"一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方に結合したN-カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方、及び、6位又は7位のいずれか一方に結合したN-カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位及び7位に結合、又は、3位及び6位に結合するN-カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。式中、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。請求項4において、前記R8が前記一般式g2で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し。R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g4で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。請求項6または請求項7において、前記R8が前記一般式g4で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g5で表される基を表し、R8は水素又は下記一般式g6で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。請求項9において、前記R8が前記一般式g6で表される置換基である場合、前記R0が前記αの位置に結合している場合は前記R8は前記γの位置に結合し、前記R0が前記βの位置に結合している場合、前記R8は前記δの位置に結合する一般式G1で表される発光素子。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G2で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G3で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、前記有機化合物を含む層に、下記一般式G4で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至炭素数70の複素芳香環基を表す。ところで、現状開発されている発光素子では、赤~緑の光を発する発光素子の特性と比較して、青の光を発する発光素子の特性が悪く、問題となっている。これは、青の光を発する為には大きなエネルギーギャップを有する発光物質が必要であり、その発光物質を発光層において分散するホストに用いる物質やその発光物質を含む発光領域に隣接した輸送層に用いる物質にはさらに大きなエネルギーギャップが必要であることが一因となっている。充分に大きいエネルギーギャップを持たない材料をホスト材料や発光領域に隣接した層の材料として用いると、励起子のエネルギーが当該材料に移動してしまい、発光素子の発光効率が低下してしまう、色純度が低下してしまうなどの問題が起こる。そこで、本発明の一態様では、広いエネルギーギャップを有し、発光素子の輸送層やホスト材料として用いることが可能な新規カルバゾール誘導体及びそれを用いた発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール誘導体を用いた、駆動電圧の小さい発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール誘導体を用いた、寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。なお、本発明の一態様では上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明者らは、広いバンドギャップと適度なキャリア輸送性を有し、発光素子の材料として好適に用いることが出来る物質として、ジベンゾチオフェンもしくはジベンゾフランの4位がカルバゾールの2位又は3位に結合しているカルバゾール誘導体を合成することができた。そして、当該カルバゾール誘導体を用いることで、発光効率の高い発光素子を提供することができた。また、当該カルバゾール誘導体を用いることで、駆動電圧の小さい発光素子を提供することができた。また、当該カルバゾール誘導体を用いることで、寿命の長い発光素子も得ることができた。すなわち、本発明の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層にジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方に結合したN-カルバゾリル基を有する材料を含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層にジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位又は3位のいずれか一方、及び、6位又は7位のいずれか一方に結合したN-カルバゾリル基を含む材料を用いた発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層にジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾールの2位及び7位に結合、又は、3位及び6位に結合するN-カルバゾリル基を含む材料を用いた発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。式中、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の一態様は、上記構成において、一般式g2で表される置換基R8がγの位置に結合する場合は、R0はαの位置に結合し、置換基R8がδの位置に結合する場合は、R0がβの位置に結合する発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基を表し、R8は水素、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基及び下記一般式g4で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し。R1、R3、R6は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g3で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g4で表される基である。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1、R3、R6は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。ただし、式中X2は酸素又は硫黄を表し、R9、R11、R14は水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。また、本発明の一態様は、上記構成において、一般式g4で表される置換基R8がγの位置に結合する場合は、R0はαの位置に結合し、置換基R8がδの位置に結合する場合は、R0がβの位置に結合する発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G3で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。式中、Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g5で表される基であり、R8は水素又は下記一般式g6で表される基である。式中、X1は酸素又は硫黄を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表す。また、本発明の一態様は、上記構成において、一般式g6で表される置換基R8がγの位置に結合する場合は、R0はαの位置に結合し、置換基R8がδの位置に結合する場合は、R0がβの位置に結合する発光素子である。また、本発明の他の一態様は一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G4で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。ただし、式中Xは酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、本発明の他の一態様は一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G5で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、本発明の他の一態様は一対の電極間に有機化合物を含む層を有する発光素子において、当該有機化合物を含む層に下記一般式G6で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子である。ただし、式中X1及びX2はそれぞれ独立に酸素又は硫黄を表し、式中Arは、炭素数6乃至70のアリール基又は炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。上記構成を有するカルバゾール誘導体は広いエネルギーギャップを有する発光素子用材料であり、発光素子の輸送層やホスト材料として用いることが可能である。また、当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態における発光素子は、ジベンゾチオフェン骨格の4位又はジベンゾフラン骨格の4位の炭素がカルバゾールの2位又は3位の炭素に結合したN-カルバゾリル基を有する物質を含む発光素子である。なお、当該ジベンゾチオフェン又はジベンゾフラン及びカルバゾールは置換基を有していてもいなくても良い。当該N-カルバゾリル基に結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基のいずれかが挙げられる。また、当該N-カルバゾリル基におけるカルバゾールが、他に置換基を有する場合、当該置換基の置換位置は6位又は7位であり、置換基としては炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基、ジベンゾチオフェン-4-イル基及びジベンゾフラン-4-イル基が挙げられる。カルバゾールの他の置換基として、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を選択した場合、これらの基はさらに置換基を有していても良く、当該置換基としては、炭素数6乃至15のアリール基、炭素数1乃至6のアルキル基を選択することができる。また、当該他の置換基として、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を選択した際、カルバゾールの2位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は7位に置換し、カルバゾールの3位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は6位に置換することが、合成の容易さから好ましい構成である。なお、合成の容易さから、2位又は3位に結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランと6位又は7位に結合する置換基は同種のものであることが好ましい構成である。このようなN-カルバゾリル基を導入することによって、バンドギャップや三重項励起エネルギーの低下を伴わずに当該N-カルバゾリル基を導入した物質に正孔の注入輸送性を付加することができる。すなわち、バンドギャップや三重項励起エネルギーが大きく、優れたキャリア輸送性を有する発光素子用材料を提供することができるようになる。このような材料を用いた発光素子は、バンドギャップや三重項励起エネルギーが大きいことから、励起エネルギーのロスが少ないため発光効率の高い発光素子とすることができる。また、優れたキャリア移動性を有することから、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、上述のようなN-カルバゾリル基はジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、このようなN-カルバゾリル基を有する物質を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。なお、上述のN-カルバゾリル基を電子輸送性を有する物質に導入することによって、電子輸送性と正孔輸送性の両方を併せ持つ材料、いわゆるバイポーラ性の材料を得ることもできる。バイポーラ性の材料を発光素子の発光層に用いることによって、発光領域の偏りを防ぎ、濃度消光や三重項-三重項消滅T-Tアニヒレイションを抑制することができ、発光効率の高い発光素子を得ることができるようになる。上記のような、N-カルバゾリル基を有する物質は下記一般式G1でも表すことができる。式G1中、Arはどのような基でもかまわないが、発光素子に使用することを考慮すると、炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基が好ましい。Arがこれらのような基であれば、発光素子を作製する際に、蒸着法や湿式法など通常の方法により発光素子を作製することが可能である。なお、蒸着のしやすさを考慮すると、当該カルバゾール誘導体の分子量は1200以下であることがさらに好ましい構成である。R0は下記一般式g1で表される基を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかである。式g1中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。以上のような構成を有するカルバゾール誘導体は、バンドギャップもしくは三重項励起エネルギーが大きく当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は、発光効率の高い発光素子とすることが可能である。また、このようなカルバゾール誘導体はキャリアの輸送性に優れ、当該カルバゾール誘導体を用いた発光素子は駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、このようなカルバゾール誘導体は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、上記カルバゾール誘導体は、寿命の長い発光素子とすることができる。なお、上記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は、上記一般式G1でも示されているように、R8で表される置換基を有していても良い。R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式g2中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。R8が上記一般式g2で表される置換基である際、上記一般式g1で表される置換基の置換位置がαである場合は、R8の置換位置はγ、上記一般式g1で表される置換基の置換位置がβである場合は、R8の置換位置はδであることが合成の容易さから好ましい構成である。また、R8が水素以外の置換基である場合、R8は上記一般式g1と同じ基であることが合成の容易さから好ましい構成である。上記一般式g1で表される基がさらに置換基を有する場合、当該置換基の置換位置はR1、R3及びR6で表される位置であることが、原料を入手しやすく、また合成が容易であるため、原料のコスト削減の面から好ましい構成である。また、同様の観点から、R1乃至R7はすべて水素であることがさらに好ましい構成である。また、同様にR8としてg2で表される基を適用した場合、当該置換基の置換位置はR9、R11及びR14で表される位置であることが好ましい構成であり、R9乃至R15がすべて水素である構成がさらに好ましい構成である。式中Arの例としては、下記構造式Ar-1乃至Ar-7で表される基などを挙げることができるが、前述のとおり、これに限られることはない。以上のようなカルバゾール誘導体は、大きなエネルギーギャップもしくは三重項励起エネルギーを有し、エネルギーの大きい蛍光やりん光も効率的に発光させることができることから、青色の蛍光や緑色のりん光を提供する発光素子のホスト材料に好適に用いることができる。結果として、当該発光素子を発光効率の高い発光素子とすることができる。また、キャリアの輸送性にも優れていることからキャリア輸送材料としても好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。また、本実施の形態におけるカルバゾール誘導体は、ジベンゾチオフェンやジベンゾフランのような剛直な基を有するため、モルフォロジーに優れ、膜質が安定である。さらに、熱物性にも優れる。このことから、このようなカルバゾール誘導体を用いた発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。当該のカルバゾール誘導体を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極との間に設けられたEL層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、プラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOは、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、グラフェン、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。EL層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、EL層103は、第1の電極102の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。なお、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体も複合材料における有機化合物として用いることもできる。正孔輸送層が一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む本実施の形態のような発光素子である場合は、正孔注入層から正孔輸送層へのホールの注入がスムーズとなるため、駆動電圧の低減を図ることができ、好ましい構成である。なお、同様の理由により、複合材料の有機化合物に一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いた場合、当該カルバゾール誘導体と、正孔輸送層に用いられる物質は同じ物質であることがさらに好ましい構成である。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。本実施の形態では、正孔輸送層として一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いる。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い。発光層113において、上記発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であっても燐光であっても良い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍光発光性の物質としては、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhA、クマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。りん光発光性の物質としては、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、トリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどが挙げられる。また、上記ホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質がりん光を発する物質である場合、ホスト材料は該発光中心物質の三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差よりも大きい三重項励起エネルギーを有する物質を選択すれば良い。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、複数の材料で構成されている場合、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液としてインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いる構成は、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい構成である。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、EL層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層113に発光領域が形成されるような構成となっている。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。また、層の積層順もこれに限定されず、基板側から第2の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、第1の電極といった、図1Aとは反対の順番に積層された積層構造であっても良い。また、直接発光層に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのエネルギーギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、正孔輸送層として、エネルギーギャップの大きい一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が用いられていることから、発光物質もしくは発光中心物質がエネルギーギャップの大きい、青色の蛍光を呈する物質や、三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差の大きい緑色のりん光を呈する物質であっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。実施の形態1で示した発光層113を、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体に発光性の発光中心物質を分散させた構成とすることで、発光中心物質からの発光を得る構成、即ち、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を発光層113のホスト材料として用いる構成を説明する。一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は大きなエネルギーギャップ若しくは大きな三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を有するため、他の発光物質を有効に励起、発光させることができることから、ホスト材料として好適に用いることができ、当該発光物質に起因した発光を得ることが可能である。そのため、エネルギーのロスが少ない、発光効率の高い発光素子を得ることができる。また、発光中心物質由来の所望の色の発光を得ることが容易な発光素子とすることができる。このことから、色純度の高い発光を呈する発光素子を得ることも容易となる。また、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体は、キャリアの輸送性にも優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することも可能となる。ここで、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体に分散させる発光中心物質としては、特に制限は無く種々の材料を用いることができる。具体的には、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-ジュロリジン-4-イル-ビニル-4H-ピラン略称:DCM2、N,N-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPA、5,12-ジフェニルテトラセン略称:DPT、クマリン6、ペリレン、ルブレン、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnやその他公知の蛍光を発光する蛍光発光性物質を用いることができる。また、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEPやその他公知の燐光を発光する燐光発光性物質を用いることができる。また、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が発光性を示す場合には、当該カルバゾール誘導体を発光中心物質として用いることができる。この場合、ホスト材料として用いるカルバゾール誘導体と発光中心物質として用いるカルバゾール誘導体は異なる物質であることが好ましい。以上に挙げた物質もしくは公知の物質の中から、ホスト材料に用いる一般式G1で表されるカルバゾール誘導体よりバンドギャップもしくは三重項励起エネルギーの小さな物質を発光中心物質として選択する。また、発光層には、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体と、そこに分散させる発光中心物質以外にも、さらに他の有機化合物を同時に分散させても良い。この場合、発光層のキャリアバランスを向上させる物質が好ましく、上記電子輸送性の高い物質などが挙げられる。下記一般式G1で表される実施の形態1で説明したカルバゾール誘導体は、式中Arの構造によっては、バイポーラ性を備える物質となる。バイポーラ性を有する一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を発光素子のホスト材料として適用することによって、発光領域の分散化が可能となり、濃度消光やT-Tアニヒレイションによる発光効率の低下を抑制することができ、より発光効率の高い発光素子を提供することが可能となる。また、発光層がバイポーラ性となることによって、モノポーラ性の発光層を有する発光素子と比較して、駆動電圧の小さい発光素子を得やすいという特徴もある。式中、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0は下記一般式g1で表される基を表し、R8は水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。但し、R0の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、R8の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。式中、X1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。式中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。なお、上記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体にバイポーラ性を有せしめるためには、上記Arで表される置換基には、例えば、π電子不足系複素芳香環基を有するアリール基や複素芳香環基を適用すればよい。すなわち、電子輸送性の骨格をArに含有させればよい。具体的な一例としては、ベンゾイミダゾリル基を有するアリール基、ベンゾイミダゾリル基を有する複素芳香環基、ベンゾオキサゾリル基を有するアリール基、ベンゾオキサゾリル基を有する複素芳香環基、オキサジアゾリル基を有するアリール基、オキサジアゾリル基を有する複素芳香環基などを適用すれば良い。なお、発光層113以外は、実施の形態1に示した構成を適宜適用することができる。なお、正孔輸送層112としては、実施の形態1の複合材料に用いることが可能な、正孔輸送性が高い物質として示した材料を用いることができる。また、それ以外に、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等の正孔輸送性の高い物質を用いて形成することができる。