プロファイル転写基板の第1の面内に、前記プロファイル転写基板の前記第1の面に含まれる平坦な表面に囲まれた、湾曲表面を形成する工程と、前記プロファイル転写基板の前記第1の面の裏側の第2の面内に、前記湾曲表面と位置合わせされた凹部を形成する工程と、前記プロファイル転写基板の前記第1の面上に、少なくとも前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面を覆うエッチストップ層を設ける工程と、前記エッチストップ層上に、少なくとも前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面を覆う圧電層を設ける工程と、前記プロファイル転写基板の第2の面から前記凹部の内側の前記プロファイル転写基板をエッチングして前記エッチストップ層を露出させる工程と、を含む、MEMSアクチュエータを製造する方法。前記プロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面は、前記プロファイル転写基板の前記第1の面内の前記平坦な表面に対して凹状である、請求項1に記載の方法。前記プロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面は、前記プロファイル転写基板の前記第1の面内の前記平坦な表面に対して凸状である、請求項1に記載の方法。プロファイル転写基板の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、前記プロファイル転写基板の実質的に平坦である前記第1の面上に、フォトレジスト層を設ける工程と、前記フォトレジスト層の第1の面内に、前記フォトレジスト層の前記第1の面に含まれる平坦な表面に囲まれて前記凹部と位置合わせされた、湾曲表面を形成する工程と、前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記プロファイル転写基板をエッチングして前記プロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層のプロファイルを転写する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記フォトレジスト層の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、前記凹部の中央からの半径方向距離が大きくなるにつれて少なくなるUV光量で前記フォトレジスト層を露光するグレースケールフォトマスクを介して、前記フォトレジスト層の前記第1の面を所定の期間にわたってUV光で露光する工程と、前記UV光露光後に前記フォトレジスト層を現像する工程と、を更に含む、請求項4に記載の方法。前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記基板層をエッチングして前記プロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層のプロファイルを転写する工程は、前記フォトレジスト層及び前記プロファイル転写基板の各材料についてほぼ同等の選択性を有する異方性エッチング剤を選び、前記選ばれた異方性エッチング剤で前記フォトレジスト層の前記第1の面及び前記プロファイル転写基板の前記第1の面をエッチングする工程と、前記フォトレジスト層が完全に除去されたら前記エッチングを終了する工程と、を更に含む、請求項4に記載の方法。プロファイル転写基板の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、前記プロファイル転写基板の実質的に平坦である前記第1の面上に、フォトレジスト層を設ける工程と、前記フォトレジスト層の第1の面内に、前記凹部と位置合わせされた湾曲表面を形成する工程と、前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記プロファイル転写基板をエッチングして前記プロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層のプロファイルを転写する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記フォトレジスト層の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、前記フォトレジスト層をパターニングして、前記フォトレジスト層の前記凹部の上方の部分のみを前記プロファイル転写基板の前記第1の面上に残す工程と、前記プロファイル転写基板の前記第1の面上に残った前記フォトレジスト層を加熱して、前記フォトレジスト層を再流動化させてプロファイル転写基板の前記第1の面上にフォトレジストドームを形成する工程と、前記フォトレジスト層を冷却して、前記フォトレジストドームを前記プロファイル転写基板の前記第1の面上において固化させる工程と、を更に含む、請求項7に記載の方法。前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記基板層をエッチングして前記プロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層のプロファイルを転写する工程は、前記フォトレジスト層及び前記プロファイル転写基板の各材料についてほぼ同等の選択性を有する異方性エッチング剤を選び、前記選ばれた異方性エッチング剤で前記フォトレジスト層の前記第1の面及び前記プロファイル転写基板の前記第1の面をエッチングする工程と、前記フォトレジスト層が完全に除去されたら前記エッチングを終了する工程と、を更に含む、請求項7に記載の方法。プロファイル転写基板の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、ネガティブプロファイル転写基板の第1の面内に平坦な表面に囲まれた湾曲表面を有する、ネガティブプロファイル転写基板を形成する工程と、前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面上に第1の半導体層を設けて、前記半導体層の第1の面を前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面の前記湾曲表面及び前記平坦な表面と同形にする工程と、前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面から前記ネガティブプロファイル転写基板を除去して、前記第1の半導体層の前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面及び前記平坦な表面を含む前記第1の面を露出させる工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記ネガティブプロファイル転写基板を除去する工程の前に、前記第1の半導体層の前記第1の面の裏側の前記第1の半導体層の第2の面を平坦化する工程と、前記第1の半導体層の前記第2の面を第2の半導体層の第1の面に接合して、前記第2の半導体層及び前記第1の半導体層により前記凹部を含む前記プロファイル転写基板の少なくとも一部を形成する工程と、を更に含む、請求項10に記載の方法。ネガティブプロファイル転写基板を形成する工程は、前記ネガティブプロファイル転写基板の実質的に平坦である前記第1の面上に、フォトレジスト層を設ける工程と、前記フォトレジスト層の第1の面内に湾曲表面を形成する工程と、前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記ネガティブプロファイル転写基板をエッチングして前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層のプロファイルを転写する工程と、少なくとも前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面の上に酸化物層を形成する工程と、を更に含む、請求項10に記載の方法。前記第1の半導体層はポリシリコンから作製される、請求項10に記載の方法。前記プロファイル転写基板はプロファイル転写層及びポンプ室層を含み、前記プロファイル転写層は前記プロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面を含み、前記ポンプ室層は前記凹部を含み、前記プロファイル転写基板の前記第1の面の裏側の第2の面内に凹部を形成する工程は、前記ポンプ室層内に前記凹部を形成する工程と、前記プロファイル転写層にポンプ室層を接合する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記プロファイル転写基板の前記第1の面上にエッチストップ層を設ける工程は、前記プロファイル転写基板の前記第1の面を酸化する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。前記プロファイル転写基板の前記第1の面上にエッチストップ層を設ける工程は、前記プロファイル転写基板の前記第1の面上に金属層を設ける工程を更に含む、請求項1に記載の方法。前記エッチストップ層上に圧電層を設ける工程は、前記エッチストップ層の第1の面上に圧電材料をスパッタリングして前記スパッタされた圧電材料により少なくとも前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面を覆う工程を更に含む、請求項1に記載の方法。前記エッチストップ層上に圧電層を設ける工程は、前記エッチストップ層の第1の面上に圧電材料の均一な層を形成する工程と、前記圧電材料の均一な層をパターニングして、前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面を覆う湾曲部分と前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面を越えて延在する平坦部分とを含む圧電膜を形成する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記エッチストップ層上に前記圧電層を設ける工程の前に、前記エッチストップ層上に下部金属層を設ける工程と、前記エッチストップ層上に前記圧電層を設ける工程の後に、前記圧電層上に上部金属層を設ける工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。前記凹部と位置合わせされたノズル形状を含むノズル層を、前記プロファイル転写基板の前記第2の面に取り付ける工程を更に含む、請求項1に記載の方法。プロファイル転写基板内に湾曲表面を形成するための方法であって、第1の面内に平坦な表面に囲まれた湾曲表面を有するネガティブプロファイル転写基板を形成する工程と、少なくとも前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面の上にエッチストップ層を設ける工程と、前記ネガティブプロファイル転写基板の第1の面上の前記エッチストップ層の上に第1の半導体層を設けて、前記半導体層の第1の面を前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面の前記湾曲表面及び前記平坦な表面と同形にする工程と、前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面から前記ネガティブプロファイル転写基板を除去して、少なくとも前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面の反転形を含む、前記エッチストップ層の第1の面及び前記第1の半導体層の前記第1の面を露出させる工程と、を含む、プロファイル転写基板内に湾曲表面を形成する方法。前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面内の前記湾曲表面は、前記ネガティブプロファイル転写基板に対して凸状であり、前記プロファイル転写基板内の前記湾曲表面は、前記プロファイル転写基板に対して凹状である、請求項21に記載の方法。