"半絶縁性のInPから構成された基板と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて前記基板の主表面上に形成されたp型コンタクト層と、III-V族化合物半導体から構成されて前記p型コンタクト層の上に形成された光吸収層と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて前記光吸収層の上に形成された電界制御層と、アンドープの半導体から構成されて前記電界制御層の上に形成された増倍層と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて前記増倍層の上に形成されたn型コンタクト層と、前記n型コンタクト層に接続して形成されたn電極と、前記n型コンタクト層の形成領域より外側の前記基板の裏面側に形成されて前記基板を貫通して前記p型コンタクト層に接続するp電極とを少なくとも備え、前記n型コンタクト層より下層の各層は、所望とするメサ構造とされ、前記n型コンタクト層は、前記メサ構造より小さい面積に形成され、前記p電極は、前記p型コンタクト層との接続部が前記n型コンタクト層の形成領域より外側で前記メサ構造の形成領域より内側の範囲に形成され、前記光吸収層は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、前記n型コンタクト層,増倍層,および電界制御層は、前記光吸収層より大きなバンドギャップエネルギーを有し、前記光吸収層は、前記p型コンタクト層よりも不純物濃度が低い状態とされていることを特徴とする受光素子。請求項1記載の受光素子において、前記n電極は、前記n型コンタクト層の全域に形成されていることを特徴とする受光素子。請求項1または2記載の受光素子において、前記n電極は、前記基板の裏面側にまで引き出されていることを特徴とする受光素子。請求項1~3のいずれか1項に記載の受光素子において、前記n型コンタクト層の上に形成された支持基板を備えることを特徴とする受光素子。請求項1~4のいずれか1項に記載の受光素子において、前記基板の裏面に開口部を備え、前記p電極は、前記開口部の領域内に形成されていることを特徴とする受光素子。以上に説明したように、現在、選択ドーピングの技術を必要とせず、結晶成長とエッチングによってのみ作製でき、かつ安定的に動作する反転型アバランシェフォトダイオードが提案されている。また、この反転型アバランシェフォトダイオードは、光吸収層としてMIC構造を導入できるなど、様々な利点や機能を得ることが可能となる。しかしながら、反転型アバランシェフォトダイオードの構造では、p型コンタクト層が基板側に存在するため、正孔がp型コンタクト層内で横方向移動する必要がある。しかしながら、一般的に、p型半導体は正孔の移動度が小さく、また高濃度ドーピングは困難であるため、p型コンタクト層における抵抗が非常に高くなる。結果として、反転型アバランシェフォトダイオードは、アバランシェフォトダイオードとしての高速動作の際、MIC構造により、走行帯域は確保されているが、CR時定数制限により広帯域動作が制限されるという問題があった。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作できるようにすることを目的とする。本発明に係る受光素子は、半絶縁性のInPから構成された基板と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板の主表面上に形成されたp型コンタクト層と、III-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層の上に形成された光吸収層と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて光吸収層の上に形成された電界制御層と、アンドープの半導体から構成されて電界制御層の上に形成された増倍層と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層の上に形成されたn型コンタクト層と、n型コンタクト層に接続して形成されたn電極と、n型コンタクト層の形成領域より外側の基板の裏面側に形成されて基板を貫通してp型コンタクト層に接続するp電極とを少なくとも備え、n型コンタクト層より下層の各層は、所望とするメサ構造とされ、n型コンタクト層は、メサ構造より小さい面積に形成され、p電極は、p型コンタクト層との接続部がn型コンタクト層の形成領域より外側でメサ構造の形成領域より内側の範囲に形成され、光吸収層は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層,増倍層,および電界制御層は、光吸収層より大きなバンドギャップエネルギーを有し、光吸収層は、p型コンタクト層よりも不純物濃度が低い状態とされている。上記受光素子において、n電極は、n型コンタクト層の全域に形成されていてもよい。また、n電極は、基板の裏面側にまで引き出されていてもよい。上記受光素子において、n型コンタクト層の上に形成された支持基板を備えるようにしてもよい。また、基板の裏面に開口部を備え、p電極は、開口部の領域内に形成されているようにしてもよい。以上説明したことにより、本発明によれば、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作できるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。[実施の形態1]はじめに、本発明の実施の形態1について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、半絶縁性のInPから構成された基板101と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板101の主表面上に形成されたp型コンタクト層102と、III-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層102の上に形成された光吸収層103とを備える。また、この受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて光吸収層103の上に形成された電界制御層104と、アンドープの半導体から構成されて電界制御層104の上に形成された増倍層105と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層105の上に形成されたn型コンタクト層106とを備える。