"ABSに露出した端面と、トレーリングエッジを含むトレーリング面およびリーディングエッジを含むリーディング面とを有し、前記ABSに沿った前記トレーリング面と前記リーディング面との間隔で規定される厚さが前記ABSから遠ざかる方向において変化する磁極層を備え、前記磁極層は、前記ABSから遠ざかるほど前記厚さが最大値となるまで増大する第1の部分と、前記第1の部分と接続され、前記厚さが最大であり、かつ一定に維持されている第2の部分と、前記厚さが前記第2の部分よりも薄く、かつ一定に維持されている第3の部分と、前記第2の部分と前記第3の部分とを連結し、前記ABSから遠ざかるほど前記厚さが減少する第4の部分とを含んでなる垂直磁気記録ヘッド。自らから射出される磁束によって隣接トラック消去ATEおよび広域トラック消去が生じることのないリーディングシールドおよびサイドシールドを含むシールド構造をさらに備えた請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第3の部分のリーディング面もしくはトレーリング面において前記磁極層との物理的および磁気的に接続されたヨークをさらに備えた請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第1の部分は、前記トレーリング面および前記リーディング面の少なくとも一方が傾斜している請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第1の部分および前記第2の部分の、前記ABSと直交する方向の合計の長さが0.3μm以上1.5μm以下である請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記厚さの最大値は0.15μm以上0.5μm以下である請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第3の部分の厚さは0.05μm以上0.35μm以下である請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第4の部分は、前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記トレーリング面を有している請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第4の部分は、前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記リーディング面を有している請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第4の部分は、前記第2の部分と接続された第1の遷移部分と前記第3の部分と接続された第2の遷移部分を有し、前記第1の遷移部分は前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記トレーリング面を有し、前記第2の遷移部分は前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記リーディング面を有している請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第1の遷移部分と前記ABSとの距離は0.3μmであり、前記第2の遷移部分と前記ABSとの距離は1.5μmである請求項10記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第4の部分は、前記第2の部分と接続された第1の遷移部分と前記第4の部分と接続された第2の遷移部分を有し、前記第1の遷移部分は前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記リーディング面を有し、前記第2の遷移部分は前記ABSと直交する方向に対して15°以上90°以下の角度を有するように傾斜した前記トレーリング面を有している請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記第1の遷移部分と前記ABSとの距離は0.3μmであり、前記第2の遷移部分と前記ABSとの距離は1.5μmである請求項12記載の垂直磁気記録ヘッド。基体を用意するステップと、前記基体の上に材料層を形成するステップと、前記材料層の上に第1のフォトレジストマスクを形成するステップと、前記第1のフォトレジストマスクを利用した第1のエッチング処理により、前記材料層に第1のトレンチを形成するステップと、前記第1の第1のフォトレジストマスクを除去したのち、第2のフォトレジストマスクを形成するステップと、前記第2のフォトレジストマスクを利用した第2のエッチング処理により、前記第1のトレンチを掘り下げるステップと、前記第2のフォトレジストマスクを除去するステップと、掘り下げた前記第1のトレンチを完全に埋めるように磁極層を形成するステップと、前記磁極層の表面を平坦化するステップと、平坦化された前記磁極層の表面の一部に傾斜面を形成するステップとを含む垂直磁気記録ヘッドの製造方法。