半導体基板と、前記半導体基板の上部に形成されたトランジスタと、前記半導体基板の上に形成され、前記トランジスタと電気的に接続する配線を含む配線層と、前記配線層の上に、前記配線と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極、該複数の下部電極の上に形成された光電変換膜及び該光電変換膜の上に形成された上部電極を含む光電変換部とを備え、前記光電変換膜は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅Iを含むことを特徴とする固体撮像装置。前記光電変換膜は、酸化銅I膜と酸化銅II膜との積層膜又は酸化銅Iと酸化銅IIとを含む混合膜を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、ガリウム、バナジウム、コバルト、ケイ素、ヒ素、リン、ホウ素又は窒素を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜と前記上部電極との間又は前記光電変換膜と前記下部電極との間に形成された第1の絶縁膜をさらに備えていることを特徴とする請求項1~3のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1の絶縁膜の膜厚は、2nm以上且つ5nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記第1の絶縁膜は、酸化シリコンからなることを特徴とする請求項4又は5に記載の固体撮像装置。前記下部電極は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、銅、金、白金又はアルミニウムからなることを特徴とする請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記上部電極は、インジウムスズ酸化物、セシウムドープインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム酸化亜鉛物、インジウムガリウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ又は酸化チタンからなることを特徴とする請求項1~7のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜は、前記複数の下部電極の上にそれぞれ形成され、前記複数の下部電極のうち互いに隣接する下部電極同士の上にそれぞれ形成された前記光電変換膜同士は分離されていることを特徴とする請求項1~8のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記光電変換膜同士の間は、第2の絶縁膜によって埋め込まれていることを特徴とする請求項9に記載の固体撮像装置。前記第2の絶縁膜は、酸化シリコンからなることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。半導体基板の上部に形成されたトランジスタと、前記半導体基板の上に形成され、前記トランジスタと電気的に接続する配線を含む配線層とを有する固体撮像装置の製造方法において、前記配線層の上に前記配線と接続するように、行列状に複数の下部電極を形成する工程aと、前記複数の下部電極の上に酸化銅Iを含む光電変換膜を形成する工程bと、前記光電変換膜の上に上部電極を形成する工程cとを備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記工程bにおいて、前記複数の下部電極の上に酸化銅I膜と酸化銅II膜との積層膜又は酸化銅Iと酸化銅IIとを含む混合膜を有する前記光電変換膜を形成することを特徴とする請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程bは、前記下部電極の上に銅膜を形成する工程b1と、レーザアニール法を用いて、前記銅膜を酸化することにより酸化銅Iを含む前記光電変換膜を形成する工程b2とを含むことを特徴とする請求項12又は13に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程bは、前記下部電極の上に銅膜を形成する工程b1と、前記銅膜に水素プラズマ又は原子状の水素を照射した後に、前記銅膜を酸化することにより、酸化銅Iを含む前記光電変換膜を形成する工程b2とを含むことを特徴とする請求項12~14のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程b2において、前記銅膜の酸化を200°C以上且つ400°C以下で行うことを特徴とする請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程b2において、前記銅膜の酸化を酸素分圧が1Pa以下である減圧下で行うことを特徴とする請求項15又は16に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程bにおいて、リアクティブスパッタ法により、前記光電変換膜を形成することを特徴とする請求項12又は13に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程bよりも前に、前記複数の下部電極を覆うように前記配線層の上に絶縁膜を形成し、形成した前記絶縁膜における前記下部電極の上側部分を除去することにより、前記絶縁膜に前記下部電極を露出する複数の開口部を形成する工程dをさらに備え、前記工程bにおいて、前記下部電極の上に、前記複数の開口部を埋め込むように前記光電変換膜を形成することを特徴とする請求項12~18のうちのいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記工程dよりも後に、前記絶縁膜よりも上に位置する前記光電変換膜を除去する工程d1をさらに備えていることを特徴とする請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、有機半導体材料からなる膜有機膜は蒸着法により形成されるため、成膜時に余分な材料成分が成膜装置のチャンバの内壁に多く堆積し、これが飛散することによってウェハに堆積するおそれがある。ウェハの上に堆積した異物は画像欠陥として検出される。また、このような異物は、次工程における2次汚染源となるおそれがあるため、シリコンからなる半導体装置の製造工程での取り扱いは困難である。また、有機半導体材料は非常に不安定であり、従来の半導体装置の製造に用いられるエッチング、アッシング及び薬液洗浄を用いることができない。有機ELElectroLuminescenceの分野では、シャドーマスク等を用いてパターン成膜を行っているが、シリコンからなる半導体装置の製造工程における加工精度及びあわせ精度等に相当せず、微細加工に適しない。