"a1級アルカノールアミン1~20重量;bアルコール10~60重量;c水0.1~50重量;d極性有機溶剤5~50重量;及びe腐食防止剤0.01~3重量;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。1級アルカノールアミンが、モノエタノールアミンMonoethanolamine、モノイソプロパノールアミンMonoisopropanolamine、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanol、2-メチルアミノエタノール2Methylaminoethanol及び3-アミノプロパノールアミン3Aminopropanolamineからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。アルコールが、エチレングリコールEthyleneGlycol、1-ヘキサノール1Hexanol、オクタノールOctanol、1-ヘプタノール1Heptanol、1-デカノール1Decanol、2-ヘプタノール2Heptanol及びテトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。腐食防止剤が、C5-C10ヘテロ環式化合物であり、環を構成する炭素が、N、O及びSからなる群から選ばれた一つ以上の原子で置換されてなり、該ヘテロ環の炭素原子にメルカプト基が置換されていることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。ヘテロ環式化合物が、イミダゾールであることを特徴とする、請求項4に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。腐食防止剤が、2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazole、2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジゾール25Dimercapto134thiadizole及び2-メルカプトベンゾチアゾール2Mercaptobenzothiazoleからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。極性有機溶剤が、R-OCH2CH2OHの化学式ここで、Rは、線状炭化水素、分岐炭化水素又は環状炭化水素のうちの何れか一つであるを有するグリコールを含有する、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。極性有機溶剤が、N-メチルピロリドンNmethylpyrollidone,NMP、スルホランSulfolane、ジメチルスルホキシドDimethylsulfoxide,DMSO、ジメチルアセトアミドDimethylacetamide,DMAC及びモノメチルホルムアミドMonomethylformamideからなる群から選ばれた1つ以上であることを特徴とする、請求項1に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。a1級アルカノールアミン1~20重量;bアルコール10~60重量;及びc極性有機溶剤5~70重量;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。1級アルカノールアミンが、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanolであることを特徴とする、請求項9に記載のLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。アルコールが、エチレングリコールEthyleneGlycol、1-ヘキサノール1Hexanol、オクタノールOctanol、1-ヘプタノール1Heptanol、1-デカノール1Decanol、2-ヘプタノール2Heptanol及びテトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とする、請求項9に記載のLCD用フォトレジスト剥離液組成物。よって、本発明者らは、メルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いた、比較的安定した腐食防止及びフォトレジスト剥離剤を開発することにより、上記のような問題の解決を図る。本発明の目的は、TFT-LCD用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもCu及びAlの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供することにある。上記の目的を達成するための一具体例で、a1級アルカノールアミン1~20重量;bアルコール10~60重量;c水0.1~50重量;d極性有機溶剤5~50重量;及びe腐食防止剤0.01~3重量;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。