基板と、前記基板の上に配置される後面電極層と、前記後面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、前記光吸収層の横に配置され、前記後面電極層に接続されるバスバーと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記基板は、前記基板の外郭に対応する不活性領域と、前記不活性領域の内側に配置される活性領域と、を含み、前記バスバーは前記不活性領域に配置され、前記光吸収層及び前記ウィンドウ層は前記活性領域に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記後面電極層は、前記活性領域から前記不活性領域に延びる連結電極を含み、前記バスバーは前記連結電極に直接接続されることを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層の下面と前記バスバーの下面は同一な平面に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バスバーは前記後面電極層に直接接触することを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記後面電極層は第1金属を含み、前記バスバーは前記第1金属と異なる第2金属を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バスバーは互いに並んで配置される第1バスバー及び第2バスバーを含み、前記光吸収層及び前記ウィンドウ層は前記第1バスバー及び前記第2バスバーの間に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バスバーは前記ウィンドウ層の横に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。活性領域及び前記活性領域を囲む不活性領域を含む基板と、前記不活性領域に配置される第1バスバーと、前記活性領域に配置される第1セルと、前記第1バスバー及び前記第1セルを連結する第1連結電極と、を含み、前記第1セルは、前記基板の上に配置される第1後面電極と、前記第1後面電極の上に配置される第1光吸収部と、前記第1光吸収部の上に配置される第1ウィンドウと、を含み、前記第1連結電極は前記第1後面電極から前記不活性領域に延びることを特徴とする、太陽光発電装置。前記不活性領域に配置される第2バスバーと、前記活性領域に配置される第2セルと、前記第2バスバー及び前記第2セルを連結する第2連結電極と、を含むことを特徴とする、請求項9に記載の太陽光発電装置。前記第2セルは、前記基板の上に配置される第2後面電極と、前記第2後面電極の上に配置される第2光吸収部と、前記第2光吸収部の上に配置される第2ウィンドウと、を含み、前記第2連結電極は前記第2後面電極と同一な層に配置され、前記第2ウィンドウに連結されることを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記第1セル及び前記第2セルの間に配置される多数個の第3セルを含み、前記第1セル、前記第2セル、及び前記第3セルは互いに直列に連結されることを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記第1後面電極及び前記第1連結電極は互いに一体に形成されることを特徴とする、請求項11に記載の太陽光発電装置。基板の上に後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層の上にバスバーを形成するステップと、前記後面電極層の上に前記バスバーの横に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。前記バスバーを形成するステップは、前記後面電極層の上に導電物質を蒸着するステップを含むことを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記光吸収層を形成するステップは、前記バスバーを覆うマスクを提供するステップと、前記マスクが配置された状態で、前記光吸収層を形成するための物質を前記後面電極層の上に蒸着するステップと、を含むことを特徴とする、請求項15に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記ウィンドウ層を形成するステップは、前記マスクが配置された状態で、前記ウィンドウ層を形成するための物質を前記光吸収層の上に蒸着するステップを含むことを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、向上した発電効率を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される後面電極層、上記後面電極層の上に配置される光吸収層、上記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層、及び上記光吸収層の横に配置され、上記後面電極層に接続されるバスバーを含む。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置は、活性領域及び上記活性領域を囲む不活性領域を含む基板、上記不活性領域に配置される第1バスバー、上記活性領域に配置される第1セル、及び上記第1バスバー及び上記第1セルを連結する第1連結電極を含み、上記第1セルは上記基板の上に配置される第1後面電極、上記第1後面電極の上に配置される第1光吸収部、及び上記第1光吸収部の上に配置される第1ウィンドウを含み、上記第1連結電極は上記第1後面電極から上記不活性領域に延びる。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に後面電極層を形成するステップ、上記後面電極層の上にバスバーを形成するステップ、上記後面電極層の上に上記バスバーの横に光吸収層を形成するステップ、及び上記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置は、後面電極層に接続されるバスバーを含む。これによって、上記後面電極層及びバスバーの間の接続抵抗が減少する。したがって、後面電極層及びバスバーの間の電気的な損失が減少し、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有する。また、バスバーは金属などを含む後面電極層に接続されるので、バスバーが狭い幅を有してもバスバー及び後面電極層の間の接続特性は減少しない。したがって、バスバーの幅が小さくなる。また、バスバーは光吸収層の横、即ち、不活性領域に配置される。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置の有効面積が増加し、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した発電効率を有する。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張されることがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図である。図2は、図1でA-A’に沿って切断した断面を示す断面図である。図1及び図2を参照すると、実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板100、後面電極層200、第1バスバー11、第2バスバー12、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、及びウィンドウ層600を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記後面電極層200、上記第1バスバー11、上記第2バスバー12、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100は透明でありうる。上記支持基板100はリジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。上記支持基板100は、活性領域AR及び不活性領域NARを含む。即ち、上記支持基板100は、上記活性領域AR及び不活性領域NARに区分される。