"第一導電型結晶系半導体基板と、前記第一導電型結晶系半導体基板の第一面上に基板側から、真性な非晶質半導体層、第二導電型非晶質半導体層の順で形成された各層と、前記第一導電型結晶系半導体基板の前記第一面と反対側の第二面上に形成された第一導電型非晶質半導体層を有し、前記真性な非晶質半導体層は、前記基板側から積層された第一の酸素濃度の第一真性半導体層と、前記第一の酸素濃度より低い第二の酸素濃度の第二真性半導体層とから構成される光起電力装置において、前記第一真性半導体層は、第一の形成温度にて形成の後、前記第一の形成温度より高い第一の熱処理温度で熱処理され、前記第二真性半導体層、前記第二導電型非晶質半導体層、および前記第一導電型非晶質半導体層は、前記第一の形成温度以下の第二の形成温度で形成されていることを特徴とする光起電力装置。前記熱処理は、フォーミングガス雰囲気中で行われることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記第一の熱処理温度は、前記第一の形成温度より5~200°C高いことを特徴とする請求項1または2に記載の光起電力装置。前記第二真性半導体層、前記第二導電型非晶質半導体層、および前記第一導電型非晶質半導体層には、前記第一の熱処理温度より低い第二の熱処理温度にて熱処理が施されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光起電力装置。前記第一真性半導体層の厚さが1nm以上5nm以下で、前記第二真性半導体層の厚さ1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光起電力装置。第一導電型結晶系半導体基板と、前記第一導電型結晶系半導体基板の第一面上に基板側から、真性な非晶質半導体層、第二導電型非晶質半導体層の順で形成された各層と、前記第一導電型結晶系半導体基板の前記第一面と反対側の第二面上に形成された第一導電型非晶質半導体層を有し、前記真性な非晶質半導体層は、前記基板側から積層された第一の酸素濃度の第一真性半導体層と、前記第一の酸素濃度より低い第二の酸素濃度の第二真性半導体層とから構成される光起電力装置の製造方法において、第一の形成温度にて前記第一真性半導体層を形成の後、前記第一真性半導体層を前記第一の形成温度より高い第一の熱処理温度で熱処理すると共に、前記第一の形成温度以下の第二の形成温度で、前記第二真性半導体層、前記第二導電型非晶質半導体層、および前記第一導電型非晶質半導体層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。前記熱処理を、フォーミングガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項6に記載の光起電力装置の製造方法。前記第一の熱処理温度を、前記第一の形成温度より5~200°C高くすることを特徴とする請求項6または7に記載の光起電力装置の製造方法。前記第二真性半導体層、前記第二導電型非晶質半導体層、および前記第一導電型非晶質半導体層の形成の後、これら層を前記第一の熱処理温度より低い第二の熱処理温度にて熱処理することを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の光起電力装置の製造方法。前記第一真性半導体層の厚さを1nm以上5nm以下とし、前記第二真性半導体層の厚さを1nm以上10nm以下とすることを特徴とする請求項6から9のいずれか1項に記載の光起電力装置の製造方法。上記特許文献4では、結晶シリコン基板と真性半導体層界面近傍の酸素濃度についてのみ言及されているが、真性半導体層のそれ以外の部分については検討されていない。また、結晶シリコン基板、非晶質半導体層、電極の各界面特性を向上させる熱処理についても検討されていない。また、上記特許文献5では、真性半導体層の結晶シリコン基板側の酸素濃度が不純物ドープ層側と比べて低く、界面特性を向上させる熱処理を施した場合にその効果が十分得ることができないといった問題がある。また、結晶シリコン基板、非晶質半導体層、電極の各界面特性を向上させる熱処理についても検討されていない。