絶縁基板の上面の両端部に一対の上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面において一対の上面電極間に抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にその側面から抵抗体の中心方向に向かってレーザで切削することによりトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記抵抗体を覆うように保護膜を形成する工程と、前記絶縁基板の両端面に前記一対の上面電極と接続される端面電極を形成する工程と、前記端面電極の表面にめっきすることによりめっき層を形成する工程とを備え、前記保護膜を形成する前に、前記トリミング溝の始点近傍に位置する前記抵抗体の側面と前記絶縁基板の側面との間に再度レーザを照射するようにしたチップ抵抗器の製造方法。上記した従来のチップ抵抗器の製造方法において、レーザ照射によりトリミング溝7を形成する際、図9に示すように、トリミング溝7周辺およびトリミング溝7の始点7a近傍にレーザで切削された抵抗体3の飛散物8が発生するため、その飛散物8が絶縁基板1の側面1a付近に付着し絶縁基板1の側面1aから露出する場合があり、これにより、めっき層6を形成するとき、絶縁基板1の側面1aに露出した飛散物8をめっきの核としてめっきが成長する可能性があるため、図10に示すように、製品の側面部9に露出した飛散物8にめっき部6aが形成され、めっきが露出する場合があるという課題を有していた。この結果、抵抗値が変化したり側面部9に露出しためっき部6aが他の製品と接触したりするという不具合が発生する可能性があった。特に、小形化になると、抵抗体3の側面3aと絶縁基板1の側面1aとの距離が小さくなるため、絶縁基板1の側面1a付近まで抵抗体3の飛散物8が飛散する可能性が大きくなり、さらに、低い抵抗値の場合は、抵抗体3の厚みが厚いため、抵抗体3の飛散物8が絶縁基板1の側面1aに露出し易くなり、また導電率が高い材料を抵抗体3に使用するため、めっき層6を形成する際に飛散物8にめっきが形成され易くなる。本発明は上記従来の課題を解決するもので、側面部にめっきが形成されるのを抑制するチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板の上面の両端部に一対の上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面において一対の上面電極間に抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体にその一方の側面から他の側面に向かってレーザで切削することによりトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記抵抗体を覆うように保護膜を形成する工程と、前記絶縁基板の両端面に前記一対の上面電極と接続される端面電極を形成する工程と、前記上面電極の一部と前記端面電極の表面にめっきすることによりめっき層を形成する工程とを備え、前記保護膜を形成する前に、前記トリミング溝の始点近傍に位置する前記抵抗体の側面と前記絶縁基板の側面との間に再度レーザを照射するようにしたもので、この製造方法によれば、トリミング溝を形成した際に発生する抵抗体の飛散物が絶縁基板の側面付近に付着しても、再度のレーザ照射でこの飛散物を除去するため、めっき層を形成するときに、絶縁基板の側面に露出した飛散物に、めっきが成長する可能性を低減でき、これにより、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという作用効果を有するものである。以上のように本発明のチップ抵抗器の製造方法は、保護膜を形成する前に、トリミング溝の始点近傍に位置する抵抗体の側面と絶縁基板の側面との間に再度レーザを照射するようにしているため、トリミング溝を形成した際に発生する抵抗体の飛散物が絶縁基板の側面付近に付着しても、再度のレーザ照射でこの飛散物を除去し、これにより、めっき層を形成するときに絶縁基板の側面に露出した飛散物からめっきが成長する可能性を低減できるため、側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという優れた効果を奏するものである。以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図、図2は同チップ抵抗器の主要部の上面図である。本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図1、図2に示すように、絶縁基板11と、この絶縁基板11の上面の両端部に設けられた一対の上面電極12と、前記絶縁基板11の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極12間に形成された抵抗体13と、少なくとも前記抵抗体13を覆うように設けられた保護膜14と、前記一対の上面電極12と電気的に接続されるように前記絶縁基板11の両端面に設けられた一対の端面電極15と、前記上面電極12の一部と前記一対の端面電極15の表面に形成されためっき層16とを備えた構成としている。そして、抵抗体13には、その一方の側面13aを始点17aとし、そこから抵抗体13の他の側面に向かってレーザで切削して、L字状のトリミング溝17が形成されている。なお、図2では、保護膜14、一対の端面電極15、めっき層16を省略している。次に、本発明の一実施の形態における微小タイプで低抵抗のチップ抵抗器の製造方法について、図3~図5を参照しながら説明する。なお、説明を簡単にするために、図3~図5ではチップ抵抗器が縦3列、横3列のシート状に形成されたものを示す。まず、分割用のスリットである縦溝21aと横溝21bを有し1個のチップ抵抗器に相当する領域が区画されているシート状の絶縁基板21を用意する。