"梁を用いることで、支持体に対して重りが揺動可能に支持され、該揺動によって前記梁に発生する応力を、前記梁に設けた複数のピエゾ抵抗素子で検出して、係る力に基づく所定の物理量を検出する力学センサであって、前記重りは、第1軸方向に沿って並び、それぞれが略直方体形状からなる第1部分重りおよび第2部分重りと、前記第1軸方向に直交する第2軸方向において前記第1部分重りおよび前記第2部分重りの略中央に配設されており、前記第1部分重りと前記第2部分重りとを接続する渡し部と、からなり、前記支持体は、前記第2軸方向に沿って、前記重りの前記渡し部を中間に介し、且つ前記重りから離間して配設され、前記梁は、前記第2軸方向に沿った前記渡し部の両側の位置で、前記第1軸方向に沿って前記第1部分重り部と前記支持体とを接続するとともに前記第2部分重り部と前記支持体とを接続する形状からなる、力学センサ。請求項1に記載の力学センサであって、前記複数のピエゾ抵抗素子は、それぞれが前記梁における前記支持体側の接続端近傍に配設されている、力学センサ。請求項1または請求項2に記載の力学センサであって、前記第1部分重りと前記第2部分重りとは同じ重さである、力学センサ。請求項1または請求項2に記載の力学センサであって、前記第1部分重りと前記第2部分重りとが異なる重さである、力学センサ。しかしながら、図7に示すような従来構造の力学センサ10Pでは、次のような問題が生じる。従来の力学センサ10Pにおいて、梁13Pが設置された重り11Pの上面側における対向する二辺に平行な軸図7におけるx軸に平行な方向へ力が加わった場合、重り11Pは、二つの梁13Pを結ぶ軸図7におけるy軸を基準に揺動する。この場合、図7に示すように、梁13Pが重り11Pおよび支持体12Pに接続されている四箇所の角部近傍の極小領域が、応力発生領域30Pとなる。ここで、力学センサで、係る力による加速度等の物理量を計測する際には、応力発生領域30Pにピエゾ抵抗素子を配設する必要がある。しかしながら、従来の力学センサ10Pでは、応力発生領域30Pが極小面積であり、当該領域にピエゾ抵抗素子を正確に配設することは容易ではなく、逆に言えば、応力を正確に検出し、加速度等の物理量を、より確実に計測できる力学センサを実現することは容易ではなかった。したがって、本発明の目的は、係る力による加速度等の物理量を、より確実に検出することができる力学センサを実現することにある。この発明は、力学センサに関する。本願で取り扱う力学センサは、概略的には、梁を用いることで、支持体に対して重りが揺動可能に支持されている。そして、力学センサは、この揺動によって梁に発生する応力を、梁に設けた複数のピエゾ抵抗素子で検出して、係る力に基づく所定の物理量を検出する。このような前提的構成のもとで、重り、支持体、梁は、次に示す特徴を有する。重りは、第1軸方向に沿って並び、それぞれが略直方体形状からなる第1部分重りおよび第2部分重りと、渡し部とからなる。渡し部は、第1軸方向に直交する第2軸方向において第1部分重りおよび第2部分重りの略中央に配設されており、第1部分重りと第2部分重りとを接続する構造を有する。すなわち、重りは、第1軸と第2軸とを含む平面で見れば、H型の形状からなる。支持体は、第2軸方向に沿って、重りの渡し部を中間に介し、且つ重りから離間して配設されている。梁は、第2軸方向に沿った渡し部の両側の位置で、第1軸方向に沿って第1部分重り部と支持体とを接続するとともに第2部分重り部と支持体とを接続する形状からなる。このような構成とした場合、第1軸方向に沿った力が加わると、図4詳細は後述する。に示すように、梁における重りおよび支持体との接続端近傍の領域に亘って同じモードの応力が発生する。すなわち、梁における重りおよび支持体との接続辺に沿った広い領域で応力が発生する。これにより、当該接続辺に沿う形状でピエゾ抵抗素子を配置すればよく、従来ほど、ピエゾ抵抗素子の配置精度が要求されない。また、後述するように、この構成では、検出できる応力も従来構造より大きくなる。したがって、従来構造よりも、確実な応力の検出が可能になる。また、この発明の力学センサでは、複数のピエゾ抵抗素子は、それぞれが梁における支持体側の接続端近傍に配設されている。この構成では、梁にピエゾ抵抗素子を配設する具体的な構造を示している。上述のような第1軸に沿う力が加わると、梁の第1,第2部分重り側の端部よりも、梁の支持体側の端部に大きな応力が発生することが実験的に分かっている。したがって、梁の支持体側の端部にピエゾ抵抗素子を配設することで、より確実な応力検出が可能になる。また、この発明の力学センサでは、第1部分重りと第2部分重りとは同じ重さである。もしくは、この発明の力学センサでは、第1部分重りと第2部分重りとが異なる重さである。これらの構成のように、渡し部により接続される第1部分重りと第2部分重りとがの重さ関係を変化させることで、各梁の配置位置に対する中心位置と重心位置とを変化させることができる。これにより、同じように力学センサを配置しても、検出方向を変化することができる。