半導体90に付着した異物を吸引手段1により吸引除去する異物除去装置において、前記吸引手段1は、吸引時に前記半導体90との間に空間100を形成して前記半導体90を覆うノズル部10を備え、前記ノズル部10には、複数の連通孔101、102が形成され、前記複数の連通孔101、102は、前記空間100に気体を導く導入孔102と前記導入孔102を介して前記空間100に流入した気体を吸引する吸引孔101とを有し、前記導入孔102および前記吸引孔101のうち、どちらか一方の連通孔は前記空間100に対し複数の開口部102aを有し、他方の連通孔は前記空間100に対し1つのみの開口部101aを有し、前記他方の連通孔の開口部101aは、複数形成された前記一方の連通孔の開口部102aに囲まれた位置に形成され、前記導入孔102から前記空間100に流入した気体が同一旋回向きの渦流となって前記吸引孔101に吸引されることを特徴とする異物除去装置。前記空間100側から前記ノズル部10を見たときの、前記導入孔102から前記空間100に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向きL1~L8としたとき、前記各導入孔102の流入時流れ向きL1~L8の延長線が交差しないように、前記各導入孔102の流入時流れ向きL1~L8が設定されていることを特徴とする請求項1に記載の異物除去装置。前記吸引孔101の通路断面積は、前記複数個の導入孔102の合計通路断面積以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の異物除去装置。半導体90に付着した異物を吸引手段1により吸引除去する異物除去装置において、前記吸引手段1は、吸引時に前記半導体90との間に空間100を形成して前記半導体90を覆うノズル部10を備え、前記ノズル部10には、前記空間100に気体を導く1個の導入孔102と、前記導入孔102を介して前記空間100に流入した気体を吸引する吸引孔101が形成されていることを特徴とする異物除去装置。前記吸引孔101は、前記導入孔102の周囲に複数個配置されていることを特徴とする請求項4に記載の異物除去装置。気体を加圧して前記導入孔102に供給する加圧手段6を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の異物除去装置。吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ36を備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の異物除去装置。前記パーティクルカウンタ36は、前記吸引孔101に吸引された気体を外部に排出させる排気装置を兼ねることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の異物除去装置。しかしながら、従来の異物除去装置は、空間側から本体部を見たとき、2つの導入孔は吸引孔を挟んで対称的に配置されるとともに吸引孔に向かって延びているため、各導入孔から吸引孔に向かう気流同士が正面からぶつかり合って乱流化する。そして、気流が層流であれば異物は気流とともに移動して吸引孔に吸引されるが、上記のように吸引孔に至る前に気流が乱流になる場合、気流とともに移動していた異物の一部が気流外に飛散してしまい、異物が半導体の周囲に残存してしまうという問題があった。本発明は上記点に鑑みて、半導体の周囲に残存する異物を少なくすることを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体90に付着した異物を吸引手段1により吸引除去する異物除去装置において、吸引手段1は、吸引時に半導体90との間に空間100を形成して半導体90を覆うノズル部10を備え、ノズル部10には、複数の連通孔101、102が形成され、複数の連通孔101、102は、空間100に気体を導く導入孔102と導入孔102を介して空間100に流入した気体を吸引する吸引孔101とを有し、導入孔102および吸引孔101のうち、どちらか一方の連通孔は空間100に対し複数の開口部102aを有し、他方の連通孔は空間100に対し1つのみの開口部101aを有し、他方の連通孔の開口部101aは、複数形成された一方の連通孔の開口部102aに囲まれた位置に形成され、導入孔102から空間100に流入した気体が同一旋回向きの渦流となって吸引孔101に吸引されることを特徴とする。これによると、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は、正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流するため、乱流化し難い。したがって、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引され、半導体90の周囲に残存する異物を少なくすることができる。また、複数個の導入孔102を備えているため、半導体周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔101に導くことができる。請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の異物除去装置において、空間100側からノズル部10を見たときの、導入孔102から空間100に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向きL1~L8としたとき、各導入孔102の流入時流れ向きL1~L8の延長線が交差しないように、各導入孔102の流入時流れ向きL1~L8が設定されていることを特徴とする。