ARC蒸着装置において、蒸発するべき材料を備える表面を含んでいる陰極と、前記表面の上で磁界を生じさせる磁気的な手段と、蒸着プロセス中に陰極から引き出される電子を吸収するための陽極と、少なくとも部分的に陽極を陰極に対して正の電位にすることを可能にする電圧源とを含んでいる、そのようなARC蒸着装置において、陽極は陰極の近傍に配置されており、それにより陰極の表面から出ていく磁力線が、陰極の中央領域で表面から出るのではない場合に、陽極に当たるようになっていることを特徴とするARC蒸着装置。陰極との関係における陽極の位置と幾何学形状は、磁力線が45°以上の角度で、好ましくは実質的に垂直に、陽極の表面に当たるように選択されていることを特徴とする、請求項1に記載のARC蒸着装置。陰極との関係における陽極の位置と幾何学形状は、陽極に当たる磁力線と電気力線が実質的に互いに平行に延びるように選択されていることを特徴とする、請求項2に記載のARC蒸着装置。中央領域では蒸着装置の作動中にその浸食を実質的に妨げる防止策が講じられていることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載のARC蒸着装置。前記防止策は陰極表面の中央領域の遮蔽板を含んでいることを特徴とする、請求項4に記載のARC蒸着装置。レシピエントと、基板のための保持部と、先行請求項のうちいずれか1項に記載のARC蒸着装置とを備えている真空処理装置。前記ARC蒸着装置の陰極は前記レシピエントに対して浮動的、同等、または正である電位に保たれることを特徴とする、請求項6に記載の真空処理室。このように、一定の高い蒸発速度で表面粗さの小さい層を製作することを可能にするARC蒸着ソースを求める需要が存在する。本発明の課題は、そのようなARC蒸着ソースを提供することにある。本発明によるとこの課題は、請求項1に記載のARC蒸着ソースによって解決される。従属請求項には、本発明によるARC蒸着ソースのさまざまな好ましい実施形態が記載されている。本発明によるARC蒸着ソースは、陰極ターゲットと、陽極と、ターゲット表面から陽極までの短い接続部で磁力線を案内することを可能にする磁気的な手段とを含んでいる。陽極は陰極のすぐ近傍に配置されており、それにより、浸食の対象となるターゲットの蒸発するべき表面の各点から、磁力線を介して、陰極と陽極との接続が保証される。このとき磁気的な手段は、ターゲット表面に対して平行な成分が、ターゲット表面に対して垂直な成分よりも明らかに大きくなるように構成されている。最大500ガウスの磁界強度を適用することができ、すなわち、PVDテクノロジーで通常適用される磁界強度よりも明らかに高い磁界強度を適用することができる。このように記述されるARCソースは、従来技術と比較したとき、同時に非常に平滑な層で、高いコーティング速度を有している。本発明のARCソースはそれ自体として真空中で作動能力があり、高い火花速度が実現される。このときARCソースは金属モードで作動する。こうして生成される金属イオン、たとえばCr、Tiなどが支障なく基板に到達することができ、金属イオンエッチングの目的のために利用することができる。低い放電電流での作動が可能である。いわゆるプレバイアスにより、本発明に基づく陽極を用いてイオンエネルギーを高い信頼度で調整することができる。次に、本発明を一例として図面を用いながら詳しく説明する。本発明のより良い理解のために、以下においてまず従来技術に基づくARCソースにおける状況について大まかに説明する。図2は、従来技術に基づく、ソース陰極209から間隔をおく陽極203を備えたArc蒸着構造201を示している。このソース陰極は冷却装置211により冷却され、DC電流供給部の陰極213と接続されている。ソース陰極の後方には、ターゲット表面の上方で磁界を生成するように作用する磁気的な手段215が設けられている。アークスポット205が、高い電流およびこれに伴って多数の電子を蒸発空間へ放出する。導電性媒体としてARCプラズマが利用される。