"ジアミン化合物とテトラカルボン酸誘導体とを反応させて得られるポリイミド前駆体、及び/又は該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドと、80~300°Cの加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有するアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物と、を含有することを特徴とする液晶配向剤。前記ポリイミド前駆体が、下記の式7で表わされる繰り返し単位を有する請求項1に記載の液晶配向剤。式中X1は4価の有機基であり、Y1は2価の有機基であり、R6は、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。A1及びA2はそれぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~10のアルキル基、アルケニル基若しくはアルキニル基である。前記ポリイミド前駆体及び前記ポリイミドが、それらの合計量で液晶配向剤中0.5~15質量含有され、かつ、加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有するアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物が、上記式7で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体の繰り返し単位1ユニットに対して、0.5~50モル含有される請求項1又は2に記載の液晶配向剤。前記アミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物が、下記式1で表される化合物である、請求項1~3のいずれかに記載の液晶配向剤。式中、Xは4価の有機基であり、R1は水素原子、又は炭素数1~5のアルキル基であり、Zは下記式2で表される構造である。式中、Z1は単結合、又は炭素数1~30の2価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。R4は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基である。D1は熱脱離性基である。前記熱脱離性基がtert-ブトキシカルボニル基、又は9-フルオレニルメトキシカルボニル基である請求項1~4のいずれかに記載の液晶配向剤。前記Xが、下記式で表される構造からなる群から選ばれるいずれかである1~5のいずれかに記載の液晶配向剤。請求項1~6のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布、焼成して得られる膜を配向処理した液晶配向膜。前記配向処理が、ラビング処理、又は偏光された放射線の照射処理である請求項7に記載の液晶配向膜。請求項7又は8に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。下記式1で表されるアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物。式中、Xは4価の有機基、R1は水素原子、又は炭素数1~5のアルキル基であり、Zは下記式2で表される構造である。式中、Z1は単結合、又は炭素数1~30の2価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。R4は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基である。D1は熱脱離性基である。下記式3で表されるビスクロロカルボニル化合物と下記式4で表されるモノアミン化合物とを塩基存在下に、クロロカルボニル化合物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて得られる請求項10に記載の化合物。式中、X、Z1、R2、R3、R4、及びD1は上記式1及び2のものと同様の定義であり、R5は炭素数1~5のアルキル基である。下記式5で表されるテトラカルボン酸誘導体と請求項11に記載の式4で表されるモノアミン化合物を縮合剤の存在下でテトラカルボン酸誘導体/モノアミンのモル比で1/2~1/3で反応させて得られる請求項10に記載の化合物。式中、X及びR5は上記式1及び3の定義と同じである。下記式6で表されるテトラカルボン酸二無水物と請求項11に記載の式4で表されるモノアミン化合物とを、テトラカルボン酸二無水物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて得られる請求項10に記載の化合物。式中、Xは上記式1のものと同様の定義である。請求項13に記載の式6で表されるテトラカルボン酸二水物と請求項11に記載の式4で表されるモノアミン化合物とを、テトラカルボン酸二無水物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて、さらにエステル化剤でカルボキシル基をエステル化することで得られる請求項10に記載の化合物。上記Xが、下記式で表される構造からなる群から選ばれるいずれかである請求項10~14のいずれかに記載の化合物。上記R1が炭素数1~5のアルキル基である請求項10~15のいずれかに記載の化合物。下記式1-a~1-oのいずれかの化合物。しかし、近年では、さらに大画面で高精細の液晶テレビが主体となり、液晶表示素子に対する要求はますます厳しくなるのに伴い、液晶表示素子の特性に密接に関係する液晶配向膜に対してもより優れた高信頼性の特性が要求され、さらなる高特性が求められるとともに、初期特性が良好なだけでなく、高温下に長時間曝された後であっても、良好な特性を維持する高信頼性が求められている。本発明は、得られる液晶配向膜の機械的強度が大きく、ラビング処理に対する耐性に優れるとともに、液晶配向性、特に、高温時における電圧保持率やイオン密度などの電気特性の点に優れ、また、高いプレチルト角を与える信頼性の大きい液晶配向膜を形成できる液晶配向剤を提供することを目的とする。本発明者は、上記の目的を達成するため、鋭意研究を進めたところ、従来の液晶配向剤の成分である、ジアミン化合物とテトラカルボン酸誘導体とを反応させて得られるポリイミド前駆体、及び/又は該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドに加えて、加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有し、かつアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物以下、熱脱離性基含有化合物ともいう。を含有せしめた液晶配向剤により上記の目的を達成し得ることを見出した。かかる液晶配向剤中に添加される加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有し、かつアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物以下、熱脱離性基含有化合物ともいう。は、本願出願前に文献未載の新規化合物であるが、かかる熱脱離性基含有化合物を液晶配向剤中に添加した場合、膜の機械的強度が大きく、ラビング処理に対する耐性に優れるとともに、液晶配向性、特に、高温時における電圧保持率やイオン密度などの電気特性の点に優れ、また、高いプレチルト角を与える信頼性の大きい液晶配向膜を形成できることが見出された。かくして、本発明は、下記を要旨とするものである。1.ジアミン化合物とテトラカルボン酸誘導体とを反応させて得られるポリイミド前駆体、及び/又は該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドと、80~300°Cの加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有するアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物を含有することを特徴とする液晶配向剤。2.前記ポリイミド前駆体が、下記の式7で表わされる繰り返し単位を有する上記1に記載の液晶配向剤。式中X1は4価の有機基であり、Y1は2価の有機基であり、R6は、水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。A1及びA2はそれぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~10のアルキル基、アルケニル基若しくはアルキニル基である。3.前記ポリイミド前駆体及び前記ポリイミドが、それらの合計量で液晶配向剤中0.5~15質量含有され、加熱により水素に置き換わる熱脱離性基により保護されたアミノ基を有するアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物が、上記式7で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体の繰り返し単位1ユニットに対して、0.5~50モル含有される上記1又は2に記載の液晶配向剤。4.前記アミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物が、下記式1で表される化合物である、上記1~3のいずれかに記載の液晶配向剤。式中、Xは4価の有機基であり、R1は水素原子、又は炭素数1~5のアルキル基であり、Zは下記式2で表される構造である。式中、Z1は単結合、又は炭素数1~30の2価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。R4は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基である。D1は熱脱離性基である。5.前記熱脱離性基がtert-ブトキシカルボニル基又は9-フルオレニルメトキシカルボニル基である上記1~4のいずれかに記載の液晶配向剤。6.前記Xが下記式で表される構造からなる群から選ばれるいずれかである上記1~5のいずれかに記載の液晶配向剤。7.上記1~6のいずれかに記載の液晶配向剤を塗布、焼成して得られる膜を配向処理した液晶配向膜。8.前記配向処理が、ラビング処理、又は偏光された放射線の照射処理である上記7に記載の液晶配向膜。9.上記7又は8に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。10.下記式1で表されるアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物。式中、Xは4価の有機基、R1は水素原子、又は炭素数1~5のアルキル基であり、Zは下記式2で表される構造である。式中、Z1は単結合、又は炭素数1~30の2価の有機基である。R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。R4は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基である。D1は熱脱離性基である。11.下記式3で表されるビスクロロカルボニル化合物と下記式4で表されるモノアミン化合物とを塩基存在下に、クロロカルボニル化合物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて得られる上記10に記載の化合物。式中、X、Z1、R2、R3、R4、及びD1は上記式1及び2のものと同様の定義であり、R5は炭素数1~5のアルキル基である。12.下記式5で表されるテトラカルボン酸誘導体と上記式4で表されるモノアミン化合物とを縮合剤の存在下に、テトラカルボン酸誘導体/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて得られる上記10に記載の化合物。式中、X及びR5は上記式1及び3の定義と同じである。13.下記式6で表されるテトラカルボン酸二無水物と上記式4で表されるモノアミン化合物をテトラカルボン酸二無水物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて得られる上記10に記載の化合物。式中、Xは上記式1のものと同様の定義である。14.上記式6で表されるテトラカルボン酸二水物と上記式4で表されるモノアミン化合物とをテトラカルボン酸二無水物/モノアミンのモル比が1/2~1/3で反応させて、さらにエステル化剤でカルボキシル基をエステル化することで得られる上記10に記載の化合物。15.上記Xが、下記式で表される構造からなる群から選ばれるいずれかである上記10~14のいずれかに記載の化合物。16.上記R1が炭素数1~5のアルキル基である上記10~15のいずれかに記載の化合物。本発明によれば、得られる液晶配向膜の機械的強度が大きく、ラビング処理に対する耐性に優れるとともに、液晶配向性、特に、高温時における電圧保持率やイオン密度などの電気特性の点に優れ、また、高いプレチルト角を与える信頼性の大きい液晶配向膜を形成できる液晶配向剤が提供される。本発明の液晶配向剤は、上記の優れた特性の液晶配向膜を形成できるとともに、液晶配向剤を使用する前に保存する場合の長期にわたる保存安定性にも優れている。また、本発明の液晶配向剤中に含有される熱脱離性基により保護されたアミノ基を有し、かつアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物は新規化合物であり、かかる新規化合物も提供される。本発明の液晶配向剤が何故に上記のごとき優れた特性を有するかのメカニズムについては、必ずしも明らかではないが、ほぼ次のように推定される。本発明の液晶配向剤に含有される熱脱離性基含有化合物は、液晶配向剤を基板表面に塗布し、焼成し液晶配向膜を形成する場合、その焼成する過程における温度において熱脱離性基が分解し、反応性の高い1級又は2級アミンが発生する。この発生した1級又は2級アミンは、液晶配向剤に含有される主成分である、ポリイミド前駆体及び/又はポリイミドのポリマーのイミド化反応を促進し、高イミド化率をもたらすとともに、ポリマー間に架橋反応をもたらし、液晶配向剤から得られる液晶配向膜に対して大きい機械的強度を与える。機械的強度の増大は、ラビング耐性の向上、高温時の液晶特性の安定性をもたらす。