坩堝内に保持された金属原料を加熱し、溶融する工程と、前記金属原料を溶融する前記工程における温度から、前記金属原料を昇温する工程と、前記坩堝内に保持されている溶融した前記金属材料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室へ噴霧し、合金粉末を生成する工程と、前記合金粉末を焼結して熱電変換材料を形成する工程と、を備える熱電変換材料の製造方法。請求項1に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記金属原料を昇温する前記工程における昇温幅は、10°C以上100°C以下である熱電変換材料の製造方法。請求項1または2に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記合金粉末を生成する前記工程における前記金属原料の噴霧は、前記金属原料を昇温する前記工程において溶融した前記金属原料を5分以内の短期間で昇温した後、直ぐに行われる熱電変換材料の製造方法。請求項1ないし3いずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記合金粉末を生成する前記工程の後であって、前記合金粉末を焼結する前記工程の前において、前記噴射室の下方に設けられた第1回収室と、前記噴射室と接続する粉体分離器を介して前記合金粉末を回収する第2回収室と、により前記合金粉末を分級する工程を備える熱電変換材料の製造方法。請求項4に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記合金材料を焼結する工程において、前記合金粉末を分級する前記工程により前記第1回収室および前記第2回収室により回収された前記合金粉末を焼結する熱電変換材料の製造方法。請求項4に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記合金粉末を焼結する工程において、前記合金粉末を分級する前記工程により前記第1回収室に回収された合金粉末を焼結する熱電変換材料の製造方法。請求項1ないし6いずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法において、前記金属原料を溶融する前記工程において、前記金属原料は、蓋がされた前記坩堝内に保持されている熱電変換材料の製造方法。請求項1ないし7いずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法により製造された熱電変換材料。請求項1ないし7いずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法により製造された熱電変換材料と、前記熱電変換材料と接合する電極と、を備える熱電変換モジュール。熱電変換材料は、例えばアトマイズ法を用いて生成された合金粉末を焼結することにより得ることができる。このようなアトマイズ法を用いた熱電変換材料の製造方法において、熱電変換材料の安定的な製造を可能とすることが求められている。本発明によれば、坩堝内に保持された金属原料を加熱し、溶融する工程と、前記金属原料を溶融する前記工程における温度から、前記金属原料を昇温する工程と、前記坩堝内に保持されている溶融した前記金属材料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室へ噴霧し、合金粉末を生成する工程と、前記合金粉末を焼結して熱電変換材料を形成する工程と、を備える熱電変換材料の製造方法が提供される。本発明によれば、上述した熱電変換材料の製造方法により製造された熱電変換材料が提供される。本発明によれば、上述した熱電変換材料の製造方法により製造された熱電変換材料と、前記熱電変換材料と接合する電極と、を備える熱電変換モジュールが提供される。本発明によれば、アトマイズ法を用いた熱電変換材料の製造方法において、熱電変換材料の安定的な製造を可能とすることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、本実施形態に係る熱電変換材料の製造装置を示す断面図であり、ガスアトマイズ装置100の概念図を示す。本実施形態における熱電変換材料の製造方法は、坩堝10内に保持された金属原料を加熱し、溶融する工程と、金属原料を溶融する上記工程における温度から、金属原料を昇温する工程と、坩堝10内に保持されている溶融した金属材料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成する工程と、合金粉末を焼結して熱電変換材料を形成する工程と、を備える。以下、本実施形態に係る熱電変換材料の製造方法、およびこれにより製造される熱電変換材料について、詳細に説明する。本実施形態に係る熱電変換材料は、一般式RrTtXx0<r≦1、3≦t≦5、10≦x≦15で表される構造を有する。Rは、希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、第4属元素および第13属元素からなる群から選択される少なくとも一種である。