サファイア、石英または水晶から成る基板と、前記基板上に設けられ、電子線を受けて紫外光を発生するPr:LuAG多結晶膜とを備えることを特徴とする、紫外光発生用ターゲット。前記Pr:LuAG多結晶膜の厚さが0.1μm以上10μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の紫外光発生用ターゲット。請求項1または2に記載された紫外光発生用ターゲットと、前記紫外光発生用ターゲットに前記電子線を与える電子源とを備えることを特徴とする、電子線励起紫外光源。サファイア、石英または水晶から成る基板上にPr:LuAG膜を蒸着する第1工程と、前記Pr:LuAG膜を熱処理することにより多結晶化する第2工程とを備えることを特徴とする、紫外光発生用ターゲットの製造方法。前記第2工程において熱処理した後の前記Pr:LuAG膜の厚さを0.1μm以上10μm以下とすることを特徴とする、請求項4に記載の紫外光発生用ターゲットの製造方法。前記第2工程における熱処理の際に前記Pr:LuAG膜の周囲を真空とすることを特徴とする、請求項4または5に記載の紫外光発生用ターゲットの製造方法。従来より、紫外光源として、水銀キセノンランプや重水素ランプ等の電子管が用いられてきた。しかし、これらの紫外光源は、発光効率が低く、大型であり、また安定性や寿命の点で課題がある。一方、別の紫外光源として、ターゲットに電子線を照射することにより紫外光を励起させる構造を備える電子線励起紫外光源がある。電子線励起紫外光源は、高い安定性を生かした光計測分野や、低消費電力性を生かした殺菌や消毒用、あるいは高い波長選択性を利用した医療用光源やバイオ化学用光源として期待されている。また、電子線励起紫外光源には、水銀ランプなどよりも消費電力が小さいという利点もある。また、近年、波長360nm以下といった紫外領域の光を出力しうる発光ダイオードが開発されている。しかし、このような発光ダイオードからの出力光強度は未だ小さく、また発光ダイオードでは発光面の大面積化が困難なので、用途が限定されてしまうという問題がある。これに対し、電子線励起紫外光源は、十分な強度の紫外光を発生することができ、また、ターゲットに照射される電子線の径を大きくすることにより、大面積で且つ均一な強度を有する紫外光を出力することができる。しかしながら、電子線励起紫外光源においても、紫外光発生効率の更なる向上が求められる。本発明は、紫外光発生効率を高めることが可能な紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法を提供することを目的とする。上述した課題に鑑み、本発明者はPrxLu1-x3Al5O12Pr:LuAGプラセオジム添加ルテチウムアルミニウムガーネット、xの範囲は0<x<1を紫外光発生用ターゲットに用いることを考えた。しかし、先行技術文献に記載されているようなPr:LuAG単結晶を用いた場合には、十分な紫外光発生効率を得ることが難しいことが判明した。またPr:LuAG単結晶が高価であるため、紫外光発生用ターゲットの製造コストが高くなるという問題があった。これに対し、本発明者による試験及び研究の結果、Pr:LuAG多結晶をターゲットとして用いることによって、Pr:LuAG単結晶を用いた場合よりも顕著に紫外光発生効率を高め得ることが見出された。すなわち、本発明による紫外光発生用ターゲットによれば、サファイア、石英または水晶酸化珪素の結晶、rockcrystalから成る基板と、この基板上に設けられ、電子線を受けて紫外光を発生するPr:LuAG多結晶膜とを備えることによって、紫外光発生効率を高めることができる。また、紫外光発生用ターゲットは、Pr:LuAG多結晶膜の厚さが0.1μm以上10μm以下であることを特徴としてもよい。本発明者による試験及び研究によれば、Pr:LuAG多結晶膜の厚さは、電子線が透過せずに発光に寄与するためには少なくとも0.1μm以上必要であり、また、生産性の観点から10μm以下であることが好ましい。このような厚さを有するPr:LuAG多結晶膜において、紫外光発生効率をより効果的に高めることができる。