複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルのうち隣接した太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域と、を具備し、前記複数の太陽電池セルの各々は、透明基板上で隣接した前記太陽電池セルから電気的に分離される第1の電極層と、前記第1の電極層上で隣接した前記太陽電池セルから電気的に分離される第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層間の電気的及び光学的な第1の光電変換層及び第2の光電変換層と、前記第1の光電変換層と前記第2の光電変換層間との間導電性中間層と、を具備し、前記太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、前記第1の電極層の厚さを完全に通して伸張し、前記第1の光電変換層が充填される第1の分離溝と、前記第1の分離溝を充填する前記第1の光電変換層と前記導電性中間層の厚さを完全に通して伸張する第2の分離溝と、を具備することを特徴とする太陽電池モジュール。前記第2の光電変換層は、前記第2の分離溝を充填することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記第1の分離溝内の前記第1の電極層の側壁と第2の分離溝内の前記第2の光電変換層の側壁間に前記第1の光電変換層の一部分があることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池モジュール。前記太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、隣接した前記太陽電池セルの前記第2の電極層から前記第2の電極層を電気的に分離する第3の分離溝と、前記第3の分離溝の幅より大きい幅を有し、前記第1の光電変換層及び前記中間層を隣接した前記太陽電池セルの第1の光電変換層及び前記中間層から分離する第4の分離溝と、をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池モジュール。前記第3の分離溝の側壁と前記第4の分離溝の側壁間に前記第2の光電変換層の一部分があることを特徴とする請求項4に記載の太陽電池モジュール前記第1の電極層は、上部表面内に第1の凹状の表面を含み、前記第4の分離溝は、前記第1の電極層の前記第1の凹状の表面上にある実質的に円弧形状を有するボトムを含むことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池モジュール。前記第3の分離溝は、前記第4の分離溝の前記円弧のボトムと少なくとも1点又は一部分で接する実質的に円弧形状を有するボトムを含むことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池モジュール。前記第1の電極層は、上部表面内に第2の凹状の表面をさらに含み、前記太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、隣接した前記太陽電池セルの前記第1の電極層と前記第2の電極層とを電気的に接続する導電プラグと、前記第1の電極層の前記第2の凹状の表面と接する前記導電プラグのボトムと、をさらに具備することを特徴とする請求項7に記載の太陽電池モジュール。複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルの隣接した第1の太陽電池セル及び第2の太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域と、を具備し、前記複数の太陽電池セルの各々は、透明基板上の第1の電極層と、前記第1の電極層上の第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層間の第1の光電変換層及び第2の光電変換層と、前記第1の光電変換層と前記第2の光電変換層間の導電性中間層と、を具備し、前記複数の太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、前記第1の太陽電池セルの前記第1の電極層を前記第2の太陽電池セルの前記第1の電極層から分離する第1の分離溝と、前記第1の太陽電池セルの前記第2の電極層を前記第2の太陽電池セルの前記第2の電極層から分離する第2の分離溝と、前記第1の太陽電池セルの分離された前記第2の電極層を隣接した前記第2の太陽電池セルの分離された前記第1の電極層に電気的に接続する導電プラグと、前記第2の分離溝の幅より大きい幅を有する第3の分離溝と、を具備し、前記太陽電池セル分離領域の少なくとも1つで、分離された前記第1の電極層上の前記第2の光電変換層は、前記第2の分離溝により分離され、分離された前記第1の電極層上の前記第1の光電変換層及び前記中間層は、前記第3の分離溝により分離され、前記第3の分離溝の側壁と前記第2の分離溝の側壁間に分離された前記第2の光電変換層の一部分があることを特徴とする太陽電池モジュール。前記第1の電極層は、上部表面に第1の凹状の表面を含み、前記第3の分離溝は、前記第1の電極層の前記第1の凹状の表面上に位置する実質的に円弧形状を有するボトムを含むことを特徴とする請求項9に記載の太陽電池モジュール。前記第2の分離溝は、前記第3の分離溝の前記円弧と少なくとも1点又は一部分で接する実質的に円弧形状を有するボトムを含むことを特徴とする請求項10に記載の太陽電池モジュール。前記第1の電極層は、上部表面に第2の凹状の表面を含み、前記導電プラグは、分離された前記第1の電極層の前記凹状の表面と接するボトムを含むことを特徴とする請求項11に記載の太陽電池モジュール。隣接したセルが電気的に直列接続される複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルの隣接した太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域と、を具備し、前記複数の太陽電池セルの各々は、透明基板上の第1の電極層と、前記第1の電極層上の第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層上の導電性中間層と、前記導電性中間層上の第1の層と第2の層とを含む第2の光電変換層と、前記第2の層上の第2の電極層と、を具備し、前記複数の太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、前記第2の光電変換層の前記第1の層、前記中間層、及び前記第1の光電変換層を通して前記第1の電極層の表面から伸張する第1の分離溝と、を具備することを特徴とする太陽電池モジュール。前記第2の光電変換層の前記第2の層は、前記第1の分離溝を充填することを特徴とする請求項13に記載の太陽電池モジュール。前記複数の太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、前記第2の電極層を隣接した前記太陽電池セルの前記第2の電極層から分離する第2の分離溝と、前記第2の分離溝の幅より大きい幅を有し、前記第1の光電変換層、前記中間層、及び前記第2の光電変換層の前記第1の層を通して伸張する第3の分離溝と、前記第2の分離溝の側壁と前記第3の分離溝の側壁間に前記第2の光電変換層の前記第2の層の一部分とをさらに具備することを特徴とする請求項14に記載の太陽電池モジュール。前記太陽電池セル分離領域の少なくとも1つは、前記第1の分離溝と前記第2の分離溝間に、前記第2の光電変換層、前記中間層、及び前記第1の光電変換層を通して伸張する第4の分離溝と、をさらに具備することを特徴とする請求項15に記載の太陽電池モジュール。透明基板上に第1の電極層を形成し、前記第1の電極層を分離する第1の分離溝及び第2の分離溝を形成し、前記第1分離溝及び前記第2の分離溝を前記第1の電極層上に充填する第1の光電変換層を形成し、前記第1の光電変換層上に導電性中間層を形成し、前記導電性中間層及び前記第2の分離溝内に充填された前記第1の光電変換層を分離する第3の分離溝を形成することを特徴とする太陽電池セルの分離方法。前記導電性中間層及び前記第1の光電変換層を通して前記第3の分離溝に平行に伸張され、第4の分離溝のボトム上に第1の光電変換層の一部が残っているように前記第4の分離溝を形成することをさらに具備することを特徴とする請求項17に記載の太陽電池セルの分離方法。前記導電性中間層上に前記第4の分離溝を充填する第2の光電変換層を形成し、前記第2の光電変換層上に第2の電極層を形成し前記第4の分離溝を充填する前記第2の光電変換層及び前記第2の電極層を分離する第5の分離溝を形成することをさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の太陽電池セルの分離方法。前記第1分離溝及び前記第2の分離溝に平行に伸張し、前記第1の電極層のボトムに凹状を有するように第4の分離溝を形成し、前記第4の分離溝を前記第1の光電変換層で充填し、前記第4の分離溝を充填する前記第1の光電変換層と前記導電性中間層とを分離し、実質的に円弧形状を有するボトムを含む第5の分離溝を形成し、前記導電性中間層上に前記第5の分離溝を充填する第2の光電変換層を形成し、前記第2の光電変換層上に第2の電極層を形成し、前記第5の分離溝を充填する前記第2の光電変換層と前記第2の電極層とを分離し、実質的に円弧形状を有するボトムを含む第6の分離溝を形成することをさらに具備することを特徴とする請求項17に記載の太陽電池セルの分離方法。前記第2の分離溝と前記第4の分離溝間に位置し、前記第1の電極層上に凹形状を有する第7の分離溝を形成し、前記第7の分離溝を前記第1の光電変換層で充填し、前記第2の光電変換層、前記中間性導電層、及び前記第7の分離溝を充填する前記第1の光電変換層を分離し、実質的に円弧形状を有するボトムを含む第8の分離溝を形成することをさらに具備することを特徴とする請求項20に記載の太陽電池セルの分離方法。