"基板と、前記基板上に配置される均質な金属-オキシフッ化物中間体膜の層とを備える物品であって、前記中間体膜は、希土類金属、アルカリ土類金属、および遷移金属を含有し、前記中間体膜は、20パーセント未満の欠陥密度を有し、かつ、熱処理により、1μm超で5μm以下の化学量論厚さを有する均質な希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物超電導体膜に転化することが可能である、物品。前記中間体膜の層は単層である、請求項1に記載の物品。前記中間体膜は、熱処理により、1.2μmから3μmの化学量論厚さを有する希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物超電導体膜に転化することが可能である、請求項1に記載の物品。前記中間体膜は、熱処理により、1~5MA/cm2の臨界電流密度を有する希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物超電導体膜に転化することが可能である、請求項1に記載の物品。前記中間体膜は、熱処理により、2.5~5MA/cm2の臨界電流密度を有する希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物超電導体膜に転化することが可能である、請求項4に記載の物品。前記中間体膜は第2の希土類金属または遷移金属をさらに含有し、前記第2の希土類金属または遷移金属は、前記超電導体膜を形成するための前記中間体膜の熱処理により、前記超電導体膜内に分散される複数のピニング中心を形成することが可能であり、前記ピニング中心は、前記第2の希土類金属から形成されるナノ粒子である、請求項1に記載の物品。前記中間体膜は、熱処理により、YBCO膜に転化することが可能である、請求項1に記載の物品。前記中間体膜は、10パーセント未満の欠陥密度を有する、請求項1に記載の物品。中間体膜は、5パーセント未満の欠陥密度を有する、請求項1に記載の物品。中間体膜は、500μm未満の欠陥サイズを有する、請求項1に記載の物品。中間体膜は、100μm未満の欠陥サイズを有する、請求項1に記載の物品。前記基板は金属製である、請求項1に記載の物品。前記基板と前記中間体膜の層との間にバッファー層をさらに備える、請求項1に記載の物品。基板と、前記基板上に配置される均質な膜とを備える物品であって、希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物超電導体から形成される前記膜は、層状粒子構造を有し、1μm超で5μm以下の化学量論厚さを有し、5から20の気孔率を有し、かつ、1~5MA/cm2の臨界電流密度を有する、物品。酸化物膜を作製する方法であって、その方法は、基板の表面に溶液を配置して前駆体膜を形成する工程であって、前記溶液は、希土類金属の第1の塩、アルカリ土類金属の第2の塩、および遷移金属の第3の塩を含み、前記第1の塩および前記第2の塩の少なくとも一方はフッ素化カルボン酸塩であることと、前記前駆体膜を、10~30トル1.33~3.99kPaの第1の水蒸気圧を有する第1の環境において、前記第3の塩を分解するのに適した第1の温度で加熱し、次いで、前記第1の水蒸気圧以上である10~60トル1.33~7.98kPaの第2の水蒸気圧を有する第2の環境において、前記第1の塩および前記第2の塩を分解するのに適した第2の温度で加熱し、それによって金属-オキシフッ化物中間体膜の層を形成する工程とを含み、前記中間体膜の層は20パーセント未満の欠陥密度を有する、方法。前記第1の温度は100°Cから250°Cである、請求項15に記載の方法。前記第1の温度は150°Cから250°Cである、請求項15に記載の方法。前記第2の温度は250°Cと350~600°Cとの間である、請求項15に記載の方法。前記中間体膜の層は2μmから12μmの厚さを有する、請求項15に記載の方法。前記前駆体膜は、前記中間体膜の層を形成するために5時間未満加熱される、請求項19に記載の方法。前記前駆体膜は、前記中間体膜の層を形成するために3時間未満加熱される、請求項19に記載の方法。前記前駆体膜は、前記中間体膜の層を形成するために1時間未満加熱される、請求項19に記載の方法。前記中間体膜の層を、700~850°Cで加熱して希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜の層を形成する工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。前記希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜は1μm超で5μm以下の化学量論厚さを有する、請求項23に記載の方法。前記中間体膜の層は、前記希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜の層を形成するために5時間未満加熱される、請求項24に記載の方法。前記中間体膜の層は、前記希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜の層を形成するために3時間未満加熱される、請求項24に記載の方法。前記中間体膜の層は、前記希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜の層を形成するために1時間未満加熱される、請求項24に記載の方法。前記希土類金属-アルカリ土類金属-遷移金属-酸化物膜の層は単層である、請求項24に記載の方法。前記中間体膜の層は単層である、請求項15に記載の方法。前記希土類金属はYであり、前記アルカリ土類金属はBaであり、前記遷移金属はCuである、請求項15に記載の方法。前記溶液は、第2の希土類金属または遷移金属をさらに含む、請求項15に記載の方法。前記フッ素化カルボン酸塩はトリフルオロ酢酸塩である、請求項15に記載の方法。前記中間体膜の層は、500マイクロメートル未満の欠陥サイズを有する、請求項15に記載の方法。前記前駆体膜は、第1の時間にわたって前記第1の温度で加熱され、かつ、第2の時間にわたって前記第2の温度で加熱され、前記第1の時間に対する前記第2の時間の比率は3以下である、請求項15に記載の方法。本発明は、酸化物超電導体の前駆体膜を中間体膜に転化するプロセスの際に水蒸気圧を変化させると、1μmを超える化学量論厚さを有する均質な酸化物超電導体膜を比較的短期間で形成することが可能であるという予想外の発見に少なくとも部分的に基づくものである。例えば、本明細書に記載される方法を用いて、5時間未満例えば、3時間未満または1時間未満で超電導体中間体例えば、金属オキシフッ化物を作製することができる。得られる超電導体膜は、比較的低い欠陥密度または比較的高い臨界電流密度Jcを有する。前駆体膜は一般に、前駆体溶液を材料の層例えば基板の表面上に配置することによって、さらなる処理を伴うかまたは伴わずに形成することができる例えば、前駆体膜は、前駆体溶液と同じ化学成分から形成され得る。例えば希土類金属の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含有する前駆体膜は、例えば浸漬コーティング、スピンコーティング、スロットコーティング、またはウェブコーティングによって、材料の層の表面上に配置させることができる。