"励起されると磁気記録媒体への書込を行うための記録磁界を発生する磁極と、前記磁極と接するように設けられたスティッチトポール部分と、電磁放射線を発生する光源と、導波路と、エアベアリング面と平行な断面において一定の形状を有する第1の領域部分と、エアベアリング面と平行な断面の面積がエアベアリング面に近づくほど次第に縮小する第2の領域部分とを含み、プラズモンモードを発生させるプラズモンジェネレータとを備え、前記導波路は、前記光源からの電磁放射線を前記プラズモンジェネレータへ案内すると共に、前記プラズモンジェネレータとの積層方向における重なり部分において、前記電磁放射線を前記プラズモンモードと結合させるものであり、前記プラズモンジェネレータは、前記プラズモンモードを発生してエアベアリング面へ向けて伝播させつつ凝集させ、そのエネルギーを前記磁気記録媒体の局所部分へ伝達することにより前記局所部分を加熱して前記局所部分の保磁力および磁気異方性を低下させ、前記記録磁界による書込が可能な状態とするものであり、前記第2の領域部分では、前記プラズモンモードが凝集および収束しつつエアベアリング面へ向けて伝播し、前記導波路からの前記電磁放射線と効率的に結合するTAMRヘッド。前記電磁放射線は、光学的放射であり、前記導波路は光導波路であり、前記電磁放射線の光源は、光レーザ光源である請求項1記載のTAMRヘッド。前記プラズモンジェネレータは、エアベアリング面から遠い側から順に、前記第1の領域部分と、前記第1の領域部分と接合されてエアベアリング面へ向かうように延在する前記第2の領域部分と、前記第2の領域部分と接合され、エアベアリング面へ向かうように突き出すと共に、エアベアリング面と平行な断面が一定の形状もしくはエアベアリング面へ近づくほど縮小するように構成された第3の領域部分とを含む請求項2記載のTAMRヘッド。前記光導波路と前記第1の領域部分との積層方向における重なり部分において、前記光学的放射は前記プラズモンモードと結合している請求項3記載のTAMRヘッド。前記プラズモンモードは、前記第2の領域部分を伝播する際、エネルギー損失を伴うことなく圧縮される請求項3記載のTAMRヘッド。前記プラズモンモードは、エアベアリング面における前記第3の領域部分の端面から、電磁エネルギーを前記磁気記録媒体へ伝達するものである請求項3記載のTAMRヘッド。前記第1の領域部分は、エアベアリング面と平行な断面が矩形状であって、その断面は、トラック幅方向において0.3μm以上1.0μm以下の幅と、0.05μm以上0.5μm以下の高さとを有し、エアベアリング面と直交する方向において0.5μm以上5.0μm以下の長さを有する請求項3記載のTAMRヘッド。前記第1の領域部分は、エアベアリング面と平行な断面が三角形であって、その断面は、トラック幅方向において0.3μm以上1.0μm以下の幅と、45°以上90°未満のフレア角と、0.05μm以上0.5μm以下の高さとを有し、エアベアリング面と直交する方向において0.5μm以上5.0μm以下の長さを有する請求項3記載のTAMRヘッド。前記第2の領域部分は、エアベアリング面と直交する方向において0.5μm以上5.0μm以下の長さを有する請求項3記載のTAMRヘッド。前記第2の領域部分は、前記第1の領域部分との接続部において前記第1の領域部分と一致する断面形状を有している請求項3記載のTAMRヘッド。前記第3の領域部分は、前記第2の領域部分との接続部において前記第2の領域部分と一致する断面形状を有しており、エアベアリング面と直交する方向において0μm以上0.2μm以下の長さを有する請求項3記載のTAMRヘッド。前記第3の領域部分は、高度に圧縮された前記プラズモンモードのエネルギーを前記磁気記録媒体へ伝達する請求項3記載のTAMRヘッド。前記プラズモンジェネレータは、磁性材料、非磁性材料もしくは誘電材料からなる単一組成のコアの表面に、導電性材料からなるプラズモン生成層が被覆された構造を有する請求項1または請求項3記載のTAMRヘッド。前記磁性材料は、FeCo鉄コバルト合金,NiFeニッケル鉄合金,Fe鉄,CoコバルトおよびB硼素の単体、またはそれらの2種以上からなる合金であり、前記誘電材料は酸化アルミニウムであり、前記導電性材料は、Au金,Cu銅,AlアルミニウムまたはAg銀である請求項13記載のTAMRヘッド。