半導体材料製造設備の化学気相成長装置であって:底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバ、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層と、このニッケル層の上に配置される金の層とからなる放射シールドを有し、ベルジャーは、導管入口と導管出口を有する冷却用導管をさらに含んでいて、ここで、冷却用導管は放射シールドと熱伝達するようになっている;および第一の熱作用側において冷却用導管に流体的に接続されていて、またさらに、第二の熱作用側において半導体材料製造設備の少なくとも一つのユニット操作に流体的に接続されている熱交換器;を有する、前記化学気相成長装置。放射シールドは約5未満の輻射率を有する、請求項1に記載の化学気相成長装置。熱交換器は、本質的に水からなる冷却液を介して放射シールドと熱的に接続されている、請求項1に記載の化学気相成長装置。冷却用導管の導管出口に流体的に接続されている入口と熱交換器の入口に流体的に接続されている蒸気出口とを有するフラッシュドラムをさらに含む、請求項1に記載の化学気相成長装置。熱交換器は、フラッシュドラムの上流に流体的に接続されている熱交換器出口を有する、請求項4に記載の化学気相成長装置。フラッシュドラムは、冷却用導管の導管入口の上流に流体的に接続されている凝縮液出口を有する、請求項5に記載の化学気相成長装置。熱交換器から下流に流体的に接続されているとともに冷却用導管の導管入口の上流に流体的に接続されているクーラーをさらに有する、請求項6に記載の化学気相成長装置。反応チャンバの反応体入口に流体的に接続可能な、少なくとも1種の多結晶シリコン先駆物質の化合物の供給源をさらに有する、請求項1に記載の化学気相成長装置。半導体製造設備において半導体材料を製作することを容易にする方法であって:底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバを含む化学気相成長装置を用意すること、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層とこのニッケル層の上に配置される金の層とを伴う放射シールドを有し、ベルジャーはさらに、導管入口と導管出口を含む冷却用導管を有する;および冷却用導管を熱交換器に第一の熱作用側において流体的に接続すること、ここで、熱交換器は第二の熱作用側において半導体製造設備の少なくとも一つのユニット操作に流体的に接続されている;を含む、前記方法。冷却用導管を熱交換器に流体的に接続することは、熱交換器の第一の熱作用側をフラッシュドラムに接続することと、フラッシュドラムを冷却用導管に接続することを含む、請求項9に記載の方法。冷却装置を冷却用導管およびフラッシュドラムに接続することをさらに含む、請求項10に記載の方法。底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバを含む化学気相成長装置であって、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層とこのニッケル層の上に配置される金の層からなる放射シールドを有し、ベルジャーはさらに、導管入口と導管出口を有する冷却用導管を含み、ここで、冷却用導管は放射シールドと熱伝達するようになっている、前記化学気相成長装置。半導体製造設備の化学気相成長装置において半導体材料を製作する方法であって、化学気相成長装置は、上に放射シールドを有するベルジャーによって少なくとも一部が画定された反応チャンバを有し、放射シールドはベルジャーの内面上に配置されたニッケル層とこのニッケル層の上に配置された金の層からなり、半導体材料を製作する方法は:先駆物質反応体を反応チャンバの中に導入すること;反応チャンバの中で先駆物質反応体の少なくとも一部の半導体材料への転化が促進されるのに十分な温度までフィラメントを加熱すること;および反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を半導体製造設備のプロセス流体へ移動させること;を含む、前記方法。半導体材料は多結晶シリコンである、請求項13に記載の方法。反応チャンバから熱エネルギーを回収することをさらに含む、請求項13に記載の方法。