また、この構成において、電極形成後に熱処理を行っても光起電力装置の出力特性が十分に得られない問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、従来方法と比べて出力特性を向上させることができる光起電力装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光起電力装置及びその製造方法は、第一導電型結晶系半導体基板と、第一導電型結晶系半導体基板の第一面上に基板側から、真性な非晶質半導体層、第二導電型非晶質半導体層の順で形成された各層と、第一導電型結晶系半導体基板の第一面と反対側の第二面上に形成された第一導電型非晶質半導体層を有し、真性な非晶質半導体層は、基板側から積層された第一の酸素濃度の第一真性半導体層と、第一の酸素濃度より低い第二の酸素濃度の第二真性半導体層とから構成される光起電力装置において、第一真性半導体層は、第一の形成温度にて形成の後、第一の形成温度より高い第一の熱処理温度で熱処理され、第二真性半導体層、第二導電型非晶質半導体層、および第一導電型非晶質半導体層は、第一の形成温度以下の第二の形成温度で形成されていることを特徴とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の光起電力装置及びその製造方法は、第一導電型結晶系半導体基板と、第一導電型結晶系半導体基板の第一面上に基板側から、真性な非晶質半導体層、第二導電型非晶質半導体層の順で形成された各層と、第一導電型結晶系半導体基板の第一面と反対側の第二面上に形成された第一導電型非晶質半導体層を有し、真性な非晶質半導体層は、基板側から積層された第一の酸素濃度の第一真性半導体層と、第一の酸素濃度より低い第二の酸素濃度の第二真性半導体層とから構成される光起電力装置の製造方法において、第一の形成温度にて第一真性半導体層を形成の後、第一真性半導体層を第一の形成温度より高い第一の熱処理温度で熱処理すると共に、第一の形成温度以下の第二の形成温度で、第二真性半導体層、第二導電型非晶質半導体層、および第一導電型非晶質半導体層を形成することを特徴とする。また、上記第一の熱処理温度は、上記第一の形成温度より5~200°C高くされ、より好ましくは10~150°C高いほうがよく、絶対温度では400°C以下にするのが好ましい。400°Cより高くなると、酸素を含有する第一真性半導体層の水素脱離による膜質の劣化が顕著になり、光起電力装置の出力が低下するからである。熱処理時間は、上記第一の熱処理温度と反比例し、1~120分間程度、5~60分間がより好ましい。第一真性半導体層形成後に、第一真性半導体層の第一の形成温度より高い第一の熱処理温度で熱処理すると共に、第一の形成温度以下の温度で、第二真性半導体層、第二導電型非晶質半導体層、そして第一導電型非晶質半導体層を形成することにより、CVDChemicalVaporDeposition成膜後もしくは電極形成後に、一括して熱処理する場合に比べて、第一真性半導体層と結晶シリコン基板の界面特性を向上させることができる。この理由として以下のことが考えられる。真性半導体層は、一定の酸素濃度の範囲において、酸素濃度が高いほど耐熱性が高くなり、同時に結晶シリコン基板と真性半導体層の界面特性が向上する。ここで用いる耐熱性とは、パッシベーション効果に対するものとする。CVD成膜後もしくは電極形成後に一括して熱処理する従来の方法では、第二真性半導体層や第一、第二導電型の非晶質半導体層は、第一真性半導体層に比べて酸素濃度が低いゆえ耐熱性が低く、結晶シリコン基板と真性半導体層の界面特性および膜質を劣化させないために、第一温度より低い温度で熱処理を行うことが必要だった。従って、第一真性半導体層と結晶シリコン基板の界面特性は、この低い温度では十分に向上させることができなかった。また、第一真性半導体層の形成温度第一の形成温度より高い温度で、CVD成膜後もしくは電極形成後に一括して熱処理を行った場合、第二温度は、第二真性半導体層や第一、第二導電型の非晶質半導体層の耐熱温度を越えるので、これらの膜から水素が脱離し膜質が著しく劣化するので光起電力装置の出力特性が低下する。また、第二の酸素濃度を第一の酸素濃度以上にして第二真性半導体層を形成した場合は、酸素を含んだ真性半導体層の膜厚が厚くなるため、光起電力装置としての直列抵抗成分が増大し、光起電力装置の出力特性の低下につながる。仮に、抵抗成分を抑えるべく薄い膜厚を形成しようとすると、面内の膜厚制御が困難で不均一な膜厚となり、光起電力装置の出力特性の低下につながる。以下に、本発明にかかる光起電力装置及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態.