"1種以上の有機半導体化合物OSCと、1種以上の有機溶媒とを含む組成物であって、前記組成物は、25°Cの温度では固体であり、より高い温度、好ましくは200°Cでは流体であり、前記溶媒の沸点は、400°C以下であることを特徴とする組成物。前記組成物は、最も高い沸点を有する前記溶媒の融点より10°C高い温度で、25mN/m~45mN/mの範囲の表面張力を構成することを特徴とする、請求項1に記載の組成物。前記組成物は、最も高い沸点を有する前記溶媒の融点より10°C高い温度で、0.25~100mPasの範囲の粘度を構成することを特徴とする、請求項1または2に記載の組成物。前記有機溶媒は、芳香族および/またはヘテロ芳香族化合物、好ましくは、ナフタレン化合物、ベンゼン化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物または少なくとも120g/molの分子量を有するピラゾール化合物を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物。前記溶媒は混合物であり、好ましくは、少なくともベンゼン化合物、ナフタレン化合物、スルホラン化合物、スルホン化合物またはアルコール化合物を含むものであることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の組成物。前記組成物は、少なくとも1種の不活性バインダーを含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の組成物。前記有機半導体化合物は、有機発光材料および/または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の組成物。前記有機半導体化合物は、下式から選択される化合物であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物:式中、nは、1より大きい整数であり、好ましくは10~1,000であり、Rは、出現する毎に、同一または異なり、H、F、Cl、Br、I、CN、1~40個のC原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基ここで、1個以上のC原子は、O原子および/またはS原子が互いに直接連結されないように、O、S、O-CO、CO-O、O-CO-O、CR0=CR0もしくはC≡Cで任意に置きかえられていてもよいまた、ここで、1個以上のH原子は、F、Cl、Br、IもしくはCNで任意に置きかえられていてもよいを示すか、または無置換もしくは1つ以上の非芳香族基Rsで置換されている、4~20個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、1つ以上の基Rは、相互におよび/またはそれらが結合する環と共に、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、Rsは、出現する毎に、同一または異なり、F、Cl、Br、I、CN、SnR003、SiR003またはBR002、1~25個のC原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基ここで、1個以上のC原子は、O原子および/またはS原子が互いに直接連結されないように、O、S、O-CO、CO-O、O-CO-O、CR0=CR0、C≡Cで任意に置きかえられていてもよいまた、ここで、1個以上のH原子は、F、Cl、Br、IもしくはCNで任意に置きかえられていてもよいを示すか、またはRsは、無置換もしくは1つ以上の非芳香族基Rsで置換されている、4~20個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、1つ以上の基Rsは、相互におよび/またはRと共に、環系を形成していてもよく、R0は、出現する毎に、同一または異なり、H、F、Cl、CN、1~12個のC原子を有するアルキルまたは4~10個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリールを示し、R00は、出現する毎に、同一または異なり、Hまたは1~20個のC原子を有する脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、ここで、2つの基R00は、それらが結合するヘテロ原子Sn、SiまたはBと一緒になって環を形成していてもよく、rは、0、1、2、3または4であり、sは、0、1、2、3、4または5である。前記有機半導体化合物は、下式の化合物であることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物:式中、R1、R2、R3、R4、R7、R8、R9、R10、R15、R16、R17は、それぞれ独立に、同じまたは異なり、それぞれ独立に、H;任意に置換されていてもよいC1~C40カルビルもしくはヒドロカルビル基;任意に置換されていてもよいC1~C40アルコキシ基;任意に置換されていてもよいC6~C40アリールオキシ基;任意に置換されていてもよいC7~C40アルキルアリールオキシ基;任意に置換されていてもよいC2~C40アルコキシカルボニル基;任意に置換されていてもよいC7~C40アリールオキシカルボニル基;シアノ基-CN;カルバモイル基-C=ONH2;ハロホルミル基-C=O-X、式中のXはハロゲン原子を表す;ホルミル基-C=O-H;イソシアノ基;イソシアナート基;チオシアナート基もしくはチオイソシアナート基;任意に置換されていてもよいアミノ基;ヒドロキシ基;ニトロ基;CF3基;ハロ基Cl、Br、F;または任意に置換されていてもよいシリル基を表し;Aは、ケイ素またはゲルマニウムを表し;ここで、R1とR2、R2とR3、R3とR4、R7とR8、R8とR9、R9とR10、R15とR16、およびR16とR17の各対は独立に、任意に相互に架橋されて、C4~C40飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式-NRa-の基ここで、Raは、水素原子または炭化水素基であるが任意に介在していてもよいか、あるいは任意に置換されていてもよく、ここで、当該ポリアセン骨格の1個以上の炭素原子は、N、P、As、O、S、SeおよびTeから選択されるヘテロ原子で任意に置換されていてもよい。