"ゼロ磁場領域を磁気加温する磁気加温装置であって、前記ゼロ磁場領域を生成するように磁場を発生する磁場発生手段と、前記ゼロ磁場領域を含む所定領域に交流磁場を印加し、前記ゼロ磁場領域に含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる磁化変化手段とを備えた磁気加温装置。前記磁場発生手段は、前記所定領域のうち、前記ゼロ磁場領域外に含まれる磁性体粒子の磁化変化を制限する、請求項1に記載の磁気加温装置。前記ゼロ磁場領域の物理量が変化するように前記磁場発生手段への電流供給を制御する制御手段を備えた、請求項1又は請求項2に記載の磁気加温装置。前記制御手段は、外部からの入力に基づいて前記磁場の発生を制御する、請求項1から請求項3のうちの一項に記載の磁気加温装置。前記ゼロ磁場領域の前記物理量は、前記ゼロ磁場領域の位置、大きさ、範囲、形状のうちの少なくとも1つである、請求項3又は請求項4に記載の磁気加温装置。ゼロ磁場領域を磁気加温する磁気加温方法であって、前記ゼロ磁場領域を生成するように磁場を発生する磁場発生工程と、前記ゼロ磁場領域を含む所定領域に交流磁場を印加し、前記ゼロ磁場領域に含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる磁化変化工程とを包含する磁気加温方法。前記磁場発生工程は、前記所定領域のうち、前記ゼロ磁場領域外に含まれる磁性体粒子の磁化変化を制限する制限工程を包含する、請求項6に記載の磁気加温方法。前記磁場発生工程は、前記ゼロ磁場領域の物理量が変化するように電流供給を制御する制御工程を包含する、請求項6又は請求項7に記載の磁気加温方法。前記制御工程は、外部からの入力に基づいて前記磁場の発生を制御する、請求項6から請求項8のうちの一項に記載の磁気加温方法。前記ゼロ磁場領域の前記物理量は、前記ゼロ磁場領域の位置、大きさ、範囲、形状のうちの少なくとも1つである、請求項8又は請求項9に記載の磁気加温方法。しかし、これらの方法では目的部位のみを加温するということができないため、正常組織に悪影響を与える。これらの治療法の有効性を高めるためには目的部位のみを選択的に加温することが望まれる。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、磁性体粒子の外部磁場に対する非線形応答性を利用した局所加温可能な磁気加温装置及び磁気加温方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明に係る磁気加温装置は、ゼロ磁場領域を磁気加温する磁気加温装置であって、前記ゼロ磁場領域を生成するように磁場を発生する磁場発生手段と、前記ゼロ磁場領域を含む所定領域に交流磁場を印加し、前記ゼロ磁場領域に含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる磁化変化手段とを備える。本発明に係る磁気加温装置において、前記磁場発生手段は、前記所定領域のうち、前記ゼロ磁場領域外に含まれる磁性体粒子の磁化変化を制限し得る。本発明に係る磁気加温装置において、前記ゼロ磁場領域の物理量が変化するように前記磁場発生手段への電流供給を制御する制御手段を備え得る。本発明に係る磁気加温装置において、前記制御手段は、外部からの入力に基づいて前記磁場の発生を制御し得る。本発明に係る磁気加温装置において、前記ゼロ磁場領域の前記物理量は、前記ゼロ磁場領域の位置、大きさ、範囲、形状のうちの少なくとも1つであり得る。上記目的を達成するために、本発明に係る磁気加温方法は、ゼロ磁場領域を磁気加温する磁気加温方法であって、前記ゼロ磁場領域を生成するように磁場を発生する磁場発生工程と、前記ゼロ磁場領域を含む所定領域に交流磁場を印加し、前記ゼロ磁場領域に含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる磁化変化工程とを包含する。