前記光導波路は、前記スティッチトポール部分を挟んでエアベアリング面と反対側に配置されて前記磁極に沿って延在すると共に、前記プラズモンジェネレータと前記磁極との間に挟まれ、前記プラズモンジェネレータの頭頂部と対向するように配置されている請求項3記載のTAMRヘッド。前記プラズモンジェネレータは、前記光導波路と前記磁極との間に位置し、前記プラズモンジェネレータの頭頂部は前記磁極と対向し、前記プラズモンジェネレータにおける頭頂部と反対側の面は前記光導波路と対向している請求項3記載のTAMRヘッド。前記光導波路は、前記スティッチトポール部分を挟んでエアベアリング面と反対側に配置されて前記磁極に沿って延在すると共に、前記プラズモンジェネレータと前記磁極との間に挟まれ、前記プラズモンジェネレータの頭頂部と対向するように配置されており、前記スティッチトポール部分におけるエアベアリング面と反対側の面は、前記磁極へ近づくほど前記スティッチトポール部分と前記プラズモンジェネレータとの距離が減少するように傾斜しており、前記表面プラズモンモードがより効率的に伝播するようになっている請求項3記載のTAMRヘッド。前記磁極は、スライダに搭載された記録再生ヘッドの一部分であり、前記スライダは、回転する前記磁気記録媒体の上空を、0.5nm以上1.0nm以下の浮上高さで空気力学的に飛行するものである請求項1記載のTAMRヘッド。前記磁極は、スライダに搭載された記録再生ヘッドの一部分であり、前記スライダは、回転する前記磁気記録媒体と実質的に接触し、あるいは0.5nm未満の浮上高さで前記磁気記録媒体と対向するものである請求項1記載のTAMRヘッド。最近、光学レーザの電力消費を控えることが望まれており、したがって、TAMR方式を採用したHDDの動作時において可能な限り少ない電力消費量となるように、より高い光学効率opticalefficiencyを追求することも望まれるようになっている。ところが従来技術においては、光学パワーの使用に課されるいくつかの重要な制約条件が存在していた。第1に、光導波路の光周波数モード光学モード106とPG2のエッジプラズモンモード107との結合効率は、光導波路WGにおける回折限界の光学モード106と、プラズモンジェネレータ102におけるサブ回折限界のエッジプラズモンモード107との不整合に起因して制限される。光学モード106は十分に閉じ込められたプラズモンモード107よりも大きく、光学パワーの一部のみが移動するからである。第2に、プラズモンジェネレータ102に沿ったエッジプラズモンモードの伝播損失が、プラズモンモードの厳しい制約に起因して顕著である。第3に、エッジプラズモンモードの結合効率および伝播効率は、プラズモンジェネレータのエッジ形状の変化に敏感に反応する傾向にあり、厳しい公差での製造が必要となる。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、新規の形状を有するプラズモンジェネレータを採用することにより、磁気メディアの被加熱スポットへ光学パワーを効率的に伝達し、TAMRヘッドにおける光学的効率を向上させることにある。また、本発明の第2の目的は、上記第1の目的を実現するための、既存の磁気ヘッドプロセスと互換性を有するTAMRシステムの製造方法を提供することにある。本発明の第3の目的は、動作中における磁気ディスクとの距離に関係なく、記録ヘッドの動作を向上させることの可能な新規形状のプラズモンジェネレータを提供することにある。これらの目的は、プラズモンジェネレータの形状を変更させることによって達成され得る。プラズモンジェネレータの形状は、より効率的なモード結合を実現するための光導波路の寸法とジェネレータの寸法とが改善された整合性を有しているだけでなく、それに組み込まれた自己収束部分により十分に閉じ込められたプラズモンモードへ表面プラズモンエネルギーが凝集され得る機構をも有している。具体的には以下の通りである。本発明のTAMRヘッドは、励起されると磁気記録媒体への書込を行うための記録磁界を発生する磁極と、この磁極と接するように設けられたスティッチトポール部分と、電磁放射線を発生する光源と、導波路と、ABSと平行な断面において一定の形状を有する第1の領域部分とABSと平行な断面の面積がABSに近づくほど次第に縮小する第2の領域部分とを含みプラズモンモードを発生させるプラズモンジェネレータとを備える。