"光吸収または発光する化合物M1と少なくとも1種の光吸収または発光する化合物M2とを含有し、M1とM2とが互いに異なり、両方とも各々が少なくも1つのフッ素ラジカルを含むことを特徴とする組成物。少なくとも1つの無フッ素化有機ホスト化合物を含有する請求項1に記載の組成物。少なくとも吸収バンドおよび発光バンドの一方について、M1の吸収スペクトルがM2の発光スペクトルと重なるか、またはM2の吸収スペクトルがM1の発光スペクトルと重なることを特徴とする請求項1または2に記載の組成物。M1およびM2の両方が、それぞれ互いに独立に、蛍光発光物質またはリン光発光物質のいずれかであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物。M1およびM2が、それぞれ互いに独立に、小分子またはポリマーであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の組成物。M1またはM2が、前記有機ホスト化合物と共有結合していることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の組成物。モル比M1:M2が、0.01:1~1:0.01、好ましくは1:2~2:1であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の組成物。前記有機ホスト化合物が、低分子量化合物、デンドリマー、オリゴマーまたはポリマーであることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物。前記少なくとも1つのフッ素ラジカルが、一般式CxHyFzここで、x≧0、y≧0およびz≧1であり、隣接していてもよい1以上のCH2基は、O、S、Se、Te、SiR12、GeR12、NR1、PR1、CO、PR1Oにより置きかえられていてもいなくてもよく、ここでR1は、出現する毎に同一または異なり、直鎖もしくは分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アリールアルキル、アリールアルケニル、アリールアルキニル、ヘテロアリールまたはヘテロアルキル基であり、ここで、さらに、非芳香族成分の1以上の非隣接C原子は、O、S、COO、OCOにより置きかえられていてもよく、ただし、2個のラジカルR1は、互いに環系を形成していてもよいを有することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の組成物。前記少なくとも1つのフッ素ラジカルは、F、CF3、C2F5、CF3CH2aS、CF3CF2SまたはCF3CH2a2Nここで、aは好ましくは0~5の整数を表すからなる群から選択されることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の組成物。請求項1~10のいずれか1項に記載の組成物を製造する方法であって、a溶媒L1中に発光化合物M1と発光化合物M2とを含有する溶液を準備する工程と、b溶媒L2中に有機ホスト化合物を含有する溶液を準備する工程と、c前記2つの溶液を混合する工程とを含む方法。L1とL2とが同一であるか、または互いに混和性であることを特徴とする請求項11に記載の方法。請求項1~10のいずれか1項に記載の組成物の、有機電子デバイスにおける使用。前記デバイスが、カソードと、アノードと、少なくとも1つの有機層とを具備し、前記有機層は請求項1~10のいずれか1項に記載の組成物を含有することを特徴とする有機電子デバイス。有機エレクトロルミネッセントデバイスOLED、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機集積回路O-IC、有機太陽電池O-SC、色素増感有機太陽電池DSSC、有機光検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイスO-FQD、有機発光電気化学セルLEC、有機レーザーダイオードO-laserおよび有機プラズモン発光装置からなる群から選択されることを特徴とする請求項14に記載のデバイス。疾患および美容状態の処置に使用するための請求項1~10のいずれか1項に記載の組成物。[実施例]例1~6で製造する化合物V1~V6の式を以下に示す。