基板と、該基板に結合した多層エピタキシャル構造と、を含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、前記多層エピタキシャル構造が、上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を含み、前記上部及び下部AlGaInN領域はアルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。基板と、該基板に結合した多層エピタキシャル構造と、を含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、前記多層エピタキシャル構造が、上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を含み、前記上部及び下部AlGaInN領域はアルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、前記多層エピタキシャル構造の上面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。前記基板の屈折率は2.1よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の素子。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に酸化亜鉛の層を設けることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の素子。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に二酸化珪素の層を設けることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の素子。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に誘電体の層を設けることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の素子。前記下部AlGaInN領域は、n型AlGaInNエピタキシャル層及びドーピングされていないエピタキシャル層から成ることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の素子。前記下部AlGaInN領域は、3μmよりも大きい厚みを持つことを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の素子。前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる前記面は、研磨粒子で機械的にテクスチャがつけられていることを特徴とする請求項1、3~8のいずれかに記載の素子。前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる前記面は、ウエット又はドライエッチングによりテクスチャがつけられていることを特徴とする請求項1、3~8のいずれかに記載の素子。前記多層エピタキシャル構造の上面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とする請求項1に記載の素子。基板を用意するステップと、少なくとも4μmの厚さを持つ多層エピタキシャル構造を前記基板上に形成するステップと、を含むAlGaInN発光ダイオード素子の製造方法であって、前記多層エピタキシャル構造を形成するステップが、上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を、窒化アルミニウムガリウムインジウムをベースにした材料の層を成膜することにより形成するステップを含み、前記活性領域が前記上部及び下部AlGaInN領域の間に形成され、前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とする方法。基板を用意するステップと、少なくとも4μmの厚さを持つ多層エピタキシャル構造を前記基板上に形成するステップと、を含むAlGaInN発光ダイオード素子の製造方法であって、前記多層エピタキシャル構造を形成するステップが、上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を、窒化アルミニウムガリウムインジウムをベースにした材料の層を成膜することにより形成するステップを含み、前記活性領域が前記上部及び下部AlGaInN領域の間に形成され、前記多層エピタキシャル構造の上面がテクスチャをつけられた面であることを特徴とする方法。