"真空排気可能な処理容器内に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、前記フィラメントと前記加熱容器との間に印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、該加速した熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板のアニール処理を行う基板加熱処理装置の温度制御方法であって、前記処理容器内への前記基板の搬入前に、前記基板のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて前記処理容器内を加熱した後、前記アニール処理温度を下回る温度まで冷却する予備加熱を行なう工程と、前記予備加熱工程が終了した前記処理容器内へ前記基板を搬入した後、前記アニール処理温度まで昇温してアニール処理を行う工程と、を有することを特徴とする基板加熱処理装置の温度制御方法。炭化珪素基板に不純物をイオン注入した後、アニール処理して不純物を活性化させるアニール処理工程を有する半導体デバイスの製造方法において、請求項1に記載の予備加熱工程を含む温度制御方法により温度制御して前記アニール処理を行うことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。真空排気可能な処理容器内に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、前記フィラメントと前記加熱容器との間に印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、該加速した熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板のアニール処理を行う基板加熱処理装置の温度制御プログラムであって、前記処理容器内への前記基板の搬入前に、前記基板のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて前記処理容器内を加熱した後、前記アニール処理温度を下回る温度まで冷却する予備加熱を行なう手順と、前記予備加熱手順が終了した前記処理容器内へ前記基板を搬入した後、前記アニール処理温度まで昇温してアニール処理を行う手順と、を基板加熱処理装置の制御装置に実行させることを特徴とする基板加熱処理装置の温度制御プログラム。前記真空排気可能な処理容器と、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、前記フィラメントと前記加熱容器との間に印加された加速電圧で、前記フィラメントから発生する熱電子を加速し、該加速した熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の放熱面からの熱により基板の熱処理を行う加熱装置と、前記基板を載置する基板ステージと、前記処理容器内において、前記基板ステージと前記加熱容器の放熱面とを接近または離間させるために、前記基板ステージと前記加熱装置との少なくともいずれか一方を昇降移動させる昇降装置と、これらを制御する制御装置とシーケンサを少なくとも備える制御系と、を備え、前記制御装置に、請求項3に記載の温度制御プログラムが組み込まれていることを特徴とする基板加熱処理装置。前記基板ステージと前記加熱容器の放熱面とをシャッタで隔壁するためのシャッタ機構を有し、前記制御装置に、前記基板を搬送する際、前記基板ステージと前記加熱容器の放熱面との間をシャッタで隔離した状態で、前記加熱容器の温度を放射温度計で測定し、該測定温度に基づいて温度制御するスタンバイ加熱の温度制御プログラムが組み込まれていることを特徴とする請求項4に記載の基板加熱処理装置。前記シャッタは水冷シャッタであることを特徴とする請求項5に記載の基板加熱処理装置。請求項3に記載の温度制御プログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。しかしながら、電子衝撃加熱装置にて処理基板を高温で活性化アニール処理する場合に、炉内を所定温度に予備加熱しても、炉内へ連続的に処理基板を搬入すると、最初の1枚目の基板と2枚目以降の基板の品質が異なることがあった。このような基板品質の差異は、電子衝撃による加熱方式に特有の問題であると考えられる。