凹型レンズの凹部を形成する基板上に、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板と異なるマスク層を形成する工程と、該基板内に形成する凹型レンズの凹部中心に対応する該マスク層の箇所に開口を形成する工程と、前記マスク層を介して前記所定種類のエッチャントを用いてウエットエッチングする工程と、該基板表面と該マスク層との密着状態を制御する工程を前記マスク層を形成する工程および/あるいは前記ウエットエッチング工程において含み、前記レンズの曲面を規定する非球面の凹部を前記基板に形成することを特徴とする凹型レンズの製造方法。前記ウエットエッチングにおけるマスク層の成膜条件を調整選択して、前記基板表面と前記マスク層との密着状態を制御することにより、前記基板表面の平面方向へのエッチャントの浸透を制御して、ウエットエッチング方向を前記基板の深さ方向よりも該基板表面の平面方向寄りに大きい、異方性のエッチングとすることで、非球面の凹部を前記基板に形成することを特徴とする請求項1に記載の凹型レンズの製造方法。前記ウエットエッチングにおける前記基板の材料が反応するエッチャントに、前記マスク層の材料が反応する物質を添加混合することにより、前記基板表面とマスク層との密着状態を制御することにより、前記基板表面の平面方向へのエッチャントの浸透を制御して、ウエットエッチングの方向を前記基板の深さ方向よりも該基板表面の平面方向寄りに大きい、異方性のエッチングとすることで、非球面の凹部を前記基板に形成することを特徴とする請求項1に記載の凹型レンズの製造方法。前記ウエットエッチングにおける前記マスク層の成膜条件を調整選択して、前記基板表面と前記マスク層との密着状態を制御するとともに、前記ウエットエッチングにおける前記基板の材料が反応するエッチャントに、前記マスク層の材料が反応する物質を添加混合することにより、前記基板表面とマスク層との密着状態を制御することにより、前記基板表面の平面方向へのエッチャントの浸透を制御して、ウエットエッチングの方向を前記基板の深さ方向よりも該基板表面の平面方向寄りに大きい、異方性のエッチングとすることで、非球面の凹部を前記基板に形成することを特徴とする請求項1に記載の凹型レンズの製造方法。前記基板は、透明基板からなり、前記凹部内に前記透明基板よりも屈折率が大きい透明媒質を入れる工程を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の凹型レンズの製造方法。前記マスク層は、クロム、ITO、または耐フッ酸性有機膜からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の凹型レンズの製造方法。前記基板上に前記凹型レンズがアレイ状に複数形成されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の凹型レンズの製造方法。請求項1乃至7のいずれか一項に記載のレンズの製造方法により製造される凹型レンズ。本発明は、係る事情の下になされたもので、凹型マイクロレンズを含めた凹型レンズの製造方法や凹型レンズについて、非球面の曲面を有する凹型レンズや凹型レンズアレイを、マスク層の下層部に形成する基板とエッチングレートの異なる上述の第1膜などの処理に必要な処理層形成のための高い熱処理温度を必要とせず、高い熱処理温度による基板の変形を生じさせず、また、凹型レンズ曲面の縁付近における曲率の顕著な変化を防止することが可能な凹型レンズの製造方法を提供することを目的とする。また、製造工程が複雑化することなく、製造コストや製造歩留まりが低下することのない凹型マイクロレンズを含めた凹型レンズの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、請求項1に記載の通り、凹型レンズの凹部を形成する基板上に、所定種類のエッチャントに対するエッチングレートが前記基板と異なるマスク層を形成する工程と、該基板内に形成する凹型レンズの凹部中心に対応する該マスク層の箇所に開口を形成する工程と、前記マスク層を介して前記所定種類のエッチャントを用いてウエットエッチングする工程と、該基板表面と該マスク層との密着状態を制御する工程を前記マスク層を形成する工程および/あるいは前記ウエットエッチング工程において含み、前記凹型レンズの曲面を規定する非球面の凹部を前記基板に形成することを特徴とする凹型レンズの製造方法である。