さらに、有機半導体材料は、大気中での放置によって水分を吸収して特性が劣化してしまう。シリコンからなる半導体装置の製造工程では、搬送時に必ず大気中に置かれるため、劣化の防止は困難である。真空一貫の装置を用いることも可能ではあるが、設備価格が高くなり、製造コストが増大する。また、有機膜を無機膜で挟み込む構造となるため、これらの密着力は弱く、剥がれるおそれがある。現在のシリコン半導体装置の製造工程では、トランジスタ等の能動素子を形成する工程におけるダメージを回復するために、最終工程において、熱処理シンターを施している。この熱処理温度は300°C~400°Cであり、有機半導体材料の耐熱温度200°Cを超えるため、最終熱処理を行うことができない。さらに、近年では、実装工程において、半田フリーバンプのリフロー温度が高いため、有機半導体材料への影響も懸念される。本発明は前記の問題に鑑み、その目的は、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにすることにある。前記の目的を解決するために、本発明は固体撮像装置を、光電変換膜に酸化銅を用いる構成とする。具体的に、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に形成されたトランジスタと、半導体基板の上に形成され、トランジスタと電気的に接続する配線を含む配線層と、配線層の上に、配線と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極、該複数の下部電極の上に形成された光電変換膜及び該光電変換膜の上に形成された上部電極を含む光電変換部とを備え、光電変換膜は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅Iを含む。本発明に係る固体撮像装置によると、光電変換膜は酸化銅Iを含むため、緑色光の吸収係数及びエネルギーギャップが高い光電変換膜を得ることができるので、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。本発明に係る固体撮像装置において、光電変換膜は、酸化銅I膜と酸化銅II膜との積層膜又は酸化銅Iと酸化銅IIとを含む混合膜を有することが好ましい。本発明に係る固体撮像装置において、光電変換膜は、ガリウム、バナジウム、コバルト、ケイ素、ヒ素、リン、ホウ素又は窒素を含むことが好ましい。本発明に係る固体撮像装置は、光電変換膜と上部電極との間又は光電変換膜と下部電極との間に形成された第1の絶縁膜をさらに備えていることが好ましい。この場合、第1の絶縁膜の膜厚は、2nm以上且つ5nm以下であることが好ましい。さらに、この場合、第1の絶縁膜は、酸化シリコンからなることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置において、下部電極は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、銅、金、白金又はアルミニウムからなることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置において、上部電極は、インジウムスズ酸化物、セシウムドープインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム酸化亜鉛物、インジウムガリウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ又は酸化チタンからなることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置において、光電変換膜は、複数の下部電極の上にそれぞれ形成され、複数の下部電極のうち互いに隣接する下部電極同士の上にそれぞれ形成された光電変換膜同士は分離されているが好ましい。この場合、光電変換膜同士の間は、第2の絶縁膜によって埋め込まれていることが好ましい。さらに、この場合、第2の絶縁膜は酸化シリコンからなることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の上部に形成されたトランジスタと、半導体基板の上に形成され、トランジスタと電気的に接続する配線を含む配線層とを有する固体撮像装置の製造方法において、配線層の上に配線と接続するように、行列状に複数の下部電極を形成する工程aと、複数の下部電極の上に酸化銅Iを含む光電変換膜を形成する工程bと、光電変換膜の上に上部電極を形成する工程cとを備えている。本発明に係る固体撮像装置の製造方法によると、複数の下部電極の上に酸化銅Iを含む光電変換膜を形成する工程を備えているため、半導体装置の製造設備を用いることが可能であり、また、緑色光の吸収係数及びエネルギーギャップが高い光電変換膜を得ることができる。このため、製造工程における異物の発生を防ぎ、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。本発明に係る固体撮像装置の製造方法において、工程bにおいて、複数の下部電極の上に酸化銅I膜と酸化銅II膜との積層膜又は酸化銅Iと酸化銅IIとを含む混合膜を有する光電変換膜を形成することが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法において、工程bは、下部電極の上に銅膜を形成する工程b1と、レーザアニール法を用いて、銅膜を酸化することにより酸化銅Iを含む光電変換膜を形成する工程b2とを含むことが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法において、工程bは、下部電極の上に銅膜を形成する工程b1と、銅膜に水素プラズマ又は原子状の水素を照射した後に、銅膜を酸化することにより、酸化銅Iを含む光電変換膜を形成する工程b2とを含むことが好ましい。この場合、工程b2において、銅膜の酸化を200°C以上且つ400°C以下で行うことが好ましい。さらに、この場合、工程b2において、銅膜の酸化を酸素分圧が1Pa以下である減圧下で行うことが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、工程bにおいて、リアクティブスパッタ法により、光電変換膜を形成することが好ましい。本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、工程bよりも前に、複数の下部電極を覆うように配線層の上に絶縁膜を形成し、形成した絶縁膜における下部電極の上側部分を除去することにより、絶縁膜に下部電極を露出する複数の開口部を形成する工程dをさらに備え、工程bにおいて、下部電極の上に、複数の開口部を埋め込むように光電変換膜を形成することが好ましい。この場合、工程dよりも後に、絶縁膜よりも上に位置する光電変換膜を除去する工程d1をさらに備えていることが好ましい。