"基体上にペロブスカイト構造の誘電体材料を成膜した強誘電体薄膜であって、前記誘電体材料は、PZTに、Pb、Zr、及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物で構成され、前記添加物の配合濃度を、前記基体近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させたことを特徴とする強誘電体薄膜。前記配合濃度は、前記薄膜の厚み方向に向かって濃度が実質的に0の状態から所定濃度まで連続的に増加していることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体薄膜。前記配合濃度は、前記薄膜の厚み方向に向かって、前記濃度が実質的に0の層と、前記濃度が所定濃度の層とを、それぞれ所定厚みで交互に繰り返していることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体薄膜。前記添加物が、ABO3構成のペロブスカイト構造におけるAサイトに置換される添加物であって、LaやNdを含むランタノイド、および、Sr,または、Biの群から選ばれた少なくとも1種の金属イオンであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の強誘電体薄膜。前記添加物が、ABO3構成のペロブスカイト構造におけるBサイトに置換される添加物であって、Nb、Ta、W、または、Sbの群から選ばれた少なくとも1種の金属イオンであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の強誘電体薄膜。前記添加物がLaであって、前記Laの配合濃度は、前記薄膜の厚み方向に向かって濃度が実質的に0の状態から所定濃度の8まで連続的に増加していることを特徴とする請求項2に記載の強誘電体薄膜。前記添加物がLaであって、前記Laの配合濃度は、前記薄膜の厚み方向に向かって、前記濃度が実質的に0の層と、前記濃度が所定濃度の8の層とを、それぞれ所定厚みで交互に繰り返していることを特徴とする請求項3に記載の強誘電体薄膜。前記薄膜の全厚みを3~5μmとしたことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の強誘電体薄膜。基体上にペロブスカイト構造の誘電体材料を成膜した強誘電体薄膜の製造方法であって、前記誘電体材料として、PZTに、Pb、Zr、及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物を用い、前記添加物の配合濃度を、前記基体近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させて成膜する圧電体膜成膜工程を有することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、成膜される薄膜の厚み方向に向かって前記添加物の配合濃度が実質的に0の状態から所定濃度まで連続的に増加している圧電体膜を成膜していく成膜工程であることを特徴とする請求項9に記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、成膜される薄膜の厚み方向に向かって、前記添加物の配合濃度が実質的に0の層と、前記濃度が所定濃度の層とをそれぞれ所定厚みで交互に繰り返し順次積層していく繰り返し成膜工程であることを特徴とする請求項9に記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、高周波マグネトロンスパッタリング法により前記基体上に成膜を行うことを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、PZTで構成される第一ターゲットを第一の高周波電源を介してスパッタリング可能に装着する工程と、前記添加物で構成される第二ターゲットを第二の高周波電源を介してスパッタリング可能に装着する工程と、前記第一及び第二の高周波電源の出力を調整することにより、前記添加物の配合濃度を変化させつつ成膜を行う工程とを備えたことを特徴とする請求項12に記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、前記第二の高周波電源の出力を徐々に増加させて、前記濃度が連続的に増加している圧電体膜を成膜していくことを特徴とする請求項13に記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、前記第一及び第二の高周波電源の出力を一定に保持するとともに、第二ターゲットから放出される物質の前記基体上への到達を阻止するシャッタを開閉制御して、前記濃度が実質的に0の層と、前記濃度が所定濃度の層とをそれぞれ所定厚みで交互に繰り返し順次積層していくことを特徴とする請求項13に記載の強誘電体薄膜の製造方法。