"ポリシランで構成されたp型有機半導体と、n型有機半導体とを含む光電変換材料。p型有機半導体とn型有機半導体とがバルクヘテロ接合構造を形成している請求項1記載の光電変換材料。p型有機半導体およびn型有機半導体が、それぞれ、ナノメータサイズの結晶子サイズでバルクテロ接合構造を形成している請求項1又は2記載の光電変換材料。ポリシランが、直鎖状ポリシランおよび環状ポリシランから選択された少なくとも1種で構成されている請求項1~3のいずれかに記載の光電変換材料。ポリシランが、ポリジアルキルシラン、ポリアルキルアリールシラン、および環状ポリジアリールシランから選択された少なくとも1種で構成されている請求項1~4のいずれかに記載の光電変換材料。n型有機半導体が、フラーレン類で構成されている請求項1~5のいずれかに記載の光電変換材料。p型有機半導体の割合が、n型有機半導体100重量部に対して5~300重量部である請求項1~6のいずれかに記載の光電変換材料。請求項1~7のいずれかに記載の光電変換材料で形成された光電変換層を備えた光電変換素子。陽極と、光電変換層と、陰極とを順に備えた請求項8記載の光電変換素子。光電変換層において、p型有機半導体とn型有機半導体とがバルクヘテロ接合構造を形成している請求項8又は9記載の光電変換素子。陽極と光電変換層との間に、さらに、ホール輸送剤で構成されたホール輸送層を備えている請求項9又は10記載の光電変換素子。光電池である請求項8~11のいずれかに記載の光電変換素子。ポリシランで構成されたp型有機半導体およびn型有機半導体を含む塗布剤を用いて、塗布法により光電変換層を形成する工程を含む請求項8~12のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。従って、本発明の目的は、有機半導体で構成しても、効率よく光電変換機能を改善又は向上できる光電変換材料又は組成物、この光電変換材料を用いた光電変換素子およびその製造方法を提供することにある。本発明者らは、シリコンと同様のケイ素骨格無機骨格と有機骨格とを有するポリシランが、光電変換材料においてp型半導体有機半導体として有効に機能すること、また、このようなp型半導体としてのポリシランと、フラーレン類などのn型有機半導体との組合せにより、意外にもバルクへテロ接合を形成し、効率よく光電変換機能を向上又は改善できること、さらには、ポリシランを用いることで、十分な光電変換機能を担保しつつ、従来の有機半導体の場合と同様に、慣用の塗布法などにより簡便に光電変換層発電層を形成できることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明の光電変換材料は、ポリシランで構成されたp型有機半導体と、n型有機半導体とを含む。このような光電変換材料において、p型有機半導体又はポリシランとn型有機半導体とは、バルクヘテロ接合構造を形成していてもよく、特に、p型有機半導体およびn型有機半導体が、それぞれ、ナノメータサイズの結晶子サイズでバルクテロ接合構造を形成していてもよい。前記光電変換材料において、ポリシランは、例えば、直鎖状ポリシランおよび環状ポリシランから選択された少なくとも1種で構成されていてもよく、代表的には、ポリジアルキルシラン、ポリアルキルアリールシラン、および環状ポリジアリールシランから選択された少なくとも1種で構成されていてもよい。また、前記光電変換材料において、n型有機半導体は、例えば、フラーレン類フラーレン、フラーレン誘導体などで構成されていてもよい。このような光電変換材料において、p型有機半導体の割合は、例えば、n型有機半導体100重量部に対して5~300重量部程度であってもよい。本発明には、前記光電変換材料で形成された光電変換層を備えた光電変換素子も含まれる。このような光電変換素子は、代表的には、陽極と、光電変換層と、陰極とを順に備えた光電変換素子であってもよい。また、光電変換層は、p型有機半導体およびn型有機半導体を含む単一の層であってもよく、代表的には、光電変換層において、p型有機半導体とn型有機半導体とがバルクヘテロ接合構造を形成していてもよい。前記光電変換素子は、電極陽極及び/又は陰極と光電変換層との間に、バッファ層を備えていてもよく、例えば、陽極と光電変換層との間に、さらに、ホール輸送剤で構成されたホール輸送層を備えていてもよい。本発明の光電変換素子は、代表的には、光電池特に、太陽電池であってもよい。さらに、本発明には、ポリシランで構成されたp型有機半導体およびn型有機半導体を含む塗布剤を用いて、塗布法により光電変換層を形成する工程を含む前記光電変換素子の製造方法も含まれる。本発明では、ポリシランと、n型有機半導体フラーレン類などとを組み合わせることで、有機半導体で構成しているにもかかわらず、効率よく光電変換材料における光電変換機能を改善又は向上できる。しかも、このような本発明の光電変換材料では、p型半導体として、無機系および有機系骨格を含むポリシランを使用するため、上記のような光電変換機能を十分に担保しつつ、従来の有機半導体同様の慣用の塗布法スピンコート法などにより光電変換層発電層を形成できる。そのため、優れた光電変換機能を有する光電変換層を備えた光電変換素子特に、太陽電池などの光電池を簡便に得ることができさらには、このことに起因して光電変換素子の低コスト化をはかることもでき、本発明の技術は、実用性においても優れている。