金属ナノ粒子焼結層を介在させて実装基板に実装する半導体素子であって、当該半導体素子における半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に形成され、Niを含むNi含有金属層と、前記Ni金属含有層における前記半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されたNiバリア金属層と、前記Niバリア金属層における前記半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成され、前記金属ナノ粒子焼結層に接続する表面金属層と、を備えた電極を有し、前記Niバリア金属層は、前記Niが前記表面金属層への拡散を低減する金属を含んだことを特徴とする半導体素子。前記半導体素子構造部の少なくとも一方の表面に形成された金属シリサイド層と、前記金属シリサイド層における前記半導体素子構造部と反対側の表面に形成された密着金属層と、を備え、前記Ni含有金属層は、前記密着金属層における前記半導体素子構造部と反対側の表面に形成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。前記Niバリア金属層は、Cuを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。前記Niバリア金属層は、Cu金属、あるいはCuを含有した合金より構成されることを特徴とする請求項3記載の半導体素子。前記表面金属層は、貴金属を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体素子。前記表面金属層は、Au、Pt、Ag、Ir、Cuの単金属あるいは1種以上を含有することを特徴とする請求項5記載の半導体素子。前記密着金属層は、Ti、Cr、Ta、Nb、Mo、Zrの内の少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の半導体素子。前記半導体素子構造部がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体素子。前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項8記載の半導体素子。実装基板と、前記実装基板に金属ナノ粒子焼結層を介在させて実装された半導体素子と、を備え、前記半導体素子は、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体素子であることを特徴とする半導体装置。金属ナノ粒子焼結層を介在させて実装基板に実装する半導体素子の製造方法であって、前記半導体素子における半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に、Niを含むNi含有金属層を形成するNi含有金属層形成工程と、前記Ni含有金属層における前記半導体素子構造部と反対側よりも外側にNiバリア金属層を形成するNiバリア金属層形成工程と、前記Niバリア金属層における前記半導体素子構造部と反対側よりも外側に、前記金属ナノ粒子焼結層に接続する表面金属層を形成する表面金属層形成工程と、を含み、前記Niバリア金属層は、前記Niが前記表面金属層への拡散を低減する金属を含んだことを特徴とする半導体素子の製造方法。しかしながら、上記電極構造を有する半導体素子を金属ナノ粒子ペーストにより実装基板と接合した場合、上記電極構造では、実装基板に実装された後の高温動作により、Ni層第2金属層のNiとAu層第3金属層のAuが相互拡散し、金属ナノ粒子焼結層との密着性がないNi層が電極の表面層のAu層の最表面にでてくるため、半導体素子の電極と金属ナノ粒子焼結層とが、再現性良くかつ十分な接合強度を得ることが難しかった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、半導体素子が高温、特に175°C以上で動作した場合にも、半導体素子と金属ナノ粒子焼結層とが、十分長時間安定に密着することができる電極を有する半導体素子を得ることを目的としている。本発明に係る半導体素子は、半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に形成され、Niを含むNi含有金属層と、Ni含有金属層における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されたNiバリア金属層と、Niバリア金属層における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成され、金属ナノ粒子焼結層に接続する表面金属層と、を備えた電極を有し、Niバリア金属層は、Niが表面金属層への拡散を低減する金属を含んだものである。