"放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像の検出面に、被検体を透過せずに入射する前記第2の周期パターン像の成分を検出するための素抜け領域を有し、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、被検体を配置した状態で前記位相微分像生成手段により生成される第1の位相微分像と、被検体を配置しない状態で前記位相微分像生成手段により生成される第2の位相微分像とに基づき、前記素抜け領域における前記第1及び第2の位相微分像の位相微分値の差分を取る値ことにより変動量を算出する変動量算出手段と、前記第1の位相微分像から前記第2の位相微分像を減算し、さらに、すべての画素について前記変動量を減算する減算処理手段と、を備えることを特徴とする放射線撮影システム。前記第2の位相微分像を記憶する記憶手段と、被検体を配置しない状態でのプレ撮影指示に応じて、前記強度変調手段、前記放射線画像検出器、及び前記位相微分像生成手段を動作させ、前記位相微分像生成手段により生成される位相微分像を前記第2の位相微分像として前記記憶手段に記憶させる制御手段と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影システム。前記第1の格子、前記強度変調手段、及び前記放射線画像検出器を保持し、前記素抜け領域を識別可能に形成された入射面を有する筐体を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮影システム。前記減算処理手段により減算処理がなされた結果生成される位相微分像に対して積分処理を施すことにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段を備えることを特徴とする請求項1から3いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成することを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなることを特徴とする請求項5に記載の放射線撮影システム。前記第1及び第2の格子は、吸収型格子であり、前記第1の格子は、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として線形的に前記第2の格子に投影することを特徴とする請求項6に記載の放射線撮影システム。前記第1及び第2の格子は、放射線の吸収率が高い格子線状の高吸収部と、放射線の吸収率が低い格子線状の低吸収部とが交互に配置されてなることを特徴とする請求項7に記載の放射線撮影システム。前記高吸収部は、AuまたはPtからなることを特徴とする請求項8に記載の放射線撮影システム。前記高吸収部は、10μm~200μmの厚みを有することを特徴とする請求項9に記載の放射線撮影システム。前記低吸収部は、シリコンまたはポリマーからなることを特徴とする請求項8から10いずれか1項に記載の放射線撮影システム。前記第1の格子は位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成することを特徴とする請求項6に記載の放射線撮影システム。前記第1の格子は、放射線の吸収率が高い格子線状の高吸収部と、放射線の吸収率が低い格子線状の低吸収部とが交互に配置されてなり、前記高吸収部と前記低吸収部との間で、放射線にπまたは0.5πの位相差を与えることを特徴とする請求項12に記載の放射線撮影システム。前記高吸収部は、AuまたはPtからなることを特徴とする請求項13に記載の放射線撮影システム。前記低吸収部は、シリコンまたはポリマーからなることを特徴とする請求項13または14に記載の放射線撮影システム。前記放射線源の射出側に線源格子を備えることを特徴とする請求項1から15いずれか1項に記載の放射線撮影システム。放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像の検出面に、被検体を透過せずに入射する前記第2の周期パターン像の成分を検出するための素抜け領域を有し、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、を備えた放射線撮影システムの画像処理方法であって、被検体を配置した状態で前記位相微分像生成手段により生成される第1の位相微分像と、被検体を配置しない状態で前記位相微分像生成手段により生成される第2の位相微分像とに基づき、前記素抜け領域における前記第1及び第2の位相微分像の位相微分値の差分を取ることにより変動量を算出するステップと、前記第1の位相微分像から前記第2の位相微分像を減算し、さらに、すべての画素について前記変動量を減算するステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。しかしながら、特許文献1に記載された上記オフセット補正方法では、プレ撮影と本撮影とは、被検体の有無以外は同一の撮影であることが前提であるため、プレ撮影と本撮影との間で、第1の回折格子に対する第2の回折格子の走査開始位置が変動した場合に生じるノイズを補正することができないといった問題がある。この走査開始位置が変動により生じるノイズは、位相微分像の全体を変位させ、その結果得られる位相コントラスト画像の画質を劣化させる。また、この画質劣化は、プレ撮影と本撮影との間での走査開始位置の変動に限られず、プレ撮影と本撮影との間で第1及び第2の回折格子の位置関係になんらかの変動があった場合にも生じる。