"光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域に形成された遮光膜と、前記遮光膜より受光部側にある反射防止膜とを有し、前記反射防止膜がハフニウム酸化膜を有し、受光面とは反対側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を形成してなる多層配線層が形成された裏面照射型固体撮像装置として構成されている固体撮像装置。受光面側にオンチップカラーフィルタと、オンチップマイクロレンズとを有する請求項1記載の固体撮像装置。前記遮光膜が、半導体基板のグランド領域に接地されている請求項2記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、画素境界の遮光膜を有する請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。前記画素境界の遮光膜と同層でかつ同時に形成された光学的黒レベル領域の遮光膜を有する請求項4記載の固体撮像装置。前記画素境界の遮光膜と同層でかつ同時に形成された周辺回路部の遮光膜を有する請求項5記載の固体撮像装置。前記遮光膜の直上に平坦化膜を有する請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。前記平坦化膜の上にオンチップカラーフィルタが形成されている請求項7記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、アルミニウム、タングステンまたは銅で形成される請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像装置。固体撮像装置と、前記固体撮像装置に入射光を導く光学系と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備え、前記固体撮像装置は、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域に形成された遮光膜と、前記遮光膜より受光部側にある反射防止膜とを有し、前記反射防止膜がハフニウム酸化膜を有し、受光面とは反対側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を形成してなる多層配線層が形成された裏面照射型固体撮像装置として構成されている電子機器。前記固体撮像装置は、受光面側にオンチップカラーフィルタと、オンチップマイクロレンズとを有する請求項10記載の電子機器。前記遮光膜が、半導体基板のグランド領域に接地されている請求項10又は11記載の電子機器。前記固体撮像装置の前記遮光膜は、画素境界の遮光膜を有する請求項10乃至12のいずれかに記載の電子機器。前記画素境界の遮光膜と同層でかつ同時に形成された光学的黒レベル領域の遮光膜を有する請求項13記載の電子機器。ところで、裏面照射型CMOS固体撮像装置において、オンチップマイクロレンズ122のみによる集光構造では、次のような問題が顕著に発生することが判明した。1隣接画素への光学混色を完全に抑えることが極めて困難である。監視、携帯電話などの用途には問題ないが、オーディオビデオAV[カムコーダ、デジタルスチルカメラなど]用途には更なる混色低減が必要である。2周辺回路領域へのノイズ防止と、光学的黒レベル決定のため、有効画素周辺部に遮光膜が設けられているが、遮光膜の段差により有効画素の周辺部で集光状態が変わり、均一な光学特性が実現できない。すなわち、図29に示すように、有効画素領域13Aの外側の光学的黒レベル領域いわゆるオプティカルブラック領域113Bから周辺回路部125にわたって絶縁膜127を介して遮光膜126が形成される。この上に、オンチップカラーフィルタ121及びオンチップマイクロレンズ122が形成される。このとき、遮光膜126の有無による段差により、有効画素領域113Aの周辺部とその内側の中央部において、オンチップマイクロレンズ122のレンズ面の高さの差dが生じる。この高さの差dに起因して集光状態が変わり、有効画素領域の中央部の明るさに対して周辺部で暗くなり、均一な光学特性が得られない。いわゆる感度むらが発生する。3高輝度光源撮影時に、オンチップマイクロレンズ122、オンチップカラーフィルタ121による反射、回折光が固体撮像装置のパッケージ上のシールガラス等に反射して、再び固体撮像装置に入射し、RGB画素に均一に混色する。この混色により、裏面照射型固体撮像装置に特有の高輝度光源から放射状にMg色の筋状画像欠陥以降Mg色のフレアと表記が発生する。すなわち、図28Aの緑画素151Gと赤画素151Rを用いて説明する。緑画素151Gのオンチップマイクロレンズ122に入射した光Lは、緑フィルタ121Gを通って緑画素のフォトダイオードPDに入射するが、一部に斜め光Laが画素境界付近で隣接する赤画素151RのフォトダイオードPDに入射される。この様子を図28Bの緑画素と赤画素の2画素に波長550nmの光を入射した時の光強度のシミュレーションで示す。図28Bにおいて、領域部分Aは光強度が強い部分、色の薄い領域部分Bは光強度が弱い部分、濃い色の領域部分筋状部分Cは光強度が殆んど無い部分である。細かい周期的な縞模様は光の波面の進行を示している。今、受光面153より下のフォトダイオードPDに入射した光をみると、画素境界付近の円形で示す領域Dでは、赤画素151RのフォトダイオードPDに弱い光が入射し、混色しているのが分かる。一方、図26に示すように、裏面照射型CMOS固体撮像装置131が収納されたパッケージ図示せずの入射光側の窓に空間134を介してシールガラス135が配置される。さらにこのシールガラス135上に空間134を介して光学ローパスフィルタ136、その上に空間134を介して赤外カットフィルタ137が配置される。さらに上方にカメラレンズ138が配置される。カメラレンズ138を透過して固体撮像装置131に入射された入射光L1は、一部が固体撮像素子131の各媒質界面で反射される。主としてオンチップマイクロレンズ122のレンズ表面と、受光面となるシリコン表面で反射する。オンチップマイクロレンズ122は周期的に配列されているので、回折現象が起こる。固体撮像装置131で反射した反射、回折光L2は、垂直に近い反射から遠い方向への反射等、いろんな角度で反射し、シールガラス135、光学ローパスフィルタ136、赤外カットフィルタ137で反射して再入射光L3として再び固体撮像装置131に入射する。中でも、大きな角度で回折した光は、シールガラス135で反射し再び固体撮像装置131に入射され、これが図27で示す放射状のMgフレア141円枠E参照となる。放射状の白い筋白フレア142は、カメラレンズ側の絞りが原因で起こるものであり、表面照射型固体撮像装置でも起こる現象であり、それほど違和感がない。しかし、裏面照射型固体撮像装置に特有のMgフレア141は、例えば木漏れ日を撮影したような場合、バックの緑色に対して目立ち、問題視される。このMgフレア141の発生は、赤R、緑G及び青Bの分光特性を揃えるための信号処理過程でのホワイトバランスの処理が原因する。回折光の再入射で各画素は同じように混色するが、ホワイトバランスの処理で赤R、青Bの信号が緑Gに対してゲインが大きくなって強調されるために、Mgフレアが発生する。裏面照射型固体撮像装置では、上述した隣接画素への入射光の漏れによる光学混色、反射光によるMgフレアが起こり得るが、表面照射型固体撮像装置においても、隣接画素への光学混色が起こり得る。本発明は、上述の点に鑑み、光学混色の低減及び/又はMgフレアの低減により、画質の向上を図った固体撮像装置及び電子機器を提供するものである。本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域に形成された遮光膜と、遮光膜より受光部側にある反射防止膜とを有し、反射防止膜がハフニウム酸化膜を有し、受光面とは反対側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を形成してなる多層配線層が形成された裏面照射型固体撮像装置として構成されている。本発明の固体撮像装置では、画素領域に遮光膜を有するので、この遮光膜みによりオンチップマイクロレンズで集光しきれない光の隣接画素への進入が阻止される。また、この画素境界の遮光膜により、有効画素への回折光の入射が抑制される。また、反射防止膜にハフニウム酸化膜を有するので、隣接画素への電荷の漏れが抑制される。本発明に係る電子機器は、固体撮像装置と、固体撮像装置に入射光を導く光学系と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備える。固体撮像装置は、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域に形成された遮光膜と、遮光膜より受光部側にある反射防止膜とを有し、反射防止膜がハフニウム酸化膜を有し、受光面とは反対側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を形成してなる多層配線層が形成された裏面照射型固体撮像装置として構成されている。