"ベースとなる樹脂製の基板と、前記基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの一部を被覆する絶縁層とを有し、前記配線パターン上の所定位置には、銅を主成分とした金属から構成され、半導体チップと接続されるポストが立設され、前記ポストが、前記基板を貫通した状態で前記配線パターン上に立設されていることを特徴とする配線基板。ベースとなる樹脂製の基板と、前記基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの一部を被覆する絶縁層とを有し、前記配線パターン上の所定位置には、銅を主成分とした金属から構成され、半導体チップと接続されるポストが立設され、前記ポストが、前記絶縁層を貫通した状態で前記配線パターン上に立設されていることを特徴とする配線基板。前記ポストは、高さが35μm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。前記ポストは、半導体チップと接続される頂部から前記配線パターンと接続された基部に向けて先細の逆テーパ状を呈していることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の配線基板。前記基板が、前記ポストの側面を被覆する保護層として機能していることを特徴とする請求項1、3または4のいずれか1項に記載の配線基板。前記絶縁層が、前記ポストの側面を被覆する保護層として機能していることを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の配線基板。前記ポストの頂部には、半田バンプが設けられていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の配線基板。樹脂製の基板の所定位置に第1の貫通孔を形成する工程と、前記基板に第1の金属下地層を形成する工程と、前記基板の一面側の前記第1の金属下地層を、所定パターンの第1の樹脂層で被覆する工程と、前記第1の樹脂層から露出している前記第1の金属下地層に銅を主成分とする第1の金属層を形成するとともに、前記第1の貫通孔に銅を主成分とする第2の金属層を充填する工程と、前記基板の前記第1の樹脂層が形成された面の反対面に形成された前記第1の金属下地層および前記第1の金属層を除去し、前記第2の金属層から構成されるポストを形成する工程と、前記第1の樹脂層を除去する工程と、前記第1の樹脂層で被覆されていた部分の前記第1の金属下地層を除去し、前記第1の金属層から構成される配線パターンの一部を形成する工程と、前記配線パターンの一部を被覆する第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の所定位置に前記配線パターンの一部が露出するまで第2の貫通孔を形成する工程と、前記第1の絶縁層に第2の金属下地層を形成する工程と、前記第2の金属下地層を所定パターンの第2の樹脂層で被覆する工程と、前記第2の樹脂層から露出している前記第2の金属下地層に銅を主成分とする第3の金属層を形成する工程と、前記第2の樹脂層を除去する工程と、前記第2の樹脂層で被覆されていた部分の前記第2の金属下地層を除去し、前記第3の金属層から構成される配線パターンの残り部分を形成する工程と、前記配線パターンの残り部分を第2の絶縁層で被覆する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。樹脂製の基板の所定位置に第1の貫通孔を形成する工程と、前記基板に第1の金属下地層を形成する工程と、前記第1の金属下地層に銅を主成分とする所定パターンの第1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層から露出した前記第1の金属下地層を除去し、前記第1の金属層から構成される配線パターンを形成する工程と、前記基板の両面に絶縁層をそれぞれ形成し、前記配線パターンを第1の絶縁層と第2の絶縁層とで被覆する工程と、前記第1の絶縁層の所定位置に前記配線パターンが露出するまで第2の貫通孔を形成する工程と、前記第1の絶縁層と前記第2の貫通孔とに第2の金属下地層を形成する工程と、前記第2の金属下地層に銅を主成分とする第2の金属層を形成するとともに、前記第2の貫通孔に銅を主成分とする第3の金属層を充填する工程と、前記第1の絶縁層上の前記第2の金属下地層および第2の金属層を除去し、前記第3の金属層から構成されるポストを形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。前記第3の金属層から構成されるポストを形成する工程の後に、前記第1の絶縁層を剥離する工程を有することを特徴とする請求項9に記載の配線基板の製造方法。