[光電変換材料]本発明の光電変換材料発電材料は、ポリシランで構成されたp型有機半導体と、n型有機半導体とを含む。すなわち、このような光電変換材料は、光電変換素子の光電変換層発電層を形成するための材料として利用できる。p型有機半導体p型有機半導体は、ポリシランで構成されている。ポリシランとしては、Si-Si結合を有する直鎖状、環状、分岐状、又は網目状の化合物であればよい。このようなポリシランとしては、特に限定されないが、通常、下記式1で表される構造単位および下記式2で表された構造単位のうち少なくとも1つの構造単位を有するポリシランであってもよい。式中、R1およびR2は、同一又は相異なって、水素原子、ヒドロキシル基、有機基又はシリル基を示し、x、y及びzはそれぞれ1以上の整数を示す。前記式1及び2において、R1およびR2で表される有機基としては、例えば、炭化水素基例えば、アルキル基、シクロアルケニル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基など、これらの炭化水素基に対応するエーテル基アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基などなどが挙げられる。通常、前記有機基は、アルキル基、アルケニル基例えば、ビニル、アリルなどのC2-6アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基例えば、シクロヘキセニルなどのC5-10シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基などの炭化水素基であってもよく、特に、飽和脂肪族炭化水素基アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基など、芳香族炭化水素基アリール基などである場合が多い。代表的なアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t-ブチル、ペンチル、ヘキシル、2-エチルヘキシル基などのC1-12アルキル基例えば、C1-10アルキル基、好ましくはC1-6アルキル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシルなどのC5-10シクロアルキル基例えば、C5-8シクロアルキル基などが挙げられる。アリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチルなどのC6-12アリール基例えば、C6-10アリール基、好ましくはC6-8アリール基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピルなどのC6-12アリール-C1-6アルキル基例えば、C6-10アリール-C1-4アルキル基、好ましくはC6-8アリール-C1-2アルキル基などが挙げられる。炭化水素基に対応するエーテル基としては、前記炭化水素基に対応するエーテル基、例えば、アルコキシ基メトキシ基などのC1-6アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基例えば、シクロヘキシルオキシなどのC5-10シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基フェノキシなどのC6-10アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ベンジルオキシなどのC6-10アリール-C1-4アルキルオキシ基などが挙げられる。シリル基としては、シリル基、ジシラニル基、トリシラニル基などのSi1-10シラニル基Si1-6シラニル基などなどが挙げられる。これらのうち、R1およびR2は、アルキル基例えば、メチル基などのC1-4アルキル基、アリール基例えば、フェニル基などのC6-20アリール基などの炭化水素基である場合が多い。代表的なポリシランとしては、例えば、前記式1で表される構造単位を有するポリシラン直鎖状又は環状ポリシラン、前記式2で表される構造単位を有するポリシラン分岐鎖状又は網目状ポリシラン、前記式1で表される構造単位および前記式2で表される構造単位を組み合わせて有するポリシラン分岐鎖状又は網目状ポリシランなどが挙げられる。これらのポリシランにおいて、前記式1で表される構造単位、前記式2で表される構造単位は、それぞれ、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。なお、分岐鎖状又は網目状ポリシランは、下記式3で表される構造単位をさらに含んでいてもよい。なお、ポリシランは、有機基を有する。そのため、ポリシランは、前記式1および前記式2において、R1及び/又はR2が有機基特に炭化水素基である構造単位を少なくとも有している。