"複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、前記多色光から直線偏光を生成し、前記直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、前記サンプルから出射される検出光が入射される検光子と、前記検光子を通過した通過光が入射される分光器と、前記分光器による分光によって得られる前記複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出する光検出手段と、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルによる前記直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出する演算装置とを具備する偏光変化スペクトル測定装置。請求項1に記載の偏光変化スペクトル測定装置であって、更に、前記サンプルに磁場を印加する磁場印加手段を具備し、前記演算装置は、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルによる前記直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出する偏光変化スペクトル測定装置。請求項1に記載の偏光変化スペクトル測定装置であって、更に、前記サンプルの温度、前記サンプルに印加される圧力、前記サンプルに印加される電圧、又は、前記サンプルに印加される電圧を調節する調節手段を具備する偏光変化スペクトル測定装置。複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、前記多色光から直線偏光を生成し、前記直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、前記サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、前記サンプルから出射される検出光が入射される検光子と、前記検光子を通過した通過光が入射される分光器と、前記分光器による分光によって得られる前記複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出する光検出手段と、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する演算装置とを具備する磁気光学効果測定装置。請求項4に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記波長成分のそれぞれの光強度は、前記検光子の透過軸の角度である検光子角度を変化させながら測定され、前記演算装置は、前記波長成分のそれぞれの光強度から、前記複数の波長のそれぞれについて、前記検光子角度と前記光強度との関係を示す角度-光強度データを生成し、前記角度-光強度データから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した前記回転角から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する磁気光学効果測定装置。請求項4に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記波長成分のそれぞれの光強度は、前記検光子の透過軸の角度である検光子角度が固定された状態で測定され、前記サンプルにおける偏光面の回転角と前記波長成分のそれぞれの光強度の変化との関係を示す回転角-光強度変化データが予め前記演算装置に保存され、前記演算装置は、保存された前記回転角-光強度変化データを用いて、前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した前記回転角から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する磁気光学効果測定装置。請求項6に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記回転角-光強度変化データは、前記サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの前記波長成分のそれぞれの光強度の変化を示すデータであり、前記演算装置は、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度と前記サンプルに磁場が印加されない状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度との差分と、前記回転角-光強度変化データとから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出する磁気光学効果測定装置。請求項7に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記サンプルに磁場が印加された状態での前記波長成分のそれぞれの光強度の検出が、前記偏光子の透過軸の角度と前記検光子の透過軸の角度が、前記サンプルにおける偏光面の回転が無い場合に前記検光子に入射する直線偏光の偏光面と前記検光子の透過軸とがなす角度が43°から47°の範囲である状態で行われる磁気光学効果測定装置。請求項6に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記回転角-光強度変化データは、前記サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの前記波長成分のそれぞれの光強度の変化を示すデータであり、前記演算装置は、前記サンプルに第1方向に第1磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度と前記サンプルに前記第1方向と逆の第2方向に前記第1磁場と同一の大きさの第2磁場が印加されない状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度との差分と、前記回転角-光強度変化データとから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出する磁気光学効果測定装置。請求項4に記載の磁気光学効果測定装置であって、更に、前記光源と前記サンプルの間に前記偏光子と直列に設けられたファラデーセルと、前記ファラデーセルに交流の周期信号である駆動電流を供給する駆動回路と、前記光センサが前記波長成分のそれぞれの光強度を測定するタイミングが前記ファラデーセルに供給される前記駆動電流と同期するように前記駆動回路と前記光センサの動作タイミングを制御するタイミング制御手段とを具備する磁気光学効果測定装置。