"基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備えることを特徴とする薄膜形成装置。前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、請求項1に記載の薄膜形成装置。基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有し、前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状の複数のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行する複数の磁石と、を備え、前記複数の電極板は、お互いの側面が対向するように平面上に離間して配列され、前記複数の磁石は、配列した前記複数の電極板の間および両側の電極板の側面の外側に前記平面上に配置され、互いに隣接する磁石の前記成膜空間に向く端部が異なる極性を帯びるように配置されている、ことを特徴とする薄膜形成装置。前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、請求項3に記載の薄膜形成装置。前記ガス導入部は、前記ガスの他に前記薄膜を形成する原料成分を含む原料ガスを導入し、前記ガスを、基板に堆積する前記原料成分を反応させる反応ガスとして導入することにより、原子層単位で前記薄膜を形成する、請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。しかし、上記プラズマ生成装置を、ALD法を用いる薄膜形成装置に用いた場合、従来のCVD装置等に比べて成膜空間内の圧力が高く、しかも、基板に原料ガスの成分を吸着させるために流す原料ガスの消費を抑制するために成膜空間が狭く構成されているので、成膜空間内に原料を流してプラズマを生成しようとするとき、高周波アンテナ導体近傍ではなく、部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生し、この部分でプラズマが支配的かつ安定的に発生する場合がある。このため、必ずしも成膜空間内の成膜しようとする基板の上部でプラズマが発生せず、効率のよい薄膜の形成ができない場合がある。そこで、本発明は、上記問題点を解決するために、安定して基板上部でプラズマを発生させることができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行し、前記成膜空間に向く端部がお互いに異なる極性を帯びた一対の磁石と、を備える。その際、前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、ことが好ましい。また、本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に設けられ、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部と、を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状の複数のプラズマ生成用電極板と、前記電極板を両側の側面から挟むように前記電極板の側面に沿って並行する複数の磁石と、を備える。前記複数の電極板は、お互いの側面が対向するように平面上に離間して配列され、前記複数の磁石は、配列した前記複数の電極板の間および両側の電極板の側面の外側に前記平面上に配置され、互いに隣接する磁石の前記成膜空間に向く端部が異なる極性を帯びるように配置されている。その際、前記磁石のそれぞれの配置位置の中心は、前記電流の流れる方向の前記電極板の中心に対して、前記電流の上流側にオフセットしている、ことが好ましい。前記ガス導入部は、前記ガスの他に前記薄膜を形成する原料成分を含む原料ガスを導入し、前記ガスを、基板に堆積する前記原料成分を反応させる反応ガスとして導入することにより、原子層単位で前記薄膜を形成する、ことが好ましい。上述の薄膜形成装置では、従来に比べて安定して基板上部でプラズマを発生させることができる。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。図1に示す薄膜形成装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板20に薄膜を形成するALD薄膜形成装置である。薄膜形成装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成する方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子等の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する方式と異なる。このため、プラズマを生成する素子が共振するように給電する電力の周波数を調整する必要がない。薄膜形成装置以下、薄膜としてAl2O3薄膜を形成する例を用いて、薄膜形成装置10について説明する。薄膜形成装置10は、給電ユニット12と、成膜容器14と、ガス導入部16と、ガス排気部18と、を有する。給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ電極部30と、を有する。高周波電源22は、例えば、10~1000Wで数10MHzの高周波電力をプラズマ電極部30の電極板30a図2a,b参照に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力がプラズマ電極部30の電極板30aに効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30aへ数十アンペアの電流を流すことができる。