"第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された光活性材料とを備え、前記第1の電極は、第1、第2、および第3の層を備え、前記第1の層は、グリッドおよび電気絶縁性材料を含み、前記第2の層は、前記第1の層と前記第3の層との間にあり、電気伝導性材料を含み、前記第3の層は、前記第2の層と前記光活性層との間にあり、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物を含み、光電セルとして構成される物品。前記グリッドは、金属または合金を含む請求項1に記載の物品。前記グリッドは、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、チタン、またはその合金を含む請求項2に記載の物品。前記電気絶縁性材料は、アクリレートポリマー、ウレタンポリマー、エポキシポリマー、またはその組合せを含む請求項1に記載の物品。前記電気導電性材料は、金属ナノ粒子または電気導電性ポリマーを含む請求項1に記載の物品。前記金属ナノ粒子は、球、チューブ、ロッド、または針の形状を有する請求項5に記載の物品。前記電気導電性ポリマーはポリチオフェンを含む請求項5に記載の物品。前記正孔阻止材料はポリアミンを含む請求項1に記載の物品。前記ポリアミンはポリエチレンイミンを含む請求項8に記載の物品。前記正孔阻止材料の少なくとも一部の分子は、架橋剤によって架橋される請求項8に記載の物品。前記架橋剤はエポキシ含有化合物を含む請求項10に記載の物品。前記架橋剤は、グリセロールトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルを含む請求項10に記載の物品。前記電気伝導性金属酸化物はインジウムスズ酸化物を含む請求項1に記載の物品。前記第1の層は、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さを有する請求項1に記載の物品。前記第1の層は、せいぜい約5nmの2乗平均平方根表面粗さを有する請求項1に記載の物品。前記第1の層は、せいぜい約200nmの最大ピーク高さを有する請求項1に記載の物品。前記第1の電極は、物品の使用中に、少なくとも約70の光透過率を有する請求項1に記載の物品。前記第1の電極は、せいぜい約10オーム/平方のシート抵抗を有する請求項1に記載の物品。前記電気絶縁性材料は前記第2の層に接触する表面を有し、前記グリッドは前記第2の層に接触する表面を有し、前記電気絶縁性材料の表面は、前記グリッドの表面と実質的に同じレベルにある請求項1に記載の物品。物品であって、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設された光活性材料とを備え、前記第1の電極は第1の層を備え、前記第1の層はグリッドおよび電気絶縁性材料を備え、前記第1の層は、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さを有し、光電セルとして構成される物品。前記第1の層は、せいぜい約5nmの2乗平均平方根表面粗さを有する請求項20に記載の物品。前記第1の電極は、前記第1の層と前記光活性層との間に第2の層をさらに備え、前記第2の層は電気伝導性材料を含む請求項20に記載の物品。前記第1の電極は、前記第2の層と前記光活性層との間に第3の層をさらに備え、前記第3の層は、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物を含む請求項22に記載の物品。方法であって、物品を形成するために第1の基板上にグリッドを配設する工程とであって、前記グリッドは前記第1の基板に接触する、配設する工程と、前記物品を硬化性材料および第2の基板でラミネートする工程であって、それにより、前記グリッドおよび前記硬化性材料が、前記第1の基板と前記第2の基板との間に配設される、ラミネートする工程と、前記硬化性材料を硬化させる工程と、電極層を形成するために、前記第1の基板を除去する工程とを備える、方法。前記グリッドは、金属または合金を含む請求項24に記載の方法。前記グリッドは、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、チタン、またはその合金を含む請求項25に記載の方法。前記第1の基板は、前記グリッドが前記第1の基板上に配設される前に、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さを有する表面を有する請求項24に記載の方法。前記グリッドは前記表面上に配設される請求項27に記載の方法。前記硬化性材料は、アクリレート、ウレタン、エポキシド、またはその組合せを含む請求項24に記載の方法。前記硬化性材料は、UV照射、加熱、またはその組合せによって硬化される請求項24に記載の方法。前記電極層上に電気伝導性材料をさらに含む請求項24に記載の方法。前記電気伝導性材料は、金属ナノ粒子または電気伝導性ポリマーを含む請求項31に記載の方法。前記金属ナノ粒子は、球、チューブ、ロッド、または針の形状を有する請求項32に記載の方法。前記電気導電性ポリマーはポリチオフェンを含む請求項32に記載の方法。前記電気伝導性材料上に混合物を配設することをさらに含み、前記混合物は、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物を含む請求項31に記載の方法。前記正孔阻止材料はポリアミンを含む請求項35に記載の方法。前記ポリアミンはポリエチレンイミンを含む請求項36に記載の方法。前記混合物は架橋剤をさらに含む請求項35に記載の方法。前記架橋剤はエポキシ含有化合物を含む請求項38に記載の方法。前記架橋剤は、グリセロールトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルを含む請求項38に記載の方法。前記正孔阻止材料の分子の少なくとも一部と前記架橋剤の分子の少なくとも一部を架橋することをさらに含む請求項38に記載の方法。前記電気伝導性金属酸化物はインジウムスズ酸化物を含む請求項35に記載の方法。光電セルを形成するために、前記混合物上に光活性層および電極を配設することをさらに含む請求項35に記載の方法。本開示は、本明細書で開示される電極たとえば、下部電極が、従来の電極たとえば、インジウムスズ酸化物ITO電極またはITO/金属/ITO電極と比較して光透過率の改善と電気伝導性の改善の両方を示しうるという予想外の発見に基づく。結果として、本明細書で開示される電極は、透過性および効率が改善された光電セルまたはモジュールを作るために使用されうる。一態様では、本開示は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配設された光活性材料とを含む物品を特徴とする。第1の電極は、第1、第2、および第3の層を備え、第1の層は、グリッドおよび電気絶縁性材料を含み、第2の層は、第1の層と第3の層との間にあり、電気伝導性材料を含み、第3の層は、第2の層と光活性層との間にあり、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物を含む。物品は光電セルとして構成される。別の態様では、本開示は、第1の層を含む第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配設された光活性材料とを含む物品を特徴とする。第1の層はグリッドおよび電気絶縁性材料を含み、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さを有する。物品は光電セルとして構成される。