"dpt50≦10μmを有するタルク、dps50≦20μmを有するシリカ形成源、10.0μm以下のメジアン粒子直径dpa50を有するアルミナ形成源、およびdpp50≦20μmを有する細孔形成剤を含む無機成分のバッチを加工助剤と混合して可塑化バッチを生成し、ここで、dpp50は前記細孔形成剤のメジアン粒子直径であり、dps50は前記シリカ形成源のメジアン粒子直径であり、dpa50は前記アルミナ形成源のメジアン粒子直径であり、dpt50は前記タルクのメジアン粒子直径であり;前記可塑化バッチを未焼成のハニカム物品へと成形し;コージエライト結晶相を含み、約0.05~約0.25の微小亀裂パラメータNb3を有する多孔質セラミックハニカム物品を形成するのに有効な条件下で前記未焼成のハニカム物品を焼成し;焼成後に、前記多孔質セラミックハニカム物品を微小亀裂条件に曝露する、ことを含む、多孔質セラミックハニカム物品の製造方法であって、前記微小亀裂条件に曝露後に、前記多孔質セラミックハニカム物品が、前記微小亀裂条件に曝露する前の微小亀裂パラメータよりも少なくとも20大きい微小亀裂パラメータNb3を有する、方法。前記微小亀裂条件が熱サイクルを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記熱サイクルの間に、前記多孔質セラミックハニカム物品が、少なくとも400°Cのピーク温度に達し、少なくとも200°C/時間の速度で前記ピーク温度から冷却されることを特徴とする請求項2記載の方法。前記多孔質セラミックハニカム物品が、さらに、前記微小亀裂条件に曝露する前に、約25°C~約800°Cにわたる約7.0×107/°C~約15.0×107/°Cの熱膨張率CTEを有し、前記微小亀裂条件に曝露後に、約25°C~約800°Cにわたる約1.0×107/°C~約10.0×107/°Cの熱膨張率を有することを特徴とする請求項1記載の方法。前記微小亀裂条件が、前記多孔質セラミックハニカム物品へのウォッシュコートの施用後に生じる、請求項1記載の方法。したがって、熱誘発性の亀裂の影響を受けにくい代替となる多孔質セラミックハニカム物品、およびそれを製造するための代替方法が必要とされている。1つの実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品の製造方法は、dpt50≦10μmを有するタルク、dps50≦20μmを有するシリカ形成源、10.0μm以下のメジアン粒子直径dpa50を有するアルミナ形成源、およびdpp50≦20μmを有する細孔形成剤を含む無機成分のバッチを加工助剤と混合して可塑化バッチを形成することを含み、ここで、dpp50は前記細孔形成剤のメジアン粒子直径であり、dps50は前記シリカ形成源のメジアン粒子直径であり、dpa50は前記アルミナ形成源のメジアン粒子直径であり、dpt50は前記タルクのメジアン粒子直径である。次に、可塑化バッチを押出成形し、乾燥することによって、可塑化バッチを未焼成のハニカム物品へと成形する。次いで、未焼成のハニカム物品を、コージエライト結晶相を含み、約0.05~約0.25の微小亀裂パラメータNb3を有する多孔質セラミックハニカム物品を形成するのに有効な条件下で焼成する。その後、微小亀裂条件に曝露後に、多孔質セラミックハニカム物品が、微小亀裂条件に曝露する前の微小亀裂パラメータよりも少なくとも20大きい微小亀裂パラメータNb3を有するように、多孔質セラミックハニカム物品を微小亀裂条件に曝露する。別の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品の製造方法は、無機成分のバッチを加工助剤と混合して可塑化バッチを生成することを含む。次に、可塑化バッチを未焼成のハニカム物品へと成形し、これを、コージエライト結晶相を含み、約0.05~約0.25の微小亀裂パラメータNb3を有する多孔質セラミックハニカム物品を形成するのに有効な条件下で焼成する。焼成後、多孔質セラミックハニカム物品は、前記多孔質セラミックハニカム物品を少なくとも400°Cのピーク温度まで加熱し、前記多孔質セラミックハニカム物品を少なくとも200°C/時間の速度で冷却することを含む、微小亀裂条件に曝露される。微小亀裂条件に曝露後、多孔質セラミックハニカム物品は、微小亀裂条件に曝露する前の微小亀裂パラメータより少なくとも20を超えて大きい微小亀裂パラメータNb3を有する。別の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品の製造は、無機成分のバッチを加工助剤と混合して可塑化バッチを生成することを含む。その後、可塑化バッチは、未焼成のハニカム物品へと成形され、これを、コージエライト結晶相を含み、約0.05~約0.25の微小亀裂パラメータNb3、約25°C~約800°Cにわたる約7.0×107/°C~約15.0×107/°Cの熱膨張率CTE、および約0.4以下のdfを有する多孔質セラミックハニカム物品を形成するのに有効な条件下で焼成する。ここで、df=d50-d10/d50である。焼成後、多孔質セラミックハニカム物品は、微小亀裂条件に曝露後に、多孔質セラミックハニカム物品が、微小亀裂条件に曝露する前の微小亀裂パラメータより少なくとも20を超えて大きい微小亀裂パラメータNb3、約25°C~約800°Cにわたる約1.0×107/°C~約10.0×107/°Cの熱膨張率CTE、および約0.4以下のdfを有するように、前記多孔質セラミックハニカム物品を少なくとも400°Cのピーク温度まで加熱し、前記多孔質セラミックハニカム物品を少なくとも200°C/時間の速度で冷却することを含む微小亀裂条件に曝露される。追加の特徴および利点は、下記の詳細な説明に記載され、一部にはその説明から当業者にとって容易に明らかになり、あるいは、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、ならびに添付の図面を含めた本明細書に記載の実施の形態を実施することによって認識されよう。前述の概要および下記の詳細な説明は、さまざまな実施の形態を説明し、請求項に記載される主題の性質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することが意図されていることが理解されよう。添付の図面は、さまざまな実施の形態のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に取り込まれてその一部を構成する。図面は、本明細書に記載されるさまざまな実施の形態を示し、その説明と一緒に、請求項に記載される主題の原理および操作を説明する役割をする。これより、多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態について言及され、その例は添付の図面に示されている。可能な場合はいつでも、同一の参照番号は、図面全体を通して、同一または同様の部分について言及するために用いられる。多孔質セラミックハニカム物品の1つの実施の形態は、図1に模式的に示されている。多孔質セラミックハニカム物品は、比較的低い微小亀裂パラメータNb3、焼成後かつ微小亀裂条件に曝露する前の約25°C~800°Cの温度範囲にわたる比較的高いCTE、および比較的低い熱衝撃限界TSLを示すコージエライトセラミック材料から作られる。多孔質セラミックハニカム物品が微小亀裂条件に曝露された後、多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータは少なくとも20増加し、多孔質セラミックハニカム物品のCTEは約25°C~800°Cの温度範囲にわたり低下し、多孔質のセラミック物品のTSLは低下する。本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品は、予備的不動態化コーティングを使用せずにウォッシュコートされうる。