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、プレ撮影と本撮影との間で格子の位置関係が変動したことにより生じるノイズを補正可能とする放射線撮影システム及びその画像処理方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の放射線撮影システムは、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像の検出面に、被検体を透過せずに入射する前記第2の周期パターン像の成分を検出するための素抜け領域を有し、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、被検体を配置した状態で前記位相微分像生成手段により生成される第1の位相微分像と、被検体を配置しない状態で前記位相微分像生成手段により生成される第2の位相微分像とに基づき、前記素抜け領域における前記第1及び第2の位相微分像の位相微分値の差分を取る値ことにより変動量を算出する変動量算出手段と、前記第1の位相微分像から前記第2の位相微分像を減算し、さらに、すべての画素について前記変動量を減算する減算処理手段と、を備える。本発明の放射線撮影システムは、前記第2の位相微分像を記憶する記憶手段と、被検体を配置しない状態でのプレ撮影指示に応じて、前記強度変調手段、前記放射線画像検出器、及び前記位相微分像生成手段を動作させ、前記位相微分像生成手段により生成される位相微分像を前記第2の位相微分像として前記記憶手段に記憶させる制御手段と、をさらに備える。本発明の放射線撮影システムは、前記第1の格子、前記強度変調手段、及び前記放射線画像検出器を保持し、前記素抜け領域を識別可能に形成された入射面を有する筐体をさらに備える。本発明の放射線撮影システムは、前記減算処理手段により減算処理がなされた結果生成される位相微分像に対して積分処理を施すことにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成手段をさらに備える。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像に対して位相が異なる複数の相対位置で強度変調を与えて複数の第2の周期パターン像を生成し、前記放射線画像検出器は、前記各第2の周期パターン像を検出して複数の画像データを生成し、前記位相微分像生成手段は、前記複数の画像データに基づき、前記相対位置に対する画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより前記位相微分像を生成する。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターン像と同一方向の周期パターンを有する第2の格子と、前記第1及び第2の格子のいずれか一方を所定のピッチで移動させる走査手段とからなる。前記第1及び第2の格子は、吸収型格子であり、前記第1の格子は、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として線形的に前記第2の格子に投影する。前記第1及び第2の格子は、放射線の吸収率が高い格子線状の高吸収部と、放射線の吸収率が低い格子線状の低吸収部とが交互に配置されてなる。前記高吸収部は、AuまたはPtからなる。前記高吸収部は、10μm~200μmの厚みを有する。前記低吸収部は、シリコンまたはポリマーからなる。前記第1の格子は位相型格子であり、前記第1の格子は、タルボ干渉効果により、前記放射線源からの放射線を前記第1の周期パターン像として前記第2の格子の位置に形成するものであってもよい。この場合、前記第1の格子は、放射線の吸収率が高い格子線状の高吸収部と、放射線の吸収率が低い格子線状の低吸収部とが交互に配置されてなり、前記高吸収部と前記低吸収部との間で、放射線にπまたは0.5πの位相差を与える。前記高吸収部は、AuまたはPtからなる。前記低吸収部は、シリコンまたはポリマーからなる。本発明の放射線撮影システムは、前記放射線源の射出側に線源格子を備えることが好ましい。本発明の画像処理方法は、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像に対して強度変調を与えて第2の周期パターン像を生成する強度変調手段と、前記第2の周期パターン像の検出面に、被検体を透過せずに入射する前記第2の周期パターン像の成分を検出するための素抜け領域を有し、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、前記画像データに基づいて位相微分像を生成する位相微分像生成手段と、を備えた放射線撮影システムの画像処理方法であって、被検体を配置した状態で前記位相微分像生成手段により生成される第1の位相微分像と、被検体を配置しない状態で前記位相微分像生成手段により生成される第2の位相微分像とに基づき、前記素抜け領域における前記第1及び第2の位相微分像の位相微分値の差分を取ることにより変動量を算出するステップと、前記第1の位相微分像から前記第2の位相微分像を減算し、さらに、すべての画素について前記変動量を減算するステップと、を有する。