前記下部AlGaInN領域を形成するステップが、前記下部AlGaInN領域の厚みが3μmよりも大きくなるように前記下部AlGaInN領域を形成するステップを含むことを特徴とする請求項12又は13に記載の方法。前記下部AlGaInN領域を形成するステップが、前記活性領域及び前記上部AlGaInN領域を後の成長工程で有機金属気相エピタキシャル成長により形成する前に、水素化物気相エピタキシャル成長技術を用いて窒化ガリウムエピタキシャル層を成長させるステップを含むことを特徴とする請求項12、13又は14に記載の方法。前記基板の屈折率は2.1よりも小さいことを特徴とする請求項12~15のいずれかに記載の方法。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に酸化亜鉛の層を設けるステップを含むことを特徴とする請求項12~16のいずれかに記載の方法。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に二酸化珪素の層を設けるステップを含むことを特徴とする請求項12~16のいずれかに記載の方法。前記多層エピタキシャル構造の成長中に特定の特性を提供する為に前記基板に誘電体の層を設けるステップを含むことを特徴とする請求項12~16のいずれかに記載の方法。前記下部AlGaInN領域を形成するステップが、n型AlGaInNエピタキシャル層及びドーピングされていないエピタキシャル層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項12~19のいずれかに記載の方法。前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面に、研磨粒子で機械的にテクスチャをつけるステップを含むことを特徴とする請求項12、14~20のいずれかに記載の方法。前記基板の、前記多層エピタキシャル構造と結合させる面に、ウエット又はドライエッチングによりテクスチャをつけるステップを含むことを特徴とする請求項12、14~20のいずれかに記載の方法。前記多層エピタキシャル構造の上面にテクスチャをつけるステップを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。成長基板上に多層エピタキシャル構造を成長させるステップであって、前記多層エピタキシャル構造が、上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を含み、前記上部及び下部AlGaInN領域はアルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持つように成長させるステップと、前記成長基板を含む前記多層エピタキシャル構造を金属製のインターフェース層を挟んで導電性基板へとボンディングするステップと、前記成長基板を除去するステップと、前記多層エピタキシャル構造の露出面にテクスチャをつけるステップと、を含むAlGaInN発光ダイオード素子の製造方法。前記導電性基板は、珪素から構成されることを特徴とする請求項24に記載の方法。前記成長基板は、レーザーリフトオフ又はエッチングにより除去されることを特徴とする請求項24又は25に記載の方法。前記導電性基板は、不透明であることを特徴とする請求項24、25又は26に記載の方法。LED10のようなAlGaInNベースのLEDからの光の抽出は、AlGaInNエピタキシャル層内の、或はその周囲に存在する様々な寄生光学損失メカニズムにより制約される。これらのメカニズムには、半透明金属層26での吸収や、緩衝層28、活性領域18及びMgを多量に添加したGaN接触層16といったLEDのエピタキシャル部を構成する多数の層内で生じる吸収が含まれる。多層エピタキシャル構造の屈折率n=2.4とサファイア基板n=1.77又は封止用エポキシ層n=1.5の屈折率との間には落差がある為、活性領域内で生じた光のうち、エポキシ又は基板中へと最初にこれらの界面に達した時点で逃げるのは25程度だけである。残りの光はチップ上の封止用エポキシ層と基板により形成される導波路中に閉じ込められる。閉じ込められた光がLEDの側面から出る迄には、チップ長程度の距離を移動しなければならない。