請求項10に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記回転角-光強度変化データは、前記サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの、前記駆動電流の各周期に規定された第1及び第2タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度の差分を示すデータであり、前記第1タイミング及び第2タイミングは、前記サンプルにおいて偏光面が回転した場合に、前記光センサにおいて検出される前記波長成分のそれぞれの光強度が前記駆動電流の各周期において異なる極大値をとるように定められ、前記演算装置は、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記第1タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度と前記第2タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度との差分と、前記回転角-光強度変化データとから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出する磁気光学効果測定装置。請求項11に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記サンプルに磁場が印加された状態での前記波長成分のそれぞれの光強度の検出が、前記偏光子の透過軸の角度と前記検光子の透過軸の角度が、前記サンプルにおける偏光面の回転が無い場合に前記検光子に入射する直線偏光の偏光面と前記検光子の透過軸とがなす角度が43°から47°の範囲であるように調節された状態で行われる磁気光学効果測定装置。請求項4乃至12に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記光検出手段が、エリアセンサである磁気光学効果測定装置。請求項4乃至13に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記検光子と前記分光器と前記光検出手段とは、前記サンプルを透過した光が前記検光子に入射するように配置され、前記演算装置は、前記サンプルのベルデ定数の波長依存性を算出する磁気光学効果測定装置。請求項4乃至13に記載の磁気光学効果測定装置であって、前記検光子と前記分光器と前記光検出手段とは、前記サンプルを反射した光が前記検光子に入射するように配置され、前記演算装置は、前記サンプルのカー定数の波長依存性を算出する磁気光学効果測定装置。複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、前記多色光から直線偏光を生成し、前記直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、前記サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、前記サンプルから出射される検出光が入射される検光子とを備える偏光変化スペクトル測定装置によって前記サンプルによる前記直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出する偏光変化スペクトル測定方法であって、前記検光子を通過した通過光を分光器に入射することと、前記分光器による分光によって得られる前記複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出することと、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルによる前記直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出することとを具備する偏光変化スペクトル測定方法。複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、前記多色光から直線偏光を生成し、前記直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、前記サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、前記サンプルから出射される検出光が入射される検光子とを備える磁気光学効果測定装置によって前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する磁気光学効果測定方法であって、前記検光子を通過した通過光を分光器に入射することと、前記分光器による分光によって得られる前記複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出することと、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出することとを具備する磁気光学効果測定方法。請求項17に記載の磁気光学効果測定方法であって、前記波長成分のそれぞれの光強度は、前記検光子の透過軸の角度である検光子角度を変化させながら測定され、前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性の算出においては、前記波長成分のそれぞれの光強度から、前記複数の波長のそれぞれについて、前記検光子角度と前記光強度との関係を示す角度-光強度データを生成し、前記角度-光強度データから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した前記回転角から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する磁気光学効果測定方法。請求項17に記載の磁気光学効果測定方法であって、前記波長成分のそれぞれの光強度は、前記検光子の透過軸の角度である検光子角度が固定された状態で測定され、前記サンプルにおける偏光面の回転角と前記波長成分のそれぞれの光強度の変化との関係を示す回転角-光強度変化データが予め用意され、前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性の算出においては、予め用意された前記回転角-光強度変化データを用いて、前記波長成分のそれぞれの光強度から前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した前記回転角から前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性を算出する磁気光学効果測定方法。請求項17に記載の磁気光学効果測定方法であって、前記磁気光学効果測定装置が、更に、前記光源と前記サンプルの間に前記偏光子と直列に設けられたファラデーセルと、前記ファラデーセルに交流の周期信号である駆動電流を供給する駆動回路と、前記光センサが前記波長成分のそれぞれの光強度を測定するタイミングが前記ファラデーセルに供給される前記駆動電流と同期するように前記駆動回路と前記光センサの動作タイミングを制御するタイミング制御手段とを備えており、前記回転角-光強度変化データは、前記サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの、前記駆動電流の各周期に規定された第1及び第2タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度の差分を示すデータであり、前記第1タイミング及び第2タイミングは、前記サンプルにおいて偏光面が回転した場合に、前記光センサにおいて検出される前記波長成分のそれぞれの光強度が前記駆動電流の各周期において異なる極大値をとるように定められ、前記サンプルの磁気光学効果の波長依存性の算出においては、前記サンプルに磁場が印加された状態で検出された前記第1タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度と前記第2タイミングにおける前記波長成分のそれぞれの光強度との差分と、前記回転角-光強度変化データとから前記サンプルにおける偏光面の回転角を算出する磁気光学効果測定方法。