"電子ワークピースを製造する装置であって、前記装置は:プラズマチャンバと;プラズマチャンバ内に取り付けられる第1の電極および第2の電極と;第1の電極と第2の電極との間に電子ワークピースを位置決めするチャックと;第1の電極に、第1の周波数を持つ電気信号が供給されるように接続される低周波電源と;第2の電極に、第1の周波数よりも実質的に高い第2の周波数を持つ電気信号が供給されるように接続される高周波電源と;第1の電極と電気接地との間に接続される少なくとも1つのコンデンサと、を含む、電子ワークピースを製造する装置。第1の電極は前面と背面とを備え、第1の面が一般に第2の電極に向かい合い;チャックはワークピースを第1の電極の前面に隣接して位置決めする、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが:第1の電極の周囲付近に空間的に分布されるそれぞれの点において、第1の電極にそれぞれ接続された複数のコンデンサを含む、請求項1に記載の装置。第1の電極が前面と背面とを備え、第1の面が一般に第2の電極に向かい合い;少なくとも1つのコンデンサが、第1の電極の背面を覆って空間的に分布されるそれぞれの点において、第1の電極にそれぞれ接続された複数のコンデンサを含む、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが:第1の電極の中央付近の点で第1の電極に電気的に接続される第1のコンデンサを含む、請求項1に記載の装置。第1の電極の中央付近の点で第1の電極に接続される導電性軸をさらに含み;少なくとも1つのコンデンサは、軸に直接に電気的接続される第1のコンデンサを含む、請求項5に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが750pfから3000pfまでの範囲内の総静電容量を有する、請求項1に記載の装置。高周波電源および低周波電源が共同して、第1の電極と第2の電極との間の領域でプラズマを励起し;少なくとも1つのコンデンサが、前記領域中の前記プラズマの強度を、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度に比べて実質的に増加させる静電容量を有する、請求項1に記載の装置。高周波電源および低周波電源が共同して、第1の電極と第2の電極との間の領域でプラズマを励起し;少なくとも1つのコンデンサが、前記領域中の前記プラズマ濃度の空間均一性を、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前記プラズマ濃度の空間均一性に比べて実質的に向上させる静電容量を有する、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが、第1の電極の後ろのいかなるプラズマ強度をも、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度に比べて実質的に減少させる静電容量を有する、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが、前記第2の周波数で第1の電極を接地に電気接続するのに充分なほど大きい静電容量を有する、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが、低周波電源が第1の電極へ充分な電力を供給するのを可能にするのに充分なほど小さい静電容量を有する、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが、プラズマチャンバ内に、目に見える明らかないかなるプラズマホットスポットも形成されることを防ぐ静電容量を有する、請求項1に記載の装置。少なくとも1つのコンデンサが静電容量によって特徴付けられる可変コンデンサを含み;プラズマチャンバが、チャンバ運転中に可変コンデンサの静電容量を漸次的に変化する制御装置をさらに含む、請求項1に記載の装置。第2の周波数が第1の周波数よりも少なくとも2倍大きい、請求項1に記載の装置。第2の周波数が第1の周波数よりも少なくとも10倍大きい、請求項1に記載の装置。電子ワークピースを製造する方法であって、前記方法は:プラズマチャンバ内に第1の電極および第2の電極を取り付けるステップと;第1の電極と第2の電極との間に電子ワークピースを位置決めするステップと;第1の電極に第1の周波数を持つ第1の電気信号を供給するステップと;第2の電極に第1の周波数よりも実質的に高い第2の周波数を持つ第2の電気信号を供給するステップと;少なくとも1つのコンデンサを第1の電極と電気接地との間に接続するステップと、を含む、電子ワークピースを製造する方法。