"三相センサレスDCブラシレスモータによって圧縮機構部を駆動するインバータを備えた圧縮機駆動装置において、前記インバータは、電圧の印加方向に沿って上流側となるIGBTおよび下流側となるスーパージャンクションMOSFETを備えた直列回路を三相分備え、これら直列回路におけるIGBTとスーパージャンクションMOSFETの相互接続点が前記三相センサレスDCブラシレスモータに接続されるスイッチング回路からなり、前記三相センサレスDCブラシレスモータの起動時に、各直列回路のうち1つの直列回路のIGBTをオンするとともに別の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンして前記三相センサレスDCブラシレスモータのロータの位置決めを行う位置決め通電手段を備えていることを特徴とする圧縮機駆動装置。三相センサレスDCブラシレスモータによって圧縮機構部を駆動するインバータを備えた圧縮機駆動装置において、前記インバータは、電圧の印加方向に沿って上流側となるIGBTおよび下流側となるSiC-MOSFET素子を備えた直列回路を三相分備え、これら直列回路におけるIGBTとSiC-MOSFET素子の相互接続点が前記三相センサレスDCブラシレスモータに接続されるスイッチング回路からなり、前記三相センサレスDCブラシレスモータの起動時に、各直列回路のうち1つの直列回路のIGBTをオンするとともに別の2つの直列回路のSiC-MOSFET素子をオンして前記三相センサレスDCブラシレスモータのロータの位置決めを行う位置決め通電手段を備えていることを特徴とする圧縮機駆動装置。スーパージャンクションMOSFETやSiCの高効率のスイッチング素子は、高額であり、コストアップになってしまうという問題がある。このため、特許文献1に示されるようにインバータの上流側のスイッチング素子にはIGBTを使用し、下流側の3個のスイッチング素子のみにスーパージャンクションMOSFETを採用するということが行われている。しかしながら、位置決めの通電においては、上流側の2つのスイッチング素子と下流側の1つのスイッチング素子をオンさせる効率の低い通電パターンが用いられており、位置決め通電における効率化がなされていない。また、一部のSiC-MOSFET素子では、駆動電圧に制約があり、特殊な駆動回路を用いなくてはならなくなるという問題があり、SiCをスイッチング素子に用いる場合においても、できるだけ、SiCスイッチング素子の数を少なくしながら高効率を得ることが望まれる。本発明の第1の実施形態は、三相センサレスDCブラシレスモータによって圧縮機構部を駆動するインバータは、電圧の印加方向に沿って上流側となるIGBTおよび下流側となるスーパージャンクションMOSFETを備えた直列回路を三相分備え、これら直列回路におけるIGBTとスーパージャンクションMOSFETの相互接続点が前記三相センサレスDCブラシレスモータに接続されるスイッチング回路を備える。さらに、この三相センサレスDCブラシレスモータの起動時に、各直列回路のうち1つの直列回路のIGBTをオンするとともに別の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンして三相センサレスDCブラシレスモータのロータの位置決めを行う位置決め通電手段を備えた圧縮機駆動装置である。また、本発明の第2の実施形態では、三相センサレスDCブラシレスモータによって圧縮機構部を駆動するインバータは、電圧の印加方向に沿って上流側となるIGBTおよび下流側となるSiC-MOSFET素子を備えた直列回路を三相分備え、これら直列回路におけるIGBTとSiC-MOSFET素子の相互接続点が前記三相センサレスDCブラシレスモータに接続されるスイッチング回路を備える。さらに、この三相センサレスDCブラシレスモータの起動時に、各直列回路のうち1つの直列回路のIGBTをオンするとともに別の2つの直列回路のSiC-MOSFET素子をオンして前記三相センサレスDCブラシレスモータのロータの位置決めを行う位置決め通電手段を備えた圧縮機駆動装置である。本発明の第1の実施形態について、図1乃至図4を用いて説明する。本発明の第1の実施形態に係る圧縮機駆動装置の回路ブロック構成を図1に示す。圧縮機駆動装置1は、商用交流電源10に接続され、この商用交流電源10から電力が供給される。圧縮機駆動装置1は、三相出力を行うインバータ2とこのインバータ2を駆動するための制御回路3を備えている。