基板と、前記基板上に設けられた半導体積層体と、前記半導体積層体上に設けられた導電層と、を備え、前記半導体積層体は、前記基板側から前記導電層側にかけて、n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層をこの順に含み、前記p型窒化物半導体層は、前記導電層側の表面に凹凸を有している、光電変換素子。前記導電層の前記p型窒化物半導体層側とは反対側の表面の表面粗さRMSが、0.003μm以上0.005μm以下である、請求項1に記載の光電変換素子。前記導電層の厚さが、0.25μm以上0.5μm以下である、請求項1または2に記載の光電変換素子。前記導電層は、前記p型窒化物半導体層よりも小さい屈折率を有する、請求項1から3のいずれかに記載の光電変換素子。前記導電層は、Zn、In、SnおよびMgからなる群から選択される少なくとも1種を含む単層、または前記単層を複数積層した複数層である、請求項1から4のいずれかに記載の光電変換素子。前記基板は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、またはZrB2の式で表わされる材料を含む、請求項1から5のいずれかに記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層は、複数層を含む、請求項1から6のいずれかに記載の光電変換素子。前記凹凸は、断面形状が台形である凸部を含み、前記台形の上底の長さが、0.3μm以上0.7μm以下であり、前記台形の下底の長さが、1μm以上1.7μm以下であり、前記台形の高さが、1μm以上1.2μm以下である、請求項7に記載の光電変換素子。前記p型窒化物半導体層の前記凹凸を有する前記表面の表面粗さRMSが、0.01μm以上0.02μm以下である、請求項1から6のいずれかに記載の光電変換素子。前記n型窒化物半導体層は、前記基板側の第1のn型窒化物半導体層と、前記導電層側の第2のn型窒化物半導体層と、の積層体を有しており、前記第1のn型窒化物半導体層と前記第2のn型窒化物半導体層との界面が、前記積層体の総厚の20以上80以下の範囲内に位置する、請求項9に記載の光電変換素子。請求項1から10のいずれかに記載の光電変換素子を製造する方法であって、前記基板上に前記半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体上に前記導電層を形成する工程と、を含み、前記半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによって窒化物半導体を気相成長させる工程を含み、前記気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、前記第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。前記第2の成長条件は、前記第1の成長条件よりも前記III族原料ガスの供給量のみを低減した条件である、請求項11に記載の光電変換素子の製造方法。請求項7または8に記載の光電変換素子を製造する方法であって、前記基板上に前記半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体上に前記導電層を形成する工程と、を含み、前記半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによって前記p型窒化物半導体層を気相成長させる工程を含み、前記気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、前記第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含み、前記III族原料ガスは、トリメチルガリウムであり、前記V族原料ガスは、アンモニアであって、前記第2の成長工程においては、前記トリメチルガリウムの供給量Mtに対する前記アンモニアの供給量Maの比であるMa/Mtを40000以上100000以下にするとともに、前記トリメチルガリウムと前記アンモニアをそれぞれ1m/秒以上1.1m/秒以下の流速で供給する、光電変換素子の製造方法。請求項9または10に記載の光電変換素子を製造する方法であって、前記基板上に前記半導体積層体を形成する工程と、前記半導体積層体上に前記導電層を形成する工程と、を含み、前記半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによって前記n型窒化物半導体層を気相成長させる工程を含み、前記気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、前記第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含み、前記第1の成長条件における前記III族原料ガスに対する前記V族原料ガスの供給量比が2000以上2100以下であって、前記第2の成長条件における前記III族原料ガスに対する前記V族原料ガスの供給量比が3830以上4230以下である、光電変換素子の製造方法。上記の事情に鑑みて、本発明は、特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板と、基板上に設けられた半導体積層体と、半導体積層体上に設けられた導電層と、を備え、半導体積層体は、基板側から導電層側にかけて、n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層をこの順に含み、p型窒化物半導体層は導電層側の表面に凹凸を有している光電変換素子である。ここで、本発明の光電変換素子において、導電層のp型窒化物半導体層側とは反対側の表面の表面粗さRMSは、0.003μm以上0.005μm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、導電層の厚さは、0.25μm以上0.5μm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、導電層は、p型窒化物半導体層よりも小さい屈折率を有することが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、導電層は、Zn、In、SnおよびMgからなる群から選択される少なくとも1種を含む単層、または単層を複数積層した複数層であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、基板は、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、またはZrB2の式で表わされる材料を含むことが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、p型窒化物半導体層は、複数層を含むことが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、凹凸は断面形状が台形である凸部を含み、台形の上底の長さが0.3μm以上0.7μm以下であり、台形の下底の長さが1μm以上1.7μm以下であり、台形の高さが1μm以上1.2μm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、p型窒化物半導体層の凹凸を有する表面の表面粗さRMSが0.01μm以上0.02μm以下であることが好ましい。また、本発明の光電変換素子において、n型窒化物半導体層は、基板側の第1のn型窒化物半導体層と、導電層側の第2のn型窒化物半導体層と、の積層体を有しており、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との界面が、積層体の総厚の20以上80以下の範囲内に位置することが好ましい。