透明基板上に第1の電極層を形成し、前記第1の電極層を分離する第1の分離溝を形成し、前記第1の分離溝を前記第1の電極層上に充填する第1の光電変換層を形成し、前記第1の光電変換層上に導電性中間層を形成し、前記導電性中間層上に第2の光電変換層の第1の層を形成し、前記第1の光電変換層、前記導電性中間層、及び前記第1の層を分離する第2の分離溝及び第3の分離溝を形成し、前記第1の層上に前記第2の光電変換層の残りとして前記第2の分離溝及び前記第3の分離溝を充填する第2の層を形成し、前記第2の分離溝と前記第3の分離溝間に、前記第1の層と前記第2の層とを含む前記第2の光電変換層、前記導電性中間層、及び前記第1の光電変換層を分離する第4の分離溝を形成し、前記第2の層上に前記第4の分離溝を充填する第2の電極層を形成し、前記第3の分離溝を充填する前記第2の層と前記第2の電極層を分離する第5の分離溝を形成することを具備することを特徴とする太陽電池セルの分離方法。本発明の目的は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、分離領域がレーザエッチングにより形成される場合に発生する漏れ電流が減少した太陽電池モジュールを提供することにある。本発明の他の目的は、分離領域がレーザエッチングにより形成される場合に発生する漏れ電流が減少した太陽電池モジュールの太陽電池セルを分離する太陽電池モジュールの製造方法を提供することにある。本発明のまた他の目的は、分離領域がレーザエッチングにより形成される場合に発生するプラグ物質のリフティングオフ問題を減少させる太陽電池モジュールを提供することにある。本発明のさらなる他の目的は、分離領域がレーザエッチングにより形成される場合に発生するプラグ物質のリフティングオフ問題を減少させる太陽電池モジュールの太陽電池セルを分離する太陽電池モジュールの製造方法を提供することにある。本発明の一実施形態によれば、複数の太陽電池セルと、上記複数の太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域とを含む太陽電池モジュールを提供する。上記太陽電池セルの各々は、透明基板上にあり、隣接した太陽電池セルから電気的に分離される第1の電極層と、上記第1の電極層上にあり、上記隣接した太陽電池セルの第2の電極層から電気的に分離される上記第2の電極層と、上記第1の電極層と上記第2の電極層間の電気的及び光学的な第1の光電変換層及び第2の光電変換層と、上記第1の光電変換層と上記第2の光電変換層間の導電性中間層とを具備する。上記太陽電池セル分離領域の中の少なくとも1つは、上記第1の電極層を通して伸張する第1の分離溝と、上記第1の分離溝を充填する上記第1の光電変換層及び上記導電性中間層を通して伸張する第2の分離溝とを含む。本発明の一実施形態によれば、上記第1の分離溝内の上記第1の電極層の側壁と第2の分離溝内の上記第2の光電変換層の側壁間に上記第1の光電変換層の一部分が存在してもよい。本発明の他の実施形態によれば、複数の太陽電池セルと、隣接した第1の太陽電池及び第2の太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域とを含む太陽電池モジュールを提供する。上記複数の太陽電池セルの各々は、透明基板上の第1の電極層と、上記第1の電極層上の第2の電極層と、上記第1の電極層と上記第2の電極層間の第1の光電変換層及び第2の光電変換層と、上記第1の光電変換層と上記第2の光電変換層間の導電性中間層と、を具備する。上記太陽電池セル分離領域の中の少なくとも1つは、上記第1の電極層を分離する第1の分離溝と、上記第2の電極層を分離する第2の分離溝と、上記第1の太陽電池セルの上記分離された第2の電極層を上記隣接した第2の太陽電池セルの上記分離された第1の電極層に電気的に接続する導電プラグと、上記第2の分離溝の幅より大きい幅を有する第3の分離溝と、を具備する。上記分離された第1の電極層上の上記第2の光電変換層は、上記第2の分離溝により分離される。上記分離された第1の電極層上の上記第1の光電変換層及び上記導電性中間層は、上記第3の分離溝により分離される。上記第3の分離溝の側壁と上記第2の分離溝の側壁間に上記分離された第2の光電変換層の一部分が存在する。本発明のさらに他の実施形態によれば、隣接したセルが電気的に直列接続される複数の太陽電池セルと、上記隣接した太陽電池セルを分離する複数の太陽電池セル分離領域と、を含む太陽電池モジュールを提供する。上記複数の太陽電池セルの各々は、透明基板上の第1の電極層と、上記第1の電極層上の第1の光電変換層と、上記第1の光電変換層上の導電性中間層と、上記導電性中間層上の第1の層と第2の層とを含む第2の光電変換層と、上記第2の層上の第2の電極層と、を具備する。上記太陽電池セル分離領域中の少なくとも1つは、上記第1の層、上記中間層、及び上記第1の光電変換層を通して上記第1の電極層の表面から伸張する第1の分離溝を含んでもよい。本発明のさらなる他の実施形態によれば、透明基板上に第1の電極層を形成し、上記第1の電極層を分離する第1の分離溝及び第2の分離溝を形成し、上記第1の電極層上に第1の光電変換層を形成し、上記第1の分離溝及び上記第2の分離溝を充填し、上記第1の光電変換層上に導電性中間層を形成し、上記導電性中間層及び上記第2の分離溝内に充填された上記第1の光電変換層を分離する第3の分離溝を形成する。本発明のさらなる他の実施形態によれば、透明基板上に第1の電極層を形成し、上記第1の電極層を分離する第1の分離溝を形成し、上記第1の分離溝を上記第1の電極層上に充填する第1の光電変換層を形成し、上記第1の光電変換層上に導電性中間層を形成し、上記導電性中間層上に第2の光電変換層の第1の層を形成し、上記第1の光電変換層、上記導電性中間層、及び上記第1の層を分離する第2の分離溝及び第3の分離溝を形成し、上記第1の層上に上記第2の光電変換層の残りとして第2の層を形成し、上記第2の分離溝及び第3の分離溝を充填し、上記第2の分離溝と上記第3の分離溝間に、上記第1の層と上記第2の層とを含む上記第2の光電変換層、上記導電性中間層、及び上記第1の光電変換層を分離する第4の分離溝を形成し、上記第2の層上に上記第4の分離溝を充填する第2の電極層を形成し、上記第3の分離溝を充填する上記第2の層と上記第2の電極層とを分離する第5の分離溝を形成する。本発明によれば、太陽電池の漏れ電流を減少させることにより、太陽電池の効率の低下を防止することができ、プラグ物質のリフティングオフ問題を減少させる太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態を、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。本発明の実施形態において、厚さ及びサイズのような様々な数値が一例として挙げられているが、本発明は、これらに限定されないことに留意すべきである。また、本明細書及び図面中、同一の構成要素には、可能な限り同一の参照符号及び番号を付するものとする。1つの部材又は層が他の部材又は層上にある又はと接続されると称される際に、上記部材又は層は、他の部材又は層又は中間部材や層の真上にあるか又はこれらに接続される。他方、1つの部材が他の部材や層に真上にある又は直接接続されると称される際には、中間部材や層は存在しないことが理解されるのであろう。本明細書で使用される接続されるという表現は、物理的に及び/又は電気的に接続されるものを含む。全体にわたって同一の図面符号は、同一の部材を称する。本明細書で使用される及び/又はの用語は、列挙された関連項目の中の1つ以上のすべての組合せ及び任意の1つを含む。第1、第2、及び第3の用語などは、ここで、様々な部材、要素、領域、層、及び/又は領域を説明するために用いられるが、これらの部材、要素、領域、層、及び/又は領域は、これらの用語により限定されてはいけないことが分かるはずである。これらの用語は、ただ、1つの部材、要素、領域、層、又は領域を他の部材、要素、領域、層、又は領域と区分するために使用される。したがって、下記で論議される第1の部材、要素、領域、層、又は領域は、本発明の開示内容を逸脱しない範囲で、第2の部材、要素、領域、層又は領域といってよい。上に、下に、下部の、及び上部ののような空間的に相対的な用語は、図面に示すように、1つの部材又は特徴と他の部材又は特徴間の関係に関する説明を容易にするために用いられる。空間的に相対的な用語は、図面に示す方向だけでなく、使用中又は作動中である装置の他の方向を含むためのものであることが分かるはずである。例えば、図面上の装置が回転する場合に、他の部材又は特徴に対して下にと説明された部材は、上記他の部材又は特徴に対して上に配向される。したがって、例に挙げられた用語下には、上及び下方向をすべて含むことができる。上記装置は、異なって配向90°回転又は他の方位に回転されてもよく、ここに使用された空間的に相対的な表現は、それに従って解釈される。ここに使用された用語は、ただ、特定の実施形態を記述するためのもので、本発明を限定するためのものではない。本願明細書に記載の単数形a、an、及びtheは、本明細書中に特記で明示されない限り、複数形を含むことは、当業者にはわかるものである。備えるcomprise及び/又は備えるcomprisingの用語が本明細書で用いられる際には、記述された特徴、整数、ステップ、動作、部材、及び/又は要素の存在を明示するものであり、1つ以上の他の特徴、整数、ステップ、動作、部材、要素、及び/又はこれらでなされたグループの存在又は追加を不可能にしない。ここでは、本発明の理想的な実施形態は、通常、本発明が属する技術分野の当業者により理解されるものと同一の意味を有する。また、一般的に使用される事前に定義されたもののような用語は、関連分野との関連での意味と同一の意味を有するものと解釈されなければならず、ここで明らかに定義しなければ、理想化されるか又は過度に形式的な意味で解釈されないことも理解されるはずである。