本発明の電子機器では、上記本発明の固体撮像装置を備えるので、固体撮像装置において、オンチップマイクロレンズで集光しきれない光の隣接画素への進入が阻止され、また、有効画素への回折光の入射を防ぐことができる。また、ハフニウム酸化膜により、隣接画素への電荷の漏れが抑制される。本発明に係る固体撮像装置によれば、画素領域の遮光膜により光の隣接画素への入射が抑制されるので、光学混色を低減することができる。また、画素境界の遮光膜により有効画素への回折光の入射が抑制されるので、Mgフレアの発生を低減することができる。また、ハフニウム酸化膜により、画素間の混色が抑制される。従って、光学混色の低減及び/又はMgフレアの低減により、画質の向上を図ることができる。本発明に係る電子機器によれば、固体撮像装置において、光学混色を低減し、Mgフレアを低減することができるので、高画質の画像が得られる。以下、発明を実施するための最良の形態以下実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.CMOS固体撮像装置の概略構成例2.第1実施の形態固体撮像装置の構成例とその製造方法の例3.第2実施の形態固体撮像装置の構成例とその製造方法の例4.第3実施の形態固体撮像装置の構成例5.第4実施の形態固体撮像装置の構成例6.第5実施の形態固体撮像装置の構成例7.第6実施の形態固体撮像装置の構成例8.第7実施の形態固体撮像装置の構成例9.第8実施の形態固体撮像装置の構成例10.第9実施の形態固体撮像装置の構成例11.第10実施の形態固体撮像装置の構成例12.第11実施の形態固体撮像装置の構成例13.第12実施の形態固体撮像装置の構成例14.第13実施の形態固体撮像装置の構成例15.第14実施の形態固体撮像装置の構成例16.第15実施の形態電子機器の構成例本発明の実施の形態に係る固体撮像装置では、光学混色の低減及び/又はMgフレアの低減により、画質の向上を図るものであるが、実施の形態の説明に先立ち、Mgフレアの低減方法について述べる。裏面照射型固体撮像装置に特有のMgフレア141の強度は、解析の結果概ね以下の関係にあることが分かった。Mgフレア強度=入射光強度×イメージセンサ斜め反射率×シールガラス等反射率×イメージセンサ斜め感度。従ってMgフレア低減方法としては、主に3通り考えられる。A:画素構造に工夫して回折光L2の発生を抑える。B:シールガラス等の界面に反射防止膜を形成する。C:シールガラス等で再反射して戻ってくる回折光L3を画素構造に工夫して低減する。対策Bは、イメージセンサのウェハ製造工程ではなく、パッケージ側での対策となるため、イメージセンサの単価が顕著に上昇するが、これは近年進む民生用のデジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラでの販売価格低減傾向に対して大きなデメリットとなる。対策Aはイメージセンサのウェハ製造工程での対策となり、単価上昇は比較的軽微である。対策Aは、回折光の発生源を抑える意味で本質的であり、成膜条件を適切に設定することで感度向上のメリットもあるが、民生用のデジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラ向けの裏面照射型固体撮像装置で問題となる光学混色に対しては低減効果がない。対策Cは、対策A同様イメージセンサのウェハ製造工程での対策であり、本発明の実施の形態では単価上昇はないことが大きなメリットとなる。対策Cは、回折光の発生量、シールガラス反射率は共に変わらないが、裏面照射型固体撮像装置で大きく取れるイメージセンサ斜め感度を抑制することによりMgフレア対策として有効である。また、同時に民生用のデジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラ向けの裏面照射型固体撮像装置で問題となる光学混色に対しても有効である。遮光膜は、開口デザインを適切に設定することで、光学裏面照射型固体撮像装置として期待される光学特性高感度、低シェーディングの優位性は維持しつつ、Mgフレアと光学混色を十分抑制できることが分かった。以下に説明する裏面照射型固体撮像装置の実施の形態では、Mgフレア低減に関して、対策A及び/又は対策B、Cに基いて構成される。<1.CMOS固体撮像装置の概略構成例>図1に、本発明の各実施の形態に適用されるCMOS固体撮像装置の一例の概略構成を示す。本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に複数の光電変換素子を含む画素2が規則的に2次元的に配列された画素領域いわゆる撮像領域3と、周辺回路部とを有して構成される。画素2は、光電変換素子となる例えばフォトダイオードと、複数の画素トランジスタいわゆるMOSトランジスタを有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの3つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタ追加して4つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので、詳細説明は省略する。画素2は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有する1つのフローティングディフージョンと、共有する1つずつの他の画素トランジスタとから構成される。周辺回路部は、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8などを有して構成される。制御回路8は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路8では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基いて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力する。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に画素を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素を駆動する。すなわち、垂直駆動回路4は、画素領域3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線9を通して各画素2の光電変換素子となる例えばフォトダイオードにおいて受光量に応じて生成した信号電荷に基く画素信号をカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、画素2の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路5は、画素2固有の固定パターンノイズを除去するためのCDSや、信号増幅、AD変換等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には水平選択スイッチ図示せずが水平信号線10との間に接続されて設けられる。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。入出力端子12は、外部と信号のやりとりをする。<2.第1実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図2に、本発明に係る固体撮像装置の第1実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。第1実施の形態に係る固体撮像装置21は、例えばシリコンによる半導体基板22に複数の画素が配列された画素領域いわゆる撮像領域23と、図示しないが画素領域23の周辺に配置された周辺回路部を形成して構成される。単位画素24は、光電変換部となるフォトダイオードPDと複数の画素トランジスタTrとから構成される。フォトダイオードPDは、半導体基板22の厚み方向の全域にわたるように形成され、第1導電型、本例ではn型半導体領域25と基板の表裏両面に臨むように第2導電型、本例ではp型半導体領域26とによるpn接合型のフォトダイオードとして構成される。基板の表裏両面に臨むp型半導体領域は、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねている。フォトダイオードPD及び画素トランジスタTrからなる各画素24は、素子分離領域27により分離される。素子分離領域27は、p型半導体領域で形成され、例えば接地される。画素トランジスタTrは、半導体基板22の表面22A側に形成したp型半導体ウェル領域28に、図示しないがn型のソース領域及びドレイン領域を形成し、両領域間の基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極29を形成して構成される。同図においては、複数の画素トランジスタを1つの画素トランジスタTrで代表して示すとともに、ゲート電極29で模式的に表している。