"成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、前記成膜室に前記成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段と、前記成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、前記成膜室と前記基板準備室との間を仕切るゲートバルブと、前記ゲートバルブを開いて基板を前記基板準備室から前記成膜室へ搬送して前記ゲートバルブを閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを前記成膜室に導入する調整ガス導入手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。請求項1に記載の成膜処理装置において、前記成膜室に基板が搬送されて前記ゲートバルブが閉じられると、前記調整ガス導入手段による圧力調整用ガスの導入を停止し前記成膜ガス導入手段による成膜用ガスの導入を開始するガス制御手段を、さらに備えたことを特徴とする成膜処理装置。請求項1に記載の成膜処理装置において、前記圧力調整用ガスに前記成膜用ガスを用いたことを特徴とする成膜処理装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜処理装置において、前記基板準備室を真空排気する真空排気装置と、前記調整ガス導入手段による前記成膜室への前記圧力調整用ガスの導入時に、前記真空排気装置による前記基板準備室の真空排気を停止する排気制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜処理装置。成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、前記成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、前記成膜室と前記基板準備室との間を仕切るゲートバルブとを備えた成膜処理装置における成膜方法であって、前記ゲートバルブを開いて基板を前記基板準備室から前記成膜室へ搬送して前記ゲートバルブを閉じる搬送工程と、前記成膜用ガスを前記成膜室に導入して基板に成膜を行う成膜処理工程とを有し、前記ゲートバルブを開いてから前記ゲートバルブを閉じるまでの前記搬送工程において、圧力調整用ガスを前記成膜室に導入する圧力調整処理を行うことを特徴とする成膜方法。しかしながら、成膜室にワークを搬送した後に、ゲートバルブを閉じた後に成膜室の圧力調整を行っているため、成膜処理装置にワークを搬入してからワークが搬出されるまでの時間が長いという問題があった。請求項1の発明による成膜処理装置は、成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、成膜室に前記成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段と、成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、成膜室と基板準備室との間を仕切るゲートバルブと、ゲートバルブを開いて基板を基板準備室から成膜室へ搬送してゲートバルブを閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを成膜室に導入する調整ガス導入手段と、を備えたことを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載の成膜処理装置において、成膜室に基板が搬送されてゲートバルブが閉じられると、調整ガス導入手段による圧力調整用ガスの導入を停止し成膜ガス導入手段による成膜用ガスの導入を開始するガス制御手段を、さらに備えたものである。請求項3の発明は、請求項1に記載の成膜処理装置において、圧力調整用ガスに成膜用ガスを用いたものである。請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜処理装置において、基板準備室を真空排気する真空排気装置と、調整ガス導入手段による成膜室への圧力調整用ガスの導入時に、真空排気装置による基板準備室の真空排気を停止する排気制御手段と、を備えたものである。請求項5の発明は、成膜用ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室と、成膜室へ搬送するための基板が準備される基板準備室と、成膜室と基板準備室との間を仕切るゲートバルブとを備えた成膜処理装置における成膜方法であって、ゲートバルブを開いて基板を基板準備室から成膜室へ搬送してゲートバルブを閉じる搬送工程と、成膜用ガスを成膜室に導入して基板に成膜を行う成膜処理工程とを有し、ゲートバルブを開いてからゲートバルブを閉じるまでの搬送工程において、圧力調整用ガスを成膜室に導入する圧力調整処理を行うようにしたものである。