"支持材の表面を分子でコーティングする方法であって、分子貯蔵器からの分子が気相状態に変換され、イオン化され、その荷電分子が電場中で前記表面へと向かう指向移動を行い、前記分子が前記表面にぶつかり、そこで吸収される方法において、前記荷電分子5,6の指向移動に対して垂直である、力の指向作用を前記荷電分子5,6に及ぼすために、前記荷電分子5,6を、前記表面1へ向かう途中で、前記荷電分子5,6の指向移動に対して垂直な少なくとも1つの場成分を有する少なくとも1つの電場および/または磁場にさらすことを特徴とする方法。電気および/または磁気集束装置8が、前記分子貯蔵器3,4と前記表面1との間において、前記荷電分子5,6の指向移動に作用することを特徴とする請求項1に記載の方法。ダイアフラム装置12が、前記分子貯蔵器3,4と前記表面1との間において、特定可能な質量/電荷比を有する分子5,6のみが前記ダイアフラム装置12を通過して前記表面1に至るように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。少なくとも1つの四重極電場17,19が、前記分子貯蔵器3,4と前記表面1との間において、前記荷電分子5,6の指向移動に作用することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の方法。前記分子貯蔵器3,4から前記表面1までの移動の間に、前記荷電分子5,6が、経時変化させ得る電場および/または磁場によって偏向されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の方法。前記荷電分子5,6が、前記表面1への移動の間に、2対の偏向キャパシタにより偏向されることを特徴とする請求項5に記載の方法。前記2対の偏向キャパシタにより発生した電場が、互いに対しておよび前記荷電分子5,6の指向移動に対して本質的に垂直にそろえられることを特徴とする請求項6に記載の方法。前記荷電分子5,6が、適切な電場および/または磁場によって、または経時変化させ得るダイアフラム装置によって、特定可能な時間にわたって前記表面1にぶつかることが防止されることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の方法。コーティングが開始される前に、被覆しようとする表面領域が、前記荷電分子5,6と反対の電荷を与えられ、被覆されないままにしようとする表面領域が、同じ電荷を与えられることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の方法。前記荷電分子5,6の移動に対抗する電場が、前記表面の前段の領域に発生され、前記荷電分子5,6が、前記表面1にぶつかる前に減速されることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の方法。前記気相状態に変換された、前記分子貯蔵器3の前記分子5が、光イオン化によって、またはレーザーで誘起された2光子吸収によってイオン化されることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の方法。前記分子貯蔵器3の前記分子5の前記光イオン化が、断続的にまたはパルス状に行なわれる請求項11に記載の方法。少なくとも2つの異なる分子貯蔵器3,4からの分子5,6が、連続してまたは交互に気相状態に変換され、前記表面1をコーティングするために使用されることを特徴とする請求項1から12の何れか1項に記載の方法。支持材の表面を分子でコーティングするための装置であって、分子貯蔵器のための貯蔵装置を有し、前記分子貯蔵器からの分子の蒸発およびイオン化のための装置を有し、前記表面に指向された荷電分子の移動の発生のための静電加速場の発生のための装置を有し、被覆しようとする表面を有する支持材のためのホルダを有する装置において、前記移動に作用し、前記荷電分子5,6の移動に対して垂直な場成分を有する電場および/または磁場の発生のための装置11が、前記コーティング装置中に配置されていることを特徴とする装置。前記コーティング装置が、電気および/または磁気集束装置8を有することを特徴とする請求項14に記載のコーティング装置。前記コーティング装置が、四重極電場17,19の発生のための少なくとも1つの装置を有することを特徴とする請求項14または15に記載のコーティング装置。前記コーティング装置が、ダイアフラム装置12を有することを特徴とする請求項14から16の何れか1項に記載のコーティング装置。前記コーティング装置が、荷電分子5,6を含む分子イオンビーム9,10の目標が定められた偏向のための、経時変化させ得る電気および/または磁気偏向場の発生のための装置13を有することを特徴とする請求項14から17の何れか1項に記載のコーティング装置。光イオン化装置を有することを特徴とする請求項14から18の何れか1項に記載のコーティング装置。"