有機カルボン酸、有機カルボン酸塩、フォスフィン酸、フォスフィン酸塩、ジメチルアミノボランの群の中から選ばれる添加剤と、銅粒子と、バインダーとを含有する導電性ペーストを基材に印刷した後に加熱加圧することを特徴とする導体パターンの形成方法。前記添加剤が樹脂粒子に封入されてマイクロカプセルとして含有されていることを特徴とする請求項1に記載の導体パターンの形成方法。前記樹脂粒子が、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂及びポリエステル系樹脂の群の中から選ばれるもので形成されていることを特徴とする請求項2に記載の導体パターンの形成方法。銅粒子の平均粒径が0.001~10μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の導体パターンの形成方法。加熱加圧時に加湿処理することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の導体パターンの形成方法。有機カルボン酸、有機カルボン酸塩、フォスフィン酸、フォスフィン酸塩、ジメチルアミノボランの群の中から選ばれる添加剤と、銅粒子と、バインダーとを含有する導電性ペーストを基材に印刷した後に加熱加圧することによって形成されていることを特徴とする導体パターン。しかし、マイグレーションの発生を抑制することができても、銅粒子は、銀粒子に比べて酸化されやすいので、このような導電性ペーストを用いて形成された導体パターンの抵抗値が高くなるという問題がある。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、マイグレーションが発生しにくく、抵抗値の低い導体パターンを無駄なく安価に形成することができる導体パターンの形成方法及び導体パターンを提供することを目的とするものである。本発明に係る導体パターンの形成方法は、有機カルボン酸、有機カルボン酸塩、フォスフィン酸、フォスフィン酸塩、ジメチルアミノボランの群の中から選ばれる添加剤と、銅粒子と、バインダーとを含有する導電性ペーストを基材に印刷した後に加熱加圧することを特徴とするものである。前記導体パターンの形成方法において、前記添加剤が樹脂粒子に封入されてマイクロカプセルとして含有されていることが好ましい。前記導体パターンの形成方法において、前記樹脂粒子が、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂及びポリエステル系樹脂の群の中から選ばれるもので形成されていることが好ましい。前記導体パターンの形成方法において、銅粒子の平均粒径が0.001~10μmであることが好ましい。前記導体パターンの形成方法において、加熱加圧時に加湿処理することが好ましい。本発明に係る導体パターンは、有機カルボン酸、有機カルボン酸塩、フォスフィン酸、フォスフィン酸塩、ジメチルアミノボランの群の中から選ばれる添加剤と、銅粒子と、バインダーとを含有する導電性ペーストを基材に印刷した後に加熱加圧することによって形成されていることを特徴とするものである。本発明によれば、マイグレーションが発生しにくく、抵抗値の低い導体パターンを無駄なく安価に形成することができるものである。しかも本発明に係る方法により形成された導体パターンであれば、導体幅が50μm以下のような非常に微細な配線が可能であるため、例えば、このような導体パターンを自動車やビルディング等の窓ガラスに形成して、アンテナのように使用することが可能である。この場合、導体パターンが形成された基材が透明であり、その配線が細いため、基材を透して違和感無く外の景色を見ることができるものである。以下、本発明の実施の形態を説明する。図1は本発明に係る導体パターンの形成方法の一例を示すものである。導体パターン6は、導電性ペースト4を基材5に印刷した後に加熱加圧することによって形成することができる。図1aは加熱加圧する前の状態を示し、図1bは加熱加圧した後の状態、つまり導体パターン6が形成された導電性基材10を示す。この導電性基材10は、基材5と、受容層9と、導体パターン6とを備えて形成されているが、受容層9は備えていなくてもよい。基材5としては、絶縁性のあるものであれば特に限定されるものではないが、光学分野での用途に利用する場合には、少なくとも可視光領域で透明性を有するものが好ましい。具体的には、基材5としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETフィルムのほか、ポリメタクリル酸メチルに代表されるアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、JSR株式会社製の商品名アートンに代表されるノルボルネン系樹脂、東ソー株式会社製の品番TI-160に代表されるオレフィンマレイミド樹脂等にて形成される有機樹脂基体や、ガラスにて形成されるガラス基体、特開平08-148829号公報に記載されているエポキシ樹脂基材等のような、シート状あるいは板状のもの等を用いることができる。また基材5の厚さは、1μm~20mmであることが好ましく、10μm~1mmであることがより好ましく、25μm~200μmであることが最も好ましい。