"キャリアの移動によって誘起される電荷を蓄積する画素が2次元的に配列され、前記画素の各々から信号を読み出すアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板と後述のアモルファスセレン層との間に流れる電流を制限する抵抗膜と、放射線の入射によりキャリアを発生させるアモルファスセレン層とがこの順に積層され、前記抵抗膜は、窒素成分酸化処理をした前記アクティブマトリックス基板の上面上に積層されていることを特徴とする放射線検出器。請求項1に記載の放射線検出器において、前記抵抗膜は、Sb2S3で構成されることを特徴とする放射線検出器。請求項1または請求項2に記載の放射線検出器において、前記アクティブマトリックス基板は、有機化合物からなる層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜に含まれる窒素成分が酸化されていることを特徴とする放射線検出器。アクティブマトリックス基板に対して窒素成分酸化処理を施す酸化処理ステップと、窒素成分が酸化した前記アクティブマトリックス基板の上面上に抵抗膜を積層する抵抗膜積層ステップと、前記抵抗膜上にアモルファスセレン層を積層するアモルファスセレン層積層ステップとを備えることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項4に記載の放射線検出器の製造方法において、前記酸化処理ステップにおける窒素成分酸化処理は、酸素を有する条件下でプラズマ処理をすることにより行われることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項5に記載の放射線検出器の製造方法において、前記酸化処理ステップにおけるプラズマ処理は、大気中で行われることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項4ないし請求項6のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記抵抗膜積層ステップにより積層される前記抵抗膜は、Sb2S3で構成されることを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項4ないし請求項7のいずれかに記載の放射線検出器の製造方法において、前記酸化処理ステップにおける前記アクティブマトリックス基板の上面上には、有機化合物からなる層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜に含まれる窒素成分を酸化することにより窒素成分酸化処理が行われることを特徴とする放射線検出器の製造方法。しかしながら、従来の放射線検出器および放射線検出器の製造方法には、次のような問題点がある。すなわち、従来方法で製造された放射線検出器は、物理的な強度が弱いという問題点がある。アクティブマトリックス基板54上に生成された高抵抗膜57は、アクティブマトリックス基板54と強固に接着しておらず、放射線検出器60に応力が加わった場合、アクティブマトリックス基板54から高抵抗膜57が剥離し、両層54,57の間に空隙が発生してしまう。この様な高抵抗膜57の破壊は、放射線検出器60が極端な低温または極端な高温に晒されるときに発生しやすい。すなわち、放射線検出器60が極端な温度に晒されると、放射線検出器60を構成する各部材が膨張収縮する。このとき、各部材の熱膨張率が異なるので、放射線検出器60には、放射線検出器60全体を反り曲げさせるような応力が発生する。その際、高抵抗膜57は、アクティブマトリックス基板54に強固に密着していないので、アクティブマトリックス基板54から剥離してしまう。このような剥離は、アクティブマトリックス基板54の全面を覆っている高抵抗膜57の一部で発生する。高抵抗膜57が剥離すると、アモルファスセレン層51とアクティブマトリックス基板54との間の抵抗値が変化してしまい、電流が流れにくくなる。すなわち、放射線検出器60において高抵抗膜57の剥離が発生すると、その剥離した部分で放射線を検出する感度が悪化してしまう。放射線検出器60が出力した検出信号をマッピングして放射線透視画像を生成しようとしても、検出信号は、放射線検出器60の部分に応じて感度にバラツキがある状態で取得されたものである。