他の具体例で、上記1級アルカノールアミンは、モノエタノールアミンMonoethanolamine、モノイソプロパノールアミンMonoisopropanolamine、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanol、2-メチルアミノエタノール2Methylaminoethanol及び3-アミノプロパノールアミン3Aminopropanolamineからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記アルコールは、エチレングリコールEthyleneGlycol、1-ヘキサノール1Hexanol、オクタノールOctanol、1-ヘプタノール1Heptanol、1-デカノール1Decanol、2-ヘプタノール2Heptanol及びテトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記腐食防止剤は、C5-C10ヘテロ環式化合物であり、環を構成する炭素が、N、O及びSからなる群から選ばれた一つ以上の原子で置換されてなり、該ヘテロ環の炭素原子にメルカプト基が置換されていることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記ヘテロ環式化合物は、イミダゾールであることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記腐食防止剤は、2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazole、2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジゾール25Dimercapto134thiadizole及び2-メルカプトベンゾチアゾール2Mercaptobenzothiazoleからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記極性有機溶剤は、ROHの化学式ここで、上記Rは、線状炭化水素、分岐炭化水素又は環状炭化水素のうちの何れか一つであるを有するグリコールを含有するLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記極性有機溶剤は、N-メチルピロリドンNmethylpyrollidone,NMP、スルホランSulfolane、ジメチルスルホキシドDimethylsulfoxide,DMSO、ジメチルアセトアミドDimethylacetamide,DMAC及びモノメチルホルムアミドMonomethylformamideからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。一具体例で、a1級アルカノールアミン1~20重量;bアルコール10~60重量;及びc極性有機溶剤5~70重量;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。他の具体例で、上記1級アルカノールアミンは、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanolであることを特徴とするLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物を提供する。もう一つの具体例で、上記アルコールは、エチレングリコールEthyleneGlycol、1-ヘキサノール1Hexanol、オクタノールOctanol、1-ヘプタノール1Heptanol、1-デカノール1Decanol、2-ヘプタノール2Heptanol及びテトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholからなる群から選ばれた1種以上であることを特徴とするLCD用フォトレジスト剥離液組成を提供する。以下、本発明を詳細に説明する。本発明において、本発明によるフォトレジスト剥離液の構成要素は、メルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として0.01~3重量使用する。腐食防止剤の重量比が低すぎる場合は、金属配線膜に対する腐食防止効果がほとんど現れず、特に、腐食防止剤の含有量が低い場合、水の量が減るほど腐食防止効果の減少が著しい。腐食防止剤の重量比が高すぎる場合は、フォトレジスト剥離能力が弱くなる。本発明による組成物において腐食防止剤を3重量使用する場合、腐食防止及び剥離能力に異常がないことを確認した。尚、腐食防止剤は高価なため、必要以上の量を投入する必要はない。また、LCDパターン成分要素であるMo、Al及びCuなどの腐食防止能力を一層向上させるために、その他の腐食防止剤を添加できる。そして、pH1110水溶液基準以上である1,2級アルカノールアミン例:モノエタノールアミンMonoethanolamineMEA、モノイソプロパノールアミンMonoisopropanolamineMIPA、2-メチルアミノエタノール2Methylaminoethanol2MAE、ジエチルエタノールアミンDiethylethanolamine、DEEOA及びMDEA,MDMA,DEEOA混合液の含有量は、1~20重量でありうる。水の含有量は0.1~50重量、アルコール例;エチレングリコールEthyleneGlycolEG沸点:1977°Cの含有量は10~60重量でありうる。極性有機溶剤としては、N-メチルピロリドンNmethylpyrollidoneNMP、ジメチルスルホキシドDimethylsulfoxideDMSO、ジメチルアセトアミドDimethylacetamideDMAC及びN-メチルホルムアミドNMethylformamideNMF等を5~50重量単独又は混合使用することができる。また、剥離後における洗浄力の向上のために、グリコール類は、ジエチレングリコールモノエチルエーテルDiethyleneglycolmonoethyletherEDG、ジエチレングリコールモノブチルエーテルDiethyleneglycolmonobutylether、BDG、トリエチレングリコールエーテルTriethyleneglycoletherTEG等を20~60単独又は混合使用することができる。重量比は5~50重量が適当で、少なすぎる場合は硬化したフォトレジストを十分に溶解できず、逆に多すぎる場合は価格が高くなるという短所がある。剥離液に対する、pH11以上で沸点が150°C以上である1級アルカノールアミンの重量比は1~20重量が適当で、1重量未満である場合は、変性フォトレジスト剥離力に問題が生じ、工程進行に伴う損失により剥離力に問題が生じる。