本発明に係る磁気加温方法において、前記磁場発生工程は、前記所定領域のうち、前記ゼロ磁場領域外に含まれる磁性体粒子の磁化変化を制限する制限工程を包含し得る。本発明に係る磁気加温方法において、前記磁場発生工程は、前記ゼロ磁場領域の物理量が変化するように電流供給を制御する制御工程を包含し得る。本発明に係る磁気加温方法において、前記制御工程は、外部からの入力に基づいて前記磁場の発生を制御し得る。本発明に係る磁気加温方法において、前記ゼロ磁場領域の前記物理量は、前記ゼロ磁場領域の位置、大きさ、範囲、形状のうちの少なくとも1つであり得る。以下、図面を参照して、本発明を説明する。なお、本発明は以下に説明する実施形態や図面に記載される構成に限定されることを意図せず、当該構成と均等な構成も含む。[磁気加温装置]図1は、本実施形態に係る磁気加温装置100の模式図を示す。磁気加温装置100はゼロ磁場領域Aを磁気加温する磁気加温装置である。磁気加温装置100は、磁場発生手段110と磁化変化手段120と制御手段130とを備える。磁場発生手段110は、ゼロ磁場領域Aを生成するように磁場を発生する。磁場発生手段110は、例えば、3方向x方向、y方向、z方向に配置された3組のマックスウェルコイルである。磁場発生手段110は、直流磁場を発生し、さらに、直流磁場の大きさや発生方向を制御することができる。また、付与する直流磁場の並進制御や直流磁場の付与角度の制御を行い得る。互いに反対方向に電流を流した3組のマクスウェルコイルを用いて3次元空間でゼロ磁場領域を生成する。磁場発生手段110は、ゼロ磁場領域A外に含まれる磁性体粒子を磁気的に飽和する。磁化変化手段120は、ゼロ磁場領域Aを含む所定領域に交流磁場を印加し、ゼロ磁場領域Aに含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる。磁化変化手段120は、例えば、交流磁場発生用のコイルである。磁化変化手段120がゼロ磁場領域Aを含む所定領域に交流磁場を印加した結果、ゼロ磁場領域Aに含まれる磁性体粒子の磁化が変化し、ゼロ磁場領域A外の発熱が抑えられ、ゼロ磁場領域A内のみを磁気加温することができる。原理の詳細は図2を参照して後述する。磁化変化手段120は、容器Bに巻きつくように、容器Bの周囲に設けられている。容器Bには、磁性体粒子を混合したゲルファントムが入っている。例えば磁性体粒子はマグネタイトであり、粒子径は10nm~30nmである。なお、磁性体粒子の種類、粒子径は、交流磁場を印加することによって磁性体粒子の磁化を変化し得る限りは、これらに限定されない。例えば、磁性体粒子はマグヘマイトであり、粒子径は10nm~30nmであり得る。また、磁性体粒子はフェライト系粒子であり、粒子径は100μm前後であり得る。さらに、10nm~30nmのフェライト微粒子をゲルに包含して50μm~1000μmの大きさにして使用することもできる。制御手段130は、ゼロ磁場領域Aの物理量が変化するように磁場発生手段110への電流供給を制御する。ゼロ磁場領域Aの物理量は、例えば、ゼロ磁場領域Aの位置である。3組のマクスウェルコイルペアに流す電流の大きさを変えることによってゼロ磁場領域Aの位置を3次元空間で自由に移動さすことができる。マクスウェルコイルペアに流す電流の大きさの決定については、図4を参照して後述する。制御手段130は、例えば、データを演算するために適した演算機PCである。制御手段130への入力に応じて、磁場発生手段110への電流供給が制御される。図2は、本発明に係る磁気加温方法の原理を示す図である。以下、図2を参照して、本発明に係る磁気加温方法の原理を説明する。ゼロ磁場領域A内に存在する磁性体粒子の磁化は、外部から印加した交流磁場に応じて変化するため発熱する図2a。それに対して、ゼロ磁場領域A外直流磁場が印加されている領域の磁性体粒子の磁化変化は制限されるため、磁化変化が小さくなり発熱も抑制される図2b。すなわちゼロ磁場領域Aを含む所定領域に交流磁場を印加した場合、ゼロ磁場領域Aに含まれる磁性体粒子の磁化が変化するのに対して、ゼロ磁場領域A外に含まれる磁性体粒子の磁化の変化が小さくなることを利用したものである。