本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について図1を参照しながら説明する。図1に示すように、シリコンSiからなる半導体基板1の上部に、イオン注入法等により拡散層2が形成され、拡散層2を分離するように分離絶縁膜3が形成されている。半導体基板1の上に、ゲート絶縁膜4a及びゲート電極4bが形成され、これらと拡散層2とによりCMOSトランジスタ4が構成されている。CMOSトランジスタ4の構造は、システムLSIに用いられる微細CMOSトランジスタ構造と基本的には同一である。半導体基板1の上には、CMOSトランジスタ4を覆うように配線下絶縁膜5が形成され、配線下絶縁膜5には、CMOSトランジスタ4と接続するように配線下プラグ6が形成されている。配線下絶縁膜5の上には、層間絶縁膜7及びバリア絶縁膜8が配線層数に応じて積層され、層間絶縁膜7には、バリア絶縁膜8を貫通するCuプラグ9、及びCu配線10が形成されている。本実施形態では、3層の配線構造が形成されている。これらの配線及びプラグは、CMOSトランジスタ4における拡散層2及びゲート電極4bと電気的に接続し、回路として動作できる。Cuプラグ9のうち最上層の層間絶縁膜に形成されたCuプラグ9aの上には画素ごとに分割された下部電極11が二次元アレー状行列状に形成され、また、下部電極11を覆うように酸化銅ICu2Oからなる光電変換膜12が形成されている。光電変換膜12の上には、上部電極13が形成され、下部電極11、光電変換膜12及び上部電極13により光電変換部14が構成されている。上部電極13の上には、パッシベーション膜15が形成されている。本実施形態では、下部電極11は、例えば窒化チタンTiNからなり、上部電極13はインジウムスズ酸化物ITO:In2-xSnxO3からなり、パッシベーション膜15は、シリコン酸窒化物SiONからなる。ITOは導電体とも考えられるが、N型半導体として機能することも知られている。無機の材料で且つP型の半導体特性を示すCu2Oは、ITOと接触することにより、PN界面を形成するため、界面における空乏層の形成に有利に働く。パッシベーション膜15の上には、複数のオプティカルカラーフィルタ16が形成され、オプティカルカラーフィルタ16を挟むようにバッファ層17が形成されている。バッファ層17の上には、オプティカルカラーフィルタ16のそれぞれに対応するようにマイクロレンズ18が形成され、これにより、固体撮像装置に分光及び集光の機能が付加される。本実施形態において用いられるTiN及びCuは、現在の半導体装置の製造工程に容易に導入可能であり、新規に設備投資を必要としない。また、ITOの成膜も半導体製造設備の転用により問題なく成膜可能であり、コストメリットが大きい。また、本実施形態において、光電変換膜は酸化銅Iを含むため、有機半導体膜を形成する場合のような異物の発生はなく、次工程の2次汚染源となるおそれがない。酸化銅Iは有機半導体材料よりも安定な材料であり、大気中における放置によって劣化せず、従来の半導体装置の製造工程に用いられるエッチング、アッシング及び薬液洗浄が可能となる。すなわち、シリコンからなる半導体装置の製造工程に相当する加工精度及びあわせ精度等が保証できる。また、酸化銅Iは無機材料であり、無機の金属電極との密着力が強いため、剥がれるおそれがない。さらに、最終工程において熱処理シンターを行うことも可能となる。また、有機材料と比較して、酸化銅Iは安価な材料であり、工業的に価値が高い。次に、第1の実施形態に係る固体撮像装置の下部電極11、光電変換膜12及び上部電極13のバンド構造について図2を参照しながら説明する。図2a及びbに示すように、本実施形態では、上部電極13側を正電極としており、正孔が信号となるショットキー接合を用いた光電変換構造である。TiN下部電極11及びITO上部電極13の仕事関数は、それぞれ4.5eV及び4.4eVであり、Cu2O光電変換膜12の電子親和力は3.3eVであり、Cu2Oのバンドギャップは2.1eVであり、そのフェルミレベルは価電子帯よりも0.3eV程度上側となる。ここで、これらがイメージセンサ用のショットキー接合型の光電変換部として機能するには、上部電極13側に正電位逆バイアスを印加した際に、暗電流が極力小さくなることが必要である。すなわち、下部電極11側から光電変換膜12側に、電子が流れ込まないこと、及び上部電極13側から光電変換膜12側に正孔が流れこまないことが重要である。本実施形態では、電子に対する障壁の高さは1.8eVであり、正孔に対しての障壁の高さは1.0eVである。障壁の低い側である1.0eVという値は、シリコン半導体のPN接合の障壁である約0.8eV~0.9eV理論的にSiの禁制帯幅である1.1eV未満:φb:Vp-Vfに対して十分に高い値となり、原理的にシリコンのPN接合を用いたフローティングデイフュージョンでのリーク電流値よりも、暗電流を低減することが可能となる。リチャードソンダッシュマンの式熱電子放出の式Js=AT2exp-qφB/kTにおいて、両者のφBの差分を0.2eVとするならば、Cu2Oを用いた場合、リーク電流量はSiを用いた場合と比較して1/3000まで低減できることになる。本実施形態では、上部電極13の材料にITOを用いたが、さらに仕事関数が小さい材料を用いることにより、このリーク電流を低減することができる。例えば、仕事関数が4.3eVであるセシウムドープインジウムスズ酸化物からなる透明電極を用いることにより、さらにリーク電流を低減できる。さらに、上部電極13である透明電極の材料は、インジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウム酸化亜鉛物AZO、インジウムガリウム酸化亜鉛IGZO、酸化亜鉛ZnO、酸化スズSnO又は酸化チタンTiO等でもよい。また、本実施形態では、下部電極11の材料にTiNを用いたが、電子のリークを低減するために、下部電極11により高い仕事関数をもつ金属材料を用いることが好ましい。例えば、下部電極11の材料に窒化タンタルTaN、窒化タングステンWN、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、ニッケルNi、銅Cu、金Au、白金Pt又はアルミニウムAl等を用いてもよい。また、暗電流リーク電流を低減するために、上部電極の下に、正孔ブロッキング層として、例えば酸化シリコン膜等である薄い酸化膜を形成してもよい。次に、上部電極の下に、薄い正孔ブロッキング層である極薄酸化膜が形成された構造を有する固体撮像装置について図3を参照しながら説明する。図3は、光電変換部14付近を抜き出した図であり、バリア絶縁膜8よりも下の構造及びパッシベーション膜15よりも上の構造は図1と同一である。図3に示すように、Cu2Oからなる光電変換膜12の上に、第1の絶縁膜である極薄酸化膜12aが形成されている。極薄酸化膜12aは、ポテンシャル障壁を高くして、正孔のリークをさらに抑えることができる。