ストローク方向に直線移動する可動部の位置を検出する位置検出装置であって、前記可動部に対し相対移動する固定部と、前記可動部または前記固定部のいずれか一方に設けられ、前記ストローク方向と直交する方向において磁束の発生する方向が同じであり、前記ストローク方向に互いに離間している第1磁束発生手段および第2磁束発生手段と、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段の磁束が発生する方向の端部から所定距離離れて位置するよう、前記可動部または前記固定部のいずれか他方に設けられ、前記ストローク方向に直交する感磁面を有し、当該感磁面に直交する磁束の密度に応じた信号を出力する磁束検出手段と、を備えることを特徴とする位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、N極が前記磁束検出手段側に向くよう磁束を発生することを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、S極が前記磁束検出手段側に向くよう磁束を発生することを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。前記磁束検出手段と一体に設けられ、前記ストローク方向に直交する方向の磁束を発生する第3磁束発生手段をさらに備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記第3磁束発生手段の磁束が発生する方向は、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段の磁束が発生する方向と逆であることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。前記第3磁束発生手段の磁束が発生する方向は、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段の磁束が発生する方向と同じであることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段の前記磁束検出手段とは反対側の端部と、前記第2磁束発生手段の前記磁束検出手段とは反対側の端部とを接続するヨークをさらに備えることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記ヨークは、板状の底壁を有し、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、前記底壁の前記磁束検出手段と対向する面に設けられていることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記ヨークは、前記底壁の前記ストローク方向の両端部から前記磁束検出手段側に立設されている第1側壁および第2側壁をさらに有し、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、前記第1側壁と前記第2側壁との間に設けられていることを特徴とする請求項8に記載の位置検出装置。前記ヨークは、前記底壁の一方の面を含む平面において前記ストローク方向に直交する方向の両端部から、前記第1側壁および前記第2側壁と同じ方向に立設されている第3側壁および第4側壁をさらに有し、前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、前記第3側壁と前記第4側壁との間に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の位置検出装置。前記ヨークは、前記第1側壁および前記第2側壁の前記底壁とは反対側の端部を接続する頂壁をさらに有することを特徴とする請求項9または10に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、それぞれ前記底壁の前記ストローク方向の両端に設けられていることを特徴とする請求項8~11のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段と前記第1側壁または前記第2側壁のいずれか一方との間、および、前記第2磁束発生手段と前記第1側壁または前記第2側壁のいずれか他方との間には所定の隙間が形成されていることを特徴とする請求項9~12のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段の形状は、直方体であることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、磁気特性が同じであることを特徴とする請求項1~14のいずれか一項に記載の位置検出装置。前記第1磁束発生手段および前記第2磁束発生手段は、磁気特性が異なることを特徴とする請求項1~14のいずれか一項に記載の位置検出装置。ところで、特許文献1に記載の発明では、第1のマグネットおよび第4のマグネットは異なる磁極が対向するよう設けられ、第2のマグネットおよび第3のマグネットも異なる磁極が対向するよう設けられている。また、第1マグネットと第2マグネットおよび第3マグネットと第4マグネットは着磁方向が反対向きになっている。このため、第1のマグネットおよび第2のマグネットと第3のマグネットおよび第4のマグネットとの間の磁束は、第1のマグネットと第4のマグネットとの間、および、第2のマグネットと第3のマグネットとの間に集中する。