マスクレス露光を行うための転写パターンを生成するマイクロミラーデバイスの選別方法であって、前記マイクロミラーデバイスのマイクロミラーに照明光を照射し、前記マイクロミラーからの回折光分布を撮像するステップと、露光シミュレーション結果に基づいた複数の回折光分布の情報と、前記マイクロミラーからの回折光分布の情報とを比較するステップと、前記比較結果に基づいて、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の情報、および前記回折光分布の画像を表示するステップとを有することを特徴とするマイクロミラーデバイスの選別方法。マスクレス露光を行うための転写パターンを生成するマイクロミラーデバイスの選別方法であって、前記マイクロミラーデバイスのマイクロミラーに照明光を照射し、前記マイクロミラーからの回折光分布を撮像するステップと、前記回折光分布の領域別の輝度平均値を算出するステップと、前記輝度平均値から前記マイクロミラーの評価値を算出するステップと、前記評価値としきい値を比較するステップと、前記比較結果に基づいて、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の情報、および前記回折光分布の画像を表示するステップとを有することを特徴とするマイクロミラーデバイスの選別方法。マスクレス露光を行うための転写パターンを生成するマイクロミラーデバイスを選別するマイクロミラーデバイス選別装置であって、前記マイクロミラーデバイスのマイクロミラーに照明光を照射する照明系と、前記マイクロミラーで発生した回折光を撮像素子に入射させる光学系と、前記撮像素子で撮像された回折光分布画像を処理し、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の判定を行う処理系とを備えたことを特徴とするマイクロミラーデバイス選別装置。請求項3記載のマイクロミラーデバイス選別装置において、前記回折光分布画像と前記判定結果を表示する表示系を備えたことを特徴とするマイクロミラーデバイス選別装置。請求項3記載のマイクロミラーデバイス選別装置において、前記照明系は、楔ガラスと直角プリズムを含むことを特徴とするマイクロミラーデバイス選別装置。マイクロミラーデバイスにより生成したパターンを投影レンズで基板上に投影するマスクレス露光装置であって、前記マイクロミラーデバイスに照明光を照射する照明系と、撮像素子と、前記基板および前記撮像素子を移動させるステージと、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の判定を行う際、前記ステージを移動させ、前記撮像素子に前記マイクロミラーデバイスのマイクロミラーからの回折光を入射させ、前記照明系の絞りの大きさを制御する制御系と、前記撮像素子によって撮像された回折光分布画像を処理し、前記回折光分布画像の処理結果に基づいて、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の判定を行う処理系とを備えたことを特徴とするマスクレス露光装置。請求項6記載のマスクレス露光装置において、前記回折光分布画像および前記判定結果を表示する表示系を備えたことを特徴とするマスクレス露光装置。請求項6記載のマスクレス露光装置において、前記マイクロミラーデバイスの良品または不良品の判定を行う際の前記照明系の絞りの半径は、前記照明系のコリメートレンズの焦点距離をf、前記照明光の波長をλ、前記マイクロミラーデバイスのマイクロミラーのピッチをPとした時、λf/Pより小さいことを特徴とするマスクレス露光装置。上記のマスクレス露光装置では、画素に対応するマイクロミラー像を基板に転写することによりパターンを形成する。ここで、まず、図11および図12を用いてMMDの機能を説明する。図11はMMDのマイクロミラーのON状態を示す断面図、図12はMMDのマイクロミラーのOFF状態を示す断面図である。図11に示すように、マイクロミラー21はヨーク22に固定されており、ヨーク22は電極24の静電力により、ヒンジ23が捻れることで傾斜し、結果としてマイクロミラー21は角度αだけ傾斜する。照明光110をMMDの基板面26の法線方向に対し2αの角度で入射させると、反射光111はMMDの基板面26の法線方向に反射される。