"コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプを備えたことを特徴とするLSIパッケージ。請求項1記載のLSIパッケージにおいて、前記熱処理により発生する当該LSIパッケージの反りによって前記基板に対向する接合面の内の前記基板との間の距離が大きくなる箇所に、前記コア入りはんだバンプを配置したことを特徴とするLSIパッケージ。請求項1記載のLSIパッケージにおいて、前記熱処理により発生する当該LSIパッケージの反りによって前記基板に対向し配置されたパッドの内の前記基板との間の距離が大きくなるパッドに、前記コア入りはんだバンプを配置したことを特徴とするLSIパッケージ。請求項3記載のLSIパッケージにおいて、前記コア入りはんだバンプが配置されなかったパッドには、コア無しはんだバンプを配置したことを特徴とするLSIパッケージ。請求項4記載のLSIパッケージにおいて、前記コア無しはんだバンプは、前記コア部と同一組成のはんだ合金によって構成されたことを特徴とするLSIパッケージ。請求項1乃至5の何れか1項に記載のLSIパッケージにおいて、前記LSIパッケージが、CSP或いはBGAであることを特徴とするLSIパッケージ。LSIパッケージに設置され当該LSIパッケージの基板への実装に用いられる、コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いことを特徴とするコア入りはんだバンプ。請求項7記載のコア入りはんだバンプであって、熱処理により発生する前記LSIパッケージの反りによって前記LSIパッケージにおける前記基板に対向する接合面の内の前記基板との間の距離が大きくなる箇所に配置されることを特徴とするコア入りはんだバンプ。コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプを、複数存在するパッドの内の一部のパッドに対応付けて配置し、残りのパッドに対応付けて前記コア部と同一組成のはんだ合金によって構成されたコア無しはんだバンプを配置したLSIパッケージを基板に実装するLSIパッケージ実装方法であって、前記LSIパッケージを前記基板上に配置する配置工程と、前記コーティング部を溶融させる第1の熱処理工程と、前記コア部及び前記コア無しはんだバンプを溶融させる第2の熱処理工程とを含むことを特徴とするLSIパッケージ実装方法。請求項9記載のLSIパッケージ実装方法において、前記LSIパッケージは、前記第1及び第2の熱処理工程により発生する当該LSIパッケージの反りによって前記基板に対向する接合面の内の前記基板との間の距離が大きくなる箇所に、前記コア入りはんだバンプが配置されていることを特徴とするLSIパッケージ実装方法。請求項9記載のLSIパッケージ実装方法において、前記LSIパッケージは、前記第1及び第2の熱処理工程により発生する当該LSIパッケージの反りによって前記基板に対向し配置されたパッドの内の前記基板との間の距離が大きくなるパッドに、前記コア入りはんだバンプが配置されていることを特徴とするLSIパッケージ実装方法。請求項11記載のLSIパッケージ実装方法において、前記LSIパッケージは、前記コア入りはんだバンプが配置されなかったパッドには、コア無しはんだバンプが配置されていることを特徴とするLSIパッケージ実装方法。請求項12記載のLSIパッケージ実装方法において、前記コア無しはんだバンプは、前記コア部と同一組成のはんだ合金によって構成されたことを特徴とするLSIパッケージ実装方法。請求項9乃至13の何れか1項に記載のLSIパッケージ実装方法において、前記LSIパッケージが、CSP或いはBGAであることを特徴とするLSIパッケージ実装方法。ところで、近年盛んに利用されるようになってきた薄型化されたLSIパッケージは、それを構成する各部材の熱膨張係数の差に起因する加熱時の変形挙動の制御が難しく、温度の上昇に伴って反り返りが大きくなっていくという問題がある。このため、図5に示すような、コア無しはんだバンプ103がパッド102に取り付けられている従来の一般的なLSIパッケージ101を基板104に実装する場合、次のような問題が発生する。LSIパッケージ101を基板104に実装する際の熱処理工程において、コア無しはんだバンプ103が溶融する前に、LSIパッケージ101に反り返りが発生すると、LSIパッケージ101の4隅部分のパッド102に取り付けられているコア無しはんだバンプ103が、基板104のパッド106上に印刷されているはんだペースト105から離れてしまう。