半導体基板と、前記半導体基板の表面上に形成された半導体回路形成層と、前記半導体回路形成層内に形成されて、半導体回路を構成するトランジスタと、前記半導体回路形成層の上に形成され、前記半導体回路と電気的に接続された電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された凹部とを備えたことを特徴とする半導体装置。前記半導体基板の裏面上に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記凹部は前記半導体基板の一部を除去して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記凹部は前記金属膜に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記半導体基板上の単位面積当たりに占める前記凹部の面積は、前記半導体基板の面内において分布を有するように設定されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体基板上の単位面積当たりに占める前記凹部の面積は、前記半導体基板の中央部から周辺部に向かって減少するように設定されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記半導体基板の少なくとも裏面から表面まで貫通すると共に、導電性材料からなるプラグが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体基板の少なくとも裏面から表面まで貫通すると共に、導電性材料からなるプラグが形成され、前記プラグは前記金属膜に接触していることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記金属膜はアルミニウムもしくは窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項2、4または8のいずれかに記載の半導体装置。半導体基板の表面上に、半導体回路を構成するトランジスタを含む半導体回路形成層を形成する工程と、前記半導体回路形成層の上に、前記半導体回路と電気的に接続された電極を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側に凹部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体基板の裏面上に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の裏面側に凹部を形成する工程は、前記半導体基板の裏面部を選択的に除去して凹部を形成する工程であることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の裏面を研磨し、前記半導体基板を薄化する工程と、前記半導体基板の薄化の後、前記半導体基板の裏面上に金属膜を形成する工程とをさらに含み、前記半導体基板の裏面側に凹部を形成する工程は、前記金属膜を選択的に除去して凹部を形成する工程であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板の裏面から、少なくとも前記半導体基板を選択的にエッチングし、前記半導体基板の裏面から表面まで貫通する開口を形成する工程と、前記開口に導電性材料を埋め込んでプラグを形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。請求項1~6のいずれかに記載の半導体装置が備える前記電極と、配線基板上に形成されたパッド電極とが接合され、且つ前記半導体装置と前記配線基板との間に樹脂が充填されて、前記半導体装置と前記配線基板が接合されていることを特徴とする実装体。ウェハレベルCSPのような構造を持つ半導体装置は図10aに示したように、通常実装用の配線基板56に封止樹脂58によって接合される。この封止樹脂は一般にアンダーフィルと呼ばれ金属バンプ55と配線基板側の電極57との機械的接続を補強し信頼性を高めるためにほとんどの場合に必要とされるものである。しかしながら本願発明者らによればこの従来の構造には以下のような問題点があることが判明した。まず第1に、封止樹脂58は百数十度以上の温度下で熱硬化されるが、その時の封止樹脂の熱収縮によって半導体基板50ここでは半導体ウェハを切断して個片化されたダイまたはチップが封止樹脂58側から大きな応力を受け、その応力は半導体基板50が室温にもどった時も残留する。