"aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c前記主磁極層のリーディングエッジおよびリーディングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、前記磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、前記主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、d前記プラズモンアンテナおよび前記主磁極層のダウントラック方向へABSに沿って形成され、誘電体ギャップ層によって前記第1の頂点および前記プラズモンアンテナから分離されたプラズモンシールドとを備え、前記主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、前記プラズモン層は、前記光導波路からの電磁放射と結合するときに前記第1の頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、前記エッジプラズモンモードからのエネルギーを前記磁気記録媒体の局所領域へ伝達して前記局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、前記プラズモンシールドは、1前記エッジプラズモンモードからの電界を保持する前記第1の頂点と対向し、前記局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面と、2ABSと反対側に位置し、前記光導波路の端面と隣接する第2の面とによって構成され、前記第1の面は、前記プラズモンアンテナと対向する前記光導波路の側面と実質的に同一の平面上に含まれる熱アシスト磁気記録TAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第1の面は、前記主磁極層の前記リーディングサイドに対して平行に形成された、基本的に平坦な面である請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第1の面は、平面の一部によって構成され、収束して、ダウントラック方向において前記プラズモンアンテナの下方に配置され、ABSに対して垂直な方向において前記プラズモンアンテナの第2の側面および第3の側面と平行であると共に第2の頂点を形成する2つの側壁からなる溝を含む請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第1の面は、平面の一部によって構成され、ダウントラック方向において前記プラズモンアンテナの下方に配置され、ABSに対して垂直な方向において前記プラズモンアンテナの第1の頂点に対して平行である前記溝の下部部分に接続する前記プラズモンシールドの溝の2つの側面を含む請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第1の側面は、平面の一部によって構成され、前記平面の一部を、前記頂点の反対側の第3の側面に接続する突出部の2つの側面を含み、前記第3の側面は、ダウントラック方向において前記プラズモンアンテナの頂点の下に配置され、前記平面の一部に対して平行に形成されている請求項1記載のTAMRヘッド。前記誘電体ギャップ層は、アルミナ、酸化ケイ素、SiON、またはMgF2から選択される低屈折率誘電体材料によって構成されており、前記頂点と第1の側面との距離が5nm以上50nm以下である請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第2の側面は、前記ABSに対して平行に形成される請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの前記第2の側面は、ABSに対して傾斜しており、前記プラズモンシールドの前記第1の側面は、前記プラズモンアンテナの前記プラズモン層から離れて前記プラズモン層に対向する前記プラズモンシールドの側面よりも、前記ABSからの長さが短くなっている請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドは、Au、Ag、Cu、Al、またはそれらの合金によって構成されている請求項1記載のTAMRヘッド。aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c前記主磁極層のリーディングエッジおよびリーディングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、前記磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、前記主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、d前記プラズモンアンテナおよび前記主磁極層からダウントラック方向に形成され、誘電体ギャップ層によって前記第1の頂点および前記プラズモンシールドから分離され、かつ、1ABSに露出し、前記エッジプラズモンモードからの電界を保持する前記第1の頂点と対向し、前記局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面を含む第1の部分、および2前記第1の部分と接続され、前記ABSと反対側に位置し前記光導波路の端面と隣接する第2の面を含む第2の部分を有するプラズモンシールドと、e前記ABSに沿って形成され、前記第1の側面の反対側にあるプラズモンシールドの前記第1の部分に隣接し、前記第2の側面の反対側にあるプラズモンシールドの前記第2の部分に隣接する前記リーディングシールドとを備え、前記主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、前記プラズモン層は、前記光導波路からの電磁放射と結合するときに前記第1の頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、前記エッジプラズモンモードからのエネルギーを前記磁気記録媒体の局所領域へ伝達して前記局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、前記プラズモンシールドは、隣接する前記リーディングシールドの第1の表面の上に、それとコンフォーマルな形状である層を形成し、前記第1の側面は、前記プラズモンアンテナに面する前記導波路の側面と実質的に同一平面上に形成されており、前記第2の側面は前記導波路の端部に隣接し、前記リーディングシールドの第1の表面はプラズモンシールドの第1の部分と接触している熱アシスト磁気記録TAMRヘッド。前記第1の表面は、基本的に平坦であり、前記プラズモンシールドの前記第1の側面および前記主磁極の前記リーディングサイドに対して平行に形成されている請求項10記載のTAMRヘッド。前記第1の表面は、前記プラズモンシールドの前記第1の側面に対して平行に形成された平面部を有し、収束して、前記リーディングシールド内の第2の頂点を形成する溝の2つの側面を含み、前記第2の頂点は、ダウントラック方向において、前記プラズモンアンテナの頂点の下に配置され、前記ABSに対して垂直な方向において、前記プラズモンアンテナの頂点に対して平行である請求項10記載のTAMRヘッド。第1の表面は、前記プラズモンシールドの前記第1の側面に対して平行に形成された平面部を有し、ダウントラック方向において前記プラズモンアンテナの下に配置され、前記ABSに対して垂直方向において前記プラズモンアンテナの頂点に対して平行に配置された前記溝の下部部分に接続する前記リーディングシールドの溝の2つの側面を含む請求項10記載のTAMRヘッド。前記第1の表面は、前記プラズモンシールドの前記第1の側面に対して平行に形成された平面を有し、前記平面の一部を、前記頂点の反対側の第3の側面に接続する突出部の2つの側面を含み、前記第3の側面は、前記平面の一部に対して平行に形成され、ダウントラック方向において前記プラズモンアンテナの頂点の下に配置され、前記ABSに対して垂直方向において前記プラズモンアンテナの頂点に対して平行に配置されている請求項10記載のTAMRヘッド。前記第1の表面は、前記プラズモンシールドの前記第1の側面の2つの平面部に対して平行に形成された平面部を有し、第1のプラズモンシールド側面の前記2つの平面部と同一平面上に形成された第2の平面を備えた台形状の拡張部を有し、前記台形状の拡張部は、前記第1のプラズモンシールド側面の2つの平面部を分離させ、前記第2の平面はダウントラック方向において、頂点の下に配置され、前記ABSに対して垂直な方向において前記頂点に対して平行に配置されている請求項10記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドの第2の部分は、先細っており、それにより、前記プラズモンシールドの前記第1の側面に接続された前記第2の側面の第1の端部は、前記第1の端部とは反対側に形成された前記第2の側面の第2の端部よりも、ABSからの距離が短く形成されている請求項10記載のTAMRヘッド。