即ち、電子衝撃加熱方式は、真空の加熱容器内のフィラメントから発生する熱電子に加速電源から加速電圧を印加し、加速した熱電子を衝突させて加熱容器を加熱することにより、その放熱を利用して処理基板を加熱する。したがって、特許文献1及び2のようなランプ加熱方式の予備加熱技術をそのまま適用すると、基板品質に差異が生じるという問題があった。そこで本発明は、電子衝撃加熱方式にて活性化アニール処理を行なう場合に、処理容器内へ連続的に処理基板を搬入しても、基板品質を同等に保つことができる基板加熱処理装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、上記目的を達成しうる基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体を提供する。上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。即ち、本発明に係る基板加熱処理装置の温度制御方法は、真空排気可能な処理容器内に、フィラメントを組み込んだ導電体の加熱容器を備え、上記フィラメントと上記加熱容器との間に印加された加速電圧で、上記フィラメントから発生する熱電子を加速し、該加速した熱電子を前記加熱容器に衝突させて該加熱容器を加熱し、該加熱容器の熱により基板のアニール処理を行う基板加熱処理装置の温度制御方法であって、上記処理容器内への上記基板の搬入前に、上記基板のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて上記処理容器内を加熱した後、上記アニール処理温度を下回る温度まで冷却する予備加熱を行なう工程と、上記予備加熱工程が終了した上記処理容器内へ前記基板を搬入した後、上記アニール処理温度まで昇温してアニール処理を行う工程と、を有することを特徴とする基板加熱処理装置の温度制御方法である。本発明によれば、電子衝撃加熱装置を用いて高温で活性化アニール処理を行う場合に、処理容器内へ連続的に処理基板を搬入しても、基板品質を同等に保つことができるという優れた効果を奏する。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。まず、図1を参照して、本発明を適用する電子衝撃加熱方式を利用した基板加熱処理装置以下、電子衝撃加熱装置という。の一態様について説明する。図1は、電子衝撃加熱装置の全体構成を模式的に示す概略図である。本実施形態の電子衝撃加熱装置1は、フィラメント14から発生する熱電子に加速電源42から加速電圧を印加し、加速した熱電子を加熱容器11に衝突させて加熱容器11を加熱し、その放熱面11aに対向配置した処理基板21の熱処理を行なう装置である。この電子衝撃加熱装置1は、処理基板21を熱処理する処理室2aと待機室2bとを上下に連通させて区画形成する真空排気可能な処理容器3を備えている。上部の処理室2aの内部には、フィラメント14が組み込まれた加熱装置以下、ヒータという。10を備えている。ヒータ10は、一端が閉塞された円筒体状の加熱容器11、その内部に収納されたフィラメントベース12、支柱13及びフィラメント14から構成されている。フィラメント14は、例えば、炭素繊維強化複合材料以下、CCコンポジットという。製のフィラメントベース12上に起立された直径φ2mmのタンタル製支柱13によって、加熱容器11の閉塞端面放熱面11aに略平行に張設されている。フィラメント14としては、例えば、タングステンレニウム線または、カリウムやランタン等の希土類が添加されたタングステン線が採用され、直径φ0.8mm、長さ900mmのものが使用される。加熱容器11は、導電体により形成されている。具体的には、加熱容器11の外面には、放出ガスが少なくなるように、例えば、熱分解カーボンがコーティングされている。この加熱容器11は、不図示の真空排気手段に接続され、内部が上記処理容器3と独立に真空排気可能となっている。また、加熱容器11の閉塞端面の加熱プレート放熱面11aに対向するようにCCコンポジット製の基板ステージ20が配置されている。この基板ステージ20上には、上記ヒータ10に臨ませて処理基板ウェハ21が載置される。本実施形態では、処理基板21として、例えば、炭化珪素SiC基板が採用されるが、これに限定されない。基板ステージ20は円筒体状の支柱4により支持されており、この支柱4の貫通孔5の先端には、石英製のビューイングポート6を介して2色式放射温度計7が接続されている。