ワークピースが大部分、誘電材料によって構成される、請求項17に記載の方法。第1の電気信号および第2の電気信号が共同して第1の電極と第2の電極との間の領域におけるプラズマを励起させ;少なくとも1つのコンデンサが、前記領域中の前記プラズマの強度を、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度に比べて実質的に増加させる静電容量を有する、請求項17に記載の方法。第1の電気信号および第2の電気信号が共同して第1の電極と第2の電極との間の領域におけるプラズマを励起させ;少なくとも1つのコンデンサが、前記領域中の前記プラズマ濃度の空間均一性を、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前記プラズマ濃度の空間均一性に比べて実質的に向上させる静電容量を有する、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのコンデンサが、第1の電極後ろのいかなるプラズマ強度をも、少なくとも1つのコンデンサが存在しない場合の前述のプラズマ強度に比べて実質的に減少させる静電容量を有する、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのコンデンサが、前記第2の周波数で第1の電極を接地に電気接続するのに充分なほど大きい静電容量を有する、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのコンデンサが、低周波電源が第1の電極へ充分な電力を供給するのを可能にするのに充分なほど小さい静電容量を有する、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのコンデンサが、プラズマチャンバ内に目に見える明らかないかなるプラズマホットスポットも形成されることを防ぐ静電容量を有する、請求項17に記載の方法。少なくとも1つのコンデンサが静電容量によって特徴付けられる可変コンデンサを含み;方法が、チャンバ運転中に可変コンデンサの静電容量を漸次的に変化させるステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。プラズマチャンバ内で電子ワークピース上に材料を堆積するステップをさらに含み;静電容量を漸次的に変化させるステップが、材料が堆積される間に静電容量を変化させるステップを含む、請求項25に記載の方法。プラズマチャンバ内で電子ワークピース上の材料をエッチングするステップをさらに含み;静電容量を漸次的に変化させるステップが、材料がエッチングされる間に静電容量を変化させるステップを含む、請求項25に記載の方法。第1の電気信号および第2の電気信号が共同して第1の電極と第2の電極との間の領域におけるプラズマを励起させ;静電容量を漸次的に変化させるステップが、チャンバ運転中にプラズマインピーダンスの変化量を減少するよう静電容量を変化させるステップを含む、請求項25に記載の方法。第1の電気信号および第2の電気信号が共同して第1の電極と第2の電極との間の領域におけるプラズマを励起させ;静電容量を漸次的に変化させるステップが、チャンバ運転中にプラズマ濃度の空間均一性の変化量を減少するよう静電容量を変化させるステップを含む、請求項25に記載の方法。第2の周波数が第1の周波数よりも少なくとも2倍大きい、請求項17に記載の方法。第2の周波数が第1の周波数よりも少なくとも10倍大きい、請求項17に記載の方法。<プラズマチャンバ>図1は、本発明にしたがって陰極電極と接地との間に接続されたコンデンサを含むプラズマチャンバを表わす。本発明の詳細を記述する前に、従来のチャンバの特徴について説明する。本発明は、プラズマチャンバ内で、シリコンウェーハやフラットパネルディスプレイ用のガラス基板など、任意の種類の電子基板またはワークピースを作成または処理するのに有用である。例示されているチャンバは、ガラス基板上で膜のプラズマ化学気相成長CVDが実施されるよう設計されている。しかしながら本発明はまた、チャンバ内で、プラズマエッチングなど、その他のプラズマ支援処理を実施するのにも有用である。プラズマチャンバまたは真空チャンバは、チャンバ内部の側面および底面を囲み、また電気的に接地されたハウジングまたは壁10を有する。金属ペデスタルまたはサセプタ12は陰極電極として働き、ワークピースまたは基板14を支持する前面13を有する。サセプタの反対面を、その背面15と呼ぶ。