"基準点に加えられた外圧の方向と大きさを検出する検出装置であって、前記基準点の周りに複数配置された第1容量電極、を有する第1基板と、前記第1容量電極を挟んで前記第1基板と対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された、弾性体若しくは流体からなる誘電体と、前記第1基板と前記第2基板との間において前記誘電体を挟んで前記第1容量電極と対向配置された第2容量電極と、前記基準点と重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が前記第2基板に当接した状態で弾性変形する弾性体突起、が形成された第3基板と、を備えることを特徴とする検出装置。外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより変化する、前記第1容量電極と前記第2容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置を備えることを特徴とする請求項1に記載の検出装置。前記容量検出素子は、前記弾性体突起の弾性変形による静電容量値の変化と前記誘電体の変形による静電容量値の変化とを分けて検出可能になっていることを特徴とする請求項2に記載の検出装置。前記複数の第1容量電極は、前記基準点に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の検出装置。前記複数の第1容量電極は、互いに直交する2方向にマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の検出装置。前記第2容量電極は、前記第2基板に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。前記第2容量電極は、前記第1基板の前記基準点と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。前記複数の第1容量電極は、互いに直交する2方向に少なくとも4行4列に配置されていることを特徴とする請求項6または7に記載の検出装置。前記弾性体突起は前記第3基板に複数形成されており、前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の検出装置。前記第1基板と前記第2基板の間には、少なくとも隣接する前記弾性体突起の境界に、前記第1基板と前記第2基板との間の距離を一定に保つスペーサーが配置されていることを特徴とする請求項9に記載の検出装置。前記第3基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第3基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていることを特徴とする請求項9または10に記載の検出装置。請求項1~11のいずれか1項に記載の検出装置を備えることを特徴とする電子機器。請求項1~11のいずれか1項に記載の検出装置を備えることを特徴とするロボット。基板の測定面にかかる外圧の方向を検出する検出装置であって、前記基板は、第1及び第2の電極が配置された第1基板と、第3の電極が配置された第2基板と、弾性体突起が配置された第3基板とからなり、前記第1及び第2の電極が配置された前記第1基板の面と前記第3の電極が配置された第2基板の面とが誘電体を介して向かい合うように、前記第1基板と第2基板とが配置され、前記弾性体突起が配置された前記第3基板の面と前記第2基板とが向かい合うように、前記第3基板と前記第2基板とが配置されたことを特徴とする検出装置。前記測定面に前記外圧がかかった際に、前記弾性体突起が前記第2基板を押圧することで前記誘電体の厚みが変化し、前記誘電体の厚みの変化に応じて変化する前記第1及び第2の電極から検出される電流値の差分に基づいて、前記測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項14に記載の検出装置。前記第1及び第2の電極で検出される電流値に基づいて、前記基板の測定面にかかる外圧の大きさを検出することを特徴とする請求項15記載の検出装置。前記第1及び第2の電極の配置位置に応じた補正係数に基づいて、前記基板の測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項15または16に記載の検出装置。請求項14~17のいずれか一項に記載の検出装置を備えることを特徴とする電子機器。請求項14~17のいずれか一項に記載の検出装置を備えることを特徴とするロボット。基板の測定面にかかる外圧の方向を検出する検出装置であって、前記基板は、第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極のそれぞれに隣り合う位置に配置された第3の電極とを備えた第1基板と、第2基板と、弾性体突起が配置された第3基板とからなり、前記第1及び第2の電極と前記第3の電極が配置された前記第1基板の面と第2基板とが誘電体を介して向かい合うように、前記第1基板と第2基板とが配置され、前記弾性体突起が配置された前記第3基板の面と前記第2基板とが向かい合うように、前記第3基板と前記第2基板とが配置されたことを特徴とする検出装置。特許文献1の検出装置は、裏面に錘状突起が略均一に配置された受圧シートを用い、その突起の変形量から圧力分布を検出する構成となっている。しかしながら、特許文献1の検出装置では、測定面にかかる圧力の面内方向の力すべり力を測定することができない。特許文献2の検出装置は、受圧シートの表面に複数の柱状突起を格子状に配置し、これら表面突起の周辺部を等分した個所の裏面に円錐状の突起を設けた構成となっている。特許文献2の検出装置では、外圧を3次元の力ベクトルとして検出することは可能であるが、突起の変形の度合いで外圧の検出限界が決まってしまう。特許文献3の検出装置は、静電容量を検出するセンシング領域を備えた素子基板と対向基板との間に誘電体層を設け、その変形による静電容量の変化から圧力の変化を検出する構成となっている。しかしながら、特許文献3の検出装置では、測定面にかかる外圧の面内方向の力すべり力を測定することができない。以上のように、特許文献1~3の検出装置では、いずれも外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができなかった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置、電子機器及びロボットを提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明の検出装置は、基準点に加えられた外圧の方向と大きさを検出する検出装置であって、前記基準点の周りに複数配置された第1容量電極、を有する第1基板と、前記第1容量電極を挟んで前記第1基板と対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された、弾性体若しくは流体からなる誘電体と、前記第1基板と前記第2基板との間において前記誘電体を挟んで前記第1容量電極と対向配置された第2容量電極と、前記基準点と重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が前記第2基板に当接した状態で弾性変形する弾性体突起、が形成された第3基板と、を備えることを特徴とする。この検出装置によれば、弾性体突起と誘電体との2段構成により、特許文献1や特許文献2の検出装置に比べて、外圧の方向の検出精度を高めることができる。第3基板の表面に所定の方向の外圧が付加されると、弾性体突起はある程度の厚みまで圧縮変形する。付加される外圧が大きくなると、弾性体突起はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起に臨界点を越えた外圧が作用すると、誘電体が柔軟に変形する。このため、弾性体突起が変形しうる臨界点以上の大きさの外圧を検出することができる。また、弾性体突起は、所定方向の外圧により変形に偏りが生じる。すなわち、外圧に面内の所定方向のすべり力成分がある場合、弾性体突起の重心は基準点からずれて所定方向すべり方向に移動する。すると、弾性体突起の重心が移動した部分の誘電体の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。よって、演算装置により、各容量検出素子で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを求めることがでる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置を提供することができる。前記検出装置において、外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより変化する、前記第1容量電極と前記第2容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と大きさを演算する演算装置を備えていてもよい。前記検出装置において、前記容量検出素子は、前記弾性体突起の弾性変形による静電容量値の変化と前記誘電体の変形による静電容量値の変化とを分けて検出可能になっていてもよい。この検出装置によれば、容量検出素子が弾性体突起の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体の変形による静電容量値の変化とを一括して検出する場合に比べて、外圧を検出することが容易となる。