本発明は、被検体を配置した状態本撮影で生成された第1の位相微分像と、被検体を配置しない状態プレ撮影で生成された第2の位相微分像オフセットデータとに基づき、放射線検出器の素抜け領域に対応する位相微分値の差分を取ることにより変動量を算出し、第1の位相微分像から第2の位相微分像を減算し、さらに、すべての画素について上記変動量を減算するものであるため、プレ撮影と本撮影との間で格子の位置関係が変動したことにより生じるノイズを補正することができる。第1実施形態図1において、本発明の第1実施形態に係るX線撮影システム10は、被検体HにX線を照射するX線源11と、X線源11に対向配置され、X線源11から被検体Hを透過したX線を検出して画像データを生成する撮影部12と、撮影部12から読み出された画像データを記憶するメモリ13と、メモリ13に記憶される複数の画像データを画像処理して位相コントラスト画像を生成する画像処理部14と、画像処理部14により生成された位相コントラスト画像が記録される画像記録部15と、X線源11及び撮影部12の制御を行う撮影制御部16と、操作部やモニタからなるコンソール17と、コンソール17から入力される操作信号に基づいてX線撮影システム10の全体を統括的に制御するシステム制御部18とから構成されている。X線源11は、高電圧発生器、X線管、コリメータいずれも図示せず等から構成されており、撮影制御部16の制御に基づいて、被検体HにX線を照射する。例えば、X線管は、回転陽極型であり、高電圧発生器からの電圧に応じて、フィラメントから電子線を放出し、所定の速度で回転する回転陽極に電子線を衝突させることによりX線を発生する。回転陽極は、電子線が固定位置に当り続けることによる劣化を軽減するために回転しており、電子線の衝突部分が、X線を放射するX線焦点となっている。また、コリメータは、X線管から発せられたX線のうち、被検体Hの検査領域に寄与しない部分を遮蔽するように照射野を制限するものである。撮影部12には、半導体回路からなるフラットパネル検出器FPD20、被検体HによるX線の位相変化角度変化を検出し位相イメージングを行うための第1の吸収型格子21及び第2の吸収型格子22が設けられている。FPD20は、X線源11から照射されるX線の光軸Aに沿う方向以下、z方向いうに検出面が直交するように配置されている。FPD20の検出面は、主として被検体Hを透過したX線が第1及び第2の吸収型格子21,22を介して入射する被検体検出領域20aと、被検体Hの周囲を通過したX線が、被検体Hを透過せずに第1及び第2の吸収型格子21,22のみを介して入射する素抜け領域20bとに区分されている。第1の吸収型格子21は、z方向に直交する面内の一方向以下、y方向というに延伸した複数のX線遮蔽部X線高吸収部21aが、z方向及びy方向に直交する方向以下、x方向というに所定のピッチp1で配列されたものである。同様に、第2の吸収型格子22は、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部X線高吸収部22aが、x方向に所定のピッチp2で配列されたものである。X線遮蔽部21a,22aの材料としては、X線吸収性に優れる金属が好ましく、例えば、金Auや白金Ptが好ましい。また、撮影部12には、第2の吸収型格子22を格子線方向y方向に直交する方向x方向に並進移動させることにより、第1の吸収型格子21に対する第2の吸収型格子22との相対位置を変化させる走査機構23が設けられている。走査機構23は、例えば、圧電素子等のアクチュエータにより構成される。走査機構23は、後述する縞走査の際に、撮影制御部16の制御に基づいて駆動される。詳しくは後述するが、メモリ13には、縞走査の各走査ステップで撮影部12により得られる画像データがそれぞれ記憶される。なお、第2の吸収型格子22と走査機構23とが特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。以上のように構成された撮影部12は、図2に示すような矩形状の筐体24の内部に保持されている。筐体24のX線入射面24aには、x方向及びy方向に関する中心位置を示す中心線25a,25bと、FPD20の被検体検出領域20aと素抜け領域20bとの境界を示す矩形状の枠線25cが印刷形成されている。枠線25cの外側は、素抜け領域20bに対応する。なお、素抜け領域20bを認識可能とする方法であれば、枠線25cの印刷に限られず、その他の方法を用いても良い。画像処理部14には、位相微分像生成部30、オフセットデータ記憶部31、変動量算出部32、減算処理部33、及び、位相コントラスト画像生成部34が設けられている。位相微分像生成部30は、走査機構23による縞走査の各走査ステップで撮影部12により撮影され、メモリ13に記憶された複数の画像データに基づき、位相微分像を生成する。オフセットデータ記憶部31は、被検体HをX線源11と撮影部12との間に配置しない状態における撮影プレ撮影時に位相微分像生成部30により生成される位相微分像をオフセットデータとして記憶する。オフセットデータ記憶部31は、フラッシュメモリ等の不揮発性記憶装置により構成されている。変動量算出部32は、被検体HをX線源11と撮影部12との間でかつ、被検体Hを透過したX線が枠線25c内に投影されるように配置した状態における撮影本撮影時に位相微分像生成部30により生成される位相微分像と、オフセットデータ記憶部31に記憶されたオフセットデータ位相微分像とを、FPD20の素抜け領域20bに含まれる所定の画素について、位相微分値の差分値を算出する。素抜け領域20bは、プレ撮影時にも本撮影時にも被検体Hを透過せずにX線が入射する領域であるため、プレ撮影と本撮影とにおいて、第2の吸収型格子22の走査開始位置初期値に変動がなければ、位相微分値は同一となり、差分値は0となる。