この受光素子は、いわゆる反転型アバランシェフォトダイオードであり、n型コンタクト層106より下層の各層は、所望とするメサ構造とされ、n型コンタクト層106は、メサ構造より小さい面積に形成されている。光吸収層103は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有する化合物半導体から構成されている。n型コンタクト層106,増倍層105,および電界制御層104は、光吸収層103より大きなバンドギャップエネルギーを有する化合物半導体から構成されている。また、光吸収層103は、p型コンタクト層102よりも不純物濃度が低い状態とされている。また、この受光素子は、n型コンタクト層106に接続して形成されたn電極107と、n型コンタクト層106の形成領域より外側の基板101裏面に形成されて基板101を貫通してp型コンタクト層102に接続するp電極109とを少なくとも備える。加えて、p電極109とp型コンタクト層102とを接続する貫通配線接続部108は、n型コンタクト層106の形成領域より外側で上記メサ構造の形成領域より内側の範囲121に形成されている。また、この受光素子では、基板101の側より光を入射する。なお、n電極107は、n型コンタクト層106の全域に形成されている。例えば、基板101は、鉄をドープすることで高抵抗とされた半絶縁性のInPから構成されていればよい。また、p型コンタクト層102は、不純物としてZnが導入されたp型のInGaAsPから構成されていればよい。不純物濃度は、6×1018cm3程度とすればよい。また、光吸収層103は、アンドープのInGaAsから構成されていればよい。また、電界制御層104は、不純物としてZnが導入されたp型のInAlAsから構成されていればよい。また、増倍層105は、電子注入型で良好なイオン化率を有するアンドープのInAlAsから構成されていればよい。また、n型コンタクト層106は、不純物としてSiが導入されたn型のInGaAsPから構成されていればよい。なお、p型コンタクト層102,光吸収層103,電界制御層104,および増倍層105は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。加えて、n型コンタクト層106は、上記メサ構造の平面視の面積より小さいメサ形状に形成されている。n型コンタクト層106も、例えば、円筒形状とされている。この構造とすることで、いわゆるガードリング構造と同様の効果が得られるようになる。ここで、実施の形態1における受光素子の製造方法について簡単に説明する。まず、半絶縁性のInPからなる基板101上に、Znを不純物として導入したp型のInGaAsPp型コンタクト層102、アンドープのInGaAs光吸収層103、Znを不純物として導入したp型のInAlAs電界制御層104、アンドープのInAlAs増倍層105、およびSiを不純物として導入したn型のInGaAsPn型コンタクト層106をエピタキシャル成長により順次堆積する。これらは、よく知られた有機金属気相成長MOVPE法により形成すればよい。次に、n型のInGaAsPの層の上に、n電極107を形成する。例えば、n電極107となる領域に開口部を備えるレジストマスクパターンを形成し、この上に、電子ビーム蒸着法により、チタン層/白金層/金層の3層積層膜を形成する。この後、レジストマスクパターンを除去すれば、n型のInGaAsPの層n型コンタクト層106にオーミック接続するn電極107が形成できる。これは、いわゆるリフトオフ法と呼ばれる製造方法である。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術ウエットエッチングにより、まず、n型のInGaAsPの層を所望のメサ形状にパターニングしてn型コンタクト層106を形成する。次に、n型コンタクト層106より広い面積のメサ形状に、p型のInGaAsP,アンドープのInGaAs,p型のInAlAs,およびアンドープのInAlAsをパターニングする。このパターニングにより、n型コンタクト層106より平面視で大きな面積のメサ構造とした、p型コンタクト層102,光吸収層103,電界制御層104,増倍層105を形成する。次に、基板101を、例えば板厚100μm程度にまで研磨し、基板101の裏面よりp型コンタクト層102に到達する貫通孔を形成する。次いで、この貫通孔に貫通配線108を形成し、貫通配線108に接続するp電極109を形成する。例えば、上記貫通孔形成位置に開口を有するエッチングマスクを用い、よく知られた反応性イオンエッチングによる基板101の選択的なエッチングにより貫通孔が形成できる。このようにして貫通孔を形成した後、p電極109形成領域に開口を有する選択成長マスクを用い、例えばめっき法により金属を堆積することで、貫通配線108およびp電極109が形成できる。上述した実施の形態1における受光素子によれば、基板101の裏面側で、n型コンタクト層106の形成領域より外側でメサ構造の形成領域より内側の範囲121に、p型コンタクト層102に接続する貫通配線108p電極109を形成した。この結果、光吸収層103で生成された正孔は、図1の中の矢視線で示すように、p型コンタクト層102の層厚方向に移動し、貫通配線108に到達する。このため、正孔の移動距離は、ほぼ、p型コンタクト層102の層厚に等しい。p型コンタクト層102の層厚が200nmであれば、正孔の移動距離は約200nmとなる。一方、図2に示すように、p型コンタクト層102の上において、光吸収層103などのメサ構造以外の領域にp電極209を形成する場合、光吸収層103で生成された正孔は、図2の中の複数の矢視線で示すように、p型コンタクト層102の平面方向に移動し、p電極209に到達する。光吸収層103を含むメサ構造の素子径が20μmとすると、この場合の正孔移動距離は15μm程度となる。ここで、不純物の導入濃度が6×1018cm3程度とされているInGaAsPからなるp型コンタクト層102は、正孔移動度は50cm2/Vであり、シート抵抗は約780Ω/cm2である。このため、光吸収層103からp電極209までの抵抗は、100Ω程度となる。これに対し、前述した実施の形態1によれば、光吸収層103から貫通配線108までの抵抗は、1Ω以下と無視できる程度にまで小さくなる。このように、実施の形態1によれば、p型コンタクト層102を実質的に低抵抗化することができる。この結果、本実施の形態によれば、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作させることができるようになる。また、n型コンタクト層106の形成領域の基板101裏面には、p電極109が形成されていないので、全ての入射光が、n型コンタクト層106の形成領域に導入される。