"W及びMoを含有するV合金よりなる水素分離膜。請求項1において、該V合金がW30モル以下、Mo30モル以下、残部Vよりなることを特徴とする水素分離膜。請求項2において、W含有率が0.1~30モルであることを特徴とする水素分離膜。請求項2において、W含有率が0.1~15モルであることを特徴とする水素分離膜。請求項1ないし4のいずれか1項において、Mo含有率が0.1~30モルであることを特徴とする水素分離膜。請求項1ないし4のいずれか1項において、Mo含有率が0.1~15モルであることを特徴とする水素分離膜。請求項1ないし6のいずれか1項において、表面にPd又はPd合金よりなる被覆層が設けられていることを特徴とする水素分離膜。本発明は、水素透過速度が大きく、耐水素脆性にも優れた水素分離膜を提供することを目的とする。第1態様の水素分離膜は、W及びMoを含有するV合金よりなるものである。第2態様の水素分離膜は、第1態様において、該V合金がW30モル以下、Mo30モル以下、残部Vよりなることを特徴とするものである。第3態様の水素分離膜は、第2態様において、W含有率が0.1~30モルであることを特徴とするものである。第4態様の水素分離膜は、第2態様において、W含有率が0.1~15モルであることを特徴とするものである。第5態様の水素分離膜は、第1ないし4のいずれか1態様において、Mo含有率が0.1~30モルであることを特徴とするものである。第6態様の水素分離膜は、第1ないし4のいずれか1態様において、Mo含有率が0.1~15モルであることを特徴とするものである。第7態様の水素分離膜は、第1ないし6のいずれか1態様において、表面にPd又はPd合金よりなる被覆層が設けられていることを特徴とするものである。かかる本発明の水素分離膜は、水素透過速度が大きく、また、耐水素脆性にも優れる。本発明の水素分離膜は、非Pd系合金よりなるものであり、素材コストが低い。本発明の水素分離膜は、W及びMoを含有するV合金よりなるものであり、好ましくはW30モル以下、特に0.1~30モル、とりわけ0.1~15モル、Mo30モル以下、特に0.1~30モル、とりわけ0.1~15モル、残部Vよりなるものである。前述の通り、Vよりなる水素分離膜は、広く用いられているPd又はPd合金よりなる水素分離膜に比べて水素透過速度が大きいが、耐水素脆性が低い。VにW及びMoを添加することにより、高い水素透過速度を保ちつつ、耐水素脆性が改善される。本発明の水素分離膜は、上記組成の合金を溶製して得、これを好ましくは厚さ1~500μm特に好ましくは10~50μmに圧延して製造することができる。なお、圧延以外の手段を採用してもよい。また、本発明の水素分離膜は、スパッタリング、CVD、めっきなどの成膜方法によって通気性の支持材料の表面に厚さ1~500μm、特に1~20μm程度に形成されたものであってもよい。なお、VやV合金それ自体には、水素分子の乖離、結合反応に対する触媒活性が無いため、V合金膜の両面プロセス側、透過側の両面にPd又はPd合金よりなる表面触媒層被覆金属層を形成する必要がある。被覆金属層としては、純Pd又はPd合金が好適である。Pd合金としては、Ag、Cu、Auの少なくとも1種を50wt以下例えば20~40wt程度含むものが好適であり、特にAg含有量が30wt以下とりわけ10~30wtのPd-Ag合金又は純Pdが好適である。被覆金属層の厚さは0.01~3μm特に0.1~1μm程度が好適である。この被覆金属層は、スパッタリング、CVD、クラッド法などによって形成することができる。このような被覆金属層を有した水素分離膜では、V合金よりなるベース金属層と被覆金属層との間の相互拡散や、被覆金属層を透過してくる酸素によるベース金属層の合金成分以下、母体合金成分ということがある。の酸化は、水素分離膜の水素透過性能及び耐久性を低下させる。また、母体合金成分やその酸化物が被覆金属層内を拡散してその表面に到達し、水素分子の乖離、結合反応を阻害することも考えられる。このようなことから、金属の相互拡散防止、酸素の拡散防止のための中間層をベース金属層と被覆金属層との間に設けてもよい。水素分離膜を備えた水素製造装置としては、水素分離膜がハウジング、ケーシング又はベッセル等と称される容器内に設置され、水素分離膜で隔てられた1次室と2次室とを有し、必要に応じさらに加熱手段を有するものであれば、特にその構成は限定されない。膜の形態としても、平膜型、円筒型などのいずれの形態であってもよい。