"i内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、ii前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、iii前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値V1であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値V2であり、前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する2つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該2つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにすることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。前記リング状部材が、その外周面の周方向3箇所の位置に凸部を有する請求項1に記載の電子写真感光体の製造方法。前記リング状部材が、拡径可能な部材であり、前記リング状部材の拡径によって、前記2つの内径拡大部に外向きの力を加える請求項1または2に記載の電子写真感光体の製造方法。前記リング状部材が、その温度の上昇によって拡径する部材である請求項3に記載の電子写真感光体の製造方法。前記リング状部材を円筒状基体の内周面側に配置する際、前記複数の円筒状基体の少なくとも1つに対して、前記複数の円筒状基体が互いに近づく方向の力を加え、前記凸部を前記2つの内径拡大部にくい込ませることによって、前記2つの内径拡大部に外向きの力を加える請求項2に記載の電子写真感光体の製造方法。前記V1が、前記V2に対して20以上の値である請求項1~5のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。前記V1が、前記放電維持電圧の絶対値に対して95以下の値である請求項1~6のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。前記工程iiiにおいて、前記電極の電位が一定である請求項1~7のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。前記工程iiiにおいて、前記電極の電位がアース電位である請求項8に記載の電子写真感光体の製造方法。前記矩形波が、周波数10kHz以上100kHz以下の矩形波である請求項1~9のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。前記原料ガスの少なくとも1種が水素化ケイ素ガスであり、前記堆積膜がアモルファス膜である請求項1~10のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。前記電極が、前記反応容器の内壁の少なくとも一部を構成している請求項1~11のいずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。ところが、片側極性放電の場合、両側極性放電の場合と異なり、円筒状基体には主に正および負のいずれか一方の極性の荷電粒子のみが到達するため、円筒状基体がチャージアップしやすい。円筒状基体のチャージアップとは、より具体的には、堆積膜が形成された円筒状基体の表面≒堆積膜の表面のチャージアップである。片側極性放電では、堆積膜形成時の荷電粒子イオンや電子の運動が、円筒状基体のチャージアップの影響を大きく受け、堆積膜の特性にムラが生じやすい。特に、反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する場合、積み重ねられた各円筒状基体の軸にズレがある各円筒状基体間の同軸性が低いと、堆積膜形成時に円筒状基体の端面積み重ねた円筒状基体同士を突き合わせている面の一部が露出した状態で堆積膜の形成が行われることになり、端面の一部露出した部分にも堆積膜が形成されてしまうことになる。端面の一部に形成された堆積膜の表面において前述したようなチャージアップが起きると、円筒状基体の端部近傍に形成された堆積膜堆積膜の端部の特性に周方向のムラが生じやすくなる。本発明の目的は、複数の円筒状基体を積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する際に生じやすい堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑えられる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。本発明は、i内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、ii前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、iii前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値V1であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値V2であり、前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する2つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該2つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにすることを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。本発明の電子写真感光体の製造方法を用いることで、複数の円筒状基体を積み重ねた状態で設置し、各円筒状基体上に堆積膜を形成する際に生じやすい堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑えられる。本発明は、i内部に電極を有する減圧可能な反応容器の内部に、外径が略同一の複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態で設置する工程と、ii前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、iii前記電極および前記複数の円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を前記電極と前記複数の円筒状基体との間に印加して、前記複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、前記正になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差および前記負になるときの前記電極と前記複数の円筒状基体の電位差の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値V1であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値V2であり、前記複数の円筒状基体の各々は、その端部の内周面側に内径拡大部を有し、前記内径拡大部の各々は、前記複数の円筒状基体を積み重ねた際に隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になるように形成されており、前記複数の円筒状基体をそれらの軸方向に積み重ねた状態にするにあたっては、隣接する2つの内径拡大部の内径が略同一になる向きで前記複数の円筒状基体を積み重ね、前記複数の円筒状基体を積み重ねる際には、隣接する2つの内径拡大部の両方に接するようにリング状部材を円筒状基体の内周面側に配置し、当該リング状部材によって当該2つの内径拡大部に外向きの力を加えることで、前記複数の円筒状基体が略同軸に積み重なるようにすることを特徴としている。本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材は、円筒状基体の端部の内周面側に形成された内径拡大部に外向きの力を加えるための部材である。リング状部材は、例えば、拡径可能な部材とすることができる。リング状部材が拡径可能な部材である場合、リング状部材の拡径によって、円筒状基体の端部の内周面側に形成された内径拡大部に外向きの力を加えることができる。図8a~fは、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図8a~fにおいて、それぞれ上から順番に、上面図、Aから見た図、Bから見た図である。図8中、800はリング状部材であり、830は配置治具である。本発明においては、例えば、図8の切り欠き部801を有するような円弧状の部材閉じていないリング状の部材も、リング状部材に含まれる。リング状部材800は、切り欠き部801を有する弾性部材からなる円弧状の本体802と、本体802の外周面に設けられた半円球体状の凸部803および溝804とを有する。凸部803は、本体802の外周面に、周方向3箇所の位置に設けられている。さらに、凸部803は、周方向3箇所の各位置に、上下方向本体802の幅方向に2つずつ設けられており、これら2つは上下方向の同一直線上に設けられている。すなわち、本体802の外周面には、凸部803が合計で6つ設けられている。凸部803のうち、図中上側の凸部を上部凸部803-1ともいい、下側の凸部を下部凸部803-2ともいう。すなわち、本体802の外周面には、上部凸部803-1が合計で3つ設けられており、下部凸部803-2が合計で3つ設けられている。これらすべての凸部は、同一の形状である。溝804は、切り欠き部801の近傍の下側に設けられている。配置治具830は、受け部831および駆動軸832からなるリング状部材保持部833と、リング状部材保持部833を駆動する駆動部不図示とからなっている。配置治具830には、リング状部材保持部833が2つあり、よって、受け部831および駆動軸832もそれぞれ2つあることになる。2つの受け部831は、それぞれ、2つの突出部図中上側に突出しているを有するコの字型になっている。受け部831の2つの突出部のうち一方は、リング状部材800の溝804に挿入可能となっている。図8aは、リング状部材800に配置治具830が取り付けられていない状態を示す図である。この状態では、リング状部材800には、配置治具830による力が加わっていないため、本体802を構成する弾性部材の弾性力は働いておらず、切り欠き部801の切り欠き間隔は広がった状態である。このような状態を、以下通常状態ともいう。まず、図8bに示すように、リング状部材800に配置治具830を取り付ける。取り付け方としては、2つの溝804のそれぞれに、2つの受け部831のそれぞれの2つの突出部の一方を挿入する。この際、受け部831の2つの突出部の他方溝804に挿入しなかった方が、リング状部材800の内周面側に配置されるようにする。これにより、切り欠き部801の近傍の2箇所でリング状部材800を挟み込む形で配置治具830が取り付けられる。次に、駆動部不図示で、2つのリング状部材保持部833を互いに近づける方向に動かし、切り欠き部801の切り欠き間隔を狭くすることによって、リング状部材800を縮径する径を縮小する。リング状部材800が縮径した状態を図8cに示す。このように、リング状部材保持部833を用いて、リング状部材800が縮径する方向の力をリング状部材800に加えることで、リング状部材800を変形させる。この変形により、上面図において、周方向3箇所の位置にある凸部803の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、図8aに示す通常状態時の仮想円の直径よりも小さくなる。図8dに示すように、円筒状基体805の端部端面の近傍の内周面806側および円筒状基体808の端部端面の近傍の内周面809側には、それぞれ、内径拡大部807および内径拡大部810が形成されている。円筒状基体805および円筒状基体808を図8dに示すように積み重ねた場合、内径拡大部807および内径拡大部810は隣接することになるが、内径拡大部807および内径拡大部810は、それらの内径が略同一になるように形成されている。