"C面を主面とするサファイア基板上にGaN系半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部を縦横方向に整列配置し、前記サファイア基板のA面と平行の方向に沿って分割する横分割領域の幅が、前記A面と垂直の方向に沿って分割する縦分割領域の幅よりも狭く、前記発光素子部のN電極が前記縦分割領域側の少なくとも一方側に配置された半導体ウエハを、割断起点をサファイア基板の-C面側に設けて、分割して発光素子とする発光素子の製造方法であって、前記半導体ウエハを準備するウエハ準備工程と、前記準備した半導体ウエハを分割するウエハ分割工程と、を含み、前記ウエハ分割工程において、前記縦分割領域では、当該縦分割領域の幅方向の中央線から幅方向の一方側に所定距離ずらした線位置を前記割断起点として分割することを特徴とする発光素子の製造方法。前記サファイア基板上に複数の凸部が形成されており、前記凸部は、すべての凸部において、上部が上面視で同一形状、かつ頂部が同一方向を向いた多角形であり、前記多角形の頂部の一つが前記縦横方向のうち横方向において、左側を向いているときは、前記中央線の右側に前記線位置をずらし、右側を向いているときは、前記中央線の左側に前記線位置をずらすことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。前記発光素子部のN電極は、両側の前記縦分割領域のうち、少なくとも前記N電極が前記線位置に近くなる側に配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子の製造方法。前記発光素子部が長方形であり、前記長方形の短辺が前記縦分割領域と平行に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。前記発光素子部が正方形であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。しかしながら、従来の技術においては、以下に述べる問題がある。C面を主面とするサファイア基板上にGaN系半導体を積層して半導体ウエハを分割する場合、サファイアの結晶性の影響により割断狙い位置である割断起点と、割断される位置である割断位置とにずれが生じる。すなわち、半導体ウエハを分割する際、サファイア基板は、所定の結晶方向においては、分割領域の割断起点から半導体ウエハの厚み方向に対して半導体ウエハ断面視で斜め方向に割れる。このずれが発光素子の特性や発光素子の取り個数に影響する。しかし前記した従来の技術では、発光素子の取り個数を増大させるためや、発光素子の機械的強度を劣化させないために所定の分割領域の幅を狭くしたものであり、前記のずれについては考慮されていない。そのため、分割の際のずれによって割断位置が発光素子に近くなりすぎることで、発光素子の外観が不良になるという問題がある。また、ずれによって発光素子部の活性層に損傷が起き、これにより、発光素子の出力低下やリークが発生するという問題がある。ここで、ずれを考慮して割断起点と割断位置をオフセットさせて割断することも行なわれているが、分割領域の割断起点と、発光素子部において活性層の存在しないN電極の位置との関係について考慮されたものはない。本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハの分割時の割断による発光素子への悪影響を低減することができる発光素子の製造方法を提供することを課題とする。前記課題を解決するために、本発明に係る発光素子の製造方法は、C面を主面とするサファイア基板上にGaN系半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部を縦横方向に整列配置し、前記サファイア基板のA面と平行の方向に沿って分割する横分割領域の幅が、前記A面と垂直の方向に沿って分割する縦分割領域の幅よりも狭く、前記発光素子部のN電極が前記縦分割領域側の少なくとも一方側に配置された半導体ウエハを、割断起点をサファイア基板の-C面側に設けて、分割して発光素子とする発光素子の製造方法であって、前記半導体ウエハを準備するウエハ準備工程と、前記準備した半導体ウエハを分割するウエハ分割工程と、を含み、前記ウエハ分割工程において、前記縦分割領域では、当該縦分割領域の幅方向の中央線から幅方向の一方側に所定距離ずらした線位置を前記割断起点として分割することを特徴とする。なお、-C面とは、C面を表と定義したときの裏を意味する。