第2のウェハ110に接合された第1の層116の露出面に存在する材料断片118を除去する方法であって、除去されるべき前記断片が2μmよりも大きく、前記方法が、少なくとも前記第1の層を溶液126、130の中に沈めるステップと、前記溶液中に超音波を伝えるステップであって、前記超音波の周波数及び出力が、前記溶液中にキャビテーション効果を生み出すように設定されて、前記断片が前記露出面から除去されているステップと、を含む方法。前記断片が、前記第1の層を化学的にエッチングする先行するステップE4の結果として生じる、請求項1に記載の方法。前記超音波の周波数及び出力が前記溶液の粘度に応じて設定される、請求項1又は2に記載の方法。前記溶液が洗浄液130である、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記溶液がエッチング液126である、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記溶液が以下の溶液、すなわちTMAH溶液、KOH溶液及びH3PO4溶液のうちの少なくとも1つを含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。除去されるべき前記材料断片118の少なくとも一部が、前記第1の層116を化学的にエッチングする先行するステップの間中に形成された前記第1の層の断片である、請求項1~6のいずれか一項に記載の除去方法。除去されるべき前記材料断片が以下の残留物、すなわち前記第1の層116と前記第2のウェハ110の間の接合界面に少なくとも位置する酸化物層106から生じる酸化残留物と、前記第1の層の周縁部から生じるシリコン残留物と、前記第1の層の周縁部から生じる微小構成要素の残留物とのうちの少なくとも1つを含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。多層構造体を製作する方法であって、第1のウェハ108を第2のウェハ110に接合して多層構造体111aを形成するステップと、前記構造体をアニールするステップと、前記第1のウェハを薄くするステップと、を連続して含み、前記薄くするステップが、前記第1のウェハを化学的にエッチングする少なくとも1つのステップを含み、前記化学エッチングステップの後に、前記薄くした第1のウェハ116の露出面に存在する材料断片118を、請求項1~6のいずれか一項に定義された除去方法を用いて除去するステップをさらに含むことを特徴とする、方法。前記接合ステップの前に前記第1のウェハを酸化するステップをさらに含む、請求項9に記載の製作方法。前記化学エッチングステップがエッチング液126の槽内で実施され、前記断片の除去中に使用される前記溶液が前記エッチング液である、請求項9又は10に記載の製作方法。本発明の他の特徴及び利点は、本発明の非限定的で例示的な一実施形態を示す添付の図を参照することで、以下の説明から明らかになろう。本発明は、一般的には、多層構造体の製作中にその露出面に現れる望ましくない材料断片を除去することに関する。多層すなわち複合の構造体は、第1のウェハを第2のウェハに接合することによって製造され、この第2のウェハは第1のウェハを支持する。多層構造体を形成するウェハは一般に円形であり、様々な直径、特に100mm、200mm又は300mmの直径を有しうる。しかし、ウェハは、例えば長方形など、いかなる形状であってもよい。これらのウェハは好ましくは、面取りした縁部、すなわち上方面取部及び下方面取部を含む縁部を有する。これらの面取部は一般に、丸くなった形状を有する。しかしウェハは、ベベルなど様々な形状の面取部又は縁部丸みを有しうる。これらの面取部の役割は、ウェハの取り扱いを容易にすることであり、また、縁部が尖鋭であれば起こりうる縁部の断片化を防止することである。このような断片はウェハ表面の粒子汚染の原因になる。次に、多層構造体を製作する例示的な工程を、図1A~図1Bを参照して説明する。図1A及び図1Bに示されるように、複合構造体111aが、第1のウェハ108を第2のウェハ110と結合することによって形成される。