貫通電極を有する複数枚の半導体チップを、請求項1~7のいずれか1項に記載の配線基板上に積層した半導体装置において、前記半導体チップには前記配線基板と接続される電極が形成され、前記配線基板のポストの高さと前記半導体チップの電極の高さとの合計が35μm以上であることを特徴とする半導体装置。複数枚の半導体チップを、1枚ごとに、請求項1~7のいずれか1項に記載の配線基板に実装した半導体装置において、前記半導体チップには前記配線基板と接続される電極が形成され、前記配線基板のポストの高さと前記半導体チップの電極の高さとの合計が35μm以上であることを特徴とする半導体装置。ところで、半導体チップとインターポーザとの電気的な接続は、一般的には、半導体チップまたはインターポーザの少なくとも一方の外部接続電極に対し、単に半田バンプを設けてこれを溶融リフローすることによりおこなわれる。このような接続構造では、半田が流れて絶縁層の厚みが確保できず、リフロークラックが生じる可能性がある。さらには、上述した半導体チップの多段化やファインピッチ化に伴い、エレクトロマイグレーションが生じ、半導体チップとインターポーザとの接続部分で抵抗が上がるという可能性もある。したがって、本発明の主な目的は、リフロークラックの発生やエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる配線基板およびその製造方法ならびにそのような配線基板を利用した半導体装置を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明の第1の態様によれば、ベースとなる樹脂製の基板と、前記基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの一部を被覆する絶縁層とを有し、前記配線パターン上の所定位置には、銅を主成分とした金属から構成され、半導体チップと接続されるポストが立設され、前記ポストが前記基板を貫通した状態で前記配線パターン上に立設されていることを特徴とする配線基板が提供される。本発明の第2の態様によれば、ベースとなる樹脂製の基板と、前記基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの一部を被覆する絶縁層とを有し、前記配線パターン上の所定位置には、銅を主成分とした金属から構成され、半導体チップと接続されるポストが立設され、前記ポストが前記絶縁層を貫通した状態で前記配線パターン上に立設されていることを特徴とする配線基板が提供される。本発明の第3の態様によれば、樹脂製の基板の所定位置に第1の貫通孔を形成する工程と、前記基板に第1の金属下地層を形成する工程と、前記基板の一面側の前記第1の金属下地層を所定パターンの第1の樹脂層で被覆する工程と、前記第1の樹脂層から露出している前記第1の金属下地層に銅を主成分とする第1の金属層を形成するとともに、前記第1の貫通孔に銅を主成分とする第2の金属層を充填する工程と、前記基板の前記第1の樹脂層が形成された面の反対面に形成された前記第1の金属下地層および前記第1の金属層を除去し、前記第2の金属層から構成されるポストを形成する工程と、前記第1の樹脂層を除去する工程と、前記第1の樹脂層で被覆されていた部分の前記第1の金属下地層を除去し、前記第1の金属層から構成される配線パターンの一部を形成する工程と、前記配線パターンの一部を被覆する第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の所定位置に前記配線パターンの一部が露出するまで第2の貫通孔を形成する工程と、前記第1の絶縁層に第2の金属下地層を形成する工程と、前記第2の金属下地層を所定パターンの第2の樹脂層で被覆する工程と、前記第2の樹脂層から露出している前記第2の金属下地層に銅を主成分とする第3の金属層を形成する工程と、前記第2の樹脂層を除去する工程と、前記第2の樹脂層で被覆されていた部分の前記第2の金属下地層を除去し、前記第3の金属層から構成される配線パターンの残り部分を形成する工程と、前記配線パターンの残り部分を第2の絶縁層で被覆する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。本発明の第4の態様によれば、樹脂製の基板の所定位置に第1の貫通孔を形成する工程と、前記基板に第1の金属下地層を形成する工程と、前記第1の金属下地層に銅を主成分とする所定パターンの第1の金属層を形成する工程と、前記第1の金属層から露出した前記第1の金属下地層を除去し、前記第1の金属層から構成される配線パターンを形成する工程と、前記基板の両面に絶縁層をそれぞれ形成し、前記配線パターンを第1の絶縁層と第2の絶縁層とで被覆する工程と、前記第1の絶縁層の所定位置に前記配線パターンが露出するまで第2の貫通孔を形成する工程と、前記第1の絶縁層と前記第2の貫通孔とに第2の金属下地層を形成する工程と、前記第2の金属下地層に銅を主成分とする第2の金属層を形成するとともに、前記第2の貫通孔に銅を主成分とする第3の金属層を充填する工程と、前記第1の絶縁層上の前記第2の金属下地層および第2の金属層を除去し、前記第3の金属層から構成されるポストを形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。