1massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。10massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。10massppm以上、50massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。ターゲット中のタングステン含有量のばらつきが±20以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット。平均結晶粒径が120μm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット。結晶粒径のばらつきが±20以下であることを特徴とする請求項5記載のタンタルスパッタリングターゲット。0~100massppm但し0massppmを除くのモリブデン及び/又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が1massppm以上、150massppm以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とする請求項1記載のタンタルスパッタリングターゲット。10massppm以上、100massppm以下のモリブデン及び/又はニオブを、さらに含有することを特徴とする請求項7記載のタンタルスパッタリングターゲット。10massppm以上、50massppm以下のモリブデン及び/又はニオブをさらに含有することを特徴とする請求項7記載のタンタルスパッタリングターゲット。ターゲット中のタングステン、モリブデン、ニオブの含有量のばらつきが±20以下であることを特徴とする請求項7~9のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット。平均結晶粒径が120μm以下であることを特徴とする請求項7~11のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット。結晶粒径のばらつきが±20以下であることを特徴とする請求項11記載のタンタルスパッタリングターゲット。本発明は、タンタルの純度を高純度に維持すると共に、特定の元素を添加することにより、均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。本発明は、上記の問題を解決するために、タンタルの純度を高純度に維持すると共に、特定の元素を添加することにより、均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを得ることができるとの知見を得た。本発明は、この知見に基づいて、11massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット210massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット310massppm以上、50massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット4ターゲット中のタングステン含有量のばらつきが±20以下であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット5平均結晶粒径が120μm以下であることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット6結晶粒径のばらつきが±20以下であることを特徴とする上記5記載のタンタルスパッタリングターゲット、を提供する。本願発明は、さらに70~100massppm但し0massppmを除くのモリブデン及び/又はニオブをさらに含有し、タングステン、モリブデン、ニオブの合計含有量が1massppm以上、150massppm以下であり、タングステン、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が99.998以上であることを特徴とする上記1記載のタンタルスパッタリングターゲット810massppm以上、100massppm以下のモリブデン及び/又はニオブを、さらに含有することを特徴とする上記7記載のタンタルスパッタリングターゲット910massppm以上、50massppm以下のモリブデン及び/又はニオブをさらに含有することを特徴とする上記7記載のタンタルスパッタリングターゲット10ターゲット中のタングステン、モリブデン、ニオブの含有量のばらつきが±20以下であることを特徴とする上記7~9のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット11平均結晶粒径が120μm以下であることを特徴とする上記7~10のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲット12結晶粒径のばらつきが±20以下であることを特徴とする上記11記載のタンタルスパッタリングターゲット、を提供する。本発明は、タンタルの純度を高純度に維持すると共に、タングステンを必須成分として添加することにより、またさらにモリブデン及び/又はニオブを添加することにより、均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供することができるという優れた効果を有する。また、スパッタリング時のプラズマ安定化は、初期の段階でも安定化するので、バーンイン時間を短縮できるという効果を備えている。本願発明に使用するタンタルTaターゲットの原料としては、高純度タンタルを使用する。この高純度タンタルの例を表1に示す社団法人発明協会編、公開技報2005-502770、公開技報名称高純度タンタル及び高純度タンタルからなるスパッタリングターゲット参照。この表1では、ガス成分を除き、全ての不純物は1massppm未満である。すなわち99.999~99.9999massとなっているが、このような高純度タンタルを使用することができる。本発明のスパッタリングターゲットは、通常、次の工程によって製造する。その一例を示すと、まずタンタル、例えば4N99.99以上の高純度タンタルを使用し、これにタングステンWを適量添加してターゲットの原料とする。また、さらにモリブデン及び/又はニオブを添加してターゲットの原料とすることができる。これらを電子ビーム溶解等により溶解精製して純度を高め、これを鋳造してインゴット又はビレットを作製する。当然ながら、最初から表1に示す99.999~99.9999massの高純度タンタルを使用することもできる。次に、このインゴット又はビレットを焼鈍-鍛造、圧延、焼鈍熱処理、仕上げ加工等の一連の加工を行う。具体的には、例えばインゴット-鍛伸-1373K~1673Kの温度での焼鈍1回目-冷間鍛造1回目-再結晶開始温度~1373Kの温度での再結晶焼鈍2回目-冷間鍛造2回目-再結晶開始温度~1373Kの間での再結晶焼鈍3回目-冷間熱間圧延1回目-再結晶開始温度~1373Kの間での再結晶焼鈍4回目-冷間熱間圧延必要に応じて、2回目-再結晶開始温度~1373Kの間での再結晶焼鈍必要に応じて、5回目-仕上げ加工を行ってターゲット材とする。鍛造あるいは圧延によって、鋳造組織を破壊し、気孔や偏析を拡散あるいは消失させることができ、さらにこれを焼鈍することにより再結晶化させ、この冷間鍛造又は冷間圧延と再結晶焼鈍の繰返しにより、組織の緻密化、微細化と強度を高めることができる。上記の加工プロセスにおいて、再結晶焼鈍は1回でも良いが、2回繰返すことによって組織上の欠陥を極力減少させることができる。また、冷間熱間圧延と再結晶開始温度~1373Kの間での再結晶焼鈍は、繰返しても良いが1サイクルでも良い。この後、機械加工、研磨加工等の仕上げ加工によって、最終的なターゲット形状に仕上げる。通常、上記の製造工程によってタンタルターゲットを製造するが、この製造工程は、一例を示すものであり、本願発明は、この製造工程を発明とするものではない。したがって、他の工程によって製造することは、当然可能であり、本願発明はそれらを全て包含するものである。タンタルターゲットの特性を活かすために、6Nレベルの純度の材料を使用することが多いが、どうしてもターゲットの結晶粒が粗大化し易いという欠点があった。本発明者らは、このような6Nレベルのターゲットの製造工程において、通常であれば0.5massppm程度の含有量であるタングステンが、たまたま1massppm程度に偏析していた部分で、結晶粒径が局所的に微細化していることを発見した。このことから、タングステンの添加がタンタルターゲットの微細化に有効ではないかというヒントを得、これが本願発明につながる契機となった。また、この検討の中で、タングステンと同質の材料又はタングステンと共添加できる材料について、多くの実験の結果、モリブデンとニオブが有効であることの知見を得た。