伝送線29は、電極板30aから延び接地されている。プラズマ電極部30は、後述する隔壁32上に固定された電極板30a図2a,b参照を備え、この電極板30aの第1の主面は成膜容器14内の成膜空間に向いて隔壁32の面に対して平行に配置されている。プラズマ電極部30の電極板30aでは、伝送線28が接続されている端面と伝送線29が接続されている端面との間で電流が流れる。プラズマ電極部30の構成は後述する。成膜容器14は、内部空間38を容器内に有し、内部空間38は、隔壁32により上部空間と下部の成膜空間40に区分けされている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成されて内部空間38を1~100Paの減圧状態にできるように、密閉されている。成膜容器14の上部空間には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ電極部30と、を有する。隔壁32の上部空間に面する側には、プラズマ電極部30が固定されている。プラズマ電極部30の周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、プラズマによる電極板30aや後述する磁石の腐食を防ぎ、かつ効率よくプラズマへエネルギを供給させるためである。成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられている。ヒータ42は、サセプタ44に載置する基板20を所定の温度、例えば250°C程度に加熱する。サセプタ44は、基板20を載置する載置台を有する。昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、プラズマ電極部30に近接するように、基板20を所定の位置にセットする。ガス導入部16は、成膜容器14の成膜空間40内に、薄膜形成に用いる原料ガスおよび反応ガスを導入する。ガス導入部16は、原料ガス供給部50と反応ガス供給部51と、を有する。原料ガス供給部50は、例えば、トリメチルアルミニウムを気化してガスとして成膜容器14に供給する。反応ガス供給部51は、酸素ガスを反応ガスとして成膜容器14に供給する。ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を所定の圧力に維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。プラズマ電極板部図2aは、給電ユニット12に用いられるプラズマ電極部30の一例の上面図である。図2bは、給電ユニット12に用いられるプラズマ電極部30の一例の側面図である。プラズマ電極部30は、成膜空間40内のサセプタ44の上部に設けられ、反応ガスを用いてプラズマを生成させる。プラズマ電極部30は、矩形形状のプラズマ生成用電極板以降、電極板という30aと、一対の磁石30b,30cを備える。電極板30aでは、給電線28と接続された一方の端面31aから給電線29に接続された他方の端面31bに向けて、すなわちX方向に電流が流れる。電極板30aの一方の第1の主面31eは成膜空間40に向いている。給電線29は、図1に示すように接地されている。一対の磁石30b,30cは、電極板30aを両側の側面31c,31dから挟むように側面31c,31dに沿って並行し、成膜空間40に向く端部がお互いに異なる極性を帯びている。電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。磁石30b,30cは例えば細長い棒状の永久磁石が用いられる。図2bに示されるように、磁石30bの成膜空間40に向く端部はS極を成し、磁石30cの成膜空間40に向く端部はN極を成すので、電極板30aの下側の空間では、磁石30bから磁石30cに磁界が形成される。このため、電極板30aの下側の空間では、電極板30aに電力が供給されたとき、プラズマPが発生しやすい。したがって、従来のように、部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生することは少なく、万が一、上記部分的に狭くなった局所的な凹状の空間で異常放電が発生しても、この部分でプラズマが維持されない。すなわち、電極板30aの下側の空間でプラズマPが安定して発生するように、磁石30b,30cは電極板30aの幅方向図2a中の横方向に横切る磁界を形成する。なお、磁石30b,30cのそれぞれは、成膜空間40に向く端部が互いに異なる極性を有していればよく、棒磁石に制限されない。例えば複数の磁石を電極板30aの側面に沿って一列に配列することによって、磁石30b及び磁石30cのそれぞれを形成してもよい。なお、電極板30aを流れる電流の表層は、電極板30aの電気抵抗率、流れる電流の周波数、および、電極板30aの透磁率に依存して定まる。例えば、銅あるいはアルミニウムを電極板30aの材質として用い、電流の周波数を数10MHzとする場合、表層の深さはおよそ0.1mm程度である。したがって、第1の主面31eと第1の主面31eと対向する第2の主面の表層に流れる電流を考慮して、電極板30aの厚さは、0.2mmより厚いことが好ましい。図3は、図2aに示すプラズマ電極部30の他の一例を示す。図3に示すプラズマ電極部30は、図2aに示す形態と同様に、電極板30aと、一対の磁石30b,30cを備える。電極板30aでは、給電線28と接続された一方の端面31aから給電線29に接続された他方の端面31bに電流が流れる。プラズマ生成用電極板30aの一方の第1の主面31eは成膜空間40に向いている。給電線29は、図1に示すように接地されている。磁石30b,30cは例えば細長い棒状の永久磁石が用いられる。