反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、冷却液への熱伝達を促進することによって、放射シールドの温度を約200°Cから約300°Cまでの範囲に維持することを含む、請求項15に記載の方法。反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、放射シールドの温度を約200°Cから約250°Cまでの範囲に維持するのに十分なほどに冷却液への熱伝達を促進することを含む、請求項16に記載の方法。反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、放射シールドと熱伝達する冷却用導管を通して水を循環させることを含み、そして反応チャンバから回収した熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、水の少なくとも一部をフラッシュ蒸発器においてフラッシュ蒸気に蒸発させることと、そのフラッシュ蒸気でプロセス流体を加熱することを含む、請求項15に記載の方法。反応チャンバから熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、冷却液の少なくとも一部を蒸発させること、蒸発した冷却液の少なくとも一部を熱交換器へ移動させること、および熱交換器の中の蒸発した冷却液の少なくとも一部を凝縮させることを含む、請求項13に記載の方法。回収した熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、半導体製造設備の再沸器においてプロセス流体を加熱することを含む、請求項13に記載の方法。化学気相成長装置の反応チャンバ内で多結晶シリコンを製造する方法であって、製造される多結晶シリコンの1Kg当り50KWhr未満の正味の反応チャンバ電力消費率において、シリコン先駆物質反応体の多結晶シリコンへの転化を促進することを含み、ここで、反応チャンバは、上に放射シールドを有するベルジャーによって少なくとも一部が画定されていて、その放射シールドは、ベルジャーの内面上に配置されたニッケル層と、そのニッケル層の上に配置されていて5未満の輻射率を有する金の層からなる、前記方法。熱エネルギーを反応チャンバから多結晶シリコンの設備の熱交換器へ移動させることをさらに含む、請求項21に記載の方法。反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を受け入れるように配置された冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することをさらに含む、請求項22に記載の方法。冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、反応チャンバと熱交換器の間の熱伝達を与える冷却用導管を通って流れる冷却液の流量を調節することを含む、請求項23に記載の方法。冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、多結晶シリコンを製造する間、金の層を約200°Cから約300°Cまでの範囲の最大温度に維持することを含む、請求項23に記載の方法。本発明の一つ以上の態様は、エネルギー回収操作を提供するか、またはそれを容易にすることができる。本発明の一つ以上の態様は、好ましくは、半導体の処理加工操作の際のエネルギー消費量の低減をもたらすか、またはそれを容易にすることができる。本発明の一つ以上のさらなる態様は、半導体材料を製造する際に半導体の処理加工設備の一つ以上の構成要素を従来の温度よりも高い温度で操作することを提供するか、またはそれを容易にすることができる。本発明の幾つかの態様は、製造される多結晶シリコンの1Kg当り50KWhr未満の正味の反応チャンバ電力消費率において、シリコン先駆物質反応体の多結晶シリコンへの転化を促進することによって、化学気相成長装置の反応チャンバ内で多結晶シリコンを製造することを容易にすることができる。反応チャンバは、上に放射シールドを有するベルジャーによって少なくとも一部が画定されていてもよく、その放射シールドは例えば、ベルジャーの内面上に配置されたニッケルを含む中間層と、その中間層の上に配置された金の層を含みうる反射層からなる。好ましくは、反射層は5未満の輻射率を有し、より好ましくは、反射層は約1未満の輻射率を有する。