"基板上に第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層を形成し、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層はそれぞれの端で接続し閉ループを形成しており、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記第1のフィン状シリコン層の上部に第1の柱状シリコン層を形成し、前記第2のフィン状シリコン層の上部に第2の柱状シリコン層を形成する第1の工程と、ここで前記第1の柱状シリコン層の直径は前記第1のフィン状シリコン層の幅と同じであり、前記第2の柱状シリコン層の直径は前記第2のフィン状シリコン層の幅と同じであり、前記第1の工程の後、前記第1の柱状シリコン層上部と前記第1のフィン状シリコン層上部と前記第1の柱状シリコン層下部に不純物を注入しn型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層上部と前記第2のフィン状シリコン層上部と前記第2の柱状シリコン層下部に不純物を注入しp型拡散層を形成する第2の工程と、前記第2の工程の後、ゲート絶縁膜と第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極とポリシリコンゲート配線を作成する第3の工程と、ここで、前記ゲート絶縁膜は前記第1の柱状シリコン層と前記第2の柱状シリコン層の周囲と上部を覆い、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極はゲート絶縁膜を覆い、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線形成後のポリシリコンの上面は、前記第1の柱状シリコン層上部の前記n型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜と前記第2の柱状シリコン層上部の前記p型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高い位置であり、前記第3の工程の後、前記第1のフィン状シリコン層上部の前記n型拡散層上部と前記第2のフィン状シリコン層上部の前記p型拡散層上部とにシリサイドを形成する第4の工程と、前記第4の工程の後、層間絶縁膜を堆積し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線を露出し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線をエッチング後、金属を堆積し、第1の金属ゲート電極と第2の金属ゲート電極と金属ゲート配線とを形成する第5の工程と、ここで、前記第1の金属ゲート電極と第2の金属ゲート電極に接続された前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線であり、前記第5の工程の後、第1のコンタクトと第2のコンタクトを形成する第6の工程と、ここで、前記第1の柱状シリコン層上部の前記n型拡散層と前記第1のコンタクトとは直接接続し、前記第2の柱状シリコン層上部の前記p型拡散層と前記第2のコンタクトとは直接接続し、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の工程であって、基板上にダミーパターンを形成するために第2の酸化膜を堆積し、ダミーパターンを形成するための第1のレジストを形成し、前記第2の酸化膜をエッチングし、ダミーパターンを形成し、前記第1のレジストを除去し、第1の窒化膜を堆積し、前記第1の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、前記ダミーパターンの周りに第1の窒化膜サイドウォールを形成し、前記ダミーパターンを除去し、前記第1の窒化膜サイドウォールをマスクとして前記シリコン基板をエッチングし、それぞれの端で接続し閉ループが形成された第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層を形成し、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記第1の窒化膜サイドウォールを除去し、前記第1の絶縁膜をエッチバックし、前記第1のフィン状シリコン層の上部と前記第2のフィン状シリコン層の上部を露出し、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコンに直交するように第2のレジストを形成し、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層とをエッチングし、前記第2のレジストを除去することにより、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のレジストとが直交する部分が第1の柱状シリコン層となるよう前記第1の柱状シリコン層を形成し、前記第2のフィン状シリコン層と前記第2のレジストとが直交する部分が前記第2の柱状シリコン層となるよう第2の柱状シリコン層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の工程の後、前記第2の工程であって、第1の工程後の構造全体に、第3の酸化膜を堆積し、第2の窒化膜を形成し、前記第2の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、n型拡散層を形成するための第3のレジストを形成し、不純物を注入し、第1の柱状シリコン層上部と、第1のフィン状シリコン層上部にn