本発明によれば、半導体素子の電極内にNiの拡散を低減させる金属を含んだNiバリア金属層を挿入したので、半導体素子を実装基板に実装後の高温動作の際に、半導体素子と金属ナノ粒子焼結層との間に、長時間安定した密着強度を実現することができる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1による半導体素子の電極の断面外略図であり、図2は本発明の実施の形態1による半導体装置の製造方法を説明する図である。半導体素子1は、ショットキーダイオード、MOSMetalOxideSemiconductorトランジスタやバイポーラトランジタ等のパワー半導体素子等である。本発明は、半導体素子の電極形成部に金属シリサイドを含む多層構造の電極が形成される半導体素子に適用できるものである。半導体素子1は、半導体基板11の片方の表面に、金属シリサイド層2、第1金属層3、第2金属層4、第3金属層5、第4金属層6が、順次形成されている。なお、電極を形成する前に、半導体基板11には、半導体素子1の半導体素子構造部、すなわちショットキーダイオード、MOSトランジスタやバイポーラトランジタ等の電極を除いた構造が形成されている。図において、半導体素子1の半導体素子構造部は省略した。本実施の形態1では、半導体基板11として炭化珪素基板を用いた。この炭化珪素基板としては、特に限定される必要はなく、公知のものを用いることができる。この炭化珪素基板の少なくとも片面、すなわち電極形成部を有する片面に、スパッタリング法等公知の方法によって、第1金属層3、第2金属層4、第3金属層5、第4金属層6として、それぞれTi層、Ni層、Cu層、Au層などの金属層を形成することができる。形成される金属層のそれぞれの厚さは、特に限定されることはなく、製造される半導体素子1の大きさに合わせて、適宜調整すればよいが、一般的に、10nmから2000nm以下である。半導体素子の電極構造の特性を調査や研究し、半導体素子の電極構造を開発する際には、動作可能な半導体素子が形成されていない半導体基板に、金属シリサイド層2、第1金属層3、第2金属層4、第3金属層5、第4金属層6が、順次形成されたものを用いることができる。これ以後、半導体素子1は、動作可能な半導体素子が形成されていない半導体基板11に電極構造を設けたものを使用する場合で説明する。半導体素子1の電極製造方法を説明する。炭化珪素基板11の片方の表面に、金属シリサイド層2を形成するための金属層を所定の厚さ、例えば厚さ50nmで形成し、その後真空雰囲気下でその金属シリサイド層に応じた条件にて熱処理を行うことにより、前記所定の厚さ程度例えば50nm程度の金属シリサイド層2を形成する金属シリサイド層形成工程。スパッタリング法等を用いて、金属シリサイド層2の表面に、金属シリサイド層2に密着する密着層となる第1金属層密着金属層3を形成する第1金属層形成工程、密着金属層形成工程。第1金属層3の基板面側とは反対面側に、スパッタリング法等を用いて、Niを含む第2金属層Ni含有金属層4を形成する第2金属層形成工程、Ni含有金属層形成工程。第2金属層4の基板面側とは反対面側に、スパッタリング法等を用いて、Cuを含む第3金属層Niバリア金属層5を形成する第3金属層形成工程、Niバリア金属層形成工程。第3金属層5の基板面側とは反対面側に、スパッタリング法等を用いて、表面金属層である貴金属を含む第4金属層6を形成する第4金属層形成工程、表面金属層形成工程。第1金属層3を形成する金属は、Ti、Crクロム、Taタンタル、Nbニオブ、Moモリブデン、Zrジルコニウムのいずれかの単金属、またはTi、Cr、Ta、Nb、Mo、Zrの少なくとも1種を含有する合金を用いることができる。第2金属層4は、Ni金属、またはNiを含有した合金を用いることができる。第3金属層5は、Cu金属、またはCuを含有した合金を用いることができる。第4金属層6は、Au、Pt白金、Ag、Irイリジウム、Cuのいずれかの単金属、またはAu、Pt、Ag、Ir、Cuの少なくとも1種を含有する合金を用いることができる。図2を用いて、本発明の実施の形態1による半導体装置の製造方法を説明する。図2aは接合前の半導体素子及び実装基板を示す図であり、図2bは接合後の半導体装置を示す図である。半導体素子1を実装する実装基板15は以下のように製造する。ベース板8の表面に、所定の開口径を有するステンレスマスクを用いて、金属ナノ粒子ペースト層7を印刷等により形成し、実装基板1515aを得る。金属ナノ粒子ペースト層7の表面に、半導体素子1を搭載し、接合前の半導体装置を得る。上記で得られた接合前の半導体装置を、接合装置を用いて、所定の圧力で加圧をしながら、所定の温度で所定の時間保持することにより、金属ナノ粒子ペースト層7に含有する金属ナノ粒子同士が焼結し、金属ナノ粒子ペースト層7は金属ナノ粒子焼結層9に変化する。その後、空冷させることにより、金属ナノ粒子焼結層9を有する実装基板1515bに半導体素子1が接合され、密着された半導体装置20を得る。