"ダイパッド及び1または複数のリードからなるリードフレームと、前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、前記リードと電気的に接続されて前記半導体素子が備える電極と、少なくとも1対の前記リードと前記電極とを電気的に接続するクリップと、前記クリップの電極側端部が前記電極から離れる方向に折り曲げられた屈曲部と、前記折り曲げ部の一部を含む前記クリップに形成される1または複数の貫通孔とを有することを特徴とする半導体装置。前記クリップの前記リード側の端部と前記貫通孔との間に形成される前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記クリップのドレインリード側端部が前記第一電極から離れる方向に曲げられた第一屈曲部と、前記第一屈折部の少なくとも一部を含み前記クリップに形成される1または複数の貫通孔と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子,前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする半導体装置。前記第一電極及び前記クリップが接合される素子接合部の第二パッド部側端部に前記クリップが前記第一電極から離れる方向に曲げられた第二屈曲部をさらに有することを特徴とする請求項3記載の半導体装置。前記クリップ及び前記第二パッド部が接合されるリード接合部と前記第二屈曲部との間に形成される前記半導体素子と平行な前記クリップの平坦部をさらに有し、前記貫通孔が前記第一屈折部の少なくとも一部を含んで前記ドレインリード側端部と前記平坦部との間に形成されることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記半導体素子及び前記ソースリードから離間される前記クリップの中央部と、前記中央部と接続されて前記第一電極と電気的に接続する1または複数の前記クリップの第一くし部と、前記中央部と接続されて前記第二パッド部と電気的に接続する1または複数の前記クリップの第二くし部と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子,前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする半導体装置。前記第一くし部及び前記第二くし部のそれぞれが、前記中央部をはさんで左右に形成され、左右を一対とし、少なくとも前記第一くし部が二対以上設けられることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。前記中央部に前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することを特徴とする請求項6または請求項7のいずれかに記載の半導体装置。請求項2または請求項5または請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子を前記第一パッド部に載置する工程と、前記クリップに形成された前記平坦面を真空吸着して前記クリップを移動させ、前記第一電極及び前記第二パッド部上に前記クリップを載置する工程と、前記第一電極と前記第二パッド部とを前記クリップにて電気的に接続する工程と、前記第二電極と前記第三パッド部とを前記ワイヤにて電気的に接続する工程と、前記半導体素子,前記クリップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記樹脂封止する工程において、樹脂を前記ドレインリード側から注入することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の構成では、特性面における表皮効果の影響に対する抵抗の低減に効果を有するが、反面、素子接合部101及びリード接合部102の貫通孔105の内壁の接合部分などにおいて成形樹脂に気泡や未充填が発生することがあった。つまり、貫通孔105がクリップ100及び半導体素子106またはリード107に囲まれ、開口部が貫通孔105上部及びビーム部109方向にしかないため、半導体装置の樹脂封止の際に、樹脂の流通経路が限定され、貫通孔105内において樹脂の気泡や未充填部分が生じていた。そのため、従来の半導体装置では、この気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性信頼性面の課題を有していた。本発明は、上述の従来の課題を解決するもので、表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制しつつ、半導体装置の信頼性を維持することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、ダイパッド及び1または複数のリードからなるリードフレームと、前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、前記リードと電気的に接続されて前記半導体素子が備える電極と、少なくとも1対の前記リードと前記電極とを電気的に接続するクリップと、前記クリップの電極側端部が前記電極から離れる方向に折り曲げられた屈曲部と、前記折り曲げ部の一部を含む前記クリップに形成される1または複数の貫通孔とを有することを特徴とする。また、前記クリップの前記リード側の端部と前記貫通孔との間に形成される前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することが好ましい。