"糖の少なくとも1つの遊離水酸基に嵩高い保護基を導入することにより、該遊離水酸基及び該遊離水酸基に近接する遊離水酸基以外の遊離水酸基選択的にグリコシル化反応が起こる糖鎖受容体を製造する方法前記保護基が以下の式Iであることを特徴とする請求項1に記載の方法。[式Iにおいて、R1は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、nは0又は1若しくは2の整数である。また、Xは式IIの置換基、式IIにおいて、R2は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、mは1~3のいずれかの整数であり、R2とベンゼン環の間には、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでも良い、又は、アダマンチル基であり、Eは、ケイ素又はゲルマニウムである]前記R1がtert-ブチル基、Eがケイ素、XはR2がtert-ブチル基でありmが2であってメタ位に結合している式IIの置換基であることを特徴とする請求項2に記載の方法。前記保護基の導入位置が糖鎖受容体のC-6位であり、反応性が抑制される位置がC-4位であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。位置選択的なグリコシル化反応が糖鎖受容体のC-3位及び/又はC-2位で生じることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。前記糖鎖受容体が結晶質であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。請求項1乃至6のいずれかの方法により製造される糖鎖受容体。以下の式Iで示される糖鎖受容体用保護基。[式Iにおいて、R1は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、nは0又は1若しくは2の整数である。また、Xは式IIの置換基、式IIにおいて、R2は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、mは1~3のいずれかの整数であり、R2とベンゼン環の間には、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでも良い、又は、アダマンチル基であり、Eは、ケイ素又はゲルマニウムである]請求項7に記載の糖鎖受容体又は請求項8に記載の保護基を含んでなる糖鎖合成用試薬。上述のように、糖鎖の合成において、グリコシル化反応を位置選択的に行わせることが非常に重要となる。そこで、本発明では、任意の炭素位の遊離の水酸基に嵩高い保護基を導入した糖鎖受容体を使用し、位置選択的にグリコシル化反応を生じさせる方法の提供を目的とする。また、本発明は、位置選択的なグリコシル化反応に有用な糖鎖受容体の提供を目的とする。さらに、本発明は、位置選択的なグリコシル化反応に利用可能な保護基の提供を目的とする。本出願の発明者らは、嵩高い保護基であるtBuDbp2Si基を糖鎖受容体のC-6位の水酸基に導入し、隣接位の炭素に結合する水酸基を立体的に保護すれば、C-4位におけるグリコシル化反応を回避できるのではないかと考え、本課題の解決に着手した。その結果、C-4位におけるグリコシル化反応をほぼ抑えることに成功した。また、tBuDbp2Si基を保護基として導入した糖鎖受容体は、その結晶性が向上していることを見出した。糖誘導体は粘性が高く、通常、精製を行うのが困難であるが、高い結晶性を有する糖鎖受容体であれば、再結晶化により簡便に精製することが可能となる。以上の結果から、発明者らは、これまで利用されていた保護基であるTBDPS基と本発明で見出したtBuDbp2Si基の立体保護効果及び結晶性の差に着目し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、糖の少なくとも1つの遊離水酸基に嵩高い保護基を導入することにより、該遊離水酸基及び該遊離水酸基に近接する遊離水酸基以外の遊離水酸基選択的にグリコシル化反応が起こる糖鎖受容体を製造する方法である。また、本発明は、前記保護基が以下の式Iであることを特徴とする糖鎖受容体を製造する方法である。[式Iにおいて、R1は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、nは0又は1若しくは2の整数である。また、Xは式IIの置換基、式IIにおいて、R2は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、mは1~3のいずれかの整数であり、R2とベンゼン環の間には、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでも良い、又は、アダマンチル基であり、Eは、ケイ素又はゲルマニウムである]さらに、本発明は、以下の式Iで示される糖鎖受容体用保護基である。[式Iにおいて、R1は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、nは0又は1若しくは2の整数である。