もちろん、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層112として、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。実施の形態3本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態1又は実施の形態2で示したEL層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態1又は実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態1における第1の電極102と第2の電極104に相当し、実施の形態1で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態1で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。また、寿命の長い発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール誘導体が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4続いて、本実施の形態では、下記一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の合成方法について説明する。式中Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。また、R0はαもしくはβが付された炭素のいずれか一方に結合する、下記一般式g1で表される置換基である。R8はγもしくはδが付された炭素のいずれか一方に結合し、水素、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至15のアリール基及び下記一般式g2で表される基のいずれか一を表す。式中、X1は硫黄または酸素を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す式g2中、X2は酸素又は硫黄を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数6乃至15のアリール基及び炭素数1乃至6のアルキル基のいずれか一を表す。ここで、式中R0は、上記一般式g1で表される置換基であるため、上記一般式G1は下記一般式G1’としても表すことができる。下記一般式G1’において、上記一般式g1に相当する置換基の置換位置は、上記一般式G1においてα又はβが付された炭素のいずれかである。以下、特に説明の無いものに関しては、Ar、R1乃至R16、X1、X2が表す置換基や元素、及びR8及び上記一般式g1に対応する置換基の置換位置は上記説明に順ずることとする。本実施の形態では上記一般式G1の代わりに上記一般式G1’を用いてその合成法を説明する。<合成方法1>合成方法1では上記一般式G1’において、R8が水素である物質下記一般式G1’-1の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位、または3位が、ハロゲン基、またはトリフラート基を有する化合物化合物1と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングさせることで、9H-カルバゾールの2位、または3位と、ジベンゾチオフェンの4位、またはジベンゾフランの4位が結合した構造を有する9H-カルバゾール誘導体化合物3を得ることができる反応式A-1。反応式A-1において、X1は酸素または硫黄を表し、X3はハロゲン基、トリフラート基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表す。反応式A-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。次に、得られた9H-カルバゾール誘導体化合物3と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1-1を得ることができる反応式A-2。反応式A-2において、X1は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表わし、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基を表し、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基のいずれかを表す。反応式A-2において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応や、銅または銅化合物を用いたウルマン反応等が挙げられる。<合成方法2>合成方法2では上記一般式G1’において、R8が上記一般式g2で表される置換基である物質下記一般式G1’-2の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位と7位、または3位と6位、または2位と6位がハロゲン基を有するカルバゾール誘導体化合物5と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングさせることで、カルバゾール誘導体化合物6を得ることができる反応式B-1。反応式B-1において、X6及びX7はハロゲン基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表す。X6とX7は同じであっても異なっていても良い。反応式B-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。次に、9H-カルバゾールのモノハロゲン化物化合物6と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物7とをカップリングさせることで、カルバゾール誘導体化合物8を得ることができる反応式B-2。反応式B-2において、X6はハロゲン基等を表し、X4はボロン酸ボロン酸はエチレングリコール等により保護されていてもよいを表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基及び、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表す。反応式B-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング反応等が挙げられる。最後に、9H-カルバゾール誘導体化合物8と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1-2を得ることができる反応式B-3。反応式B-3において、X1は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表わし、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基を表す。また、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基のいずれかを表す。反応式B-3において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いたブッフバルトハートウィッグ反応や、銅または銅化合物を用いたウルマン反応等が挙げられる。上記反応式B-1乃至B-3では、ジベンゾチオフェン骨格、または、ジベンゾフラン骨格を、1当量ずつカップリングする方法を説明した。しかし、化合物2と化合物7が同じ構造の時は、9H-カルバゾール誘導体に対して、ジベンゾフラン誘導体、または、ジベンゾフラン誘導体を同時に2当量カップリングしても良い。<合成方法3>合成方法3では上記一般式G1’において、R8が炭素数6乃至15のアリール基又は炭素数1乃至6のアルキル基である物質下記一般式G1’-3の合成方法を説明する。まず、9H-カルバゾールの2位または3位にアルキル基またはアリール基を置換し、3位または6位にハロゲン基を置換した9H―カルバゾール誘導体化合物9と、ジベンゾチオフェンのボロン酸化合物、またはジベンゾフランのボロン酸化合物化合物2とをカップリングすることで、9H―カルバゾール誘導体化合物10を得ることができる反応式C-1。反応式C-1において、X1は酸素または硫黄を表し、X9はハロゲン基等を表し、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表し、R16は、炭素数1乃至6のアルキル基、または、炭素数6乃至15のアリール基を表す。反応式C-1において行うカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木宮浦カップリング等が挙げられる。次に、9H-カルバゾール誘導体化合物10と、ハロゲン化アリール化合物4とをカップリングすることにより、目的の化合物G1’-3を得ることができる反応式C-2。反応式C-2において、X1は酸素または硫黄を表し、X5はハロゲン基等を表わし、R1乃至R7は、それぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、及び炭素数6乃至15のアリール基のいずれか一を表し、R16は、炭素数1乃至6のアルキル基、または、炭素数6乃至15のアリール基のいずれかを表し、Arは炭素数6乃至70のアリール基または炭素数1乃至70の複素芳香環基を表す。実施の形態5本実施の形態では、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いて作製された発光装置について図2を用いて説明する。なお、図2Aは、発光装置を示す上面図、図2Bは図2AをA-BおよびC-Dで切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図2Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール誘導体を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi、LiF、CaF2等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態1乃至実施の形態3いずれかの構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態1乃至実施の形態3で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール誘導体はエネルギーギャップや三重項励起エネルギーが大きく、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いた発光素子は寿命の長い発光素子であることから、信頼性の高い発光装置を提供することができる。以上のように、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図3には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。なお、図3Aは、発光装置を示す斜視図、図3Bは図3AをX-Yで切断した断面図である。図3において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。また、発光効率の高い実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1乃至実施の形態3のいずれかに記載の発光素子を含むことによって信頼性の高い発光装置とすることが可能となる。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態5に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を含み、その結果、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。また、信頼性の高い電子機器とすることが可能である。一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を含む発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図4に示す。図4Aはテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態1乃至実施の形態3いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。また、信頼性の高いテレビ装置とすることが可能である。図4Bは本発明に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1乃至実施の形態3いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9203有するこのコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。また、信頼性の高いコンピュータとすることが可能である。図4Cは本発明に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態1乃至実施の形態3いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9403を有するこの携帯電話は消費電力の低減された携帯電話とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話とすることが可能である。また、信頼性の高い携帯電話とすることが可能である。図4Dは本発明に係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態1乃至実施の形態3いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部9502を有するこのカメラは消費電力の低減されたカメラとすることができる。また、駆動電圧の小さい高いカメラとすることが可能である。また、信頼性の高いカメラとすることができる。以上の様に、実施の形態5に記載の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、色再現性に優れた高品質な表示を提供することが可能な表示部を有する電子機器を得ることができる。また、実施の形態5に記載の発光装置は、照明装置として用いることもできる。実施の形態5に記載の発光装置を照明装置として用いる一態様を、図5を用いて説明する。図5は、実施の形態5に記載の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図5に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライトユニット903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライトユニット903は、実施の形態5に記載の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態5に記載の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態5に記載の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態5に記載の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型化も可能となる。図6は、実施の形態5に記載の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図6に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、実施の形態5に記載の発光装置が用いられている。図7は、実施の形態5に記載の発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。実施の形態5に記載の発光装置は消費電力の低減された発光装置であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態5に記載の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態5に記載の発光装置は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。本実施例では、カルバゾール誘導体である、2-[4-{3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-II、構造式1及び2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-II、構造式3を、緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた実施の形態1に記載の発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i~iv、1、3に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子1、発光素子2の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを、BPAFLP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、BPAFLPを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子1では、上記構造式1で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzBIm-IIと上記構造式iiで表される4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BP及び上記構造式iiiで表されるトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3をDBTCzBIm-II:PCBA1BP:Irppy3=1:0.25:0.06重量比となるように20nm、続いてDBTCzBIm-II:Irppy3=1:0.06重量比となるように20nm、最後にDBTCzBIm-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。発光素子2では、正孔輸送層112上に上記構造式2で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzBIm-IIとPCBA1BP及びIrppy3をDBFCzBIm-II:PCBA1BP:Irppy3=1:0.25:0.06重量比となるように20nm、続いてDBFCzBIm-II:Irppy3=1:0.06重量比となるように20nm、最後にDBFCzBIm-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1及び発光素子2を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子1及び発光素子2の動作特性≫以上により得られた発光素子1及び発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図8、輝度-電圧特性を図9、電流効率-輝度特性を図10に示す。図8では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図9では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図10では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図10から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有し、そして、広い三重項励起エネルギーを有することから、緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図8から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子1及び発光素子2に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図11に示す。図11では横軸が発光波長nm、縦軸が発光強度を示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図11より発光素子1、発光素子2のいずれも、発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図12に規格化輝度-時間特性を示す。図12から、発光素子1及び発光素子2共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例ではカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCzTp-II、構造式5及び3-ジベンゾフラン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCzTp-II、構造式6を、緑色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた実施の形態1に記載の発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、iii、iv、5、6に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子3、発光素子4の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式iで表される4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIとを、BPAFLP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、BPAFLPを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子3では、上記構造式5で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzTp-IIと上記構造式iiiで表されるトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3をDBTCzTp-II:Irppy3=1:0.06重量比となるように40nm、続いてDBTCzTp-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。発光素子4では、正孔輸送層112上に上記構造式6で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzTp-IIとIrppy3をDBFCzTp-II:Irppy3=1:0.06重量比となるように40nm、続いてDBFCzTp-IIを15nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子3及び発光素子4を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子3及び発光素子4の動作特性≫以上により得られた発光素子3及び発光素子4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図13、輝度-電圧特性を図14、電流効率-輝度特性を図15に示す。図13では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図14では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図15では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図15から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有し、結果、広い三重項励起エネルギーを有することから、緑色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図13から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を緑色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子3及び発光素子4に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図16に示す。図16では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図16より発光素子3、発光素子4のいずれも、発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図17に規格化輝度-時間特性を示す。図17から、発光素子3及び発光素子4共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-II、構造式7及び3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBFCzPA-II、構造式8を、青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv~vi、7、8に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子5、発光素子6の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子5では、上記構造式7で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IIと上記構造式viで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをDBTCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。発光素子6では、正孔輸送層112上に上記構造式8で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBFCzPA-IIと1,6FLPAPrnをDBFCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIIIを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子5及び発光素子6を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子5及び発光素子6の動作特性≫以上により得られた発光素子5及び発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。各発光素子の輝度-電流密度特性を図18、輝度-電圧特性を図19、電流効率-輝度特性を図20に示す。図18では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図19では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図20では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図20から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図18から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図21に示す。図21では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図21より発光素子5、発光素子6のいずれも、発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図22に各発光素子の規格化輝度-時間特性を示す。