一方、信号となる正孔は、極薄酸化膜12aをトンネル電流として流れるため問題とならない。次に、極薄酸化膜12aが形成された第1の実施形態に係る固体撮像装置の下部電極、光電変換膜及び上部電極のバンド構造について図4を参照しながら説明する。図4a及びbに示すように、上部電極13側に正電位をかけることによって、極薄酸化膜12aの下の光電変換膜12には空乏層が広がり、これらはショットキー型のダイオードとして機能する。上部電極13と光電変換膜12とに挟まれた極薄酸化膜12aに純粋な酸化膜を用いれば、正孔に対する障壁は4.0eVとなり、リーク電流に対する障壁として格段の効果がある。ただし、ブロッキング層である極薄酸化膜12aの膜厚は重要なパラメータであり、膜厚が厚すぎると信号となる正孔の通過も妨げてしまう。このため、極薄酸化膜12aの膜厚の値は重要であり、2nm以上且つ5nm以下であることが好ましい。本実施形態では、極薄酸化膜12aは光電変換膜12と上部電極13との間に形成されたが、光電変換膜12と下部電極11との間に形成されても構わない。このようにすると、電子に対する障壁をより高くすることができ、リーク電流の発生を防ぐことができる。本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。また、従来のように光電変換膜にSi膜を用いるのではなく、Cu2O膜を用いることにより、以下のような利点がある。なお、[表1]にSiの特性とCu2Oの特性との比較を示す。固体撮像装置の感度を決める波長が550nm近傍である緑色の光に対するCu2Oの光の吸収係数αは、α=50000cm-1であり、α=7000cm-1であるバルクシリコンSiの吸収係数よりも7倍程度大きい。このため、緑色光の吸収に必要な膜厚は、Si膜では3.5μmであるのに対して、Cu2O膜では0.5μm程度の膜厚でよい。すなわち、隣接画素からの光の漏れ斜め入射光を受けにくくなり、カラーの固体撮像装置では混色を防ぐことができる。光電変換膜のエネルギーギャップEgは重要であり、赤色光を受けるためには少なくともEgを2.1eV以下とする必要がある。但し、熱電子放出によるリーク電流を抑えるためにはできる限りEgは高い方がよい。Egが2.1eVであるCu2Oは、Siと比較して熱電子放出によるリーク電流をより抑えることができ、且つ、赤色光を受けることができるため、光電変換膜として好ましい材料である。Cu2Oは直接遷移の半導体であり、光吸収端が640nmであり、この波長よりも大きい光に対する吸収係数は急激に低下する特性を示す。すなわち、Cu2O膜は赤外光の波長には反応しないため、シリコンフォトダイオードに必要な赤外線カットフィルターは不要となる。Cu2Oのキャリアの移動度は、Siよりも小さいが40cm2/Vsと大きく、光電変換膜に用いるのに十分な値である。また、Cu2Oのキャリアの移動度は、1cm2/Vs以下である有機光電膜の移動度と比較して非常に大きく、固体撮像装置の問題となる残像を生じることはない。また、Cu2Oのバンド幅を小さくする方法として、Cu2Oに不純物のドーピングを行うことが有効である。例えば、Cu2OにコバルトCoをドープすることによりバンドギャップを2.05eVまで、バナジウムVをドープすることにより2.01eVまで、ガリウムGaをドープすることにより1eV~2eVまで可変である。すなわち、Cu2Oに不純物をドーピングさせることによって、エネルギーギャップを小さくし、リーク電流とのトレードオフを制御することにより、適当な光電変換膜を形成できる。なお、上記の不純物に他に、ケイ素Si、ヒ素As、リンP、ホウ素B又は窒素Nを用いてもよい。次に、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について図5を参照しながら説明する。なお、最上層の層間絶縁膜7よりも下層、及びパッシベーション膜15よりも上層は、公知の製造方法により形成できるため説明を省略する。まず、図5aに示すように、最上層の層間絶縁膜7にCuプラグ9aを形成し、これらを覆うようにTiN薄膜を形成する。TiN薄膜の膜厚は、10nm~50nm程度であることが好ましい。続いて、リソグラフィ法及びエッチング法により、TiN薄膜を画素毎に分割することによって二次元アレー状行列状に並ぶ複数の下部電極11を形成する。画素サイズは1μm程度である。次に、図5bに示すように、スパッタ法及びめっき法を用いて、下部電極11及び層間絶縁膜7の上にCuシード膜を形成し、膜厚が300nm~500nm程度のCu膜12Aを形成する。また、めっき法を用いず、スパッタ法のみにより、膜厚が300nm~500nm程度のCu膜12Aを形成することもできる。Cu膜12Aの下に下部電極11が形成されており、Cu膜12Aの表面には凹凸が形成されるため、Cu膜12Aの表面を化学機械研磨ChemicalMechanicalPolishing:CMP法等によって平坦化してもよい。Cu膜12Aを形成する方法、及び余分なCu膜12Aを除去する方法は、近年の微細配線の形成工程に汎用的に用いられるダマシン法が広く普及している。このため、Cu膜の形成及び除去は、現状のシリコンからなる半導体装置の製造に用いる設備を用いて容易に行うことができる。次に、図5cに示すように、Cu膜12Aを酸化し、Cu2O膜である光電変換膜12を形成する。Cu2O膜を形成する方法は、後に詳しく説明する。下部電極11が形成されていることにより生じる凹凸は、酸化前のCu膜12Aに対してではなく、酸化後であるCu2O膜に対してCMP法を行うことにより平坦化してもよい。次に、図5dに示すように、例えばスパッタ法により、光電変換膜12を覆うように、ITOからなる膜厚が10nm~30nm程度の上部電極13、及びSiONからなる膜厚が300nm~500nm程度のパッシベーション膜15を順次形成する。なお、図3に示すように、例えば化学気相成長chemicalvapordeposition:CVD法、原子層堆積atomiclayerdeposition:ALD法又はスパッタ法により、光電変換膜12と上部電極13との間に、正孔ブロッキング層として、膜厚が2nm~5nm程度の酸化シリコン膜を形成してもよい。以下に、Cu2O膜を形成する方法について説明する。第1のCu2O膜の形成方法まず、レーザアニール法を用いて光電変換膜であるCu2O膜を形成する方法について図6を参照しながら説明する。Cu2O膜の形成は、Cu膜を酸化させて形成するのが一般的であるが、純粋なCu2O膜を形成するのは困難である。例えば、大気中におけるCuの酸化では、800°C以下ではCuOが形成され、800°C以上でないと純粋なCu2O膜は形成できない。シリコンからなる半導体装置の製造工程における多層配線の形成以降の工程では、許容される最高温度は400°C程度であるため、電極の形成後に800°C以上の温度の処理を行うことはできない。そこで、本実施形態では、レーザアニール法を用いた酸化を行う。