"a第1主面に段差構造を有する半導体ウェハの前記第1主面上に樹脂部材を塗布する工程と、b前記樹脂部材を加熱して、当該樹脂部材の表面を平坦化する工程とを備え、前記樹脂部材は前記半導体ウェハ側面上にも形成されており、c前記工程bの後に、前記半導体ウェハの第2主面に対して、前記半導体ウェハの薄化加工を実施する工程と、d前記工程cの後に、前記樹脂部材を前記半導体ウェハから除去する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、e前記工程cと前記工程dとの間に、前記半導体ウェハの前記第2主面に拡散層を形成する工程と、f前記工程eと前記工程dとの間に、前記半導体ウェハの前記第2主面上に電極を形成する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、g前記工程fと前記工程dとの間に、前記半導体ウェハの前記第2主面を、ダイシングテープにマウントする工程と、h前記工程gと前記工程dとの間に、前記半導体ウェハにダイシングを行うことによりチップに個片化する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、i前記工程bと前記工程cとの間に、前記樹脂部材の平坦化された表面上に表面保護テープを貼付する工程と、j前記工程cと前記工程dとの間に、前記表面保護テープを前記樹脂部材から剥離する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程c後における、前記半導体ウェハ側面上に形成されている前記樹脂部材の厚さは、5μm以上である、半導体装置の製造方法。請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程dにおいて、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いて前記樹脂部材を除去する、半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程dにおいて、酸素を含むプラズマ処理を併用して前記樹脂部材を除去する、半導体装置の製造方法。a第1主面に段差構造を有する半導体ウェハの前記第1主面上に直に樹脂部材を塗布する工程と、b前記樹脂部材を加熱して、当該樹脂部材の表面を平坦化する工程と、c前記工程bの後に、前記半導体ウェハの第2主面に対して、前記半導体ウェハの薄化加工を実施する工程と、d前記工程cの後に、前記樹脂部材を前記半導体ウェハから除去する工程とを備える、半導体装置の製造方法。しかしながら、半導体ウェハ表面に表面保護テープを貼り付ける方法では、段差の影響を抑制する効果が不十分である結果、ウェハが破損する場合があった。また、半導体ウェハでの一連の工程が終わった場合に、ウェハ表面に残存する異物の数が多いという問題もあった。そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、薄化加工された半導体ウェハの厚みを均一化するとともに、その表面に残存する異物の数を低減する技術を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の製造方法は、a第1主面に段差構造を有する半導体ウェハの前記第1主面上に樹脂部材を塗布する工程と、b前記樹脂部材を加熱して、当該樹脂部材の表面を平坦化する工程とを備え、前記樹脂部材は前記半導体ウェハ側面上にも形成されている。そして、当該製造方法は、c前記工程bの後に、前記半導体ウェハの第2主面に対して、前記半導体ウェハの薄化加工を実施する工程と、d前記工程cの後に、前記樹脂部材を前記半導体ウェハから除去する工程とをさらに備える。本発明によれば、薄化加工された半導体ウェハの厚みを均一化することができる。したがって、半導体ウェハが破損するのを抑制することができる。また、半導体ウェハ表面に残存する異物の数を低減することができる。<実施の形態1>図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。この製造方法の概略について説明すると、半導体ウェハでのトランジスタ構造等の段差構造が形成された第1主面以下表面と呼ぶ上に、樹脂部材を形成した後、樹脂部材を加熱する。それから、半導体ウェハの第2主面以下裏面と呼ぶに薄化加工がなされた後、樹脂部材を除去する。図2~4は、図1に示されるステップ1~3の工程が行われたときの半導体ウェハの状態を示す断面図である。次に、図1に示されるフローチャート及び図2~4に示される断面図等を用いて、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について詳細に説明する。まず、ステップS1にて、図2に示されるように、半導体ウェハ1の表面に、トランジスタ構造や電極等の段差構造2を形成し、表面ウェハプロセスを完了する。