第1のウェーハ110内の不均一変形の評価方法であって、前記第1のウェーハが第2のウェーハ120に分子付着によってボンディングされ、複数の測定点を調査するステップE1であって、前記測定点の各々が前記第1のウェーハの露出した表面のレベルを局所的に表す、ステップE1と、複数の測定点を通る前記第1のウェーハの少なくとも1つの表面プロファイルを決定するステップE2と、前記第1のウェーハの前記表面プロファイルを処理して、前記処理した表面プロファイルに特徴的である量を決定するステップE3と、前記特徴的な量に応じて前記第1のウェーハ内の不均一変形のレベルを評価するステップE4と、を含む、評価方法。前記表面プロファイルが、前記第1のウェーハの直径に沿って配置された測定点によって決定される、請求項1に記載の評価方法。前記特徴的な量が、前記表面プロファイルの二次微分係数である、請求項2に記載の測定方法。前記評価ステップは、前記二次微分係数が少なくとも1つの符号の変化を有するかどうかを決定するための第1のテストと、前記二次微分係数が所定の値よりも大きな少なくとも1つの絶対値を有するかどうかを決定するための第2のテストと、のうちの少なくとも1つを含む、請求項3に記載の測定方法。前記表面プロファイルは、円の中心が前記第1のウェーハの中心と一致する円R1~R3に沿って配置された測定点によって決定される、請求項1に記載の評価方法。前記特徴的な量が、前記表面プロファイルの広がりである、請求項5に記載の評価方法。前記第1のウェーハの複数の表面プロファイルC1~C3を決定するステップと、前記複数の表面プロファイルの各表面プロファイルについて、前記処理したプロファイルに特徴的である量を決定するための処理ステップを実行するステップであって、前記評価ステップ中に、前記不均一変形のレベルがそのように決定された前記特徴的な量に応じて決定される、実行するステップと、が実行される、請求項1~6のいずれか一項に記載の評価方法。各ログの前記測定点が、測定ステップに従って測定され、前記測定ステップが前記第1のウェーハの少なくとも1つのパターンの寸法に応じて決定される、請求項1~7のいずれか一項に記載の評価方法。前記測定ステップが、前記第1のウェーハのパターンの寸法の半分に実質的に対応する、請求項8に記載の評価方法。複数の測定点のロギングが、音響顕微鏡によって実行される、請求項1~8のいずれか一項に記載の評価方法。第2のウェーハ120に分子付着によってボンディングされた第1のウェーハ110を備える少なくとも1つの構造の選択方法であって、請求項1~10のいずれか一項に規定された前記評価方法によって各構造の前記第1のウェーハ内の前記不均一変形を評価するステップと、評価した各構造について決定した前記特徴的な量に基づいて1つ又は複数の構造を選択するステップE5と、を含む、選択方法。第1のウェーハ内の不均一変形の評価装置であって、前記第1のウェーハが第2のウェーハに分子付着によってボンディングされ、複数の測定点を調査するための測定手段であって、前記測定点の各々が前記第1のウェーハの露出した表面のレベルを局所的に表す、測定手段と、複数の測定点を通る前記第1のウェーハの少なくとも1つの表面プロファイルを決定するため、及び表面プロファイルに特徴的な量を決定するための計算手段と、前記特徴的な量に応じて前記第1のウェーハ内の不均一変形のレベルを評価するための評価手段とを備えた、評価装置。前記特徴的な量が、前記表面プロファイルの二次微分係数である、請求項12に記載の評価装置。前記評価手段は、前記二次微分係数が少なくとも1つの符号の変化を有するかどうかを決定するための第1のテストと、前記二次微分係数が所定の値よりも大きな少なくとも1つの絶対値を有するかどうかを決定するための第2のテストとのうちの少なくとも1つを実行するように構成される、請求項13に記載の評価装置。各ログの前記測定点が、前記第1のウェーハの直径に沿って測定される、請求項12~14のいずれか一項に記載の評価装置。前記測定手段が、複数の測定点ログを生成するように構成され、前記ログが、互いに間隔を空けて配置され、且つ同じ方向に生成される、請求項12~15のいずれか一項に記載の評価装置。