図10bは例えば半導体基板50の表面部が封止樹脂58側から受ける応力分布を示す模式図である。X軸は半導体基板50の中心からの距離、Y軸は応力の大きさを示す。半導体基板50の表面部には直交座標軸に沿った3方向に応力成分が働くが図10bではそのうちの主要な応力として半導体基板50の表面に垂直な応力成分Y軸方向のみを示し、上向き矢印方向を正としている。図10bのように封止樹脂58の接合応力は半導体基板50を封止樹脂側に引き上げる方向に働き、しかも封止樹脂58の材料特性に起因して応力の大きさは半導体基板面内で分布を持っている。半導体基板50の中央部において応力が大きく、中央部からの距離が大きくなるに従って、つまり周辺部に向かって単調に減少する。このような応力は単に半導体基板50に応力を発生させるに留まらず、半導体集積回路を構成するトランジスタにその特性変動をもたらす。しかも応力の大きさに図10bに示すような半導体基板内分布があることによって同一構造のトランジスタであってもその特性が半導体基板50の中央部で設計値からの変化が大きく、周辺部に向かって特性変化が小さくなるという分布を持つ。このようにトランジスタ特性が半導体基板50チップ上において分布を有すると、半導体回路上の形成位置に依存した異なる特性で個々のトランジスタが動作を行うので、半導体集積回路装置全体としての特性が設計仕様の許容範囲を満たさなくなり、製造歩留まりを低下させる大きな要因となる。第2に、図10aのような実装形態では半導体集積回路装置は半導体基板50の裏面が露出したまま半ばベアチップ実装されるので外部への放熱はされ易いが、それでも高速動作が要求される半導体装置やトランジスタなどの素子数が極めて多い高密度微細半導体装置などでは動作中に発生する熱の放熱効率が不十分となり、半導体基板50の温度が上昇して回路が誤動作を起こす可能性が予想される。本発明は上記問題点に鑑み、半導体装置を実装基板に封止樹脂を用いて接合させた時、その封止樹脂から半導体装置を構成している半導体基板に印加される応力を緩和し、半導体基板内の応力分布を低減させ、応力分布による半導体素子特性のバラツキを低減させることができる半導体装置、およびそれに加えて半導体装置の回路動作中に十分外部に放熱することが可能な半導体装置、さらにそれら半導体装置を製造するための方法を提供することを主な目的とするものである。上記課題を解決するための本願発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面上に形成された半導体回路形成層と、前記半導体回路形成層内に形成されて、半導体回路を構成するトランジスタと、前記半導体回路形成層の上に形成され、前記半導体回路と電気的に接続された電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された凹部とを備える。この半導体装置には上記の構成に加えて、前記半導体基板の裏面上に金属膜が形成されていてもよく、その金属膜の材料は具体的にアルミニウムもしくは窒化アルミニウムから構成される材料とすることができる。そして一つの形態の半導体装置では前記凹部は前記半導体基板の一部を除去して形成されている。また他の形態の半導体装置では前記凹部は前記金属膜に形成される。さらに半導体基板上の単位面積当たりに占める凹部の面積は、前記半導体基板の面内において分布を有するように形成されていることが望ましい。またそのような凹部のうち多くの場合、半導体基板上の単位面積当たりに占める凹部の面積が、前記半導体基板の中央部から周辺部に向かって減少するように形成されていることが特に望ましい。本発明に係るさらに他の形態の半導体装置では、前記半導体基板の少なくとも裏面から表面まで貫通すると共に、導電性材料からなるプラグが形成される。半導体基板の裏面上に金属膜が形成されている場合、前記プラグは前記金属膜に接触していることが望ましい。次に上記の課題を解決するための本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、半導体回路を構成するトランジスタを含む半導体回路形成層を形成する工程と、前記半導体回路形成層の上に、前記半導体回路と電気的に接続された電極を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側に凹部を形成する工程とを含む。