"第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜が積層され、少なくとも前記第1電極側に設けられた第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を具備する圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜が積層され、少なくとも前記第1電極側に設けられた第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする圧電素子。しかしながら、鉄酸ビスマス系のペロブスカイト型構造を有する圧電体層は、製造時にクラックが発生しやすいという問題があった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つクラックの発生を抑制した液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜が積層され、少なくとも前記第1電極側に設けられた第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、少なくとも第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるものとすることにより、圧電体層のクラックの発生を抑制することができる。また、鉛を含有しないものとすることができる又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、環境への負荷を低減し且つクラックの発生を抑制した圧電素子を具備するため、信頼性に優れた液体噴射装置を実現することができる。本発明の他の態様は、第1電極、前記第1電極上に設けられた圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられた第2電極を具備する圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜が積層され、少なくとも前記第1電極側に設けられた第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなることを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、圧電体層のクラックの発生を抑制することができる。また、鉛を含有しないものとすることができる又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA-A′線断面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、圧電体層70は、ビスマスBi、鉄Fe、バリウムBa及びチタンTiを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜が積層されたものである。また、少なくとも第1電極60側に設けられた第1圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる。より具体的には、本発明にかかる圧電体層70は、Bi,Fe,Ba,Ti及びCuを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体膜以下、Cuを含む圧電体膜ともいうと、Bi,Fe,Ba及びTiを含み且つCuを含まない圧電体膜以下、Cuを含まない圧電体膜ともいうと、から構成されるものである。すなわち、圧電体層70を構成する複数の圧電体膜は、いずれもBi,Fe,Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるが、Cuを含む圧電体膜と、Cuを含まない圧電体膜とが存在する。そして、少なくとも第1電極60側に設けられた第1圧電体膜がCuを含む圧電体膜であればよい。上述したように、第1圧電体膜とは第1電極60側から第1番目の圧電体膜である。そして、圧電体層70は、第1圧電体膜がCuを含む圧電体膜であればよく、第1圧電体膜以降の圧電体膜がCuを含む圧電体膜であってもよいが、Cuを含まない圧電体膜を備えるものである。このように、圧電体層70がCuを含む圧電体膜とCuを含まない圧電体膜とを備えることにより、リークの発生を抑制しつつ、クラックの発生を抑制した圧電素子300とすることができる。これは、Cuを含む圧電体膜が、Cuを含まない圧電体膜と比較して膜応力を低減することができ、圧電素子300の製造時のクラックの発生を抑制することができるためである。このように、Cuを含む圧電体膜により圧電体層70の応力を緩和してクラックの発生を抑制しつつ、Cuを含まない圧電体膜により圧電特性を確保すると共にリークの発生を抑制することにより、圧電特性及び耐リーク性を確保しつつ、クラックの発生を抑制した圧電素子300とすることができる。圧電体層70は、Cuを含む圧電体膜を複数積層したものとする場合は、Cuを含む圧電体膜が第1電極60側に連続的に積層されているのが好ましい。上述したように、Cuを含む圧電体膜は、膜応力が低減されたものであるためクラックの発生を抑制することができるが、Cuを含まない圧電体膜と比較して誘電率が低く、いわゆる低誘電率層となり、圧電体層70の圧電特性を低下させる虞があるためである。ただし、Cuを含む圧電体膜は、第1電極60側と、第2電極80側との両側に設けてもよい。言い換えれば、圧電体層70は、Cuを含む圧電体膜が、Cuを含んでいない圧電体膜を両側から挟むサンドイッチ構造となっていてもよい。この場合は、Cuを含まない圧電体膜により圧電特性及び耐リーク性を確保することができ、第1電極60側のクラックの発生を抑制できるだけでなく、第2電極80側に設けられたCuを含む圧電体膜が第2電極側から生じるクラックの発生を抑制する効果が期待できる。なお、Cuを含む圧電体膜を第2電極80側にも複数設ける場合は、Cuを含む圧電体膜が第2電極80側に連続的に積層されているのが好ましい。圧電体層70におけるCuを含まない圧電体膜の厚さの割合は特に限定されず、目的に応じて適宜調整すればよいが、例えば、10以上40以下が好ましい。圧電体層70におけるCuを含まない圧電体膜の厚さが10未満となると、クラックの発生を抑制する効果が十分に得られない虞があり、40より多くなると、圧電特性が低下する虞があるためである。ここで、圧電体層70を構成する上記のCuを含まない圧電体膜及び上記のCuを含む圧電体膜について、詳細に説明する。