複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した複数の各分割ターゲットの表面に、該分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm~0.10mmである位置から、分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを有することを特徴とするスパッタリングターゲット。分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する10~30°のテーパーを有することを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。分割ターゲット側面の、下向きに傾斜するテーパーによって形成される平坦面からの最大深さが、2.0mm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。分割ターゲット側面の、下向きに傾斜するテーパーによって形成される平坦面からの最大深さが、1.0mm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。分割ターゲット間のクリアランスが1.0mm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載に記載のスパッタリングターゲット。分割ターゲット間のクリアランスが0.05~1.0mmであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載に記載のスパッタリングターゲット。分割ターゲットがセラミックス製ターゲットであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。本発明は、分割セラミックスターゲットの連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるセラミックス製スパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、セラミックス製スパッタリングターゲットを複数の分割ターゲットから構成し、この複数の分割ターゲットの縁部を工夫することにより、分割ターゲットを配列して大型のターゲットを作製し、各分割ターゲットの縁部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することができるとの知見を得た。このような知見に基づき、本発明は、1複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した複数の各分割ターゲットの表面に、該分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm~0.10mmである位置から、分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを有することを特徴とするスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、2分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する10~30°のテーパーを有することを特徴とする上記1記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、3分割ターゲット側面の、下向きに傾斜するテーパーによって形成される平坦面からの最大深さが、2.0mm以下であることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、4分割ターゲット側面の、下向きに傾斜するテーパーによって形成される平坦面からの最大深さが、1.0mm以下であることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、5分割ターゲット間のクリアランスが0.05~1.0mmであることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、6分割ターゲット間のクリアランスが0.1~0.5mmであることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、7分割ターゲットがセラミックス製ターゲットであることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、分割ターゲットの連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。また、この発明は、特にITOターゲット、IZOターゲット、IGZOターゲット等のセラミックスターゲットに有効であるが、ノジュールを発生し易い金属製ターゲットにも適用できることは、容易に理解できるであろう。本発明のスパッタリングターゲットは、複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであり、配列した複数の各分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm~0.10mmである位置から、ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを有する。なお、この場合下向きにという意味は、バッキングプレート側に向かってと言う意味である。ターゲットは、平面的に見て、一般に矩形なので、これに対応させて長方形の分割ターゲットを複数個配列して作製することができる。しかしながら、分割ターゲットが長方形に限定されないことは、当然であり、他の形状、例えば正方形、三角形、扇型、あるいはこれらを適宜組み合わせて作製することもできる。本願発明は、これらを包含する。バッキングプレートにボンディングを行う際には、インジウム又はインジウム合金からなるロウ材を用いて形成しても良い。他の手段としては、溶射法、めっき法などを用いることができる。被覆層を形成した後、例えば銅又は銅合金等からなるバッキングプレートに、インジウム又はインジウム合金からなるロウ材を用いて、ボンディングを行う。本願発明の代表例を図1に示す。図1は、分割ターゲットの側面からの距離が5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパー斜面を形成したものである。この場合、ターゲット縁部におけるターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離は、図1に示すように、1mmとなる。他の例として、分割ターゲットの側面からの距離が2.5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパー斜面を形成した場合には、ターゲット縁部におけるターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離は、図1に示すように、0.5mmとなる。本発明のスパッタリングターゲットの前記テーパー面は、上記の範囲で任意に選択できるが、ノジュールの発生を抑制するための、より好ましい形態としては、ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する10~30°のテーパーとするのが推奨される。これは各種実験により、テーパーの面積と深さは、広く浅くするのがノジュール防止に役立つからである。また、分割ターゲット側面の、下向きに傾斜するテーパーによって形成されるターゲット平坦面からの最大深さについては2.0mm以下とするのが好ましい。さらにターゲット側面における縁部の、平坦面からの最大深さが、1.0mm以下であること、さらに平坦面からの最小深さは0.1mm以上であることが、より望ましい。また、本発明は、分割ターゲット間のクリアランスは、1.0mm以下の範囲とする。好ましくは、分割ターゲット間のクリアランスが0.05~1.0mmであり、さらに好ましくは、分割ターゲット間のクリアランスが0.1~0.5mmである。分割ターゲット間のクリアランスが小さい場合には、複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列する際に、分割ターゲットの接触によりチッピングを発生し易いので注意する必要がある。スパッタリングターゲットの材料によっては、チッピングを発生し難い材料があるが、この場合にはクリアランスを設ける必要はない。すなわち、クリアランスを0mmとする。このクリアランスを0mmとした場合でも、分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを形成した分割ターゲットは、クリアランスを設けた場合と同様に、ノジュールの発生を大きく抑制できる。この現象は、バッキングプレートに各分割ターゲット相互に密接させて配列した場合であっても、分割ターゲットの側面にわずかでも隙間が存在すると、その隙間がノジュールの発生原因と成り得ることを推測している。本願発明を適用することにより、このような場合でもノジュール発生を抑制できる効果がある。本願発明は、クリアランスを設けない場合クリアランス:0mmを包含するものである。また、ターゲットのスパッタリング時及び冷却時には、多少の熱膨張と収縮が繰り返されるが、分割ターゲットのクリアランスは、それを適度に調整する機能を持つので、ターゲットの亀裂や割れを防止できる効果もある。また、分割ターゲットがセラミックス製ターゲット、特にITO、IZO、IGZOターゲットに好適に適用できる。従来、分割ターゲットをバッキングプレート上に配列する場合には、ターゲット相互の接触によるチッピングを防止するために、若干の間隔を開けて配置すると共に、ターゲットの上端の縁部をR加工するか又はC加工45°の切欠加工する。この様子を図2に示す。図2の上左がR加工した場合、図2の中左がC加工した場合である。