この製造方法には、前記半導体基板の裏面上に金属膜を形成する工程を含んでいてもよい。また前記凹部を形成する一つの方法は、前記半導体基板の裏面部を選択的に除去して形成することである。凹部は金属膜にも形成できるがその場合、前記半導体基板の裏面を研磨し、前記半導体基板を薄化する工程と、前記半導体基板の薄化の後、前記半導体基板の裏面上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を選択的に除去して凹部を形成する工程とを含むようにすることが望ましい。半導体装置に前記プラグを形成する場合は、前記半導体基板の裏面から、少なくとも前記半導体基板を選択的にエッチングし、前記半導体基板の裏面から表面まで貫通する開口を形成する工程と、前記開口に導電性材料を埋め込む工程とで形成できる。本発明に係る半導体装置は、それが備える前記電極と、配線基板上に形成されたパッド電極とが接合され、且つ前記半導体装置と前記配線基板との間に樹脂が充填されて、前記半導体装置と前記配線基板が接合されている実装体とされうる。その時本発明による半導体装置は上記課題を解決するために特に有効となる。上に述べたように本発明に係る半導体装置は、特に半導体基板の裏面側に形成された凹部を有している。例えば配線基板に半導体装置を実装するに際して、これら両者を接合するために用いる樹脂から半導体基板に対して応力が加えられた場合、凹部が存在するために半導体基板はその応力に応じて容易に変形するため、応力が開放されて低減する。また本発明による凹部は、半導体基板上の単位面積当たりに占める面積が半導体基板の面内において分布を有するように形成される。従って外部からの応力に分布がある場合であっても、その応力の大きさに応じて半導体基板上の単位面積当たりに占める凹部の面積の分布を調整し、応力が半導体基板面内に亘って均一となるように低減させることが可能である。このようにして本発明によれば外部応力に起因するトランジスタなど半導体素子の特性の変動およびそのバラツキを抑制し半導体装置の誤動作などを防止することができる。さらに本発明に係る半導体装置は、半導体基板の裏面上に金属膜を有する。この金属膜は半導体回路で発生する熱を速やかに伝導し外部へ放出する。これにより、動作中の半導体装置の温度上昇を抑制して誤動作を防止する。以下、本発明について図面を参照しながら詳細に説明する。実施形態1図1aは、本発明に係る半導体装置を配線基板に接合して形成された実装体を示す断面図である。図1aにおいて、シリコン単結晶基板などのような半導体基板1の表面上に所定の半導体回路が形成された半導体回路形成層2が設けられている。図1aには半導体回路形成層2の内部構造を図示していないが、半導体回路形成層2の最下層から半導体基板1の表面部にかけてトランジスタなど複数の半導体能動素子が形成されている。そしてトランジスタの上層には、必要に応じて容量素子、抵抗素子が設けられている。それと共にこれら素子の上層に金属配線、層間絶縁膜からなる多層配線構造が形成されている。半導体回路形成層2の上には半導体装置外部との信号入出力を行うためのボンディングパッド3が形成され、半導体回路を構成する上記多層配線、例えば最上層の金属配線と電気的に接続されている。図1aではボンディングパッド3は半導体基板1上の2箇所しか示されない。これは図2のように半導体基板1の平面上において、周辺部に沿って複数のボンディングパッド3が配列される半導体装置を想定し、そのB-B‘線の断面を図1aが示すためである。このボンディングパッド3は通常Al合金膜からなる。半導体回路層2の上面は、例えばプラズマCVD法で形成されたシリコン窒化膜を主体とする厚い保護膜4で被覆され、前記ボンディングパッド3の上面は開口によって露出している。ボンディングパッド3上には、例えばSn-Ag系のはんだからなる突起形状のバンプ5が形成され、ボンディングパッド3と電気的に接続している。バンプ5の材料ははんだの他、メッキ法で形成されるAuやCuなども可能である。さらに本実施形態に係る半導体装置においては半導体基板1の裏面の所定の位置に溝形状の凹部7が形成されるとともにアルミニウムAlあるいは窒化アルミニウムAlNなどからなる金属膜6が形成される。金属膜6の膜厚は凹部7内部が完全に埋められることがなく、金属膜6の表面が凹部7の断面形状を反映する形状を有する程度に薄い膜厚とする。