多結晶シリコンを製造することは、熱エネルギーを反応チャンバから多結晶シリコンの設備の熱交換器へ移動させることをさらに含んでいてもよい。本発明の幾つかの構成において、多結晶シリコンを製造する方法は、反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を受け入れるように配置された冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することをさらに含んでいてもよい。幾つかの場合において、冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、反応チャンバと熱交換器の間の熱伝達を与える冷却用導管を通って流れる冷却液の流量を調節することを含んでいてもよい。多結晶シリコンを製造する方法を対象とする本発明の他の態様によれば、冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、多結晶シリコンを製造する間、金の層を約200°Cから約300°Cまでの範囲の最大温度に維持することを含んでいてもよい。本発明の一つ以上の特定の態様は、半導体材料を製造するための製造装置を対象とすることができる。図1と図2に概略的に示すように、本発明の一つ以上の構成は、半導体製品102を製造するための化学気相成長装置100を含む製造装置を対象とすることができる。化学気相成長装置100は、底板106とこの底板106に固定することのできるベルジャー108によって画定されているか、あるいはこれらを有する反応チャンバ104を含みうる。ベルジャー108は、典型的にはベルジャー108の内面114に配置される第一の層または中間層112と典型的には中間層112の上に配置される反射層116とからなる放射シールド110を有する。放射シールド110は、半導体製品102からの入射輻射線の少なくとも部分的な反射率をもたらす。放射シールド110は、半導体製品102からのベルジャー108への輻射熱移動を少なくとも部分的に低減させる。ベルジャー108は、一つ以上の冷却用導管118のような、一つ以上の熱伝達構造物をさらに有していてもよい。ベルジャー108は、任意の様々な等級のステンレス鋼合金またはその他のニッケル合金のような金属からなっていてもよい。冷却液または冷却流体のような熱伝達媒体を含む構成において、一つ以上の導管118は典型的に、少なくとも一つの導管入口120と少なくとも一つの導管出口122を有する。出口122は、一つ以上の冷却用導管118の一つ以上の流路を通して入口120に流体的に接続されている。一つ以上の冷却用導管118のうちの少なくとも一つは典型的に、放射シールド110と熱伝達されるようになっている。本発明の幾つかの態様に関連する幾つかの構成において、化学気相成長装置は少なくとも1種の多結晶シリコン先駆物質の化合物の一つ以上の供給源をさらに有していてもよく、その一つ以上の供給源の各々は、例えば一つ以上のチャンバの入口142を通して、反応チャンバの反応体入口に流体的に接続されているか、あるいは接続可能である。半導体を製作する間、一つ以上のフィラメント144は、典型的には一つ以上の電源146からの電気エネルギーによって、1種以上の先駆物質化合物の半導体材料製品102への転化が促進される温度まで加熱される。一つ以上の半導体製作反応からの未反応の先駆物質化合物と副生物は、少なくとも一つのチャンバの出口148を通ってチャンバ104から出ることができる。放射シールド110は典型的に約5未満の輻射率を有する。本発明の幾つかの側面に従う幾つかの態様において、一つ以上の熱交換器が、冷却用流体これは、幾つかの場合には本質的に水からなるを介して放射シールド110と熱的に接続されていてもよい。本発明の幾つかの構成において、装置は、一つ以上の冷却用導管118に第一の熱作用側で流体的に接続されている少なくとも一つの熱交換器123をさらに有していてもよい。本発明の特定の態様において、熱交換器123は、半導体製造設備の少なくとも一つのユニット操作に、第二の熱作用側で流体的に接続されていてもよい。本発明の幾つかの構成において、装置は一つ以上のフラッシュドラム124を有していてもよい。一つ以上のフラッシュドラム124の各々は、導管出口122に流体的に接続されている入口126を有していてもよい。