水素分離膜は、多孔質の支持体や表面に溝を設けた支持板の上に重ね合わされてもよく、多孔質体の表面に成膜されたものであってもよい。多孔質体としては、金属材、セラミック材などのいずれでもよい。本発明において採用することができる水素製造装置の構成例を図13,14及び15に示すが、本発明装置はこれらに限定されない。第13図では、炭化水素等の原料ガスを圧縮機61で圧縮して水素分離型改質器62に供給する。この水素分離型改質器62は、水素改質触媒と水素分離膜とを備えている。この水素分離型改質器62には、ボイラ64からスチームが供給されると共に、燃焼器63によって熱が与えられ、改質と水素分離とが行われる。水素分離型改質器62からの水素は熱交換器65を介して取り出される。オフガスは、熱交換器66で熱回収された後、圧力調整弁69を介して燃焼器63へ供給される。燃焼器63及びボイラ64の燃焼排ガスからもそれぞれ熱が熱交換器67,68で回収される。熱交換器65~68で回収された熱により、ボイラ64への給水や燃焼用空気、燃料などの加熱が行われる。第14図では、水素ガスを含んだ水素含有ガスが水素分離器71に供給され、この水素分離器71が燃焼器72によって加熱される。分離された水素は熱交換器73を介して取り出される。オフガスは熱交換器74を介して取り出され、必要に応じ、その一部又は全量が圧力調整弁76を介して燃焼器72に供給される。燃焼排ガスの熱は熱交換器75で回収される。回収された熱により、燃焼器72への燃料ガスや空気が加熱される。第14図では燃焼器72を用いているが、高温廃熱を発生させる熱源が存在する場合には、第15図のように、この高温廃熱を加熱器77に導き、水素分離器71を加熱するようにしてもよい。この水素製造装置に供給される原料ガスとしては、水素を含むものであればよく、炭化水素の水蒸気改質ガス、燃料電池の燃料オフガス、水素を含むバイオガス、バイオマスガス化炉からの発生ガスなどが例示されるが、これに限定されない。装置の運転温度具体的には1次側のガス温度は、膜の組成にもよるが、通常は300~600°C特に400~550°C程度とされる。以下、実施例及び比較例について説明する。実施例1V90モル、W5モル及びMo5モルなる組成の合金溶湯からインゴットを得、これを圧延して厚さ500μm、直径12mmのV-5W-5Mo水素分離膜を製造した。次いでスパッタリングによりPdよりなる厚さ200nmの被覆金属層を両面に形成して水素分離膜とした。この水素分離膜を第8図に示す試験用モジュール41にセットして水素透過速度を測定した。この水素透過試験用モジュール41は、ガス導入管42の後端面とガス取出管46の前端面との間にガスケット43,45を介して水素分離膜44を配置したものである。導入管42にはナット47が外嵌しており、取出管46の先端のフランジ部46aにはキャップナット48が係合している。該キャップナット48を導入管42側に延出させ、その内周面の雌ねじに対しナット47の外周面の雄ねじを螺合させる。ナット47の先端が導入管42の後端のフランジ部42aに当接することにより、キャップナット48を介して取出管46が導入管42側に引き付けられ、導入管42の後端面と取出管46の前端面との間でガスケット43,45を介して水素分離膜44が挟圧される。ガスケット43,45は、同一大きさの円環状であり、その内孔の面積が水素分離膜44の膜透過面積Aとなる。キャップナット48には、ガスのリークテスト用の小孔48aが設けられている。ガスケットの内孔は5.6mmであるが、VCRで締め付けられた場合のガスケットと膜試料との接触部の直径は7.1mmであり、有効膜透過面積Aは39.6mm23.96×10-5m2である。この水素透過試験用モジュール41を第9図の通り電気炉50内に設置し、導入管42に原料ガスを供給し、取出管46から水素ガスが取り出す。導入管42のガス圧P1を0.6kPa又は0.3kPaとし、取出管46内のガス圧P2を0.01kPa又は0.1kPaとした。原料ガスとしては、純度99.99999以上の高純度水素を用いた。膜44を透過した水素ガスは回収容器図示略に回収した。電気炉50の温度を500°Cとして運転を行った。代表的な組成であるV-5W-5Mo合金の水素透過速度Jと厚さdとの積Jdを表1に示す。ここで、Jd値は、1秒間単位時間に、1m2単位面積×1m単位厚さの膜を透過する水素原子のモル数である。