前記プラズモンシールドは、Au、Ag、Cu、Al、またはそれらの合金によって構成されている請求項10記載のTAMRヘッド。前記誘電体ギャップ層は、アルミナ、酸化ケイ素、SiON、またはMgF2から選択される低屈折率誘電体材料によって構成されており、前記頂点と前記プラズモンシールドの第1の側面との距離が5nm以上50nm以下である請求項10記載のTAMRヘッド。aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c前記主磁極層の前記トレーリングエッジおよび前記トレーリングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、前記磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、前記主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、d前記プラズモンアンテナおよび前記主磁極層のダウントラック方向へ形成され、誘電体ギャップ層によって前記頂点および前記プラズモンアンテナから分離され、かつ、1ABSに露出し、前記エッジプラズモンモードからの電界を保持する前記第1の頂点と対向し、前記局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面を含む第1の部分、および2前記第1の部分と接続され、前記ABSと反対側に位置し前記光導波路の端面と隣接する第2の面を含む第2の部分を有するプラズモンシールドと、e前記ABSに沿って形成され、前記プラズモンアンテナの第1の側面と対向する前記プラズモンシールドの前記第1の部分と隣接し、前記プラズモンアンテナの第2の側面の反対側にある前記プラズモンシールドの前記第2の部分と隣接する前記トレーリングシールドとを備え、前記主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、前記プラズモン層は、前記光導波路からの電磁放射と結合するときに前記頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、前記エッジプラズモンモードからのエネルギーを前記磁気記録媒体の局所領域へ伝達して前記局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、前記プラズモンシールドは、隣接する前記トレーリングシールドの第1の表面の上にコンフォーマル形状の層を形成し、前記第1の面は、前記プラズモンアンテナと対向する前記光導波路の側面と実質的に同一の平面上に含まれており、前記トレーリングシールドの前記第1の表面は前記プラズモンシールドの前記第1の部分と連結されている熱アシスト磁気記録TAMRヘッド。a基板を用意し、その基板上に第1の誘電体層および導波路層を順に形成し、前端面を有する積層体を形成する工程と、b前記前端面と、前記前端面からリセスさせた前記導波路層の端部との間にプラズモンシールド層を形成する工程と、c前記導波路層および前記プラズモンシールド層の上にギャップ誘電体層を堆積したのち、そのギャップ誘電体層に2つの側壁を含むV字形の溝を形成する工程と、dプラズモンジェネレータ層を2つの側壁の上に堆積し、前記溝を部分的に埋める工程と、e前記溝を埋めるように、前記ギャップ誘電体層の上を一定の距離を持って延在する主磁極層を形成する工程と、f前記基板、第1の誘電体層、プラズモンジェネレータ層および主磁極層の端面をラッピングすることにより、ABSを形成する工程とを含み、前記導波路層は、クロストラック方向およびダウントラック方向の双方と直交する軸に沿って延伸し、ダウントラック方向に厚みを有すると共にクロストラック方向に幅を有する帯状をなすようにパターニングされ、前記プラズモンシールド層は、前記導波路層の端部に隣接する第1の部分と、前記導波路層の上面と同一平面に含まれる上面と、前記前端面と隣接する第2の部分とを有するように形成され、前記V字形の溝は前記2つの側壁と、前記前端面に面する前端部とを有し、前記導波路層の前端部および前記プラズモンシールド層の前記第1の部分の上にABSと直交する方向に配置されるとともに、前記プラズモンシールド層の前記第2の部分の一部の上に配置され、前記2つの側壁は、収束して、ABSに対して垂直な方向へ延在する頂点を含むように形成するTAMRヘッドの製造方法。前記プラズモンシールド層の前記上面を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点と対向する、実質的に平坦な面とする請求項20記載のTAMRヘッドの製造方法。前記ギャップ誘電体層を堆積する前に、前記プラズモンシールド層の前記上面に溝を形成する工程をさらに含み、前記溝を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点に対して平行に延在させ、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点からダウントラック方向の延長上に配置する請求項20記載のTAMRヘッドの製造方法。前記ギャップ誘電体層を堆積する前に、前記プラズモンシールド層の前記上面の上に突出部を形成する工程をさらに含み、前記突出部を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点に対して平行に延在させ、前記プラズモンジェネレータの第1の頂点からダウントラック方向の延長上に配置する請求項20記載のTAMRヘッドの製造方法。前記プラズモンシールド層を、Au、Ag、Cu、Al、またはこれらの合金によって構成する請求項20記載のTAMRヘッドの製造方法。前記誘電体ギャップ層を、アルミナ、酸化ケイ素、SiON、またはMgF2から選択される低屈折率誘電体材料によって構成し、前記第1の頂点と前記プラズモンシールドの前記上面との距離を5nm以上50nm以下とする請求項20記載のTAMRヘッドの製造方法。a基板を用意し、その基板上に第1の誘電体層、導波路層および磁気シールドを順に形成し、前端面を有する積層体を形成する工程と、b前記前端面と、前記前端面からリセスさせた前記導波路層の端部との間にプラズモンシールド層を形成する工程と、c前記導波路層および前記プラズモンシールド層の上にギャップ誘電体層を堆積したのち、そのギャップ誘電体層に2つの側壁を含むV字形の溝を形成する工程と、dプラズモンジェネレータ層を2つの側壁の上に堆積し、前記溝を部分的に埋める工程と、e前記溝を埋めるように、前記ギャップ誘電体層の上を一定の距離を持って延在する主磁極層を形成する工程と、f前記基板、第1の誘電体層、プラズモンジェネレータ層および主磁極層の端面をラッピングすることにより、ABSを形成する工程とを含み、前記導波路層は、クロストラック方向およびダウントラック方向の双方と直交する軸に沿って延伸し、ダウントラック方向に厚みを有すると共にクロストラック方向に幅を有する帯状をなすようにパターニングされ、前記プラズモンシールド層は、前記導波路層の端部に隣接する第1の部分と、前記導波路層の上面と同一平面に含まれる上面と、前記磁気シールド層の上面と接触する下面と、前記前端面と隣接する第2の部分とを有するように形成され、前記V字形の溝は前記2つの側壁と、前記前端面に面する前端部とを有し、前記導波路層の前端部および前記プラズモンシールド層の前記第1の部分の上にABSと直交する方向に配置されるとともに、前記プラズモンシールド層の前記第2の部分の一部の上に配置され、前記2つの側壁は、収束して、ABSに対して垂直な方向へ延在する頂点を含むように形成するTAMRヘッドの製造方法。前記プラズモンシールド層の前記上面を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点と対向する、実質的に平坦な面とする請求項26記載のTAMRヘッドの製造方法。前記ギャップ誘電体層を堆積する前に、前記プラズモンシールド層の前記上面に溝を形成する工程をさらに含み、前記溝を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点に対して平行に延在させ、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点からダウントラック方向の延長上に配置する請求項26記載のTAMRヘッドの製造方法。前記プラズモンシールド層および前記ギャップ誘電体層を堆積する前に、前記磁気シールド層の前記上面に突出部を形成する工程をさらに含み、前記突出部を、前記プラズモンジェネレータの前記第1の頂点に対して平行に延在させ、前記プラズモンジェネレータの第1の頂点からダウントラック方向の延長上に配置する請求項26記載のTAMRヘッドの製造方法。