ビューイングポート6は、真空空間を閉塞して真空状態と大気状態とを画している。このビューイングポート6を通じて、基板ステージ20またはSiC基板21からの放射光が2色式放射温度計7に到達する。2色式放射温度計7は、例えば、集光部8と検出器9とからなり、CCコンポジット製の基板ステージ20を介して、間接的にヒータ10の温度を測定するようになっている。この温度測定は、基板ステージ20の温度測定に限らず、放熱面11aまたは加熱容器11の温度を測定してもよい。支柱4の下端には支持板31が固定され、この支持板31と処理容器3との間にはベローズ32が介設されている。さらに、支持板31には不図示のネジ孔の形成された昇降アーム33が固定され、この昇降アーム33のネジ孔には回転駆動装置35に接続されたボールネジ34が挿通されている。即ち、回転駆動装置35でボールネジ34を回転させることにより、昇降アーム33はボールネジ34に沿って昇降移動し、この昇降アーム33に支柱4等を介して接続された基板ステージ20が昇降移動可能となっている。すなわち、ベローズ32、昇降アーム33、ボールネジ34及び回転駆動装置35は、基板ステージ20と加熱容器11の放熱面11aとを接近または離間させるための基板ステージ昇降装置の主要部品を構成する。本実施形態では、基板ステージ20を昇降移動させているが、基板ステージ20とヒータ10との少なくともいずれか一方を昇降移動可能に構成すればよい。処理容器3の内部は、排気口25に接続された不図示の排気装置により真空排気される。また、処理容器3の待機室2bの一側壁にはスリットバルブ22が設けられており、このスリットバルブ22を開放することにより、不図示の搬送ロボットで基板21を処理容器3内へ搬入、あるいは処理容器3内から搬出するようになっている。さらに、処理容器3の待機室2b内には、回動装置23に接続された水冷シャッタ機構以下、シャッタという。24が水平方向へ回動可能に設けられている。このシャッタ24は、基板ステージ20が待機室2b内へ後退したときに、この基板ステージ20と加熱容器11の放熱面11aとの間に侵入して、基板21を放熱面11aから遮断するようになっている。次に、図3を参照して、図1の電子衝撃加熱装置に備えられた制御系の構成の一態様について説明する。図3は、電子衝撃加熱装置の制御系の構成を示す概略図である。図3に示すように、本実施形態の制御系40は、フィラメント電源、加速電源、加速電圧計、フィラメント電流計、エミッション電流計、サイリスタを含む加熱電源、多機能式温調計、シーケンサ、パイロメータ集光部及びパイロメータ本体を備えている。フィラメント電源41は、フィラメント14の加熱用に電力供給する交流電源であって、例えば、最大50Aアンペアまで可変的に印加可能である。フィラメント14の接続回路にはフィラメント電流計45が接続され、フィラメント14の電流値が計測される。加速電源HV電源42は、接地された加熱容器11とフィラメント14との間に加速電圧を印加する直流電源であって、例えば、フィラメント14に対し0Vボルトから-3.0KVまで可変的に加速電圧を印加可能となっている。加速電源42の接続回路には、加速電圧を計測する加速電圧計HV電圧計46と、エミッション電流値を計測するエミッション電流計47が接続されている。多機能式温調計43は、例えば、山武社製のSDC-46Aが採用される。この温調計43は、フィラメント電流計45からの入力信号、エミッション電流計47からの入力信号及び加速電圧計46からの入力信号を受信すると共に、シーケンサ49からの設定値を受信する。シーケンサ49の設定値はサイリスタ48にも入力される。さらに、多機能式温調計43は、サイリスタ48を介してフィラメント電源41への出力信号を送信するようになっている。次に、図2から図4を参照して、上記電子衝撃加熱装置1に適用する本実施形態の予備加熱を含む温度制御方法について説明する。図2は、図1の電子衝撃加熱装置の基板ステージが降下している状態の模式図である。図4は、本実施形態の温度制御方法の予備加熱における基板ステージ裏面温度と処理時間の関係を示す説明図である。本発明に係る予備加熱を含む温度制御方法のアルゴリズムは、制御系40に接続された制御装置PCの記憶部に温度制御プログラムとして記憶されており、予備加熱の開始の際にCPUにより読み出されて実行される。