図3に示すプラズマ電極部30が、図2aに示すプラズマ電極部30に対して異なる点は、磁石30b,30cの配置位置の中心が、電流の流れる方向、すなわちX方向の電極板30aの中心に対して、X方向の上流側にオフセットしていることである。図3に示すプラズマ電極部30は、これ以外、図2aに示すプラズマ電極部30と同じであるので、これらの説明は省略する。このように、図3に示すプラズマ電極部30の磁石30b、30cの配置位置をオフセットするのは、発生するプラズマの密度を均一に近づけるためである。図4a,bは、電極板と生成されるプラズマの電子密度の関係を説明する図である。図4aに示すように磁石30b,30cを両側に配置しない電極板30aを用いたとき、成膜空間40内で生成されるプラズマの電子密度は、図4bに示すような値となる。このとき、電極板30aの端面31aに1kWの高周波電力13.56~60MHzが付与され、端面31bが接地されている。すなわち、図4bに示すように、接地側端面31bの側では電子密度が高く、給電側端面31aの側では電子密度が低い。この理由については、明確ではないが、接地側では電流により生成された磁場に基づいて生成されるプラズマ電流に由来するプラズマが支配的であるのに対し、給電側では高電圧によって生成されるプラズマ電圧に由来するプラズマが支配的であることに起因すると考えられる。高電圧の給電側では、電子はその電界により加熱されるため、十分なエネルギを受け取ることができず、高密度なプラズマが生成されにくいと考えられるからである。したがって、電極板30aでは、給電側でプラズマ密度が低くなるため、給電側において磁石30b,30cを設けて電極板30aが作り出す電界を横切る磁界を形成する。これにより、給電側において、プラズマ密度を高めることができる。したがって、図3に示すように磁石30b、30cの配置位置をX方向の上流側、すなわちX方向の上流側にオフセットすることで、プラズマの密度をX方向において均一に近づけることができる。図5a,bは、図2aに示すプラズマ電極部30のさらに他の一例を示す。図5a,bに示すプラズマ電極部30は、2つの電極板30a1,30a2を有し、電極板30a1,30a2の幅方向の両側及び電極板30a1,30a2で挟まれた間隙に、磁石30b,30c,30dが配置されている。すなわち、電極板30a1,30a2は、お互いの側面が対向するように平面上に配列され、さらに、磁石30b,30c,30dは、配列した電極板30a1,30a2の間および電極板30a1,30a2の両側の側面の外側に上記平面上に配置される。そのとき、互いに隣接する磁石30b,30c,30dの成膜空間40に向く端部が異なる極性を帯びるように、磁石30b,30c,30dは配置されている。このようにプラズマ電極部30を構成することで、図5bに示すように、電極板30a1,30a2の下部直下の空間でプラズマPが安定して生成する。したがって、成膜空間40内の基板20の近傍では、別々のプラズマPによって反応ガスから生成されたラジカルが一体化して電極板30a1,30a2の幅方向において略均一になり、基板20に堆積した原料ガスの原料成分を均一に反応させることができる。したがって、薄膜は均一に形成され得る。図6は、図2aに示すプラズマ電極部30のさらに他の一例を示す。図6に示すプラズマ電極部30は、図3に示すプラズマ電極部30と同様に、磁石30b,30c,30dのそれぞれの配置位置の中心は、電流の流れる方向、すなわちX方向の電極板30a1,30a2の中心に対して、電流の上流側にオフセットしている。したがって、図6に示すプラズマ電極部30は、図3に示すプラズマ電極部30と同様に、プラズマの密度を均一に近づけることができる。このような薄膜形成装置10は、ALD装置として有効に用いることができる。ALD装置として薄膜形成装置10を用いる場合、原料ガス供給部50から原料ガスをパルス状に短時間供給して原料ガスを基板20に吸着させる。このとき、原料ガスの原料成分が原子層単位で基板20に吸着される。このような吸着の処理では、原料ガスの化学的性質に依拠して基板20上に原子単位で原料成分が層状に堆積する。薄膜形成装置10は、原料ガスを十分に成膜空間40から排気した後、反応ガス供給部51から反応ガスを成膜空間に供給する。このとき、薄膜形成装置10は、プラズマ電極部30に高周波電力を供給して成膜空間40内にプラズマを発生させる。成膜空間40内には、電流が流れる電極板を、電極板の幅方向に横切るように磁石による磁界が形成されているので、プラズマを電極板直下の磁界近傍に集中して発生させることができる。このため、成膜空間40内の別の部分で異常放電が発生しにくい。この部分で異常放電によるプラズマが発生しても、電極板直下の磁界近傍に集中してプラズマが発生し易く、しかもプラズマの密度が高いので、異常放電によるプラズマは維持されにくく、成膜空間40内の電極板直下の部分にプラズマが安定して生成される。特に、ALDに用いる薄膜形成装置では、供給される原料ガスに対して薄膜の形成の際に基板に吸着する原料ガスは極めて少なく、排気する原料ガスがほとんどである。このため、原料ガスの無駄な消費を抑えるために成膜空間40の高さは低く構成されている。しかも、反応ガスを供給するとき従来のCVDの場合に比べて圧力が高く維持される。このため、成膜空間40内では、意図しない場所で異常放電によるプラズマが発生し、基板20の上部でプラズマは発生しない場合がある。しかし、本実施形態のように、電極板を幅方向に横切る磁界を形成することにより、高さの低い成膜空間40内で、基板40の上部で安定してプラズマを生成させることができる。以上、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"