対向する第1および第2の面と、前記第1および第2の面に略直交する側面を有し、前記側面には、前記第1の面から第1の距離だけ離間した位置から前記第2の面側に向かって、第1の粗さと第1の幅を有する第1の領域と、前記第1の粗さより小さい第2の粗さと前記第1の幅より小さい第2の幅を有する第2の領域が交互に形成され、且つ前記第1の領域の面積の和と前記側面の面積の比が0.5以上である基板と、前記基板の前記第1の面上に形成され、第1導電型の第1半導体層と、活性層と、第2導電型の第2半導体層が順に積層された半導体積層体と、を具備することを特徴とする半導体発光素子。前記第1の領域の面積の和と前記側面の面積の比が0.85以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第1および第2の面間の距離が150μm以上であり、前記第1の距離が30μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第2の面と前記第1の領域間の距離が、40μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第2の幅は0より大きく、前記第1の幅の1/2以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第1および第2の領域は、レーザを前記第2の面側から前記基板の内部に集光し、分割予定ラインに沿って離散的に相対移動させて加工変質層を形成した後、前記基板をブレーキングすることにより露出した領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記レーザを離散的に相対移動させる間隔は、前記レーザのビーム径より大きく、2倍以下であることを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子。本発明は、基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。一つの実施形態によれば、半導体発光素子では、基板は対向する第1および第2の面と、前記第1および第2の面に略直交する側面を有している。前記側面には、前記第1の面から第1の距離だけ離間した位置から前記第2の面側に向かって、第1の粗さと第1の幅を有する第1の領域と、前記第1の粗さより小さい第2の粗さと前記第1の幅より小さい第2の幅を有する第2の領域が交互に形成されている。前記第1の領域の面積の和と前記側面の面積の比は、0.5以上である。前記基板の前記第1の面上に、第1導電型の第1半導体層と、活性層と、第2導電型の第2半導体層が順に積層された半導体積層体が形成されている。以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例に係る半導体発光素子について図1を用いて説明する。本実施例の半導体発光素子は窒化物半導体発光素子である。図1は窒化物半導体発光素子を示す図で、図1aはその平面図、図1bはその側面図、図1cは図1bの要部を示す断面図である。図1に示すように、本実施例の窒化物半導体発光素子10では、サファイア基板11は対向する第1および第2の面11a、11bと、第1および第2の面11a、11bに略直交する4つの側面11cを有し、例えば250μm×250μm角で厚さL0が約200μmの直方体状である。サファイア基板11の側面11cには、第1の面11aから第1の距離L1、例えば約30μm離間した位置から第2の面11b側紙面の-Z方向に向かって、粗さおよび幅が異なる第1の領域12と第2の領域13が交互に4段形成されている。各段において、第1の領域12は、第1の粗さR1と第1の幅aを有している。第2の領域13は、第1の荒さR1より小さい第2の粗さR2と第1の幅aより小さい第2の幅bを有している。各段において、第1および第2の領域12、13は、第1の幅aと第2の幅bの和abが一定になるように、即ち第1の領域12の繰り返しピッチが一定になるように形成されている。第2の幅bは0より大きく、第1の幅aの1/2以下になるように形成されている0<b≦a/2。第1の幅aは、例えば約30μmである。第2の幅bは、例えば約10μmである。第1および第2の領域12、13は、第1の面11aに平行な方向紙面のX方向に側面11cの一端から他端まで延在している。各段の第1の領域12の面積S1の和ΣS1と側面11cの面積S0の比以後、単に粗面化率とも称するは約0.6に設定されている。