インジウム又はインジウム合金の精製方法であって、予めインジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化させると共に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を溶解し、この溶解した後のインジウム及びインジウム合金の溶湯の上に形成された酸化インジウムを主成分とするスラグの中に、不純物を吸着、結合又は複合させた後、このスラグを除去して精製することを特徴とするインジウム又はインジウム合金の精製方法。前記インジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化する方法が、酸素含有雰囲気中で50°C以上に加熱して表面酸化するか、又は電解により酸化することを特徴とする請求項1記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。インジウムの不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることを特徴とする請求項1~2のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。電解槽の中にカソード板と、原料となるインジウム又はインジウム合金のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列して電解酸化を行い、酸化層を形成したインジウム又はインジウム合金板を取り出し、この酸化層を有するインジウム及びインジウム合金を溶解して、精製することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。予め、坩堝の中でインジウム又はインジウム合金を溶解し、この溶湯の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を装入して溶解することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。予め、坩堝の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を、直接装入して溶解することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。本発明は、インジウム及びインジウム合金に含まれる不純物を、低コストで、効果的に除去することができる高純度インジウム及び高純度インジウム合金の精製方法を提供することを課題とする。本発明は、上記課題を解決するために、以下の方法を提供するものである。1インジウム又はインジウム合金の精製方法であって、予めインジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化させると共に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を溶解し、この溶解した後のインジウム及びインジウム合金の溶湯の上に形成された酸化インジウムを主成分とするスラグの中に、不純物を吸着、結合又は複合させた後、このスラグを除去して精製することを特徴とするインジウム又はインジウム合金の精製方法。2前記インジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化する方法が、酸素含有雰囲気中で加熱して表面酸化するか、又は電解により酸化することを特徴とする上記1記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。3インジウムの不純物であるSiを10wtppm以下、Feを1wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることを特徴とする上記1~2のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。4電解槽の中にカソード板と、原料となるインジウム又はインジウム合金のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列して電解酸化を行い、酸化層を形成したインジウム又はインジウム合金板を取り出し、この酸化層を有するインジウム及びインジウム合金を溶解して、精製することを特徴とする上記1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。5予め、坩堝の中でインジウム又はインジウム合金を溶解し、この溶湯の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を装入して溶解することを特徴とする上記1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。6予め、坩堝の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を、直接装入して溶解することを特徴とする上記1~3のいずれか一項記載のインジウム又はインジウム合金の精製方法。以上の方法により、高純度インジウム及び高純度インジウム合金の精製するに際して、インジウム及びインジウム合金に含まれる不純物を、低コストで、効果的に除去することができるという優れた効果を有する。インジウム又はインジウム合金の精製に際しては、予めインジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化させる。これが本願発明の重要な特徴の一つである。そして、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を、坩堝等の溶解装置を用いて溶解する。この溶解は大気中で良く、特に雰囲気を調製する必要はない。この溶解した後のインジウム及びインジウム合金の溶湯の上に形成された酸化インジウムを主成分とするスラグの中には、後述する実施例に示すように、溶湯から不純物が吸着、結合金属又は酸化物相互の化合又は複合複合酸化物化して移行する。この後、不純物が含まれるスラグを除去することにより、インジウム及びインジウム合金から不純物を、容易にかつ効果的に精製することができる。このように、インジウム及びインジウム合金の溶湯の上に形成された酸化インジウムを主成分とするスラグの中に、溶湯から不純物が吸着、結合金属又は酸化物相互の化合又は複合複合酸化物化して移行するという知見を得たこと、そしてこのために、予めインジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を、溶解する前に予め酸化させる必要があることである。このような事象を利用することにより、インジウム及びインジウム合金から不純物を、容易にかつ効果的に精製することができることを開示した技術は存在しなかったと言える。前記インジウム及びインジウム合金塊又は板の表面を酸化する方法については、特に制限はないが、酸素含有雰囲気中で加熱して表面酸化する方法、又は電解により酸化するという方法を採用することが効果的である。インジウム合金としては、錫Sn、亜鉛Zn、銅Cu、銀Ag、アンチモンSb、テルルTe、ビスマスBi、タリウムTl、ガリウムGa、ゲルマニウムGe、カドミウムCd等から選択した、いずれか1種以上の元素とインジウムとの合金を挙げることができる。