"主磁極と,前記主磁極のトレーリング側に隣接して配置された高周波磁界発生部とを備え,浮上面から見て,前記高周波磁界発生部のクロストラック方向中心線が前記主磁極のクロストラック方向中心線に対して離間しており,前記主磁極からの磁界ベクトルが前記高周波磁界発生部の膜面に対してほぼ垂直に入射することを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。主磁極と,前記主磁極のトレーリング側に隣接して配置された高周波磁界発生部とを備え,浮上面から見て,前記主磁極と前記高周波磁界発生部の同じ側のクロストラック方向端部が近傍に配置され,前記主磁極からの磁界ベクトルが前記高周波磁界発生部の膜面に対してほぼ垂直に入射することを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。請求項1又は2記載のエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドにおいて,浮上面で見たとき,前記高周波磁界発生部のクロストラック方向の幅が50nm以下であり,前記主磁極の前記高周波磁界発生部に隣接する側のクロストラック方向の幅が前記高周波磁界発生部の幅よりも広いことを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。請求項1~3のいずれか1項記載のエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドにおいて,前記主磁極のクロストラック方向に配置されたサイドシールドと,前記主磁極のトレーリング側に配置されたトレーリングシールドを有し,前記高周波磁界発生部は前記主磁極のクロストラック方向中心から前記サイドシールドが配置された方向にずれた位置に配置され,前記トレーリングシールドは前記サイドシールドのトレーリング側には配置されていないことを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。請求項4記載のエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドにおいて,前記サイドシールドは前記主磁極のクロストラック方向の一方の側にのみ配置されていることを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。請求項1~3のいずれか1項記載のエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドにおいて,前記高周波磁界発生部のクロストラック方向に隣接して,前記高周波磁界発生部に静磁界を加えるハードバイアス層を備えることを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。請求項1~3のいずれか1項記載のエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドにおいて,前記高周波磁界発生部は,その膜面法線が,浮上面から見た前記主磁極のクロストラック方向中心線に対して傾斜して形成されていることを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッド。磁気ディスクと,前記磁気ディスクを回転駆動するディスク駆動部と,前記磁気ディスクに対して情報を書き込む記録ヘッドと,前記記録ヘッドを前記磁気ディスク上の所望のトラックに位置決めするヘッド駆動部とを有する磁気記録装置において,前記記録ヘッドは,主磁極と,前記主磁極のトレーリング側に隣接して配置された高周波磁界発生部を備え,浮上面から見て,前記高周波磁界発生部のクロストラック方向中心線が前記主磁極のクロストラック方向中心線に対して離間しており,前記主磁極からの磁界ベクトルが前記高周波磁界発生部の膜面に対してほぼ垂直に入射することを特徴とするエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドであることを特徴とする磁気記録装置。磁気ディスクと,前記磁気ディスクを回転駆動するディスク駆動部と,前記磁気ディスクに対して情報を書き込む記録ヘッドと,前記記録ヘッドを前記磁気ディスク上の所望のトラックに位置決めするヘッド駆動部とを有する磁気記録装置において,前記記録ヘッドは,主磁極と,前記主磁極のトレーリング側に隣接して配置された複数の高周波磁界発生部とを備え,浮上面から見て,前記複数の高周波磁界発生部は前記主磁極のクロストラック方向中心線に対して対象な位置に配置され,前記主磁極からの磁界ベクトルが前記複数の高周波磁界発生部の膜面に対してほぼ垂直に入射するエネルギーアシスト型磁気記録ヘッドであり,前記磁気ディスクの内周側に対する記録と外周側に対する記録するとで,前記複数の高周波磁界発生部を使い分けることを特徴とする磁気記録装置。