変動量算出部32は、プレ撮影と本撮影とにおける素抜け領域20bの位相微分値の差分値を算出することで、第2の吸収型格子22の走査開始位置の変動量を検出するものである。減算処理部33は、本撮影に位相微分像生成部30により生成される位相微分像から、オフセットデータ記憶部31に記憶されたオフセットデータを減算し、さらに、変動量算出部32により算出された差分値を画素全体について減算する。そして、位相コントラスト画像生成部34は、減算処理部33により減算処理がなされた位相微分像を走査方向x方向に沿って積分することにより、位相コントラスト画像を生成する。位相コントラスト画像生成部34により生成された位相コントラスト画像は、画像記録部15に記録された後、コンソール17に出力されてモニタ図示せずに表示される。コンソール17は、モニタの他、操作者が撮影指示やその指示内容を入力する入力装置図示せずを備えている。この入力装置としては、例えば、スイッチ、タッチパネル、マウス、キーボード等が用いられる。入力装置の操作により、X線管の管電圧やX線照射時間等のX線撮影条件、撮影タイミング等が入力される。モニタは、液晶ディスプレイやCRTディスプレイからなり、X線撮影条件等の文字や、上記位相コントラスト画像を表示する。図3において、FPD20は、X線を電荷に変換して蓄積する複数の画素40が、x方向及びy方向に沿ってアクティブマトリクス基板上に2次元配列されてなる受像部41と、画素40からの電荷の読み出しタイミングを制御する走査回路42と、画素40から電荷を読み出し、電荷を画像データに変換して出力する読み出し回路43とから構成されている。なお、走査回路42と各画素40とは、行毎に走査線44によって接続されており、読み出し回路43と各画素40とは、列毎に信号線45によって接続されている。画素40の配列ピッチは、x方向及びy方向にそれぞれ100μm程度である。画素40は、アモルファスセレン等の変換層図示せずによりX線を電荷に直接変換し、変換された電荷を変換層の下部の電極に接続されたキャパシタ図示せずに蓄積する直接変換型のX線検出素子である。各画素40には、TFTスイッチ図示せずが設けられ、TFTスイッチのゲート電極が走査線44、ソース電極がキャパシタ、ドレイン電極が信号線45に接続される。走査回路42からの駆動パルスによってTFTスイッチがON状態になると、キャパシタに蓄積された電荷が信号線45に読み出される。なお、画素40は、酸化ガドリニウムGd2O3やヨウ化セシウムCsI等からなるシンチレータ図示せずでX線を一旦可視光に変換し、変換された可視光をフォトダイオード図示せずで電荷に変換して蓄積する間接変換型のX線検出素子としてもよい。また、本実施形態では、放射線画像検出器としてTFTパネルをベースとしたFPDを用いているが、これに限られず、CCDセンサやCMOSセンサ等の固体撮像素子をベースとした各種の放射線画像検出器を用いることも可能である。読み出し回路43は、積分アンプ、補正回路、A/D変換器いずれも図示せず等により構成されている。積分アンプは、各画素40から信号線45を介して出力された電荷を積分して電圧信号画像信号に変換する。A/D変換器は、積分アンプにより変換された画像信号を、デジタルの画像データに変換する。補正回路は、画像データに対して、暗電流補正、ゲイン補正、及びリニアリティ補正等を行い、補正後の画像データをメモリ13に入力する。走査回路42及び読み出し回路43は、撮影制御部16を介してシステム制御部18により制御されている。受像部41は、前述のように被検体検出領域20aと素抜け領域20bとに区分されている。被検体検出領域20aと素抜け領域20bとに含まれる画素40は同一構成であり、システム制御部18は、走査線44と信号線45とのアドレスにより、被検体検出領域20aに含まれる画素40と、素抜け領域20bに含まれる画素40とを識別している。図4において、第1の吸収型格子21のX線遮蔽部21aは、x方向に所定のピッチp1で、互いに所定の間隔d1を空けて配列されており、間隔d1の部分には、X線低吸収部21bが設けられている。同様に、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aは、x方向に所定のピッチp2で、互いに所定の間隔d2を空けて配列されており、間隔d2の部分には、X線低吸収部22bが設けられている。第1及び第2の吸収型格子21,22は、入射X線に位相差を与えるものでなく、強度差を与えるものであり、振幅型格子とも称される。X線低吸収部21b,22bは、シリコンSiやポリマーからなることが好ましく、さらには、空隙であっても良い。第1及び第2の吸収型格子21,22は、X線低吸収部21b,22bを通過したX線を線形的幾何光学的に投影するように構成される。具体的には、間隔d1,d2を、X線源11から照射されるX線のピーク波長より十分大きな値とすることで、照射X線に含まれる大部分のX線をX線低吸収部21b,22bで回折させずに、直進性を保ったまま通過するように構成される。例えば、前述のX線管の回転陽極としてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、X線のピーク波長は、約0.4Åである。この場合には、間隔d1,d2を1~10μm程度とすれば、X線低吸収部21b,22bで大部分のX線が回折されずに線形的に投影される。格子ピッチp1,p2は、2~20μm程度である。