金属ナノ粒子ペースト層7を形成する金属ナノ粒子ペーストは、Agナノ粒子ペーストやCuナノ粒子ペーストを用いることがきる。第3金属層5は、第2金属層4のNiが第4金属層6への拡散を低減させることができ、Niバリア金属層となる。ここでは、第3金属層5のCuがNiバリア金属として作用することを説明する。図3はNiの拡散係数のアレニウスプロットを示す図である。縦軸は拡散係数Dcm2/sであり、横軸は絶対温度Tの逆数、1000/TK-1である。特性線31はNiとAuとの相互拡散における拡散係数の特性を示し、特性線32はCu金属へのNiの拡散における拡散係数の特性を示している。特性線31のデータは、P.W.Lees他によるINTERDIFFUSIONBETWEENCONNECTORCONTACTMATERIALSANDNICKELDIFFUSIONBARRIERSDURINGPRECIPITATIONHARDENINGOFHIGHPERFORMANCESPRINGMATERIALS、ProceedingsoftheFortiethIEEEHolmConferenceonElectricalContacts189文献1に記載された図3以降、図Aに基づくものである。特性線32のデータは、A.M.Abdul-LettifによるInvestigationofinterdiffusionincoppernickelbilayerthinfilms、SienceDirectPhysicaB388107文献2に記載された図3以降、図Bに基づくものである。図3の白丸で示したデータは、文献1の図Aにおける黒三角LeesGrainBoundaryで示されたものであり、図3の黒丸で示したデータは、文献1の図Aにおける×印で示されたものである。図3の白四角で示したデータは、文献2の図Bにおける黒ひし形で示されたものである。比較線33は、特性線31を縦軸方向に1/100だけ移動にしたものである。ほぼ300°C573Kにおいて上記文献1及び2に示された拡散係数Dを示す。文献1には、315°C588KでのNiとAuとの相互拡散における拡散係数は、約1×10-13であることが示されている。これに対して、文献2には、300°C573KでのCu金属へのNiの拡散における拡散係数は、4.3×10-16であることが示されている。ほぼ300°C573Kにおいて、Cu金属へのNiの拡散における拡散係数は、NiとAuとの相互拡散における拡散係数よりも約1/100倍になっている。すなわち、NiのCuへの拡散は、NiのAuへの拡散より約1/100倍遅くなっている。このため、高温にて動作する半導体素子の電極構造にCu層を挿入することで、Cu層がCu層よりも外側半導体素子の表面側のAu層第4金属層6の1種類へのNi拡散を阻害し、実用的な累積動作時間においてAu層とNi層との間で相互拡散がほぼ生じないようにできる。Cu層がAu層とNi層との間に挿入された半導体素子の電極構造は、金属ナノ粒子焼結層9とは密着性がないNi層がAu層の最表面に形成されないようにできるため、Au層と金属ナノ粒子焼結層9との間で、長時間安定した密着強度が維持できる。金属ナノ粒子ペースト層7に接触し、電極の最表面に形成された第4金属層6を構成する元素はAu以外にもPt、Ag、Ir、Cuを用いることができる。第4金属層6を構成する元素がPt、Ag、Ir、Cuであっても、半導体素子の電極構造にCu層を挿入することで、Cu層がCu層よりも外側の第4金属層6へのNi拡散を阻害することができる。したがって、半導体素子の電極構造における第4金属層6とNi層4との間にCu層6を挿入することで、金属ナノ粒子焼結層9とは密着性がないNi層が第4金属層6の最表面に、形成されないようにできるため、第4金属層6と金属ナノ粒子焼結層9との間で、長時間安定した密着強度が維持できる。図3において、特性線31を引いた全温度範囲において、特性線32の拡散係数Dは比較線33とほぼ同じかそれ以下になっている。したがって、特性線31を引いた全温度範囲において、NiのCuへの拡散は、NiのAuへの拡散より約1/100倍遅くなっている。炭化珪素基板に形成された半導体素子は175°C448K以上で動作可能なので、炭化珪素基板に形成された半導体素子が動作可能な範囲において、電極構造におけるAu層とNi層との間にCu層を挿入することで、Au層と金属ナノ粒子焼結層9との間で、長時間安定した密着強度が維持できる。同様に、Pt、Ag、Ir、Cuを含む第4金属層6でも、第4金属層6と金属ナノ粒子焼結層9との間で、長時間安定した密着強度が維持できる。今まで、第2金属層Ni含有金属層4は第1金属層密着金属層3の面に形成され、第3金属層Niバリア金属層5、第4金属層表面金属層6が順次形成される場合で説明したが、第3金属層Niバリア金属層5は第2金属層Ni含有金属層4よりも導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されていればよい。