第1の電極および信号電極が設けられた半導体素子と、前記第1の電極に接合される導電部材と、少なくとも信号配線が形成されると共に、前記導電部材を前記第1の電極に接合する際に、前記信号配線が前記信号電極に接合するように、前記導電部材に取り付けられているフレキシブル基板と、を備える半導体装置。前記導電部材を介して前記第1の電極に接合される第1の電極端子をさらに備え、前記導電部材が、前記第1の電極および前記第1の電極端子に接合されるリードフレームである、請求項1に記載の半導体装置。少なくとも前記半導体素子の周囲を封止する封止樹脂部をさらに備え、前記信号電極に接合される前記信号配線が形成された前記フレキシブル基板の一端が、前記封止樹脂部の一端から露出する、請求項1または2に記載の半導体装置。前記第1の電極端子の電位が、前記フレキシブル基板に実装された実装部品の基準電位に等しい、請求項2または3に記載の半導体装置。前記第1の電極に接合される第1の電極端子をさらに備え、前記導電部材が、前記第1の電極に接合される前記第1の電極端子である、請求項1に記載の半導体装置。前記導電部材が、前記第1の電極に接合されるリードフレームである、請求項1に記載の半導体装置。前記導電部材には、前記半導体素子と前記導電部材との間に前記フレキシブル基板を配置するための空間を形成するために、前記第1の電極の側に突出した凸部が設けられる、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記導電部材が前記フレキシブル基板よりも高い剛性を伴う、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。しかし、このような半導体装置では、フレキシブル基板102の可撓性に起因して、付勢部材105の弾性による圧接の管理が難しいので、半導体素子に対するフレキシブル基板の位置決めが不適切になるなど、半導体装置の製造工程が困難となり易い。そこで、本発明は、製造工程の簡略化が図られた半導体装置を提供しようとするものである。本発明のある態様によれば、第1の電極および信号電極が設けられた半導体素子と、第1の電極に接合される導電部材と、少なくとも信号配線が形成されると共に、導電部材を第1の電極に接合する際に、信号配線が信号電極に接合するように、導電部材に取り付けられているフレキシブル基板と、を備える半導体装置が提供される。かかる構成によれば、フレキシブル基板は、少なくとも信号配線が形成されると共に、導電部材を第1の電極に接合する際に、信号配線が信号電極に接合するように、導電部材に取り付けられている。これにより、フレキシブル基板の接合に際して、導電部材の位置決めを通じてフレキシブル基板の位置決めが可能となり、半導体素子に対してフレキシブル基板を容易に位置決めできる。よって、半導体装置の製造工程を簡略化できる。また、半導体装置が、導電部材を介して第1の電極に接合される第1の電極端子をさらに備え、導電部材が、第1の電極および第1の電極端子に接合されるリードフレームであってもよい。かかる構成によれば、導電部材が、第1の電極および第1の電極端子に接合されるリードフレームであるので、フレキシブル基板を単独で接合する場合のように別途の加圧加熱部材を用いなくても、リードフレームを加圧加熱部材としてフレキシブル基板を接合できる。また、半導体装置が、少なくとも半導体素子の周囲を封止する封止樹脂部をさらに備え、信号電極に接合される信号配線が形成されたフレキシブル基板の一端が、封止樹脂部の一端から露出してもよい。かかる構成によれば、信号電極に接合される信号配線が形成されたフレキシブル基板の一端が封止樹脂部の一端から露出するので、半導体素子から半導体装置の外部に至る信号配線をフレキシブル基板に一体化できる。また、第1の電極端子の電位が、フレキシブル基板に実装された実装部品の基準電位に等しくてもよい。かかる構成によれば、第1の電極端子の電位が、フレキシブル基板に実装された実装部品の基準電位に等しいので、実装部品のノイズ耐性を向上できる。また、半導体装置が、第1の電極に接合される第1の電極端子をさらに備え、導電部材が、第1の電極に接合される第1の電極端子であってもよい。