なお別の態様では、本開示は、方法を特徴とし、方法は、物品を形成するために第1の基板上にグリッドを配設することであって、グリッドは第1の基板に接触する、配設すること、物品を硬化性材料および第2の基板でラミネートすることであって、それにより、グリッドおよび硬化性材料が、第1の基板と第2の基板との間に配設される、ラミネートすること、硬化性材料を硬化させること、および、電極層を形成するために、第1の基板を除去することを含む。実施形態は、以下のオプションの特徴の1つまたは複数を含みうる。いくつかの実施形態では、グリッドは、金属または合金を含みうる。たとえば、グリッドは、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、チタン、またはその合金を含みうる。いくつかの実施形態では、電気絶縁性材料は、アクリレートポリマー、ウレタンポリマー、エポキシポリマー、またはその組合せを含みうる。いくつかの実施形態では、電気導電性材料は、金属ナノ粒子または電気導電性ポリマーを含もうる。金属ナノ粒子は、球、チューブ、ロッド、または針の形状を有しうる。電気導電性ポリマーはポリチオフェンたとえば、ドープしたポリチオフェンを含みうる。いくつかの実施形態では、正孔阻止材料はポリアミンたとえば、ポリエチレンイミンを含む。ある実施形態では、正孔阻止材料の少なくとも一部の分子は、エポキシ含有化合物などの架橋剤たとえば、グリセロールトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルによって架橋される。いくつかの実施形態では、電気伝導性金属酸化物はインジウムスズ酸化物を含みうる。いくつかの実施形態では、第1の層は、せいぜい約20nmたとえば、せいぜい約5nmの2乗平均平方根表面粗さを有しうる。いくつかの実施形態では、第1の層は、せいぜい約200nmの最大ピーク高さを有しうる。いくつかの実施形態では、第1の電極は、物品の使用中に、少なくとも約70の光透過率を有しうる。いくつかの実施形態では、第1の電極は、せいぜい約10オーム/平方のシート抵抗を有しうる。いくつかの実施形態では、電気絶縁性材料は第2の層に接触する表面を有し、グリッドは第2の層に接触する表面を有し、電気絶縁性材料の表面は、グリッドの表面と実質的に同じレベルにある。いくつかの実施形態では、第1の基板は、グリッドが第1の基板上に配設される前に、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さを有する表面を有する。ある実施形態では、グリッドは表面上に配設される。いくつかの実施形態では、硬化性材料は、アクリレート、ウレタン、エポキシド、またはその組合せを含みうる。ある実施形態では、硬化性材料は、UV照射、加熱、またはその組合せによって硬化されうる。いくつかの実施形態では、方法は、電極層上に電気伝導性材料をさらに含みうる。ある実施形態では、方法は、電気伝導性材料上に混合物を配設することをさらに含み、混合物は、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物を含みうる。ある実施形態では、方法は、光電セルを形成するために、混合物上に光活性層および電極を配設することをさらに含みうる。実施形態は、以下の利点の1つまたは複数を含みうる。理論に束縛されるものではないが、電極であって、グリッドおよび電気絶縁性材料を含有する層と、電気導電性層を含有する層と、正孔阻止材料または電気伝導性金属酸化物を含有する層とを含む、電極が、従来の電極たとえば、インジウムスズ酸化物ITO電極またはITO/金属/ITO電極と比較して光透過率の改善と電気伝導性の改善の両方を示しうることが予想外にも発見される。理論に束縛されるものではないが、グリッドを含む平滑層および比較的低い粗さを有する電気絶縁性材料を含むことは、グリッド上の大きなピークによって引起される光電セルの短絡を防止しまたは最小にし、また、短絡を引起すことなく、光電セルを形成するために必要とされるこの層の上部の層の厚さを大幅に減少させうると考えられる。本発明の他の特徴および利点は、説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになる。図1は、基板110、電極120たとえば、下部電極、光活性層130たとえば、電子受容性材料および電子供与性材料を含有する、オプションの正孔キャリア層140、電極150たとえば、上部電極、および基板160を含む光電セル100の断面図を示す。電極120は、グリッド122および電気絶縁性材料124を含有する第1の層121、第2の層123、および第3の層125を含む。電極120および150は、外部負荷170に電気接続される。一般に、例示的な電気伝導性金属は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、およびチタンを含む。例示的な電気伝導性合金は、ステンレス鋼たとえば、332ステンレス鋼、316ステンレス鋼、金の合金、銀の合金、銅の合金、アルミニウムの合金、ニッケルの合金、パラジウムの合金、プラチナの合金、およびチタンの合金を含む。例示的な電気伝導性ポリマーには、ポリチオフェンたとえば、ドープしたポリドープしたPEDOT、ポリアニリンたとえば、ドープしたポリアニリン、およびポリピロールたとえば、ドープしたポリピロールを含む。例示的な電気伝導性金属酸化物は、インジウムスズ酸化物ITO、スズ酸化物たとえば、フッ素化スズ酸化物、チタン酸化物、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物、銅酸化物、ストロンチウム銅酸化物、およびストロンチウムチタン酸化物を含む。いくつかの実施形態では、電気伝導性材料の組合せが使用される。いくつかの実施形態では、電気伝導性材料は、ナノ粒子たとえば、銀ナノ粒子などの金属ナノ粒子の形態でありうる。いくつかの実施形態では、グリッド122は、たとえば、グリッドライン間の空間が比較的小さいときメッシュの形態である。グリッド電極たとえば、メッシュ電極の例は、同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願公報第2004-0187911号および第2006-0090791号に記載される。一般に、グリッド122の寸法は、第1の層121が十分に大きな電気伝導性および十分に高い透過性を有するように調整される。いくつかの実施形態では、グリッド122は、少なくとも約200nmたとえば、少なくとも約400nmおよび/またはせいぜい約900nmたとえば、せいぜい約800nmの厚さならびに少なくとも約10ミクロンたとえば、少なくとも約20ミクロンおよび/またはせいぜい約100ミクロンたとえば、せいぜい約50ミクロンの幅を有する。グリッド122の寸法が大き過ぎる場合、第1の層121は、十分な透過性を持たない場合がある。グリッド122の寸法が小さ過ぎる場合、第1の層121は、十分な電気伝導性を持たない場合がある。第1の層121は、一般にまた、グリッド122によって形成される空間内に電気絶縁性材料124を含み、電気絶縁性材料124は、レベリング層として機能するが、第2の層123に接触するグリッド122の表面を覆わない。例示的な電気絶縁性ポリマーは、アクリレートポリマー、ウレタンポリマー、エポキシポリマー、またはその組合せを含む。いくつかの実施形態では、電気絶縁性材料124は、グリッド122の厚さより大きい厚さを有しうる。こうした実施形態では、図1に示すように、層123に接触するグリッド122の表面および層123に接触する電気絶縁性材料124の表面は、実質的に同じレベルにあり、一方、グリッド122は、電気絶縁性材料124によって基板110から分離される。ある実施形態では、電気絶縁性材料124は、グリッド122の厚さと同じ厚さを有する図1に示さず。