"中空のディスク形状の化学気相蒸着装置用サセプタにおいて、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、前記複数のポケットに流動ガスを供給するように、前記サセプタの内部に形成されたサセプタ流路とを含み、前記サセプタ流路の流動ガスの流入口は、前記中空側に設けられたサセプタ。前記サセプタ流路は、前記流入口から前記ポケットの下部まで直線状に延び、前記ポケットの下部で、前記ポケット上の流動ガスの流出口側に折れ曲がることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。中空のディスク形状の化学気相蒸着装置用サセプタにおいて、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、前記複数のポケットに流動ガスを供給するように、前記サセプタの内部に形成されたサセプタ流路とを含み、前記サセプタ流路の流動ガスの流入口は、前記サセプタの下面に設けられ、前記流入口に対応する位置には、補強部が設けられたサセプタ。前記流入口は、前記ディスク形状の中心を中心とした円周上に配され、前記補強部は、前記サセプタの上面の前記サセプタ流路の流入口に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されたことを特徴とする請求項3に記載のサセプタ。前記補強部は、前記サセプタの本体が突出して一体に形成されたことを特徴とする請求項3または請求項4に記載のサセプタ。前記複数のポケットは、互いに離隔して設けられ、前記複数のポケットそれぞれの個別のエッジは連続的であることを特徴とする請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載のサセプタ。前記複数のポケットは、互いに接するように設けられ、前記複数のポケットそれぞれの個別のエッジは不連続的であり、少なくとも前記エッジの不連続部位は、ラウンド形状の横断面を有したことを特徴とする請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載のサセプタ。前記エッジのラウンド形状は、曲率半径が0.7mmから1.3mmであることを特徴とする請求項7に記載のサセプタ。前記サセプタの本体は、硬度強化コーティングされたことを特徴とする請求項1から請求項8のうち、いずれか1項に記載のサセプタ。前記サセプタの本体は、グラファイトにシリコンカーバイドがコーティングされて形成されたことを特徴とする請求項9に記載のサセプタ。請求項1から請求項10のうち、いずれか1項に記載のサセプタと、前記サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつ、前記サセプタを支持する支持部と、を含む化学気相蒸着装置。本発明は、サセプタの構造を改善し、耐久性を向上させたサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置を提供するものである。一類型による化学気相蒸着装置用サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、中空側に設けられる。このとき、サセプタ流路は、流入口からポケットの下部まで直線に長く延び、ポケットの下部で、ポケット上の流出口側に曲がっている。他の類型による化学気相蒸着装置用サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、サセプタの下面に設けられ、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置には、補強部が設けられる。このとき、サセプタ流路の流入口は、ディスク形状の中心を基準に円周上に配され、補強部は、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。補強部は、サセプタの本体が突出して一体に形成されうる。複数のポケットは、互いに離隔して設けられ、複数のポケットそれぞれのエッジが連続して形成されうる。複数のポケットは、互いに接するように設けられ、複数のポケットそれぞれのエッジが不連続的であり、少なくともエッジの不連続部位は、ラウンド形状の横断面を有することができる。このとき、エッジのラウンド形状は、曲率半径が0.7mmから1.3mmでありうる。サセプタの本体は、硬度強化コーティングされうる。このとき、サセプタの本体は、グラファイトにシリコンカーバイドがコーティングされて形成されうる。他の類型による化学気相蒸着装置は、中空が設けられたディスク形状のサセプタと、サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつサセプタを支持する支持部と、を含み、サセプタは、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、中空側に設けられ、支持部が流動ガスをサセプタの中空側から注入する。