ネガティブプロファイル転写基板を形成する工程は、前記ネガティブプロファイル転写基板の実質的に平坦である前記第1の面上に、フォトレジスト層を設ける工程と、前記フォトレジスト層の第1の面内に湾曲表面を形成する工程と、前記フォトレジスト層の前記第1の面から前記フォトレジスト層及び前記ネガティブプロファイル転写基板をエッチングして前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面に前記フォトレジスト層の前記第1の面のプロファイルを転写する工程と、を更に含む、請求項22に記載の方法。前記フォトレジスト層の第1の面内に湾曲表面を形成する工程は、前記フォトレジスト層をパターニングして、前記フォトレジスト層の前記プロファイル転写基板の前記湾曲表面の意図した位置の部分のみを前記ネガティブプロファイル転写基板の上に残す工程と、前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面上に残った前記フォトレジスト層を加熱して、前記フォトレジスト層を再流動化させてプロファイル転写基板の前記第1の面上にフォトレジストドームを形成する工程と、前記フォトレジスト層を冷却して、前記フォトレジストドームを前記ネガティブプロファイル転写基板の前記第1の面上において固化させる工程と、を更に含む、請求項23に記載の方法。前記フォトレジスト層を加熱する工程は真空環境内において実施される、請求項24に記載の方法。前記ネガティブプロファイル転写基板を除去する工程の前に、前記第1の半導体層の前記第1の面の裏側の前記第1の半導体層の第2の面を平坦化する工程と、前記第1の半導体層の前記第2の面を第2の半導体層の第1の面に接合して、前記プロファイル転写基板を形成する工程と、を更に含む、請求項22に記載の方法。前記第1の半導体層の前記第2の面を平坦化する工程の前に、前記第1の半導体層を高温でアニールする工程を更に含む、請求項26に記載の方法。前記第1の半導体層の前記第2の面を平坦化する工程は、低pHシリコンスラリを使用して前記第1の半導体層の前記第2の面の第1の研磨を実施して、前記第1の半導体層の前記第2の面内の前記湾曲表面を除去する工程と、前記第1の研磨後に、高pH酸化物スラリを使用して前記第1の半導体層の前記第2の面の第2の研磨を実施して、前記第1の半導体層の前記第2の面を平滑化する工程と、を更に含む、請求項26に記載の方法。前記第1の半導体層はポリシリコンから作製される、請求項21に記載の方法。湾曲圧電膜を有するMEMSアクチュエータは、平坦な表面によって囲まれた湾曲表面を有するプロファイル転写基板を使用して形成することができる。圧電アクチュエータに使用される圧電材料は、少なくともプロファイル転写基板の湾曲表面の上に堆積され、その後、このプロファイル転写基板は、湾曲圧電膜の下側から除去される。結果的に得られる湾曲圧電膜は、柱状かつ整列された結晶粒構造体を含み、これらの柱状結晶粒の全て又は実質的に全てが、圧電膜の湾曲表面に対して局所的に垂直である。いくつかのプロセスを利用して、プロファイル転写基板の上に湾曲形状を形成することができる。湾曲圧電膜を有するアクチュエータは、例えば流体液滴吐出において使用することができる。流体液滴吐出は、半導体処理技術を利用して製造されたダイを含むプリントヘッドモジュールを用いて実現することができる。このプリントヘッドダイは、複数の超微細加工流体流路が形成された基板と、これらの流路のノズルから流体を選択的に吐出させる複数のアクチュエータと、を含む。このように、各流路及びそれに関連付けられるアクチュエータが、個別に制御可能な微小電気機械MEMS流体吐出ユニットを形成する。例示的な流体吐出システム図1Aは、例えばプリントヘッドモジュール内のプリントヘッドダイ100aである、例示的な流体吐出システムの一部分の概略断面図である。プリントヘッドダイ100aは、複数の通路が貫通して形成された流路本体104aを含む。例えば、流路本体104aは、シリコン基板等、例えば半導体本体等の単一体であることができ、又はポリシリコン層に接合されたシリコン基板等、例えば一つ又は複数の他の層を上に備える半導体本体等の複数の層を含むことができる。或いは、例えばガラス基板等の絶縁体本体が、流路本体104aにおける半導体本体の代替を果たすことができる。流路本体104aを貫通する各通路は、流体例えば、インクを吐出するための流路を画成する。各流路の通路は、流体入口107a、ポンプ室106a、及び流体吐出ノズル108aを含むことができる。流体は、流体入口107aを介してポンプ室106aに入り、流体吐出ノズル108aを介して吐出されることができる。任意には、流体吐出ノズル108aから吐出されない流体は、流体出口を介してポンプ室106aから出ることができる。流体入口は、流体供給チャネルに連絡することができ、流体出口は、流体還流チャネルに連絡することができる。各流体供給チャネル及び流体還流チャネルは、プリントヘッドダイ100aにおいて複数の流体吐出ユニット102aにより共有されることができる。流路本体104aは、ノズル層112aの上面に取り付けられたポンプ室層110aを含むことができる。ポンプ室106aは、ポンプ室層110a内に形成された空洞部である。流体吐出ノズル108aは、ノズル層112aを貫通して形成された孔である。流体吐出ノズル108aは、一方の側でポンプ室空洞部に連絡し、反対側ではノズル層112aの下部表面に開口を有する。ポンプ室106aは、直線状側壁部、又はポンプ室106aの上辺からポンプ室106aのノズル108aに近い下辺に向かう方向にやや狭まる形状の側壁部を有することができる。ノズル108aもまた、上から下に向かって狭まる形状であることができる。また、任意には、流路本体104aは、ポンプ室層110aの上面に取り付けられた膜層114aを含むこともできる。膜層114aは、上方からポンプ室106aを封止する酸化物層であることができる。膜層114aのポンプ室空洞部106a上の部分は、可撓性を有し、圧電アクチュエータが作動したときに撓曲することができる。膜のこの撓曲により、ポンプ室空洞部106aが膨張及び収縮し、流路に沿って流体をポンプ送給する。膜層114aの上方には、作動アセンブリ118aが存在する。作動アセンブリ118aは、流路本体104aの上に配設された複数の圧電アクチュエータ構造体120aを含み、各アクチュエータ構造体120aは、関連付けられるポンプ室106aの上に配設される。圧電アクチュエータ構造体120aは、膜層114aの上面の上に支持されることができる。ある特定の実施形態において、膜層114aが存在しない場合には、作動アセンブリ118aは、ポンプ室層110aの上面の上に直接配設することができ、圧電構造体120aの下部表面が、上方からポンプ室106aを封止することができる。圧電アクチュエータ構造体120aは、第1の電極層例えば、基準電極層122a、第2の電極層例えば、駆動電極層124a、及び第1の電極層と第2の電極層との間に配設された圧電層126aを含む。駆動電極層124aは、ポンプ室106aの上方に駆動電極を形成するようにパターニングされることができる。圧電層126の流路本体104aにより近い面上に基準電極122aが位置すると共に圧電層126の流路本体104aからより遠い面上に駆動電極層124aが位置することが図示されているが、その逆でもよい。また、圧電層126aは、各ポンプ室106の上方にセグメント片又は圧電膜を形成するようにパターニングされることができる。任意には、基準電極層122aは、各ポンプ室106a用のセグメント基準電極を形成するようにパターニングされることができる。圧電アクチュエータ構造体120aの圧電膜は、駆動電極と基準電極との間の圧電膜に印加される電圧に応答して伸展又は収縮する。圧電膜のこの伸展及び収縮により、ポンプ室106a上の膜が形状を変化させ、次いでポンプ室106aを拡張又は収縮させる。ポンプ室106aの拡張により、流体が流路に沿ってポンプ室106a内へと引き込まれ、ポンプ室106aの収縮により、流体液滴が流体吐出ノズル108aを通ってそこから押し出される。各ポンプ室106a及びそれに付随するアクチュエータ構造体120aは、個別に制御可能な流体吐出ユニットを形成する。各アクチュエータ用の駆動電極及び基準電極は、流体吐出サイクルにおいて適時に及び適切な期間にわたってアクチュエータの圧電膜に電圧を印加する制御装置へと電気的に結合されることができる。いくつかの実施形態においては、制御装置は、作動層118aの上方に配設された特定用途向け集積回路ASICウエハ128a内に少なくとも部分的に実装されることができる。ASICウエハ128aは、圧電アクチュエータ構造体120aに撓曲の余地を与えるために、複数のスペーサバンプ130aによってアクチュエータ層118aの上方に支持することができる。ASICウエハ128aの内部の制御装置は、例えば、一対の電極接続バンプ132a及び134aによって、並びに例えば絶縁体層136a等の上に形成された導電性トレース等によって、駆動電極及び基準電極に結合することができる。いくつかの実施形態においては、複数の電極接続バンプ132a及び134aが、スペーサバンプとしての役割を果たすことができる。いくつかの実施形態においては、制御装置が、例えばアクチュエータ構造体120aに結合された別個の回路によって等、流路基板104aの上に支持されない回路によって、例えば全体として等、少なくとも部分的に実装されることができる。例えば、別個の制御装置が、基板104aの縁の導電性トレースに取り付けられたフレックス回路によって、駆動電極及び基準電極に結合されることができる。いくつかの実施形態においては、パターニングされた絶縁体層136aが、基準電極から駆動電極を絶縁するために、駆動電極層124aと基準電極層122aとの間に配設されることができる。また、任意には、このパターニングされた絶縁体層136aは、圧電膜の平坦部分から駆動電極を絶縁するために、圧電膜の外周の平坦部分を覆うことができる。いくつかの実施形態においては、流体供給チャネル138aが、ASICウエハ128a内に形成されることができる。流体供給チャネル138aは、環状の金属シール140aにより流路の流体入口107aに連絡されることができる。また、同様に、流体還流チャネルが、ASICウエハ128a内に形成されることができる。この流体還流チャネルは、流路の流体出口に連結することができる。ある従来の圧電アクチュエータにおいては、圧電膜は、チタン酸ジルコン酸鉛PZTフィルム等の実質的に平坦な圧電材料から構成される。この平坦な圧電材料は、ポンプ室内において所望の体積変化量が得られるように印加電圧下で十分な撓曲が引き起こされるのに十分な薄さを有する必要がある。また同時に、圧電材料は、流体液滴をノズルから吐出するのに十分な圧力を印加するのに十分な剛性を有するように、十分な厚さを有する必要もある。ポンプ室の上方に湾曲圧電膜を有する圧電アクチュエータが提案されている。ポンプ室の上方の湾曲圧電膜は、平坦な圧電膜に比べて、より広い表面積を有し、所与の印加電圧下においてポンプ室により大きな体積変化を生じさせることができる。また同時に、湾曲圧電膜は、所与の印加電圧下において同一の体積変化量を生じさせ得る平坦な圧電膜よりも高い剛性を有することができる。例えば、湾曲圧電膜は、ポンプ室の寸法が幅200ミクロン及び高さ11ミクロンである場合に、平坦な圧電膜の4~5倍の体積変位例えば、2pLに対して9pLをもたらすことができる。湾曲圧電膜を有する圧電アクチュエータを使用すると、ポンプ室をより小型に作製してより高密度で流体吐出システム内に配置して印刷解像度を向上させることができる。更に、圧電膜の剛性が高いので、アクチュエータの駆動周波数を上げて印刷速度を向上させることもできる。この例のプリントヘッドモジュール100aに示すように、圧電アクチュエータ構造体120aの各層は、ポンプ室106aの上方に湾曲部分を含む。図1Aに示す例のプリントヘッドモジュール100aにおいては、湾曲部分は、ポンプ室空洞部106aから凸形状である。