MAMRは記録密度の増加において高いポテンシャルを持つと見られているが現状では原理検証段階であり,MAMRヘッドによる記録実験もまだ行われていない。このため,目前に迫る記録密度1Tb/in2の壁を超える技術としてはシングルドライト方式の導入が先となる。シングルドライト方式は,MAMRのように新原理を必要としないため開発リスクが低い長所がある半面,重ね書きの制約から任意のトラックをランダムに書き込むことが不可能な短所がある。このためファイル方式などのアーキテクチャ変更が必要で,その影響がハードディスクドライブ内にとどまらずシステム全体に及ぶ。従って,一たび採用されると,その後の世代に渡りシングルドライト方式がレガシーシステムとして非技術的な理由によっても継続採用される可能性が高い。一方で,遅くとも記録密度2Tb/in2級以降の世代では,媒体磁性粒子の熱揺らぎ耐性を確保するために新規に高異方性エネルギーKu媒体の採用が必須と見られている。高Ku媒体に書き込むためには何らかのアシスト記録方式が必要で,この世代以降ではシングルドライト方式にアシスト記録を組み合わせて用いることになると考えられる。シングルドライト方式にMAMRを組み合わせた場合,新たに次の課題が生じる。シングルドライト方式では,急峻なクロストラック磁界勾配を得るためにサイドシールドとの距離を詰めて設計する一方,主磁極からの磁界強度を低下させないためにある程度大きな主磁極寸法が必要で,結果としてトラック幅よりも主磁極寸法は広くなる。一方で高周波磁界を発生するFGL寸法は単磁区化のため幅50nm以下とする必要がある。そのため,シングルドライト向けのMAMRヘッドでは,図8に示す様に主磁極の端面とFGLの端面23の位置が重ならず,両者の勾配が最も急峻となる位置がずれるためにクロストラック方向の磁化遷移を急峻に記録しにくい課題がある。図中,曲線24は主磁極の磁界プロファイルであり,曲線25はFGL高周波磁界のプロファイルを示している。これを解決するためには,図9に示すように,FGL19の中心と主磁極8のクロストラック方向の中心22をオフセットして両者の勾配の急峻部を一致させる方法が考えられる。しかしながら,その場合は,新たに主磁極8からの磁界ベクトル11がFGL19の膜面に対し斜めに入射することでFGLの発振が不安定化する課題が生じる。FGLの安定発振にはFGL膜面に主磁極からの磁界がほぼ垂直に入射することが必要である。本発明はかかる課題に鑑み,シングルドライト方式とMAMRを組み合わせた磁気記録において,FGLが安定に発振し,かつクロストラック方向に急峻な磁化遷移を記録可能なMAMRヘッドを提供するものである。上記課題を解決する手段として,ABS面から見て,シングルドライト向け磁気ヘッドの主磁極のクロストラック方向中心線に対して,MAMRのFGLのクロストラック方向中心線をオフセットさせる。もしくは両者の同じ側の端部が近傍に配置される構造とすることで,主磁極磁界のクロストラック方向の磁界勾配とFGLの高周波磁界のクロストラック方向の磁界勾配の急峻部を重ね合わせる。さらに,主磁極からの磁界ベクトルをFGL膜面にほぼ垂直に入射させるための手段として,主磁極磁界を誘引して磁界ベクトルの方向を補正するように透磁率の高いシールド材料を主磁極のトレーリング側に配置する方法,主磁極磁界以外の磁界を加えて磁界ベクトルの方向を補正するようにハードバイアス層を配置する方法,主磁極磁界の方向にFGL膜面がほぼ垂直となるようにFGL自体を傾斜して形成する方法,などの手段を用いてFGLの安定発振を可能にする。また,ヘッドスライダが磁気ディスクの内周側もしくは外周側の何れか側を記録するに際して,主磁極中心線がトラックに対して傾斜して角度スキュー角がついた場合にもクロストラック方向の磁界勾配が急峻な状態を保てるように,主磁極の両サイドにFGLを配置して内周側又は外周側のいずれかに適したサイドを用いる手段も提供する。本発明のシングルドライト方式にMAMRを適用した磁気ヘッドによって,遅くとも記録密度2Tb/in2級以降では必要となる高異方性エネルギーKu媒体に対して,それ以前のシステムからの変更コストを最小限にしつつ,より記録密度の高い磁気記録が可能となる。特に,トラックピッチを狭めることのできるシングルドライト方式の長所を活かしつつ,FGLからの局所的な高周波磁界によって微細な磁気マークを形成できるMAMR方式を用いることで更なる高密度記録を可能とし,これに伴うハードディスクドライブの記録情報単位あたりの低コスト化と低消費電力化,そして記録再生の高速化を可能とする。