"下記一般式1で表される構造を有し、d=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂Aと、フェノール樹脂系硬化剤Bと、無機充填剤Cと、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。上記一般式1において、R1は、互いに独立して、炭素数1~12の炭化水素基であり、R2、R3、R4及びR5は、互いに独立して、水素原子、又は炭素数1~6の炭化水素基である。R6は、互いに独立して、炭素数1~6の炭化水素基である。aは0~3の整数であり、bは0~4の整数であり、cは1~20の整数であり、dは0~20の整数であり、構造式の両末端は水素原子である。d=0である重合体においては、cは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位の間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるc-1個の繰り返し単位を有する。d≧1である重合体においては、cdは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位と、置換もしくは無置換のナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位とは、それぞれが連続で並んでいても、互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるcd-1個の繰り返し単位を有する。さらに、硬化促進剤Dを含むものである、請求項1に記載の封止用樹脂組成物。前記硬化促進剤Dが、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも1種の硬化促進剤を含むものである、請求項2に記載の封止用樹脂組成物。さらに、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物Eを含むものである、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。さらに、カップリング剤Fを含むものである、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。前記カップリング剤Fが、2級アミノ基を有するシランカップリング剤を含むものである、請求項5に記載の封止用樹脂組成物。前記カップリング剤Fが、メルカプトシラン基を有するシランカップリング剤を含むものである、請求項5に記載の封止用樹脂組成物。さらに、前記無機充填剤Cとは異なる無機難燃剤Gを含むものである、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物。前記無機難燃剤Gが、金属水酸化物、又は複合金属水酸化物を含むものである、請求項8に記載の封止用樹脂組成物。請求項1ないし9のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物を硬化させた硬化物で素子が封止されているものであることを特徴とする、電子部品装置。本発明は、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性に優れた封止用樹脂組成物、ならびに、その硬化物により素子が封止されている信頼性に優れた電子部品装置を提供するものである。本発明の封止用樹脂組成物は、下記一般式1で表される構造を有し、d=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂Aと、フェノール樹脂系硬化剤Bと、無機充填剤Cと、を含むことを特徴とする。上記一般式1において、R1は、互いに独立して、炭素数1~12の炭化水素基であり、R2、R3、R4及びR5は、互いに独立して、水素原子、又は炭素数1~6の炭化水素基である。R6は、互いに独立して、炭素数1~6の炭化水素基である。aは0~3の整数であり、bは0~4の整数であり、cは1~20の整数であり、dは0~20の整数であり、構造式の両末端は水素原子である。d=0である重合体においては、cは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位の間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるc-1個の繰り返し単位を有する。d≧1である重合体においては、cdは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位と、置換もしくは無置換のナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位とは、それぞれが連続で並んでいても、互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるcd-1個の繰り返し単位を有する。本発明の封止用樹脂組成物は、さらに、硬化促進剤Dを含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、前記硬化促進剤Dが、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも1種の硬化促進剤を含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、さらに、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物Eを含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、さらに、カップリング剤Fを含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、前記カップリング剤Fが、2級アミノ基を有するシランカップリング剤を含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、前記カップリング剤Fが、メルカプトシラン基を有するシランカップリング剤を含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、さらに、前記無機充填剤Cとは異なる無機難燃剤Gを含むものとすることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、前記無機難燃剤Gが、金属水酸化物、又は複合金属水酸化物を含むものとすることができる。本発明の電子部品装置は、上述の封止用樹脂組成物を硬化させた硬化物で素子が封止されているものであることを特徴とする。本発明に従うと、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性のバランスに優れた封止用樹脂組成物ならびに、その硬化物により素子が封止されており、信頼性に優れた電子部品装置を経済的に得ることができる。本発明の封止用樹脂組成物は、下記一般式1で表わされる構造を有するd=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂Aと、フェノール樹脂系硬化剤Bと、無機充填剤Cと、を含むことを特徴とする。これにより、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性のバランスに優れた封止用樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の電子部品装置は、上述の封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする。これにより、信頼性に優れた電子部品装置を経済的に得ることができる。以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書における~で表される数値範囲は、その上限値下限値のいずれをも含むものである。[エポキシ樹脂A]本発明の封止用樹脂組成物に用いられるエポキシ樹脂Aとしては、下記一般式1で表される構造を有し、d=0である重合体と、d≧1である重合体とを含む。上記一般式1において、R1は、互いに独立して、炭素数1~12の炭化水素基であり、R2、R3、R4及びR5は、互いに独立して、水素原子、又は炭素数1~6の炭化水素基である。R6は、互いに独立して、炭素数1~6の炭化水素基である。aは0~3の整数であり、bは0~4の整数であり、cは1~20の整数であり、dは0~20の整数であり、構造式の両末端は水素原子である。d=0である重合体においては、cは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位の間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるc-1個の繰り返し単位を有する。d≧1である重合体においては、cdは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位と、置換もしくは無置換のナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位とは、それぞれが連続で並んでいても、互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ず置換もしくは無置換のフェニレンを有するフェニルアラルキル基であるcd-1個の繰り返し単位を有する。