サセプタ流路は、流入口からポケットの下部まで直線に長く延び、ポケットの下部で、ポケット上の流出口側に曲がっている。さらに他の類型による化学気相蒸着装置は、中空が設けられたディスク形状のサセプタと、サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつサセプタを支持する支持部と、を含み、サセプタは、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、サセプタの下面に設けられ、支持部が流動ガスをサセプタの下部側から注入して、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置には、補強部が設けられる。サセプタ流路の流入口は、ディスク形状の中心を基準に円周上に配され、補強部は、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。本発明によるサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置は、次のような効果がある。第一に、サセプタのガス流路構造を改善し、サセプタの流動ガスの流入口部位の破損を防止することができる。第二に、サセプタのポケット外郭部分の構造を改善し、サセプタのポケット周囲の破損を防止することができる。第三に、サセプタの寿命を長く確保し、生産性及び蒸着品質を向上させることができる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の実施形態について詳細に説明する。図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を指し、各構成要素のサイズや厚さは、説明の明瞭性のためで誇張されていることがある。図1は、本発明の一実施形態による化学気相蒸着装置を概略的に図示した断面図であり、図2は、図1の化学気相蒸着装置のサセプタと、この結合部とを概略的に図示した断面斜視図である。図1及び図2を参照すれば、本実施形態の化学気相蒸着装置100は、サセプタ110;サセプタ110を、流動ガスG1を注入しつつ支持する支持部130,140,150;サセプタ110を加熱するヒータ175;反応ガスG2を供給する反応ガス注入部180;サセプタ110と、反応ガス注入部180のノズル185とを収容するチャンバ190;チャンバ190内の流動ガスG1及び反応ガスG2を排出させるガス排気部195;を含む。サセプタ110は、中空110aが設けられたディスク形状を有する。サセプタ110の上面には、複数のポケット111が設けられる。複数のポケット111は、図5に図示されるように、サセプタ110の中心を基準に、円周上に等間隔で離隔して配列されうる。図2は、ポケット111が6つ設けられた場合を図示しており、図5は、ポケット111が8つ設けられた場合を図示しているが、これは単なる例示であり、ポケット111の個数は、サセプタ100のサイズ及びポケット111のサイズによって変わりうる。場合により、複数のポケット111は、複列に配列されもする。ポケット111それぞれは、サセプタ110の上面から所定深さ凹状に入った溝部recessである。このようなポケット111には、サテライトディスク120が収容される。ポケット111の中心部111a図5には、サテライトディスク120が回転するときに離脱しないように、基準になる突出部が設けられうる。ポケット111の底には、流動ガスが放出できる、少なくとも1つの流動ガスG1の流出口115bが設けられる。流出口115bから放出された流動ガスG1によるクッション作用により、サテライトディスク120の回転時、サテライトディスク120とポケット111の底との摩擦力は、無視されうるほどに小さくなりうる。また、ポケット111の底には、流出口115bから放出された流動ガスG1が、所定方向に回転して進むことができるパターンが形成され、サテライトディスク120を回転させる。サテライトディスク120には、ウェーハのような被蒸着体が置かれる。被蒸着体が動かないように、サテライトディスク120の外郭には、リムrim図示せずが設けられうる。サセプタ110の内部には、複数のポケット111に流動ガスG1を供給するサセプタ流路115が形成される。サセプタ流路115の流入口115aは、サセプタ110の中空110a側に設けられる。一方サセプタ流路115の流出口115bは、ポケット111の底に設けられる。ポケット111が複数個あるので、サセプタ流路115は、ポケット111の個数に対応するように設けられうる。1つのサセプタ流路115が、複数の流出口115bに分岐されている。