上記活性領域ARは、上記支持基板100の中央部分に定義される。上記活性領域ARは上記支持基板100の大部分の面積を占める。実施形態に従う太陽光発電装置は、上記活性領域ARで太陽光を電気エネルギーに変換させる。上記不活性領域NARは、上記活性領域ARの周囲を囲む。上記不活性領域NARは、上記支持基板100の外郭に対応する。上記不活性領域NARは、上記活性領域ARに比べて非常に小さい面積を有する。上記不活性領域NARは発電しない領域である。上記後面電極層200は、上記支持基板100の上に配置される。上記後面電極層200は導電層である。上記後面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどの金属が挙げられる。上記後面電極層200は、上記活性領域AR及び上記不活性領域NARに形成される。また、上記後面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成される。上記後面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は、上記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1の幅は約80μm乃至200μmである。上記第1貫通溝TH1により、上記後面電極層200は多数個の後面電極201、202、230、及び2つの連結電極210、220に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1により、上記後面電極201、202、230、第1連結電極210、及び第2連結電極220が定義される。上記後面電極層200は、上記後面電極201、202、230、上記第1連結電極210、及び上記第2連結電極220を含む。上記後面電極201、202、230は、上記活性領域ARに配置される。上記後面電極201、202、230は並んで配置される。上記後面電極201、202、230は、上記第1貫通溝TH1により互いに離隔する。上記後面電極201、202、230は、ストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記後面電極201、202、230はマトリックス形態に配置される。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。上記第1連結電極210及び上記第2連結電極220は、上記不活性領域NARに配置される。即ち、上記第1連結電極210及び上記第2連結電極220は、上記活性領域ARから上記不活性領域NARに延びる。より詳しくは、上記第1連結電極210は、上記第1セルC1のウィンドウ601と連結される。また、上記第2連結電極220は、第2セルC2の後面電極202から上記不活性領域NARに延びる。即ち、上記第2連結電極220は、上記第2セルC2の後面電極202と一体に形成される。上記第1バスバー11は、上記不活性領域NARに配置される。上記第1バスバー11は、上記後面電極層200の上に配置される。より詳しくは、上記第1バスバー11は、上記第1連結電極210の上に配置される。上記第1バスバー11は、上記第1連結電極210の上面に直接接触できる。上記第1バスバー11は、上記第1セルC1と並んで延びる。上記第1バスバー11は、上記支持基板100に形成されたホールを通じて、上記支持基板100の背面に延びる。上記第1バスバー11は、上記第1セルC1に接続される。より詳しくは、上記第1バスバー11は、上記第1連結電極210を通じて上記第1セルC1に接続される。上記第2バスバー12は、上記不活性領域NARに配置される。上記第2バスバー12は、上記後面電極層200の上に配置される。より詳しくは、上記第2バスバー12は、上記第2連結電極220の上に配置される。上記第2バスバー12は、上記第2連結電極220の上面に直接接触できる。上記第2バスバー12は、上記第2セルC2と並んで延びる。上記第2バスバー12は、上記支持基板100に形成されたホールを通じて、上記支持基板100の背面に延びる。上記第2バスバー12は、上記第2セルC2に接続される。より詳しくは、上記第2バスバー12は、上記第2連結電極220を通じて上記第2セルC2に接続される。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は互いに対向する。また、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は互いに対称する。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は導電体である。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、銀などの高い導電性を有する金属を含むことができる。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、追加的な配線などを通じて、隣接する太陽電池モジュールまたは蓄電池などに電気的に連結される。上記光吸収層300は、上記後面電極層200の上に配置される。また、上記光吸収層300に含まれた物質は、上記第1貫通溝TH1に詰められる。上記光吸収層300は、上記活性領域ARに配置される。より詳しくは、上記光吸収層300の外郭は、上記活性領域ARの外郭に対応する。上記光吸収層300は、I-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層400は、上記光吸収層300の上に配置される。また、上記バッファ層400は、上記活性領域ARの内に配置される。上記バッファ層400は、硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは、約2.2eV乃至2.4eVである。上記高抵抗バッファ層500は、上記バッファ層400の上に配置される。また、上記高抵抗バッファ層500は、上記活性領域ARの内に配置される。上記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500には、第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は、上記光吸収層300を貫通する。また、上記第2貫通溝TH2は、上記後面電極層200の上面を露出するオープン領域である。上記第2貫通溝TH2は、上記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、上記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、上記第1貫通溝TH1の横に形成される。上記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmである。また、上記光吸収層300は、上記第2貫通溝TH2により、多数個の光吸収部を定義する。即ち、上記光吸収層300は、上記第2貫通溝TH2により、上記光吸収部に区分される。また、上記バッファ層400は、上記第2貫通溝TH2により、多数個のバッファに区分される。同様に、上記高抵抗バッファ層500は、上記第2貫通溝TH2により、多数個の高抵抗バッファに区分される。上記ウィンドウ層600は、上記高抵抗バッファ層500の上に配置される。上記ウィンドウ層600は、上記活性領域ARに配置される。上記ウィンドウ層600は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記後面電極層200の抵抗より高い。例えば、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記後面電極層200の抵抗より約10倍乃至200倍大きいことがある。上記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層600は、ジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITO、またはインジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZOなどを含むことができる。