型拡散層を形成し、前記第3のレジストを除去し、前記第2の窒化膜と前記第3の酸化膜を除去し、熱処理を行い、第4の酸化膜を堆積し、第3の窒化膜を形成し、前記第3の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、p型拡散層を形成するための第4のレジストを形成し、不純物を注入し、第2の柱状シリコン層上部と、第2のフィン状シリコン層上部にp型拡散層を形成し、前記第4のレジストを除去し、前記第4の窒化膜と前記第3の酸化膜を除去し、熱処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の工程の後、前記第3の工程であって、柱状シリコン層を取り囲むようにゲート絶縁膜を形成し、ポリシリコンを堆積し、平坦化後の前記ポリシリコンの上面が前記第1の柱状シリコン層上部のn型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高く、前記第2の柱状シリコン層上部のp型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高い位置となるよう平坦化をし、第4の窒化膜を堆積し、第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を形成するための第5のレジストを形成し、前記第4の窒化膜をエッチングし、前記ポリシリコンをエッチングし、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線を形成し、前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記第5のレジストを除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第4の工程であって、前記第3の工程の後の構造全体に、第5の窒化膜を堆積し、前記第5の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、金属を堆積し、シリサイドを第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の上部のn型拡散層とp型拡散層の上部に形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記第5の工程であって、前記第4の工程の後の構造全体に、第6の窒化膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積し、化学機械研磨により平坦化し、化学機械研磨により第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を露出し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線をエッチングし、金属を堆積し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線があった部分に前記金属を埋めこみ、前記金属をエッチングし、第1の柱状シリコン層上部のn型拡散層上のゲート絶縁膜と、第2の柱状シリコン層上部のp型拡散層上のゲート絶縁膜とを露出し、第1の金属ゲート電極、第2の金属ゲート電極、金属ゲート配線を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。基板上に形成された第1のフィン状シリコン層と、基板上に形成された第2のフィン状シリコン層と、ここで、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層はそれぞれの端で接続し閉ループを形成しており、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層との周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記第1のフィン状シリコン層上に形成された第1の柱状シリコン層と、前記第2のフィン状シリコン層上に形成された第2の柱状シリコン層と、ここで、前記第1の柱状シリコン層の直径は前記第1のフィン状シリコン層の幅と同じであり、前記第2の柱状シリコン層の直径は前記第2のフィン状シリコン層の幅と同じであり、前記第1のフィン状シリコン層上部と前記第1の柱状シリコン層の下部に形成されたn型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の上部に形成されたn型拡散層と、前記第2のフィン状シリコン層の上部と前記第2の柱状シリコン層の下部に形成されたp型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の上部に形成されたp型拡散層と、前記第1のフィン状シリコン層の上部と前記第2のフィン状シリコン層の上部のn型拡散層とp型拡散層の上部に形成されたシリサイドと、前記第1の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第1の金属ゲート電極と、前記第2の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第2の金属ゲート電極と、前記第1の金属ゲート電極と前記第2の金属ゲート電極に接続された前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線と、前記第1の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層上に形成された第1のコンタクトと、前記第2の柱状シリコン層上部に形成されたp型拡散層上に形成された第2のコンタクトと、を有し、前記第1の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層と前記第1のコンタクトとは直接接続し、前記第2の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層と前記第2のコンタクトとは直接接続することを特徴とする半導体装置。