図22から、発光素子5及び発光素子6共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である、3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-II、構造式9を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv、vi、viii9に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子7の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式9で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体であるDBT2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、DBT2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、DBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式viで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをCzPA:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiiで表されるCzPAを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子7を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子7の動作特性≫以上により得られた発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子7の輝度-電流密度特性を図23、輝度-電圧特性を図24、電流効率-輝度特性を図25に示す。図23では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図24では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図25では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図25から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図23から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子7に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図26に示す。図26では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図26より発光素子7は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-II構造式10を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv、vi、viii10に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子8の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式10で表される実施形態1で説明したカルバゾール誘導体である2,7DBT2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、2,7DBT2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、2,7DBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式viで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをCzPA:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるAlqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子8を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子8の動作特性≫以上により得られた発光素子8を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子8の輝度-電流密度特性を図27、輝度-電圧特性を図28、電流効率-輝度特性を図29に示す。図27では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図28では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図29では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図29から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図27から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子8に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図30に示す。図30では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図30より発光素子8は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。≪合成例1≫本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体である、2-[4-{3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-IIの合成方法について説明する。DBTCzBIm-IIの構造を下記構造式1に示す。まず、DBTCzBIm-IIの合成中間体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成方法を説明する。3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールは下記構造式で表されるカルバゾール誘導体である。3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの構造を下記構造式2に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>3.0g12mmolの3-ブロモカルバゾールと、2.8g12mmolのジベンゾチオフェン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ40mLのトルエンと、40mLのエタノールと、15mL2.0mol/Lの炭酸カリウム水溶液を加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、110°Cで3時間還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引濾過により回収した。回収した個体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ白色固体を1.4g、収率32で得た。ステップ1の合成スキームをa-1に示す。<ステップ2:N-フェニル-2-{4-[3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル}ベンゾイミダゾール略称:DBTCzBIm-IIの合成>0.36g1.0mmolのN-フェニル-2-4-ブロモフェニルベンゾイミダゾールと、0.36g1.0mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、10mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.15g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80°Cに加熱してから、5.0mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加え更に、80°Cで3時間攪拌した。撹拌後、この混合物へ14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を追加してから、更に110°Cで7.5時間撹拌した。撹拌後、混合物へ約30mLのトルエンを加えてから80°Cで撹拌しこの混合物を、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して酢酸エチルを用いて熱濾過した。得られた濾液を濃縮し、白色固体を得た。得られた個体を、トルエンに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒、ヘキサン:酢酸エチル=4:1により精製し、さらにトルエン/ヘキサンを用いて再結晶しところ、白色個体を0.41g、収率65で得た。ステップ2の合成スキームをbー1に示す。得られた白色固体0.40gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は2.3Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、得られた白色固体を290°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、無色透明固体を0.32g、回収率78で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図31に示す。なお、図31Bは、図31Aにおける7ppm-8.75ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.31-7.42m、4H、7.44-7.49m、6H、7.51-7.64m、8H、7.79-7.89m、4H、7.94d、J=7.8Hz、1H、8.45-8.23m、3H、8.49d、J=2.1Hz、1H測定結果から、上述の構造式1で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzBIm-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図32に、薄膜の吸収スペクトルを図33に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図32及び図33において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図34にはDBTCzBIm-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図35には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図34より、DBTCzBIm-IIのトルエン溶液における最大発光波長は377nm付近励起波長340nm、図35よりDBTCzBIm-IIの薄膜における最大発光波長は402nm付近励起波長339nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzBIm-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzBIm-IIのHOMO準位は-5.68eVであった。図33の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzBIm-IIの吸収端は3.31eVであった。従って、DBTCzBIm-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.31eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzBIm-IIのLUMO準位が-2.37eVと見積もることができる。このように、DBTCzBIm-IIは固体状態において3.31eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzBIm-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzBIm-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzBIm-IIのHOMO準位を算出した。まず、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVであることがわかっている。DBTCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは1.03Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.90Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.97Vと算出できる。このことは、DBTCzBIm-IIは0.97[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzBIm-IIのHOMO準位は、-4.94-0.97=-5.91[eV]であることがわかった。なお、参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、Ag/Ag電極のフェルミ準位に相当し、その算出は、真空準位からのポテンシャルエネルギーが既知の物質を当該参照電極Ag/Ag電極を用いて測定した値から行えば良い。本実施例で用いる参照電極Ag/Ag電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーeVの算出方法を具体的に説明する。メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位は、標準水素電極に対して0.610[Vvs.SHE]であることが知られている参考文献;ChristianR.Goldsmithetal.,J.Am.Chem.Soc.,Vol.124,No.1,83-96,2002。一方、本実施例で用いる参照電極を用いて、メタノール中におけるフェロセンの酸化還元電位を求めたところ、0.11V[vs.Ag/Ag]であった。したがって、この参照電極のポテンシャルエネルギーは、標準水素電極に対して0.50[eV]低くなっていることがわかった。ここで、標準水素電極の真空準位からのポテンシャルエネルギーは-4.44eVであることが知られている参考文献;大西敏博小山珠美著、高分子EL材料共立出版、p.64-67。以上のことから、用いた参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.44-0.50=-4.94[eV]であると算出できる。≪合成例2≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-IIの合成方法について説明する。DBFCzBIm-IIの構造を下記構造式3に示す。まず、DBFCzBIm-IIの合成中間体である4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランの合成方法について説明する。4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランは下記構造式4で表されるカルバゾール誘導体である。<ステップ1:4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランの合成>2.0g8.1mmolの3-ブロモカルバゾールと、1.7g8.1mmolのジベンゾフラン-4-ボロン酸と、150mg0.5molのトリオルトートリルホスフィンを、200mL三つ口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ20mLのトルエンと20mLのエタノールと、15mL0.2molの炭酸カリウム水溶液2.0mol/Lを加えた。フラスコ内を減圧下で攪拌することにより、混合物を脱気した。この混合物へ、23mg0.10mmolの酢酸パラジウムIIを加えてから、80°Cで還流した。還流後、混合物を室温までさましてから、得られた固体を吸引濾過により回収した。回収した個体を100mLのトルエンに溶かし、この溶液をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮して得た固体を、トルエン/ヘキサンにより再結晶したところ白色固体を2.3g、収率85で得た。ステップ1の合成スキームをa-2に示す。<ステップ2:2-[4-{3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール-9-イル}フェニル]-1-フェニルベンゾイミダゾール略称:DBFCzBIm-IIの合成>0.70g1.0mmolの2-4-ブロモフェニル-3-フェニルベンゾイミダゾールと、0.67g1.0mmolの4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.48g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を110°Cで20時間攪拌した。撹拌後、混合物を約30mLの水で2回洗浄し、有機層と水層を分離した後、水層を約30mLのトルエンで2回抽出した。有機層と抽出溶液を合わせて、約100mLの飽和食塩水で1回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、褐色固体を得た。得られた褐色個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒は酢酸エチル:トルエン=5:95により精製し、さらにヘキサン/トルエンにより再結晶したところ、淡褐色個体を0.86g、収率71で得た。ステップ2の合成スキームをb-2に示す。得られた淡褐色個体854mgをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力1.8Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度290°Cとした。昇華精製後、目的物の淡褐色固体を0.64g、回収率75で得た。昇華精製後の淡褐色固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図36に示す。なお、図36Bは図36Aにおける7ppm-9ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.31-7.50m、11H、7.54-7.65m、7H、7.72dd、J1=1.5Hz、J2=7.5Hz、1H、7.88d、J=8.7Hz、2H、7.34-8.03m、4H、8.22d、J=7.5Hz、1H、8.63d、J=1.5Hz、1H測定結果から、上述の構造式3で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzBIm-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図37に、薄膜の吸収スペクトルを図38に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBFCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図37及び図38において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図39にはDBFCzBIm-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図40には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBFCzBIm-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図39より、DBFCzBIm-IIのトルエン溶液における極大発光波長は380nm付近、及び395nm付近励起波長340nm、図40よりDBFCzBIm-IIの薄膜における最大発光波長は405nm付近励起波長332nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBFCzBIm-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzBIm-IIのHOMO準位は-5.71eVであった。図38の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzBIm-IIの吸収端は3.28eVであった。従って、DBFCzBIm-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.28eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBFCzBIm-IIのLUMO準位を-2.43eVと見積もることができる。このように、DBFCzBIm-IIは固体状態において3.28eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBFCzBIm-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.12Vまで変化させた後、1.12Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBFCzBIm-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzBIm-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBFCzBIm-IIの酸化ピーク電位Epaは1.04Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.89Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.97Vと算出できる。このことは、DBFCzBIm-IIは0.97[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzBIm-IIのHOMO準位は、-4.94-0.97=-5.91[eV]であることがわかった。≪合成例3≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCzTp-IIの合成方法について説明する。DBTCzTp-IIの構造を下記構造式5に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>合成例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBTCzTp-IIの合成>1.0g2.9mmolの2-ブロモトリフェニレンと、0.88g2.9mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを100mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.45g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。脱気後窒素置換し、この混合物を80°Cに加熱してから、14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を、80°Cで4時間攪拌した。撹拌後、この混合物へ15mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を追加してから、更に110°Cで8時間撹拌した。撹拌後、混合物へ約30mLのトルエンを加えてから80°Cで撹拌し、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して熱濾過した。得られた濾液を濃縮し、白色固体を得た。得られた個体を、トルエンに溶かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒、ヘキサン:酢酸エチル=9:1により精製し、さらにトルエン/ヘキサンを用いて再結晶したところ、白色固体を500mg、収率27で得た。ステップ2の合成スキームをb-3に示す。得られた白色個体0.50gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.1Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度310°Cとした。昇華精製後、無色透明固体を0.40g、回収率78で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図41に示す。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.37-7.41m、2H、7.45-7.52m、3H、7.58-7.77m、8H、7.93dd、J1=2.1Hz、J1=8.7Hz、1H、7.96dd、J1=1.5Hz、J1=7.8Hz、1H、8.03dd、J1=1.5Hz、J1=8.2Hz、1H、8.31d、J=7.5Hz、1H、8.61dd、J1=1.5Hz、J2=8.0Hz1H、8.72-8.77m、4H、8.91-8.94m、2H測定結果から、上述の構造式5で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzTp-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzTp-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図42に、薄膜の吸収スペクトルを図43に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図42及び図43において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図44にはDBTCzTp-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図45には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBTCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図44より、DBTCzTp-IIのトルエン溶液における極大発光波長は363nm付近、及び379nm付近励起波長340nm、図45よりDBTCzTp-IIの薄膜における最大発光波長は390nm付近励起波長336nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzTp-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzTp-IIのHOMO準位は-5.84eVであった。図43の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzTp-IIの吸収端は3.34eVであった。従って、DBTCzTp-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.34eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzTp-IIのLUMO準位を-2.50eVと見積もることができる。このように、DBTCzTp-IIは固体状態において3.34eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzTp-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.05Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから-0.05Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzTp-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzTp-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBTCzTp-IIの酸化ピーク電位Epaは1.01Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.86Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.94Vと算出できる。