この例では、第1のウェハ108は、2つのシリコン層すなわち上層101及び下層102の中間の埋込酸化物層104を含むSOI構造体である。第2のウェハ110は、ここではサファイアでできている。第1のウェハ108と第2のウェハ110は、ここでは同じ直径を有する。しかしこれらは、それぞれ異なる直径を有することもある。好ましくは、2つのウェハ108及び110のうちの少なくとも一方が、接合の前に酸化されている。この酸化により特に、接合が実施された後に2つのウェハの中間の酸化物層が得られる。この酸化は、酸化媒体中の熱処理によって行うことができる。ここで説明する例では、第1のウェハ108は、第1の層の表面全体にわたって酸化物層106が形成されるように、接合の前に酸化される。代替として、接合酸化物層と呼ばれる酸化物層を第1のウェハ108の結合されるべき側に、第2のウェハ110に接合する前に堆積することも可能であり、後者は場合により表面酸化物層も含む。したがって、第1のウェハ108と第2のウェハ110の間の界面に接合酸化物層があり、それによってこれら2つのウェハ間の接合をより良くすることができる。さらに、第1のウェハ108は、面取縁部、すなわち上方面取部122a及び下方面取部122bを含む縁部を有する。第2のウェハ110は同様に、上方面取部124a及び下方面取部124bを含む縁部を有する。ここで説明する例では、第1のウェハ108と第2のウェハ110は、直接接合分子接合とも呼ばれるによって結合され、この技法は当業者によく知られているステップE1。しかし、例えば陽極接合、金属接合又は接着剤接合など、他の接合技法を使用することもできる。直接接合の原理は、2つの面を直接接触させることに基づき、すなわち特定の追加材料接着剤、ワックス、ハンダが使用されないことを思い起こされたい。このような作業工程を実施するために、接合されるべき各表面は、十分に平滑でなければならず、微粒子又は汚染があってはならず、また接触が開始できるように、通常は数ナノメートル未満の距離まで、互いに十分に接近させなければならない。この場合、2つの表面間の引力は、直接接合接合されるべき2つの表面の原子間又は分子間のすべての引き合う電子相互作用力ファンデルワールス力によって誘発される接合を生じさせるのに十分なだけ強い。第1のウェハ108は、第2のウェハ110に接合されるべき側に微小構成要素図示せずを備えることが、微小構成要素の1つ又は複数の層を最終基板へ移転する必要がある3次元集積の場合に特に可能であり、又は、例えばバックライト付き撮像装置の製作の際などの回路移転の場合に可能であることに留意されたい。次に、複合構造体111aは、中程度の温度例えば、400°Cで2時間で接合界面強化アニールにかけられる。このアニールは、第1のウェハ108と第2のウェハ110の間の接合を強化するためのものであるステップE2。このアニールが実施された後、一般に第1のウェハ108を薄くして、所与の厚さ例えば、約10μmを有する移転層がこの支持ウェハの上に形成される。この薄くする作業工程は一般に、化学エッチング工程を含む。ここで本出願人は、化学エッチング工程を伴う薄くするステップの後に、望ましくない材料断片が第1のウェハ108の露出面上に現れることを確認した。これらの材料断片についての深く掘り下げた調査により、その形成メカニズムを理解することが可能になった。その形成メカニズムを、第1のウェハ108を薄くする例示的なステップを示す図1C及び図1Dに関して、より詳細に説明する。この薄くするステップは一般に、別々の2つのサブステップを含む。第1のウェハ108は、グラインダによって、又は第1のウェハの材料を研削できる他の任意の工具によって、まず機械的に薄くするステップE3。この第1の薄くするサブステップにより、上層102のほとんどが除去され、残留層112図1Cだけが残る。次に、第2の薄くするステップで、残留層112は化学的にエッチングされるステップE4。このステップは、エッチング液126図1Dを備える槽に複合構造体111bを入れるものである。