また、参考までに、本願発明のテーパー加工した場合を図2の下図に示す。上記縁部をR加工した場合及びC加工した場合には、各分割ターゲットの近接部に加工溝が形成され、大きく凹んでいるために、ノジュールリデポが堆積し易い。ターゲットのライフ初期~50までは、加工溝にノジュールが堆積していく。この概念図ノジュールを粒○で示す、を図2の中央に示す。しかし、ターゲットライフが50~100になると、ノジュールが再スパッタされ、ターゲットの分割部は浅く窪んでいるがフラットに近い形状となり、ノジュールの堆積は殆ど見られなくなる。本願発明は、この現象に大きなヒントを得た。すなわち、分割ターゲットに間隙スペースがあり、C加工又はR加工した場合でも、このC加工又はR加工の加工溝が消失したターゲットライフが50~100に至る場合の表面形状を、初期の段階から形成することにより、ノジュールの発生を抑制できるとの知見を得た。上記知見は、ある程度広く浅く、分割ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜するテーパーを付与することである。多くの実験の結果、配列した複数の各分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm~0.10mmである位置から、ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを付与することが有効であることが分かった。これについては、より好ましい条件はあるが、上記の範囲が、本願発明の基礎となるものである。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1原料として、比表面積が5m2/gの酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を重量比で9:1の割合に混合した混合粉末を、プレス用金型に入れて、700Kg/cm2の圧力で成形し、ITO成形体を作製した。次に、このITO成形体を、酸素雰囲気中で、昇温速度5°C/minで室温から1500°Cまで昇温後、1500°Cで20時間温度を保持し、その後、炉冷することにより焼結した。このようにして得られた焼結体の表面を研削し、さらに側辺をダイヤモンドカッターで127mm×254mmサイズに切断した。さらに、図1に示すように、分割ターゲットの側面からの距離が5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパー斜面を形成した。この場合、ターゲット縁部におけるターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離は、図1に示すように、1mmとなる。この様な加工体を2枚作製した。次に、無酸素銅製のバッキングプレートを200°Cに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約0.2mmとなるように塗布した。このバッキングプレート上に、2枚のITO焼結体を冷却後に0.3mmのクリアランスになるように接合面同士を、相対して設置し、室温まで放置冷却した。このターゲットをシンクロン製マグネトロンスパッタ装置BSC-7011に取り付け、投入パワーはDC電源で2.3W/cm2、ガス圧は0.6Pa、スパッタガスはアルゴンArでガス流量は300sccm、スパッタ積算電力量は160WHr/cm2まで行った。スパッタ中のノジュールの発生状況を調べた。また、ランドマークテクノロジー製マイクロアークモニターMAMGenesisにて、マイクロアーク発生回数回を測定した。マイクロアークの判定基準は、検出電圧100V以上、放出エネルギーアーク放電が発生している時のスパッタ電圧×スパッタ電流×発生時間が20mJ以下である。積算160WHr/cm2までのマイクロアーク発生累積回数を表1に示す。この表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は527回であり、後述する比較例に比べ、大きく減少した。分割ターゲットの分割部のノジュールの発生状況を図3に示す。この図3に示すように、分割部のクリアランスが0.3mmであり、分割ターゲットの側面からの距離が5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパー斜面を形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mmとした場合には、スパッタリング開始時からターゲットライフ100まで、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。この状態を、表1では○と記載した。実施例2ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mm、分割部のクリアランスを0.1mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は462回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュールアーキングともに減っていた。実施例3ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mm、分割部のクリアランスを0.5mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は576回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかったが、実施例1よりもノジュール、アーキングともに若干増えていた。しかし、後述する比較例に比べ、大きく減少した。実施例4ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が11.43mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は433回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュールアーキングともに減っていた。実施例5ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が2.75mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに20°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は713回であり、実施例1よりもノジュール、アーキングともに若干増えていた。しかし、後述する比較例に比べ、大きく減少した。この状態を表1では△と記載したが、特に問題はないレベルである。実施例6ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が1.73mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに30°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は796回であり、実施例1よりもノジュール、アーキングともに若干増えていた。しかし、後述する比較例に比べ、大きく減少した。この状態を表1では△と記載したが、特に問題はないレベルである。実施例7ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が5.71mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに5°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.5mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は301回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減っていた。実施例8ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が2.50mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.5mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は345回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減っていた。実施例9ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が1.37mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに20°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.5mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は442回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減っていた。実施例10ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.87mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに30°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.5mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は508回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減っていた。