本発明の第5の態様によれば、貫通電極を有する複数枚の半導体チップを、請求項1~7のいずれか1項に記載の配線基板上に積層した半導体装置において、前記半導体チップには前記配線基板と接続される電極が形成され、前記配線基板のポストの高さと前記半導体チップの電極の高さとの合計が35μm以上であることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明の第6の態様によれば、複数枚の半導体チップを、1枚ごとに、請求項1~7のいずれか1項に記載の配線基板に実装した半導体装置において、前記半導体チップには前記配線基板と接続される電極が形成され、前記配線基板のポストの高さと前記半導体チップの電極の高さとの合計が35μm以上であることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明によれば、リフロークラックの発生やエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。[第1の実施形態]半導体装置100は、いわゆるTSVThroughSiliconVia構造を有する半導体パッケージであり、図1に示すとおり、主に半導体チップ積層体10、コントローラ20およびインターポーザ30から構成されている。図2に示すとおり、半導体チップ積層体10は、複数枚のSi製の半導体チップ12が積層され構成されている。各半導体チップ12は、DRAMDynamicRandomAccessMemoryとして機能するものである。各半導体チップ12には貫通孔14Viaが形成されており、貫通孔14を通じて貫通電極16が形成されている。各半導体チップ12は、貫通電極16を通じて他の半導体チップ12やコントローラ20と電気的に接続されている。コントローラ20は、Si製の半導体チップ22を有している。半導体チップ22にも貫通孔24Viaが形成されており、貫通孔24を通じて貫通電極26が形成されている。半導体チップ22は、アンダーフィル28により封止されている。コントローラ20は、貫通電極26を通じて半導体チップ積層体10やインターポーザ30と電気的に接続されている。インターポーザ30は、半導体チップ22の電極のピッチ拡張のための配線基板である。インターポーザ30は、可撓性のフレキシブル基板にバンプが形成されたいわゆる半田バンプ付きインターポーザである。図3に示すとおり、インターポーザ30は、ベースとなる樹脂製の基板32を有している。基板32は、たとえばポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂などから構成されており、好ましくはポリイミド樹脂から構成される。基板32の下部には、絶縁層34が形成されている。絶縁層34は、接着剤層36と補強フィルム38とから構成されている。接着剤層36は、たとえばエポキシ系接着剤やポリイミド系接着剤などから構成されており、好ましくはエポキシ系接着剤から構成される。補強フィルム38は、たとえばポリイミド樹脂製のフィルムから構成されている。絶縁層34の下部には、絶縁層40が形成されている。絶縁層40は、ソルダーレジストから形成された層である。基板32上には、絶縁層34の接着剤層36から絶縁層40にかけて3次元的構造を有する配線パターン50が形成されている。配線パターン50は、銅を主成分とした金属で構成されている。銅を主成分とする金属とは、銅単体であってもよいし、銅に対してニッケル、コバルト、鉄などが添加された合金であってもよい。銅を主成分とする金属を合金とする場合、銅に対するニッケルなどの添加量は好ましくは20以下である。配線パターン50は主に、下部配線部52、連結配線部54および上部配線部56から構成されている。以後の説明をわかりやすくするために、配線パターン50をこれら部位に区画しているが、これら部位は実際には一体に形成されている。下部配線部52は、絶縁層40に被覆されている。絶縁層40は、所定パターンにパターニングされており、下部配線部52の一部が絶縁層40の開口部42から露出している。下部配線部52の露出部が外部接続電極として機能するようになっており、当該露出部に半田ボールなどが形成され、半導体装置100がマザーボードなどの回路基板に実装される。