GaNからなる化合物半導体層と、前記GaNからなる化合物半導体層上に形成された電極とを有し、前記電極は、Ni及びIrからなる群から選択された1種の金属から構成され、前記GaNからなる化合物半導体層上でショットキー接合してなる第1の金属層と、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなる第2の金属層と、前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に形成されたPdからなる第3の金属層とを含み構成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。前記GaNからなる化合物半導体層は、GaNからなる電子走行層と、前記電子走行層上に、AlyGa1yN0<y<1からなる電子供給層との上に設けられてなることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。前記GaNからなる化合物半導体層は、濃度2×1017cm3以上でドーピングされたn型のGaNからなるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置。前述したような高電圧動作を行うパワーデバイスにおいて、高温環境下においても長期間安定した動作を行うためには、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制することが必要不可欠である。しかしながら、従来のHEMTでは、高温環境下において長期間にわたって動作を行った場合、ゲート電極のリーク電流が増大してしまい、安定した高電圧動作を行うことが困難であった。本発明は上述の問題点にかんがみてなされたものであり、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する化合物半導体装置を提供することを目的とする。本発明の化合物半導体装置は、GaNからなる化合物半導体層と、前記GaNからなる化合物半導体層上に形成された電極とを有し、前記電極は、Ni及びIrからなる群から選択された1種の金属から構成され、前記GaNからなる化合物半導体層上でショットキー接合してなる第1の金属層と、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなる第2の金属層と、前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に形成されたPdからなる第3の金属層とを含み構成されてなるものである。本発明によれば、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現することができる。-本発明の基本骨子-本発明者は、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供するため、以下に示す発明の基本骨子に想到した。GaN/AlyGa1yN0<y<1のヘテロ接合を有する一般的なHEMT構造の化合物半導体装置は、図1に示すように、GaNあるいはAlyGa1yN0<y<1からなる化合物半導体層100上に、当該化合物半導体層とのショットキー障壁の高さ電位を十分に形成し得る仕事関数の大きな金属、例えばNi層41を設け、更にNi層41上に、例えばAu等の低抵抗金属層42を設けてゲート電極201を構成している例えば、特許文献1参照。この一般的な化合物半導体装置においては、ゲート電極201のリーク電流が増大するという問題が露呈していた。そこで、本発明者は、この点に着目し、高温環境下での使用により、低抵抗金属層42の金属が、化合物半導体層100とショットキー接合を形成するNi層41の内部に徐々に拡散していき、最終的に化合物半導体層100との界面まで到達することによって、結果的にショットキー障壁の高さが低くなることでゲート電極201のリーク電流の増大を招くということを思料した。そこで、本発明者は、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制するために、化合物半導体層と、低抵抗金属層との間に、低抵抗金属層の金属の拡散を抑止する拡散防止層を設けることを考えた。図2は、本発明の基本骨子を説明するための化合物半導体装置の概略断面図である。ここでは、発明の基本骨子を説明するため、化合物半導体装置の要部のみを挙げて説明を行う。図2aに示すように、本発明に係る化合物半導体装置は、GaNあるいはAlyGa1yN0<y<1からなる化合物半導体層100上に、当該化合物半導体層100とショットキー接合を形成するNi層41と、TixW1xN0<x<1層43と、低抵抗金属層42とを順次積層してゲート電極101が形成されている。本発明者は、TixW1xNの極めて優れた熱安定性、及び膜を形成したときの緻密性に着目し、これを拡散防止層として、化合物半導体層100と、低抵抗金属層42との間に設けるようにした。