"少なくとも2つの電極と、前記電極間に配置され、第1の波長の光または第1の波長スペクトルを有する光を発するエレクトロルミネッセンス有機材料を含む少なくとも1つの発光層とを有する光電子デバイスであって、少なくとも1種の色変換体を含む層が、前記少なくとも1つの発光層のうちの少なくとも1つと少なくとも1つの電極との間に配置されていることを特徴とする光電子デバイス。前記色変換体が、前記第1の波長スペクトルの光を吸収し、第2の波長スペクトルを有する光を発する化合物であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。少なくとも1つの電極が反射性であるように設計されていることを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。前記少なくとも2つの電極がカソードとアノードとを形成し、前記少なくとも1種の色変換体を含む前記少なくとも1つの層がカソードと発光層との間に配置されていることを特徴とする請求項1~3のうちの一項に記載のデバイス。前記光電子デバイスが有機発光ダイオードOLEDであることを特徴とする請求項1~4のうちの一項に記載のデバイス。前記少なくとも1種の色変換体を含む前記OLEDの前記少なくとも1つの層が、電子注入層、電子輸送層、電子遮断層および励起子遮断層の群から選択される請求項5に記載のデバイス。前記光電子デバイスが有機発光電気化学的電池OLECであることを特徴とする請求項1~4のうちの一項に記載のデバイス。前記少なくとも1種の色変換体を含む前記OLECの少なくとも1つの層が、正孔注入層および電子注入層の群から選択されることを特徴とする、請求項7に記載のデバイス。前記OLECの前記発光層が少なくとも1種の色変換体を含むことを特徴とする、請求項7または8のうちの一項に記載のデバイス。前記光電子デバイスが有機発光電界効果トランジスタOLEFTであることを特徴とする、請求項1~4のうちの一項に記載のデバイス。前記少なくとも1種の色変換体を含む前記OLEFTの少なくとも1つの層が誘電体層であることを特徴とする請求項10に記載のデバイス。前記OLEFTの前記発光層が少なくとも1種の色変換体を含むことを特徴とする請求項10または11のうちの一項に記載のデバイス。請求項1~12のうちの一項に記載の光電子デバイスを製造する方法であって、少なくとも2つの電極と、前記少なくとも2つの電極間に配置された少なくとも1つの発光層とを有する光電子デバイスを従来の方法で製造することを特徴とし、色変換体を含む少なくとも1つのさらなる層を前記少なくとも1つの電極と前記少なくとも1つの発光層との間に配置することを特徴とする方法。少なくとも1つの層を液相として適用することを特徴とする請求項13に記載の方法。少なくとも1つの層を水性相として適用することを特徴とする請求項13または14のうちの一項に記載の方法。前記少なくとも1つのさらなる層が正孔輸送層または正孔注入層であることを特徴とする請求項13~15のうちの一項に記載の方法。前記少なくとも1つのさらなる層がPEDOTおよび/またはPANIを含む、正孔輸送層または正孔注入層であることを特徴とする請求項13~16のうちの一項に記載の方法。照明手段としての請求項1~12のうちの一項に記載の光電子デバイスの使用。実施例以下のポリマーを、WO03048225に記載されたプロセスによりSuzukiカップリングによって調製した。IL1:ポリマーIL1は、中間層の材料として使用されるものであり、以下のモノマーM1とM2とを含む。得られたポリマーIL1の分子量Mwは200,000g/molと300,000g/molとの間である。LEP1ポリマーLEP1は発光ポリマーとして使用した。コポリマーは、以下のモノマーM3からM6を含む。モノマーM6は材料を架橋するためにオキセタン基を含有する。ETM1使用した電子輸送材料は以下の化合物であった。レーザ色素使用したレーザ色素は、トルエンに可溶なDCMおよび水に可溶なDOCIであった。両色素は、LambdaPhysikドイツから購入してそのまま使用した。化合物の式を下に示す。IL1、LEP1およびETM1の電子的構造IL1の電子遮断性および励起子遮断性をLEP1と比較し且つETM1の正孔遮断性および励起子遮断性をLEP1と比較して調べるために、IL1、LEP1およびETM1の電子的構造を量子化学的シミュレーションの助けで調べた。有機化合物のHOMO/LUMOは、WO2008011953に記載された方法を使用して計算することができ、結果はサイクリックボルタンメトリー測定とよく一致する。HOMOおよびLUMOの計算は、同じ補正関数B3PW91と同じ基底関数6-31Gdを使用して時間依存性DFT密度関数理論の助けを借りてGaussian03Wで実行した。次に計算値を多数の選択された分子の測定値と計算値の比較により決定した較正係数の助けで較正した。トリマーM2-M1-M3をIL1の計算に使用し、トリマーM3-M4-M3をLEP1のポリマー骨格の計算に使用し、トリマーM3-M5-M3を発光子の計算に使用した。表1から、IL1、LEP1およびETM1についての電子的構造、すなわちHOMOまたはLUMOが分かる。中間層IL1はLEP1の骨格より高いLUMOを有するので、それは電子遮断層として働く。