レーザアニール法によると、Cu膜の表面を瞬時に1000°C以上に上昇させるにもかかわらず、瞬時に熱が拡散するため半導体素子へのダメージがない。図6に示すように、YAGレーザ20から発振したレーザ光21はプリズム22及びレンズ23等の光学系によって制御され、駆動系24の上に置かれたウェハ25のパターン26の上に焦点を結ぶ。また、駆動系24は行列方向に精密に動作し、所望のパターン26の上にのみレーザ光21を照射することが可能である。例えば、図5bに示したCu膜12Aに対して、エネルギーが1.1μJであり、径が3μmであるレーザ光21を10ns照射すれば、瞬時にCu膜12Aにパワーが吸収され、Cuの温度が上昇して大気中の酸素と反応してCu2O膜を形成できる。レーザ光は画素ごとに照射することも可能であり、スループットを重視すれば、複数個の画素に照射することも可能である。レーザアニール法を用いた酸化は、大気中でシリコンにダメージを与えることなくCu2Oを安定に作成する方法として望ましい方法である。第2のCu2O膜の形成方法次に、高真空で且つ低酸素分圧の条件でCu膜を酸化することにより、Cu2O膜である光電変換膜を形成する方法について図7~図9を参照しながら説明する。高真空で且つ低酸素分圧の条件におけるCu膜の酸化は、低温でもCu2O膜を形成することが知られている。しかしながら、この場合、Cu膜の表面にのみCu2Oが生じ、膜厚方向に組成比を均一にすることは難しい。本実施形態では、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成する方法として、酸化の前に水素脆性処理を行う。図7に示すように、真空チャンバ30は温度制御可能なサセプタ31を備え、ガス導入系32及び排気系33が連結している。サセプタ31の上には、ウェハ34が載置せられる。ガス導入系32は、ガス導入口35を備え、例えばH2、O2及びAr等の種々のガスを導入できるようになっている。導入されたガスはガス導入系32を通って、真空チャンバ30に到達し、ウェハ34の表面上に拡散する。これらのガスをガス導入系32内でマイクロ波36を用いて励起することも可能である。例えば、H2はマイクロ波36により活性されたH原子となってウェハ34に到達する。このような装置を用いてCu2O膜を形成することができる。図8a及びbに示すように、通常の酸化では、真空チャンバ内を10分の数Paの酸素分圧とし、サセプタの温度を300°CとしてCu膜を酸化すると、500nmのCu膜に対して表面から100nmにはCu2Oが生成されるが、裏面側までは酸化されない。また、高温高圧条件によりCu膜の酸化を行うと、Cu膜の裏面側まで酸化は進むが、酸化が進みすぎてCuOとの混晶となるおそれがある。これに対して、図8c~eに示すように、サセプタの温度を300°Cとし、水素原子を照射し、Cu膜の脆性破壊を起こすことにより、Cu膜内に酸素が拡散しやすくなる。この後に、サセプタの温度を300°Cとし、酸素分圧を1Pa以下とする減圧下で酸素をCu膜の表面にさらすことにより、脆性破壊を起こしたCu膜内を通ってCuの酸化が進む。これにより、低温の条件下において、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成できる。本実施形態では、Cu膜を酸化するための温度を300°Cとしたが、酸化が起こり且つ配線の形成後に許容される温度であればよく、例えば200°C以上且つ400°C以下であればよい。図9に示すように、Cu膜に対して通常の酸化及び水素脆性処理後の酸化を行うことにより得られたそれぞれの膜をX線光電子分光Xrayphotoelectronspectroscopy:XPSによって測定すると、通常の酸化が行われた膜では、Cu2O及びCuのピークが確認できる。これに対して、水素脆性処理後の酸化が行われた膜では、Cu2Oのピークが鋭く、純粋なCu2Oが膜内に均一に形成されていることがわかる。なお、この測定では、膜中の情報を得るために、酸化させたCu膜の一部を研磨除去し、膜の内部のCuとOとの結合状態を観察している。第3のCu2O膜の形成方法ここまで、Cu膜を酸化してCu2O膜を形成する方法について説明したが、例えばリアクティブスパッタ法により、直接に、下部電極11の上にCu2O膜を形成してもよい。以下に、リアクティブスパッタ法によりCu2O膜を形成する方法について説明する。Cuターゲットを有するスパッタ装置に、O2ガス及びArガスを導入することにより下部電極11の上にCu2Oを堆積できる。一般に、O2ガス及びArガスの流量比を調節することにより適当なCu2Oの組成比を達成できる。本実施形態では、ArO2の流量に対するO2の比率を0~50に変化させ、Cu2Oが形成できる20を採用した。本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について図10を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付け、その説明を省略する。図10では、最上層のバリア絶縁膜8よりも下層、及びパッシベーション膜15よりも上層を省略し、光電変換部14を中心に説明する。図10に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態と比較して、Cu2Oからなる第1の光電変換膜12の上に、酸化銅IICuOからなる第2の光電変換膜12bが形成されている点が異なる。赤色波長の中心値である620nmの光エネルギーは2.1eV相当であり、Cu2Oはエネルギーギャップが2.1eVであるため、赤色波長を受けることが可能である。本実施形態では、赤色光に対する感度を増大するために、光電変換膜にCu2Oと共にバンドギャップが1.35eVであるCuOを用いる。一般に、CuOは銅を空気中で酸化すると生成される。CuOはCu2Oと同一元素により構成され、Cu2Oの成膜設備を用いることができるため、製造的にもメリットは大きい。次に、第2の実施形態に係る固体撮像装置の下部電極11、第1の光電変換膜12、第2の光電変換膜12b及び上部電極13のバンド構造について図11を参照しながら説明する。図11a及びbに示すように、上部電極13側に正電位逆バイアスをかけることによって、上部電極13の下の第2の光電変換膜12b及び第1の光電変換膜12には空乏層が広がり、ショットキーのダイオードとして機能する。CuOの電子親和力は4.0eVであり、その価電子帯はCu2Oの価電子帯と同一の電位の高さとなる。ここで、上部電極の13側から赤色光が入射した場合、CuO膜である第2の光電変換膜12bにより赤色光が吸収され、光電変換に寄与することになる。緑色及び青色の光は、CuO膜でも吸収され得るが、主にCu2O膜である第1の光電変換膜12により吸収される。CuOのバンドギャップは1.35eVであるため、十分に赤色波長を受けることができ、且つ、正孔に対する障壁の高さが0.95eVであるため、暗電流の値を小さくすることができる。