前記添加物がLaであって、前記Laの所定濃度は8であることを特徴とする請求項10または11に記載の強誘電体薄膜の製造方法。圧電素子の製造方法であって、シリコン基板に熱酸化膜を形成する保護膜形成工程と、形成された熱酸化膜上に下部電極層を成膜する下部電極形成工程と、成膜された下部電極層上にペロブスカイト構造の圧電体膜を成膜する工程であって、前記圧電体膜の材料として、PZTに、Pb、Zr及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物を用い、前記添加物の濃度を、前記下部電極層近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させて成膜する圧電体膜成膜工程と、成膜された圧電体膜に上部電極層を成膜する上部電極形成工程と、を有することを特徴とする圧電素子の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、成膜される薄膜の厚み方向に向かって前記添加物の配合濃度が実質的に0の状態から所定濃度まで連続的に増加している圧電体膜を成膜していく成膜工程であることを特徴とする請求項17に記載の圧電素子の製造方法。前記圧電体膜成膜工程が、成膜される薄膜の厚み方向に向かって、前記添加物の配合濃度が0の層と、前記添加物の配合濃度が所定濃度の層とをそれぞれ所定厚みで交互に繰り返し順次積層していく繰り返し成膜工程であることを特徴とする請求項17に記載の圧電素子の製造方法。前記添加物がLaであって、前記Laの所定濃度は8であることを特徴とする請求項18または19に記載の圧電素子の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載された構成では、下引き層のPLTはそもそも圧電特性が低く、圧電膜全体の圧電特性向上には適していない。本発明は、上記問題点に鑑み、高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜、この強誘電体薄膜の製造方法、および、この強誘電体薄膜を備える圧電素子の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、基体上にペロブスカイト構造の誘電体材料を成膜した強誘電体薄膜であって、前記誘電体材料は、PZTに、Pb、Zr、及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物で構成され、前記添加物の配合濃度を、前記基体近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させたことを特徴としている。この構成によると、添加物の配合濃度によって結晶性の良否が変化し、圧電特性が変化する誘電体材料であっても、結晶性が良好な配合濃度と圧電特性が高い配合濃度とを組み合わせることで、所定の圧電特性を発揮し、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を得ることができる。また本発明は、基体上にペロブスカイト構造の誘電体材料を成膜した強誘電体薄膜の製造方法であって、前記誘電体材料として、PZTに、Pb、Zr、及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物を用い、前記添加物の配合濃度を、前記基体近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させて成膜する圧電体膜成膜工程を有することを特徴としている。この構成によると、結晶性が良好な配合濃度と圧電特性が高い配合濃度とを組み合わせて成膜することで、所定の圧電特性を発揮し、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜可能となって、基板の上に所定厚みの強誘電体の薄膜を結晶性良く成膜して高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜の製造方法を得ることができる。また本発明は、圧電素子の製造方法であって、シリコン基板に熱酸化膜を形成する保護膜形成工程と、形成された熱酸化膜上に下部電極層を成膜する下部電極形成工程と、成膜された下部電極層上にペロブスカイト構造の圧電体膜を成膜する工程であって、前記圧電体膜の材料として、PZTに、Pb、Zr及びTi以外の金属材料の添加物を配合した複合酸化物を用い、前記添加物の濃度を、前記下部電極層近くにおいては実質的に0とし、前記薄膜の厚み方向に変化させて成膜する圧電体膜成膜工程と、成膜された圧電体膜に上部電極層を成膜する上部電極形成工程と、を有することを特徴としている。この構成によると、結晶性が良好な配合濃度と圧電特性が高い配合濃度とを組み合わせて成膜した圧電体膜を備えているので、所定の圧電特性を発揮可能な圧電素子を製造することができる。