少なくともフッ素元素の製造の工程と、前記フッ素の使用場所への送達の工程と、任意選択的に、精製の工程および貯蔵の工程からなる群から選択される少なくとも1つのさらなる工程とを含む、フッ素元素をエッチング剤またはチャンバー洗浄剤として使用してのチャンバー中での物品のエッチングまたはチャンバーの清浄化を包含する、電子デバイスの製造のための方法であって、前記フッ素元素は、少なくとも使用場所への送達の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、方法。前記電子デバイスが、半導体、光電池、MEMS、およびTFTからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記方法が、少なくとも、前記フッ素元素の製造の工程と、前記フッ素の使用場所への送達の工程と、前記フッ素元素の精製の工程および貯蔵の工程からなる群から選択される少なくとも1つのさらなる工程とを包含し、前記フッ素元素は、前記使用現場への送達の工程ならびに貯蔵の工程および/または精製の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、請求項1または2に記載の方法。前記フッ素元素が、前記精製の工程および前記使用現場への送達の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、前記精製の工程、前記貯蔵の工程および前記使用現場への送達の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、電解生成の工程、前記精製の工程、前記貯蔵の工程および前記使用現場への送達の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、約2~3バール絶対の圧力で維持される、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、電解質塩としてのKFおよびHFの付加物の存在下でのHFの電気分解によって、または高原子価の金属フッ化物からフッ素を熱分解することによって製造される、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、現場で製造される、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造における使用のために現場で製造され、送達される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、前記半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造において、現場で、前記2~3バール絶対の圧力下、前記電解質塩としてのKFおよびHFの付加物の存在下でのHFの電気分解によって製造され、精製され、エッチング液としてエッチングチャンバー中に送達される、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、現場で、前記2~3バール絶対の圧力下、前記電解質塩としてのKFおよびHFの付加物の存在下でのHFの電気分解によって製造され、精製され、前記半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造に使用される熱またはプラズマ支援エッチングチャンバー中にチャンバー洗浄剤として送達される、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記エッチングチャンバーが、プラズマエッチングチャンバーである、請求項1、11または12のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素元素が、前記チャンバーと流体連結しているフッ素発生装置において電気分解によって製造される、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。前記フッ素発生装置が、前記チャンバーの近くに設置されている、請求項14に記載の方法。本発明の目的は、純粋なフッ素を使用することが望ましい工程へのフッ素の送達の改善された方法を提供することである。