誘導性構造であって、半導体構造に粘着的に取り付けられる第1のコア構造、前記第1のコア構造の上面に接する第1の非導電性層、前記第1の非導電性層に接し、前記第1のコア構造の上にあるコイル、前記コイルの上面に接する第2の非導電性層、及び前記第2の非導電性層に接し、前記第1のコア構造の直上にある第2のコア構造、を含む、誘導性構造。請求項1に記載の誘導性構造であって、前記第1のコア構造のどの部分も前記コイルの任意のループ間にない、誘導性構造。請求項2に記載の誘導性構造であって、前記コイルのループが、前記第2のコア構造の第1の部分と第2の部分との間にある、誘導性構造。請求項3に記載の誘導性構造であって、前記半導体構造がキャビティを含み、前記第1のコア構造が前記キャビティ内にある、誘導性構造。請求項4に記載の誘導性構造であって、前記第1の非導電性層が前記キャビティ内にある、誘導性構造。請求項1に記載の誘導性構造であって、前記コイルが、前記第1の非導電性層に接する第1のコイル構造、前記第1のコイル構造に接する第3の非導電性層、及び前記第3の非導電性層に接し、前記第1のコイル構造の直上にある第2のコイル構造であって、前記第1のコイル構造に電気的に接続されている前記第2のコイル構造、を含む、誘導性構造。請求項1に記載の誘導性構造であって、前記第2のコア構造が前記第2の非導電性層に粘着的に取り付けられる、誘導性構造。請求項1に記載の誘導性構造であって、前記半導体構造に粘着的に取り付けられる集積回路を更に含む、誘導性構造。請求項8に記載の誘導性構造であって、前記集積回路が前記コイルに電気的に接続される、誘導性構造。請求項9に記載の誘導性構造であって、前記コイルに接する第1の金属構造、前記第1の金属構造に接し、前記第1の金属構造の直上にある第2の金属構造、及び前記第2の金属構造及び前記集積回路に接する第3の金属構造、を更に含む、誘導性構造。誘導性構造を形成する方法であって、半導体構造に接するように第1のコア構造を配置すること、前記第1のコア構造の上面に接するように第1の非導電性層を形成すること、前記第1の非導電性層に接し、前記第1のコア構造の上にあるようにコイルを形成すること、前記コイルの上面に接するように第2の非導電性層を形成すること、及び前記第2の非導電性層に接するように第2のコア構造を配置すること、を含む、方法。請求項11に記載の方法であって、前記第1のコア構造が、前記半導体構造に粘着的に取り付けられ、及び前記第2のコア構造が、前記第2の非導電性層に粘着的に取り付けられる、方法。請求項11に記載の方法であって、前記第1のコア構造のどの部分も前記コイルの任意のループ間にない、方法。請求項13に記載の方法であって、前記コイルのループが、前記第2のコア構造の第1の部分と第2の部分との間にある、方法。請求項14に記載の方法であって、前記半導体構造内にキャビティを形成することを更に含み、前記第1のコア構造が前記キャビティ内にある、方法。請求項11に記載の方法であって、前記コイルを形成することが、前記第1の非導電性層に接するように第1のコイル構造を形成すること、前記第1のコイル構造に接するように第3の非導電性層を形成すること、及び前記第3の非導電性層に接し、前記第1のコイル構造の直上にあるように第2のコイル構造を形成することであって、前記第2のコイル構造が、前記第1のコイル構造に電気的に接続されること、を含む、方法。請求項11に記載の方法であって、集積回路を前記半導体構造に取り付けることを更に含む、方法。請求項17に記載の方法であって、前記第1の非導電性層内に、前記第1のコア構造を露出させる開口を形成することを更に含む、方法。請求項18に記載の方法であって、前記頂部コアセクションが前記第1の開口内にある、方法。請求項19に記載の方法であって、前記コイルに接する第1の金属構造を形成すること、前記第1の金属構造に接し、前記第1の金属構造の直上にある第2の金属構造を形成すること、及び前記第2の金属構造及び前記集積回路に接する第3の金属構造を形成すること、を更に含む、方法。図1A~図1Bから図20A~図20Bは、本発明に従ってインダクタ100を形成する方法の一例を図示する一連の図を示す。図1A~図20Aは一連の平面図であり、図1B~図20Bは、それぞれ図1A~図20Aにおける線1B~20Bによる一連の断面図である。これ以降により詳細に説明するように、コア構造が、半導体構造の上にある厚いコイル構造と統合されて、改善されたインダクタンスを提供する。図1A~図1Bに図示するように、インダクタ100を形成する方法は、従来のように形成された半導体ウエハ110を利用する。ウエハ110は、シリコンなどの導電性材料、又は石英又はG10-FR4などの非導電性材料で実装され得る。図1A~図1Bに更に示すように、この方法は、パターニングされたフォトレジスト層112をウエハ110の上面上に形成することから始まる。