従って、実施の形態1によれば、電極の存在により入射光が遮られることがなく、受光素子における光電変換効率を低下させることがない。[実施の形態2]次に、本発明の実施の形態2について説明する。図3は、本発明の実施の形態2における受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、例えば、鉄をドープすることで高抵抗とされた半絶縁性のInPからなる基板301と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板301の上に形成されたp型コンタクト層302とを備える。また、実施の形態2では、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層302の上に形成されたp型光吸収層303と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型光吸収層303の上に形成されたアンドープ光吸収層304とを備える。実施の形態2では、これら2層で光吸収層を構成するMIC構造としている。また、実施の形態2における受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてアンドープ光吸収層304の上に形成されたp型電界制御層305と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型電界制御層305の上に形成された増倍層306と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層306の上に形成されたn型電界制御層307と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてn型電界制御層307の上に形成されたエッジ電界緩和層308とを備える。また、n型のIII-V族化合物半導体から構成されてエッジ電界緩和層308の上に形成されたn型コンタクト層309を備える。実施の形態2における受光素子は、いわゆる反転型アバランシェフォトダイオードであり、n型コンタクト層309より下層の各層は、所望とするメサ構造とされ、n型コンタクト層309は、メサ構造より小さい面積に形成されている。また、n型コンタクト層309には、n電極310が接続して形成されている。一方、p型コンタクト層302に接続するp電極312は、n型コンタクト層309の形成領域より外側の基板301裏面に形成されている。p電極312は、基板301を貫通する貫通配線接続部311により、p型コンタクト層302に接続する。貫通配線311の配置については、前述した実施の形態1と同様であり、n型コンタクト層309の形成領域より外側で上記メサ構造の形成領域より内側の範囲に設けられている。また、p電極312は、基板301の裏面にリング状に形成され、開口部312aを備えている。この形状に合わせ、貫通配線311がリング状に形成されていてもよい。前述したように、p電極312は、n型コンタクト層309の形成領域より外側に形成されており、開口部312aは、n型コンタクト層309の形成領域に対応して形成されている。開口部312aとn型コンタクト層309とは、基板301,p型コンタクト層302,p型光吸収層303,アンドープ光吸収層304,p型電界制御層305,増倍層306,およびn型電界制御層307を挟んで対向配置されている。実施の形態2における受光素子では、基板301の裏面側より、開口部312aを通過して光が入射する。なお、アンドープ光吸収層304は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層309,p型電界制御層305,増倍層306,n型電界制御層307,およびエッジ電界緩和層308は、アンドープ光吸収層304より大きなバンドギャップエネルギーを有するものとされている。なお、p型電界制御層305およびn型電界制御層307は、増倍層306の電界強度のみを高電界とし、各光吸収層およびエッジ電界緩和層308には高い電界強度が生じないよう、ドーピング濃度および層厚を適切に調整する。例えば、p型コンタクト層302は、不純物としてZnが導入されたp型のInGaAsPから構成されている。不純物濃度は、6×1018cm3程度である。また、p型光吸収層303は、不純物としてZnが導入されたp型のInGaAsから構成され、アンドープ光吸収層304は、アンドープのInGaAsから構成されている。また、p型電界制御層305は、p型としたInAlAsから構成され、増倍層306は、アンドープのInAlAsから構成され、n型電界制御層307は、n型としたInPから構成されている。また、エッジ電界緩和層308は、この層がエッジ電界に耐えうるように、例えば、バンドギャップエネルギーの大きなアンドープのInAlAsから構成されている。また、n型コンタクト層309は、n型のInGaAsPから構成されている。なお、p型コンタクト層302,p型光吸収層303,アンドープ光吸収層304,p型電界制御層305,増倍層306,n型電界制御層307,およびエッジ電界緩和層308は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。また、n型コンタクト層309は、エッジ電界緩和層308を最上層とするメサ構造より平面視で小さい面積のメサ形状とされている。n型コンタクト層309も、例えば、円筒形状とされている。ここで、実施の形態2における受光素子の製造方法について簡単に説明する。まず、半絶縁性のInPからなる基板301上に、Znを不純物として導入したp型のInGaAsPp型コンタクト層302、Znを不純物として導入したp型のInGaAsp型光吸収層303、アンドープのInGaAsアンドープ光吸収層304、Znを不純物として導入したp型のInAlAsp型電界制御層305、アンドープのInAlAs増倍層306、Siを不純物として導入したn型のInPn型電界制御層307、アンドープのInAlAsエッジ電界緩和層308、およびSiを不純物として導入したn型のInGaAsPn型コンタクト層309をエピタキシャル成長により順次堆積する。これらは、有機金属気相成長法により形成すればよい。次に、n型のInGaAsPの層の上に、n電極310を形成する。例えば、n電極310となる領域に開口部を備えるレジストマスクパターンを形成し、この上に、電子ビーム蒸着法により、チタン層/白金層/金層の3層積層膜を形成する。