代表的なポリシランとしては、直鎖状又は環状ポリシラン[例えば、ポリジアルキルシラン例えば、ポリジメチルシラン、ポリメチルプロピルシラン、ポリメチルブチルシラン、ポリメチルペンチルシラン、ポリジブチルシラン、ポリジヘキシルシラン、ジメチルシラン-メチルへキシルシラン共重合体などのポリジC1-10アルキルシラン、好ましくはポリジC1-6アルキルシラン、さらに好ましくはポリジC1-4アルキルシラン、ポリアルキルアリールシラン例えば、ポリメチルフェニルシラン、メチルフェニルシラン-フェニルヘキシルシラン共重合体などのポリC1-10アルキルC6-12アリールシラン、好ましくはポリC1-6アルキルC6-10アリールシラン、さらに好ましくはポリC1-4アルキルC6-8アリールシラン、ポリジアリールシラン例えば、ポリジフェニルシランなどのポリジC6-12アリールシラン好ましくはポリジC6-10アリールシラン、さらに好ましくはポリジC6-8アリールシラン、ジアルキルシラン-アルキルアリールシラン共重合体例えば、ジメチルシラン-メチルフェニルシラン共重合体などのジC1-10アルキルシラン-C1-10アルキルC6-12アリールシラン共重合体、好ましくはジC1-6アルキルシラン-C1-6アルキルC6-10アリールシラン共重合体、さらに好ましくはジC1-4アルキルシラン-C1-4アルキルC6-8アリールシラン共重合体などの前記式1において、R1およびR2が炭化水素基特に、アルキル基又はアリール基である構造単位を有する直鎖状又は環状ポリシラン]、網目状ポリシラン[例えば、ポリアルキルシリン例えば、メチルシリン-エチルシリン共重合体などのポリC1-10アルキルシリン、好ましくはポリC1-6アルキルシリン、さらに好ましくはポリC1-4アルキルシリン、ポリアリールシリン例えば、ポリフェニルシリンなどのポリC6-12アリールシリン、好ましくはポリC6-10アリールシリン、さらに好ましくはポリC6-8アリールトシリン、アリールシリン-アルキルシリン共重合体例えば、メチルシリン-フェニルシリン共重合体などのC1-10アルキルシリン-C6-12アリールシリン共重合体、好ましくはC1-6アルキルシリン-C6-10アリールシリン共重合体、さらに好ましくはC1-4アルキルシリン-C6-8アリールシリン共重合体、アリールシリン-アルキルアリールシラン共重合体例えば、フェニルシリン-メチルフェニルシラン共重合体などのC6-12アリールシリン-C1-10アルキルC6-12アリールシラン、好ましくはC6-10アリールシリン-C1-6アルキルC6-10アリールシラン、さらに好ましくはC6-8アリールシリン-C1-4アルキルC6-8アリールシランなどの前記式2においてR1が炭化水素基特に、アルキル基又はアリール基である構造単位を有する網目状ポリシラン]が挙げられる。なお、シリンとは、前記式2で表される分岐状構造単位の命名である。ポリシランは、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。これらのポリシランのうち、直鎖状ポリシラン、環状ポリシランが好ましい。直鎖状のポリシラン例えば、ポリアルキルアリールシランなどのアリール基を有する直鎖状のポリシランは、電気伝導性やホール移動性の点で優れ、高い電流密度を得やすい。また、環状ポリシラン例えば、環状のポリジアリールシランなどはバンドギャップを大きくしやすく、開放電圧を大きくすることができ、良好な光電変換機能を得やすい。さらに、ポリジアルキルシラン、ポリアルキルアリールシラン、環状ポリジアリールシランなどは、上記の光電変換特性の他、溶媒に対する溶解性に優れ、塗布性や製膜性の観点からも好ましい。なお、ポリシラン直鎖状又は網目状ポリシランの平均重合度は、ケイ素原子換算すなわち、一分子あたりのケイ素原子の平均数で、2~1000、好ましくは5~500、さらに好ましくは10~300程度であってもよい。また、ポリシランが環状である場合、環状ポリシランの重合度又は環の員数は、通常、4~12程度であってもよく、好ましくは4~10、さらに好ましくは5~10特に5~8程度であってもよい。ポリシランが非環状構造直鎖状、分岐鎖状、網目状の場合、末端基末端置換基は、通常、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子塩素原子など、アルキル基、アルコキシ基、シリル基などであってもよい。また、末端基は、不活性基により封鎖されていてもよい又は封鎖基により置換されていてもよい。このような不活性基封鎖基としては、シリル基、アセチル基、フッ素原子などが挙げられるが、シリル基であるのが好ましい。シリル基としては、全ての水素原子が炭化水素基例えば、アルキル基、アリール基などの前記例示の炭化水素基で置換されたシリル基、例えば、トリアルキルシリル基トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリブチルシリル、t-ブチルジメチルシリルなどのトリC1-10アルキルシリル基、好ましくはトリC1-6アルキルシリル基、さらに好ましくはトリC1-4アルキルシリル基など、トリアリールシリル基例えば、トリフェニルシリルなどのトリC6-10アリールシリル基、ジアルキルアリールシリル基例えば、ジメチルフェニルシリル、ジエチルフェニルシリル、エチルメチルフェニルシリルなどのジC1-10アルキルC6-10アリールシリル基、好ましくはジC1-6アルキルC6-8アリールシリル基、さらに好ましくはジC1-4アルキルフェニルシリル基など、アルキルジアリールシリル基例えば、メチルジフェニルシリル、エチルジフェニルシリル、プロピルジフェニルシリルなどのC1-10アルキルジC6-10アリールシリル基、好ましくはC1-6アルキルジC6-8アリールシリル基、さらに好ましくはC1-4アルキルジフェニルシリル基などなどが挙げられる。これらの不活性基は、単独で又は2種以上組み合わせてポリシランの末端を封鎖末端基を置換していてもよい。