"レーザダイオードと、前記レーザダイオードが実装される実装面、及び該実装面上に設けられた金属膜を有するマウント部材とを備え、前記レーザダイオードは、III族窒化物半導体から成り、該III族窒化物半導体の半極性面を含む主面を有する基板と、III族窒化物半導体から成り500nm以上の波長の光を発光する活性層を含み、前記基板の前記主面上に設けられ、該主面に沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に設けられた第1の電極と、前記基板の裏面上に設けられた第2の電極とを有し、前記レーザダイオードの前記第1及び第2の電極のうち一方が、導電性接着剤を介して前記金属膜に接合されており、前記基板の前記主面または前記裏面の面積Aを前記光共振器の長さLで除した値A/Lが、200μm以上500μm以下であることを特徴とする、レーザダイオード組立体。前記光共振器の長さLが2000μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のレーザダイオード組立体。前記レーザダイオードの前記第1の電極が、前記導電性接着剤を介して前記金属膜に接合されており、前記マウント部材の前記実装面の端縁からの前記光共振器の一方の共振端面の突出長さdが、0μm以上60μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載のレーザダイオード組立体。前記レーザダイオードの前記第1の電極が、前記導電性接着剤を介して前記金属膜に接合されており、前記マウント部材の前記実装面の端縁からの前記光共振器の一方の共振端面の突出長さdが、前記光共振器と直交する方向における前記基板の幅wを含む次の関係式d=dmax×1-exp-w/τ-dmin但し、τ=150μm、dmin=73μm、dmax≦163μmを満たすことを特徴とする、請求項1または2に記載のレーザダイオード組立体。前記基板の前記主面における法線ベクトルと、前記基板のIII族窒化物半導体のc軸との成す傾斜角が、10度以上80度以下、又は100度以上170度以下の範囲に含まれることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のレーザダイオード組立体。前記基板の前記主面における法線ベクトルと、前記基板のIII族窒化物半導体のc軸との成す傾斜角が、63度以上80度以下、又は100度以上117度以下の範囲に含まれることを特徴とする、請求項5に記載のレーザダイオード組立体。レーザダイオードの実装技術において、金属膜が形成された実装面を有するマウント部材サブマウントの実装面上に、レーザダイオードを実装する場合がある。このような場合、レーザダイオードの寿命を延ばす為に、レーザダイオードの放熱性を高める必要がある。一般的に、レーザダイオードの放熱性を高める為には、レーザダイオードの平面形状を大きくして、マウント部材との接合面積を広くするとよい。また、近年、III族窒化物半導体を用いて緑色のレーザ光を発振させる技術が研究されている。例えば、緑色レーザダイオードは、例えばGaNといったIII族窒化物半導体から成る基板上に、例えばInを比較的多く含むIII族窒化物半導体から成る活性層等をエピタキシャル成長させることによって好適に作製される。また、このような緑色レーザダイオードを作製する際には、III族窒化物半導体のC面に対して傾斜した面半極性面を主面とするIII族窒化物半導体基板が用いられることがある。本発明者は、このような緑色レーザダイオードをマウント部材に実装する場合、その寿命を延ばす為には、従来のレーザダイオードとは異なる点に考慮する必要があることを見出した。本発明は、緑色レーザダイオードがマウント部材上に実装された構成において、緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができるレーザダイオード組立体を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明によるレーザダイオード組立体は、レーザダイオードと、レーザダイオードが実装される実装面、及び該実装面上に設けられた金属膜を有するマウント部材とを備え、レーザダイオードが、III族窒化物半導体から成り、該III族窒化物半導体の半極性面を含む主面を有する基板と、III族窒化物半導体から成り500nm以上の波長の光を発光する活性層を含み、基板の主面上に設けられ、該主面に沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造と、半導体積層構造上に設けられた第1の電極と、基板の裏面上に設けられた第2の電極とを有し、レーザダイオードの第1及び第2の電極のうち一方が、導電性接着剤を介して金属膜に接合されており、基板の主面または裏面の面積Aを光共振器の長さLで除した値A/Lが、200μm以上500μm以下であることを特徴とする。