イオンビーム装置のイオンビーム源によって発生し、基板を加工するために該基板の表面を向いており、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板によって導かれるイオンビームにより前記基板の表面を加工するための方法において、前記オリフィス板と前記基板との間に、炭素と反応する遊離体が、イオンビームによって前記オリフィス板から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れで導かれることを特徴とする方法。炭素と反応する遊離体は、送出ユニットによって前記オリフィス板を非接触で通過して移動させられ、前記遊離体は、イオンビームによって前記オリフィス板から放出された炭素が酸化するように前記オリフィス板と前記基板との間に方向性のある流れで導かれることを特徴とする請求項1に記載の方法。酸化した炭素は、前記遊離体の流れで運ばれることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。前記遊離体として、ガス又は酸素含有プラズマが使用されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。前記ガスとして、酸素、オゾン、一酸化二窒素、水蒸気及び/又は酸素含有化合物が使用されることを特徴とする請求項4に記載の方法。イオンビームによる前記表面の加工後、酸素含有プラズマが前記基板の表面に導かれることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。イオンビームによる前記基板の表面の加工後、前記オリフィス板は外され、遊離体の送り先である無炭素イオンビーム又は低炭素イオンビームが前記表面に導かれることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の方法。前記オリフィス板は冷却器によって冷却されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の方法。前記遊離体は、イオンビームの焦点の近く及び/又はイオンビームによって加工されるべき基板上の位置の近くに送られることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の方法。速度が300eV及び1300eV間、特には600eV及び1000eV間又は700eV及び9000eV間であるイオンを有するイオンビームが使用されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の方法。イオンビームを発生するためのイオンビーム源と、該イオンビーム源と基板との間に配置されイオンビームの断面を調整するための少なくとも1枚のオリフィス板とを備えており、イオンビームが前記オリフィス板によって導かれることが可能であり、前記オリフィス板は炭素含有材料から形成されており、イオンビームにより前記基板を加工するためのイオンビーム装置において、炭素と反応する遊離体を送るための送出ユニットが設けられており、イオンビームによって前記オリフィス板から放出される炭素を酸化すべく、前記送出ユニットは、遊離体が前記オリフィス板と前記基板との間に方向性のある流れで導かれ得るように配置されていることを特徴とするイオンビーム装置。前記オリフィス板は、外されるか、及び/又はイオンビームの伝搬範囲の完全に外側まで回転させられることが可能であることを特徴とする請求項11に記載のイオンビーム装置。前記オリフィス板は冷却器を有していることを特徴とする請求項11又は12に記載のイオンビーム装置。前記基板の方を向いた前記オリフィス板の領域が、傾斜しており、特には円錐台形状であることを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載のイオンビーム装置。前記オリフィス板の内部に、イオンビームに略垂直に延びる部分が少なくとも複数設けられていることを特徴とする請求項11乃至14のいずれかに記載のイオンビーム装置。本発明は、先行技術に対して改善されたイオンビーム装置を作動するための方法、及び基板を加工するための改善されたイオンビーム装置を開示することを目的とする。本方法に関して、前記目的は請求項1に述べられた特徴によって本発明に従って達成し、本イオンビーム装置に関して、前記目的は請求項11に述べられた特徴によって本発明に従って達成する。本発明の有利な実施形態は従属クレームの主題である。イオンビームにより基板を加工する方法では、イオンビームは、イオンビーム装置のイオンビーム源によって発生し、基板を加工するために基板の表面に向けられる。イオンビームは、少なくとも一部分が炭素含有材料から形成されたオリフィス板によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体が、イオンビームによりオリフィス板から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板と基板との間に導かれる。