この放射線検出器60の感度のバラツキは放射線透視画像にムラとなって表れる。この様に、従来の製造方法によって製造された放射線検出器60は、物理的な強度が弱く、耐久性に優れていると言えるものではない。本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、放射線検出器の製造方法を工夫することによって物理的強度に優れ、安定して視認性の優れた放射線透視画像が取得できる放射線検出器および放射線検出器の製造方法を提供することにある。本発明は上述の課題を解決するために次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る放射線検出器は、キャリアの移動によって誘起される電荷を蓄積する画素が2次元的に配列され、画素の各々から信号を読み出すアクティブマトリックス基板と、アクティブマトリックス基板と後述のアモルファスセレン層との間に流れる電流を制限する抵抗膜と、放射線の入射によりキャリアを発生させるアモルファスセレン層とがこの順に積層され、抵抗膜は、窒素成分酸化処理をしたアクティブマトリックス基板の上面上に積層されていることを特徴とするものである。また、本発明に係る放射線検出器の製造方法は、アクティブマトリックス基板に対して窒素成分酸化処理を施す酸化処理ステップと、窒素成分が酸化したアクティブマトリックス基板の上面上に抵抗膜を積層する抵抗膜積層ステップと、抵抗膜上にアモルファスセレン層を積層するアモルファスセレン層積層ステップとを備えることを特徴とするものである。[作用効果]本発明に係る放射線検出器は、アクティブマトリックス基板に対して窒素成分酸化処理が施される。そして、窒素成分が酸化した状態のアクティブマトリックス基板の上面上に抵抗膜が生成されるのである。この様にマトリックス基板に対して新規の処理を行えば、アクティブマトリックス基板は、抵抗膜に対して高い親和性を獲得する。したがって、抵抗膜は、アクティブマトリックス基板に強固に接着することにより、放射線検出器の物理的強度が改善される。したがって、放射線検出器が極端な低温高温に晒されたとしても、放射線検出器の膨張収縮に伴う応力によって抵抗膜がアクティブマトリックス基板から剥がれてしまうことがない。したがって、本発明の放射線検出器によれば、抵抗膜の剥離に起因する放射線感度のバラツキが発生せず、放射線透視画像にムラが表れることがない。また、上述の放射線検出器において、アクティブマトリックス基板は、酸素を有する条件下でプラズマ処理を行うことにより表面の窒素成分酸化処理がされていればより望ましい。また、上述の放射線検出器の製造方法において、酸化処理ステップにおける窒素成分酸化処理は、酸素を有する条件下でプラズマ処理をすることにより行われればより望ましい。[作用効果]上述の構成は、本発明の具体的な構成を表している。すなわち、アクティブマトリックス基板にプラズマ処理を行うと、基板の表面が確実に酸化することが確かめられているので、窒素成分酸化処理はプラズマ処理によって行えば、より確実な処理を行うことができる。また、上述の放射線検出器において、アクティブマトリックス基板は、大気中でプラズマ処理されたものであればより望ましい。また、上述の放射線検出器の製造方法において、酸化処理ステップにおけるプラズマ処理は、大気中で行われればより望ましい。[作用効果]上述の構成は、本発明の具体的な構成を表している。すなわち、プラズマ処理を大気中で行うようにすれば、大気を窒素成分酸化処理における酸素の供給源として利用できる。また、上述の放射線検出器において、抵抗膜は、Sb2S3で構成されればより望ましい。また、上述の放射線検出器の製造方法において、抵抗膜積層ステップにより積層される抵抗膜は、Sb2S3で構成されればより望ましい。[作用効果]上述の構成は、本発明の具体的な構成を表している。すなわち、抵抗膜を、Sb2S3で構成すれば、窒素成分酸化処理後のアクティブマトリックス基板上は、Sb2S3と親和性の高い状態となっているので、抵抗膜は、より強固にアクティブマトリックス基板上に接着することになる。