ここで説明されるすべての方法は、ここで異なって指示されるか又は文脈と明白に相反しなければ適切な順序に実施することができる。任意の又はすべての例の使用又は例示的な表現例えば、~のようなの使用は、ただ本発明をさらによく説明するためのものであり、特に別の主張がなければ、本発明の範囲を限定するのではない。本明細書内の表現は、なにも主張されない部材がここで使用されるもののように、本発明の実施に必須であることを示すものと解析されてはいけない。以下、本発明は、添付の図面を参照して詳細に説明される。図2は、本発明の一実施形態による太陽電池モジュール1の概略平面図である。図2を参照すると、太陽電池モジュール1は、フレーム700と、複数の太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、及びCNと、各セル間に位置し、隣接したセルを分離する複数のセル分離領域Pとを含む。太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、CNの外側領域には、周辺分離溝Iが横方向及び縦方向に伸張する。太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、及びCNのエッジは、フレーム700により囲まれる。太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、CNは、相互に平行に垂直方向に伸張する。隣接した太陽電池セルは、セル分離領域Pにより分離される。各セル分離領域Pは、関連する太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、CNに平行に垂直方向に伸張する第1の分離領域P1、第2の分離領域P2、第3の分離領域P3、及び第4の分離領域P4を含む。図3は、図2に示す太陽電池モジュール1をIII-III’線に沿って切断した拡大断面図である。以下、図3を参照して詳細に説明する。図3を参照すると、太陽電池モジュール1は、基板100、第1の電極層110、第1の光電変換層210、中間層310、第2の光電変換層410、第2の電極層510、及び保護層600を含む。太陽電池セルC1とC2間のセル分離領域Pにおいて、第1の分離溝G1、第2の分離溝G2、第3の分離溝G3、第4の分離溝G4、第5の分離溝G5、及び第6の分離溝G6は、関連する分離領域P1、P2、P3、及びP4に対応する。太陽電池モジュール1を外部衝撃及び湿気から保護するための保護層600は、第2の電極層510上に存在する。フレーム700は、太陽電池モジュール1の基板100、第1の電極層110、第1の光電変換層210、中間層310、第2の光電変換層410、第2の電極層510、及び保護層600のエッジを囲んでいる。基板100は、太陽電池モジュールのベースであり、透明な絶縁性あるガラス又は柔軟性あるプラスチックのような透明な物質を含んでもよい。基板100は、前面及び後面を有し、その前面には、電気的導電体を含む第1の電極層110が存在する。第1の電極層110は、第1の電極層110を通して太陽光上向き矢印光りで示されるが入射し、太陽電池セルで生成した電荷が流れるようにする機能をするために、透明であり導電性ある材質を含む。このような透明導電性材質は、例えば、酸化スズtinoxide:SnO2、酸化亜鉛zincoxide:ZnO、インジウムスズ酸化物indium-tinoxide:ITO、インジウム亜鉛酸化物indium-zinc-oxide:IZO、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛ZnO:Al、及びホウ素ドーピングされた酸化亜鉛ZnO:Bを構成するグループから選択される。第1の電極層110には、第1の分離領域P1及び第2の分離領域P2にそれぞれ対応し、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2が存在する。第1の電極層110は、第1の分離溝G1により隣接した太陽電池セルC1とC2との間で電気的に分離される。第2の分離溝G2は、第1の分離溝G1に隣接し、これに平行に伸張される。第2の分離溝G2内の第1の電極層110の2側壁間の幅は、第3の分離溝G3内の第1の光電変換層210又は中間層310の2側壁間の幅より大きい。この幅は、基板100の前面に平行に有する。太陽電池モジュール1を形成する工程において、第1の電極層110は、基板100の前面が第2の分離溝G2のボトムで露出するようにレーザエッチングにより除去され、第3の分離溝G3は、非導電性物質を含む第1の光電変換層210の一部分が第2の分離溝G2の反対側壁上に残るようにレーザエッチングにより形成される。したがって、中間層310を分離する第2の分離領域P2が形成される際に、中間層310に電気的に漏れやすく接続されることにより漏れ電流経路を生成して昇華した第1の電極層110の残留物が減少するか又は効率的に防止することができる。第1の電極層110上には、第1の光電変換層210が存在する。第1の光電変換層210は、太陽光を吸収することにより電子正孔対を生成する。第1の光電変換層210は、例えば、非晶質amorphousシリコンSi、非晶質シリコンゲルマニウムsilicongermanium:SiGe、及び非晶質シリコンカーバイドsiliconcarbide:SiCのような非晶質シリコン系化合物又はCu-In-Ga-Se及びCdTeのようなII-VI族化合物半導体を含んでもよい。また、図示していないが、第1の光電変換層210は、第1の導電型半導体層、真性半導体層intrinsicsemiconductorlayer、及び第2の導電型半導体層が第1の電極層110上に順次に積層された構成を含んでもよい。本発明の一実施形態において、例えば、p型非晶質シリコンp-typeamorphousSi層、真性非晶質シリコンintrinsicamorphousSi層、及びn型非晶質シリコンn-typeamorphousSi層は、順次に積層され、集合的に第1の光電変換層210を形成してもよい。一方、第1の光電変換層210は、第1の電極層110内の第1の分離溝G1を充填し、露出された基板100上に接触する。また、第1の光電変換層210は、第2の分離溝G2内の第1の電極層110の2反対側壁とこれらに隣接した露出された基板100の部分に接触する。第1の光電変換層210上には、中間層310が存在する。中間層310は、光透過性及び光反射性を有する導電性物質を含む。中間層310に入射した光の一部は、第1の光電変換層210に反射され、残りの部分は、第2の光電変換層410に透過され、これにより、第1の光電変換層210及び第2の光電変換層410内で光吸収率を増加させ、したがって、太陽電池の効率を向上させることができる。中間層310は、酸化亜鉛ZnO又はリンドーピングされた酸化ケイ素siliconoxide:SiOxを含んでもよい。中間層310を分離する第2の分離領域P2を形成するために、基板100の前面が露出されるように中間層310及び第1の光電変換層210の厚さを通して第3の分離溝G3が完全に伸張される。第3の分離溝G3の幅は、第2の分離溝G2の幅より小さい。第3の分離溝G3の幅は、第2の分離溝G2内に位置することにより、第1の光電変換層210の一部分が第2の分離溝G2内の第1の電極層110の2側壁上に残っている。隣接した太陽電池セル間を分離するための第4の分離領域P4内でレーザエッチングにより昇華又は気化される際に製造工程の間に発生した導電性残留物質による漏れ電流の発生を防止するために第4の分離溝G4が第4の分離領域P4内に存在する。第4の分離溝G4の幅は、第6の分離溝G6の幅より大きく、第4の分離溝G4は、第1の光電変換層210の一部分が第4の分離溝G4のボトムと第1の電極層110上に残っている溝形状を有し、中間層310の厚さを通して完全に伸張される。太陽電池モジュール1を形成する工程において、第4の分離溝G4内に充填された第2の光電変換層410は、第2の光電変換層410の部分が第4の分離溝G4内のレーザエッチングされた中間層310及び第1の光電変換層210の2反対側壁上に残るようにレーザエッチングにより部分的に除去され、これにより、第6の分離溝G6を形成する。第6の分離溝G6は、第2の電極層510と第2の光電変換層410及び残っている第1の光電変換層210の厚さを通して完全に伸張され、第1の電極層110が露出された溝の形状である。残っている第1の光電変換層210の部分は、基板に垂直である方向に略300オングストロームÅ以上1000オングストロームÅ以下の厚さである。第4の分離溝G4の幅より狭い幅を有する第6の分離溝G6は、隣接した太陽電池セル間を分離する。太陽電池モジュール1を形成する工程において、第6の分離溝G6がレーザエッチングにより形成される場合に、第2の光電変換層410の一部分が中間層310の2側壁上に存在するために、中間層310の導電性物質の昇華又は気化を避けることができ、中間層310の導電性物質の昇華又は気化による漏れ電流の発生可能性を減少させるか又は効率的に防止することができる。第2の光電変換層410は、中間層310上にあり、太陽光を吸収することにより電子正孔対を生成する。第2の光電変換層410は、例えば、微結晶シリコンmc-Si及び多結晶シリコンp-Siのような結晶質シリコン、又はCu-In-Ga-Se及びCdTeのようなII-VI族化合物半導体を含んでもよい。また、図示していないが、第2の光電変換層410は、第1の導電型半導体層、真性半導体層、及び第2の導電型半導体層が中間層310上に順次積層された構造を含んでもよい。本発明の一実施形態において、例えば、p型微結晶シリコンp-typemicrocrystallineSi層、真性微結晶シリコンintrinsicmicrocrystallineSi層、及びn型微結晶シリコンn-typemicrocrystallineSi層は、順次積層され、集合的に第2の光電変換層410を形成してもよい。