前記プラズモンシールド層を、Au、Ag、Cu、Al、またはこれらの合金によって構成する請求項26記載のTAMRヘッドの製造方法。前記誘電体ギャップ層を、アルミナ、酸化ケイ素、SiON、またはMgF2から選択される低屈折率誘電体材料によって構成し、前記頂点と前記プラズモンシールドの前記上面との距離を5nm以上50nm以下とする請求項26記載のTAMRヘッドの製造方法。理論上、エッジプラズモンジェネレータEPG:edgeplasmongeneratorは、TAMRスキーム用媒体において、高温度勾配とともに、非常に微小な光スポットを実現するように設計可能である。さらに、プラズモンジェネレータは、ABSに対して垂直な方向に十分な長さを有すれば、それを構成する金属の体積が大きくなる。これにより、体積の小さなプラズモンアンテナ単独の場合とは異なり、TAMR記録の際、局所的な加熱による損傷を回避することができる。TAMRにおいて、記録ビットは、記録層の熱スポットの大きさと形状、および磁界勾配と熱勾配間の配向に大きく影響される。磁気記録媒体は、EPGによって加熱される。EPGでは、光エネルギーを、EPGの先端部周辺に閉じ込め、それにより、いわゆるエッジプラズモンEPモードを形成する。この設計の光スポット、またはEPモードの閉じ込めは、明らかに、先端部の形状、角、および大きさ、EPGを構成する金属の組成、ならびに先端部を囲む誘電体材料の機能である。図2Aは、Auからなり先端部の頂角が90°であるEPGの光モデリングデータであり、クロストラック方向における光スポット径の、EPGの先端部の幅rに対する依存性を示す。当然のことながら、この設計は、通常、V字形の先端部を含むが、現状の技術的製造方法によって実現される実際の先端部形状は、図2Bに拡大して示したように実質的に丸みをおびており、所定の幅rを備えている。先端部の幅rが25nmの場合、磁気記録媒体における光スポット径は約100nmである図2A。先端部の幅rが5nmの場合でさえも、光スポット径の大きさを、第1世代のTAMR製品にて求められる50nm未満にすることは難しい。さらに、当業者であれば理解できるように、製造工程に必要な優れた耐性を備えるとともに、先端部の幅rが5nmである鋭い先端部を製造することは大変困難である。また、上記先行技術文献では、TAMR設計における加熱スポットの大きさが十分に縮小されたものとは言い難い。従って、TAMR記録性能を向上させ、マイクロ波アシスト磁気記録MAMR:microwaveassistedmagneticrecordingなどの他の新技術に対抗できるように、容易に製造可能な大きさの先端部を有するEPGを用いて、スポットの大きさをさらに縮小することが必要である。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、EPGの先端部の大きさの縮小、および先端部の角の変化を伴うことなく、エッジプラズモンジェネレータEPG:edgeplasmongeneratorによって、磁気媒体内に生成される光スポット径の大きさを最小化することにある。本発明の第2の目的は、プラズモンモードに対して大きな影響を与えないとともに、全体の光学効率を低下させることなく、EPG設計内の光スポットの大きさを最小化することにある。これらの目的は、本発明のさまざまな実施の形態において達成される。本発明のTAMR記録ヘッドは、EPGを有する主磁極を含む。EPGは、ABSに沿った磁極先端部領域のトレーリング部分に隣接し、記録ヘッドの後端に向かって、主磁極表面に沿って一定の距離に亘って延在している。EPGは、三角柱状をなすように設計され、高導電性の非磁性金属によって構成されたプラズモン層からなる2つの側面を有することが望ましい。これら2つの側面は、頂点で交わり、実質的に水平なエッジを構成する。三角形状の第3の側面、および2つのEPG側面の間に形成されるコアは、磁性材料からなる。第3の側面、およびコアは、主磁極層のリード部分とされ、通常、主磁極と同じ磁性材料からなる。全ての実施の形態において、EPGの頂点は、基本的にABSに対して直交する方向へ延伸すると共に光導波路と対向するように形成される。光導波路は、光の漏洩を減少させるため、ABSに端部を有して形成されるか、またはABSから一定の距離分だけリセスして形成される。光導波路は、EPGと平行に、TAMRヘッドの後方へ向かうように延在している。EPGの側面は、誘電体層によって覆われている。この誘電体層は、EPGと光導波路とを分離し、低い屈折率を有することにより、光導波路からEPGへの効果的な光放射の伝達を可能とする。本発明の重要な特徴は、プラズモンシールドにある。このプラズモンシールドは、ABSに面する光導波路の端部とEPGとの間に形成される。それにより、記録処理の際、磁気記録媒体に集中させる光スポット径の大きさを、より縮小することができる。プラズモンシールドは、浅い表皮深さthinskindepthを備えた貴金属からなる。これにより、電界を分岐させるとともに、EPG頂点付近にエッジプラズモンモードを保持し、光学効率を向上させる。プラズモンシールドは、ABSに沿った第1の表面と、頂点に面し、前述の誘電体層によって頂点およびEPG側面から分離している第2の表面を有する。ABSに対して垂直方向に高さを有するTAMRヘッドの構成要素を表す断面図によると、プラズモンシールドの第2の表面と、EPGに面する光導波路の表面とは、ABSに対して垂直な面を形成する。導波路は、通常、TAMRヘッドの後端に向かって拡張し、その高さは、EPGよりも大幅に高い。ある実施の形態においては、導波路とプラズモンシールドとの間の界面は、ABSに対して平行に形成してもよい。光学効率を向上させるためのある好適な実施の形態においては、導波路との界面を含むABSとは反対側のプラズモンシールドの表面は、ABSに対して傾斜している。それにより、第2の表面の高さは、EPGから離れてEPGに面するプラズモンシールド側面の高さよりも低くなっている。さらにもう1つの実施の形態において、プラズモンシールドは、リーディングシールド、またはトレーリングシールドなどの磁気シールドの上に形成してもよい。この場合、プラズモンシールドは、EPGから磁気シールドを分離する第1の部分と、導波路から磁気シールドを分離する第2の部分とを有するものとする。ABSとは反対側のプラズモンシールドの表面は、光学効率を向上させるために、前述のように、傾斜していることが望ましい。また、EPGに面する第2の表面の形状に関連して、さまざまなプラズモンシールドの実施の形態がある。ある実施の形態では、第2の表面は、基本的に平面的な側面である。あるいは、第2の表面は、ノッチを含む凹形設計でもよい。このノッチにおいては、第2の表面から一定量のプラズモンシールド材料が取り除かれ、EPGのエッジに対して平行な溝を形成している。溝は、2つの側壁が、EPGの頂点の下方に配置された頂点第2の頂点において交わるV字形を有してもよい。あるいは、溝は、台形状をなし、2つの傾斜した側壁を備えていてもよい。2つの側壁は、それぞれ、面しているEPGの側面に対して、実質的に平行であってもよいし、非平行であってもよい。また、第2の表面は、断面が台形状または三角形状をなす突出部または凸形を構成してもよい。この場合、台形における幅の狭いほうの平坦面、または三角形の先端部は、EPGの頂点とは反対側に形成される。磁気シールドの上にプラズモンシールドを形成するある実施の形態においては、プラズモンシールドは、EPGとは反対側に開口部を有してもよい。それにより、磁気シールドは、第2の表面の一部分を形成し、それがプラズモンシールドの2つの隣接部分と同一平面上になることによって、記録ギャップ距離を減少させる。あるいは、プラズモンシールドは、磁気シールドに接触する側面に形成された三角形状のノッチを有し、磁気シールドの突出部である三角形の頂点が、EPGの頂点に面するようにしてもよい。本発明は、また、TAMRヘッドにおけるプラズモンシールドの製造方法も含む。クラッド層と、導波路のコアとを、基板の上にこの順に形成する。導波路層を、フォトリソグラフィ、および一連のエッチング工程によってパターニングし、前端部が、第1の表面から、一定の距離分だけリセスするようにする。第1の表面は、最終的なABSに近接し、そのABSに対して平行である。プラズモン材料層を、導波路の前端部と、第1の面との間にある開口部に堆積する。化学的機械的研磨CMP:chemicalmechanicalpolish工程を施し、プラズモン材料層の上面を、導波路の上面と同一平面上にする。誘電体ギャップ層を、導波路、およびプラズモン材料層の上に堆積した後に、V字形の溝を、プラズモン材料層の一部、および導波路の上にある誘電体ギャップ層に形成する。溝は、第1の面に近接する第1の端部と、第1の面および最終的なABSに対して垂直方向である長手方向の面積とを有する。プラズモンジェネレータ材料を、溝の側壁に並ぶように堆積する。