"電極及び対電極と、前記電極及び前記対電極の間の層系とを有し、前記層系が少なくとも一つの有機層及び少なくとも一つのドープ層を含む有機電子部品又はオプトエレクトロニクス部品において、前記ドープ層におけるドーパントが、フッ化物イオン親和力の程度によって、五フッ化アンチモンSbF5よりも強いルイス酸、又は1,8-ビスジメチルアミノナフタレンよりも強いルイス塩基であることを特徴とする、有機電子部品又はオプトエレクトロニクス部品。前記ドーパントが有機化合物、有機金属化合物又は無機化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の部品。前記ドーパントが、少なくとも10、好ましくは20、より好ましくは30を超え、最大で100の原子を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の部品。前記ドーパントがトリスペルフルオロ-tert-ブトキシアルミニウムIIIであることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、一般式HCB11H12nXn、特にHCB11H6X6又はHCHB11X11のカルボラン酸であり、式中、XはCl、Br、I、F、CF3及びそれらの組合せからなる群から選択され、nは0から12までの整数であることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、[R][カルボラン]又は[R3aHaSi][カルボラン]化合物、特に[R3C][カルボラン]又は[R3Si][カルボラン]化合物であり、式中、aは0から2までの整数であり、Rはアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基であり、[カルボラン]は[CB11R’12nXn]、特に[CHB11R’5X6]であり、R’はH、CH3であり、Xはハロゲンであり、nは0から12までの整数であることを特徴とする請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、式のペンタフルオロフェニルアミド類に由来し、式中、Mは金属、好ましくはCo、Ni、Pd及びCuからなる群から選択される金属である、金属化合物であることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、式[R3Si-X-SiR3][BAr4]の化合物であり、式中、Rは独立してC1~C10アルキル、C3~C10アリール若しくはヘテロアリールから選択され、及び/又は二つの隣接するR基が一緒になって飽和又は不飽和環を形成し、Xはハロゲンであり、Arは、ハロゲン化、好ましくはフッ素化されたアリール又はヘテロアリールであることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、式R2N2-C=Nn-Arの化合物であり、式中、Rは独立してC1~C5アルキルであり、いずれの場合も置換又は非置換であり、その場合二つの隣接するRは互いに結合していてもよく、Arはアリール又はヘテロアリールであるが、好ましくはフェニル、ナフチル又はアントリルであり、nは整数、好ましくは2、3又は4であることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが、式RmX-NCnY又はRmX-NCnYMであり、式中、Rはいずれの場合も置換又は非置換のC1~C10アルキル、ハロゲン化されたC1~C10アルキル、ハロゲニル、C3~C14アリール又は3から14の芳香族原子を有するヘテロアリールであり、XはC、B、Siから選択され、YはC、B、Alから選択され、Mは任意のカチオンであり、n及びmはそれぞれ整数であり、分子が外見上非荷電である化合物であることを特徴とする、請求項3に記載の部品。前記ドーパントが前記層に、質量比で最大35、好ましくは最大30存在することを特徴とする、前記請求項のいずれか1項に記載の部品。前記部品が、OLED、有機太陽電池、電界トランジスターOFET又は光検知器であることを特徴とする、前記請求項のいずれか1項に記載の部品。フッ化物イオン親和力FIAの程度によって、五フッ化アンチモンSbF5よりも強いルイス酸又は1,8-ビスジメチルアミノナフタレンよりも強いルイス塩基である化合物の、電荷担体輸送層又は活性層にドープするための使用、及び有機電子部品又はオプトエレクトロニクス部品における個別層としての使用。