一般式1において、d=0である公知の重合体としては、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を挙げることが出来る。これを用いた樹脂組成物は、良好な硬化性、耐半田性を有する。一般式1において、d≧1である重合体は、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂と比較すると、類似の骨格構造を有しており、おおむね同様の特性を示すが、置換もしくは無置換のナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位を有することによって、さらに以下の特徴を発現する。グリシジル基の一部がナフチルメチル構造によって置換された構造を有することにより、硬化物中の架橋点に生じる二級水酸基の濃度が低くなり、樹脂組成物の特性としては、吸水率とリフロー温度240°C~260°Cにおける弾性率が低減できる。その結果、半導体封止パッケージのような電子部品装置の耐半田性はより向上し、なかでも内部クラックの発生を抑制する効果を有する。また、多環芳香族密度が高まり、かつ高温域における弾性率が低減することにより、燃焼試験で速やかな発泡層を形成することができ、より良好な耐燃性が得られる。さらには、ナフタレンの平面スタック構造により相互作用が強く働くことにより、半導体封止パッケージの反りを抑えることができる。このほか、かかる理由は定かではないが、ナフチルメトキシ構造を導入することにより、成形物の耐アルカリ性が向上し、電解薬液による密着性の低下を抑制でき電解バリ取り性に優れたものとすることができる。さらに、疎水基構造ゆえに半導体パッケージのような電気電子部品の吸湿率が低下し、耐半田耐性に優れたものとすることができる。以上のように、本発明に用いられるエポキシ樹脂は、一般式1で表わされる構造でd=0である重合体、ならびにd≧1である重合体と、を含むことで、硬化性と耐半田性のみならず、耐燃性、低反り性及び電解バリ取り性、耐半田性に優れた樹脂組成物を得ることが出来る。[エポキシ樹脂Aの合成方法]エポキシ樹脂Aは、下記一般式2で表される前駆体フェノール樹脂P1をエピハロヒドリンと反応して得られる。上記一般式2において、R1、R2、R3、R4、R5、R6、a、b、c、dについては、上記一般式1と同様である。エポキシ樹脂Aの合成方法の例としては、一般式2で表される前駆体フェノール樹脂P1に過剰のエピハロヒドリン類を加えて溶解した後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の存在下で50~150°C、好ましくは60~120°Cで1~10時間反応させる方法等が挙げられる。反応終了後、過剰のエピハロヒドリン類を留去し、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで溶剤を留去することによりエポキシ樹脂Aを得ることができる。エポキシ樹脂Aの合成に用いられるエピハロヒドリンとしては、例えば、エピクロルヒドリン、エピブロモヒドリン、エピヨードヒドリン、β-メチルエピクロルヒドリン、β-メチルエピブロモヒドリン、β-メチルエピヨードヒドリン等を挙げることができる。[前駆体フェノール樹脂P1]次に、一般式2で表される構造を有する化合物前駆体フェノール樹脂P1の合成例について説明する。前駆体フェノール樹脂P1の合成方法としては、特に限定されるものではないが、たとえば、下記一般式3で表されるハロメチルナフタレン化合物と、下記一般式4で表される出発フェノール樹脂P0とを、塩基性雰囲気下で反応させて得ることができる。上記一般式3において、Xはハロゲン原子である。上記一般式4において、R1、R2、R3、R4、R5、R6、a、b、c、dについては、上記一般式1と同様である。前駆体フェノール樹脂P1の製造に用いられる一般式3で表わされる構造中のXにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。また、ハロメチル基はナフタレン環上の何れの炭素原子に結合していてもよい。ハロメチル化合物の中でも、1-クロロメチルナフタレン、2-クロロメチルナフタレンは入手が容易である点で好ましい。前駆体フェノール樹脂P1の合成方法の例としては、一般式4で表される出発フェノール樹脂P0水酸基1モル当量に対して0.05~0.2モルのハロメチルナフタレン化合物を加えて溶解した後、0.02~0.5モルの水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物の存在下で20~150°C、好ましくは50~120°Cで1~10時間反応させる方法等が挙げられる。ここで、ハロメチルナフタレン化合物は主にヒドロキシフェニレンの水酸基と反応してナフチルメトキシフェニレン基を生成するものであるが、一部フェニレン構造の水素と反応し、置換基R1としてメチルナフタレン基を含む場合がある。かかる副反応が生じても特に本発明の効果を阻害するものではないが、たとえば、反応中にアルカリ金属水酸化物を反応系へ逐次添加する、あるいはテトラエチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩を添加することで、前述の副反応を抑制することが出来る。反応終了後、残留物をトルエン、メチルイソブチルケトン等の溶剤に溶解し、濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで溶剤を留去することにより前駆体フェノール樹脂P1を得ることができる。[出発フェノール樹脂P0]次に、一般式4で表される構造を有する化合物出発フェノール樹脂P0の合成例について説明する。一般式4で表される出発フェノール樹脂P0の重合方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェノール化合物および下記一般式5で表される化合物を縮重合することにより得ることができる。上記一般式5において、R2、R3、R4、R5、R6、bについては、上記一般式1と同様である。Xは、ハロゲン原子、水酸基又は炭素数1~6のアルコキシ基である。R7、R8、R9及びR10は、互いに独立して、炭素数1~5の炭化水素基又は水素原子である。出発フェノール樹脂P0の製造に用いられるフェノール化合物としては、例えば、フェノール、o-クレゾール、p-クレゾール、m-クレゾール、フェニルフェノール、エチルフェノール、n-プロピルフェノール、iso-プロピルフェノール、tert-ブチルフェノール、キシレノール、メチルプロピルフェノール、メチルブチルフェノール、ジプロピルフェノール、ジブチルフェノール、ノニルフェノール、メシトール、2,3,5-トリメチルフェノール、2,3,6-トリメチルフェノール、ベンジルフェノール、ナフチルフェノール、ナフチジルフェノール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも、フェノール、o-クレゾールが好ましく、さらにフェノールが、ハロメチルナフタレン化合物とヒドロキシフェニレンの水酸基との反応が速やかに進行してナフチルメトキシフェニレン基を生成することが出来るという観点から、より好ましい。出発フェノール樹脂P0の製造において、これらのフェノール化合物は、1種類を単独で用いても、2種類以上を併用してもよい。出発フェノール樹脂P0の製造に用いられる一般式5で表される化合物中のR6における炭素数1~6の炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、tert-ペンチル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、2,4-ジメチルブチル基、3,3-ジメチルブチル基、3,4-ジメチルブチル基、4,4-ジメチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基等が挙げられる。出発フェノール樹脂P0の製造に用いられる一般式5で表される化合物中の=CR7R8及び=CR9R10いずれもアルキリデン基としては、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、n-ブチリデン基、イソブチリデン基、tert-ブチリデン基、n-ペンチリデン基、2-メチルブチリデン基、3-メチルブチリデン基、tert-ペンチリデン基、n-ヘキシリデン基、1-メチルペンチリデン基、2-メチルペンチリデン基、3-メチルペンチリデン基、4-メチルペンチリデン基、2,2-ジメチルブチリデン基、2,3-ジメチルブチリデン基、2,4-ジメチルブチリデン基、3,3-ジメチルブチリデン基、3,4-ジメチルブチリデン基、4,4-ジメチルブチリデン基、2-エチルブチリデン基、1-エチルブチリデン基、及びシクロヘキシリデン基等が挙げられる。出発フェノール樹脂P0の製造に用いられる一般式5で表される化合物中のXにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。