この距離の間、LED構造中にある様々な損失メカニズムにさらされなければならず、吸収される確率が高くなる。従って、この閉じ込められた光の多くは結局失われてしまい、LEDの全体的な光出力が低下する。従って、様々な損失メカニズムで失われる放射光の量を低減し、これにより素子の全体的出力を増大させるAlGaInNベースのLED構造が必要とされているのである。本発明は、素子の光抽出効率を向上させる厚い多層エピタキシャル構造を採用した発光ダイオードLED及びその製造方法である。LEDは窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInNをベースにしたLEDである。厚い多層エピタキシャル構造により、厚い多層エピタキシャル構造の側面を介して素子を出る放射光の量が増大し、素子の光抽出効率が高くなる。このLEDは基板、緩衝層及び厚い多層エピタキシャル構造を含む。基板はサファイアで作られたものが好ましい。基板又は基板上の成長層そのような層を設けた場合の屈折率が多層AlGaInNエピタキシャル構造の屈折率効果的にはnが約2.4程度よりも充分低くさえあれば、エピタキシャル層の厚みを増すことによる光抽出効率の改善は得られる為、他の基板を使用することも可能である。本願の説明においては、異なる基板であっても、その基板又はその上の成長層の屈折率が2.1未満であれば光抽出効率の大幅な改善が期待できるものとする。更に、基板に酸化亜鉛、ニ酸化珪素又は他の誘電体を設けて成長中に特定の特性を持たせるようにしても良い。推奨される実施例においては、基板の上面に特定のテキスチャを持たせており、この面に当たる光がランダム化されるようになっている。例えば、この面を比較的に粗い研磨粒子で研磨することにより機械的にテキスチャを作ることが出来る。緩衝層は、基板上にAlGaInNベース材料の層をエピタキシャル成長させることにより形成される。緩衝層は、多層エピタキシャル構造を基板上に適正に成長させる為の遷移層としての働きを持つ。多層エピタキシャル構造は上部AlGaInN領域、活性領域及び下部AlGaInN領域を含む。上部及び下部AlGaInN領域は複数のAlGaInNエピタキシャル層を含む。上部AlGaInN領域はp型AlGaInN層から成り、下部AlGaInN領域はn型AlGaInN層及びドーピングされていないエピタキシャル層から成る。ドーピングされていないエピタキシャル層は、AlGaInN層としても、AlGaInNを基本成分とした他の材料の層としても良い。活性領域は、量子井戸を形成する少なくとも1つのAlGaInN発光層を含む。可視スペクトルLEDに関しては、発光層は代表的にはInGaNから構成される。この多層エピタキシャル構造は、従来型の多層エピタキシャル構造よりも厚い。この多層エピタキシャル構造は、約4μm以上の厚さを持つ。一実施例においては、多層エピタキシャル構造の厚さは約7μmある。他の実施例においては、多層エピタキシャル構造の厚さが15μmである。しかしながら、多層エピタキシャル構造の厚さは15μmよりも大きくてもかまわない。多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすることにより、基板上面とLEDを覆う封止用エポキシ層の底面とで形成される導波路中に閉じ込められた光が、より少ない反射回数で多層エピタキシャル構造の側面を通じてLEDから出るようになる。具体的には、多層エピタキシャル構造の大きい厚みにより、基板の上面又は封止用エポキシ層の底面のいずれかにおいて1回反射するだけで多層エピタキシャル構造の側面から出て行く光の量を増やすことが出来るのである。閉じ込められた光の反射回数を減らすことにより、AlGaInNエピタキシャル層内部又はその周囲に存在する様々な寄生光学損失メカニズムにより吸収される光の量が低減される。この低減の効果は、LEDの全体的な光出力の増大として現れる。図2を参照すると、ここには本発明に基づく窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInNをベースとした発光ダイオードLED32が示されている。AlGaInNベースLEDは、基板34及び多層エピタキシャル構造36を含む。図1に示したLED10の多層エピタキシャル構造14のような従来型のAlGaInNベースLEDの多層エピタキシャル構造と比較すると、AlGaInNベースLED32の多層エピタキシャル構造36は著しく厚い。