"基板と、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記反対的な第2の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から前記発光領域に延伸した第2の部分を有し、前記基板上の前記発光領域及び前記非発光領域に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたp型半導体層とを含む、多層構造と、前記発光領域に形成され、前記p型半導体層に電気的に結合されたp電極と、前記非発光領域に形成され、前記n型半導体層に電気的に結合されたn電極と、少なくとも1つのオーム性接触を画定するように、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記n電極と前記n型半導体層との間に形成されて、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記n電極が、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に結合されるようにする絶縁体と、を備える、発光装置。前記絶縁体が、少なくとも1つの層を含み、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される、請求項1に記載の発光装置。前記絶縁体が、SiO2、SiN、Al2O3、TiO2又はその組み合わせによって形成される、請求項2に記載の発光装置。前記絶縁体が、エピタキシャル構造を含む、請求項1に記載の発光装置。前記n電極が、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第2の部分中の前記n型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有し、各n電極フィンガーが、前記n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第2の端を有し、p電極が、前記多層構造の前記第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有し、各p電極フィンガーが、前記p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記第1の端部に延伸し前記n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有し前記複数のp電極フィンガー及び前記複数のn電極フィンガーが、交互的に配列される、請求項1に記載の発光装置。前記n電極ブリッジが、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項5に記載の発光装置。操作中、前記対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも1つのオーム性接触と前記隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項6に記載の発光装置。前記発光領域中の前記p型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、前記p電極が、前記透明導電層を介して、前記p型半導体層に電気的に結合されるようにする、請求項1に記載の発光装置。基板を提供するステップと、前記基板に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層に形成された活性層と、前記活性層に形成されたp型半導体層と、を含み、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記反対的な第2の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から前記発光領域に延伸した第2の部分を有する多層構造を前記基板に形成するステップと、前記非発光領域で、前記n型半導体層を露出するように、前記多層構造の前記p型半導体層及び前記活性層をエッチングするステップと、前記露出されたn型半導体層上の前記非発光領域の前記第1の部分に、少なくとも1つのオーム性接触を画定する絶縁体を形成するステップと、前記発光領域における前記p型半導体層に透明導電層を形成するステップと、前記非発光領域にn電極を形成して、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記n電極が、少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に結合され、かつ前記非発光領域の前記第2の部分中の前記n電極が、前記n型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、前記透明導電層に、p電極を形成して、前記p電極が、前記透明導電層を介して、前記p型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を備える、発光装置の製造方法。前記p電極が、同様なプロセスステップによって、n電極と共に形成される、請求項9に記載の方法。前記絶縁体が、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される、請求項9に記載の方法。前記絶縁体が、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される、請求項11に記載の方法。前記絶縁体が、エピタキシャル構造を含む、請求項9に記載の方法。