陰極部56と、ターゲット部60と、スロート部84とを含む真空密閉容器52と、該真空密閉容器52の前記ターゲット部の内部に配置されたターゲット58と、前記真空密閉容器52の前記陰極部の内部に配置されて、前記ターゲット58へ向けて電子流68を放出するように構成されている陰極54とを備えたX線管アセンブリ14であって、前記スロート部84は、上流側端部102及び下流側端部104を含んでおり、磁場強度の存在下で渦電流を発生する第一の磁化率を有する磁場区画100と、前記陰極部に結合された第一の端部114及び前記磁場区画100の前記上流側端部102に結合された第二の端部112を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第二の磁化率を有する上流側区画110と、前記磁場区画100の前記下流側端部104に結合された第一の端部120及び第二の端部122を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第三の磁化率を有する下流側区画118とを含んでおり、渦電流を発生する前記第一の磁化率は、渦電流を発生する前記第二及び第三の磁化率よりも小さい、X線管アセンブリ14。渦電流を発生する前記第二の磁化率は、渦電流を発生する前記第三の磁化率に近似的に等しい、請求項1に記載のX線管アセンブリ14。前記真空密閉容器52の前記スロート部84の前記磁場区画100を包囲して該磁場区画100に整列するように配置された電磁コイル86をさらに含んでいる請求項1に記載のX線管アセンブリ14。前記電磁コイル86は複数の極を含んでおり、非伝導性材料が、前記複数の極に整列するように複数の位置において前記電磁区画100の外面に鑞付けされている、請求項3に記載のX線管アセンブリ14。前記磁場区画100は、前記下流側区画の壁厚みよりも小さく、且つ前記上流側区画110の壁厚みよりも小さい壁厚みを有する、請求項1に記載のX線管アセンブリ14。前記スロート部84の前記磁場区画100に結合された電気的絶縁材料をさらに含んでいる請求項5に記載のX線管アセンブリ。前記スロート部84の前記下流側区画118の前記第二の端部122は、前記真空密閉容器52の前記ターゲット部60に結合されている、請求項1に記載のX線管アセンブリ。前記スロート部84は、当該スロート部84の前記下流側区画の前記第二の端部に結合されている上流側端部、及び下流側端部を有する第二の磁場区画144と、該第二の磁場区画144の前記下流側端部に結合された第一の端部、及び前記ターゲット部60に結合された第二の端部を有する第二の下流側区画142とをさらに含んでいる、請求項1に記載のX線管アセンブリ14。前記真空密閉容器52の前記スロート部の前記磁場区画100を中心として包囲して配置された第一の電磁コイル86と、前記真空密閉容器52の前記スロート部の前記第二の磁場区画100を中心として包囲して配置された第二の電磁コイル94とをさらに含んでいる請求項8に記載のX線管アセンブリ14。前記磁場区画100は伝導性材料を含んでいる、請求項1に記載のX線管アセンブリ14。放出器又はフィラメントの形状、及びフィラメントを内部に配置した陰極カップの形状は、焦点スポットに影響を与える。所望の焦点スポット形状を達成するために、陰極は、フィラメント及び陰極カップの形状を考慮に入れて設計され得る。しかしながら、フィラメントの形状は、画質又は焦点スポット熱負荷について典型的に最適化されている訳ではない。従来のフィラメントは主として、製造及び信頼性の理由からコイル状又は螺旋状のタングステンワイヤとして成形されている。代替的な設計の選択肢としては、コイル状D字形フィラメントのような代替的な設計の外形等がある。従って、放出器からの電子ビームを形成するための設計の選択肢の範囲は、電気抵抗物質を放出源として考えているときにはフィラメントの形状によって制限され得る。画質を向上させるために、電子ビームeビームの揺動ウォブリング、wobblingがしばしば用いられる。揺動は、静電eビーム偏向又は磁気的偏向すなわち空間的変調を用いて達成されることができ、高速で変化する磁場を利用してeビームを制御する。同様に、高速で変化する磁場を用いて電子ビームの集束を高速で変化させるすなわち電子ビームの断面の寸法を幅方向及び長さ方向に変化させることができる。典型的には、1対の四極磁石を用いて電子ビーム集束を幅方向及び長さ方向の両方で達成する。