"電子装置製造における加熱処理装置の内表面の表面粗さが、中心平均粗さRaで表現すると、1μm以下であることを特徴とする電子装置製造装置。本発明の目的は、電子装置の高性能化高信頼性化に効果がある加熱雰囲気の制御を可能にする電子装置の製造装置、および製造方法を提供することにある。また本発明はそれらの方法によって製造された高性能高信頼性の表示装置等電子装置を提供することも目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を加えたところ、電子装置製造における製造装置特に加熱設備の内表面の粗さや材質が加熱雰囲気の酸素や水分などの不純物含有量に大きく影響を及ぼすこと、および加熱雰囲気の残存酸素量、残存水分量や還元性ガス量を制御することが熱硬化性樹脂の透明性向上に効果があることを見出し、本発明の完成に至った。かくして本発明によれば、電子装置製造用加熱処理装置の内表面の表面粗さが中心平均粗さRaで1μm以下の製造装置が提供される。また、本発明によれば、加熱処理装置の内表面が、酸化性ガスを接触させて熱処理を行うことにより、酸化物不働態膜を形成することを特徴とする電子装置製造装置が提供される。なお、上記製造装置の酸化物不働態膜は、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化チタンの少なくとも一つであることが好ましい。また、本発明によれば、加熱処理雰囲気中を不活性ガスで置換し、かつ雰囲気中の残存酸素濃度を10ppm以下に制御することが好ましい。さらに残存水分も10ppm以下に制御することが好ましい。また、不活性ガス中に水素のような還元性ガスを0.1~100体積添加することが好ましい。なお、上記熱硬化性樹脂がアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂およびシリカ系樹脂からなる群から選ばれた樹脂を一種または複数種含むことが好ましい。さらに、本発明は上記製造装置および製造方法によって製造されたことを特徴とするフラットパネル表示装置等の高性能表示装置、プリント基板、パソコンや携帯電話端末のような電子装置一般を提供する。本発明では、電子装置の製造に使用される加熱処理装置の内表面の表面粗さを制御することによって、当該加熱処理装置内で使用される熱硬化性樹脂の分解、解離等による悪影響を軽減し、光線透過率の高い膜を形成することができる。このため、本発明は、光線透過率の高い膜を必要とするアクティブマトリックス基板等の電子装置製造に適用して、効果を上げることができる。本発明の実施例において、表示装置等電子装置製造用加熱処理装置内表面の材質としてはステンレス鋼、アルミニウム合金が適用される。特にステンレス鋼としては、オーステナイト系、フェライト系、オーステナイトフェライト系およびマルテンサイト系ステンレス鋼が使用可能であるが、例えば、オーステナイト系SU304、SUS304L、SU316、SUS316L、SUS317、SUS317L等が好適に使用される。ステンレス鋼の表面研磨としては酸洗、機械研磨、ベルト研磨、バレル研磨、バフ研磨、流動砥粒研磨、ラップ研磨、バニッシング研磨、化学研磨、電解複合研磨または電解研磨処理等が可能であり、もちろん一つの材料中にこれらの研磨が混在しても構わない。ただし、表示装置等電子装置製造用加熱処理装置の内表面の表面粗さが中心平均粗さRaであらわしたとき、1μm以下のバフ研磨、流動砥粒研磨、ラップ研磨、バニッシング研磨、化学研磨、電解複合研磨および電解研磨が有効である。表面粗さは、中心平均粗さRaで1μm以下が好ましく、0.5μm以下がより好ましく、0.1μm以下が最も好ましい。表面粗さが中心平均粗さRaで1μmより大きいと容器の内壁に吸着している酸素や水分などの不純物ガスなどが加熱装置内雰囲気中へ混入する恐れがある。一方、本発明における表示装置等電子装置製造用加熱処理装置の内表面は、特開平7-233476、特開平11-302824に記載の酸化性雰囲気ガス中で熱処理を行うことにより、酸化物不働態膜を形成することが望ましい。例として酸化アルミニウムの形成条件は、酸素もしくは水分を含む酸化性ガスにアルミニウム含有ステンレス鋼に接触させ酸化アルミニウム不働態膜を形成することを特徴とし、酸素濃度は、500ppb~100ppm、好ましくは1ppm~50ppmであり、また水分濃度は、200ppb~50ppm、好ましくは500ppb~10ppmである。