導波路は、光源からの電磁放射線をプラズモンジェネレータへ案内すると共に、プラズモンジェネレータとの積層方向における重なり部分において電磁放射線をプラズモンモードと結合させるものである。プラズモンジェネレータは、プラズモンモードを発生してABSへ向けて伝播させつつ凝集させ、そのエネルギーを磁気記録媒体の局所部分へ伝達することにより局所部分を加熱して局所部分の保磁力および磁気異方性を低下させ、記録磁界による書込が可能な状態とするものである。第2の領域部分では、プラズモンモードが凝集および収束しつつABSへ向けて伝播し、導波路からの電磁放射線と効率的に結合する。このTAMRヘッドは、例えばスライダに搭載され、そのスライダは回転する磁気メディアの上空を空気力学的に飛行する。あるいは、そのスライダは、実質的に磁気メディアと接するコンタクトタイプのものであってもよい。このTAMRヘッドでは、例えば、電磁放射線は光学的放射opticalradiationであり、導波路は光導波路であり、電磁放射線の光源は光レーザ光源である。また、プラズモンジェネレータは、例えば、ABSから遠い側から順に、上記第1の領域部分と、この第1の領域部分と接合されてABSへ向かうように延在する上記第2の領域部分と、この第2の領域部分と接合されABSへ向かうように突き出すと共に、ABSと平行な断面が一定の形状もしくはABSへ近づくほど縮小するように構成された第3の領域部分とを含むものである。ここで、第2の領域部分が、第1の領域部分との接続部において第1の領域部分と一致する断面形状を有しており、第3の領域部分が、第2の領域部分との接続部において第2の領域部分と一致する断面形状を有しているとよい。また、このTAMRヘッドでは、光導波路と第1の領域部分との積層方向における重なり部分対向部分において、光学的放射と表面プラズモンプラズモンモードとが結合するようにしてもよい。また、プラズモンジェネレータは、例えば、磁性材料、非磁性材料もしくは誘電材料からなる単一組成のコアの表面に、導電性材料からなるプラズモン生成層が被覆された構造を有している。本発明のTAMRヘッドによれば、プラズモンジェネレータが所定の形状および機能を有する第1および第2の領域部分を含むようにしたので、プラズモンモードの電界強度が向上し、磁気記録媒体への高効率のエネルギー伝達が可能となる。よって、動作時の省電力化に有利となる。本発明の対象、特徴および長所は、以下に述べる実施の形態の記載により理解できる。[プラズモンジェネレータおよび光導波路]まず、図2~図5を参照して、本発明の実施の形態におけるTAMRヘッドに用いられるプラズモンジェネレータおよび光導波路の構成について説明する。図2には、本発明の目的を達成可能な構造の概略が示されている。図2AはABSに平行な断面構成を示している。図2Aに示したように、光導波路WG4はプラズモンジェネレータPG2の上方に配置されている。エアベアリング面ABSにおけるPG2の形状は、三角形の頂部を切り取った台形となっている。その台形における底辺のトラック幅方向X軸方向の寸法は0.1μm以上0.5μm以下の範囲にあり、厚さ方向Y軸方向の寸法は0.05μm以上0.5μm以下である。図2Bは、ABSと直交し、PG2の上面光導波路4と対向する側の面を含む断面を表している。図2Bに示したように、PG2は、その形状から3つの領域部分、すなわち第1~第3の領域部分S1~S3に分けることができる。なお、第3の領域部分S3は省略可能である。第1の領域部分S1は、X軸方向において一定の幅例えば0.3μm以上1.0μm以下を有すると共に、ABSに直交する方向Z軸方向において例えば0.5μm以上5.0μm以下の長さを有している。この第1の領域部分S1では、WG4からの放射線例えばレーザ光、以下WGモードという。は、PG2とクラッド層との界面を伝播する表面プラズモンSPと結合する。このクラッド層は、WG4とPG2との間に位置する。第2の領域部分S2は、Z軸方向の長さが例えば0.5μm以上5.0μm以下であると共に、X軸方向の幅がABSに近づくほど狭くなるようなテーパ形状を有しており、XY平面では、全体として三角形状となっている。