また、本発明の半導体装置は、半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記クリップのドレインリード側端部が前記第一電極から離れる方向に曲げられた第一屈曲部と、前記第一屈折部の少なくとも一部を含み前記クリップに形成される1または複数の貫通孔と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子,前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする。また、前記第一電極及び前記クリップが接合される素子接合部の第二パッド部側端部に前記クリップが前記第一電極から離れる方向に曲げられた第二屈曲部をさらに有することが好ましい。また、前記クリップ及び前記第二パッド部が接合されるリード接合部と前記第二屈曲部との間に形成される前記半導体素子と平行な前記クリップの平坦部をさらに有し、前記貫通孔が前記第一屈折部の少なくとも一部を含んで前記ドレインリード側端部と前記平坦部との間に形成されることが好ましい。また、本発明の半導体装置は、半導体素子を載置するための第一パッド部を有するドレインリードと、前記第一パッド部に載置され、表面に第一電極及び第二電極を備える半導体素子と、第二パッド部を有するソースリードと、第三パッド部を有するゲートリードと、前記第一電極と前記第二パッド部とを電気的に接続するクリップと、前記半導体素子及び前記ソースリードから離間される前記クリップの中央部と、前記中央部と接続されて前記第一電極と電気的に接続する1または複数の前記クリップの第一くし部と、前記中央部と接続されて前記第二パッド部と電気的に接続する1または複数の前記クリップの第二くし部と、前記第二電極と前記第三パッド部とを電気的に接続するワイヤと、前記半導体素子,前記ワイヤ及び前記クリップを封止する樹脂成型体とを有することを特徴とする。また、前記第一くし部及び前記第二くし部のそれぞれが、前記中央部をはさんで左右に形成され、左右を一対とし、少なくとも前記第一くし部が二対以上設けられても良い。また、前記中央部に前記半導体素子と平行な平坦部をさらに有することが好ましい。さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子を前記第一パッド部に載置する工程と、前記クリップに形成された前記平坦面を真空吸着して前記クリップを移動させ、前記第一電極及び前記第二パッド部上に前記クリップを載置する工程と、前記第一電極と前記第二パッド部とを前記クリップにて電気的に接続する工程と、前記第二電極と前記第三パッド部とを前記ワイヤにて電気的に接続する工程と、前記半導体素子,前記クリップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。また、前記樹脂封止する工程において、樹脂を前記ドレインリード側から注入することが好ましい。以上のように、板状のクリップとなる接続部材に貫通孔やくし部を設けて表面積を増大されたクリップを配置することで、表皮効果の影響によるクリップの抵抗の増大を抑制するとともに、クリップの側面側に開口部を設けることにより、貫通孔内やクリップ下部における封止樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生を防止することができるので、製品品質の信頼性を高めることができる。本発明の半導体装置は、半導体素子の少なくとも1つの電極をクリップを介してリードに接続するものであり、クリップには、電極側のクリップの端部を折り曲げて折曲部を形成し、電極とクリップとの接続領域及び折曲部の少なくとも一部を含む領域に1つ以上の貫通孔を設けることを特徴とする。さらに、リードとの接続領域と電極との接続領域との間の貫通孔が形成されていない領域に平坦部を設けることがより好ましい。以下、図1を用いて本発明の半導体装置におけるクリップの構成を説明する。図1は本発明の半導体装置の構成を例示する図であり、図1aは平面図、図1bは図1aのX-X’断面図であり、樹脂を透視した構成を示している。本発明の半導体装置は、図1に示すように、少なくとも1つの電極10を備える半導体素子11と、半導体素子11を搭載するダイパッドとリードとを備えるリードフレーム12と、電極10とリードとを電気的に接続するクリップ13と、半導体素子11を封止する樹脂16とから構成される。本発明の半導体装置の特徴は、クリップ13に1つ以上の貫通孔14と、半導体素子11上部のクリップ13を端部近傍の折り曲げ部15で折り曲げて形成した屈曲部104とを設け、貫通孔14がクリップ13と電極10との接続領域から折り曲げ部15を超えて屈曲部104の一部まで形成されていることである。このように、クリップ13に貫通孔14を形成することにより、クリップ13の表面積を増大させて電流流通経路を拡大し、表皮効果を低減して電気抵抗を低減することができる。また、貫通孔14が形成された領域に折曲部104を形成することにより、樹脂成型の際に、折り曲げることによって露出したクリップ13の折曲部104の裏面側からも貫通孔14内に樹脂が流入するため、貫通孔14内における樹脂の気泡や未充填を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。さらに、クリップ13の半導体素子11との接続領域からリードとの接続領域までの間に平坦部17を設け、平坦部17には貫通孔14を設けない構成としても良い。従来の半導体装置においては、クリップの素子接合部からビーム部及びリード接合部にかけて貫通孔が設けられているため、クリップ上面の平坦面面積が小さく、クリップを半導体素子上に搭載する際に真空吸着といった一般的な手法によるピックアップ動作がうまく行えず、クリップの落下や位置ずれといった加工不良が発生するという製造工程での課題も有していた。