半導体基板の裏面に、i型アモルファスシリコン膜及び第1導電型アモルファスシリコン膜を積層する第1工程と、前記i型アモルファスシリコン膜及び前記第1導電型アモルファスシリコン膜の一部を除去する第2工程と、前記第1導電型アモルファスシリコン膜上に、被覆膜を形成する第3工程と、前記半導体基板の裏面及び前記被覆膜上に、i型アモルファスシリコン膜及び第2導電型アモルファスシリコン膜を積層する第4工程と、前記被覆膜をエッチング除去する第5工程とを備え、前記第3工程において、前記第1導電型アモルファスシリコン膜上の前記被覆膜は、前記第1導電型アモルファスシリコン膜領域の内側に位置する太陽電池の製造方法。前記第1導電型は、p型であり、前記第2導電型は、n型である請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記被覆膜は、テーパ形状である請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記被覆膜は、ウエットエッチングによりパターン形成する請求項3に記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、被覆層150の下を抉るようにn型アモルファスシリコン層120nを除去した後に、ip接合130形成を行うと、被覆層150の下側であるin接合120が抉れた箇所において、i型アモルファスシリコン層130iの膜厚が薄くなることがあり、n型アモルファスシリコン層120nとp型アモルファスシリコン層130pが電気的に分離されずに低品質のpn接合が形成される虞があった。このように、n型アモルファスシリコン層120nとp型アモルファスシリコン層130pが直接接すると、太陽電池の光電変換効率は低下する。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、より確実に電気的に分離させることが可能な太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板の裏面に、i型アモルファスシリコン膜及び第1導電型アモルファスシリコン膜を積層する第1工程と、i型アモルファスシリコン膜及び第1導電型アモルファスシリコン膜の一部を除去する第2工程と、第1導電型アモルファスシリコン膜上に、被覆膜を形成する第3工程と、半導体基板の裏面及び被覆膜上に、i型アモルファスシリコン膜及び第2導電型アモルファスシリコン膜を積層する第4工程と、被覆膜をエッチング除去する第5工程とを備え、第3工程において、第1導電型アモルファスシリコン膜上の前記被覆膜は、第1導電型アモルファスシリコン膜領域の内側に位置する。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、第1導電型は、p型であり、第2導電型は、n型であってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、被覆膜は、テーパ形状であってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、被覆膜は、ウエットエッチングによりパターン形成してもよい。本発明によれば、第1導電型アモルファスシリコン膜と、その後に形成する第2導電型アモルファスシリコン膜を、より確実に電気的に分離させることができるので、太陽電池の変換効率低下を抑制することができる。図1は、受光面と反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の一例の太陽電池を表す図である。図1は、太陽電池1の裏面側の平面図であり、太陽電池1の裏面には、第1導電型であるp型アモルファスシリコン膜に接しているp電極2、及び第2導電型であるn型アモルファスシリコン膜に接しているn電極3が形成されている。p電極2およびn電極3は、それぞれ櫛状をしており、交互にかみ合うように配置されている。図2は、図1で示したL-L′の断面を表す模式的な図である。図2は、太陽電池の裏面側が上となっている。第2導電型であるn型のシリコン基板51の受光面には、テクスチャ構造13が形成されており、テクスチャ構造13の上には、表面不活性化と反射防止を目的とした窒化シリコン膜である反射防止膜12が形成されている。また、シリコン基板51の裏面には、i型アモルファスシリコン膜7とボロンをドーピングしたp型アモルファスシリコン膜8からなる積層膜、及びi型アモルファスシリコン膜19とリンをドーピングしたn型アモルファスシリコン膜20からなる積層膜が所望の形状に形成されている。なお、i型アモルファスシリコン膜7及び19、p型アモルファスシリコン膜8、n型アモルファスシリコン膜20の膜厚は、いずれも約10nmである。p電極2、n電極3は、アモルファスシリコン膜とオーミックコンタクトを形成する銀電極を用いる。シリコン基板51の裏面に形成されたアモルファスシリコン膜である半導体層は、主に3つの領域から構成されており、第1領域4は、シリコン基板51側から、i型アモルファスシリコン膜7/p型アモルファスシリコン膜8/i型アモルファスシリコン膜19/n型アモルファスシリコン膜20の順である構造である。また、第2領域5は、シリコン基板51側から、i型アモルファスシリコン膜7/p型アモルファスシリコン膜8の順である構造である。