本発明は、少なくともフッ素元素の製造の工程と、フッ素の使用場所への送達の工程と、任意選択的に、精製の工程および貯蔵の工程からなる群から選択される少なくとも1つのさらなる工程とを含む、フッ素元素をエッチング剤またはチャンバー洗浄剤として使用してのチャンバー中での物品のエッチングまたはチャンバーの清浄化を包含する、電子デバイス特に、半導体、光電池、MEMS、またはTFTの製造のための方法であって、フッ素元素は、少なくとも使用場所への送達の工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される、方法に関する。チャンバーは、概して、そこで電子デバイスがエッチングされるところのチャンバーであるか、または望まれない付着物を除去するために折々もしくはスケジュール通りに清浄化されるべきであるチャンバーである。したがって、少なくとも使用場所へのフッ素の送達の工程は、周囲圧力より高い圧力下で行われる。本発明の方法が、精製および貯蔵からなる群から選択される少なくとも1つの工程をさらに含むこと、ならびにフッ素元素が、少なくとも使用場所への送達の工程と、精製および貯蔵の工程のうちの少なくとも1つとにおいて、周囲圧力より高い圧力下で維持されることが、特に好ましい。別の好ましい実施形態において、当該方法は、精製、貯蔵および送達の各々の工程を少なくとも1つ含み、かつ3つ全ての工程において、周囲圧力より高い圧力下で維持される。例えば1つの工程astepのような表現における1つのaという語は、その表現をただ1つの工程に限定することが意図されるものではない。用語含むcomprisingには、からなるconsistingofという意味が含まれる。少なくとも使用場所への送達の工程の間、ならびに特に精製、貯蔵および送達の工程の間、周囲圧力より高い圧力下でフッ素を維持することの利点は、空気、窒素、酸素、二酸化炭素、湿気および他の不純物がフッ素に侵入し得ず、したがって、フッ素を汚染し得ないことである。電解質としてのKFの存在下でのHFの電気分解によるF2の製造に関する一実施形態において、F2は、電解槽においても加圧下で維持される。好ましくは、F2は、電解槽での電気分解によるその生成の最初から、精製の間、使用場所への送達の間、および実施される場合はその貯蔵の間も、加圧下で維持される。酸素の含有量は、750体積ppm未満であり、多くの場合に300体積ppm未満でさえありかつその低いレベルのままである。高圧のため、酸素のみならず、酸素含有不純物、窒素および二酸化炭素のレベルもまた同様に、非常に低いままである。窒素の含有量は、わずか数百体積ppm、さらにそれより低い体積ppmの範囲内にあり、送達の間、その低いレベルのままである。例えば二酸化炭素の含有量は、多くの場合、10体積ppm以下であり、送達の間、その低いレベルのままである。水の含有量は、多くの場合、1体積ppm以下であり、送達の間、その低いレベルのままである。したがって、本発明の方法は、ガス例えば、酸素、窒素、水および二酸化炭素の低いレベルを維持することを可能にするものであり、送達手段例えば、パイプ、弁、マニホールドなどを取り囲むガス雰囲気からのこれらの化合物の侵入を防ぎ、そうしてそのようなガスの低いレベルを維持することを可能にする。下記に、送達をより詳細に説明する。F2の生成は、1個または数個の電解槽において行われ得る。1つの電解槽が使用される場合は、この槽は、1つまたは複数のツールにF2を送達し得る。F2が2つ以上の電解槽によって生成される場合は、1つの槽において生成されたF2は、他の槽において生成されたF2とは別個に1つまたは複数のツールに送達され得、他の槽において生成されたF2は、1つまたは複数の他のツールに送達され得る。あるいは、2つ以上の槽において生成されたF2は、共通ライン中に送られ、F2が利用されるツールに分配され得る。この実施形態は、生成されたF2は使用される前に精製されることがほとんどであり、当然ながら、生成されたF2を多数の平行配置された精製装置に通すのではなく共通ライン中のF2をそれぞれの精製装置に通す方が技術的に有利であるので、好ましい。多くの場合、当該方法は、数個の電解槽を有する装置を使用して行われる。製造されたF2は、個々の槽から共通F2ライン中に供給される。この好ましい実施形態を考慮して、本発明を詳細に説明する。