それから、主磁極層を、プラズモンジェネレータ層EPG:plasmongeneratorlayerの上に堆積する。主磁極の上の保護層を含むTAMRヘッドの上部を堆積させる。その後、ラッピング処理を施し、プラズモン材料層プラズモンシールド、および主磁極先端部に隣接するEPG端部に沿って、ABSを形成する。ABSから見ると、誘電体ギャップ層によって、EPG先端部はプラズモンシールドから分離されている。具体的には、本発明の第1のTAMRヘッドは、aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c前記主磁極層のリーディングエッジおよびリーディングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、前記磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、前記主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、d前記プラズモンアンテナおよび前記主磁極層のダウントラック方向へABSに沿って形成され、誘電体ギャップ層によって前記第1の頂点および前記プラズモンアンテナから分離されたプラズモンシールドとを備えたものである。ここで、主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、プラズモン層は、光導波路からの電磁放射と結合するときに第1の頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、エッジプラズモンモードからのエネルギーを磁気記録媒体の局所領域へ伝達して局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、プラズモンシールドは、1エッジプラズモンモードからの電界を保持する第1の頂点と対向し、局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面と、2ABSと反対側に位置し、光導波路の端面と隣接する第2の面とによって構成され、第1の面は、プラズモンアンテナと対向する光導波路の側面と実質的に同一の平面上に含まれる。本発明の第2のTAMRヘッドは、aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c主磁極層のリーディングエッジおよびリーディングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、dプラズモンアンテナおよび主磁極層からダウントラック方向に形成され、誘電体ギャップ層によって前記第1の頂点および前記プラズモンシールドから分離され、かつ、1ABSに露出し、エッジプラズモンモードからの電界を保持する第1の頂点と対向し、局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面を含む第1の部分、および2第1の部分と接続され、ABSと反対側に位置し光導波路の端面と隣接する第2の面を含む第2の部分を有するプラズモンシールドと、eABSに沿って形成され、前記第1の側面の反対側にあるプラズモンシールドの前記第1の部分に隣接し、前記第2の側面の反対側にあるプラズモンシールドの前記第2の部分に隣接する前記リーディングシールドとを備える。ここで、主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、プラズモン層は、光導波路からの電磁放射と結合するときに第1の頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、エッジプラズモンモードからのエネルギーを磁気記録媒体の局所領域へ伝達して局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、プラズモンシールドは、隣接するリーディングシールドの第1の表面の上に、それとコンフォーマルな形状である層を形成し、第1の側面は、プラズモンアンテナに面する前記導波路の側面と実質的に同一平面上に形成されており、第2の側面は前記導波路の端部に隣接し、リーディングシールドの第1の表面はプラズモンシールドの第1の部分と接触している。本発明の第3のTAMRヘッドは、aエアベアリング面ABSに沿って形成されたリーディングエッジおよびトレーリングエッジをそれぞれ一部に含むリーディングサイドおよびトレーリングサイドを有する主磁極層と、b入力光周波数をプラズモンアンテナに導くための光導波路と、c主磁極層の前記トレーリングエッジおよびトレーリングサイドに隣接して形成された第1の側面および磁性コアと、磁性コアの上に形成されたプラズモン層を含み、主磁極層と離間して対向する第1の頂点に収束する第2の側面および第3の側面とを有するプラズモンアンテナと、dプラズモンアンテナおよび主磁極層のダウントラック方向へ形成され、誘電体ギャップ層によって頂点およびプラズモンアンテナから分離され、かつ、1ABSに露出し、エッジプラズモンモードからの電界を保持する第1の頂点と対向し、局所領域に導く光スポットの大きさを縮小する第1の面を含む第1の部分、および2第1の部分と接続され、ABSと反対側に位置し光導波路の端面と隣接する第2の面を含む第2の部分を有するプラズモンシールドと、eABSに沿って形成され、プラズモンアンテナの第1の側面と対向するプラズモンシールドの第1の部分と隣接し、プラズモンアンテナの第2の側面の反対側にあるプラズモンシールドの第2の部分と隣接するトレーリングシールドとを備える。ここで、主磁極層は、記録処理の際、磁気記録媒体の上をダウントラック方向へ動くものであり、プラズモン層は、光導波路からの電磁放射と結合するときに頂点に近接したエッジプラズモンモードを生成し、エッジプラズモンモードからのエネルギーを磁気記録媒体の局所領域へ伝達して局所領域を加熱し、その保磁力および磁気異方性を低下させるものであり、プラズモンシールドは、隣接するトレーリングシールドの第1の表面の上にコンフォーマル形状の層を形成し、第1の面は、プラズモンアンテナと対向する前記光導波路の側面と実質的に同一の平面上に含まれており、トレーリングシールドの第1の表面はプラズモンシールドの第1の部分と連結されている。本発明の第1のTAMRヘッドの製造方法は、a基板を用意し、その基板上に第1の誘電体層および導波路層を順に形成し、前端面を有する積層体を形成する工程と、b前記前端面と、前記前端面からリセスさせた前記導波路層の端部との間にプラズモンシールド層を形成する工程と、c前記導波路層および前記プラズモンシールド層の上にギャップ誘電体層を堆積したのち、そのギャップ誘電体層に2つの側壁を含むV字形の溝を形成する工程と、dプラズモンジェネレータ層を2つの側壁の上に堆積し、前記溝を部分的に埋める工程と、e前記溝を埋めるように、前記ギャップ誘電体層の上を一定の距離を持って延在する主磁極層を形成する工程と、f前記基板、第1の誘電体層、プラズモンジェネレータ層および主磁極層の端面をラッピングすることにより、ABSを形成する工程とを含むものである。ここで、導波路層は、クロストラック方向およびダウントラック方向の双方と直交する軸に沿って延伸し、ダウントラック方向に厚みを有すると共にクロストラック方向に幅を有する帯状をなすようにパターニングされ、前記プラズモンシールド層は、前記導波路層の端部に隣接する第1の部分と、前記導波路層の上面と同一平面に含まれる上面と、前記前端面と隣接する第2の部分とを有するように形成され、前記V字形の溝は前記2つの側壁と、前記前端面に面する前端部とを有し、前記導波路層の前端部および前記プラズモンシールド層の前記第1の部分の上にABSと直交する方向に配置されるとともに、前記プラズモンシールド層の前記第2の部分の一部の上に配置され、前記2つの側壁は、収束して、ABSに対して垂直な方向へ延在する頂点を含むように形成する。本発明の第2のTAMRヘッドの製造方法は、a基板を用意し、その基板上に第1の誘電体層、導波路層および磁気シールドを順に形成し、前端面を有する積層体を形成する工程と、b前記前端面と、前記前端面からリセスさせた前記導波路層の端部との間にプラズモンシールド層を形成する工程と、c前記導波路層および前記プラズモンシールド層の上にギャップ誘電体層を堆積したのち、そのギャップ誘電体層に2つの側壁を含むV字形の溝を形成する工程と、dプラズモンジェネレータ層を2つの側壁の上に堆積し、前記溝を部分的に埋める工程と、e前記溝を埋めるように、前記ギャップ誘電体層の上を一定の距離を持って延在する主磁極層を形成する工程と、f前記基板、第1の誘電体層、プラズモンジェネレータ層および主磁極層の端面をラッピングすることにより、ABSを形成する工程とを含むものである。