本発明によれば、非球面の曲面を有する凹型レンズや凹型レンズアレイを、マスク層形成のために高い熱処理温度を必要とせずに基板の変形を生じさせず、また、凹型レンズ曲面の縁付近における曲率の顕著な変化を防止することが可能な凹型レンズの製造方法を提供することが可能になる。また、製造工程が複雑化することなく、製造コストや製造歩留まりが低下することのない凹型レンズの製造方法を提供することが可能になる。本発明は、基本的には、ウエットエッチングにおけるマスク層と凹型レンズを形成する基板との密着力や密着層の密度などの密着状態を制御することにより、等方性のエッチング方向を、基板の深さ方向よりも基板表面の平面方向寄りに大きい、異方性のエッチングとなるようにして、非球面の浅いナベ形状の凹部を基板に形成する技術である。本発明の実施例1では、マスク層とウエットエッチングにおけるマスク層の成膜条件を調整することにより、マスク材と凹型レンズを形成する基板との密着状態を制御し、等方性のエッチング方向を、基板の深さ方向よりも基板の表面の平面方向寄りに大きい、異方性のエッチングとなるようにして、非球面の浅いナベ形状の凹部を基板に形成する技術である。本発明の実施例1~実施例5の実施の形態について図1~図2を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明の実施例2では、ウエットエッチングにおける被加工物が反応する薬液エッチャントにマスク層の材料が反応する物質を微量添加混合することにより、マスク層と凹型レンズを形成する基板との密着状態を制御し、等方性のウエットエッチング方向を、基板の深さ方向よりも基板の表面の平面方向寄りに大きい異方性のエッチングとなるようにして、非球面の浅いナベ形状の凹部を基板に形成する技術である。本発明の実施例3では、ウエットエッチングにおけるマスク層の成膜条件を調整して、マスク層材料と凹型レンズを形成する基板との密着状態を制御するとともに、さらにウエットエッチングにおける被加工物が反応する薬液エッチャントにマスク層材料が反応する物質を微量添加混合することにより、マスク層と凹型レンズを形成する基板との密着状態を制御し、等方性のエッチング方向を、基板の深さ方向よりも基板の表面の平面方向寄りに大きい異方性のエッチングとなるようにして、非球面の浅いナベ形状の凹部を基板に形成する技術である。図1の説明図1aは、従来の技術であり、図1bは、本発明のウエットエッチングの手法を用いて、基板に対して深さ方向と表面方向のエッチング量が異なる、いわゆる異方性のエッチングとする概念図である。図1bは、浅いナベ状の非球面の凹部を形成する技術の原理的な概要を示す図である。図1a、bにおいて、1は被加工基板、2はマスク層、3はフォトレジスト層、4はマスク層開口部、矢印A、Bは、被加工基板1とマスク層2との界面におけるエッチャントの浸透方向をそれぞれ示す。実施例1~3の条件を満たす被加工基板1とマスク層2との密着状態の度合い、マスク層2との密着状態を変化させるエッチャントの添加剤、及びこれらの条件を併合した条件によって、エッチャントが、被加工物である被加工基板1とマスク層2との界面に浸透し、被加工基板1とマスク層2の界面の密着状態がさらに変化して、微小な隙間が両者の界面に発現し、エッチャントが基板の深さ方向よりもその界面に沿って早く広がり、被加工基板1に対する加工処理開始時のマスク層開口部4からのエッチングに加えて、界面に浸透したエッチャントによるサイドエッチングが相対的に大きくなり、非球面の凹部が被加工基板1に形成される。開口部の大きさや形状は、作製する凹型レンズの大きさにより適宜選択される。