"シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する表面を有する半導体基板を処理する方法であって、処理チャンバ内に前記基板を配設するステップと、窒素含有ラジカルを含む混合ガスを前記処理チャンバに供給するステップと、処理チャンバに混合ガスを供給する前に、混合ガスからイオンを除去するステップと、前記基板を前記混合ガスに曝露するステップと、前記基板の前記シリコン領域中に窒素を選択的に組み込むステップを含む、方法。前記基板の前記シリコン領域中に窒素を選択的に組み込む前記ステップは、約300°C~約1,200°Cまで前記基板を加熱するステップを含む、請求項1に記載の方法。窒素含有ラジカルを含む混合ガスを前記処理チャンバに供給する前記ステップは、少なくとも5トールの圧力にて窒素含有ガスからプラズマを形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。窒素含有ラジカルを含む混合ガスを前記処理チャンバに供給する前記ステップは、窒素含有ガスからプラズマを形成するステップと、前記プラズマからイオンをフィルタリングするステップを含む、請求項1に記載の方法。窒素含有ラジカルを含む混合ガスを前記処理チャンバに供給する前記ステップは、窒素含有ガスからin-situプラズマを形成するステップと、イオンシールドを使用して前記プラズマからイオンをフィルタリングするステップを含む、請求項1に記載の方法。前記基板の前記シリコン領域中に窒素を選択的に組み込む前記ステップは、低温で第1の窒化物領域を形成し、次いで高温で第2の窒化物領域を形成するステップを含む、請求項2に記載の方法。前記基板の表面中に放散バリアを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板が前記混合ガスに曝露される際に、前記基板の温度を上昇させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。半導体領域および誘電体領域を有する基板を選択的に窒化する方法であって、窒素含有前駆体ガスからラジカルガスを形成するステップと、ラジカルガスからイオンを除去するステップと、約300°C~約1200°Cの温度にて前記ラジカルガスに前記基板を曝露するステップを含む、方法。前記ラジカルガスに前記基板を曝露する前記ステップは、前記基板表面中に放散バリアを形成するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記ラジカルガスを形成する前記ステップは、遠隔チャンバ内の前記窒素含有前駆体ガスにマイクロ波電力を印加するステップを含む、請求項9に記載の方法。前記ラジカルガスに前記基板を曝露する前記ステップは、前記基板を回転させつつ、前記基板表面全体にわたり前記ラジカルガスを流すステップを含む、請求項9に記載の方法。前記窒素含有前駆体ガスは、窒素ガス、アンモニア、またはそれらの組合せを含む、請求項9に記載の方法。前記ラジカルガスを形成する前記ステップは、前記窒素含有前駆体ガスにマイクロ波電力を印加するステップを含む、請求項13に記載の方法。前記窒素含有前駆体ガスは、ヘリウムをさらに含む、請求項14に記載の方法。フローティングゲートNANDフラッシュデバイスを形成する方法であって、シリコン基板上に酸化ケイ素絶縁構造体を形成するステップと、前記絶縁構造体上に主にシリコンからなるフローティングゲートを形成するステップと、前記フローティングゲートに窒素ラジカルを選択的に添加することにより、前記フローティングゲートを覆う窒化物層を形成するステップと、前記窒化物層および前記絶縁構造体を覆う誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層を覆う制御ゲートを形成するステップを含む、方法。前記フローティングゲートは、多結晶シリコンであり、前記フローティングゲートに窒素ラジカルを選択的に添加する前記ステップは、前記基板を収容している処理チャンバ内に窒素ラジカルを流入させるステップと、前記基板を加熱するステップを含む、請求項16に記載の方法。前記フローティングゲートに窒素ラジカルを選択的に添加する前記ステップは、シリコン-酸素結合エネルギーよりも低いエネルギーを有する窒素ラジカルを供給するステップを含む、請求項16に記載の方法。前記フローティングゲートに窒素ラジカルを選択的に添加する前記ステップは、マイクロ波電力またはRF電力に窒素含有前駆体ガスを曝露して、活性された前駆体ガスを形成するステップと、少なくとも約5トールの圧力にて、前記基板を収容している処理チャンバ内に前記活性された前駆体ガスを流入させるステップと、前記基板を加熱することにより、前記フローティングゲート中における前記窒素ラジカルの可溶性を上昇させるステップと、前記基板を回転させるステップを含む、請求項16に記載の方法。前記フローティングゲートに窒素ラジカルを選択的に添加する前記ステップは、窒素ラジカルに前記基板を曝露させつつ、前記基板の温度を上昇させるステップを含む、請求項16に記載の方法。理解を容易にするために、可能な場合には、同一の参照数字を使用して、図面間で共通の同一要素を示している。一実施形態において開示される要素は、具体的な説明を伴わずに他の実施形態において有利に使用し得るものと想定する。