そこで、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減し、ゲートラストプロセスであり、一つのダミーパターンからnMOSSGTとpMOSSGTを形成するCMOSSGTの製造方法とその結果であるSGTの構造を提供することを目的とする。本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層を形成し、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層はそれぞれの端で接続し閉ループを形成しており、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記第1のフィン状シリコン層の上部に第1の柱状シリコン層を形成し、前記第2のフィン状シリコン層の上部に第2の柱状シリコン層を形成する第1の工程と、前記第1の柱状シリコン層の直径は前記第1のフィン状シリコン層の幅と同じであって、前記第2の柱状シリコン層の直径は前記第2のフィン状シリコン層の幅と同じであって、前記第1の工程の後、前記第1の柱状シリコン層上部と前記第1のフィン状シリコン層上部と前記第1の柱状シリコン層下部に不純物を注入しn型拡散層を形成し、前記第2の柱状シリコン層上部と前記第2のフィン状シリコン層上部と前記第2の柱状シリコン層下部に不純物を注入しp型拡散層を形成する第2の工程と、前記第2の工程の後、ゲート絶縁膜と第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極とポリシリコンゲート配線を作成する第3の工程と、前記ゲート絶縁膜は前記第1の柱状シリコン層と前記第2の柱状シリコン層の周囲と上部を覆い、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極はゲート絶縁膜を覆い、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線形成後のポリシリコンの上面は、前記第1の柱状シリコン層上部の前記n型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜と前記第2の柱状シリコン層上部の前記p型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高い位置であって、前記第3の工程の後、前記第1のフィン状シリコン層上部の前記n型拡散層上部と前記第2のフィン状シリコン層上部の前記p型拡散層上部とにシリサイドを形成する第4の工程と、前記第4の工程の後、層間絶縁膜を堆積し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線を露出し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線をエッチング後、金属を堆積し、第1の金属ゲート電極と第2の金属ゲート電極と金属ゲート配線とを形成する第5の工程と、前記第1の金属ゲート電極と第2の金属ゲート電極に接続された前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線であって、前記第5の工程の後、第1のコンタクトと第2のコンタクトを形成する第6の工程と、前記第1の柱状シリコン層上部の前記n型拡散層と前記第1のコンタクトとは直接接続するのであって、前記第2の柱状シリコン層上部の前記p型拡散層と前記第2のコンタクトとは直接接続するのであって、を有することを特徴とする。また、前記第1の工程であって、基板上にダミーパターンを形成するために第2の酸化膜を堆積し、ダミーパターンを形成するための第1のレジストを形成し、前記第2の酸化膜をエッチングし、ダミーパターンを形成し、前記第1のレジストを除去し、第1の窒化膜を堆積し、前記第1の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、前記ダミーパターンの周りに第1の窒化膜サイドウォールを形成し、前記ダミーパターンを除去し、前記第1の窒化膜サイドウォールをマスクとして前記シリコン基板をエッチングし、それぞれの端で接続し閉ループが形成された第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層を形成し、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記第1の窒化膜サイドウォールを除去し、前記第1の絶縁膜をエッチバックし、前記第1のフィン状シリコン層の上部と前記第2のフィン状シリコン層の上部を露出し、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコンに直交するように第2のレジストを形成し、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層とをエッチングし、前記第2のレジストを除去することにより、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のレジストとが直交する部分が第1の柱状シリコン層となるよう前記第1の柱状シリコン層を形成し、前記第2のフィン状シリコン層と前記第2のレジストとが直交する部分が前記第2の柱状シリコン層となるよう第2の柱状シリコン層を形成することを特徴とする。