第1の電極層110及び第2の電極層510を電気的に接続して第3の分離領域P3を形成するために、第5の分離溝G5は、第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210の厚さを通して完全に伸張され、第1の電極層110のトップ上部から伸張される。第5の分離溝G5のボトムは、第1の電極層110の露出された上部表面である。第5の分離溝G5は、第2の電極層510が第1の電極層110に電気的に接続されるように第2の電極層510の導電性物質又は導電プラグで充填される。第2の光電変換層410上に位置した第2の電極層510は、光反射機能を有することができ、モリブデンMo、アルミニウムAl、及び銀Agの中で選択された物質を含み得る。したがって、第1の太陽電池セルC1の第2の電極層510は、第5の分離溝G5に充填された第2の電極層510の導電性物質又は導電プラグ物質を用いて隣接した第2の太陽電池セルC2の第1の電極層110に電気的に接続され、これにより、隣接する第1の太陽電池セルC1と第2の太陽電池セルC2間の直列接続を形成する。図2及び図3を参照すると、太陽電池モジュール1の外側領域には、第2の電極層510、第2の光電変換層410、中間層310、第1の光電変換層210、及び第1の電極層110を通る周辺分離溝Iがある。周辺分離溝Iは、配置図の横方向及び縦方向に伸びている。太陽電池モジュール1の外側領域において、太陽電池を構成する第1の電極層110、第1の光電変換層210、中間層310、第2の光電変換層410、及び第2の電極層510の厚さが不均一に形成されることにより、太陽電池の効率を減少させている。したがって、周辺分離溝Iを用いて太陽電池モジュール1の外側領域を太陽電池セルC1、C2、...、CN-1、CNから分離することにより太陽電池効率の低下を減少させるか又は効率的に防止することができる。第2の電極層510上には、保護層600がある。保護層600は、汚染防止、外部湿気遮断、及び耐熱機能を有しているために太陽電池を保護することができる。保護層600は、ガラス又はアルミニウムのような金属層、及びフッ化ビニル樹脂polyvinylfluoride:PVFのような高分子層を含むフィルムを含んでもよい。基板100と保護層600とを結合するフレーム700は、太陽電池モジュール1の層のエッジ及び側面上に位置する。具体的に、フレーム700は、基板100の下部表面、基板100の外部エッジ、第1の電極層110、第1の光電変換層210、中間層310、第2の光電変換層410、第2の電極層510、保護層600、及び保護層600の上部表面と重なる。フレーム700は、太陽電池モジュール1の層の側面から流入する汚染物及び湿気を遮断し、太陽電池モジュール1を保護する機能を有する。フレーム700と太陽電池モジュール1の層の側面の間には、アクリル又はポリエステルを含む保護部材図示せずがさらに形成される。フレーム700は、アルミニウムAlを含む。以下、図4A~図4Fを参照して図2及び図3に示す太陽電池モジュール1の製造方法について詳細に説明する。図4A~図4Fは、図2及び図3に示す太陽電池モジュール1の製造方法を概略的に示す図である。図4Aを参照すると、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition:CVD又はスパッタリングsputtering技術を用いて第1の電極層110を基板100の前面に形成する。第1の電極層110は、例えば、酸化スズtinoxide:SnO2、酸化亜鉛zincoxide:ZnO、インジウムスズ酸化物indium-tinoxide:ITO、インジウム亜鉛酸化物indium-zinc-oxide:IZO、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛ZnO:Al、及びホウ素ドーピングされた酸化亜鉛ZnO:Bの中で選択された物質である。ZnO:Alを含む場合に、第1の電極層110は、スパッタリング技術により形成され、SnO2を含む場合に、第1の電極層110は、CVDにより形成される。第1の電極層110は、略1.0マイクロメータμm以上略2.0マイクロメータμm以下の厚さを有するように形成される。レーザを照射して第1の電極層110のパターニング又はエッチングを行うことにより、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2は、図3の第1の分離領域P1及び第2の分離領域P2に対応する位置に形成される。レーザは、第1の電極層110のトップ又は基板100の後面から照射される。本発明の一実施形態において、例えば、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2は、略355ナノメータnmの波長及び略3ワットW~略6Wのパワーを有するネオジムドーピングされたイットリウムアルミニウムガーネットneodymium-dopedyttriumaluminiumgarnet;以下、Nd:YAGと称する。レーザとX-Yテーブルとを用いて形成される。第1の分離溝G1の幅は、略30μm以上略200μm以下であり、第2の分離溝G2の幅は、略50μm以上略200μm以下である。図4Bを参照すると、第1の光電変換層210は、第1の電極層110上に形成され、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2を完全に充填しつつ、露出された基板100の前面に伸張される。第1の光電変換層210は、例えば、非晶質シリコンamorphoussilicon:a-Si、非晶質シリコンゲルマニウムamorphoussilicongermanium:a-SiGe、及び非晶質シリコンカーバイドamorphoussiliconcarbide:a-SiCのような非晶質シリコン系化合物、又はCu-In-Ga-Se及びCdTeのようなII-VI族化合物半導体を含んでもよい。また、図示していないが、第1の光電変換層210は、第1の導電型半導体層、真性半導体層、及び第2の導電型半導体層が第1の電極層110上に順次積層された構成を有するように形成される。本発明の一実施形態において、例えば、p型非晶質シリコン層、真性非晶質シリコン層、及びn型非晶質シリコン層は、順次積層される。第1の光電変換層210の材質によってその厚さが変わる。本発明の一実施形態において、例えば、第1の光電変換層210は、CVDを用いて略50Å5nm略以上300Å30nmの厚さを有するp型微結晶シリコン層、略1500Å150nm以上略3500Å350nm以下の厚さを有する真性非晶質シリコン層、及び略100Å10nm以上略300Å30nmの厚さを有するn型非晶質シリコン層を含んでもよい。第1の光電変換層210上には、導電性を有する中間層310が形成される。中間層310は、酸化亜鉛ZnO又はリンドーピングされた酸化ケイ素siliconoxide:SiOxを含んでもよい。酸化亜鉛ZnOを含む場合に、中間層310は、CVDにより略200Å20nm以上略1000Å100nmの厚さを有するように形成される。図4Cを参照すると、第3の分離溝G3及び第4の分離溝G4は、レーザを照射して、第1の光電変換層210及び中間層310のパターニング又はエッチングを行うことにより形成される。第3の分離溝G3のボトム上の第1の電極層110は、第2の分離溝G2が形成される際にすでに除去されたため、第1の電極層110の昇華又は気化による残留物が中間層310に電気的に接続されることを防止することができる。第3の分離溝G3は、その幅が第2の分離溝G2の幅より狭くなるように第2の分離溝G2内に位置し、基板100の前面を露出しつつ形成される。したがって、第3の分離溝G3は、第2の分離溝G2を充填する第1の光電変換層210の一部分が第2の分離溝G2内の第1の電極層110の2反対側壁上に残っているように形成される。第3の分離溝G3の幅は、略40μm以上略190μm以下であり、その幅は、第2の分離溝G2の幅より小さい。本発明の一実施形態において、例えば、第3の分離溝G3は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.5W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波とX-Yテーブルとを使用して形成される。第4の分離溝G4は、第3の分離溝G3を形成するために用いられるものより低いパワーを有するレーザを用いて、第1の光電変換層210の一部が第4の分離溝G4内の第1の電極層110の前面に残るようにレーザエッチングが行われる。したがって、第4の分離溝G4を形成する場合に、中間層310に電気的に漏れやすくなる第1の電極層110の昇華又は気化残留物が減少するか又は効率的に防止することができる。第4の分離溝G4のボトムで第1の電極層110上に残る第1の光電変換層210の厚さは、略300Å30nm以上略1000Å100nmである。本発明の一実施形態において、例えば、第4の分離溝G4は、略0.1W以上0.16W以下のパワーで第3の分離溝G3を形成するために用いられるものと同一の略532nmの波長を有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。第4の分離溝G4は、略50μm以上略200μm以下の幅を有する。本発明の他の実施形態によると、第3の分離溝G3を形成する場合に、基板100の後面、例えば、第1の光電変換層210及び中間層310が形成された基板100の反対側の表面上にレーザが照射される。第4の分離溝G4を形成する場合に、レーザが中間層310上に照射される。これにより、第4の分離溝G4を形成する場合に、レーザは、中間層310上に照射される。第4の分離溝G4のボトムで第1の電極層110上に残る第1の光電変換層210の厚さを調節することが容易であることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には自明であるはずである。