本発明が対処する課題は、電子部品及びオプトエレクトロニクス部品に使用される、先行技術の欠点を克服した新規なドーパントを提供することである。より詳細には、新規なドーパントは、マトリクス材料に破壊的な影響を及ぼすことなく十分に高い酸化還元電位を有し、マトリクス材料における電荷担体の数を効果的に増大させ、比較的取り扱いが容易なものであるべきである。本発明によると、フッ化物イオン親和力FIAの程度によって五フッ化アンチモンSbF5よりも強いルイス酸、又は1,8-ビスジメチルアミノナフタレンよりも強いルイス塩基であって、有機電子部品及びオプトエレクトロニクス部品においてドーパントとして使用可能な化合物によって課題は解決される。フッ化物イオン親和力FIAの程度は、気相FIAにおけるフッ化物イオン親和力のスケールに基づいている。フッ化物イオンの結合力は、例えば従来の主要酸塩基、水、又は水酸化物の場合の水素結合のような更なる因子には依存しない。フッ化物イオン親和力FIAは、ルイス酸の強度をフッ化物イオンFの結合において放出されるエネルギーと結びつけるものである。定義上は、FIAは逆符号の結合エンタルピーΔHの値に対応する。従って、ルイス酸の強度は、FIAスケールに当てはめることで直接読み取ることができる。信頼性の高いFIA値を判定するため、結合の種類と数が維持されるイソデスミック反応に量子化学計算を利用することが可能である。ドーパントとは、有機の電子部品又はオプトエレクトロニクス部品の層系のある層、好ましくは電荷担体輸送層において、質量比で最大35、好ましくは最大30存在する化合物を意味する。本発明のそうした化合物は、通常個々の薄層の形態で使用することも可能であるが、マトリクス材料におけるドーパントとしての使用が好ましい。本発明の化合物は、有機化合物、有機金属化合物又は無機化合物であってもよいが、有機化合物又は有機金属化合物が好ましい。本発明のルイス酸は強求電子性であり、従って電子部品又はオプトエレクトロニクス部品においてp型ドーパントとして使用される。本発明のルイス酸は強求核性であり、従って電子部品又はオプトエレクトロニクス部品においてn型ドーパントとして使用される。本発明の強ルイス酸は、専門家分野においては超酸としても知られている。これらは、とりわけ例外的に反応性に乏しい希ガスにプロトンを付加することが可能である。マトリクス材料とは反応しないが、p型又はn型にドープすることが産業上の使用可能性にとって非常に重要なため、ドーパントとしての使用は、その高い反応性のために長い間排除されてきた。驚くべきことに、高い反応性にもかかわらず、有機の電子部品及びオプトエレクトロニクス部品における本発明の化合物のドーパントとしての使用が可能であることが発見された。好ましくは、本発明のルイス酸及び本発明のルイス塩基は、共に反応部位を立体的に遮蔽する分枝側鎖又は他の嵩高基を有する。本発明の部品において、電荷輸送層及び活性層の両方にドープできるが、通常は電荷担体輸送層にドープする。加えて、各種個別層又は混合層が存在してもよい。長期安定性の観点から、ドープ層及び非ドープ層を有する層系から輸送系を形成することが有利となり得る。加えて、薄層は、励起子ブロッカー層として知られており、そのため、本発明の化合物の非ドープ個別層としての使用も考えられる。有機電子部品及びオプトエレクトロニクス部品は、層系中に少なくとも一つの有機層を有する部品を意味するものと理解される。有機電子部品及びオプトエレクトロニクス部品は、とりわけOLED、有機太陽電池、電界トランジスターOFET又は光検知器であってもよく、有機太陽電池における使用が特に好ましい。一実施形態において、本発明の化合物は、少なくとも10、好ましくは20、より好ましくは30を超え100以下の原子を含有する。その結果、本発明の化合物は、マトリクスにおいて低い拡散係数しか有しない程度に大きくて重く、これが電子部品の良好な機能及び高い安定性と寿命にとって重要であるとともに、産業上気化させて使用できる程度に小さなものである。説明目的だか限定を目的としたものではない、本明細書での超酸の例は、トリスペルフルオロ-tert-ブトキシアルミニウムIIIAlOCCF333化合物1という化合物である。AlOCCF333の場合のように、本発明のルイス酸及びルイス塩基は、好ましくは中心部位本明細書では金属原子を立体的に遮蔽する分枝側鎖又は他の嵩高基を有する。