いくつかの実施形態では、電気絶縁性材料124は、少なくとも約200nmたとえば、少なくとも約1ミクロン、少なくとも約10ミクロン、または少なくとも約40ミクロンおよび/またはせいぜい約80ミクロンたとえば、せいぜい約60ミクロン、せいぜい約40ミクロン、せいぜい約20ミクロン、せいぜい約10ミクロン、せいぜい約1ミクロン、またはせいぜい約800nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、電気絶縁性材料124は、12ミクロンと50ミクロンとの間たとえば、12ミクロンと25ミクロンとの間の厚さを有する。電気絶縁性材料124は、一般に透過性がある。本明細書で使用されるように、透過性材料は、光電セルで使用される厚さにおいて、動作中に使用される波長または波長範囲たとえば、約350nm~約1,000nmの入射光の少なくとも約90たとえば、少なくとも約95、少なくとも約98、または少なくとも約99を透過させる材料を指す。一般に、第2の層123に接触する電気絶縁性材料124の表面は、第2の層123に接触するグリッド122の表面と実質的に同じレベルである。本明細書で使用されるように、用語実質的に同じレベルにあるは、せいぜい約500nmの表面レベル差を指す。たとえば、グリッド122の表面は、電気絶縁性材料124の表面よりせいぜい250nmたとえば、せいぜい約200nm、せいぜい約100nm、せいぜい約50nm、せいぜい約20nm、またはせいぜい約10nm高くまたは低くありうる。一般に、第2の層123に接触する第1の層121の表面、すなわち表面126は、比較的平滑でありうるすなわち、比較的低い粗さを有する。たとえば、表面126は、せいぜい約20nmたとえば、せいぜい約15nm、せいぜい約10nm、せいぜい約5nm、せいぜい約1nm、またはせいぜい約0.5nmおよび/または少なくとも約0.1nmたとえば、少なくとも約0.5nmまたは少なくとも約1nmの2乗平均平方根表面粗さRMSを有しうる。本明細書で使用されるように、2乗平均平方根表面粗さは、原子間力顕微鏡法によって測定される。別の例として、表面126は、せいぜい約200nmたとえば、せいぜい約150nm、せいぜい約100nm、せいぜい約50nm、せいぜい約20nm、またはせいぜい約10nmおよび/または少なくとも約1nmたとえば、少なくとも約5nm、少なくとも約10nm、または少なくとも約15mの最大ピーク高さを有しうる。本明細書で使用されるように、用語最大ピーク高さは、表面上の最も高いピークの先端から、表面上のピークおよび谷の平均であるレベルまでの距離を指す。本明細書で使用される最大ピーク高さは、原子間力顕微鏡法によって測定される。理論に拘束されるわけではないが、比較的平滑な表面126を形成することは、たとえば、グリッド122上の大きなピークによって引起される光電セル100の短絡を防止しまたは最小にし、また、短絡を引起すことなく、光電セルを形成するために必要とされる第1の層121の上部の層の厚さを大幅に減少させうると考えられる。図2A~2Cは、第1の層121を作る例示的なプロセスを示す。図2Aに示すように、グリッド222は、物品を形成するために、最初に、第1の基板201剥離基板としても知られるの平滑表面上にコーティングされうる。たとえば、溶媒たとえば、アルコール内に分散されたインク含有金属ナノ粒子たとえば、銀ナノ粒子が、金属グリッド222を形成するために、第1の基板201の平滑表面上にコーティングされうる。いくつかの実施形態では、第1の基板201上の表面は、グリッド222をコーティングされる前に比較的平滑でありうるたとえば、比較的低い粗さを有する。たとえば、表面は、せいぜい約20nmたとえば、せいぜい約15nm、せいぜい約10nm、せいぜい約5nm、せいぜい約1nm、またはせいぜい約0.5nmおよび/または少なくとも約0.1nmたとえば、少なくとも約0.5nmまたは少なくとも約1nmの2乗平均平方根表面粗さRMSを有しうる。別の例として、第2の層123に接触する第1の層121の表面は、せいぜい約200nmたとえば、せいぜい約150nm、せいぜい約100nm、せいぜい約50nm、せいぜい約20nm、またはせいぜい約10nmおよび/または少なくとも約1nmたとえば、少なくとも約5nm、少なくとも約10nm、または少なくとも約15mの最大ピーク高さを有しうる。理論に拘束されるわけではないが、第1の基板201上の比較的平滑な表面上にグリッドをコーティングすることは、グリッド222がその上にコーティングされる第1の基板201上の表面を表面126が真似るため、図1に示す第1の層121上に平滑な表面をもたらしうる。いくつかの実施形態では、第1の基板201は、ポリマー、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンから形成される。ある実施形態では、第1の基板201は、ポリエチレンテレフタレートPETで形成される。第1の基板201およびグリッド222を含む物品が形成された後、グリッド222によって形成されたグリッドライン間の空間を充填するために、硬化性材料204が第1の基板201に添加されうる。硬化性材料は、熱、UV照射、またはその組合せによって硬化されるすなわち、重合化および/または架橋されることができ、モノマーまたはオリゴマー10未満の繰返し単位を含有するプレモノマーとすることができる。例示的な硬化性材料は、アクリレートたとえば、ウレタンアクリレートオリゴマーおよびエポキシドたとえば、サイクリック脂肪族エポキシドを含む。適したエポキシドの例は、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレートおよびビス3,4-エポキシシクロヘキシルメチルアジピン酸を含む。アクリレートが硬化性材料として使用されるとき、ウレタンアクリレートオリゴマーは、硬化性材料を形成するための成分として使用されうる。いくつかの実施形態では、光重合開始剤および/または増感剤すなわち、硬化プロセスで使用される波長の光を吸収する化合物が、硬化材料たとえば、エポキシを形成するために、硬化性材料140と組合せて使用されうる。適した光重合開始剤の例は、ヨードニウム塩たとえば、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートを含む。増感剤の例は、イソプロピルチキサントンである。一般に、硬化性材料204によって形成される層は、グリッド222の厚さ以上の厚さを有しうる。硬化性材料204は、グリッド222より大きい厚さを有するとき、グリッド222が硬化後に硬化性材料内に埋め込まれるようにグリッド222を覆う。こうした実施形態では、グリッド222が第1の基板201上に既にコーティングされているため、グリッド222の表面粗さは、第1の基板201が剥離された後に硬化性材料204によって影響を受けない。硬化性材料204が第1の基板201上に配設された後、第2の基板210受取り基板としても知られるが、こうして形成された物品に接触させられ、それにより、硬化性材料204およびグリッド222が、第1の基板201と第2の基板210との間に配設される。いくつかの実施形態では、第2の基板210は、硬化性材料204が第1の基板201上に配設される前に、第1の基板201に接触させられうる。こうした実施形態では、硬化性材料204は、第1の基板201および第2の基板210によって形成されるギャップ内に配設されうる。第2の基板210は、第1の基板201の材料と同じ材料たとえば、PETで形成されうる。いくつかの実施形態では、第2の基板210は、平滑表面を含まない。図2Bに示すように、先に形成された物品は、第1の基板201および第2の基板210を共にラミネートするために一対のニップローラを通して送られうる。その後、硬化性材料204は、加熱たとえば、少なくとも約40°C、少なくとも約60°C、少なくとも約80°C、または少なくとも約100°Cの温度のまたはUV照射たとえば、約200nmと約350nmとの間の波長を有するによって硬化されうる。