不揮発性メモリを制御する不揮発性メモリコントローラであって、前記不揮発性メモリは、複数のブロックを含み、前記ブロックは、複数のメモリセルを含み、前記不揮発性メモリにおけるデータの消去単位であり、前記メモリセルは、それぞれNビットNは1以上の整数の情報を記録可能であり、前記メモリセルの特性の劣化量は、記録する情報量に応じて異なり、前記不揮発性メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対してデータの読み出し、書き込み、及び消去の制御を行う制御部と、前記ブロック単位で前記メモリセルの劣化度合いを記録するためのストレステーブルとを備え、前記制御部は、前記ブロックに対する消去のサイクル毎に、前記ストレステーブルに、前記メモリセルに格納する情報量に応じて前記メモリセルの劣化度合いを記録することを特徴とする不揮発性メモリコントローラ。前記メモリセルに記録する情報量は、前記ブロックの単位で同じビット数であることを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリコントローラ。前記制御部は、前記書き込みの制御において、前記ストレステーブルを参照し、前記メモリセルの劣化度合いが少ないブロックにデータを書き込むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリコントローラ。前記制御部は、前記ブロックからデータを消去した後、前記ブロックにデータを書き込む前に、前記ストレステーブルに前記メモリセルの劣化度合いを記録することを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリコントローラ。前記不揮発性メモリコントローラの外部から指定されるアドレスを論理アドレスとし、前記不揮発性メモリの前記ブロックのアドレスを物理アドレスとして、前記論理アドレスと前記物理アドレスとの対応情報を格納するアドレス変換テーブルをさらに備えることを特徴とする請求項1記載の不揮発性メモリコントローラ。前記論理アドレスに対応して、前記メモリセルに記録する情報量を決定するための領域指定テーブルをさらに備えることを特徴とする請求項5記載の不揮発性メモリコントローラ。前記領域指定テーブルは、前記不揮発性メモリコントローラの外部から書き換え可能なことを特徴とする請求項6記載の不揮発性メモリコントローラ。前記メモリセルの劣化度合いは、前記メモリセルに書き込まれたデータの保持期間を基準として決定されることを特徴とした請求項1記載の不揮発性メモリコントローラ。請求項1から8のいずれか1項に記載の不揮発性メモリコントローラと、前記不揮発性メモリとを備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。前記不揮発性メモリは、NANDタイプのフラッシュメモリを含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性記憶装置。しかしながら、上記の特許文献1のような構成においては、2値書き込みの領域として使用する領域と、16値書き込みの領域として使用する領域とを物理的に区別して管理しているために、2値書き込み領域のみを繰り返し使用した場合に、2値書き込み領域の物理ブロックの書き換え回数のみが増えて劣化していくが、多値書き込み領域の物理ブロックは使用されないために劣化しないままであり、結果として、全体の物理ブロックを均等に使用することができないという課題がある。また、それぞれの劣化の程度を書き換え回数のみで管理している。そのために、本来は劣化度合いが異なる2値の書き込みと16値の書き込みとについて、共通の劣化の尺度を持ち得ないために、それぞれの領域の相互利用を阻害する要因となる。本発明の目的は、任意に2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を必要とせず、不揮発性メモリの全てのブロックを有効に利用することが可能な不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置を提供することである。