いくつかの実施形態において、材料の層に前駆体溶液を配置する方法例えばスピンコーティングは、例えば前駆体溶液から溶媒を少なくとも部分的に除去することによって、さらなる処理を伴うことなく前駆体溶液を前駆体膜に転化することができる。好ましくは、本発明の方法を実施するのに使用される前駆体溶液は、希土類金属の第1の塩、アルカリ土類金属の第2の塩、および遷移金属の第3の塩、例えばCuO2C3H52を含み、第1の塩および第2の塩の少なくとも一方は、トリフルオロ酢酸塩である。前駆体溶液の他の例およびそれらの作製方法は、米国特許第7,326,434号明細書および米国特許第6,669,774号明細書に記載されている。前駆体溶液はまた、第2の希土類金属の塩、例えばDyOOCCH33を含んでいてもよく、その結果、得られる超電導体中にピニング中心として働く第2の土類金属を含んだナノ粒子が形成される。第1および第2の希土類金属は同じでも異なってもよい。第2の希土類金属は、超電導体構造中で第1の希土類金属と部分的に置き換わることができる。この場合、超電導体およびナノ粒子ピニング中心の両方において第2および第1の希土類金属の両方が認められる。ナノ粒子の形成についてのさらなる詳細は、米国特許出願公開第2005/0159298号明細書に認められる。希土類金属は、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、セリウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、またはルテチウムであり得る。希土類金属塩は一般に、前駆体溶液中に含まれる溶媒に溶解可能な任意の希土類金属塩であり得る。一つの例はYOOCCF33である。アルカリ土類金属は、バリウム、ストロンチウム、またはカルシウムであり得る。アルカリ土類金属塩は一般に、前駆体溶液中に含まれる溶媒に溶解可能な任意のアルカリ土類金属塩、例えばBaOOCCF32であり得る。遷移金属は銅であり得る。遷移金属塩は、前駆体溶液中に含まれる溶媒に溶解可能であるべきである。このような塩の例としては、トリクロロ酢酸銅、トリブロモ酢酸銅、トリヨード酢酸銅、CuCH3COCHCOCF32、CuOOCC7H152、CuCF3COCHCOF32、CuCH3COCHCOCH32、CuCH3CH2CO2CHCOCH32、CuOC5H6N2およびCu3O3Ba2O-CH2CF34が挙げられる。特定の実施形態において、遷移金属塩は、例えば、遷移金属の非ハロゲン化プロピオン酸塩などの遷移金属のプロピオン酸塩のようなカルボン酸塩である。遷移金属の非ハロゲン化プロピオン酸塩の一例はCuO2CC2H52である。特定の実施形態において、前駆体溶液は、比較的低い全遊離酸濃度を有し得る。いくつかの実施形態において、前駆体溶液は、約1×10-3モル濃度未満例えば、約1×10-5モル濃度未満、約1×10-7モル濃度未満の全遊離酸濃度を有する。前駆体溶液中に含まれ得る遊離酸の例としては、トリフルオロ酢酸、カルボン酸、および酢酸が挙げられる。前駆体溶液は、比較的低い含水量を有し得る。特定の実施形態において、前駆体溶液は、10体積パーセント未満例えば、約5体積パーセント未満、1体積パーセント未満、または0.5体積パーセント未満の含水量を有する。遷移金属、アルカリ土類金属および希土類金属の量は、前駆体溶液中の例えば、イオン状態におけるこれらの元素の各々のモル量の比率がそれぞれ約3:2:1であるように選択され得る。特定の実施形態において、アルカリ土類金属塩例えばバリウム塩は、前駆体溶液を処理して中間体例えば金属オキシハロゲン化物中間体を形成するときにアルカリ土類金属ハロゲン化物を形成するのに使用されるハロゲン例えばフッ素の主な例えば唯一の供給源である。他の実施形態において、希土類金属塩がアルカリ土類金属塩と同時に分解されるときなどには、希土類塩もアルカリ土類金属にハロゲンを供給することができる。前駆体溶液は一般に、希土類金属の塩、遷移金属の塩、およびアルカリ土類金属の塩を、所望の溶媒と任意でカルボン酸および/または水と組み合わせることによって調製することができる。特定の実施形態において、塩は、前駆体溶液中の遷移金属塩:アルカリ土類金属塩:希土類金属塩のモル比が約3:2:1であるように組み合わされる。前駆体溶液の形成の後、その溶液を下層例えば、バッファー層、超電導体層、または基板の表面上に配置して前駆体膜を形成することができる。使用される特定の溶媒、ならびに前駆体溶液中に含まれる溶媒および/または水の量は一般に、前駆体溶液を下層の表面上に配置するのに使用される技術に基づいて選択され得る。例えば、溶液を下部材料層の表面上に浸漬コーティング、スピンコーティングまたはウェブコーティングする場合には、1種以上のアルコール例えば、メタノール、2-メトキシエタノール、ブタノールおよび/またはイソプロパノールを使用することができ、所望の粘度および固形分濃度が得られるように溶媒の量を選択することができる。前駆体溶液を下層にウェブコーティングする実施形態において、前駆体溶液は、約1センチストークから約10センチストーク約1mm2/秒から約10mm2/秒の動粘性率を有することが望ましい場合がある。前駆体溶液の上記の処理により、金属オキシハロゲン化物中間体を得ることができる。好ましくは、金属オキシハロゲン化物中間体は、比較的低い欠陥密度を有する。金属オキシハロゲン化物中間体は、さらに加熱されることにより、所望の超電導体層を形成することができる。この工程は典型的には、約700°Cから約825°Cの温度まで加熱することによって行われる。この工程において、公称ガス環境は典型的には、約0.1トルから約50トル約13.3Paから約6.65kPaの酸素および約0.1トルから約150トル約13.3Paから約19.95kPa例えば、約12トル約1.596kPaの水蒸気を含有することができ、残りは窒素および/またはアルゴンである。溶液は、下層の表面上に配置された後に超電導体材料の層を形成するように処理される。この処理は一般に、中間体例えば金属オキシハロゲン化物中間体を形成するために前駆体溶液を分解したときに、最少のアルカリ土類炭酸塩例えばBaCO3が形成され、かつ、個々の遷移金属分子例えば、銅分子の間に最少の架橋が生じるように、適切な速度でかつ適切なガス環境において加熱することを含む。その後、中間体例えば金属オキシハロゲン化物中間体をさらに加熱することにより所望の超電導体材料が形成される。前駆体膜の分解は、酸化物超電導体薄膜の製造において非常に重要な工程である。特定の超電導体前駆体溶液は、高い体積分率の欠陥の形成を伴うことなく超電導体中間体例えば金属オキシフッ化物中間体を形成するためには、比較的長い期間がかかり得る。この期間を短縮しようとすると、場合によっては、超電導体材料を形成するためのさらなる処理により、比較的低い臨界電流密度を有する超電導体材料の層となるような欠陥密度を有した中間体となり得る。例えば、YBCO前駆体溶液の分解の際、異なる温度範囲および時間の長さを必要とする2つの主な事象が起こる。第1の事象は、約200~250°CにおけるCuO2C3H52の分解を含み、これによりCuOが形成が起こる。この事象は通常、欠陥形成の可能性を低下させるためにより遅い分解速度を必要とする。第2の事象は、250°Cを超える温度におけるYOOCCF33およびBaOOCCF32の分解DyOOCCH33などの第2の希土類金属前駆体の分解であることもあるを含み、これによりオキシフッ化物相の形成が起こる。