前記測定手段は、各ログの前記測定点が測定ステップに従って測定されるように構成され、前記測定ステップが、前記第1のウェーハの少なくとも1つのパターンの寸法に応じて決定される、請求項12~16のいずれか一項に記載の評価装置。前記測定ステップが、前記第1のウェーハのパターンの寸法の半分に実質的に対応する、請求項17に記載の評価装置。前記測定手段が、音響顕微鏡を備える、請求項12~18のいずれか一項に記載の評価装置。本発明は、最終基板に対応する第2のウェーハへ分子付着によってボンディングされた初期基板に対応する第1のウェーハ内の不均一変形のレベルの評価を可能にする解決法を提案する。ここで考えるものは、図2に示したような複合構造物125のケースである。この例では、ボンディング界面114a上にマイクロコンポーネント111を有する第1のウェーハ110を第2のウェーハ120に分子付着によりボンディングすることによって、ボンディング界面のレベルのところにマイクロコンポーネント111を埋め込むように、複合構造物125が形成される。ここで説明する例では、複合構造物125を形成するために使用するウェーハは、300mmの直径を有する。本発明が他のウェーハサイズ及び/又は形状に当てはまることが、それでもなお理解されるであろう。本発明の一実施形態の評価方法の主要ステップステップE1~E3を、図3を参照して説明する。本方法は、図2に示した複合構造物125中の不均一変形のレベルの評価を可能にする。出願人は、驚いたことに、第1のウェーハ110の露出した表面114b上のレリーフを調査することによって第1のウェーハ110内の不均一変形についての情報を入手することが可能であることを見出している。したがって、各測定点がウェーハ110の露出した表面のレベルを局所的に表す複数の測定点をロギングするステップE1を最初に実行する。実行した各ロギングは、したがって、特定の方向の又は特定の曲線に沿って、特定の長さにわたる第1のウェーハ110の表面プロファイルに対応する。したがって、ここでは、表面プロファイルは、特定の方向又は特定の曲線における、特定の長さにわたる表面のレリーフ又はレベルを表すプロファイルを意味する。本ケースでは、測定点の各ログは、前記露出した表面114bに垂直な軸Zに関して、第1のウェーハ110の露出した表面114bのレベル又はレリーフを局所的に表す。測定点のそのログ又は各ログは、機械的な手段又は光学的な形状測定装置によって例えば、干渉計によって典型的には実行される。ログは、好ましくは音響顕微鏡技術を使用して生成され、この技術は、各ログの測定時間の都合の良い短縮を可能にする。図7は、第1のウェーハ110の露出した表面114bのプロファイルの測定を可能にする音響顕微鏡技術の一例を図式的に表す。プローブ147は、複合構造物125の方向に入射音響波140を放出するように構成された音源148を備える。この音響波は、第1のウェーハ110中を、次に第2のウェーハ120中を伝搬する、したがって、3つの連続した界面、すなわち、第1のウェーハ110の露出した表面114b、次に第1のウェーハ110の埋め込まれた界面114a、及び最後に第2のウェーハ120の裏面にぶつかる。音響波140は、各界面のところで部分的に反射し、プローブ147の音響センサ150に送り返される反射波をそのたび毎に生成する。したがって、第2のウェーハ120の裏面のところで、埋め込まれた表面114aのところで、及び露出した表面114bのところでの音響波142の反射にそれぞれ由来する反射波142、144及び146の受信を音響センサ150を用いて検出する。反射波146がプローブ147へ到達するまでに必要な時間からウェーハ147と第1のウェーハ110の露出した表面114bとの間の距離を決定することが可能である。或いは、第1のウェーハの厚さを、反射波146の受信と反射波144の受信との間の時間シフトから所与の位置のところで測定することができる。したがって、複合構造物125の前でプローブを移動させることによって、第1のウェーハ110の露出した表面114bのプロファイルに対応する測定点のログを生成することが可能である。ここで説明した例では、測定点が、第1のウェーハ110の直径Dに沿ってログされる。