"試料から定量的X線像を取得するためのX線装置、特に硬X線装置であって、X線源X線と、少なくとも2つの回折格子G0、G1とG2の両方、G1とG2の一方の組と、複数の個別のピクセルを有し、空間的に増幅される検出感度を有する位置敏感検出器PSDと、前記検出器PSDの像を記録する手段と、吸収を主とするピクセルとしてのおよび/または微分位相コントラストを主とするピクセルとしてのおよび/またはX線散乱を主とするピクセルとしての、各個別のピクセルについて対象の特徴を同定するために、一連の像中の各ピクセルに関する強度を評価する手段と、を有し、前記一連の像は、0からπまたは2πまで、連続的にまたは段階的に、前記試料を回転させるか、または、前記試料に対して前記装置と前記線源を回転させることにより収集され、前記回折格子G0必要な場合、G1とG2は、または、このような回折格子の組の一部は、X線が前記基体に対して平行に当該回折格子を通る、新規な平面形状にしたがって形成されており、前記回折格子構造体は、位相シフトと減衰とを決定する、X線のパスに沿って延在しており、当該回折格子構造体は、当該回折構造体の厚さではなく、当該回折格子構造体の長さによってX線に作用する、ことを特徴とするX線装置。いわゆる近接場レジームまたはタルボレジームにおいて作動される、請求項1記載の装置。G1は、吸収回折格子または位相回折格子のライン式回折格子G1であり、当該ライン式回折格子は、低吸収回折格子であるが、大きなX線の位相シフト、好ましくはπまたはその奇数倍のX線の位相シフトを生じさせる、請求項1または2記載の装置。G2は,G1の自己像の周期と同じ周期を有する、高いX線吸収を示すライン式回折格子であり、G2は、前記検出器PSDの直前に、G2のラインがG1のラインと平行であるよう配置されている、請求項1記載の装置。近接場レジームにおいては、前記回折格子間の距離は当該レジームにおいて自由に選択され、タルボレジームにおいては、に従って選択され、式中、n=1,3,5,...であり、であり、l=1,2,3...であり、Dnは、平行なX線ビームが用いられる場合の、奇数番目の分数タルボ距離であり、Dn,sphは、X線ファンビームまたはX線コーンビームが用いられる場合の、奇数番目の分数タルボ距離であり、Lは線源とG1との間の距離である、請求項1から4のいずれか1項記載の装置。前記回折格子構造体はプレーナ技術によって形成されている、請求項1から5のいずれか1項記載の装置。吸収回折格子および位相シフト回折格子のいずれか一方または両方が、プレーナアプローチにより形成されている、請求項1から6のいずれか1項記載の装置。G0とG1またはG1とG2の組み合わせが単一の基体上に形成されている、請求項1から7のいずれか1項記載の装置。前記ライン式検出器が、G2と同じ基体上に形成されているか、または、G1およびG2と同じ基体上に形成されている、請求項1から8のいずれか1項記載の装置。前記回折格子の形状はX線ビームの拡散に適合されている、請求項1から9のいずれか1項記載の装置。プレーナ製造技術により形成された複数の構造体が、相互に面状に積層されている、請求項1から10のいずれか1項記載の装置。複数の前記回折格子構造体が、たとえばリソグラフィにより形成されたノッチおよび溝を含む、機械的配列または光学的配列により、相互に積層されている、請求項1から11のいずれか1項記載の装置。線源と回折格子G1との間に配列されたコリメータがX線の空間的拡がりをファンビームに制限し、ラインアレイ式検出器が用いられ、機構部により試料を前記装置の他の部分に対して段階的にまたは連続的に回転させ、その回転軸は前記ファンの開放角に垂直であり、かつ、前記機構部は当該回転軸に平行な方向に沿って前記装置の他の部分に対して段階的にまたは連続的に試料を並進移動させる、請求項1から12のいずれか1項記載の装置。1つのスリットまたは連続したn個のスリットが投与線量を最少化するように対象の上流に配置され、好ましくは、当該スリットは前記G0の構造体または前記G1の構造体と一体化されている、請求項1から13のいずれか1項記載の装置。1つの回折格子G0、G1またはG2の他の部分に対する機械的シフトにより、位相ステッピングが行われる、請求項1から14のいずれか1項記載の装置。