このような製造方法によれば、ウエハ準備工程で準備された半導体ウエハにおいて、横分割領域の幅が縦分割領域の幅よりも狭いことで、発光素子の取り個数、あるいは、活性層P層の面積の増大を図ることができる。また、縦分割領域の幅を狭くすることがないため、発光素子部の損傷が低減される。さらに、N電極が縦分割領域側の少なくとも一方側に配置されていることで、チッピングが発生しやすい縦分割領域側における活性層の存在する範囲が減少するため、発光素子部の損傷が低減される。そして、ウエハ分割工程において、縦分割領域の割断起点をずらして分割することで、発光素子の外観不良や発光素子部の損傷が低減される。本発明に係る発光素子の製造方法は、前記サファイア基板上に複数の凸部が形成されており、前記凸部は、すべての凸部において、上部が上面視で同一形状、かつ頂部が同一方向を向いた多角形であり、前記多角形の頂部の一つが前記縦横方向のうち横方向において、左側を向いているときは、前記中央線の右側に前記線位置をずらし、右側を向いているときは、前記中央線の左側に前記線位置をずらすことを特徴とする。このような製造方法によれば、凸部における多角形の頂部の向きに対応して、中央線の左右のいずれかに割断起点の線位置を決定することができるため、割断起点の線位置の決定が容易になる。なお、中央線とは、縦分割領域における幅方向の中央の線位置である。本発明に係る発光素子の製造方法は、前記発光素子部のN電極が、両側の前記縦分割領域のうち、少なくとも前記N電極が前記線位置に近くなる側に配置されていることが好ましい。このような製造方法によれば、発光素子部における損傷がより生じやすい側にN電極が配置されるため、発光素子部の損傷がより低減される。本発明に係る発光素子の製造方法は、前記発光素子部が長方形であり、前記長方形の短辺が前記縦分割領域と平行に形成されていることを特徴とする。このような製造方法によれば、チッピングが発生しやすい縦分割領域側に発光素子部の長方形の短辺があるため、縦分割領域の割断による発光素子部の活性層の損傷が低減される。また、横分割領域の幅を狭めるため、長方形の長辺が縦分割領域と平行に形成された場合と比べ、発光素子の取り個数、あるいは、活性層の面積の増大を図ることができる。本発明に係る発光素子の製造方法は、前記発光素子部が正方形であってもよい。このような上面視で正方形の発光素子についても、発光素子への悪影響が低減され、また、発光素子の取り個数、あるいは、活性層の面積の増大を図ることができる。本発明に係る発光素子の製造方法によれば、発光素子における外観不良の発生を低減させることができる。また、発光素子部の損傷を低減することができるため、発光素子の出力低下やリークの発生を低減することができる。これらにより、発光素子への悪影響を低減することができ、不良の発光素子の発生率を低減することができる。さらに、横分割領域の幅を狭めることで、発光素子の取り個数の増大や、活性層の増大を図ることができる。以下、本発明の実施形態に係る発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材のサイズや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。なお、各図面は原則として、紙面上、オリエンテーションフラット以下、適宜、オリフラというA面を下または手前とするただし図2aは、濃色部分がA面である。また、本実施形態において方向を説明する場合は、紙面に対してオリフラを下または手前にしたときに、紙面に対して左側を左、紙面に対して右側を右とする。≪発光素子の製造方法≫図1a、bに示すように、発光素子5の製造方法は、C面を主面とするサファイア基板上1上にGaN系半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部2を縦横方向に整列配置した半導体ウエハ100を、割断起点12a,12b図3参照をサファイア基板1の-C面側に設けて、分割して発光素子半導体チップ5を製造する方法であって、ウエハ準備工程と、ウエハ分割工程と、を含むものである。ここで、縦横方向は、サファイア基板1のC面内でみて、サファイア基板1のA面に対して、垂直な方向が縦方向、平行な方向が横方向になる。またA面をオリエンテーションフラット3とするサファイア基板1を例にとるとわかりやすいので、実施の形態ではオリエンテーションフラット3も交えて説明する。以下、各工程について説明する。<ウエハ準備工程>ウエハ準備工程は、半導体ウエハ100を準備する工程である。まず、半導体ウエハ100の構成について説明する。