このことは、DBTCzTp-IIは0.94[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzTp-IIのHOMO準位は、-4.94-0.94=-5.88[eV]であることがわかった。≪合成例4≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-トリフェニレン-2-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCzTp-IIの合成方法について説明する。DBFCzTp-IIの構造を下記構造式6に示す。<ステップ1:4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBFCzTp-IIの合成>0.62g2.0mmolの2-ブロモトリフェニレンと、0.67g2.0mmolの4-9H-カルバゾール-3-イルジベンゾフランを50mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、15mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.48g4.3mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80°Cで加熱してから、14mg0.025mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を、110°Cで15.5時間攪拌した。撹拌後、混合物を約30mLの水で2回洗浄し、有機層と洗浄した水層を分離した。水層を約30mLのトルエンで2回抽出した。有機層と抽出溶液を合わせて、約100mLの飽和食塩水で1回洗浄し、有機層と水層を分離した。得られた有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して濾過した。得られた濾液を濃縮し、褐色固体を得た。得られた褐色個体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、さらにヘキサン/トルエンにより再結晶したところ、白色個体を0.73g、収率65で得た。ステップ2の合成スキームをb-4に示す。得られた白色個体0.73gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.2Pa、アルゴンガス流量5.0mL/min、加熱温度310°Cとした。昇華精製後、無色透明固体を0.59g、回収率81で得た。昇華精製後の無色透明固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図46に示す。なお、図46Bは図46Aにおける7.25ppm-9ppmの範囲を拡大して示したグラフである。1HNMRCDCl3、300MHz:δ=7.37-7.41m、2H、7.45-7.52m、3H、7.58-7.77m、8H、7.93dd、J1=2.1Hz、J1=8.7Hz、1H、7.96dd、J1=1.5Hz、J1=7.8Hz、1H、8.03dd、J1=1.5Hz、J1=8.2Hz、1H、8.31d、J=7.5Hz、1H、8.61dd、J1=1.5Hz、J2=8.0Hz1H、8.72-8.77m、4H、8.91-8.94m、2H測定結果から、上述の構造式6で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzTp-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzTp-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図47に、薄膜の吸収スペクトルを図48に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBFCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図47及び図48において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図49にはDBFCzTp-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図50には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBFCzTp-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBFCzTp-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図49より、DBFCzTp-IIのトルエン溶液における極大発光波長は380nm付近、及び395nm付近励起波長340nm、図50よりDBFCzTp-IIの薄膜における最大発光波長は413nm付近励起波長334nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBFCzTp-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzTp-IIのHOMO準位は-5.79eVであった。図48の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzTp-IIの吸収端は3.33eVであった。従って、DBFCzTp-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.33eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBFCzTp-IIのLUMO準位を-2.46eVと見積もることができる。このように、DBFCzTp-IIは固体状態において3.33eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBFCzTp-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.00Vから1.10Vまで変化させた後、1.10Vから0.00Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBFCzTp-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzTp-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBFCzTp-IIの酸化ピーク電位Epaは1.00Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.92Vと算出できる。このことは、DBFCzTp-IIは0.92[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzTp-IIのHOMO準位は、-4.94-0.92=-5.86[eV]であることがわかった。≪合成例5≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IIの合成方法について説明する。DBTCzPA-IIの構造を下記構造式7に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>合成例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBTCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.8g4.4mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.5g4.4mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.85g8.8mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ25mLのトルエンと、2.2mLのトリ-tert-ブチル-ホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ0.12g0.22mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで18時間攪拌したところ、固体が析出した。攪拌後、この混合物を室温まで冷却し、得られた固体を吸引ろ過により回収した。回収した固体を約60mLのトルエンに溶解し、得られた溶液をセライト、アルミナ、フロリジールを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体をトルエンにより再結晶したところ、白色粉末を1.1g、収率36で得た。ステップ2の合成スキームをb-6に示す。得られた白色粉末1.1gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、得られた白色粉末を300°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、淡黄色固体を1.0g、回収率90で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.36-7.68m,15H,7.72-7.93m,12H,8.19-8.286m,3H,8.57sd,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図51に示す。測定結果から、上述の構造式7で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、DBTCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図52に、薄膜の吸収スペクトルを図53に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図52及び図53において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図54にはDBTCzPA-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図55には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図54より、DBTCzPA-IIのトルエン溶液における最大発光波長は436nm付近励起波長376nm、図55よりDBTCzPA-IIの薄膜における最大発光波長は447nm付近励起波長400nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzPA-IIのHOMO準位は-5.73eVであった。図53の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzPA-IIの吸収端は2.92eVであった。従って、DBTCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.92eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzPA-IIのLUMO準位が-2.81eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IIは固体状態において2.92eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.05Vから1.10Vまで変化させた後、1.1Vから-0.05Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBTCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは1.01Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.86Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.94Vと算出できる。このことは、DBTCzPA-IIは0.94[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.94=-5.88[eV]であることがわかった。≪合成例6≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBFCzPA-IIの合成方法について説明する。DBFCzPA-IIの構造を下記構造式8に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>合成例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:DBFCzPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、0.61g1.5mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、0.50g1.5mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.29g3.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ8.0mLのトルエンと、0.76mLのトリ-tert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ43mg0.075mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで10時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製し、得られた固体をトルエン/ヘキサンにより再結晶したところ、白色粉末を0.63g、収率63で得た。ステップ2の合成スキームをb-6に示す。得られた白色粉末0.63gを昇華精製した。昇華精製は、トレインサブリメーション法を用い、圧力は3.0Pa、アルゴンガスを流量4.0mL/minで流しながら、得られた白色粉末を300°Cで加熱することにより行った。昇華精製後、淡黄色固体を0.55g、回収率87で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法1HNMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.66m,15H,7.71-7.79m,6H,7.83-7.91m,5H,7.97dd,J1=1.2Hz,J2=7.2Hz,1H,8.04dd,J1=0.90Hz,J2=7.8Hz,1H,8.10dd,J1=1.8Hz,J2=8.4Hz,1H,8.31d,J1=7.5Hz,1H,8.72sd,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図56に示す。測定結果から、上述の構造式8で表されるカルバゾール誘導体であるDBFCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、DBFCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図57に、薄膜の吸収スペクトルを図58に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図57及び図58において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図59にはDBFCzPA-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図60には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図59より、DBFCzPA-IIのトルエン溶液における最大発光波長は435nm付近励起波長376nm、図60よりDBTCzPA-IIの薄膜における最大発光波長は449nm付近励起波長380nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBFCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBFCzPA-IIのHOMO準位は-5.64eVであった。図58の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBFCzPA-IIの吸収端は2.93eVであった。従って、DBFCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.93eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBFCzPA-IIのLUMO準位は-2.71eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IIは固体状態において2.93eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBFCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.35Vから0.95Vまで変化させた後、0.95Vから0.35Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBFCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBFCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBFCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.91Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.78Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.85Vと算出できる。このことは、DBFCzPA-IIは0.85[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBFCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.85=-5.79[eV]であることがわかった。≪合成例7≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-IIの合成方法について説明する。DBT2PC-IIの構造を下記構造式9に示す。<ステップ1:3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-IIの合成>200mL三口フラスコに3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.0g5.0mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を3.2g11mmol、酢酸パラジウムIIを10mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL及び2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLを加え、この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を室温まで冷ました後、水、エタノール、トルエン、ヘキサンの順で洗浄しながら、ろ過して濾物を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:3によって精製を行った。これにより得られたフラクションを濃縮し、アセトンとエタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量1.4g、収率47で得た。ステップ1の反応スキームをC-7に示す。得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.44-7.70m、15H、7.82-7.86m、4H、8.15-8.22m、4H、8.57d、J=1.5、2Hまた、1HNMRチャートを図61に示す。なお、図61Bは図61Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式9で表されるカルバゾール誘導体であるDBT2PC-IIが得られたことがわかった。なお、DBT2PC-IIのシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は0.41、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.51だった。次に、DBT2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図62に、薄膜の吸収スペクトルを図63に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図62及び図63において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図64はDBT2PC-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図65には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図64より、DBT2PC-IIのトルエン溶液における極大発光波長は368nm付近、及び385nm付近励起波長300nm、図65よりDBT2PC-IIの薄膜における最大発光波長は400nm付近励起波長341nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBT2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBT2PC-IIのHOMO準位は-5.72eVであった。図63の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBT2PC-IIの吸収端は3.40eVであった。従って、DBT2PC-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.40eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBT2PC-IIのLUMO準位を-2.32eVと見積もることができる。このように、DBT2PC-IIは固体状態において3.40eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBT2PC-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.35Vから1.50Vまで変化させた後、1.50Vから-0.35Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBT2PC-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBT2PC-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBT2PC-IIの酸化ピーク電位Epaは1.20Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.81Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は1.01Vと算出できる。このことは、DBT2PC-IIは1.01[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBT2PC-IIのHOMO準位は、-4.94-1.01=-5.95[eV]であることがわかった。≪合成例8≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-IIの合成方法について説明する。2,7DBT2PC-IIの構造を下記構造式10に示す。<ステップ1:2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>200mL三口フラスコにて、2,7-ジブロモ-9H-カルバゾールを3.3g10mmol、ジベンゾフラン-4-ボロン酸を6.0g21mmol、酢酸パラジウムIIを11mg0.1mmol、トリスo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLを混合し、この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで4.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を室温まで冷ましたのち、ろ過して濾物を得た。この濾物をエタノール水混合液中で加熱撹拌し、ろ過して白色粉末を収量4.9g、収率92で得た。ステップ1の反応スキームをD-8に示す。<ステップ2:2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-IIの合成>200mL三口フラスコにて、ヨードベンゼンを0.7g4.3mmol、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを1.7g3.2mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを0.6g5.5mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を36mg0.1mmol混合し、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン5mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.7mL0.3mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、120°Cで5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン300mLを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエンによる精製を行った。これにより得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量1.9g、収率93で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記E-8に示す。得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.39-7.50m、5H、7.53-7.62m、6H、7.70-7.74m、4H、7.81-7.87m、4H、8.12-8.21m、4H、8.32d、J=8.1、2Hまた、1HNMRチャートを図66に示す。測定結果から、上述の構造式10で表されるカルバゾール誘導体である2,7DBT2PC-IIが得られたことがわかった。なお、シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:5は、2,7DBT2PC-IIは0.41、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールは0.22だった。次に、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトルを図67に、薄膜の吸収スペクトルを図68に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2,7DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図67及び図68において、横軸は波長nm、縦軸は吸収強度任意単位を表す。