ステップS2にて、図3に示されるように、半導体ウェハ1の段差構造2が形成された表面上に、樹脂部材3ポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂を直に塗布する。なお、樹脂部材3の厚さが、段差構造2の段差よりも大きくなるように、樹脂部材3を十分厚く塗布する。ステップS3にて、半導体ウェハ1裏面からホットプレートなどの加熱手段を用いて、樹脂部材3を加熱する。例えば、樹脂部材3に対して200°C、3分間の熱処理を行う。これにより、図4に示されるように、樹脂部材3の表面を平坦化する。図5は、樹脂部材3への加熱が終了したときの半導体ウェハ1の端部を示す断面模式図である。この図5に示されるように、本実施の形態では、加熱終了時点において、樹脂部材3は半導体ウェハ1側面上にも形成される。樹脂部材3が半導体ウェハ1側面上に形成されるのはステップS2の樹脂部材3の塗布時点であってもよいし、ステップS3の樹脂部材3への加熱時点であってもよい。これにより、半導体ウェハ1端部を保護することができ、当該端部からの割れ、及び、当該端部における欠けを抑制することができる。ステップS4にて、図6に示されるように、樹脂部材3の平坦化された面上に、例えばポリエチレンテレフタラートPETからなるシート基材とアクリル系の糊材とから構成される表面保護テープ4を貼付する。このような保護テープ4を貼付すると、後述する薄化加工時に樹脂部材3を保護することができ、当該加工時の樹脂部材3へのダメージを低減することができる。ただし、この効果が必要でなければ、本ステップS4は行わなくてもよい。ステップS5にて、半導体ウェハ1の裏面に対して、当該半導体ウェハ1の薄化加工を実施する。本実施の形態では、当該薄化加工として、半導体ウェハ1の裏面を機械的に研削する。なお、必要に応じて、機械的な研削で発生した破砕層を、フッ酸及び酢酸を含む混酸を用いたウェットエッチングを用いて化学的に研削してもよい。図7は、ステップS5後、つまり、薄化加工の実施後の半導体ウェハ1端部の状態を示す図である。図8は、図7に示される半導体ウェハ1側面上の樹脂部材3の厚さtと、プロセス装置でのウェハハンドリングによる半導体ウェハ1の割れ率との関係を示す図である。本実施の形態では、薄化加工の実施後における、半導体ウェハ1側面上に形成されている樹脂部材3の厚さtは5μm以上にしている。これにより半導体ウェハ1端部を十分に保護することができる結果、図8に示されるように、半導体ウェハ1の割れ率を顕著に低減させることができる。ステップS4の表面保護テープ4の貼付工程が行われている場合には、ステップS5の後、ステップS6にて、表面保護テープ4を樹脂部材3から剥離してから次に説明するステップS7の工程を行う。ステップS4の表面保護テープ4の貼付工程が行われていない場合には、ステップS5の後、ステップS7を行う。ステップS7にて、樹脂部材3を半導体ウェハ1から除去する。なお、樹脂部材3の除去にあたっては、有機溶剤を半導体ウェハ1の上方から滴下することで、樹脂部材3を溶解除去してもよいし、酸素を含むプラズマを用いて樹脂部材3を炭化して除去する、いわゆるアッシング処理を行ってもよい。また、本実施の形態にあたっては、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いて樹脂部材3を除去してもよい。この場合には、樹脂部材3を半導体ウェハ1から確実に除去することができる。また、当該混合液による除去とともに、上述した酸素を含むプラズマを併用して樹脂部材3を除去してもよい。この場合にも、樹脂部材3を半導体ウェハ1から確実に除去することができる。以上のように、樹脂部材3を除去する方法は様々であるが、ここでは、有機溶剤を用いて樹脂部材3を除去したものとする。次に、実際に本実施の形態に係る製造方法によりサンプルを作成して効果を確認した。具体的には、ステップS1として10μmの段差を有する段差構造2を、シリコンからなる半導体ウェハ1表面に形成した。そして、ステップS2として樹脂部材3を20μmの厚さで塗布し、ステップS3として樹脂部材3を200°Cで3分間加熱する熱処理を行った。そして、ステップS4として厚さ120μmの表面保護テープ4を貼付した。ステップS5としてインフィード式グラインダ装置を用いて半導体ウェハ1を85μmまで研削した後、フッ酸硝酸硫酸燐酸からなる混酸を用いて65μmまでエッチングを行った。図9は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法が行われた半導体ウェハ1の厚み測定の結果を示す図である。具体的には、上述の条件で半導体ウェハ1を薄化加工した後、赤外光を用いた比接触の厚み測定装置浜松ホトニスク製、OpticalMicroGaugeを用いて、当該半導体ウェハ1のシリコン厚みをウェハの直径方向に沿って測定したときの結果を示す図である。図10は、樹脂部材3を塗布せずに、厚さ120μmの表面保護テープ4のみを貼付して半導体ウェハ1を薄化加工する工程以下、本実施の形態において対比製造方法と呼ぶを行った後、当該半導体ウェハ1のシリコン厚みを同様に測定したときの結果を示す図である。