"Aカチオン重合性化合物、B光カチオン発生剤、Cラジカル重合性化合物、及びD熱ラジカル発生剤、を含む半導体用接着剤組成物であって、25°Cでの粘度が10~10000mPasであり、且つ、溶剤の含有量が5質量以下である、半導体用接着剤組成物。前記A成分が、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂及びビニルエーテル化合物のうちの少なくとも1種の化合物を含有する、請求項1に記載の半導体用接着剤組成物。前記半導体用接着剤組成物により半導体素子を被着体に接着したとき、前記半導体素子と前記被着体とのせん断接着強度が260°Cにおいて0.2MPa以上である、請求項1又は2に記載の半導体用接着剤組成物。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体用接着剤組成物により、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する、半導体装置。半導体ウェハの一方面上に、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体用接着剤組成物を塗布して接着剤層を設ける工程と、前記接着剤層に光照射する工程と、光照射された前記接着剤層とともに前記半導体ウェハを切断して接着剤層付き半導体素子を得る工程と、前記接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着することにより接着する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。半導体素子に、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体用接着剤組成物を塗布して接着剤層を設ける工程と、前記接着剤層に光照射する工程と、光照射された前記接着剤層を有する前記半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、光照射された前記接着剤層を挟んで圧着することにより接着する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。しかしながら、溶剤を含有する樹脂ペーストを用いた場合、溶剤を揮発させてBステージ化するために長時間を要したり、溶剤により半導体ウェハが汚染されたりするという問題がある。また、はく離可能な粘着テープ付きウェハに樹脂ペーストを塗布した場合、溶剤を揮発させるときの加熱条件に起因して粘着テープが容易にはく離できなくなったり、ウェハの反りが生じたりするといった問題がある。これらの不具合は加熱条件を低温化することである程度抑制され得るが、その場合は残存溶剤が多くなるために、加熱硬化時にボイドやはく離が発生して、接着性が低下する傾向があった。また、乾燥条件の低温化を目的に低沸点溶剤を用いた場合、使用中に溶剤が揮発して粘度が変化し、膜厚管理が困難になることや、乾燥時に接着剤表面から溶剤の揮発が進行するため接着剤内部に溶剤が残存しやすく接着性が低下する傾向があった。上記特許文献2に記載の方法は、膜厚10μm以下の薄膜の形成した場合に製膜後の表面状態が不均一になる傾向にある。本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、接着特性を十分に維持しながら、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する接着剤の層を更に薄く形成することができる半導体用接着剤組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明は、Aカチオン重合性化合物、B光カチオン発生剤、Cラジカル重合性化合物、及びD熱ラジカル発生剤、を含む半導体用接着剤組成物であって、25°Cでの粘度が10~10000mPasであり、且つ、溶剤の含有量が5質量以下である半導体用接着剤組成物を提供する。半導体用接着剤組成物の粘度とは、東京計器製造所製のEHD型回転粘度計を用い、サンプル量0.4mL、3°コーンの条件下、25°Cで測定したときの値である。本発明において溶剤とは、上記のAカチオン重合性化合物、B光カチオン発生剤、Cラジカル重合性化合物、及びD熱ラジカル発生剤に対して反応性を示さず、かつ分子量が500以下の25°Cにおいて液状である有機化合物を指す。本発明の半導体用接着剤組成物によれば、上記構成を有することにより、溶剤を使用することなく基材上に塗布することができ、この塗膜に光照射することで溶剤乾燥のための加熱を行わなくても薄膜の接着剤層を形成することができる。これにより、接着剤層のBステージ化を行なう場合であっても、均一な膜厚の接着剤層を容易に形成することができ、またBステージ化後のウェハの反りを低減することができる。また、本発明の半導体用接着剤組成物は、Bステージ化後も良好な熱時流動性を示すことから、加熱圧着を行うことで被着体に対して良好な接着性を発現することができる。このように、本発明によれば、接着性、熱圧着性及び耐熱性などの接着特性に優れ、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する接着剤の層を更に薄く形成することができる半導体用接着剤組成物が実現可能となる。また、本発明の半導体用接着剤組成物は、溶剤を使用することなく、また加熱を行なわずに短時間で薄膜の接着剤層を形成することが可能であることから、熱エネルギーと揮発性有機化合物VOCを低減でき、環境負荷が従来よりも小さい材料となり得る。本発明の半導体用接着剤組成物において、上記A成分が、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂及びビニルエーテル化合物のうちの少なくとも1種の化合物を含有することが好ましい。また、本発明の半導体用接着剤組成物は、当該半導体用接着剤組成物により半導体素子を被着体に接着したとき、半導体素子と被着体とのせん断接着強度が260°Cにおいて0.2MPa以上であるものが好ましい。本発明はまた、本発明の半導体用接着剤組成物により、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置を提供する。本発明の半導体装置は、半導体素子同士及び/又は半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが本発明の半導体用接着剤組成物により接着されたものであることにより、信頼性を十分維持しつつ接着剤層を薄くすることができるため、小型化、低背化が可能となる。本発明はまた、半導体ウェハの一方面上に、本発明の半導体用接着剤組成物を塗布して接着剤層を設ける工程と、接着剤層に光照射する工程と、光照射された接着剤層とともに半導体ウェハを切断して接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着することにより接着する工程と、を備える半導体装置の製造方法を提供する。本発明はまた、半導体素子に、本発明の半導体用接着剤組成物を塗布して接着剤層を設ける工程と、接着剤層に光照射する工程と、光照射された接着剤層を有する半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、光照射された接着剤層を挟んで圧着することにより接着する工程と、を備える半導体装置の製造方法を提供する。本発明によれば、接着特性を十分に維持しながら、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する接着剤の層を更に薄く形成することができる半導体用接着剤組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。