また、本発明は、上記のいずれかの光電変換素子を製造する方法であって、基板上に半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体上に導電層を形成する工程と、を含み、半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによって窒化物半導体を気相成長させる工程を含み、気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。ここで、本発明の光電変換素子の製造方法において、第2の成長条件は、第1の成長条件よりもIII族原料ガスの供給量のみを低減した条件であることが好ましい。また、本発明は、上記の光電変換素子を製造する方法であって、基板上に半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体上に導電層を形成する工程と、を含み、半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによってp型窒化物半導体層を気相成長させる工程を含み、気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含み、III族原料ガスは、トリメチルガリウムであり、V族原料ガスは、アンモニアであって、第2の成長工程においては、トリメチルガリウムの供給量Mtに対するアンモニアの供給量Maの比であるMa/Mtを40000以上100000以下にするとともに、トリメチルガリウムとアンモニアをそれぞれ1m/秒以上1.1m/秒以下の流速で供給する光電変換素子の製造方法である。さらに、本発明は、上記の光電変換素子を製造する方法であって、基板上に半導体積層体を形成する工程と、半導体積層体上に導電層を形成する工程と、を含み、半導体積層体を形成する工程は、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによってn型窒化物半導体層を気相成長させる工程を含み、気相成長させる工程は、第1の成長条件による第1の成長工程と、第1の成長条件とは異なる第2の成長条件による第2の成長工程と、を含み、第1の成長条件におけるIII族原料ガスに対するV族原料ガスの供給量比が2000以上2100以下であって、第2の成長条件におけるIII族原料ガスに対するV族原料ガスの供給量比が3830以上4230以下である光電変換素子の製造方法である。本発明によれば、特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、結晶面および方向を表わす場合に、本来であれば所要の数字の上にバーを付した表現をするべきであるが、表現手段に制約があるため、本明細書においては、所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、所要の数字の前に-を付して表現している。<実施の形態1>図1に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態1の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態1の光電変換素子は、基板1と、基板1上に設けられた半導体積層体12と、半導体積層体12上に設けられた導電層5と、を備えている。半導体積層体12は、基板1側から、n型窒化物半導体層2と、i型窒化物半導体層3と、第1のp型窒化物半導体層4と、断面形状が台形の凸部状である第2のp型窒化物半導体層9と、がこの順序で積層されたpin構造体を有している。pin構造体は、基板1側にn型窒化物半導体層2を有し、導電層5側に第1のp型窒化物半導体層4を有しており、n型窒化物半導体層2と第1のp型窒化物半導体層4との間にi型窒化物半導体層3を有している。本実施の形態において、pin構造体は、n型窒化物半導体層2とi型窒化物半導体層3とが接するとともに、i型窒化物半導体層3と第1のp型窒化物半導体層4とが接することによって構成されている。そして、第1のp型窒化物半導体層4の表面上に断面形状が台形の凸部である第2のp型窒化物半導体層9が複数配列して凹凸11が構成されており、凹凸11は、第1のp型窒化物半導体層4の導電層5側の表面に設けられている。また、n型窒化物半導体層2の表面上にはnパッド電極6が形成されているとともに、導電層5の表面上にはpパッド電極7が形成されている。なお、nパッド電極6およびpパッド電極7はそれぞれ設置しなくてもよいが、設置しておくことが好ましい。実施の形態1の光電変換素子において、基板1側から光が入射された場合には、基板1側から入射してi型窒化物半導体層3および第1のp型窒化物半導体層4を透過した光を台形の断面を有する第2のp型窒化物半導体層9が複数配列されてなる凹凸11で多重反射させることができる。これにより、導電層5側に進行する光の少なくとも一部を第1のp型窒化物半導体層4側に戻してi型窒化物半導体層3内に入射させることができ、i型窒化物半導体層3内での光路長を増加させることができるため、i型窒化物半導体層3での光吸収により発生するフォトキャリアを従来よりも増加させることができる。その結果、高い光電変換効率等の優れた特性を有する光電変換素子を得ることができる。図2に、実施の形態1の光電変換素子の凹凸11近傍の模式的な拡大断面図を示す。ここで、断面形状が台形状の凸部である第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1は、0.3μm以上0.7μm以下であることが好ましい。第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1が0.3μm以上0.7μm以下である場合には、半導体積層体12から導電層5側に進行する光の凹凸11における多重反射を促進して半導体積層体12内における光閉じ込めをさらに有効にすることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。第2のp型窒化物半導体層9の下底の長さW2は、1μm以上1.7μm以下であることが好ましい。第2のp型窒化物半導体層9の下底の長さW2が1μm以上1.7μm以下である場合には、半導体積層体12から導電層5側に進行する光の凹凸11における多重反射を促進して半導体積層体12内における光閉じ込めをさらに有効にすることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。第2のp型窒化物半導体層9の高さHは、1μm以上1.2μm以下であることが好ましい。第2のp型窒化物半導体層9の高さHが1μm以上1.2μm以下である場合には、半導体積層体12から導電層5側に進行する光の凹凸11における多重反射を促進して半導体積層体12内における光閉じ込めをさらに有効にすることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1は、第2のp型窒化物半導体層9の下底の長さW2よりも小さいことが好ましい。この場合にも、半導体積層体12側から導電層5側に進行する光の凹凸11における多重反射を促進してi型窒化物半導体層3内における光閉じ込めをさらに有効にすることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。凹凸11の形状および大きさは、光電変換素子内の電界強度や漏れ電流成分と相関があるが、以下のa~dのすべての条件を満たす第2のp型窒化物半導体層9を有する凹凸11は、半導体積層体12側から導電層5側に進行する光の多重反射に適している。