例えば、弾性体突起が臨界点を迎えるまで誘電体がほとんど変形しないとすると、弾性体突起の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化のみを検出すれば外圧が加えられた方向と外圧の大きさを求めることができる。したがって、各容量検出素子の静電容量値の差分を演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。前記検出装置において、前記複数の第1容量電極は、前記基準点に対して点対称に配置されていてもよい。この検出装置によれば、基準点と各第1容量電極との間の距離が互いに等しくなるので、弾性体突起の変形量と各第1容量電極と第2容量電極とを含んで構成される各容量検出素子が検出する静電容量値との関係が互いに等しくなる。例えば、複数の第1容量電極が基準点から互いに異なる距離に配置される場合、弾性体突起の変形量が同じであっても、各容量検出素子が検出する静電容量値は互いに異なることとなる。このため、検出容量の差分を演算する際に各第1容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。しかしながら、この構成によれば、弾性体突起の変形量と各容量検出素子が検出する静電容量値が互いに等しくなるので、前記補正係数は不要となる。したがって、各容量検出素子の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。前記検出装置において、前記複数の第1容量電極は、互いに直交する2方向にマトリックス状に配置されていてもよい。この検出装置によれば、各第1容量電極と第2容量電極とを含んで構成される各容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となる。前記検出装置において、前記第2容量電極は、前記第2基板に配置されていてもよい。この検出装置によれば、第1容量電極及び第2容量電極が同一の基板に配置される場合に比べて、第1容量電極と第2容量電極との間に印加される電界のベクトル成分が誘電体の厚み方向と平行な方向の成分を多く含むこととなる。つまり、第1容量電極と第2容量電極との間に印加される電界のベクトル成分は、外圧が加えられる方向とほぼ同じとなる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。前記検出装置において、前記第2容量電極は、前記第1基板の前記基準点と重なる位置に配置されていてもよい。この検出装置によれば、第1容量電極及び第2容量電極を同一の工程で形成することが可能となる。したがって、製造工程を簡略化することができ、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。また、製造プロセス中の加熱工程などにおいて第2基板に反り等が生じることを抑制することができるので、外圧の検出精度を向上させることができる。また、弾性体突起の変形の過程において電極間の距離を一定に保つことができるので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。前記検出装置において、前記複数の第1容量電極は、互いに直交する2方向に少なくとも4行4列に配置されていてもよい。この検出装置によれば、配置される第1容量電極の数が多くなる。このため、多数の容量検出素子で検出される静電容量に基づいて各容量検出素子の検出結果を積算して外圧の作用する方向を求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。前記検出装置において、前記弾性体突起は前記第3基板に複数形成されており、前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていてもよい。この検出装置によれば、弾性体突起が弾性変形したときの第3基板本体の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。例えば、一方の弾性体突起が変形したときに他方の弾性体突起に変形の影響を及ぼすことを抑制することができる。このため、複数の弾性体突起が互いに接触して配置されている場合に比べて、外圧を正確に誘電体に伝達することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。前記検出装置において、前記第1基板と前記第2基板の間には、少なくとも隣接する前記弾性体突起の境界に、前記第1基板と前記第2基板との間の距離を一定に保つスペーサーが配置されていてもよい。この検出装置によれば、外圧はスペーサーで囲まれた単位検出領域毎に作用することとなる。このため、スペーサーで囲まれた単位検出領域においては、他の単位検出領域との間で相互作用を及ぼし合うことなく、別個独立して外圧を検出することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。前記検出装置において、前記第3基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第3基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていてもよい。この検出装置によれば、例えば、外圧が2つの隣り合う弾性体突起の間の領域に作用する場合、補強部材が無いときに比べて2つの隣り合う弾性体突起が互いに反対の方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。つまり、外圧の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。本発明の電子機器は、上述した検出装置を備えることを特徴とする。この電子機器によれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な電子機器を提供することができる。本発明のロボットは、上述した検出装置を備えることを特徴とする。このロボットによれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能なロボットを提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。以下の説明においては、図1中に示されたXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸が第1基板10に対して平行な方向に設定され、Z軸が第1基板10に対して直交する方向に設定されている。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る検出装置1の概略構成を示す分解斜視図である。図1においては、便宜上、誘電体40図7参照の図示を省略している。図1において、符号Pは基準点、符号Sは1つの弾性体突起32に対応して配置された複数の容量検出素子S1~S4第1容量電極12と第2容量電極22と誘電体40とで構成される素子が検出する単位検出領域を示している。検出装置1は、基準点に加えられた外圧の方向を検出する静電容量方式のタッチパッドであり、例えばノートパソコン等の電子機器においてマウスの代わりのポインティングデバイスとして用いられるものである。なお、基準点とは、すべり力が作用していない場合に弾性体突起の中心が位置するポイントである。図1に示すように、検出装置1は、基準点Pの周りに複数配置された第1容量電極12、を有する第1基板10と、第1容量電極12を挟んで第1基板10と対向配置された第2基板20と、第1基板10と第2基板20との間に配置された誘電体40図7参照と、基準点Pに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が第2基板20に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32、が形成された第3基板30と、を備えている。検出装置1は、外圧によって弾性体突起32が弾性変形することにより変化する複数の容量検出素子S1~S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置図示略を備えている。容量検出素子は、弾性体突起32の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体40の変形による静電容量値の変化とを分けて検出することが可能になっている。なお、本実施形態では、第1基板10に第1容量電極12が配置され、第2基板20に第2容量電極22が配置されている。つまり、第1容量電極12と第2容量電極22との間の誘電体40に縦方向Z方向の電界を印加させる縦電界方式を採用している。第1基板10は、例えばガラス、石英及びプラスチック等の材料で構成された矩形板状の第1基板本体11と、第1基板本体11に配置された複数の第1容量電極12と、を具備して構成されている。例えば、第1基板本体11の大きさ平面視のサイズは、縦56mm×横56mm程度になっている。複数の第1容量電極12は、基準点Pに対して点対称に配置されている。例えば、複数の第1容量電極12は、互いに直交する2方向X方向及びY方向にマトリックス状に配置されている。これにより、基準点Pと各第1容量電極12との間の距離が互いに等しくなるので、各第1容量電極12と第2容量電極22とを含んで構成される各容量検出素子S1~S4が検出する静電容量値が互いに等しくなる。よって、各容量検出素子S1~S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子S1~S4の静電容量値の差分を演算することが容易となる。なお、静電容量値の差分の演算方法については後述する。隣り合う第1容量電極12の間隔は、0.1mm程度になっている。