第2の例では、円の中心がウェーハ110の中心と一致し、円の半径がウェーハの半径よりも小さい円又は円弧に沿って、測定点がログされる。しかしながら、任意の方向に及び/又は任意の距離にわたって測定点の1回よりも多くのロギングを実行することが可能である。その上、各ログの方向及び長さが、所与の状況の制約及び必要条件関係する技術、信頼性の要求されるレベル、使用する装置、等に明らかに依存して選択される場合がある。上記から第2の例を続けると、ログは、円の中心がウェーハ110の中心と一致し、その半径がウェーハの表面全体にわたって測定点が分布するように選択される一連の同心円からなる場合がある。各プロファイルがステップE1において生成したログの複数の測定点を通るウェーハ110の少なくとも1つの表面プロファイルを決定するステップE2を次に実行する。したがって、表面プロファイルは、ステップE1において生成したログの測定点の一部又はすべてに対応する場合がある。複数の測定ロギングがステップE1において生成される場合には、ステップE2において測定プロファイルをその各々について決定する。一旦、ステップE2が実行されると、各表面プロファイルから対応する特徴的な量を推測するためにステップE2において求めた各表面プロファイルについて、処理を実行するステップE3。以降により詳細に説明するように、この特徴的な量を様々な種類のものとすることができる。具体的には、ステップE2において決定した表面プロファイルに基づく様々な処理が、ウェーハ110内に存在する不均一変形のレベルを表す情報を入手することを可能にすることを、出願人は判断している。本発明の第1の実施形態では、ステップE3中に、二次微分係数が、ウェーハ110の直径Dに沿って求めた測定点から計算される。このようにして計算した二次微分係数は、その直径に沿った表面プロファイルの勾配の変化についての情報を提供する。驚いたことに、表面プロファイルの二次微分係数が、第2のウェーハ120に分子付着によってボンディングされた第1のウェーハ110内に存在する不均一変形のレベルを表す情報を提供することに、出願人は気付いている。本発明の第2の実施形態では、処理ステップE3中に、ステップE2において決定した表面プロファイルの広がりが決定され、この表面プロファイルが円形ログに対応する。驚いたことに、円形ログに対応する表面プロファイルの標準偏差又は最大値と最小値の間の差異によって測定したような広がりが、第2のウェーハ120に分子付着によってボンディングされた第1のウェーハ110内に存在する不均一変形のレベルを表す情報をやはり提供することを、出願人は観測している。ステップE3において求めた特徴的な量に応じて第1のウェーハ110の不均一変形のレベルの評価が、次に実行されるステップE4。この評価は、図1Eを参照して説明したもののようなヘテロ構造の製造において後半に発生しやすいミスアライメントの推定を可能にする。図1のケースを参照すると、例えば、本発明は、マイクロコンポーネント11を製造するために使用したマスクと類似のフォトリソグラフィマスクを用いてマイクロコンポーネント12を製造することによって得られるはずのアライメント不良Δ11、Δ22、Δ33及びΔ44のレベルの推定を可能にする。この目的で、ウェーハ内の不均一変形のレベルを評価するために、表面プロファイルの特徴的な量すなわち、二次微分係数又は広がりを活用するために様々な方法があることを、出願人は見出している。不均一変形のレベルの評価を可能にする表面プロファイルの二次微分係数を使用する例第1の実施形態を、図4A、図5A及び図6Aの例を先ず参照して説明する。ここで検討したすべての例では、第1のウェーハ210、310及び410は、それぞれ第2のウェーハ220、320及び420にボンディングされる前に、わずかに凹形の形状を有する。明確にするために、第1のウェーハ210、310及び410の湾曲を、それぞれ図4A、図5A及び図6Aでは意図的に誇張している。その上、これらの例の各々において、マイクロコンポーネント211、311及び411が、第1のウェーハ210、310及び410の表面214a、314a及び414a上に存在する。