以上述べた部分が本発明による半導体装置の構成であり、図1aに示す半導体装置はウエハをダイシング工程で個片化して得た1チップまたはダイの状態であるとする。このような半導体装置を実装するための配線基板の主な構成要素は配線基板本体8であり、その表面にはパッド電極9とパッド電極9に接続する銅配線不図示が形成されている。特に半導体素子数の大きい大規模な集積回路を実装する場合には、図示しないが配線基板本体8の内部にも多層配線が形成され、また図1aに示すように例えばそれら配線に接続する突起電極11がパッド電極9とは反対側の面に設けられる。この配線基板は図1aに示すような1個の半導体装置のみを搭載するものに限らず、互いに異なる形態のパッケージに内蔵された複数の半導体装置を搭載するものであってもよい。パッド電極9のそれぞれは半導体装置のバンプ5と対向する位置に設けられており、百数十度以上の温度での熱圧着により対応する両者が電気的に接合される。さらに半導体装置半導体チップと配線基板本体8との間に封止樹脂アンダーフィル10を充填して接合させ、バンプ接続を強化している。封止樹脂10の材料として例えば通常のエポキシ系樹脂、酸化シリコンフィラー、カップリング剤、着色剤などの混合物を使用することができ、充填後百数十度以上の温度で熱硬化させる。図1bは本発明に係る実装体図1aにおいて、半導体基板1に印加されるチップ内応力分布を示す図である。図のX軸は半導体基板1の中心を原点として原点からの距離を示し、Y軸は応力の、半導体基板1の表面に垂直な成分を示す。矢印は応力の向きを表し、上方すなわち半導体基板1から封止樹脂10に向かう方向を正としている。時1bが示す応力はトランジスタが形成される半導体基板1の表面部、図1aのA-A‘線上のレベルにおける応力であり、またバンプ5の位置より内側の半導体基板領域における応力を示す。図1bによれば、封止樹脂10の方向へ向かう応力は従来の半導体装置の場合と同様に半導体基板1の中央部で大きく、中央部から周辺部に向かって減少するように働く例えば図10a、b参照。しかしその大きさの絶対値は従来の半導体装置の場合と比較してかなり減少し、従って中央部と周辺部との応力差も減少して応力分布が一様な状態に近い。この結果は以下のような理由に基づくと考えられる。半導体装置と配線基板との間に封止樹脂を充填した後、例えばそれを硬化させるために高温に加熱すると封止樹脂が収縮することによって、大きい応力が封止樹脂方向に半導体基板の表面に生じる。これは収縮する封止樹脂が半導体基板を封止樹脂方向に引き上げようとする力に抗して、半導体基板が、自ら変形しないように初期の形状を維持しようとするために生ずる。しかし、本発明に係る半導体装置では半導体基板の裏面に凹部が設けられたことにより、半導体基板構成材料例えばシリコン単結晶固有の弾性率は不変であるけれども見かけ上の弾性率が減少する。基板の見かけ上の弾性率が小さい場合には、封止樹脂の収縮変形に追随して半導体基板も容易に変形できるようになり、収縮応力が開放される。本発明においては半導体基板裏面に凹部を形成するだけでなく、図1aに一例として示すようにその凹部7の密度が半導体基板1の中央部で大きく、周辺部で小さくなるように形成する。半導体基板の、凹部の密度が高い領域は見かけ上の弾性率が小さく変形が容易であり、その密度が小さい領域は見かけ上の弾性率が大きく変形し難い。従ってより大きい応力の発生すべき領域半導体基板中央部に、より高密度に凹部を配置して応力の緩和の程度を高くすると、半導体基板内の応力分布を均一化することができる。半導体基板に印加される応力分布を均一にすることは、半導体回路を構成するトランジスタ特性の半導体基板チップ内分布の均一性を改善する。図1cは図1aに示す半導体装置が有するトランジスタにおける、応力によるトランジスタ特性変動率特性の基準値からの変動値/特性の基準値:単位の半導体基板内分布を示す図である。横軸は半導体基板1の中心からの距離を示し、縦軸はトランジスタ特性変動率であり、半導体基板の表面に垂直な応力成分に対応する変動率である。さらに図1cは半導体回路が複数のMOS型トランジスタで構成される場合の図であり、トランジスタ特性としては例えばキャリアのチャンネル移動度やドレイン電流、相互コンダクタンスgmなどを挙げることができる。図1cには本発明に係る半導体装置に対する特性変動率分布曲線a:Pチャネル型、曲線b:Nチャネル型と従来の半導体装置に対する特性変動率分布曲線c:Pチャネル型、曲線d:Nチャネル型を示す。