そして、インジウムに含有する代表的な不純物である、Siを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることが可能である。電解により酸化するという方法を採用する場合には、例えば電解槽の中にカソード板と、原料となるインジウム又はインジウム合金のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列し、さらに電解酸化を行い、インジウム又はインジウム合金板に酸化層を形成させる。この場合、一部にインジウム酸化物層中に合金添加元素の酸化物が形成される場合もあるが、インジウム酸化物層が形成されていれば、特に問題とはならない。以下、同様であり、酸化層は、このような場合を含むものである。具体的には、例えば原料となる粗インジウムを鋳造してインジウムからなるアノード板を製造し、これを電解槽に配置する。電解槽には、ステンレス板又はチタン板からなるカソード板を交互に配置する。電解液を汚染しない限り、他の材料からなるカソード板を使用することができることは言うまでもない。これらのアノード板とカソード板は平行に複数枚配置する。電解槽には、電解液を供給する。電解液には、硝酸アンモニウム水溶液NH4NO3を用いる。なお、電解液については、特に指定されるものではなく、硝酸系水溶液、硫酸系水溶液、塩酸系水溶液或いはその他の電解質等の何れを用いても良い。但し、コストや製品の純度維持の面から硝酸アンモニウム水溶液が好ましいと言える。電解条件としては、硝酸アンモニウムNH4NO3、濃度:0.2~5mol/L、pH:4~10、温度:10~50°Cの水溶液中において、インジウムを陽極アノードとし、陰極電流密度100~1800A/m2で通電して電解を行う。時間は10分以上であれば表面酸化層ができている。電解により、インジウムの表面が酸化するが一部溶解し、電解時間が長すぎると水酸化インジウムの微細粒子が電解液中に析出するが、この水酸化インジウムは酸化インジウムとして使用できる。他の方法として、粗インジウム板を、酸素の雰囲気下、例えば大気や酸素雰囲気中で50~150°C、1~20hr熱処理して、表面を酸化させた。次に、酸化層を有するインジウム及びインジウム合金を取り出し、これを溶解する。この段階で溶湯の上には、酸化インジウムを主成分とするスラグ層が形成されるが、この層の中に、溶湯から不純物が移行し、スラグ層に吸着、結合金属又は酸化物相互の化合又は複合複合酸化物化する。これによって溶湯が精製される。一方、不純物を巻き込んだスラグは、溶湯表面から除去することにより、精製することが可能である。酸化層を形成したインジウム又はインジウム合金の溶解に際しては、図1の左側に示すように、予め坩堝の中で、インジウム又はインジウム合金の融点以上に加熱したインジウム又はインジウム合金を溶解させておき、この溶湯の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を装入して溶解することができる。図1に示すように、この表面を酸化させたインジウム又はインジウム合金板を浸漬していくに連れて、下部から溶解していくが、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成される。このスラグの形成が重要で、このスラグの中に不純物が濃縮するという極めて好適な現象を確認することができた。また、図2に示すように、坩堝の中に、表面を酸化させたインジウム及びインジウム合金塊又は板を、直接装入し、これを融点以上に加熱して溶解することができる。他方、使用済みインジウムアノード板を、ルツボに入れ、これを溶解することもできる。図2では、一例として、3枚の表面酸化したインジウムが示されている。溶解に際しては、新たな補充インジウムを添加することもできる。いずれの場合も、溶湯から不純物が移行し、スラグ層に吸着、結合金属又は酸化物相互の化合又は複合複合酸化物化し、溶湯が精製される。前記の通り、インジウム又はインジウム合金中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができる。次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。実施例1インジウムを鋳造して得たアノード板を電解槽に配置した。電解槽には、ステンレス板又はチタン板からなるカソード板を交互に配置した。これらのアノード板とカソード板は、平行に複数枚配置した。電解槽には、電解液を供給する。電解液には、硝酸アンモニウム水溶液NH4NO3を用い電解を開始した。電解開始してから、酸化層が形成されたアノード板を取り出し、大気中で溶解した。この場合、図1に示すように、ルツボの中に予めインジウムを溶解しておき、この中に表面酸化したインジウムを浸漬しながら溶融した。このインジウム板を浸漬していくに連れて、下部から溶解していき、インジウム溶湯の上にはスラグが形成された。この分析結果を表1に示す。この表1には、原料インジウムと、表面酸化したインジウムを鋳造した場合のインジウムと、スラグ中との、Si、Fe、Zr、Alの分析結果を対比して示す。原料インジウムについては、この表1の分析結果に示すように、主な不純物として、Si:10~50wtppm、Fe:10~70wtppm、Zr:30~300wtppm、Al:5~20wtppmであり、不純物含有量にばらつきがあるものを使用した。一方、表面酸化したインジウムを鋳造し、精製した後の、インジウムを分析した結果、主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:2wtppm、Zr:3wtppm、Al:2wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:69wtppm、Fe:340wtppm、Zr:1700wtppm、Al:53wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。前記の通り、表面酸化したインジウム板を溶解して作製することにより、アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例2インジウムInのアノード板を使用し、電解により水酸化インジウムの粉末を製造する工程において、原料となるインジウムを所定の形状に鋳造してインジウムからなるアノード板を製造し、これを電解槽に配置した。電解槽には、ステンレス板又はチタン板からなるカソード板を交互に配置した。これらのアノード板とカソード板は平行に複数枚配置した。電解槽には、電解液を供給する。電解液には、硝酸アンモニウム水溶液NH4NO3を用い電解を開始した。電解の途中の工程で、アノード表面に酸化層が形成されたので、電解を中断し、酸化層が形成されたアノードを取出し、アノードの再生工程を検討した。そして表面酸化したインジウム板を取り出し、このインジウム板を、ルツボに入れ、これを図2に示すようにして溶解した。溶解に際しては、新たな補充インジウムを添加した。実施例1と同様に、インジウムの表面には、凹凸のついた酸化層が形成され、このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。