導電性台座と、前記導電性台座上に搭載される検査用回路基板と、前記導電性台座と前記検査用回路基板を挟んで反対側に設けられ、半導体デバイスを受け入れる受け部が形成されたソケットと、前記検査用回路基板と前記ソケットを貫通することで、前記半導体デバイスのグラウンド電極を前記導電性台座に接続する柱状のグラウンド電極端子と、前記グラウンド電極端子の外周に配置され、前記ソケットと前記検査用回路基板によって挟まれることで径方向に縮小し、前記グラウンド電極端子の外周面に接触する導電性リングと、を備え、前記半導体デバイスの前記グラウンド電極は、前記グラウンド電極端子と前記導電性リングを介して前記検査用回路基板に接続される、半導体デバイスの検査装置。請求項1に記載の半導体デバイスの検査装置であって、前記導電性リングは、前記グラウンド電極端子の前記外周面に対して接触する内周面と、前記検査用回路基板に近づくにつれて広がるテーパ外周面と、前記検査用回路基板に対して接触する基板接触面と、を有し、前記導電性リングは、前記ソケットが前記テーマ外周面を押圧することで径方向に縮小する、半導体デバイスの検査装置。請求項1又は2に記載の半導体デバイスの検査装置であって、前記導電性リングには、少なくとも1つのスリットが形成されている、半導体デバイスの検査装置。しかし、上記の特許文献1の構成では、例えばマイクロ波帯などの高周波向け半導体デバイスの電気的特性を検査するのには向いていない。なぜなら、半導体デバイスのアース電極板から基板のアース電位に至るまでの距離が長いので、電気特性上のアースとしての効果が思うように発揮されず、それ故、異常発振等の問題を誘発させるからである。この問題は基板上のバイパスコンデンサを強化したとしても根本的な解決にはならず、またソケット内にバイパスコンデンサを埋め込むことは現実的ではない。従って、高周波向け半導体デバイス用の電気的接続装置としては、特注の電気的接続装置をその都度開発して使用することが一般的となっており、コスト面で改善の余地が残されていた。本願発明の目的は、半導体デバイスのグラウンド電極アース電極と検査用回路基板との接地経路を短縮する技術を提供することにある。本願発明によれば、半導体デバイスの検査装置は、導電性台座と、前記導電性台座上に搭載される検査用回路基板と、前記導電性台座と前記検査用回路基板を挟んで反対側に設けられ、半導体デバイスを受け入れる受け部が形成されたソケットと、前記検査用回路基板と前記ソケットを貫通することで、前記半導体デバイスのグラウンド電極を前記導電性台座に接続する柱状のグラウンド電極端子と、前記グラウンド電極端子の外周に配置され、前記ソケットと前記検査用回路基板によって挟まれることで径方向に縮小し、前記グラウンド電極端子の外周面に接触する導電性リングと、を備える。前記半導体デバイスの前記グラウンド電極は、前記グラウンド電極端子と前記導電性リングを介して前記検査用回路基板に接続される。本願発明によれば、前記半導体デバイスの前記グラウンド電極が前記検査用回路基板へ極めて短い距離で接続されることになる。以下、図1~6を参照しつつ、本願発明の好適な実施形態を説明する。図1~3に示すように、検査装置1は、シャーシ2導電性台座と、接続基板3検査用回路基板と、テストソケット4ソケットと、グラウンドスラグ5グラウンド電極端子と、グラウンド接続リング6導電性リングと、コンプレッションユニット7押圧部材を備えて構成されている。これらの構成要素を組み付ける方向を図3に示すように組み付け方向Dと定義する。シャーシ2:図3参照シャーシ2は、導電性の台座である。シャーシ2には、グラウンドスラグ支持用貫通孔8とシャーシ掘り込み部9が形成されている。グラウンドスラグ支持用貫通孔8は、グラウンドスラグ5を支持するための孔であって、組み付け方向Dに沿ってシャーシ2を貫通するように形成されている。シャーシ掘り込み部9は、シャーシ2の基板搭載面10に凹状に形成されている。接続基板3:図3参照接続基板3は、シャーシ2上に搭載される検査用の回路基板である。接続基板3は、第1素子搭載面11と第2素子搭載面12を有する。第1素子搭載面11は、テストソケット4と対向する面である。第2素子搭載面12は、シャーシ2と対向する面である。