かかる構成によれば、フレキシブル基板は、導電部材である第1の電極端子を第1の電極に接合する際に、信号配線が信号電極に接合するように第1の電極端子に取り付けられている。このため、フレキシブル基板の接合に際して、第1の電極に対する第1の電極端子の位置決めを通じて、信号電極に対するフレキシブル基板の位置決めが可能となり、半導体素子に対してフレキシブル基板を容易に位置決めできる。また、導電部材が、第1の電極に接合されるリードフレームであってもよい。かかる構成によれば、フレキシブル基板は、導電部材であるリードフレームを第1の電極に接合する際に、信号配線が信号電極に接合するようにリードフレームに取り付けられている。このため、フレキシブル基板の接合に際して、第1の電極に対するリードフレームの位置決めを通じて、信号電極に対するフレキシブル基板の位置決めが可能となり、半導体素子に対してフレキシブル基板を容易に位置決めできる。また、導電部材には、半導体素子と導電部材との間にフレキシブル基板を配置するための空間を形成するために、第1の電極の側に突出した凸部が設けられてもよい。かかる構成によれば、半導体素子と導電部材との間にフレキシブル基板を配置するための空間を形成するために、第1の電極の側に突出した凸部が設けられるので、半導体素子に対してフレキシブル基板を容易に接合できる。以上説明したように、本発明によれば、製造工程の簡略化が図られた半導体装置を提供することができる。まず、図1を参照して、本発明の実施形態に係る半導体装置について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。本発明の実施形態に係る半導体装置は、例えば車両用インバータに用いられるパワーモジュールである。図1に示すように、半導体装置は、半導体素子11と、第1および第2の電極端子12、13と、リードフレーム14と、フレキシブル基板15と、封止樹脂部16とを含む。半導体素子11は、パワーデバイスとも称され、シリコン、炭化珪素、窒化ガリウムなどの半導体からなる。半導体素子11は、第1の電極11aおよび信号電極11c信号パッドとも称するを設けた第1の面図1では上面と、第2の電極11bを設けた第2の面図1では下面とを有する。第1および第2の電極端子12、13は、出力電極とも称され、銅、タングステン、モリブデンなどで構成された金属板からなるが、他の金属材料で構成されてもよい。第1および第2の電極端子12、13には、配線端子12a、13aの一端がそれぞれに接続される。第1の電極端子12N電極は、接合部17cを介してリードフレーム14の上面に接合される。第2の電極端子13P電極は、接合部17bを介して半導体素子11の第2の電極11bに接合されて半導体素子11と電気的に接続される。リードフレーム14は、第1の電極11aに接合される導電部材として機能する。リードフレーム14は、半導体パッケージの内部配線として使われる薄板の金属であり、外部配線との橋渡しの役目を果たす。リードフレーム14は、プリント回路基板15よりも高い剛性を伴う。リードフレーム14は、その一端が半導体装置の中央に位置し、その他端が半導体装置の側端に位置する。リードフレーム14の一端は、その上面が接合部17cを介して第1の電極端子12の下面に接合されて第1の電極端子12と電気的に接続されると共に、その下面が接合部17aを介して半導体素子11の第1の電極11aに接合されて半導体素子11と電気的に接続される。よって、リードフレーム14は、半導体素子11と第1の電極端子12とを電気的に接続する。リードフレーム14には、その下面に接着手段不図示などを介してフレキシブル基板15が取り付けられる。リードフレーム14の一端は、半導体素子11側に突出した凸部14aを有しており、半導体素子11と第1の電極端子12との間にフレキシブル基板15を配置するための空間を形成する。よって、リードフレーム14の凸部14aは、フレキシブル基板15の配置空間を確保するためのスペーサとして機能する。フレキシブル基板FPC基板15は、プリドライバICなどの実装部品15bを実装すると共に、少なくとも半導体素子11に接続される信号配線15aが形成される。フレキシブル基板15は、その一端が半導体素子11の近傍に位置し、その他端が半導体装置の外部に位置して周辺の制御基板不図示に接続される。