本発明の半導体用接着剤組成物は、Aカチオン重合性化合物、B光カチオン発生剤、Cラジカル重合性化合物、及びD熱ラジカル発生剤、を含む半導体用接着剤組成物であって、25°Cでの粘度が10~10000mPasであり、且つ、溶剤の含有量が5質量以下であることを特徴とする。Aカチオン重合性化合物としては、活性光線の照射によってB光カチオン発生剤から発生したブレンステッド酸やルイス酸等のカチオン種によって反応性を示す官能基を含有する化合物であれば特に制限無く公知の化合物を使用することができる。反応性の観点から、A成分が、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂及びビニルエーテル化合物のうちの少なくとも1種の化合物を含有することが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、エピクロルヒドリンとビスフェノールAやビスフェノールF等から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂や、ポリグリシジルエーテル、ポリグリシジルエステル、芳香族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ビフェニルジグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、ポリグリシジルメタクリレート、グリシジルメタクリレートとこれと共重合可能なビニル単量体との共重合体等が挙げられる。これらの中でも、低粘度でかつカチオン反応性の高い脂環式エポキシ樹脂が好ましい。このような化合物としては、例えば、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス3,4-エポキシシクロヘキシルアジピン酸エステル、ε-カプロラクトン変性テトラ3,4-エポキシシクロヘキシルメチルブタンテトラカルボン酸、ε-カプロラクトン変性ビス3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-4,5-シクロヘキサン-1,2-ジカルボン酸エステルや、同一分子内に脂環式エポキシ基とアクリロイル基またはメタクリロイル基以後、メタアクリロイル基と略すを含有する3,4-エポキシシクロヘキシルメタアクリレートが挙げられる。また、他の好ましい化合物としては、数平均分子量1,000~6,000のエポキシ化ポリブタジエンが挙げられる。これらは、単独又は2種以上を組合せて使用することができる。オキセタン樹脂としては、3-エチル-3-ヒドロキシエチルオキセタン、1,4-ビス3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン、4,4’-ビス3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルビフェニル、3-エチルー3-オキセタニルメトキシメチルメタクリレート、等の液状オキセタン樹脂が挙げられる。ビニルエーテル化合物としては、例えば、2-エチルヘキシルビニルエーテル、ブタンジオール-1,4-ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールモノビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルエーテル、ビニル-4-ヒドロキシブチルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ポリTHFジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、等が挙げられる。本発明の半導体用接着剤組成物におけるA成分の含有量は、接着剤組成物全体に対して5~90質量とするのが好ましく、10~75質量とするのがより好ましい。A成分の含有量が5質量未満の場合、光照射後のタック性の低減効果が得られにくく、良好なBステージ状態を得られにくくなる。一方、含有量が90質量を超えると、後述する光照射後の硬化収縮が大きくなりすぎて、接着力が低下する傾向にある。B光カチオン発生剤としては、活性光線の照射によってカチオン種を発生する化合物であれば特に制限無く公知のものを使用することができる。活性光線としては180~750nmの波長成分を含む光線が好ましい。このような光カチオン発生剤として、例えば、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、脂肪族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ピリジニウム塩、セレノニウム塩等のオニウム塩や金属アレーン錯体、シラノール/アルミニウム錯体等の錯体化合物、ベンゾイントシレート、o-ニトロベンジルトシレート等を用いることができる。これらの中でも、カチオン種発生効率が高い点で、芳香族スルホニウム塩または脂肪族スルホニウム塩等のスルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩に代表されるヨードニウム塩、鉄-アレーン錯体が好適である。また、光カチオン発生剤が塩構造を有している場合の塩を形成する対アニオンとしては、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロフォスフェート、テトラフルオロボレート、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート等が反応性の点で好適である。本発明において好適に用いられる光カチオン発生剤の具体例としては、ビス[4-ジフェニルスルホニオ-フェニル]スルフィド-ビス-ヘキサフルオロフォスフェート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエチルフェニルスルホニオ-フェニル]スルフィドビス-ヘキサフルオロフォスフェート、ビス[4-ジ4-2-ヒドロキシエチルフェニルスルホニオ-フェニル]スルフィドビス-ヘキサフルオロアンチモネート等の芳香族スルホニウム塩、η5-シクロペンタジエニル-η6-クメニル-アイアン1-ヘキサフルオロフォスフェート1-[1,2,3,4,5,6-η-メチルエチル-ベンゼン]-鉄IIヘキサフルオロフォスフェート、トリルクミルヨードニウムテトラキスペンタフルオロペニルボレート、ジアリルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2-メチルプロピルフェニル]-ヘキサフルオロフォスフェート及びこれらの混合物が挙げられる。これらと同一の又は類似構造を有する光カチオン発生剤は、アデカオプトマーSP-150、アデカオプトマーSP-170旭電化工業株式会社製商品名、サイラキュアUVI-6990ユニオンカーバイド社製商品名、サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L三新化学工業株式会社製商品名、イルガキュア250BASF社製商品名、RHODORSILPHOTOINITIATOR2074ローディアジャパン社製商品名などの市販品が入手可能である。光カチオン発生剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の半導体用接着剤組成物におけるB成分の含有量は、Aカチオン重合性化合物100質量部に対して0.05~30質量部とすることが好ましく、0.1~15質量部とすることがより好ましい。この量が、0.05質量部未満では、硬化が不十分となる傾向があり、30質量部を超えると相溶性が低下する傾向がある。本発明の半導体用接着剤組成物には、光カチオン発生剤のカチオン発生効率を高めるために、光増感剤を配合することができる。