パターニングされたフォトレジスト層112は従来の方式で形成され、この方式は、フォトレジストの層を堆積すること、マスクとして知られるパターニングされた黒/透明ガラスプレートを介して光を投射して、光に曝されたフォトレジスト領域を軟化させるフォトレジストの層上に、パターニングされた画像を形成すること、及び軟化されたフォトレジスト領域を取り除くことを含む。図2A~図2Bに図示するように、パターニングされたフォトレジスト層112が形成された後、ウエハ110の露出された領域が従来の方式でエッチングされて、ウエハ110内にキャビティ114を形成する。キャビティ114の形成に続いて、パターニングされたフォトレジスト層112が従来の方式で取り除かれる。ウエハ110が導電性である場合、キャビティ114の底面が非導電性であるようにキャビティ114をライニングするlineよう、酸化物又はプラズマ窒化物などのコンフォーマル非導電性材料を、任意でウエハ110上に形成することができる。次に、図3A~図3Bに示すように、底部コアセクション120が、キャビティ114内に配置され、キャビティ114の底面に取り付けられる。底部コアセクション120は、従来のピックアンドプレースマシンを用いてキャビティ114内に配置され得、例えば、ダイ取り付けフィルムなど、従来の導電性又は非導電性の接着材を用いて、従来の方式で取り付けられる。ダイ取り付けフィルムは、例えば、25μmの厚みであり得る。また、個別のプロセスで従来の方式で形成される底部コアセクション120は、例えば、CoNiFeの電気めっきされた合金又はNiZn及びMnZnなどのソフトフェライトで実装され得る。図4A~図4Bに図示するように、底部コアセクション120がキャビティ114の底面に取り付けられた後、非導電性層122が底部コアセクション120及びウエハ110上に堆積される。図示するように、非導電性層122は、キャビティ114の残りも充填する。非導電性層122が堆積された後、底部コアセクション120の上面を露出させるため、多数の開口124が非導電性層122内に形成される。本例では、非導電性層122は、実質的に自己平坦化する、SU-8などの感光性photoimageableエポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又は重合体が堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層122の領域を軟化させる非導電性層122上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層122の軟化された領域を取り除くことによって、開口124が形成される。開口124の形成に続いて、図5A~図5Bに示すように、コイル構造126が、底部コアセクション120の一部の上にあるように、非導電性層122上に形成される。図6A~図6Bに示すように、コイル構造126は、まず、開口124をライニングしかつ底部コアセクション120の上面に接するように、非導電性層122上にシード層130を形成することにより形成される。例えば、シード層130は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層130が形成されると、シード層130の上面上にめっきモールド132が形成される。めっきモールド132は開口を有し、この開口は、シード層130の一部を露出させ、形成されるべきコイル構造の形状を画定する。図7A~図7Bに図示するように、めっきモールド132の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、電気めっきにより銅が堆積されて、コイル構造126を形成する。図8A~図8Bに示すように、電気めっきの後、めっきモールド132及び下にあるシード層130の領域が取り除かれる。コイル構造126が形成された後、図9A~図9Bに示すように、コイル構造126と、非導電性層122と、底部コアセクション120の上面との上に非導電性層140が堆積される。非導電性層140が堆積された後、多数の開口142が非導電性層140内に形成される。本例では、非導電性層140は、実質的に自己平坦化される、SU-8などの感光性エポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又は重合体が堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層140の領域を軟化させる非導電性層140上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層140の軟化された領域を取り除くことによって、開口142が形成される。