そして、このTixW1xN層43により、低抵抗金属層42の金属の化合物半導体層100への拡散を抑止し、化合物半導体層100とNi層41との間で安定したショットキー障壁の高さを維持することができ、ゲート電極のリーク電流の増大が抑制される。さらに、本発明者は、高電圧動作を行う上で、TixW1xNが化合物半導体層100との間で、十分なショットキー障壁の高さを形成し得る仕事関数を有するということを見出し、これを化合物半導体装置に適用することを考えた。この化合物半導体装置の概略断面図を図2bに示す。図2bに示すように、本発明に係る化合物半導体装置は、GaNあるいはAlyGa1yNからなる化合物半導体層100上に、TixW1xN層43と、低抵抗金属層42とを順次積層してゲート電極102が形成されている。この際、TixW1xN層43は、低抵抗金属層42の金属の化合物半導体層100への拡散を抑止する拡散防止層として機能するとともに、化合物半導体層100との間でショットキー接合を形成する機能も備えることになる。これにより、TixW1xN層43と低抵抗金属層42との2層構造のゲート電極102においても、化合物半導体層100との間で安定したショットキー障壁の高さを維持し、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制できる。また、本発明者は、低抵抗金属層42の金属の化合物半導体層100への拡散を抑止する拡散防止層として、前述したTixW1xNと同様に極めて優れた熱安定性を有するPdを適用できることを見出した。この化合物半導体装置の概略断面図を図2cに示す。図2cに示すように、本発明に係る化合物半導体装置は、GaNあるいはAlyGa1yNからなる化合物半導体層100上に、当該化合物半導体層100とショットキー接合を形成するNi層41と、Pd層44と、低抵抗金属層42とを順次積層してゲート電極103が形成されている。このPd層44は、前述したように熱安定性に優れているため、例え高温環境下での使用においても、その上層に形成されている低抵抗金属層42からの化合物半導体層100への金属の拡散を抑止することができる。この図2cに示した化合物半導体装置は、化合物半導体層100上に、当該化合物半導体層とのショットキー障壁の高さを十分に形成し得るNi層41を設け、このNi層41上に、最上層に形成された低抵抗金属層42の金属の化合物半導体層100への拡散を抑止するPd層44を備える構造となっている。この点、図2bに示した化合物半導体装置と同様に、拡散防止層であるPd層44を化合物半導体層100上に構成した化合物半導体装置も考えられる。即ち、図3aに示すように、化合物半導体層100上に、Pd層44と低抵抗金属層42とを順次積層してゲート電極202とするものである。しかしながら、このゲート電極202では、GaNあるいはAlyGa1yN0<y<1からなる化合物半導体層100と、その直上に形成されたPd層44とが相互に反応してしまい、化合物半導体層100とPd層44との間に生じるショットキー障壁の高さが結果的に低くなり、ゲート電極201のリーク電流の増大を抑制できない。また、例えば、図3bに示すように、拡散防止層としてPt層45を、Ni層41と低抵抗金属層42との間に設けることも考えられる。しかしながら、Pt層45は、熱安定性に劣り、高温環境化においては、Pt層45のPtがNi層41に拡散してしまう。したがって、Pt層45は、高温環境化においては拡散防止層として機能しない。以上、説明したように、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制するために、低抵抗金属層における金属の拡散を抑止するという要請と、ゲート電極と化合物半導体層との間で十分なショットキー障壁の高さを維持するという要請との双方を満たす最も簡素な構成が本発明の化合物半導体装置である。-本発明の具体的な実施形態-以下、本発明の諸実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置の構成をその製造方法とともに説明する。第1の実施形態図4及び図5は、第1の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。まず、図4aに示すように、SiC基板1上に、i-GaN層2、電子供給層3、n-GaN層4を順次積層する。具体的に、MOVPE法を用いて、SiC基板1上に、電子走行層となるインテンショナリーアンドープのGaN層i-GaN層2を膜厚3μm程度で形成する。続いて、MOVPE法を用いて、i-GaN層2上に、例えば、インテンショナリーアンドープのAl025Ga075N層i-Al025Ga075N層31を膜厚3nm程度で形成し、更にSiを濃度2×1018cm3程度にドープしたn-Al025Ga075N層32を膜厚20nm程度で形成し、これら2層構造からなる電子供給層3を形成する。