コア無しはんだバンプ103とはんだペースト105との間の距離は、温度上昇に伴って広がっていく。そして、はんだ溶融温度に達した時に、コア無しはんだバンプ103とはんだペースト105との間の距離がある値以上になると、コア無しはんだバンプ103とはんだペースト105とが1つのはんだバンプに凝集できない状態となってしまう。このため、オープン不良が発生してしまう。このような問題は、コア無しはんだバンプ103の代わりに、特許文献2に記載されているコア入りはんだバンプコア部...金属、コーティング部...融点がコア無しはんだバンプ103と同一のはんだ合金を使用した場合にも発生する。これに対して、コア無しはんだバンプ103の代わりに、特許文献1に記載されているコア入りはんだバンプコア部...金属、コーティング部...融点がコア無しはんだバンプ103よりも低いはんだ合金を使用した場合は、コーティング部の融点が低いため、はんだ溶融温度に達したときのLSIパッケージ101の反りは、コア無しはんだバンプ103を使用した場合に比べて小さくなる。このため、オープン不良が発生する危険性は少なくなる。しかし、金属のコア部を有するコア入りはんだバンプでは、はんだ合金の量が少ないため、充分な強度を有するはんだ接合部を形成できない場合がある。即ち、図6に示すように、接続部に径の細いくびれ部200が発生する場合があり、このような場合には、充分な強度を有するはんだ接合部を得ることができない。発明の目的そこで、本発明の目的は、LSIパッケージを基板に実装する際に、熱によってLSIパッケージに大きな反りが発生しても良好なはんだ接続部を形成できるようにすることにある。本発明にかかる第1のLSIパッケージは、コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプを備えたことを特徴とする。本発明にかかる第1のコア入りはんだバンプは、LSIパッケージに設置され当該LSIパッケージの基板への実装に用いられる、コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いことを特徴とする。本発明にかかる第1のLSIパッケージ実装方法は、コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ前記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が前記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプを、複数存在するパッドの内の一部のパッドに対応付けて配置し、残りのパッドに対応付けて前記コア部と同一組成のはんだ合金によって構成されたコア無しはんだバンプを配置したLSIパッケージを基板に実装するLSIパッケージ実装方法であって、前記LSIパッケージを前記基板上に配置する配置工程と、前記コーティング部を溶融させる第1の熱処理工程と、前記コア部及び前記コア無しはんだバンプを溶融させる第2の熱処理工程とを含むことを特徴とする。本発明によれば、LSIパッケージを基板に実装する際の熱処理によってLSIパッケージに大きな反りが発生しても良好なはんだ接合部を形成することが可能になるという効果を得ることができる。その理由は、LSIパッケージが、コア部とコーティング部との2層構造を有し、且つ上記コーティング部を構成するはんだ合金の融点が上記コア部を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプを備えているからである。即ち、LSIパッケージを基板に実装するために、熱処理を開始すると、LSIパッケージの反りが小さな段階で、コーティング部が溶融してコア部と基板上のはんだペーストとに濡れた状態になり、その後、温度が上昇し、LSIパッケージの反りが大きくなっていってもコア部と基板上のはんだペーストとは、溶融したコーティング部によって間接的に接続された状態が保たれる。従って、温度がコア部の溶融温度になったときには、それらが1つのはんだボールに凝縮するので、良好なはんだ接合部を形成することができる。次に、発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。LSIパッケージの構成図1を参照すると、本発明にかかるCSP,BGA等のLSIパッケージ1の実施の形態は、その下面にパッド4が格子状に配置されており、LSIパッケージ1の4隅部分に存在する1つ或いは複数のパッド4には、球状のコア入りはんだバンプ3が固定溶融され、残りのパッド4には球状のコア無しはんだバンプ2が固定されている。