この発明によれば、比較的簡素な構造でありながら、係る力による加速度等の物理量を、より確実に検出することができる。本発明の第1の実施形態に係る力学センサについて、図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る力学センサ10の構造を説明するための斜視図である。図2は、本実施形態に係る力学センサ10の平面図および各側面断面図である。図2Aは、力学センサ10の平面図である。図2Bは力学センサ10の図2AにおけるA1-A2断面を見る側面断面図であり、図2Cは力学センサ10の図2AにおけるB1-B2断面を見る側面断面図であり、図2Dは力学センサ10の図2AにおけるC1-C2断面を見る側面断面図である。図2Eは力学センサ10の図2AにおけるD1-D2断面を見る側面断面図であり、図2Fは力学センサ10の図2AにおけるE1-E2断面を見る側面断面図であり、図2Gは力学センサ10の図2AにおけるF1-F2断面を見る側面断面図である。図3は、本実施形態に係る力学センサ10の各ピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dの配置パターンおよび配線パターン22を示す図である。力学センサ10は、平面視した形状、図1であれば、z軸方向に沿って見た形状がH型の重り11を備える。重り11は、SOISiliconOnInsulator基板に対してパターンエッチング処理等の後述する各成形処理を行うことで形成される。重り11は、当該処理により、略直方体形状の第1部分重り11Aおよび第2部分重り11Bと、同じく略直方体形状からなる渡し部11Cとが、一体形成されている。具体的には、重り11は、次に示す構造からなる。第1部分重り11Aと第2部分重り11Bとは同じ形状であり、平面視した短辺がそれぞれ第1軸図1であればx軸方向に沿って、所定間隔を空けて配列している。この際、第1部分重り11Aと第2部分重り11Bは、平面視した長辺がそれぞれ第1軸に直交する第2軸図1であればy軸に沿うように配置されている。渡し部11Cは、第1部分重り11Aと第2部分重り11Bとにおける第2軸方向の略中央の位置に配設されており、第1部分重り11Aと第2部分重り11Bの両方に接続されている。渡し部11Cは、第1部分重り11Aおよび第2部分重り11Bと同じ厚み図1におけるz軸方向の長さからなる。なお、渡し部11Cの幅は、重り11全体の重さ、第1部分重り11A、第2部分重り11Bのそれぞれの重さ、および後述する梁13A,13B,13C,13Dの幅とこれらに対する間隔とに基づいて適宜設定されている。支持体12A,12Bは、重り11を囲む筐体壁14と一体形成されており、筐体壁14の内壁面側から内側へ突出する角柱形状からなる。支持体12A,12Bは、重り11のx軸方向における第1部分重り11Aと第2部分重り11Bとの間に配置されている。また、支持体12A,12Bは、y軸方向において重り11の渡し部11Cを挟むように配置されている。この際、支持体12A,12Bは、重り11に接触しないように、所定の間隔をおいて配置されている。さらに、支持体12A,12Bの高さz軸方向の長さは、重り11の厚みよりも大きく設定されている。これにより、図に示すような重り11と支持体12A,12Bおよび筐体壁14との間の空間15が形成される。支持体12及び筐体壁14には、重り11には当接しないように、蓋材16が接合されている。梁13A,13B,13C,13Dは、第1部分重り11Aおよび第2部分重り11Bと支持体12A,12Bと、を接続する形状で形成されている。より具体的には、梁13Aは、第1部分重り11Aのy軸方向の一方端付近と支持体12Aとを接続する。梁13Cは、第1部分重り11Aのy軸方向の他方端付近と支持体12Bとを接続する。梁13Bは、第2部分重り11Bのy軸方向の一方端付近と支持体12Aとを接続する。梁13Dは、第2部分重り11Bのy軸方向の他方端付近と支持体12Bとを接続する。梁13A,13B,13C,13Dは、長さx軸に沿う長さ、幅y軸に沿う長さ、および厚みz軸に沿う長さの全てがほぼ同じ形状からなる。また、梁13A,13B,13C,13Dの配置位置は、平面視xy平面視した状態での渡し部11Cの中心点、すなわち重り11の中心点を通るx軸およびy軸に対して、それぞれが対称の関係となるように配置されている。このような形状により、重り11は、支持体12A,12Bに対して、梁13A,13B,13C,13Dにより、揺動可能に支持される。この際、重り11は、上述の中心点が重心となり、当該重心からz軸に平行な方向で重力が係るように配置される。このような形状の構造体には、図3に示すように、複数のピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dおよび配線電極パターン22が形成されている。複数のピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dは、配線電極パターン22により、図3に示すようなホイートストンブリッジ回路を形成するように接続されている。