半導体を通るキャリアの流れを制御する制御電極をそれぞれ有する複数のトランジスタセルと、入力ノードと、前記入力ノードと、前記複数のトランジスタセルの前記制御電極のうちの対応する1つとの間にそれぞれ結合されている複数のフィルタと、を備えた、トランジスタデバイス。対になった前記制御電極は共通領域に接続され、前記フィルタはそれぞれ、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する1つとの間に結合されている、請求項1記載のトランジスタデバイス。前記半導体が、前記複数のトランジスタセルの共通活性領域が提供する、請求項2記載のトランジスタデバイス。前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極のうちの対応する1つとの間に並列接続されている、請求項1記載のトランジスタデバイス。前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する1つとの間に並列接続されている、請求項3記載のトランジスタデバイス。半導体と、該半導体の活性領域において形成される複数のトランジスタセルであって、それぞれが、1対の領域の間に配置され前記活性領域を横切って延びて、前記1対の領域の間で前記活性領域を通るキャリアの流れを制御する制御電極を含む、複数のトランジスタセルと、入力ノードと、前記入力ノードと、前記複数のトランジスタセルの前記制御電極のうちの対応する1つとの間にそれぞれ結合されている複数のフィルタであって、該フィルタのそれぞれは、導電層と、該導電層上に配置された絶縁体と、該絶縁体の上に配置された抵抗層と、前記抵抗層の第1の部分に電気的に接触するように配置され前記入力ノードを提供する、導電電極と、前記抵抗層の前記第1の部分から転置された前記抵抗層の第2の部分と電気的に接触するコネクタであって、前記絶縁体を通り前記第1の導体と電気的に接触するコネクタとを含む複数のフィルタと、を備える、トランジスタデバイス。対になった前記制御電極は共通領域に接続され、前記フィルタはそれぞれ、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する1つとの間に結合されている、請求項6記載のトランジスタデバイス。前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極のうちの対応する1つとの間に並列接続されている、請求項6記載のトランジスタデバイス。前記フィルタはそれぞれ、前記抵抗層によって提供される抵抗と、前記導電層および前記導電電極および前記絶縁層によって提供されるコンデンサであって、前記抵抗と前記コンデンサとは、前記入力ノードと、前記制御電極のうちの対応する1つとの間に並列接続されている、コンデンサと、を備える、請求項6記載のトランジスタデバイス。前記フィルタはそれぞれ、抵抗とコンデンサとを含み、該抵抗と該コンデンサとは、前記入力ノードと、前記共通領域のうちの対応する1つとの間に並列接続されている、請求項8記載のトランジスタデバイス。次に図3を参照すると、図1の増幅器において用いるようになっている、そのような増幅器において用いるトランジスタデバイス12の代わりの、トランジスタデバイス12を示す。トランジスタデバイス12は、複数のトランジスタセル、ここでは8個のセル15を含む。セル15は、ここでは例えばガリウムヒ素半導体である半導体の活性領域において形成されている。セル15のそれぞれ1つは、例えばセルがFETの場合にはソース領域とドレイン領域との間に配置されたゲート電極、または、セルがバイポーラトランジスタの場合にはエミッタ領域とコレクタ領域との間に配置されたベース電極である、制御電極17を含む。したがって、FETトランジスタであってもバイポーラトランジスタであっても、制御電極17ゲートまたはベースが、活性領域における1対の領域ソース-ドレインまたはエミッタ-コレクタ同士の間の活性領域においてキャリアの流れを制御する。トランジスタデバイス12は、入力ノード20を含む。制御電極17のそれぞれ1つは、R-Cフィルタ18を通じて入力ノード20に結合されている。ここで、制御電極17のそれぞれの対は、R-Cフィルタ18のうちの1つを共用する。したがって、この例においては、R-Cフィルタ18が4個ある。ここでは、トランジスタデバイス15はFETであり、ソース電極はアースに接続され、ドレイン電極は出力ノード30に接続されている。次に図10ないし図14を参照すると、トランジスタデバイス12が示されている。デバイス12は、半絶縁性III族-V族、ここではガリウムヒ素、の基板32図12、図12B、および図14の上に形成される。