この後、レジストマスクパターンを除去すれば、n型のInGaAsPの層n型コンタクト層309にオーミック接続するn電極310が形成できるリフトオフ法。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術ウエットエッチングにより、まず、n型のInGaAsPの層を所望のメサ形状にパターニングしてn型コンタクト層309を形成する。次に、n型コンタクト層309より広い面積のメサ構造に、p型のInGaAsP,p型のInGaAs,アンドープのInGaAs,p型のInAlAs,アンドープのInAlAs,n型のInP,およびアンドープのInAlAsをパターニングする。このパターニングにより、n型コンタクト層309より平面視で大きな面積のメサ構造とした、p型コンタクト層302,p型光吸収層303,アンドープ光吸収層304,p型電界制御層305,増倍層306,n型電界制御層307,エッジ電界緩和層308を形成する。次に、基板301を、例えば板厚100μm程度にまで研磨し、基板301の裏面よりp型コンタクト層302に到達する貫通孔を形成する。次いで、この貫通孔に貫通配線311を形成し、貫通配線311に接続するp電極312を形成する。例えば、上記貫通孔形成位置に開口を有するエッチングマスクを用い、反応性イオンエッチングによる選択的なエッチングにより貫通孔が形成できる。このようにして貫通孔を形成した後、p電極312形成領域に開口を有する選択成長マスクを用い、例えばめっき法により金属を堆積することで、貫通配線311を形成すると共に開口部312aを備えるリング状のp電極312を形成する。例えば、n型コンタクト層309の平面視の外径が20μmである場合、開口部312aの開口径を20μm程度とすればよい。また、図4の基板301の裏面から見た平面図に示すように、外径20μmとしたn型コンタクト層309に対し、開口部312aの開口径を21μm程度とある程度大きい面積としてもよい。上述した実施の形態2における受光素子によれば、基板301の裏面側で、n型コンタクト層309の形成領域より外側で上記メサ構造の形成領域より内側の範囲に、p型コンタクト層302に接続する貫通配線311p電極312を形成した。この結果、p型光吸収層303で生成された正孔は、p型コンタクト層302の層厚方向に移動し、貫通配線311に到達する。このため、正孔の移動距離は、ほぼ、p型コンタクト層302の層厚に等しい。p型コンタクト層302の層厚が200nmであれば、正孔の移動距離は約200nmと非常に短くなる。これにより、実施の形態2によれば、p型光吸収層303から貫通配線311までの抵抗は、1Ω以下と無視できる程度にまで小さくなる。このように、実施の形態2によれば、p型コンタクト層302を実質的に低抵抗化することができる。この結果、実施の形態2によれば、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作させることができるようになる。また、実施の形態2においても、n型コンタクト層309の形成領域の基板301裏面には、p電極312が形成されていないので、全ての入射光が、n型コンタクト層309の形成領域に導入される。従って、実施の形態2においても、前述した実施の形態1と同様に、電極の存在により受光素子における光電変換効率を低下させることがない。[実施の形態3]次に、本発明の実施の形態3について図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態3における受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、例えば、鉄をドープすることで高抵抗とされた半絶縁性のInPからなる基板501と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板501の上に形成されたp型コンタクト層502とを備える。また、実施の形態3では、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層502の上に形成されたp型光吸収層503と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型光吸収層503の上に形成されたアンドープ光吸収層504とを備える。実施の形態3では、これら2層で光吸収層を構成するMIC構造としている。また、実施の形態3における受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてアンドープ光吸収層504の上に形成されたp型電界制御層505と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型電界制御層505の上に形成された増倍層506と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層506の上に形成されたn型電界制御層507と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてn型電界制御層507の上に形成されたエッジ電界緩和層508とを備える。また、n型のIII-V族化合物半導体から構成されてエッジ電界緩和層508の上に形成されたn型コンタクト層509を備える。p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507およびエッジ電界緩和層508は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。また、n型コンタクト層509は、エッジ電界緩和層508を最上層とするメサ構造より平面視で小さい面積のメサ形状とされている。n型コンタクト層509も、例えば円筒形状とされている。この受光素子は、反転型アバランシェフォトダイオードである。また、n型コンタクト層509には、n電極配線510が接続して形成されている。n電極配線510は、上述したメサ構造の側部に、絶縁分離層511を介して形成されている。n電極配線510は、絶縁分離層511により,メサ構造とは絶縁分離して形成されている。なお、絶縁分離層511は、メサ構造の周囲を全て覆う状態に形成してもよい。また、n電極配線510は、基板501を貫通している貫通配線512に接続し、貫通配線512は、基板501の裏面に形成されているn電極513に接続している。加えて、n電極513は、n電極パッド514を備えている。このように、実施の形態3では、n電極を基板501の裏面側にまで引き出すようにしている。一方、p型コンタクト層502に接続するp電極517は、n型コンタクト層509の形成領域より外側の基板501裏面に形成されている。