これによると、ある導入孔102から空間100に流入した直後の気流すなわち、渦流になる前の気流が、他の導入孔102から空間100に流入した直後の気流にぶつかることが回避されるため、半導体90の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。請求項3に記載の発明では、請求項1または2に記載の異物除去装置において、吸引孔101の通路断面積は、複数個の導入孔102の合計通路断面積以上であることを特徴とする。これによると、吸引する気体の流量を十分に確保して、半導体90の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。請求項4に記載の発明では、半導体90に付着した異物を吸引手段1により吸引除去する異物除去装置において、吸引手段1は、吸引時に半導体90との間に空間100を形成して半導体90を覆うノズル部10を備え、ノズル部10には、空間100に気体を導く1個の導入孔102と、導入孔102を介して空間100に流入した気体を吸引する吸引孔101が形成されていることを特徴とする。これによると、吸引孔101に向かう気流はぶつかり合わないため乱流化し難い。したがって、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引され、半導体90の周囲に残存する異物を少なくすることができる。請求項5に記載の発明では、請求項4に記載の異物除去装置において、吸引孔101は、導入孔102の周囲に複数個配置されていることを特徴とする。これによると、半導体周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔101に導くことができる。請求項6に記載の発明では、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の異物除去装置において、気体を加圧して導入孔102に供給する加圧手段6を備えることを特徴とする。これによると、大気以外の気体、例えばドライ窒素ガスやドライエアーを利用することにより、半導体90の酸化を防止することができる。請求項7に記載の発明では、請求項1ないし6のいずれか1つに記載の異物除去装置において、吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ36を備えることを特徴とする。これによると、異物を吸引手段1により吸引除去するまでの半導体装置製造工程における、異物除去状況を推定することができる。請求項8に記載の発明のように、請求項1ないし7のいずれか1つに記載の異物除去装置において、パーティクルカウンタ36は、吸引孔101に吸引された気体を外部に排出させる排気装置を兼ねることができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1は第1実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図、図2aは図1の装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図2bは図1の装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図、図3aは図1の吸引ノズルを示す正面断面図、図3bは図3aの下面図である。図1~図3に示すように、異物除去装置は、センサチップ等の半導体90が封止パッケージ91内に組み付けられた半導体装置9を対象ワークとするもので、半導体装置9の開口部を覆って内部の気体を吸引することにより異物を除去する吸引手段としての吸引ノズル1、半導体装置9を複数個本実施形態では5個搭載して搬送する搬送キャリア2、気体を吸引し外部に排出させて負圧を発生させる排気装置としての真空ポンプ3、および、搬送キャリア2が載せられる台4を備えている。吸引ノズル1と真空ポンプ3とを接続する第1通路31中に、この第1通路31を開閉する吸引側バルブ32、第1通路31を流れる気体の流量が設定範囲内であるか否かを示す信号を図示しない制御装置に出力する吸引側フロースイッチ33、および、第1通路31を流れる気体の圧力を所定圧以下に調整する吸引側レギュレータ34が配置されている。さらに、搬送キャリア2と真空ポンプ3とを接続する第2通路35中に、この第2通路35を開閉する吸着側バルブ36が配置されている。吸引ノズル1には、半導体装置9に対応して、本実施形態では5箇所に、直方体のノズル部10が設けられている。異物吸引中図2b参照は、封止パッケージ91の開口部がノズル部10によって塞がれて、ノズル部10と半導体90との間に空間100が形成される。ノズル部10の中央には、一端側が空間100に連通するとともに、他端側が第1通路31を介して真空ポンプ3に接続された吸引孔101が1個設けられている。また、ノズル部10には、一端側が空間100に連通するとともに、他端側が大気に開放された導入孔102が4個設けられている。そして、吸引側バルブ32が開弁すると、空間100内の気体本実施形態では空気が吸引孔101から吸引され、それに伴い、導入孔102を介して空間100内に気体が導かれるようになっている。なお、吸引孔101および導入孔102は、本発明の連通孔に相当する。図2に示すように、吸引孔101は、半導体90において封止パッケージ91に接合された面の反対側の面900以下、反接合面900というの中央部に対向し、且つ、反接合面900に対して垂直に延びている。図3aに示すように、ノズル部10を横から見たとき、導入孔102は、空間側開口部102aが反空間側開口部102bよりも吸引孔101に近くなるように傾斜している。