また、出発フェノール樹脂P0の製造に用いられる一般式5で表される化合物中のXにおける炭素数1~6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、2-メチルブトキシ基、3-メチルブトキシ基、tert-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基、1-メチルペントキシ基、2-メチルペントキシ基、3-メチルペントキシ基、4-メチルペントキシ基、2,2-ジメチルブトキシ基、2,3-ジメチルブトキシ基、2,4-ジメチルブトキシ基、3,3-ジメチルブトキシ基、3,4-ジメチルブトキシ基、4,4-ジメチルブトキシ基、2-エチルブトキシ基、及び1-エチルブトキシ基等が挙げられる。出発フェノール樹脂P0の製造において、一般式5で表される化合物は、一種類を単独で用いても、2種以上を混合して用いてもよい。中でも、p-キシリレングリコールは、比較的低温で合成が可能であり、反応副生成物の留去や取り扱いが容易であるため好ましい。また、Xがハロゲン原子である場合、微量の水分の存在に起因して発生するハロゲン化水素を酸触媒として利用することができる。出発フェノール樹脂P0の合成方法については特に限定されるものではないが、たとえばフェノール化合物1モルに対して、一般式5で表される化合物0.1~0.6モル、蟻酸、シュウ酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩酸、硫酸、燐酸、酢酸、ルイス酸、などの酸性触媒0.005~0.05モルを50~200°Cの温度で、窒素フローにより発生ガス及び水分を系外へ排出しながら、2~20時間反応させ、反応終了後に残留するモノマーを減圧蒸留、水蒸気蒸留などの方法で留去することによって得ることができる。なお一般式5のXがハロゲンの場合には、反応系に少量の水を加えることで、発生するハロゲン化水素を酸性触媒として用いることが出来る。このほか、出発フェノール樹脂P0として、市販の同構造のものを用いてもよく、たとえば一般式4においてa=0、b=0、R2、R3、R4、R5が水素原子である重合体が入手可能である。このような市販品として具体的には、三井化学製XLC-LL、XLC-3L、XLC-4L、明和化成製MEH-7800SS、MEH-7800S等の商品名の樹脂が挙げられる。本発明に用いるエポキシ樹脂Aの軟化点としては、ハンドリング性と封止用樹脂組成物の流動特性のバランスという観点から、60°C以上110°C以下であることが好ましい。本発明に用いるエポキシ樹脂AのICI粘度としては、0.5dPas~10dPasである。本発明に用いるエポキシ樹脂Aのエポキシ当量としては、250g/eq以上が好ましく、より好ましくは260g/eq以上である。下限値が上記範囲内であると、エポキシ樹脂A中に含まれるナフチルメトキシフェニレン基が適量となる結果、封止用樹脂組成物の耐アルカリ性、耐燃性、耐半田性の向上効果を得ることができる。本発明に用いるエポキシ樹脂Aのエポキシ当量としては、350g/eq以下が好ましく、より好ましくは340g/eq以下である。上限値が上記範囲内であると、エポキシ樹脂A中に含まれるグリシドキシフェニレン基が適量となる結果、封止用樹脂組成物は良好な硬化特性と密着性を発現することができる。また、本発明の封止用樹脂組成物におけるエポキシ樹脂Aの配合量の下限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは0.5質量以上であり、より好ましくは1質量以上であり、さらに好ましくは1.5質量以上である。下限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有する。また、封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂Aの配合量の上限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは12質量以下、より好ましくは10質量以下であり、さらに好ましくは8質量以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な耐半田性と硬化性を有する。このほか、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、上記エポキシ樹脂Aを用いることによる効果が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用できるエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジヒドロアントラセンジオール型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレン及び/又はジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンまたはジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物と、を酸触媒下において反応させて得られるノボラック型ナフトール樹脂をエポキシ化して得られる樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;メトキシナフタレン骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂;フェノール変性キシレンホルムアルデヒド樹脂をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂を挙げることができる。また、パッド-エクスポーズドタイプの半導体装置を電解バリ取り処理した後の耐半田クラック性の観点からは、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ジヒドロアントラセンジオール型エポキシ樹脂等の結晶性を有するエポキシ樹脂が好ましく、このようなエポキシ樹脂であれば、エポキシ樹脂Aと組み合わせて用いることにより、流動性を向上させつつ、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性及び連続成形性のバランスが安定的に良好となる作用効果が得られる。[フェノール樹脂系硬化剤B]次に、フェノール樹脂系硬化剤Bについて説明する。フェノール樹脂系硬化剤Bは、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物、アルキル置換ベンゼンとホルムアルデヒドとを重合して得られる樹脂をフェノール類及びパラキシリレン化合物で変性して得られるフェノール変性アルキル置換芳香族炭化水素樹脂、等が挙げられる。また、上述の前駆体フェノール樹脂Pを硬化剤として用いることができる。さらにこの中でも、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂が耐燃性に優れる。フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂は、モールディッドアレイプロセスボールグリッドアレイMAP-BGAやモールディッドアレイプロセスクワッドフラットノンリードパッケージMAP-QFNに代表される大型片面封止成型物の反り低減効果に優れている。また、フェノールノボラック樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂は、連続成形時における金型汚染が少なく好ましい。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。このようなフェノール樹脂系硬化剤Bにより、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスが良好となる。特に、硬化性の点から水酸基当量は90g/eq以上、250g/eq以下のものが好ましい。本発明においては、さらに他の硬化剤を併用することができる。併用できる硬化剤としては、例えば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤等を挙げることができる。重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミンDETA、トリエチレンテトラミンTETA、メタキシレンジアミンMXDAなどの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタンDDM、m-フェニレンジアミンMPDA、ジアミノジフェニルスルホンDDSなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミドDICY、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物;ヘキサヒドロ無水フタル酸HHPA、メチルテトラヒドロ無水フタル酸MTHPAなどの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸TMA、無水ピロメリット酸PMDA、ベンゾフェノンテトラカルボン酸BTDAなどの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマーなどのポリフェノール化合物;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などが挙げられる。