透明基板上に遮光性膜を有するマスクブランクであって、前記遮光性膜上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜を形成し、レジストパターンを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜の失活を抑制する失活抑制膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。前記遮光性膜は、Crを含む材料であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。前記失活抑制膜は、Moを含む材料、Siを含む材料、MoSiを含む材料、Taを含む材料から選ばれる無機膜、あるいは、失活抑制機能を有する有機膜であることを特徴とする請求項1又は2記載のマスクブランク。前記失活抑制膜が、反射防止機能を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマスクブランク。前記失活抑制膜上に、電子線露光用化学増幅型レジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のマスクブランク。請求項1乃至5のいずれかに記載のマスクブランクを用い、該マスクブランクにおける遮光性膜をパターニングして遮光性膜パターンが形成されていることを特徴とするマスク。請求項5に記載のマスクブランクを用い、前記電子線露光用化学増幅型レジスト膜を50keV以上の電子線加速電圧で露光し、レジストパターンを形成する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。請求項7に記載のマスクの製造方法によって製造されたマスク。フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの製造方法を例にとり図1を参照しながら詳しく説明する。まず、合成石英等の透明基板1の表面に、遮光膜であるクロム膜2を、続いて反射防止膜である酸化クロム膜3をスパッタリング法等で断続あるは連続して形成する。次いで、酸化クロム膜3上に露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、引き続き行われる熱処理工程においてポリマーの溶解性を制御する官能基あるいは官能物質と反応することによりレジスト機能を発現する官能基等を外すことによってアルカリに溶解するようになる化学増幅型レジストを回転塗布法などで塗布し、その後熱処理焼成して乾燥させ、化学増幅型レジスト膜4を形成し、マスクブランクス5を得る図1a。次に、所定箇所に光あるいは電子線等を選択的に照射し、その後、ブランクス5即ち化学増幅型レジスト膜4をベーク処理し、次いで、化学増幅型レジスト膜4を現像して露光された部分を除去して、レジストパターン4aを形成する図1b。次にエッチング液例えば、硝酸第2セリウムアンモニウム系クロムエッチング液によるウエットエッチング処理あるいはエッチングガス例えば、塩素ガスによるドライエッチング処理によって、露出した酸化クロム膜3及びクロム膜2を除去し、その後レジストパターン4aを除去して、フォトマスク6を得る図1c。上記現像処理において、図2aに示すように、化学増幅型レジスト膜4の底部酸化クロム膜近傍のレジスト膜に裾引きフッティング状の突起部7が発生する問題がある。このような裾引き状突起部7は、本来現像処理により完全に除去されるべき露光部分8の不要な残さであり、酸化クロム膜3及びクロム膜2に形成されるパターンのエッジ部にギザつきを発生させ著しくパターン寸法均一性を損ない、あるいは場合によっては、図2bに示すように、隣り合ったレジストパターン同士をレジスト底部9の一部あるいは全てで連結して、酸化クロム膜3及びクロム膜2が全くエッチングされない解像不良又は解像性劣化を引き起こす。本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたものであり、化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生等を抑えることのできるマスクブランクス及びマスク等の提供を目的とする。上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。構成1透明基板上に遮光性膜を有するマスクブランクであって、前記遮光性膜上に化学増幅型レジスト膜を形成し、レジストパターンを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜の失活を抑制する失活抑制膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。構成2前記遮光性膜は、Crを含む材料であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。構成3前記失活抑制膜は、Moを含む材料、Siを含む材料、MoSiを含む材料、Taを含む材料から選ばれる無機膜、あるいは、失活抑制機能を有する有機膜であることを特徴とする構成1又は2記載のマスクブランク。構成4前記失活抑制膜が、反射防止機能を有することを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載のマスクブランク。構成5前記失活抑制膜上に、化学増幅型レジスト膜が形成されていることを特徴とする構成1乃至4のいずれかに記載のマスクブランク。