20重量超過の場合は、腐食防止剤が相対的に追加投入されなければならず、金属配線膜が腐食する恐れがあり、製造コストの上昇を招く。水の含有量は0.1~50重量、アルコール沸点:150°C以上、例;エチレングリコールEthyleneGlycolEG沸点:1977°C、テトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholTHFA沸点:178°Cなどの含有量は10~60重量が適当で、比率が少なすぎる場合、Cu配線膜の腐食防止能力が低下する恐れがある。また、水の比率が高すぎる場合、Al金属配線が腐食する恐れがあり、フォトレジスト剥離効果が低下する。アルコールを添加しない場合、腐食防止及び剥離能力には影響を与えないが、剥離工程進行時、工程温度40°C以上と装備内の排気圧により水が揮発されて剥離液の寿命が短縮される。従って、LCDフォトレジスト剥離工程進行時、剥離液の使用時間に応じて適当量のアルコールを混合して使用すればよい。本発明によるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含む水系である。水を含む水系剥離液は、有機系剥離液に比べてアミンの塩基度が一層活性化される。従って、フラットパネルディスプレイの製造工程において、乾式エッチング、インプラント及びハードベーク工程進行後に残っている変性フォトレジストに対する除去能力が、一般的に使用されている有機系LCD用剥離液に比べて、低い工程温度を適用しても遥かに優れている。低い工程温度の適用は、フラットパネルディスプレイの製造原価節減を可能にする。また、本発明による剥離液組成物は、最適の腐食防止剤を用いていることからアルミニウム配線と銅配線のどちらにも適用可能であり、有機膜及びCOA工程に導入できる。また、グリコール類を一つ又は二つ以上混合してフォトレジストの剥離を効果的に補助できる。グリコール類は、溶解されたフォトレジストを剥離剤に広く行き渡らせる役割を果たして、迅速な除去に有用である。上述のグリコールの場合、構造がROHであり、ここで‘Rは、線状炭化水素、分岐炭化水素及び環状炭化水素のうちの何れか一つを示す。更に具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテルDiethyleneglycolmonomethyletherMDG、ジエチレングリコールモノエチルエーテルDiethyleneglycolmonoethyletherEDG、ジエチレングリコールモノブチルエーテルDiethyleneglycolmonobutyletherBDG及びトリエチレングリコールエーテルTriethyleneglycoletherTEG等を使用することができる。全体組成に対するグリコール類の重量比は10~70重量が適当で、上述のROHに該当するもののうち一つ又は二つ以上を混合して使用することができる。一方、1級の強塩基性アルカノールアミンでも立体障害のある2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanol以下AMPというは、水なしでアルコール類だけ添加した有機系組成において腐食防止剤を使用せずに、変性されたフォトレジストを完全に剥離すると共に、Al及びCu配線の腐食を防止できる。AMPは、1級アミンであるため、水とは下記反応式1によりOH-を生成して金属配線膜を腐食させる。水がない場合、アミンと金属との腐食反応は下記反応式2の通りである。この時、AMPは、1級アミンではあるが、下記反応式2のRグループが非常に大きいことから立体障害が生じて腐食反応を抑制する。一方、AMPは、1級の強塩基性アミンであるため、変性されたフォトレジストの剥離に有利である。1水溶液状態におけるアミンと銅との腐食反応RNH2H2O→RNH3OHCu22OH→Cu2Cu24RNH3→Cu42有機溶液状態におけるアミンと銅との腐食反応Cu24RNH2→Cu42よって、本発明は、TFT-LCDフォトレジスト剥離工程時、銅及びアルミニウム配線に対し、水が含まれているにもかかわらず腐食防止及び剥離能力に卓越し、工程進行後の変性フォトレジストに対する除去能力にも優れ、既存発明の長所を維持したまま短所は克服したフォトレジスト剥離組成物を提供できる。本発明によるフォトレジスト剥離剤は、半導体又はフラットパネルディスプレイの製造工程において、工程進行後の変性フォトレジストに対する除去能力に優れ、アルミニウム配線と銅配線のどちらにも適用可能であり、有機膜及びCOA工程に導入でき、沸点が150°C以上のアルコール類及び水と混合して使用すれば、腐食防止能力が向上し使用時間を増大させることができる。以下、本発明を下記実施例により詳しく説明する。但し、下記実施例は、本発明を例示するだけであって、本発明の内容を限定するものではない。実施例1本発明によるフォトレジスト剥離液組成物の性能を評価するための変性フォトレジスト剥離能力及び腐食防止能力試験は、次のような方法で行なった。剥離液組成物は、腐食防止剤として2-メルカプトベンズイミダゾールを1重量含有し、アミン、水など残りの具体的な構成成分及びその組成重量は、下記表1の通りである。フォトレジストが除去されていないAl金属膜配線ガラス基板をオーブンにて160°Cの温度で10分間熱処理して製作した。上記製造された剥離液組成物を50°Cに維持しながら、上記製作された基板を剥離液組成物に30秒間浸漬させ、変性されたフォトレジストの除去程度を評価した。また、剥離液組成物を50°Cに維持しながら、Cu金属膜配線ガラス基板を剥離液組成物に10分間浸漬させ、Cu配線膜の腐食有無を評価した。評価基準は、アセトンに10分間浸漬させたCu金属膜配線ガラス基板を対照群として使用した表1。上記実験の結果値は、次のような記号で表1に示した。