本発明に係る不揮発性メモリコントローラは、不揮発性メモリを制御する不揮発性メモリコントローラであって、前記不揮発性メモリは、複数のブロックを含み、前記ブロックは、複数のメモリセルを含み、前記不揮発性メモリにおけるデータの消去単位であり、前記メモリセルは、それぞれNビットNは1以上の整数の情報を記録可能であり、前記メモリセルの特性の劣化量は、記録する情報量に応じて異なり、前記不揮発性メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対してデータの読み出し、書き込み、及び消去の制御を行う制御部と、前記ブロック単位で前記メモリセルの劣化度合いを記録するためのストレステーブルとを備え、前記制御部は、前記ブロックに対する消去のサイクル毎に、前記ストレステーブルに、前記メモリセルに格納する情報量に応じて前記メモリセルの劣化度合いを記録する。この不揮発性メモリコントローラにおいては、データの消去単位となる不揮発性メモリのブロック単位で、ブロックに対する消去のサイクル毎に、メモリセルに格納する情報量に応じてメモリセルの劣化度合いをストレステーブルに記録しているので、ブロック別に2値書き込みと多値書き込みとが可能な不揮発性記憶装置において、2値書き込みを行った場合の劣化と、多値書き込みを行った場合の劣化とを共通の尺度で管理する仕組みを導入することにより、不揮発性メモリの劣化の均等化を図り、不揮発性メモリの劣化を抑えることができるとともに、不揮発性メモリの全てのブロックを有効に利用することができる。この結果、任意に2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を必要とせず、不揮発性メモリの全てのブロックを有効に利用することができる。前記メモリセルに記録する情報量は、前記ブロックの単位で同じビット数であることが好ましい。この場合、メモリセルに記録する情報量がブロックの単位で同じビット数であるので、ブロック単位でデータの消去及び書き込みを行う不揮発性メモリにおいて、2値書き込みを行った場合の劣化と、多値書き込みを行った場合の劣化とを共通の尺度で管理する仕組みを導入することができる。前記制御部は、前記書き込みの制御において、前記ストレステーブルを参照し、前記メモリセルの劣化度合いが少ないブロックにデータを書き込むことが好ましい。この場合、書き込みの制御において、ストレステーブルを参照し、メモリセルの劣化度合いが少ないブロックにデータを書き込んでいるので、全てのブロックを均等に使用することができる。前記制御部は、前記ブロックからデータを消去した後、前記ブロックにデータを書き込む前に、前記ストレステーブルに前記メモリセルの劣化度合いを記録することが好ましい。この場合、ブロックを消去した後、ブロックにデータを書き込む前に、ストレステーブルにメモリセルの劣化度合いを記録しているので、ブロックに対する消去のサイクル毎に、メモリセルの劣化度合いをストレステーブルに確実に記録することができる。前記不揮発性メモリコントローラの外部から指定されるアドレスを論理アドレスとし、前記不揮発性メモリの前記ブロックのアドレスを物理アドレスとして、前記論理アドレスと前記物理アドレスとの対応情報を格納するアドレス変換テーブルをさらに備えることが好ましい。この場合、不揮発性メモリコントローラの外部から指定されるアドレスを論理アドレスとし、不揮発性メモリのブロックのアドレスを物理アドレスとして、論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納するアドレス変換テーブルを用いて、2値書き込みを行った場合の劣化と、多値書き込みを行った場合の劣化とを共通の尺度で管理しながら、外部から指定される論理アドレスに対応する物理アドレスを有する不揮発性メモリのブロックにデータを書き込むことができる。前記論理アドレスに対応して、前記メモリセルに記録する情報量を決定するための領域指定テーブルをさらに備えることが好ましい。この場合、領域指定テーブルを用いて、不揮発性メモリコントローラの外部から指定される論理アドレスに対するメモリセルに記録する情報量を決定することができるので、決定した情報量に応じた書き込み方式でデータを書き込むことができる。この結果、2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を設けることなく、不揮発性メモリの全てのブロックを有効に利用することができる。前記領域指定テーブルは、前記不揮発性メモリコントローラの外部から書き換え可能なことが好ましい。