結果として、イオンビームによってオリフィス板から分離した炭素を酸化することが可能になり、従って、基板の表面への炭素の浸透又は基板の表面への炭素の成膜を回避するか、又は少なくとも低減することが可能になる。そのため、特に表面が高品質である基板が製造され得ることが有利である。特にレンズのような光学的基板は、とりわけ高い表面品質及び材料の純度を必要とし、これは、本発明の方法の使用によって基板の表面が特に平滑化されるか及び/又は形状補正されることにより特に簡単、精確且つ効率的に保証され得る。オリフィス板に含まれる炭素と遊離体との反応、及びその後のオリフィス板に対する破損を回避すべく、遊離体は、オリフィス板を非接触で通過して移動することが更に好ましい。そのためには、遊離体は、オリフィス板と基板との間に方向性のある流れで導かれ、従ってイオンビームによりオリフィス板から放出された炭素が酸化する。特に有利な実施形態では、酸化した炭素が遊離体の流れで運ばれ、そのため、酸化した炭素が基板の表面に衝突することが防止される。その結果、表面の加工及び基板の表面品質が最適化される。遊離体として、プラズマ又はガスが特に使用され、各々の場合でオリフィス板と基板との間の空間に簡単且つ非常に精確に導かれ得る。炭素の実現し得る最も完全な酸化を達成するために、一実施形態では、酸素、オゾン、一酸化二窒素、水蒸気及び/又は酸素含有化合物及び/又は酸素含有プラズマがガスとして使用される。基板が加工された後、基板の表面に浸透したあらゆる炭素及び/又は基板の表面に成膜されたあらゆる炭素を除去するために、具体的な実施形態では、酸素含有プラズマ、例えば酸素プラズマが基板の表面に導かれる。その結果、酸化していない炭素又は部分的にのみ酸化した炭素が表面から放出され、従って基板の表面品質が更に改善される。残留炭素を表面から除去するために酸素含有プラズマを使用する特定の利点は、炭素が既に成膜されており、従って炭素自体があまり反応しない場合は常に、炭素が特に効果的に酸化することである。そのため基本的には、削磨される炭素、及び基板の表面の材料の更なる削磨も最小限度に抑えられる。代わりに又は加えて、イオンビームにより表面を加工した後、オリフィス板は外され、無炭素イオンビームが基板の表面に導かれる。そのため、表面を加工した後、基板の表面に浸透したあらゆる炭素及び/又は基板の表面に成膜されたあらゆる炭素が除去され得る。イオンビームにより基板を加工するためのイオンビーム装置は、イオンビームを発生するためのイオンビーム源と、イオンビーム源と基板との間に配置され、イオンビームの断面を調整するための少なくとも1枚のオリフィス板とを備えており、イオンビームはオリフィス板によって導かれることが可能であり、オリフィス板は炭素含有材料から形成されている。本発明によれば、炭素と反応する遊離体を送るための送出ユニットが設けられており、イオンビームによりオリフィス板から放出される炭素を酸化すべく、送出ユニットは、遊離体がオリフィス板と基板との間に方向性のある流れで導かれ得るように配置されている。送出ユニットは、材料、組立て及び経費の点で低コストで一体化されることが可能であり、そのため、特には労力及び費用をほとんどかけずに基板の表面を簡単、精確且つ効率的に加工することが可能であり、同時に、基板の表面への炭素のあらゆる浸透又は基板の表面上の炭素のあらゆる削磨を回避するか又は少なくとも低減することが可能である。本発明のイオンビーム装置の改良に関して、オリフィス板は外されるか及び/又はイオンビームの伝搬範囲の完全に外側まで回転させられることが可能である。従って、一方では、様々なオリフィス板がイオンビーム源と基板との間に簡単に配置されることが可能であり、そのため、様々なイオンビームが発生させられることが可能であり、基板に対する様々な表面加工処理が可能である。他方では、オリフィス板を外すこと及び/又は回転させることを可能にするために、このオリフィス板は、基板の表面上にイオンビームを適用するために、イオンビーム源と基板との間の領域の完全な外側に位置付けられ得ることが利点である。本発明のイオンビーム装置の特に有利な実施形態では、複数のオリフィス板が、イオンビーム源と基板との間に近接して旋回可能に配置されており、好ましくは回転可能に配置されている。その結果、基板に対する様々な表面加工処理のためにオリフィス板を交換する際の労力及び費用が低減される。酸化した炭素を除去するために、本発明のイオンビーム装置の一実施形態では、吸込抽出ユニットが設けられている。その結果、酸化した炭素を効果的且つ完全に除去することが可能になり、特に遊離体との炭素の反応で生成された反応生成物を除去するために、反応生成物をフィルタ及び/又は触媒ユニットに意図的に送ることが可能になる。本発明の特定の実施形態では、炭素を含有するオリフィス板が冷却器によって冷却される。