ここで、温度制御プログラムは、基板ステージ裏面温度の検出信号等に基づいて、上記制御装置にヒータ10の温度制御を実行させるプログラムである。即ち、本実施形態の温度制御プログラムは、処理容器内への基板搬入前に、基板のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて処理容器内を加熱した後、アニール処理温度を下回る温度まで冷却する予備加熱を行なう手順を有する。さらに、予備加熱手順が終了した処理容器内へ基板を搬入した後、アニール処理温度まで昇温してアニール処理を行う手順を有する。上記温度制御プログラムは、コンピュータPC等の制御装置により読み取り可能な記録媒体に記録されて、PCの記憶部にインストールされる。記録媒体としては、フロッピー登録商標ディスク、ZIP登録商標等の磁気記録媒体、MO等の光磁気記録媒体、CD-R、DVD-R、DVDR,DVD-RAM、DVDRW登録商標、PD等の光ディスク等が挙げられる。また、コンパクトフラッシュ登録商標、スマートメディア登録商標、メモリースティック登録商標、SDカード等のフラッシュメモリ系、マイクロドライブ登録商標、Jaz登録商標等のリムーバブルディスクが挙げられる。本発明に係る温度制御方法は、処理容器内への基板の搬入前に、基板のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて処理容器内を加熱した後、アニール処理温度を下回る温度まで冷却する工程を含む。ここで、アニール処理温度、アニール処理温度より高温に処理容器内を加熱、アニール処理温度を下回る温度まで冷却における、各温度は、処理容器内の同一測定場所温度で判断する。具体的には、基板ステージ裏面温度あるいは加熱容器の温度を測定することにより、判断するが、より基板に近い点から、基板ステージ裏面温度を測定することが好ましい。本実施形態の温度制御方法は、上述したように、処理容器3内へ処理基板21を搬入する前に、実際のアニール処理温度よりも高温、かつアニール処理時間よりも長時間にて、ヒータ10、基板ステージ20を含む処理容器内の予備加熱工程を行う。そして、予備加熱工程の終了後、搬送ロボットにより処理基板21を処理容器3内へ搬入し、実際のアニール処理工程を行なう方法である。具体的には、基板ステージ20上にダミー基板を載置せずに、基板ステージ20を上昇させて、該ステージ20の上面と加熱容器11の閉塞端部の放熱面11aとの距離を例えば5mmまで接近させる。そして、基板ステージ裏面温度が実際のアニール処理温度例えば1575°Cよりも高温例えば1700°Cとなるように制御し、アニール処理時間例えば1分間よりも長時間例えば4分間保持して予備加熱する。図3及び図4を参照して、本実施形態における予備加熱工程を含む本実施形態の温度制御方法を説明する。まず、フィラメント加熱を行ってフィラメント14への吸着ガスを放出させ、フィラメント14の劣化を防ぐ。具体的には、シーケンサ49から多機能式温調計43へ信号を入力し、フィラメント電流計45の電流値が設定値例えば30Aになるまで、フィラメント電流値を徐々に上昇させる。多機能式温調計43は、シーケンサ49からの信号をフィラメント電流計45からのリターン信号と比較し、サイリスタ48へ信号を出力する。サイリスタ48からの入力に従って、フィラメント電源41はフィラメント電流値の出力を徐々に増加させ、フィラメント電流計45の電流値が30Aになるまで、フィラメント14を加熱する。次に、加速電源42からフィラメント14に加速電圧HVを印加して、徐々に電圧を上昇させることで、急激なエミッション電流値の上昇を防ぐと共に、異常放電を防止する。具体的には、フィラメント電流値は設定値例えば30Aで固定のまま、シーケンサ49からサイリスタ48へ信号を出力し、設定電圧例えば-500Vの加速電圧HVを印加する。加速電源42では、サイリスタ48からの入力に従い、加速電圧HV-500Vをフィラメント14に印加する。さらに、シーケンサ49はサイリスタ48へ信号を出力し、加速電圧HVが設定電圧例えば-1800Vになるように、加速電圧HVを徐々に上昇させる。加速電源42では、サイリスタ48の入力に従い、加速電圧HVの出力を徐々に増加させ、加速電圧HVが-1800Vになるようにし、エミッション電流を発生させる。さらに、エミッション電流値が設定値例えば10.7Aとなるように、シーケンサ49から多機能式温調計43へ信号を入力する。