前述したように、緑色レーザダイオードは、例えばGaNといったIII族窒化物半導体から成るウエハ上に、例えばInを比較的多く含むIII族窒化物半導体から成る活性層等をエピタキシャル成長させることによって作製される。しかしながら、このような緑色レーザダイオードでは、活性層と他の半導体層との間に、格子定数の違いに起因する歪みによる内部応力が生じる。したがって、このような内部応力を含むウエハを切断してチップ化すると、そのチップ緑色レーザダイオードの寸法形状に依存して、内部応力に変化が生じ、マウント部材との接合面に湾曲等の変形が生じてしまう。このような変形は、レーザダイオードの電極とマウント部材の金属膜との間に隙間が生じる原因となり、レーザダイオードの放熱性に影響を与え、ひいてはレーザダイオードの寿命に影響する。特に、III族窒化物半導体のC面に対して傾斜した面半極性面を主面とするIII族窒化物半導体基板が用いられる場合には、内部応力が更に大きくなり、上述した影響が顕著となる。このような現象に鑑み、本発明によるレーザダイオード組立体では、基板の主面または裏面の面積Aを光共振器の長さLで除した値A/Lが、200μm以上500μm以下とされている。本発明者は、III族窒化物半導体の半極性面を用いた緑色レーザダイオードの平面形状寸法と寿命との関係を調べた結果、上記A/Lが200μm以上500μm以下である場合に、緑色レーザダイオードの寿命が顕著に延びることを見出した。すなわち、本発明によるレーザダイオード組立体によれば、緑色レーザダイオードがマウント部材上に実装された構成において、緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができる。また、上記レーザダイオード組立体は、光共振器の長さLが2000μm以下であることを特徴としてもよい。本発明者の研究によれば、光共振器の長さLがこのような範囲である場合に、内部応力による接合面の変形を十分に小さく抑えることができ、放熱性をより高めて緑色レーザダイオードの寿命を更に延ばすことができる。また、上記レーザダイオード組立体は、レーザダイオードの第1の電極が、導電性接着剤を介して金属膜に接合されており、マウント部材の実装面の端縁からの光共振器の一方の共振端面の突出長さdが、0μm以上60μm以下であることを特徴としてもよい。この突出長さdが0μm以上であることによって、レーザダイオードから出射されるレーザ光の一部の進行がマウント部材に妨げられることを好適に防ぐことができる。また、この突出長さdが60μm以下であることによって、レーザダイオードの放熱性を十分に確保し、緑色レーザダイオードの寿命の低下を抑えることができる。また、上記レーザダイオード組立体は、レーザダイオードの第1の電極が、導電性接着剤を介して金属膜に接合されており、マウント部材の実装面の端縁からの光共振器の一方の共振端面の突出長さdが、光共振器と直交する方向における基板の幅wを含む次の関係式d=dmax×1-exp-w/τ-dmin但し、τ=150μm、dmin=73μm、dmax≦163μmを満たすことを特徴としてもよい。このように突出長さdを設定することによって、レーザダイオードの寿命の低下を十分に抑えることができる。また、上記レーザダイオード組立体は、基板の主面における法線ベクトルと、基板のIII族窒化物半導体のc軸との成す傾斜角が、10度以上80度以下、又は100度以上170度以下の範囲に含まれることが好ましい。或いは、上記レーザダイオード組立体は、基板の主面における法線ベクトルと、基板のIII族窒化物半導体のc軸との成す傾斜角が、63度以上80度以下、又は100度以上117度以下の範囲に含まれることが好ましい。