続いて、MOVPE法を用いて、n-Al025Ga075N層32上に、Siを濃度2×1018cm3程度にドープしたn-GaN層4を膜厚10nm以下、例えば、膜厚5nm程度で形成する。ここで、電子供給層3は、AlyGa1yNにおいてAlの組成比yが0.25であるAl025Ga075N層で構成されているが、本実施形態においてはこれに限られるものではなく、Alの組成比yが0<y<1の範囲であれば適用することが可能である。また、本実施形態においては、n-GaN層4は、化合物半導体装置のI-V特性を安定させるとともに、順方向耐圧及び逆方向耐圧を高める目的で設けられた保護層である。このn-GaN層4を前述の保護層として機能させるためには、そのドーピング濃度を2×1017cm3以上とすることが望ましい。次に、図4bに示すように、ソース電極及びドレイン電極の形成領域におけるn-GaN層4を除去し、当該各形成領域にそれぞれソース電極21、レイン電極22を形成する。具体的に、まず、n-GaN層4上に、ソース電極21及びドレイン電極22の形成領域のみを開口する不図示のレジストパターンを形成する。続いて、塩素系ガスや不活性ガス、ここでは塩素系ガスとして例えばCl2ガスを用いたドライエッチングにより、当該レジストパターンをマスクとしてソース電極21及びドレイン電極22の形成領域におけるn-GaN層4を除去する。続いて、蒸着法を用いて、当該レジストパターン上に、前記開口を埋め込むようにTi層5及びAl層6をそれぞれ膜厚20nm、200nm程度で順次堆積する。続いて、いわゆるリフトオフ法により当該レジストパターンを剥離除去すると同時に、当該レジストパターン上のTi層5及びAl層6を除去し、前記開口形状に倣ったTi層5及びAl層6を残す。そして、温度550°C程度でアニールを行って、Ti層5とn-GaN層4との間にオーミックコンタクトを構成し、ソース電極21及びドレイン電極22を形成する。ここで、本実施形態では、ドライエッチングにより、ソース電極21及びドレイン電極22の形成領域のn-GaN層4を除去するようにしているが、当該n-GaN層4を完全には除去せずに、その厚さを薄くして残すようにしてもよい。次に、図5aに示すように、n-GaN層4上にゲート電極23を形成する。具体的に、まず、n-GaN層4及びAl層6上に、ゲート電極23の形成領域のみを幅1μm程度で開口する不図示のレジストパターンを形成する。続いて、蒸着法、スパッタ法、あるいはメッキ法などを用いて、当該レジストパターン上に、前記開口を埋め込むようにNi層7、Ti02W08N層8、TiW層9及びAu層10をそれぞれ膜厚60nm、30nm、10nm及び300nm程度で順次堆積する。ここで、本実施形態においては、n-GaN層4とショットキー接合を形成する金属材料としてNiを用いた例を示したが、本実施形態においてはこれに限られるものではなく、例えば、TiあるいはIrを適用することも可能である。また、ゲート電極23とショットキー接合を形成する化合物半導体層として、n-GaN層4を適用した例を示したが、本実施形態においてはこれに限られるものではなく、例えば、当該化合物半導体層として、電子供給層3と同種のAlyGa1yNを適用することも可能である。この場合、AlyGa1yNにおいてAlの組成比yが0<y<1の範囲のものであれば適用することが可能である。続いて、いわゆるリフトオフ法により当該レジストパターンを剥離除去すると同時に、当該レジストパターン上のNi層7、Ti02W08N層8、TiW層9及びAu層10を除去し、前記開口形状にNi層7、Ti02W08N層8、TiW層9及びAu層10を残してゲート電極23を形成する。ここで、TiW層9は、Ti02W08N層8とAu層10との密着性を考慮して設けられたものである。ここで、ゲート電極23には、TixW1xNにおいてTiの組成比xが0.2であるTi02W08N層8が構成されているが、本実施形態においてはこれに限られるものではなく、Tiの組成比xが0<x<1の範囲であれば適用することが可能である。この際、Tiの組成比xが0、即ちWN層の場合には、その上層に形成されるTiW層9との密着性が悪くなるという不都合が生じる。次に、図5bに示すように、CVD法を用いて、全面にSiN膜11を膜厚10nm程度で形成し、各電極間を被覆する。その後、層間絶縁膜や各電極に対するコンタクト孔の形成、各種の配線層等の形成工程を経て、第1の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置が完成する。第1の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置によれば、Ni層7とAu層10との間に、極めて優れた熱安定性を有し、且つ緻密な膜であるTi02W08N層8を設けたので、高温環境下においても、Au層10からn-GaN層4への金の拡散を抑止することができ、n-GaN層4とNi層7との間で安定したショットキー障壁の高さを維持することができる。