また、上記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、またはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、上記ウィンドウ層600は、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムがドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。上記ウィンドウ層600の厚さは、約800nm乃至約1200nmである。上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600には、第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は、上記後面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、上記第3貫通溝TH3の幅は、約80μm乃至約200μmである。上記第3貫通溝TH3は、上記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は、上記第2貫通溝TH2の横に配置される。即ち、平面視して、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の横に並んで配置される。上記第3貫通溝TH3によって、上記ウィンドウ層600は多数個のウィンドウに区分される。即ち、上記ウィンドウは上記第3貫通溝TH3により定義される。上記ウィンドウは、上記後面電極201、202、230と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウはストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウはマトリックス形態に配置される。上記ウィンドウ層600は、上記第2貫通溝TH2に透明な導電物質が詰められて形成される多数個の接続部700を含む。また、上記第3貫通溝TH3によって、上記第1セルC1、上記第2セルC2、及び多数個の第3セルC3が定義される。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記第1セルC1、上記第2セルC2、及び上記第3セルC3が定義される。即ち、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記支持基板100の上に配置される上記第1セルC1、上記第2セルC2、及び上記第3セルC3を含む。上記第3セルC3は、上記第1セルC1及び上記第2セルC2の間に配置される。上記第1セルC1、上記第2セルC2、及び上記第3セルC3は互いに直列に連結される。上記第1セルC1は、上記支持基板100の上に順次に積層される後面電極201、光吸収部301、バッファ、高抵抗バッファ、及びウィンドウ601を含む。この際、上記第1セルC1のウィンドウ601は、接続部701及び上記第1連結電極210を通じて上記第1バスバー11に連結される。即ち、上記第1バスバー11は、上記第1連結電極210を通じて上記1セルに連結される。より詳しくは、上記第1バスバー11は、上記第1連結電極210を通じて上記第1セルC1のウィンドウ601と連結される。上記第2セルC2は、上記支持基板100の上に順次に積層される後面電極202、光吸収部302、バッファ、高抵抗バッファ、及びウィンドウ602を含む。この際、上記第2セルC2の後面電極202は、上記第2連結電極220を通じて上記第2バスバー12に連結される。即ち、上記第2バスバー12は、上記第2連結電極220を通じて上記第2セルC2に連結される。より詳しくは、上記第2バスバー12は、上記第2連結電極220を通じて上記第2セルC2の後面電極202と連結される。この際、上記第2セルC2の後面電極202は、上記第2連結電極220と一体に形成される。上記接続部700は、上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部700は、上記ウィンドウ層600から下方に延長され、上記後面電極層200に接続される。したがって、上記接続部700は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、上記接続部700は互いに隣接するセルに各々含まれたウィンドウと後面電極とを連結する。上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の外郭は実質的に一致することができる。即ち、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の外郭は互いに対応する。この際、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の外郭は、上記活性領域AR及び上記不活性領域NARの境界と一致することができる。したがって、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の横に配置される。即ち、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の側面を囲む。即ち、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記第1セルC1、上記第2セルC2、及び上記第3セルC3を囲む。また、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12の下面は、上記光吸収層300の下面と同一な平面に配置される。即ち、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12の下面は、上記後面電極層200の上面に接触し、上記光吸収層300の下面も上記後面電極層200の上面に接触する。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記後面電極層200に直接接触により接続できる。この際、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は銀などの金属を含み、同様に、上記後面電極層200もモリブデンなどの金属を含むことができる。即ち、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は金属を含み、上記後面電極層200も金属を含む。これによって、上記第1バスバー11及び上記後面電極層200の間及び上記第2バスバー12及び上記後面電極層200の間は金属対金属の接続特性を有する。これによって、上記第1バスバー11及び上記後面電極層200の間、及び上記第2バスバー12及び上記後面電極層200の間の接触特性が向上する。したがって、上記第1バスバー11及び上記後面電極層200の間、及び上記第2バスバー12及び上記後面電極層200の間の接続抵抗が減少し、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有することができる。また、上記第1バスバー11及び上記後面電極層200は高い接続特性を有し、上記第2バスバー12及び上記後面電極層200も高い接続特性を有するため、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は狭い平面積を有することができる。即ち、上記第1バスバー11及び上記後面電極層200の接触面積が小さくても、上記第1バスバー11は上記後面電極層200に効果的に接続される。上記第2バスバー12も同様である。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、実際的に太陽光発電に寄与する部分でない。前述したように、実施形態に従う太陽光発電装置は、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12の面積、即ち、実際的に太陽光発電に寄与しない部分の面積を縮めることができる。また、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記不活性領域NARに配置される。