具体的には、多機能式温調計43では、加速電圧HVを-1800Vで固定のまま、シーケンサ49からの信号とエミッション電流計からの出力信号と比較する。さらに、多機能式温調計43は、エミッション電流値が10.7Aになるように、フィラメント電流値を制御するための信号をサイリスタ48へ入力する。サイリスタ48からの入力信号により、フィラメント電源41はエミッション電流値が10.7Aになるように制御する。そして、エミッション電流値10.7Aにて、基板ステージ裏面温度が設定温度例えば1590°Cになるように短時間で昇温させる。そして、基板ステージ裏面温度が1590°Cになったら、シーケンサ49、多機能式温調計43及びサイリスタ48を通した入力信号により、フィラメント電源41はエミッション電流計47の電流値と比較する。さらにフィラメント電源41は、エミッション電流値が設定値例えば9.8Aになるようにフィラメント電流値を制御して、設定温度例えば1640°Cまで昇温する。このときの加速電圧HVは-1800Vで一定のまま維持させる。次に、エミッション電流値を設定値例えば7.7Aに維持して、設定時間例えば3分間加熱する。さらに、エミッション電流値を設定値例えば7.5Aに維持して、設定時間例えば2分間加熱する。このときの最高温度は、1710°Cであった。その後、エミッション電流が出ないようにフィラメント電流値を設定値例えば20Aまで絞った状態で、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を拡げて、冷却を行う。2色式放射温度計7にてヒータの側面の測定温度が設定温度例えば1200°Cになったら、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離をさらに拡げる。そして、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの間を水冷シャッタ24で隔離する。このようにヒータ10からの輻射熱が搬送用ロボットアームに影響しないようにして、処理基板21の出し入れを行う。この間、スタンバイ加熱により、ヒータ側面温度が1200°Cになるように入力パワーをPID制御する。このとき、冷却時にヒータパワーをオフしてしまうと、次のスタンバイ加熱時の昇温開始が大幅に遅れ、温度再現性の劣化や、スループットの低下を招く。次に、基板炭化珪素基板に不純物をイオン注入した後、アニール処理して不純物を活性化させるアニール処理工程を行なう。基板ステージ20上に処理基板21を載置した後、エミッション電流値が所定値例えば3Aになるように電源パワーを制御して、基板ステージ裏面温度が設定温度例えば1200°Cになるまで基板21のガス出しを行い、表面平坦性の劣化を防ぐ。さらに、エミッション電流値を設定値例えば10.2Aにして急速に昇温し、エミッション電流値を段階的に下げ、所定値例えば7.1Aで加熱保持する。アニール保持時間例えば1分間が終了した後、フィラメント電流値を設定値例えば20Aに絞り、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を拡げて、処理基板21を冷却する。基板ステージ裏面温度が設定温度例えば1200°Cになったら、基板ステージ20を降下させ、水冷シャッタ24を閉じる。そして、スリットバルブ22を開けて、搬送ロボットにより処理基板21を搬出し、次の処理基板21を搬入する。以上の一連の工程を繰り返して、複数の処理基板21を順次処理する。本発明によれば、高温でアニール処理を行う場合であっても、1枚目の基板とそれ以降の基板とで同等の基板品質を確保することができる。このように基板品質を同等に保つことができるのは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、本発明によれば、予備加熱において、アニール処理温度よりも高温で加熱しているので、アニール処理時に処理容器の内壁や内部の部品から放出されるガス量を低減することができる。ガス放出は温度に依存するので、高温になるほどガス放出し易くなるからである。電子衝撃加熱装置1の加熱容器11内は高真空に保たれているので、ガスが加熱容器11に放出されると一時的に加熱容器11内の真空度が低減し、フィラメント14からの電子放出が制御できず、スパークを生じることがある。それに伴い、ヒータ温度が変化することや、酷い場合には加熱を停止してしまうことになる。