多層エピタキシャル構造の厚みを増すことにより、活性領域38で生じた光のうち、多層エピタキシャル構造の側面を介してLED32を出て行く光の量が増大する。厚い多層エピタキシャル構造がどのようにLEDからの放射光を増大させるかを以下に説明する。多層エピタキシャル構造36は上部AlGaInN領域40、活性領域38及び下部AlGaInN領域42を含む。上部及び下部AlGaInN領域は複数のAlGaInNのエピタキシャル層を含む。上部AlGaInN領域はp型AlGaInNエピタキシャル層から成り、下部AlGaInN領域はn型AlGaInNエピタキシャル層及びドーピングされていないエピタキシャル層から成る。下部AlGaInN領域中のn型AlGaInNエピタキシャル層を含む部分を符号44に示した。下部AlGaInN領域中のドーピングされていないエピタキシャル層を含む部分は符号46に示した。ドーピングされていないエピタキシャル層はAlGaInN層としても、又はAlGaInNを基本成分とした他の材料から成る層としても良い。活性領域は量子井戸を形成する少なくとも1つのAlGaInN発光層を含む。可視光発光の場合、この発光層を窒化インジウムガリウムInGaNで作ることが出来る。多層エピタキシャル構造は約4μm以上の厚みを持つ。一実施例においては、多層エピタキシャル構造の厚さは約7μmとした。他の実施例においては、多層エピタキシャル構造の厚みを約15μmとした。しかしながら、多層エピタキシャル構造の厚さは15μmより大きくてもかまわない。数値的光線追跡モデリング計算から得られた抽出効率対エピタキシャル構造厚のグラフを、図3に示す。歪みに起因したクラック等の問題がある為、厚いAlGaInN構造上に高品質の活性領域を成長させることが出来るかは明確にはわからない。緩衝層や下部AlGaInN層の組成及びドーピング条件多量か微量か、n型かp型か、或はドーピングしないかの特定の選択をすれば、高品質活性領域が得られ、そして、実際に量子収量の向上が観測される。更にAlGaInN層又はAlGaInNベースの超格子構造を使ってエピタキシャル構造内の張力と圧力のバランスを取り、活性領域の内部量子収量の低下原因となる欠陥の形成を抑制することにより、歪みも制御することが出来る。多層エピタキシャル構造36の厚さを増す為には、図2に示すように下部AlGaInN領域の厚さのみを増大させれば良い。しかしながら、他の形態も可能である。例えば上部AlGaInN領域40の厚さを増大させることによって多層エピタキシャル構造の厚さを増しても良い。かわりに上部40及び下部AlGaInN領域42両方の厚さを大きくすることにより、多層エピタキシャル構造の厚さを増すことも出来る。多層エピタキシャル構造36と基板34との間には、緩衝層48がある。緩衝層は、下部AlGaInN領域42と基板との間に確実に適切な接着を提供する働きを持つ。緩衝層は、AlGaInNをベースにした材料から作られる。基板はサファイアAl2O3であることが望ましい。エピタキシャル構造厚を大きくすることによる光抽出率の改善は、基板、又は基板上の成長層そのような層を設けた場合が多層AlGaInNエピタキシャル構造効果的にはnが約2.4よりも充分に小さい屈折率を持っていれば得られる為、他の基板であっても利用可能である。この説明においては、異なる基板であってもその基板又はその上の成長層の屈折率が2.1よりも小さければ、大幅な光抽出率の改善が期待出来るものとする。更に基板は、成長中に特定の特性を提供する為の酸化亜鉛ZnO、二酸化珪素SiO2又はその他の誘電体層を設けたものであっても良い。推奨される実施例においては、基板の上面にはテクスチャがつけられており、これにより活性領域38から放出され、入射光がランダム化される。基板にテクスチャをつけると入射光が多層エピタキシャル構造の側面からLEDを出る確率が高くなる。テクスチャを付けたサファイア基板上には、非テクスチャ基板と比較すると大幅に低いクラック発生率で厚いAlGaInNエピタキシャル層>7μを成長させることが出来る。LED32はそれに電力を供給するオームp接触50及びオームn接触52を含む。オームp接触は多層エピタキシャル構造36の上部AlGaInN領域40と電気的に結合し、オームn接触は下部AlGaInN領域46のn型AlGaInNエピタキシャル層44と電気的に結合している。下部AlGaInN領域46はドーピングされていなくても、或はp型であっても良く、その構造において随意に選択出来る。上部AlGaInN領域上に成膜され、オームp接触に電気的に接続されているのは半透明金属層54である。