前記n電極が、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第2の部分中の前記n型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有し、各n電極フィンガーが、前記n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第2の端を有し、前記p電極が、前記多層構造の前記第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有し、各p電極フィンガーが、前記p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記第1の端部に延伸し前記n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有し、前記複数のp電極フィンガー及び前記複数のn電極フィンガーが、交互的に配列される、請求項9に記載の方法。前記n電極ブリッジが、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項14に記載の方法。操作中、前記対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも1つのオーム性接触と前記隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項15に記載の方法。基板と、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記反対的な第2の端部が、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域が、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から前記発光領域に延伸した第2の部分を有し、前記基板に形成されたn型半導体層と、前記n型半導体層に形成された活性層と、前記活性層に形成されたp型半導体層と、を含み、前記非発光領域の前記第1の部分に多層エピタキシャル構造を有するように形成されて、少なくとも1つのオーム性接触をその間に画定する多層構造と、前記非発光領域に形成され、前記n型半導体層に電気的に結合されて、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記n電極が、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に結合されるようにするn電極と、前記発光領域に形成され、前記p型半導体層に電気的に結合されるp電極と、を備える、発光装置。前記エピタキシャル構造が、p層/活性層/n層構造を含む、請求項17に記載の発光装置。前記n電極が、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び前記非発光領域の前記第2の部分中の前記n型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有し、各n電極フィンガーが、前記n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記発光領域に延伸した反対的な第2の端を有し、前記p電極が、前記多層構造の前記第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び前記発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有し、各p電極フィンガーが、前記p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び前記多層構造の前記第1の端部に延伸し前記n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有し、前記複数のp電極フィンガー及び前記複数のn電極フィンガーが、交互的に配列される、請求項17に記載の発光装置。前記n電極ブリッジが、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され前記少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に接続されるようにする、請求項19に記載の発光装置。操作中、前記対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路が、前記少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある前記少なくとも1つのオーム性接触と前記隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである、請求項20に記載の発光装置。前記発光領域中の前記p型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、前記p電極が、前記透明導電層を介して、前記p型半導体層に電気的に結合されるようにする、請求項17に記載の発光装置。伝統的に、LEDにより明るい光を出力させるには、LEDの発光領域を最大化して、LEDの操作電流の流れ方向を増進することによって、実現できる。大電流で操作される大型LEDに対して、LEDの発光領域における電流密度の分布が不均一である場合に、順電圧とインタフェースにおける温度の増加を引き起こしてしまい、LEDの光学性能及び電気的性能の低下に至る。大きいサイズを有し高電流密度の条件で操作されるLEDに対しては、特に前記のようになる。なお、発光効率における不可逆の劣化は、電流密度の増加に従って増加する際、電流密度における不均一性によって全体の劣化速度が増加されたので、更にLEDの寿命を減らす。図8Aに示すように、Steigerwald等による米国特許第6,307,218号に、平行なp電極及びn電極を利用して、LEDの電流密度における不均一性を改良したLED設計が開示された。Steigerwald等による特許において、n接続パッド14aからの遠いp電極フィンガー13の領域から垂直に下に向かってn型半導体層に流れる電流が、p-n接合部を通すと、この電流は、n型半導体層中の電流経路を横断してn電極フィンガー14に達しなければならない。しかし、前記電流経路は、電流がn接続パッド14aに隣接するp電極フィンガー13の領域から垂直に下に向かってn型半導体層に流れてn電極14aに達する場合のn型半導体層における横断距離と異なる。