連結配線部54は、補強フィルム38を貫通するように形成されている。連結配線部54は、下部配線部52と上部配線部56とに接続され、これら配線部を連結している。上部配線部56は、接着剤層36中に形成されている。上部配線部56には、ポスト60が形成されている。ポスト60は、基板32を貫通した状態で配線パターン50上に立設されている。ポスト60の先端部頂部64は、基板32からわずかに露出している。基板32は、ポストの先端部頂部64を突出させた状態でポスト60の側面を被覆しており、ポスト60を保護する保護層として機能している。ポスト60上には、半田バンプ62が形成されている。半田バンプ62は、半導体チップなどの電子デバイスと電気的にフリップチップ接続するための突起電極であり、たとえばスズ-銀合金から構成されている。図3拡大部に示すとおり、ポスト60は、頂部64から基部66に向けて先細の形状逆テーパ状を呈している。頂部64は、半田バンプ62を介してコントローラ20の半導体チップ22と接続される部位である。基部66は、配線パターン50の上部配線部56と接続された部位である。たとえば、頂部64の径は、半導体チップ22の電極29図2,後述参照の径に対し10~20μmであり、基部66の径は、半導体チップ22の電極29の径に対し±10μmである。ポスト60がこのような形状を呈するため、ポスト60の頂部64は、基部66より平面視したときの面積が広く、半導体チップ22との接続時における電極間の位置ずれを防止することができる。その一方、ポスト60の基部66は、頂部64より平面視したときの面積が狭く、ポスト60の形成時に上部配線部56との間の位置ずれや、ポスト60が所望の上部配線部56の隣の上部配線部56に誤って接続されるのを防止することができる。なお、図3では省略しているが、基板32、絶縁層34および絶縁層40と配線パターン50との界面や、基板32とポスト60との界面には、下地金属層が形成されており、配線パターン50やポスト60の基板32などに対する接着性が高められている。当該下地金属層は、たとえばニッケルクロム合金や銅などから構成されている。以上の構成を有する半導体装置100の各種寸法は、たとえば、下記のとおりに設計されている図1~図3参照。パッケージサイズインターポーザ30は、11mm×15mmである。チップサイズ半導体チップ12は、7mm×8mmである。貫通電極16の直径aは、20μmである。貫通電極16間のピッチbは、35μmである。貫通電極26の直径cは、20μmである。貫通電極26間のピッチdは、70μmである。ポスト60の直径eは、ほぼ20μmである。半田バンプ62間のピッチfは、70μmである。外部接続電極半田ボール間のピッチgは、800μmである。半田バンプ62の高さhは、5μmである。ポスト60の高さiは、35μmである。基板32の厚みjは、25μmである。配線パターン50の連結配線部54の高さkは、38μmである。このように半導体装置100によれば、半導体チップ12の貫通電極16間のピッチbがコントローラ20半導体チップ22により35μmから70μmに拡張され、半導体チップ22の貫通電極26間のピッチdがインターポーザ30により70μmから800μmに大幅に拡張される。ここで、半導体装置100において、コントローラ20半導体チップ22には底面からインターポーザ30側に向けて突出する電極29が形成されている。この半導体チップ22の電極29の高さとインターポーザ30のポスト60の高さとの合計H図2参照は、好ましくは35μm以上であり、さらに好ましくは50μm以上である。この場合に、半導体チップ22の電極29とインターポーザ30のポスト60とでいずれが高くてもよいが、好ましくはポスト60を高くしてポスト60の高さを35μm以上確保する。これはi半導体チップ22側で高さを確保しようとすると、半導体チップ22ごとに枚葉ごとに電極29を製造しなければならず手間がかかるのに対し、インターポーザ30側で高さを確保しようとするほうがロールツーロール方式で容易にポスト60を製造することができるからであり、ii半導体チップ22とインターポーザ30の歩留まりを考慮すると、インターポーザ30側で高さを確保したほうがトータルの歩留まりがよいからである。したがって、好ましくは、半導体チップ22の電極29はパッド電極のみから構成し、電極29にはバンプなどを形成しないのがよい。続いて、インターポーザ30の製造方法について説明する。インターポーザ30は、所定のロールに巻かれた長尺の基板32が別のロールに巻き取られるように搬送され、その搬送過程で配線パターン30などが形成されるロールツーロール方式により、製造される。具体的には、はじめに、図4に示すとおり、基板32に樹脂製のドライフィルム70をラミネートし、露光してドライフィルム70を硬化させるS1。