また、内径拡大部807および内径拡大部810は、電子写真感光体にフランジを取り付ける際、フランジを嵌める部分として利用することができる。リング状部材800、円筒状基体805および円筒状基体808の配置方法としては、まず、図8dに示すように、内径が略同一になるように形成されている内径拡大部807および内径拡大部810が隣接する向きで円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねる。すなわち、円筒状基体805の端面811と円筒状基体808の端面812が向き合うように、円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねる。円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねた後、リング状部材800を、円筒状基体805の下側の開口部から円筒状基体805の内周面側を通し、上側へ向かって挿入する。このとき、前述のように、リング状部材保持部833を用いてリング状部材800を縮径しリング状部材800の切り欠き間隔を狭くし、周方向3箇所の位置にある凸部803の頂点を結んで形成される仮想円の直径が円筒状基体805の内周面806の内径よりも小さい状態にしておくことによって、円筒状基体805の内周面806にリング状部材800が摺擦しにくくなり、リング状部材800の挿入が容易になる。そして、挿入されたリング状部材800は、図8dに示すように、隣接する内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接することが可能な位置に配置される。次に、2つのリング状部材保持部833を互いに遠ざける方向に動かし、リング状部材800を拡径しリング状部材800の切り欠き間隔を広くし、リング状部材800を通常状態に近づけ、リング状部材800の凸部803が内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接触するようにする。リング状部材800が内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接触した状態を図8eに示す。図8eのBから見た図に示すように、上部凸部803-1は、円筒状基体808の内径拡大部810に接触し、下部凸部803-2は、円筒状基体805の内径拡大部807に接触している。次に、リング状部材保持部833の受け部831をリング状部材800の溝804から離脱させ、配置治具830を下降させる。ここで、通常状態のリング状部材800の周方向3箇所の位置にある凸部803の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、内径拡大部807および内径拡大部810の内径よりも大きければ、弾性部材からなる円弧状の本体802を有するリング状部材800は、その弾性力によって、内径拡大部807および内径拡大部810に外向きの力を加えながら接触した状態になる。この状態を図8fに示す。リング状部材800の厚さは、上記変形のしやすさの観点から、リング状部材800の材質がニッケル合金の場合は、2.5mm以下であることが好ましい。リング状部材800の溝804の深さは、配置治具830の受け部831を溝804から離脱させる際に、受け部831が円筒状基体805、808の内周面内径拡大部や内径拡大部と非拡大部との間の段差を含む。807、809と摺擦しない深さであることが好ましい。例えば、円筒状基体805、808の内周面806、809の内径拡大部の内径がそれぞれ79.70mmであり、非拡大部の内径がそれぞれ78.00mmである場合、円筒状基体の内周面の内径拡大部と非拡大部との段差はそれぞれ0.85mmとなる。ここで、配置治具833の受け部831の厚みが1.00mmである場合、配置治具833の受け部831をリング状部材800の溝804から離脱させる際に、リング状部材800の外周面と円筒状基体805、808の内周面806、809の両方に摺擦しないように、配置治具833の受け部831の位置を制御することが好ましい。この位置制御に必要なスペースの余裕は、0.50mm以上であることが好ましい。そのため、リング状部材800の溝804の深さとしては、配置治具833の受け部831の位置制御に必要なスペースの余裕0.50mmと、段差0.85mmと、受け部831の厚み1.00mmとの和である2.35mm以上であることが好ましい。一例として、リング状部材800の厚さを2.50mmとし、溝804の深さを2.35mmとすることが考えられる。リング状部材800の本体802の材質としては、弾性材料であることが好ましく、耐久性やコストの観点から、金属製のバネ材であることが好ましい。金属としては、例えば、モネル400商標、モネルK商標、インコネル商標、ハステロイ商標などのニッケル合金や、ニッケルチタン合金NiTi合金などが挙げられる。また、オーステナイト系ステンレス鋼SUS301/SUS304/SUS316、析出硬化型ステンレス鋼SUS630/SUS631、バネ鋼SUP-9/SUP-9A/SUP-10/SUP-11A/SUP-12なども挙げられる。また、これら材料の表面には、必要に応じて、無電解ニッケル-リンメッキ処理などの表面処理を施してもよい。図9a~eも、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図9a~eにおいても、それぞれ上から順番に、上面図、Aから見た模式図、Bから見た模式図である。図9中、900はリング状部材であり、930は配置治具である。リング状部材900は、切り欠き部901を有する形状記憶合金からなる円弧状の本体902と、本体902の外周面に設けられた半円球体状の凸部903とを有する。凸部903は、本体902の外周面に、周方向3箇所の位置に設けられている。さらに、凸部903は、周方向3箇所の各位置には、幅方向上下方向に2つずつ設けられており、これら2つは上下方向の同一直線上に設けられている。すなわち、本体902の外周面には、凸部903が合計で6つ設けられている。凸部903のうち、図中上側の凸部を上部凸部903-1ともいい、下側の凸部を下部凸部903-2ともいう。すなわち、本体902の外周面には、上部凸部903-1が合計で3つ設けられており、下部凸部903-2が合計で3つ設けられている。これらすべての凸部は、同一の形状である。配置治具930は、円盤状のリング状部材保持部931と、駆動軸932と、駆動軸932を駆動する駆動部不図示とからなっている。図9aは、リング状部材900が、本体902の形状記憶合金の変態温度より高い温度のときの状態を示す図である。例えば、本体902の材質がNi含有率56のNiTi合金である場合は、20°C以上の温度例えば25°Cのときの状態である。図9bは、リング状部材900が、本体902の形状記憶合金の変態温度より低い温度のときの状態を示す図である。例えば、本体902の材質がNi含有率56のNiTi合金である場合は、20°Cより低い温度例えば-5°Cのときの状態である。本体902の形状記憶合金の変態温度より低い温度のリング状部材900は、変態温度より高い温度のときよりも径が小さくなっている。リング状部材900を低温状態にするには、例えば、冷凍庫のような雰囲気を低温状態に維持可能な機器内において作業を行えばよい。また、リング状部材900を高温状態にするには、例えば、リング状部材900を冷凍庫などの機器から取り出し、室温に戻してから作業を行ったり、配置治具930にヒーターを設けてリング状部材900を加熱し、リング状部材900の温度を上昇させながら作業を行ったり、円筒状基体805および/または円筒状基体808の内周面に温風を吹きかけ、リング状部材900の温度を上昇させながら作業を行ったりすればよい。リング状部材900の本体902の材質としては、リング状部材900を高温に維持する装置を必ずしも必要としない点から、変態温度が室温未満の形状記憶合金であることが好ましい。そのような形状記憶合金としては、例えば、変態温度が20~50°Cの範囲にあるNi含有率55.5~56のNiTi合金や、変態温度が-30~30°Cの範囲にあるNi含有率53~55かつCo含有率1~3のNiTiCo合金などが挙げられる。リング状部材900、円筒状基体805および円筒状基体808の配置方法としては、まず、図9cに示すように、内径が略同一になるように形成されている内径拡大部807および内径拡大部810が隣接する向きで円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねる。すなわち、円筒状基体805の端面811と円筒状基体808の端面812が向き合うように、円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねる。円筒状基体805および円筒状基体808を積み重ねた後、低温状態にして縮径したリング状部材900を、円筒状基体805の下側の開口部から円筒状基体805の内周面側を通して、上側へ向かって挿入する。このとき、前述のように、リング状部材900を本体902の形状記憶合金の変態温度より低い温度低温状態にし、周方向3箇所の位置にある凸部903の頂点を結んで形成される仮想円の直径が円筒状基体805の内周面806の内径よりも小さい状態にしておくことによって、円筒状基体805の内周面806にリング状部材900が摺擦しにくくなり、リング状部材900の挿入が容易になる。そして、挿入されたリング状部材900は、図9cに示すように、隣接する内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接することが可能な位置に配置される。次に、リング状部材900を本体902の形状記憶合金の変態温度より高い温度高温状態にし、リング状部材900を拡径しリング状部材900の切り欠き間隔を広くし、リング状部材900の凸部903が内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接触するようにする。リング状部材900が内径拡大部807と内径拡大部810の両方に接触した状態を図9dに示す。図9dのBから見た図に示すように、上部凸部903-1は、円筒状基体808の内径拡大部810に接触し、下部凸部903-2は、円筒状基体805の内径拡大部807と接触している。次に、配置治具930をリング状部材900から離脱させ、配置治具930を下降させる。ここで、高温状態のリング状部材900の周方向3箇所の位置にある凸部903の頂点を結んで得られる仮想円の直径が、内径拡大部807および内径拡大部810の内径よりも大きければ、形状記憶合金からなる円弧状の本体902を有するリング状部材900は、内径拡大部807および内径拡大部810に外向きの力を加えながら接触した状態になる。この状態を図9eに示す。次に、図8、図9における凸部803、903の配置、形状、材質などについて説明する。凸部803、903は、図8、図9に示すように、本体802、902の周方向の同一位置で、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810と接触するように配置されることが好ましい。また、凸部803、903は、図8、図9に示すように、同一形状の凸部を本体802、902の幅方向上下方向に2つずつ設け、これら2つを幅方向上下方向の同一直線上に設け、片方が円筒状基体805、他方が円筒状基体808と接触するように配置されることが好ましい。凸部803、903の形状としては、例えば、半円球体状、四角錘状、円錘状などが挙げられる。また、凸部は、図8g、fに示すように、上下方向本体1602の幅方向に伸びる形状にし凸部1603、各凸部が円筒状基体805、808の両方に接触するようにしてもよい。この場合、凸部1603の形状としては、例えば、C方向の投影図が半円形であって上下方向本体1602の幅方向の端部が球形となっている形状図8gや、C方向の投影図が三角形となっている多面体形状図8hなどが挙げられる。本発明においては、凸部803、903は、リング状部材800、900の本体802、902の外周面に周方向3箇所の位置に設けられていることが好ましい。