ここで、導波路層は、クロストラック方向およびダウントラック方向の双方と直交する軸に沿って延伸し、ダウントラック方向に厚みを有すると共にクロストラック方向に幅を有する帯状をなすようにパターニングされ、前記プラズモンシールド層は、前記導波路層の端部に隣接する第1の部分と、前記導波路層の上面と同一平面に含まれる上面と、前記磁気シールド層の上面と接触する下面と、前記前端面と隣接する第2の部分とを有するように形成され、前記V字形の溝は前記2つの側壁と、前記前端面に面する前端部とを有し、前記導波路層の前端部および前記プラズモンシールド層の前記第1の部分の上にABSと直交する方向に配置されるとともに、前記プラズモンシールド層の前記第2の部分の一部の上に配置され、前記2つの側壁は、収束して、ABSに対して垂直な方向へ延在する頂点を含むように形成する。本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドおよびその製造方法では、EPGの頂点と対向するようにプラズモンシールドを設けるようにしたので、光スポット径をより縮小することができ、さらなる高記録密度に対応することができる。本発明の対象、特徴および長所は、以下に述べる実施の形態の記載により理解できる。本発明は、プラズモンシールド構造に関する。このプラズモンシールド構造は、TAMRヘッドのエッジプラズモンジェネレータEPG:edgeplasmongeneratorとともに用いられる。これにより、熱アシスト記録処理において、プラズモンジェネレータから磁気媒体へと照射される光スポット径が、ダウントラック方向およびクロストラック方向のうちの1つ、または両方において縮小するようにする。これにより、TAMRにおける面密度を増加させることができる。EPGは、以下に説明する実施の形態におけるプラズモンアンテナPA:plasmonantennaと置き換えることも可能である。さらに、記録ヘッドは、再生/記録複合ヘッドの一部であってもよい。さらに、以下では、トレーリングシールドを含むさまざまな実施の形態、または、主磁極の役割とトレーリングシールドの役割とが逆転する場合にはリーディングシールドを含むさまざまな実施の形態を提供する。以下の実施の形態においては、三角柱状をなすプラズモンジェネレータPGが示されているが、本発明は、エッジプラズモンモードEPモードが生成されるPA構造またはPG構造が他の形状である場合をも含むものである。本発明はまた、TAMRヘッドの光導波路およびEPGに隣接するプラズモンシールドの形成方法に関する。プラズモンシールド、および光導波路などの構成要素に言及する場合、表面、および側面という用語は、互いに置き換え可能なものとして使用する。TAMR構成要素の上面は、主磁極層に面している対向している表面とする。図3は、本出願の発明者らが、以前出願した米国特許出願第12/456290号明細書において開示したプラズモンアンテナPA22およびその近傍の構造を表す。このPA22は、三角柱状をなし、エッジプラズモンEPモード27を、光導波路WG23からの入射光26と結合させる。従来技術とは異なり、PA22は、磁性コア21と、エッジプラズモンジェネレータEPG:edgeplasmongeneratorとしても知られるプラズモン層24とを有する。プラズモン層24は、WG23に面する磁性コア21の2つの側面を覆うように設けられており、磁性コア21の頂点において厚さcを有する。プラズモンモードは、光レーザなどによって生成された光周波数電磁放射との放射結合によって生成され、ABSへ向けてプラズモン層24を伝播する。一方、磁性コア21は、記録磁界の磁束をPA22による加熱スポットの近傍に集中させる。このようにして、PA22は、効率よく磁極の拡張部となり、プラズモン層24でのエッジプラズモンにより加熱された磁気記録媒体の局所領域と重なるような最大勾配を有する磁界を生じさせる。この密接な重なりにより、主磁極による磁界が有する、磁気記録媒体の局所的な磁化反転効率が向上する。これにより、磁気記録性能を大幅に改善すると共に、その記録領域の表面積を、より狭小化することができる。本発明では、上記のTAMRヘッドのさらなる改善を提案する。本発明は、磁気記録媒体に照射される光スポット径の大きさを縮小することに関連する。そうすることで、TAMRヘッドの記録性能をさらに向上させることができる。具体的には、以下に示すさまざまな実施の形態によって説明する。例えば、プラズモンシールドは、EPGの先端部に近接して形成される。これにより、EPモードの光学効率の低下、またはPAの先端部の大きさもしくは先端部の角度頂角の大きさの変更を伴うことなく、記録対象領域への集束効果を高めることができる。当業者であれば理解できるように、ここに説明するプラズモンシールドは、本実施の形態例において示すEPGデザインに限定されず、他のPGとともに用いてもよい。プラズモンシールドは、貴金属、またはそれらの合金からなり、TAMRヘッドに用いられる光周波数において薄い表皮厚さを有する。それにより、電界は、プラズモンシールド表面においてすばやく分岐され、頂点から離れた方向に分散することなく、プラズマアンテナの頂点付近に保持される。実際には、プラズモンシールドは、鏡として機能し、プラズモンシールドがない場合に可能な大きさよりも小さな頂点にエッジプラズモンモードを保持する。その結果、光スポット径の大きさはクロストラック方向およびダウントラック方向の双方において大幅に縮小され、熱アシスト記録処理の性能が向上することとなる。図4を参照して、本発明の一実施態様としてのTAMRヘッドの概略構成について説明する。図4Aは、本実施態様のTAMRヘッドを、ABSと直交する方向から眺めた平面図であり、図3Aに対応するものである。また、図4B~4Eは、図4Aの変形例をそれぞれ表す。プラズモンシールド34の表面は、EPG32の頂点32vに面している。EPG32は、磁性コア33および主磁極層31に隣接する。なお、ここでは、誘電体層、および隣接する光導波路は、図示しない。磁性コア33および主磁極層31は、Coコバルト,Fe鉄,NiニッケルおよびB硼素のうちの1種以上、またはこれらの合金によって構成される。例えば、主磁極31と磁性コア33とは同じ組成であってもよい。磁性コア33とEPG32とは、全体としてABSと直交する方向Z軸方向へ延在する三角柱状をなすプラズモンアンテナPA39を形成する。EPG32は、例えばAuまたはAgからなり、例えば10nm以上100nm以下の厚さであることが望ましい。EPG32は、例えば三角柱状の磁性コア33の2つの側面をそれぞれ覆ってZ軸方向へ延在する一対の平面部分が頂点32vにおいて連結され、V字形をなすものである。磁性コア33におけるプラズモンシールド34と反対側の面は、PA39の第3の側面39sである。この第3の側面39sは、EPG32によって覆われておらず、磁性コア33が主磁極31と直接接していることが望ましく、主磁極層31のリーディングサイドの一部とみなしてもよい。トレーリングサイド31sは、ABSに含まれ、PA39とは反対側の主磁極層31の端縁である。当然ながら、主磁極層31およびTAMRヘッドは、記録処理の際、Y方向、すなわちダウントラック方向とは反対の方向に動く。X軸は、クロストラック方向を表す。なお、本発明に関連する米国特許出願第12/456290号明細書において説明される他の実施の形態においては、プラズモンアンテナと主磁極層との間に分離層を形成している。プラズモンシールド34は、Au,Ag,CuおよびAlなどの金属またはそれらの合金からなり、導波路図示せずによって移動された光周波数における薄い表皮厚さを有する。プラズモンシールド34は、後出の図6A~図6Cに示すように、光導波路37後出を遮るために十分な大きさを有する。これについては後続の段落にて説明する。プラズモンシールド34のY軸方向における厚さは、図4Aに示した実施態様、および図4B~図4Eに示した変形例においては、例えば200nmより大きい。一方、クロストラック方向に沿った横方向X軸方向の幅は、例えば50nm以上500nm以下である。当然ながら、光導波路37の光周波数は、EPG32およびプラズモンシールド34の組成に基づいて選択される。例えば、AgおよびAuからなるEPG32およびプラズモンシールド34に対しては、約800nmの波長を放出するダイオードが望ましい。一方、AlからなるEPG32およびプラズモンシールド34に対しては、400~500nmという、より短い波長が用いられる。同様に、表皮厚さは、上記の波長において、Alの場合の約6nmから、Agの場合の約10nm、Auの場合の約20nmまでさまざまである。図4AのTAMRヘッドでは、プラズモンシールド34は表面34sを有する。表面34sは、トレーリングサイド31sに対して基本的に平行であり、頂点32vに面している。EPG32とプラズモンシールド34との間には誘電体層図示せずが設けられている。すなわち、表面34sと頂点32vとは離間しており、その間隙35は、5nm以上50nm以下の好適な距離aを有し、磁気記録媒体図示せずの表面上に、所望の大きさ径および形状を備えた光スポットを実現するように調整される。