光増幅器と、基板の上に形成され、各々の入力ポートから入力された光を反射して該入力ポートに戻し、目標波長でピークを示す反射スペクトルを有する複数の第1の反射器と、前記基板の上に形成され、前記光増幅器から出力された光を分波して複数の前記第1の反射器の入力ポートに入力し、複数の前記第1の反射器で反射された光を合波し、前記光増幅器に再入力する第1の光カプラと、前記第1の反射器の各々と共に、前記光増幅器及び前記第1の光カプラを内部に含む光共振器を画定する第2の反射器とを有し、前記第1の反射器の各々は、同一寸法のリング共振器を含み、前記入力ポートから入力された光が反射して該入力ポートに戻るまでの遅延時間が、前記第1の反射器の間で同一である半導体光素子。前記第1の光カプラは、1つの入力ポートと複数の出力ポートとを有するマルチモード干渉型光カプラであり、前記第1の光カプラの出力ポートから、該出力ポートに接続されている前記第1の反射器の前記入力ポートまでの光導波路の光路長が、前記第1の反射器のすべてにおいて等しい請求項1に記載の半導体光素子。前記第1の反射器の各々は、前記第1の反射器の入力ポートに入力された光が入力されるアドドロップ型リング共振器と、前記リング共振器のドロップポートに接続された分布ブラッグ反射器とを有する請求項2に記載の半導体光素子。前記第1の光カプラは、前記第1の反射器と同一の個数の入力ポートと、同一個数の出力ポートとを有するマルチモード干渉型光カプラであり、前記光増幅器からの出力光が、前記第1の光カプラの1つの入力ポートに入力され、前記第1の光カプラの出力ポートが、それぞれ前記第1の反射器の入力ポートに接続され、前記第1の光カプラの出力ポートから、前記第1の反射器の入力ポートまでの光導波路の光路長が、前記第1の反射器ごとに異なっており、前記第1の光カプラ、及び複数の前記第1の反射器が、折り返し型のアレイ導波路回折格子として動作する請求項1に記載の半導体光素子。前記第1の反射器の各々は、ループ型リング共振器で構成される請求項4に記載の半導体光素子。前記第1の光カプラは、多段接続された複数の光カプラを含み、前記光増幅器からの出力光が、1段目の光カプラの入力ポートに入力され、前記各段の光カプラのカップリングポートが、後段の光カプラの入力ポートに接続され、前記各段の光カプラの出力ポートが、それぞれ前記第1の反射器の入力ポートに接続されており、最終段の光カプラのカップリングポートが、1つの前記第1の反射器の入力ポートに接続されており、前記各段の光カプラの出力ポートから、当該出力ポートに接続された前記第1の反射器の入力ポートまでの光導波路の光路長、及び最終段の光カプラのカップリングポートから、当該カップリングポートに接続された光カプラの入力ポートまでの光導波路の光路長が、第1の反射器ごとに異なっており、前記第1の光カプラ、及び前記第1の反射器が、折り返し型の非対称マッハツェンダ干渉型光フィルタとして動作する請求項1に記載の半導体光素子。前記第1の反射器の各々は、ループ型リング共振器で構成される請求項4に記載の半導体光素子。前記基板の上に形成された出力用光導波路と、前記基板の上に形成され、前記光増幅器から出力されて前記第1の光カプラに向かう光の一部を、前記出力用光導波路に分岐させる第2の光カプラとを、さらに有する請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体光素子。前記基板の上に形成され、前記光共振器から取り出された光が入力され、前記第1の反射器の前記リング共振器の共振波長に同期するリング状光導波路を含む光変調器を、さらに有する請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体光素子。複数のリング共振器の共振波長のバーニア効果を利用する光素子では、温度変化によって各リング共振器の共振波長が変動したときに、光出力強度が大きく変動してしまう。