第1素子搭載面11及び第2素子搭載面12には、複数のバイパスコンデンサ13が搭載されている。また、第1素子搭載面11及び第2素子搭載面12には、所望の回路パターン14が形成されている。そして、接続基板3には、グラウンドスラグ5が貫通可能な第1グラウンドスラグ貫通孔15が形成されている。テストソケット4:図2参照テストソケット4は、シャーシ2と接続基板3を挟んで反対側に設けられ、半導体デバイス16を受け入れる受け部17が形成されたソケットである。テストソケット4は、絶縁性を有する樹脂によって形成されている。本実施形態において、半導体デバイス16は、マイクロ波帯表面実装部品SMD:SurfaceMountDeviceである。また、図2に示すように、本実施形態の半導体デバイス16は、パッケージから突出するリードを備えない所謂QFNQuadFlatNonLeadedPackageタイプである。半導体デバイス16の実装面18には、グラウンド電極19と電源電極20、信号入出力電極21等が形成されている。グラウンド電極19は、半導体デバイス16の実装面18の中央に形成されており、電源電極20や信号入出力電極21はグラウンド電極19を取り囲むように形成されている。テストソケット4の受け部17は、コンプレッションユニット7側に開口している。テストソケット4には、半導体デバイス16を受け部17内にセットし易いようにガイド面22が形成されている。テストソケット4には、組み付け方向Dに延びる第2グラウンドスラグ貫通孔23が形成されている。第2グラウンドスラグ貫通孔23は、受け部17と連なるように形成されている。第2グラウンドスラグ貫通孔23のシャーシ2側には、シャーシ2に近づくにつれて径が大きくなるように広がるテーパ押圧面24が形成されている。テーパ押圧面24は、第2グラウンドスラグ貫通孔23の内周面に接続して形成されている。また、テストソケット4の基板対向面25には、ソケット掘り込み部26が凹状に形成されている。テストソケット4には、複数のコンタクトピン27が埋め込まれている。複数のコンタクトピン27は、第2グラウンドスラグ貫通孔23を取り囲うように配置されている。コンタクトピン27は、組み付け方向Dに伸縮する圧縮バネを有して構成されている。この圧縮バネの存在により、コンタクトピン27は組み付け方向Dにおいて短く形成することができない。グラウンドスラグ5グラウンドスラグ5は、接続基板3とテストソケット4を貫通することで、半導体デバイス16のグラウンド電極19をシャーシ2に接続する柱状の導電性グラウンド電極端子である。グラウンドスラグ5は、大径部28と小径部29を有する。大径部28は、接続基板3の第1グラウンドスラグ貫通孔15とテストソケット4の第2グラウンドスラグ貫通孔23内に収容される部分である。大径部28と接続基板3の第1グラウンドスラグ貫通孔15の内周面との間には隙間が形成される。同様に、大径部28とテストソケット4の第2グラウンドスラグ貫通孔23の内周面との間には隙間が形成される。小径部29は、シャーシ2のグラウンドスラグ支持用貫通孔8内に圧入される部分である。グラウンド接続リング6:図3グラウンド接続リング6は、グラウンドスラグ5の外周に配置され、テストソケット4と接続基板3によって挟まれることで径方向に縮小し、グラウンドスラグ5の大径部28の外周面30に接触する導電性の金属リングである。図4に示すようにグラウンド接続リング6は、グラウンドスラグ5の大径部28の外周面30に対して接触する内周面31と、接続基板3に近づくにつれて広がるテーパ外周面32と、接続基板3に対して接触する基板接触面33と、を有している。グラウンド接続リング6には、本実施形態において1つのスリット34が形成されている。このスリット34の存在により、グラウンド接続リング6は、径方向で容易に縮小したり拡大したりできるようになっている。コンプレッションユニット7:図2コンプレッションユニット7は、テストソケット4の受け部17内において、半導体デバイス16のグラウンド電極19をグラウンドスラグ5に押し付けて、半導体デバイス16のグラウンド電極19とグラウンドスラグ5との確実な接触を図るものである。コンプレッションユニット7は、半導体デバイス16に対して接触するパッケージ接触部35を有している。