第2の事象は通常、第1の事象より速い速度で行われる。本発明の方法は特に、上記の2つの事象に異なる水蒸気圧を適用することを含む。特に、第2の事象に適用される水蒸気圧は、第1の事象より高い。いくつかの実施形態において、前駆体膜は、約10トルから約30トル約1.33kPaから約3.99kPaの第1の水蒸気圧全圧は約760トル約101.08kPaであり、残りは酸素を有する公称ガス環境において、1分間につき少なくとも5°Cの速度で初期温度例えば室温から約100°C~約250°Cの温度にまで加熱され、次に、第1の水蒸気圧よりも高い第2の水蒸気圧、例えば約10トルから約60トル約1.33kPaから約7.98kPa全圧は約760トル約101.08kPaであり、残りは酸素を有する公称ガス環境において、1分間につき少なくとも2°Cの速度で250°C~600°C例えば250~400°Cの温度にまで膜を加熱することにより、中間体が形成される。本発明の方法は特に、上記の2つの事象についての熱処理時間を変更することを含む。特に、第1の熱処理の事象例えば、100~250°Cの温度範囲におけるの時間t1、および第2の熱処理の事象例えば、250°C~400°Cの温度範囲におけるの時間t2を変更することができる。いくつかの実施形態において、比率t2/t1は3以下例えば、2未満または1未満に設定される。超電導体中間体をその後に加熱することにより、所望の超電導体膜の層を形成することができる。この工程は典型的には、約700°C~約825°Cの温度にまで加熱することによって行われる。この工程の際、約760トル約101.08kPaの全圧の公称ガス環境は典型的には、約0.1トルから約50トル約13.3Paから約6.65kPaの酸素および約0.1トルから約150トル約13.3Paから約19.95kPa例えば、約12トル約1.596kPaの水蒸気を含有し、残りは窒素および/またはアルゴンである。このような方法は、米国特許第6,669,774号明細書に記載されている。代替の実施形態が、米国特許第5,231,074号明細書、PCT公報の国際公開第98/58415号パンフレットに記載されている。特定の実施形態において、前駆体溶液から超電導体材料を調製するときに、必要とされる反応条件が得られるまで酸化物層の形成を抑制することによって、望ましくないa軸配向の酸化物層粒子の形成を最小限に抑えるような方法を用いることができる。さらなる詳細は、米国特許第6,673,387号明細書に提供されている。いくつかの実施形態において、超電導体材料の調製は、例えば、Y2O3、YSZおよびCeO2などのエピタキシャルバッファーおよび/またはキャップ層が表面に連続的に配置された組織化texturedニッケルテープから形成されるテープのようなテープ上に前駆体溶液をスロット-ダイコーティングすることを含み得る。被覆された前駆体膜は、H2O例えば、約5トル約665PaのH2Oから約15トル1.995kPaのH2O、約9トル約1.197kPaのH2Oから約13トル約1.729kPaのH2O、約11トル約1.463kPaのH2Oを含有した雰囲気において堆積され得る。その雰囲気の残りは不活性ガス例えば窒素であり得る。膜の堆積時の全圧は、例えば約760トル約101.08kPaであり得る。前駆体膜は、例えば、被覆されたテープを、温度勾配を有する管状炉例えば約2.5インチ約63.5mmの直径を有する管状炉に通過させることによって分解され得る。炉中の勾配の各温度およびガス雰囲気、ならびに各勾配を通る試料の輸送測度は、膜の処理が上記の方法に係るものとほぼ同じであるように選択され得る。図1は、本発明の一実施形態にしたがって、上記の方法および前駆体溶液を用いて作製される単層被覆超電導体物品10を示す。物品10は、表面13を有する基板層12および表面15を有する超電導体材料層14を備える。層14は表面13上に配置される。層12は、層14を支持することが可能な任意の材料から形成され得る。特定の実施形態において、層12は基板であり得る。好ましくは、基板は、超電導体層を支持する以外の特定の他の特性を示すべきである。例えば、超電導体の適用温度において基板が強磁性でないように、基板は低いキュリー温度を有するべきである。さらに、基板内の化学種は超電導体材料の層に拡散可能であってはならず、基板の熱膨張係数は超電導体材料とほぼ同じであるべきである。さらに、基板材料は、超電導体を形成するための処理条件下で酸化に対して比較的耐性があるべきである。層12として使用され得る基板材料の例としては、ニッケル、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、鉄、クロム、バナジウム、パラジウム、モリブデンおよび/またはそれらの合金などの、金属および/または合金が挙げられる。特定の実施形態において、基板12は、比較的大きい表面積を有する物体例えば、テープまたはウエハーの形態であり得る。これらの実施形態において、基板12は、比較的可撓性の材料例えば、変形組織化deformationtexturedニッケルまたは変形組織化ニッケル合金から好ましくは形成される。好ましくは、層12の表面13は、比較的明確に画定された結晶方位を有する。例えば、表面13は、二軸組織化biaxiallytextured表面例えば、113[211]面または立方体集合組織化cubetextured表面例えば、100[011]面または100[001]面であり得る。好ましくは、表面13のX線回折極点図におけるピークは、約20°未満例えば、約15°未満、約10°未満、または約5°から約10°のFWHMを有する。層14は、上記の方法を用いて作製され得る。好ましい実施形態において、層14はよく整列されており例えば、二軸組織化または立方体集合組織化されており、YBCOなどの希土類金属-バリウム-銅-酸化物REBCOから形成されており、ピニング中心を含み、および/または、1.2μmから約5μmの化学量論厚さを有する。さらに好ましい実施形態において、層14は均質であり、1マイクロボルト/センチメートル基準を用いて、自己電磁界すなわち、印加電磁界がない中で77Kの輸送測定によって測定したときに比較的高い臨界電流密度、例えば少なくとも約1×106アンペア/平方センチメートルあるいは、少なくとも約2×106アンペア/平方センチメートルを有する。特定の実施形態において、層14は、単位幅当たりのアンペアの単位で測定したときに、比較的高い臨界電流を提供し得る。一例として、臨界電流は、センチメートル幅当たりのアンペアの単位で表され得る。当然ながら、層14は1センチメートル幅である必要はない。むしろ、この値は、様々な幅を有する材料についての電流対幅の比率の値を標準化するために、便宜上使用され得るものである。一例として、100アンペアの電流を有し、幅が0.5センチメートルである試料は、センチメートル幅当たり200アンペアの臨界電流を有するであろう。また、200アンペアの電流を提供し、幅が1センチメートルである試料は、センチメートル幅当たり200アンペアの臨界電流を有するであろう。好ましい実施形態において、層14は、センチメートル幅当たり少なくとも約200アンペア例えば、センチメートル幅当たり少なくとも約300アンペア、センチメートル幅当たり少なくとも約500センチメートルの臨界電流を有する。YBCOなどのいくつかの超電導体材料の場合、材料がその超電導状態で高い輸送電流を提供する能力は、材料の結晶方位に左右される。