"反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に露光光を入射した場合における前記露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する際に、前記主面に対して入射角θiでもって入射する露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得し、その後、前記iをi1に変更して再びリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得することを、前記iが所定の数N≧2に達するまで行うことにより、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する工程と、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正する工程とを含み、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウは、前記入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを含み、かつ、N個のED-Treeに基づいたものであり、前記パターンを補正する工程は、前記入射角が0°の場合の前記リソグラフィプロセスウィンドウを固定して、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンを補正し、かつ、前記N個のED-Treeの共通プロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンの寸法を補正することを特徴とする反射型露光用マスクのパターン補正方法。反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に露光光を入射した場合における前記露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する際に、前記主面に対して入射角θiでもって入射する露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得し、その後、前記iをi1に変更して再びリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得することを、前記iが所定の数N≧2に達するまで行うことにより、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する工程と、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正する工程とを含むことを特徴する反射型露光用マスクのパターン補正方法。前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウは、前記入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを含み、前記パターンを補正する工程は、前記入射角が0°の場合の前記リソグラフィプロセスウィンドウを固定して、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンを補正することを特徴する請求項2に記載の反射型露光用マスクのパターン補正方法。前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウは、N個のED-Treeに基づいたものであり、前記パターンを補正する工程は、前記N個のED-Treeの共通プロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンの寸法を補正することを特徴とする請求項2または3に記載の反射型露光用マスクのパターン補正方法。請求項2ないし4のいずれか1項に記載の反射型露光用マスクのパターン補正方法により補正されたパターンを含むマスクパターンを形成する工程を含むことを特徴する反射型露光用マスクの製造方法。コンピュータに、反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に露光光を入射した場合における前記露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウを取得させる際に、前記主面に対して入射角θiでもって入射する露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得させ、その後、前記iをi1に変更して再びリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得させることを、前記iが所定の数N≧2に達するまで行わせることにより、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得させる手順と、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正させる手順とを実行させるためのプログラム。本発明の目的は、リソグラフィマージンの低下を抑制できる反射型露光用マスクのパターン補正方法、反射型露光用マスクの製造方法およびプログラムを提供することにある。実施形態の反射型露光用マスクのパターン補正方法は、反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に露光光を入射した場合における前記露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する際に、前記主面に対して入射角θiでもって入射する露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得し、その後、前記iをi1に変更して再びリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得することを、前記iが所定の数N≧2に達するまで行うことにより、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得する工程と、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが一定値を超えるように、前記パターンを補正する工程とを含み、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウは、前記入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを含み、かつ、N個のED-Treeに基づいたものであり、前記パターンを補正する工程は、前記入射角が0°の場合の前記リソグラフィプロセスウィンドウを固定して、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンを補正し、かつ、前記N個のED-Treeの共通プロセスウィンドウの重なりが前記一定値を超えるように、前記パターンの寸法を補正することを特徴とする。実施形態の反射型露光用マスクの製造方法は、実施形態の反射型露光用マスクのパターン補正方法により補正されたパターンを含むマスクパターンを形成する工程を含む。実施形態のプログラムは、コンピュータに、反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に露光光を入射した場合における前記露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウを取得させる際に、前記主面に対して入射角θiでもって入射する露光光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得させ、その後、前記iをi1に変更して再びリソグラフィプロセスウィンドウWiを取得させることを、前記iが所定の数N≧2に達するまで行わせることにより、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得させる手順を実行させる。さらに、コンピュータに、前記N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが所定値を超えるように、前記パターンを補正させる手順を実行させる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。EUVリソグラフィにおいて、EUV光はスリットを介してEUVマスクに入射する。EUVマスクに入射するEUV光の入射角は、EUV光が通るスリット内の位置によって異なる。