また、リング状部材800、900が通常状態であるとき、凸部803、903の周方向3箇所の位置は、上面図において、凸部803、903の頂点を結んで得られる仮想三角形のすべての内角が90.0°未満であることが好ましい。90.0°未満であれば、凸部803、903が円筒状基体805、808の内径拡大部807、810と接触した際に、円筒状基体805と円筒状基体808の軸にズレが生じにくい。リング状部材800、900が凸部803、903を有さない場合、リング状部材800、900の本体802、902の外周面が円筒状基体805、808の内径拡大部807、810と接触することになる。その場合でも本発明の効果は得られる。しかしながら、凸部803、903を有するほうが、本体802、902の真円度が低下した場合においても、各円筒状基体間の同軸性を維持しやすく、したがって、堆積膜の端部の特性の周方向のムラをより抑えることができる点で好適である。リング状部材800、900の本体802、902の外周面に周方向3箇所の位置に凸部803、903を設ける形態では、本体802、902の真円度が低下しても、円筒状基体805および円筒状基体808は、凸部803、903の頂点を結んで得られる仮想円で位置が決定されるので、円筒状基体805と円筒状基体808の同軸性を維持しやすい。次に、凸部803、903のうち、上下方向本体802、902の幅方向に設けられている下部凸部803-2、903-2と上部凸部803-1、903-1との周方向のズレについて説明する。この周方向のズレは、周方向において0°以上10°以下であることが好ましい。10°以下であれば、本体802、902の真円度が低下しても、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810に加える外向きの力が低下する箇所が発生しにくい。凸部803、903は、例えば、本体802、902と一体的に形成してもよいし、本体802、902にネジ止めしてもよいし、本体802、902に溶接などで取り付けてもよい。また、凸部803、902の材質は、本体802、902と同一の材質でもよいし、異なる材質でもよいが、円筒状基体805と円筒状基体808の電気的な導通性の安定性の観点から、導電性材料であることが好ましい。図7a~eも、それぞれ、本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材の例を示す模式図である。図7aにおいては、上から順番に、上面図、A方向から見た模式図、B部およびC部の拡大模式図を示す。リング状部材700は、円筒状の本体701と、本体701の外周面に設けられた凸部702とを有する。凸部702は、上部のテーパー面703と、下部のテーパー面704と、平面705とを有している。すべての凸部は、同一の形状である。図7中、凸部702の長さをl0、幅をw0、高さをh0で表している。また、テーパー面703、704の代わりに曲面であってもよい。破線で示す706は、本体701の外周面の3箇所の位置に設けられた凸部702の外接円を示し、外接円706の直径をd0で示している。d0は、円筒状基体805、808の内周面の内径より大きく設定されていることが好ましい。リング状部材700、円筒状基体805および円筒状基体808の配置方法としては、まず、図7bに示すように、リング状部材700を円筒状基体805の上方に移動させる。次に、図7cに示すように、リング状部材700を円筒状基体805の内周面側に挿入し、リング状部材700を円筒状基体805に取り付ける。リング状部材700を円筒状基体805の内周面側に挿入すると、凸部702のテーパー面704が円筒状基体805の内径拡大部807の入り口部分で引っ掛かる。このときの凸部702近傍の拡大模式図を、図7c右側の破線円内に示す。次に、図7dに示すように、リング状部材700の上方に円筒状基体808を移動させる。そして、円筒状基体808をリング状部材700に被せるようにすると、凸部702のテーパー面703が、円筒状基体808の内径拡大部810の入り口部分で引っ掛かる。このときの凸部702の近傍の拡大模式図を、図7d右側の破線円内に示す。このようにして、リング状部材700を円筒状基体805および円筒状基体808の内周面側の所定の位置に設置した後、円筒状基体805および円筒状基体808の少なくとも1つに対して、円筒状基体805および円筒状基体808が互いに近づく方向の力を加える。すると、凸部702が、円筒状基体805の内径拡大部807および円筒状基体808の内径拡大部810の内周面にくい込んでいく。さらに、円筒状基体808の端面と円筒状基体805の端面が密着するまで力を加えていく。その状態を、図7eに示す。また、凸部702近傍の拡大模式図を、図7e右側の破線円内に示す。図7e右側の破線円内では、凸部702の平面705、テーパー面703およびテーパー面704の一部を破線で表しており、この部分は、円筒状基体805の内径拡大部807および円筒状基体808の内径拡大部810の内周面にくい込んでいる部分である。また、図7e右側の破線円内のLは、くい込んでいる部分の長さを示している。リング状部材700の本体701の材質としては、円筒状基体805、808と同一の材質でもよいし、異なる材質でもよい。リング状部材700の凸部702の材質としては、円筒状基体805の内径拡大部807および円筒状基体808の内径拡大部810の内周面にくい込ませることが可能な材質であることが好ましく、円筒状基体805、808より高硬度の方が、円筒状基体805の内径拡大部807および円筒状基体808の内径拡大部810の内周面にくい込ませやすい。また、リング状部材700の本体701および凸部702の材質は、円筒状基体805と円筒状基体808の電気的な導通性の安定性の観点から、ステンレス鋼などの導電性材料であることが好ましい。凸部702は、例えば、本体701と一体的に形成してもよいし、本体701にネジ止めしてもよいし、本体701に溶接などで取り付けてもよい。凸部702は、円筒状基体805の内径拡大部807および円筒状基体808の内径拡大部810において、周方向の同一位置でくい込むことが好ましい。本発明においては、凸部702は、円筒状基体805と円筒状基体808の同軸性を維持する観点から、リング状部材700の本体701の外周面に周方向3箇所の位置に設けられていることが好ましい。また、例えば、図7aに示すように、凸部702は、各周方向の位置において、上下方向本体701の幅方向の中心に設けられていることが好ましい。凸部702の外接円706の直径d0は、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の内径図7bにおいてd1で示す。以上であることが好ましく、d1に対してd0を0.1mm以上大きくすることが好ましい。一方、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の内周面に凸部702をくい込ませやすくしたり、円筒状基体805、808の変形を抑えたりする観点から、d1に対してd0を0.4mm以下大きくすることが好ましい。また、凸部702がくい込んでいる部分の長さは、0.2mm以上3.0mm以下であることが好ましい。また、凸部702をくい込ませる円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の位置は、例えば、図7eに示すように、円筒状基体805、808の端部近傍であることが好ましい。このようにすることで、円筒状基体805、808の端部が密着するときに、凸部702を内径拡大部807、810の内周面にくい込ませることが可能となり、くい込ませるときに発生する場合のある塵挨が、円筒状基体の外周面に付着するのを低減することができる。以上のように、リング状部材700を円筒状基体805、808の内径拡大部807、810にくい込ませることによって、内径拡大部807、810に外向きの力を加えることができる。本発明の電子写真感光体の製造方法に用いられるリング状部材は前述したものに限られず、円筒状基体の内径拡大部に外向きの力を加えることができるものであればよい。図1AおよびBは、矩形波の交播電圧を説明するための図である。図1Aは、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図1Aの例では、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値V1となっており、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値V2となっている。図1Aの例では、電極の電位を一定としているため、円筒状基体の電位が図1Aに示すように矩形状に変化する。図1A中のTは、矩形波の周期を表しており、矩形波の周波数パルス周波数によって決まる。本発明では、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波が用いられ、好ましくは、周波数10kHz以上100kHz以下の矩形波が用いられる。また、図1A中のt1は、上記電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV1となっている時間期間を表しており、t2は、上記電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV2となっている時間期間を表している。また、本発明では、t2をTで除した値t2/TをDuty比と定義する。図1Aの例では、Duty比を30としている。このような矩形波の交播電圧は、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV1となる電圧、および、電極の電位に対する円筒状基体の電位が負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値がV2となる電圧を、DC電源から発生させて、スイッチ素子をON/OFF制御し、DC電源からの電圧を時分割パルス状にすることによって得ることができる。スイッチ素子としては、例えば、IGBT絶縁ゲート型バイポーラートランジスター、MOSFETなどの半導体スイッチ素子を用いたものがある。これらのスイッチ素子によれば、Duty比や周波数を変化させることもできる。図2AおよびB以下まとめて図2とも表記する。は、本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置プラズマCVD装置の例を示す模式図である。図2Aは縦断面図であり、図2Bは横断面図である。図2に示すプラズマCVD装置では、電極214の電位に対する円筒状基体212212A、212Bの電位が交互に正と負になるように、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を電極214と円筒状基体212212A、212Bとの間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体212212A、212B上円筒状基体212の外周面に堆積膜を形成することができる。なお、図2B中、リング状部材不図示が、円筒状基体212Aの下側の内径拡大部と円筒状基体212Bの上側の内径拡大部の両方に接するように配置されている。電源231から出力され、電極214と電極214と離間させて設置された円筒状基体212212A、212Bとの間に印加される矩形波の交播電圧は、制御部230によって周波数、Duty比などが制御される。本発明において、矩形波の交播電圧の周波数は、VLF帯からLF帯となる3kHz以上300kHz以下の範囲内にする。周波数が低くなりすぎると、円筒状基体のチャージアップを抑制しにくくなり、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが生じやすくなる。一方、周波数が高くなりすぎると、波長に応じた定在波が生じてプラズマ中に電界の小さい部分ができたり、プラズマCVD装置のインピーダンスの影響による伝搬ムラのためにプラズマが不均一になったりして、堆積膜の均一性が低下しやすくなる。