したがって、本発明の目的は、物質中における偏光面の角度の変化の波長依存性の測定にかかる時間を短縮するための技術を提供することにある。本発明の一の観点では、偏光変化スペクトル測定装置が、複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、多色光から直線偏光を生成し、直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、サンプルから出射される検出光が入射される検光子と、検光子を通過した通過光が入射される分光器と、分光器による分光によって得られる複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出する光検出手段と、サンプルに磁場が印加された状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度からサンプルによる直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出する演算装置とを具備する。本発明の他の観点では、磁気光学効果測定装置が、複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、多色光から直線偏光であるプローブ光を生成し、直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、サンプルから出射される検出光が入射される検光子と、検光子を通過した通過光が入射される分光器と、分光器による分光によって得られた波長が異なる波長成分のそれぞれの光強度を検出する光検出手段と、検出された波長成分のそれぞれの光強度からサンプルの磁気光学特性の波長依存性を算出する演算装置とを具備する。このような磁気光学効果測定装置によれば、複数の波長の磁気光学特性を同時に測定できるため、磁気光学特性の波長依存性の測定にかかる時間を短縮することができる。一実施形態では、分光器による分光によって得られた波長成分のそれぞれの光強度が、検光子の透過軸の角度である検光子角度を変化させながら測定される。この場合、演算装置は、波長成分のそれぞれの光強度から、複数の波長のそれぞれについて、検光子角度と光強度との関係を示す角度-光強度データを生成し、角度-光強度データからサンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した回転角からサンプルの磁気光学特性の波長依存性を算出する。他の実施形態では、分光器による分光によって得られた波長成分のそれぞれの光強度が、波長成分のそれぞれの光強度は、検光子の透過軸の角度である検光子角度が固定された状態で測定される。また、サンプルにおける偏光面の回転角と波長成分のそれぞれの光強度の変化との関係を示す回転角-光強度変化データが予め演算装置に用意される。この場合、演算装置は、保存された回転角-光強度変化データを用いて、波長成分のそれぞれの光強度からサンプルにおける偏光面の回転角を算出し、算出した回転角からサンプルの磁気光学特性の波長依存性を算出する。一実施形態では、回転角-光強度変化データが、サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの波長成分のそれぞれの光強度の変化を示すデータとして生成される。演算装置は、サンプルに磁場が印加された状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度とサンプルに磁場が印加されない状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度との差分と、回転角-光強度変化データとからサンプルにおける偏光面の回転角を算出する。この場合、サンプルに磁場が印加された状態での波長成分のそれぞれの光強度の検出が、偏光子の透過軸の角度と検光子の透過軸の角度が、サンプルにおける偏光面の回転が無い場合に検光子に入射する直線偏光の偏光面と検光子の透過軸とがなす角度が43°から47°の範囲である状態で行われることが好ましい。また、他の実施形態では、演算装置は、サンプルに第1方向に第1磁場が印加された状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度とサンプルに第1方向と逆の第2方向に第1磁場と同一の大きさの第2磁場が印加されない状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度との差分と、回転角-光強度変化データとからサンプルにおける偏光面の回転角を算出する。更に他の実施形態では、当該磁気光学効果測定装置が、更に、光源とサンプルの間に偏光子と直列に設けられたファラデーセルと、ファラデーセルに交流の周期信号である駆動電流を供給する駆動回路と、光センサが波長成分のそれぞれの光強度を測定するタイミングがファラデーセルに供給される駆動電流と同期するように駆動回路と光センサの動作タイミングを制御するタイミング制御手段とを具備する。この場合、回転角-光強度変化データは、サンプルにおける偏光面の回転角の単位角度あたりの、駆動電流の各周期に規定された第1及び第2タイミングにおける波長成分のそれぞれの光強度の差分を示すデータとして用意される。ここで、第1タイミング及び第2タイミングは、サンプルにおいて偏光面が回転した場合に、光センサにおいて検出される波長成分のそれぞれの光強度が駆動電流の各周期において異なる極大値をとるように定められている。演算装置は、サンプルに磁場が印加された状態で検出された第1タイミングにおける波長成分のそれぞれの光強度と第2タイミングにおける波長成分のそれぞれの光強度との差分と、回転角-光強度変化データとからサンプルにおける偏光面の回転角を算出する。この場合、サンプルに磁場が印加された状態での波長成分のそれぞれの光強度の検出が、偏光子の透過軸の角度と検光子の透過軸の角度が、サンプルにおける偏光面の回転が無い場合に検光子に入射する直線偏光の偏光面と検光子の透過軸とがなす角度が43°から47°の範囲であるように調節された状態で行われることが好ましい。当該磁気光学効果測定装置において、該光検出手段は、エリアセンサであることが好ましい。当該磁気光学効果測定装置において、該サンプルのベルデ定数の波長依存性を算出する場合には、検光子と分光器と光検出手段とは、サンプルを透過した光が検光子に入射するように配置される。また、該サンプルのカー定数の波長依存性を算出する場合には、検光子と分光器と光検出手段とは、サンプルを反射した光が検光子に入射するように配置される。