本発明に係る半導体装置に印加される応力が緩和されたことに対応して、トランジスタの特性変動率は従来の半導体装置より小さく、またその分布の均一性もより改善されている。従って半導体基板チップのほぼ全面を占有する半導体回路内の位置に依存してトランジスタの特性がばらつき、半導体集積回路全体としての特性が設計仕様値を満たさなくなる不良発生が防止され、製造歩留まりが向上する。なお、Pチャネル型とNチャネル型では同じ応力に対する変動方向が反対である。またNチャネル型よりPチャネル型の方が特性変動率が小さいが、これはPチャネル型トランジスタは垂直応力より半導体基板表面に平行な応力に敏感であるためと考えられる。図1aのように本発明に係る半導体装置は、半導体基板1の裏面に凹部7と共に金属膜6を備える。金属膜6は熱伝導率が半導体基板1より高いため、半導体装置の動作中に発生する熱を外部に効率的に放出することができる。特に凹部7を形成したことによって金属膜6の表面積が増大し、従来の半導体装置より放熱効率が向上するので温度上昇によって半導体回路が誤動作することを抑制できる。半導体基板1の裏面の凹部は半導体基板1に印加される応力の大きさの分布に応じて、平面的に種々の分布パターンに形成することができる。図3~図7は、半導体基板1チップ裏面に形成される凹部の平面パターンを示す図であり、応力が半導体基板1の中央部で大きく、周辺部で小さく働く場合の例である。これらの図の半導体基板1はチップ全体の形状を示し、ほぼ正方形である。まず、図3aに示す凹部21は、半導体基板1の裏面の中央部ほど狭ピッチ、周辺部ほど広ピッチで、チップの一方向の辺に平行に伸びる線状の溝である。この凹部は、少なくとも凹部21の延びる方向と交差する方向、例えば凹部21の方向に垂直な方向の応力分布を緩和することができる。図3bに示す凹部22は、チップの一端から他端まで延びる複数の線状の溝がチップの中央部ほど狭ピッチ、周辺部ほど広ピッチで互いに平行に形成され、しかもこのような線状の溝が異なる2方向に形成されて交差図では互いに直交するパターンを有する。図4aに示す凹部23はチップの裏面の中央部ほど狭ピッチ、周辺部ほど広ピッチで形成される線状の溝からなる。さらに線状の溝は複数の相似な矩形を形成し、チップの中央部には寸法の小さい矩形が多数配置され、周辺部には寸法の大きい矩形が中央部より少ない数で配置される。図4bに示す凹部24は図4aに示した凹部23が有するパターンを45°回転させたパターンを有する。図5aに示す凹部25は線状の溝であり、具体的にはチップ1の裏面の中心に溝状凹部で形成される最小の矩形が配置され、外側に向かってその矩形を囲むようにより大きい矩形が同心で順次形成されたパターンを有する。一般的には複数の矩形パターンが溝からなる凹部で描画され、大きい矩形がそれより小さい矩形を囲むパターンであればよい。また溝が形成するパターンは矩形だけでなく多角形であってもよい。図5bに示す凹部26もまた線状の溝であり、溝からなる複数の円が同心円状に配置されたパターンを有する。図5bの場合は最小の円の中心がチップの中心と一致するように配置されている。図3a~図5bに示したように半導体基板1の裏面に溝パターンを形成する場合、具体的にその溝幅を10μm~100μmとし、溝の深さを半導体基板1の厚さの1/30~1/3程度半導体基板1の厚さが300μm程度であれば10μm~100μmとすることが望ましい。図6aに示す半導体基板1の裏面には、チップの中央部ほど小さく周辺部ほど大きい、半導体基板1自体からなる多角形8角形の島状領域が複数形成されている。そしてそれら島状領域の間が凹部27となる。図6bに示す凹部28を含むパターンは図6aにおける多角形を円としたものである。半導体基板1の裏面に形成するパターンを図3bおよび図4a~図6bに示すパターンにすることにより、半導体基板1上の単位面積当たりに占める各凹部の面積または各凹部の半導体基板1上での占有面積率はチップの中央部で大きく周辺部に向かうどの方向へも小さくなる。図1の凹部7のような溝状の凹部に対しては凹部の密度と説明したが、これは上記の半導体基板上の単位面積当たりに占める凹部の面積、または凹部の半導体基板上での占有面積率と等価である。半導体基板1に印加される応力が半導体基板1上で中心対称である場合は、上記各図に示されたパターンを有する凹部がチップ全体にわたる応力の緩和に有効に働く。凹部は特に半導体基板1の対角線の交点をチップの中心とし、この中心を通りチップの平面に垂直な軸の回りの所定の角度の回転に関して回転対称となるパターンに形成することが望ましい。