なお、ポリシランの末端基が封鎖されている場合、少なくとも一部が封鎖されていればよく、ポリシランの末端封鎖割合は、例えば、30以上例えば、40~100、好ましくは50以上例えば、60~100、さらに好ましくは70以上例えば、80~100であってもよい。なお、環状構造のポリシランは、末端基同士が互いに結合して環を形成しているため、上記のような封鎖基による封鎖がなくても、すべての末端が封鎖されたポリシランとなる。このような末端が封鎖されたポリシランや環状ポリシランは、安定性に優れ、光電変換材料又は光電変換層の耐久性向上の観点から好適である。ポリシラン直鎖状又は網目状ポリシランなどの分子量は、重量平均分子量で200~100000、好ましくは300~50000、さらに好ましくは400~30000例えば、500~10000程度であってもよい。なお、ポリシランは、室温例えば、15~25°C程度で、固体状又は液体状であってもよく、特に、固体状のポリシランを好適に使用してもよい。なお、ポリシランは、市販品を利用してもよく、種々の公知の方法を用いて調製してもよい。これらのポリシランを製造するには、例えば、ポリシランの構造単位に対応するケイ素含有モノマーを原料として、マグネシウムを還元剤としてハロシラン類例えば、ジハロシランなどを脱ハロゲン縮重合させる方法マグネシウム還元法、WO98/29476号公報など、アルカリ金属の存在下でハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法キッピング法、J.Am.Chem.Soc.,110,1241988、Macromolecules,23,34231990など、電極還元によりハロシラン類を脱ハロゲン縮重合させる方法J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,11611990、J.Chem.Soc.,Chem.Commun.8971992など、金属触媒の存在下にヒドラジン類を脱水素縮重合させる方法特開平4-334551号公報など、ビフェニルなどで架橋されたジシレンのアニオン重合による方法Macromolecules,23,44941990など、環状シラン類の開環重合による方法などの方法が挙げられる。これらのうち、得られるポリシランの純度、製造コストや安全性などの工業性の点から、マグネシウムの存在下、ハロシラン類を重合させることにより得られたすなわち、マグネシウム還元法により得られたポリシランを好適に使用してもよい。なお、p型有機半導体は、ポリシラン単独で構成してもよく、ポリシランと他のp型有機半導体非ポリシラン系p型有機半導体とで構成してもよい。他のp型有機半導体と組み合わせることにより、光吸収波長を拡大できる場合がある。他のp型有機半導体としては、特に限定されず、π電子系又は共役系化合物などが例示できる。代表的な他のp型有機半導体としては、例えば、非ポリマー型化合物{又は低分子化合物、例えば、ポルフィリン類[又はポルフィリン骨格を有する化合物、例えば、ポルフィリン、金属ポルフィリン鉄ポルフィリンなど、テトラベンゾポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン、金属テトラベンゾポルフィリン亜鉛テトラベンゾポルフィリンなどなど]、フタロシアニン類[又はフタロシアニン骨格を有する化合物、例えば、フタロシアニン、金属フタロシアニン鉄フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、銅フタロシアニンなどなど]、金属キレート化合物[例えば、ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、グリシン、EDTAエチレンジアミン四酢酸などの金属塩例えば、遷移金属塩など]、縮合多環式芳香族化合物例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン、フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン、テリレン、クオテリレン、コロネン、オバレンなど、テトラシアノキノジメタン錯体など}、共役系高分子[例えば、ポリチオフェン類[例えば、チオフェン系モノマー例えば、3-ヘキシルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-ドデシルチオフェン、3-4-オクチルフェニル-2,2’-ビチオフェン、3-4-オクチルフェニル-チオフェンなどの単独重合体又は共重合体]、ポリピロール類、ポリアニリン類、ポリフェニレン類、ポリビニレン類ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレンなど、ポリアセチレン類など]などが挙げられる。これらの他のp型有機半導体は、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。ポリシランと他のp型有機半導体とを組み合わせる場合、これらの割合は、前者/後者重量比=95/5~5/95例えば、90/10~10/90程度の範囲から選択でき、例えば、85/15~15/85例えば、80/20~20/80、好ましくは75/25~25/75例えば、70/30~30/70、さらに好ましくは65/35~35/65程度であってもよい。なお、p型有機半導体全体に対するポリシランの割合は、5重量以上例えば、10重量以上、好ましくは20重量以上例えば、25重量以上、さらに好ましくは30重量以上例えば、35重量以上、特に40重量以上であってもよい。