サセプタ流路115の流入口115aは、サセプタ110の中空110a側に設けられるので、サセプタ流路115は、流入口115aから前記ポケット111下部まで直線に長く延び、前記ポケット111の下部で、前記ポケット111上の流出口115b側に折り曲がる。一方、サセプタ110の材質は、サテライトディスク120上に置かれる被蒸着体を加熱する方式によって変わりうる。誘導加熱inductionheating式である場合、サセプタ110は、誘導加熱によって加熱されうる物質でありうる。例えば、サセプタ110は、グラファイトから形成されうる。サセプタ110の耐久性を強化させるために、サセプタ110に硬度強化コーティングが施される。例えば、サセプタ110は、グラファイトシリコンカーバイドSiCがコーティングされて形成されうる。サセプタ110は、自体が加熱されることによって、被蒸着体の加熱を行うので、熱衝撃による破損の危険性があり、本実施形態は、後述するところのように構造を改善して、かような破損の危険性を軽くする。サセプタ110を支持する支持部は、サセプタ110の下部に位置する支持ディスク130と、サセプタ110の上部に位置する上部結合板140と、支持ディスク130に結合されて回転軸になる支持チューブ150と、を含むことができる。上部結合板140と支持ディスク130は、公知の締結手段によって締結され、その間に挿入されるサセプタ110は、支持ディスク130に対して固定されることになる。支持ディスク130は、支持チューブ150に結合され、支持チューブ150は、流動ガス注入部160に連結される。一方、支持ディスク130には、流動ガスG1の通路になる支持ディスク流路135が設けられる。支持ディスク流路135は、支持チューブ150の支持チューブ流路155に連結され、支持ディスク流路135の流出口135aは、支持ディスク130の外周面に設けられる。支持ディスク130の一部が、サセプタ110の中空110aに挿入されれば、支持ディスク流路135の流出口135aは、サセプタ流路115の流入口115aと対向する。図2は、ディスク流路135の流出口135aと、サセプタ流路115の流入口115aとが、一対一対応すると図示されているが、これに限定されるものではない。他の例で、サセプタ流路115の流入口115aのうち隣接した流入口115a同士互いに連結され、1つのディスク流路135の流出口135aに連結されもする。支持ディスク130の材質は、制限されるものではない。例えば、支持ディスク130は、金属によって形成されうる。支持チューブ150は、中空軸hollowshaftやロッドrodでありうる。支持チューブ150には、支持チューブ流路155が設けられ、流動ガス注入部160の注入部流路165と、支持チューブ150の支持チューブ流路155とを連結する。流動ガス注入部160は、流動ガス供給ライン169と連結され、流動ガスG1を支持チューブ150の支持チューブ流路155に注入し、また、駆動モータ170の回転力を支持チューブ150に伝達する。このとき、チャンバ190内の気密性を維持するために、流動ガス注入部160の回転部位とチャンバ190との間の間隙には、磁性流体シールferrofluidsealが使われうる。一方、流動ガスG1としては、窒素などが利用され、流動ガス供給ライン169に供給される流動ガスG1の流量を調節し、サテライトディスク120の回転を能動的に制御することができる。さらに、複数のポケット111に対して、それぞれに対して、あるいはいくつかのまとまりに供給される流動ガスG1の流量を調節し、ポケット111別に、サテライトディスク120の回転を制御する。ヒータ175は、サセプタ110を所定の温度に加熱する。ヒータ175は、サセプタ110を数百°Cから1,000°C以上に加熱することができる。一例として、GaN系成長層を形成する場合、700~1,300°Cほどに加熱することができる。ヒータ175は、高周波電流が印加されるコイルであって、この場合、サセプタ110は、誘導加熱方式で加熱されうる。他の例で、ヒータ175は、抵抗発熱する導線でありうる。反応ガス注入部180は、被蒸着体に蒸着させようとするソースガスsourcegasとキャリアガスcarriergasとを含む反応ガスG2を供給する装置である。反応ガス注入部180のノズル185は、チャンバ190に露出され、ノズル185のノズル孔185aを介して、反応ガスG2を放出する。高温に加熱されたサセプタ110によって、被蒸着体は高温を維持し、被蒸着体の上部面は、反応ガスG2に触れて化学的蒸着反応を起こす。かかる化学的蒸着反応によって、ウェーハのような被蒸着体には、GaN系化合物のような所定の物質が結晶成長される。チャンバ190は、サセプタ110と、反応ガス注入部180のノズル185とを収容するものであり、蒸着工程時に密閉され、被蒸着体を交換するために開かれる。ガス排気部195は、チャンバ190内の流動ガスG1及び反応ガスG2を排出させる。次に、本実施形態の化学気相蒸着装置100について、比較例と比較しつつ、改善された点について説明する。