ピンホール状の場合、直径10μmの円形の開口部寸法が選択される。凹型レンズの平面方向の形状は、開口部形状や寸法によっても制御可能である。このピンホール状の開口部であれば、いわゆる凹型マイクロレンズの形成に適し、開口部を所要の大きさに設定することにより、より大型の凹型レンズの形成のためのウエットエッチング処理に対応する条件とすることが可能となる。図2a~図2fは、被加工基板1に、凹型レンズ5を形成する製造プロセスを示す図である。図2a~fにおいて、1は被加工基板である石英等の酸化ケイ素SiO2基板、2はマスク層、3はマスク層に開口を形成するフォトレジスト層、4は開口部、5は被加工基板に形成されたマイクロレンズ、矢印は、エッチング方向をそれぞれ示す。ただし、以下の詳細な説明において、材質を特定する場合は、英字の小符号を付与して他の材質を使用した場合と区別するものとする。図2aにおいて、被加工基板である酸化ケイ素系材料の石英基板1aの表面に、マスク層であるクロム層2aを、周知のスパッタリングにより形成する。クロム層2aの厚さは、50nm~60nmの範囲とした。図2bにおいて、形成する凹型レンズ5の中心位置に、クロム層2aに対して、マスク層開口部4を形成するためのフォトレジスト層3を形成する。フォトレジスト層3は、周知のスピンコート法等によりフォトレジストをクロム層2a上に塗布し、石英基板1aをスピンさせて所望の厚さの膜厚に形成し、さらに例えば100°Cの窒素ガス雰囲気中でプリベークして形成する。図2cにおいて、周知のステッパーにより、フォトレジスト層3に対して、マイクロレンズを所定間隔で形成しマイクロレンズアレイとするための微小寸法のピンホール状開口部パターンを露光する。さらに、フォトレジスト層3を現像してフォトレジストマスク層としての開口部4aを形成する。さらにフォトレジスト層3を、例えば100°Cの窒素ガス雰囲気中で2時間ポストベークして開口部を形成したフォトレジトマスク層とする。フォトレジストは、ポジテイブ型かネガテイブ型でもどちらでもよい。図2dにおいて、クロム層2aをウエットエッチングすることにより、フォトレジスト層開口部4aに露出していたクロム層2aを除去して開口部4bを形成する。フォトレジスト開口部4aとクロム層2aの開口部4bを総称して開口部4とする。クロム層2aを除去した後に表面が露出した石英基板1aをウエットエッチングする。開口部4を中心として、マイクロレンズとしての非球面状曲面を有する凹型レンズ5が、石英基板1aに形成される。その後、石英基板1aを純水洗浄し、さらに乾燥させてエッチングを終了する。その後にフォトレジストマスク層3を、周知のアッシング装置によるアッシングで剥離し、さらにクロム層2aをクロムウエットエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去する。このようにして石英基板1a内に非球面の凹型レンズ5を有する凹型レンズおよび凹型レンズアレイを形成する。実施例1の説明被加工基板1として石英基板1a、エッチャントをフッ化水素酸、マスク層2としてクロム層2a、エッチャントへの添加剤としてクロムウエットエッチング液を用いて、以下のプロセスにて、凹型レンズを作製した。図2に示す製造プロセスのフローに沿って作製した。基板洗浄石英基板1aを公知の手法にてキャロス洗浄し、続いてエキシマレーザを基板に照射して石英基板1a表面上の有機物を酸化、除去して石英基板1aを清浄化する。マスク層の成膜次に前工程の基板洗浄と連続して表面清浄のまま、インラインスパッタリング装置にて、クロム層を石英基板1a上に成膜する。クロム層の成膜条件は、成膜パワーである供給電力としてDC電力を1300W、スパッタリング装置のガス圧力を2.1×10-1Pa、Arガス供給量を10sccmとし、クロムの成膜量は60nmである。ピンホール開口部形成石英基板1aに所定サイズの開口径を作成するためにフォトリソグラフィを行った。