画素電極とTFTを有する画素が形成されたTFT基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、マザーTFT基板に複数のTFT基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、前記マザー対向基板の周辺にマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をq1、前記シール間ギャップをg、とした場合、q1>gであり、かつ、gは5mm以下であり、前記マザーTFT基板と前記マザー対向基板を大気中において接着してマザー基板を形成し、前記マザー基板の周辺におけるマザーTFT基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、その後、前記マザー基板の前記マザーTFT基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記マザー基板シール材は熱硬化樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記マザー基板シール材のピッチpは前記マザー基板の辺においては、一定のピッチであることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から5mm以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。前記マザー基板封止材は前記マザー基板の側面にも形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。画素電極とTFTを有する画素が形成されたTFT基板が複数形成されたマザーTFT基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、前記マザー基板の周辺には、マザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をq1、前記シール間ギャップをg、とした場合、q1>gであり、かつ、gは5mm以下であり、前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材よりも前記マザー基板の端部側においては、マザー基板封止材が形成されており、前記マザー基板封止材は紫外線硬化樹脂であることを特徴とするマザー基板。前記マザー基板シール材のピッチpは前記マザー基板の辺においては、一定のピッチであることを特徴とする請求項6に記載のマザー基板。前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から5mm以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項7に記載のマザー基板。前記マザー基板封止材は前記マザー基板の側面にも形成されていることを特徴とする請求項8に記載のマザー基板。前記マザー基板におけるマザーTFT基板およびマザー対向基板は研磨によって薄くなっていることを特徴とする請求項9に記載のマザー基板。特許文献1には、マザーTFT基板とマザー対向基板の貼り合わせを、減圧雰囲気でおこなうのか、大気中で行うのかの記載は無い。仮に、特許文献1に記載のようなマザー基板の貼り合わせを大気中で行う場合は、特許文献1に記載のような構成のマザー基板シール材は、内部の空気の排除が困難であり、マザーTFT基板とマザー対向基板の貼り合わせプロセスの歩留まりが低下する。そこで、従来は、一般的には、真空封止減圧封止を含むが行われてきた。図13は、本発明が対象とする液晶表示装置2の1例を示す平面図である。図13の液晶表示装置2は、TFT基板100と対向基板200とがシール材20によって貼りあわされた液晶セルに注入孔40から液晶を封入し、封止材30によって封止したものである。図13において、TFT基板100は対向基板200よりも大きく、TFT基板100が1枚となっている部分は端子部150となっており、この部分にICドライバ50が搭載されている。図13に示す液晶表示装置2は携帯電話等に使用されるものであり、縦径LYは例えば、81mm、横径LXは例えば、54mm、端子部の長さTは2.7mmである。このような液晶表示装置を1個ずつ製作するのは効率が悪いので、マザー基板に多数の液晶セルを形成し、同時に多数の液晶セルを製作することが行われている。なお、本明細書では、TFT基板と対向基板がシール材によって貼り合わされた状態のものを液晶セルといい、液晶を封入し、ICドライバ等を搭載し終わったものを液晶表示装置と呼ぶことにする。図14は横方向に7個、縦方向に5個、合計35個の液晶セル1がマザー基板80に形成された例である。マザー基板80の周辺にはマザー基板シール材61が形成され、内部が密封されている。すなわち、液晶表示装置を薄くするために、マザー基板80の状態で、マザーTFT基板60とマザー対向基板70の外側を機械研磨あるいは化学研磨する。機械研磨にしろ、化学研磨にしろ、研磨液を使用する。研磨液がマザー基板80の内部に侵入すると、各液晶セル1はまだ封止されていない状態なので、各液晶セル1が不良となってしまう。