さらに、酸化性ガス中に水素を含む酸化性混合ガスでも良い。酸化処理温度は700°C~1200°C、好ましくは800°C~1100°Cである。酸化処理時間は30分~3時間である。酸化物不働態膜を形成することにより、耐食性の改善や表面吸着水分量の低減が可能となる。また、電解研磨のような清浄化表面処理が施されたステンレス鋼であっても、配管内表面から放出される水分量制御が不十分であるため、加熱雰囲気形成用の高純度不活性ガスや還元性ガスと接する部分には不動態膜形成することが望ましい。酸化物不働態膜の種類としては、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化チタン等が挙げられるが、材料の耐食性や内表面吸着水分量低減の点で酸化アルミニウムが特に望ましい。また、本発明の実施例に適用されるアクティブマトリックス表示装置等電子装置に用いる熱硬化性樹脂の加熱雰囲気は、加熱処理装置内部を不活性ガスで置換した際の残存酸素濃度を10ppm以下に制御することが望ましい。不活性ガスの種類は特に限定されないが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンなどの希ガス類や窒素が挙げられる。特に水分等の不純物が1ppb以下の高純度化したガスの入手のし易さから、アルゴンや窒素が特に望ましい。加熱処理装置内雰囲気の残存酸素濃度は10ppm以下、好ましくは1ppm以下、更に好ましくは100ppb以下であることが望ましい。雰囲気中の残存酸素濃度が10ppm以上の場合、加熱処理装置内温度が200°C以上で熱硬化性樹脂の酸化劣化が始まり、透明性が劣化する。加熱処理装置内の不活性ガス雰囲気中への、還元性ガスの添加は熱硬化性樹脂の劣化による光線透過率低下を抑制する効果がある。還元性ガスの添加量としては不活性ガスに対し、0.1~100体積、好ましくは1~50体積、特に好ましくは10~30体積である。還元性ガスの添加量が0.1以下では、熱硬化性樹脂劣化を抑制する効果が得られない。本発明に使用する還元性ガスの種類は、樹脂の酸化反応を抑制する効果があれば特に限定されないが、還元効果と高純度化したガスの入手のし易さから水素が好ましい。本発明に適用される電子装置の配線構造は特に限定されないが、絶縁性基板上に配線層が平坦化層とともに設けられる構造が好ましい。たとえば、アクティブマトリクス基板では、走査線と、信号線と、該走査線と該信号線の交差部付近に、該走査線にゲート電極が接続され、該信号線にソースあるいはドレイン電極が接続された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタと透明電極間に平坦化層が存在し、該平坦化層は熱硬化性樹脂によって形成された構造、または信号線およびソース電極ならびにドレイン電極の表面はこれらを囲む平坦化層と実質上同一平面を形成し、該平坦化層は熱硬化性樹脂によって形成された構造が望ましい。特に信号線およびソース電極ならびにドレイン電極の表面はこれらを囲む平坦化層と実質上同一平面を形成する構造の場合は、一般的な構造に比べ平坦化層が増加することによる光線透過率の劣化を抑制するため、より好ましい。本発明に使用する平坦化層は樹脂によって形成されていることを特徴とし、感光性樹脂組成物によって形成されていることが好ましい。また、前記平坦化層は無機物を含んでいてもよい。前記平坦化層はより好ましくは、アルカリ可溶性脂環式オレフィン樹脂と感放射線成分とを含有する樹脂組成物を用いて形成されていることが望ましいが、前記感光性樹脂組成物はアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、およびエポキシ系樹脂からなる群から選ばれた樹脂をふくんでいてもよい。[実施例]以下に本発明の実施例を説明する。なお、当然のことであるが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例および比較例中の分析値は、いずれも四捨五入して求めた値である。また、以下の実施例および比較例における分析条件は下記の通りである。分析条件1X線光電子分光分析以下、XPS分析と略す。装置:島津製作所製ESCA-1000分析条件2大気圧イオン化質量分析以下、API-MS分析と略す。