また、前記第1の工程の後、前記第2の工程であって、第1の工程後の構造全体に、第3の酸化膜を堆積し、第2の窒化膜を形成し、前記第2の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、n型拡散層を形成するための第3のレジストを形成し、不純物を注入し、第1の柱状シリコン層上部と、第1のフィン状シリコン層上部にn型拡散層を形成し、前記第3のレジストを除去し、前記第2の窒化膜と前記第3の酸化膜を除去し、熱処理を行い、第4の酸化膜を堆積し、第3の窒化膜を形成し、前記第3の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、p型拡散層を形成するための第4のレジストを形成し、不純物を注入し、第2の柱状シリコン層上部と、第2のフィン状シリコン層上部にp型拡散層を形成し、前記第4のレジストを除去し、前記第4の窒化膜と前記第3の酸化膜を除去し、熱処理を行うことを特徴とする。また、前記第2の工程の後、前記第3の工程であって、柱状シリコン層を取り囲むようにゲート絶縁膜を形成し、ポリシリコンを堆積し、平坦化後の前記ポリシリコンの上面が前記第1の柱状シリコン層上部のn型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高く、前記第2の柱状シリコン層上部のp型拡散層の上の前記ゲート絶縁膜より高い位置となるよう平坦化をし、第4の窒化膜を堆積し、第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を形成するための第5のレジストを形成し、前記第4の窒化膜をエッチングし、前記ポリシリコンをエッチングし、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線を形成し、前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記第5のレジストを除去することを特徴とする。また、前記第4の工程であって、前記第3の工程の後の構造全体に、第5の窒化膜を堆積し、前記第5の窒化膜をエッチングし、サイドウォール状に残存させ、金属を堆積し、シリサイドを第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の上部のn型拡散層とp型拡散層の上部に形成することを特徴とする。また、前記第5の工程であって、前記第4の工程の後の構造全体に、第6の窒化膜を堆積し、層間絶縁膜を堆積し、化学機械研磨により平坦化し、化学機械研磨により第1のポリシリコンゲート電極と第2のポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を露出し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線をエッチングし、金属を堆積し、前記第1のポリシリコンゲート電極と前記第2のポリシリコンゲート電極及び前記ポリシリコンゲート配線があった部分に前記金属を埋めこみ、前記金属をエッチングし、第1の柱状シリコン層上部のn型拡散層上のゲート絶縁膜と、第2の柱状シリコン層上部のp型拡散層上のゲート絶縁膜とを露出し、第1の金属ゲート電極、第2の金属ゲート電極、金属ゲート配線を形成することを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、基板上に形成された第1のフィン状シリコン層と、基板上に形成された第2のフィン状シリコン層と、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層はそれぞれの端で接続し閉ループを形成しており、前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層との周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記第1のフィン状シリコン層上に形成された第1の柱状シリコン層と、前記第2のフィン状シリコン層上に形成された第2の柱状シリコン層と、前記第1の柱状シリコン層の直径は前記第1のフィン状シリコン層の幅と同じであって、前記第2の柱状シリコン層の直径は前記第2のフィン状シリコン層の幅と同じであって、前記第1のフィン状シリコン層上部と前記第1の柱状シリコン層の下部に形成されたn型拡散層と、前記第1の柱状シリコン層の上部に形成されたn型拡散層と、前記第2のフィン状シリコン層の上部と前記第2の柱状シリコン層の下部に形成されたp型拡散層と、前記第2の柱状シリコン層の上部に形成されたp型拡散層と、前記第1のフィン状シリコン層の上部と前記第2のフィン状シリコン層の上部のn型拡散層とp型拡散層の上部に形成されたシリサイドと、前記第1の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第1の金属ゲート電極と、前記第2の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第2の金属ゲート電極と、前記第1の金属ゲート電極と前記第2の金属ゲート電極に接続された前記第1のフィン状シリコン層と前記第2のフィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線と、前記第1の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層上に形成された第1のコンタクトと、前記第2の柱状シリコン層上部に形成されたp型拡散層上に形成された第2のコンタクトと、を有し、前記第1の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層と前記第1のコンタクトとは直接接続し、前記第2の柱状シリコン層上部に形成されたn型拡散層と前記第2のコンタクトとは直接接続することを特徴とする。