本発明の更に他の観点では、複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、多色光から直線偏光を生成し、直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、サンプルから出射される検出光が入射される検光子とを備える偏光変化スペクトル測定装置によってサンプルによる直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出する偏光変化スペクトル測定方法が提供される。当該偏光変化スペクトル測定方法は、検光子を通過した通過光を分光器に入射することと、分光器による分光によって得られる複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出することと、サンプルに磁場が印加された状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度からサンプルによる直線偏光の偏光面の角度の変化の波長依存性を算出することとを具備する。本発明の更に他の観点では、複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源と、多色光から直線偏光を生成し、直線偏光をサンプルに入射する偏光子と、サンプルに磁場を印加する磁場印加手段と、サンプルから出射される検出光が入射される検光子とを備える磁気光学効果測定装置によってサンプルの磁気光学特性の波長依存性を算出する磁気光学効果測定方法が提供される。当該磁気光学効果測定方法は、検光子を通過した通過光を分光器に入射することと、分光器による分光によって得られる複数の波長の波長成分のそれぞれの光強度を検出することと、サンプルに磁場が印加された状態で検出された波長成分のそれぞれの光強度からサンプルの磁気光学特性の波長依存性を算出することとを具備する。本発明によれば、磁気光学特性の波長依存性の測定にかかる時間を短縮することができる。第1の実施形態:図2は、本発明の第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10の構成を示す構成図である。磁気光学効果測定装置10は、サンプルSのベルデ定数を測定するように構成されており、白色光源1と、偏光子2と、電磁石3と、励磁電源4と、検光子5と、駆動回路6と、分光器7と、光センサ8と、演算装置9とを備えている。白色光源1は、白色光を発生し、発生した白色光を偏光子2に入射する。偏光子2は、入射した白色光のうち特定の角度の偏光面を有する光成分を通過させることで直線偏光を生成する。生成された直線偏光は、サンプルSに入射される。ここで、本実施形態では、偏光子2の角度厳密には偏光子2の透過軸の角度を0°と定義することにする。電磁石3は、サンプルSに磁場Hを印加する。ベルデ定数を測定する本実施形態では、磁場Hは、サンプルSに入射される直線偏光の伝播方向と平行な方向同一方向又は逆方向に印加される。後述のように、磁場Hが印加された状態で偏光子2から入射された直線偏光がサンプルSを通過すると、サンプルSにおいてファラデー効果により直線偏光の偏光面が回転する。サンプルSから出射された直線偏光は、検光子5に入射される。励磁電源4は、電磁石3に励磁電流を供給する。サンプルSに印加される磁場Hの強さは、励磁電流の大きさによって制御される。励磁電源4が発生する励磁電流の大きさ、即ち、サンプルSに印加される磁場Hの強さは、演算装置9によって制御される。検光子5は、サンプルSを出射した直線偏光のうち特定の角度の偏光面を有する光成分を通過させる。検光子5を通過した通過光は、分光器7に入射される。検光子5には回転機構5aが設けられており、検光子5の角度厳密には、検光子5の透過軸の角度は、調節可能である。以下では、検光子5の角度を、単に、検光子角度θという。ただし、偏光子2の透過軸の角度と、検光子5の透過軸の角度が一致する場合に、検光子角度θが0°であると定義する。駆動回路6は、検光子5の回転機構5aを駆動する。駆動回路6は、演算装置9によって制御される。即ち、検光子5の角度は、演算装置9によって制御される。分光器7は、検光子5を通過した通過光の各波長成分を波長に応じた位置に空間的に分散させる。ここで、分光器7に入射される光は、白色光であることに留意されたい。光センサ8は、分光器7による分光によって得られた各波長成分の光強度を測定する。ここで、光センサ8としては、ラインセンサ即ち、1次元的に並べられた光検出器のアレイ又はエリアセンサ即ち、2次元的に並べられた光検出器のアレイが用いられる。異なる波長の波長成分は分光器7の異なる位置から出射されるから、ラインセンサ又はエリアセンサを用いることにより、異なる波長の波長成分の光強度を同時に測定できる。演算装置9は、光センサ8によって測定された各波長成分の光強度から各波長におけるベルデ定数、即ち、ベルデ定数の波長依存性を算出する。演算装置9は、更に、磁気光学効果測定装置10の各機器例えば、励磁電源4、駆動回路6を制御する。図3は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10による、サンプルSのベルデ定数の測定手順を示すフローチャートである。まず、バックグラウンドデータが取得されるステップS01。バックグラウンドデータとは、白色光源1をオフにした状態で光センサ8に入射される光の光強度を示すデータであり、磁気光学効果測定装置10の外光ノイズのデータである。具体的には、白色光源1をオフにした状態で検光子角度θを所定の角度刻みで例えば、0.5°刻みで変化させながら光センサ8によって各波長成分の光強度が測定される。測定された各波長成分の光強度がバックグラウンドデータとして演算装置9に保存される。図4は、取得されるバックグラウンドデータの内容を概念的に示すグラフである。横軸は波長λを表しており、縦軸は光強度Iを示している。バックグラウンドデータは、各検光子角度θについて、波長λと光強度Iとの関係を示すデータとして生成される。検光子角度θについてのバックグラウンドデータは、以下、IBGθλと記載する。続いて、サンプルSにおいてファラデー効果を発現させながら測定が行われる。具体的には、まず、サンプルSに印加される磁場Hが所望の値に設定されるステップS02。磁場Hの制御は、励磁電源4から電磁石3に供給される励磁電流を制御することによって行われる。更に、検光子角度θが所望の角度に設定されるステップS03。初期的には、ステップS03において検光子角度θが0°に設定される。続いて、スペクトルデータが取得されるステップS04。スペクトルデータとは、光センサ8に入射する光の波長λと光強度Iとの関係を示すデータである。具体的には、白色光源1がオンされてサンプルSに白色光である直線偏光が偏光子2から入射される。結果として、サンプルSを通過した直線偏光のうち検光子5を通過した光が分光器7に入射し、更に、分光器7に入射した各波長成分は、光の波長に応じた位置において光センサ8に入射することになる。更に、光センサ8は、入射した光の各波長成分の光強度を測定する。これにより、ステップS02において設定された磁場H、及び、ステップS03において設定された検光子角度θについて、光センサ8に入射する光の波長λと光強度Iとの関係を示すスペクトルデータが取得される。