p電極517は、基板501を貫通する貫通配線接続部516により、p型コンタクト層502に接続する。また、p電極517は、p電極パッド518を備えている。貫通配線516の配置については、前述した実施の形態2と同様であり、n型コンタクト層509の形成領域より外側で上記メサ構造の形成領域より内側の範囲に設けられている。また、p電極517は、基板501の裏面にリング状に形成され、開口部517aを備えている。前述したように、p電極517は、n型コンタクト層509の形成領域より外側に形成されており、開口部517aは、n型コンタクト層509の形成領域に対応して形成されている。開口部517aとn型コンタクト層509とは、基板501,p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,およびn型電界制御層507を挟んで対向配置されている。実施の形態3における受光素子では、基板501の裏面に、n電極配線510およびp電極517を備える構成としている。また、基板501の裏面側より、開口部517aを通して光が入射する。なお、アンドープ光吸収層504は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層509,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,およびエッジ電界緩和層508は、アンドープ光吸収層504より大きなバンドギャップエネルギーを有するものとされている。例えば、p型コンタクト層502は、不純物としてZnが導入されたp型のInGaAsPから構成されている。不純物濃度は、6×1018cm3程度である。また、p型光吸収層503は、不純物としてZnが導入されたp型のInGaAsから構成され、アンドープ光吸収層504は、アンドープのInGaAsから構成されている。また、p型電界制御層505は、p型としたInAlAsから構成され、増倍層506は、アンドープのInAlAsから構成され、n型電界制御層507は、n型としたInPから構成されている。また、エッジ電界緩和層508は、アンドープのInAlAsから構成され、n型コンタクト層509は、n型のInGaAsPから構成されている。ここで、実施の形態3における受光素子の製造方法について簡単に説明する。まず、前述した実施の形態2と同様にすることで、所望のメサ形状のn型コンタクト層509を形成し、n型コンタクト層509より平面視で大きな面積のメサ構造とした、p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,エッジ電界緩和層508を形成する。次に、プラズマCVD法によりSiN膜およびベンゾシクロブテンBCB膜を形成し、これらを公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術リアクティブイオンエッチングによりパターニングすることで、絶縁分離層511を形成する。次いで、一端がn型コンタクト層509に接続し、絶縁分離層511が形成されているメサ構造側部に配設され、他端が、後述する貫通配線512の形成箇所の基板501に接続するn電極配線510を形成する。例えば、n電極配線510となる領域に開口部を備えるレジストマスクパターンを形成し、この上に、電子ビーム蒸着法により、チタン層/白金層/金層の3層積層膜を形成する。この後、レジストマスクパターンを除去すれば、一端がn型コンタクト層509にオーミック接続するn電極配線510が形成できる。次に、基板501を、例えば板厚100μm程度にまで研磨し、基板501の裏面より貫通孔を形成する。ここでは、貫通配線512および貫通配線516を形成するための貫通孔を形成する。貫通配線512を形成するための貫通孔は、n電極配線510の他端側に到達するように形成する。次いで、形成した各貫通孔に貫通配線512および貫通配線516を形成し、貫通配線512に接続するn電極513および貫通配線516に接続するp電極517を形成する。例えば、上記貫通孔形成位置に開口を有するエッチングマスクを用い、反応性イオンエッチングによる選択的なエッチングにより貫通孔が形成できる。このようにして貫通孔を形成した後、n電極513およびp電極517形成領域に開口を有する選択成長マスクを用い、例えばめっき法により金属を堆積することで、貫通配線512,貫通配線516を形成し、n電極513および開口部517aを備えるリング状のp電極517を形成する。例えば、n型コンタクト層509の平面視の外径が20μmである場合、開口部517aの開口径を20μm程度とすればよい。また、図6の基板501の裏面から見た平面図に示すように、外径20μmとしたn型コンタクト層509に対し、開口部517aの開口径を21μm程度とある程度大きい面積としてもよい。上述した実施の形態3における受光素子においても、前述した実施の形態1,2と同様に、基板501の裏面側で、n型コンタクト層509の形成領域より外側でメサ構造の形成領域より内側の範囲に、p型コンタクト層502に接続する貫通配線516p電極517を形成した。この結果、p型光吸収層503で生成された正孔は、p型コンタクト層502の層厚方向に移動し、貫通配線516に到達する。このため、正孔の移動距離は、ほぼ、p型コンタクト層502の層厚に等しい。p型コンタクト層502の層厚が200nmであれば、正孔の移動距離は約200nmと非常に短くなる。これにより、実施の形態3においても、p型光吸収層503から貫通配線516までの抵抗は、1Ω以下と無視できる程度にまで小さくなる。このように、実施の形態3においても、p型コンタクト層502を実質的に低抵抗化することができる。この結果、実施の形態3においても、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作させることができるようになる。また、実施の形態3では、n電極513n電極パッド514およびp電極517p電極パッド518を、光の入射面となる基板501の裏面側に設けているので、受光素子をモジュール化する上での実装が容易になる。さらに、開口部517aの中心軸とn型コンタクト層509の中心軸とが一致する状態に設計すれば、光学的な中心軸が、実装面となる基板501裏面側より容易に確認できる開口部517aの中心部となる。この結果、光学実装が容易となる。このように、実施の形態3によれば、光学実装を含めたモジュール実装が容易になる。