また受容層9は、必要に応じて基材5の表面に設けられるものである。光学分野での用途に利用する場合には、受容層9は、少なくとも可視光領域で透明性を有するものであることが好ましい。受容層9は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は電子線硬化性樹脂、及び必要に応じて溶媒を配合して受容層形成用溶液を調製し、この溶液を基材5の表面に塗布してこれを加熱乾燥させたり電子線を照射したりすることによって形成することができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は電子線硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、これらの樹脂の誘導体、カルボキシメチルセルロース、アセチルセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体等を用いることができる。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールIPA、メチルエチルケトンMEK、メチルイソブチルケトンMIBK、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、キシレン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1-2-メトキシ-2-メチルエトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及び水等をそれぞれ単独で用いたり、任意の割合で混合した混合溶媒として用いたりすることができる。また受容層9の厚さは、0.1~300μmであることが好ましく、0.5~50μmであることがより好ましい。受容層9の厚さが0.1μm以上であることによって、導体パターン6を容易に受容層9にめり込ませることができるものである。導電性ペースト4としては、銅粒子2と、添加剤1と、バインダー3とを含有するものを用いる。銅粒子2の含有量は、導電性ペースト4全量に対して、10.0~99.9質量であることが好ましく、50.0~99.9質量であることがより好ましく、60.0~98.0質量であることが最も好ましい。銅粒子2の平均粒径D50は、0.001~10μmであることが好ましく、0.001~1.5nmであることがより好ましい。ここで、銅粒子2の平均粒径D50とは、レーザ回折法等により測定された銅粒子2の粒径分布において、累積質量が50となる粒径を意味する。銅粒子2の平均粒径D50が0.001μm以上であることによって、導電性ペースト4の調製時に粘度が増加することが抑制され、容易に印刷に使用することができる。逆に、銅粒子2の平均粒径D50が10μm以下であることによって、導体パターン6の抵抗値が低くなり導電性を高めることができると共に微細な導体パターン6を形成することが容易となる。また銅粒子2は、主成分が60質量以上実質的な上限は100質量の銅であることが好ましく、残り40質量以下にニッケルや錫等が含有されていてもよい。特に銅粒子2中にニッケルが含有されていると防錆効果が向上するものである。また添加剤1としては、有機カルボン酸、有機カルボン酸塩、フォスフィン酸、フォスフィン酸塩、ジメチルアミノボランの群の中から選ばれるものを用いる。このような添加剤1は、銅粒子2の表面の酸化膜を除去して、銅粒子2が酸化することを抑制することができるものである。特に、有機カルボン酸としては、アジピン酸、グルタル酸、吉草酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸等を用いることが好ましく、有機カルボン酸塩としては、アジピン酸ナトリウム、グルタル酸ナトリウム等を用いることが好ましく、フォスフィン酸塩としては、フォスフィン酸ナトリウム等を用いることが好ましい。これらは2種以上を組み合わせて添加してもよい。また添加剤1は、図2に示すように樹脂粒子7の微小な容器殻に封入されてマイクロカプセル8として含有されていてもよい。この場合、加熱加圧時における圧縮力等の外力によってマイクロカプセル8の容器である樹脂粒子7が割れることによって内部の添加剤1が外部に漏れ出し、この漏れ出した添加剤1が、銅粒子2の表面の酸化膜を除去して、銅粒子2が酸化することを抑制することができるものである。このような添加剤1のマイクロカプセル化は、ジメチルアミンボランのような分解しやすい還元剤や有機酸を使用する場合に分解しにくくなるため、特に有効である。ここで、樹脂粒子7は、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂及びポリエステル系樹脂の群の中から選ばれるもので形成されていることが好ましい。これらの樹脂は比較的融点が低く、溶剤にも溶けやすいので、マイクロカプセル8を形成しやすい。なお、マイクロカプセルの平均粒径D50は、0.05~5.0μmであることが好ましい。またバインダー3としては、好ましくはガラス転移温度Tgが-10~250°Cであるもの、より好ましくは0~200°Cであるものを用いる。バインダー3のガラス転移温度Tgが-10°C以上であることによって、容易にペースト状にすることができるものである。