いくつかの実施形態では、硬化性材料204は、ラミネーションプロセス中に2つの基板を共に付着させるのに十分な付着力を第1の基板201と第2の基板210との間に提供するように調整される。しかし、硬化性材料は、一般に、先に形成された物品から第1の基板201が剥離されるときに、第1の基板201にくっつくほどの高い付着力を持たない。一般に、こうして形成される硬化材料は、ウレタンアクリレートまたはサイクリック脂肪族エポキシドなどの透過性がある電気絶縁性の材料である。いくつかの実施形態では、プライマー層たとえば、1つまたは複数のポリエステルを含有するは、硬化材料が第2の基板210に付着することを保証するために、第2の基板210にコーティングされうる。たとえば、プライマー層は、第2の基板210上で1.67:1.0:0.054の乾燥重量比で、BostikInc.マサチューセッツ周ミドルトン所在から得られるL7063/VITEL2700/BOSCODUR16のブレンドをコーティングすることによって形成されうる。図2Cに示すように、硬化性材料が硬化した後、第1の基板201が、先に形成された物品から剥離されて、グリッド222および硬化材料を含有する層すなわち、図1に示す第1の層121に対応するならびに基板210すなわち、図1に示す基板110に対応するが形成されうる。第1の基板201が剥離された後のグリッド222および硬化材料の露出表面は、図1に示す表面126を形成する。理論に拘束されるわけではないが、上記プロセスの利点は、電極層の表面が第1の基板201の平滑表面を真似るため、上記プロセスが、比較的平滑な表面を有するたとえば、せいぜい約20nmの2乗平均平方根表面粗さ有する、または、せいぜい約200nmの最大ピーク高さを有する電極層を形成しうることである。さらに、理論に拘束されるわけではないが、先のプロセスの別の利点は、グリッド222の表面および硬化性材料204によって形成される電気絶縁性材料の表面が実質的に同じレベルである電極層を先のプロセスが形成しうることである。いくつかの実施形態では、電極120が上部電極であるとき、表面126の粗さは、光電セルの短絡を防止または最小化するときに重要ではない場合がある。こうした実施形態では、第1の層121は、上述したプロセスと異なるプロセスによってたとえば、単純な溶液コーティングまたはインクジェット法を使用することによって調製されうる。電極120内の他のコンポーネントを考えると、第2の層123は、一般に、電気伝導性ポリマー、電気伝導性金属たとえば、合金、または電気伝導性金属酸化物などの電気伝導性材料を含む。例示的な電気伝導性ポリマーは、ポリチオフェンたとえば、PEDOT、ポリアニリン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフテン、およびそのコポリマーを含む。いくつかの実施形態では、第2の層123は、たった今述べた電気導電性ポリマーのうちの1つと組合せて使用されるドーパントを含みうる。ドーパントの例は、ポリスチレンスルホナート、スルホン酸ポリマー、またはフッ素化ポリマーたとえば、フッ素化イオン交換ポリマーを含む。例示的な電気伝導性金属は、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、プラチナ、チタン、およびその合金を含む。例示的な電気伝導性金属酸化物は、ITO、スズ酸化物たとえば、フッ素化スズ酸化物、チタン酸化物、亜鉛酸化物、銅酸化物、ストロンチウム銅酸化物、およびストロンチウムチタン酸化物を含む。金属酸化物は、ドーパントをドープされるまたはドープされない可能性がある。金属酸化物用のドーパントの例は、フッ化物、塩化物、臭化物および沃化物の塩または酸を含む。いくつかの実施形態では、第2の層123を形成するために使用されうる電気伝導性材料は、炭素同素体たとえば、炭素ナノチューブを含む。炭素同素体は、ポリマーバインダ内に埋め込まれうる。いくつかの実施形態では、第2の層123を形成するために使用されうる電気伝導性材料は、金属ナノ粒子などのナノ粒子の形態でありうる。ナノ粒子は、球形状、円柱形状、ロッド様形状、または針様形状などの任意の適した形状を有しうる。いくつかの実施形態では、第2の層123は、上述した電気伝導性材料の組合せを含みうる。いくつかの実施形態では、第2の層123は、正孔キャリア層140を形成するために使用される材料と同じ正孔キャリア材料たとえば、ポリチオフェンで形成されうる。こうした実施形態では、理論に拘束されるわけではないが、第2の層123で使用される材料は、第3の層125で使用される正孔阻止材料からグリッド222まで電荷キャリアたとえば、電子を輸送しうる電気伝導性材料として機能する。一般に、第2の層123の厚さは、所望に応じて変動しうる。通常、第2の層123の厚さは、少なくとも約100nmたとえば、少なくとも約150nm、少なくとも約200nm、少なくとも約250nm、または少なくとも約300nmおよび/またはせいぜい約450ミクロンたとえば、せいぜい約400nm、せいぜい約350nm、せいぜい約300nm、せいぜい約250nm、せいぜい約200nm、またはせいぜい約150nmである。理論に拘束されるわけではないが、第1の層121上の表面126が比較的低い粗さを有するため、第2の層123は、短絡を防止するために表面126上のピークを覆うための大きな厚さを有する必要はなく、したがって、電荷キャリアをグリッド122まで輸送するのに十分な電気伝導性を依然として提供しながら、入射光の吸収損失を最小にするように比較的薄く作られうることが考えられる。いくつかの実施形態では、第2の層123は、約100nmと約200nmとの間の厚さを有しうる。理論に拘束されるわけではないが、上記厚さを有する第2の層123を含むことは、電極120の透過性を依然として提供しながら、電極120に十分な電気伝導性を提供しうることが考えられる。さらに、理論に拘束されるわけではないが、下部電極において上記厚さを有する第2の層123を含むことは、ITO/金属/ITO下部電極を含む光電セルと比べて、著しく高い電流密度を有する光電セルをもたらしうることが考えられる。理論に拘束されるわけではないが、電極120内に第2の層123を含むことは、グリッド122によって形成されるグリッドライン間の空間からグリッド122への電荷キャリアたとえば、電子の輸送を容易にし、それにより、光電セル100の効率が改善されうることが考えられる。いくつかの実施形態では、第2の層123が電気伝導性金属たとえば、金属ナノ粒子を含有するとき、グリッド222が第1の基板201上に配設される前に、図2aに示す第1の基板201に金属が塗布されうる。こうした実施形態では、第1の基板201が図2Cに示すように剥離された後、第2の層123は、グリッド222および硬化材料を含有する層の上部の平滑層として形成される。理論に拘束されるわけではないが、このプロセスは、図2A~2Cに示すプロセスで形成される、グリッド222および硬化材料を含有する平滑層上に直接金属ナノ粒子を塗布することと比較して、光電セル100内で金属ナノ粒子が短絡をもたらす可能性を大幅に最小化しうることが考えられる。第3の層125は、一般に、正孔阻止材料および電気伝導性金属酸化物たとえば、ITOを含む。正孔阻止材料は、光電セル100で使用される厚さにおいて、グリッド122に電子を輸送し、グリッド122に対する正孔の輸送を実質的に阻止する材料である。例示的な正孔阻止材料は、ポリアミンたとえば、ポリエチレンイミンを含む。本明細書で使用されるように、用語ポリアミンは、1級アミノ基、2級アミノ基、および3級アミノ基を含む、2以上のアミノ基を有するポリマーを指す。正孔阻止材料の他の例は、たとえば同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願公報第2008-0264488号に記載されている。