第2の領域部分S2では、表面プラズモンがZ軸方向に伝播してABSへ近づくほど収束される。第3の領域部分S3は、第2の領域部分S2と接合され、ABSへ向かうように突き出すと共に、ABSと平行な断面が一定の形状もしくはABSへ近づくほど縮小するように構成されたものである。第3の領域部分S3では、Z軸方向において例えば0μm以上2.0μm以下の長さを有しており、X軸方向においては極めて微小な幅を有している。第3の領域部分S3では、より高度に圧縮凝集されて閉じ込められた表面プラズモンモードを近接場光として放出し、磁気記録媒体のうちのPG2と対向する部分へのエネルギー伝達を行う。なお、第3の領域部分S3を省略する場合には、第2の領域部分S2における、第1の領域部分S1と反対側の端面から近接場光を放出する。図2Cでは、PG2およびWG4の等角図を表している。PG2のABSに露出した端面9は台形のほか、三角形あるいは矩形であってもよい。従来技術で述べたPGは、Z軸方向に沿って一定の断面形状を有している。これに対し、本実施の形態のPG2では、互いに異なった断面形状の第1~第3の領域部分S1~S3を有するようにしたので、従来のプラズモンジェネレータと比較して、優れた光学的効率が発揮される。これは以下の1から3の理由による。1第1の領域部分S1が存在することで、WG4とPG2との厚さ方向における重なり領域が比較的大きく確保されている。このため、WGモードと表面プラズモンモードとの結合が十分になされる。2第2の領域部分S2を設けることで、断熱的に収束例えば伝播する間に、閉じ込めおよび局在化が行われることおよび表面プラズモンの集中がより顕著に行われる。3表面プラズモンが伝播する際の損失が小さい。図3A~3Fは、本実施の形態のPG2の、XZ平面における好ましい形状の変形例を表している。いずれの形状も、図2Bに示したものの代わりに採用することができる。図4A~4Dは、いずれも、本実施の形態のPG2のうち、第1の領域部分S1として取りうるXY面の形状の変形例を表している。図4A~4Dでは、プラズモンジェネレータ2の、ABSと反対側の端面の形状を表している。その端面からは、WGモードが入射される。図4Aおよび図4Bの例では、PG2は台形となっている。図4Aは単一組成の台形のPG2を表しており、Au金,Cu銅,Alアルミニウム,Ag銀またはその他のプラズモン生成材料として好適な導電性材料によって構成されている。図4BのPG2は、磁性材料または誘電材料からなる単一組成の台形のコア31の両斜面および上面に、Au,Cu,Al,Agまたはその他のプラズモン生成材料として好適な導電性材料からなる被覆層32を被覆するようにしたものである。磁性材料としては、例えばFeCo鉄コバルト合金,NiFeニッケル鉄合金,Fe鉄,CoコバルトおよびB硼素の単体、またはそれらの2種以上からなる合金が挙げられる。また、誘電材料としては酸化アルミニウムアルミナが挙げられる。なお、コア31の構成材料と被覆層32の構成材料とを入れ替えた構成としてもよい。図4Aに示した底面と側面とがなす角度であるフレア角27は、そのPG2を特徴づけるものであり、例えば45以上90°未満である。フレア角27によって光学的特性が調整可能となっている。一方、図4Cおよび図4Dの例ではPG2は矩形状となっている。図4Cは、単一組成の矩形のPG2を表しており、上記のプラズモン生成材料として好適な導電性材料によって構成されている。図4DのPG2は、上記の磁性材料または誘電材料からなる単一組成の矩形のコア31の両側面および上面に、上記の導電性材料からなる被覆層32を被覆するようにしたものである。図4DのPG2においても、コア31の構成材料と被覆層32の構成材料とを入れ替えた構成としてもよい。第1の領域部分S1におけるABSに平行な断面は、Z軸方向に沿って一定の形状を維持している。図5A~5Dは、4種類のPG2におけるABSに露出した端面XY平面に平行な断面を表している。第3の領域部分S3を有する場合には、その第3の領域部分S3の端面がABSに露出する。また、第3の領域部分S3が存在しない場合には、第2の領域部分S2の端面がABSに露出する。