特に、第2のp型窒化物半導体層9がdの条件を満たすことにより、第2のp型窒化物半導体層9の表面を平坦にすることができる傾向にあることから、第2のp型窒化物半導体層9の表面の平坦性により、光電変換素子の開放電圧の低下および曲線因子F.Fの低下を抑制して光電変換効率を高くすることができる傾向にある。a第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1が、0.3μm以上0.7μm以下であること。b第2のp型窒化物半導体層9の下底の長さW2が、1μm以上1.7μm以下であること。c第2のp型窒化物半導体層9の高さHが、1μm以上1.2μm以下であること。d第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1が、第2のp型窒化物半導体層9の下底の長さW2よりも小さいこと。また、第2のp型窒化物半導体層9を含む凹凸11は、半導体積層体12と導電層5とが接する面積を増加させ、これらの層の界面における密着性を向上させることができることから、F.Fの低下を抑制することができる。この観点からも、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。なお、第2のp型窒化物半導体層9の上底の長さW1、下底の長さW2および高さHの測定方法はそれぞれ特に限定されないが、たとえば、原子間力顕微鏡AFMAtomicForceMicroscopyを用いた測定、または接触式段差測定器を用いた測定などを用いることができる。導電層5の第2のp型窒化物半導体層9側と反対側の表面5aの表面粗さRMS平均二乗誤差は、0.003μm以上0.005μm以下であることが好ましい。導電層5の表面5aの表面粗さRMSが0.003μm以上0.005μm以下である場合には、導電層5に入射する入射光の表面5aにおける散乱を抑制して導電層5内に入射する入射光量を増大させることができるため、i型窒化物半導体層3内で発生するフォトキャリア量を多くすることできる。これにより、短絡電流量を増大させることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。なお、導電層5の表面5aの表面粗さRMSは、表面5aにおける1辺40μmの任意の正方形の領域を原子間力顕微鏡を用いて測定することにより算出することができる。導電層5の厚さtは、0.25μm以上0.5μm以下であることが好ましい。導電層5の厚さtが0.25μm以上0.5μm以下である場合には、導電層5が第2のp型窒化物半導体層9の凹凸11側の表面と良好なオーミック接触を形成することができるため、F.Fフィルファクタの低下を抑制して、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。また、導電層5の厚さtが0.25μm以上0.5μm以下である場合には、0.4μm以上0.5μm以下の短波長領域の光に対する感度の増大と、上述の凹凸11における多重反射による光閉じ込め効果の増大との相乗効果により、i型窒化物半導体層3内で発生するフォトキャリア量を多くすることできる。これにより、短絡電流量を増大させることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。導電層5は、第2のp型窒化物半導体層9よりも小さい屈折率を有することが好ましい。導電層5の屈折率が第2のp型窒化物半導体層9の屈折率よりも小さい場合には、導電層5から入射する光の導電層5と第2のp型窒化物半導体層9との界面における反射量を低減して、第2のp型窒化物半導体層9内への入射量を増大させることができるため、i型窒化物半導体層3内で発生するフォトキャリア量を多くすることできる。これにより、短絡電流量を増大させることができるため、光電変換素子の光電変換効率等の特性をより高くすることができる傾向にある。第2のp型窒化物半導体層9の屈折率がたとえば2.3である場合には、導電層5としては屈折率が2.3よりも小さい材料を用いることが好ましい。なお、本明細書において、屈折率は、絶対屈折率のことを意味する。以下、図3~図9の模式的断面図を参照して、実施の形態1の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。まず、図3に示すように、基板1を用意する。基板1としては、AlxInyGazN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≠0、GaP、GaAs、NdGaO3、LiGaO2、Al2O3、MgAl2O4、ZnO、Si、SiC、SiGe、またはZrB2の式で表わされる材料を少なくとも表面に有する基板を用いることが好ましい。この場合には、基板1の表面上に、n型窒化物半導体層2との格子不整合を緩和するためのバッファ層を形成した後に、n型窒化物半導体層2、i型窒化物半導体層3、第1のp型窒化物半導体層4および第2のp型窒化物半導体層9を気相成長させることによって結晶欠陥の少ない良好な結晶性を有する半導体積層体12を形成することができる。次に、図4に示すように、基板1の表面上にn型窒化物半導体層2を積層する。n型窒化物半導体層2は、たとえば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などによって積層することができる。n型窒化物半導体層2は、たとえば0.1μm以上4μm以下の厚さで積層することができる。n型窒化物半導体層2としては、たとえば、Alx1Iny1Gaz1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1、x1y1z1≠0の式で表わされる窒化物半導体にn型ドーパントをドープさせたものなどを用いることができる。n型ドーパントとしては、たとえば、シリコンなどを用いることができる。次に、図5に示すように、n型窒化物半導体層2の表面上にi型窒化物半導体層3を積層する。i型窒化物半導体層3は、たとえば、MOCVD法などによって積層することができる。i型窒化物半導体層3は、たとえば0.001μm以上0.3μm以下の厚さで積層することができる。i型窒化物半導体層3としては、たとえば、SQWSingleQuantumWell構造またはMQWMultipleQuantumWell構造を有するものを用いることができる。MQW構造を有するi型窒化物半導体層3としては、たとえば、Alx2Iny2Gaz2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦z2≦1、x2y2z2≠0の式で表わされる窒化物半導体からなる井戸層と、Alx3Iny3Gaz3N0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3y3z3≠0の式で表わされる窒化物半導体からなる障壁層と、が交互に積層されてなるものを用いることができる。なお、井戸層および/または障壁層には、n型ドーパントおよび/またはp型ドーパントがドープされていてもよい。また、井戸層の厚さはたとえば0.001μm以上0.02μm以下とすることができ、障壁層の厚さはたとえば0.001μm以上0.01μm以下とすることができる。次に、図6に示すように、i型窒化物半導体層3の表面上に第1のp型窒化物半導体層4を積層する。第1のp型窒化物半導体層4は、たとえば、MOCVD法などによって積層することができる。第1のp型窒化物半導体層4は、たとえば0.05μm以上4μm以下の厚さで積層することができる。第1のp型窒化物半導体層4としては、たとえば、Alx4Iny4Gaz4N0≦x4≦1、0≦y4≦1、0≦z4≦1、x4y4z4≠0の式で表わされる窒化物半導体にp型ドーパントをドープさせたものなどを用いることができる。