チャンバ内に、表面が水溶性有機溶媒で濡れた半導体基板を導入する工程と、前記チャンバを密閉し、前記チャンバ内の温度を前記水溶性有機溶媒の臨界温度以上に昇温して、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記水溶性有機溶媒を前記チャンバから排出する工程と、前記チャンバ内の圧力が大気圧まで下がるに伴い、前記チャンバ内への不活性ガスの供給を開始する工程と、前記チャンバ内に前記不活性ガスが存在する状態で、前記半導体基板を冷却する工程と、を備える半導体基板の超臨界乾燥方法。前記半導体基板を冷却する際、前記チャンバ内に前記不活性ガスを供給し続けると共に、前記チャンバ内から前記不活性ガスを排出し続けることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記半導体基板を冷却する際、前記チャンバを密閉することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記半導体基板上にはタングステン、モリブデン、タングステンナイトライド、モリブデンナイトライド、チタンナイトライド、又はポリシリコンを含む膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記水溶性有機溶媒は、アルコール又はケトンであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記不活性ガスは、窒素、炭酸、又は希ガスであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。前記チャンバに前記半導体基板を導入した後、前記チャンバを密閉する前に、前記チャンバ内に前記不活性ガスを供給し、前記チャンバ内から大気を排出する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体基板の超臨界乾燥方法。本発明は、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供することを目的とする。本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、薬液を用いて半導体基板を洗浄する工程と、前記洗浄後に、純水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、前記リンス後に、前記半導体基板の表面に水溶性有機溶媒を供給して、前記半導体基板の表面を覆う液体を純水から前記水溶性有機溶媒に置換する工程と、チャンバ内に、表面が前記水溶性有機溶媒で濡れた前記半導体基板を導入する工程と、前記チャンバを密閉し、前記チャンバ内の温度を前記水溶性有機溶媒の臨界温度以上に昇温して、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記水溶性有機溶媒を前記チャンバから排出する工程と、前記チャンバ内の圧力が大気圧まで下がるに伴い、前記チャンバ内への不活性ガスの供給を開始する工程と、前記チャンバ内に前記不活性ガスが存在する状態で、前記半導体基板を冷却する工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、超臨界乾燥について説明する。図1は、圧力と温度と物質の相状態との関係を示す状態図である。超臨界乾燥に用いられる超臨界流体の機能物質には、三態と称される気相気体、液相液体、固相固体の3つの存在状態がある。図1に示すように、上記3つの相は、気相と液相との境界を示す蒸気圧曲線気相平衡線、気相と固相との境界を示す昇華曲線、固相と液相との境界を示す溶解曲線で区切られる。これら3つの相が重なったところが三重点である。この三重点から蒸気圧曲線が高温、高圧側に延びると、気相と液相が共存する限界である臨界点に達する。この臨界点では、気相と液相の密度が等しくなり、気液共存状態の界面が消失する。そして、臨界点より高温、高圧の状態では、気相、液相の区別がなくなり、物質は超臨界流体となる。超臨界流体とは、臨界温度以上で高密度に圧縮された流体である。超臨界流体は、溶媒分子の拡散力が支配的である点においては気体と類似している。一方、超臨界流体は、分子の凝集力の影響が無視できない点においては液体と類似しているため、種々の物質を溶解する性質を有している。また、超臨界流体は、液体に比べ非常に高い浸潤性を有し、微細な構造にも容易に浸透する特徴がある。また、超臨界流体は、超臨界状態から直接気相に転移するように乾燥させることで、気体と液体の界面が存在しないように、すなわち毛管力表面張力が働かないようにして、微細構造を破壊することなく乾燥することができる。