この場合、領域指定テーブルの内容を不揮発性メモリコントローラの外部から書き換えることができるので、任意に2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を設けることなく、不揮発性メモリの全てのブロックを有効に利用することができる。前記メモリセルの劣化度合いは、前記メモリセルに書き込まれたデータの保持期間を基準として決定されることが好ましい。この場合、メモリセルの劣化度合いが、メモリセルに書き込まれたデータの保持期間を基準として決定されているので、2値書き込み領域及び多値書き込み領域ともに、データの信頼性を向上することができる。本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記いずれかの不揮発性メモリコントローラと、前記不揮発性メモリとを備える。前記不揮発性メモリは、NANDタイプのフラッシュメモリを含むことが好ましい。この場合、NANDタイプのフラッシュメモリを用いているので、容量が大きく、低ビットコストの不揮発性記憶装置を提供することができるとともに、データの信頼性を向上することができる。本発明によれば、任意に2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を必要とせず、不揮発性メモリのブロックを有効に利用することが可能な不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の一実施の形態のメモリーカードについて説明する。図1は、本発明の一実施の形態のメモリーカードの構成を示すブロック図である。<1.メモリーカードの構成>メモリーカード101は、外部のホスト機器200と接続され、ホスト機器200と双方向に通信を行うことにより、ホスト機器200からの指示に応じてデータの読み出し及び/又は書き込みを行う。メモリーカード101は、コントローラ102と、フラッシュメモリ部103とを備える。コントローラ102は、メモリーカード101とホスト機器200とのインターフェースの制御を行うと共に、フラッシュメモリ部103の制御を行う。フラッシュメモリ部103は、不揮発性メモリの一例であるフラッシュメモリからなる。図示しないが、フラッシュメモリは、NANDタイプのフラッシュメモリであり、複数の物理ブロックからなる。物理ブロックは、複数のメモリセルからなる。物理ブロックは、フラッシュメモリにおけるデータの消去単位である。メモリセルの各々は、それぞれNビットNは1以上の整数の情報を記録可能であり、メモリセルの特性の劣化量は、記録する情報量に応じて異なる。ここで、メモリーカード101が不揮発性記憶装置の一例であり、コントローラ102が不揮発性メモリコントローラの一例であり、フラッシュメモリ部103が不揮発性メモリの一例である。また、ホスト機器200の一例としては、デジタルカメラ、携帯電話、ビデオレコーダ、コンピュータ等が該当する。メモリーカード101は、メモリーカード101の外部のホスト機器200からのアドレスを指定したデータの書き込みや読み出しの制御に対応して、フラッシュメモリ部103にデータを書き込み、又は、フラッシュメモリ部103からデータを読み出す。コントローラ102は、ホストインターフェース部104、フラッシュメモリ制御部105、バッファメモリ106、ECC107、制御部108、アドレス変換テーブル109、無効ブロックテーブル110、不良ブロックテーブル111、領域指定テーブル112、及び劣化度テーブル113を備える。ホストインターフェース部104は、ホスト機器200とのインターフェースを制御する。フラッシュメモリ制御部105は、フラッシュメモリ部103の制御を行う。バッファメモリ106は、ホスト機器200からの書き込みデータや、ホスト機器200への読み出しデータをフラッシュメモリ部103との間で転送する際に、一時的にデータを格納するための揮発性のバッファメモリである。ECC107は、ECCエラー検出訂正回路であり、フラッシュメモリ部103にデータを書き込む際に付加するECCErrorCorrectingCode:誤り訂正符号を生成し、フラッシュメモリ部103からデータを読み出す際に、読み出したデータの訂正を行う。制御部108は、図示を省略した配線により各ブロックに接続され、各ブロックの動作を制御することにより、コントローラ102内部全体の制御を行う。