X線源11から照射されるX線は、平行ビームではなく、X線焦点を発光点としたコーンビームであるため、第1の吸収型格子21を通過することにより形成される第1の周期パターン像以下、G1像というは、X線焦点11aからの距離に比例して拡大される。第2の吸収型格子22の格子ピッチp2及び間隔d2は、X線低吸収部22bのパターンが、第2の吸収型格子22の位置におけるG1像の明部の周期パターンとほぼ一致するように決定されている。すなわち、X線焦点11aから第1の吸収型格子21までの距離をL1、第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離をL2とした場合に、格子ピッチp2及び間隔d2は、次式1及び2の関係を満たすように決定される。なお、必ずしも式2を満たす必要はなく、間隔d1,d2をそれぞれ個別に設定してもよい。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22までの距離L2は、タルボ干渉計の場合には、第1の回折格子の格子ピッチとX線波長とで決まるタルボ干渉距離に制約されるが、本実施形態の撮影部12では、第1の吸収型格子21が入射X線を回折させずに投影する構成であって、第1の吸収型格子21のG1像が、第1の吸収型格子21の後方のすべての位置で相似的に得られるため、該距離L2を、タルボ干渉距離と無関係に設定することができる。上記のように本実施形態の撮影部12は、タルボ干渉計を構成するものではないが、第1の吸収型格子21でX線の回折が生じ、タルボ干渉効果が生じていると仮定した場合のタルボ干渉距離Zは、第1の吸収型格子21の格子ピッチp1、X線波長ピーク波長λ、及び正の整数mを用いて、次式3で表される。本実施形態では、前述のように距離L2をタルボ干渉距離と無関係に設定することができるため、撮影部12のz方向への薄型化を目的とし、距離L2を、m=1の場合の最小のタルボ干渉距離Zより短い値に設定する。すなわち、距離L2は、次式4を満たす範囲の値に設定される。X線遮蔽部21a,22aは、コントラストの高い周期パターン像を生成するためには、X線を完全に遮蔽吸収することが好ましいが、上記したX線吸収性に優れる材料金、白金等を用いたとしても、吸収されずに透過するX線が少なからず存在する。このため、X線の遮蔽性を高めるためには、X線遮蔽部21a,22aのそれぞれの厚みz方向の厚さをできるだけ厚くすることすなわち、アスペクト比を高めることが好ましい。例えば、X線管の管電圧が50kVの場合に、照射X線の90以上を遮蔽することが好ましく、X線遮蔽部21a,22aの厚みは、10μm~200μmの範囲であることが好ましい。以上のように構成された第1及び第2の吸収型格子21,22では、第1の吸収型格子21により生成されたG1像が第2の吸収型格子22との重ね合わせにより部分的に遮蔽され、強度変調されることにより、第2の周期パターン像以下、G2像というが生成される。このG2像はFPD20によって撮像される。第2の吸収型格子22の位置におけるG1像のパターン周期と、第2の吸収型格子22の格子ピッチp2とは、製造誤差や配置誤差により若干の差異が生じており、この微小な差異により、G2像にはモアレ縞が生じる。また、第1及び第2の吸収型格子21,22の格子配列方向に誤差が生じ、配列方向が同一でない場合には、G2像にいわゆる回転モアレが発生する。しかし、G2像にモアレ縞が発生した場合でも、モアレ縞のx方向またはy方向の周期が画素40の配列ピッチより大きい範囲であれば特に問題はない。理想的にはモアレ縞が発生しないことが好ましいが、モアレ縞は、後述するように、縞走査の走査量第2の吸収型格子22の並進距離の確認に利用することができる。X線源11と第1の吸収型格子21との間に被検体Hを配置すると、FPD20により検出されるG2像は、被検体Hにより変調を受ける。この変調量は、被検体Hによる屈折効果によって偏向したX線の角度に比例する。したがって、FPD20で検出されたG2像を解析することによって、被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。次に、G2像の解析方法について原理的な説明を行う。同図には、被検体Hのx方向に関する位相シフト分布Φxに応じて屈折する1つのX線が例示されている。符号50は、被検体Hが存在しない場合に直進するX線の経路を示しており、この経路50を進むX線は、第1及び第2の吸収型格子21,22を通過してFPD20に入射する。符号51は、被検体Hが存在する場合に、被検体Hにより屈折して偏向したX線の経路を示している。この経路51を進むX線は、第1の吸収型格子21を通過した後、第2の吸収型格子22のX線遮蔽部22aにより遮蔽される。被検体Hの位相シフト分布Φxは、被検体Hの屈折率分布をnx,z、zをX線の進む方向として、次式5で表される。第1の吸収型格子21から第2の吸収型格子22の位置に投影されたG1像は、被検体HでのX線の屈折により、その屈折角φに応じた量だけx方向に変位する。この変位量Δxは、X線の屈折角φが微小であることに基づいて、近似的に次式6で表される。ここで、屈折角φは、X線波長λと被検体Hの位相シフト分布Φxを用いて、次式7で表される。このように、被検体HでのX線の屈折によるG1像の変位量Δxは、被検体Hの位相シフト分布Φxに関連している。そして、この変位量Δxは、FPD20で検出される各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψ被検体Hがある場合とない場合とでの各画素40の強度変調信号の位相のズレ量に、次式8のように関連している。