光増感剤としては、光照射に用いられる活性光線の波長域に吸収波長好ましくは極大吸収波長、より好ましくは最大吸収波長を有するものであれば特に制限なく公知の化合物を使用することができる。具体的には、アントラセン、フェノチアジン、ペリレン、カルバゾール、ベンゾフェノン、チオキサントン、フルオレノン、アントラキノン等の化合物及びこれらの誘導体等を用いることができる。Cラジカル重合性化合物としては、ラジカル反応性基を含有する化合物であれば特に制限はなく、例えば、エチレン性不飽和基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、メタアクリロイル基などが挙げられる。C成分は、ラジカル反応性の観点から、メタアクリレート誘導体が好ましい。このような、メタアクリレート誘導体としては、単官能メタアクリレート誘導体、2官能以上のメタアクリレート誘導体を用いることができる。ここでいう単官能とは、分子内に1つの炭素-炭素二重結合を有することを意味し、それ以外の官能基を有していてもよい。また、2官能以上とは、分子内に2つ以上の炭素-炭素二重結合を有することを意味する。単官能メタアクリレート誘導体としては、例えば、エポキシ基を有するメタアクリレートが挙げられる。エポキシ基を有する単官能メタアクリレートとしては、例えば、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテルの他、エポキシ基と反応する官能基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と多官能エポキシ樹脂とを反応させて得られる化合物等が挙げられる。上記エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定はしないが、イソシアネート基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、水酸基、酸無水物、アミノ基、チオール基、アミド基などが挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。より具体的には、例えば、トリフェニルホスフィンやテトラブチルアンモニウムブロミドの存在下、1分子中に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、エポキシ基1当量に対し0.1~0.9当量のメタアクリル酸とを反応させることによって得られる。また、ジブチルスズジラウレートの存在下、多官能イソシアネート化合物とヒドロキシ基含有メタアクリレート及びヒドロキシ基含有エポキシ化合物とを反応させ、又は多官能エポキシ樹脂とイソシアネート基含有メタアクリレートとを反応させることにより、グリシジル基含有ウレタンメタアクリレート等が得られる。更に、エポキシ基を有する単官能メタアクリレートとしては、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等を1000ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等を低減した多官能エポキシ樹脂を原料として用いることで上記不純物イオン濃度を満足することができる。全塩素含量はJISK7243-3に準じて測定できる。上記耐熱性と純度を満たすエポキシ基を有する単官能メタアクリレート成分としては、特に限定はしないが、ビスフェノールA型又はAD型、S型、F型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型又は4官能型のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型又は4官能型のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等を原料としたものが挙げられる。特に、熱圧着性、低応力性及び接着性を改善するためには、エポキシ基の数が3つ以下であることが好ましい。このような化合物としては特に限定はしないが、下記一般式C-1、C-2、C-3、C-4又はC-5で表される化合物等が好ましく用いられる。下記一般式C-1~C-5において、R12及びR16は水素原子又はメチル基を示し、R10、R11、R13及びR14は2価の有機基を示す。また、R15は、エポキシ基を有する有機基であり、R17及びR18はそれぞれ、1つがエチレン性不飽和基を有する有機基であり、残りがエポキシ基を有する有機基である。更に、C-4中のfは、0~3の整数を示す。2官能以上のメタアクリレート誘導体としては、特に制限はしないが、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4-ビニルトルエン、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3-アクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、1,2-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、トリスβ-ヒドロキシエチルイソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式C-6で表される化合物、ウレタンアクリレート若しくはウレタンメタクリレート、及び尿素アクリレート等が挙げられる。上記一般式C-6中、R19及びR20は各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、g及びhは各々独立に、1~20の整数を示す。上記一般式C-6で表される化合物は、例えば、EA-1020新中村化学工業株式会社製などの市販品を用いることができる。また、上記式C-3におけるR15が、エチレン性不飽和基を有する有機基である化合物、上記式C-4におけるR17のうちの2つ以上がエチレン性不飽和基を有する有機基であり、残りがエポキシ基を有する有機基である化合物、及び、上記式C-5におけるR18のうちの2つ以上がエチレン性不飽和基を有する有機基であり、残りがエポキシ基を有する有機基である化合物が挙げられる。更に、C成分としては、4-ヒドロキシフェニルメタクリレートや3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジルアクリルアミドなどのフェノール性水酸基含有メタアクリレート、2-メタクリロイロキシエチルフタル酸、2-メタクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、2-メタクリロイロキシメチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基含有メタアクリレート、耐熱性を向上できる点でフェノールEO変性メタアクリレート、フェノールPO変性メタアクリレート、ノニルフェノールEO変性メタアクリレート、ノニルフェノールPO変性メタアクリレート、フェノキシエチルメタアクリレート、フェノキシエチレングリコールメタアクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタアクリレート、ヒドロキシエチル化フェニルフェノールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシエチレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、2-メタアクリロイロキシエチル2-ヒドロキシプロピルフタレート、フェニルフェノールグリシジルエーテルメタアクリレートなどの芳香族含有メタアクリレート、Bステージ化後の密着性や熱硬化後の接着性を付与できる点で2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルメタアクリレート、O-フェニルフェノールグリシジルエーテルメタアクリレート、2-メタアクリロイロキシ-2-ヒドロキシプロピルフタレート、2-メタアクリロイロキシエチル-2-ヒドロキシエチル-フタル酸、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルメタアクリレート、など下記一般式C-7又はC-8で示される水酸基含有メタアクリレート、2-1,2-シクロヘキサカルボキシイミドエチルアクリレートなど、下記一般式C-9又はC-10で示されるイミド基含有メタアクリレート、接着剤組成物を低粘度化できる点でイソボロニル含有メタアクリレート、ジシクロペンタジエニル基含有メタアクリレート、イソボロニルメタアクリレートなどが挙げられる。