配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程a~d:工程a配線基板の表面に、第1接着フィルムを介して第1電子部品を仮設置する工程;工程b配線基板の裏面に、第1接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第2接着フィルムを介して第2電子部品を仮設置する工程;工程c第1電子部品及び第2電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程;及び工程d第1電子部品を、配線基板に対して第1電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第1電子部品及び第2電子部品をそれぞれ一括で実装する工程を有することを特徴とする製造方法工程dにおいて、加熱加圧ツールによる加熱押圧の際に、第1接着フィルムが加熱により到達した到達温度が、第2接着フィルムが加熱により到達した到達温度よりも高い請求項1記載の製造方法。第1接着フィルムの硬化温度が200~250°Cであり、第2接着フィルムの硬化温度が170~220°Cである請求項1又は2記載の製造方法。加熱加圧ツールの押圧面が弾性材料から形成されている請求項1~3のいずれかに記載の製造方法。第1電子部品及び第2電子部品が仮設置された配線基板が、第2電子部品側から載置される圧着受け台の配線基板載置面が、弾性材料から形成されている請求項4記載の製造方法。工程dにおいて、第1電子部品を、配線基板に対して第1電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱する際に、第1電子部品及び第2電子部品が仮設置された配線基板の両面に保護シートを配置させて押圧する請求項1~5のいずれかに記載の製造方法。第1電子部品及び第2電子部品の少なくともいずれか一方が半導体チップである請求項1~6のいずれかに記載の製造方法。第1電子部品及び第2電子部品の少なくともいずれか一方が、シリコン貫通電極とそれに接続しているフロントバンプとバックバンプとを有し、互いに積層されるべき複数の半導体チップであり、半導体チップ間に存在するフロントバンプ及びバックバンプのいずれかの少なくとも一部がハンダで形成されている請求項1又は2記載の製造方法。請求項1~8の製造方法により製造された接続構造体。しかしながら、特許文献1の場合、載置受け台側に配置されたACFやNCFについて良好な接続を行うべく、載置受け台側に配置されたACFやNCFが最適硬化するように加熱すると、結果的に加圧ツール側に配置されたACFやNCFが十分に加熱されないため、十分に硬化せず、接続信頼性に欠けるという問題があった。他方、加圧ツール側に配置されたACFやNCFについても良好な接続を行うべく、加圧ツール側に配置されたACFやNCFが最適硬化するように加熱すると、今度は載置受け台側に配置されたACFやNCFが過度に加熱され、急速に溶融粘度が上昇し、半導体チップと配線基板との間から接着成分が十分に排除されず硬化してしまうため、接続信頼性に欠けるという問題があった。本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、配線基板と、その表面にACFやNCFを介してフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体を製造する際に、両面のACFやNCFをそれぞれ最適な硬化条件で硬化させることが一括でできるようにすることである。本発明者は、両面のそれぞれに接着フィルムを介して電子部品が仮設置された配線基板に対し、その片面からの加熱により両面に配された電子部品をフリップチップ実装する場合に、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることに着目し、硬化温度の異なる2種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程a~d:工程a配線基板の表面に、第1接着フィルムを介して第1電子部品を仮設置する工程;工程b配線基板の裏面に、第1接着フィルムの硬化温度よりも低い硬化温度を有する第2接着フィルムを介して第2電子部品を仮設置する工程;工程c第1電子部品及び第2電子部品が仮設置された配線基板を、圧着受け台に載置する工程;及び工程d第1電子部品を、配線基板に対して第1電子部品側から加熱加圧ツールで押圧しながら加熱することにより、配線基板の表面及び裏面に第1電子部品及び第2電子部品をそれぞれ一括で実装する工程を有することを特徴とする製造方法、及びこの製造方法により製造された接続構造体を提供する。本発明の製造方法においては、配線基板の加熱される側の表面に配された接着フィルムが、配線基板の裏面に配された接着フィルムに比べより高温に加熱されることから、硬化温度の異なる2種類の接着フィルムを使用し、硬化温度のより高い接着フィルムを加熱される側に配する。このため、配線基板の両面の接着フィルムが、それぞれ最適の硬化温度に一括で加熱することが可能となり、配線基板やICチップに反りを生じさせずに、電子部品の両面フリップチップ実装配線基板の接続信頼性を改善することができる。