一つ以上のフラッシュドラム124は、一つ以上の蒸気出口128をさらに有していてもよい。蒸気出口128は一つ以上の熱交換器123の熱交換器入口130に流体的に接続されていてもよく、またさらに他の構成においては、熱交換器123は、典型的には第二の入口134においてフラッシュドラムの上流に流体的に接続されている熱交換器出口132を有していてもよい。一つ以上のフラッシュドラム124は、冷却用導管118の導管入口120の上流に流体的に接続されている凝縮液出口136をさらに有していてもよい。本発明の幾つかのさらなる態様は、導管出口122を介して導管118に流体的に接続されているヒーター138のような熱交換器を有していてもよい。典型的に、熱交換器138は導管入口120の上流に流体的に接続されていてもよい。従って、本発明の幾つかの構成において、熱交換器138は導管118にループまたは流体流路において流体的に接続されていてもよい。装置はクーラー140のような一つ以上の冷却用のユニット操作をさらに有していてもよく、これは熱交換器138からの下流に流体的に接続されていてもよく、また幾つかの場合においては、冷却用導管の導管入口120の上流に流体的に接続されていてもよい。従って、本発明の幾つかの構成においては、熱交換器138と導管118を含むフローループの中にクーラー140を含んでいてもよい。本発明の一つ以上のさらなる態様は、半導体製造設備の化学気相成長装置において半導体材料を製作する方法を対象とすることができる。本発明の特定の適用において、半導体材料は多結晶シリコンとすることができる。半導体材料102を製作することは、少なくとも1種の先駆物質反応体を反応チャンバ104の中に導入すること、反応チャンバ104の中で少なくとも1種の先駆物質反応体の少なくとも一部の半導体材料102への転化が促進されるのに十分な温度までフィラメント144を加熱すること、および反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を半導体製造設備のプロセス流体へ移動させることを含んでいてもよい。半導体材料を製作する方法は、反応チャンバ104から熱エネルギーを回収することをさらに含んでいてもよい。反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、冷却液への熱伝達を促進することによって、放射シールド110の温度を約200°Cから約300°Cまでの範囲に維持することを含んでいてもよい。本発明の好ましい構成は、放射シールドの温度を約200°Cから約250°Cまでの範囲に維持するのに十分な量で、反応チャンバからの熱エネルギーを回収または移動させることを含んでいてもよい。本発明の特定の非限定的な態様によれば、反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、熱伝達媒体のような媒体を放射シールドと熱伝達する冷却用導管を通して循環させることによって行うことができる。熱伝達媒体は液体とすることができて、また本質的に水からなっていてもよい。反応チャンバから回収または移動された熱エネルギーの少なくとも一部の移動を促進することは、熱伝達媒体における相変化を促進させることを含んでいてもよい。例えば、本発明の幾つかの特に有利な態様は、熱伝達媒体例えば水の少なくとも一部をフラッシュ蒸発器またはフラッシュドラム124においてフラッシュ蒸気に蒸発させることと、そのフラッシュ蒸気でプロセス流体を少なくとも部分的に加熱することを含んでいてもよい。そのプロセス流体は、設備の蒸留器150の底部流体であってもよい。従って、本発明の幾つかの態様は、半導体を製作する操作によって発生した熱エネルギーを同じ設備の別のユニット操作へ移動させることを含んでいてもよい。しかしながら、発生したエネルギーを回収することは、製作設備の熱負荷を低減させることの他に、他の手段を含んでいてもよい。例えば、反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、熱エネルギーの少なくとも一部を利用し、それによって一つ以上の補助ユニットの加熱要件を少なくとも部分的に低減させることを含んでいてもよい。そのような補助ユニットは、同一または隣接する建屋、設備または構造物におけるヒーターまたはその他の温水利用設備であってもよい。