"テキスチャ付きの表面を有するLEDと、前記LED上のコンタクトと、前記コンタクトに電気的に接触する脚柱と、前記LEDを少なくとも部分的に覆う被覆とを含み、前記脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出することを特徴とする発光ダイオードLEDチップ。前記脚柱は、前記被覆の表面まで延び、前記被覆の前記表面で露出することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記LEDは、白色光を発することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆は、前記LEDの上面に位置することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆は、前記LEDの上面および側面に位置することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記LEDは、基板上に位置することを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆はまた、前記基板の側面にも位置することを特徴とする請求項6に記載のLEDチップ。電流広がり構造をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。電流広がり層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆の表面は、テキスチャ付きであることを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆は、成形されることを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆は、1つまたは複数の燐光体を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記被覆は、燐光体の濃度が異なる部分を含むことを特徴とする請求項8に記載のLEDチップ。前記脚柱は、1つまたは複数のスタッドバンプを含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記脚柱は、マイクロワイアを含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップ。前記基板と一体形成された反射層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDチップウェーハ。発光ダイオードLEDパッケージであって、サブマウントに取り付けられたLEDチップと、前記LEDを覆って取り付けられたレンズとを含み、したがって前記LEDチップからの光は前記パッケージから前記レンズを通って発せられ、各LEDチップは、LEDと、前記LEDを少なくとも部分的に覆いかつ前記サブマウントを覆わない一体化した被覆とを含むことを特徴とするLEDパッケージ。前記一体化した被覆は、ウェーハレベルで前記LEDを前記で少なくとも部分的に覆い、かつウェーハレベルで前記被覆を硬化させることによって形成されることを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。サブマウントに取り付けられた反射カップをさらに含み、前記LEDは前記反射カップ内に取り付けられ、前記被覆は前記反射カップを覆わないことを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記LEDに電気的に接触する脚柱をさらに含み、前記脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出することを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記脚柱は、前記被覆の表面まで延び、前記被覆の表面で露出することを特徴とする請求項20に記載のLEDパッケージ。前記LEDの表面は、テキスチャ付きであることを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記被覆の表面は、テキスチャ付きであることを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記LED上に電流広がり構造をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記レンズは平坦であることを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記LEDと前記レンズとの間に封止剤をさらに含み、前記レンズは前記封止剤に接触することを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。前記レンズは前記LEDに接触することを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。白色光を発することを特徴とする請求項17に記載のLEDパッケージ。基板に取り付けられたLEDと、前記LEDを少なくとも部分的に覆う一体化した被覆とを含み、前記一体化した被覆は、ウェーハレベルで前記LEDを前記被覆で少なくとも部分的に覆い、かつウェーハレベルで前記被覆を硬化させることによって形成されることを特徴とする発光ダイオードLEDチップ。前記被覆は、前記LEDの上面に位置することを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、前記LEDの上面および側面に位置することを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、前記LEDの上面および側面、ならびに前記基板の側面に位置することを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、前記基板の底面に位置することを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。反射層をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記LEDの表面は、テキスチャ付きであることを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記基板は、少なくとも部分的に透明であることを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記基板は、不透明であることを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記LEDに電気的に接触し、かつ前記被覆を貫通して前記被覆の表面まで延び、前記被覆の前記表面で露出する脚柱をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。電流広がり構造をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。電流広がり層をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆の表面は、テキスチャ付きであることを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、成形されることを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、1つまたは複数の燐光体を含むことを特徴とする請求項29に記載のLEDチップ。前記被覆は、燐光体の濃度が異なる部分を含むことを特徴とする請求項43に記載のLEDチップ。基板の表面に複数のLEDを設けるステップと、脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記LEDのうちの1つに電気的に接触するステップと、前記基板内に溝を形成するステップであって、前記溝のうちの少なくとも一部は隣接するLED間に位置するステップと、前記LEDを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設するステップと、前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記LED上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を薄層化するステップとを含むことを特徴とする発光ダイオードLEDチップを製作する方法。前記基板を薄層化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記基板は、前記溝とは反対側の表面から薄層化されることを特徴とする請求項46に記載の方法。前記LEDを個片化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記薄層化するステップは、前記溝の底部と前記溝とは反対側の前記基板の表面との間に前記基板の安定化部分を残し、前記安定化部分および前記被覆を切断することによって前記LEDを個片化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項47に記載の方法。前記個片化されたLEDのうちの少なくとも一部は、LED、脚柱、前記被覆の一部分、および前記基板の一部分を含み、前記被覆は、前記LEDおよび前記基板の側面の一部を少なくとも部分的に覆うことを特徴とする請求項49に記載の方法。前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋め、前記薄層化ステップでは、前記基板を前記溝の底部まで薄層化し、前記LEDのうちの隣接するLED間で前記被覆を切断することによって前記LEDを個片化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。前記個片化されたLEDのうちの少なくとも一部は、LED、脚柱、前記被覆の一部分、および前記基板の一部分を含み、前記被覆は、前記LEDを少なくとも部分的に覆い、かつ前記基板の側面の実質上すべてを覆うことを特徴とする請求項51に記載の方法。前記個片化されたLEDは、前記被覆の一部分を含み、前記部分は、成形またはパターニングされることを特徴とする請求項48に記載の方法。前記LEDチップは、白色光を発することを特徴とする請求項45に記載の方法。前記脚柱のうちの少なくとも一部は、1つまたは複数のスタッドバンプを含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記脚柱のうちの少なくとも一部は、マイクロワイアを含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記LEDのそれぞれの上にコンタクトを堆積させるステップをさらに含み、前記脚柱は、前記コンタクト上に形成されることを特徴とする請求項45に記載の方法。前記LED上に電流広がり構造を形成するステップをさらに含み、前記電流広がり構造はそれぞれ、前記コンタクトのうちの少なくとも1つに電気的に接触することを特徴とする請求項45に記載の方法。少なくとも1つの電流広がり層を堆積させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記LEDは、キャリア基板上にフリップチップ実装されることを特徴とする請求項45に記載の方法。前記LEDは、成長基板のうちの少なくとも一部分を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記被覆上に表面テキスチャを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記表面テキスチャは、前記被覆の厚さの10より大きく寸法設定されたテキスチャリング特徴を含むことを特徴とする請求項62に記載の方法。前記LED上に表面テキスチャを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記表面テキスチャは、前記LEDの厚さの10より大きく寸法設定されたテキスチャリング特徴を含むことを特徴とする請求項64に記載の方法。前記被覆は、燐光体を添加した接着剤を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記被覆は、散乱粒子を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記被覆は、異なる組成物を有する複数の層を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記脚柱のうちの少なくとも一部を相互接続する金属パッドを、前記平坦化した被覆上に堆積させて、LEDアレイを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。前記LEDのうちの1つをサブマウントまたはプリント回路ボードPCBに取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。光抽出を高めるために少なくとも1つのテキスチャ付きの表面を有する複数のLEDと、それぞれ前記LEDのうちの1つに電気的に接触する複数の脚柱と、前記LEDを少なくとも部分的に覆う被覆とを含み、前記脚柱のうちの少なくとも一部は、電気的接触のために貫通しかつ露出することを特徴とする発光ダイオードLEDチップウェーハ。