代替的な一実施形態においては、湾曲部分は、ポンプ室に凹形状であってもよい。図1Bは、ポンプ室106aの上方に凹状アクチュエータ構造体120bを有する一例の流体吐出モジュール100bの概略図を示す。プリントヘッドダイ100bの構造は、湾曲した圧電アクチュエータ構造体のポンプ室に対する方向を除けば、プリントヘッドダイ100aの構造と一致する。いくつかの実施形態においては、ポンプ室層110bは、プリントヘッドモジュール100bを形成するために利用される加工プロセスの結果として、ポリシリコン層141b及びシリコン層142bを含む。図2Aは、凹状ドームアクチュエータ202aを有する一例の流体吐出ユニット200aの概略図である。図2Bは、凸状ドームアクチュエータ202bを有する一例の流体吐出ユニット200bの概略図である。流体吐出ユニット200例えば、200a及び200bは、ポンプ室層206例えば、シリコン層内に形成されたポンプ室204を含む。この例の圧電アクチュエータ202は、下部電極208例えば、パターニングされたイリジウム層から形成される、圧電層210例えば、スパッタされたPZTフィルムから形成される、及び上部電極212例えば、金属から形成されるを含む。いくつかの実施形態においては、上部電極が駆動電極としての役割を果たすと共に下部電極が基準電極としての役割を果たしてもよい。いくつかの実施形態においては、その逆であってもよい。圧電アクチュエータ202は、膜層214例えば、SiO2層又はSiN層の上に支持される。いくつかの実施形態においては、湾曲部分の横方向断面即ち流路基板の表面に対して平行な平面内の区域は、例えば円形、楕円形、又は矩形であることができる。湾曲部分の垂直方向断面即ち流路基板の表面に対して垂直な平面内の区域は、円形、楕円形、双曲線、放物線、又は他の凹状曲線若しくは凸状曲線の対称セグメントであることができる。いくつかの実施形態においては、球形ドーム等のように、湾曲部分の二つの直交した方向の垂直断面が互いに同一であることができる。いくつかの実施形態においては、楕円形横方向断面を有するドーム又は矩形横方向断面を有する円筒状シェル等のように、湾曲部分の二つの直交した方向の垂直断面が互いに異なることができる。いくつかの実施形態においては、圧電膜210の湾曲部分の横方向寸法が、ポンプ室空洞部の横方向寸法とほぼ同等である。図4A~4Cに関連して示すように、圧電膜の湾曲部分の横方向寸法は、圧電アクチュエータの耐用期間を向上させるために、ポンプ室空洞部の横方向寸法よりも若干例えば、2~20ミクロンだけ大きくすることができる。任意のいくつかの構成を用いて圧電膜の表面積を拡張することによって、所与の駆動電圧下においてより大きな体積変位を可能とすることができるので、圧電膜の形状及び構成の特定の選択も、その形状が膜のコンプライアンスに対して与える効果を考慮したものであってもよい。より平坦な表面例えば、ピラミッド形状構造体におけるようなは、湾曲表面例えば、半球状構造体又は楕円状構造体におけるようなよりも高いコンプライアンスをもたらす。従来、圧電アクチュエータ内の湾曲圧電膜は、圧電材料例えば、バルクPZT層への研削により一対の湾曲表面を作ることによって、又は圧電膜の所望の湾曲表面形状を有する型内に前駆体を射出成型することによって、形成することができることが提唱されてきた。しかし、これらの従来の方法は、多大な費用及び時間を要する。湾曲形状の大きさの制御は、圧電材料を研削するために又は型を形成するために使用される工具によって制約される。更に、研削又は射出成形により形成される湾曲圧電膜内部の結晶粒構造体は、整列が乱れてランダムになる。ランダムな結晶粒構造体は、湾曲圧電膜が駆動されるときに湾曲圧電膜内に大きな内部応力を生じさせるので、アクチュエータの耐用期間を短くする。本明細書は、特に流体吐出モジュールにおいて、湾曲圧電膜を有するアクチュエータを作製するための例示的なプロセスを説明する。これらの例示的なプロセスにおいては、初めに、平坦表面に囲まれた湾曲表面を有する基板が用意される。この基板の平坦表面に囲まれた湾曲表面を含んでいる表面は、圧電膜の湾曲表面を形成することが可能なプロファイル転写表面としての役割を果たす。したがって、この基板はプロファイル転写基板である。圧電材料層が少なくともプロファイル転写基板の湾曲表面上に均一に堆積されることにより、プロファイル転写基板の表面形状がこの圧電層に形成されることができる。任意には、エッチストップ層例えば、酸化物層、窒化物層、又は金属層が少なくともプロファイル転写基板の湾曲表面に設けられて、その後に圧電膜が堆積されてもよい。圧電膜がエッチストップ層を覆って形成された後に、ポンプ室空洞部内のプロファイル転写基板の一部分が、エッチストップ層が露出されるまで、基板の下側からエッチングされることができる。その結果、二つの平行な湾曲表面を有する湾曲した圧電層を生成することが可能となる。いくつかの実施形態においては、湾曲圧電膜は、例えば、エッチング又は他の引き離し法により、プロファイル転写基板から引き離すことができる。次いで、この引き離された圧電膜は、ポンプ室を含む基板層に接合されることができる。エッチストップ層又はプロファイル転写基板を覆って圧電材料を堆積するための適切な方法には、例えば、スパッタリング、化学気相蒸着、物理気相蒸着、原子層堆積、プラズマ化学気相蒸着等々が含まれる。スパッタ堆積の種類には、マグネトロンスパッタ堆積例えば、RFスパッタリング、イオンビームスパッタリング、反応性スパッタリング、イオンアシスト蒸着、高ターゲット利用スパッタリング、及び高出力インパルスマグネトロンスパッタリングを含めることができる。スパッタされた圧電材料例えば、圧電薄膜は、堆積時に大きな分極を有することができる。圧電材料をスパッタするために使用されるいくつかの環境は、スパッタリング中の直流DCバイアスを含む。DC電界は、圧電材料をDC電界の方向に分極即ち極性化させる。いくつかの実施形態においては、堆積された圧電層例えば、スパッタされたPZT内における堆積時の極性化方向は、下層のプロファイル転写基板の表面に対して局所的に垂直で基板表面から離れる方向であってもよい。圧電膜内における所望の極性化方向は、堆積時に所望の極性化方向をもたらすようにプロファイル転写基板の上に堆積することによって得ることができる。代わりに、圧電膜を、堆積時には所望の方向と反対の極性化方向をもたらすようにプロファイル転写基板の上に堆積して、その後、圧電膜を裏返して別の基板に接合することにより、所望の極性化方向を得ることもできる。いかなる特定の理論にも制約されるものではないが、スパッタされたPZTの堆積時の極性化方向は、スパッタされたPZTの結晶粒構造体に沿って下層基板の表面から離れる方向に向く。したがって、堆積時の極性化方向は、スパッタされたPZT膜の表面に対して実質的に局所的に垂直となる。スパッタされたPZT膜のこのような堆積時の極性化方向は、作動中のPZT膜内における応力を小さくすることができ、これによりPZTアクチュエータの耐用期間を長くすることができる。図3Aは、シリコンポンプ室未形成を覆う凸状圧電膜の部分断面の走査電子顕微鏡SEM画像300を示す。この画像300は、ドーム形状のイリジウム電極層304の上に堆積されたスパッタされたPZT層302の結晶粒構造体を示す。ドーム形状のイリジウム電極層304は、形成される予定のシリコンポンプ室の空洞部上に懸架され、ポンプ室の縁の周囲のシリコン層306により支持される。PZT層302内の結晶粒構造体は、ほぼ柱状であり、全て又は実質的に全ての柱状結晶粒が、湾曲したPZT層302の表面に対して局所的に垂直である。図3Aに示す整列された柱状のPZT結晶粒構造体は、湾曲した下層の上に例えば、エッチストップ層又はプロファイル転写基板の上にPZTが少しずつ堆積され又は育成される際に生成される。圧電膜の湾曲表面に対して局所的に垂直である、整列された柱状の結晶粒構造体は、バルク圧電材料への研削により形成された湾曲膜には本質的に生成されない。このような結晶粒の整列及び配向は、射出成形により形成された湾曲圧電膜にも本質的に生成されない。スパッタされたPZT膜内の結晶粒構造体が、整列されてPZT膜の湾曲表面に対して局所的に垂直である場合には、例えば、バルクPZTから形成された又は射出成形された湾曲膜内のようなランダムに配向された結晶粒構造体を有する膜に比べて、膜の作動時に膜内に生じる局所的内部応力が小さい。作動状態における局所的内部応力が小さいので、図3Aに示すような整列された柱状結晶粒を有するPZT膜は、他の従来の方法により例えば、研削又は射出成形により作製された膜よりも長い耐用期間を有する。図3Bは、湾曲したスパッタされたPZT膜302の、スパッタされたPZT膜302の湾曲部分と平坦部分との間の移行領域312の付近の拡大SEM画像310である。移行領域312におけるスパッタされたPZTの結晶粒構造体は、移行領域312の中央に押し込められている。移行領域312は、結晶粒構造体がより平行かつ整列されたスパッタされたPZT膜302の他の領域に比べて、作動時の頑丈性が低い。通常は、作動時には、ポンプ室の縁付近の圧電膜内において、より大きな応力が生じる。その結果、圧電膜は、ポンプ室の縁が圧電膜の移行領域の直下に位置する場合例えば、圧電膜の湾曲表面がポンプ室とほぼ同一の横方向寸法を有する場合には、破断しやすくなり得る。いくつかの実施形態においては、PZT膜の湾曲部分は、ポンプ室の縁を越えて延在するように作製することができる。換言すれば、ポンプ室壁部の縁は、PZT膜の湾曲部分の内側に位置することができる。これらの実施形態においては、ポンプ室の縁付近の高応力領域は、この圧電膜の移行領域からより均質の領域例えば、結晶粒構造体が相互に対してより整列され平行である領域へと移る。高応力領域をずらすことにより、圧電膜は、圧電膜の作動中に生じる内部応力による破断をより起こしにくくなる。図4Aは、流体吐出モジュール400の概略図である。流体吐出モジュール400は、ポンプ室404の上に配設された湾曲圧電膜402を含む。図4Aに示す構成においては、圧電膜402は、凸状部分406と、凸状部分406を囲む平坦部分408と、を有する。圧電膜402は、厚さがほぼ均一である。凸状部分406は、ポンプ室404の縁を越えて延在し、ポンプ室空洞部を囲む基板412によって下から支持される。したがって、圧電膜402の凸状部分406及び平坦部分408をつなぐ移行領域410は、ポンプ室404の縁の外側に位置し、基板412に取り付けられ支持される。同様に、図4Bは、別の流体吐出モジュール420の概略図である。この流体吐出モジュール420は、ポンプ室424の上に配設された湾曲圧電膜422を含む。図4Bに示す構成においては、圧電膜422は、凹状部分426と、凹状部分426を囲む平坦部分428と、を含む。圧電膜422は、厚さがほぼ均一である。凹状部分426は、ポンプ室424の縁を越えて延在し、ポンプ室空洞部を囲む基板432によって下から支持される。したがって、圧電膜402の凸状部分426及び平坦部分428をつなぐ移行領域430は、ポンプ室424の縁の外側に位置し、基板432に取り付けられ支持される。図4Cは、湾曲部分と平坦部分との間の移行領域444がポンプ室の縁の外側に延在してポンプ室基板446によって下から支持されている、ドーム状圧電膜440の外周領域内における作動中の内部応力のシミュレーションを示す。図4Cに示すように、ポンプ室の縁付近には高応力領域442があるが、圧電膜440の湾曲部分及び平坦部分をつなぐ移行領域444は、ほとんど無視できる程度の内部応力しか有さない。本明細書において示すように、プロファイル転写基板の湾曲表面上に育成又は堆積される圧電膜は、整列された柱状結晶粒構造体を領域442に有する。したがって、領域442は、移行領域444に比べて、ポンプ室の縁付近におけるこのような大きな応力に対してより高い耐久性を有することができる。その一方、より脆弱な移行領域444は、無視することができる程度の応力しかかからない領域の付近に位置する。したがって、圧電膜の湾曲部分をポンプ室の縁を越えて延在させることにより、圧電膜の作動中の破断が起こりにくくなる。