一方、電極25をONにすると、図12に示すように、図11とは逆方向にマイクロミラー21が傾斜する。この結果、反射光111は、MMDの基板面26の法線方向に対して、4αの方向に反射される。すなわち、電極25がOFFの時のマイクロミラー21の傾斜角αが12度の場合、電極25をONにした際には、MMDの基板面26の法線方向に対して48度の方向に反射される。OFF状態の反射光は図示しない遮光帯により遮光される。図13により、マスクレス露光装置の構成について説明する。図13はマスクレス露光装置の構成を示す構成図である。図13において、光源11から出射した照明光110を折り返しミラー12により所定の角度でMMD2に照射する。MMD2で反射した光は投影レンズ3により、投影レンズ瞳31を介して基板5上にMMD2の投影像4が結像される。基板5はステージ6に搭載されており、ステージ6が移動することにより基板5全面に投影像4が重ね露光される。図14により、重ね露光の仕方について説明する。図14はMMDの各マイクロミラーによる重ね露光方法を説明する図である。図14に示すように、MMD2はステージ6の移動方向50に対して角度θだけ傾斜して設置されている。MMD2の各マイクロミラー像401~406はステージ6の移動と連動して、ON/OFF状態が切り替わる。ON/OFF状態の切り替え周期の間にステージ6が進む移動量をプロットピッチPPとし、PPをマイクロミラー像のピッチPより大きく選ぶと基板上の画素領域51には、マイクロミラー像が僅かにずれながら重ね露光される。ここで、図15~図17により、重ね露光時の各マイクロミラー像のX方向の光強度分布について説明する。図15は重ね露光時の各マイクロミラー像のX方向の光強度分布を示す図、図16は図15に示す光強度分布の加算光強度分布を示す図、図17は3画素×1画素パターンの光強度分布を示す図である。マイクロミラー像401~406に対応する、ステージ6の移動方向50と直交する方向Xの光強度分布は、図15の4001~4006で示す分布となり、それを加算した光強度分布は、図16の4011に示すようになる。そして、図17に示すように、X方向に3画素、ステージ移動方向Yに1画素の描画パターンとし、各画素の光強度分布4011~4013が加算されると、光強度分布4100が得られる。各画素の光強度分布4011~4013の傾斜部は、隣接する光強度分布を加算することによって平坦になっている。この結果得られる、2次元パターン4110は直線性の良いパターンが得られる。以上は、マイクロミラー像の光強度分布が矩形状となる理想状態での説明であったが、ここで、図18~図20により、ガウス分布状となる場合について説明する。図18は重ね露光時の各マイクロミラー像のガウス分布状光強度分布を示す図、図19は図18に示す光強度分布の加算光強度分布を示す図、図20はガウス分布状マイクロミラー像で生成される3画素×1画素パターンの光強度分布を示す図である。図18に示すように、光強度分布4021~4026は、マイクロミラー像401~406に対応する。図18に示す光強度分布を加算した光強度分布は、図19の4031に示すようになる。図19において、矩形状のマイクロミラー像4001~4006を加算してできた光強度分布4011に対して、傾斜部の幅が狭くなっている。そして、図20に示すように、X方向に3画素、Y方向に1画素の描画パターンとし、各画素の光強度分布4031~4033が加算されると、光強度分布4031~4033の傾斜部の幅が狭いため、各画素を加算した光強度分布4200の画素境界部の光強度が弱い。この結果、XY平面での2次元パターン4210の画素境界には幅方向の窪み4211と厚さ方向の窪み4212が発生する。パターンをトランジスタのゲートとして使用する場合、幅方向の窪み4211は、トランジスタの特性変化を生じさせる。また、カラーフィルタではホトレジストそのものがパターンとして残るため、厚さ方向の窪み4212が画素の明度変化を引き起こす可能性がある。本発明の目的は、マスクレス露光装置において、幅方向にも厚さ方向にも窪みのない直線性の良い描画パターンを得るためのMMDの選別方法およびMMD選別装置を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。