サファイア基板11の第1の面11a上には、N型第1導電型の第1窒化物半導体層と、窒化物活性層と、P型第2導電型の第2窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体積層体15が形成されている。第1窒化物半導体層は、例えばN型GaN層21とN型GaNクラッド層22を含み、窒化物活性層は、例えばMQW層23を含み、第2窒化物半導体層は、例えばP型GaNクラッド層24とP型GaNコンタクト層25を含んでいる。窒化物半導体積層体15上には、電流を広げるとともにP型GaNコンタクト層25側から取り出される光が電極材で遮られるのを防止するために透明導電膜16が形成されている。透明導電膜16の一部に第1電極P側電極17、例えばアルミニウムAl膜が形成されている。窒化物半導体積層体15の一部が除去され、露出したN型GaN層21上に第2電極N側電極18、例えばチタンTi/白金Pt/金Auの積層膜が形成されている。第1電極17および第2電極18はサファイア基板11の対角線に沿って対向するように形成されている。第1の領域12および第2の領域13は、以下のようにして形成された領域である。サファイアに対して半透明な波長を有するレーザをサファイア基板の内部に集光し、分割予定ラインに沿って離散的に、例えば5μmステップで相対移動させることにより、サファイア基板の内部に加工変質層を形成する。加工変質層とはレーザのエネルギーによりサファイアが溶融して再固化した領域であり、熱歪により生じたき裂などにより強度が低下した領域である。加工変質層のサイズは、レーザのビーム形状および光出力などに依存する。レーザを離散的に相対移動させる距離は、レーザのビーム径より大きく、レーザのビーム径の2倍以下とすることが適当である。内部に加工変質層が形成されたサファイア基板をブレーキングすることにより、加工変質層に含まれるき裂がサファイア基板の両面に伸展し、サファイア基板がチップに分離される。サファイア基板が分離されて露出した加工変質層が第1の領域12になる。加工変質層の間の領域が第2の領域13になる。第1の領域12は加工変質層のサイズに応じた凹凸を有する側面となり、第1の粗さR1と第1の幅aを有する。一方、第2の領域13はき列に応じた凹凸を有する筋状の側面となり、第1の粗さR1より小さい第2の粗さR2と加工変質層を形成するピッチに応じて第1の幅aより小さい第2の幅bを有する。サファイア基板11の第1の面11aから初段の第1の領域12までの第3の領域14はクラック状の側面で、テラス状の平坦面を含んでいる。そのため、第3の領域14の粗さは、第2の粗さR2より小さくなっている。第3の領域14は、サファイア基板11の内部にレーザを集光する際に、窒化物半導体積層体15への熱的ダメージを防止するために設けられている。窒化物半導体積層体15については周知であるが、以下簡単に説明する。N型GaN層21は、N型クラッド層22乃至P型GaNコンタクト層25までを成長させるための下地単結晶層であり、例えば約3μmと厚く形成されている。N型GaNクラッド層22は、例えば厚さ2μm程度に形成されている。MQW層23は、例えば厚さが5nmのGaN障壁層と厚さが2.5nmのInGaN井戸層とが交互に積層され、最上層がInGaN井戸層である多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造に形成されている。P型GaNクラッド層24は、例えば厚さ100nm程度に形成され、P型GaNコンタクト層25は、例えば厚さ10nm程度に形成されている。InGaN井戸層InxGa1-xN層、0<x<1のIn組成比xは、窒化物半導体層11から取り出される光のピーク波長が、例えば約450nmになるように0.1程度に設定されている。上述した窒化物半導体発光素子10は、サファイア基板11の厚さL0および側面11cの粗面化率を最適化することにより、信頼性を確保しつつ側面11cからの光の取り出し効率を高めるように構成されている。図2は窒化物半導体発光素子10において、サファイア基板11の側面の粗面化率とチップ分離率、発光効率および初期光出力Po残存率との関係を示す説明するための概念図である。図2において、横軸は粗面化率を示している。一点鎖線30はチップ分離率、実線31は発光効率、破線32はPo残存率を示している。縦軸は任意目盛りであるが、チップ分離率、発光効率およびPo残存率の最大値を揃えて示している。図2に示すように、チップ分離率に関しては、粗面化率が0.3より小さいとチップ分離率は急激に低下する。粗面化率が0.5程度あれは略問題ないチップ分離率が得られている。粗面化率を0.5より大きくしてもチップ分離率は殆ど変わらない。そのため、比較例では粗面化率は0.3から0.5の間に設定されていた。