モータの回転軸に固定される下部接続部と、前記下部接続部上に固定される上部接続部と、前記上部接続部上に固定されて被処理基板を支持するボートとを有する上下移動可能な回転構造と、前記回転構造を収容する反応室を形成する反応室形成部と、を備え、前記上部接続部を前記下部接続部の熱膨張率と前記ボートの熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置であって、前記上部接続部は、前記反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされていることを特徴とする半導体製造装置。前記コーティング膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記コーティング膜は、Al2O3であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記コーティング膜は、CVD法によって形成された膜であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の半導体製造装置。前記反応室形成部およびボートは、石英で構成され、前記下部接続部は、金属で構成され、前記上部接続部は、窒化シリコンで構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の半導体製造装置。前記クリーニングガスは、ハロゲン系ガスを含むガスであり、前記反応ガスはシラン系ガスを含むガスであることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の半導体製造装置。一つの実施形態は、クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供することを目的とする。一つの実施形態によれば、モータの回転軸に固定される下部接続部と、下部接続部上に固定される上部接続部と、上部接続部上に固定されて被処理基板を支持するボートとを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応室形成部と、を備え、上部接続部を下部接続部の熱膨張率とボートの熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態の半導体製造装置の構成を模式的に示す断面図である。半導体製造装置は、反応管1、ボート2、ボートキャップ3、上部接続部4、下部接続部5、モータ6、エレベータ7及びヒータ8を含む縦型反応炉を備えている。縦型反応炉は、ボート2に載置された複数の被処理基板10を円筒状の反応管1に収容し、反応管1の内部に反応ガスを供給して成膜処理を施す装置である。反応管1およびボートキャップ3によって反応室を形成する反応室形成部が構成されている。反応管1、ボート2及びボートキャップ3は、反応ガスやクリーニングガスに腐食されない換言すると、反応ガスやクリーニングガスとの反応性が低い材料で形成されている。例えば、反応管1、ボート2及びボートキャップ3は、反応ガスがジクロロシランやシラン等のシラン系ガス、クリーニングガスがハロゲン系のガスである場合には、例えば、石英を材料として形成される。ボート2は、基台部2aおよび支持柱部2bを有し、支持柱部2bに被処理基板10がセットされる。ボート2の基台部2aは、モータ6の軸に接続された下部接続部5に上部接続部4を介して連結されており、モータ6の駆動によって反応管1内で回転する。これにより、反応炉内部での円周方向の温度不均一性やガス濃度の不均一性を緩和し、膜厚や品質が回転方向に関して均一になるようにしている。モータ6の回転軸に固定される下部接続部5は、モータ6の回転軸と同様、ステンレスなどの金属で構成され、金属製の下部接続部5と石英製のボート2とを連結固定するための上部接続部4は、両者の中間の熱膨張率を有する窒化シリコンの焼結体であるセラミックス部材で構成する。図2は、エレベータ7を下降させた状態の半導体製造装置を示す図である。図2に示すように、モータ6はエレベータ7の支持腕によって上下移動可能となっており、エレベータ7の上下動によって、モータ6、ボートキャップ3、下部接続部5、上部接続部4およびボート2が上下移動される。被処理基板10は、エレベータ7を下降させた状態で室温環境下でボート2に載置された後、エレベータ7の上昇に伴って反応管1内に搬入される図1参照。成膜処理中、反応炉内はヒータ8によって200~1000°C程度に加熱される。成膜処理後にはエレベータ7が下降することによって被処理基板10が反応管1から搬出され、成膜済みの被処理基板10は室温環境下でボート2から降ろされる。このため、ボート2、上部接続部4及び下部接続部5には、各々の熱膨張率の差に応じて応力が作用する。しかしながら、石英製のボート2と、金属ステンレス製の下部接続部5との間に配される上部接続部4を、石英とステンレスの中間の熱膨張率を有する窒化シリコン焼結体で構成しているので、熱応力は緩和される。