また、制御部108は、フラッシュメモリ部103に対してデータの読み出し、書き込み、及び消去の制御を行う。アドレス変換テーブル109は、ホスト機器200から指定されるアドレス論理アドレスと、フラッシュメモリ部103の物理ブロックのアドレス物理アドレスとの対応を記録する。すなわち、アドレス変換テーブル109は、コントローラ102の外部からの指定されるアドレスを論理アドレスとし、フラッシュメモリ部103の物理ブロックのアドレスを物理アドレスとして、論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する。無効ブロックテーブル110は、フラッシュメモリ部103において有効なデータが書き込まれておらず、且つ、不良ブロックでない不良ブロックテーブル111で管理されていない物理ブロックのアドレスのリストを記録する。すなわち、無効ブロックテーブル110は、論理アドレスに対応するデータが格納されておらず、新たなデータの書き込みが可能な物理ブロックの物理アドレスを格納しており、データの書き込みに使用可能な物理ブロックが無効ブロックテーブル110に登録されている。不良ブロックテーブル111は、フラッシュメモリ部103における不良ブロックの物理アドレスのリストを記録する。領域指定テーブル112は、ホスト機器200から指定される論理アドレスを複数の領域に分割し、それぞれの分割された領域のデータに対してデータの書き込み方法を示すテーブルである。領域指定テーブル112は、ホスト機器200から指定される論理アドレスに対応して、フラッシュメモリ部103の物理ブロックのメモリセルに記録する情報量を決定するために使用され、コントローラ102の外部、例えば、ホスト機器200からテーブルの内容を書き換え可能に構成されている。ここで、メモリセルに記録する情報量としては、2値、又は3値以上の多値例えば、4値、8値、16値があり、書き込み方式を特定するための書き込み種別の情報として、2値書き込みを示す情報又は多値書き込みを示す情報が、任意の論理アドレス範囲毎に領域指定テーブル112に記憶される。例えば、領域指定テーブル112は、データを書き換え可能な揮発性メモリ又は不揮発性メモリから構成され、ホスト機器200が、論理アドレス範囲と、当該論理アドレス範囲に適用される書き込み方式を特定するための書き込み種別の情報とを含む領域指定テーブル書き換え命令をメモリーカード101へ送信すると、制御部108は、領域指定テーブル書き換え命令により指定された論理アドレス範囲と、当該論理アドレス範囲に適用される書き込み種別の情報とを領域指定テーブル112に格納する。なお、複数の多値を使用する場合、多値ごとに当該多値を示す情報を領域指定テーブル112に記録するようにしてもよく、例えば、4値の場合に、4値書き込みを示す情報を記録し、8値の場合に、8値書き込みを示す情報を記録するようにしてもよい。劣化度テーブル113は、フラッシュメモリ部103に含まれる全ての物理ブロックの劣化度合いを示すテーブルであり、ブロック単位でメモリセルの劣化度合いを記録するためのストレステーブルの一例である。制御部108は、ブロックに対する消去処理のサイクル毎に、劣化度テーブル113に、メモリセルに格納する情報量に応じてメモリセルの劣化度合いを記録する。<2.各種テーブルの構成例>図2は、アドレス変換テーブル109の構成の一例を示す図である。アドレス変換テーブル109は、論理ブロックアドレス201の情報と、物理ブロックアドレス202の情報とを対応付けて記憶している。ここで、論理アドレスの範囲を、フラッシュメモリ部103の物理ブロックの容量と等量の単位の論理ブロックに分割し、各論理ブロックを特定するための論理アドレスの情報を、論理ブロックアドレス201の情報とする。一方、物理ブロックアドレス202の情報は、物理ブロックを特定するための物理アドレスの情報である。アドレス変換テーブル109では、1つの論理ブロックアドレス201と、それに対応するフラッシュメモリ部103の物理ブロックアドレス202との組で一つのレコードが構成されている。例えば、論理ブロックアドレス0000hに対応するデータは、物理ブロックアドレス0000hの物理ブロックすなわちフラッシュメモリ部103のアドレス0000hの物理ブロックに格納され、論理ブロックアドレス0001hに対応するデータは、物理ブロックアドレス0010hの物理ブロックすなわちフラッシュメモリ部103のアドレス0010hの物理ブロックに格納されていることを示す。