触媒型の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミンBDMA、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノールDMP-30などの3級アミン化合物;2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾールEMI24などのイミダゾール化合物;BF3錯体などのルイス酸などが挙げられる。縮合型の硬化剤としては、例えば、メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂;メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などが挙げられる。このような他の硬化剤を併用する場合において、フェノール樹脂系硬化剤Bの配合割合の下限値としては、全硬化剤に対して、20質量以上であることが好ましく、30質量以上であることがより好ましく、50質量以上であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると、耐燃性、耐半田性を保持しつつ、良好な流動性を発現させることができる。硬化剤全体の配合割合の下限値については、特に限定されるものではないが、全樹脂組成物中に、0.8質量以上であることが好ましく1.5質量以上であることがより好ましい。配合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、硬化剤全体の配合割合の上限値についても、特に限定されるものではないが、全樹脂組成物中に、10質量以下であることが好ましく、8質量以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、良好な耐半田性を得ることができる。[無機充填剤C]本発明の封止用樹脂組成物に用いられる無機充填剤Cとしては、当該分野で一般的に用いられる無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤Cの粒径は、金型キャビティへの充填性の観点から、0.01μm以上、150μm以下であることが望ましい。封止用樹脂組成物中の無機充填剤Cの量の下限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは78質量以上であり、より好ましくは80質量以上であり、さらに好ましくは86質量以上である。下限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物の硬化に伴う吸湿量の増加や、強度の低下が低減でき、したがって良好な耐半田クラック性を有する硬化物を得ることができる。また、連続成形時の金型ゲート側の樹脂詰まりに起因する成形不良を引き起こす恐れが少ない。また、封止用樹脂組成物中の無機充填剤Cの量の上限値は、封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは93質量以下であり、より好ましくは91質量以下であり、さらに好ましくは90質量以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有するとともに、良好な成形性を備える。なお、後述する、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、三酸化アンチモン等の無機系難燃剤を用いる場合には、これらの無機系難燃剤と上記無機充填剤の合計量を上記範囲内とすることが望ましい。本発明の封止用樹脂組成物では、さらに硬化促進剤Dを用いることができる。硬化促進剤Dは、エポキシ樹脂Aのエポキシ基とフェノール樹脂系硬化剤Bのフェノール性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般の封止用樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセン-7、ベンジルジメチルアミン、2-メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、流動性と硬化性のバランスの観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有する触媒がより好ましい。流動性という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が特に好ましく、また封止用樹脂組成物の硬化物の耐燃性ならびに連続成型時における金型汚染が少ないという点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、また、モールディッドアレイプロセスボールグリッドアレイMAP-BGAやモールディッドアレイプロセスクワッドフラットノンリードパッケージMAP-QFNに代表される大型片面封止の成型物の反りを低減できるという点では、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。本発明の封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィンが挙げられる。本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式6で表される化合物等が挙げられる。ただし、上記一般式6において、Pはリン原子を表す。R11、R12、R13及びR14は芳香族基又はアルキル基を表す。Aはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。AHはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸を表す。x、yは1~3の整数、zは0~3の整数であり、かつx=yである。一般式6で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式6で表される化合物を沈殿させることができる。一般式6で表される化合物において、リン原子に結合するR11、R12、R13及びR14がフェニル基であり、かつAHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつAは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式7で表される化合物等が挙げられる。ただし、上記一般式7において、X1は炭素数1~3のアルキル基、Y1はヒドロキシル基を表す。fは0~5の整数であり、gは0~4の整数である。一般式7で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩を有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式8で表される化合物等が挙げられる。ただし、上記一般式8において、Pはリン原子を表す。R15、R16及びR17は炭素数1~12のアルキル基又は炭素数6~12のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。R18、R19及びR20は水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、R18とR19が結合して環状構造となっていてもよい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリスアルキルフェニルホスフィン、トリスアルコキシフェニルホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリスベンジルホスフィン等の芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては1~6の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、o-ベンゾキノン、p-ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp-ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。一般式8で表される化合物において、リン原子に結合するR15、R16及びR17がフェニル基であり、かつR18、R19及びR20が水素原子である化合物、すなわち1,4-ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。本発明の封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式9で表される化合物等が挙げられる。ただし、上記一般式9において、Pはリン原子を表し、Siは珪素原子を表す。R21、R22、R23及びR24は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中X2は、基Y2及びY3と結合する有機基である。