また、図3bに示すように、4個の導入孔102は、吸引孔101の周方向に沿って等間隔に配置されている。さらに、吸引孔101の空間側開口部101aは、4個の導入孔102の空間側開口部102aに囲まれた位置に形成されている。そして、空間100側からノズル部10を見たときの、各導入孔102の延伸方向すなわち、各導入孔102の軸線の方向は、吸引孔101の中心から外れている。したがって、空間100側からノズル部10を見たときの、各導入孔102から空間100に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向きL1~L4としたとき、各流入時流れ向きL1~L4は吸引孔101の中心から外れており、これにより、導入孔102から空間100を通って吸引孔101に向かう気流に旋回運動を与えるようにしている。さらに、空間100側からノズル部10を見たときの、吸引孔101と導入孔102の反空間側開口部102bとを通る線を基準線とし、その基準線と流入時流れ向きL1~L4とのなす角を傾斜角Rとしたとき、各流入時流れ向きL1~L4の延長線が交差しないように傾斜角Rが設定されている。因みに、本実施形態では、傾斜角R=30°としている。図2に示すように、搬送キャリア2には、半導体装置9を収容する凹部21が設けられており、この凹部21の底部には、第2通路35を介して真空ポンプ3に接続される貫通孔22が設けられている。次に、異物除去装置を用いて半導体90に付着した異物を除去する方法を説明する。まず、半導体装置9を用意し、搬送キャリア2の凹部21に半導体装置9を収容する。続いて、半導体装置9を収容した搬送キャリア2を台4の上に搬送し載せる。続いて、吸着側バルブ36を開弁させ、搬送キャリア2の貫通孔22に負圧を作用させて、半導体装置9を搬送キャリア2に吸着し固定する。このとき、搬送キャリア2の上方に吸引ノズル1が待機している図2a参照。続いて、吸引ノズル1を半導体装置9に近づけ、ノズル部10を封止パッケージ91に密着させて、封止パッケージ91の開口部をノズル部10によって塞ぐ図2b参照。続いて、吸引側バルブ32を開弁させ、空間100内の気体を吸引孔101から吸引し、吸引した気体を第1通路31を介して外部に排出する。これにより空間100が減圧されるため、導入孔102を介して空間100内に気体が導入される。そして、導入孔102から吸引孔101に向かう気流を半導体90に吹き付けて、半導体90に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔101に導き、さらに第1通路31を介して外部に排出する。ここで、導入孔102から空間100を通って吸引孔101に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔102から吸引孔101に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、乱流化し難い。したがって、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引され、半導体9の周囲に残存する異物を少なくすることができる。また、複数個の導入孔102を備えているため、半導体9の周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔101に導くことができる。さらに、各流入時流れ向きL1~L4の延長線が交差しないように各流入時流れ向きL1~L4が設定されているため、ある導入孔102から空間100に流入した直後の気流すなわち、渦流になる前の気流が、他の導入孔102から空間100に流入した直後の気流にぶつかることが回避される。したがって、気流の衝突により異物が気流外に飛散することが回避され、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引され、半導体9の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。さらにまた、吸引孔101の通路断面積を、4個の導入孔102の合計通路断面積以上に設定することにより、吸引する気体の流量を十分に確保して、半導体9の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。なお、吸引側バルブ32を開弁させて空間100内の気体を吸引孔101から吸引している際に、第1通路31を流れる気体の流量が設定範囲外になった場合すなわち、正常な作動状態でない場合は、吸引側フロースイッチ33からの信号に基づいて、制御装置は異物除去装置の作動を停止させる。続いて、異物を吸引除去した後、吸引側バルブ32を閉弁させて吸引孔101からの吸引を停止し、吸引ノズル1を上方に退避させる。そして、搬送キャリア2を次の工程に移送し、異物除去工程を終了する。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。図4aは第2実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図4bは第2実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図である。以下、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第1実施形態では、半導体90が封止パッケージ91内に組み付けられた半導体装置9を対象ワークとしたが、本実施形態では、半導体90のみを対象ワークとしている。