また、論理ブロックアドレスとして、0000hから1F39hまでの範囲のアドレスが管理されている。図3は、無効ブロックテーブル110の構成の一例を示す図である。無効ブロックテーブル110は、フラッシュメモリ部103における無効なデータを格納する物理ブロックのアドレスである物理ブロックアドレスの情報、例えば、0123h、0456h、...を記憶している。なお、フラッシュメモリ部103の物理ブロックのアドレスの範囲は、0000h~1FFFhの範囲とし、2000hは、無効ブロックテーブル110における無効な値として取り扱う。不良ブロックテーブル111の構成は、上記の無効ブロックテーブル110と同様であり、フラッシュメモリ部103における不良データの物理ブロックのアドレスを格納する。すなわち、不良ブロックテーブル111は、不良ブロックの物理ブロックアドレスの情報を格納し、2000hを無効値として取り扱う。図4は、領域指定テーブル112の構成の一例を示す図である。領域指定テーブル112では、先頭論理アドレス401の情報と、最終論理アドレス402の情報と、書き込み種別403の情報との組で1つのレコードが構成される。書き込み種別403は、先頭論理アドレス401から最終論理アドレス402までのアドレス領域に対する書き込み種別を定義する。例えば、先頭論理アドレス401の0000hから最終論理アドレス402の0001hまでの論理アドレスに対応するデータの書き込み種別403の情報は、2値書き込みであり、2値書き込みを表す2値が格納される。先頭論理アドレス401の0002hから最終論理アドレス402の1F29hまでの論理アドレスに対応するデータの書き込み種別403は、多値書き込みであり、多値書き込みを表す多値が格納される。先頭論理アドレス401の1F30hから最終論理アドレス402の1F39hまでの論理アドレスに対応するデータの書き込み種別403は、2値書き込みであり、2値書き込みを表す2値が格納される。なお、領域指定テーブル112の情報は、メモリーカード101の外部、例えば、ホスト機器200から書き換えることにより、任意に設定可能な構成をとる。また、書き込み種別403として記憶される情報は、上記の例に特に限定されず、メモリーカード101が2値書き込みであるか、多値書き込みであるかを判別可能であれば、種々の情報を用いることができる。図5は、劣化度テーブル113の構成の一例を示す図である。劣化度テーブル113は、物理ブロックアドレス501の情報と、メモリセルの劣化度合いを表す劣化度合い502の情報とを対応付けて記憶している。ここで、劣化度合い502の情報は、フラッシュメモリ部103の全ての物理ブロックに対応して、その物理ブロックがデータの消去と書き込みとの繰り返しである書き換えストレスによってどの程度劣化しているかを示す値を用いることができる。例えば、書き込み種別の劣化度合い502の値としては、全く劣化していない状態を初期値となる00000000hとし、データの書き換えが行われる毎に、その書き込みが2値書き込みなのか多値書き込みなのかに対応した所定のストレス量例えば、2値書き込みが1、多値書き込みが3を前回の劣化度合いの値に加算する。書き込み種別のフラッシュメモリ部103の物理ブロック0000hの劣化度合い502の値は、00000001hであり、物理ブロック0001hの劣化度合い502の値は、00000100hであり、物理ブロック1FFFhの劣化度合い502の値は00000010hである。<3.書き込み処理におけるテーブル更新>次に、領域指定テーブル112と劣化度テーブル113の使用方法を説明するために、メモリーカード101におけるデータの書き込み処理を説明する。図6は、メモリーカード101に対するデータの書き込み処理における制御部108の動作のフローチャートである。メモリーカード101は、ホスト機器200からの論理アドレスを指定した書き込み命令によって書き込み処理を開始する。まず、処理601を説明する。制御部108は、書き込み先物理ブロックを決定し、書き込み先物理ブロックの消去を行う。具体的には、制御部108は、無効ブロックテーブル110及び劣化度テーブル113を参照して、無効ブロックテーブル110に登録されている物理ブロックアドレスの中から、劣化度テーブル113に示されている劣化度合いが最も少ない物理ブロックアドレスを選択し、選択した物理ブロックアドレスの物理ブロックを書き込み先物理ブロックとして決定する。