図69には2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液の発光スペクトル、図70には薄膜の発光スペクトルを示した。測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液の発光スペクトルは、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2,7DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。図69より、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液における極大発光波長は381nm付近、及び395nm付近励起波長345nm、図70より2,7DBT2PC-IIの薄膜における最大発光波長は411nm付近励起波長347nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2,7DBT2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2,7DBT2PC-IIのHOMO準位は-5.79eVであった。図68の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2,7DBT2PC-IIの吸収端は3.25eVであった。従って、2,7DBT2PC-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.25eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2,7DBT2PC-IIのLUMO準位を-2.54eVと見積もることができる。このように、2,7DBT2PC-IIは固体状態において3.25eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2,7DBT2PC-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.13Vから1.50Vまで変化させた後、1.50Vから-0.13Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2,7DBT2PC-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2,7DBT2PC-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2,7DBT2PC-IIの酸化ピーク電位Epaは1.23Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.93Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は1.08Vと算出できる。このことは、2,7DBT2PC-IIは1.01[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2,7DBT2PC-IIのHOMO準位は、-4.94-1.08=-6.02[eV]であることがわかった。≪合成例9≫本実施例では、実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3,6-ジ-ジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIの合成方法について説明する。DBF2PC-IIの構造を下記構造式11に示す。<3,6-ジジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIの合成>200mL三口フラスコへ、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.0g5.0mmol、ジベンゾフラン-4-ボロン酸を3.2g11mmol、酢酸パラジウムIIを10mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mL加え、この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素気流下、90°Cで6.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合物にトルエンを250mL加えて加熱し、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135の順でろ過し、ろ液を得た。得られたろ液はシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:3による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノール、水を加えて超音波を照射したのち、得られた析出物にアセトンとメタノールを加えて超音波を照射しながら洗浄し、濾取して乾燥させたところ、目的物の白色粉末を収量2.8g、収率69で得た。上記合成法の反応スキームを下記c-9に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、上記反応で得られた白色粉末が0.32、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.55だった。上記ステップ1で得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図71A、Bに示す。なお、図71Bは、図71Aを拡大して表したチャートである。測定結果から、上記ステップ1で得られた白色粉末は上記構造式11で表されるDBF2PC-IIが得られたことを確認した。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.37dt,J=7.8Hz,J=1.2Hz,2H,7.44-7.56m,5H,7.60-7.69m,8H,7.75dd,J=7.2Hz,J=1.5Hz,2H,7.95dd,J=7.8Hz,J=1.5Hz,2H,8.00-8.04m,4H,8.75d,J=1.5Hz,2H。次に、DBF2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図72Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図72Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBF2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBF2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図72より、DBF2PC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は320nm付近、極大発光波長は370nm付近及び387nm付近励起波長290nm、薄膜における極大吸収波長は325nm付近、294nm付近、253nm付近及び205nm付近、極大発光波長は401nm付近及び382nm付近励起波長325nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示すDBF2PC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、薄膜状態のDBF2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBF2PC-IIのHOMO準位は-5.67eVであった。図72の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBF2PC-IIの吸収端は3.40eVであった。従って、DBF2PC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.40eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBF2PC-IIのLUMO準位を-2.27eVと見積もることができる。このように、DBF2PC-IIは固体状態において3.40eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、DBF2PC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートにはDBF2PC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されており、そのガラス転移温度Tgは131°Cであることがわかった。このことから、DBF2PC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例のDBF2PC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3,6-ジジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-II構造式11を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式11、iv、viii及びixに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子9の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式11で表される3,6-ジジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、DBF2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、DBF2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式ixで表されるN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnをCzPA:1,6mMemFLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、CzPAを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子9を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子9の動作特性≫以上により得られた発光素子9を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子9の輝度-電圧特性を図73、電流効率-輝度特性を図74、電流-電圧特性を図75、パワー効率-輝度特性を図76、外部量子効率-輝度特性を図77に示す。図74から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が高いT1準位を有することから、青色の蛍光を発するバンドギャップの広い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図73から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の燐光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図76から優れたパワー効率-輝度特性を、図77からは優れた外部量子効率-輝度特性を、発光素子9が有していることがわかった。また、作製した発光素子9に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図78に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図78より発光素子9は発光中心物質である1,6mMemFLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図79に規格化輝度-時間特性を示す。図79から、発光素子9は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例10≫本実施例では、実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-IIの合成方法について説明する。mDBTCz2P-IIの構造式を下記構造式12に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>合成例1のステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-IIの合成>1.2g5.0mmolの1,3-ジブロモベンゼンと、3.5g10mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCzを200mLの三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へ、40mLのトルエンと、0.10mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液と、0.98g10mmolのナトリウムtert-ブトキシドを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した。この混合物を80°Cで撹拌して原料が溶けるのを確認してから、61mg0.11mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を、110°Cで55時間還流した。還流後、混合物を室温まで冷却し、析出した白色固体を吸引濾過により回収した。得られた固体を水、トルエンで洗浄したところ、目的物の白色固体を1.2g、収率70で得た。ステップ2の合成スキームを下記式f-10に示す。得られた白色固体1.1gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力2.8Pa、アルゴンを10mL/minで流しながら、白色固体を350°Cで加熱して行った。昇華精製後、無色透明の固体を0.89g、回収率83で得た。また、核磁気共鳴測定NMRによって、この化合物を測定した。得られたNMRチャートを図80に示す。なお、図80Bは図80Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示した図である。また、得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.36td、J1=0.9Hz、J2=7.8Hz、2H、7.43-7.53m、6H、7.58-7.63m、6H、7.71d、J=8.7Hz、2H、7.80-7.97m、8H、8.15-8.24m、6H、8.53d、J=1.5Hz、2Hこれより、本合成例によって得られた固体が3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-IIであることを確認した。次に、mDBTCz2P-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図81Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図81Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBTCz2P-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、mDBTCz2P-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図81Aより、mDBTCz2P-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は332nm付近、288nm付近、281nm付近、発光ピーク波長は370nm付近励起波長334nmであった。また、図81BよりmDBTCz2P-IIの薄膜における吸収ピーク波長は337nm付近、294nm付近、246nm付近、209nm付近、発光ピーク波長は393nm付近、380nm付近励起波長342nmにあることがわかった。また、薄膜状態のmDBTCz2P-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBTCz2P-IIのHOMO準位は-5.93eVであった。図81Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBTCz2P-IIの吸収端は3.45eVであった。従って、mDBTCz2P-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.45eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、mDBTCz2P-IIのLUMO準位が-2.48eVと見積もることができる。このように、mDBTCz2P-IIは固体状態において3.45eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体である、3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-II、構造式12を、青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例では、mDBTCz2P-IIは酸化モリブデンとの複合材料として正孔注入層にも用いている。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv、viii、ix、12に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子10の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式12で表される実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体であ3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-IIと酸化モリブデンVIとを、mDBTCz2P-II:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、mDBTCz2P-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式ixで表されるN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnとを、CzPA:1,6mMemFLPAPrn=1:0.04重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、CzPAを10nm、続いて上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子10を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子10の動作特性≫以上により得られた発光素子10を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子10の輝度-電流密度特性を図82、輝度-電圧特性を図83、電流効率-輝度特性を図84に、電流-電圧特性を図85に示す。図82では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図83では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図84では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図85では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図82から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送材料及び正孔注入層但し酸化モリブデンとの複合材料としてに用いた発光素子は、良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。ここで、発光素子10の発光層におけるホスト材料のCzPAは電子輸送性が比較的大きい材料である。そのため、発光層内における発光領域は正孔輸送層側に偏っていることが推察される。このような状態であっても、発光効率の高い発光素子が得られている理由は、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することにある。実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体であるmDBTCz2P-IIが広いエネルギーギャップを有していることから、青色の蛍光を発する発光中心物質に隣接する正孔輸送層として用いても、励起エネルギーが正孔輸送層に移動することなく、発光効率の低下が抑制されているのである。また、図83から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が優れたキャリア輸送性を有していること、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を用いた複合材料が優れたキャリア注入性を有することを示している。また、作製した発光素子10に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図86に示す。図86では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図86より発光素子10は発光中心物質である1,6mMemFLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で発光素子10を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図87に規格化輝度-時間特性を示す。図87から、発光素子10は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。本実施例では、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体である、3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-II、構造式12を、青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層におけるホスト材料として用いた発光素子発光素子11、mDBTCz2P-IIを青色のりん光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子発光素子12について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iv、x~xiii及び12に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子11及び発光素子12の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式xで表される4,4’-ビスN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は60nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、発光素子11では上記構造式xiで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPを20nm蒸着することにより、発光素子12では上記構造式12で表される実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体である3,3’-ジジベンゾチオフェン-4-イル-N,N’-1,3-フェニレンビカルバゾール略称:mDBTCz2P-II上を20nm蒸着することによりそれぞれ正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、発光素子11ではmDBTCz2P-IIと上記構造式xiiで表されるトリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]とをmDBTCz2P-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように30nm蒸着した後、上記構造式xiiiで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように10nm蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。発光素子12ではmCPと[IrMptz1-mp3]とをmCP:[IrMptz1-mp3]=1.0:08重量比となるように30nm蒸着した後、mDBTBIm-IIと[IrMptz1-mp3]とをmDBTBIm-II:[IrMptz1-mp3]=1:0.08重量比となるように10nm蒸着して積層することにより、発光層113を形成した。次に、上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子11及び発光素子12を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子11及び発光素子12の動作特性≫以上により得られた発光素子11及び発光素子12を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子11の輝度-電流密度特性を図88、輝度-電圧特性を図89、電流効率-輝度特性を図90に、電流-電圧特性を図91に示す。発光素子12の輝度-電流密度特性を図92、輝度-電圧特性を図93、電流効率-輝度特性を図94に、電流-電圧特性を図95に示す。図88、図92では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図89、図93では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図90、図94では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図91、図95では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図90から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色のりん光を発する発光素子の発光層のホスト材料に用いた発光素子11は良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広い三重項励起エネルギーを有することから、青色のりん光を発する発光物質であっても、有効に励起することができるためである。また、図89から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。図94から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色のりん光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送材料に用いた発光素子12は、良好な輝度-電流効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体であるmDBTCz2P-IIが広いエネルギーギャップ、ひいては大きな三重項励起エネルギーを有していることから、青色のりん光を発する発光中心物質に隣接する正孔輸送層として用いても、励起エネルギーが正孔輸送層に移動することなく、発光効率の低下が抑制されているためである。また、図93から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色のりん光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子11に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図96に、発光素子12に0.1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図97に示す。