したがって、各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを求めることにより、式8から屈折角φが求まり、式7を用いて位相シフト分布Φxの微分量が求まるから、これをxについて積分することにより、被検体Hの位相シフト分布Φx、すなわち被検体Hの位相コントラスト画像を生成することができる。本実施形態では、プレ撮影時及び本撮影時に、上記位相ズレ量ψを下記に示す縞走査法を用いて算出し、それぞれについて位相微分像を生成する。縞走査法では、第1及び第2の吸収型格子21,22の一方を他方に対して相対的にx方向に並進移動させながら撮影を行うすなわち、両者の格子周期の位相を変化させながら撮影を行う。本実施形態では、前述の走査機構23により第2の吸収型格子22を移動させる。G2像に生じるモアレ縞は、第2の吸収型格子22の移動に伴って移動し、並進距離x方向への移動量が、第2の吸収型格子22の格子周期の1周期格子ピッチp2に達するとすなわち、位相変化が2πに達すると、元の位置に戻る。このように、格子ピッチp2の整数分の1ずつ第2の吸収型格子22を移動させながら、FPD20でG2像を撮影する。撮影により得られた複数の画像データから各画素の強度変調信号を取得し、前述の画像処理部14内の位相微分像生成部30で演算処理することにより、各画素の強度変調信号の位相ズレ量ψが得られる。この位相ズレ量ψの2次元分布が位相微分像に相当する。図5は、格子ピッチp2をM2以上の整数個に分割した走査ピッチp2/Mずつ第2の吸収型格子22を移動させる様子を模式的に示している。走査機構23は、k=0,1,2,,M-1のM個の各走査位置に、第2の吸収型格子22を順に並進移動させる。なお、同図では、第2の吸収型格子22の初期位置を、被検体Hが存在しない場合における第2の吸収型格子22の位置でのG1像の暗部が、X線遮蔽部22aにほぼ一致する位置k=0としているが、この初期位置は、k=0,1,2,,M-1のうちいずれの位置としてもよい。まず、k=0の位置では、主として、被検体Hにより屈折されなかったX線の成分非屈折成分が第2の吸収型格子22を通過する。次に、k=1,2,と順に第2の吸収型格子22を移動させていくと、第2の吸収型格子22を通過するX線は、非屈折成分が減少する一方で、被検体Hにより屈折されたX線の成分屈折成分が増加する。特に、k=M/2の位置では、主として、屈折成分のみが第2の吸収型格子22を通過する。k=M/2の位置を超えると、逆に、第2の吸収型格子22を通過するX線は、屈折成分が減少する一方で、非屈折成分が増加する。k=0,1,2,,M-1の各位置で、FPD20により撮影を行い画像データを生成すると、各画素40について、M個の画素データが得られる。以下に、このM個の画素データから上記各画素40の強度変調信号の位相ズレ量ψを算出する方法を説明する。第2の吸収型格子22の位置kにおける各画素40の画素データIkxは、一般に次式9で表される。ここで、xは画素のx方向に関する座標、A0は入射X線の強度、Anは強度変調信号のコントラストに対応する値、nは正の整数、iは虚数単位である。また、φxは、上記屈折角φを画素40の座標xの関数として表したものである。次式10で表される関係式を適用すると、上記屈折角φxは、式11のように表される。ここで、arg[]は、偏角の抽出を意味しており、上記位相ズレ量ψに対応する。したがって、各画素40で得られたM個の画素データで表される強度変調信号から、式11に基づいて位相ズレ量ψを算出することにより、屈折角φxが求まり、位相シフト分布Φxの微分量が求まる。具体的には、図6a、bに示すように、強度変調信号は、第2の吸収型格子22の位置kに対して、格子ピッチp2の周期で周期的に変化する。同図中の実線は、本撮影時に得られる強度変調信号を例示しており、位相ズレ量ψ1を有している。破線は、プレ撮影時に得られる強度変調信号を例示しており、位相ズレ量ψ0を有している。プレ撮影時の位相ズレ量ψ0は、第1及び第2の吸収型格子21,22の格子歪みや、作成誤差、配置誤差などにより生じるものである。図6aは、被検体検出領域20a内の画素40の強度変調信号を例示したものであり、本撮影時に被検体Hの影響により強度変調信号に位相ズレが生じた場合を示している。これに対して、図6bは、素抜け領域20b内の画素40の強度変調信号を例示したものであり、強度変調信号の位相差Δψ=ψ1-ψ0は、プレ撮影時と本撮影時とでの第2の吸収型格子22の走査開始位置図5のk=0の位置の変動量に起因している。走査機構23として、圧電素子等のアクチュエータを用いた場合には、走査ピッチp2/Mは比較的精度良く制御することが可能であるが、第2の吸収型格子22を、k=0からk=M-1まで走査を行った後、k=0の初期位置に戻した際に、精度良く元の位置に戻らず、無視することのできない程度数μm程度の誤差が生じることがある。この誤差が上記変動量に相当する。以上の説明では、画素40のy方向に関するy座標を考慮していないが、y座標について同様の演算を行うことにより、x方向及びy方向に関する2次元的な位相ズレ量の分布ψ0x,y及びψ1x,yが得られる。ψ0x,yは、プレ撮影時に位相微分像生成部30からオフセットデータ記憶部31に入力される位相微分像オフセットデータに相当する。また、ψ1x,yは、本撮影時に位相微分像生成部30から変動量算出部32及び減算処理部33に入力される位相微分像に相当する。