次に、制御部108は、フラッシュメモリ部103に対して書き込み先物理ブロックの物理アドレスを指定してデータを消去する消去命令を発行し、書き込み先物理ブロックのデータを消去する。図3及び図5に示す例では、無効ブロックテーブル110に登録されている物理ブロックアドレスのうち、最も劣化度合いの少ない物理ブロックアドレスは、劣化度合いが00000010hの物理ブロックアドレス1FFFhとなり、物理ブロックアドレス1FFFhの物理ブロックが書き込み先物理ブロックとなる。なお、物理ブロックアドレス0000hの物理ブロックの方が、物理ブロックアドレス1FFFhに比べて、劣化度合いが小さいが、物理ブロックアドレス0000hは、無効ブロックテーブル110に登録されていないので、物理ブロックアドレス0000hの物理ブロックは、選択対象とはならない。次に、処理602を説明する。制御部108は、劣化度テーブル113の更新を行う。具体的には、制御部108は、領域指定テーブル112を参照して、ホスト機器200から指定された論理アドレスがどの先頭論理アドレスから最終論理アドレスまでの範囲に入るかを判断し、ホスト機器200から指定された論理アドレスが入る範囲に対応する書き込み種別を取得し、取得した書き込み種別に応じて、処理601で決定した書き込み先物理ブロックに対応する劣化度テーブル113の劣化度合いの値を更新する。例えば、ホスト機器200が指定した論理アドレスが0001hであるとすると、制御部108は、論理アドレス0001hが含まれる領域の書き込み種別として、2値書き込みを得る。従って、制御部108は、劣化度テーブル113の物理ブロックアドレス1FFFhに対応する劣化度合いの値に1を加算する。図7は、更新後の劣化度テーブル113の状態の一例を示している。図7に示すように、劣化度テーブル113の物理ブロックアドレス1FFFhに対応する劣化度合いの値は、前回の値00000010hに1が加算され、00000011hとなる。なお、書き込み種別に対応した劣化度合いの加算量ストレス量については、後で説明する。次に、処理603を説明する。制御部108は、ホスト機器200からのデータの書き込みを行う。具体的には、制御部108は、ホスト機器200から指定された論理アドレスを基に領域指定テーブル112を参照して、対応する書き込み種別を取得し、取得した書き込み種別を用いて、ホスト機器200から転送される書き込みデータをフラッシュメモリ部103に転送し、処理601で決定した書き込み先物理ブロックアドレス、例えば、1FFFhに書き込む。このとき、ホスト機器200からの書き込みデータが物理ブロック単位に満たないときには、制御部108は、フラッシュメモリ部103に既書き込みのデータを使用して、物理ブロック単位のデータを作成し、このデータをフラッシュメモリ部103に書き込む。このような処理を行う必要があるのは、フラッシュメモリ部103のデータの消去単位でしか、データを書き換えることができないためである。従って、本実施の形態では、メモリセルに記録する情報量は、データの消去単位である物理ブロックの単位で同じビット数となる。次に、処理604を説明する。制御部108は、アドレス変換テーブル109及び無効ブロックテーブル110の更新を行う。具体的には、制御部108は、ホスト機器200から指定された論理アドレスである論理ブロックアドレスに対応するアドレス変換テーブル109の物理ブロックアドレスと、処理601において選択され、処理603においてホスト機器200からの書き込みデータを書き込んだ物理アドレスである無効ブロックテーブル110の物理ブロックアドレスとを入れ替えて、アドレス変換テーブル109及び無効ブロックテーブル110を更新する。図8は、更新後のアドレス変換テーブル109の状態の一例を示し、図9は、更新後の無効ブロックテーブル110の状態の一例を示している。図8及び図9に示すように、制御部108は、ホスト機器200が指定した論理ブロックアドレス0001hに対応する物理ブロックアドレス0010hと、処理601で選択した物理ブロックアドレス1FFFhとを交換し、アドレス変換テーブル109の論理ブロックアドレスは、1FFFhとなり、無効ブロックテーブル110では、1FFFhが削除され、新たに0010hが追加される。図10は、図6に示すフローチャートの各処理において、どのテーブルが参照及び更新されるか示している。