また、本発明による電子線励起紫外光源は、上記いずれかの紫外光発生用ターゲットと、紫外光発生用ターゲットに電子線を与える電子源とを備えることを特徴とする。この電子線励起紫外光源によれば、上記いずれかの紫外光発生用ターゲットを備えることによって、紫外光発生効率を高めることができる。また、本発明による紫外光発生用ターゲットの製造方法は、サファイア、石英または水晶から成る基板上にPr:LuAG膜を蒸着する第1工程と、Pr:LuAG膜を熱処理することにより多結晶化する第2工程とを備えることを特徴とする。第1工程では、サファイア、石英または水晶から成る基板上に、アモルファス状のPr:LuAG膜が形成される。しかし、アモルファス状のPr:LuAG膜では、電子線を照射しても紫外光は殆ど励起されない。この製造方法のように、第2工程においてPr:LuAG膜を熱処理アニールすることによって、アモルファス状のPr:LuAG膜を多結晶化することができる。すなわち、この製造方法によれば、Pr:LuAG多結晶膜を備える紫外光発生用ターゲットを好適に製造することができる。なお、第1工程及び第2工程を同時に行っても良い。また、紫外光発生用ターゲットの製造方法は、第2工程において熱処理した後のPr:LuAG膜の厚さを0.1μm以上10μm以下とすることを特徴としてもよい。これにより、紫外光発生効率をより効果的に高めることができる。また、紫外光発生用ターゲットの製造方法は、第2工程における熱処理の際にPr:LuAG膜の周囲を真空とすることを特徴としてもよい。これにより、紫外光発生効率をより効果的に高めることができる。本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法によれば、紫外光発生効率を高めることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本実施形態に係る電子線励起紫外光源10の内部構成を示す模式図である。図1に示されるように、この電子線励起紫外光源10では、真空排気されたガラス容器電子管11の内部の上端側に、電子源12および引き出し電極13が配置されている。そして、電子源12と引き出し電極13との間に電源部16から適当な引き出し電圧が印加されると、高電圧によって加速された電子線EBが電子源12から出射される。電子源12には、例えば大面積の電子線を出射する電子源例えばカーボンナノチューブ等の冷陰極、或いは熱陰極を用いることができる。また、容器11の内部の下端側には、紫外光発生用ターゲット20が配置されている。紫外光発生用ターゲット20は例えば接地電位に設定され、電子源12には電源部16から負の高電圧が印加される。これにより、電子源12から出射された電子線EBは紫外光発生用ターゲット20に照射される。紫外光発生用ターゲット20は、この電子線EBを受けて励起され、紫外光UVを発生する。図2は、紫外光発生用ターゲット20の構成を示す側面図である。図2に示されるように、紫外光発生用ターゲット20は、基板21と、基板21上に設けられたPr:LuAG多結晶膜22と、アルミニウム膜23とを備えている。基板21は、サファイアAl2O3、石英SiO2または水晶から成る板状の部材であり、主面21aおよび裏面21bを有する。なお、基板21の好適な厚さは、0.1mm以上10mm以下である。Pr:LuAG多結晶膜22は、多結晶化されたPr:LuAGから成る膜である。このPr:LuAG多結晶膜22は、図1に示された電子線EBを受けて励起され、紫外光UVを発生する。後述する実施例から明らかなように、Pr:LuAG多結晶膜22の好適な厚さは0.1μm以上10μm以下である。また、Pr:LuAG多結晶膜22の好適なPr濃度は0.001原子パーセント以上10原子パーセント以下である。続いて、本実施形態の紫外光発生用ターゲット20を製造する方法について説明する。図3は、この製造方法に使用されるレーザアブレーション装置50の構成を示す模式図である。図3に示されるレーザアブレーション装置50は、真空容器51と、真空容器51の底面上に配置された試料載置台52と、試料載置台52上に載置される試料であるPr:LuAG含有材料53に対して照射されるレーザビームBを真空容器51の内部に導入する為のレーザ導入口54とを備えている。