本発明によれば、高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜およびその製造方法を得ることができる。また、この強誘電体薄膜を備えた、高い圧電特性を発揮する圧電素子を製造することができる。以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。また、同一構成部材については同一の符号を用い、詳細な説明は適宜省略する。本実施形態に係る強誘電体薄膜について図1を用いて説明する。図1は、強誘電体薄膜誘電体膜L4を備える圧電素子の層構成を示す断面模式図であって、基板としてシリコン基板B1を用い、この上に、熱酸化膜SiO2層L1、Ti膜L2、Pt膜L3、誘電体膜L4、Ti膜L5、Au膜L6を順次成膜した層構成とされる。基板B1の厚みは、基板サイズ直径により異なるが、例えば400~700μm程度である。熱酸化膜L1は、基板B1の保護および絶縁の目的で形成されるものであり、基板B1を酸素雰囲気中で1200°C程度で加熱することにより形成され、その厚みは例えば0.1μm程度である。Ti膜L2およびPt膜L3は、熱酸化膜L1上にスパッタ法で順に成膜され、この両者で下部電極層D1を形成する。Tiは、SiO2とPtとの密着性を向上させるためのものであり、その膜厚は、例えば0.02μm程度である。また、Ptの厚みは、例えば0.1μm程度である。なお、下部電極層D1の材料としては、Ptの代わりに、例えばIrを用いても構わない。誘電体膜L4は例えばPZTやPLZTであって、下部電極層D1の上にスパッタ法で成膜され、その厚みは、用途によって異なるが、例えばセンサやフィルタでは1μm以下、アクチュエータでは3~5μm程度が好ましい。そのために、MEMS用アクチュエータ用の駆動素子として使用する本実施形態では5μmとしている。なお、誘電体膜L4の成膜方法の詳細については後述する。続いて、誘電体膜L4の上に、Ti膜L5およびAu膜L6を順にスパッタ法で成膜し、上部電極層D2を形成する。Tiは、PZTやPLZTとAuとの密着性を向上させるためのものであり、その膜厚は、例えば0.02μm程度である。また、Auの厚みは、例えば0.1μm程度である。誘電体膜L4は、図2に示すペロブスカイト構造をしたPZTやPLZTなどの多元素の複合酸化物からなり、本実施形態では、PZTに所定量のLaランタンを配合した誘電体材料を用いて成膜している。ペロブスカイト構造は、理想的には、図に示すような立方晶系の単位格子を有している。また、ペロブスカイト構造は、立方晶の各頂点に配置される金属A例えば、Pb、体心に配置される金属B例えば、TiやZr、立方晶の各面心に配置される酸素Oとから構成されるABO3と称する3元系の結晶構造となっており、立方晶が歪んだ正方晶、斜方晶、菱面体晶等を含む。ここで、Aサイトに位置するPbよりも一つ価数の大きい元素であるLaランタンで置換することで得られるPLZTという物質は、高い比誘電率と圧電定数を有する。このように、圧電体として用いられるPZTに、PZTを構成するPb、Zr及びTi以外の所定濃度の添加物金属材料を配合することで、高い圧電特性を発揮するので、本実施形態では、PZTにLaを配合した多元素の複合酸化物から構成される誘電体材料を基体基板B1に下部電極層D1を形成したもの上に成膜した構成の強誘電体薄膜としている。また、添加物の配合濃度を、薄膜の厚み方向に変化させた構成としている。これは、PZTに添加する添加物の濃度が小さければ小さいほど結晶性が良く、ペロブスカイト構造を維持するからである。そのために、添加物の添加量を膜の厚み方向に変化させながら成膜することで、結晶性を下げることなく圧電特性の高い強誘電体薄膜を成膜可能となる。また、下引き層の上に成膜する際に、下引き層の結晶性が良好であれば、その上に成膜される膜の結晶性が向上することが知られているので、添加物を所定濃度配合した強誘電体薄膜を成膜する下引き層は、結晶性が良好な層であることが好ましい。次に、本実施形態に係る誘電体膜L4を成膜する成膜装置について図3を参照して説明する。本実施形態の成膜装置10は、スパッタ方式の成膜装置であって、成膜装置内に設置する基板B1例えば、シリコン基板の上に所定の材質の層を高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜する。成膜装置10は、真空チャンバ11内に、基板B1を設置して加熱する基板加熱ヒータ12を備え、スパッタガスであるアルゴンArを導入する導入管13、酸素を導入する導入管14、および、排気管15を備えている。T1は酸化ランタンLa2O3のターゲットであって、T2はPZTのターゲットである。また、M1、M2はマグネットであり、CT1、CT2はカソード電極であり、K1、K2は高周波電源である。ターゲットT1は、酸化ランタンLa2O3の粉末を焼成、粉砕し、ターゲット皿に充填してプレス機で加圧して作製する。