"下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。但し、式中Arは炭素数炭素数6乃至18のアリール基を表し、R1乃至R4は水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。下記構造式100で表されるカルバゾール化合物。請求項1又は請求項2に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子用材料。一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、前記有機化合物層に請求項1又は請求項2に記載のカルバゾール化合物を含み、前記一対の電極間に電流を流すことによって発光する発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、前記有機化合物層はホスト材料と発光中心材料とを含む発光層を有し、前記前記ホスト材料として請求項1又は請求項2に記載のカルバゾール化合物を含み、前記一対の電極間に電流を流すことによって発光する発光素子。請求項4又は請求項5に記載の発光素子を備えた発光装置。請求項4又は請求項5に記載の発光素子を備えた照明装置。請求項4又は請求項5に記載の発光素子を備えた表示装置。請求項4又は請求項5に記載の発光素子を備えた電子機器。そこで、本発明の一態様では、発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能なカルバゾール化合物を提供することを課題とする。特に、青色のりん光を発する発光素子に用いることで、特性の良好な発光素子を得ることが可能なカルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、T1準位が高いカルバゾール化合物を提供することを課題とする。特に、青色のりん光を発する発光素子に用いることで、発光効率の良好な発光素子を得ることが可能なカルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、キャリア輸送性が高いカルバゾール化合物を提供することを課題とする。特に、青色のりん光を発する発光素子に用いることが可能であり、駆動電圧の小さな発光素子を得ることが可能なカルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記カルバゾール化合物を用いた、発光素子用材料を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記カルバゾール化合物を用いた、発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の他の一態様では、上記カルバゾール化合物を用いた、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器を各々提供することを課題とする。本発明は上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明は、2つのカルバゾールの9位及び1つのベンゾイミダゾール骨格の1位がベンゼンの1位、3位、5位にそれぞれ結合した、カルバゾール化合物である。また上記カルバゾール化合物を発光素子用材料として用いた場合、良好な特性を有する発光素子を得ることができることを見出した。当該カルバゾール化合物は、電子輸送骨格であるベンゾイミダゾール骨格と、ホール輸送骨格であるカルバゾール骨格とを有することによって良好なキャリア輸送性を備える。また、これら二種のキャリア輸送骨格がベンゼン骨格を介して結合することで、当該カルバゾール化合物は大きなバンドギャップ、高いT1準位を有する化合物である。すなわち、より具体的には本発明の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。但し、式中Arは炭素数6乃至18のアリール基を表し、R1乃至R4は水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。なお、上記カルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格にはアルキル基が結合していない。このことによって、合成が簡便であり、また、蒸着操作時の取り扱いが容易であるため、本発明のカルバゾール化合物は蒸着により作製する発光素子用の材料として非常に好適である。このように、本発明のカルバゾール化合物はベンゾイミダゾール骨格の1位に、カルバソールが結合したベンゼンが結合しているため、ベンゾイミダゾールの2位に結合した物質よりもさらに高いT1準位を有する。また本発明のカルバゾール化合物は、ベンゼン骨格の1位、3位、5位にカルバゾール骨格やベンゾイミダゾール骨格のキャリア輸送骨格が結合しているため、高いT1準位を保っている。また、本発明のカルバゾール化合物はカルバゾール骨格が9位でベンゼン骨格に結合しているため、高いT1準位を有する。また、本発明のカルバゾール化合物は、ベンゾイミダゾール骨格及び二つのカルバゾール骨格がベンゼンに結合しているため、分子量が十分大きく、また、立体的な構造を有するため、耐熱性が高く、ガラス転移点Tgが高い。このことから、本発明のカルバゾール化合物を蒸着法により蒸着した膜は、膜質が良好である。上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物のうち、Arで表される基がフェニル基である構成がさらに好ましい。また、本発明の他の構成は、下記構造式100で表されるカルバゾール化合物である。また、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、キャリア輸送性が高く、発光素子のホスト材料やキャリア輸送材料として好適に用いることができる。すなわち、本発明の他の構成は、上記一般式G1又は上記構造式100で表されるカルバゾール化合物を含む発光素子用材料である。また、上記構造を有するカルバゾール化合物を用いて作製した発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。すなわち、本発明の他の構成は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、有機化合物層に上記カルバゾール化合物を含み、当該一対の電極間に電流を流すことによって発光する発光素子である。また、上記カルバゾール化合物は、発光素子におけるホスト材料としての使用に非常に適する。すなわち、本発明の他の構成は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有し、該有機化合物層はホスト材料と発光中心材料とを含む発光層を有し、ホスト材料として上記カルバゾール化合物を含み、一対の電極間に電流を流すことによって発光する発光素子である。また、上記カルバゾール化合物を含む発光素子を発光装置に用いることで、消費電力の小さい発光装置を提供することが可能となる。すなわち、本発明の他の構成は、上記発光素子を備えた発光装置である。また、上記カルバゾール化合物を含む発光素子を照明装置に用いることで、消費電力の小さい照明装置を提供することが可能となる。すなわち、本発明の他の構成は、上記発光素子を備えた照明装置である。また、上記カルバゾール化合物を含む発光素子を表示装置に用いることで、消費電力の小さい表示装置を提供することが可能となる。すなわち、本発明の他の構成は、上記発光素子を備えた表示装置である。また、上記カルバゾール化合物を含む発光素子を電子機器に用いることで、消費電力の小さい電子機器を提供することが可能となる。すなわち、本発明の他の構成は、上記発光素子を備えた電子機器である。上記構成を有するカルバゾール化合物は、優れたキャリア輸送性と広いエネルギーギャップとを併せ持つ物質であり、発光素子の輸送層を構成する材料や発光層におけるホスト材料、発光中心物質として好適に用いることが可能である。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子用材料を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物を含む発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物は有機半導体材料として用いることもできる。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、2つのカルバゾールの9位及び1つのベンゾイミダゾール骨格の1位がベンゼンの1位、3位、5位にそれぞれ結合した、カルバゾール化合物である。また上記カルバゾール化合物を発光素子用材料として用いた場合、良好な特性を有する発光素子を得ることができることを見出した。当該カルバゾール化合物は、電子輸送骨格であるベンゾイミダゾール骨格と、ホール輸送骨格であるカルバゾール骨格とを有することによって良好なキャリア輸送性を備える。また、これら二種のキャリア輸送骨格がベンゼン骨格を介して結合することで、当該カルバゾール化合物は大きなバンドギャップ、高いT1準位を有する化合物である。また、ベンゾイミダゾール骨格の2位に置換するアリール基としては、炭素数6乃至18のアリール基を挙げることができる。炭素数6乃至18のアリール基としては、具体的にはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などを用いることができる。なお、当該アリール基がビフェニルである場合、パラ位置換のビフェニル基より、メタ位置換のビフェニル基である方が、高い三重項準位を有するため、好ましい構成である。このような構造を有するカルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有することから、青色及び青色より長波長の蛍光またはりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップ、ひいては高い三重項準位を有することで、ホスト材料上で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。また、広いバンドギャップを有する当該カルバゾール化合物は、発光中心物質の励起エネルギーのキャリア輸送層への移動による失活を抑制することができるため、発光層に隣接するキャリア輸送層にも好適に利用することができる。これにより、発光効率の高い発光素子を作製することを可能とする。また、当該カルバゾール化合物は、良好なキャリア輸送性を有するという観点からも、発光素子のホスト材料やキャリア輸送層として好適に用いることができる。当該カルバゾール化合物が良好なキャリア輸送性を有することによって、駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、当該カルバゾール化合物は、カルバゾール骨格にアルキル基などの置換基を有していないことによって、合成ステップを少なくすることが出来、好ましい。また、蒸着時の取り扱いが容易となり、より安定した品質の発光素子を提供することができる。また、発光素子の寿命にも良い影響を与える。また、R1乃至R4がすべて水素であることによって合成が簡便となるため、より量産に適した物質とすることができる。上述のようなカルバゾール化合物は下記一般式G1のように表すこともできる。但し、式中R1乃至R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基はさらに置換基を有していても良い。Arは炭素数6乃至18のアリール基のいずれかを表し、当該アリール基はさらに置換基を有していても良い。