特定の電解槽、または電解槽の群を、他から遮断し得る弁を備えることが、それぞれの槽の修理または保守のための運転停止が必要である場合に、有利である。製造されたF2は、次いで、そのF2を精製する手段に、共通ラインを通して送達される。この精製の工程において、固形物および/またはHFが除去され得る。1つまたは複数の精製の工程が、貯蔵前または貯蔵後に行われ得る貯蔵の工程が予定される場合。所望であれば、フッ素は、貯蔵前および貯蔵後に精製され得る。この場合、好ましくは、両方の精製工程は、周囲圧力より高い圧力下で行われる。精製は、主として知られているやり方で行われ得る。例えば、固体電解質塩様々な組成のHFおよびKFの付加物から主としてなる同伴固形物は、耐F2性材料特に、モネルメタルまたはニッケルでできたフリットにおいて除去され得る。代替的または追加的に、固形物は、例えばジェットスクラバーにおいて、F2を液体HFと接触させることによって除去され得る。同伴HFは、フッ素をNaFに通すことによって除去され得る。代替的または追加的に、HFは、冷却トラップ例えば、約-60°C以下まで例えば、-60°C~-80°Cの範囲内の温度まで冷却されたトラップにおいて除去され得る。精製手段は、手段の一部が他の手段が機能する間に再生され得るように、冗長であり得る。この場合も、製造されたF2から個々の手段を隔絶するために、弁が有用である。1つまたは複数の精製の工程後、処理されたF2は、ラインを通してツールに送達され得る。F2が数個のツールに送達されることが意図される場合は、分配システムが利用され得る。この分配システムで、望ましい量のF2が、それぞれのツールに送達され得る。所望される場合は、F2は、ツールに導入される前に、他の適切なガス例えば、ArまたはXeのような希ガスと混合され得る。所望される場合は、F2は、精製後に貯蔵タンクに送られ、そこでF2は、好ましくは、上述された圧力下で維持される。本発明の方法は、他の一般的に使用される構成要素例えば、減圧弁、シールポット、圧力変換器、熱電対、フィルターまたは弁制御システムによって補助され得る。ツールは、半導体の製造のために利用される処理チャンバー、MEMSを製造するためのチャンバー、TFTまたはフラットパネルディスプレイの製造のためのチャンバーであり得る。ツールは、例えば、化学的または物理的蒸着チャンバーであり得る。多くの場合、ツールは、プラズマ発生装置を含む。好ましい実施形態において、フッ素はコンプレッサーによって加圧され、フッ素元素以外に、加圧用ガスは利用されない。フッ素の圧力は、好ましくは、1.5絶対バール150絶対kPa以上である。この圧力は、好ましくは、15絶対バール1500絶対kPa以下、より好ましくは、12絶対バール1200絶対kPa以下である。好ましい範囲は、2~3絶対バール200~300絶対kPaである。好ましくは、フッ素の圧力は、精製および送達の間、ならびに実施される場合は貯蔵の間も、示された高い方のレベルおよび低い方のレベルの範囲内で維持される。特に好ましくは、フッ素の圧力は、その電解生成の間、その精製の間、およびその使用場所への送達の間、ならびに実施される場合はその貯蔵の間も、示された高い方のレベルおよび低い方のレベルの範囲内、とりわけ2~3絶対バールの範囲内に、維持される。その利点は、空気または湿気による汚染の危険がさらに低減されること、およびコンプレッサーが不要であることである。フッ素元素の製造の工程は、好ましくは、上記のように、KFおよびHFの付加物を電解質塩として使用して、HFの電気分解によって行われる。代替的に、フッ素元素は、高い原子価を有する金属フッ化物から分解され得る。例えば、MnF4が加熱されて分解され、MnFxを生成しながらF2を生じ得る。ここでxは、およそ3である。精製の工程予定される場合は、例えば、特にHFが除去され得る、蒸留の工程を含む。代わりにまたはさらに、HFを除去するためにフッ素はNaFと接触され得る。貯蔵の工程予定される場合は、好ましくは、好適なタンク例えば、ステンレス鋼ボトル中でのフッ素元素の貯蔵を意味する。送達の工程は、好ましくは、フッ素を製造装置からパイプを通して使用場所に送ることを意味する。本発明の方法は、二酸化炭素、窒素および酸素の含有量が製造直後の二酸化炭素、窒素および酸素の含有量よりも高くないフッ素元素の使用場所への送達を可能にする。