図1A中のt2の期間では、電極214と円筒状基体212212A、212Bの電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値V2となっているため、電極214と円筒状基体212212A、212Bとの間に放電が生起し、プラズマが生成される。プラズマ中の中性活性種および陽イオンが円筒状基体212212A、212Bに到達し、円筒状基体212212A、212B上に堆積膜が形成される。この過程において、陽イオンが持つ正の電荷により、円筒状基体212212A、212Bは正電位にチャージアップする。なお、プラズマが生成されるとは、電極と円筒状基体との間に放電が生起し、原料ガスが電離して、荷電粒子イオンや電子が生成されることを意味している。次に、t1の期間になると、電極214と円筒状基体212212A、212Bの電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満になるため、放電が消滅し、プラズマは維持できなくなる。しかしながら、t2の期間で生成された荷電粒子イオンや電子は、瞬時には消滅せずにt1の期間において徐々に減衰しながらしばらくの間は残存する。この状態は、一般にアフターグローと呼ばれ、新たに荷電粒子イオンや電子は生成されない。このアフターグローの寿命は、数十μ秒から数m秒程度である。アフターグローの寿命は、圧力によって変化する。圧力が高くなるほど、ガス分子などに衝突しやすくなるため、アフターグローの寿命は短くなる傾向である。本例においては、アフターグローの状態で電極214の電位に対する円筒状基体212212A、212Bの電位が正になるため、アフターグロー中の負の荷電粒子、すなわち電子および陰イオンが円筒状基体212212A、212Bに到達する。この過程において、電子および陰イオンが持つ負の電荷により、円筒状基体212212A、212Bの正電位のチャージアップは緩和されることとなる。本発明において、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが抑制されるのは、このように円筒状基体のチャージアップが抑制されるためであると考えられる。なお、アフターグロー中においては新たな荷電粒子イオンや電子は生成されず、アフターグロー中の荷電粒子の量は限られている。そのため、t2の期間で生成された荷電粒子イオンや電子の運動の向きはt1の期間になると反転するが、その反転による二次反応は、堆積膜の特性に悪影響を与えるほどの物質は生じさせない。また、t1の期間において荷電粒子イオンや電子が円筒状基体に到達しても、t2の期間において生じた円筒状基体のチャージアップが緩和されるだけであり、逆の極性にまで円筒状基体がチャージアップすることはない。また、図2に示すプラズマCVD装置においては、円筒状基体212212A、212Bを保持するためのホルダー以下基体ホルダーと表記する。213にも円筒状基体212212A、212Bと同様の電圧が印加されるので、基体ホルダー213においても、円筒状基体212212A、212Bと同様の上記現象が生じている。図1Aにおいては、V2からV1への切り替わりおよびV1からV2への切り替わりは瞬時に行われるように示しているが、一般的な市販電源では、電源回路特性の限界から、V2からV1への切り替わりおよびV1からV2への切り替わりには、ある程度の時間を要する。その切り替わりに要する時間は、一般的な市販電源においては1μ秒以下の程度である。前述したようにアフターグローの寿命は数十μ秒から数m秒程度であり、1μ秒に比べて長いので、この程度の切り替わりに要する時間が本発明の効果に影響を及ぼすことはない。また、電源によっては、図1Bに示すように、V2からV1への切り替わり時およびV1からV2への切り替わり時に0Vでの時間が必要になるものがあるが、この0Vでの時間は0.5μ秒以下の程度であり、アフターグローの寿命に比べて十分に短いので、本発明の効果に影響を及ぼすことはない。また、図1Aにおいては、完全な矩形波を示しているが、一般的な市販電源では、矩形波のエッジ部になまりが生じたり、オーバーシュートによって若干鋭角状となったり、V1やV2になるときにリンギングが生じたりすることもある。このような場合でも、本発明の効果は得られる。次に、放電開始電圧および放電維持電圧について詳細に述べる。電極と円筒状基体との間の放電は、電極と円筒状基体との間にわずかながら存在している電子が電界によって正電位側に運ばれ、その途中でガス分子に衝突してこれを電離させて、電子とイオンを生成するα作用が継続することによって始まる。この電離を生じさせるためには、衝突時の電子のエネルギーが、ガス分子の電離エネルギー以上であることが必要となる。電子がガス分子に衝突する際のエネルギーは、電界が大きくなるほど、すなわち、電極と円筒状基体との間に印加する電圧が大きくなるほど大きくなる。電極と円筒状基体との間に印加する電圧を徐々に上げていき、電子がガス分子に衝突する際のエネルギーがガス分子の電離エネルギーに達すると、ガス分子の電離によって電極と円筒状基体との間に存在する電子が増加して、衝突によるガス分子の電離が継続して起こることで放電が始まる。この放電が始まる時点の電圧を放電開始電圧という。また、放電が開始した状態から、電極と円筒状基体との間に印加する電圧を下げていくと、ある電圧よりも小さくなった時点で放電が維持できなくなる。放電が維持できる最低電圧を放電維持電圧という。放電維持電圧は、通常、放電開始電圧よりも低い。これは、放電が生起した状態では、放電が生起していない状態と比べて放電空間内の電子の数が多く、電極と円筒状基体との間の印加電圧の絶対値が放電開始電圧の絶対値未満になっても、放電維持電圧の絶対値以上であれば、ガス分子を電離可能なエネルギーを持った電子が放電維持に必要な数以上存在するためである。また、γ作用と呼ばれる現象も、放電維持電圧が放電開始電圧よりも低くなる理由の1つとなっている。γ作用とは、ガス分子が電離して生じたイオンが電極や円筒状基体に衝突する際、それらから二次電子が放出される現象である。放電が生起した後は、このγ作用によって生じた電子もガス分子の電離に寄与するので、放電開始電圧よりも低い電圧で放電が維持可能となる。このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス分子の電離電圧および電子がガス分子に衝突するときのエネルギーが支配的な要素となる。ガス分子の電離電圧は、ガス種が決まれば決定される。また、ガス分子に衝突するときの電子のエネルギーは、電界強度および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。言い換えれば、印加電圧、電極と円筒状基体との間の距離および電子がガス分子に衝突するまでの移動距離の関数となる。また、電子がガス分子に衝突するまでの移動距離は、ガスの密度の関数、言い換えれば、圧力の関数となる。なお、複数のガス種からなる混合ガスを用いる場合、各々のガスの電離電圧とともに、ガスの混合比率も、放電開始電圧および放電維持電圧を決定付ける要素となる。これら以外に放電開始電圧および放電維持電圧に影響を及ぼすものとしては、電極の表面材質、形状および温度などがあるが、これらは電離電圧、印加電圧、電極と円筒状基体との間の距離および圧力に比べて影響度は小さい。このように、放電開始電圧および放電維持電圧は、ガス種、ガスの混合比率、電極と円筒状基体との間の距離および圧力によって異なるため、使用するガス条件およびプラズマCVD装置の構成によって固有の値を持つこととなる。すなわち、使用するプラズマCVD装置と使用するガス条件が決まれば、放電開始電圧および放電維持電圧は一意に決まる。本発明においては、放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものよりも、正および負のいずれか一方の電界で放電を生起させ、続いて、それとは逆極性の電界で放電が維持しないレベルにすることが効果を得るために重要である。そのため、使用するガス条件およびプラズマCVD装置の構成によって放電開始電圧および放電維持電圧の値そのものは変わるものの、本発明の条件を満たせば、本発明の効果を得ることができる。例えば、シランガスおよび水素ガスの混合ガスを用いた場合と、シランガスおよび水素ガスおよびメタンガスの混合ガスを用いた場合では、放電開始電圧および放電維持電圧は異なる。しかしながら、どちらの場合においても、本発明の条件を満たすことによって、本発明の効果を得ることができる。以上のように、本発明においては正または負のどちらか一方の電位を放電開始電圧の絶対値以上の値V2として放電を生起させてプラズマを生成し、他方の電位を放電維持電圧の絶対値未満の値V1とすることで効果を得る。しかしより好ましくはV1をV2に対して20以上とする。このような条件とすることでチャージアップ抑制効果がより顕著に得られ、本発明の効果がより顕著に得られる。また、放電開始電圧の絶対値以上の値V2が大きいほど、円筒状基体のチャージアップの量は多くなるが、アフターグロー中の荷電粒子イオンや電子の密度も高くなるため、放電開始電圧の絶対値以上の値V2の大きさによらず、同様の効果を得ることができる。一方、放電維持電圧の絶対値未満の値V1は、チャージアップの抑制の観点から、放電開始電圧の絶対値以上の値V2に対して20以上の値であることが好ましい。これは、放電維持電圧の絶対値未満の値V1を大きくしていくと、アフターグロー中の荷電粒子イオンや電子を円筒状基体に到達させる力が大きくなり、チャージアップを抑制するための単位時間当たりの電荷の入射密度が高まるためであると考えられる。ただし、20以上の条件では、チャージアップを抑制する効果はわずかにしか向上しない。これは、アフターグロー中の荷電粒子イオンや電子の量が限られるため、荷電粒子を円筒状基体に到達させる力を高めても、t1の期間に円筒状基体に到達する荷電粒子の総量に大きな差が生じないためであると考えられる。また、放電維持電圧の絶対値未満の値V1は、本発明の効果を安定して得る観点から、放電維持電圧の絶対値に対して95以下であることが好ましい。95以下とすることで、電源出力の変動や、プラズマCVD装置の反応容器の内壁面からの付着物の剥落による放電空間内の一時的な電界変動が生じても、放電維持電圧の絶対値未満の状態を維持することができるので、本発明の効果を安定して得やすくなる。放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かは、例えば、電圧-電流特性から判断する方法や、プラズマ発光を検知して判断する方法などがある。図4AおよびBは、放電開始電圧および放電維持電圧の測定方法を説明するための図である。図4Aは、図2に示すプラズマCVD装置を用いて、電極と円筒状基体との間に電圧を印加し、放電開始電圧を求めたときの電圧-電流特性を示す図である。図4Bは、図4Aと同様、図2に示すプラズマCVD装置を用いて、放電維持電圧を求めたときの電圧-電流特性を示す図である。このような電圧-電流特性から、放電が開始したか否か、および、放電が維持されているか否かを判断し、放電開始電圧および放電維持電圧を求めることができる。電極の電位に対する円筒状基体の電位が負になったときに放電を生起させて電子写真感光体を製造しようとする場合には、図4Aの例のように負電位の放電開始電圧と、図4Bの例のように正電位の放電維持電圧を求めることになる。まず、図2に示すプラズマCVD装置の制御部230で、電圧を0Vと設定電圧を繰り返す矩形波の電圧パルス電圧として、周波数25kHzおよびDuty比30の条件で出力波形を制御した。そして、設定電圧を0Vから負の方向に10V刻みで大きくしていき0V→-10V→-20V...、そのときの電流変化を測定した。図4Aに示すように、設定電圧を0Vから徐々に負の方向に大きくしていくと、電流が急に増加する点が観測される。そのときの電圧が放電開始電圧である。なお、放電開始電圧に至るまでも、若干の電流が計測されているが、その電流は放電に伴うものではなく、電極と円筒状基体との間に存在した荷電粒子が動くことによる暗流と、プラズマCVD装置内での漏れ電流である。なお、図4aにおいては、設定電圧が-650Vの際の電流を100として示している。次に、図4Bに示すように、設定電圧を650Vまで上げて電極と円筒状基体との間に放電を生起させる。この状態から設定電圧を0Vの方向に10V刻みで小さくしていくと650V→640V→630V...