理論に拘束されるわけではないが、光電セル100が正孔阻止材料を含むとき、正孔阻止材料は、UV光に露光されることなく、光電層130と電極120との間のオーミック接触の形成を容易にし、それにより、UV暴露から生じる光電セル100への損傷が低減されると考えられる。いくつかの実施形態では、第3の層125は、さらに架橋剤を含みうる。例示的な架橋剤は、グリセロールトリグリシジルエーテルまたはグリセロールジグリシジルエーテルたとえば、1,3-ジグリシジルグリセリルエーテルなどのエポキシ含有化合物を含む。ある実施形態では、正孔阻止材料の分子の少なくとも一部は、架橋剤によって架橋されうる。第3の層125で使用されうる例示的な電気伝導性金属酸化物は、ITO、スズ酸化物たとえば、フッ素化スズ酸化物、チタン酸化物、亜鉛酸化物、銅酸化物、ストロンチウム銅酸化物、およびストロンチウムチタン酸化物を含む。いくつかの実施形態では、電気伝導性金属酸化物は、ナノ粒子たとえば、ITOナノ粒子の形態でありうる。いくつかの実施形態では、正孔キャリア層が光電セル100内に存在するとき、第3の層125は、正孔キャリア層140と異なる仕事関数を有し、それにより、光電セル100の使用中に、電荷キャリアすなわち、電子または正孔の分離を容易にし、光電層130から電極120および150まで電荷キャリアを移動させるための電界が生成されうる。理論に拘束されるわけではないが、この仕事関数の差のために、グリッド122によって形成されるグリッドライン間の空間からグリッド122までの電荷キャリアたとえば、電子の輸送を容易にするための電気伝導性材料として役立つように、正孔キャリア層140で使用される材料が第2の層123に含まれうると考えられる。理論に拘束されるわけではないが、上記構成は、電荷キャリアの分離および移動を容易にするための電界が光電セル100内に存在しないことになるため、第3の層125が存在しない場合、実行不可能であることになる。さらに、理論に拘束されるわけではないが、第3の層125と正孔キャリア層140との間の仕事関数の差のために、上述したのと同じ理由で、電極150およびグリッド122を形成するために同じ材料たとえば、銀などの金属が使用されうる。さらに、理論に拘束されるわけではないが、電気伝導性金属酸化物を含むことは、層125内の正孔阻止材料は、一般に、電気絶縁性であるため第3の層125の電気伝導性を大幅に増加させ、電極120の伝導性を改善しうると考えられる。いくつかの実施形態では、第3の層125内の電気伝導性金属酸化物、正孔阻止材料、および架橋剤は、少なくとも約1:1:1たとえば、少なくとも約2:1:1、少なくとも約3:1:1、少なくとも約3:1:1、または少なくとも約4:1:1および/またはせいぜい約8:1:1たとえば、せいぜい約7:1:1、せいぜい約6:1:1、またはせいぜい約5:1:1の重量比を有しうる。理論に拘束されるわけではないが、電気伝導性金属酸化物のレベルを下げるたとえば、約3:1:1以下にことが、光電セル100のシャンティングを大幅に低減しうることを、本発明者等は、思いがけなく発見した。一方、理論に拘束されるわけではないが、過剰に低いたとえば、約1:1:1未満の電気伝導性金属酸化物のレベルを有する光電セル100は、フィルファクタを大幅に下げうると考えられる。いくつかの実施形態では、第3の層125は、せいぜい約150nmたとえば、せいぜい約120nm、せいぜい約100nm、せいぜい約50nm、またはせいぜい約10nmまたは少なくとも約20nmたとえば、少なくとも約30nm、少なくとも約40nm、または少なくとも約50nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第3の層125は、約40nmと約100nmとの間のたとえば、約50、60、または70nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、電極120は、光電セル100内の下部電極である。本明細書で使用されるように、用語下部電極は、光電セルを形成するために、他の層たとえば、光電層および対向電極がその上に塗布される電極を指す。こうした実施形態では、電極150は、光電セル100内の上部電極である。一般に、電極120は透過性がある。たとえば、電極120は、動作中に使用される波長または波長範囲たとえば、約350nm~約1,000nmの入射光の少なくとも約70たとえば、少なくとも約75、少なくとも約80、少なくとも約85、少なくとも約90、または少なくとも約95を透過させうる。理論に拘束されるわけではないが、電極120の利点は、電極120が、従来のITOまたはIMI電極の丸い透過曲線と比較して、より平坦な透過曲線を持ち、したがって、こうした従来の電極に比べて広い範囲たとえば、約350nm~約1,000nmの光波長においてより透過性があることであると考えられる。いくつかの実施形態では、電極120は、入射光の72と90との間たとえば、75と85との間を透過させうる。一般に、電極120は電気伝導性がある。たとえば、電極120は、せいぜい約10オーム/平方たとえば、せいぜい約8オーム/平方、せいぜい約6オーム/平方、せいぜい約4オーム/平方、せいぜい約2オーム/平方、せいぜい約1オーム/平方、および/または少なくとも約0.001オーム/平方たとえば、少なくとも約0.05オーム/平方、少なくとも約0.1オーム/平方、または少なくとも約0.5オーム/平方のシート抵抗を有しうる。いくつかの実施形態では、電極120は、約4オーム/平方と約6オーム/平方との間たとえば、5オーム/平方のシート抵抗を有しうる。理論に拘束されるわけではないが、上述した第1の層121、第2の層123、および第3の層125の全てを電極120内に含むことは、従来の電極たとえば、インジウムスズ酸化物ITO電極またはITO/金属/ITO電極と比較して、光透過性の改善および電気伝導性の改善を共に示す電極をもたらしうることが、思いがけなく発見される。結果として、こうした電極を含有する光電セルは、効率およびセル性能の改善を有しうる。光電セル100内の他のコンポーネントを考えると、基板110は、一般に、透過性材料で形成される。基板110がそこから形成されうる例示的な材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンを含む。ある実施形態では、ポリマーは、フッ素化ポリマーでありうる。いくつかの実施形態では、ポリマー材料の組合せが使用される。ある実施形態では、基板110の異なる領域が、異なる材料で形成されうる。一般に、基板110は、可撓性、半剛性または剛性たとえば、ガラスなどでありうる。いくつかの実施形態では、基板210は、約5,000メガパスカル未満たとえば、約1,000メガパスカル未満または約500メガパスカル未満の曲げ弾性率を有する。ある実施形態では、基板210の異なる領域は、可撓性、半剛性または不撓性でありうるたとえば、1つまたは複数の可撓性領域および1つまたは複数の異なる半剛性領域、1つまたは複数の可撓性領域および1つまたは複数の異なる不撓性領域。通常、基板210は、少なくとも約1ミクロンたとえば、少なくとも約5ミクロンまたは少なくとも約10ミクロン厚である、かつ/または、せいぜい約1,000ミクロンたとえば、せいぜい約500ミクロン、せいぜい約300ミクロン、せいぜい約200ミクロン、せいぜい約100ミクロン、またはせいぜい約50ミクロン厚である。一般に、基板210は有色または無色でありうる。いくつかの実施形態では、基板210の1つまたは複数の部分は有色であり、一方、基板210の1つまたは複数の異なる部分は無色である。基板210は、1つの平坦表面たとえば、光が衝突する表面を有することができる、2つの平坦表面たとえば、光の衝突面および対向面を有することができる、あるいは平坦表面を有することができない。