これにより、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制することが可能となる。第2の実施形態図6は、第2の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。本例では、まず図4a、図4bの各工程を経る。次に、図6aに示すように、n-GaN層4上にゲート電極24を形成する。具体的に、まず、スパッタ法あるいはメッキ法などを用いて、n-GaN層4及びAl層6上に、Ti02W08N層12を膜厚60nm程度、TiW層13を膜厚40nm程度、Au層14を膜厚300nm程度で順次堆積する。続いて、ゲート電極24の形成領域のみを覆う不図示のレジストパターンを形成する。続いて、イオンミリングあるいはドライエッチング等により、当該レジストパターンをマスクとしてゲート電極24の形成領域以外のTi02W08N層12、TiW層13及びAu層14を除去し、ゲート電極24の形成領域のみにTi02W08N層12、TiW層13及びAu層14を残す。そして、当該レジストパターンを除去して、ゲート電極24を形成する。ここで、ゲート電極24には、TixW1xNにおいてTiの組成比xが0.2であるTi02W08N層12が構成されているが、本実施形態においてはこれに限られるものではなく、Tiの組成比xが0<x<1の範囲であれば適用することが可能である。この際、Tiの組成比xが0、即ちWN層の場合には、その上層に形成されるTiW層9との密着性が悪くなるという不都合が生じ、また、Tiの組成比xが1、即ちTiW層の場合には、仕事関数が小さくなってn-GaN層4との間で形成されるショットキー障壁の高さ低くなるという不都合が生じる。次に、図6bに示すように、CVD法を用いて、全面にSiN膜15を膜厚10nm程度で形成し、各電極間を被覆する。その後、層間絶縁膜や各電極に対するコンタクト孔の形成、各種の配線層等の形成工程を経て、第2の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置が完成する。第2の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置によれば、n-GaN層4とAu層14との間に、Au層14からの金のn-GaN層4への拡散を抑止するためのTi02W08N層12を設けたので、当該Ti02W08N層12をn-GaN層4との間でショットキー障壁を形成させることも可能となり、前述した第1の実施形態における効果に加え、ゲート電極の構造を更に簡易なものにすることができる。第3の実施形態図7は、第3の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。本例では、まず、図4a、図4bの各工程を経る。次に、図7aに示すように、n-GaN層4上にゲート電極25を形成する。具体的に、まず、n-GaN層4及びAl層6上に、ゲート電極25の形成領域のみを幅1μm程度で開口する不図示のレジストパターンを形成する。続いて、蒸着法あるいはスパッタ法などを用いて、当該レジストパターン上に、前記開口を埋め込むようにNi層16、Pd層17及びAu層18をそれぞれ膜厚60nm、40nm及び300nm程度で順次堆積する。続いて、いわゆるリフトオフ法により当該レジストパターンを剥離除去すると同時に、当該レジストパターン上のNi層16、Pd層17及びAu層18を除去し、前記開口形状にNi層16、Pd層17及びAu層18を残してゲート電極25を形成する。ここで、本実施形態では、ゲート電極25の形成に際して、不必要な熱処理を行っておらず、また、n-GaN層4上のNi層16の膜厚を10nm程度に比して十分厚く60nm程度形成しているため、半導体層であるn-GaN層4とNi層16との界面には、Pd層17からのPdの拡散が生じていない。次に、図7bに示すように、CVD法を用いて、全面にSiN膜19を膜厚10nm程度で形成し、各電極間を被覆する。その後、層間絶縁膜や各電極に対するコンタクト孔の形成、各種の配線層等の形成工程を経て、第3の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置が完成する。第3の実施形態に係るHEMT構造の化合物半導体装置によれば、Ni層16とAu層18との間に、極めて優れた熱安定性を有するPd層17を設けるようにしたので、高温環境下においても、Au層18からn-GaN層4への金の拡散を抑止することができ、n-GaN層4とNi層16との間で安定したショットキー障壁の高さを維持することができる。これにより、ゲート電極のリーク電流の増大を抑制することが可能となる。