これにより、出力特性は第1のマグネットと第4のマグネットの間、第2のマグネットと第3のマグネットの間で急激に変化する非線形となる。出力特性が非線形とならないようにするには第1のマグネットと第4のマグネットの間および第2のマグネットと第3のマグネットの間から外れた位置で検出する必要があり、位置検出装置の体格は大きくなる。本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、検出精度の高い小型の位置検出装置を提供することにある。請求項1に係る発明によると、位置検出装置は、ストローク方向に直線移動する可動部の位置を検出し、可動部と相対移動する固定部、第1磁束発生手段、第2磁束発生手段、および、磁束検出手段を備える。第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、可動部または固定部のいずれか一方に設けられ、ストローク方向と直交する方向において磁束の発生する方向が同じであり、ストローク方向に互いに離間している。磁束検出手段は、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の磁束が発生する方向の端部から所定距離離れて位置するよう、可動部または固定部のいずれか他方に設けられ、ストローク方向に直交する感磁面を有し、当該感磁面に直交する磁束の密度に応じて信号を出力する。ここで、直交とは、厳密に直交する状態に限らず、所定角度傾斜して交わる状態も含む。以下、直交との語句を用いた場合、同様の意味とする。ここで、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、ストローク方向と直交する方向において磁束の発生する方向が同じであり、ストローク方向に互いに離間している。第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の異なる磁極が互いに対向していないため、磁束発生手段端面から発生した磁束が広がり、磁束の減少を抑制し、出力特性の直線性を高めることができる。よって、検出精度を高めるとともに小型を図ることができる。ここで、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の配置方向の具現化として、請求項2に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、N極が磁束検出手段側に向くよう磁束を発生する。また、請求項3に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、S極が磁束検出手段側に向くよう磁束を発生する。請求項4に係る発明によると、磁束検出手段と一体に設けられ、ストローク方向に直交する方向に磁束を発生する第3磁束発生手段をさらに備える。磁束検出手段と一体に設けられている第3磁束発生手段により集磁効果を得ることができる。このため、磁束検出手段近傍の磁束密度を高めることができる。よって、磁束検出手段の感度と、検出精度を高めることができる。また、例えば、第1磁束発生手段と第2磁束発生手段との間の距離を大きくすることで、可動部の位置検出範囲を拡大する場合であっても、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の体格を大きくすることなく、検出精度の低下を抑制することができる。よって、位置検出装置を小型にできる。請求項5に係る発明によると、第3磁束発生手段の磁束が発生する方向は、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の磁束が発生する方向と逆である。このため、第3磁束発生手段による集磁効果を向上することができ、磁束検出手段近傍の磁束密度をより高めることができる。また、第3磁束発生手段から発生した磁束の方向と、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段から発生した磁束の方向とが、磁束検出手段の近傍において同じになるため、磁束が大きくなりロバスト性を向上させることができる。また、請求項6に係る発明によると、第3磁束発生手段の磁束が発生する方向は、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の磁束が発生する方向と同じである。請求項7に係る発明によると、第1磁束発生手段の磁束検出手段とは反対側の端部と、第2磁束発生手段の磁束検出手段とは反対側の端部とを接続するヨークをさらに備える。これにより、磁気回路のパーミアンスを高めることで、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の減磁を抑制することができ、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段から発生する磁束の密度を大きくし、信号雑音比を高めることができる。また、ヨークのシールド効果により、外乱磁界の影響を低減することができる。請求項8に係る発明によると、ヨークは、板状の底壁を有する。第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、底壁の磁束検出手段と対向する面に設けられている。