このため、外乱や静電気等の影響により隣り合う位置の容量検出素子S1~S4で検出される静電容量の値にノイズがのらないようになっている。複数の第1容量電極12は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている。4つの第1容量電極12の中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっている。例えば、単位検出領域Sの大きさ平面視のサイズは、縦2.8mm×横2.8mm程度になっている。また、4つの第1容量電極12の各面積がほぼ等しくなっている。第1容量電極12の形成材料としては、例えばアルミニウムAl等の金属材料を用いることができる。第2基板20は、例えばプラスチック等の材料で構成された矩形板状の第2基板本体21と、第2基板本体21に配置された第2容量電極22と、を具備して構成されている。第2基板本体21は、接触面に外圧が作用したときに可撓性を有する程度の厚さに形成されている。なお、第2基板本体21は平面視において第1基板本体11と同じサイズに形成されている。第2容量電極22は、複数の第1容量電極12の全体と重なる位置に配置されている。具体的には、第2容量電極22は、第2基板本体21の下面の露出する部位全体に亘って形成されている。第2容量電極22の形成材料としては、第1容量電極12と同様に、例えばアルミニウムAl等の金属材料を用いることができる。誘電体40図7参照は、第1基板10と第2基板20との間に配置された、弾性体若しくは流体からなるものである。誘電体40の形成材料としては、例えば、ゴム等の弾性体を用いることもできるし、シリコンオイルや液晶等の流体を用いることもできる。第1基板10と第2基板20との間には、第1基板10と第2基板20との間の距離を一定に保つスペーサー図示略が複数配置されている。複数のスペーサーは、弾性体突起32がマトリックス状に配置された領域の外周部に配置される。これにより、誘電体40は、第1基板10と第2基板との間においてZ方向に一定の厚みを有して構成されている。第3基板30は、矩形板状の第3基板本体31と、第3基板本体31に配置された複数の弾性体突起32と、を具備して構成されている。第3基板本体31は、外圧を直接受ける部分である。第3基板本体31は、例えばガラス、石英及びプラスチック等の材料で構成することもできるし、発泡ウレタン樹脂等の樹脂材料で構成することもできる。本実施形態では、第3基板本体31及び弾性体突起32の形成材料として樹脂材料を用い、第3基板本体31及び弾性体突起32を金型で一体形成している。複数の弾性体突起32は、第3基板本体31上においてX方向及びY方向にマトリックス状に配置されている。弾性体突起32の先端部は、球面の錘状となっており、第2基板本体21に当接している。弾性体突起32の重心は、基準点Pと重なる位置に配置されている。また、複数の弾性体突起32は、互いに離間して配置されている。このため、弾性体突起32が弾性変形したときの第3基板本体31の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。弾性体突起32のサイズは任意に設定することができる。ここでは、弾性体突起32の基部の径弾性体突起32が第3基板本体31に接する部分の直径は1.8mm程度になっている。弾性体突起32の高さ弾性体突起32のZ方向の距離は2mm程度になっている。隣り合う弾性体突起32の離間間隔は1mm程度になっている。弾性体突起32のデュロメーター硬さタイプA、ISO7619準拠のデュロメーターによる硬さ測定値は30程度になっている。図2は、容量検出素子を用いて外圧を検出するセンシング回路の等価回路図である。なお、図2において、符号Clは容量検出素子図1に示す符号S1~S4を示している。センシング回路60は、リセットトランジスター61と、増幅トランジスター62と、選択トランジスター63と、基準容量素子Crと、容量検出素子Clと、を備えている。容量検出素子Clは、第1容量電極12と第2容量電極22とを含み、第2容量電極22には共通電位Vcomが供給される。リセットトランジスター61のドレインは電源線70に接続されている。リセットトランジスター61のソースは増幅トランジスター62のゲートに接続されている。電源線70には電源電位VRHが供給される。リセットトランジスター61のゲートは第1制御線72に接続されている。第1制御線72にはリセット信号RESが供給される。増幅トランジスター62のドレインは電源線70に接続されている。増幅トランジスター62のソースは選択トランジスター63のドレインに接続されている。増幅トランジスター62のゲートと第1制御線72との間には基準容量素子Crが設けられている。また、増幅トランジスター62のゲートは容量検出素子Clの第1容量電極12と接続されている。選択トランジスター63のソースは検出線74に接続されている。選択トランジスター63のゲートは第2制御線76に接続されている。第2制御線76には選択信号SELが供給される。回路動作次に、センシング回路60の動作を図3~図6を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係るセンシング回路60の動作を示すタイミングチャートである。図4は、リセット期間におけるセンシング回路60の動作を示す説明図である。図5は、センシング期間におけるセンシング回路60の動作を示す説明図である。図6は、読出期間におけるセンシング回路60の動作を示す説明図である。図3に示すように、センシング回路60は、リセット期間Tres、センシング期間Tsen、及び読出期間Toutを一単位として動作する。リセット期間先ず、リセット期間Tresにおいて、第1制御線72に供給されるリセット信号RESのレベルは電位VDに設定される。すなわち、リセット期間Tresにおいては、リセット信号RESのレベルはハイレベルに設定され、リセットトランジスター61はオン状態となる。一方、第2制御線76に供給される選択信号SELはローレベルに設定され、選択トランジスター63はオフ状態となる。すると、図4に示すように、増幅トランジスター62のゲート電位VAは電源電位VRHに設定リセットされる。また、容量検出素子Clの第1容量電極12にも電源電位VRHが供給され、容量検出素子Clの第1容量電極12と第2容量電極22との間の電圧はVRH-Vcomに設定される。センシング期間次に、リセット期間Tres経過後の次の期間であるセンシング期間Tsenにおいては、リセット信号RESのレベルがVDからGND=0Vに変化する。すると、図5に示すように、リセットトランジスター61はオフ状態となる。また、センシング期間Tsenにおいては、選択信号SELはローレベルに設定され、選択トランジスター63はオフ状態となる。増幅トランジスター62のゲートのインピーダンスは十分に高いため、センシング期間Tsenにおいては、増幅トランジスター62のゲートは電気的にフローティング状態となる。基準容量素子Crの一方の電極は第1制御線72に接続されているため、第1制御線72に供給されるリセット信号RESのレベルがVDからGNDに変化する。すると、それに応じて増幅トランジスター62のゲートの電位VAも変化する。このときのゲートの電位VAの変化量は、基準容量素子Crと容量検出素子Clとの容量比に応じた値となる。読出期間センシング期間Tsenの次の期間である読出期間Toutにおいては、選択信号SELがローレベルからハイレベルに変化する。すると、図6に示すように、選択トランジスター63がオン状態となる。これにより、増幅トランジスター62のゲートの電位VAに応じた大きさの検出電流Itが検出線74を流れる。この検出電流Itは、対象物例えば指と検出装置1との接触を検出する検出回路図示略へ供給される。センシング期間Tsenにおいて容量検出素子Clの容量値が変化すると、それに応じて増幅トランジスター62のゲートの電位VAも変化する。したがって、対象物が検出装置1に接触していない状態のときに読出期間Tsenで出力される検出電流Itの値と、対象物が検出装置1に接触したときに読出期間Tsenで出力される検出電流Itの値とは異なる。ここで、対象物が検出装置1に接触していない状態における容量検出素子Clの容量値をClc、対象物が検出装置1に接触したときの容量検出素子Clの容量値の変化量をΔClc、基準容量素子Crの容量値をCref、第1制御線72の電位変化をΔV=VDとすると、対象物が検出装置1に接触したときの増幅トランジスター62のゲートの電位VAの変化量ΔVAは、以下に示す式1で表される。ただし、式1において寄生容量は無視している。検出回路図示略は、検出電流It検出信号に相当の値に基づいて対象物と検出装置1との接触を検出する。対象物が検出装置1に接触したときのゲートの電位VAの変化量ΔVAが大きいほど、非接触時における検出電流Itの値と接触時における検出電流Itの値との差が大きくなり、検出感度も高くなる。図7及び図8は、基準点Pに作用する外圧の方向と大きさを検出する方法の説明図である。図7a~cは、第1実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。図8a~cは、図7a~cに対応した、第1実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。なお、図7a及び図8aは第3基板30の表面に外圧が付加される前の状態外圧の作用がないときを示している。図7b及び図8bは第3基板30の表面に垂直方向すべり力がない状態の外圧が付加された状態を示している。図7c及び図8cは第3基板30の表面に斜め方向すべり力がある状態の外圧が付加された状態を示している。また、図8a~cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心圧力中心を示している。