図4A及び図5Aに示した第1のケース及び第2のケースでは、それぞれ、第1のウェーハ210及び310は、支持体S一般にチャックとして知られる上に設置され、その支持体上で凹形の形状を有する。マイクロコンポーネント211及び311を含んでいる表面214a及び314aが露出されるように、第1のウェーハ210及び310の湾曲を、支持体Sから離れるように向ける。ボンディングを進めるために、第2のウェーハ220及び320を、次にそれぞれ、第1のウェーハ210及び310の表面214a及び314a上に設置する。アプリケータツールそれぞれ231及び331と示されるを用いて、接触力を、第2のウェーハ220及び320上の領域全体にわたり又はある点のところに加える。各ケースにおいてアプリケータツール231及び331によって発生された接触力が、第1のウェーハと第2のウェーハとの間のボンディング波の導入を可能にする。第1のウェーハ210及び310は、したがって、それぞれ第2のウェーハ220及び320に分子付着によってボンディングされる。各ケースにおいて、マイクロコンポーネントが、第1のウェーハと第2のウェーハとの間のボンディング界面のところにそのときには埋め込まれる。第1のケース図4Aでは、接触力を第2のウェーハ220の周辺端部のところに加える。第2のケース図5Aでは、これに反して、接触力を第2のウェーハ320の中心のところに加える。図6Aに示した第3のケースは、第2のウェーハ420が支持体S上に直接設置される点で、第1のケース及び第2のケースとは異なる。第1のウェーハ410が、次に第2のウェーハ420上に置かれ、マイクロコンポーネント411を含む第1のウェーハ410の面414aが第2のウェーハ420の方へ向けられる。第1のウェーハ410と第2のウェーハ420との間のボンディング波の伝搬を開始させるために、接触力を、アプリケータツール431を用いて第1のウェーハ410の中心のところに次に加える。ここで検討した3つのケースにおいて、図2に示したような第2のウェーハに分子付着によってボンディングされた第1のウェーハを含む複合構造物が、その結果得られる。ここで説明した例では、ボンディング波を導入するために、3.7Nの接触力を6秒間加えることに留意されたい。不均一変形は、第1のウェーハ210、310及び410をそれぞれ第2のウェーハ220、320及び420と組み立てた後で第1のウェーハ210、310及び410内に生じやすい。図4A、図5A及び図6Aに示した3つのケースにおいて、第2のウェーハ220、320及び420は、平面形状のものであることが、さらに分かるであろう。しかしながら、第2のウェーハは、それぞれのケースにおいて、非平面形状、例えば、第2のウェーハが組み立てられる第1のウェーハと類似の又は異なる凹形形状を有することがある。上に検討した3つのケースの各々において、一旦分子付着によるボンディングが実行されると、得られた複合構造物の各々の第1のウェーハ内の不均一変形のレベルの評価が続く。最初に、複合構造物の各々の第1のウェーハの露出した表面上の複数の測定点のログが生成されるステップE1。ここで説明するケースでは、測定点を、音響顕微鏡によって第1のウェーハ210、310及び410の特定の直径Dに沿ってログする。各測定点は、所定の基準高さに対する第1のウェーハの露出した表面の高さZに対応し、各高さが、第1のウェーハの表面上の所与の位置に関係付けられる。ここで説明した例では、各測定点の位置は、関心のある直径Dに沿った位置Xよって定められる。或いは、各測定点は、第1のウェーハの露出した表面上の二次元での位置に対応する1対の座標X、Yと同様に関係付けられる。その上、ここで説明した例の各々では、測定点のログを生成するステップE1は、このようにして求めた表面プロファイルを表す曲線の生成をさらに含む。一方で、本発明の方法の引き続くステップを、かかる曲線を生成することを必要としないで実行することができる。図4B、図5B及び図6Bは、検討した3つのケースについて観測した、それぞれ表面プロファイル232、332及び432を表す。表面プロファイル232、332及び432の調査は、図4Aの例では25μm、図4Bの例では12μm、及び図4Cの例では30μm程度の高さ変動を示している。