図3b、図4a~図6bのパターンは90°回転対象である。また半導体基板1に印加される応力がチップの中央部を通りチップの互いに直交する各辺に平行な帯状領域において大きい場合は図3bの凹部22を、また中央部を通る2本の対角線を含む帯状領域において大きい場合は図4bの凹部24を採用することによって特に有効に応力を緩和することができる。図1aに本発明に係る半導体装置の一例を示したが、この他種々の変形が可能である。図7aは本発明による半導体装置の第1の変形例を示す断面図である。この半導体装置は図1aに説明した半導体装置において、半導体基板1チップの周辺部に導電性材料からなるプラグ30を形成したものである。プラグ30は半導体回路形成層2の上面から半導体基板1の裏面まで貫通し金属膜6に接触するように設けられる。このような構造を有するプラグ30を設けることによって、半導体回路形成層2内に設けられた多層配線層や半導体基板1の表面部に設けられたMOS型トランジスタからの発熱の一部を熱伝導性の高いプラグ30に吸収し、速やかに金属膜6に導き放熱させることができる。図7aのプラグ30は半導体回路形成層2の上面から形成されているが、少なくとも半導体基板1の表面から裏面まで形成されていればよい。またこのプラグ30の平面形状は円形や矩形、あるいは帯状、チップの周辺部を一周にわたって取り巻くリング状などが可能である。導電性材料としてはタングステンや銅などが使用できる。図7bは本発明による半導体装置の第2の変形例を示す断面図である。この半導体装置では半導体基板1の裏面に図1aの金属膜6より厚い金属膜31が設けられる一方で、例えば実装体の厚さ制限を考慮し、半導体装置を所定の一定の厚さに揃えるために半導体基板1の厚さを図1aのものより薄くされる。そして金属膜31の表面に凹部32が、配線基板に半導体装置が接合された時に半導体基板1に印加される応力の大きさの分布に応じた密度分布あるいは面積分布で形成される。このような構造を有する半導体装置では、凹部32によって半導体基板1と金属膜31との複合基板の見かけ上の弾性率を低減させることができるので、図1aに示す半導体装置と同様な応力緩和効果が得られる。また、金属膜31が厚いのでより放熱効率が向上するという利点も存在する。実施形態2図8は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図8の製造工程の対象とする半導体装置は図1aに示す半導体装置である。まず、図8aに示すように、シリコン単結晶基板のような半導体基板1上に半導体回路形成層2を通常の微細加工を含む拡散工程を用いて形成する。図8に示す半導体基板1は図1aとは異なり、ウェハ状態の基板である。第1の実施形態において述べたように、半導体回路形成層2の最下層から半導体基板1の表面部にかけてトランジスタなど複数の半導体能動素子が形成されている。そしてトランジスタの上層には、必要に応じて容量素子、抵抗素子が設けられる。それと共に各金属配線、層間絶縁膜からなる多層配線構造が形成される。次に半導体回路形成層2の上に、例えばAl合金膜からなるボンディングパッド3を形成し、上記多層配線、例えば最上層の金属配線と電気的に接続する。その後ボンディングパッド3および半導体回路層2上に、例えばプラズマCVD法でシリコン窒化膜を主体とする厚い保護膜4を堆積し、ボンディングパッド3の上面に開口を形成してボンディングパッド3の表面を露出させる。次に図8bに示すようにボンディングパッド3上に外部と電気信号の入出力を行うために例えばSn-Ag系のはんだからなるバンプ5を形成する。このバンプ5ははんだ以外にAuバンプ、Cuバンプとすることができる。AuやCuを用いる場合は、ボンディングパッド3上に開口を有するレジストパターンを形成し電解メッキ法を用いて開口内にAuまたはCuを選択的に堆積させる。この後、図8cに示すようにバンプ5および保護膜4が形成された表面に接着層41を塗布し、接着層41を介して半導体基板1と少なくとも同サイズの支持基板40を貼り合わせ固定する。支持基板40としてはその後の加工工程における機械的衝撃に耐え得るように硬質の材料で構成されることが望ましい。しかしながら可撓性の有機樹脂テープなどを半導体基板1の支持体にしてもよい。次いで半導体基板1の裏面が上方を向くように表裏反転し、必要に応じて半導体基板1の裏面を研磨して薄化する。