"被処理基板が載置されるサセプタと、前記サセプタと対向し、被処理基板上に複数の材料ガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部に前記複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、前記複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、前記複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備え、前記ガス供給部は、前記複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスを前記サセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付け、前記複数の混合ガスの各々においては、前記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている、気相成長装置。前記複数のガス分岐機構の各々は、前記複数の材料ガスの各々の分岐比率を個別に調節する、請求項1に記載の気相成長装置。前記ガス分岐機構は、フロースプリッタまたはマスフローコントローラを含む、請求項1または2に記載の気相成長装置。前記複数の領域は、前記サセプタ上の中心側領域と縁側領域とを含む、請求項1から3のいずれかに記載の気相成長装置。MOCVD法により処理する気相成長装置には、化合物半導体結晶の品質を向上しつつ製造コストを抑えるために、材料の歩留まりおよび処理能力を向上することが求められる。そのため、可能な限り多くの大口径の被処理基板を一括して高品質に処理可能なように、気相成長装置の大型化が図られている。大型の気相成長装置においては、大口径の被処理基板を多く処理するために、被処理基板を載置するサセプタが大型となる。また、処理能力を向上するために、大型のサセプタの中心部から端部まで被処理基板が敷き詰められて処理される。そのため、大型のサセプタ上に載置された複数の被処理基板の各々において、均一な膜厚および膜特性を有する化合物半導体結晶を成長させる必要がある。均一な膜厚および膜特性を有する化合物半導体結晶を成長させるためには、大型のサセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整することが必要である。本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整できる気相成長装置を提供することを目的とする。本発明に基づく気相成長装置は、被処理基板が載置されるサセプタと、サセプタと対向し、被処理基板上に複数の材料ガスを供給するガス供給部と、ガス供給部に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。ガス供給部は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。本発明の一形態においては、複数のガス分岐機構の各々は、複数の材料ガスの各々の分岐比率を個別に調節する。本発明の一形態においては、ガス分岐機構は、フロースプリッタまたはマスフローコントローラを含む。本発明の一形態においては、上記複数の領域は、サセプタ上の中心側領域と縁側領域とを含む。本発明によれば、サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整できる。以下、本発明の一実施形態に係る気相成長装置について説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。また、気相成長装置の一例として、縦型シャワーヘッド型のMOCVD装置について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るMOCVD装置の構成の一部を示す断面図である。図2は、シャワープレートを下方から見た図である。図3は、本実施形態に係るMOCVD装置の混合配管およびガス分岐機構の構成を示す系統図である。図1に示すように、本発明の一実施形態に係るMOCVD装置100は、被処理基板10が内部で処理される成膜室110を備えている。成膜室110内には、被処理基板10が載置される平面視円形状のサセプタ120が配置されている。サセプタ120上は、複数の領域に規定される。本実施形態においては、後述するシャワーヘッド130から図1の矢印20で示すように混合ガスを噴き付けられるサセプタ120の中心側領域と、矢印30で示すように混合ガスを噴き付けられるサセプタ120の縁側領域との2つの領域が規定されている。ただし、複数の領域はこれに限られず、サセプタ120の大きさ、サセプタ120に載置される複数の被処理基板10の配置、および、後述するガス排気部141の位置などの種々の条件により、被処理基板10上における化合物半導体の結晶成長を考慮して適宜規定される。サセプタ120の下方には、平面視円形状のヒータ121が配置されている。ヒータ121は、平面視円形状の支持台151上に配置されている。