図4Dを参照すると、第2の光電変換層410は、中間層310上及び第3の分離溝G3及び第4の分離溝G4内に形成される。第5の分離溝G5は、形成された第2の光電変換層410に対して又は第2の光電変換層410が形成された基板100の反対側の表面に対してレーザを照射することにより形成される。第5の分離溝G5は、第1の電極層110の表面から形成され、第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210を通して伸張される。第5の分離溝G5は、第3の分離溝G3と第4の分離溝G4間に介在され、図2及び図3を参照して上述したように、第3の分離領域P3に対応するように位置する。第2の光電変換層410は、CVDを用いて形成する。第2の光電変換層410は、例えば、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んでもよい。図示していないが、第2の光電変換層410は、p型微結晶シリコン層、真性微結晶シリコン層、及びn型微結晶シリコン層が中間層310上に順次積層される構造を有するように形成される。本発明の一実施形態において、例えば、第2の光電変換層410は、微結晶シリコンで形成される場合に、その厚さが略1.5μm以上略3.0μm以下である。第5の分離溝G5の幅は、略50μm以上略100μm以下であり、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.5W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。図4Eを参照すると、第2の電極層510は、第2の光電変換層410上及び第5の分離溝G5内に形成される。光反射性特性を有する第2の電極層510は、第2の電極層510に到達した光を第1の光電変換層210又は第2の光電変換層410に再反射させることにより、太陽電池効率を向上させることができる。第2の電極層510は、第5の分離溝G5を充填しつつ第1の電極層110の表面から伸張されることにより第1の電極層110に電気的に接続される。本発明の一実施形態において、例えば、第2の電極層510は、アルミニウムAl、銀Ag、及びモリブデンMoの中で選択された物質を含んでもよい。第2の電極層510は、ZnO/Ag、ZnO/Al、及びZnO/Moのような二重膜を有するように形成される。本発明の一実施形態において、第2の電極層510は、ZnO/Agの二重膜構造を有し、ZnOは、CVDを用いて略500Å50nm以上略1500Å150nmの厚さを有するように形成され、Agは、スパッタリング技術を用いて略1000Å100nm以上略5000Å500nm以下の厚さを有するように形成される。図4Fを参照すると、第6の分離溝G6及び周辺分離溝Iが形成される。第6の分離溝G6は、第2の電極層510、第2の光電変換層410、及び第1の電極層110上の第1の光電変換層210を通して伸張され、第1の電極層110の表面を露出するように形成される。第6の分離溝G6は、第4の分離溝G4を充填する第2の光電変換層410が部分的に除去され、第2の光電変換層410の部分が中間層310及び第1の光電変換層210の両反対側壁上に残るように形成される。第6の分離溝G6は、略532nmの波長及び略0.3W以上0.7W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を使用して形成される。第6の分離溝G6の幅は、第4の分離溝G4の幅より狭い略40μm以上略190μm以下の幅を有する。周辺分離溝Iは、略532nmの波長及び略0.3W以上0.7W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を使用して形成される。周辺分離溝Iは、図2に示すように、太陽電池モジュール1のエッジに沿って横方向及び縦方向に伸張され、基板100のトップから形成され、第2の電極層510、第2の光電変換層410、中間層310、第1の光電変換層210、及び第1の電極層110を通して伸張される。1つの周辺分離溝Iが図2及び図3に示すように、複数の周辺分離溝は、平行に形成される。上述したように、第1の電極層110は、第2の分離溝G2により分離され、第2の分離溝G2の幅より狭い幅を有する第3の分離溝G3が、分離された第1の電極層110の両側壁上に第1の光電変換層210が残るように形成されるために、第1の電極層110の残留物が第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化により中間層310に電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流を減少させるか又は効率的に防止することができる。また、第4の分離溝G4は、第1の光電変換層210の一部が第4の分離溝G4のボトム上に残るように形成することにより、第1の電極層110の残留物が第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化により中間層310に電気的に漏れやすく接続されることを防止することができる。本発明の他の実施形態に係る太陽電池モジュール2は、図2に示すものと実質的に同一である。図5は、本発明の他の実施形態に係る図2のIII-III’線に沿って切断した太陽電池モジュールを示す拡大断面図である。図示した実施形態に係る太陽電池モジュール2において、第4の分離領域P4の構造を除いた第1の分離領域P1~第3の分離領域P3の構造は、図3を参照して説明した第1の分離領域P1~第3の分離領域P3の構造と実質的に同一であるため、これに関する説明は、重複した説明を避けるために省略し、以下、第4の分離領域P4に関連した構造のみを説明する。図5を参照すると、第4の分離領域P4は、第9の分離溝G9、第10の分離溝G10、及び第11の分離溝G11を有する。第9の分離溝G9は、第1の電極層110の凹状の上部表面であるボトムを有する。第9の分離溝G9のボトムは、第4の分離領域P4で実質的に円弧のような曲線形状を有する。すなわち、第1の電極層110の一部は、第9の分離溝G9のボトム上に、そして、隣接した太陽電池セルC1とC2間に残り、太陽電池セルC1及びC2を電気的に接続する。残っている第1の電極層110の厚さは、隣接した太陽電池セルC1及びC2を電気的に接続する第1の電極層110の導電性を考慮して決定され、その厚さは、略2000Å200nm以上略8000Å800nmである。第10の分離溝G10は、第9の分離溝G9の幅より狭い幅を有する。本発明の一実施形態において、第10の分離溝は、第9の分離溝G9内に充填された第1の光電変換層210及び第1の光電変換層210上の中間層310をレーザエッチングすることにより形成され、これにより、第10の分離溝G10のボトムが第9の分離溝G9の円弧と接するように円弧形状を有する。したがって、第1の光電変換層210の一部分は、それぞれ第10の分離溝G10及び第9の分離溝G9の円弧の両反対側壁間に存在する。第1の電極層110の一部が第9の分離溝G9により除去されるために、第10の分離溝G10が形成される際に第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化は減少される。したがって、昇華した第1の電極層110の導電性残留物が中間層310に電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流を減少させることができる。第10の分離溝G10の幅より狭い第11の分離溝G11は、第10の分離溝G10内に位置し、第11の分離溝G11のボトムは、第9の分離溝G9及び第10の分離溝G10のボトム上の円弧と相互に接するように実質的に円弧形状を有する。したがって、第11の分離溝G11が第2の電極層510及び第2の光電変換層410を通して伸張する際に、第2の光電変換層410の一部分は、第11の分離溝G11及び第10の分離溝G10内の中間層310及び第1の光電変換層210の両側壁間に存在する。したがって、第11の分離溝G11がレーザエッチングにより形成される際に、中間層310の昇華又は気化による導電性物質の残留物の汚染が減少されるか又は効率的に防止されることができる。したがって、第9の分離溝G9乃至第11の分離溝G11の形成により、隣接した太陽電池セル間の分離は、漏れ電流を生じさせることがない。以下、図6A乃至図6Gを参照して図5に示す太陽電池モジュール2の製造方法について詳細に説明する。図6A乃至図6Gは、図5に示す太陽電池モジュール2の製造方法を概略的に示す図である。図6Aを参照すると、第1の電極層110は、基板100上に形成される。第1の電極層110の材質、厚さ及び形成方法は、図4Aを参照して説明したものと実質的に同一である。レーザを照射して第1の電極層110をパターニングすることにより、第1の分離溝G1、第2の分離溝G2、及び第9の分離溝G9は、図2に示した第1の分離領域P1、第2の分離領域P2、及び第4の分離領域P4に対応する位置に形成される。本発明の一実施形態において、例えば、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2は、略1064nmの波長及び略10W以上略16W以下のパワーを有するNd:YAGレーザを第1の電極層110又は第1の電極層110が形成された基板100の後面に照射することにより形成される。第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2の幅は、略40μm以上略80μm以下である。第9の分離溝G9は、略1064nmの波長及び略2W以上略5W以下のパワーを有するNd:YAGレーザを第1の電極層110に照射することにより形成される。第9の分離溝G9の幅は、略40μm以上略80μm以下である。