なお、後述の通り、このV-W-Mo合金の母材である純V膜について水素脆化評価のための強度試験を行ったところ、固溶水素量H/M合金元素の金属原子1個当りに固溶する水素原子の数が0.22までは延性または靭性を有していることが認められた。比較例1水素分離膜を表1に示す組成のV-5W合金膜としたこと以外は実施例1と同様にして、水素透過速度を測定した。結果Jd値を表1に示す。比較例2水素分離膜をPd-26Ag膜とし、P1=0.26MPa,P2=0.06MPaとしたこと以外は実施例1と同様にして、水素透過速度を測定した。その結果、Jd値は11×10-6molHm-1s-1であった。[PCT特性の測定]純V金属よりなる水素分離膜と、V-5W合金よりなる水素分離膜と、V-5W-5Mo合金よりなる水素分離膜と、V-10W-5Mo合金よりなる水素分離膜と、V-15W-5Mo合金よりなる水素分離膜と、V-5W-10Mo合金よりなる水素分離膜と、V-5W-15Mo合金よりなる水素分離膜とについてPCT曲線を求めた。上記の合金組成範囲を示すグラフを図1に示す。即ち、温度Tを673K400°C、723K450°C又は773K500°Cとし、水素ガス圧力を10-3MPa~6MPaの間で種々変えたときの上記合金又は純V金属への水素固溶量水素吸蔵量CをPCT測定装置で測定した。なお、純VについてはT=673Kのみにて測定した。結果を第2~7図に示す。ここで、PCT測定装置は、JISH72012007に従ったものであり、ある温度Tにおいて、物質が水素を吸蔵、放出するときの特性圧力P、水素吸蔵量Cを測定する装置である。第2~7図における固溶水素量Cは水素吸蔵量Cに相当している。水素固溶量の単位H/Mは、金属原子1個当たりの固溶吸蔵水素原子の数を示している。[耐水素脆性の測定]水素分離膜がどのような耐水素脆性をもつのかを確かめるには、その前提として、水素分離膜としての使用温度範囲における、一次側と二次側が同じ水素圧力である水素雰囲気中において、また水素透過中、すなわち一次側の水素圧力が二次側の水素圧力より大きい水素雰囲気中において、水素分離膜の水素脆性等の機械的性質をその場で定量的に測定、評価できる試験装置が必要である。そこで、本発明者らは、水素透過用合金膜の水素脆性等の機械的性質をその場で測定できる、第10,11図に示すスモールパンチ試験装置を開発し、当該スモールパンチ試験装置を用いて水素分離膜の水素脆性とその他の特性を定量的に測定し、評価した。このスモールパンチ試験装置を使用することにより、V-W-Mo合金の母材である純Vなどの材料について、その使用温度範囲において、対応するPCT圧力-固溶水素量-温度曲線に基づいた固溶水素量と変形、破壊形態との関係を求め、耐水素脆性についての限界固溶水素量を評価することができる。スモールパンチ試験装置の構造と、その操作法について、第10,11図を参照して説明する。第10,11図はスモールパンチ試験装置の構造を説明する図であり、第10図は縦断面図、第11図は第10図中のコア部分を拡大して示した図である。このスモールパンチ試験装置は全体としては円筒状である。第10図において、1は支持部材である。支持部材1は支持台とも言えるが、本明細書では支持部材と称している。支持部材1は縦断面が2段の凸状2個のフランジを有するを備えて構成され、その中央部に円筒状の空隙を有している。2は支持部材1に設けた導入水素貯留部、3は導入水素貯留部2から後述一次側水素雰囲気Yに連通する導管、5は支持部材1に設けた導出水素貯留部、4は後述二次側水素雰囲気Zから導出水素貯留部5に連通する導管である。導入水素貯留部2は、弁V1を備える導入水素貯留部2への水素供給用の導管に連通し、導出水素貯留部5は、弁V2を備える当該導出水素貯留部5からの水素排出用の導管に連通している。支持部材1における2段の凸状2個のフランジを有するのうち、1段目図中、下の方の凸状の外周には蛇腹bellows9の下端部を固定するフランジ部材以下、固定部材と略称する。6が配置されている。固定部材6はボルト7により支持部材1のフランジに固定され、固定部材6とフランジとの間はガスケット銅製8により気密シールされている。12は支持部材1と相対する上部位置に置かれた上下動可能な上蓋部材である。上蓋部材12は縦断面が2段の逆凸状2個のフランジを有するに構成されている。上蓋部材12における2段の逆凸状のうち、1段目図中、上の方の逆凸状の外周には蛇腹9の上端部を固定するフランジ部材10が配置されている。