図14に示すようなマザー基板シール材61は、一般にはマザー対向基板70に形成され、マザーTFT基板60と貼りあわされる。この時、大気中で貼り合わせを行うと、内部の空気が外に逃げにくいので、マザー基板80内部の圧力が不安定となり、シール不良を生ずる場合が多い。そこで、図14に示すようなマザー基板80を形成する場合は、真空中で行われる。図15は、図14に示すようなマザー基板80を作成する場合のプロセスフローである。図15において、マザーTFT基板とマザー対向基板を別々に作成する。マザー基板シール材をマザー対向基板にディスペンサ等によって塗布する。その後、貼り合わせ装置全体を真空にする。ここで、真空にするとは、減圧するという意味も含む。真空の状態で、マザーTFT基板とマザー対向基板のX軸とY軸を確認して、貼り合わせる。内部が真空になっているので、マザー基板シール材の内側の圧力が大きくなりすぎて、不安定になるということは無い。その後、マザー基板の外側を機械研磨あるいは化学研磨することによって、マザーTFT基板とマザー対向基板を薄くする。しかし、図14に示すマザー基板シール材を用いる場合は、図15に示すように、貼り合わせ装置内を真空にする必要がある。マザー基板は大きいので、貼り合わせ装置も大型になり、真空装置も大型になる。したがって、製造設備のコストが嵩むことになり、液晶表示装置の製造コストを押し上げる。本発明の課題は、マザーTFT基板とマザー対向基板を貼り合わせる工程において、真空装置を必要としない構成を実現することである。本発明は上記問題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。すなわち、画素電極とTFTを有する画素が形成されたTFT基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、マザーTFT基板に複数のTFT基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、前記マザー対向基板の周辺にマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をq1、前記シール間ギャップをg、とした場合、q1>gであり、かつ、gは5mm以下であり、前記マザーTFT基板と前記マザー対向基板を大気中において接着してマザー基板を形成し、前記マザー基板の周辺におけるマザーTFT基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、その後、前記マザー基板の前記マザーTFT基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。本実施例の他の形態によれば、画素電極とTFTを有する画素が形成されたTFT基板が複数形成されたマザーTFT基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、前記マザー基板の周辺には、マザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をq1、前記シール間ギャップをg、とした場合、q1>gであり、かつ、gは5mm以下であり、前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材よりも前記マザー基板の端部側においては、マザー基板封止材が形成されており、前記マザー基板封止材は紫外線硬化樹脂であることを特徴とするマザー基板である。本発明によれば、マザー対向基板とマザーTFT基板がシール間ギャップを介して飛び飛びに形成されたマザー基板シール材によって接着するので、シール間ギャップから内部の空気が抜けるため、マザーTFT基板とマザー対向基板を接着する際、マザー基板の内部の気圧が高くなることは無い。その後、シール間ギャップはマザー基板封止材によって充填されるので、マザー基板の外周シールを確実に行うことが出来る。したがって、マザー基板を研磨して薄くする際、研磨液がマザー基板の内部に侵入して内部の液晶セルを破壊することが無い。以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。図1は本発明によるマザー基板80の平面図である。マザー基板80はマザーTFT基板60とマザー対向基板70が貼りあわされたものである。図1において、マザー基板80には液晶セル1が横に7個、縦に5個、計35個形成されている。各液晶セル1には、シール材20が形成され、シール材20の一部は液晶を注入するための注入孔40になっている。すなわち、マザー基板80が完成後、各液晶セル1に分離された後、注入孔40から液晶が注入され、その後、封止材30によって封止される。したがって、図1の状態では、各液晶セル1の内部は、注入孔40を介して開放された状態であり、研磨液等がマザー基板80の内部に侵入すると、各液晶セル1の内部に入り込み、各液晶セル1は不良となる。これを防止するために、図1において、マザー基板シール材61およびマザー基板封止材63が形成され、研磨液等がマザー基板の内部に侵入することを防止している。本発明の特徴は、マザー基板シール材61とマザー基板封止材63の両方によって、研磨液等が内部に侵入することを防止していることである。すなわち、まず、マザー基板シール材61をマザー対向基板70に形成し、その後、マザーTFT基板60と貼り合わせる。