一般式C-7及びC-8において、R1は、水素原子又はメチル基を示し、R3は1価の有機基を示し、R2及びR4はそれぞれ2価の有機基を示す。R3は耐熱性の観点から芳香族基を有することが好ましい。R4は耐熱性の観点から芳香族基を有することが好ましい。一般式C-9及びC-10において、R1は、水素原子又はメチル基を示し、R5は2価の有機基を示し、R6、R7、R8、R9はそれぞれ炭素数1~30の1価の炭化水素基を示し、R6及びR7はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよく、R8及びR9はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。R6及びR7、並びに、R8及びR9が環を形成している場合、例えば、ベンゼン環構造、脂環式構造が挙げられる。ベンゼン環構造及び脂環式構造は、カルボキシル基、フェノール性水酸基、エポキシ基などの熱硬化性基を有していてもよく、またアルキル基などの有機基を有していてもよい。上記一般式C-9及びC-10で示される化合物は、例えば、単官能酸無水物とエタノールアミンとを反応させて得られるN-ヒドロキシアルキルイミド化合物と、アクリル酸エステル又はアクリル酸エステルとを公知の方法で反応させて合成することができる。この場合、単官能酸無水物として、4-フェニルエチニルフタル酸無水物、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水化物、2,5-ノルボルナジエン-2,3-ジカルボン酸無水物、マレイン酸無水物、トリメリット酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物、シス-ノルボルネン-エンド-2,3-ジカルボン酸ヘキサヒドロ無水フタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、1,2,3,6-テトラヒドロフタル酸無水物、3,4,5,6-テトラヒドロフタル酸無水物、などのジカルボン酸無水物を用いることができる。N-ヒドロキシアルキルイミド化合物としては、例えば、N-ヒドロキシエチルフタルイミド及びN-ヒドロキシエチルコハクイミドなどが挙げられる。上記一般式C-9及びC-10で示される化合物としては、保存安定性、Bステージ化後の低タック性、Bステージ化後の密着性、熱硬化後の耐熱性、接着性、信頼性の観点から、下記一般式C-11~C-15で示される化合物が好ましいものとして用いることができ、低粘度の観点から、下記一般式C-11、C-13~C-15で示される化合物がより好ましいものとして用いることができる。上記式C-11~C-15中、R1は、水素原子又はメチル基を示す。Cラジカル重合性化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の半導体用接着剤組成物におけるC成分の含有量は、半導体用接着剤組成物全量に対して10~95質量であることが好ましく、20~90質量であることがより好ましく、40~90質量であることが特に好ましい。C成分の含有量が10質量未満であると、熱硬化後の接着強度が低下する傾向があり、95質量を超えると、A成分の含有量が相対的に小さくなって光照射後のタック性の低減効果が得られにくくなり、良好なBステージ状態が得られにくくなる。D熱ラジカル発生剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物が挙げられる。これらのうち、安定性とともに分解温度を化学構造で制御できる点で有機過酸化物が好ましい。有機過酸化物としては、1分間半減期温度が80°C以上であるものが好ましく、100°C以上であるものがより好ましく、120°C以上であることがさらに好ましい。有機過酸化物は、接着剤組成物の調製条件、製膜温度、圧着、硬化条件、その他プロセス条件、貯蔵安定性等を考慮して選択される。有機過酸化物としては、例えば、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルパーオキシへキサン、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネートなどが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。上記の有機過酸化物は市販品を使用することができ、1分間半減期温度が80°C以上である熱ラジカル発生剤として、例えば、パーヘキサ25B日油社製、2,5-ジメチル-2,5-ジt-ブチルパーオキシへキサン1分間半減期温度:180°C、パークミルD日油社製、ジクミルパーオキサイド1分間半減期温度:175°Cなどの市販品を用いることができる。本発明の半導体用接着剤組成物におけるD成分の含有量は、Cラジカル重合性化合物100質量部に対して0.01~20質量部が好ましく、0.1~10質量部がより好ましい。熱ラジカル発生剤の含有量がラジカル重合性化合物100質量部に対して0.01質量部未満であると、硬化性が低下して熱硬化後の接着強度が十分に得られにくくなり、20質量部を超えると、保存安定性が低下する傾向がある。本発明の半導体用接着剤組成物は、塗布後の膜厚均一性、光照射によるBステージ化後の熱圧着性、熱硬化後の低応力性、被着体との密着性を向上させる点から、E熱可塑性樹脂を更に含有することができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体、これらの前駆体ポリアミド酸等の他、ポリベンゾオキサゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、重量平均分子量が1万~100万のメタアクリル共重合体、ノボラック樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの樹脂の主鎖及び/又は側鎖には、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール基、カルボキシル基及び/又は水酸基が付与されていてもよい。高温接着性、耐熱性の観点から、熱可塑性樹脂はイミド基を有する樹脂であることが好ましい。イミド基を有する樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体、イミド基を有するモノマーの重合体が挙げられる。また、熱可塑性樹脂としては、粘度上昇を抑制し、更に接着剤組成物中のとけ残りを低減する点で、常温25°Cで液状である液状熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。このような液状熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンオリゴマー、ポリイソプレン、ポリブテンなどのゴム状ポリマー、ポリオレフィン、アクリルポリマー、シリコーンポリマー、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。