すなわち、代表的なものの概要は、MMDのマイクロミラーに照明光を照射する照明系と、マイクロミラーで発生した回折光を撮像素子に入射させる光学系と、撮像素子で撮像された回折光分布画像を処理し、MMDの良品または不良品の判定を行う処理系とを備えた。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。すなわち、代表的なものによって得られる効果は、簡便で迅速に平坦性の良いMMDを選別できるので、MMDを用いたマスクレス露光装置において、幅方向にも厚さ方向にも窪みのない、直線性の良い転写パターンを得ることができ、マスクレス露光装置の品質信頼性を高めることができる。また、マスクレス露光装置に搭載されたMMDの平坦性の経時劣化をモニタすることができるので、転写パターンの直線性の劣化を未然に防ぐことが可能になり、液晶や有機EL等のパネルや半導体マスクの製造において、歩留まりを維持することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1図1により、本発明の実施の形態1に係るマイクロミラーデバイス以下、MMDと呼ぶ選別装置の構成について説明する。図1は本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置の構成を示す構成図である。図1において、MMD選別装置は、MMD2、処理系9、照明系である光源70および光ファイバ71、光学系であるコリメートレンズ72、楔ガラス73、直角プリズム74、レンズ75、77、78、および絞り76、撮像素子79、表示系900から構成されている。MMD2は、マイクロミラー21から構成されている。本実施の形態では、MMD2に平行光を所定の角度で照射し、反射した回折光をレンズでコリメートし、レンズ系で回折光分布を撮像素子に縮小結像し、処理系9で画像処理を行い、回折光分布の特徴を定量化し、マイクロミラー21の平坦性を検出している。まず、図2により、マイクロミラー21の平坦性の良いMMD2を用いる必要性について説明する。図2はマイクロミラー21の平坦性の良いMMD2を用いる必要性を説明するための説明図であり、平坦性が悪いマイクロミラー21の作用について示している。図2に示すように、マイクロミラー21は、MMD2の製作時の熱応力や、照明光照射による熱応力によって凹面状に湾曲している。このため、マイクロミラー21は、平行光110を集光光112に変換する作用を持ち、マイクロミラー21の基板5上での像は、光強度分布4021のようにガウス分布状となる。これが、図20で説明したように、パターン内画素境界部での窪みを発生させる原因となる。このため、まず、平坦性の良いマイクロミラー21をもつMMD2を選別して使用する必要がある。平坦性の測定は、レーザ共焦点顕微鏡で行うことができるが、測定に手間と時間が掛かるため、本実施の形態では、回折光分布の特性を用いた。次に、図3および図4により、本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置の平坦性の良いマイクロミラーの検出の原理について説明する。図3は本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置のマイクロミラー中心と周辺の高さの差であるZhを示す図、図4は本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置のZhをパラメータとしたマイクロミラー凹面化時の露光シミュレーション結果を示す図である。本実施の形態では、マイクロミラー21が凹面化した時の回折光分布の特性に着目した。凹面化時には平面に対して周辺部での位相乖離が大きくなり、これに伴い、高次の回折光強度が大きくなるという性質がある。ここで、図3に示すように、マイクロミラーの凹面化を放物面で近似した時の、中心と周辺の高さの差をZhとする。図4に示す露光シミュレーション結果は、マイクロミラーのサイズが13.7μm角である場合について、示している。図4に示すように、Zhが大きくなるに従い、瞳上で高次回折光が発生し、基板上のマイクロミラー像は凹面の集光作用のため丸くなっている。瞳上の回折光分布を撮像し、高次回折光位置の輝度を評価値で定量化すれば、凹面化の度合が定量化でき、この評価値により平坦性の良いマイクロミラーをもつMMDを選別することが可能となる。