EUV光の入射角の範囲は、例えば、図1に示すように、-24°~24°である。EUV光の入射角とEUV光が通るスリット内の位置とは対応関係があり、入射角0°はスリットの中心に対応し、入射角24°はスリットの一方の端、,入射角-24°はスリットの他方の端に対応する。マスク斜入射効果シャドーイングshadowing効果により、マスクパターンに対する入射角が大きいほどウェハ上の像コントラストが低下し、スリットの中心部入射角0°とスリットの端部入射角-24°,24°とでは転写像に寸法差が生じ易い。EUVマスクは、EUV光が照射される主面と、この主面内に設けられ、EUV光に対して高反射領域となる多層反射膜と、この多層反射膜上に設けられ、EUV光を吸収するとともに、EUV光に対して低反射領域となる吸収体パターンとを具備している。図2は、孤立ラインのベストフォーカスでのレジスト寸法ライン幅14nmをターゲット寸法としてマスク補正した場合の入射角0°におけるED-Treeである。入射角0°の場合、図2のラインA1とラインA2との間の領域内に露光量doseおよびデフォーカス値を設定すれば、レジスト寸法を所定の範囲許容範囲内に収めることが可能となる。図2において、ラインA3は設計パターンの寸法とデバイスパターンの寸法とが一致する露光量およびデフォーカス値ずれ量ゼロの露光量およびデフォーカス値を示している。また、図3は、孤立ラインのベストフォーカスでのレジスト寸法ライン幅14nmをターゲット寸法としてマスク補正した場合の入射角±24°におけるED-Treeである。入射角±24°の場合、図3のラインB1とラインB2との間の領域内に露光量およびデフォーカス値を設定すれば、レジスト寸法を所定の範囲許容範囲内に収めることが可能となる。図3において、ラインB3は設計パターンの寸法とデバイスパターンの寸法とが一致する露光量およびデフォーカス値ずれ量ゼロの露光量およびデフォーカス値を示している。図4は、図2のED-Treeと図3のED-Treeとを重ねた得られたED-Tree共通ED-Treeである。ラインA1とラインA2との間の領域と、ラインB1とラインB2との間の領域とのオーバーラップ領域内に、露光量およびデフォーカス値を設定すれば、入射角0,±24°のいずれにおいてもレジスト寸法を所定の範囲許容範囲内に収めることが可能となる。図5は、図4の共通ED-Treeに共通プロセスウィンドウCを設定した様子を示している。共通プロセスウィンドウCの面積が大きいほど、リソグラフィマージンは大きくなる。図2および図3に示したED-Treeは、ベストフォーカスで所望寸法になるように補正したマスクデータを用いて作成されている。したがって、デフォーカス時の寸法変化量がマスク斜入射効果によって異なることまでは考慮されていない。デフォーカス時のコントラスト変化量も入射光方向が異なるパターンにおいては、異なった値となるため、位置によって寸法変化量が異なり、リソグラフィマージンが取れなくなってしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、マスク位置入射光方向ごとのマスク寸法補正値をベストフォーカスでのターゲット寸法ではなく、共通プロセスウィンドウが最大値になるよう決定する。これにより、ショット全面でのプロセス共通マージンを最大にすることが可能となる。図6は、プロセス共通マージンが最大になるように補正したマスクデータを用いて作成したED-Treeの一例を示す。図6実施形態と図4比較例とを比べると、図6の実施形態の入射角0°の時のED-Treeと、図4の比較例の入射角0°のED-Treeとは略一致している。しかし、図6の実施形態の入射角±24°のED-Treeは、図4の比較例の入射角±24°のED-Treeに対して上側にシフトしている。これは、図6の実施形態の入射角±24°のED-Treeは、ターゲット寸法を14nmから13.5nmに変えてマスク補正した場合のED-Treeでからである。その結果、図6の実施形態の共通プロセスウィンドウC’の面積は、図4の比較例の共通プロセスウィンドウCの面積よりも大きくなっている。このように所定入射角上記の例では0°において所望通りのパターン寸法が得られるようにマスクデータを補正するとともに、所定入射角でのED-Treeのプロセスウィンドウと、所定入射角以外での入射角上記の例では±24°でのED-Treeのプロセスウィンドウとが重なる面積共通プロセスウィンドウが最大値になるように、マスクデータを補正することにより、リソグラフィプロセスマージンを最大に取ることが可能となる。図7は、以上述べた実施形態の反射型露光用マスクのパターン補正方法を示すフローチャートである。反射型露光用マスクのパターンが形成された主面に対して入射角θiでもって入射するEUV光を用いた場合のリソグラフィプロセスウィンドウWii1を取得するステップS1。ここでは、リソグラフィプロセスウィンドウは、ED-Treeに基づいたものであるが、ED-Tree以外に基づいても構わない。また、各リソグラフィプロセスウィンドウWiは、周知の実験またはシミュレーションにより取得することができる。次に、前記iが所定の数N≧2に達したか否かを判断するステップS2。ステップS2の判断の結果がNoの場合i<N、iをi1に変更してステップS1に進む。一方、ステップS2の判断の結果がYesの場合i=N、つまり、互い入射角が異なるN個のリソグラフィプロセスウィンドウを取得した場合、ステップS3に進む。ステップS3では、N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なり面積共通プロセスウィンドウの面積が一定値を超えるように、パターンを補正する。一定値は、例えば、素子の所望のスペックを確保できるデバイスパターンを形成するために必要な大きさのリソグラフィマージンである。本実施形態によれば、その一定値は、ベストフォーカスで所望寸法になるように補正したマスクデータを用いた場合従来方法の共通プロセスウィンドウの面積の値よりも大きくできる。N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なり面積が最大となるように、パターンを補正するためには、例えば、パターンを補正することを複数回M回繰り返して、各補正毎の共通プロセスウィンドウの面積をメモリ内に記憶しておき、M個の共通プロセスウィンドウの面積のうち一定値を超えるもので最も大きい面積に対応する補正パターンを採用する。本実施形態では、N個のリソグラフィプロセスウィンドウは、入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを含み、パターンを補正する工程は、入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを固定して、N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが最大となるように、パターンを補正する。入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを固定するのは、入射角が0°の場合、マスク斜入射効果がないからである。ただし、入射角が0°の場合のリソグラフィプロセスウィンドウを固定せずに、N個のリソグラフィプロセスウィンドウの重なりが最大となるように、パターンを補正しても構わない。この場合、より大きなプロセス共通マージンを確保できる可能性がある。また、実施形態の反射型露光用マスクの製造方法は、実施形態の反射型露光用マスクのパターン補正方法により補正されたパターンを含むマスクパターンを用いて、周知のプロセスに従って、ガラス基板上に、EUV光に対して高反射領域となる多層反射膜を形成する工程と、この多層反射膜上に、EUV光を吸収するとともに、EUV光に対して低反射領域となる吸収体パターンを形成する工程等の工程を行う。また、実施形態の反射型露光用マスクのパターン補正方法は、プログラムとしても実施することができる。すなわち、実施形態のプログラムは、図7のステップS1-S3を手順としてコンピュータに実行させるためのものである。なお、ステップS1-S3を手段もしくは機能としてコンピュータに実行させても構わない。上記プログラムは、コンピュータ内のCPUおよびメモリ外部メモリを併用することもある。等のハードウエハ資源を用いて実施される。CPUは、メモリ内から必要なデータを読み込み、該データに対して上記ステップを手順として行う。各ステップ手順の結果は、必要に応じてメモリ内に一時的に保存され、他のステップ手順で必要になったときに読み出される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"