多孔質セラミックハニカム物品および多孔質セラミックハニカム物品の製造方法は、本明細書でさらに詳細に説明される。本明細書では、有機成分の重量または重量パーセントまたは重量によるパーセントは、そうでないことが明確に示されていない限り、その成分が含まれる全無機物の全重量に基づいている。例えば、細孔形成剤および結合剤などのすべての有機添加剤は、本明細書では、用いられる無機物100に基づいて、上乗せ添加として規定される。先に簡潔に述べたように、本明細書に記載されるコージエライトの多孔質セラミックハニカム物品から作られたフィルタは、焼成後に、約25°C~800°Cの温度範囲にわたる比較的高いCTE、および対応する低い熱衝撃限界TSLを有することが判明した。しかしながら、微小亀裂条件への曝露後には、本明細書に記載される多孔質のセラミックコージエライトハニカム物品は、約25°C~800°Cの温度範囲にわたる比較的低いCTEおよび比較的高い熱衝撃限界TSLを有する。本明細書では、CTEは、他に特に規定されない限り、特定の温度範囲にわたる、物品の少なくとも1つの方向における熱膨張率であることが理解されよう。微小亀裂条件に曝露後のCTEおよびTSLの改善は、微小亀裂条件に曝露後の微小亀裂パラメータNb3の増加によって示される、微小亀裂条件に曝露後の微小亀裂体積の増加に起因する。さらに具体的には、多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータNb3は、物品が微小亀裂条件に曝露された後に少なくとも20増加する。微小亀裂パラメータNb3は、1200°Cまでの弾性率Emod加熱曲線から導かれ、物品の微小亀裂体積の間接的測定値である。Nb3は次のように計算される:ここで、Eは微小亀裂を伴ったすなわち、微小亀裂条件に曝露後の室温における物品の弾性係数であり、E0は微小亀裂を伴わないすなわち、微小亀裂条件への曝露前の室温における物品の弾性係数であり、Nは微小亀裂の数であり、bは微小亀裂の平均長である。微小亀裂パラメータNb3は、平均の亀裂長bの3乗で与えられる体積単位で測定される。熱衝撃限界TSLは、本明細書では、次のように定義される:TSL=TSP500°Cここで、TSPは、TSP=MOR/{[Emod][CTEH]}となるような熱衝撃パラメータであり、Emodは25°Cすなわち、室温RTにおける物品の弾性係数であり、MORは室温における破壊強度係数であり、psi単位で測定され、CTEHは500°C~900°Cの間で測定された高温熱膨張係数である。TSPが増大すると、物品の温度勾配に対する耐性も増大する。MOR、Emod、およびCTEHは、すべて、本明細書では軸方向と称される、チャネルの長さに平行なセル試料上で測定される。MORは、4×1×0.5インチの寸法を有する長方形のセルバーの軸方向に対し4点曲げ法を使用して測定される。図1を参照すると、多孔質セラミックハニカム物品100が模式的に示されている。多孔質セラミックハニカム物品100は、微粒子物質をろ過するための壁流フィルタとして用いられうる。例えば、多孔質セラミックハニカム物品100は、自動車の排ガスに由来する微粒子物質のろ過に用いられうる。多孔質セラミックハニカム物品100は、一般に、第1の端部102と第2の端部104との間に延在する複数のセルチャネル101を有する多孔質のコージエライトセラミックハニカム体を備える。物品100のハニカム構造は、第1の端部102から第2の端部104まで延在する、交差する多孔質のセル壁106ウェブと称されることもあるによって形成され、それによって少なくとも部分的に画成された、複数の一般には平行なセルチャネル101を備えうる。多孔質セラミックハニカム物品100はまた、複数のセルチャネルの周りに形成され、該セルチャネルを取り囲む外皮を備えうる。この外皮は、セル壁106の形成の間に押出成形されるか、あるいは、セルの外周部に外皮形成用skinningセメントを施用することによって、後で施された外皮として、後の工程で形成されて差し支えない。1つの実施の形態では、セルハニカム構造は、一般には断面が四角く、ハニカム構造を形成する複数の平行なセルチャネル101を備える。しかしながら、別の実施の形態では、ハニカム構造の複数の平行なセルチャネルは、長方形、円形、楕円形、三角形、八角形、六角形、またはそれらの組合せを含めた他の断面形状を有していてもよい。さらには、セルは、例えば、米国特許第6,696,132号、同第6,843,822号または同第7,247,184号の各明細書に記載されるように、出口セルよりも大きい入口セルを備えていてもよい。本明細書ではハニカムという用語は、セル壁106によって形成される、長手方向に延在するセルの構造として定義され、一般に、内部に格子パターンの繰り返しを有することが好ましい。このようなフィルタ用途に用いられるハニカムでは、ある特定のセルは入口セル108として指定され、ある特定の他のセルは出口セル110として指定される。さらには、多孔質セラミックハニカム物品100では、セルの少なくとも一部はプラグ112で塞栓されうる。一般に、プラグ112はセルチャネルの末端またはその近くに配置され、図1に示される市松模様のパターンなどの幾つかの規定されたパターンで配置され、他のすべてのセルは末端で塞栓される。入口チャネル108は第2の端部104またはその近くで塞栓されて差し支えなく、出口チャネル110は、入口チャネルに対応しないチャネル上の第1の端部102またはその近くで塞栓されうる。したがって、各セルは、多孔質セラミックハニカム物品の一方の末端またはその近くでのみ塞栓されうる。1つの実施の形態では図示せず、外皮に隣接した部分的に形成された不完全なセルは、一方または両方の端ですべて塞栓されるか、あるいは、その長さ全体にわたって塞栓されていてもよい。セルチャネルが塞栓される場合、プラグは、例えば、米国特許第4,329,162号明細書、同第6,809,139号明細書、または米国特許出願公開第2007/0272306号明細書に記載されるように、多孔質セラミックハニカム物品100を形成する材料と同一または同様の組成を有するセメントペーストを用いて形成されて差し支えない。塞栓工程は、典型的には約5mm~約20mmの範囲の深さを有するプラグ112を形成するが、この深さは変化して差し支えなく、フィルタの異なる部分で異なる深さを有していてもよい。多孔質セラミックハニカム物品の塞栓に適した方法は、例えば、米国特許第4,557,773号明細書、米国特許第4,573,896号明細書、または国際公開第2006/068767号パンフレットに記載されている。図1は、一般に市松模様の塞栓パターンを示すが、別の塞栓パターンも多孔質セラミックハニカム物品に使用されうることが理解されよう。例えば、多孔質セラミックハニカム物品と共に使用するのに適した別の塞栓パターンは、米国特許第6,673,414号明細書に記載されている。別の実施の形態では、多孔質のセラミックハニカムのセルチャネルの一部は、米国特許第6,673,414号明細書に記載されるように、多孔質のセラミックハニカムの末端以外の位置で塞栓されていてもよい。図2を参照すると、多孔質セラミックハニカム物品200の別の実施の形態が模式的に示されている。この実施の形態では、一部のセルチャネルはフロースルーチャネル全長にわたり塞栓されていないでありうると同時に、他のチャネルは塞栓されていてもよく、それによっていわゆるパーシャルフィルタ設計をもたらす。さらに具体的には、図2に示す多孔質セラミックハニカム物品は、一般に、交差する多孔質の壁206、出口端204においてプラグ図示せずで塞栓された入口セル208、入口端においてプラグ212で塞栓された出口セル210、および、流れが多孔質のセル壁206を通り抜けずに多孔質セラミックハニカム物品を直接通過する少なくとも幾らかのフロースルー塞栓されていないチャネル214を備える。例えば、1つの実施の形態では図示せず、1つおきの列の1つおきのセルは、フロースルーチャネルである。