高速のkV変調のような幾つかの走査モード又は所謂二重エネルギ走査では、集束用磁場を高速で調節する能力は、kVレベルとkVレベルとの間で焦点スポットの寸法を一定に保持するのに有利である。かかる電磁式eビーム制御は、電子ビームが一つの位置から次の位置まで移動すること、又は漂遊せずに所望の位置若しくは所望の焦点に留まりつつ可能な限り迅速に再集束することを保証することにより、高画質を達成することができる。しかしながら、電磁石の電流を高速で変化させて変化する磁場を発生するときに、渦電流が真空容器壁に発生してX線管の内部での磁場浸透を妨げる。渦電流はX線管のスロートthroatの内部での磁場の立ち上がり時間を増大させて、eビームの偏向又は再集束の時間を遅延させる。従って、渦電流による損失を最小にして電子ビームに生ずる過渡磁場を最適化するスロート部を有するX線管を設計することが望ましい。X線管のスロートの構成は多数の設計制約を受ける。動作時には、スロートは、例えばターゲットから後方散乱される電子のためX線管環境において著しい熱流束を蒙る。さらに、スロートは、気密性真空を保持して大気圧に耐えることを依然可能にしつつ、製造が容易であり境界構成要素との接合が容易であるべきである。従って、上述の設計制約を満たし、また上述の欠点を克服する電磁制御式X線管において過渡応答を改善する装置及び方法を設計することが望ましい。本発明の一観点によれば、X線管アセンブリが、陰極部と、ターゲット部と、スロート部とを有する真空密閉容器を含んでいる。スロート部は、上流側端部及び下流側端部を有する磁場区画を含んでいる。磁場区画は、磁場強度の存在下で渦電流を発生する第一の磁化率を有する。スロート部はまた、第一の端部及び第二の端部を有する上流側区画を有する。スロート部の第一の端部は陰極部に結合され、スロート部の第二の端部は磁場区画の上流側端部に結合されている。上流側区画は、上述の磁場強度の存在下で渦電流を発生する第二の磁化率を有する。スロート部はまた、第一の端部及び第二の端部を有する下流側区画を有する。下流側区画の第一の端部は、磁場区画の下流側端部に結合されている。下流側区画は、上述の磁場強度の存在下で渦電流を発生する第三の磁化率を有する。渦電流を発生する第一の磁化率は、渦電流を発生する第二及び第三の磁化率よりも小さい。このX線管アセンブリはまた、真空密閉容器のターゲット部の内部に配置されたターゲットと、真空密閉容器の陰極部の内部に配置された陰極とを含んでおり、陰極は、ターゲットへ向けて電子流を放出するように構成されている。本発明のもう一つの観点によれば、X線管アセンブリが、内部に真空を形成した筐体を含んでいる。筐体は、陰極部と、ターゲット部と、スロート部とを含んでいる。スロート部は、第一の壁厚みを有する第一の区画と、第二の壁厚みを有する第二の区画と、第一の区画と第二の区画との間に配置される第一の磁場区画とを含んでいる。第一の磁場区画は、第一及び第二の壁厚みよりも薄い第三の壁厚みを有する。このX線管アセンブリはまた、真空筐体のターゲット部に配置されたターゲットと、真空筐体の陰極部に配置されて電子流をターゲットへ向ける陰極とを含んでいる。本発明のもう一つの観点によれば、イメージングシステムが、走査対象を収容する開口を内部に有する回転式ガントリと、回転式ガントリの開口の内部に配置されて開口を通して移動可能なテーブルと、回転式ガントリに結合されたX線管とを含んでいる。X線管は、ターゲットを収容するターゲット部と、陰極を収容する陰極部と、スロート部とを有する真空容器を含んでいる。スロート部は、第一の壁厚みを有する第一の区画と、第二の壁厚みを有する第二の区画と、第一及び第二の区画に結合された第一の磁場区画とを有する。第一の磁場区画は、第一及び第二の壁厚みよりも薄い第三の壁厚みを有する。このイメージングシステムはまた、X線管に装着されて、陰極から放出される電子流を操縦するために第一の磁場を発生するように構成されている第一の電子操縦コイルを含んでいる。第一の電子操縦コイルは、X線管に装着されて、第一の磁場の立ち上がり時間が第一及び第二の区画よりも第一の磁場区画での方が速くなるように、真空容器のスロート部の第一の磁場区画に整列させられる。他の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。本発明の各実施形態の動作環境を計算機式断層写真法CTシステムに関連して説明する。当業者には、本発明の各実施形態が任意のマルチスライス型構成での利用にも同等に適用可能であることが認められよう。