"配線基板と、機能素子が形成された機能面を有し、この機能面を上記配線基板の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップと、上記配線基板の少なくとも上記一方表面上に形成され、上記配線基板の端面とほぼ面一の端面を有する導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層と、上記配線基板の上記端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含み、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有し、上記半導体チップにおいて、上記機能面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置。配線基板と、上記配線基板にフリップチップ接続された半導体チップと、上記配線基板の少なくとも一方表面上に形成され、上記配線基板の端面とほぼ面一の端面を有する導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層と、上記配線基板の上記端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含み、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有し、上記半導体チップにおいて、上記配線基板に対向する面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置。配線基板と、上記配線基板にフリップチップ接続された半導体チップと、上記配線基板の一方表面上に形成された導電部材と、上記配線基板上に形成され、上記半導体チップを覆う封止樹脂層と、上記配線基板の端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含み、上記導電部材、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有し、上記半導体チップにおいて、上記配線基板に対向する面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置。上記蓋部材が、上記導電部材と同種の金属からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。上記導電部材は、上記配線基板において、上記一方表面から、上記溝の内面を経て、上記一方表面と反対側の他方表面に至るように連続して形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。上記溝が、半円柱状であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体装置。配線基板と、機能素子が形成された機能面を有し、この機能面を上記配線基板の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップと、上記配線基板の少なくとも上記一方表面上に形成され、上記配線基板の端面とほぼ面一の端面を有する導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層とを含み、上記半導体チップにおいて、上記機能面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置。上記配線基板の端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の表面を、上記導電部材が覆っており、上記封止樹脂が、上記溝の上記配線基板の上記一方表面側のみを覆っていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。上記導電部材が、銅からなることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の半導体装置。上記半導体チップが、上記導電部材と、接続部材を介して接続されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載の半導体装置。上記封止樹脂層は、上記半導体チップの側面を、上記配線基板の側から、上記半導体チップの厚さ方向に関して中間部まで覆っていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項に記載の半導体装置。上記封止樹脂層の厚さは、上記配線基板の端部から上記半導体チップの端面に向かって徐々に厚くなることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか1項に記載の半導体装置。ところが、金属材料からなる導電膜は、延性を有するため、切断工具により切断される際、切断工具の移動方向に引きずられて延び、その移動方向下流側でバリを生じる。