固定部材10はボルト図示は省略している。により上蓋部材12のフランジに固定され、固定部材10と上蓋部材12のフランジとの間はガスケット銅製11により気密シールされている。13は上蓋部材12を上下に移動させるスライディングシャフト滑動軸であり、その下端が支持部材1に固定されている。16はロードセルに接続された、上部から圧力を加える圧縮ロッドである。後述膜試料20をセットした後、上蓋部材12をスライディングシャフト13を介して下方に移動することにより、後述パンチャー24も下方へ移動し、後述膜試料20に所定の荷重押圧力を加えることができる。なお、14は閉空間Y内の圧力上昇時に上蓋部材12の脱落を防ぐためのロックナット袋ナットであり、13のスライディングシャフトに沿って15のスライドブッシュを介して上蓋部材12が下方に移動できる。支持部材1、固定部材6、ガスケット8、蛇腹9、固定部材10、上蓋部材12、ガスケット11、導入水素貯留部5、後述膜試料20の上面及び後述固定部材21で囲まれた閉空間Yが、後述膜試料20に対する一次側の水素雰囲気Yとなり、後述膜試料20の下面、導管4及び導出水素貯留部5で囲まれた空間が二次側水素雰囲気Zとなる。膜試料に対する水素圧力の負荷導入水素貯留部2、導管3を経て供給する水素量を弁V1で調節することにより一次側の水素圧力を調節し、導管4、導出水素貯留部5を経て導出する水素量を弁V2で調節することにより二次側の水素雰囲気の水素圧力を調節する。これにより、後述膜試料20の一次側と二次側との水素雰囲気を同一の水素圧力に制御したり、また異なる水素圧力に制御することができる。膜試料に対する荷重の付与、計測20は膜試料、19は膜試料20を支持するガスケットステンレス鋼製である。21は膜試料20の固定部材、24はパンチャー、25は鋼球もしくは窒化珪素Si3N4製の球である。固定部材21の下部は逆凹状に形成され、下端面から上端面に至る4箇所の貫通細孔22を有している。当該逆凹状の底部面は膜試料の上面との間にスペースを保ち、貫通細孔22は水素雰囲気Yと連通している。固定部材21の中央部に上下貫通する円筒状の空隙と、その同心円上に4箇所の細孔を有している。固定部材21の中央部の円筒状空隙に内壁23に沿ってパンチャー24が嵌挿され、鋼もしくは窒化珪素Si3N4製の球25は膜試料20の上面に当接、配置される。パンチャー24により球25を押し下げ、球25を膜試料20に押し付けることにより、所定の荷重に対応する膜試料の形状変化の有無、また形状変化有りのときの、その変化の程度を観察することができる。所定の荷重値はロードセルに接続された圧縮ロッド16により計測される。支持部材1の中央部の円筒状空隙の近傍にはセラミックヒータ17が内蔵されており、膜試料20の近くまで熱電対18が挿入されている。セラミックヒータ17と熱電対18により膜試料の温度を測定、制御する。本スモールパンチ試験装置は、試料に対して真空~0.3MPaの水素圧力を負荷することができ、室温~600°Cの範囲で温度制御が可能であり、それらの条件下における延性-脆性遷移を評価することが可能である。このスモールパンチ試験装置を使用して、純V膜について試験した。試験片は、アーク溶解法により金属塊を溶製し、次いでこの金属塊に切削加工及び研磨加工を施して製造した縦横の長さ10mm、厚さ0.5mm体積:10mm×10mm×0.5mm=50mm3の薄板状である。この試験片について、400°C、450°C又は500°Cの温度において、PCT圧力-固溶水素量-温度測定装置により、0.001~0.301×10-3~3×10-1MPaを超える範囲まで各水素圧力Pと固溶水素量CH/M水素原子と金属原子の原子比、以下、同種の記載について同じ。との間の関係を把握した上でスモールパンチ試験を行い、荷重-変位を測定して評価した。一次側水素雰囲気Yと二次側水素雰囲気Zは同一の水素圧力とした。スモールパンチ試験による水素脆性の定量評価は、以下のi~iiiのようにして行った。iこの純V膜の試験片について、温度及び水素圧力を500°C及び0.01MPaとし、この雰囲気に1時間保持した後、当該試験片に鋼球もしくは窒化珪素Si3N4製の球25による荷重により押圧力をかけながら試験片を変形させ、そのときの荷重とクロスヘッド又は鋼球25の移動量を試験片が破壊するまで記録を続け、荷重-変位曲線を作成する。