これにより、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の磁束検出手段と対向しない端部から発生する磁束を抑制することで、磁束密度が高くなり、外乱磁界に関するロバスト性を向上させることができる。請求項9に係る発明によると、ヨークは、底壁のストローク方向の両端部から磁束検出手段側に立設されている第1側壁および第2側壁をさらに有する。第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、第1側壁と第2側壁との間に設けられている。これにより、ヨークのシールド効果を高めることができ、外乱磁束の影響を低減する効果を高めることができる。請求項10に係る発明によると、ヨークは、底壁の一方の面を含む平面において、ストローク方向に直交する方向の両端部から、第1側壁および第2側壁と同じ方向に立設されている第3側壁および第4側壁をさらに有する。第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、第3側壁と第4側壁との間に設けられている。これにより、ヨークのシールド効果をより高めることができ、外乱磁束の影響を低減する効果をより高めることができる。また、請求項11に係る発明によると、ヨークは、第1側壁および第2側壁の底壁とは反対側の端部を接続する頂壁をさらに有する。これにより、ヨークのシールド効果をより高めることができ、外乱磁束の影響を低減する効果をより高めることができる。請求項12に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、それぞれ底壁のストローク方向の両端に設けられている。これにより、第1磁束発生手段と第2磁束発生手段との間の間隔を大きくすることができ、第1磁束発生手段と第2磁束発生手段との間で移動する磁束検出手段の移動範囲を大きくすることができる。よって、検出範囲を大きくすることができる。請求項13に係る発明によると、第1磁束発生手段と第1側壁または第2側壁のいずれか一方との間、および、第2磁束発生手段と第1側壁または第2側壁のいずれか他方との間には所定間隔を有する。これにより、ヨークに入る磁束が少なくなり、第3磁束発生手段方向への磁束が大きくなることで、第3磁束発生手段の集磁効果をより向上させることができ、磁束検出手段近傍の磁束密度をより高めることができる。請求項14に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の形状は、直方体である。ここで、直方体とは、厳密な直方体に限らず、隣り合う面と面との角度が90度より所定角度大きく形成されているもの、または、面と面との角度が90度より所定角度小さく形成されているものを含む。これにより、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段を単純形状にすることで、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段の加工時および組付け時のバラツキを抑制し、発生磁束を同等にし、位置ずれに対するロバスト性をより向上させることができる。請求項15に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、磁気特性が同じである。これにより、発生磁束を同等にする効果を高めることができ、位置ずれに対するロバスト性を向上させる効果を高めることができる。請求項16に係る発明によると、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段は、磁気特性が異なる。これにより、磁束検出手段の出力が0である位置を任意に設定することができる。よって、磁束検出手段、第1磁束発生手段、および第2磁束発生手段の出力が0となる位置設定の自由度を高めることができる。以下、本発明の複数の実施形態による位置検出装置を図面に基づいて説明する。第1実施形態本発明の位置検出装置は、例えば、自動車のトランスミッション、アクセル、ブレーキ等のストローク部に適用されてストローク部の相対ストローク量を検出するストローク検出装置に用いられる。図3に示すように、ストローク量検出装置10は、位置検出装置1およびECU100電子制御ユニットを備えている。位置検出装置1は、リニアアクチュエータ60のストローク部61と固定部70との相対移動により検出された信号をECU100に出力する。ECU100は、位置検出装置1から出力された信号に基づいて、ストローク部61と固定部70との相対ストローク量を算出し、リニアアクチュエータ60をフィードバック制御する。位置検出装置1の構成を図1aおよび図3に基づいて説明する。位置検出装置1は、図1aに示すように、固定部70、第1磁束発生手段としての第1磁石21、第2磁束発生手段としての第2磁石22、および、磁束検出手段としてのホール素子51を備えている。第1磁石21および第2磁石22は、形状および磁気的特性が同一の永久磁石であり、直方体に形成されている。図3に示すように、第1磁石21と第2磁石22とは、直線移動するストローク部61に設けられ、ストローク部61とともに移動する。ここで、ストローク部61は、特許請求の範囲における可動部に対応する。以下、図1aおよび図3に示すように、ストローク部61の移動方向をX軸方向とし、X軸方向と直交する方向をY軸方向とする。本実施形態では、第1磁石21と第2磁石22とは、略Y軸方向に着磁され、X軸方向に離間するよう設けられている。