Tは、FeおよびCoから選択される少なくとも一種である。Xは、P、As、SbおよびBiからなる群から選択される少なくとも一種である。本実施形態に係る熱電変換材料は、本実施形態の上記一般式を満たす構造であれば特に限定されないが、化学式RT4X12R=金属、T=遷移金属、X=プニコゲンで表される充填スクッテルダイト構造を有することが望ましい。希土類元素としては、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuが挙げられる。アルカリ金属元素としては、Li、Na、K、Rb、Cs、およびFrが挙げられる。アルカリ土類金属元素としては、Ca、Sr、およびBaが挙げられる。第4族元素としては、Ti、Zr、およびHfが挙げられる。第13族元素としては、B、Al、Ga、In、およびTlが挙げられる。Rは、希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、第4族元素および第13族元素からなる群から選択される三種以上の元素とすることができる。この場合、Rは、異なる族から選択された複数の元素でもよく、また同一の族から選択された複数の元素であってもよい。p型熱電変換材料においては、例えば希土類元素のLaおよびCe、第4族元素のTi、ZrおよびHf、第13族元素のAl、GaおよびInを主とする三種以上の元素の組み合わせが挙げられる。また、n型熱電変換材料においては、例えば希土類元素のYb、アルカリ土類金属元素のCa、SrおよびBa、第13族元素のAl、GaおよびInを主とする三種以上の元素の組み合わせが挙げられる。本実施形態によれば、化学式RT4X12R=金属、T=遷移金属、X=プニコゲンで表されるスクッテルダイト熱電変換材料、特にSb系スクッテルダイト熱電変換材料において、熱電変換材料の結晶格子内のTサイトにFeおよびCoから選択される少なくとも一種と、Rサイトに希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、第4族元素、および第13族元素からなる群から選択される三種以上の元素と、XサイトにSbと、SeおよびTeから選択される少なくとも一種とを、同時に混在させることができる。これにより、特にRサイトにおける三種以上の元素の同時混在によって、フォノン散乱を強く起こすことができる。このフォノン散乱が熱伝導率κを低下させるので、式2より無次元性能指数ZTの値を大きくすることが可能である。次に、本実施形態に係る熱電変換材料の製造に用いるガスアトマイズ装置100について説明する。図1に示すように、ガスアトマイズ装置100は、坩堝10と、坩堝10下に設けられた噴射室12と、噴射室12下に設けられた回収室20と、噴射室12と接続する粉体分離器70サイクロンセパレータを介して噴射室12内に生成された合金粉末を回収する回収室22を有している。坩堝10は、高周波電源30と接続している。坩堝10は、高周波電源30により高周波加熱される。これにより、坩堝10内の金属原料が加熱されることとなる。坩堝10と噴射室12との間には、これらを接続するノズル14が設けられている。坩堝10内に保持される溶融した金属原料は、ノズル14から噴射室12へ滴下される。そして、この滴下された金属原料に噴霧ガスを吹き付けて微粒化する。このようにして噴射室12内へ噴霧された金属原料は、噴射室12内を下降する過程で冷却凝固される。これにより、合金粉末が生成されることとなる。回収室22は、噴射室12の側面に設けられた搬送パイプ26を介して噴射室12と接続した粉体分離器70の下方に位置している。後述するように、噴射室12内に生成された合金粉末の一部は、噴射室12と接続する粉体分離器70により吸引されて、搬送パイプ26を介して粉体分離器70に送り込まれ、その後回収室22側へ回収される。次に、本実施形態に係る熱電変換材料の製造方法について説明する。まず、所定の比率で、純金属の原料を坩堝10に入れる。次いで、坩堝10を、高周波電源30を用いた高周波加熱により、1200°Cまで加熱し、1時間保持する。これにより、坩堝10内に保持された金属原料を加熱し、溶融する。このとき、坩堝10には蓋がされている。これにより、金属原料の加熱溶融時に、金属原料に含まれるSb等の有害物質が外部へ放出されることを防止することが可能となる。次いで、高周波加熱により坩堝10内を昇温し、金属原料を昇温する。金属原料を昇温することにより、金属原料の流動性を高めることができる。金属原料の昇温は、例えば5分以内の短期間で行われる。これにより、金属原料の蒸発を抑えることができる。本実施形態において、坩堝10内に保持される金属原料は、例えば保持温度の1200°Cから1250°Cまで昇温される。坩堝10内に保持される金属原料の昇温幅は、10°C以上100°C以下であることが好ましい。昇温幅を10°C以上とすることで、ガスアトマイズ法を用いて金属原料を噴射室12へ噴射するための、十分な流動性を得ることができる。また、昇温幅を100°C以下とすることで、金属原料の蒸発を抑え、金属原料の組成が変動してしまうことを抑制できる。