R1乃至R4における炭素数1乃至4のアルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基などを挙げることができる。また、炭素数1乃至13のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などを挙げることができる。なお、アリール基がさらに置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、具体的にはメチル基、エチル基、tert-ブチル基、シクロヘキシル基などをあげることができる。ただし、R1乃至R4は水素であるほうが、合成が簡便となり好ましい。Arとしては、具体的にはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基を適用することができる。さらに具体的には下記構造式Ar-1乃至Ar-5で表される基を用いることが好ましい。上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物のうち、Arで表される基がフェニル基である構成がさらに好ましい。Arがフェニル基であると、よりT1準位の高いカルバゾール化合物を得ることができる。また、上記Arがビフェニル基である場合、パラ位置換のビフェニル基であるより、メタ位置換のビフェニル基である方が、三重項準位が高いため好ましい構成である。すなわち、Arがビフェニル基である場合、上記構造式Ar-3で表される基が好ましい。なお、上記カルバゾール化合物におけるカルバゾール骨格にはアルキル基が結合していない。このことによって、合成が簡便であり、また、蒸着操作時の取り扱いが容易であるため、本発明のカルバゾール化合物は蒸着により作製する発光素子用の材料として非常に好適である。このように、本発明のカルバゾール化合物はベンゾイミダゾール骨格の1位に、カルバソールが結合したベンゼンが結合しているため、ベンゾイミダゾールの2位に結合した物質よりもさらに高いT1準位を有する。また本発明のカルバゾール化合物は、ベンゼン骨格の1位、3位、5位にカルバゾール骨格やベンゾイミダゾール骨格のキャリア輸送骨格が結合しているため、高いT1準位を保っている。また、本発明のカルバゾール化合物はカルバゾール骨格が9位でベンゼン骨格に結合しているため、高いT1準位を有する。また、本発明のカルバゾール化合物は、ベンゾイミダゾール骨格及び二つのカルバゾール骨格がベンゼン骨格に結合しているため、分子量が十分大きく、また、立体的な構造を有するため、耐熱性が高く、ガラス転移点Tgが高い。このことから、本発明のカルバゾール化合物を蒸着法により蒸着した膜は、膜質が良好である。上記一般式G1として表されるカルバゾール化合物の具体的な構造の例としては、下記構造式100乃至104で表される物質などが挙げられる。以上のようなカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れていることからキャリア輸送材料やホスト材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。また、高い三重項準位三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差を有し、発光効率の高いりん光発光素子を得ることができる。また、高い三重項準位を有するということは、広いバンドギャップを有するということもまた意味するため、青色蛍光を呈する発光素子も効率よく発光させることができる。また、本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、青~紫外の発光を呈する発光材料としても用いることもできる。続いて、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物の合成方法について説明する。上記カルバゾール化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応A-1及びB-1を行うことによって、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお上記一般式G1において、R1~R4はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至4のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基はさらに置換基を有していても良い。Arは炭素数6乃至18のアリール基のいずれかを表し、当該アリール基はさらに置換基を有していても良い。それぞれ具体的な置換基については前述したので記載を省略する。上記反応式A-1において、X1、X2は、それぞれ独立してハロゲン又はトリフラート基を表し、ハロゲン基としては具体的にはヨウ素、臭素、塩素などを用いることができる。また、X2はX1と比べて反応性が高いことが好ましい。例えばハロゲンの反応性の高さは、高い順にヨウ素、臭素、塩素である。上記合成スキームA-1に示す合成方法では、ハロゲン基を有するアリール化合物A1と、9H-カルバゾールA2とをカップリングさせることにより、上記一般式g1で表されるカルバゾール化合物が得られる。合成スキームA-1に示すハロゲン基を有するアリール化合物A1と、カルバゾールA2の9位とのカップリング反応には様々な反応条件があるが、その例としては、塩基存在下にて金属触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応やウルマン反応を用いることができる。ブッフバルトハートウィッグ反応では、金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。パラジウム錯体としては、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII等が挙げられる。また配位子としては、トリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセン略称:DPPF等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、ブッフバルトハートウィッグ反応は溶液中で行うことが好ましく、トルエン、キシレン、ベンゼン等を溶媒として用いることができる。ただし、用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。なお、ブッフバルトハートウィッグ反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、上記合成スキームA-1を実現するカップリング方法として、ウルマン反応を用いる場合には、金属触媒として銅触媒を用いる例えば、ヨウ化銅I、又は酢酸銅II等。塩基としては、炭酸カリウム等の無機塩基を用いることができる。また、ウルマン反応は溶液中で行うことが好ましく、溶媒としては、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21HピリミジノンDMPU、トルエン、キシレン、ベンゼン等を用いることができる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。ウルマン反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。なお、ウルマン反応の場合には、反応温度が100°C以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、DMPU、キシレンなど沸点の高い溶媒を用いることが好ましい。また、反応温度は150°C以上であることが更に好ましいため、DMPUを用いるのがより好ましい。次に上記反応式A-1で得られたカルバゾール化合物g1と、ベンゾイミダゾール化合物B1をカップリングさせることにより、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が得られる反応式B-1。合成スキームB-1に示すハロゲン基を有するカルバゾール化合物g1と、ベンゾイミダゾール化合物B1の1位とのカップリング反応には様々な反応条件があるが、その例としては、塩基存在下にて金属触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応やウルマン反応を挙げることができる。ブッフバルトハートウィッグ反応では、金属触媒としてパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。パラジウム錯体としては、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII、アリルパラジウムIIクロリドダイマー略称:[PdClC3H5]2等が挙げられる。また配位子としては、トリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセン略称:DPPF、ジ-tert-ブチル2,2-ジフェニル-1-メチル-1-シクロプロピルホスフィン等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。またこの反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、上記合成スキームB-1を実現するカップリング方法として、ウルマン反応を用いる場合には、金属触媒として銅触媒を用いる例えば、ヨウ化銅I、又は酢酸銅II等。塩基としては、炭酸カリウム等の無機塩基を用いることができる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、溶媒としては、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21HピリミジノンDMPU、トルエン、キシレン、ベンゼン等を用いることができる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。この反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。なお、ウルマン反応の場合には、反応温度が100°C以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、DMPU、キシレンなど沸点の高い溶媒を用いることが好ましい。また、反応温度は150°C以上より高い温度が更に好ましいため、DMPUを用いるのがより好ましい。以上のように、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタSITの活性層として用いる形態を例示する。素子の構造としては、図2に示すように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む薄膜状の活性層1202をソース電極1201およびドレイン電極1203で挟み、ゲート電極1204が活性層1202に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極1204は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極1201およびドレイン電極1203は、ソース-ドレイン間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。このような素子構造において、ゲート電圧を印加しない状態においてソース-ドレイン間に電圧を印加すると、電流が流れるON状態となる。