このシミュレーションは凸状圧電膜を有するアクチュエータに基づくものであるが、同一の設計原理は凹状圧電膜を有するアクチュエータに対しても適用される。図5A~5Dは、ポンプ室層内にポンプ室空洞部を形成するための一例のプロセスを示す。ポンプ室層は、半導体本体であることができ、一つ又は複数の半導体層例えば、シリコン基板、別の基板上に成長されたポリシリコン層、等々を含むことができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室空洞部は、ポンプ室層内に形成することができ、その後、ポンプ室層は、製造の様々な段階において、流体吐出モジュールの他の層例えば、作動層、ハンドル層、等々に接合することができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室空洞部は、流体吐出モジュールの別の部分に既に取り付けられたポンプ室層内に形成することができる。図5Aに示すように、このプロセスは、半導体ウエハ例えば、シリコンオンオキサイドSOIウエハ510から開始される。半導体ウエハ510は、シリコン層540等の単結晶半導体材料の層、ハンドル層520、及びシリコン層540とハンドル層520との間の酸化物層530を有する。シリコン層540は、ポンプ室空洞部が中に形成されるポンプ室層として使用することができる。シリコン層540は、<100>結晶配向を有することができる。ハンドル層520は、シリコン又は他の材料から作製することができる。これらの層は任意の厚さを有することができるが、酸化物層530はシリコン層540及びハンドル層520よりも薄い。一例のSOIウエハ510においては、酸化物層530の厚さは、約1ミクロン等、数ミクロン未満である。ハンドル層520は、約600ミクロン等、200ミクロン超の厚さを有することができる。シリコン層540は、少なくともポンプ室の所望の最終高さの厚さを有する例えば、25ミクロン。単純化のために、半導体ウエハ510の一部分のみが図示される。即ち、二つのみのポンプ室の作製が図示されるが、ほとんどの例においては、より多数のポンプ室をウエハ510のシリコン層540内に形成することができる。図5Bに示すように、フォトレジスト層560が、シリコン層540の露出された面に設けられる。フォトレジスト層560はパターニングされて、開口550が形成される。各開口550は、ポンプ室空洞部の所望の寸法、及び円、正方形、長円形、矩形、又は別の幾何形状等の断面形状を有する。この例においては、開口550は、約160ミクロンの半径を有する円形開口である。他の実施形態においては、開口550は、約250ミクロンの半径を有する円形開口であることができる。他の寸法及び形状も可能である。図5Cに示すように、開口550を有するフォトレジスト層560は、シリコン層540内にポンプ室の空洞部に相当する凹部565をエッチングにより形成するためのマスクとして使用することができる。ドライエッチング等、様々なエッチング技術を使用することができる。異方性エッチング剤を使用して、シリコン層540内に直線状壁部に囲まれた凹部又はテーパ状壁部に囲まれた凹部を形成することができる。本例においては、直線状壁部に囲まれた凹部が形成されている。このエッチングは、酸化物層530が露出されると、停止される。いくつかの実施形態においては、エッチングは、酸化物層530の一部分例えば、1ミクロンの酸化物層のうちの約0.5ミクロンがエッチ除去されるまで、ポンプ室空洞部565内において継続されることができる。いくつかの実施形態においては、異なるエッチング剤を使用して酸化物層530をエッチングすることができる。酸化物層530の一部分が下方にエッチングされる例においては、酸化物層530の厚さは、ポンプ室壁部の内側部分がポンプ室壁部の外側部分よりも薄くなる。ポンプ室空洞部の外側よりもポンプ室空洞部の内側において酸化物層530をより薄くすることにより、ハンドル層520及び酸化物層530が後に除去されてポンプ室空洞部が露出される際に、酸化物薄層がポンプ室層例えば、シリコン層540の下に残留することが可能となる。この残留する酸化物薄層は、ポンプ室層とノズル層との間の接合の促進を助けることができる。更に、ポンプ室空洞部の外側よりもポンプ室空洞部の内側において酸化物層530をより薄くすることにより、ハンドル層520及び酸化物層530が後に除去されてポンプ室空洞部が露出される際に、酸化物薄層がポンプ室層例えば、シリコン層540の下に残留することが可能となる。この酸化物薄層530は、ポンプ室空洞部の深さを正確に制御することが可能になるようにエッチングを停止させるためのマーカとしての役割を果たすことができる。エッチングが停止されたら例えば、ポンプ室空洞部565が形成された後に、又は酸化物層530の一部分がポンプ室空洞部の内側において除去された後に、図5Dに示すように、フォトレジスト層560はシリコン層540の上部表面が露出されるように剥離されることができる。その結果、ポンプ室空洞部が、ポンプ室層例えば、シリコン層540内に形成される。いくつかの実施形態においては、作動層中に他の構造体が製造される前に図5A~5Dに示すステップにしたがってポンプ室空洞部を形成すると、湾曲圧電膜の下側からの材料の除去を案内するためのマスクとしてポンプ室空洞部を使用することができるので、望ましいことがある。ポンプ室空洞部は、作動部分例えば、圧電膜の湾曲部分の画定及びアラインメントの向上並びにプリントヘッドダイにおける非均一性及び意図しない共振効果の低減を助けることができる。図6A~7Kは、湾曲圧電層を上に堆積することが可能なプロファイル転写表面を形成するための複数の例のプロセスを示す。プロファイル転写表面は、平坦部分によって囲まれた湾曲部分を少なくとも含む。ほとんどの例においては、プロファイル転写表面は、平坦部分によって囲まれた複数の湾曲部分を含み、各湾曲部分の位置は、ポンプ室空洞部の位置に対応する。プロファイル転写表面は、プロファイル転写基板の第1の面内に、又はプロファイル転写基板のある層の第1の面内に形成することができる。図6A~7Kに示すプロセスにおいては、プロファイル転写基板のプロファイル転写表面は、ポンプ室空洞部が例えば、図5A~図5Dに示すプロセスを利用して形成された後に形成される。しかし、いくつかの実施形態においては、プロファイル転写基板のプロファイル転写表面を形成するためのプロセスは、ポンプ室空洞部が形成される前又は形成されるのと同時に実施することができる。以下の説明において、図6A~6Dは、プロファイル転写基板の第1の面内に湾曲部分が形成される前にプロファイル転写基板の第1の面内に平坦な表面を用意するための一例のプロセスを示す。図6E~6Fは、この平坦な表面から開始してプロファイル転写基板の第1の面内の平坦な表面によって囲まれた凹状表面を形成するための一例のプロセスを示す。図6G~6Iは、プロファイル転写基板の第1の面内の平坦な表面によって囲まれた凸状表面を形成するための一例のプロセスを示す。図6E~6Iに示すプロセスに加えて、図7A~7Kは、初めにネガティブプロファイル転写表面がネガティブプロファイル転写基板内に用意され、次いでプロファイル転写表面がネガティブプロファイル転写表面に基づいて作製される、別のプロセスを示す。例えば、図7A~7Dは、平坦な表面によって囲まれた凸状表面を有するネガティブプロファイル転写基板を形成するための一例のプロセスを示す。図7E~7Kは、図7Dに示すネガティブプロファイル転写基板を使用してプロファイル転写基板上に平坦な表面によって囲まれた凹状表面を形成するための一例のプロセスを示す。図示する例においては、凹状プロファイル転写表面を作製するためのネガティブプロファイル転写表面として凸状表面が使用されるが、同一の原理が、凹状ネガティブプロファイル転写表面に基づく凸状プロファイル転写表面の作製にも適用される。他の種類の表面形状を有するプロファイル転写表面を、対応するネガティブプロファイル転写基板によって同様に作製することができる。図6Aに示すように、第2の半導体ウエハ670例えば、SOIウエハが、シリコン層540の露出表面の上に配設される。半導体ウエハ670は、半導体層672例えば、シリコン層、ハンドル層676、及び半導体層672とハンドル層676との間の酸化物層674を有する。半導体層672は、プロファイル転写表面を上に形成することが可能なプロファイル転写基板層としての役割を果たすことができる。その後、金属層及び圧電層が、プロファイル転写基板層のプロファイル転写表面の上に配設されることにより、基準電極層、圧電層、及び駆動電極層が形成されることができる。半導体層672の露出された平坦な表面は、シリコン層540の露出された平坦な表面に接合されることができる。この接合は、例えばシリコン同士の融着接合であってもよい。接合後に、シリコン層540内の凹部565は、図6Bに示すように、以前は露出されていた半導体層672の表面によって上方から封止される。SOIウエハ670内の層は任意の厚さを有することができるが、酸化物層674はシリコン層672及びハンドル層676よりも薄い。一例のSOIウエハ670においては、酸化物層674の厚さは、約1ミクロン等、数ミクロン未満である。ハンドル層676は、約600ミクロン等、200ミクロン超の厚さを有することができる。シリコン層672は、少なくとも湾曲圧電膜の所望の最終高さの厚さを有する。例えば、シリコン層672は、約12ミクロン又は10ミクロンの厚さであることができる。他の厚さも可能である。いくつかの実施形態においては、シリコン層672は、圧電膜の湾曲表面の所望の高さを上回る厚さを有することができ、シリコン層540と融着されるシリコン層672の部分は、最終的にはポンプ室層の一部となる。二つのSOIウエハ間の接合が完了した後、ハンドル層676が除去されて、酸化物層674が露出される。ハンドル層676の除去は、研削や化学機械研磨CMP等の様々な材料除去方法を利用することによって達成することができる。ハンドル層676の除去は、図6Cに示すように酸化物層674が露出されるまで、KOHエッチングプロセスによって仕上げることができる。次いで、酸化物層674が、例えば緩衝フッ酸BHFを用いたウェットエッチング等によって剥離される。酸化物層674の除去後には、図6Dに示すように、封止された凹部565を有するプロファイル転写基板678が得られる。図6A~6Dに示すプロセスで得られるプロファイル転写基板678は、ハンドル層520、シリコン層680、及びハンドル層520とシリコン層680との間の酸化物層530を含む。シリコン層680は、封止された凹部565を含み、この凹部565の底部は、酸化物層530の表面により形成され、凹部565の頂部は、シリコン層540に接合されているシリコン層672の表面により形成される。露出された平坦な表面を有するプロファイル転写基板678が用意されると、プロファイル転写基板678の露出された平坦な表面の上に湾曲表面単数又は複数を作製するための処理を引き続き実施することが可能となる。プロファイル転写基板の露出面内に平坦部分を用意するための他の方法も可能である。湾曲した圧電アクチュエータ構造体を上に形成することが可能なプロファイル転写基板の湾曲したプロファイル転写表面を形成するために、様々なプロセスを利用することができる。プロファイル転写表面の湾曲部分は、湾曲圧電膜の所望の形状と同一の形状を有することができる。プロファイル転写表面の湾曲部分は、ポンプ室に凹形状な表面又はポンプ室から凸形状な表面であることができる。プロファイル転写表面の湾曲部分は、球面、楕円面、放物面、又は対称的な単純曲線を回転させることにより得られる任意の他の表面の対称的な一部であることができる。更に、湾曲表面の二つの直交した方向に沿った断面は、互いに同一であっても異なってもよい。いくつかの実施形態においては、湾曲表面の二つの直交軸の一方に沿った断面のみが、湾曲している例えば、円筒状の半シェルにおけるように。図6E~6Fは、平坦なプロファイル転写表面の露出された面例えば、シリコン層672の露出された表面内に凹状表面を形成するための一例のプロセスを示す。