レーザ発生装置のスリット装置を調節してガウス分布GaussianDistributionを有するようにレーザの強度を調節することにより、図6Aに示すように、第9の分離溝G9のボトムは、実質的に円弧のような曲線形状を有するように形成される。第9の分離溝G9のボトムと基板100間に残っている第1の電極層110の厚さは、基板100に対して垂直方向に略2000Å200nm以上略8000Å800nm以下である。図6Bを参照すると、第1の電極層110上には、第1の光電変換層210が第1の分離溝G1、第2の分離溝G2、及び第9の分離溝G9を充填して形成される。第1の光電変換層210は、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2で基板100の前面から充填される一方、第9の分離溝G9では、第1の電極層110の円弧又は曲線弧の表面から充填される。第1の光電変換層210の材料、厚さ、及び形成方法は、図4Bを参照して説明したものと同一である。第1の光電変換層210上には、導電性の中間層310が形成される。中間層310は、酸化亜鉛ZnO又はリンphosphorousドーピングされた酸化ケイ素SiOxを含む。中間層310が酸化亜鉛ZnOを含む場合に、CVDにより略200Å20nm以上略1000Å100nm以下の厚さを有するように形成される。図6Cを参照すると、第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10は、レーザを照射して第1の光電変換層210及び中間層310のエッチング又はパターニングを行うことにより形成される。第3の分離溝G3は、図4Cに示す第3の分離溝G3と実質的に同一の構造を有するが、その幅は異なる。第3の分離溝G3は、略35μm以上45μm以下の幅を有し、その幅は、第2の分離溝G2の幅より小さい。本発明の一実施形態において、例えば、第3の分離溝G3は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.6W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を使用して形成される。第10の分離溝G10は、第9の分離溝G9内に位置し、そのボトムは、第1の電極層110の円弧又は曲線弧の表面と1点又は一部分で相互に接するように円弧又は曲線弧の形状を有する。第10の分離溝G10は、第9の分離溝G9内に充填された第1の光電変換層210の部分が第1の電極層110の円弧又は曲線弧の両側壁上に残るように形成される。第10の分離溝G10は、略35μm以上略45μm以下の幅を有し、その幅は、第9の分離溝G9の幅より狭い。本発明の一実施形態において、例えば、第10の分離溝G10は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.6W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を使用して形成される。第10の分離溝G10のボトム上に存在する第1の電極層110の一部は、第9の分離溝G9が形成される際に予め除去することにより、第10の分離溝G10が形成される際に、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化の量を減少させることができる。したがって、第1の電極層110の昇華又は気化がなされる残留物及び中間層310が電気的に漏れやすく接続される漏れ電流経路の発生を減少させることができる。図6Dを参照すると、第2の光電変換層410は、第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10を充填しつつ中間層310上に形成される。第2の光電変換層410の材質、厚さ、及び形成方法は、図4Dを参照して説明したものと同一であり得る。図6Eを参照すると、第5の分離溝G5は、レーザを照射して第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210のエッチング又はパターニングを行うことにより形成される。第5の分離溝G5の構造は、図4Dを参照して説明したものと実質的に同一であるが、その幅は、異なる。第5の分離溝G5の幅は、略40μm以上略80μm以下である。本発明の一実施形態において、例えば、第5の分離溝G5は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.5W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を使用して形成される。図6Fを参照すると、第2の電極層510は、第2の光電変換層410上及び第5の分離溝G5内に形成される。第2の電極層510の構造、材質、厚さ及び形成方法は、図4Eを参照して説明したものと実質的に同一である。図6Gを参照すると、第11の分離溝G11及び周辺分離溝Iは、レーザを照射することにより形成される。第11の分離溝G11の幅は、第10の分離溝G10の幅より狭い。第11の分離溝G11は、第9の分離溝G9内の第1の電極層110の円弧又は曲線弧、及び第10の分離溝G10内の円弧又は曲線弧の点又は部分から実質的に形成され、第2の電極層510及び第9の分離溝G9内の第2の光電変換層410を通して伸張する。第10の分離溝G10を充填する第2の光電変換層410の一部分が除去されるため、第11の分離溝G11は、第2の光電変換層410の一部分が中間層310及び第1の光電変換層210の両側壁上に残るように第2の電極層510を通して伸張して形成される。第11の分離溝G11は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.6W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。第11の分離溝G11は、第10の分離溝G10の幅より狭い略25μm乃至略35μmの幅を有する。周辺分離溝Iは、略532nmの波長を有するレーザを略0.4W以上略0.7W以下のパワーでエッチングすることにより形成される。図示した本発明の実施形態によると、第2の分離溝G2は、第1の電極層110に形成され、その内に第1の光電変換層210を形成した後に、第3の分離溝G3は、第1の光電変換層210の部分が第2の分離溝G2内の第1の電極層110の両側壁上に取り付けられるように残っているために、そのレーザエッチングの間に第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化により発生する残留物の汚染を防止することができる。また、第9の分離溝G9が形成される際に第1の電極層110の一部がさらに除去されることにより、第10の分離溝G10が第9の分離溝G9の内側に形成される際に昇華される第1の電極層110の導電性物質の昇華量を減少させることができる。さらに、第11の分離溝G11は、第2の光電変換層410の一部分が第10の分離溝G10の内側に位置した中間層310の両側壁を覆うように形成されるために、中間層310の導電性物質の昇華又は気化を防止することができる。したがって、導電性物質の昇華による第1の電極層110と中間層310間の電気的接続及び中間層310と第2の電極層510間の電気的接続による漏れ電流の発生を減少させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール3は、図2に示すものと実質的に同様である。図7は、本発明の他の実施形態に従って図2のIII-III’線に沿って切断した太陽電池セルの拡大断面図である。図示された実施形態に係る太陽電池モジュール3において、第3の分離領域P3の構造を除いた第1の分離領域P1、第2の分離領域P2、及び第4の分離領域P4の構造は、図5を参照して説明した第1の分離領域P1、第2の分離領域P2、及び第4の分離領域P4の構造と実質的に同一である。したがって、重複した説明を避けるために、これらの説明は省略し、以下、第3の分離領域P3に関連した構造のみを説明する。図7を参照すると、第3の分離領域P3は、第7の分離溝G7及び第8の分離溝G8を有する。第7の分離溝G7は、第1の電極層110の凹状の上部表面であるボトムを有する。第7の分離溝G7のボトムは、第3の分離領域P3で実質的に円弧のような曲線形状を有する。本発明の一実施形態において、第8の分離溝G8は、第7の分離溝G7内に充填された第1の光電変換層210、その上の中間層310、及び中間層310上の第2の光電変換層410をレーザエッチングすることにより形成される。第8の分離溝G8の幅は、第7の分離溝G7の幅より狭く、第8の分離溝G8のボトムは、第7の分離溝G7の円弧と接するように実質的に円弧の形状を有する。第1の電極層110の一部は、第7の分離溝G7及び第8の分離溝G8のボトム上に残っている。第2の電極層510は、第8の分離溝G8を充填しつつ、残っている第1の電極層110の円弧から伸張することにより、隣接した太陽電池セルC1及びC2を電気的に直列接続する。残っている第1の電極層110の厚さは、隣接した太陽電池セルC1とC2間の電気的接続のための第1の電極層110の伝導性を考慮して定められることができ、本発明の一実施形態において、例えば、略2000Å200nm以上略8000Å80nm以下である。上述したように、第1の電極層110の一部が第7の分離溝G7の形成の間に予め除去されているため、続いて第8の分離溝G8が形成される際に第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化が減少することにより、第8の分離溝G8の側壁に付着される第1の電極層110の導電性残留物が減少する。したがって、第8の分離溝G8の側壁上に付着された導電性残留物により発生する第8の分離溝G8を充填する第2の電極層510の一部がはがれるリフティングオフlifting-off現象が減少することができる。