半導体基板22の表面22A上には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置してなる、いわゆる多層配線層33が形成される。多層配線層33側は光入射されないので、配線32のレイアウトは自由の設定することができる。フォトダイオードPDの受光面34となる基板裏面22B上には、絶縁層が形成される。この絶縁層は、本例では反射防止膜36で形成される。反射防止膜36は、屈折率の異なる複数層膜で形成され、本例ではハフニウム酸化HfO2膜38とシリコン酸化膜37の2層膜で形成される。そして、本実施の形態においては、この反射防止膜36上の画素境界に、すなわち画素境界に対応する部分に遮光膜39が形成される。この遮光膜39は、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる材料として、金属、例えばアルミニウムAl、あるいはタングステンW、あるいは銅Cuの膜で形成することが好ましい。遮光膜39を含む反射防止膜36上に、平坦化膜41が形成され、この平坦化膜41上に順次オンチップカラーフィルタ42及びその上のオンチップマイクロレンズ43が形成される。オンチップマイクロレンズ43は、例えば、樹脂などの有機材料で形成される。平坦化膜41は、例えば、樹脂などの有機材料で形成することができる。オンチップカラーフルタとしては、例えばベイヤー配列のカラーフィルタが用いられる。光Lは、基板裏面22B側から入射され、オンチップマイクロレンズ43で集光されて各フォトダイオードPDに受光される。第1実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置21によれば、受光面34に極めて近い画素境界に遮光膜39が形成されているので、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれないで隣接画素側に向かう光が遮光される。すなわち、画素境界の遮光膜39により、隣接画素への光入射を防ぐことができ、光学混色を低減することができる。また、パケージ内に配置された固体撮像装置21に光が入射され、一部反射した回折光がシールガラスで再反射して固体撮像装置21に入射さしようとしても、画素境界の遮光膜39で回折光の入射が防がれる。この回折光の入射が阻止されることで、特に、高輝度光源撮影時のMgフレアを低減することができる。図3に示す、緑画素と赤画素の2画素に波長550nmの光を入射した時の光強度のシミュレーションを用いて光学混色の低減について詳述する。図3Aは、緑画素24Gと赤画素24Rを示す。光がオンチップマイクロレンズ43を透過して緑画素24Gに入射するとき、一部集光しきれない光L0が隣接画素である赤画素24R側に向かうが、遮光膜39で遮光され、反射される。すなわち、光L0の赤画素24Rへの入射が阻止される。この様子を図3Bの光強度のシミュレーションで示す。図3Bにおいて、前述と同様に、領域Aは光強度が強い部分、色の薄い部分Bは光強度が弱い部分、濃い色の部分は光強度が殆んど無い部分である。この図3Bのシミュレーションで分かるように、赤画素24RのフォトダイオードPDの緑画素24Gとの境界近傍Dでの光強度は殆んどゼロである。すなわち、光学混色が低減している。一方、Mgフレアの低減について詳述する。図4に、第1実施の形態の固体撮像装置21がパッケージ内に収納された状態での入射光の反射状態を示す。前述と同様に、裏面照射型の固体撮像装置21が収容されたパッケージ図示せずの入射光側の窓に空間134を介してシールガラス135が配置される。さらにシールガラス135上に空間134を介して光学ローパスフィルタ136、その上に空間134を介して赤外IRカットフィルタ137が配置される。さらにその上方にカメラレンズ138が配置される。前述したように、カメラレンズ138を透過して固体撮像装置21に入射された入射光L1は、一部が固体撮像装置21の各媒質界面で反射される。この反射光がシールガラス135、光学ローパスフィルタ136、赤外カットフィルタ137で反射して固体撮像装置21側に再入射する。中でも大きな角度で反射した回折光L2は、シールガラス135で反射され、再入射光L3として固体撮像装置21に再入射されるが、このとき、円枠45で示すように、遮光膜39により有効画素への回折光の入射が遮られ、Mgフレアが生じない。図4で示すように、緑画素24Gで反射し、再反射した回折光L3は、他部の緑画素24Gの緑フィルタを通してして隣接の赤画素24R側に向かうが、画素境界の遮光膜39で反射され実線矢印参照、赤画素24Rに入射されない。このため、図5に示すように、高輝度光源撮影において、前述の図27でMgフレアが現れた同じ場所円枠E参照にMgフレアが現れない。また、本実施の形態では、遮光膜39を形成した後、平坦化膜41を介してオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。この平坦化膜41を介してオンチップマイクロレンズ43が形成されるので、画素領域上のオンチップマイクロレンズ43の全てのレンズ高さが同じになる。特に、有効画素領域のオンチップマイクロレンズ43のレンズ高さは同じになり、前述の図29で示した有効画素領域における周辺部と中央領域との間で段差dが生じることがない。従って、画面全域で同じ輝度が得られ、すなわち感度ムラの発生がなく画質の向上が図れる。このように、固体撮像装置21は、受光面に近い位置の画素境界に遮光膜39を配置したことにより、光学混色を低減し、Mgフレアを低減することができ、また有効画素領域内での感度ムラの発生がなく、高画質の画像を撮像することができる。かくして第1実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置21は、画質の向上を図ることができる。[第1実施の形態の固体撮像装置の製造方法の例]図6及び図7に、第1実施の形態の固体撮像装置21の製造方法を示す。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分の符号は図2を参照している。先ず、例えばシリコンの半導体基板22の画素領域を形成すべき領域に、p型半導体領域による素子分離領域27で分離した各画素に対応したフォトダイオードPDを形成する。フォトダイオードPDは、基板厚さ方向の全域にわたるようなn型半導体領域25と、n型半導体領域25に接して基板の表裏両面22A、22Bに臨むp型半導体領域26とからなるpn接合を有して形成される。基板表面22Aの各画素に対応する領域には、それぞれ素子分離領域27に接するp型半導体ウェル領域28を形成し、このp型半導体ウェル領域28内に各複数の画素トランジスタTrを形成する。画素トランジスタTrは、それぞれソース領域及びドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極29とにより形成される。さらに、基板表面22Aの上部には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置した多層配線層33を形成する。次に、図6Aに示すように、受光面となる基板裏面22B上に、絶縁膜、本例では反射防止膜36を形成し、この反射防止膜36上に遮光膜材料層39Aを形成する。反射防止膜36は屈折率の異なる複数の膜で形成され、本例では基板裏面22B側からシリコン酸化SiO2膜37、ハフニウム酸化HfO2膜38を積層した2層膜で形成する。シリコン酸化膜37及びハフニウム酸化膜38は、それぞれ反射防止に最適な膜厚で形成される。遮光膜材料層39Aは、アルミニウムAlあるいはタングステンWなど遮光性、加工性に優れた材料で形成する。次に、遮光膜材料層39A上に選択的にレジストマスク47を形成する。レジストマスク47は、フォトダイオードPDに対応する部分に開口を有し、各画素境界に対応する部分が残るように平面的にみて格子状に形成される。そして、図6Bに示すように、レジストマスク47を介して遮光膜材料層39Aを選択的にエッチング除去して、各画素境界に遮光膜39を形成する。エッチングは、ウェットエッチング、あるいはドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングは、遮光膜39の微細線幅が精度よく得られるので好ましい。次に、図7Cに示すように、遮光膜39を含む反射防止膜上に平坦化膜41を形成する。この平坦化膜41は、例えば樹脂などの有機材料を塗布して形成する。次に、図7Dに示すように、平坦化膜41上に、順次、例えばベイヤー配列のオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43を形成する。このようにして、目的の第1実施の形態の固体撮像装置21を得る。本実施の形態の固体撮像装置の製造方法によれば、半導体基板22の受光面となる裏面22B上に反射防止膜36を介して画素境界に対応する部分に選択的に遮光膜39を形成するので、遮光膜39を受光面34に近い位置に形成することができる。