図6Eに示すように、このプロセスは、図6A~6Dに示すプロセスで得られる基板678から開始することができる。いくつかの実施形態においては、このプロセスは、少なくとも湾曲圧電膜の所望の高さに相当する厚さを有する露出されたシリコン層を有する別の基板から開始することができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室用の凹部565は、この時点で形成されている必要はなく、湾曲した圧電構造体がプロファイル転写基板の上に形成された後に形成されることができる。初めに、フォトレジスト層682が、平坦なプロファイル転写表面の露出された面例えば、シリコン層672の露出された表面の上に堆積される。フォトレジスト層682の厚さは、少なくとも圧電膜の湾曲表面の所望の高さである。凹状表面を有する窪み部684が、各ポンプ室空洞部565上の区域の上方のフォトレジスト層682の平坦な表面内に形成されることができる。いくつかの実施形態においては、窪み部684の横方向寸法は、ポンプ室空洞部565の横方向寸法と同一であることができる。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト層682中の窪み部684は、ポンプ室空洞部565の縁により画定される区域を越えて延在することができる。ポンプ室空洞部565の縁を越えて窪み部684の区域が延在することにより、プロファイル転写表面の湾曲部分単数又は複数及びその結果として窪み部684の表面上に後に堆積される圧電膜の湾曲部分単数又は複数も、ポンプ室の縁を越えて延在するように作製されることができる。前述のように、このような設計は、圧電膜の作動中の破断の防止を助ける。ポンプ室の縁を越える延在の程度は、ポンプ室の断面積の寸法に応じて変えることができる。いくつかの実施形態においては、窪み部の半径は、ポンプ室の半径よりも2~20ミクロン例えば、10ミクロン大きいことができる。いくつかの実施形態においては、延在の程度は、10ミクロン未満例えば、5~10ミクロンであることができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室の縁を越える延在の程度は、圧電膜の湾曲部分と圧電膜の平坦部分との間の角度に基づいて、及び/又は圧電膜の厚さに基づいて、選択することができる。いくつかの実施形態においては、圧電膜の湾曲部分と圧電膜の平坦部分との間の角度は、約5~15度例えば、6度又は8度であることができる。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト層682内の窪み部684は、グレースケールフォトマスクを使用して形成することができる。グレースケールフォトマスクは、標準的なフォトレジスト露光プロセスにおいて使用されるUV光の強度を変調する画素形状を有する。この強度変調により、フォトレジスト露光の局所的変化及びそれに対応するウェットケミカル現像時の深さ/厚さの変化がもたらされる。フォトレジスト層の現像後に、フォトレジスト及び下層基板をエッチングプロセス例えば、深堀反応性イオンエッチング又は他のドライエッチング技術を利用するに曝露することができ、フォトレジスト層内で変化している深さ/厚さが、シリコン対フォトレジストのエッチ選択性に基づく変更を伴いながら、下層基板へと転写されることができる。フォトレジスト層682の平坦な表面上に窪み部684を形成するためには、形成される予定の窪み部684の中央からの距離が長くなるにつれてフォトレジストに対するUV光露光量を低下させることが可能なグレースケールフォトマスクを使用することができる。UV光露光量は、窪み部684を囲むフォトレジスト層682の表面が現像後に実質的に平坦なままであることができるように、窪み部684の所望の半径を越えた部分においてはゼロにまで低下させることができる。所与の窪み部の形状に対して、所望のUV光露光量を窪み部表面上の各画素に関して算出することができ、算出された画素値を有するグレースケールフォトマスクを作製することができる。グレースケールフォトマスクは、所定の期間にわたりフォトレジスト層682の平坦な表面上に照射されるUV光をフィルタリングするために使用される。フォトレジスト層682が現像されると、所望の形状を有する窪み部684が、フォトレジスト層682の平坦な表面内に形成されることができる。窪み部682の位置は、ポンプ室空洞部がシリコン層540内に形成された又は形成される予定の区域の直上に位置するように、選択することができる。ポンプ室空洞部565の区域の上方に窪み部684を有するフォトレジスト層682が形成されると、フォトレジスト層682の露出された表面に対してエッチング剤を付与することが可能となる。このエッチング剤は、フォトレジスト層682対シリコン層672について1:1の選択性を有するように、調製されることができる。エッチングが進むにつれて、窪み部684の内側のフォトレジストが、初めにエッチ除去される。窪み部684の外側のフォトレジスト層682がエッチ除去され続ける間に、エッチング剤は、窪み部684の内側のシリコン層672の一部もエッチ除去する。このプロセスのために、等方性エッチング剤が使用され、シリコン層672の平坦な表面内に結果的に得られる窪み部686図6Fに示すようなは、このエッチング剤が付与される前のフォトレジスト層682の平坦な表面内の窪み部684図6Eに示すようなに相似する。いくつかの実施形態においては、シリコン層672の表面内の窪み部686の形状は、エッチング剤のフォトレジスト及びシリコン間の選択性を1:1から若干変更することにより、フォトレジスト層682の表面内の窪み部684の形状とは若干異なるようにすることができる。フォトレジスト層682が完全に除去されて、窪み部684の形状がシリコン層672の表面に転写されると、エッチングを終了することができる。いくつかの実施形態においては、結果的に得られる表面の平坦部分は、エッチ速度の均一性がフォトレジスト層の広く開けた区域においては若干劣る傾向があるため、湾曲部分よりも粗くなり得る。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト層内の各窪み部の深さ形状は、プロファイル転写表面内の窪み部の所望の深さ形状よりも深く例えば、数ミクロンだけすることができる。エッチングは、フォトレジスト層内の深い窪み部がシリコン層の露出された表面上に完全に転写されるように、フォトレジスト層の全てが除去されるまで継続させることができる。次いで、平坦部分の凹凸をなくすために、及びプロファイル転写表面内の窪み部が所望の深さになるまで、シリコン層の露出された表面を研磨することができる。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト層内の窪み部は、プロファイル転写表面内の窪み部の所望の形状よりも若干大きく及び/又は深くすることができる。エッチングは、薄いフォトレジスト層がシリコン層上に依然として残ってシリコン層内の窪み部を囲む状態で、窪み部の所望の形状がシリコン層内に形成されるまで、継続させることができる。次いで、残りのフォトレジスト層が除去される。シリコン層の結果的に得られる表面の平坦部分はエッチングに全く曝露されないので、この平坦部分はフォトレジスト層が付与される前に有していた平滑さの程度を維持し、したがって平坦部分の更なる研磨は不要である。図6Fに示すように、結果的に得られる構造体は、シリコン層680、ハンドル層520、及びシリコン層680とハンドル層520との間の酸化物層530を有する。シリコン層680の露出された表面は、シリコン層680内に既に形成された、又は後にシリコン層680内に形成される予定のポンプ室空洞部565の区域の上方の湾曲部分686と、この湾曲部分を囲む実質的に平坦な部分と、を含む。図6Fに示す結果的に得られる構造体は、ポンプ室に向かって凹形状の圧電膜を有する圧電構造体を形成するためのプロファイル転写基板として使用することができる。図6E~6Fに示すプロセスの代替として、図6G~図6Iは、ポンプ室から凸形状の表面を有するプロファイル転写基板を用意するための一例のプロセスを示す。図6Gに示すように、このプロセスは、平坦なプロファイル転写表面例えば、図6A~6Dに示すプロセスで得られる基板678の露出された平坦な表面から開始することができる。いくつかの実施形態においては、このプロセスは、少なくとも圧電膜の湾曲表面についての所望の高さに相当する厚さ例えば、12ミクロンを有する露出されたシリコン層672を有する基板から開始することができる。いくつかの実施形態においては、基板は、ポンプ室層を含み、このポンプ室層内にポンプ室空洞部が既に形成されているか又は湾曲圧電膜の形成後に形成されることができる。初めに、フォトレジスト層688が、シリコン層672の露出された表面の上に堆積される。フォトレジスト層688の厚さは、少なくとも圧電膜の湾曲表面の所望の高さ例えば、12ミクロンである。標準的なフォトマスクを使用して、ポンプ室の区域の直上のフォトレジスト層688の部分のみがUV光露光から遮蔽されるように、フォトレジスト層688をパターニングすることができる。フォトレジスト層688が現像されると、ポンプ室空洞部の区域の直上のフォトレジスト層688の部分のみが、シリコン層672の上部表面上に残る。いくつかの実施形態においては、シリコン層672上に残るフォトレジスト層688の部分は、ポンプ室の縁により画定される区域を越えて延在することができる。ポンプ室の縁を越える延在の程度は、ポンプ室の断面積の寸法、湾曲圧電膜の所望の高さ、及び/又は圧電膜の厚さに応じて変えることができる。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト層688の残留部分のそれぞれの半径は、ポンプ室の半径よりも10~20ミクロン例えば、10ミクロン大きいことができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室壁部を越える延在の程度は、10ミクロン未満例えば、2~5ミクロンであることができる。図6Hに示すように、シリコン層672上の残留フォトレジスト688は、この残留フォトレジスト688が融解し再流動化して、液化したフォトレジストの表面張力によってドームを形成するように、加熱される例えば、摂氏約250度まで。次いで、フォトレジスト688が冷却される例えば、室温までと、これらのドームは、固化し、ドーム形状を維持する。その結果、ポンプ室空洞部がポンプ室層540内に形成された又は形成される予定の区域の直上のシリコン層672の平坦な表面の上に、フォトレジスト688のドームが形成される。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト688の各ドームは、ドーム688の下方の対応するポンプ室の縁を越えて延在する。この延在の程度は、例えば2~5ミクロン又は5~10ミクロンであることができる。シリコン層672の平坦な表面の上に固化したフォトレジスト688のドームが形成されると、フォトレジスト688の露出された表面及びシリコン層672の露出された表面に対してエッチング剤を付与することが可能となる。このエッチング剤は、フォトレジスト層688対シリコン層672について1:1の選択性を有するように、調製されることができる。エッチングが進むにつれて、フォトレジスト層688及び露出されたシリコン層672は、同一速度でエッチ除去される。このプロセスのために、等方性エッチング剤が使用され、シリコン層672の露出された表面内に結果的に得られるドーム690図6Iに示すようなは、このエッチング剤が付与される前のフォトレジスト層688内のドーム状表面の形状図6Hに示すようなに相似する。図6Iに示すように、フォトレジスト688の全てが除去されて、ドーム形状がシリコン層672の露出された表面に転写されると、エッチングは終了される。いくつかの実施形態においては、エッチング剤の選択性は、シリコン層672内に結果的に得られるドーム状表面が、フォトレジスト688のドーム状表面から若干異なるように、若干変更することができる。