さらに、第3領域6は、シリコン基板51側から、i型アモルファスシリコン膜19/n型アモルファスシリコン膜20の順である構造である。図3は、図2を裏面側から見た図であり、p電極2及びn電極3を除いた場合の図である。第1領域4の短辺方向の幅は、1mm以下であることが望ましい。1mmよりも大きいと、光電効果により発生した少数キャリアが電極まで到達できなくなり発電効率の低下が生じるからである。以下に、本発明の太陽電池の製造方法の一例を示す。図4は、図1、および図2に示す本発明の太陽電池の製造方法の一例である。図4に示すように模式的断面図を参照して説明する。なお、図4は、太陽電池の裏面側が上となっている。まず、図4aを用いて説明する。シリコン基板51の受光面となる面以下シリコン基板の受光面というの反対側の面である裏面以下シリコン基板の裏面というに、窒化シリコン膜等のテクスチャマスクをCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、シリコン基板51の受光面にテクスチャ構造13をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、アルカリ水溶液を用いる。次に、テクスチャマスクを除去後、テクスチャ構造13の上に、反射防止膜12となる窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成する。次に、図4bに示すように、シリコン基板51の裏面全面に、i型アモルファスシリコン膜7及びp型アモルファスシリコン膜8を順次堆積して積層する。アモルファスシリコン膜の形成は、プラズマCVD法を用いる。次に、図4cを用いて説明する。シリコン基板51の裏面に形成したi型アモルファスシリコン膜7及びp型アモルファスシリコン膜8を、フォトリソグラフィとエッチングを用いて一部除去する。次に、図4dに示すように、シリコン基板51の裏面側全面に被覆膜31を形成し、その後、フォトリソグラフィとエッチングを用いて、p型アモルファスシリコン膜8上の被覆膜31を残す。この際、p型アモルファスシリコン膜8上の被覆膜31は、p型アモルファスシリコン膜8領域の内側に位置するように形成する。被覆膜31は、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を用いることができる。なお、被覆膜31の膜厚は、約100nmである。次に、図4eに示すように、シリコン基板51の裏面側全面、すなわち、シリコン基板51の裏面及び被覆膜31上に、i型アモルファスシリコン膜19、n型アモルファスシリコン膜20を順次堆積して積層する。この際のアモルファスシリコン膜形成も、プラズマCVD法を用いる。被覆膜31の形成領域を、p型アモルファスシリコン膜8の形成領域の内側にすることで、i型アモルファスシリコン膜19を堆積する際のカバレッジを良くすることができ、その後に堆積させるn型アモルファスシリコン膜20と、堆積しているp型アモルファスシリコン膜8を、より確実に電気的に分離させることができる。次に、図4fに示すように、被覆膜31を酸性のエッチング液を用いて取り除き、リフトオフにより、被覆膜31上のi型アモルファスシリコン膜19及びn型アモルファスシリコン膜20を除去する。その後、p型アモルファスシリコン膜8上にp型電極2を、n型アモルファスシリコン膜20上にn型電極3を、銀蒸着により形成する。このようにして、太陽電池1を形成する。このように、p型アモルファスシリコン膜8上にi型アモルファスシリコン膜19を重複した形状にすることにより、p型アモルファスシリコン膜8とn型アモルファスシリコン膜20を、より確実に電気的に分離させることができる。図5に、被覆膜31をテーパ状にしたものを示す。図5は、リフトオフにより被覆膜31上の、i型アモルファスシリコン膜19及びn型アモルファスシリコン膜20を除去する前の図である。被覆膜31の形成領域のエッジ形状はテーパ形状になっている。被覆膜31の形成領域をp型アモルファスシリコン膜8の形成領域の内側にして、被覆膜31のエッジ形状をテーパ形状にすれば、i型アモルファスシリコン膜19のカバレッジは、さらに良くなる。被覆膜31上のi型アモルファスシリコン膜19及びn型アモルファスシリコン膜20をリフトオフにより除去する際、図5のそれぞれの点線付近から、矢印で示す外側のn型アモルファスシリコン膜20とi型アモルファスシリコン膜19が除去される。ここで、被覆膜31をテーパ形状にするには、ウエットエッチングで行ってもよい。本実施形態の製造方法において、p型アモルファスシリコン膜8上に形成する被覆膜31を、p型アモルファスシリコン膜8の領域よりも、内側に形成することで、p型アモルファスシリコン膜8上及び被覆膜31上に堆積するi型アモルファスシリコン膜19のカバレッジを良くすることができる。そして、i型アモルファスシリコン膜19によって、その後に堆積するn型アモルファスシリコン膜20と、堆積しているp型アモルファスシリコン膜8の、電気的な分離を保ちながら、被覆膜31上のi型アモルファスシリコン膜19及びn型アモルファスシリコン膜20をリフトオフして除去することができる。また、p型アモルファスシリコン膜8上にi型アモルファスシリコン膜19を重複した形状にすることにより、p型アモルファスシリコン膜8とn型アモルファスシリコン膜20を、より確実に電気的に分離させることができる。今回、n型のシリコン基板について記載したが、p型のシリコン基板でも同様の結果が得られた。