すなわち、本発明のタンタルスパッタリングターゲットにおいて、重要なことは、タングステン及びガス成分を除く純度が99.998以上であるタンタルに、1massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有させることである。必要に応じて、さらにモリブデン及び/又はニオブを0~100massppm但し0massppmを除くを添加する。タングステンの下限値1massppmは効果を発揮させるための数値であり、タングステンの上限値100massppmは、本発明の効果を持続させるための上限値である。この上限値を超える場合には、タングステンの偏析が起こり、タングステンの一部未再結晶部が発生し、結果としてバーンインが長くなるので、タングステン100massppmを上限値とする。以上のようなタングステンの知見から、同質の添加材がないかどうか検討し、その添加材が、同様の効果があることが分かった。これが、モリブデンとニオブである。本願発明においては、タングステン又はタングステンとモリブデン及び/又はニオブを添加した場合について説明する。このタングステン又はタングステンとモリブデン及び/又はニオブの含有が、ターゲットの均一微細な組織を形成し、それによってプラズマを安定化させ、これによってスパッタリング膜の均一性ユニフォーミティを向上させることが可能となる。また、このスパッタリング時のプラズマ安定化は、初期の段階でも安定化するので、バーンイン時間を短縮できる。この場合、タンタルの純度は、高純度すなわち99.998以上とする必要がある。この場合、原子半径の小さい、酸素、水素、炭素、窒素等のガス成分は除外することができる。一般にガス成分は特殊な方法でなければ除去は困難であり、通常の生産工程で精製の際に除去することは難しいので、ガス成分は本願発明のタンタルの純度からは除外する。モリブデンとニオブは、タングステン添加と同等の役割機能を有するので、共添加することができる。モリブデンとニオブの添加の下限値は、特にないが、上限値は100massppmとする。この上限値を超えると、タングステンと同様に、偏析を起こし易くなるので、上限値を100massppmとした。タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合に注意を要するのは、タングステンとモリブデン及び/又はニオブの合計量が1massppm以上、150massppm以下とすることが必要であることである。これは後述する比較例に示すように、未再結晶が発生し、結晶粒のばらつきが大きくなり、さらにシート内抵抗分布及び初期安定までの電力量も大きくなるという傾向があるからである。この結果、膜の均一性も悪くなる。この傾向は、本願発明で規定する以上にタングステン単独添加を多量に添加した場合と同様の結果となる。しかしながら、共添加した場合で特徴的なのは、タングステンとモリブデン及び/又はニオブの合計量が150massppm以下であれば、上記のような問題を発生しないということである。この理由は、かならずしも明確ではないが、タングステン、モリブデン、ニオブはそれぞれ類似点もあるけれども、それぞれ異なる物質であり、偏析の問題や結晶化への作用は、それぞれの問題として発生すると考えられるからである。しかしながら、この共添加にも限界があり、タングステンとモリブデン及び/又はニオブの合計量が150massppmを超える添加は、好ましくないという結果が得られている。上記の通り、タングステン又はタングステンとモリブデン及び/又はニオブがタンタルの均一微細な組織をもたらすのであるが、他の金属成分、金属性非金属成分、酸化物、窒化物、炭化物等のセラミックスの混入は有害であり、許容することはできない。これらの不純物はタングステン、モリブデン、ニオブの作用を抑制する作用をすると考えられるからである。また、これらの不純物は、タングステン、モリブデン、ニオブとは明らかに異なり、タンタルターゲットの結晶粒径を均一に仕上げることが難しく、スパッタリング特性の安定化には寄与しない。本願発明のタンタルスパッタリングターゲットは、より好ましい範囲として、10massppm以上、100massppm以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.999以上であることである。さらに、タングステンを10massppm以上、50massppm以下を必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が99.999を超えるタンタルスパッタリングターゲットである。タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合においても、これらの合計量において、前記タングステンと同様の成分調整を行って添加するのが望ましい。本発明のタンタルスパッタリングターゲットは、さらにターゲット中のタングステン含有量のばらつきを±20以下とすることが望ましい。タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合においても同様である。適度なタングステンの含有がタンタルスパッタリングターゲットの均一微細な組織を形成する機能性質を有する以上、タングステンがより均一に分散していることは、ターゲット組織の均一微細な組織に、より強く貢献させことができる。この効果は、タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合においても同様に得ることができる。当然ながら、通常の製造工程において、これらは容易に達成できるのであるが、ターゲットのタングステン含有量のばらつきを±20以下とする点に留意し、その意図を明確に持つことが必要である。タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合においても同様である。このターゲットのタングステン、モリブデン及び/又はニオブの含有量のばらつきについては、例えば円盤状のターゲットにおいては、円盤の中心を通る等分の8本の線上に、3点中心点、半径の1/2点、外周又はその近傍点を採り、合計17点{16点中心点中心点は共通しているので1点}のタングステン、モリブデン及び/又はニオブの含有量を分析する。そして、各点において、最大値-最小値/最大値最小値×100の式に基づいて、ばらつきを計算することができる。本発明のタンタルスパッタリングターゲットは、さらに平均結晶粒径が120μm以下であることが望ましい。タングステンの適度な添加と通常の製造工程において、結晶粒径の微細化が達成できるのであるが、平均結晶粒径が120μm以下とする点に留意し、その意図を明確に持つことが必要である。また、この結晶粒径のばらつきが±20以下とすることがより望ましい。タングステンとモリブデン及び/又はニオブを共添加する場合においても同様である。このタンタルターゲットの平均結晶粒径のばらつきについては、例えば円盤状のターゲットにおいては、円盤の中心を通る等分の8本の線上に、3点中心点、半径の1/2点、外周又はその近傍点を採り、合計17点{16点中心点中心点は共通しているので1点}のタンタルの結晶粒径を測定する。そして、各点において、最大値-最小値/最大値最小値×100の式に基づいて、結晶粒径のばらつきを計算することができる。このようなターゲット組織は、プラズマが安定であり、膜の均一性ユニフォーミティに優れる。また、スパッタリング時のプラズマ安定化は、初期の段階でも安定化するので、バーンイン時間を短縮できるという効果を有する。次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。実施例1純度99.998のタンタルにタングステン1massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1480K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が150μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は120μmであり、結晶粒径のばらつきは±20であった。また、タングステン含有量のばらつきは±20であった。この結果を表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.6~3.2、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、120kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例2純度99.999のタンタルにタングステン5massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約50mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は110μmであり、結晶粒径のばらつきは±17であった。