基板210非平坦表面は、たとえば、湾曲状または階段状でありうる。いくつかの実施形態では、基板210の非平坦表面はパターン化されるたとえば、フレネルレンズ、レンチキュラーレンズまたはレンチキュラープリズムを形成するようなパターン化された階段を有する。光活性層130は、一般に、電子受容性材料たとえば、有機電子受容性材料および電子供与性材料たとえば、有機電子供与性材料を含みうる。いくつかの実施形態では、電子供与性材料は、以下のモノマー繰返し単位の1つまたは複数を含有する光活性ポリマーたとえば、共役ポリマーを含みうる。以下のモノマー繰返し単位とは、ベンゾチオフェン部位、シクロペンタジジチアゾール部位、ベンゾチアジアゾール部位、チアジアゾロキノキサリン部位、ベンゾイソチアゾール部位、ベンゾチアゾール部位、ジチエノピロール部位、ジベンゾシロール部位、チエノチオフェン部位、カルバゾール部位、ジチエノチオフェン部位、テトラヒドロイソインドール部位、フルオレン部位、シロール部位、シクロペンタジチオフェン部位、チアゾール部位、セレノフェン部位、チアゾロチアゾール部位、ナフトチアジアゾール部位、チエノピラジン部位、シラシクロペンタジチオフェン部位、チオフェン部位、オキサゾール部位、イミダゾール部位、ピリミジン部位、ベンゾオキサゾール部位、ベンゾイミダゾール部位、キノキサリン部位、ピリドピラジン部位、ピラジノピリダミン部位、ピラジノキノキサリン部位、チアジアゾロピリジン部位、チアジアゾロピリダミン部位、ベンゾオキサジアゾール部位、オキサジアゾロピリジン部位、オキサジアゾロピリダミン部位、ベンゾセレナジアゾール部位、ベンゾビスオキサゾール部位、チエノチアジアゾール部位、チエノピロリドン部位、またはテトラジン部位である。上述した部位は、1つまたは複数のハロゲンたとえば、F、Cl、Br、またはI、C1-C24アルキル、C1-C24アルコキシ、アリル、ヘテロアリル、C3-C24シクロアルキル、C3-C24ヘテロシクロアルキル、COR、COOR、CO-NRR’、CN、またはSO3Rによって置換されることができ、RおよびR’はそれぞれ、独立に、H、C1-C24アルキル、アリル、ヘテロアリル、C3-C24シクロアルキル、またはC3-C24ヘテロシクロアルキルである。光活性ポリマーは、上記モノマー繰返し単位の1つまたは複数を含有するホモポリマーまたはコポリマーでありうる。いくつかの実施形態では、光活性層130の電子受容性材料は、フラーレンを含みうる。いくつかの実施形態では、光活性層130は、1つまたは複数の非置換フラーレンおよび/または1つまたは複数の置換フラーレンを含みうる。非置換フラーレンの例は、C60、C70、C76、C78、C82、C84、およびC92を含む。置換フラーレンの例は、フェニル酪酸メチルエステルC61-PCBMおよびC71-PCBMなどのPCBMで置換されたフラーレン、あるいは、C1-C24アルコキシで、任意選択でさらにC1-C24アルコキシおよび/またはハロゲンたとえば、OCH2CH22OCH3またはOCH2CF2OCF2CF2OCF3で置換されたフラーレンを含む。理論に拘束されるわけではないが、長鎖アルコキシ基たとえば、酸化エチレンオリゴマーまたはフッ素化アルコキシ基で置換されたフラーレンは、有機溶媒における改善された可溶性を有し、改善された形態を有する光活性層を形成しうる。フラーレンの他の例は、たとえば同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国出願公報第2005-0279399号に記載されている。いくつかの実施形態では、電子受容性材料は、先の節に述べた光活性ポリマーの1つまたは複数を含みうる。ある実施形態では、電子受容性材料たとえば、上述したフラーレンおよび光活性ポリマーは、光活性層130で使用されうる。電子供与性材料および電子受容性材料の他の例は、たとえば、同一譲受人に譲渡された米国特許第7,772,485号および第7,781,673号、米国出願公報第2007-0017571号、第2007-0020526号、第2008-0087324号、第2008-0121281号、および第2010-0032018号、ならびにPCT出願第PCT/US2011/020227号に記載されている。一般に、光活性層130の厚さは、電子および正孔を生成するために入射光を吸収するのに十分に大きく、かつ、生成した電子または正孔の近傍層への輸送を可能にするのに十分に小さくあるべきである。通常、光活性層130の厚さは、少なくとも約50nmたとえば、少なくとも約75nm、少なくとも約100nm、少なくとも約125nm、少なくとも約150nm、または少なくとも約200nmおよび/またはせいぜい約300nmたとえば、せいぜい約250nm、せいぜい約200nm、またはせいぜい約150nmである。いくつかの実施形態では、光活性層130の厚さは、約210nmと約230nmとの間たとえば、約220nmである。任意選択で、光電セル100は、正孔キャリア層140を含みうる。正孔キャリア層140は、一般に、光電セル100で使用される厚さにおいて、正孔を電極150に輸送し、電子の電極150への輸送を実質的に阻止する材料で形成される。層140がそこから形成される材料の例は、ポリチオフェンたとえばPEDOT、ポリアニリン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフテン、およびそのコポリマーを含む。いくつかの実施形態では、正孔キャリア層140は、たった今述べた材料の1つと組合せて使用されるドーパントを含みうる。ドーパントの例は、ポリスチレンスルホナート、スルホン酸ポリマー、またはフッ素化ポリマーたとえば、フッ素化イオン交換ポリマーを含む。いくつかの実施形態では、正孔キャリア層140を形成するために使用されうる材料は、タングステン酸化物またはモリブデン酸化物などの金属酸化物を含む。金属酸化物は、ドーパントをドープされるまたはドープされる可能性がある。金属酸化物用のドーパントの例は、フッ化物、塩化物、臭化物および沃化物の塩または酸を含む。いくつかの実施形態では、正孔キャリア層140は、上述した正孔キャリア材料の組合せを含みうる。一般に、正孔キャリア層140の厚さすなわち、光活性層130に接触する正孔キャリア層140の表面と正孔キャリア層140に接触する電極150の表面との間の距離は、所望に応じて変動しうる。通常、正孔キャリア層140の厚さは、少なくとも約100nmたとえば、少なくとも約150nm、少なくとも約200nm、少なくとも約250nm、または少なくとも約300nmおよび/またはせいぜい約350nmたとえば、せいぜい約300nm、せいぜい約250nm、またはせいぜい約200nmである。いくつかの実施形態では、正孔キャリア層140の厚さは、約180nm~約220nmである。電極150は、一般に、グリッド122に関して上述した電気伝導性材料の1つまたは複数などの電気伝導性材料で形成される。いくつかの実施形態では、電極150は、電気伝導性材料の組合せで形成される。ある実施形態では、電極150は、メッシュまたはグリッド電極で形成されうる。他の実施形態では、電極150は、同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国出願公報第2008-0236657号に開示されるようなポリマーマトリクス内で分散した金属ナノ粒子たとえば、銀ナノロッドから形成されうる。一般に、基板160は、バリア層として役立ち、環境内の酸素または水分の光電セル100内への拡散を十分に防止する材料から作られうる。いくつかの実施形態では、基板160は、多層構造を有し、少なくとも2つのたとえば、少なくとも3つのポリマー層たとえば、それぞれが、ポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートなどのポリエステルを含有する、および、少なくとも2つのポリマー層間の少なくとも2つのセラミック層たとえば、それぞれが、シリカまたはアルミナを含有するを含有する複合物を含む。