上述のように金属原料を昇温した後、直ぐに、坩堝10内に保持されている溶融した金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成する。坩堝10内に保持されている金属原料は、ノズル14から噴射室12へ滴下される。ガスアトマイズ法による合金粉末の生成は、例えば次のように行われる。すなわち、坩堝10内から噴射室12へ滴下される金属原料に噴霧ガスを吹き付けて微粒化する。噴霧ガスとしては、例えばアルゴンガスを用いることができる。噴霧ガスの噴射圧は、例えば6MPaである。そして、噴射室12内へ噴霧された金属原料は、噴射室12内を下降する過程で冷却凝固される。これにより、合金粉末が生成されることとなる。次いで、噴射室12に生成された合金粉末を分級する。合金粉末の分級は、回収室20、および回収室22により行われる。噴射室12内で生成された合金粉末のうち粒子径が大きいものは、噴射室12と接続する粉体分離器70によって吸引されずに下降し、回収室20により回収される。回収室20において回収される合金粉末のメジアン径は、例えば40μm以上100μm以下である。一方で、他の合金粉末は、噴射室12と接続する粉体分離器70により吸引されて、搬送パイプ26を介して粉体分離器70へ送り込まれ、その後回収室22へ回収される。回収室22により回収される合金粉末のメジアン径は、例えば10μm以上20μm以下である。次いで、合金粉末を焼結する。合金粉末の焼結は、例えばSPSSparkPlasmaSintering焼結により行われる。SPS焼結は例えば次のように行われる。まず、合金粉末をカーボンダイスに入れ、真空または不活性ガス雰囲気中において、20~60MPaの圧力の下でパルス電流をかけながら500~750°Cの温度まで加熱し、10分間保持する。次いで、室温まで冷却する。合金粉末の焼結は、回収室20および回収室22により回収された合金粉末を焼結してもよく、回収室20により回収された合金粉末のみを焼結してもよい。これらは、熱電変換材料の用途に応じて選択することができる。このようにして、本実施形態に係る熱電変換材料が製造される。次に、本実施形態に係る熱電変換材料を用いた熱電変換モジュール60について説明する。なお、本実施形態において適用可能な熱電変換モジュールの構成は、以下に示すものに限られない。図2は、本実施形態に係る熱電変換モジュール60を示す断面図である。図2に示すように、熱電変換モジュール60は、熱電変換材料50と、接合部材40と、電極42と、を備えている。n型熱電変換材料5250およびp型熱電変換材料5450は、接合部材40を介して電極42と接合している。また、n型熱電変換材料52とp型熱電変換材料54は、それぞれの一端に接合した電極42を介して互いに接続している。本実施形態に係る熱電変換材料50は、上述のとおり充填スクッテルダイト構造を有する化合物である。このような充填スクッテルダイト熱電変換材料、特にSb系充填スクッテルダイト熱電変換材料は、20°C~600°Cにおける熱膨張係数が、通常8×10-6/K以上15×10-6/K以下の範囲である。接合部材40は、チタン合金、ニッケル合金、コバルト合金、および鉄合金からなる群より選択される少なくとも一種の合金からなる合金層を有する接合層である。また、接合部材40は一種の合金層からなってもよいが、二種以上の合金層からなっても構わない。接合部材40の合金層としては、例えば、チタンを主成分とし、Al、Ga、In、Snの少なくとも一種を含有したTi系合金、ニッケルを主成分とし、チタンを含有したNi-Ti系合金、コバルトを主成分として、チタンを含有したCo-Ti系合金、鉄を主成分とし、チタンを含有したFe-Ti系合金が挙げられる。また、接合部材40の合金層における組成比は、熱電変換材料50の熱膨張係数に合致するように調整することができる。接合部材40の合金層は、チタン合金からなる合金層であってもよい。接合部材40のチタン合金からなる合金層は、チタン合金層全体を基準として、Tiを50重量以上100重量未満、Al、Ga、In、またはSnの少なくとも一種を、0重量を超え、50重量以下、含む。接合部材40がTiを含むことにより、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42に含まれる構成成分の拡散が抑制できる。また、接合部材40の合金層は、ニッケル合金からなる合金層であってもよい。接合部材40のニッケル合金からなる合金層は、ニッケル合金層全体を基準として、Niを50重量以上100重量未満含み、かつTiを、0重量を超え、50重量以下含む。Niにより、接合部材40の合金層の熱膨張係数とp型熱電変換材料54の熱膨張係数との差を小さくすることができる。この場合も、Tiを含むため、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42に含まれる構成成分の拡散が抑制できる。また、接合部材40の合金層は、鉄合金からなる合金層であってもよい。