前記脚柱のうちの少なくとも一部は、前記被覆の表面まで延び、前記被覆の前記表面で露出することを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記脚柱のうちの少なくとも1つは、スタッドバンプを含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記脚柱のうちの少なくとも1つは、マイクロワイアを含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記LEDのうちの1つの上に少なくとも1つの電流広がり構造をさらに含み、前記電流広がり構造は、前記コンタクトのうちの少なくとも1つに電気的に接触することを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。少なくとも1つの電流広がり層をさらに含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記テキスチャ付きのLED表面は、前記LEDの厚さの10より大きなテキスチャ特徴を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆は、テキスチャ付きの表面を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆のテキスチャ付きの表面は、前記被覆の厚さの10より大きな特徴を有することを特徴とする請求項78に記載のLEDチップウェーハ。2つの隣接するLED間に溝をさらに含み、前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋めることを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆は、複数の燐光体を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆は、散乱粒子を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆は、燐光体を添加した接着剤を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記LEDは、LEDアレイ内で相互接続されることを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記基板ウェーハに一体形成された反射層をさらに含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記被覆は、燐光体の濃度が異なる複数の部分を含むことを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。前記LEDおよび被覆から白色光を発することが可能であることを特徴とする請求項71に記載のLEDチップウェーハ。本発明は、ウェーハレベルでLEDチップなどの半導体装置を製作する新しい方法を開示し、かつそれらの方法を使用して製作されるLEDチップおよびLEDチップウェーハを開示する。本発明による発光ダイオードLEDチップを製作する方法の1つは、複数のLEDを通常基板上に設けるステップを含む。これらのLED上に脚柱が形成され、脚柱はそれぞれ、LEDのうちの1つに電気的に接触する。前記LEDを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆材料の一部を前記LED上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させ、これらの脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ実装されたLEDを含むLEDチップを製作するために使用される類似の方法を開示する。本発明による類似の方法を、他の半導体装置を製作するために使用することもできる。本発明による方法を使用して製作される発光ダイオードLEDチップウェーハの一実施形態は、基板ウェーハ上の複数のLEDと複数の脚柱とを含み、脚注はそれぞれ、LEDのうちの1つに電気的に接触する。これらのLEDを、被覆が少なくとも部分的に覆い、脚柱の少なくとも一部は、被覆を貫通して被覆の表面まで延びる。脚柱は、被覆の表面で露出する。本発明による方法を使用して製造される発光ダイオードLEDチップの一実施形態は、基板上の1つのLEDと、LEDに電気的に接触する1つの脚柱とを含む。このLEDを、被覆が少なくとも部分的に覆い、脚柱は、被覆を貫通して被覆の表面まで延び、かつ被覆の表面で露出する。本発明の特定の態様によれば、被覆は、LEDチップの活性領域から発せられる光のうちの少なくとも一部をダウンコンバートして白色光を生成する燐光体粒子を含むことができ、それによって白色LEDチップを生成することができる。本発明の上記その他の態様および利点は、本発明の特徴を例として示す以下の詳細な説明および添付の図面から明らかになるであろう。本発明は、特にLEDなどの半導体装置のウェーハレベルの被覆に適用できる製作方法を提供する。本発明はまた、これらの方法を使用して製作されるLEDなどの半導体装置を提供する。本発明では、ウェーハレベルでLEDをダウンコンバータ層たとえば、燐光体を添加したシリコンで被覆できるようにしながら、なお、ワイアボンディングのためにコンタクトのうちの1つまたは複数にアクセスできるようにする。本発明の一態様によれば、LEDはウェーハレベルでありながら、LEDコンタクトボンドパッドの一方または両方の上に導電性の脚柱/ポストが形成される。これらの脚柱は、電気メッキ、無電解メッキ、スタッドバンピングstudbumping、または真空蒸着などの周知の技法を使用して製作することができる。次いで、ウェーハをダウンコンバータ被覆層でブランケット被覆して、LED、コンタクト、および脚柱を埋設することができる。脚柱はそれぞれ、そのコンタクトの垂直延長部として働き、ダウンコンバータ被覆によるブランケット被覆は一時的に脚柱を覆うが、その被覆を平坦化しかつ薄層化して、脚柱の上面または上部部分を露出させることができる。脚柱は、所望の最終被覆厚さを通って突出するのに十分な高さ10~100μmにするべきである。平坦化した後、脚柱は、ワイアボンディングなどによる外部接続のために露出される。この工程はウェーハレベルで行われ、その後の製作ステップで、周知の工程を使用して、ウェーハから個々のLEDチップを分離/個片化することができる。本発明は、ブランケット被覆後にワイアボンドパッドにアクセスするための複雑なウェーハ製作工程をなくす。その代わりに、簡単でかつ費用効果の高い手法が利用される。この手法により、位置合わせを必要としないで、半導体装置のウェーハレベルの被覆を可能にする。燐光体を添加したシリコン混合物のスピン被覆、または燐光体の電気泳動堆積と、その後に続くシリコンもしくは他の接着材料のブランケット被覆など、多種多様な被覆技術を使用することができる。機械的平坦化により、ウェーハ全体で厚さを均一にすることができ、また被覆の厚さの均一性は、広い厚さ範囲たとえば、1から100μmにわたって実現することができる。白色LEDチップの色点は、反復手法たとえば、研削、試験、研削などを使用することを含めて、最終被覆厚さを制御することによって微調整することができ、その結果、厳しくビニングbinnedされた白色LEDが得られる。この手法はまた、大きなウェーハ寸法にも適応可能である。本発明について、特定の実施形態を参照して本明細書に説明するが、本発明は、多くの異なる形式で実施することができ、本明細書に記載の実施形態に限定されるものとして解釈すべきでないことが理解される。特に、本発明について、通常燐光体を添加した接着剤燐光体/接着剤被覆を含むダウンコンバータ被覆でLEDを被覆することに関して以下に説明するが、本発明を使用して、ダウンコンバージョン、保護、光抽出、または散乱のために他の材料でLEDを被覆できることが理解される。燐光体接着剤は、散乱または光抽出粒子または材料を有することができ、また被覆は、電気的に活性のものとすることができることも理解される。本発明による方法はまた、他の半導体装置を異なる材料で被覆するために使用することもできる。さらに、単一または複数の被覆および/または層をLED上に形成することができる。被覆は、燐光体を含まなくてもよく、あるいは、1つもしくは複数の燐光体、散乱粒子、および/または他の材料を含むことができる。被覆はまた、ダウンコンバージョンを提供する有機染料などの材料を含むことができる。複数の被覆および/または層を有する場合、各被覆および/または層は、他の層および/または被覆と比較すると、異なる燐光体、異なる散乱粒子、透明性および屈折率などの異なる光特性、ならびに/または異なる物理的特性を含むことができる。層、領域、または基板などのある要素が別の要素上にあるというときには、この要素が他方の要素に直接接していても、介在要素が存在してもよいことも理解される。さらに、1つの層または別の領域の関係を説明するために、内側、外側、上部、上方、下部、下、および下方などの相対的な用語ならびに類似の用語が本明細書で使用されることがある。これらの用語は、図に示す向きに加えて、装置の異なる向きも包含するものであることが理解される。様々な要素、構成要素、領域、層、および/または区分を説明するために、第1、第2などの用語が本明細書で使用されることがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層、および/または区分は、これらの用語に限定されるべきではない。これらの用語は、ある要素、構成要素、領域、層、または区分を別の領域、層、または区分と区別するためにのみ使用される。したがって、以下で論じる第1の要素、構成要素、領域、層、または区分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、構成要素、領域、層、または区分と呼ぶことができる。本発明の実施形態について、本発明の理想化した実施形態の概略図である横断面図を参照して本明細書に説明する。したがって、たとえば製造技法および/または公差の結果、図の形状からの相違が予想される。本発明の実施形態は、本明細書に示す領域の特定の形状に限定されるものとして解釈すべきではなく、たとえば製造から生じる形状の偏差を含むべきである。正方形または方形として図示または説明する領域は通常、正常な製造公差のために、角の丸いまたは湾曲した特徴を有する。したがって、図に示す領域は概略的な性質のものであり、それらの領域の形状は、装置の領域の厳密な形状を示すものではなく、本発明の範囲を限定するものではない。図1aから1eは、本発明による方法を使用して製造されるウェーハレベルのLEDチップ10の一実施形態を示す。ここで図1aを参照すると、LEDチップ10を、ウェーハレベルの製作工程で示す。すなわち、LEDチップ10は、ウェーハから個々のLEDチップへ分離/個片化される前に必要なすべてのステップを経たわけではない。LEDチップ10間の分離線またはダイシングdicing線を示すために破線が含まれ、追加の製作ステップに続いて、図1eに示すように、LEDチップを個々の装置に分離することができる。図1aから1eはまた、ウェーハレベルで2つの装置のみを示すが、単一のウェーハからさらに多くのLEDチップを形成できることが理解される。たとえば、寸法が1平方ミリメートルmm2のLEDチップを製作するとき、3インチ7.62cmのウェーハ上に最高4500個のLEDチップを製作することができる。LEDチップ10はそれぞれ、異なる形で構成された多くの異なる半導体層を有することができる半導体LED12を含む。LEDの製作および動作は、当技術分野では一般に周知であり、本明細書では簡単に論じるのみとする。LED10の層は、周知の工程を使用して製作することができ、適切な工程は、有機金属化学気相成長MOCVDを使用する製作である。LED12の層は通常、反対にドープした第1のエピタキシャル層16と第2のエピタキシャル層18との間に挟まれた活性層/領域14を含み、これらの層はすべて、基板20上に次々に形成される。この実施形態では、LED12を、基板20上の別々の装置として示す。この分離は、活性領域14およびドープした層16、18の一部分を基板20まで下にエッチングしてLED12間に開いた領域を形成することによって実現することができる。他の実施形態では、以下により詳細に説明するように、活性層14およびドープした層16、18は、基板20上で連続する層のままとすることができ、LEDチップが個片化されるときに個々の装置に分離することができる。LED12には追加の層および要素を含むこともでき、それには、バッファ層、核形成層、コンタクト層、および電流広がり層、ならびに光抽出層および要素が含まれるが、それに限定されるものではないことが理解される。活性領域14は、単一量子井戸SQW、多重量子井戸MQW、ダブルヘテロ構造、または超格子構造を含むことができる。一実施形態では、第1のエピタキシャル層16はn型にドープした層であり、第2のエピタキシャル層18はp型にドープした層であるが、他の実施形態では、第1の層16をp型にドープし、第2の層18をn型にドープすることもできる。以下、第1のエピタキシャル層16および第2のエピタキシャル層18を、それぞれn型層およびp型層と呼ぶ。