波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層と、前記ポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層と、を有することを特徴とする反射防止膜。成膜圧力を0.5~10Paに設定してSiO2をスパッタリング成膜する第1工程と、前記第1工程で成膜したSiO2上に、粒径0.1~10mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガス雰囲気でMgF2をスパッタリング成膜する第2工程と、を有することを特徴とする反射防止膜の成膜方法。しかしながら、特許文献1に記載の形成方法で作製したフッ化物薄膜は、作製したMgF2膜の膜厚が50nm程度と薄い場合は耐擦傷性が高いが、多層反射防止膜の最表層に必要な100nm程度の膜厚になると耐擦傷性が低下し、キズが入りやすくなる問題があった。一方、特許文献2には、耐擦傷性を高めるためにMgF2層の上層に、SiO2又はAl2O3を表面保護層として形成する方法が記載されている。しかしながら、より過酷な使用、例えば、加重500gf/cm2の条件下の使用において表面保護層として効果を発揮するためには、表面保護層の膜厚が30nm以上必要であり、この膜厚にすると反射防止膜としての反射率特性は悪化してしまう。また、表面保護層として使用しているSiO2及びAl2O3は、MgF2に比べて撥水性が低いため、湿気によるくもりの発生や反射特性のシフトなどが生じやすい。本発明は、上述したような事情に檻みてなされたものであって、スパッタリング法によってMgF2薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る反射防止膜は、波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層と、ポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層と、を有することを特徴している。本発明に係る成膜方法は、成膜圧力を0.5~10Paに設定してSiO2をスパッタリング成膜する第1工程と、第1工程で成膜したSiO2上に、粒径0.1~10mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガス雰囲気でMgF2をスパッタリング成膜する第2工程と、を有することを特徴としている。本発明に係る反射防止膜及び反射防止膜の成膜方法は、スパッタリング法によってMgF2薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供することができる、という効果を奏する。以下に、本発明に係る反射防止膜及び反射防止膜の成膜方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態によりこの発明が限定されるものではない。まず、本発明による作用効果について説明する。本発明の反射防止膜においては、MgF2に次いで屈折率が低いSiO2をポーラス構造にし、MgF2と同程度の屈折率に調整したポーラスSiO2層と、膜厚50nm以下のMgF2層と、を用いている。MgF2層は、ポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成している。これにより、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、高い耐擦傷性を実現している。ポーラスSiO2層を用いることにより、MgF2層の膜厚を従来の半分以下にしても同等の反射率特性が得られるため、耐擦傷性を高めることができる。また、ポーラスSiO2の上層にMgF2を成膜することにより、反射防止膜としての撥水性を確保することができるため、湿気によるくもりの発生や反射特性のシフトが生じない。SiO2は、成膜中の圧力を調整することによって膜密度を変化させることができる。具体的には、成膜圧力を高くすることにより、SiO2の膜密度を低くすることができ、これにより屈折率が1.34~1.44のポーラス構造のSiO2を作製することができる。MgF2については、顆粒状MgF2を膜原料としたスパッタリングによって成膜することができる。より具体的には、ターゲットとしてのMgF2表面の温度を650°C~1100°Cの間に保持するとともに、酸素及び窒素の少なくとも一方を含むガスを導入しながらスパッタリングすることにより、MgF2の少なくとも一部を分子状態で跳びださせ、この分子状態のMgF2で膜を形成する。以下、実施例について説明する。まず、多層反射防止膜としての実施例1及び比較例1~3について説明する。実施例1図1は、実施例1に係る多層反射防止膜の層構造を示す断面図である。図1に示すように、実施例1の多層反射防止膜は、基板10上に中間層20、最終層30の順に積層した層構造を備える。基板10はS-LAH58OHARA社製を使用する。中間層20は、基板側から、SiO2層21、Nb2O5層22、SiO2層23、Nb2O5層24の順に積層されている。中間層のSiO2層21、23は、例えば、Siターゲットを用いてArとO2の混合ガス中で反応性スパッタリングを行う方法、Siターゲットを用いてスパッタリングによって成膜したSi膜をプラズマ酸化する方法、SiO2ターゲットを高周波スパッタリングして酸化物膜を成膜する方法、SiO2を真空蒸着法により成膜する方法、又は、加熱した基板上に反応ガスの分解によって成膜する方法によって形成する。また、Nb2O5層22、24は、例えば、Nbターゲットを用いてArとO2の混合ガス中で反応性スパッタリングを行う方法、Nbターゲットを用いてスパッタリングによって成膜したNb膜をプラズマ酸化する方法、Nb2O5ターゲットを高周波スパッタリングして酸化物膜を成膜する方法、又はNb2O5を真空蒸着法により成膜する方法によって形成する。