また、第4金属層表面金属層6は、第3金属層Niバリア金属層5よりも導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されていればよい。このような電極構造であっても、半導体素子1の電極内にNiの拡散を低減させる金属を含んだNiバリア金属層5を有することにより、金属ナノ粒子焼結層9とは密着性がないNi層が第4金属層6の最表面に、形成されないようにできるため、半導体素子1を実装基板15に実装後の高温動作の際に、半導体素子1と金属ナノ粒子焼結層9との間に、長時間安定した密着強度を実現することができる。実施の形態1の半導体素子によれば、半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に形成され、Niを含むNi含有金属層4と、Ni含有金属層4における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されたNiバリア金属層5と、Niバリア金属層5における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成され、金属ナノ粒子焼結層9に接続する表面金属層6と、を備えた電極を有し、Niバリア金属層5は、Niが表面金属層6への拡散を低減する金属を含んだものであるので、半導体素子1の電極内にNiの拡散を低減させる金属を含んだNiバリア金属層を有することにより、半導体素子1を実装基板15に実装後の高温動作の際に、半導体素子1と金属ナノ粒子焼結層9との間に、長時間安定した密着強度を実現することができる。実施の形態1の半導体装置によれば、実装基板15と、実装基板15に金属ナノ粒子焼結層9を介在させて実装された半導体素子1と、を備え、半導体素子1は、半導体素子1における半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に形成され、Niを含むNi含有金属層4と、Ni含有金属層4における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成されたNiバリア金属層5と、Niバリア金属層5における半導体素子構造部と反対側よりも外側に形成され、金属ナノ粒子焼結層9に接続する表面金属層6と、を備えた電極を有し、Niバリア金属層5は、Niが表面金属層6への拡散を低減する金属を含んだものであるので、半導体素子の電極内にNiの拡散を低減させる金属を含んだNiバリア金属層を有することにより、この半導体素子を実装基板に実装した半導体装置は、半導体素子と金属ナノ粒子焼結層との間に、長時間安定した密着強度を実現することができる。実施の形態1の半導体素子の製造方法によれば、半導体素子1における半導体素子構造部の少なくとも一方の面側に、Niを含むNi含有金属層4を形成するNi含有金属層形成工程と、Ni含有金属層4における半導体素子構造部と反対側よりも外側にNiバリア金属層5を形成するNiバリア金属層形成工程と、Niバリア金属層5における半導体素子構造部と反対側よりも外側に、金属ナノ粒子焼結層9に接続する表面金属層6を形成する表面金属層形成工程と、を含み、Niバリア金属層5は、Niが表面金属層6への拡散を低減する金属を含んだものであるので、半導体素子1の電極内にNiの拡散を低減させる金属を含んだNiバリア金属層を有することにより、半導体素子1を実装基板15に実装後の高温動作の際に、半導体素子1と金属ナノ粒子焼結層9との間に、長時間安定した密着強度を実現することができる。なお、高温動作対応の半導体素子は、炭化珪素SiC以外に、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いることができる。たとえば、スイッチング素子や整流素子として機能する半導体素子1に、炭化珪素SiCや、窒化ガリウム系材料又はダイヤモンドを用いた場合、従来から用いられてきた珪素Siで形成された素子よりも電力損失が低いため、電力用半導体装置等の高温動作対応の半導体装置の高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、半導体装置の小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、ヒートシンクの放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、半導体装置の一層の小型化が可能になる。以下、実施例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。[実施例1]半導体素子1を模擬するものとして、厚さ500μmの炭化珪素基板を用意した。なお、所定の回路パターンが形成された炭化珪素基板を用いてもよい。金属シリサイド層2を形成するための金属層として、スパッタリング法を用いて厚さ50nmでニッケル層を形成し、その後真空雰囲気下で800°C、1時間の熱処理を行うことにより、厚さ50nm程度のニッケルシリサイド層を形成することができる。