また、Xは式IIの置換基、式IIにおいて、R2は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基であり、mは1~3のいずれかの整数であり、R2とベンゼン環の間には、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでも良い、又は、アダマンチル基であり、Eは、ケイ素又はゲルマニウムである]本発明の糖鎖受容体を用いると、多段階のステップを経由せず、所望の位置にグリコシド結合を形成させることができるので、目的の糖鎖を簡便かつ低コストにて合成することができる。本発明の糖鎖受容体のうち、結晶化する特徴を有するものは、容易に精製することができるため、粘性が高く非結晶性の従来の糖鎖受容体と比較すると、扱いが容易である。本発明の第1の形態は、糖の少なくとも1つの遊離水酸基に嵩高い保護基を導入することにより、該遊離水酸基及び該遊離水酸基に近接又は隣接する遊離水酸基例えば、C-6位の遊離水酸基に保護基を導入した場合、C-4位、C-1位の遊離水酸基がC-6位の遊離水酸基に近接又は隣接する遊離水酸基である以外の遊離水酸基に選択的にグリコシル化反応が起こる又はグリコシド結合が形成される糖鎖受容体を製造する方法である。糖のグリコシル化反応は、アノマー位に脱離基を有する糖糖鎖供与体と遊離の水酸基をもつ糖糖鎖受容体との縮合反応である。この場合、糖鎖受容体の遊離の水酸基が複数存在すると、いずれの水酸基においても縮合反応が生じる可能性がある。そのため、特定の水酸基とのみ縮合反応を行わせるためには、該特定の水酸基以外の水酸基を適当な保護基によって保護する必要がある。本発明は、糖鎖受容体の任意の炭素位に存在する水酸基に、嵩高い保護基を導入し、その嵩高さにより保護基と近接する遊離の水酸基を保護し、グリコシル化反応が生じないようにすることで、他の遊離の水酸基とのグリコシル化反応を優先的に誘導することにより達成される。本発明で利用可能な嵩高い保護基とは、例えば、分子軌道法によって計算される保護基の嵩高さ糖鎖受容体側の酸素と結合する原子例えば、ケイ素、ゲルマニウム、一般式IのEに相当するから最も離れた位置に存在する原子例えば、一般式IのR1又はXに含まれる原子であってEからの直線距離で最も遠くに位置する原子までの距離が、例えば、6.0Å以上、好ましくは、7.0Å以上であって、実際に、糖鎖受容体の遊離の水酸基に導入可能な保護基のことである。嵩高い保護基としては、例えば、以下の式Iで表される置換基を挙げることができる。ここで、式Iにおいて、R1として、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基などを例示することができ、好ましくは、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基である。式I中のnは、0又は1若しくは2の整数である。また、Xとして、式IIで表される置換基又はアダマンチル基を挙げることができる。ここで、式IIにおいて、R2は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、ネオペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基などを例示することができ、好ましくは、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基である。式II中のmは、1~3のいずれかの整数であり、R2とベンゼン環の間には、エーテル結合、チオエーテル結合を含んでも良い。R2の結合位置は、オルト位、パラ位、メタ位のいずれでもよい。Eは、ケイ素又はゲルマニウムである。本発明の嵩高い保護基として、より具体的には、下記式IIIのビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルシリルtBuDbp2Si基を例示することができる。例えば、本発明の糖鎖受容体が、C-6位の水酸基に嵩高い保護基が導入されているものである場合、C-6位の水酸基に近接するC-4位の水酸基は嵩高い保護基により立体的に保護され、グリコシル化反応がほとんど生じなくなる。その結果、C-3位とC-2位においてグリコシル化反応が起こり易くなる。また、予め、C-2位の水酸基に嵩高い保護基を導入しておけば、C-3位の水酸基が立体的に保護され、その結果、C-6位とC-4位におけるグリコシル化反応が優先的に生じることになる。つまり、嵩高い置換基に隣接する水酸基へのグリコシル化反応が抑制されることになる。糖鎖受容体のC-6位の水酸基に嵩高い保護基を導入し、さらに、例えば、C-3位を従来の保護基例えば、アセチル基、ベンジル基などで保護すれば、C-2位のみでグリコシル化反応が生じ、C-2位のみにグリコシド結合ができることになる。あるいは、糖鎖受容体のC-6位の水酸基に嵩高い保護基を導入し、さらに、C-1位に嵩高い保護基を導入すれば、C-3位に選択的にグリコシド結合ができることになる。