選択的に、ワークピースは直接サセプタに接する必要はなく、たとえば図示されない複数のリフトピンによって、サセプタの前面から短距離に保持される。ワークピースを所定位置またはサセプタの前面近くに保持するためにいかなる手段が使用されても、我々はチャックという用語を用いて表わす。ワークピースが単純にサセプタ上に置かれる場合、サセプタ自身がチャックである。より一般的には、ワークピースは締付けリングまたはワークピース周囲を覆って置かれる長方形シャドウフレームによって、あるいはサセプタに埋め込まれた静電チャックによってサセプタ上に保持される。中空の円筒状金属導管または軸16が、サセプタの中央から下に向って延び、チャンバの底壁を貫いて通っている。導管または軸の主な働きは、サセプタ内に埋め込まれる電気ヒータおよび/または静電チャックに電力を供給する配線を囲むことである。例示されている好適実施例では、サセプタ中央軸16が絶縁体を介することなく直接サセプタに取りつけられ、したがって軸はRF高圧であり、LF電源をサセプタに接続するRF伝送線の一部として機能する。軸は以下で説明される円筒型誘電体81によって、電気的に接地されたチャンバ壁から電気的に絶縁されている。図示されない代替設計としては、軸を電気的に接地し、軸とサセプタとの間の絶縁スペーサによって軸をサセプタから絶縁するものがあろう。その場合、RF伝送線は中空軸の中に備えられ、LF電源をサセプタに接続する。チャンバ内部は上端において、その中央にガスインレットマニホールドが取り付けられた取外し可能なリッド18により囲まれている。ガスインレットマニホールドは、穴の開けられたガス分配プレートすなわちシャワーヘッド20、インレットマニホールド側壁22、および受け板24を含む。ガス分配プレートは、数百または数千もの開口部に穴が開けられ、また、導電性材料で構成されるので、陽極電極として機能することができる。ガスインレットマニホールドがRF電力を受けられるようにするため、ガスインレットマニホールド20~24は絶縁スペーサ26によって、電気的に接地されたリッド18およびチャンバ壁10から絶縁されている。処理ガスは受け板内のガス注入開口部28を通じてガスインレットマニホールドへ供給される。その後、ガスはガス分配プレート中の開口部を通じて、ガス分配プレートとサセプタ12との間のチャンバ内部の領域へ入るように流れる。RF電力は、2つの異なるRF周波数で動作する2つのRF電源によってチャンバ内のガスに供給される。HF電源と呼ばれる高周波RF電源30用の典型的な動作周波数は13MHzである。バイアスまたはLF電源と呼ばれる低周波RF電源32用の典型的な動作周波数は400kHzである。各電源は、1つが電気的に接地されている2つの出力端子間に出力電圧を発生する。各電源の接地出力端子は、電気的に接地されたチャンバ壁10に接続される。例示されているCVDチャンバでは、LF電源32の接地されていない出力端子は、陰極電極として機能するサセプタ12に電気的に接続される。HF電源30の接地されていない、すなわち高圧の出力端子は、陽極電極として機能するガス分配プレート20に電気的に接続される。図1に示されるように、HF電源をガス分配プレート20に電気的に接続するRFケーブルは受け板24に物理的に接続することができ、受け板24は導電性マニホールド側壁22を通じてガス分配プレートに電気的に接続される。いくつかの半導体製造工程、特にエッチング工程では、例示されているCVDチャンバに関してHF電源およびLF電源が交換される。すなわちHF電源およびLF電源は、それぞれ陰極電極サセプタ12および陽極電極ガス分配プレート20に接続される。LF電源32とそのインピーダンス整合ネットワークの設計によって、LF電源と陰極電極12との間に低域通過フィルタ33を直列に接続することが必要な場合がある。そのような低域通過フィルタがないと、HF電力がLF電源の整合ネットワークを乱したり或いは整合ネットワークに摂動を発生させたりして、インピーダンス整合の達成を妨げることがある。低域通過フィルタはHF電力がLF電源に結合されることを阻止するよう、HF電源およびLF電源の周波数間に遮断周波数を持たなくてはならない。LF電力がHF電源に結合されることを阻止するために、HF電源と陽極電極との間に高域通過フィルタ31を挿入することも出来る。高域通過フィルタは、以下に説明するCVD処理のように、LF電力レベルがHF電力レベルよりもはるかに低い場合には必要ない。陰極電極サセプタ12と陽極電極ガス分配プレート20との間に印加されるRF電力は、2電極間の領域にその領域中のガスをプラズマ状態に励起する電磁場を発生する。プラズマは処理ガス混合体から、ワークピース上の露出した材料と反応して所望の堆積またはエッチング処理を行なう反応種を生じる。