間隙35の距離aが5nmより小さい場合、電界光スポットはEPG32の頂点32vに集束せず、先端部の側面へと絞り出されてしまう。間隙35の距離aが50nmより大きい場合、プラズモンシールド34が有する、光スポット径を縮小するという作用およびそれによる利点は失われる。なお、表面34sのトポグラフィーは、平坦面ではなく、光スポットの形状を最適化するように凹凸を有してもよい。しかしながら、図4Aのように平坦面とすることで、製造容易性の点で有利である。なお、間隙35を埋める誘電体層は、アルミナ、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素SiON、またはMgF2などの低屈折率材料によって構成する。それにより、エッジプラズモンモード図示せずの伝播を最適化できると考えられるからである。図4Bに、本実施態様の第1の変形例変形例1を示す。本変形例では、頂点32vに近接する表面34sに、XY断面において三角形状の断面を有し、プラズモンシールド34と平行にZ軸方向へ延在する溝を設けるようにした。この溝は、XY断面において、ダウントラック方向Y軸方向に対して傾斜した一対の側面34nが、最深部である頂点34vにおいて交わるようなV字形状を有している。例えば図4Bに示したように、頂点34vを、Y軸方向において頂点32vの下方に配置し、頂点32vを含むEPG32の一部を、側面34nによって囲まれた溝の中に配置するとよい。表面34sにおける溝以外の部分は、トレーリングサイド31sに対して平行をなす平坦面である。表面34sに設けられた溝は、Z軸に沿って同一形状を維持している。EPG32の側面32sは、側面34nに対して、実質的に平行に配置される。これにより、製造容易性が確保される。側面32sと側面34nとは、距離aを有する間隙35によって分離されている。間隙35には、誘電体層図示せずが充填されている。尖った形状を備えた構造を実際に製造する場合には、V字形のデザインは製造技術上の問題により、その先端部がかなり丸みを帯びた湾曲形状になる。すなわち、頂点34vおよび頂点32vは、図2Bに示したように、一定の幅を有する湾曲部分を含んでいる。図4Cに、本実施態様の第2の変形例変形例2を示す。本変形例は、プラズモンシールド34の表面34sに、台形状の断面を有すると共にZ軸方向へ延在する溝を形成したものである。表面34sは、一対の側壁34kと、それらを連結する底面34mとを有する。側壁34kは、例えばEPG32の側面32sに対して実質的に平行である。頂点32vと底面34mとは、距離aを有する間隙35によって分離されている。間隙35には、やはり誘電体層図示せずが充填されている。EPG32とプラズモンシールド34との間にある間隙35は、求める光スポットの形状に応じて大きさを調整してもよい。それにより、磁界を配向する際に、ストレートな磁気転移をもたらすうえ、光スポット径を縮小することができる。図4Dに、本実施態様の第3の変形例変形例3を示す。本変形例は、プラズモンシールド34の表面34sに、頂点32vに面する突出部隆起部を設けるようにしたものである。その突出部は、XY断面において、頂点32vと対向する上面34rと一対の側面34pとを含む台形状を有しており、Z軸方向へ延在している。上面34rは、ABSに対して垂直に延在し、例えば頂点32vおよび表面34sに対して実質的に平行であり、Y軸方向において距離aを有する間隙35によって頂点32vから分離されている。上面34rは、ダウントラック方向において、頂点32vの下方延長上に位置する。図4Eに、本実施態様の第4の変形例変形例4を示す。本変形例は、プラズモンシールド34の表面34sに、頂点32vと対向する三角形状の断面を有する突出部隆起部を設けるようにしたものである。この突起部は、V字形を上下反転させた三角形状、すなわち、頂点32vと対向する頂点34gにおいて交差する一対の側面34pを有するものである。頂点34gは、ABSに対して垂直に延在し、例えば頂点32vおよび表面34sに対して実質的に平行であり、Y軸方向において距離aを有する間隙35によって頂点32vから離間している。頂点34gは、ダウントラック方向において、頂点32vの下方延長上に位置する。また、本実施態様によれば、磁気シールド構造をさらに設けることにより、記録処理における光学的性能および磁気的性能の両方を最適化することができると考えられる。図5A~図5Gに示す第5~第11の変形例では、プラズモンシールド34の、表面34sと反対側の表面に、リーディングシールド36をそれぞれ設けるようにしている。すなわち、プラズモンシールド34は、リーディングシールド36とEPG32との間に形成される。具体的には、図5A~図5Eは、それぞれ、図4A~図4Eに対応する。図5A~図5Eでは、プラズモンシールド34は、リーディングシールド36の上に実質的にコンフォーマルな形状の保護膜を形成する。リーディングシールド36は、例えばCo,Fe,NiおよびBのうち1種以上の金属、またはこれらの合金によって構成される。さらに、当業者であれば理解できるように、本発明は、主磁極およびシールドに用いられる磁性材料、並びにヨークおよびコイルの構成に応じて、主磁極の役割と磁気シールドの役割とが切り替わる実施態様図示せずも含むものである。よって、表面34sとは反対側のプラズモンシールド表面に隣接する磁気シールド36は、トレーリングシールドとみなしてもよい。図5Aに示す変形例5としてのTAMRヘッドは、プラズモンシールド34の、PA39と反対側の面と接するようにリーディングシールド36を設けたことを除き、他は図4Aに示したTAMRヘッドと同様の構造である。リーディングシールド36の上面36sは、プラズモンシールド34と接している。この場合、プラズモンシールド34は、図4AよりもY軸方向における厚さが小さく、僅か1nm以上100nm以下であるとよい。表面34sは、上面36sに対して平行であることが望ましい。同様に、図5Bに示す変形例6としてのTAMRヘッドは、プラズモンシールド34の、PA39と反対側の面と接するようにリーディングシールド36を設けたことを除き、他は図4Bに示したTAMRヘッドと同様の構造である。リーディングシールド36の上面36sは、表面34sとは反対側のプラズモンシールド34の第1の部分平坦部分と接触することが望ましい。さらに、平坦部分だけでなく、一対の側面36nによって形成された溝を有することが望ましい。一対の側面36nは、溝の最深部に位置する頂点36vにおいて収束するように接続されている。プラズモンシールド34は、リーディングシールド36と相似形コンフォーマル形状を有している。ここで、一対の側面34nはそれぞれ、側面36nと実質的に平行であり、頂点34vに収束する。頂点34vは、Y軸方向において、頂点32vと頂点36vとの間に配置される。表面36sは、表面34sに対して平行であり、側面36nと接続している。図5Cに示す変形例7としてのTAMRヘッドは、プラズモンシールド34の、PA39と反対側の面と接するようにリーディングシールド36を設けたことを除き、他は図4Cに示したTAMRヘッドと同様の構造である。このTAMRヘッドでは、リーディングシールド36は、表面34sに対して平行に形成された表面36sを含むプラズモンシールド34と接触する上面と、底面36mおよび一対の側面36kを含む溝とを有する。表面34sを含むプラズモンシールド34の上面は、表面36s、側面36k、および底部36mに適合することが望ましい。側面36kはそれぞれ、その上にある側面34kに対して実質的に平行であり、底面34mは、Y軸方向において、底面36mと頂点32vとの間に配置される。リーディングシールド36の上面部36sは、表面34sに対して平行であり、側面36kと接続している。底面36mは、Z軸方向に延在し、頂点32vに対して平行に配置される。図5Bおよび図5Cに示したTAMRヘッドは、いわゆる凹形デザインのプラズモンシールド34を備えたものである。図5Dに示す変形例8としてのTAMRヘッドは、プラズモンシールド34の、PA39と反対側の面と接するようにリーディングシールド36を設けたことを除き、他は図4Dに示したTAMRヘッドと同様の構造である。このTAMRヘッドでは、プラズモンシールド34が、リーディングシールド36の上面に適合することが望ましい。リーディングシールド36の上面は、表面36sと、側面36pと、表面36rとを含み、これらにより、いわゆる凸形デザインのプラズモンシールド34を形成する。一対の側面34pはそれぞれ、その下にある側面36pに対して実質的に平行である。表面34rは、Y軸方向において、表面36rの上に配置されている。リーディングシールド36の表面36sは、表面34sに対して平行であり、側面36pを介して側面36rと接続する。その結果、側面36rおよび側面36pは、リーディングシールド36の上に突出部を形成する。側面36pは、Z軸方向において、頂点32vに対して平行であり、Y軸方向に沿って、ダウントラック方向に、頂点32vの下方に配置される。