さらに、本発明の糖鎖受容体には、結晶化する特徴を有するものが含まれる。一般に、糖誘導体は高い粘性を示すため、精製が非常に困難である。本発明の糖鎖受容体のうち、結晶化する特徴を有する糖鎖受容体は、再結晶による簡便かつ低コストな方法により精製することが可能である。また、一般式Iで示される保護基は、糖鎖受容体に導入する際のハロゲン化物例えば、Eがケイ素の場合には、クロロシラン。例えば、tBuDbp2SiClが空気中で加水分解しにくくなり、安定性が向上するといった利点をも有する。本発明の他の実施形態は、本発明によって製造される糖鎖受容体、又は嵩高い保護基ハロゲン化物などの安定供給に適した形態のものからなる糖鎖合成用試薬である。本発明で開示される嵩高い保護基によって任意の水酸基が保護された糖鎖受容体は、様々な糖鎖合成に利用することができる。さらに、本発明で開示される嵩高い保護基は、ハロゲン化物フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物などの形態で、所望の遊離水酸基が保護された所望の糖鎖受容体の合成に利用することができる。本発明の試薬は、本発明の糖鎖受容体又は嵩高い保護基の他、これらを安定化するためのバッファーなどを含んでいてもよい。さらに、本発明の試薬は、他の試薬と共に、糖鎖合成用のキットとして供給することも可能である。このようなキットも本発明の範囲に含まれる。以下に実施例を示し本発明についてより具体的に説明を行うが、本発明の範囲は、実施例の範囲に限定されるものではない。1.ベンジル6-O-tert-ブチルジフェニルシリル-β-D-グルコピラノシド5の合成まず、本実施例においてコントロールの糖鎖受容体として用いるベンジル6-O-tert-ブチルジフェニルシリル-β-D-グルコピラノシド化合物5の合成を行った。ペンタ-O-アセチル-β-D-グルコピラノース2酢酸ナトリウム26.3g,0.320molを無水酢酸193ml,2.05molに懸濁し、110°Cに加熱した。そこへ、D-グルコース146.1g,0.256molを温度上昇に気をつけながら少しずつ加え、3時間撹拌した。反応終了後、反応液を氷水にあけ撹拌し、溶液から濾取し、水で十分洗浄した後、ジエチルエーテルで軽く洗浄し減圧乾燥した。粗結晶をエタノールで再結晶し、化合物261.5g,62を得た。1HNMRδ570543534508402417217213205205200ベンジルO-2,3,4,6-テトラ-O-アセチル-β-D-グルコピラノシド3アルゴン雰囲気下、化合物28.90g,22.8mmolをdry-ジクロロメタン80mlに溶解させ、ベンジルアルコール4.72ml,45.6mmolを加えた。溶液を-11°Cに冷却し、温度上昇に気をつけながら三フッ化ホウ素-ジエチルエーテル錯体8.67ml,68.4mmolを滴下した。滴下終了後、氷浴に変え1時間撹拌し、さらに室温で一晩撹拌した。反応終了後、反応液を氷水にあけ、クロロホルムで有機層の抽出をした。有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=2:1で精製し、1位にベンジル基が導入された化合物33.39g,34を得た。Rf03621hexaneethylacetate1HNMRδ720732532522492485457445403420379385209200194191ベンジルO-β-D-グルコピラノシド4アルゴン雰囲気下、化合物32.80g,6.39mmolをdry-メタノール15mlに溶解させ、ナトリウムメトキシド0.138g,2.55mmolを加え、室温で1晩撹拌した。反応終了後、陽イオン交換樹脂を加え、反応溶液を中和した。綿栓濾過で樹脂を除き、濾液を濃縮し、粗生成物41.73g,100を得た。この段階では精製は行わずにそのまま次の反応に用いた。ベンジル6-O-tert-ブチルジフェニルシリル-β-D-グルコピラノシド5アルゴン雰囲気下、化合物4266mg,0.98mmol、イミダゾール134mg,1.97mmolをdry-DMF6mlに溶解させ、dry-DMF4mlに溶解させた市販のTBDPSCl0.38ml,1.48mmolを滴下し、室温で一晩攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=1:3で精製し、化合物5432mg,86を得た。化合物5は非晶質であった。mp565575°CRf03413hexaneethylacetate1HNMRδ768773732744730732488457437395368358342348107313CNMRδ1368513566135581336413285132691301712993128541284812822128101278412782101157723762374617361721770896477267719220012.ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルクロロシラン10の合成本発明の嵩高い保護基の塩化物の一例として、ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルクロロシラン化合物10を以下の様に合成した。