よって、この実施の形態では、チャネルの50未満は塞栓されていなくてもよい。図1および2はチャネルの一部またはすべてが塞栓された多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態100、200を示しているが、別の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品100、200がガソリンエンジンと共に使用するための触媒スルーフロー基材として用いられる場合など、多孔質セラミックハニカム物品のチャネルのすべてが塞栓されていなくてもよいことが理解されよう。本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品100、200の1つの実施の形態では、セル壁106、206の厚さは約12ミル305μm以下でありうる。別の実施の形態では、セル壁106、206の厚さは約10ミル254μm以下でありうる。別の実施の形態では、セル壁106、206の厚さは約4ミル101.6μm以上でありうる。多孔質セラミックハニカム物品100、200のセル密度は約400セル/インチ262セル/cm2以下でありうる。別の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品100、200のセル密度は約300セル/インチ246.5セル/cm2以下でありうる。さらに別の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品100、200のセル密度は、約200セル/インチ231セル/cm2以下および約50セル/インチ27.75セル/cm2以上でありうる。したがって、本明細書に記載の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品100、200のセル密度は、約50セル/インチ2以上7.75セル/cm2約400セル/インチ262セル/cm2以下でありうることが理解されよう。本明細書ではA/Bの幾何学形状を有する多孔質セラミックハニカム物品について言及されるが、ここでAは多孔質セラミックハニカム物品のセル密度であり、Bはセル壁の厚さである。例として、限定ではないが、200/10の幾何学形状を有する多孔質セラミックハニカム物品は、200セル/インチ2のセル密度および10ミル254μmのセル壁厚さを有する。上述のように、本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品は、多孔質セラミックハニカム物品が微小亀裂条件に曝露され、それによって耐熱衝撃性が改善された多孔質セラミックハニカム物品を製造する際に変化する、一連の物理的特性すなわち、CTE、TSL、Nb3などを有する。図3および4を参照すると、本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品は、最初にコージエライト前駆体バッチ組成物を混合し、前記コージエライト前駆体バッチ組成物を未焼成のハニカム物品へと成形し、前記未焼成のハニカム物品を乾燥し、初めに低微小亀裂性のLMC多孔質セラミックハニカム物品を製造するのに適切な条件下で前記未焼成のハニカム物品をを焼成することによって形成される。図3は、微小亀裂220がほとんど存在しない図3に示すLMC多孔質セラミックハニカム物品の一部を示すSEM顕微鏡写真である。その後、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、微小亀裂条件に曝露されて、LMC多孔質セラミックハニカム物品よりも大きい微小亀裂パラメータNb3、低いCTE、および大きい熱衝撃限界を有する、高度に微小亀裂化した多孔質セラミックハニカム物品を生じる。図4は、LMC多孔質セラミックハニカム物品を微小亀裂条件に曝露することによって製造された、微小亀裂化したMC多孔質セラミックハニカム物品の一部を示すSEM顕微鏡写真である。微小亀裂条件への曝露の後、今や微小亀裂化した多孔質セラミックハニカム物品は、LMC多孔質セラミックハニカム物品よりも比較的多数の微小亀裂220複数の微小亀裂が図4に示されているを有するすなわち、図4の微小亀裂220の数は図3の微小亀裂220の数よりも大きい。1つの実施の形態では、未焼成のハニカム物品を焼成してLMC多孔質セラミックハニカム物品を生成した後、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、微小亀裂条件に曝露される前に、触媒含有ウォッシュコートでウォッシュコートされてもよい。LMC多孔質セラミックハニカム物品は比較的少ない微小亀裂を有することから、ウォッシュコートの施用前に別の不動態化コーティングは必要ではない。これより、多孔質セラミックハニカム物の製造方法についてさらに詳細に記載される。1つの実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物は主にコージエライト結晶相を含む、セラミック物品の製造に適した構成材料の組合せを含む。一般に、バッチ組成物は、比較的細かいタルク、比較的細かいシリカ形成源、およびアルミナ形成源を含む無機成分の組合せを含む。さらに他の実施の形態では、バッチ組成物は、例えばカオリン粘土などの粘土を含みうる。コージエライト前駆体バッチ組成物はまた、有機細孔形成剤などの有機成分も含みうる。例えば、バッチ組成物は、細孔形成剤および/または他の加工助剤としての使用に適しているさまざまなデンプンを含みうる。本明細書に記載の実施の形態では、無機バッチ成分および有機バッチ成分は、主要コージエライト結晶相および本明細書でさらに詳細に説明される特定の微細構造を含む多孔質セラミックハニカム物品を生成するために、特定の焼成サイクルと組み合わせて選択される。しかしながら、焼成後、多孔質セラミックハニカム物品は、少量のムライト、スピネル、および/またはそれらの混合物も含みうることが理解されよう。例として、限定せずに、1つの実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、X線回折で測定して、少なくとも90重量、または少なくとも95重量、または少なくとも98~99重量のコージエライト結晶相を含みうる。生成したコージエライト結晶相は、基本的に、酸化物の重量パーセント基準で表わして、約49~約53重量のSiO2、約33~約38重量のAl2O3、および約12~約16重量のMgOからなる。さらには、コージエライト結晶相の化学量論は、おおよそMg2Al4Si5O18である。無機コージエライト前駆体バッチ組成物は、焼成した多孔質セラミックハニカム物品のコージエライト結晶相内に、前述の酸化物重量を達成するように適切に調整されて差し支えない。本明細書に記載される一部の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物は約35~約45重量のタルクを含む。他の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物は約38~約43重量のタルクを含みうる。タルクは比較的細かい粒径を有しうる。例えば、一部の実施の形態では、タルクは、10μm以下のメジアン粒子直径dpt50、または9μm未満のdpt50を有する。他の実施の形態では、タルクは、8μm未満のメジアン粒子直径dpt50、または6μmμm未満のdpt50を有する。さらに他の実施の形態では、タルクは5μm未満のメジアン粒径dpt50を有する。1つの例となる実施の形態では、タルクは約3μm~約10μmの範囲のメジアン粒径dpt50を有する。別の例となる実施の形態では、タルクは、約8μm~約10μmの範囲のメジアン粒径dpt50を有する。本明細書に記載される粒径はすべて、粒径分布PSDの技法、好ましくはMicrometrics社製のSedigraphによって測定される。