このようなバリを有する半導体装置が、実装基板に実装されると、実装基板上に隣接して実装される他の部品等との間で電気的短絡を生じる原因となる。また、バリが半導体装置から分離し、たとえば、実装基板上に落ちることによっても実装基板上で電気的短絡が生じることがある。そこで、この発明の目的は、導電部材のバリを有さない半導体装置を提供することである。複数の配線基板2が作り込まれ、互いに隣接する上記配線基板の境界にまたがって形成された導電部材13を少なくとも一方表面2aに有する元基板11から形成される上記配線基板を有する半導体装置1,21の製造方法は、機能素子4が形成された機能面3aを有する半導体チップ3を、上記元基板における各配線基板に対して、その機能面が上記一方表面と所定間隔を隔てて対向するように接続するチップ接続工程と、このチップ接続工程の後、上記元基板と上記半導体チップとの隙間、および上記導電部材上に封止樹脂層7を形成する封止樹脂層形成工程と、この封止樹脂層形成工程の後、上記元基板と切断工具Bとを、その切断工具が上記元基板の上記一方表面と反対側の他方表面2bから上記一方表面に抜けるように相対移動させることにより、上記元基板を、互いに隣接する上記配線基板の境界に沿って切断する工程とを含んでもよい。なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。この構成によれば、各配線基板毎に半導体チップが接続された元基板を、互いに隣接する配線基板の境界に沿って切断することにより、配線基板に半導体チップが接続された構成の半導体装置を得ることができる。元基板を切断する工程では、切断工具たとえば、ダイシングブレード、カット金型などは、元基板に対して、封止樹脂層が形成されている一方表面と反対側の他方表面側から一方表面側に抜けるように相対的に移動される。このとき、たとえ導電部材が延性を有する金属材料からなる場合であっても、切断工具の移動方向下流側に存在する封止樹脂層によって、その導電部材が切断工具に引きずられて延びることが防止される。したがって、この製造方法によれば、導電部材のバリを有さない半導体装置を製造できる。そして、この半導体装置では、導電部材のバリを有しないので、実装基板に実装されたときに、その実装基板上に実装される他の部品との間での電気的な短絡を生じるおそれがない。上記元基板を切断する工程は、上記元基板の上記一方表面上記半導体チップが接続された面にテープを貼り付ける工程と、上記テープが貼り付けられた上記元基板を、互いに隣接する上記配線基板の境界に沿って切断する工程とを含んでいてもよい。この場合、導電部材上に、封止樹脂層が形成されていることにより、この封止樹脂層が形成されていない場合と比べて、元基板上において、半導体チップと、半導体チップが存在していない領域との間の段差を小さくして、テープに貼り付けることができる。上記封止樹脂層は、上記元基板の上記一方表面において、上記半導体チップとの間および上記導電部材上を含む連続した領域に形成されていてもよく、たとえば、上記一方表面のほぼ全面に形成されていてもよい。封止樹脂層を構成する樹脂としては、公知のアンダーフィル材を用いることができる。導電部材上に形成する封止樹脂層は、従来、元基板配線基板と半導体チップとの間およびその付近にのみ形成されていたアンダーフィル材を、導電部材が形成された隣接する配線基板の境界配線基板の端部付近まで拡大して形成すればよく、アンダーフィル材と別に導電部材上に形成する必要はない。上記元基板には、互いに隣接する上記配線基板の境界にまたがる領域に上記元基板を厚さ方向に貫通するスルーホール12が形成されていてもよく、この場合、上記導電部材が、上記一方表面から上記スルーホールの内面を経て上記他方表面に至るように連続して形成されていてもよい。この場合、元基板を、互いに隣接する配線基板の境界に沿って切断することにより、スルーホールは配線基板の端面に形成された溝となり、スルーホール内に形成された導電部材は、配線基板の端面溝に形成された導電部材となる。この構成によれば、元基板を切断する工程では、導電部材の他方表面に形成された部分は、切断工具の移動方向下流側に存在する元基板によって、切断工具に引きずられ延びることが防止される。したがって、この製造方法によれば、配線基板の一方表面から端面溝を経て他方表面に至る導電部材を有しつつ、バリを有さない半導体装置を得ることができる。このようにして得られた半導体装置は、導電部材のうち、溝内配線基板の端面に形成された部分および他方表面に形成された部分を外部接続部として、たとえば、半田により、実装基板に形成された電極パッドに接続できる。この半導体装置の製造方法は、上記封止樹脂層形成工程の前に、上記スルーホールの上記一方表面の側を塞ぐ蓋部材23を形成する工程をさらに含んでもよい。この場合、上記蓋部材を形成する工程は、上記導電部材と同種の金属により上記蓋部材を形成する工程を含んでもよく、上記蓋部材を形成する工程は、めっきにより上記蓋部材を形成する工程を含んでもよい。上記導電部材は、銅からなるものであってもよい。