接合部材40の鉄合金からなる合金層は、鉄合金層全体を基準として、Feを50重量以上100重量未満含み、かつTiを、0重量を超え、50重量以下含む。Feにより、接合部材40の熱膨張係数とp型熱電変換材料54の熱膨張係数との差を小さくすることができる。この場合も、Tiを含むため、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42に含まれる構成成分の拡散が抑制できる。また、接合部材40の合金層は、コバルト合金からなる合金層であってもよい。接合部材40のコバルト合金からなる合金層は、コバルト合金層全体を基準として、Coを50重量以上100重量未満含み、かつTiを、0重量を超え、50重量以下含む。Coにより、接合部材40の合金層の熱膨張係数とp型熱電変換材料54の熱膨張係数との差を小さくすることができる。この場合も、Tiを含むため、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42に含まれる構成成分の拡散が抑制できる。接合部材40の合金層は、20°C~600°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/K以上15×10-6/K以下であることが好ましい。これにより、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42との良好な接合性が得られる。また、p型熱電変換材料54及びn型熱電変換材料52と、接合部材40の合金層との、20°C~600°Cにおける熱膨張係数の差が、熱電変換材料50の値に対して、0以上20以下であることが好ましい。熱膨張係数の差が、20以下であることにより、p型熱電変換材料54、n型熱電変換材料52、及び電極42とのさらに良好な接合性が得られる。ここで、熱膨張係数の差とは、p型熱電変換材料54またはn型熱電変換材料52いずれかの熱膨張係数に対するp型熱電変換材料54またはn型熱電変換材料52のいずれかの熱膨張係数と、接合部材40の合金層の熱膨張係数の差が0以上20以下であることを意味する。接合部材40の合金層は、スパッタリング、蒸着、溶射、SPS法放電プラズマ焼結法などの公知の方法によって作製することができる。電極42は、接合部材40を介して、p型熱電変換材料54及びn型熱電変換材料52とそれぞれ接続されている。電極42の材料としては、チタン合金、ニッケル合金、コバルト合金、および鉄合金からなる群より選択される合金を含むことが好ましい。また、電極42の材料は、接合部材40の合金層と同じ組成の合金を使用することがより好ましい。これにより、電極42と接合部材40の密着性を高めることができる。または、電極42の材料として用いるものは、20°C~600°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/K以上、15×10-6/K以下の範囲にある金属または合金であってもよい。ここで、電極42の材料として用いられる金属または合金は、例えば、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、銅、チタン、パラジウム、アルミニウム、錫、およびニオブからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。例えば、SUS403、SUS430など、20°C~600°Cにおける熱膨張係数が8×10-6/K以上、15×10-6/K以下となる合金鋼でも構わない。これらはスパッタリング、蒸着、溶射、SPS法放電プラズマ焼結法あるいは微小レーザ溶接などの公知の方法によって接合することができる。上記の構造により、充填スクッテルダイト系p型熱電変換材料54及びn型熱電変換材料52と電極42とが安定に接合した熱電変換モジュール60を提供することができる。本実施形態における熱電変換モジュール60は室温~600°Cの温度範囲で熱電変換効率が7以上に達することができる。次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態によれば、坩堝10内の金属原料を加熱溶融した後、金属原料をさらに昇温してから、金属原料をガスアトマイズ法により噴射室12へ噴霧して合金粉末を生成する。このため、アトマイズ法を用いた熱電変換材料の製造方法における各工程を、最適な温度条件の下で行うことができる。これにより、金属原料を溶融する工程において、金属原料の蒸発を抑え、金属原料の組成が変動してしまうことを抑制できる。このため、熱電変換材料の特性ばらつきを抑制することができる。また、金属原料を噴射室12へ噴射する工程における金属原料の粘度を調整することができる。このため、合金粉末の粒径のばらつきを抑制することができる。従って、アトマイズ法を用いた熱電変換材料の製造方法において、安定的な製造を可能とすることができる。これにより、熱電変換材料の製造における歩留まりを向上させることも可能となる。一般的に、熱電変換材料は、所望の組成に調製した構成原料を、溶解、凝固させて金属塊とし、得られた金属塊を一旦粉砕して合金粉末としてから製造される。