コア無しはんだバンプ2は、1種類のはんだ合金から構成されている。一方、コア入りはんだバンプ3は、図2に示すように、コア部31とコーティング部32との2層構造を有し、コア部31は、球状のはんだ合金から構成され、その周りを覆うコーティング部32は、コア部31よりも融点の低いはんだ合金から構成されている。また、コア無しはんだバンプ2は、コア部31と同一組成のはんだ合金から構成されている。コア部31には、一般的な電子機器のはんだ接続に用いられているSnAgCu系のはんだ合金が好ましい。また、コア無しはんだバンプ2及びコーティング部31には、SnAgCu系はんだ合金よりも融点が低く、はんだ接続部の機械的信頼性を劣化させないSnZn系やSnIn系のはんだ合金が好ましい。しかし、SnZn系のはんだ合金を選択した場合は、コーティング部32表面の酸化が激しいことが想定されるため、コーティング部32の表面にはフラックスなど酸化防止のための表面処理が必要となる。なお、コーティング部32は、例えば、微細部へのめっき析出が可能な無電解めっき法などにより形成される。プリント基板への実装方法次に、図3を参照してプリント基板への実装方法を説明する。なお、図3において、図1と同一符号は同一部分を表している。先ず、図3aに示すように、LSIパッケージ1をプリント基板5上に配置する。プリント基板5上には、LSIパッケージ1のコア無しはんだバンプ2及びコア入りはんだバンプ3の配置位置に対応してパッド6が設けられており、パッド6上にははんだペースト7がスクリーン印刷されている。はんだペースト7は、コア無しはんだバンプ2及びコア部31と同じ組成のはんだ合金を用い、図3aの状態では、LSIパッケージ1のコア無しはんだバンプ2及びコア入りはんだバンプ3と接触している。この状態で熱処理を開始する。熱処理を開始すると、各部材の温度は上昇していき、コア入りはんだバンプ3のコーティング部32の融点に達した際に、コーティング部32のみが溶融する。この状態を図3bに示す。溶融したコーティング部32は、図4に示すように、コア部31とはんだペースト7の両方に濡れた状態となる。さらに熱処理温度を上げていき、コア無しはんだバンプ2、コア部31及びはんだペースト7を溶融させて、LSIパッケージ1のパッド4とプリント基板5上のパッド6とを電気的、機械的に接続する。このとき、LSIパッケージ1を構成する部材によっては、図3cに示すように、LSIパッケージ1の4隅が反り返った状態になり、4隅のはんだ接続部にオープン不良が発生しやすくなる。本実施の形態では、このような場合でもコア入りはんだバンプ3の作用により、良好なはんだ接続部を形成するができる。即ち、図4に示すように、LSIパッケージ1の反りがまだ小さい段階で、コーティング部32が溶融し、コア部31とはんだペースト7とに濡れた状態になっているので、その後、反りが大きくなってもコア部31とはんだペースト7は、溶融したコーティング部32によって間接的に接続された状態が保たれる。このため、コア部31及びはんだペースト7の溶融点になると、コア部31、コーティング部32、はんだペースト7が一つのはんだボールに凝集するので、良好なはんだ接続部を形成できる。実装された最終的な状態を図3dに示す。なお、本実施の形態では、コア入りはんだバンプ3をLSIパッケージ1のパッド4の内の、4隅部分のパッド4に配置するようにしたが、全てのパッドに配置するようにしても良い。実施の形態の効果本実施の形態によれば、LSIパッケージ1をプリント基板5に実装する際の熱処理によってLSIパッケージ1に大きな反りが発生しても良好なはんだ接合部を形成することが可能になるという効果を得ることができる。その理由は、LSIパッケージ1が、コア部31とコーティング部32との2層構造を有し、且つ上記コーティング部32を構成するはんだ合金の融点が上記コア部31を構成するはんだ合金の融点よりも低いコア入りはんだバンプ3を備えているからである。即ち、本実施の形態のLSIパッケージ1によれば、熱処理の初期段階LSIパッケージ1の反りが小さな段階で、コーティング部32が溶融してコア部31とプリント基板5上のはんだペースト7とに濡れた状態になり、その後、温度が上昇し、LSIパッケージ1の反りが大きくなっていってもコア部31とプリント基板5上のはんだペースト7とは、溶融したコーティング部32によって間接的に接続された状態が保たれる。従って、温度がコア部31,はんだペースト7の溶融温度になったときには、それらが1つのはんだボールに凝集するので、良好なはんだ接合部を形成することができる。"