ターゲットT2は、所定の組成比に調合したPZT材料の粉末を混合、焼成、粉砕し、ターゲット皿に充填してプレス機で加圧して作製する。そして、これらのターゲットT1、T2をそれぞれマグネットM1、M2上に設置する。また、この上にカバーを設置してもよい。このマグネットM1、M2とその下にあるカソード電極CT1、CT2は、絶縁体によって真空チャンバ11と絶縁されている。また、カソード電極CT1、CT2は、高周波電源K1、K2に接続されている。次に、基板B1を、基板加熱ヒータ12上に設置する。そして、真空チャンバ11内を排気し、基板加熱ヒータ12によって基板B1を600°Cまで加熱する。加熱後、バルブ13aおよび14aを開け、スパッタガスであるArとO2を所定の割合で導入管より真空チャンバ11内に導入し、真空度を所定値に保つ。ターゲットT1、T2に高周波電源K1、K2より高周波電力を投入し、プラズマを発生させる。このとき、高周波電力の設定値に応じて成膜レートを調整できるため、酸化ランタン側の高周波電力を調整することで、PLZT膜中のLa濃度、つまり、配合濃度を調整することができる。また、シャッタSH1、SH2をそれぞれ独立に開閉して、酸化ランタンとPZTを、それぞれ必要に応じて基板上に成膜することができる。実施例1図4に実施例1の成膜フローを示す。実施例1は、基板がシリコン基板であり、添加物がLaであって、PZTにLaを添加した複合酸化物であるPLZT薄膜を成膜している。また、このLaの配合濃度は、薄膜の厚み方向に向かって濃度が実質的に0の状態から所定濃度まで徐々に増加させる構成としている。つまり、この実施例1が備える圧電体膜成膜工程は順次成膜工程であって、この成膜フローは、PZTにLaを添加したPLZT薄膜を強誘電体薄膜として備える圧電素子の製造方法を示す第一の成膜フローである。図4に示すように、実施例1の成膜工程がスタートされると、まず、シリコン基板上に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程S1が実施され、次に、この熱酸化膜L1の上に下部電極層D1を成膜する下部電極成膜工程S2が実施され、それから、Laの配合濃度を徐々に増加させながら圧電体膜強誘電体薄膜を形成する圧電体膜成膜工程S3順次成膜工程が実施される。所定の膜厚の圧電体膜を形成した後で、上部電極層D2を成膜する上部電極成膜工程S4を行う。Laの配合濃度は所定の濃度を上限濃度としている。この所定濃度は、PLZTが高い圧電特性を発揮可能な範囲の濃度が好ましいので、本実施形態ではこの所定濃度を8としている。すわなち、実施例1のLaの配合濃度は、薄膜の厚み方向に向かって濃度が0からの8まですなわち、0~8の範囲連続的に増加させている。このような構成であれば、成層の初期段階では、添加するLaの配合濃度が実質的に0なので、結晶性が良好であり、高い圧電特性を発揮する上限の濃度8まで徐々に配合濃度を増加しているので、所定の圧電特性を発揮し、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を得ることができる。所定濃度を8としたのは、前述した非特許文献1のGeneHHeartlingFerroelectricCeramicsHistoryandTechnologyJournalofAmericanCeramicSociety824797818のTableIIIに記載されたPLZTの圧電特性図9にその要部を示すに記載されているように、配合濃度8のPLZT8/65/35の圧電歪定数d33が682×10-12C/Nであり、配合濃度9のPLZT9/65/35のd33が0C/Nであることから、上限濃度として妥当な数値である。シリコン基板B1の厚みは、基板サイズにより異なるが、一般的に400~700μmである。熱酸化膜L1は保護及び絶縁の目的で形成されており、シリコン基板を酸素雰囲気中で1200°C程度で加熱して形成し、その厚みは一般的に0.1μm程度である、下部電極は、Ti、Ptをスパッタ法で成膜する。TiはSiO2とPtの密着性を向上するためのもので、その膜厚は0.02μm程度である。Ptの厚みは一般的に0.1μm程度である。次に、下部電極の上に、すなわち基板B1に下部電極層を形成した基体上に、スパッタ法で圧電体膜を成膜する。まず、PZTのターゲットの電源を入れ、所望の高周波電力に設定してPZTの成膜を開始して、結晶性の良い圧電体膜を形成する。PZTの成膜を開始すると同時に、酸化ランタンターゲット側の高周波電源を入れて、徐々にパワーを強くしていき、膜中に取り込まれるLaの量を徐々に増加させる。こうすることで、PLZT膜中のLa添加量が連続的に変化増加するPLZT膜が形成される。次に、上部電極層D2となるTi、Au層を成膜して、所定の圧電特性を発揮する圧電素子を作製する。上記の成膜工程で得られる圧電体膜強誘電体薄膜の層の構成について図5を用いて説明する。