F2を生成し送達するために使用される装置においては、真空連結部を間に有する二重遮断弁doubleisolationvalveが安全性を向上させる。本発明の方法の利点は、製造されたF2が、使用場所に送達された時にその純度を維持していることである。したがって、製造されたF2は、一旦上に示されたように精製されてから、使用場所に送達され得る。その送達後は、送達されたF2の精製のための追加的な工程は、必要ない。したがって、本方法の好ましい実施形態は、1つまたは複数の精製の工程が、いずれもF2の使用場所への送達後にそれを精製するために行われることはないことを特徴とする。特に好ましくは、窒素、酸素、空気、湿気または二酸化炭素を除去するための1つまたは複数のF2精製の工程は、使用場所へのF2の送達後に行われることはない。湿気H2OがF2とOF2およびHFの形成下で反応することが予想されることが留意されなければならない。したがって、用語湿気は、H2OのF2との反応生成物、特にHFおよびOF2を含む。それらは形成されないので、除去されることはない。本発明の方法は、フッ素の現場製造に特に好適である。現場製造において、フッ素は、現場で製造され、所望される場合は貯蔵工程なしで、同じ現場の使用場所に直接送達される。好ましくは、使用場所は、そこでフッ素元素が、半導体、MEMS、太陽電池およびTFTフラットパネルディスプレイの製造において熱もしくはプラズマ支援エッチング剤として使用されるか、または半導体、MEMS、太陽電池およびTFTフラットパネルディスプレイの製造において使用される処理チャンバーの熱もしくはプラズマ支援洗浄のために使用されるか、または前記製造およびチャンバー洗浄の両方のために使用されるところのプラントである。プラズマは、エッチングチャンバーにおいて直接生成されたローカルプラズマ、またはプラズマ源を有する別個のチャンバーにおいて生成されたリモートプラズマである。したがって、好ましくは、フッ素元素は、半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造における使用のために、現場で製造され、送達される。より好ましくは、フッ素元素は、半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造において、現場で、2~3バール絶対の圧力下、KFおよびHFの付加物の存在下でのHFの電気分解によって製造され、精製され、エッチング液としてエッチングチャンバー中に送達されるか、またはチャンバー洗浄剤として、半導体、MEMS、太陽電池およびTFTの製造のために使用される熱もしくはプラズマ支援エッチングチャンバー特にチャンバーがプラズマエッチングチャンバーである場合中に送達される。特に好ましくは、F2は、その電解生成の間も、前記圧力下にある。フッ素は、所望される場合は、国際公開第2004/009873号パンフレットに記載されているようなフッ素生成カセット中で、製造され得る。所望される場合は、カセットは、そこでエッチングが行われるところの1つもしくは複数の処理チャンバーに1つずつ配分され得るか、または複数のフッ素生成カセットが、そうしたチャンバーに連結されたフッ素ガス分配システムに連結される。フッ素は、好ましくは、1つまたは複数の処理チャンバーと、特に好ましくは固形物の除去のための手段例えば、上記のようなフリットを含む精製ユニットおよび/またはHFのための吸着剤を含むキャニスターもしくは塔もしくはHF分離のための冷却分離機を介して、流体連結された装置において、電気分解により、その使用場所の現場で生成される。所望される場合は、フッ素発生装置は、使用場所としての処理チャンバーの近くに例えば、この距離は、500m以下であり得、しばしば場合により50m以下である設置され、処理チャンバーのすぐ近くに例えば、10m以下の距離にあり得る。したがって、好ましくは、生成されたフッ素元素は、タンクにも、次いで送達ラインから分離される加圧ボトルにも詰められない。所望される場合は、フッ素は、送達ラインに接続されたままのタンクまたはボトルにのみ、貯蔵される。当該方法は、例えば2010年9月15日に出願された米国仮特許出願第61/383533号明細書および2010年9月16日に出願された同第61/383204号明細書に記載されているようなスキッド概念に従うプラントにおいて、実施され得る。