これは後にパッケージに組み込まれた形態の半導体装置を配線基板に表面実装した時の実装体積を減少させ小型化する場合に必要とされるものである。次に図8dに示すように裏面に図示しないが所定の開口パターンを有するレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜のパターンをマスクとして半導体基板1を選択的にエッチング除去して凹部7を形成する。このエッチングには薬液によるウェットエッチングやプラズマエッチングを使用する。あるいはまた、凹部が図3a、bに示すような単純な直線パターンの組み合わせである場合は、ダイシング用ホイールを用いて半導体基板1の裏面を研削除去することで形成することもできる。凹部7はその目的によって様々な断面形状に加工される。図9は凹部の断面形状を具体的に例示する図である。図9aの凹部7aは矩形断面を有し、半導体基板1の見かけ上の弾性率を大きく低減させることができるので、応力を大幅に緩和するときに有効である。この凹部7aは、半導体基板1の裏面上に形成したレジスト膜42をマスクとして異方性プラズマエッチングで形成される。図9bの凹部7bはV字状断面を有し、応力をそれほど緩和する必要のない場合に有効である。この凹部7bは半導体基板1の裏面結晶面方位にも依存するが、面方位が100の場合、レジスト膜42をマスクとして異方性ウェットエッチングを用いて容易に形成することができる。図9cの凹部7cはU字状断面を有し、凹部7aおよび7bの中間程度の応力緩和が要求される場合に有効である。凹部7cは、レジスト膜42をマスクとして等方性のウェットエッチング、等方性のプラズマエッチングで形成できる。図9は半導体基板1に凹部を形成する場合であるが、図7bの半導体装置のように金属膜31に形成される凹部32の断面形状に矩形、V字、U字状断面を採用しても同様の効果が得られることは言うまでもない。凹部7を形成した後、半導体基板1の裏面上にスパッタリング法などによりAlを主成分とする合金膜、AlN膜などの金属膜6を堆積する。堆積膜厚は凹部7の形状が金属膜6の表面形状に転写される程度の薄い膜厚とする。場合によっては金属膜6が半導体基板1の表面部に与える応力の影響を小さくするため、スパッタリングにおける半導体基板1の温度、膜の堆積速度、Arガス圧などを調整することが望ましい。金属膜6の堆積後は必要に応じて数百度以下で熱処理を行う。上記以降の製造工程は図示していないが、金属膜6の堆積後、支持基板40を装着したまま支持基板40と共にウェハ状態の半導体装置にダイシングを行い、個片化して独立したチップ状とする。次いで接着層41を溶解して支持基板40を分離することによって半導体装置が完成する。さらに図1aに示すようにチップ状態の半導体装置のバンプ5と対応する配線基板のパッド電極9とを対向させて熱圧着した後、半導体装置と配線基板本体8との間に封止樹脂10を液体状態で注入し熱硬化させて、半導体装置と配線基板との接合を確実なものとする。配線基板と半導体装置との接合は、まずパッド電極9を含む配線基板本体8上全面にシート状の封止樹脂を貼り付けた後、半導体装置のバンプ5とパッド電極9とを熱圧着すると同時に封止樹脂を溶融熱硬化させる方法で行ってもよい。本実施形態の製造方法は図1aの半導体装置に関して説明した。しかしながら図7aの半導体装置を製造するときは、例えば図8cの工程を終了後プラグ30に対応する開口パターンを有するレジスト膜を半導体基板1の裏面に形成し、レジスト膜をマスクとして半導体基板1の裏面から半導体基板1および半導体回路層2を順次選択的にエッチングしてゆき、両者を貫通する開口を形成する。その後レジスト膜を除去し、形成した開口内にWやCuなどの導電性材料を埋め込み、その後、図8dの工程を実施すればよい。図7bの半導体装置を製造するときは、例えば図8cの工程において半導体基板1の裏面を研磨して半導体基板1を薄化し、次に比較的厚い金属膜31を堆積する。続いて金属膜31の表面にダイシング用ホイールで溝状の凹部32を形成するか、またはフォトリソ工程と選択的エッチングにより凹部32を形成すればよい。なお第1および第2の実施形態では、シリコン窒化膜を主体とする無機材料の保護膜4と、保護膜4の開口に形成されたバンプを有する半導体装置を直接配線基板実装基板に接合する例を示した。しかし本発明は、図10に示すように表面保護膜上が封止樹脂層で覆われたウェハレベルCSP構造の半導体装置にも適用することができる。また、半導体基板材料としてシリコンの他GaAsなどにしてもよい。