1,3,5-トリ-tert-ブチルベンゼン7アルゴン雰囲気下、化合物62.02ml,22.6mmolと2-メチル-2-クロロプロパン20.0ml,181.6mmolの混合溶液を-5°Cに冷却し、塩化アルミニウム3.02g,22.6mmolを2時間かけて添加し、1時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を氷水にあけ、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮し、ショートカラムによりおおまかに精製した後、エタノールで再結晶し、化合物74.37g,78を得た。Rf057hexane1HNMRδ7261343ブロモ-3,5-ジ-tert-ブチルベンゼン8アルゴン雰囲気下、化合物724.0g,97.4mmolをdry-四塩化炭素48mlに溶解させ、鉄粉5.72g,102mmolを加え0°Cに冷却した。その後、臭素10.5ml,205mmolのdry-四塩化炭素溶液12mlを滴下し、徐々に室温に戻しながら4時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を氷水にあけ、クロロホルムを用いて有機層を抽出し、水、0.1M水酸化ナトリウム水溶液、水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮し、ショートカラムによりおおまかに精製した後、減圧蒸留0.9mmHg,90°Cで精製し、化合物822.3g,85を得た。Rf068hexane1HNMRδ7321303ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルシラン9アルゴン雰囲気下、化合物82.80g,10.4mmolをdry-エーテル17mlに溶解させ、-78°Cに冷却した。Tert-ブチルリチウム1.76mol/lペンタン溶液11.8ml,20.8mmolを滴下し、2時間攪拌した後、室温まで戻した。反応溶液を、-78°Cに冷却したトリクロロシラン0.50ml,4.95mmolのdry-エーテル溶液6mlに滴下し、-78°Cで2時間攪拌した後、徐々に室温まで戻しながら一晩攪拌した。再度、反応溶液を-78°Cまで冷却してTert-ブチルリチウム1.76mol/lペンタン溶液3.09ml,5.45mmolを滴下し、1.5時間攪拌した後、徐々に室温まで戻しながら一晩攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサンで精製し、化合物91.05g,46を白色の結晶として得た。Rf051hexane1HNMRδ7547434611323104313CNMRδ1494413306129773479315127651786ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルクロロシラン10アルゴン雰囲気下、化合物91.50g,3.23mmolをdry-四塩化炭素6mlに溶解させ、塩化パラジウム57.0mg,0.323mmol加え、撹拌しながら2日間加熱還流した。アルゴン雰囲気下でフィルター濾過し、四塩化炭素を減圧留去した後、精製せずに次の反応に用いた。1H-NMRにより定量的に化合物10が得られたことを確認した。1HNMRδ764748132311033.ベンジル6-O-ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルシリル-β-D-グルコピラノシド11の合成上記2で合成した化合物10を使用して、本発明の糖鎖受容体の一例として、ベンジル6-O-ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルシリル-β-D-グルコピラノシド化合物11の合成を行った。アルゴン雰囲気下、化合物4624mg,2.31mmol、N-メチルイミダゾール796mg,9.69mmol、ヨウ素1.23g,9.69mmolをdry-ピリジン10mlに溶解させ、化合物101.61g,3.23mmolのdry-ピリジン溶液6mlを滴下し、室温で2時間攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=1:1で精製し、化合物111.36g,81を白色の結晶として得た。mp889892°CRf04211hexaneethylacetate1HNMRδ7597577497497277324834524343924003673593443461333103313CNMRδ149641368513132129611295212847128151280112373123681013876287397735973487095655134843153267819014.2,3,4,6-テトラ-O-ベンゾイル-α-D-グルコピラノシル2,2,2-トリクロロアセトアミデート14の合成本実施例で糖鎖供与体として使用した2,3,4,6-テトラ-O-ベンゾイル-α-D-グルコピラノシル2,2,2-トリクロロアセトアミデート化合物14を以下の様に合成した。