図96及び図97では縦軸が発光強度任意単位、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図96及び図97より発光素子11及び発光素子12は、発光中心物質である[IrMptz1-mp3]起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図98に発光素子11の、図99に発光素子12の規格化輝度-時間特性を示す。図98及び図99から、発光素子11及び発光素子12は駆動時間に対する輝度低下が小さく、信頼性の高い素子であることがわかった。このように実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体を青色のりん光を発光中心物質とする発光素子のホスト材料又は正孔輸送材料として用いた発光素子は、高い三重項励起エネルギーからの発光である青色のりん光を有効に励起し、またはエネルギー移動による損失を起こすことなく発光効率の高い発光素子とすることが可能となる。これらはすなわち実施の形態1に記載のカルバゾール誘導体が非常に大きな三重項励起エネルギーを有していることを示している。≪合成例11≫本合成例では、実施の形態1に示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-IIの合成方法について説明する。mDBTCzPA-IIの構造を下記構造式13に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>実施例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.2g3.0mmolの9-3-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.1g3.0mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.87g9.1mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ87mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶した。得られた結晶を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮して淡黄色固体を1.5g、収率72で得た。ステップ2の合成スキームをbー11に示す。得られた淡黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体1.0gを300°Cで加熱して行った。昇華精製後、白色固体を0.79g、回収率79で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.52m,10H,7.55-7.68m,7H,7.71-7.77m,3H,7.81-7.92m,7H,8.14-8.23m,3H,8.51d,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図100に示す。図100Bは図100Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるmDBTCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図101A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図101Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、mDBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、mDBTCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、mDBTCzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、375nm付近、354nm付近、336nm付近及び290nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は412nm付近及び433nm付近励起波長376nm、薄膜における吸収ピーク波長は402nm付近、381nm付近、359nm付近、340nm付近、291nm付近、261nm付近及び207nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長402nmにあることがわかった。また、薄膜状態のmDBTCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBTCzPA-IIのHOMO準位は-5.77eVであった。図101Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBTCzPA-IIの吸収端は2.95eVであった。従って、mDBTCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、mDBTCzPA-IIのLUMO準位が-2.82eVと見積もることができる。このように、mDBTCzPA-IIは固体状態において2.95eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、mDBTCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.04Vから1.15Vまで変化させた後、1.15Vから-0.04Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くmDBTCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、mDBTCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。mDBTCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.95Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.89Vと算出できる。このことは、mDBTCzPA-IIは0.89[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、mDBTCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.89=-5.83[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-II構造式13を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式13、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子13の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式13で表される3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBTCzPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viをmDBTCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.03重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子13を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子13の動作特性≫以上により得られた発光素子13を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子13の輝度-電流密度特性を図102、輝度-電圧特性を図103、電流効率-輝度特性を図104、電流ー電圧特性を図105に示す。図102では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図103では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図104では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図105では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図104から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図102から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子13に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図106に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図106より発光素子13は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図107に規格化輝度-時間特性を示す。図107から、発光素子13は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例12≫本合成例では、実施の形態1に構造式14として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-IIの合成方法について説明する。mDBFCzPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>実施例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.2g3.0mmolの9-3-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.0g3.0mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.87g9.1mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ87mg0.15mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで6時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶し、目的物の白色固体を1.8g、88の収率で得た。ステップ2の合成スキームをbー12に示す。得られた白色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色固体1.2gを300°Cで加熱して行った。昇華精製後、白色固体を1.1g、回収率89で得た。上記昇華精製後の白色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.31-7.40m,4H,7.42-7.67m,13H,7.70-7.81m,5H,7.85-7.92m,4H,7.95dd,J1=1.5Hz,J2=7.8Hz,1H,7.99-8.03m,2H,8.24d,J1=7.8Hz,1H,8.65d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図108に示す。図108Bは図108Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるmDBFCzPA-IIが得られたことがわかった。次に、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図109A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図109Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、mDBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、mDBFCzPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、mDBFCzPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、375nm付近、354nm付近、336nm付近及び290nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は412nm付近及び433nm付近励起波長375nm、薄膜における吸収ピーク波長は402nm付近、381nm付近、359nm付近、340nm付近、291nm付近、261nm付近及び207nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長402nmにあることがわかった。また、薄膜状態のmDBFCzPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBFCzPA-IIのHOMO準位は-5.77eVであった。図109Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBFCzPA-IIの吸収端は2.95eVであった。従って、mDBFCzPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.95eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、mDBFCzPA-IIのLUMO準位が-2.82eVと見積もることができる。このように、mDBFCzPA-IIは固体状態において2.95eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、mDBFCzPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.04Vから1.15Vまで変化させた後、1.15Vから-0.04Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くmDBFCzPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、mDBFCzPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。mDBFCzPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.95Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.83Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.89Vと算出できる。このことは、mDBFCzPA-IIは0.89[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、mDBFCzPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.89=-5.83[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-II構造式14を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式14、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子14の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式14で表される3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:mDBFCzPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viをmDBFCzPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子14を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子14の動作特性≫以上により得られた発光素子14を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子14の輝度-電流密度特性を図110、輝度-電圧特性を図111、電流効率-輝度特性を図112、電流ー電圧特性を図113に示す。図110では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図111では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図112では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図113では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図112から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図110から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子14に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図114に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図114より発光素子14は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図115に規格化輝度-時間特性を示す。図115から、発光素子14は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例13≫本合成例では、実施の形態1に構造式15として示したカルバゾール誘導体である、3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IVの合成方法について説明する。DBTCzPA-IVの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IVの合成>50mL三口フラスコに1.0g4.1mmolの3-ブロモカルバゾールと、1.2g4.1mmolの6-フェニル-4-ジベンゾチエニルボロン酸と、62mg0.20mmolのトリス2-メチルフェニルホスフィンを入れた。この混合物に、15mLのトルエンと、5mLのエタノールと、5mLの2.0M炭酸ナトリウム水溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に9mg0.041mmolの酢酸パラジウムIIを加え、窒素気流下、80°Cで3時間攪拌した。撹拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮し固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:2、次いでトルエン:ヘキサン=3:2で精製した。得られた固体に酢酸エチル/ヘキサンを加え、超音波を照射し、固体を吸引濾過により回収して目的物の白色固体を1.0g、収率59で得た。ステップ1の合成スキームをa-13に示す。得られた白色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.34-7.55m,7H,7.56d,J1=4.2Hz,1H,7.58-7.64m,3H,7.68-7.72m,2H,7.78dd,J1=1.8Hz,J2=8.4Hz,1H,8.10dd,J1=0.90Hz,J2=1.8Hz,1H,8.15s,1H,8.19-8.23m,2H,8.36d,J1=1.5Hz,1H<ステップ2:3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IVの合成>50mL三口フラスコに、1.3g3.3mmolの9-4-ブロモフェニル-10-フェニルアントラセンと、1.0g2.4mmolの3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.95g9.9mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ11mg0.18mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで6時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。この混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:9、次いでトルエン:ヘキサン=3:7で精製した。得られた固体をトルエン/ヘキサンで再結晶したところ、淡黄色固体を1.4g、収率80で得た。ステップ2の合成スキームをbー13に示す。得られた淡黄色固体1.4gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.9Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体を360°Cで加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を1.2g、回収率86で得た。上記昇華精製後の淡黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.34-7.49m,9H,7.51-7.54m,3H,7.57t,J1=1.5Hz,1H,7.59-7.66m,5H,7.67-7.80m,8H,7.84-7.90m,5H,8.22-8.25m,3H,8.49d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図116に示す。図116Bは図116Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体であるDBTCzPA-IVが得られたことがわかった。次に、DBTCzPA-IVのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図117A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図117Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTCzPA-IVのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、DBTCzPA-IVを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、DBTCzPA-IVのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、DBTCzPA-IVを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、DBTCzPA-IVのトルエン溶液における吸収ピーク波長は396nm付近、376付近、340付近及び281nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は423nm付近及び437nm付近励起波長376nm、薄膜における吸収ピーク波長は403nm付近、382nm付近、356nm付近、345nm付近、296nm付近及び264nm付近にあり、最大発光波長は443nm付近励起波長403nmにあることがわかった。また、薄膜状態のDBTCzPA-IVのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTCzPA-IVのHOMO準位は-5.80eVであった。図117Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTCzPA-IVの吸収端は2.93eVであった。従って、DBTCzPA-IVの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.93eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、DBTCzPA-IVのLUMO準位が-2.87eVと見積もることができる。このように、DBTCzPA-IVは固体状態において2.93eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、DBTCzPA-IVの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.02Vから0.93Vまで変化させた後、0.93Vから-0.02Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無くDBTCzPA-IVは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、DBTCzPA-IVのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。DBTCzPA-IVの酸化ピーク電位Epaは0.89Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.79Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.84Vと算出できる。このことは、DBTCzPA-IVは0.84[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、DBTCzPA-IVのHOMO準位は、-4.94-0.84=-5.78[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IV構造式15を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式15、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子15の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式15で表される3-6-フェニルジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DBTCzPA-IVとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viをDBTCzPA-IV:1,6FLPAPrn=1:0.03重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子15を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子15の動作特性≫以上により得られた発光素子15を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子15の輝度-電流密度特性を図118、輝度-電圧特性を図119、電流効率-輝度特性を図120、電流ー電圧特性を図121に示す。図118では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図119では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図120では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図121では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図120から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図119から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子15に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図122に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図122より発光素子15は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図123に規格化輝度-時間特性を示す。