また、熱脱離性基含有化合物は、その有する骨格構造が、液晶配向剤に含有される主成分であるポリイミド前駆体及び/又はポリイミドのポリマーと同じアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有するので、これを液晶配向剤中に添加した場合、液晶配向性を阻害するどころか、逆に液晶配向性の向上をもたらし、その結果、電圧保持率、イオン密度、プレチルト角などの液晶特性を向上させる。さらに、熱脱離性基含有化合物は、高温が負荷されるまでは、該化合物の有する熱脱離性基は分解することはないので、これを含む液晶配向剤の保存安定性になんらの悪影響を与えることはない。本発明によれば、得られる液晶配向膜の機械的強度が大きく、ラビング処理に対する耐性に優れるとともに、液晶配向性、特に、高温時における電圧保持率やイオン密度などの電気特性の点に優れ、また、高いプレチルト角を与える信頼性の大きい液晶配向膜を形成できる液晶配向剤が提供される。<熱脱離性基含有化合物>本発明において液晶配向剤に添加される熱脱離性基含有化合物は、熱脱離性基により保護されたアミノ基を有し、かつアミック酸若しくはアミック酸エステル構造を有する化合物であり、該化合物は、温度が80~300°C、好ましくは100~250°C、特に好ましくは150~230°Cにて、熱脱離性基が分解し、水素原子に置き換わる。このため、液晶配向剤が液晶表示素子の基板に塗布され、焼成される際の通常の温度である150~300°Cにて熱脱離性基が脱離し、水素に置換されることになる。本発明において使用される熱脱離性基含有化合物は好ましくは下記の一般式1で表わされる。式中、Xは4価の有機基であり、R1は水素原子、又は炭素数1~5のアルキル基であり、Zは下記式2で表される構造である。式中、Z1は単結合、又は炭素数1~30の2価の有機基であり、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又はそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよく、R4は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基であり、D1は加熱により、水素原子に置き換わるアミノ基の保護基である。上記式1において、R1は、水素原子、又は炭素数1~5アルキル基である。R1が嵩高い構造である場合、液晶配向膜として用いた場合に、液晶の配向を阻害する可能性があるため、R1としては、水素原子、メチル基、又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。上記式1において、Xは、4価の有機基であり、その構造は特に限定されるものではない。Xの具体例を示すならば、以下に示すX-1~X-46が挙げられる。なかでも、X-1、X-2、X-3、X-4、X-5、X-6、X-8、X-16、X-19、X-21、X-25、X-26、X-27、X-28又はX-32が好ましい。上記式2において、R2及びR3は、それぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又はそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。上記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基などが挙げられる。アルケニル基としては、上記のアルキル基に存在する1つ以上のCH-CH構造を、C=C構造に置き換えたものが挙げられ、より具体的には、ビニル基、アリル基、1-プロペニル基、イソプロペニル基、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、2-ペンテニル基、2-ヘキセニル基、シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。アルキニル基としては、前記のアルキル基に存在する1つ以上のCH2-CH2構造をC≡C構造に置き換えたものが挙げられ、より具体的には、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基などが挙げられる。アリール基としては、例えばフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基などが挙げられる。上記のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基は、全体として炭素数が1~20であれば置換基を有していてもよく、更には置換基によって環構造を形成してもよい。なお、置換基によって環構造を形成するとは、置換基同士又は置換基と母骨格の一部とが結合して環構造となることを意味する。この置換基の例としてはハロゲン基、水酸基、チオール基、ニトロ基、オルガノオキシ基、オルガノチオ基、オルガノシリル基、アシル基、エステル基、チオエステル基、リン酸エステル基、アミド基、アリール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を挙げることができる。置換基であるハロゲン基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基であるオルガノオキシ基としては、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基など-O-Rで表される構造を示すことができる。このRとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。アルキルオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられる。置換基であるオルガノチオ基としては、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基など-S-Rで表される構造を示すことができる。このRとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられる。置換基であるオルガノシリル基としては、-Si-R3で表される構造を示すことができる。このRは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。アルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘキシルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基などが挙げられる。置換基であるアシル基としては、-CO-Rで表される構造を示すことができる。このRとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。アシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基などが挙げられる。置換基であるエステル基としては、-COO-R、又は-OCO-Rで表される構造を示すことができる。このRとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるチオエステル基としては、-CSO-R、又は-OCS-Rで表される構造を示すことができる。このRとしては、前述したアルキル基、アルケニル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるリン酸エステル基としては、-OPO-OR2で表される構造を示すことができる。このRは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるアミド基としては、-CONH2、又は、-CONHR、-NHCOR、-CONR2、-NRCORで表される構造を示すことができる。このRは同一でも異なってもよく、前述したアルキル基、アリール基などを例示することができる。これらのRには前述した置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるアリール基としては、前述したアリール基と同じものを挙げることができる。このアリール基には前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるアルキル基としては、前述したアルキル基と同じものを挙げることができる。このアルキル基には前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるアルケニル基としては、前述したアルケニル基と同じものを挙げることができる。このアルケニル基には前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。置換基であるアルキニル基としては、前述したアルキニル基と同じものを挙げることができる。このアルキニル基には前述した他の置換基がさらに置換していてもよい。上記式2において、R4は水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~30のアルキル基である。アルキル基及び置換基の具体例としては、前述したアルキル基及び置換基と同じものを挙げることができる。上記式2において、Z1は単結合又は炭素数1~30の2価の有機基である。Z1が炭素数1~30の2価の有機基である場合、下記式8で表される2価の有機基であることが好ましい。式8中、B1及びB2はそれぞれ独立して単結合、又は2価の連結基である。ただし、B1及びB2の少なくともどちらか一方は2価の連結基である。R8及びR9はそれぞれ独立して単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~20のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、又はそれらの組み合わせである。上記B1及びB2の具体的な例を以下に示すが、これに限定されない。上記B-5~B-8、B-10、B-11において、R10及びR11は水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又はそれらの組み合わせであり、環構造を形成してもよい。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及び置換基の具体例としては、前述したものと同じものを挙げることができる。R10及びR11が芳香環や脂環構造などの嵩高い構造であると、液晶配向膜として用いた場合に、液晶配向性を低下させる可能性があるため、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、又は水素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。式8中、R8及びR9が炭素数1~20のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、又はそれらの組み合わせである場合、その具体的な例を以下に挙げるが、これに限定されない。上記アルキレン基としては、アルキル基から水素原子を1つ除いた構造が挙げられる。より具体的には、メチレン基、1,1-エチレン基、1,2-エチレン基、1,2-プロピレン基、1,3-プロピレン基、1,4-ブチレン基、1,2-ブチレン基、1,2-ペンチレン基、1,2-へキシレン基、1,2-ノニレン基、1,2-ドデシレン基、2,3-ブチレン基、2,4-ペンチレン基、1,2-シクロプロピレン基、1,2-シクロブチレン基、1,3-シクロブチレン基、1,2-シクロペンチレン基、1,2-シクロへキシレン基、1,2-シクロノニレン基、1,2-シクロドデシレンなどが挙げられる。アルケニレン基としては、アルケニル基から水素原子を1つ除いた構造が挙げられる。より具体的には、1,1-エテニレン基、1,2-エテニレン基、1,2-エテニレンメチレン基、1-メチル-1,2-エテニレン基、1,2-エテニレン-1,1-エチレン基、1,2-エテニレン-1,2-エチレン基、1,2-エテニレン-1,2-プロピレン基、1,2-エテニレン-1,3-プロピレン基、1,2-エテニレン-1,4-ブチレン基、1,2-エテニレン-1,2-ブチレン基、1,2-エテニレン-1,2-ヘプチレン基、1,2-エテニレン-1,2-デシレン基などが挙げられる。アルキニレン基としては、アルキニル基から水素原子を1つ除いた構造が挙げられる。より具体的には、エチニレン基、エチニレンメチレン基、エチニレン-1,1-エチレン基、エチニレン-1,2-エチレン基、エチニレン-1,2-プロピレン基、エチニレン-1,3-プロピレン基、エチニレン-1,4-ブチレン基、エチニレン-1,2-ブチレン基、エチニレン-1,2-ヘプチレン基、エチニレン-1,2-デシレン基などが挙げられる。アリーレン基としては、アリール基から水素原子を1つ除いた構造が挙げられる。より具体的には、1,2-フェニレン基、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基、1,2-ナフチレン基、1,4-ナフチレン基、1,5-ナフチレン基、2,3-ナフチレン基、2,6-ナフチレン基、3-フェニル-1,2-フェニレン基、2,2’-ジフェニレン基などが挙げられる。上記のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、及びこれらを組み合わせた基は、全体として炭素数が1~20であれば置換基を有していてもよく、更には置換基によって環構造を形成してもよい。なお、置換基によって環構造を形成するとは、置換基同士又は置換基と母骨格の一部とが結合して環構造となることを意味する。この置換基の例としては、前述したものと同じものを挙げることができる。R8及びR9は、炭素数が少ないと、液晶配向膜として用いた場合に、液晶配向性が良くなるため、炭素数1~5のアルキレン基、炭素数1~5のアルケニレン基、炭素数1~5のアルキニレン基が好ましい。また、R8及びR9の両方、又はどちらか一方が単結合であることが好ましい。式2中、D1はアミノ基の保護基であり、加熱により水素原子に置き換わる官能基であれば、その構造は特に限定されない。本発明の液晶配向剤の保存安定性の観点からは、この保護基D1は室温において脱離しないことが好ましく、好ましくは80°C以上の熱で脱保護する保護基であり、更に好ましくは100°C以上での熱で脱保護する保護基である。また、ポリアミック酸エステルの熱イミド化を促進する効率及びポリイミド前駆体又はポリイミドとの架橋反応の観点からは、300°C以下の熱で脱保護する保護基であることが好ましく、より好ましくは250°C以下の熱で脱保護する保護基であり、更に好ましくは200°C以下の熱で脱保護する保護基である。