以下,本発明を実施するための形態について記述する。まず,第1の実施例について説明する。図1は,本実施例の磁気記録ヘッドをABS面から見た拡大図である。主磁極8のクロストラック方向の一方の側に隣接するようにサイドシールド10を配置する。サイドシールド10はNiFeなど透磁率の高い材料を用いており,主磁極からの磁界を効率的に引き込む役割を果たす。シングルドライト方式の基本形ではヘッドの片側のみを用いるため,サイドシールド10は記録に用いるサイドのみがあればよい。不要なサイドのシールドは主磁極からの磁界を弱める効果があるために敢えて形成しない。図1では主磁極8の上側,媒体に対して主磁極8が通過する後方側となるトレーリング端に隣接してMAMR素子17を配置する。サイドシールド10のトレーリング側には,トレーリングシールド9を配置しない。MAMR素子17の拡大図を図10に示す。MAMR素子は,主磁極8と電気的に接続して,主磁極8側から順に,下地層26,スピン注入層20,FGL19,補助層18,キャップ層27からなり,トレーリングシールド9に電気的に接続している。補助層18は,FGL19の磁化を面内に留めるための補助をする等の目的で必要に応じて挿入される。主磁極8からトレーリングシールド9に向かって高周波磁界を発生するためのマイクロ波発生電流21を流す。この電流によって,スピン注入層20でスピン偏極された電流がFGL19に注入されてスピントルクによって発振を起こし,GHz~数十GHz帯の高周波磁界を発生する。所望の高周波磁界を発生するためにはFGL19は一斉に磁化が回転する単磁区であることが望ましく,そのためにはFGL19の幅は50nm程度以下であることが求められる。この条件は狭いトラック幅の記録を行うためにも都合が良いが,一方で典型的には60~120nmとトラック幅の広いシングルドライト方式の主磁極8と組み合わせる場合には,記録を行う側のサイドにFGL19をオフセットする必要が生じる。現行の垂直磁気記録方式のヘッドでは,磁界勾配を高めるために主磁極の周囲全体をシールドで覆うWASラップアラウンドシールドを用いるが,WASに対してオフセットしたFGLを配置すると,主磁極からの磁界はコーナーから広がる方向に出て行く性質があるために,図9に模式的に示したようにFGL膜面へは斜め入射し,FGL面内の磁化回転の障害となる。そのため,FGL近傍のWASの一部を図1に示す様に取り除き,サイドシールド10とトレーリングシールド9とを分離した構造とする。磁界ベクトルは透磁率の高いサイドシールド10とトレーリングシールド9の方向に,より引き込まれる性質があるため,FGL膜面には磁界ベクトルがほぼ垂直に入射し目的を達する。この目的のためには,概念的にはFGLの端部と主磁極の端部が近傍に配置されていれば良い。具体的には,図11に示す主磁極8の幅PwPw>50nmに対してFGL19の幅Fwは50nm以下かつ設計トラック幅Twより広い寸法とし,主磁極8のクロストラック方向の中心線22とFGL19のクロストラック方向の中心線29の距離30がPw-Fw/2±20nm程度離間した配置とすればよい。若しくは,主磁極8の書き込みに寄与する端部の位置31と,FGL19の端部位置32とが±20nm以内の近傍に配置される構造であれば良い。FGL19からの高周波磁界や主磁極8からの磁界プロファイルはおよそ40nm以下で十分に低下するため,端部位置合わせの設計余裕として±20nmを確保すれば,主磁極からの磁界勾配とFGLからの高周波磁界勾配の急峻な位置を重ね合わせることが可能になる。また,先にほぼ垂直と記載した主磁極からの磁界ベクトルがFGLの発振を妨げない入射角度は,発明者らの計算機シミュレーションによれば,具体的には90±20度の範囲にある。図12に,主磁極からの外部磁界がFGL法線方向に対して15度の角度で入射する場合の磁化回転のシミュレーション結果を示す。磁化はFGL面内x-y面で安定に回転する。一方,図13には主磁極からの外部磁界がFGL法線方向に対して25度の角度で入射する場合の結果を示す。この場合には磁化の回転が不安定化していることがわかる。磁化回転の安定性は正確には,FGLに注入されるスピン偏極電流によるスピントルクと主磁極からの外部磁界成分のうちFGL膜面に平行な成分との関係で決まる。このためスピン偏極電流が大きくスピントルクが強ければ対応して強いFGL膜面成分の磁界に対抗可能で,従って垂直方向からのずれへの許容度も増す。しかしながらスピン偏極電流が増加するとそれ自身が不安定化の原因になること,また主磁極が作る磁界強度の範囲を考慮すると,磁界ベクトルのFGL膜面進入角度としては上記90±20度の範囲が最大限と言える。