図1は、この発明の光起電力装置の実施の形態である太陽電池の模式的な横断面図である。図1において、本実施の形態の光起電力装置である太陽電池セル太陽電池30は、まず基材となるn型単結晶シリコン基板第一導電型結晶系半導体基板1を有している。そして、このn型単結晶シリコン基板1のおもて面受光面と裏面に複数の半導体層が形成されている。n型単結晶シリコン基板1の受光面第一面に、酸素ドープi型非晶質シリコン層第一の酸素濃度の第一真性半導体層2と、i型非晶質シリコン層第二の酸素濃度の第二真性半導体層3と、p型非晶質シリコン層第二導電型の非晶質半導体層4が、この順番にて層を成して形成されている。また、n型単結晶シリコン基板1の受光面と反対の裏面第一面に、n型非晶質シリコン層第一導電型の非晶質半導体層5が形成されている。このように半導体層が形成されたn型単結晶シリコン基板1は、さらにこれら半導体層を挟むように受光面側と裏面側を透明導電層ITO:酸化インジウム膜6にて覆われている。そして、受光面側の透明導電層6の表面に受光面グリッドAg電極7が設けられている。また、裏面側の透明導電層6の裏面に裏面Ag電極8が設けられている。受光面グリッドAg電極7及び裏面Ag電極8は、太陽電池セル30が発生した電力を集電するために設けられている。太陽電池セル30は、一般に互いの受光面グリッドAg電極7及び裏面Ag電極8を電気的に接続されて複数枚が直列あるいは並列に連結される。図2は、図1の太陽電池セル太陽電池30の製造プロセスの手順を示すフローチャートの図である。図2に沿って太陽電池セル30の製造プロセスを説明する。まず、1Ωcmのn型単結晶シリコンを材料とするn型単結晶シリコン基板1を、アルカリ溶液中に浸漬してスライス時のワイヤーソーダメージを除去すると同時に異方性エッチングによりテクスチャーを形成したステップS1。その後、n型単結晶シリコン基板1をRCA洗浄によりクリーニングするとともに、希フッ酸で自然酸化膜除去を施し、27.56MHzのRFプラズマCVDチャンバで約1~5nmの酸素ドープi型非晶質シリコン層2を形成した。酸素ドープi型非晶質シリコン層2は、RF出力50mWcm2、基板温度200°C第一の形成温度、ガス圧500Paの雰囲気下で、シラン50sccm、水素500sccm、炭酸ガス5sccmを流して成膜することにより形成したステップS2。その後、フォーミングガス水素5含有の不活性ガス雰囲気中で熱処理1回目を行った。本実施の形態では、熱処理温度による太陽電池特性への影響を調べるため、200、300、400、500°Cの4種の温度第一の熱処理温度で各10分間の熱処理を実施したステップS3。1回目の熱処理の後、プラズマCVDチャンバで1~10nmの厚さのi型非晶質シリコン層3を形成した。i型非晶質シリコン層3は、RF出力50mWcm2、基板温度190°C第二の形成温度、ガス圧500Paの雰囲気下で、シラン30sccm、水素500sccmを流して成膜することにより形成したステップS4。続けて、プラズマCVDチャンバで約20nmの厚さのp型非晶質シリコン層4を形成した。成膜条件は基板温度140°C第二の形成温度、ガス圧500Paの雰囲気下で、100mWcm2、シラン10sccm、水素100sccm、0.1に水素希釈したジボラン20sccmとしたステップS5。次に、n型単結晶シリコン基板1の反対側の面に、CVDチャンバで約20nmのn型非晶質シリコン層5を製膜し、基板の裏面側にBSF構造を形成した。成膜条件は基板温度140°C第二の形成温度、ガス圧500Paの雰囲気下で、100mWcm2、シラン10sccm、水素50sccm、1に水素希釈したホスフィン50sccmとしたステップS6。その後、フォーミングガス中で200°C第二の熱処理温度で10分間の熱処理2回目を行ったステップS7。そして、p型非晶質シリコン層4の表面に、表面電極としてに約70~90nmの厚みを有する透明導電層ITO6を形成しステップS8、その上に集電極として受光面グリッドAg電極7をスクリーン印刷法で形成したステップS9。また、裏面電極として、n型非晶質シリコン膜上に約70~90nmの厚みを有する透明導電層ITO6を形成しステップS8、その上にスパッタリング法で約100nmの厚みの裏面Ag電極8を全面に形成したステップS10。上記製造方法で作製した太陽電池セル30を、AM1.5のスペクトルの100mWcm2の光照射にて電流-電圧特性を評価した。