[物質]以下の化合物TM1を、式V1~V6の化合物と組み合わせて、三重項マトリックスとして使用する。例1化合物V1の製造a4-ブロモフェニル1-ピナコリルボロナートの合成4-n-オクチルブロミド50.0g186mmol、ビスピナコラトジボロン51.9g204mmol、酢酸カリウム52.9g539mmolを、ジメチルスルホキシド800mlに懸濁する。1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセンジクロロパラジウムIIDCM4.55g5.6mmolを、この懸濁液に加え、反応混合物を還流させながら16時間加熱する。冷却後、600mlの酢酸エチルおよび400mlの水を加え、有機相を分離し、200mlの水で3回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて脱水し、その後蒸発乾固する。粗生成物をヘプタンから再結晶させ、最終的に減圧下で乾燥する。収量は48.2g152mmolで、理論の82.0に相当する。bトリス[4’-n-オクチル-3-2-ピリジニル-κN[1,1’-ビフェニル]-4-イル-κC]-イリジウムIII化合物V1の合成fac-トリス[2-2-ピリジニル-κN5-ブロモフェニル-κC]-イリジウムIII3.4g4.0mmol、4-ブロモフェニル1-ピナコリルボロナート10.8g34mmol、硫酸カリウム5.02g24mmolを、トルエン100ml、ジオキサン100mlおよび水111mlに懸濁する。酢酸パラジウムII4mg0.02mmolおよびo-トリトリルホスフィン35mg1.1mmolをこの懸濁液に加え、反応混合物を還流させながら24時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、200mlの水で3回洗浄し、シリカゲルを通して濾過し、硫酸ナトリウムを使用して脱水し、その後蒸発乾固する。残渣をジオキサン/エタノールから再結晶させ、最終的に減圧下で乾燥する。収量は3.64g3mmolで、理論の78.0に相当する。例2~6V2~V6の製造本発明による以下の化合物V2~V6を、fac-トリス[2-2-ピリジニル-κN5-ブロモフェニル-κC]イリジウムIIIまたはfac-トリス[2-1-イソキノリニル-κN5-ブロモフェニル-κC]イリジウムIIIおよび対応するボロナートから、例1に記載する合成と同様に得る。例7化合物V7の製造a4-4-n-オクチルフェニルフェニルアミノベンズアルデヒドの合成4-フェニルアミノベンズアルデヒド50.0g254mmol、p-ブロモ-n-オクチルフェニル75.1g279mmol、およびNaOtBu73.1g760mmolを、p-キシレン1Lに懸濁する。PdOAc21.1g5mmolおよび1Mトリ-tert-ブチルホスフィン溶液3.8mlをこの懸濁液に加える。反応混合物を還流させながら、16時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、200mlの水で3回洗浄し、その後蒸発乾固する。残渣を熱トルエンで抽出し、さらに精製することなくその後の反応に使用する。収量は81.7g212mmol、83.6である。b化合物V7の合成ジエチルフェニルメチルホスホナート6.0g26mmolを、最初にDMF70mlに導入し、保護ガスのもと、約0°Cでナトリウムtert-ブトキシド5.54g58mmolを添加し、0°Cで40分の攪拌時間後、DMF40mlに4-4-n-オクチルフェニルフェニルアミノベンズアルデヒド10.1g26mmolを含む溶液を、0°Cでゆっくり滴加する。2時間後、エタノールおよび水を5°Cで滴加し、混合物を室温で一晩攪拌し、その後バッチをDCMで振盪することにより抽出する。有機相を分離し、水で洗浄し、乾燥し、ロータリーエバポレーター中で蒸発させる。アセトニトリルからの再結晶後、わずかに黄色がかった粉末の形で生成物が得られる。収量は9.0g20mmol、74.5である。例8化合物V8の製造化合物V8を、例7に記載する化合物V7の合成と同様に得る。例9ポリマーP1、P2およびP3の製造以下のモノマーモルに相当するパーセントデータを使用して、WO2003/048225A2に従って、スズキカップリングにより、ポリマーP2およびP3ならびに比較ポリマーP1を合成する。