図示されない真空ポンプがチャンバ内を望ましい真空レベルに維持し、環状排気スリット36を通じて処理ガスや反応生成物をチャンバから、次に環状排気プレナム38内へ、次いで図示されない排気導管を通って、ポンプへ排気する。この特許明細書全体を通じて、環状という用語は円形の周囲を有する物体に限らず、2つの同軸の閉じた経路によって境界付けられたいかなる物体をも意味するものとする。例示されたチャンバは長方形基板を作成するよう意図されているため長方形の断面を有しており、したがって環状排気スリットや環状排気プレナムは長方形の内周囲および外周囲を有する。電動リフト機構80~88がサセプタを低位置図示されずに移動し、同時にワークピースはチャンバの中へ、またはチャンバの外へ出されて上位置へ移送され図1、同時にプラズマ処理がワークピース上で実施される。特にサセプタ12は、セラミック支持棚80によってその中央に支持される。支持棚は、サセプタ軸16を取り囲みチャンバ底壁の開口部を通じて下へ向って延びる円筒形中央部分81を含む。支持棚の中央部分81は可動リフトプラットフォーム82の上に置かれる。図示されないモータが、リフトプラットフォームを固定床板84に対して制御可能に上下移動させ、それによってサセプタ12とサセプタ軸16とを上昇および降下させる。ベローズ86及びOリング88は、サセプタ軸16の垂直運動に合わせて、軸が延びているチャンバ壁の開口部の周囲に真空シールを供する。上述されるチャンバ要素はすべて、チャンバ内で行なわれる半導体製造処理を汚染せずに且つ処理ガスによる腐食に耐える材料によって構成されなくてはならない。陽極酸化アルミニウムは、セラミックスペーサ26およびリフト機構のセラミック要素80~84以外の、すべての要素に対して望ましい材料である。上述のプラズマチャンバの全部分は従来のものである。従来プラズマCVDおよびエッチングチャンバの設計および動作は、以下の譲受人に譲渡された米国特許に説明されており、そのそれぞれの全内容がここに、この特許明細書の中で参照により組み込まれる。すなわち、1989年8月8日発行のChangらに対する米国特許第4,854,263号、1994年10月18日発行のNguyenらに対する米国特許第5,356,722号、1998年5月26日発行のWangらに対する米国特許第5,755,886号、1998年6月30日発行のChangらに対する米国特許第5,773,100号、1998年12月1日発行のWhiteらに対する米国特許第5,844,205号、および2000年2月15日発行のLawらに対する米国特許第6,024,044号である。<サセプタと接地間に接続されたコンデンサ>従来のプラズマチャンバと異なり、我々のものはサセプタ12すなわち陰極電極と電気接地との間に接続された1つ以上のコンデンサ50~54を含む図1および2参照。これらコンデンサは、RF電力が陰極背後または陰極周囲外でいかなるプラズマと結合することも縮小、または排除する。言い換えれば、コンデンサはそのような不要なプラズマの強度を減少し、好ましくはゼロにする。これによって、処理ガスが中に分配される領域、すなわちサセプタ陰極電極とガス分配プレート20陽極電極との間の領域で、RF電力をより集中することで、チャンバ内で実施される化学処理の能力が向上する。我々はまた、コンデンサがそのような領域内におけるプラズマの空間均一性を向上させて、低プラズマ濃度または高プラズマ濃度の局所領域を最小化するか或いは取り除くことができ、それによってワークピース上で実施される堆積またはエッチング処理の空間均一性が向上され得ることを見出した。特に誘電CVD処理では、この向上されたRF電力濃度および均一性によって、引張り応力ではなく望ましい程度の圧縮応力、高密度、およびその他の望ましい膜特性を有する膜の堆積が可能となる。陰極電極と接地との間にコンデンサのない従来のプラズマチャンバでは、HF信号の周波数での陰極から接地への経路のみがLF電源32の出力インピーダンスであった。我々の発明では、コンデンサ50~54が、HF電源30の周波数で低いインピーダンスを有する陰極から接地への経路を提供する。我々の発明は特定の動作原理に限定されるわけではないが、コンデンサ50~54によりもたらされる、接地へのこの低インピーダンスの経路が、陰極とチャンバ壁10の近接領域との間でHF電圧を減少し、それによってサセプタと、陰極背後または陰極周囲外のいかなるプラズマとの間のHF電力の結合をも、縮小または排除すると我々は考える。本発明は、ワークピースまたは基板14がフラットパネルディスプレイ製造用のガラス基板などの誘電材料である場合に、特に有益である。