図123から、発光素子15は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例14≫本合成例では、実施の形態1に構造式16として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-IIの合成方法について説明する。2DBTCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>合成例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.3g2.7mmolの2-4-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.93g2.7mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.76g8.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ76mg0.13mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで4時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過し、濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られた固体にトルエン/ヘキサンを加え、懸濁液とし、この懸濁液に超音波を照射してから、吸引ろ過により固体を回収したところ、目的物の黄色固体を1.2g、収率61で得た。ステップ2の合成スキームをb-14に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体1.2gを335°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を1.01g、回収率83で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.29-7.39m,3H,7.41-7.51m,4H,7.52-7.75m,18H,7.78-7.88m,5H,8.03d,J1=1.5Hz,1H,8.15-8.23m,3H,8.51d,J1=0.90Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図124に示す。図124Bは図124Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2DBTCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図125A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図125Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2DBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2DBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2DBTCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は404nm付近、382nm付近、336nm付近及び285nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は483nm付近、452付近及び427nm付近励起波長387nm、薄膜における吸収ピーク波長は415nm付近、393nm付近、346nm付近、291nm付近及び244nm付近にあり発光ピーク波長は461nm付近及び442nm付近励起波長415nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2DBTCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位は-5.70eVであった。図125Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2DBTCzPPA-IIの吸収端は2.81eVであった。従って、2DBTCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.81eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2DBTCzPPA-IIのLUMO準位が-2.89eVと見積もることができる。このように、2DBTCzPPA-IIは固体状態において2.81eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2DBTCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.31Vから0.92Vまで変化させた後、0.92Vから0.31Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2DBTCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2DBTCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.88Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.80Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.84Vと算出できる。このことは、2DBTCzPPA-IIは0.84[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2DBTCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.84=-5.78[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-II構造式16を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式16、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子16の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式16で表される3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBTCzPPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viを2DBTCzPPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子16を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子16の動作特性≫以上により得られた発光素子16を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子16の輝度-電流密度特性を図126、輝度-電圧特性を図127、電流効率-輝度特性を図128、電流ー電圧特性を図129に示す。図126では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図127では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図128では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図129では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図128から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図127から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子16に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図130に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図130より発光素子16は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図131に規格化輝度-時間特性を示す。図131から、発光素子16は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例15≫本合成例では、実施の形態1に構造式17として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-IIの合成方法について説明する。2DBFCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>合成例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-IIの合成>50mL三口フラスコに、1.3g2.7mmolの2-4-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.88g2.7mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.76g8.0mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ76mg0.13mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで4時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過し、濾液を濃縮して固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。この固体を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮し、目的物の黄色固体を1.4g、収率71で得た。ステップ2の合成スキームをb-15に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.6Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体0.90gを360°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.73g、回収率81で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.42m,4H,7.45-7.52m,4H,7.53-7.75m,18H,7.78-7.88m,3H,7.93-8.03m,4H,8.24d,J1=7.5Hz,1H8.66d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図132に示す。図132Bは図132Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2DBFCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図133A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図133Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2DBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2DBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2DBFCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は403nm付近、381nm付近、336nm付近及び284nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は453nm付近及び427nm付近励起波長387nm、薄膜における吸収ピーク波長は415nm付近、392nm付近、347nm付近、291nm付近及び254nm付近にあり発光ピーク波長は461nm付近及び443nm付近励起波長415nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2DBFCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位は-5.68eVであった。図133Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2DBFCzPPA-IIの吸収端は2.81eVであった。従って、2DBFCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.81eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2DBFCzPPA-IIのLUMO準位が-2.87eVと見積もることができる。このように、2DBFCzPPA-IIは固体状態において2.81eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2DBFCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.27Vから0.90Vまで変化させた後、0.90Vから0.26Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2DBFCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2DBFCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.89Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.75Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.82Vと算出できる。このことは、2DBFCzPPA-IIは0.82[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2DBFCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.82=-5.76[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-II構造式17を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式17、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子17の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式17で表される3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2DBFCzPPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viを2DBFCzPPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子17を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子17の動作特性≫以上により得られた発光素子17を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子17の輝度-電流密度特性を図134、輝度-電圧特性を図135、電流効率-輝度特性を図136、電流ー電圧特性を図137に示す。図134では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図135では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図136では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図137では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図136から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図135から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子17に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図138に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図138より発光素子17は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図139に規格化輝度-時間特性を示す。図139から、発光素子17は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例16≫本合成例では、実施の形態1に構造式18として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-IIの合成方法について説明する。2mDBTCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBTCz-IIの合成>合成例1におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.0g2.1mmolの2-3-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.72g2.1mmolの3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.59g6.2mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ59mg0.10mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=5:1で精製した。得られた固体をトルエン/ヘキサンを用いて再結晶し、黄色固体を1.1g、収率70で得た。ステップ2の合成スキームをb-16に示す。得られた黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.9Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、黄色固体1.1gを330°Cで加熱して行った。昇華精製後、黄色固体を0.89g、回収率84で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.38m,3H,7.40-7.76m,23H,7.77-7.87m,4H,8.01d,J1=0.90Hz,1H,8.16-8.24m,3H,8.52d,J1=1.2Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図140に示す。図140Bは図140Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2mDBTCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図141A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図141Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2mDBTCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2mDBTCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は406nm付近、385nm付近、365nm付近、335nm付近及び292nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は424nm付近及び437nm付近励起波長385nm、薄膜における吸収ピーク波長は414nm付近、392nm付近、370nm付近、339nm付近、295nm付近、245nm付近及び208nm付近にあり発光ピーク波長は492nm付近、459nm付近及び440nm付近励起波長403nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2mDBTCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位は-5.74eVであった。図141Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2mDBTCzPPA-IIの吸収端は2.84eVであった。従って、2mDBTCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.84eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2mDBTCzPPA-IIのLUMO準位が-2.90eVと見積もることができる。このように、2mDBTCzPPA-IIは固体状態において2.84eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2mDBTCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を0.06Vから1.05Vまで変化させた後、1.05Vから0.06Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2mDBTCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2mDBTCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.91Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.82Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.87Vと算出できる。このことは、2mDBTCzPPA-IIは0.87[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2mDBTCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.87=-5.81[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-II構造式18を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式18、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子18の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式18で表される3-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBTCzPPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viを2mDBTCzPPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.03重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子18を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子18の動作特性≫以上により得られた発光素子18を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子18の輝度-電流密度特性を図142、輝度-電圧特性を図143、電流効率-輝度特性を図144、電流ー電圧特性を図145に示す。図142では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図143では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図144では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図145では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図144から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図143から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子18に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図146に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図146より発光素子18は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図147に規格化輝度-時間特性を示す。図147から、発光素子18は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。≪合成例17≫本合成例では、実施の形態1に構造式19として示したカルバゾール誘導体である、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-IIの合成方法について説明する。2mDBFCzPPA-IIの構造を下記構造式に示す。<ステップ1:3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾール略称:DBFCz-IIの合成>合成例2におけるステップ1と同様に合成した。<ステップ2:3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-IIの合成>100mL三口フラスコに、1.0g2.1mmolの2-3-ブロモフェニル-9,10-ジフェニルアントラセンと、0.69g2.1mmolの3-ジベンゾフラン-4-イル-9H-カルバゾールと、0.59g6.2mmolのナトリウムtert-ブトキシドを入れた。フラスコ内を窒素置換してから、この混合物へ20mLのトルエンと、0.2mLのトリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気をした。脱気後、この混合物へ59mg0.10mmolのビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を加えた。この混合物を窒素気流下、110°Cで5時間攪拌した。攪拌後、得られた混合物をセライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引ろ過した。濾液を濃縮して黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンを用いて再結晶し、得られた結晶を高速液体カラムクロマトグラフィー略称:HPLC展開溶媒:クロロホルムにより精製した。得られたフラクションを濃縮して淡黄色固体を0.91g、収率60で得た。ステップ2の合成スキームをb-17に示す。得られた淡黄色固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は圧力2.7Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色固体0.90gを335°Cで加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を0.78g、回収率87で得た。