本発明によれば、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減し、ゲートラストプロセスであり、一つのダミーパターンからnMOSSGTとpMOSSGTを形成するCMOSSGTの製造方法とその結果であるSGTの構造を提供することができる。ダミーパターンの周りに側壁を形成し、その側壁をマスクとして基板をエッチングすることで、フィンを形成し、一つのダミーパターンから2個のトランジスタを形成するという従来のFINFETの製造方法を元にしたため、一つのダミーパターンから2個のSGTを容易に形成できる。2個のSGTであるから、1個をnMOSSGT、1個をpMOSSGTにしたため、1つのダミーパターンから1個のCMOSSGTを作成できるため、高集積なCMOSSGTを提供することができる。加えて、従来は柱状シリコン層上部にシリサイドを形成していたが、ポリシリコンの堆積温度がシリサイドを形成するための温度より高いので、シリサイドはポリシリコンゲート形成後に形成しなければならないため、シリコン柱上部にシリサイドを形成しようとすると、ポリシリコンゲート形成後に、ポリシリコンゲート電極の上部に穴を開け、穴の側壁に絶縁膜のサイドウォールを形成した後、シリサイドを形成し、開けた穴に絶縁膜を埋めるという製造工程数の増加という欠点があったので、ポリシリコンゲート電極とポリシリコンゲート配線形成前に拡散層を形成し、柱状シリコン層をポリシリコンゲート電極で覆い、シリサイドをフィン状シリコン層上部にのみ形成することにより、ポリシリコンでゲートを作成し、その後、層間絶縁膜を堆積後、化学機械研磨によりポリシリコンゲートを露出し、ポリシリコンゲートをエッチング後、金属を堆積する従来のメタルゲートラストの製造方法を用いることができるため、メタルゲートCMOSSGTを容易に形成できる。以下に、本発明の実施形態に係るSGTの構造を形成するための製造工程を、図2~図52を参照して説明する。基板上に第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層を形成し、前記第1のフィン状シリコン層と第2のフィン状シリコン層の周囲に第一の絶縁膜を形成し、前記第1のフィン状シリコン層の上部に第1の柱状シリコン層を形成し、前記第2のフィン状シリコン層の上部に第2の柱状シリコン層を形成する製造方法を示す。図2に示すように、シリコン基板101上にダミーパターンを形成するために第2の酸化膜102を堆積する。窒化膜や、酸化膜とポリシリコンといった積層膜でもよい。図3に示すように、ダミーパターンを形成するための第1のレジスト103を形成する。図4に示すように、第2の酸化膜102をエッチングし、ダミーパターン102を形成する。図5に示すように、第1のレジスト103を除去する。図6に示すように、第1の窒化膜104を堆積する。図7に示すように、第1の窒化膜104をエッチングし、サイドウォール状に残存させる。ダミーパターン102の周りに第1の窒化膜サイドウォール104が形成された。この形成された第1の窒化膜サイドウォール104を用いてシリコンをエッチングすることにより、それぞれの端で接続し閉ループが形成された第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105が形成されることとなる。図8に示すように、ダミーパターン102を除去する。図9に示すように、第1の窒化膜サイドウォール104をマスクとしてシリコン基板101をエッチングし、それぞれの端で接続し閉ループが形成された第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105を形成する。図10に示すように、前記第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105の周囲に第一の絶縁膜107を形成する。第1の絶縁膜として高密度プラズマによる酸化膜や低圧化学気相堆積による酸化膜を用いてもよい。図11に示すように、第1の窒化膜サイドウォール104を除去する。シリコンエッチング中や酸化膜堆積中に、第1の窒化膜サイドウォール104が除去された場合、この工程は不要である。図12に示すように、第1の絶縁膜107をエッチバックし、第1のフィン状シリコン層106の上部と第2のフィン状シリコン層105の上部を露出する。図13に示すように、第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン105に直交するように第2のレジスト108を形成する。第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105とレジスト108とが直交する部分が柱状シリコン層となる部分である。ライン状のレジストを用いることができるため、パターン後にレジストが倒れる可能性が低く、安定したプロセスとなる。図14に示すように、第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105とをエッチングする。第1のフィン状シリコン層106と第2のレジスト108とが直交する部分が第1の柱状シリコン層110となる。第2のフィン状シリコン層105と第2のレジスト108とが直交する部分が第2の柱状シリコン層109となる。従って、第1の柱状シリコン層110の直径は、第1のフィン状シリコン層106の幅と同じとなる。