上記封止樹脂層形成工程は、上記元基板の上記一方表面の全面に、上記封止樹脂層を形成する工程を含んでもよい。上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、配線基板2と、機能素子4が形成された機能面3aを有し、この機能面を上記配線基板の一方表面2aに対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップ3と、上記配線基板の少なくとも上記一方表面上に形成され、上記配線基板の端面2eとほぼ面一の端面6eを有する導電部材6と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層7と、上記配線基板の上記端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材22とを含み、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面7e,22eを有し、上記半導体チップにおいて、上記機能面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置21である。請求項2記載の発明は、配線基板と、上記配線基板にフリップチップ接続された半導体チップと、上記配線基板の少なくとも一方表面上に形成され、上記配線基板の端面とほぼ面一の端面を有する導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層と、上記配線基板の上記端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含み、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有し、上記半導体チップにおいて、上記配線基板に対向する面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置である。半導体装置は、配線基板と、上記配線基板にフリップチップ接続された半導体チップと、上記配線基板の一方表面上に形成された導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層と、上記配線基板の端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含んでもよく、この場合、上記導電部材、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有してもよい。請求項3記載の発明は、配線基板と、上記配線基板にフリップチップ接続された半導体チップと、上記配線基板の一方表面上に形成された導電部材と、上記配線基板上に形成され、上記半導体チップを覆う封止樹脂層と、上記配線基板の端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の上記一方表面の側を塞ぐように形成され、導電性を有する蓋部材とを含み、上記導電部材、上記封止樹脂層、および上記蓋部材の各々が、上記配線基板の上記端面と面一の端面を有し、上記半導体チップにおいて、上記配線基板に対向する面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置である。上記配線基板の端面2eには、上記配線基板の厚さ方向に渡って溝8が形成されている。上記導電部材は、請求項5記載のように、上記配線基板において、上記一方表面から上記溝の内面を経て上記一方表面と反対側の他方表面2bに至るように連続して形成されていてもよい。蓋部材を含むこの半導体装置は、上記一方表面側において、上記スルーホールを塞ぐように蓋部材が形成された元基板を用いて製造することができる。封止樹脂層は、未硬化液状の封止樹脂をこの元基板の上記一方表面に膜状に形成した後、この封止樹脂を硬化させることにより形成できる。この場合、蓋部材により、未硬化の封止樹脂がスルーホール内に流れ込むことを防止できる。したがって、スルーホールの内面に形成された導電部材を外部接続部として用いる場合であっても、この外部接続部が封止樹脂層に覆われて、たとえば、半田による接続が阻害されることを防止できる。蓋部材は、導電性を有するものであってもよく、この場合、蓋部材は、導電部材に接続されていてもよい。蓋部材は金属材料からなってもよく、この場合、蓋部材はめっきにより形成されてもよい。上記蓋部材は、請求項4記載のように、上記導電部材と同種の金属からなるものであってもよい。上記導電部材は、請求項9記載のように、銅からなるものであってもよい。上記溝は、請求項6記載のように、半円柱状であってもよい。請求項10記載のように、上記半導体チップは、上記導電部材と、接続部材5を介して接続されていてもよい。