ドーパントのマトリクスとの起こり得るあらゆる反応がこれによって非常に起こりにくくなる。化合物1は、43の原子からなる。従って、化合物1は、マトリクスにおいて低い拡散係数しか有しない程度に大きくて重く、これが電子部品の良好な機能及び高い安定性と寿命にとって重要である。更に、マルチグラムスケールでのトリスペルフルオロ-tert-ブトキシアルミニウムIIIAlOCCF333の合成も知られているため、産業上の使用も可能である。ドーパントとしての超酸の更なる例は、カルボラン酸HCB11H12nXn、特にHCB11H6X6及びHCHB11X11である。式中、nは0から12までの整数であり、XはCl、Br、I、F、CF3及びそれらの組合せからなる群から選択される。カルボラン酸は、文献をきっかけに知られるようになったものであり、例えば、対応するシリル化合物[R3Siカルボラン]及びHClから調製することができるリードReedら,ChemCommun2005年発行16691677。本発明の一実施形態において、使用されるドーパントはHCHB11Cl11及びHCB11H6X6であり、これらは堅牢で化学的に非常に不活性なカルボラン骨格のため、真空下で十分に昇華させることができ、フラーレン例えばC60にプロトンを付加しフラーレンカチオンHC60及びC60.を安定化させることが可能であるリードReedら,Science2000年発行289101103。更なる実施形態において、対応する[R][カルボラン]及び[R3-aHaSi][カルボラン]化合物式中、aは0から2までの整数である、特に[R3C][カルボラン]及び[R3Si][カルボラン]化合物式中、[カルボラン]は[CB11R12nXn]であり、nは0から12までの整数であり、Rはアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基であり、特に[CHB11R’5X6]式中、R’はH又はCH3から選択され、Xはハロゲンであるであるもドーパントとして使用される。[R3C][カルボラン]化合物リードReedら,AngewChemIntEd2004年発行4329082911及び[R3Si][カルボラン]化合物リードReedら,Science2002年発行297825827の合成及び性質は、同文献に詳細に記載されている。カルボラン酸は、弱塩基性の溶媒及び弱塩基性の分子にわずかにプロトンを付加し、従って強ルイス酸例えばSbF5を添加しなくても過度酸性を生じさせる点で従来の超酸とは異なっているリードReedら,AngewChemIntEd2004年発行4353525355。カルボラン酸は、トリフルオロメタンスルホン酸の酸強度を上回り、その塩よりもさらに低いアニオン求核性と良好な結晶化特性を呈する。CHB11R5X6型R=H、CH3、Cl、X=Cl、Br、Iの20面体のカルボランアニオンは、現代化学において最も弱求核性であり、最も酸化還元に不活性であり、最も不活性のアニオンに属する。従って、そのカルボラン酸によってプロトンを付加された化合物の分解反応を起こすことはできない。図3は、請求項に記載されたカルボラン酸ChemCommun2005年発行16691677に従って再現のアニオン共役塩基の例を示す。この嵩高で、立体的な要求の厳しいアニオンは、マトリクス内で低い拡散係数を達成し、これが、低い求核性及び非常に弱い酸化還元挙動と相まって、電子部品の良好な機能及び高い安定性と寿命にとって非常に重要な意味を持つ。従って、カルボラン酸をp型ドーパントとして使用すると、非常に安定したプロトン化化合物が得られ、これらの化合物は、更なる反応においてカルボランアニオンによってほとんど分解されない、又はごくわずかしか分解されない。カルボラン酸の低い蒸気圧は、最適なドーピングを可能にする。これによって生成される正電荷担体は求電子性が高く、隣接する正孔伝導分子から電子を引き離す。本発明の一実施形態において、一般式Iのペンタフルオロフェニルアミド類に属する金属化合物が使用される。式中、Mは金属である。Mは、好ましくはCo、Ni、Pd、及びCuからなる群から選択される。式Iの化合物は、中心部位を立体的に遮蔽する嵩高基を有する。更に、式Iの化合物は、その大きさと質量から、有機層系におけるドーパントとしての使用に適している。更なる実施形態において、一般式II[R3Si-X-SiR3][BAr4]IIの化合物が使用される。