式中X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Y4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。X2、及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。一般式9において、R21、R22、R23及びR24としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、n-ブチル基、n-オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。また、一般式9において、-Y2-X2-Y3-、及び-Y4-X3-Y5-で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを2個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,2’-ビフェノール、1,1’-ビ-2-ナフトール、サリチル酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2-ヒドロキシベンジルアルコール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,2-プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。また、一般式9中のZ1は、芳香環又は複素環を有する有機基又は脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、2,3-ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド-メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。本発明の封止用樹脂組成物に用いることができる硬化促進剤Dの配合割合は、全樹脂組成物中0.1質量以上、1質量以下であることがより好ましい。硬化促進剤Dの配合割合が上記範囲内であると、充分な硬化性を得ることができる。また、硬化促進剤Dの配合割合が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。本発明の封止用樹脂組成物では、さらに芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物Eを用いることができる。芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物E以下、化合物Eとも称する。は、これを用いることにより、エポキシ樹脂Aとフェノール樹脂系硬化剤Bとの架橋反応を促進させる硬化促進剤として、潜伏性を有しないリン原子含有硬化促進剤を用いた場合であっても、保存安定性に優れた封止用樹脂組成物を得ることができる。また、化合物Eは、封止用樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させる効果も有するものである。化合物Eとしては、下記一般式10で表される単環式化合物又は下記一般式11で表される多環式化合物等を用いることができ、これらの化合物は水酸基以外の置換基を有していてもよい。ただし、上記一般式10において、R25、R29はどちらか一方が水酸基であり、他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。R26、R27及びR28は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。ただし、上記一般式11において、R30、R36はどちらか一方が水酸基であり、他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。R31、R32、R33、R34及びR35は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。一般式10で表される単環式化合物の具体例としては、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式11で表される多環式化合物の具体例としては、例えば、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体が挙げられる。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさから、芳香環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物Eを、具体的には、例えば、1,2-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とすることができる。これらの化合物Eは1種類を単独で用いても2種以上を併用してもよい。かかる化合物Eの配合割合は、全封止用樹脂組成物中に0.01質量以上、1質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.03質量以上、0.8質量以下、特に好ましくは0.05質量以上、0.5質量以下である。化合物Eの配合割合の下限値が上記範囲内であると、封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物Eの配合割合の上限値が上記範囲内であると、封止用樹脂組成物の硬化性の低下や硬化物物性の低下を引き起こす恐れが少ない。本発明の封止用樹脂組成物においては、エポキシ樹脂Aと無機充填剤Cとの密着性を向上させるため、シランカップリング剤Fをさらに添加することができる。その例としては特に限定されないが、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が挙げられ、エポキシ樹脂と無機充填剤との間で反応し、エポキシ樹脂と無機充填剤の界面強度を向上させるものであればよい。また、シランカップリング剤は、前述の化合物Eと併用することで、封止用樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させるという化合物Eの効果を高めることもできるものである。より具体的には、エポキシシランとしては、例えば、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、アミノシランとしては、例えば、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-フェニルγ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニルγ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-6-アミノヘキシル3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-3-トリメトキシシリルプロピル-1,3-ベンゼンジメタナン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中で、2級アミノ基を有するシランカップリング剤としては、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-6-アミノヘキシル3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシランが挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。また、メルカプトシランメルカプトシラン基を有するシランカップリング剤としては、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。樹脂組成物の流動性の観点では、2級アミノ基を有するシランが好ましく、耐半田性と連続成形性とのバランスという観点では、メルカプトシランが好ましく、シリコンチップ表面のポリイミドや基板表面のソルダーレジストなどの有機部材への密着性という観点ではエポキシシランが好ましい。耐アルカリ性という観点では、N-フェニルγ-アミノプロピル構造を有する2級アミノ基を有するシランカップリング剤が好ましい。なかでも、N-フェニルγ-アミノプロピル構造を有する2級アミノ基のシランカップリング剤とメルカプトシランとを併用することで、連続成型時の金型表面の汚染が軽減する作用が得られる。本発明の封止用樹脂組成物に用いることができるシランカップリング剤Fの配合割合としては、全樹脂組成物中0.01質量以上、1質量以下が好ましく、より好ましくは0.05質量以上、0.8質量以下、特に好ましくは0.1質量以上、0.6質量以下である。シランカップリング剤Fの配合割合が上記下限値以上であれば、エポキシ樹脂と無機充填剤との界面強度が低下することがなく、半導体装置などの電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。