前記有機半導体化合物は、発光し、加えて、38より大きい原子番号を有する少なくとも1つの原子を含有する有機燐光性化合物であることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の組成物。前記燐光性化合物は、式1~4の化合物であることを特徴とする請求項10に記載の組成物:式中、DCyは、出現する毎に、同一または異なり、少なくとも1つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、該環状基は前記ドナー原子を介して当該金属に結合し、さらに、1つ以上の置換基R18を有していてもよく;基DCyおよびCCyは、共有結合を介して相互に接続され;CCyは、出現する毎に、同一または異なり、炭素原子を含有する環状基であり、該環状基は前記炭素原子を介して当該金属に結合し、さらに、1つ以上の置換基R18を有していてもよく;Aは、出現する毎に、同一または異なり、モノアニオン性二座キレート配位子、好ましくはジケトナート配位子であり;R18は、各場合において同一または異なり、F、Cl、Br、I、NO2、CN、1~20個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基ここで、1つ以上の非隣接CH2基は、-O-、-S-、-NR19-、-CONR19-、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-または-C≡C-で置きかえられていてもよいまた、ここで、1個以上の水素原子は、Fで置きかえられていてもよい、または4~14個の炭素原子を有し、1つ以上の非芳香族R18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基であり、同じ環上または2つの異なる環上の複数の置換基R18は、一緒になって、さらに、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく;R19は、各場合において同一または異なり、1~20個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基ここで、1つ以上の非隣接CH2基は、-O-、-S-、-CO-O-、-C=O-、-CH=CH-または-C≡C-で置きかえられていてもよいまた、ここで、1個以上の水素原子は、Fで置き換えられていてもよい、または4~14個の炭素原子を有し、1つ以上の非芳香族R18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基である。前記組成物は、ホスト材料を含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の組成物。前記組成物は、少なくとも1種の湿潤剤を含むことを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の組成物。OEデバイスの作製のためのコーティング用または印刷用インクとしての、請求項1~13のいずれか1項に記載の組成物の使用。有機電子OEデバイスを作製する方法であって、a請求項1~13のいずれか1項に記載の組成物を基板上に堆積させて、膜または層を形成するステップと、b前記溶媒を除去するステップとを含む方法。請求項1~13のいずれか1項に記載の組成物から、または請求項15に記載の方法によって作製されるOEデバイス。前記OEデバイスは、有機発光ダイオードOLED、有機電界効果トランジスタOFETまたは有機光電変換OPVデバイスであることを特徴とする、請求項16に記載のOEデバイス。実施例例1基板PEDOTでコーティングした2cm2ガラスプレートを、180°Cで10分間加熱することにより活性化させて、直接使用した。下式の構造単位を、9対11対41対24対5対8対2の重量比で含む、0.5重量OLEDポリマーを、ペンタメチルベンゼンに溶解することにより、OLEDポリマーインクを配合し、60°Cで3.8cpの粘度が得られた。インクを、DimatixDMP2800プリンターヒートグローブheatedgloveに加えて60°Cに加熱した印字ヘッドで、基板上に印刷した。6mm平方を、5、10、15、20、25、30、35および40μmの液滴間隔で印刷した。インクジェットプロセスにおける液滴形成は、空中の液滴を効果的に静止像にするfreezeストロボに照らされた、顕微鏡を使用する可視化により決定した通り、良好であった。基板上にインクを印刷した後、膜を加熱して、冷却することにより、さらなる平滑性を得てから、溶媒を除去した53°C、約20秒間。その後、溶媒を、100°Cで、または真空中で55°Cで、ホットプレート上で除去した。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例2~4例1を繰り返した。しかし、例1で述べた1OLEDポリマーを、溶媒を80°Cに加熱することにより、2-メチルナフタレン、ペンタメチルベンゼン、および1,5-ジメチルナフタレンそれぞれに溶解した。各組成物を、例1に記述した通りに処理した。しかし、平滑化ステップの温度は、およそ20秒間、溶媒の融点を約2~5°C上回り、溶媒の除去は、100°Cで行った。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例5例1を繰り返した。しかし、例1で述べた1OLEDポリマーを、溶媒を85°Cに加熱することにより、1,2,4,5-テトラメチルベンゼンに溶解した。組成物を、例1に記述した通りに処理した。しかし、平滑化ステップの温度は、約88°Cであり、溶媒の除去は、100°Cで行った。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例6基板PEDOTでコーティングした2cm2ガラスプレートを、180°Cで10分間加熱することにより活性化させて、直接使用した。