"基板に結晶軸反転領域を周期的に形成した擬似位相整合素子を製造する方法であって、前記基板に当接する凸部を周期的に形成した対をなす荷重付与治具を、一方の荷重付与治具に形成した凸部間に他方の荷重付与治具に形成した凸部が位置するように、前記基板を挟んで対向配置し、所定温度に加熱したこれら対をなす荷重付与治具で、前記基板を挟んで基板に曲げ応力を与えることで、基板に結晶軸反転領域を周期的に形成することを特徴とする擬似位相整合素子の製造方法。前記荷重付与治具に形成する凸部は、山型であることを特徴とする請求項1に記載の擬似位相整合素子の製造方法。前記基板が、ドフィーネ双晶を形成する誘電体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の擬似位相整合素子の製造方法。基板に結晶軸反転領域を周期的に形成した擬似位相整合素子であって、請求項1~3の何れかに記載の方法により製造したことを特徴とする擬似位相整合素子。本発明が解決しようとする問題点は、特許文献1、2に記載された方法では、製造に大きな力が必要であり、かつ、所望の波長に応じた所定形状の結晶軸反転領域を得るには、基板に施す応力の印加精度や段差の製作精度を高くする必要があるという点である。また、特許文献3に記載された方法では、変換する波長ごとに転写型を用意する必要があるという点である。本発明の擬似位相整合素子の製造方法は、基板に結晶軸反転領域を周期的に形成した擬似位相整合素子を製造する際に、使用する治具の精度を必要以上に高くしなくても、基板を均一に負荷することができるようにするために、前記基板に当接する凸部を周期的に形成した対をなす荷重付与治具を、一方の荷重付与治具に形成した凸部間に他方の荷重付与治具に形成した凸部が位置するように、前記基板を挟んで対向配置し、所定温度に加熱したこれら対をなす荷重付与治具で、前記基板を挟んで基板に曲げ応力を与えることで、基板に結晶軸反転領域を周期的に形成することを最も主要な特徴としている。上記の本発明では、一方の荷重付与治具に形成した凸部間に他方の荷重付与治具に形成した凸部を位置させた対をなす荷重付与治具で、基板を挟んで基板に荷重を付与するので、基板を挟む両側の荷重付与治具による荷重負荷点が同一線上になく、基板に曲げ応力が作用するようになる。従って、荷重付与治具の凸部の製作精度を必要以上に高くしなくても、基板に均一の荷重を付与することができる。また、一方が平面形状の治具を用いて荷重を付与して、基板に圧縮荷重を作用させる従来方法と比べ、小さい荷重で基板に結晶軸反転領域を周期的に形成することができる。本発明では、一方の荷重付与治具に形成した凸部間に他方の荷重付与治具に形成した凸部を位置させた状態で基板に荷重を付与するので、基板に曲げ応力が作用し、前記凸部を高い精度で製作しなくても、基板に均一の荷重を付与することができる。また、基板への結晶軸反転領域の形成が、一方が平面形状の治具を用いて荷重を付与して、基板に垂直方向の圧縮荷重を作用させる従来方法と比べて、小さい荷重で行うことができるのと共に、反転領域の面方向の拡がりを抑え、かつ、直線的な反転領域の境界を形成することができる。本発明では、使用する治具の精度を必要以上に高くしなくても、基板を均一に負荷するという目的を、一方の荷重付与治具に形成した凸部間に他方の荷重付与治具に形成した凸部を位置させることで実現した。以下、本発明を実施するための形態を、図1を用いて詳細に説明する。図1は本発明の擬似位相整合素子の製造方法を説明する図である。図1において、31は、α-石英からβ-石英ヘの分極反転温度が1atmの場合に573°Cである、例えば厚さが1mmのドフィーネ双晶ツインを形成し得る誘電体、具体的には水晶等の基板である。本発明方法では、この基板31に結晶軸反転領域を周期的に形成した本発明の擬似位相整合素子を、以下のようにして製造する。32a,32bは前記基板31の表裏面に当接させて基板31を負荷する、例えば頂角が60°で、頂点のRアールが5μmの山型の凸部32aa,32baを、例えば9μmの同一周期で形成した対をなす荷重付与治具である。前記基板31のモース硬度が7であることから、モース硬度が6のステンレスによって製作している。前記対をなす荷重付与治具32a,32bは、図1に示すように、一方の荷重付与治具32aに形成した凸部32aaの中間位置に、他方の荷重付与治具32bに形成した凸部32baが位置するように、前記基板31を挟んで対向配置する。そして、図示省略した加熱制御装置により例えば573°Cに加熱したこれら対をなす荷重付与治具32a,32bで、前記基板31を表裏面から挟み、基板31の前記凸部32aa,32baが当接する位置に最大主応力が40N/mm2の曲げ応力を10分間与える。これにより、基板31の前記凸部32aa,32baが当接する9μmの周期で、双晶間で極性軸の反転が起こり、この双晶の周期配列で擬似位相整合を実現することができる。また、外部応力に対して2つの双晶間に弾性エネルギー差が生じるため、適切な結晶方位を選んで応力を印加することで、人工的に双晶、すなわち結晶軸反転領域を形成することができる。つまり、本発明方法では、結晶軸を反転させたい領域により、荷重付与治具32a,32bに形成する凸部32aa,32baの周期を決定する。上記本発明によれば、基板31を挟む両側の荷重付与治具32a,32bによる荷重負荷点が同一線上になく、基板に曲げ応力が作用するようになる。従って、荷重付与治具32a,32bに形成する凸部32aa,32baの製作精度を必要以上に高くしなくても、基板31に均一の荷重を付与することができる。また、一方が平面形状の治具を用いて荷重を付与して、基板に圧縮荷重を作用させる従来方法と比べ、小さい荷重で基板31に結晶軸反転領域を周期的に形成することができる。ちなみに、特許文献1、2で提案された従来方法により上記実施例と同じ基板に同様の結晶軸反転領域を形成する場合は、本発明方法の5倍の200N/mm2の曲げ応力を与える必要がある。なお、基板31の材質が異なる場合は、荷重付与治具32a,32bの加熱温度は当該基板31の分極反転温度とすることは言うまでもない。また、基板31の厚さが異なる場合も基板31に付加する最大主応力や負荷時間も最適に決定すべきことは言うまでもない。発明者らの実験によれば、水晶の基板31の場合、荷重付与治具32a,32bの加熱温度は400~650°Cの範囲、また基板31に負荷する最大主応力は20~100N/mm2、負荷時間は5~15分間の範囲で適宜決定することにより、結晶軸反転領域を形成することができた。本発明は、前記の例に限るものではなく、各請求項に記載の技術的思想の範疇であれば、適宜実施の形態を変更しても良いことは言うまでもない。例えば、荷重付与治具32a,32bに形成する凸部32aa,32baの形状は、付加する荷重を小さくする観点からは、図1に示したような山型とすることが望ましい。しかしながら、基板31を挟む凸部32aa,32baの間で圧縮応力を生じない周期的な配置であれば、図2に示すような側面視矩形状等、どのような形状でも良い。"