先に図2Bに示したように、第2の領域部分S2は、第1の領域部分S1と第3の領域部分S3とを繋ぐように延在しており、Z軸方向に沿ってABSに近づくほどX軸方向の幅が徐々に縮小するような形状となっている。図5Aおよび図5Bに示したPGは台形状三角形の頭頂部が除去された形状をなしており、例えば60°のフレア角28を有している。図5Aは、単一組成の台形状のPG2を表しており、上記の導電性材料によって構成されている。一方、図5BのPG2は、上記の導電性材料からなる被覆層32が、上記の磁性材料または誘電材料からなる単一組成の台形状のコア31の両斜面および上面を覆うように設けられている。図5BのPG2においても、コア31の構成材料と被覆層32の構成材料とを入れ替えた構成としてもよい。図5Cおよび図5Dは、非常に幅の狭い矩形状をなすPG2を示している。図5Cは、単一組成の矩形状のPG2を表しており、上記の導電性材料によって構成されている。図5DのPG2は、上記の導電性材料からなる被覆層32が、上記の磁性材料または誘電材料からなる単一組成の矩形状のコア31の両側面および上面を覆うようにしたものである。図5DのPG2においても、コア31の構成材料と被覆層32の構成材料とを入れ替えた構成としてもよい。これまで記載した全てのPG2は、高い電気伝導性を有する材料、例えば主成分としてAlアルミニウム,Au金,Ag銀,Cu銅およびそれらの合金などによって構成される。なお、PG2は上記以外の金属元素を含んでもよい。主成分とは、それ以外の全ての副成分よりも全体に占める割合が大きい一群の構成材料をいう。プラズモンジェネレータ2の構成材料は、電磁波の波長の選択および光導波路の構成材料の誘電率に応じて決定される。一般的な指針としては、相対的に長い例えば1~10μmに亘る伝播長の表面プラズモンをサポートするような材料を選択することが望ましい。PG2における各領域部分第1~第3の領域部分S1~S3は、最高の光学効率を発揮するように容易に設計することが可能である。例えば第1の領域部分S1におけるX軸方向の寸法は、WGモードのサイズと整合するように設計される。第3の領域部分S3における頭頂部の幅X軸方向の寸法およびフレア角の大きさ、ならびに第2の領域部分S2におけるZ軸方向の長さは、表面プラズモンの断熱的収束adiabaticfocusingが可能となるように、すなわち表面プラズモンが第2の領域部分S2を通過する際に圧縮および局在化される過程が実現されるように、また、表面プラズモンがZ軸方向に伝播する際の、そのエネルギーの伝播損失が最小化するように設計される。第3の領域部分S3の存在は、ABSをラッピングする際の誤差を許容することにもなる。表面プラズモンSPモードは、XY平面におけるチップ幅第3の領域部分S3の頭頂部の幅およびフレア角によって変化する。図6は、第3の領域部分S3においてフレア角が60°のAuからなる台形状のコア31にアルミナが被覆されてなるプラズモンジェネレータについて、波長900nmの場合の表面プラズモンモードの物理的パラメータに関する特性図である。図6において、曲線C1は表面プラズモンモードの実効モード係数を表し、曲線C2は表面プラズモンモードの伝播長を表している。図6において、X軸は、ABSに露出した端面におけるチップ幅第3の領域部分S3の頭頂部の幅を表している。図6から、チップ幅が大きくなるほど実効モード係数が減少する傾向にあることがわかる。これは、第3の領域部分S3の頭頂部における表面プラズモンの圧縮confinementが十分になされなくなることを意味している。一方、チップ幅が大きくなるほど表面プラズモンモードの伝播長が増加する傾向にあることがわかる。したがって、チップ幅を減少させることで、プラズモンモードをより圧縮し、集中させることができるであろう。図7Aおよび7Bは、いずれも図6の特性図に対応するものであり、グレースケールの画像モデルによって表面プラズモンモードの分布を表したものである。図7Aでは40nmのチップ幅とし、図7Bでは320nmのチップ幅としている。プラズモンモードの圧縮の程度は、プラズモンジェネレータでの波長λspに比例し、同様に、λ0/neffにも比例する。ここで、λ0は真空中での波長を表し、neffは、表面プラズモンの実効モード係数である。大きな実効モード係数であれば、プラズモンモードは横方向Z軸方向においてより狭い範囲に閉じ込められることとなる。