また、3つのリング共振器で構成された波長フィルタを用いる光素子においても、温度変化によって3つのリング共振器の共振波長が変動することにより、光出力が変動しやすい。環境温度を一定に保った状態でも、光増幅器の光出力を増大させると、共振波長が変動してしまう場合もある。以下に説明する実施例では、光増幅器の光出力を増大させても、共振波長の変動が生じにくい半導体光素子が実現される。以下に説明する実施例では、光増幅器と、基板の上に形成され、各々の入力ポートから入力された光を反射して該入力ポートに戻し、目標波長でピークを示す反射スペクトルを有する複数の第1の反射器と、前記基板の上に形成され、前記光増幅器から出力された光を分波して複数の前記第1の反射器の入力ポートに入力し、複数の前記第1の反射器で反射された光を合波し、前記光増幅器に再入力する第1の光カプラと、前記第1の反射器の各々と共に、前記光増幅器及び前記第1の光カプラを内部に含む光共振器を画定する第2の反射器とを有し、前記第1の反射器の各々は、同一寸法のリング共振器を含み、前記入力ポートから入力された光が反射して該入力ポートに戻るまでの遅延時間が、前記第1の反射器の間で同一である半導体光素子が提供される。光増幅器から出力された光が、複数の第1の反射器に分配される。このため、光増幅器から出力される光のパワーが増大しても、第1の反射器1つ当たりに入力される光のパワーが小さくなる。これにより、第1の反射器内のリング共振器の共振波長の変動を抑制することができる。実施例を説明する前に、図10を参照して、本願出願人による参考例について説明する。図10は、参考例による半導体光素子の平面図を示す。半導体光増幅器20の出射端面から出力される光が、シリコン基板の上に形成された入力用光導波路31に入力される。入力用光導波路31は、アドドロップ型リング共振器32の入力ポートに結合されている。このリング共振器32のドロップポートに、分布ブラッグ反射器33が結合されている。半導体光増幅器20の出射端とは反対側の端面に高反射膜21が形成されている。高反射膜21と分布ブラッグ反射器33とにより、ファブリペロー型光共振器が構成される。高反射膜21、半導体光増幅器20、リング共振器32、及び分布ブラッグ反射器33により、外部共振器型半導体レーザ素子が構成される。半導体光増幅器20の利得が、光共振器の損失よりも大きくなれば、レーザ発振が生じる。リング共振器32の透過スペクトルのピークは、一定の波長間隔フリースペクトラルレンジで配列する。この複数のピークから、1つのピークが、分布ブラッグ反射器33によって選択される。この選択されたピークに対応する波長で、レーザ発振が生じる。光共振器内を往復するレーザ光の一部が、分布ブラッグ反射器33を透過して、後段のリングアシスト光変調器90に入射する。リングアシスト光変調器90は、マッハツェンダ干渉計と、その2本のアームにそれぞれ結合したリング共振器とを含む。リングアシスト光変調器90は、通常のマッハツェンダ干渉計のアームの屈折率を変化させる光変調器に比べて、高い変調効率を得ることができる。その反面、変調を行うことができる動作波長帯域が極めて狭い例えば1nm程度。このため、リングアシスト光変調器90と組み合わせて用いられる光源には、厳密な波長制御が求められる。図10に示した参考例では、光共振器内のリング共振器32と、リングアシスト光変調器90内のリング共振器とは、同一の周回長を有する。環境温度が変動して、シリコン基板の温度が変化すると、リング共振器32と、リングアシスト光変調器90内のリング共振器との周回長が同一方向に変化する。シリコン基板の温度が面内でほぼ均一であれば、基板温度が変動しても、リング共振器32と、リングアシスト光変調器90内のリング共振器との周回長は、ほぼ同一のままである。このため、レーザ発振波長のシフト量と、リングアシスト光変調器90の動作波長帯域のシフト量とは、ほぼ同一になる。従って、レーザ発振波長を、リングアシスト光変調器90の動作波長帯域内に維持することができる。