"N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体と、前記磁界発生体の一方の極性面に対向して配置される曲線部を有する第1の固定磁性体と、前記磁界発生体のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、当該磁界発生体を間にして前記第1の固定磁性体の曲線部に対向する、前記磁界発生体の移動方向に平行な直線部を有する第2の固定磁性体と、前記第2の固定磁性体に対向する位置に、前記第1の固定磁性体と並べて配置される第3の固定磁性体と、前記第1の固定磁性体と前記第3の固定磁性体との対向面に挟まれた状態に設置され、前記駆動軸の往復運動に応じて前記磁界発生体と前記第1の固定磁性体との間の前記磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから前記磁界発生体の位置を検出する磁気センサと、前記第2の固定磁性体と前記第3の固定磁性体の対向面間に設置され、前記磁気センサを通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する永久磁石とを備える位置検出装置。永久磁石は、磁気センサの検知する磁束密度が磁界発生体の移動範囲の一端側でゼロになるよう作用することを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。永久磁石は、磁界発生体の発生する磁束と同等またはそれより小さい磁束を発生することを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。永久磁石は、磁界発生体に用いる永久磁石とは異なる材質であることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。永久磁石は、複数に分割され、磁界発生体の移動方向上からずれた位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。第1の固定磁性体は円筒状であって、内周面の径が軸方向に変化する曲線部を有し、第3の固定磁性体は円筒状であって、前記第1の固定磁性体と同軸上に並べて配置され、第2の固定磁性体は円柱状であって、前記第1の固定磁性体および前記第3の固定磁性体の各内側に配置され、磁界発生体は内周面および外周面が極性面となる円筒状であって、前記第1の固定磁性体の内周面と前記第2の固定磁性体の外周面の間に配置されて軸方向に移動し、磁気センサは、前記第1の固定磁性体と前記第3の固定磁性体の対向面間に挟まれた状態に配置され、永久磁石は円筒状であって、前記第3の固定磁性体の内周面と前記第2の固定磁性体の外周面の間に配置されたことを特徴とする請求項1記載の位置検出装置。磁気センサに内蔵されている一般的なホール素子は、温度によって感度が変化する温度特性などを有する。従って、温度補正をはじめ各種の補正および調整を行って検知精度を高める必要があるが、このとき磁束密度ゼロの状態で補正を行うと最も精度を高くすることができる。しかしながら、従来の位置検出装置では、磁界発生体93の移動距離に対する磁束密度の検知範囲がプラス側またはマイナス側の一方のみとなり、磁束密度ゼロが含まれていなかった。そのため、磁気センサ94を磁束密度ゼロの状態で高精度に補正および調整を行うことができないという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることを目的とする。この発明の位置検出装置は、N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体と、磁界発生体の一方の極性面に対向して配置される曲線部を有する第1の固定磁性体と、磁界発生体のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、当該磁界発生体を間にして第1の固定磁性体の曲線部に対向する、磁界発生体の移動方向に平行な直線部を有する第2の固定磁性体と、第2の固定磁性体に対向する位置に、第1の固定磁性体と並べて配置される第3の固定磁性体と、第1の固定磁性体と第3の固定磁性体との対向面に挟まれた状態に設置され、駆動軸の往復運動に応じて磁界発生体と第1の固定磁性体との間の磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから磁界発生体の位置を検出する磁気センサと、第2の固定磁性体と第3の固定磁性体の対向面間に設置され、磁気センサを通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する永久磁石とを備えるものである。この発明によれば、永久磁石により磁気センサを通過する磁束を変化させて、磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるようにしたので、磁束密度ゼロの状態で高精度に磁気センサの補正および調整を行うことができる。よって、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることができる。以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1における位置検出装置の基本構成図を示しており、ステータとなる第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30と、永久磁石の磁界発生体40と、磁気センサ50と、バイアス磁石となる永久磁石60とを備えている。磁界発生体40は、N極とS極の双方の極性を有する面を備えており、この磁界発生体40はN極とS極が並ぶ方向以下、磁極方向Yと直交する方向以下、移動方向Xに移動する。磁界発生体40の一方の極性面に対向して第1の固定磁性体10が配置され、磁界発生体40のもう一方の極性面に対向して、第2の固定磁性体20が配置されている。また、この磁界発生体40はアクチュエータの駆動軸41などに取り付けられており、駆動軸41が移動方向Xに往復運動直動することにより、この駆動軸41と一体になった磁界発生体40も移動方向Xへ移動する。この磁界発生体40は永久磁石であり、例えばサマリウムコバルト系の方形磁石を使用する。第1の固定磁性体10の磁界発生体40に対向する側の面は、曲線部11と2箇所の直線部12,13とから構成されている。図1の例では、直線部12,13が磁界発生体40の移動範囲の両側端部に形成され、直線部12,13の間に曲線部11が形成されている。この曲線部11は、滑らかな曲線形状でなくてもよく、多数の直線を含む多角形状であってもよい。直線部12,13は、磁界発生体40の移動方向Xに平行な直線形状である。他方、第2の固定磁性体20の磁界発生体40に対向する側の面は、磁界発生体40の移動方向Xと平行な直線部21で構成されている。即ち、磁極方向Y上に、第1の固定磁性体10、磁界発生体40、第2の固定磁性体20が並ぶ。従って、磁界発生体40は、第1の固定磁性体10と第2の固定磁性体20の対向面で構成されるギャップ中を、第2の固定磁性体20の直線部21と一定の距離を保ちながら移動するか、直線部21に当接しながら摺動することになる。さらに、第3の固定磁性体30が、第2の固定磁性体20に対向して、第1の固定磁性体10と同じ側に並べて配置されている。また、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の間に磁気センサ50が配置され、リードワイヤ電極端子51が外部へ出されている。図1の例においては、磁気センサ50が、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30との間に挟まれた状態に設置され、そのリードワイヤ51が、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の隙間と同じ方向に伸びている。即ち、移動方向Xと平行に、第1の固定磁性体10、磁気センサ50、第3の固定磁性体30が並ぶ。また、第2の固定磁性体20と第3の固定磁性体30の間に永久磁石60が配置されている。即ち、磁極方向Yと平行に、第3の固定磁性体30、永久磁石60、第2の固定磁性体20が並ぶ。次に、位置検出装置の磁束の流れを説明する。先ず、図2を用いて、永久磁石60が存在しない場合の磁束の流れを説明する。なお、図2aは磁界発生体40が移動範囲の一端側Aに位置する場合、図2bは磁界発生体40が移動範囲の他端側Bに位置する場合を示す。この例では、磁界発生体40の第1の固定磁性体10に対向する側がS極、第2の固定磁性体20に対向する側がN極になっているものとする。図2aに示すように、移動方向の一端側Aに磁界発生体40がある場合、磁界発生体40のN極から出た磁束の一部は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップ本来は永久磁石60のある空間を経由して第3の固定磁性体30に入り、磁気センサ50を通過して、第1の固定磁性体10からギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。また、磁界発生体40のN極から出た磁束の一部は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップを経由して第1の固定磁性体10に入り、ギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。図2bに示すように、移動方向の他端側Bに磁界発生体40がある場合、磁界発生体40のN極から出た磁束は、ギャップを経由して第2の固定磁性体20に入り、再びギャップ本来は永久磁石60のある空間を経由して第3の固定磁性体30に入り、磁気センサ50を通過して、第1の固定磁性体10からギャップを経由して磁界発生体40のS極へ戻る。このとき、第1の固定磁性体10と第2の固定磁性体20の距離ギャップが磁界発生体40の位置に応じて異なることにより、磁気回路の磁気抵抗が変わり、磁気センサ50で検知する磁束密度が変わることから、磁界発生体40の位置、ひいては駆動軸41などの位置を検出することができる。この位置検出装置は、磁界発生体40の移動に応じた磁束密度の特性が線形になるように、第1の固定磁性体10の曲線部11および直線部12,13の形状を決定しているので、磁界発生体40が直線部12側に移動すると磁束密度が高くなり、直線部13側に移動すると磁束密度が低くなる。