Cuを含まない圧電体膜は、ビスマスBi、鉄Fe、バリウムBa及びチタンTiを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる。この複合酸化物は、ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe及びTiが位置している。このようなBi,Fe,Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体として表される。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。ここで、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、BiFeO3やBaTiO3以外に、元素が一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、基本的な特性が変わらない限り、欠損過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなるCuを含まない圧電体膜の組成は、例えば、下記一般式1で表される混晶として表される。また、この式1は、下記一般式1’で表すこともできる。ここで、一般式1及び一般式1’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が1とすると、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。1-xBiFeO3-xBaTiO310<x<0.40Bi1-xBaxFe1-xTixO31’0<x<0.40また、Cuを含まない圧電体膜を構成する複合酸化物は、Bi、Fe、Ba及びTi以外の元素を含んでいてもよい。他の元素としては、Mn及びCoからなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。Cuを含まない圧電体膜が、MnやCoを含む場合、MnやCoはBサイトに位置し、MnやCoが上記Bサイトに存在するFeの一部を置換した構造の複合酸化物であると推測される。例えば、MnやCoを含む場合、Cuを含まない圧電体膜を構成する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のFeの一部がMn乃至Coで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマス乃至鉄酸コバルト酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表され、基本的な特性は鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性耐リーク性ともいうが向上するものである。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸マンガン酸ビスマス、鉄酸コバルト酸ビスマスは、単独では検出されないものである。このようなBi、Fe、Ba及びTiに加えてMnやCoも含み、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式2で表される混晶である。また、この式2は、下記一般式2’で表すこともできる。なお一般式2及び一般式2’において、Mは、Mn及びCoのうちすくなくともいずれか一方である。ここで、一般式2及び一般式2’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。1-xBiFe1-yMyO3-xBaTiO320<x<0.40、0.01<y<0.10Bi1-xBaxFe1-yMy1-xTixO32’0<x<0.40、0.01<y<0.10また、Mn及びCoを例として説明したが、その他Cr、Y、La、Ce、Er、Zr、Nb、Hf、Al、Siなどの元素を含む場合や、前記の元素を2種以上同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することを本件出願人は確認しており、これらを含むものとしてもよく、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。一方、Cuを含む圧電体膜は、ビスマスBi、鉄Fe、バリウムBa、チタンTi及び銅Cuを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる。すなわち、Cuを含む圧電体膜は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含む鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される系の複合酸化物において銅が添加されたものである。Cuを含む圧電体膜を構成する複合酸化物の基本的な構造は、Bi、Fe、Ba、及びTiからなるペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、CuがBサイトに位置し、上記Bサイトに存在するFeの一部を置換した構造の複合酸化物であると推測される。上述したCuを含む圧電体膜は、Bi,Fe,Ba、Ti、及びCuを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、鉄酸銅酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物である。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸銅酸ビスマスは、単独では検出されないものである。このように、Bi,Fe,Ba及びTiを含み鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される系の複合酸化物が銅を含むことにより、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物と比較して、成膜後の膜応力を低減させることができ、製造時のクラックの発生を抑制することができる。ここで、この複合酸化物は、Bサイト元素の総モル量鉄と、チタンと、銅との総モル量における銅の総モル量の割合は、1モル以上25モル以下であるのが好ましい。これにより、より確実にクラックの発生を抑制することができる。なお、1モル未満となるとクラックの発生を抑制する効果を十分に得られない虞があり、25モルより多くなると絶縁性を低下させてしまう虞がある。