その結果、酸素ドープi型非晶質シリコン層2形成後の熱処理1回目を300°C第一の熱処理温度で実施した太陽電池セルが最も特性が良かった。比較のため、上記プロセスにて作製した太陽電池セル30と同じ結晶、同じ特性をもつ基板を用いて、酸素ドープi型非晶質シリコン層2形成後の熱処理1回目の有無、p型非晶質シリコン層4及びn型非晶質シリコン層5の形成後の熱処理2回目の有無で、表1のように比較例1,2として検討し、それ以外はすべて同じプロセスで太陽電池を作製した。そしてAM1.5のスペクトルで100mWcm2の光照射にて電流-電圧特性を評価した。酸素ドープi型非晶質シリコン層2形成後に300°C第一の熱処理温度で10分の熱処理をしたのち、p型、n型非晶質シリコン膜形成後に200°C第二の熱処理温度で10分間の熱処理をした太陽電池セル30が最も出力が高かった。表1のサンプルにおいて、標準プロセスである比較例1のサンプルより6mV高い開放電圧を得ることができた。その理由は、酸素ドープi型非晶質シリコン層2の製膜後に、高温側熱処理を行うことで、n型単結晶シリコン基板1と酸素ドープi型非晶質シリコン層2との界面に存在する欠陥密度を、効果的に低減できたためと考えられる。また、酸素ドープi型非晶質シリコン層2の形成後に熱処理を行わず、p型、n型非晶質シリコン層4、5形成後に高温側熱処理を実施した比較例2では、標準プロセスである比較例1のサンプルと比べて10mV低い開放電圧となった。i型非晶質シリコン層3、p型、n型非晶質シリコン層4、5の耐熱温度を超える高い温度で熱処理を行ったため、水素脱離等の膜質低下に伴い界面欠陥密度が増大し、太陽電池の出力も低下したと考えられる。上記のように、本実施の形態においては、n型単結晶シリコン基板1上に酸素ドープi型非晶質シリコン層2と、i型非晶質シリコン層3とが順に形成される構造において、酸素ドープi型非晶質シリコン層2を形成した後、i型非晶質シリコン層3や、p型、n型非晶質シリコン層4、5形成の耐熱温度よりも高い温度で熱処理を施すことにより、結晶シリコン基板と酸素ドープi型非晶質シリコン層2との界面特性の改善が可能となり、太陽電池の出力が向上した。なお、i型非晶質シリコン層3や、その後形成されるp型非晶質シリコン層4、反対側の面のn型非晶質シリコン層5の形成温度第二の形成温度は、酸素ドープi型非晶質シリコン層2の形成温度第一の形成温度以下とすることが望ましい。酸素ドープi型非晶質シリコン層2に比べて、それより後に形成される膜層は耐熱性の点で劣り、酸素ドープi型非晶質シリコン層2の形成温度よりも高い温度で形成すると、特性が低下する傾向が見られるからである。なお、本実施の形態では、基材となる基板として、単結晶基板であるn型単結晶シリコン基板1を用いているが、多結晶基板を用いてもよい。また、n型単結晶シリコン基板1の熱処理においては、フォーミングガス水素5含有の不活性ガスを用いたが、酸素、窒素、アルゴン等を含んだ雰囲気ガスを用いてもよい。ただし、水素を含んだガスは、n型単結晶シリコン基板1と酸素ドープi型非晶質シリコン層2との界面を水素終端することによりパッシベーション効果を高め、また、非晶質膜中の欠陥も水素により修復されるため、水素を含んだガスを用いるのが望ましい。また、本実施の形態においては、上記第一真性半導体層酸素ドープi型非晶質シリコン層2を熱処理1回目するときの熱処理温度第一の熱処理温度は、酸素ドープi型非晶質シリコン層2の形成温度第一の形成温度より5~200°C高く、より好ましくは10~150°C高くすることがよい。絶対温度では400°C以下にするのが好ましい。400°Cより高くなると、酸素を含有する第一真性半導体層であっても水素脱離による膜質の劣化が顕著になり太陽電池セルの出力が低下するためである。熱処理時間は、熱処理1回目の温度に依存するが、1~120分間程度で、5~60分間がより好ましい。おおよそ熱処理1回目の温度と熱処理時間とは反比例の関係になる。また、本実施の形態では、受光面側のi型非晶質シリコン層3について検討したが、裏面側のn型単結晶シリコン基板1とn型非晶質シリコン層5との界面にi型非晶質シリコン層を挿入する場合には、このi型非晶質シリコン層についても、同様の処理を行って同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、2回目の熱処理を、p型非晶質シリコン層4及びn型非晶質シリコン層5の形成後に実施したが、透明導電層ITO6の生成後以降で実施しても同様の効果が期待することができる。"