次に、図1、および図5~図8により、本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置の動作について説明する。図5~図8は本発明の実施の形態1に係るMMD選別装置の動作を説明するための説明図であり、図5はMMD選別装置の楔ガラス、直角プリズム、マイクロミラー部の拡大図、図6はマイクロミラー平坦性判定処理のフローを示すフローチャート、図7は回折光分布画像の領域分割を示す図、図8はマイクロミラー中心と周辺の高さの差であるZhと評価値Sの関係を示す図である。まず、図1に示すように、光源70で発生した照明光は、光ファイバ71より出射され、コリメートレンズ72により平行光となり、楔ガラス73で角度θ1だけ偏向される。角度θ1と楔ガラス73の角度βの関係は、楔ガラス73の屈折率をn1とすると、以下の式1の式で与えられる。θ1=n1-1β...式1楔ガラス73を出射した照明光710は直角プリズム74に入射し、MMD2のマイクロミラー21に入射、反射光は直角プリズム74の斜面で全反射される。ここで、直角プリズム74の内部での照明光710の中心光線711の光路を図5を用いて説明する。以下では、マイクロミラーの傾斜角αが12度である場合について示す。θ1~θ5は以下の式2~式5に従い、αの値に伴って変化することに留意されたい。反射光を直角プリズムに垂直入射させるには、入射角θ5は2α=24度にする必要がある。この時、θ5とθ4の関係は、直角プリズムの屈折率をn2とすると、以下の式2の式で与えられる。sinθ4=sinθ5/n2...式2n2=1.5とすると、θ5=24度なのでθ4は15.73度となる。一方、θ4とθ3の関係は、以下の式3の式となるので、θ3は29.27度となる。θ3=45-θ4...式3また、直角プリズム74の斜辺での屈折は、以下の式4の式で与えられる。sinθ2=n2sinθ3...式4これにより、θ2は47.17度と求まる。θ1とθ2の関係は、以下の式5の式となるので、θ1は2.17度となる。θ1=45-θ2...式5これを実現する楔ガラス73の角度βは式1の式より、n1=1.5とすると、1.09度となる。ここで、再び図1により、マイクロミラー21で発生した回折光712の光路について説明する。回折光712はレンズ75でコリメートされた後、レンズ75の焦点距離f1の位置に設置された絞り76により、測定に不要な部分がカットされる。絞り76の位置がマイクロミラー73のフーリエ変換面であり、回折光分布が最も分離良く検出される位置である。絞り76は撮像素子79の視野より大きい。そこで、リレー縮小光学系をレンズ77とレンズ78で構成する。絞り76はレンズ77の焦点距離f2とレンズ78の焦点距離f3の比、f3/f2倍に縮小され、撮像素子79上に結像される。ここで、レンズ77とレンズ78の距離は焦点距離の和、f2f3とする。撮像素子79により撮像された回折光分布画像80は処理系9により、画像処理が施され、マイクロミラー21の凹面性が判定される。次に、図6に示すフローチャートにより、処理系9による、マイクロミラー21の凹面性判定方法について説明をする。まず、ステップ901で撮像素子79により回折光分布を撮像する。次に、ステップ902で各回折光領域に分割する。図4に示すシミュレーション結果によれば、マイクロミラー21の平坦性の良い時は、回折光強度は中心付近の4つが強いが、凹面化するにつれ、周辺の回折光強度が強くなってくることが分かっている。そこで、図7に示すように、回折光分布画像80の絞り輪郭像760内の領域を、中心部801~804と周辺部811~822に分割する。次に、ステップ903で各領域の輝度平均値を算出する。これを用いてステップ904で評価値Sを算出する。評価値Sは、中心部801~804の平均輝度をI1~I4、I1~I4の平均値をm1、周辺部の平均輝度をI11~I22、I11~I22の平均値をm2とし、以下の式6の式で表される。SはI1~I4の平均値と標準偏差の比をI11~I22の平均値と標準偏差の比で割った値であり、I1~I4への回折光の集中が高いほど、すなわち、平坦性が良い程、大きな値となる。式6の式により算出される評価値とマイクロミラー21の中心と周辺の高さの差であるZhとの関係は、図8に示すようになる。