その結果、イオンビームによってオリフィス板の内面から放出される炭素の割合が低減される。更に、基板からオリフィス板の外側にスパッタリングで戻される材料がオリフィス板に効果的に付着し、そのため、基板上の汚染度が効果的に低減される。遊離体は、焦点を合わせるイオンビームの焦点の近く及び/又はイオンビームによって加工されるべき基板上の位置の近くに送られることが特に好ましい。速度が300eV乃至1300eVであり、特には600eV乃至1000eV又は700eV乃至900eVであるイオンを有するイオンビームが使用されることが好ましい。その結果、エネルギー入力が、一方では効果的な表面加工を可能にすべく十分高く、他方では基板の表面を深く破壊することを防止すべく十分低い。イオンの速度は、イオンビームIのエネルギーを決定し、焦点調整ユニット112の格子に印加される加速電圧の大きさによって調整され得る。本発明の例示的な実施形態を、図面に関連して以下に更に詳細に説明する。図1には、イオンビームIにより基板2を加工するための本発明に係るイオンビーム装置1の1つの例示的な実施形態が示されている。基板2は、光学レンズ、ミラー等として具体化された加工品であり、イオンビームIによって、定められた構造がレンズの表面21に形成されるか、又は表面21が平滑化されるか及び/若しくは形状補正される。イオンビームIを発生させるために、イオンビーム装置1はイオンビーム源11を備えており、イオンビーム源11にアルゴンガスGが送られる。アルゴンガスGは、特には3scm3s標準立方センチメートル毎秒乃至5scm3sの流量で送られる。他のガスを代わりに使用することも可能である。或いは、他の流量も可能であり、流量は好ましくは個々に調整され得る。イオンビームIは、アルゴンガスGのイオンを加速することによって発生させられる。プラズマをポット113内で発生させるために、電気コイル111が設けられており、交番電界を発生させる。好ましくは3つの別々に帯電した湾曲状の格子により形成された焦点調整ユニット112によって、炭素のイオンがプラズマから抽出され、加工されるべき基板2の方向に加速されることによりイオンビームIが形成される。イオンビーム装置1内に、いわゆる高真空が存在する。イオンビーム源11及び基板2は、更に詳細な図示はないが、高真空が生成される最大空間に配置されている。イオンビームIが基板2の表面21に衝突するとき、パルスが、イオンビームI内に存在する高エネルギーイオンから基板2に伝達され、そのため、分子及び/又は原子が基板2の表面21から抽出され、このようにして削磨によって除去される。この処理は、スパッタリングとして知られている。焦点調整ユニット112の下流側でありイオンビームIの出口方向に、螺旋状に巻かれたフィラメント12が更に設けられており、フィラメント12により低エネルギーの電子が発生させられる。これらの電子は、表面21に衝突した後、イオンビームIのアルゴンイオンと表面21上で再結合する。このため、アルゴンイオンと表面21との衝撃に起因する基板2の表面21の正帯電が防止される。これは、基板2が電気的に中性のままであることを意味する。イオンビームIを方向性を有して導き、イオンビームIの断面を調整するために、特には基板2の表面21におけるイオンビームIの断面を調整するために、イオンビーム装置1はオリフィス板13を備えている。そのため、イオンビームIを表面21上の定められた位置に導くことが可能になる。オリフィス板13はイオンビーム源11と基板2との間に配置されており、定められた直径をオリフィス板13の出口に有している。オリフィス板13によりイオンビームIのパワーの低減、特にはイオンビームIの加工径が予め決定されることができ、従って、表面21からの削磨が調整され得る。オリフィス板13の出口開口部の直径は、例えば、アルゴンイオンの50、90又は99が遮断されるか又はイオンビームIに接しないように選択される。オリフィス板13は、基板2の表面21の前に6mmの間隔を置いて配置されていることが好ましい。代わりに、他の間隔も可能であり、基板2はオリフィス板13に対して可変的に配置されることが可能であり、オリフィス板13は基板2に対して可変的に配置されることが可能であり、及び/又はオリフィス板13はイオンビーム源11に対して可変的に配置されることが可能である。オリフィス板13と表面21との間の間隔は、特には2mm乃至10mmである。更にイオンビーム源11と基板2との間の間隔は可変的に調整され得ることが好ましい。イオンビーム源11とオリフィス板13との間の間隔も、同様に可変的に調整され得ることが好ましい。更に詳細には示されていないが、例示的な実施形態では、イオンビーム装置1は、回転可能に配置された複数のオリフィス板13を有している。オリフィス板13は、様々な断面のイオンビームIを発生させるために、様々な大きさの出口開口部を、特には様々な直径及び/又は形状の出口開口部を有している。