図5Eに示す変形例9としてのTAMRヘッドは、プラズモンシールド34の、PA39と反対側の面と接するようにリーディングシールド36を設けたことを除き、他は図4Eに示したTAMRヘッドと同様の構造である。このTAMRヘッドでは、プラズモンシールド34が、リーディングシールド36の上面に適合することが望ましい。リーディングシールド36の上面は、表面36sと、側面36pとを含み、これらにより、いわゆる凸形デザインのプラズモンシールド34を形成する。一対の側面34pはそれぞれ、その下にある側面36pに対して実質的に平行である。リーディングシールド36の表面36sは、表面34sに対して平行であり、側面36pと接続する。その結果、側面36pは、リーディングシールド36の上に突出部を形成し、頂点36gにおいて収束する。頂点36gは、Z軸方向において、頂点32vおよび頂点34gと実質的に平行であり、Y軸に沿って、ダウントラック方向において、頂点32vの下に配置される。図5Fは、本実施態様の変形例10としてのTAMRヘッドを表す。この変形例では、三角形状のノッチが、リーディングシールド36との界面に沿って、プラズモンシールド34から取り除かれている。よって、頂点36gにおいて収束する2つの側面36fを有する突出部が、表面34sとは反対側のリーディングシールド上面の上、およびプラズモンシールド34の内部に形成されている。プラズモンシールド34は、リーディングシールド36の上にコンフォーマル層を形成することが望ましい。頂点36gは、ダウントラック方向において頂点32vの下方に配置され、表面34sを含むプラズモンシールド34の一部によってEPG32から分離していることが望ましい。なお、突起部は、リーディングシールド36の拡張部であるとみなされる。頂点36gは、Z軸方向において、頂点32vに対して平行に配置される。図5Gは、本実施態様の変形例11としてのTAMRヘッドを表す。この変形例では、プラズモンシールド34の表面34sは、X軸方向において、一対の側面34wと、表面36tとを含むリーディングシールドの一部によって遮られている。すなわち、プラズモンシールド34は、上面34s1および上面34s2をそれぞれ有する2つの部分によって構成されている。この2つの部分は、側面34wおよび表面36tによって一部分が囲まれたリーディングシールド36の矩形部34Tによって分離されている。したがって、表面36tは、上面34s1および上面34s2と同一平面上にあり、EPGの頂点32vに面している。誘電体によって充填された間隙35によって、EPG32と表面36tとは分離している。それゆえ、表面36tは、Y軸方向において、頂点32vの下方に配置され、Z軸方向において、頂点32vに対して平行に配置される。図6Aは、本実施態様のTAMRヘッドの、ABS30-30に直交する断面の構造を表したものである。この断面図は、Y軸方向ダウントラック方向に沿っており、X軸クロストラック方向に沿った紙面に対して垂直である。Z軸エッジプラズモン伝播方向に沿った大きさは、構成要素が素子の後端に向かって延在する長さを表す。例えば、プラズモンシールド34は、ABSとは反対側に、一定の高さhの位置にある側面34bを有する。高さhは、例えば10nm以上160nm以下である。光導波路37は、ABS30-30から距離hだけリセスしており、素子スライダーの後方端縁に向かって延在している。主磁極層31は、Z軸方向においてEPG32よりも大きな寸法を有している。なお、光導波路37の側面は、表面34sと同一平面上にあり、頂点32vに面している。光導波路37の端部37eは、ABSとは反対側にあるプラズモンシールド34の側面34bと接触することが望ましい。プラズモンシールド34の側面34bは、端部37eよりも、Y軸方向において大きな長さを有してもよい。それにより、ABSから見ると図示せず、光導波路37を遮るようになる。他の形態として、端部37eと側面34bとの間に、分離層図示せずを設けてもよい。図6Bは、本実施態様の変形例変形例12としてのTAMRヘッドの断面構造を表したものである。この変形例では、プラズモンシールド34を先細り形状にすることによって、光学効率を向上することができる。EPモード図示せずがABSに向かって伝播するとき、プラズモンシールド34とEPG32との間の距離は、特定の領域40において、次第に減少するようになっている。よって、EPG32から離れてEPG32に面する側面の高さh1は、側面34sの高さh2よりも大きい。従って、側面34bは、EPG32に向かってABSへ近づくように傾斜している。例えば導波路37は、側面34bの部分に沿って、プラズモンシールド34に隣接する、傾斜した端部37eを有する。図6Aおよび図6Bは、図4A~図4Dに示したTAMRヘッドに対応する断面図である。図6Cは、図5A~図5Fに示す変形例としてのTAMRヘッドのうちの1つに対応する断面図である。ここで、プラズモンシールド34は、リーディングシールド36に隣接する。このTAMRヘッドにおいて、プラズモンシールド34およびリーディングシールド36の両方は、それぞれ、ABS30-30とは反対側に、傾斜した側面34b,36bを有する。リーディングシールド36は、ABSに沿って形成された側面を有する。表面34sを含むプラズモンシールド34の第1の部分は、ABSに露出している。この場合、表面34sを含む第1の部分が、頂点32vに近接するプラズモンモードからの電界を保持する役割を主に果たす。さらに、側面36sのz軸方向における高さは、側面36sとは反対側のリーディングシールド側面36tの高さh3よりも小さい。傾斜したプラズモンシールド24の側面34bは、図6Bに示した構造と同じ利点をもたらす。側面34bは、そのほとんどの部分が端部37eと接触する。側面34bは、プラズモンシールドの第1の部分に接続する第2の部分の一部であるとみなしてもよい。したがって、表面34sに接続する、側面34bの第1の端部は、第1の端部とは反対側にある、側面34bの第2の端部よりも、ABSからの距離が小さくなるように形成される。リーディングシールド36は、EPG32に面する表面36sを有し、表面34sとは反対側にあるプラズモンシールドの第1の部分と接触する。プラズモンシールド34は、側面36bおよび側面36sに対してコンフォーマルな形状であることが望ましい。それにより、傾斜した側面34bは、傾斜した側面36bに対して基本的に平行となり、表面34sは、表面36s、およびトレーリングサイド31sに対して基本的に平行となる。表面34sは、EPG32に面する導波路37の面と同一平面上にあることが望ましい。図7および図8は、2つのTAMR構造のシミュレーション結果を示す。図8は、図4Aおよび図6Aによって表される本発明のTAMRヘッドに関するものである。図7は、プラズモンシールドを含まない従来のEPGデザインのTAMRヘッドに関するものである。有限差分時間領域FDTD:finitedifferencetimedomain法を用いた光モデリングを行い、プラズモンシールドの機能、および、プラズモンシールドを設けることによる光スポット径の大きさを比較した。相当とも、先端部の幅r図2B参照は25nmとした。である。この大きさは、信頼できる方法によって容易に製造可能な大きさである。図7は、プラズモンシールドを含まない従来のEPG設計を用いた磁気ヘッドにおいて、ABSの下方5nmの距離のところに磁気記録媒体を配置した場合の、その磁気記録媒体の電界強度分布を示す。この場合、光導波路は、ABSまで完全に拡張される。図8は、同じ位置に配置された磁気記録媒体の電界強度分布を示すが、この場合、プラズモンシールドは、光導波路とABSとの間に含まれ、EPGの頂点先端部から30nmのところに位置している。なお、双方の例におけるピーク強度は、よく似ている。これは、プラズモンモードを、EPGに対して最適に設定すれば、エッジプラズモンモードの光学効率は低下しないことを意味する。図8のように、光スポットの大きさを大幅に減少させると、明らかに大きな利点があることがわかる。具体的には、光スポットの形状が、EPGの両側に分散するのではなく、EPG先端部の下のより狭い範囲に閉じ込められるということである。スポットがより狭い範囲に閉じ込められると、TAMR記録の際、転移の改善が促されると思われる。図9は、図7および図8に関して前述した2つのTAMR例の、ダウントラック方向およびクロストラック方向における強度分布を表す。図9を参照して、本発明の実施の形態に係るプラズモンシールドを含むTAMRヘッドの効果を定量的に説明する。FWHMFullWidthHighMagnitudeスポットの大きさは、プラズモンシールドを設けた場合、クロストラック方向において、約100nmから70nmへと減少し30減少、ダウントラック方向において50nmから45nmへと減少する。従来の例におけるFWHMスポットの大きさは、クロストラック領域における30強度に沿った曲線54の左手部分と右手部分との間の距離、および、ダウントラック領域における曲線52の左手歩部分と右手部分との間の距離によって確定可能である。