また、上述の放射線検出器において、アクティブマトリックス基板は、有機化合物からなる層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜に含まれる窒素成分が酸化されていればより望ましい。また、上述の放射線検出器の製造方法において、酸化処理ステップにおけるアクティブマトリックス基板の上面上には、有機化合物からなる層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜に含まれる窒素成分を酸化することにより窒素成分酸化処理が行われればより望ましい。[作用効果]上述の構成は、本発明の具体的な構成を表している。すなわち、アクティブマトリックス基板の上面上に、有機化合物からなる層間絶縁膜を設けるようにすれば、製造過程においてアクティブマトリックス基板の上面が破損することを防ぐことができる。さらに、この層間絶縁膜を窒素成分酸化処理における窒素源として利用できる。本発明に係る放射線検出器は、アクティブマトリックス基板に対して窒素成分酸化処理が施される。そして、窒素成分が酸化した状態のアクティブマトリックス基板の上面上に抵抗膜が生成されるのである。この様にアクティブマトリックス基板に対して新規の処理を行えば、アクティブマトリックス基板は、抵抗膜に対して高い親和性を獲得する。したがって、本発明の放射線検出器によれば、抵抗膜の剥離に起因する放射線感度のバラツキが発生せず、放射線透視画像にムラが表れることがない。以降、本発明における最良の形態について説明する。次に、本発明の最良の形態である、各実施例に係る放射線検出器の構成について説明する。なお、以降の説明におけるX線は、本発明における放射線の一例である。<X線検出器の全体構成>実施例1に係るX線検出器10は、図1に示すように、キャリアの移動によって誘起される電荷を蓄積して読み出すアクティブマトリックス基板4と、X線をキャリア対に変換するアモルファスセレン層1と、第2高抵抗膜2と、共通電極3と、常温硬化型エポキシ樹脂が硬化して構成されるエポキシ樹脂層5と、ガラスで構成される補助板6と、第1高抵抗膜7とを有している。また、X線検出器10は、アクティブマトリックス基板4,第1高抵抗膜7,アモルファスセレン層1,第2高抵抗膜2,共通電極3,エポキシ樹脂層5,および補助板6の順に積層された構成となっている。アクティブマトリックス基板4は、本発明のアクティブマトリックス基板に相当し、第1高抵抗膜7は、本発明の抵抗膜に相当する。アモルファスセレン層1は、比抵抗109Ωcm以上好ましくは1011Ωcm以上となっている高純度のアモルファスセレンで構成される。その積層方向の厚さは、0.2mm~3.0mmとなっている。このアモルファスセレン層1にX線が照射されると、正孔と電子のペアであるキャリア対が発生する。アモルファスセレン層1は、強い電場に置かれているので、キャリアは、それに伴って移動し、アクティブマトリックス基板4に形成された収集電極4aに電荷が誘起される。アクティブマトリックス基板4には、ガラス基板上にキャリア収集用の収集電極4aが形成されている。収集電極4aは、第1高抵抗膜7に接するとともに、アクティブマトリックス基板4の表面に2次元的に配列されている。この収集電極4aは、図1に示すように、電荷蓄積用のコンデンサ4cに接続されている。コンデンサ4cは、収集電極4aで収集された電荷が蓄積される。コンデンサ4cは、トランジスタ4tに接続されている。このトランジスタ4tは、コンデンサ4cに接続される入力端子の他に、電流制御用のゲートGと、検出信号読み出し用の読み出し電極Pとを有している。トランジスタ4tのゲートGがオンされると、コンデンサ4cに蓄積している電荷は読み出し電極Pに向けて流れる。2次元的に配列されたトランジスタ4tは、縦横に格子状に伸びる配線に接続されている。すなわち、図2における縦方向に配列したトランジスタ4tの読み出し電極Pは、全て共通のアンプ電極Q1~Q4のいずれかに接続されており、図2における横方向に配列したトランジスタ4tのゲートGは、全て共通のゲート制御電極H1~H4のいずれかに接続されている。ゲート制御電極H1~H4は、ゲートドライブ13に接続され、アンプ電極Q1~Q4は、アンプアレイ14に接続される。