なお、レーザ導入口54には、例えばKrFエキシマレーザからのレーザビーム波長248nmが提供される。更に、レーザアブレーション装置50は、Pr:LuAG含有材料53の上方に配置される基板21を支持する為の回転ホルダ55と、基板21を加熱する為のヒータ56と、真空容器51の内部に酸素ガスを供給する為のガス導入口57とを備えている。回転ホルダ55は、基板21の主面21aがPr:LuAG含有材料53に対向して露出した状態で、Pr:LuAG含有材料53と基板21とを結ぶ軸線を中心として回転可能なように基板21を保持する。図4は、紫外光発生用ターゲット20を製造方法を示すフローチャートである。まず、基板21上にPr:LuAG膜を蒸着する第1の工程S1。具体的には、まず、Pr:LuAG含有材料53として、Pr:LuAGを所定割合含有するセラミックスを作製する工程S11。次に、サファイア、石英または水晶から成る基板21を用意し、この基板21をレーザアブレーション装置50の回転ホルダ55に設置するとともに、工程S11において作製したPr:LuAG含有材料53を試料載置台52に載せる工程S12。そして、真空容器51の内部を排気し工程S13、ヒータ56によって基板21を所定温度例えば800°Cまで加熱する工程S14。その後、ガス導入口57から真空容器51の内部へ酸素ガスを供給しながらレーザビームBをPr:LuAG含有材料53へ照射する工程S15。これにより、Pr:LuAG含有材料53はレーザビームBを受けて蒸発し、真空容器51の内部を飛散する。この飛散したPr:LuAG含有材料53の一部が、基板21の主面21aに付着し、アモルファス状の膜が形成される。続いて、基板21の主面21a上に形成されたアモルファス状の膜を熱処理して、アモルファス状の膜を多結晶化する第2の工程S2。具体的には、アモルファス状の膜が形成された基板21をレーザアブレーション装置50から取り出し、熱処理炉へ投入する工程S21。なお、熱処理炉の炉内は、大気を含む雰囲気であってもよいが、真空であれば尚好適である。そして、熱処理炉の炉内温度を例えば1200°Cより高温に設定し、その温度を所定時間維持することにより、基板21上のアモルファス状の膜に対して熱処理アニールを行う工程S22。このとき、熱処理されたアモルファス状の膜は多結晶化してPr:LuAG多結晶膜となる。本実施形態によって得られる効果について説明する。後述する各実施例から明らかなように、Pr:LuAG多結晶を紫外光発生用ターゲットとして用いることによって、Pr:LuAG単結晶を用いる場合よりも顕著に紫外光発生効率を高めることができる。本実施形態の紫外光発生用ターゲット20はPr:LuAG多結晶膜22を備えているので、高効率でもって紫外光を発生することができる。また、基板21がサファイア、石英または水晶から成ることによって、工程S22においてアモルファス状の膜を高温で熱処理することができる。また、本実施形態の製造方法では、基板21上にアモルファス状の膜を蒸着したのち、このアモルファス状の膜を熱処理している。第1工程S1では、アモルファス状の膜が基板21上に形成されるが、アモルファス状の膜に電子線を照射しても紫外光は殆ど発生しない。これに対し、第2工程S2においてアモルファス状の膜を熱処理すれば、アモルファス状の膜を多結晶化することができ、高効率でもって紫外光を発生する紫外光発生用ターゲットを製造することができる。第1実施例続いて、上記実施形態の第1実施例について説明する。本実施例では、まず、Pr:LuAG含有材料53として、Prを0.8原子パーセント含有するセラミックスを作製した。次に、このPr:LuAGセラミックスをレーザアブレーション装置50の試料載置台52に載せるとともに、直径2インチのサファイア基板を回転ホルダ55に設置した。Pr:LuAGセラミックスとサファイア基板との距離は150mmであった。その後、真空容器51の内部を排気し、サファイア基板を1000°Cまで加熱した。そして、真空容器51の内部へ酸素ガスを供給しながらレーザビームBをPr:LuAG含有材料53へ60分間照射して、アモルファス状の膜を作製した。