本発明によるレーザダイオード組立体によれば、緑色レーザダイオードがマウント部材上に実装された構成において、緑色レーザダイオードの寿命を延ばすことができる。以下、添付図面を参照しながら本発明によるレーザダイオード組立体の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。第1の実施の形態図1は、本発明の第1実施形態に係るレーザダイオード組立体の断面図であって、共振方向に対して垂直な側断面を示している。図1に示されるように、本実施形態のレーザダイオード組立体1Aは、レーザダイオード10と、マウント部材サブマウント50とを備えている。レーザダイオード10は、マウント部材50の実装面51aと半導体基板12の裏面12bとが対向するように、マウント部材50上に実装されているいわゆるエピアップ実装。マウント部材50は、レーザダイオード10が実装される実装面51aを有する基体51と、実装面51a上に設けられた金属膜52とを有している。基体51は、例えばAlN、Cu、SiC、CuW、BeO、銅ダイヤ、或いはCといった、熱伝導率が高く熱膨張係数が小さい材料から成ることが好ましい。または、基体51は、これらの材料を含む合金例えば銅合金や化合物から成ってもよい。基体51の外形は、例えば直方体状である。金属膜52は、例えばAu/Pt/Tiといった複数の金属膜が積層された構造を有しており、実装面51a上において、後述するレーザダイオード10の実装面より広い範囲にわたって設けられている。金属膜52上には、導電性接着剤53が蒸着されている。導電性接着剤53としては、Snを含むハンダであるAuSn、SnAg、BiSn、PbSnや、InSn、SnAgCu、若しくはこれらの混合物が好適である。レーザダイオード10は、500nm以上の発振波長の光緑色光を発生するIII族窒化物半導体レーザダイオードである。レーザダイオード10は、半導体基板12と、半導体積層構造14と、アノード電極第1の電極16と、カソード電極第2の電極18とを備えている。半導体基板12は、III族窒化物半導体からなり、一実施例ではn型GaNからなる。半導体基板12の厚さは、例えば50μm以上250μm以下である。半導体基板12は、当該III族窒化物半導体の半極性面を含む主面12a及び裏面12bを有する。すなわち、半導体基板12を構成するIII族窒化物のc軸は、主面12aの法線に対して好ましくはm軸方向に傾斜している。半導体基板12の主面12aの傾斜角は、主面12aの法線ベクトルとc軸との成す角度によって規定される。この角度は、10度以上80度以下の範囲にあることができ、或いは100度以上170度以下の範囲にあることができる。半導体基板12が例えばGaNである場合、この角度範囲によれば、GaNの半極性の性質を提供できる。さらに、傾斜角は63度以上80度以下の範囲にあることが好ましく、或いは100度以上117度以下の範囲にあることが好ましい。この角度範囲によれば、500nm以上の発光のための活性層34後述に好適なIn組成のInGaN層を提供できる。一実施例では、上記半極性面は{20-21}面である。半導体積層構造14は、III族窒化物半導体からなる。半導体積層構造14は、半導体基板12の主面12a上に設けられており、主面12aの法線方向に積層された複数の半導体層によって構成される。本実施形態の半導体積層構造14は、n型クラッド領域22、p型クラッド領域24、及びコア半導体領域26を有する。n型クラッド領域22は、半導体基板12と同じ導電型のIII族窒化物半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなることができる。p型クラッド領域24は、半導体基板12とは異なる導電型のIII族窒化物半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなることができる。n型クラッド領域22及びp型クラッド領域24は、半導体基板12の主面12a上に設けられている。p型クラッド領域24上には、p型コンタクト層或いはp型キャップ層28が更に設けられている。p型コンタクト層28は、例えばGaN、AlGaN等からなる。コア半導体領域26は、n型クラッド領域22とp型クラッド領域24との間に設けられている。コア半導体領域26は、第1光ガイド層32、活性層34及び第2光ガイド層36を含む。