こうした実施形態では、基板160は、3つのポリマー層および2つのセラミック層を、ポリマー層、セラミック層、ポリマー層、セラミック層、およびポリマー層の順序で有しうる。いくつかの実施形態では、電極150が透過性材料から作られるとき、基板160もまた、透過性材料から作られうるたとえば、先の節で述べた多層構造。ある実施形態では、電極160が透過性でないとき、バリア層190は、金属箔を含みうる。理論に拘束されるわけではないが、金属箔は、一般に、ポリマーとセラミックから形成される複合材料に比べて良好なバリア材料であると考えられる。一方、金属箔は、一般に、ポリマーとセラミックから形成される複合材料に比べて透過性が低いため、通常、透過性がない光電セル100の側だけで使用される。いくつかの実施形態では、光電セル100は、基板160のデラミネーションを防止し、光電セル100の使用可能寿命を増すために、電極150と基板160との間にバッファ層を含みうる。こうしたバッファ層の例は、たとえば同一譲受人に譲渡された同時係属中のPCT/US2011/027722に記載されている。一般に、上述した光電セル100において層123、125、130、140、および150を調製する方法は、所望に応じて変動しうる。いくつかの実施形態では、こうした層は、液体ベースコーティングプロセスによって調製されうる。ある実施形態では、こうした層は、化学または物理気相堆積プロセスなどの気体ベースコーティングプロセスによって調製されうる。本明細書で述べる用語液体ベースコーティングプロセスは、液体ベースコーティング組成物を使用するプロセスを指す。液体ベースコーティング組成物の例は、溶液、分散液、または懸濁液を含む。液体ベースコーティングプロセスは、以下のプロセスの少なくとも1つのプロセスを使用することによって実行されうる。以下のプロセスとは、溶液コーティング、インクジェット印刷、スピンコーティング、ディップコーティング、ナイフコーティング、バーコーティング、スプレーコーティング、ローラコーティング、スロットコーティング、グラビアコーティング、フレキソ印刷、またはスクリーン印刷である。液体ベースコーティングプロセスの例は、たとえば同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国出願公報第2008-0006324号に記載されている。いくつかの実施形態では、層が無機半導体ナノ粒子を含むとき、液体ベースコーティングプロセスは、1ナノ粒子を溶媒たとえば、水性溶媒または無水アルコールと混合して分散液を形成し、2分散液を基板上にコーティングし、3コーティングした分散液を乾燥させることによって実行されうる。たとえば、第3の層125は、金属酸化物ナノ粒子たとえば、ITOナノ粒子を、ポリアミンたとえば、ポリエチレンイミンおよび溶媒を含有する溶液と混合して、分散液を形成し、分散液を第2の層123上にコーティングし、コーティングした分散液をたとえば、加熱によって乾燥させることによって調製されうる。ポリアミンを含有する溶液は、さらに、乾燥プロセス中にポリアミンを架橋しうる架橋剤たとえば、グリセロールジグリシジルエーテルを含みうる。ある実施形態では、無機金属酸化物ナノ粒子を含む層を調製するための液体ベースコーティングプロセスは、1適切な溶媒たとえば、無水アルコール中に前駆物質たとえば、チタン塩を分散させて分散液を形成し、2基板上に分散液をコーティングし、3分散液を水和させて無機半導体ナノ粒子層たとえば、チタン酸化物ナノ粒子層を形成し、4無機半導体材料層を乾燥させることによって実行されうる。ある実施形態では、液体ベースコーティングプロセスは、たとえば、基板上に分散液をコーティングする前に、分散液内にゾルゲルとして金属酸化物ナノ粒子を形成することによってゾルゲルプロセスによって実行されうる。一般に、有機半導体材料を含有する層を調製するために使用される液体ベースコーティングプロセスは、無機半導体材料を含有する層を調製するために使用されるプロセスと同じであるまたは異なる可能性がある。いくつかの実施形態では、有機半導体材料を含む層を調製するために、液体ベースコーティングプロセスは、有機半導体粒子を溶媒たとえば、有機溶媒と混合して溶液または分散液を形成し、溶液または分散液を基板上にコーティングし、コーティングした溶液または分散液を乾燥させることによって実行されうる。たとえば、第2の層123、光活性層130、および正孔キャリア層140は、この方法によって調製されうる。いくつかの実施形態では、電極150は、気体相ベースコーティングプロセスたとえば、化学気相堆積プロセスを使用することによって、オプションの正孔キャリア層140上に金属層を塗布することまたは液体ベースコーティングプロセスたとえば、インクジェット印刷プロセスによって、オプションの正孔キャリア層140上に金属メッシュ層を塗布することによって調製されうる。いくつかの実施形態では、基板160は、当技術分野で知られている方法によってたとえば、接着剤を使用することによって電極150に取付けられうる。いくつかの実施形態では、光電セル100は、ロールツーロールプロセスなどの連続的な製造プロセスで調製され、製造コストを大幅に低減しうる。ロールツーロールプロセスの例は、たとえば同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国出願公報第2005-0263179号に記載されている。一般に、使用中、入射光は、基板110の表面に衝突し、基板110および電極120を通過しうる。光は、その後、光活性層130と相互作用し、電子を、電子供与性材料たとえば、共役ポリマーから電子受容性材料たとえば、置換フラーレンまで移動させる。電子受容性材料は、その後、第3の層125および第2の層123を通して電極120内のグリッド122へ電子を伝達し、電子供与性材料は、正孔キャリア層140を通して電極150へ正孔を移す。電極120および150は、電子が電極120から負荷を通して電極150に流れるように、外部負荷170を介して電気接続されている。基板160および電極150が、透過性があるとき、入射光はまた、これら2つの層を通過して、光活性層130と相互作用し、それにより、電子および正孔を生成する。ある実施形態が開示されたが、他の実施形態もまた可能である。いくつかの実施形態では、光電セル100は、同一譲受人に譲渡された同時係属中の米国出願公報第2007-0246094号、第2007-0181179号、第2007-0272296号、および第2009-0211633号に記載されるようなタンデム型光電セルでありうる。いくつかの実施形態では、光電セル100は、下部電極としてカソードおよび上部電極としてアノードを含みうる。いくつかの実施形態では、光電セル100は、下部電極としてアソードおよび上部電極としてカソードを含みうる。いくつかの実施形態では、光電セル100は、図1に示した層を、逆の順序で含みうる。換言すると、光電セル100は、これらの層を下部から上部まで次の順に含みうる。次の順とは、基板160、電極150、オプションの正孔キャリア層140、光活性層130、第3の層125、第2の層123、および第1の層121を含有する電極120、および基板110である。こうした実施形態では、電極150は下部電極であり、電極120は上部電極である。こうした実施形態では、理論に拘束されるわけではないが、第2の層123に接触する第1の層121上の表面は、図1に示す表面126より大きい表面粗さを有しうる。その理由は、この表面の粗さが、光電セル100の短絡を防止するまたは最小にするときに重要でないからである。いくつかの実施形態では、複数の光電セルが、光電システムを形成するために電気接続されうる。