同様に、プラズモンシールドを備えた例におけるFWHMスポットの大きさは、クロストラック領域における曲線53の左手部分と右手部分との間の距離、およびダウントラック領域における曲線51の左手部分および右手部分との間の距離によって確定可能である。光スポットの大きさを縮小した結果、熱スポットは縮小し、また、温度勾配も向上する。さらに、本発明のプラズモンシールドを、向上した磁界のオーバーレイ、および磁気媒体における温度勾配の利点とともに用いれば、記録磁界勾配を大幅に効果的なものにすることができ、それによって、最大1~10Tbit/in2の範囲の高密度設計に必要な、高い性能を得ることができる。次に、図10~18を参照して、TAMRヘッドの製造方法について説明する。図10~図14において、AはABSと直交し、かつ、ダウントラック方向と平行な断面を表す。BはABSと直交し、かつ、クロストラック方向と平行な断面を表す。また、図15~図18では、AはABSと直交し、かつ、ダウントラック方向と平行な断面を表す。BはABSと平行な断面を表す。CはABSと直交し、かつ、クロストラック方向と平行な断面を表す。図10において、下部構造10は、通常、AlTiC基板と、センサ構造を含む再生ヘッド図示せずとからなる。下部構造10の上に、誘電体層11などのクラッド材料を堆積する。そののち、公知の技術により、光導波路37を、誘電体層11の上に形成する。図10Bの上面図において、光導波路37は、誘電体層11を部分的に覆う帯状のものとして示されており、Z軸方向を長手方向とする面積を有している。この場合における、-Z方向は、TAMRヘッドの後端へ向かう方向を意味する。図10Cの上面図において、光導波路37は、X軸クロストラック方向に沿って幅を有することがわかる。面29-29は、素子の前端面を表す。なお、光導波路37は、図10AにおけるY軸ダウントラック方向に沿って厚さを有する。当然ながら、全ての層を形成し、ラッピング処理を完了したのち、ABS図18の面30-30は、面29-29に対して実質的に平行となる。ラッピング処理は、面29-29に対して-Z方向に進行する。図11Aの断面図に示すように、フォトレジスト層60を、光導波路37の上に塗布し、パターニングする。フォトレジスト層60は、面29-29に沿って開口部70を有し、Z軸方向に長さdを有する。一般的な反応性イオンエッチング処理を用い、開口部70に対応する光導波路37および誘電体層11を選択的にエッチングする。エッチング処理は、誘電体層11の厚さ全体を貫通はさせず、上面11sを残すようにする。光導波路37の前端部37eは、面29-29に面している。図11Bの上面図によると、上面11sは矩形状をなしている。次に、図12に示したように、プラズモン層34を、開口部70の内部に堆積させる。この際、前端部37eを含む側壁および表面11sの上に、実質的に矩形の保護膜を形成するという従来の方法を用いて行う。これにより、図12Aに示したように、上面34sを有するプラズモン層34の第1の部分を、前端部37eに沿って形成し、上面34cを有するプラズモン層の第2の部分を、上面11sの上に形成する。図12Bの上面図に示すように、上面34cおよび上面34sは、それぞれ、矩形状をなし、面29-29に対して平行な部分において互いに接している。次に、図13に示したように、フォトレジスト層60を、公知の方法によって取り除く。そののちCMP処理を行い、プラズモン層34の上部を取り除く。これにより、上面34sは、図13Aに示したように、光導波路37の上面37sと同一平面上となる。次に、図14に示したように、ギャップ層35を、化学気相成長法CVD:chemicalvapordeposition、またはプラズマ気相成長法PVD:plasmavapordepositionなどによって、上面34c、34s、37sおよび誘電体層11の露出領域に堆積する。ギャップ層35は、必要に応じて、CMP工程によって平坦化してもよい。次に図15に示したように、ギャップ層35に、標準的なフォトレジストパターニング、および一連のエッチングによって、V字形の溝を形成する。この高低においては、塗布したフォトレジスト層図示せずに矩形状の開口部を形成し、その後、イオンビームエッチングIBE:ionbeametchを施す。この際、イオンビームは、フォトレジスト開口部に対し、斜めに向ける。これにより、傾斜した側壁35sを備えた溝62を形成する。なお、図15Aに示したように、イオンビームをギャップ層35の厚さ方向に貫通させず、光導波路37の前端部の上、および上面34sの上のギャップ層の薄い部分を残すようにする。溝62の前端部35eは、面29-29に対して平行に配置するとともに、面34cの上に配置することが好ましい。溝62の、Z軸方向における縦領域は、後続の工程にて堆積するEPG層32を含むプラズモンジェネレータの望ましい長さに対応する。図15Bにおいて、側壁35sを備えたV字形の溝62を示す。溝62は、上面34sの上部に配置される。次に、図16に示したように、EPG層32を、例えば、スパッタ蒸着法によって堆積する。EPG層32は、共形をなして側壁35sを覆うが、溝62を完全に埋めはしない。EPG層32の側面は、頂点32vに収束させる。それから、磁性材料を堆積し、主磁極層31を形成する。主磁極層31は、溝62の上部を埋めるだけでなく、上面35tの上に一定の距離分、延在するようにする。この時点で、はじめに溝62を形成したIBE処理において使用したフォトレジストマスクを取り除いてもよい。このようにして、主磁極31と、EPG32とが、面29-29から一定の距離分だけリセスするように、しかし、光導波路37の前面部、および上面34sの上方に位置するようにする。主磁極31の前端部31eは、表面34cの上方に配置することが望ましい。次に、図17に示したように、保護膜層63を、例えば、CVD法、またはPVD法によって、ギャップ層35、および主磁極31の上に堆積する。保護膜層63は、誘電体材料によって構成してもよい。CMP処理を用いて、上面63sを滑らかにしてもよい。最後に、面29-29をラッピング処理することにより、TAMRヘッドにABS30-30を形成する。この結果、プラズモンシールド34は、ABSに沿って形成された側壁と、ギャップ層35に隣接し、EPG32に面する上面34sとを有するものとなる。なお、主磁極31の前端部31eと、EPG32のその下方にある部分もまたラッピング処理の際に取り除く。これにより、主磁極およびEPGの側面がABSに沿って形成される。当業者であれば理解できるように、図4B~図4Eに示した変形例としてのTAMRヘッドについても、図10~図18で説明した一連の工程と同様の方法によって製造可能である。具体的には、フォトレジストパターニングおよび一連のエッチング工程を追加すれば、上面34sに溝を形成すること、またはギャップ層35を堆積する前にプラズモンシールド34の上に突出部を形成することのいずれかが実現できる。さらに、頂点32vをEPG層32に形成する。EPG層32は、プラズモンシールドの溝、または突出部の上に縦方向に配置する。さらに、図5Aに図示する磁気シールド36を、プラズモンシールド34の表面34sとは反対側に隣接して形成してもよい。開口部70図11に磁性材料を堆積し、その後プラズモン材料を堆積することによって形成することができる。これに続く工程は、図10~図18に示す工程と同じである。図5B~図5Gに示す実施の形態に関して、プラズモンシールド34を堆積する前に、一連のフォトレジストパターニングエッチング工程を追加することにより、シールド36の上面36sを変形することができる。また、バックエンド処理工程は、図14~図18に示す工程と同じであるが、上面34s溝または突出部の一部が平坦ではない。図5A~図5Gに示す実施の形態に関連する一連の工程では、ラッピング工程によって、磁気シールド36、プラズモンシールド層34、EPG32、および主磁極31に沿ったABSを形成すればよい。本発明が従来技術よりも優れている点は、本発明によれば、磁気媒体の上に、従来よりも小さなスポットと、光スポットにおけるより優れた磁界勾配のオーバーレイという独特な組み合わせを提供できる点である。小さなスポットは、プラズモンシールドの構成要素によって実現可能であり、光スポットにおけるより優れた磁界勾配のオーバーレイは、関連する特許出願シリアル番号12/456290に開示するEPG設計によって実現可能である。熱アシストメカニズムを用いれば、エッジプラズモンモードの光学効率を損なうことなく、記録効果を向上させることができる。さらに、EPG先端部の大きさは、製造環境において容易に再現可能なサイズを用いてもよい。以上、特定の実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例において説明した態様に限定されず、本発明の趣旨から外れることがない限りにおいて、製造方法、プロセス、材料、構造などについての種々の変形が可能である。"