中でもポリイミド樹脂が好ましく用いられる。E熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgは150°C以下であることが好ましく、120°C以下であることがより好ましく、100°C以下であることがさらに好ましい。Tgが150°Cを超えると、接着剤組成物の粘度が上昇する傾向があり、また被着体に熱圧着する際に150°C以上の高温を要し、半導体ウェハに反りが発生しやすくなる傾向がある。ここで、E熱可塑性樹脂のTgとは、E成分をフィルム化したときの主分散ピーク温度を意味する。具体的には、フィルム厚が100μmであるE成分のフィルムについて、レオメトリックス社製粘弾性アナライザーRSA-2商品名を用いて、昇温速度5°C/min、周波数1Hz、測定温度-50~200°Cの条件でtanδピーク温度を測定し、これをTgとする。E熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、5,000~500,000の範囲内であることが好ましく、熱圧着性と高温接着性とを高度に両立できる点を考慮すると、10,000~300,000であることがより好ましい。ここで、重量平均分子量とは、島津製作所社製高速液体クロマトグラフィーC-R4A商品名を用いてポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。本発明の半導体用接着剤組成物におけるE成分の含有量は、Aカチオン重合性化合物100質量部に対して0.1~50質量部が好ましく、成膜性や膜厚均一性、粘度上昇抑制の観点から0.5~20質量部がより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量がカチオン重合性化合物100質量部に対して0.1質量部未満であると、添加の効果が見られなくなる傾向があり、50質量部を超えると、粘度が上昇し薄膜化が困難となる傾向がある。本発明の半導体用接着剤組成物には、保存安定性、プロセス適応性又は酸化防止性を付与するために、キノン類、多価フェノール類、フェノール類、ホスファイト類、イオウ類等の重合禁止剤又は酸化防止剤を、硬化性を損なわない範囲で更に添加してもよい。また、本発明の半導体用接着剤組成物には、適宜フィラーを含有させることもできる。フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられ、種類形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。上記フィラーは、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着剤層に靭性等を付与する目的で添加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー又は絶縁性フィラーの中では、接着剤組成物に対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点でシリカフィラーがより好ましい。上記フィラーは、平均粒子径が10μm以下、且つ、最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、平均粒子径が5μm以下、且つ、最大粒子径が20μm以下であることがより好ましい。平均粒子径が10μmを超える、または、最大粒子径が30μmを超えると、破壊靭性向上の効果が十分に得られない傾向がある。また、平均粒子径及び最大粒子径の下限は特に制限はないが、どちらも0.001μm以上であることが好ましい。上記フィラーの含有量は、付与する特性又は機能に応じて決められるが、フィラーを含む接着剤組成物全量に対して50質量以下となることが好ましく、40質量以下であることがより好ましく、10質量以下であることがさらに好ましい。フィラーを増量させることにより、低アルファ化、低吸湿化、高弾性率化が図れ、ダイシング性ダイサー刃による切断性、ワイヤボンディング性超音波効率、熱時の接着強度を有効に向上させることができる。フィラーを必要以上に増量させると、粘度が上昇したり、熱圧着性が損なわれる傾向にあるため、フィラーの含有量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含有量を決定することができる。フィラーを用いた場合の混合混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。なお、接着剤層形成性の観点からは、フィラーを含まないことが好ましい。本発明の半導体用接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を促進するために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び/又はアクリレートなどの放射線重合性基を有する化合物がより好ましい。また、上記シラン系カップリング剤の沸点及び/又は分解温度は150°C以上であることが好ましく、180°C以上であることより好ましく、200°C以上であることがさらにより好ましい。特に、200°C以上の沸点及び/又は分解温度で、かつエポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び/又はアクリレートなどの放射線重合性基を有するシラン系カップリング剤が最も好ましく用いられる。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤組成物100質量部に対して、0.01~20質量部とすることが好ましい。本発明の半導体用接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、イオン捕捉剤を更に添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、フェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、粉末状のビスマス系、アンチモン系、マグネシウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、カルシウム系、チタン系、ズズ系及びこれらの混合系等の無機化合物が挙げられる。具体例としては、東亜合成株製の無機イオン捕捉剤、商品名、IXE-300アンチモン系、IXE-500ビスマス系、IXE-600アンチモン、ビスマス混合系、IXE-700マグネシウム、アルミニウム混合系、IXE-800ジルコニウム系、IXE-1100カルシウム系等がある。これらは単独あるいは2種以上混合して用いることができる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤組成物100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。本発明の半導体用接着剤組成物は25°Cでの粘度が10~10,000mPasである。上記粘度が10mPas未満であると、接着剤組成物の保存安定性や耐熱性の低下に加え、接着剤組成物の塗布直後にピンホールが生じやすくなる。また、上記粘度が10,000mPasを超えると、塗布時に薄膜化が困難となることに加え、ノズルからの吐出が困難となる。そのため、厚みの面内均一性が十分である接着剤層を形成することができなくなる。本発明の半導体用接着剤組成物の粘度は、東京計器製造所製のEHD型回転粘度計により、25°C、サンプル量0.4mLの条件で、3°コーンを用いて測定される値である。接着剤組成物の吐出性向上、薄膜化の観点から、半導体用接着剤組成物の25°Cでの粘度は30~20,000mPasであることが好ましい。