超臨界乾燥とは、このような超臨界流体の超臨界状態を利用して基板を乾燥することである。次に、図2を用いて、半導体基板の超臨界乾燥を行う超臨界乾燥装置について説明する。図2に示すように、超臨界乾燥装置10は、ヒータ12が内蔵されたチャンバ11を備えている。チャンバ11は、SUS等で形成された高圧容器である。ヒータ12は、チャンバ11内の温度を調整することができる。ヒータ12のオン/オフは図示しない制御部により制御される。図2では、ヒータ12がチャンバ11に内蔵されている構成を示しているが、ヒータ12をチャンバ11の外周部に設ける構成にしてもよい。また、チャンバ11には、超臨界乾燥処理の対象となる半導体基板Wを保持するリング状の平板であるステージ13が設けられている。チャンバ11には配管14が連結されており、不活性ガスをチャンバ11内へ供給できるようになっている。不活性ガスは、窒素、炭酸、又はアルゴン等の希ガスを用いることができる。また、チャンバ11には配管16が連結されており、チャンバ11内の気体や超臨界流体を、この配管16を介して外部へ排出することができる。配管14、配管16は例えばチャンバ11と同じ材料SUSで形成される。配管14、配管16にはそれぞれバルブ15、バルブ17が設けられており、バルブ15及びバルブ17を閉じることで、チャンバ11内を密閉状態にすることができる。次に、図3に示すフローチャートを用いて、本実施形態に係る半導体基板の洗浄及び乾燥方法を説明する。ステップS101処理対象の半導体基板が図示しない洗浄チャンバに搬入される。そして、半導体基板の表面に薬液が供給され、洗浄処理が行われる。薬液には、例えば、硫酸、フッ酸、塩酸、過酸化水素等を用いることができる。ここで、洗浄処理とは、レジストを半導体基板から剥離するような処理や、パーティクルや金属不純物を除去する処理や、基板上に形成された膜をエッチング除去する処理等を含むものである。半導体基板には、微細パターンが形成されている。この微細パターンは、洗浄処理前から形成されているものでもよいし、この洗浄処理により形成されるものでもよい。ステップS102ステップS101の洗浄処理の後に、半導体基板の表面に純水が供給され、半導体基板の表面に残留していた薬液を純水によって洗い流す純水リンス処理が行われる。ステップS103ステップS102の純水リンス処理の後に、表面が純水で濡れている半導体基板を水溶性有機溶媒に浸漬させ、半導体基板表面の液体を純水から水溶性有機溶媒に置換する液体置換処理が行われる。ここで用いられる水溶性有機溶媒は、例えば、イソプロピルアルコールIPA等のアルコールや、ケトンなどであり、純水よりも蒸気圧が高い沸点が低いものである。ここでは、水溶性有機溶媒にIPAを使用した場合について説明を行う。ステップS104ステップS103の液体置換処理の後に、半導体基板が、表面がIPAで濡れた状態のまま、自然乾燥しないように、洗浄チャンバから搬出され、図2に示すチャンバ11に導入され、ステージ13に固定される。ステップS105配管14を介してチャンバ11内に不活性ガスを供給する。これにより、チャンバ11内の大気空気が配管16を介して排出purgeされる。不活性ガスの供給は、チャンバ11の容積に基づく所定時間行われる。ステップS106不活性ガスの供給を停止するとともに、バルブ15、17を閉じて、チャンバ11の内部を密閉状態にする。そして、ヒータ12を用いて、密閉状態のチャンバ11内において、半導体基板の表面を覆っているIPAを加熱する。加熱されて気化したIPAの増加により、密閉されて一定容積となっているチャンバ11内の圧力は、図4に示されるIPAの蒸気圧曲線に従って増加する。ここで、チャンバ11内の実際の圧力は、チャンバ11内に存在する全ての気体分子の分圧の総和となるが、本実施形態では、気体IPAの分圧をチャンバ11内の圧力として説明する。図4に示すように、チャンバ11内の圧力がIPAの臨界圧力Pc≒5.4MPaに達した状態で、チャンバ11内の温度をIPAの臨界温度Tc≒235.6°C以上の所定の温度に昇温すると、チャンバ11内のIPA気体IPA及び液体IPAは、超臨界状態となる。これにより、チャンバ11内は超臨界IPA超臨界状態のIPAで充填され、半導体基板の表面は、超臨界IPAに覆われた状態となる。なお、IPAが超臨界状態となるまでに、半導体基板の表面を覆う液体IPAが全て気化しないようにする必要がある。言い換えれば、IPAが超臨界状態となるまでは、半導体基板の表面が液体IPAで濡れ、チャンバ11内に気体IPAと液体IPAが共存している必要がある。