高周波により真空チャンバ中の電極間にプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極と接地電極から構成される一対の電極と、前記非接地電極の水平面に平行な面の中心を通る直線に対して線対称な位置に設けられた第1及び第2の給電点と、高周波を発生する高周波信号源と、前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給する高周波給電回路とを備え、前記高周波給電回路は、前記高周波信号源に接続された第1及び第2の可変移相器と、第1、第2、第3及び第4端子を含み、前記第1の可変移相器に第1端子が接続され、前記第2の可変移相器に第3端子が接続された第1インピーダンス整合器と、前記第1インピーダンス整合器の第2端子に入力側が接続され、前記第1の給電点に出力側が接続された第1の第2インピーダンス整合器と、前記第1インピーダンス整合器の第4端子に入力側が接続され、前記第2の給電点に出力側が接続された第2の第2インピーダンス整合器とを有し、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点ですべて同じになるような同相状態では、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、前記第1インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点で180度異なるような逆相状態では、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器の各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、前記高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、前記同相状態と前記逆相状態を交互に切り替えて前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給することを特徴とする高周波プラズマ発生装置。高周波により真空チャンバ中の電極間にプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極と接地電極から構成される一対の電極と、前記非接地電極の水平面に平行な面の中心を通る直線に対して線対称な位置に設けられた第1及び第2の給電点と、高周波を発生する高周波信号源と、前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給する高周波給電回路とを備え、前記高周波給電回路は、前記高周波信号源に接続された第1及び第2の可変移相器と、前記第1の可変移相器に接続された第1の第2インピーダンス整合器と、前記第2の可変移相器に接続された第2の第2インピーダンス整合器と、第1、第2、第3及び第4端子を含み、前記第1の第2インピーダンス整合器に第1端子が接続され、前記第2の第2インピーダンス整合器に第3端子が接続され、前記第1の給電点に第2端子が接続され、前記第2の給電点に第4端子が接続された第1インピーダンス整合器とを有し、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点ですべて同じになるような同相状態では、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、前記第1インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点で180度異なるような逆相状態では、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器の各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、前記高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、前記同相状態と前記逆相状態を交互に切り替えて前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給することを特徴とする高周波プラズマ発生装置。前記非接地電極は、直方体であり、前記第1及び第2の給電点は、前記非接地電極の方形の上面の中心を通る直線に対して線対称な位置に設けられたことを特徴とする請求項1又は2記載の高周波プラズマ発生装置。前記高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、前記同相状態と前記逆相状態の時間比が4:1となるように交互に切り替えることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の高周波プラズマ発生装置。