検光子角度θを所定の角度刻み例えば、0.5°で順次に増加させながら、上述のステップS03、S04の処理が繰り返して行われる。即ち、ステップS04で測定を行った検光子角度θが終了角度本実施形態では、180°である場合にはステップS06に測定手順が進み、そうでない場合には、ステップS03において検光子角度θを所定の角度刻みだけ増加させた上で、ステップS04におけるスペクトルデータの取得が再度に行われるステップS05。これにより、ステップS02において設定された磁場Hについて、検光子5の角度をパラメータとした場合の光センサ8に入射する光の波長λと光強度Iとの関係を示すスペクトルデータが取得される。図5は、得られるスペクトルデータの内容を概念的に示す図である。横軸は波長λを表しており、縦軸は光強度Iを示している。以下では、ある磁場H、ある検光子角度θについて得られたスペクトルデータをIH,θλと記載することがある。ここで、サンプルSから出射される直線偏光は、ファラデー効果によりサンプルSに入射する直線偏光と異なる角度の偏光面、具体的には、ファラデー回転角θFの角度の偏光面を有している。よって、検光子角度θがサンプルSから出射される直線偏光の偏光面と90°をなす場合に光センサ8に入射される光の光強度Iが最小になる。ただし、ファラデー回転角θFは波長によって異なるから、光センサ8に入射される光の光強度Iが最小になる検光子角度θMINも波長によって異なることになる。上述のステップS02~S05は、磁場Hを変化させながら繰り返して行われる。即ち、ステップS03~S05の測定を行った磁場Hが終了磁場である場合にはステップS07に測定手順が進み、そうでない場合には、ステップS02において磁場Hを異なる所望値に設定した上で、ステップS03~S05によるスペクトルデータの取得が再度に行われるステップS06。例えば、1kOe、2kOe、3kOe、4kOe、5kOeの磁場Hについて、ステップS03~S05によるスペクトルデータの取得が行われる。所望の各磁場Hについてスペクトルデータが取得された後、取得されたスペクトルデータからファラデー回転角θFが演算されるステップS07。ファラデー回転角θFは、各磁場H、各波長λについて算出される。詳細には、まず、ステップS02~S06で得られたスペクトルデータIH,θλからステップS01で得られたバックグラウンドデータIBGθλを減算することによりスペクトルデータが補正される。ある磁場H、ある検光子角度θについての補正後のスペクトルデータをI^H,θλとすると、I^H,θλ=IH,θλ-IBGθλ2である。更に、補正後のスペクトルデータI^H,θλが、各磁場、各波長について、検光子角度θと光強度Iとの関係を示す角度-光強度データに変換される。例えば、図5において、例えばλ=λ1の直線上にある各検光子角度θについての光強度Iを抽出することにより、波長λ1についての光強度Iと検光子角度θとの関係を得ることができる。以下では、ある磁場H、ある波長λについての角度-光強度データをIH,λθと記載する。図6a、b、cは、それぞれ、特定の磁場Hについて、波長λ1、λ2、λ3について得られた角度-光強度データIH,λθを示している。更に、角度-光強度データIH,λθからファラデー回転角θF、即ち、サンプルSにおける偏光面の回転角が算出される。ファラデー回転角θFは、様々な方法により算出できる。まず、ある磁場H、ある波長λについて得られた角度-光強度データIH,λθにおいて光強度Iが最小となっている検光子角度θMIN’を、そのまま、ある磁場H、ある波長λにおけるファラデー回転角θFの算出に使用してもよい。この場合、ある磁場H、ある波長λにおけるファラデー回転角θFは、角度-光強度データIH,λθにおいて光強度Iが最小となっている検光子角度θMIN’から、θF=θMIN’-90°3として算出される。しかしながら、角度-光強度データIH,λθにおいて光強度Iが最小となっている検光子角度θMIN’をそのままファラデー回転角θFの算出に使用するのではなく、以下に述べられるようなデータフィッティングにより、ファラデー回転角θFを求めることが好ましい。なぜなら、上述の測定手順では、角度-光強度データIH,λθが所定の角度刻みの検光子角度θでしか取得されていないからである。実際は、角度-光強度データIH,λθが取得されていない検光子角度θにおいて光強度Iが最小となる場合もあり得る。データフィッティングにより光強度Iが最小となる検光子角度θMIN及び/又はファラデー回転角θFを求めることで、角度θMIN及び/又はファラデー回転角θFをより正確に求めることができる。図7Aは、ある磁場H、波長λについてファラデー回転角θFを算出するための第1のデータフィッティング方法を示すグラフである。まず、ある磁場H、波長λについて取得された角度-光強度データIH,λθから、光強度Iが最小となっている検光子角度θMIN’を含む特定範囲の光強度のデータが抽出される。図7Aは、抽出されたデータの内容を概念的に示している。一実施形態では、該磁場H、波長λについて取得されたスペクトルデータから、検光子5の角度がθMIN’-θAからθMIN’θAの範囲のデータが抜き出される。θAは、一例としては5~15°程度に選ばれる。更に、抽出されたデータが2次の近似曲線例えば、I=αθ2βθγα<0でフィッティングされ、その近似曲線の頂点の位置に対応する角度θが該磁場H、波長λについて光強度Iを最小とする検光子角度θMINとして算出される。更に、下記式4:θF=θMIN-90°4によって、ファラデー回転角θFが算出される。図7Bは、ある磁場H、波長λについてファラデー回転角θFを算出するための第2のデータフィッティング方法を示すグラフである。図7Bを参照して、第2の算出方法では、ある磁場H、波長λについて得られた角度-光強度データIH,λθの全体が余弦関数でフィッティングされる。例えば、下記式5:によってフィッティングされる。I0は、上記の余弦関数の振幅の2倍であり、φは、上記の余弦関数の位相角である。この位相角φは、光強度Iを最小とする検光子角度θの90°からのずれであるから、該磁場H、波長λについてのファラデー回転角θFは、θF=φ6として算出可能である。続いて、ベルデ定数の算出が行われるステップS08。ベルデ定数をV、サンプルSの厚さ即ち、サンプルSの中で直線偏光が伝播する距離をdとすると、磁場Hとファラデー回転角θFの間には、θF=VHd7aという関係があるから、図8に図示されているように、ベルデ定数は、横軸に磁場H、縦軸にファラデー回転角θFをとったグラフの傾きとして算出可能である。具体的には、ある波長λにおける磁場Hとファラデー回転角θFの関係を関数θF=mHによってフィッティングして傾きmが求められ、求められた傾きmから、該波長におけるベルデ定数Vλが、次式7Vλ=m/d7bとして算出される。各波長λについて同様の演算を行うことで、ベルデ定数の波長依存性を同定することができる。例えば、波長λ1、λ2、λ3について得られた傾きmが、それぞれ、m1、m2、m3である場合には、波長λ1、λ2、λ3のベルデ定数Vλ1、Vλ2、Vλ3は、それぞれ、Vλ1=m1/dVλ2=m2/dVλ3=m2/d8として算出可能である。本実施形態の磁気光学効果測定装置10の利点は、ベルデ定数の波長依存性の測定にかかる時間を短縮することができることにある。