以下、図8A乃至図8Gを参照して図7に示す太陽電池モジュール3の製造方法について詳細に説明する。図8A乃至図8Gは、図7に示す太陽電池モジュール3の製造方法を概略的に示す図である。図8Aを参照すると、第1の電極層110は、基板100上に形成される。第1の電極層110の材質、厚さ、及び形成方法は、図6Aを参照して説明したものと実質的に同一である。レーザを照射して第1の電極層110をパターニングすることにより、第1の分離溝G1、第2の分離溝G2、第7の分離溝G7、及び第9の分離溝G9は、図1の第1の分離領域P1、第2の分離領域P2、第3の分離領域P3、及び第4の分離領域P4に対応する位置に形成される。本発明の一実施形態において、例えば、第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2は、略1064nmの波長及び略10W以上略16W以下のパワーを有するNd:YAGレーザを第1の電極層110に照射することにより形成される。第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2の幅は、略40μm以上80μm以下である。第7の分離溝G7及び第9の分離溝G9は、略1064nmの波長及び略2W以上略5Wのパワーを有するNd:YAGレーザを第1の電極層110に照射することにより形成される。第7の分離溝G7及び第9の分離溝G9の幅は、略40μm以上80μm以下である。レーザ発生装置のスリット装置を調節してガウス分布を有するようにレーザの強度を調節することにより、図8Aに示すように、第7の分離溝G7及び第9の分離溝G9のボトムは、実質的に円弧のような曲線形状を有するように形成される。第7の分離溝G7及び第9の分離溝G9のボトムと基板100間に残っている第1の電極層110の厚さは、基板100に対して垂直方向で略2000Å200nm以上略8000Å800nm以下である。図8Bを参照すると、第1の電極層110上には、第1の光電変換層210が第1の分離溝G1、第2の分離溝G2、第7の分離溝G7、及び第9の分離溝G9を充填しつつ形成される。第1の光電変換層210は、基板100の前面から第1の分離溝G1及び第2の分離溝G2に充填される一方、第7の分離溝G7及び第9の分離溝G9では、部分的に残っている第1の電極層110の円弧又は曲線弧の表面から充填される。第1の光電変換層210の材料、厚さ、及び形成方法は、図6Bを参照して説明したものと実質的に同一である。第1の光電変換層210上には、中間層310が形成される。中間層310の材質、厚さ、及び形成方法は、図6Bを参照して説明したものと実質的に同一である。図8Cを参照すると、第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10は、レーザを照射して第1の光電変換層210及び中間層310のエッチング又はパターニングを行うことにより形成される。第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10は、それぞれ図6Cを参照して説明した第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10の製造方法により形成される。図8Dを参照すると、第2の光電変換層410は、第3の分離溝G3及び第10の分離溝G10内を充填しつつ中間層310上に形成される。第2の光電変換層410の材質、厚さ、及び形成方法は、図6Dを参照して説明したものと実質的に同一である。図8Eを参照すると、第8の分離溝G8は、レーザを照射して第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210のエッチング又はパターニングを行うことにより形成される。第8の分離溝G8は、第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210を通して伸張しつつ第7の分離溝G7の内側に位置した第1の電極層110の円弧又は曲線弧の表面から形成される。第8の分離溝G8の幅は、第7の分離溝G7の幅より狭く、第8の分離溝G8のボトムは、第7の分離溝G7の円弧又は曲線弧と接するように実質的に円弧の形状を有する。本発明の一実施形態において、例えば、略25μm以上略35μm以下の幅を有する第8の分離溝G8は、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.5W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。図8Fを参照すると、第2の電極層510は、第2の光電変換層410の上及び第8の分離溝G8内に形成される。第2の電極層510は、第8の分離溝G8を充填しつつ隣接した太陽電池セル内の第1の電極層110の円弧又は曲線弧の表面から形成されることにより、隣接した太陽電池セルC1及びC2を電気的に直列接続する。第8の分離溝G8のボトム上の第1の電極層110の一部が、第7の分離溝G7が形成される際に予め除去されたため、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化の量は、第8の分離溝G8が形成される際に減少する。したがって、第8の分離溝G8の側壁に取り付けられた導電性残留物を最小化することにより、第8の分離溝G8に充填される第2の電極層510が部分的にはがれるリフティングオフ現象を減少させることができる。第2の電極層510の材質、厚さ、及び形成方法は、図6Fを参照して説明したものと実質的に同一である。図8Gを参照すると、第11の分離溝G11及び周辺分離溝Iは、レーザを照射することにより形成される。第11の分離溝G11は、図6Gを参照して説明した第11の分離溝G11の構造及びその製造方法と実質的に同一である。周辺分離溝Iは、略532nmの波長及び略0.4W以上略0.7W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いることにより形成される。図示した本発明の実施形態によると、第2の分離溝G2は、第1の電極層110に形成され、その内に第1の光電変換層210が形成された後に、第3の分離溝G3は、第1の光電変換層210の部分が第2の分離溝G2内の第1の電極層110の両側壁上に残るように形成されて、第3の分離溝G3を形成するためのレーザエッチングの間に、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化された残留物が中間層310に電気的に漏れやすく接続される際に発生し得る漏れ電流を抑制することができる。また、第8の分離溝G8のボトムに位置した第1の電極層110の一部が第7の分離溝G7の形成の間に予め除去されるために、第8の分離溝G8が形成される際に、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化の量を減少させる。したがって、第8の分離溝G8を充填する第2の電極層510が第8の分離溝の側壁に付着された導電性物質の残留物のために、第8の分離溝G8から部分的にはがれるリフティングオフ現象を減少させることができる。さらに、第9の分離溝G9が形成される際に第1の電極層110の一部が予め除去されるために、第10の分離溝G10が第9の分離溝G9の内側に形成される際、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化の量を減少させることができる。したがって、第1の電極層110と中間層310とが電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流経路を減少させることができる。さらに、第11の分離溝G11は、第2の光電変換層410の部分が第10の分離溝G10の内側に位置した中間層310の両側壁を覆うように形成されるために、中間層310の導電性物質の昇華又は気化を防止することができる。したがって、第1の電極層110と中間層310間の電気的接続及び中間層310と第2の電極層510間の電気的接続により発生する漏れ電流を減少させることができる。本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール4は、図2に示すものと実質的に同一である。図9は、本発明の他の実施形態に係る図2のIII-III’線に沿って切断した太陽電池セルの拡大断面図である。同一の図面参照符号は、同一の素子、特性、及び構造を意味することが分かるはずであり、説明の便宜上、詳細な説明の反復は省略する。図9を参照すると、基板100は、太陽電池モジュールのベースであり、通常、絶縁性あるガラス又は柔軟性あるプラスチックを含む。基板100は、前面及び後面を含み、その前面には、第1の電極層110が存在する。第1の電極層110は、太陽光が第1の電極層110を通して太陽電池セルに入射し、太陽電池セルで生成した電荷が流れる機能を有するために、透明であり導電性ある材質を含む。第1の電極層110には、第1の分離領域P1を形成するための第1の分離溝G1が存在する。第1の電極層110は、第1の分離溝G1により隣接する太陽電池セルC1とC2間で電気的に分離される。第1の光電変換層210は、第1の電極層110上にあり、太陽光を吸収することにより電子正孔対を生成する。第1の光電変換層210は、第1の電極層110内の第1の分離溝G1を充填しつつ第1の電極層110の表面上にある。第1の光電変換層210上には、中間層310が存在する。中間層310上には、第2の光電変換層410が存在する。第2の光電変換層は、中間層310の真上に第1の層402を含む。第1の層402は、略500Å50nm以上略2500Å250nm以下の厚さを有する。第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14は、第1の層402、中間層310、及び第1の光電変換層210を通して伸張されつつ、第1の電極層110のトップから伸張される。