ステップE1において求めた表面プロファイルから二次微分係数を計算するステップE2が続く。上に示したように、各二次微分係数を対応するログの測定点から直接計算することができるので、曲線232、332及び432の生成は、必ずしも必要ない。ここで検討した例の各々において、計算ステップE2は、このようにして求めた二次微分係数を表す曲線の生成をさらに含む。曲線234、334及び434は、それぞれ3つの表面プロファイル232、332及び432の二次微分係数に対応する。二次微分係数を表すいずれかのグラフ表示を生成しないで不均一変形のレベルを評価することが、それにもかかわらす可能である。各二次微分係数の値の計算及び利用のためのプロセスを限定することが可能である。ステップE2において計算した二次微分係数は、検討した3つのケースについての第1のウェーハ内の不均一変形のレベルの評価評価ステップE3を可能にする。表面プロファイルの二次微分係数が、第1のウェーハの表面における変形を表し、これらの表面変形を調査することによって、第1のウェーハ内の不均一変形のレベルを評価することが可能であることに、出願人は気付いている。同じ表面プロファイルにおける湾曲の方向の少なくとも1つの変化の存在が、第1のウェーハ内の大きな不均一変形の存在を論証することが、例えば見出されている。それゆえ、本発明の特定の一実施形態では、表面プロファイルの二次微分係数が少なくとも1つの符号の変化を含むかどうかを判断することからなる第1のテストが実行される。この第1のテストが肯定的である場合には、大きな不均一変形が検討している第1のウェーハ内に存在することがこれから推論される。この第1のテストの有効性が、図7を参照して上に説明した音響顕微鏡技術を使用してテストした3つの複合構造物内の不均一変形のレベルを評価することによって、実験的に検証されている。具体的には、第1のケース図4Aでは、大部分が100nm未満の、それどころかウェーハの中央では50nm未満のミスアライメントが、第1のウェーハ210の表面214b上で観測された。表面214bのほぼ15だけが150nmよりも大きなミスアライメントを有する。これらの大きなミスアライメントは、ウェーハの周辺端部のところの、特にアプリケータツール231の接触点の近くの領域に分布している。第2のケース図5Aでは、第1のウェーハ310の露出した表面314bのほぼ50にわたり150nmよりも大きなミスアライメントが観測された。これらの大きなミスアライメントは、大部分が表面314bの中央のところ及び周辺端部のところに分布している。表面314bの残りの50は、大部分が50nm~150nmのミスアライメントを有する。第3のケース図6Aでは、第1の基板10の表面14bのほぼ75が100nm未満のミスアライメントを有することが、観測された。一般に100nm~150nmの大きなミスアライメントが、第1のウェーハ410の中央のところに存在する。図4D、図5D及び図6Dは、それぞれ、第1のウェーハ210、310及び410の各々の特定の半径に沿って測定したミスアライメントを曲線の形式で表す。これら3つのケースでは、第1のウェーハがボンディングの後で薄くされ、その後で、2枚のウェーハ間のボンディング界面のところに埋め込まれたマイクロコンポーネントと薄くした第1のウェーハの露出した表面上に製造したマイクロコンポーネントとの間に存在するミスアライメントを測定する図1A~図1Eを参照して説明したような標準測定プロセスを使用して、第1のウェーハ上に存在するミスアライメントを測定した。図4D、図5D及び図6Dの横座標軸は、第1のウェーハの中心に対する距離mmでを表す。最終解析では、第2のケース図5Aについてテストしたサンプルが、均一でない変形の最も大きなレベルを有するサンプルである。これは、表面プロファイル332の二次微分係数334だけが、少なくとも1つの符号の変化を含むという事実によって確認される。より詳しく言うと、二次微分係数334が、2つの符号の変化を含み、これが第1のウェーハ310の表面における勾配の大きな変動を明らかにすることを、見出している。