半透明金属層は活性領域38の全面積にわたって電流を分配する為の電流スプレッダーとして機能する。半透明金属層は酸化ニッケルNiO及び金Auから作ることが出来る。一実施例における半透明金属層の形成にはまず、Ni層を成膜するが、これはNiを成膜以前に酸化させる、或は成膜の間に酸化させることによりNiO層が形成される。次にNiO層の上にAu層を成膜し、そしてこれら2層をアニールする。この処理により半透明金属層の形成を従来の半透明金属層よりも薄いAu層を使って実施することが出来る。この推奨される実施例においては、半透明金属層54を形成する為に使ったAu層は約50オングストロームの厚さを持っている。対照的に、従来の半透明金属層を形成する為に使用するAu層の厚さは約113オングストロームである。NiOの後にAuを成膜するかわりに、反応性スパッタリング又は反応性蒸着技術を使って2つの材料を同時に成膜しても良い。AlGaInNベースLED32の発光作用は図1のAlGaInNベースLED10のような従来型のAlGaInNベースLEDと同様である。LED32を活動化させる為に電圧がオーム接触50及び52へと印加され、LEDに順方向バイアスがかかる。LEDに順方向バイアスがかかった状態になると、上部AlGaInN領域40から活性領域38へと正孔が注入される。更にこの順方向バイアス条件下では下部AlGaInN領域42のn型AlGaInNエピタキシャル層44からも電子が活性領域へと注入される。活性領域の量子井戸内においては、注入された正孔及び電子が再結合し、これにより光が放出される。発生した光は、活性領域内の矢印に示されるようにあらゆる方向へと放射される。放射光の一部は半透明金属層54を通って出力光としてLEDを出て行き、また、放射光の一部は基板34を通ってLEDの外に出て行く。放射された光の他の部分は、基板34の上面及びLEDを覆う封止用エポキシ層図示せずの底面で反射した後に多層エピタキシャル構造36の側面からLED外に出て行くこのような放射光線の経路例を56、58及び60に示す。LEDの全体的光出力としては、上部から出て行く、或は基板から出て行く部分と同時にLEDの側面を通って出て行く放射光も含まれる。従来型のAlGaInNベースLEDと同様、多層エピタキシャル構造36の屈折率n=2.4と基板34サファイアの場合n=1.77又は封止用エポキシ層の屈折率1.5との間の落差により、活性領域38内で生じた光のうち、最初に界面へと達した時点でエポキシ又は基板へと逃げる部分はたったの25程度である。残りの光はチップ上の封止用エポキシ層と基板により形成される導波路内に閉じ込められる。閉じ込められた光は様々な損失メカニズムにさらされ、これにより多層エピタキシャル構造の側面を通ってLED外に出て行くことが出来る光の量が低減する。これらの損失メカニズムには半透明金属層54における吸収や、緩衝層48、活性層38及び多量のMgが添加された接触層等のLED32のエピタキシャル部を構成する多数の層内における吸収が含まれる。損失メカニズムを通過する度に吸収される確率が増すのである。多層エピタキシャル構造36の厚さを大きくすることにより、形成された導波路内に閉じ込められた光は、より小数の損失メカニズムを通過することで多層エピタキシャル構造の側面からLED32の外に出て行くことが出来る。具体的には、多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすることにより、より多くの量の放射光が、図2の光線56、58、60に示されるように基板34の上面又は封止用エポキシ層の底面のいずれかでの最高1回の反射を経て多層エピタキシャル構造の側面から出て行くことが出来る。本願においては、このような光線をファーストパス抽出光と呼ぶ。AlGaInNベースLEDからの光抽出の光線追跡モデリングにおいて、多層エピタキシャル構造の厚さを増すことで第1経路の光抽出率が改善されることが確認出来る。図4は、それぞれ3.2μm及び18.2μmの厚さの多層エピタキシャル構造を持つ300x400μm2のAlGaInNベースLEDの相対的光抽出効率を示すものである。第1のケースにおいては、113オングストロームの厚さを持つAu層を使って代表的な半透明金属層を形成した。このような半透明金属層26は図1に示したものである。第二のケースにおいては、図2の半透明金属層54のように、50オングストロームの厚さに減じたAu層を使って半透明金属層を形成した。