以上のようなD1の構造としては、下記式で表されるエステル基が好ましい。式中、R11は炭素数1~22の炭化水素である。上記式9で表されるエステル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、nプロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、nブトキシカルボニル基、tertブトキシカルボニル基、secブトキシカルボニル基、nペンチルオキシカルボニル基、nヘキシルオキシカルボニル基、9-フルオレニルメトキシカルボニル基等が挙げられる。これらの中でも、液晶配向膜を得る際の焼成温度である150°C~300°Cで効率よく脱離反応が進行する構造が好ましく、tert-ブトキシカルボニル基又は9-フルオレニルメトキシカルボニル基がより好ましく、tert-ブトキシカルボニル基が特に好ましい。以下に、式2で表される構造の好ましい具体的として、D-1~D-24の構造を挙げるが、これに限定されない。また、本発明の化合物としては、以下の構造を挙げることができるが、これに限定されない。[本発明の化合物の合成方法]本発明の化合物は、下記式3で表されるビスクロロカルボニル化合物、下記式5で表されるテトラカルボン酸誘導体、又は下記式6で表されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式4で表されるモノアミン化合物を原料とし、種々の方法で反応させることにより合成することができる。具体的には、i~iiiの方法が挙げられるが、これに限定されない。式中、R5は炭素数1~5のアルキル基、X、Z1、R2、R3、R4及びD1はそれぞれ式1及び2で定義したものと同様である。上記式3のビスクロロカルボニル化合物は、例えば上記式6のテトラカルボン酸二無水物とR5OHで表されるアルコールとを反応させて、テトラカルボン酸ジアルキルエステルとした後、塩素化剤にてカルボキシル基をクロロカルボニル基に変換することで得ることができる。上記式5のテトラカルボン酸誘導体は、例えば上記式6のテトラカルボン酸二無水物とR5OHで表されるアルコールとを反応させることで得ることができる。上記式4のモノアミン化合物は、下記式に示す1級又は2級のアミノ基を有する化合物と二炭酸ジ-tert-ブチルを塩基存在下で作用させる方法、又は、1級又は2級のアミノ基を有する化合物にクロロぎ酸-9-フルオレニルメチルを塩基存在下で作用させる方法により得られるが、公知の方法であれば、特に限定されるものではない。上記方法で得られた置換基を有する化合物をニトロ化合物、モノアミン化合物、ジアミン化合物又はその誘導体に付加し、さらに必要に応じて、ニトロ基の還元やアミノ基の導入を行うことで、熱脱離性の保護基を有するモノアミン化合物が得られる。本発明の化合物の合成方法としては、下記i~iiiの方法が挙げられるが、これに限定されない。iビスクロロカルボニル化合物とモノアミン化合物から合成する方法本発明の化合物は、上記式3で表されるビスカルボニル化合物と上記式4で表されるモノアミン化合物とを反応させることにより合成することができる。具体的には、ビスクロロカルボニル化合物とモノアミン化合物とを塩基と有機溶媒の存在下で-20°C~80°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~4時間反応させることによって合成することができる。前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジンなどが使用できるが、反応が穏和に進行するためにピリジンが好ましい。塩基の添加量は、除去が容易な量という点から、ビスクロロカルボニル化合物に対して、2~4倍モルであることが好ましい。iiテトラカルボン酸誘導体とモノアミン化合物から合成する方法本発明の化合物は、上記式5で表されるテトラカルボン酸誘導体と上記式4で表されるモノアミン化合物とを脱水縮合されることにより合成することができる。具体的には、テトラカルボン酸誘導体とモノアミン化合物を縮合剤、塩基、有機溶媒の存在下で0°C~80°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは3~15時間反応させることによって合成することができる。前記縮合剤には、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩、N,N’-カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ-1,3,5-トリアジニルメチルモルホリニウム、O-ベンゾトリアゾール-1-イル-N,N,N’,N’-テトラメチルウロニウムテトラフルオロボラート、O-ベンゾトリアゾール-1-イル-N,N,N’,N’-テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリルホスホン酸ジフェニルなどが使用できる。縮合剤の添加量は、テトラカルボン酸誘導体に対して2~3倍モルであることが好ましい。前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミンなどの3級アミンが使用できる。塩基の添加量は、除去が容易な量という点から、ジアミン成分に対して2~4倍モルが好ましい。また、上記反応において、ルイス酸を添加剤として加えることで反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウムなどのハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の添加量はモノアミン化合物に対して0~1.0倍モルが好ましい。iiiテトラカルボン酸二無水物とモノアミン化合物から合成する方法本発明の化合物は、上記式6で表されるテトラカルボン酸二無水物と上記式4で表されるモノアミン化合物を反応させることによって合成することができる。具体的には、テトラカルボン酸二無水物とモノアミン化合物とを有機溶媒の存在下で-20°C~80°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~12時間反応させることによって合成できる。上記の反応に用いる溶媒は、テトラカルボン酸二無水物、モノアミン化合物、及び生成物の溶解性からN-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、クロロホルムなどが挙げられ、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、又はテトラヒドロフランが好ましく、これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。合成時の濃度は、1~30質量が好ましく、5~20質量がより好ましい。さらに、上記式1のR1が炭素数1~5のアルキル基である本発明の化合物は、テトラカルボン酸二無水物とモノアミン化合物との反応溶液に、種々のエステル化剤を添加し、カルボキシル基のエステル化を行うことで合成することができる。具体的には、テトラカルボン酸二無水物、モノアミン化合物、及びエステル化剤を有機溶媒の存在下で-20°C~80°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~4時間反応させることによって合成することができる。エステル化剤としては、精製によって容易に除去できるものが好ましく、N,N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジネオペンチルブチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジ-t-ブチルアセタール、1-メチル-3-p-トリルトリアゼン、1-エチル-3-p-トリルトリアゼン、1-プロピル-3-p-トリルトリアゼン、4-4,6-ジメトキシ-1,3,5-トリアジンー2-イル-4-メチルモルホリニウムクロリドなどが挙げられる。エステル化剤の添加量は、テトラカルボン酸二無水物1モルに対して、2~6モル当量が好ましい。上記i~iiiの反応に用いる溶媒は、合成に使用するモノマー及び生成物の溶解性からN-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、クロロホルムなどが挙げられ、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、又はテトラヒドロフランが好ましく、これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。合成時の濃度は、1~30質量が好ましく、5~20質量がより好ましい。また、ビスクロロカルボニル化合物を用いる場合は、ビスクロロカルボニル化合物の加水分解を防ぐため、合成時に用いる溶媒はできるだけ脱水されていることが好ましく、窒素雰囲気中で、外気の混入を防ぐのが好ましい。上記i~iiiの反応により得られた反応溶液は、そのまま本発明の組成物としても使用することができる。特に、式1中のR1が水素原子である本発明の化合物を上記iiiの方法で得る場合は、酸無水物とアミンの反応であるため、反応副生成物及び除去が必要な塩基や縮合剤を含まない。よって、前記のような本発明の化合物は、反応溶液をそのまま本発明の組成物として用いることが特に好ましい。また、上記i~iiiの反応により得られた反応溶液をよく撹拌させながら貧溶媒に注入することで、本発明の化合物を析出させることができる。析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥して精製された本発明の化合物の粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン等が挙げられる。得られた化合物の純度が低い場合、組成物から得られる膜を電子材料に用いた場合、電気的な特性を悪化させる可能性があるため、種々の方法で精製するのが好ましい。精製方法としては、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶、有機溶媒での洗浄などが挙げられるが、操作の簡便さ、精製効率の高さから再結晶がより好ましい。再結晶に用いる有機溶媒は、本発明の化合物を再結晶できる有機溶媒であれば、その種類を選ばず、2種類以上の混合溶剤で再結晶を行ってもよい。<ポリイミド前駆体及びポリイミド>本発明の液晶配向剤に含有されるポリイミド前駆体は、加熱することによって下記に示すイミド化反応が可能な部位を有するポリマーである。本発明に使用されるポリイミド前駆体は、下記式7で表わされる構造を有する。上記式中、R6は、水素原子、又は、炭素数1~5、好ましくは1~2のアルキル基である。A1及びA2はそれぞれ独立して水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~10、好ましくは1~5のアルキル基である。上記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基などが挙げられる。上記のアルキル基は置換基を有していてもよく、更には置換基によって環構造を形成してもよい。なお、置換基によって環構造を形成するとは、置換基同士又は置換基と母骨格の一部とが結合して環構造となることを意味する。この置換基の例としてはハロゲン基、水酸基、チオール基、ニトロ基、アリール基、オルガノオキシ基、オルガノチオ基、オルガノシリル基、アシル基、エステル基、チオエステル基、リン酸エステル基、アミド基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を挙げることができる。ポリイミド前駆体において、一般に、嵩高い構造を導入すると、アミノ基の反応性や液晶配向性を低下させる可能性があるため、A1及びA2としては、水素原子、又は置換基を有してもよい炭素数1~5のアルキル基がより好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基が特に好ましい。また、式7において、上記X1は4価の有機基であり、Y1は2価の有機基である。ポリイミド前駆体中、X1は2種類以上が混在していてもよい。その具体例を示すならば、上記した熱脱離性基含有化合物の好ましい化合物である式2で表わされる構造において、Xの例示として記載したのと同じ、X-1~X-46が挙げられる。また、式7において、Y1は2価の有機基であり、特に限定されるものではなく、ポリイミド前駆体中、Y1は2種類以上が混在していてもよい。Y1の具体例を示すと、下記のY-1~Y-97が挙げられる。なかでも、良好な液晶配向性を得るためには、直線性の高いジアミンをポリイミド前駆体、又はポリイミドに導入することが好ましく、Y1としては、Y-7、Y-10、Y-11、Y-12、Y-13、Y-21、Y-22、Y-23、Y-25、Y-26、Y-27、Y-41、Y-42、Y-43、Y-44、Y-45、Y-46、Y-48、Y-61、Y-63、Y-64、Y-71、Y-72、Y-73、Y-74、Y-75、Y-98のジアミンがより好ましい。また、プレチルト角を高くしたい場合は、側鎖に長鎖アルキル基、芳香族環、脂肪族環、ステロイド骨格、又はこれらを組み合わせた構造を有するジアミンをポリイミド前駆体、又はポリイミドに導入することが好ましく、Y1としては、Y-76、Y-77、Y-78、Y-79、Y-80、Y-81、Y-82、Y-83、Y-84、Y-85、Y-86、Y-87、Y-88、Y-89、Y-90、Y-91、Y-92、Y-93、Y-94、Y-95、Y-96、又はY-97のジアミンがより好ましい。これらジアミンを全ジアミンの1~50モル添加することにより、任意のプレチルト角を発現させることができる。<ポリイミド前駆体の製造方法>本発明において、ポリイミド前駆体としては、ポリアミック酸エステルやポリアミック酸が挙げられる。そのうち、ポリアミック酸エステルは、下記式10~12で表されるテトラカルボン酸誘導体のいずれかと、式13で表されるジアミン化合物との反応によって得ることができる。式中、X1、Y1、R6、A1及びA2はそれぞれ上記式7中の定義と同じである。上記式1で表されるポリアミック酸エステルは、上記モノマーを用いて、以下に示す1~3の方法で合成することができる。1ポリアミック酸から合成する場合ポリアミック酸エステルは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンから得られるポリアミック酸をエステル化することによって合成することができる。