前記高周波給電回路は、前記第1及び第2の可変移相器の前段に第1及び第2の可変減衰器をさらに有し、前記第1及び第2の可変減衰器により、電極間の電界強度の平均が一様になるように、前記同相状態の振幅を前記逆相状態の振幅よりも大きくすることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の高周波プラズマ発生装置。前記第1インピーダンス整合器は、第1及び第2端子に一端が接続され、第3及び第4端子に他端が接続された可変容量を含むことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の高周波プラズマ発生装置。前記第1インピーダンス整合器は、第1及び第2端子に一端が接続され、第3及び第4端子に他端が接続されたインダクタを含むことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の高周波プラズマ発生装置。例えば、特許文献1に示される従来の高周波プラズマ発生装置において、薄膜シリコン系太陽電池を製造するために高周波プラズマ発生装置を使用する際に2つの定在波を切り替えた場合、2つの定在波により成膜されるシリコン膜は、電極間での電界分布が異なるため膜の特性が異なる。そのため、2つの定在波を低速に切り替えた場合、膜厚が均一となっても膜の特性が均一とならないため、この従来の高周波プラズマ発生装置により製造された太陽電池パネルの変換効率は劣化する。一方、2つの定在波分布を高速に切り替えた場合、特性が均一なシリコン膜を成膜できる。しかし、このとき、定在波の分布が変化すると電源からの電力が反射なく電極へ供給されるためにインピーダンス整合器の状態を最適な状態へ変化させる必要があるが、定在波の分布を高速に切り替えた場合、一般にインピーダンス整合器は大電力が入力されることから機械駆動となっているため、2つの定在波の切り替え速度に追従できず、電極の給電点からの反射電力が大きくなり、電源が正常に動作しないという問題点があった。一方、特許文献2に示される従来の高周波プラズマ発生装置では、2つの定在波分布を発生させるために独立した2つのインピーダンス整合器を有した高周波電力供給手段を設けている。したがって、定在波の分布を変化させても、それぞれのインピーダンス整合器の状態を変化させる必要がないため、高速に切り替えることができる。しかし、独立した2つの高周波電力供給手段を設けているため、高周波プラズマ発生装置のコストが高いという問題点があった。また、これら2つの高周波電力供給手段は、同じ周波数を用いた場合には互いに干渉するため、インピーダンス整合を得るための各インピーダンス整合器の調整が難しいという問題点があった。一方、干渉を避ける方法として異なる周波数で給電する方法があるが、装置が複雑になるという問題点があった。本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、電極間に一様な電界分布を発生させるために複数の定在波分布を重畳する際に、シリコン膜の特性を向上させるために複数の定在波分布を高速に切り替えても、簡易な構成で電極の給電点からの反射電力を小さくすることができる高周波プラズマ発生装置を得ることを目的とする。本発明に係る高周波プラズマ発生装置は、高周波により真空チャンバ中の電極間にプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極と接地電極から構成される一対の電極と、前記非接地電極の水平面に平行な面の中心を通る直線に対して線対称な位置に設けられた第1及び第2の給電点と、高周波を発生する高周波信号源と、前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給する高周波給電回路とを備え、前記高周波給電回路は、前記高周波信号源に接続された第1及び第2の可変移相器と、第1、第2、第3及び第4端子を含み、前記第1の可変移相器に第1端子が接続され、前記第2の可変移相器に第3端子が接続された第1インピーダンス整合器と、前記第1インピーダンス整合器の第2端子に入力側が接続され、前記第1の給電点に出力側が接続された第1の第2インピーダンス整合器と、前記第1インピーダンス整合器の第4端子に入力側が接続され、前記第2の給電点に出力側が接続された第2の第2インピーダンス整合器とを有し、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点ですべて同じになるような同相状態では、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるように各インピーダンスが整合され、前記第1インピーダンス整合器は、前記第1及び第2の可変移相器で設定される位相が前記第1及び第2の給電点で180度異なるような逆相状態では、前記第1及び第2の第2インピーダンス整合器の各インピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、前記第1及び第2の可変移相器側へ反射される電力が最小となるようにインピーダンスが整合され、前記高周波給電回路は、電極間の電界強度の平均が一様になるように、前記同相状態と前記逆相状態を交互に切り替えて前記高周波を前記第1及び第2の給電点に供給するものである。