ポリマーP1-比較ポリマーポリマーP2ポリマーP3-中間層ポリマー例10OLEDの製造溶液からの有機発光ダイオードの製造は、既に文献例えば、WO2004/037887A2に何度も記載されてきた。例によって本発明を説明するために、化合物V1~V6とマトリックスTM1との種々の組み合わせを有する三重項OLED、および化合物V7とV8とP1とP2とからなる組み合わせを備えるOLEDを、スピンコーティングにより製造する。典型的なOLEDは、正孔注入層HILがバッファー層とも呼ばれる、図1に示す構造を有する。ITOインジウムスズ酸化物、透明な導電性アノードが塗布されるTechnoprint製の基板ソーダ石灰ガラスを使用して、OLEDを製造する。基板をDI水および洗剤Deconex15PFによりクリーンルーム内で洗浄し、その後UV/オゾンプラズマ処理により活性化する。次いで、PEDOT水性分散液として供給される、H.C.Starck、Goslar製のポリチオフェン誘導体BaytonPVAI4083sp.を含有する80nmのバッファー層を、同様にクリーンルーム中でスピンコーティングにより塗布する。必要なスピン速度は、希釈度および具体的なスピンコーター幾何学に依存する80nmについては、典型的には4500rpm。層から残留水分を除去するために、180°Cのホットプレート上で10分間加熱することにより、基板を乾燥する。次いで、溶液P3の濃度はトルエン中5g/lである;種々のEMLの組成および対応する濃度を表1に列挙するから最初に20nmの中間層典型的には正孔支配ポリマー、ここではP3、次いで80nm赤色発光層または65nm青色発光層の発光物質含有層放射性層についてはEMLを、不活性ガス雰囲気窒素またはアルゴン下で載せる。180°Cで少なくとも10分間加熱することにより、全てのEML層を乾燥する。次いで、蒸着Aldrich製の高純度金属、特に99.99バリウム;Leskerまたは他社製の蒸着装置、典型的な真空レベル5×106mbarによりBa/Alカソードを塗布する。特に、カソードを空気および大気中の水分から保護するために、最後にデバイスを密閉して特性を調べる。OLEDを表2に要約するが、ここでOLED1およびOLED4は比較に役立ち、OLED2、OLED3およびOLED5は、本発明によるダイオードを表す。例11OLEDの特性評価OLEDの特性を示すために、後者を、特に基板サイズのために製造された保持器中に固定し、ばねコンタクトを与える。外来光線による影響を排除するために、アイレスポンスフィルターを有するフォトダイオードを、測定保持器に直接取り付けることができる。典型的な測定配置を図2に示す。電圧を、典型的には0から最大20Vまで0.2Vずつ増加させ、再び減少させる。各測定点について、デバイスを通る電流およびフォトダイオードから得られる光電流を測定する。このようにして、試験デバイスのIVLデータを得る。重要な特性量は、測定される最大効率cd/Aのeff.および100cd/m2に必要とされる電圧U100である。さらに、試験デバイスの色および正確なエレクトロルミネッセンススペクトルを知るために、最初の測定後に100cd/m2に必要とされる電圧を再度印加し、フォトダイオードをスペクトル測定ヘッドに交換する。これを、光ファイバーにより分光計OceanOpticsUSB2000に接続する。色座標CIE:CommissionInternationaldel’eclairage、1931標準観測者を、測定したスペクトルから得ることができる。さらに、EQEも計算する。EQEは、略語であり、外部量子効率という用語を表す。EQEは、デバイスの中に流れる電子数で割ったデバイスから出る光子数により定義される。一重項OLEDについての理論的最大EQEは、典型的には約5であり、三重項OLEDについては最大約20である。特性評価の結果を表2に要約する。結果から分かるように、OLED2およびOLED3は、効率に関して、OLED1に対し有意な改善を示す。同じことがOLED4およびOLED5にも当てはまる。これは、F-F相互作用Forster機構によるエネルギー移動により密接な関係があるOLED2、OLED3およびOLED5中の発光単位より引き起こされる。発明的になることなく、本発明による本技術的教示に基づいて、異なる手段により、さらなる最適化を達成することができる。したがって、例えば、同じまたは異なる濃度で他の発光物質を使用することにより、さらなる最適化を達成することができる。"