図8に示す関係から、Zhに対し、評価値Sは単調減少しており、Zhが評価値Sでモニタできることが分かる。図8に示すように、Zhの許容値を75nmと設定すると、対応する評価値Sのしきい値は3.42となる。図8に示す例では、領域830が平坦性の良い良品の範囲となる。図6のステップ905では、このしきい値を用い、評価値Sがしきい値より大きい場合は、ステップ907で良品および回折光分布画像を表示系900に表示し、しきい値以下の場合は、ステップ906で不良品および回折光分布画像を表示系900に表示する。以上の処理により、本実施の形態では、マイクロミラー21の平坦性の良いMMDを選別することが可能になる。実施の形態2本実施の形態は、実施の形態1のMMD選別装置をマスクレス露光装置上に搭載したものである。図9および図10により、本発明の実施の形態2に係るマスクレス露光装置の構成および動作について説明する。図9は本発明の実施の形態2に係るマスクレス露光装置の構成を示す構成図、図10は本発明の実施の形態2に係るマスクレス露光装置の照明系の回転式アパーチャを示す図である。本実施の形態では、回折光分布をマスクレス露光装置上でモニタする構成となっている。図9において、マスクレス露光装置は、図1に示すMMD選別装置と同様に、MMD2、処理系90、光源70、光ファイバ71、コリメートレンズ72、楔ガラス73、直角プリズム74、レンズ75、77、78、絞り76、撮像素子79、表示系900を有している。レンズ75、77および絞り76でマスクレス露光装置の投影レンズ3を構成している。また、基板5を搭載するステージ6、制御系91、アパーチャ100、アパーチャ駆動部103を備えている。図10において、アパーチャ100は、回折光用アパーチャ101および露光用アパーチャ102から構成されている。まず、通常のマスクレス露光装置としての使用状態から、制御系91はステージ6を駆動し、基板5を待避させ、レンズ78と撮像素子79が投影レンズ3の光軸300上に来るよう移動させる。さらに、制御系91は、アパーチャ駆動部103を回転し、図10に示す、露光用アパーチャ102から回折光用アパーチャ101に切り替える。回折光用アパーチャ101の半径rAは、以下の式7の式によって決められる。なお、半径rAは、この値より小さければよい。rA=f0λ/P...式7ここに、f0はコリメートレンズ72の焦点距離、λは照明光の波長、Pはマイクロミラー21の傾斜方向のピッチである。この式でrAを決めることにより、回折光分布が互いに重畳することなく検出することができる。光源70で発生した照明光710は、光ファイバ71より出射され、アパーチャ100を介してコリメートレンズ72により平行光となり、楔ガラス73で偏向され、直角プリズム74に入射、透過し、MMD2のマイクロミラー21を照明する。中心光線711は照明光710の中心の光路を示す。マイクロミラー21で発生した回折光712は、レンズ75、レンズ77、絞り76で構成される投影レンズ3によって、基板5の表面55の位置で結像し、レンズ78でコリメートされた後、撮像素子79で撮像される。レンズ78は、基板の表面55から焦点距離f4の距離に設置され、撮像素子79はレンズ78の後方、焦点距離f4の位置に設置される。これにより、レンズ77とレンズ78とで、絞り76を撮像素子79上に結像する。撮像素子79で撮像された回折光分布画像80は処理系9により、実施の形態1と同様の処理がなされ、判定結果および回折光分布画像が表示系900に表示される。判定結果は制御系91に送られ、不良品と判定された場合、制御系は、警告音や画面表示、電子メール送信等の手段でアラームを発生し、警告ログとして図示しない制御系91の記録部に記録する。以上の構成により、マイクロミラー21がマスクレス露光装置搭載後に凹面化したかどうかの評価が可能になる。しきい値を超えて凹面化した場合は、MMD2の交換等の対策を迅速に行うことにより、許容値を超えた転写パターンの直線性の劣化を未然に防ぐことができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、実施の形態1、2では、式6の式を用いて、評価値を算出して良品、不良品を判断しているが、図4に示すような、露光シミュレーション結果の回折光分布の画像を、複数用意し、画像そのものを比較するなどして、良品、不良品を判断するようにしてもよい。