具体的には、ポリアミック酸とエステル化剤を有機溶剤の存在下で-20°C~150°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~4時間反応させることによって合成することができる。エステル化剤としては、精製によって容易に除去できるものが好ましく、N,N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジプロピルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジネオペンチルブチルアセタール、N,N-ジメチルホルムアミドジ-t-ブチルアセタール、1-メチル-3-p-トリルトリアゼン、1-エチル-3-p-トリルトリアゼン、1-プロピル-3-p-トリルトリアゼン、4-4,6-ジメトキシ-1,3,5-トリアジンー2-イル-4-メチルモルホリニウムクロリドなどが挙げられる。エステル化剤の添加量は、ポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して、2~6モル当量が好ましい。上記の反応に用いる溶媒は、ポリマーの溶解性からN,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、又はγ-ブチロラクトンが好ましく、これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。合成時の濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという観点から、1~30質量が好ましく、5~20質量がより好ましい。2テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとの反応により合成する場合ポリアミック酸エステルは、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンから合成することができる。具体的には、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドとジアミンとを塩基と有機溶剤の存在下で-20°C~150°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~4時間反応させることによって合成することができる。前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジンなどが使用できるが、反応が穏和に進行するためにピリジンが好ましい。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという観点から、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドに対して、2~4倍モルであることが好ましい。上記の反応に用いる溶媒は、モノマー及びポリマーの溶解性からN-メチル-2-ピロリドン、又はγ-ブチロラクトンが好ましく、これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。合成時のポリマー濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという観点から、1~30質量が好ましく、5~20質量がより好ましい。また、テトラカルボン酸ジエステルジクロリドの加水分解を防ぐため、ポリアミック酸エステルの合成に用いる溶媒はできるだけ脱水されていることが好ましく、窒素雰囲気中で、外気の混入を防ぐのが好ましい。3テトラカルボン酸ジエステルとジアミンから合成する場合ポリアミック酸エステルは、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを重縮合することにより合成することができる。具体的には、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンを縮合剤、塩基、有機溶剤の存在下で0°C~150°C、好ましくは0°C~100°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは3~15時間反応させることによって合成することができる。前記縮合剤には、トリフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルカルボジイミド、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩、N,N’-カルボニルジイミダゾール、ジメトキシ-1,3,5-トリアジニルメチルモルホリニウム、O-ベンゾトリアゾール-1-イル-N,N,N’,N’-テトラメチルウロニウムテトラフルオロボラート、O-ベンゾトリアゾール-1-イル-N,N,N’,N’-テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスファート、2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリルホスホン酸ジフェニルなどが使用できる。縮合剤の添加量は、テトラカルボン酸ジエステルに対して2~3倍モルであることが好ましい。前記塩基には、ピリジン、トリエチルアミンなどの3級アミンが使用できる。塩基の添加量は、除去が容易な量で、かつ高分子量体が得やすいという観点から、ジアミン成分に対して2~4倍モルが好ましい。また、上記反応において、ルイス酸を添加剤として加えることで反応が効率的に進行する。ルイス酸としては、塩化リチウム、臭化リチウムなどのハロゲン化リチウムが好ましい。ルイス酸の添加量はジアミン成分に対して0~1.0倍モルが好ましい。上記3つのポリアミック酸エステルの合成方法の中でも、高分子量のポリアミック酸エステルが得られるため、上記1又は上記2の合成法が特に好ましい。上記のようにして得られるポリアミック酸エステルの溶液は、よく撹拌させながら貧溶媒に注入することで、ポリマーを析出させることができる。析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥して精製されたポリアミック酸エステルの粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等が挙げられる。ポリアミック酸エステルの重量平均分子量は、好ましくは5,000~300,000であり、より好ましくは、10,000~200,000である。また、数平均分子量は、好ましくは、2,500~150,000であり、より好ましくは、5,000~100,000である。一方、ポリイミド前駆体がポリアミック酸の場合、ポリアミック酸は、下記式12で表されるテトラカルボン酸二無水物と式13で表されるジアミン化合物との反応によって得ることができる。式中、X1、Y1、A1及びA2はそれぞれ上記式7中の定義と同じである。具体的には、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを有機溶媒の存在下で-20°C~150°C、好ましくは0°C~50°Cにおいて、30分~24時間、好ましくは1~12時間反応させることによって合成できる。上記の反応に用いる有機溶媒は、モノマー及びポリマーの溶解性からN,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、又はγ-ブチロラクトンが好ましく、これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。ポリマーの濃度は、ポリマーの析出が起こりにくく、かつ高分子量体が得やすいという観点から、1~30質量が好ましく、5~20質量がより好ましい。上記のようにして得られたポリアミック酸は、反応溶液をよく撹拌させながら貧溶媒に注入することで、ポリマーを析出させて回収することができる。また、析出を数回行い、貧溶媒で洗浄後、常温あるいは加熱乾燥することで精製されたポリアミック酸の粉末を得ることができる。貧溶媒は、特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、ヘキサン、ブチルセロソルブ、アセトン、トルエン等が挙げられる。ポリアミック酸の重量平均分子量は、好ましくは10,000~300,000であり、より好ましくは、20,000~200,000である。また、数平均分子量は、好ましくは、2,500~15,000であり、より好ましくは、5,000~100,000である。<ポリイミド>ポリイミド前駆体を脱水閉環させるイミド化反応は、熱イミド化又は化学的イミド化が一般的であるが、比較的低温でイミド化反応が進行する化学的イミド化が、得られるポリイミドの分子量低下が起こりにくく好ましい。化学的イミド化は、ポリイミド前駆体を有機溶媒中において、塩基性触媒と酸無水物の存在下で攪拌することにより行うことができる。このときの反応温度は-20~250°C、好ましくは0~180°Cであり、反応時間は1~100時間で行うことができる。塩基性触媒の量はポリイミド前駆体の0.5~30モル倍、好ましくは2~20モル倍であり、酸無水物の量はポリイミド前駆体の1~50モル倍、好ましくは3~30モル倍である。塩基性触媒や酸無水物の量が少ないと反応が十分に進行せず、また多すぎると反応終了後に完全に除去することが困難となる。イミド化に用いる塩基性触媒としてはピリジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等を挙げることができる。中でもピリジンは反応を進行させるのに適度な塩基性を持つので好ましい。また、酸無水物としては無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができ、中でも無水酢酸を用いると反応終了後の精製が容易となるので好ましい。有機溶媒としては前述したポリアミック酸重合反応時に用いる溶媒を使用することができる。化学的イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。このようにして得られたポリイミド溶液は、添加した触媒が溶液内に残存しているので、本発明の液晶配向剤に用いるためには、このポリイミド溶液を、攪拌している貧溶媒に投入し、ポリイミドを沈殿回収して使用するのが好ましい。ポリイミドの沈殿回収に用いる貧溶媒としては特に限定されないが、メタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼンなどが例示できる。貧溶媒に投入することにより沈殿したポリイミドは濾過洗浄して回収した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱乾燥してパウダーとすることが出来る。このパウダーを更に良溶媒に溶解して、再沈殿する操作を2~10回繰り返すと、ポリイミドを精製することもできる。一度の沈殿回収操作では不純物が除ききれないときは、この精製工程を繰り返し行うことが好ましい。繰り返し精製工程を行う際の貧溶媒として例えばアルコール類、ケトン類、炭化水素類など3種類以上の貧溶媒を混合もしくは順次用いることで、より一層精製の効率が上がるので好ましい。本発明の液晶配向剤に含有されるポリイミドのイミド化率は特に限定されない。ポリイミドの溶解性を考慮し任意の値に設定すればよい。本発明の液晶配向剤に含有されるポリイミドの分子量は特に限定されないが、ポリイミドの分子量は小さ過ぎると、得られる塗膜の強度が不十分となる場合があり、逆にポリイミドの分子量が大き過ぎると、製造される液晶配向剤の粘度が高くなり過ぎて、塗膜形成時の作業性、塗膜の均一性が悪くなる場合がある。従って、本発明の液晶配向剤に用いるポリイミドの重量平均分子量は2,000~500,000が好ましく、より好ましくは5,000~300,000である。<液晶配向剤>本発明の液晶配向剤は、上記のポリイミド前駆体及び/又はポリイミドが有機溶媒中に溶解した溶液の形態である。かかる形態を有する限り、例えば、ポリアミック酸エステル及び/又はポリアミック酸などのポリイミド前駆体を有機溶媒中で合成した場合には、得られる反応溶液そのものであってもよく、また、この反応溶液を適宜の溶媒で希釈したものであってもよい。また、ポリイミド前駆体及び/又はポリイミドを粉末として得た場合は、これを有機溶媒に溶解させて溶液としたものであってもよい。本発明の液晶配向剤におけるポリイミド前駆体及び/又はポリイミド以下、ポリマーともいう。の含有量濃度は、形成させようとするポリイミド膜の厚みの設定によっても適宜変更することができるが、均一で欠陥のない塗膜を形成させるという点から、有機溶媒に対して、ポリマー含有量は、0.5質量以上が好ましく、溶液の保存安定性の点からは15質量以下が好ましく、より好ましくは、1~10質量である。本発明の液晶配向剤には、ポリマーに加えて、上記した熱脱離性基含有化合物が添加される。熱脱離性基含有化合物は、上記ポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体のイミド化重合体の繰り返し単位1ユニットに対して、好ましくは0.5~50モル添加される。熱脱離性基含有化合物の含有量が、より好ましくは1~30モルであり、特に好ましくは5~20モルである。該含有量が、過度に少ない場合には、ポリイミド前駆体のイミド化反応や架橋反応が不十分になり、また、過度に大きい場合には、液晶配向性に悪影響を与える可能性があるために好ましくない。本発明の液晶配向剤に含有される上記有機溶媒は、ポリマーが均一に溶解するものであれば特に限定されない。その具体例を挙げるならば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N-エチル-2-ピロリドン、N-メチルカプロラクタム、2-ピロリドン、N-ビニル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、γ-ブチロラクトン、1,3-ジメチル-イミダゾリジノン、3-メトキシ-N,N-ジメチルプロパンアミド等を挙げることができる。これらは1種又は2種以上を混合して用いてもよい。また、単独ではポリマーを均一に溶解できない溶媒であっても、ポリマーが析出しない範囲であれば、上記の有機溶媒に混合してもよい。本発明の液晶配向剤は、ポリマーを溶解させるための有機溶媒の他に、液晶配向剤を基板へ塗布する際の塗膜均一性を向上させるための溶媒を含有してもよい。