図7a及び図8aに示すように、第3基板30の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離は一定に保たれる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。このときの各容量検出素子S1~S4の静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子S1~S4の静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。図7b及び図8bに示すように、第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。弾性体突起32は、外圧の大きさに応じて圧縮変形する。外圧が大きくなると、弾性体突起32はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起32に臨界点を越えた外圧が作用すると、誘電体40がZ方向に柔軟に変形する。このため、弾性体突起32が変形しうる臨界点以上の大きさの外圧を検出することができる。図7c及び図8cに示すように、第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。また、第2基板20の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この場合、弾性体突起32の先端部と4つの第1容量電極12との重なる面積は互いに異なる。具体的には、弾性体突起32の先端部と4つの第1容量電極12との重なる面積は、4つの第1容量電極12のうち-X方向及び-Y方向に配置された部分と重なる面積よりもX方向及びY方向に配置された部分と重なる面積のほうが大きくなる。弾性体突起32は、外圧の大きさに応じて斜めに圧縮変形し、外圧が大きくなるとこれ以上変形しない臨界点を迎える。また、弾性体突起32は、斜め方向の外圧により変形に偏りが生じる。すなわち、弾性体突起32の重心は基準点Pからずれてすべり方向X方向及びY方向に移動する。すると、弾性体突起32の重心が移動した部分の誘電体40の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起32の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起32の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。そして、後述する差分の演算方法に基づいて外圧が加えられた方向と大きさが求められる。図9は、第1実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。図10は、第1実施形態に係る容量検出素子による垂直方向の圧力分布を示す図である。図11は、第1実施形態に係る容量検出素子によるすべり方向の計算例を示す図である。図9に示すように、複数の容量検出素子S1,S2,S3,S4は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている。ここで、各容量検出素子S1,S2,S3,S4が検出する静電容量値検出値をそれぞれPS1,PS2,PS3,PS4とすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力の割合は以下の式2で表される。また、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力の割合は以下の式3で表される。また、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は以下の式4で表される。本実施形態では、外圧によって弾性体突起が弾性変形することにより変化する4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と大きさが演算される。式2に示すように、外圧のX方向成分Fxにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうちX方向に配置された容量検出素子S2及びS4が組み合わされるとともに、-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3が組み合わされる。このように、X方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせによる静電容量値と-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のX方向成分が求められる。式3に示すように、外圧のY方向成分Fyにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうちY方向に配置された容量検出素子S1及びS2が組み合わされるとともに、-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4が組み合わされる。このように、Y方向に配置された容量検出素子S1及びS2の組み合わせによる静電容量値と-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のY方向成分が求められる。式4に示すように、外圧のZ方向成分Fzにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値を足し合わせた合力で求められる。ただし、外圧のZ方向成分Fzは、外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fy分力に比べて検出値が大きく検出される傾向がある。例えば、弾性体突起32の材質として硬いものを用いたり、先端部の形状を先鋭にしたりすると、外圧の検出感度が高くなる。しかしながら、弾性体突起32の材質として硬いものを用いると弾性体突起32が変形しにくくなり外圧の面内方向の検出値が小さくなってしまう。また、弾性体突起32の先端部の形状を先鋭にすると接触面を指で触ったときのタッチ感に強い感度違和感を与える場合がある。このため、外圧のZ方向成分Fzの検出値を、外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fyの検出値と揃えるには、弾性体突起32の材質や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。図10に示すように、タッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押した場合を考える。このとき、外圧の垂直方向の圧力は、外圧が作用した部分の中心部が最も大きくなっている90~120mV程度。また、外圧の垂直方向の圧力は、中心部に次いでその周辺部60~90mV程度、最外周部30~60mV程度の順に小さくなっている。また、指で押されていない領域は、0~30mV程度となっている。なお、タッチパッドには単位検出領域容量検出素子S1~S4が縦2行横2列に計4つ配置された領域がマトリックス状例えば縦15行×横15列に計225個に配置されているとする。図11に示すように、タッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押した場合の外圧の面内方向成分すべり方向の算出方法を考える。このとき、指の押圧力外力は、縦15行×横15列に配置されたものうち縦3行×横3列に配置された部分に作用しているとする。ここで、外圧の垂直方向の圧力は、図10と同様に外圧が作用した部分の中心部がもっとも大きくなっている110mV。縦3行×横3列に配置された各単位検出領域は、それぞれ4つの容量検出素子S1~S4を有しており、各容量検出素子S1~S4で検出された静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子S1~S4の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向が演算される。つまり、各単位検出領域では、上述した式2及び式3に基づいて外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fyが算出される。ここでは、X方向を基準として左回りに約123°の方向に外圧が作用していることが分かる。なお、外圧の作用する方向の算出にあっては、9つの算出結果の平均値で求める方法、あるいは9つの算出結果のうちの最大値例えば所定のしきい値よりも大きい検出値により求める方法を用いることができる。本実施形態の検出装置1によれば、弾性体突起と誘電体との2段構成により、特許文献1や特許文献2の検出装置に比べて、外圧の方向の検出精度を高めることができる。第3基板30の表面に所定の方向の外圧が付加されると、弾性体突起32はある程度の厚みまで圧縮変形する。付加される外圧が大きくなると、弾性体突起32はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起32に臨界点を越えた外圧が作用すると、誘電体40が柔軟に変形する。このため、弾性体突起32が変形しうる臨界点以上の大きさの外圧を検出することができる。また、弾性体突起32は、所定方向の外圧により変形に偏りが生じる。すなわち、外圧に面内の所定方向のすべり力成分がある場合、弾性体突起32の重心は基準点からずれて所定方向すべり方向移動する。すると、弾性体突起32の重心が移動した部分の誘電体40の厚みが相対的に薄くなる。