[半導体ウエハ]図1aに示すように、半導体ウエハ100は、サファイア基板1上に、縦横方向に整列配置された上面視で長方形の複数個の発光素子部2と、サファイア基板1のA面3と平行の方向に沿って分割する横分割領域4bと、A面3と垂直の方向に沿って分割する縦分割領域4aと、を備える縦分割領域4a、横分割領域4bは、以下、適宜、分割領域4a,4bという。サファイア基板図2a、bに示すように、サファイア基板1は、所定のサファイア結晶構造を持つサファイア結晶10の集合体でできており、C面を主面とする。このサファイア基板1は、サファイアの結晶性により割れやすい方向裂開方向がある。図2bの矢印は、サファイア基板1の割れやすい方向を示しており、例えば、図2bの太線に沿って割れが生じやすい。そして、A面11-203に垂直な方向がこの割れやすい方向であり、この方向、すなわち、結晶方位<11-20>に沿って縦分割領域4aを形成する。一方、A面11-203に平行M面1-100に垂直な方向が割れにくい方向であり、この方向、すなわち、結晶方位<1-100>に沿って横分割領域4bを形成する。なお、結晶方位<1-100>方向に対して、結晶方位<11-20>方向のほうが、半導体ウエハ100を分割した際にチッピングが発生しやすい。そして、結晶方位<1-100>方向と平行に直線的に切り欠かれたオリエンテーションフラットオリフラ3が設けられている。このオリフラ3は、通常、A面3をオリフラ面として結晶方位<1-100>方向と平行に設けることから、このオリフラ3を指標にして縦分割領域4aと横分割領域4bを決定する。ここで、サファイア基板1上には、複数の凸部40図5a、図6a参照が形成されていることが好ましい。半導体ウエハ100において、C面を主面とし、A面3をオリフラ面としたサファイア基板1を用いると、マスクパターンの形状、エッチング条件エッチャントの種類、エッチング時間等によって、C面に所定形状の凸部40を形成することができる。平坦なサファイア基板1を有する半導体発光素子の場合、半導体層中を横方向に伝搬している光は伝搬している間に半導体層や電極に一部が吸収され、半導体層から出るまでに減衰する。しかし、凸部40を設けると、凸部40による光の散乱回折効果により、サファイア基板1上方または下方への光束が多くなり、発光素子の発光面を正面から観察したときの輝度=正面輝度を高めることができる。また、凸部40による光の散乱回折効果により、半導体層中を横方向に伝播する光を減らし、伝播中の吸収ロスを低減して発光の総量を高めることができる。しかも、サファイア基板1表面部分に凸部40を形成しても、半導体層には凸部40による結晶欠陥が殆ど成長しないので、前記の高い外部量子効率を安定に確保できる。そして凸部40は、すべての凸部40において、上部が上面視で同一形状、かつ頂部鋭角41が同一方向を向いた多角形の形状をしている図5a、図6a参照。多角形としては、例えば三角形、平行四辺形または六角形、好ましくは正三角形、菱形または正六角形が挙げられる。なお、凸部40を多角形にするとは、基板上面から観察した場合の平面形状を多角形にすることをいう。すなわち、C面から向かって見た場合に、凸部40の上部が多角形であればよく、凸部40の底面形状は円形や多角形であってもよい。また、凸の断面形状については、台形であることが好ましい。このような断面形状とすることにより、光の散乱および回折効率を高めることができる。なお、凸部40の平面形状および断面形状は、幾何学的に完全な多角形または台形である必要はなく、加工上の理由等から角が丸みを帯びていてもよい。そして、この多角形の頂部41の一つの向きが、オリフラ面に対して平行な方向と一致する傾向があり、さらに、頂部41が左右のどちらかを向く傾向がある。そして、後記するように、この向きに対応して、中央線11の左右のいずれかに割断起点12aの線位置を決定することができる。なお、製造上は凸部40の大きさ、および、相互の間隔は10μm以下とするのがよい。さらに5μm以下とすることで、散乱面が増えるため好ましい。サファイア基板1上に凸部40を形成する方法は、特に限定されず、当該分野で公知の方法によって形成することができる。例えば、適当な形状のマスクパターンを用いて、後記するようなドライエッチングまたはウェットエッチング等のエッチングを行なう方法が挙げられる。中でも、ウェットエッチングが好ましい。この場合のエッチャントは、例えば、硫酸とリン酸との混酸、KOH、NaOH、リン酸、ピロ硫酸カリウム等が挙げられる。凸部40の形状は、例えば、用いるマスクパターンの形状、エッチング方法および条件を適宜調整して制御することができる。この際のマスクパターンの材料および形状は、例えば、絶縁膜レジスト、SiO2等によって形成することができ、円形、楕円形、三角形または四角形等の多角形状の繰り返しパターン等が挙げられる。