遮光膜39が受光面に近い位置に形成されることにより、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれない光が隣接画素へ進入することを阻止できる。また、この遮光膜は、Mgフレアの発生要因である回折光の有効画素への入射を阻止する。受光面34上に反射防止膜36を形成するので、基板裏面22Bの受光面34での反射を抑制し、高感度化が図れる。さらに平坦化膜41を介してオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43を形成するので、有効画面領域内でオンチップマイクロレンズ43のレンズ高さを均一にすることができる。従って、本製造方法は、光学混色を低減し、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレアを低減し、有効画素領域内での均一かつ高感度化を図った第1実施の形態の固体撮像装置を容易かつ高精度に製造することができる。<3.第2実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図8に、本発明に係る固体撮像装置の第2実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。第2実施の形態に係る固体撮像装置51は、第1実施の形態と同様に、例えばシリコンによる半導体基板22に複数の画素が配列された画素領域23と、図示しないが画素領域23の周辺に配置された周辺回路部を形成して構成される。周辺回路部にはロジック回路が形成される。単位画素24は、光電変換部となるフォトダイオードPDと複数の画素トランジスタTrとから構成される。フォトダイオードPDは、半導体基板22の厚み方向の全域にわたるように形成され、第1導電型、本例ではn型半導体領域25と基板の表裏両面に臨むように第2導電型、本例ではp型半導体領域26とによるpn接合型のフォトダイオードとして構成される。基板の表裏両面に臨むp型半導体領域は、暗電流抑制のための電荷蓄積領域を兼ねている。フォトダイオードPD及び画素トランジスタTrからなる各画素24は、素子分離領域27により分離される。素子分離領域27は、p型半導体領域で形成され、例えば接地される。画素トランジスタTrは、半導体基板22の表面22A側に形成したp型半導体ウェル領域28に、図示しないがn型のソース領域及びドレイン領域を形成し、両領域間の基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極29を形成して構成される。同図においては、複数の画素トランジスタを1つの画素トランジスタTrで代表して示すとともに、ゲート電極29で模式的に表している。半導体基板22の表面22A上には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置してなる、いわゆる多層配線層33が形成される。多層配線層33側は光入射されないので、配線32のレイアウトは自由の設定することができる。フォトダイオードPDの受光面34となる基板裏面22B上には、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、本例では反射防止膜36で形成される。反射防止膜36は、屈折率の異なる複数層膜で形成され、本例ではハフニウム酸化HfO2膜37とシリコン酸化膜38の2層膜で形成される。そして、本実施の形態においては、特に、この反射防止膜36上に絶縁膜52が形成され、この絶縁膜52上の画素境界に遮光膜39が形成される。絶縁膜52は、その膜種、膜厚が光学的に適切な値に設定される。絶縁膜52としては、例えばシリコン酸化膜で形成することが好ましく、その膜厚が少なくとも反射防止膜36の膜厚より十分に厚く設定される。遮光膜39は、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる材料として、金属、例えばアルミニウムAl、あるいはタングステンW、あるいは銅Cuの膜で形成することが好ましい。絶縁膜52としては、反射防止膜36を構成する上層の高屈折率膜、本例ではハフニウム酸化HfO2膜38とは屈折率差が大きい膜が好ましく、例えばシリコン酸化膜が好ましい。例えば、絶縁膜52をハフニウム酸化HfO2膜に近い屈折率を有するシリコン窒化SiN膜で形成した場合には、ハフニウム酸化膜38の膜厚が実質的に厚くなった形になり、反射防止膜として不適切となる。遮光膜39を含む絶縁膜52上に、平坦化膜41が形成され、この平坦化膜41上に順次オンチップカラーフィルタ42及びその上のオンチップマイクロレンズ43が形成される。平坦化膜41は、例えば、樹脂などの有機材料で形成することができる。オンチップカラーフルタとしては、例えばベイヤー配列のカラーフィルタが用いられる。光Lは、基板裏面22B側から入射され、オンチップマイクロレンズ43で集光されて各フォトダイオードPDに受光される。第2実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置51によれば、反射防止膜39上に膜厚が反射防止膜36より厚い絶縁膜52を形成し、この絶縁膜52上の画素境界に対応する部分に遮光膜36が形成されるので、最適な反射防止膜36が維持される。すなわち、遮光膜36の形成は、全面に遮光膜材料層を成膜した後、選択エッチングにより、パターニングされる。この選択エッチングにおいて、下地がエッチングダメージを受けても、ダメージを受けるのは絶縁膜52であり、反射防止膜36は何ら影響を受けない。裏面照射型の固体撮像装置において、感度や分光特性を安定して生産するためには、予めシリコン界面に形成する反射防止膜36の膜厚を安定制御する必要がある。遮光膜36の加工時に反射防止膜36の膜減りが発生すると、感度や分光特性がばらつく原因になる。遮光膜36の形成前に反射防止膜36上に絶縁膜52が形成されるので、感度や分光特性が安定になる。第2実施の形態の固体撮像装置51は、その他第1実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。すなわち、受光面34に極めて近い画素境界に遮光膜39が形成されているので、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれないで隣接画素側に向かう光が遮光される。すなわち、画素境界の遮光膜39により、隣接画素への光入射を防ぐことができ、光学混色を低減することができる。また、パケージ内に配置された固体撮像装置21に光が入射され、一部反射した回折光がシールガラスで再反射して固体撮像装置51に入射さようとしても、画素境界の遮光膜39で回折光の入射が防がれる。このため、特に、高輝度光源撮影において、Mgフレアを低減することができる。また、平坦化膜41を介してオンチップマイクロレンズ43が形成されるので、画素領域上のオンチップマイクロレンズ43の全てのレンズ高さが同じになる。特に、有効画素領域のオンチップマイクロレンズ43のレンズ高さは同じになり、前述の図29で示した有効画素領域における周辺部と中央領域との間で段差dが生じることがない。従って、画面全域で同じ輝度が得られ、すなわち感度ムラの発生がなく画質の向上が図れる。このように、固体撮像装置51は、受光面に近い位置の画素境界に遮光膜39を配置したことにより、光学混色を低減し、Mgフレアを低減することができ、また有効画素領域内での感度ムラの発生がなく、高画質の画像を撮像することができる。かくして第2実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置51は、画質の向上を図ることができる。[第2実施の形態の固体撮像装置の製造方法の例]図9及び図10に、第2実施の形態の固体撮像装置51の製造方法を示す。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分の符号は図8を参-照している。前述と同様に、先ず、例えばシリコンの半導体基板22の画素領域を形成すべき領域に、p型半導体領域による素子分離領域27で分離した各画素に対応したフォトダイオードPDを形成する。フォトダイオードPDは、基板厚さ方向の全域にわたるようなn型半導体領域25と、n型半導体領域25に接して基板の表裏両面22A、22Bに臨むp型半導体領域26とからなるpn接合を有して形成される。基板表面22Aの各画素に対応する領域には、それぞれ素子分離領域に接するp型半導体ウェル領域28を形成し、このp型半導体ウェル領域28内に各複数の画素トランジスタTrを形成する。画素トランジスタTrは、それぞれソース領域及びドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極29とにより形成される。さらに、基板表面22Aの上部には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置した多層配線層33を形成する。次に、図9Aに示すように、受光面となる基板裏面22B上に、絶縁膜本例では反射防止膜36を形成し、この反射防止膜36上に絶縁膜52を形成する。この絶縁膜52上に遮光膜材料層39Aを形成する。