そして、その状態でゲート電圧を印加するとゲート電極1204周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなるOFF状態となる。以上の機構により、トランジスタとして動作する。縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、キャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物はその条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。実施の形態3本実施の形態では実施の形態1に示したカルバゾール化合物を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極101と、第2の電極102と、第1の電極101と第2の電極102との間に設けられた有機化合物を含む層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極102は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極101の方が第2の電極102よりも電位が高くなるように、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。第1の電極101としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。また、グラフェンを用いても良い。有機化合物を含む層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層、キャリアブロック性を有する層等を適宜組み合わせて構成すればよい。本実施の形態では、有機化合物を含む層103は、陽極として機能する第1の電極101から正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115の順に積層した構成を有するものとして説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質に当該物質に対して電子受容性を示す物質以下単に電子受容性物質と称するを含有させた複合材料を用いることもできる。本明細書中において、複合材料とは、単に2つの材料を混合させた材料のことを指すのではなく、複数の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。この電荷の授受は、電界の補助的効果がある場合にのみ実現される場合も含むこととする。なお、正孔輸送性の高い物質に電子受容性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができるようになる。つまり、第1の電極101として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。電子受容性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物も使用することができる。特に元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を好適に用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため電子受容性物質として好適に用いることができる。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、上述の複合材料として用いることができる正孔輸送性の高い物質として挙げたものを同様に用いることができる。なお、繰り返しとなるため詳しい説明は省略する。複合材料の記載を参照されたい。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い。発光層113において、発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であってもりん光であっても良い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍光発光性の物質としては、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAクマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン、略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTM、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnなどが挙げられる。りん光発光性の物質としては、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、トリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどが挙げられる。なお、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物に代表される本発明に係るカルバゾール化合物も、青~紫外領域の発光を呈することから、発光中心材料としての使用も可能である。実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、バンドギャップが広く、高い三重項準位三重項励起状態と基底状態とのエネルギー差が大きいが広いため、青色の蛍光を発する発光中心物質や緑色から青色のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料として特に好適に用いることができる。もちろん、青色より長波長の蛍光を発する発光中心物質や緑色よりも長波長のりん光を発する発光中心物質を分散するホスト材料としても用いることが可能である。また、発光層に隣接するキャリア輸送層を構成する材料として用いてもかまわない。当該カルバゾール化合物が広いバンドギャップ若しくは高い三重項準位を有することで、発光中心材料が青色の蛍光や緑から青色のりん光を発する材料であったとしても、ホスト材料上で再結合したキャリアのエネルギーを発光中心物質へ有効に移動させることが可能となり、発光効率の高い発光素子を作製することが可能となる。なお、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物をホストとして用いる場合、発光中心材料としては、当該カルバゾール化合物よりもバンドギャップが狭い若しくは一重項準位や三重項準位が低い物質を選択することが好ましいが、これに限られることはない。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物はキャリア輸送性に優れるため、ホスト材料として用いることで駆動電圧の小さい発光素子を作製することが可能となる。また、上記ホスト材料として一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いない場合、ホスト材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などの他、公知の材料を挙げることができる。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層を正孔輸送性の層とし、第2の発光層を電子輸送性の層とする構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を電子輸送層114を構成する材料として用いても良い。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、バンドギャップが広く、T1準位の高い物質であるため、発光層における励起エネルギーが電子輸送層114に移動することを有効に防ぎ、それを原因とする発光効率の低下を抑制し、発光効率の高い発光素子を得ることが可能となる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリア輸送性に優れるため、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層114と第2の電極102との間に、第2の電極102に接して電子注入層115を設けてもよい。電子注入層115としては、リチウム、カルシウム、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。また、電子輸送性を有する物質と、当該物質に対する電子供与性を有する物質以下単に電子供与性物質と証するとの複合材料を用いることもできる。電子供与性物質としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を挙げることができる。当該複合材料としては、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層115として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極102からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい構成となる。この構成とすることにより、陰極として、仕事関数の小さい物質だけでなく、その他の導電材料を用いることも可能となる。第2の電極102を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極102と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極102として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、有機化合物を含む層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極101と第2の電極102との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極101または第2の電極102のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極101のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極101を通って基板側から取り出される。また、第2の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極102を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極101および第2の電極102がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極101および第2の電極102を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極101と第2の電極102との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極101および第2の電極102から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設ける構成が好ましい。