当該ホイートストンブリッジ回路の外部接続端子は、支持体12A,12Bを介して筐体壁14の所定位置に形成されている図示せず。より具体的には、ピエゾ抵抗素子21Aは、梁13Aの支持体12Aとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子21Aは、y軸に沿って延びるように、すなわち、梁13Aと支持体12Aとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。ピエゾ抵抗素子21Bは、梁13Bの支持体12Aとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子21Bも、y軸に沿って延びるように、すなわち、梁13Bと支持体12Aとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。また、ピエゾ抵抗素子21Cは、梁13Cの支持体12Bとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子21Cも、y軸に沿って延びるように、すなわち、梁13Cと支持体12Bとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。また、ピエゾ抵抗素子21Dは、梁13Dの支持体12Bとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子21Dも、y軸に沿って延びるように、すなわち、梁13Dと支持体12Bとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。以上のような構成とすることで、本実施形態の力学センサ10は、次に示すように、外部からの力を検出することができる。図4は、本実施形態に係る力学センサ10の検出概念を示す図であり、図4Aはx軸並進の力が加わった場合の応力発生の状態を示し、図4Bは、力の加わる方向毎の固有振動数を示す図である。なお、図4Bの結果は、重り11の外形形状を、幅y軸方向長さを290μm、長さx軸方向長さを400μm、厚みz軸方向長さを300μmとし、梁の厚みを5μmに設定し、共振周波数最低の固有振動数を30kHzに設定した場合の結果である。まず、外部から力が加わっていない場合、各梁13A,13B,13C,13Dには応力が殆ど加わっておらず、加わっていたとしても、それぞれのピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dの配置位置での応力の大きさおよびモードが同じであるので、各ピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dの抵抗値は略同じである。これにより、ホイートストンブリッジ回路の平衡状態が保たれて、検出電圧は現れない。次に、x軸に並進する力が加わると、重り11は、y軸を基準軸として揺動する。これは、極小さい揺動であればx軸方向の平行移動に近似できる。このように、重り11がx軸の正方向へ揺動微小移動すると、図4Aに示すように、梁13Aの支持体12Aへの接続端領域31A、梁13Bの第2部分重り11Bへの接続端領域32B、梁13Cの支持体12Bへの接続端領域31C、梁13Dの第2部分重り11Bへの接続端領域32Dに圧縮による応力が発生する。一方、梁13Aの第1部分重り11Aへの接続端領域32A、梁13Bの支持体12Aへの接続端領域31B、梁13Cの第1部分重り11Aへの接続端領域32C、梁13Dの支持体12Bへの接続端領域31Dに伸張による応力が発生する。ここで、ピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dは、それぞれ接続端領域31A,31B,31C,31Dに形成されており、これらの素子は、加わった応力に応じて抵抗値が変化する。そして、重り11が揺動し応力が発生すると、これらの素子の抵抗値変化により、ホイートストンブリッジ回路の平衡状態が崩れ、応力に応じた検出電圧が出力される。なお、揺動により、重り11がx軸の負方向へ揺動微小移動した場合には、当該検出電圧と符号反転した検出電圧が出力される。このような現象により、x軸方向に加わった力を検出することができる。この際、上述のような構造の場合、図4Bに示すように、x軸並進の力による固有振動数が、他の方向の力による固有振動数よりも大幅に小さくなる。具体的には、x軸並進の力の固有振動数の次に低いx軸回転の固有振動数であっても、x軸並進の力の固有振動数の2倍程度の振動数となっている。このような固有振動数の関係となることで、実質的には、x軸並進の力のみを検出することができる。したがって、上述の構成により、一軸型の力学センサを実現することができる。この際、図4Aにも示すように、応力の発生領域が、従来のように、梁が重りおよび支持体に接続されている四箇所の角部近傍の極小領域ではなく、梁13A,13B,13C,13Dにおける重り11および支持体12A,12Bとの接続端近傍の領域、すなわち、梁13A,13B,13C,13Dにおける重り11および支持体12A,12Bとの接続辺に沿った広い領域となる。