構成6構成1乃至5のいずれかに記載のマスクブランクを用い、該マスクブランクにおける遮光性膜をパターニングして遮光性膜パターンが形成されていることを特徴とするマスク。なお、本発明で言うマスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランクが含まれる。本発明で言うマスクブランクには、レジスト膜付きブランク、レジスト膜形成前のブランクが含まれる。本発明で言う位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜上にクロム系材料などの遮光膜が形成される場合を含む。また、本発明で言うマスクには、フォトマスク、位相シフトマスクが含まれる。本発明で言うマスクには、レチクルが含まれる。以下、本発明について詳細に説明する。上記問題点の原因としては、以下の機構が考えられる。化学増幅型レジストポジ型の機能は、上述の通り、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、引き続き行われる熱処理工程において、ポリマーの溶解性を制御する官能基あるいは官能物質と反応することにより、レジスト機能を発現する官能基等を外すことにより、露光部はアルカリ現像液に溶解するようになることにある。従って、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸の濃度が何らかの原因により著しく低下し一般に失活と呼ばれる、アルカリ現像液に溶解されなくなる。この現象が、化学増幅型レジストが塗布される膜以下、単に下地膜と称す、例えばクロム系の遮光性膜の近傍すなわちレジスト膜の底部で起こるものが裾引き残さであると考えられる。上記の失活現象は、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、下地膜例えばクロム系の遮光性膜中に拡散によって移動する等が原因であると考えられる。下地膜の表面近傍の膜密度が比較的疎な状態や荒れた状態の場合、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が捕捉され易くなると考えられ、裾引きに与える影響が大きいと考えられる。そこで、上記構成1に記載の発明のように、遮光性膜と化学増幅型レジスト膜との間に、遮光性膜の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有する失活抑制膜を介在させることにより、後述する実施例のごとく非常に効果的に化学増幅型レジスト膜の失活を抑制でき、裾引き状の突起部の発生を抑えることができるマスクブランクが得られることがわかった。本発明において、遮光性膜には、露光光を遮断する遮光膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜が含まれる。この遮光性膜の膜材料、膜組成、膜構造、膜厚等は特に限定されない。遮光性膜の膜材料としては、例えば、構成2にあるように、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素からなる元素を少なくとも1種を含むものCrを含む材料、又は、LEARLowEnergyActivationResist用としてアセタール系レジストやHEARHighEnergyActivationResist用としてSCAP系レジスト等の化学増幅型レジストを用いた場合に、レジストパターンの底部に裾引き状突起部が形成される膜材料などが挙げられる。本発明は、化学増幅型レジストが塗布される膜が、裾引きを発生させる表面状態膜密度が疎でポウラス空孔が存在する状態や、荒れた状態となる膜材料である場合に特に有効である。遮光性膜の膜組成は、光学特性フォトマスクブランクにおいては、光学濃度、反射率など、位相シフトマスクブランクにおいては、透過率、位相シフト量などに応じて適宜調整される。遮光性膜の膜構造としては、上記膜材料からなる単層、複数層構造とすることができる。また、異なる組成においては、段階的に形成した複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることもできる。遮光性膜の膜厚は、光学特性フォトマスクブランクにおいては、光学濃度など、位相シフトマスクブランクにおいては、透過率、位相シフト量などに応じて適宜調整される。例えば、フォトマスクブランクの場合、遮光性膜の膜厚は、300~1500オンク ゙ストローム、位相シフトマスクブランクの場合、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトン膜の膜厚は、500~1500オンク ゙ストロームとする。本発明において、失活抑制膜の膜厚は、失活を防止又は抑制しうる膜厚であれば特に限定されない。但し、露光によリレジスト膜中に生成される触媒物質の酸の移動を抑制するためには、遮光性膜表面を全面に覆うことができる膜厚以上であることが好ましい。また、遮光性膜をパターニングするためにはエッチング時間との関係上、所定以下の膜厚が好ましい。これらの点を考慮すると、失活抑制膜の好ましい膜厚は、50~1000オンク ゙ストローム、さらに好ましくは、100~500オンク ゙ストロームが望ましい。また、失活抑制膜が無機膜の場合は50~1000オンク ゙ストローム、失活抑制膜が有機膜の場合は300~1000オンク ゙ストローム、がそれぞれ好ましい。本発明においては、失活抑制膜の膜材料は、失活抑制機能を有する膜であれば有機、無機を問わないが、構成3にあるように、Moを含む材料、Siを含む材料、MoSiを含む材料、Taを含む材料などの無機膜や、バークBARC:BottomAntiReflectionCoating:下地反射防止膜特に中性バークなどの有機膜、などであることが好ましい。