また、第2の光電変換膜12bは、下部電極11と第1の光電変換膜12との間に形成されてもよく、光電変換膜としてCuOとCu2Oとの混晶混合膜が用いられても構わない。また、Cu2Oのバンド幅を小さくする方法として、Cu2Oに不純物のドーピングを行うことが有効である。例えば、Cu2OにコバルトCoをドープすることによりバンドギャップを2.05eVまで、バナジウムVをドープすることにより2.01eVまで、ガリウムGaをドープすることにより1eV~2eVまで可変である。すなわち、Cu2Oに不純物をドーピングさせることによって、エネルギーギャップを小さくし、リーク電流とのトレードオフを制御することにより、適当な光電変換膜を形成できる。なお、上記の不純物に他に、ケイ素Si、ヒ素As、リンP、ホウ素B又は窒素Nを用いてもよい。本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。さらに、第1の実施形態よりも赤色光に対する感度を増大できる。次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について図12及び図13を参照しながら説明する。なお、最上層の層間絶縁膜7よりも下層、及びパッシベーション膜15よりも上層は、公知の製造方法により形成できるため説明を省略する。まず、図12aに示すように、最上層の層間絶縁膜7にCuプラグ9aを形成し、これらを覆うようにTiN薄膜を形成する。TiN薄膜は、膜厚が10nm~50nm程度であることが好ましい。続いて、リソグラフィ法及びエッチング法により、TiN薄膜を画素毎に分割することによって二次元アレー状行列状に並ぶ複数の下部電極11を形成する。画素サイズは1μm程度である。次に、図12bに示すように、スパッタ法及びめっき法を用いて、下部電極11及び層間絶縁膜7の上にCuシード膜を形成し、膜厚が300nm~500nm程度のCu膜12Aを形成する。また、めっき法は用いず、スパッタ法のみにより膜厚が300nm~500nm程度のCu膜12Aを形成することもできる。Cu膜12Aの下に下部電極11が形成されており、Cu膜12Aの表面には凹凸が形成されるため、Cu膜12Aの表面をCMP法等によって平坦化してもよい。Cu膜12Aを形成する方法、及び余分なCu膜12Aを除去する方法は、近年の微細配線の形成工程に汎用的に用いられるダマシン法が広く普及している。このため、Cu膜12Aの形成及び除去は、現状のシリコンからなる半導体装置の製造に用いる設備を用いて容易に行うことができる。次に、図12cに示すように、Cu膜12Aを酸化し、Cu2O膜である光電変換膜12を形成する。Cu2O膜を形成する方法は、後に詳しく説明する。Cu膜12AがCu2O膜である光電変換膜12に変化する際には、体積が膨張するため、光電変換膜12の表面は凸上に膨らみ、平坦性を失う場合があるので、ここでも、CMP法により、Cu2O膜である光電変換膜12の表面を平坦化してもよい。次に、図13aに示すように、第2の光電変換膜12bとしてCuO膜を100nm~200nm程度形成する。このCuO膜をCu膜の酸化により生成することは、下層に既に形成されているCu2O膜である第1の光電変換膜12の組成に影響を与えてしまうため、酸化法を用いることが難しい。従って、CuO膜の組成を独立に制御できるリアクティブスパッタ法により、CuO膜を形成することが望ましい。このリアクティブスパッタ法は後述の第3のCu2O膜の形成方法と同様の方法である。なお、光電変換膜としてCuOとCu2Oとの混晶混合膜を用いる場合には、Cu2O膜である第1の光電変換膜12と第2の光電変換膜12bであるCuO膜との区別はなく、形成方法としては、後述の第1~3のCu2O膜の形成方法の条件を最適化することによって得る事ができる。次に、図13bに示すように、例えばスパッタ法により、光電変換膜12を覆うように、ITOからなる膜厚が10nm~30nm程度の上部電極13、及びSiONからなる膜厚が300nm~500nm程度のパッシベーション膜15を形成する。なお、図3に示す構造と同様に、例えばCVD法、ALD法若しくはスパッタ法により、第2の光電変換膜12bと上部電極13との間に、正孔ブロッキング層として、膜厚が2nm~5nm程度酸化シリコン膜を形成してもよい。以下に、Cu2O膜を形成する方法について説明する。第1のCu2O膜の形成方法まず、レーザアニール法を用いて光電変換膜であるCu2O膜を形成する方法について図6を参照しながら説明する。Cu2O膜の形成は、Cu膜を酸化させて形成するのが一般的であるが、純粋なCu2O膜を形成するのは困難である。例えば、大気中におけるCuの酸化では、800°C以下ではCuOが形成され、800°C以上でないと純粋なCu2O膜は形成できない。シリコンからなる半導体装置の製造工程における多層配線の形成以降の工程では、許容される最高温度は400°C程度であるため、電極の形成後に800°C以上の温度の処理を行うことはできない。そこで、本実施形態では、レーザアニール法を用いた酸化を行う。レーザアニール法によると、Cu膜の表面を瞬時に1000°C以上に上昇させるにもかかわらず、瞬時に熱が拡散するため半導体素子へのダメージがない。図6に示すように、YAGレーザ20から発振したレーザ光21はプリズム22及びレンズ23等の光学系によって制御され、駆動系24の上に置かれたウェハ25のパターン26の上に焦点を結ぶ。また、駆動系24は行列方向に精密に動作し、所望のパターン26の上にのみレーザ光21を照射することが可能である。例えば、図8bに示したCu膜12Aに対して、エネルギーが1.1μJであり、径が3μmであるレーザ光21を10ns照射すれば、瞬時にCu膜12Aにパワーが吸収され、Cuの温度が上昇して大気中の酸素と反応してCu2O膜を形成できる。レーザ光は画素ごとに照射することも可能であり、スループットを重視すれば、複数個の画素に照射することも可能である。レーザアニール法を用いた酸化は、大気中でシリコンにダメージを与えることなくCu2Oを安定に作成する方法として望ましい方法である。第2のCu2O膜の形成方法次に、高真空で且つ低酸素分圧の条件でCu膜を酸化することにより、Cu2O膜である光電変換膜を形成する方法について図7~図9を参照しながら説明する。高真空で且つ低酸素分圧の条件におけるCu膜の酸化は、低温でもCu2O膜を形成することが知られている。しかしながら、この場合、Cu膜の表面にのみCu2Oが生じ、膜厚方向に組成比を均一にすることは難しい。本実施形態では、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成する方法として、酸化の前に水素脆性処理を行う。図7に示すように、真空チャンバ30は温度制御可能なサセプタ31を備え、ガス導入系32及び排気系33が連結している。サセプタ31の上には、ウェハ34が載置せられる。ガス導入系32は、ガス導入口35を備え、例えばH2、O2及びAr等の種々のガスを導入できるようになっている。