逆に、第1のケース及び第3のケースに関してテストしたサンプルについて、二次微分係数が符号の変化を含まず、これは、これらのケースが第2のケースよりも小さなレベルの不均一変形につながることを示している。同じ表面ログの二次微分係数において検出された符号の変化の数が、第1のウェーハ内部に存在する不均一変形のレベルについての情報を同じように提供する場合があることが、分かるであろう。その上、激しい勾配の変動、それゆえ大きな二次微分係数値を有する表面プロファイルが、第1のウェーハ内の大きな不均一変形に同じように対応するはずであることを、出願人は観測している。したがって、本発明のこの第1の実施形態の変形形態では、第1のウェーハ内の不均一変形のレベルの評価を、ステップE2において求めた二次微分係数の値に応じて実行する。例えば、表面プロファイルの二次微分係数が所定のしきい値よりも大きな少なくとも1つの値を含むかどうかを決定することからなる第2のテストを、評価ステップE3中に実行する。この第2のテストが肯定的である場合には、大きな不均一変形が第1のウェーハ内に存在することを意味する。関係する状況関係する技術、信頼性の要求されるレベル、使用する装置、等の制約及び要求事項に応じて、この所定の値を明らかに選択することができることに、留意されたい。それにもかかわらず、本明細書において上に説明したテストが、表面プロファイルの二次微分係数を利用する別の方法を状況に応じて使用することができるように例として与えられる。例えば、表面プロファイルの二次微分係数が所定の値を行き過ぎる回数を、例えば、考慮する、等。例えば、上に説明した第1のテスト及び第2のテストの積み重ねによって、表面プロファイルの二次微分係数に関係する様々なテストを組み合わせて不均一変形のレベルを評価することを、やはり想像することができる。処理ステップE3において求めた特徴的な量が表面プロファイルの広がりに対応する実施形態第2の実施形態をここでは説明しており、ステップE2において決定したこのプロファイルが円形形状の測定点のログに対応する。具体的には、本明細書において上に説明した構造物125と類似した構造を有する複合構造物525図8Aをここでは検討する。構造物525はしたがって、第2のウェーハ520に分子付着によってボンディングされた第1のウェーハ510を含む。第1のウェーハ510は、この例では、ボンディング表面514a上にマイクロコンポーネント511をやはり含み、これらのマイクロコンポーネントは、したがってボンディング界面のレベルのところに埋め込まれる。ロギングステップE1において、円の中心が第1のウェーハ510の中心CTと一致する少なくとも1つの円に沿って、測定点を配置する。ここで説明する例では、ロギングが、C1、C2及びC3で示した3つの同心円に沿って実行され、これらの円はそれぞれ、半径R1、R2及びR3これらの半径はウェーハ510の半径よりも小さいを有する。しかしながら、円に沿って測定点をログする任意の数の円があり得ることが、理解されるであろう。この数を、ステップE4において次に実行される評価の精度及び/又は信頼性に応じて明らかに選択することができる。ウェーハ510の全体にわたる不均一変形を表すデータを求めるために、ウェーハの表面全体にわたって一様に測定点を分布させるように、円の数及びそのそれぞれの半径を好ましくは選択する。或いは、少なくとも1つの円弧に沿って測定点をログすることが可能であり、円弧の曲率の中心が、中心CTと一致する。CTに中心がある少なくとも1つのらせんに沿って測定点をログすることが同じように可能である。第1のウェーハ510の少なくとも1つの表面プロファイルが、次にステップE2において決定され、これらのプロファイルの各々が、前のステップE1において生成した対応するログの複数の測定点を通過する。この例では、3つの表面プロファイルP1、P2及びP3を、このようにステップE2において決定し、これらが、それぞれ円C1、C2及びC3に沿ってログした測定点のすべてに対応する。ステップE3において求めた各表面プロファイルの広がりを次に決定するステップE4。この広がりの計算を、様々な方法で実施することができる。第1の変形形態では、表面プロファイルPii=1、2、3の各々の最小値Vmini及び最大値Vmaxiを決定する。