かかる溶媒は、一般的に上記有機溶媒よりも低表面張力の溶媒が用いられる。その具体例を挙げるならば、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、1-ブトキシ-2-プロパノール、1-フェノキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテル-2-アセテート、プロピレングリコール-1-モノエチルエーテル-2-アセテート、ジプロピレングリコール、2-2-エトキシプロポキシプロパノール、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、乳酸n-プロピルエステル、乳酸n-ブチルエステル、乳酸イソアミルエステル等が挙げられる。これらの溶媒は2種類上を併用してもよい。本発明の液晶配向剤は、シランカップリング剤や架橋剤などの各種添加剤を含有してもよい。シランカップリング剤は、液晶配向剤が塗布される基板と、そこに形成される液晶配向膜との密着性を向上させる目的で添加される。以下にシランカップリング剤の具体例を挙げるが、これに限定されるものではない。3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-2-アミノエチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-1,3-ジメチル-ブチリデンプロピルアミン、3-アミノプロピルジエトキシメチルシランなどのアミン系シランカップリング剤;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス2-メトキシエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシランなどのビニル系シランカップリング剤;3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランなどのエポキシ系シランカップリング剤;3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル系シランカップリング剤;3-アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル系シランカップリング剤;3-ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド系シランカップリング剤;ビス3-トリエトキシシリルプロピルジスルフィド、ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルフィドなどのスルフィド系シランカップリング剤;3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-オクタノイルチオ-1-プロピルトリエトキシシランなどのメルカプト系シランカップリング剤;3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリメトキシシランなどのイソシアネート系シランカップリング剤;トリエトキシシリルブチルアルデヒドなどのアルデヒド系シランカップリング剤;トリエトキシシリルプロピルメチルカルバメート、3-トリエトキシシリルプロピル-t-ブチルカルバメートなどのカルバメート系シランカップリング剤。上記シランカップリング剤の添加量は、多すぎると未反応のものが液晶配向性に悪影響を及ぼすことがあり、少なすぎると密着性への効果が現れないため、ポリマーの固形分に対して0.01~5.0重量が好ましく、0.1~1.0重量がより好ましい。上記シランカップリング剤を添加する場合は、ポリマーの析出を防ぐために、前記した塗膜均一性を向上させるための溶媒を加える前に添加するのが好ましい。塗膜を焼成する際にポリアミック酸エステルのイミド化を効率よく進行させるために、イミド化促進剤を添加してもよい。本発明の液晶配向剤には、上記の他、本発明の効果が損なわれない範囲であれば、重合体以外のポリマー、液晶配向膜の誘電率や導電性などの電気特性を変化させる目的の誘電体若しくは導電物質、さらには、液晶配向膜にした際の膜の硬度や緻密度を高める目的の架橋性化合物等を添加しても良い。本発明の液晶配向剤は、基板上に塗布、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をして、又は垂直配向用途などでは配向処理無しで液晶配向膜として用いることができる。この際、用いる基板としては透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、及びアクリル基板、ポリカーボネート基板などのプラスチック基板などを用いることができ、液晶駆動のためのITO電極などが形成された基板を用いることがプロセスの簡素化の観点から好ましい。また、反射型の液晶表示素子では片側の基板のみにならばシリコンウエハー等の不透明な物質でも使用でき、この場合の電極としてはアルミ等の光を反射する材料も使用できる。液晶配向剤の塗布方法は特に限定されないが、工業的には、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェットなどで行う方法が一般的である。その他の塗布方法としては、ディップ、ロールコーター、スリットコーター、スピンナーなどがあり、目的に応じてこれらを用いても良い。液晶配向剤を塗布した基板の焼成は、温度100~350°Cの任意の温度で行うことができ、好ましくは温度150~300°Cであり、さらに好ましくは温度180~250°Cである。液晶配向剤中に含有されるポリイミド前駆体は、この焼成温度によってポリイミドへの転化率が変化するが、液晶配向剤は、必ずしも100イミド化させる必要は無い。そのため焼成時間は任意の時間に設定できるが、焼成時間が短すぎると残存溶媒の影響で表示不良が発生する場合があるので、好ましくは5~60分間、より好ましくは10~40分間である。この焼成過程において、本発明の液晶配向剤に含有される、熱脱離性基含有化合物は、上記したように、熱脱離性基が分解し、反応性の高い1級又は2級アミンが発生する。この発生した1級又は2級アミンは、液晶配向剤に含有される主成分である、ポリイミド前駆体及び/又はポリイミドのポリマーのイミド化反応を促進し、高イミド化率をもたらすとともに、ポリマー間に架橋反応をもたらし、液晶配向剤から得られる液晶配向膜に対して大きい機械的強度を与える。機械的強度の増大は、ラビング耐性の向上、高温時の液晶特性の安定性がもたらされる。焼成後の塗膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは5~300nm、より好ましくは10~100nmである。液晶を水平配向や傾斜配向させる場合は、焼成後の塗膜をラビング又は偏光紫外線照射などで処理する。本発明の液晶表示素子は、上記した手法により本発明の液晶配向剤から液晶配向膜付き基板を得た後、公知の方法で液晶セルを作製し、液晶表示素子としたものである。液晶セル作製の一例を挙げるならば、液晶配向膜の形成された1対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサーを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、又は、スペーサーを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。このときのスペーサーの厚みは、好ましくは1~30μm、より好ましくは2~10μmである。以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本実施例及び比較例で使用した化合物の略号、及び各特性の測定方法は、以下のとおりである。1,3DMCBDE-Cl:ジメチル13-ビスクロロカルボニル-13-ジメチルシクロブタン-24-ジカルボキシレートCBDE-Cl:ジメチル2,4-ビスクロロカルボニルシクロブタン-1,3-ジカルボキシレートCBDA:1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物PMDA:ピロメリット酸二無水物NMP:N-メチル-2-ピロリドンGBL:γ-ブチロラクトンBCS:ブチルセロソルブPAE:ポリアミック酸エステルPAA:ポリアミック酸1HNMR装置:フーリエ変換型超伝導核磁気共鳴装置FT-NMRINOVA-400Varian社製400MHz溶媒:重水素化ジメチルスルホキシドDMSO-d6、重水素化クロロホルムCDCl3標準物質:テトラメチルシランTMS[粘度]合成例において、ポリアミック酸エステル及びポリアミック酸溶液の粘度は、E型粘度計TVE-22H東機産業社製を用い、サンプル量1.1mL、コーンロータTE-11°34’、R24、温度25°Cで測定した。[分子量]また、ポリアミック酸エステルの分子量はGPC常温ゲル浸透クロマトグラフィー装置によって測定し、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド換算値として数平均分子量以下、Mnとも言う。と重量平均分子量以下、Mwとも言う。を算出した。GPC装置:Shodex社製GPC-101カラム:Shodex社製KD803、KD805の直列カラム温度:50°C溶離液:N,N-ジメチルホルムアミド添加剤として、臭化リチウム-水和物LiBrH2Oが30mmol/L、リン酸無水結晶o-リン酸が30mmol/L、テトラヒドロフランTHFが10ml/L流速:1.0ml/分検量線作成用標準サンプル:東ソー社製TSK標準ポリエチレンオキサイド重量平均分子量Mw約900,000、150,000、100,000、30,000、及び、ポリマーラボラトリー社製ポリエチレングリコールピークトップ分子量Mp約12,000、4,000、1,000。測定は、ピークが重なるのを避けるため、900,000、100,000、12,000、1,000の4種類を混合したサンプル、及び150,000、30,000、4,000の3種類を混合したサンプルの2サンプルを別々に測定した。[FT-IR測定]装置:NICOLET5700ThermoELECTRON社製SmartOrbitアクセサリー測定法:ATR法[液晶配向膜のラビング耐性]液晶配向剤を透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥、温度230°Cで20分間の焼成し、膜厚100nmのイミド化した膜を形成した。この塗膜にラビング処理を施した後、膜の表面状態を観察して、ラビング傷の有無、膜の削れカスの有無、膜の剥離の有無を評価した。[液晶配向性]液晶配向剤を透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥、230°Cの熱風循環式オーブンで20分間の焼成を経て膜厚100nmの塗膜を形成させた。この塗膜面に、ラビング処理又は光配向処理を施し、液晶配向膜付き基板を得た。このような液晶配向膜付き基板を2枚用意し、一方の基板の液晶配向膜面に6μmのスペーサーを散布した後、2枚の基板の配向が逆平行になるように組み合わせ、液晶注入口を残して周囲をシールし、セルギャップが6μmの空セルを作製した。この空セルに液晶MLC-2041、メルク社製を常温で真空注入し、注入口を封止して液晶セルとした。この液晶セルを用いて、液晶配向性を偏光顕微鏡にて観察し、液晶配向性を以下の基準で評価した。<評価基準>○:流動配向が観察されず、クロスニコル下で光抜けがない。△:流動配向が若干観察され、クロスニコル下で光抜けが観察される。×:セル全体に流動配向が観察される。[電圧保持率]上記液晶セルの電圧保持率の測定は以下のようにして行った。4Vの電圧を60μs間印加し、16.67ms後の電圧を測定することで、初期値からの変動を電圧保持率として計算した。測定の際、液晶セルの温度を23°C、60°C、90°Cとし、それぞれの温度で測定を行った。[イオン密度]上記液晶セルのイオン密度の測定は以下のようにして行った。東陽テクニカ社製の6254型液晶物性評価装置を用いて測定を行った。10V、0.01Hzの三角波を印加し、得られた波形のイオン密度に相当する面積を三角形近似法により算出し、イオン密度とした。測定の際、液晶セルの温度を23°C、60°Cとし、それぞれの温度で測定を行った。[プレチルト角の測定]上記液晶セルのプレチルト角の測定は、Axometrics社製のAxoScanを用いて測定した。合成例1以下に示す4ステップの経路でジアミン化合物DA-1を合成した。第1ステップ:化合物A5の合成500mLのナスフラスコにプロパルギルアミン、NNジメチルホルムアミド、炭酸カリウムの順に入れ、0°Cにし、ブロモ酢酸tブチルをNNジメチルホルムアミドに溶かした溶液を約1時間で、撹拌しながら滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温にし、20時間撹拌した。その後、固形物をろ過により除去し、ろ液に酢酸エチルを1L加え、300mLの水で4回、300mLの飽和食塩水で1回洗浄した。その後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。最後に、残留した油状物を06Torr70°Cで減圧蒸留することにより、無色液体のNプロパルギルアミノ酢酸tブチル化合物A5を得た。収量は120g、収率は63であった。第2ステップ:化合物A6の合成1Lのナスフラスコに上記Nプロパルギルアミノ酢酸tブチル、ジクロロメタンを入れて溶液とし、攪拌氷冷しながら、二炭酸ジtブチルをジクロロメタンに溶かした溶液を1時間で滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温にし、20時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を300mLの飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、溶媒を減圧留去することで、薄黄色液体のNプロパルギルNtブトキシカルボニルアミノ酢酸tブチル化合物A6を得た。収量は180g、収率は94であった。第3ステップ:化合物A7の合成300mLの四つ口フラスコに2ヨード4ニトロアニリン、ビスパラジウムジクロリド、ヨウ化銅を入れ、窒素置換した後、ジエチルアミン、NNジメチルホルムアミドを加え、氷冷攪拌しながら、前記NプロパルギルアミノNtブトキシカルボニル酢酸tブチルを加え、室温で20時間攪拌した。