表面酸化したインジウムを鋳造し、精製した。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:<1wtppm、Zr:<1wtppm、Al:<1wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:100wtppm、Fe:630wtppm、Zr:2500wtppm、Al:76wtppmであった。表面酸化したインジウム板を溶解すると共にインジウムを補充鋳造してアノード板を再作製することにより、実施例1と同様に、アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例3インジウムInの表面を酸化する工程において、原料となるインジウムを所定の大きさに鋳造してインジウム板鋳片とし、これを大気炉に配置した。温度は50°C、24時間で表面酸化を実施した。この表面が酸化されたインジウム板を取り出し、大気中で溶解した。溶解方法は、図1に示す方法で実施した。このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。精製したインジウムを鋳造し、分析を行った。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:1wtppm、Zr:4wtppm、Al:3wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:67wtppm、Fe:240wtppm、Zr:2000wtppm、Al:40wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。以上の分析結果を、表1に示した。アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例4インジウムInの表面を酸化する工程において、原料となるインジウムを所定の大きさに鋳造してインジウム板鋳片とし、これを大気炉に配置し、温度100°C、5時間で表面酸化層を形成した。この表面が酸化されたインジウム板鋳片を取り出し、大気中で溶解した。溶解方法は図2に示す方法で実施した。このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。精製したインジウムを鋳造し分析を行った。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:1wtppm、Zr:4wtppm、Al:4wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:74wtppm、Fe:84wtppm、Zr:1100wtppm、Al:26wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。以上の分析結果を、表1に示した。アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例5インジウムInの表面を酸化する工程において、原料となるインジウムを所定の大きさに鋳造してインジウム板鋳片とし、これを酸素雰囲気炉に配置した。酸化は、温度は70°C、8時間で実施した。この表面が酸化されたインジウム板を取り出し、大気中で溶解した。この表面が酸化されたインジウム板鋳片を取り出し、大気中で溶解した。溶解方法は図1に示す方法で溶解した。このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。精製したインジウムを鋳造し分析を行った。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:1wtppm、Zr:1wtppm、Al:1wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:120wtppm、Fe:480wtppm、Zr:3000wtppm、Al:110wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。以上の分析結果を、表1に示した。アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例6インジウムIn―10錫Sn合金の表面を酸化する工程において、原料となるインジウムを所定の大きさのインジウム板鋳片に鋳造して、これを酸素雰囲気炉に配置した。温度は70°C、8時間で、表面酸化を実施した。この表面が酸化されたインジウム-錫合金板を取り出し、大気中で溶解した。溶解方法は、図1に示す方法で実施した。このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。精製したインジウムを鋳造し分析を行った。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:1wtppm、Zr:1wtppm、Al:1wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:59wtppm、Fe:640wtppm、Zr:2300wtppm、Al:46wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。以上の分析結果を、表1に示した。アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。実施例7インジウムIn―1銅Cu合金の表面を酸化する工程において、原料となるインジウムを所定の大きさのインジウム板鋳片に鋳造した後、このインジウム板を酸素雰囲気炉に配置した。温度は70°C、1時間で実施した。この酸化層を形成したインジウム-錫合金板を取り出し、大気中で溶解した。溶解方法は、図2に示す方法で行った。このインジウム板の溶解と共に、インジウムの溶湯の上にはスラグが形成された。そして、このスラグの中に、不純物が濃縮した。精製したインジウムを鋳造し分析を行った。この分析結果を、表1に示した。主な不純物として、Si:<10wtppm、Fe:1wtppm、Zr:1wtppm、Al:1wtppmであった。他方、スラグの分析結果、主な不純物として、Si:69wtppm、Fe:440wtppm、Zr:2100wtppm、Al:66wtppmであった。この結果から、表面酸化したインジウムについては、不純物の大部分はスラグに移行し、インジウムの不純物が低減していることが確認できた。以上の分析結果を、表1に示した。アノード板中の不純物であるSiを10wtppm以下、Feを5wtppm以下、Zrを5wtppm以下、Alを5wtppm以下とすることができた。比較例1電解あるいは表面酸化の工程を経ずに、大気溶解したが、純度は表1の原料と同じ純度3N~4Nの範囲であった。因みに、それぞれの不純物は、Si:10wtppm、Fe:15wtppm、Zr:40wtppm、Al:6wtppmであった。比較例2電解あるいは表面酸化の工程を経たが、還元雰囲気、例えば水素雰囲気500°Cで溶解したがスラグは発生せず、純度は表1の原料と同じ純度3N~4Nの範囲であった。因みに、それぞれの不純物は、Si:30wtppm、Fe:40wtppm、Zr:100wtppm、Al:10wtppmであった。