この様に、アクティブマトリックス基板4には、コンデンサ4c,トランジスタ4t,ゲートGで構成される画素が2次元的に配列されている。各コンデンサ4cに蓄積される電荷を読み出す構成について説明する。図2におけるコンデンサ4cの各々に電荷が蓄積されているものとする。ゲートドライブ13は、ゲート制御電極H1を通じてトランジスタ4tを一斉にオンする。オンされた横に並んだ4つのトランジスタ4tは、アンプ電極Q1~Q4を通じて、電荷原信号をアンプアレイ14に伝達する。次に、ゲートドライブ13は、ゲート制御電極H2を通じてトランジスタ4tを一斉にオンする。この様に、ゲートドライブ13は、ゲート制御電極H1~H4を順番にオンしていく。その度ごとに行の異なるトランジスタ4tがオンされる。こうして、FPD4は、コンデンサ4cの各々に蓄積された電荷を1行毎に読み出す構成となっている。アンプアレイ14には、アンプ電極Q1~Q4の各々に、信号を増幅するアンプが設けられている。アンプ電極Q1~Q4からアンプアレイ14に入力された原信号は、ここで所定の増幅率で増幅される。画像生成部15は、アンプアレイ14から出力された原信号を基にX線透視画像を生成する。収集電極4a,コンデンサ4c,およびトランジスタ4tは、X線を検出するX線検出素子を構成する。X線検出素子は、アクティブマトリックス基板4において、例えば3,072×3,072の縦横に並んだ2次元マトリックスを形成している。共通電極3は、金で構成され、第2高抵抗膜2を介してアモルファスセレン層1にバイアス電圧を印加する目的で設けられている。図1に示すようにノード3aに接続されている。ノード3aに高電位が供給されることにより、共通電極3には、電位にして、例えば、10kVの正のバイアス電圧が印加されている。第1高抵抗膜7,および第2高抵抗膜2は、例えばSb2S3から構成され、電子、またはホールのうちのいずれかを選択的に通過させる膜である。その膜厚は、0.1μm~5μm程度であり、比抵抗は109Ωcm以上となっている。第1高抵抗膜7は、アモルファスセレン層1からアクティブマトリックス基板4に流れる電流を整流する高抵抗の層である。この第1高抵抗膜7は、この膜を通過する電流を制限し、アモルファスセレン層1からアクティブマトリックス基板4にノイズ成分が入力されることを防いでいる。絶縁性のエポキシ樹脂層5は、共通電極3を覆うように設けられている。エポキシ樹脂層5が共通電極3を覆うことで、共通電極3の高電位が封じ込められる。このエポキシ樹脂層5は、X線検出器10の周縁部において、第2高抵抗膜2,アモルファスセレン層1,および第1高抵抗膜7の側端をも覆っている。したがって、X線検出器10の周縁部において、エポキシ樹脂層5は、アクティブマトリックス基板4に接していることになる。つまり、共通電極3,第2高抵抗膜2,アモルファスセレン層1,および第1高抵抗膜7は、アクティブマトリックス基板4,およびエポキシ樹脂層5によって封止されている。言い換えれば、共通電極3,第2高抵抗膜2,アモルファスセレン層1,および第1高抵抗膜7の側端は、エポキシ樹脂層5で覆われている。この様にすることで、共通電極3に印加される電圧により未封止の側端に沿って外部に放電する沿面放電を防ぐことができる。補助板6は、厚さ0.5mm~1.5mmとなっている絶縁性のガラス製の板であり、エポキシ樹脂層5に面している。補助板6の熱膨張係数は、アクティブマトリックス基板4のそれと同程度となっている。この様にすることで、外気温の変化により補助板6とアクティブマトリックス基板4とは同じように伸縮することになる。すると、X線検出器10全体が外気温の変化に応じて反り返ることがなくなり、各層のクラックを防止することができる。スペーサ8は、角筒型で額縁状の形状をしており、一端の開口部がアクティブマトリックス基板4に当接しており、もう一端の開口部が補助板6に当接している。このように、スペーサ8は、アクティブマトリックス基板4および補助板6を架橋するように設けられており、スペーサ8の開口の内部に共通電極3,第2高抵抗膜2,アモルファスセレン層1,第1高抵抗膜7,およびエポキシ樹脂層5が存している。<アクティブマトリクス基板作製工程>以下、アクティブマトリックス基板4の製造工程について説明する。