表面プラズモンの電界は、プラズモンジェネレータの金属からなるコアとそれを取り囲む誘電体との界面において最大化し、その界面から離れると指数関数的に低下する。より幅の広いチップの場合には、より小さな実効モード係数となるようである。例えばチップ幅が大きな場合にはneff=1.79となるのに対し、チップ幅が小さな場合にはneff=1.87となる。したがって、表面プラズモンモードがあまり圧縮されないと、伝播長が長くなる。チップ幅がY軸方向に徐々に狭くなるように構成されることで、表面プラスモンモードエネルギーは、より強度を増し、より狭い領域に収束することとなる。[TAMRヘッド]次に、上記の新規な構造を有するプラズモンジェネレータおよび光導波路が搭載されたTAMRヘッドについて説明する。このTAMRヘッドは、回転する磁気記録媒体の上空を、例えば0.5nm以上1.0nm以下の浮上高さで空気力学的に飛行するスライダに搭載される。あるいは、スライダは回転する磁気記録媒体と実質的に接触し、あるいは0.5nm未満の浮上高さで磁気記録媒体と対向するものであってもよい。TAMRヘッドは、磁気記録媒体への高密度記録を行うためのデバイスとして機能し、プラズモンジェネレータの端面は、ABSにおいて、主磁極の端面と隣接した位置に露出している。プラズモンジェネレータは光周波数電磁放射と放射結合している。その光周波数電磁放射は、望ましくは光学レーザによって発生し、光導波路によってプラズモンジェネレータへ導かれるものである。放射結合は、プラズモンジェネレータの内部に表面プラズモンモードを生成する。その表面プラズモンモードに関連した電磁波近接場光は、磁気記録媒体表面の微小領域に作用し、その微小領域に熱エネルギーを付与し、温度上昇を引き起こす。主磁極は、磁気記録媒体の局所的な磁化の変化、すなわち加熱スポットの磁区における磁化反転をもたらすような記録磁界を発生させる。プラズモンジェネレータは、水平面膜面においてABSへ向かうほど幅を徐々に縮小するようなテーパ形状を有している。このテーパ形状をなす領域およびそれに付加されてABSへ向かうように延在するチップ領域は、プラズモンエネルギーの磁気記録媒体への輸送に最適な形状となるように、ABSと平行な断面においてフレア角を有するように傾斜した側面を有している。図8Aは、本実施の形態としてのTAMRヘッド第1のTAMRヘッドの、ABSと直交する断面の構成を表している。このTAMRヘッドは、光源図示せずと、磁極21と、プラズモンジェネレータPG23と、隣接した光導波路WG24と、小型のスティッチトポール部分22とを備えている。スティッチトポール部分22は、図示しない磁気メディア上の適切な場所へ記録磁界を伝達するのを補助するものである。WG24は、ABS側からみてスティッチトポール部分22の後方に位置している。PG23は、プラズモンモードをABSと対向する磁気メディア表面のへ向かうように輸送する。磁気メディア上では、そのプラズモンモードからのエネルギー吸収によって局所的な温度上昇が引き起こされる。このような温度上昇により、磁気記録媒体の保磁力および磁気異方性が低下し、比較的容易に磁化反転が生じ得る状態となる。一旦、磁気記録媒体が加熱前の温度に戻れば、その保磁力および磁気異方性は熱的に安定したモードで加熱後の磁化状態をそのまま維持することとなる。WG24は、例えば固体レーザ光源図示せずによって発生した電磁波の光学モードを伝播する。WG24からの電磁波は、WG24とPG23との重なり部分25においてプラズモンモードと結合する。図8Bは、ABSに露出した平面の構成を表している。PG23は三角形状を有している。PG23の頭頂部26はWG24および磁極21と対向するように向いている。磁極21,スティッチトポール部分22およびPG23は、完全にABSに露出している。WG24の輪郭は破線で示されている。WG24は、スティッチトポール部分22の背後に配置されているからである。この実施の形態では、積層方向において一定の間隔27が、PG23と、スティッチトポール部分22および光導波路24との間に設けられている。ABSに平行な断面において、PG23における底面の幅X軸方向の寸法は例えば0.1μm以上0.5μm以下であり、底面から頭頂部26までの距離、すなわち高さY軸方向の寸法は例えば0.05μm以上0.5μm以下である。