これに対して、クリップ13に貫通孔14を設けない平坦部17を形成することにより、クリップ13を平坦部17で真空吸着することができ、半導体素子11へのクリップ13装着時にクリップ13の落下や位置ずれを防止し、加工不良を低減させることができる。また、平坦部17の形成のためにクリップ13を折り曲げ部18で曲げ加工して屈曲部214する際に、貫通孔14の形成領域で曲げ加工を行うことにより、樹脂成型の際に、折曲部104からだけでなく、この折曲部214からも貫通孔14内に樹脂が流入し、より樹脂の気泡や未充填を抑制することができる。以上の半導体装置において、複数の電極を有する場合、クリップ13で接続する電極以外の電極は、ワイヤ等任意のボンディングを行うことができる。また、電極の数も任意であり、少なくともクリップ13で接続する電極を含めば良い。また、ダイパッドはリードと独立していても良いし、1つのリード上に形成されても良い。以下、ソース端子,ドレイン端子,ゲート端子の3端子から成る電池回路用半導体装置を例に各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1まず、図2,図3を用いて、実施の形態1における半導体装置の構成について説明する。図2は本発明の実施の形態1における半導体装置の内部構造を示す上面図であり、樹脂を透視して示している。図3は本発明の実施の形態1における半導体装置の内部構造を示す断面図であり、図2のY-Y’断面図である。図2、図3において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図2,図3に示すように、半導体装置はドレインリード207とソースリード208、ゲートリード209、半導体素子106、クリップ200、ワイヤ201及びエポキシ系熱可塑性の樹脂成型体210により構成されている。各リードはCuまたはCuを主成分とする合金の素材にAgめっきが施されており、それぞれ、半導体素子106のドレイン電極と接続する第一パッド部202、ソース電極と接続する第二パッド部203、ゲート電極と接続する第三パッド部204を有している。それぞれのパッド部分からはドレインリード207とソースリード208及びゲートリード209が延在され、樹脂成型体210から突出してリード端子を構成している。半導体素子106は、ソース、ゲート及びドレインより構成されるMOS-FETタイプが用いられる。また、エポキシ系熱可塑性の樹脂成型体210から突出した各リードには外装メッキとしてプリント基板との実装に適したAuやSnなどのめっきが施されている。半導体素子106の表面には、第一電極205と該第一電極205と絶縁分離された第二電極206が形成されている。第一電極205は半導体素子の表面の大部分を占めており、第一電極205はソース電極、第二電極206はゲート電極、半導体素子106の裏面側の電極図示せずはドレイン電極となっている。第一パッド部202は半導体素子106の裏面側の電極と高融点半田やAgペーストといった導電性接合剤を介して接合されている。第二パッド部203と半導体素子106上の第一電極205とは、高融点半田やAgペーストといった導電性接合剤を介してクリップ200により電気的に接続されている。第三パッド204と第二電極206とは、AuやCu等のワイヤ201にて電気的に接続されている。クリップ200は、半導体素子106の第一電極205と接続される素子接合部211と、ソースリード208の第二パッド部203に接合されるリード接合部212と、曲げ加工により形成された凸部213からなり、Cu材にて形成されている。また、クリップ200のドレインリード207側端部には、上方へ曲げ加工された屈曲部104を有し、該屈曲部104から凸部213の第一電極205側まで、1または複数の貫通孔215が設けられている。クリップ200の貫通孔215はドレイン端子側と凸部213側で屈曲され、例えば、成形樹脂に含まれるフィラー径が0.08mm~0.37mmの場合、高さが、前記半導体素子上面から0.37mm以上の貫通孔215の開口部216を有している。この開口部216の値は、成形樹脂に含まれるフィラーの最大径を考慮し、成形樹脂が開口部216を阻害されることなく流動できる大きさを下限値とし、上限値はクリップ200の屈曲部104が凸部213を超えない範囲とする。かかる構成によれば、クリップ200の凸部213の下部に空間が形成され、且つ、クリップ200の貫通孔215がドレインリード207側と凸部213側で屈曲されることで、半導体素子106との素子接合部211周辺のクリップ200が開口されるため、樹脂流動経路が貫通孔215上部以外に開口部216からも確保され、トランスファーモールドによる樹脂成形時の封止樹脂の流動が阻害されることなく貫通孔215の内部まで確実に充填されるので、成形樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生が抑制される。それにより、気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性信頼性を向上することできる。さらに、凸部213の上部に貫通孔215を形成せず、全域に平坦面を形成することにより、クリップ200を半導体素子106上に搭載する際の真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、組立搬送中のクリップ200の落下や搭載時の位置ずれといった加工不良の発生を防ぐことができる。また、貫通孔215を素子接合部211に設けることでクリップ200の表面積を増大できるので、表皮効果の影響による抵抗の増大を抑制できる。なお、本実施の形態の図2において、貫通孔215の形状を矩形としているが、楕円形状としても良く、クリップ200の表面積を増大させるための貫通孔であれば、その形状は任意である。