クロム層2aを成膜した石英基板1aにフォトレジストをスピンコートし、プリベーク、ステッパーによる露光、現像を行い、フォトレジスト層3にピンホールを作製した。その後、クロム層2aをピンホールを介してエッチングすることにより、クロム層2aに石英基板1aのエッチング用のピンホールを作製した。さらにフォトレジスト層3がフッ酸HFに耐えられるように100°Cの窒素ガスオーブンにて2時間、フォトレジスト層3のポストベークを行った。4ウエットエッチング処理マスク層であるクロム層2aにピンホールを形成した石英基板1aをウエットエッチングして、非球面形状を有する凹部を形成する。使用するエッチャントは、フッ酸水溶液と、混酸、純水の3種混合溶液である。混酸は、HY液といわれ、クロムのウエットエッチング水溶液であり、主成分は、硝酸ニセリウムアンモニウム13である。全溶液に対してフッ酸の濃度を5重量、混酸濃度を2重量とした。この溶液中に石英基板1aを浸漬することでウエットエッチングを行った。エッチング加工時間は85分で、加工終了後に石英基板1aに対してリンスを行い、さらに乾燥させて、ウエットエッチングを終了した。本発明の製造方法により作製された凹型レンズの縁部では、レンズ曲面の曲率が顕著に変化してしまうということがない。これは、この縁部において、マスク層2であるクロム層2aと石英基板1aの表面の密着性が少なくとも低下し、石英基板1aの凹型レンズ縁部におけるクロム層2aとの境目が明確に存在する度合いが低くなり、レンズ曲面の曲率が顕著に変化してしまうということがなくなる。このことは、少なくともウエットエッチングの比較的初期の段階から、この境目での石英基板1a表面とクロム層2aとの密着性が低下した状態になるためと考えられる。5マスク層剥離石英基板1a上のフォトレジスト層3を、アッシングにて剥離する。石英基板1aをアッシング装置のチャンバー内に載置し、4.0×10-4Torrまで排気し、その後、DC電力を1250W、酸素ガス供給量を100sccmとして1分間アッシングを行い、残存していたフォトレジスト層3を石英基板1a表面から除去した。その後、クロムウエットエッチング液に石英基板1aを浸漬し、石英基板1aの表面から残存していたクロムを除去した後に、リンスおよび乾燥を行って凹型レンズの製作を終了した。実施例2の説明加工基板1として石英基板1a、エッチャントとしてフッ化水素酸、マスク層2としてITO膜2b、エッチャントへの添加剤としてITO剥離液を用いて、以下のプロセスにて、石英基板1a内に凹型レンズを作成した。1基板洗浄石英基板1aを公知の手法にてキャロス洗浄し、続いてエキシマレーザを照射して石英基板1a表面上の有機物を酸化、除去して石英基板1a表面を清浄化する。2マスク層の成膜次に前工程の基板洗浄と連続して表面清浄のまま、インラインスパッタリング装置にて、ITO膜を石英基板1a表面に成膜する。ITO膜の成膜条件は、成膜パワーである供給電力としてDC電力を1100W、スパッタリング装置のガス圧力を4.0×10-4Pa、Arガス供給量40sccm、酸素ガス供給量5sccmとし、ITO膜の成膜量は100nmである。ピンホール開口部形成石英基板1aに所定サイズの開口径を作成するためにフォトリソグラフィを行った。ITO成膜した石英基板1aにフォトレジストをスピンコートし、プリベーク、ステッパーによる露光、現像を行い、フォトレジスト層3にピンホールを作製した。その後、ITO膜2bをピンホールを介してエッチングすることにより、ITO膜2bに石英基板1aのエッチング用のピンホールを作製した。さらにフォトレジスト層3がフッ酸HFに耐えられるように100°C窒素ガスオーブンにて2時間、フォトレジスト層のポストベークを行った。4ウエットエッチング処理マスク層であるITO膜2bにピンホールを形成した石英基板1aをウエットエッチングして、非球面形状を有する凹部5を形成する。使用するエッチャントは、フッ酸水溶液と、ITO膜剥離液と純水の3種混合溶液である。ITO膜剥離液は、塩酸18重量を主成分とする塩酸と純水の混合液であり、ITO膜2bのウエットエッチング水溶液である。