なお、発熱のメカニズムは、磁性体粒子の大きさに依存する。磁性体粒子の径が大きい約100nm以上場合には、主にヒステリシス損失で発熱する。磁性体粒子の磁化の変化によって、ヒステリシス損失が生じる。磁性体粒子の径が約10nm~約100nmくらいでは、主に磁気モーメントと粒子も回転して発熱する。この発熱メカニズムをブラウン緩和という。また、磁性体粒子の粒子径が約10nmより小さい場合には、主に磁気モーメントだけ回転して発熱する。この発熱メカニズムをニール緩和という。粒子の回転による発熱は、主に摩擦熱によるものである。磁気モーメントの回転による発熱は、磁性体粒子の磁化の磁場に対する遅れによって誘発される。すなわち、磁性体粒子に交流磁場を印加すると磁化の向きが変化するが、交流磁場の周波数が増加するとその変化に追随できなくなり、その遅れが熱となる。従って、交流磁場の周波数増加に伴い、発熱量が増加する。図3は、1次元のオフセット磁場磁場発生手段110によって発生される直流磁場が存在する場合の発熱量とオフセット磁場強度の関係を示す。縦軸は発熱量W/m3であり、横軸は、オフセット磁場強度/交流磁場強度である。交流磁場強度は、磁化変化手段120によって印加された交流磁場の強度である。交流磁場の周波数は600kHzであり、交流磁場の強度は10mTであり、磁性体粒子マグネタイトの粒子径は20nmである。オフセット磁場が大きい領域では磁化の変化が抑制されるため磁性体粒子の発熱量が減少することが分かる。一方、オフセット磁場が小さい領域ゼロ磁場領域では、磁性体粒子の磁化の変化が抑制されないため交流磁場印加によって磁性体粒子の発熱量が増加することが分かる。図3を参照して説明したことから、磁場発生手段110によって発生される直流磁場の強度、磁化変化手段120によって印加された交流磁場の強度、交流磁場の周波数に基づいて、磁性体粒子の発熱量を制御し得ることが理解し得る。図4は、ゼロ磁場領域Aの位置変化を示す。図4aはゼロ磁場領域Aが中心に位置する例を示す。図4bはゼロ磁場領域Aを所望の位置に移動させた例を示す。制御手段130は、ゼロ磁場領域Aの位置が変化するように磁場発生手段110への電流供給を制御する。3組のマクスウェルコイルペアに流す電流の大きさを変えることによってゼロ磁場領域Aの位置を3次元空間で自由に移動さすことができる。図5は、本発明による磁気加温装置における入力電流の大きさの決定手法を説明する図である。以下、図5を参照して、マクスウェルコイルペアに流す電流の大きさの決定手法について説明する。本発明において、制御手段130は、マクスウェルコイルペアに流す電流の大きさに基づいて磁場の発生を制御する。以下、ビオサバールの法則を用いてゼロ磁場領域を作成するためのコイル電流を決定する方法を説明する。4つのコイルを使用する場合2次元を考える。図5において、FOVFieldOfViewは、観測視野を示す。位置x,yにおける磁場強度のx方向成分Bxとy方向成分Byとは、それぞれ次式で表される。ここで、添え字のiはコイルの番号を示す。また、Bixx,yおよびBiyx,yはそれぞれi番目のコイルに単位電流1Aを流した時の位置x,yにおける磁場強度のx方向の成分およびy方向の成分を表し、ビオサバ―ルの法則を用いて求めることが出来る。したがって、磁場強度のx方向成分Bxのx方向の勾配と磁場強度のy方向成分Byのy方向の勾配は次式で表される。以上を行列式で表すと、磁場ゼロ領域では次式で表される。ここで、I1、I2、I3、I4はぞれぞれコイル1、コイル2,コイル3,コイル4に流す電流の大きさを表す。また、Gxはx方向の磁場勾配の大きさを表し、Gyはy方向の磁場勾配の大きさを表す。したがって、ゼロ磁場領域Aの位置x,y、GxおよびGyを与えれば、上記の行列式を次式の逆行列を用いて解くことによってそれぞれのコイルに流す電流が求まる。位置x,yをθiだけ回転した座標での位置をxi,yiとすると、次式の関係が成立する。