なお、位相微分像を構成する物理量としては、位相ズレ量ψに限られず、屈折角φ等、位相シフト分布Φxの微分値と比例関係を有するものであれば、いかなる物理量を用いてもよい。変動量算出部32は、素抜け領域20b内の所定の画素40について、ψ1x,y-ψ0x,yを算出し、これを変動量Δψとして減算処理部33に供給する。減算処理部33は、被検体検出領域20a内のすべての画素40について、ψ1x,yからψ0x,yを減算し、さらに、変動量Δψを減算する。この結果、第1及び第2の吸収型格子21,22の歪みや、作成誤差、配置誤差などに加えて、第2の吸収型格子22の走査開始位置の変動による影響が除かれ、被検体Hの特性のみが反映された位相微分像が得られる。なお、変動量算出部32は、素抜け領域20b内の複数の画素40について、ψ1x,y-ψ0x,yを算出し、これを平均化したものを変動量Δψとすることも好ましい。次に、以上のように構成されたX線撮影システム10の作用を説明する。図7のフローチャートに示すように、コンソール17からプレ撮影の開始指示がなされるとステップS10でYES判定、X線撮影システム10の各部が連携動作して、第2の吸収型格子22の走査とともに、X線源11によるX線の曝射及びFPD20による検出動作が行われステップS11、メモリ13に記憶された複数の画像データに基づき、位相微分像生成部30により位相微分像ψ0x,yが生成されステップS12、オフセットデータとしてオフセットデータ記憶部31に記憶されるステップS13。プレ撮影は、以上で動作が終了し、第2の吸収型格子22は、走査開始位置初期位置に戻されるステップS14。プレ撮影の終了時には、プレ撮影が終了した旨が、モニタへのメッセージ表示等により、操作者に報知されるステップS15。このプレ撮影は、本撮影のたびに毎回行う必要はなく、X線撮影システム10の立ち上げ時等に適宜行えばよい。オフセットデータ記憶部31に記憶されたオフセットデータは、再度プレ撮影が行われた場合には、新たに得られたオフセットデータに上書きされる。次に、被検体Hを透過したX線が筐体24のX線入射面24aに示された枠線25c内にのみ入射するように配置した状態で本撮影が行われる。図8のフローチャートに示すように、コンソール17からプレ撮影の開始指示がなされるとステップS20でYES判定、プレ撮影と同様に、第2の吸収型格子22の走査とともに、X線源11によるX線の曝射及びFPD20による検出動作が行われステップS21、位相微分像生成部30により位相微分像ψ1x,yが生成されるステップS22。次いで、変動量算出部32により、素抜け領域20b内の所定の画素40について、位相微分像ψ1x,yからオフセットデータ記憶部31のオフセットデータψ0x,yが減算され、変動量Δψが算出されるステップS23。そして、減算処理部33により、被検体検出領域20a内のすべての画素40について、位相微分像ψ1x,yからオフセットデータψ0x,yが減算され、さらに、被検体検出領域20a内のすべての画素40について変動量Δψが減算されるステップS24。減算処理部33により減算処理が行われた位相微分像は、位相コントラスト画像生成部34に入力され、x方向に対応する方向への積分処理により、位相コントラスト画像が生成されるステップS25。そして、位相コントラスト画像は、画像記録部15に記録された後、コンソール17に出力され、モニタに表示されるステップS26。以上で、本撮影は終了する。なお、ステップS24では、被検体検出領域20a内の画素40だけでなく、受像部41のすべての画素40について、位相微分像ψ1x,yからオフセットデータψ0x,yを減算し、さらに、受像部41のすべての画素40について変動量Δψを減算するようにしても良い。以上のように、本発明の第1実施形態により生成される位相コントラスト画像は、第1及び第2の吸収型格子21,22の歪みや、作成誤差、配置誤差などに加えて、第2の吸収型格子22の走査開始位置の変動による影響が除かれ、被検体Hの特性のみが反映された高画質のX線画像となる。なお、本発明の第1実施形態では、プレ撮影と本撮影との間での第2の吸収型格子22の走査開始位置の変動に限られず、プレ撮影と本撮影との間で第1の吸収型格子21の位置が何らかの原因によりx方向に変動した場合においても、その変動による影響が除去されることは言うまでもない。第2実施形態上記第1実施形態では、X線源11からFPD20までの距離を長くした場合に、X線焦点11aの焦点サイズ一般的に0.1mm~1mm程度によるG1像のボケが影響し、位相コントラスト画像の画質の低下をもたらす恐れがある。そこで、本発明の第2実施形態として、図9に示すように、X線源11の射出側にマルチスリット線源格子60を配置する。第2実施形態のX線撮影システムは、マルチスリット60を備えること以外は、上記第1実施形態と同一構成である。マルチスリット60は、第1及び第2の吸収型格子21,22と同様な構成の吸収型格子であり、y方向に延伸した複数のX線遮蔽部61が、x方向に周期的に配列されたものである。このマルチスリット60は、X線源11からのX線を部分的に遮蔽してx方向に関する実効的な焦点サイズを縮小するとともに、x方向に多数の点光源分散光源を形成することにより、G1像のボケを抑制する。なお、x方向に隣接するX線遮蔽部61の間には、同様に、X線低吸収部図示せずが設けられている。本実施形態では、プレ撮影と本撮影との間で第1の吸収型格子21やマルチスリット60の位置が何らかの原因によりx方向に変動した場合においても、その変動による影響が位相コントラスト画像から除去される。