Al配線の変性フォトレジストPR剥離能力◎:変性されたフォトレジストが完全除去された△:変性されたフォトレジストが痕跡量残っているX:変性されたフォトレジストが1/3以上残っているCu配線の腐食程度◎:対照群基板と腐食程度が同一○:対照群基板と対比して膜厚は同一であるが表面に微弱の腐食が発生△:対照群基板と対比して膜厚が減少し表面に腐食が発生X:Cu配線膜が腐食されて膜厚が1/2以上減少したMEA:モノエタノールアミンMonoethanolamineMIPA:モノイソプロパノールアミンMonoisopropanolamineDIPA:ジイソプロパノールアミンDiisopropanolamineTIPA:トリイソプロパノールアミンTriisopropanolamineAMP:2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール2amino2methyl1propanol2MAE:2-メチルアミノエタノール2ethanolMDEOA:メチルジエタノールアミンMethyldiethanolamineDEEOA:ジエチルエタノールアミンDiethylethanolamineAEEOA:アミノエチルエタノールアミンAminoethylethanolamine3APN:3-アミノプロパノールアミン3AminopropanolamineMDEA:メチルジエタノールアミンMethyldiethanolamineMDMA:メチルジメタノールアミンMethyldimethanolamineEG:エチレングリコールEthyleneGlycolEDG:ジエチレングリコールモノエチルエーテルDiethyleneglycolmonoethyletherNMP:N-メチルピロリドンNmethylpyrrolidoneTHFA:テトラヒドロフルフリルアルコールTetrahydrofurfurylalcoholMBI:2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazole表1のように、腐食防止剤として2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazoleを含んだ本発明の組成物条件において、変性PR剥離能力とCu配線腐食防止能力を共に満たす組成が得られる。比較例1腐食防止剤MBI、2-メルカプトベンズイミダゾールを含まないという点を除いては、実施例1と同一の方法で実験を行なった。その結果は表2の通りであり、表2に記載された略語は上述した通りである。表2の通り、水系フォトレジストにおいて1級アルカノールアミン及び水を使用しながらCu腐食防止剤を添加しない条件では、変性フォトレジスト剥離能力が落ちるか、又はCu配線腐食防止能力が顕著に減少した。実施例2Cu腐食防止剤の種類又はアルコールの含有量だけを下記表3の通り異にすることを除いては、実施例1と同一の方法で実験を行なった。その結果は、表3の通りである。BIMD:ベンズイミダゾールBenzimidazoleIMD:イミダゾールImidazole4MIMD:4-メチルイミダゾール4methylimidazoleBTA:ベンゾトリアゾールBenzotriazoleTTA:テトラゾールTetrazoleMBI:2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazole25DTA:2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジゾール25Dimercapto134thiadizoleMBT:2-メルカプトベンゾチアゾール2Mercaptobenzothiazole表3の結果から分かるように、メルカプト基が含まれていない化合物を腐食防止剤として使用した場合は、配線が腐食されたり、工程後に腐食防止剤が残留するといった問題点が発生したが、2-メルカプトベンズイミダゾール2Mercaptobenzimidazole、2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジゾール及び2-メルカプトベンゾチアゾール2Mercaptobenzothiazoleのようなメルカプト基が含まれているアゾール系化合物を腐食防止剤として使用した場合は、配線の腐食がほぼ完全に防止され、残留する腐食防止剤も全くないことが確認できた。実施例31級アミンとして、立体障害のあるAMP2-アミノ-2-メチル-1-プロパノールを用いて上記実施例1と同様の方法で実験を行なった。その結果は表4の通りである。表4の結果の通り、AMPは、水及び腐食防止剤を添加した場合だけでなく、水なしでアルコール類だけを添加した有機系組成において金属配線膜腐食剤を使用しない場合も、変性されたフォトレジストを完全に剥離すると共に、Al及びCu配線の腐食を効果的に防止できることが確認された。以上の実験結果の通り、水系フォトレジスト剥離剤の製造時、強塩基である1級エタノールアミンとメルカプト基とが含まれているアゾール系化合物を腐食防止剤として用いれば、著しく変性されたフォトレジストの完全剥離と銅配線の腐食防止が両方可能である。また、立体障害のある1級アルカノールアミンであるAMPは、水が含まれていない有機系組成で用いられるとき、腐食防止剤なしでも銅配線が腐食されなかった。以上、例示的な実施様態を参照しながら本発明について記述したが、本発明の属する技術分野の当業者であれば、本発明の範ちゅうを逸脱することなく多様な変化を実施しその要素を等価物で代替することが可能であることを理解できるであろう。また、本発明の本質的な範ちゅうを逸脱することなく多様な変形を実施して特定の状況及び材料を本発明の教示内容に採用することが可能である。従って、本発明が、本発明の実施にあたって計画された最上の様式として開示された特定の実施様態に極限されるのではなく、本発明の特許請求範囲に属する実施様態全てを含むものと解釈されなければならない。"