図10から分かるように、対比製造方法では、薄化された半導体ウェハ1の厚みがばらつく。この結果、半導体ウェハ1が局所的に薄くなり過ぎてしまうことから、ウェハが破損しやすい。ここで、対比製造方法において厚みを均一化するための改善方法として、表面保護テープ4を比較的柔軟な材質で形成して、表面保護テープ4により段差構造2の段差を緩和することが考えられる。しかし、この場合には、半導体ウェハ1が薄くなった際に発生するウェハのたわみに対して表面保護テープ4の剛性が不十分となり、プロセス装置でのウェハ搬送等が困難となる。また、別の改善方法として、表面保護テープ4の糊材を比較的流動しやすい材質で形成して、当該糊材により段差構造2の段差を緩和することが考えられる。しかし、この場合に、上述の薄化加工において上述の混酸を用いたウェットエッチングを行うと、表面保護テープ4端部において露出している糊材が当該混酸と反応することにより、表面保護テープ4剥離後に当該反応した糊材が異物となってしてしまう。また、これにより表面保護テープ4端部の糊材が消失してしまうことから、半導体ウェハ1の割れ欠けが発生しやくなる。さらに、後述の実施の形態で説明するような、薄化加工以降の様々な工程が行われた場合には、半導体ウェハ1表面に傷や異物が生じるだけでなく、その後の組立工程においてチップ割れが発生する可能性が高い。それに対し、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法であれば、樹脂部材3により段差構造2の段差が十分に緩和されるとともに、薄化加工では樹脂部材3が十分な剛性を有することができ、その結果、図9に示されるように薄化された半導体ウェハ1の厚みを均一化することができる。したがって、ウェハが破損するのを抑制することができる。図11は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法、または、対比製造方法を行った後の、半導体ウェハ1表面に残存する異物のカウント数を示す図である。この図から分かるように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、対比製造方法よりも、半導体ウェハ1表面に残存する異物の数を低減することができる。この理由について考察すると、異物が生じる主な原因は、上述したように、表面保護テープ4の糊材が、上述のウェットエッチングの混酸と反応して残渣異物となるためであると考えられる。それに対し、本実施の形態では、樹脂部材3除去時には表面保護テープ4が剥離されており、当該残渣がそもそも生じない。また、仮に何らかの異物が樹脂部材3上に残存していても、当該異物は樹脂部材3除去時にリフトオフされる。この結果、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ1表面に残存する異物の数を低減することができたと考えられる。以上のように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、薄化加工された半導体ウェハ1の厚みを均一化することができる。したがって、半導体ウェハ1が破損するのを抑制することができる。また、半導体ウェハ1表面に残存する異物の数を低減することができる。<実施の形態2>図12は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、実施の形態1に係る製造方法の構成要素及び工程と類似するものについては同じ符号を付すものとし、以下、実施の形態1と大きく異なる部分を中心に説明する。図12に示されるように、本実施の形態に係る製造方法は、実施の形態1に係る製造フロー図1において、薄化加工の実施工程ステップS5と、樹脂部材3の除去工程ステップS7との間に、ステップS11,S12の工程が追加されている。より具体的には、ステップS11は、薄化加工の実施工程ステップS5と、表面保護テープ4の剥離工程ステップS6との間に行われ、ステップS12は、当該剥離工程ステップS6と、樹脂部材3の除去工程ステップS7との間に行われる。なお、本実施の形態においても、表面保護テープ4に関するステップS4,S6は必須ではなく、当該ステップS4,S6が行われなかった場合には、ステップS5の後、ステップS11,S12,S7が続けて順に行われる。次に、ステップS11,S12のそれぞれについて詳細に説明する。ステップS11では、図13に示されるように、半導体ウェハ1裏面に拡散層5を形成する。本実施の形態では、このステップS11にて、半導体ウェハ1裏面にイオン注入した後、当該イオンを活性化するための電気炉やレーザによる処理を行うことにより、拡散層5を形成する。ステップS12では、図13に示されるように、半導体ウェハ1裏面上に電極6を形成する。本実施の形態では、このステップS12にて、例えば、蒸着やスパッタなどの成膜処理を用いて、アルミニウム、チタン、ニッケル、金などの金属膜を半導体ウェハ1裏面上に形成し、当該金属膜をパターン化して電極6を形成する。