、電流が急に減少する点が観測される。電流が急に減少する直前の電圧が放電維持電圧である。なお、図4Bにおいては、設定電圧が650Vの際の電流を100として示している。また、矩形波のDuty比は、生産性とチャージアップの抑制とを両立させる観点から、20以上80以下であることが好ましい。Duty比が大きくなるほど、原料ガスを電離させるt2の期間の比率が大きくなり、生産性が向上する傾向にある。一方、Duty比が小さくなるほど、円筒状基体のチャージアップを緩和するt1の期間の比率が大きくなり、チャージアップを抑制するレベルが大きくなる傾向にある。ただし、アフターグローには寿命があり、アフターグロー中の荷電粒子イオンや電子の量にも限りがあるため、Duty比を小さくしてt1の期間を長くしていっても、ある程度の長さでチャージアップを抑制するレベルは変わらなくなる。なお、周波数3kHzのときは、周期Tが333μ秒強となる。このような周波数の低い条件において、Duty比が小さくなり、t1の期間が長くなると、t1の期間の途中でアフターグローが消滅する場合があるが、t1の期間が長い分、t2の期間は短くなり、t2の期間における円筒状基体のチャージアップの量が小さくなるため、アフターグローの寿命の間で十分にチャージアップを緩和することができる。また、周波数300kHzのときは、周期Tが3.3μ秒強となる。このような周波数が高い条件において、Duty比が大きくなると、t1の期間は短くなるが、周波数が低い場合に比べればt2の期間が短く、t2の期間における円筒状基体のチャージアップの量が小さいため、十分にチャージアップを緩和することができる。以上、主として、電極の電位をアース電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加し、電極の電位に対する円筒状基体の電位が正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値V1となり、負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値V2となる場合を例にとって、本発明を説明したが、その他の場合も、本発明の条件を満たせば、本発明の効果を得ることができる。その他の場合として、例えば、電極の電位をアース電位以外の電位で一定としてもよいし、円筒状基体の電位をアース電位またはそれ以外の電位で一定としてもよいし、電極の電位および円筒状基体の電位のどちらも一定でないようにしてもよい。また、上記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電開始電圧の絶対値以上の値V2となり、上記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値が放電維持電圧の絶対値未満の値V1となるようにしてもよい。本発明では、円筒状基体上円筒状基体の外周面に、プラズマCVD法によって堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する。堆積膜としては、例えば、下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層、表面層などが挙げられ、これらの層を円筒状基体側から順次積層して電子写真感光体を製造することが一般的である。下部電荷注入阻止層は、円筒状基体から光導電層への電荷の注入を抑制阻止するための層であり、例えばa-Si系材料により形成される。光導電層は、電子写真感光体にレーザーなどの像露光光を照射することによって電荷を発生させるための層であり、例えばa-Si系材料により形成される。光導電層の膜厚は、5μm以上100μm以下であることが好ましく、10μm以上60μm以下であることがより好ましい。上部電荷注入阻止層は、電子写真感光体の表面を帯電した際の電子写真感光体の表面の電荷が光導電層に注入することを抑制阻止するための層であり、例えばa-Si系材料により形成される。また、上部電荷注入阻止層の材料は、a-Siに炭素C、ホウ素B、窒素Nまたは酸素Oを含有させたものが好ましい。上部電荷注入阻止層の膜厚は、0.01μm以上1μm以下であることが好ましい。表面層は、電子写真感光体の表面を摩耗などから保護するための層であり、例えば水素化アモルファスシリコンカーバイドや、水素化アモルファスシリコンナイトライドや、水素化アモルファスカーボンなどにより形成される。表面層は、電子写真感光体に照射される像露光光が吸収されることのないように、像露光光に対して十分に広い光学バンドギャップを有していることが好ましい。また、静電潜像を十分に保持しうる抵抗値好適には1011Ωcm以上を有していることが好ましい。電子写真感光体は、例えば、図2に示すプラズマCVD装置を用いることによって製造することができる。図2に示すプラズマCVD装置は、プラズマ処理によって円筒状基体212上側円筒状基体212A、下側円筒状基体212B上円筒状基体212の外周面に堆積膜を形成するための円筒状の反応容器211と、円筒状基体212212A、212Bを加熱するためのヒーター216を備えている。また、円筒状基体212212A、212Bを保持する基体ホルダー213Aおよび213B、反応容器211内に原料ガスを導入するためのガスブロック235を備えている。ガスブロック235は、電極214から取り外しが可能脱着可能な構造となっている。ガスブロック235とガス供給系との接続は、継ぎ手部材236を介して接続されている。このような構成とすることで、ガスブロックのみを入れ替えて品種ごとの製造に対応した構成の反応容器に段取り換えができる。図3A~Dは、本発明の電子写真感光体の製造方法を実施するための製造装置プラズマCVD装置に用いることができるガスブロックの例を示す模式図である。図3Aは、ガスブロックの外観図であり、図3B~Dは、ガスブロックの断面図である。ガスブロック300は、管状空洞部303、原料ガス放出孔304、原料ガス導入継ぎ手部材317で構成されており、原料ガス放出孔304が、反応容器211の内面に配置されるように取り付けられている。原料ガスライン318と原料ガス導入継ぎ手部材317が接続されることにより、反応容器211内に原料ガスが導入可能な構成となる。ガスブロック235300は、反応容器211に取り付けられた状態で電極214の一部となる。ガスブロック235300は、電極214の他の部分と同電位になるように反応容器211に取り付けられることが好ましい。このことにより、ガスブロック235を含めた反応容器211内の側壁面全体が電極となり、より均一なプラズマを生成することができる。ガスブロック235の材質は、導電性の金属であることが好ましく、加工の容易性やコストの観点から、アルミニウム、ステンレス鋼がより好ましい。また、ガスブロック235の取り付け方法としては、例えば、導電性のネジで固定する方法が挙げられる。ガスブロック235の形状に関しては、電極214の他の部分の内面との段差が少なくなる形状が好ましい。また、電極214の他の部分の内面と同じ面をなすガスブロックの面ガス放出孔側の面は平面でもよいが、電極214のその他の内面が曲面である場合、それと同じ曲率を持つ曲面であることが好ましい。また、図3Cに示すように、背板302が設けられ、ガスブロックの本体301と分離可能な構成になっていてもよい。図3Dは、本体301および背板302を有するガスブロックの背板302を外した状態の模式図である。本体301と背板302は、Oリング305により気密が保持される構造になっている。図3Dに示すように、背板302を外すことで、内部管状空洞部303が開放状態となるため、ガスブロック内部のガス経路が清掃しやすくなる。堆積膜形成中の残渣やエッチング時に取りきれない残渣などがガス経路に残ると、電子写真感光体の画像欠陥の要因となる。ガスブロックのガス放出孔の直径は、0.5~2.0mmの範囲であることが好ましい。さらに、各ガス放出孔の精度は、直径の±20以内の精度であることが好ましい。ガス放出孔の精度によっては、電子写真感光体の長手方向軸方向の特性ムラのみならず、円筒状基体を回転させながら堆積膜を形成する場合、電子写真感光体の周方向の特性ムラを引き起こす場合もある。ガスブロックのガス放出孔の近傍の材質には、絶縁性セラミックを使用することが好ましい。堆積膜形成条件によっては、ガスの流れ突出圧力の影響で、ガス放出孔の近傍にプラズマが集中しやすい状態になる場合があるため、これを抑制するうえで絶縁性セラミックの使用は効果的である。ガスブロック235を電極214から取り外しが可能脱着可能な構造とすることにより、ガスブロック単体で加工が行えるので、管状のセラミック部品をガス放出孔の近傍に埋め込む加工も容易に行える。セラミックス材料としては、例えば、アルミナ、ジルコニア、ムライト、コージェライト、炭化ケイ素、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムなどが挙げられる。これらの中でも、絶縁抵抗の観点から、アルミナ、チッ化ホウ素、チッ化アルミニウムが好ましく、コストおよび加工性の観点から、アルミナがより好ましい。反応容器211内には、電極214、ベースプレート219および上蓋220により減圧可能な空間放電空間が形成されている。電極214は、一定の電位にすることが好ましく、アース電位にする接地することがより好ましい。電極214を一定の電位とすることで、電極214と反応容器211中の他の部分との電位差を一定に保つことができるため、製造する電子写真感光体の特性の再現性が向上する。さらに、電極214を接地することで、プラズマCVD装置の取り扱いが容易になる。なお、ベースプレート219、上蓋220を接地し、電極214を接地しない場合には、電極214とベースプレート219、上蓋220との間に絶縁性の部材を設けることが好ましい。図2に示すプラズマCVD装置においては、電極214、ベースプレート219および上蓋220のいずれも接地した。また、図2に示すプラズマCVD装置は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラー不図示を内包する原料ガス混合装置225と原料ガス流入バルブ224を備えている。円筒状基体212212A、212Bを保持する基体ホルダー213Aおよび213Bは回転可能に支持されている。この回転支持機構は、支軸222と、支軸222と歯車で接続されたモーター221とを有している。基体ホルダー213Aおよび213Bの内側には、接合電極217Aおよび217Bが接合している。接合電極217Aおよび217Bは、支軸222を介して電源230に接続されている。電極214と円筒状基体212212A、212B、基体ホルダー213A、213Bは、中心軸が一致するように配置されている。ヒーター216の外面は接地されていて、ヒーター216と円筒状基体212212A、212Bとの間に絶縁部材215Aを設けられていることで、ヒーター216と円筒状基体212212A、212Bとは絶縁されている。ヒーター216の内側には、支軸222との間に絶縁部材215Bが設置され、ヒーター216と支軸222が絶縁されている。図2に示すプラズマCVD装置は、排気系として、反応容器211の排気口に連通された排気配管226と、排気メインバルブ227と、真空ポンプ228とを有している。真空ポンプとしては、例えば、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプなどが挙げられる。この排気系により、反応容器211に設けられた真空計223を見ながら、反応容器211内を所定の圧力に維持することができる。電源231からの出力は、制御部230によって制御される。制御部230は、電源231の出力を制御することにより、電極214と円筒状基体212212A、212Bとの間に周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を印加可能になっている。堆積膜を形成するための放電空間減圧可能な空間は、接地された電極214と、接地されたベースプレート219に取り付けられた絶縁板218Bと、接地された上蓋220に取り付けられた絶縁板218Aによって規定されている。円筒状基体212212A、212Bと電極214との間の距離Dについて説明する。