なお、p型ドーパントとしては、たとえば、マグネシウムなどを用いることができる。次に、図7に示すように、第1のp型窒化物半導体層4の表面上に断面形状が台形の第2のp型窒化物半導体層9を成長させて凹凸11を形成する。ここで、凹凸11は、たとえば、第1のp型窒化物半導体層4を気相成長させた後に、第1のp型窒化物半導体層4の成長条件第1の成長条件よりもIII族原料ガスの供給量のみを低減した第2の成長条件で第2のp型窒化物半導体層9を気相成長させることによって形成することができる。第2のp型窒化物半導体層9の気相成長用の成長ガスとして、III族原料ガスにトリメチルガリウムTMGを用い、V族原料ガスにアンモニアNH3を用いた場合には、第2の成長条件においては、TMGの供給量Mtに対するNH3の供給量Maの比であるMa/Mtを40000以上100000以下にするとともに、TMGの結晶成長装置内への供給量は0.005slm以下であり、NH3の結晶成長装置内への供給量は10slm以下であり、キャリアガスの結晶成長装置内への供給量は20slm以下であって、TMGとNH3とキャリアガスとの混合ガスを1m/秒以上1.1m/秒以下の流速で結晶成長装置内に供給することが好ましい。この場合には、上記のa~dのすべての条件を満たす第2のp型窒化物半導体層9を有する凹凸11を再現性良く形成することができる傾向にある。なお、TMGの供給量MtおよびNH3の供給量Maは、それぞれ、結晶成長装置内に供給される単位時間当たりのモル数を意味しており、それぞれの供給量の単位は、たとえば、mol/minで表わされる。また、キャリアガスとしては、たとえば、水素、窒素、または水素と窒素との混合ガスなどを用いることができる。また、slmは、1atm、0°Cにおける1分間当たりの流量をリットルで表示した単位である。なお、第2のp型窒化物半導体層9を含む凹凸11の形成方法は上記の方法に限定されないことは言うまでもない。第2のp型窒化物半導体層9としては、たとえば、Alx5Iny5Gaz5N0≦x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1、x5y5z5≠0の式で表わされる窒化物半導体にp型ドーパントをドープさせたものなどを用いることができる。なお、p型ドーパントとしては、たとえば、マグネシウムなどを用いることができる。次に、図8に示すように、第2のp型窒化物半導体層9の表面上に導電層5を形成する。導電層5の形成方法は特に限定されないが、たとえば、マグネトロンスパッタ法などのスパッタ法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法などの方法により形成することができる。導電層5の形成方法としては、なかでも、マグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。マグネトロンスパッタ法を用いて導電層5を形成した場合には、導電層5の第2のp型窒化物半導体層9側とは反対側の表面5aをより平坦にすることができる傾向にある。導電層5としては、導電性を有する材料を用いることができ、導電層5側から光を入射させる場合には入射光を透過させることができる材料を用いることが好ましい。なかでも、導電層5としては、Zn、In、SnおよびMgからなる群から選択される少なくとも1種を含む単層、または単層を複数積層した複数層を用いることが好ましい。この場合には、導電層5を透過する透過光量を増大することができる傾向にある。なお、Znを含む単層としては、たとえば、ZnOにAlがドープされたAZO、およびZnOにGaがドープされたGZOなどが挙げられる。また、Inを含む単層およびSnを含む単層としては、たとえば、InとSnの複合酸化物であるITOIndiumTinOxideなどが挙げられる。また、Mgを含む単層としては、たとえば、炭素CがドープされたMgOH2などが挙げられる。たとえば、AlがドープされたZnOターゲットを用いて、酸素とアルゴンとの分圧O2/Arが3~10の条件でマグネトロンスパッタ法によって形成されたAZOは、導電率および光の透過率に優れた導電層5とすることができる。次に、図9に示すように、n型窒化物半導体層2の表面が露出するまで、n型窒化物半導体層2、i型窒化物半導体層3、第1のp型窒化物半導体層4、第2のp型窒化物半導体層9および導電層5のそれぞれの一部をエッチングにより除去する。その後、図1に示すように、n型窒化物半導体層2の露出した表面および導電層5の表面にそれぞれnパッド電極6およびpパッド電極7を形成することによって実施の形態1の光電変換素子を製造することができる。以上のような実施の形態1の光電変換素子の製造方法によれば、真空チャンバなどの閉鎖系の結晶成長装置から基板1を取り出すことなく、第1のp型窒化物半導体層4および第2のp型窒化物半導体層9を連続して形成することが可能であるため、光電変換素子のタクトタイムおよびコスト等を低減することが可能となる。また、上記の実施の形態1の光電変換素子の製造方法においては、結晶成長装置から基板1を取り出すことなく第1のp型窒化物半導体層4の表面に凹凸11を形成することができるため、結晶成長装置から取り出して外気環境下に置くことによる第1のp型窒化物半導体層4の表面の汚染や基板1の温度低下による反りを抑えることができる。そのため、光電変換素子のF.Fの低下を抑制することができる。また、上記の実施の形態1の光電変換素子の製造方法は、製造時間の短縮にもなるため、生産技術としても優れている。なお、上記においては、半導体積層体12がpin構造体を1つ含む場合について説明したが、半導体積層体12はpin構造体を2つ以上含んでいてもよい。また、上記の各層の間には他の層が含まれていてもよい。たとえば、基板1側から光を入射させる場合には、導電層5の凹凸11側とは反対側の表面に導電層5からの光を反射するための金属層を備えていてもよい。また、たとえば、基板1とn型窒化物半導体層2との間に基板1とn型窒化物半導体層2との格子不整合を緩和するためのバッファ層、n型窒化物半導体層2とi型窒化物半導体層3との間および/またはi型窒化物半導体層3と第1のp型窒化物半導体層4との間および/または第1のp型窒化物半導体層4と第2のp型窒化物半導体層9との間に半導体層間の格子不整合を緩和するためのバッファ層、ならびに第2のp型窒化物半導体層9と導電層5との間のオーミック接触を得るためのコンタクト層などを含んでいてもよい。n型窒化物半導体層2とi型窒化物半導体層3との間のバッファ層としては、たとえば、厚さ2nm未満のInxGa1xNx<0.1からなる井戸層と、厚さ2nm未満のGaNからなる障壁層とが交互に20層ずつ積層されたバッファ層などを用いることができる。なお、バッファ層およびコンタクト層は窒化物半導体以外の半導体からなっていてもよい。また、上記においては、n型とp型の導電型を入れ替えてもよいことは言うまでもない。さらに、1つの光電変換素子のpパッド電極7と他の光電変換素子のnパッド電極6とを電気的に接続して光電変換モジュールを形成してもよい。また、導電層5の表面上にpパッド電極7を形成しない場合には、1つの光電変換素子の導電層5と他の光電変換素子のnパッド電極6とを電気的に接続して光電変換モジュールを形成してもよい。<実施の形態2>図10に、本発明の光電変換素子の他の一例である実施の形態2の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態2の光電変換素子は、n型窒化物半導体層2とi型窒化物半導体層3との間にバッファ層10が形成されているとともに、p型窒化物半導体層4の導電層5側の表面に基板1側からの入射光が多重反射される凹凸11が形成されていることを特徴としている。