使用方法次に、検査装置1の使用方法を説明する。先ず、図3においてシャーシ2の上に接続基板3を載せる。このとき、シャーシ2のグラウンドスラグ支持用貫通孔8に対して、接続基板3の第1グラウンドスラグ貫通孔15が同軸上となるように、シャーシ2に対する接続基板3の相対的な位置決めを行う。なお、接続基板3の第2素子搭載面12に搭載されたバイパスコンデンサ13は、シャーシ2のシャーシ掘り込み部9内に収容されることになる。次に、グラウンドスラグ5を接続基板3の第1グラウンドスラグ貫通孔15に挿入すると共に、グラウンドスラグ5の小径部29をシャーシ2のグラウンドスラグ支持用貫通孔8に圧入する。これにより、グラウンドスラグ5は、シャーシ2によって直立した状態で支持されることになる。次に、グラウンド接続リング6をグラウンドスラグ5の大径部28の外側に嵌めつつ、接続基板3の第1素子搭載面11上に載せる。このとき、グラウンドスラグ5の大径部28の外周面30と、図4に示すグラウンド接続リング6の内周面31との間には若干の隙間が残っている。また、接続基板3の第1素子搭載面11に形成された回路パターン14と、図4に示すグラウンド接続リング6の基板接触面33と、は接触して導通している。本実施形態において、グラウンド接続リング6の基板接触面33が接触する接続基板3の回路パターン14は、グラウンドパターンである。次に、テストソケット4の第2グラウンドスラグ貫通孔23内にグラウンドスラグ5が挿入されるように、テストソケット4をグラウンドスラグ5に嵌めて、テストソケット4をシャーシ2側に強く押し込む。すると、図2に示すテストソケット4のテーパ押圧面24が図4に示すグラウンド接続リング6のテーパ外周面32とテーパ係合し、グラウンド接続リング6は径方向において弾性的に縮小するように変形する。この結果、グラウンド接続リング6は、グラウンドスラグ5の大径部28の外周面30に対して強力に面接触すると共に、接続基板3の第1素子搭載面11の回路パターン14に対して確実に面接触する。即ち、グラウンドスラグ5の大径部28が、グラウンド接続リング6を介して、接続基板3の第1素子搭載面11の回路パターン14と電気的に接続されることになる。また、このとき、図2のテストソケット4のコンタクトピン27が図3の接続基板3の第1素子搭載面11の回路パターン14に対して圧縮バネの作用により確実に接触する。この状態で、テストソケット4は図示しない固定手段によりシャーシ2に対して位置固定される。次に、テストソケット4の受け部17内に半導体デバイス16を嵌め込み、コンプレッションユニット7を用いて半導体デバイス16をシャーシ2側へ強く押し込む。すると、半導体デバイス16のグラウンド電極19はグラウンドスラグ5に対して接触し、半導体デバイス16の電源電極20や信号入出力電極21はテストソケット4のコンタクトピン27に対して接触する。この結果、図5に示すように、半導体デバイス16のグラウンド電極19は、グラウンドスラグ5の大径部28とグラウンド接続リング6を介して、接続基板3の第1素子搭載面11の回路パターン14に電気的に接続することになる。本実施形態において、半導体デバイス16のグラウンド電極19がグラウンドスラグ5やグラウンド接続リング6を介して接続される回路パターン14と、半導体デバイス16の電源電極20がコンタクトピン27を介して接続される回路パターン14は、バイパスコンデンサ13の両端に接続されている。半導体デバイス16のグラウンド電極19と回路パターン14との間の経路を接地経路Gで示している。また、半導体デバイス16の電源電極20と回路パターン14との間の経路をバイアス経路Bで示している。ここで、比較例として、検査装置1がグラウンド接続リング6を備えない場合を説明する。この場合、図6に示すように、半導体デバイス16のグラウンド電極19は、グラウンドスラグ5とシャーシ2を介して接続基板3のバイパスコンデンサ13に電気的に到達することになる。従って、接地経路Gがどうしても長くなってしまうという問題があった。これに比べて、本実施形態では、図5に示すように、半導体デバイス16のグラウンド電極19は、グラウンドスラグ5とグラウンド接続リング6を介して接続基板3のバイパスコンデンサ13に電気的に到達している。