これらの値Vmini及びVmaxiは、それぞれウェーハ510の露出した表面の最も低いレベル及び最も高いレベルを局所的に表すプロファイルPiの測定点に対応する。次に、各プロファイルPiについて差ΔiがΔi=Vmaxi-Vminiになるように決定する。値Δiに基づいて、第1のウェーハ510内に存在する均一でない変形のレベルを評価するために、第3のテストを実行する。所定の限界値Δmaxを、例えば固定する。第3のテストは、そのときには、Δi≧Δmaxi=1、2又は3に対してかどうかを決定することからなる。もしそうであれば、ウェーハ510内に存在する均一でない変形のレベルが大きいと判断される。そうでなければ、変形のレベルは小さいと考えられる。指数iの各値に関係する容認可能基準Δmaxを可変とすることができ、特に円C1~C3の直径が増加していく程度で増加する。例えば、65mm及び145mmの直径を有する円について、Δmaxの値を、それぞれ、ほぼ5ミクロン及び15ミクロンに等しくすることができる。第3のテストの変形形態は、先ず差Δiを合計し、次に、ロギングを行う表面の全体の高さの最大と全体の高さの最小との間の差異によって定義される構造のワープwarpと一般に呼ばれる値で、この結果を割り算することからなる。例えば、回転放物面として一様に湾曲した構造について、ワープは、構造のボウbowに等しい。第3のテストのこの変形形態の第2のステージは、Δiの合計とワープとの間の係数が、例えば、0.7の程度の所定の値よりも小さいかどうかを判断することからなる。もしそうであれば、不均一変形のレベルが小さいと考えられる。そうでなければ、変形のレベルは大きいと考えられる。第2の変形形態では、各表面プロファイルPiについて標準偏差σiを決定する。σiがi=1、2又は3に対する所定の最大標準偏差以上であるかどうかを決定することからなる第4のテストを次に実行する。もしそうであれば、ウェーハ510が、不均一変形の大きなレベルを有すると考えられる。そうでなければ、変形のレベルは小さいと考えられる。上に説明した変形形態は、本発明の単に非限定的な実施形態であり、本発明の範囲から逸脱しないで表面プロファイルの広がり決定するための他の代替形態を想像することができることを、当業者であれば理解するであろう。表面プロファイルの測定点から二次微分係数又は広がりを計算することができ、例えば、上に説明したテストのうちの1つなどの二次微分係数又はそれぞれ広がりに関係するテストを実行することが可能である、例えば、コンピュータ、計算器又は任意の別の装置によって、本発明の方法の処理ステップE3及び評価ステップE4を、実行することができる。本発明は、第2のウェーハに分子付着によってボンディングされた第1のウェーハを含んでいる複合構造物の方法ステップE1~E5にさらに関係する。特定の一実施形態の選択方法の主要ステップを図3に示す。第1のウェーハ内の不均一変形のレベルが、複合構造物に本発明の評価方法のステップE1、E2、E3及びE4を連続的に実行することによって先ず評価される。選択ステップE5中に、低いレベルの均一でない変形を有するとしてステップE4において同定された1つ又は複数の複合構造物が、その後選択される。例えば、上に説明したように、第1のテスト及び第2のテスト又は第3のテスト及び第4のテストを実行することが可能である。実行したテストの結果が否定的である場合には、1つ又は複数の複合構造物が、その後選択される。これらのテストのうちの1つだけを実行することがやはり可能である。この特別なケースでは、実行したテストが否定的である場合には、1つ又は複数の複合構造物が選択される。しかしながら、本発明の選択方法は、上に説明したテストの2つの例に限定されない。表面プロファイルの二次微分係数に影響する別の選択基準を、個別に又は組み合わせて使用することができる。評価方法のステップE1における測定点のロギングを、第1のウェーハの露出した表面上の様々なラインに従ってさらに実行することができる。スターロギング、すなわち、第1のウェーハの複数の直径上のロギングを、特に想像することができる。この技術は、限られた数の生成されたログを用いて第1のウェーハ内の不均一変形のレベルの良い表示を得ることを可能にする。