第12の分離溝G12は、第2の分離領域P2に対応し、第14の分離溝G14は、第4の分離領域P4に対応する。第1の層402の真上には、第2の光電変換層410の残りである第2の層405があり、第12の分離溝G12内を充填し、第14の分離溝G14内の第1の層402、中間層310、及び第1の光電変換層210の両反対側壁を覆う。第2の層405は、略1.5μm以上略2.0μm以下の厚さを有する。第2の層405は、第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14内の中間層310の両反対側壁を覆うことにより、第2の電極層510と中間層310とが電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流を減少させることができる。第1の層402及び第2の層405を含む第2の光電変換層410は、太陽光を吸収することにより電子正孔対を生成する。第13の分離溝G13は、第1の層402及び第2の層405を含む第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210を通して第1の電極層110の表面から伸張される。第13の分離溝G13は、第3の分離領域P3に対応する。第2の電極層510は、第13の分離溝G13を充填しつつ第2の層405上にある。第2の電極層510は、第13の分離溝G13を充填しつつ第1の電極層110の表面から伸張される。したがって、第1の太陽電池セルC1の第2の電極層510及び隣接した第2のセルC2の第1の電極層110は、第13の分離溝G13を通して電気的に直列接続される。第15の分離溝G15は、第2の電極層510及び第2の層405を通して第1の電極層110の表面から伸張される。第15の分離溝G15は、第14の分離溝G14内に位置し、第4の分離領域P4に対応し、第14の分離溝G14の幅より狭い。第15の分離溝G15は、隣接した第1の太陽電池セルC1とC2間の第2の電極層510を電気的に分離する。本発明の一実施形態において、第15の分離溝G15は、第2の層405が第14の分離溝G14内に位置した第1の層402、中間層310、及び第1の光電変換層210の両反対側壁を覆うように形成され、これにより、第15の分離溝G15を形成するためのレーザエッチングの間に、中間層310の導電性物質の昇華又は気化を防止することができる。したがって、昇華又は気化がなされた中間層310の導電性物質が第2の電極層510又は第1の電極層110に電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流を減少させることができる。図10A乃至図10Gを参照して図9に示す太陽電池モジュール4の製造方法について詳細に説明する。図10A乃至図10Gは、図9に示す太陽電池モジュール4の製造方法を概略的に示す図である。図10Aを参照すると、第1の電極層110は、CVD又はスパッタリングにより基板100上に形成される。第1の電極層110の材質、厚さ、及び製造方法は、上述した実施形態で説明したものと実質的に同一である。第1の電極層110は、略1.0μm以上略2.0μm以下の厚さを有するように形成される。第1の分離溝G1は、レーザを第1の電極層110又は第1の電極層110が形成された基板100の後面に照射して第1の電極層110をパターニングすることにより図9の第1の分離領域P1に対応する位置に形成される。本発明の一実施形態において、例えば、第1の分離溝G1は、略355nmの波長を有するNd:YAGレーザを略3W以上略6W以下のパワーでエッチングすることにより形成される。第1の分離溝G1の幅は、略20μm以上略190μm以下である。図10Bを参照すると、第1の光電変換層210は、第1の分離溝G1を充填しつつCVDにより基板100のトップから第1の電極層110上に形成される。第1の光電変換層210の材質、厚さ、及び製造方法は、上述した実施形態で説明したものと実質的に同一である。中間層310は、第1の光電変換層210上に形成される。中間層310は、酸化亜鉛ZnO又はリンドーピングされた酸化ケイ素siliconoxide:SiOxを含む。酸化亜鉛ZnOを含む場合に、中間層310は、CVDにより略200Å20nm以上略1000Å100nm以下の厚さを有するように形成される。図9を参照して説明したように、中間層310の真上には、第2の光電変換層410の一部である第1の層402が形成される。本発明の一実施形態において、例えば、第1の層402は、CVDにより略500Å50nm以上略2500Å250nm以下の厚さで形成される。図10Cを参照すると、第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14は、レーザを照射して第1の層402、中間層310、及び第1の光電変換層210のエッチング又はパターニングを行うことにより、第1の電極層110の表面から形成される。第12の分離溝G12は、図9に示す第2の分離領域P2に対応するように形成され、第14の分離溝G14は、第4の分離領域P4に対応するように形成される。第12の分離溝G12は、略50μm以上略100μm以下の幅を有し、第13の分離溝G13は、略60μm以上略200μm以下の幅を有する。第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14は、略532nmの波長及び略0.4W未満のパワーを有するNd:YAGレーザを使用して形成される。図10Dを参照すると、第1の層402の真上には、第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14を充填しつつ、第2の光電変換層410の残りである第2の層405がCVDにより形成される。第2の層405は、略1.5μm以上略2.0μm以下の厚さである。第1の層402及び第2の層405を含む第2の光電変換層410は、例えば、微結晶シリコンmcSi又は多結晶シリコンp-Siを含む。図示していないが、第2の光電変換層410は、p型微結晶シリコン層、真性微結晶シリコン層、及びn型微結晶シリコン層が中間層310上に順次積層された構造を有する。図10Eを参照すると、第13の分離溝G13は、第1の電極層110の表面から形成され、第1の層402及び第2の層405を含む第2の光電変換層410、中間層310、及び第1の光電変換層210を通して伸張される。第13の分離溝G13は、図9の第3の分離領域P3に対応するように形成される。第13の分離溝G13の幅は、略50μm以上略100μm以下であり、第13の分離溝G13は、略532nmの波長及び略0.4Wのパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。図10Fを参照すると、第2の層405の真上には、第13の分離溝G13を充填しつつ第1の電極層110の表面から第2の電極層510が形成される。第2の電極層510の材質、厚さ、及び製造方法は、上述した実施形態で説明したものと実質的に同一である。図10Gを参照すると、第15の分離溝G15及び周辺分離溝Iは、レーザを照射して形成される。第15の分離溝G15は、第2の電極層510、第14の分離溝G13を充填した第2の層405を通して伸張され、第1の電極層110の表面から形成される。第15の分離溝G15は、第14の分離溝G14に充填された第2の層405の一部分が部分的に除去され、第2の層405の部分が第1の層402、中間層310、及び第1の光電変換層210の両反対側壁上に残るように形成される。第15の分離溝G15は、略532nmの波長及び略0.4Wのパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を用いて形成される。第15の分離溝G15は、第14の分離溝G14の幅より狭い略40μm以上略180μm以下の幅を有する。周辺分離溝Iは、略532nmの波長及び略0.3W以上略0.7W以下のパワーを有するNd:YAGレーザの第2の高調波を照射することにより形成される。周辺分離溝Iは、図2に示すように、太陽電池モジュール4のエッジに沿って横方向及び縦方向に伸張され、基板100の表面から形成され、第2の電極層510、第2の光電変換層410、中間層310、第1の光電変換層210、及び第1の電極層110を通して伸張される。上述したように、第2の層405が形成された後に、第13の分離溝G13がレーザエッチング又はパターニングを行うことにより形成される際に、略532nmの波長を有するNd:YAGレーザの第2の高調波は、略0.4Wのパワーで用いられ、他方、第1の層402が形成された後に、第12の分離溝G12及び第14の分離溝G14がレーザエッチング又はパターニングを行うことにより形成される際に、略532nmの波長を有するNd:YAGレーザの第2の高調波は、略0.2W以上略0.4W以下のパワーで用いられる。すなわち、第2の光電変換層410の一部である第1の層402だけが形成される場合に、第2の光電変換層410の全層が形成される場合に比べてレーザパワーを弱く調節することによりレーザエッチング又はパターニングを行う。用いられるレーザのパワーが弱く調節されることにより、第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化が減少することができ、これにより、中間層310及び第1の電極層110の導電性物質が第1の電極層110の導電性物質の昇華又は気化により電気的に漏れやすく接続される際に発生する漏れ電流が減少することができる。用いられるレーザのタイプに従ってパワーが変わる。以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく様々な変更が可能であるということは、当業者には明らかであり、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものの範囲内で定められるべきである。