また、本発明の各実施形態をX線の検出及び変換に関連して説明する。しかしながら、当業者はさらに、本発明の各実施形態が他の高周波電磁エネルギの検出及び変換にも同等に適用可能であることを認められよう。本発明の各実施形態を第三世代CTスキャナに関して説明するが、本発明の各実施形態は、他のCTシステム、外科用Cアームシステム、及び他のX線断層写真法システム、並びにX線システム又はマンモグラフィシステムのようにX線管を実装している他の多数の医用イメージングシステムでも同等に適用可能である。図1は、本発明に従って原画像データを取得すること、並びに表示及び/又は解析のために画像データを処理することの両方を行なうように設計されたイメージングシステム10の一実施形態のブロック図である。当業者には、本発明がX線又はマンモグラフィシステムのようにX線管を実装している多数の医用イメージングシステムに適用可能であることが認められよう。計算機式断層写真法及びディジタルラジオグラフィシステムのように容積の画像三次元データを取得する他のイメージングシステムも本発明からの利益を得る。X線システム10についての以下の議論は、かかる一つの具現化形態の一例に過ぎず、モダリティに関して限定するものではない。図1には、計算機式断層写真法CTイメージングシステム10が、第三世代CTスキャナに典型的なガントリ12を含むものとして示されている。ガントリ12はX線管アセンブリ又はX線源アセンブリ14を有し、X線管アセンブリ14は、ガントリ12の反対側に位置する検出器アセンブリ又はコリメータ16へ向けてX線のコーンビームを投射する。ここで図2を参照すると、検出器アセンブリ16は、複数の検出器18及びデータ取得システムDAS20によって形成されている。複数の検出器18は、患者24を透過する投射X線22を感知し、DAS20は後続の処理のためにデータをディジタル信号へ変換する。各々の検出器18が、入射X線ビームの強度を表わし従って患者24を透過した減弱後のビームを表わすアナログ電気信号を発生する。X線投影データを取得するための1回の走査の間に、ガントリ12及びガントリ12に装着されている構成部品は回転中心26の周りを回転する。ガントリ12の回転及びX線源アセンブリ14の動作は、CTシステム10の制御機構28によって制御される。制御機構28は、X線制御器30とガントリモータ制御器32とを含んでおり、X線制御器30はX線源アセンブリ14に電力信号及びタイミング信号を供給し、ガントリモータ制御器32はガントリ12の回転速度及び位置を制御する。画像再構成器34が、標本化されてディジタル化されたX線データをDAS20から受け取って高速再構成を実行する。再構成された画像はコンピュータ36への入力として印加され、コンピュータ36は大容量記憶装置38に画像を記憶させる。コンピュータ36はまた、以下で詳述するように、電子ビーム配置及び磁場制御に対応するソフトウェアを記憶して有する。コンピュータ36はまた、キーボード、マウス、音声作動式コントローラ、又は他の任意の適当な入力装置のような何らかの形態の操作者インタフェイスを有するコンソール40を介して、操作者から命令及び走査用パラメータを受け取る。付設されている表示器42によって、操作者は、再構成された画像及びコンピュータ36からのその他のデータを観測することができる。操作者が供給した命令及びパラメータはコンピュータ36によって用いられて、DAS20、X線制御器30及びガントリモータ制御器32に制御信号及び情報を供給する。加えて、コンピュータ36は、電動テーブル46を制御するテーブルモータ制御器44を動作させて、患者24及びガントリ12を配置する。具体的には、テーブル46は患者24を図1のガントリ開口48を通して全体として又は部分的に移動させる。図3は、本発明の一実施形態によるX線管アセンブリ14の断面図を示す。X線管アセンブリ14は、真空容器又は密閉容器52を含むX線管50を含んでおり、容器52の陰極部56に配置された陰極アセンブリ54を有する。回転ターゲット58が、真空密閉容器又は筐体52のターゲット部60に配置されている。陰極アセンブリ54は、フィラメント62を支持して、熱せられたフィラメント62からターゲット58の表面66へ向けて放出される電子のビーム64を集束させる静電レンズとして作用する陰極カップ図示されていないを含めて多数の別個の要素を含んでいる。X線流68がターゲット58の表面66から放出されて、真空密閉容器52の窓70を通過する。