なお、各材料の一般的な線膨張係数は、石英が0.6程度、ステンレスが18程度、窒化シリコンが3.5程度である。なお、ボートキャップ3は成膜処理中には冷却されるようになっており、下部接続部5の熱はボートキャップ3に吸熱される。このため、成膜処理中は、下部接続部5はボート2よりも低温となる。熱膨張率の大きい下部接続部5がボート2よりも低温となることにより、膨張量の差が緩和される。図3は、縦型反応炉の回転軸構造を示す図である。モータ6の回転軸61は磁気シール9を介して下部接続部5に接続されており、モータ6の回転軸61がボートキャップ3を貫通する部分での気密性が保たれている。ボートキャップ3の下部には、パージガス入口31が設けられており、縦型反応炉の外部に設けられたパージガス供給装置11から供給されるパージガス例えばN2ガスを炉内に放出する。炉内に放出されたパージガスは、図3中に破線矢印で示すように反応管1に向かって流れる。これにより、成膜処理中やクリーニング中に反応ガスやクリーニングガスが上部接続部4や下部接続部5の近傍に入り込みにくくなっている。上部接続部4は、上下の端部にフランジ41、42を備えた柱状である。上部接続部4の下端のフランジ42にはねじ穴43が設けられている。一方、上部接続部4の上端のフランジ41には、ねじ穴44が設けられている。上部接続部4は、上側のフランジ41でボート2の基台部2aと複数箇所でねじ21またはピンで連結固定されている。上部接続部4と基台部2aとを連結する固定ねじ21は例えばアルミナで形成されている。また、上部接続部4と下部接続部5とは複数箇所で調整ねじ51で連結固定されており、調整ねじ51を調整することで、上部接続部4と下部接続部5との間隔、基台部2aとボートキャップ3との間隔反応室へのパージガスの通過間隔を調整することができる。調整ねじ51は、例えばステンレスで形成されている。このように、上部接続部4は、調整ねじ51を介して下部接続部5に固定され、かつ固定ねじ21を介してボート2に固定されることで、下部接続部5とボート2との間に介在して、モータ6の回転力をボート2に伝達する。本縦型反応炉のアプリケーションのひとつに、シリコン窒化膜の成膜工程があり、その際のチューブクリーニングとして、ハロゲン系のガスを用いることで、シリコン窒化膜を反応炉壁から除去する。しかし、このクリーニングガスは、シリコン窒化膜を除去することができるが、窒化シリコンの焼結体で形成された上部接続部4もエッチングして、焼結体である部材が落剥する。このため、窒化シリコンの焼結体で形成された上部接続部4は、製造される半導体装置の不良を誘発するような、粉末状の粒子を発生する発塵源となる。なお、ハロゲン系のガスは、単体であってもハロゲン系ガスを混ぜた混合ガスであっても構わない。そこで、本第1の実施形態においては、上部接続部4は、その本体を構成する窒化シリコンの焼結体の全外面と、ねじ21、調整ねじ51が挿入されるねじ孔に対し、反応ガスあるいはクリーニングガスに対し耐腐食性を有する酸化シリコンのコーティング膜70を形成している。CVD法によって上部接続部4に酸化シリコンをコーティングすることにより、焼結体よりも緻密でかつ欠陥の少ないシリコン酸化膜を形成できる。焼結体表面には物理的な凹凸が存在するが、段差被覆率の高いCVD法を用いることで、焼結体の表面を隙間無くコーティング膜で覆うことができる。これにより、クリーニングガスによる窒化シリコン焼結体へのエッチングを抑制し、粉塵の発生を防止できる。ただし、CVD法に限らず、PVD法などによって上部接続部4の表面にコーティングを施すことも可能である。コーティングの厚さは、一例として、0.1~3μm程度である。酸化シリコンのコーティングが薄すぎるとクリーニングガスによる上部接続部4の腐食を防止する効果が不十分となる。一方、酸化シリコンのコーティングが厚すぎると、上部接続部4の熱膨張にコーティング膜が追従できずにコーティング膜にクラックが発生するなどして防食効果が低下する原因となる。ただし、上記のコーティング厚さはあくまでも一例であり、この範囲に限定されることはない。本実施形態においては、上部接続部4に反応ガスあるいはクリーニングガスに対し耐腐食性を有する酸化シリコンのコーティングが施されているため、クリーニングガスによって上部接続部4が腐食されることはない。したがって、反応炉のクリーニング中に上部接続部4から発生した粉末状の粒子が成膜中に被処理基板に付着して成膜不良が発生することを防止できる。第2の実施形態第2の実施形態にかかる半導体製造装置は、第1の実施形態とほぼ同様の構成である。ただし、本実施形態においては、上部接続部にはアルミナAl2O3コーティングが施されている。この他については、第1の実施形態と同様である。本実施形態においても、クリーニングガスあるいは反応ガスによって上部接続部が腐食されることはない。したがって、反応炉のクリーニング中あるいは成膜中に上部接続部から発生した粉末状の粒子が成膜中に被処理基板に付着して成膜不良が発生することを防止できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。