また、シランカップリング剤Fの配合割合が上記範囲内であれば、樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することがなく、半導体装置などの電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。本発明の封止用樹脂組成物においては、難燃性を向上させるために前記無機充填剤Cとは異なる無機難燃剤Gをさらに添加することができる。なかでも燃焼時に脱水、吸熱することによって燃焼反応を阻害する金属水酸化物、又は複合金属水酸化物が燃焼時間を短縮することができる点で好ましい。金属水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化ジルコニアを挙げることができる。複合金属水酸化物としては、2種以上の金属元素を含むハイドロタルサイト化合物であって、少なくとも一つの金属元素がマグネシウムであり、かつ、その他の金属元素がカルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、又は亜鉛から選ばれる金属元素であればよく、そのような複合金属水酸化物としては、水酸化マグネシウム亜鉛固溶体が市販品で入手が容易である。なかでも、耐半田性と連続成形性のバランスの観点からは水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム亜鉛固溶体が好ましい。前記無機充填剤Cとは異なる無機難燃剤Gは、単独で用いても、2種以上用いてもよい。また、連続成形性への影響を低減する目的から、シランカップリング剤などの珪素化合物やワックスなどの脂肪族系化合物などで表面処理を行って用いてもよい。本発明の封止用樹脂組成物では、前述した成分以外に、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン等の着色剤;カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤;酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体;硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合してもよい。本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂A、フェノール樹脂系硬化剤B及び無機充填剤C、ならびに上述のその他の成分等を、例えば、ミキサー等を用いて常温で均一に混合する。その後、必要に応じて、加熱ロール、ニーダー又は押出機等の混練機を用いて溶融混練し、続いて必要に応じて冷却、粉砕することにより、所望の分散度や流動性等に調整することができる。次に、本発明の電子部品装置について説明する。本発明の電子部品装置は、上述した本発明の封止用樹脂組成物を硬化させた硬化物で素子が封止されているものであることを特徴とする。本発明の封止用樹脂組成物を用いて電子部品装置を製造する方法としては、例えば、電子部品素子を搭載したリードフレーム又は回路基板等を金型キャビティ内に設置した後、封止用樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形、硬化させることにより、この電子部品素子を封止する方法が挙げられる。封止される電子部品素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられるが、これらに限定されない。得られる電子部品装置の形態としては、例えば、デュアルインラインパッケージDIP、プラスチックリード付きチップキャリヤPLCC、クワッドフラットパッケージQFP、ロープロファイルクワッドフラットパッケージLQFP、スモールアウトラインパッケージSOP、スモールアウトラインJリードパッケージSOJ、薄型スモールアウトラインパッケージTSOP、薄型クワッドフラットパッケージTQFP、テープキャリアパッケージTCP、ボールグリッドアレイBGA、チップサイズパッケージCSP等が挙げられるが、これらに限定されない。封止用樹脂組成物を用いてトランスファーモールド等の成形方法により電子部品素子が封止された電子部品装置は、そのまま、あるいは80°Cから200°C程度の温度で、10分間から10時間程度の時間をかけてこの樹脂組成物を完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。図1は、本発明に係る封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド3上に、ダイボンド材硬化体2を介して半導体素子1が固定されている。半導体素子1の電極パッドとリードフレーム5との間は金線4によって接続されている。半導体素子1は、封止用樹脂組成物の硬化体6によって封止されている。図2は、本発明に係る封止用樹脂組成物の硬化物で、有機基板に搭載された電子部品素子が封止されている片面封止型の電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。基板8の表面に、ソルダーレジスト7の層が形成された積層体のソルダーレジスト7上にダイボンド材硬化体2を介して半導体素子1が固定されている。半導体素子1の電極パッドと基板8上の電極パッドとの間は金線4によって接続されている。封止用樹脂組成物の硬化体6によって、基板8の半導体素子1が搭載された片面側のみが封止されている。基板8上の電極パッドは基板8上の非封止面側の半田ボール9と内部で接合されている。図3は、本発明に係る封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている一括成形方式の片面封止型電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド3上に、ダイボンド材硬化体2を介して半導体素子1が固定されている。半導体素子1の電極パッドとリードフレーム5との間は金線4によって接続されている。半導体素子1は、封止用樹脂組成物の硬化体6によって封止されている。なお、図3は、金属製リードフレームの片面のみを封止用樹脂組成物で一括封止成形した状態を示しており、点線部分をダイシング処理、又はレーザーカット処理することで個片化する。以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。以下に記載の各成分の配合量は、特に記載しない限り、質量部とする。エポキシ樹脂は、以下のエポキシ樹脂1~6を使用した。これらのうち、エポキシ樹脂1~3が、本発明におけるエポキシ樹脂Aに該当する。なお、エポキシ樹脂1の合成に先立ち、前駆体フェノール樹脂P1の合成を説明する。前駆体フェノール樹脂P1の合成:出発フェノール樹脂P0としてフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂明和化成株式会社製、MEH-7800SS。水酸基当量175g/eq、軟化点67°C525質量部、1-クロロメチルナフタレン東京化成工業株式会社製試薬、融点20°C、分子量176.6、純度99.153質量部、メチルイソブチルケトン580質量部、テトラエチルアンモニウムクロリド東京化成工業株式会社製試薬、融点39°C、分子量176.6、純度99.16質量部をセパラブルフラスコに秤量し、撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、室温で窒素バブリングしながら撹拌して成分を溶解させたのち、加温を開始し、系内の温度を65°C~75°Cの範囲に維持しながら1時間かけて49水酸化ナトリウム水溶液27質量部0.33モルを徐々に添加し、さらに昇温して95°C~105°Cの範囲に維持しながら3時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却した後、第一リン酸ソーダ10質量部を加えて中和した後、蒸留水300質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作水洗を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った。次に、125°C2mmHgの減圧条件でメチルイソブチルケトンを留去し、下記式Iで表される前駆体フェノール樹脂P1cは1~20の整数であり、dは0~20の整数であり、構造式の両末端は水素原子である。d=0である重合体においては、cは2~20の整数であり、ヒドロキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位の間には必ずフェニルアラルキル基であるc-1個の繰り返し単位を有する。また、d≧1である重合体においては、cdは2~20の整数であり、ヒドロキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位と、ナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位とは、それぞれが連続で並んでいても、互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ずフェニルアラルキル基であるcd-1個の繰り返し単位を有する。水酸基当量210。を得た。