無機系の失活抑制膜は、失活を防止又は抑制しうる膜密度緻密度を有する膜であることが好ましい。Moを含む材料、Siを含む材料、MoSiを含む材料、Taを含む材料等は、Crを含む遮光性膜材料よりも膜密度が高い材料であるので、露光によリレジスト膜中に生成される触媒物質の酸の移動を抑えられ、裾引き状の突起部の発生を防止することができる。これらの材料に、酸素、窒素等の元素を添加しても構わない。また、本発明の効果を逸脱しない範囲で、炭素、水素等の元素を添加しても構わない。また、失活抑制膜の膜材料を、Taを含む材料とすることもできる。Taを含む材料は、Moを含む材料と比べて膜応力が小さく、微細な結晶粒が形成される点でパターニング特性が良好になるので好ましい。具体的な材料としては、Taや、TaにBを添加したTa4B、さらに窒素を添加したTaBNなどが挙げられる。これらの材料に限定されるものではなく、Taに、酸素、ケイ素、窒素等の元素を添加しても構わない。また、失活抑制膜の膜材料を、バーク中性バーク、酸性バーク、ポリビニルアルコール、SOGスピンオングラスなどの有機膜材料とすることもできる。中性バークとしては、市販されているものを用いることができ、例えば、シプレー社製BARL等が挙げられる。バークを用いる場合、ある程度膜厚を厚くしないと失活抑制効果がなく、一定以上厚くしても失活抑制効果は変わらない。本発明においては、構成4のように、失活抑制膜に酸素や窒素などを添加して、反射防止機能を持たせることもできる。この場合、フォトマスクを製造する際、遮光性膜をパターニングした後に、失活抑制膜を除去する工程を省略できるので好ましい。反射防止機能を持たせた失活抑制膜の材料としては、MoSiO、MoSiN、MoSiON、TaSiO、TaSiN、TaSiON、WSiO、WSiN、WSiON、ZrSiO、ZrSiN、ZrSiON、TiSiO、TiSiN、TiSiONなどが挙げられる。失活抑制膜が反射防止機能を兼備する場合の膜厚は、十分に失活を防止しうる膜厚であって、かつ、十分に反射防止しうる膜厚とすることが好ましい。本発明においては、構成6にあるように構成1~5に記載のフォトマスクブランクを使って製造したフォトマスクは、裾引き状の突起部の発生によるパターンエッジのギザつき、突起部の短絡連結による解像不良はほとんど生じなくなり、微細加工の加工能力及び信頼性が向上する。本発明においては、遮光性膜、失活抑制膜の形成方法は限定されない。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法などが挙げられる。実施例1サイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板上に、スパッタリング法により厚さ約600オンク ゙ストロームのクロムを主成分とする遮光膜を形成し、続いて、厚さ約300オンク ゙ストロームの酸化クロムを主成分とする反射防止膜を形成し、さらに厚さ約800オンク ゙ストロームのモリブデンシリサイドMoSi2の失活抑制膜を形成した。次に、市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジストFEP171:フジフィルムアーチ社製を回転塗布法で厚さ約4000オンク ゙ストロームで塗布し、その後、ホットプレートで130°Cで10分熱処理して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを電子線露光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成した。レジストパターンの断面写真SEM走査型電子顕微鏡で測定を図4に示す。図4から明らかなように、レジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。次に、レジストパターンをマスクとして、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出しているモリブデンシリサイド膜を除去し、続いて、硝酸セリウム第2アンモニウム及び過塩素酸の溶液であるクロムエッチング液で露出している酸化クロム膜及びクロム膜をエッチング処理して除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に浸し、レジストパターンを除去し、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングによってモリブデンシリサイド膜を除去してフォトマスクレチクルを得た。得られたフォトマスクにおける酸化クロム膜及びクロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。比較例1上記実施例1において、失活抑制膜を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にしてフォトマスクブランク及びフォトマスクを作製した。現像後のレジスタパターンの断面写真SEM走査型電子顕微鏡で測定を図5に示す。図5から明らかなように、レジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていることが確認された。また、フォトマスクにおける酸化クロム膜及びクロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約30nm程度のギザつきであった。また、200nmのラインスペースパターンが解像しているにとどまっていた。