"半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層又は第2の半導体層内に設けられた2次の回折格子とを備え、前記2次の回折格子のパターンは、同心円状又は渦巻き状の円形又は多角形であり、前記第1の半導体層、前記活性層、及び前記第2の半導体層を含む活性領域が円形又は多角形であることを特徴とする面発光レーザダイオード。発振波長λに対して、前記2次の回折格子の中心部の位相が1/4λシフトされていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザダイオード。前記活性領域の側面全面に設けられた高反射膜を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザダイオード。前記活性領域の外周部に設けられた1次の回折格子を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザダイオード。前記半導体基板の裏面に設けられた高反射膜を更に備えることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の面発光レーザダイオード。前記半導体基板は、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする請求項5に記載の面発光レーザダイオード。前記半導体基板と前記第1の半導体層との間に配置された多層反射層を更に備えることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の面発光レーザダイオード。前記活性領域の側面に設けられ、前記活性領域内部からの光を反射し、外部からの光を透過するハーフミラーコートを更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザダイオード。従来の面発光レーザダイオードでは、水平の遠視野像FFPFarFieldPatternと垂直の遠視野像が異なっていた。また、高出力の光を出射することができなかった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ高出力の光を出射することができる面発光レーザダイオードを得るものである。本発明に係る面発光レーザダイオードは、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層又は第2の半導体層内に設けられた2次の回折格子とを備え、前記2次の回折格子のパターンは、同心円状又は渦巻き状の円形又は多角形であり、前記第1の半導体層、前記活性層、及び前記第2の半導体層を含む活性領域が円形又は多角形であることを特徴とする。本発明により、水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ高出力の光を出射することができる。本発明の実施の形態に係る面発光レーザダイオードについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る面発光レーザダイオードを示す上面図である。図2は図1のI-IIに沿った断面図である。n型の半導体基板1上に、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、及びp型コンタクト層5が順に積層されている。半導体基板1はGaAs又はGaNである。n型クラッド層2やp型クラッド層4はAlGaInP、AlGaAs、GaN等である。活性層3はGaAs、AlGaAs、InGaP、AlGaInP、InGaN、GaN等である。p型コンタクト層5はGaAs、GaN等である。p型クラッド層4内に2次の回折格子6が設けられている。ここで、λ0を媒質内でのブラッグ波長、Neffを媒質の等価屈折率、Λを回折格子の周期とすると、半導体レーザの発振波長λはλ=λ0/Neff=2Λ/mm=1,2,で表わされる。整数mが1の場合が1次の回折格子、m=2の場合が2次の回折格子である。2次の回折格子の周期は、1次の回折格子の2倍になる。本実施の形態では、2次の回折格子6のパターンは、直径100μmの同心円状の円形である。n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、及びp型コンタクト層5を含む活性領域7も円形である。活性領域7の側面全面に高反射膜8が設けられている。高反射膜8は、金、白金、チタン、モリブデン、タンタル、ニッケル等、又はこれらの多層膜である。発振波長λに対して、2次の回折格子6の中心部の位相が1/4λシフトされている。2次の回折格子6の上方に円形の開口を有する円形のp側電極9がp型コンタクト層5上に設けられている。半導体基板1の裏面にn側電極10が設けられている。p側電極9やn側電極10は、金、白金、チタン、モリブデン、タンタル、ニッケル等、又はこれらの多層膜である。LDに用いる基板は、成長結晶材料に合わせて選択する。AlGaInP系の場合は、OFF基板を用いたほうが、結晶成長の結晶性がよくなり、LDの発光効率もよくなる。円形パターンの形成はウエットエッチングでもよいが、ドライエッチングの方が結晶の面方位依存性が小さくなるため、円形及び垂直にエッチングしやすい。また、ウエットエッチングとドライエッチングを組み合わせてもよい。続いて、上記の面発光レーザダイオードの動作を説明する。