距離Dが5mm以上であれば、円筒状基体212212A、212B設置時の円筒状基体212212A、212Bと電極214との同軸性のずれなどによって生じる距離Dのロットごとのばらつきの影響が生じにくいため、安定した再現性を得やすくなる。ただし、距離Dが大きいほど、反応容器211が大きくなるため、単位設置面積当たりの生産性は低下する。このため、距離Dは、5mm以上300mm以下であることが好ましい。以下、図2に示すプラズマ装置を用いた電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。旋盤などを用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基体212212A、212Bを、基体ホルダー213A、213Bに装着し、反応容器211内の円筒状基体加熱用のヒーター216を包含するように反応容器211内に設置する。次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス流入バルブ224を開き、排気メインバルブ227を開いて、反応容器211およびガスブロック235内を排気する。真空計223の読みが所定の圧力例えば0.67Pa以下になった時点で、加熱用の不活性ガス例えばアルゴンガスをガスブロック235から反応容器211に導入する。そして、反応容器211内が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量、排気メインバルブ227の開口、真空ポンプ228の排気速度などを調整する。その後、温度コントローラー不図示を作動させて、円筒状基体212212A、212Bをヒーター216により加熱し、円筒状基体212212A、212Bの温度を所定の温度例えば20~500°Cに制御する。円筒状基体212212A、212Bが所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、堆積膜アモルファス膜形成用の原料ガス例えば、SiH4、Si2H6などの水素化ケイ素ガスや、CH4、C2H6などの炭化水素ガスなど。少なくとも1種は水素化ケイ素ガスであることが好ましい。を、また、ドーピングガス例えば、B2H6、PH3など。を、原料ガス混合装置225により混合した後に、反応容器211内に徐々に導入する。次に、原料ガス混合装置225内のマスフローコントローラー不図示によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器211内が所定の圧力例えば1~100Paに維持されるように真空計223を見ながら、排気メインバルブ227の開口、真空ポンプ228の排気速度などを調整する。以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、円筒状基体212212A、212B上に堆積膜の形成を行う。具体的には、反応容器211内の圧力反応容器内の圧力を、以下単に内圧とも表記する。が安定したのを確認した後、電源231を所定の電圧に設定して、制御部230で所定の周波数およびDuty比に設定する。これにより、支軸222および基体ホルダー213A、213Bを通じて円筒状基体212212A、212Bと電極214との間に矩形波の交播電圧を印加して、グロー放電を生起させる。この放電のエネルギーによって反応容器211内に導入した各原料ガスが分解され、円筒状基体212212A、212B上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は、円筒状基体212212A、212Bをモーター221によって所定の速度で回転させてもよい。所定の膜厚の堆積膜の形成を行った後、交播電圧の印加を止め、反応容器211への各原料ガスの流入を止めて、反応容器内を一旦高真空になるように排気する。上記のような操作を繰り返し行うことによって、電子写真感光体を製造することができる。以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。実施例1および比較例1実施例1-1~1-3ならびに比較例1-1および1-2に関しては、2本の円筒状基体円筒状基体805、808のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図8で示した方法でリング状部材800を設置した。円筒状基体805、808としては、直径84.0mm、長さ370.0mm、肉厚3.0mmのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体805、808の内周面806、809の非拡大部の内径は78.0mmである。また、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の内径は79.7mmであり、深さ円筒状基体の軸方向の長さは円筒状基体805、808の端面811、812から13.0mmである。リング状部材800の本体802には、厚さ2.0mm、幅25.0mmのインコネル製のものを用いた。また、リング状部材800が通常状態図8aに示す状態であるとき、周方向3箇所の位置にある凸部803の頂点を結んで得られる仮想円の直径は81.0mmである。また、リング状部材800が縮径した状態図8cに示す状態であるとき、周方向3箇所の位置にある凸部803の頂点を結んで得られる仮想円の直径は76.7mmである。また、リング状部材800が通常状態図8aに示す状態であるとき、切り欠き部801の角度は20.6°である。また、リング状部材800が通常状態図8aに示す状態であるとき、上面図において凸部803の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は3箇所とも60.0°である。また、6つの凸部803は、いずれも直径3.0mmの半円球体状の凸型である。また、6つの凸部803は、いずれも本体802と一体的に形成されている。また、周方向3箇所の各位置に幅方向上下方向に同一直線上に設けられた上部凸部803-1と下部凸部803-2の中心間距離は14.0mmである。図8を用いて説明したように、円筒状基体805、808にリング状部材800を配置した。そして、図2を用いて説明したように、リング状部材800が配置された円筒状基体805、808を基体ホルダー213に装着し、図2に示すプラズマCVD装置の反応容器211内に設置した。比較例1-3~1-7に関しては、リング状部材として図6に示す円筒状のリング状部材600を用いた。図6a~cにおいて、それぞれ上から順番に、上面図、A-A’断面図である。用いたリング状部材600は、外周面の直径78.9mm、厚さ1.2mm、幅25.0mmのステンレス鋼製のものである。まず、図6aに示すように、円筒状基体805のみを所定の位置に設置した。そして、上方からリング状部材600を円筒状基体805の内径拡大部807に設置した。このときの状態を図6bに示す。次に、円筒状基体808の端面812と円筒状基体805の端面811が向き合うように、上方から円筒状基体808を設置した。そして、図2を用いて説明したように、リング状部材600が配置された円筒状基体805、808図2では円筒状基体212A、212Bを基体ホルダー213に装着し、プラズマCVD装置の反応容器211内に設置した。そして、円筒状基体805、808円筒状基体212A、212B上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表1に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表1に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のV1に関しては、表2に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびDuty比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。1例当たり1バッチ、つまり、1例当たり2本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧負電位および放電維持電圧正電位は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。また、表2におけるリング状部材の種類に関しては、図8を用いて説明したリング状部材800をaと表記し、図6を用いて説明したリング状部材600をbと表記している。実施例1および比較例1では、周波数10kHzで、光導電層の堆積膜形成時のV1に対する電子写真特性の依存性を調べた。表2中の比較例1-1および1-6のV1440Vは放電維持電圧の絶対値440Vと等しいため、正確にはV1ではないが、実施例のV1と比較する値であるため、便宜上V1と表記している。以下同様である。実施例1および比較例1で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計20本の電子写真感光体を以下の方法で評価した。評価結果を表3に示す。光メモリー光メモリーについては、以下のように評価した。製造した電子写真感光体を、マイナス帯電、反転現像方式に改造したキヤノン株式会社製の複写機商品名:iRC6800の改造機評価装置に設置した。また、この複写機の黒色用現像器を外し、表面電位計Trek社製の表面電位計商品名:Model344およびプローブ商品名:Model555-Pを設置して、電子写真感光体の表面電位の測定を行った。まず、ベタ白画像静電潜像形成用レーザー非露光出力動作を行いながら電子写真感光体の表面の暗部電位を測定し、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整して、電子写真感光体の表面の暗部電位が-450Vになるように調整した。次に、ベタ黒画像静電潜像形成用レーザー露光出力動作を行いながら電子写真感光体の表面の明部電位を測定し、静電潜像形成用レーザーの光量を調整して、電子写真感光体の表面の明部電位が-100Vになるように調整した。上記の帯電設定およびレーザー露光設定に固定し、A3サイズのベタ白画像10枚、A3サイズの電子写真感光体1周分のベタ黒画像紙の搬送方向に関しては、電子写真感光体の周長約264mmのすべてがベタ黒であり、紙の搬送方向に直交する方向に関しては、292mm分画像形成領域の幅がベタ黒、それ以外がベタ白である画像1枚、A3サイズのベタ白画像1枚、計12枚の連続出力動作を行い、その間の表面電位の測定を行った。電子写真感光体の表面電位の測定は、電子写真感光体の軸方向7点電子写真感光体の軸方向中心を0mmとして±50mm、±100mm、±150mmで測定した。なお、電子写真感光体の周方向は、9°間隔40点のデータを取得した。表面電位の測定の後、各軸方向位置でベタ黒画像出力動作の1周前の暗部電位とベタ黒画像出力動作の1周後の暗部電位の電子写真感光体の同一周方向位置の電位差を求めた。次いで、各軸方向位置での電位差の平均値を算出し、最も電位差が大きい値を光メモリーと定義した。なお、各実施例および比較例の値は、1バッチで製造される2本の電子写真感光体のうち、値の大きい方を採用した。電位差が小さいほど、光メモリーが小さく、電子写真特性が良好である。さらに、以下の基準でランク付けを行った。A0.0V以上1.0V未満B1.0V以上2.0V未満C2.0V以上3.0V未満D3.0V以上ランクDでは、出力画像上で濃度差が明確に確認できるレベルであり、本発明の効果が得られていないと判断した。膜厚均一性電子写真感光体の膜厚を以下の測定点で測定した。電子写真感光体の軸方向の中央部位置を0cm位置とし、両側それぞれ2cm間隔で各9点±2cm,±4cm,±6cm,±8cm,±10cm,±12cm,±14cm,±16cm,±18cm、0cm位置を含めて合計19点とし、各軸方向位置において周方向に30°間隔で12点、計228点を測定位置とした。各測定点の膜厚の最大値と最小値の差分を平均膜厚で除した値を膜厚均一性とした。測定は、HELMUTFISCHER社製のFISCHERSCOPEmms商品名にプローブETA3.3Hを装着して、渦電流法で行った。値が小さいほど、膜厚均一性が良好である。