多数の電子72がターゲット58から後方散乱され、真空密閉容器52の内面74に衝突して内面74を加熱する。冷却材が、矢印78、80によって示すように真空密閉容器52の外面76に沿って循環されて、後方散乱された電子72によって真空密閉容器52に発生される熱を軽減する。磁気アセンブリ82が、真空密閉容器52のスロート部84の内部の電子ビーム64の経路に近い位置においてX線管アセンブリ14に装着されており、この位置は陰極部56からは下流であり、ターゲット部60からは上流である。磁気アセンブリ82は第一のコイルアセンブリ86を含んでいる。一実施形態によれば、コイル86は、四極及び/又は二極の磁気アセンブリとして巻回されており、コイル86によって発生される磁場が電子ビーム64に作用して電子ビーム64を偏向させてx方向及び/又はy方向の何れかに沿って移動させるように、真空容器52のスロート部84を覆ってスロート部84の周囲に配置される。電子ビーム64の移動方向はコイル86を流れる電流の方向によって決定され、この方向はコイル86に結合された制御回路92を介して制御される。もう一つの実施形態によれば、コイル86は、焦点スポットの寸法又は幾何学的形状を制御するように構成される。選択随意で、図3に示すように、第二のコイルアセンブリ94二点鎖線として示すが磁気アセンブリ82に含まれていてもよい。コイルアセンブリ86、94は、様々な実施形態に従って、所望の電子ビーム制御に基づいて、二極構成及び/又は四極構成を有し得る。本書に記載される本発明の各実施形態は、コイルアセンブリ86、94に整列したX線管のスロート84の区画の内部での渦電流の発生を減少させ、これにより所望の磁場がさらに高速に生ずることを可能にする。渦電流は、磁場が空間的又は時間的に大きさについて変化しているときには常にスロート区画84に生ずる。渦電流は、磁場が不変であるときには存在しない。結果として、本書に記載される各実施形態は、スロート区画84の所望の設計仕様を保持しつつ、同時に、一様な断面厚み及び容積を有する基本的な金属製スロート区画であると起こり得る渦電流発生を減少させることを目的とする。かかる設計仕様は例えば、スロート区画84が気密性であること、大気圧及び他の加わる力に耐えるように構造的に堅牢であること、主に後方散乱された電子による加熱に対して熱的に堅牢であること、収集される電荷に導通路を提供するように内面において導電性であること、並びに真空密閉容器52の陰極区画56及びターゲット区画60に接合可能であること等である。図4は、本発明の一実施形態によるコイルアセンブリ86図3と真空密閉容器52図3のスロート84の一部であるスロート壁98とを含む図3の小部分96の拡大図である。真空壁98は磁場区画100を含んでおり、磁場区画100は上流側端部102及び下流側端部104を有する。磁場区画100は、コイルアセンブリ86と電子ビーム64との間でコイルアセンブリ86によって発生される一次磁場を蒙るスロート部84の区域として画定される。換言すると、磁場区画100は、コイルアセンブリ86によってスロート部84に発生される最大の磁束密度を蒙る。図4に示すように、磁場部100は、コイルアセンブリ86の上流である壁98の上流側区画110の壁厚み108よりも小さい壁厚み106を有する。上流側区画110の第一の端部112が磁場区画100の上流側端部102に結合され、上流側区画110の第二の端部114が陰極部56図3に結合されている。同様に、磁場区画100の壁厚み106は、壁98の下流側区画118の壁厚み116よりも小さい。下流側区画118は、第一の端部120及び第二の端部122を含んでいる。図4に示すように、第一の端部120は磁場区画100の下流側端部104に結合されている。スロート区画84に生ずる渦電流の大きさは、スロートの量又は厚みに比例する。従って、磁束密度が最大となるスロート区画を薄くするほど少ない渦電流を発生し、従って磁場立ち上がり速度が速くなる。従って、壁厚み106は厚み108よりも小さいので、コイルアセンブリ86によって発生される磁場は、上流側区画110よりも磁場区画100での方が立ち上がり時間が速い。同様に、壁厚み106は厚み116よりも小さいので、コイルアセンブリ86によって発生される磁場は、下流側区画118よりも磁場区画100での方が立ち上がり時間が速い。一実施形態によれば、区画100の厚みを小さくすると、一様な厚みを有することによる金属スロート壁と比較して磁場区画100での磁場立ち上がり時間が50改善し得る。