その後、レーザを用いて基板32およびドライフィルム70の所定位置に貫通孔72を形成し、そのスミア削りかすを除去するS2。その後、基板32およびドライフィルム70に金属をスパッタリングして金属下地層74を形成するS3。その後、基板32の下面側の金属下地層74に樹脂製のドライフィルム76をラミネートし、上部配線部56に対応するパターンのマスクを用いてドライフィルム76を露光現像し、金属下地層74を所定パターンの樹脂層ドライフィルム76で被覆するS4。その後、ドライフィルム76から露出している金属下地層74に銅を主成分とする金属をめっきし、金属下地層74に金属層78を形成するとともに、貫通孔72にも金属層79を充填するS5。その後、基板32の下面側の金属層78およびドライフィルム76上に樹脂製のドライフィルム80を貼付し、ドライフィルム70の上面側の金属下地層74および金属層78をエッチングして除去するS6。その結果、金属層79から構成されるポスト60が形成される。なお、S2の処理では、レーザの出力を調整して上方から下方にかけて徐々に低下させ、貫通孔72を先細状逆テーパ状に形成する。その結果、先細状のポスト60を形成することができる図3拡大部参照。その後、ポスト60に半田をめっきして半田バンプ62を形成しS7、基板32に形成されたドライフィルム70,76,80を剥離するS8。その後、図5に示すとおり、基板32に樹脂製のドライフィルム82を貼付するとともに、ドライフィルム76で被覆されていた部分の金属下地層74をエッチングして除去するS9。その結果、金属層78から構成される配線パターン50の上部配線部56が形成される。その後、基板32の下面側に接着剤を塗布して接着剤層36を形成し、さらに接着剤層36上に補強フィルム38をラミネートし、上部配線部56を絶縁層34で被覆するS10。その後、加熱して接着剤層36を硬化させるとともに、ドライフィルム82を剥離するS11。その後、レーザを用いて絶縁層34の所定位置に上部配線部56が露出するまで貫通孔84を形成し、そのスミア削りかすを除去するS12。その後、絶縁層34、貫通孔84および上部配線部56に金属をスパッタリングして金属下地層86を形成するS13。その後、基板32に樹脂製のドライフィルム88をラミネートするとともに、金属下地層86にも樹脂製のドライフィルム90をラミネートし、下部配線部52および連結配線部54に対応するパターンのマスクを用いてドライフィルム90を露光現像し、金属下地層86を所定パターンの樹脂層ドライフィルム90で被覆するS14。その後、図6に示すとおり、ドライフィルム90から露出している金属下地層86に銅を主成分とする金属をめっきし、金属下地層86、貫通孔84および上部配線部56に金属層92を形成するS15。その後、ドライフィルム90を剥離するS16。その後、ドライフィルム90で被覆されていた金属下地層86をエッチングして除去する。その結果、金属層92から構成される配線パターン50の下部配線部52および連結配線部54が形成される。その後、ドライフィルム88を剥離する。その後、絶縁層34、下部配線部52および連結配線部54に樹脂製のソルダーレジストをラミネートして絶縁層40を形成し、所定パターンのマスクを用いて絶縁層40を露光現像するS17。その結果、絶縁層40に開口部42が形成され、下部配線部52の一部が開口部42から露出する外部接続電極が形成される。。以上のS1~S17の処理を経てインターポーザ30を製造することができる。以上の半導体装置100によれば、インターポーザ30にポスト60が形成され、その形成部分が基板32やアンダーフィル28などの樹脂で満たされているから、半導体装置100をマザーボードなどの回路基板に実装しようとした場合に、応力が緩和されリフロークラックの発生を抑制することができる。さらに、インターポーザ30にポスト60が形成され、コントローラ20の半導体チップ22とインターポーザ30の配線パターン50との間に所定の間隔が確保されるから、エレクトロマイグレーションの発生も抑制することができる。[第2の実施形態]第2の実施形態は、インターポーザの構成において第1の実施形態と異なるものであり、それ他の構成については、第1の実施形態と同様である。図7に示すとおり、本実施形態にかかるインターポーザ200では、基板32の上部に絶縁層34が形成され、基板32の下部に絶縁層40が形成されている。ポスト60は、絶縁層34特に補強フィルム38を貫通した状態で配線パターン50の上部配線部56に立設されている。インターポーザ200では、絶縁層34がポスト60の先端部頂部64を突出させた状態でポスト60の側面を被覆しており、絶縁層34はポスト60を保護する保護層として機能している。続いて、インターポーザ200の製造方法について説明する。はじめに、図8に示すとおり、レーザを用いて基板32の所定位置に貫通孔210を形成し、そのスミア削りかすを除去するS21。