G0はステッピングされ、G1とG2は同じ基体上に物理的に配置され、G1とG2との間の位相関係は前記平面構造体にコードされている、請求項1から15のいずれか1項記載の装置。1組のn個の位相ステップが、n組の平面回折格子とn個のライン式検出器により得られ、各前記n組の平面回折格子は異なる位相ステップ位置で配列され、対象を除いて機械部分を全く動かすことなくn個の位相ステップ位置で対象がスキャンされる、請求項1から16のいずれか1項記載の装置。G1とG2との間の位相関係は、強度曲線が一次テイラー級数で展開される値に正確に対応する、請求項1から17のいずれか1項記載の装置。回折格子ベースのX線イメージングの重要な要素は、明らかに回折格子である。これらの回折格子の形成と使用においては、2つの主な技術的困難性が生じる。1回折格子に基づくイメージングの感度は回折格子周期を減少させることにより向上し、したがって、マイクロメートルの範囲典型的には1~20μmである。一方で、回折格子ラインの必要な厚さすなわちビームパス方向の寸法は、十分な減衰吸収ラインの場合または十分な位相シフト位相シフト回折格子の場合を生じさせるために十分な厚さである必要がある。とりわけ、高いX線エネルギーたとえば50keV超に対して、必要な回折格子ラインの厚さは通常、回折格子ラインの周期よりもはるかに大きく、結果、非常に高いアスペクト比となる。高いX線エネルギーに関して、このような高いアスペクト比を有する回折格子の製造は、非常に困難であるか、または、不可能でさえある。2X線管を線源とした使用に関して、画像検出器の寸法は線源距離と同等であり、これは、ビームが大きく発散し、二次元検出器が用いられる場合にはコーンビーム形状となり、一次元ライン式検出器が用いられる場合にはファンビーム形状となることを意味する。回折格子が光軸図1に示す方向の面法線を有する平坦な基体上に設けられている場合、画像フィールドのエッジに向かうビームは、図4に示されるように傾斜角で回折格子に当たる。これは位相コントラストの損失または暗視野コントラストの損失につながり、非常に高い回折格子ラインのアスペクト比が要求される高X線エネルギーにおいて特に基本的な問題を提起する。回折格子ラインは線源の点に対して角度を有していなければならず、これは光軸に対して垂直に向けられた基体について実現することは難しい。基体を曲げる試みや、それぞれが線源に向いた、より小さい要素から回折格子を構成する試みが提案されてきた。しかし、これらのアプローチは技術的に困難であり、高コストである。本発明は、以下の課題、すなわち:1.高いX線エネルギーのために非常に高いアスペクト比を形成可能とする、2.任意の形状、特にファンビームの形状に適合する回折格子の形成を可能とする、3.試料以外の全ての構成要素を動かすこと無く位相ステッピングが実行可能であるように回折格子を配置可能とする、という課題を有する。これらの課題は、本発明にかかる、試料から定量的X線像を取得するためのX線装置、特に硬X線装置であって、X線源X線と、少なくとも2つの回折格子G0、G1とG2の両方、G1とG2の一方の組と、複数の個別のピクセルを有し、空間的に増幅される検出感度を有する位置敏感検出器PSDと、検出器PSDの像を記録する手段と、吸収を主とするピクセルとしてのおよび/または微分位相コントラストを主とするピクセルとしてのおよび/またはX線散乱を主とするピクセルとしての、各個別のピクセルについて対象の特徴を同定するために、一連の像中の各ピクセルに関する強度を評価する手段と、を有し、一連の像は、0からπまたは2πまで、連続的にまたは段階的に、試料を回転させるか、または、試料に対して装置と線源を回転させることにより収集され、回折格子G0必要な場合、G1とG2は、または、このような回折格子の組の一部は、X線が基体に対して平行に当該回折格子を通る、新規な平面形状にしたがって形成されており、回折格子構造体は、位相シフトと減衰とを決定する、X線のパスに沿って延在しており、当該回折格子構造体は、当該回折構造体の厚さではなく、当該回折格子構造体の長さによってX線に作用する、装置により解決される。本発明のさらに好ましい実施例は従属請求項に記載されている。本発明について以下に説明する。添付図面は本発明の範囲および好適な実施形態の理解に役立つものである。1.高アスペクト比の回折格子回折格子に基づくイメージングのための新規な平面形状。X線はこれらを、従来のように垂直では無く、基体に平行に通過する。