電流経路における差異によって、n接続パッド14aの周りに電流の不均一な分布が発生された。従って、図8Bに示すように、n電極14の端部に近い領域15におけるLEDの光の輝度強度が、他の発光領域における光の輝度強度より不均一である。光の輝度における不均一性は、LED中の電流密度の不均一性により引き起こされる。従って、本分野には、前記欠陥及び不足の点を解決する要求があり、この要求が今まで解決されていない。一態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、基板と、第1の端部及び反対的な第2の端部を有する多層構造とを備え、第1の端部及び相対的な第2の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から発光領域に延伸した第2の部分を有する。多層構造は、基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたn型半導体層と、n型半導体層上の発光領域に形成された活性層と、活性層上の発光領域に形成されたp型半導体層と、を含む。発光装置は、発光領域に形成され、p型半導体層に電気的に結合されたp電極と、及び非発光領域に形成され、n型半導体層に電気的に結合されたn電極とも備える。さらに、発光装置は、非発光領域の第1の部分中のn電極とn型半導体層との間に形成され、少なくとも1つのオーム性接触を画定する絶縁体も備えて、非発光領域の第1の部分中のn電極が、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に結合されるようにする。発光装置は、発光領域におけるp型半導体層に形成された透明導電層を更に備えて、p電極が、前記透明導電層を介して、p型半導体層に電気的に結合されるようにする。一実施例において、絶縁体は、少なくとも1つの層を有する。絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成され、SiO2、SiN、Al2O3、TiO2又はその組み合わせによって形成される。絶縁体は、エピタキシャル構造を含んでよい。一実施例において、n電極は、非発光領域の第1の部分中の絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び非発光領域の第2の部分中のn型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。各n電極フィンガーは、n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第2の端を有する。p電極は、多層構造の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有する。各p電極フィンガーは、p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の第1の端部に延伸し、n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有する。複数のp電極フィンガー及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。一実施例において、n電極ブリッジは、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも1つのオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。一実施例において、n電極とp電極は、それぞれ透明導電材料によって形成される。n電極は、p電極、透明導電層、p型半導体層、活性層と電気絶縁である。他の態様において、本発明は、発光装置の製造方法に関する。一実施例において、前記方法は、基板を提供するステップと、基板に形成されたn型半導体層と、n型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたp型半導体層とを有する多層構造を基板に形成するステップと、を含む。前記多層構造は、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、第1の端部及び反対的な第2の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から発光領域に延伸した第2の部分を有する。前記方法は、非発光領域で、n型半導体層を露出するように、多層構造のp型半導体層及び活性層をエッチングするステップと、露出されたn型半導体層上の非発光領域の第1の部分に、少なくとも1つのオーム接触性を画定する絶縁体を形成するステップと、も備える。なお、前記方法は、非発光領域にn電極を形成して、非発光領域の第1の部分中のn電極が少なくとも1つのオーム接触性を介して、n型半導体層に電気的に結合され、非発光領域の第2の部分中のn電極がn型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、発光領域におけるp型半導体層に、透明導電層を形成するステップと、透明導電層にp電極を形成して、p電極が透明導電層を介して、p型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を備える。一実施例において、絶縁体は、少なくとも1つの層を含む。絶縁体150は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、エピタキシャル構造を有する。一実施例において、n電極は、非発光領域の第1の部分中の絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び非発光領域の第2の部分中のn型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。各n電極フィンガーは、n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第2の端を有する。p電極は、多層構造の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有する。