第2の柱状シリコン層109の直径は、第2のフィン状シリコン層105の幅と同じとなる。第1のフィン状シリコン層106の上部に第1の柱状シリコン層110が形成され、第2のフィン状シリコン層105の上部に第2の柱状シリコン層109が形成され、第1のフィン状シリコン層106、第2のフィン状シリコン層105の周囲には第1の絶縁膜107が形成された構造となる。図15に示すように、第2のレジスト108を除去する。次に、ゲートラストとするために、第1の柱状シリコン層110上部と第1のフィン状シリコン層106上部と第1の柱状シリコン層110下部に不純物を注入しn型拡散層を形成し、第2の柱状シリコン層109上部と第2のフィン状シリコン層105上部と第2の柱状シリコン層109下部に不純物を注入しp型拡散層を形成する製造方法を示す。図16に示すように、第3の酸化膜111を堆積し、第2の窒化膜112を形成する。後に、柱状シリコン層上部は、ゲート絶縁膜及びポリシリコンゲート電極に覆われることとなるので、覆われる前に、柱状シリコン層上部に拡散層を形成する。図17に示すように第2の窒化膜112をエッチングし、サイドウォール状に残存させる。図18に示すように、第1の柱状シリコン層110上部と第1のフィン状シリコン層106上部と第1の柱状シリコン層110下部に不純物を注入しn型拡散層を形成するために、第3のレジスト113を形成する。図19に示すように砒素やリンといった不純物を注入し、第1の柱状シリコン層110上部にn型拡散層115、第1のフィン状シリコン層106上部にn型拡散層116、117を形成する。図20に示すように、第3のレジスト113を除去する。図21に示すように第2の窒化膜112と第3の酸化膜111を除去する。図22に示すように熱処理を行う。第1のフィン状シリコン層106上部のn型拡散層116、117は接触しn型拡散層118となる。図23に示すように、第4の酸化膜119を堆積し、第3の窒化膜120を形成する。後に、柱状シリコン層上部は、ゲート絶縁膜及びポリシリコンゲート電極に覆われることとなるので、覆われる前に、柱状シリコン層上部に拡散層を形成する。図24に示すように第3の窒化膜120をエッチングし、サイドウォール状に残存させる。図25に示すように、第2の柱状シリコン層109上部と第2のフィン状シリコン層105上部と第2の柱状シリコン層109下部に不純物を注入しp型拡散層を形成するために、第4のレジスト121を形成する。図26に示すようにボロンといった不純物を注入し、第2の柱状シリコン層109上部にp型拡散層122、第2のフィン状シリコン層105上部にp型拡散層123、124を形成する。図27に示すように、第4のレジスト121を除去する。図28に示すように第3の窒化膜120と第4の酸化膜119を除去する。図29に示すように熱処理を行う。第2のフィン状シリコン層105上部のp型拡散層123,124は接触しp型拡散層125となる。以上よりゲートラストとするために、第1の柱状シリコン層110上部と第1のフィン状シリコン層106上部と第1の柱状シリコン層110下部に不純物を注入しn型拡散層115、118が形成され、第2の柱状シリコン層109上部と第2のフィン状シリコン層105上部と第2の柱状シリコン層109下部に不純物を注入しp型拡散層122、125が形成された。以上より1個をnMOSSGT、1個をpMOSSGTとすることができるため、1つのダミーパターンから1個のCMOSSGTを作成できる。また、ダミーパターンの線幅を最小加工サイズFとすると、第1の柱状シリコン層110と第2の柱状シリコン層109の間が最小加工サイズFとなるため、不純物導入のためのレジストマスクのアライメント余裕をF/2とすることができ、pMOSとnMOSの素子分離が容易にできる。次に、ゲートラストとするために、ポリシリコンで第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを作成する製造方法を示す。ゲートラストとするために層間絶縁膜を堆積後、化学機械研磨によりポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を露出するのであるから、化学機械研磨により柱状シリコン層上部が露出しないようにする必要がある。図30に示すように、ゲート絶縁膜126を形成し、ポリシリコン127を堆積し、平坦化する。平坦化後のポリシリコン127の上面は、第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115の上のゲート絶縁膜126より高く、第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122の上のゲート絶縁膜126より高い位置とする。これにより、ゲートラストとするために層間絶縁膜を堆積後、化学機械研磨によりポリシリコンゲート電極及びポリシリコンゲート配線を露出したとき、化学機械研磨により柱状シリコン層上部が露出しないようになる。また、第4の窒化膜128を堆積する。この第4の窒化膜128は、シリサイドを第1のフィン状シリコン層106上部と第2のフィン状シリコン層105上部に形成するとき、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127c上部にシリサイドが形成されることを阻害する膜である。図31に示すように、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを形成するための第5のレジスト129を形成する。第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105とに対してゲート配線となる部分が直交することが望ましい。