導入されたガスはガス導入系32を通って、真空チャンバ30に到達し、ウェハ34の表面上に拡散する。これらのガスをガス導入系32内でマイクロ波36を用いて励起することも可能である。例えば、H2はマイクロ波36により活性されたH原子となってウェハ34に到達する。このような装置を用いてCu2O膜を形成することができる。図8a及びbに示すように、通常の酸化では、真空チャンバ内を10分の数Paの酸素分圧とし、サセプタの温度を300°CとしてCu膜を酸化すると、500nmのCu膜に対して表面から100nmにはCu2Oが生成されるが、裏面側までは酸化されない。また、高温高圧条件によりCu膜の酸化を行うと、Cu膜の裏面側まで酸化は進むが、酸化が進みすぎてCuOとの混晶となるおそれがある。これに対して、図8c~eに示すように、サセプタの温度を300°Cとし、水素原子を照射し、Cu膜の脆性破壊を起こすことにより、Cu膜内に酸素が拡散しやすくなる。この後に、サセプタの温度を300°Cとし、酸素分圧を1Pa以下とする減圧下で酸素をCu膜の表面にさらすことにより、脆性破壊を起こしたCu膜内を通ってCuの酸化が進む。これにより、低温の条件下において、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成できる。本実施形態では、Cu膜を酸化するための温度を300°Cとしたが、酸化が起こり且つ配線の形成後に許容される温度であればよく、例えば200°C以上且つ400°C以下であればよい。図9に示すように、Cu膜に対して通常の酸化及び水素脆性処理後の酸化を行うことにより得られたそれぞれの膜をX線光電子分光Xrayphotoelectronspectroscopy:XPSによって測定すると、通常の酸化が行われた膜では、Cu2O及びCuのピークが確認できる。これに対して、水素脆性処理後の酸化が行われた膜では、Cu2Oのピークが鋭く、純粋なCu2Oが膜内に均一に形成されていることがわかる。なお、この測定では、膜中の情報を得るために、酸化させたCu膜の一部を研磨除去し、膜の内部のCuとOとの結合状態を観察している。第3のCu2O膜の形成方法ここまで、Cu膜を酸化してCu2O膜を形成する方法について説明したが、例えばリアクティブスパッタ法により、直接に、下部電極11の上にCu2O膜を形成してもよい。以下に、リアクティブスパッタ法によりCu2O膜を形成する方法について説明する。Cuターゲットを有するスパッタ装置に、O2ガス及びArガスを導入することにより下部電極11の上にCu2Oを堆積できる。一般に、O2ガス及びArガスの流量比を調節することにより適当なCu2Oの組成比を達成できる。本実施形態では、ArO2の流量に対するO2の比率を0~50に変化させ、Cu2Oが形成できる20を採用した。本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。さらに、第1の実施形態よりも赤色光に対する感度が大きい固体撮像装置を得ることができる。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について図14を参照しながら説明する。本実施形態において、第1の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付け、その説明を省略する。図14に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態と比較して、画素ごとに分割され、二次元アレー状行列状に並べられた下部電極11の上にのみ、Cu2Oからなる光電変換膜12が形成されている点が異なる。また、光電変換膜12同士の間には、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜19が形成され、光電変換膜12と絶縁膜19を覆うように上部電極13が形成されている。Cu2Oからなる光電変換膜12内のキャリアの移動度は40cm2/Vsと比較的に大きいため、光電変換膜が分割されないで複数の電極を覆う場合には、それぞれの電極は隣接電極の電位の影響を受けるおそれがある。本実施形態に係る固体撮像装置によると、光電変換膜は下部電極のそれぞれの上に形成されて分離されているため、隣接電極の電位の影響を防止できる。また、Cu2Oのバンド幅を小さくする方法として、Cu2Oに不純物のドーピングを行うことが有効である。例えば、Cu2OにコバルトCoをドープすることによりバンドギャップを2.05eVまで、バナジウムVをドープすることにより2.01eVまで、ガリウムGaをドープすることにより1eV~2eVまで可変である。すなわち、Cu2Oに不純物をドーピングさせることによって、エネルギーギャップを小さくし、リーク電流とのトレードオフを制御することにより、適当な光電変換膜を形成できる。なお、上記の不純物に他に、ケイ素Si、ヒ素As、リンP、ホウ素B又は窒素Nを用いてもよい。次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について図15及び図16を参照しながら説明する。なお、最上層の層間絶縁膜7よりも下層、及びパッシベーション膜15よりも上層は、公知の製造方法により形成できるため説明を省略する。まず、図15aに示すように、最上層の層間絶縁膜7にCuプラグ9aを形成し、これらを覆うようにTiN薄膜を形成する。TiN薄膜の膜厚は、50nm~100nm程度であることが好ましい。続いて、リソグラフィ法及びエッチング法により、TiN薄膜を画素毎に分割することによって二次元アレー状行列状に並ぶ複数の下部電極11を形成する。画素サイズは1μm程度である。次に、図15bに示すように、下部電極11及び層間絶縁膜7を覆うように、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜19を形成し、リソグラフィ法及びエッチング法により、下部電極11を露出する開口部を形成する。このときの開口部の幅は、下部電極11の幅よりもわずかに狭く、0.6μm~0.7μm程度である。また、開口部の深さは300nm~500nm程度である。このように、下部電極11を露出する開口部を形成する際に、下部電極11であるTiN薄膜も少なからずエッチングされる可能性があるため、第3の実施形態におけるTiN薄膜は第1の実施形態及び第2の実施形態よりも厚く形成することが好ましい。次に、図15cに示すように、スパッタ法及びめっき法を用いて、下部電極11及び絶縁膜19の上にCuシード膜を形成し、形成した開口部を埋め込むようにCu膜12Aを形成する。続いて、絶縁膜19よりも上に位置するCu膜12Aを化学機械研磨ChemicalMechanicalPolishing:CMP法等によって除去する。Cu膜を形成する方法、及び余分なCu膜を除去する方法は、近年の微細配線の形成工程に汎用的に用いられるダマシン法が広く普及している。