実施の形態2の光電変換素子において、基板1側から光が入射された場合には、基板1側から入射してi型窒化物半導体層3およびp型窒化物半導体層4を透過した光を凹凸11で多重反射させることができる。これにより、導電層5側に進行する光の少なくとも一部を第1のp型窒化物半導体層4側に戻してi型窒化物半導体層3内に入射させることができ、i型窒化物半導体層3内での光路長を増加させることができるため、i型窒化物半導体層3での光吸収により発生するフォトキャリアを従来よりも増加させることができる。その結果、高い光電変換効率等の優れた特性を有する光電変換素子を得ることができる。ここで、p型窒化物半導体層4の凹凸11を有する表面の表面粗さRMSが0.01μm以上0.02μm以下であることが好ましい。この場合には、p型窒化物半導体層4の凹凸11が光閉じ込め効果を有するのに効果的な凹凸となるため、光電変換素子の凹凸形状として特に好ましくなる傾向にある。なお、p型窒化物半導体層4の凹凸11を有する表面の表面粗さRMSは、p型窒化物半導体層4の当該表面における1辺40μmの任意の正方形の領域を原子間力顕微鏡を用いて測定することにより算出することができる。また、p型窒化物半導体層4の凹凸11を有する表面の高低差凹凸11の最高点と最低点との間の高さ方向の差は、0.5μm以上3μm以下であることが好ましく、1μm以上3μm以下であることがより好ましい。上記の高低差が0.5μm以上3μm以下である場合には、0.5μm以下の短波長領域の光に対する光閉じ込めに有効であるとともに、p型窒化物半導体層4の段差部分の被膜状態が悪くなることに起因する光電変換素子の特性の低下を抑制することができる。また、上記の高低差が1μm以上3μm以下である場合には、p型窒化物半導体層4の表面のステップカバレッジに優れることから、光電変換素子のF.Fの低下を抑制することができる。また、この場合には、凹凸11の凹部を起点としたp型窒化物半導体層4の欠陥の発生も抑制することができるため、光電変換素子の開放電圧の低下が起こりにくくなる傾向にある。上記の高低差の測定手法は、特に限定されるものではないが、たとえば、原子間力顕微鏡を用いた測定または接触式段差測定器を用いた測定などを挙げることができる。以下、図11~図19の模式的断面図を参照して、実施の形態2の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。まず、図11に示すように、基板1を用意する。次に、図12に示すように、基板1上にn型窒化物半導体層2を積層する。ここで、n型窒化物半導体層2は、MOCVD装置などの結晶成長装置内に、少なくともIII族原料ガスとV族原料ガスとを供給することによって基板1上に気相成長させて積層することができる。図12に示す例においては、まず、第1の成長条件として、III族原料ガスの供給量に対するV族原料ガスの供給量の比V族原料ガスの供給量/III族原料ガスの供給量以下、V/IIIガス供給量比という。を2000以上2100以下とした条件で、基板1上に第1のn型窒化物半導体層2aを気相成長させる。V族原料ガスとしては、たとえばNH3を用いることができ、III族原料ガスとしては、たとえばTMGを用いることができる。次に、第2の成長条件として、V/IIIガス供給量比を3830以上4230以下とした条件で、第1のn型窒化物半導体層2a上に第2のn型窒化物半導体層2bを気相成長させる。このように、V/IIIガス供給量比を2000以上2100以下とした第1の成長条件で基板1上に第1のn型窒化物半導体層2aを気相成長させ、その後、V/IIIガス供給量比を3830以上4230以下とした第2の成長条件で第1のn型窒化物半導体層2a上に第2のn型窒化物半導体層2bを気相成長させてn型窒化物半導体層2を積層することによって、半導体積層体12から導電層5側に進行する光の多重反射を促進して半導体積層体12内における光閉じ込めを効果的に行なうことができる凹凸11を容易に形成することができる傾向にある。n型窒化物半導体層2の気相成長中にV/IIIガス供給量比を変更することにより、n型窒化物半導体層2の表面が平面が段差を有して重なる構造となって、n型窒化物半導体層2上に積層されるp型窒化物半導体層4の表面が荒れることなく凹凸11が形成される効果があると考えられる。p型窒化物半導体層4の表面がこのような凹凸11を有する場合には、p型窒化物半導体層4と導電層5の密着性を向上して漏れ電流を抑止することができる。そのため、光電変換素子のF.Fの低下を抑制し、光電変換素子のp型窒化物半導体層4の表面の凹凸形状として特に好ましくなるものと考えられる。第1のn型窒化物半導体層2aと第2のn型窒化物半導体層2bとの界面2cが、n型窒化物半導体層2の総厚Tの20以上80以下の範囲内に位置することが好ましい。この場合には、p型窒化物半導体層4の凹凸11が光閉じ込め効果を有するのに効果的な凹凸となるため、高い光電変換効率等の優れた特性を有する光電変換素子を得ることができる傾向にある。なお、図12に示す例においては、第1の成長条件として、V/IIIガス供給量比を2100にして第1のn型窒化物半導体層2aを1.2μmの厚さに気相成長させた後、III族原料ガスの供給量を減少させ、V/IIIガス供給量比を4200にして第2のn型窒化物半導体層2bを0.3μmの厚さに気相成長させている。したがって、この例においては、n型窒化物半導体層2の総厚Tの80の領域を、V/IIIガス供給量比を2100にして成長させ、残る20の領域を、V/IIIガス供給量比を4200にして気相成長させている。なお、V/IIIガス供給量比におけるV族原料ガスの供給量およびIII族原料ガスの供給量は、それぞれ、結晶成長装置内に供給される単位時間当たりのモル数を意味しており、それぞれの供給量の単位は、たとえば、mol/minで表わされる。図13に、基板1上にn型窒化物半導体層2を積層する工程の他の一例を図解する模式的な断面図を示す。図13に示す例においては、第1の成長条件として、V/IIIガス供給量比を2100にして第1のn型窒化物半導体層2aを0.75μmの厚さに気相成長させた後、III族原料ガスの供給量を減少させ、V/IIIガス供給量比を4200にして第2のn型窒化物半導体層2bを0.75μmの厚さに気相成長させている。したがって、この例においては、n型窒化物半導体層2の総厚Tの50の領域を、V/IIIガス供給量比を2100にして成長させ、残る50の領域を、V/IIIガス供給量比を4200にして気相成長させている。図14に、基板1上にn型窒化物半導体層2を積層する工程の他の一例を図解する模式的な断面図を示す。図14に示す例においては、第1の成長条件として、V/IIIガス供給量比を2100にして第1のn型窒化物半導体層2aを0.3μmの厚さに気相成長させた後、III族原料ガスの供給量を減少させ、V/IIIガス供給量比を4200にして第2のn型窒化物半導体層2bを1.2μmの厚さに気相成長させている。したがって、この例においては、n型窒化物半導体層2の総厚Tの20の領域を、V/IIIガス供給量比を2100にして成長させ、残る80の領域を、V/IIIガス供給量比を4200にして気相成長させている。次に、図15に示すように、n型窒化物半導体層2上にバッファ層10を積層する。バッファ層10は、たとえばMOCVD法などによってn型窒化物半導体層2上に気相成長する。バッファ層10は、n型窒化物半導体層2とi型窒化物半導体層3との間の格子不接合を緩和するために設けられる。バッファ層10としては、たとえば、厚さ2nm未満のInxGa1xNx<0.1からなる井戸層と、厚さ2nm未満のGaNからなる障壁層とが交互に20層ずつ積層されたバッファ層などを用いることができる。次に、図16に示すように、バッファ層10の表面上にi型窒化物半導体層3を積層する。