このようなマスクパターンの形成は、フォトリソグラフィおよびエッチング工程等の公知の方法により実現することができる。マスクパターンの形成のためのエッチング方法は、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチング等、当該分野で公知の方法を利用することができる。例えば、ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング、イオンミリング、集束イオンビームエッチング、ECRエッチング等が挙げられる。ウェットエッチングのエッチャントは、前記したものと同様のものが例示される。発光素子部図1aに示すように、発光素子部2は、サファイア基板1上にGaN系半導体を積層してサファイア基板1の縦横方向に複数個を整列配置したものである。発光素子部2の形状は、上面視で矩形状からなるものであり、ここでは長方形であって、この長方形の短辺が縦分割領域4aと平行に形成されている。このような構成とすれば、縦分割領域4a側に発光素子部2の長方形の短辺があるため、縦分割領域4aの割断による発光素子部2の発光層、すなわち活性層P層30図3参照の損傷が低減され、割断の影響割断影響が低減する。また、横分割領域4bの幅を狭めるため、その分、発光素子部2を大きくする場合には、長方形の長辺が縦分割領域4aと平行に形成された場合と比べ、活性層30の面積を大きくすることができる。また、発光素子部2を縦方向に詰めて配置する場合には、発光素子5の取り個数の増大を図ることができる。ただし、半導体ウエハ100のサイズや、発光素子部2のサイズおよび数等によっては、長方形の短辺が縦分割領域4aと平行に形成されていてもよく、また、後記するように、発光素子部2の形状は、上面視で正方形であってもよい。また、発光素子部2のN電極20図3参照は、縦分割領域4a側の少なくとも一方側に配置されている。縦分割領域4aは、ウエハを分割する際にチッピングが発生しやすいことから、縦分割領域4aに接する発光素子部2両側の活性層30を損傷させやすい。しかし、N電極20が存在する領域は活性層30が存在しないため、縦分割領域4a側にN電極20を配置することで縦分割領域4a側における活性層30の存在する範囲が減少し、活性層30の損傷が低減される。ここで、図3に示すように、N電極20は、両側の縦分割領域4aのうち、少なくとも縦分割領域4aの幅方向の中央線11から幅方向の一方側に所定距離ずらした割断起点12aの線位置に近くなる側に配置されていることが好ましい。縦分割領域4aでは、割断起点12aをずらした側の発光素子部2の活性層30のほうが、割断起点12aからの距離が近くなるため、割断影響をより受けやすくなる。N電極20が存在する領域は、活性層30が存在しないため、両側の縦分割領域4aのうち、縦分割領域4aの幅方向の中央線11から幅方向の一方側に所定距離ずらした割断起点12aの線位置に近くなる側にN電極20を配置することで、活性層30の損傷がより低減され、割断影響の範囲を低減することができる。なお、N電極20は、前記線位置に近くなる側にのみ配置されていてもよく、縦分割領域4aの両側に配置されていてもよい。分割領域図1aに示すように、分割領域4a,4bは、発光素子部2を半導体ウエハ100から分割するための領域であり、サファイア基板1のA面3と平行の方向に沿って分割する横分割領域4bと、サファイア基板1のA面3と垂直の方向に沿って分割する縦分割領域4aと、からなる。この分割領域4a,4bにおいては、横分割領域4bの幅βが、縦分割領域4aの幅αよりも狭く形成されている。このように、チッピングの発生しにくい横分割領域4bの幅βを狭くすることで、発光素子5の取り個数、あるいは、活性層30の面積の増大を図ることができる。また、縦分割領域4aの幅αを狭くすることがないため、発光素子部2の損傷を低減することができる。分割領域4a,4bの幅α,βは、半導体ウエハ100や発光素子部2のサイズ等により異なるが、例えば、縦分割領域4aで15~70μm、横分割領域4bで10~60μmである。ここで、図4および表1を参照して、分割領域4a,4bの幅および発光素子部2の配置等と、活性層30の面積および割断影響範囲について説明する。ここでは、表計算ソフトにおいて、多数の網目状の正方形からなるセル上に、図4a~dの形態の発光素子部2を作図し、セル数を計測することで、分割領域4a,4bの幅および発光素子部2の配置等と、活性層30の面積および割断影響範囲について考察した。