LED12の領域14および層16、18は、異なる材料系から製作することができ、好ましい材料系は、III族窒化物ベースの材料系である。III族窒化物とは、窒素と、周期律表のIII族内の元素、通常アルミニウムAl、ガリウムGa、およびインジウムInとの間で形成される半導体化合物を指す。III族窒化物という用語はまた、窒化アルミニウムガリウムAlGaNおよび窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNなどの三元化合物および四元化合物も指す。好ましい実施形態では、n型層16およびp型層18は窒化ガリウムGaNであり、活性領域14はInGaNである。代替実施形態では、n型層16およびp型層18は、AlGaN、アルミニウムガリウム砒素AlGaAs、またはアルミニウムガリウムインジウム砒素リンAlGaInAsPとすることができる。基板20は、サファイア、炭化シリコン、窒化アルミニウムAlN、GaNなどの多くの材料から形成することができ、適切な基板は4H多形の炭化シリコンであるが、3C、6H、および15R多形を含む他の炭化シリコン多形を使用することもできる。炭化シリコンには、サファイアより密接にIII族窒化物と結晶格子整合するなどの特定の利点があり、その結果、より高い品質のIII族窒化物膜が得られる。炭化シリコンはまた、熱伝導性が非常に高く、したがって炭化シリコン上のIII族窒化物装置の総出力電力は、サファイア上に形成された一部の装置の場合のように基板の熱放散によって制限されない。SiC基板は、ノースカロライナ州DurhamのCreeResearch,Inc.から入手可能であり、それらの基板を生成する方法は、学術文献、ならびに特許文献3、特許文献4、および特許文献5に記載されている。図示の実施形態では、基板20はウェーハレベルであり、複数のLED12がウェーハ基板20上に形成される。LED12はそれぞれ、第1のコンタクト22および第2のコンタクト24を有することができる。図示の実施形態では、LEDは垂直の幾何形状を有し、第1のコンタクト22が基板20に接し、第2のコンタクト24がp型層18に接している。第1のコンタクト22は基板上の1つの層として示すが、LEDチップがウェーハから個片化されるとき、第1のコンタクト22もまた分離され、したがって各LEDチップ10が、第1のコンタクト22のそれ自体の部分を有する。第1のコンタクト22に印加される電気信号は、n型層16内に広がり、第2のコンタクト24に印加される信号は、p型層18内に広がる。第1および第2のコンタクトは、Au、銅Cu、ニッケルNi、インジウムIn、アルミニウムAl、銀Ag、またはこれらの組合せなどの多くの異なる材料を含むことができる。さらに他の実施形態では、コンタクトは、酸化インジウムスズ、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化カドミウムスズ、チタンタングステンニッケル、酸化インジウム、酸化スズ、酸化マグネシウム、ZnGa2O4、ZnO2/Sb、Ga2O3/Sn、AgInO2/Sn、In2O3/Zn、CuAlO2、LaCuOS、CuGaO2、およびSrCu2O2などの導電酸化物および透明導電酸化物を含むことができる。使用される材料は、コンタクトの位置、ならびに透明性、接合抵抗率、およびシート抵抗などの所望の光特性および電気特性に応じて選択することができる。III族窒化物装置の場合、通常、p型層18の一部またはすべてを薄い半透明の電流広がり層で覆うことができることが知られている。第2のコンタクト24は、通常白金Ptなどの金属または酸化インジウムスズITOなどの透明導電酸化物の層を含むことができるが、他の材料を使用することもできることが理解される。以下、第1のコンタクト22および第2のコンタクト24を、それぞれn型コンタクトおよびp型コンタクトと呼ぶ。本発明はまた、両方のコンタクトがLEDの上部に位置する横方向の幾何形状を有するLEDとともに使用することもできる。p型層18および活性領域の一部分は、エッチングなどによって除去されて、n型層16上にコンタクトメサを露出させる。活性領域14およびp型層18の除去される部分の境界を、垂直の破線25によって示す。n型層16のメサ上に、第2の横方向のn型コンタクト26同じく破線で示すが設けられる。これらのコンタクトは、周知の堆積技法を使用して堆積させた周知の材料を含むことができる。次に図1bを参照すると、本発明によれば、LED12の被覆後p型コンタクト24に電気的に接触するために利用されるp型コンタクト脚柱28が、p型コンタクト24上に形成される。脚柱28は、多くの異なる導電材料から形成することができ、また電気メッキ、マスク蒸着電子ビーム、スパッタリング、無電解メッキ、またはスタッドバンピングなどの多くの異なる周知の物理的または化学的堆積工程を使用して形成することができる。好ましいコンタクト脚柱は、金Auであり、スタッドバンピングを使用して形成される。この方法は通常、最も容易でかつ最も費用効果の高い手法である。脚柱28は、Auのほかに、Cu、Ni、In、もしくはこれらの組合せを含む第1および第2のコンタクトに利用される金属、または上記の導電酸化物および透明導電酸化物など、他の導電材料から形成することもできる。スタッドバンプを形成する工程は一般に周知であり、本明細書では簡単に論じるのみとする。スタッドバンプは、従来のワイアボンディングで使用されるボールボンディングballbonding工程の修正形態によって、コンタクトボンドパッド上に配置される。ボールボンディングでは、ボンドワイアの先端部を溶融させて、球を形成する。ワイアボンディング工具は、この球をコンタクトに押し付けて、機械力、熱、および/または超音波エネルギーをかけ、金属接続を生成する。次にワイアボンディング工具は、金ワイアをボード、基板、またはリード枠上の接続パッドまで延ばし、そのパッドへのスティッチstitch接合を行い、そしてボンドワイアを切断することによって終了して、別のサイクルを開始する。スタッドバンピングでは、第1のボールボンドは記載のように形成されるが、次いでワイアは、ボールのすぐ上方で切断される。その結果、金ボールまたはスタッドバンプがコンタクト上に残り、下層のコンタクト金属への恒久的で信頼性の高い接続を提供する。次いでスタッドバンプを機械的圧力によって平滑化またはコイニングcoinedして、上面をより平滑にしかつバンプ高さをより均一にしながら、同時に残りのあらゆるワイアをボール内に押し入れる。脚柱28の高さは、燐光体を添加した接着剤被覆の所望の厚さに応じて変動させることができ、LEDから燐光体を添加した接着剤被覆の上面に一致しまたはその上方へ延びるのに十分な高さにするべきである。この高さは、200μmを上回ることができ、典型的な脚柱高さは、20から60μmの範囲内である。いくつかの実施形態では、2つ以上のスタッドバンプを積み重ねて、所望の脚柱高さを実現することができる。スタッドバンプまたは他の形の脚柱28はまた、光損失を最小限にするために、反射層を有することができ、または反射材料から形成することができる。図示の垂直の幾何形状型のLED12では、p型コンタクト24に必要な脚柱28は1つのみである。代替の横方向の幾何形状のLEDでは、横方向の幾何形状のn型コンタクト26上に、p型脚柱28と実質上同じ高さで通常同じ材料からなる第2のn型脚柱30破線で示すが、同じ工程を使用して形成される。次に図1cを参照すると、ウェーハは、燐光体/接着剤被覆32によって覆われる。被覆32は、各LED12およびそのコンタクト22を覆い、その厚さは、脚柱28を覆う/埋設するような厚さである。横方向の幾何形状の装置では、コンタクト26および脚柱30も埋設される。本発明は、ウェーハレベルでLED12を覆って燐光体被覆を堆積させ、特定の装置または特徴上の位置合わせを必要としないという利点を提供する。その代わりに、ウェーハ全体が覆われ、それによって、より簡単でかつより費用効果の高い製作工程を実現する。燐光体/接着剤被覆は、スピン被覆、分注、電気泳動堆積、静電堆積、印刷、ジェット印刷、またはスクリーン印刷などの異なる工程を使用して塗布することができる。他の実施形態では、被覆32は、別に製作されたパフォームperformとして用意することができ、このパフォームを、LEDのそれぞれを覆って接合することができる。パフォーム塗布方法の一実施形態については、以下に説明し、図7aから7dに示す。好ましい実施形態では、燐光体は、燐光体/接着剤混合物の形で、スピン被覆を使用して、ウェーハを覆って堆積させることができる。スピン被覆は、当技術分野では一般に周知であり、通常、所望の量の接着剤と燐光体の混合物を基板の中心に堆積させるステップと、基板を高速で回転させるステップとを含む。遠心加速度により、混合物は基板の縁部まで広がり、最終的に基板の縁部から離れる。最終層厚さおよび他の特性は、混合物の性質粘性、乾燥速度、燐光体の百分率、表面張力などおよびスピン工程に対して選択するパラメータに依存する。大きなウェーハでは、基板を覆って燐光体/接着剤混合物を分注してから基板を高速で回転させることが有用である可能性がある。別の実施形態では、燐光体は、周知の電気泳動堆積方法を使用して、ウェーハ上に堆積させる。このウェーハおよびそのLEDを、液体中に懸濁させた燐光体粒子を含む溶液に露出させる。溶液とLEDとの間に電気信号を印加して電界を発生させると、燐光体粒子はLEDまで泳動し、その上に堆積する。この工程では通常、燐光体がLEDを覆って粉末の形で残る。次いで、この燐光体を覆って接着剤を堆積させることができ、燐光体粒子は接着剤中に沈下して、被覆32を形成する。接着剤被覆は、多くの周知の方法を使用して塗布することができ、一実施形態では、接着剤被覆は、スピン被覆を使用して塗布することができる。次いで、使用される接着剤の種類などの異なる要因に応じて多くの異なる硬化方法を使用して、燐光体/接着剤被覆32を硬化させることができる。異なる硬化方法には、熱硬化、紫外線UV硬化、赤外線IR硬化、または空気硬化が含まれるが、それに限定されるものではない。異なる要因が、最終LEDチップ内の燐光体/接着剤被覆によって吸収されるLED光の量を決定する。これらの要因には、燐光体粒子の寸法、燐光体添加の百分率、接着剤材料の種類、燐光体の種類と発せられる光の波長との間の整合の効率、および燐光体/接着層の厚さが含まれるが、それに限定されるものではない。これらの異なる要因を制御して、本発明によるLEDチップの発光波長を制御することができる。接着剤には異なる材料を使用することができ、好ましくは材料は、硬化後頑丈であり、かつ可視波長スペクトルで実質上透明である。適切な材料には、シリコン、エポキシ、ガラス、無機ガラス、スピンオンガラス、誘電体、BCB、ポリイミド、ポリマー、およびこれらの混成物が含まれ、好ましい材料は、高電力のLEDで透明性および信頼性が高いことから、シリコンである。適切なフェニルベースおよびメチルベースのシリコンは、Dow登録商標Chemicalから市販されている。他の実施形態では、接着剤材料は、チップ半導体材料および成長基板などの特徴と屈折率が整合するように設計することができ、それによって、内部全反射TIRを低減させかつ光抽出を改善することができる。本発明による被覆32では、多くの異なる燐光体を使用することができる。本発明は特に、白色光を発するLEDチップに適合される。本発明による一実施形態では、LED12は青色波長スペクトル内の光を発し、燐光体が青色光の一部を吸収して黄色を再び発する。LEDチップ10は、青色光および黄色光からなる白色光の組合せを発する。一実施形態では、燐光体は、市販のYAG:Ceを含むが、Y3Al5O12:CeYAGなどのGd、Y3Al、Ga5O12:Ce系に基づいて燐光体から形成された変換粒子を使用すると、広い黄色スペクトル全域の発光が可能である。白色発光LEDチップに使用できる他の黄色燐光体には、Tb3xRExO12:CeTAG;RE=Y、Gd、La、Lu、またはSr2xyBaxCaySiO4:Euが含まれる。白色色相の異なる白色温白色のCRIをより高くするために、第1および第2の燐光体を結合することもでき、上記の黄色燐光体は、赤色燐光体と結合される。異なる赤色燐光体を使用することができ、それには、SrxCa1xS:Eu、Y;Y=ハロゲン化合物、CaSiAlN3:Eu、またはSr2yCaySiO4:Euが含まれる。他の燐光体を使用して、実質上すべての光を特定の色に変換することによって、飽和色発光を作り出すこともできる。たとえば、以下の燐光体を使用して、緑色飽和光を生成することができる。SrGa2S4:Eu、Sr2yBaySiO4:Eu、またはSrSi2O2N2:Eu。以下に、LEDチップ10内で変換粒子として使用されるいくつかの追加の適切な燐光体を挙げるが、他の燐光体を使用することもできる。それぞれ、青色および/またはUV発光スペクトルで励起を示し、所望のピーク発光を提供し、効率的な光変換を有し、かつ許容可能なストークスシフトを有する。黄色/緑色Sr、Ca、BaAl、Ga2S4:Eu2Ba2Mg、ZnSi2O7:Eu2Gd046Sr031Al123OxF138:Eu2006Ba1xySrxCaySiO4:EuBa2SiO4:Eu2赤色Lu2O3:Eu3Sr2xLaxCe1xEuxO4Sr2Ce1xEuxO4Sr2xEuxCeO4SrTiO3:Pr3、Ga3CaAlSiN3:Eu2Sr2Si5N8:Eu2異なる寸法の燐光体粒子を使用することができ、それには、寸法10~100ナノメートルnmの粒子から寸法20~30μm以上の粒子が含まれるが、それに限定されるものではない。