一部の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれるシリカ形成源の量は約13~約24重量である。他の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれるシリカ形成源の量は約15~約18重量でありうる。シリカ形成源は、一般に、細かい粒径を有する。例えば、一部の実施の形態では、シリカ形成源は、20μm以下のメジアン粒子直径dps50、または15μm以下のdps50を有する。他の実施の形態では、シリカ形成源は、10μm未満のメジアン粒子直径dps50を有する。1つの実施の形態では、シリカ形成源は、Imsil登録商標A-25などの微結晶質シリカである。しかしながら、他のシリカ形成源も用いられうる。例えば、他の適切なシリカ形成源として、溶融シリカ;コロイド状の溶融シリカ;または石英またはクリストバライトなどの結晶溶融シリカが挙げられる。一部の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれるアルミナ形成源の量は約20~約35重量であるが、他の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれるアルミナ形成源の量は約22~約33重量である。さらに他の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれるアルミナ形成源の量は、約26~約29重量である。アルミナ形成源は、一般に、細かい粒径を有する。例えば、一部の実施の形態では、アルミナ形成源は、10μm以下のメジアン粒子直径dpa50、または8μm以下のdpa50を有する。他の実施の形態では、シリカ形成源は、6μm未満のメジアン粒子直径dpa50を有する。例となるアルミナ形成源としては、酸化アルミニウム、またはα-アルミナおよび/または水和アルミナなど、十分に高温に加熱した際に、基本的に100の酸化アルミニウムを生じるアルミニウム含有化合物が挙げられる。アルミナ形成源のさらなる非限定的な例としては、コランダム、γ-アルミナ、または遷移アルミナが挙げられる。水酸化アルミニウムは、ギブサイトおよびバイヤライト、ベーマイト、ダイアスポア、アルミニウムイソプロポキシドなどが挙げられる。必要に応じて、アルミナ形成源はまた、分散性のアルミナ形成源も含みうる。本明細書では、分散性のアルミナ形成源は、溶媒または液体媒体に少なくとも実質的に分散性であり、溶媒または液体媒体中のコロイド状の懸濁液を提供するのに用いることができるのものである。1つの態様では、分散性のアルミナ形成源は、少なくとも20m2/g、少なくとも50m2/g、または少なくとも100m2/gの特定の表面積を有する比較的高い表面積のアルミナ源でありうる。適切な分散性のアルミナ源は、通常はベーマイトと称されるα水酸化酸化アルミニウムAlOOH.x.H2O、シュードベーマイト、およびアルミニウム一水和物を含む。別の実施の形態では、分散性のアルミナ源は、さまざまな量の化学結合水またはヒドロキシル官能基を含みうる、いわゆる遷移または活性化アルミナすなわち、水酸化酸化アルミニウムおよびχ、η、ρ、ι、κ、γ、δ、およびθアルミナを含みうる。一部の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物は、さらに、粘土を含む。コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれる粘土の量は、約0~約20重量でありうる。別の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物中に含まれる粘土の量は、約10~約18重量または約12~約16重量である。コージエライトバッチ組成物中に含まれる場合は、粘土は、一般に、10μm以下のメジアン粒径dpc50を有する。一部の実施の形態では、メジアン粒径dpc50は5μm以下または3μm以下である。コージエライト前駆体バッチ組成物に含まれうる適切な粘土としては、限定せずに、生カオリン粘土、焼成カオリン粘土、および/またはそれらの混合物が挙げられる。例となる非限定的な粘土には、層間剥離していないカオリナイト生粘土および層間剥離したカオリナイトがある。本明細書で先に述べたように、コージエライト前駆体バッチ組成物は、比較的細かい細孔形成剤などの有機成分をさらに含む。細孔形成剤は、未焼成のセラミック体の乾燥及び加熱の間に燃焼によって蒸発して、そうでない場合に得られるよりも大きい細孔率を残す、一時的な粒子材料である。本明細書に記載の実施の形態では、コージエライト前駆体バッチ組成物は、約10~約35重量の有機細孔形成剤を含みうる。本明細書に記載の実施の形態では、有機細孔形成剤は、一般に、20μm以下のメジアン粒径dpp50を有する。一部の実施の形態では、有機細孔形成剤は、15μm以下のメジアン粒径dpp50または10μm以下のメジアン粒径dpp50を有する。有機細孔形成剤は、架橋した細孔形成剤すなわち、架橋したデンプンおよび同様のものまたは、架橋していない細孔形成剤でありうる。適切な細孔形成剤の例としては、限定せずに、架橋したトウモロコシデンプン、架橋した小麦デンプン、架橋したジャガイモデンプン、架橋していないジャガイモデンプン、架橋していないトウモロコシデンプン、および/または、それらのさまざまな組合せが挙げられる。上述の無機および有機成分を合わせ、例えば結合剤などの加工助剤と液体溶媒とを一緒に混合して、可塑化バッチ混合物を生成する。これらの加工助剤は、処理を改善、および/または乾燥を抑制、および/または亀裂を焼成、および/またはハニカム物品に望ましい特性を生み出す補助となりうる。例えば、結合剤は有機結合剤を含みうる。適切な有機結合剤としては、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース誘導体、ヒドロキシエチルアクリレート、ポリビニルアルコール、および/またはそれらのいずれかの組合せなど、水溶性のセルロースエーテル結合剤が挙げられる。好ましくは、有機結合剤は、上乗せ添加として、無機粉末バッチ組成物の0.1~約10.0重量の範囲の量で組成物中に存在する。別の実施の形態では、有機結合剤は、上乗せ添加として、無機粉末バッチ組成物の2.0~8.0重量の範囲の量で組成物中に存在しうる。可塑化バッチ組成物への有機結合剤の導入は、可塑化バッチ組成物を容易に押出し成形可能にする。流動性のある、またはペースト状の硬さをバッチ組成物に提供するための液体溶媒の1つは水であるが、適切な一時的な有機結合剤に対する溶媒作用を示す他の液体溶媒も使用することができることが理解されよう。液体溶媒成分の量は、最適な取扱特性およびバッチ組成物中の他の成分との相溶性を付与するために変化しうる。一部の実施の形態では、液体溶媒含量は、上乗せ添加として20重量~50重量の範囲の量で存在し、他の実施の形態では20重量~35重量の範囲である。バッチ組成物中の液体成分の最小化は、乾燥工程の間の望ましくない乾燥収縮および亀裂の形成のさらなる低減をもたらしうる。液体溶媒および結合剤に加えて、可塑化バッチ組成物は、例えば滑剤などの1つ以上の随意的な形成または加工助剤を含みうる。例となる滑剤として、トール油、ステアリン酸ナトリウム、または他の適切な滑剤が挙げられる。可塑化バッチ混合物中に存在する滑剤の量は、約0.5重量~約10重量でありうる。バッチ組成物中に含まれる液体溶媒、細孔形成剤、結合剤、滑剤および他のいずれかの加工助剤は、重量で100の無機材料に基づいて、上乗せ添加としてバッチ組成物に加えられることが理解されよう。無機バッチ成分、細孔形成剤、結合剤、液体溶媒、滑剤および他のいずれかの添加剤の組合せをLittlefordミキサー内で一緒に混合し、約5~20分間、所望の塑性成形性および未焼成強度を有する、可塑化バッチを生成する組成物へと混練し、可塑化バッチ組成物がハニカム物品へと成形可能にする。