本発明は、配線基板と、その表面にフリップチップ実装された第1電子部品と、裏面にフリップチップ実装された第2電子部品とを含む接続構造体の製造方法であって、以下の工程a~dを有する製造方法である。以下、図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。<工程a>まず、図1に示すように、配線基板1の表面に、第1接着フィルム2を介して第1電子部品3を仮設置する。具体的には、ステージ10上に、表面電極1aと裏面電極1bとを有する配線基板1を載せ、表面電極1a上に、第1接着フィルム2をアライメントして仮貼し、その上にバンプ3aを有する第1電子部品3をアライメントして仮設置する。ステージ10としては、配線基板1を定位置に保持するためのバキュームチャック機構を備えた平板な金属、セラミックス、樹脂等からなる定盤を使用することができる。配線基板1としては、ガラス基板、セラミックス基板、ポリイミドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板等の基板の両面に、銅、アルミニウム、銀、金等の配線やパッドからなる表面電極1aと裏面電極1bとが形成されたものが挙げられる。これらの電極には、必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。第1接着フィルム2としては、公知のACFやNCFを使用することができる。例えば、硬化成分として液状あるいは固体状エポキシ系樹脂、膜形成成分としてフェノキシ樹脂、エポキシ系樹脂用硬化剤として酸無水物やイミダゾール類、その他に本発明の効果を損なわない範囲で、シランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、希釈剤、溶剤、帯電防止剤等の公知の添加剤が配合された第1接着フィルム形成用用塗料を、キャスト法等の公知の手法を利用してフィルム化したものを使用することができる。第1電子部品3としては、半導体チップ、光学チップ等を好ましく挙げることができる。バンプ3aとしては、ハンダバンプ、金バンプ、アルミバンプを挙げることができる。特に、Auスタッドバンプが好ましい。金バンプ以外のバンプには必要に応じて電解、無電解ニッケルメッキ、ハンダメッキ、金メッキ等を施すことができる。表面電極1a上への第1接着フィルム2のアライメント及びその仮貼りのそれぞれの手法、並びに第1接着フィルム2上への第1電子部品3のアライメント及びその仮設置のそれぞれの手法について、従来公知の手法、例えば、半導体チップをフリップチップ実装する際に用いられるフリップチップボンダーを利用することができる。<工程b>次に、図2に示すように、配線基板1の裏面に、第1接着フィルム2の硬化温度よりも低い硬化温度を有する第2接着フィルム4を介して第2電子部品5を仮設置する。具体的には、ステージ10上において、配線基板1の裏面電極1b上に、第2接着フィルム4をアライメントして仮貼し、その上にバンプ5aを有する第2電子部品5をアライメントして仮設置する。第2接着フィルム4の成分構成は、第1接着フィルム2の成分構成を基本的には同一であるが、第1接着フィルム2の硬化温度よりも低い硬化温度を有するものを使用する必要がある。具体的には、第1接着フィルム2の硬化温度を200~250°Cとし、第2接着フィルム4の硬化温度が170~220°Cとすることが好ましい。これにより、第1電子部品3側からだけの加熱により、配線基板1の両面の第1接着フィルム2及び第2接着フィルム4をそれぞれの硬化温度に適した温度に加熱することができる。なお、第1接着フィルム2及び第2接着フィルム4の硬化温度は、示差走査熱量測定DSCにより得たチャートに基づき決定することができる。例えば、DSCチャートにおいて、樹脂の硬化反応が進行する際には山ピークが現れることから、サンプル5mgを室温から250°Cまで10°C/分で昇温させて得たチャートのベースライン上の低温側から全面積の60となる温度を硬化温度とした図8参照。これらの接着フィルム2又は4の硬化温度の調整は、使用するエポキシ系樹脂や膜形成樹脂、硬化剤などの材料の構造や分子量を特定することにより行うことができる。なお、第2電子部品5及びそのバンプ5aについては、基本的に第1電子部品3及びそのバンプ3aと同様の構成とすることができる。また、裏面電極1b上への第2接着フィルム4のアライメントその仮貼り、第2接着フィルム4上への第2電子部品5のアライメントその仮設置についても、従来公知の手法を利用して行うことができる。なお、第2電子部品5及び先に説明した第1電子部品3の少なくともいずれか一方は、図3に示すように、貫通電極41とそれに接続しているフロントバンプ42とバックバンプ43とを有する複数のICチップ40を互いに積層して電子部品400としてもよい。このような場合、貫通電極41は、銅メッキにより形成されたものを利用することができ、また、ICチップ40間に存在するフロントバンプ42及びバックバンプ43としては、金やハンダ、銅等からなるバンプを適用することができ、とくにそれらのいずれか又は双方がハンダで形成されていることが好ましい。<工程c>次に、図4に示すように、第1電子部品3及び第2電子部品5が仮設置された配線基板1を、ゴムなどの弾性材料から形成された配線基板載置面21を有する圧着受け台20に載置する。