このとき、レーザビームBのレーザ光源としてKrFエキシマレーザ100mJ、100Hzを使用した。その後、熱処理炉へサファイア基板を投入し、サファイア基板及びアモルファス状の膜を大気中にて1400°Cで2時間加熱した。図5aは、熱処理前におけるアモルファス状の膜のX線回折測定結果を示すグラフである。また、図5bは、熱処理後における膜のX線回折測定結果を示すグラフである。これらの図に示されるように、熱処理前においてはサファイア基板に由来する回折線図中に×印で示すしか観察されなかったが、熱処理後においてはこの回折線に加えてPr:LuAG結晶に由来する回折線図中に○印で示すが観察された。これらの図から、アモルファス状の膜が熱処理によってPr:LuAG多結晶に変化したことがわかる。図6は、Pr:LuAG膜に電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。図6において、グラフG11は蒸着材料レーザアブレーションの原材料であるPr:LuAG多結晶の発光スペクトルを示しており、グラフG12は熱処理後におけるPr:LuAG膜の発光スペクトルを示しており、グラフG13は熱処理前におけるPr:LuAG膜の発光スペクトルを示している。なお、熱処理前の膜については発光しなかった。なお、電子線の加速電圧を10kVとし、電子線の強さ電流量を100μAとし、電子線の径を2mmとした。図6から明らかなように、熱処理前におけるアモルファス状の膜では、電子線を照射しても紫外光が殆ど発生しなかった。これに対し、熱処理後における多結晶のPr:LuAG膜では、電子線を照射することにより紫外光が好適に発生した。第2実施例続いて、上記実施形態の第2実施例について説明する。本実施例では、第1実施例において1000°CとしたPr:LuAG成膜時のサファイア基板の温度を800°Cとした。また、第1実施例において1400°Cとした熱処理温度を1600°Cとした。その他の工程や条件等は第1実施形態と同様である。本実施例により作製されたPr:LuAG膜のX線回折測定を行った結果、図5bと同様にPr:LuAG結晶に由来する回折線が観察された。また、図7a及び図7bは、それぞれ熱処理前及び熱処理後におけるPr:LuAG膜の表面に関するSEM写真である。図7bを参照すると、図7aとは異なり数マイクロメートル程度毎に細分化された領域が観察される。これらの事実から、アモルファス状の膜が熱処理によってPr:LuAG多結晶に変化したことがわかる。また、このPr:LuAG多結晶膜に電子線を照射すると、図6のグラフG12と同じピーク波長のスペクトルを有する紫外光が得られた。但し、そのピーク強度が図6のグラフG12よりも大きくなったことから、発光効率は第1実施形態より高くなった。第3実施例続いて、上記実施形態の第3実施例について説明する。本実施例では、第2実施例において大気中とした熱処理時の雰囲気を真空10-2Paとした。なお、他の工程や条件等は第2実施例と同様である。本実施例により作製されたPr:LuAG膜のX線回折測定を行った結果、図5bと同様にPr:LuAG結晶に由来する回折線が観察された。また、図8は、Pr:LuAG膜に電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。図8において、グラフG21は第2実施例大気中で熱処理により作製されたPr:LuAG膜の発光スペクトルを示しており、グラフG22は本実施例真空中で熱処理により作製されたPr:LuAG膜の発光スペクトルを示している。なお、電子線の加速電圧を10kVとし、電子線の強さ電流量を100μAとし、電子線の径を2mmとした。図8から明らかなように、大気中で熱処理されたPr:LuAG膜と比較して、真空中で熱処理されたPr:LuAG膜では、電子線の照射により発生する紫外光のピーク強度が格段に大きくなるすなわち発光効率が格段に高くなる。また、図9は、比較例として、Pr:LuAG単結晶基板に対して本実施例と同じ条件で電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。