図3は、比較例でのサセプタ210を図示し、図4は、比較例のサセプタで発生する破損現象について説明する。比較例のサセプタ210は、商用化された製品の一例である。図3と図4とを参照すれば、比較例のサセプタ流路215は、流入口215aがサセプタ210の下部に設けられるので、サセプタ流路215の経路は、サセプタ210の下部から上方に向かっていて、水平方向に折れ曲がり、ポケットの下部で、再び上方に折れ曲がる。サセプタ210は、硬度強化のために、グラファイト層211に、シリコンカーバイド層212で硬度強化コーティングを施す。ところで、サセプタ流路215の経路が、流入口215aの近く215bで直角に折れ曲がる部位があるので、支持チューブ250から注入される流動ガスG1によって、直角に折れ曲がる部分は、持続的に衝撃を受ける。一方、サセプタ210は、蒸着のために、たとえば1,000~1,300°Cほどに加熱される一方、流動ガスG1は、たとえば常温ほどの低温度に注入される。従って、サセプタ流路215の経路のうち、流入口215aの近く215bで直角に折れ曲がる部位は、持続的な熱衝撃を受けるので、サセプタ210の硬度強化のために、グラファイト層211に、シリコンカーバイド層212で硬度強化コーティングを施しているにもかかわらず、サセプタ流路215の経路のうち流入口215aの近辺215bで直角に折れ曲がる部位は、破損現象が発生する。かような破損現象によって、比較例のサセプタ210は、20~30回ほど使用すれば、寿命が尽き、比較的高価なサセプタ210の頻繁な交換により、製造コストが上昇する。一方、本実施形態のサセプタ流路115の経路は、比較例のサセプタ流路215の経路と異なる。すなわち、本実施形態のサセプタ流路115は、流動ガスG1は、水平注入構造を有する。すなわち、流入口115aが、サセプタ110の中空110a側に設けられるので、サセプタ流路115の経路は、流入口115aからポケット111の下部までは、直線である。従って、前述の比較例のような熱衝撃がなくなるので、流入口115a近くでの破損現象が発生しない。前記の通り、本実施形態のサセプタ110は、流入口115a近くでの破損現象を抑制することによって、比較例のサセプタ210に比べて、寿命が大幅に延び、本実施形態のサセプタ110を採用する化学気相蒸着装置100は、製造コストを節減させることができる。さらに、本実施形態のサセプタ110は、図5に図示されているように、ポケット111が互いに離隔されて配される。ポケット111は、サセプタ110の上面から凹状に掘り込まれて形成されるので、ポケット111それぞれの外郭は段差になり、エッジが形成される。図1を参照して説明したように、反応ガスG2が、反応ガス注入部180のノズル185を介してチャンバ190内部に注入し、反応ガスG2は、サテライトディスク120上に置かれた被蒸着体の上部面を過ぎる。ところで、かような反応ガスG2は、サテライトディスク120が定着するポケット111外郭のエッジに持続的に触れる。ところで、サセプタ110は、被蒸着体を加熱させるために、熱く熱せられるので、ポケット111外郭のエッジは、反応ガスG2によって、持続的に熱衝撃を受ける。従来の商用化されたサセプタは、同一面積内に被蒸着体が最大限多く配されうるように、ポケットが互いに接するように配され、従って、ポケット外郭のエッジの一部が不連続に形成される。このように途切れたエッジは、その幅が非常に狭いので、反応ガスG2による熱衝撃によって破損現象がたびたび起こる。このように、エッジの一部が破損すれば、サテライトディスクの回転時に振動などが発生し、本来の位置から外れるようになるので、サセプタ自体をそれ以上使用できなくなる。本実施形態は、従来の商用化されたサセプタと異なり、ポケット111が互いに離隔されており、ポケット111外郭のエッジが円形に連続的につながるように形成される。従って、ポケット111間の最隣接地点112でのエッジも、反応ガスG2による熱衝撃にもかかわらず、その形状を維持し続け、サセプタ110の寿命を大幅に向上させることができる。なお、エッジが連続的であるとは、複数のポケット111を個別にみた場合に、個別のポケット111のエッジに切れ目がない状態を指している。一方、エッジが不連続的であるとは、複数のポケット111を個別にみた場合に、個別のポケット111のエッジにつながっていない箇所のある状態を指している。しかし、本発明の化学気相蒸着装置は、前記の通り、ポケット111が互いに離隔されている構造に限定されるものではない。図6は、図1の化学気相蒸着装置のサセプタの一変形例を図示した断面斜視図であり、図7は、図6の化学気相蒸着装置のサセプタを図示した平面図であり、図8は、図7で、C-C線に沿って切開した断面図である。図6から図8を参照すれば、本変形例のサセプタ310は、ポケット311が互いに接するように配される。すなわち、図7に図示されるように、複数のポケット311は、サセプタ310のディスク形状の中心を基準に、円周上に互いに接するように配されうる。