例えば、本発明の装置と方法は、少なくとも一つの加熱負荷heatingload152を熱交換器138を介して反応チャンバに熱的に接続することを含んでいてもよい。加熱負荷152は例えば、工業上の建物、商業上の建物または居住用の建物における温水ヒーターであってもよい。熱伝達を容易にする相変化を有利に利用する本発明の構成においては、反応チャンバから熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、フラッシュドラム124の中の冷却液の少なくとも一部を蒸発させること、蒸発した冷却液の少なくとも一部を熱交換器123へ移動させること、および熱交換器123これは例えば、半導体製造設備の再沸器であるの中の蒸発した冷却液の少なくとも一部を凝縮させることを含んでいてもよい。従って、本発明の非限定的な態様は、堆積装置から熱交換器へ熱伝達させ、そして加熱する負荷の少なくとも一部を与えること、冷却用流体の相変化を用いて堆積装置から熱伝達させ、そしてさらに熱交換器へ熱伝達することによって潜熱を受け入れること、および加熱する負荷と熱伝達する第二の循環熱伝達媒体を有する中間の熱交換器を用いて熱伝達させること、を含む構成を含んでいてもよい。放射シールドの温度は、例えば、冷却用流体の流量を調節するか、冷却用流体の温度を調節することによって、あるいはその両方を行うことによって、目的の温度または目的の温度範囲あるいは所望の温度範囲に調整することができる。例えば、導管118に導入される冷却用流体の流量は、弁155、157および159のような一つ以上の流量制御装置を作動させることによって増加または低下させることができて、これによって同様に、冷却用流体出口122の温度を低下または上昇させることができる。冷却用流体の温度の調節は、例えば、フラッシュドラム124、熱交換器123、および熱交換器138のうちのいずれか一つ以上のものの一つ以上の運転条件を調節することによって、クーラー140における熱伝達率を増大または低下させることによって行うことができる。一つ以上の制御器160を利用して一つ以上の制御信号161を発生させ、それによって、流量制御装置のうちのいずれか一つを作動させるか、クーラー140を通しての熱伝達率を調節するか、あるいはフラッシュドラム124、熱交換器123、および熱交換器138のうちのいずれかのものの任意の操作パラメーターを調節することができる。本発明のさらなる態様は、半導体材料を製作することを容易にする方法を対象としてもよい。半導体材料の製作を容易にする方法は、少なくとも一つの反応チャンバを含む化学気相成長装置を用意することを含んでいてもよい。少なくとも一つの反応チャンバの各々は、典型的には、底板とこの底板に固定することのできるベルジャーを有する。ベルジャーは典型的には、ベルジャーの内面に配置される中間層例えば、ニッケル層とこの中間層の上に配置される反射層とを伴う放射シールドを有する。反射層は好ましくは約5未満の輻射率を有し、より好ましくは、約1未満の輻射率を有する。さらに好ましい構成において、半導体材料の製作を容易にする方法は、冷却用導管これは、放射シールドと熱伝達するようになっているを一つ以上の熱交換器の第一の熱作用側に流体的に接続することを含んでいてもよい。本発明のさらなる態様において、半導体の製作を容易にする方法は、熱交換器の第二の熱作用側を半導体製造設備の少なくとも一つのユニット操作に流体的に接続することを含んでいてもよい。従って、熱交換器が予め取り付けられている現行の設備または現行のユニット操作において、本発明の関連する態様は、一つ以上の現行の熱交換器を冷却用導管を介して放射シールドと熱伝達するように改造することを含んでいてもよい。本発明の幾つかの構成において、冷却用導管を熱交換器に流体的に接続することは、熱交換器の第一の熱作用側を少なくとも一つのフラッシュドラムに接続することを含んでいてもよく、そして幾つかの場合においては、少なくとも一つのフラッシュドラムを冷却用導管に接続することを含んでいてもよい。本発明の他の構成によれば、製造を容易にする方法は、冷却装置を冷却用導管およびフラッシュドラムに接続することをさらに含んでいてもよい。本発明の上述した態様およびその他の態様の作用と利点は、以下の実施例からさらに理解することができる。これらの実施例は本発明の一つ以上の装置と技術の利益および/または利点を例示するものであるが、しかし本発明の全ての範囲を例証するものではない。