得られた可塑化コージエライト前駆体バッチ組成は、次に、例えば押出成形などの従来のセラミック成形法によって、未焼成体すなわち、未焼成のハニカム物品へと成形される。未焼成のハニカム物品が押出成形によって成形される場合、押出成形は、水圧ラム押出成形プレス、あるいは、2段階脱気単一オーガー押出機、または、ダイ組立体が吐出端に取り付けられた二軸混練ミキサーを使用して行うことができる。可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物を未焼成のハニカム物品へと成形した後、未焼成のハニカム物品を乾燥して未焼成のハニカム物品から過剰の液体を除去する。適切な乾燥法としては、マイクロ波乾燥、熱風乾燥、RF乾燥、またはそれらのさまざまな組合せが挙げられる。乾燥後、未焼成のハニカム物品を窯または加熱炉内に置き、未焼成のハニカム物品を、本明細書に記載される、主要コージエライト結晶相を含むセラミックハニカム物品へと変換するのに十分な条件下で焼成する。未焼成のハニカム体をセラミックハニカム物品へと変換するのに用いられる焼成条件は、例えば、特定の組成、未焼成のハニカム体の大きさ、および使用する装置の性質などのプロセス条件に応じて変化しうることが理解されよう。そのためには、1つの態様では、本明細書に記載される最適な焼成条件を、例えば、非常に大きいコージエライト構造に適合すなわち、減速させなければならないであろう。本明細書に記載される特性を有する多孔質セラミックハニカム物品の製造に使用される焼成スケジュールは、1200°Cから1420°C以上、または1425°C以上の最高保持温度まで急速に上昇しうる。急速な上昇速度は50°C/時間以上でなければならない。1つの実施の形態では、上昇速度は75°C/時間以上である。1つの実施の形態では、未焼成のハニカム体は、最高温度すなわち浸漬温度で5~20時間保持されうる。別の実施の形態では、未焼成のハニカム体は、約10時間~約15時間、浸漬温度で保持されうる。別の実施の形態では、未焼成のハニカム体は、約1420°C~約1435°Cの範囲の浸漬温度で焼成されうる。さらに別の実施の形態では、未焼成体は、約1425°C~約1435°Cの範囲の浸漬温度で焼成されうる。1つの実施の形態では、焼成サイクルは、約1200°Cから50°C/時間以上の急速な上昇速度、および、焼成体にコージエライト結晶相を形成するのに十分な時間をかけた約1420°C~約1435°Cの範囲の浸漬温度を含む。合計焼成時間は、主として焼成されるハニカム物品の大きさに応じて約40~250時間の範囲であって差し支えなく、その時間の間に最高浸漬温度に到達し、上述のように十分な時間保持される。1つの実施の形態では、焼成スケジュールは、1200°Cから50°C/時間を超える速度で上昇し、約1425°C~1435°Cの浸漬温度で約10時間~約15時間焼成することを含む。図10を参照すると、本明細書に記載される特性を有する多孔質セラミックハニカム物品の製造に用いられる焼成スケジュールの1つの実施の形態がグラフに示されている。この実施の形態では、平均焼成速度は、焼成スケジュールの最初の焼成部分120に用いられうる。平均焼成速度は、室温~約1200°Cの間で約20°C/時間~約70°C/時間である。焼成スケジュールの最初の部分120は、亀裂および外皮とハニカムのコアの間の温度差動を最小限に抑えるために、細孔形成剤燃尽温度の範囲内で保持されるか、わずかに上昇しうる、細孔形成剤燃尽段階125を含みうる。1つの実施の形態では、燃尽段階125の後に約1200°Cまでの中間上昇135が続いてもよい。焼成スケジュールの上部130は、1200°Cを超える温度において比較的速い上昇速度を含む。この上部130における高速上昇は、1420°Cを超える、または1425°C以上、好ましくは1420°C~1435°Cの温度で保持部140につながりうる。多孔質のハニカムセラミック物品のコージエライト結晶相は、この保持部140の間に形成される。焼成サイクルの上部130における上昇速度は、50°C/時間以上、75°C/時間以上、100°C/時間以上、または120°C/時間以上でありうる。約1200°Cを超える上部130における、より速い上昇速度および比較的高い保持温度1420°Cを超えるを用いることによって、本明細書により詳細に説明されるように、焼成セラミック体の固有の微細構造特性が達成されうる。特に、本明細書に記載される焼成サイクルは、焼成したセラミックハニカム物品に存在する微細孔率fineporosityの相対量を約4.0μm未満に低下させるのを補助する。低下のメカニズムは、コージエライト相の初期形成の間に成分の粘性流によって微細孔が満たされるような、コージエライト形成成分の粘性流の増進に由来すると考えられる。高速上昇に続いて、ハニカムは、5~20時間などの適度な時間、浸漬温度で保持されてコージエライト相を形成する。その後、ハニカム物品は、焼成スケジュールの部分150において室温まで冷却される。冷却速度は亀裂を防ぐのに十分に遅く、焼成される部品のサイズによって決まる。図3を参照すると、前述の焼成スケジュールと前述のコージエライト前駆体バッチ組成物との組合せは、比較的少量の微小亀裂および特定の微細構造特性を有する多孔質セラミックハニカム物品を生成する。焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、低微小亀裂性のLMC多孔質セラミックハニカム物品であって差し支えなく、あるいはそのように称される。本明細書に記載の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、焼成後かつ微小亀裂条件に曝露する前に約0.05~約0.25の微小亀裂パラメータNb3を有する。0.05~約0.25の範囲の低い微小亀裂パラメータは、一般に、図3に示す、微小亀裂220がほとんど存在しない多孔質セラミックハニカム物品に対応する。1つの実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、約7.0×107/°C~約15×107/°Cまたは約8.0×107/°C~約13×107/°CのCTEを有する。別の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、約9.0×107/°C~約12×107/°CのCTEを有する。比較的低い微小亀裂パラメータNb3に起因して、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、本明細書に記載されるLMC多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態において、約800°C~約1100°Cの範囲の熱衝撃限界TSLを有する。本明細書に記載の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、室温において、300psi2069kPaを超える、または400psi2758kPaをも超える破壊係数MORを有する。1つの実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品のMORは約500psi3448kPaを超える。本明細書に記載されるように製造され、200/10の幾何学形状すなわち、200セル/インチ2および10ミルの壁厚を有するLMC多孔質セラミックハニカム物品は、一般に、3.0×105psi20.69×105kPa以上、または4.5×105psi31.03×105kPa以上の室温における弾性率Emodを有する。1つの実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品の弾性率は約3.0×105psi20.69×105kPa~約5.5×105psi37.92×105kPaの範囲である。