活性層34は、第1光ガイド層32と第2光ガイド層36との間に設けられている。活性層34は、単一層からなることができ、或いは量子井戸構造を有することができる。必要な場合には、量子井戸構造は、交互に配列された井戸層及び障壁層を含むことができる。井戸層はInGaN等からなることができ、障壁層はGaN又はInGaN等からなることができる。一実施例では、井戸層の厚さは例えば3nmであり、障壁層の厚さは例えば15nmであり、井戸層の数は例えば3つである。活性層34の発光波長は、井戸層のバンドギャップやIn組成、その厚さ等によって制御される。第1光ガイド層32は、第1GaN層32a及び第1InGaN層32bを含む。同様に、第2光ガイド層36は、第2GaN層36a及び第2InGaN層36bを含む。InGaN層32b及び36bは例えばアンドープであり、GaN層32aの導電型はn型であり、GaN層36aの導電型はp型である。InGaN層32b,36bのIn組成は、活性層34内のInGaN井戸層のIn組成より小さい。第1GaN層32aは、n型クラッド領域22と第1InGaN層32bとの間に設けられ、第1InGaN層32bは、活性層34と第1GaN層32aとの間に設けられる。第2GaN層36aは、p型クラッド領域24と第2InGaN層36bとの間に設けられ、第2InGaN層36bは、活性層34と第2GaN層36aとの間に設けられる。半導体積層構造14には、共振方向に沿って互いに平行に延びる一対の溝15aが形成されている。この一対の溝15aの間の凸状部分は、電流狭窄の為のリッジ構造40となっている。すなわち、このリッジ構造40は、ストライプ状の平面形状を有する。リッジ構造40は、コア半導体領域26の幅方向の屈折率を変化させることによって、半導体基板12の主面12aに沿って延びる光導波路をコア半導体領域26に形成する。この光導波路の両端面は、半導体積層構造14の一対の共振端面に達する。これにより、半導体積層構造14には、半導体基板12の主面12aに沿って延びる光共振器が形成される。リッジ構造40は、第2光ガイド層36、p型クラッド領域24、及びp型コンタクト層28を含む。リッジ構造40上には、絶縁膜44及びアノード電極16が設けられている。絶縁膜44は、リッジ構造40の側面から、一対の溝15aの底面及び内側面を経て一対の溝15aの外側のp型コンタクト層28上に至る領域に形成されている。アノード電極16は、リッジ構造40の頂部に形成された絶縁膜44の開口を介して、p型コンタクト層28とオーミック接合を成す。本実施形態のアノード電極16は、リッジ構造40上から、一対の溝15aの外側に形成された絶縁膜44上にわたって形成されている。また、半導体基板12の裏面12bには、カソード電極18が設けられている。カソード電極18は、半導体基板12の裏面12bとオーミック接合を成す。カソード電極18は、導電性接着剤53を介してマウント部材50の金属膜52に接合されている。なお、以上の構成を備えるレーザダイオード10の各半導体層は、例えばMOVPE法によって好適に作製される。このとき、原料ガスとしては、例えばトリメチルガリウムMG、トリメチルアルミニウムTMA、及びアンモニアが好適である。また、n型及びp型のドーパントとしては、例えばシラン及びトリメチルマグネシウムTMMが好適である。また、リッジ構造40は、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてマスクを形成したのち、各半導体層に対してドライエッチングを行うことによって好適に形成される。ここで、本実施形態に係るレーザダイオード組立体1Aを実際に作製し、レーザダイオード10の寿命について調べた実施例について説明する。この実施例では、図2に示される光共振器の長さLがそれぞれ600μm、900μm、1200μm、1500μm、1800μm、及び2100μmである6つのレーザダイオード群を作製した。それぞれの群には、レーザダイオード10の共振方向と直交する方向の幅Wが100μm~1200μmの範囲で互いに異なる9個のレーザダイオード10を作製した。そして、これらのレーザダイオード10を、基体51がAlNから成り、金属膜52がAu/Pt/Tiから成り、導電性接着剤53がSnAgハンダから成るマウント部材50に実装した。