絶縁膜52は、例えばシリコン酸化SiO2膜で形成することができる。絶縁膜52の膜厚は、反射防止膜36の膜厚より十分に厚く選定される。反射防止膜36は屈折率の異なる複数の膜で形成され、本例では基板裏面22B側からシリコン酸化SiO2膜37、ハフニウム酸化HfO2膜38を積層した2層膜で形成する。シリコン酸化膜37及びハフニウム酸化膜38は、それぞれ反射防止に最適な膜厚で形成される。遮光膜材料層39Aは、アルミニウムAlあるいはタングステンWなど遮光性、加工性に優れた材料で形成する。次に、遮光膜材料層39A上に選択的にレジストマスク47を形成する。レジストマスク47は、フォトダイオードPDに対応する部分に開口を有し、各画素境界に対応する部分が残るように平面的にみて格子状に形成される。そして、図9Bに示すように、レジストマスク47を介して遮光膜材料層39Aを選択的にエッチング除去して、各画素境界に遮光膜39を形成する。エッチングは、ウェットエッチング、あるいはドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングは、遮光膜39の微細線幅が精度よく得られるので好ましい。この遮光膜材料層39Aの選択エッチングの際に、下地がエッチングダメージを受けても、絶縁膜5を受けることはない。次に、図10Cに示すように、遮光膜39を含む反射防止膜上に平坦化膜41を形成する。この平坦化膜41は、例えば樹脂などの有機材料を塗布して形成する。次に、図10Dに示すように、平坦化膜41上に、順次、例えばベイヤー配列のオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43を形成する。このようにして、目的の第2実施の形態の固体撮像装置51を得る。本実施の形態の固体撮像装置の製造方法によれば、反射防止膜36の上に膜厚が反射防止膜36より十分に厚い絶縁膜52を形成した後、この絶縁膜52上の画素境界部分に遮光膜39を形成している。このため、遮光膜39のエッチングによる選択加工において、下地膜にエッチングダメージが与えられても、反射防止膜36にエッチングダメージが及ぶことがなく、最適な膜厚の反射防止膜36を形成することができる。その他、第1実施の形態の固体撮像装置の製造方法で説明したと同様の効果を奏する。すなわち、半導体基板22の受光面となる裏面22B上に、反射防止膜36及び絶縁膜52を介して画素境界に対応する部分に選択的に遮光膜39を形成するので、遮光膜39を受光面34に近い位置に形成することができる。遮光膜39が受光面に近い位置に形成されることにより、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれない光が隣接画素へ入射することを阻止できる。また、この遮光膜39は、Mgフレアの発生要因である回折光の有効画素への入射を阻止する。平坦化膜41を介してオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43を形成するので、有効画面領域内でオンチップマイクロレンズ43のレンズ高さを均一にすることができる。さらに、本実施の形態の製造方法では、受光面34上に最適膜厚を維持した反射防止膜36を形成するので、より基板裏面22Bの受光面34での反射を抑制し、高感度化が図れる。従って、本製造方法は、光学混色を低減し、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレアを低減し、有効画素領域内での均一かつ高感度化を図った、より高性能の第2実施の形態の固体撮像装置を容易かつ高精度に製造することができる。上述の実施の形態の固体撮像装置21、51においては、集光状態に応じて遮光膜39の開口形状を適宜選択することができる。図11A~Cに、遮光膜39の開口形状の例を示す。図11Aに示す遮光膜39は、開口形状として四角形の開口39aを有して構成される。したがって、フォトダイオードPDの受光面の形状は四角形になる。四角形状の開口39aを有するときは、最大の感度が得られる。図11Bに示す遮光膜39は、開口形状として多角形、本例では八角形の開口39bを有して構成される。したがって、フォトダイオードPDの受光面の形状は八角形になる。八角形状の開口39bを有するときは、四角形状と比較して、対角方向のフレアを低減することができる。図11Cに示す遮光膜39は、開口形状として円形の開口39cを有して構成される。したがて、フォトダイオードPDの受光面の形状は円形になる。円形図11Aの四角形状の内接円の開口39cを有するときは、水平と対角の中間方向に発生するフレアも低減することができる。但し、感度に関しては、図11A~図11Cのうちで一番低い。そして、図11A~11Cのいずれの構成においても、上下左右対称の形状で、かつ半導体基板22中に形成されたフォトダイオードPDの中心Oと遮光膜開口中心Oとが一致するように、画素境界の遮光膜39が形成される。フォトダイオードPDの中心と遮光膜開口中心を一致させることにより、入射角度依存の対称性を保つことができ、画面全体で等方的な感度特性が得られる。<4.第3実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図12に、本発明に係る固体撮像装置の第3実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。第3実施の形態に係る固体撮像装置56は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPDが形成され、周辺回路部57にロジック回路図示しないが形成され、半導体基板22の裏面22B上に反射防止膜36、絶縁膜52が順に形成されて成る。そして、本実施の形態においては、画素領域23に対応する絶縁膜52上に画素境界における格子状の遮光膜39が形成されると共に、周辺回路部57及び画素領域の光学的黒レベル領域23Bに対応する絶縁膜52上に連続した遮光膜39が形成される。光学的黒レベル領域23Bは、有効画素領域23Aの外周に形成される。これら画素境界の遮光膜39と、周辺回路57及び光学的黒レベル領域23Bにわたる連続した遮光膜39は、同材料膜で同時に形成される。画素境界における遮光膜39と、周辺回路57及び光学的黒レベル領域23Bにわたる遮光膜39とは、互いに連続一体に形成される。本実施の形態では、さらに遮光膜39,39を含む絶縁膜52上に平坦化膜41が形成され、平坦化膜41の画素領域23に対応する領域上にオンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。周辺回路部57においても、基板表面側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を配置した多層配線層が形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第3実施の形態に係る固体撮像装置56によれば、周辺回路部57から光学的黒レベル領域23Bに連続する遮光膜39と、画素境界における格子状の遮光膜39を同時に形成された構成を有するので、遮光膜39による段差が低減する。これにより、有効画素領域内でのオンチップマイクロレンズ43のレンズ高さを揃えることができ、有効画素全体で均一な集光状態が得られる。その他、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれない光による隣接画素への光学混色を低減し、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレアの発生を低減するなど、第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第3実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置56は、画質の向上を図ることができる。<5.第4実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図13に、本発明に係る固体撮像装置の第4実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第4実施の形態に係る固体撮像装置59は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPDが形成され、周辺回路部57にロジック回路図示しないが形成され、半導体基板22の裏面22B上に反射防止膜36、絶縁膜52が順に形成されて成る。画素領域23に対応する絶縁膜52上には、画素境界に対応して格子状の遮光膜39が形成され、周辺回路部57及び画素領域の光学的黒レベル領域23Bに対応する絶縁膜52上には、連続した遮光膜39が形成される。光学的黒レベル領域23Bは、有効画素領域23Aの外周に形成される。これら画素境界の遮光膜39と、周辺回路57及び光学的黒レベル領域23Bにわたる連続した遮光膜39は、同材料膜で同時に形成される。画素境界における遮光膜39と、周辺回路57及び光学的黒レベル領域23Bにわたる遮光膜39とは、互いに連続一体に形成される。