基体を用意するステップと、前記基体の上に第1の材料からなる第1の層を形成するステップと、前記第1の層の上に金属エッチングストップ層を形成するステップと、前記第1の層および金属エッチングストップ層の上に前記第1の材料からなる第2の層を形成するステップと、前記第2の層の上に第1のフォトレジストマスクを形成するステップと、前記第1のフォトレジストマスクおよび前記金属エッチングストップ層を利用した第1のエッチング処理により、前記第2の層および前記第1の層を貫くと共に位置によって深さが異なるトレンチを形成するステップと、前記第1のフォトレジストマスクを除去するステップと、前記トレンチを完全に埋めるように磁極層を形成するステップと、前記磁極層の表面を平坦化するステップと、第1のエッチング処理により、平坦化された前記磁極層の表面の一部に、傾斜面を形成するステップとを含む垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層を選択的に覆うように第3のフォトレジストマスクを形成するステップと、前記第3のフォトレジストマスクを利用した第3のエッチング処理により、前記第3のフォトレジストマスクによって覆われていない領域の前記磁極層の厚さを薄くするステップをさらに含む請求項14記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層を選択的に覆うように第2のフォトレジストマスクを形成するステップと、前記第3のフォトレジストマスクを利用した第2のエッチング処理により、前記第2のフォトレジストマスクによって覆われていない領域の前記磁極層の厚さを薄くするステップをさらに含む請求項15記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層の厚さの最大値を0.15μm以上0.5μm以下とする請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第3のエッチング処理により、前記磁極層の一部を0.05μmの厚さとする請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層の厚さの最大値を0.15μm以上0.5μm以下とする請求項17記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第2のエッチング処理により、前記磁極層の一部を0.05μmの厚さとする請求項17記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層を、Fe鉄およびCoコバルトを含む合金により、めっき法またはスパッタリングを利用して形成する請求項17記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記磁極層を、Fe鉄およびCoコバルトを含む合金により、めっき法またはスパッタリングを利用して形成する請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記材料層を、Al2O3によって形成する請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1および第2の層を、Al2O3によって形成する請求項15記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。イオンビームエッチングもしくは反応性イオンエッチングにより前記第2のエッチング処理を行い、イオンビームエッチングにより前記第3のエッチング処理を行う請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。イオンビームエッチングもしくは反応性イオンエッチングにより前記第1のエッチング処理を行い、イオンビームエッチングにより前記第2のエッチング処理を行う請求項17記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。上述の先端部に傾斜面を含む磁極構造は、先端部に傾斜面を含まない磁極と比較すると磁界強度の向上などの利点を有するが、ある欠点も有する。具体的には、磁極先端部の厚い領域部分ABSから少し離れて位置する領域部分により、増加した磁束が主磁極の周辺領域に向かうこととなり、主磁極内の磁束密度を増加させるだけでなく、記録磁界の漏洩フリンジングを大幅に増加させてしまう。このフリンジングはシールド構造によって増加するおそれがあり、隣接トラック消去ATEおよび広域トラック消去WATEを引き起こす場合がある。さらに、磁極の厚い傾斜に対して近位である領域部分が長いと、その内部に強度の高い磁束を含むことになる。そのため、そのうちの一部の磁束が傾斜した磁極先端部に集中するので、記録磁束強度を向上させる一方で大きなフリンジングを生むこととなってしまう。磁極先端部に所望の磁束を集中させるためには、記録ヘッドの内部により強い磁束が生じていることが必要と考えられる。その一方で、ATEおよびWATEを最小限に抑えるためには、記録磁界のフリンジングを抑制することが必要である。