例として、図3は、複数の光電セル320を含有するモジュール310を有する光電システム300の図である。セル320は、直列に電気接続され、システム300は、負荷330に電気接続される。別の例として、図4は、複数の光電セル420を含有するモジュール410を有する光電システム400の図である。セル420は、並列に電気接続され、システム400は、負荷430に電気接続される。いくつかの実施形態では、光電システム内の光電セルの一部たとえば、全ては、1つまたは複数の共通基板上に配設されうる。ある実施形態では、光電システム内の一部の光電セルは、直列に電気接続され、光電システム内の光電セルの一部は、並列に電気接続される。有機光電セルが述べられたが、本明細書で述べる電極120は、他の光電セルでも使用されうる。こうした光電セルの例は、アモルファスシリコン、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化銅インジウム、およびセレン化銅インジウムガリウムで形成される光活性材料を有する色素増感光電セルおよび無機光電セルを含む。いくつかの実施形態では、電極120は、ハイブリッド光電セルで使用されうる。光電セルが上述されたが、いくつかの実施形態では、本明細書で述べる電極120は、他のデバイスおよびシステムで使用されうる。たとえば、電極120は、電界効果トランジスタ、光検出器たとえば、IR検出器、光電検出器、撮像デバイスたとえば、カメラまたは医療用イメージングシステム用のRGBイメージングデバイス、発光ダイオードLEDたとえば、有機LEDOLEDあるいは赤外または近赤外LED、レーザデバイス、変換層たとえば、可視発光をIR発光に変換する層、通信用の増幅器およびエミッタたとえば、ファイバ用ドーパント、記憶素子たとえば、ホログラフィ記憶素子、およびエレクトロクロミックデバイスたとえば、エレクトロクロミックディスプレイなどの、適した有機半導体デバイスにおいて使用されうる。本明細書に挙げられる全ての出版物たとえば、特許、特許出願公報、および論文の内容は、参照によりその全てが組込まれる。以下の実施例は、例証的であり、制限することを意図されない。実施例1:平滑な電極層を形成する方法SynasiaInc.ニュージャージ州メッチェン所在から得られた、2つのモノマー、SYNASIAS-213,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、220gおよびSYNASIAS-28ビス3,4-エポキシシクロヘキシルメチルアジピン酸、200gが、500ml広口アンバーガラスボトルに添加され、オーバヘッドステンレス鋼撹拌器を使用することによって混合された。柔らかい光の下で、HampfordResearchコネチカット州ストラッドフォード所在から得られた固体光重合開始剤ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモン酸塩4.4gおよびLambsonLtd.英国ウェストヨークシャー州所在から得られた増感剤イソプロピルチキサントン2.2gが、撹拌を継続しながら順次添加された。ボトルは、アルミニウム箔によって撹拌器シャフトの周りを緩くシールされ、撹拌が室温で4時間継続され、4時間して、固体全てが溶解した。撹拌器が取除かれた後、ボトルが、テフロン登録商標でライニングされたネジキャップでシールされた。こうして得られた溶液は、充填剤溶液として次のステップで使用された。水性溶液内に分散された約10~30nmの平均径を有するインク含有銀ナノ粒子が、金属グリッドを形成するために、第1のPET基板すなわち、剥離基板の平滑表面上に印刷された。こうして形成された物品は、その後、約0.5ミクロンの厚さを有するプライマー層を有する第2のPET基板すなわち、受取り基板に接触させられた。プライマー層は、1.67:1.0:0.054の乾燥重量比の、Bostik,inc.マサチューセッツ州ミドルトン所在から得られたL7063/VITEL2700/BOSCODUR16のブレンドを第2のPET基板にコーティングすることによって形成された。先に調製された充填剤溶液は、その後、0.8ml/分の流量で2つのPET177.8mm7幅基板間のギャップ内に配設された。こうして形成された物品は、その後、2fpmのウェブ速度で、2つのPET基板を共にラミネートするための一対のニップローラを通して送られた。ニップローラは、68.9kP10psiのニップ圧、20.7kP3.0psiの巻き戻し張力、20.7kP3.0psiの再巻きとり張力を有した。充填剤溶液は、その後、ラミネートのいずれかの側に配置された2つのPhoseonLEDランプ390nmピーク発光、1.1mJ/cm2がそれぞれによって送出されるにラミネートを暴露することによって硬化された。こうして形成された物品は、最適な硬化を得るために、ロールフォーマットで20時間の間、60°Cで加熱することによって、または、30分間、85°Cで加熱することによって後硬化された。剥離基板が、その後、剥離されて、受取り基板上の硬化した電気絶縁性ポリマー層内に埋め込まれた銀グリッド電極が形成された。埋め込まれたグリッドの平滑度は、AmbiosXP-1表面プロフィルメータを使用することによって測定された。9つの個々のラインを横断したグリッドの5mmセクションの表面スキャンにおいて、2乗平均平方根表面粗さRMSは、約5nmであるように測定された。実施例2:下部電極の中央層に異なる量の電気伝導性ポリマーを含有する光電セルこの実施例の光電セル1は、次の通りに調製された。すなわち、実施例1で調製された電極層は、下部電極を形成するために、ITOを含有する層電気伝導性酸化物、ポリエチレンイミンPEI:正孔阻止材料、およびジグリシジルグリセロールエーテルDEG:架橋剤で、これらの化合物を含有する分散液を使用することによってコーティングされた。ITOの重量とPEIおよびDEGの総重量の比は、約8:1であった。こうして形成された物品は、その後、共役ポリマーおよびPCBMを含有する光電層、PEDOTを含有する正孔キャリア層:PSS、および銀上部電極でコーティングされた。光電セル2および3は、下部電極の20重量および40重量であったPEDOT層が、ITO/PEI-DEG層がコーティングされる前に、実施例1で調製された電極層上にそれぞれコーティングされたことを除いて、光電セル1の方法と同様の方法で調製された。PEDOT層は、Agfaから得られたORGACONHBS5を使用して調製された。光電セル4~6は、実施例1で調製された電極層がITO/金属/ITOIMI電極と置換されたことを除いて、光電セル1~3と同様な方法でそれぞれ調製された。光電セル1~6の特性は、1.5AM条件下で測定された。その結果は、下の表1に要約される。光電セル1~3は全て、光電セル4~6の下部電極に比べて、著しく低いシート抵抗を有する下部電極を持っていることを結果が示した。さらに、光電セル1~3は全て、それぞれ光電セル4~6に比べて著しく良好なフィルファクタおよび生産収率を示した。さらに、下部電極内に一定量のPEDOTを含むことが、下部電極がIMIを含んだときにセル効率を低下させることを、セル3とセル4との比較が示した。意外なことには、下部電極内に一定量のPEDOTを含むことが、下部電極が銀グリッドを含んだときにセル効率を増加させることを、セル1とセル2との比較が示した。実施例3:下部電極の正孔阻止材料に異なる量の電気伝導性金属酸化物を含有する光電セル光電セル7~12は、ITOとPEIとDEGとの間の重量比、71:1:1、82:1:1、93:1:1、104:1:1、115:1:1、および123:1:1を含むことを除いて、上記実施例2で述べた光電セル1と同様な方法で調製された。光電セル7~12の特性は、1.5AM条件下で測定された。その結果は、下の表2に要約される。"