実施の形態2次に、図4,図5を用いて実施の形態2における半導体装置の構造について説明する。図4は本発明の実施の形態2の半導体装置の内部構造を示す上面図である。図5は本発明の実施の形態2における半導体装置の内部構造を示す側面図であり、図5aは図4におけるZ方向から見た半導体装置の内部構造を示す透視側面図、図5bは図4におけるZ’方向から見た半導体装置の内部構造を示す透視側面図である。図4及び図5において、図2および図3と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図4において、クリップ300はCu材で形成され、半導体素子106からソースリード208までの略中央部が凸状に形成された凸部108を有し、素子接合部311及びリード接合部312が凸部108から左右にくし状に延在され、第一電極205及び第二パッド部203に高融点半田やAgペーストといった導電性接合剤により接合されている。つまり、クリップ300は、第一電極205上から第二パッド部203上にかけて半導体素子106及びソースリード208と間隔を空けて形成された中央部301と、中央部301から延在されて第一電極205と接続する素子接合部311を備える第一くし部302と、中央部301から延在されて第二パッド部203と接続するリード接合部312を備える第二くし部303とから構成される。さらに第一くし部302は第一電極205との接続を考慮し、左右対称または左右非対称に設けてもよい。かかる構成によれば、前記クリップ300の素子接合部311を備える第一くし部302がくし型の形状を成しており、表面積を増大できるので、表皮効果の影響による抵抗の増大を抑制できる。さらに、素子接合部311とリード接合部312を除くクリップ300が中央部301が突出する凸形状を成しており、下部に空間が形成されているため、トランスファーモールドによる樹脂成形時の封止樹脂の流動が阻害されることなく、クリップ300の下部まで確実に充填されるので、成形樹脂の空気の抱き込みによる気泡や未充填の発生がない。そのため、気泡や未充填に起因する温度サイクル時における接合信頼性の低下や、熱抵抗の劣化とそれに伴う発熱による許容損失の増大などの特性信頼性を向上することができる。さらに、クリップ300の中央に設けられた凸部108の上面に一様な平坦面を形成することにより、クリップ300を半導体素子106上に搭載する際の真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、クリップ300の落下や位置ずれといった加工不良の発生を防ぐことができる。上述の実施の形態1及び実施の形態2において、ドレインリード207とソースリード208及びゲートリード209は材質をCuまたCuを主成分とする合金としたがFeやFeを主成分とする合金などでも良く、また、めっき皮膜をAgめっきとしているが、Pdめっき、Auめっき、でも有効である。また、クリップの材質としてCu材としたが、必要な導電率や熱伝導率を確保できれば、Alやクラッド材といった材質でも有効である。次に、図2,図6を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。ここでは、実施の形態1の図2を例に説明するが、実施の形態2の図4に係る半導体装置も製造方法は同様である。図6は本発明の半導体装置の製造方法を示すフロー図である。図6に示すように、まず、シリコンウエハにパワー系MOS-FETを形成した後、ダイシング工程にて個片にカットされた半導体素子を作製するステップS1。次に、ドレインリード207の第一パッド部202に、半導体素子106を高融点半田やAgペーストなどの導電性接合剤を用いて搭載接合するステップS2。次に、半導体素子106の第二電極206と第三パッド204をAuやCu等のワイヤ201により接続するステップS3。続いて、凸部213の上面の平坦面を真空吸着コレットにて吸着し、クリップ200を半導体素子106の第一パッド部202とソースリード208の第二パッド部203に接続させ、高融点半田やAgペーストなどの導電性接合剤を用いて接合するステップS4。クリップ300の搭載は凸部213上面に設けた比較的広い平坦面により、真空吸着によるピックアップ動作を容易に行うことができ、搬送中のクリップ落下や、搭載後の位置ずれの発生を防止することができる。また、ワイヤボンディングとクリップ接合は、どちらの工程を先に行っても構わないが、クリップ接合剤を硬化する際に溶剤などの揮発により、第二電極206と第三パッド部204のボンディング面が汚染され、ワイヤボンディング不良が発生する可能性が考えられるので、ワイヤボンディングを先に行うのが好ましい。次に、上記で組み立てられた集合体をトランスファーモールドの金型内に載置し、金型のドレインリード207側より封止樹脂を注入し、樹脂成型体210を形成するステップS5。その後、メッキ工程ステップS6、マーキング工程ステップS7、検査工程ステップS8を経て、半導体装置が完成する。以上のように、本発明の半導体装置の製造方法では、表面積を増大させたクリップを用いて抵抗を低減させながら、クリップの吸着時のクリップの落下を防止すると共に、クリップ搭載を精度よく行えるので加工不良をなくすことができる。また、クリップ200の形状を考慮し、ドレインリード207側から封止樹脂を注入することにより、クリップ200に設けた貫通孔215の屈曲部104に形成された開口部216及び凸部213または108図5b参照の下部の空間を封止樹脂が阻害されることなく流動できるので、空気の抱き込みによる気泡や樹脂の未充填の発生を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。"