請求項7記載の発明は、配線基板と、機能素子が形成された機能面を有し、この機能面を上記配線基板の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップと、上記配線基板の少なくとも上記一方表面上に形成され、上記配線基板の端面とほぼ面一の端面を有する導電部材と、上記配線基板と上記半導体チップとの間および上記導電部材上に形成された封止樹脂層とを含み、上記半導体チップにおいて、上記機能面と反対側の面は露出していることを特徴とする半導体装置である。請求項8記載のように、上記配線基板の端面において上記配線基板の厚さ方向に渡って形成された溝の表面を、上記導電部材が覆っていてもよく、この場合、上記封止樹脂が、上記溝の上記配線基板の上記一方表面側のみを覆っていてもよい。請求項11記載のように、上記封止樹脂層は、上記半導体チップの側面を、上記配線基板の側から、上記半導体チップの厚さ方向に関して中間部まで覆っていてもよい。請求項12記載のように、上記封止樹脂層の厚さは、上記配線基板の端部から上記半導体チップの端面に向かって徐々に厚くなっていてもよい。以下では、この発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。この半導体装置1は、配線基板2と、機能素子4が形成された機能面3aを有する半導体チップ3とを備えている。半導体チップ3は、配線基板2の表面2aに機能面3aを対向させて、接続部材5によって、表面2aと所定間隔を保つように接続されている。配線基板2の端面2e付近には、銅Cuなどの金属材料からなる導電膜6が形成されている。導電膜6は、端面2eと、表面2aの反対側の面裏面2bとに渡って連続して形成された外部接続部6Tと、表面2aに形成され、外部接続部6Tと接続部材5とを接続する配線部6Wとを含んでいる。配線部6Wと外部接続部6Tとは、一体に形成されている。接続部材5は、配線部6Wの上に形成されている。表面2aを垂直に見下ろす平面視において、配線基板2は半導体チップ3より大きく、配線基板2の周縁部には、半導体チップ3が対向していない領域が存在している。配線基板2の表面2aのほぼ全面に渡って、封止樹脂層7が形成されている。封止樹脂層7は、公知のアンダーフィル材からなる。封止樹脂層7は、配線基板2と半導体チップ3との隙間に充填されており、これにより、半導体チップ3の機能面3aや接続部材5などが保護されている。また、封止樹脂層7は、導電膜6の配線部6W上を覆っている。この半導体装置1は、外部接続部6T、すなわち、導電膜6のうち、配線基板2の端面2eおよび裏面2bに形成された部分を介して、実装基板に接続することができる。この際、外部接続部6Tと実装基板に形成された電極パッドとを、半田により接続することができる。図2は、配線基板2の端面2e付近を拡大して示す図解的な斜視図である。配線基板2の端面2eには、配線基板2の厚さ方向に渡って半円柱状の溝8が形成されている。外部接続部6Tは、溝8内では、溝8の内面に沿って形成されており、裏面2bでは、裏面2bの内方に向かって延びるように形成されている。配線部6Wは、外部接続部6Tとの接続部では、溝8の縁部に沿って半円弧状に形成されている。封止樹脂層7の端面7e配線基板2の面内方向において端面2e側の面および外部接続部6Tの端面6e配線基板2の面内方向において端面2e側の面は、配線基板2の端面2eとほぼ面一になっている。図3Aないし図3Cは、半導体装置1の製造方法を説明するための図解的な断面図である。半導体装置1は、複数の配線基板2が作り込まれたより大きな基板以下、元基板という。11の各配線基板2に半導体チップ3が接続された後、元基板11が配線基板2の個片に切り分けられて得られる。元基板11において、互いに隣接する配線基板2の境界にまたがる領域には、元基板11を厚さ方向に貫通するスルーホール12が形成されている。また、元基板11において、半導体装置1の導電膜6図1および図2参照に対応する領域に、導電膜6と同種の金属材料からなる導電膜13が形成されている。導電膜13は、互いに隣接する配線基板2の境界にまたがって形成されており、スルーホール12の内壁を覆っている。このような元基板11が表面2aを上方に向けられて、表面2aにおいて、各配線基板2毎に、表面2aとの間に所定間隔を保持して、半導体チップ3が接続される図3A参照。半導体チップ3は、その機能面3aを表面2aに対向させて接続される。この際、半導体チップ3の接続部材5が、導電膜13配線部6Wに相当する部分に接続される。続いて、封止樹脂層7を形成するために、元基板11の表面2a上に全面に、未硬化液状の封止樹脂の膜7Pが形成される図3B参照。この未硬化の封止樹脂の膜7Pにより、元基板11と半導体チップ3との隙間が埋められるとともに、導電膜13の表面2a上に形成された部分、すなわち、配線部6Wに相当する部分がほぼ完全に覆われる。そして、この未硬化の樹脂が硬化されて封止樹脂層7が得られる。次に、元基板11の表面2a側が、テープ14を介して支持板15に貼り付けられ、元基板11が、表面2aを下方に向けられて支持板15上に支持された状態とされる。この状態が、図3Cに示されている。