<ゲート層第1の層形成工程>ガラス基板等の絶縁基板上の基板全体に、チタン膜厚さ30nm程度,アルミニウム膜厚さ100nm程度及び窒化チタン膜厚さ50nm程度を順にスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術によりパターン形成して、ゲート線、ゲート電極、ゲート引き出し線、容量線、容量引き出し線からなるゲート層を形成する。<ゲート絶縁膜絶縁層形成工程>ゲート電極等からなるゲート層が形成された基板全体に、プラズマCVD法により窒化シリコン膜厚さ400nm程度等を成膜し、ゲート絶縁膜4cを形成する。<半導体層形成工程>ゲート絶縁膜4c上の基板全体に、プラズマCVD法により真性アモルファスシリコン膜厚さ130nm程度と、リンがドープされたnアモルファスシリコン膜厚さ40nm程度とを連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術によりゲート電極上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とnアモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜から形成させてもよいが、直接、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザーアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。<ソース層第2の層形成工程>半導体層が形成されたゲート絶縁膜4c上の基板全体に、チタン膜厚さ30nm及びアルミニウム膜を順にスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術によりパターン形成して、ソース線、ソース電極、ドレイン電極、ソース引き出し線、からなるソース層を形成する。<チャネル形成工程>ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のnアモルファスシリコン層をエッチング除去することにより、チャネル部を形成する。<層間絶縁膜形成工程>ソース電極等からなるソース層が形成された基板全体に、プラズマCVD法を用いて、窒化シリコン膜厚さ300nm程度等を成膜した後、スピンコーティング法等によりアクリル系樹脂膜厚さ3000nm程度等を成膜して、層間絶縁膜4bを形成する。<コンタクトホール形成工程>層間絶縁膜窒化シリコン膜とアクリル系樹脂膜のドレイン電極またはドレイン電極との接続電極に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホールを形成する。<画素電極形成工程>層間絶縁膜4b上の基板全体に、ITO膜からなる透明導電膜厚さ100nm程度をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術によりパターン形成して、画素電極を形成する。<X線検出器の製造方法>次に、X線検出器の製造方法について説明する。実施例1に係るX線検出器10を製造するには、図3に示すように、まず、アクティブマトリックス基板4の上面上に対して窒素成分酸化処理を施し酸化処理ステップS1,窒素成分が酸化したアクティブマトリックス基板4の上面上に第1高抵抗膜7を積層する高抵抗膜積層ステップS2。そして、第1高抵抗膜7の上面上にアモルファスセレン層1,第2高抵抗膜2,共通電極3を生成し各層積層ステップS3,各層7,1,2,3を被覆する各層被覆ステップS4。これらの各ステップの詳細について順を追って説明する。高抵抗膜積層ステップS2は、本発明の抵抗膜積層ステップに相当する。<酸化処理ステップS1>アクティブマトリックス基板4に大気中でプラズマ処理を行う。この様にすることで、アクティブマトリックス基板4の大気に接している層間絶縁膜4bの表面が酸化する。この層間絶縁膜4bは、窒素成分を含む有機化合物であること以外は特に限定されず、他の樹脂材料から構成されてもよい。層間絶縁膜4bの上面状にはマトリックス状に配列された収集電極4aが生成されている。層間絶縁膜4bとガラス基板4eとに挟まれる位置にゲート絶縁膜4cが設けられている。図4におけるゲート電極4dは、収集電極4aからの電荷の取り出しを制御する目的で設けられている。