例えば、このような材料は、材料の表面が二軸組織化されている場合、比較的高いJcを示し得る。本明細書において2軸組織化とは、表面の平面の方向に結晶粒子が密に整列している表面を意味する。二軸組織化表面の1つのタイプが立方体集合組織化表面であり、立方体集合組織化表面では、表面に垂直な方向にも結晶粒子が密に整列している。立方体集合組織化表面の例としては、100[001]および100[011]面が挙げられ、二軸組織化表面の例は、113[211]面である。層12の表面13は、例えば、イオンビーム支援蒸着IBAD、傾斜基板蒸着、およびランダムに配向された多結晶表面上に二軸組織化表面を形成するための当該技術分野で公知の他の真空技術などの真空プロセスを用いて作製することができる。超電導体層14はエピタキシャル層であり得る。本明細書においてエピタキシャル層とは、結晶方位が、エピタキシャル層が堆積される材料の層の表面の結晶方位と直接関連している例えば同じである材料の層を意味する。例えば、基板上に堆積される超電導体材料のエピタキシャル層を有する物品の場合、超電導体材料の層の結晶方位は、基板の結晶方位とほぼ同じである。このため、基板は、基板の上記の特性に加えて、二軸組織化表面または立方体集合組織化表面を有することが望ましいこともある。二軸組織化表面または立方体集合組織化表面は、例えば、圧延rollingおよびアニーリングによって作製され得る。表面はまた、例えば、イオンビーム支援蒸着、傾斜基板蒸着、およびランダムに配向された多結晶表面上に二軸組織化表面を形成するための当該技術分野で公知の他の真空技術などの真空プロセスを用いて作製することができる。特定の実施形態において例えば、イオンビーム支援蒸着が使用される場合、基板の表面は組織化される必要がない例えば、表面はランダムに配向した多結晶表面であり得るか、または表面は非結晶質であり得る。基板は、バッファー層のスタックおよび/または超電導体材料の層を支持することが可能な任意の材料から形成され得る。基板として使用され得る基板材料の例としては、例えば、ニッケル、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、鉄、クロム、バナジウム、パラジウム、モリブデンおよび/またはそれらの合金などの、金属および/または合金が挙げられる。いくつかの実施形態において、基板は超合金から形成され得る。特定の実施形態において、基板は、比較的大きい表面積を有する物体例えば、テープまたはウエハーの形態であり得る。これらの実施形態において、基板は、比較的可撓性の材料から好ましくは形成される。これらの実施形態のいくつかにおいて、基板は、以下の金属:銅、ニッケル、クロム、バナジウム、アルミニウム、銀、鉄、パラジウム、モリブデン、タングステン、金および亜鉛のうちの2種を含有する二元合金であり得る。例えば、二元合金は、ニッケルおよびクロム例えば、ニッケルおよび20原子パーセント以下のクロム、ニッケルおよび約5~約18原子パーセントのクロム、またはニッケルおよび約10~約15原子パーセントのクロムから形成され得る。別の例として、二元合金は、ニッケルおよび銅例えば、銅および約5~約45原子パーセントのニッケル、銅および約10~約40原子パーセントのニッケル、または銅および約25~約35原子パーセントのニッケルから形成され得る。さらなる例として、二元合金は、ニッケルおよびタングステン例えば、約1原子パーセントのタングステンから約20原子パーセントのタングステン、約2原子パーセントのタングステンから約10原子パーセントのタングステン、約3原子パーセントのタングステンから約7原子パーセントのタングステン、約5原子パーセントのタングステンを含有し得る。二元合金は、比較的少量の不純物例えば、約0.1原子パーセント未満の不純物、約0.01原子パーセント未満の不純物、または約0.005原子パーセント未満の不純物をさらに含み得る。特定の実施形態において、基板は、3種以上の金属を含有し得る例えば、三元合金または四元合金。いくつかの実施形態において、合金は、1種以上の酸化物形成元素oxideformer例えば、Mg、Al、Ti、Cr、Ga、Ge、Zr、Hf、Y、Si、Pr、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu、Th、Er、Tm、Be、Ce、Nd、Sm、Ybおよび/またはLaであり、Alが好ましい酸化物形成元素である、ならびに以下の金属:銅、ニッケル、クロム、バナジウム、アルミニウム、銀、鉄、パラジウム、モリブデン、金および亜鉛のうちの2種を含有し得る。これらの実施形態のいくつかにおいて、合金は、以下の金属:銅、ニッケル、クロム、バナジウム、アルミニウム、銀、鉄、パラジウム、モリブデン、金および亜鉛のうちの2種を含有することができ、上記の酸化物形成元素のいずれも実質的に含まないことがある。合金が酸化物形成元素を含有する実施形態において、合金は、少なくとも約0.5原子パーセントの酸化物形成元素例えば、少なくとも約1原子パーセントの酸化物形成元素、または少なくとも約2原子パーセントの酸化物形成元素および約25原子パーセント以下の酸化物形成元素例えば、約10原子パーセント以下の酸化物形成元素、または約4原子パーセント以下の酸化物形成元素を含有し得る。例えば、合金は、酸化物形成元素例えば、少なくとも約0.5のアルミニウム、約25原子パーセントから約55原子パーセントのニッケル例えば、約35原子パーセントから約55原子パーセントのニッケル、または約40原子パーセントから約55原子パーセントのニッケルを含むことができ、残りは銅である。別の例として、合金は、酸化物形成元素例えば、少なくとも約0.5原子のアルミニウム、約5原子パーセントから約20原子パーセントのクロム例えば、約10原子パーセントから約18原子パーセントのクロム、または約10原子パーセントから約15原子パーセントのクロムを含むことができ、残りはニッケルである。合金は、比較的少量のさらなる金属例えば、約0.1原子パーセント未満のさらなる金属、約0.01原子パーセント未満のさらなる金属、または約0.005原子パーセント未満のさらなる金属を含むことができる。合金で形成される基板は、例えば、粉末形態の成分を組み合わせて溶融および冷却することによって、または、例えば、粉末成分を固体状態で互いに拡散することによって製造され得る。次に、合金は、変形組織化例えば、アニーリングおよび圧延、スエージ加工swaging、押出し、および/または延伸によって成形されて、組織化表面例えば、二軸組織化または立方体集合組織化されたが形成され得る。あるいは、合金成分は、ゼリーロール形状に積み重ねられ、次に変形組織化され得る。いくつかの実施形態において、比較的低い熱膨張係数を有する材料例えば、Nb、Mo、Ta、V、Cr、Zr、Pd、Sb、NbTi、NiAlまたはNi3Alなどの金属間化合物、あるいはそれらの混合物が棒状に成形され、変形組織化の前に合金に組み込まれ得る。特定の実施形態において、基板は、二軸組織化表面または立方体集合組織化表面を有する複合構造からなることができ、複合体の芯は、非立方体集合組織noncubetextureまたは立方体集合組織を有する。これらの実施形態のいくつかにおいて、複合構造の二軸組織化表面または立方体集合組織化表面は、以下の金属:銅、ニッケル、クロム、バナジウム、アルミニウム、銀、鉄、パラジウム、モリブデン、タングステン、金および亜鉛のうちの2種を含有する二元合金であり得る。