図4に示すように、第1実施形態の搬送キャリア2の代わりに、半導体吸着ノズル5が設けられている。この半導体吸着ノズル5は、貫通孔50を備えている。この貫通孔50は、第2通路35図1参照を介して真空ポンプ3図1参照に接続されている。ノズル部10には、半導体90を収容する凹部103が設けられており、この凹部103の底部に、1個の吸引孔101と複数個の導入孔102が開口している。本実施形態装置にて半導体90に付着した異物を除去する際には、まず半導体90を半導体吸着ノズル5に吸着し固定する。図4a参照。続いて、吸引ノズル1を半導体90に近づけ、ノズル部10を半導体吸着ノズル5に密着させて、ノズル部10の凹部103を塞ぐ図4b参照。続いて、吸引側バルブ32図1参照を開弁させ、空間100内の気体を吸引孔101から吸引し、吸引した気体を第1通路31図1参照を介して外部に排出する。これにより空間100が減圧されるため、導入孔102を介して空間100内に気体が導入される。そして、導入孔102から吸引孔101に向かう気流を半導体90に吹き付けて、半導体90に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔101に導き、さらに第1通路31を介して外部に排出する。そして、第1実施形態と同様に、導入孔102から空間100を通って吸引孔101に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔102から吸引孔101に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引される。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。図5は第3実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図、図6aは図5の吸引ノズルを示す正面断面図、図6bは図6aの下面図である。以下、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図5に示すように、異物除去装置は、気体を加圧して導入孔102に供給する加圧手段6を備えている。この加圧手段6は、気体を加圧して吐出する加圧装置としての吐出ポンプ60を備えている。また、加圧手段6は、吸引ノズル1と吐出ポンプ60とを接続する第3通路61中に、この第3通路61を開閉する加圧側バルブ62、第3通路61を流れる気体の流量が設定範囲内であるか否かを示す信号を図示しない制御装置に出力する加圧側フロースイッチ63、および、第3通路61を流れる気体の圧力を所定圧以下に調整する加圧側レギュレータ64が配置されている。図6に示すように、第3通路61が接続される1個の加圧側接続部104が吸引ノズル1の側面に設けられ、この加圧側接続部104と4個の導入孔102とを連通させる連通路105が吸引ノズル1の内部に設けられている。本実施形態装置では、空間100内の気体を吸引孔101から吸引する際に、加圧側バルブ62を開弁させて、圧力制御及び流量制御された気体を導入孔102から空間100内に吐出する。そして、第1実施形態と同様に、導入孔102から空間100を通って吸引孔101に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔102から吸引孔101に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引される。また、本実施形態によると、空間100に供給する気体として、例えばドライ窒素ガスやドライエアーを利用することにより、半導体の酸化を防止することができる。なお、加圧側接続部104は、吸引ノズル1の形状に応じて吸引ノズル1の上面に設けてもよい。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。図7は第4実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図である。以下、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図7に示すように、吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ36が、第1通路31に接続されている。このパーティクルカウンタ36は、気体を吸引し外部に排出させて負圧を発生させる排気装置としての真空ポンプ図示せずを内蔵している。また、第1実施形態における吸引側フロースイッチ33および吸引側レギュレータ34が廃止されている。ただし、吸引側フロースイッチ33は廃止しなくてもよい。さらに、真空ポンプ3は、第1通路31とは接続されていない。本実施形態装置では、パーティクルカウンタ36にて異物の数量をカウントすることにより、異物を吸引ノズル1により吸引除去するまでの前工程における異物除去状況を推定することができる。具体的には、パーティクルカウンタ36にてカウントした異物の数量が閾値以下の場合は、前工程における異物除去状況が許容範囲にあると推定する。そして、パーティクルカウンタ36にてカウントした異物の数量が閾値を超えている場合は、吸引側パーティクルカウンタ36からの信号に基づいて、制御装置は異物除去装置の作動を停止、或いは不良判定してワークを排出する。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。図8は第5実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図、図9は図8の吸引ノズルの下面図、図10は図8のA-A線に沿う断面図である。