ところが、半導体光増幅器20の注入電流を大きくして、光出力を増大させると、レーザ発振波長が、リングアシスト光変調器90の動作波長帯域から外れてしまうことがあった。図11に、分布ブラッグ反射器33を透過したレーザ光のスペクトルを、半導体光増幅器20への注入電流ごとに示す。図11の各波形に付した数値は、半導体光増幅器20への注入電流を示す。注入電流が増加すると、スペ ゚クトルのピーク波長は長波長側へシフトしていることがわかる。図12に、リング共振器32へ入力される信号光のパワーと、透過スペクトルのピーク波長のシフト量との関係を示す。横軸は、入力信号光のパワーを単位dBmで表し、縦軸は、ピーク波長のシフト量を、単位nmで表す。なお、入力信号光のパワーが-20dBmのときのピーク波長を基準とした。入力信号光のパワーが0dBm以下の領域では、入力信号光のパワーが変動しても、ピーク波長は殆ど変動しない。入力信号光のパワーが0dBm以上の領域では、入力信号光のパワーが大きくなるに従って、ピーク波長が長波長側にシフトすることがわかる。半導体光増幅器20への注入電流が増加すると、リング共振器32に入力される信号光のパワーも大きくなる。信号光のパワーが大きくなると、図11に示したように、リング共振器32の透過スペクトルのピーク波長が長波長側にシフトする。このため、レーザ発振波長が長波長側にシフトすると考えられる。以下、リング共振器32の透過スペクトルのピーク波長が長波長側にシフトする理由について考察する。リング共振器32のリング状導波路には、その光電場増強作用により、周囲のシリコン細線導波路31や分布ブラッグ反射器33に比べて、より高い強度の信号光が導波している。さらに、リング状導波路の断面は、一辺が数百nm程度の正方形または長方形であるため、リング状導波路内に、非常に高い光エネルギが閉じ込められていることになる。シリコン細線導波路の光吸収係数は、1.55μm帯域の光に対して非常に低いが、一部の光は光導波路材料に吸収されて熱エネルギに変換される。このため、リング共振器32の近傍の温度が局所的に高くなる。リング共振器32の近傍の温度が上昇するため、リング共振器の透過スペクトルのピーク波長が長波長側にシフトしてしまう。リングアシスト光変調器90内のリング共振器が形成された領域の温度の上昇は、リング共振器32の近傍の温度上昇に比べて、著しく小さい。従って、リングアシスト光変調器90の動作波長帯域は殆どシフトしない。外部共振器型半導体レーザ素子の発振波長がシフトし、リングアシスト光変調器90の動作波長帯域がほとんどシフトしないため、発振波長が、光変調器の動作波長帯域から外れてしまい、安定した変調動作を行うことができなくなる。[実施例1]図1に、実施例1による半導体光素子の平面図を示す。実施例1による半導体光素子は、半導体光増幅器20と、基板60の上に形成された光回路とを含む。半導体光増幅器20は、例えば、1.55μmの波長域で最大の利得を有する。以下、半導体光増幅器20の構造について説明する。半導体光増幅器20は、ノンドープのInGaAsPからなる多重量子井戸構造の活性層、及び活性層を上下に挟むように配置されたn型InPからなる下部クラッド層とp型InPからなる上部クラッド層とを含む。基板には、n型InPが用いられる。活性層の厚さは、例えば100nmであり、そのフォトルミネッセンス波長は1.55μmである。下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層は、ストライプ状メサ構造とされている。メサ構造の両側は、Feがドープされた高抵抗のInPで埋め込まれている。メサ構造の幅は、例えば1.5μmであり、素子長一方の端面から他方の端面までの長さは、約1000μmである。メサ構造の下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層が、光導波路22を構成する。半導体光増幅器20の底面及び上面には、電流注入用の電極が形成されている。各電極は、例えばTi膜、Pt膜、及びAu膜がこの順番に積層された3層構造を有する。