具体的には、そのようなワークピースは一般に、ガラスなどの誘電基板上に形成された多数の半導体層、導体層、および誘電層から構成される。したがってワークピースの大部分の材料は誘電物質である。半導体基板と比較して、誘電基板はより大きなRFインピーダンスを、陰極電極12とプラズマ体との間に介在させるので、陰極電極に並ぶかまたはその背後かの選択的RF電流路を通ってRF電力が結合されることにより、二次プラズマ体を形成する危険性が増加する。その電気インピーダンスという点から広く定義すれば、サセプタと接地との間に接続されるコンデンサ50~54の複合静電容量値は、HF電源30の周波数でのサセプタと接地間の電気インピーダンスを、静電容量がない場合の前述のインピーダンスと比較して、実質的に減少させるのに充分なほど大きくなくてはならない。好ましくは、複合静電容量は、HF周波数でサセプタと接地との間に事実上直接に電気接続を提供するのに充分なほど大きい値であるべきである。陰極電極と陽極電極間の望ましいプラズマへの効果という観点から広く定義すれば、静電容量は、前述のプラズマの強度が、静電容量がない時にその強度がとる値に比べて実質的に増加するのに充分なほど、大きくなくてはならない。あるいは、不要なプラズマへのその効果という観点から広く定義すれば、静電容量は陰極電極の背後または陰極電極の周囲外の、いかなるプラズマの強度も、静電容量がない時の前述のプラズマ強度に比較して実質的に減少するだけ、充分に大きくなくてはならない。いずれにしても、複合静電容量50~54は、LF電源32の周波数で陰極12と接地との間の電気インピーダンスが非常に低くなり、LF電源32とそのインピーダンス整合ネットワークとが実質的にRF電力をサセプタと結合することが出来ないほど、大きくすべきではない。言いかえれば、静電容量は、LF周波数でサセプタを接地に電気的に短絡するほど大きくすべきではない。さらに我々は、陰極電極と接地との間に接続されたコンデンサの複合静電容量値が一般に、陰極電極と陽極電極とのすぐ間の領域におけるプラズマ濃度の空間均一性を最大にする最適値を持つことを見出した。以下に説明されるように、この最適な静電容量値は好ましくは、所望の処理能力パラメータを最適化し、かつプラズマ不均一性を最小にするよう、すなわち比較的高濃度または低濃度のプラズマが局所集中する領域を最小にするよう、経験的に決定されるべきである。複合静電容量50~54が、LF電源の周波数よりもHF電源の周波数のほうでより十分に低いインピーダンスを有することができるように、該2つの電源の周波数は少なくとも2倍異なっていることが好ましく、少なくとも10倍異なっていることがより好ましい。我々の、発明の本好適実施例は、電気接地とサセプタ中央との間に接続されたコンデンサ50と、サセプタの背面15の四隅各々と電気接地との間に接続される追加の4つのコンデンサ51~54とを含む。5つのコンデンサのそれぞれは、好ましくは柔軟かつ導電性のそれぞれのストラップ60~64によってサセプタに接続される図1~2を参照。導電性ストラップは先述のように、軸およびサセプタの垂直移動に対応するために柔軟である。たとえば各ストラップは、柔軟で、軸およびサセプタの全移動範囲に対応するだけ充分に薄くて長い、曲げやすい金属のシートまたはバンドであってよい。我々の試作例では、各ストラップは約0.5インチ幅、1/16インチ厚さのアルミニウム帯であった。すべてのコンデンサは高電力RFに使用するために設計されたセラミックタイプであり、コンデンサ端子のネジ山を通してネジによって電気接続されている。各隅のコンデンサ51~54の1端子はチャンバの電気的に接地された底壁にボルトで留められ、それによって各コンデンサは、処理ガスに露出されるコンデンサの表面領域を最小にするためにチャンバ壁に接触する。各隅のコンデンサの各端子は、サセプタの背面15にボルトまたはクランプで固定された対応する金属ストラップ61~64にボルト締めされる。我々の試作例では、湾曲した側部を持つ4つのアルミニウムのブロック66がそれぞれサセプタの4つの隅にボルトで固定され、各金属ストラップ61~64がサセプタとブロックの1つとの間に挟まれている。ボルトは、ブロックが金属ストラップをサセプタにしっかりと固定するように締めつけられる。4本の柔軟かつ導電性のストラップ61~64が取り付けられたサセプタ12の4隅の各々に低インピーダンスの接触域を提供するために、我々はアルミニウムサセプタを陽極酸化する前に接触域をマスキングし、それによって4隅のそれぞれの接触域にきれいなアルミニウムが露出された。図2は4本のストラップ61~64がサセプタの裏面に取りつけられる接触域を表わす。