装置:バイオラッド社製FTS-50A分析条件3全光線透過率紫外分光光度分析装置:島津製作所製UV-2550全光線透過率は400nmから800nm間の各波長での光線透過率の平均値と定義した。分析条件4残膜率段差測定装置:KLA-Tencor社製P-10残膜率は下記式から導かれる値と定義した。残膜率=加熱処理後膜厚/加熱処理前膜厚×100[実施例1]本実施例では、Cr含有量29.1重量のフェライト系ステンレス鋼配管の内表面を電解研磨処理し使用した。配管外径14インチ、配管長2m、表面粗度は約0.5μmとした。電解研磨処理後、炉内に上記のステンレス鋼を装入し、不純物濃度が数ppb以下のArガスを炉内に流しながら室温から550°Cまで1時間かけて昇温し、同温度で1時間ベーキングを行い表面から付着水分を除去した。上記ベーキング終了後、水素濃度10、水分濃度100ppmの処理ガスに切り替え3時間の熱処理を行なった。上記配管の一部を切り取り、XPS分析によって配管内表面に100Cr2O3が深さ方向に約15nmの厚さで形成されていることを確認した。[実施例2]本実施例ではAl含有量4.0重量のオーステナイト系ステンレス鋼配管の内表面を電解研磨処理し使用した。実施例1と同様サイズの配管を使用した。電界研磨処理後、炉内に上記のステンレス鋼を装入し、不純物濃度が数ppb以下のArガスを炉内に流しながら室温から400°Cまで1時間かけて昇温した。同温度で1時間ベーキングを行い表面から付着水分を除去した。上記ベーキング終了後、水分濃度5ppm、さらに水分混合ガス中に水素を10添加した酸化性雰囲気に切り替え、処理温度は900°C、処理時間は1時間で酸化処理を行なった。上記配管の一部を切り取り、XPS分析によって配管内表面に100Al2O3が深さ方向に約200nmの厚さで形成されていることを確認した。[各種表面処理された配管の水枯れ特性評価]実施例1、2で処理したステンレス鋼配管および同サイズの内表面を電解研磨したSUS316-EP管、焼鈍し処理したSUS316-BA管を用い、配管の水枯れ特性を図1に示された評価装置により評価した。前記配管を水分量0.1ppb以下のアルゴンガス雰囲気で500°Cに加熱し完全に内表面に吸着した水分を除去した後、温度23°Cで相対湿度45のクリーンルーム空気に24時間曝した。その後、各種表面処理された直径1/4インチ、長さ2mのチューブに1.2L/分のArガスを室温で10時間流し、その間のAr中の水分量をAPI-MSで測定した。その結果を図2に示す。なお、最初の3分間は水分発生量が膨大であるため、Arガスを流し始めて3分後からのデータになっている。焼鈍し処理したSUS316-BA表面では、10時間720LのArガスを流した後でも10ppb以上の水分量が発生しているのに対し、実施例1、2で処理したステンレス鋼配管および電解研磨したSUS316-EP管では3ppb以下にまで低下している。特に実施例1、2で処理したステンレス鋼配管においては、4時間280LのArガスを流すと1ppb以下の水分発生量に抑えられる。[実施例3][平坦化層の分光光度分析]20mm×30mmサイズの無アルカリガラス基板を洗浄後、高純度窒素中で脱水加熱を行った。その後、ヘキサメチレンジシラザンHMDSの蒸気処理によって密着層を形成した。密着層形成後、熱硬化性樹脂のJSR株式会社製感光性アクリル樹脂ポジ型をスピンコート法によって塗布し、約1μm厚みの樹脂膜を形成した。樹脂膜を形成した無アルカリガラス基板をマスクアライナーCANON製PLA501で500mJg、h、i線混合基板全面を露光した。露光後、装置内を電解研磨処理したSUS316L-EP表面の図3の焼成装置を用い、高純度窒素と酸素により装置内の酸素濃度を10ppmに制御した雰囲気の下、300°Cで60分間加熱し、樹脂膜を硬化した。加熱処理したガラス基板の分光光度計による光線透過率測定と触針式膜厚計による膜厚測定を行った。結果を表1に示す。[比較例1]焼成装置内の酸素濃度を100ppmに制御した以外は、実施例3と同様に行った。結果を表1に示す。