実施例2サイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板上に、スパッタリング法により厚さ約600オンク ゙ストロームのクロムを主成分とする遮光膜を形成し、続いて、厚さ約300オンク ゙ストロームの酸化クロムを主成分とする反射防止膜を形成し、さらに厚さ約800オンク ゙ストロームのタンタルボロンTa4Bの失活抑制膜を形成した。次に、市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジストFEP171:フジフィルムアーチ社製を回転塗布法で厚さ約4000オンク ゙ストロームで塗布し、その後、ホットプレートで130°Cで10分熱処理して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを電子線露光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成した。レジストパターンの断面をSEM走査型電子顕微鏡で測定したところ、実施例1と同様にレジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。次に、レジストパターンをマスクとして、Cl2をエッチングガスとするドライエッチングで露出しているタンタルボロン膜を除去し、続いて、Cl2O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出している酸化クロム膜及びクロム膜をエッチング処理して除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に浸し、レジストパターンを除去し、Cl2ガスをエッチングガスとするドライエッチングによってタンタルボロン膜を除去してフォトマスクレチクルを得た。得られたフォトマスクにおける酸化クロム膜及びクロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。実施例3~4上記実施例2におけるタンタルボロンTa4Bの替わりに、タンタルボロン窒素化膜実施例3、タンタル膜実施例4にした他は、実施例2と同様にフォトマスクブランクス、フォトマスクを作製した。現像後のレジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。また、得られたフォトマスクにおける酸化クロム膜及びクロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。実施例5サイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板上に、スパッタリング法により厚さ約600オンク ゙ストロームのクロムを主成分とする遮光膜を形成し、続いて、反射防止膜兼失活抑制膜として厚さ約500オンク ゙ストロームのモリブデンシリサイド酸化窒化膜MoSiONを形成した。次に、市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジストFEP171:フジフィルムアーチ社製を回転塗布法で厚さ約4000オンク ゙ストロームで塗布し、その後、ホットプレートで130°Cで10分熱処理して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを電子線露光装置で露光し、その後、露光後ベーク処理を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成した。レジスタパターンの断面をSEM走査型電子顕微鏡で確認したところ、レジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。次に、レジストパターンをマスクとして、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出しているモリブデンシリサイド酸化膜を除去し、続いて、硝酸セリウム第2アンモニウム及び過塩素酸の溶液であるクロムエッチング液で露出しているクロム膜をエッチング処理して除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に浸し、レジストパターンを除去してフォトマスクレチクルを得た。得られたフォトマスクにおけるモリブデンシリサイド酸化膜及びクロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。実施例6サイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板上に、スパッタリング法により厚さ約1300オンク ゙ストロームの酸化クロムを主成分とするハーフトーン膜を形成し、続いて、失活抑制膜として厚さ約800オンク ゙ストロームのモリブデンシリサイド膜MoSi2を形成した。次に、市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジストFEP171:フジフィルムアーチ社製を回転塗布法で厚さ約4000オンク ゙ストロームで塗布し、その後、ホットプレートで130°Cで10分熱処理して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを電子線露光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成した。レジストパターンの断面をSEM走査型電子顕微鏡で確認したところ、レジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。