本発明に係る高周波プラズマ発生装置によれば、電極の給電点からの反射電力を、簡易な構成で小さくすることができ、給電位相が異なる状態を高速に切り替えることができるため、高品質のシリコン膜を成膜することができる。以下、本発明の高周波プラズマ発生装置の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。実施の形態1.この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置について図1から図7までを参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置の構成を一部断面で示す図である。図2は、図1のA-A’線から垂直方向の下をみた断面図である。図3は、図1のB-B’線から垂直方向の上をみた断面図である。なお、以降では、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。図1は、下半分が図2の4つの給電点7a、7b、7c、7dのうち、2つの給電点7a、7cを通る線から水平方向の向こう側紙面裏側方向をみた縦断面であり、上半分が2組の高周波給電回路のうち、2つの給電点7a、7cに接続する一方の第1高周波給電回路を図示する。図1-図3において、この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置は、非接地電極を構成する略直方体の電極ブロック1と、接地電極を構成するステージ2と、金属ケース3a、3bと、絶縁スペーサ4と、ガラス基板5とが設けられている。また、図2において、電極ブロック1の水平面に平行な上面に、上述したように、4つの給電点7a、7b、7c、7dが設けられている。この上面の形は、方形だけでなく、円形や楕円形でもよく、五角形や六角形等の多角形でもよい。従って、電極ブロック1の形が、直方体だけでなく、円柱や楕円柱でもよく、五角柱や六角柱等の多角柱でもよい。また、上面は、全体が平坦でなくてもよく、上面の中央部や周辺部、給電点間に凹凸があってもよい。また、図1において、この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置は、発振器高周波信号源10と、可変移相器11a、11cと、増幅器12a、12cと、第1インピーダンス整合器13Aと、第2インピーダンス整合器14a、14cとが設けられている。可変移相器11a、11cと、増幅器12a、12cと、第1インピーダンス整合器13Aと、第2インピーダンス整合器14a、14cとが、上述した第1高周波給電回路を構成する。もう一方の第2高周波給電回路は、図示されていないが、可変移相器11b、11dと、増幅器12b、12dと、第1インピーダンス整合器13Bと、第2インピーダンス整合器14b、14dとで構成され、2つの給電点7b、7dに接続されている。従って、発振器10は、4つの可変移相器11a、11b、11c、11dに接続されている。図4は、この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置の第1及び第2高周波給電回路の第1インピーダンス整合器13A、13Bの回路構成を示す図である。図4において、第1インピーダンス整合器13Aは、4つの入出力端子13q、13r、13s、13tと、可変容量21により構成され、紙面上左右対称な回路となっている。また、図示されていないが、第2高周波給電回路の第1インピーダンス整合器13Bも、第1インピーダンス整合器13Aと同様の回路構成端子や素子の符号は同じとするである。図1に示すように、直方体である金属ケース3aの上面にある四角形の開口部に、例えば、刀の鍔状の四角形の絶縁スペーサ4を介して、電極ブロック1を配置し、さらに、金属ケース3aの上に電極ブロック1を覆うように直方体底面がないの金属ケース3bが配置されている。電極ブロック1、金属ケース3a、及び絶縁スペーサ4で囲まれた空間6は、図示しない排気管とポンプによって真空に排気されるようになっており、真空チャンバを構成している。この真空チャンバ6の内部には、電極ブロック1と対向するように、縁台のようなステージ2が設けられている。また、電極ブロック1の底面には、図示しないガス供給孔が複数設けられており、電極ブロック1とステージ2との間にシラン等の成膜プロセスガスが供給されるようになっている。ステージ2の方形の上面には、幅1.1m×長さ1.4m程度の大きさの方形のガラス基板被成膜基板5が保持され、このガラス基板5と電極ブロック1の底面の間隔が数mmから10mm程度となるようにステージ2の高さが調整されている。