その後、レーザ光出力が10mWで一定となるようにオートパワーコントロールを行いつつ駆動電流を供給し、レーザ発振が停止するまでの寿命時間を評価した。表1は、この実施例における評価結果を示す。また、図3は、表1に示された評価結果をプロットしたグラフである。図3の縦軸は、レーザダイオード10の寿命評価した寿命のうち最長の寿命を1として規格化した値を示している。また、図3の横軸は、レーザダイオード10の実装面積A典型的には、半導体基板12の裏面12bの面積A=L×Wを光共振器の長さLで除した値A/Lを示している。なお、横軸をこのように表したのは、次の理由による。一般的に、レーザダイオードにおける単位時間当たりの発熱量は光共振器の長さLに比例し、レーザダイオードからマウント部材への単位時間当たりの放熱量は、レーザダイオードとマウント部材との接触面積に比例する。したがって、レーザダイオード10の実装面積裏面12bの面積Aを光共振器の長さLで除した値A/Lを評価に用いることによって、光共振器の長さLによる影響を排除しつつ寿命を評価することが可能となる。図3に示されるように、値A/Lが200μm以上である場合、レーザダイオード10の寿命は十分に長い。これは、レーザダイオード10とマウント部材50とが接触する面積が大きいことによって、十分な放熱性が確保されたためと考えられる。また、値A/Lが500μmより大きい場合は、値A/Lが500μm以下である場合と比較して、レーザダイオード10の寿命がやや短くなっている。すなわち、図3においては、値A/Lが200μm以上500μm以下である場合に、レーザダイオード10の寿命が顕著に長くなっている。なお、値A/Lが300μmである場合に、レーザダイオード10の寿命が最も長くなっている。レーザダイオード10の放熱性を考えると、値A/Lが大きいほど寿命が延びる筈である。しかしながら、図3に示された結果はそのようになっていない。その原因は、次のようなものであると考えられる。緑色のレーザ光を出力する本実施形態のレーザダイオード10では、特殊な面方位である半極性の主面12aを有する半導体基板12上に、III族窒化物半導体から成る複数の層が積層されている。したがって、半極性に起因して、これらの層間に大きな歪みが生じる。更に、緑色の光を発生する活性層34のIn組成は比較的大きいので、格子定数の違いに起因して、これらの層間の歪みが更に大きくなる。このように大きな歪みが層間に生じると、これらの層間に内部応力が発生する。レーザダイオード10を作製する際、このような内部応力は、複数の層が積層されたウエハの内部に生じることとなる。そして、このウエハを切断してチップ化するときに、そのチップすなわちレーザダイオード10の寸法形状に依存して、内部応力に変化が生じ、マウント部材50との接合面本実施形態ではカソード電極18の表面に湾曲等の変形が生じてしまう。このような変形は、レーザダイオード10のカソード電極18とマウント部材50の金属膜52との間に隙間が生じる原因となり、レーザダイオード10の放熱性に影響を与え、ひいてはレーザダイオード10の寿命に影響すると考えられる。そして、図3に示された結果を鑑みると、値A/Lが200μm以上500μm以下、より好ましくは300μm以上500μm以下である場合に、レーザダイオード10に内在する層間歪みが、接合面の変形を抑え得るような適切な状態になったと考えられる。なお、値A/Lが200μm未満である場合にレーザダイオード10の寿命が短くなる原因としては、上述した放熱性能の低下に加えて、更に次のような原因が考えられる。通常、レーザダイオード10の幅Wが小さい場合には、半導体基板12の機械的強度が低下する。したがって、光共振器を含む面内に生じた一定の内部応力による接合面の反りは、幅Wが大きい場合と比較して大きくなる傾向がある。更に、本実施形態のように半導体基板12の主面12aがC面に対してm軸方向に傾斜しているような場合、光共振器を含む面内に生じる内部応力が大きくなるので、上述した接合面の反りが更に大きくなってしまうと考えられる。これらの理由により、値A/Lが200μm未満といった小さい値である場合には、レーザダイオード10の寿命が顕著に短くなると考えられる。以上の実施例の結果に鑑み、本実施形態のレーザダイオード組立体1Aでは、値A/Lが200μm以上500μm以下、より好ましくは300μm以上500μm以下とされる。