コイル構造126が、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚い場合、コイル構造126はインダクタ100のコイルを形成する。この場合、開口142は、開口124により予め露出された底部コアセクション120の上面の同じ領域を露出させる開口142Eのみを含む。一方、コイル構造126が、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚くない場合、開口142は、図9A~図9Bに示すようにコイル構造126を露出させるトレンチ開口142Tを更に含む。本例では、トレンチ開口142Tは、コイル構造126の一端からコイル構造126の他端までコイル構造126の上面を露出させる。代替として、トレンチ開口142Tを形成するのではなく、コイル構造126の上面を露出するため、多数の離間したビア開口が形成されてもよい。図10A~図10Bに図示するように、コイル構造126が充分に厚くない場合、コイル構造126上にコイル構造144が形成されて一層厚いコイルを提供する。図11A~図11Bに示すように、コイル構造144は、まず、開口142をライニングし、かつコイル構造126と底部コアセクション120の上面とに接するように、非導電性層140上にシード層150を形成することにより形成される。例えば、シード層150は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層150が形成されると、シード層150の上面上にめっきモールド152が形成される。めっきモールド152は開口を有し、この開口は、シード層150の一部を露出させ、形成されるべきコイル構造の形状を画定する。図12A~図12Bに図示するように、めっきモールド152の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、電気めっきにより銅が堆積されて、コイル構造144を形成する。コイル構造144は、トレンチ開口142T又は任意のビア開口内に形成される銅を含む。図13A~図13Bに示すように、電気めっきの後、めっきモールド152及び下にあるシード層150の領域が取り除かれる。コイル構造144が形成された後、図14A~図14Bに示すように、コイル構造144と、非導電性層140と、底部コアセクション120の上面との上に非導電性層154が堆積される。非導電性層154が堆積された後、非導電性層154内に多数の開口156が形成される。本例では、非導電性層154は、実質的に自己平坦化される、SU-8などの感光性エポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又はポリマーが堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層154の領域を軟化させる非導電性層154上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層154の軟化された領域を取り除くことによって、開口156が形成される。コイル構造126及びコイル構造144の組み合わせが、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚い場合、コイル構造126及びコイル構造144の組み合わせは、インダクタ100のコイルを形成する。この場合、開口156は、開口124及び142Eにより予め露出された底部コアセクション120の上面の同じ領域を露出させる開口156Eのみを含む。一方、コイル構造126及びコイル構造144の組み合わせが、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚くない場合、開口156は、図14A~図14Bに示すようにコイル構造144を露出させるトレンチ開口156Tを更に含む。本例では、トレンチ開口156Tは、コイル構造144の一端からコイル構造144の他端までコイル構造144の上面を露出させる。代替として、トレンチ開口156Tを形成するのではなく、コイル構造144の上面を露出させるための多数の離間したビア開口が形成されてもよい。図15A~図15Bに図示するように、コイル構造126及びコイル構造144の組み合わせが充分に厚くない場合、コイル構造144上にコイル構造160が形成されて一層厚いコイルを提供する。図16A~図16Bに示すように、コイル構造160は、まず、開口156をライニングし、かつ、コイル構造144と底部コアセクション120の上面とに接するよう、非導電性層154上にシード層162を形成することによって、形成される。例えば、シード層162は、300Åのチタン、3000Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層162が形成されると、シード層162の上面上にめっきモールド164が形成される。