本発明の第1の目的は、高面密度記録が可能な垂直磁気記録PMRヘッドの磁極構造を提供することにある。本発明の第2の目的は、傾斜面を含む形状を用いてABSに露出した磁極先端部に対してより効果的に磁束を供給することによって、記録磁界を増加させるPMRヘッドの磁極構造を提供することにある。本発明の第3の目的は、狭いトラック幅に対する記録性能を向上させるとともに、隣接トラック、および記録対象トラックの周囲の広い領域内に含まれるトラックへの情報記録に対する劣化ATEおよびWATEを最小限に抑え、もしくは排除することが可能な磁極構造を備えたPMRヘッドを提供することにある。本発明の第4の目的は、上述の目的を達成するとともに、ヘッドの特定の領域における磁束量を減少させるPMRヘッドを提供することにある。本発明の第5の目的は、上述の目的に適う磁極構造の製造方法を提供することにある。上記した本発明の目的は、厚さが変化する傾斜部を含む磁極の形成によって達成される。ここで、厚さとは、リーディングエッジ表面とトレーリングエッジ表面との間の距離であり、ABSと垂直な方向において変化するものである。具体的には、本発明の垂直磁気記録ヘッドは、ABSに露出した端面と、トレーリングエッジを含むトレーリング面およびリーディングエッジを含むリーディング面とを有し、ABSに沿ったトレーリング面とリーディング面との間隔で規定される厚さがABSから遠ざかる方向において変化する磁極層を備える。磁極層は、ABSから遠ざかるほど厚さが最大値となるまで増大する第1の部分と、その第1の部分と接続され、厚さが最大であり、かつ一定に維持されている第2の部分と、厚さが第2の部分よりも薄く、かつ一定に維持されている第3の部分と、第2の部分と第3の部分とを連結し、ABSから遠ざかるほど厚さが減少する第4の部分とを含んでなるものである。また、本発明の第1の垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、基体を用意するステップと、基体の上に材料層を形成するステップと、材料層の上に第1のフォトレジストマスクを形成するステップと、第1のフォトレジストマスクを利用した第1のエッチング処理により、材料層に第1のトレンチを形成するステップと、第1の第1のフォトレジストマスクを除去したのち、第2のフォトレジストマスクを形成するステップと、第2のフォトレジストマスクを利用した第2のエッチング処理により、第1のトレンチを掘り下げるステップと、第2のフォトレジストマスクを除去するステップと、掘り下げた第1のトレンチを完全に埋めるように磁極層を形成するステップと、磁極層の表面を平坦化するステップと、平坦化された磁極層の表面の一部に傾斜面を形成するステップとを含むものである。また、本発明の第2の垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、基体を用意するステップと、基体の上に第1の材料からなる第1の層を形成するステップと、第1の層の上に金属エッチングストップ層を形成するステップと、第1の層および金属エッチングストップ層の上に第1の材料からなる第2の層を形成するステップと、第2の層の上に第1のフォトレジストマスクを形成するステップと、第1のフォトレジストマスクおよび金属エッチングストップ層を利用した第1のエッチング処理により、第2の層および第1の層を貫くと共に位置によって深さが異なるトレンチを形成するステップと、第1のフォトレジストマスクを除去するステップと、トレンチを完全に埋めるように磁極層を形成するステップと、磁極層の表面を平坦化するステップと、第1のエッチング処理により、平坦化された磁極層の表面の一部に、傾斜面を形成するステップとを含むものである。磁極の厚さの変化を、図3~5に模式的に示した各実施態様を例に挙げて以下に説明する。磁極の厚さは、その後方部分ABSから離れた部分においては薄く一定である。また、この領域の上面または下面にはヨークが固定されている。記録磁極の厚さは、それが増大する先端部第1の部分の後方に位置する第2の部分において最大値で一定となり、その後方部分第4の部分において減少したのち、さらに後方の第3の部分において薄く一定となる。この磁極設計によれば、ヨークと接触する磁極領域の厚さが薄いので、磁極を駆動するために用いる磁束の総量が少なくてすむ。また、厚さが最大となる第2の部分は、さらなる磁束集中パワーを供給する。それによって、磁極と対応する領域の磁界は増加する。一方で、図2に示した従来構造と比較すると、隣接領域における漏洩磁界は大幅に減少する。なお、ABSに平行な面における磁極の断面形状は、通常、三角形または台形であり、リーディングエッジからトレーリングエッジに向かって傾斜している。本発明は、この傾斜にさらなる傾斜形状を付加するものである。本発明の垂直磁気記録ヘッドによれば、磁極層において、厚さが徐々に減少する先端部の後方に厚さが最大となる部分を配置することで記録動作に必要な大きさの磁束を十分に確保しつつ、ABSに露出した端面において磁束密度を高めることができる。