通常、粒子寸法をより小さくすると、より大きな寸法の粒子より良好に色を散乱しかつ混合して、より均一な光を提供する。より大きな粒子は通常、より小さな粒子と比較すると、光を変換するのにより効率的であるが、あまり均一でない光を発する。一実施形態では、粒子寸法は、2~5μmの範囲内である。他の実施形態では、被覆32は、単色光源または多色光源に対して、異なる種類の燐光体を含むことができ、または複数の燐光体被覆を含むことができる。本発明による方法は、EPDなどの従来の堆積工程と比較すると、異なる寸法の粒子をLED上に堆積させるのにより効果的でありうる。EPD堆積工程では、同様の寸法の燐光体粒子は、溶液中の電界に反応し、LED上に堆積することができる。異なる寸法、特により大きい寸法を有する粒子は、電界に対して同じように反応せず、堆積しない可能性がある。本方法を利用することで、塗布する前に望みに応じて、異なる寸法の燐光体を被覆内に含むことができ、したがって最終の被覆は、光を効果的に散乱しかつ混合するためのより小さい寸法と、光を効率的に変換するためのより大きな寸法との所望の組合せを有することができる。被覆32はまた、接着剤中に異なる濃度または添加量の燐光体材料を有することができ、典型的な濃度は、30~70重量の範囲内である。一実施形態では、燐光体濃度は約65重量であり、好ましくは、接着剤全体にわたって均一に分散される。他の実施形態ではさらに、被覆は、異なる濃度または種類の燐光体からなる複数の層を含むことができ、これらの複数の層は、異なる接着剤材料を含むことができる。他の実施形態では、これらの層のうちの1つまたは複数は、燐光体なしで用意することができ、1つまたは複数の層は、LED光に対して実質上透明である。以下により詳しく説明するように、いくつかの実施形態では、第1の透明シリコン被覆を堆積させ、その後に続いて燐光体を添加した層を堆積させることができる。上に論じたように、脚柱28および横方向の装置の場合の脚柱30は、被覆32によって埋設され、それによってLEDチップ10を、位置合わせを必要としないで被覆することができる。LEDチップの最初の被覆後、脚柱28を露出させるために、さらなる加工が必要とされる。次に図1dを参照すると、被覆32は、被覆の上面から脚柱28が露出するように、薄層化または平坦化される。研削、ラッピングlapping、またはポリッシングpolishingなどの周知の機械工程を含む多くの異なる薄層化工程を、好ましくは接着剤が硬化した後に、使用することができる。他の製作方法は、硬化する前に被覆を薄層化するためのスキージを含むことができ、または、被覆が硬化する前に加圧平坦化を使用することもできる。他の実施形態ではさらに、物理的もしくは化学的エッチング、またはアブレーションを使用して、被覆を薄層化することができる。薄層化工程では、脚柱を露出させるだけでなく、被覆を平坦化し、かつLEDを覆う被覆の最終厚さを制御することもできる。前述のように、被覆32は、平坦化後には多くの異なる厚さを有することができ、一実施形態での厚さの範囲は、1から100μmである。さらに別の実施形態では、適切な厚さの範囲は、30から50μmである。他の実施形態では、被覆の厚さは、ウェーハ全体の発光のばらつきを補償するように、ウェーハ全体でまたは単一のLED全体で不均一にすることができる。平坦化後、被覆の表面粗さの実効値は、約10nm以下になるべきであるが、表面は、他の表面粗さ測定値を有することもできる。いくつかの実施形態では、平坦化中に、表面にテキスチャを付けることができる。他の実施形態では、平坦化後に、光抽出を高めるために、レーザテキスチャリングtexturing、機械成形、エッチング化学もしくはプラズマ、スクラッチングscratching、または他の工程などによって、被覆または他の表面にテキスチャを付けることができる。テキスチャリングの結果、表面特徴は、高さまたは深さ0.1~5μmになり、好ましくは0.2~1μmになる。他の実施形態では、光抽出を改善するために、LED12の表面にもテキスチャを付けまたは成形することができる。次に図1eを参照すると、ダイシング、スクライブscribeおよび破断、またはエッチングなどの周知の方法を使用して、個々のLEDチップ10をウェーハから個片化することができる。個片化工程では、LEDチップ10をそれぞれ分離し、各LEDチップ10は実質上同じ厚さの被覆32を有し、その結果、実質上同じ量の燐光体および発光特性を有する。ウェーハが類似の波長の光を発するLEDを有することで、類似の発光特性を有するLEDチップ10を、確実にかつ一貫して製作することが可能になる。LEDチップの個片化後、被覆層はLEDの側面に残り、側面から発するLED光はまた、被覆およびその燐光体粒子を通過する。この結果、側面が発した光の少なくとも一部が変換され、それにより、異なる視る角度でより一貫した発光特性を有するLEDチップを提供することができる。個片化後、LEDチップは、燐光体を加えるためのさらなる加工を必要としないで、パッケージ内に、またはサブマウントもしくはプリント回路ボードPCBに取り付けることができる。一実施形態では、パッケージ/サブマウント/PCBは、従来のパッケージリードを有することができ、これらのリードに、脚柱が電気的に接続される。次いで、従来の封止により、LEDチップおよび電気的接続を取り囲むことができる。別の実施形態では、気密封止された覆いによって、LEDチップを密閉することができ、不活性雰囲気が、LEDチップを大気圧以下で取り囲む。上記および下記の実施形態について、垂直および横方向の幾何形状の装置を参照して説明するが、異なる幾何形状を有する他の装置も使用できることが理解される。たとえば、本発明によれば、2つの底面コンタクトを有し脚柱をもたない装置を被覆することもでき、これらの装置への電気的接触は、キャリア基板などを通じて、異なる形で行われる。図2aから2fは、本発明によるLEDチップ40を製作する別の方法を示し、図1aから1eに示すLEDチップ10内の特徴と類似の特徴には、これらの特徴に対する上記の説明が同じ参照番号を使用する他の実施形態にも当てはまることを理解した上で、同じ参照番号をここでも使用する。図2aを参照すると、LEDチップ40を、ウェーハレベルの製作工程で示し、LEDチップ40は、ウェーハから個々のLEDチップへ分離/個片化される前に必要なすべてのステップを経たわけではない。LEDチップ40間の分離線、個片化線、またはダイシング線を示すために、LEDチップ間に破線を示す。図1aから1eに示す前述のLEDチップ10と同様に、ウェーハレベルで2つの装置を示すが、単一のウェーハからさらに多くのLEDチップを形成できることが理解される。LEDチップ40はそれぞれ、反対にドープした層16、18間に挟まれた活性層/領域14を有するLED12を含み、これらの層はすべて、基板20上に位置する。これらのLEDを、基板20まで下にエッチングまたは機械的に切断してLED12間に開いた領域を形成した別々の装置として示すが、前述のように、これらの層を連続させることができ、個々の装置は、個片化中に分離される。異なる実施形態では、研削後、隣接するLED間に異なる空間を有することができ、一実施形態では、離隔距離は約50マイクロメートルミクロンである。LEDチップ40には追加の層を含むことができること、ならびにこの製作方法を、キャリアウェーハ上に設けられたフリップチップLEDとともに使用できることがさらに理解される。LED12はそれぞれ、第1および第2のコンタクトを有することができ、垂直の幾何形状の装置では、第2のコンタクト24は、第2のエピタキシャル層18上に位置することができる。図2eに示して以下に説明するように、本方法における後のステップで、第1のコンタクト図示せずを基板20上に堆積させる。横方向の幾何形状の装置では、前述のように、第2の横方向のn型コンタクト26破線で示すが、n型層のメサ上に設けられる。これらのコンタクトは、図1aから1eで前述の材料を含むことができ、また周知の技法を使用して堆積させることができる。第2のコンタクト24上にp型コンタクト脚柱28が形成され、横方向の幾何形状の装置では、横方向の幾何形状のn型コンタクト26上に第2のn型コンタクト脚柱30破線で示すを形成することができる。p型コンタクト脚柱28と第2のn型コンタクト脚柱30は通常、周知の工程を使用して、同じ材料から実質上同じ高さで形成される。しかし、代替実施形態では、脚柱28、30を異なる高さで形成することができる。脚柱28、30は、前述のように同じ材料から形成でき、また以下に記載の基板溝の形成後など、本方法における異なる時点で形成できることが理解される。基板20は、異なる厚さを有することができ、LEDチップ10の一実施形態では、基板の厚さは約600μmである。この厚さの基板20を、ブレードソーイングまたはレーザソーイングを使用してソーイングsawingまたはダイシングすることは、困難でありかつ時間がかかる。ブレードソーイングでは、基板に亀裂が生じる危険があり、その結果、亀裂がLED12まで延びてLED12を損傷する危険をもたらす恐れがある。そのような厚い基板をレーザソーイングするには、多重パス/多重レベルのダイシングもしくは高電力のレーザダイシング、またはこれら両方の組合せを必要とするはずである。多重レベルのダイシングには時間がかかる一方、高電力のレーザダイシングは、炭化をもたらし、LEDチップの性能に悪影響を及ぼす恐れがある。亀裂および炭化が生じる危険を低減し、かつ製作の速度を維持するために、レーザ、ブレード、または他の切断方法を使用して基板20を上部から部分的に切断して、プレコートpre-coatスクライブ、溝、またはトレンチ溝を形成することができる。一実施形態では、切り口が基板20を部分的に貫通して隣接するLED12間に溝34を形成するときに、ブレードが使用される。ブレードの幅に応じて、溝34も、15~25μmの範囲内などの異なる幅を有することができる。この溝により、最終的にLEDチップ10を分離するようにソーイングまたはダイシングしなければならない基板20の厚さを低減させ、それによって、亀裂が生じる危険を低減する。これらのトレンチは、特定の基板厚さおよび基板のための材料、ならびに切断方法に応じて、異なる深さおよび幅を有することができる。一実施形態では、これらの溝の深さは、50から400μmの範囲内である。さらに別の実施形態では、これらの溝の深さは、100~150μmの範囲内とすることができる。次に図2cを参照すると、LED12を、燐光体/接着剤被覆32によって覆うことができる。被覆32は、前述の方法を使用して塗布しかつ硬化させることができ、前述の材料を含むことができる。被覆32で溝34を少なくとも部分的に埋めることができ、したがって被覆32は、基板20の上面より下方へ進む。好ましい実施形態では、被覆は、溝34を実質上埋める。脚柱28および横方向の脚柱30は、被覆32によって埋設され、それによってLEDチップ10を、位置合わせを必要としないで被覆することができる。硬化後、脚柱28を露出させるために、追加の加工が必要とされる。図2dを参照すると、被覆の上面から脚柱28が露出するように、前述の方法を使用して、被覆32を薄層化または平坦化することができる。LED12を覆う被覆は、1から100μmの範囲内などの多くの異なる厚さを有することができ、一実施形態では、適切な厚さの範囲は、30から50μmである。次に図2eを参照すると、基板20を薄層化して、LEDチップをLEDパッケージ内に取り付けるなどの特定の最終用途に対して所望の全体的な装置高さを提供することができる。本実施形態によるLEDチップは、以下に説明しかつ図31および32に示すパッケージなどの多くの異なるLEDパッケージ内に取り付けることができる。本発明による1つのLEDパッケージでは、基板20は、LEDチップの全体的な高さが100から150μmの範囲内になるように薄層化される。しかし、他の用途またはパッケージのためのLEDチップは、異なる全体的な厚さを有することができることが理解される。基板は、機械研削または化学的エッチングなどの周知の方法を使用して薄層化し、トレンチ34の底部と基板20の底面との間に、基板20の比較的小さな安定化部分36を残すことができる。安定化部分36は、その後の加工ステップ中に基板ウェーハの完全性を維持し、また異なる厚さを有することができ、いくつかの実施形態では、厚さは10~30μmの範囲内である。図2fに示すさらに別の実施形態では、溝の底部部分に到達するように基板20を薄層化して、隣接するLEDチップ40間には硬化した被覆32の一部分だけを残すことができる。そのような一実施形態では、溝34は、100μmを上回る深さを有することができ、基板20を100μmまで薄層化して、少なくとも溝34の底部部分に到達することができる。ここでLEDパッケージの全体的な厚さは、約130μmとすることができる。次に図2eおよび2fを参照すると、垂直の幾何形状のLED12では、薄層化した基板20の底面に、導電材料層として第1のコンタクト22を含むことができ、コンタクト22は、前述の材料と同じ材料から形成される。LEDチップ40がウェーハから個片化されるとき、各LEDチップ40は、第1のコンタクト22を形成する層の一部分を有する。第1のコンタクト22と第2のコンタクト24の間に電気信号が印加されて、LED12が発光する。次に図2gを参照すると、ダイシング、スクライブおよび破断、切断、またはエッチングなどの周知の方法を使用して、LEDチップをウェーハから個片化することができる。