ここで、略Y軸方向とは、厳密にY軸方向と一致する状態に限らず、Y軸方向に対し、所定角度傾斜する状態も含む。また、第1磁石21および第2磁石22は、S極がストローク部61側に向き、N極がストローク部61とは反対側に向くよう設けられている。ホール素子51は、感磁面511を有し、感磁面511がX軸方向と直交するよう設けられている。ホール素子51は、ホールICチップ50に搭載されている。ホールICチップ50は、第1磁石21および第2磁石22のN極側の端部からY軸方向に所定距離d離れて位置するよう固定部70に固定されている。ストローク部61の直線移動に伴って、第1磁石21および第2磁石22がホール素子51に対して相対移動すると、感磁面511に直交する磁束の密度は、図1bに示すように変化する。また、本実施形態の位置検出装置1の詳細な磁束分布を図2に示す。本実施形態では、磁束ベクトルが0となる位置と、第1磁石21と第2磁石22との間の中点Oとが一致する。ホール素子51の位置が第1磁石21と第2磁石22との間の中点Oと一致する場合、検出された相対位置を0とする。ホール素子51が中点Oに対し、第1磁石21側に位置するときの相対位置を負の値で表し、ホール素子51が中点Oに対し、第2磁石22側に位置したときの相対位置を正の値で表す。ここで、第1実施形態の比較例による位置検出装置について、図13に基づいて説明する。比較例は、上記実施形態と異なり、ホール素子は四つの磁石に囲まれるよう設けられている。つまり、比較例は従来の位置検出装置に類似する。図13aに示すように、ホール素子501は、第1マグネット201、第2マグネット202、第3マグネット203、および第4マグネット204に囲まれるよう設けられている。また、第1マグネット201および第4マグネット204は異なる磁極が対向するよう設けられ、第2マグネット202および第3マグネット203は異なる磁極が対向するようにして設けられている。図13bは、比較例の位置検出装置の詳細な磁束分布を示す。図13bに示すように、第1マグネット201および第2マグネット202と第3マグネット203および第4マグネット204との間の磁束は、第1マグネット201と第4マグネット204との間、および、第2マグネット202と第3マグネット203との間に集中する。これにより、出力特性は第1マグネット201と第4マグネット204との間、第2マグネット202と第3マグネット203との間で急激に変化する非線形となる。ここで、ストローク部61の直線移動に伴って、第1マグネット201、第2マグネット202、第3マグネット203、および第4マグネット204がホール素子501に対して相対移動すると、ホール素子501近傍の磁束密度は図13cに示すように変化する。図13cに示すように、磁束密度の変化を表すグラフ線は、ストローク方向の中間部において線形となっているが、ストローク方向の両端部において線形となっていない。これに対し、本実施形態では、第1磁石21および第2磁石22は、Y軸方向において磁束が発生する方向が同じであり、X軸方向に互いに離間している。これにより、異なる磁極が互いに対向していないため、第1磁石21および第2磁石22の端面から発生する磁束は、Y軸方向において放射状に広がる。よって、磁束の減少を抑制し、出力特性の直線性を高めることができる。また、第1磁石21と第2磁石22との間で磁束の反発が生じることにより、第1磁石21と第2磁石22との間の磁束密度を均一化することができる。よって、第1磁石21と第2磁石22との間の距離が大きくなった場合であっても、ホール素子51の近傍の磁束密度の変化の直線性の低下を抑制することで、検出精度を高めるとともに小型を図ることができる。また、本実施形態では、第1磁石21および第2磁石22は、直方体である。これにより、第1磁石21および第2磁石22を単純形状にすることで、第1磁石21および第2磁石22の加工時および組付け時のバラツキを抑制することができる。また、発生磁束を同等にし、位置ずれに対するロバスト性を向上させることができる。さらに、本実施形態では、第1磁石21と第2磁石22とは形状および磁気特性が同じである。これにより、発生磁束を同等とする効果を高めることができ、位置ずれに対するロバスト性を向上させる効果を高めることができる。次に、第1実施形態の変形例による位置検出装置について、図4に基づいて説明する。図4に示すように、第1実施形態の変形例では、第1磁石21および第2磁石22は、N極がストローク部61と当接し、S極がホール素子51側に向くよう設けられている。このような構成は上記第1実施形態と同様な効果を得ることができる。第2実施形態本発明の第2実施形態の位置検出装置を図5aに示す。なお、第1実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図5aに示すように、本実施形態の位置検出装置2は、第3磁束発生手段としての第3磁石23をさらに備えている。第3磁石23は、Y軸方向に着磁され、ホールICチップ50と一体に設けられている。ここで、第3磁石23は、着磁方向が第1磁石21および第2磁石22の着磁方向と反対となるよう設けられている。つまり、第1磁石21および第2磁石22はS極がストローク部61側に向くよう設けられ、第3磁石23はS極がストローク部61とは反対側に向くよう設けられている。