そこに記載されているプラントは、フッ素ガスを反応物として利用するツールに、このツールにおいて化学反応を行うためにフッ素ガスを供給するものであり、当該装置は、-スキッド1として示される、少なくとも1つのHF用貯蔵タンクを含むスキッド搭載モジュール、-スキッド2として示される、少なくとも1つのF2製造用電解槽を含むスキッド搭載モジュール、-スキッド3として示される、F2を精製するための精製手段を含むスキッド搭載モジュール、-スキッド4として示される、フッ素ガスを使用場所に送達する手段を含むスキッド搭載モジュール、-スキッド5として示される、冷却水回路を含むスキッド搭載モジュール、-スキッド6として示される、排ガスを処理する手段を含むスキッド搭載モジュール、-スキッド7として示される、F2の分析のための手段を含むスキッド搭載モジュール、および-スキッド8として示される、電解槽を動作させる手段を含むスキッド搭載モジュールからなる群から選択される少なくとも1つのスキッド搭載モジュールを含むスキッド搭載モジュールを含む。スキッドの利点は、例えば、それらは工場試験前に、製造され、配管され、配線され、互いに組み立てられることである。スキッド間のインターフェースが最小限に抑えられるように、かつそれぞれのスキッド中の全ての部品が、保守、点検または修理のために可能な限り容易にアクセスできるように、スキッドが構築されると好ましい。本発明の方法は、特に現場で適用される場合に、製造され送達されるべきフッ素元素を、空気、すなわち酸素、窒素、二酸化炭素および湿気の侵入の危険およびF2のそれぞれの汚染なしに、供給することを可能にする。参照により本明細書に援用されるいずれの特許、特許出願、および刊行物の開示も、それがある用語を不明確にし得るほどまでに、本出願の記載と矛盾する場合は、本出願の記載が優先するものとする。以下の実施例は、本発明を限定することなく、本発明を詳細に説明することが意図されるものである。実施例1:現場でのフッ素元素の送達1.フッ素元素の製造:KF2HFを、電解槽に入れ、約80~120°Cまで加熱し、そこで溶融させる。HFを電解槽中に供給し、8~12Vの範囲内の電圧を印加し、80~100°Cの間の温度範囲内に維持されたHFと溶融した電解質塩との組成物に電流を流す。フッ素元素および水素元素が、それぞれの電極室に形成する。フッ素元素を、モネルメタルフリットに通して固形物を除去し、コンプレッサーで約2.5絶対バール約250kPaの圧力まで圧縮し、NaF床に通してHFを除去する。2.加圧フッ素の送達圧縮したフッ素を、パイプ中、前記圧力下で、現場に設けられた設備に直接送る。この設備において、フッ素元素は、半導体の製造のための工程において、PECVDプラズマ強化蒸着の間に堆積したシリコン含有残留物層からのプラズマチャンバーの清浄化のために利用される。フッ素は、製造装置からフッ素が利用される設備まで、周囲圧力より高い圧力下で維持されるので、空気はフッ素を汚染せず、酸素、酸素含有不純物、窒素および二酸化炭素の低いレベルは、本質的に同じままである。実施例2:加圧下でのフッ素元素の製造および送達1.フッ素元素の製造:KF2HFを、電解槽に入れ、約80~120°Cまで加熱し、そこで溶融させる。HFを電解槽中に供給し、8~12Vの範囲内の電圧を印加し、80~100°Cの間の温度範囲内に維持されたHFと溶融した電解質塩との組成物に電流を流す。フッ素元素および水素元素が、それぞれの電極室に形成する。F2を、槽中およそ2.5絶対バール約250kPaの圧力下で維持する。F2を、モネルメタルフリットに通し、ジェットスクラバー中で、約-80°Cの温度で維持された液体HFと接触させて固形物主として、およその組成KF2HFを有する同伴固体電解質塩を除去し、-80°Cまで冷却されたトラップに通し、次いでNaF床に通してHFを除去する。2.フッ素の送達F2を、パイプ中、約2.5絶対バールの前記圧力下で、現場に設けられた設備に直接送る。この設備において、F2は、半導体の製造のための工程において、PECVDプラズマ強化蒸着の間に堆積したシリコン含有残留物層からのプラズマチャンバーの清浄化のために利用される。フッ素は、製造装置からフッ素が利用される設備まで、周囲圧力より高い圧力下で維持されるので、空気はフッ素を汚染せず、酸素、酸素含有不純物、窒素および二酸化炭素の低いレベルは、送達の工程の間、本質的に同じままである。