従って、図6の比較例と比較して、接地経路Gを飛躍的に短くすることができる。以上に、本願発明の好適な実施形態を説明したが、上記実施形態は、要するに、以下の特長を有している。即ち、半導体デバイス16の検査装置1は、シャーシ2導電性台座と、シャーシ2上に搭載される接続基板3検査用回路基板と、シャーシ2と接続基板3を挟んで反対側に設けられ、半導体デバイス16を受け入れる受け部17が形成されたテストソケット4ソケットと、接続基板3とテストソケット4を貫通することで、半導体デバイス16のグラウンド電極19をシャーシ2に接続する柱状のグラウンドスラグ5グラウンド電極端子と、グラウンドスラグ5の外周に配置され、テストソケット4と接続基板3によって挟まれることで径方向に縮小し、グラウンドスラグ5の外周面30に接触するグラウンド接続リング6導電性リングと、を備える。半導体デバイス16のグラウンド電極19は、グラウンドスラグ5とグラウンド接続リング6を介して接続基板3の第1素子搭載面11に形成された回路パターン14に接続される。以上の構成によれば、半導体デバイス16のグラウンド電極19が接続基板3へ極めて短い距離で接続されることになる。また、グラウンド接続リング6を接続基板3とテストソケット4の間に挟み込むだけなので、その都度、ネジ締めや半田付けなどを行う対策と比較して簡便であり、上記実施形態の検査装置1のメンテナンス性は優れている。また、接地経路Gを短くすることができたので、バイパスコンデンサ13が有効に働くようになる。また、バイパスコンデンサ13と半導体デバイス16との間の接続経路の低インピーダンス化が実現されたことで、不要な高周波回りこみが防止され、検査時における電気動作の安定化が図られる。これらの効果は、特に半導体デバイス16がマイクロ波帯SMDである場合に重宝する。即ち、その都度、専用のテストソケット4を開発することなく、汎用的なテストソケット4をそのまま利用して、グラウンド接続リング6を挟み込むだけで、異常発振等のリスクを低減することが可能となった。また、グラウンド接続リング6は、グラウンドスラグ5の大径部28の外周面30に対して接触する内周面31と、接続基板3に近づくにつれて広がるテーパ外周面32と、接続基板3に対して接触する基板接触面33と、を有する。グラウンド接続リング6は、テストソケット4のテーパ押圧面24がテーマ外周面30を押圧することで径方向に縮小する。また、グラウンド接続リング6には、1つのスリット34が形成されている。以上の構成によれば、グラウンド接続リング6が径方向に縮小し易くなる。以上に本願発明の好適な実施形態を説明したが、上記実施形態は、例えば以下のように変更できる。グラウンド接続リング6は、接続基板3とテストソケット4によって挟まれることで径方向に縮小することができるのであれば、上記実施形態のように独立して形成することに代えて、接続基板3又はテストソケット4と一体的に形成してもよい。また、上記実施形態においてグラウンド接続リング6は、金属性のリングであるとしたが、これに代えて、ゴムやエラストマーで形成したリングであって、外面に導電層が形成されたものであってもよい。この場合でも、接続基板3とテストソケット4によって挟まれることで、径方向に弾性的に縮小することが可能となる。また、上記実施形態においてグラウンド接続リング6には、1つのスリット34を形成することとしたが、これに代えて、グラウンド接続リング6に複数のスリット34を形成してもよい。また、スリット34自体の態様は特に限定されることはない。また、上記実施形態においてグラウンド接続リング6は、平面視で円形であるとしたが、これに代えて、三角形であってもよいし、矩形であってもよい。この場合、グラウンド接続リング6は、截頭三角錐や截頭四角錐となる。また、上記実施形態においてグラウンド接続リング6には、テストソケット4のテーパ押圧面24とテーパ係合するテーパ外周面32を形成したが、これに加えて又はこれに代えて、接続基板3にテーパ押圧面を形成し、このテーパ押圧面に対してテーパ係合するテーパ外周面を形成してもよい。この場合、テーパ外周面はシャーシ2から離れるにつれて広くなるように傾斜することになる。