また、バインダー3のガラス転移温度Tgが250°C以下であることによって、導電性ペースト4が流動しやすくなり、後述するような溶媒にも溶解しやすくなるものである。具体的にはバインダー3としては、例えば、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等や、これらの樹脂で-COC-骨格、-COO-骨格等を有する誘導体、カルボキシメチルセルロース、アセチルセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体等を用いることができる。そして、導電性ペースト4は、上記のような銅粒子2、添加剤1及びバインダー3を配合して調製することができるが、さらにシリコン系表面調整剤や溶媒等を配合してもよい。シリコン系表面調整剤としては、例えば、ビックケミージャパン株式会社製BYK333シリコンオイル等を用いることができ、この含有量は、導電性ペースト4全量に対して、0~10質量であることが好ましい。また溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールIPA、メチルエチルケトンMEK、メチルイソブチルケトンMIBK、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、キシレン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1-2-メトキシ-2-メチルエトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及び水等をそれぞれ単独で用いたり、任意の割合で混合した混合溶媒として用いたりすることができる。そして、導電性基材10は、次のようにして製造することができる。以下では受容層9を形成する場合について説明するが、受容層9は形成しなくてもよい。まず、図1aに示すように基材5の表面に受容層9を形成した後、この受容層9の表面に導電性ペースト4を所定形状に印刷する。ここで、基材5の受容層9に印刷する形状としては、例えば、図3のような格子状又は網目状メッシュ状等を挙げることができる。導体幅L/導体ピッチPは例えば0.1~50μm/10~10000μmである。導体幅が30μm以下である微細な導体パターン6を形成する場合には、あらかじめ導電性ペースト4は、その幅が25~30μmとなるように印刷しておくことが好ましい。このように導電性ペースト4の幅を30μm以下にしておくのは、加熱加圧により幅が若干広くなる場合があるからである。バインダーのガラス転移温度Tgよりも高い温度で加熱加圧する場合には、印刷された導電性ペースト4の幅が広がりにくくなるので、あらかじめ最大30μmの幅で導電性ペースト4を印刷しておくことができる。また、印刷された導電性ペースト4の厚さは0.01~30μmであることが好ましい。また印刷方法としては、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等を使用することができる。その後、基材5の受容層9の表面に印刷された導電性ペースト4を50~150°C、0.1~180分の条件で加熱して乾燥させる。次に加熱加圧装置図示省略を用い、図1bに示すように導電性ペースト4を加熱加圧すると共に受容層9にめり込ませることによって導体パターン6が形成され、導電性基材10を製造することができる。ここで、加熱加圧装置としては、近接離間し、対向面が平坦に形成された一対の熱盤を備えたものを用いることができる。なお、図1bでは導体パターン6の全部が受容層9にめり込んでいるが、導体パターン6の少なくとも一部が受容層9にめり込んでいれば、導体パターン6の受容層9に対する密着性を高く得ることができるものである。上記のように導体パターン6を形成する場合、加熱加圧する前は図1aに示すように、印刷された導電性ペースト4中において、銅粒子2と添加剤1との間や銅粒子2同士の間にはバインダー3が存在している。しかし、加熱加圧した後は図1bに示すように、導電性ペースト4が圧縮され、銅粒子2と添加剤1との間に存在するバインダー3が押し出されて排除される。これにより銅粒子2と添加剤1との距離が縮まってこの両者が接触する。このとき添加剤1が銅粒子2の表面の酸化膜を除去する。図1bでは添加剤1が銅粒子2に作用している様子を矢印で示している。さらに導電性ペースト4の圧縮により、銅粒子2同士の間に存在するバインダー3も押し出されて排除される。そして、酸化膜が除去された銅粒子2同士の距離が縮まり、この両者の接触面積が増加する。このように、酸化されやすい銅粒子2が導電性ペースト4に含有されていても、添加剤1の作用で銅粒子2の酸化膜が除去され、これらの銅粒子2同士が近接することによって、導体パターン6の抵抗値が低くなり、導電性が高くなるものである。なお、加熱加圧の条件は、温度50~150°C、圧力0.01~200kgf/cm20.98kPa~19.6MPa、時間0.1~180分間であることが好ましい。また、添加剤1がマイクロカプセル8として含有された導電性ペースト4を用いて導体パターン6を形成する場合、加熱加圧する前は図2aに示すように、印刷された導電性ペースト4中において、銅粒子2とマイクロカプセル8との間や銅粒子2同士の間にはバインダー3が存在している。