ガラス基板5と電極ブロック1の底面の間に成膜プロセスガスを供給し、一様な高周波電界を発生させることで、ガラス基板5の大きさに相当する所定の領域にわたって均一なプラズマを発生し、ガラス基板5上に均一なシリコン薄膜を成膜することができる。電極ブロック1には、4つの給電点7a、7b、7c、7dに第1及び第2高周波給電回路の給電線路中心導体が接続されている。なお、第1及び第2高周波給電回路のグラウンドは金属ケース3bに接続されている。4つの給電点7a、7b、7c、7dのうち、図2に示すように、給電点7a、7bは電極ブロック1の方形の上面の一方の短辺に沿った端部図2の左側に設けられ、残りの給電点7c、7dは対向するもう一方の短辺に沿った端部図2の右側に設けられている。これらの給電点7a、7b、7c、7dは、図2に示すように、電極ブロック1の方形の上面の中心を通り直交する2つの直線X-X’、Y-Y’に対して線対称な位置に配置されている。つまり、給電点7aと7cは、直線X-X’に関して線対称であり、給電点7bと7dの位置関係も同様である。また、給電点7aと7bは、直線Y-Y’に関して線対称であり、給電点7cと7dの位置関係も同様である。発振器10と第1及び第2高周波給電回路は、周波数30~300MHzのVHF帯の高周波信号を供給するための回路である。発振器10により発生された高周波信号は、給電点の数、つまり4つに分配される。その後、それぞれ可変移相器11a、11b、11c、11dで所定の位相に設定され、増幅器12a、12b、12c、12dで所望の電力まで増幅されて給電点7a、7b、7c、7dに供給される。また、発振器10から各給電点7a、7b、7c、7dまでの長さ電気長は、すべて等しくなるように調整されている。つぎに、この実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置の動作について図面を参照しながら説明する。図5-図7は、この発明の実施の形態1に係る高周波プラズマ発生装置の電極間の電界強度分布を示す図である。最初に、4つの可変移相器11a、11b、11c、11dで設定される位相が給電点7a、7b、7c、7dですべて同じになるような同相状態の場合を考える。なお、例えば、可変移相器11a、11b、11c、11dは、図示しない制御装置によって、設定される位相が制御される。このとき、発振器10から4つの給電点7a、7b、7c、7dまでの電気長が同じであることから、第1インピーダンス整合器13Aの入力端子13qと13sの電位は同じであり、また、第1インピーダンス整合器13Bの入力端子13qと13sの電位も同じとなる。従って、可変容量21の端子間に電位差がないため、可変容量21は高周波信号に対して影響を与えない。また、給電点7a、7b、7c、7dから増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるように第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dを設定すると、電極ブロック1に対する給電点7a、7b、7c、7dの配置の対称性から、電極ブロック1の方形の上面の中心を通り直交する2つの直線X-X’、Y-Y’をそれぞれ含む2つの垂直面は磁気壁境界となり、すべての給電点7a、7b、7c、7dから電極ブロック1側を見た入力インピーダンスは等しくなる。これは、各給電点7a、7b、7c、7dから入力される高周波信号がすべて等振幅及び同相であり、他の給電点への干渉もすべて等しくなるためである。従って、増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるような4つの第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定も、すべて等しくなる。次に、4つの可変移相器11a、11b、11c、11dで設定される位相が給電点7a、7bと7c、7dで180度異なるような逆相状態の場合を考える。このときの第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dは同相状態のときの設定と同じとする。発振器10から給電点7a、7b、7c、7dまでの電気長が同じであることから、第1インピーダンス整合器13Aの入力端子13qと13sは逆相となり、また、第1インピーダンス整合器13Bの入力端子13qと13sも逆相となる。従って、可変容量21の端子間に電位差が生じるため、可変容量21は高周波信号に対して影響を与える。ここで、電極ブロック1に対する給電点7a、7b、7c、7dの配置の対称性から、電極ブロック1の方形の上面の中心を通る直線X-X’を含む垂直面は電気壁境界となり、電極ブロック1の方形の上面の中心を通る直線Y-Y’を含む垂直面は磁気壁境界となるため、すべての給電点7a、7b、7c、7dから電極ブロック1側を見た入力インピーダンスは等しくなるが、同相状態のすべての給電点7a、7b、7c、7dから電極ブロック1側を見た入力インピーダンスと、逆相状態のすべての給電点7a、7b、7c、7dから電極ブロック1側を見た入力インピーダンスは異なる。