フレキシブル基板15は、その上面が接着手段などを介してリードフレーム14に取り付けられ、よって、リードフレーム14に一体化される。フレキシブル基板15の一端は、その下面が信号接合部17dを介して半導体素子11の信号電極11cに接合されて半導体素子11と電気的に接続される。封止樹脂部16は、モールド材とも称され、エポキシモールド樹脂などの絶縁樹脂からなるが、他の絶縁材料で構成されてもよい。封止樹脂部16は、少なくとも半導体素子11の周囲を封止し、図1に示す実施形態では、第1および第2の電極端子12、13の側面、および第1および第2の電極端子12、13の間の空間を封止する。なお、封止樹脂部16は、第1の電極端子12の上面および第2の電極端子13の下面をさらに封止してもよい。第1および第2の電極端子12、13に接続された配線端子12a、13aの他端と、フレキシブル基板15の他端とは、封止樹脂部16から露出する。なお、リードフレーム14の他端は、封止樹脂部16から露出してもよく、露出しなくてもよい。半導体装置の製造に際して、フレキシブル基板15は、リードフレーム14を半導体素子11の第1の電極11aに接合する際に信号配線15aが半導体素子11の信号電極11cに接合するように、リードフレーム14に取り付けられている。すなわち、フレキシブル基板15は、リードフレーム14の凸部14aを第1の電極11aに接合する際に信号配線15aが信号電極11cに接合可能電気的に接続可能な位置に配置されるように、リードフレーム14に取り付けられている。このため、フレキシブル基板15の接合に際して、半導体素子11の第1の電極11aに対するリードフレーム14の位置決めを通じて、半導体装置の信号電極11cに対するフレキシブル基板15の位置決めが可能となり、半導体素子11に対してフレキシブル基板15を容易に位置決めできる。フレキシブル基板15を単独で位置決めする場合、半導体素子11の近傍に位置決め用の隙間が必要となり半導体装置の大型化を招く場合があるが、リードフレーム14の位置決めを通じてフレキシブル基板15の位置決めが可能となるので、半導体装置の大型化を抑制できる。また、半導体素子11の第1の電極11aに接合されるリードフレーム14にフレキシブル基板15が取り付けられているので、第1の電極11aに対するリードフレーム14の接合と、信号電極11cに対するフレキシブル基板15の信号配線15aの接合とをほぼ同時にできる。また、半導体素子11の信号電極11cに接合される信号配線15aがフレキシブル基板15に形成されるので、実装部品15bなどをフレキシブル基板15上で半導体素子11の直近に配置可能となり信号配線15aの寄生インダクタンスを低減できる。さらに、フレキシブル基板15が取り付けられたリードフレーム14が半導体素子11の第1の電極11aおよび第1の電極端子12に接合されるので、フレキシブル基板15を単独で接合する場合のように別途の加圧加熱部材を用いなくても、リードフレーム14を加圧加熱部材としてフレキシブル基板15を接合できる。また、半導体素子11の信号電極11cに接合される信号配線15aが形成されたフレキシブル基板15の一端が封止樹脂部16の一端から露出するので、半導体素子11から半導体装置の外部に至る信号配線15aをフレキシブル基板15に一体化できる。また、第1の電極端子12の電位がフレキシブル基板15に実装された実装部品15bの基準電位に等しいので、実装部品15bのノイズ耐性を向上できる。つぎに、図2および図3を参照して、半導体装置の第1および第2の変形例について説明する。図2および図3は、半導体装置の第1および第2の変形例をそれぞれに示す断面図である。図2に示すように、第1の変形例に係る半導体装置では、図1に示した半導体装置において、リードフレーム14に代えて、第1の電極端子22が導電部材として機能する。つまり、第1の電極端子22は、フレキシブル基板15を取り付けると共に、半導体素子11の第1の電極11aに接合される。第1の電極端子22は、プリント回路基板15よりも高い剛性を伴う。なお、第1の電極端子22には、配線端子22aの一端が接続される。第1の電極端子22の下面には、フレキシブル基板15の配置空間を確保するためのスペーサとして機能する凸部22bが設けられる。