つまり、各容量検出素子S1~S4で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起32の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起32の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。よって、演算装置により、各容量検出素子S1~S4で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置1を提供することができる。この検出装置によれば、各容量検出素子S1~S4が弾性体突起32の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化と誘電体40の変形による静電容量値の変化とを分けて検出するので、それらを一括して検出する場合に比べて、外圧を検出することが容易となる。例えば、弾性体突起32が臨界点を迎えるまで誘電体がほとんど変形しないとすると、その間は弾性体突起32の弾性変形の弾性変形による静電容量値の変化のみを検出すれば外圧が加えられた方向と外圧の大きさを求めることができる。したがって、各容量検出素子S1~S4の静電容量値の差分を演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。この構成によれば、複数の第1容量電極12が基準点Pに対して点対称に配置されているので、弾性体突起32の変形量と基準点Pと各第1容量電極12との間の距離との関係が互いに等しくなる。このため、各第1容量電極12と第2容量電極22とを含んで構成される各容量検出素子S1~S4が検出する静電容量値が互いに等しくなる。例えば、複数の第1容量電極が基準点から互いに異なる距離に配置される場合、弾性体突起32の変形量が同じであっても、各容量検出素子S1~S4が検出する静電容量値は互いに異なることとなる。このため、検出容量の差分を演算する際に各第1容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。しかしながら、この構成によれば、弾性体突起32の変形量と各容量検出素子S1~S4が検出する静電容量値が互いに等しくなるので、前記補正係数は不要となる。したがって、各容量検出素子S1~S4の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。この構成によれば、複数の第1容量電極12が互いに直交する2方向にマトリックス状に配置されているので、各第1容量電極12と第2容量電極22とを含んで構成される各容量検出素子S1~S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子S1~S4の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となる。例えば、面内方向成分のうちX方向成分を演算する場合、複数の第1容量電極12が複数の方向にランダムに配置されている場合に比べて、相対的にX方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせと相対的に-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせとを区分けして選出しやすくなる。したがって、外圧を効率よく検出することができる。この構成によれば、第2容量電極22が第2基板に配置されているので、第1容量電極12及び第2容量電極22が同一の基板に配置される場合に比べて、第1容量電極12と第2容量電極22との間に印加される電界は誘電体40の厚み方向と平行な方向の成分を多く含むこととなる。つまり、第1容量電極12と第2容量電極22との間に印加される電界のベクトル成分は、外圧が加えられる方向とほぼ同じとなる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。この構成によれば、複数の弾性体突起32が互いに離間して配置されているので、弾性体突起32が弾性変形したときの第3基板本体31の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。例えば、一方の弾性体突起32が変形したときに他方の弾性体突起32に変形の影響を及ぼすことを抑制することができる。このため、複数の弾性体突起32が互いに接触して配置されている場合に比べて、外圧を正確に誘電体40に伝達することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。なお、本実施形態においては、第1容量電極12が単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。第1容量電極12は、単位検出領域S当たり3つ以上配置されていればよい。第2実施形態図12は、図1に対応した、本発明の第2実施形態に係る検出装置2の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図12においては、便宜上、誘電体40図13参照の図示を省略している。また、図12において、符号Pは基準点、符号Sは1つの弾性体突起32に対応して配置された複数の容量検出素子Si第1容量電極112と第2容量電極22と誘電体40とで構成される素子が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置2は、複数の第1容量電極112が互いに直交する2方向に少なくとも縦4行横4列に配置されている点で、上述の第1実施形態で説明した検出装置1と異なる。図12において、図1と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。なお、図12においては、便宜上、複数の第1容量電極112が単位検出領域S当たり縦4行横4列に配置されているが、実際には図13及び図14に示すように複数の第1容量電極112が単位検出領域S当たり縦4行横4列以上に配置されていてもよいものとする。図12に示すように、検出装置2は、基準点Pの周りに複数配置された第1容量電極112、を有する第1基板110と、第1容量電極112を挟んで第1基板110と対向配置された第2基板20と、第1基板10と第2基板20との間に配置された誘電体40図13参照と、基準点Pに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が第2基板20に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32、が形成された第3基板30と、を備えている。複数の第1容量電極112は、互いに直交する2方向X方向及びY方向に少なくとも縦4行横4列に計16個配置されている。具体的には、複数の第1容量電極112は、単位検出領域S当たり少なくとも縦4行横4列に計16個配置されている。これら16個の第1容量電極112の中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっている。図13a~cは、図7a~cに対応した、第2実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。図14a~cは、図13a~cに対応した、第2実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。なお、図13a及び図14aは第3基板30の表面に外圧が付加される前の状態外圧の作用がないときを示している。図13b及び図14bは第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図13c及び図14cは第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。また、図14a~cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心を示している。図13及び図14において、図7及び図8と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図13a及び図14aに示すように、第3基板30の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離は一定に保たれる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。このときの各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。図13b及び図14bに示すように、第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなっている。図13c及び図14cに示すように、第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。また、第2基板20の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この場合、弾性体突起32の先端部と複数の第1容量電極112との重なる面積の割合は、-X方向及び-Y方向に配置された部分と重なる面積よりもX方向及びY方向に配置された部分と重なる面積のほうが重なる面積の割合が大きくなる。図15は、図9に対応した、第2実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。なお、図15において、複数の容量検出素子Si100個がマトリックス状に配置されており、このうちの25の容量検出素子Siがそれぞれ-X方向及びY方向に区画された領域、X方向及びY方向に区画された領域、-X方向及び-Y方向に区画された領域、X方向及び-Y方向に区画された領域に配置されている。