なお、各実施例および比較例の膜厚均一性の値は、それぞれ2本の電子写真感光体のうち、値が大きい方の値を採用した。さらに、以下の基準でランク付けを行った。A3.0未満B3.0以上4.0未満C4.0以上5.0未満D5.0以上ランクDでは、膜厚ムラに応じた濃度差が出力画像で確認できる場合があるため、本発明の効果が得られていないと判断した。端部の特性の周方向のムラ評価装置としては光メモリーの評価で用いた上記改造機を用い、電子写真感光体の軸方向中央部の黒色用現像機の位置の表面電位が、表面電位計Trek社製の表面電位計商品名:Model555P-4で測定したときに-450V暗部電位になるよう、一次帯電器の一次電流とグリッド電圧を調整した。電子写真感光体の軸方向の中央部位置を0cm位置とし、±14cmの位置を起点として、両側それぞれ円筒状基体の端面に向かって軸方向に2cm間隔で各3点±14cm、±16cm、±18cmの合計6点とし、各軸方向位置において周方向に9°間隔で40点、計240点を電子写真感光体の表面の暗部電位の測定位置とした。各軸方向位置において測定された電位の最大値と最小値の差を求め、その差の中での最大値を堆積膜の端部の特性の周方向のムラとした。なお、各実施例および比較例の値は、1バッチで製造される2本の電子写真感光体のうち、値の大きい方を採用した。この値が小さいほど、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが小さく、良好な画像が得られる。さらに、以下の基準でランク付けを行った。A20.0V未満B20.0V以上30.0V未満C30.0V以上40.0V未満D40.0V以上ランクDでは、堆積膜の端部における特性の周方向のムラが大きく、本発明の効果が得られていないと判断した。以下、堆積膜の端部における特性の周方向のムラを端部特性周ムラとも表記する。ダスト評価円筒状基体に付着したダスト量の指標として、ダストを核として異常成長する球状突起の個数を、円筒状基体の端面から10cmの領域における電子写真感光体の表面を光学顕微鏡商品名:STM6-PLUS、Olympus製を用いた観察によってカウントした。カウントする対象は、外接円の直径が30μm以上の球状突起とした。球状突起の個数が少ないほど、リング状部材設置時のダストの発生が少ないと判断した。さらに、以下の基準でランク付けを行った。A10個未満B10個以上15個未満C15個以上20個未満D20個以上ランクDでは、ダストを起因とする画像欠陥が多く、本発明の効果が得られていないと判断した。表3の評価結果より、比較例1-2で、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが増加していることから、チャージアップの抑制効果が十分に得られないことがわかる。さらに、V1をV2の20以上とした実施例1-2と1-3では、V1をV2の20未満とした実施例1-1と比べて堆積膜の端部の特性の周方向のムラが減少していることから、チャージアップの抑制効果も向上したと考えられる。光メモリーの評価結果より、比較例1-1で大きな値を示していることから、気相成長による物質が増加して堆積膜の特性が低下したことがわかる。これは、以下のように考えられる。V1が放電維持電圧の絶対値以上になると、原料ガスの電離が停止する状態が無く、プラズマ状態が継続する。このため、プラズマ中での荷電粒子イオンや電子の往復運動が生じ、プラズマ中での二次反応が増えて気相成長による物質が増加したためであると考えられる。また、比較例1-3~1-7では、堆積膜の端部の特性の周方向のムラに関していずれも増加している。これは、図6で示すリング状部材bと内径拡大部の内面との間に0.4mmのクリアランスがあるため、内径拡大部に外向きの力が加えられないことが原因と考えられる。このクリアランスのために、振動で円筒状基体805と円筒状基体808の軸にズレが生じたためであると考えられる。そのため、放電中に生じる堆積膜の表面のチャージアップに周方向のムラが発生し、その結果、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが顕著となったものと推察される。比較例1-6は、両側極性放電であるが、その場合であっても、クリアランスによる軸のズレがある場合、印加される電圧波形の一周期内においてチャージアップが周方向のムラをもつ。その結果、堆積膜の端部の特性の周方向のムラが生じる。また、比較例1-3~1-7では、ダストが増加している。これは、上述したクリアランスのために円筒状基体805、808およびリング状部材600を基体ホルダーに設置するとき、あるいは、基体ホルダーをプラズマCVD装置に設置するときの振動により、円筒状基体805、808の端面で摺擦が生じ、ダストが発生したと考えられる。一方、リング状部材aを使用した実施例1および比較例1-1~1-2では、振動が生じても、円筒状基体805、808の端面の摺擦が大幅に抑えられ、ダストが低減されているものと考えられる。実施例2および比較例2実施例2-1~2-3ならびに比較例2-1および2-2に関しては、2本の円筒状基体円筒状基体805、808のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図9で示した方法でリング状部材900を設置した。円筒状基体805、808としては、直径84.0mm、長さ370.0mm、肉厚3.0mmのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体805、808の内周面806、809の非拡大部の内径は78.0mmである。また、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の内径は79.7mmであり、深さ円筒状基体の軸方向の長さは円筒状基体805、808の端面811、812から13.0mmである。リング状部材900の本体902には、厚さ1.0mm、幅25.0mmのNiTi合金Ni含有率が55.5製のものを用いた。また、リング状部材900が通常状態図9aに示す状態であるとき、周方向3箇所の位置にある凸部903の頂点を結んで得られる仮想円の直径を82.0mmである。また、リング状部材900が縮径した状態図9bに示す状態であるとき、周方向3箇所の位置にある凸部903の頂点を結んで得られる仮想円の直径は75.7mmである。また、リング状部材900が通常状態図9aに示す状態であるとき、上面図において凸部903の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は3箇所とも60.0°である。また、6つの凸部903は、いずれも直径3.0mmの半円球体状の凸型である。また、6つの凸部903は、いずれも本体902と一体的に形成されている。また、周方向3箇所の各位置に幅方向上下方向に同一直線上に設けられた上部凸部903-1と下部凸部903-2の中心間距離は14.0mmである。図9を用いて説明したように、円筒状基体805、808にリング状部材900を配置した。具体的には、リング状部材900を-5°Cに維持可能な雰囲気の冷凍庫内に5時間放置することで、リング状部材900を低温状態とした。次に、リング状部材900を大気中に放置して室温に戻すことで、リング状部材900を高温状態とした。そして、図2を用いて説明したように、リング状部材900が配置された円筒状基体805、808を基体ホルダー213に装着し、図2に示すプラズマCVD装置の反応容器211内に設置した。そして、円筒状基体805、808円筒状基体212A、212B上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表1に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表1に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のV1に関しては、表4に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびDuty比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。1例当たり1バッチ、つまり、1例当たり2本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧負電位および放電維持電圧正電位は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。また、表4におけるリング状部材の種類に関しては、図9を用いて説明したリング状部材900をcと表記している。実施例2および比較例2で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表5に示す。表5の評価結果より、実施例1-1~1-3ならびに比較例1-1および1-2と比較して、光メモリー、膜厚均一性、端部特性周ムラに関しては、ほぼ同様の結果が得られた。ただし、ダスト評価に関しては、実施例1-1~1-3ならびに比較例1-1および1-2と比較して良化していることがわかる。これは、リング状部材cの円筒状基体への配置に使用する配置治具の機構が簡便であるため、配置治具とリング状部材との間で生じる摺擦が抑えられた結果、リング状部材の配置時に生じるダストが抑えられたと考えられる。実施例3および比較例3実施例3-1~3-3ならびに比較例3-1および3-2に関しては、2本の円筒状基体円筒状基体805、808のそれぞれの端部に設けた内径拡大部に、図7で示した方法でリング状部材700を設置した。円筒状基体805、808としては、直径84.0mm、長さ370.0mm、肉厚3.0mmのアルミニウム製のものを用いた。円筒状基体805、808の内周面806、809の非拡大部の内径は78.0mmである。また、円筒状基体805、808の内径拡大部807、810の内径は79.7mmであり、深さ円筒状基体の軸方向の長さは円筒状基体805、808の端面811、812から13.0mmである。リング状部材700の本体701には、内径77.2mm、外径78.9mm、幅25.8mmのステンレス鋼製のものを用いた。凸部702は、いずれもステンレス鋼製であり、本体701と一体的に形成されている。凸部702は、図7aにおける長さl0は2.0mmであり、幅w0は2.0mmであり、高さh0は0.4mmであり、テーパー面703およびテーパー面704のl1は0.2mmであり、h1は0.2mmである。周方向3箇所の位置にある凸部702の頂点を結んで得られる仮想円の直径d0は79.9mmである。また、上面図において、3つの凸部702の頂点を結んで得られる仮想三角形の内角は3箇所とも60.0°である。また、凸部702は、3箇所とも、軸方向は、本体701の中央部に設置した。そして、図2を用いて説明したように、リング状部材700が配置された円筒状基体805、808を基体ホルダー213に装着し、図2に示すプラズマCVD装置の反応容器211内に設置した。そして、円筒状基体805、808円筒状基体212A、212B上に、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層、表面層の堆積膜をこの順に表1に示す条件で形成した。放電開始電圧および放電維持電圧は表1に示すとおりであった。光導電層の堆積膜形成時のV1に関しては、表6に示す条件とした。また、下部注入阻止層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の周波数およびDuty比に関しては、光導電層の堆積膜形成時と同様にした。1例当たり1バッチ、つまり、1例当たり2本の電子写真感光体を製造した。放電開始電圧負電位および放電維持電圧正電位は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。また、表6におけるリング状部材の種類に関しては、図7を用いて説明したリング状部材700をdと表記している。実施例3および比較例3で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表7に示す。表7の評価結果より、実施例1-1~1-3ならびに比較例1-1および1-2に比較して、光メモリー、膜厚均一性、端部特性周ムラに関しては、ほぼ同様の結果が得られた。