従って、逆相状態のときは、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定は増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるようには設定されていない。しかし、逆相状態のときのみに高周波信号に影響を与える可変容量21の値を調整することで、逆相状態でも増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力を最小とすることができる。つまり、同相状態では、増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるように第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dのインピーダンスを整合し、逆相状態では、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dのインピーダンスの整合は同相状態の整合と同じままで、増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるように第1インピーダンス整合器13A、13Bのインピーダンスを整合することで、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定を変えることなく、同相状態、逆相状態でともに増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力を最小とすることができる。図5及び図6は、矩形の底面の大きさが幅1.1m×長さ1.4m程度の電極ブロック1に対して、60MHzの高周波信号を供給した場合の、電極ブロック1とステージ2に挟まれたプラズマ発生領域における電界強度分布を電磁界解析により求めた結果である。図5及び図6は、電極ブロック1とステージ2が対向する矩形領域の各辺をそれぞれX軸方向とY軸方向にとり、Z軸方向にその矩形領域内の各点における電界強度を示している。X軸方向は電極ブロック1の矩形の底面の短辺方向、Y軸方向は電極ブロック1の矩形の底面の長辺方向である。図5は各給電点7a、7b、7c、7dを同相で給電した場合、図6は給電点7a、7bと7c、7dが逆相となるように給電した場合である。なお、同相、逆相のいずれの状態においても、電極ブロック1の矩形の底面の短辺方向に対して一様な電界強度分布が得られるよう、電極ブロック1の矩形の底面の短辺方向に対する給電点の位置が調整されている。図5より、各給電点7a、7b、7c、7dを同相で給電した場合には、電界強度分布は電極ブロック1の底面の短辺方向に対してほぼ一様であり、電極ブロック1の上記直線X-X’を含む垂直面に沿って電界強度の強い部分が生じることがわかる。一方、図6より、給電点7a、7bと7c、7dが逆相となるように給電した場合には、電極ブロック1の底面の両短辺に沿った両端部に電界強度の強い部分が生じ、上記直線X-X’を含む垂直面に沿った中央部は電界強度がゼロとなることがわかる。ここで、図5に示した同相状態と図6に示した逆相状態を所定の時間比率で交互に切り替えた場合について考える。上記領域内の電界強度の最大値と最小値の比が、同相状態に比べて逆相状態電界強度がゼロを含むの方が大きいことから、電界強度分布の時間平均を一様に近づけるためには、逆相状態よりも同相状態の時間を長くする方が望ましい。図7に、第1及び第2高周波給電回路が同相状態と逆相状態の時間比が4:1となるように交互に切り替えた場合の電界強度の平均値を示す。同相状態での電界強度分布と逆相状態での電界強度分布がちょうど互いに打ち消し合う関係となっているため、両状態を時間比が4:1で切り替えることで、電界強度の平均が一様に近づくことが確認できる。なお、この場合に電界強度分布の均一性11が得られた。また、本実施の形態1によれば、同相状態で増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるように第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dを設定し、逆相状態では、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定は同相状態の設定と同じままで、増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力が最小となるように第1インピーダンス整合器13A、13Bを設定しているため、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定を変えることなく、同相状態、逆相状態でともに増幅器12a、12b、12c、12d側へ反射される電力を最小とすることができることから、各インピーダンス整合器13、14内の可変素子が機械駆動部を有するものであっても、高速に同相状態、逆相状態を切り替えることができる。