n型有機半導体n型有機半導体n型半導体としては、ポリシランとの組合せにおいてn型有機半導体として作用する有機半導体であれば特に限定されず、芳香族カルボン酸誘導体[例えば、ナフタレンカルボン酸誘導体例えば、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドなど、ペリレンカルボン酸誘導体例えば、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドなど]、前記例示のポルフィリン類やフタロシアニン類のフッ化物例えば、フッ素化フタロシアニン、フッ素化金属フタロシアニンなどなどであってもよいが、代表的には、フラーレン類、カーボンナノチューブなどの炭素系半導体を好適に使用できる。特に、n型有機半導体は、電子吸引性やポリシランとの電子状態的な適合しやすさなどの観点から、フラーレン類で構成してもよい。フラーレン類としては、フラーレン例えば、C60、C70、C74、C76、C78、C82、C84、C240、C540、C720、C860、ミックスドフラーレンなど、フラーレン前記例示のフラーレンなどの金属内包物[例えば、周期表第1A族元素K、Na、Rbなど、周期表第2A族元素、ランタノイド族元素Laなどなどの金属がドープされたフラーレンなど]、フラーレン誘導体又はフラーレン修飾体などが挙げられる。なお、フラーレン類の形態は、例えば、サッカーボール状、バッキーボール状などであってもよい。特に、フラーレン誘導体は、ポリシランとのバルクテロ構造を形成しやすく、また、有機溶媒に対する溶解性や電子の授受のしやすさなどの観点からも、好適に用いることができる。フラーレン誘導体置換フラーレンとしては、例えば、置換基{例えば、炭化水素基[アルキル基例えば、メチル基、t-ブチル基などのC1-10アルキル基、アリール基例えば、フェニル基などのC6-10アリール基、アラルキル基例えば、ベンジル基などのC6-10アリール-C1-4アルキル基など]、アシル基例えば、アセチル基、ブチリルオキシ基など、カルボキシアルキル基例えば、カルボキシブチル基などのカルボキシC1-10アルキル基又はそのエステル基例えば、メトキシカルボニルブチル基、n-ブトキシカルボニルブチル基、イソブトキシカルボニルブチル基、n-ヘキシルオキシカルボニルブチル基などのC1-10アルコキシカルボニルC1-10アルキル基;シクロヘキシルオキシカルボニルブチル基などのC5-10シクロアルコキシカルボニルC1-10アルキル基;フェノキシカルボニルブチル基、ナフチルオキシカルボニルブチル基などのC6-10アリールオキシカルボニルブチル基など、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基、ヘテロ環基例えば、ピロリジン環基などの窒素含有環基;ジオキソラン環基などの酸素含有環基など}で置換されたフラーレン、液晶ポリマー、色素類、ポリエチレンオキシドなどで修飾置換されたフラーレンなどが挙げられる。また、置換フラーレンとして、特開2010-103204号公報に記載の化合物なども使用できる。なお、置換フラーレンにおいて、置換基は単独で又は2種以上組み合わせてフラーレンに置換していてもよい。代表的なフラーレン誘導体には、例えば、フェニル-C61-酪酸メチルエステル、フェニル-C61-ブタン酸n-ブチルエステルなどのアリール-C61-酪酸エステル例えば、C6-10アリール-C61-酪酸C1-10アルキルエステルなどが含まれる。n型有機半導体フラーレン類などは、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。光電変換材料の形態本発明の光電変換材料では、p型有機半導体とn型有機半導体とを組み合わせればよく、光電変換層において、個別の層p型有機半導体の層とn型有機半導体の層を形成してもよいが、通常、同一の層を形成してもよい。すなわち、本発明の光電変換材料は、通常、ポリシランで構成されたp型有機半導体と、n型有機半導体とを含む組成物の形態であってもよい。このような光電変換材料又は光電変換層において、特に、p型有機半導体とn型有機半導体とは、バルクヘテロ接合構造を形成していてもよい又は形成可能であってもよい。本発明では、ポリシランとフラーレン類などのn型半導体とを組み合わせることで、効率よくバルクヘテロ構造バルクヘテロ接合を形成でき、そのため、光電変換機能において優れている。バルクヘテロ接合構造において、ポリシラン又はp型有機半導体およびn型有機半導体の結晶子サイズは、通常、それぞれ、ナノメータサイズ[例えば、1~2000nm例えば、2~1000nm、好ましくは3~500nm例えば、5~300nm、さらに好ましくは10~200nm例えば、15~150nm、特に20~100nm例えば、30~80nm程度]である場合が多いすなわち、バルクヘテロ構造は、ナノ結晶混合バルクヘテロ構造である場合が多い。なお、結晶子サイズは、X線回折におけるピークの半値幅より得ることができる。本発明では、ポリシランとn型有機半導体とを組み合わせることで、ポリシランおよびn型有機半導体が相互にナノメータサイズにまで効率よく微結晶化されて結合又は接合するため、ポリシラン又はp型有機半導体とn型有機半導体との光電変換境界面積を大きくでき、良好なバルクヘテロ構造を形成できる。