また、図15においては、便宜上、100個の容量検出素子Siを図示しているが、容量検出素子Siの配置数はこれに限らず任意に変更することができる。図15に示すように、複数の容量検出素子Siは、単位検出領域S当たり縦10行横10列に計100個配置されている。ここで、各容量検出素子Siが検出する静電容量値検出値をそれぞれPii=1~100、基準点Pと各第1容量電極112との間の距離の面内方向成分をrii=1~100とする。また、面内方向成分のうちX方向成分をrxii=1~100、面内方向成分のうちY方向成分をryii=1~100とすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力の割合は以下の式5で表される。また、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力の割合は以下の式6で表される。また、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は以下の式7で表される。本実施形態では、外圧によって弾性体突起が弾性変形することにより変化する100個の容量検出素子Siの静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Siの静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向が演算される。式5に示すように、外圧のX方向成分Fxにおいては、100個の容量検出素子Siの静電容量値のうち相対的にX方向に配置された容量検出素子Siが組み合わされるとともに、相対的に-X方向に配置された容量検出素子Siが組み合わされる。このように、相対的にX方向に配置された容量検出素子Siの組み合わせによる静電容量値と相対的に-X方向に配置された容量検出素子Siの組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のX方向成分が求められる。式6に示すように、外圧のY方向成分Fyにおいては、100個の容量検出素子Siの静電容量値のうち相対的にY方向に配置された容量検出素子Siが組み合わされるとともに、相対的に-Y方向に配置された容量検出素子Siが組み合わされる。このように、相対的にY方向に配置された容量検出素子Siの組み合わせによる静電容量値と相対的に-Y方向に配置された容量検出素子Siの組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のY方向成分が求められる。式7に示すように、外圧のZ方向成分Fzにおいては、100個の容量検出素子Siの静電容量値を足し合わせた合力で求められる。ただし、外圧のZ方向成分Fzは、外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fyに比べて検出値が大きく検出される傾向がある。このため、外圧のZ方向成分Fzの検出値を、外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fyの検出値と揃えるには、弾性体突起32の材質や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。なお、外圧の作用する方向の算出にあっては、100個の容量検出素子Siによる静電容量値の算出結果の平均値で求める方法あるいは100個の容量検出素子Siによる静電容量値の算出結果のうちの最大値例えば所定のしきい値よりも大きい検出値により求める方法を用いることができる。本実施形態の検出装置2によれば、複数の第1容量電極112が互いに直交する2方向に少なくとも縦4行横4列に配置されているので、配置される第1容量電極112の数が多くなる。このため、多数の容量検出素子Siで検出される静電容量に基づいて各容量検出素子Siの検出結果を積算して外圧の作用する方向と大きさを求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。第3実施形態図16は、図12に対応した、本発明の第3実施形態に係る検出装置3の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図16においては、便宜上、誘電体40図17参照の図示を省略している。また、図16において、符号Pは基準点、符号Sは1つの弾性体突起32に対応して配置された複数の容量検出素子Si第1容量電極112と第2容量電極22と誘電体40とで構成される素子が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置3は、第1基板110と第2基板20の間において少なくとも隣接する弾性体突起32の境界にスペーサー50が配置されている点で、上述の第2実施形態で説明した検出装置2と異なる。図16において、図12と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図16に示すように、検出装置3は、基準点Pの周りに複数配置された第1容量電極112、を有する第1基板110と、第1容量電極112を挟んで第1基板110と対向配置された第2基板20と、第1基板10と第2基板20との間に配置された誘電体40図13参照と、基準点Pに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が第2基板20に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32、が形成された第3基板30と、第1基板110と第2基板20の間において少なくとも隣接する弾性体突起32の境界に配置されたスペーサー50と、を備えている。スペーサー50は、円柱形状となっており、隣接する弾性体突起32の境界に配置されている。スペーサー50の配置構成は、前記境界の交差する領域に配置されていてもよいし、前記境界を埋めつくすよう例えば枠状形状するなど、単位検出領域Sの周囲全体に亘って配置されていてもよい。ここでは、スペーサー50は前記境界の交差する領域に配置されている。つまり、スペーサー50は単位検出領域Sの4隅に配置されている。図17a~cは、図13a~cに対応した、第3実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。なお、図17aは第3基板30の表面に外圧が付加される前の状態外圧の作用がないときを示している。図17bは第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図17cは第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。図17において、図13と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図17aに示すように、第3基板30の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起32は変形していない。これにより、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離は一定に保たれる。このときの各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。図17bに示すように、第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。ところで、スペーサーを弾性体突起が圧縮変形したときの面積よりも狭い距離で配置すると、基板の撓みやすいところと撓みにくいところで変形の度合いで検出値のむらが生じやすくなることが知られている。本実施形態では、スペーサー50を弾性体突起が圧縮変形したときの面積よりも広い距離で配置している。このため、第2基板20の撓みはスペーサー50で囲まれた領域内で生じる。つまり、外圧はスペーサー50で区画された単位検出領域毎に作用することとなる。例えば、指で検出装置3を垂直方向に押した場合、押圧ポイント以外のところで垂直方向の外圧が検出されることを抑制することができる。図17cに示すように、第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。また、第2基板20の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。また、第2基板20の撓みはスペーサー50で囲まれた領域内で生じる。つまり、外圧はスペーサー50で区画された単位検出領域毎に作用することとなる。例えば、指で検出装置3を斜め方向に押した場合、押圧ポイント以外のところで斜め方向の外圧が検出されることを抑制することができる。また、第2基板20がスペーサー50で固定されるので、外力が作用したときに第2基板20がつられて移動してしまうことを抑制することもできる。本実施形態の検出装置3によれば、第1基板110と第2基板20の間に少なくとも隣接する弾性体突起32の境界にスペーサー50が配置されているので、外圧はスペーサー50で囲まれた単位検出領域毎に作用することとなる。このため、スペーサー50で囲まれた単位検出領域においては、他の単位検出領域との間で相互作用を及ぼし合うことなく、別個独立して外圧を検出することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。第4実施形態図18は、図12に対応した、本発明の第4実施形態に係る検出装置4の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図18においては、便宜上、誘電体40図19参照の図示を省略している。