式中、RはC1~C10アルキル、C3~C10アリール若しくはヘテロアリールから独立して選択され、及び/又は二つの隣接するR基が一緒になって飽和又は不飽和環を形成しており、Xはハロゲン、Arはハロゲン化、好ましくはフッ素化されたアリール又はヘテロアリールである。更なる実施形態において、一般式IIIR2N2C=NnArIIIの化合物が使用される。式中、Rは独立してC1~C5アルキルであり、いずれの場合も置換又は非置換であり、その場合二つの隣接するRは互いに結合していてもよく、Arはアリール又はヘテロアリールであるが、好ましくはフェニル、ナフチル又はアントリルであって、nは整数、好ましくは2、3又は4である。本発明の更なる実施形態において、一般式IV又はVRmX-NCnYIVRmX-NCnYMVの化合物が使用される。式中、Rはいずれの場合も置換又は非置換のC1~C10アルキル、ハロゲン化されたC1~C10アルキル、ハロゲニル、C3~C14アリール又は3から14の芳香族原子を有するヘテロアリールであり、XはC、B、Siから選択され、YはC、B、Alから選択され、Mは任意のカチオンであり、n及びmはそれぞれ整数であるため分子が外見上非荷電である。本発明の有利な実施形態において、部品の光活性層が最大量の光を吸収する。この目的のため、部品が光を吸収するスペクトル領域は、できるだけ広いものとする。本発明の上記実施形態の有利な構成において、光活性部品のi型層系は、二つの材料の二重層若しくは混合層、又は隣接する個別層が少なくとも三つの材料で構成された二重混合層若しくは混合層からなる。本発明の更なる実施形態において、二重混合層の電荷担体輸送性を高めるため、異なる混合層における混合比は、同じであっても異なっていてもよく、組成も同じであっても異なっていてもよい。本発明の更なる実施形態において、混合比の勾配が個々の混合層に存在してもよく、勾配はカソード又はアノードの方向に形成されてもよい。本発明の一構成において、有機電子部品又はオプトエレクトロニクス部品は、タンデム型電池又は多重型電池の形態、例えば、タンデム型太陽電池又はタンデム多重型電池の形態を取る。本発明の更なる実施形態において、有機電子部品又はオプトエレクトロニクス部品、特に有機太陽電池は、電極及び対電極と、電極間にある少なくとも一つの光活性層と、光活性層と電極との間にあって好ましくは電荷担体輸送層として機能する少なくとも一つのドープ層からなる。本発明の更なる実施形態において、一つ又は複数の更なる有機層は、ドープされたワイドギャップ層であり、最大吸収が450nm未満である。本発明の更なる実施形態において、系が最大開回路電圧、最大短絡電流及び最大曲線因子を可能とするように主要材料のHOMOレベル及びLUMOレベルを一致させる。本発明の更なる実施形態において、光活性層に使用される有機材料は、小分子である。本発明の更なる実施形態において、光活性層に使用される有機材料は、少なくとも部分的にポリマーである。本発明の更なる実施形態において、光活性層は、アクセプターであるフラーレン又はフラーレン誘導体C60、C70等の群に属する材料を含む。本発明の更なる実施形態において、光活性混合層のうちの少なくとも一つは、ドナーとして、フタロシアニン、ペリレン誘導体、TPD誘導体、オリゴチオフェンの類に属する材料、又は国際公開第2006092134号パンフレット若しくは独国特許出願公開第102009021881号明細書に記載の材料を含む。本発明の部品は、様々な方法で製造することができる。層系における層は、印刷又はコーティングによって溶液又は分散物として液体形態で塗布、又は例えばCVD、PVD又はOVPDによって蒸着させることができる。本発明に関する用語気化温度とは、一定の気化器形状参考、円形開口部直径1cmを有し、基板垂直上方30cmの距離に配置された蒸着物質源に対する基板の位置でかつ104から1010mbarの範囲の減圧下で蒸着速度0.1nm/sを達成するのに必要な温度を意味するものと理解される。本明細書では、これが狭い意味での気化液相から気相への変化であるか昇華であるかは重要ではない。従って、蒸着による層形成は、強い相互作用を起こし得る界面が層表面では回避されるように層内の分子間相互作用が最大化される構造を形成することが好ましい。小分子と呼ばれる非高分子系有機分子の真空蒸着によって形成された有機太陽電池が文献に記載されており、これらは、若干の例外を除くとドレクセルDrechsel,OrgElectron5175、ジェイドレクセルJDrechsel,SynthetMetal127201205、有機層を蒸着させたいわゆるベースコンタクトがアノードを形成するもし構造が正孔伝導層又はp型ドープ層のみを含む場合、それはベースコンタクトに隣接するように形成されている。