ペンタ-O-ベンゾイル-α-D-グルコピラノース12アルゴン雰囲気下、D-グルコース13.00g,16.7mmolをdry-ピリジン50.0mlに溶解し0°Cに冷却した。0°Cで塩化ベンゾイル14.6ml,125mmolを加え、室温に戻し一晩撹拌した。反応終了後、水を加え過剰の酸塩化物を中和した。反応溶液を酢酸エチルで抽出し、有機層を1N塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮した後、ショートカラムによりおおまかに精製した後、2-プロパノールで再結晶し、化合物1210.9g,94を得た。Rf04821hexaneethylacetate1HNMRδ7878197307676856325865684424652,3,4,6-テトラ-O-ベンゾイル-α,β-D-グルコピラノース13化合物124.70g,6.71mmolをdry-ジクロロエタン20mlに溶解させ、密栓し0°Cに冷却した。臭化水素33酢酸溶液5.00ml,27.8mmolを加え、室温にて4時間攪拌した。反応終了後、クロロホルムで抽出し、水、炭酸水素ナトリウム、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮し、アセトン35ml、水1.5ml、炭酸銀3.06g,11.1mmolを加え、室温で一晩攪拌した。反応終了後、フィルター濾過し、有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン:酢酸エチル=9:1で精製し、化合物133.97g,99を白色の結晶として得た。Rf02091tolueneethylacetate1HNMRδ7297567868016265975675795324154694003362,3,4,6-テトラ-O-ベンゾイル-α-D-グルコピラノシル2,2,2-トリクロロアセトアミデート14アルゴン雰囲気下、化合物13886mg,1.48mmolをdry-ジクロロメタン15mlに溶解させ、炭酸セシウム48.9mg,0.15g、トリクロロアセトニトリル0.90ml,8.88mmolを加えて室温にて一晩攪拌した。反応終了後、フィルター濾過し濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン:酢酸エチル=20:1で精製し、化合物14982mg,89を白色の結晶として得た。Rf037201tolueneethylacetate1HNMRδ8647297577898056846285835624634664474515.嵩高い置換基を有する本発明の糖鎖受容体化合物11の位置選択的グリコシル化反応本発明の嵩高い置換基を有する糖鎖受容体の一例として合成した化合物11を用いて、位置選択的にグリコシル化反応が生じるかどうか検討した。糖鎖供与体として化合物14を用いた。また、コントロールの糖鎖受容体として従来から利用されている保護基を有する化合物5を使用した。5-1.化合物5を糖鎖受容体とした場合のグリコシル化反応の位置選択性アルゴン雰囲気下、糖鎖供与体14782mg,1.06mmol、糖鎖受容体5488mg,0.96mmolをdry-ジクロロメタン20mlに溶解させ、MS4Å1200mgを加えて室温で1時間攪拌した。その後、溶液を-40°Cまで冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリル48.0μl,0.26mmolを加え2時間攪拌した。反応終了後、トリエチルアミン1.00mlを加えフィルター濾過し、濃縮した後にフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン:酢酸エチル=9:1で精製し、1→2結合異性体200mg,19、1→3結合異性体392mg,38、1→4結合異性体88mg,8を得た。生成物はいずれも非晶質として得られた。1→2linkedisomerRf02321hexaneethylacetate1HNMRδ727753766768781785795800588571571520493459457444421380392348362335339292285103313CNMRδ16606165771650013738135591355213349133371332613305132911327912980129741297012945128931287212867128501284012836128291277412770127681272110142100698215756274557297726272107117708069146433625726713191731→3linkedisomerRf03821hexaneethylacetate1HNMRδ728752771773781783791797807808593562557503489478456436429404389371360350335345203106313CNMRδ1661416566165191368013567135