"絶縁性基板の少なくとも片面に、フォトリソグラフィーあるいは印刷手法などにより、導電性材料からなるストライプが並列する配線パターンを形成する工程と、同様に配線パターンの形成された他の絶縁性基板を、接着剤を介して圧着することにより、絶縁性基板間での空隙が発生しないように、複数枚積層する工程と、得られた積層体を、積層方向に対して垂直方向であり、かつ前記ストライプの並列方向に沿う方向の断面線で機械的にスライスする工程と、前記スライス工程を、断面線が平行して隣接する間隔で繰り返す工程、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。機械的にスライスされた板状部材の断面に、搭載する半導体素子との電気信号の入出力を行なうための回路を構成する配線パターンを形成する工程、を更に具備することを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。配線パターンの形成された複数枚の板状部材を積層圧着する工程、を更に具備することを特徴とする請求項2記載の配線基板の製造方法。導電性材料からなるストライプが並列する配線パターンを形成した絶縁性基板における前記ストライプ間の凹部を、CVD法によりSiO2で充填する工程、を更に具備することを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の配線基板の製造方法。絶縁性基板がガラスであることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の配線基板の製造方法。請求項5に記載の配線基板の製造方法により得られる配線基板であって、スリット状のガラス部材が隙間なく一方向に連結されてなる板状のガラス基板の少なくとも片面に、搭載される半導体素子との電気信号の入出力を行なうための回路を構成する配線パターンを形成してなる配線基板であり、配線基板の表裏面には、板状部材を貫通するVIA貫通電極となる導電部が点在する構成の配線基板。一方で、レーザーやガスエッチングを使用したガラスの穴あけ方法も提案されているが、エッチングレートが遅すぎたり、異方性エッチングが行なえないなど課題が多く、実用にはまだまだ時間がかかると考えられる。このような現状から、シリコン配線基板では既に実現されている数十μm間隔の貫通電極がガラス基板では実現できず、微細配線化小型化が困難とされインターポーザ用途などでのガラス基板の採用については、報告例が殆ど見られていない。本発明では、微細な間隔で貫通電極VIAを形成することが困難であるという課題を解決する上で好適な新規な製造方法を提案することを目的とし、特にガラスを基材とする配線基板への適用を主たる目的とする。本発明による製造方法では、ガラス板に対して厚さ方向に貫通孔を形成する手法ではなく、最終的に貫通電極VIAとなる導電パターンをガラス板の表面に形成する手法を採用する。即ち、本発明による配線基板の製造方法は、ガラス板の少なくとも片面に、フォトリソグラフィーあるいは印刷手法などにより、導電性材料からなるストライプが並列する配線パターンを形成して、同様な他のガラス板を積層圧着する工程を、ガラス板同士での配線パターンのストライプ並列方向が揃うように、且つ、ガラス板同士の間で空隙が発生しないように、複数枚積層した後、積層されたガラス板を、積層方向に対して垂直方向であり、かつ前記ストライプの並列方向に平行して隣接する2本の断面線で機械的にスライスして、板状の部材とする工程を具備することを特徴とする。得られたスライス体板状の部材は、表裏面まで貫通するように、前記ストライプの断面がスライス面に点在する構成である。前記スライス面に半導体素子などを搭載し、新たな配線パターンを形成するなどして、スライス体が配線基板となる。上記方法により得られる配線基板は、スリット状のガラスが隙間なく一方向に連結され、結果的に、板状のガラス基板と同様な構造となり、板状部材の表面に点在する前記ストライプにあたる部分は、板状部材を貫通するVIA貫通電極として機能することになる。更に、上記で得られた配線基板を、必要に応じて複数枚積層することにより、多層構成の配線板が得られる。本発明の手法によれば、ドリル,乾式ブラスト,レーザー,ガスエッチングなどによりガラス板に貫通孔を形成する従来0手法では実現できなかった数十μm前後の微細な間隔の貫通電極を有する配線基板向けガラス基板を安定して製造することが可能となる。本発明の配線基板では、気密性,電気特性に優れ、多層化により高密度の配線パターンの形成された配線基板が実現される。以下、本発明の実施形態に係わるガラス配線基板を、図面を参照して詳細に説明する。<第1実施形態>第1工程:複数枚の積層体の積層構造積層体100は、絶縁体1と導体層2を積層することで得られる。絶縁体1としては、主に酸化シリコン,ガラス,有機物を材料とするもの使用でき、これらを板状に加工したものや、他の絶縁性材料からなるシート表面に気相蒸着法やコーティング法等によって成膜したものが使用できるが、これらに限定されるものではない。導体層2ストライプが並列した配線層の材料では、銅,ニッケル,タングステン,アルミニウムなどが使用でき、蒸着法やめっき法,接着剤を用いて箔を貼り合わせる方法などが選択できるが、これに限定されるものではない。導体層2配線パターンは、湿式/乾式を問わず、一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて配線パターン形成を行なうことで、最終的には微細な間隔で配置されたVIA貫通電極となる。導体層2の形成にあたっては、導電性インキを用いた印刷手法により、絶縁体1表面に配線パターンを形成しても良い。図1図1に示す積層体100に、上記と同様に絶縁体1に導体層2が形成されてなる積層体100を、接着剤を介して積層圧着することにより、図2に示す積層構造を得る。