圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブするガラス基板のスクライブ方法であって、前記強化ガラスの表面に、強化層を除去して初期亀裂を形成する第1工程と、前記初期亀裂にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる第2工程と、を含むガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下である、請求項1に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、初期亀裂は強化ガラスの全厚みの54を越えない深さである、請求項2に記載のガラス基板のスクライブ方法。後者のスクライブ溝形成方法では、初期亀裂は圧子やダイヤモンドカッタ等の硬質工具を用いて、あるいはレーザ光を照射して初期亀裂を形成するようにしている。ところで、最近のFPDフラットパネルディスプレイ業界では、基板端面の強度が重要視されるために、ガラス基板として、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた層強化層を有しており、最近では、特に端面強度が要求されるタッチパネル等のカバーガラスに用いられている。このような強化ガラスは、耐久性が高く傷がつきにくい。したがって、強化ガラスの端面に安定的に初期亀裂を形成し、スクライブ溝を形成することは非常に困難である。例えば、初期亀裂の深さが浅い場合は、スクライブ溝が形成されない。また逆に初期亀裂が深すぎると、スクライブ予定ラインに沿って初期亀裂を進展させることができず、所望のスクライブ溝を形成することができない。本発明の課題は、表面が強化された強化ガラスに対して、比較的容易に、かつ安定して所望のスクライブ溝を形成できるようにすることにある。第1発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスをスクライブする方法であり、第1工程と、第2工程と、を含む。第1工程は、強化ガラスの表面に、強化層を越える深さの初期亀裂を形成する。第2工程は、初期亀裂にレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、スクライブ予定ラインに沿って亀裂を進展させる。ここでは、強化ガラスの表面に、強化層を越える深さの初期亀裂が形成される。その後、初期亀裂にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。これにより初期亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展する。ここでは、強化層を越える深さの初期亀裂が形成されて、比較的容易に、所望のスクライブ溝を安定して形成することができる。第2発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1発明のスクライブ方法において、第1工程では、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下である。ここで、初期亀裂の深さが強化ガラスの強化層の厚みの114倍に満たない場合は、強化層が残っており、後工程でのレーザ光照射による加熱処理及び冷却処理を行っても亀裂は進展せず、スクライブ溝を形成することは困難である。一方で、初期亀裂の深さが強化層の厚みの167倍を超える場合は、後工程での加熱及び冷却によって、亀裂が意図せずに、またスクライブラインが形成された方向とは異なる方向に進展し、所望のスクライブ溝を形成することが困難になる。そこで、この発明では、初期亀裂の深さを、強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下としている。このため、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。第3発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第2発明のスクライブ方法において、第1工程では、初期亀裂は強化ガラスの全厚みの54を越えない深さである。初期亀裂の深さが、前述のように、強化層の114~167倍であっても、ガラス基板全体の厚みが薄い場合は、初期亀裂を深く形成すると、スクライブ予定ラインに沿って亀裂が進展しない場合がある。そこで、この発明では、初期亀裂の深さを、強化ガラスの全厚みの54を越えないようにしている。このため、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。以上のように、本発明では、表面が強化された強化ガラスに対して、比較的容易に、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、FPDフラットパネルディスプレイに使用される複数のガラス基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。前述のように、この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。スクライブ装置1は、レーザビームをガラス基板Gに向けて照射する照射部2と、冷却部3と、図示しない移動部と、を備えている。冷却部3は、図示しない冷媒源から供給される冷媒を、ノズル4を介して噴射して冷却スポットCPを形成する。移動部は、照射部2及び冷却部3のノズル4を、ガラス基板Gに設定されたスクライブ予定ラインSLに沿って、ガラス基板Gとの間で相対移動させる。照射部1は、レーザビームLBを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームLBを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットLSとして照射する。なお、ここでは図示していないが、ガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂を形成するための初期亀裂形成手段が設けられている。初期亀裂形成手段としては、圧子やカッターホイール等の機械的ツールが用いられるが、レーザアブレーション加工によって初期亀裂を形成することも可能である。