各p電極フィンガーは、p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の第1の端部に延伸し、n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有する。複数のp電極フィンガー及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。一実施例において、n電極ブリッジは、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも1つのオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。もう1つの態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、基板と、第1の端部及び反対的な第2の端部を有する多層構造とを備え、第1の端部及び相対的な第2の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定し、前記非発光領域は、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から発光領域に延伸した第2の部分を有する。多層構造は、基板に形成されたn型半導体層と、n型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたp型半導体層と、を有する。多層構造は、非発光領域の第1の部分にエピタキシャル構造を有して、少なくとも1つのオーム性接触を画定するように形成される。一実施例において、エピタキシャル構造は、少なくとも1つの層を含む。エピタキシャル構造は、p層/活性層/n層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びp型半導体層から隔離される。発光装置は、非発光領域の第1の部分中のn電極が少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に結合されるように、非発光領域に形成され、n型半導体層に電気的に結合されるn電極と、発光領域に形成され、p型半導体層に電気的に結合されるp電極とも備える。発光装置は、発光領域におけるp型半導体層に形成された透明導電層を有してもよく、p電極が、前記透明導電層を介して、p型半導体層に電気的に結合されるようにする。一実施例において、n電極は、非発光領域の第1の部分中の絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び非発光領域の第2の部分中のn型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。各n電極フィンガーは、n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第2の端を有する。p電極は、多層構造の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有する。各p電極フィンガーは、p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の第1の端部に延伸し、n電極ブリッジに大体に近づいた相対的な第2の端を有する。複数のp電極フィンガー及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。一実施例において、n電極ブリッジは、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも1つのオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。n電極はp電極、透明導電層、p型半導体層、活性層と電気絶縁である。他の態様において、本発明は、発光装置の製造方法に関する。一実施例において、前記方法は、基板を提供するステップと、基板に形成されたn型半導体層と、n型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたp型半導体層とを有する多層構造を基板に形成するステップと、を含む。多層構造は、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記反対的な第2の端部は、その間で発光領域及び非発光領域を画定する。非発光領域は、第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び第1の部分から発光領域に延伸した第2の部分を有する。前記方法は、非発光領域の第1の部分に、少なくとも1つのオーム性接触をその中に画定するエピタキシャル構造を形成し、非発光領域の第2の部分でn型半導体層を露出するように、非発光領域で多層構造をエッチングするステップも含む。一実施例において、エピタキシャル構造は、少なくとも1つの層を含む。エピタキシャル構造は、p層/活性層/n層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びp型半導体層から隔離される。前記方法は、非発光領域にn電極を形成して、非発光領域の第1の部分中のn電極が少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に結合され、かつ非発光領域の第2の部分中のn電極がn型半導体層に直接に電気的に結合されるようにするステップと、発光領域におけるp型半導体層に透明導電層を形成するステップと、透明導電層にp電極を形成して、p電極が透明導電層を介して、p型半導体層に電気的に結合されるようにするステップと、を更に含む。一実施例において、n電極は、非発光領域の第1の部分中の絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び非発光領域の第2の部分中のn型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。