粗面化率を大きくするほど、レーザダイシングに多くの時間と費用を要するためである。一方、発光効率に関しては、粗面化率が大きいほど発光効率が増加し、特に粗面化率が0.5以上のときに高い発光効率が得られている。粗面化率が大きいほど、側面に入射した光が外に取り出される確率が増加するためである。Po残存率に関しては、粗面化率が0.85より大きくなるとPo残存率は急激に低下する傾向を示している。粗面化率が大きくなると、必要な第1の距離L1が確保できなくなり、サファイア基板11の内部にレーザを集光する際に、窒化物半導体積層体15が熱的ダメージを受けるためである。従って、信頼性を確保して発光効率を向上させるために、粗面化率は0.5から0.85の間に設定することが望ましい。次に、窒化物半導体発光素子10の特性について、図3乃至図6を用いて説明する。図3は第1の距離L1と窒化物半導体発光素子10のPoの残存率の関係を示す図である。図3において、横軸は第1の距離L1、縦軸は500時間経過後のPo残存率を示している。Po残存率は、第1の距離L1が60μmのときに得られたPo残存率で規格化されている。図3に示すように、第1の距離L1が10μmのときの残存率は10以下であり、第1の距離L1が20μmのときの残存率は70程度である。第1の距離L1が短くなると、急速にPo残存率が低下している。一方、第1の距離L1が30μm以上では、Po残存率は略100である。これから、サファイア基板11の内部にレーザを集光する際に、第1の距離L1が30μm以上であればサファイア基板11の厚さに係らず窒化物半導体積層体15へのダメージを回避することが可能である。図4はサファイア基板11の厚さL0と発光効率の関係を示す図である。図4において、横軸はサファイア基板11の厚さL0、縦軸は発光効率を示している。発光効率は、サファイア基板11の厚さL0が200μmのときの発光効率で規格化されている。図4に示すように、発光効率はサファイア基板11の厚さL0が大きくなると増加し、サファイア基板11の厚さL0が150μm以上で飽和する傾向を示している。側面に入射した光を外に取り出すためには、サファイア基板11はある程度厚いほう好ましい。図5はサファイア基板11の反射特性を説明するための図で、図5aは光路を示す図、図5bは反射率を示す図である。反射率は、入射光の波長が410nm、サファイアの屈折率が1.785として、入射角度αの依存性を計算した。図5に示すように、窒化物半導体積層体15から出射されて側面11cに入射した光は、界面で一部は反射され、一部は透過する。入射角度αが大きいほど反射光は強くなる。そのため、出射光は弱くなり、出射角度βが大きくなる。入射角度αがサファイアの全反射角度θb約34.8°以上では、反射率は1、出射角度βは90°になる。入射角度αが0垂直入射のとき、反射率は約0.079である。図6はサファイア基板11の側面11cの粗さと反射率の関係を示す図である。反射率は、入射光の波長が410nm、サファイアの屈折率が約1.785、入射角度αが0垂直入射として粗さ依存性を計算した。粗さは平均表面粗さRaである。平均表面粗さRaとは、周知のように粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さLだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にX軸を、縦倍率の方向にY軸を取り、粗さ曲線をy=fxで表したときに、fxの絶対値を0からLまで積分して長さLで割った値をマイクロメートルμmで表わしたものである。図6に示すように、粗さRaが大きくなると反射率は増加する。反射率は粗さRaが1μm超えるところから大きくなり、2μmを超えると飽和する傾向を示している。周知のように粗さRaによって反射モードが異なっている。粗さRaが波長と同程度の大きさの場合、光は界面で散乱する。粗さRaが波長より十分大きい場合、光は界面で乱反射する。サファイア基板11の側面11cの粗さRaがMQW層23から放出されサファイア基板11内を伝播する光の波長乃至波長の数分の一程度の場合、サファイア基板11と大気との境界の屈折率が等価的に徐々に変化する。その結果、サファイア基板11での全反射が効果的に抑制される。例えばサファイア基板11から取り出される光の波長を410nmとすると、サファイア基板11の屈折率が約1.785であることからサファイア基板11内の光の波長は約230nmになる。従って、粗さRaとしては、約0.23μm以下、更には0.05μm以下が望ましい。一方、サファイア基板11の側面11cの粗さRaがMQW層23から放出されサファイア基板11内を伝播する光の波長より十分大きい場合、光はサファイア基板11と大気との境界で乱反射する。