めっきモールド164は開口を有し、この開口は、シード層162の一部を露出させ、形成されるべきコイル構造の形状を画定する。図17A~図17Bに図示するように、めっきモールド164の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、電気めっきにより銅が堆積されて、コイル構造160を形成する。コイル構造160は、トレンチ開口156T又は任意のビア開口内に形成される銅を含む。図18A~図18Bに示すように、電気めっきの後、めっきモールド164及び下にあるシード層162の領域が取り除かれる。コイル構造160が形成された後、図19A~図19Bに示すように、コイル構造160と、非導電性層154と、底部コアセクション120の上面との上に非導電性層170が堆積される。非導電性層170が堆積された後、非導電性層170内に多数の開口172が形成される。本例では、非導電性層170は、実質的に自己平坦化される、SU-8などの感光性エポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又はポリマーが堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層170の領域を軟化させる非導電性層170上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層170の軟化された領域を取り除くことによって、開口172が形成される。コイル構造126、コイル構造144、及びコイル構造160の組み合わせが、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚くない場合、開口172は、コイル構造160と底部コアセクション120の上面との両方を露出させる。これに続き、組み合わされたコイル構造が、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚いコイルを形成するまで、上に重なる非導電性の層を備えた付加的なコイル構造が上述と同じ方式で形成される。一方、本例のように、コイル構造126、コイル構造144、及びコイル構造160の組み合わせが、要求されるインダクタンスを提供するのに充分に厚い場合、コイル構造126、コイル構造144、及びコイル構造160の組み合わせは、インダクタ100のコイルを形成する。この場合、図19A~図19Bに示すように、開口172は、底部コアセクション120の上面のみを露出させる。底部コアセクション120の上面を露出させるように頂部コイル構造に接する非導電性層内に開口が形成されると、開口内に頂部コアセクションが配置される。本例では、図20A~図20Bに示すように、頂部コアセクション180が、開口172内に配置され、非導電性層170の上面のセクションSSに沿って非導電性層170の上面に取り付けられて、インダクタ100の形成を終了する。本例では、頂部コアセクション180は、底部コアセクション120に接していてもよいが、それに取り付けられない。頂部コアセクション180は、従来のピックアンドプレースマシンを用いて開口172内に配置され得、例えば、ダイ取り付けフィルムなど、従来の導電性又は非導電性の接着材を用いて、従来の方式で取り付けられ得る。ダイ取り付けフィルムは、例えば、20μmの厚みであり得る。また、個別のプロセスで従来の方式で形成される頂部コアセクション180は、例えば、CoNiFeの電気めっきされた合金又はNiZn及びMnZnなどのソフトフェライトで実装され得る。頂部コアセクション180が、開口172内に配置され、非導電性層170の上面に粘着的に取り付けられて、インダクタ100の形成を終了した後、製造は、上に重なるパッシベーション層の形成、及び/又は、例えば、本例ではコイル構造160の端部など、コイルの端部の上面を露出させる開口の形成など、従来のバックエンド処理工程で継続する。また、コイルの端部が露出されると、ワイヤボンドの接着を改善するため、ダイシング及びワイヤボンディング前に、アルミニウム、アルミニウム銅、又は金などの金属がコイルの端部上に形成され得る。このように、底部及び頂部コアセクション120及び180を取り付けるために従来のピックアンドプレース技術を利用することにより厚いコアを、及び多数のコイル構造を利用することにより厚いコイルを形成する、インダクタを形成する方法を説明してきた。上述のように、用いられるコイル構造の数は、必要とされるコイルの厚みに依存する。このため、コイル構造126単独、コイル構造126及び144の組み合わせ、コイル構造126、144、及び160の組み合わせ、又はコイル構造126、144、160、及び一つ又は複数の付加的なコイル構造の組み合わせを、必要とされるコイルの厚みに応じて用いることができる。