各n電極フィンガーは、n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第2の端を有する。p電極は、多層構造の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有する。各p電極フィンガーは、p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の第1の端部に延伸し、n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有する。複数のp電極フィンガー及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。一実施例において、n電極ブリッジは、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも1つのオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。他の態様において、本発明は、発光装置に関する。一実施例において、発光装置は、発光領域及び一部が発光領域に延伸した非発光領域を有し、n型半導体層と、n型半導体層に形成された活性層と、活性層に形成されたp型半導体層とを含む多層構造と、発光領域に形成され、p型半導体層に電気的に結合されたp電極と、非発光領域に形成され、n型半導体層に電気的に結合されたn電極と、を備える。前記多層構造は、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、その間で発光領域及び非発光領域を画定させ、前記非発光領域は、前記第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分、及び前記第1の部分から発光領域に延伸した第2の部分を有する。発光装置は、少なくとも1つのオーム性接触を画定し、非発光領域におけるn電極とn型半導体層との間に形成された絶縁体も備えて、n電極が、少なくとも、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に結合されるようにする。発光装置は、発光領域におけるp型半導体層に形成された透明導電層を更に備えてよく、p電極が、前記透明導電層を介して、p型半導体層に電気的に結合されるようにする。一実施例において、多層構造は、n型半導体層を非発光領域に露出させるように形成され、絶縁体は、非発光領域の第1の部分中のn型半導体層に形成されて、非発光領域の第1の部分中のn電極が、少なくとも1つのオーム接触を介して、n型半導体層に電気的に結合されるようにし、非発光領域の第2の部分中のn電極は、n型半導体層に直接に電気的に結合される。一実施例において、絶縁体は、少なくとも1つの層を含む。絶縁体は、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。一実施例において、絶縁体は、エピタキシャル構造を含む。エピタキシャル構造は、p層/活性層/n層構造を含む。エピタキシャル構造は、活性層及びp型半導体層から隔離される。一実施例において、n電極は、非発光領域の第1の部分中の絶縁体に形成されたn電極ブリッジ、及び非発光領域の第2の部分中のn型半導体層に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。各n電極フィンガーは、n電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の発光領域に延伸した反対的な第2の端を有する。p電極は、多層構造の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域に平行に位置決められた複数のp電極フィンガーを有する。各p電極フィンガーは、p電極ブリッジに電気的に接続された第1の端、及び多層構造の第1の端部に延伸し、n電極ブリッジに大体に近づいた反対的な第2の端を有する。複数のp電極フィンガー及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。一実施例において、n電極ブリッジは、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、少なくとも1つのオーム性接触に位置決められた少なくとも1つのワイヤー接続パッドを含んで、少なくとも1つのワイヤー接続パッドが、少なくとも1つのオーム性接触を介して、n型半導体層に電気的に接続されるようにする。そのため、操作中、対応するn電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路は、少なくとも1つのワイヤー接続パッドの下方にある少なくとも1つのオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と大体同じである。その変化又は修正は、本開示の新規な概念の精神及び範囲から逸脱しない場合、影響が与えられる可能性があるとはいえ、本発明の前記及び他の態様は、以下の図面の好ましい実施例に対する以下の説明を参照することによって、明らかになる。以下、本発明の例示的な実施例を示す添付図面を参照して、本発明をより十分に説明する。しかしながら、本発明は、様々な形式によって実施できるので、本文に記載の実施例に限定されると理解すべきではない。逆に、これらの実施例を提供する目的は、本開示を詳しく且つ完璧的にし、本開示によって本発明の範囲を当業者に十分に伝えることにある。同一の符号は、終始同一の素子を表す。素子が、他の素子にあるといわれる場合、前記素子は、他の素子に直接に存在すること、又は前記素子と他の素子の間に中間素子が存在することとなる可能性があることは理解すべきである。逆に、素子が、直接に他の素子にあるといわれる場合、中間素子は存在しない。本文で使用するように、用語及び/又はは、1つ又は複数の関連する列挙事項のいずれか1つ又は全ての組み合わせを含む。本文では、第1の、第2の、第3の等の用語を用いて、各種の素子、ユニット、領域、層及び/又は部分を説明することができるが、前記素子、ユニット、領域、層及び/又は部分は、前記用語に限定されるものではないことは理解すべきである。