特定の一例では、複数の測定点のログがステップE1において生成され、ロギングが互いに間隔を空けて配置された第1の平行線に沿って実行される。例えば、第1の線に直交することがある互いに間隔を空けて配置された第2の平行線に沿ってさらに追加のログを生成することが可能である。したがって、ロギングが格子に従って実行され、この格子が、検討する第1のウェーハの全部又は一部の露出した表面上にある場合がある。その上、上に説明した第1のテストが実行される場合には、例えば、関心のあるものは、巨視的なスケールでの二次微分係数の符号の変化だけである。第1のウェーハの露出した表面が、対応する1つ又は複数の表面プロファイルの二次微分係数の符号の非常に局所的な変化を反映するレベルの限りなく小さな変動を有することが、現実面では可能である。これらの無限に小さな変動が、例えば、第1のウェーハの厚さの非常にわずかな変動に由来することがある。このタイプの変動は、複合構造物の第1のウェーハ内の不均一変形のレベルに関して使用可能な情報を与えない。無視できる表面欠陥を考慮することを避けるために、測定点が測定ステップに従って測定されるようにステップE1においてロギングを実行することが可能である。この測定ステップを、関係する状況に応じて選択することができる。測定ステップが、好ましくは、第1のウェーハのパターンの寸法に応じて選択されるであろう。ここでパターンは、第1のウェーハの露出した表面上に配置された、又は配置する予定の幾何学的な配列を意味し、この幾何学的な配列がそのウェーハの表面全体にわたって複数回繰り返される。パターンは、例えば、関係する第1のウェーハの露出した表面上の複数の場所のところに配置された1つ又は複数のマイクロコンポーネントのセルに対応する場合がある。例えば、測定ステップが、第1のウェーハのパターンの1つの寸法の半分に実質的に対応する場合がある。評価方法のステップE1中に生成したログの数が、例えば、コストの点での製造プロセスの制約、ウェーハの各バッチについてのテストに割り当てられた時間、信頼性の要求されるレベル、等、などの様々なパラメータに依存することがあることが、やはり分かるであろう。その上、不均一変形の所与のレベルが、フォトリソグラフィマスクを位置決めする点で比較的弱い制約を表すという理由で所与のマイクロコンポーネント技術に対しては容認可能である場合があり、もう1つの技術に対しては容認可能でない場合がある。その結果、下記のパラメータを、関係する状況に応じて選択することができる。生成すべきログの数の選択、各ログの線長さ、方向、ログ当たりの測定点の数、使用する測定ステップ、ステップE2において求めた二次微分係数を利用する1つ又は複数の方法、複合構造物を選択するための1つ又は複数の基準。多数のメカニズムが、第2のウェーハに分子付着によってボンディングされた第1のウェーハ内のミスアライメント又はオーバーレイの原因である場合があることが、ここでは分かるであろう。第1のウェーハが第2のウェーハに分子付着によってボンディングされるときに、第1のウェーハ内に発生する不均一変形が、ボンディング前に第1のウェーハ及び第2のウェーハ内に元々存在する変形の組合せから明らかに由来する場合がある。本発明の方法は、したがって、2枚のウェーハが分子付着によって組み立てられる前に2枚のウェーハの変形凹形の程度、平坦度欠陥、等についての適切な情報を入手することを可能にする。本発明は、例えば、支持体Sとこれに直接接触するウェーハとの間の粒子などの異物の存在をやはり明らかにすることができる。これらの要素は、第1のウェーハ内の不均一変形、したがって、ミスアライメントの原因となる場合がある。本発明は、明らかに、アプリケータツールによって接触力を加えるレベルでボンディング装置の校正の問題を同じように強調することができる。その上、上に示したように、一旦、複合構造物が分子付着によって形成されると、第1のウェーハは、シンニングを一般に受ける。ここで、シンニングの後では、本発明の方法による不均一変形の評価は、もはや代表的なものではない。それゆえ、第1のウェーハのシンニングの前に本発明の方法のステップE1を実行することが好ましい。