次に、レジストパターンをマスクとして、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出しているモリブデンシリサイド膜を除去し、続いて、硝酸セリウム第2アンモニウム及び過塩素酸の溶液であるクロムエッチング液で露出している酸化クロム膜をエッチング処理して除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に浸してレジストパターンを除去し、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングによってモリブデンシリサイド膜を除去してフォトマスクレチクルを得た。得られたフォトマスクにおける酸化クロム膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。実施例7サイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板上に、スパッタリング法によりハーフトーン膜として厚さ約900オンク ゙ストロームのモリブデンシリサイド窒化膜を形成し、続いて、遮光膜として厚さ約1000オンク ゙ストロームのクロム膜を形成し、続いて、失活抑制膜として厚さ約800オンク ゙ストロームのタンタル膜を形成した。次に、市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジストFEP171:フジフィルムアーチ社製を回転塗布法で厚さ約4000オンク ゙ストロームで塗布し、その後、ホットプレートで130°Cで10分熱処理して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマスクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを電子線露光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成した。レジストパターンの断面をSEM走査型電子顕微鏡で確認したところ、レジストパターンの裾部分に裾引き状の突起部が形成されていないことが確認された。次に、レジストパターンをマスクとして、Cl2をエッチングガスとするドライエッチングで露出している失活抑制膜であるタンタル膜を除去し、続いて、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出している遮光膜であるクロム膜をエッチング処理して除去し、続いて、CF4O2をエッチングガスとするドライエッチングで露出しているハーフトーン膜であるモリブデンシリサイド窒化膜を除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に浸してレジストパターンを除去し、Cl2ガスをエッチングガスとするドライエッチングによってタンタル膜を除去してフォトマスクレチクルを得た。得られたフォトマスクにおけるクロム膜及びモリブデンシリサイド窒化膜パターンの突起部分パターンエッジのギザつきをSEM走査型電子顕微鏡で調べたところ、約10nm程度以下のギザつきであった。また、100nmのラインスペースパターンが解像していることが確認された。なお、本発明は上述した実施例等に限定されるものではない。例えば、本発明の失活抑制膜を形成しない場合に化学増幅型レジストパターン底部に裾引き状の突起部を発生する膜であれば、その膜と化学増幅型レジストとの間に、本発明の失活抑制膜を適用形成できる。また、化学増幅型レジストの種類は限定されず、他の化学増幅型レジスト例えば、OEBR-CAP209:東京応化工業製を用いた場合にも上述した実施例と同様の効果が認められた。化学増幅型レジストは、ネガ型であってもよい。また、失活抑制膜として、中性有機バーク例えば、シプレー社製BARLを用いた場合にも上述した実施例と同様の効果が認められた。また、失活抑制膜として、少なくとも遮光性膜の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有すれば、Wを含む材料、Zrを含む材料、Tiを含む材料を用いても良い。また、遮光膜、反射防止膜、ハーフトーン膜、失活抑制膜等は、ウエットエッチング、又はドライエッチングのいずれでもエッチングできる。発明の効果以上説明したように本発明によれば、フォトマスクブランクにおける遮光膜や、位相シフトマスクブランクにおけるハーフトーン膜などの膜上に失活抑制膜を形成することにより、失活抑制膜上に形成される化学増幅型レジスト膜の失活を抑制でき、レジストパターン底部における裾引き状の突起部の発生等を抑えることができる。発明の効果以上説明したように本発明によれば、フォトマスクブランクにおける遮光膜や、位相シフトマスクブランクにおけるハーフトーン膜などの膜上に失活抑制膜を形成することにより、失活抑制膜上に形成される化学増幅型レジスト膜の失活を抑制でき、レジストパターン底部における裾引き状の突起部の発生等を抑えることができる。マスクブランク及びマスクの製造工程を説明するための模式的断面図である。レジストパターン底部における裾引き状の突起部等を説明するための模式図である。実施例1におけるレジスタパターンの断面写真を示す図である。比較例1におけるレジスタパターンの断面写真を示す図である。1透明基板2クロム膜3酸化クロム膜4化学増幅型レジスト膜4aレジストパターン5マスクブランク6フォトマスク7裾引き状の突起部8本来現像処理により除去されるべき露光部分9レジスト底部