なお、図8Bでは、PG23におけるABSに露出した端面形状を三角形状としたが、これに限定されず、例えば図5に示したように様々な形状を採用することができる。図2Bを再び参照する。図8Aに示したPG23についても、図2Bに示したように3つの区域を有するように構成されている。第1の領域部分S1ABSから最も遠い領域部分は、X軸方向において一定の幅、例えば0.3μm以上1.0μm以下の幅を有し、Z軸方向において0.5μm以上5.0μm以下に亘って延在している。この第1の領域部分S1は、導波路WG放射線エネルギーを、PG23と、WG24を取り囲むクラッド層との界面に沿って伝播する表面プラズモンSPに結合させる部分である。第2の領域部分S2はおおよそ三角形をなすテーパ状の領域部分であり、Z軸方向において0.5μm以上5.0μm以下の長さを有している。この第2の領域部分S2では、表面プラズモンが横方向Z軸方向に凝集されてABSへ向かうように伝播する。第3の領域部分S3は直線状またはテーパ状の区域であり、Z軸方向において0~0.2μmの長さを有している。この第3の領域部分S3では、高度に凝集圧縮されて閉じ込められた表面プラズモンモードのエネルギーが輸送され、PG23と対向する部分の磁気記録媒体へ伝達される。図8Cは、ABSと反対側の端部後端部の断面形状を表すものである。図8Cでは、WG24および磁極21と共に、PG23の入射側の端面が示されている。なお、後端部の断面形状についても図8Cに示したものに限定されず、例えば図4に示したような種種の形状をとることができる。図9Aは、本実施の形態の第1の変形例としてのTAMRヘッド第2のTAMRヘッドの、ABSと直交する断面の構成を表している。このTAMRヘッドは、WG24の位置が異なることを除き、他は図8A~8Cに示した第1のTAMRヘッドと同様の構成を有している。図9Aでは、磁極21と、PG23と、小型のスティッチトポール部分22とを備えている。スティッチトポール部分22は、図示しない磁気記録媒体上の適切な場所へ記録磁界を伝達するのを補助するものである。WG24は、PG23の、磁極21およびスティッチトポール部分22と反対側に位置する。したがって、PG23は、WG24と、磁極21およびスティッチトポール部分22との間に挟まれた状態となっている。WG24の端面は、スティッチトポール部分22の後方端面よりも後退した位置ABSから遠ざかった位置にある。図9Bに示したように、PG23の頭頂部26は磁極21へ向いている。磁極21、スティッチトポール部分22およびPG23は、TAMRヘッドのABSに完全に露出している。WG24の輪郭は破線で示されている。WG24は、ABSからみてスティッチトポール部分22よりも後退した位置にあるからである。このTAMRヘッドでは、積層方向において一定の間隔27が、PG23と、スティッチトポール部分22との間に設けられている。なお、図9Bでは、PG23におけるABSに露出した端面形状を三角形状としたが、これに限定されず、例えば図5に示したように様々な形状を採用することができる。図9Cは、PG23の、ABSと反対側の端面後端面のを含むTAMRヘッドの断面形状を表すものである。すなわち、図9Cでは、WG24および磁極21と共に、PG23の入射側の端面が示されている。なお、後端面の形状についても図9Cに示したものに限定されず、例えば図4に示したような形状をとることができる。図10Aは、本実施の形態の第2の変形例としてのTAMRヘッド第3のTAMRヘッドの、ABSと直交する断面の構成を表している。このTAMRヘッドは、スティッチトポール部分22の後方部分ABSと反対側の端面の近傍の形状が異なる傾斜部分29を有することを除き、他は図8A~8Cに示した第1のTAMRヘッドと同様の構成を有している。この傾斜部分29は、表面プラズモンがPG23の表面をABSへ向けてより効率的に伝播するのを可能とするものである。図10Bに示したように、PG23の頭頂部26は、WG24および磁極21へ向いている。磁極21、スティッチトポール部分22およびPG23は、TAMRヘッドのABSに完全に露出している。WG24の輪郭は破線で示されている。