図1は、一実施形態によるFGNANDフラッシュメモリデバイス100の概略断面図である。このデバイス100は、半導体素子領域102、絶縁領域104、フローティングゲート106、および制御ゲート108を有する。フローティングゲート106は、フローティングゲート106のフィールド表面112および側壁表面114の上に形成された第1の誘電体層110と、第1の誘電体層110の上に形成された第2の誘電体層118とを有する。絶縁領域104は、典型的には誘電体材料である。一実施形態においては、フローティングゲート106は、多結晶シリコンを含む。別の実施形態においては、絶縁領域104は、酸化ケイ素を含む。フローティングゲート106のフィールド表面112および側壁表面114の上に形成された第1の誘電体層110は、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などの窒化物層であってもよい。第2の誘電体層118は、酸化物-窒化物-酸化物層であってもよい。一実施形態においては、この窒化物層は、フローティングゲート106のフィールド表面112および側壁表面114ならびに絶縁領域104の上面116を選択的プラズマ窒化プロセスに曝露することによって形成されてもよい。一般的には、選択的プラズマ窒化プロセスは、酸化ケイ素の窒化物よりも速くシリコンの窒化物を形成する。一実施形態においては、選択的プラズマ窒化プロセスは、窒素含有ラジカルを形成することと、上述のシリコン表面および酸化ケイ素表面をこの窒素含有ラジカルに曝露することとを含む。窒素含有ラジカルは、Si-Si結合エネルギーが比較的低いSi-O結合の799kJ/molに対して326kJ/molことにより、シリコンと優先的に反応してSi-N結合を選択的に形成する。イオンは、ラジカルに比べておよび上記の結合エネルギーに比べて、高い化学的活性を有しN2の第1のイオン化エネルギー=1402kJ/mol、N2の原子化エネルギー=473kJ/mol、それにより、イオンは、ラジカルの選択性を実現しないため、ラジカルが好ましい。所与の堆積プロセス後のシリコン中の窒素濃度を酸化物中の窒素濃度で除算したものとして定義される選択性は、例えば約40:1など、約20:1~約70:1などの、約10:1~約100:1であってもよい。曝露時間がより長いほど、選択性がより高まる。N、NH、およびNH2などの窒素含有ラジカルは、複数の方法により優先的に発生させ得る。イオン密度に対して高いラジカル密度を達成するには、例えば約5トール超の圧力を利用した高圧プラズマプロセスを利用してもよい。高圧により、イオンは、電子と迅速に再結合するように促され、それにより中性ラジカル種および不活性種が残る。いくつかの実施形態においては、ラジカルガスが形成される。いくつかの実施形態においては、遠隔プラズマを使用して、様々な方法によりラジカル種を選択的に発生させてもよい。例えばマイクロ波チャンバ、RFチャンバ、または熱チャンバなどの、遠隔プラズマジェネレータは、比較的長い経路により処理チャンバに連結されることにより、チャンバとの反応前に、その経路に沿ってイオン種の再結合を促進することができ。ラジカルは、いくつかの実施形態においてはシャワーヘッドもしくはラジカル分配器を介して、またはチャンバの側壁中の進入口を通り、例えば約10sLmなど、約5sLm~約20sLmなどの、約1sLm~約20sLmの流量でチャンバ内に流入してもよい。窒素ラジカルは、一実施形態においては、ヘリウムなどのキャリアガスと任意に組み合わされた、窒素、アンモニア、またはそれらの混合気などの窒素含有ガスを、約5トール超の圧力にて約1~3kWのマイクロ波電力に曝露させることにより、形成されてもよい。窒素ラジカルは、約1トール~約5トールの圧力にて作動する処理チャンバ内に流入して、基板を処理してもよい。他の実施形態においては、例えば約200VRFまたはDCのバイアスで作動される静電フィルタ、ワイヤフィルタもしくはメッシュフィルタ、または磁気フィルタなどのこれらはいずれも誘電体コーティングを有してもよい、様々なイオンフィルタが使用されてもよい。他の実施形態においては、窒素含有種などの反応種のガス流またはアルゴンもしくはヘリウムなどの非反応種のガス流を使用して、遠隔プラズマジェネレータ内における滞留時間を変調してもよい。いくつかの実施形態においては、低圧イオン発生と共にイオンフィルタを使用することにより、ラジカル半減期を拡張してもよい。2つのチャンバ間の経路を密封するためにOリングを使用せずに、処理チャンバを遠隔プラズマチャンバと統合することにより、低圧作動を助長してもよい。成形コネクタを使用して流量パターンの詳細な制御を実現することにより、遠隔プラズマ発生チャンバから処理チャンバ内へのラジカル流の均一性を向上させてもよい。遠隔発生される窒素含有ラジカルは、窒素ラジカルが基板支持体の上に配設された基板全体にわたり流れるように、基板支持体に隣接する入口を通して回転基板支持体を有するチャンバに供給されてもよい。基板支持体を回転させることにより、窒素含有ラジカルに対する基板の均一な曝露が確保される。基板を加熱することにより、固体基板材料中の窒素ラジカルの可溶性が上昇して、窒素含有ラジカルの基板表面への浸透が、例えば約35Åなど、約25Å~約50Åなどの、約20Å~約100Åの深さまで促進される。シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する表面を有する基板に対して、本明細書において説明する方法を実施する一実施形態においては、シリコン領域中に得られる窒素量は、典型的には、例えば約15×1015atoms/cm2など、約10×1015atoms/cm2~約20×1015atoms/cm2などの、約5×1015atoms/cm2~約25×1015atoms/cm2である。多数の実施形態において、窒化プロセスは、例えば約800°C~1000°Cなど、約300°C~約1200°Cの基板温度で実施されるが、これらの温度は、表面飽和を抑制するために、窒化の進行につれて上昇されてもよい。窒化が進み、基板中における窒素の濃度が上昇すると、窒素の表面堆積の傾向がより高まる。表面堆積は、表面中に窒素が浸透し得る部位をブロックする傾向がある。基板の温度を上昇させることにより、表面に堆積した種が揮発され、それによりその部位が再び窒化にさらされる。したがって、基板が窒素ラジカルに曝露される際に、基板の温度を上昇させて、表面に堆積した窒素を揮発させ、基板中への窒素の浸透を高めてもよい。さらに、例えば第1のステップが約400°Cの低温で実施されることにより、第1の窒化物領域が形成され、第2のステップが約800°C以上の比較的高温で実施されることにより、第1の窒化物領域を包囲し得る、または第1の窒化物領域の上または下に位置し得る第2の窒化物領域が形成されて、主体となるデバイスの適切な配向を実現するなど、複数ステップによる窒化プロセスが実施されてもよい。より低温で形成される第1の窒化物領域は、より高温における基板からのドーパントの喪失を防止するための放散バリアとしての役割を果たすことができる。加熱は、ランプ加熱の利用、レーザ加熱の利用、加熱された基板支持体の使用、またはプラズマ加熱によって実施されてもよい。窒化は、熱的手段のみにより、プラズマ手段のみにより、またはそれら2つの組合せにより実施されてもよい。選択的熱的窒化は、窒素含有種としてアンモニアNH3を使用して実施されてもよい。ラジカル窒化は、任意の比較的低分子量の窒素含有種を使用して実施されてもよい。ラジカル窒化に適した前駆体には、窒素N2、アンモニアNH3、ヒドラジンN2H4、低級置換ヒドラジンN2R2、ここで各Rは、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、またはプロペニル基であるおよび低級アミンNRaHb、ここでaおよびbはそれぞれ0~3の整数かつab=3であり、各Rは、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、またはプロペニル基である、アミドRCONR’R’’、ここでR、R’、およびR’’はそれぞれ、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、またはプロペニル基である、イミンRR’C=NR’’、ここでR、R’、およびR’’はそれぞれ、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、またはプロペニル基である、または、イミドRCONR’COR’’、ここでR、R’、およびR’’はそれぞれ、互いに独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、またはプロペニル基であるが含まれるが、それらに限定されない。いくつかの実施形態においては、例えばマイクロ波、UV、RF、または電子シンクロトロン放射などにより励起される、insituプラズマ発生プロセスが利用されてもよい。上述のイオンフィルタのいずれかなどのイオンフィルタ、またはメッシュプレートもしくは穿孔プレートなどのイオンシールドが、チャンバ内のガス分配器と基板支持体との間に配設される。一実施形態においては、イオンフィルタ性能を備えるシャワーヘッド例えば電気絶縁されたまたは電位制御されたが、プラズマ発生ゾーンと基板処理ゾーンとの間に配設されて、イオンをフィルタリングしつつ、基板処理ゾーンへのラジカルの進入を可能にし得る。熱が、基板の上方または下方に配設された加熱ランプもしくは加熱ランプアレイ、基板支持体の中に埋設された抵抗ヒータ、またはレーザベース加熱装置などの任意の簡便な手段により基板に加えられてもよい。選択的窒化プロセスのいくつかの実施形態は、米国カリフォルニア州SantaClara在のAppliedMaterials,Inc.社から市販されているRPNチャンバを使用して実施されてもよい。かかるチャンバにおいては、熱は、基板が回転される間に、一連の加熱ランプを使用して下方から基板に対して加えられることにより、処理の均一性を向上させる。本明細書に開示した方法を、フローティングゲートNANDフラッシュデバイスの形成の文脈において説明したが、この方法の用途は、かかるデバイスに限定されない。本明細書に開示した方法は、酸化ハフニウムHfOxおよびケイ酸ハフニウムHfSixOyなどの他のゲート構造体に窒素を添加するためにも使用することができる。さらに、本明細書において説明するプロセス条件は、300mmのプロセスのために使用することができる。前述の内容は、本発明のいくつかの実施形態に関するものであるが、本発明の基本範囲から逸脱することなく、本発明の他のおよびさらなる実施形態を考案することができる。"