これにより、レーザダイオード10の寿命を顕著に延ばすことが可能となる。また、図3に示されるように、光共振器の長さLを2100μmとした場合には、他の場合と比較して、レーザダイオード10の寿命が低下した。これは、光共振器の長さLが2000μm以上と比較的長い場合に、光共振器を含む面内に生じる上述した大きな内部応力に起因して、接合面の反りが大きくなったためと考えられる。したがって、本実施形態のレーザダイオード組立体1Aでは、光共振器の長さLは2000μm以下であることが好ましい。これにより、内部応力による接合面の変形を十分に小さく抑えることができ、放熱性をより高めてレーザダイオード10の寿命を更に延ばすことができる。第2の実施の形態図4は、本発明の第2実施形態に係るレーザダイオード組立体の断面図であって、共振方向に対して垂直な側断面を示している。また、図5は、本実施形態に係るレーザダイオード組立体の断面図であって、共振方向に沿った側断面を示している。図4及び図5に示されるように、本実施形態のレーザダイオード組立体1Bは、第1実施形態と同様に、レーザダイオード10と、マウント部材サブマウント50とを備えている。但し、本実施形態では、レーザダイオード10が、マウント部材50の実装面51aと半導体基板12の主面12aとが対向するように、マウント部材50上に実装されているいわゆるエピダウン実装。このように実装することによって、レーザダイオード10の活性層34とマウント部材50との距離が近づいて放熱性が向上するので、第1実施形態と比較してレーザダイオード10の寿命を更に延ばすことができる。なお、マウント部材50の構成は、第1実施形態と同様である。また、レーザダイオード10の構成は、アノード電極16が導電性接着剤53を介して金属膜52に接合されている点、及びレーザダイオード10の一方の共振端面14aがマウント部材50の実装面51aの端縁から距離dだけ突出している点を除き、第1実施形態と同様である。ここで、本実施形態に係るレーザダイオード組立体1Bを実際に作製し、レーザダイオード10の寿命について調べた実施例について説明する。この実施例においても第1実施形態の実施例と同様に、図2に示される光共振器の長さLがそれぞれ600μm、900μm、1200μm、1500μm、1800μm、及び2100μmである6つのレーザダイオード群を作製した。それぞれの群には、レーザダイオード10の幅Wが100μm~1200μmの範囲で互いに異なる9個のレーザダイオード10を作製した。そして、これらのレーザダイオード10を、基体51がAlNから成り、金属膜52がAu/Pt/Tiから成り、導電性接着剤53がSnAgハンダから成るマウント部材50に実装した。その後、レーザ光出力が10mWで一定となるようにオートパワーコントロールを行いつつ駆動電流を供給し、レーザ発振が停止するまでの寿命時間を評価した。表2は、この実施例における評価結果を示す。図6は、表2に示された評価結果をプロットしたグラフである。図6の縦軸及び横軸は、第1実施形態の図5と同様とした。図6に示されるように、エピダウン実装のレーザダイオード組立体1Bにおいても、値A/Lが200μm以上である場合に、レーザダイオード10の寿命が十分に長くなった。また、値A/Lが500μmより大きい場合に、値A/Lが500μm以下である場合と比較して、レーザダイオード10の寿命がやや短くなった。これらは、第1実施形態において述べた理由と同じ理由によると考えられる。本実施形態のレーザダイオード組立体1Bでは、値A/Lが200μm以上500μm以下、より好ましくは300μm以上500μm以下とされる。これにより、レーザダイオード10の寿命を顕著に延ばすことが可能となる。また、図6に示されるように、光共振器の長さLを2100μmとした場合には、他の場合と比較して、レーザダイオード10の寿命が低下した。この原因は第1実施形態において述べたとおりである。したがって、本実施形態のレーザダイオード組立体1Bにおいても、光共振器の長さLは2000μm以下であることが好ましい。これにより、内部応力による接合面の変形を十分に小さく抑えることができ、放熱性をより高めてレーザダイオード10の寿命を更に延ばすことができる。続いて、上記実施例とは別に、本実施形態に係るレーザダイオード組立体1Bを作製し、レーザダイオード10の寿命について調べた。