"ダイヤモンドの研磨に用いられる研磨盤であって、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物を50体積以上含み、押し込み硬度が500Kgf/cm2以上である材料からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。前記酸化物がSi,Al,Ti,Cr及び、Zrからなる群より選ばれた1つ以上の元素の酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。前記研磨面の軟化点が1500°C以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。前記研磨面の線膨張率が1.0×10-6以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。前記研磨面の表面粗さRaが0.1μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。請求項1~5のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤に、研磨すべきダイヤモンドを当接せしめ、両者を相対的に摺動させてダイヤモンドの表面を研磨することを特徴とするダイヤモンド材料の研磨方法。本発明は、従来の研磨方法よりも高い研磨速度で研磨を行うことができ、従来研磨が困難であった耐摩耗性の高い面方位を含み、研磨が極めて困難な多結晶ダイヤモンドの研磨についても高速の研磨でありながら、加工面の平坦性を保った加工を行うことを可能とするダイヤモンド用の研磨盤及びこれを用いた研磨方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、研磨盤として、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物セラミックスを50以上含み、押し込み硬度が500Kgf/cm2以上である研磨盤を用いることによって上記課題を解決することができることを見いだして本発明を完成した。すなわち、本発明は以下に記載する通りのダイヤモンド材料研磨用の研磨盤及びこれを用いた研磨方法に係るものである。1ダイヤモンドの研磨に用いられる研磨盤であって、ダイヤモンドと当接する研磨盤の研磨面が、酸化物を50体積以上含み、押し込み硬度が500Kgf/cm2以上である材料からなることを特徴とするダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。2前記酸化物がSi,Al,Ti,Cr及び、Zrからなる群より選ばれた1つ以上の元素の酸化物であることを特徴とする1に記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。3前記研磨面の軟化点が1500°C以上であることを特徴とする1または2に記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。4前記研磨面の線膨張率が1.0×10-6以下であることを特徴とする1~3のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。5前記研磨面の表面粗さRaが0.1μm以上10μm以下であることを特徴とする1~4のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤。61~5のいずれかに記載のダイヤモンド材料研磨用の研磨盤に、研磨すべきダイヤモンドを当接せしめ、両者を相対的に摺動させてダイヤモンドの表面を研磨することを特徴とするダイヤモンド材料の研磨方法。本発明に係るダイヤモンド材料研磨用の研磨盤を用いてダイヤモンドを研磨すると、従来の研磨方法よりも高い研磨速度で研磨を行うことができ、従来研磨が困難であった耐摩耗性の高い面方位を含み、研磨が極めて困難な多結晶ダイヤモンドの研磨も従来になく高速の研磨でありながら、加工面の平坦性を保った加工を行うことができる。本発明の研磨方法に用いる研磨盤には、酸化物セラミックスが50体積以上含まれる。研磨盤の押し込み硬度は500Kgf/cm2以上である。この体積含有率は、研磨盤を解砕してICP誘導結合高周波プラズマ分光分析による定量分析の他、SEMやTEMによる断面観察により測定できる。押し込み硬度が500Kgf/cm2未満であると、研磨中に研磨盤の盤面の変形がすこぶる大きくなり、ダイヤモンドを望む形状に加工できなくなる可能性がある。本発明の研磨盤を構成する酸化物は、Si,Al,Ti,Cr及び、Zrからなる群より選ばれる1つ以上の元素の酸化物からなることが好ましい。これらの酸化物を含む酸化物セラミックスは、炭素による還元反応を受けやすく、ダイヤモンドの化学的反応摩耗を促進させる。これらの酸化物は、研削に関与する研磨面のみに存在していれば良い。酸化物が研磨盤の内部に含まれていない場合は、研磨によって新たに発生した面に同様の酸化物が生じるような化合物等で研磨盤を構成すれば、上記の効果を持続させることができる。たとえば、Si3N4やSiで研磨盤を構成した場合、研磨盤の表面には酸化膜であるSiO2が形成されており、これらを研磨盤として用いた場合にも同様の効果が得られる。