[比較例2]焼成装置内の酸素濃度を1000ppmに制御した以外は、実施例3と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例4]酸素の代わりに水素を2添加した以外は、実施例3と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例5,6および比較例3]熱硬化性樹脂として日本ゼオン株式会社製感光性脂環式オレフィン樹脂ポジ型を用いた以外は、実施例3,4および比較例1と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例7]水素濃度を20添加した以外は、実施例6と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例8,9]熱硬化性樹脂としてJSR株式会社製感光性シリコーン樹脂ネガ型を用いた以外は、実施例5,6と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例10]焼成装置内の酸素濃度10ppm、水素を2添加した以外は、実施例8と同様に行った。結果を表1に示す。[比較例4]焼成装置内の酸素濃度を1に制御した以外は、実施例8と同様に行った。結果を表1に示す。[実施例11]本発明の実施例11におけるアクティブマトリクス表示装置について、図4を参照して説明する。図4は本実施例11のアクティブマトリクス液晶ディスプレイの構造を示す断面図であり、ガラス基板上に形成された走査線と、信号線と、該走査線と該信号線の交差部付近に、該走査線にゲート電極が接続され、該信号線にソースあるいはドレイン電極が接続された薄膜トランジスタを有しており、信号線、ソース電極、およびドレイン電極を囲むように平坦化層が形成され、信号線、ソース電極、ドレイン電極と該平坦化層とは実質的に同一平面を形成している。この平面上に層間絶縁膜を介して画素電極が配置され、アクティブマトリクス基板を構成し、対向基板との間で液晶を挟持して構成される。本実施例11の走査線およびゲート電極配線をインクジェット法による埋め込み配線とした。ここでは、ゲート配線部の形成方法について述べる。まずガラス基板の表面に1μmの厚さの感光性を有する脂環式オレフィン樹脂系の透明樹脂膜熱硬化性樹脂をスピンコート法等の手法により形成する。この感光性樹脂膜はフォトレジスト膜としての機能を有している。次に、感光性透明樹脂膜を活性放射線を用いて選択的に露光、現像および除去、加熱硬化をすることにより図5aに示すように感光性透明樹脂膜に溝を形成する。加熱硬化条件は、感光性透明樹脂の光線透過率を高めるため、装置内表面をSUS316の電解研磨処理した加熱装置を用い、更に残存酸素濃度を10ppmに制御し、300°Cで60分焼成した。配線幅が微細である場合は、印刷精度を高めるために、前記透明樹脂層表面に撥水性を持たせる処理を行ってもよい。具体的にはNF3などのフッ素系ガスのプラズマを用いて表面をフッ素処理したり、樹脂の加熱硬化前にフッ素系シリル化剤を樹脂前駆体に含浸したりすることなどが例示される。次にインクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法により、前記溝部に配線前駆体を充填する。配線形成方法はインクの効率的な使用の観点からインクジェット法が好ましいが、スクリーン印刷法などを用いてもよい。本実施例では配線前駆体として特開2002-324966に開示されるものと同様の銀ペーストインクを用いて配線を形成した。配線前駆体を充填後250度の温度で30分間焼成を行い、走査線およびゲート電極配線とした。次に、マイクロ波励起プラズマを用いたプラズマCVD法によりSiH4ガスとH2ガスとN2ガスとArガスを用いてシリコン窒化膜SiNx膜を成膜した。通常の高周波励起プラズマを用いてもSiNx膜の成膜が可能であるが、マイクロ波励起プラズマを用いることで、より低温でのSiNx膜の成膜が可能である。成膜温度は300°Cとし、膜厚は0.2μmとした図5b。次にマイクロ波励起プラズマを用いたプラズマCVD法により、アモルファスシリコン層およびn型アモルファスシリコン層を成膜した。アモルファスシリコン層はSiH4ガスを用い、n型アモルファスシリコン層はSiH4ガスおよびPH3ガス、Arガスを用い、300°Cの温度で成膜した図5c。次に、全面にフォトレジストをスピンコート法により塗布し、100°Cで1分間、ホットプレート上で乾燥し溶剤を除去した。次にg線ステッパを用いて、36mJ/cm2のエネルギードーズ量で露光を行った。露光に際しては、素子領域を残存するようにマスクを形成し、素子領域内部のチャネル領域に相当する部分はスリットマスクを用いて、露光量を調整した。