光電変換材料において、p型有機半導体の割合は、n型有機半導体100重量部に対して、1~500重量部例えば、2~350重量部程度の範囲から選択でき、例えば、3~400重量部例えば、4~350重量部、好ましくは5~300重量部例えば、8~250重量部、さらに好ましくは10~200重量部例えば、15~170重量部、特に20~150重量部例えば、25~120重量部程度であってもよい。なお、光電変換材料は、光電変換層の態様に応じて、慣用の方法により調製でき、例えば、p型有機半導体およびn型有機半導体を単一の層に含む光電変換層を形成するためには、p型有機半導体とn型有機半導体とを混合することにより得ることができる。なお、混合においては、必要に応じて、p型有機半導体およびn型有機半導体は、溶媒例えば、後述の溶媒に溶解又は分散させてもよい。[光電変換素子]本発明の光電変換材料は、光電変換素子の光電変換層又は発電層を形成するのに有用である。そのため、本発明には、前記光電変換材料で形成された光電変換層を備えた光電変換素子光電変換デバイスも含まれる。このような光電変換素子は、少なくとも光電変換層を備えていればよいが、光電池などとして用いる場合、通常、陽極と、光電変換層と、陰極とをこの順に備えている。すなわち、光電変換素子は、陽極、光電変換層、および陰極が、この順序で積層された構造を有する。なお、電極陽極、電極と光電変換層の間には、電荷電子又はホールの移動をより一層効率よく行うため、必要に応じて、バッファ層電荷輸送層が形成されていてもよい。陽極は、例えば、導電性金属金、銀、白金、銅など、導電性金属酸化物[例えば、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、ITO、アンチモンドープ金属酸化物アンチモンドープ酸化錫など、錫ドープ金属酸化物錫ドープ酸化インジウムなど、アルミニウムドープ金属酸化物アルミニウムドープ酸化亜鉛など、ガリウムドープ金属酸化物ガリウムドープ酸化亜鉛などなど]、炭素質材料カーボンナノチューブなどなどの透明導電体又は半導電体導電剤で構成できる。陽極は、基板[例えば、透明絶縁体ガラス、プラスチックフィルムなどなどで形成された基板特に、ガラスなどの絶縁性透明基板]上に形成されていてもよい。なお、陽極が基板上に形成されている場合、光電変換層は、陽極側に形成される。陽極の厚みは、用途などに応じて適宜選択でき、例えば、5~10000nm例えば、10~5000nm、好ましくは20~1000nm、さらに好ましくは30~500nm例えば、50~300nm程度であってもよい。また、基板の厚みは、特に限定されず、例えば、1~10000μm、好ましくは10~5000μm、さらに好ましくは50~3000μm程度であってもよい。陽極と光電変換層との間に設けられるバッファ層は、ホール正孔輸送機能を有しているのが好ましい。このようなバッファ層正孔輸送層、ホール輸送層、ホールキャリア層は、通常、ホール輸送剤で構成されている。ホール輸送剤としては、前記光電変換材料又はポリシランとの組み合わせにおいて、ホール輸送機能を有する成分であれば特に限定されず、例えば、ポリチオフェン系樹脂[例えば、ポリ3-アルキルチオフェンPT、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTなど]、ポリビニレン系樹脂[例えば、ポリP-フェニレンビニレンPPV、ポリ2,5-ジオクチルオキシ-P-フェニレンビニレンOOPVなどのポリフェニレンビニレン系樹脂;ポリチエニレンビニレンなどのポリチエニレンビニレン系樹脂など]、ポリフェニレン系樹脂例えば、ポリp-フェニレン樹脂、ポリm-フェニレン系樹脂など]などが挙げられ、光電変換層を構成するp型有機半導体特にポリシランとの組合せにおいて、ホール輸送機能を有していれば、前記例示の他のp型有機半導体をホール輸送剤として使用することもできる。ホール輸送剤は、単独で又は2種以上組合せてもよい。なお、ホール輸送剤は、ドーパントを含んでいてもよい又はドーパントがドープされていてもよい。例えば、カチオン性の樹脂PEDOTなどは、ドーパントと組み合わせて複合体を形成してもよい。ドーパントとしては、特に限定されないが、アニオン性化合物、例えば、無機酸例えば、硫酸、硝酸、リン酸、フッ化水素酸など、有機酸例えば、カルボン酸、スルホン酸など、ポリアニオン樹脂[例えば、ポリジエンスルホン酸例えば、ポリイソプレンスルホン酸など、ポリスルホアルキルメタアクリレート例えば、ポリスルホエチルメタアクリレートなど、ポリメタアリルオキシベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸PSS、これらの共重合体などの酸基スルホン酸基などを有する樹脂]などが挙げられる。ドーパントは単独で又は2種以上組み合わせてもよい。ドーパントの割合は、ホール輸送剤1モルに対して、例えば、0.1~100モル、好ましくは0.3~70モル、さらに好ましくは0.5~50モル、特に1~20モル程度であってもよい。なお、ホール輸送層の厚みは、例えば、1~1000nm例えば、2~500nm、好ましくは3~300nm例えば、3~200nm、さらに好ましくは4~100nm例えば、5~50nm程度であってもよく、通常3~40nm例えば、5~30nm程度であってもよい。なお、ホール輸送層の厚みが大きすぎると、電気抵抗が上昇する虞がある。