従来技術では、陽極203がアークスポット205のすぐ近傍にあるのではないために、帯電した粒子は遠く離れた陽極までの経路で磁界を横切らなくてはならない。電荷q、質量m、電界Erの場所rにおける速度v、および磁界Brでの帯電した粒子の運動が重要となる。その際には、さまざまに異なる力成分が働く。B磁界と平行な運動については、qEに比例する力が作用する。磁界に対して垂直の運動については、qE⊥v⊥×Bに比例する力が作用し、このことは回転運動を生じさせるが、この回転運動はE×Bドリフトによって重ね合わされる。このことは、図2に図示するようにバーチャルな電流経路207を生じさせる。螺旋を思わせるこの軌道が離れた陽極203までの経路を通過するとき、コーティング空間内にある作業ガスたとえばAr、N2が強力に電離される。気体イオンが形成され、放電の電圧上昇が起こり、陰極の手前で電位飛躍が起こる。さらに、コーティング速度の低下が観察される。図3には、本発明によるARC蒸着源301の実施形態が示されている。これは一例の態様であるにすぎず、多種多様な実施形態によって具体化することができる。陰極309は蒸発するべき材料でできており、電流接続部を介して電流源の陰極に接続されている。磁気的な手段305を介して、高速の火花運動を可能にする磁界が陰極表面に生成される。ターゲット表面から出ていく磁力線は、広い面積割合の範囲内で、主として陰極309の表面に対して平行な成分を有し、陰極縁部の周りで環状に延びる陽極303との短い接続を可能にするように構成されている。ただし図3に示すARC蒸着ソースは、軸対称の円形陰極としてばかりでなく、方形陰極として具体化されていてもよい。陰極表面は中央部で、ないし中心線に沿って、ターゲット表面に対して常に垂直に延びる磁力線を有しており、したがって浸食から除外されることが意図される。このことは、たとえば遮蔽板によって、あるいは充填された切欠きによって行うことができる両者とも図示せず。領域6における磁界強度は40ガウスから500ガウスである。60から100ガウスが好ましく、特別に平滑な積層結果のためには200から500ガウスが特別に好ましい。磁界分布と組み合わされた陽極の本発明による構造は、このように強い磁界での作動を可能にする。陰極309のターゲット材料としては、硬質物質コーティングに通常用いられるTi、TiAl、Al、AlCr、TiSi、Cr等の材料を使用することができる。図3のARC蒸着構造301では陽極303は、磁気的な手段305により生成される磁界との組み合わせで、本発明に基づき、磁力線がアークスポット315から陽極303への直接的な経路で電流経路307を可能にするように、陰極309の近傍に配置されている。電界が磁界に対して実質的に平行に延びていると、上で説明したようなドリフトを実質的に回避することができる。本発明の1つの好ましい実施形態では、陽極は、電圧が印加されて磁界が生成されているときに上記が満たされ、中央の磁力線を除いて磁力線のほぼ全部または少なくとも大部分が陽極へと案内されるように構成される。電子の軌道はラーモア半径によって特徴づけられ、磁力線の推移を中心とする回転を描く。電子1つの回転半径は10ガウスについて約1mm、100ガウスについては約0.1mmである。したがってこの軌道は、相応の磁界強度のとき、磁力線に沿って良好に局在化されている。このような構造の作用は、全体の放電電圧の低減、およびコーティング速度の向上である。ターゲット近傍の作業ガスがわずかしか電離しない。本発明の考えられる1つの好ましい用途は、金属イオンエッチングMIEである。このことは、本発明によるArc蒸着ソースのさらに別の特殊性によって可能となる。この特殊性の要諦は、1E-03Paよりも小さい圧力で、真空中で作業ガスがなくても安定した動作が可能なことにある。このとき、アークスポット5と陽極との良好な電気接続により、金属プラズマ8の導電性が、陰極から陽極へと電流9を運ぶのに十分であることが可能である。アークソースに由来する金属蒸気は簡単かつ多重式に高い程度で電離し、バイアス電圧12によって基板11へと加速させることができる。それにより、金属イオンエッチングMIEを効率的に具体化することができる。