インバータ2は、商用交流電源10に接続され、交流電圧を直流に変換する整流回路5、この整流回路5の整流出力を平滑するコンデンサ6と三相スイッチング回路7から構成される。三相スイッチング回路7では、コンデンサ6によって平滑された直流電源に対し、電圧の印加方向に沿って上流側にIGBT素子U,V,Wを備え、下流側にスーパージャンクションMOSFET素子X,Y,Zを備えた直列回路を三相分備え、これら直列回路におけるIGBT素子U,V,WとスーパージャンクションMOSFETX,Y,Zの相互接続点が三相センサレスDCブラシレスモータMに接続されている。さらに三相スイッチング回路7は、直流電源の負側と各スーパージャンクションMOSFETX,Y,Zとの各々の間に電流検出用のシャント抵抗R1,R2,R3が接続されている。DCブラシレスモータMは、密閉型圧縮機12の内部に収納されている。DCブラシレスモータMのロータの回転軸Sは、同様に密閉型圧縮機12の内部に収納されている回転式の圧縮機構部CMに直結されている。このため、DCブラシレスモータMが回転すれば、圧縮機構部CMが圧縮動作を行うようになっている。インバータ2の三相スイッチング回路7における各スイッチング素子U,V,WとX,Y,Zを制御する制御回路3には、電流検出用の各シャント抵抗R1,R2,R3と各スーパージャンクションMOSFETX,Y,Zとの接続点が接続され、さらに制御回路3には直流電源の負側が入力されている。制御回路3内に設けられた運転手段8は、DCブラシレスモータMの運転中に、各接続部分から各々のシャント抵抗R1,R2,R3の両端間に生じる電圧を検出し、この電圧を元に各シャント抵抗R1,R2,R3に流れる電流を算出し、その結果に応じて各スイッチング素子U,V,W及びX,Y,ZのON/OFFタイミングを制御して、DCブラシレスモータMを所定の回転数で駆動する。さらに、制御回路3は、圧縮機12を停止状態から起動させる際に、DCブラシレスモータMのロータを所定位置に移動させ、その位置に固定させるための位置決め通電手段4を備えている。DCブラシレスモータMの停止中には、ロータの回転方向の位置は定まっていない。このような状態から各スイッチング素子U,V,WとX,Y,ZのON/OFFを制御して強制転流運転を行い、同期運転に持っていくことも可能であるが、停止中のロータの位置が定まらないため、その停止位置によっては同期運転となるまでに時間が掛かるという問題がある。そこで、位置決め通電手段4は、外部から圧縮機駆動装置1に対して起動指令が入力されると、これに応答し、上流側のIGBT素子U,V,Wのいずれか1つをオンさせるとともに、オンさせたIGBT素子が連なっている直列回路以外の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンする。このオン時間は、なるべく短いほうが消費電流の点から望ましいが、あまりに短いと停止しているロータが本来位置すべき場所まで移動することができないことになってしまう。したがって、オン時間は、ロータが位置決めできる最短時間に設定することが望ましく、おおよそ1~3秒程度が設定される。DCブラシレスモータMの巻線に対して、このような通電を行うことで、DCブラシレスモータMのロータは、その通電パターンに対応した特定の位置に固定される。位置決め通電手段4によるDCブラシレスモータMにおける位置決め状態を、具体的に図2の模式図を用いて説明する。上述のとおり、位置決め通電手段4は、上流側のIGBT素子U,V,Wのいずれか1つをオンさせるとともに、オンさせたIGBT素子が連なっている直列回路以外の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンする。ここでは、図2aに示すように、インバータ2内の三相スイッチング回路7の上流側のIGBT素子Uと下流側の2つのスーパージャンクションMOSFET素子Y,Zを同時にオンさせる場合で説明する。なお、オンさせたスイッチング素子と直列接続されているスイッチング素子V、W、Xは、当然オフ状態を維持する。圧縮機12のDCブラシレスモータMとして、図2bに、インナーロータ方式の集中巻きタイプの2極モータを例として示している。DCブラシレスモータMは、シャフトSと一体化された円筒形の積層鉄板で構成されたロータRと、このロータRの周囲を囲む中空円筒形のステータST、このステータSTからロータR側に伸びた歯部ティースT、各歯部に巻回された三相巻線V1,U1,W1からなる。