一方、本発明では、予め予備加熱工程の温度を実際のアニール処理温度よりも高温に設定することにより、予備加熱の段階で加熱容器11からのガス放出が生じる。したがって、アニール処理工程においてガス放出が生じるのを低減することができ、アニール処理における昇温速度を高速にかつ一定の範囲に制御することができる。また、アニール処理温度の再現性を高め、電子衝撃加熱装置1によるアニール処理のスループットを大幅に改善することで、炭化ケイ素SiCデバイスの生産性を大幅に向上させることができる。以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々の変更が可能である。以下、実施例を挙げて、本発明に係る基板加熱処理装置の温度制御方法をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1実施例1は、図1及び図2の電子衝撃加熱装置1を用いて、本発明の予備加熱を含む温度制御方法を用いて半導体デバイスを製造する場合について説明する。本実施例の電子衝撃加熱装置1には、複数の処理基板21を収納したカセットを収容するロードロック室図示せずと、このロードロック室と電子衝撃加熱装置1とを接続するトランスファ室図示せずと、が付帯されている。まず、石英製カセットに炭化珪素基板SiC基板を10枚収納し、このカセットをロードロック室に収容して、その内部の排気を行う。ロードロック室の排気が開始されると同時に、予備加熱工程を開始する。そして、予備加熱工程を行っている間に、ロードロック室の粗引きを終了する。その後、トランスファ室とロードロック室との隔壁となるスリットバルブを開放し、トランスファ室のターボモレキュラポンプTMPにより、トランスファ室の圧力が1×103Pa以下になるまで排気する。予備加熱工程ダミーアニールは、上述したように、ヒータ10、基板ステージ20を含む処理容器内の温度を予め上昇させておく工程である。具体的には、ダミー基板を用いることなく、基板ステージ20を上昇させて、該ステージ20の上面と加熱容器11の閉塞端部の放熱面11aとの距離が5mmになるように接近させる。そして、基板ステージ20の裏面温度が実際のアニール処理温度1575°Cよりも高温の1710°Cになるように設定し、実際の処理時間1分間よりも長時間4分間だけ保持して加熱する。ここで、図3を参照して、本実施例における予備加熱工程を具体的に説明する。まず、フィラメント加熱を行ってフィラメント14への吸着ガスを放出させ、該フィラメント14の劣化を防ぐ。具体的には、シーケンサ49から多機能式温調計43に信号を入力し、フィラメント電流計45の電流値が30Aになるまで、フィラメント電流値を1秒間に1Aずつ上昇させる。多機能式温調計43は、シーケンサ49からの信号とフィラメント電流計45からのリターン信号とを比較し、サイリスタ48へ信号を出力する。サイリスタ48からの入力に従って、フィラメント電源41はフィラメント電流値の出力を徐々に増加させ、フィラメント電流計45の電流値が30Aになるまで、フィラメント14を加熱する。次に、加速電源42からフィラメント14に加速電圧HVを印加して、徐々に電圧を上昇させることで、急激なエミッション電流値の上昇を防ぎ、異常放電を防止する。フィラメント電流値は30Aで固定のまま、シーケンサ49からサイリスタ48へ信号を出力し、加速電圧HV-500Vを印加する。加速電源42では、サイリスタ48からの入力に従い、例えば、加速電圧HV-500Vをフィラメント14に印加する。さらに、シーケンサ49はサイリスタ48へ信号を出力し、加速電圧HVが-1800Vになるように、1秒間に加速電圧HVを-100Vずつ上昇させる。加速電源42では、サイリスタ48の入力に従い、加速電圧HVの出力を徐々に増加させ、加速電圧HVが-1800Vになるようにし、エミッション電流を発生させる。さらにシーケンサ49から、エミッション電流値が10.7Aとなる信号を多機能式温調計43へ入力する。多機能式温調計43では、加速電圧HVが-1800Vで一定のまま、エミッション電流計からの出力信号と比較し、エミッション電流値10.7Aになるように、フィラメント電流値を制御するための信号をサイリスタ48へ入力する。サイリスタ48からの入力信号により、フィラメント電源41はエミッション電流値が10.7Aになるように制御する。そして、エミッション電流値10.7Aにて、基板ステージ20の裏面温度が1590°Cになるように短時間で昇温させる。