また、酸化物以外の成分としてはcBNや、β―Si3N4などの硬質材料を含んでいても良く、cBNを用いることが特に好ましい。本発明の研磨盤の軟化点は1500°C以上であることが望ましい。軟化点が1500°C未満であると、研磨中に研磨盤の盤面の変形が進み、望む形状にダイヤモンドを加工することができなくなる可能性がある。本発明の研磨盤の線膨張率は1.0×10-6以下であることが望ましい。前記研磨盤の線膨張率が1.0×10-6を超えると、研磨中に研磨盤の盤面の変形が進み、望む形状にダイヤモンドを加工することができなくなる可能性がある。本発明の研磨盤の面粗さRaは0.1μm以上10μm以下であることが望ましい。Raが0.1μm未満であると、研削抵抗が低すぎて十分な研磨速度が得られない可能性があり、10μmを超える場合には研削抵抗が高くなりすぎて、研磨盤を破損する可能性がある。本発明において研磨盤の材料として酸化物を含む材料を用いた理由について以下述べる。ダイヤモンドの加工への反応摩耗の実用化は様々な方法が提案されてきたが、従来の方法は、例えば鉄との反応摩耗を利用した加工方法のように、摩耗速度が速くても摩耗量を制御して、実用化可能なレベルの形状精度に加工することが困難であったり、非常に高い面精度で形状を制御することができても、加工時間がかかりコスト高となってしまい、商業的に実用化ができないものが殆どであった。これに対し、酸化物セラミックスを研磨盤として用いることで、研磨盤表面でダイヤモンドを摺動させた際に発生する摩擦熱により、ダイヤモンド表面の炭素により酸化物の還元反応が進み、ダイヤモンドの加工が進行する。摺動面の温度を高くすると、反応が促進される。これにより、高い研磨速度と高い面精度とを両立することができる。なお、摺動面の温度を高くする方法としては、摺動部での線速度を速くして摩擦熱の発生量を増やす方法や、スポット集光可能な発熱灯やパルス発振レーザにより外部加熱を行なう方法を用いることができる。本発明の研磨方法は、研磨盤として本発明の研磨盤を使用し、この研磨盤に研磨すべきダイヤモンドを当接せしめ、酸素を含む雰囲気中で両者を相対的に摺動させてダイヤモンドの表面を研磨するものである。ダイヤモンド研磨中に研磨盤とダイヤモンド材料との摺動表面は、局所的に高温になっており、雰囲気中に酸素を含むと雰囲気中の酸素によって、高温になったダイヤモンド表面の酸化が促進され、研磨を進行させることができる。酸素分圧が高いと研磨速度を向上させるには好ましいが、大気中での摺動で十分な効果が得られる。研磨のための具体的な設備としては、研磨盤を保持して回転ブレ無く高速に回転させる機構と、被加工体であるダイヤモンド材料を保持し、高速回転している研磨盤に一定圧力で当接せしめる機構と、研磨盤の径方向に被加工体を搖動させる機構とを有する設備を用いる。以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を詳述する。これらの実施例は例示であって、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲の範囲によって示され、特許請求の範囲の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。<研磨用試料のダイヤモンドの作製>高純度グラファイトを原料とし、超高圧高温発生装置を用いて15GPa-2200°Cで高圧高温処理して、バインダを一切含まず、組織粒径がナノメートルオーダーの等方性多結晶ダイヤモンドを合成した。このナノ多結晶ダイヤモンドNPD:NanoPolycrystallineDiamondから、レーザ加工により、5mm□×2mmtの板材を切り出して、研磨用試料を作製した。<研磨盤の作製>以下の実施例1~8及び比較例1、2においては、得られた酸化物を含有する材料をφ10~50mm×3mmtに成形し、平坦度面粗さを調整して研磨盤を作製した。この研磨盤を先端がφ50mmで、クランプ部分がφ30mm×60mmの逆T字型金属製円筒ホルダの先端に接合し、研削機の砥石軸にクランプできるようにした。研磨盤の盤面は、クランプ軸に対する垂直度1μm以下かつ、平面度1μm以下に固定砥粒及び、遊離砥粒による研削加工により整えた。<研磨試験>研磨試料のクランプ部は下台にエアシリンダーによる研削荷重制御機構を設け、研磨中の研磨盤への試料の押しつけ荷重が一定となるように制御した。研磨盤は3000rpmで回転させ、試料は200gfの一定荷重で5mm□の面をそれぞれの研磨盤で約10分間研磨した。<評価方法>研磨速度研磨後の試料について、摩耗量板厚の減少量を試料厚みの測定により求めた。その結果を表1に、後述する比較例3に示す汎用されている焼結ダイヤモンドを用いた場合の摩耗量を基準値=1とした場合の相対比較値で示した。この値は研磨速度の相対比較値を示すものである。表面粗さRa作製した研磨盤について、表面粗さRaを原子間力顕微鏡AFM:SII社製NanoNaviIIにより測定した。研磨面表面粗さRa研磨後の試料について、表面粗さRaを原子間力顕微鏡AFM:SII社製NanoNaviIIにより測定した。研磨面平坦度研磨後の試料の表面平坦度を表面粗さ計を用いた平坦度測定方法により求めた。軟化点JISR3103-1:2001に規定される方法により測定した。