MORおよびEmodに基づいて、LMC多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態は、少なくとも700ppmの耐歪み特性すなわち、MOR/Emodを有する。他の実施の形態は、800ppm以上、または1000ppm以上の耐歪み特性を有する。さらに他の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、1200ppm以上の耐歪み特性を有する。本明細書に記載される一部の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、ウォッシュコートでウォッシュコーティングされる。例えば、微粒子ウォッシュコート組成物のスラリーは、LMC多孔質セラミックハニカム物品の表面内部および外部の両方に施すことができる。一部の実施の形態では、ウォッシュコートスラリーの主要な微粒子成分はアルミナである。しかしながら、他の実施の形態では、ウォッシュコートスラリーは、異なる主要な微粒子成分を含んでいてもよいことが理解されよう。一部の実施の形態では、ウォッシュコートスラリーは、例として、限定ではないが、白金、パラジウム、ロジウム、または他のいずれかの触媒材料および/またはそれらのさまざまな合金などの微粒子触媒をさらに含みうる。ウォッシュコートスラリーが微粒子触媒を含まない実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品の上および内部に形成されたウォッシュコート層は、触媒支持層としての役目をしうる。あるいは、ウォッシュコートスラリーが別個の微粒子触媒を含まない場合には、ウォッシュコート層自体が触媒層として作用しうる。1つの実施の形態では、ウォッシュコートスラリーは、物品、特に物品の壁において真空引きする際に、LMC多孔質セラミックハニカム物品に導入される。ウォッシュコート組成物がLMC多孔質セラミックハニカム物品の壁の表面および細孔に堆積されるように、真空によってもたらされる亜大気圧が、LMC多孔質セラミックハニカム物品の壁の細孔を通じてウォッシュコート組成物のスラリーを吸引する。LMC多孔質セラミックハニカム物品は単位体積あたり比較的少ない微小亀裂を含むことからすなわち、微小亀裂パラメータNb3は約0.05~約0.25であることから、より高度に微小亀裂化した物品の場合のように、予備的不動態化コーティングを多孔質セラミックハニカム物品に施して、ウォッシュコーティング材料が微小亀裂内にとどまるのを防ぐ必要がない。LMC多孔質セラミックハニカム物品の一部の実施の形態は、微小亀裂条件に曝露する前にウォッシュコートでコーティングされうるが、LMC多孔質セラミックハニカム物品をウォッシュコーティングする工程は随意的であり、他の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は最初にウォッシュコーティングされることなく、微小亀裂条件に曝露されうることが理解されよう。LMC多孔質セラミックハニカム物品へのウォッシュコートの施用後、物品は、図3微小亀裂条件前および4微小亀裂条件後に図示されるように、多孔質のセラミック物品における単位体積あたりの微小亀裂の数を増大させる微小亀裂条件に曝露されるすなわち、微小亀裂条件は微小亀裂パラメータNb3を増大させる。さらに具体的には、物品における単位体積あたりの微小亀裂の数の増大は物品のCTEを低下させるが、多孔質セラミックハニカム物品の熱衝撃限界TSLならびに熱衝撃パラメータTSPを増大させることが分かった。CTEの低下およびTSLおよびTSPの上昇は、自動車およびディーゼル用途における微粒子フィルタとして使用されるときに多孔質のセラミック物品が曝露されるであろう大きい温度勾配など、大きい温度勾配に曝露される場合に、亀裂破損する傾向が少ない多孔質のセラミック物品を生じる。さらには、ウォッシュコーティングが多孔質のセラミック物品に施された後の多孔質のセラミック物品の微小亀裂化は、ウォッシュコートスラリーが充填されうるLMC多孔質セラミックハニカム物品の単位体積あたりの微小亀裂の数が比較的少ないことから、ウォッシュコーティングを施す前に不動態化コーティングを使用する必要性をなくす。1つの実施の形態では、微小亀裂条件は熱サイクルである。この実施の形態では、LMC多孔質のセラミック物品は、ピーク温度まで加熱され、その後、急速に冷却される。加熱および急速冷却は、LMC多孔質のセラミック物品に膨張および縮小を生じ、それによって微小亀裂が多孔質のセラミック物品内で核をなし、成長する。一部の実施の形態では、熱サイクルのピーク温度は約400°C以上、または約600°C以上である。一般に、熱サイクルのピーク温度は、約400°C~約800°Cの範囲である。ピーク温度まで加熱した後、多孔質セラミックハニカム物品は、少なくとも200°C/時間の速度で急速に冷却され、その間に、多孔質セラミックハニカム物品の体積全体にわたり微小亀裂が形成される。LMC多孔質セラミックハニカム物品を熱サイクルに曝露することによって、LMC多孔質セラミックハニカム物品は微小亀裂化したMC多孔質セラミックハニカム物品になる。別の実施の形態では、微小亀裂条件は酸洗浄である。この実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、ハニカム物品全体にわたる微小亀裂の核生成および成長を促進する酸溶液に浸漬される。例えば、一部の実施の形態では、LMC多孔質セラミックハニカム物品は、6未満または5未満のpHを有する溶液に浸漬されて差し支えなく、それによってハニカム物品にさらなる微小亀裂化を生じる。LMC多孔質セラミックハニカム物品が酸性溶液に曝露されることによって、LMC多孔質セラミックハニカム物品は微小亀裂化したMC多孔質セラミックハニカム物品になる。微小亀裂条件に曝露された結果として、MC多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータNb3は、LMC多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータより少なくとも20高く、したがって、MC多孔質セラミックハニカム物品は、LMC多孔質セラミックハニカム物品よりも多い、単位体積あたりの微小亀裂を有することを示唆している。例えば、MC多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータNb3は、少なくとも0.06~少なくとも0.3の範囲でありうる。微小亀裂パラメータNb3の増大は、LMC多孔質セラミックハニカム物品と比較して、物品のCTEの低下に付随して起こる。例えば、MC多孔質セラミックハニカム物品のCTEは、一般に、約25°C~約800°Cの範囲にわたり約1.0×107/°C~約10×107/°Cの範囲である。一部の実施の形態では、MC多孔質セラミックハニカム物品のCTEは、約25°C~約800°Cの範囲にわたり約7.0×107/°C以下、または約25°C~約800°Cの範囲にわたり約5.0×107/°C以下である。Nb3の増大は、多孔質セラミックハニカム物品のTSLの増大に付随して起こる。例えば、MC多孔質セラミックハニカム物品のTSLは900°C以上または1000°C以上である。一部の実施の形態では、MC多孔質セラミックハニカム物品のTSLは1100°C以上である。微小亀裂条件への曝露は、一般に、MC多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータNb3およびTSLを増大させる一方、単位体積あたりの微小亀裂の数の増大は、一般に、LMC多孔質セラミックハニカム物品と比較して、室温における破壊係数MORならびに室温における弾性率Emodを低下させる。したがって、本明細書に記載の実施の形態では、MC多孔質セラミックハニカム物品のMORは約200psi1379kPa以上または約300psi2069kPa以上である。