ロータRの中心は圧縮機構部CMと連結されたシャフトSが貫通しており、シャフトSとロータRの外周面との間に磁石MGが埋め込まれている。モータMは、2極モータであるため、ロータR内には2つの磁石がシャフトSを挟んで対向して配置されている。ここで、図2aに示すようなスイッチング素子の駆動を行うと、各巻線V1,U1,W1に流れる電流によって歯部Tに磁界が発生し、この発生磁界によってロータR内の磁石MGが引き寄せられるかもしくは反発する。磁界の方向は、巻線の巻回方向に依存するが、この場合には、巻線U1の方向に磁石MGのS極が引き寄せられ、ロータRは、図2bに示す位置まで回転し、巻線U1の巻回されているティースTの中心と外側がS極となる磁石MGの中心とが一致する位置に固定される。なお、DCブラシレスモータMとして、インナーロータ方式の集中巻きタイプの4極モータを用いた場合には図2cに示す場所が位置決めの位置となる。この場合、各相の巻線U1,V1,W1が巻回されるティースTは、それぞれの相に対して2つとなり、かつ同じ相の巻線が巻回される2つのティースTは、モータMの中心に対して対向する場所に位置する。そしてロータRに設けられる磁石MGとして、モータMの中心に対して90度ごとに位置がずれて、隣り合う磁石の磁極が反対となる4個の磁石が配置される。そして、ロータRの外周側に位置する2つの外側がS極となる磁石MGがそれぞれ巻線U1を巻回したティースTに対向する位置で固定される。図2b、cでは、DCブラシレスモータMとして磁石MGをロータR内部に埋め込んだ磁石内部埋め込み型モータで説明したが、ロータRの外側表面に磁石MGを貼り付けたタイプのモータを用いても良い。さらに、DCブラシレスモータMを集中巻きの例で説明したが分布巻きとしてもよく、分布巻きの場合も集中巻きと同じように巻線U1によって生じる磁界の中心と一つの磁石MGの中心とが一致する位置で位置決めされる。また、位置決め通電手段4の通電パターンとして上流側のIGBT素子Uと下流側の2つのスーパージャンクションMOSFET素子Y,Zを同時にオンさせる場合で説明したが、上流側のIGBT素子Vと下流側の2つのスーパージャンクションMOSFET素子X,Zを同時にオンさせる通電方法や、上流側のIGBT素子Wと下流側の2つのスーパージャンクションMOSFET素子X,Yを同時にオンさせる通電方法でもよい。これらの通電パターンの違いによってロータRの位置決め位置は異なることになるが、その後の運転手段8による強制転流運転の際に、その位置決め位置から起動開始するように通電開始時にオンさせるスイッチング素子を選定すれば円滑な起動が可能となる。位置決め後、運転手段8は、その固定された位置から圧縮機構部CMが圧縮動作を行う所定の回転方向にロータRが回転するように、スイッチング素子U,V,W,X,Y.Zを選択的にON/OFFし、強制転流動作を所定時間行なう。その後、巻線に流れる電流がある程度大きくなってきたところ、すなわち回転速度がある程度大きくなってきたところ速度起電力がある程度大きくなってきた時で3つのシャント抵抗R1~R3を流れる電流を検出し、ロータの速度推定、つまり、位置推定を開始する。ロータRの位置推定は、特定の通電タイミングにおいてシャント抵抗R1~R3から検出された電流からモータ方程式を解いて速度を求め、この速度を積分することで行われる。そして、ロータR位置の推定が開始されると、強制転流を終了し、推定されたロータRの位置に基づくベクトル制御を開始し、スイッチング素子のON/OFF時間を調整したPWM通電が行われる。6個のすべてのスイッチング素子をスーパージャンクションMOSFET素子とした場合は、効率は向上できるが、高コストになってしまう。したがって、三相分の6個のスイッチング素子について、上流側となる3つのスイッチング素子をIGBT素子とし、下流側のスイッチング素子として3個のスーパージャンクションMOSFETを用いて、低コスト化とスイッチング素子の効率向上を図り、かつインバータの起動時には、位置決め通電手段4によって上流側のIGBT素子U,V,Wのいずれか1つをオンさせるとともに、オンさせたIGBT素子が連なっている直列回路以外の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンさせることで位置決め時の通電においても消費電力の低減を図っている。