したがって、ピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dの形成にバラツキが有っても、応力の影響を受けやすい。これにより、従来よりも確実に応力、ひいては重りに11に加わる力を検出することができる。また、図には示していないが、実験的に本実施形態の力学センサ10と従来の力学センサ10Pに対して、同じ条件でx軸方向に力を加えた場合、本実施形態の力学センサ10の方が3倍程度の大きな応力が発生する。このような結果からも、本実施形態の力学センサ10は、従来の力学センサ10Pよりも確実に応力を検出できることが分かる。以上のように、本実施形態の構成を用いることで、係る力を、より確実に検出できる力学センサを実現することができる。この際、次に示すように、製造工程は、従来の力学センサの製造工程と殆ど変える必要はなく、複雑な製造方法を用いずとも、より検出能力の高い力学センサを実現できる。図5は、本実施形態に係る力学センサ10の製造方法を説明するための図である。本図では、各製造工程による形状変化を、上述の図2Cに示す側断面を用いて示している。なお、以下では、支持体12A,12Bを代表して支持体12とし、梁13A,13B,13C,13Dを代表して梁13とし、ピエゾ抵抗素子21A,21B,21C,21Dを代表してピエゾ抵抗素子21と称して説明する。まず、図5Aに示すように、SOI基板100を用意する。SOI基板100は、N型層のシリコン基板101と、支持シリコン基板102と、これらの間に介在する、例えばSiO2やSiNからなる絶縁層103とからなる。さらに、本実施形態では、シリコン基板101の表面に絶縁層104が形成されている。ここで、シリコン基板101および絶縁層103,104を重ねた厚みは、梁13の厚みに略一致することが望ましい。このようなSOI基板100のシリコン基板101の表面絶縁層104側の、後に梁13の支持体12側端部となる位置に、P型ドーパントをイオン注入し、ピエゾ抵抗素子21となるピエゾ抵抗P層を形成する。さらに、シリコン基板101の略同じ深さ位置に配線電極パターン22となる低抵抗配線領域P層を、所定パターンで形成する。次に、図5Bに示すように、SOI基板100の裏面側から、支持シリコン基板102における、後に空間15となる領域に対して、フッ素系ガスCF4,C4F8,SF6等や塩素系ガスCl2等のエッチングガスを用いたドライエッチングを行う。このようなドライエッチングを行うことで、絶縁層103がストッパ層となり、当該絶縁体層103、シリコン基板101および絶縁層104は、エッチングされない。この工程により、支持シリコン基板102を部分的材料とする重り11および支持体12、筐体壁14以外の箇所、すなわち梁13と空間15に対応する箇所が裏面側から凹んだ形状となる。次に、図5Cに示すように、凹部が形成されたSOI基板100の裏面側に蓋材16を接合する。この際、蓋材16は、支持体12や筐体壁14には当接するが、凹部中央の重り11には当接しない形状からなる。なお、蓋材16は、支持シリコン基板102と同じ材質であることが望ましい。次に、図5Dに示すように、絶縁層104の表面、すなわちSOI基板100の表面に、上述のホイートストンブリッジ回路を構成するための配線電極パターン22を形成する。この配線電極パターン22は、図示していないがシリコン基板101の低抵抗配線領域と接続するように形成されている。次に、図5Eに示すように、SOI基板100の表面側から、重り11、支持体12、梁13、筐体壁14を残すように、絶縁層104、シリコン基板101、絶縁層103をドライエッチングして除去する。この工程により、重り11が、筐体壁14内の空間15中に梁13および支持体12によって揺動可能に支持された構造が実現される。なお、この後、表面側に上蓋を配設してもよい。なお、上述の形状は、x軸並進の力を検出ための構造を示すものであり、図6に示すように、第1部分重り11Wと第2部分重り11Lとの形状や重さを異ならせてもよい。図6は、本実施形態の他の構成からなる力学センサ10Aの構造を示す斜視図である。図6に示すように、支持体12A,12Bおよび梁13A,13B,13C,13Dで支持する第1部分重り11Wと第2部分重り11Lとの重さが異なる場合、重り11’の重心が、梁13A,13B,13C,13Dの配置位置の中心からずれる。このように、中心位置と重心がずれると、検出方向がシフトする。例えば、第1部分重り11Wと第2部分重り11Lとが図6のような関係であれば、x軸方向からz軸方向へ所定角度回転シフトした方向が検出方向となる。したがって、これら第1部分重り11Wと第2部分重り11Lの形状を変化させることで、容易に検出方向を変化させることができる。すなわち、外形形状および実装状態が同じであっても、異なる検出方向の力学センサを実現することができる。"