また、Cuを含む圧電体膜は、例えば、ビスマス及びバリウムの総モル量と、鉄、チタン、及び銅の総モル量との比BiBa/FeTiCuが1.0のものが挙げられる。ただし、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、元素の一部欠損等による組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容され、化学量論比が1とすると、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。このようなBi、Fe、Ba、Ti及びCuを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式3で表される混晶である。また、この式3は、下記一般式3’で表すこともできる。ここで、一般式3及び一般式3’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。1-xBiFe1-yCuyO3-xBaTiO330<x<0.40、0.01<y<0.25Bi1-xBaxFe1-yCuy1-xTixO33’0<x<0.40、0.01<y<0.25また、Cuを含む圧電体膜を構成する複合酸化物は、所望の特性を向上させるためにBi、Fe、Ba、Ti、及びCu以外の元素を含んでいてもよい。勿論、他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有する必要がある。他の元素としては、例えば、Mn及びCoや、その他Cr、Y、La、Ce、Er、Zr、Nb、Hf、Siなどの元素が挙げられるが、クラックの発生を抑制する効果を十分に得るためには、これらの元素を含んでいないのが好ましい。これらの元素はリーク特性を向上させることができるが、応力を緩和してクラックの発生を抑制する効果が低減する虞があるためである。本実施形態では、Cuを含む圧電体膜は、Bi、Fe、Ba、Ti、及びCuのみを含む複合酸化物からなるものとした。なお、圧電体層70は、110面、100面、111面のいずれに配向していてもよく、優先配向していないものでもよく、特に限定されるものではない。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図3~図7を参照して説明する。なお、図3~図7は、圧力発生室の長手方向第2方向の断面図である。まず、図3aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図3bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッタリング法や熱酸化法等を用いて形成する。次に、図4aに示すように、密着層56上の全面に亘って第1電極60を形成する。具体的には、密着層56上に、スパッタリング法や蒸着法により、例えば、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60を形成する。次に、図4bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、第1電極60上及び密着層56に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti、及びCuを含む金属錯体を溶媒に溶解分散した溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いることができる。その他、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法でも気相法でも圧電体層70を製造することができる。なお、本実施形態では、MOD法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて、圧電体層70を製造した。具体的には、まず、図4cに示すように、第1電極60上に、金属錯体、具体的には、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti、及びCuを含有する金属錯体を、所定の割合で含むゾルやMOD溶液第1前駆体溶液を、スピンコート法などにより塗布して圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。本実施形態のように、ビスマス、鉄、マンガン、バリウム、チタン、及び銅を含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層70を形成する場合は、塗布する前駆体溶液は、焼成によりビスマス、鉄、マンガン、バリウム、チタン、及び銅を含む複合酸化物を形成しうる金属錯体混合物を、有機溶媒に溶解または分散させたものである。かかる金属錯体混合物は、複合酸化物を構成する金属のうち一以上の金属を含む金属錯体の混合物であり、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti,Cuの各金属が所望のモル比となるように、金属錯体が混合されている。すなわち、本実施形態では、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti,Cuをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti,Cuの各金属が所望の組成比を満たす複合酸化物となるような割合となるようにする。ここで、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti,Cuをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Cuを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸銅などが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Mn、Ba、Ti、Cuを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、溶媒は、金属錯体混合物を溶解又は分散させるものであればよく、特に限定されないが、例えば、トルエン、キシレン、オクタン、エチレングリコール、2-メトキシエタノール、ブタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸、水、等の様々な溶媒が挙げられる。勿論、これらを2種以上用いてもよい。