支持台151の中心の下部に回転軸150の一端が接続されている。回転軸150の他端には、図示しないアクチュエータが接続されており、回転軸150は軸中心に回転可能にされている。回転軸150の中心軸上に、サセプタ120、ヒータ121および支持台151の中心が位置している。サセプタ120、ヒータ121および支持台151の周側面を覆うように、ヒータカバー152が設けられている。MOCVD装置100は、サセプタ120、ヒータ121、支持台151およびヒータカバー152を含む。成膜室110の上部には、サセプタ120と対向し、被処理基板10上に複数の材料ガスを供給するガス供給部であるシャワーヘッド130が設けられている。シャワーヘッド130は、シャワープレート131、水冷部132および中空部133を含む。図2に示すように、シャワープレート131は、被処理基板10上に混合ガスを噴き付けるための複数の開口131aを有している。複数の開口131aのうち、シャワープレート131の中心側領域20aに位置する開口131aから、上述したサセプタ120上の中心側領域に混合ガスが噴き付けられる。また、複数の開口131aのうち、シャワープレート131の縁側領域30aに位置する開口131aから、上述したサセプタ120上の縁側領域に混合ガスが噴き付けられる。図1に示すように、シャワープレート131の下面は、サセプタ120の上面と平行に対向している。水冷部132は、シャワーヘッド130を水冷するための冷却水が循環する部位である。水冷部132には、ポンプ、水供給源および冷却源を含む水冷装置160から冷却用配管161を通じて冷却水が供給される。中空部133には、後述する複数の混合配管が接続されている。中空部133の内部は、複数の混合配管内およびシャワープレート131の複数の開口131aと連通している。MOCVD装置100は、シャワーヘッド130を含む。また、MOCVD装置100は、成膜室110の内部を排気するためのガス排気部141と、ガス排気部141に接続されたパージライン142と、パージライン142に接続された排ガス処理装置140とを含む。これらにより、成膜室110の内部に導入された混合ガスはガス排気部141によって成膜室110の外部に排気され、排気された混合ガスはパージライン142を通って排ガス処理装置140に送られ、排ガス処理装置140において無害化される。本実施形態に係るMOCVD装置100により被処理基板10に薄膜を形成する際には、混合ガスをシャワーヘッド130から成膜室110内へ供給する。このとき、回転しているサセプタ120を介してヒータ121により被処理基板10を加熱する。加熱された被処理基板10上で化学反応が起こることにより、被処理基板10上に薄膜が形成される。被処理基板10上を通過した混合ガスは、ガス排気部141から排気される。以下、MOCVD装置100に含まれる、シャワーヘッド130に複数の混合ガスを送る配管系統について説明する。本実施形態に係るMOCVD装置100においては、被処理基板10上に化合物半導体の薄膜を形成するための複数の材料ガスとして、III族元素を含むIII族材料ガス、V族元素を含むV族材料ガス、および、不純物元素を含むドーピング材料ガスを用いる。ただし、複数の材料ガスはこれに限られず、たとえば、II族元素を含むII族材料ガス、VI族元素を含むVI族材料ガス、および、不純物元素を含むドーピング材料ガスを用いてもよい。III族元素としては、たとえば、Ga、AlまたはInなどがある。III族材料ガスとしては、たとえば、トリメチルガリウムまたはトリメチルアルミニウムなどの有機金属ガスを用いることができる。V族元素としては、たとえば、N、PまたはAsなどがある。V族材料ガスとしては、たとえば、アンモニア、ホスフィンまたはアルシンなどの水素化合物ガスを用いることができる。不純物元素としては、MgまたはSiなどがある。ドーピング材料ガスとしては、Cp2MgガスまたはSiH4ガスなどを用いることができる。図1に示すように、MOCVD装置100は、サセプタ120の縁側領域にIII族材料ガスを含むIII族系混合ガスの供給源となるIII族系混合ガス縁側供給源170を備えている。また、MOCVD装置100は、サセプタ120の縁側領域にV族材料ガスを含むV族系混合ガスの供給源となるV族系混合ガス縁側供給源171を備えている。また、MOCVD装置100は、サセプタ120の中心側領域にIII族材料ガスを含むIII族系混合ガスの供給源となるIII族系混合ガス縁側供給源172を備えている。また、MOCVD装置100は、サセプタ120の中心側領域にV族材料ガスを含むV族系混合ガスの供給源となるV族系混合ガス縁側供給源173を備えている。III族系混合ガス縁側供給源170は、流量調節機構であるマスフローコントローラ170cが接続されたIII族系縁側混合配管170aによりシャワーヘッド130に接続されている。V族系混合ガス縁側供給源171は、マスフローコントローラ171cが接続されたV族系縁側混合配管171aによりシャワーヘッド130に接続されている。