図6Iに示すように、結果的に得られる構造体は、シリコン層680、ハンドル層520、及びシリコン層680とハンドル層520との間の酸化物層530を有する。シリコン層680の露出された表面は、シリコン層680内に既に形成された、又は後にシリコン層680内に形成される予定のポンプ室空洞部565の区域の上方の湾曲部分690と、この湾曲部分を囲む実質的に平坦部分と、を含む。図6Iに示す結果的に得られる構造体は、ポンプ室から凸形状の圧電膜を有する圧電構造体を形成するためのプロファイル転写基板として使用することができる。フォトレジストの加熱及び再流動化プロセスは、非真空環境で実施することができる。しかし、フォトレジストのドームの湾曲表面を下層基板の露出された表面に転写するようにフォトレジストのドーム及び下層基板をエッチ除去した場合に、シリコン基板の結果的に得られる表面が、時として意図しない欠陥やボイドを含むことになるおそれがある。例えば、図6Jは、フォトレジストが非真空環境において例えば、大気圧下において加熱及び再流動化される図6G~6Iに示すプロセスにより形成されたシリコンドームの走査電子顕微鏡SEM画像を示す。図6Jに示すシリコンドームの表面は、約15~20オングストロームの表面粗さを有する。代わりに、フォトレジストの加熱及び再流動化プロセスは、真空環境で実施することができる。いかなる特定の理論にも制約されるものではないが、結果的に得られるシリコンドームの表面粗さは、大幅に低減されることができる。いくつかの実施形態においては、フォトレジストの冷却も真空環境で実施することもできる。図6Kは、フォトレジストが真空環境において加熱及び再流動化される図6G~6Iに示すプロセスにより形成されたシリコンドームの走査電子顕微鏡SEM画像を示す。図6Kに示すシリコンドームの表面は、図6Jに示すシリコンドームに比べて大幅に平滑である。平坦な基板の上に形成されたシリコンドームは、圧電材料を上に堆積することが可能なプロファイル転写表面として、又はプロファイル転写表面を形成するためのベースとなり得るネガティブプロファイル転写表面として、使用することができる。フォトレジストの真空中での加熱及び再流動化プロセスで得られるより平滑な基板表面によって、後にその上に堆積される材料もまた、より平滑な表面を有することができる。真空環境においてフォトレジストを加熱及び再流動化するためのプロセスは、マイクロレンズ製造プロセスにおいて等、平滑な湾曲表面が基板上に形成されることが望ましい他の用途に対しても適用することができる。図7A~7Kは、初めにネガティブプロファイル転写表面がネガティブプロファイル転写基板内に用意され、次いでプロファイル転写表面がネガティブプロファイル転写表面に基づいて作製される、別のプロセスを示す。例えば、図7A~7Dは、平坦な表面によって囲まれた凸状表面を有するネガティブプロファイル転写基板を形成するための一例のプロセスを示す。ネガティブプロファイル転写基板の凸状表面を形成するためのこのプロセスは、図6G~6Iに示す凸状プロファイル転写表面を作製するためのプロセスに類似する。図7Aに示すように、パターニングされたフォトレジスト層702が、シリコン基板等の半導体基板層704の上に堆積される。パターニングされたフォトレジスト層702は、ポンプ室空洞部と垂直に配列される区域を覆う。この残留フォトレジスト702により覆われる基板表面の部分は、ポンプ室空洞部の横方向断面区域を若干例えば、2~5、5~10、又は10~20ミクロンだけ超えて延在することができる。フォトレジスト層702の厚さは、圧電膜の湾曲表面の所望の高さとほぼ同じである。図7Bに示すように、フォトレジスト702は、加熱されて、融解及び再流動化して基板層704の露出された表面の上にフォトレジストのドーム706を形成する。次いで、フォトレジストは、冷却されて、これらのドームが基板層704の露出された表面上で固化し留まる。いくつかの実施形態においては、フォトレジスト702は、真空環境において約250°Cまで加熱されて再流動化される。いくつかの実施形態においては、フォトレジストは、やはり真空環境において冷却される。次いで、フォトレジストのドーム706を含む基板層704の露出された表面は、基板材料対フォトレジストについて1:1の選択性を有するエッチング剤に曝露される。フォトレジスト及び基板は、同一速度でエッチ除去される。エッチングは、図7Cに示すように、全てのフォトレジスト706が除去されてフォトレジスト706のドーム形状部がシリコン層704の露出された表面に転写されると、終了される。ドーム状表面708は、平坦な表面によって囲まれている。凸状ドーム708は、所望の凹状プロファイル転写表面のネガであり、プロファイル転写基板内にプロファイル転写表面を形成するために使用することができる。図7Dに示すように、エッチストップ層例えば、酸化物層710が、例えば熱酸化により、基板704の表面上に置かれる。酸化物層710の厚さは、1~2ミクロン等、数ミクロンであることができる。酸化物層710は、ドーム状表面708を含む基板704の面を均一に覆う。いくつかの実施形態においては、酸化物層710は、ドーム状表面を含まない他の面においても基板704を覆うことができる。いくつかの実施形態においては、他の種類の材料例えば、シリコン窒化物が、基板表面上に堆積されてエッチストップ層として使用されることができる。いくつかの実施形態においては、エッチストップ層は、基板表面の湾曲部分のみを覆うことが必要である。この時点にて、図7Dに示すように、平坦部分によって囲まれた凸状部分を有するネガティブプロファイル転写表面が、ネガティブプロファイル転写基板の露出された面に作製される。図7E~7Kは、図7Dに示すネガティブプロファイル転写基板を使用してプロファイル転写基板内に平坦な表面によって囲まれた凹状表面を形成するための一例のプロセスを示す。いくつかの実施形態においては、他の方法を利用して例えば、研削又は射出成型により作製された同一形状のネガティブプロファイル転写基板を使用することもできる。図7Eに示すように、ポリシリコン層712が、ドーム708を含む基板704の表面上に均一に堆積されることができる。ポリシリコン層712の厚さは、少なくとも基板702上のドーム708の高さと同一である。したがって、ポリシリコン層712の露出された表面は、平坦部分によって囲まれた湾曲部分714を有し、また同時に、ポリシリコン層708の露出されていない表面即ち基板702と接している表面は、平坦部分によって囲まれた同一の湾曲部分714を有する。いくつかの実施形態においては、ポリシリコン層の堆積は、二つのステップで実施することができる。初めに、ポリシリコンの比較的薄い層例えば、約0.25ミクロンが、ネガティブプロファイル転写基板上にポリシリコンの核を形成するために950°Cで堆積される。次いで、ポリシリコンのより厚い層例えば、約22ミクロンが、より高温例えば、1150°Cで堆積される。堆積速度は、例えば約1ミクロン/分であることができる。いくつかの実施形態においては、様々なポリマー及び他の半導体材料等、ポリシリコン以外の材料を使用してもよい。次いで、図7Fに示すように、ポリシリコン層712は、ポリシリコン層712の露出された表面上の湾曲部分714が除去されてポリシリコン層712の露出された表面が平坦になるように研磨及び平坦化されるが、ポリシリコン層712の露出されていない表面は酸化物層710と接した状態のまま酸化物層710のドーム状表面に整合する湾曲部分を有する。いくつかの実施形態においては、ポリシリコン層は、平坦化が開始される前に、ある期間例えば、1時間にわたり窒素環境において高温例えば、1100°Cでアニールされる。次いで、図7Gに示すように、結果的に得られる図7Fに示した構造体が、ポンプ室層を含む基板例えば、図5A~5Dに示すプロセスで得られる構造体に接合されることができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室空洞部565の内側の酸化物層530の部分の厚さは、ポンプ室層540の下方に位置する酸化物層530の他の部分よりも薄い例えば、0.5ミクロン対1ミクロン。ポリシリコン層712の露出された平坦な表面は、ポンプ室層540の露出された表面に接合される。いくつかの実施形態においては、研磨されたポリシリコン層712は、ポンプ室を含む基板に接合される前に、例えば、RCA洗浄により洗浄される。この洗浄により、ポリシリコンドーム上の残留物及び微粒子が除去されて、接合界面中のボイドが減少する。基板702の表面内の湾曲部分708のそれぞれは、対応するポンプ室空洞部565と位置合わせされる。いくつかの実施形態においては、各湾曲部分708の縁は、対応するポンプ室空洞部565の縁を若干例えば、2~5ミクロン又は5~10ミクロンだけ超えて延在する。ポリシリコン層712とポンプ室層540との接合が完了した後に、ポンプ室空洞部565は、図7Hに示すように、ポリシリコン層712の平坦な表面により上方から封止された状態となる。次いで、基板704の全ての面が酸化された場合には酸化物層710が基板704の露出された表面から剥離され、それにより、基板704は図7Iに示すように湾曲部分708を含まない面が露出される。図7Jに示すように、基板704は、様々な化学的、機械的、又はそれらの組合せのバルク除去技術により、酸化物層710が完全に露出されるまで除去され、任意にはKOHエッチングプロセスにより仕上げられる。酸化物層710は、厚さが均一であり、したがって、同一の湾曲部分が、酸化物層710の両側に存在する。基板704が除去されると、この時に露出された酸化物層710の表面もまた、平坦な表面によって囲まれた湾曲部分708を有する。酸化物層710の露出された表面の湾曲部分は、ポンプ室空洞部に向かって凹形状である。酸化物層710に隣接するポリシリコン層712の表面は、酸化物層710の凹状部分708に整合する同一の凹状部分を有する。任意には、酸化物層710は、例えばエッチングにより、剥離され、酸化物層710に隣接するポリシリコン層712の表面が露出される。この時に露出されたポリシリコン層712の表面は、平坦部分によって囲まれた凹状部分714を有する。図7Kに示すこの時に露出されたポリシリコン層712の表面は、湾曲圧電膜を有する圧電アクチュエータを作製するためのプロファイル転写表面として使用することができる。酸化物層710が除去されている場合には、圧電構造体の作製時にポリシリコン層712の露出された表面上に新たなエッチストップ層例えば、酸化物層又は金属層が付与されることができる。図7E~7Kに示すプロセスにおいて、ドーム状ポリシリコン層の平坦化及び研磨を、先にポリシリコン層を高温でアニールしないで行うと、研磨されたポリシリコン基板上に非均一性が生じることがある。例えば、図7L~7Mは、先にポリシリコン層のアニーリングを行わないで、ポリシリコン層からポリシリコンドームを除去する、一例のプロセスを示す。ポリシリコン層の研磨は、例えば標準的なシリコン研磨スラリを使用して実施することができる。図7Lは、ドーム除去が開始される前のポリシリコン層を示す。図7Mは、研磨が開始されて、シリコンドームの一部分が除去された後のポリシリコン層を示す。ポリシリコン層の表面粗さは、大きくなく例えば、約20オングストローム、接合のために許容し得るものであるが、ポリシリコンドームの上の区域は、研磨速度における非均一性を呈して、これがドーム状区域の上方の研磨された表面に皿状の窪みをもたらす。図7Mに示すように、ポリシリコン表面の現時点ではほぼ除去されたポリシリコンドーム上の区域は、例えば、窪み部716として中央において若干窪んでいる。図7Nは、図7L~7Mに示すプロセスで得られたポリシリコンドームの画像を示す。平坦な領域はポリシリコンドームの区域に比べて研磨速度が低いので、ポリシリコンドーム区域の中央領域718に皿状の窪みが生ずる。皿状の窪みは、1000オングストロームもの大きさとなるおそれがあり、これがドーム状区域に接合不良を生じさせることがある。図7O~7Qは、基板に接合する前のドーム状ポリシリコン層を平坦化及び研磨するための別のプロセスを示す。