その後、拡散層5が形成された半導体ウェハ1例えばシリコンウェハと、当該金属膜例えばアルミニウムとの電気的な接続を確実にするため、例えば、300~450°Cの熱処理を施して、シリコン及びアルミニウムを相互に拡散させる。なお、本ステップS12の前に、表面保護テープ4の剥離工程ステップS6を行う理由は、一般に、表面保護テープ4は熱処理に対する耐性を有しておらず、上述のような高温の熱処理の際に溶融してしまうのを回避するためである。ステップS12の後、実施の形態1と同様に、ステップS7にて、樹脂部材3を半導体ウェハ1から除去する。なお、樹脂部材3の除去にあたっては、有機溶剤を半導体ウェハ1の上方から滴下することで樹脂部材3を溶解除去してもよいし、上述のアッシング処理を行って樹脂部材3を除去してもよい。また、本実施の形態にあたっては、硫酸と過酸化水素水とを含む混合液を用いて樹脂部材3を除去してもよいし、当該混合液による除去とともに、上述のアッシング処理を併用して樹脂部材3を除去してもよい。図14は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法、または、樹脂部材3を設けずにウェハ裏面に電極6を形成する製造方法以下、本実施の形態において対比製造方法と呼ぶを行った後の、半導体ウェハ1表面に存在する傷異物のカウント数を示す図である。この図から分かるように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、対比製造方法よりも、半導体ウェハ1表面に残存する傷異物の数を低減することができる。この理由について考察すると、傷異物が生じる主な原因は、表面保護テープ4剥離後、電極6形成時に半導体ウェハ1の表面側をステージに吸着させるためであると考えられる。それに対し、本実施の形態では、半導体ウェハ1表面が、樹脂部材3により保護されており、半導体ウェハ1表面がステージと直接接触しない。この結果、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ1表面に残存する傷異物の数を低減することができたと考えられる。なお、対比製造方法においてこれを防ぐための改善方法として、表面保護テープ4を貼付したまま、拡散層5を形成するイオン注入処理や、電極6を形成する成膜処理を行うことが考えられる。しかしながら、これらの処理はいずれも真空中で熱負荷のかかるプロセスであることから、イオン注入処理においては、表面保護テープ4の糊材からの脱ガスによりイオン注入不良が生じてしまい、また、成膜処理においては、電極6の膜質がばらつくなどの問題が生じてしまう。したがって、対比製造方法において、本実施の形態に係る製造方法のような効果を得るのは困難であると考えられる。<実施の形態3>図15は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、実施の形態2に係る製造方法の構成要素及び工程と類似するものについては同じ符号を付すものとし、以下、実施の形態1と大きく異なる部分を中心に説明する。図15に示されるように、本実施の形態に係る製造方法は、実施の形態2に係る製造フロー図12において、電極形成工程ステップS12と、樹脂部材3の除去工程ステップS7との間に、ステップS21,S22の工程が追加されている。なお、本実施の形態においても、表面保護テープ4に関するステップS4,S6は必須ではない。次に、ステップS21,S22のそれぞれについて詳細に説明する。ステップS21では、図16に示されるように、ダイシングフレーム7の穴を塞ぐように設けられたダイシングテープ8に、半導体ウェハ1裏面をマウントする。なお、ダイシングテープ8は、糊材が設けられた面を有しており、この糊材により半導体ウェハ1はダイシングテープ8と固着される。ステップS22では、ダイシングテープ8にマウントされた半導体ウェハ1を、例えば、ブレードやレーザ等を有するダイシング装置を用いて切断し、当該半導体ウェハ1を個片化したチップを形成する。ステップS22の後、ステップS7にて、樹脂部材3を半導体ウェハ1から除去する。なお、樹脂部材3の除去にあたっては、有機溶剤を半導体ウェハ1の上方ダイシングフレーム7上から滴下することで樹脂部材3を溶解除去してもよいし、上述のアッシング処理を行って樹脂部材3を除去してもよい。図17は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法、または、樹脂部材3を設けずにダイシングする製造方法以下、本実施の形態において対比製造方法と呼ぶを行った後の、65μm厚に薄化し各チップに個片変化した半導体ウェハ1表面に残存する異物ダイシングの切り屑などのカウント数を示す図である。この図から分かるように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、対比製造方法よりも、半導体ウェハ1表面に残存する異物の数を低減することができる。"