そして、このシート状の絶縁基板21は、Al2O3を96含有するアルミナで構成されている。また、1個のチップ抵抗器に相当する絶縁基板11の形状は矩形状上面視にて長方形となっている。なお、縦溝21aと横溝21bは分割用のスリットはなくてもよく、この場合は、縦溝21aと横溝21bは分割される箇所、すなわちダイシングやスクライブの中心部に相当する。次に、図3aに示すように、シート状の絶縁基板21の上面において、縦溝21aを跨ぐようにAg系厚膜材料を印刷、焼成して上面電極12を設ける。次に、図3bに示すように、1個のチップ抵抗器を構成するそれぞれの領域において、上面電極12間を電気的に接続するように、AgPd等にガラスフリットを含有させたペーストを印刷、焼成することにより厚み5μm~40μmの抵抗体13を形成する。なお、抵抗体13として、CuNiを用いてもよく、この場合は、上面電極12としてCu系厚膜材料を使用する。また、抵抗体13にAgPdを用いた場合は、この後、抵抗体13の上面をプリコートガラス図示せずで覆うようにしてもよい。さらに、上面電極12と抵抗体13の形成順序は逆でもよい。次に、図3cに示すように、抵抗体13にレーザを照射することにより、抵抗体13の一方の側面13aから抵抗体13の他の側面に向かい、さらに電流の流れと平行になるように折り曲がるL字状のトリミング溝17を形成し、抵抗体13の抵抗値を調整する。このとき、抵抗体13を貫通するように切削する。そして、後述するようにレーザで削られた抵抗体13の飛散物がトリミング溝17周辺等に付着する場合がある。その後、トリミング溝17の始点17a近傍に位置する抵抗体13の側面13aと、横溝21bあるいはダイシング切断部の側縁個片分割後は絶縁基板11の側面となるとの間に再度レーザを照射する。ここで、再度のレーザ照射を、抵抗体13の側面13aと、横溝21bあるいはダイシング切断部の側縁との間にするのは、抵抗体13の側面13aの内側だと、抵抗体13から再び飛散物が発生し、また、横溝21bあるいはダイシング切断部の側縁の外側だと、絶縁基板11の側面に露出する抵抗体13の飛散物を除去しきれない場合があり、好ましくないためである。なお、トリミング溝17の形状はL字状ではなく、直線状、U字状等の他の形状であってもよく、さらに、1本だけでなく複数本形成してもよい。また、再度のレーザ照射は、保護膜14形成より前に行う。保護膜14の形成後だと保護膜14と絶縁基板11との間に抵抗体13の飛散物が露出するからである。そして、再度のレーザ照射の長さは、トリミング溝17の幅の2倍以上、抵抗体13の長さの半分以下とする。このとき、再度のレーザ照射の長さを抵抗体13の長さの半分より長くすると、個片状に分割する際に、この再度のレーザ照射した箇所で分割され、分割形状が悪化する可能性があり、また、トリミング溝17の幅の2倍より短くすると、抵抗体13の飛散物の除去効果が無くなり、好ましくない。次に、図4aに示すように、少なくとも上面電極12の一部が露出し、かつ抵抗体13およびトリミング溝17を覆うようにガラスまたはエポキシ樹脂ペーストをスクリーン印刷する。その後、エポキシ樹脂ペーストを用いるときは200°Cで硬化させ、ガラスを使用するときは600°Cで焼成することにより保護膜14を形成する。このとき、保護膜14は横溝21bを跨ぐように帯状に形成してもよい。次に、図4bに示すように、シート状の絶縁基板21を縦溝21aで分割し、短冊状の基板22を形成する。その後、図4cに示すように、この短冊状の基板22の両端部に露出した一対の上面電極12と電気的に接続されるようにAgを印刷、塗布、またはスパッタして一対の端面電極15を形成する。次に、図5aに示すように、前記短冊状の基板22を横溝21bで分割し、複数の個片状の抵抗器23を得る。最後に、図5bに示すように、上面電極12の一部と一対の端面電極15の表面に、Niめっき層を形成し、さらにこのNiめっき層を覆うようにSnめっき層を形成することによりめっき層16を構成する。上記したように本発明の一実施の形態においては、保護膜14を形成する前に、トリミング溝17の始点17a近傍に位置する抵抗体13の側面13aと絶縁基板11の側面11a横溝21bとの間に再度レーザを照射するようにしているため、トリミング溝17を形成する際に発生した抵抗体13の飛散物が絶縁基板11の側面11a付近に付着しても、再度のレーザ照射でこの飛散物を除去でき、これにより、めっき層16を形成するときに絶縁基板11の側面に露出した飛散物からめっきが成長する可能性を低減できるため、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できるという効果が得られるものである。ここで、トリミング溝17を形成した直後の状態を詳細に見た上面図を図6に示す。このように、レーザ照射によりトリミング溝17を形成すると、レーザで削られた抵抗体13の飛散物18がトリミング溝17周辺およびトリミング溝17の始点17a近傍に付着し、この結果、その飛散物18が絶縁基板11の側面11a付近に付着する可能性があり、さらに絶縁基板11の側面11aから飛散物18が露出する場合もある。これに対し、本発明では、図7に示すように、トリミング溝17を形成直後、トリミング溝17の始点17a近傍に位置する抵抗体13の側面13aと絶縁基板11の側面11a横溝21bとの間の飛散領域19に再度レーザを照射し、絶縁基板11の側面11aに付着した飛散物18を切削する。これにより、絶縁基板11の側面に飛散物18が露出するのを防ぎ、めっき層16を形成するときに、絶縁基板11の側面に露出した飛散物18からめっきが成長する可能性を低減できるため、製品の側面部にめっきが形成されるのを抑制できる。なお、図6、図7では、説明を簡単にするために、保護膜14、一対の端面電極15、めっき層16を省略している。また、トリミング溝17を形成するためのレーザ照射の条件をそのままで、照射位置をずらすだけで再度のレーザ照射ができるため、生産性が悪化することもない。