これらの実施形態のいくつかにおいて、芯材料は、超合金材料、または以下の材料:銅、ニッケル、クロム、バナジウム、アルミニウム、銀、鉄、パラジウム、モリブデン、タングステン、金および亜鉛のうちの2種以上を含有する合金材料を含有し得る。いくつかの実施形態において、第1のエピタキシャル例えばバッファー層が二軸組織化合金表面上に形成されるまで、基板の表面上に配置される中間体層を用いることにより、安定した酸化物が表面に形成されるのを抑制することができる。中間体層は、エピタキシャルバッファー層膜の初期成長に必要なPO2および温度によって設定される条件に曝されたときに表面酸化物を形成しないエピタキシャル金属または合金層を含む。さらに、バッファー層は、基板元素が中間体層の表面に移動してエピタキシャル層の初期成長の際に酸化物を形成するのを防ぐ障壁として働く。このような中間体層が存在しないと、基板における1種以上の元素が、熱力学的に安定な酸化物を基板表面上に形成することが予測され、例えば、この酸化物層が組織化されていないためにエピタキシャル層の堆積を著しく妨げ得る。これらの実施形態のいくつかにおいて、中間体層は、本質的に一時的なものである。本明細書において一時的とは、エピタキシャル膜の初期核形成および成長の後に、完全にまたは部分的に二軸組織化基板に組み込まれるか、あるいは二軸組織化基板と組み合わされる中間体層を意味する。これらの状況下でさえ、中間体層および二軸組織化基板は、堆積された膜のエピタキシャル性が確立されるまでは別個のままである。一時的である中間体層を使用することは、中間体層が何らかの望ましくない特性を有する場合、例えば、中間体層がニッケルなどの磁性体である場合に好ましいことがある。例示的な中間体金属層は、ニッケル、金、銀、パラジウム、およびそれらの合金を含む。さらなる金属または合金は、ニッケルおよび/または銅の合金を含み得る。中間体層に堆積されるエピタキシャル膜または層は、金属酸化物、カルコゲニド、ハロゲン化物、および窒化物を含み得る。いくつかの実施形態において、中間体金属層は、エピタキシャル膜堆積条件下で酸化しない。堆積された中間体層は、初期のバッファー層構造の核形成および成長によりエピタキシャル層が確立される前には基板に完全に組み込まれず、また、基板に完全に拡散しないことに留意すべきである。これは、基板合金における拡散定数、実際のエピタキシャルバッファー層成長条件下における酸化に対する熱力学的安定性およびエピタキシャル層との格子整合などの適切な属性のために金属または合金を選択した後、堆積された金属層の厚さを、エピタキシャル層堆積条件、特に温度に合わせなければならないことを意味する。中間体金属層の堆積は、蒸発またはスパッタリングなどの真空プロセスにおいて、または電極を用いるか用いない電気めっきなどの電気化学的手段によって行うことができる。これらの堆積された中間体金属層は、堆積の際の基板温度に応じて堆積後にエピタキシャルであってもまたはエピタキシャルでなくてもよいが、その後、堆積後の熱処理時にエピタキシャル配向が得られる。特定の実施形態において、硫黄を中間体層の表面上に形成することができる。例えば、所定の期間例えば、約10秒間から約1時間、約1分間から約30分間、約5分間から約15分間にわたって、硫黄源例えば、H2Slおよび水素源例えば水素、あるいは5の水素/アルゴンガス混合物などの水素と不活性ガスとの混合物を含有するガス環境に中間体層を曝すことによって、中間体層の表面上に硫黄が形成され得る。これは、高温で例えば、約450°Cから約1100°C、約600°Cから約900°C、850°Cの温度で行うことができる。水素または水素/不活性ガス混合物の圧力は比較的低くてもよく例えば、約1トル約133Pa未満、約1×10-3トル約133×10-3Pa未満、約1×10-6トル約133×10-6Pa未満、あるいは比較的高くてもよい例えば、約1トル約133Pa超、約100トル約13.3kPa超、約760トル約101.08kPa超。理論によって制約されることを望むものではないが、これらの条件下で、組織化された基板表面を硫黄源に曝すことで、組織化された基板表面上に硫黄の上部構造例えば、c2×2上部構造が形成され得ると考えられる。上部構造は、中間体層の表面を安定させる例えば、化学的におよび/または物理的に安定させるのに有効であり得るとさらに考えられる。硫黄の上部構造を形成するための一つの手法を記載したが、このような上部構造を形成する他の方法も使用することができる。例えば、硫黄上部構造例えば、Sc2×2は、適切な有機溶液を中間体層の表面に塗布して適切なガス環境中で適切な温度にまで加熱することによって形成することができる。また、中間体層の表面に硫黄上部構造を形成することを記載したが、表面を安定させる例えば、化学的におよび/または物理的に安定させるのに他の上部構造も有効であり得ると考えられる。例えば、表面上に配置される酸素上部構造、窒素上部構造、炭素上部構造、カリウム上部構造、セシウム上部構造、リチウム上部構造またはセレン上部構造が、表面の安定性を高めるのに有効であり得ると考えられる。いくつかの基板は、全ての上記の特徴を容易に示さないため、一般的にバッファー層と呼ばれる1つ以上の中間層が、基板と超電導体層との間に配置され得る。バッファー層は、基板よりも酸化に対する耐性が高く、基板と超電導体層との間の化学種の拡散を減少させることができる。さらに、バッファー層は、超電導体材料とよく整合した熱膨張係数を有し得る。バッファー層はエピタキシャル層であり得るため、その結晶方位は、バッファー層が堆積される表面の結晶方位に直接関連する。例えば、基板、エピタキシャルバッファー層、および超電導体材料のエピタキシャル層を有する多層物品において、バッファー層の表面の結晶方位は、基板の表面の結晶方位に直接関連し、超電導体材料の層の結晶方位は、バッファー層の表面の結晶方位に直接関連する。したがって、バッファー層を有する物品が示す超電導特性は、バッファー層表面の結晶方位に左右され得る。いくつかの実施形態において、表面13と同様に、バッファー層はプラズマ蒸着を用いて形成され得る。この技術では、例えば、反応性スパッタリングまたはパルスレーザ蒸着によって基板の二軸組織化または立方体集合組織化表面にバッファー層材料が堆積される。例えば、バッファー層は、エピタキシャル形成される材料例えば、Y2O3、CeO2、Gd2O3などの材料をスパッタリングすることによって基板表面上に形成することができる。バッファー層材料の堆積の際に使用される条件は、例えば、H2OおよびH2を含有する雰囲気で約200°Cから約l000°C例えば、約500~約900°Cの基板温度であることを含み得る。H2に対するH2Oの濃度は、バッファー材料が基板表面上にエピタキシャル層を形成するように設定されるべきである。いくつかの実施形態において、複数のバッファー層が、第1のバッファー層の表面にエピタキシャル成長させることによって堆積され得る。この技術では、例えば、スパッタリングまたはパルスレーザ蒸着によって第1のバッファー層の二軸組織化または立方体集合組織化表面にバッファー層材料が堆積される。バッファー層材料の例としては、TbOx、GaOx、CeO2、イットリア安定化ジルコニアYSZ、Y2O3、LaAlO3、SrTiO3、Gd2O3、LaNiO3、LaCuO3、SrRuO3、NdGaO3、NdAlO3などの金属酸化物および/または当業者に公知のいくつかの窒化物が挙げられる。