さらに,実用上種々の外乱に対してもロバストな好ましい条件としては90±10度の範囲となる。次に,このヘッド構造を形成するための製造プロセスについても簡単に記述する。磁気ヘッドはAl2O3-TiCアルミナ-チタンカーバイド基板上に微細加工技術を使って形成する。基板面は図中では下側となるが,後の図面も含め基板部分の図示は省略している。まず,基板面から順に再生ヘッド及びその配線部分を形成する。ここではそのプロセスの記述は省略する。図14に,再生ヘッドの形成工程が終了し,記録ヘッドの下地形成工程の後に,絶縁膜33,典型的にはアルミナAl2O3上に主磁極材料34を堆積し,主磁極を形成するための多層マスク35を形成した段階を示す。多層マスク35はDLCダイヤモンドライクカーボンの上層にSiO2,Ta2O5などのハードマスクもしくはレジストを重ねたものを用いる。主磁極材料34にはCoFe,NiFeなどを用いる。多層マスク35をマスクとしてアルゴンイオンミリングにより主磁極形状を形成した段階を図15に示す。イオンミリングのイオン入射角度等の加工条件を調節することで逆台形形状を形成する。ここでは絶縁膜アルミナ33の加工レートを増すために反応性イオンミリング等も用いられる。次に,シールド間ギャップ形成用にアルミナ等の分離膜36を堆積し,続けてサイドシールド材料37を堆積した段階が図16である。ここで,CMP等を用いてマスク35を含めてリフトオフをすると図17の状態となる。さらにレジスト60を形成し図18,不要な側のサイドシールド37を除去し図19,絶縁膜42を堆積して図20,リフトオフによりレジスト60上の絶縁膜を除去した後図21,CMPによる平坦化を行うと図22の状態となる。ここにMAMR素子を形成するための磁性多層膜を堆積すると図23の状態となる。MAMR素子の詳細は省略するが,図10に示した構造の磁性多層膜から構成される。次いで,図24に示す様にFGL幅を決めるためのマスク38を形成し,イオンミリングにより不要な磁性多層膜を除去した後,非磁性の分離膜39を埋め込み,CMPリフトオフを用いて平坦化した段階が図25である。非磁性の分離膜39はアルミナ等の単層絶縁膜を用いるか,もしくはルテニウムなどの非磁性の金属膜と二酸化ケイ素SiO2又はアルミナAl2O3等の絶縁膜との積層膜でもよい。さらに,トレーリングシールド材料40を堆積し,マスク41を形成した段階が図26で,不要なトレーリングシールド材料を除去して絶縁膜42を埋め込むと,図27に示す目的の構造が形成される。MAMR素子には,主磁極8とトレーリングシールド40を用いて電流を流す。ここでは説明しないが,前述のように主磁極材料を先に形成してからサイドシールド材料を後で堆積するプロセスとは逆に,先にサイドシールド材料を形成してから主磁極用の溝を形成し,そこに主磁極材料を埋め込んで主磁極を形成するダマシン法と呼ばれるプロセスを用いても良い。次に,第2の実施例について説明する。本実施例では,FGLの両サイドに静磁界を加えるハードバイアス層を設ける方法について述べる。本実施例の構造を図28に示す。主磁極8とサイドシールド10の関係は第1の実施例と同様とし,その上部トレーリング側に形成したMAMR素子17の両サイドに永久磁石からなるハードバイアス層28を配置する。磁性多層膜の両サイドにハードバイアス層を配置するこの構造は再生ヘッドと同様であり,製造プロセスとしては再生ヘッドの技術をそのまま流用できる。図28に示す様に,ハードバイアス層28からの静磁界ベクトル43が主磁極8からFGL面内に入射する磁界ベクトルの向きを補正して,合成磁界がFGL面内にほぼ垂直に入射するように設計することで,FGLの発振を安定化できる。MAMR素子には,主磁極8とトレーリングシールド9を用いて電流を流す。本実施例の記録ヘッドの製造プロセスについても簡単に記述しておく。サイドシールドを形成しMAMR素子用の磁性多層膜を堆積する段階までは,第1の実施例の図23と同じである。この後,FGL幅を決めるためのマスクを形成してイオンミリングにより不要な磁性多層膜を除去する。さらに絶縁用の薄い絶縁膜33,ハードバイアス層を形成するためのハードバイアス下地層44,ハードバイアス材料45,キャップ材料46を堆積した後,CMPリフトオフによりマスクもろとも除去して平坦化すると,図29の状態になる。ハードバイアス材料は,典型的にはCoCrPtなどの保磁力と磁化の大きな硬磁性材料を用いる。ハードバイアス層の特性を向上するためには,Ta,CrMoなどの配向下地層を適宜設ける。キャップ材料46はハードバイアス材料45を保護する目的で,クロムCrやタンタルTa,ロジウムRhなどの非磁性金属を用いる。