本発明の半導体用接着剤組成物は、溶剤の含有量が5質量以下であり、半導体用無溶剤型接着剤組成物として利用される。なお、溶剤とは、Aカチオン重合性化合物、B光カチオン発生剤、Cラジカル重合性化合物、及びD熱ラジカル発生剤に対して反応性を示さず、かつ分子量が500以下の25°Cにおいて液状である有機化合物を指す。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、γ―ブチロラクトン、炭酸プロピレン及びN-メチル-ピロリジノンなどが挙げられる。本発明の半導体用接着剤組成物によれば、光照射によってタックが低減する塗膜を良好に形成することができ、光照射後の塗膜は取り扱い性が向上しさらには熱圧着や加熱硬化時の発泡を抑制することができる。このような点から、本発明の半導体用接着剤組成物は、溶剤の含有量が5質量以下であることが好ましく、3質量以下であることがより好ましく、溶剤を含まないことがより好ましい。本発明の半導体用接着剤組成物は、薄膜の接着剤層を形成することができる。この場合、接着剤組成物を温度25°Cで塗布し、露光した後の膜厚が50μm以下であることが好ましく、低応力化の観点から30μm以下であることがより好ましく、膜厚均一性の観点から20μm以下であることがさらに好ましく、パッケージを更に薄くできることから10μm以下であることが最も好ましい。また、良好な熱圧着性と接着性を確保するために上記膜厚は0.5μm以上であることが好ましく、ダストやダイシング時に発生する切断カスによるボイドなどの圧着不良低減のために1μm以上であることがより好ましい。また、本発明の半導体用接着剤組成物を用いて半導体ウェハ上に接着剤層を形成する場合、チップの取り扱い性、反りなどの応力、熱圧着時のチップ歪み基材に対して平行に圧着可能であること、硬化時のチップ保持性硬化時の熱溶融による歪みの観点から、ウェハの厚みxと接着剤層の厚みyとの関係がx≧yを満たすことが好ましく、x≧2×yを満たすことがより好ましい。ここでの膜厚は以下の方法によって測定できる。接着剤組成物をシリコンウェハ上にスピンコートによって塗布し、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、高精度平行露光機オーク製作所製、EXM-1172-B-∞商品名により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、表面粗さ測定器小坂研究所製を用いて接着剤層の厚みを測定する。本発明の半導体用接着剤組成物は、光照射によりBステージ化された接着剤組成物の5重量減少温度が100°C以上であることが好ましい。5重量減少温度が100°Cを下回ると、被着体圧着後の熱硬化時もしくはリフローなどの熱履歴時に被着体がはく離する傾向があり、熱圧着前に加熱乾燥が必要となる。また、接着剤組成物の低粘度化、塗布後の表面凹凸抑制やBステージ化後の熱時流動性の観点から、有機化合物を主体とした材料設計が好ましいため、5重量減少温度は500°C以下であることが好ましい。5重量減少温度をこのような範囲とするためには、接着剤組成物に含まれる溶剤量が5質量以下であることが好ましく、3質量以下であることがより好ましく、1質量以下であることが最も好ましい。ここでの5重量減少温度とは以下のように測定した値である。接着剤組成物を後述する露光後の膜厚が30μmとなるようにシリコンウェハ上にスピンコートした後、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムを室温でハンドローラーを用いてラミネートし、高精度平行露光機オーク製作所製、EXM-1172-B-∞商品名により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、Bステージ化した接着剤を示差熱熱重量同時測定装置エスアイアイナノテクノロジー社製、商品名TG/DTA6300を用いて、昇温速度10°C/min、窒素フロー400ml/分下で5重量減少温度を測定する。本発明の半導体用接着剤組成物のBステージ化は、取り扱い性の観点から、接着剤組成物を基材上に塗布し、露光した後、30°Cでの表面タック力が200gf/cm2以下となることが好ましく、熱圧着時の粘着性の観点から150gf/cm2以下となることがより好ましく、ダイシングテープのはく離性の観点から100gf/cm2以下となることがさらにより好ましく、ピックアップ性の観点から50gf/cm2以下となることが最も好ましい。一方、ダイシング時のチップ飛びなどを抑制するために表面タック力が0.1gf/cm2以上であることが好ましい。上記30°Cでの表面タック力が200gf/cm2を超えると、得られる接着剤層の室温における表面の粘着性が高くなり、取扱い性が悪くなる傾向にある。また、ダイシング時に接着剤と被着体の界面に水が浸入してチップ飛びが発生する、ダイシング後のダイシングシートとのはく離性が低下しピックアップ性が低下する、といった問題が生じやすくなる傾向にあるため好ましくない。ここでの表面タック力は以下のように測定した値である。接着剤組成物を後述する露光後の膜厚が5~30μmの範囲内となるようにシリコンウェハ上にスピンコートした後、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、高精度平行露光機オーク製作所製、EXM-1172-B-∞商品名により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、30°Cでの表面のタック強度を、レスカ社製のプローブタッキング試験機を用いて、プローブ直径:5.1mm、引き剥がし速度:10mm/s、接触荷重:100gf/cm2、接触時間:1sの条件で測定する。本発明の半導体用接着剤組成物は、半導体用接着剤組成物により半導体素子を被着体に接着したとき、熱履歴によるはく離を抑制する点から、半導体素子と被着体とのせん断接着強度が260°Cにおいて0.2MPa以上であることが好ましく、0.5MPa以上であることがより好ましく、耐吸湿リフロー性の観点から1.0MPa以上であることが最も好ましい。上記せん断接着強度が0.2MPaよりも低い場合、半田リフロー工程や封止工程や信頼性試験時にはく離が発生する場合がある。ここでのせん断接着強度とは、以下のように測定した値である。まず、膜厚測定時と同様、接着剤組成物を形成したシリコンウェハを用意し、接着フィルム全面を露光し、3×3mm角にシリコンウェハを切り出す。切り出した接着剤付きシリコンチップを予め5×5mm角に切り出したシリコンチップ上に載せ、200gfで加圧しながら、120°Cで2秒間圧着する。その後、140°C、1時間、次いで180°C、3時間オーブンで加熱し、接着サンプルを得る。得られたサンプルについて、せん断接着力試験機Dage-4000商品名を用いて260°Cでのせん断接着力を測定し、これをせん断接着強度の値とする。本発明の半導体用接着剤組成物は、Bステージ化及び熱圧着後、100~150°Cで5~120分の熱硬化処理が施されるように用いられることが好ましい。このような熱硬化処理により、170°C以上の高温熱履歴工程によるボイドやはく離を抑制でき、高信頼性の半導体装置を得ることができる。以下、本発明の半導体用接着剤組成物を用いて製造される半導体装置及びその製造方法について、図面を用いて具体的に説明する。ただし、本発明の半導体用接着剤組成物の用途は、以下に説明する構造の半導体装置及びその製造方法に限定されるものではない。図1~13は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。本実施形態に係る製造方法は、以下の工程を備える。工程1:半導体ウェハ1内に形成された半導体チップ半導体素子2の回路面S1上にはく離可能な粘着テープバックグラインドテープ4を積層する図1を参照。