[実施例1]アルミナ原料粉末にAlB2粉末及び、TiコーティングしたcBN砥粒を所定の比率に秤量し、メタノールを分散媒としてアルミナ製ボールとポットを用いてボールミルを用いて1時間混合を行った後に、真空エバポレーターを用いてメタノールを除去して、100°Cで乾燥させ、150メッシュのふるいを通して混合粉末を得た。その後、この混合粉末を超硬カプセルに充填して5GPa-1400°Cで超高圧高温処理を行うことにより、酸化物を80体積含有する焼結体を得た。得られた焼結体は研削後、砥粒サイズ2-4μmのダイヤモンドでラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[実施例2]引上げ法によって作成されたサファイア単結晶体を研磨盤として使用した。引上げ法は、イリジウムるつぼに高純度アルミナ原料を所定量チャージして、融点である2,040°C以上に加熱して融液状態にし、所定方位の結晶面を有するサファイア単結晶の種をゆっくり下げて融液に浸漬し、数mm/hrの速度で引き上げ、1インチの直径の単結晶に成長させるものである。引き上げ後に、ゆっくり温度を室温まで下げて単結晶体を冷やし、さらに結晶に残っている熱歪を低減するためにアニール処理を行った。得られた単結晶体は研削後、砥粒サイズ4-6μmcBN砥粒でラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[実施例3]アルミナ原料粉末を150メッシュのふるいを通して造粒粉末を得た。その後、この粉末は、カーボン型に充填し、通電加熱焼結法にて1700°Cで焼結した。焼結条件は酸素雰囲気0.1MPa、プレス圧力は30MPaとした。得られた焼結体は研削後、砥粒サイズ4-6μmcBN砥粒でラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[実施例4]アルミナ原料粉末にTiO2粉末を所定の比率に秤量し、メタノールを分散媒としてアルミナ製ボールとポットを用いてボールミルを用いて1時間混合を行った後に、真空エバポレーターを用いてメタノールを除去して、100°Cで乾燥させ、150メッシュのふるいを通して混合粉末を得た。その後、この混合粉末は、カーボン型に充填し、通電加熱焼結法にて1700°Cで焼結した。焼結条件は酸素雰囲気0.1MPa、プレス圧力は30MPaとした。得られた焼結体は研削後、砥粒サイズ4-6μmcBN砥粒でラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[実施例5]アルミナ原料粉末にZrO2粉末を所定の比率に秤量し、メタノールを分散媒としてアルミナ製ボールとポットを用いてボールミルを用いて1時間混合を行った後に、真空エバポレーターを用いてメタノールを除去して、100°Cで乾燥させ、150メッシュのふるいを通して混合粉末を得た。その後、この混合粉末は、カーボン型に充填し、通電加熱焼結法にて1600°Cで焼結した。焼結条件は酸素雰囲気0.1MPa、プレス圧力は30MPaとした。得られた焼結体は研削後、砥粒サイズ4-6μmcBN砥粒でラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[実施例6~8]直接法によって得られた石英母材を、カーボン型に充填し1800°Cで成形した。成形条件は酸素雰囲気で0.05MPa。得られた合成石英体は、ラッピングにより所定の形状に成形した後、砥粒サイズ4-6μmcBN砥粒でラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。[比較例1]原料粉末としてソーダガラスNaa2O-CaO-SiO2を用いた以外は実施例1と同様にして研磨盤を作製した。得られた研磨盤を用いて実施例1と同様にして研磨試験、評価を行った。[比較例2]アルミナ原料粉末にAlB2粉末及び、TiコーティングしたcBN砥粒を所定の比率に秤量し、メタノールを分散媒としてアルミナ製ボールとポットを用いてボールミルを用いて1時間混合を行った後に、真空エバポレーターを用いてメタノールを除去して、100°Cで乾燥させ、150メッシュのふるいを通して混合粉末を得た。その後、この混合粉末を超硬カプセルに充填して5GPa-1400°Cで超高圧高温処理を行うことにより、酸化物を20体積を含有する焼結体を得た。得られた焼結体は研削後、砥粒サイズ2-4μmのダイヤモンドでラッピングを行い、所定の面粗さを持つ研磨盤とした。得られた研磨盤を用いて実施例1と同様にして研磨試験、評価を行った。[比較例3]研磨盤としてスカイフ研磨を行なうための鋳鉄製の研磨盤を用いた。研磨材としては0.5~2μmのダイヤモンド粒子を用いた。また、研磨盤としてφ300mmのものを用い、2000rpmで回転させて研磨したことを除いては実施例1と同様にして研磨試験、評価を行った。[比較例4]研磨盤としてメタルボンド砥石を用いた。メタルボンド砥石は3000-集中度125のものを用いた。また、研磨盤としてφ300mmのものを用い、2000rpmで回転させて研磨したことを除いては実施例1と同様にして研磨試験、評価を行った。評価結果を表1に示した。上記表1に示された結果から、本発明の研磨方法は従来の研磨方法と比較して、非常に高速であり、かつ、従来方法による研磨面と同等の平坦度で研磨できることが分かる。"