本実施形態では、ストローク部61の直線移動に伴って、第1磁石21および第2磁石22がホール素子51に対して相対移動すると、感磁面511の近傍の磁束密度は図5bに示すように変化する。図5bおよび図1bに示すように、感磁面511の近傍の所定ストローク範囲において、本実施形態の磁束密度の変化範囲は第1実施形態の磁束密度の変化範囲より大きい。以上説明したように、本実施形態では、Y軸方向に着磁され、ホールICチップ50と一体に設けられている第3磁石23により集磁効果を得ることができる。このため、ホール素子51近傍の磁束密度を高めることができる。よって、ホール素子51の感度と、検出精度を高めることができる。また、本実施形態では、第3磁石23は、着磁方向が第1磁石21および第2磁石22の着磁方向と反対となるよう設けられている。このため、第3磁石23による集磁効果を向上することができ、ホール素子51近傍の磁束密度をより高めることができる。また、第3磁石23から発生する磁束の方向と、第1磁石21および第2磁石22から発生する磁束の方向とが同じであるため、ホール素子51近傍の磁束が高くなり、ロバスト性を向上させることができる。次に、第2実施形態の変形例による位置検出装置について、図6に基づいて説明する。図6に示すように、第2実施形態の変形例では、第3磁石23は、着磁方向が第1磁石21および第2磁石22の着磁方向と同じとなるよう設けられている。第3実施形態本発明の第3実施形態の位置検出装置を図7aに示す。なお、上記第2実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図7aに示すように、本実施形態の位置検出装置3は、ヨーク30をさらに備える。ヨーク30は底壁33を有する。底壁33は、磁性材料により板状に形成され、底壁33の一方の面と第1磁石21のS極および第2磁石22のS極とが当接するよう設けられている。また、第1磁石21および第2磁石22は、底壁33のX軸方向の両端にそれぞれ設けられている。本実施形態では、ストローク部61の直線移動に伴って、第1磁石21および第2磁石22がホール素子51に対して相対移動すると、感磁面511の近傍の磁束密度は図7bに示すように変化する。図7bおよび図7bに示すように、感磁面511の近傍の所定ストローク範囲において、第3実施形態の磁束密度の変化範囲は第2実施形態の磁束密度の変化範囲より大きい。以上説明したように、本実施形態では、ヨーク30をさらに備える。このため、磁気回路のパーミアンスを高めることで、第1磁石21および第2磁石22の減磁を抑制することができ、第1磁石21および第2磁石22から発生する磁束の密度を大きくし、信号雑音比を高めることができる。また、ヨーク30のシールド効果により、外乱磁界の影響を低減することができる。よって、上記第1実施形態および第2実施形態に比べ、ホール素子51により検出される磁束密度の低減を抑制することができる図1b、図5bおよび図7b参照。また、本実施形態では、底壁33は板状に形成されている。これにより、ホール素子51と対向しない第1磁石21および第2磁石22の端部から放出される磁束を抑制することで、磁束密度が高くなり、外乱磁界に関するロバスト性を向上させることができる。さらに、本実施形態では、第1磁石21および第2磁石22は、底壁33のX軸方向の両端にそれぞれ設けられている。これにより、第1磁石21と第2磁石22との間の間隔を大きくすることができ、第1磁石21と第2磁石22との間で移動するホール素子51の移動範囲を大きくすることができる。よって、第1磁石21と第2磁石22との配置間隔を大きくすることにより、検出範囲を大きくすることができる。第4実施形態本発明の第4実施形態の位置検出装置を図8に示す。なお、上記第3実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図8に示すように、本実施形態の位置検出装置4のヨーク34は、第1側壁341および第2側壁342をさらに有し、コ字状に形成されることで上記第3実施形態のヨーク30と異なる。ここで、第1側壁341および第2側壁342は、底壁33のX軸方向の両端部からY軸方向に立設されている。また、第1側壁341および第2側壁342は、底壁33のホール素子51側に立設されている。第1磁石21および第2磁石22は、第1側壁341と第2側壁342との間において、底壁33のX軸方向の両端に設けられている。また、第1磁石21は第1側壁342と当接し、第2磁石22は第2側壁343と当接する。以上説明したように、本実施形態では、ヨーク34は、第1側壁341および第2側壁342をさらに有し、第1磁石21および第2磁石22は、第1側壁341と第2側壁342との間に設けられている。これにより、上記第3実施形態に比べ、ヨーク34のシールド効果を高めることができ、外乱磁界の影響を低減する効果を高めることができる。第5実施形態本発明の第5実施形態の位置検出装置を図9に示す。なお、上記第4実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図9に示すように、本実施形態では、第1磁石21および第2磁石22は、第1側壁341と第2側壁342との間に設けられ、底壁33のX軸方向の両端に設けられている。また、第1磁石21と第1側壁342との間、および、第2磁石22と第2側壁343との間には、X軸方向に所定間隔の隙間が形成されている。以上説明したように、本実施形態では、第1磁石21と第1側壁342との間、および、第2磁石22と第2側壁343との間に、X軸方向に所定間隔の隙間が形成されている。