半導体光増幅器20の一方の端面高反射端面に高反射膜21が形成されている。他方の端面は、無反射コーティングが施されて無反射端面とされている。光導波路22は曲線部分を含み、高反射端面においては、光導波路22と端面とが垂直であり、無反射端面においては、光導波路22が、端面の法線に対して7°傾いている。光導波路22を端面に対して傾けることにより、反射率を低減させることができる。光導波路22の先端は、端面に向かって細くなるテーパ形状を有する。半導体光増幅器20の無反射端面から出力された光が、基板60の上に形成された入力用光導波路31に入力される。半導体光増幅器20の光導波路22と、入力用光導波路31とは、突合わせバットジョイント構造により結合している。突合わせ部は、屈折率調整用の樹脂で封止されている。入力用光導波路31は、基板60の端面の法線に対して15°傾いている。入力用光導波路31の先端も、端面に向かって細くなるテーパ形状を有する。図2Aに、基板60の上に形成された入力用光導波路31の断面図を示す。なお、基板60の上に形成された他の光導波路も、入力用光導波路31と同一の断面構造を有する。シリコン基板60Aの上に埋込酸化膜60Bが形成され、その上にシリコン層62が形成されている。シリコン層62を加工する前のシリコン基板60A、埋込酸化膜60B、及びシリコン層62は、通常のシリコンオンインシュレータSOI基板の作製方法により作製することができる。埋込酸化膜60Bの厚さは、例えば3μmであり、埋込酸化膜60Bは、下部クラッド層として作用する。加工前のシリコン層62の厚さは、例えば300nmである。シリコン基板60A及び埋込酸化膜60Bが、光導波路を形成するための基板60となる。基板60の上に形成される光導波路は、リブ導波路構造を有する。リブ導波路のコア層62Aの高さは300nmであり、コア層60A以外の領域のシリコン層62Bの厚さは50nmである。リブ導波路構造は、加工前のSOI基板のシリコン層62の上に、レジスト膜を形成し、シリコン層62をエッチングすることにより形成される。シリコン層62のエッチングには、例えば反応性イオンエッチングが適用される。シリコン層62の上に、酸化シリコンからなる厚さ2μmのカバー膜64が形成されている。カバー膜64は、上部クラッド層として作用する。図1に戻って説明を続ける。入力用光導波路31は、光カプラ40の入力ポート41に結合している。光カプラ40には、例えば1入力4出力のマルチモード干渉型光カプラが用いられる。マルチモード干渉型光カプラの長さは、例えば10μmである。光カプラ40の出力ポート42A~42Dが、それぞれ光導波路43A~43Dにより、リング内蔵反射器50A~50Dの入力ポート51A~51Dに結合されている。光導波路43A~43Dの光路長は、すべて等しい。光導波路43A~43Dに、それぞれ位相調整器45A~45Dが挿入されている。位相調整器45A~45Dは、カバー膜64図2Aの上にTi薄膜ヒータを形成することにより実現される。位相調整器45A~45Dの長さは、例えば20μmである。次に、リング内蔵反射器50Aの構造について説明する。リング内蔵反射器50B~50Dの構造は、リング内蔵反射器50Aの構造と同一である。リング内蔵反射器50Aは、アドドロップ型リング共振器52Aと分布ブラッグ反射器58Aとを含む。リング共振器52Aは、リング状光導波路53Aと、2本のバス導波路54A、55Aとを含む。一方のバス導波路54Aとリング状光導波路53Aとの結合位置と、他方のバス導波路55Aとリング状光導波路53Aとの結合位置とは、中心角にして180°の位置関係を有する。リング状光導波路53Aとバス導波路54A、55Aとの結合部分における両者の間隔は、例えば300nmである。リング状光導波路53Aの半径は8μmである。バス導波路54Aの一端が、リング内蔵反射器50Aの入力ポート51Aとなる。バス導波路55Aの一端が、リング共振器52Aのドロップポート56Aとして作用する。