[実施の形態4]次に、本発明の実施の形態4について図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態4における受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、例えば、鉄をドープすることで高抵抗とされた半絶縁性のInPからなる基板501と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板501の上に形成されたp型コンタクト層502とを備える。また、実施の形態4では、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層502の上に形成されたp型光吸収層503と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型光吸収層503の上に形成されたアンドープ光吸収層504とを備える。また、実施の形態4における受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてアンドープ光吸収層504の上に形成されたp型電界制御層505と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型電界制御層505の上に形成された増倍層506と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層506の上に形成されたn型電界制御層507と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてn型電界制御層507の上に形成されたエッジ電界緩和層508とを備える。また、n型のIII-V族化合物半導体から構成されてエッジ電界緩和層508の上に形成されたn型コンタクト層509を備える。p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,およびエッジ電界緩和層508は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。また、n型コンタクト層509は、上記メサ構造より小さい面積のメサ形状とされている。n型コンタクト層509も、例えば円筒形状とされている。このように、実施の形態4における受光素子も、反転型アバランシェフォトダイオードである。また、n型コンタクト層509には、n電極配線510が接続して形成されている。n電極配線510は、上述したメサ構造の側部に、絶縁分離層511を介して形成されている。n電極配線510は、絶縁分離層511によりメサ構造とは絶縁分離して形成されている。なお、絶縁分離層511は、メサ構造の周囲を全て覆う状態に形成してもよい。また、n電極配線510は、基板501を貫通している貫通配線512に接続し、貫通配線512は、基板501の裏面に形成されているn電極513に接続している。加えて、n電極513は、n電極パッド514を備えている。一方、p型コンタクト層502に接続するp電極517は、n型コンタクト層509の形成領域より外側の基板501裏面に形成されている。p電極517は、基板501を貫通する貫通配線516により、p型コンタクト層502に接続する。また、p電極517は、p電極パッド518を備えている。また、p電極517は、基板501の裏面にリング状に形成され、開口部517aを備えている。前述したように、p電極517は、n型コンタクト層509の形成領域より外側に形成されており、開口部517aは、n型コンタクト層509の形成領域に対応して形成されている。開口部517aとn型コンタクト層509とは、基板501,p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,およびn型電界制御層507を挟んで対向配置されている。実施の形態4における受光素子では、基板501の裏面に、n電極配線510およびp電極517を備える構成としている。また、基板501の裏面側より、開口部517aを通して光が入射する。なお、アンドープ光吸収層504は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層509,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,およびエッジ電界緩和層508は、アンドープ光吸収層504より大きなバンドギャップエネルギーを有するものとされている。上述した構成については、前述した実施の形態3と同様である。実施の形態4では、新たに、n型コンタクト層509の上にn電極配線510を介して支持基板601が貼り付けられて形成されている。例えば、貫通配線512および貫通配線516などの形成のために、基板501の裏面を研磨して薄層化する前に、支持基板601を貼り付ければよい。支持基板601を貼り付けた後、前述した実施の形態3と同様にすることで、基板501の裏面を研磨し、貫通孔を形成し、貫通配線512,貫通配線516,n電極513,p電極517などを形成すればよい。このように、支持基板601を用いることで、例えば、貫通孔を形成するために基板501を薄層化しても、機械的強度が保持されるようになる。[実施の形態5]次に、本発明の実施の形態5について図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態5における受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、例えば、鉄をドープすることで高抵抗とされた半絶縁性のInPからなる基板501と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて基板501の上に形成されたp型コンタクト層502とを備える。また、実施の形態5では、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層502の上に形成されたp型光吸収層503と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型光吸収層503の上に形成されたアンドープ光吸収層504とを備える。また、実施の形態5における受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてアンドープ光吸収層504の上に形成されたp型電界制御層505と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型電界制御層505の上に形成された増倍層506と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層506の上に形成されたn型電界制御層507と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてn型電界制御層507の上に形成されたエッジ電界緩和層508とを備える。