"p-ドープシリコン基板12と、前面のn-ドープ領域14と、少なくとも1つの反射防止層22を有する結晶太陽電池10を製造するための方法であって、基板12のn-ドープ領域において、前面の表面近くに5ないし100の範囲の均一または大部分均一な表面カバレージでシリコンを含む析出物を生成させ、p-ドープシリコン基板12の前面表面全体を親水化した後、前面表面全体にリン酸を含む溶液を一様に塗布し、続いて、基板の第1の熱処理工程においてリンケイ酸ガラスを生成させ、前記第1の熱処理工程または第2の熱処理工程において表面近くにシリコン含有析出物を生成させることを特徴とする方法。リンを含む溶液をp-ドープシリコン基板12の全表面に塗布する前に、好ましくは1体積未満の界面活性剤および/または5体積より多いアルコールを、リンを含む溶液に加えることを特徴とする請求項1に記載の方法。前面のSi基板表面を、H2O2またはオゾン含有溶液中において、湿式化学的に親水化することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の方法。Si基板表面を、NaOHまたはH2O2の混合物中において、湿式化学的に親水化することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。Si基板表面を、酸素含有雰囲気中において、300°Cより高い温度での熱処理で親水化することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。Si基板表面を、オゾン含有雰囲気によって親水化することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。Si基板表面を、酸素含有雰囲気中において、300nm未満の波長をもつUV光によって親水化することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リンを含む溶液を、浸漬法によってまたは超音波噴霧によって塗布することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。溶液中のリン酸濃度が5ないし35の範囲にあることを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リンケイ酸ガラスを製造するための第1の熱処理工程を、800°C≦T1≦930°Cの温度T1で、2分≦t1≦90分の時間t1のあいだ行うことを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リン化ケイ素SixPy,SixPyOz析出物の形態の析出物を製造するための第2の熱処理工程を、800°C≦T1≦930°Cの温度T1で、10分≦t2≦90分の時間t2のあいだ行うことを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リンケイ酸ガラスの形成および析出物からの結晶化を、800°C≦T3≦930°Cの温度T3で10分≦t3≦120分の時間t3のあいだ、共通の熱処理工程で行うことを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リンケイ酸ガラスを製造するための第1の熱処理工程を、酸素含有雰囲気下で行うことを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。リンケイ酸ガラスを、第2の熱処理工程に先立って除去することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。10nmないし100nmの範囲の厚さをもつリンケイ酸ガラス層が生成することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。10より高いリン濃度をもつリンケイ酸ガラス層が生成することを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。析出物を、25原子パーセントより高いリン濃度で結晶化させることを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。単位面積あたりで結晶化する析出物が、単位面積によって15未満だけ変化するように、析出物を均一に結晶化させることを特徴とする少なくとも請求項1に記載の方法。p-ドープSi基板12と前面n-ドープ領域114を有する結晶太陽電池10であって、ここで、太陽電池のn-ドープ領域14の前面表面に、5ないし100の範囲の均一なまたは実質的に均一な表面カバレージで、表面の近くにシリコン含有析出物を有することを特徴とする結晶太陽電池。単位面積あたりで結晶化する析出物が、単位面積によって15未満だけ変化することを特徴とする請求項19に記載の結晶太陽電池。SixPyまたはSixPyOz相から結晶化した析出物をもつ、前面n-ドープ領域における表面近くの厚さ100nmまでの層の面積平均の比電気抵抗が、100の表面カバレージで約5Ωcmであることを特徴とする請求項19または20に記載の結晶太陽電池。析出物を、25パーセントより高いリン濃度で結晶化させたことを特徴とする少なくとも請求項19に記載の結晶太陽電池。少なくとも請求項1に記載の方法を用いて製造する、少なくとも請求項19に記載の結晶太陽電池。"