陽極又はホール輸送層上に形成される光電変換層は、前記のように、p型有機半導体の層とn型有機半導体の層とを積層構造であってもよいが、通常、p型有機半導体およびn型有機半導体とを含む単一の層又は前記組成物の形態の光電変換材料で形成された層であってもよい。このようなp型有機半導体およびn型有機半導体を含む組成物により形成された光電変換層は、後述のように、p型有機半導体とn型有機半導体とを含む混合物例えば、溶液を塗布するなどの簡便な方法により、前記のようなバルクヘテロ接合を効率よく形成できる。光電変換層の厚みは、用途などに応じて適宜選択でき、10~5000nm例えば、12~3000nm程度の範囲から選択でき、例えば、15~1000nm例えば、20~800nm、好ましくは30~500nm、さらに好ましくは50~300nm例えば、70~200nm程度であってもよい。なお、積層構造の光電変換層を形成する場合、p型有機半導体の層とn型有機半導体の層との厚み割合は、前者/後者=20/1~1/20、好ましくは10/1~1/10、さらに好ましくは5/1~1/5程度であってもよい。また、ホール輸送層と光電変換層との厚み割合は、前者/後者=1/30~1/0.1、好ましくは1/20~1/0.5例えば、1/15~1/1、さらに好ましくは1/10~1/2程度であってもよい。陰極と光電変換層との間に設けられるバッファ層は、電子輸送機能を有しているのが好ましい。このようなバッファ層電子輸送層、正孔ブロック層は、通常、電子輸送剤で構成されている。なお、正孔ブロック層は、さらなる製造プロセスを必要とし、電気抵抗を上昇させる場合があるため、必ずしも設けなくてもよい。電子輸送剤としては、前記光電変換材料又はn型有機半導体との組み合わせにおいて、電子輸送機能を有する成分であれば特に限定されず、例えば、無機化合物[アルカリ金属化合物例えば、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウムなどのハロゲン化物など、金属酸化物酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどなど]の他、光電変換層を構成するn型有機半導体フラーレン類などとの組合せにおいて、電子輸送機能を有していれば、前記例示の他のn型有機半導体を電子輸送剤として使用することもできる。電子輸送剤は、単独で又は2種以上組合せてもよい。なお、電子輸送層の厚みは、例えば、1~1000nm例えば、2~500nm、好ましくは3~300nm例えば、3~200nm、さらに好ましくは4~100nm例えば、5~50nm程度であってもよく、通常3~40nm例えば、5~30nm程度であってもよい。陰極は、特に限定されず、例えば、アルカリ金属例えば、リチウム、ナトリウム、アルカリ土類金属例えば、マグネシウム、カルシウムなど、周期表第13族金属アルミニウムなど、これらの酸化物、これらの合金又は混合物ナトリウムカリウム合金、リチウムアルミニウム合金などなどで構成できる。なお、陰極は、必要に応じて、陽極と同様の基板上に形成してもよい。陰極の厚みは、用途などに応じて適宜選択でき、例えば、5~10000nm例えば、10~5000nm、好ましくは20~1000nm、さらに好ましくは30~500nm例えば、50~300nm程度であってもよい。[光電変換素子の製造方法]本発明の光電変換素子は、光電変換材料を用いて光電変換層を形成する工程を少なくとも経て製造できる。特に、陽極およびバッファ層、光電変換層、陽極と、陰極およびバッファ層とをこの順に備えた光電変換素子は、代表的には、陽極又はホール輸送層上に、光電変換層を形成し、さらに、形成された光電変換層上に、必要に応じて電子輸送層を形成した後、他方の電極例えば、陰極を形成することにより製造できる。ホール輸送層の形成方法は特に限定されないが、例えば、ホール輸送剤を含む塗布剤を陽極上にコーティングすることにより形成できる。なお、塗布剤は、溶媒後述の溶媒などを含んでいてもよく、コーティング法も慣用の方法スピンコート法などの後述の方法を利用できる。コーティング後、必要に応じて、乾燥処理や熱処理後述の処理などを行ってもよい。また、コーティングは、不活性雰囲気例えば、窒素、アルゴンなどの希ガス雰囲気など下でおこなってもよい。光電変換層は、陽極又はバッファ層例えば、ホール輸送層などの上に、前記のように、p型有機半導体の層とn型有機半導体の層とを順に形成してもよいが、通常、p型有機半導体およびn型有機半導体を含む層を形成する場合が多い。また、このような光電変換層は、蒸着法真空蒸着法などにより形成してもよいが、通常、塗布法により形成できる。代表的には、前記工程光電変換層形成工程では、p型有機半導体およびn型有機半導体を含む塗布剤を用いて、コーティング塗布法により光電変換層を形成してもよい。本発明では、このようなコーティング法によっても、前記のようなバルクヘテロ接合構造の光電変換層を効率よく形成できる。