その後、図17に示すように、i型窒化物半導体層3の表面上に、凹凸11を表面に有するp型窒化物半導体層4を積層する。i型窒化物半導体層3およびp型窒化物半導体層4は、それぞれ、たとえばMOCVD法などによって気相成長させることにより形成することができる。次に、図18に示すように、p型窒化物半導体層4の表面上に導電層5を形成する。その後、図19に示すように、導電層5、p型窒化物半導体層4、i型窒化物半導体層3およびバッファ層10のそれぞれの一部をエッチングにより除去することによってn型窒化物半導体層2の表面を露出させる。その後、図10に示すように、n型窒化物半導体層2の露出した表面および導電層5の表面にそれぞれnパッド電極6およびpパッド電極7を形成することによって実施の形態2の光電変換素子を製造することができる。以上のような実施の形態2の光電変換素子の製造方法によれば、真空チャンバなどの閉鎖系の結晶成長装置内から基板1を取り出すことなく、p型窒化物半導体層4の表面の凹凸11を形成することが可能となる。そのため、別の加工工程を設けてp型窒化物半導体層4の表面に凹凸11を形成する必要がないことから、p型窒化物半導体層4の表面の汚染および加工過程でのダメージの発生を防止することができる。したがって、光電変換素子のF.Fの低下を抑制することができる。また、上記の実施の形態2の光電変換素子の製造方法は、光電変換素子の製造時間の短縮にもなるため、生産技術としても優れている。本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、その説明については省略する。<実施例1>まず、サファイア基板のc面上にノンドープGaNからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板を用意した。そして、MOCVD装置内にテンプレート基板を設置し、テンプレート基板を1100°C~1120°Cまで加熱し、その状態でテンプレート基板の表面上に、厚さ1.5μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層をMOCVD法により気相成長させた。ここで、n型窒化物半導体層は、Siが2×1018個/cm3の濃度でドープされたn型GaN層であった。次に、テンプレート基板の温度を750°C~800°Cまで低下させた後、n型窒化物半導体層の表面上に、厚さ3.5nmのIn02Ga08Nからなる井戸層と、厚さ6nmのGaNからなる障壁層とを交互に6層ずつ積層したMQW構造を有するi型窒化物半導体層をMOCVD法により気相成長させた。次に、テンプレート基板の温度を1000°C~1070°Cまで上昇させた後、i型窒化物半導体層の表面上に、厚さ0.05μmのp型GaN層からなる第1のp型窒化物半導体層をMOCVD法により気相成長させた。ここで、第1のp型窒化物半導体層の気相成長条件は、III族原料ガスとして供給量Mtが125μmol/minのTMGを用い、V族原料ガスとして供給量Maが270mmol/minのNH3を用いて、p型不純物ガスとして供給量が0.26μmol/minの供給量のCP2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムを用いた。そして、これらのガスをそれぞれMOCVD装置の製膜室内に1.1m/秒以下の流速で供給する条件Ma/Mt=280000で供給した。これにより、Mgが4×1019個/cm3の濃度でドープされたp型GaN層からなる第1のp型窒化物半導体層を気相成長させた。次に、第1のp型窒化物半導体層の形成後のテンプレート基板の温度を保持した状態で、TMGの供給量Mtのみを125μmol/minから6μmol/minまで減少させたMa/Mt=45000。これにより、断面形状が台形の凸部であるp型GaNからなる第2のp型窒化物半導体層を第1のp型窒化物半導体層の表面上に成長させて凹凸を形成した。なお、第2のp型窒化物半導体層の成長時のTMGの製膜室内への供給量は0.005slm以下であり、NH3の製膜室内への供給量は10slm以下であり、キャリアガスの製膜室内への供給量は20slm以下であって、TMGとNH3とキャリアガスとの混合ガスを1m/秒以上1.1m/秒以下の流速で製膜室内に供給した。図20に、第1のp型窒化物半導体層の表面上に成長した第2のp型窒化物半導体層の断面のSEM写真を示す。断面形状が台形の凸部であるp型GaNからなる第2のp型窒化物半導体層の表面の凹凸は{11-22}ファセット面を有していた。また、第2のp型窒化物半導体層の凸部の断面形状である台形の上底の長さは0.3~0.7μmであり、下底の長さは1μm~1.7μmであって、高さは1μm~1.2μmであった。また、第2のp型窒化物半導体層の凸部の断面形状である台形の上底の長さは下底の長さよりも短かった。次に、第2のp型窒化物半導体層の成長後のテンプレート基板をアニール炉内に設置して、第1のp型窒化物半導体層および第2のp型窒化物半導体層の熱処理を行なった。熱処理は、800°Cの窒素雰囲気中に第2のp型窒化物半導体層の成長後のテンプレート基板を5分間保持することにより行なった。次に、熱処理後のテンプレート基板をアニール炉から取り出し、テンプレート基板およびAl濃度が2原子でドープされたZnOターゲットをマグネトロンスパッタ装置内に設置した。そして、テンプレート基板の温度を180°Cまで上昇させた後、マグネトロンスパッタ装置内に酸素とアルゴンとの分圧O2/Arが3.8となるように酸素とアルゴンとを導入した。そして、上記のターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法によって、第2のp型窒化物半導体層の表面上に厚さ0.32μmのAZOからなる導電層を形成した。なお、AZOからなる導電層の屈折率は2.0であり、第2のp型窒化物半導体層の屈折率は2.3であるため、AZOからなる導電層は、第2のp型窒化物半導体層よりも小さい屈折率を有していた。次に、テンプレート基板をマグネトロンスパッタ装置から取り出し、アニール炉内に設置して、導電層の結晶性、導電層と第2のp型窒化物半導体層との密着性、および導電層と第2のp型窒化物半導体層とのコンタクト性の向上を図ることを目的として、導電層の熱処理を行なった。熱処理は、600°Cの酸素分圧2の真空雰囲気中に導電層形成後のテンプレート基板を10分間保持することにより行なった。次に、熱処理後のテンプレート基板をアニール炉から取り出し、導電層の表面上に所定の形状のマスクを設置してエッチング装置内に設置した。エッチング装置において、マスクの上方から、導電層、第2のp型窒化物半導体層、第1のp型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの一部をエッチングしてn型窒化物半導体層の表面を露出させた。次に、エッチング後のテンプレート基板をエッチング装置から取り出し、導電層の表面およびn型窒化物半導体層の露出した表面にそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストマスクを形成した後に真空蒸着装置内に設置した。そして、レジストマスクが形成された導電層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの表面上に、Ni膜、Pt膜およびAu膜をこの順序で堆積した後にリフトオフによりレジストマスクを除去した。これにより、導電層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの表面上に、Ni膜、Pt膜およびAu膜がこの順序で積層されたpパッド電極およびnパッド電極が形成された。