しかし、加熱加圧した後は図2bに示すように、導電性ペースト4が圧縮され、銅粒子2とマイクロカプセル8との間に存在するバインダー3が押し出されて排除される。これにより銅粒子2とマイクロカプセル8との距離が縮まってこの両者が圧接すると、マイクロカプセル8の樹脂粒子7が割れる。このとき樹脂粒子7の内部から添加剤1が漏れ出し、銅粒子2の表面の酸化膜を除去する。図2bでは樹脂粒子7から漏れ出した添加剤1が銅粒子2に作用している様子を矢印で示している。さらに導電性ペースト4の圧縮により銅粒子2同士の間に存在するバインダー3も押し出されて排除される。そして、酸化膜が除去された銅粒子2同士の距離が縮まり、この両者の接触面積が増加する。このように、酸化されやすい銅粒子2が導電性ペースト4に含有されていても、添加剤1の作用で銅粒子2の酸化膜が除去され、これらの銅粒子2同士が近接することによって、導体パターン6の抵抗値が低くなり、導電性が高くなるものである。なお、加熱加圧の条件は、上記と同様である。また、図1及び図2に示すような導体パターンの形成方法によれば、導電性ペースト4には銀粒子が含有されていないので、形成された導体パターン6に大電流を流しても、マイグレーションが発生しにくいものである。さらに本発明では、廃棄物の量や工程数が多くなるフォトリソグラフィーではなく、印刷を利用しているので、導体パターン6を無駄なく安価に形成することができるものである。また、導体パターン6を形成するにあたって、加熱加圧時に加湿処理することも好ましい。この処理は、基材5の受容層9の表面に印刷された導電性ペースト4を加熱して乾燥させた後にオートクレーブを用いて行うことができる。このように加湿処理することによって、導体パターン6の抵抗値がさらに低くなり、導電性がさらに高くなるものである。ここで、加熱加圧時の加湿処理の条件は、温度50~150°C、圧力0.01~200kgf/cm20.98kPa~19.6MPa、湿度60~100RH、時間0.1~180分間であることが好ましい。以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。実施例1銅粒子2として、平均粒径D50が1.2μmのものを用いた。また添加剤1として、フォスフィン酸ナトリウムを用いた。またバインダー3として、EASTMAN製セルロースアセテートブチレートCAB-551-0.2ガラス転移温度Tg101°Cを用いた。そして、導電性ペースト4は、上記の銅粒子2を8g、上記の添加剤1を2.0g、上記のバインダーを0.5g、メチルイソブチルケトンMIBKを1.8mL配合することによって調製した。次に、基材5として、PETフィルムである東洋紡績株式会社製コスモシャインA4300厚さ100μmを用い、この基材5の表面5mm×30mmの領域に上記の導電性ペースト4を図3のように格子状又は網目状に印刷した。このときの導体幅L/導体ピッチPは25μm/300μmである。その後、基材5の表面に印刷された導電性ペースト4を120°C、30分の条件で加熱して乾燥させた。次に、導電性ペースト4が印刷された基材5を加熱加圧装置を用いて、115°C、2.54kgf/cm2249kPa、50分間の条件で加熱加圧することによって、導体パターン6を形成した。そして、導体パターン4の抵抗値を測定すると共にこの導体パターン6の体積を求めて算出したところ、表面抵抗は2.1Ω/□であり、比抵抗は5.3×10-4Ωcmであった。実施例2添加剤1として、特開2004-018557号公報に記載の方法により、ジメチルアミンボランがポリスチレンの樹脂粒子に封入されて形成されたマイクロカプセル平均粒径D503.0μmを用いるようにした以外は、実施例1と同様にして、導体パターン6を形成した。そして、実施例1と同様に算出したところ、表面抵抗は1.8Ω/□であり、比抵抗は3.1×10-4Ωcmであった。実施例3実施例1において、加熱加圧装置の代わりにオートクレーブを用いて、導電性ペースト4が印刷された基材5を115°C、湿度100RH、1.05kgf/cm20.10MPa、1時間の条件で加熱加圧時に加湿処理することによって、導体パターン6を形成した。そして、実施例1と同様に算出したところ、表面抵抗は1.9Ω/□であり、比抵抗は3.9×10-4Ωcmであった。実施例4添加剤1として、アジピン酸1.8gを用いるようにした以外は、実施例1と同様にして、導体パターン6を形成した。そして、実施例1と同様に算出したところ、表面抵抗は2.1Ω/□であり、比抵抗は7.1×10-4Ωcmであった。実施例5添加剤1として、アジピン酸0.9g及びグルタル酸0.9gを用いると共に、銅粒子2として、平均粒径D50が1.25μmであり、90質量の銅に10質量のニッケルがメッキされて含有されているものを用いるようにした以外は、実施例1と同様にして、導体パターン6を形成した。そして、実施例1と同様に算出したところ、表面抵抗は1.8Ω/□であり、比抵抗は3.0×10-4Ωcmであった。比較例1添加剤1を用いないようにした以外は、実施例1と同様にして、導体パターン6を形成した。そして、実施例1と同様に算出しようとしたが、過負荷オーバーロードとなり、表面抵抗も比抵抗も測定することができなかった。