気体の状態方程式PV=nRT;Pは圧力、Vは体積、nはモル数、Rは気体定数、Tは温度に、温度Tc、圧力Pc、チャンバ11の容積を代入することで、IPAが超臨界状態になる時に、チャンバ11内に気体状態で存在するIPAの量ncmolを求めることができる。ステップS106で加熱を開始する前にチャンバ11内にはncmol以上の液体IPAが存在する必要がある。チャンバ11に導入される半導体基板上のIPAの量がncmol未満である場合は、図示しない薬液供給部からチャンバ11内に液体IPAを供給し、チャンバ11内にncmol以上のIPAを存在させるようにする。ステップS107ステップS106の加熱後、バルブ17を開いて、チャンバ11内の超臨界IPAを排出し、チャンバ11内を降圧する図4の矢印A1参照。この時、チャンバ11内の温度は温度Tc以上に維持しておく。チャンバ11内の圧力がIPAの臨界圧力Pc以下になると、IPAは超臨界流体から気体に相変化する。ステップS108チャンバ11内を大気圧まで降圧したら、バルブ15を開いて、チャンバ11内に不活性ガスを供給する。不活性ガスは配管16を介してチャンバ11から排出される。これにより、チャンバ11内に大気空気が流入することを防止できる。また、チャンバ11内の気体IPAを不活性ガスとともに排出することができる。なお、チャンバ11内が大気圧まで降圧する前に、チャンバ11内に不活性ガスを供給してもよい。ステップS109ステップS108の不活性ガスの供給開始から所定時間経過後、ヒータ12をオフし、チャンバ11及び半導体基板を冷却する。不活性ガスの供給開始から、冷却開始ヒータ12をオフするまでの時間は、例えば、チャンバ11内から気体IPAを十分に排出するのに要する時間であり、チャンバ11の容積等に基づいて決定される。チャンバ11及び半導体基板の冷却後、半導体基板がチャンバ11から搬出される。このように、本実施形態では、不活性ガスを供給しながら、チャンバ11及び半導体基板を冷却する。図5は、不活性ガスを供給しながら冷却を行った場合と、不活性ガスを供給せずに冷却を行った場合の各々について、超臨界乾燥処理後の半導体基板上のパターンを示している。図5aは超臨界乾燥処理前のパターンを示しており、凸パターンは、ポリシリコン膜及び金属膜の積層体を有している。図5bは不活性ガスを供給せずに冷却を行った場合、すなわち図4のフローチャートのステップS108を省略した超臨界乾燥処理を行った後の半導体基板上のパターンを示している。図5bから分かるように、ポリシリコン膜及び金属膜がエッチングされ、凸パターンに形状ダメージが入っている。これは、チャンバ11内が大気圧まで降圧するとチャンバ11内に大気空気が流入し、高温のチャンバ11内において凸パターンが空気中の酸素に曝露され、酸化されたためである。図5cは不活性ガスを供給しながら冷却を行った場合の超臨界乾燥処理後の半導体基板上のパターンを示している。図5cから、凸パターンへのダメージが抑制されていることが分かる。これは、不活性ガスを供給することで、チャンバ11内に空気が流入して凸パターンが酸素に曝露されることを防止したためである。本実施形態によれば、半導体基板の表面を覆うIPAを液体IPAから超臨界IPAに置換し、その後、チャンバ11内の超臨界IPAを気体IPAに直接相変化するように乾燥させる。そのため、半導体基板上の微細パターンに毛管力表面張力が働かず、微細パターンを破壊することなく半導体基板を乾燥させることができる。また、チャンバ11内の圧力が大気圧まで降圧するに伴い不活性ガスの供給を開始し、チャンバ11内に空気が流入することを防止している。このことにより、冷却前の高温状態で半導体基板上のパターンが酸素に曝露されることを防止できるため、パターンへのダメージを抑制し、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる。半導体基板上に形成されるパターンは、金属膜として、例えば、チタンナイトライド膜、タングステン膜、モリブデン膜、タングステンナイトライド膜、モリブデンナイトライド膜等を含んでいる。上記実施形態では、チャンバ11及び半導体基板の冷却の際に不活性ガスを供給し続けていたが、ステップS109において冷却を行う際、バルブ15及び17を閉めてチャンバ11内に不活性ガスが存在する状態でチャンバ11を密閉状態にしてもよい。このような方法によっても、冷却前にチャンバ11内に空気が流入することを防止できる。従って、半導体基板上のパターンが空気中の酸素に曝露されることを防止し、パターンへのダメージを抑制することができる。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。