本発明によれば、成膜処理装置のスループット単位時間当たりの生産量を向上させることができる。以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1は、本発明による成膜処理装置の一実施の形態を示すブロック図である。図1に示す成膜処理装置1はプラズマCVD装置であって、成膜室20と、基板準備室としてのロードロック室10と、装置全体の制御を行う制御装置30とを備えている。ロードロック室10は、成膜室20を大気に開放することなく成膜室20への基板Wの搬入および搬出を行うために設けられた真空室であり、成膜室20との間はゲートバルブG2で仕切られている。ロードロック室10は、バルブV1を介して真空ポンプP1により真空排気される。成膜室20はバルブV2を介して真空ポンプP2により真空排気される。バルブV2には、コンダクタンスを変化させることができる可変バルブが用いられる。なお、以下では、成膜されていない未処理の基板を未処理基板W0と呼び、成膜された基板を処理済基板W1と呼ぶことにする。図1に示す成膜処理装置1では、ロードロック室10には2つの搬送機構100A,100Bが上下に設けられている。ロードロック室に搬送機構が2段設けられた構成は、例えば、特開2006-96498号公報に記載されている。上側の搬送機構100Aは、未処理基板W0が載置されたカート101をロードロック室10から成膜室20へと搬送するためのものである。一方、下側の搬送機構100Bは、処理済基板W1が載置されたカート101を成膜室20からロードロック室10へと搬送するためのものである。成膜室20にも搬送機構100Cが設けられておいる。各搬送機構100A~100Cは図1に示す水平状態と、二点鎖線で示すような傾斜状態との間で切り換えることができる。後述するように、搬送動作時には、各搬送機構を傾斜状態にしてカート101の移動を行わせる。ロードロック室10には、基板搬入時に開閉されるゲートバルブG1と、基板搬出時に開閉されるゲートバルブG3とを備えている。また、ロードロック室10は予備加熱室を兼ねており、搬入された未処理基板W0を加熱するためのヒータ102を備えている。なお、図1では図示を省略したが、ロードロック室10に未処理基板W0を供給し、ロードロック室10から搬出された処理済基板W1を一時的に保管するための外部ステーションが設けられる。ロードロック室10を大気開放する際には、バルブV3を介してパージガスがロードロック室10内に供給される。成膜室20内には、マスフローコントローラ204A~204Cを介して成膜用の材料ガスが供給される。例えば、窒化シリコン膜を成膜する装置の場合には、材料ガスとして窒素N2、シランSiH4、アンモニアNH3が供給される。105,205は、ロードロック室10および成膜室20の圧力を計測する真空計である。成膜室20の室外にはRFアンテナ201が設けられており、RFアンテナ201には高周波電源202が接続されている。RFアンテナ201に高周波電力を供給することにより、電磁波が成膜室20に入射する。成膜室20内に入射された電磁波は、成膜室20内のガスをイオン化してプラズマを発生させる。次いで、基板搬送動作について、図2~5を参照しながら説明する。図1に示す成膜処理装置1では、基板をカート101に載置した状態のまま搬送、成膜、搬出等が行われ、基板Wとカート101とは一体で搬送されることになる。図2~4は成膜処理装置1におけるカート101の位置を示したものであり、図1に示した構成の内、説明に不要な構成については図示を省略した。また、図5は、各工程におけるロードロック室10図5bおよび成膜室20図5aの圧力を説明する図である。成膜処理装置1では、装置外からの搬入→予備加熱→成膜→装置外への搬出の一連の処理が繰り返される。ここでは、成膜処理装置1への基板搬入が完了した時点、すなわち、図5のA点から順に動作を説明する。ゲートバルブG1を開閉することにより、未処理基板W0が載置されたカート101が、装置外から上側の搬送機構100Aに搬入される図2a参照。そして、図5のA点においてバルブV1を開いて、ロードロック室10を真空ポンプP1により真空排気する。なお、バルブV3は閉じられている。その結果、図5に示すように、ロードロック室10は大気圧から高真空状態へと排気される。ここでは、5Pa程度まで排気されるものとする。ロードロック室10内の圧力が十分低下したならば例えば、15Pa程度、ヒータ102をオンして未処理基板W0の予備加熱を行う。ロードロック室10で未処理基板W0の予備加熱が行われている時、成膜室20では成膜処理が行われている。