III族系混合ガス中心側供給源172は、マスフローコントローラ172cが接続されたIII族系中心側混合配管172aによりシャワーヘッド130に接続されている。V族系混合ガス中心側供給源173は、マスフローコントローラ173cが接続されたV族系中心側混合配管173aによりシャワーヘッド130に接続されている。MOCVD装置100は、MOCVD装置100に含まれる全てのマスフローコントローラを制御する制御部190を備えている。制御部190は、配線191によりIII族系混合ガス縁側供給源170と接続され、配線192によりV族系混合ガス縁側供給源171と接続され、配線193によりIII族系混合ガス中心側供給源172と接続され、配線194によりV族系混合ガス中心側供給源173と接続されている。III族系混合ガス縁側供給源170における混合ガスの流量を調整する全てのマスフローコントローラは、III族系混合ガス縁側供給源170を介して図示しない配線により制御部190と接続されている。V族系混合ガス縁側供給源171における混合ガスの流量を調整する全てのマスフローコントローラは、V族系混合ガス縁側供給源171を介して図示しない配線により制御部190と接続されている。III族系混合ガス中心側供給源172における混合ガスの流量を調整する全てのマスフローコントローラは、III族系混合ガス中心側供給源172を介して図示しない配線により制御部190と接続されている。V族系混合ガス中心側供給源173における混合ガスの流量を調整する全てのマスフローコントローラは、V族系混合ガス中心側供給源173を介して図示しない配線により制御部190と接続されている。図3に示すように、MOCVD装置100は、キャリアガス供給源180、第1III族材料ガス供給源181、第2III族材料ガス供給源182、第1V族材料ガス供給源183、第2V族材料ガス供給源184、第1ドーピング材料ガス供給源185、および、第2ドーピング材料ガス供給源186を備えている。キャリアガス供給源180は、キャリアガスとして、たとえば、H2ガスを供給する。キャリアガス供給源180は、キャリアライン180aに接続されている。キャリアライン180aは、マスフローコントローラA1,A2,B1,B2,C2,D2,G1,G2,H1,H2と接続されている。また、キャリアライン180aは、キャリアライン180bおよびキャリアライン180cと接続されている。キャリアライン180bは、マスフローコントローラE1が接続されたIII族系縁側混合配管170bと、マスフローコントローラE2が接続されたIII族系中心側混合配管172bとに分岐されている。キャリアライン180cは、マスフローコントローラF1が接続されたV族系縁側混合配管171bと、マスフローコントローラF2が接続されたV族系中心側混合配管173bとに分岐されている。第1III族材料ガス供給源181は、たとえば、TMGガスを供給する。第1III族材料ガス供給源181は、バブリング装置に接続されている。このバブリング装置の導入側は、バルブを介して、マスフローコントローラA1が接続されたキャリアラインと接続されている。このバブリング装置の導出側は、バルブを介して、マスフローコントローラA2が接続されたキャリアラインと接続されている。マスフローコントローラA2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラA3およびマスフローコントローラA4を備えたガス分岐機構A5により分岐されている。マスフローコントローラA3が接続されている側は、III族系縁側混合配管170bに接続されている。マスフローコントローラA4が接続されている側は、III族系中心側混合配管172bに接続されている。第2III族材料ガス供給源182は、たとえば、TMAガスを供給する。第2III族材料ガス供給源182は、バブリング装置に接続されている。このバブリング装置の導入側は、バルブを介して、マスフローコントローラB1が接続されたキャリアラインと接続されている。このバブリング装置の導出側は、バルブを介して、マスフローコントローラB2が接続されたキャリアラインと接続されている。マスフローコントローラB2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラB3およびマスフローコントローラB4を備えたガス分岐機構B5により分岐されている。マスフローコントローラB3が接続されている側は、III族系縁側混合配管170bに接続されている。マスフローコントローラB4が接続されている側は、III族系中心側混合配管172bに接続されている。第1ドーピング材料ガス供給源185は、たとえば、Cp2Mgガスを供給する。第1ドーピング材料ガス供給源185は、バブリング装置に接続されている。このバブリング装置の導入側は、バルブを介して、マスフローコントローラG1が接続されたキャリアラインと接続されている。このバブリング装置の導出側は、バルブを介して、マスフローコントローラG2が接続されたキャリアラインと接続されている。マスフローコントローラG2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラG3およびマスフローコントローラG4を備えたガス分岐機構G5により分岐されている。