反応終了後、1Lの酢酸エチルを加え、1molLの塩化アンモニウム水溶液150mLで3回、150mLの飽和食塩水で1回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、溶媒を減圧留去することで析出した固体を200mLの酢酸エチルに溶かし、1Lのヘキサンを加えることで再結晶を行った。この固体をろ取し、減圧乾燥することで、黄色固体の231プロピニル4ニトロアニリン化合物A7を得た。収量は230g収率は66であった。第4ステップ:化合物A7の還元500mLの四つ口フラスコに前記231プロピニル4ニトロアニリン、及び、エタノールを加え、系内を窒素で置換した後、パラジウム炭素を加え、系内を水素で置換し、50°Cで48時間攪拌した。反応終了後、セライトろ過によりパラジウム炭素を除き、ろ液に活性炭を加え、50°Cで30分攪拌した。その後、活性炭をろ過し、有機溶媒を減圧留去し、残留した油状物を減圧乾燥することで、ジアミン化合物DA-1を得た。収量は198g、収率は96であった。ジアミン化合物DA-1は1HNMRにより確認した。1HNMRδ654642349347338330251244184176148144合成例2ジメチル13-ビスクロロカルボニル-13-ジメチルシクロブタン-24-ジカルボキシレート1,3DMCBDE-Clの合成a-1:テトラカルボン酸ジアルキルエステルの合成窒素気流下中、3Lの四つ口フラスコに、1,3-ジメチルシクロブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物式5-1の化合物、以下1,3-DM-CBDAと略すを220g0.981molと、メタノールを2200g6.87mol、1,3-DM-CBDAに対して10wt倍仕込み、65°Cにて加熱還流を行ったところ、30分で均一な溶液となった。反応溶液はそのまま4時間30分加熱還流下で撹拌した。この反応液を高速液体クロマトグラフィー以下、HPLCと略すにて測定した。この測定結果の解析は後述する。エバポレーターにて、この反応液から溶媒を留去した後、酢酸エチル1301gを加えて80°Cまで加熱し、30分還流させた。その後、10分間に2~3°Cの速度で内温が25°Cになるまで冷却し、そのまま25°Cで30分撹拌した。析出した白色結晶をろ過によって取り出し、この結晶を酢酸エチル141gにて2回洗浄した後、減圧乾燥することで、白色結晶を103.97g得た。この結晶は、1HNMR分析、及びX線結晶構造解析の結果により、化合物1-1であることを確認したHPLC相対面積97.5収率36.8。1HNMR1282360339140a-2.1,3-DM-CBDE-C1の合成窒素気流下中、3Lの四つ口フラスコに、化合物1-1234.15g0.81mol、n-ヘプタン1170.77g11.68mol.5wt倍を仕込んだ後、ピリジン0.64g0.01molを加え、マグネチックスターラー攪拌下にて75°Cまで加熱撹拌した。続いて、塩化チオニル289.93g11.68molを1時間かけて滴下した。滴下直後から発泡が開始し、滴下終了30分後に反応溶液は均一となり、発泡は停止した。続いてそのまま75°Cにて1時間30分撹拌した後、エバポレーターにて水浴40°Cで内容量が924.42gになるまで溶媒を留去した。これを60°Cに加熱し、溶媒留去時に析出した結晶を溶解させ、60°Cにて熱時ろ過を行うことで不溶物をろ過した後、ろ液を25°Cまで10分間に1°Cの速度で冷却した。そのまま25°Cで30分撹拌させた後、析出した白色結晶をろ過により取り出し、この結晶をn-ヘプタン264.21gにて洗浄した。これを減圧乾燥することで、白色結晶を226.09g得た。続いて窒素気流下中、3Lの四つ口フラスコに、上記で得られた白色結晶226.09g、n-ヘプタン452.18gを仕込んだ後、60°Cに加熱撹拌して結晶を溶解させた。その後、25°Cまで10分間に1°Cの速度で冷却撹拌し、結晶を析出させた。そのまま25°Cで1時間撹拌させた後、析出した白色結晶をろ過により取り出し、この結晶をn-ヘキサン113.04gにて洗浄した後、減圧乾燥することで白色結晶を203.91g得た。この結晶は、1HNMR分析結果により、化合物3-1すなわち、ジメチル-1,3-ビスクロロカルボニル-1,3-ジメチルシクロブタン-2,4-ジカルボキシレート以下、1,3-DM-CBDE-C1という。であるであることを確認したHPLC相対面積99.5収率77.2。1HNMR378372169合成例3撹拌装置付きの3L四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、p-フェニレンジアミンを10.9293g、ジアミンDA-1を10.8177g0.0285mol入れ、NMPを472g、塩基としてピリジンを23.12g0.292mol加え撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながら1,3DM-CBDE-Clを39.6013g0.122mol添加し、水冷下4時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液に、NMP2101gを追加して30分撹拌し、固形分濃度を5wtの得られたポリアミック酸エステル溶液を得た。このポリアミック酸エステル溶液を、5247gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、5247gの水で1回、5247gのエタノールで1回、1312gのエタノールで3回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末45.90gを得た。収率は、87.7であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はMn=16,556、Mw=35,901であった。得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末35.99gを300ml三角フラスコにとり、GBLを230.85g加え、室温で24時間撹拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液PAE-1を得た。合成例4撹拌装置付きの300mL四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、4,4’-ジアミノジフェニルメタンを10.532g入れ、NMPを197.63g、塩基としてピリジンを9.00g113.8mmol加え撹拌して溶解させた。次にこのジアミン溶液を撹拌しながら1,3DM-CBDE-Clを15.4194g47.42mmol添加し、水冷下4時間反応させた。得られたポリアミック酸エステルの溶液を、2196gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、2196gの水で1回、2196gのエタノールで1回、549gのエタノールで3回洗浄し、乾燥することで白色のポリアミック酸エステル樹脂粉末20.37gを得た。収率は、92.8であった。また、このポリアミック酸エステルの分子量はMn=11,659、Mw=25,571であった。得られたポリアミック酸エステル樹脂粉末3.9648gを100ml三角フラスコにとり、NMP35.7135gを加え、室温で24時間撹拌し溶解させて、ポリアミック酸エステル溶液PAE-2を得た。合成例5撹拌装置付き及び窒素導入管付きの100mL四つ口フラスコに、CBDAを5.8936g30.05mmol入れ、次いで、NMPを56.11g加えて、窒素を送りながら撹拌し、スラリー状にした。このスラリー液を撹拌しながら、p-PDAを3.0196g27.92mmol添加し、更に固形分濃度が10質量になるようにNMPを加え、室温で24時間撹拌してポリアミック酸PAA-1の溶液を得た。このポリアミック酸溶液の温度25°Cにおける粘度は136.5mPasであった。また、このポリアミック酸の分子量はMn=13,391、Mw=32,745であった。実施例1化合物1-aの合成以下に、4ステップの経路で化合物1-aを合成した。第1ステップ:前駆体1-a1の合成300ml四つ口フラスコに、2-4-ニトロフェニルエチルアミン塩酸塩を18.78g92.68mmol入れ、次いで、トルエンを152ml、トリエチルアミンを9.847g97.31mmol加えて、0°C氷浴にて撹拌した。滴下ロートに二炭酸ジ-tert-ブチルを21.24g97.31mmolを、四つ口フラスコ中の溶液に30分かけて滴下した。滴下終了後、室温20°Cにて8時間撹拌した。反応終了後、反応溶液に純水500mlを加え、抽出した。得られた有機層を純水で2回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後、溶媒留去し、白色固体を得た。この白色固体にヘキサンを100ml、酢酸エチルを20ml加えて、再結晶を行った。析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が前駆体1-a1であることを確認した。収量は20.92g、収率は85であった。1HNMR:143292341456735816第2ステップ:前駆体1-a2の合成500mlナス型フラスコに前駆体1-a1を20.90g78.49mmol入れ、テトラヒドロフラン200mlを加えた。反応容器を窒素置換した後、パラジウムカーボンを2.09g加え、窒素置換した。反応容器を水素置換し、20°Cにて、19時間撹拌した。反応終了後、セライトろ過により、パラジウムカーボンを除去し、ろ液から溶媒を除去し、白色固体を得た。得られた固体を酢酸エステル20mlに溶解し、ヘキサンを140ml加えて、再結晶を行った。析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が前駆体1-a2であることを確認した。収量は16.54g、収率は89であった。1HNMR:143267331359452664697第3ステップ:化合物1-aの合成100ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、これに1,3DM-CBDE-Clを5.00g15.38mmol入れ、次いで、テトラヒドロフラン脱水を25ml、ピリジンを2.68g33.83mmol加えて、撹拌し、酸クロライド溶液を得た。次に、100ml三角フラスコに前駆体1-a2を7.45g31.53mmol入れ、次いで、テトラヒドロフラン脱水を15ml加えて、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を滴下ロートに移し、四つ口フラスコの中に、モノアミン溶液を15分かけて滴下した。滴下後、20時間撹拌した。20時間後、反応溶液を200mlの水に注ぎ、クロロホルムを100ml加えて、抽出した。得られた有機層を純水で2回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後、溶媒留去し、白色固体を得た。得られた固体をテトラヒドロフラン30mlに溶解し、ジイソプロピルエーテルを100ml加えて、再結晶を行った。析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が化合物1-aであることを確認した。収量は8.38g、収率は75であった。1HNMR:143158278353384410455718745862実施例2化合物1-bの合成以下に、3ステップの経路で化合物1-bを合成した。第1ステップ:前駆体1-b1の合成窒素置換した100ml四つ口フラスコに4-ブロモニトロベンゼンを8.95g44.30mmol、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリドを0.311g0.44mmol、ヨウ化銅を0.169g0.89mmol、トリエチルアミンを5.38g53.16mmolを入れ、テトラヒドロフランを30ml加えて、室温20°Cで10分間攪拌した。次に、100ml三角フラスコにN-tert-ブトキシカルボニルプロパルギルアミンを8.25g53.16mmolを入れ、テトラヒドロフランを15ml加えて、溶解した。この溶液を滴下ロートに移し、四つ口フラスコ中の溶液へ5分間かけて滴下した。滴下後、60°Cにて3時間加熱撹拌した。3時間後、反応溶液を250mlの純水に投入し、固体を析出させた。析出した固体を吸引ろ取した後、得られた固体をトルエン40mlに溶解し、ヘキサン25mlを加えて、再結晶した。析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた茶色固体が前駆体1-b1であることを確認した。収量は7.66g、収率は62.5であった。1HNMR:143420482756818第2ステップ:前駆体1-b2の合成500mlナス型フラスコに前駆体1-b1を12.87g46.58mmol入れ、メタノール130mlを加えた。反応容器を窒素置換した後、パラジウムカーボンを1.28g加え、窒素置換した。反応容器を水素置換し、50°Cにて、24時間加熱撹拌した。反応終了後、セライトろ過により、パラジウムカーボンを除去し、ろ液から溶媒を除去し、茶色のアメ状化合物を得た。得られたアメ状化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー酢酸エチル:ヘキサン=50:50にて精製し、茶色のアメ状化合物を得た。1HNMRより得られた茶色のアメ状化合物が前駆体1-b2であることを確認した。収量は4.42g、収率は37.9であった。1HNMR:143175255316359456667696第3ステップ:化合物1-bの合成100ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、これに1,3DM-CBDE-Clを2.40g15.38mmol入れ、次いで、テトラヒドロフラン脱水を10ml、ピリジンを1.29g16.24mmol加えて、撹拌し、酸クロライド溶液を得た。次に、50ml三角フラスコに前駆体1-b2を4.07g16.24mmol入れ、次いで、テトラヒドロフラン脱水を10ml加えて、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を滴下ロートに移し、四つ口フラスコの中に、モノアミン溶液を5分かけて滴下した。滴下後、3時間撹拌した。20時間後、反応溶液を60mlの水に注ぎ、クロロホルムを40ml加えて、抽出した。