WG24は、スティッチトポール部分22の背後に配置されているからである。この第3のTAMRヘッドでは、積層方向において一定の間隔27が、PG23と、スティッチトポール部分22およびWG24との間に設けられている。なお、図10Bでは、PG23におけるABSに露出した端面の形状を三角形状としたが、これに限定されず、例えば図5に示したように様々な形状を採用することができる。図10Cは、PG23の後端面を含むTAMRヘッドの断面形状を表すものである。図10Cでは、WG24および磁極21と共に、PG23の入射側の端面が示されている。なお、後端面の形状についても図10Cに示したものに限定されず、例えば図4に示したような種種の形状をとることができる。本発明のデザインのプラズモンジェネレータを用いることによる光学効率光エネルギーの光導波路からプラズモンジェネレータへの移動の改善を明らかにするために、有限差分時間領域FDTD;finitedifferencetimedomain分析を実施した。この分析により、プラズモンジェネレータに沿って伝播するSP波とWGにおける光学的反射opticalradiationとの結合についてのフルウェーブ電磁気シミュレーションの効果が示されている。このシミュレーションモデルは、光導波路WGと、プラズモンジェネレータPGと、WGおよびPGの双方を取り囲むクラッド層と、ABSとを考慮したものである。第1の実施例図11~図13は、XY断面の形状が台形を有すると共に、Z軸方向においてそのXY断面の形状および大きさを維持するように延在するPG23の効果電界強度分布を示している。第2の実施例図14~図16は、XY断面の形状が台形を有すると共に、Z軸方向においてそのXY断面の大きさがABSへ近づくほど縮小するように延在するPG23の効果電界強度分布を示している。第2の実施例図17~図19は、XY断面の形状が矩形を有すると共に、Z軸方向においてそのXY断面の大きさがABSへ近づくほど縮小するように延在するPG23の効果電界強度分布を示している。図11,14および17は、Z軸に沿ってABSに向けて伝播する表面プラズモンの、XZ平面における電界強度分布を表している。図12,15および18は、Z軸に沿ってABSに向けて伝播する表面プラズモンの、YZ平面における電界強度分布を表している。WGの端面およびPGの側面は、それぞれ破線で記載している。さらに、図13,16および19は、Z軸に沿ってABSに向けて伝播する表面プラズモンの、ABSから20nm離れた位置でのXY平面における電界強度分布を表している。単純化のため、第1および第2の領域部分S1,S2についてはここでは図示していない。このように、PGが徐々に幅が狭くなる断面積が絞り込まれる形状を有すると共にABSに平行な断面において台形を有することにより、プラズモンの電界強度は著しく向上することがわかる。例えば、図16では、断面形状および断面積が一定の場合と比較して、電界のピーク強度が47向上している。PGが、ABSに平行な断面において三角形をなす場合についても同様に、断面積がZ軸に沿って徐々に絞り込まれる形状を有することで、断面形状および断面積が一定の場合と比較して、プラズモンの電界強度は著しく向上することがわかる。改善された電界強度は、磁気記録媒体上において、より小さな寸法のスポットが生成されることを意味している。一般に、モデリングの結果は、ピーク強度および近接場光の圧縮凝集の程度に関して従来のPGに対する本願発明のPGの実質的改善を明らかにする。モデリングの結果は、さらに、表面プラズモンエネルギーを収束するテーパ形状が結果として近接場光を増強することも示している。WGおよびそれと重なり合う第1の領域部分S1のマッチング、テーパ角度および第2の領域部分S2の長さの調整、ならびに台形もしくは三角形の断面におけるフレア角の調整の最適化により、レーザ光源から磁気記録媒体上の加熱スポットへ移動する光エネルギーの全体的効率を改善することが可能である。以上、特定の実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例において説明した態様に限定されず、本発明の趣旨から外れることがない限りにおいて、製造方法、プロセス、材料、構造などについての種々の変形が可能である。"