本発明の一つの利点は、1つ又は複数のコイル構造でつくられるインダクタ100の厚いコイルが低抵抗を有し、これにより、インダクタ100が大きな電流を搬送することが可能となることである。また、別の利点は、大きな電流容量と組み合わされた厚いコアは、品質係数を増大させることである。図21A~図21Dから図37A~図37Dは、本発明に従って、集積された誘電性デバイス2100を形成する方法の一例を図示する一連の図である。図21A~図37Aは一連の平面図であり、図21B~図37Bは、それぞれ図21A~図37Aにおける線21B~図37Bによる一連の断面図であり、図21C~図37Cは、それぞれ図21A~図37Aにおける線21C~図37Cによる一連の断面図であり、図21D~図37Dは、それぞれ図21A~図37Aにおける線21D~図37Dによる一連の断面図である。集積された誘電性デバイス2100を形成する方法は、図1A~図1Bから図8A~図8Bに示す方法と同じ工程に従い、まず、非導電性層のパターニング及び頂部の次のnexttothetopコイル構造の後続の形成の点で異なり、これらは、本例では非導電性層140及びコイル構造144である。図21A~図21Dから図24A~図24Dの非導電性層のパターニング及び頂部の次のコイル構造の後続の形成は、下記の点で、図9A~図9Bから図13A~図13Bの非導電性層140のパターニング及びコイル構造144の後続の形成とは異なる。つまり、図21A~図21Dに示すように、非導電性層140をパターニングするために用いられるマスクが、トレンチ開口142Tの代わりにトレンチ開口2120、2122、及び2124を、及び付加的な集積回路IC開口2126を形成するように改変される。開口142Eも前述のように形成される。代替として、トレンチ開口2120、2122、及び2124の代わりに、ビア開口が形成されてもよい。トレンチ開口2120は、コイル構造126と非導電性層122の上面との両方を露出させ、トレンチ開口2122は、非導電性層122の上面のみを露出させ、トレンチ開口2124は、コイル構造126のみを露出させる。また、IC開口2126は、非導電性層122の上面のみを露出させる。また、図22A~図22Dに示すように、めっきモールド152が、トレンチ開口2120、2122、及び2124及びIC開口2126を露出させるように、及びトレンチ開口2122をA地点でトレンチ開口2124の端部に接続するように、改変される。その結果、図23A~図23D及び図24A~図24Dに示すように、電気めっきにより、コイル構造144の代わりにコイルセクション2130及び2132が、及びICヒートシンク2134が形成される。トレンチ開口又は任意のビア開口内に形成される銅を含むコイルセクション2130及び2132は、コイル構造126により共に電気的に接続される。また、コイルセクション2130は、コイル部2130C及びトレース部2130Tを含み、一方、コイルセクション2132は、コイル部2132C及びトレース部2132Tを含む。このため、図23C及び図24Cに示すように、コイルセクション2130及び2132及びコイル構造126を含むコイルは、コイルセクション2132が、A地点でコイル構造126のループをまたいでコイル構造126の内側端部への接続を提供する点で、コイル構造126及び144を含むコイルとは異なる。集積された誘電性デバイス2100を形成する方法は、次に、非導電性層のパターニング及び頂部コイル構造の後続の形成の点で異なり、これらは、本例では、非導電性層154及びコイル構造160である。図25A~図25Dから図28A~図28Dの非導電性層のパターニング及び頂部コイル構造の後続の形成は、下記の点で、図14A~図14Bから図18A~図18Bの非導電性層154のパターニング及びコイル構造160の後続の形成とは異なる。つまり、図25A~図25Dに示すように、非導電性層154をパターニングするために用いられるマスクが、トレンチ開口156Tの代わりに、トレンチ開口2140及び2142を、及び付加的なIC開口2144を形成するように改変される。開口156Eも前述のように形成される。代替として、トレンチ開口2140及び2142の代わりにビア開口が形成されてもよい。トレンチ開口2140は、コイルセクション2130をコイルセクションの一端からコイルセクション2130の他端まで露出させ、トレンチ開口2142は、コイルセクション2132をコイルセクション2132の一端からコイルセクション2132の他端まで露出させ、IC開口2144は、ヒートシンク2134の上面を露出させる。また、図26A~図26Dに示すように、めっきモールド164が、トレンチ開口2140及び2142を露出させるように改変される。このため、図27A~図27D及び図28A~図28Dに示すように、電気めっきにより、コイル構造160の代わりに、コイルセクション2150及び2152が形成される。