アクティブマトリックス基板4の上面上にプラズマ処理を行うと、上面上に位置している層間絶縁膜4bの窒素成分が酸化する。この酸化の様子を示すのが図5,図6である。図5は、プラズマ処理前のアクティブマトリックス基板4をXPSX-rayphotoelectronspectroscopy:X線光電子分光解析を行った結果である。図5における細線は、XPS解析の生データであり、太線は、生データを波形解析したときの酸化窒素に係る成分である。図5の横軸は結合エネルギーeVであり、縦軸は強度を示している。図5に示すようにプラズマ処理前のアクティブマトリックス基板4の上面上には、僅かな酸化窒素成分しか含まれていない。図6は、アクティブマトリックス基板4の上面上をプラズマ処理した後のXPS解析の結果である。図6における細線は、XPS解析の生データであり、太線は、生データを波形解析したときの酸化窒素に係る成分である。図6の横軸は結合エネルギーeVであり、縦軸は強度を示している。図6に示すように、プラズマ処理後のアクティブマトリックス基板4の上面上には、図5と比べてより多くの窒素成分が含まれている。このように図5,図6は、アクティブマトリックス基板4をプラズマ処理することで、層間絶縁膜4b上の窒素成分が大気中の酸素により酸化して、酸化窒素成分が大幅に増加したことを表している。また、この酸化処理は、大気中においてアクティブマトリックス基板4に紫外線を照射するようにして行ってもよい。また、酸化処理は、必ずしも大気中で行う必要は無く、酸素を含む気体中や酸素を含む真空中で行うようにしてもよい。<高抵抗膜積層ステップS2>次に、酸化処理終了後のアクティブマトリックス基板4の上面上にSb2S3層を成長させ、第1高抵抗膜7を生成する。この第1高抵抗膜7の具体的な生成方法としては、真空蒸着法が使用できる。このとき第1高抵抗膜7は、窒素成分が酸化した状態となっているアクティブマトリックス基板4の上面上に生成されることになる。このときのアクティブマトリックス基板4は、Sb2S3との親和性がより高い状態となっており、第1高抵抗膜7は、より強固に付着した状態でアクティブマトリックス基板4上に生成されるのである図7参照。図7を参照すれば分かるように、第1高抵抗膜7は、収集電極4aと層間絶縁膜4bとを被覆するように生成される。このような方法で生成した第1高抵抗膜7の強度について具体的に説明する。図8は、従来の製造方法でアクティブマトリックス基板4上にSb2S3層を成長させ、アクティブマトリックス基板4の矢印白い楕円で示す角部に粘着テープを貼り、それを剥がしたときの写真である。従来方法によると、Sb2S3層は、アクティブマトリックス基板4に弱く接着しており、粘着テープの貼り付け剥がし動作を1回行っただけで、図8に示すようにSb2S3層がアクティブマトリックス基板4上から剥がれてしまった。図9は、実施例1の酸化処理を行ったアクティブマトリックス基板4上にSb2S3層を成長させ、アクティブマトリックス基板4の矢印白い楕円で示す角部に粘着テープを貼り、それを剥がしたときの写真である。実施例1の構成によると、Sb2S3層は、アクティブマトリックス基板4に強固に接着しており、粘着テープの貼り付け剥がし動作を10回行っても、図9に示すようにSb2S3層がアクティブマトリックス基板4上から剥離することがなかった。アクティブマトリックス基板4の角部は、Sb2S3層が特に剥がれやすい部分であるので、アクティブマトリックス基板4のその他の部分におけるSb2S3層はより強固にアクティブマトリックス基板4に接着していると言える。また、実施例1の酸化処理を行ったアクティブマトリックス基板4について酸化処理から23日後、58日後、113日後にSb2S3層を堆積して、同様の剥離検査を行った。23日後について3サンプルについて検査を行ったところ、うち1サンプルについてアクティブマトリックス基板4の角部のSb2S3層が2回の貼り付け剥がし動作で剥がれてしまったが、残りの2サンプルについては、粘着テープの貼り付け剥がし動作を10回行っても、Sb2S3層の剥離は起こらなかった。また、58日後、113日後について、それぞれ2サンプルについて検査を行ったところ、粘着テープの貼り付け剥がし動作を10回行っても、Sb2S3層の剥離は起こらなかった。