この実施例では、値A/Lがそれぞれ100μm、200μm、300μm、及び400μmである4つのレーザダイオード群を作製した。それぞれの群には、図5に示される突出長さdが40μm~100μmの範囲で互いに異なる8個のレーザダイオード組立体1Bを作製した。その後、レーザ光出力が10mWで一定となるようにオートパワーコントロールを行いつつ駆動電流を供給し、レーザ発振が停止するまでの寿命時間を評価した。表3は、この実施例における評価結果を示す。また、図7は、表3に示された結果をプロットしたグラフである。図7の縦軸は、レーザダイオード10の寿命評価した寿命のうち最長の寿命を1として規格化した値を示している。また、図7の横軸は、突出長さdを示している。図7に示されるように、値A/Lが100μmである場合には、値A/Lが200μm以上である場合と比較して、レーザダイオード10の寿命が顕著に低下した。また、値A/Lが200μm以上であっても、突出長さdが60μmを超えると、レーザダイオード10の寿命が低下した。レーザダイオード10の光共振器のうちマウント部材50の実装面51aの端縁から突出した部分では、発生した熱がマウント部材50を介して放出されにくい。そして、突出長さdが例えば60μmより長くなると、放熱性が大きく損なわれ、共振端面14a付近における温度が上昇する。これによって、活性層34及びその付近の半導体層のバンドギャップが小さくなり、これらの層が光を吸収して半導体結晶の劣化が進んだものと考えられる。更に、上記実施例において作製したレーザダイオード組立体1Bの遠視野像ファーフィールドパターンの水平縦モードの半値幅FFPθvを測定した。表4は、その測定結果を示す。また、図8は、表4に示された結果をプロットしたグラフである。図8の縦軸は、半値幅FFPθv測定された半値幅FFPθvのうち最も広い半値幅FFPθvを1として規格化した値を示している。また、図8の横軸は、突出長さdを示している。図8に示されるように、突出長さdが0μm未満すなわち、レーザダイオード10の共振端面14aがマウント部材50の実装面51aの端縁より内側に位置する状態である場合、突出長さdが小さくなるほど半値幅FFPθvが小さくなった。これは、レーザダイオード10から出射されるレーザ光の一部の進行が、マウント部材50に妨げられたことによる。以上の実施例に鑑み、本実施形態のレーザダイオード組立体1Bでは、突出長さdが0μm以上60μm以下であることが好ましい。突出長さdが0μm以上であることによって、レーザダイオード10から出射されるレーザ光が、マウント部材50に妨げられることなく効率的に進むことができる。また、突出長さdが60μm以下であることによって、レーザダイオード10の放熱性を十分に確保し、レーザダイオード10の寿命の低下を抑えることができる。また、図9は、寿命の規格化値が0.8である場合及び0.9である場合のそれぞれにおける、値A/Lと突出長さdとの関係を示すグラフである。図9において、縦軸は突出長さdを示しており、横軸は値A/Lを示している。また、プロットP11は寿命の規格化値が0.8である場合の値を示しており、プロットP12は寿命の規格化値が0.9である場合の値を示している。なお、グラフG11及びG12は、それぞれプロットP11及びP12の近似曲線である。図9において、突出長さdが、グラフG11によって規定される境界よりも小さい場合には、寿命の規格化値が0.8以上となるので、レーザダイオード10の寿命を十分に長くすることができる。ここで、図9のグラフG11及びG12に示されるプロットは、それぞれ寿命0.8および0.9のデータに相当しており、それらの近似曲線は、値A/L=wとすると、次の数式1に示される関数によって表される。d=dmax×1-exp-w/τ-dmin1なお、この数式1では、突出長さdと値A/Lとの関係が1次の微分方程式に従うものと仮定している。数式1においてdmaxは、突出長さdの上限wを無限大としたときに突出可能な最大長さであり、dminは補正係数であり、τは定数である。図9において、これらの係数は次の表5のようになる。この表5から、寿命の規格化値を0.8以上とするためには、dmaxμmが163以下であれば良いことがわかる。また、寿命の規格化値を0.9以上とするためには、dmaxμmが155以下であれば良いことがわかる。"