その後、pパッド電極およびnパッド電極の形成後のテンプレート基板を真空蒸着装置から取り出し、ランプアニール装置内に設置した。そして、ランプアニール装置でpパッド電極およびnパッド電極を400°C~600°Cで熱処理を行ない、テンプレート基板を所定の箇所で分割することによって、実施例1の光電変換素子を得た。実施例1の光電変換素子の導電層の第2のp型窒化物半導体層側と反対側の表面の表面粗さRMSを測定したところ、0.004μmであった。なお、表面粗さRMSは、実施例1の光電変換素子の導電層の第2のp型窒化物半導体層側と反対側の表面における1辺40μmの任意の正方形の領域を原子間力顕微鏡を用いて測定することにより算出した。実施例1の光電変換素子のpパッド電極およびnパッド電極をそれぞれ、金線でリードフレームに電気的に接続し、リードフレームの正極と負極にそれぞれプローブを接触して電流および電圧測定用の回路を形成した。そして、ソーラシミュレータを用いてAM1.5の擬似太陽光を100mW/cm2のエネルギ密度で25°Cのもとで導電層側から照射することによって実施例1の光電変換素子のI-V曲線を求め、そのI-V曲線から実施例1の光電変換素子の開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子F.Fおよび光電変換効率Effを算出した。その結果、実施例1の光電変換素子のVocは1.84Vであり、Jscは1.36mA/cm2であり、F.Fは0.52であり、Effは1.3であった。<比較例1>第1のp型窒化物半導体層の表面上に第2のp型窒化物半導体層を成長させなかったこと以外は実施例1と同様にして比較例1の光電変換素子を作製した。そして、実施例1と同様にして、比較例1の光電変換素子のVoc、Jsc、F.FおよびEffを算出した。その結果、比較例1の光電変換素子のVocは1.80Vであり、Jscは0.99mA/cm2であり、F.Fは0.47であり、Effは0.84であった。<分析>上記のとおり、実施例1の光電変換素子は、比較例1の光電変換素子と比べて、Voc、Jsc、F.FおよびEffのすべての点で優れていた。これは、実施例1の光電変換素子は、第2のp型窒化物半導体層側から導電層側に進行する光を第2のp型窒化物半導体層の凹凸表面で多重反射させることによって、i型窒化物半導体層内により多くの光を閉じ込めることができたことが大きな要因の1つであると考えられる。<実施例2>まず、サファイア基板のc面上にノンドープGaNからなるバッファ層が形成されたテンプレート基板を用意した。そして、MOCVD装置内にテンプレート基板を設置し、テンプレート基板を1100°C~1120°Cまで加熱し、その状態でテンプレート基板の表面上に、n型GaN層からなる第1のn型窒化物半導体層Siドープ濃度:2×1018個/cm3をMOCVD法により気相成長させた。ここで、III族原料ガスとして270mmolミリモルのNH3を供給するとともに、V族原料ガスとして125μmolマイクロモルのTMGを供給し、さらにSiH4からなるドーピングガスと、キャリアガスと、を供給して、厚さ1.2μmの第1のn型窒化物半導体層を成長させた。第1のn型窒化物半導体層の成長時におけるV/IIIガス供給量比は2100であった。次に、TMGの供給量を62μmolまで減少させることによりV/IIIガス供給量比を4200にして、第1のn型窒化物半導体層の表面上に厚さ0.3μmのn型GaN層からなる第2のn型窒化物半導体層Siドープ濃度:2×1018個/cm3を成長させて、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との積層体からなるn型窒化物半導体層を成長させた。これにより、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との界面が、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との積層体の総厚の80に位置するn型窒化物半導体層を成長させた。次に、テンプレート基板の温度を750°C~800°Cまで降温させ、そのテンプレート基板の温度状態でn型窒化物半導体層の表面上に、厚さ3.5nmのIn011Ga079Nからなる井戸層と、厚さ6nmのGaNからなる障壁層と、が交互に6層積層されたMQW構造を有するi型窒化物半導体層を成長させた。次に、テンプレート基板の温度を1000°C~1070°Cまで昇温し、i型窒化物半導体層の表面上に、Mgが4×1019個cm3でドープされたp型GaNからなる厚さ0.05μmのp型窒化物半導体層を成長させた。次に、p型窒化物半導体層の成長後のテンプレート基板をアニール炉内に設置して、p型窒化物半導体層の熱処理を行なった。熱処理は、800°Cの窒素雰囲気中にp型窒化物半導体層の成長後のテンプレート基板を5分間保持することにより行なった。次に、熱処理後のテンプレート基板をアニール炉から取り出し、テンプレート基板およびAl濃度が2原子でドープされたZnOターゲットをマグネトロンスパッタ装置内に設置した。そして、テンプレート基板の温度を180°Cまで上昇させた後、マグネトロンスパッタ装置内に酸素とアルゴンとの分圧O2/Arが3.8となるように酸素とアルゴンとを導入した。そして、上記のターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法によって、p型窒化物半導体層の表面上に厚さ0.32μmのAZOからなる導電層を形成した。なお、AZOからなる導電層の屈折率は2.0であり、p型窒化物半導体層の屈折率は2.3であるため、AZOからなる導電層は、p型窒化物半導体層よりも小さい屈折率を有していた。次に、テンプレート基板をマグネトロンスパッタ装置から取り出し、アニール炉内に設置して、導電層の結晶性、導電層とp型窒化物半導体層との密着性、および導電層とp型窒化物半導体層とのコンタクト性の向上を図ることを目的として、導電層の熱処理を行なった。熱処理は、600°Cの酸素分圧2の真空雰囲気中に導電層形成後のテンプレート基板を10分間保持することにより行なった。次に、熱処理後のテンプレート基板をアニール炉から取り出し、導電層の表面上に所定の形状のマスクを設置してエッチング装置内に設置した。エッチング装置において、マスクの上方から、導電層、p型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの一部をエッチングしてn型窒化物半導体層の表面を露出させた。次に、エッチング後のテンプレート基板をエッチング装置から取り出し、導電層の表面およびn型窒化物半導体層の露出した表面にそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストマスクを形成した後に真空蒸着装置内に設置した。そして、レジストマスクが形成された導電層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの表面上に、Ni膜、Pt膜およびAu膜をこの順序で堆積した後にリフトオフによりレジストマスクを除去した。これにより、導電層およびn型窒化物半導体層のそれぞれの表面上に、Ni膜、Pt膜およびAu膜がこの順序で積層されたpパッド電極およびnパッド電極が形成された。その後、pパッド電極およびnパッド電極の形成後のテンプレート基板を真空蒸着装置から取り出し、ランプアニール装置内に設置した。そして、ランプアニール装置でpパッド電極およびnパッド電極を400°C~600°Cで熱処理を行ない、テンプレート基板を所定の箇所で分割することによって、実施例2の光電変換素子を得た。