本実施形態の磁気光学効果測定装置10は、白色光である直線偏光がサンプルSに入射されると共に、検光子5から出射された光を分光することにより各波長成分の光強度が測定される。このため、波長について走査を行うことなく複数の波長のベルデ定数を測定できる。よって、波長依存性の測定にかかる時間を短縮することができる。また、第1の実施形態において、光センサ8としてエリアセンサを用いれば、更に、下記の2つの利益が得られる。第1に、光センサ8としてエリアセンサを用いることで、ダイナミックレンジを拡大することができる。図9に図示されているように、分光器7から光センサ8に入射される分光器7から光センサ8に入射される各波長の光の光スポットは波長が変化する方向と垂直な方向に延伸している。図9には、波長λ1、λ2、λ3の光の光センサ8の表面における光スポットが、それぞれ、符号51、52、53によって示されている。したがって、エリアセンサを用いることで、各波長について多くの光を取り込んでダイナミックレンジを拡大することができる。第2に、図10に図示されているように、磁気光学効果測定装置10の光学系の収差によって光センサ8に入射される光の各波長の光スポットが直線状にならない場合でも、エリアセンサを用いることで、光スポットの形状に合わせて各波長成分の光強度の測定を行うことができる。例えば、各波長について光強度を測定する光センサ8の領域をソフトウェアで指定することにより、各波長成分の光強度を正確に測定し、ひいてはファラデー回転角θFの測定の正確性を向上させることができる。図10では、波長λ1、λ2、λ3の光の光センサ8の表面における光スポットが、それぞれ、符号51a、52a、53aによって示されている。なお、第1の実施形態において、測定に用いられる光源は、白色光源1に限定されない。測定に用いられる光源は、測定を希望する複数の波長の波長成分を有する多色光を発生する光源白色光源1もそのような光源の一種であるであればよい。また、ステップS01においてバックグラウンドデータは、単に測定精度を向上させるために使用されるデータであり、バックグラウンドデータを用いたスペクトルデータの補正を行うことは本実施形態において必須ではないことに留意されたい。例えば、外光が少ない環境で使用される場合のように外光ノイズが問題にならない場合には、バックグラウンドデータを用いたスペクトルデータの補正を行う必要はない。また、バックグラウンドデータの取得は、サンプルSの測定毎に行う必要は必ずしもない。第2の実施形態:図11は、本発明の第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10の構成を示す構成図である。第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10も、第1の実施形態と同様に、サンプルSのベルデ定数を測定するように構成されており、白色光源1と、偏光子2と、電磁石3と、励磁電源4と、検光子5と、分光器7と、光センサ8と、演算装置9とを備えている。第2の実施形態では、第1の実施形態と異なり、検光子5が固定であり、検光子5の回転機構を駆動する駆動回路が設けられていないことに留意されたい。これは、第2の実施形態では、波長λの走査を行わない上に検光子角度θの走査も行わないことで、ベルデ定数の測定に要する時間を一層に短縮するためである。第2の実施形態では、以下に述べられる手順でベルデ定数の測定を行うことにより、検光子角度θを固定しながらベルデ定数の波長依存性が得られている。なお、以下に述べられる第2の実施形態の測定手順の説明では、検光子5の透過軸の角度即ち、検光子角度θを90°であると定義する。更に、偏光子2の透過軸の角度と、検光子5の透過軸の角度が一致する場合に、偏光子2の角度が90°であると定義する。また、偏光子2の角度を、偏光子角度θPという。即ち、偏光子角度θPが0°であり、かつ、サンプルSにおいてファラデー効果が発現しない場合、光センサ8によって検出される光強度は原理的にはゼロになることになる。図12は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10によるベルデ定数の測定手順を示すフローチャートである。第2の実施形態におけるベルデ定数の測定手順は、下記のような原理に基づいている。サンプルSに白色光の直線偏光が入射されている状態でサンプルSにおいてファラデー回転が発生すると、光センサ8に入射される光の光強度は、ファラデー回転がない場合即ち、磁場が印加されていない場合の光強度から変化する。ここで、第2の実施形態では、ファラデー回転角θFが微小である場合には検光子5を通過する光の光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例すると近似できることを利用する。ファラデー回転角θFと光強度Iの変化量との関係を事前に測定しておけば、逆に、ファラデー回転が起こっている場合の光強度Iと、ファラデー回転が起こっていない場合の光強度Iの差分からファラデー回転角θFを算出できる。そこで、本実施形態では、ファラデー回転角θFと光強度Iの変化量との関係を示す回転角-光強度変化データを事前に取得しておき、この回転角-光強度変化データを用いてファラデー回転角θFが算出される。ここで、サンプルSの磁場を印加しない状態で偏光子角度θPを所定角度だけ微小に変化させることでサンプルSにおいてファラデー回転が発生した場合の光センサ8の状態が擬似的に再現され、この状態でセンサ8に入射される光の各波長成分の光強度Iの変化量を測定することで回転角-光強度変化データが容易される。測定された各波長成分の光強度Iの変化量が、ファラデー回転角θFと光強度Iの変化量との関係を示すデータとして利用される。本実施形態では、回転角-光強度変化データとして、ファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλが事前に取得されステップS11、この光強度Iの変化率の波長依存性αλを用いて、サンプルSにおいてファラデー回転を発現させた状態で得たスペクトルデータからファラデー回転角θFの波長依存性が算出される。更に、算出されたファラデー回転角θFの波長依存性からベルデ定数の波長依存性が算出される。以下、第2の実施形態におけるベルデ定数の測定手順を詳細に説明する。第2の実施形態の測定手順では、まず、事前スペクトル測定が行われるステップS11。事前スペクトル測定とは、サンプルSにおけるファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλを得るためのスペクトルデータの測定のことである。具体的には、まず、磁場Hがゼロに設定され、且つ、偏光子角度θPを特定角度θP_SETに設定した状態で白色光源1がオンにされる。特定角度θP_SETは、0°<θP<90°又は90°<θP<180°である所定の角度である。白色光源1及び偏光子2により生成された白色光の直線偏光のうち検光子5を通過した成分が分光器7に入射され、更に、光センサ8に到達する。このときに光センサ8に入射した光の光強度のスペクトルデータが測定される。