塗布剤は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、p型有機半導体およびn型有機半導体を分散又は溶解できる溶媒であれば特に限定されず、例えば、炭化水素類[例えば、芳香族炭化水素類トルエン、キシレンなどなど]、エーテル類例えば、テトラヒドロフランなどの環状エーテル、ケトン類アセトン、メチルエチルケトン、2-ヘプタノンなどのジアルキルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのシクロアルカノンなど、エステル類酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、乳酸エチル、乳酸ブチルなど、グリコールエーテル類例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなど、グリコールエーテルエステル類セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど、ハロゲン系溶媒例えば、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロアルカン、ジクロロベンゼンなどのハロアレーン、窒素含有溶媒N-メチルピロリドンなどなどの溶媒が使用できる。溶媒は単独で又は2種以上組み合わせてもよい。なお、溶媒を含む塗布剤において、p型有機半導体およびn型有機半導体の総量の割合は、例えば、0.1~30重量、好ましくは0.2~20重量、さらに好ましくは0.3~15重量例えば、0.5~2重量程度であってもよい。塗布法としては、特に限定されず、慣用の方法、例えば、スピンコーティング法、ディッピング法、グラビアコーティング法、スプレーコーティング法、インクジェット法、キャスト法などによりコーティングすることができる。なお、塗布量は、例えば、光電変換層の厚みに応じて適宜選択できる。塗布後の塗膜には、必要に応じて乾燥処理や加熱処理を施すことができる。乾燥処理とともに加熱処理を行ってもよい。乾燥又は加熱処理において、加熱温度は、例えば、40~170°C、好ましくは60~150°C、さらに好ましくは80~130°C程度であってもよい。なお、コーティングは、不活性雰囲気例えば、窒素、アルゴンなどの希ガス雰囲気など下でおこなってもよい。電子輸送層は、前記ホール輸送層と同様の方法塗布法などにより光電変換層上に形成できる。陰極は、光電変換層上又は電子輸送層上に、蒸着やスパッタリングの方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例では、以下の成分を使用した。1p型有機半導体環状ポリシランPDPS:5員環のポリジフェニルシランデカフェニルペンタシラン、大阪ガスケミカル株製、SI-30-10ジメチルポリシランDMPS:StremChemicalsInc.製ポリメチルフェニルシランPMPS:大阪ガスケミカル株製、SI-10-10銅フタロシアニン系化合物CuPc:テトラキス4-クミルフェノキシフタロシアニンの銅錯体、SigmaAldrichCorp.製2n型有機半導体フラーレンC60:C60フラーレン、MaterialTechnologiesResearchLtd.製フラーレン誘導体PCBM:置換フラーレンフェニル-C61-酪酸メチルエステル、フロンティアカーボン株製3ホール輸送剤ポリスチレンスルホン酸PSSをドープしたポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTPEDOT:PSS:SigmaAldrichCorp.製なお、上記成分の構造を以下に示す。実施例および比較例超音波洗浄したITO/ガラス基板ジオマテック株製、厚み~300μm、~10Ω/□のITO電極陽極上に、ホール輸送剤PEDOT:PSSを2重量の割合で含む水溶液をスピンコートし、100°Cで20分間熱処理し、厚み30nmのホール輸送層バッファ層を形成した。そして、表1に示す量のp型有機半導体およびn型有機半導体をジクロロベンゼン1mLに溶解して作製した混合液を、ホール輸送層にスピンコートし、窒素雰囲気下、100°Cで30分間熱処理し、厚み100nmバルクヘテロ接合型の光電変換層有機半導体層、発電層を形成した。さらに、陰極としてアルミニウムを光電変換層上に厚み150nmで真空蒸着し、窒素雰囲気下、140°Cで30分間熱処理し、太陽電池構造の光電変換素子を得た。なお、このような構造とすることで、光吸収により、pn接合界面で励起子が生成し、電子とホールに電荷分離して、電子はアルミニウム電極側、ホール正孔はITO側へ流れ、光起電力が生じる。そして、得られた光電変換素子の各種特性を測定した。結果を表1に示す。なお、実施例6について、電流密度と電圧との特性を示す図を図1に示す。図1の結果から明らかなように、暗電流と光電流の差、およびX軸とY軸との交点の差が大きく、良好な電気特性を示していることがわかる。また、実施例6の光電変換層について、X線回折実験を行ったところ、回折ピークの半値幅より、PDPSが51.2nm、PCBMが50.6nmの結晶子サイズを有するナノ結晶混合バルクヘテロ構造を形成していた。また、電子顕微鏡観察を行ったところ、3nmの長周期ナノバルクヘテロ構造を形成していることがわかった。これらの結果から明らかなように、本発明の実施例では、ポリシランとフラーレン類とを組み合わせることにより、従来のフタロシアニン/フラーレン系太陽電池に比べて、開放電圧や電流密度に上昇が見られるなど、光電変換特性を著しく向上できた。このような光電変換特性が向上した理由としては、ポリシランとフラーレン類とを組み合わせると、バルクヘテロ接合型薄膜内における光電変換境界面積が大きくなったこと、ポリシランのエネルギーギャップとフラーレン類のエネルギーレベルの適合性により開放電圧が上昇したこと、ポリシラン中のπ電子移動により電気伝導性が向上したことなどがその要因として考えられる。"