ドロップポート56Aに、分布ブラッグ反射器58Aが結合されている。リング内蔵反射器50A~50Dの入力ポート51A~51Dに入力された光が、分布ブラッグ反射器58A~58Dで反射されて入力ポート51A~51Dに戻るまでの遅延時間は、リング内蔵反射器50A~50Dのすべてにおいて等しい。また、入力ポート51A~51Dに戻る光の位相も揃っている。分布ブラッグ反射器58Aの後方の端部が、リング内蔵反射器50Aの出力ポート57Aとして作用する。他のリング内蔵反射器50B~50Dにも、出力ポート57B~57Dが画定されている。図2Bに、分布ブラッグ反射器58Aの平面図を示す。等幅の光導波路58Aaの両側に、回折格子58Abが形成されている。回折格子58Abは、交互に周期的に配列したシリコン領域と酸化シリコン領域とで構成される。シリコン領域は、光導波路58Aaに連続する。等幅の光導波路58Aaの幅Wは500nmであり、基板60の上に形成された他の光導波路の幅と同一である。回折格子58AbのピッチPdは300nmであり、導波方向の長さLaは500μmである。回折格子58Abを構成するシリコン領域の各々の導波方向の寸法Wdは30nm~150nmであり、導波方向に直交する方向の寸法Ldは3μmである。図3に、リング共振器52Aの透過スペクトルIt、及び分布ブラッグ反射器58Aの反射スペクトルIrを示す。リング共振器52Aの透過スペクトルItには、リング状光導波路53Aの周回長で規定されるフリースペクトラルレンジFSRの間隔で複数のピークが現れる。分布ブラッグ反射器58Aの反射スペクトルIrの反射波長帯域の中心波長は、回折格子58AbのピッチPdと、シリコン導波路の寸法に依存する等価屈折率により決定される。反射波長帯域の3dB帯域幅は、主にシリコン領域の寸法Wdで決まる結合係数により決定される。リング内蔵反射器50A図1は、リング共振器52A図1の透過スペクトルItの複数のピークのうち、分布ブラッグ反射器58Aの反射スペクトルIrの反射波長帯域内のピークに対応する波長の光のみを反射する。図1に示した光カプラ40の入力ポート41に入力された光は、4つの出力ポート42A~42Dに等分配される。等分配された光は、それぞれリング内蔵反射器50A~50Dで反射して、出力ポート42A~42Dに再入力される。出力ポート42A~42Dから出力されて、出力ポート42A~42Dに再入力されるまでの遅延時間は、出力ポート42A~42Dのすべてにおいて同一である。また、出力ポート42A~42Dに再入力される光の位相も揃っている。位相が揃って出力ポート42A~42Dに再入力された光は、光カプラ40で合波されて入力ポート41に出力される。なお、製造上のばらつき等によって位相にずれが生じる場合には、位相調整器45A~45Dによって位相を揃えることができる。位相を揃えることにより、合波時の損失を小さくすることができる。リング内蔵反射器50A~50Dの各々を一方の反射器とし、半導体光増幅器20に形成された高反射膜21を他方の反射器とするファブリペロー型光共振器が形成される。半導体光増幅器20、及び基板60の上に形成された光カプラ40及びリング内蔵反射器50A~50Dにより、外部共振器型半導体レーザ素子が構成される。リング内蔵反射器50A~50Dで反射されるピーク波長においてレーザ発振が生じる。レーザ発振してファブリペロー型光共振器内を往復するレーザ光の一部が、リング内蔵反射器50A~50Dの出射ポート57A~57Dから外部に出力される。リング内蔵反射器50Aのリング状光導波路53Aを導波する光のエネルギは、図10に示した参考例による外部共振器型半導体レーザ素子のリング共振器32のリング状光導波路を導波する光のエネルギの約1/4になる。他のリング内蔵反射器50B~50D内のリング状光導波路においても同様である。このため、リング状光導波路53Aからの発熱を抑制することができる。これにより、半導体光増幅器20への注入電流を大きくしても、レーザ発振波長の長波長側へのシフト量が抑制される。