区画110及び118の厚み116が大きいほど、真空スロートは熱的に及び構造的に健全になる。さらに、非磁場区画110、118の壁厚み108が相対的に厚いため、スロート94に構造的健全性を提供し、後方散乱された電子124による熱を吸収する相対的に大質量の金属を提供する。一実施形態によれば、磁場区画100は、壁厚み106が約0.5mmであり、壁長さ126が約1cmである。壁98の外径128は、磁場区画100、並びに上流側及び下流側区画110、118の全体にわたり同じである。薄肉化された窓区画106は、スロート84の真空側111から除去された材料によって形成される。このことは、滑らかな外面113にしておくことにより真空スロートの外面でのスロート冷却流を補助する。代替的な実施形態では、薄肉化された区画を反対の態様すなわち滑らかな内面115と外面113から除去された材料とによって形成してもよい。壁98は、様々な実施形態によれば、例えばモリブデン合金、ステンレス鋼、又はチタン合金のように高い電気抵抗率を有し渦電流の発生を最小にする非強磁性材料である。当業者は、低い導電性、高い熱伝導性及び構造的健全性を有する他の材料を用いてもよいことを認められよう。図5には、一実施形態による図3の小部分96の拡大図が示されており、磁気アセンブリ82図3は二つのコイルアセンブリ86、94を含んでいる。スロート部84の壁130は図4の壁98と同様の態様で構成されており、コイルアセンブリ86に対応する第一の磁場区画132が、当該第一の磁場区画132に隣接する第一の区画138の壁厚み136よりも小さく、且つ第一の磁場区画132に隣接する第二の区画142の壁厚み140よりも小さい壁厚み134を有するようになっている。同様に、第二の磁場区画144が、図5に示すように当該第二の磁場区画144に隣接する第二の区画142の壁厚み140よりも小さく、且つ第二の磁場区画144に隣接する第三の区画150の壁厚み148よりも小さい壁厚み146を有する。図6は、本発明のもう一つの実施形態による図3の小部分96の拡大図を示す。小部分96は、コイルアセンブリ86に整列した磁場区画154を有するスロート壁152を含んでいる。壁98図4とは異なり、図6の壁152は、金属部材156及び非金属部材158の二つの部材として構築されている。金属部材156は、金属磁場区画160と、図4の壁98と同様に金属磁場区画160の上流側及び下流側にそれぞれ隣接している第一及び第二の区画162、164とを含んでいる。金属部材156は、実質的に一様な内径166を有する。第一及び第二の区画162、164の外径168は、金属磁場区画160のスロート壁152の外径170よりも大きい。従って、壁152は、第一及び第二の区画162、164よりも磁場区画160での方が薄い。一実施形態では、金属部材156は、上述の各実施形態と同様に高い電気抵抗率を有する非強磁性材料である。壁152の非金属部材158は、金属磁場区画160の薄肉化された区域の外面172に鑞付けされ又は他の方法で緊密に接合される絶縁体若しくは非導電性材料を含んでいる。様々な実施形態によれば、非金属部材158は、例えばグラファイト、アルミナ、窒化アルミニウム、又は窒化ケイ素であってよい。非金属部材158が壁152の薄肉化された金属磁場区画174に構造的支持及び付加的な蓄熱容量を提供するので、金属磁場区画174は、図4の磁場部分100よりも薄く設計され得る。例えば、一実施形態によれば金属磁場区画160は約0.1mm~0.2mmの壁厚み174を有する。金属磁場区画160においてスロート壁152を薄肉化することにより、渦電流の発生はスロート部84の内部で最小になる。さらに、金属磁場区画160の薄肉化された壁はスロート84の内部の磁場の上昇速度を最小にし、これにより電子ビームの偏向及び/又は集束時間を改善する。一実施形態によれば、非金属部材158は、金属部材156の非磁場部154を包囲する連続環形又はドーナツ形の材料である。代替的には、図7に示すように、非金属部材158は、例えばコイルアセンブリ86のようなコイルアセンブリの個々の極176に近接したスロート壁152の各位置に挿入された多数の個別の区画を成す非金属材料であってよい。図3の小部分96の実施形態は、図6及び図7では一つのコイルアセンブリを含むものとして説明されているが、当業者は、かかる実施形態が、図4及び図5に関して説明したものと同様の態様で、1対又はさらに多いコイルアセンブリを有し電子ビームを長さ及び幅方向において集束させて二つの軸に沿って偏向させるX線管アセンブリとなるように改変され得ることを認められよう。