以下の実施例の幾つかのものにおいて熱伝達媒体として水を用いることができたが、いかなる適当な流体であっても、加熱源としての少なくとも一つの反応チャンバからの熱伝達を容易にすることができ、そしてさらに、一つ以上の熱を受け取る装置へ潜熱を送るために気化させることができて、あるいは本発明の一つ以上の態様に従って加熱負荷を用いることができる。例えば、発生した熱の回収と移動を用意にすることによって一つ以上の加熱負荷のうちの名目上の加熱負荷の少なくとも一部を与えるために、加熱/蒸発/冷却/凝縮のサイクルにおいてプロパンを用いることができる。実施例1本実施例は本発明の態様を記述する。本発明に係る放射シールドを有するステンレス鋼のベルジャーを製作した。慣用の技術によって、ニッケルを含む第一の層をベルジャーのステンレス鋼の表面上に約30μm未満の厚さで直接付与した。慣用の技術によって、金を含む第二の層をニッケルの第一の層に約5μm未満の厚さで直接付与した。図3は、本発明の幾つかの態様に従う、放射シールドを有するベルジャーの一部分の断面を示す。ステンレス鋼のベルジャーの表面はスチールと表示されている。ニッケルの第一の層はNiストライク層と表示されていて、ニッケルの第一の層の上に付与された金の第二の層はAuコーティングと表示されている。図4は、本発明の幾つかの態様に従う、放射シールドを有するベルジャーを示す。ニッケルの層は、ステンレス鋼の表面への金の材料の接着を促進し、また300°C程度の温度において使用する際のステンレス鋼の表面と金の層との間の遮断層として役立つと考えられる。実施例2本実施例は、ニッケルの層と金の層を有する放射シールドを用いる装置と金の層だけからなる放射シールドを用いる装置の性能と観察を比較するものである。本発明に従って、また実質的に上の実施例1に従って、上にニッケル/金Ni-Auコーティングの放射シールドを有する幾つかのステンレス鋼のサンプルを用意した。金の層Auコーティングだけからなる放射シールドを有するステンレス鋼のサンプルも用意した。幾つかのサンプルを、水素と窒素ガスの混合物に様々な温度において約4時間にわたって曝露した。様々な温度において曝露を行った後、各々のサンプルの表面の反射率を評価した。図5に示すように、約200°C以下の温度において使用する間、Auコーティングの反射率は安定していて、反射率の低下を示さなかった。しかし、約200°Cを超える使用温度において、金の層だけを有する放射シールドの反射率は低下した。それに対して、本発明に従ってニッケルの層と金の層を有する放射シールドは、約300°C以下の使用温度において反射率の低下を示さなかった。従って、この実施例は、約200°Cから約300°Cまでの範囲の表面温度において用いることのできる放射シールドの使用を支持する。実施例3本実施例は、凝縮液の生成に関連して、蒸気を発生させ、次いでこれを熱負荷へ潜熱を移動させるために用いることによって反応チャンバからの熱を回収することに関連する本発明の態様を予測的に記述する。図6に典型的なものとして示す装置を参照すると、約100m3hrで流れる水を、化学気相成長装置604A、604B、および604Cの反応チャンバ内で発生する熱によって約156.2°Cの温度まで加熱することができるだろう。加熱された水を一つ以上の蒸気ドラム624においてフラッシュすることにより、約2.8バールゲージ圧の圧力で蒸気を生成することができるだろう。この圧力において、飽和蒸気温度は約142°Cであると予想される。次いで、フラッシュドラム624からの約2.1バールゲージ圧の圧力の飽和蒸気を凝縮することができて、そして、例えば一つ以上の熱交換器623においてプロセス流体を少なくとも部分的に加熱し、それによりその加熱負荷の一部を少なくとも部分的に与える。フラッシュ圧力は弁610を用いることによって制御することができるだろう。次いで、熱交換器623からの凝縮液を、一つ以上の凝縮液ポンプ622によってフラッシュドラム624へ戻すことができるだろう。熱伝達媒体これには凝縮液も含まれるをドラム624から一つ以上の循環ポンプ620によって循環させ、そして反応チャンバにおいて再加熱することができるだろう。堆積装置に導入する前の水を冷却するためにクーラーを用いることができて、それにより反応チャンバを冷却することができる。およそ4000MTAの多結晶シリコンのプラントについて約70のオンラインベースにおいて運転される20の反応チャンバからの、予想される全送出エネルギーは約21637KWであろう。