ゲート配線と基板間の寄生容量が低減するためである。図32に示すように、第4の窒化膜128をエッチングし、ポリシリコン127をエッチングし、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを形成する。図33に示すように、ゲート絶縁膜126をエッチングする。図34に示すように、第5のレジスト129を除去する。以上によりゲートラストとするために、ポリシリコンで第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを形成する製造方法が示された。第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127c形成後のポリシリコンの上面は、第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115の上のゲート絶縁膜126より高く、第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122の上のゲート絶縁膜126より高い位置となっている。次に、第1のフィン状シリコン層106上部のn型拡散層118上部と第2のフィン状シリコン層105上部のp型拡散層125上部とにシリサイドを形成する製造方法を示す。第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート127b及びポリシリコンゲート配線127c上部と第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115と第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122には、シリサイドを形成しないことが特徴である。第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115と第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122にシリサイドを形成しようとすると、製造工程が増大する。図35に示すように、第5の窒化膜130を堆積する。図36に示すように、第5の窒化膜130をエッチングし、サイドウォール状に残存させる。図37に示すように、ニッケル、コバルトといった金属を堆積し、シリサイド131を第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105の上部のn型拡散層118とp型拡散層125の上部に形成する。このとき、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cは、第5の窒化膜130、第4の窒化膜128に覆われ、第1の柱状シリコン層110上のn型拡散層115と第2の柱状シリコン層109上のp型拡散層122とは、ゲート絶縁膜126と第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cに覆われているので、シリサイドが形成されない。以上により第1のフィン状シリコン層106上部のn型拡散層118上部と第2のフィン状シリコン層105上部のp型拡散層125上部とにシリサイドを形成する製造方法が示された。次に、層間絶縁膜133を堆積し、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを露出し、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cをエッチング後、金属134を堆積し、第1の金属ゲート電極134aと第2の金属ゲート電極134bと金属ゲート配線134cとを形成するゲートラストの製造方法を示す。図38に示すように、シリサイド131を保護するために、第6の窒化膜132を堆積する。図39に示すように、層間絶縁膜133を堆積し、化学機械研磨により平坦化する。図40に示すように、化学機械研磨により第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを露出する。図41に示すように、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cをエッチングする。ウエットエッチングが望ましい。図42に示すように金属134を堆積し、平坦化し、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cがあった部分に金属134を埋めこむ。原子層堆積を用いることが好ましい。図43に示すように、金属134をエッチングし、第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115上のゲート絶縁膜126と、第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122上のゲート絶縁膜126と、を露出する。第1の金属ゲート電極134a、第2の金属ゲート電極134b、金属ゲート配線134cが形成される。層間絶縁膜133を堆積し、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cを露出し、第1のポリシリコンゲート電極127aと第2のポリシリコンゲート電極127b及びポリシリコンゲート配線127cをエッチング後、金属134を堆積し、第1の金属ゲート電極134aと第2の金属ゲート電極134bと金属ゲート配線134cとを形成するゲートラストの製造方法が示された。次に、コンタクトを形成するための製造方法を示す。