バッファー材料は、例えば、SSShoupetalJAmCerSocvol813019、DBeachetalMatResSocSympProcvol495263、MParanthamanetalSuperconductorSciTechvol12319、DJLeeetalJapaneseJApplPhysvol38L178、及びMWRupichetalIEEETransonApplSuperconvol91527に開示されるような有機金属堆積を含む溶液相技術を用いて調製され得る。特定の実施形態において、溶液コーティングプロセスは、組織化された基板上の酸化物層の1つまたはいずれかの組合せの堆積に使用され得るが、組織化された金属基板上の初期シード層の堆積に特に利用可能であり得る。シード層の役割は、1次の酸化物層の堆積の際、基板に対して酸化雰囲気中で行われるときに酸化から基板を保護すること例えば、酸化対象からのイットリア安定化ジルコニアのマグネトロンスパッタ蒸着、および2後続の酸化物層の成長のためのエピタキシャルテンプレートを提供することである。これらの要件を満たすために、シード層は、金属基板の表面全体にわたってエピタキシャル成長し、後続のエピタキシャル酸化物層の堆積を妨げるおそれのあるいかなる汚染物質も含まないようにすべきである。酸化物バッファー層の形成は、下部の基板層の濡れを促進するように行われ得る。さらに、特定の実施形態において、金属酸化物層の形成は、金属アルコキシド前駆体例えばゾルゲル前駆体を用いて行われ得る。いくつかの実施形態において、表面13と同様に、バッファー層がIBADを用いて形成され得る。この技術では、蒸発したバッファー層材料が堆積される基板の平滑な非晶質表面に向けてイオンビーム例えば、アルゴンイオンビームを指向させた状態で、例えば、電子ビーム蒸着、スパッタリング蒸着、またはパルスレーザ蒸着を用いてバッファー層材料が堆積される。例えば、面内および面外の両方においてバッファー層材料がほぼ整列した例えば、約13°以下表面を有するように、基板の平滑な非晶質表面例えば、約100オングストローム未満の二乗平均平方根粗さを有する表面上に、岩塩状の構造を有するバッファー層材料例えばMgOを含む酸化物、あるいは窒化物などの岩塩構造を有する材料を堆積することによるイオンビーム支援蒸着によってバッファー層を形成することができる。バッファー層材料の堆積の際に使用される条件は、例えば、約0°C~約400°C例えば、ほぼ室温から約400°Cの基板温度、約0.10nm/秒~約0.44nm/秒約1.0オングストローム/秒~約4.4オングストローム/秒の堆積速度、約200eV~約1200eVのイオンエネルギー、および/または約110マイクロアンペア/平方センチメートル~約120マイクロアンペア/平方センチメートルのイオン束を含み得る。いくつかの実施形態において、IBADを使用するとき、基板は、多結晶であって非晶質でないnonamorphousベース構造例えば、ニッケル合金などの金属合金を有する材料から形成され、別の材料例えば、Si3N4から形成される平滑な非晶質表面を有する。特定の実施形態において、元のIBAD表面にエピタキシャル成長させることによって複数のバッファー層を堆積させることができる。各バッファー層は、面内および面外の両方においてほぼ整列した例えば、約13°以下表面を有し得る。これらの方法は、1999年5月27日に公開されたThinFilmsHavingARockSaltLikeStructureDepositedonAmorphousSurfacesという発明の名称を有するPCT公報である国際公開第99/25908号パンフレットに記載されている。特定の実施形態において、バッファー材は、調整された表面conditionedsurface上に層14が形成されるように調整され得る例えば、熱的および/または化学的に調整される。バッファー層の調整された表面は、二軸組織化例えば、113[211]または立方体集合組織化例えば、100[011]または100[011]することができ、X線回折極点図において約20°未満例えば、約15°未満、約10°未満、または約5°から約10°の半値全幅を持ったピークを有し、高解像度走査電子顕微鏡法または原子間力顕微鏡法によって測定した際に調整前より平滑であり、比較的高い密度を有し、不純物の比較的低い密度を有し、他の材料層例えば、超電導体層またはバッファー層に対して向上した付着性を示し、および/または、x線回折によって測定した際に比較的小さいロッキングカーブ幅を示す。本明細書において化学的調整とは、バッファー層または超電導体材料層などの材料層の表面に変化を及ぼし、それによって得られる表面が上記の特性の1つ以上を示すように、1種以上の化学種例えば、気相化学種および/または溶液相化学種を使用するプロセスをいう。本明細書において熱的調整とは、バッファー層または超電導体材料層などの材料層の表面に変化を及ぼし、それによって得られる表面が上記の特性の1つ以上を示すように、化学的調整を伴うかまたは伴わずに、高温を使用するプロセスをいう。熱的調整は、化学的調整の使用を伴うかまたは伴わずに行うことができる。好ましくは、熱的調整は、制御された環境例えば、制御されたガス圧、制御されたガス環境、および/または制御された温度で行われる。熱的調整は、バッファー層の表面を、下層の堆積温度または結晶化温度よりも少なくとも約5°C高い温度例えば、下層の堆積温度または結晶化温度よりも約15°Cから約500°C高い温度、下層の堆積温度または結晶化温度よりも約75°Cから約300°C高い温度、または下層の堆積温度または結晶化温度よりも約150°Cから約300°C高い温度にまで加熱することを含み得る。このような温度の例は、約500°Cから約1200°C例えば、約800°Cから約1050°Cである。熱的調整は、様々な圧力条件、例えば、大気圧よりも高いか、大気圧よりも低いか、あるいは大気圧で行うことができる。熱的調整は、化学的調整環境例えば、酸化ガス環境、還元ガス環境または不活性ガス環境などの様々なガス環境を用いて行うこともできる。本明細書において堆積温度とは、調整される層が堆積された温度をいう。本明細書において結晶化温度とは、材料の層例えば、下層が結晶形態をとる温度をいう。化学的調整は、真空技術例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチングおよび/またはBF3および/またはCF4などのフッ素化合物を用いたエッチングを含み得る。化学的調整技術は、例えば、SiliconProcessingfortheVLSIEraVol1edsSWolfandRNTanberpp539574LatticePressSunsetParkCA1986に開示されている。その代わりにまたはそれに加えて、化学的調整は、MetallurgyandMetallurgicalEngineeringSeries3dedGeorgeLKehlMcGrawHill1949に開示されるような溶液相技術を含み得る。このような技術は、下層の表面を、比較的穏やかな酸溶液例えば、約10パーセント未満の酸、約2パーセント未満の酸、または約1パーセント未満の酸を含有する酸溶液と接触されることを含み得る。穏やかな酸溶液の例としては、過塩素酸、硝酸、フッ化水素酸、塩酸、酢酸および緩衝酸溶液が挙げられる。一実施形態において、穏やかな酸溶液は、約1パーセントの硝酸水溶液である。