この方法は通常、被覆32および図2eの場合は安定化部分36を底部または上部のいずれかから切断して、LEDチップ40を分離するステップを含む。代替実施形態では、被覆32または図2eの実施形態の場合は安定化部分36および被覆32を底部から部分的に切断し、そして被覆の残りの部分を、周知の方法を使用して破断して、LEDチップ40を分離する。一実施形態では、底部からの切り口が30~40ミクロンに到達してから破断されるが、切り口は異なる深さに到達することもできることが理解される。個片化されたLEDチップ40は、基板20の側壁の少なくとも一部に残っている被覆32の一部分を有することができる。以下により詳しく説明するように、この側壁被覆は、特に基板がLED光を少なくとも部分的に伝達する実施形態では、LEDチップの均一な発光を向上させることができる。本発明による方法で使用される異なる切断および破断ステップの結果、LEDチップ上の表面に角度を付けることができ、一実施形態では、被覆32を破断してLEDチップ40を個片化することで、被覆32にリップまたは他の凹凸を残すことができる。前述のように、脚柱は、多くの異なる導電材料から形成することができ、また多くの異なる形で形成することができる。好ましい脚柱は、それぞれのLEDへの導電経路を依然として提供しながら、被覆を塗布する硬化および平坦化工程に耐えることが可能である。図3は、前述のLEDチップ10に類似しているが異なる種類の脚柱を有する、本発明によるLEDチップ45の別の実施形態を示す。LEDチップ45はそれぞれ、基板20上に形成されたLED12を含み、LED12は、基板20上に次々に形成されたn型層16と、活性領域14と、p型層18とを有する。LEDチップ45は、n型コンタクト22と、p型コンタクト24と、被覆32とをさらに含む。p型コンタクト24上に脚柱46が含まれ、被覆を平坦化して脚柱46の上部を露出させる。しかし、この実施形態では、脚柱46は、スタッドバンプを含まず、その代わりに、短いワイアまたはマイクロワイアを含む。異なる方法を使用してマイクロワイアを形成することができ、適切な方法は、p型コンタクト24へのマイクロソルダリングmicrosolderingである。マイクロワイアは、その後の加工ステップに耐えることを可能にする異なる長さおよび幅を有することができ、適切な長さは5~500μmの範囲内であり、幅は50~200μmの範囲である。次いで、前述の方法などの異なる方法を使用して、LEDチップを個片化することができる。別法として、LEDチップ40は、横方向の幾何形状を有することができ、第2の横方向のn型コンタクト26を第2のマイクロワイア48破線で示すとともに含むことができる。マイクロワイア46、48は、Au、Cu、および他の金属などの多くの異なる導電材料を単独でまたは組み合わせて形成することができる。前述のLEDチップ10、40、および45では、透明基板の場合に基板20の方へ発せられるLED12からの光は、燐光体/接着剤被覆32を通過しないで、LEDチップから基板を通過することができる。これは、光の特定の色または色相を生成するのにふさわしいことがある。この基板の発光または吸収を防止または最小化すべき実施形態では、基板20の方へ発せられるLED12からの光が阻止または吸収されるように、基板20を不透明Siなどにすることができ、したがって、LEDチップから発する光の大部分は、被覆32を通過した光からくるようにする。図4は、図1aから1eに示した前述のLEDチップ10に類似しているが、LEDチップ50の上部の方へのLEDチップの発光を促進しかつ基板20内を通過する光を最小限にするための追加の特徴を有するLEDチップ50の別の実施形態を示す。LEDチップ50はそれぞれ、基板20上に形成されたLED12を含み、LED12は、基板20上に次々に形成されたn型層16と、活性領域14と、p型層18とを有する。LEDチップ50は、n型コンタクト22と、p型コンタクト24と、p型脚柱28と、被覆32とをさらに含む。被覆32を平坦化して脚柱28を露出させる。別法として、LEDチップ50は、前述のように追加の脚柱を有する横方向の幾何形状を有することができる。LEDチップ50はまた、活性領域から基板20の方へ発せられる光を再びLEDチップ50の上部の方へ反射するように構成された反射層52を含むことができる。この反射層52は、基板20を通る光など、LED12からの光のうち変換材料を通過しないでLEDチップ50から発する光の放出を低減させ、LEDチップ50の上部の方へ被覆32を通る発光を促進する。反射層52は、異なる形で、LEDチップ50内の異なる位置に配置することができ、図示の層52は、n型層16と基板20との間に配置される。この層はまた、基板20上でLEDチップ12の垂直縁部を越えて延びることができる。他の実施形態では、反射層は、n型層16と基板との間だけに位置する。層52は異なる材料を含むことができ、それには、分布型ブラッグ反射器DBRなどの金属または半導体反射器が含まれるが、それに限定されるものではない。また、基板20上などのLEDチップ50上の他の位置に反射層を含むこともできることが理解される。いくつかの実施形態では、活性領域14ならびにn型層16およびp型層18は、LED12間の破線によって示すように、基板20上の連続する層とすることができる。これらの実施形態では、LEDチップ50が個片化されるステップまで、LEDは分離されない。したがって、その結果得られるLEDチップは、LEDの上面のみを覆って被覆層32を有することができ、個片化後、側面には被覆が存在しない。これにより、LED12の側面からの活性領域光の放出が可能なりうるが、これらのLEDを周囲の特徴に関連して利用する実施形態では、燐光体材料に遭遇しない光のこうした放出は、燐光体材料を通過する光の量と比較すると、極めて少なくすることができる。下記のさらに他の実施形態では、LEDチップは、これらの表面から発する光の変換を促進するために、側面を覆う被覆を含むことができる。本発明による方法を使用して、多くの異なる装置およびLEDを被覆することができる。図5aから5eは、図1aから1eに示した前述のLEDチップ10とは異なる構造を有する異なるLEDチップ60を示す。まず図5aを参照すると、LEDチップ60もまた、ウェーハレベルであり、個片化前のものを示す。LEDチップ60はLED62を含み、LED62は、成長基板上に位置するのではなく、その代わりに、キャリア基板64にフリップウェーハ接合される。この実施形態では、成長基板は、図1aから1e内の成長基板20に対して前述した材料を含むことができるが、この実施形態では、成長基板は、フリップウェーハ接合後または前に除去される。この基板は、周知の研削および/またはエッチング工程を使用して除去される。LED62は、層66によってキャリア基板64に取り付けられる。層66は通常、1つまたは複数の接合/金属層であり、層66に入射する光を反射する働きもする。他の実施形態では、成長基板または少なくとも成長基板の一部分はあとに残る。成長基板または残った部分は、LED62からの光抽出を高めるように成形しまたはテキスチャを付けることができる。LEDには多くの異なる材料系を使用することができ、好ましい材料系は、前述のように周知の工程を使用して成長させたIII族窒化物材料系である。図1a~1e内のLED12と同様に、LED62はそれぞれ、通常、n型エピタキシャル層70とp型エピタキシャル72との間に挟まれた活性領域68を含むが、他の層を含むこともできる。LED62はフリップウェーハ接合されるので、上層はn型層70であり、p型層72は、活性領域68と接合/金属層66との間に配置された底層である。キャリア基板は、多くの異なる周知の材料とすることができ、適切な材料はシリコンである。垂直の幾何形状のLEDチップ60では、LEDのそれぞれの上面にn型コンタクト74を含むことができ、キャリア基板64に接してp型コンタクト76を形成することができる。n型コンタクト74およびp型コンタクト76はまた、図1aから1eに示した前述の第1のコンタクト22および第2のコンタクト24に類似の周知の技法を使用して堆積させた従来の導電材料から形成することができる。同じく前述のように、LEDは、横方向の幾何形状を有することができ、n型およびp型コンタクトは、LEDの上部に位置する。次に図5bを参照すると、LEDチップ60はそれぞれ、その第1のコンタクト70上に形成された脚柱78を有することができ、各脚柱は、図1bから1e内の脚柱28に対して前述したものと同じ材料から、同じ方法を使用して形成される。次いで、図5cに示すように、LEDチップウェーハを、好ましくは燐光体を添加した接着剤を含むブランケット被覆80によって覆うことができる。図1cから1eに示した前述の被覆32の場合と同じ燐光体および接着剤を使用することができ、同じ方法を使用して堆積させることができる。被覆80は、LED62、LED62の第1のコンタクト74、および脚柱78を覆いかつ埋設する。被覆80は、位置合わせステップなしで堆積させる。次に図5dを参照すると、被覆80を平坦化または薄層化して、脚柱78を露出させ、かつ前述の方法を使用して被覆80の厚さを制御することができる。次に図5eを参照すると、前述の方法を使用して、個々のLEDチップ60をウェーハから個片化することができる。次いで、これらの装置を、サブマウントまたはPCBにパッケージングまたは取り付けることができる。他の実施形態では、キャリア基板を除去して、被覆されたLEDを残すことができ、次いでこのLEDを、サブマウントまたはPCBにパッケージングまたは取り付けることができる。LEDチップ60は、図2aから2fに示した前述の溝および基板薄層化方法を使用して同様に製作できることがさらに理解される。フリップウェーハ接合されたLEDはまた、所望の方向への発光を促進するための反射要素または層を有することができる。図6は、図5aから5fに示した前述のLEDチップ60に類似のウェーハレベルのLEDチップ90を示す。類似の特徴には、同じ参照番号をここでも使用し、垂直の幾何形状のLED62を有するLEDチップ90を示すが、横方向の幾何形状のLEDも使用できることが理解される。LEDチップ90は、基板64に取り付けられたLED62を含む。基板64は、キャリア基板でも成長基板でもよい。LED62はそれぞれ、前述のように、活性層68と、n型層70と、p型層72と、p型コンタクト76と、n型コンタクト74と、脚柱78とを含み、このLEDを覆って、同じく前述のように、燐光体を添加した接着剤被覆80が形成される。しかし、この実施形態では、LED62と基板64との間に反射層92が含まれる。反射層92は、DBRなどの高反射性の金属構造または反射性の半導体構造を含むことができる。反射層92は、基板64の方へ発せられるLED光を反射し、光が基板内へ通過するのを防止するのに役立つ。光の少なくとも一部は、基板64によって吸収することができる。またこれにより、LEDチップ90からLEDチップ90の上部の方への発光を促進する。特に基板64がキャリア基板である実施形態では、反射層の下方にまたは他の位置に、接合/金属層図示せずを含むこともできることが理解される。LEDチップ90はまた、下方の層とのオーム接触を促進するために、p型層72に隣接してpコンタクト層を含むことができる。前述の方法は、多くの追加の加工ステップを含むことができ、また異なる順序で完成されるステップを有することができる。追加のステップは、製作における異なる時点でLEDチップを精査または試験するステップと、LEDの動作特性を補完してLEDチップの標的動作特性に到達するように、燐光体/接着剤被覆の厚さおよび/または組成を調整するステップとを含むことができる。図7は、本発明による方法100の一実施形態に対する流れ図であり、前述の製造ステップの多くを組み込むが、燐光体/接着剤被覆を調整する追加のステップも含む。方法100は、コンピュータ制御下で、またはコンピュータの援助で、実現することができる。102で、LEDは、図5aから5eに示して前述したように、連続するエピタキシャル層として成長基板上に設けられ、かつキャリア基板上にフリップチップ実装され、成長基板は除去される。次いでLEDを切断して、キャリア基板上に個々の装置を形成することができる。代替実施形態では、LEDは、キャリア基板上にフリップチップ実装する前に切断することができ、成長基板は、個々のLEDから除去される。104で、ウェーハは、電気的および光学的試験などの異なる方法を使用して精査される。その結果得られるデータをコンピュータに提供することができ、このコンピュータで、キャリアウェーハ全体のLEDの動作特性のマップが生成される。このマップは、どのLEDが特定の動作基準を満たし、どのLEDが満たさないのかに関するデータを含むことができる。次いで、そのLEDを有するキャリアウェーハを、そのLEDの動作特性に応じて、ビニングすることができる。適切な燐光体または蛍光材料は、ウェーハが波長範囲に基づいて特定の色点または色範囲を標的とするように選択することができる。たとえば、青色発光LEDが特定の白色光の色点または範囲を標的とするのに適切な燐光体を選択することができる。106で、図2bに示して前述したように、キャリア基板内に、プレコートトレンチまたは溝を形成することができる。108で、キャリアウェーハおよびそのLEDについて、欠陥があるかどうかを目視検査することができ、その結果もまた、コンピュータに送られて、電気的/光学的試験データマップにマージされる。その結果得られるマップを利用して、所望の基準を満たすことを示す良好なダイマップを生成することができる。