マザー基板シール材61は熱硬化性の樹脂が用いられる。その後、マザー基板封止材63をマザーTFT基板60とマザー対向基板70の間にディスペンサ等によって塗布する。マザー基板封止材63は、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材61間のシール間ギャップ62において表面張力によって進入が止まる。これによって、マザー基板80が周辺において密閉される。図2はこのうちのマザー対向基板70に形成されたマザー基板シール材61の形状を示す平面図である。図2は、マザーTFT基板60と貼りあわされる前のマザー基板シール材61が形成された状態のマザー対向基板70の平面図である。マザー対向基板70の周辺には、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材61が存在している。マザー基板シール材61は、マザー対向基板70に形成され、マザー基板シール材61および各液晶セル1に形成されたシール材20によってマザーTFT基板60とマザー対向基板70が貼りあわされる。マザー基板シール材61および各液晶セル1のシール材20は熱硬化樹脂であり、マザー対向基板70とマザーTFT基板60が貼りあわされた後、加熱することによって接着する。図2において、マザーTFT基板60とマザー対向基板70を貼り合わせる際、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材61のシール間ギャップ62から内部の空気が逃げるので、マザー基板80の内部の圧力が上昇して、シール材20あるいはマザー基板シール材61の熱硬化の際、マザー基板80が破壊するというような問題は生じない。図3は、マザー基板シール材61の辺部における詳細な形状を示す平面図である。マザー基板シール材61は、マザー対向基板70に形成される。マザー対向基板70には、各液晶セルに形成されたオーバーコート膜201が、マザー対向基板70の端部からd1の距離まで連続して形成されている。d1は例えば、5mmである。マザー基板シール材61が形成される部分には、オーバーコート膜201は形成されていない。マザー対向基板70の端部からマザー基板シール材61の中心までの距離d2は例えば、3mmである。島状の各マザー基板シール材61は例えば、レーストラック形状をしており、マザー基板70の辺方向の幅はq1で、レーストラック端部の円の中心間の距離はq2である。q1は例えば、2mmであり、q2は例えば、1mmである。また、島状のマザー基板シール材61の、図3における縦方向、すなわち、辺と直角の方向の幅wは例えば、2mmである。島状のマザー基板シール材61は所定のピッチpでシール間ギャップgを介して線状インライ状に形成されている。所定のピッチpは、コーナー部を除く全周において一定であることが望ましい。所定のピッチpは、例えば、3.5mmである。この場合、q1を2mmとすると、シール間ギャップgは1.5mmである。以上の数値は例であるが、各マザー基板シール材61の辺方向の幅q1はシール間ギャップgより大きい。また、シール間ギャップ63、gは5mmを超えないように設定する必要がある。シール間ギャップgが大きすぎると、後で説明するマザー基板封止材63を所定に位置にて止めることが困難になるからである。図4はマザー基板シール材61のコーナーにおける形状である。図4において、マザー基板シール材61は、コーナーを面取りするような形状に形成されている。コーナーにおいては、後で述べるマザー基板封止材61の進入の仕方が異なるので、マザー基板シール材61の形状を辺部とは異なった形状としている。図4において、コーナー部のC1はたとえば、4.7mmである。d2は図3と同様であり、例えば、3mmである。以上の各寸法は、マザー対向基板70に形成されたマザー基板シール材61の寸法である。したがって、マザー対向基板70とマザーTFT基板60を貼り合わせた後は、マザー基板シール材61の各寸法は異なってくる。しかし、マザー基板シール材61のシール間ギャップgがマザー基板シール材61のマザー基板シール材61の辺方向の幅q1よりも小さいこと、シール間ギャップが5mmよりも小さいこと、マザー基板シール材61は一定ピッチで形成されていることが望ましいこと等は同様である。このようにして、マザー基板シール材61をマザー対向基板70に形成した後、マザーTFT基板60とマザー対向基板70を貼り合わせ、加熱して、接着する。すなわち、マザー基板シール材61は熱硬化樹脂によって形成されている。この場合、個々の液晶セルに形成されているシール材も熱硬化樹脂である。なお、マザー基板シール材61は紫外線硬化樹脂を使用してもよい。この場合は、個々の液晶セル1に形成されたシール材20も紫外線硬化樹脂によって形成することが望ましい。このようにして、マザーTFT基板60とマザー対向基板70を接着した後、ディスペンサ等によってマザー基板封止材を全周に形成する。図5はマザーTFT基板60とマザー対向基板70の間にディスペンサ300を用いてマザー基板封止材61を塗布している状態を示す模式図である。図5はわかり易くするために、マザーTFT基板60とマザー対向基板70が離れて記載されているが、実際には、マザー基板シール材61を介して接着している。