図4aは、縦分割領域4aの幅と横分割領域4bの幅が同じ、かつ発光素子部2を縦長辺が縦分割領域4aと平行にしたものである。図4bは、横分割領域4bの幅を狭め、かつ発光素子部2を縦長辺が縦分割領域4aと平行にしたものである。図4cは、横分割領域4bの幅を狭め、かつ発光素子部2を横長辺が横分割領域4bと平行にし、さらにN電極20を、両側の縦分割領域4aのうち、N電極20が割断起点12aの線位置に近くなる側と反対の側にのみ配置したものである。図4dは、横分割領域4bの幅を狭め、かつ発光素子部2を横長辺が横分割領域4bと平行にし、さらにN電極20を、両側の縦分割領域4aのうち、N電極20が割断起点12aの線位置に近くなる側にのみ配置したものである。なお、図4a~dにおいて、割断起点12aは半導体ウエハ100の裏面に、割断位置13は表面C面にあるものとする。また、割断影響範囲は、発光素子部2の縦辺が割断起点12aに近くなる側のほうが割断の影響をより受けやすいことかから、この側について考察した。表1に示すように、図4aに比べ、図4b~dのように横分割領域4bの幅を狭くしたほうが、活性層30の面積を大きくすることができる。また、図4a~dのように縦分割領域4aの幅が同一であれば、割断起点12aから活性層30までの距離は同じである。そして、図4aに比べ、図4bは、活性層30の面積が増えたため、割断影響範囲はやや大きくなっているが、図4cのように、縦分割領域4a側を短辺とすれば割断影響範囲を小さくできる。また、図4dのように、N電極20を割断起点12aの線位置に近くなる側にのみ配置すれば、N電極20が存在する分、割断影響範囲をさらに小さくすることができる。[半導体ウエハの製造方法]半導体ウエハ100の製造は、従来公知の方法に従い、例えば、オリフラ3が設けられたサファイア基板1の片面C面に、フォトリソグラフィ、真空蒸着等を用いてGaN系半導体を積層して複数個の矩形状の発光素子部2を縦横方向に整列配置することにより行なう。そして、同時に形成した発光素子部2の間には、発光素子部2を分割するための分割領域4a,4bが形成されるが、横分割領域の幅βが縦分割領域4aの幅αよりも狭くなるように、分割領域4a,4bの幅を適宜調整する。<ウエハ分割工程>ウエハ分割工程は、前記準備した半導体ウエハ100を分割する工程である。半導体ウエハ100の分割は、縦分割領域4aの割断起点12a、および、横分割領域4bの割断起点12bに沿ってブレードで切断するダイシング方法、または、分割領域4a,4bの割断起点12a,12bに沿って割るスクライブ方法等、従来公知の方法により行なうことができる。例えば、まず、割断狙い位置である割断起点12a,12bを-C面側裏面側に設定した後、レーザ光による照射を行って、割断起点12a,12bの線位置に破断線変質部を形成する。レーザ光は、パルスレーザを発生するレーザ、多光子吸収を起こさせることができる連続波レーザ等、種々のものを用いることができる。中でも、フェムト秒レーザ、ピコ秒レーザ、ナノ秒レーザ等のパルスレーザを発生させるものが好ましい。また、その波長は特に限定されるものではなく、例えば、Nd:YAGレーザ、Nd:YVO4レーザ、Nd:YLFレーザ、チタンサファイアレーザ等による種々のものを利用することができる。ここで、レーザ光の照射は、半導体層での吸収を考慮して、半導体ウエハ100の-C面側から行なう。なお、ここでの-C面側の側とは、少なくとも厚み方向中点より-C面側であることを意味する。すなわち、半導体ウエハ100は、裏面から割断する。このようにして活性層30へのレーザ光の照射を回避することによって、発光効率の低下を最小限にとどめることができる。そして、ダイシング方法を用いる場合、所定のダイシングする準備を整えて、所定の幅のダンシングブレードを用いて分割領域4a,4bの割断起点12a,12bに沿ってダイシングを行ない、半導体ウエハ100を分割する。スクライブ方法を用いる場合は、分割領域4a,4bの割断起点12a,12bに沿って、クラッキングさせることで半導体ウエハ100を分割する。これらにより、半導体ウエハ100から多数の発光素子5を得ることができる。ここで、縦分割領域4aでは、従来技術について説明したとおり、半導体ウエハ100を分割する際、縦分割領域4aの割断起点12aから、半導体ウエハ100の厚み方向に対して、ウエハ断面視で斜め方向に割れる図5b、6b参照。そのため、本発明においては、図3に示すように、縦分割領域4aでは、縦分割領域4aの幅方向の中央線11から幅方向の一方側に所定距離ずらした線位置を割断起点12aとして分割する。