ここで説明する例では、第1のウェハ108のシリコンをエッチングするのにTMAH溶液が使用される。しかし、他の化学エッチング液を想起することもでき、これらの溶液は、薄くすべき第1のウェハの組成に応じて特に選択される。例えば、KOH又はH3PO4溶液を状況に応じて使用することができる。第1のウェハの層101と102の中間の埋込酸化物層104は、化学エッチング中にストップ層として機能する。したがって、化学エッチングは酸化物層104で止められる。こうして化学エッチングによって、機械的に薄くした後に残っている残留層112を除去する。しかし、本出願人は、化学エッチング工程の後に、材料断片118が第1のウェハ116の露出面に存在していることを確認した。これらの断片は、サイズが2μmよりも通常は大きい。調査により、これらの材料断片は、第1のウェハの縁部から生じる破片であることが示された。より詳細には、第1及び第2のウェハの面取縁部は、これら2つのウェハがその周辺部で接合することで問題を引き起こす。中程度の温度の接合界面強化アニールにもかかわらず、第1のウェハ108の、下方面取部122bの近くに位置する周辺の環状部分は、第2のウェハ110と十分に接合しないまた、全く接合しないことさえある。機械的及び化学的に薄くする各ステップの間中に第1のウェハの厚さが低減することで、下方面取部122b近くの第1のウェハの縁部が著しく脆弱になる。化学エッチング工程の間中の横方向エッチングで、接合されていない又は接合が弱い第1のウェハの周辺域がさらに脆弱化する。このさらなる脆弱さにより一般に、薄くした第1のウェハの周辺で破損が抑制されないことになる。これらの破損により、破片又は材料断片が形成されることになり、これらはその後、薄くした第1のウェハ116の露出面に堆積しやすい。こうして、酸化物を含有する、また場合によりシリコンを含有する断片が、薄くした第1のウェハ116の露出面を汚染する可能性がある図1D。破損は特に、化学エッチング中の薄くする過程で、第1のウェハの残りの厚さではウェハがそれ自体の重量を周辺部で支えることができないときに起こる。一旦この限界状態に達すると、下方面取部122b近くの第1のウェハの周辺部分が崩壊し、それによって望ましくない材料断片118が生成されるようである。本出願人は、これらの材料断片118が一般に比較的大きいことをさらに確認した。通常これらの断片は、サイズが少なくとも2μmある。これらの断片のサイズが大きいことは、上述した崩壊という断片形成メカニズムによって特に説明がつく。これらの断片は、そのサイズが大きいために、従来の超音波洗浄処理によっては効果的に除去することができない。これらの断片118は、回路残留物を含みうることにもまた注意されたい。この回路残留物は、第1のウェハ内に、第1のウェハが第2のウェハ110と接合される側で埋め込まれる、どの微小構成要素からも生じる。したがって本出願人は、多層構造体の製作中にその表面に現れる可能性があるいかなる材料断片も除去する方法を開発した。本発明の例示的な一実施形態を、図2及び図3を参照して説明する。化学エッチングが実施された後図1D、多層構造体111cは洗浄され、次に、図3に示されるように、洗浄液130を収容しているトレイ128又は皿に入れられる。この洗浄液は、例えば脱イオン水DIWとすることができる。しかし、他の洗浄液もまた想起することができる。超音波、すなわち、例えば液体によって20kHzよりも高い周波数で伝達される機械的な弾性波が次に、複合構造体111cが沈められている洗浄液中に伝えられる。この超音波は、例えば圧電変換器を所与の周波数及び出力で発振させることによって生成することができる例えば超音波洗浄剤を使用して。しかし他の超音波変換器を本発明との関連で想起することもできる磁歪変換器、空気式発生器など。特定の条件のもとで超音波を放射すると、洗浄トレイ128の中で、音響キャビテーション効果と呼ばれるものがもたらされる。より具体的には、超音波は、洗浄液130中に大幅な圧力低下を生じさせる。この圧力低下は、それが限界閾値に達したとき、洗浄液130中に泡を生じさせる。