また、磁気センサ50を通過する磁束は、正負のどちらかの強弱となるため、検知した磁束密度の強弱に応じて出力信号電圧値も正負のどちらかとなる。磁束の正負は、磁界発生体40の磁極の向き、および磁気センサ50の検知方向により決まる。図3は、磁気センサ50が検知する磁束密度のグラフであり、破線が永久磁石60のない場合を示す。グラフの縦軸は磁気センサ50が検知する磁束密度、横軸は磁界発生体40の位置であり、Aは図2aに示す磁界発生体40の位置A、Bは図2bに示す磁界発生体40の位置Bに相当する。図2に示す構成の場合は、磁気センサ50が正側の磁束密度を検知している。次に、図4を用いて、永久磁石60が存在する場合の磁束の流れを説明する。なお、図4aは磁界発生体40が移動範囲の一端側A’に位置する場合、図4bは磁界発生体40が移動範囲の他端側B’に位置する場合を示す。図4に示す位置検出装置は、図2および図3で説明した位置検出原理を元に、磁気回路中に永久磁石60を配置したものである。この永久磁石60のNS極は、磁界発生体40のNS極と同じ向きに設置されている。即ち、永久磁石60は、磁界発生体40の発する磁束の向きと逆向きの磁束を発生する。その結果、磁気センサ50を通過する磁束は弱められ、図3に示す破線から実線へ、磁束密度が平均的に弱められる。永久磁石60がない場合は磁束密度の検知範囲が正側のみだったのに対し図3の破線、永久磁石60を設置した場合は逆磁界が作用して磁界発生体40の発する磁束密度にバイアスがかかり、検知範囲が正負両方を含む範囲へオフセットする図3の実線。よって、磁界発生体40の移動範囲内に磁束密度ゼロとなる点を設けることができる。なお、磁束密度検知範囲のオフセット量は、永久磁石60の発生する磁束磁力を調整することにより自由に変更可能である。この永久磁石60としては、例えば磁界発生体40の永久磁石と同じサマリウムコバルト系を用いて、残留磁束密度を調整したものを使用してもよい。あるいは、磁界発生体40の永久磁石とは磁束密度特性の異なる別の永久磁石例えばフェライト系を用いてもよい。永久磁石60と磁界発生体40の磁束密度の大小関係は、磁石サイズ、磁極面積、ギャップ、残留磁束密度、磁石の材質などによって変わるので、一概には言えないが、目安としては永久磁石60の発生する磁束が、磁界発生体40の発生する磁束と同等かそれより小さい磁束になるようにする。このように、磁界発生体40の移動範囲内で磁束密度がゼロになる状態を作ることにより、磁束密度ゼロ状態で磁気センサ50の補正および調整を高精度に行うことができる。磁気センサ50としては、内部に温度検知素子が含まれ、温度補償機能をプログラムできるASICApplicationSpecificIntegratedCircuit;特定用途向け半導体付きホール素子ホールICを使用し、ゼロ点および出力勾配を調整し、高温環境でも出力が変動しない構成にする。例えば、移動範囲の中心位置で磁束密度がゼロになるように永久磁石60の磁束を調整しておくことで、補正および調整に適した磁気センサ50の位置が分かり易くなり、作業が容易になる。図1~図4の例では磁界発生体40と永久磁石60のS極を第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30に向け、N極を第2の固定磁性体20に向ける配置にしたが、極性を逆に配置してもよい。また、図1~図4の例では、磁気センサ50のリードワイヤ51の向きを磁界発生体40の磁極方向Yに平行な方向に配置したが、例えば図5に示すように紙面垂直方向にリードワイヤ51を出すように磁気センサ50を配置してもよい。この構成により、第1の固定磁性体10の正面側でリードワイヤ51を外部端子または電子基板不図示と接続可能となり、位置検出装置の移動方向Xの全長を縮小でき、小型化できる。それによって、製造コストを低減させることが可能となる。また、図6に示すように、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30を積層鋼板で構成してもよい。積層鋼板を使用することにより、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30に発生する渦電流を抑制でき、精度向上に繋がる。さらに、図5と図6の構成を組み合わせてもよい。また、図1~図6の例では、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20、第3の固定磁性体30、磁界発生体40および永久磁石60を同一平面上に配置して2次元的な磁気回路を構成したが、3次元的な磁気回路を構成することもできる。図7~図9に一例を示す。図7は、実施の形態1に係る位置検出装置の変形例であり、図7aに側面図、図7bに正面図を示す。また、図7では紙面上下方向を高さ方向H、紙面左右方向を幅方向W、紙面前後方向を奥行き方向Dとする。この変形例では、第2の固定磁性体20を奥行き方向Dに厚みを持たせる。また、第3の固定磁性体30の第2の固定磁性体20に対向する部分を奥行き方向Dに延設して突出部31を形成する。そして、突出部31の先端側と第2の固定磁性体20との間に永久磁石60を配置する。