反射率が低い方が、透過率が向上し、光の取り出し効率が向上するので、サファイア基板11の側面11cの粗さRaは波長と同程度の大きさであることが望ましい。然し、粗さRaが波長より大きくても、一定の効果が期待できる。図7は粗面化率と反射率の関係を示す図である。反射率はサファイア基板11の側面11cの全面に光が入射したときの、側面11cの平均的な反射率を計算した。図7に示すように粗面化率が0.5を超えると反射率が急激に低下する傾向が得られた。反射率は低い方が、透過率が向上し、光の取り出し効率が向上するので、サファイア基板11の側面11cの粗面化率は0.5以上であることが望ましい。これより、サファイア基板11の側面11cの粗面化率は0.5以上、0.85以下であれば、信頼性を確保しつつ側面11cからの光の取り出し効率を高めることが可能である。図8は最下段の第1の領域12を形成する位置と反射率の関係を示す図である。図8において、第2の距離L2とは第2の面11bと最下段の第1の領域12間の距離を示している。反射率はMQW層23からサファイア基板11の側面11cに光が入射したときの、側面11cの平均的な反射率を計算した。図8に示すように、第2の距離L2が40μmあたりを境にして反射率が大きく低下している。サファイア基板11の側面11cの下部はMQW層23から遠いので、下部ほど入射角αが大きくなる。入射角αが大きい光に対して反射率が低減するように、上部より下部に粗面化領域が存在していたほうが、発光効率が向上することを示している。サファイア基板11の厚さL0と必要な粗面化率の兼ね合いによるが、できるだけサファイア基板11の側面11cの下部に粗面を集中して形成したほうが、発光効率の向上が期待できる。次に、窒化物半導体発光素子10の製造方法について、図9および図10を用いて説明する。図9は窒化物半導体発光素子10の製造工程の要部を示すフローチャート、図10は窒化物半導体発光素子10の製造工程の要部を示す断面図である。始に、サファイア基板上にMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により、窒化物半導体積層体15を形成する。窒化物半導体積層体15の形成方法は周知であるが、以下簡単に説明する。例えば直径150mmで、面方位がC面のサファイア基板に前処理として、例えば有機洗浄、酸洗浄を施した後、MOCVD装置の反応室内に収納する。次に、例えば窒素N2ガスと水素H2ガスの常圧混合ガス雰囲気中で、高周波加熱により、サファイア基板の温度を、例えば1100°Cまで昇温する。これにより、サファイア基板の表面が気相エッチングされ、表面に形成されている自然酸化膜が除去される。次に、N2ガスとH2ガスの混合ガスをキャリアガスとし、プロセスガスとして、例えばアンモニアNH3ガスとトリメチルガリウムTMG:TriMethylGalliumを供給し、N型ドーパントとして、例えばシランSiH4ガスを供給し、厚さ3μmのN型GaN層21を形成する。次に、同様にして厚さ2μmのN型GaNクラッド層22を形成した後、NH3ガスは供給し続けながらTMGおよびSiH4ガスの供給を停止し、サファイア基板の温度を1100°Cより低い温度、例えば800°Cまで降温し、800°Cで保持する。次に、N2ガスをキャリアガスとし、プロセスガスとして、例えばNH3ガスおよびTMGを供給し、厚さ5nmのGaN障壁層を形成し、この中にトリメチルインジウムTMI:TriMethylIndiumを供給することにより、厚さ2.5nm、In組成比が0.1のInGaN井戸層を形成する。次に、TMIの供給を断続することにより、GaN障壁層とInGaN井戸層の形成を、例えば7回繰返す。これにより、MQW層23が得られる。次に、TMG、NH3ガスは供給し続けながらTMIの供給を停止し、アンドープで厚さ5nmのGaNキャップ層を形成する。次に、NH3ガスは供給し続けながらTMG、TMAの供給を停止し、N2ガス雰囲気中で、サファイア基板の温度を800°Cより高い温度、例えば1030°Cまで昇温し、1030°Cで保持する。次に、N2ガスとH2ガスの混合ガスをキャリアガスとし、プロセスガスとしてNH3ガスおよびTMG、P型ドーパントとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを供給し、Mg濃度が1E20cm-3、厚さが100nm程度のP型GaNクラッド層24を形成する。次に、Cp2Mgの供給を増やして、Mg濃度が1E21cm-3、厚さ10nm程度のP型GaNコンタクト層25を形成する。