そして、本実施の形態においては、上記遮光膜39が半導体基板22のグランドGND領域、すなわち、p型半導体領域による素子分離領域27に接続される。遮光膜39は前述したと同様に、例えばアルミニウムAlあるいはタングステンWなどにより形成される。遮光膜27は、素子分離領域27のp型半導体領域に対して、図13に示すように、例えばTi、TiNなどのバリアメタル層60を介して接続することが好ましい。遮光膜39は、素子分離領域27のp型半導体領域を通じてグランド電位接地電位が印加される。遮光膜39は、図14に示すように、画素領域の光学的黒レベル領域23Bより外側に位置する素子分離領域27において、コンタクト部61通じて接続される。また、遮光膜39は、有効画素領域23Aにおける素子分離領域27のコンタクト部62に接続することもできる。画素領域23では、コンタクト部61の形成でシリコンにダメージを与え、白点発生の原因になる可能性があるので、コンタクト部61の形成は避けねばならない。従って、遮光膜39の素子分離領域への接続は、光学的黒レベル領域の外側で行う方が好ましい。その他の構成は、第2実施の形態、第3実施の形態で説明したと同様であるので、図8、図12と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第4実施の形態に係る固体撮像装置59によれば、遮光膜39がグランド領域である素子分離領域27を通じて接地されることにより、遮光膜39の電位が固定され、直下のフォトダイオードPDに対して悪影響を与えず、暗時ノイズを低減することができる。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。また、遮光膜39による段差が低減し、有効画素全体で均一な集光状態が得られるなど第3実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第4実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置59は、画質の向上を図ることができる。<6.第5実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図15に、本発明に係る固体撮像装置の第5実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第5実施の形態に係る固体撮像装置63は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上の画素境界に格子状の遮光膜39が形成される。そして、本実施の形態においては、各フォトダイオードPDの対応する上部に層内レンズ64が形成される。層内レンズ64は、本例では凸レンズを形成するように構成される。層内レンズ64としては、例えば窒化膜で形成することができる。層内レンズ64上に例えば有機膜による平坦化膜67が形成され、この平坦化膜67上に順次オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。本実施の形態における層内レンズ64は、いわばオンチップカラーフィルタ42の下層、すなわち反射防止膜36とオンチップカラーフィルタ42間に形成されることになる。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第5実施の形態に係る固体撮像装置63によれば、各フォトダイオードPDに対応して、反射防止膜36とオンチップカラーフィルタ42との間に層内レンズ64が形成されるので、フォトダイオードPDへの集光効率がさらに向上する。これにより、隣接画素への光学混色をさらに低減することができる。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第5実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置63は、画質の向上を図ることができる。<7.第6実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図16に、本発明に係る固体撮像装置の第6実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第6実施の形態に係る固体撮像装置67は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上の画素境界に格子状の遮光膜39が形成される。さらに、遮光膜39を含む絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。そして、本実施の形態においては、各オンチップマイクロレンズ43の表面に、レンズ面に沿うように反射防止膜68が形成される。この反射防止膜68としては、例えばシリコン酸化膜の一層で形成することができる。反射防止膜68としては、その他複数層膜で形成することもできる。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第6実施の形態に係る固体撮像装置67によれば、オンチップマイクロレンズ43の表面に反射防止膜68を形成することにより、高輝度光撮影時のオンチップマイクロレンズ43、オンチップカラーフィルタ42による反射率を低減することができる。従って、回折光の有効画素への入射をより低減し、Mgフレアをより低減することができる。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第6実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置67は、画質の向上を図ることができる。<8.第7実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図17に、本発明に係る固体撮像装置の第7実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第7実施の形態に係る固体撮像装置71は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上の画素境界に格子状の遮光膜39が形成される。さらに、遮光膜39を含む絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。そして、本実施の形態においては、各オンチップマイクロレンズ43上に一様に連続する透明な平坦化膜72が形成される。この平坦化膜72は、オンチップマイクロレンズ43より屈折率の低い材料膜、例えば樹脂などの有機膜で形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第7実施の形態に係る固体撮像装置71によれば、各オンチップマイクロレンズ43上に一様に連続する平坦化膜72が形成されるので、高輝度光源撮影時のオンチップマイクロレンズ43、オンチップカラーフィルタ42による回折現象を抑制することができる。従って、回折光の有効画素への入射を抑制し、Mgフレアをより低減することができる。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第7実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置71は、画質の向上を図ることができる。<9.第8実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図18に、本発明に係る固体撮像装置の第8実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第8実施の形態に係る固体撮像装置74は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上の画素境界に格子状の遮光膜39が形成される。さらに、遮光膜39を含む絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ75が形成される。そして、本実施の形態においては、オンチップマイクロレンズ75を矩形レンズで形成し、かつ各矩形のオンチップマイクロレンズ75上に一様に連続する透明な平坦化膜72が形成される。この平坦化膜72は、オンチップマイクロレンズ43より屈折率の低い材料膜、例えば樹脂などの有機膜で形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第8実施の形態に係る固体撮像素子74によれば、各オンチップマイクロレンズ75上に一様に連続する平坦化膜72が形成されるので、高輝度光源撮影時のオンチップマイクロレンズ75、オンチップカラーフィルタ42による回折現象を抑制することができる。従って、回折光の有効画素への入射を抑制し、Mgフレアをより低減することができる。また、オンチップマイクロレンズ75が矩形レンズで形成されるので、レンズ高さを大きくすることが可能になり、オンチップマイクロレンズの集光能力を大幅に向上させることが可能になる。