図8には、小包/手荷物検査システム242が、小包又は手荷物を通過させ得る開口246を内部に有する回転式ガントリ244を含んでいる。回転式ガントリ244は、高周波電磁エネルギ源248と、図2に示すものと同様の検出器を有する検出器アセンブリ250とを収容している。また、コンベヤシステム252が設けられており、コンベヤシステム252は、構造256によって支持されて走査のために小包又は手荷物258を自動的に且つ連続的に開口246に通すコンベヤベルト254を含んでいる。物体258をコンベヤベルト254によって開口246に送り込み、次いで撮像データを取得し、コンベヤベルト254によって開口246から小包258を除去することを、制御された連続的な態様で行なう。結果として、郵便物検査官、手荷物積み降ろし員及び他の警備人員が、爆発物、刃物、銃及び密輸品等について小包258の内容を非侵襲的に検査することができる。従って、本発明の一実施形態によれば、X線管アセンブリが、陰極部と、ターゲット部と、スロート部とを有する真空密閉容器を含んでいる。スロート部は、上流側端部及び下流側端部を有する磁場区画を含んでいる。磁場区画は、磁場強度の存在下で渦電流を発生する第一の磁化率を有する。スロート部はまた、第一の端部及び第二の端部を有する上流側区画を有する。スロート部の第一の端部は陰極部に結合され、スロート部の第二の端部は磁場区画の上流側端部に結合されている。上流側区画は、上述の磁場強度の存在下で渦電流を発生する第二の磁化率を有する。スロート部はまた、第一の端部及び第二の端部を有する下流側区画を有する。下流側区画の第一の端部は、磁場区画の下流側端部に結合されている。下流側区画は、上述の磁場強度の存在下で渦電流を発生する第三の磁化率を有する。渦電流を発生する第一の磁化率は、渦電流を発生する第二及び第三の磁化率よりも小さい。このX線管アセンブリはまた、真空密閉容器のターゲット部の内部に配置されたターゲットと、真空密閉容器の陰極部の内部に配置された陰極とを含んでいる。陰極は、ターゲットへ向けて電子流を放出するように構成されている。本発明のもう一つの実施形態によれば、X線管アセンブリが、内部に真空を形成した筐体を含んでいる。筐体は、陰極部と、ターゲット部と、スロート部とを含んでいる。スロート部は、第一の壁厚みを有する第一の区画と、第二の壁厚みを有する第二の区画と、第一の区画と第二の区画との間に配置される第一の磁場区画とを含んでいる。第一の磁場区画は、第一及び第二の壁厚みよりも薄い第三の壁厚みを有する。このX線管アセンブリはまた、真空筐体のターゲット部に配置されたターゲットと、真空筐体の陰極部に配置されて電子流をターゲットへ向ける陰極とを含んでいる。本発明のもう一つの実施形態によれば、イメージングシステムが、走査対象を収容する開口を内部に有する回転式ガントリと、回転式ガントリの開口の内部に配置されて開口を通して移動可能なテーブルと、回転式ガントリに結合されたX線管とを含んでいる。X線管は、ターゲットを収容するターゲット部と、陰極を収容する陰極部と、スロート部とを有する真空容器を含んでいる。スロート部は、第一の壁厚みを有する第一の区画と、第二の壁厚みを有する第二の区画と、第一及び第二の区画に結合された第一の磁場区画とを有する。第一の磁場区画は、第一及び第二の壁厚みよりも薄い第三の壁厚みを有する。このイメージングシステムはまた、X線管に装着されて、陰極から放出される電子流を操縦するために第一の磁場を発生するように構成されている第一の電子操縦コイルを含んでいる。第一の電子操縦コイルは、X線管に装着されて、第一の磁場の立ち上がり時間が第一及び第二の区画よりも第一の磁場区画での方が速くなるように、真空容器のスロート部の第一の磁場区画に整列させられる。この書面の記載は、最適な態様を含めて発明を開示し、また任意の装置又はシステムを製造して利用すること及び任意の組み込まれた方法を実行することを含めてあらゆる当業者が発明を実施することを可能にするように実例を用いている。発明の特許付与可能な範囲は特許請求の範囲によって画定され、当業者に想到される他の実例を含み得る。かかる他の実例は、特許請求の範囲の書字言語に相違しない構造要素を有する場合、又は特許請求の範囲の書字言語と非実質的な相違を有する等価な構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。