4本のストラップに接続された4つのコンデンサ51~54が概略的に示される。図2はまた、以下に説明するように、柔軟かつ導電性のストラップ60と中央軸16とを通じてサセプタの中央に接続された可変コンデンサ50を概略的に示している。別の方法として、ストラップをサセプタの背面15に接続する代わりに、ストラップを4隅のそれぞれに近いサセプタの周縁19に接続することも出来る。別の可能な実施例は、4つのコンデンサ51~54の代わりに、1つのコンデンサのみを、電気接地されたチャンバ壁にボルト締めすることであろう。その1つのコンデンサは、サセプタの各4隅に接続する4本のストラップ61~64の各々に接続される。上記のように、サセプタ支持軸16はいかなる絶縁体も介在させずにサセプタに直接に取り付けられ、したがって軸はRF高圧であり、LF電源をサセプタに接続するRF伝送線の役割を果たす。したがって中央コンデンサ50は、コンデンサを軸に接続することによって事実上サセプタの中央に接続することが出来る。さらに軸の接続は、チャンバ真空の外となるように、真空シールベローズ86およびOリング88下方の軸の下部に対して成されてもよい。このことが、中央コンデンサをチャンバ壁の裏面上に、あるいはチャンバ内部の真空の外にあるその他の電気的接地された要素に、設置することを可能にする。チャンバ内プラズマへの中央コンデンサのいかなる露出も避けることが望ましく、それは中央コンデンサに大きな可変コンデンサを使用することを促進する。軸の垂直移動に対応するために、中央コンデンサは、その他のコンデンサをサセプタに接続するストラップ61~64に類似の、柔軟な金属ストラップ60を使用して軸に接続されることが望ましい。発明はまた、中央コンデンサ50のみにより、隅のコンデンサ51~54なしで実施されてもよく、あるいは中央コンデンサなしで隅のコンデンサのみにより実施されてもよい。隅のまたは周辺のコンデンサと、サセプタ中央または中央付近に接続されるコンデンサとの間の比は、ワークピース14に実施される堆積処理またはエッチング処理の空間均一性に影響する。ワークピースの幅または表面積が大きくなるほど、ワークピースに実施される半導体製造処理の空間均一性の所定レベル達成に必要であると予想されるコンデンサの数が増える。我々が試験した550mm×650mmのサセプタよりも大きいサセプタに対しては、サセプタ周辺のまわりに空間分布する点に、あるいはサセプタの背面に空間分布するその他の点にさえも、コンデンサを追加して接続することが望ましい。HF電源およびLF電源の周波数がそれぞれ13.56MHzおよび400kHzであった我々の好適な実施例で、我々はそれぞれ150pfから300pfの3つまたは4つの隅コンデンサと、300pfから1700pfの範囲の中央コンデンサとで良好な結果を得た。すなわち、複合静電容量は750pfから3000pfの範囲であった。好ましくは、LF電源32は、プラズマチャンバ内でアークを起こす危険性がある出力の急上昇を防ぐために、最初に電源が入れられたときに負荷出力ではなく順出力をゆっくりと上昇するようにプログラムされた電源レギュレータを含むべきである。比較的高いRF出力レベルでは、プラズマの非均一性、すなわちホットスポットなどの、比較的低濃度または高濃度のプラズマが局所集中する領域を防ぐよう、プラズマ濃度の空間均一性を最大にする最適なコンデンサ値を選択することがより重要であろう。たとえば、2800ワット~4500ワット範囲の2つの電源からのRF出力を使用する試験で、我々は400pf~1700pfの可変コンデンサであった中央コンデンサ50の値を調節することによって、複合静電容量を調節した。我々は、あまりにも低い静電容量は、サセプタ支持軸の底付近またはシャワーヘッド20の隅付近のプラズマに、明らかに目に見えるホットスポットを生じる可能性があることを見出した。逆に我々は、あまりにも高い静電容量は、チャンバの底付近または隅のコンデンサに接続された接地ストラップ55付近の、その他の領域のプラズマにホットスポットを生じる可能性があることを見出した。我々は、図1に示すプラズマチャンバで、通常フラットパネルディスプレイを作成するのに使用されるタイプの550mm×650mmの長方形ガラス基板上にシリコン窒化誘電膜を堆積する別の従来のCVD処理を用いて、本発明を試験した。HF電源およびLF電源の周波数はそれぞれ、13.56MHzおよび400kHzであった。処理ガス流量はSiH4が400sccm、NH3が1400sccm、およびN2が4000sccmであり、チャンバ圧力は1.5~1.8Torrであった。隅のコンデンサ51~54の各々は150pfであり、我々は中央軸コンデンサ50の4つの異なる値を試験した。