トレンチ開口又は任意のビア開口内に形成される銅を含むコイルセクション2150及び2152は、コイルセクション2130及び2132及びコイル構造126により共に電気的に接続される。また、コイルセクション2150は、コイル部2150C及びトレース部2150Tを含み、コイルセクション2152は、コイル部2152C及びトレース部2152Tを含む。集積された誘電性デバイス2100を形成する方法は、次に、非導電性層170のパターニングの点で異なる。図29A~図29Dの非導電性層170のパターニングは、下記の点で、図19A~図19Bの非導電性層170のパターニングとは異なる。つまり、図29A~図29Dに示すように、非導電性層170をパターニングするために用いられるマスクが、開口172のほかにIC開口2156及び相互接続開口2158を形成するように改変される。開口172、2156、及び2158の形成に続いて、図30A~図30Dに示すように、頂部コアセクション180が、開口172内に配置され、図20A~図20Dに図示したのと同じ方式で非導電性層170の上面に取り付けられる。また、本発明に従って、図30A~図30Dに更に示すように、頂部コアセクション180が取り付けられた後、IC2160が、開口2156内に配置され、ヒートシンク2134に取り付けられる。IC2160は、バックコンバータなどのインダクタを利用する任意のICで実装され得、IC2160を形成するダイシング前にウエハをバックグラインドすることにより必要に応じて薄化され得る。また、IC2160は、インダクタパッドP1及びP2、及びパッドD1及びD2を含む多数のオペレーティングパッドを有する。オペレーティングパッドは、入力/出力、電力、及び接地パッドを含む。明確にするため2つのオペレーティングパッドのみが示されている。更に、IC2160は、従来のピックアンドプレースマシンを用いて開口2156内に配置され得、例えば、ダイ取り付けフィルムなどの従来の導電性又は非導電性の接着材を用いて、従来の方式で取り付けられ得る。ダイ取り付けフィルムは、例えば、25μmの厚みであり得る。代替として、頂部コアセクション180及びIC2160の取り付け順序は逆にされてもよい。このため、頂部コアセクション180及びIC2160を取り付けるために順次的ピックアンドプレースオペレーションが用いられ、それにより、ピックアンドプレースオペレーションを実行するために中断される必要があるプロセスフロー回数が最小化される。図31A~図31Dに図示するように、IC2160が、開口2156内に配置され、ヒートシンク2134に取り付けられた後、この方法は、非導電性層2162を非導電性層170、頂部コアセクション180、及びIC2160上に堆積することにより継続する。また、非導電性層2162は、開口2156及び開口172も充填する。非導電性層2162が堆積された後、コイルセクション2150及び2152の上面を露出させるように非導電性層2162内に一対の開口2164が形成され、パッドP1及びP2の上面を露出させるように一対の開口2166が形成され、パッドD1及びD2の上面を露出させるように開口2168が形成される。本例では、非導電性層2162は、実質的に自己平坦化されるSU-8などの感光性エポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又はポリマーが堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層2162の領域を軟化させる非導電性層2162上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層2162の軟化された領域を取り除くことによって、開口2164、2166、及び2168が形成される。この後、図32A~図32Dに示すように、開口2164、2166、及び2168をライニングするように、非導電性層2162上にシード層2170形成される。例えば、シード層2170は、300Åのチタン、300Åの銅、及び300Åのチタンを堆積することによって形成され得る。シード層2170が形成されると、シード層2170の上面上にめっきモールド2172が形成される。図33A~図33Dに図示するように、めっきモールド2172の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、電気めっきにより銅が堆積されて、コイルセクション2150及びパッドP1に接続される金属ライン2174、コイルセクション2152及びパッドP2に接続される金属ライン2176、パッドD1に接続される金属ライン2180、及びパッドD2に接続される金属ライン2182を形成する。図34A~図34Dに示すように、電気めっきの後、めっきモールド2172及び下にあるシード層2170の領域が取り除かれる。