ii当該試験片の固溶水素量H/MH/Mは水素原子と金属原子の原子比は、当該試験の温度500°C≒773KにおけるPCT曲線に基づいて、当該試験で加えた水素圧力から見積もった。iii荷重-変位曲線から、膜試料が破壊に至るまでのスモールパンチ吸収エネルギーを求めた。ここで、スモールパンチ吸収エネルギーとは、試験片の変形開始から破壊に至るまでに要した仕事量に対応相当している。パンチャー24により鋼球もしくは窒化珪素Si3N4製の球25を押し下げた圧力、つまり荷重MPaを変位量に対して積分する=荷重-変位曲線の下の面積を計算することでスモールパンチ吸収エネルギーを算出する。第12図は温度400~500°CにおけるSP吸収エネルギーと固溶水素量の関係を示している。横軸は、純V膜中の固溶水素量CH/M、縦軸は純V膜試料の固溶水素量に対する延性あるいは脆性破壊時の吸収エネルギーである。金属に対する水素の固溶量は、ある所定温度における金属の原子数に対する固溶した水素の原子数で表される。例えば、固溶水素量CH/M=0.22とは、金属の原子数100に対して固溶している水素の原子数が22であることを示している。第12図のとおり、純Vの吸収エネルギーは、H/M=0.22を境に固溶水素量が増えるに伴い大きく減少している。すなわち、H/M=0.22を境に固溶水素量が増えるに伴い、膜の破壊形態が延性から脆性へと移行遷移することを示している。このことから、純V膜は、H/M≦0.22の条件であれば水素分離膜として利用できることが分かった。母材であるVの延性-脆性遷移がH/M≦0.22であることが明らかになったため、V合金はH/M≦0.22の条件で水素分離膜として使用できると考えられる。[考察]V-W-Mo合金よりなる水素分離膜は、Pd-Ag合金膜、V-W膜及び純V膜に比べて水素透過速度が大きい。表1及び第3図の通り、本発明の代表的な合金であるV-5W-5Mo合金よりなる水素分離膜は、V-W系合金膜以上の性能を有しており、実用的な条件である、500°Cにおいて水素分圧=0.6MPa約6気圧、450°Cにおいて水素分圧=0.3MPa約3気圧、400°Cにおいて水素分圧=0.1MPa約1気圧までのガスから、高効率な水素分離が可能になる。また、500°Cにおける見掛けの水素透過能φは、P1/P2=0.6MPa/0.01MPaの場合、Pg-26Ag合金が2.3×10-8[mol-1m-1s-1Pa-1/2]であるのに対し、V-5W-5Mo合金は1.0×10-7[mol-1m-1s-1Pa-1/2]と4.3倍であり、同じ面積、同じ厚さの分離膜であれば、同じ圧力条件において4.3倍の水素透過量が得られる。本発明の水素分離膜は、500°Cにおいて0.6MPa約6気圧でも水素脆化が起きない画期的な分離膜であり、透過側を動力によって減圧する必要なく、十分な水素透過量が得られることから、より効率的な水素製造が可能になる。本発明のV-W-Mo系合金よりなる水素分離膜は、400~450°Cにおいても0.1MPa約1気圧で使用可能であり、大気圧以上の水素分圧を持った水素含有ガスからの水素分離が可能になる。本発明の水素分離膜は、非Pd系であるため、素材コストが著しく低い。本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。なお、本出願は、2010年9月24日付で出願された日本特許出願特願2010-213772に基づいており、その全体が引用により援用される。1支持部材2支持部材1に設けた導入水素貯留部3水素貯留部2から一次側水素雰囲気Yに連通する導管4二次側水素雰囲気Zから導出水素貯留部5に連通する導管5支持部材1に設けた導出水素貯留部6蛇腹9の下端部を固定するフランジ部材7ボルト8ガスケット9蛇腹10蛇腹9の上端部を固定するフランジ部材11ガスケット12支持部材1と相対する上部位置に置かれた上下動可能な上蓋部材13スライディングシャフト14袋ナット15スライドブッシュ16ロードセルに接続された圧縮ロッド17セラミックヒータ18熱電対19膜試料20の支持ガスケット20膜試料21膜試料20の固定部材22貫通細孔23固定部材21の中央部の円筒状空隙の内壁24パンチャー25鋼もしくはSi3N4製の球26支持部材1の凸部41水素透過試験用モジュール42ガス導入管43,45ガスケット44水素分離膜46ガス取出管47ナット48キャップナット50電気炉61圧縮機62水素分離型改質器65~68,73~75熱交換器"