また、図18において、符号Pは基準点、符号Sは1つの弾性体突起32に対応して配置された複数の容量検出素子Si第1容量電極112と第2容量電極22と誘電体40とで構成される素子が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置4は、第3基板30の表面に第3基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51が配置されている点で、上述の第2実施形態で説明した検出装置2と異なる。図18において、図12と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図18に示すように、検出装置4は、基準点Pの周りに複数配置された第1容量電極112、を有する第1基板110と、第1容量電極112を挟んで第1基板110と対向配置された第2基板20と、第1基板110と第2基板20との間に配置された誘電体40図19参照と、基準点Pに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が第2基板20に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32、が形成された第3基板30と、第3基板30の弾性体突起32が配置された側と反対の側に配置された補強部材51と、を備えている。補強部材51は、矩形板状となっており、平面視において第3基板本体31と同じサイズに形成されている。この補強部材51は、第3基板本体31よりも高い剛性を有している。例えば、第3基板本体31の材質が弾性体突起32の材質と同様に発泡ウレタン樹脂デュロメーター硬さ30程度の場合、補強部材51の形成材料としては、エポキシ樹脂を用いたりウレタン樹脂デュロメーター硬さ60程度を用いたりすることができる。このため、接触面に弾性体突起32の配置間隔よりも小さい対象物例えば先鋭なスタイラスペンによって外力が加えられた場合であっても、外圧を正確に検出することができる。図19a~cは、図13a~cに対応した、第4実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。なお、図19aは第3基板30の表面補強部材51の表面に外圧が付加される前の状態外圧の作用がないときを示している。図19bは第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図19cは第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。図19において、図13と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図19aに示すように、第3基板30の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起32は変形しない。これにより、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離は一定に保たれる。このときの各容量検出素子Siの静電容量値は図示略のメモリーに記憶されている。メモリーに記憶された各容量検出素子Siの静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。図19bに示すように、第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極112と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。また、外圧は2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用している。本実施形態では第3基板30の表面に第3基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51を備えているので、例えば、指で検出装置4を垂直方向に押した場合、2つの隣り合う弾性体突起32は互いに垂直方向に圧縮変形することとなる。このように、補強部材51が無い場合に比べて外力により2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。図19cに示すように、第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板20の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第2基板20が-Z方向に撓み、第1容量電極12と第2容量電極22との間の距離が外圧の作用がないときに比べて小さくなる。また、第2基板20の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。また、外圧は2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用している。本実施形態では第3基板30の表面に第3基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51を備えているので、例えば、指で検出装置4を斜め方向に押した場合、2つの隣り合う弾性体突起32は互いに斜め方向に圧縮変形することとなる。このように、補強部材51が無い場合に比べて外力により2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。本実施形態の検出装置4によれば、第3基板30の弾性体突起32が形成された側と反対の側に第3基板本体31よりも高い剛性を有する補強部材51が配置されているので、外圧の方向を高い精度で検出することができる。例えば、外圧が2つの隣り合う弾性体突起32の間の領域に作用する場合、補強部材が無いときに比べて2つの隣り合う弾性体突起32が互いに反対の方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。つまり、外圧の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。なお、本実施形態においては、補強部材51が第3基板30の表面に配置されているが、これに限らない。例えば、補強部材51を設けずに、第3基板本体31自体を弾性体突起32よりも高い剛性を有する材質で形成してもよい。これにより、補強部材51を設ける構成に比べて装置の薄型化を図ることができる。また、上記実施形態においては、第1基板に第1電極が配置され、第2基板に第2電極が配置された、第1電極と第2電極との間の誘電体に縦方向Z方向の電界を印加させる縦電界方式を採用する構成を例に挙げて説明したが、これに限らない。以下、上記実施形態とは異なる検出装置5について、図20を用いて説明する。第5実施形態図20は、図1に対応した、本発明の第5実施形態に係る検出装置5の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図20においては、便宜上、誘電体40図21参照の図示を省略している。また、図20において、符号Pは基準点、符号Sは1つの弾性体突起32に対応して配置された容量検出素子第1容量電極212と第2容量電極222と誘電体40とで構成される素子が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置5は、第2容量電極222が第1基板210の基準点Pと重なる位置に配置されている点で、上述の第1実施形態で説明した検出装置1と異なる。図20において、図1と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図20に示すように、検出装置5は、基準点Pの周りに複数配置された第1容量電極212、基準点Pと重なる位置に配置された第2容量電極222、を有する第1基板210と、第1容量電極212を挟んで第1基板210と対向配置された第2基板120と、第1基板210と第2基板120との間に配置された誘電体40図21参照と、基準点Pに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が第2基板120に当接した状態で弾性変形する弾性体突起32、が形成された第3基板30と、を備えている。なお、本実施形態では、第1基板210に第1電極212及び第2容量電極222が配置されている。つまり、第1電極212と第2容量電極222との間の誘電体に横方向XY方向の電界を印加させる横電界方式を採用している。また、第2基板120は一枚板であり、縦電界方式を採用した構成のように電極が形成されていない。例えば、第2基板120の形成材料としてプラスチック等の樹脂材料を用いて電極を蒸着やスパッタ等の方法で形成すると、製造プロセス中の加熱工程において第2基板に反り等が生じる場合がある。しかしながら、この構成によれば第2基板120に電極を形成する必要がないので、製造プロセス中において第2基板120に反り等が生じることを抑制することができる。また、第2容量電極222は、複数の第1容量電極212と等間隔に配置されている。具体的には、複数の第1容量電極212は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている。これら4つの第1容量電極212の中心単位検出領域Sの中心が基準点Pとなっており、この基準点に第2容量電極222が配置されている。図21a~cは、図7a~cに対応した、第5実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。