このようにして割断起点12aと、割断位置13をオフセットすることで、割断位置13が活性層30に近くなりすぎることがなく、発光素子部2の損傷を低減することができる。また、外観不良による不良品の発生を抑制することができる。この斜め方向は、サファイア基板1よって、オリフラ面A面3を正面にし、割断起点12aを下にしたときに、傾斜面が左上を向く場合を右斜め図6b参照、傾斜面が右上を向く場合を左斜め図5b参照とすると、割断起点12aの線位置は、右斜めの場合は中央線11の左側図6b参照、左斜めの場合は中央線11の右側図5b参照にずらす。ずらす距離は、半導体ウエハ100や発光素子部2のサイズ、発光素子部2の数等により適宜調整すればよいが、例えば、1~15μmである。この斜め方向は、サファイア基板1の試し割りにより確認することができる。また、前記したサファイア基板1上に形成された、凸部40における多角形の頂部41の向きによって確認することもできる。この凸部40における頂部41の方向と、割れにおける斜め方向の関係について、図5、6を参照して説明する。図5a、図6aに示すように、凸部40は、すべての凸部40において、上部が上面視で同一形状、かつ頂部41が同一方向を向いた三角形の形状をしている。そして、例えば、オリフラ面を手前にしたときに、図5aに示すように頂部41の一つが上面側から見て左を向いている場合には、図5bに示すように左斜めに割れが生じ、図6aに示すように頂部41の一つが上面側から見て右を向いている場合には、図6bに示すように右斜めに割れが生じる。このような頂部41の方向と、割れにおける斜め方向の関係について予め確認しておけば、頂部41の向きによって、割断起点12aの線位置を決定することができるため、線位置の決定が容易となる。さらには、N電極20について、発光素子部2の両側の縦分割領域4aのうち、N電極20が線位置に近くなる側にのみ配置する場合、頂部41の向きによって、N電極20の配置を決定することができる。なお、凸部40における頂部41の方向と、割れにおける斜め方向の関係については、基板メーカーに予め確認しておくこともできる。そして、図5a、bに示すように、多角形の頂部41の一つが縦横方向のうち横方向において、すなわち、オリフラ面を手前にして左側を向いているときは、左斜めに割れが生じるため、中央線11の右側に割断起点12aの線位置をずらし、図6a、bに示すように、右側を向いているときは、右斜めに割れが生じるため、中央線11の左側に割断起点12aの線位置をずらす。このように、多角形の頂部41の向きに対応して、前記中央線11の左右のいずれかに割断起点12a線位置を決定する。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。例えば、他の実施形態として、発光素子部が正方形である半導体ウエハについても適用することができる。≪他の実施形態≫発光素子の製造方法は、C面を主面とするサファイア基板上にGaN系半導体を積層して複数個の正方形の発光素子部を縦横方向に整列配置した半導体ウエハを、割断起点をサファイア基板の-C面側に設けて、分割して発光素子を製造する方法であって、ウエハ準備工程と、ウエハ分割工程と、を含むものである。図7に示すように、半導体ウエハ100Aは、サファイア基板上に、縦横方向に整列配置された上面視で正方形の複数個の発光素子部2Aと、サファイア基板のA面と平行の方向に沿って分割する横分割領域4bと、A面と垂直の方向に沿って分割する縦分割領域4aと、を備える。また、発光素子部2AのN電極20Aは、ここでは、縦分割領域4a側にそれぞれ3個ずつ設けられている。ただし、発光素子部2AのN電極20Aは、縦分割領域4a側の少なくとも一方側に配置されていればよく、両側の縦分割領域4aのうち、縦分割領域4aの幅方向の中央線11から幅方向の一方側に所定距離ずらした線位置に近くなる側にのみ配置されていることが好ましい。その他、ウエハ準備工程、ウエハ分割工程につては、前記した発光素子の製造方法と同様である。≪その他≫発光素子部2,2AのN電極20,20Aの個数は特に限定されるものではなく、1個でもよく、2個以上であってもよい。さらに、本発明を行うにあたり、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば、サファイア基板を洗浄する基板洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、半導体ウエハの裏面からサファイア基板を研削バックグラインドして所望の厚さに加工する板厚調整する板厚調整工程や、発光素子の切断面を研磨等する仕上げ工程等を含めてもよい。"