また、n型のIII-V族化合物半導体から構成されてエッジ電界緩和層508の上に形成されたn型コンタクト層509を備える。p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,およびエッジ電界緩和層508は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。また、n型コンタクト層509は、メサ構造より平面視で小さい面積のメサ形状とされている。n型コンタクト層509も、例えば円筒形状とされている。このように、実施の形態5における受光素子も、反転型アバランシェフォトダイオードである。また、n型コンタクト層509には、n電極配線510が接続して形成されている。n電極配線510は、上述したメサ構造の側部に、絶縁分離層511を介して形成されている。n電極配線510は、絶縁分離層511により、メサ構造とは絶縁分離して形成されている。なお、絶縁分離層511は、メサ構造の周囲を全て覆う状態に形成してもよい。また、n電極配線510は、基板501を貫通している貫通配線512に接続し、貫通配線512は、基板501の裏面に形成されているn電極513に接続している。加えて、n電極513は、n電極パッド514を備えている。また、n型コンタクト層509の上にn電極配線510を介して支持基板601が貼り付けられて形成されている。なお、アンドープ光吸収層504は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層509,p型電界制御層505,増倍層506,n型電界制御層507,およびエッジ電界緩和層508は、アンドープ光吸収層504より大きなバンドギャップエネルギーを有するものとされている。上述した構成については、前述した実施の形態4と同様である。実施の形態5では、基板501の裏面に、p型コンタクト層502にまで貫通する開口部501aを形成している。また、開口部501a内で、p型コンタクト層502に接続するp電極817を形成している。接続するp電極817は、開口部501a内で、n型コンタクト層509の形成領域より外側でp型コンタクト層502の基板501側に形成されている。また、p電極817は、p電極パッド818を備えている。実施の形態5においても、p電極817は、n型コンタクト層509の形成領域より外側の基板501の裏面側に形成されて基板501を貫通してp型コンタクト層509に接続している。実施の形態5では、開口部501aで基板501を貫通し、p電極817がp型コンタクト層502に接続している。また、p電極817は、リング状に形成され、開口部817aを備えている。前述したように、p電極817は、n型コンタクト層509の形成領域より外側に形成されており、開口部817aは、n型コンタクト層509の形成領域に対応して形成されている。開口部817aとn型コンタクト層509とは、p型コンタクト層502,p型光吸収層503,アンドープ光吸収層504,p型電界制御層505,増倍層506,およびn型電界制御層507を挟んで対向配置されている。実施の形態5における受光素子では、基板501の裏面側に、n電極513およびp電極817を備える構成としている。また、基板501の裏面側より、開口部817aを通して光が入射する。実施の形態5では、p電極817をp型コンタクト層509に接続するために基板501に形成する貫通孔として、p電極817が全て収容される大面積の開口部501aを形成している。開口部501aは、直径100~200μm程度に形成すればよい。開口部501aは、この中央部にn型電界制御層507に対応する領域のp型コンタクト層509にまで貫通到達していればよく、高い位置精度で形成する必要がない。一方、高い位置精度および高い寸法精度が要求される開口部817aは、p電極817の形成時のリソグラフィーにおける露光精度により決定されるため、高い位置精度および高い寸法精度で形成することが可能である。また、貫通配線512およびこれ形成される貫通孔は、受光素子の高周波特性には影響を与えないため、大きく形成されていても問題はない。実施の形態5によれば、p電極817をp型コンタクト層509に接続するために基板501に形成する貫通孔を、上述したような大面積の開口部501aとしているので、プロセスマージンが向上し、高い歩留まりで受光素子が製造できるようになる。また、実施の形態5においても、n型コンタクト層509の形成領域に対応する基板501p型コンタクト層502の裏面側の領域には、p電極817が形成されていないので、全ての入射光が、n型コンタクト層509の形成領域に導入される。従って、実施の形態5においても、前述した実施の形態1~4と同様に、電極の存在により受光素子における光電変換効率を低下させることがない。ところで、図9に示すように受光素子を構成してもよい。図9は、受光素子の構成を模式的に示す断面図である。この受光素子は、例えば、支持基板901と、p型のIII-V族化合物半導体から構成されて支持基板901の上に形成されたp型コンタクト層902とを備える。また、この受光素子では、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてp型コンタクト層902の上に形成されたp型光吸収層903と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型光吸収層903の上に形成されたアンドープ光吸収層904とを備える。この受光素子では、これら2層で光吸収層を構成するMIC構造としている。また、この受光素子は、p型のIII-V族化合物半導体から構成されてアンドープ光吸収層904の上に形成されたp型電界制御層905と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてp型電界制御層905の上に形成された増倍層906と、n型のIII-V族化合物半導体から構成されて増倍層906の上に形成されたn型電界制御層907と、アンドープのIII-V族化合物半導体から構成されてn型電界制御層907の上に形成されたエッジ電界緩和層908とを備える。また、n型のIII-V族化合物半導体から構成されてエッジ電界緩和層908の上に形成されたn型コンタクト層909を備える。p型コンタクト層902,p型光吸収層903,アンドープ光吸収層904,p型電界制御層905,増倍層906,n型電界制御層907,およびエッジ電界緩和層908は、所望とする形状にパターニングされ、例えば、円筒形状のメサ構造とされている。