工程2:半導体ウェハ1を回路面S1とは反対側の面裏面S2から研磨して半導体ウェハ1を薄くする図2を参照。工程3:半導体ウェハ1の回路面S1とは反対側の面S2に本発明の半導体用接着剤組成物5を塗布する図3及び4を参照。工程4:塗布された接着剤組成物からなる接着剤層5側から露光を行い、接着剤層5をBステージ化する図5を参照。工程5:接着剤層5上にはく離可能な粘着テープダイシングテープ6を積層する図6を参照。工程6:はく離可能な粘着テープ4をはく離する図7を参照。工程7:半導体ウェハ1をダイシングにより複数の半導体チップ半導体素子2に切り分ける図8を参照。工程8:半導体チップ2をピックアップして半導体装置用の支持部材半導体素子搭載用支持部材7または半導体チップに圧着マウントする図9、10、11を参照。工程9:マウントされた半導体チップを、ワイヤ16を介して支持部材7上の外部接続端子と接続する図12を参照。工程10:複数の半導体チップ2を含む積層体を封止材17によって封止して、半導体装置100を得る図13を参照。以下、工程1~工程10について詳述する。工程1表面に回路を形成した半導体ウェハ1の回路面S1側にはく離可能な粘着テープ4を積層する。粘着テープ4の積層は、予めフィルム状に成形されたフィルムをラミネートする方法により行なうことができる。工程2半導体ウェハ1の粘着テープ4とは反対側の面S2を研磨して、半導体ウェハ1を所定の厚さまで薄くする。研磨は、粘着テープ4によって半導体ウェハ1を研磨用の治具に固定した状態で、グラインド装置8を用いて行う。工程3半導体ウェハ1の回路面S1とは反対側の面S2に本発明の半導体用接着剤組成物5を塗布する。塗布は、ボックス20内で、粘着テープ4が貼り付けられた半導体ウェハ1を治具21に固定した状態で行うことができる。塗布方法は、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ジェットディスペンス法及びインクジェット法などから選ばれる。これらの中でも、薄膜化及び膜厚均一性の観点から、スピンコート法図3やスプレーコート法図4が好ましい。スピンコート装置が有する吸着台には穴が形成されていてもよいし、吸着台がメッシュ状であってもよい。吸着痕が残りにくい点から、吸着台はメッシュ状であることが好ましい。スピンコート法による塗布は、ウェハのうねり、及びエッジ部の盛り上がりを防止するために、500~5000rpmの回転数で行うことが好ましい。同様の観点から、回転数は1000~4000rpmがさらに好ましい。接着剤組成物の粘度を調整する目的でスピンコート台に温度調節器を備えることもできる。接着剤組成物はシリンジなどで保存することができ、スピンコート装置のシリンジセット部分に温度調節器が備えられていてもよい。半導体ウェハに接着剤組成物を例えばスピンコート法によって塗布する際、半導体ウェハのエッジ部分に不要な接着剤組成物が付着する場合がある。このような不要な接着剤をスピンコート後に溶剤などで洗浄して除去することができる。洗浄方法は特に限定されないが、半導体ウェハをスピンさせながら、不要な接着剤が付着した部分にノズルから溶剤を吐出させる方法が好ましい。洗浄に使用する溶剤は接着剤を溶解させるものであればよく、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、イソプロピルアルコール及びメタノールから選ばれる低沸点溶剤が用いられる。工程4塗布により本発明の半導体用接着剤組成物から形成された接着剤層5側から活性光線典型的には紫外線を照射して、接着剤組成物をBステージ化する。これにより接着剤層5が半導体ウェハ1上に固定されるとともに、接着剤層5表面のタックを低減することができる。露光は、真空下、窒素下、空気下などの雰囲気下で行なうことができる。酸素や周囲の反応阻害要因を低減するため、離形処理されたPETフィルムやポリプロピレンフィルムなどの基材を接着剤層5上に積層した状態で、露光することもできる。また、前記粘着テープダイシングテープ6を接着剤層5上に積層した状態で、露光することにより工程5を簡略化することもできる。また、パターニングされたマスクを介して露光を行うこともできる。パターニングされたマスクを用いることにより、熱圧着時の流動性が異なる接着剤層を形成させることができる。露光量は、タック低減及びタクトタイムの観点から、20~2,000mJ/cm2が好ましい。また、Bステージ化後のタック低減及びアウトガス低減を目的に、露光後100°C以下の温度で加熱を行なってもよい。露光後の膜厚は50μm以下であることが好ましく、低応力性の観点から30μm以下であることがより好ましく、膜厚均一性の観点から20μm以下であることがさらにより好ましく、パッケージを更に薄くできることから10μm以下であることが最も好ましい。また、良好な熱圧着性と接着性を確保するために上記膜厚は0.5μm以上であることが好ましく、ダストやダイシング時の切断カスによるボイドなどの圧着不良低減のために1μm以上であることがより好ましい。膜厚の測定は上述と同様にして行うことができる。また、チップの取り扱い性、反りなどの応力、熱圧着時のチップ歪み基材に対して平行に圧着可能であること、硬化時のチップ保持性硬化時の熱溶融による歪みの観点から、ウェハの厚みxと接着剤層の厚みyとの関係がx≧yを満たすことが好ましく、x≧2×yを満たすことがより好ましい。また、露光した後、30°Cでの表面タック力が200gf/cm2以下となることが好ましく、熱圧着時の粘着性の観点から150gf/cm2以下であることがより好ましく、ダイシングテープのはく離性の観点から100gf/cm2以下であることがさらにより好ましく、ピックアップ性の観点から50gf/cm2以下であることが最も好ましい。また、ダイシング時のチップ飛びなどを抑制するために表面タック力が0.1gf/cm2以上であることが好ましい。表面タック力の測定は上述と同様にして行うことができる。工程5露光後、接着剤層5にダイシングテープなどのはく離可能な粘着テープ6を貼り付ける。粘着テープ6は、予めフィルム状に成形された粘着テープをラミネートする方法により貼り付けることができる。工程6続いて、半導体ウェハ1の回路面に貼り付けられた粘着テープ4をはく離する。例えば、活性光線典型的には紫外線を照射することによって粘着性が低下する粘着テープを使用し、粘着テープ4側から露光した後、これをはく離することができる。工程7ダイシングラインDに沿って半導体ウェハ1を接着剤層5とともに切断する。このダイシングにより、半導体ウェハ1が、それぞれの裏面に接着剤層5が設けられた複数の半導体チップ2に切り分けられる。ダイシングは、粘着テープダイシングテープ6によって全体をフレームウェハリング10に固定した状態でダイシングブレード11を用いて行われる。工程8ダイシングの後、切り分けられた半導体チップ2を、ダイボンド装置12によって接着剤層5とともにピックアップし、すなわち接着剤層付き半導体素子をピックアップし、半導体装置用の支持部材半導体素子搭載用支持部材7または他の半導体チップ2に圧着マウントする。圧着は加熱しながら行なうことが好ましい。半導体チップと支持部材又は他の半導体チップとの260°Cにおけるせん断接着強度は、熱履歴によってはく離を抑制する点で0.2MPa以上であることが好ましく、0.5MPa以上であることがより好ましく、耐吸湿リフロー性の観点から1.0MPa以上であることが最も好ましい。また、上記せん断接着強度は50MPa以下であることが好ましい。せん断接着強度の測定は上述と同様にして行うことができる。工程9工程8の後、それぞれの半導体チップ2はそのボンディングパッドに接続されたワイヤ16を介して支持部材7上の外部接続端子と接続される。工程10半導体チップ2を含む積層体を封止材17によって封止することにより、半導体装置100が得られる。なお、図13には、プリント基板との接続のための接続端子18を有する支持部材7が示されている。