MC多孔質セラミックハニカム物品のEmodは、200/10の幾何学形状を有するMC多孔質セラミックハニカム物品では、一般に、約2.0×105psi13.79×105kPa~約4.4×105psi30.34×105kPaの範囲である。一部の実施の形態では、MC多孔質セラミックハニカム物品のEmodは、200/10の幾何学形状では2.8×105psi19.31×105kPa以上でありうる。LMC多孔質セラミックハニカム物品とMC多孔質セラミックハニカム物品の両方集合的に、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の微細構造について、全細孔率および表面細孔率、ならびに、df、db、d90、d50およびd10を含めた細孔径分布に関する特定の数量などの特性を含めて、これからさらに詳細に説明する。微小亀裂条件への曝露は、LMC多孔質セラミックハニカム物品の微細構造を著しくは変化させないことが理解されよう。したがって、全細孔率、表面細孔率、および/または、df、db、d90、d50およびd10を含めた細孔径分布に関する特定の数量について、特定の値を有する焼成した多孔質セラミックハニカム物品への言及は、他に特に規定されない限り、焼成された多孔質のセラミック物品が、微小亀裂条件に曝露する前および後においてこれらの値を有することを意味することが理解されよう。図5および6に示される、本明細書に記載される方法に従って製造された、焼成多孔質セラミックハニカム物品の軸方向断面のSEM顕微鏡写真を参照すると、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、一般に、比較的高い全細孔率Pを有する。本明細書に記載される焼成した多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態では、全細孔率Pは、水銀ポロシメトリーで測定して約50以上、約70以下である。図5および6に示すように、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の細孔は、コージエライトセラミックのチャネル様ドメイン内に高度に接続されており、相互貫通したネットワーク構造を示す。本明細書に記載の実施の形態では、コージエライトのドメインサイズは、一般に、約20μm以上、または40μm以上である。一部の実施の形態では、コージエライトのドメインサイズは60μmを超える。他の実施の形態では、多孔質セラミックハニカム物品内のコージエライトのドメインサイズは約20μm~約80μmの範囲である。図7~9のSEM顕微鏡写真を参照すると、本明細書に記載される方法に従って製造した焼成した多孔質セラミックハニカム物品の表面の細孔が、異なる倍率で示されている。焼成した多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態は、一般に、1平方センチメートルあたり、より多数の細孔を有する。一部の実施の形態では、細孔の数は、50μmを超える細孔を含まず、約3000細孔/cm3~約6000細孔/cm3の範囲である。図7~9に示されるように、焼成した状態のままの表面の細孔の形態は、図5~6に示される軸方向断面の細孔形態と同様である。さらに具体的には、細孔は、一般に、チャネルに良好に接続されている。したがって、全体の細孔の形態と表面の細孔の形態との併存は、バイコンテニュアスな形態と定義することができる。図7~9をさらに参照すると、SEM顕微鏡写真の画像解析で測定した、焼成多孔質セラミックハニカム物品の表面細孔率は、一般に、30以上、または35以上である。一部の実施の形態では、焼成多孔質セラミックハニカム物品の表面細孔率は38以上であり、約38~約45の範囲でありうる。より高い表面細孔率は、自動車および/またはディーゼル用途における微粒子フィルタとして用いられる場合に、より高い浸透性および対応するより低い背圧低下を伴う焼成多孔質セラミックハニカム物品を生じる。表面細孔率および全細孔率に基づいて、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態は、0.5以上または0.6以上の表面細孔率の全細孔率に対する比を有する。一部の実施の形態では、表面細孔率の全細孔率に対する比は、0.7以上である。本明細書に記載されるコージエライト前駆体バッチ組成物を上述の焼成スケジュールと併せて利用することによって、約7μm~約16μmまたは8μm~約14μmの範囲のメジアン細孔直径d50を有する焼成した多孔質セラミックハニカム物品が得られる。一部の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品のメジアン細孔直径d50は、約10μm~約13μmの範囲である。メジアン細孔直径d50がこれらの範囲内になるように細孔率を制御することは、非常に小さい細孔の量を制限し、それによって焼成した多孔質のセラミック物品のウォッシュコーティングされた背圧を最小限に抑える。本明細書に記載の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の細孔径分布は、5μm以上、または8μm以上のd10値を含む。数量d10とは、本明細書では、細孔体積の10が、直径がd10値よりも小さい細孔で構成される細孔直径である;よって、細孔率の測定に水銀ポロシメトリー法を使用して、d10は、ポロシメトリー測定の間にセラミックの開放細孔率の90体積が水銀に侵入されている細孔直径に等しい。本明細書では、dfとは、メジアン細孔径d50よりも細かい細孔径の分布の相対幅の特性化である。本明細書では、dfは次のように定義される:df=d50-d10/d50ここで、d50およびd10は、上記で定義されたものである。本明細書に記載の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の多孔質の壁の開放的に相互接続された細孔の細孔径分布は、df≦0.4、df≦0.35、df≦0.3、df≦0.25、またはdf≦0.2ように、比較的狭い。一部の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品の細孔径分布はdf≦0.19のようになる。本明細書に記載の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、25μm以下、または20μm以下のd90値を有する細孔径分布を有する。焼成した多孔質セラミックハニカム物品の一部の実施の形態は、18μm以下のd90値を有する細孔径分布を有する。数量d90とは、本明細書では、細孔体積の90が、直径がd90値よりも小さい細孔で構成される細孔直径である;よって、細孔率の測定に水銀ポロシメトリー法を使用して、d90は、ポロシメトリー測定の間に、セラミックの開放細孔率の10体積が水銀に侵入されている細孔直径に等しい。焼成した多孔質セラミックハニカム物品の極端に狭い細孔径分布はまた、メジアン細孔径d50よりも細かい細孔径および粗い細孔径の分布の幅dbによって特徴づけることもできる。本明細書では、dbは次のように定義される:db=d90-d10/d50ここで、d10、d50およびd90は、上記で定義されたものである。本明細書に記載される焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、db≦1.5またはdb≦1.2を示す細孔径分布を有しうる。一部の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、db≦1.0を示す細孔径分布を有する。極端に狭い細孔径分布の実施の形態では、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、db≦0.8を有する。