特定の実施形態において、臭化物含有および/または臭素含有組成物例えば、液体臭素溶液を用いて、バッファー層または超電導体層の表面を調整することができる。これらの方法は、1999年11月18日に出願されたMultiLayerArticlesandMethodsofMakingSameという発明の名称を有する同一出願人が所有する米国仮特許出願第60/166,140号明細書および同一出願人が所有する米国特許第6,974,501号明細書に記載されている。上記の説明は、超電導体材料の1つの厚い層を有するすなわち、中間体層がない物品を記載しているが、本発明はこの意味に限定されない。その代わりに、1つ以上の超電導体層が使用され得る。さらなる詳細は、米国特許第6,562,761号明細書および米国特許第6,669,774号明細書に提供されている。いくつかの実施形態において、超電導体物品は、基板と超電導体材料との間に3つのバッファー層を備える。Y2O3またはCeO2の層例えば、厚さ約50ナノメートルから約100ナノメートルが、例えば、電子ビーム蒸着を用いて基板表面上に堆積され、あるいはGd2O3の層が溶液から堆積される。スパッタリングを用いて例えば、マグネトロンスパッタリングを用いて、Y2O3、CeO2またはGd2O3層の表面上にYSZの層例えば、厚さ約75ナノメートルのような厚さ約50ナノメートルから約100ナノメートルが蒸着される。CeO2層例えば、厚さ約50ナノメートルから約100ナノメートルが例えば、マグネトロンスパッタリングを用いて、YSZ表面上に堆積され、あるいはGd2O3の層が溶液からYSZ表面上に堆積される。バッファー層のうちの1つ以上は、本明細書に記載されるように化学的および/または熱的に調整され得る。本発明に係る超電導体物品は、キャップ材料の層を備えることも可能であり、それは、キャップ材料の層を形成するのに使用される反応条件下において、超電導体材料例えば、YBa2Cu3O7-xとの反応生成物が熱力学的に不安定である金属または合金で形成することができる。例示的なキャップ材料としては、銀、金、パラジウムおよび白金が挙げられる。さらに、上記の説明は、特定の構造を有する多層物品を記載しているが、本発明はこの意味に限定されない。例えば、いくつかの実施形態において、第1および第2の高温超電導体被覆要素を含む多層の高温超電導体が提供される。各要素は、基板、基板上に堆積される少なくとも1つのバッファー層、高温超電導体層、および任意にキャップ層を備える。第1および第2の高温超電導体被覆要素は、第1および第2のキャップ層において接合することができ、あるいは、好ましくは金属製の介在層と接合することができる。例示的な結合技術としては、はんだ付けおよび拡散接合が挙げられる。このような多層構造は、向上した分流currentsharing、交流電流条件下におけるより低いヒステリシス損失、向上した電気および熱安定性、および向上した機械的特性を提供することができる。十分な電流容量、寸法安定性、および機械的強度を提供するために、互いに積み重ねられ、および/または積層された複数のテープを有する有用な導体が作製され得る。このような実施形態は、被覆されたテープセグメントを接合するための手段、および被覆されたテープセグメントまたは導体要素を終了するための手段も提供する。さらに、この構造は、交流電流用途に大きな利益を与えることができると期待される。AC損失は、導体、より詳細には、電流が流れる断面積内の実効臨界電流密度に反比例することが示されている。マルチフィリメント導体の場合、これは、束の周りのあらゆるシース材料を除いた、超電導フィラメントの束の面積であろう。面-面facetoface構造の場合、束の臨界電流密度は、高温超電導体膜およびキャップ層構造の厚さのみを包含するであろう。キャップ層は、1つ以上の層で形成することができ、好ましくは少なくとも1種の貴金属層を含む。本明細書において貴金属とは、その反応生成物が、HTSテープを作製するのに用いられる反応条件下で熱力学的に不安定である金属をいう。例示的な貴金属としては、例えば、銀、金、パラジウム、および白金が挙げられる。貴金属は、HTS層とキャップ層との間の低い界面抵抗を提供する。さらに、キャップ層は、通常の金属例えば、銅またはアルミニウムあるいは通常の金属の合金の第2の層を含み得る。直流用途では、さらなる面-面ワイヤが、所与の用途のために必要とされる電流容量および幾何学形状を提供するように束ねられるかまたは積み重ねられるであろう。さらに、テープの表面上の高温超電導体膜は、局所的な中断部localbreak、すなわち、テープの長さ電流の流れ方向にのみ沿う膜の非超電導領域またはストライプを生じさせるように処理され得る。このとき、高温超電導体膜に堆積されるキャップ層は、非超電導領域を、延性の通常の金属の領域と架橋させるように働き得る。狭いストリップまたはフィラメントの縁部の位置揃えedgejustificationをずらすことにより、長手積みのレンガ模様runningbondbrickpatternに類似して、電流がキャップ層を横切って隣接フィラメントへと、いくつかの狭い超電導フィラメントに移動することができ、重複性redundancyをさらに高め、安定性を向上させるであろう。全ての実施形態において、高温超電導体膜を密封し、膜への、および必要に応じて、膜から基板への電流移動をもたらすように、導体の縁部に沿って通常の金属層が含まれ得る。さらなる詳細は、1999年7月23日に出願されたEnhancedHighTemperatureCoatedSuperconductorsという発明の名称を有する同一出願人が所有する米国仮特許出願第60/145,468号明細書、および米国特許第6,828,507号明細書に提供されている。いくつかの実施形態において、交流電流用途において生じる損失を最小限に抑えるように被覆導体が作製され得る。導体は、複数の導電経路を有するように作製され、そのそれぞれが少なくとも2つの導電層にわたって延在し、これらの層の間にさらに延在する経路セグメントを含む。各超電導層は、層の幅にわたって、1つの縁部から別の縁部へと延在する複数の導電性経路セグメントを有し、経路セグメントは、超電導層の長さに沿った方向の構成要素も有する。超電導層表面における経路セグメントは、層間接続によって導電的に接続され、それによって、1つの超電導層から別の超電導層へと電流が流れることが可能になる。経路セグメントで構成されている経路は、2層の実施形態において、電流が一般に2つの超電導層の間で交互に流れ、層間接続を介して層を横断するように、また、周期性を有するように設計される。超電導層は、その幅にわたっておよびその長さに沿って延在する複数の経路セグメントを含むように構成され得る。例えば、超電導層は、複数の経路セグメントのそれぞれの間に高い抵抗率または完全に絶縁性の障壁が得られるようにパターン化され得る。例えば、斜め模様のdiagonal経路セグメントの規則的で周期的な配列が、テープの全長に沿って層に付与され得る。このような配列を与えるための超電導層のパターン化は、例えば、レーザースクライビング、機械的切断、注入implantation、マスクを介した局所的な化学処理、および他の公知の方法を含んだ当業者に公知の様々な手段によって行うことができる。さらに、超電導層は、その表面の導電性経路セグメントを、その縁部でまたは縁部の近くで、層間を通る導電層間接続と電気接続させるように構成される。