半導体素子を搭載する支持体を有する半導体装置において、前記支持体に鍵溝部と非濡れ部を有し、前記鍵溝部は多重に備えることを特徴とする半導体装置。前記支持体はリードフレームによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記支持体は基板によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。一般に、半導体素子の複数搭載や、多種部品の搭載を必要とする半導体モジュールの要求がある。また、多品種多機能の性能で、多種サイズの半導体素子を搭載する要求がある。しかしながら、従来技術は、一種類の半導体素子サイズに対応することは有効であるが、半導体素子サイズに合わせて、それぞれの処理を施すため、サイズが違う複数の半導体素子を搭載することに対し、素子搭載部が兼用できないという課題がある。従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、多品種の半導体素子サイズを搭載するこができる半導体装置を提供することを目的とする。上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置は、半導体素子を搭載する支持体において、鍵溝部と非濡れ部を有し、鍵溝部は多重に備えることを特徴とする。また、支持体はリードフレームによって形成されていることを特徴とする。また、支持体は基板によって形成されていることを特徴とする。本発明は、多重の鍵溝部と非濡れ部を備えているので、多品種の半導体素子を搭載することが可能な半導体装置を提供することができる効果を奏する。以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下、図面を参照して本発明の実施例1に係る半導体装置を説明する。図1は、本発明の実施例1に係る支持体1の要部拡大平面図と断面図である。図1に示す支持体1は、一般的な半導体装置におけるリードフレームのダイパッド部であり、半導体素子を搭載する主面である。例えば、ダイパッド部は厚みを有した銅材料の板形状であり、主面は平坦である。第1の鍵溝2は、支持体1の主面に略L字形状をしており、支持体1の厚み方向へ凹形状に溝が掘込まれている。平面形状は、2辺を有する略L字形状をしており、方形の頂点の4個所四隅位置に配設され、直角内部が方形中心側を向いている。例えば、プレス加工、切削加工、エッチング加工等で製造することができる。凹形状は溝が掘込まれれば、断面形状が略U字形状や略V字形状であても構わない。ここでは、支持体1の厚さは0.5mm、第1の鍵溝2の幅は0.2mm、外周1辺の長さは1.0mmである。第2の鍵溝3は、第1の鍵溝2と同様形状であり、第1の鍵溝2の外側に位置している。支持体1の主面に略L字形状をしており、支持体1の厚み方向へ凹形状に溝が掘込まれている。平面形状は、2辺を有する略L字形状をしており、方形の頂点の4個所四隅位置に配設され、直角内部が方形中心側を向いている。例えば、プレス加工、切削加工、エッチング加工等で製造することができる。凹形状は溝が掘込まれれば、断面形状が略U字形状や略V字形状であても構わない。ここでは、第2の鍵溝3の寸法は、幅が0.2mm、外周1辺の長さが1.0mmである。第1の接合領域4は、第1の鍵溝2に囲まれた平面部分であり、半導体素子が搭載接合される。第2の接合領域5は、第2の鍵溝3に囲まれた平面部分であり、第1の接合領域4を含んでいる。後述する半導体素子サイズの大きいものが搭載接合される。非濡れ部6は、第2の鍵溝3の鍵溝間を直線的に結んだ部分であり、4辺4箇所に位置し、第2の接合領域5を非濡れ部6と第2の鍵溝3とで囲んでいる。非濡れ部6には、はんだが濡れ難い処理を施す。例えば、レーザ等により支持体1の表面を酸化処理したものである。ここでは、幅が0.15mm、厚みは0.01mmである。次に、図2から図4を参照して、支持体1に半導体素子を搭載する製造方法を説明する。図2は、支持体1の第1の接合領域4にはんだ7を塗布した状態である。ここでは接合領域全体にはんだが広がるように、十字形状とX字形状を組み合わせた形状をしている。塗布方法は、ダイボンダ装置によるはんだ転写やマウンタ装置による印刷でおこなうことが可能である。図3は、はんだ7を塗布した上面図2の状態で、第1の接合領域4に半導体素子小8を搭載接合した平面状態である。このとき、はんだ7の一部は第2の接合領域5にはみ出しているが、第1の接合領域4の半導体素子8に接合面には十分はんだが廻っている。図4は、半導体素子小8よりもサイズの大きい半導体素子大9を搭載したものである。はんだ7を塗布した上面図2の状態で、第2の接合領域5に半導体素子大9を搭載接合した平面状態である。このとき、半導体素子大9は、第1の鍵溝2を覆って、第2の接合領域5に接合されている。はんだ7は、第2の接合領域5の半導体素子9に接合面には十分はんだが廻っている。次に、図5に示すように、半導体装置11は、リードフレームタイプのパッケージである。ここでは、リードフレームは、ダイパッド12と外部端子13で構成され、複数個が連結されている。ダイパッド12の主面には、上述した第1の鍵溝2、第2の鍵溝3、非濡れ部6を備えている。ここに半導体素子小8を搭載接合し、半導体素子小8の電極部と外部端子13をワイヤ14にて電気的機械的に接続する。例えば、ワイヤ14はワイヤボンダ装置にて金細線を使用し製造することができる。ダイパッド14と外部端子13の一部を露出させ、樹脂封止体15図示せずで覆う。その後連結されたリードフレームを切断する。以上により、個々の半導体装置11が完成する。次に、上述の実施例1に係る半導体装置の効果を説明する。支持体に複数の鍵溝を備えてのるので、支持体を兼用して半導体素子を複数使用することができる。鍵溝は半導体素子の四隅に位置しているので、接合時にはみ出したはんだを捕らえることができ、半導体素子の位置決めをすることができる。また、はんだが侵入しなければ、樹脂封止時において、支持体表面と樹脂封止体とのアンカー効果により樹脂密着性の向上が得られる。鍵溝は方形上に複数備えているので、半導体素子サイズの異なるものがひとつの支持体を兼用して搭載することができる。また、半導体素子が大きいサイズの場合において、接合はんだで溝が覆われる。これにより接合表面積を増やし、素子と支持体との接合強度の向上が得られる。非濡れ部は半導体素子の搭載領域を囲い制限しているので、接合はんだが、不必要に広がることを抑制し、はんだによる樹脂封止体と支持体の密着強度の低下を防いでいる。支持体に多重の溝部を設けるので、ひとつの支持体を準備すれば、多サイズの半導体素子に対応することが、可能であり、支持体を共通化し、多品種に応じた製造を容易にすることが可能である。本発明の実施例1に係る半導体装置は、多重の鍵溝と非濡れ部を備えている。これにより、半導体素子接合において、ひとつの支持体に対して、複数種の素子サイズを兼用して製造することが可能である。また、はんだの不必要な広がりを抑制するので、樹脂密着強度の低下を抑制し、信頼性に高い半導体装置とすることが可能である。上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。上述の例では、支持体1をリードフレームとしたが、図6に示すように、支持体1を基板22としてもよい。ここでは、基板22の主面に回路パターン24を形成し、外部端子24を接合した構成であり、例えば、基板22はセラミック回路基板とし、集積回路等を搭載し、ワイヤ接続した樹脂封止型の半導体装置21とすることができる。効果は同様に、多サイズの半導体素子を搭載することができ、樹脂との密着性を向上することができ、基板を使用するので、モジュールパッケージに対応することが可能である。また、実施例では、半導体素子を1個搭載接合として説明したが、この接合部を複数箇所備えたマルチチップ搭載型の半導体装置とすることも可能である。