110で、キャリアウェーハの厚さを測定することもでき、その結果もまた、コンピュータに提供される。112で、上記図1aおよび1bなどの実施形態に説明したように、LED上に脚柱が形成され、脚注は、たとえばスタッドバンプまたはマイクロワイアを含むことができる。LED上には適切なコンタクトを堆積させることもできることが理解される。ダイマップを使用して、脚柱が良好なLED上にのみ形成されるようにすることができる。別法として、すべてのLED上に脚柱を形成することもできる。114で、前述図1cなどの方法を使用して、LEDチップ上にLEDチップを覆って燐光体/接着剤被覆を形成し、次いで硬化させることができる。適切な燐光体材料は、キャリアウェーハ上のLEDの特性およびLEDチップに対する所望の色点に基づいて選択することができる。上記のような1つまたは異なる燐光体を使用することができ、前述の方法を使用して加えることができる。116で、前述図1dなどの方法を使用して燐光体層を薄層化し、燐光体/接着剤被覆によって埋設された脚柱を露出させることができる。ウェーハ全体のLEDの動作特性および選択した燐光体または蛍光材料の特性に基づいて、所望の色点/範囲に到達し、なお脚柱を露出させるように、被覆の最終の厚さを計算することができる。いくつかの実施形態では、適切な厚さの決定および薄層化を、コンピュータ制御下で自動化することができる。118で、ウェーハを再び電気的にかつ光学的に精査して、色および強度による最終的なビニングのための色点を決定することができる。120で、図2eに示して前述したように、キャリアウェーハの裏面を薄層化して、全体的なウェーハの所望の厚さを実現することができる。ステップ122で、前述の方法を使用して、LEDチップが個片化される。ステップ124で、ウェーハレベルのプローブデータを使用して、個々のLEDチップがビニングされかつ分類される。本発明による方法は、最終のLEDチップに対する所望の特性を実現するように燐光体被覆を調整するために利用される異なるステップを有することができることが理解される。この方法はまた、前述のステップより少ないまたは多いステップを有し、異なる順序で行うことができる異なるステップを利用することができる。図8aから8dは、図5aから5fに示した前述のLEDチップ60に類似の、本発明によって製作されるLEDチップ130の別の実施形態を示す。しかし、この方法はまた、図1aから1eに示した前述の実施形態などのフリップウェーハ接合されていない実施形態でも使用できることが理解される。まず図8aを参照すると、LEDチップ130は、基板64に取り付けられた垂直のLED62を含む。基板64はこの場合、キャリア基板である。前述のように、横方向のLEDを使用することもできることが理解される。LED62はそれぞれ、前述のように、活性層68と、n型層70と、p型層72と、p型コンタクト76と、n型コンタクト74と、脚柱78とを含む。しかし、LEDチップ130は、予め製作されまたは予め形成された被覆層132によって覆われる。被覆層132は、同じく前述の材料から形成された接着剤内に与えられた前述の燐光体および他の材料を有することができる。次に図8bを参照すると、層132が、LED62および脚柱78上に配置されてそれらを覆い、共形被覆を提供する。一実施形態では、層132とLEDチップ130との間に接着のための接合材料を含むことができ、シリコンまたはエポキシなどの典型的な接着剤が使用される。共形被覆をさらに促進するために、層132を加熱することができ、または、真空をかけて、LEDチップ130を覆うように層132を下方へ引き寄せることができる。また、層132をより容易にLEDチップになじませるように、接着剤が完全に硬化していない状態で層132を用意することもできる。層132の共形配置後、接着剤を露出させて最終的に硬化させることができる。次に図8cを参照すると、前述の方法を使用して層132を平坦化して、脚柱78を露出させ、脚柱78に接触できるようにすることができる。次いで、図8dに示すように、図2aから2fに示した前述の溝および基板薄層化方法を含む前述の方法を使用して、LEDチップ130を個片化することができる。LEDチップ130のための製作方法により、層132の厚さを制御することによって、燐光体/接着剤被覆の厚さを精密に制御することが可能になる。また、この方法により、LEDチップ130の異なる所望の発光特性に対して、異なる層厚さおよび組成を使用することが可能になる。異なる実施形態では、異なる接着剤材料内に異なる濃度で異なる燐光体を有する2つ以上の予め製作されまたは予め形成された層を利用して、所望のLEDチップ発光色点を実現できることが理解される。図9aから9cは、LEDチップ60に類似の、本発明によるLEDチップ140のさらに別の実施形態を示す。まず図9aを参照すると、LEDチップ140はそれぞれ、基板64に取り付けられた垂直のLED62を有する。基板64は、キャリア基板でも成長基板でもよい。LED62はそれぞれ、前述のように、活性層68と、n型層70と、p型層72と、p型コンタクト76と、n型コンタクト74と、脚柱78とを含む。LED62を覆って、前述の材料から形成された被覆142が含まれ、脚柱78を埋設する。図9bを参照すると、この実施形態では、被覆142は、脚柱78を露出させるために平坦化されない。その代わりに、被覆は、脚柱より高い高さのままであり、被覆142のうちの脚柱78を埋設する部分が除去されて、被覆142内に凹部部分144を残す。脚柱78は、接触のために、凹部部分144を通じて露出される。従来のパターニングpatterningまたはエッチング工程などの多くの異なる方法を使用して、被覆を除去することができる。次に図9cを参照すると、次いで、前述の方法を使用して、LEDチップ140を個片化することができる。凹部部分144を形成するこの方法は、被覆142の平坦化と併せて使用することができる。層142は、LEDチップ140の所望の発光特性を提供する高さまで平坦化することができ、その高さは、脚柱78より上方であってもよい。次いで、脚柱にアクセスできるように、凹部部分144を形成することができる。これにより、被覆より低く高さを低減させた脚柱を形成することができ、それによって、脚柱78の形成に関係する製作コスト低減させることができる。この工程では、凹部部分の形成との何らかの位置合わせを必要とする可能性があるが、被覆142は依然として、位置合わせを必要としないで塗布される。上記のLEDチップの実施形態内の脚柱について、Au、Cu、Ni、またはInなどの導電材料を含み、好ましくはスタッドバンピング工程を使用して形成されるものとして説明した。別法として、脚柱は、前述の導電酸化物および透明導電酸化物などの異なる材料から形成することができ、また前述のように、異なる方法を使用して形成することができる。図10は、キャリア基板154上にフリップウェーハ接合されたLED152を含む、本発明によるLEDチップ150の別の実施形態を示す。この実施形態では、脚柱156は、通常脚柱156の形で形成される半導体材料158を含む。半導体材料158は、第1のコンタクト上に位置することができ、または図示のように、第1のエピタキシャル層160上に位置することもできる。半導体材料158の上面に、導電材料からなる脚柱層162が含まれ、第1のエピタキシャル層160の上面まで延び、n型コンタクトを形成する。半導体材料158は、多くの異なる形で形成することができ、LEDエピタキシャル層材料または成長基板材料、たとえばGaN、SiC、サファイア、Siを含む材料などの多くの異なる材料を含むことができる。一実施形態では、半導体材料158をエピタキシャル層からエッチングし、次いで脚柱層162で被覆することができる。他の実施形態では、LED152から成長基板を除去している間、成長基板の一部分をエピタキシャル層上に残すことができる。次いで、残った成長基板部分を、脚柱層162によって覆うことができる。図11は、図10内のLEDチップ150に類似の、なおウェーハ形状のLEDチップ170の別の実施形態を示す。類似の特徴には、同じ参照番号をここでも使用する。LEDチップ170は、キャリア基板154上にフリップウェーハ接合されたLED152を含む。LED152のそれぞれの上で、好ましくはn型コンタクト175上に、脚柱174が形成される。脚柱174は、実質上脚柱174の形状のパターニング可能な材料176を含み、材料176は、第1のコンタクト175まで延びる導電材料の脚柱層178で覆われる。パターニング可能な材料156は、BCB、ポリイミド、および誘電体などの、LED製作および動作に適合する異なる材料を含むことができる。これらの材料は、周知の工程を使用してLED152上に形成することができる。別法として、脚柱174は、銀エポキシまたは印刷可能なインクなどのパターニング可能な導電材料を使用して形成することができ、その場合、層178は必ずしも必要でない。脚柱を製作する他の方法および手法を使用することもでき、そのいくつかは、非特許文献2に記載されている。上記の実施形態と同様に、LEDチップ150および170を含むウェーハを被覆材料層によって覆い、LEDチップおよびそれらの脚柱を埋設することができる。被覆材料は、前述の燐光体および接着剤を含むことができ、また前述の方法を使用して薄層化し、被覆材料から脚柱を露出させることができる。次いで、前述の方法を使用して、LEDチップを個片化することができる。本発明を使用して、ウェーハレベル発光体アレイを製作することもできる。図12は、接合/金属層183によってキャリア基板182上にフリップウェーハ接合されたLED181を含むウェーハレベルLEDアレイ180の一実施形態を示す。これらのLEDは、第1のエピタキシャル層185と第2のエピタキシャル層186との間に活性領域184を含み、第1のコンタクト187が第1のエピタキシャル層185上に位置する。第1のコンタクト187上に脚柱188が含まれ、燐光体を添加した接着剤被覆の被覆189がLED181、コンタクト187、および脚柱188を覆い、被覆を薄層化して脚柱188の上部を露出させる。しかしLEDアレイ180では、個々のLEDチップは個片化されない。その代わりに、LEDアレイ180の表面に相互接続金属パッド190が含まれ、脚柱188の露出した上部を並列に相互接続する。金属パッド190に印加される電気信号は、金属パッド190に結合された脚柱188を有するLEDに伝わり、アレイ内のLEDを点灯させる。LEDアレイ180は、金属パッド190によって相互接続されたLEDに応じて、列またはブロックなどの異なる形で構成された多くの異なる数のLEDを含むことができることが理解される。図13は、同じくキャリア基板204にフリップウェーハ接合されたLED202を有し、LED202がそれぞれ、第1のエピタキシャル層210と第2のエピタキシャル層212との間に活性領域208を含む、本発明によるLEDアレイ200の別の実施形態を示す。第1のエピタキシャル層210上に第1のコンタクト214が位置し、第1のコンタクト214上に脚柱216が形成される。LED202、第1のコンタクト214、および脚柱216を覆って、燐光体を添加した接着剤被覆218が含まれ、脚柱216の上面を露出させる。LED202は、電気絶縁接合層220によってキャリア基板204に取り付けられ、各LED202と絶縁接合層220との間にpコンタクト222が位置する。LED202間で、pコンタクトと被覆218の表面との間に導電バイア224が通され、被覆118の表面で、各ポスト224とそれぞれの隣接する脚柱216との間にそれぞれの金属パッド226が通される。この構成により、LED202が直列アレイで接続されるようなLED202間の導電経路を実現し、LED間の導電経路は、絶縁接合層220によって基板から分離される。金属パッドに印加される電気信号は、各LEDの中を進み、アレイ内のLEDに発光させる。LEDアレイ200は、金属パッド226によって相互接続されたLEDに応じて、列またはブロックなどの異なる形で構成された多くの異なる数のLEDを含むことができることが理解される。本発明によれば、異なる構造を有する多くの異なるLEDチップを製作することができる。図14は、図1aから1eに示した前述のLEDチップ10と同様に構成された、本発明によるLEDチップ350の別の実施形態を示す。類似の特徴には、同じ参照番号をここでも使用する。LEDチップ350は、垂直の幾何形状を有し、LED12を含み、LED12はそれぞれ、n型エピタキシャル層16とp型エピタキシャル層18との間に活性領域14を含む。p型コンタクト24上に脚柱28が形成され、燐光体を添加した接着剤被覆32がLED12を覆う。しかし、この実施形態では、LED12は透明基板352上に位置し、基板352に接してLED12の反対側に反射層354を形成することができる。LED12からの光は、損失を最小にしながら、基板352を通過し、反射層354から再び反射することができる。コンタクト22と基板352との間に反射層354を示すが、反射層354を最低層として、反射層354と基板352との間にコンタクト22を配置するなどの異なる形で構成できることが理解される。図15はまた、同じく図1aから1e内のLEDチップと類似して構成された、本発明によるLEDチップ370の別の実施形態を示す。この実施形態では、LEDチップ370は、横方向の幾何形状を有し、LED12を含み、LED12はそれぞれ、n型エピタキシャル層16とp型エピタキシャル層18との間に活性領域14を含む。p型層18および活性領域14の一部分がエッチングされてn型層16を暴露し、p型層18上にp型コンタクト24が位置し、n型層16上にn型コンタクト26が位置する。