上述の実施例1では、4つのリング内蔵反射器50A~50Dを配置したが、リング内蔵反射器の個数は4個に限られない。リング内蔵反射器の個数を2以上にしてもよい。光カプラ40の出力ポートの数は、リング内蔵反射器の個数に一致させればよい。図4に、図10に示した参考例、及び図1に示した実施例1による外部共振器型半導体レーザ素子の発振波長のシフト量と、半導体光増幅器20への注入電流との関係を測定した結果を示す。なお、測定に用いた実施例1による外部共振器型半導体レーザ素子は、リング内蔵反射器の個数を2とした。図4の横軸は、半導体光増幅器20への注入電流を単位mAで表し、縦軸は、注入電流が40mAの時の発振波長を基準としたときの、発振波長のシフト量を単位nmで表す。実施例1による外部共振器型半導体レーザ素子の発振波長のシフト量は、参考例による外部共振器型半導体レーザ素子の発振波長のシフト量よりも小さいことがわかる。外部共振器型半導体レーザ素子に組み合わされるリングアシスト型光変調器の動作波長帯域幅は、約0.5nmである。参考例による外部共振器型半導体レーザ素子では、注入電流が120mA以上になると、発振波長が動作波長帯域から外れてしまう。これに対し、実施例1による外部共振器型半導体レーザ素子では、少なくとも注入電流が200mA以下の範囲内で、発振波長が、リングアシスト型光変調器の動作波長帯域内に収まっている。[実施例2]図5に、実施例2による半導体光素子の平面図を示す。以下、図1に示した実施例1との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例1の光カプラ40は1入力4出力型のマルチモード干渉型光カプラであったが、実施例2で用いられる光カプラ40は、4入力4出力型のマルチモード干渉型光カプラである。従って、光カプラ40は、4つの入力ポート41A~41D、及び4つの出力ポート42A~42Dを有する。光カプラ40の長さは、例えば40μmである。入力側光導波路31は、光カプラ40の1つの入力ポート41Cに接続されている。実施例2では、実施例1のリング内蔵反射器50A~50Dとして、ループ型リング共振器70A~70Dが採用される。ループ型リング共振器70A~70Dの構成は同一である。以下、ループ型リング共振器70Aの構成について説明する。ループ型リング共振器70Aは、光分波合波器71A、バス導波路72A、73A、及びリング状光導波路74Aを含む。リング内蔵反射器50Aの入力ポート51Aが、光分波合波器71Aの入力ポートに結合されている。光分波合波器71Aは、入力された光を2つの出力ポートに分配する。2つの出力ポートに、それぞれバス導波路72A及び73Aが結合している。バス導波路72A及び73Aは、リング状光導波路74Aに、中心を挟んで相互に反対側の結合箇所で結合する。光分波合波器71Aの一方の出力ポートに出力された光は、一方のバス導波路、リング状導波路74A、及び他方のバス導波路を導波されて、他方の出路力ポートに戻る。出力ポートに戻った光は、光分波合波器71Aで合波されて、入力ポート51Aから出力される。光分波合波器71Aには、1入力2出力マルチモード干渉型光カプラが用いられる。光カプラ40の出力ポート42A~42Dが、それぞれ光導波路43A~43Dにより、リング内蔵反射器50A~50Dの入力ポート51A~51Dに結合する。実施例1と同様に、半導体光増幅器20の高反射膜21と、リング内蔵反射器50A~50Dとを一対の反射器とするファブリペロー型光共振器が構成される。光導波路43A~43Dに、それぞれ位相調整器45A~45Dが挿入されている。実施例1では、光導波路43A~43Dの光路長が等しかったが、実施例2では、光導波路43A~43Dの光路長は等しくない。光カプラ40、光導波路43A~43D、及びリング内蔵反射器50A~50Dが、折り返し型のアレイ導波路回折格子を構成する。光導波路43A、43B、43C、43Dの光路長は、この順番に、ΔLずつ長くなるように設定されている。