実施例11ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が3.43mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに5°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.3mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は194回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに半減していた。実施例12ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が1.50mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.3mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は250回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに半減していた。実施例13ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.82mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに20°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.3mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は331回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減少していた。実施例14ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示しているように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.52mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに30°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を0.3mm、分割部のクリアランスを0.3mmとした場合である。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は428回であり、ノジュールの発生は殆ど見られなかった。実施例1よりもノジュール、アーキングともに減少していた。比較例1ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、図4に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が1mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに45°の角度のテーパーを形成した。この場合、ターゲット縁部におけるターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離は、図5に示すように、1.0mmとなる。ターゲットの分割部のクリアランス隙間を0.3mmとした場合の、ノジュールの発生状況を図5に示す。この状態を表1では×と記載した。この図5に示すように、ターゲット上端の縁部C1.0mm加工では、ターゲットライフ50までノジュールの発生が多く、ターゲットライフ100でノジュールが消失するという逆転現象が見られた。これは、ターゲットライフ50から100にかけてエロージョンが進行することにより、縁部とターゲット平坦面部分の高低差が無くなり、全面平坦になったためノジュールまでスパッタされたためと考えられる。前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1812回であり、50から100にかけて、アーキング発生回数が増大していた。また、ノジュールの発生も著しく増加した。比較例2ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに45°の角度のテーパーを形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.1mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1762回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も著しく増加した。比較例3ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに45°の角度のテーパーを形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.5mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1908回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も著しく増加した。比較例4ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、図5に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が1mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、半径1mm円加工R加工を形成した図4参照。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.3mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1826回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も著しく増加した。比較例5ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに45°の角度のテーパーを形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.3mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1522回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も増加した。比較例6ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.5mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、半径0.5mm円加工R加工を形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.3mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1559回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も増加した。比較例7ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.3mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに45°の角度のテーパーを形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.3mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1220回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も増加した。比較例8ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、表1に示すように、該分割ターゲットの側面からの距離が0.3mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、半径0.3mm円加工R加工を形成した。また、ターゲットの分割部のクリアランスを0.3mmとした。この場合は、前記表1に示すように、スパッタリング開始時からターゲットライフ100後の累積アーキング回数は1233回であり、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果となった。また、ノジュールの発生も増加した。実施例15ITO焼結体を製造するまでの工程は、実施例1と同様とし、分割ターゲットについては、該分割ターゲットの側面からの距離が5.0mmの位置から、ターゲットの側面に向かって、下向きに11.3°の角度のテーパーを形成し、ターゲット平坦面からテーパー斜面の最深部の距離を1mmとし、なおかつ、クリアランスを0mmとした場合である。アーキングは287回、ノジュールの発生は少なく、実施例1よりも良い結果であった。クリアランスが0mmの場合も、効果がある事が分かった。但し、これはターゲットのサイズが小さいため、クリアランスが0mmでも割れが発生しなかったが、大型のターゲットの場合には割れ対策が必要である。上記の実施例、比較例から明らかなように、複数の分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるスパッタリングターゲットであって、配列した複数の各分割ターゲットの側面からの距離が23.0mm~0.10mmである位置から、ターゲットの側面に向かって下向きに傾斜する5~40°のテーパーを有する構造とすることは極めて重要である。これによって、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得ることができる。