図2では、同図下から1層目の積層体,2層目の積層体,導体層2の形成されていない絶縁体1のみからなる3層目の複数枚が積層圧着されている。また、同図では、図1で確認されるストライプ間の隙間にあたる凹部が存在せず埋められたように図示されているが、接着剤を介しての積層体100の積層圧着にあたり、絶縁性基板間での空隙が発生しないように、前記凹部を接着剤で充填する。あるいは、接着剤を介しての積層体100の積層圧着に先駆けて、前記ストライプ間の凹部をCVD法によりSiO2で充填する工程を行なっても良い。CVD法によるSiO2の供給は、ストライプ間の凹部を十分に充填するように行なっても良いし、ストライプ導体層2の全面を覆うように行なっても良い。後者の場合、ストライプ導体層2の表面にSiO2が直接的に接触した状態となるため、接着剤が接触した状態よりも、電気特性上の優位性が確保される。積層体100の積層圧着は、図2の構成に限らず、それを多数回繰り返して良い。ただし、積層体に形成されるストライプ導体層2が、積層体間で直接的に接触してはならない点と、ストライプの並列方向がほぼ揃うようにしなければならない点に注意を要することになる。以上により、単位構造である積層体を複数枚組み合わせてなる積層構造が得られる。第2工程:機械的スライス図2に示される積層構造を、同図に示すA-A’およびB-B’の断面線でスライスすることにより、図3に示す配線基板用部材200が得られる。図2では右側側面の断面を、図3では正面に図示している。A-B間およびA’-B’間の幅は任意で設定することが可能であるが、後に配線基板となる板厚に相当するため、平行度間隔を適切に設定する必要がある。切断スライス方法としては、絶縁体がガラスや酸化シリコンであった場合は、一般的なウエハの切削方法,積層体が薄ければダイシングを使用することができる。また、有機絶縁体の場合は、ルーターによる切断方法を使うことが可能である。切断後は、必要に応じて断面に化学的機械研磨を行なうことで、半導体素子の搭載箇所あるいは配線パターンの形成箇所となる切断面を平滑にする。切断スライスを繰り返すことによって、1つの積層構造から複数の配線基板用部材200を得ることができる。第3工程:配線パターンの形成→配線基板の作製図4は、図3のC-C’における断面図である。配線基板用部材200の少なくとも片面同図中で、上面と下面の少なくとも何れかに一般的に用いられているめっき法やフォトリソグラフィー法を用いて配線パターン3を形成することで、図5に示す配線基板300が作製される。図5に示すように、配線パターンを上下両面に形成した場合は、導体層2は上下の配線パターンを接続するVIAとして機能する。配線パターンを上面のみに形成した場合は、導体層2の下側は外部回路基板や機器との接続のためのVIAとして機能する。第4工程:インターポーザ基板の作製第3工程で得られた配線基板300に半導体素子5を実装し、半導体素子5の接続端子と配線基板300の上面に形成された配線パターンの接続部と電気的に接続し、樹脂封止などその他の各種処理を施すことにより、インターポーザ基板として外部回路基板や機器に接続実装することが可能になる。図6同図は、半導体素子5をフリップチップ実装した場合の図示であるが、ワイヤボンディング実装する方式での実装にも、本発明は適用可能である。<第2実施形態>また、第1実施形態の第1工程において、導体層をサブトラクティブ法によって形成することも可能である。<第3実施形態>また、第1実施形態の第1工程において、導体層を導電性ペーストを用いた印刷法により形成することも可能である。導電性ペーストとしては銀ペーストや銅ペースト,カーボンペーストが使用できるが、これらに限定されるものではない。以上の方法により、ガラス基板に既存のフォトリソグラフィー法によって形成できる配線間隔と同等の間隔をもつ貫通電極の製造が可能となる。これは、例えばサブトラクティブ法であれば20μm程度の間隙から、ガスエッチング法を用いれば1μmの間隙も可能となる。厚さ1mmのガラス基材に化学気相蒸着法によって銅皮膜を100nm厚で形成し、これをシード層として電解銅めっきによって厚さ30μmの銅による導体層を形成した。この導体層に、フォトリソグラフィー法を用いてレジストのパターニングを行い、塩化鉄溶液を用いて銅のエッチングを行い、配線幅30μm,配線間隔60μmの縞状の配線パターンを形成した。配線パターン上に、化学気相蒸着法によって二酸化ケイ素膜を形成し、平坦化後に厚さ100μmのガラス板を張り合わせることで絶縁層を形成した。再び、銅による導体層を形成し、パターニングを行って再度に酸化ケイ素膜、ガラス基板の積層をことをくりかえし、これを23回繰り返したところで最後に厚さ1mmのガラス基材を積層し、総厚さ5mmの積層体を完成させた。完成した積層体をダイシングを行い、配線層の縞状のパターンに対して直角方向で幅1ミリメートルに切り出し、両面を化学的機械研磨により厚さが750μmになるまで表面研磨をおこなった。切り出した基板に、めっきによって銅を析出させ、フォトリソグラフィー法によって、断面部分に配線形成を行った。配線形成を行った基板をさらに一辺を5mmのチップ状に切り出して、配線基板とした。これによって、配線間隙が、30μmの貫通電極を有するガラス配線基板を作製することができた。完成した貫通電極を有するガラス配線基板の表裏の導通試験を実施したところ、貫通電極によって表裏を接続されている電極間では導通を、配線間で接続されていない部分は絶縁を示した。上記実施形態によれば、貫通電極の間隔を狭く、微細配線可能な、ガラス配線基板を提供することが出来る。この基板を片面に半導体装置を実装して、もう一方の面を別の配線基板に実装することで、インターポーザ基板として使用することが可能になる。"