アノードは一般的には透明な導電性酸化物多くの場合インジウムスズ酸化物、ITOと略される。ZnO:Alであってもよいであるが、金属層又は導電性ポリマー層であってもよい。光活性混合層を含む有機層系の蒸着後、通常は金属カソードが蒸着される。本発明の更なる実施形態において、部品は、nip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pnin、pipn、nip、ipni、pnip、nipn又はpnipn構造を有する単電池として形成される。式中、nは負にドープされた層であり、iはドープされていない又はわずかにドープされた真性層であり、pは正にドープされた層である。本発明の更なる実施形態において、部品は、nip、ni、ip、pnip、pni、pip、nipn、nin、ipn、pnipn、pnin又はpipn構造の組合せで構成されたタンデム型電池として形成される。上記構造のうち特に好適な実施形態において、部品は、pnipnipnタンデム型電池の形態を取る。更なる実施形態において、混合層におけるアクセプター材料は、少なくとも部分的に結晶形態にある。更なる実施形態において、混合層におけるドナー材料は、少なくとも部分的に結晶形態にある。更なる実施形態において、混合層におけるアクセプター材料及びドナー材料は共に、少なくとも部分的に結晶形態にある。更なる実施形態において、アクセプター材料は450nmを超える波長域に吸収極大を有する。更なる実施形態において、ドナー材料は450nmを超える波長域に吸収極大を有する。更なる実施形態において、n型材料系は一つ又は複数の層からなる。更なる実施形態において、p型材料系は一つ又は複数の層からなる。更なる実施形態において、n型材料系は、一つ又は複数のドープされたワイドギャップ層を含む。用語ワイドギャップ層とは、450nm未満の波長域に吸収極大を有する層を定義するものである。更なる実施形態において、p型材料系は一つ又は複数のドープされたワイドギャップ層を含む。更なる実施形態において、部品は、光活性i型層と基板上に存在する電極との間にp型ドープ層を備える。この場合、p型ドープ層は、フェルミ準位が最大で0.4eV、好ましくは0.3eV未満であって、i型層の電子輸送レベル以下である。更なる実施形態において、部品は、光活性i型層と対電極との間にn型層系を備える。この場合、追加のn型ドープ層はフェルミ準位が最大で0.4eV、好ましくは0.3eV未満であって、i型層の正孔輸送レベル以上である。更なる実施形態において、アクセプター材料は、フラーレン若しくはフラーレン誘導体好ましくはC60又はC70の群に属する材料、又はPTCDI誘導体ペリレン-3,4,9,10-ビスジカルボキシイミド誘導体である。更なる実施形態において、ドナー材料はオリゴマー、特に国際公開第2006092134号パンフレットに記載のオリゴマー、ポルフィリン誘導体、ペンタセン誘導体、又はDIPジインデノペリレン、DBPジベンゾペリレン等のペリレン誘導体である。更なる実施形態において、p型材料系は、TPD誘導体トリフェニルアミン二量体、スピロピラン、スピロオキサジン、MeO-TPDN,N,N’,N’-テトラキス4-メトキシフェニルベンジジン、ジ-NPBN,N’-ジフェニル-N,N’-ビスN,N’-ジ1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、MTDATA4,4’,4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミン、TNATA4,4’,4-トリス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン、BPAPF9,9-ビス{4-[ジ-p-ビフェニルアミノフェニル]}フルオレン、NPAPF9,9-ビス[4-N,N’-ビス-ナフタレン-2-イルアミノフェニル]-9H-フルオレン、spiro-TAD2,2’,7,7’-テトラキスジフェニルアミノ-9,9’-スピロビフルオレン、PV-TPDN,N-ジ-4-2,2-ジフェニルエテン-1-イルフェニル-N,N-ジ4-メチルフェニルフェニルベンジジン、4P-TPD4,4’-ビスN,N-ジフェニルアミノテトラフェニル等のスピロ化合物、又は独国特許出願公開第102004014046号明細書に記載のp型材料を含む。