<実施例3>V/IIIガス供給量比を2100にして厚さ0.75μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる第1のn型窒化物半導体層を気相成長させた後、V/IIIガス供給量比を4200にして厚さ0.75μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる第2のn型窒化物半導体層を気相成長させて、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との界面が、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との積層体の総厚の50に位置するn型窒化物半導体層を成長させたこと以外は上記と同様にして実施例3の光電変換素子を得た。<実施例4>V/IIIガス供給量比を2100にして厚さ0.3μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる第1のn型窒化物半導体層を気相成長させた後、V/IIIガス供給量比を4200にして厚さ1.2μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる第2のn型窒化物半導体層を気相成長させて、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との界面が、第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との積層体の総厚の20に位置するn型窒化物半導体層を成長させたこと以外は上記と同様にして実施例4の光電変換素子を得た。実施例2~4の光電変換素子のp型窒化物半導体層の凹凸を有する表面の表面粗さRMSは0.015μmであった。なお、表面粗さRMSは、実施例2~4の光電変換素子のp型窒化物半導体層の凹凸を有する表面における1辺40μmの任意の正方形の領域を原子間力顕微鏡を用いて測定することにより算出した。また、実施例2~4の光電変換素子の導電層のp型窒化物半導体層側と反対側の表面の表面粗さRMSを測定したところ、0.004μmであった。なお、表面粗さRMSは、実施例2~4の光電変換素子の導電層の第2のp型窒化物半導体層側と反対側の表面における1辺40μmの任意の正方形の領域を原子間力顕微鏡を用いて測定することにより算出した。実施例2~4の光電変換素子のpパッド電極およびnパッド電極をそれぞれ、金線でリードフレームに電気的に接続し、リードフレームの正極と負極にそれぞれプローブを接触して電流および電圧測定用の回路を形成した。そして、ソーラシミュレータを用いてAM1.5の擬似太陽光を100mW/cm2のエネルギ密度で25°Cのもとで導電層側から照射することによって実施例2~4の光電変換素子のI-V曲線を求め、そのI-V曲線から実施例2~4の光電変換素子のVoc、Jsc、F.FおよびEffを算出した。その結果、実施例2~4の光電変換素子のVocは1.63Vであり、Jscは1.14mA/cm2であり、F.Fは0.52であり、Effは0.97であった。<比較例2>第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との2層からなるn型窒化物半導体層の代わりに、V/IIIガス供給量比を2100にして、厚さ1.5μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる1層のn型窒化物半導体層を形成したこと以外は実施例2~4の光電変換素子と同様にして比較例2の光電変換素子を作製した。そして、実施例2~4の光電変換素子と同様にして、比較例2の光電変換素子のVoc、Jsc、F.FおよびEffを算出した。その結果、比較例2の光電変換素子のVocは1.59Vであり、Jscは0.84mA/cm2であり、F.Fは0.47であり、Effは0.63であった。<比較例3>第1のn型窒化物半導体層と第2のn型窒化物半導体層との2層からなるn型窒化物半導体層の代わりに、V/IIIガス供給量比を4300にして、厚さ1.5μmのn型GaN層Siドープ濃度:2×1018個/cm3からなる1層のn型窒化物半導体層を形成したこと以外は実施例2~4の光電変換素子と同様にして比較例3の光電変換素子を作製した。そして、実施例2~4の光電変換素子と同様にして、比較例3の光電変換素子のVoc、Jsc、F.FおよびEffを算出した。その結果、比較例3の光電変換素子のVocは1.09Vであり、Jscは0.55mA/cm2であり、F.Fは0.36であり、Effは0.22であった。<分析>上記のとおり、実施例2~4の光電変換素子は、比較例2および3の光電変換素子と比べて、Voc、Jsc、F.FおよびEffのすべての点で優れていた。これは、実施例2~4の光電変換素子は、p型窒化物半導体層側から導電層側に進行する光をp型窒化物半導体層の凹凸表面で多重反射させることによって、i型窒化物半導体層内により多くの光を閉じ込めることができたことが大きな要因の1つであると考えられる。図21に、実施例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面の拡大写真を示す。この拡大写真は、実施例2の光電変換素子の作製途中でp型窒化物半導体層の表面を光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で取得したものである。図21に示す拡大写真を分析した結果、実施例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面は、粒径が0.05μm~0.1μmの鱗状の粒状の凹凸により形成されていることが確認された。また、実施例3および4の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面についても同様の観測をしたところ、実施例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面と同様の凹凸が形成されていることが確認された。図22に、比較例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面の拡大写真を示す。この拡大写真は、比較例2の光電変換素子の作製途中でp型窒化物半導体層の表面を光学顕微鏡を用いて100倍の倍率で取得したものである。図22に示す拡大写真を分析した結果、比較例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の表面には鋭角な凹凸が形成されていた。したがって、以上の結果から、実施例2~4の光電変換素子のp型窒化物半導体層の凹凸表面は、比較例2の光電変換素子のp型窒化物半導体層の凹凸表面と比べて、光閉じ込め効果に優れていると考えられる。また、図23aに実施例2の光電変換素子のi型窒化物半導体層のX線回折法による2θωスキャン測定結果を示し、図23bに比較例2の光電変換素子のi型窒化物半導体層のX線回折法による2θωスキャン測定結果を示す。図23aおよび図23bは、それぞれ、実施例2および比較例2と同様にして作製したi型窒化物半導体層についてX線回折法による測定を行なって取得された2θωスキャン測定結果である。図23aと図23bとの比較から明らかなように、実施例2の光電変換素子のi型窒化物半導体層は、比較例2の光電変換素子のi型窒化物半導体層と比べて、井戸層と障壁層との周期性が保たれていることが確認された。なお、井戸層と障壁層との繰り返し構造を有するi型窒化物半導体層にX線を入射した場合には、井戸層と障壁層との界面で干渉が起こるため、井戸層と障壁層との周期性が確保されているかどうかを確認することができる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。