また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのエネルギーギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、ホスト材料及び/又は電子輸送層として、エネルギーギャップの大きい実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が用いられていることから、発光中心物質がエネルギーギャップの大きい、青色の蛍光を呈する物質や緑から青のりん光を発する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、ホスト材料やキャリア輸送層を構成する材料からの発光が起こりにくいため、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。このような発光素子はガラス、プラスチックなどからなる基板を支持体として作製すればよい。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、トランジスタを形成し、トランジスタと電気的に接続された電極上に当該発光素子を作製してもよい。これにより、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されない。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。TFTを構成する半導体層の材料としては、シリコンSi及びゲルマニウムGe等の元素周期表における第14族元素、ガリウムヒ素及びインジウムリン等の化合物、並びに酸化亜鉛及び酸化スズ等の酸化物など半導体特性を示す物質であればどのような材料を用いてもよい。半導体特性を示す酸化物酸化物半導体としては、インジウム、ガリウム、アルミニウム、亜鉛及びスズから選んだ元素の複合酸化物を用いることができる。例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛を含む酸化インジウムIZO:IndiumZincOxide、並びに酸化インジウム、酸化ガリウム、及び酸化亜鉛からなる酸化物IGZO:IndiumGalliumZincOxideをその例に挙げることができる。また、有機半導体を用いても良い。当該半導体層は、結晶質構造、非晶質構造のどちらの構造であってもよい。また、結晶質構造の半導体層の具体例としては、単結晶半導体、多結晶半導体、若しくは微結晶半導体が挙げられる。実施の形態4本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。一つの発光ユニットは、実施の形態3で示した有機化合物を含む層103と同様な構成を有する。つまり、実施の形態3で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態3における第1の電極101と第2の電極102に相当し、実施の形態3で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態3で示した正孔注入層に用いることができる複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が1×10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール化合物が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置の一例について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール化合物を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi、LiF、CaF2等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態3又は実施の形態4の構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態3又は実施の形態4で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール化合物は広いエネルギーギャップや高い三重項準位を有し、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態3又は実施の形態4に記載の、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むために発光効率の高い実施の形態3又は実施の形態4に記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光素子をそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態3又は実施の形態4に示す発光素子をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態3又は実施の形態4に記載の発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を含むことから、消費電力が低減された発光素子であり、その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、実施の形態3又は実施の形態4に記載の発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子であるため、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。上記発光素子を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、表示部7103は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。テレビジョン装置の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7203を有するコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、または一方に実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。上述のような表示部7304を有する携帯型遊技機は、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、低い駆動電圧で駆動させることができることから、駆動電圧の小さい携帯型遊技機とすることができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有している。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7402を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話機とすることが可能である。図5Dに示す携帯電話機は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態5に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。以上の様に、実施の形態3又は実施の形態4で説明したような、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、駆動電圧の小さい電子機器を得ることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は、光源装置に用いることもできる。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を光源装置に用いる一態様を、図6を用いて説明する。なお、光源装置とは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を光の照射手段として有し、且つ少なくとも当該発光素子へ電流を供給する入出力端子部を有するものとする。また、当該発光素子は、封止手段によって、外部雰囲気より遮断されていることが好ましい。図6は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子をバックライトに適用した液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903には、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を液晶表示装置のバックライトに適用したことにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いることで、面発光の照明装置が作製でき、また大面積化も可能である。これにより、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を適用したバックライトは発光装置は従来と比較し厚みを小さくできるため、表示装置の薄型化も可能となる。図7は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子が用いられている。図8は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を、室内の照明装置3001に適用した例である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は消費電力の低減された発光素子であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は、大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は厚みが小さいため、薄型化した照明装置を作製することが可能となる。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも搭載することができる。図9に実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示5000乃至表示5005は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて設けられた表示である。表示5000と表示5001は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を搭載した表示装置である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は、第1の電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。表示5002はピラー部分に設けられた実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を搭載した表示装置である。表示5002には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示5003は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示5004や表示5005はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示5000乃至表示5003にも設けることができる。また、表示5000乃至表示5005は照明装置として用いることも可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子は当該カルバゾール化合物を含むことによって、駆動電圧の小さい発光素子とすることができ、もしくは消費電力の小さい発光装置とすることができる。