実施例4本実施例は、実施例3で示した本発明の態様の変形を予測的に記述する。図7に典型的に示すように、この変形例は、第一のフラッシュドラム624から第一の圧力で蒸気を供給し、そして第二の蒸発器または第二のフラッシュドラム724を用いることによって第一の圧力よりも低い第二の圧力で蒸気を供給するように構成することができるだろう。実施例3で示した構成において、第一のフラッシュドラム624からの気化した蒸気を用いて、第一の加熱操作623の加熱負荷の少なくとも一部を補うことができるだろう。第一の加熱操作623からの凝縮液を第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第一のフラッシュドラム624からの飽和した水を第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第二のフラッシュドラム724において、水を低圧の蒸気に蒸発させることができて、これを、第二の加熱操作725の加熱負荷の少なくとも一部を供給するために利用することができるだろう。第二の加熱操作725からの凝縮液を、凝縮液ポンプ622によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。熱伝達媒体を循環させて、複数の堆積装置604の反応チャンバにおいて約156.2°Cの温度まで再加熱することができるだろう。第一の弁610を、第一のフラッシュドラム624において約4.2バールゲージ圧の圧力および約142°Cの関連した温度で飽和蒸気を生成させるのを容易にするために用いることができ、これにより、約3.5バールゲージ圧の圧力の飽和した利用可能な蒸気を第一の加熱操作623に提供することができる。第二の弁612を、第二のフラッシュドラム724において約2.8バールゲージ圧の圧力および約135°Cの関連した温度で低圧の飽和蒸気を生成させるのを容易にするために用いることができ、これにより、約2.1バールゲージ圧の圧力の利用可能な飽和した低圧蒸気を第二の加熱操作725に提供することができる。約70のオンラインベースにおいて運転される20の反応チャンバを有する、およそ4000MTAの多結晶シリコンの設備に基づいて、第一の加熱操作に送出することのできる予想される凝結体の熱エネルギーは約4191KWであり、そして第二の加熱操作に送出することのできる予想される凝結体の熱エネルギーは約17447KWである。実施例5本実施例は、実施例4のさらなる変形を記述する。図8に典型的に示すこの予測的な構成において、第一の弁610を適宜作動させることによって、第一のフラッシュドラム624を約3.5バールゲージ圧の圧力で操作することができ、それにより利用可能な飽和した蒸気を約2.8バールゲージ圧の圧力および約142°Cの関連した温度で第一の加熱操作623に提供することができるだろう。第二のフラッシュドラム724を操作し、第二の弁612を適宜作動させることによって、飽和した蒸気を約2.1バールゲージ圧の圧力および約135°Cの関連した温度で第二の加熱操作725に提供することができるだろう。第一の加熱操作623からの凝縮液を、第一の凝縮液ポンプ622によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第二の加熱操作725からの凝縮液を、第二の凝縮液ポンプ821によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。この予測的な例において、約70のオンラインベースにおいて運転される20の反応チャンバを有する、およそ4000MTAの多結晶シリコンの設備に基づいて、少なくとも一つの第一の加熱操作に供給することのできる予想される凝結体の熱エネルギーは約12513KWであり、そして少なくとも一つの第二の加熱操作に送出されると予想される凝結体の熱エネルギーは約9124KWである。実施例6本実施例は、実施例3の別の変形を記述する。図9に典型的に示すこの予測的な構成において、循環ポンプ620によって水を循環させ、そして複数の堆積装置604において加熱することができるだろう。加熱された水は第一の熱交換器938の第一の熱作用側に熱エネルギーを与え、そして第一の熱交換器938の第二の熱作用側を通って流れる熱流体の温度を上昇させることができるだろう。