なお、中間層のSiO2層21、23は、ポーラスSiO2であっても通常のSiO2であってもよく、反射防止膜全体としての反射率特性が良好となる任意の膜厚とする。多層反射防止膜の最表層となる最終層30は、波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層31と、このポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層32と、を備える。また、この最終層30は、成膜圧力を0.5~10Paに設定してSiO2をスパッタリング成膜する第1工程と、第1工程で成膜したSiO2上に、粒径0.1~10mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガス雰囲気でMgF2をスパッタリング成膜する第2工程と、によって形成する。実施例1における最終層30のポーラスSiO2層31は、第1工程として、Siをターゲットとして、Arガスの流量、O2ガスの流量、及び、スパッタリングを行うチャンバからの排気速度を調整した状態で、成膜圧力10Paの状態で反応性スパッタリングすることにより、SiO2層を75nm成膜する。ここで、ポーラスSiO2層31の屈折率を1.34とするための条件として、Arガスの流量を40sccm、O2流量を20sccmとするとともに、メインバルブの開閉度合いを調整して排気速度を調整し、これにより成膜圧力を10Paとする。さらに、DC出力を800Wとして反応性スパッタリングによって成膜する。ここで、sccmは、standardcc/minの略であり、一定温度下、1気圧における1分あたりの流量を示す。なお、ポーラスSiO2層31の屈折率は、メインバルブの開閉度合いを調整し成膜圧力を0.5~10Paにすることによって、1.34~1.44の範囲で調整することができる。つづいて、第2工程として、第1工程で成膜したポーラスSiO2層31上に、粒径1~3mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガスを導入してスパッタリング成膜により、MgF2層32を20nm成膜する。より具体的には、7×10-5Paまでチャンバから排気した後に、O2ガスを4×10-1Paまで導入した状態で、プラズマを発生させ、このプラズマによってMgF2を加熱してスパッタリングを行う。なお、ポーラスSiO2層31の屈折率を1.44にした場合、その膜厚は45nm、SiO2層31上に形成するMgF2層32の膜厚は50nmとすることが望ましい。また、この場合の中間層30の膜厚は光学特性反射率特性が最良になるようにそれぞれ調整している。比較例1比較例1の反射防止膜においては、最終層として、中間層上に膜厚55nmのMgF2層を形成し、このMgF2層の基板から遠い面に、屈折率1.46のSiO2を表面保護層として30nm形成している。MgF2及びSiO2はスパッタリングにより形成している。また、基板及び中間層は実施例1と同様の構成である。なお、この中間層の膜厚は、光学特性反射率特性が最良になるようにそれぞれ調整している。比較例2比較例2の反射防止膜においては、最終層として、中間層上に膜厚95nmのMgF2のみを形成している。MgF2はスパッタリングにより形成している。また、基板及び中間層は実施例1と同様の構成である。なお、この中間層の膜厚は光学特性反射率特性が最良になるようにそれぞれ調整している。比較例3比較例3の反射防止膜においては、最終層として、中間層上に屈折率1.46のSiO2を45nmの膜厚で形成し、このSiO2上にMgF2を50nmの膜厚で成膜している。ここで、屈折率1.46のSiO2は実施例1の最終層のSiO2とは異なって、ポーラス状でない。MgF2及びSiO2はスパッタリングにより形成している。また、基板及び中間層は実施例1と同様の構成である。なお、この中間層の膜厚は光学特性反射率特性が最良になるようにそれぞれ調整している。つづいて、実施例1及び比較例1~3の特性効果を比較する。図2は、実施例1及び比較例1~3の反射防止膜の光学特性を示すグラフである。図2は、可視領域における反射防止膜としての反射率を示しており、横軸は照射光の波長単位nm、縦軸は反射率単位である。図2に示すように、実施例1の多層反射防止膜は、最終層をMgF2層のみで作製した比較例2と同等の高い光学特性が得られた。これは、SiO2をポーラス状としたことにより、その屈折率を1.34~1.44の範囲に調整することができ、これにより、MgF2を耐擦傷性の高い50nm以下の薄い膜厚にしても、比較例2の反射防止膜と同様の高い光学特性を得ることができることを示している。一方、比較例1及び比較例3の反射防止膜は、実施例1及び比較例2の反射防止膜に対して好ましくない光学特性を示している図2。具体的には、約430nm~650nmの波長範囲では、比較例1及び比較例3の反射防止膜は、実施例1及び比較例2の反射防止膜よりも反射率が高くなっている。図3は、実施例1及び比較例1~3の反射防止膜の特性を比較した表である。1くもりは耐環境性試験実施後のくもりの発生状況を評価した結果である。耐環境性試験は、温度70度湿度40の環境下と、温度40度湿度90の環境下に、対象の反射防止膜を24時間ごとに、合計7日間ずつ置く試験である。くもりは、波長450nm~650nmの各波長において、環境性試験前後での透過率変化量が0.3未満を○、0.3以上を×として評価している。2特性シフトについては、波長450nm~650nmの各波長において、上述の環境性試験前後での反射率変化量が0.1未満を○、0.1以上を×として評価している。3耐擦傷性については、0000のスチールウールを加重500gf/cm2で100往復擦り付ける方法で評価しており、100往復した後に、傷や磨耗がない場合を○、傷や磨耗があった場合を×としている。