なお、位置決め通電手段4では、位置決め用の通電においてオンさせた素子を連続的にオンのまま通電し続けると、場合によって大電流が流れる可能性もあるため、オンさせる素子に対し、そのオン時間のデューティーを制限して、ON/OFF制御を行なう。すなわち、図3のグラフの一点鎖線で示すように、低中負荷域ではスーパージャンクションMOSFET素子の損失は、図3の実線で示すIGBT素子よりもオン抵抗が小さいため、小さくなる。そして、位置決め通電手段4による位置決めのための通電は、モータMを連続的に回転させるわけではないが、巻線に短絡的に電流が流れるので、上述の位置決め通電手段4におけるONデューティー制御によってオンしている素子に流れる電流は概ね中程度の領域、即ち、中負荷域の導通となる。したがって、従来のように上流側の2個のIGBT素子をオンさせ、下流側の1個のスーパージャンクションMOSFET素子をオンさせるよりも、上流側のIGBT素子U,V,Wのいずれか1つをオンさせるとともに、オンさせたIGBT素子が連なっている直列回路以外の2つの直列回路のスーパージャンクションMOSFETをオンしたほうが電力損失を少なくすることができ、省エネルギーとなる。以上のような素子選定と位置決め通電手段4の通電パターンを設定することで、コストと省エネルギーのバランスを最適化することができる。続いて、本発明の第2の実施形態について、説明する。この第2の実施形態ではインバータ2の三相スイッチング回路7内のスイッチング素子のみが第1の実施形態と異なり、回路構成は図1に示すものと同一である。第2の実施形態では、三相スイッチング回路7内のスイッチング素子として上流側のスイッチング素子U,V,Wには、第1の実施形態と同様にIGBT素子を使用し、下流側のスイッチング素子X,Y,Zに、炭化ケイ素を用いたSiC-MOSFET素子を使用する。SiC-MOSFET素子はスーパージャンクションMOSFETよりも高温環境下で動作可能であるとともに、さらにオン抵抗が小さく、オン損失が少ない。すなわち、図3の破線で示すようにSiC-MOSFET素子の損失は、IGBT素子よりも損失が少ないスーパージャンクションMOSFETよりもさらに損失が少なく、低負荷から高負荷のほぼ全領域においてIGBT素子よりも高効率であり、省エネルギーとなる。そこで、モータMの起動時に、位置決め通電手段4は、三相スイッチング部7の各直列回路のうち1つの直列回路のIGBTをオンするとともに別の2つの直列回路のSiC-MOSFET素子をオンしてモータMのロータRの位置決めを行う。この通電パターンは、第1の実施形態と同様であり、この通電によるロータRの位置も第1の実施形態と同じである。上述したようにSiC-MOSFET素子は、スーパージャンクションMOSFET素子よりもオン抵抗が小さく、オン損失が少ないため、位置決め通電手段4による位置決め用の通電において、第1の実施形態よりもさらに省エネルギーとなる。第1、第2の実施形態で説明した圧縮機駆動装置1を用いたヒートポンプ式冷凍サイクルを図4に示す。ヒートポンプ式冷凍サイクルは、圧縮機駆動装置1で可変速駆動される圧縮機12、冷媒の流通方向を変更する四方弁25、利用側熱交換器26、膨張弁27、熱源側熱交換器28、及び四方弁25を通過して圧縮機12へと戻るように順次接続された冷媒配管で構成される。例えば、この冷凍サイクル装置が空気調和機に用いられる場合、利用側熱交換器26及び熱源側熱交換器28は、フィンドチューブタイプの空気熱交換器であり、この熱交換器に通風するためのファン29、30が設けられている。冷凍サイクルが運転されると圧縮機駆動装置1により圧縮機12が回転して冷媒が圧縮され、吐出された高温高圧冷媒が四方弁25を経由して熱源側熱交換器28に流れる。熱源側熱交換器28ではファン29によって送風される外気によって熱源側熱交換器28が冷却され、サイクル中の高温高圧冷媒が熱交換し、低温となる。その後、熱源側熱交換器28内の冷媒は、膨張弁27で減圧され、液化して利用側熱交換器26に流れる。利用側熱交換器26ではファン30の通風による低温の冷媒が室内空気と熱交換蒸発し、室内に冷気を吹出し室内を空調する。一方、四方弁25を反転させると、利用側熱交換器26に圧縮機12の高温吐出冷媒が導かれ、室内を暖房することができる。本発明は、上記実施形態に限定されない。さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。"