図7A~7Qに示すプロセスにおいては、初めに、ポリシリコン層は、窒素環境において高温例えば、1100°Cでアニールされる。いくつかの実施形態においては、他の不活性ガス環境を利用することもできる。更に、研磨は、初めに標準的な低pHシリコンスラリを使用し、次いで高pH酸化物スラリを使用する、二つのステップで実施することができる。図7Oは、アニーリングプロセス後のドーム状ポリシリコン層を示す。初めに、ドームは低pHシリコンスラリを使用した研磨例えば、CMP又は他の機械的研磨プロセスにより除去され、その結果得られる構造体が図7Pに図示される。図7Rは、低pHシリコンスラリによる研磨後のポリシリコン層の表面を示す。ドームが除去されて、元ドーム状区域が平坦になる。元ドーム状区域の表面粗さは小さいが、元から平坦な区域の表面粗さは図7Rに示すように大きいままである。ポリシリコン層の表面全体にわたって均一な平滑性を実現するために、追加の研磨ステップを実施することができる。図7Pに示すように、ポリシリコン層の表面粗さは高pH酸化物スラリを使用したポリシリコン表面の研磨により更に除去されて、図7Qに示す構造体を結果的にもたらす。研磨は、所望の表面平滑度に達すると例えば、3ミクロンのポリシリコンが除去された後に終了されることができる。図7Sは、高pH酸化物スラリによる研磨後のポリシリコン層の表面を示す。図7Sに図示されるように、研磨されたポリシリコン層の表面全体が均一かつ平滑であり、表面内に皿状の窪みは生じていない。ポリシリコン表面における総厚さ変化量は、非常に小さく例えば、1ミクロン未満することができ、研磨後のポリシリコン層の平均厚さは、例えば約20~25ミクロンとすることができる。いかなる特定の理論にも制約されるものではないが、研磨の開始前におけるアニーリングステップの追加は、平坦化されたポリシリコン層の表面の平坦性及び平滑性を向上させるのに有用となり得る。平滑かつ平坦なポリシリコン表面は、ポリシリコン層と基板層との間の良好な接合を可能にする。更に、アニーリングプロセスにより、ポリシリコン層の結晶粒サイズ及び化学組成が変化して、ポリシリコン層中の異なる領域間において結晶粒サイズ及び化学組成がより均一になっている可能性がある。低pHシリコンスラリを使用する研磨の速度は、ポリシリコン層の平坦部分において、ドーム部分と比べて低い。しかし、ドームの除去後には、ポリシリコン層の表面全体が、高pHスラリを使用して高研磨速度で研磨されることができる。ポンプ室と位置合わせされる湾曲部分を有する表面を作製する、他の方法を利用することができる。例えば、プロファイル転写表面の窪み部又はドームは、基板の平坦な表面を研削することによって形成することができる。或いは、窪み部又はドームは、基板材料例えば、エポキシを含むSi粉末を使用した射出成形により形成することができる。所望のプロファイル転写表面を有するプロファイル転写基板を用意した後に、プロファイル転写表面の上に圧電アクチュエータを形成することができる。いくつかの実施形態においては、プロファイル転写表面は、ポンプ室層を備える基板層の上に形成することができる。いくつかの実施形態においては、ポンプ室は、プロファイル転写表面が用意される際に既に形成されていることができ、又はプロファイル転写表面が用意された後に形成されることができる。図6E~6F、図6G~6I、及び図7A~7Kに示すように、プロファイル転写表面は、平坦部分によって囲まれた凸状部分、又は平坦部分によって囲まれた凹状部分、を含むことができる。ポンプ室について凹状又は凸状の湾曲部分の位置は、垂直方向においてポンプ室空洞部と位置合わせされる。更に、いくつかの実施形態においては、プロファイル転写表面の湾曲部分のそれぞれは、例えば数ミクロンだけ、対応するポンプ室の縁を越えて延在する。図8A~8Kは、湾曲した圧電アクチュエータを有する流体吐出ユニットを形成するための一例のプロセスを示す。このプロセスは、図6E~6Fに示すプロセスで、又は代替的には図6G~6Iに示すプロセスで、得られた構造体から開始することができる。図8A~8Kは、凸状プロファイル転写表面を有する即ち、プロファイル転写表面の湾曲部分がポンプ室空洞部から凸形状である開始構造体を示すが、同一のプロセスを、凹状プロファイル転写表面を有する開始構造体例えば、図6Fに示す構造体に同様に適用することができる。同様に、図9A~9Kは、湾曲した圧電アクチュエータを有する流体吐出ユニットを形成するための別の例のプロセスを示す。このプロセスは、図7A~7Kに示すプロセスで得られる構造体から開始することができる。まず、図8Aに示すように、基板878は、プロファイル転写層880、ハンドル層520、及びプロファイル転写層880とハンドル層520との間の酸化物層530を含む。プロファイル転写層880は、ポンプ室層540を備える。ポンプ室層540は、封止された凹部565が内部に形成されている。凹部565の上部表面は、プロファイル転写層880の露出された表面内の湾曲部分690の下方に位置する。凹部565の下部表面は、酸化物層530により形成される。エッチストップ層804が、プロファイル転写層880の露出された表面の上に設けられる。エッチストップ層804は、熱酸化により形成された酸化物薄層であることができる。エッチストップ層804の厚さは、約0.25ミクロンであることができる。後でエッチストップ層804の上に圧電アクチュエータの構成層が設けられた後には、エッチストップ層804は、プロファイル転写層のポンプ室空洞部の縁内の部分が後で除去される際に、圧電構造体へのエッチングを防止する役割を果たす。また、エッチストップ層804は、プロファイル転写層880の粗表面の平滑化を助けることができる。更に、エッチストップ層804は、流体吐出使用中にポンプ室内の流体から圧電アクチュエータ構造体を保護する機能を果たすことができる。いくつかの実施形態においては、例えば、基準電極層がエッチストップ層として機能することができて作動中にポンプ室内部の流体と接触状態にあることに対して耐久性がある場合には、エッチストップ層804は任意であってもよい。図8Bに示すように、下部導電性金属層806が、エッチストップ層804の上に堆積されることができる。この下部金属層806の堆積は、スパッタリング、化学気相蒸着、又は物理気相蒸着等々により達成されることができる。下部金属層806は、圧電アクチュエータ用の電極例えば、基準電極又は駆動電極を形成するために使用することができる。電極は、例えば、堆積中にマスクを使用することによって、又は後のエッチングによって、下部金属層806をパターニングすることにより形成することができる。下部金属層806は、少なくともエッチストップ層804の湾曲部分又は、エッチストップ層が付与されないで、下部金属層がエッチストップ層として使用されることとなる場合には、プロファイル転写層880の湾曲部分の上において、実質的に均一な厚さを有する。下部金属層806の湾曲部分のそれぞれは、プロファイル転写層880内の対応するポンプ室空洞部565と位置合わせされる。下部金属層806に使用される金属は、例えば、Ir接着層を伴わない、Au、Ti/W接着層を伴うAu、Ti/W接着層を伴うイリジウム、又はTi/W接着層を伴わないイリジウムを含むことができる。下部金属層806の厚さは、約2300オングストロームであることができる。任意の接着層の厚さは、約200オングストロームであることができる。下部金属層806の他の厚さも可能である。下部金属層806がエッチストップ層804の上に堆積された後に、圧電層808が下部金属層806の上に堆積されることができる。図8Cに示すように、圧電層808の堆積は、スパッタリング、化学気相蒸着、又は物理気相蒸着等々により達成されることができる。圧電層808は、基板520の平坦な表面に対して実質的に垂直に離れる方向に向かう、堆積時の極性化方向を有することができる。湾曲圧電層808内の湾曲部分のポンプ室565に対する湾曲方向及び圧電層の極性化方向に応じて、圧電アクチュエータについての駆動電圧設計を調整することができる。本明細書の他の部分において示すように、記載の堆積方法により作製される圧電層806は、柱状で整列され下部金属層806又は圧電層808の表面に対して局所的に垂直である、結晶粒構造体を内部に有することができる。結果的に得られる圧電層808は、ポンプ室の上方の湾曲部分と、この湾曲部分を囲む平坦部分と、の両方を有する。いくつかの実施形態においては、圧電層808の各湾曲部分と平坦部分との間の移行領域は、例えば数ミクロン例えば、2~5ミクロン又は5~10ミクロンだけ、横方向においてポンプ室空洞部565の縁を越えて位置する。圧電層808の厚さは、数ミクロン例えば、3ミクロンであることができる。ポンプ室のサイズ及び圧電層808内の湾曲部分の高さ/深さに応じて、流体吐出にとって望ましい剛性及びコンプライアンス、及び/又は必要な作動周波数での望ましい共振挙動を有するように、圧電層808の厚さを調整することができる。図8Dに示すように、圧電層808及び下部金属層806は、各ポンプ室用の個別のアクチュエータを画成するようにパターニングされることができる。例えば、圧電層808、下部金属層806及びエッチストップ層804は、各流体吐出ユニットを他の流体吐出ユニットから離隔するように、例えば、エッチング若しくは他のリソグラフィプロセスにより、又はソーイングによりセグメント化することができる。各ポンプ室565の上方の区域の周辺から、過剰な圧電材料を、圧電層808の部分810のみが下部金属層806の上に残るように、例えばエッチングにより、除去することができる。圧電層808の残留部分810は、ポンプ室壁部の直上の区域及びポンプ室壁部の縁を若干超えて延在する区域を覆う。更に、穴812が、ポンプ室層540内に既に形成されている流体入口及び流体出口に連絡するように、下部金属層806及びエッチストップ層804を貫通して形成されることができる。図8Eに示すように、絶縁体層814が、下部金属層806の露出された表面及び圧電膜810の露出された表面の上に堆積されることができる。絶縁体層814は、異なるポンプ室用の個々のアクチュエータを絶縁するために使用することができる。絶縁体層814は、少なくとも圧電膜810の湾曲部分が露出され、かつ個々の圧電アクチュエータが相互に絶縁されるように、パターニングされることができる。図8Fに示すように、上部金属層816が、絶縁体層814の露出された表面及び圧電膜810の露出された表面の上に堆積される。この堆積は、例えばスパッタリング等により達成されることができる。上部金属層816は、圧電アクチュエータ用の駆動電極又は、下部金属層806が駆動電極を作製するために使用される場合には、基準電極を作製するために使用することができる。上部金属層816は、各ポンプ室の上の圧電アクチュエータ用の上部電極が相互に分離されて個別に制御されることができるように、パターニングされることができる。また、上部金属層816は、個々の駆動電極を関連付けられる金属バンプに連結するための導電性トレースを形成することができる。上部金属層816の厚さは、約4000オングストロームであることができる。上部金属層816は、Ir、Au、若しくはTi/W接着下層を伴うAu、又は他の適切な金属から作製することができる。この金属層の厚さは、使用される金属の導電性に応じて変えることができる。接着層は、約200オングストロームであることができる。プラズマ化学気相蒸着PECVD法又は化学気相蒸着CVD法等の他の堆積方法を利用して、上部金属層816を堆積することができる。いくつかの実施形態においては、金属シードが、例えばスパッタリング及びその後のエッチングによって、上部金属層816、下部金属層806、及び/又は絶縁体層814の露出された表面上の様々な位置に堆積されることができる。次いで、金属バンプが、様々な金属バンプを形成するためにシード金属の上にメッキ形成されることができる。これらの金属バンプは、基準電極用の電極接続部例えば、金属バンプ818及び駆動電極用の電極接続部例えば、金属バンプ820として使用することができる。いくつかの金属バンプ例えば、金属バンプ822は、作動中にアクチュエータ膜810が伸展する余地を用意するためのスペーサバンプとしての役割を果たすことができる。