ここで、偏光子角度θが45°である場合にファラデー回転角θFに対する光強度Iの変化量が大きくなると共に、ファラデー回転角θFに対する光強度Iの変化量との間の関係の線形性が良好になるから、特定角度θP_SETは、45°の近傍である、より具体的には、43°~47°の範囲である即ち、サンプルSにおける偏光面の回転が無い場合に検光子5に入射する直線偏光の偏光面と検光子5の透過軸の角度が43°~47°の範囲であることが好ましく、45°であることが最も好ましい。本実施形態では、偏光子角度θが設定される特定角度θP_SETが45°であるとして説明を行う。ここで得られたスペクトルデータをISETλと記載する。続いて、偏光子角度θPを特定角度θP_SETから基準角θREFだけ回転させた状態で白色光源1がオンにされ、このときに光センサ8に入射した光の光強度スペクトルが測定される。このときも、磁場Hはゼロに設定される。基準角θREFは、例えば、1°である。これにより、サンプルSで基準角θREFだけファラデー回転が起こった場合のスペクトルデータを模擬的に得ることができる。ここで得られたスペクトルデータをIREFλと記載する。図13に図示されているように、偏光子角度θPを特定角度θP_SETから基準角θREFだけ変化させると、光強度にはΔIだけ変化が現れる。結果として、図14に図示されているように、偏光子角度θが特定角度θP_SETである場合の光強度スペクトルISETλと基準角θREFだけ変化させた場合の光強度スペクトルIREFλでは、ΔIλだけの変化が現れる。ファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλは、αλ=ΔIλ/θREF9として算出される。図15は、算出された波長依存性αλを概念的に示すグラフである。ファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλのデータは、演算装置9に保存される。続いて、サンプルSにおいてファラデー効果を発現させながら測定が行われる。具体的には、まず、サンプルSに印加される磁場Hが所望の値に設定されるステップS12。磁場Hの制御は、励磁電源4から電磁石3に供給される励磁電流を制御することによって行われる。更に、偏光子角度θを特定角度θP_SET=45°に戻した状態でスペクトルデータが取得されるステップS13。具体的には、偏光子角度θを特定角度θP_SET=45°に戻した状態で白色光源1がオンされ、サンプルSに白色光である直線偏光が偏光子2から入射される。結果として、サンプルSを通過した直線偏光のうち検光子5を通過した光が分光器7に入射し、更に、分光器7に入射した各波長成分は、光の波長に応じた位置において光センサ8に入射することになる。更に、光センサ8は、入射した光の各波長成分の光強度を測定する。これにより、ステップS12において設定された磁場Hについて、光センサ8に入射する光の波長λと光強度Iとの関係を示すスペクトルデータが取得される。以下では、ある磁場Hについて得られたスペクトルデータをIHλと記載することがある。上述のステップS12~S13は、磁場Hを変化させながら繰り返して行われる。即ち、ステップS13の測定を行った磁場Hが終了磁場である場合にはステップS15に測定手順が進み、そうでない場合には、ステップS12において磁場Hを異なる所望値に設定した上で、ステップS13によるスペクトルデータの取得が再度に行われるステップS14。例えば、1kOe、2kOe、3kOe、4kOe、5kOeの磁場Hについて、ステップS13によるスペクトルデータの取得が行われる。所望の各磁場HについてスペクトルデータIHλが取得された後、取得されたスペクトルデータIHλからファラデー回転角θFが演算されるステップS15。ファラデー回転角θFは、各磁場H、各波長λについて算出される。以下に述べられるように、ファラデー回転角θFの算出には、ステップS11で得られたファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλと、偏光子角度θが特定角度θP_SET=45°に設定され、且つ、磁場Hがゼロである状態で得られたスペクトルデータISETλが用いられる。図16のaは、ステップS12~S14で得られたスペクトルデータIHλを概念的に示している。まず、ステップS12~S14で得られたスペクトルデータIHλから、ステップS11で得られたスペクトルデータISETλを減算した差分スペクトルデータΔIP_SETλが算出される。ここで、ステップS11で得られたスペクトルデータISETλが、偏光子角度θが特定角度θP_SET=45°に設定され、且つ、磁場Hがゼロである状態で得られていることに留意されたい。図16のbは、差分スペクトルデータΔIP_SETλを概念的に示している。ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、差分スペクトルデータΔIP_SETλを、ステップS11で得られたファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλで割ることによって得られる。即ち、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、次式10で得られる:θFλ=ΔIP_SETλ/αλ10図16cは、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλを概念的に示している。続いて、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλからベルデ定数の波長依存性Vλが算出されるステップS16。第1の実施形態と同様に、各波長λにおける磁場Hとファラデー回転角θFλの関係を関数θFλ=mλHによってフィッティングすることで傾きmλが求められ、求められた傾きmλから、該波長におけるベルデ定数Vλが、次式11Vλ=mλ/d11として算出される。ここで、dは、サンプルSの厚さである。第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10でも、第1の実施形態と同様に、波長についての走査を行うことなく複数の波長のベルデ定数を測定できる。加えて、第2の実施形態では、検光子角度θを固定したままで走査も行わずに複数の波長のベルデ定数を測定できる。したがって、波長依存性の測定にかかる時間を一層に短縮することができる。なお、上述の第2の実施形態の事前スペクトル測定ステップS11では、偏光子角度θを特定角度θP_SETに設定した状態で得られたスペクトルデータISETλと、偏光子角度θをθP_SETθREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREFλからファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλのデータが算出されているが、光強度Iの変化率の波長依存性αλのデータの算出に使用されるスペクトルデータを得る偏光子角度θPは、θP_SET、θP_SETθREFには限定されない。光強度Iの変化率の波長依存性αλは、ステップS13で設定される特定角度θP_SETの近傍の少なくとも2つの偏光子角度θPについて磁場Hがゼロである状態で取得されたスペクトルデータを用いて算出できる。