第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115と第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122とにシリサイドを形成しないため、第1のコンタクトと第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115とが直接接続され、第2のコンタクトと第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122とが直接接続されることとなる。図44に示すように、層間絶縁膜135を堆積し、平坦化する。図45に示すように、第1の柱状シリコン層110上部に第1のコンタクト孔138を形成し、第2の柱状シリコン層109上部に第2のコンタクト孔137を形成するための第6のレジスト136を形成する。そして、層間絶縁膜135をエッチングし、第1のコンタクト孔138、第2のコンタクト孔137を形成する。図46に示すように、第6のレジスト136を除去する。図47に示すように、金属ゲート配線134c上、第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105上に第3のコンタクト孔140と第4のコンタクト孔141を形成するための第7のレジスト139を形成する。図48に示すように、層間絶縁膜135、133をエッチングし、第3のコンタクト孔140と第4のコンタクト孔141とを形成する。図49に示すように、第7のレジスト139を除去し、第6の窒化膜132とゲート絶縁膜126をエッチングし、シリサイド131とn型拡散層115とp型拡散層122とを露出し、金属を堆積し、第1のコンタクト144、第2のコンタクト143、第3のコンタクト142、第4のコンタクト145を形成する。以上によりコンタクトを形成するための製造方法が示された。第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115と第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122とにシリサイドを形成しないため、第1のコンタクトと第1の柱状シリコン層110上部のn型拡散層115とが直接接続され、第2のコンタクトと第2の柱状シリコン層109上部のp型拡散層122とが直接接続されることとなる。次に、金属配線層を形成するための製造方法を示す。図50に示すように、金属146を堆積する。図51に示すように、金属配線を形成するための第8のレジスト147、148、149、150を形成し、金属146をエッチングし、金属配線151、152、153、154を形成する。図52に示すように、第8のレジスト147、148、149、150を除去する。以上により金属配線層を形成するための製造方法が示された。上記製造方法の結果を図1に示す。基板101上に形成された第1のフィン状シリコン層106と、基板101上に形成された第2のフィン状シリコン層105と、前記第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105はそれぞれの端で接続し閉ループを形成しており、第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105との周囲に形成された第1の絶縁膜107と、第1のフィン状シリコン層106上に形成された第1の柱状シリコン層110と、第2のフィン状シリコン層105上に形成された第2の柱状シリコン層109と、第1の柱状シリコン層110の直径は第1のフィン状シリコン層106の幅と同じであって、第2の柱状シリコン層109の直径は第2のフィン状シリコン層105の幅と同じであって、第1のフィン状シリコン層106の上部と第1の柱状シリコン層110の下部に形成されたn型拡散層118と、第1の柱状シリコン層110の上部に形成されたn型拡散層115と、第2のフィン状シリコン層105の上部と第2の柱状シリコン層109の下部に形成されたp型拡散層125と、第2の柱状シリコン層109の上部に形成されたp型拡散層122と、第1のフィン状シリコン層106の上部と第2のフィン状シリコン層105の上部のn型拡散層118とp型拡散層125の上部に形成されたシリサイド131と、第1の柱状シリコン層110の周囲に形成されたゲート絶縁膜126と、ゲート絶縁膜126の周囲に形成された第1の金属ゲート電極134aと、第2の柱状シリコン層109の周囲に形成されたゲート絶縁膜126と、ゲート絶縁膜126の周囲に形成された第2の金属ゲート電極134bと、第1の金属ゲート電極134aと第2の金属ゲート電極134bに接続された第1のフィン状シリコン層106と第2のフィン状シリコン層105に直交する方向に延在する金属ゲート配線134cと、第1の柱状シリコン層110上部に形成されたn型拡散層115上に形成された第1のコンタクト144と、第2の柱状シリコン層109上部に形成されたp型拡散層122上に形成された第2のコンタクト143と、を有し、第1の柱状シリコン層110上部に形成されたn型拡散層115と第1のコンタクト144とは直接接続し、第2の柱状シリコン層109上部に形成されたp型拡散層122と第2のコンタクト143とは直接接続する構造となる。以上から、ゲート配線と基板間の寄生容量を低減し、ゲートラストプロセスであり、一つのダミーパターンからnMOSSGTとpMOSSGTを形成するCMOSSGTの製造方法とその結果であるSGTの構造が提供されうる。なお、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。また、上記において、p型p型を含むとn型n型を含むをそれぞれ逆の導電型にしたものも本発明の技術的範囲に含まれるのは、当業者には自明である。"