この場合、接した部分では、ポケット311間で互いに通じるようになっており、ポケット311それぞれの外郭エッジは、接した部分例えば、図6のB領域で切れる。このように切れた部分の段差部312は、前述のように、反応ガスG2による熱衝撃に脆弱でありうる。このために、本変形例のサセプタ310は、少なくとも切れた部分の段差部312のエッジに対してラウンド加工を施すことにより、反応ガスG2がエッジで衝突せず、滑らかな段差部312の表面に乗って流れるようにすることによって、段差部312での破損現象を大幅に減らす。たとえば、エッジに対するラウンド加工が0.5mmの曲率半径によってなされた場合に比べて、1mmの曲率半径によってなされた場合、寿命は、2倍以上延長される。これにより、本変形例のサセプタ310は、エッジに対して、ほぼ1±0.3mmほどの曲率半径でラウンド加工を行う。すなわち、エッジのラウンド形状は、曲率半径が0.7mmから1.3mmでありうる。かようなラウンド加工は、段差部312のエッジに限定されるものではなく、ポケット311それぞれの外郭エッジ全域に対しても、いずれもなされうる。図9は、本発明の他の実施形態による化学気相蒸着装置400を概略的に図示した断面図であり、図10は、図9の化学気相蒸着装置400のサセプタ410と、この支持部430,440,150とを概略的に図示した断面斜視図である。図9及び図10を参照すれば、本実施形態の化学気相蒸着装置400は、サセプタ410;サセプタ410を、流動ガスG1を注入しつつ支持する支持部430,440,150;サセプタ410を加熱するヒータ175;反応ガスG2を供給する反応ガス注入部180;サセプタ410と反応ガス注入部180のノズル185とを収容するチャンバ190;チャンバ190内の流動ガスG1及び反応ガスG2を排出させるガス排気部195;を含む。本実施形態のサセプタ410の場合、サセプタ流路415の流入口415aが、サセプタ410の下部に位置する。これにより、サセプタ流路415の経路は、サセプタ410の下部から上方に向かっていて、水平方向に折れ曲がり、ポケット411の下部で、再び上方に折れ曲がる。これにより、サセプタ流路415と連結される支持ディスク430の支持ディスク流路435の流出口435aは、支持ディスク430の上方外郭に設けられる。参照番号415bは、サセプタ流路415の流出口を示す。前述のように、サセプタ流路415の流入口415a側からサセプタ流路415の経路が折れ曲がれば、サセプタ410が破損される危険性が増す。このために、本実施形態のサセプタ410は、サセプタ410に補強部417を設け、かような破損の危険性を軽減させる。補強部417は、サセプタ流路415の流入口415aが形成された位置に対応するサセプタ410の上面に設けられる。本実施形態で、サセプタ流路415の流入口415aは、サセプタ410のディスク形状の中心を基準に、円周上に配され、これに対応して補強部417は、サセプタ410の上部面に、サセプタ流路415の流入口415aが位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。かような補強部417は、サセプタ410の本体が突出して一体に形成されうる。場合によっては補強部417は、別個の物質がサセプタ410の上部に付着されてなることもある。さらに補強部417は、サセプタ流路415の流入口415aの各対応位置ごとに、個別的に設けられもする。このとき、補強部417の高さは、反応ガス注入部180のノズル185から放出された反応ガスG2の流れを妨害しないほどに設計されうる。サセプタ410は、グラファイト層にシリコンカーバイドがコーティングされて形成されもする。この場合、補強部417は、グラファイト層の一部が突出して形成され、補強部417が形成されたグラファイト層にシリコンカーバイドコーティングを施すことができる。場合によっては、サセプタ410の上部面を平坦化させるために、平坦層がさらに設けられることもある。サセプタ410を、グラファイト層にシリコンカーバイドコーティングを施して形成した場合、サセプタ410の上部面を、CMPchemicalmechanicalpolishingやラッピングなどで平坦化させることもできる。サセプタ410と、サセプタ410を支持する支持部430,440,150の流路構造とを除いては、図1及び図2を参照して説明した化学気相蒸着装置100と実質的に同一である。さらに、図6から図8を参照して説明した変形例を含んで述べた実施形態での変形例をそのまま適用でき、これに係わる説明は省略する。前述の本発明であるサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置は、理解を助けるために図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決まるものである。"