前記用語は、素子、ユニット、領域、層又は部分を、他の素子、ユニット、領域、層又は部分と区別するためのものだけである。そのため、本発明の示唆から逸脱しない限り、下記で説明する第1の素子、第1のユニット、第1の領域、第1の層又は第1の部分は、第2の素子、第2のユニット、第2の領域、第2の層又は第2の部分といわれてもよい。本文で使用する用語は、特定な実施例を説明するためのものであり、本発明を限定することを図っているものではない。本文で使用する単数形式一及び前記は、前後に明確に指示されていない限り、複数形式を同時に含むことを図っている。用語の備え及び/又は備える、含み及び/又は含む、有し及び/又は有するが本明細書に使用される場合、前記用語は、前記構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子及び/又はユニットの存在を指定するが、1つの又は複数のその他の構造特徴、領域、整数、ステップ、操作、素子、ユニット及び/又は群の存在又は添加を排除しないことは更に理解すべきである。なお、下部又は底部及び上部又は頂部のような相対的な用語は、本文で、各図に示す1つの素子と他の素子との関係を説明することに用いられる。相対な用語は、各図に示す方位以外の装置の異なる方位を含もうとすることは理解すべきである。例えば、複数の図の中の1枚での装置を反転すれば、その他の素子の下側にあると説明された素子は、他の素子の上側に位置するようになる。そのため、例示的な用語の下部は、各図の特定な方位によって決めた上部及び下部の方位の両者を含む。同様に、複数の図の中の1枚での装置を反転すれば、その他の素子の下又は下方にあると説明された素子は、他の素子の上に位置するようになる。そのため、例示的な用語~の下にある又は~の下方にあるは、上下の方位の両者を含む。特に定義されていない限り、本文で使用する用語の全て技術用語及び科学用語は、当業者が一般的に理解するような意味と同様である。本文で、常用の辞書で定義された用語は、本関係技術及び本開示の内容の前後に適する意味で解釈すべきであり、理想的又は過正式な意味で解釈すべきことではなく、ただし、明確にそのように定義されている場合は除かれることは、更に理解すべきである。本文で使用されるような用語の層は、薄板又は薄膜を指す。本文で使用されるような用語の電極は、1種又は多種の導電材料により形成された導電層又は導電薄膜である。本文で使用されるように、用語のオーム性接触は、装置の電流-電圧曲線を線形且つ対称的にするように、半導体素子に製造された領域を指す。図1~図7の添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。本文に含まれ、且つ大まかに説明された本発明の目的によると、本発明の一態様は、発光装置に関する。図1~図5を、特に、図3及び図4を参照して、本発明の一実施例による発光装置100を示す。前記例示的な実施例において、発光装置100は、基板110に形成された多層構造120と、p電極130と、n電極140と、を備え、p電極130及びn電極140は、多層構造120に電気的に結合され、操作電流をそれに注入することに用いられる。n電極140及びp電極130は、同一の導体材料により形成され、又は異なる導体材料により形成される。多層構造120は、第1の端部121a及び反対的な第2の端部121bを有し、第1の端部121a及び反対的な第2の端部121bは、その間で発光装置100の発光領域123及び非発光領域125を画定する。図4に示すように、多層構造120は、基板110上の発光領域123及び非発光領域125に形成されたn型半導体層122と、n型半導体層122上の発光領域123に形成された活性層124と、活性層124上の発光領域123に形成されたp型半導体層126とを含む。一実例において、活性層124が、多量子井戸MultipleQuantumWell:MQW層であってよい。p電極130は、発光領域123に形成され、p型半導体層126に形成された透明導電層128を介してp型半導体層126に電気的に結合される。n電極140は、非発光領域125に形成され、n型半導体層122に電気的に結合される。図1に示すように、非発光領域125を、多層構造120に陥凹するように画定して、n型半導体層122を非発光領域125に露出させる。非発光領域125は、多層構造120の第1の端部121aに隣接して位置決められた第1の部分125a、第1の部分125aから発光領域123に延伸した第2の部分125bを有する。この実施例において、第1の部分125aは、2つの半楕円形凹部125cを含み、第2の部分125bは、発光領域123に平行に且つ間を置いて形成された複数のグルーブ/スロット125bを含む。各半楕円形凹部125cは、幅D1を有する。各グルーブ125bは、幅D2を有し、幅D2が幅D1より小さい。図2に示すように、非発光領域125の第1の部分125a中でn型半導体層122を被覆するように、絶縁体150は、n型半導体層122上の非発光領域125の第1の部分125a中に沈積し、なお、絶縁体150は、各半楕円形凹部125cの上に、幅dを有する隙間152aにより分離される151a及び151bの2つの部分に沈積し、隙間152aからn型半導体層122を露出する。隙間152aの幅dは、各グルーブ125bの幅D2と大体同じである。隙間152aは、オーム性接触を画定し、非発光領域125の第1の部分におけるn電極140は、前記オーム性接触を介して、n型半導体層122に電気的に結合される。絶縁体150は、1つ又は複数の層を含み、単一な材料又は多種の材料の化合物によって形成される。一実施例において、絶縁体150は、透明酸化物及び窒化物の中の少なくとも一種の透明酸化物及び窒化物によって形成される。具体的に、絶縁体は、SiO2、SiN、Al2O3、TiO2又はその類似物によって形成される。絶縁体150は、エピタキシャル構造を含んでよい。図1~図5に示すこの実施例において、特に、図3において、n電極140は、非発光領域125の第1の部分125a中の絶縁体150に形成されたn電極ブリッジ141、及び非発光領域125の第2の部分125bにおけるn型半導体層122に平行に形成された複数のn電極フィンガー142を有する。