さらに、その後方に位置しヨークと接する部分の厚さを薄くかつ一定に維持するようにしたので、磁極層全体に内包する磁束の量を低減し、フリンジングを抑えることができる。その結果、磁気記録媒体における微小な領域に対し、正確に情報の記録を行うことができる。すなわち、高密度記録を実現することができる。また、本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造方法によれば、上記本発明の垂直磁気記録ヘッドを製造することができる。本発明の目的、特徴および利点は、以下に記載の好適な実施の形態の説明に照らして理解される。本実施の形態の垂直磁気記録PMR:perpendicularmagneticrecordingヘッドは、ABSと直交する方向において厚さが変化するように傾斜面を含む主磁極を備えたものである。なお、厚さは主磁極のトレーリングエッジとリーディングエッジとの間の、ABSに沿った方向の距離である。また、主磁極の先端部におけるABSに露出した端面の形状は、例えば三角形状または台形状となっている。主磁極は、ABSに露出した先端部である第1の部分において傾斜を生じている。第1の部分では、ABSから離れるに従ってその厚さが増加する。第1の部分では、第1の部分におけるトレーリングエッジ面もしくはリーディングエッジ面のいずれか、またはその両方が傾斜bevelしている。その傾斜は、主磁極の厚さが一定かつ最大となる第2の部分との境界位置において終了する。なお、傾斜面は対称でなくてもよいが、傾斜面が終了する位置2つの傾斜面の、ABSと直交する方向の長さが異なる場合には、長いほうの傾斜面が終了する位置から、厚さが一定かつ最大となる第2の部分が開始する。すなわち、第1の部分は、ABSと反対側の端縁において最大の厚さを有している。主磁極の第2の部分は、その厚さを一定に維持しつつ、第1の部分との接続部分からABSから離れる方向へ延在している。第2の部分の厚さは、主磁極において最大値を示す。この最も厚い第2の部分の後方には、厚さが減少する移行部分としての第4の部分が配置される。第4の部分では、リーディング面およびトレーリング面のうちの少なくとも一方が傾斜面ABSと直交する方向に対して傾斜した面となっていることにより、ABSから遠ざかるほど厚さが減少している。主磁極は、第4の部分において厚さが減少したのち、さらにその後方には減少した薄くなった厚さを維持したままABSから離れる方向へ延在する第3の部分を含んでいる。この第3の部分には、上部ヨークまたは下部ヨークが取り付けられ、物理的、および磁気的結合を生じさせている。なお、ここでは、単なる形成例として上部ヨークを示す。第1の実施の形態図3は、本発明の第1の実施の形態としてのPMRヘッドにおける要部の、ABSと直交する断面構成XY断面を表すものである。なお、本実施の形態におけるPMRヘッドの構造は、主磁極層114を主磁極層14Aに置き換えたことを除き、図1に示したものと同様である。以下において、厚さは、主磁極層14のリーディングエッジを含む面とトレーリングエッジを含む面との、X軸方向の間隔を意味する。主磁極層14Aは、第1~第4の部分1~4を含んでなり、ABSと直交するY軸方向においてその厚さが変動している。磁極先端部としての第1の部分1はABSに露出した端面19を含み、ABSから遠ざかるほど厚さが増大し、第2の部分2と連結する境界位置において厚さは最大値t1となっている。第1の部分1では、リーディングエッジを含むリーディング面191およびトレーリングエッジを含むトレーリング面192の双方が、Y軸に対して傾斜している。但し、リーディング面191またはトレーリング面192のいずれか一方は、Y軸と平行であってもよい。最大値t1は、例えば0.15μm以上0.5μm以下の範囲である。第2の部分2は、第1の部分1の後方ABSと反対側と連結され、一定かつ最大の厚さt1を維持しつつY軸方向に延在している。第3の部分3は第2の部分2の後方に位置しており、第2の部分2の厚さt1よりも薄い厚さt2<t1を一定に維持するようにY軸方向に延在している。厚さt2は、主磁極層14において例えば最小値を示す。第3の部分3には、その上面トレーリング面14Tと接するように上部ヨーク18が固定されている。上部ヨーク18は、物理的および磁気的に主磁極層14Aと接続されたものである。第4の部分4は、第2の部分2と第3の部分3とを連結し、ABSから遠ざかるほど厚さがt1からt2まで減少する遷移部分である。厚さt2は、例えば0.05μm以上0.35μm以下である。端面19から、傾斜面22による厚さの減少が開始する始点位置第2の部分2と第4の部分4との境界位置までの長さLは、例えば0.3μm以上1.5μm以下である。長さLは、Y軸方向における、第1の部分1と第2の部分2との合計の長さである。第4の部分4におけるリーディング面である傾斜面22は、厚さをt1からt2へと減少させ、Y軸方向に対して角度αを形成する。角度αは例えば15°以上90°以下である。第2の実施の形態図4は、本発明の第2の実施の形態としてのPMRヘッドにおける要部の、ABSと直交する断面構成XY断面を表すものである。本実施の形態は、上記第1の実施の形態における主磁極層14Aを主磁極層14Bに置き換えたものである。