図に示すように、基板B1に成膜される下部電極層D1上に成膜される圧電体膜誘電体膜L4:強誘電体薄膜は、複数の結晶粒L4aが柱状に寄り集まった多結晶状態となっており、基板から垂直に伸びた、配向性の良い柱状の小さな結晶が集まった構造になっている。隣り合う結晶粒L4aL4aの間は、結晶粒界L4bを形成している。また、膜の厚み方向に示す濃淡表示の通りLaの配合濃度が連続的に増加したPLZT膜で構成されている。この際に、膜表面近傍のLa濃度は、高い圧電特性を示す上限濃度が好ましいので、本実施形態では8としている。このような構成とすることで、下部電極近傍のPZT初期層は、ターゲットの組成と略同等の組成比を持ち、ペロブスカイト単相で結晶性の良い膜となっているため、その上に連続的にLa濃度を増加させたPLZT膜は、初期の良好な結晶性を保ち、厚みtが5μmでも結晶性の良い圧電体膜強誘電体薄膜が得られることが明らかとなった。上記した圧電素子の製造方法によれば、結晶性が良好となる添加物濃度の小さい膜から徐々に濃度を上げて所定の圧電特性を発揮する圧電体膜を順に積層していくことで、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を備える圧電素子を作製可能となる。実施例2図6に実施例2の成膜フローを示す。実施例2は、基板がシリコン基板であり、添加物がLaであって、PZTにLaを添加した複合酸化物であるPLZT薄膜を成膜している。また、このLaの配合濃度は、薄膜の厚み方向に向かって濃度が実質的に0の層と、濃度が所定濃度例えば、8の層とをそれぞれ所定厚みで順次積層した構成としている。つまり、この実施例2が備える圧電体膜成膜工程は繰り返し成膜工程であって、この成膜フローは、PZTにLaを添加したPLZT薄膜を強誘電体薄膜として備える圧電素子の製造方法を示す第二の成膜フローである。図6に示すように、実施例2の成膜工程がスタートされると、まず、シリコン基板上に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程S11が実施され、次に、この熱酸化膜L1の上に下部電極層D1を成膜する下部電極成膜工程S12が実施され、それから、Laの配合濃度が0の層と、濃度が所定濃度の層を順次繰り返しながら積層して圧電体膜を形成する圧電体膜成膜工程繰り返し成膜工程S16が実施される。所定の膜厚の圧電体膜を形成した後で、上部電極層D2を成膜する上部電極成膜工程S17を行う。上記したように、実施例2で採用している圧電体膜成膜工程は、Laの配合濃度が0の層を成膜する第1圧電体膜成膜工程S13と、濃度が所定濃度の層を成膜する第2圧電体膜成膜工程S14とを含む繰り返し成膜工程S16である。また、この繰り返し回数を増減して、形成する圧電体膜の厚みを調節することができる。所定の回数繰り返したことを検知する繰り返し回数検知工程S15により、所定回数繰り返して成膜した後、上部電極成膜工程S17を実施する。Laの配合濃度は、PLZTが高い圧電特性を発揮する濃度が好ましいので、本実施形態ではこの所定濃度を8としている。すわなち、実施例2のLaの配合濃度は、薄膜の厚み方向に向かって濃度が0の層と、濃度が8の層を繰り返し順次積層した構成である。このような構成であれば、添加するLaの配合濃度がごく小さい結晶性が良好となる層と、高い圧電特性を発揮する濃度8の層とを順次繰り返して成膜することで、全体として所定の圧電特性を発揮する薄膜積層体を成膜することができ、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を得ることができる。この実施例2でも、基板B1に熱酸化膜L1を0.1μm形成し、膜厚0.02μmのTi層と膜厚0.1μmのPt層とからなる下部電極層D1を成膜することは同じである。次に、この下部電極層D1の上に、すなわち基板B1に下部電極層D1を形成した基体上に、スパッタ法で圧電体膜を成膜する。まず、PZTのターゲットと酸化ランタンのターゲットの電源を入れ、両方のシャッタを開けた場合に、La8添加のPLZTとなるように、それぞれの高周波電力に設定する。その後、PZTターゲット側のシャッタのみを開き、PZTの成膜を開始して、結晶性の良い圧電体を200nm0.2μm程度成膜する。PZTの膜厚が200nm程度になったときに、酸化ランタンターゲット側のシャッタも開き、添加量8のPLZTを800nm程度成膜する。その後、一旦酸化ランタンターゲット側のシャッタを閉め、再びPZTのみを200nm程度成膜し、その上に、再び添加量8のPLZTを800nm程度成膜する。以降、これを繰り返して、薄いPZTの層とLa8添加のPLZT層を交互に積層された厚みtが5μm程度の圧電体膜強誘電体薄膜を作製する。次に、上部電極となるTi層とAu層を成膜して、所定の圧電特性を発揮する圧電素子を作製する。以下、誘電体膜L4を圧電体膜L4として説明する。上記の成膜工程で得られる圧電体膜L4の層の構成について図7を用いて説明する。