全溶液に対してフッ酸の濃度を5重量、ITO膜剥離液の濃度を2重量とした。この溶液中に石英基板1aを浸漬することでウエットエッチングを行った。エッチング加工時間は60分で、加工終了後にリンスおよび乾燥させてウエットエッチングを終了した。5マスク層剥離石英基板1a表面上のフォトレジスト層3を、アッシングにて剥離する。石英基板1aをアッシング装置のチャンバー内に載置し、4.0×10-4Torrまで排気し、その後電極パワーを1250W、酸素ガス供給量を100sccmとして1分間アッシングを行い、残存していたフォトレジスト層3を石英基板1a表面から除去した。その後、ITO膜剥離液に石英基板1aを浸漬し、石英基板1aの表面から残存していたITO膜2bを除去した後に、リンスおよび乾燥させて凹型レンズの製作を終了した。実施例3の説明被加工基板1として石英基板1a、エッチャントとしてフッ化水素酸、マスク層2として有機材料であるPMMA層2c、エッチャントへの添加剤に塩酸を用いて、以下のプロセスにて、凹型レンズを作成した。基板洗浄石英基板を公知の手法にてキャロス洗浄し、続いてエキシマレーザを基板に照射して基板表面上の有機物を酸化、除去して基板を清浄化する。マスク層の成膜次に前工程の基板洗浄と連続して表面清浄のまま、スピンコート法によりPMMA層2cを石英基板1a上に成膜する。PMMA層2cの成膜条件は、回転数2000rpmで成膜量は150nmである。ピンホール開口部形成石英基板1aに所定サイズの開口径ピンホールを作成するためにフォトリソグラフィを行った。PMMA層2cを成膜した石英基板1aにフォトレジストをスピンコートし、100°C窒素ガスオーブンによるプリベーク、ステッパーによる露光、現像装置による現像を行い、フォトレジスト層3にピンホールを作製した。その後、PMMA層2cをピンホールを介してエッチングすることにより、PMMA層2cに石英基板1aのエッチング用ピンホールを作製した。さらにフォトレジスト層3がフッ酸HFに耐えられるように100°C窒素ガスオーブンにて2時間、フォトレジスト層のポストベークを行った。4ウエットエッチング処理マスク層であるPMMA層2cにピンホールを形成した石英基板1aをウエットエッチングして、非球面形状を有する凹型レンズ5を形成する。使用するエッチャントは、フッ酸水溶液と、塩酸、純水の3種混合溶液である。全溶液に対してフッ酸の濃度を10重量、塩酸濃度を2重量とした。この溶液中に石英基板1aを浸漬することで、ウエットエッチングを行った。エッチング加工時間は40分で、加工終了後にリンスおよび乾燥を行い、ウエットエッチングを終了した。5マスク層剥離石英基板1a上のフォトレジスト層4を、アッシングにて剥離する。石英基板1aをアッシング装置のチャンバー内に載置し、4.0×10-4Torrまで排気し、その後電力パワーを1250W、酸素ガス供給量を100sccmとして1分間アッシングを行い、残存していたフォトレジスト層3とPMMA層2cを石英基板1a表面から除去した。その後、石英基板1aをキャロス洗浄し、リンスおよび乾燥させて凹型レンズの製作を終了した。実施例4の説明光導波路コアクラッド構造を基板内の所要部分に形成しかつ凹型レンズを当該コアクラッド構造の光導入部分に形成する被加工基板1を石英基板1a、エッチャントをフッ化水素酸、マスク層2をクロム層2a、エッチャントへの添加剤としてクロムウエットエッチング液を用いて、以下のプロセスにて、凹型レンズを有する光導波路コアクラッド構造を作成した。図示しない光導波路コアクラッド構造を省略した凹型レンズの製造プロセスは、図2に示す製造プロセスと同一である。基板洗浄光導波路コアクラッド構造を下部の積層基板内に形成した上層部分の石英基板1aを公知の手法にてキャロス洗浄し、続いてエキシマレーザを基板に照射して石英基板1a表面上の有機物を酸化、除去して石英基板1a表面を清浄化する。2マスク層の成膜次に前工程の基板洗浄と連続して表面清浄のまま、インラインスパッタリング装置にて、クロム層2aを石英基板1a表面上に成膜する。