p側電極9とn側電極10の間に電圧を印加すると、活性層3で光が発生して各方向に放射される。放射された光は2次の回折格子6と活性領域7の側面で共振し発振する。発振した光は、2次の回折格子6により上面から共振器方向に対して垂直に出射される。続いて、本実施の形態の効果を説明する。2次の回折格子6のパターンが円形であり、活性領域7も円形であるため、水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ円形の光を出射することができる。さらに、円形の活性領域7において全方向から光を導光するため、高出力の光を出射することができる。また、発振波長λに対して、2次の回折格子6の中心部の位相が1/4λシフトされている。これにより単一波長化することができる。また、活性領域7の側面全部に高反射膜8が設けられている。活性領域7の内部において2次の回折格子6で反射されなかった光は、活性領域7の外周部において高反射膜8で反射される。これにより、発光効率を高くすることができる。高反射膜8の反射率を100にすれば、光が活性領域7の側面から出射されず、上面のみから出射される。図3は、本発明の実施の形態1に係る面発光レーザダイオードの変形例1を示す上面図である。2次の回折格子6のパターンは渦巻き状である。このような渦巻き状のパターンは、EBElectronBeamを連続照射して容易に描写することができる。図4は、本発明の実施の形態1に係る面発光レーザダイオードの変形例2を示す上面図である。2次の回折格子6と活性領域7が8角形である。このため、8角形の光を出射することができる。これに限らず、2次の回折格子6と活性領域7を多角形にすることにより、所望の多角形の光を出射できる。図5は、活性層の波長と2次の回折格子の波長を示す図である。2次の回折格子6の間隔を活性層3のバンドギャップ波長より小さい波長に合わせ、長波長で発光させる。例えば、GaNレーザダイオードにおいて、2次の回折格子6の間隔を純青の波長に合わせる。これにより、発振波長が活性層3のバンドギャップ波長より小さくなるため、活性層3内での光の損失が少なくなり、効率的に発光することができる。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2に係る面発光レーザダイオードを示す上面図である。図7は図6のI-IIに沿った断面図である。実施の形態1の高反射膜8の代わりに、活性領域7の外周部に反射率100の1次の回折格子11が設けられている。これにより、高反射膜8を設けなくても、活性領域7の外周部で光を内部に反射することができる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係る面発光レーザダイオードを示す断面図である。半導体基板1の裏面に高反射膜12が設けられている。高反射膜12は、金、白金、チタン、モリブデン、タンタル等、又はこれらの多層膜である。2次の回折格子6から半導体基板1側に出た光を高反射膜12により反射させることで、上面からの発光効率を向上させることができる。また、半導体基板1は、活性層3よりも大きなバンドギャップを有する。これにより、半導体基板1での光吸収が低減するため、半導体基板1の裏面で効率よく光を反射することができる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係る面発光レーザダイオードを示す断面図である。半導体基板1とn型クラッド層2との間に、屈折率の異なる結晶を相互に積層した多層反射層13が配置されている。多層反射層13は、例えばAlGaInP又はAlGaAsの多層膜である。2次の回折格子6から半導体基板1側に出た光を多層反射層13により反射させることで、上面からの発光効率を向上させることができる。実施の形態5.図10は、本発明の実施の形態5に係る面発光レーザダイオードを示す断面図である。活性領域7の側面にハーフミラーコート14が設けられている。ハーフミラーコート14は、活性領域7内部からの光を反射し、外部からの光を透過する。また、半導体基板1上に他のレーザダイオード15を集積する。これにより、他のレーザダイオード15からの光を活性領域7内に取り込むことができるため、更に高出力で面発光させることができる。なお、実施の形態1~5に係る面発光レーザダイオードは、2次の回折格子6が活性領域7の一部に設けられたDBRDistributedBraggReflector構造である。しかし、これに限らず、2次の回折格子6が活性領域7の全域に設けられているDFBDistributedFeedback構造でもよい。また、p型クラッド層4内に2次の回折格子6が設けられているが、これに限らずn型クラッド層2内に2次の回折格子6が設けられていてもよい。実施の形態6.図11は、本発明の実施の形態6に係る面発光レーザダイオードを示す断面図である。p型クラッド層4内に光ガイド層16を設け、その光ガイド層16内に2次の回折格子6が設けられている。その他の構成は実施の形態1と同様である。この構成でも同様の効果を得ることができる。なお、実施の形態2~5において同様に光ガイド層16を設け、その光ガイド層16内に回折格子6,11を設けてもよい。また、実施の形態1~6において活性層構造等の細かいエピ構造を記述しなかったが、活性層の構造は、量子井戸構造のSQWシングルカンタムウエル構造でもMQWマルチカンタムウエル構造でもよい。また、クラッド層とコンタクト層の間のバンドギャップを緩和するためのバンド不連続緩和層を有する構造でもよい。"