更に、金属シール824が、流体入口出口穴812の周囲にメッキ形成されることができる。図8Gに示すように、ASICウエハ128が用意されることができ、ここでは、ASICウエハは圧電アクチュエータアセンブリ118上に形成された各電気金属バンプ例えば、金属バンプ818及び820に対応する電気接続部を有する。ASICウエハ128は、圧電アクチュエータの制御回路の少なくとも一部を含む。また、ASICウエハ128は、穴812を介してポンプ室565に流体を供給し又はポンプ室565から流体を受けるための、流体チャネル830を含む。作動アセンブリ118、ポンプ室層540及びハンドル層520を含む基板878にASICウエハ128が接合された後には、ASICウエハ128は、基板878の裏側から次の処理を行うためのハンドル層としての役割を果たすことができる。初めに、ハンドル層520及び酸化物層530は、研削、研磨及びドライエッチング等の様々な適した処理方法によって除去することができる。図8Hに示すように、酸化物層530が完全に除去された後には、ポンプ室空洞部565の内側壁部は露出される。露出されたポンプ室空洞部565のそれぞれの内側において、プロファイル転写層880の湾曲部分690の一部も露出される。湾曲部分690のこの露出された部分は、エッチストップ層804の下面がポンプ室空洞部565の内側において露出されるまで、例えば、ドライエッチング剤によってエッチ除去される。異方性エッチング剤を使用することができ、ポンプ室層540はエッチングプロセス用のマスクとしての役割を果たすことができる。エッチングがエッチストップ層804により停止されると、図8Iに示すように、ポンプ室空洞部565の上に結果的に得られる圧電アクチュエータ構造体は、ポンプ室空洞部に対して上面及び下面の両方に湾曲表面を有する。次いで、ノズル層840がポンプ室層540の露出された面に接合されて、ポンプ室空洞部の下部がノズル層840により封止される。いくつかの実施形態においては、ノズル層840は、SOIウエハのシリコン層であることができ、ノズル842は、ノズル層がポンプ室層540に接合される前に、ノズル層840内の対応するポンプ室空洞部565と位置合わせされる場所に形成されることができる。ノズル842は、例えば異方性エッチングにより形成された、テーパ状凹部であることができる。図8Jに示すように、この時点では、ノズル843の下部はSOIウエハの酸化物層846及びハンドル層844によって封止された状態である。最後に、SOIウエハのハンドル層844が除去され、ノズル842を開口させて図1Aに示される構造体図8Kにも示されるを形成することができる。図8A~8Jに示すのと同一のプロセスを、図6E~6Fに示すプロセスで形成される構造体に適用することができて、図1Bに示す構造体を得ることができる。図9A~9Kは、図1Bに示す流体吐出モジュールを形成するための別のプロセスを示す。このプロセスは、図7A~7Kに示すプロセスで形成された構造体から開始することができる。図9A~9Kに示すプロセスの多くのステップが、図8A~8Kに示すプロセスと共通する。図8A~8Kに示すステップと図9A~9Kに示すステップとの違いは、これら二つのプロセスにおける開始構造体のプロファイル転写層における違いによるものである。例えば、図8Aに示す開始構造体878においては、プロファイル転写層880は、プロファイル転写表面と同一の半導体材料例えば、Si内に形成されたポンプ室とを含む。対照的に、図9Aに示す開始構造体978においては、プロファイル転写層980は、湾曲したプロファイル転写表面を含むポリシリコン層712と、単結晶Si等のポリシリコン以外の材料から形成されたポンプ室層540と、を含む。明示して説明した違いを除けば、図8A~8Kに示すプロセスに関する説明は、図9A~9Kに示すプロセスにも該当する。更に、図8A~8Kに示すプロセスは、凸状プロファイル転写表面及び凸状圧電アクチュエータの形成を対象としているが、図9A~9Kに示すプロセスは、凹状プロファイル転写表面及び凹状圧電アクチュエータの形成を対象とする。図9Aにおいて、エッチストップ層904が、ポリシリコン層712のプロファイル転写表面の上に設けられる。図9Bにおいて、導電性下部金属層906が、エッチストップ層904の上に堆積される。図9Cにおいて、圧電層908が、下部金属層906の上に堆積される。図9Dにおいて、圧電層908及び下部金属層906が基板に対してパターニングされて、個々の流体吐出モジュールが形成される。ポンプ室の直上の圧電膜の部分910のみが、下部金属層906の上に残る。いくつかの実施形態においては、圧電膜の残留部分910は、ポンプ室565の縁を若干超えて延在する。図9Eにおいて、絶縁体層914が、圧電層910の露出された表面及び下部金属層906の露出された表面の上に堆積される。絶縁体層914は、個別の流体吐出モジュールをセグメント化するようにパターニングされることができる。更に、穴912が、絶縁体層914、下部金属層906及びエッチストップ層904を貫通して形成されて、ポンプ室層540内に形成された流体入口及び流体出口不図示に連絡することができる。いくつかの実施形態においては、図9Eに示すように、ポリシリコン層712の穴912内の部分が浅めに下方にエッチングされて、ポリシリコンの薄層がポンプ室層540内に形成された流体入口穴及び流体出口穴の上に残る。穴912内に残るポリシリコン層の厚さは、酸化物層904の裏側のポリシリコンがポンプ室壁部内側において後にエッチ除去される際に穴912内の残留ポリシリコン層も完全にエッチ除去されることができるような、厚さとすることができる。いくつかの実施形態においては、ポリシリコン層712内に穴912を形成するために、パターニングされたフォトレジスト層が図9Eに示す構造体の露出された表面に付与される。フォトレジスト層は、穴のエッチングの完了後に除去される必要がある。フォトレジストの除去は、ウェットケミカルプロセスにより、又はドライエッチプロセスにより例えば、プラズマエッチプロセスを利用して、達成することができる。穴がエッチングによって完全に貫通形成される場合には、好ましくは、フォトレジスト層の除去は、ウェブケミカルプロセスによる水分がポンプ室層712内に既に形成されているチャネル内に進入及び残留することがないように、ウェットケミカルレジスト剥離プロセスではなくドライエッチングプロセスによって実施される。しかし、場合によっては、ウェットケミカルレジスト剥離プロセスが、例えばその単純性又はコスト上の理由から、好ましい。ウェットケミカルレジスト剥離プロセスが好ましい場合には、この段階で穴912の内側に薄膜を残すことにより、フォトレジスト剥離プロセスでウェットケミカルによってポンプ室層712の内部のチャネルを汚染する危険性を伴うことなくフォトレジスト層を剥離することができる。図9Fにおいて、上部金属層916が、例えばスパッタリングにより、圧電層910の上に堆積される。上部金属層916は、個々のアクチュエータ用の駆動電極又は、下部金属層が駆動電極を作製するために使用される場合には、基準電極を画成するように、及び穴912を露出させるように、パターニングされることができる。更に、電気接続バンプ例えば、金属バンプ918及び920並びにスペーサバンプ例えば、金属バンプ922が、アクチュエータ構造体例えば、下部金属層906、上部金属層916及び絶縁体層914の露出された表面の上にメッキ形成されることができる。また、金属シール924が、穴912の周囲にメッキ形成されることができる。図9Gにおいて、ASIC層128が、作動層118及びポンプ室層540を含む構造体978に接合される。ASICウエハ128は、穴912に連絡する流体供給チャネル930を含む。次いで、図9Hに示すように、ハンドル層520及び酸化物層530は、ポンプ室空洞部565の内側表面を露出させるように除去される。酸化物層530の厚さがポンプ室空洞部565の外側よりもポンプ室空洞部565の内側において薄いいくつかの実施形態においては、ポンプ室空洞部565がエッチング開口される際に、酸化物薄層例えば、0.25ミクロンをポンプ室層540の下面上に残すことができる。図9Iにおいて、ポリシリコン層712のポンプ室空洞部565内の部分が、例えばエッチング等により、ポンプ室565に隣接する側から除去される。ポンプ室層540は、このエッチング用のマスクとしての役割を果たすことができる。異方性エッチング剤を使用して、ポリシリコン層712のポンプ室空洞部565内の部分のみをエッチ除去することができる。更に、ポリシリコン層712のポンプ室空洞部565内の部分が酸化物層904の裏側から除去される際に、穴912内に残留しているポリシリコンの薄層もエッチングプロセスにより除去される。図9Jにおいて、ノズル層940を含む基板が、例えば接着等により、ポンプ室層540に接合される。ノズル層940は、ノズル942を含む。残留している酸化物薄層530は、ポンプ室層540とノズル層940との間の接合を促進することができる。また、基板は、ノズル開口を塞ぐハンドル層944を含むことができる。図9Kにおいて、ハンドル層944が除去され、ノズル942が開口される。図1Bに示す図9Kにも示すプリントヘッドモジュール100bが作製されることができる。湾曲圧電膜を形成するためにプロファイル転写表面を使用する他の方法も可能である。例えば、図10Aに示すように、フォトレジスト層1092が、半導体基板1096の露出された平坦な表面の上に堆積されることができる。フォトレジスト層1092は、開口1094がフォトレジスト層1092内に形成されるように、パターニングされることができる。開口の形状は、ポンプ室の横方向断面に類似する。開口のサイズは、例えば数ミクロン例えば、2~5ミクロン又は5~10ミクロンだけ、ポンプ室の横方向寸法よりも若干大きいことができる。図10Bに示すように、フォトレジスト層1092及び露出された基板表面は、基板1096の表面内に凹部1098が形成されるように、KOH等の異方性エッチング剤に曝露されることができる。エッチング剤は、結果的に得られる凹部1098がテーパ状側壁部を有するように、用意されることができる。凹部1098が形成されると、エッチングを終了することができ、フォトレジスト層1092を剥離することができる。結果的に得られる構造体が、図10Cに示される。図10Dに示すように、適切な融点を有する金属又は別の材料が凹部1098内へスパッタリングされることにより、金属層1010を形成することができる。金属層1010は、凹部1098の上のドーム状表面1002と、ドーム状部分1002の周囲の実質的に平坦な部分1004と、を有する。湾曲表面部分1002を有する基板が形成されると、湾曲表面1002は、湾曲圧電膜を有する圧電構造体を上に形成することができるプロファイル転写表面としての役割を果たすことができる。いくつかの実施形態においては、図10Eに示すように、下部金属層1006、圧電層1008及び上部金属層1012が、例えば図8A~8Eに関連して説明したものと同様の態様で、平坦部分1004によって囲まれた湾曲部分1002の上に連続して堆積される。いくつかの実施形態においては、下部金属層及び圧電層のみが堆積される。その後、図10Fに示すように、テーパ状凹部1098が、例えば基板の下面からの研削、研磨、及び/又はエッチングにより、下方から開かれることができる。基板は、金属が融解してこの開かれた凹部1098から例えば、開口1014を介して流出するまで、加熱されることができる。材料1010が開口1014から流出すると、下部金属層1006、圧電層1008及び上部金属層1012により形成される構造体1020は、基板1096から引き離されることができる。図10Gに示すように、湾曲した圧電層1008を有する構造体1020は、ポンプ室層1016に接合されることができ、この場合には、ポンプ室層は、ノズル層1018に更に接合されて、流路本体を形成する。流体吐出モジュールの他の部品が、例えば図8F~8Gに関連して説明したプロセスと同様の態様において、図10Gに示すステップで得られる構造体に作製及び/又は追加されることができる。