但し、図5の場合には、θ1=0、θ2=π/2、θ3=π、θ4=3π/2となる。したがって、次式が得られる。図6は、ゼロ磁場領域Aの物理量の変化に対応するイメージである。ゼロ磁場領域Aの物理量は、ゼロ磁場領域Aの位置、大きさ、範囲、形状のうちの少なくとも1つである。外部からの制御手段への入力に基づいてゼロ磁場領域Aの物理量を制御するためのマクスウェルコイルペアへの電流の大きさが算出される。図6aは、ゼロ磁場領域Aの中心の位置が0cm,0cmである例を示す。図6bは、ゼロ磁場領域Aの中心の位置が-2cm,-1cmに移動した例を示す。図6cは、ゼロ磁場領域Aの中心の位置が2cm,1cmに移動した例を示す。図6dは、ゼロ磁場領域Aの中心の位置が2cm,1cmであり、ゼロ磁場領域Aの形状がx方向に沿って長い例を示す。図6eは、ゼロ磁場領域Aの中心の位置が2cm,1cmであり、ゼロ磁場領域Aの形状がy方向に沿って長い例を示す。以上、図1~図6を参照して、本発明の磁気加温装置を説明した。本実施の形態では、磁場発生手段110として、3方向x方向、y方向、z方向に配置された3組のマックスウェルコイルを利用したが、直流磁場を発生し、さらに、直流磁場の大きさや発生方向を制御することができ、また、付与する直流磁場の並進制御や直流磁場の付与角度の制御を行い得る限りは、磁場発生手段110は他のコイルであり得る。例えば、磁場発生手段110は、マックスウェルコイル以外のコイルの集合、または、マックスウェルコイルを含むコイルの集合であり得る。磁場発生手段110は、3方向より多くの方向、又は2方向に配置され得る。[磁気加温方法]以下、本発明の磁気加温方法を説明する。図7は、本実施形態に係る磁気加温方法の工程を示すフローチャートである。磁気加温方法は、ステップS1~ステップS5を実行することにより実現され得る。ステップS1:容器Bに、磁性体粒子を混合したゲルファントムを入れる。工程は、ステップS2に進む。ステップS2:所定領域のうちゼロ磁場領域Aにすべき位置を決める。位置は、所定領域内の所望の位置である。制御手段130への入力に応じてゼロ磁場領域Aの位置を所望の位置に一致するように、磁場発生手段110への電流の大きさが算出される。制御手段130への入力に応じて、磁場発生手段110への電流供給が制御される。算出後、工程は、ステップS3に進む。ステップS3:ステップS2における算出結果に基づいて、磁場発生手段110は、ゼロ磁場領域Aを生成するように磁場を発生する。磁場発生手段110は、直流磁場を発生し、さらに、直流磁場の大きさや発生方向を制御することでゼロ磁場領域Aが生成される。磁場発生手段110は、所定領域のうち、ゼロ磁場領域外に含まれる磁性体粒子の磁化変化を制限する。一方、ゼロ磁場領域A内に含まれる磁性体粒子の磁化変化は制限されない。ゼロ磁場領域Aが生成された後、工程は、ステップS4に進む。ステップS4:磁化変化手段120は、所定領域に交流磁場を印加し、ゼロ磁場領域に含まれる磁性体粒子の磁化を変化させる。ゼロ磁場領域A外の発熱が抑えられ、ゼロ磁場領域A内のみを磁気加温することができる。ステップS5:ゼロ磁場領域Aにすべき位置を変更するか否かを判断する。ゼロ磁場領域Aにすべき位置を変更する場合YESは、工程は、ステップS2に進む。ゼロ磁場領域Aにすべき位置を変更しない場合NOは、工程は終了する。以上、図7を参照して本発明の磁気加温方法を説明した。なお、ステップS2においてゼロ磁場領域Aにすべき位置を決める場合、加温対象に応じて磁気共鳴撮像法MRI等を用いることができる。以上、図1~図7を参照して、本発明の磁気加温装置及び磁気加温方法を説明した。本発明の実施形態では、加温対象として、磁性体粒子を混合したゲルファントムを採用した。しかし、加温対象はゲルファントムに限定されない。例えば、本発明の磁気加温装置を臨床に適用する場合には、加温対象は生体であり得る。また、本発明の磁気加温方法は、人を除く生体に適用可能である。容器Bに生体を入れることによって生体を局所的に加温し得る。"