以下、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図8~図10に示すように、導入孔102は8個設けられている。それらの導入孔102の流入時流れ向きL1~L8は、半導体90と封止パッケージ91の隙間を向いている。より詳細には、半導体90の外周側面の1面と封止パッケージ91の内周壁面の1面との間のエリアに、2つの導入孔102から気流が噴出される。このため、異物を除去するエリアが広い場合でも確実に気流を発生させることができる。また、導入孔102の流入時流れ向きL1~L8は、封止パッケージ91の内部の角部910を向いている。これにより、角部910近辺に流れが発生して、角部910およびその近辺に付着している異物が効率よく気流に取り込まれ、且つ、半導体90と封止パッケージ91の隙間に同一旋回向きの流れを発生させることができ、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引される。第6実施形態本発明の第6実施形態について説明する。図11aは第6実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図11bは第6実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図、図12は図11の吸引ノズルを示す下面図である。以下、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図11、図12に示すように、吸引ノズル1のノズル部10には、その中央に導入孔102が1個設けられている。この導入孔102は、半導体90における反接合面900の中央部に対向し、且つ、反接合面900に対して垂直に延びている。また、ノズル部10には、導入孔102の周囲に吸引孔101が複数個本実施形態では8個配置されている。この吸引孔101は、空間側開口部101aが反空間側開口部101bよりも導入孔102に近くなるように傾斜している。本実施形態装置では、吸引側バルブ32図1参照を開弁させ、空間100内の気体を複数個の吸引孔101から同時に吸引し、吸引した気体を第1通路31図1参照を介して外部に排出する。これにより空間100が減圧されるため、1個の導入孔102を介して空間100内に気体が導入される。そして、導入孔102から吸引孔101に向かう気流を半導体90に吹き付けて、半導体90に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔101に導き、さらに第1通路31を介して外部に排出する。ここで、導入孔102から空間100を通って吸引孔101に向かう気流は、半導体90に衝突した後、各吸引孔101に向かって外側へ流れる。したがって、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は、ぶつかり合わないためすなわち、気流同士がお互いの流れを阻害しないため層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引され、半導体9の周囲に残存する異物を少なくすることができる。また、導入孔102の周囲に吸引孔101を複数個配置しているため、半導体90の周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔101に導くことができる。なお、本実施形態では、吸引孔101を複数個設けたが、吸引孔101は1個でもよい。このように、吸引孔101を1個にした場合でも、導入孔102から吸引孔101に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔101に吸引される。他の実施形態なお、第1~第5実施形態においては、対象ワークの形状に応じて、導入孔102の位置や数さらには傾斜角Rを変更することができる。例えば、図13に示す第1変形例のように、導入孔102を2個設け、空間100側からノズル部10を見たとき導入孔102の空間側開口部102aが吸引孔101の両側に位置するように導入孔102を配置し、傾斜角Rを30°にしてもよい。また、第1~第5実施形態においては、対象ワークの形状に応じて、図14に示す第2変形例のように、傾斜角Rを50°にしてもよい。さらに、各導入孔102の傾斜角Rは同一角度でなくてもよく、気流同士がぶつかるのを回避できる範囲で、対象ワークの形状に応じて各導入孔102の傾斜角Rを異ならせてもよい。さらに、第1~第5実施形態においては、吸引孔101を複数個設け、導入孔102を1個設けてもよい。また、上記各実施形態では、吸引孔101と第1通路31とを吸引ノズル1の上面または下面にて接続したが、図15に示す第3変形例のように、吸引ノズル1の形状に応じて、吸引孔101と第1通路31とを吸引ノズル1の側面にて接続してもよい。また、上記各実施形態第3実施形態を除くでは、導入孔102の反空間側開口部102bを吸引ノズル1の上面または下面に配置したが、図15に示す第3変形例のように、吸引ノズル1の形状に応じて、導入孔102の反空間側開口部102bを吸引ノズル1の側面に配置してもよい。また、上記各実施形態では、吸引孔101および導入孔102の断面積を一定にしたが、図16に示す第4変形例のように、吸引孔101および導入孔102は断面積が一定でなくてもよい。具体的には、図16aに示すように、吸引孔101および導入孔102をともに段付き形状にしてもよいし、図16bに示すように、導入孔102のみを段付き形状にしてもよいし、図16cに示すように、導入孔102のみをテーパ形状にしてもよい。なお、上記各実施形態は、実施可能な範囲で任意に組み合わせが可能である。