プラズマ成膜装置に上記の給電方法を適用して、VHF帯の高周波電力によりシランガスSiH4と水素ガスH2との混合ガスで高周波プラズマを発生させ、大面積のガラス基板5上に微結晶シリコン膜を堆積させた実験例太陽電池の製造方法について説明する。図1において、ステージ2上には被成膜基板として、厚みが4mmで1400mm×1100mmのガラス基板5を設置した。この被成膜基板5はステージ2に内蔵されている図示されないシースヒータを用いて、例えば、200度°Cに加熱した。次に、電極ブロック1と被成膜基板5との間隔が、例えば、10mmになるようステージ2の高さ位置を調節した。この状態で、電極ブロック1と被成膜基板5の間に、電極ブロック1の底面の図示しないガス供給孔からシランガスSiH4及び水素ガスH2をそれぞれ1slm及び50slmの流量で供給し、真空チャンバ6のガス圧力が、例えば、1000Paとなるよう調節した。ガス圧力が安定した後、電極ブロック1に第1及び第2高周波給電回路からVHF帯の高周波電力を供給して、シランSiH4/水素H2混合プラズマを発生させた。高周波の出力は、4つの給電点7a、7b、7c、7dともに、例えば、2000W給電した。また、第1及び第2高周波給電回路が同相状態と逆相状態を切り替える時間比は前述した4:1とし、切り替える周波数は1KHzとした。以上の条件で、上記で説明した給電方法により高周波電力を給電して、例えば、20分間成膜を行った。このような実験の結果、ガラス基板5上にシリコン系薄膜が2μm堆積され、面内の膜厚分布は平均値に対して±13の範囲内であった。成膜した薄膜を太陽電池に利用することを想定して、ラマン分光法により見積もった膜の結晶化率はIc/Ia=7.2であり、微結晶シリコンを用いた薄膜太陽電池に適する微結晶シリコン薄膜が得られた。なお、本実施の形態1では、増幅器12a、12b、12c、12dと第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの間に、第1インピーダンス整合器13A、13Bが接続配置されているが、これに限るものではなく、第1インピーダンス整合器13A、13Bは増幅器12a、12b、12c、12dと給電点7a、7b、7c、7dの間に接続配置されれば良い。以上のように、本実施の形態1によれば、電極ブロック1の方形の上面の中心を通り直交する2つの直線X-X’、Y-Y’に対して線対称な位置に4つの給電点7a、7b、7c、7dを設け、さらに各給電点7a、7b、7c、7dの給電位相がすべて同じとなる同相状態と、半数の給電点7a、7bと7c、7dの給電位相が180度異なる逆相状態とを、所定の時間比率で高速に切り替えながら高周波を供給するので、電極ブロック1の一辺の長さが供給する高周波の波長の4分の1を超えるような場合においても、電極ブロック1とステージ2が対向する領域内に一様な高周波電界を発生させることができ、それによって均一なプラズマを発生させ、微結晶シリコンを用いた薄膜太陽電池に適する膜質が均一なシリコン膜を成膜することができる。本実施の形態1では、すべての給電点7a、7b、7c、7dに供給する高周波の周波数は同一であるため、高周波給電回路の構成が簡単であるという効果もある。実施の形態2.この発明の実施の形態2に係る高周波プラズマ発生装置について図8を参照しながら説明する。図8は、この発明の実施の形態2に係る高周波プラズマ発生装置の構成を一部断面で示す図である。上記の実施の形態1では、第1及び第2高周波給電回路が、逆相状態よりも同相状態の時間を長くすることで、電極ブロック1とステージ2に挟まれたプラズマ発生領域内の電界強度分布の時間平均を一様にしたが、同相状態の振幅を逆相状態の振幅よりも大きくすることでも電界強度分布の時間平均を一様に近づけることが可能である。この実施の形態2では、図8に示すように、第1及び第2高周波給電回路において増幅器12a、12b、12c、12dの前段、つまり発振器10よりに可変減衰器15a、15b、15c、15dを設け、それぞれの給電点7a、7b、7c、7dへ供給される高周波信号の振幅を制御する。また、給電点7a、7b、7c、7dの位置の対称性から、すべての給電点7a、7b、7c、7dを等振幅で同相もしくは逆相で励振した場合の各給電点7a、7b、7c、7dから電極ブロック1側を見た入力インピーダンスはすべて等しくなるため、第1インピーダンス整合器13A、13B、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの設定もすべて同一でよく、インピーダンス整合のための第1インピーダンス整合器13A、13B、第2インピーダンス整合器14a、14b、14c、14dの調整が容易である。