デバイス12は、入力ノード20、複数ここでは8個のトランジスタセル15、および、複数ここでは4個のR-Cフィルタ18を含む。セル15のそれぞれ1つは、基板32上の共通のメサ形状の活性領域34図12、図12B、および図14内に形成される。トランジスタセル15のそれぞれ1つは、ここでは、ソース領域Sとドレイン領域Dとの間に配置されたフィンガー状ゲート電極17すなわち、制御電極を有するFETである。したがって、ゲート電極17を用いて、ソース領域Sとドレイン領域Dとの間のキャリアの流れを制御する。特に図13および図14を参照して、ソース領域Sはソース接点コンタクトとオーム接触しており、これらは、図12、図12B、および図14において最もはっきりと示されているように、エアブリッジ導体40によって電気的に相互接続されている、ということが注意される。図12Bおよび図14において最もはっきりと示されているように、ソース領域Sは、基板32の反対側の表面上に配置されたアース平面導体43に接続されている。図10、図11、および図12を参照すると、まず、R-Cフィルタ18はそれぞれ構造が同一である、ということが注目される。その典型的なものを図11、図12、および図12Bに詳細に示す。したがって、このようなフィルタ18は、基板32の表面上に配置された導電層40を含む。導電層40は、ここでは金である。図示のように、導電層40上に、ここでは窒化ケイ素である絶縁誘電層42が形成される。誘電層42の上に、ここではタンタルである抵抗層44が配置される。抵抗層44の第1の部分50に電気接続するように、ここでは金である導電プレートすなわち電極46が配置される。抵抗層44の第2の部分54には、ここでは金である電気コネクタ52が電気接触しており、抵抗層44のこのような第2の部分54は、抵抗層44の第1の部分50から離れている。抵抗層44の部分50と部分52との間の距離によって、R-Cフィルタ18の抵抗Rが提供される。導体層40は、R-Cフィルタ18のコンデンサCの一方のプレートすなわち電極を提供し、コンデンサCの他方のプレートは、導電プレート46および抵抗層44によって提供される。コンデンサCの誘電体は、抵抗層44とプレート40との間に配置された誘電層42によって提供される。抵抗層44の部分54は、説明するようにコネクタ52に、抵抗層44と誘電層42とを貫く導電バイアvia62図12によって導電層40に、そして、コネクタ52を通じて制御電極17図12Bの一端に、電気接続されている。したがって、導電バイア62図12は、抵抗層44の部分54を、導電層40が提供するコンデンサCの下側プレートに電気接続する。結果として生じるR-Cフィルタ18を、図12Aに示す。図11、図12、および図12Aに示すように、コンデンサのプレート46は、エアブリッジ導体47によって入力ノード20に接続されている。上述のように、R-Cフィルタ18のそれぞれ1つは、抵抗RとコンデンサCとを含み、抵抗RとコンデンサCとは、入力ノード20と、制御電極17図12および図12Bのうちの対応する1つとの間に、並列接続されている。抵抗層44は、抵抗Rここでは、例えば6オーム/sqの抵抗層の役目も、コンデンサCの頂部プレートすなわち電極の役目もする。R-Cフィルタ18の大きさを最小にするために、タンタルの抵抗層44は、抵抗Rを提供する抵抗層の役目も、コンデンサCの上部プレートすなわち電極の一部の役目もする。低周波数においては、フィルタ18は抵抗Rのみしか判断しない。しかし動作周波数帯においては、コンデンサCが抵抗Rを短絡させ始め、利得が減少し過ぎることがない。本発明者らは、1対のゲートフィンガー17当たり10オームの抵抗が適当であることを発見した。キャパシタンスCは、容量性リアクタンスがバンドの下端における抵抗と等しくなるように選択した。本発明者らの場合であれば、1対のゲートフィンガー17当たり1.67pFを用いて、R-Cの3dBの周波数を9.5GHzに配置した。従来の方法を用いれば4個から8個のフィルタになるのに対し、典型的な電力増幅器においては、30個から50個のコンパクトなR-Cフィルタが並列になる。本発明者らは、従来の方法は、本発明と比較して、セル12の大きさが増大するとスプリアス振動の除去効果が少ないと考える。安定性を保証するために、従来の方法での性能は、本発明によるものよりもはるかに悪くなる。他の実施形態も、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内にある。例えば、それぞれのフィルタ18は1対の制御電極17に接続されるが、フィルタ18は1つの制御電極17のみに接続されてもよく、その場合には、図3のデバイス12は8個のフィルタ18を有する。