また、タングステン含有量のばらつきは±18であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.5~3.0、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、100kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例3純度99.999のタンタルにタングステン10massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約45mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は90μmであり、結晶粒径のばらつきは±15であった。また、タングステン含有量のばらつきは±16であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.3~2.7、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、90kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例4純度99.999のタンタルにタングステン20massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約40mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は85μmであり、結晶粒径のばらつきは±10であった。また、タングステン含有量のばらつきは±12であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.0~2.2、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、87kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例5純度99.999のタンタルにタングステン50massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約35mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で鍛伸と据え込み鍛造及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は80μmであり、結晶粒径のばらつきは±8であった。また、タングステン含有量のばらつきは±10であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.7~1.9、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、85kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例6純度99.999のタンタルにタングステン70massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約30mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は75μmであり、結晶粒径のばらつきは±7であった。また、タングステン含有量のばらつきは±8であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.3~1.5、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、82kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例7純度99.999のタンタルにタングステン100massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約25mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍は、以下の平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節した。なお、この平均結晶粒径とばらつきは、タングステンの添加量によっても変化するが、本実施例では、これらの調節が可能であった。ターゲットの平均結晶粒径は70μmであり、結晶粒径のばらつきは±5であった。また、タングステン含有量のばらつきは±6であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.0~1.2、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、80kWhであり、減少した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。比較例1純度99.995のタンタルにタングステン0.5massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約60mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍を、適度な平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節したが、本比較例では、これらの調節ができず、ターゲットの平均結晶粒径は130μmであり、結晶粒径のばらつきは±35であった。また、タングステン含有量のばらつきは±40であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本比較例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が大きく3.8~6.0、すなわち膜厚分布の変動が大きくなることを示していた。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、200kWhであり、増加した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化できず、膜の均一性ユニフォーミティも不良であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができなかった。以上について、純度99.999のタンタルにタングステン0.5massppmを添加した場合についても、同様の試験をしてみたが、この比較例1と同様の傾向が見られた。これは、タンタルの純度にも影響することが明らかであった。比較例2純度99.999のタンタルにタングステン150massppm相当量を添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約20mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍を、適度な平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節したが、本比較例では、これらの調節ができず、ターゲットの平均結晶粒径は一応80μmであったが、結晶粒径のばらつきは±50で、偏析によるばらつきが大であった。また、タングステン含有量のばらつきは±70であった。この結果を、同様に表2に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表2に示す。表2から明らかなように、本比較例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が大きく4.5~7.0、すなわち膜厚分布の変動が大きくなることを示していた。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、130kWhであり、増加した。この結果も表2に示す。このようにバーンイン時間を短縮化できず、膜の均一性ユニフォーミティも不良であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができなかった。実施例8純度99.998のタンタルに、タングステン2.2massppm、モリブデン32massppm、ニオブ12massppm、合計添加量46.2massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は85μmであり、結晶粒径のばらつきは±11であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±6以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.0~2.5、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、55kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例9純度99.998のタンタルに、タングステン3.2massppm、モリブデン67massppm、ニオブ2.4massppm、合計添加量72.6massppmである原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は50μmであり、結晶粒径のばらつきは±7であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±8以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.5~1.9、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、40kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例10純度99.998のタンタルに、タングステン3.7massppm、モリブデン0.9massppm、ニオブ5.1massppm、合計添加量9.7massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が150μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は95μmであり、結晶粒径のばらつきは±18であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±12以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.3~3.2、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、80kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例11純度99.998のタンタルに、タングステン11massppm、ニオブ16massppmを添加しこの場合、モリブデンは添加していない、合計添加量27massppmとした原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は92μmであり、結晶粒径のばらつきは±13であった。また、タングステン、ニオブ含有量のばらつきは±16以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.2~2.9、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、60kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例12純度99.998のタンタルに、タングステン12massppm、モリブデン1.5massppm、ニオブ18massppm、を添加し、合計添加量を31.5massppmとした原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は90μmであり、結晶粒径のばらつきは±14であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±10以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない2.0~2.5、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、55kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例13純度99.998のタンタルに、タングステン17massppm、ニオブ42massppm、合計量59massppmを添加したこの場合、モリブデンは添加していない原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は55μmであり、結晶粒径のばらつきは±7であった。また、タングステン、ニオブ含有量のばらつきは±11以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.4~1.7、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、45kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例14純度99.998のタンタルに、タングステン18massppm、モリブデン2.1massppm、ニオブ22massppm、合計添加量42.1massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は87μmであり、結晶粒径のばらつきは±12であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±11以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.9~2.3、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、50kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例15純度99.998のタンタルに、タングステン23massppm、モリブデン0.69massppm、ニオブ25massppm、合計添加量48.69massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は73μmであり、結晶粒径のばらつきは±8であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±15以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.7~2.3、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、45kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例16純度99.998のタンタルに、タングステン24massppm、モリブデン0.97massppm、ニオブ75massppm、合計添加量99.97massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が120μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は47μmであり、結晶粒径のばらつきは±5であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±8以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.3~1.6、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、35kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例17純度99.998のタンタルに、タングステン53massppm、モリブデン1.4massppm、合計添加量54.4を添加したこの場合は、ニオブを添加していない原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が130μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は60μmであり、結晶粒径のばらつきは±10であった。また、タングステン、モリブデン含有量のばらつきは±9以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.6~2.6、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、50kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例18純度99.998のタンタルに、タングステン57massppm、モリブデン48massppm、ニオブ45massppm、合計添加量150massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は40μmであり、結晶粒径のばらつきは±7であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±15以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.5~2.3、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、55kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例19純度99.998のタンタルに、タングステン70massppm、モリブデン31.5massppm、ニオブ44.7massppm、合計添加量146.2massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は41μmであり、結晶粒径のばらつきは±8であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±17以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.6~2.1、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、50kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。