従って、磁界発生体40と永久磁石60が移動方向X延長線上に一直線に並ばず、奥行き方向Dにずれた状態となるが、3次元の磁気回路が形成されるので、上記同様に磁界発生体40の位置を検出できる。図7に示す位置検出装置において、駆動軸41の取付例を図8および図9に示す。図8の例では、駆動軸41を磁界発生体40の永久磁石60とは反対側に取り付ける。一方、図9の例では、駆動軸41を磁界発生体40の永久磁石60を向く側に取り付ける。磁界発生体40と永久磁石60が一直線上に並んでいないので、永久磁石60側に取り付けた場合でも駆動軸41が永久磁石60に接触する恐れがない。これら図8、図9の例では磁界発生体40を樹脂で被覆し、この樹脂により磁界発生体40と駆動軸41を一体化している。このように、永久磁石60を磁界発生体40の移動範囲の延長線上からずれた位置に設置することにより、駆動軸41を、位置検出装置の幅方向Wのどちら側にも配置することができる。以上より、実施の形態1によれば、位置検出装置は、N極の極性面およびその裏側にS極の極性面を有し、往復運動する駆動軸41に取り付けられて当該NS極が並ぶ磁極方向と直交する方向に移動する磁界発生体40と、磁界発生体40の一方の極性面に対向して配置される曲線部11を有する第1の固定磁性体10と、磁界発生体40のもう一方の極性面に対向する位置に配置され、磁界発生体40を間にして第1の固定磁性体10の曲線部11に対向する移動方向Xに平行な直線部21を有する第2の固定磁性体20と、第2の固定磁性体20に対向する位置に第1の固定磁性体10と並べて配置される第3の固定磁性体30と、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の対向面に挟まれた状態に設置され、駆動軸41の往復運動に応じて磁界発生体40と第1の固定磁性体10との間の磁極方向の距離が変化することで、通過する磁束が変化することから磁界発生体40の位置を検出する磁気センサ50と、第2の固定磁性体20と第3の固定磁性体30の対向面間に設置され、磁気センサ50を通過する磁束を変化させて磁束密度の検知範囲にゼロが含まれるよう作用する永久磁石60とを備える構成にした。このため、磁束密度ゼロの状態で磁気センサ50の補正および調整を行うことができる。よって、補正および調整による精度向上を図った位置検出装置を得ることができる。また、実施の形態1によれば、永久磁石60の磁力または材質を変更することで磁束密度のオフセット量を調整することができるので、磁気センサ50の磁束密度の検知範囲を調整したり、磁束密度がゼロになる磁界発生体40の位置を調整したりすることができる。実施の形態2.上記実施の形態1では、磁界発生体40の移動範囲内で磁束密度がゼロを通過する構成にしたが、本実施の形態2では、移動範囲の端部で磁束密度がゼロになるよう構成する。なお、本実施の形態2の位置検出装置は、図1および図4に示す位置検出装置と図面上では同様の構成であるため、以下では図1および図4を援用して説明する。図10は、磁気センサ50が検知する磁束密度のグラフであり、破線が永久磁石60のない場合、実線が永久磁石60のある場合を示す。グラフ中のA,A’,B,B’の磁束密度は、図2および図4において磁界発生体40がA,A’,B,B’の位置における磁気センサ50の検知する磁束密度に相当する。本実施の形態2では、磁界発生体40が移動範囲の一端側B’にあるときに磁束密度がゼロになるようなバイアスをかける永久磁石60を用いる。以上より、実施の形態2によれば、位置検出装置は、磁気センサ50の検知する磁束密度が磁界発生体40の移動範囲の一端側でゼロになるよう作用する永久磁石60を用いる構成した。これにより、磁束密度ゼロ状態になるときの磁界発生体40の絶対位置が決まるので、磁界発生体40が移動範囲の一端部にあるときに磁気センサ50の補正および調整を行えばよいことになる。従って、補正および調整の作業を簡易化できる。特に、磁気センサ50としてホールIC等のプログラマブルセンサを用い、位置検出装置をアクチュエータ等に搭載した後で補正および調整に用いるパラメータを書き込む場合、磁界発生体40が移動範囲の一端部にある磁束密度ゼロの状態で、パラメータを求めて書き込めば良いため、作業が容易となる。あるいは、磁界発生体40が移動範囲の中心に位置するときに磁束密度がゼロになるよう作用する永久磁石60を用いてもよい。この場合は、磁界発生体40を移動範囲の中心位置に位置合わせした状態で、補正および調整を行えばよい。実施の形態3.図11は、この発明の実施の形態3に係る位置検出装置を示す図である。なお、図11において図7と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。本実施の形態3では、第3の固定磁性体30の第2の固定磁性体20に対向する部分を奥行き方向Dの一方へ延設して突出部31を形成すると共に、奥行き方向Dのもう一方へ延設して突出部32を形成している。また、永久磁石60を永久磁石60a,60bの2個に分割して、永久磁石60aを突出部31と第2の固定磁性体20の対向面に配置し、永久磁石60bを突出部32と第2の固定磁性体20の対向面に配置している。