実施の形態3.この発明の実施の形態3に係る高周波プラズマ発生装置について図9を参照しながら説明する。図9は、この発明の実施の形態3に係る高周波プラズマ発生装置におけるA-A’線から垂直方向の下をみた断面図である。上記の実施の形態1では、給電点7a、7b、7c、7dを電極ブロック1の矩形の上面の短辺側に配置したが、この実施の形態3では、図9に示すように、給電点7a、7b、7c、7dを電極ブロック1の矩形の上面の長辺側に配置する。この実施の形態3のように給電点7a、7b、7c、7dを配置しても、上記の実施の形態1と同様の効果を奏する。実施の形態4.この発明の実施の形態4に係る高周波プラズマ発生装置について図10及び図11を参照しながら説明する。図10及び図11は、この発明の実施の形態4に係る高周波プラズマ発生装置におけるA-A’線から垂直方向の下をみた断面図である。上記の実施の形態1では、給電点の数Nを4としたがこれに限るものではなく、図10のように給電点の数Nを2や、図11のように給電点の数Nを6としても良く、給電点の数Nは2以上N=3や、N=5等の奇数も含むであれば良い。ただし、各給電点に接続される高周波給電回路の内、少なくとも2つの給電点は第1インピーダンス整合器13を介して接続される。給電点の数Nが2の図10の場合、2つの給電点7a、7cに、図1と同様に、発振器10と、可変移相器11a、11c、増幅器12a、12c、第1インピーダンス整合器13A、並びに第2インピーダンス整合器14a、14cから構成される第1高周波給電回路とが接続される。給電点の数Nが6の図11の場合、6つの給電点7a、7b、7c、7d、7e、7fのうち、例えば、4つの給電点7a、7b、7c、7dに、上記の実施の形態1と同様に、発振器10と、第1及び第2高周波給電回路とが接続される。また、残りの2つの給電点7e、7fに、可変移相器11e、11f、増幅器12e、12f、並びに第2インピーダンス整合器14e、14fから構成される高周波給電回路が接続され、第1インピーダンス整合器13が接続されていなくても良い。なお、発振器10は、6つの可変移相器11a、11b、11c、11d、11e、11fに接続されている。給電点の数Nが3の奇数の場合、3つの給電点7a、7c、7g3つ目の給電点7gは、例えば、図10に示す電極ブロック1の方形の上面の4つの隅のいずれかに配置されるのうち、2つの給電点7a、7cに、図1と同様に、発振器10と、可変移相器11a、11c、増幅器12a、12c、第1インピーダンス整合器13A、並びに第2インピーダンス整合器14a、14cから構成される第1高周波給電回路とが接続される。また、残りの1つの給電点7gに、可変移相器11g、増幅器12g、並びに第2インピーダンス整合器14gから構成される高周波給電回路が接続され、第1インピーダンス整合器13が接続されていなくても良い。なお、発振器10は、3つの可変移相器11a、11c、11gに接続されている。実施の形態5.この発明の実施の形態5に係る高周波プラズマ発生装置について図12から図16までを参照しながら説明する。図12-図16は、この発明の実施の形態5に係る高周波プラズマ発生装置の第1及び第2高周波給電回路の第1インピーダンス整合器13A、13Bの回路構成を示す図である。上記の実施の形態1では、第1インピーダンス整合器13A、13Bは可変容量21より構成されているが、これに限るものではなく、左右対称図上な構成となっていれば良い。図12のように、可変容量21に代えて、並列インダクタ22を接続した構成としても良い。逆相状態の場合に可変容量21では整合できなかった場合でも、本構成とすることで整合可能となる場合がある。また、図13のように、可変容量21と線路23m、23nを介して並列にインダクタ22を接続しても良い。逆相状態の場合に可変容量21のみでは整合できなかった場合でも、本構成とすることで整合可能となる場合がある。また、図14のように、可変容量21に通過位相を可変する移相器24m、24nを接続した構成としても良い。逆相状態の場合に可変容量21のみでは整合できなかった場合でも、本構成とすることで、可変容量21による容量値と移相器24m、24nによる通過位相を可変できるため、整合可能となる場合がある。また、図15のように、可変容量21に約1/4波長の線路長を有する1/4波長線路26m、26nを接続し、1/4波長線路26m、26nの前後に可変容量25、27を接続し、さらに線路28m、28nを接続した構成としても良い。逆相状態の場合に可変容量21のみでは整合できなかった場合でも、1/4波長線路26m、26nの前後に可変容量25、27が接続されているため、可変容量25、27を変化させると通過位相が変化し、本構成とすることで整合可能となる場合がある。さらに、図16のように、可変容量21にインダクタ22を並列接続した構成としても良い。逆相状態の場合に可変容量21のみでは整合できなかった場合でも、本構成とすることで整合可能となる場合がある。