このことから、表示5000乃至表示5005大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることが少なく、快適に使用することができることから実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いた発光装置または照明装置は、車載用の発光装置又は照明装置として好適に用いることができる。図10A及び図10Bは2つ折り可能なタブレット型端末の一例である。図10Aは、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。なお、当該タブレット端末は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いた発光素子を備えた発光装置を表示部9631a、表示部9631bの一方又は両方に用いることにより作製される。表示部9631aは、一部をタッチパネル領域9632aとすることができ、表示された操作キー9637にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部9631aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部9631aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9631aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示画面として用いることができる。また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一部をタッチパネル領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部9631bにキーボードボタンを表示することができる。また、タッチパネル領域9632aとタッチパネル領域9632bに対して同時にタッチ入力することもできる。また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。また、図10Aでは表示部9631bと表示部9631aの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。図10Bは、閉じた状態であり、本実施の形態におけるタブレット型端末では、筐体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を備える例を示した。なお、図10Bでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。また、この他にも図10A及び図10Bに示したタブレット型端末は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、筐体9630の一面または二面に設けられていると効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。また、図10Bに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図10Cにブロック図を示し説明する。図10Cには、太陽電池9633、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図10Bに示す充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633で充電された電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。なお、太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、発電手段は特に限定されず、圧電素子ピエゾ素子や熱電変換素子ペルティエ素子などの他の発電手段によってバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。無線非接触で電力を送受信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよく、発電手段を有さなくとも良い。また、上記表示部9631を具備していれば、図10に示した形状の電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。本実施例では、実施の形態1に記載の一般式G1で表されるカルバゾール化合物である1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BIm、構造式100の合成方法及びその物性について説明する。1Cz2BImの構造式を以下に示す。<合成方法>≪ステップ1:9-[3-9H-カルバゾール-9-イル-5-クロロ]フェニル-9H-カルバゾール略称:mCP-Clの合成≫1,3-ジブロモ-5-クロロベンゼン5.0g19mmol、カルバゾール6.5g39mmol、ヨウ化銅370mg1.9mmol、18-クラウン6-エーテル510mg1.94mmol、炭酸カリウム8.9g47mmol、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-2-1Hピリミジノン20mlの混合物を、200mL三口フラスコにて減圧下で撹拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、170°Cで11時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合物を水で洗浄し、有機層と水層を分離した後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒としては、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:5を用いた。目的物のシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=10:1は0.35だった。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波を照射したのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量6.6g、収率80で得た。上記ステップ1の反応スキームを下記a-1に示す。上記ステップ1で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.31-7.64m,12H、7.71-7.72m,1H、7.75-7.76m,1H、7.84-7.85m,1H、8.15d,J=7.8Hz,4Hまた、1HNMRチャートを図11A、Bに示す。なお、図11Bは、図11Aにおける7.00ppmから8.50ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である9-[3-9H-カルバゾール-9-イル-5-クロロ]フェニル-9H-カルバゾール略称:mCP-Clが得られたことを確認した。≪ステップ2:1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImの合成≫9-[3-9H-カルバゾール-9-イル-5-クロロ]フェニル-9H-カルバゾール略称:mCP-Cl3.0g6.78mmol、2-フェニルベンゾイミダゾール1.2g6.2mmol、アリルパラジウムIIクロリドダイマー略称:[PdClC3H5]222mg60μmol、ジ-tert-ブチル2,2-ジフェニル-1-メチル-1-シクロプロピルホスフィン84.6mg0.24mmol、ナトリウムt-ブトキシド710mg7.4mmol、キシレン30mLの混合溶液を、200mL三口フラスコにて減圧下で撹拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、120°Cで11時間加熱撹拌し、反応させた。続いて、アリルパラジウムIIクロリドダイマー略称:[PdClC3H5]222mg60μmol、ジ-tert-ブチル2,2-ジフェニル-1-メチル-1-シクロプロピルホスフィン略称:cBRIDP85mg0.24mmol、ナトリウムt-ブトキシド710mg7.39mmolをこの反応混合溶液に加え、窒素雰囲気下、120°Cで7時間加熱撹拌し、反応させた。更に、アリルパラジウムIIクロリドダイマー22mg略称:[PdClC3H5]260μmolをこの反応混合溶液に加え、窒素雰囲気下、120°Cで5時間加熱撹拌し、反応させた。最後に、アリルパラジウムIIクロリドダイマー22mg略称:[PdClC3H5]260μmol、ジ-tert-ブチル2,2-ジフェニル-1-メチル-1-シクロプロピルホスフィン85mg0.24mmolをこの反応混合溶液に加え、減圧下で撹拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、120°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン2.0Lを加え、この混合液の有機層をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒としては、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:酢酸エチル=10:1を用いた。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒トルエンは、目的物は0.05だった。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量1.9g、収率51で得た。上記ステップ2の反応スキームを下記a-2に示す。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.23-7.43m,14H、7.56-7.66m,6H、7.79-7.81m,2H、7.91-7.97m,2H、8.13d,J=6.8Hz,4H。また、1HNMRチャートを図12A、Bに示す。なお、図12Bは、図12Aにおける7.00ppmから8.50ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImが得られたことを確認した。≪1Cz2BImの物性について≫次に、1Cz2BImのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図13Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図13Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、1Cz2BImのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、1Cz2BImを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図13Aより、1Cz2BImのトルエン溶液における吸収ピーク波長は337nm付近及び290nm付近、発光ピーク波長は358nm付近励起波長313nmであった。また、図13Bより1Cz2BImの薄膜における吸収ピーク波長は340nm付近、324nm付近、307nm付近、295nm付近、240nm付近及び206nm付近、発光ピーク波長は380nm付近、364nm付近及び347nm付近励起波長340nmにあることがわかった。このように、非常に短波長な発光を示すことがわかった。