各n電極フィンガー142は、n電極ブリッジ141に電気的に接続された第1の端142a、及び多層構造120の発光領域123に延伸した反対的な第2の端142bを有する。n電極ブリッジ141は、非発光領域125の第1の部分125aの対応する半楕円形凹部125cにある絶縁体150に形成された1つ又は複数のワイヤー接続パッド143を含む。ワイヤー接続パッド143は、n電極140への番外端子の電気的接続を提供するように調節される。各接続パッド143は、対応するn電極フィンガー142に電気的に接続され、対応するオーム性接触152に位置決められる。従って、ワイヤー接続パッド143は、オーム性接触152を介して、n型半導体層122に電気的に接続される。さらに、複数のn電極フィンガー142は、非発光領域125の第2の部分125bにおけるn型半導体層122に、平行に形成されたため、非発光領域125の第2の部分125bにおけるn電極140が、n型半導体層122に直接に電気的に接続される。p電極130は、多層構造120の第2の端部121bに近づいて形成されたp電極ブリッジ131、及び発光領域123に平行に位置決められた複数のp電極フィンガー132を有する。各p電極フィンガー132は、p電極ブリッジ131に電気的に接続された第1の端132a、及び多層構造120の第1の端部121aに延伸した反対的な第2の端132bを有する。本発明によると、各p電極フィンガー132の第2の端132bは、n電極ブリッジ141に大体に近づく。さらに、p電極ブリッジ131は、番外端子との電気的接続をp電極130に提供するための1つ又は複数のワイヤー接続パッド133を有してよい。さらに、図3及び図4に示すように、複数のp電極フィンガー132及び複数のn電極フィンガー142は、交互的に配列されて、注入された電流を発光装置100全体に均一に分布させる。前記発光装置100に対して、電流をp電極130に注入した時、電流は、p電極フィンガー132から、p-n接合部を横切る最短経路すなわち、一般に垂直にに沿って、n型半導体層122に流れる。そして、電流は、n型半導体層122内で横方向に分散して、n電極140に達する。ワイヤー接続パッド143上に画定されたオーム性接触152のために、ワイヤー接続パッド143の領域にあるn電極140に達した電流は、オーム性接触152を通する。これにより、p電極フィンガー132からワイヤー接続パッド143からの遠い領域にある対応するn電極フィンガー142までの電流経路161b162bとp電極フィンガー132からワイヤー接続パッド143の領域にある対応するn電極140までの電流経路161a162aとが大体同じようにした。その結果、発光装置100の電流密度中の均一性を発生させた。さらに、図3に示すように、本発明によると、p電極130のp電極フィンガー132の端部132bは、多層構造120の第1の端部121aに延伸し、大体n電極140のn電極ブリッジ141及びワイヤー接続パッド143に近づき、これにより、少なくとも発光装置100の周辺部分で電流密度中の均一性を更に改良した。従って、図7に示すように、発光装置から発生した光の輝度強度が、発光装置100の発光領域において、わりに均一である。図5に示すように、発光装置100は、以下のプロセスによって製造できる。まず、基板110に、多層構造120を形成する。多層構造120は、基板110に形成されたn型半導体層122と、n型半導体層122に形成された活性層124と、活性層124に形成されたp型半導体層126と、を含む。そして、図5aに示すように、n型半導体層122を露出するように、予め選択した位置における多層構造120のp型半導体層126及び活性層124をエッチングして、その内で非発光領域125を画定する。多層構造120の残り領域は、発光領域123に対応する。非発光領域125は、多層構造120の第1の端部121aに隣接して位置決められた第1の部分125a、及び第1の部分125aから発光領域123に延伸した第2の部分125bを有するように画定される。非発光領域125の第1の部分125aは、1つ又は複数の半楕円形凹部125cを含み、第2の部分125bは、発光領域123に平行に且つ間を置いて形成された複数のグルーブ/スロット125bを含む。各半楕円形凹部125cは、幅D1を有する。各グルーブ125bは、幅D2を有し、幅D2が幅D1より小さい。次のプロセスでは、図5bに示すように、非発光領域125の第1の部分125aにおける露出されたn型半導体層122に絶縁材料を沈積させて、絶縁体150を形成する。各半楕円形凹部125cにおいて、絶縁体150は、幅dを有する隙間152aにより分離された151a及び151bの2つの部分に沈積し、隙間152aからn型半導体層122を露出する。隙間152aの幅dは、各グルーブ125bの幅D2と大体同じである。透明導電層128は、場合によって発光領域123におけるp型半導体層126に形成される。そして、図5cに示すように、非発光領域125に、n電極140を形成して、非発光領域125の第1の部分125aにおけるn電極140が、隙間152aに画定されたオーム性接触152を介して、n型半導体層122に電気的に結合されるようにすると同時に、非発光領域125の第2の部分125bにおけるn電極140が、n型半導体層122に直接に電気的に結合される。隙間152aは、オーム性接触152を画定し、非発光領域125の第1の部分におけるn電極140は、オーム性接触152を介して、n型半導体層122に電気的に結合される。最後に、透明導電層128にp電極130を形成して、p電極130が透明導電層128を介して、p型半導体層126に電気的に結合されるようにする。ただし、同様なプロセスステップによって、p電極130をn電極140と共に形成してもよい。本発明の他の実施例による発光装置600を示す図6を参照する。発光装置600は、図1~図5に示す発光装置100と同様である。発光装置600は、基板610に形成されたn型半導体層622と、n型半導体層622に形成された活性層624と、活性層624に形成されたp型半導体層626と、を有する多層構造620を備える。