p型コンタクト24上にp型脚柱28が位置し、n型コンタクト26上にn型脚柱30が位置する。燐光体を添加した接着剤被覆32がLED12を覆い、被覆32から脚柱28、30が露出する。LED12は、透明基板372上に位置し、基板372に接してLED12の反対側に反射層374が含まれる。LED12は、横方向の幾何形状を有し、LED12それぞれの上部にp型コンタクト24およびp型脚柱28が位置する。反射層374はまた、LEDからの光を反射し、基板372を通る光の損失を最小にする。本発明によれば、LEDチップに対する多くの異なる変形形態を製作することができ、図16は、成長基板404上でn型層406とp型層408との間に活性領域405をもつLED402を有するLEDチップ400の別の実施形態を示す。LED402はまた、薄層化された成長基板を備え、または後に成長基板が除去されることが理解される。LEDはまた、n型コンタクト407およびp型コンタクト409を有する。LED402は、ダイシングまたは個片化され、サブマウント/キャリアウェーハ410にフリップチップ接合される。サブマウント/キャリアウェーハ410上に導電トレース412が形成され、トレース412上にLED402がそれぞれ取り付けられて、第1のトレース412aがn型層406に電気的に接触し、第2のトレース412bがp型層408に接触する。スパッタリングなどの周知の技法を使用して堆積させたアルミニウムAlまたはAuを含む従来のトレースを使用することができる。LED402は、Auなどの周知の材料、または金/スズはんだバンプもしくはスタッドバンプを使用して従来の形で構成できるフリップチップボンド413によって、トレース412に取り付けられる。図16、ならびに上記および下記で論じる実施形態では、脚柱はまた、導電層によって被覆された絶縁材料から形成することもできることがさらに理解される。一実施形態では、脚柱は、基板材料またはサブマウント/キャリアウェーハ材料を含むことができる。LEDチップ400では、脚柱を有するサブマウント/キャリアウェーハを製作することができ、LEDはそれぞれ、脚柱間に取り付けられる。他の構成を使用して、導電トレースまたはLEDに接触する導電層を、脚柱を覆って形成することができる。これらの脚柱は、多くの異なる形状および寸法を有することができ、一実施形態では、反射カップを含み、このカップ内にLEDを取り付けることができることがさらに理解される。このカップは、他の構成を使用して、導電トレースまたはLEDに接触する導電層で被覆することができる。燐光体接着剤被覆の平坦化中、接触のために、カップの上部を露出させることができる。さらに他の実施形態では、カップは、独自の脚柱を有することができ、これらの脚柱を平坦化中に露出させることができる。第1のトレース412a上にn型脚柱414が形成され、第2のトレース412b上にp型脚柱416が形成される。どちらの脚柱も、前述の方法を使用して形成される。LED402を覆って燐光体/接着剤被覆418が含まれ、脚柱414、416を埋設する。次いで、接触のために、被覆418を平坦化して脚柱414、416を露出させ、または他の実施形態では、被覆内に凹部を形成して脚柱414、416を露出させることができる。次いで、前述の工程を使用して、LEDチップを個片化することができる。LEDチップ400に関連して説明した製作方法では、ウェーハ404に取り付けるために選択される所望の発光特性を有する質の良い個片化されたLED402を使用することができる。またこの構成では、空間を形成するために材料をエッチングすることにより貴重なエピタキシャル材料を無駄にすることなく、LED402間の空間をより大きくしてLED402をウェーハに取り付けることができる。図17は、キャリア基板に取り付けられた、個片化された横方向の幾何形状のLED502を有する、本発明によるLEDチップ500のさらに別の実施形態を示す。LED502はそれぞれ、n型層506とp型層508との間に活性領域504を含み、これらはすべて、成長基板510上に次々に形成される。基板510は多くの異なる材料とすることができ、好ましい基板はサファイアなどの透明材料である。LED502は個片化され、成長基板510のうちの少なくとも一部分は残る。次いで、LED502を、基板を下にして、キャリア基板512に取り付けることができる。キャリア基板512は、透明基板516上に第1の燐光体/接着剤被覆514を含む。第1の被覆514は、LED502を保持するように接着性とすることができ、または追加の接着剤材料を使用することができる。p型層508上にp型コンタクト518が設けられ、n型層506上にn型コンタクト520が設けられる。コンタクト518、520は、多くの異なる材料を含むことができ、好ましい材料は反射性である。反射性であることによって、コンタクト518、520は、活性領域光を反射して、キャリア基板512を主な発光表面にする。前述のように、p型コンタクト518上にp型脚柱522が形成され、n型コンタクト520上にn型脚柱524が形成される。LED502を覆って第2の燐光体/接着剤被覆526が形成され、脚柱522、524を埋設する。次いで、前述のように、第2の被覆526を平坦化して、脚柱522、524を暴露する。次いで、LEDチップ500を個片化することができ、この構成では、第1の被覆514および第2の被覆526によって提供される燐光体層によって取り囲まれたLED502を有するLEDチップ500を提供する。個片化されたLEDチップ500はまた、第1および第2の被覆が白色発光LEDフリップチップを提供することを除いて、さらなる燐光体加工なしで従来のフリップチップ装置としてパッケージすることができる。この実施形態は、ウェーハキャリアウェーハ512に取り付けるための所望の発光特性を有する質の良い個片化されたLED502を使用することができ、その結果質の良いLEDチップ502が得られるというさらなる利点を提供する。LED502はまた、空間を形成するために材料をエッチングすることにより貴重なエピタキシャル材料を無駄にすることなく、LED502間の空間をより大きくしてウェーハに取り付けることができる。図18aから18dは、本発明によるLEDチップ600のさらに別の実施形態を示す。まず図18aを参照すると、LEDチップはそれぞれLED602を含み、LED602はそれぞれ、n型層606とp型層608との間に活性領域604を有し、これらはすべて、成長基板610上に次々に形成される。成長基板610は、サファイアなどの透明材料であることが好ましい。LED602は横方向の幾何形状を有し、n型層606上に反射性n型コンタクト612が位置し、p型層608上に反射性p型コンタクト614が位置する。n型コンタクト612上にn型脚柱616が形成され、p型コンタクト614上にp型脚柱618が形成される。LED602を覆って第1の燐光体/接着剤被覆620が設けられ、最初に脚柱616、618を埋設し、次いで被覆を平坦化してこれらの脚柱を暴露する。次に図18bを参照すると、基板610を貫通して裏面トレンチ622が形成され、部分的に被覆620内に延びる。トレンチ622は、LED602間に構成される。トレンチ622は、エッチングまたは切断などによる多くの異なる方法を使用して形成することができる。次に図18cを参照すると、基板610のトレンチ側を覆って第2の燐光体/接着剤被覆624を形成し、トレンチ622を埋めることができる。次いで、望みに応じて、第2の被覆が平坦化される。図18dを参照すると、LEDチップ600を個片化することができ、LED602は、第1の被覆620および第2の被覆624によって提供される燐光体層によって取り囲まれる。LEDチップ600は、図17内のLEDチップ500と類似の利点を提供し、追加の燐光体加工なしで白色光を発光できる質の良いフリップチップ装置を提供する。再び図18aおよび18bを参照すると、トレンチ622を形成する代替法として、成長基板610を完全に除去して、n型層606の底面を露出させることができる。次いで、露出したn型層を覆って第2の燐光体/接着剤被覆624を形成し、かつ望みに応じて平坦化することができる。また、本発明を使用して、LEDチップウェーハ内に形成されたものではなく、個々のLEDを覆うことができる。これらの実施形態では、LEDチップを個片化し、次いでパッケージ内にまたはサブマウントもしくはPCBに取り付けることができる。次いで、本発明によれば、LEDチップを被覆しかつ平坦化して、接触のために脚柱複数可を露出させることができる。本発明によるLEDチップは、LEDチップの光抽出を高めるような特徴などの多くの異なる特徴を有するように、異なる形で構成することができる。図19は、前述の方法を利用して製作できるLEDチップ700の別の実施形態を示す。LEDチップ700は、基板704上にLED702を含む。このLEDは、接合材料706によって基板704上にフリップチップ実装されることが好ましい。他の実施形態では、基板は、LED702に対する成長基板を含むことができる。LED702は、前述の材料などの多くの異なる半導体材料から形成することができ、活性層/領域ならびに反対にドープした層n型およびp型を含む前述の層を含むことができる。説明および理解を簡単にするために、LED702の異なる層は図示しない。LEDチップ700は、第1のコンタクト708および第2のコンタクト710をさらに含む。フリップチップLEDでは、第1のコンタクト708はn型層上に位置し、第2のコンタクト710は、基板704に接する導電材料層の形であり、第2のコンタクト710に印加される電気信号が基板704を通ってLEDのp型層へ広がるように構成される。コンタクト708、710は、前述の導電材料のうちのいずれかから形成することができ、この実施形態では、第2のコンタクト710はAuSnを含む。横方向の幾何形状の装置では、LED702の表面に第1および第2のコンタクトを含むことができることが理解される。第1のコンタクト708上に、前述の材料から形成できかつ前述の方法を使用して製作できる脚柱712が含まれる。横方向の幾何形状の装置では、第2のコンタクト上に第2の脚柱を含むことができる。LED702を覆って燐光体/接着剤被覆714を含むことができ、脚柱712は、第1のコンタクト708から被覆714の上面まで延びる。被覆714は、前述の材料を含むことができ、前述の方法を使用して塗付しかつ平坦化することができる。図示の実施形態では、LED702の表面716にテキスチャを付け、粗面化し、またはパターニングして、光抽出を高める。周知の機械的またはエッチング方法ならびにマイクロナノ刻印方法を使用して、テキスチャリングを施すことができる。接合材料706に隣接しているLEDの反対側の表面にテキスチャを付けて光抽出を高めることもでき、テキスチャリングはフリップチップ実装の前に実行され、テキスチャリングは接合材料706内に埋め込まれることも理解される。LEDチップ700では、被覆714は、基板704の側面に沿って延び、図2aから2fに示した前述の溝および基板薄層化方法を含む多くの異なる方法を使用して形成することができる。この方法を使用して形成され、かつ基板の安定化部分が残るように形成されるLEDチップでは、安定化部分に対応する側面の一部分が、被覆714によって覆われないで残る。本発明による代替の溝および基板薄層化方法では、溝が被覆で埋められたとき、溝内の被覆材料によってウェーハを安定化できるように、溝をより広くすることができる。次いで、溝の底部まで基板を薄層化し、LEDチップを分離することができる。これにより、LEDチップの側面の実質上すべてに沿って被覆を残すことができ、それによって、均一なLEDチップの発光を高めることができる。LEDチップの異なる実施形態では、LEDチップの層および特徴に対して異なる寸法を有することができる。図示の実施形態では、第2のコンタクト710の厚さは約3μmとすることができ、基板704の厚さは約100μmとすることができ、LED702の全体的な厚さは約3μmとすることができる。このLEDを粗面化する結果、前記LED12内で異なる深さを有する特徴を得ることができ、この粗面化により、深さ約2μmの谷を提供する。テキスチャ付きの特徴の深さは変えることができるが、好ましい深さは、LED702の全体的な厚さの10より大きい。LED702の上面を覆う被覆714の厚さは、谷の最下点から測定すると約30μmである。コンタクト708の厚さは、谷の最下点から測定すると約5μmであり、脚柱の高さは約25μmである。本発明によるLEDチップの実施形態はまた、発光の均一性および効率をさらに高めるための追加の特徴を含むことができる。再び図19を参照すると、第1のコンタクト708からの電流の広がりおよび注入を改善するために、LED702上に電流広がり構造718を含むことができる。電流広がり構造は、多くの異なる形を有することができるが、好ましくは、LED702の表面に、第1のコンタクト714に接触する導電材料のフィンガを含む。電流広がり構造は、周知の方法を使用して堆積させることができ、Au、Cu、Ni、In、Al、Ag、またはこれらの組合せ、ならびに導電酸化物および透明導電酸化物を含めて、コンタクトおよび脚柱に対して前述した材料を含むことができる。図20は、前述のように、LED752とLED752を覆って形成された燐光体/接着剤被覆754とを含む、本発明によるLEDチップ750の別の実施形態の上面図を示す。