導電膜13の上に、封止樹脂層7が形成されていることにより、封止樹脂層7が形成されていない場合と比べて、元基板11上において、半導体チップ3と、半導体チップ3が存在していない領域との間の段差Dを小さくして、テープ14に貼り付けることができる。そして、元基板11が、テープ14および支持板15とともに、互いに隣接する配線基板2の境界に沿って切断され切断位置Cを、図3Cに一点鎖線で示す。、元基板11が配線基板2の個片にされて、図1に示す半導体装置1が得られる。図4は、元基板11の切断面を示す図解的な側面図である。元基板は、たとえば、ダイシングブレードB図4に二点鎖線で示す。などの切断工具により機械的に切断される。ダイシングブレードBは、元基板11を切断するべき部分の付近では、元基板11の裏面2b側から表面2a側に抜けて相対移動するように回転図4に、ダイシングブレードBの回転方向を矢印Rで示すされる。ここで、導電膜13の配線部6W相当部13Wに対して、ダイシングブレードBの移動方向下流側には、封止樹脂層7が存在している。同様に、導電膜13において、裏面2bに形成された部分に対して、ダイシングブレードBの移動方向下流側には、元基板11が存在している。このため、導電膜13の配線部6W相当部13Wや裏面2bに形成された部分は、ダイシングブレードBに引きずられてバリを生じることがない。すなわち、封止樹脂層7が存在していなかったとすると、導電膜13の配線部6W相当部13Wは、ダイシングブレードBに引きずられて延ばされ、バリ16図4に二点鎖線で示す。を生じるが、封止樹脂層7が存在していることにより、ダイシングブレードBの相対移動方向に延びることができないから、バリ16が生じない。したがって、この製造方法により、導電部材6のバリを有さない半導体装置1を製造できる。そして、この半導体装置1では、導電部材6のバリを有しないので、実装基板に実装されたときに、その実装基板上に実装される他の部品との間での電気的な短絡を生じるおそれがない。また、この製造方法によれば、導電膜13の配線部6W相当部13Wの上に形成する封止樹脂層7は、従来、元基板11配線基板2と半導体チップ3との間およびその付近にのみ形成されていたアンダーフィル材を、互いに隣接する配線基板2の境界付近まで拡大して形成すればよい。図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な断面図である。図5において、図1に示す各部に対応する部分には、図1と同じ参照符号を付している。この半導体装置21は、配線基板2と、配線基板2に機能面3aを対向させて接続された半導体チップ3を備えている。配線基板2の端面2e付近には、銅Cuなどの金属材料からなる導電膜6が形成されている。導電膜6は、端面2eと、表面2aの反対側の面裏面2bとに渡って連続して形成された外部接続部6Tと、表面2aに形成され、外部接続部6Tと接続部材5とを接続する配線部6Wとを含んでいる。図6は、半導体装置21において、配線基板2の端面2e付近を拡大して示す図解的な斜視図である。端面2eには、配線基板2の厚さ方向に渡って半円柱状の溝8が形成されている。外部接続部6Tは、溝8内では、溝8の内面に沿って形成されている。溝8の表面2a側を塞ぐように、蓋配線22が形成されている。蓋配線22は、表面2aを垂直に見下ろす平面視において、溝8上およびその周縁部に形成されており、半円形を有している。また、蓋配線22は導電性を有し、たとえば、導電膜6と同種の金属材料からなる。封止樹脂層7の端面7e、外部接続部6Tの端面6e、および蓋配線22の端面22e配線基板2の面内方向において端面2e側の面は、配線基板2の端面2eとほぼ面一になっている。この半導体装置21は、半導体装置1の製造方法と同様の製造方法により製造できる。この際、元基板11は、配線部6Wを覆い、スルーホール12の表面2a側を塞ぐ蓋配線23図4に二点鎖線で示す。が形成されたものとすることができる。未硬化液状の封止樹脂の膜7Pを、元基板11の表面2aに形成する際、蓋配線23により、未硬化の封止樹脂がスルーホール12内に流れ込むことを防止できる。したがって、未硬化の封止樹脂を硬化させた後、封止樹脂層7は、スルーホール12内に存在しないようにすることができる。元基板11が、互いに隣接する配線基板2の境界に沿って切断されると、元基板11に形成された蓋配線23は、溝8の表面2a側を塞ぐ蓋配線22となる。以上のような製造方法により、半導体装置21において、外部接続部6Tその一部または全部が封止樹脂層7に覆われて、半田による接続が阻害されることを防止できる。本発明の実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は他の形態でも実施できる。たとえば、封止樹脂層7は、元基板11の表面2aの全面に形成する必要はなく、半導体チップ3が対向していない領域では、導電膜13上以外の領域には形成されなくてもよい。この場合でも、元基板11の切断時のバリの発生を防止できる。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。"