本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1化合物半導体層と、前記化合物半導体層上でショットキー接合してなる電極とを有し、前記電極は、TixW1xN0<x<1からなるTiWN層と、前記TiWN層の上方に形成されてなる低抵抗の金属層とを含み構成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。付記2前記電極は、前記化合物半導体層と前記TiWN層との間に、Ni、Ti、Irからなる群から選択された1種の金属からなる金属層が設けられていることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。付記3前記TiWN層が前記化合物半導体層の直上に設けられていることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。付記4前記低抵抗の金属層は、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなるものであることを特徴とする付記1~3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記5GaNからなる電子走行層と、前記電子走行層上に、AlyGa1yN0<y<1からなる電子供給層とを更に有し、前記化合物半導体層は、前記電子供給層上に形成され、濃度2×1017cm3以上でドーピングされたn型のGaNからなるものであることを特徴とする付記1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記6化合物半導体層と、前記化合物半導体層上にショットキー接合を介して形成された電極とを有し、前記電極は、前記化合物半導体層上に、Ni、Ti、Irからなる群から選択された1種の金属からなる第1の金属層と、低抵抗の金属からなる第2の金属層と、前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に形成されたPdからなる第3の金属層とを含み構成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。付記7前記第2の金属層は、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなるものであることを特徴とする付記6に記載の化合物半導体装置。付記8GaNからなる電子走行層と、前記電子走行層上に、AlyGa1yN0<y<1からなる電子供給層とを更に有し、前記化合物半導体層は、前記電子供給層上に形成され、濃度2×1017cm3以上でドーピングされたn型のGaNからなるものであることを特徴とする付記6又は7に記載の化合物半導体装置。付記9化合物半導体層と、前記化合物半導体層上にショットキー接合を介して形成された電極とを有し、前記電極は、低抵抗の金属層と、前記低抵抗の金属層と前記化合物半導体層との間に設けられ、前記低抵抗金属層の金属の拡散を抑止する拡散防止層とを含み構成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。付記10前記拡散防止層は、TixW1xN0<x<1からなるTiWN層又はPd層であることを特徴とする付記9に記載の化合物半導体装置。付記11基板の上方に、化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層上に、当該化合物半導体層とショットキー接合し、TixW1xN0<x<1からなるTiWN層を形成する工程と、前記TiWN層の上方に低抵抗の金属層を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記12基板の上方に、化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層上に、当該化合物半導体層とショットキー接合し、Ni、Ti、Irからなる群から選択された1種の金属からなる金属層を形成する工程と、前記金属層の上方に、TixW1xN0<x<1からなるTiWN層を形成する工程と、前記TiWN層の上方に低抵抗の金属層を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記13基板の上方に、化合物半導体層を形成する工程と、前記化合物半導体層上に、当該化合物半導体層とショットキー接合し、Ni、Ti、Irからなる群から選択された1種の金属からなる金属層を形成する工程と、前記金属層の上方にPd層を形成する工程と、前記Pd層の上方に低抵抗の金属層を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記14前記低抵抗の金属層は、Au、Cu及びAlからなる群から選択された1種の金属からなるものであることを特徴とする付記11~13のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。