これに対し、本実施形態によれば、溶融した金属原料をガスアトマイズ法により噴射室12へ噴霧して合金粉末を生成する。このため、金属塊を生成する工程や、金属塊を粉砕する工程を必要としない。従って、熱電変換材料を容易に製造することができる。実施例1実施例1では、La0.7Ba0.01Ga0.1Ti0.1Fe3Co1Sb12により表されるp型熱電変換材料を用いた。実施例1に係るp型熱電変換材料の製造方法を、以下に説明する。まず、所定比率の純金属La、Ba、Ga、Ti、Fe、Co、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1200°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内に保持されている金属原料を、高周波加熱により、2分間で1250°Cまで昇温した。次いで、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。生成した合金粉末は、噴射室12の下方に位置する回収室20と、噴射室12の側方に設けられた粉体分離器70の下方に位置する回収室22により回収した。次いで、合金粉末を、粒径150μm以下に分級した。次いで、分級した粒径150μm以下の合金粉末を、カーボンダイスに入れ、真空または不活性ガス雰囲気中において、20~60MPaの圧力下でパルス電流をかけながら500~750°Cの温度まで加熱した。10分間保持した後、室温まで冷却した。これにより、実施例1に係るp型熱電変換材料が得られた。比較例1比較例1では、所定比率の純金属La、Ba、Ga、Ti、Fe、Co、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1200°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内の温度を1200°Cに保ったまま、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。比較例1は、上記点を除いて、実施例1と同様である。比較例2比較例2では、所定比率の純金属La、Ba、Ga、Ti、Fe、Co、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1250°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内の温度を1250°Cに保ったまま、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。比較例2は、上記点を除いて、実施例1と同様である。比較例3比較例3では、溶融した坩堝10内の金属原料を噴射室12へ滴下し、遠心アトマイズ法により合金粉末を生成した。遠心アトマイズとは、噴射室内に設けられた回転ディスクに溶融した金属原料を滴下し、回転ディスクの遠心力により金属原料を噴霧するというものである。比較例3は、上記点を除いて、実施例1と同様である。比較例4比較例4では、溶解法により熱電変換材料を製造した。溶解法とは、熱電材料に必須な原料を坩堝10に入れ、加熱して溶融した後、坩堝10内の溶融した原料を冷却して熱電変換材料のインゴットを得る製造法である。比較例4は、上記点を除いて、実施例1と同様である。比較例1では、溶融した坩堝10内の金属原料を、噴射室12内へ噴射することができなかった。これは、噴射時における金属原料の温度が低く、金属原料の粘度が高いため、坩堝10内の金属原料がノズル14から滴下されなかったことに起因するものと推測される。また、比較例2では、製造された熱電変換材料の性能の低下が見られた。これは、金属原料を溶融する際の温度が高いために金属原料が蒸発し、金属原料の組成が変化してしまったことに起因するものと推測される。これに対し、実施例1では、高い性能を有する熱電変換材料を得ることができた。すなわち、本発明に係る熱電変換材料の製造方法によれば、各工程を最適な温度条件下で行うことができ、これにより高性能な熱電変換材料を安定的に実現することができることを示している。図3は、実施例1および比較例3に係るp型熱電変換材料の、出力因子Pの温度依存性を示すグラフである。なお、実施例1については、回収室20により回収された合金粉末からなるp型熱電変換材料ガスアトマイズ法1と、回収室22により回収された合金粉末からなるp型熱電変換材料ガスアトマイズ法2の結果を示す。また、熱電変換材料の評価は、熱電性能評価装置アルバック理工株式会社製熱電能測定装置ZEM-2およびレーザフラッシュ法熱定数測定装置TC-7000Hを用い、室温から600°Cの温度範囲で熱電変換材料ごとに、ゼーベック係数S、電気抵抗率ρおよび熱伝導率κを測定し、出力因子PP=S2/ρを算出した。以下、実施例2、および比較例4~6において同様である。図3に示されるように、実施例1に係るp型熱電変換材料の出力因子Pは、測定温度範囲において、比較例3の出力因子Pよりも高いことが分かる。このように、ガスアトマイズ法を用いて熱電変換材料を製造することで、遠心アトマイズ法を用いた場合よりも、熱電変換材料の性能を向上させることができることが示された。