成膜処理中は、成膜室20に窒素N2、シランSiH4、アンモニアNH3の混合ガスを導入するとともに、バルブV2の開度コンダクタンスを調整して、成膜室20内の圧力を所定の成膜圧力ここでは100Paに維持する。成膜室20における成膜処理が終了すると、成膜室20内への混合ガス導入を停止するとともにバルブV2の開度を大きくして、成膜室20内が高真空状態となるように真空排気する。成膜室20の圧力がロードロック室10の圧力5Paと同一または同程度となったB点図5a参照において、図2bに示すようにゲートバルブG2を開いて搬送動作を開始する。また、搬送動作と並行して、成膜室20への窒素N2ガス圧力調整用ガスの導入を開始して、成膜室20およびロードロック室10の圧力が成膜時の圧力と同一の100Paとなるように圧力調整動作を行う。この圧力調整動作においては、マスフローコントローラ204Aでガス流量を調整すると共に、バルブV2の開度を絞り例えば、成膜時と同じ開度とする、より短時間に圧力調整が行われるようにする。なお、バルブV1は閉状態とされる。なお、圧力調整動作時にバルブV1が開状態であると、成膜室20に導入された圧力調整用ガスN2ガスの一部が真空ポンプP1によって排気されてしまうため、100Paへ圧力上昇させる調整時間が長くなる。そのため、圧力調整動作時にはバルブV1を閉状態とするのが好ましい。もちろん、開状態であっても構わない。圧力調整と並行して行われる搬送動作では、まず、ゲートバルブG2を開き、図2bに示すように搬送機構100B,100Cを傾斜させ、成膜室20内のカート101をロードロック室10の搬送機構100Bへと移動させる。これにより、成膜された処理済基板W1がロードロック室10に搬送される。次いで、図3aに示すように搬送機構100A,100Cを傾斜させ、ロードロック室10内のカート101を成膜室20の搬送機構100Cへと移動させる。その後、ゲートバルブG2を閉じる。これにより、予備加熱された未処理基板W0が成膜室20に搬送されることになる。図5に示した例では、搬送動作に要する時間T1とするよりも圧力調整に要する時間T2とするの方が短く、搬送動作の間に圧力調整動作が完了することになる。搬送動作が完了したならば、成膜室20に混合ガスを導入して成膜室20内の窒素ガスを成膜に使用する混合ガスに置換する動作を行う。なお、成膜室20に窒素ガスを導入するか混合ガスを導入するかの切換は、図1に示すマスフローコントローラ204A~204Cを制御することにより行う。ガス置換が完了したならば、成膜処理を開始する。ガス置換の完了の管理は、予め試験して決定された置換時間に基づいて行っても良いし、成膜室20のガス成分を分析するガス分析装置を設け、その分析結果に基づいて行っても良い。一方、ロードロック室10においては、搬送動作が完了したならば、図3bに示すようにバルブV3を開いてパージガスを導入し、ロードロック室10内の圧力を大気圧に戻す。その後、図4に示すようにゲートバルブG1,G3を開いて、未処理基板W0が載置されたカート101を装置外よりロードロック室10の搬送機構100Aに搬入するとともに、処理済基板W1が載置されたカート101を搬送機構100Bから装置外へと搬出する。次に、本実施の形態における作用効果を、従来の装置における搬送動作と比較しながら説明する。従来の装置では、図6に示すように、高真空状態5Paでロードロック室10と成膜室20との間の搬送動作を行い、ゲートバルブG2を閉じた後、混合ガスを導入して成膜室20内の圧力調整を行うようにしている。そのため、搬送動作の開始から成膜処理が開始されるまでに必要な時間は、搬送動作に要する時間T1と圧力調整に要する時間T2との和T1T2になる。一方、本実施の形態では、ゲートバルブG2を開いて未処理基板W1をロードロック室10から成膜室20へ搬送してゲートバルブG2を閉じるまでの搬送期間に、成膜室20の圧力を成膜時圧力100Paとするための圧力調整用ガスN2ガスを成膜室20に導入するようにした。図5に示す例では、搬送時間T1>圧力調整時間T2のように記載しているが、図1に示すような2段構成のロードロック室10を有する装置の場合の時間T1,T2の一例を示すと、搬送時間T1は約40秒であるのに対して、圧力調整時間T2は約20秒と搬送時間T1よりも短い。そのため、本実施の形態における搬送動作の開始から成膜処理開始までの時間は、搬送時間T1とガス置換に要する時間T3との和T1T3になる。また、同一圧力でガスを置換する場合に比べて、ガスを導入して圧力を上昇させて安定的に100Paになるまでの圧力調整の方が一般的により長い時間を要するため、ガス置換時間T3<圧力調整時間T2となる。すなわち、搬送動作の開始から成膜処理開始までの所要時間を比較すると、従来の所要時間と本実施の形態での所要時間との差ΔTはΔT=T2-T3となり、差ΔTだけ搬送動作の開始から成膜処理開始までの時間を短縮することができることが分かる。