すなわち、本実施の形態では、主磁極層14Bの第4の部分4におけるトレーリング面が傾斜面21を含むことにより、主磁極層14Bの厚さがt1からt2まで減少している。この点を除き、他は第1の実施の形態としてのPMRヘッドと同様の構成である。第3の実施の形態図5は、本発明の第2の実施の形態としてのPMRヘッドにおける要部の、ABSと直交する断面構成XY断面を表すものである。本実施の形態では、主磁極層14Cが、第1の部分1の後方において、リーディング面およびトレーリング面の両方において傾斜面21,22を有することでその厚さが減少するように構成されている。第1の部分1では、リーディングエッジを含むリーディング面191およびトレーリングエッジを含むトレーリング面192の双方が、Y軸に対して傾斜している。但し、リーディング面191またはトレーリング面192のいずれか一方は、Y軸と平行であってもよい。最大値t1は、例えば0.15μm以上0.5μm以下の範囲である。第2の部分2は、第1の部分1の後方ABSと反対側と連結され、一定かつ最大の厚さt1を維持しつつY軸方向に延在している。第3の部分3は第2の部分2の後方に位置しており、第2の部分2の厚さt1よりも薄い厚さt2<t1を一定に維持するようにY軸方向に延在している。厚さt2は、主磁極層14Cにおいて例えば最小値を示す。厚さt2は、例えば0.05μm以上0.35μm以下である。第3の部分3には、その上面トレーリング面14Tと接するように上部ヨーク18が固定されている。上部ヨーク18は、物理的および磁気的に主磁極層14Cと接続されたものである。第4の部分4は、第2の部分2と接続された第1の遷移部分4Aと、第3の部分3と接続された第2の遷移部分4Bと、それらに挟まれた一定の厚さt3t2<t3<t1を有する中間部分4Cとを有している。第1の遷移部分4Aでは、トレーリング面に傾斜面21が含まれており、ABSから遠ざかるほど厚さがt1からt3まで減少している。傾斜面21は、Y軸方向に対して角度α1をなしている。角度α1は例えば15°以上90°以下である。端面19から第2の部分2と第4の部分4との境界位置までの長さL1は、例えば0.3μm以上1.5μm以下である。第2の遷移部分4Bでは、リーディング面に傾斜面22が含まれており、ABSから遠ざかるほど厚さがt3からt2まで減少している。傾斜面22は、Y軸方向に対して角度α2をなしている。角度α2は例えば15°以上90°以下である。端面19から、中間部分4Cと第2の遷移部分4Bとの境界位置までの長さL2は、例えば0.3μm以上1.5μm以下である。なお、長さL1と長さL2とは、相互に等しいことが望ましいが、これに限定されるものではない。以下、図6~8を参照して、本実施の形態第1~第3の実施の形態に係るPMRヘッドを製造するための製造方法について説明する。図3~5に示した主磁極層14A~14Cを形成することができる方法がいくつかある。図6A~6Fおよび図7A~7Gに、図3および図5に示した、リーディング側に厚い部分が付加された主磁極層14A,14Cの形成方法を2つ示す。図8A~8Cには、図4および図5に示した、トレーリング側に厚い部分が付加された主磁極層14B,14Cを形成する方法を示す。なお、図8Aに示した第1のステップは、実際には、図6Fに示したステップ、または図7Gに示したステップに対応する。あるいは、図8Aに示したステップは、図4に示したように、主磁極層のトレーリング面における傾斜面の形成は完了しているが、下部の厚い部分を備えていない状態の主磁極層から始める場合の第1処理ステップであってもよい。図6Aは、第1の材料からなる第1の層100を側面から模式的に表した断面図である。第1の層100は、例えばAl2O3からなり、図示しない基板の上に堆積されたものである。なお、垂直な破線は、以下の各図において形成される磁極先端部の最終的なABSの位置を表す。図6Bは、図6Aに続く一工程を表す断面図である。ここでは、第1のフォトレジストマスク110を利用して、イオンビームエッチングIBE:ionbeametch、または反応性イオンエッチングRIE:reactiveionetch矢印115を施し、第1の層100に第1の溝120を形成する。この際、第1の溝120の外縁に、傾斜面145が形成される。この傾斜面145によって、こののち第1の溝120の内部に堆積される材料層に、対応する傾斜面が形成される。つぎに、図6Cに示したように、第1のフォトレジストマスク110を除去したのち、第1の溝120の内部に、第2のフォトレジストマスク130を選択的に設ける。第2のフォトレジストマスク130を利用して、第2のIBEまたはRIE矢印135処理を行い、第1の溝120を深く掘り下げ、より深い第2の溝140を形成する。この際、第2の溝140の外縁に傾斜面155が形成される。なお、傾斜面145の形状が変化する場合もある。つぎに、図6Dに示したように、第2のフォトレジストマスク130を除去することで第2の溝140を残存させる。つぎに、図6Eに示したように、Fe鉄およびCoコバルトの合金などの磁性材料からなる磁性層150を、第2の溝140を完全に埋めると共に、主磁極層14に必要な最大値t1を超える厚さとなるようにめっき処理などにより形成する。