"第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層の上面に設けられた第1の導体層と、前記第1の誘電体層の上面に設けられ、前記第1の導体と間隔を設けて囲むように形成されている導体パターンと、前記第1の誘電体層の下面に形成された第2の導体層と、前記第1の誘電体層の下面に設けられ、前記第2の導体層と一定の間隔を設けて形成されたアンテナと、を有する第1の基板と、前記第2の導体層側に設けられ、第2の誘電体層と、前記第2の誘電体層の上面に設けられた第3の導体層と、前記第2の誘電体層の下面に形成された第4の導体層と、を有する第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に設けられている接着層と、前記導体パターンと前記第4の導体との間を複数貫通して設けられたシールド導体部と、前記第4の導体層に接するように設けられている導波管と、を有することを特徴とする高周波線路-導波管変換器。前記アンテナと前記第4の導体層が設けられている面までの距離がλg/4となるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波線路-導波管変換器。前記第1の導体2bで構成される高周波線路と前記アンテナNを前記ブラインドビアホールBで接続し高周波線路を前記導体パターンDで囲むように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波線路-導波管変換器。前記第3,第4の導体層は、前記アンテナに対して一定の前記間隔を設けて形成されている前記第2の導体層と同じ前記間隔となるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波線路-導波管変換器。そこで、本実施形態では、より変換損失が低く、広帯域な高周波線路-導波管変換器の提供を目的とする。上記目的を達成するために、実施形態の高周波線路-導波管変換器は、第1の誘電体層と、第1の誘電体層の上面に設けられた第1の導体層と、第1の誘電体層の上面に設けられ、第1の導体と間隔を設けて囲むように形成されている導体パターンと、第1の誘電体層の下面に形成された第2の導体層と、第1の誘電体層の下面に設けられ、第2の導体層と一定の間隔を設けて形成されたアンテナと、を有する第1の基板と、第2の導体層側に設けられ、第2の誘電体層と、第2の誘電体層の上面に設けられた第3の導体層と、第2の誘電体層の下面に形成された第4の導体層とを有する第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に設けられている接着層と、導体パターンと第4の導体との間を複数貫通して設けられたシールド導体部と、第4の導体層に接するように設けられている導波管とを有することを特徴としている。以下、本発明の実施形態に係る高周波線路-導波管変換器を、図面を参照して詳細に説明する。図1a,bに示すように、本発明の実施形態に係る高周波線路-導波管変換器1は、第1の基板2と、ブラインドビアホールBと、アンテナNと、第2の基板3と、接着層4と、シールド導体部5と、導波管6とから構成されている。第1の基板2は、第1の誘電体層2aと、第1の誘電体層2aの上面に設けられた第1の導体2b及び導体パターンDと、第1の誘電体層2aの下面に配置された第2の導体層2cが形成されている。導体パターンDおよび第2の導体層2cは、高周波的にGND電位のパターンである。また、第1の基板2には、第1の誘電体層2aの下面に設けられ、第2の導体層2cと一定の間隔を設けてアンテナNが形成されている。第1の導体2bは、本実施形態では高周波線路であるコプレーナ線路を形成している。なお、本実施形態ではコプレーナ線路であるが、これに限られることはなく、マイクロストリップ線路であってもよい。また、第1の導体2bは、図示しない半導体チップと接続している。また、導体パターンDは、第1の導体2bと0.1mm程度の間隔を設けて囲むように形成されている。そして、アンテナNは、第1の導体2bとブラインドビアホールBを介して接続している。このような構成にすることにより、第1の導体2bの高周波信号を上面の空気層への放射を抑えつつ、直接アンテナNに給電することができる。すなわち短絡ブロックを用いない本構成でも放射による損失を抑えることが可能となる。第2の基板3は、接着層4を介して第1の基板2の第2の導体層2cと接して設けられている。すなわち、第2の導体層2c側に設けられている。また、第2の基板3は、第2の誘電体層3aと、第2の誘電体層3aの上面に設けられた第3の導体3bと、第2の誘電体層3aの下面に配置された第4の導体層3cが形成されている。第3の導体3bと第4の導体層3cは、高周波的にGND電位のパターンである。また、第3,第4の導体層3a,3cは、アンテナNに対して一定の間隔を設けて形成されている第2の導体層2cの間隔Kと同じ間隔となるように形成されている。これにより、誘電体導波路の管幅を均一にすることが可能となり、良好な電波伝搬を行うことができる。接着層4は、第1の基板2と第2の基板3との間に設けられており、第1,第2の誘電体層2a,3aの一部と、第2,第3の導体層2c,3aと、アンテナNとを覆うように設けられている。また、接着層は非導電性の材料から形成されている。