よって、半導体装置では、第2の電極端子13が接合部17bを介して半導体素子11の第2の電極11bに接合され、第1の電極端子22の凸部22bが接合部17eを介して半導体素子11の第1の電極11aに接合される。よって、半導体素子11は、第1および第2の電極端子22、13と電気的に接続される。そして、フレキシブル基板15は、フレキシブル基板15を半導体素子11の第1の電極11aに接合する際に、配線回路15aが半導体素子11の信号電極11cに接合するように、第1の電極端子22の凸部22b以外の下面に取り付けられている。よって、第1の電極端子22に取り付けられたフレキシブル基板15は、信号接合部17dを介して半導体素子11と電気的に接続される。半導体装置の製造に際して、フレキシブル基板15は、第1の電極端子22の凸部22bを半導体素子11の第1の電極11aに接合する際に、信号配線15aが半導体素子11の信号電極11cに接合するように第2の電極端子22に取り付けられている。このため、フレキシブル基板15の接合に際して、半導体素子11の第1の電極11aに対する第2の電極端子22の位置決めを通じて、半導体装置の信号電極11cに対するフレキシブル基板15の位置決めが可能となり、半導体素子11に対してフレキシブル基板15を容易に位置決めできる。図3に示すように、第2の変形例に係る半導体装置は、半導体素子11の第1の電極11aに接合される第1の電極端子12、22を有していない半導体装置である。第2の変形例に係る半導体装置では、図2に示した半導体装置において、第2の電極端子22に代えて、リードフレーム24が導電部材として機能する。つまり、リードフレーム24は、フレキシブル基板15を取り付けると共に、半導体素子11の第1の電極11aに接合される。リードフレーム24は、プリント回路基板15よりも高い剛性を伴う。リードフレーム24の下面には、フレキシブル基板15の配置空間を確保するためのスペーサとして機能する凸部24aが設けられる。よって、半導体装置では、第2の電極端子13が接合部17bを介して半導体素子11の第2の電極11bに接合され、リードフレーム24の凸部24aが接合部17fを介して半導体素子11の第1の電極11aに接合される。よって、半導体素子11は、第2の電極端子13およびリードフレーム24と電気的に接続される。そして、フレキシブル基板15は、信号配線15aが接合部17dを介して半導体素子11の信号電極11cに接合されるようにリードフレーム24の凸部24a以外の下面に取り付けられている。よって、リードフレーム24に取り付けられたフレキシブル基板15は、信号接合部17dを介して半導体素子11と電気的に接続される。半導体装置の製造に際して、フレキシブル基板15は、リードフレーム24の凸部24aを半導体素子11の第1の電極11aに接合する際に、信号配線15aが半導体素子11の信号電極11cに接合するようにリードフレーム24に取り付けられている。このため、フレキシブル基板15の接合に際して、半導体素子11の第1の電極11aに対するリードフレーム24の位置決めを通じて、半導体装置の信号電極11cに対するフレキシブル基板15の位置決めが可能となり、半導体素子11に対してフレキシブル基板15を容易に位置決めできる。以上説明したように、本発明の実施形態に係る半導体装置によれば、フレキシブル基板15は、少なくとも信号配線15aが形成されると共に、導電部材リードフレーム14、24、第1の電極端子22を第1の電極11aに接合する際に、信号配線15aが信号電極11cに接合するように、導電部材リードフレーム14、24、第1の電極端子22に取り付けられている。これにより、フレキシブル基板15の接合に際して、導電部材リードフレーム14、24、第1の電極端子22の位置決めを通じてフレキシブル基板15の位置決めが可能となり、半導体素子11に対してフレキシブル基板15を容易に位置決めできる。よって、半導体装置の製造工程を簡略化できる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は、前述した実施形態に係る半導体装置に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。