基板スケール処理を用いてLEDデバイスを製造する方法であって、表面領域を有する基板部材を提供する工程と、前記表面領域上に反射面を形成する工程であって、前記反射面は、反射率が少なくとも85である点によって特徴付けられる工程と、前記反射面上に空間を開けて配置された領域のアレイを形成する工程と、複数のLEDデバイスを設ける工程であって、前記複数のLEDデバイスは、前記領域のアレイのうち対応する領域上に個々に配置される工程と、を含む、方法。前記基板部材はシリコン基板を含む、請求項1に記載の方法。前記反射面は銀またはアルミニウム材料を含む、請求項1に記載の方法。前記領域のアレイは、N個×M個のアレイを含み、Nは少なくとも整数の2であり、Mは少なくとも整数の1である、請求項1に記載の方法。各LEDデバイスは、バルク基板材料から形成されたガリウムおよび窒素を含む、請求項1に記載の方法。前記複数のLEDデバイスそれぞれを、波長変換材料を含む封入材料で封入する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記波長変換材料は、蛍光体、半導体および発光材料のうち少なくとも1つを含む、請求項6に記載の方法。前記反射面を形成する工程は、前記表面領域上に銀材料またはアルミニウムを堆積させる工程を含む、請求項1に記載の方法。前記反射面を形成する工程は、前記表面領域上に反射金属材料を形成する工程と、前記金属材料上に少なくとも1つの誘電材料を形成する工程と、誘電材料上に複数の導電性アレイ領域を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の方法。前記反射面を形成する工程は、前記基板表面領域上に誘電材料を形成する工程と、前記誘電材料上に、複数の導電性反射アレイ領域を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の方法。前記反射面を形成する工程は、前記基板表面領域上に誘電材料を形成する工程と、前記誘電材料上に複数の導電性アレイ領域を形成する工程と、電気絶縁性を有するが光学的に反射性を持つ層を誘電材料または導電性アレイ領域の一部上に形成する工程と、を含む、請求項1に記載の方法。発光ダイオード装置であって、表面領域を有する基板部材と、前記表面領域上に設けられた反射層であって、第1の反射率レベルを有する反射層と、前記反射層上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた領域のアレイと、前記領域のアレイのうち対応する領域上に配置された複数のLEDデバイスと、を含む、装置。前記領域のアレイはそれぞれ、導電性パターンを含む、請求項12に記載の装置。前記反射層および前記絶縁層の反射率の合計は93を超える、請求項12に記載の装置。前記基板の導電率は40W/m-Kを超える、請求項12に記載の装置。前記絶縁層は窒化シリコン材料を含む、請求項12に記載の装置。LED装置であって、表面領域を有する基板と、前記表面領域上に設けられた反射層であって、第1の反射率レベルによって特徴付けられる反射層と、前記反射層上の絶縁層と、前記絶縁層上に配置された導電性領域のアレイと、複数のLEDデバイスであって、前記アレイ領域それぞれの上に個々に配置されるLEDデバイスと、前記複数のLEDデバイス上に設けられたカバー部材と、を含む、装置。前記導電性領域のアレイに接続された整流回路をさらに含む、請求項17に記載の装置。前記整流回路に電気的に結合されたレジスタをさらに含む、請求項18に記載の装置。前記複数のLEDデバイスは、第1のLED組および第2のLED組を含み、前記LED組はそれぞれ、直列接続された複数のLEDデバイスを含み、前記第1のLED組および前記第2のLED組は相互に平行に構成される、請求項17に記載の装置。