相応のMIE装置401が図4に示されている。この装置は、ARC蒸着ソース403と、真空室405の中に配置された基板保持部407とを含んでいる。エッチングされるべき基板図示せずを装備している基板保持部が電圧源408によって負の電位となり、それにより、ARC蒸着ソースで生じる陽イオンが基板に向かって加速される。特記すべきは、真空中での動作を非常に低い電流強度で維持できることである。上に挙げたMIEプロセスについてパラメータ空間を選択すると、驚くべきことに、ARC放電の非常に低い放電電流で安定したプロセスが可能である。磁力線に基づき、陽極の電位がターゲット表面のすぐ手前まで引き延ばされ、それによって電流経路を維持することができる。アルミニウムについては10Aを上回る程度まで引き下げた電流強さで、およびチタンについては40Aを上回る程度まで引き下げた電流強さで、それぞれ安定したプロセスを確認することができている。本発明のARC蒸着ソースにより、たとえばCr、Nb、Taといった上記以外の材料と、高い電離度および高い割合の多重電離をもつ上記以外の金属でも、金属イオンエッチングを安定的に実施することができる。本発明によるARC蒸着ソースはさまざまな配線で具体化することができ、これらの配線はそれ自体としても発明的である。より良い理解のために、従来技術に基づくARC蒸着ソースを用いたときの状況についてまず略述する。それに応じて図5には、従来技術に基づいて表された配線が示されている。ここではレシピエント505の室壁が陽極を形成する。ターゲットから出ていく磁力線は、陽極との直接的な接続を有していない。図5に示すように、ARC蒸着ソース503を備えるコーティング装置501はレシピエント505の中に配置されており、さらにレシピエント505の中には、電圧源508により負の電位にすることができる基板ホルダ507が配置されている。特に、層の粗さにプラスの影響を及ぼす高い磁界強度のとき、作業ガスたとえばN2の強い電離が生じ、それに伴って放電電圧の増大ないし電位降下がターゲットの手前で生じる。さらには、放電の高い電子温度2eV-5eVにより、図6に略示するとおり、電位の歪みが基板の手前で生じる。それに対して図4には本発明に基づく実施形態が略示されており、すでに大筋で説明ずみである。高い電離度で蒸発する陰極材料は、バイアス電圧408を通じて基板へと加速される。陰極1-陽極4の電気システムは、チャンバアース10に対して浮動式に施工されている。プラズマ電位Uplasmaは、この実施形態では室壁に結合されている。Arcソースの放電電流は陰極から陽極へと流れる。本例では約-16Vから-25Vの陰極電圧が、陽極4に向かって生成される。ジェネレータ408に由来する基板バイアスが、プラズマ由来のイオンをプラズマ電位Uplasmaで基板に向かって加速させる。基板手前での電位の推移は、図7に示すようにもはや歪んではいない。このようなプラズマの電子温度は、約0.3eVから1eVにすぎないからである。別の実施形態が図8に示されており、すなわち、レシピエント805の中に配置されたARC蒸着ソース803を備えるコーティング装置801が示されており、さらにレシピエント805の中には、電圧源808によって負の電位にすることができる基板ホルダ807が配置されている。この実施形態では、図4とは異なり、図4では浮動式である陰極陽極システムの陰極は、チャンバアースGroundにつながれている。このとき、図9に示すように電位がシフトする。陰極電位はチャンバアースのほうへシフトする。ARC放電電流は陰極から陽極へ流れる。電圧源バイアス供給部808から印加される電圧本例では40Vが、追加の割合UbiasUplasmaでイオンの加速を生成する。図8では陰極はチャンバと短絡されており、そのようにしてチャンバアースにつながっている。しかしながら陰極とチャンバを電圧源を介して接続し、それによって追加の電位シフトを実現することも可能である。それにより、プラズマ電位を少なくとも陽極の手前で強力に正にすることができる。その様子は図10と図11に示されている。