このため、Cu膜の形成及び除去は、現状のシリコンからなる半導体装置の製造に用いる設備を用いて容易に行うことができる。次に、図16aに示すように、Cu膜12Aを酸化し、Cu2O膜である光電変換膜12を形成する。Cu2O膜を形成する方法は、後に詳しく説明する。Cu膜12AがCu2O膜である光電変換膜12に変化する際には、体積が膨張するため、光電変換膜12の表面は凸上に膨らみ、平坦性を失う。次に、図16bに示すように、CMP法により、絶縁膜19よりも上に位置するCu2O膜である光電変換膜12を除去して光電変換膜12の表面を平坦化する。次に、図16cに示すように、例えばスパッタ法により、光電変換膜12及び絶縁膜19を覆うように、ITOからなる膜厚が10nm~30nm程度の上部電極13及びSiONからなる膜厚が300nm~500nm程度のパッシベーション膜15を形成する。なお、例えば、CVD法、ALD法又はスパッタ法により、光電変換膜12及び絶縁膜19と上部電極13との間に、正孔ブロッキング層として、膜厚が2nm~5nm程度である酸化シリコン膜を形成してもよい。以下に、Cu2O膜を形成する方法について説明する。第1のCu2O膜の形成方法まず、レーザアニール法を用いて光電変換膜であるCu2O膜を形成する方法について図6を参照しながら説明する。Cu2O膜の形成は、Cu膜を酸化させて形成するのが一般的であるが、純粋なCu2O膜を形成するのは困難である。例えば、大気中におけるCuの酸化では、800°C以下ではCuOが形成され、800°C以上でないと純粋なCu2O膜は形成できない。シリコンからなる半導体装置の製造工程における多層配線の形成以降の工程では、許容される最高温度は400°C程度であるため、電極の形成後に800°C以上の温度の処理を行うことはできない。そこで、本実施形態では、レーザアニール法を用いた酸化を行う。レーザアニール法によると、Cu膜の表面を瞬時に1000°C以上に上昇させるにもかかわらず、瞬時に熱が拡散するため半導体素子へのダメージがない。図6に示すように、YAGレーザ20から発振したレーザ光21はプリズム22及びレンズ23等の光学系によって制御され、駆動系24の上に置かれたウェハ25のパターン26の上に焦点を結ぶ。また、駆動系24は行列方向に精密に動作し、所望のパターン26の上にのみレーザ光21を照射することが可能である。例えば、図15cに示したCu膜12Aに対して、エネルギーが1.1μJであり、径が3μmであるレーザ光21を10ns照射すれば、瞬時にCu膜12Aにパワーが吸収され、Cuの温度が上昇して大気中の酸素と反応してCu2O膜を形成できる。レーザ光は画素ごとに照射することも可能であり、スループットを重視すれば、複数個の画素に照射することも可能である。レーザアニール法を用いた酸化は、大気中でシリコンにダメージを与えることなくCu2Oを安定に作成する方法として望ましい方法である。第2のCu2O膜の形成方法次に、高真空で且つ低酸素分圧の条件でCu膜を酸化することにより、Cu2O膜である光電変換膜を形成する方法について図7~図9を参照しながら説明する。高真空で且つ低酸素分圧の条件におけるCu膜の酸化は、低温でもCu2O膜を形成することが知られている。しかしながら、この場合、Cu膜の表面にのみCu2Oが生じ、膜厚方向に組成比を均一にすることは難しい。本実施形態では、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成する方法として、酸化の前に水素脆性処理を行う。図7に示すように、真空チャンバ30は温度制御可能なサセプタ31を備え、ガス導入系32及び排気系33が連結している。サセプタ31の上には、ウェハ34が載置せられる。ガス導入系32は、ガス導入口35を備え、例えばH2、O2及びAr等の種々のガスを導入できるようになっている。導入されたガスはガス導入系32を通って、真空チャンバ30に到達し、ウェハ34の表面上に拡散する。これらのガスをガス導入系32内でマイクロ波36を用いて励起することも可能である。例えば、H2はマイクロ波36により活性されたH原子となってウェハ34に到達する。このような装置を用いてCu2O膜を形成することができる。図8a及びbに示すように、通常の酸化では、真空チャンバ内を10分の数Paの酸素分圧とし、サセプタの温度を300°CとしてCu膜を酸化すると、500nmのCu膜に対して表面から100nmにはCu2Oが生成されるが、裏面側までは酸化されない。また、高温高圧条件によりCu膜の酸化を行うと、Cu膜の裏面側まで酸化は進むが、酸化が進みすぎてCuOとの混晶となるおそれがある。これに対して、図8c~eに示すように、サセプタの温度を300°Cとし、水素原子を照射し、Cu膜の脆性破壊を起こすことにより、Cu膜内に酸素が拡散しやすくなる。この後に、サセプタの温度を300°Cとし、酸素分圧を1Pa以下とする減圧下で酸素をCu膜の表面にさらすことにより、脆性破壊を起こしたCu膜内を通ってCuの酸化が進む。これにより、低温の条件下において、Cu2Oを膜厚方向に均一に生成できる。本実施形態では、Cu膜を酸化するための温度を300°Cとしたが、酸化が起こり且つ配線の形成後に許容される温度であればよく、例えば200°C以上且つ400°C以下であればよい。図9に示すように、Cu膜に対して通常の酸化及び水素脆性処理後の酸化を行うことにより得られたそれぞれの膜をX線光電子分光Xrayphotoelectronspectroscopy:XPSによって測定すると、通常の酸化が行われた膜では、Cu2O及びCuのピークが確認できる。これに対して、水素脆性処理後の酸化が行われた膜では、Cu2Oのピークが鋭く、純粋なCu2Oが膜内に均一に形成されていることがわかる。なお、この測定では、膜中の情報を得るために、酸化させたCu膜の一部を研磨除去し、膜の内部のCuとOとの結合状態を観察している。第3のCu2O膜の形成方法ここまで、Cu膜を酸化してCu2O膜を形成する方法について説明したが、例えばリアクティブスパッタ法により、直接に、下部電極11の上にCu2O膜を形成してもよい。以下に、リアクティブスパッタ法によりCu2O膜を形成する方法について説明する。Cuターゲットを有するスパッタ装置に、O2ガス及びArガスを導入することにより下部電極11の上にCu2Oを堆積できる。一般に、O2ガス及びArガスの流量比を調節することにより適当なCu2Oの組成比を達成できる。本実施形態では、ArO2の流量に対するO2の比率を0~50に変化させ、Cu2Oが形成できる20を採用した。本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置及びその製造方法によると、微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な信頼性が高い固体撮像装置を得ることができる。さらに、隣接する画素同士が互いの影響を受けず、混色が少ない固体撮像装置を得ることができる。