実施例1の酸化処理が単なる表面付着有機物のクリーニング効果であるなら、経時変化により次第に剥がれやすくなる事が考えられるが、実施例1の製造方法によって経時変化が起こらないSb2S3層が成膜できたといえる。<各層積層ステップS3>アクティブマトリックス基板4に成長させた第1高抵抗膜7の上面上にアモルファスセレン層1,第2高抵抗膜2,共通電極3を生成する。この第1高抵抗膜7の具体的な生成方法としては、真空蒸着法が使用できる図10参照。各層積層ステップS3は、本発明のアモルファスセレン層積層ステップに相当する。<各層被覆ステップS4>成膜された各層7,1,2,3を覆うようにエポキシ樹脂層5を生成し、これに補助板6を配置すれば、実施例1に係るX線検出器10が完成となる図1参照。以上のように、実施例1に係るX線検出器10は、アクティブマトリックス基板4に対して窒素成分酸化処理が施される。そして、窒素成分が酸化した状態のアクティブマトリックス基板4の上面上に第1高抵抗膜7が生成されるのである。この様にアクティブマトリックス基板4に対して新規の処理を行えば、アクティブマトリックス基板4は、第1高抵抗膜7に対して高い親和性を獲得する。したがって、第1高抵抗膜7は、アクティブマトリックス基板4に強固に接着することにより、X線検出器10の物理的強度が改善される。したがって、X線検出器10が極端な低温高温に晒されたとしても、X線検出器10の膨張収縮に伴う応力によって第1高抵抗膜7がアクティブマトリックス基板4から剥がれてしまうことがない。したがって、実施例1のX線検出器10によれば、第1高抵抗膜7の剥離に起因する放射線感度のバラツキが発生せず、放射線透視画像にムラが表れることがない。また、アクティブマトリックス基板4にプラズマ処理を行うと、基板の表面が確実に酸化することが確かめられているので、窒素成分酸化処理はプラズマ処理によって行えば、より確実な処理を行うことができる。また、プラズマ処理を大気中で行うようにすれば、大気を窒素成分酸化処理における酸素の供給源として利用できる。そして、第1高抵抗膜7をSb2S3で構成すれば、窒素成分酸化処理後のアクティブマトリックス基板4上は、Sb2S3と親和性の高い状態となっているので、第1高抵抗膜7は、より強固にアクティブマトリックス基板4上に接着することになる。また、アクティブマトリックス基板4の上面上に、有機化合物からなる層間絶縁膜4bを露出させることで、この層間絶縁膜4bを窒素成分酸化処理における窒素源として利用できる。<プラズマ処理の他の効果>アクティブマトリックス基板4にプラズマ処理を行うことによって生じる他の効果について説明する。アクティブマトリックス基板4にプラズマ処理を行うと、基板上の汚染を取り除くことができる。アクティブマトリックス基板4上には、微細な付着物が付着し、これが高抵抗膜積層ステップS2において、第1高抵抗膜7をアクティブマトリックス基板4に強固に接着させる上での妨げとなっている。アクティブマトリックス基板4にプラズマ処理を施すことにより、基板の表面に存していた付着物が飛び去り、このことが第1高抵抗膜7の成膜に好都合となる。表1は、アクティブマトリックス基板4等の接触角を表している。接触角とは、対象物に水滴等を垂らしたときの水滴の盛り上がりの程度を数値化したもので、値が高いほど水滴が盛り上がり、対象物に微細な付着物がより付着していることを意味している。検査では、基板上の4カ所の場所についてプラズマ処理前と処理後の接触角を測定している。表1に示すようにアクティブマトリックス基板4にプラズマ処理を施すと、接触角が大幅に改善していることが分かる。また、表中の素ガラスは、層間絶縁膜4bを有しないガラス基板を意味している。素ガラスについても同様の検査を行うと、やはり接触角が大幅に改善していることが分かる。つまり、基板が層間絶縁膜4bを有しない構成であっても、第1高抵抗膜7は、より強固に基板に積層することになる。本発明は、上述の構成に限られず、下記のように変形実施することが可能である。1本発明が検出する放射線はX線に限定されるものではない。2上述した実施例では、ボトムゲート型アクティブマトリックス基板を採用していたが、これに代えてトップゲート型アクティブマトリックス基板を採用してもよい。"