また、薄膜状態の1Cz2BImのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、1Cz2BImのHOMO準位は-5.87eVであった。図13Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた1Cz2BImの吸収端は3.53eVであった。従って、1Cz2BImの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.53eVと見積もられ、先に得たHOMO準位と、このエネルギーギャップの値から、1Cz2BImのLUMO準位が-2.34eVと見積もることができる。このように、1Cz2BImは固体状態において3.53eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BIm、構造式100を、緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i~vi、100に示す。素子構造は図1Aと同様の構造とした。≪発光素子1、比較発光素子1の作製≫まず、第1の電極101として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は60nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式iiで表される9-フェニル-9H-3-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルカルバゾール略称:PCCPを20nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式100で表される実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImとPCCPと上記構造式iiiで表されるトリス2-フェニルピリジンイリジウム略称:Irppy3とを、1Cz2BIm:PCCP:Irppy3=1:0.3:0.08重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、上記構造式ivで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIを10nm、続いて上記構造式vで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極102としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。比較発光素子1は発光素子1における発光層113をmCPと[Irppy3]との共蒸着膜に替えることにより作製した。すなわち、比較発光素子1の発光層113はmCPと[Irppy3]とをmCP:[Irppy3]=1:0.08重量比となるように、30nmの厚さで共蒸着することによって形成した。≪発光素子1及び比較発光素子1の動作特性≫以上により得られた発光素子1及び比較発光素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子1及び比較発光素子1電流密度-輝度特性を図14に、電圧-輝度特性を図15に、輝度-電流効率特性を図16に、電圧-電流特性を図17に、輝度-パワー効率特性を図18に、輝度-外部量子効率特性を図19に示す。図14では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図15では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図16では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図17では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図18では縦軸がパワー効率lm/W、横軸が輝度cd/m2を示す。図19では縦軸が外部量子効率、横軸が輝度cd/m2を示す。図16から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を緑色のりん光を発する発光素子の発光層のホスト材料に用いた発光素子1は、mCPを同様にホストに用いた比較発光素子1よりも良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物がmCP同様に高い三重項準位を有し、そして、広いエネルギーギャップを有することから、緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができることが一因である。また、図15から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、非常に良好な電圧-輝度特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、同様に、図14の電流密度-輝度特性も比較素子1より良好な特性を示している。また、図19に示すように、外部量子効率も良好な発光素子である。このように、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いた発光素子は、発光効率が良好であり且つ駆動電圧が低い、特性の良好な発光素子である。結果として、図18で表されるように輝度-パワー効率特性が大きく向上した。なお、比較として用いたmCPはエネルギーギャップが大きく、三重項準位も高いことから短波長のりん光を発する素子のホスト材料としてしばしば用いられる物質であり、良好な発光効率を呈するりん光発光素子を作製することができることが知られている。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、mCP以上の非常に高い発光効率を呈する発光素子を提供することが可能な化合物であることがわかった。続いて、作製した発光素子1及び比較発光素子1に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図20に示す。図20では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図20より発光素子1及び比較発光素子1は重なっており、発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図21に規格化輝度-時間特性を示す。図21から、発光素子1は比較発光素子1と同様又はそれ以上の特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BIm、構造式100を、青緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子発光素子2について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、ii、iv~vii、100に示す。素子構造は図1Aと同様の構造とした。≪発光素子2及び比較発光素子2の作製≫まず、第1の電極101として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は60nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて上記構造式viで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPを20nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に上記構造式100で表される実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImと上記構造式iiで表される9-フェニル-9H-3-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルカルバゾール略称:PCCPと上記構造式viiで表されるトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]とを1Cz2BIm:PCCP:[IrMptz3]=1:0.5:0.08重量比となるように30nm蒸着した後、上記構造式ivで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIと[IrMptz3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz3]=1:0.08重量比となるように10nm蒸着し、発光層113を形成した。次に、上記構造式vで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを20nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極102としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子2を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。比較発光素子2は、発光素子2における発光層113をmCPと[IrMptz3]との共蒸着膜に替えることにより作製した。すなわち比較発光素子2の発光層113はmCPと[IrMptz3]とをmCP:[IrMptz3]=1:0.08重量比となるように、30nmの厚さで共蒸着することによって形成した。≪発光素子2及び比較発光素子2の動作特性≫以上により得られた発光素子2及び比較発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子2及び比較発光素子2の電流密度-輝度特性を図22に、電圧-輝度特性を図23に、輝度-電流効率特性を図24に、電圧-電流特性を図25に、輝度-パワー効率特性を図26に、輝度-外部量子効率特性を図27に示す。図22では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図23では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図24では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図25では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図26では縦軸がパワー効率lm/W、横軸が輝度cd/m2を示す。図27では縦軸が外部量子効率、横軸が輝度cd/m2を示す。図24から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青緑色のりん光を発する発光素子の発光層のホスト材料に用いた発光素子2は、mCPを同様にホストに用いた比較発光素子2よりも良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物がmCP同様に高い三重項準位を有し、そして、広いエネルギーギャップを有することから、青緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができることが一因である。また、図23から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、非常に良好な電圧-輝度特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、同様に、図22の電流密度-輝度特性も比較素子2より良好な特性を示している。また、図27に示すように、外部量子効率も良好な発光素子である。