すなわち、光導波路43Dの光路長をLとすると、光導波路43C、43B、43Aの光路長は、それぞれLΔL、L2ΔL、L3ΔLである。ここで、光路長の差ΔLは、折り返し型アレイ導波路回折格子のFSRを決めるパラメータとなる。例えば、リング状光導波路74A~74Dの周回長は、アレイ導波路の数Nの2倍で除した長さと等しくなるように設定される。このとき、隣接するリング内蔵反射器50A~50Dの反射スペクトルのピークに対応する信号光が、それぞれ異なる入力ポートに結合する。具体的には、実施例2において、リング状光導波路74Aの半径は8μmであり、N=4であるため、光路長の差ΔLは約6.25μmになる。リング内蔵反射器50A~50Dの反射スペクトルには、フリースペクトラルレンジの間隔で複数のピークが現れる。位相調整器45A~45Dを調整することにより、リング内蔵反射器50A~50Dで反射されて光カプラ40の出力ポート42A~42Dに戻った光のうち、1つのピークに対応する波長の光を入力ポート41Cに結合させることができる。他のピークに対応する波長の光は、他の入力ポート41A、41B、41Dに結合するか、いずれの入力ポートにも結合しない。例えば、位相調整器45B、45Dの位相遅れを0基準としたとき、位相調整器45A、45Cの位相遅れをπ/290°とする。このように、折り返し型のアレイ導波路回折格子は、リング内蔵反射器50A~50Dの反射スペクトルの複数のピークのうち、1つのピークを選択する光フィルタとして動作する。このため、実施例1で用いた分布ブラッグ反射器は、実施例2では必要ない。実施例2においても、半導体光増幅器20から出力された光エネルギが、4つのループ型リング共振器70A~70Dに分配されるため、注入電流を増加させたときのレーザ発振波長のシフト量を抑制することができる。実施例2では、ループ型リング共振器70A~70Dの各々の2本のバス導波路の後方の端部が、外部共振器型半導体レーザ素子の出力ポート57Aa、57Ab、57Ba、57Bb、57Ca、57Cb、57Da、57Dbとなる。なお、実施例2においても、リング内蔵反射器の個数は4に限らず、2以上であればよい。光カプラ40の入力ポートの個数、及び出力ポートの個数は、リング内蔵反射器の個数に一致させればよい。[実施例3]図6に、実施例3による半導体光素子の平面図を示す。以下、図5に示した実施例2との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例2では、入力用光導波路31を導波する光が、1つの光カプラ40によって複数本図5では4本の光導波路43A~43Dに分配される。実施例3では、入力用光導波路31を導波する光が、カスケード接続された複数図6では3個の光カプラ80A~80Cにより、複数の光導波路43A~43Dに分配される。光カプラ80A~80Cには、例えば1入力2出力のマルチモード干渉型カプラや、方向性結合器が用いられる。方向性結合器を使用した場合の方向性結合器の結合長は40μmであり、光導波路の間隔は300nmである。入力用光導波路31が、1段目の光カプラ80Aの入力ポート81Aに結合されている。光カプラ80Aの一方の出力ポート82Aに、光導波路43Aが結合され、他方の出力ポートカップリングポート83Aに、後段の光カプラ80Bの入力ポート81Bが結合される。同様に、2段目の光カプラ80Bの出力ポート82Bに、光導波路43Bが結合され、カップリングポート83Bに、後段の光カプラ80Cの入力ポート81Cが結合される。最終段の光カプラ80Cの出力ポート82Cに光導波路43Cが結合され、カップリングポート83Cに光導波路43Dが結合される。光導波路43A、43B、43C、43Dの光路長は、この順番に長くなるように設定されている。光導波路43Dの光路長をLとすると、光導波路43C、43B、43Aの光路長は、それぞれLΔL、L2ΔL、L4ΔLである。光路長の差ΔLは、例えば2.5μmである。