本明細書に記載の実施の形態では、全細孔率、表面細孔率、メジアン細孔直径d50およびd因子dfを組み合わせた特性は、一般に、50以上または60以上の比較的高い初期ろ過効率FE0を有する焼成した多孔質セラミックハニカム物品を提供する。本明細書に記載される焼成した多孔質セラミックハニカム物品の一部の実施の形態では、初期ろ過効率FE0は70以上または90以上である。本明細書に記載される微小亀裂化した多孔質セラミックハニカム物品の原理をさらに例証するため、下記の実施例は、上述の微小亀裂化した多孔質セラミックハニカム物品およびその製造方法の特定の実施の形態を例証するために提示される。下記の実施例は単に説明する目的であって、請求項に記載される主題の範囲を限定することは意図されていないことが理解されよう。微小亀裂化した多孔質セラミックハニカム物品の多くの例となる実施の形態は、タルク、カオリン粘土、アルミナ形成源、シリカ形成源、および、限定ではないが、結合剤、細孔形成剤、液体溶媒、および滑剤を含めた加工助剤を含む、構成材料のさまざまな組合せを使用して製造されている。さまざまな例となる実施の形態の組成は表1に記載されている。その組成の対応するLMC特性は表2に記載されている。幾つかの代表的な実施例の微小亀裂後の特性は表3に記載されている。本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態は、一般に、コージエライトの多孔質セラミックハニカム物品の開発の一般的な方向からの脱却を意味することが理解されよう。特に、本明細書に記載の実施の形態は、最初に成形され、焼成されて、初めに微小亀裂をほとんど有さずすなわち、物品は低い微小亀裂パラメータNb3を有する、比較的高いCTEを有する、多孔質セラミックハニカム物品を生成する。その後、多孔質セラミックハニカム物品は、ウォッシュコートを用いてコーティングされて差し支えなく、その後、多孔質セラミックハニカム物品は微小亀裂条件に曝露されて、微小亀裂の量が意図的に増大されすなわち、物品の微小亀裂パラメータNb3の増大、それによって、多孔質セラミックハニカム物品のCTEを低下させ、物品が熱衝撃に耐える能力を改善する。加えて、本明細書に記載される多孔質セラミックハニカム物品は、清浄条件およびスート負荷条件の両方において、比較的低い背圧低下を生じる、細孔率および、極端に狭い細孔径分布を伴う、より低いメジアン細孔直径を有する。また、本明細書に記載される多孔質のセラミック物品は、高いろ過効率、特に、比較的高い初期ろ過効率を示す。特に、焼成した多孔質セラミックハニカム物品は、X線回折で測定して、酸化物の重量パーセント基準で、約49~約53重量のSiO2、約33~約38重量のAl2O3、および約12~約16重量のMgOからなる主要コージエライト組成を有する。多孔質セラミックハニカム物品の形成に用いられるコージエライト前駆体バッチ組成を表1に示す。実施例1で用いられたアルミナ形成源は約7μmの平均粒子直径を有していた。実施例2、3、および5で用いられたアルミナ形成源は、約4μmの平均粒子直径および実施例1で用いられたアルミナ形成源よりも狭い粒径分布を有していた。実施例4は、約4.5μmの平均粒子直径を有するアルミナ形成源を含んでいた。例となるコージエライト前駆体バッチ組成はすべて、架橋したトウモロコシデンプンを細孔形成剤として使用した。下記表1に含まれるコージエライト前駆体バッチ組成物を焼成して、上述の微細構造および特性を有する、初めに低い微小亀裂の多孔質セラミックハニカム物品を製造した。具体的には、未焼成のハニカム物品を、約20°C/時間~約70°C/時間の上昇速度で室温から約1200°Cまで加熱炉内で加熱することによって、コージエライト前駆体バッチ組成物を焼成した。その後、未焼成のハニカム物品を、75°C/時間の上昇速度で1200°Cから1425°Cの浸漬温度まで急速に加熱した。その未焼成のハニカム物品を浸漬温度で10時間保持し、上述の主要コージエライト結晶相を生成した。焼成後、多孔質セラミックハニカム物品は、低いNb3パラメータを有し、このことから、低微小亀裂性のLMC多孔質セラミックハニカム物品と考えられた。次に、得られたLMC多孔質セラミックハニカム物品を評価して、CTE、細孔率全細孔率および表面細孔率の両方、細孔径分布d10、d50、d90、およびdfを含む、室温における破壊係数MOR、室温における弾性率Emod、耐歪み特性MOR/Emod、熱衝撃限界TSL、および熱衝撃パラメータTSPを含めた物理的特性を決定した。CTEは、軸方向セルチャネルに対して平行において、膨張計を用いて測定した。細孔微細構造のすべての測定は、Micrometrics社のAutoporeIV9520を使用して、水銀ポロシメトリーによって行った。弾性係数セルバーの軸方向において測定した音響共鳴の技法を使用して。MORは、4×1×0.5の寸法を有する長方形のセルバーの軸方向において、4点曲げ法を使用して測定した。試験結果を下記表2に示す。焼成に続いて、一部のLMC多孔質セラミックハニカム物品を微小亀裂条件に曝露した。さらに具体的には、LMC多孔質セラミックハニカム物品を600°Cのピーク温度まで加熱し、少なくとも200°Cの速度で物品を室温まで冷却することを含む熱サイクルにLMC多孔質セラミックハニカム物品を曝露し、微小亀裂化したMC多孔質セラミックハニカム物品を製造した。次に、得られたMC多孔質セラミックハニカム物品を評価し、CTE、室温における破壊係数MOR、室温における弾性率Emod、耐歪み特性MOR/Emod、および熱衝撃限界TSLを含めた物理的特性を決定した。CTEは、軸方向セルチャネルに対して平行において、膨張計を用いて測定した。弾性係数は、音響共鳴の技法を使用して、セルバーの軸方向において測定した。MORは、4×1×0.5の寸法を有する長方形のセルバーの軸方向において、4点曲げ法を使用して測定した。試験結果を下記表3に示す。表3に含まれるデータは、微小亀裂条件に曝露後、例となるMC多孔質セラミックハニカム物品の実施の形態が、約25°C~約800°Cにわたる約1.0×107/°C~約10.0×107/°Cの範囲の比較的低いCTEを有することを示唆している。そのデータはまた、例となる多孔質セラミックハニカム物品の微小亀裂パラメータNb3が、一般に、対応するLMC多孔質セラミックハニカム物品より少なくとも20大きいことも示唆している。MC多孔質セラミックハニカム物品のTSLは、微小亀裂条件に曝露後に1100°C以上であった。これは、対応するLMC多孔質セラミックハニカム物品のTSLよりも高い。データは、例となる多孔質セラミックハニカム物品のMORが、微小亀裂条件に曝露後に、一般に、約200psi1379kPaよりも大きいことを示唆している。データはさらに、200/10の幾何学形状を有する多孔質セラミックハニカム物品のEmodが、微小亀裂条件に曝露後に、一般に、約0.29Mpsi2000kPaを超えることも示唆している。表2および3に含まれるデータは、表1のコージエライト前駆体バッチ組成が、本明細書に記載される微細構造特性の特有の組合せを有する多孔質セラミックハニカム物品の製造に用いられうることも示唆している。さらに具体的には、上述の例となる多孔質セラミックハニカム物品は、負荷および無負荷条件の両方において比較的低い背圧低下を有する多孔質セラミックハニカム物品を生じる、比較的低いメジアン細孔直径および比較的狭い細孔径分布を伴う比較的高い細孔率を有する。対応するMC多孔質セラミックハニカム物品は同様の微細構造特性を有する。請求項に記載される主題の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書に記載の実施の形態にさまざまな変更およびバリエーションがなされうることは、当業者にとって明白であろう。よって、本明細書は、本明細書に記載されるさまざまな実施の形態の変更およびバリエーションにも及ぶことが、これらの変更およびバリエーションが添付の特許請求の範囲およびそれらの等価物の範囲内にあることを条件に、意図されている。"