データは、厚いAuと薄いAlGaInNを使った場合例えば113オングストローム厚のAu層で形成した代表的な半透明金属層と3.2μm厚の従来型多層エピタキシャル構造を含むAlGaInNベースLEDで正規化されている。留意すべきは、いずれのケースにおいても多層エピタキシャル構造厚を大きくした方が、抽出効率が通常の多層エピタキシャル構造のそれと比較して大幅に改善されているという点である。多層エピタキシャル構造厚の増大による抽出効率の改善は、これらのケースにおいては約25~30である。AlGaInN/サファイア界面に粗さを持たせた、即ちテクスチャを付けた素子の場合であっても、多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすると光抽出効率が改善される。図5は、図4にて利用したものと同様であるがAlGaInN/サファイア界面にテクスチャをつけた素子の相対的光抽出効率をモデリングしたものである。テクスチャをつけたAlGaInN/サファイア界面は、そこに入射する光を0次反射に対して±11°の標準偏差でランダム化する。多層エピタキシャル構造の厚みを増大させたことによる光抽出率の改善はこれらのケースにおいては22~27である。留意すべきは、図4と比較してテクスチャを付けたAlGaInN/サファイア界面により提供される抽出効率が図5では全体的に増えているという点である。厚みを増した多層エピタキシャル構造36を使用することによるAlGaInNベースLED32のパフォーマンスの更なる改善点としては、活性領域38中の歪み及び欠陥密度の低減、内部量子収量の改善、そして出来ればウエハ特性の均一性の改善が含まれる。より厚い下部AlGaInN領域例えば7μmを持つ素子には抽出効率問題だけに帰することが出来ない効率の向上が見られることを研究データは示している。これは下部AlGaInN領域の厚さを増大させる例えば3μmよりも大きくすることによりLED構造において内部量子収量が改善されたことを示唆している。図6は、7μm厚の下部AlGaInN領域を持つAlGaInNベースLEDの光出力測定データを示すものである。実線は薄い4μm未満エピタキシャル構造を採用した従来型のAlGaInNベースLEDのパフォーマンスを示す。測定された相対的外部量子収量の増加は15~40である。このような増加は、光抽出効率の改善だけでは説明しにくい。本発明に基づくAlGaInNベースLEDの製造方法を、図7を参照しつつ説明する。ステップ62においては基板が用意される。基板はサファイアで作られたものが望ましい。基板、又はその上の成長層このような層を設けた場合が多層エピタキシャル構造の屈折率効果的にはnが約2.4よりも充分に小さい屈折率を持ってさえいれば、エピタキシャル厚を増大させることによる光抽出率の改善を得ることが出来る為、他の基板を利用することも可能である。この説明においては、基板又は成長層の屈折率が2.1よりも小さければ異なる基板であっても光抽出率の著しい改善が期待できるものとする。更に、成長中に特定の特性を提供する為に基板に酸化亜鉛ZnO、二酸化珪素SiO2又は他の誘電体の層を設けても良い。次にステップ65においては、基板の上面にテクスチャがつけられる。テクスチャづけは数ある技術のうちのいずれによって実施しても良い。例えば、表面を比較的に粗い研磨粒子で研磨することにより、機械的にテクスチャをつけることが出来る。このような工程においては、サファイアウエハを研磨車上に固定した金属製パック上に取り付ければ良い。次に研磨粒子を用いてサファイアに粗く研磨し、所望のテキスチャをつける。1μ未満のサイズの研磨粒子を利用することが出来る。この結果得られる基板は、その上面に突き当たる光をランダム化する。また、かわりに基板をウエット又はドライエッチング技術によりパターニングしても良い。更に他の手法として、前の成長工程で既に設けられているAlGaInN層にテクスチャをつけることも出来る。この層のテクスチャづけは、従来より周知の幾つかの手段により実施することが出来、後の工程で成長させるLED構造用の成長面とすることが出来る。ステップ66においては、基板上に緩衝層が成膜される。緩衝層はAlGaInNをベースにした材料で作られる。次に、ステップ68において緩衝層上に多層エピタキシャル構造が形成される。一実施例においては、多層エピタキシャル構造のエピタキシャル層を有機金属気相エピタキシャル成長OMVPE技術を用いて成長させることが出来る。他の実施例においては、エピタキシャル層を水素化物気相エピタキシャル成長HVPE技術を用いて成長させることが出来る。