図22a~cは、図21a~cに対応した、第5実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。なお、図21a及び図22aは第3基板30の表面に外圧が付加される前の状態外圧の作用がないときを示している。図21b及び図22bは第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図21c及び図22cは第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。また、図22a~cにおいて、符号Gは弾性体突起32の重心を示している。図21及び図22において、図7及び図8と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。なお、第1容量電極212と第2容量電極222との間の距離は外圧が付加される過程において一定に保たれる。図21a及び図22aに示すように、第3基板30の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起32は変形していない。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点Pと重なる位置に配置されている。また、弾性体突起32の先端部は第2容量電極222に重なっている。具体的には、弾性体突起32の先端部は第2容量電極222と重なった状態で平面視円形となっている。なお、このときの容量検出素子が検出する静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。図21b及び図22bに示すように、第3基板30の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板120の表面に当接した状態でZ方向に圧縮変形する。これにより、第2基板120が-Z方向に撓み、第1基板210と第2基板120との間の距離誘電体40の厚みが外圧の作用がないときに比べて小さくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなっている。また、弾性体突起32の先端部は外圧の作用がないときよりも大きいサイズの平面視円形となっている。図21c及び図22cに示すように、第3基板30の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起32は先端部が第2基板120の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、第2基板120が-Z方向に撓み、第1基板210と第2基板120との間の距離誘電体40の厚みが外圧の作用がないときに比べて小さくなる。また、第2基板120の撓み量は-X方向成分よりもX方向成分の方が大きくなる。このとき、弾性体突起32の重心Gは基準点PからX方向及びY方向にずれる。この弾性体突起32の重心Gのずれ変位量から外圧の面内方向成分上述したFx及びFyを算出することができる。また、弾性体突起32の先端部は平面視楕円形となっている。具体的には、弾性体突起32の先端部と複数の第1容量電極212との重なる面積は、-X方向及び-Y方向に配置された部分よりもX方向及びY方向に配置された部分のほうが重なる割合が大きくなっている。図23は、図9に対応した、第5実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。図23に示すように、複数の容量検出素子S1,S2,S3,S4は、単位検出領域S当たり縦2行横2列に計4つ配置されている。ここで、各容量検出素子S1,S2,S3,S4が検出する静電容量値検出値をそれぞれPS1,PS2,PS3,PS4とすると、外力のX方向成分Fx外力の面内方向成分のうちX方向に作用する分力の割合は上述した式2で表される。また、外力のY方向成分Fy外力の面内方向成分のうちY方向に作用する分力の割合は上述した式3で表される。また、外力のZ方向成分Fz外力の垂直方向成分は上述した式4で表される。本実施形態では、第1実施形態と同様に、外圧によって弾性体突起が弾性変形することにより変化する4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と大きさが演算される。式2に示すように、外圧のX方向成分Fxにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうちX方向に配置された容量検出素子S2及びS4が組み合わされるとともに、-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3が組み合わされる。このように、X方向に配置された容量検出素子S2及びS4の組み合わせによる静電容量値と-X方向に配置された容量検出素子S1及びS3の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のX方向成分が求められる。式3に示すように、外圧のY方向成分Fyにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値のうちY方向に配置された容量検出素子S1及びS2が組み合わされるとともに、-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4が組み合わされる。このように、Y方向に配置された容量検出素子S1及びS2の組み合わせによる静電容量値と-Y方向に配置された容量検出素子S3及びS4の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のY方向成分が求められる。式4に示すように、外圧のZ方向成分Fzにおいては、4つの容量検出素子S1,S2,S3,S4の静電容量値を足し合わせた合力で求められる。外圧のZ方向成分Fzの検出値を、外圧のX方向成分Fx及び外圧のY方向成分Fyの検出値と揃えるには、弾性体突起32の材質や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。本実施形態の検出装置5によれば、第1容量電極212及び第2容量電極222を第1基板210に配置しているので、第1容量電極212及び第2容量電極222を同一の工程で形成することが可能となる。したがって、製造工程を簡略化することができ、製造効率の向上及び製造コストの低減を図ることができる。また、製造プロセス中の加熱工程において第2基板120に反り等が生じることを抑制することができるので、外圧の検出精度を向上させることができる。また、弾性体突起32の変形の過程において電極間の距離を一定に保つことができるので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。電子機器図24は、上記実施形態に係る検出装置1~5を適用した携帯電話機1000の概略構成を示す模式図である。携帯電話機1000は、複数の操作ボタン1003及びスクロールボタン1002、並びに表示部としての検出装置を適用した液晶パネル1001を備えている。スクロールボタン1002を操作することによって、液晶パネル1001に表示される画面がスクロールされる。液晶パネル1001にはメニューボタン図示略が表示される。例えば、メニューボタンを指で触れると電話帳が表示されたり、携帯電話機の電話番号が表示されたりする。図25は、上記実施形態に係る検出装置1~5を適用した携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssistants2000の概略構成を示す模式図である。携帯情報端末2000は、複数の操作ボタン2002及び電源スイッチ2003、並びに表示部としての検出装置を適用した液晶パネル2001を備えている。電源スイッチ2003を操作すると、液晶パネル2001にはメニューボタンが表示される。例えば、メニューボタン図示略を指で触れると住所録が表示されたり、スケジュール帳が表示されたりする。このような電子機器によれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な電子機器を提供することができる。なお、電子機器としては、この他にも、例えばパーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、デジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。これらの電子機器に対しても、本発明に係る検出装置を適用させることができる。ロボット図26は、上記実施形態に係る検出装置1~5を適用したロボットハンド3000の概略構成を示す模式図である。図26aに示すように、ロボットハンド3000は、本体部3003及び一対のアーム部3002、並びに検出装置を適用した把持部3001を備えている。例えば、リモコン等の制御装置によりアーム部3002に駆動信号を送信すると、一対のアーム部3002が開閉動作する。図26bに示すように、ロボットハンド3000でコップ等の対象物3010を把持する場合を考える。このとき、対象物3010に作用する力は把持部3001で圧力として検出される。ロボットハンド3000は、把持部3001として上述した検出装置を備えているので、対象物3010の表面接触面に垂直な方向の力と併せて重力Mgですべる方向の力すべり力の成分を検出することが可能である。例えば、柔らかい物体を変形させたりすべりやすい物体を落としたりしないよう、対象物3010の質感に応じて力を加減しながら持つことができる。このロボットによれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能なロボットを提供することができる。"