図に示すように、基板B1上に成膜される圧電体膜L4は、複数の結晶が柱状に寄り集まった多結晶となっており、基板から垂直に伸びた、配向性の良い柱状の小さな結晶が集まった構造になっている。また、膜の厚み方向にLaの配合濃度が殆んど0の第1圧電体膜PL1と所定濃度の第2圧電体膜PL2とが交互に積層した構成となっている。このような構成とすることで、PLZTの膜厚が大きくなって膜の結晶性が低下する前に再び結晶性の良いPZT層による下引き層の効果が得られ、Laの添加量が断続的に変化している構成であっても、PLZT膜の配向性と結晶性が良い圧電体膜強誘電体薄膜が形成される。そのために、上記した圧電素子の製造方法によれば、結晶性が良好となる濃度の小さい膜の上に所定の圧電特性を発揮する濃度の膜を所定厚み成膜した圧電体膜を繰り返し積層していくことで、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を備える圧電素子を作製可能となる。圧電デバイスの応用例について図8Aは、本実施形態で作製した圧電素子を備えた圧電デバイス20をダイヤフラム振動板に応用したときの構成を示す平面図であり、図8Bは、図8AのVIIIB-VIIIB線矢視断面図である。圧電体膜L4は、基板B1の必要な領域に、2次元の千鳥状に配置されている。基板B1において圧電体膜L4の形成領域に対応する領域は、厚さ方向の一部が断面円形で除去された凹部B1aとなっており、基板B1における凹部B1aの上部凹部B1aの底部側には、薄い板状の領域B1bが残っている。下部電極層D1および上部電極層D2は、図示しない配線により、外部の制御回路と接続されている。制御回路から、所定の圧電体膜L4を挟む下部電極層D1および上部電極層D2に電気信号を印加することにより、所定の圧電体膜L4のみを駆動することができる。つまり、圧電体膜L4の上下の電極に所定の電界を加えると、圧電体膜L4が左右方向に伸縮し、バイメタルの効果によって圧電体膜L4および基板B1の領域B1bが上下に湾曲する。したがって、基板B1の凹部B1aに気体や液体を充填すると、圧電デバイス20をポンプとして用いることができる。また、所定の圧電体膜L4の電荷量を下部電極層D1および上部電極層D2を介して検出することにより、圧電体膜L4の変形量を検出することもできる。つまり、音波や超音波により、圧電体膜L4が振動すると、上記と反対の効果によって上下の電極間に電界が発生するため、このときの電界の大きさや検出信号の周波数を検出することにより、圧電デバイス20をセンサとして用いることもできる。その他の実施形態以上、添加物としてLaを用いたPLZTについて説明したが、本発明は、Laに限らず、圧電特性を発揮可能なその他の添加物を用いることができる。例えば、Aサイトには、Nd等のランタノイド、Sr、またはBiの群から選ばれた少なくとも1種の金属材料を用いることができる。また、Bサイトには、Nb、Ta、W、またはSbの群から選ばれた少なくとも1種の金属材料を用いることができる。また、AサイトとBサイトの両方に添加物が含まれていてもよい。すなわち、添加物は、ABO3構成のペロブスカイト構造におけるAサイトに置換される添加物であって、LaやNdを含むランタノイド、および、Sr,または、Biの群から選ばれた少なくとも1種の金属イオンである。この構成であれば、PZTのAサイトに配置されるPbの一部を所定の添加物と置換することで、所定の圧電特性を発揮する強誘電体薄膜を得ることができる。また、前記添加物は、ABO3構成のペロブスカイト構造におけるBサイトに置換される添加物であって、Nb、Ta、W、または、Sbの群から選ばれた少なくとも1種の金属イオンである。この構成であれば、PZTのBサイトに配置されるZrもしくはTiの一部を所定の添加物と置換することで、所定の圧電特性を発揮する強誘電体薄膜を得ることができる。上記したように、本発明に係る強誘電体薄膜によれば、ペロブスカイト構造の誘電体材料に配合する添加物金属材料の濃度を成膜される厚み方向に変化させ、結晶性が良好な配合濃度と圧電特性が高い配合濃度とを組み合わせることで、所定の圧電特性を発揮し、結晶性を劣化することなく所定厚みに成膜される強誘電体薄膜を得ることができる。そのために、厚み3~5μm程度のアクチュエータ用厚膜を結晶性良く成膜することが可能となって、MEMS用アクチュエータ用の駆動素子として使用可能な強誘電体薄膜を得ることができる。また、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法によれば、基板の上に所定厚みの強誘電体の薄膜を結晶性良く成膜して高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜およびその製造方法を得ることができる。また、本発明に係る圧電素子の製造方法によれば、所定厚みに成膜され高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜を備えた圧電素子を製造することができる。"