磁性層150の上面を、化学機械研磨CMP:chemicalmechanicalpolishingなどの方法によって平坦化する滑らかかつ平坦にする。最後に、図6Fに示したように、先端部分のトレーリング面192を傾斜面とする。具体的には、例えば、図6Bに既に示した処理と同様のフォトレジストの形成/IBE/フォトレジストの除去という処理によって形成可能である。なお、リーディング面191の傾斜は、第1の溝145によってすでに確定している。図7Aは、他の方法図6A~6Fの工程に代わる方法における第1ステップを側面から模式的に表した断面図である。このステップでは、図示しない基板の上に、第1の層100を堆積する。第1の層100は、例えばAl2O3からなる。なお、垂直な破線は、以下の各図において形成される磁極先端部の最終的なABSの位置を表す。つぎに、図7Bに示したように、リフトオフ堆積法により、第1の層100の一部の上に、金属からなるエッチングストップ層112を形成する。つぎに、図7Cに示したように、全体を覆うようにAl2O3からなる層200を堆積する。そののち、層200の表面を、CMPなどの表面研磨方法によって平坦化する。つぎに、図7Dに示したように、層200の表面を選択的に覆うフォトレジストマスク110を設ける。つぎに、図7Eに示したように、RIE処理を行うことで溝140を形成する。ここで、方向性RIEを適用する場合、フォトレジストマスク110およびエッチングストップ層112のいずれによっても覆われていない領域は、エッチングストップ層112で覆われた領域よりも深く掘り下げられる。フォトレジストマスク110によって、傾斜面145を形成可能である。向かい合った傾斜面145および傾斜面155は、互いに反対向きに傾斜している。つぎに、図7Fに示したように、フォトレジストマスク110を除去したのち、FeおよびCoの合金などの磁性材料からなる磁性層150を、溝140を完全に埋めると共に、主磁極層14に必要な最大値t1を超える厚さとなるようにめっき処理などにより形成する。磁性層150の上面を、化学機械研磨CMP:chemicalmechanicalpolishingなどの方法によって平坦化する滑らかかつ平坦にする。最後に、図7Gに示したように、先端部分のトレーリング面192を傾斜面とする。図8Aは、図6Fまたは図7Gと実質的に同一の磁極構造を示している。この状態から、例えば図8Bに示したように、磁性層150の上にフォトレジストマスク160を選択的に設け、IBE処理170を施す。IBE処理170によって、フォトレジストマスク160に覆われていない領域の磁性層150を厚さ方向に一部除去し、その厚さを第3の部分3に求められる所定の厚さt2とする。最後に、図8Cに示したように、フォトレジストマスク160を除去することで、傾斜面を有し、厚さが変化する主磁極層14Cが現れる。こののち、主磁極層3Cに、上部ヨークまたは下部ヨークを取り付けてもよい。このようにして、PMRヘッドにおける主磁極構造の製造を完了する。記録ヘッド構造の残りの部分の設計に応じて、これに続くステップで任意にトレーリングシールド、サイドシールド、およびリーディングシールドを追加してもよい。図9は、3種類の磁極設計の性能を比較するためのグラフ表示である。実験例1は、従来の、先端部を除き厚さが一定の主磁極層9At1=t2=240nmを備えたPMRヘッドである。実験例2は、本発明における、厚さが変化する傾斜した主磁極層9Bt1=300nm,t2=240nmを備えたPMRヘッドである。実験例3は、従来の、先端部を除き厚さが一定の主磁極層9Ct1=t2=300nmを備えたPMRヘッドである。図9では、横軸がABSからの距離を表し、縦軸が、主磁極層における磁束の大きさ累積値Byを表している。図9に示したように、実験例2主磁極9Bでは、ABSからの距離が20nm以下の位置における合計磁束は同程度であるが、厚さの薄い後方部分距離が1μmよりも大きい位置においては、受け取る磁束はより少なくて済む。つぎに参照する図10は、図9の3種類の磁極設計の効果を比較するための別のグラフである。ここでは、ABSからの距離が10nmの位置での合計磁束と、ABSからの距離が2μmの位置磁極の後方端部における流入磁束との比を比較した。実験例29Bは、従来の実験例1,39A,9Cよりもその効果が15高い。実験例2では、ABSに露出した主磁極層の端面おいて、同じ記録磁界を生成するために必要な流入駆動磁束がより少ないので、主磁極層から周囲のシールドへの漏れが減少し、その結果、隣接するトラック、および周囲のトラックへのフリンジングが減少し、ATEおよびWATE性能が向上する。当業者であれば理解できるように、本発明の好適な実施の形態は、本発明の例示であって本発明を制限するものではない。添付の特許請求の範囲によって定められる本発明の精神および範囲に従って、PMRヘッドの主磁極、およびその形成方法を提供する限りにおいて、PMRヘッドの、厚さが変化する傾斜した主磁極を形成し提供する際に適用する方法、材料、構造、および大きさに関しては修正や変更可能である。"