その後、基板32に金属をスパッタリングして金属下地層212を形成するS22。その後、金属下地層212の所定位置に銅を主成分とする金属をめっきし、金属下地層に金属層214を形成するとともに、貫通孔210にも金属層216を充填するS23。その後、金属層214から露出している金属下地層212をエッチングして除去するS24。その結果、金属層214および金属層216から構成される配線パターン50が形成される。その後、基板32の上面側に接着剤を塗布して接着剤層36を形成し、さらに接着剤層36上に補強フィルム38をラミネートし、配線パターン50の上部配線部56を絶縁層34で被覆する。併せて、基板32の下面側に樹脂製のソルダーレジストをラミネートして絶縁層40を形成し、配線パターン50の下部配線部52を絶縁層40で被覆するS25。その後、絶縁層34上に樹脂製のドライフィルム218を貼付し、露光してドライフィルム218を硬化させるS26。その後、レーザを用いてドライフィルム218および絶縁層34の所定位置に上部配線部56が露出するまで貫通孔220を形成するとともに、レーザを用いて絶縁層40の所定位置にも下部配線部52が露出するまで貫通孔開口部42を形成し、それらスミア削りかすを除去するS27。その後、図9に示すとおり、ドライフィルム218および貫通孔220に金属をスパッタリングして金属下地層222を形成するとともに、絶縁層40および開口部42にも金属をスパッタリングして金属下地層224を形成するS28。その後、金属下地層224に樹脂製のドライフィルム226を貼付するとともに、金属下地層222に銅を主成分とする金属をめっきし、金属下地層222に金属層228を形成するとともに、貫通孔220にも金属層230を充填するS29。その後、ドライフィルム218上の金属下地層222および金属層228をエッチングして除去するS30。その結果、金属層230から構成されるポスト60が形成される。その後、ポスト60に半田をめっきして半田バンプ62を形成し、半田バンプ62およびドライフィルム218上にドライフィルム232をラミネートし、露光してドライフィルム232を硬化させるS31。その後、金属下地層224に形成されたドライフィルム226を剥離するS32。その後、金属下地層224をエッチングして除去し、絶縁層34上のドライフィルム218,232を同時に剥離するS33。以上のS21~S33の処理を経てインターポーザ200を製造することができる。なお、インターポーザ200に代えて、図10のインターポーザ240や図11のインターポーザ250を使用してもよい。図10のインターポーザ240では、インターポーザ200の接着剤層36および補強フィルム38に代えて、絶縁層242が形成されている。絶縁層242は、たとえばポリイミド樹脂から構成されている。インターポーザ240を製造する場合には、S25において接着剤層36を形成して補強フィルム38を貼付するのに代えて、基板32および上部配線部56上に液状の樹脂をキャスティングして硬化させればよい。図11のインターポーザ250では、インターポーザ200の接着剤層36および補強フィルム38に相当する部材がない。インターポーザ250を製造する場合には、S25において接着剤層36を形成して補強フィルム38を貼付することはせず、S26において基板32および上部配線部26上に直接的にドライフィルム218を貼付すればよい。[第3の実施形態]第3の実施形態は、主に下記の点で第1の実施形態と異なっており、それ他の構成は第1の実施形態と同様の構成を有している。図12に示すとおり、半導体装置300は、いわゆるDDPDoubleDiePackage構造を有する半導体パッケージであって、2枚の同種類の半導体チップ310を積層してパッケージしたものである。半導体装置300は、半導体チップ310よりサイズが大きいプリント基板320を有している。プリント基板320の表面には、ボンディングパッド322が形成されている。プリント基板320の裏面には、電極パッド324が形成され、電極パッド324には半田ボール326が形成されている。プリント基板320上には、接着剤層330を介して半導体チップ310が実装されている。半導体チップ310には、電極312が形成されている。電極312は、たとえば銅や金、半田などから構成されている。半導体チップ310は、電極312を上方に向けた状態でインターポーザ400にフリップチップ接続されている。インターポーザ400上には、接着剤層340を介してさらに半導体チップ310およびインターポーザ400が積層されている。各インターポーザ400の外側には、外部接続電極402が形成されている。各外部接続電極402は、ボンディングワイヤ350によりプリント基板320のボンディングパッド322に電気的に接続されている。