上記昇華精製後の黄色固体を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.30-7.41m,4H,7.44-7.76m,23H,7.81-7.85m,2H,7.95-8.05m,4H,8.25d,J1=7.5Hz,1H,8.66d,J1=1.5Hz,1Hまた、1HNMRチャートを図148に示す。図148Bは図148Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して示したチャートである。測定結果から、上述の構造式で表されるカルバゾール誘導体である2mDBFCzPPA-IIが得られたことがわかった。次に、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図149A、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図149Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製し、このサンプルの吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエンの発光スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定し、薄膜の発光スペクトルは、2mDBFCzPPA-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定した。これにより、2mDBFCzPPA-IIのトルエン溶液における吸収ピーク波長は406nm付近、385nm付近、365nm付近及び291nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は436nm付近及び424nm付近励起波長386nm、薄膜における吸収ピーク波長は414nm付近、391nm付近、369nm付近、328nm付近、294nm付近及び252nm付近にあり発光ピーク波長は488nm付近、457nm付近及び438nm付近励起波長413nmにあることがわかった。また、薄膜状態の2mDBFCzPPA-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位は-5.75eVであった。図149Bの薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2mDBFCzPPA-IIの吸収端は2.84eVであった。従って、2mDBFCzPPA-IIの固体状態の光学的エネルギーギャップは2.84eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのエネルギーギャップの値から、2mDBFCzPPA-IIのLUMO準位が-2.91eVと見積もることができる。このように、2mDBFCzPPA-IIは固体状態において2.84eVの広いエネルギーギャップを有している事がわかった。また、2mDBFCzPPA-IIの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリCV測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザービーエーエス株製、型番:ALSモデル600A又は600Cを用いた。CV測定における溶液は、溶媒として脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMFSigma-Aldrich社製、99.8、カタログ番号;22705-6を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ-n-ブチルアンモニウムn-Bu4NClO4株東京化成製、カタログ番号;T0836を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を2mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極ビーエーエス株製、PTE白金電極を、補助電極としては白金電極ビーエーエス株製、VC-3用Ptカウンター電極5cmを、参照電極としてはAg/Ag電極ビーエーエス株製、RE5非水溶媒系参照電極をそれぞれ用いた。なお、測定は室温20~25°Cで行った。また、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに統一した。測定は、参照電極に対する作用電極の電位を-0.41Vから1.05Vまで変化させた後、1.05Vから-1.41Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。測定の結果、100サイクル測定後でも、酸化ピークに大きな変化は無く2mDBFCzPPA-IIは酸化状態と中性状態との間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことがわかった。また、CV測定の結果からも、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位を算出した。まず、実施例6で算出したように、使用する参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94eVである。2mDBFCzPPA-IIの酸化ピーク電位Epaは0.93Vであった。また、還元ピーク電位Epcは0.82Vであった。したがって、半波電位EpaとEpcの中間の電位は0.88Vと算出できる。このことは、2mDBFCzPPA-IIは0.88[Vvs.Ag/Ag]の電気エネルギーにより酸化されることを示しており、このエネルギーはHOMO準位に相当する。ここで、上述した通り、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、-4.94[eV]であるため、2mDBFCzPPA-IIのHOMO準位は、-4.94-0.88=-5.82[eV]であることがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール誘導体の一つである、3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-II構造式19を青色の蛍光を発する発光中心物質を分散するためのホスト材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式19、iv乃至ivに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。≪発光素子19の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式vで表される9-[4-9-フェニルカルバゾール-3-イル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIとを、PCzPA:酸化モリブデンVI=2:1重量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、PCzPAを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式19で表される3-ジベンゾフラン-4-イル-9-[3-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:2mDBFCzPPA-IIとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viを2mDBFCzPPA-II:1,6FLPAPrn=1:0.05重量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式viiで表されるトリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを10nm、さらに上記構造式ivで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子19を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子19の動作特性≫以上により得られた発光素子19を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子19の輝度-電流密度特性を図150、輝度-電圧特性を図151、電流効率-輝度特性を図152、電流ー電圧特性を図153に示す。図150では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図151では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図152では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図153では縦軸が電流mA、横軸が電圧Vを示す。図152から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が広いエネルギーギャップを有することから、青色の蛍光を発するエネルギーギャップの大きい発光物質であっても有効に励起することができるためである。また、図151から、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体を青色の蛍光を発する発光素子の発光層におけるホスト材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール誘導体が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、作製した発光素子19に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図154に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図154より発光素子19は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を1000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図155に規格化輝度-時間特性を示す。図155から、発光素子19は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。参考例1上記実施例で用いた4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP構造式iの合成方法について具体的に説明する。BPAFLPの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニル12g50mmolをゆっくり滴下した後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過して濾物を得た。得られた濾物を氷酢酸150mLに溶かし、ここに1M塩酸を酸性になるまで加えて2時間撹拌した。この混合物の有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、この油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLとを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液をろ過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記J-3に示す。[ステップ2:4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPの合成法]100mL三口フラスコへ、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンを3.2g8.0mmol、4-フェニル-ジフェニルアミンを2.0g8.0mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを1.0g10mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を23mg0.04mmol加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.2mL0.1mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、110°Cで2時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合物にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:4による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波を照射したのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量4.1g、収率92で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記J-4に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.41、9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンは0.51、4-フェニル-ジフェニルアミンは0.27だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。測定結果から、フルオレン誘導体であるBPAFLPが得られたことがわかった。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.63-7.02m,3H,7.06-7.11m,6H,7.19-7.45m,18H,7.53-7.55m,2H,7.75d、J=6.9,2H参考例2上記実施例で用いたN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viの合成方法について具体的に説明する。1,6FLPAPrnの構造を以下に示す。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニルを12g50mmolゆっくり滴下した後、2.5時間加熱還流撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテル100mLを500mL三口フラスコに入れた。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合物をろ過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル150mLに溶かし、1M塩酸水を加えて2時間撹拌した。この液体の有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、この油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLとを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合物をろ過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥させ、目的物の白色粉末11gを収率69で得た。上記ステップ1の合成スキームを下記E1-1に示す。[ステップ2:4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPAの合成法]9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン5.8g14.6mmol、アニリン1.7mL18.6mmol、ナトリウムtert-ブトキシド4.2g44.0mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン147.0mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.4mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム066.1mg0.1mmolを加え3.5時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、得られたフラクションを濃縮し、目的物の白色固体6.0gを収率99で得た。上記ステップ2の合成スキームを下記E1-2に示す。[ステップ3:N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.4g1.2mmol、参考例2のステップ2で得た4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPA1.0g2.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.3g3.6mmolを50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン11.5mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.20mLを加えた。この混合物を70°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム031.1mg0.05mmolを加え4.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はクロロホルムにより精製し、得られたフラクションを濃縮し、黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンとヘキサンの混合溶媒により洗浄した後、吸引ろ過をおこない黄色固体を得た。得られた黄色固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で洗浄したところ、淡黄色粉末状固体0.8gを、収率68で得た。得られた淡黄色固体0.8gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、360°Cで加熱した。昇華精製後、目的物を0.4g、収率56で得た。上記ステップ3の合成スキームを下記E2-Aに示す。核磁気共鳴法NMR及びMSスペクトルによって、得られた化合物がN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnであることを確認した。1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=6.88-6.91m、6H、7.00-7.03m、8H、7.13-7.40m、26H、7.73-7.80m、6H、7.87d、J=9.0Hz、2H、8.06-8.09m、4H参考例3本参考例では、上記実施例で用いたN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnを合成する方法について説明する。[ステップ1:3-メチルフェニル-3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルアミン略称:mMemFLPAの合成法]9-3-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン3.2g8.1mmol、ナトリウムtert-ブトキシド2.3g24.1mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン40.0mL、m-トルイジン0.9mL8.3mmol、トリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.2mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム044.5mg0.1mmolを加え、この混合物を80°Cにして2.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=1:1により精製し、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し、目的の白色固体2.8gを、収率82で得た。上記ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.6g1.7mmol、3-メチルフェニル-3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルアミン1.4g3.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.5g5.1mmolを100mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン21.0mL、トリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.2mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム034.9mg0.1mmolを加え、この混合物を80°Cにして3.0時間攪拌した。攪拌後、トルエンを400mL加えて加熱し、熱いまま、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:2により精製し、黄色固体を得た。得られた黄色固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し、目的の黄色固体を1.2g、収率67で得た。得られた黄色固体1.0gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.2Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、317°Cで黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体1.0gを、収率93で得た。上記ステップ2の合成スキームを以下に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物であるN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=2.21s,6H、6.67d,J=7.2Hz,2H、6.74d,J=7.2Hz,2H、7.17-7.23m,34H、7.62d,J=7.8Hz,4H、7.74d,J=7.8Hz,2H、7.86d,J=9.0Hz,2H、8.04d,J=8.7Hz,4H参考例4実施例で用いた材料であるトリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]を合成する例を示す。[ステップ1:N-1-エトキシエチリデンベンズアミドの合成]まず、アセトイミド酸エチル塩酸塩15.5g、トルエン150mL、トリエチルアミンEt3N31.9gを500mL三ツ口フラスコに入れ、室温で10分間撹拌した。この混合物にベンゾイルクロリド17.7gとトルエン30mLの混合溶液を50mL滴下ロートより滴下し、室温で24時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物を吸引ろ過し、固体をトルエンで洗浄した。得られたろ液を、濃縮してN-1-エトキシエチリデンベンズアミドを得た赤色油状物、収率82。ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptz1-mpの合成]次に、o-トリルヒドラジン塩酸塩8.68g、四塩化炭素100mL、トリエチルアミンEt3N35mLを300mLナスフラスコに入れ、室温で1時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に上記ステップ1で得られたN-1-エトキシエチリデンベンズアミド8.72gを加えて室温で24時間撹拌した。所定時間経過後、反応混合物に水を加え、水層をクロロホルムで抽出した。この有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。得られた混合物を自然濾過し、ろ液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒にはジクロロメタンを用いた。得られたフラクションを濃縮して、3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptz1-mpを得た橙色油状物、収率84。ステップ2の合成スキームを以下に示す。[ステップ3;トリス[3-メチル-1-2-メチルフェニル-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウムIII略称:[IrMptz1-mp3]の合成]次に、上記ステップ2で得られた配位子HMptz1-mp2.71g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII1.06gを、三方コックを付けた反応容器に入れた。この反応容器をアルゴン置換し、250°Cにて48時間加熱し、反応させた。この反応混合物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒には、まず、ジクロロメタン用い、次いでジクロロメタン:酢酸エチル=10:1v/vの混合溶媒を用いた。得られたフラクションを濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、次いで、ジクロロメタンと酢酸エチルの混合溶媒にて再結晶し、有機金属錯体[IrMptz1-mp3]を得た黄色粉末、収率35。ステップ3の合成スキームを以下に示す。上記ステップ3で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1HNMRによる分析結果を下記に示す。この結果から、[IrMptz1-mp3]が得られたことがわかった。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMR.δCDCl3:1.94-2.21m,18H,6.47-6.76m,12H,7.29-7.52m,12H参考例5実施例で用いた材料である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIを合成する例を示す。[2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIの合成]2-3-ブロモフェニル-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール1.2g3.3mmolと、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸0.8g3.3mmolと、トリオルト-トリルホスフィン50mg0.2mmolを50mLの三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0mmol/L炭酸カリウム水溶液3.3mLと、トルエン12mLと、エタノール4mLを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムII7.4mg33μmolを加え、窒素気流下、80°Cで6時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーは、トルエンを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物を高速液体クロマトグラフィーにより精製した。高速液体クロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶化したところ、目的物である淡黄色粉末を収量0.8g、収率51で得た。合成スキームを下記式に示す。得られた淡黄色粉末0.8gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力3.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色粉末を215°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量0.6g、収率82で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.23-7.60m,13H、7.71-7.82m,3H、7.90-7.92m,2H、8.10-8.17m,2H"