マスフローコントローラG3が接続されている側は、III族系縁側混合配管170bに接続されている。マスフローコントローラG4が接続されている側は、III族系中心側混合配管172bに接続されている。第2ドーピング材料ガス供給源186は、たとえば、SiH4ガスを供給する。第2ドーピング材料ガス供給源186は、バブリング装置に接続されている。このバブリング装置の導入側は、バルブを介して、マスフローコントローラH1が接続されたキャリアラインと接続されている。このバブリング装置の導出側は、バルブを介して、マスフローコントローラH2が接続されたキャリアラインと接続されている。マスフローコントローラH2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラH3およびマスフローコントローラH4を備えたガス分岐機構H5により分岐されている。マスフローコントローラH3が接続されている側は、III族系縁側混合配管170bに接続されている。マスフローコントローラH4が接続されている側は、III族系中心側混合配管172bに接続されている。第1V族材料ガス供給源183は、たとえば、NH3ガスを供給する。第1V族材料ガス供給源183は、マスフローコントローラC1が接続された配管の一端と接続されている。この配管の他端側は、マスフローコントローラC2が接続されたキャリアラインに接続されている。マスフローコントローラC2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラC3およびマスフローコントローラC4を備えたガス分岐機構C5により分岐されている。マスフローコントローラC3が接続されている側は、V族系縁側混合配管171bに接続されている。マスフローコントローラC4が接続されている側は、V族系中心側混合配管173bに接続されている。第2V族材料ガス供給源184は、たとえば、AsH3ガスを供給する。第2V族材料ガス供給源184は、マスフローコントローラD1が接続された配管の一端と接続されている。この配管の他端側は、マスフローコントローラD2が接続されたキャリアラインに接続されている。マスフローコントローラD2が接続されたキャリアラインは、微差圧仕様のマスフローコントローラD3およびマスフローコントローラD4を備えたガス分岐機構D5により分岐されている。マスフローコントローラD3が接続されている側は、V族系縁側混合配管171bに接続されている。マスフローコントローラD4が接続されている側は、V族系中心側混合配管173bに接続されている。以下に、各材料ガスの供給方法について説明する。マスフローコントローラA1にてキャリアガスをバブリング装置内に導入し、シリンダ内でバブリングしてTMGガスを発生させる。マスフローコントローラA1から導入されるキャリアガスの流量により、TMGガスの発生量が決定される。発生したTMGガスは、マスフローコントローラA2から送られたキャリアガスと混合される。マスフローコントローラA2から送られるキャリアガスの流量により、TMGガスの濃度および総流量が決定される。キャリアガスと混合されたTMGガスの一部は、マスフローコントローラA3にて流量制御されてIII族系縁側混合配管170bに送られる。キャリアガスと混合されたTMGガスの残部は、マスフローコントローラA4にて流量制御されてIII族系中心側混合配管172bに送られる。同様に、キャリアガスと混合されたTMAガスの一部は、マスフローコントローラB3にて流量制御されてIII族系縁側混合配管170bに送られる。キャリアガスと混合されたTMAガスの残部は、マスフローコントローラB4にて流量制御されてIII族系中心側混合配管172bに送られる。キャリアガスと混合されたCp2Mgガスの一部は、マスフローコントローラG3にて流量制御されてIII族系縁側混合配管170bに送られる。キャリアガスと混合されたCp2Mgガスの残部は、マスフローコントローラG4にて流量制御されてIII族系中心側混合配管172bに送られる。キャリアガスと混合されたSiH4ガスの一部は、マスフローコントローラH3にて流量制御されてIII族系縁側混合配管170bに送られる。キャリアガスと混合されたSiH4ガスの残部は、マスフローコントローラH4にて流量制御されてIII族系中心側混合配管172bに送られる。このように、III族系縁側混合配管170bおよびIII族系中心側混合配管172bの各々において、複数のIII族系材料ガスおよび複数のドーピング材料ガスが混合される。さらに、マスフローコントローラE1にてキャリアガスが流量制御されてIII族系縁側混合配管170bに送られる。マスフローコントローラE1から送られるキャリアガスの流量により、III族系混合ガス縁側供給源170に到達する混合ガスの総流量が決定される。マスフローコントローラE2にてキャリアガスが流量制御されてIII族系中心側混合配管172bに送られる。マスフローコントローラE2から送られるキャリアガスの流量により、III族系混合ガス中心側供給源172に到達する混合ガスの総流量が決定される。