[スクライブ方法]まず、図1に示すように、カッターホイール等の初期亀裂形成手段を用いてガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂TRを形成する。このとき、初期亀裂の深さは、強化ガラスの表面に形成された圧縮応力を有する強化層が除去される程度の深さにする。具体的には、初期亀裂の深さを、強化層の厚みの114倍以上167倍以下の深さにする。次に、ガラス基板Gに対して、照射部1からレーザビームLBが照射される。このレーザビームLBはビームスポットLSとしてガラス基板G上に照射される。そして、照射部1から出射されるレーザビームLBが、スクライブ予定ラインSLに沿ってガラス基板Gと相対的に移動させられる。ガラス基板GはビームスポットLSによってガラス基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させる。以上のようにして、レーザビームLBの照射によって加熱されたビームスポットLSの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットCPが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、ガラス基板Gの端部に形成された初期亀裂TRを起点としてスクライブ予定ラインSLに沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝が形成される。[実験例1]図2に、全体厚みが0.55mmで、強化層の厚みが18μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例1を示している。具体的には、図2は、初期亀裂形成時の工具圧子のガラスに対する押圧荷重とそのときの溝深さとの関係を示すとともに、その後のレーザ加熱及び冷却処理によるスクライブ結果を示している。この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は230mmsecである。また、冷却条件は、ビーム後端において高さ4mmの位置に冷却ノズルを配置し、冷却水及びエアをビームスポットで加熱された部分に吐出している。この実験例1から、初期亀裂の溝深さが19~30μm強化層の厚みの105~167倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが19μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また30μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、初期亀裂の溝深さの例を図3に示している。この図3に示すように、所定の面積が確保されている最も深い部分までの深さを溝深さとしており、一部先鋭的に深部まで到達している亀裂については無視している。[実験例2]図4に、全体厚みが07mmで、強化層の厚みが21μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例2を示している。図の横軸と縦軸の関係は図2と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例2から、初期亀裂の溝深さが約24~50μm強化層の厚みの114~238倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さが24μm未満では亀裂が確実に進展せず不安定である、また50μmを越えると割れが発生してスクライブ予定ライン以外に亀裂が形成されることがわかる。なお、押付荷重が約6~24Nであれば、溝深さが50μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~50μmが妥当である。[実験例3]図5に、全体厚みが11mmで、強化層の厚みが34μmの強化ガラスに対してスクライブ溝を形成した実験例3を示している。図の横軸と縦軸の関係は図2と同様である。また、この場合の加熱処理のためのレーザ出力は200W、加工速度は170mmsecである。また、冷却条件は実験例1と同様である。この実験例3から、初期亀裂の溝深さが約24~60μm強化層の厚みの071~176倍であれば、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝が形成されることがわかる。そして、溝深さ浅すぎる場合は亀裂が進展せず、また60μmを越えると亀裂進展が不安定であることがわかる。なお、実験例2と同様に、押付荷重が約6N~24Nであれば、溝深さが60μmを越えても所望のスクライブ溝が形成されるが、溝深さのみに着目すると、初期亀裂の溝深さは約24~60μmが妥当である[まとめ]以上から、スクライブ予定ラインに沿って所望のスクライブ溝を形成するためには、初期亀裂の深さは強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下であることが望ましいことがわかる。また、初期亀裂の深さは、ガラス板厚が0.55mmでは30μm55以下であること、ガラス板厚が07mmでは50μm71以下であること、ガラス板厚が11mmでは60μm54以下であることが望ましいことがわかる。このことは、初期亀裂の深さは、ガラスの板厚の54以下であることが望ましいことを示している。[特徴]1初期亀裂を形成する際に、溝深さを、圧縮応力を有する表面の強化層を越える程度の深さとしている。具体的には、初期亀裂の深さを強化ガラスの強化層の厚みの114倍以上167倍以下にしているので、安定して所望のスクライブ溝を形成することができる。2初期亀裂の深さを、強化ガラスの全厚みの54以下にしているので、意図しない方向に亀裂が進展するのを抑えることができる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。前記実施形態では、第2工程レーザ照射及び冷却処理において、スクライブ溝を形成する場合について説明したが、第2工程によってガラスを分断するような場合にも、本発明を同様に適用することができる。