また、n型コンタクト層909は、メサ構造より平面視で小さい面積のメサ形状とされている。n型コンタクト層909も、例えば円筒形状とされている。このように、この受光素子も、反転型アバランシェフォトダイオードである。なお、アンドープ光吸収層904は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有し、n型コンタクト層909,p型電界制御層905,増倍層906,n型電界制御層907,およびエッジ電界緩和層908は、アンドープ光吸収層904より大きなバンドギャップエネルギーを有するものとされている。上述した構成については、前述した実施の形態4と同様である。この受光素子では、まず、n型コンタクト層909には、n電極配線910が接続して形成されている。n電極配線910は、上述したメサ構造の側部に、絶縁分離層911を介して形成され、一端がn型コンタクト層909にオーミック接続している。n電極910は、n型コンタクト層909の上に、受光領域となる開口部910aを備えている。また、n電極配線910は、絶縁分離層911により、メサ構造とは絶縁分離して形成されている。なお、絶縁分離層911は、メサ構造の周囲を全て覆う状態に形成してもよい。また、n電極配線910の他端が、支持基板901の上に延在し、この延在部にn電極パッド914を備えている。また、支持基板901とp型コンタクト層902との間に、p型コンタクト層902に接続するp電極917を形成している。p電極917は、p電極パッド918を備えている。この受光素子では、支持基板901の素子形成側に、n電極911およびp電極917を備える構成としている。また、n型コンタクト層909の側より、開口部910aを通して光が入射する。このため、開口部910a周囲のn電極911の存在により、入射光の一部が遮られることになる。上記受光素子は、半絶縁性のInP基板の上に、Siを不純物として導入したn型のInGaAsPn型コンタクト層909、アンドープのInAlAsエッジ電界緩和層908、Siを不純物として導入したn型のInPn型電界制御層907、アンドープのInAlAs増倍層906、Znを不純物として導入したp型のInAlAsp型電界制御層905、アンドープのInGaAsアンドープ光吸収層904、Znを不純物として導入したp型のInGaAsp型光吸収層903、およびZnを不純物として導入したp型のInGaAsPp型コンタクト層902をエピタキシャル成長により順次堆積する。これらは、有機金属気相成長法により形成すればよい。次に、p型のInGaAsPの層の上に、p電極917となる電極層を形成する。次に、電極層の上に支持基板901を貼り付ける。支持基板901は、例えば、単結晶シリコンから構成すればよい。このようにして支持基板901を貼り付けた後、InP基板を除去する。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術ウエットエッチングにより、まず、n型のInGaAsPの層を所望のメサ形状にパターニングしてn型コンタクト層909を形成する。次に、n型コンタクト層909より広い面積のメサ形状に、p型のInGaAsP,p型のInGaAs,アンドープのInGaAs,p型のInAlAs,アンドープのInAlAs,n型のInP,およびアンドープのInAlAsをパターニングする。このパターニングにより、n型コンタクト層909より平面視で大きな面積のメサ構造とした、p型コンタクト層902,p型光吸収層903,アンドープ光吸収層904,p型電界制御層905,増倍層906,n型電界制御層907,エッジ電界緩和層908を形成する。次に、上記メサ構造の側部に絶縁分離層911を形成した後、n電極配線910,n電極パッド914を形成する。n電極配線910の形成では、開口部910aも形成する。また、上記電極層をパターニングしてp電極917およびp電極パッド918を形成する。この受光素子では、支持基板901とp型コンタクト層902との間に、p型コンタクト層902に接続するp電極917を形成しているので、p型光吸収層903からp電極917までの距離は、p型コンタクト層902の層厚に等しいものとなる。このため、光吸収層で発生した正孔のp電極917までの移動距離は、p型コンタクト層902の層厚に等しいものとなる。この結果、この受光素子においても、光吸収層からp電極917までの抵抗は、1Ω以下と無視できる程度にまで小さくなる。このように、上述した受光素子においても、p型コンタクト層902を実質的に低抵抗化することができき、反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、帯域幅が制限されることなく、さらに高速に動作させることができるようになる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述した実施の形態では、メサ構造を円筒形状としたがこれに限るものではなく、角柱形状としてもよく様々な形態が可能である。また、n型コンタクト層のメサ形状も同様である。また、p電極に形成する開口部および開口部周囲のp電極の形状は、n型コンタクト層の平面視の形状に対応させればよい。また、上述では、増倍層をInAlAsから構成したが、これに限るものではなく、InGaAsP,InGaAs,InAlGaAs,およびSiなどの他の半導体から構成してもよい。また、増倍層は、InGaAs/InAlAsなどの超格子構造から構成してもよい。また、電極材料としてTi/Pt/Auを用いる場合について説明したが、これに限るものではなく、例えばPt/Ti/Au/Ti/PtやMo/Ti/Au/Tiなどの金属、またはAuZnNiなどの合金系でもよい。エッジ電界緩和層としては、InPなどを用いてもよい。絶縁分離層としてはBCB/SiNを用いたが、ポリイミドやSiO2、またこれらの多層構造としてもよい。また支持基板としてシリコン基板を用いるようにしたが、これに限るものではなく、他の材料からなる基板を用いるようにしてもよい。また、更に受光素子の高感度化を実現するため、入射面の鏡面化および誘電体多層膜による反射防止膜の形成により光の入射端での結合損失の低下を図るようにしてもよい。また、ミラーによる光路長の拡大などの工夫を施してもよいことは、いうまでもない。また、各層の成長方法として有機金属気相成長法を用いたが、分子線エピタキシー法などの他の結晶成長方法を用いてもよい。また、上述では、アバランシェフォトダイオードを例としたが、一般的なPINフォトダイオード、MICフォトダイオード、単一キャリア走行フォトダイオードUTC-PDなど、他のフォトダイオードに適応してもよい。"