2つの電源によって供給される全RF電力は2800Wであり、それは2400ワットHFと400ワットLFであるか、或いは2600ワットHFと200ワットLFのいずれかであった。それぞれ中央コンデンサが300pf、600pf、および900pfの別々の3試験で、堆積速度は1460Å/minから2210Å/minへと次第に増加し、ウェットエッチング速度は893Å/minから375Å/minへと次第に減少し、膜応力は2.6×109引張dyne/cm2から-4.3×109圧縮dyne/cm2へと変化した。基板周囲の外側20mmを除き、膜厚均一性は最初の2つの場合では14、最後の場合では4であった。よって、900pf中央コンデンサが最良の結果を生んだ。同じ一連の試験で、中央コンデンサをさらに1200pfまで増加したが、4つの隅コンデンサのうち1つを取り除いた。意外にも、試験結果の多くが300pfの中央コンデンサの結果よりも悪いものであった。堆積速度は1160Å/minまで落ち、ウェットエッチング速度は1295Å/minまで増加し、応力は3.65×109dyne/cm2まで増加した。この試験結果によって、総静電容量の最適値と共に、中央コンデンサ静電容量の、周辺たとえば隅のコンデンサ静電容量に対する最適比も求める経験的試験の実施が望ましいことが例証された。実際には、プラズマインピーダンスはRF電力、チャンバ圧力、処理ガス流量、およびチャンバ要素の寸法および形状などの処理パラメータの関数として大きく変化する。したがって、陰極電極と接地との間に接続される複合静電容量の最適値は経験的に選択されるべきである。さらに、堆積またはエッチングされる膜の厚さが処理中に次第に増加または減少し、またプラズマ中の反応物および反応副産物の割合も処理中に変化し得るため、プラズマインピーダンスは、ワークピース上への堆積またはエッチング処理の実施中に変化する。したがって、いくつかの処理では、任意のワークピース上で処理を実施中に、コンデンサ50~54のうちの1つ以上を調節することによって、サセプタと接地間の総静電容量の値を段々と調節することが望ましいであろう。たとえば、上述のシリコン窒化物CVD処理の試験で、中央コンデンサについて試験したすべての固定値に対して、プラズマがかなり非均一であってプラズマ中にホットスポットが目に見えて明らかであるような、CVD処理実施中の時間間隔があることを、我々は見出した。したがって、このCVD処理に関しては、堆積シリコン窒化膜の厚さがCVD処理中に次第に増加するのにつれて、コンデンサの少なくとも1つの値を漸次調節することが好ましかったと考える。したがって、我々の好適実施例は、陰極電極と電気接地との間の総静電容量50~54を集合的に決定する1つ以上の可変コンデンサの設定を制御するサーボモータに電気制御信号を定期的に送る、プログラム可能なマイクロプロセッサなどの制御回路70を含む。上記のように、我々は5つのコンデンサのうち1つのみ、すなわち400pf~1700pfの可変中央コンデンサ50を調節することによって、総静電容量を調節することが最も容易であると考える。制御装置は、堆積時間の関数か或いはプラズマ処理によって堆積されるあるいはエッチングされる層の厚さの関数として、中央コンデンサの静電容量値を漸次変化させるよう、モータに命令を出す。静電容量を変化させる量は、プラズマホットスポットを避け、堆積された膜の品質が最高になるように経験的に決定されることが望ましい。特に、時間または層の厚さの関数としての最適静電容量値は、プラズマ中で目に見えて明らかであるか或いは検出可能なホットスポットの発生を避けるのに必要な範囲で静電容量を手動で調節することにより、堆積またはエッチング処理の実施中に経験的に決定することが出来る。経験的に決定された一連の静電容量値は、次に制御装置70中にプログラムステップとして格納することが出来る。あるいは堆積またはエッチング処理の実施中、プラズマのRFインピーダンスを可能な限り一定にするように、静電容量を調節することも出来る。プラズマインピーダンスは2つのRF電源のうちの1つの出力における負荷インピーダンスの測定から推論することが出来る。例示されたCVDチャンバでは、低周波RF電源32と接地コンデンサ50~54とが、ワークピース14が上に設置されるサセプタ電極12に接続されている。しかし、いくつかのエッチングチャンバなどプラズマチャンバの中には、高周波電源30が、上にワークピースが設置されるサセプタに接続され、低周波電源は陽極電極20に接続されるものがある。そのような場合、1つ以上のコンデンサ50~54は、電気接地と、陽極電極、すなわち低周波電源が接続される電極との間に接続されるであろう。"