なお、図9において、グラフG31はPr:LuAG単結晶基板に関する発光スペクトルを示しており、グラフG32は図8のグラフG22と同じものである。図9から明らかなように、Pr:LuAG単結晶基板と比較して、Pr:LuAG多結晶薄膜では、電子線の照射により発生する紫外光のピーク強度が格段に大きくなるすなわち発光効率が格段に高くなる。図10は、電子線の強さ電流量を変化させた場合における、紫外光のピーク強度の変化を示すグラフである。図10において、グラフG41は本実施例により作製されたPr:LuAG単結晶薄膜に関する発光スペクトルを示しており、グラフG42は比較例のPr:LuAG単結晶基板に関する発光スペクトルを示している。図10に示されるように、本実施例により作製されたPr:LuAG単結晶薄膜では、電子線の強さと紫外光のピーク強度とが極めて良好な比例関係高い直線性を有することが判明した。また、本実施例により作製されたPr:LuAG単結晶薄膜では、電子線の強さにかかわらず、Pr:LuAG単結晶基板より大きなピーク強度を実現でき、且つ電子線が強い領域においても発光効率の低下が抑えられることが判明した。第4実施例発明者は、Pr:LuAG多結晶膜の厚さと紫外光のピーク強度との関係について、実験を行った。すなわち、様々な成膜時間でPr:LuAG多結晶膜を作製し、それらの厚さを段差計を用いて測定したのち、電子線を照射して発生する紫外光のピーク強度を計測した。図11は、その結果であるPr:LuAG多結晶膜の厚さと紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。なお、図中の曲線G54は、近似曲線である。図11を参照すると、Pr:LuAG多結晶膜の厚さが或る程度の値約500nmを下回る場合には、Pr:LuAG多結晶膜が厚いほど紫外光のピーク強度が大きくなっており、発光効率が高まる。しかし、Pr:LuAG多結晶膜の厚さがその値を超えると、紫外光のピーク強度は殆ど増大しないか、逆に低下している。また、このグラフから、Pr:LuAG多結晶膜の厚さが0.1μm以上であれば、十分に実用的な紫外光強度発光効率が得られることがわかる。第5実施例発明者は、Pr:LuAG含有材料のPr濃度と紫外光のピーク強度との関係について、実験を行った。すなわち、様々なPr濃度のPr:LuAG含有材料を作製し、それらを用いてPr:LuAG多結晶膜を作製し、これらのPr:LuAG多結晶膜に電子線を照射して発生する紫外光のピーク強度を計測した。なお、この実施例では熱処理温度を1600°Cとした。図12は、その結果であるPr:LuAG含有材料のPr濃度と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。なお、図中の曲線G61は、近似曲線である。図12を参照すると、Pr:LuAG含有材料でのPr濃度が或る程度の値約0.7原子パーセントを下回る場合には、Pr濃度が大きいほど紫外光のピーク強度が大きくなっており、発光効率が高くなる。しかし、Pr:LuAG含有材料のPr濃度がその値を超えると、紫外光のピーク強度は逆に低下している。また、このグラフから、Pr:LuAG含有材料のPr濃度が0.05原子パーセント以上2.0原子パーセント以下であることが好ましく、0.1原子パーセント以上1.0原子パーセント以下であることが更に好ましい。これにより十分に実用的な紫外光強度が得られることがわかる。以上、本実施例ではPr:LuAG含有材料のPr濃度と紫外光のピーク強度との関係について述べてきたが、Pr:LuAG多結晶膜のPr濃度と紫外光のピーク強度との関係についても、図11に示されたグラフと同様の傾向があると考えられる。但し、Pr:LuAG多結晶膜のPr濃度の好適な範囲は、例えば0.001原子パーセント以上10原子パーセント以下である。第6実施例続いて、上記実施形態の第6実施例について説明する。本実施例では、Pr:LuAGを含有する材料を蒸着してアモルファス状の膜を6個作製し、これらのアモルファス状の膜を真空中にて熱処理温度をそれぞれ1200°C、1400°C、1500°C、1600°C、1700°C、1800°C、及び1900°CとしてPr:LuAG多結晶膜を形成した。