また、図3に示されるように、実施例1に係るp型熱電変換材料の出力因子Pは、測定温度範囲において、比較例4と同等の値を示す。このように、ガスアトマイズ法を用いて熱電変換材料を製造した場合でも、溶解法により製造した場合と同等の性能を有する熱電変換材料を実現されている。すなわち、ガスアトマイズ法を用いることで、性能の高い熱電変換材料を容易に製造することが可能となることが分かる。実施例2実施例2では、Yb0.3Ca0.1Al0.1Ga0.1In0.1Co3.75Fe0.25Sb12により表されるn型熱電変換材料を用いた。実施例2に係るn型熱電変換材料の製造方法を、以下に説明する。まず、所定比率の純金属Yb、Ca、Al、Ga、In、Co、Fe、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1200°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内に保持されている金属原料を、高周波加熱により、2分間で1250°Cまで昇温した。次いで、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。生成した合金粉末は、噴射室12の下方に位置する回収室20と、噴射室12の側方に設けられた粉体分離器70の下方に位置する回収室22により回収した。次いで、合金粉末を、粒径150μm以下に分級した。次いで、分級した粒径150μm以下の合金粉末を、カーボンダイスに入れ、真空または不活性ガス雰囲気中において、20~60MPaの圧力下でパルス電流をかけながら500~750°Cの温度まで加熱した。10分間保持した後、室温まで冷却した。これにより、実施例2に係るp型熱電変換材料が得られた。比較例5比較例5では、所定比率の純金属Yb、Ca、Al、Ga、In、Co、Fe、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1200°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内の温度を1200°Cに保ったまま、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。比較例5は、上記点を除いて、実施例2と同様である。比較例6比較例6では、所定比率の純金属Yb、Ca、Al、Ga、In、Co、Fe、およびSbを、カーボン材質の坩堝10に入れ、高周波加熱により1250°Cまで加熱溶融した。次いで、坩堝10内の温度を1250°Cに保ったまま、溶融した坩堝10内の金属原料を、ガスアトマイズ法を用いて噴射室12へ噴霧し、合金粉末を生成した。比較例6は、上記点を除いて、実施例2と同様である。比較例7比較例7では、溶融した坩堝10内の金属原料を噴射室12へ滴下し、遠心アトマイズ法により合金粉末を生成した。比較例7は、上記点を除いて、実施例2と同様である。比較例8比較例8では、溶解法を用いて熱電変換材料を製造した。比較例8は、上記点を除いて、実施例2と同様である。比較例5では、溶融した坩堝10内の金属原料を、噴射室12内へ噴射することができなかった。これは、噴射時における金属原料の温度が低く、金属原料の粘度が高いため、坩堝10内の金属原料がノズル14から滴下されなかったことに起因するものと推測される。また、比較例6では、製造された熱電変換材料の性能の低下が見られた。これは、金属原料を溶融する際の温度が高いために金属原料が蒸発し、金属原料の組成が変化してしまったことに起因するものと推測される。これに対し、実施例2では、高い性能を有する熱電変換材料を得ることができた。すなわち、本発明に係る熱電変換材料の製造方法によれば、各工程を最適な温度条件下で行うことができ、これにより高性能な熱電変換材料を安定的に実現することができることを示している。図4は、実施例2および比較例6に係るn型熱電変換材料の、出力因子Pの温度依存性を示すグラフである。なお、実施例2については、回収室20により回収された合金粉末からなるn型熱電変換材料ガスアトマイズ法1と、回収室22により回収された合金粉末からなるn型熱電変換材料ガスアトマイズ法2の結果を示す。図4から分かるように、実施例2に係るn型熱電変換材料の出力因子Pは、測定温度範囲において、比較例7の出力因子Pと同様か、それよりも高いことが分かる。このように、ガスアトマイズ法を用いて熱電変換材料を製造することで、熱電変換材料の性能を向上させることができることが示された。また、図4に示されるように、実施例2に係るn型熱電変換材料の出力因子Pは、測定温度範囲において、比較例8と同等の値を示す。このように、ガスアトマイズ法を用いて熱電変換材料を製造した場合において、溶解法により製造した場合よりも高い性能を有する熱電変換材料を実現されている。すなわち、ガスアトマイズ法を用いることで、性能の高い熱電変換材料を容易に製造することが可能となることが分かる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。