更なる実施形態において、n型材料系は、例えば、C60、C70のフラーレン、NTCDA1,4,5,8-ナフタレン-テトラカルボン酸二無水物、NTCDIナフタレンテトラカルボン酸ジイミド又はPTCDIペリレン-3,4,9,10-ビスジカルボキシイミドを含む。更なる実施形態において、一方の電極は、透過率が80を超える透明なものであり、他方の電極は反射率が50を超える反射性のものである。更なる実施形態において、部品は透過率が10~80の半透明なものである。更なる実施形態において、電極は、金属例えばAl、Ag、Au又はそれらの組合せ、導電性酸化物、特にITO、ZnO:Al又はその他のTCO透明な導電性酸化物、導電性ポリマー、特にPEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホネート若しくはPANIポリアニリン、又はこれら材料の組合せからなる。本発明の更なる実施形態において、光トラップの使用が活性系における入射光の光学経路を拡大する。更なる実施形態において、光トラップは、周期的に微細構造化された基板上に部品を形成し、ドープされたワイドギャップ層の使用によって部品の均一な機能、即ち、全域にわたる短絡のない接触及び電界の均一な分布を確保することによって実現される。極薄部品は、構造化された基板上で局所的な短絡を形成するリスクが高く、そうした明らかな不均一性は、最終的には部品全体の機能性を脅かすことになる。ドープされた輸送層を使用すれば、この短絡のリスクは減少する。本発明の更なる実施形態において、光トラップは、周期的に微細構造化された基板上に部品を形成し、ドープされたワイドギャップ層の使用によって部品の均一な機能、即ち、全域にわたるその短絡のない接触及び電界の均一な分布を確保することによって実現される。本明細書では、光が吸収層を少なくとも二倍通過することが特に有利であり、これによって光吸収を増加させ、結果として太陽電池の効率を改善することができる。本発明の更なる実施形態において、光トラップは、i型層に対しては平滑界面を、反射性コンタクトに対しては粗界面を有するドープされたワイドギャップ層によって実現される。粗界面は、例えば、周期的微細構造化によって達成可能である。粗界面は、光を拡散させるように反射する場合に特に有利であり、光活性層内の光経路の拡大につながる。更なる実施形態において、光トラップは、周期的に微細構造化された基板上に部品を形成し、i型層に対しては平滑界面を、反射性コンタクトに対しては粗界面を有するドープされたワイドギャップ層によって実現される。本発明の更なる実施形態において、全体構造は、透明なベースと上部コンタクトとを備える。本発明の更なる実施形態において、本発明の光活性部品は、例えば、コンクリート、屋根瓦、クレー、自動車ガラス等、湾曲面上で使用される。本明細書では、本発明の有機太陽電池は、フィルムや布地等の可撓性担体にも適用可能であるという点で、従来の無機太陽電池に対して有利である。本発明の更なる実施形態において、本発明の光活性部品は、付着構成、例えば接着剤を有するフィルム又は布地に適用される。従って、任意所望の表面に必要に応じて配置できる太陽光接着フィルムを製造することが可能である。例えば、自己接着性太陽電池を製造することが可能である。更なる実施形態において、本発明の光活性部品は、マジックテープ接続の形態の別の付着構成を含む。更なる実施形態において、本発明の光活性部品は、負荷や装置に接続されるエネルギーバッファー又はエネルギー貯蔵媒体、例えば、蓄電池、コンデンサ等と併用される。更なる実施形態において、本発明の光活性部品は、薄膜バッテリーと組合せて使用される。以下、いくつかの実施例に関して本発明をより詳細に説明する。実施例は、例として本発明の部品をいくつか詳細に提示した。実施例は、本発明を説明することを目的とし、本発明を実施例に限定するものではない。一使用例において、例として本発明の部品をいくつか以下のように太陽電池として形成する。実施例1基板1、ベースコンタクト2、n型にドープされた輸送層3、吸収系4、上部コンタクト6実施例2基板1、ベースコンタクト2、吸収系4、p型にドープされた輸送層5、上部コンタクト6輸送層は、典型的には厚さが10~100nmである。使用したn型ドーパント及び/又はp型ドーパントは、本発明の化合物の一つである。"