なお、他の工程や条件等は第2実施例と同様である。こうして作製されたPr:LuAG多結晶膜に電子線加速電圧10kV、電子線の強さ電流量100μAを照射し、発生する紫外光のスペクトルを計測した。図13は、計測されたスペクトルを示すグラフである。なお、図13において、グラフG80は熱処理温度を1200°Cとした場合を示しており、グラフG81は熱処理温度を1400°Cとした場合を示しており、グラフG82は熱処理温度を1500°Cとした場合を示しており、グラフG83は熱処理温度を1600°Cとした場合を示しており、グラフG84は熱処理温度を1700°Cとした場合を示しており、グラフG85は熱処理温度を1800°Cとした場合を示しており、グラフG86は熱処理温度を1900°Cとした場合を示している。図13に示されるように、Pr:LuAG膜の熱処理温度が高いほど、紫外光のピーク強度が大きく、発光効率が高いことが判明した。また、熱処理温度が1800°C~1900°Cといった極めて高い温度である場合には、鋭い発光ピーク波形がスペクトルに現れることが判明した。なお、熱処理温度を1200°Cとした場合は発光しなかった。広い波長域を利用する場合は1400°C~1800°C、発光ピーク波形を利用する場合は1800°C~1900°Cとすることが好ましい。また、図14は、熱処理後におけるPr:LuAG多結晶膜の表面に関するSEM写真である。図14には、熱処理温度を1200°C、1400°C、1500°C、1600°C、1700°C、1800°C、及び1900°Cとした場合のそれぞれにおけるSEM写真が示されている。図14を参照すると、熱処理温度が高いほどPr:LuAGの結晶化が進んでいることがわかる。また、1200°Cでは、Pr:LuAG多結晶膜の表面は図7aに示された熱処理前のアモルファス状の膜とほぼ同じ状態に観察された。第7実施例続いて、上記実施形態の第7実施例について説明する。本実施例では、Pr:LuAGを含有する材料を蒸着してアモルファス状の膜を4個作製し、これらのアモルファス状の膜に対し、大気雰囲気とした熱処理炉にて熱処理温度をそれぞれ1200°C、1400°C、1600°C、及び1700°Cとした熱処理を行うことにより、Pr:LuAG多結晶膜を形成した。なお、他の工程や条件等は第2実施例と同様である。こうして作製されたPr:LuAG多結晶膜に電子線加速電圧10kV、電子線の強さ電流量100μAを照射し、発生する紫外光のスペクトルを計測した。図15は、計測されたスペクトルを示すグラフである。なお、図15において、グラフG90は熱処理温度を1200°Cとした場合を示しており、グラフG91は熱処理温度を1400°Cとした場合を示しており、グラフG92は熱処理温度を1700°Cとした場合を示しており、グラフG93は熱処理温度を1600°Cとした場合を示している。図15に示されるように、大気中で熱処理を行った場合でも、熱処理温度が高いほど、紫外光のピーク強度が大きく、発光効率が高いことがわかる。但し、発光効率が最も高いのは熱処理温度を1600°Cとした場合であった。なお、この場合においても、熱処理温度を1200°Cとした場合は発光しなかった。また、熱処理時の雰囲気が大気圧である場合のピーク強度310nmは、熱処理時の雰囲気が真空である場合の約2/3となった。熱処理時の雰囲気は、凡そ大気圧もしくは大気圧より低い雰囲気下であることが好ましい。また、大気圧より低い雰囲気としては真空10-2Pa以下であることがより好ましい。また、熱処理時の雰囲気が凡そ大気圧の場合及び真空の場合の双方において、熱処理温度は1400°C以上であることが好ましい。特に、熱処理温度が1400°C~1900°Cであればより好ましい。本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態及び各実施例では、Pr:LuAGを含有する材料を用いてアモルファス状の膜を蒸着により形成し、その膜を熱処理することによってPr:LuAG多結晶膜を得ているが、本発明に係るPr:LuAG多結晶膜はこのような製法に限らず、他の製法によって作製されてもよい。