半導体装置300では、上述のように積層された半導体チップ310が、ボンディングワイヤ350とともに封止樹脂360により封止されている。図13に示すとおり、インターポーザ400でも基板32がベースとなっている。基板32上には絶縁層410が形成されている。絶縁層410は、たとえばエポキシ樹脂から構成されている。ポスト60は、絶縁層410を貫通した状態で、配線パターン50の上部配線部56に立設されている。インターポーザ400でも、絶縁層410がポスト60の側面を被覆しており、絶縁層410はポスト60を保護する保護層として機能している。配線パターン50の下部配線部52は、金属層412で被覆され、外部接続電極402を構成している。金属層412は、たとえばニッケルや金などが積層された構成を有している。続いて、インターポーザ400の製造方法について説明する。はじめに、図14に示すとおり、基板32を準備しS41、基板32の側縁部に対して搬送用ローラに係止するための孔420をパンチングにより所定間隔で開けるS42。その後、レーザを用いて基板32の所定位置に貫通孔422を形成し、そのスミア削りかすを除去し洗浄するS43。その後、基板32に金属をスパッタリングして金属下地層424を形成するS44。その後、基板32の両面に樹脂製のドライフィルム426,428をラミネートしS45、配線パターン50の上部配線部56および下部配線部52に対応する形状のマスクを用いて露光し現像するS46。その後、ドライフィルム426,428から露出している金属下地層424に銅を主成分とする金属をめっきし、金属下地層424に金属層430を形成するとともに、貫通孔422にも金属層432を充填するS47。その後、図15に示すとおり、ドライフィルム426,428を剥離しS48、ドライフィルム426,428に被覆されていた金属下地層424をエッチングして除去するS49。その結果、金属層430および金属層432から構成された配線パターン50上部配線部56、下部配線部52および連結配線部54が形成される。その後、基板32の上面側に樹脂製の接着剤または絶縁層を貼付して絶縁層410を形成するS50。その後、下部配線部52に金属をめっきして金属層412を形成するS51。その後、基板32の下面側に樹脂製のドライフィルム434を貼付するとともに、レーザを用いて絶縁層410の所定位置に上部配線部56が露出するまで貫通孔436を形成し、そのスミア削りかすを除去するS52。その後、貫通孔436から露出する上部配線部56に銅を主成分とする金属をめっきしてポスト60を形成し、さらにポスト60に半田をめっきして半田バンプ62を形成し、最後にドライフィルム434を剥離するS53。以上のS41~S53の処理を経てインターポーザ400を製造することができる。1サンプルの作製図2と同様の構成を有する半導体装置TSV構造と、図12と同様の構成を有する半導体装置DPP構造とを製造して、これらをサンプルとした。半導体装置としてパッケージサイズが5mm角のものと10mm角のものとを準備した。半導体チップの電極の態様やその高さ、インターポーザのポストの高さなどを適宜変更しながら、その組み合わせに応じて、サンプル1~12表1参照,サンプル13~22表2参照と区別した。表1および表2中、サンプル2,4,6,8,10,12,14,16の注は、半導体チップ側でパッド電極を使用しており、そのパッド電極の半導体チップからの突出長さを表している。2サンプルの評価2.1リフロークラック試験各サンプルをリフロー処理し、リフロー処理後のクラックの有無を観察した。観察結果を表1および表2に示す。表1および表2中、○、△、×の基準は、下記のとおりである。○...5mm角,10mm角ともにクラックがない△...5mm角ではクラックはないが、10mm角では1個以上のパッケージでクラックが発生している×...5mm角,10mm角ともに1個以上のパッケージでクラックが発生している2.2長期信頼性試験エレクトロマイグレーション各サンプルにおいて、初期状態と一定環境110°C,85RH,1.95V,500時間に放置した後とで、抵抗値を測定した。抵抗値の増加が10以内であれば○と、10を上回った場合は×と評価した。評価結果を表1および表2に示す。3まとめ表1および表2に示すとおり、サンプル1~16とサンプル17~22とを比較すると、インターポーザ側にポストを形成したサンプル1~16では、長期信頼性試験において良好な結果が得られており、長期信頼性の向上のためには、インターポーザにポストを形成するのが有用であることがわかる。特に、各サンプル1~16を比較すると、インターポーザ側のポストの高さが35μm以上であるサンプル1~8では、リフロークラックの発生もなく、リフロークラックの発生を防止する上では、ポストの高さを35μm以上とするのが有用であることがわかる。"