同様に、マスフローコントローラC1にて流量を調整して第1V族材料ガス供給源183からNH3ガスを送出する。NH3ガスは、マスフローコントローラC2から送られたキャリアガスと混合される。マスフローコントローラC2から送られるキャリアガスの流量により、NH3ガスの濃度および総流量が決定される。キャリアガスと混合されたNH3ガスの一部は、マスフローコントローラC3にて流量制御されてV族系縁側混合配管171bに送られる。キャリアガスと混合されたNH3ガスの残部は、マスフローコントローラC4にて流量制御されてV族系中央側混合配管173bに送られる。同様に、キャリアガスと混合されたAsH3ガスの一部は、マスフローコントローラD3にて流量制御されてV族系縁側混合配管171bに送られる。キャリアガスと混合されたAsH3ガスの残部は、マスフローコントローラD4にて流量制御されてV族系中央側混合配管173bに送られる。このように、V族系縁側混合配管171bおよびV族系中央側混合配管173bの各々において、複数のV族系材料ガスが混合される。さらに、マスフローコントローラF1にてキャリアガスが流量制御されてV族系縁側混合配管171bに送られる。マスフローコントローラF1から送られるキャリアガスの流量により、V族系混合ガス縁側供給源171に到達する混合ガスの総流量が決定される。マスフローコントローラF2にてキャリアガスが流量制御されてV族系中心側混合配管173bに送られる。マスフローコントローラF2から送られるキャリアガスの流量により、V族系混合ガス中心側供給源173に到達する混合ガスの総流量が決定される。上記のように、MOCVD装置100は、シャワーヘッド130に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管を備えている。また、MOCVD装置100は、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構A5,B5,C5,D5,G5,H5を備えている。複数のガス分岐機構A5,B5,C5,D5,G5,H5の各々は、複数の材料ガスの各々の分岐比率を個別に調節する。すなわち、制御部190により複数のガス分岐機構A5,B5,C5,D5,G5,H5の各々が互いに独立して制御される。本実施形態においては、複数のガス分岐機構A5,B5,C5,D5,G5,H5の各々は、2つの微差圧仕様のマスフローコントローラにより構成されているが、ガス分岐機構はフロースプリッタで構成されていてもよい。シャワーヘッド130は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ120上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。具体的には、たとえば、マスフローコントローラA3とマスフローコントローラA4との流量比と、マスフローコントローラB3とマスフローコントローラB4との流量比とを、異なるように設定することにより、III族系混合ガス縁側供給源170とIII族系混合ガス中心側供給源172とにおける複数のIII族材料ガスの混合比を調整できる。同様に、V族系混合ガス縁側供給源171とV族系混合ガス中心側供給源173とにおける複数のV族材料ガスの混合比を調整できる。また、複数のIII族材料ガスの混合比を一定にした状態で、サセプタ120の縁側領域に噴き付けられる混合ガス中のIII族系混合ガスとV族系混合ガスとの流量比と、中心側領域に噴き付けられる混合ガス中のIII族系混合ガスとV族系混合ガスとの流量比とを調整することができる。具体的には、たとえば、マスフローコントローラA3,A4,B3,B4,C3,C4の流量をそれぞれ、LA3,LA4,LB3,LB4,LC3,LC4とする。LA3:LA4=LB3:LB4を満たしつつ、LC3/LA3LB3=LC4/LA4LB4を満たすようにすれば、サセプタ120の縁側領域と中心側領域とにおいて、噴き付けられるIII族系混合ガスとV族系混合ガスとの流量比を同一にすることができる。逆に、LC3およびLC4が上記の関係を満たさないように設定することにより、サセプタ120の縁側領域と中心側領域とにおいて、噴き付けられるIII族系混合ガスとV族系混合ガスとの流量比を異なるようにすることができる。なお、上記の関係式は、V族材料ガスを一種類のみ使用している場合を規定している。上記のように、本実施形態に係るMOCVD装置100においては、サセプタ120上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整できる。その結果、多数枚、大面積の被処理基板10を処理する場合に、成長した結晶の層厚、組成、不純物添加量の均一性の全てを被処理基板10上で充分なものとすることができる。すなわち、複数の被処理基板10の各々において、均一な膜厚および膜特性を有する化合物半導体結晶を成長させることができる。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"