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば130~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図5aに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、ビスマス、バリウム、鉄、チタン、及び銅を含む複合酸化物からなる第1の圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜を形成する。本実施形態では、前記第1前駆体溶液を用い、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返し行った後に焼成工程を行うことにより、第2の圧電体膜~第4の圧電体膜72を形成した。その後は、銅を含まないすなわち、銅を含む金属錯体を混合していない以外は第1前駆体溶液と同様の第2前駆体溶液を用い、第2の圧電体膜~第4の圧電体膜72と同様の方法により、第5~10の圧電体膜72を形成した。これにより、図5bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70が形成される。本実施形態では、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を繰り返し行った後、複数層をまとめて焼成するようにしたが、勿論、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を順に行って積層していってもよい。このように圧電体層70を形成した後は、図6aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、600°C~800°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図6bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図6cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図7aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、110単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により膜厚1070nmの酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にRFマグネトロンスパッタ法により膜厚20nmのチタン膜を作製し、700°Cで熱酸化することで膜厚40nmの酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にDCスパッタ法により、111面に配向した膜厚130nmの白金膜第1電極60を形成した。次いで、第1電極60上に圧電体層70をスピンコート法により形成した。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸バリウム、2-エチルヘキサン酸チタン、2-エチルヘキサン酸銅のn-オクタン溶液を混合し、Bi:Ba:Fe:Ti:Cuのモル比が75:25:75:25:5となるようにして、第1の前駆体溶液を調製した。そして、第1の前駆体溶液を、酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、2500rpmで基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、180°Cで2分間乾燥した乾燥工程。次いで、400°Cで2分間脱脂を行った脱脂工程。酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で、800°Cで5分間焼成を行った焼成工程第1の圧電体膜形成工程。次いで、上記の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返し行った後に焼成工程を行った第2~第4の圧電体膜形成工程。その後、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸バリウム、2-エチルヘキサン酸チタン、2-エチルヘキサン酸マンガンのn-オクタン溶液を混合し、Bi:Ba:Fe:Ti:Mnのモル比が75:25:75:25:5となるようにして調製した第2の前駆体溶液を用い、上記の塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返し行った後に焼成工程を行うという一連の工程を2回繰返した第5~第10の圧電体膜形成工程。すなわち、計10回の塗布により圧電体層70を形成した。なお、圧電体層70の組成は、第1の圧電体膜~第4の圧電体膜が化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Cu0.048O3であり、第5の圧電体膜~第10の圧電体膜が化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Mn0.048O3であると考えられる。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてスパッタ法により厚さ100nmの白金膜第2電極80を形成した後、酸素雰囲気中で、RTA装置を用いて700°Cで5分間焼成を行うことで、ビスマス、鉄、バリウム、チタン及びマンガン、銅を含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、厚さ1000nmの圧電体層70を有する圧電素子300を形成した。実施例2第1の前駆体溶液により第1の圧電体膜を形成した後、第2の前駆体溶液を用い、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程からなる工程を3回繰り返し行った後に焼成工程を行うという一連の工程を3回繰返して第2~第10の圧電体膜を形成し、計10回の塗布により圧電体層70を形成した以外は、実施例1と同様にして圧電素子300を形成した。なお、圧電体層70の組成は、第1の圧電体膜が化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Cu0.048O3であり、第2~第10の圧電体膜が化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Mn0.048O3であると考えられる。