次に、NH3ガスは供給し続けながらTMGの供給を停止し、キャリアガスのみ引き続き供給し、サファイア基板を自然降温する。NH3ガスの供給は、サファイア基板の温度が500°Cに達するまで継続する。これにより、サファイア基板上に窒化物半導体積層体15が形成され、P型GaNコンタクト層25が表面になる。次に、P型GaNコンタクト層25上に透明導電膜16として、例えばスパッタリング法によりITOIndiumTinOxide膜を形成する。次に、透明導電膜16の一部を、例えば硝酸と塩酸の混酸を用いたウエットエッチングにより除去し、窒化物半導体積層体15の一部を露出させる。次に、露出した窒化物半導体積層体15の一部を、例えば塩素系ガスを用いたRIEReactiveIonEtching法により異方性エッチングし、N型GaN層21を露出させる。次に、残った透明導電膜16の一部上に第1電極17を形成し、露出したN型GaN層21上に第2電極18を形成する。この段階で、複数の窒化物半導体発光素子が格子状に配列されたサファイア基板が得られる。次に、図9に示すフローチャートに従って、サファイア基板をチップに分割し、個々の窒化物半導体発光素子を得る。始に、窒化物半導体積層体15側を粘着シートに対向させ、サファイア基板をステンレスリングに取り付けられた粘着シート上に貼り付けステップS01、サファイア基板をレーザダイング装置のステージに載置するステップS02。次に、レーザ照射条件等の初期設定を行う。使用するレーザは、例えば波長1.06μm、出力300mW、パルス幅10~15fs、繰り返し周波数100kHzである。加工条件は、例えば送り速度600mm/s、照射間隔5μmであるステップS03。図10に示すように、Z方向の位置を調整して第1の面11a側から45μmの深さLf1にレーザ40を照射する光学系の焦点をあわせた後、サファイア基板の第2の面11b側からレーザ40を照射し、X方向に5μm間隔で相対的にステップスキャンすることにより、第1加工変質層41を形成するステップS04。以下ステップS04と同様に、第1の面11a側から85μmの深さLf2に焦点をあわせた後、第2加工変質層42を形成するステップS05。第1の面11a側から125μmの深さLf3に焦点をあわせた後、第3加工変質層43を形成するステップS06。第1の面11a側から165μmの深さLf4に焦点をあわせた後、第4加工変質層44を形成するステップS07。次に、レーザダイング装置のステージを回して、サファイア基板を90°回転させるステップS08。次に、ステップS04からステップS07と同様にして、サファイア基板のY方向に5μm間隔でステップスキャンすることにより、第1乃至第4加工変質層41、42、43、44を形成するステップS09。次に、サファイア基板をステンレスリングから取り外し、粘着シートをブレーキングして、サファイア基板をチップに分割する。これにより、窒化物半導体発光素子10が得られる。なお、ステップS07の後に、サファイア基板をチップサイズ分、例えば250μmだけY方向に移動させてステップS04からステップS07を繰り返す。同様に、ステップS09の後に、サファイア基板をチップサイズ分だけX方向に移動させてステップS09を繰り返すことはいうまでもない。以上説明したように、本実施例の窒化物半導体発光素子10では、サファイア基板11の厚さL0を厚くし、側面11cには第1の面11aから第1の距離L1だけ離間した位置から第2の面11b側に向かって、粗面化率が0.5以上、0.85以下になるように第1の粗さR1と第1の幅aを有する第1の領域12と、第1の荒さR1より小さい第2の粗さR2と第1の幅aより小さい第2の幅bを有する第2の領域13を交互に4段形成している。その結果、信頼性を確保しつつ側面11cからの光の取り出し効率を高めることができる。従って、基板の側面からの光取り出し効率を向上させた窒化物半導体発光素子が得られる。ここでは、各段の第1の幅aが互いに等しく、各段の第2の幅bが互いに等しい場合について説明したが、各段において0<b≦a/2なる関係を満たしていればよく、特に等しくなくても本実施例と同様の効果を得ることが可能である。基板がサファイアである場合について説明したが、その他の基板、例えばSiCに適用することも可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。付記1前記基板はサファイアであり、前記半導体積層体は窒化物半導体積層体である請求項1に記載の半導体発光素子。付記2前記第1および第2の領域は、前記第1の面に平行な方向に前記側面の一端から他端まで延在している請求項1に記載の半導体発光素子。