これにより、ヨーク34に入る磁束が少なくなり、第3磁石23方向への磁束が大きくなるため、上記第4実施形態に比べ、第3磁石23の集磁効果をさらに向上させることができ、ホール素子51の近傍の磁束密度をさらに高めることができる。第6実施形態本発明の第6実施形態の位置検出装置を図10に示す。なお、上記第5実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図10に示すように、本実施形態の位置検出装置6のヨーク36は、第1側壁341および第2側壁342の底壁33とは反対側に設けられている頂壁363をさらに有し、四角い枠状に形成されていることで上記第5実施形態のヨーク34と異なる。ここで、第1磁石21および第2磁石22は、ヨーク36の内側に収容されている。また、ホールIC50および第3磁石23は、底壁33、第1側壁361、第2側壁362、および、頂壁363により囲まれるようにして固定部70に固定されている。以上説明したように、本実施形態では、第1磁石21、第2磁石22、第3磁石23、およびホールIC50は、ヨーク36により囲まれている。これにより、上記第4実施形態および第5実施形態に比べ、ヨーク36のシールド効果をより高めることができ、外乱磁界の影響を低減する効果をより高めることができる。第7実施形態本発明の第7実施形態の位置検出装置を図11に示す。なお、上記第5実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図11に示すように、本実施形態の位置検出装置7のヨーク37は、第3側壁373および第4側壁374をさらに有し、四角い有底筒状に形成されることで上記第5実施形態のヨーク34と異なる図11b参照。第3側壁373および第4側壁374は、底壁33の一方の面を含む平面において、X軸方向に直交する方向の両端部からY軸方向に立設されている。ここで、第1磁石21および第2磁石22は、ヨーク37の内側に収容されている。また、ホールIC50および第3磁石23は、第1側壁341、第2側壁342、第3側壁373、および、第4側壁374により囲まれるようにして固定部77に固定されている図11aおよび図11b参照。以上説明したように、本実施形態では、第1磁石21、第2磁石22、第3磁石23、およびホールIC50は、第1側壁341、第2側壁342、第3側壁373、および、第4側壁374により囲まれている。これにより、上記第4実施形態および第5実施形態に比べ、ヨーク36のシールド効果をより高めることができ、外乱磁界の影響を低減する効果をより高めることができる。第8実施形態本発明の第8実施形態の位置検出装置を図12に示す。なお、上記第3実施形態と実質的に同一の部位には同一の符号を付し、説明を省略する。図12に示すように、本実施形態の位置検出装置8は、第1磁石21、第2磁石24、ホール素子51、及び、第3磁石23を備えている。第1磁石21および第2磁石24は、直方体に形成されている。本実施形態では、第2磁石24は、第1磁石21より大きく形成されている。ストローク部61の直線移動に伴って、ホール素子51が第1磁石21および第2磁石24に対して相対移動すると、感磁面511が検出する磁束密度は、図12bに示すように変化する。以上説明したように、本実施形態では、第1磁石21と第2磁石24との大きさが異なるため、磁束が0となる位置O1が第1磁石21と第2磁石24との間の中点となる位置O2と異なる。これにより、ホール素子51、第1磁石21、および第2磁石24の磁束が0となる設定位置の自由度を高めることができる。他の実施形態上記実施形態では、磁束発生手段として永久磁石が用いられている。これに対し、他の実施形態では、磁束発生手段として電磁石を用いることとしても良い。上記実施形態では、ホール素子は、第1磁石および第2磁石から所定距離離れて、第1磁石および第2磁石のN極側に設けられている。これに対し、他の実施形態では、ホール素子を第1磁石および第2磁石から所定距離離して、第1磁石および第2磁石のS極側に設けることとしても良い。上記実施形態では、磁石は直方体に形成されている。これに対し、他の実施形態では、磁石を、円柱状または多角形柱状に形成することとしても良い。上記実施形態では、第1磁石および第2磁石がストローク部に設けられ、ホール素子および第3磁石が固定部に設けられている。これに対し、他の実施形態では、ホール素子および第3磁石をストローク部に設け、第1磁石および第2磁石を固定部に設けることとしても良い。上記第2実施形態では、第1磁石および第2磁石の磁束が発生する方向は、第3磁石の磁束が発生する方向と逆である。これに対し、他の実施形態では、第1磁石および第2磁石の磁束が発生する方向と、第3磁石の磁束が発生する方向とが同じであっても良い。上記第7実施形態では、ヨークは、底壁、第1側壁、第2側壁、第3側壁、および第4側壁からなる四角い有底筒状に形成されている。これに対し、第1側壁、第2側壁、第3側壁、第4側壁のいずれかが開いた四角筒状に形成することとしても良い。上記第8実施形態では、大きさが異なる第1磁石および第2磁石を用いている。これに対し、他の実施形態では、大きさが同じであり、磁気特性が異なる第1磁石および第2磁石を用いることとしても良い。以上説明した本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。