式107による燐光性化合物と、式147を有するホスト材料とを、1:4の重量比燐光性化合物107:ホスト材料147で混合し、得られた混合物を、60°Cで、ペンタメチルベンゼンに溶解することによって、印刷用インクを調製した。溶媒中の両化合物の濃度は、約1重量、すなわち、燐光性化合物107が0.2で、ホスト材料147が0.8であった。インクを、DimatixDMP2800プリンターヒートグローブに加えて60°Cに加熱した印字ヘッドで、基板上に印刷した。6mm平方を、5、10、15、20、25、30、35および40μmの液滴間隔で印刷した。インクジェットプロセスにおける液滴形成は、空中の液滴を効果的に静止像にするストロボに照らされた、顕微鏡を使用する可視化により決定した通り、良好であった。基板上にインクを印刷した後、膜を加熱して、冷却することにより、さらなる平滑性を得てから、溶媒を除去した53°C、約20秒間。その後、溶媒を、100°Cで、または真空中で55°Cで、ホットプレート上で除去した。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例7例6を繰り返した。しかし、ガラス基板は、下式の構造単位を含むポリマーのさらなる層と共に、上記したPEDOT層を用いて作製したポリマーを、トルエンからスピンコーティングし、100°Cで、5分間乾燥させて、正孔輸送層を得た。例6に記述した通りのインクを、上述の通りに印刷し、乾燥させると、平滑な膜がもたらされた。これは、SMOLEDも、正孔輸送層を得るためのポリマーも両溶媒系に可溶である、ガラスと、水からコーティングしたPEDOTと、有機溶媒からコーティングした正孔輸送層と、有機溶媒から印刷したSMOLEDとのOLED積層体を実証した。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例8~17例6で述べた通りの、式107による燐光性化合物と、式147を有するホスト材料とを、1:4の重量比で含む混合物を、高温下一般に、溶媒の融点を10°C上回るで、2-メチルナフタレン、1,5-ジメチルナフタレン1,5-DMN、5-インダノール、1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフトール、5,6,7,8-テトラヒドロ-2-ナフトール、2-エトキシナフタレン、2-インダノール、スルホラン、ビフェニル、および1,2,4,5-テトラメチルベンゼンに溶解した。溶媒中の化合物107と147の両方の濃度は、約1重量であった。これらのインクを使用して、例6に記述した通りの印刷膜を得た。それらの膜の質は、良好であった。例18~21例6で述べた通りの、式107による燐光性化合物と、式147を有するホスト材料とを、1:4の重量比で含む混合物を、高温下一般に、溶媒の融点を10°C上回るで、1:1のビフェニル:1,5-DMN、1:1のビフェニル:1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、2-メチルナフタレン、および2-エトキシナフタレンに溶解した。溶媒中の化合物107と147の両方の濃度は、約1重量であった。これらのインクを、例6におけるように、PEDOT被覆ガラス上に印刷し、乾燥させた。しかし、平滑化ステップの温度は、溶媒の融点を約2~5°C上回り、溶媒の除去は、100°Cで行った。蛍光法を介して観察した通りNikonEclipseE400顕微鏡を使用、優れたOLED膜を形成した。例22CorningEagleXGガラスを、超音波メタノール浴中で、2分間洗浄し、次いで、メタノールですすいだ。約40nm厚の銀ゲート電極を蒸発させた。誘電材料であるLisicon商標D207MerckKGaAから入手可能のUV硬化性誘電層を、デバイス上のOSC層の上で回転させ、120°Cで、1分間アニーリングすると、約1ミクロン厚の乾燥誘電膜が得られた。次いで、誘電層を、365nm波長で、全UV量2.6Jcm2下でのUV硬化によって架橋した。約40nm厚の銀ソースドレイン電極を、幅1000μおよび長さ50μの櫛型形状で蒸発させた。電極を、イソプロピルアルコールですすぎ落される、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングによる、反応性洗浄液Lisicon商標M001MerckKGaAから入手可能SAM処理で処理し、次いで、スピンコーター上で乾燥させた。1.33部の式M2の化合物、および0.67部のα-メチルスチレンの化合物を、ペンタメチルベンゼンに溶解し、溶液を0.45μmPTFEカートリッジフィルターに通して濾過することによって、OSC配合物を調製した。式M2中、Y1およびY2の一方は、-CH=または=CH-を表し、他方は、-S-を表し、Y3およびY4の一方は、-CH=または=CH-を表し、他方は、-S-を表す。次いで、OSC配合物を、DimatixDMP2831インクジェットプリンターを使用して印刷した。カートリッジおよびヘッドを、溶媒ペンタメチルベンゼンの融点超に加熱した。各デバイスを個々に、ソース/ドレイン電極の上にわたって印刷した。得られた印刷物を、52°Cに温めて、インクを再流させておき、次いで、これを、加熱してないベルジャー内に入れて、圧力を5mbarに減少させて、20分間放置し、溶媒を除去した。次いで、デバイスの性能分析を、Agilent4155C半導体パラメータ分析器を使用して、ソースおよびドレイン電流、およびゲート電流を、ゲート電圧の関数として測定することによって行うトランジスタ特性。電荷キャリア移動度を、US2007/0102696A1に開示されているような、既知の方法によって算定する。デバイスのトランジスタ特性、ならびに線形および飽和移動度を、図5に表す。デバイスは、移動度線形0.01cm2/Vs、飽和0.02cm2/Vs、および良好なオン/オフ比104を有している。トランジスタ特性は、非常に良好である。データは、本発明によるインクが、インクジェット印刷技術を使用して印刷でき、許容される移動度および良好なオン/オフ比を明示する、実用的なトランジスタデバイスをもたらすこともできることを示している。"