実施例20純度99.998のタンタルに、タングステン69.8massppm、モリブデン50massppm、ニオブ30massppm、合計添加量149.8massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約55mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び1173Kの再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。ターゲットの平均結晶粒径は45μmであり、結晶粒径のばらつきは±6であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±15以内であった。以上の結果を、表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本実施例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が少ない1.5~2.4、すなわち膜厚分布の変動が少ないことを示している。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、55kWhであり、減少した。この結果も、表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化することができると共に、膜の均一性ユニフォーミティが良好であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができた。比較例3純度99.995のタンタルに、タングステン1.5massppm、モリブデン120massppm、ニオブ40massppm、合計添加量161.5massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約60mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ、厚さ120mm、直径20mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍を、適度な平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節したが、本比較例では、これらの調節ができず、ターゲットの平均結晶粒径は34μm未再結晶が存在であり、結晶粒径のばらつきは±60であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±25であった。この結果を、同様に表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本比較例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が大きく4.0~6.5、すなわち膜厚分布の変動が大きくなることを示していた。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、150kWhであり、増加した。この結果も表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化できず、膜の均一性ユニフォーミティも不良であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができなかった。比較例4純度99.998のタンタルに、タングステン5.5massppm、モリブデン1.5massppm、ニオブ150massppm、合計添加量157massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約20mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍を、適度な平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節したが、本比較例では、これらの調節ができず、ターゲットの平均結晶粒径は15μmであるが、未再結晶を含み、結晶粒径のばらつきは±50で、偏析によるばらつきが大であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±30であった。この結果を、同様に表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本比較例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が大きく5.2~7.5、すなわち膜厚分布の変動が大きくなることを示していた。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、300kWhであり、増加した。この結果も表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化できず、膜の均一性ユニフォーミティも不良であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができなかった。比較例5純度99.998のタンタルに、タングステン62.7massppm、モリブデン53.4massppm、ニオブ48.7massppm、合計添加量164.8massppmを添加した原料を電子ビーム溶解し、これを鋳造して厚さ200mm、直径200mmφのインゴットとした。この場合の結晶粒径は約20mmであった。次に、このインゴット又はビレットを室温で鍛伸した後、1500Kの温度で再結晶焼鈍した。これによって平均結晶粒径が200μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料が得られた。次に、これを再度室温で鍛伸及び据え込み鍛造し、再び1400~1500K温度で再結晶焼鈍を実施した。鍛造、熱処理を再度繰り返し、これによって平均結晶粒径が100μmの組織を持つ厚さ120mm、直径130mmφの材料を得た。次に、これを冷間で圧延及び再結晶焼鈍を行い、仕上げ加工を行って厚さ10mm、直径450mmφのターゲット材とした。途中及び最後の冷間加工並びに再結晶焼鈍を、適度な平均結晶粒径及び結晶粒径のばらつきとなるように調節したが、本比較例では、これらの調節ができず、ターゲットの平均結晶粒径は20μmであるが、未再結晶を含み、結晶粒径のばらつきは±50で、偏析によるばらつきが大であった。また、タングステン、モリブデン、ニオブ含有量のばらつきは±25であった。この結果を、同様に表3に示す。シート抵抗は膜厚に依存するので、ウエハー12インチ内のシート抵抗の分布を測定し、それによって膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハー上の49点のシート抵抗を測定し、その標準偏差σを算出した。その結果を、同様に表3に示す。表3から明らかなように、本比較例においては、スパッタ初期から後期にかけてシート内抵抗分布の変動が大きく4.1~6.7、すなわち膜厚分布の変動が大きくなることを示していた。また、スパッタリングの初期安定化に至るまでの電力量を測定したところ、170kWhであり、増加した。この結果も表3に示す。このようにバーンイン時間を短縮化できず、膜の均一性ユニフォーミティも不良であり、スパッタ成膜の品質を向上させることができなかった。以上について、純度99.998のタンタルにタングステン、モリブデン、ニオブを添加した場合に、トータルの量が150massppmを超える添加量となってから急速に結晶粒径の粗大化とばらつきが大きくなり、さらにはタングステン、ニオブ、モリブデン含有量のばらつきも顕著になった。これは、タングステン、モリブデン、ニオブが偏析した結果と考えられ、過剰なタングステン、モリブデン、ニオブの添加は、好ましくないことが分かった。