すなわち、成膜処理装置1への未処理基板の搬入から、その未処理基板に成膜処理が施されて成膜処理装置1から搬出されるまでの処理時間の短縮が図れ、成膜処理装置1のスループット単位時間当たりの生産量を向上させることができる。なお、図5に示したように、上述した実施の形態では、搬送動作時の圧力調整の際には窒素N2ガスを導入し、ロードロック室10と成膜室20との間のゲートバルブG2を閉じた後に混合ガスへのガス置換を行うようにした。これは、安全性の観点からこのような処理を行ったものである。例えば、最初から混合ガスを用いて圧力調整を行った場合、搬出搬入のためにロードロック室10を大気開放したときに、大気中の酸素と混合ガスに含まれるシランとが急激に反応するという問題が生じることになる。そのため、仮に、大気解放時に問題とならないような材料ガスを用いる成膜処理装置であれば、最初から混合ガスを用いて圧力調整を行っても良い。その場合、図5に示すようなガス置換動作が不要となるので、搬送動作開始時から成膜処理開始までの時間をT1T3からT1へとさらに短縮することができる。上述した実施の形態では、図1に示したようにロードロック室10に搬送機構100A,100Bを上下二段設けたが、搬送機構が一つしか設けられていない場合でも、本発明を同様に適用することができる。その場合、処理済基板W1の搬送と、未処理基板W0の搬送とを同時に行うような搬送機構を備えるようにする。また、図7に示すように、成膜室の両側にロードロック室とアンロード室40とを備え、処理済基板W1をアンロード室40へ搬送するような構成の成膜処理装置にも適用できる。アンロード室40には、搬出用のゲートバルブG4、真空排気用の真空ポンプP3およびバルブV5、ガスパージ用のバルブV4が設けられている。いずれの場合も、未処理基板W0を成膜室に搬送するのに要する搬送時間をT10とすると、T10>T2であれば、従来の場合の所要時間はT10T2となり、上述のように搬送動作と圧力調整動作とを並列に行う場合の所要時間はT10T3となる。また、T10<T2であった場合には、図8に示すように、搬送動作が完了したならば圧力調整が完了していなくともゲートバルブG2を閉じ、直ちに混合ガスによるガス置換を開始して100Paまでの圧力調整を行うようにすれば良い。そのような制御を行うことで、T10<T2であった場合でも、搬送動作開始時から成膜処理開始までの時間を確実に短くすることができる。以上説明したように、上述した本発明の成膜処理装置では、成膜用ガス混合ガスを用いて基板への成膜処理が行われる成膜室20と、成膜室20に成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段例えば、マスフローコントローラ204A~204Cと、成膜室20へ搬送するための基板W0が準備される基板準備室例えば、ロードロック室10と、成膜室20と基板準備室との間を仕切るゲートバルブG2と、ゲートバルブG2を開いて基板を基板準備室から成膜室20へ搬送してゲートバルブG2を閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガス例えば、N2ガスを成膜室20に導入する調整ガス導入手段例えば、マスフローコントローラ204Aとを備える。このような圧力調整用ガスの導入により、搬送期間に成膜室20の圧力が上昇されるため、次いで行われる成膜室内圧力を成膜時圧力まで上昇させる昇圧作業時間を短縮することができる。その結果、搬送動作開始時から成膜処理開始までの時間が従来より短縮され、成膜処理装置のスループット単位時間当たりの生産量を向上させることができる。さらに、成膜室20に基板W0が搬送されてゲートバルブG2が閉じられると、調整ガス導入手段例えば、N2ガスを導入するためのマスフローコントローラ204Aによる圧力調整用ガスの導入を停止し成膜ガス導入手段例えば、混合ガスを導入するためのマスフローコントローラ204A~204Cによる成膜用ガスの導入を開始する制御装置30を、備えるようにしても良い。圧力調整用ガスとして、大気に放出されても安全なガスを用いることで、安全性の向上が図れる。また、成膜に用いられる成膜用ガスが、大気放出された場合であっても安全なガスであれば、圧力調整用ガスに成膜用ガスを用いても良い。さらに、基板準備室を真空排気する真空排気装置と、圧力調整手段による成膜室への圧力調整用ガスの導入時に、真空排気装置による基板準備室の真空排気を停止するのが好ましい。その結果、成膜室の圧力上昇が速くなり、搬送動作開始時から成膜処理開始までの時間が、より短縮されることになる。上述した各実施形態はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施形態での効果を単独あるいは相乗して奏することができるからである。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。"