得られた有機層を純水で2回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後、溶媒留去し、白色固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー酢酸エチル:ヘキサン=1:1で精製し、白色固体を得た。1HNMRより得られた白色固体が化合物1-bであることを確認した。収量は3.72g、収率は66.9であった。1HNMR:143158167255297359362686716745943実施例3化合物1-cの合成以下に、3ステップの経路で化合物1-cを合成した。第1ステップ:前駆体1-c1の合成2L四つ口フラスコに3-ブロモプロピルアミン臭化水素酸塩を50.42g0.230mol入れ、ジクロロメタンを672g、二炭酸ジ-tert-ブチルを56.28g0.258mol加え、0°C氷浴にて撹拌した。滴下ロートにN,N-ジジイソプロピルエチルアミンを60.86g0.471mol入れ、四つ口フラスコ中のスラリー溶液へ30分かけて滴下した。滴下開始後、反応溶液が激しく発泡し、白色固体が析出した。滴下終了後、3時間撹拌した。反応終了後、反応溶液に純水500mlを加え、抽出した。得られた有機層を純水で2回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後、溶媒留去し、無色透明のオイルを得た。このオイル状物質にヘキサン500mlを加え、-78°Cで晶析し、白色固体を得た。固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体がtert-ブチル-3-ブロモプロピルカルバメート、すなわち前駆体1-c1であることを確認した。収量は42.99g、収率は78.5であった。1HNMR:144205327345469第2ステップ:前駆体1-c2の合成1L四つ口フラスコに前駆体1-c1を40.00g0.168mol、炭酸カリウムを32.86g0.238mol入れ、DMFを481g加えて、60°Cにて7時間加熱撹拌した。7時間後、得られた反応溶液を3Lの純水に撹拌しながら投入し、酢酸エステルを1L加え、抽出した。得られた有機層を純水で2回、1M水酸化ナトリウム水溶液500mlで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を除去後、溶媒留去し、黄色固体を得た。得られた固体を酢酸エステル200mlに溶解し、撹拌しながらヘキサンを1L加えて、固体を析出された。得られた固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた黄色固体が前駆体1-c2であることを確認した。収量は35.49g、収率は71.3であった。1HNMR:144203334412472695820第3ステップ:前駆体1-c3の合成500mlナス型フラスコに前駆体1-c2を30.04g0.102molを入れ、エタノール170gを加えた。反応容器を窒素置換した後、パラジウムカーボンを3.11g加え、窒素置換した。反応容器を水素置換し、20°Cにて、48時間撹拌した。反応終了後、セライトろ過により、パラジウムカーボンを除去し、ろ液から溶媒を除去し、固体を得た。得られた固体を酢酸エステル100mlに溶解し、撹拌しながらヘキサンを400ml加え、さらに-50°Cに冷却することにより、白色固体が析出した。析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた黄色固体が前駆体1-c3であることを確認した。収量は26.64g、収率は97.7であった。1HNMR:144193332344394485663673第4ステップ:化合物1-cの合成撹拌装置付きの300ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、前駆体1-c3を12.26g入れ、NMPを241g、塩基としてピリジンを5.31g67.1mmol加え撹拌して溶解させた。次にこのモノアミン溶液を撹拌しながら1,3DM-CBDE-Clを7.43g22.9mol添加し、水冷下4時間反応させた。得られた反応溶液を、1800gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、1800gの水で1回、1800gのエタノールで1回、540gのエタノールで3回洗浄し、白色固体を得た。得られた白色固体を酢酸エチルに溶解し、ヘキサンを加えて、再結晶を行った。析出した固体を析出した固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた黄色固体が前駆体1-cであることを確認した。収量は15.23g、収率は84.4であった。1HNMR:144158197331385399480685742850実施例4化合物1-dの合成撹拌装置付きの300ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、2,5-ビスメトキシカルボニルテレフタル酸を1.87g6.63mmol、ピリジンを1.10g13.9mmolを入れ、脱水テトラヒドロフランを40ml加え、加熱還流した。この溶液に塩化チオニルを1.54g12.9mmol加え、1時間加熱還流した。1時間後、反応溶液に前駆体1-a2を3.13g入れ、さらに2時間加熱還流した。得られた反応溶液を、500gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、500gの水で1回、500gのメタノールで1回、240gのメタノールで3回洗浄し、白色固体を得た。得られた白色固体を200mlナス型フラスコに入れ、酢酸エチル100mlを加えて、加熱撹拌した。残った固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が化合物1-dであることを確認した。収量は1.97g、収率は41.4であった。1HNMR:1382673133816897187428031056実施例5化合物1-jの合成撹拌装置付きの30ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、前駆体1-a2を1.04g入れ、NMPを20g、塩基としてピリジンを0.58g7.43mmol加え撹拌して溶解させた。次にこのモノアミン溶液を撹拌しながらCBDE-Clを0.658g2.22mol添加し、水冷下2時間反応させた。得られた反応溶液を、200gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、200gの水で1回、200gのエタノールで1回、100gのエタノールで3回洗浄し、白色固体を得た。得られた白色固体を50mlナス型フラスコに入れ、酢酸エチルを30ml加え、80°Cにて30分間加熱撹拌した。30分後、残った固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が前駆体1-jであることを確認した。収量は0.42g、収率は27.3であった。1HNMR:133158259306347356~363386~3916837087431010実施例6化合物1-kの合成撹拌装置付きの30ml四つ口フラスコを窒素雰囲気とし、前駆体1-c3を1.06g入れ、NMPを20g、塩基としてピリジンを0.58g7.43mmol加え撹拌して溶解させた。次にこのモノアミン溶液を撹拌しながらCBDE-Clを0.658g1.99mol添加し、水冷下2時間反応させた。得られた反応溶液を、200gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、200gの水で1回、200gのエタノールで1回、100gのエタノールで3回洗浄し、白色固体を得た。得られた白色固体を50mlナス型フラスコに入れ、酢酸エチルを30ml加え、80°Cにて30分間加熱撹拌した。30分後、残った固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が前駆体1-kであることを確認した。収量は0.58g、収率は38.4であった。1HNMR:144179306360359~366386~3966866907461006実施例7化合物1-iの合成撹拌装置付きの50ml二口フラスコを窒素雰囲気とし、2,5-ビスメトキシカルボニルテレフタル酸を0.62g2.20mmol、ピリジンを0.38g4.80mmolを入れ、脱水テトラヒドロフランを20ml加え、加熱還流した。この溶液に塩化チオニルを0.55g4.62mmol加え、1時間加熱還流した。1時間後、反応溶液に前駆体1-c3を1.23g入れ、さらに2時間加熱還流した。得られた反応溶液を、200gの水に撹拌しながら投入し、析出した白色沈殿をろ取し、続いて、100gの水で1回、100gのエタノールで1回、50gのエタノールで3回洗浄し、淡黄色固体を得た。得られた淡黄色固体を50mlナス型フラスコに入れ、酢酸エチルを20ml加えて、加熱撹拌した。残った固体を吸引ろ取し、減圧乾燥した。1HNMRより得られた白色固体が化合物1-iであることを確認した。収量は0.57g、収率は33.1であった。1HNMR:138183308381396686~7007588021047実施例8化合物1-e含有溶液の調製撹拌装置付き及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、前駆体1-a2を2.37g10.03mmol入れ、次いで、NMPを9.40g加えて、窒素を送りながら撹拌し、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を撹拌しながら、CBDAを0.98g5.00mmol添加し、更に固形分濃度が20質量になるようにNMPを加え、室温で24時間撹拌して化合物1-e含有溶液を得た。得られた溶液の一部に対し、1-メチル-3-p-トリルトリアゼンを加えて、カルボン酸のメチルエステル化を行ったところ、1HNMRより実施例5で得られた1-jと同一の化合物が得られたことを確認した。このことから、上記溶液には、1-eが含まれることが確認された。実施例9化合物1-f含有溶液の調製撹拌装置付き及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、前駆体1-a2を2.37g10.03mmol入れ、次いで、NMPを9.62g加えて、窒素を送りながら撹拌し、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を撹拌しながら、PMDAを1.09g5.00mmol添加し、更に固形分濃度が20質量になるようにNMPを加え、室温で24時間撹拌して化合物1-f含有溶液を得た。得られた溶液の一部に対し、1-メチル-3-p-トリルトリアゼンを加えて、カルボン酸のメチルエステル化を行ったところ、1HNMRより実施例4で得られた1-dと同一の化合物が得られたことを確認した。このことから、上記溶液には、1-fが含まれることが確認された。実施例10化合物1-g含有溶液の調製撹拌装置付き及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、前駆体1-c3を2.66g9.99mmol入れ、次いで、NMPを10.19g加えて、窒素を送りながら撹拌し、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を撹拌しながら、CBDAを1.09g5.00mmol添加し、更に固形分濃度が20質量になるようにNMPを加え、室温で24時間撹拌して化合物1-g含有溶液を得た。得られた溶液の一部に対し、1-メチル-3-p-トリルトリアゼンを加えて、カルボン酸のメチルエステル化を行ったところ、1HNMRより実施例6で得られた1-kと同一の化合物が得られたことを確認した。このことから、上記溶液には、1-gが含まれることが確認された。実施例11化合物1-h含有溶液の調製撹拌装置付き及び窒素導入管付きの50mL四つ口フラスコに、前駆体1-c3を3.99g15.0mmol入れ、次いで、NMPを16.91g加えて、窒素を送りながら撹拌し、モノアミン溶液とした。このモノアミン溶液を撹拌しながら、PMDAを1.64g7.52mmol添加し、更に固形分濃度が20質量になるようにNMPを加え、室温で24時間撹拌して化合物1-h含有溶液を得た。得られた溶液の一部に対し、1-メチル-3-p-トリルトリアゼンを加えて、カルボン酸のメチルエステル化を行ったところ、1HNMRより実施例7で得られた1-iと同一の化合物が得られたことを確認した。このことから、上記溶液には、1-hが含まれることが確認された。実施例12100ml三角フラスコに、合成例3で得られたポリアミック酸エステル溶液PAE-1を44.3382g入れ、次いで、GBLを19.6930g、BCSを16.0839g加えて、ポリアミック酸エステルの希釈溶液を得た。撹拌子を入れた20mlサンプル管に上記溶液を5.02g入れ、次いで、実施例1で得られた化合物1-aを0.0645gポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量加え、室温で30分攪拌し、化合物1-aを完全に溶解させて、液晶配向剤A1-1を得た。実施例13化合物1-aの代わりに、実施例3で得られた化合物1-cをポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量使用した以外は、実施例12と同様にして液晶配向剤A1-2を得た。実施例14化合物1-aの代わりに、実施例8で得られた化合物1-e含有溶液を、化合物1-eがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量となるように添加した以外は、実施例12と同様にして液晶配向剤A1-3を得た。実施例15化合物1-aの代わりに、実施例9で得られた化合物1-f含有溶液を、化合物1-fがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量となるように添加した以外は、実施例12と同様にして液晶配向剤A1-4を得た。実施例16化合物1-aの代わりに、実施例10で得られた化合物1-g含有溶液を、化合物1-gがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量となるように添加した以外は、実施例12と同様にして液晶配向剤A1-5を得た。