スパッタリング法を用いて、金属シリサイド層2の表面に、第1金属層3として厚さ200nmのTi層、Ti層表面に第2金属層4として厚さ200nmのNi層、Ni層表面に第3金属層5として厚さ200nmのCu層、第4金属層6としてCu層表面に厚さ200nmのAu層を順次形成した。この後、ダイシング工程にて50mm□50mm平方、□は平方を意味する。サイズに切断し、洗浄したものを、半導体素子1として用いた。次に、半導体素子1を実装する実装基板15を用意する。まず、ベース板8は、面積10mm□、厚さ10mmのCu板表面に厚さ5μmのAgめっきを施した。このベース板8の表面に、開口径が、6mm□で、厚さ02mmのステンレスマスクを用いて、金属ナノ粒子ペースト層7としてAgナノ粒子ペーストを印刷し、上記Agナノ粒子ペースト層7の表面に、半導体素子1を搭載し、接合前の半導体装置を得た。Agナノ粒子ペーストとしては、例えば、DOWA社製造T2W-A2を用いることができる。接合装置は、アスリートFA社製造の加熱圧着ユニットAP-100Mを用いた。上記で得られた接合前の半導体装置を、100°C、10min間のプリヒート処理を行った後、5MPaの加圧をしながら、350°Cまで昇温し、350°Cに到達してから、5分間保持することにより、Agナノ粒子ペーストに含有するAgナノ粒子同士が焼結し、金属ナノ粒子焼結層9を形成する。その後、空冷させることにより、半導体装置20を得た。半導体装置20は、3個作製した。このように構成された半導体装置20を、250°C、1000hで、高温に保持し、200hごとにDage社製造のダイシェアテスターHS4000のシェア測定器による密着強度測定を行った。密着強度判定は、30kgf/チップ以上を密着性異常なしとし、30kgf/チップ未満で強度低下有りとした。図4に測定結果を示した。図4は、本発明の実施例及び比較例における結果を一覧にして示した図である。なお、比較例は後述する。図4からわかるように、本実施例のCu層を挿入したサンプルサンプル2-1、2-2、2-3は、1000h経過しても、密着強度低下が見られなかった。1000h経過後のサンプルサンプル2-1、2-2、2-3を、波長分散型X線分析を用いて半導体素子電極の元素分析を行った。Ni層4のNiのAu層6の側への拡散が、Cu層5の挿入により阻害されていた。したがって、実施例1の半導体装置20は、250°C、1000h保持後においても、図5に示すように電極構造の変化が見られなかった。図5は、本発明の実施の形態1による半導体装置の250°C保持後の電極構造を説明する図である。図5aは高温保持前の半導体装置20を示し、図5bは高温保持後の半導体装置20を示している。[比較例1]実施例1のサンプルと比較する比較サンプルの作製は、以下の方法で行った。厚さ500μmの炭化珪素基板11の片方の表面に、実施例1と同じ方法で、厚さ50nm程度のニッケルシリサイド層金属シリサイド層2を形成した。スパッタリング法を用いて、金属シリサイド層2の表面に、第1金属層3として厚さ200nmのTi層、第2金属層4としてTi層表面に厚さ200nmのNi層、第3金属層6としてNi層表面に厚さ200nmのAu層を順次形成した。この後、ダイシング工程にて50mm□サイズに切断し、洗浄したものを、半導体素子3535a、図6参照として用いた。半導体装置の製造方法は、実施例1と同様である。半導体素子35が実装基板1515bに実装された半導体装置4040a、図6参照は、3個作製した。このように構成された半導体装置4040aを、実施例1と同様に、250°C、1000hで、高温に保持し、200hごとにDage社製造のダイシェアテスターHS4000のシェア測定器による密着強度測定を行った。図4に示したように、実施例1とは異なり、Cu層6を挿入していない比較例のサンプルは、200hで密着強度低下するものサンプル1-1、1-3があった。図6は、比較例1による半導体装置の250°C保持後の電極構造を説明する図である。図6aは高温保持前の半導体装置4040aを示し、図6bは高温保持後の半導体装置4040bを示している。200h経過後のサンプルサンプル1-1、1-3を、波長分散型X線分析を用いて半導体素子電極の元素分析を行った。200h経過後に密着強度が低下した素子電極の元素分析では、実施例1と異なり、Ni層4のNiとAu層6のAuが相互拡散し、Au最表面においてNi元素が検出された。したがって、比較例1の半導体装置40bは、250°C、200h保持後において、図6に示すように電極構造の変化が見られた。すなわち、高温保持前の半導体装置40aにおけるNi層第2金属層4のNiとAu層第4金属層6のAuが相互拡散し、第2金属層の金属Niと第3金属層の金属Auとの拡散層相互拡散層10が形成された。高温保持後の半導体装置40bは、その電極構造が金属シリサイド層2、第1金属層3、相互拡散層10からなる多層構造になっていた。