オリフィス板13は、イオンビーム源11の前に回転可能に又は旋回可能に配置されており、そのため、タレットの簡単な回転と、基板2の表面21とイオンビーム源11との間の夫々のオリフィス板13の確実な位置決めとによって、イオンビームIの所望の特性が予め決定され得る。このような1つのタレットは、出口開口部の直径が異なることによって特徴付けられる4枚のオリフィス板13を有している。直径は、3mm、15mm、1mm及び05mmとなる。代わりに、異なる数のオリフィス板13及び/又は異なる直径のオリフィス板を有するタレットが可能である。オリフィス板がイオンビームIに全く影響を及ぼさない、特にはイオンビームIを減少させる位置が設定され得ることが好ましい。アルゴンイオンの遮断又は非接触を可能にするために、オリフィス板13は、イオンビームIを通さない材料を含有することが必要である。黒鉛、すなわち炭素が、低スパッター速度を有するのでこのために特に適切である。しかしながら、炭素は、イオンビームIによってオリフィス板13の固体組成物から放出され、基板2の表面21の方向にイオンビームIと共に部分的に運ばれる。オリフィス板13から放出された炭素が約10eVの比較的低いエネルギーを有するので、炭素は、基板2の表面21に特によく付着する。炭素が付着することにより、基板2の表面品質が悪化し、特にはレンズの透過性が悪化し、とりわけレンズの伝達性能が悪化する。従って、基板2の表面21への炭素の付着及び基板2への炭素の浸透を回避するか又は少なくとも低減することが必要である。そのために、イオンビーム装置1は送出ユニット14を備えており、送出ユニット14によって、炭素と反応する遊離体Eが、基板2の加工されるべき表面21とオリフィス板13との間に方向性のある流れで導かれる。遊離体Eは、酸素含有ガスであり、炭素との化学反応で以下の式に従って炭素を酸化させる。2CO2→2CO1一酸化炭素が反応生成物として生じる。代わりに又は加えて、炭素が以下の式に従って酸化されて、二酸化炭素になる。CO2→CO22炭素、酸素、オゾン、一酸化二窒素、水蒸気及び/又は他の酸素含有化合物が、遊離体Eとして、言い換えればガスとして使用され、オリフィス板13と基板2の表面21との間で方向性のある流れで送出ユニット14によって導かれる。オリフィス板13の破損又は破壊を回避するために、遊離体Eはオリフィス板13を非接触で通過して移動させられる。特に、遊離体Eは、03cm3s乃至05cm3sの流量で送られる。代わりに、他の流量も可能であり、流量は個々に調整され得ることが好ましい。有利には遊離体Eの流量は、導入されるアルゴンガスの流量の5乃至15になり、好ましくは10になる。基板2の表面21に成膜された酸化されていない炭素を基板2から取り除くために、基板2の表面21をイオンビームIによって加工した後、酸素含有プラズマが基板2の表面21に導かれる。酸素含有プラズマによって炭素が酸化され、削磨によって表面21から除去される。基板2の表面21自体は、処理中変わらないか、又は極僅かしか変わらない。このために代わりに又は加えて、イオンビームIにより表面21を加工した後、オリフィス板13が外されるか又はイオンビームの伝搬範囲の完全に外側まで回転させられる。代わりに、基板2が、酸素含有プラズマを放出する第2源に移動させられる。更に代わりに又は加えて、イオンビームIにより基板2の表面21を加工した後、無炭素イオンビームI又は少なくとも低炭素イオンビームIが導かれ、それによって、炭素は削磨によって表面21から除去される。少なくとも低炭素イオンビームIは、炭素を含有するオリフィス板を使用せずに発生され得る。このようなイオンビームIは、焦点調整ユニット112の炭素格子から抽出された炭素を僅かしか有していない。基板2の表面21に成膜された酸化されていない炭素を除去するために、焦点調整ユニット112を備えているがオリフィス板13を備えていないイオンビーム装置を使用し、送出ユニット14により遊離体Eを送ることが特に有効である。図2には、複数の送出ユニット14がオリフィス板13の近くに配置されている例示的な実施形態が示されている。図3は、特定のオリフィス板13の例示的な実施形態を示しており、基板2の方を向いたオリフィス板13の外側領域は開口部の近くで傾斜しており、そのため、オリフィス板13の開口部の外側領域が円錐台形状である。その結果、基板2によって反射されオリフィス板13に外側から衝突するイオンが、抽出されるとしても基板2の方向ではない方向にのみ同一の炭素から抽出されるので、驚くほど加工されるべき基板2上での炭素の成膜が更に低減される。本発明の更に独立した実施形態では、オリフィス板13の内部に、イオンビームIに略垂直に延びる部分が複数設けられている。すなわち、それらの部分の垂直線は、イオンビームIの方向に対して30°未満の傾斜度、特に好ましくは20°未満の傾斜度を有している。そのため、オリフィス板13のこれらの部分に衝突するイオンは、基本的には同様に基板2の方向ではない方向に同一の炭素から抽出される。