ただし、ダスト評価に関しては、実施例1-1~1-3ならびに比較例1-1および1-2に比較して良化していることがわかる。これは、リング状部材dを円筒状基体に配置する際、配置状態となるまでにリング状部材の凸部と円筒状基体との間には摺擦があるものの、配置治具は不要である。そのため、配置治具とリング状部材との間で生じる摺擦がなく、リング状部材の配置時に生じるダストの発生が抑えられたためであると考えられる。実施例4および比較例4実施例4-1~4-3ならびに比較例4-1および4-2に関しては、周波数を10kHzとした以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表9に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表8に示すとおりであった。実施例4および比較例4で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表12に示す。実施例5および比較例5実施例5-1~5-3ならびに比較例5-1および5-2に関しては、周波数を100kHzとした以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1ついては、表11に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表10に示すとおりであった。実施例5および比較例5で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表12に示す。表12の値をみると、実施例3および比較例3の評価結果の表7と同じ傾向を示している。実施例3~5および比較例3~5の結果をランク付けしたものを表13に示す。表13の評価結果より、V1が0Vである比較例3-2、4-2および5-2では、端部特性周ムラがランクDであることから、一方の極性のみの電圧印加では、チャージアップの抑制効果が得られないことがわかる。V1が100Vである実施例3-1、4-1および5-1では、V1をV2の20以上とした実施例と比べて、端部特性周ムラのランクが低くなっていることから、チャージアップ抑制効果については、V1をV2の20以上にすることが好ましいことがわかる。光メモリーの評価結果より、比較例3-1、4-1および5-1でランクDであることから、気相成長による物質が増加して、堆積膜の特性を低下させたことがわかる。これは、次のように考えられる。V1に対応する電圧が放電維持電圧の絶対値以上になると、原料ガスの電離が停止する状態が無く、プラズマ状態が継続する。このため、プラズマ中での荷電粒子イオンや電子の往復運動が繰り返され、プラズマ中での二次反応が増えて気相成長による物質が増加したためであると考えられる。実施例6および比較例6実施例6-1~6-3ならびに比較例6-1および6-2に関しては、内圧を400Paとし、周波数を10kHzとし、Duty比を80とした以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体を製造した表14参照。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表15に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表14に示すとおりであった。実施例6および比較例6で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表18に示す。実施例7および比較例7実施例7-1~7-3ならびに比較例7-1および7-2に関しては、周波数を60kHzとした以外は、実施例6と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表17に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表16に示すとおりであった。実施例7および比較例7で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表18に示す。実施例6および7ならびに比較例6および7の結果をランク付けしたものを表19に示す。表19の評価結果より、実施例3および4に比べて、実施例6および7の光メモリーのランクが低くなっていることがわかる。これは、内圧が400Paと大きいために、気相成長による物質の生成がわずかながら生じたためであると考えられる。実施例8および比較例8実施例8-1~8-3ならびに比較例8-1および8-2に関しては、内圧を40Paとし、周波数を10kHzとし、Duty比を20とした以外は、実施例3と同様にして電子写真感光体を製造した表20参照。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表21に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表20に示すとおりであった。実施例8および比較例8で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表24に示す。実施例9および比較例9実施例9-1~9-3ならびに比較例9-1および9-2に関しては、周波数を60kHzにした以外は、実施例8と同様にして電子写真感光体を製造した。ただし、光導電層の堆積膜形成時のV1については、表23に示す条件とした。放電開始電圧および放電維持電圧は表22に示すとおりであった。実施例9および比較例9で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、実施例1および比較例1と同様にして評価した。評価結果を表24に示す。実施例8および9ならびに比較例8および9の結果をランク付けしたものを表25に示す。表25の評価結果より、実施例3および4とほぼ同様の結果が得られた。実施例10および比較例10実施例10-1~10-3ならびに比較例10-1および10-2に関しては、実施例1および比較例1と同じプラズマCVD装置を用いて、実施例1とは直径が異なる円筒状基体直径108mm、長さ358mm、厚さ5mmの鏡面加工を施した円筒状のアルミニウム製の円筒状基体上に表26に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。光導電層の堆積膜形成時のV1については、表27に示す条件とした。実施例10および比較例10で製造したそれぞれ2本の電子写真感光体、合計10本の電子写真感光体を、以下の点以外は、実施例1および比較例1と同様にして評価した。製造した電子写真感光体を設置する評価装置としては、マイナス帯電に改造したキヤノン株式会社製の複写機商品名:iR-7086Nの改造機を用いた。光メモリーの評価については、ベタ黒画像として、紙の搬送方向に関しては、電子写真感光体の周長約339mmのすべてがベタ黒であり、紙の搬送方向に直交する方向に関しては、292mm分画像形成領域がベタ黒、それ以外がベタ白である画像を用いた。その他は実施例1と同様にして評価した。膜厚均一性の評価については、電子写真感光体の長さが358mmなので、測定点は以下のとおりとして、その他は実施例1と同様にして評価した。電子写真感光体を軸方向の中央部位置を0cm位置とし、両側それぞれ2cm間隔で各8点±2cm,±4cm,±6cm,±8cm,±10cm,±12cm,±14cm,±16cm、0cm位置を含めて合計17点とし、各軸方向位置において周方向に30°間隔で12点、計204点を測定位置とした。堆積膜の端部の特性の周方向のムラの評価については、電子写真感光体の長さが358mmなので、測定点は以下のとおりとして、その他は実施例1と同様にして評価した。電子写真感光体の軸方向の中央部位置を0cm位置とし、±13.4cmの位置を起点として、両側それぞれ端面へ向かって軸方向に2cm間隔で各3点±13.4cm、±15.4cm、±17.4cmの合計6点とし、各軸方向位置において周方向に9°間隔で40点、計240点を電子写真感光体の表面の暗部電位の測定位置とした。ダストについては、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表28に示す。円筒状基体の直径を84mmから108mmに変更したので、電極と円筒状基体との間の距離が60mmから48mmに小さくなっている。表28の評価結果より、実施例1と同様の結果を示していることがわかる。実施例11図5AおよびB以下まとめて図5とも表記する。に示すプラズマCVD装置を用いて、円筒状基体直径84mm、長さ370mm、厚さ3mmの鏡面加工を施したアルミニウム製の円筒状基体上に表25に示す条件で堆積膜を形成し、電子写真感光体を製造した。なお、下部注入阻止層、光導電層、上部注入阻止層および表面層の堆積膜形成時の円筒状基体の温度、膜厚および周波数に関しては、実施例1と同様にした。また、図5中、515Aはヒーター516と円筒状基体512512A、512Bとを絶縁するための絶縁部材であり、515Bはヒーター516と支軸522とを絶縁するための絶縁部材である。また、517Aおよび517Bは基体ホルダー513Aおよび513Bの内側に接合している接合電極であり、518Aは上蓋520に取り付けられた絶縁板であり、518Bはベースプレート519に取り付けられた絶縁板である。また、519は接地されたベースプレートであり、520は接地された上蓋である。521は円筒状基体512512A、512Bを所定の速度で回転させるためのモーターである。また、523は真空計であり、524は原料ガス流入バルブであり、525は原料ガス混合装置であり、526は反応容器511の排気口に連通された排気配管であり、527は排気メインバルブであり、528は真空ポンプである。制御部530は電源531の出力を制御するための制御部である。533Aおよび533Bは真空気密兼絶縁部材真空気密兼絶縁セラミックであり、535はガスブロックである。特記した点以外は、図2に示すプラズマCVD装置の各要素とそれぞれ同様の働きをする。図5に示すプラズマCVD装置では、円筒状基体512512A、512Bに直流電圧をOn/Offして所定電圧と0Vを矩形波で繰り返すDCパルスを印加する。また、容器壁面側の電極514に電源534よりDC電圧を印加する。これらにより、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるようにしている。図10AおよびBは、矩形波の交播電圧の例を示す図である。図10Aは、電極の電位をアース電位以外の電位で一定とし、電極の電位に対する円筒状基体の電位が交互に正と負になるように矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体との間に印加した場合の円筒状基体の電位の変化を示す図である。図10A中の実線が円筒状基体の電位であり、図10A中の破線が電極の電位である。図10Bは、電極と円筒状基体の電位差の変化を示す図である。図10B中の破線が電極と円筒状基体の電位差である。放電開始電圧負電位および放電維持電圧正電位は、あらかじめ、それぞれの層の堆積膜を形成する際の反応容器内の圧力およびガス条件で、前述した方法により測定した値である。測定結果を表30に示す。光導電層の堆積膜形成時の周波数および放電維持電圧については、表30に示す条件とした。1例当たり1バッチ、1バッチ当たり2本の電子写真感光体を、3バッチ3例で計6本製造した。製造した電子写真感光体は、実施例1および比較例1と同様に評価した。評価結果を表31に示す。表31の評価結果より、実施例11-2は、実施例3-3と同様の結果を示していることがわかる。これより、電圧の印加方法が異なっても、本発明の条件を満たすことによって、本発明の効果を得られることがわかる。実施例11-1では、周波数が3kHzと低いために、1周期でのt2の期間が長い。そのためにチャージアップの量が増加して、実施例4-3や実施例11-2などに比べて堆積膜の端部の特性の周方向のムラが若干増加したものと考えられる。また、周波数が300kHzである実施例11-3では、膜厚均一性がやや低下しているものの、本発明の効果は得られている。"