回折格子構造体は、位相シフトと減衰とを決定するX線のパスに沿って延在しており、回折格子構造体は、回折格子構造体の厚さではなく、回折格子構造体の長さによってX線に作用する。この新規な形状のために、プレーナ技術を用いることができ、任意のアスペクト比が得られる。これらのプレーナ製造技術には以下のものが含まれるしかしこれらに限定されるものではない。aマイクロマシニング。たとえばダイシングソーによる溝のカット。bリソグラフィ技術。特に、レジスト層のパターニングに用いられる、フォトリソグラフィ、X線リソグラフィまたは電子ビームリソグラフィ。cリソグラフィ技術。特に、レジスト層のパターニングに用いられる、フォトリソグラフィ、X線リソグラフィまたは電子ビームリソグラフィ。その後エッチング技術が用いられる。ここで、シリコンの深反応性イオンエッチングが非常に適した技術である。dリソグラフィ技術。特に、レジスト層のパターニングに用いられる、フォトリソグラフィ、X線リソグラフィまたは電子ビームリソグラフィ。その後デポジション技術が用いられる。ここで、モールドへのたとえば金またはニッケルの電気メッキが非常に適した技術である。e上記技術により作成される原型から複製を製造する複製技術。上述のプレーナ製造技術は、たとえば以下のような種々の方法で用いられる。i吸収材料たとえば重金属からなる基体または基体層のパターニングによる、吸収回折格子構造体の作成。ii低吸収材料たとえばシリコンまたはポリマーからなる基体または基体層のパターニングによる、位相回折格子構造体の作成。iii低吸収材料たとえばシリコンまたはポリマーからなる基体または基体層のパターニング、および、高吸収材料たとえば重金属での溝の充填による、吸収回折格子構造体の作成。iv低吸収材料たとえばシリコンまたはポリマーからなる基体または基体層のパターニング、および、高吸収材料たとえば重金属での溝の側壁の被覆による、吸収回折格子構造体の作成。構造体は、ビーム方向において数mmから数cmの長さが可能である。プレーナアプローチはG0必要な場合、G1とG2またはこのような回折格子の組の一部に用いることができる。吸収回折格子および位相シフト回折格子の両方を、プレーナアプローチにより製造することができる。G0とG1またはG1とG2の組み合わせを、優れた相対位置精度および機械的安定性で、1つの基体上に作成することができる。G2と同じ基体上またはG1とG2と同じ基体上にライン式検出器を作成することも考えられる。使用可能なファンビームの高さが構造体の高さを制限する。数十μmまたは数百μmの構造の高さはプレーナ製造技術により得られうる。より高い構造は2つのパターニングされた基体の相互の面状の積層により得られる。機械的な配列は、リソグラフィによるノッチと溝により行うことができ、2つの基体を正しい相対位置で互いに動かすよう設計される。2.回折格子形状の任意の形状-鮮明度および感度の向上上記製造アプローチおよび照射スキームによって、回折格子構造体は以下の任意の形状に設計および実現できる。特に、これは一般的なX線源から発せられるビームの発散に適合させることができ、その結果、i非常に広い視野への鮮明度の向上ii全視野にわたる感度の向上が得られる。3.一体化された位相ステッピング平面形状を前提として、本発明者らは、異なる回折格子の設計を提案するものであり、これは回折格子を物理的に動かす必要なく位相ステッピングを実行するために用いることができる。具体的には、aG1とG2の間の位相関係が、1ステップアプローチにしたがう、強度曲線が一次テイラー級数展開される値に正確に対応するように、G1とG2は配置されるG1とG2が2つの異なる支持体上にある場合には、リソグラフィ処理または機械的により同じウェハ上にいずれかが直接配置される。b一組のn個の位相ステップを、図3に類似した、n組の平面回折格子とn個のライン検出器とにより得ることができる。異なる位相ステッピング位置でn組の平面回折格子それぞれを配列することにより、対象を除いて機械部分を何ら動かすこと無く、n個の位相ステップ位置で対象はスキャンされる。相対的な配列はn個の回折格子の相互の積層により実現可能である図6参照。機械的配列は、リソグラフィにより形成されたノッチおよび溝により行うことができ、2つの基体を正しい相対位置に相互に配置するよう設計される。"