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、バスバーが活性領域ARに配置される場合より効率的に太陽光の入射を受けることができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は、より多い量の太陽光を電気エネルギーに変換させることができる。図3乃至図10は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考にする。即ち、前述した太陽光発電装置に対する説明は本製造方法に対する説明に本質的に結合できる。図3を参照すると、支持基板100の上に後面電極層200が形成され、上記後面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、上記支持基板100の上に多数個の後面電極201、202、230、第1連結電極210、及び第2連結電極220が形成される。上記後面電極層200はレーザーによりパターニングされる。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、上記支持基板100及び上記後面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介されることができ、この際、上記第1貫通溝TH1は上記追加的な層の上面を露出するようになる。図4及び図5を参照すると、上記後面電極層200の上に第1バスバー11及び第2バスバー12が形成される。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、上記支持基板100の外郭に沿って形成される。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12の一部は、上記第1連結電極210及び上記第2連結電極220の上に各々形成される。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12を形成するために、上記第1連結電極210及び上記第2連結電極220の上に、及び上記支持基板100の上に導電性ペーストがプリントされる。より詳しくは、上記導電性ペーストは上記支持基板100に形成される貫通ホール101までプリントされる。以後、上記プリントされた導電性ペーストは熱処理され、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12が形成される。これとは異なり、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12は、真空蒸着方式により形成される。即ち、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12に対応する透過部を含む蒸着マスク20が上記支持基板100の上に配置される。以後、上記蒸着マスク20を通じて、上記後面電極層200及び上記支持基板100の上に導電性物質が蒸着される。これによって、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12が形成される。以後、図6及び図7を参照すると、上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12を覆うマスク20が上記支持基板100の上に配置される。上記マスク20は、上記支持基板100の外郭を覆う。上記マスク20は平面視して、環状を有することができる。上記マスク20は、中央部分に形成された透過領域を含む。図面では、上記マスク20は上記支持基板100から離隔されたものと図示されているが、これに限定されず、上記マスク20は上記支持基板100に密着される。上記マスク20によって、活性領域AR及び不活性領域NARが定義される。即ち、上記透過領域に対応する部分が上記活性領域ARに対応し、環状の非透過領域が上記不活性領域NARに対応する。図8を参照すると、上記後面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500は、上記マスク20を使用する蒸着工程により形成される。これによって、上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500は、上記活性領域ARに形成される。上記光吸収層300は、上記支持基板100に上記マスク20が取り付けられた状態でスパッタリング工程または蒸発法などにより形成される。例えば、上記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションSelenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションすることを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、上記後面電極層200の上に金属プリカーソル膜が形成される。以後、上記金属プリカーソル膜はセレニゼーションselenization工程により銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレニゼーション工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレニゼーション工程により、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成される。以後、上記マスク20が取り付けられた状態で、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層400が形成される。以後、上記マスク20が取り付けられた状態で、上記バッファ層400の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層500が形成される。上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層400及び上記高抵抗バッファ層500の厚さは、約1nm乃至約80nmである。以後、上記光吸収層300、上記バッファ層400、及び上記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は、チップなどの機械的な装置、またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップにより、上記光吸収層300及び上記バッファ層400がパターニングされる。また、上記第2貫通溝TH2は約200乃至600nmの波長を有するレーザーにより形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmである。また、上記第2貫通溝TH2は、上記後面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図9を参照すると、上記マスク20が取り付けられた状態で、上記光吸収層300の上、及び上記第2貫通溝TH2の内側にウィンドウ層600が形成される。即ち、上記ウィンドウ層600は、上記高抵抗バッファ層500の上、及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記透明な導電物質が詰められ、上記ウィンドウ層600は上記後面電極層200に直接接触するようになる。図10を参照すると、上記マスク20が除去され、上記光吸収層300、上記バッファ層400、上記高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、上記ウィンドウ層600はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び第1セルC1、第2セルC2、及び第3セルC3が定義される。上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmである。以上のように、実施形態に従う太陽光発電装置が形成される。上記第1バスバー11及び上記第2バスバー12が上記後面電極層200に接続されるように、上記光吸収層300より先に形成される。これによって、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有し、高い光-電変換効率を有することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。