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第8実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置74は、画質の向上を図ることができる。<10.第9実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図19に、本発明に係る固体撮像装置の第9実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第9実施の形態に係る固体撮像装置77は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上の画素境界に格子状の遮光膜39が形成される。そして、本実施の形態においては、平坦化膜41を省略し、遮光膜39を含む反射防止膜36上に直接、オンチップカラーフィルタ42が形成され、その上にオンチップマイクロレンズ43が形成される。オンチップカラーフィルタ42の各色フィルタは、一部遮光膜39間に形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第9実施の形態に係る固体撮像装置77によれば、遮光膜39を含む反射防止膜36上に直接オンチップカラーフィルタ42が形成されるので、感度が上がり、光学混色、およびMgフレアが低減する。その他、画素境界の遮光膜39による隣接画素への光学混色の低減、回折光の有効画素への入射を抑制してMgフレア発生の低減、平坦化膜41による有効画素領域内での均一な感度などの第2実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。かくして第9実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置77は、画質の向上を図ることができる。<11.第10実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図20に、本発明に係る固体撮像装置の第10実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第10実施の形態に係る固体撮像装置79は、前述の第6実施の形態図16参照において、画素境界の遮光膜39を省略した構成である。なお周辺回路部及び光学的黒レベル領域は、従来例どおり、遮光する。すなわち、本実施の形態の固体撮像装置79は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。さらに、本実施の形態では、各オンチップマイクロレンズ43の表面に、レンズ面に沿うように反射防止膜68が形成される。この反射防止膜68としては、例えばシリコン酸化膜の一層で形成することができる。反射防止膜68としては、その他複数層膜で形成することもできる。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第10実施の形態に係る固体撮像装置79によれば、オンチップマイクロレンズ43の表面に反射防止膜68を形成することにより、高輝度光撮影時のオンチップマイクロレンズ43、オンチップカラーフィルタ42による反射率を低減することができる。従って、回折光の有効画素への入射をより低減し、Mgフレアをより低減することができる。かくして第10実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置79は、画質の向上を図ることができる。<12.第11実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図21に、本発明に係る固体撮像装置の第11実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第11実施の形態に係る固体撮像装置81は、前述の第7実施の形態図17参照において、画素境界の遮光膜39を省略した構成である。なお周辺回路部及び光学的黒レベル領域は、従来例どおり、遮光する。すなわち、本実施の形態の固体撮像装置81は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ43が形成される。さらに、本実施の形態では、各オンチップマイクロレンズ43上に一様に連続する透明な平坦化膜72が形成される。この平坦化膜72は、オンチップマイクロレンズ43より屈折率の低い材料膜、例えば樹脂などの有機膜で形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第11実施の形態に係る固体撮像装置81によれば、各オンチップマイクロレンズ43上に一様に連続する平坦化膜72が形成されるので、高輝度光源撮影時のオンチップマイクロレンズ43、オンチップカラーフィルタ42による回折現象を抑制することができる。従って、回折光の有効画素への入射を抑制し、Mgフレアをより低減することができる。かくして第11実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置81は、画質の向上を図ることができる。<13.第12実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図22に、本発明に係る固体撮像装置の第12実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。同図はいずれも基板表面側の一部を省略して要部の断面構造のみを示している。省略部分は図8と同じである。第12実施の形態に係る固体撮像装置83は、前述の第8実施の形態図18参照において、画素境界の遮光膜39を省略した構成である。なお周辺回路部及び光学的黒レベル領域は、従来例どおり、遮光する。すなわち、本実施の形態の固体撮像装置81は、半導体基板22の画素領域23に各フォトダイオードPD形成され、周辺回路部図示しないにロジック回路が形成されて成る。フォトダイオードPD及び画素トランジスタからなる各画素は、素子分離領域27にて分離される。フォトダイオードPDの受光面となる基板裏面22B上には、反射防止膜36及び絶縁膜52が形成され、絶縁膜52上に平坦化膜41を介して、オンチップカラーフィルタ42及びオンチップマイクロレンズ75が形成される。本実施の形態では、オンチップマイクロレンズ75を矩形レンズで形成し、かつ各矩形のオンチップマイクロレンズ75上に一様に連続する透明な平坦化膜72が形成される。この平坦化膜72は、オンチップマイクロレンズ43より屈折率の低い材料膜、例えば樹脂などの有機膜で形成される。その他の構成は、第2実施の形態で説明したと同様であるので、図8と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第12実施の形態に係る固体撮像装置83によれば、各オンチップマイクロレンズ75上に一様に連続する平坦化膜72が形成されるので、高輝度光源撮影時のオンチップマイクロレンズ75、オンチップカラーフィルタ42による回折現象を抑制することができる。従って、回折光の有効画素への入射を抑制し、Mgフレアをより低減することができる。また、オンチップマイクロレンズ75が矩形レンズで形成されるので、レンズ高さを大きくすることが可能になり、オンチップマイクロレンズの集光能力を大幅に向上させることが可能になる。かくして第12実施の形態に係る裏面照射型の固体撮像装置74は、画質の向上を図ることができる。上述の第3実施の形態~第12実施の形態において、第1実施の形態と同様に、絶縁膜52を省略した構成とすることも可能である。また、第1実施の形態~第12実施の形態における特徴的構成を、相互に組み合わせた構成とすることも可能である。<14.第13実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図23に、本発明に係る固体撮像装置の第13実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、表面照射型のCMOS固体撮像装置である。第13実施の形態に係る固体撮像装置85は、例えばシリコンによる半導体基板22に複数の画素が配列された画素領域いわゆる撮像領域23と、図示しないが画素領域23の周辺に配置された周辺回路部を形成して構成される。単位画素24は、光電変換部となるフォトダイオードPDと複数の画素トランジスタTrとから構成される。フォトダイオードPDは、半導体基板22の厚み方向の全域にわたるように形成され、第1導電型、本例ではn型半導体領域25と基板の表裏両面に臨むように第2導電型、本例ではp型半導体領域26とによるpn接合型のフォトダイオードとして構成される。基板の表裏両面に臨むp型半導体領域は、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねている。フォトダイオードPD及び画素トランジスタTrからなる各画素24は、素子分離領域27により分離される。