エポキシ樹脂1:セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、前駆体フェノール樹脂P1を500質量部、エピクロルヒドリン1320質量部、ジメチルスルホキシド260質量部を加えた。45°Cに加熱して溶解させた後、水酸化ナトリウム固形細粒状、純度99試薬97質量部を2時間かけて添加し、50°Cに昇温して2時間、さらに70°Cに昇温して2時間反応させた。反応後、蒸留水300質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作水洗を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を125°C2mmHgの減圧条件でエピクロルヒドリン及びジメチルスルホキシドを留去した。得られた固形物にメチルイソブチルケトン1100質量部を加えて溶解し、70°Cに加熱し、30質量水酸化ナトリウム水溶液31質量部を1時間かけて添加し、さらに1時間反応した後、静置し、水層を棄却した。油層に蒸留水150質量部を加えて水洗操作を行い、洗浄水が中性になるまで同様の水洗操作を繰り返し行った後、加熱減圧によってメチルイソブチルケトンを留去し、下記一般式IIで表わされるエポキシ樹脂1cは1~20の整数であり、dは0~20の整数であり、構造式の両末端は水素原子である。d=0である重合体においては、cは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位の間には必ずフェニルアラルキル基であるc-1個の繰り返し単位を有する。また、d≧1である重合体においては、cdは2~20の整数であり、置換もしくは無置換のグリシドキシフェニレン基であるc個の繰り返し単位と、ナフチルメトキシフェニレン基であるd個の繰り返し単位とは、それぞれが連続で並んでいても、互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間には必ずフェニルアラルキル基であるcd-1個の繰り返し単位を有する。エポキシ当量281、軟化点56°C、150°CにおけるICI粘度1.0dPas。を得た。エポキシ樹脂1のFD-MSチャートを図5に示す。たとえば、図5のFD-MS分析のm/z=402は、一般式IIのc=2、d=0である成分に、m/z=654は、一般式IIのc=3、d=0である成分に相当し、これらは一般式1のd=0である重合体に該当する。m/z=486は、一般式IIのc=1、d=1である成分に、m/z=738は、一般式IIのc=2、d=1である成分に相当し、これらは一般式1のd≧1である重合体に該当する。以上のように得られたエポキシ樹脂1には、一般式1で表わされる構造であってd=0である重合体とd≧1である重合体とを含むことが確認できた。エポキシ樹脂1のFD-MS測定は次の条件で行なった。エポキシ樹脂1の試料10mgに溶剤ジメチルスルホキシドDMSO1gを加えて十分溶解したのち、FDエミッターに塗布の後、測定に供した。FD-MSシステムは、イオン化部に日本電子株式会社製のMS-FD15Aを、検出器に日本電子株式会社製のMS-700機種名二重収束型質量分析装置とを接続して用い、検出質量範囲m/z50~2000にて測定した。エポキシ樹脂2:前駆体フェノール樹脂の合成において、出発フェノール樹脂P0としてフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を三井化学株式会社製、XLC-3L水酸基当量174g/eq、軟化点71°C、522質量部、1-クロロメチルナフタレン26質量部に、エポキシ樹脂1の合成において前駆体フェノール樹脂P1450質量部に変更した以外は、エポキシ樹脂1と同様の合成操作を行い、一般式IIで表されるエポキシ樹脂2エポキシ当量265、軟化点58°C、150°CにおけるICI粘度1.3dPasを得た。エポキシ樹脂2のFD-MS分析の結果、エポキシ樹脂1と同様にm/z=402、654、486、738が検出されており、エポキシ樹脂1と同様に、一般式1のd=0である重合体、ならびに一般式1のd≧1である重合体を含むことが確認できた。エポキシ樹脂3:前駆体フェノール樹脂P1の合成において、出発フェノール樹脂P0としてフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を三井化学株式会社製、XLC-3L水酸基当量174g/eq、軟化点71°C、522質量部、1-クロロメチルナフタレン106質量部、エポキシ樹脂1の合成において前駆体フェノール樹脂P1600質量部に変更した以外は、エポキシ樹脂1と同様の合成操作を行い、一般式IIで表されるエポキシ樹脂3エポキシ当量324、軟化点61°C、150°CにおけるICI粘度1.2dPasを得た。エポキシ樹脂3のFD-MS分析の結果、エポキシ樹脂1と同様にm/z=402、654、486、738が検出されており、エポキシ樹脂1と同様に、一般式1のd=0である重合体、ならびに一般式1のd≧1である重合体を含むことが確認できた。エポキシ樹脂4:ビフェニル型エポキシ樹脂ジャパンエポキシレジン株式会社、YX4000K。エポキシ当量185g/eq、軟化点107°C、150°CにおけるICI粘度0.1dPasエポキシ樹脂5:フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂日本化薬株式会社製、NC2000。エポキシ当量238g/eq、軟化点52°C、150°CにおけるICI粘度1.2dPas。エポキシ樹脂6:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業株式会社製、N-660。エポキシ当量210g/eq、軟化点62°C、150°CにおけるICI粘度2.3dPas。硬化剤1:フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂明和化成株式会社製、MEH-7800SS。水酸基当量170、軟化点65°C、150°CにおけるICI粘度0.9dPas。硬化剤2:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂明和化成株式会社製、MEH-7851SS。水酸基当量203、軟化点67°C、150°CにおけるICI粘度0.7dPas。硬化剤3:フェノールノボラック樹脂住友ベークライト株式会社製、PR-HF-3。水酸基当量104、軟化点80°C、150°CにおけるICI粘度0.7dPas。硬化剤4:フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂東都化成株式会社製、SN-485。水酸基当量210、軟化点87°C、150°CにおけるICI粘度1.8dPas。硬化剤5:トリフェニルプロパン型フェノール樹脂明和化成株製、MEH-7500。水酸基当量97、軟化点110°C、150°CにおけるICI粘度5.8dPas。無機充填剤無機充填剤としては、電気化学工業株式会社製溶融球状シリカFB560平均粒径30μm100質量部、アドマテックス製合成球状シリカSO-C2平均粒径0.5μm6.5質量部、アドマテックス製合成球状シリカSO-C5平均粒径1.5μm7.5質量部のブレンドを使用した。硬化促進剤以下の硬化促進剤1~5を使用した。硬化促進剤1:下記式14で表される硬化促進剤硬化促進剤2:下記式15で表される硬化促進剤硬化促進剤3:下記式16で表される硬化促進剤硬化促進剤4:下記式17で表される硬化促進剤硬化促進剤5:トリフェニルホスフィン北興化学工業株式会社製、TPP芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物E化合物Eとして、2,3-ナフタレンジオール東京化成工業株式会社製、2,3-ナフタレンジオール、純度98を使用した。シランカップリング剤以下のシランカップリング剤1~3を使用した。シランカップリング剤1:γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン信越化学工業株式会社製、KBM-803。シランカップリング剤2:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン信越化学工業株式会社製、KBM-403。シランカップリング剤3:N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン信越化学工業株式会社製、KBM-573。難燃剤以下の難燃剤1~2を使用した。難燃剤1:水酸化アルミニウム住友化学株式会社製、CL-303難燃剤2:水酸化マグネシウム水酸化亜鉛固溶体複合金属水酸化物タテホ化学工業株式会社製、エコーマグZ-10着色剤着色剤として、三菱化学工業株式会社製のカーボンブラックMA600を使用した。離型剤離型剤として、日興ファイン株式会社製のカルナバワックスニッコウカルナバ、融点83°Cを使用した。後述する実施例及び比較例で得られた半導体封止用樹脂組成物について、次のような測定及び評価を行った。