シールド導体部5は、導体パターンDと第4の導体3cとの間を貫通して設けられた貫通スルーホールであり、アンテナNを囲むように設けられている。このように設けることにより、誘電体導波管を形成し、特にアンテナNから放射される電波の漏洩を抑制することが可能となる。また、導体パターンD、第2,第3,第4の導体層2c,3a,3cは、ともにGND電位のパターンであり、シールド導体部5の貫通スルーホールにより高周波的にGND電位に接続される。導波管6は、第2の基板3の第4の導体層3cに接するように設けられ電気的に接続している。また、導波管6は、アンテナNに対して一定の間隔を設けて形成されている第2の導体層2cの間隔Kよりも広い開口部Hが形成されている。第1,第2の誘電体層2a,3aを形成する誘電体材料としては、酸化アルミニウム窒化アルミニウム窒化珪素ムライト等を主成分とするセラミック材料ガラスあるいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成して形成されたガラスセラミック材料エポキシ樹脂ポリイミド樹脂四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の有機樹脂系材料有機樹脂-セラミックガラスも含む複合系材料等が用いられる。第1~第4の導体層2a,2c,3a,3c、アンテナN、ブラインドビアホールB、接着層4、シールド導体部5を形成する材料としては、例えばタングステンモリブデン金銀銅等を主成分とするメタライズ、あるいは金銀銅アルミニウム等を主成分とする金属箔等が用いられる。第2の基板3と接着層4は、アンテナNから第2の誘電体層2aの第4の導体層3cが設けられている面までの距離が、λg/4となるように形成されており、インピーダンスの反転回路となる。なお、λgはシールド導体部5により形成された誘電体導波管の管内波長である。このように、アンテナNから第2の誘電体層2aの第4の導体層3cが設けられている面までの距離が、λg/4となるように形成することで、アンテナN側のインピーダンスをZpΩ、誘電体導波管の特性インピーダンスをZeΩ、導波管6の特性インピーダンスをZwΩとしたとき、Ze=Zp×Zw1/2を満たすようにインピーダンスを設定することで整合をとることができる。また、アンテナNは、第1の導体2bとブラインドビアホールBを介して接続するが、第1の導体2bで構成される高周波線路側のインピーダンスとアンテナN側のインピーダンスZpをある変換比で変換するインピーダンス変換の機能をもつ。アンテナNとビアホールBの接続位置を調整することで高周波線路側のインピーダンスに整合させることができる。例えば、本実施形態の第1の導体2bの特性インピーダンス約50Ω、アンテナN側のインピーダンスを約100~200Ω、導波管6WR-10,75~110GHzの特性インピーダンスを約300~600Ωとする場合、誘電体導波管の特性インピーダンスが約200~350Ωとなる。第1の導体2bの特性インピーダンス約50ΩとアンテナN側のインピーダンス約100~200Ωは、ブラインドビアホールBの接続位置を調整することで整合を確保できる。このようにアンテナNと導波管6の間にインピーダンス反転回路を配置することでアンテナ側のインピーダンスに対して柔軟に整合がとれる。また、高周波線路とアンテナNの間、アンテナNと導波管6の間の2つの変換回路でインピーダンス変換を行うため、整合範囲の広帯域化が可能となる。従来の構造では-20dB以下の帯域が約2.5GHzであったものが、約4GHzとなり、より広帯域化を実現することができる。導波管6の材質としては、金属で構成されており、管内壁を電流による導体損失低減や腐食防止のために金銀等の貴金属で被覆するとよい。なお、本実施形態では金属で構成されているが、これに限られることはなく、樹脂を必要な導波管形状に成型し、金属の場合と同様に管内壁を金銀等の貴金属で被覆したものであってもよい。以上、本実施形態によれば、高周波線路-導波管変換器1は、第1の基板2の第1の誘電体層2aの上面に設けられた第1の導体2bと、第1の誘電体層2aの下面に配置されたアンテナNがブラインドビアホールBを介して接続して形成されている。そして、第1の誘電体層2aの上面に設けられた導体パターンDにより第1の導体2bをとり囲んでいる。第2の基板3の第4の導体3cとの間を貫通しアンテナNを囲むように設けられたスルーホール列で構成されるシールド導体部5が、誘電体導波管を形成しており、アンテナNと第4の導体層3cが設けられている面までの距離が、λg/4となるように形成されている。第1の導体2bで構成される高周波線路とアンテナNをブラインドビアホールBで接続し高周波線路を導体パターンDで囲むことにより、電波の空気層への放射を抑え変換損失を低減している。また、アンテナNを囲むように設けられたスルーホール列で構成されるシールド導体部5により、アンテナNから放射される電波の誘電体導波管外部への漏洩を抑え変換損失を低減している。また、λg/4の長さをもつ誘電体導波管によるインピーダンス変換回路、および高周波線路とアンテナNへのブラインドビアホールBによる接続で構成されるインピーダンス変換回路のこれら2つのインピーダンス変換回路により、整合範囲の広帯域化を実現することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"