppy3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/sec、0.012nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚35nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記電子輸送層の上に蒸着してさらに膜厚40nmの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1-1を作製した。《有機EL素子1-2~1-22の作製》有機EL素子1-1の作製において、表1に記載のような発光層のCBPを表1に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1-2~1-22を作製した。なお、本実施例で用いたBCP,Alq3,Irppy3,α-NPD,CBPの構造式を下記に示す。また、比較化合物としては下記のものを用いた。《有機EL素子の評価》作製した有機EL素子の評価を以下のようにして行い、その結果を表1に示す。発光効率有機EL素子1-1は、初期駆動電圧3Vで電流が流れ始め、発光層のドーパントである燐光性化合物からの緑色の発光を示した。作製した有機EL素子について、室温約23~25°C下、乾燥窒素ガス雰囲気下で10V直流電圧を印加した時の発光効率lm/Wを測定した。発光効率は有機EL素子1-1を100とした時の相対値で表した。耐久性室温下、2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間を指標として表した。半減寿命時間は有機EL素子1-1を100とした時の相対値で表した。駆動電圧有機EL素子を室温、2.5mA/cm2の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、測定結果を下記に示すように有機EL素子1-1比較を100として各々相対値で示した。駆動電圧=各素子の初期駆動電圧/有機EL素子1-1の初期駆動電圧×100なお、値が小さいほど比較に対して駆動電圧が小さいことを示す。駆動電圧の経時変化有機EL素子を室温、2.5mA/cm2の定電流条件下により連続点灯を行い、初期輝度の70の輝度となった時の駆動電圧を各々測定した。測定結果は下記に示すように、有機EL素子1-1比較が100となるように各々相対値で示した。駆動電圧変化1=有機EL素子1-1の輝度70時の駆動電圧/有機EL素子1-1の初期駆動電圧各素子の駆動電圧変化=各素子の輝度70時の駆動電圧/各素子の初期駆動電圧駆動電圧変化τ1/7=各素子の駆動電圧変化/駆動電圧変化1×100表1から、本発明の有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例2]《有機EL素子2-1~2-22の作製》実施例1の有機EL素子1-1の燐光性化合物Irppy3を前記した化合物Ir-15に、CBPを表2に示す化合物に置き換えた以外は有機EL素子1-1の作製と全く同じ方法で有機EL素子2-1~2-22を作製した。青色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表2に示す。表2から、本発明の青色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた青色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例3]《有機EL素子3-1~3-22の作製》実施例1の有機EL素子1-1の燐光性化合物Irppy3を前記した化合物Ir-9に、CBPを表2に示す化合物に置き換えた以外は有機EL素子1-1の作製と全く同じ方法で有機EL素子3-1~3-22を作製した。赤色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表3に示す。表3から、本発明の赤色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた赤色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例4]《有機EL素子4-1~4-40の作製》実施例1の有機EL素子1-1の燐光性化合物Irppy3を前記した化合物Ir-17に、CBPを表4に示す化合物に置き換えた以外は有機EL素子1-1の作製と全く同じ方法で有機EL素子4-1~4-40を作製した。青色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表4に示す。表4から、本発明の青色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた青色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例5]《有機EL素子5-1~5-18の作製》実施例1の有機EL素子1-1の正孔輸送層を表5に示す化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で有機EL素子5-1~5-18を作製した。緑色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表5に示す。表5から、本発明の緑色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた緑色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例6]《有機EL素子6-1~6-18の作製》実施例1の有機EL素子1-1のα-NPDをTPDに、電子輸送層を表6に示す化合物に置き換えた以外は全く同じ方法で有機EL素子6-1~6-18を作製した。なお、本実施例で用いたTPDの構造式を下記に示す。緑色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表6に示す。表6から、本発明の緑色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた緑色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例7]《有機EL素子7-1の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、3mgの正孔輸送材料1と40mgの正孔輸送材料2とを10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。更に180秒間紫外光を照射し、光重合架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層とした。この第2正孔輸送層上に、100mgのCBPと10mgのIr-15とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。次に、この発光層上に、50mgのET-40を10mlのヘキサフルオロイソプロパノールHFIPに溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に、60°Cで1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に、アルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子7-1を作製した。《有機EL素子7-2~7-40の作製》有機EL素子7-1の作製において、発光層のCBPを表7に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子7-2~7-40を作製した。なお、本実施例で用いた正孔輸送材料1,正孔輸送材料2,ET-40の構造式を下記に示す。青色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表7に示す。表7から、本発明の青色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた青色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例8]《有機EL素子8-1~8-18の作製》実施例7の有機EL素子7-1のIr-15をIrppy3に、CBPを表8に示す化合物に置き換えた以外は有機EL素子7-1の作製と全く同じ方法で有機EL素子8-1~8-18を作製した。緑色の発光を示すこれらの素子について、実施例1と同様の方法で発光効率、耐久性、駆動電圧を測定した。得られた結果を表8に示す。表8から、本発明の緑色発光有機EL素子は、発光効率に優れ、耐久性が高く長寿命化が達成されており、優れた緑色発光有機EL素子であることがわかる。さらには駆動電圧が低下し、駆動時の電圧上昇も抑えられていることがわかる。また、本発明に係る有機EL素子材料をより好ましい様態例えば、好ましい置換基、該置換基の数等とすることにより、より高い発光効率と寿命を両立させられることが分かる。また、より駆動電圧を低く、かつ駆動時の電圧上昇を小さくできることがわかる。[実施例9]前記実施例1~3で作製した有機EL素子1-5緑色発光有機EL素子と、有機EL素子2-5青色発光有機EL素子と、有機EL素子3-5赤色発光有機EL素子とを同一基板上に並置し、図1に示すアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置ディスプレイ1を作製した。図2には作製したフルカラー表示装置1の表示部Aの模式図のみを示した符号Bは制御部である。即ち同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。フルカラー表示装置1を駆動することにより、低電圧で輝度が高く耐久性が良好で、鮮明なフルカラー動画表示が得られた。なお、緑色発光有機EL素子として有機EL素子1-6~1-22と、青色発光有機EL素子として2-6~2-22と、赤色発光有機EL素子として有機EL素子3-6~3-22とをランダムに組み合わせても、フルカラー表示が可能であった。[実施例10]《白色の有機EL素子の作製》陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA-45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板上に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネートPEDOT/PSS、Bayer社製、BaytronPAl4083を純水で70に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200°Cにて1時間乾燥し、膜厚30nmの正孔輸送層を設けた。この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、例示化合物1-32060mg、化合物Ir-93.0mg、Ir-123.0mgをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。真空中150°Cで1時間加熱を行い発光層とした。さらに、BCP20mgをシクロヘキサン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。真空中80°Cで1時間加熱を行い第1電子輸送層とした。続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記第1電子輸送層の上に蒸着して、さらに膜厚40nmの第2電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機EL素子を作製した。この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。"