2.38のTMAH溶液を用いてパドル現像70秒間を行った結果、図5dに示すフォトレジスト形状を得た。次に、プラズマエッチング装置を用いて、n型アモルファスシリコン層、アモルファスシリコン層のエッチングを行った。この際、フォトレジストも若干エッチングされ、膜厚が減少するため、フォトレジスト膜厚の薄いチャネル領域部のレジストはエッチング除去され、nシリコン層もエッチングされる。素子領域部以外のn型アモルファスシリコン層およびアモルファスシリコン層がエッチング除去され、チャネル領域のn型アモルファスシリコン層がエッチング除去された時点で、エッチング処理を終了すると図5eに示す形状を得る。ソース電極部およびドレイン電極部のn型アモルファスシリコン層上のフォトレジストは残存したままである。次にこの状態で、Arガス、N2ガス、H2ガスを用いて、マイクロ波励起プラズマ処理を行い、チャネル部のアモルファスシリコン表面に直接、窒化膜を形成する図5f。一般的な高周波プラズマを用いても窒化膜の形成は可能であるが、マイクロ波励起プラズマを用いることにより、電子温度が低いプラズマを生成できるため、チャネル部にプラズマによるダメージを与えることなく窒化膜を形成でき好ましい。また、CVD法により窒化膜を形成することも可能であるが、ソース電極およびドレイン電極領域にも窒化膜が形成され、後に除去工程が必要になるため、直接窒化膜がより好ましい。次に、ソース電極、およびドレイン電極領域上に残存するフォトレジスト膜を、酸素プラズマアッシングを施した後、レジスト剥離液などにより除去することで図5gのような形状を得る。続いて、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線をインクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法で形成する際に必要となる配線形成補助層として脂環式オレフィン樹脂系の感光性透明樹脂膜前駆体熱硬化性樹脂を塗布し、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線用フォトマスクを用いて露光、現像、加熱硬化を行うことで透明樹脂層を形成し、図5hに記載のように、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線領域となる溝を得る。加熱硬化条件は、感光性透明樹脂の光線透過率を高めるため、装置内表面をSUS316の電解研磨処理した加熱装置を用い、更に残存酸素濃度を10ppmに制御し、250°Cで60分焼成した。配線幅が微細である場合は、精度を高めるために、前記透明樹脂層表面に撥水性を持たせる処理を行ってもよい。具体的にはNF3などのフッ素系ガスを用いたプラズマを用いて表面をフッ素処理したり、樹脂のポストベーク前にフッ素系シリル化剤を樹脂前駆体に含浸したりすることなどが例示される。次にインクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法により、前記溝部に配線前駆体を充填する。配線形成方法はインクの効率的な使用の観点からインクジェット法が好ましいが、スクリーン印刷法などを用いてもよい。本実施例では配線前駆体として特開2002-324966に開示されるものと同様の銀ペーストインクを用いて配線を形成した。配線前駆体を充填後250度の温度で30分間焼成を行い、配線とした。このようにして、TFTの形成を完了した。次に、層間絶縁膜として、脂環式オレフィン樹脂系の感光性透明樹脂を成膜し、露光、現像を行うことで、画素電極から前記TFT電極へのコンタクトホールを形成した。感光性透明樹脂の硬化はこれまでの工程と同様に、感光性透明樹脂の光線透過率を高めるため、装置内表面をSUS316の電解研磨処理した加熱装置を用い、更に残存酸素濃度を10ppmに制御し、250°Cで60分焼成した。これに引き続き、基板全面にITOをスパッタ成膜し、パターニングすることで画素電極とした。ITOの代わりにSnO2などの透明導電膜材料を用いてもよい。この表面に液晶の配向膜としてポリイミド膜を形成し、対向基板との間に液晶を挟持することで、アクティブマトリクス液晶表示装置を得た。本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置によれば、平坦化層の透明性が高いため、低消費電力かつ輝度が高く、高品質な表示を得ることができた。"