611336113357133321299612987129781297412957129201290212860128481284412831128271280112762127591026410087887776437265724671687042693468606340628026743193331→4linkedisomerRf01521hexaneethylacetate1HNMRδ728759774783793795811813589567561516485480447442434405413378367372350323254106313CNMRδ166051655916516164801369413594135391337413361133331323813005129951298812983129701293012859128471284012831128021279312764100761006678367446740873917287725871517041691862336139691426773195035-2.化合物11を糖鎖受容体とした場合のグリコシル化反応の位置選択性アルゴン雰囲気下、糖鎖供与体14734mg,0.99mmol、糖鎖受容体11660mg,0.90mmolをdry-ジクロロメタン18mlに溶解させ、MS4Å1000mgを加えて室温で1時間攪拌した。その後、溶液を0°Cまで冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリル44.0μl,0.24mmolを加え30分攪拌した。反応終了後、トリエチルアミン1.00mlを加えフィルター濾過し、濃縮した後にフラッシュシリカゲルカラムクロマトグラフィートルエン:酢酸エチル=40:1で精製し、1→2結合異性体308mg,26、1→3結合異性体711mg,60を得た。生成物はいずれも非晶質として得られた。1→2linkedisomerRf02521hexaneethylacetate1HNMRδ724755781785795798587570551522488456453441422389391383350361337341317272129130309931→3linkedisomerRf03221hexaneethylacetate1HNMRδ7237527607617808005925635565074864734544374294174214114113573603523413452101291303102313CNMRδ16610165711652016355149261368413355133271322512989129851297712973129591291212902128681285712841128271282112793125281232412316102431010888287282726572577180704969426913635862773478315126781918上記5-1及び5-2の結果を下記の表に示す。表より、保護基として、より嵩高いtBuDbp2Si基をC-6位に導入すると、C-4位におけるグリコシル化反応は生じず、C-3位及びC-2位におけるグリコシル化反応が選択的に生じていた。一方、従来から用いられているTBDPS基を保護基として用いた場合は、C-3位の反応性が比較的高いものの、C-4位における反応もある程度生じている。この結果から、嵩高い保護基を導入した糖鎖受容体は、グリコシル化反応の位置選択性が増大していることが確認された。つまり、嵩高い置換基に隣接する水酸基へのグリコシル化反応が抑制されることになる。また、本発明の糖鎖受容体化合物11のC-2位又はC-3位を従来の保護基、例えば、ベンジル基やアセチル基で保護すると、他方の遊離水酸基について、選択的にグリコシル化反応を生じさせることが可能である。また、TBDPSとtBuDbp2Siの保護基の嵩高さを分子軌道法で計算するとソフトウェア:Chem3DChembridgeSoftを使用、各々、約5.736Å、約7.243Åとなる。従って、本発明の嵩高い保護基としては、その保護基の嵩高さが少なくとも6.0Å以上あるものが望ましい。なお、tBuDbp2Si基で糖鎖受容体を保護した後得られたオリゴ糖からの脱保護は、従来の方法により下記の様に、容易に行うことができる。ビス3,5-ジ-tert-ブチルフェニル-tert-ブチルシリル基の脱保護アルゴン雰囲気下、化合物16300mg,0.23ml、酢酸0.02ml,0.35mmolをdry-THF5mlに溶解させ、フッ化テトラ-n-ブチルアンモニウム0.56ml,0.56mmolを加えて室温で一晩攪拌した。反応終了後、酢酸エチルを用いて有機層を抽出し、水、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン:酢酸エチル=3:1→1:3で精製し、化合物17139mg,71を得た。Rf07613hexaneethylacetate1HNMRδ721761779784789798806810593561558501483478458417442327393198204"