なお、図10では、テーブルの参照をRで示し、テーブルの更新をWで示している。図10に示すように、処理601では、無効ブロックテーブル110及び劣化度テーブル113が参照され、処理602では、領域指定テーブル112が参照され、劣化度テーブル113が更新され、処理603では、領域指定テーブル112が参照され、必要に応じてアドレス変換テーブル109が参照され、処理604では、アドレス変換テーブル109が参照され、アドレス変換テーブル109及び無効ブロックテーブル110が更新される。<4.劣化度合いの算定>次に、劣化度テーブル113の劣化度合いの更新における、各書き込み種別における加算値について説明する。加算値を決定するためには、メモリーカード101に使用するフラッシュメモリ部103の特性を評価する必要がある。つまり、メモリーカード101に使用するフラッシュメモリ部103の特性によって、加算値は異なってくる。例えば、フラッシュメモリ部103のデータ保持特性は、フラッシュメモリ部103を製造したプロセスルールやフラッシュメモリメーカーによって異なり、また、2値書き込みか、又は、多値書き込みか、さらに、多値書き込みが4値なのか、8値なのか、16値なのかによっても異なる。図11は、フラッシュメモリ部103の書き換え回数とデータ保持期間との関係を示す図である。図11では、横軸には書き換え回数を、縦軸にはデータ保持期間をとり、書き換え回数は、2値又は多値を問わず、共通の書き換え回数で示している。また、フラッシュメモリ部103の評価結果として、2値書き込みによる2値書き換えのみを実行した場合を実線で示し、多値書き込みによる多値書き換えのみを実行した場合を破線で示している。つまり、2値書き込みで10回、100回、1000回、5000回書き換えた後のデータ保持期間をプロットすることにより、2値書き換えの線である実線が引け、また、多値書き込みで10回、100回、1000回、5000回書き換えた後のデータ保持期間をプロットすることにより、多値書き換えの線である破線が引ける。また、書き込み種別である2値書き込みや多値書き込みによらず、共通の書き込み方式でデータを書き込んだ後に、フラッシュメモリ部103のフラッシュメモリを放置して、ビットエラーが所定のビット数に達するまでの期間をデータ保持期間とする。このデータ保持期間の評価は、高温環境で実施する加速評価を行うことが一般的である。図11に示すように、メモリーカード101の目標とする所定の目標データ保持期間を設定する。次に、2値書き換えの線と多値書き換えの線とが、それぞれ目標データ保持期間と交わる書き換え回数の比を求める。例えば、2値書き込みによる書き換え回数Sが、多値書き込みによる書き換え回数Mの約3倍であるとする。この場合の2値書き換え劣化量及び多値書き換え劣化量を、書き換え回数の逆数の簡単な整数比で設定し、2値書き換え劣化量と多値書き換え劣化量との比に基づいて加算値を決定する。つまり、2値書き換え劣化量:多値書き換え劣化量=1/3:1=1:3となり、2値書き込みを行う場合の加算量として1が得られ、多値書き込みを行う場合の加算量として3が得られる。なお、加算量は、上記の例に特に限定されず、種々の変更が可能であり、多値ごとに異なる値を用いてもよく、例えば、4値書き込みを行う場合の加算量や8値書き込みを行う場合の加算量をそれぞれ設定してもよい。この場合、2値書き込みを行う場合の加算量は、4値書き込みを行う場合の加算量より小さく、4値書き込みを行う場合の加算量は、8値書き込みを行う場合の加算量より小さく設定することが好ましい。以上のような構成のメモリーカード101では、2値書き込みにおける劣化と、多値書き込みにおける劣化とを共通の尺度で管理する仕組みを導入している。それによって、2値書き込みと多値書き込みとが可能なメモリーカード101において、それぞれの書き込みに対する領域を個別に設定する必要がなく、メモリーカード101の劣化の均等化を図り、メモリーカード101の劣化を抑えることができるとともに、メモリーカード101の全ての物理ブロックを有効に利用することができる。結果として、2値書き込みと多値書き込みとが可能なメモリーカード101において、任意に2値書き込み領域と多値書き込み領域とを設けた上で、それぞれの領域に対して物理的な領域制限を必要とせず、全ての物理ブロックを双方の書き込みに対して有効に使用することが可能になる。