図35A~図35Dに図示するように、金属ライン2174、2176、2180、及び2182が形成された後、非導電性層2162の上面とライン2174、2176、2180、及び2182とに接するように、非導電性層2184が堆積される。非導電性層2184が堆積された後、パッドD1及びD2の上面を露出させるため、非導電性層2184内に開口2186が形成される。本例では、非導電性層2184は、実質的に自己平坦化されるSU-8などの感光性エポキシ又はポリマーの層で形成される。感光性エポキシ又はポリマーが堆積されると、マスクを介して光を投射して、光に曝された非導電性層2184の領域を軟化させる非導電性層2184上に、パターニングされた画像を形成し、その後、非導電性層2184の軟化された領域を取り除くことによって、開口2186が形成される。これに続き、図36A~図36Dに示すように、アルミニウム、アルミニウム銅、又は金などの金属層2190が、非導電性層2184及び金属構造2180及び2182上に堆積される。図37A~図37Dに示すように、金属層2190が堆積された後、金属層2190が非導電性層2184の上面から取り除かれて、金属キャップ2192を形成し、集積されたインダクタデバイス2100の形成を完了する。金属キャップ2192を形成した後、製造は、ウエハ110をダイシングし、はんだボール2194又はワイヤボンド2196を金属キャップ2192に取り付けるなど、従来のバックエンド処理工程で継続する。金属キャップ2192は、はんだボール2194又はワイヤボンド2196の接着を改善する。このように、共通ウエハ上にインダクタ及びICを形成する、集積された誘電性デバイスを形成する方法を説明してきた。また、この方法は、底部及び頂部コアセクション120及び180を取り付けるために従来のピックアンドプレース技術を利用することにより厚いコアを備えたインダクタを形成し、ICを取り付けるためピックアンドプレース技術も用いる。更に、この方法は、コイル構造及び多数のコイルセクションを利用することにより、厚いコイルを備えたインダクタを形成する。このため、必要とされるコイルの厚みに応じて、コイル構造126及びコイルセクション2130及び2132の組み合わせ、コイル構造126及びコイルセクション2130、2132、2150、及び2152の組み合わせ、又はコイル構造126、コイルセクション2130、2132、2150、及び2152、及び多数の付加的なコイルセクションの組み合わせ、を用いることができる。本例の利点の1つは、本例が、インダクタ及びIC間の非常に低抵抗接続を提供するため、厚いトレース部、即ち、コイルセクション2130及び2150のトレース部2130T及び上にあるトレース部2150T、及びコイルセクション2132及び2152のトレース部2132T及び上にあるトレース部2152T、の利用を図示することである。このように、集積された誘電性デバイス2100の厚いコイル及び厚いトレース部は非常に低抵抗を有し、これにより、集積された誘電性デバイス2100が大きな電流を搬送することが可能となる。その結果、別の利点は、大きな電流容量と組み合わされた厚いコアが品質係数を増大させることである。更に、インダクタ及びICを搬送するための単一のウエハの利用は、ディスクリートデバイスに比べてデバイスを実装するため必要とされる面積を実質的に低減する。1つのICを説明するが、更なる集積デバイスを提供するため、同じ又は多数の層内の多数のICを代替的にウエハ110に取り付けることもできる。図38A及び図38Bは、本発明の代替の一実施例に従って変圧器3800の一例を図示する図である。図38Aは平面図であり、図38Bは、図38Aの断面図である。図38A~図38Bは、図5A~図5Bに類似し、そのため、両方に共通の構造を示すために同じ参照符号を用いる。図38A~図38Bに図示するように、めっきモールド132を改変することにより、単一のコイル構造126の代わりに、第1のコイル構造3810及び第2のコイル構造3812が形成され得る。同様に、めっきモールド152を改変することにより、コイル構造144の代わりに2つのコイル構造が形成され得る。このため、インダクタを形成する図1A~図20Aから図1B~図20Bに示した方法の代わりに、この方法は、代替的に変圧器を形成し得る。また、集積された変圧器デバイスは、コイル構造、コイルセクション、及び金属構造の各々を1つではなく2つの要素として形成することによって形成されてもよい。上述の説明は、本発明の例であり、本明細書に記載の本発明の種々の代替例を本発明を実施するために用いることが可能であることを理解されたい。このため、後に続く特許請求の範囲が本発明の範囲を定義すること、及びこれらの特許請求の範囲及びそれらの等価物の範囲内の構造及び方法がここに含有されることを意図している。