図5において、マザー基板封止材63がディスペンサ300によって途中まで形成されている。マザー基板封止材63は、マザーTFT基板60とマザー対向基板70の端部に塗布されると、基板間に進入し、島状のマザー基板シール材61とマザー基板シール材61の間で、表面張力によって止まる。したがって、マザー基板封止材63はマザー基板80の端部から所定の位置まで形成されることになる。図6はこの状態を示す平面図である。マザーTFT基板60とマザー対向基板70の間にマザー基板シール材61が島状に飛び飛びに形成されている。マザーTFT基板60とマザー対向基板70の間にマザー基板封止材61がディスペンサ300等によって塗布されると、マザー基板封止材63が内部に進入し、島状のマザー基板シール材61とマザー基板シール材61の間で止まる。マザー基板シール材61はマザー対向基板70端部から所定の距離d2で形成されているが、マザー基板封止材63もd2付近で進入が止まる。マザー基板シール材61には紫外線硬化樹脂が用いられる。図7は以上で説明した内容をプロセスフローとしてまとめたものである。図7において、マザーTFT基板とマザー対向基板を別々に製造する。マザー対向基板にマザー基板シール材を島状に飛び飛びに形成する。その後マザーTFT基板とマザー対向基板のX軸、Y軸を確認し、貼り合わせる。その後、マザー基板を加熱してマザー基板シール材を熱硬化させ、マザーTFT基板とマザー対向基板を接着する。その後、マザーTFT基板とマザー対向基板の間にディスペンサ等を用いてマザー基板封止材を塗布し、マザー基板封止材がマザー基板シール材の存在する部分まで浸透させる。マザー基板封止材の浸透がマザー基板シール材に達するまでに所定の時間がかかるので、マザー基板のバッチ処理が可能となる。その後、マザー基板封止材を紫外線硬化UV硬化させる。マザー基板封止材は熱硬化樹脂ではなく、紫外線硬化樹脂を用いる理由は、他のシール材が何度も熱工程を受けることによって変質することを防止するためである。このようにして、マザー基板の外周のシールが確実となり、マザー基板を研磨液に浸しても研磨液がマザー基板の内部に侵入することは無くなる。その後、マザー基板の外側、すなわち、マザーTFT基板およびマザー対向基板を所定の厚さになるまで研磨する。研磨はマザーTFT基板、マザー対向基板の両方に行う場合が多いが、いずれか一方のみ研磨される場合もあり得る。その後、各液晶セルに分離し、各液晶セルに液晶が例えば、真空注入法によって充填される。図8は、本発明の第2の実施例によるマザー基板80の平面図である。図8が実施例1の図1と異なる点は、マザー基板シール材61によってマザーTFT基板60とマザー対向基板70を接着した後に塗布するマザー基板封止材63の量を多くしているという点である。図8において、マザー基板封止材63はマザー基板80の側面まで塗布されている。図9は、図8に示すマザー基板80の端部の断面図である。図9において、マザーTFT基板60とマザー対向基板70はマザー基板シール材61によって接着しており、マザー基板シール材61の外側にはマザー基板封止材63がマザーTFT基板60およびマザー対向基板70の側面にまで形成されている。この状態で、マザーTFT基板60およびマザー対向基板70を研磨して薄くした状態が図10である。図10では、マザーTFT基板60およびマザー対向基板70の端部までほぼ均一に研磨されている。図11および図12は比較例である。図11は、マザー基板シール材61の外側に形成するマザー基板封止材63の量が多くなく、マザー基板封止材63はマザーTFT基板60あるいはマザー対向基板70の端部よりも内側に存在している。図12は、この状態で、例えば、化学研磨によってマザーTFT基板60およびマザー対向基板70を薄くした状態を示す断面図である。例えば、化学研磨では、マザーTFT基板60あるいはマザー対向基板70の面のみでなく、端部も研磨される。化学研磨は、凸部がより早く研磨されるので、基板のコーナー部が早く研磨されるために、図12のような断面構造となる。図12のような断面構造では、マザー基板80の端部が欠けやすく、マザー基板の不良を生じやすい。機械研磨の場合であっても、研磨液を使用するので、端部が他の部分よりも薄くなる。また、端部には、マザー基板封止材63が存在していないので、この薄くなった端部が欠けやすいことに変わりは無い。マザー基板80の端部が破損すれば、液晶表示装置の製造歩留まりが低下する。一方、マザー基板80を商品として流通させる場合は、断面形状が図12のようであれば、流通過程において、端部の破損が生じやすく、特に問題である。なお、マザー基板80を商品として流通させる場合において、研磨前のマザー基板80を商品として流通させる場合、マザー基板80を購入したメーカーはマザー基板80から各液晶セル1を分離する工程以後を自社の工程において行うことになる。本実施例においては、図9に示すように、マザー基板封止材63をマザー基板80の側面にまで形成するので、研磨後も図10のように、マザー基板80の側面にまで、マザー基板封止材63が残留するため、マザー基板80の端部の機械的な強度を保つことが出来る。したがって、液晶表示装置の製造歩留まりの低下を防止することが出来るとともに、マザー基板を商品として流通させる場合に、端部の破損を防止することが出来る。