素子分離領域27は、p型半導体領域で形成され、例えば接地される。画素トランジスタTrは、半導体基板22の表面22A側に形成したp型半導体ウェル領域28に、図示しないがn型のソース領域及びドレイン領域を形成し、両領域間の基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極29を形成して構成される。同図においては、複数の画素トランジスタを1つの画素トランジスタTrで代表して示すとともに、ゲート電極29で模式的に表している。本実施の形態では、画素トランジスタTrが形成された半導体基板22の受光面となる表面22A上に、例えばシリコン酸化膜などの絶縁膜による平坦化膜86を介して、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、本例では反射防止膜36で形成される。反射防止膜36は、屈折率の異なる複数層膜で形成され、本例ではハフニウム酸化HfO2膜37とシリコン酸化膜38の2層膜で形成される。さらに、この反射防止膜36上の画素境界には、遮光膜39が形成される。この遮光膜39は、前述と同様に、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる材料として、金属、例えばアルミニウムAlあるいはタングステンWの膜で形成することが好ましい。遮光膜39は、例えばポリシリコンで形成することもできる。遮光膜39を含む反射防止膜36上には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置してなる、いわゆる多層配線層33が形成される。多層配線層33上には、平坦化膜86を介して順次オンチップカラーフィルタ42及びその上のオンチップマイクロレンズ43が形成される。光Lは、基板表面22A側から入射され、オンチップマイクロレンズ43で集光されて各フォトダイオードPDに受光される。第13実施の形態に係る表面照射型の固体撮像装置85によれば、受光面34に極めて近い画素境界に遮光膜39が形成されているので、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれないで隣接画素側に向かう光が遮光される。すなわち、画素境界の遮光膜39により、隣接画素への光入射を防ぐことができ、光学混色を低減することができる。かくして第13実施の形態の固体撮像装置85は、画質を向上することができる。<15.第14実施の形態>[固体撮像装置の構成例]図24に、本発明に係る固体撮像装置の第14実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、表面照射型のCMOS固体撮像装置である。第14実施の形態に係る固体撮像装置89は、第13実施の形態と同様に、例えばシリコンによる半導体基板22に複数の画素が配列された画素領域いわゆる撮像領域23と、図示しないが画素領域23の周辺に配置された周辺回路部を形成して構成される。周辺回路部にはロジック回路が形成される。単位画素24は、光電変換部となるフォトダイオードPDと複数の画素トランジスタTrとから構成される。フォトダイオードPDは、半導体基板22の厚み方向の全域にわたるように形成され、第1導電型、本例ではn型半導体領域25と基板の表裏両面に臨むように第2導電型、本例ではp型半導体領域26とによるpn接合型のフォトダイオードとして構成される。基板の表裏両面に臨むp型半導体領域は、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねている。フォトダイオードPD及び画素トランジスタTrからなる各画素24は、素子分離領域27により分離される。素子分離領域27は、p型半導体領域で形成され、例えば接地される。画素トランジスタTrは、半導体基板22の表面22A側に形成したp型半導体ウェル領域28に、図示しないがn型のソース領域及びドレイン領域を形成し、両領域間の基板表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極29を形成して構成される。同図においては、複数の画素トランジスタを1つの画素トランジスタTrで代表して示すとともに、ゲート電極29で模式的に表している。本実施の形態では、画素トランジスタTrが形成された半導体基板22の受光面となる表面22A上に、例えばシリコン酸化膜などの絶縁膜による平坦化膜86を介して、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、本例では反射防止膜36で形成される。反射防止膜36は、屈折率の異なる複数層膜で形成され、本例ではハフニウム酸化HfO2膜37とシリコン酸化膜38の2層膜で形成される。さらに、この反射防止膜36上に絶縁膜52が形成され、この絶縁膜52上の画素境界に遮光膜39が形成される。絶縁膜52は、その膜種、膜厚が光学的に適切な値に設定される。絶縁膜52としては、例えばシリコン酸化膜で形成することができ、その膜厚が少なくとも反射防止膜36の膜厚より十分に厚く設定される。遮光膜39は、光を遮光する材料であれば良いが、遮光性が強く、かつ微細加工、例えばエッチングで精度よく加工できる材料として、金属、例えばアルミニウムAlあるいはタングステンWの膜で形成することが好ましい。遮光膜39は、例えばポリシリコンで形成することもできる。遮光膜39を含む絶縁膜52上には、層間絶縁膜31を介して複数層の配線32を配置してなる、いわゆる多層配線層33が形成される。多層配線層33上には、平坦化膜86を介して順次オンチップカラーフィルタ42及びその上のオンチップマイクロレンズ43が形成される。光Lは、基板表面22A側から入射され、オンチップマイクロレンズ43で集光されて各フォトダイオードPDに受光される。第14実施の形態に係る表面照射型の固体撮像装置89によれば、反射防止膜39上に膜厚が反射防止膜36より厚い絶縁膜52を形成し、この絶縁膜52上の画素境界に対応する部分に遮光膜36が形成されるので、最適な反射防止膜36が維持される。すなわち、遮光膜36の形成は、全面に遮光膜材料層を成膜した後、選択エッチングにより、パターニングされる。この選択エッチングにおいて、下地がエッチングダメージを受けても、ダメージを受けるのは絶縁膜52であり、反射防止膜36は何ら影響を受けない。そして、第13実施の形態と同様に、受光面87に極めて近い画素境界に遮光膜39が形成されているので、オンチップマイクロレンズ43で集光しきれないで隣接画素側に向かう光が遮光される。すなわち、画素境界の遮光膜39により、隣接画素への光入射を防ぐことができ、光学混色を低減することができる。かくして第14実施の形態の固体撮像装置85は、画質を向上することができる。上述の実施の形態の固体撮像装置においては、信号電荷を電子として第1導電型をn型とし、第2導電型をp型としたが、信号電荷を正孔としたときには第1導電型をp型とし、第2導電型をn型とすることができる。この場合、上述した実施の形態の半導体領域の導電型を逆の導電型となる。<16.第15実施の形態>[電子機器の構成例]上述の本発明に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器、などの電子機器に適用することができる。図25に、本発明に係る電子機器の一例としてカメラに適用した第3実施の形態を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。本実施形態例のカメラ91は、固体撮像装置92と、固体撮像装置92の受光センサ部に入射光を導く光学系93と、シャッタ装置94と、固体撮像装置92を駆動する駆動回路95と、固体撮像装置92の出力信号を処理する信号処理回路96とを有する。固体撮像装置92は、上述した各実施の形態の固体撮像装置のいずれかが適用される。光学系光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置92の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置92内に、一定期間信号電荷が蓄積される。光学系93は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としてもよい。シャッタ装置94は、固体撮像装置92への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置92の転送動作及びシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路95から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置92の信号転送を行う。信号処理回路96は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。第4実施の形態に係る電子機器によれば、固体撮像装置92として上述の実施の形態の固体撮像装置を用いるので、画質の向上を図ることができ、信頼性の高いカメラ等の電子機器を提供することができる。"