図3に示すように、比較例1はくもりと特性シフトに×がついており、比較例2は耐擦傷性に×がついているのに対して、実施例1及び比較例3においては、くもり、特性シフト、及び耐擦傷性のいずれについても○の評価となっている。図2及び図3によれば、実施例1及び比較例1~3のうち、高い光学特性を発揮しつつ、くもり、特性シフト、及び耐擦傷性のいずれにおいても実用上問題がないレベルにあるのは実施例1のみである。また、この結果は、最終層を、波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層と、このポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層と、で構成した場合も同様である。次に、単層反射防止膜としての実施例2及び比較例4~6について説明する。実施例2実施例2の単層反射防止膜は、基板上に最終層を形成した層構造を備える。基板は、実施例1と同じS-LAH58OHARA社製を使用する。単層反射防止膜の最表層となる最終層は、波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層と、このポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層と、を備える。また、この最終層は、成膜圧力を0.5~10Paに設定してSiO2をスパッタリング成膜する第1工程と、第1工程で成膜したSiO2上に、粒径0.1~10mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガス雰囲気でMgF2をスパッタリング成膜する第2工程と、によって形成する。実施例2における最終層のポーラスSiO2層は、第1工程として、Siをターゲットとして、Arガスの流量、O2ガスの流量、及び、スパッタリングを行うチャンバからの排気速度を調整した状態で、成膜圧力10Paの状態で反応性スパッタリングすることにより、SiO2層を80nm成膜する。ここで、ポーラスSiO2層の屈折率を1.34とするための条件は、実施例1の場合と同様である。また、ポーラスSiO2層の屈折率は、メインバルブの開閉度合いを調整し成膜圧力を0.5~10Paにすることによって、1.34~1.44の範囲で調整することができる。つづいて、実施例1と同様に、第2工程として、第1工程で成膜したポーラスSiO2上に、粒径1~3mmの顆粒状MgF2をターゲットとし、O2ガスを導入してスパッタリング成膜により、MgF2層を20nm成膜する。なお、ポーラスSiO2層の屈折率を1.44にした場合、その膜厚は50nm、SiO2層上に形成するMgF2層の膜厚は50nmとすることが好ましい。比較例4比較例4の反射防止膜においては、最終層として、基板上に膜厚60nmのMgF2層を形成し、このMgF2層の基板から遠い面に、屈折率1.46のSiO2を表面保護層として30nm形成している。MgF2及びSiO2はスパッタリングにより形成している。また、基板は実施例2と同じ構成である。比較例5比較例5の反射防止膜においては、最終層として、基板上に膜厚101nmのMgF2のみを形成している。MgF2はスパッタリングにより形成している。また、基板は実施例2と同じ構成である。比較例6比較例6の反射防止膜においては、最終層として、基板上に屈折率1.46のSiO2を50nmの膜厚で形成し、このSiO2上にMgF2を50nmの膜厚で成膜している。ここで、屈折率1.46のSiO2は実施例2の最終層のSiO2とは異なって、ポーラス状でない。MgF2及びSiO2はスパッタリングにより形成している。また、基板は実施例2と同じ構成である。つづいて、実施例2及び比較例4~6の特性効果を比較する。図4は、実施例2及び比較例4~6の反射防止膜の光学特性を示すグラフである。図4は、図2と同様に、可視領域における反射防止膜としての反射率を示しており、横軸は照射光の波長単位nm、縦軸は反射率単位である。図4に示すように、実施例2の多層反射防止膜は、最終層をMgF2層のみで作製した比較例5と同等の高い光学特性が得られた。これは、SiO2をポーラス状としたことにより、その屈折率を1.34~1.44の範囲に調整することができ、これにより、MgF2を耐擦傷性の高い50nm以下の薄い膜厚にしても、比較例5の反射防止膜と同様の高い光学特性を得ることができることを示している。一方、比較例4及び比較例6の反射防止膜は、実施例2及び比較例5の反射防止膜に対して好ましくない光学特性を示している図4。具体的には、約430nm~650nmの波長範囲では、比較例4及び比較例6の反射防止膜は、実施例2及び比較例5の反射防止膜よりも反射率が高くなっている。図5は、実施例2及び比較例4~6の反射防止膜の特性を比較した表である。実施例2及び比較例4~6についても、実施例1及び比較例1~3と同様に、くもり、特性シフト、及び耐擦傷性について評価を行った。図5に示すように、比較例4は、比較例1と同様に、くもりと特性シフトが×の評価であり、比較例5は、比較例2と同様に、耐擦傷性が×であった。実施例2及び比較例6については、実施例1及び比較例3と同様に、くもり、特性シフト、及び耐擦傷性のいずれについても○の評価となっている。図4及び図5によれば、実施例2及び比較例4~6のうち、高い光学特性を発揮しつつ、くもり、特性シフト、及び耐擦傷性のいずれにおいても実用上問題がないレベルにあるのは実施例2のみである。この結果は、最終層を、波長500nmにおける屈折率が1.34~1.44のポーラスSiO2層と、このポーラスSiO2層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚5~50nmのMgF2層と、で構成した場合も同様である。