そして、基板ステージ20の裏面温度が1590°Cになったら、シーケンサ49、多機能式温調計43及びサイリスタ48を通した入力信号により、フィラメント電源41はエミッション電流計47の電流値と比較する。さらにフィラメント電源41は、エミッション電流値が9.8Aになるようにフィラメント電流値を制御して1640°Cまで昇温する。このときの加速電圧HVは-1800Vで一定のまま維持させる。次に、エミッション電流値7.7Aにて、3分間加熱する。さらに、エミッション電流値7.5Aにて、2分間加熱する。加熱初期段階でのヒータ10や基板ステージ20の温度により最高到達温度が変化するため、これらの加熱制御は、温度をトリガーにするのではなく、時間を固定したパワー制御を行なっている。これにより、初期段階の温度がいずれの場合にあっても、ダミーアニール工程を再現性良く行なうことができる。このときの最高温度は、1710°Cであった。その後、エミッション電流が出ないようにフィラメント電流値を20Aまで絞った状態で、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を72mmにして冷却を行う。2色式放射温度計7にて基板ステージ20の裏面温度が1200°Cになったら、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を198mmまで拡げる。そして、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの間を水冷シャッタ24で閉じ、ヒータ10からの輻射熱が搬送用ロボットアームに影響しないようにして、SiC基板の出し入れを行う。この間、スタンバイ加熱により、ヒータ側面温度加熱容器側面温度が1200°Cになるように入力パワーをPID制御する。このとき、冷却時にヒータパワーをオフしてしまうと、次のスタンバイ加熱時の昇温開始が大幅に遅れ、温度再現性の劣化や、スループットの低下を招く。なお、スタンバイ加熱においては、水冷シャッタにより基板ステージの裏面温度の測定はできないため、ヒータ側面温度を測定した。SiC基板が基板ステージ20に載置された後、エミッション電流値が3Aになるように電源パワーを制御して、90秒間で基板ステージ20の裏面温度が約1200°Cになるまでのガス出しを行い、表面平坦性の劣化を防ぐ。次に、エミッション電流値10.2Aで急速に昇温し、基板ステージ裏面温度1515°C~1535°Cの間はエミッション電流値9.5Aで、基板ステージ裏面温度1535°C~1555°Cの間はエミッション電流値8.4Aで昇温させる。さらに、基板ステージ裏面温度1555°C~1575°Cの間はエミッション電流値7.3Aで昇温させ、1575°Cで1分間はエミッション電流値7.1Aで加熱保持する。ここで、基板ステージ裏面温度を接点として、エミッション電流値を段階的に下げていくことで、直径φ200mmの大口径ヒータでも高温を高速かつ安定的に制御できる。アニール保持時間1分間が終了した後、フィラメント電流値を20Aに絞り、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を72mmまで拡げて、SiC基板を冷却する。基板ステージ裏面温度が1200°Cになったら、基板ステージ20の上面と加熱容器11の放熱面11aとの距離を198mmになるように基板ステージ20を降下させる。そして、水冷シャッタ24を閉じ、スリットバルブ22を開けて、搬送ロボットによりSiC基板を搬出させ、次のSiC基板を搬入する。この間は、スタンバイ加熱により、ヒータ10の側面の温度が1200°Cになるように、放射温度計にて、ヒータ10の側面の温度を計測し、パワーを制御してヒータ温度を保持させておく。同様の工程で複数のSiC基板を順次処理し、最終10枚目のSiC基板の処理が完了した後、ロードロック室に回収してスタンバイ加熱を終了させ、一連の処理が完了となる。このときの基板ステージ裏面温度と処理時間との関係を図4に示すと共に、その拡大図を図5に示す。本実施例によれば、処理時間は1時間47分であり、スループット5枚/時以上が達成できた。このとき、10枚全てのSiC基板のアニール保持温度1575°Cでの最大温度差は3°Cで、最低温度差は-4°Cとなり、温度再現性が十分に確保され、基板の品質が保持されていることが判った。"