LEP1においては、発光子M5もポリマー骨格中の正孔トラップとして働き、発光層近くに配列された狭い発光領域を生ずる。LEP1と比較して、ETM1はかなり低いHOMOを有し、それゆえに正孔遮断層として働く。さらに、それはLEP1骨格およびLEP1発光子より有意に大きいバンドギャップを有し、それゆえに励起子遮断層として働く。この知識を計算に入れれば、ETM1中の色変換体は、光学的にのみ励起することができ、すなわち換言すれば、電子的に励起することも励起子拡散によりLEP1から励起子を引き取ることもできない。同じことが色変換体が緩衝層に配列される場合にも当てはまる。実施例1OLEDの製造OLED1従来技術従来技術から知られた構造を有する、図4に示したOLED1を、以下のステップを有するプロセスにより製造した。1.第1に、厚さ80nmのPEDOTBaytronPAl4083の層をITOコートガラス基材へとスピンコーティングによって適用する。この層は正孔注入層として働く。2.グローブボックス内で、厚さ20nmのIL1の層をスピンコーティングにより適用する。この目的のために、トルエン中で濃度が0.5重量の溶液を使用する。3.次に、層IL1をグローブボックス内で180°Cで1時間硬化処理する。4.LEP層を製造するために、第1に濃度が1重量のLEP1の第1の溶液をトルエン中で調製する。第1の溶液を使用して、65nmの膜厚を生ずる回転速度を決定する。さらに、光開始剤4-[2-ヒドロキシテトラデシルオキシル]フェニル}-フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナートOPPIの1重量の第2の溶液をトルエン中で調製する。次に第1の溶液と第2の溶液とを10ml対0.05mlの比で混合して、混合物をスピンコーティングにより前に決定した回転速度で基材に塗布し、その結果65nmの膜厚を得る。硬化処理のために、膜を最初にUV光360nmで5秒間照射して次に100°Cで1分間加熱する。該プロセスはDE102004009355A1において一般的表現で説明されている。5.該デバイスを180°Cでさらに10分間加熱する。6.次にBa/Alカソードを蒸着によって層に適用し、ここで膜厚は3nmおよび150nmである。7.最後に、層スタックを封止する。実施例2OLED2本発明による図5に示した本発明によるOLEDは、以下のステップを有するプロセスにより製造される。OLED1の製造の場合に説明したステップを繰り返すが、LEP1層の膜厚を35nmに減少させる。5.次に、厚さが30nmのDCM/ETM1の層を、スピンコーティングによりトルエン中2.5重量のDCM/ETM11:4混合物溶液を塗布することにより適用する。6.次に、デバイスを180°Cで10分間硬化処理する。7.次に、Ba/Alカソードを蒸着により発光層へと適用し、ここで膜厚は3nmおよび150nmである。8.最後に、層スタックを封止する。実施例3OLED3図6に示した本発明によるOLEDを以下のステップを有するプロセスにより製造する。PEDOTBaytronPal4083とDOCI0.1~0.5重量の80nmの混合物を正孔注入層としてITOコートガラス基材にスピンコーティングにより塗布する。次にステップ2から7を実施例1で説明したように実施する。実施例4OLEDのキャラクタリゼーションおよび比較上記のようにして製造したOLEDのエレクトロルミネッセンススペクトルを記録して外部量子収率を決定した。図10にOLED1のエレクトロルミネッセンススペクトルとLambdaPhysikにより提供された、エタノール中のDCMの吸収スペクトルとの比較を示す。2つのスペクトルの非常に良好な重なりが明白である。色変換体DCMの吸収極大は発光層の発光極大に近い。DCMは、それ故、発光層が発した光を吸収してより長波長の光に変換することができるはずである。図11においては、OLED1のエレクトロルミネッセンススペクトルをOLED2の対応するスペクトルと比較している。約612nmの波長における第2のピークは、DCMの蛍光発光に対応する。これは発光層が発した光の、色変換体DCMにより長波長の光に変換された部分に対応する。図12においては、OLED1のエレクトロルミネッセンススペクトルをPEDOT中のDOCI0.2重量の分散液の吸収スペクトルと比較している。スペクトルの非常に良好な重なりが明白である。DOCIの吸収極大は発光層の発光極大に近い。DOCIは、それ故、発光層が発した光を吸収してより長波長の光に変換することができるはずである。図13に、OLED1とOLED3のエレクトロルミネッセンススペクトルの比較を示す。約620nmの波長における第2のピークは、DOCIの蛍光発光に対応する。このピークは、発光層が発した光のDOCIによる吸収と、より長波長における対応する発光とにより生ずる。DOCIはPEDOT中で限られた溶解性しか有しないので、発光層が発した光の小部分しかより長波長の光に変換されない。実施例は、本発明による光電子デバイスを使用して、OLEDの発光層が発した光を、色変換体により、より長波長を有する光に変換できることを示す。本発明による光電子デバイスが発した光の調光は、例えば、色変換体を含む層の厚さの調節により達成することができる。"