このように、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いた発光素子は、発光効率が良好であり且つ駆動電圧が低い、特性の良好な発光素子である。結果として、図26で表されるように輝度-パワー効率特性が非常に大きく向上した。なお、比較として用いたmCPはエネルギーギャップが大きく、三重項準位も高いことから短波長のりん光を発する素子のホスト材料としてしばしば用いられる物質であり、良好な発光効率を呈するりん光発光素子を作製することができることが知られている。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、mCP以上の非常に高い発光効率を呈する発光素子を提供することが可能な化合物であることがわかった。続いて、作製した発光素子2及び比較発光素子2に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図28に示す。図28では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図28より発光素子2及び比較発光素子2はほぼ重なっており、発光中心物質であるIrMptz3起因の青緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を300cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図29に規格化輝度-時間特性を示す。図29から、発光素子2は比較発光素子2より良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BIm、構造式100を、青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子発光素子3について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、ii、iv~vi、viii、100に示す。素子構造は図1Aと同様の構造とした。≪発光素子3及び比較発光素子3の作製≫まず、第1の電極101として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は60nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式viで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPを20nm蒸着することにより、正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式100で表される1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImと上記構造式iiで表される9-フェニル-9H-3-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルカルバゾール略称:PCCP及び上記構造式viiiで表されるトリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]とを1Cz2BIm:PCCP:[IrMptz1-mp3]=1:0.25:0.06重量比となるように30nm蒸着した後、上記構造式ivで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.06重量比となるように10nm蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。次に、上記構造式vで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極102としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子3を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。比較発光素子3は、発光素子3における発光層113をmCPと[IrMptz-mp3]との共蒸着膜とmDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]の共蒸着膜との積層に替えることにより作製した。すなわち、比較発光素子3の発光層113はmCPと[IrMptz-mp3]とをmCP:[IrMptz-mp3]=1:0.06重量比となるように、30nmの厚さで共蒸着した後、mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.06重量比となるように10nm共蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。≪発光素子3及び比較発光素子3の動作特性≫以上により得られた発光素子3及び比較発光素子3を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子3及び比較発光素子3の電流密度-輝度特性を図30に、電圧-輝度特性を図31に、輝度-電流効率特性を図32に、電圧-電流特性を図33に、輝度-パワー効率特性を図34に、輝度-外部量子効率特性を図35に示す。図30縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図31では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図32では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図33では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図34では縦軸がパワー効率lm/W、横軸が輝度cd/m2を示す。図35では縦軸が外部量子効率、横軸が輝度cd/m2を示す。図32から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色のりん光を発する発光素子の発光層のホスト材料に用いた発光素子3は、mCPを同様にホストに用いた比較発光素子3よりも良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物がmCP同様に高い三重項準位を有し、そして、広いエネルギーギャップを有することから、青色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができることが一因である。また、図31から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、非常に良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図35に示すように、外部量子効率も良好な発光素子である。このように、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いた発光素子は、発光効率が良好であり且つ駆動電圧が低い、特性の良好な発光素子である。結果として、図34で表されるようにmCPを同様に用いた比較発光素子3と比較し約2倍と輝度-パワー効率特性が非常に大きく向上した。なお、比較として用いたmCPはエネルギーギャップが大きく、三重項準位も高いことから短波長のりん光を発する素子のホスト材料としてしばしば用いられる物質であり、良好な発光効率を呈するりん光発光素子を作製することができることが知られている。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、mCP以上の非常に高い発光効率を呈する発光素子を提供することが可能な化合物であることがわかった。続いて、作製した発光素子3及び比較発光素子3に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図36に示す。図36では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図36より発光素子3及び比較発光素子3は、発光中心物質であるIrMptz-mp3起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を300cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図37に規格化輝度-時間特性を示す。図37から、発光素子3は比較発光素子3の2倍以上の寿命ここでは50輝度劣化までの時間を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。このように実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色のりん光を発光中心物質とする発光素子のホスト材料又は正孔輸送材料として用いた本実施の形態における発光素子は、高い三重項準位からの発光である青色のりん光を有効に励起し、またはエネルギー移動による損失を起こすことなく発光効率の高い発光素子とすることが可能となる。これらはすなわち実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が非常に高い三重項準位を有していることを示している。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BIm、構造式100を、青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子発光素子4及び1Cz2BImをN-フェニル-2-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ベンゾイミダゾール略称:CzBImに代えて作製した発光素子比較発光素子4について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、iv~vi、viii、ix、100に示す。素子構造は図1Aと同様の構造とした。≪発光素子4及び比較発光素子4の作製≫まず、第1の電極101として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は60nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式viで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPを20nm蒸着することにより、正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式100で表される1-[3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-2-フェニルベンゾイミダゾール略称:1Cz2BImと上記構造式viiiで表されるトリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]とを1Cz2BIm:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように30nm蒸着した後、上記構造式ivで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように10nm蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。