最も短い光導波路43Dには、位相調整器が挿入されていない。なお、他の光導波路43A~43Cに挿入された位相調整器45A~45Cは、位相の微調整用である。微調整を行う必要がない場合には、位相調整器45A~45Cは不要である。光カプラ80A~80C、光導波路43A~43D、リング内蔵反射器50A~50Dは、折り返し型の非対称マッハツェンダ干渉型光フィルタとして動作する。図7に、ループ型リング共振器70A~70Dの反射スペクトルIa、及び非対称マッハツェンダ干渉型光フィルタの透過スペクトルIbを示す。ループ型リング共振器70A~70Dの反射スペクトルIaには、FSRの間隔で複数のピークが現れる。非対称マッハツェンダ干渉型光フィルタの透過スペクトルIbは、反射スペクトルIaの複数のピークのうち1つのピークに対応する波長λ0でほぼ最大となり、隣のピークに対応する波長が3dB帯域内に含まれないような特性を示す。反射スペクトルIaに現れる複数のピークのうち、1つのピークが、非対称マッハツェンダ干渉型光フィルタによって選択される。実施例3では、半導体光増幅器20から出力された光エネルギが、4つのループ型リング共振器の70A~70Dに4等分されるわけではないが、ループ型リング共振器70A~70Dの各々に導入される光エネルギは、図10に示した参考例のリング共振器32に導入される光エネルギよりも小さい。このため、注入電流を増加させたときのレーザ発振波長のシフト量を抑制することができる。[実施例4]図8に、実施例4による半導体光素子の平面図を示す。以下、図1に示した実施例1との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例1では、入射光導波路31が、光カプラ40の入力ポート41に直接結合されていた。実施例4では、入射光導波路31が、光分波器85の入力ポート86に結合されている。光分波器85の出力ポート87が光カプラ40の入力ポート41に結合されている。光分波器85のカップリングポート88に、出力用光導波路89が結合されている。光分波器85として、例えば方向性結合器が用いられる。半導体光増幅器20から出力され、入力用光導波路31を導波する光の一部が、カップリングポート88に結合し、出力用光導波路89を経由して、外部に取り出される。実施例1~実施例3では、半導体光増幅器20の出力が、複数の出力ポートに分配されて外部に取り出されたが、実施例4では、1本の出力用光導波路89から外部に取り出される。このため、高強度の信号光を得ることができる。なお、実施例2及び実施例3に、光分波器85及び出力用光導波路89の構成を適用することも可能である。[実施例5]図9に、実施例5による半導体光素子の平面図を示す。以下、図1に示した実施例1との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例1による外部共振器型半導体レーザ素子の4つの出力ポート57A~57Dに、それぞれリングアシスト型光変調器90A~90Dが結合されている。リングアシスト型光変調器90A~90Dの各々は、マッハツェンダ干渉計と、その2本のアームにそれぞれ結合する複数のリング共振器とを有する。リングアシスト型光変調器90A~90Dは、リング内蔵反射器50A~50D等と同一の基板60の上に形成されている。リングアシスト型光変調器90A~90D内のリング共振器の周回長は、リング内蔵反射器50A~50D内のリング共振器の周回長と同一である。このため、容易に、外部共振器型半導体レーザ素子の発振波長を、リングアシスト型光変調器の動作波長帯域内に収めることができる。また、実施例1と同様に、半導体光増幅器20への注入電流が増加しても、レーザ発振波長のシフト量を抑制することができるため、レーザ発振波長が、リングアシスト型光変調器90A~90Dの動作波長帯域から外れてしまうこと防止できる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。