一実例において、活性層624が、多量子井戸MultipleQuantumWell:MQW層であってよい。発光装置600は、p型半導体層626に形成された透明導電層628を備えてもよい。多層構造620は、第1の端部及び反対的な第2の端部を有し、前記第1の端部及び前記反対的な第2の端部は、その間で発光領域623及び非発光領域625を画定する。非発光領域625は、第1の端部に隣接して位置決められた第1の部分625a、及び第1の部分から発光領域623に延伸した第2の部分を有する。多層構造620は、発光装置100の非発光領域125の第1の部分125aに絶縁体150を形成する代わりに、発光装置600の非発光領域625の第1の部分625aに、エピタキシャル構造650を画定する。本発明によると、エピタキシャル構造650は、少なくとも一層を含む。図6に示すように、エピタキシャル構造650は、p層/活性層/n層構造を有し、多層構造620の活性層624及びp型半導体層626から隔離される。具体的に、エピタキシャル構造650は、幅gを有する隙間651によって、多層構造620の活性層624及びp型半導体層626から空間的に隔離される。さらに、エピタキシャル構造650は、n型半導体層622を露出するために、1つ又は複数のグルーブ652aを画定して、オーム性接触を提供する。さらに、p電極630は、発光領域623における透明導電層628に形成され、透明導電層628を介して、p型半導体層626に電気的に結合される。n電極640は非発光領域625に形成され、n型半導体層622に電気的に結合される。同様に、n電極640は、非発光領域625の第1の部分625a中のエピタキシャル構造650に形成されたn電極ブリッジ641、及び非発光領域625の第2の部分中のn型半導体層640に平行に形成された複数のn電極フィンガーを有する。n電極ブリッジ641は、エピタキシャル構造650に形成された1つ又は複数のワイヤー接続パッド643を含む。各接続パッド643は、対応するn電極フィンガーに電気的に接続され、対応するオーム性接触652に位置決められる。従って、ワイヤー接続パッド643は、オーム性接触652を介して、n型半導体層622に電気的に接続される。p電極630は、多層構造620の第2の端部に近づいて形成されたp電極ブリッジ、及び発光領域623に平行に位置決められた複数のp電極フィンガー632を有する。複数のp電極フィンガー632及び複数のn電極フィンガーは、交互的に配列される。前記発光装置600に対して、エピタキシャル構造650は、図1~図5に示す発光装置100の絶縁体150と同様に有効であり、ダイオードのように運転する。電流をp電極630に注入した場合、電流は、p電極フィンガー632から、p-n接合部を横切る最短経路すなわち、一般に垂直にに沿って、n型半導体層622に流れる。そして、電流は、n型半導体層622内で、横方向に分散して、n電極640に達する。ワイヤー接続パッド643上に画定されたオーム性接触652のために、ワイヤー接続パッド643の領域にあるn電極640に達した電流が、オーム性接触652を通る。これにより、p電極フィンガー632からワイヤー接続パッド643からの遠い領域にある対応するn電極フィンガーまでの電流経路とp電極フィンガー632からワイヤー接続パッド643の領域にある対応するn電極フィンガーまでの電流経路とが大体同じようにした。その結果、発光装置600の電流密度中の均一性を発生させた。従って、図7に示すように、発光装置から発生した光の輝度強度が、発光装置600の発光領域において、わりに均一である。図6a及び図6bに示すように、本発明の一態様において、発光装置600の製造方法は、基板610に多層構造620を形成するステップと、非発光領域625の第1の部分625aにエピタキシャル構造650を形成し、かつ非発光領域625の第2の部分で、n型半導体層622を露出するように非発光領域625における多層構造620をエッチングするステップと、を含む。エピタキシャル構造650は、n型半導体層622を露出するように、1つ又は複数のグルーブ652aを画定して、オーム性接触を提供する。前記方法は、発光領域623におけるp型半導体層626に、透明導電層628を形成するステップを備えてよい。前記方法は、非発光領域625に、n電極640を形成して、非発光領域625の第1の部分625aにおけるn電極640が、オーム性接触652を介して、n型半導体層622に電気的に結合されるようにすると同時に、非発光領域625の第2の部分におけるn電極640が、n型半導体層622に直接に電気的に結合されるようにするステップを更に備える。n電極640を形成すると同時に、又はその後、透明導電層628に、p電極630を形成して、p電極630が、透明導電層628を介して、p型半導体層626に電気的に結合されるようにする。要するに、本発明において、絶縁体及び/又はn電極の下に形成されたエピタキシャル構造を有する発光装置を説明して、n電極フィンガーと隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路と、ワイヤー接続パッドの下方のオーム性接触と隣接するp電極フィンガーとの間の電流経路が大体同じようにし、その結果、発光装置の電流密度中の均一性を発生させる。従って、発光装置から発生した光の輝度強度が、発光装置の発光領域において、わりに均一である。説明及び叙述のために、本発明の例示的な実施例に対する前記叙述を提出しており、網羅的に挙げたり本発明を開示した精確な形式に限定したりすることを図るものではない。前記示唆に鑑みて、多くの修正又は変化は、可能である。本発明の原則及びその実際の応用を説明するために、前記実施例を選択してそれを説明する目的は、他の当業者が本発明及び多様な修正を行われた多様な実施例を利用できるようにすることにあり、前記多様な修正は、同時に、予期される特定な用途に適する。本発明の精神と範囲から逸脱しない場合、代替実施例は当業者に明らかである。そのため、本発明の範囲は、前記叙述又は前記で説明した例示的な実施例によって限定されるものではなく、付加の特許請求の範囲によって限定される。"