クロム層2aの成膜条件は、成膜パワーである供給電力としてDC電力2500W、スパッタリング装置のガス圧力を2.1×10-1Pa、Arガス供給量を10sccmとし、クロムの成膜量は50nmである。3ピンホール作製被加工基板1に所定サイズの開口径を作成するためにフォトリソグラフィを行った。クロム成膜した石英基板1aにフォトレジストをスピンコートし、プリベーク、ステッパーによる露光、周知の現像装置による現像を行い、フォトレジスト層3にピンホールを作製した。その後、クロム層2aをピンホールを介してエッチングすることにより、クロム層2aに石英基板1aのエッチング用のピンホールを作製した。さらにフォトレジスト層3がフッ酸HFに耐えられるように100°C窒素ガスオーブンにて2時間、フォトレジスト層3のポストベークを行った。4ウエットエッチング処理マスク層であるクロム層2aにピンホールを形成した石英基板1aをウエットエッチングして、非球面形状を有する凹型レンズ5を形成する。使用するエッチャントは、フッ酸水溶液と、混酸、純水の3種混合溶液である。混酸は、HY液といわれ、クロムのウエットエッチング水溶液であり、主成分は、硝酸ニセリウムアンモニウム13である。全溶液に対してフッ酸の濃度を25重量、混酸濃度を2重量とした。この溶液中に石英基板1aを浸漬することでウエットエッチングを行った。エッチング加工時間は60分で、加工終了後にリンスを行い、石英基板1aを乾燥し、ウエットエッチングを終了した。5マスク層剥離石英基板1a上のフォトレジスト層3を、アッシングにて剥離する。石英基板1aをアッシング装置のチャンバー内に載置し、4.0×10-4Torrまで排気し、その後電極パワーを1250W、酸素ガス供給量を100sccmとして1分間アッシングを行い、残存していたフォトレジスト層3を石英基板1a表面から除去した。その後、クロムウエットエッチング液に石英基板1aを浸漬し、石英基板1aの表面から残存していたクロム層2aを除去した後に、リンスおよび乾燥して光導波路コアクラッド構造に配置された凹型レンズの製作を終了した。6基板凹部への透明樹脂モールドマスク層2a剥離を行った石英基板1aの凹部に、例えば精密微細量の液状透明樹脂モールド装置を使用して、凹部内に石英基板1aよりも屈折率が大きい透明媒質を入れる工程を更に備えてもよい。実施例5の説明マイクロリアクターミキサー構造を基板内の所要部分に形成しかつマイクロレンズを当該マイクロリアクターミキサー構造の光導入部分に形成する被加工基板1を石英基板1a、エッチャントをフッ化水素酸、マスク層2をクロム層2a、エッチャントへの添加剤としてクロムウエットエッチング液を用いて、以下のプロセスにて、マイクロリアクターミキサーに配置された凹型レンズを作成した。基板洗浄石英基板1aを公知の手法にてキャロス洗浄し、続いてエキシマレーザを表面に照射して石英基板1a基板表面上の有機物を酸化、除去して石英基板1a表面を清浄化する。マスク層の成膜次に前工程の基板洗浄と連続して表面清浄のまま、インラインスパッタリング装置にて、クロム層2aを石英基板1a表面上に成膜する。クロム層2aの成膜条件は、成膜パワーである供給電力としてDC電力を3000W、スパッタリング装置のガス圧力を2.1×10-1Pa、Arガス供給量10sccmとし、クロムの成膜量は40nmである。ピンホール開口部形成石英基板1aに所定サイズの開口径ピンホールを形成するためにフォトリソグラフィを行った。クロム層2aを成膜した石英基板1aにフォトレジストをスピンコートし、100°C窒素ガスオーブンによるプリベーク、ステッパーによる露光、現像装置による現像を行い、フォトレジスト層3にピンホールを形成した。その後、クロム層2aをピンホールを介してエッチングすることにより、クロム層2aに石英基板1aのエッチング用のピンホールを形成した。さらにフォトレジスト層3がフッ酸HFに耐えられるように100°C窒素ガスオーブンにて2時間、フォトレジスト層3のポストベークを行った。