比較例1第2の前駆体溶液を用いて第1~第10の圧電体膜を形成した以外は、実施例1と同様にして圧電素子300を形成した。なお、圧電体層70の組成は化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Mn0.048O3となっていると考えられる。比較例2第1の前駆体溶液を用いて第1~第10の圧電体膜を形成した以外は、実施例1と同様にして圧電素子300を形成した。なお、圧電体層70の組成は、化学式Bi0.75,Ba0.25Fe0.714,Ti0.238,Cu0.048O3となっていると考えられる。試験例1実施例1~2及び比較例1において、第2電極80を形成する前の圧電体層70について、圧電体層70の形成後1日経過時のクラックの発生の有無を確認した。圧電体層の表面は100倍の光学顕微鏡により暗視野で観察した。実施例1~2及び比較例1の結果を図8に示す。図8に示すように、実施例1~2及び比較例1のいずれにおいてもクラックの発生は確認されなかった。試験例2実施例1~2及び比較例1において、第2電極80を形成する前の圧電体層70について、断面及び表面を5000倍の走査電子顕微鏡SEMにより観察した。実施例1~2及び比較例1の圧電体層70の断面を図9、表面を図10に示す。図9及び10に示すように、実施例1~2及び比較例1のいずれにおいてもクラックの発生は確認されなかった。試験例3実施例1~2及び比較例1~2において、第2電極80を形成していない状態の圧電体層70についてX線回折を行ない、2θ-sin2ψ線図より膜応力を測定した。そして、比較例1の膜応力を基準1.00としたときの実施例1~2及び比較例2の膜応力を求めた。結果を表1に示す。表1に示すように、実施例1~2の圧電体層70は、比較例1と比較して顕著に膜応力が低減していることが確認された。試験例4実施例1~2及び比較例1~2の各圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温25°Cで、圧電体層70のX線回折パターンを求めた。実施例1~2の結果を図11及び表1に、比較例1~2の結果を図12及び表1に示す。この結果、実施例1~2及び比較例1~2の全てにおいて、圧電体層のペロブスカイト構造に起因するピークと、基板由来のピークとが観測された。そして、実施例1~2及び比較例1~2の全てにおいて、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、単独では検出されなかった。ここで、実施例1~2の圧電素子は、比較例1の圧電素子と比較して、Ptに起因する111のピーク強度に対する圧電体層に起因する110ピーク強度32°付近の割合が大きかった。これは、Cuを含む圧電体膜がMnを含む圧電体膜よりも低温で結晶化して、配向シード層として作用したためであると考えられる。試験例5実施例1~2及び比較例1~2の各圧電素子について、東陽テクニカ社製FCE-1Aで、φ=400μmの電極パターンを使用し、室温で周波数1kHzの三角波を印加して、分極量と電圧の関係P-V曲線を求めた。実施例1~2の結果を図13に、比較例1~2の結果を図14に示す。また、それぞれの正の飽和分極Pm、残留分極Pr、抗電圧Vcの測定結果を表1に示す。図13及び図14に示すように、実施例1~2及び比較例1は、端部が細い良好なヒステリシスカーブであった。これに対し、Cuを含む圧電体膜のみから構成される圧電体層70を備える比較例2の圧電素子は、端部が広がったヒステリシスカーブであり、リーク電流が高いことがわかった。試験例6実施例1~2及び比較例1~2の圧電素子について、印加電圧と電流密度との関係を、ヒューレットパッカード社製4140Bを用い、大気中air及び乾燥大気中DAでそれぞれ室温において測定した。実施例1~2の結果を図15に、比較例1~2の結果を図16に示す。また、実施例1~2及び比較例1~2の圧電素子について、印加電圧30V及び-30Vそれぞれにおける電流密度を各2点測定し、計4点の合計から印加電圧30Vにおける電流密度を設けた。結果を表1に示す。図15~16及び表1に示すように、実施例1及び2の圧電素子は、比較例1の圧電素子と比較して、大気中での電流密度、すなわち、大気中のリーク電流が低下しており、リーク特性が向上していることが確認された。これは、実施例1及び2はクラックの発生が抑制され、一方、試験例1~2において比較例1はクラックの発生が確認されなかったが、実際には製造時にクラックが発生しているためであると考えられる。また、Cuを含む圧電体膜のみから構成される比較例2の圧電素子は、電流密度が非常に高いものであった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図17は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図17に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度-電気変換器、圧力-電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、及びジャイロセンサー角速度センサー等が挙げられる。上述した実施形態では、圧電素子を構成する電極として、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造からなる第1電極60や白金からなる第2電極80を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、電極は、白金、イリジウム、金、チタン、ジルコニウム、鉄、マンガン、ニッケル、コバルト、酸化イリジウム、ニオブをドープしたチタン酸ストロンチウムNb:SrTiO3、ランタンをドープしたチタン酸ストロンチウムLa:SrTiO3、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3、ニッケル酸ランタンLaNiO3、鉄酸ランタンストロンチウムLa,SrFeO3、コバルト酸ランタンストロンチウムLa,SrCoO3、又はこれらの積層構造からなるものであってもよい。また、圧電素子を構成する圧電体層及び電極を設ける基板は特に限定されず、半導体材料、金属材料、セラミックス材料、ガラス材料のいずれからなるものであってもよいが、基板を構成する材料の融点が650°C以上であるのが好ましく、さらにガラス転移点がある場合は融点及びガラス転移点が650°C以上であるのが好ましい。"