実施例17化合物1-aの代わりに、実施例11で得られた化合物1-h含有溶液を、化合物1-hがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.1モル当量となるように添加した以外は、実施例12と同様にして液晶配向剤A1-6を得た。実施例18撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例4で得られたポリアミック酸エステル溶液PAE-2を4.4560g入れ、次いで、NMPを1.4837g、BCSを1.5021g加えて、さらに実施例1で得られた化合物1-aを0.1023gポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量加え、室温で30分攪拌し、化合物1-aを完全に溶解させて液晶配向剤A2-1を得た。実施例19化合物1-aの代わりに、実施例4で得られた化合物1-dをポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量使用した以外は、実施例18と同様にして液晶配向剤A2-2を得た。実施例20化合物1-aの代わりに、実施例8で得られた化合物1-e含有溶液を、化合物1-eがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量となるように添加した以外は、実施例18と同様にして液晶配向剤A2-3を得た。実施例21化合物1-aの代わりに、実施例9で得られた化合物1-f含有溶液を、化合物1-fがポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量となるように添加した以外は、実施例18と同様にして液晶配向剤A2-4を得た。実施例22撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例5で得られたポリアミック酸溶液PAA-1を4.4156g入れ、次いで、NMPを1.3409g、BCSを1.4426g加えて、さらに実施例1で得られた化合物1-aを0.2113gポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量加え、室温で30分攪拌し、化合物1-aを完全に溶解させて液晶配向剤A3-1を得た。実施例23化合物1-aの代わりに、実施例4で得られた化合物1-dをポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量使用した以外は、実施例22と同様にして液晶配向剤A3-2を得た。実施例24化合物1-aの代わりに、実施例8で得られた化合物1-e含有溶液を、化合物1-eがポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量となるように添加した以外は、実施例22と同様にして液晶配向剤A3-3を得た。実施例25化合物1-aの代わりに、実施例9で得られた化合物1-f含有溶液を、化合物1-fがポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して0.2モル当量となるように添加した以外は、実施例22と同様にして液晶配向剤A3-4を得た。比較例1撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例3で得られたポリアミック酸エステル溶液PAE-1を2.7692g入れ、次いで、GBLを1.2308g、BCSを1.012g加えて、室温で30分攪拌し、液晶配向剤B1-1を得た。比較例2撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例4で得られたポリアミック酸エステル溶液PAE-2を4.3431g入れ、次いで、NMPを1.4722g、BCSを1.4589g加えて、室温で30分攪拌し、液晶配向剤B2-1を得た。比較例3撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例4で得られたポリアミック酸エステル溶液PAE-2を4.7100g入れ、次いで、NMPを1.5935g、BCSを1.5892g加えて、さらに、実施例1で得られた前駆体1-a2を0.0985gポリアミック酸エステルの繰り返し単位1モルに対して0.4モル当量添加し、室温で30分攪拌して、液晶配向剤B2-2を得た。比較例4撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例5で得られたポリアミック酸溶液PAA-1を3.9775g入れ、次いで、NMPを1.2069g、BCSを1.2953g加えて、室温で30分攪拌し、液晶配向剤B3-1を得た。比較例5撹拌子を入れた20mlサンプル管に、合成例5で得られたポリアミック酸溶液PAA-1を4.3645g入れ、次いで、NMPを1.3462g、BCSを1.4297g加えて、さらに、実施例1で得られた前駆体1-a2を0.1357gポリアミック酸の繰り返し単位1モルに対して0.4モル当量添加し、室温で30分攪拌して、液晶配向剤B3-2を得た。実施例26実施例12で得られた液晶配向剤A1-1を1.0μmのメンブランフィルターで濾過した後、ガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥後、230°Cで10分間焼成し、膜厚100nmのイミド化した膜を得た。この塗膜を削り取り、ATR法でFT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表1に示す。実施例27~31実施例13~17で得られた液晶配向剤A1-2~A1-6を用い、実施例26と同様の操作でイミド化した膜を作製し、FT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表1に示す。比較例6比較例1で得られた液晶配向剤B1-1を用い、実施例26と同様にしてイミド化した膜を作製し、FT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表1に示す。実施例26~31と比較例6の結果より、本発明の化合物は、ポリアミック酸エステルのイミド化反応を促進することが確認された。実施例32実施例18で得られた液晶配向剤A2-1を1.0μmのメンブランフィルターで濾過した後、ガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥後、20°Cで10分間焼成し、膜厚100nmのイミド化した膜を得た。この塗膜を削り取り、ATR法でFT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表2に示す。実施例33~35実施例19~21で得られた本発明の液晶配向剤A2-2~A2-4を用い、実施例32と同様にしてイミド化した膜を作製し、FT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表2に示す。比較例7~8比較例2、3で得られた、それぞれ、液晶配向剤B2-1、B2-2を用い、実施例32と同様にしてイミド化した膜を作製し、FT-IRスペクトルを測定し、イミド化率を算出した。結果を表2に示す。実施例32~35と比較例7の結果より、本発明の化合物は、ポリアミック酸エステルのイミド化反応を促進することが確認された。また、実施例34、35と比較例8の結果より、テトラカルボン酸二無水物と前駆体1-a2の反応生成物が、ポリアミック酸エステルのイミド化反応を促進することが確認された。実施例36実施例22で得られた液晶配向剤A3-1を1.0マイクロmのメンブレンフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥した後、230°Cで20分間焼成し、膜厚100nmのイミド化した膜を得た。このポリイミド膜をレーヨン布でラビングロール径120mm、回転数1000rpm、移動速度20mm/sec、押し込み量0.4mmした後、ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷、ポリイミド膜の削れカス、及びポリイミド膜の剥離は観察されなかった。実施例37実施例23で得られた液晶配向剤A3-2を用いた以外は、実施例36と同様にしてポリイミド膜を作製し、ラビング処理を行った。ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷、ポリイミド膜の削れカス、及びポリイミド膜の剥離は観察されなかった。実施例38実施例24で得られた液晶配向剤A3-3を用いた以外は、実施例36と同様にしてポリイミド膜を作製し、ラビング処理を行った。ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷、ポリイミド膜の削れカス、及びポリイミド膜の剥離は観察されなかった。実施例39実施例25で得られた液晶配向剤A3-4を用いた以外は、実施例36と同様にしてポリイミド膜を作製し、ラビング処理を行った。ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷、ポリイミド膜の削れカス、及びポリイミド膜の剥離は観察されなかった。比較例9比較例4で得られた液晶配向剤B3-1を用いた以外は、実施例36と同様にしてポリイミド膜を作製し、ラビング処理を行った。ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷やポリイミド膜の削れカスが観察された。比較例10比較例5で得られた液晶配向剤B3-2を用いた以外は、実施例36と同様にしてポリイミド膜を作製し、ラビング処理を行った。ポリイミド膜の表面状態を観察したところ、ラビングによる傷やポリイミド膜の削れカスが観察された。実施例36~39と比較例9の結果より、本発明の化合物を添加したポリアミック酸溶液を塗布、焼成することにより、ラビングによる傷がつきにくい機械強度に優れたイミド化膜が得られることが確認された。また、実施例38、39と比較例10の結果より、テトラカルボン酸二無水物と前駆体1-a2の反応生成物が、得られるイミド化膜の機械的強度を向上させることが確認された。実施例40実施例18で得られた液晶配向剤A2-1を1.0μmのメンブレンフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥、温度230°Cで20分の焼成を経て膜厚100nmのイミド化した膜を形成させた。この塗膜をレーヨン布でラビングしロール径120mm、回転数300rpm、移動速度20mm/sec、押し込み量0.4mm、純水中にて1分間超音波照射をして洗浄を行い、エアーブローにて水滴を除去した後、80°Cで10分間乾燥して液晶配向膜付き基板を得た。このような液晶配向膜付き基板を2枚用意し、一方の基板の液晶配向膜面に6μmのスペーサーを散布した後、2枚の基板のラビング方向が逆平行になるよう組み合わせ、液晶注入口を残して周囲をシールし、セルギャップが6μmの空セルを作製した。この空セルに液晶MLC-2041、メルク社製を常温で真空注入し、注入口を封止した液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、後述の表3及び表4に示す。実施例41実施例19で得られた液晶配向剤A2-2を用いた以外は、実施例40と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、後述の表3及び表4に示す。実施例42実施例22で得られた液晶配向剤A3-1を用いた以外は、実施例40と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表3及び表4に示す。実施例43実施例23で得られた液晶配向剤A3-2を用いた以外は、実施例40と同様の方法で液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表3及び表4に示す。比較例11比較例2で得られた液晶配向剤B2-1を用いて、焼成時間を1時間とした以外は、実施例40と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表3及び表4に示す。比較例12比較例4で得られた液晶配向剤B3-1を用いた以外は、実施例40と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表3及び表4に示す。実施例40~43と比較例11、12の結果より、本発明の液晶配向膜を用いることで、液晶配向性が良好な液晶表示素子が得られることが確認された。また、本発明の液晶配向膜を用いることにより、プレチルト角が高くなることが確認された。実施例40~43と比較例11、12の結果より、本発明の液晶配向膜を用いることにより、高温時でも電圧保持率が高く、イオン密度が低い液晶表示素子が得られることが確認された。実施例44実施例22で得られた液晶配向剤A3-1を1.0μmのメンブレンフィルターで濾過した後、透明電極付きガラス基板上にスピンコートし、温度80°Cのホットプレート上で5分間の乾燥、温度230°Cで20分の焼成を経て膜厚100nmのイミド化した膜を形成させた。この塗膜面に偏光板を介して254nmの紫外線を1J/cm2照射し、液晶配向膜付き基板を得た。この液晶配向膜付き基板を2枚用意し、一方の基板の液晶配向膜面に6μmのスペーサーを散布した後、2枚の基板の配向が逆平行になるように組み合わせ、液晶注入口を残して周囲をシールし、セルギャップが6μmの空セルを作製した。この空セルに液晶MLC-2041、メルク社製を常温で真空注入し、注入口を封止した液晶セルについて、液晶配向性の観察、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、後述の表5に示す。実施例45実施例23で得られた液晶配向剤A3-2を用いた以外は、実施例44と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表5に示す。比較例13比較例4で得られた液晶配向剤B3-1を用いた以外は、実施例44と同様にして液晶セルを作製した。この液晶セルについて、液晶配向性の観察、プレチルト角測定、電圧保持率測定、及びイオン密度測定を行った。結果は、表5に示す。実施例44、45と比較例13の結果より、本発明の液晶配向膜を用いることにより、光配向においても、良好な液晶配向性を示し、高温でも電圧保持率が高く、イオン密度が低い信頼性に優れた液晶表示素子が得られることが確認された。"