このような圧着受け台20としては、特開2007-227622号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、圧着受け台20は、金属やセラミックスからなる受け台本体22と、被圧着物が載置される側に配置される弾性受け部23とから構成され、その表面が配線基板載置面21となっているものである。ここで、本発明において、弾性材料とは、好ましくはゴム硬度が10~80のエラストマーを意味する。なお、圧着受け台20としては、ステージ10をそのまま流用してよく、また、図示しないが、第2電子部品5が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。<工程d>最後に、第1電子部品3を、配線基板1に対して第1電子部品3側から、ゴムなどの弾性材料から形成されている押圧面31を有する加熱加圧ツール30図5で押圧しながら加熱することにより、図6に示すように配線基板1の表面及び裏面に第1電子部品3及び第2電子部品5をそれぞれ一括で実装する。これにより図7に示す接続構造体100が得られる。この加熱加圧ツール30としては、特開2007-227622号公報に開示されているものを採用することができる。即ち、加熱加圧ツール30は、金属やセラミックスからなる押圧本体32と、被圧着物側に配置される弾性押圧部33とから構成され、その表面が押圧面31となっているものである。押圧本体32には、圧着受け台20が嵌り込めるように側部34が延設されていることが望ましい。加熱手段は、押圧本体32を加熱するようにヒータ図示せずを設ければよいが、押圧本体32自体や弾性押圧部33自体が発熱するようにしてもよい。本発明において、加熱加圧ツール30による加熱押圧の際、第1接着フィルム2が加熱により到達する到達温度は、第2接着フィルム4が加熱により到達する到達温度よりも高くなる。具体的には、第1接着フィルム2の好ましい硬化温度が200~250°Cであり、第2接着フィルム4の好ましい硬化温度が170~220°Cであることから、第1接着フィルム2が加熱により到達する到達温度は200~250°Cであり、第2接着フィルム4が加熱により到達する到達温度は170~220°Cである。なお、第1電子部品3を、配線基板1に対して第1電子部品3側から加熱加圧ツール30で押圧しながら加熱する際に、第1電子部品3及び第2電子部品5が仮設置された配線基板1の両面にテフロン登録商標やシリコーンなどの耐熱性樹脂フィルムからなる保護シート35を設けてもよい。保護シート35を使用することにより、第1電子部品3や第2電子部品5の位置ズレの発生を防止することができる。なお、加熱加圧ツール30として、第1電子部品3が収まる凹部を有し、比較的剛性の高い配線基板載置面を有するものを使用してもよい。以上説明した本発明の製造方法により製造した図7の接続構造体は、配線基板の両面に電子部品をACFやNCFを介してフリップチップ実装させる際に、両面のACFやNCFをそれぞれ一括で最適硬化させて得たものとなる。従って、配線基板に反りが生じることなく、良好な接続信頼性を示すものである。以下、本発明を実施例により具体的に説明する。実施例1~2、比較例1~4表2に示した硬化温度を示すNCFを用意した。それとは別に、バンプピッチ85μm、バンプ数272のペリフェラル配置の金スタッドバンプAuスタッドと略する場合がある又は銅ピラー/ハンダキャップバンプCu/ハンダと略する場合があるが設けられた試験用ICチップ6.3mm×6.3mm×0.2厚を用意した。また、20μm厚のハンダ表面層が形成された電極パッドAu/NiメッキCuベースを両面に有するガラスエポキシ両面配線基板FR4、日立化成工業株:38mm×38mm×0.6mm厚を用意した。これらの材料と、IC搭載時にフリップチップボンダー及び本圧着時に弾性押圧ツール特開2007-227622号公報参照とを用いて、表1に示すようなICチップ搭載条件及び熱圧着条件により、片面フリップチップ実装を行った比較例1を除き、両面一括フリップチップ実装を行った。なお、表2に、実施例及び比較例の実装形態、ICバンプ種類Auスタッドバンプ、Cuピラー/ハンダキャップバンプ、配線基板の表面側加熱側及び裏面側に配されたNCFの到達温度、NCFの硬化温度を記載した。フリップチップ実装により得られた接続構造体について、ICチップの反りを触針式表面粗度計SE-3H、小坂研究所を用いて測定した。得られた結果を表2に示す。実用上、反りは10μm以下であることが望まれる。また、接続構造体におけるICチップと配線基板との間の導通抵抗は、IC周辺を一周するデイジーチェーン抵抗を測定した。得られた結果を表2に示す。実用上、30Ω以下であることが望まれる。表2からわかるように、NCF到達温度に適合するように、配線基板の表面側加熱側に、より硬化温度が高いNCFを配した実施例1及び2の接続構造体は、ICチップの反り及びデイジーチェーン抵抗の双方の結果は実用上好ましいものであった。それに対し、比較例1の片面実装の場合には、ICチップの反りが著しいものであった。表面側と裏面側において硬化温度が同じNCFを使用した比較例2~4の場合、デイジーチェーン抵抗が、表面側又は裏面側でオープンとなってしまった。