ここにトレーリングシールド材料9を堆積すると図28に示した所望の構造が形成される。次に,第3の実施例について説明する。本実施例では,FGLを予め主磁極から出る磁界にほぼ垂直となるように斜面に形成する方法について述べる。本実施例の構造を図30に示す。主磁極8のコーナー部47に予め磁界ベクトルが出ていく法線方向を合わせるように傾斜を形成する。ここに形成されたMAMR素子17は,磁界がFGL面内にほぼ垂直に入るため発振が安定化される。磁界ベクトルの方向を合わせるパラメータが主磁極コーナ47部分の傾斜のみとなり,この角度はイオンミリングの加工条件で安定に制御できるため,大量生産に適した長所がある。本実施例に固有の製造プロセスについても以下に簡単に記す。主磁極及びサイドシールドを形成した段階までは,実施例1の図22に等しい。次に,傾斜を形成するためのマスク48を配置し,イオンミリングにより図31に示すように主磁極のコーナー部に傾斜を形成する。イオンミリングは,例えば基板に対して法線方向から30度~60度の角度でイオンを入射させることで,マスク48に対して影となる部分のミリングレートが低下して所望の傾斜を形成することができる。マスク48を除去した後に,MAMR素子を形成するための磁性多層膜を堆積し,FGLの幅を決定するマスクを形成してイオンミリングにより不要な磁性多層膜を除去する。この後,絶縁膜39を堆積し,FGL形成用のマスクと合わせてリフトオフを行うと図32の状態となる。この後は先の実施例と同様にトレーリングシールド9を堆積すれば,図30に示す所望の構造が形成される。最後に,第4の実施例として,主磁極の両サイドにFGLを形成するデュアルエッジ構造についても説明する。図33に示す様に,磁気ヘッドスライダ7を装着したヘッドジンバルアセンブリ4は,回転軸49を中心にヘッドスライダ7を左右に揺動して所望のトラックへ位置決めを行う。この構造から磁気ディスク3の内周側,もしくは外周側のトラックを選択した場合には磁気ヘッドの中心軸がトラックに対してある角度スキュー角だけ傾いて配置される。原理上,主磁極の片側のみを用いるシングルドライト方式ではこのスキュー角の影響として,内外周いずれかで主磁極がつくる磁界勾配が相対的に緩くなり,従って磁化遷移幅が広く,トラックピッチが詰められなくなるサイドが生じる。これに対して,図33の矢印50と51が示す様に磁気ディスクの中間側トラックを境に,内周側と外周側でシングルドライトのトラック走査方向を逆転し,従ってそれぞれ主磁極の異なるサイドを用いる制御方法を新たに採用することで内外周のうち,トラックピッチが緩和するサイドの発生を防止できる。具体的には,図33において内周側を記録する際には磁気ヘッドスライダの走査方向は内周から中心に向かう方向矢印50とし,主磁極コーナがトラックに深い角度で向かう内周側のエッジ52を記録に用いる。逆に中間から外側のトラックを記録する際には,ヘッドスライダの走査方向は外周から中心に向かう方向矢印51とし,主磁極の外周側のエッジ53を記録に用いる。何れも主磁極磁界が急峻となるサイドのコーナのみを用いることに主眼を置く。このような記録方法に適したシングルドライト方式のMAMRヘッドの形は,主磁極の両サイドにMAMR素子17を配置したデュアルエッジ構造となる。具体的には,図34に示す様に実施例1の変形として両サイドにMAMR素子17を配置し,それぞれのサイドシールド10とトレーリングシールド9を分離した構造か,図35に示す様に実施例3の変形として主磁極の両サイドに傾斜を形成し,その傾斜部分にMAMR素子17を配置した構造とする。これにより,スキュー角を考慮しても各々のシャープなエッジを記録に用いることが可能となり,よりトラックピッチの狭い高密度な記録が可能となる。図34では結果的にトレーリングシールド9が小型化するが,本来トレーリングシールドが果たす機能として磁界勾配を急峻化する目的はMAMR素子17による高周波磁界の急峻な勾配により果されるため特に問題とはならない。変形例として,MAMR素子17を3つ以上配置する構成も可能である。図36にはMAMR素子17を3つ用いる場合,図37にはMAMR素子17を4つ用いる場合の構造を示した。MAMR素子は心臓部であるFGLの安定発振のために寸法に上限があり,その値はFGL幅で50nm程度と単磁区化の限界で決まっている。このため必要に応じて3つ以上の複数のMAMR素子を配置することで所望の広さの領域内で安定発振するマイクロ波アシスト効果を得られる。以上,本発明の最良の実施の形態を記載したが,本発明は上記の場合に限定されるものではなく,シングルドライト方式においてMAMRを適用し,より高記録密度な磁気記録を行う磁気ヘッドに関するものにも適用可能である。"