層間接続は典型的に、通常の導電性超電導ではないであるが、特別な形態においては超電導性でもあり得る。層間接続は、超電導層の間に位置決めされる非導電性または高抵抗性の材料によって隔てられる超電導層の間に電気接続を提供する。このような非導電性または高抵抗性の材料は、1つの超電導層に堆積され得る。層間接続を導入できるように絶縁材料の縁部に通路が作製可能であり、その後にさらなる超電導層が堆積される。テープの軸に平行なフィラメントに超電導層をパターン化し、テープを円柱形の周りにらせん状に巻くことによって、被覆された導体を用いて転置された形状transposedconfigurationを実現することができる。さらなる詳細な説明がなくても、上記の説明が本発明を十分に実現可能にしていると考えられる。したがって、以下の実施例は、単なる例示と解釈され、本開示の残りの部分を限定するものと決して解釈されるものではない。本明細書に引用される刊行物の全ては、全体が参照により本明細書に援用される。実施例1前駆体溶液を以下のように調製した。6.0グラムのYCF3CO23、10.2グラムのBaCF3CO22、2.5グラムのDyO2CCH33、および9.5グラムのCuCH3CH2CO22を、45ミリリットルのCH3OHおよび1.5ミリリットルのHO2CCH2CH3に溶解させた。前駆体溶液を、スロットダイ被覆装置を用いて、金属テープ基板の連続長さ上に堆積させた。金属テープ基板は4つの層で形成されていた。第1の層は、約75マイクロメートルの厚さおよび約46ミリメートルの幅を有する変形組織化ニッケルタングステン5合金であった。ニッケルタングステンの組織化表面の上に厚さ約75ナノメートルの、Y2O3のエピタキシャル層が設けられていた。た。Y2O3層の上にYSZのエピタキシャル層厚さ約75ナノメートルが設けられていた。YSZ層の上にCeO2層のエピタキシャル層厚さ約75ナノメートルが設けられていた。約11トル約1.463kPaのH2Oおよび残りの窒素を含有する雰囲気約760トル約101.08kPaの全圧中で前駆体膜を堆積させた。コーティング重量は、厚さ約1.2μmのY1-xDyxBa2Cu3O7-dに等しい。温度勾配およびガス環境勾配を有する管状炉に被覆基板を通すことによって、前駆体被覆膜を分解させた。約760トル約101.08kPaの全ガス圧約25トル約3.325kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において100~250Cの温度範囲内で1.5時間の滞留時間、および、約760トル約101.08kPaの全圧約32トル約4.256kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において250C~400Cの温度範囲内で0.5時間の滞留時間を提供するように適切な速度で試料を輸送した。中間体膜の厚さは、SEM断面分析によって測定した際に約3マイクロメートルであった。図2は、膜の光学顕微鏡写真25倍の倍率であり、膜が目視可能な亀裂または気泡を有さないことを示している。SEM顕微鏡写真図3の矩形のボックスによって示される中間体膜の断面積のエネルギー分散X線スペクトル図4は、膜の中に破壊的組成変化を伴わずに、各構成要素が厚さにわたって均一に分布していることを示す。このように得られる中間体膜を、1分間につき約100°Cの速度で約785°Cにまで加熱し、約475ミリトル約63.175Paの公称全ガス圧約250ミリトル約33.25Paの水蒸気圧、約225ミリトル約29.925Paの酸素ガス圧を有する環境において約12分間保持した後、同じガス環境において785°Cで約12分間保持してから室温まで冷やした。次に、膜を約550°Cの温度にまで加熱し、760トル101.08kPaの公称全ガス圧約760トル約101.08kPaの酸素を有するガス環境において同温度で約0.5時間保持した後、室温まで冷やした。得られた層は、質量基準で約1.2マイクロメートルの厚さを有する001組織化Y1-xDyxBa2Cu3O7-d超電導体であった。超電導体膜は、3MA/cm2の臨界電流密度を有していた。実施例2単一のガス組成15トル1.995kPaの水蒸気圧で処理したことを除いて、中間体の膜を、実施例1に記載されるのと同様の方法で形成した。中間体膜の厚さは、SEM断面積分析によって測定した際に約3マイクロメートルであった。図5は、その膜の光学顕微鏡写真25倍の倍率であり、膜が多くの目視可能な亀裂を含んでいたことを示している。実施例3単一のガス組成28トル3.724kPaの水蒸気圧で処理したことを除いて、中間体の膜を、実施例1に記載されるのと同様の方法で形成した。図6は、その膜の光学顕微鏡写真25倍の倍率であり、膜が多くの目視可能な気泡を含んでいたことを示している。実施例4実施例1に記載される前駆体溶液を用いて、実施例に記載される基板上に前駆体膜を堆積させた。スロットダイコーティングによって膜を堆積させたところ、0.8μmのY1-xDyxBa2Cu3O7-dに等しい厚さを有していた。温度勾配およびガス環境勾配を有する管状炉に被覆基板を通すことによって、前駆体被覆膜を分解させた。約760トル約101.08kPaの全ガス圧約18トル約2.394kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において100~250°Cの温度範囲内で1.6時間の滞留時間、および、約760トル約101.08kPaの全圧約18トル約2.394kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において250°C~400°Cの温度範囲内で0.7時間の滞留時間を提供するように適切な速度で試料を輸送した。0.6μmのY1-xDyxBa2Cu3O7-dに等しい前駆体膜の第2の層を、スロットダイコーティングによって中間体膜の上に堆積させた。温度勾配およびガス環境勾配を有する管状炉に被覆基板を通すことによって、第2の前駆体膜を分解させた。約760トル約101.08kPaの全ガス圧約13トル約1.729kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において100~250°Cの温度範囲内で1.6時間の滞留時間、および、約760トル約101.08kPaの全圧約13トル約1.729kPaの水蒸気圧を有する公称ガス環境において250°C~400°Cの温度範囲内で0.7時間の滞留時間を提供するように適切な速度で試料を輸送した。図7左側:断面のSEM顕微鏡写真、右側:断面のEDSスペクトルに示されるように、中間体膜は、膜の中に破壊的な変化を伴い、構成要素が厚さにわたって不均一に分布していた。他の実施形態本明細書に開示される特徴の全ては、任意の組合せで組み合わされてもよい。本明細書に開示される各特徴の代わりに、同じか、同等か、または同様の目的を果たす代わりの特徴を用いてもよい。例えば、HTS厚膜は、1種のみの金属塩トリフルオロ酢酸塩であるを含むかあるいは金属塩を含まない前駆体溶液から作製されてもよい。したがって、特に明記されない限り、開示される各特徴は、一連の一般的な同等または同様の特徴の単なる例である。上記の説明から、当業者は、本発明の趣旨および範囲から逸脱せず、本発明の本質的な特徴を容易に確認することができ、様々な使用法および条件に合わせて本発明の様々な変形および変更を行うことができる。したがって、他の実施形態も、以下の特許請求の範囲内に含まれる。"