第3実施形態上記第1及び第2実施形態では、第1の吸収型格子21を、X線低吸収部21bを通過したX線を線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、第1の吸収型格子21でX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる特許第4445397号公報等に記載の構成とすることも可能である。本発明の第3実施形態として、第1の吸収型格子21を回折格子とし、第1及び第2の吸収型格子21,22の間の距離L2をタルボ干渉距離に設定して、タルボ干渉計を構成する。本実施形態では、タルボ干渉効果により第1の格子21により生成されるG1像自己像が、第2の吸収型格子22の位置に形成される。また、本実施形態では、第1の吸収型格子21を、位相型格子位相型回折格子としても良い。この場合には、X線高吸収部21aとX線低吸収部21aとの間で、X線にπまたは0.5πの位相差が生じるように、厚みや材料を設定すれば良い。なお、上記第1~第3実施形態では、被検体HをX線源11と第1の吸収型格子21との間に配置しているが、被検体Hを第1の吸収型格子21と第2の吸収型格子22との間に配置しても良い。この場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。第4実施形態また、上記第1~第3実施形態では、第2の吸収型格子22がFPD20とは独立して設けられているが、特開平2009-133823号公報に開示された構成のX線画像検出器を用いることにより、第2の吸収型格子22を排することができる。本発明の第4実施形態として、第2の吸収型格子22を排して、下記の構成のX線画像検出器を用いる。本実施形態のX線画像検出器は、X線を電荷に変換する変換層と、変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器において、各画素の電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続してなる複数の線状電極群を、互いに位相が異なるように配置することにより構成されている。本実施形態では、電荷収集電極が特許請求の範囲に記載の強度変調手段を構成している。図10において、本実施形態のFPD70には、画素71がx方向及びy方向に沿って一定のピッチで2次元配列されており、各画素71には、X線を電荷に変換する変換層によって変換された電荷を収集するための電荷収集電極72が形成されている。電荷収集電極72は、第1~第6の線状電極群72a~72fから構成されており、各線状電極群の線状電極の配列周期の位相がπ/3ずつずれている。具体的には、第1の線状電極群72aの位相を0とすると、第2の線状電極群72bの位相はπ/3、第3の線状電極群72cの位相は2π/3、第4の線状電極群72dの位相はπ、第5の線状電極群72eの位相は4π/3、第6の線状電極群72fの位相は5π/3である。さらに、各画素71には、電荷収集電極72により収集された電荷を読み出すためのスイッチ群73が設けられている。スイッチ群73は、第1~第6の線状電極群72a~72fのそれぞれに設けられたTFTスイッチからなる。第1~第6の線状電極群72a~72fにより収集された電荷を、スイッチ群73を制御してそれぞれ個別に読み出すことによって、一度の撮影により、互いに位相の異なる6種類のG2像が検出される。この6種類のG2像に対応する複数の画像データに基づいて位相コントラスト画像が生成される。その他の構成については、上記第1実施形態と同一であるので、説明は省略する。本実施形態では、撮影部12から第2の吸収型格子22が不要となるため、コスト削減とともに、さらなる薄型化が可能となる。また、本実施形態では、一度の撮影により、異なる位相で強度変調が行われた複数のG2像を検出することが可能であるため、縞走査のための物理的な走査が不要となり、走査機構23を排することができる。なお、上記構成の電荷収集電極72に代えて、特開平2009-133823号公報に記載のその他の構成の電荷収集電極を用いることも可能である。さらに、第2の吸収型格子22を排することを可能とする別の実施形態として、X線画像検出器によりG1像を直接検出し、信号処理によって位相を変えながら周期的にサンプリングすることで、互いに位相の異なる複数のG2像に対応する画像データを生成することも可能である。第5実施形態また、上記第1~第4実施形態では、縞走査法により位相微分像を求めているが、本発明はこれに限定されず、国際公開WO2010/050483に記載されたフーリエ変換法により位相微分像を求めてもよい。このフーリエ変換法は、X線画像検出器により得られた1枚分の画像データをフーリエ変換することによって画像データに生じるモアレ縞のフーリエスペクトルを取得し、このフーリエスペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより位相微分像を得る方法である。この場合には、第1及び第2の吸収型格子21,22を移動させる必要がなく、走査機構23が不要となる。以上説明した各実施形態は、医療診断用の放射線撮影システムに限定されず、工業用等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、放射線として、X線以外に、ガンマ線等を用いることも可能である。"