次いで、一つ以上の圧縮機941を用いて熱交換器938からの熱流体の圧力を上昇させ、それによりその温度を上昇させることができるだろう。次いで、その加熱されて加圧された熱流体をフラッシュさせることによって高圧の蒸気を発生させ、この蒸気を第二の熱交換器939において利用し、熱交換器は、別の循環する熱伝達流体を利用することによって一つ以上の加熱操作823に熱を与えることができるだろう。あるいは、加熱されて加圧された熱流体を直接利用して、一つ以上の加熱操作823の加熱負荷の少なくとも一部を満たすことができるだろう。場合により、タービン942のような膨張機を用い、熱流体を減圧させることによってシャフトの仕事を取り出すことができるだろう。シャフトの仕事を圧縮機941に送り、そして圧縮機941における熱流体の圧力を上昇させるのに含まれる必要なシャフトの仕事の少なくとも一部を補うことができるだろう。タービン942からの熱流体は、複数の装置604からの加熱された水によって、第一の熱交換器938の第二の熱作用側において再加熱することができるだろう。本発明の幾つかの例証となる態様を説明したが、上記のものは単なる例示であって限定的なものではなく、実例としてのみ提示されたものであることは、当業者には明白なはずである。多数の修正と他の態様が当業者の技能の範囲内のものであって、本発明の範囲内に含まれると考えられる。特に、ここで提示した実施例の多くは方法の作用または装置の要素の特定の組み合わせを含むが、それらの作用とそれらの要素は同じ目的を達成するための他のやり方で組み合わせることができると理解すべきである。ここで説明されたパラメーターと構成は例示のものであって、実際のパラメーターおよび/または構成は本発明の装置と技術が用いられる特定の用途に依存するであろう、ということを当業者であれば認識するはずである。また当業者であれば、機械的な実験を行う中で、本発明の特定の態様と同等のものを認識し、あるいは確認することもできるはずである。例えば、本発明の一つ以上の態様を実施するために、いかなる制御器例えば、これに限定するものではないがプログラマブルロジックコントローラPLCも用いることができる。また、装置の任意の操作上の対象を自動化することのできる他のデバイスを用いることもできる。同様に、飽和蒸気を生成するために水を蒸発させることは、フラッシュドラムの上流にある弁を用いることによって容易にすることができる。従って、ここで記述された態様は実例としてのみ提示されたものであって、添付された特許請求の範囲とその同等物の範囲内において、具体的に記述されたものとは別の方法で本発明を実施することができると理解される。さらに、本発明はここで記述された個々の特徴点、システム、サブシステム、または技術、およびここで記述された二つ以上の特徴点、システム、サブシステム、または技術の任意の組み合わせを対象としていて、二つ以上の特徴点、システム、サブシステム、および/または方法のいかなる組み合わせであっても、そのような特徴点、システム、サブシステム、および技術が互いに矛盾していない場合は、特許請求の範囲で具現化される本発明の範囲内にあると考えられる、と認識すべきである。さらに、一つの態様だけとの関連において記述された作用、要素、および特徴点は、他の態様における同様の役割のものから排除されることは意図されていない。ここで用いられるとき、複数のという用語は、二つ以上の項目または構成要素を指す。含むおよび有するという用語、その他同種類のものは、明細書中であっても請求の範囲中であっても制限のない用語、すなわち、含むが、しかしそれらに限定はされないということを意味する。従って、それらの用語を用いることは、その後に挙げられる項目とそれらの同等物および追加の項目を包含することを意味する。請求の範囲に関して、からなるおよび本質的に何々からなるという移行句だけが、それぞれ閉じた移行句または閉じた移行句に準じるものである。請求の範囲における第一の、第二の、第三のといった順序を示す用語、その他同種類の用語であって請求の範囲の要素を変更するものの使用は、いかなる優先性、先行性、または別の要素に対する序列、または方法の行為が行われる時間的な序列をそれ自体が示すのではなく、請求の範囲の要素を区別するために、特定の名称を有する請求の範囲の一つの要素を同じ名称を有する別の要素と区別するための単なる表示として用いられている。