以上のような工程を経て、本発明の半導体用接着剤組成物によって、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置を製造することができる。半導体装置の構成及び製造方法は、以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。例えば、工程1~7の順序を必要により入れ替えることが可能である。より具体的には、予めダイシングされた半導体ウェハの裏面に本発明の半導体用接着剤組成物を塗布し、その後、活性光線典型的には紫外線を照射して接着剤組成物をBステージ化することもできる。このとき、パターニングされたマスクを用いることもできる。塗布された接着剤組成物を、露光前又は露光後に120°C以下、好ましくは100°C以下、より好ましくは80°C以下に加熱してもよい。これにより、残存している溶剤、水分を低減することができ、また露光後のタックをより低減することができる。以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<E成分:熱可塑性樹脂の調製>。PI-1撹拌機、温度計及び窒素置換装置窒素流入管を備えた500mLフラスコ内に、ジアミンであるポリオキシプロピレンジアミン商品名D-2000分子量:約2000、BASF製140g0.07mol、及び1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス3-アミノプロピルジシロキサン商品名BY16-871EG、東レダウコーニング株製3.72g0.015molに、ODPA31.0g0.1molを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180°Cに昇温させて5時間保温し水を除去して、液状ポリイミド樹脂PI-1を得た。PI-1のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量Mw=40000であった。また、PI-1のTgは20°C以下であった。<接着剤組成物の調製>上記で得られたポリイミド樹脂PI-1を用いて、下記表1に示す組成比単位:質量部にて各成分を配合し、実施例1~4の接着剤組成物及び比較例1~4の接着剤組成物接着剤層形成用組成物を得た。表1において、各記号は下記のものを意味する。CEL2021B:ダイセル化学工業株式社製、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート。OXT-221:東亜合成株式会社製、3-エチル-3{[3-エチルオキセタン-3-イルメトキシ]メチル}オキセタン。TEGDVE:日本カーバイト株式会社製、トリエチレングリコールジビニルエーテル。I-250:BASF社製、ヨードニウム,4-メチルフェニル[4-2-メチルプロピルフェニル]-ヘキサフルオロフォスフェート。I-261:旧チバスペシャリティケミカルズ社製、η5-シクロペンタジエニル-η6-クメニル-アイアン1-ヘキサフルオロフォスフェート1-[1,2,3,4,5,6-η-メチルエチル-ベンゼン]-鉄IIヘキサフルオロフォスフェート。EA-1020:新中村化学工業株式会社製、ビスフェノールAエポキシアクリレート。EA-7420:新中村化学工業株式会社製、クレゾールノボラックエポキシアクリレート。パークミルD:日油社製、ジクミルパーオキサイド1分間半減期温度:175°C。上記で得られた接着剤組成物について、下記の方法にしたがって粘度、膜厚、光照射後のタック、熱圧着性、及び260°C接着強度を評価した。<接着剤組成物の粘度>接着剤組成物の粘度は、東京計器製造所製のEHD型回転粘度計を用い、サンプル量0.4mL、3°コーンの条件下、25°Cで測定した。<膜厚>接着剤組成物をシリコンウェハ上にスピンコートによって所定の回転数800rpmで5秒間及び表1に記載の回転数で20秒間で塗布し、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、高精度平行露光機オーク製作所製、EXM-1172-B-∞商品名、光源:ショートアークランプ、光照度:13mW/cm2により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、PETフィルムをはく離し、表面粗さ測定器小坂研究所製を用いて接着剤層の厚みを測定した。<光照射後のタック表面タック力>接着剤組成物をシリコンウェハ上にスピンコートによって所定の回転数800rpmで5秒間及び表1に記載の回転数で20秒間で塗布し、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、上記高精度平行露光機により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、PETフィルムをはく離し、30°Cでの表面のタック強度をレスカ社製のプローブタッキング試験機を用いて、プローブ直径:5.1mm、引き剥がし速度:10mm/s、接触荷重:100gf/cm2、接触時間:1sにより、30°Cにおけるタック力を5回測定し、100gf/cm2以下であるものをA、100gf/cm2を上回るものをBとした。<熱圧着性>接着剤組成物をシリコンウェハ上にスピンコートによって所定の回転数800rpmで5秒間及び表1に記載の回転数で20秒間で塗布し、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、上記高精度平行露光機により1000mJ/cm2で露光を行なった後、3×3mm角にシリコンウェハを切り出した。切り出した接着剤付きシリコンチップを予め5×5mm角に切り出したシリコンチップ上に載せ、200gfで加圧しながら、120°Cで2秒間圧着した。得られたサンプルについて、せん断接着力試験機Dage-4000商品名を用いて25°Cでのせん断接着力を測定し、1MPa以上であるものをA、1MPaを下回るものをBとした。<260°C接着強度せん断接着強度>接着剤組成物をシリコンウェハ上にスピンコートによって所定の回転数800rpmで5秒間及び表1に記載の回転数で20秒間で塗布し、得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、上記高精度平行露光機により1000mJ/cm2で露光を行なった後、PETフィルムをはく離し、3×3mm角にシリコンウェハを切り出した。切り出した接着剤付きシリコンチップを予め5×5mm角に切り出したシリコンチップ上に載せ、100gfで加圧しながら、120°Cで2秒間圧着した。その後、140°C、1時間、次いで180°C、3時間オーブンで加熱し接着サンプルを得た。得られたサンプルについて、せん断接着力試験機Dage-4000商品名を用いて260°Cでのせん断接着力を測定し、0.2MPa以上であるものをA、0.2MPaを下回るものをB、加熱時のはく離によって測定できなかったものをCとした。実施例1~4で得られた接着剤組成物は、4000rpm以下のスピンコートによって17μm以下の薄膜が形成でき、光照射後のタックについては100gf/cm2以下で取り扱い性にも優れ、かつ良好な熱圧着性と260°C接着強度を示すことが分かった。これらに対して、光カチオン発生剤を使用しない比較例1及び溶剤の含有量が12.3質量である比較例4では、光照射後も強いタック性を示し、取り扱い性に課題を残すとともに、熱圧着性及び260°C接着強度評価時にはく離が発生することが分かった。また、熱ラジカル発生剤を使用しない比較例2については260°C接着強度が低く、接着剤組成物の粘度が15000mPasを示した比較例3では、光照射を行った後の膜厚が50μmと厚く、シリコンウェハ面内での膜厚均一性が乏しく、熱圧着性及び260°C接着強度評価を行うことができなかった。"