HVPE成長技術は、OMVPEと比べてスループットが高い成長速度がより速いという利点を持っており、成長構造中に厚いエピタキシャル層を採用する場合に便利である。多層エピタキシャル構造は約4μm以上の厚みを持っている。例えば、多層エピタキシャル構造は約7μmの厚さを持っていても良い。しかしながら、多層エピタキシャル構造の厚さは約15μm以上であってもかまわない。多層エピタキシャル構造の形成工程には、AlGaInNをベースにした材料のエピタキシャル層を緩衝層上に成長させて行き、多層エピタキシャル構造の下部AlGaInN領域、活性領域そして上部AlGaInN領域を順番に形成することが含まれる。一実施例においては、下部AlGaInN領域はGaNエピタキシャル層のみで形成される。他の実施例においては、下部AlGaInN領域はAlGaInNエピタキシャル層及びAlGaInNをベースにした他のエピタキシャル層から作られる。多層エピタキシャル構造の下部AlGaInN領域には、3μmを超える厚みを持たせることが望ましい。例えば、下部AlGaInN領域は約7μmの厚さを持っていても良い。次にLEDのオーム接触の形成等、更なる工程を実施し、AlGaInNベースLEDを完成する。上述したフローにおいては、AlGaInN多層エピタキシャル構造の基板との界面に随意選択によるテクスチャリングを行うことが含まれているが、テクスチャリングはAlGaInN多層エピタキシャル構造の上面にも実施可能であり、光抽出率を改善する為にはその方が好ましい。これは上面のオーム接触を形成する前又は後に実施することが出来る。AlGaInNベースLED32は、半透明金属層54を介して表面光を放射する素子として説明したが、LEDは半透明金属層のかわりに高い反射率を持つメタライズ層を有する反転素子とすることも出来る。この反転LEDにおいては、表面光は透明基板を通して放射される。厚いAlGaInN多層エピタキシャル構造を採用したAlGaInNベースLEDの他の実施例は、図8に示した垂直注入構造である。LED構造70においては、n型及びp型AlGaInN層72、74が活性領域76の両側に、n型又はp型層のいずれかが導電性基板78に電気的に接続するように設けられている。導電性基板は珪素Siのような不透明材料から構成されるものであっても良い。この基板は、元の成長基板図示せずを含むAlGaInN多層エピタキシャル構造80を金属製のインターフェース層82を挟んで導電性基板へとボンディングすることにより設けることが出来る。金属インターフェース層は基板とAlGaInNエピタキシャル層との間にオーム接触84、86を介した電気接続を提供すると同時に基板とAlGaInN多層エピタキシャル構造とを接着する働きも持つ。ボンディング後、レーザーリフトオフや、AlGaInN多層エピタキシャル構造と元の成長基板との間の犠牲層を含む選択的エッチング等、従来より周知の数ある技術のいずれかを使って元の成長基板が除去される。元の成長基板を除去した後、AlGaInN多層エピタキシャル構造80の露出面88にテクスチャをつけても良く、その後オーム接触84を形成して垂直注入素子70が完成する。上述したように、この説明においてはAlGaInNエピタキシャル層の厚さを大きくすることにより、AlGaInN/エポキシ界面とAlGaInN/金属層界面との間に閉じ込められた光に関わる損失を低減することでこの素子の抽出効率を増すことが出来る。AlGaInN多層エピタキシャル構造は約4μm以上の厚さを持つ。多層エピタキシャル構造の厚さを、例えば約7μmとしても良い。しかしながら、多層エピタキシャル構造の厚さは約15μm以上あってもかまわない。本発明の素子は厚い多層エピタキシャル構造により、厚い多層エピタキシャル構造の側面を介して素子を出る放射光の量が増大し、素子の光抽出効率を高くできる。また、エピタキシャル層の厚みを増すことによる光抽出効率の改善が得られる為、他の基板を使用することも可能である。さらに、本発明の素子では、多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすることにより、基板上面と封止用エポキシ層の底面とで形成される導波路中に閉じ込められた光が、いずれかにおいて1回反射するだけで側面から出て行く光の量を増やすことができる。よって、光の反射回数を減らすことにより、AlGaInNエピタキシャル層内部又はその周囲に存在する様々な寄生光学損失メカニズムにより吸収される光の量が低減され、LEDの全体的な光出力が増大する。