4ウエットエッチング処理マスク層であるクロム層2aにピンホールを形成した石英基板1aをウエットエッチングして、非球面形状を有する凹型レンズ5を形成する。使用するエッチャントは、フッ酸水溶液と、混酸、純水の3種混合溶液である。混酸は、HY液といわれ、クロムのウエットエッチング水溶液であり、主成分は、硝酸ニセリウムアンモニウム13である。全溶液に対してフッ酸の濃度を25重量、混酸濃度を2重量とした。この溶液中に石英基板1aを浸漬することでウエットエッチングを行った。エッチング加工時間は90分で、加工終了後にリンスを行い、石英基板1aを乾燥し、ウエットエッチングを終了した。5マスク層剥離石英基板1a上のフォトレジスト層3を、アッシングにより剥離する。石英基板1aをアッシング装置のチャンバー内に載置し、4.0×10-4Torrまで排気し、その後電極パワーを1250W、酸素ガス供給量を100sccmとして1分間アッシングを行い、残存していたフォトレジスト層3を石英基板1a表面から除去した。その後、クロムウエットエッチング液に石英基板1aを浸漬し、石英基板1aの表面から残存していたクロム層2aを除去した後に、リンスおよび乾燥してマイクロリアクターミキサーに配置された凹型レンズの製作を終了した。実施例6~8に、マスク層の形成条件やエッチャントの濃度等エッチング条件を変化させた場合の本発明の実施例を示す。被加工基板1を石英基板1a、マスク層2をクロム層2a、エッチャントをフッ酸HF、添加剤としてのクロムウエットエッチング液をHY液として、以下の実験を行った。クロム層2aの形成は、周知のスパッタリング装置により、石英基板1aの表面にクロム層2aを形成する。なお石英基板1aは一定条件下で加熱されている。スパッタリング装置の成膜パワーとしての供給電力、チャンバー内のガス圧力、クロム層2aの厚さ、エッチャントのHF濃度、クロムウエットエッチング液である添加剤HY濃度の諸条件を変化させた場合の凹型レンズの凹部の石英基板1a表面の平面方向のエッチング量Xと深さ方向Yとを測定しX/Y比を求めた結果を図3~図5に示す。X/Y比の値が1を超えると浅いナベ形状の非球面の曲面の度合いが大きいこと、すなわち異方性のエッチングによる効果が大きいことを示す。実施例6の説明図3a、bは、スパッタリング条件の成膜パワーである供給電力を変化させることにより、石英基板1aへのクロム層2aの成膜条件を変化させた場合の、X/Y比である。図3cは、マスク層であるクロム層2aの開口部端部からの測定方法を示す図である。クロム層2aのウエットエッチング液は、この条件においては使用していないが、成膜パワーである供給電力が低い方が、X/Y比が大きくなる傾向、すなわち非球面の凹型レンズの凹部形成が行われる傾向が大であることがわかる。図4a、bは、成膜パワーを2000Wと一定にして、HY濃度を主に変化させた場合のX/Y比を求めた結果である。HY添加濃度が高くなると、X/Y比が高くなり、より非球面の凹型レンズの凹部形成が行われる傾向が大であることがわかる。実施例8の説明図5a、bは、HY濃度を2と一定にして、成膜パワーとHF濃度を変化させた場合のX/Yを求めた結果を示す。成膜パワーが低いとX/Yが高くなり、より非球面の凹型レンズの凹部形成が行われる傾向が大であることがわかる。別のエッチング条件に関する実験では、基板用のエッチャントであるHF濃度は5重量までであれば、低濃度ほど混合した添加剤HYの影響が出やすい傾向があること、基本的にHFは石英基板のエッチングのみに作用し、添加混合したHYは基板とクロム層との界面に影響して微小な隙間を形成して密着性を低減させるような剥離促進作用があることが過去の実験から判明している。このように本願発明における添加剤HYの濃度では、あくまでクロム層と基板との密着性に影響を与えるように顕著に作用する。石英基板用のエッチャントのHF濃度や添加剤であるクロム層のウエットエッチング剤のHY濃度を選択することにより、本発明に係る凹型レンズの非球面の凹部を形成する条件も種々の組み合わせを設定することが可能となる。