次に、上記構造式vで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極102としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子4を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。比較発光素子4は、発光素子4における発光層113を上記構造式ixで表されるN-フェニル-2-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]ベンゾイミダゾール略称:CzBImと[IrMptz-mp3]との共蒸着膜とmDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]の共蒸着膜との積層に替えることにより作製した。すなわち、比較発光素子4の発光層113はCzBImと[IrMptz-mp3]とをCzBIm:[IrMptz-mp3]=1:0.08重量比となるように、30nmの厚さで共蒸着した後、mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように10nm共蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。≪発光素子4及び比較発光素子4の動作特性≫以上により得られた発光素子4及び比較発光素子4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子4及び比較発光素子4の電流密度-輝度特性を図38に、電圧-輝度特性を図39に、輝度-電流効率特性を図40に、電圧-電流特性を図41に、輝度-パワー効率特性を図42に、輝度-外部量子効率特性を図43に示す。図38縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図39では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図40では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図41では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図42では縦軸がパワー効率lm/W、横軸が輝度cd/m2を示す。図43では縦軸が外部量子効率、横軸が輝度cd/m2を示す。図40から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色のりん光を発する発光素子の発光層のホスト材料に用いた発光素子4は、CzBImを同様にホストに用いた比較発光素子4よりも良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高い三重項準位を有し、そして、広いエネルギーギャップを有することから、青色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができることが一因である。また、図39から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、非常に良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図43に示すように、外部量子効率も良好な発光素子である。このように、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を用いた発光素子は、発光効率が良好であり且つ駆動電圧が低い、特性の良好な発光素子である。結果として、図42で表されるようにCzBImを同様に用いた比較発光素子4と比較し約2倍と輝度-パワー効率特性が非常に大きく向上した。続いて、作製した発光素子4及び比較発光素子4に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図44に示す。図44では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図44より発光素子4及び比較発光素子4は、発光中心物質であるIrMptz-mp3起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を300cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図45に規格化輝度-時間特性を示す。図45から、発光素子4は比較発光素子4の2倍以上の寿命ここでは50輝度劣化までの時間を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。このように実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色のりん光を発光中心物質とする発光素子のホスト材料又は正孔輸送材料として用いた本実施の形態における発光素子は、高い三重項準位からの発光である青色のりん光を有効に励起し、またはエネルギー移動による損失を起こすことなく発光効率の高い発光素子とすることが可能となる。これらはすなわち実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が非常に高い三重項準位を有していることを示している。参考例本参考例では、実施例で用いた材料について説明する。<[IrMptz3]の合成例>実施例3で用いたトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]を合成する例を示す。[ステップ1:3-メチル-4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptzの合成]まず、チオアセトアニリド5.04g、ベンゾイルヒドラジン5.44g、1-ブタノール50mLを、還流管を付けた丸底フラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波2.45GHz100Wを2時間45分間照射することで加熱した。その後、この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、3-メチル-4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptzを得た淡い黄色粉末、収率18。ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:トリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]の合成]次に、上記ステップ1で得られた配位子HMptz1.40g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII0.58gを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、250°Cにて17時間30分間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解し、この溶液をろ過した。得られたろ液の溶媒を留去し、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。さらに、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、本発明の一態様である有機金属錯体[IrMptz3]を得た黄色粉末、収率22。ステップ2の合成スキームを以下に示す。上記ステップ2で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果を下記に示す。この結果から、有機金属錯体[IrMptz3]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:2.17s,9H,6.38d,3H,6.54t,3H,6.72dt,3H,6.87dd,3H,7.34m,3H,7.51brm,3H,7.57m,9H<[IrMptz1-mp3]の合成例>実施例4及び実施例5で用いたトリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]を合成する例を示す。[ステップ1:N-1-エトキシエチリデンベンズアミドの合成]まず、アセトイミド酸エチル塩酸塩15.5g、トルエン150mL、トリエチルアミンEt3N31.9gを500mL三ツ口フラスコに入れ、室温で10分間撹拌した。この混合物にベンゾイルクロリド17.7gとトルエン30mLの混合溶液を50mL滴下ロートより滴下し、室温で24時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物を吸引ろ過し、固体をトルエンで洗浄した。得られたろ液を、濃縮してN-1-エトキシエチリデンベンズアミドを得た赤色油状物、収率82。ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptz1-mpの合成]次に、o-トリルヒドラジン塩酸塩8.68g、四塩化炭素100mL、トリエチルアミンEt3N35mLを300mLナスフラスコに入れ、室温で1時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に上記ステップ1で得られたN-1-エトキシエチリデンベンズアミド8.72gを加えて室温で24時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物に水を加え、水層をクロロホルムで抽出した。この有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然濾過し、ろ液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはジクロロメタンを用いた。得られたフラクションを濃縮して、3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptz1-mpを得た橙色油状物、収率84。ステップ2の合成スキームを以下に示す。<ステップ3;トリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]の合成>次に、上記ステップ2で得られた配位子HMptz1-mp2.71g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII1.06gを、三方コックを付けた反応容器に入れた。この反応容器をアルゴン置換し、250°Cにて48時間加熱し、反応させた。この反応混合物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒には、まず、ジクロロメタン用い、次いでジクロロメタン:酢酸エチル=10:1v/vの混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、次いで、ジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒にて再結晶し、有機金属錯体[IrMptz1-mp3]を得た黄色粉末、収率35。ステップ3の合成スキームを以下に示す。上記ステップ3で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1HNMRによる分析結果を下記に示す。この結果から、[IrMptz1-mp3]が得られたことがわかった。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMR.δCDCl3:1.94-2.21m,18H,6.47-6.76m,12H,7.29-7.52m,12H"