従って、磁界発生体40と永久磁石60a,60bが移動方向X延長線上に一直線に並ばず、奥行き方向Dにずれた状態となるが、3次元の磁気回路が形成されるので、上記実施の形態1,2と同様に磁界発生体40の位置を検出できる。なお、分割した永久磁石60a,60bの発生する磁束を合わせた磁束は、図1~図10に示す永久磁束60の発生する磁束と同等である。図11に示す位置検出装置において、駆動軸41の取付例を図12および図13に示す。図12の例では、駆動軸41を磁界発生体40の永久磁石60a,60bとは反対側に取り付ける。一方、図13の例では、駆動軸41を永久磁石60a,60bを向く側に取り付ける。磁界発生体40と永久磁石60a,60bが一直線上に並んでいないので、永久磁石60a,60b側に取り付けた場合でも駆動軸41が永久磁石60a,60bに接触する恐れがない。以上より、実施の形態3によれば、位置検出装置は、複数に分割した永久磁石60a,60bを、磁界発生体40の移動方向上からずれた位置に配置するように構成したので、駆動軸41を位置検出装置の幅方向Wのどちら側にも配置することができる。実施の形態4.図14はこの発明の実施の形態4に係る位置検出装置を示し、図14aは平面図、図14bはI-I矢視断面図である。なお、図14において図1と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。図14に示すように、本実施の形態4に係る位置検出装置は円柱形状にする。具体的には、第1の固定磁性体10を円筒状に形成し、内周面両端を直線部12,13に、直線部12,13間の内周面の径を軸方向に変化させて曲線部11にする。第3の固定磁性体30も円筒状に形成し、第1の固定磁性体10と同軸上に配置する。一方、第2の固定磁性体20は円柱状に形成し、第1の固定磁性体10と第2の固定磁性体20の各内側に配置する。第2の固定磁性体20の外周面が直線部21になる。磁界発生体40は円筒状に形成され、径方向が磁極方向Y、軸方向が移動方向Xになる。この磁界発生体40は、第1の固定磁性体10の内周面と第2の固定磁性体20の外周面の間に配置される。また、磁界発生体40は樹脂で被覆され、この樹脂により駆動軸41に一体化されている。この駆動軸41は有底形状の円筒とし、開放端面に磁界発生体40を取り付け、底面に軸を形成している。磁界発生体40の永久磁石と永久磁石60は、それぞれラジアル異方性のリング磁石であって、例えば内周面側がN極、外周面側がS極の磁場配向とする。反対に、内周面側をS極、外周面側をN極にしてもよい。磁気センサ50は、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の対向面に挟まれた状態に配置されている。また、永久磁石60は円筒状に形成され、第3の固定磁性体30の内周面と第2の固定磁性体20の外周面の間に配置されている。磁気センサ50は、移動方向Xに移動する磁界発生体40の位置を検出することになるが、磁界発生体40が円筒形状のため、径方向磁極方向Yと同一方向に軸ずれしても片側の隙間が広がる分、中心軸を挟んで反対側の隙間が狭まり、磁束密度に及ぼす軸ずれの影響がキャンセルされる。従って、磁界発生体40の径方向のずれがあっても、位置検出精度を確保することが可能となる。なお、第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30を円筒形状にしたので、磁気センサ50の配置面が広くなるため、磁気センサ50を複数設置して冗長性を持たせるようにしてもよい。図15に、2個の磁気センサ50を設置した位置検出装置の平面図を示す。図15の例では磁気センサ50を2個設置したが、3個以上設置してもよい。以上より、実施の形態4によれば、位置検出装置は、第1の固定磁性体10が円筒状であって内周面の径が軸方向に変化する曲線部11を有し、第2の固定磁性体20は円筒状であって第1の固定磁性体10と同軸上に並べて配置され、第3の固定磁性体30は円柱状であって第1の固定磁性体10および第3の固定磁性体30の各内側に配置され、磁界発生体40は内周面および外周面が極性面となる円筒状であって、第1の固定磁性体10の内周面と第2の固定磁性体20の外周面の間に配置されて軸方向に移動し、磁気センサ50は第1の固定磁性体10と第3の固定磁性体30の対向面間に挟まれた状態に配置され、永久磁石60は円筒状であって第3の固定磁性体30の内周面と第2の固定磁性体20の外周面の間に配置されるように構成した。このため、磁界発生体40の磁極方向Yのずれをキャンセルすることができ、位置検出精度を確保することができる。なお、上記実施の形態1~4において、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30は磁性体であればよいが、積層鋼板で構成されている方がより好ましい。積層鋼板を使用することにより、第1の固定磁性体10、第2の固定磁性体20および第3の固定磁性体30に発生する渦電流が抑制され、磁界発生体40での磁束を磁気センサ50で検出されやすくなるためである。また、圧粉鉄芯で形成されていてもよい。積層鋼板同様に、渦電流を抑制できる。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"