評価項目スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機コータキ精機株式会社製、KTS-15を用いて、EMMI-1-66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、175°C、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒間の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はcm。MAP-QFNの初期不良評価:低圧トランスファー成形機第一精工株製、GP-ELFを用いて、金型温度180°C、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒間の条件で、封止用樹脂組成物を注入して半導体素子シリコンチップが搭載されたリードフレーム等を封止成形し、MAP-QFNMoldArrayPackaging-QuadFlatNon-LeadedPackage、Cu製リードフレームにストライクメッキを施したもの、封止部分のサイズは1枚あたり45mm×62mm×厚さ0.65mmであり、これをダイシングすることによって4mm×4mm×厚さ0.65mmのQFN-16Lなる半導体装置を40個収得することができる。半導体素子は1.5mm×1.5mm×厚さ0.2mm、パッシベーション種類はSiN、半導体素子とリードフレームのインナーリード部とは25μm径の金線でボンディングされており、半導体素子面のみを封止されたもの1枚を作成した。MAP-QFNの状態で、半導体装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置日立建機ファインテック製、mi-scope10で観察し、剥離又はクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。なお、不良数の表示は、1枚のMAP-QFNを、40個のQFN-16Lとみたてて、40個中の不良半導体装置の個数がn個であるとき、n/40と表示した。実施例1で得られた封止用樹脂組成物は0/40と良好な特性を示した。MAP-QFNの電解バリ取り評価:上記のMAP-QFNのリードフレームに陰極を、電解処理液層に陽極をそれぞれ接続して、電解処理液として18質量水酸化カリウム水溶液を用い、槽内温度50°C、電流密度20A/cm2の条件で90秒間電解処理を行った。ついで半導体装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置にて確認し、40個中の不良半導体装置の個数がn個であるとき、n/40と表示した。実施例1で得られた封止用樹脂組成物は0/40と良好な特性を示した。QFN-16Lの耐半田性評価-1:電解バリ取り処理したMAP-QFNを175°Cで4時間加熱処理したのち、ダイサーを用いて個片化し、収得した半導体装置QFN-16Lのうち良品の半数最大で20個を、85°C、相対湿度60で168時間処理した後、IRリフロー処理260°C、JEDEC条件に従うを行った。ついで半導体装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置にて確認し、耐半田性評価-1を実施した半導体装置の個数が20個で、そのうち不良の個数がn個であるとき、n/20と表示した。不良半導体装置の個数が1個以下の場合、良好な結果と判断した。実施例1で得られた封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は0/20と良好な耐半田性を示した。QFN-16Lの耐半田性評価-2:電解バリ取り処理したMAP-QFNを175°Cで4時間加熱処理したのち、ダイサーを用いて個片化し、収得した半導体装置QFN-16Lのうち良品の半数最大で20個を、85°C、相対湿度85で72時間処理した後、IRリフロー処理260°C、JEDEC条件に従うを行った。ついで半導体装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置にて確認し、耐半田性評価-2を実施した半導体装置の個数が20個で、そのうち不良の個数がn個であるとき、n/20と表示した。不良半導体装置の個数が2個以下の場合、良好な結果と判断した。実施例1で得られた封止用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は1/20と良好な耐半田性を示した。耐燃性試験:低圧トランスファー成形機コータキ精機株式会社製、KTS-30を用いて、金型温度175°C、注入時間15秒間、硬化時間120秒間、注入圧力9.8MPaの条件で、封止用樹脂組成物を注入成形して、3.2mm厚の耐燃試験片を作製した。得られた試験片について、UL94垂直法の規格に則り耐燃試験を行った。表には、Fmax、ΣF及び判定後の耐燃ランククラスを示した。MAP-QFNのパネル反り評価:上述のMAP-QFNの初期不良の評価と同様に成形したMAP-QFN175°Cで4時間加熱処理し、ダイサーによる個片化を行う前のもののパネルを測定サンプルとして用いた。接触式表面粗さ計に、樹脂組成物で封止成形した面が上になるように測定サンプルを水平にセットし、MAP-QFNパネルの長手方向に接触子を走査しながら、封止面の高さ方向の変位を測定し、変位高低差の最大値をパネル反り量とした。測定サンプル数は各n=4個とし、表には平均値を示した。なお、測定値は、上に凸の反り変位の場合は数値を負の値とし、凹の反り変位の場合は数値を正の値としての符号は略表示した。数値の絶対値の小さい方が、反りが小さく、ハンドリングや応力の面で優れる。数値の絶対値が300以下であれば良好とし、180以下であればきわめて良好と判断した。単位はμmである。実施例1で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて作製した個片化前のMAP-QFNパネルは、210μmと良好な低反り性を示した。連続成型性試験:得られた封止用樹脂組成物を粉末成型プレス機玉川マシナリー株製、S-20-Aにて、重量15g、サイズφ18mm×高さ約30mmとなるよう調整し、打錠圧力600Paにて打錠してタブレットを得た。得られたタブレットを装填したタブレット供給マガジンを成形装置内部にセットした。成形には、成形装置として低圧トランスファー自動成形機第一精工株製、GP-ELFを用いて、金型温度175°C、成形圧力9.8MPa、硬化時間120秒間の条件で、樹脂組成物によりシリコンチップ等を封止して80ピンQFPCu製リードフレーム、パッケージ外寸:14mm×20mm×2.0mm厚、パッドサイズ:8.0mm×8.0mm、チップサイズ7.0mm×7.0mm×0.35mm厚を得る成形を、連続で300ショットまで行った。この際、25ショット毎に、金型表面の汚れ状態とパッケージの成形状態未充填の有無とを確認し、最初に金型の汚れが確認できたショット数、また金型汚れが発生しなかった場合には○印を表の金型表面状態の項に、最初に未充填が確認できたショット数、また未充填が発生しなかった場合には○印を表の充填不良の項に、それぞれ記載した。なお、金型の表面汚れは、成形した半導体装置の表面に転写してしまう場合や、未充填の前兆である場合があり、好ましくはない。保存安定性評価:封止用樹脂組成物を温度25°Cの雰囲気下で48時間放置した後に、前記のスパイラルフロー測定し、放置後のスパイラルフロー値と初期のスパイラルフロー値の比較で、スパイラルフローの保持率を求めた。保持率が90以上の場合、良好な結果と判断した。実施例2~14、比較例1~2表1の配合に従い、実施例1と同様にして封止用樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1に示した。本発明の封止用樹脂組成物は、一般式1で表される構造を有するd=0である重合体と、d≧1である重合体とを含むエポキシ樹脂Aと、フェノール樹脂系硬化剤Bと、無機充填剤Cと、を含むものであり、実施例1~15のいずれにおいても、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性のバランスに優れた結果が得られた。また、実施例8~15においては、エポキシ樹脂Aと併用するエポキシ樹脂として、結晶性エポキシ樹脂を用いているため、これと、特定のエポキシ樹脂Aと特定のフェノール樹脂硬化剤Bとを組み合わせて用いることによる効果として、下記に示すような効果が得られることが分かった。エポキシ樹脂Aと併用するエポキシ樹脂として、結晶性エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂4を用いた実施例8~15では、電解バリ取り処理後の耐半田性評価-2が特に優れ、かつスパイラルフロー性も良好な結果となった。一方、比較例1、2はいずれも、実施例で用いているエポキシ樹脂Aを配合していないため、電解バリ取り評価、耐半田性評価、及び、難燃性評価において低下がみられた。上記の結果のとおり、エポキシ樹脂Aとフェノール樹脂系硬化剤Bとを組み合わせた本願発明の封止用樹脂組成物を用いた場合においてのみ、耐電解バリ取り性、耐半田性、耐燃性、低反り性、連続成形性および保存安定性のバランスに優れる結果が得られた。なかでも、従来困難であった金属リードフレームを備えた片面封止型の電子部品装置の耐電解バリ取り性と電解バリ取り後の耐半田性の向上との両立を可能としている点において、本発明は従来技術から予測できる範疇を超えた顕著な効果を有している。"