LEDチップ750は、LED752の表面に2つの第1のコンタクト758をさらに含み、コンタクト758はそれぞれ、第1のコンタクト758のそれぞれから被覆754の表面まで到達する脚柱図示せずを有することができる。他の実施形態では、1つの第1のコンタクトまたは2つ以上の第1のコンタクトを有することができ、コンタクトのすべてまたはいくつかが脚柱を有することが理解される。LED752の表面に、どちらの第1のコンタクト758にも接触する電流広がり構造756が含まれる。構造756は、LED752上に格子状に構成された導電フィンガを含み、これらのフィンガは、コンタクト758からの電流広がりを高めるように間隔をおいて配置される。動作の際には、1つまたは複数の脚柱に電気信号が印加され、これらの脚柱を通ってコンタクト758へ伝えられる。電流は、コンタクト758から電流広がり構造756へ、そしてLED752内へ広がる。再び図19を参照すると、LED702の両側で電流広がりを改善するための層および材料を含むこともできる。LED702のテキスチャ付きの表面に透明導電材料層図示せずを含むこともでき、このテキスチャ付きの表面を被覆714で覆う。透明導電材料は、コンタクト708および電流広がり構造718からの電流広がりを高めることができ、ITOまたは他の透明導電酸化物などの異なる材料を含むことができる。第2のコンタクト710および基板704からLED702への電流広がりを高めるために、接合材料層内に電流広がり材料を含むこともできる。電流広がり材料は、電流広がり構造716および透明導電材料層に使用されるのと同じ材料を含むことができる。図21は、接合材料766によって基板764上に取り付けられたLED762を含む、本発明によるLEDチップ760の別の実施形態を示す。このLEDは、より大きく均一なテキスチャ付き特徴768を有し、これらの特徴を燐光体/接着剤被覆770が覆う。LEDチップは、第1のコンタクト772および脚柱774、ならびに基板764に接する第2のコンタクト層776をさらに含む。他の実施形態では、2つ以上の脚柱を使用することができる。スピン被覆などの異なる方法を使用して塗布できる被覆770は、特徴768を覆って共形被覆することができ、上記の実施形態と同様に、最初の被覆は脚柱を覆う。次いで、脚柱774に接触できるように、被覆を脚柱774まで平坦化することができる。図22は、接合材料786によって基板784上に取り付けられたLED782を含む、本発明によるLEDチップ780の別の実施形態を示す。LED782は、半円形のテキスチャパターンを有し、LED782は、このテキスチャパターンを埋める燐光体/接着剤被覆788によって覆われる。次いで、被覆788を平坦化して、LEDチップメサ776を暴露することができ、次いで、メサのうちの1つまたは複数の上に、第1のコンタクト790を堆積させることができる。別法として、被覆する前に、メサのうちの1つまたは複数の上にコンタクトおよび脚柱を含むことができ、次いで、被覆が脚柱まで平坦化される。この方法の結果、被覆のうちの少なくとも一部は、メサ上に残る。基板784に接して第2のコンタクト792を含むこともできる。本発明によるLEDチップの他の実施形態では、被覆は、異なる幾何形状を有することができ、またLEDのすべてを覆わなくてもよく、またはLEDチップの表面の大部分を覆ってもよい。再び図19を参照すると、被覆714は基板704の側面を覆い、したがって、普通なら変換燐光体に遭遇することなく側面から漏れるはずのLED702からの光が、ここでは少なくとも一部の燐光体を通過し、したがって、光の少なくとも一部を変換することができる。これは、特に透明基板を有する実施形態では、LEDチップ700の縁部の周辺で変換されていない光が放出するのを低減させるのに役立つ。白色LEDチップでは、この構成により、変換されていない青色光が側面から放出するのを低減させることができ、その結果、LEDチップからより均一な白色発光を得ることができる。一実施形態では、LEDチップ700の側面の被覆714の厚さは、LED702を覆う厚さにほぼ等しく、したがって、LEDチップ700の異なる表面から発する光は、類似の量の変換燐光体を通過する。この結果、異なる視る角度で、LEDチップ700から実質上均一な発光を得ることができる。いくつかの適用分野では、LEDチップの側面から発する変換されていない光を許容可能とすることができる。図23は、前述のLEDチップ700に類似の、LED802、基板804、接合層806、第1のコンタクト808、第2のコンタクト810、脚柱812、および燐光体/接着剤被覆814を含むLEDチップ800の別の実施形態を示す。LED802は、複数の層を含むが、図および説明を簡単にするために単一の層として示すことが理解される。前述のように、LEDの上面にテキスチャを付けることもできる。LEDチップ800は、LED802の表面のすべてまたは大部分を覆うがLEDチップの残りの表面は覆わないで残す被覆822を有する。図24は、LED802および基板804または接合層806の露出した上面を覆うが基板の側面は覆わないで残す被覆822を有するLEDチップ820の別の実施形態を示す。図25は、LED802、基板804の上面、および基板の側面の一部分を覆う被覆832を有するLEDチップ830のさらに別の実施形態を示す。LEDチップ800、820、および830では、少なくとも一部の変換されていない光が側面から漏れる可能性がある。以下にさらに説明するさらに他の実施形態では、パッケージ内にLEDチップを取り付けることができ、それにより、変換されていない光の側面からの発光を補償することができる。被覆はまた、LEDチップ上の異なる位置で異なる厚さを有することができるように調整することができる。図26は、同じくLED802、基板804、接合層806、第1のコンタクト808、第2のコンタクト810、および脚柱812を有するLEDチップ840のさらに別の実施形態を示す。LEDチップ840は、LED802ならびに基板804の上部の露出した表面および側面を覆う被覆842を有する。被覆852のうち側面の下部部分は、薄層化される。本発明によるLEDチップ内の被覆はまた、LEDを覆って異なる形状をとることができる。図27は、LED802、基板804、接合層806、第1のコンタクト808、第2のコンタクト810、および脚柱812を有する、本発明によるLEDチップ850の別の実施形態を示す。この実施形態では、被覆852は、LED802を覆う半球形であり、被覆の表面から脚柱が露出する。他の実施形態では、被覆はまた、半球形とすることができ、基板804の側面を少なくとも部分的に覆うこともできる。図28は、LED802を覆う凸形の被覆862を有する、本発明によるLEDチップ860のさらに別の実施形態を示す。他の実施形態と同様に、脚柱は、被覆862の上面から露出し、他の実施形態では、基板804の側面もまた、少なくとも部分的に覆うことができる。他の実施形態では、被覆の表面を修正して、LEDチップからの光抽出を高めることもできる。図29は、LED802、基板804、接合層806、第1のコンタクト808、第2のコンタクト810、および脚柱812を有する、本発明によるLEDチップ870の一実施形態を示す。LEDチップは、光抽出を高めるためにテキスチャ付きの上面を有する被覆872をさらに含む。テキスチャリングは、周知の機械的または化学的エッチング工程など、LEDの表面にテキスチャを付けるために使用される工程と同じ工程を使用して形成することができる。テキスチャ付きのLEDを有するいくつかの実施形態では、LEDのテキスチャリングを施したとき、このテキスチャリングを被覆に移すことができ、任意の電流広がり構造もまた、被覆の表面の凹凸を移すことができる。好ましい実施形態では、被覆872上のテキスチャリングの凹凸は、被覆厚さの10を超える。上記の実施形態に記載の被覆の側面にもテキスチャを付けることができることが理解される。前述の被覆の実施形態は、全体にわたって実質上均一な燐光体とともに示している。本発明によるLEDチップの異なる実施形態はまた、燐光体の濃度および種類が異なる区分をもつ被覆を有することができる。図30は、LED802、基板804、接合層806、第1のコンタクト808、第2のコンタクト810、および脚柱812を有する、本発明によるLEDチップ880の一実施形態を示す。LEDチップ880は、1つまたは複数の燐光体をもつ第1の部分882aと、燐光体をもたず実質上透明である第2の部分882bとを有する被覆882をさらに含む。被覆882は、燐光体をもつ第1の被覆層を塗布し、次いで第1の層上に燐光体をもたない第2の被覆層を塗布するなど、異なる形で製作することができる。図31は、燐光体をもたない第1の部分892aと、1つまたは複数の燐光体をもつ第2の部分892bとを有する被覆892を有するLEDチップ890の別の実施形態を示す。この被覆もまた、燐光体をもたない第1の層および燐光体をもつ第2の層という異なる層を堆積させることによって製作することができる。異なる濃度の異なる燐光体を有する追加の層または部分を含むことができ、これらの実施形態では、被覆はまた、前述の異なる形状および幾何形状を有することができ、また表面テキスチャリングを有することもできることが理解される。前述のLEDチップは、多くの異なる固定具またはLEDパッケージ内に取り付けることができる。図32および33は、本発明による1つまたは複数のLEDチップを利用するLEDパッケージ900の一実施形態を示す。パッケージ900は通常、基板/サブマウントサブマウント902と、基板902上に取り付けられたLEDチップ904と、同じくサブマウント902上に取り付けられた反射器カップ組立体反射器カップ906とを含む。しかし、他のLEDパッケージの実施形態では、特にLEDの側面からのLED光の漏れが極めて少ない実施形態では、反射器カップが含まれないことが理解される。反射器カップ906などの上に、LED904覆ってレンズ908などの二次光学系を配置しまたは形成し、かつ異なる取付け方法を使用してパッケージに接合することができる。反射器カップをもたない実施形態では、レンズは、周知の技法を使用してLEDを覆って直接形成または配置することができる。図示の実施形態では、LED904からの光は、主にレンズ908を通過し、LEDチップから横方向に発せられる光の少なくとも一部は、反射器カップ906によって反射されて、パッケージ900からの有用な発光に寄与する。レンズ908の底部とパッケージ900の残りの部分との間の空間は、液体シリコンゲル図示せずなどの封止材料または封止剤で埋めることができ、レンズ908の底部はゲルに接触する。他の実施形態では、レンズ908はまた、LED904に接触することができる。次いで、パッケージ900を熱硬化させることができ、それにより封止材料を凝固させかつレンズ908に付着させて、LED904および反射器カップ906を覆ってレンズ908を定位置に接合させる。テキスチャリングおよび散乱粒子などの異なる特徴を有する多くの異なるレンズを利用することもできる。いくつかの実施形態では、レンズは、平坦なディスク形状を有することができる。本発明によるパッケージ内で多くの異なる封止材料を使用して、異なる出力特性を提供することもできる。好ましい実施形態では、LEDパッケージは、所望の色点を実現するように構成された様々な成分で白色光を発する。サブマウント902は、多くの異なる材料から形成することができ、好ましい材料は電気絶縁性である。適切な材料には、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムが含まれるが、これに限定されるものではない。反射器カップ906は、その後のパッケージング製造ステップおよび動作中にパッケージによって発生する熱に耐えうる、耐久性があり溶融温度の高い材料から形成するべきである。Novella樹脂などのプラスチックまたは液晶ポリマーを含む溶融温度の高い材料などの多くの異なる材料を使用することができる。サブマウント902は、電気トレース910を含む上面を有し、電気トレース910は、周知の接触方法を使用して、LED904への電気的接続のための導電経路を提供する。グラブglob方法またはEPDなどの従来の被覆方法を利用するLEDパッケージでは、LEDチップ、基板の表面、および反射カップの表面を含めて、反射カップ906内の領域の大部分を、変換材料およびその接着剤によって覆うことができる。本発明によって製作されるLEDチップを利用すると、燐光体/接着剤被覆はLEDチップに封じ込められ、他の表面は覆われないままである。LEDパッケージ900はまた、変換されていない光を反射して変換された光と混合することによって、LEDパッケージの縁部の周辺で変換されていない光の放出を補償することができる。図34は、図19に示した前述のLEDチップ700に類似のLEDチップを利用する図32および33に示すLEDパッケージに類似のLEDパッケージの性能特性を示す表である。LEDチップに350ミリアンペアmAの電流が印加される場合、LEDパッケージは、光束約98ルーメンlmおよび効率86ルーメン毎ワットlm/Wを示す。700mAというより高い駆動電流の場合、このパッケージは、光束167lmおよび効率72lm/Wを示す。図35は、PtAgなどの標準的なコンタクトを有するLEDチップを備えるLEDパッケージの性能を、修正された鏡コンタクトを備えるLEDチップでの改善された性能と比較したグラフである。本発明について、その特定の好ましい構成を参照して詳細に説明したが、他の構成も可能である。したがって、本発明の精神および範囲は、前述の構成に限定されるべきではない。"