この泡は一般に、キャビテーション泡と呼ばれる。キャビテーション泡は特に不安定であるので、薄くした第1のウェハ116の露出面に遭遇すると内破する。泡が内破したとき、これらの泡は衝撃波を放射しうるが、この衝撃波は、薄くした第1のウェハ116の露出面に存在する材料断片118を分解し、剥離し、分散させるのに十分な強さがある。薄くした第1のウェハ116の露出面から剥離された後、材料断片118は洗浄液130によって除去される。このキャビテーション効果をもたらす圧力低下の大きさは、放射される超音波の周波数及び出力に特に依存する。本出願人は、サイズが少なくとも2μmある断片を除去できるキャビテーション効果を得るには、使用される超音波は周波数が低くなければならないことを確認した。言い換えると、この周波数は、20kHz~1000kHzの間に位置する一帯域内になければならない。周波数がこの帯域の下限すなわち20kHzに近ければ近いほど、より大きい断片が本発明の方法によって除去される。特定の一実施形態では、超音波の周波数は20kHz~500kHzの間にあり、20kHz~100kHzの間にさえある。一変形形態では、周波数は700kHz~1000kHzの間にある。しかし、洗浄液130の粘度もまた、得られる圧力低下の大きさに影響を及ぼす。これは、洗浄液130の粘度が高ければ高いほど、キャビテーション効果を得ることがより困難になることによる。したがって、超音波が伝わる溶液の粘度は最小限にすることが推奨される。通常では溶液の粘度は、25°Cで30mPasすなわち30cP以下でなければならない。本明細書では、粘度という語は、媒体の動粘度を意味すると理解されていることに注意されたい。したがって、超音波の周波数及び出力は、洗浄液130の粘度に応じて設定される。溶液の温度を、考えられる状況に適合させることもまた可能である。特に、溶液の温度が高ければ高いほど、溶液の粘度がいっそう減少する。したがって、30mPas未満の粘度を得るには、超音波が伝わる溶液を加熱することが可能である。さらに、超音波の出力を変えると、材料断片118が除去される率が変わる。すなわち、超音波の出力が大きければ大きいほど、除去率がいっそう高くなる。この出力は、例えば600W~1200Wの間に設定される。下の表には実験条件が整理されており、これらの条件は、薄くした第1のウェハ116の表面の材料断片118を除去することを可能にするキャビテーション効果が得られるように、通常は適用することができる。代替として、本発明による除去方法を、図1Dに示された化学エッチング工程の間中に、エッチング液126の槽内で直接実施することも可能である。この場合、エッチング液126例えば、TMAH溶液は、超音波を伝える媒体として機能し、キャビテーションは、エッチング液126のエッチング作用に伴う。本発明による断片を除去する方法が実施された後、薄くした第1のウェハ116の周辺から環状部分を除去するために、輪郭削り工程を実施することが可能である。さらに、本発明の方法は、あらゆるタイプの多層構造体に適用可能であり、より具体的には、ウェハに面取縁部又は任意の形状の丸み付け縁部がある多層構造体で、接合界面を完全に安定化させるために高温まで加熱することができない多層構造体に適用可能である。本発明は、SOS構造体に特に適用可能である。したがって、本発明による除去方法では、多層構造体の表面、より具体的には移転層すなわち、薄くした第1の層の露出面に堆積する、又は堆積しやすい材料断片を有利に除去する。本発明の方法は、サイズが比較的大きい、すなわち通常はサイズが2μmを超える微粒子を除去するのに特に適している。すなわちこの方法では、サイズが数ミクロン、さらに数センチメートルの断片が除去される。本発明の方法はまた、動作パラメータが制御可能且つ再現可能であるという点でも有利である。したがって、この技法は、工業化のために最適化及び自動化することができる従来の加圧噴射のもとでの洗浄処理とは対照的に。例えば、本発明の方法を実施できるようにするために、超音波槽は、多層構造体を製造するラインに有利に組み入れることができる。