例えば、図17乃至図19を参照して、ファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλのデータは、偏光子角度θをθP_SETθREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREFλと、偏光子角度θをθP_SET-θREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREF-λから、下記式によって算出されてもよい:αλ=ΔI’λ/2θREF={IREFλ-IREF-λ}/2θREF12式12を用いて光強度Iの変化率の波長依存性αλを算出することは、基準角θREFを過剰に大きくしない限り線形性を維持したままスペクトルデータの差分ΔI’λを大きくできるので、波長依存性αλをより正確に算出できる利点がある。また、光強度Iの変化率の波長依存性αλは、ステップS13で設定される特定角度θP_SETの近傍の3つ以上の偏光子角度θPについて磁場Hがゼロである状態で取得されたスペクトルデータを用いて算出することもできる。また、図20は、第2の実施形態のベルデ定数の測定手順の変形例を示すフローチャートである。図20のベルデ定数の測定手順は、光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例すると近似できる領域を最大限に利用することを意図している。偏光子角度θPが45°に設定され、検光子角度θが90°に設定されている場合、検光子5に入射される直線偏光の角度が45°-δ以上45°δ以下の範囲δは適切に設定された微小な角度であれば、光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例することになる。光強度Iの変化量の絶対値が大きいほうがSN比を向上できるから、検光子5に入射される直線偏光の角度が45°-δから45°δの範囲のなるべく広い範囲をカバーするようにファラデー回転角θFを変化させて測定が行われることが好ましい。しかしながら、図12に図示されたベルデ定数の測定手順では、45°から45°δの範囲しか利用されていない。以下では、光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例すると近似できる領域を有効に利用するためのベルデ定数の測定手順が提示される。まず、事前スペクトル測定が行われ、ファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλが取得されるステップS21。光強度Iの変化率の波長依存性αλは、偏光子角度θを特定角度θP_SETに設定した状態で得られたスペクトルデータISETλと、偏光子角度θをθP_SETθREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREFλから、式9を用いて算出されてもよい。その代わりに、光強度Iの変化率の波長依存性αλは、偏光子角度θをθP_SETθREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREFλと、偏光子角度θをθP_SET-θREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREF-λから、式12を用いて算出されてもよい。ただし、後述の理由により、図20のベルデ定数の測定手順では、式12を用いて光強度Iの変化率の波長依存性αλを算出することが好ましい。続いて、サンプルSにおいてファラデー効果を発現させながら測定が行われる。ここで、図20の測定手順では、各磁場Hについて、磁場Hの向きを反転させながら2回スペクトルデータが取得されるステップS22~S25。詳細には、まず、サンプルS中における直線偏光の伝播方向と同一の方向以下、方向という。に磁場Hが印加されるステップS22。更に、偏光子角度θが特定角度θP_SET=45°に設定された状態でスペクトルデータが取得されるステップS22。具体的には、偏光子角度θを特定角度θP_SET=45°に設定した状態で白色光源1がオンされ、サンプルSに白色光である直線偏光が偏光子2から入射される。結果として、サンプルSを通過した直線偏光のうち検光子5を通過した光が分光器7に入射し、更に、分光器7に入射した各波長成分は、光の波長に応じた位置において光センサ8に入射することになる。更に、光センサ8は、入射した光の各波長成分の光強度を測定する。これにより、ステップS22において設定された磁場Hについて、光センサ8に入射する光の波長λと光強度Iとの関係を示すスペクトルデータが取得される。以下では、ステップS22において方向の磁場Hについて得られたスペクトルデータをIHλと記載することがある。続いて、サンプルSに印加される磁場Hの方向がサンプル中における直線偏光の伝播方向と反対の方向以下、-方向という。に反転されるステップS24。磁場Hの方向の反転は、電磁石3に供給される励磁電流の向きを反転させることで容易に実現できる。更に、偏光子角度θが特定角度θP_SET=45°に設定された状態でスペクトルデータが取得されるステップS25。以下では、ステップS25において-方向の磁場Hについて得られたスペクトルデータをIH-λと記載することがある。なお、-方向に磁場Hが印加されてスペクトルデータIH-λが取得された後、方向に磁場Hが印加されてスペクトルデータIHλが取得されてもよい。上述のステップS22~S25は、磁場Hを変化させながら繰り返して行われる。即ち、ステップS22~S25の測定を行った磁場Hが終了磁場である場合にはステップS07に測定手順が進み、そうでない場合には、磁場Hを異なる所望値に設定した上で、ステップS22~S25によるスペクトルデータの取得が再度に行われるステップS26。例えば、1kOe、2kOe、3kOe、4kOe、5kOeの磁場Hについて、ステップS22~S25によるスペクトルデータの取得が行われる。所望の各磁場Hについてスペクトルデータが取得された後、スペクトルデータIHλとスペクトルデータIH-λの差分として差分スペクトルデータΔIHλが算出されるステップS27。即ち、差分スペクトルデータΔIHλは、下記式13で表される。ΔIHλ=IHλ-IH-λ13ここで、磁場Hが反転された場合、原理的には、ファラデー回転は向きが反対になるだけでファラデー回転角θFの大きさ自体は変化しないから、差分スペクトルデータΔIHλは、ファラデー回転角θFの2倍2θFに対する光強度Iの変化を表していることに留意されたい。続いて、各磁場Hについて、差分スペクトルデータΔIHλからファラデー回転角θFの波長依存性θFλが演算されるステップS28。ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、差分スペクトルデータΔIHλを、ステップS21で得られたファラデー回転角1°あたりの光強度Iの変化率の波長依存性αλで割り、更に、2で割ることによって得られる。即ち、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、次式14で得られる:θFλ=ΔIHλ/2αλ14ここで、図20の測定手順では、偏光子角度θを特定角度θP_SETに設定した状態で得られたスペクトルデータISETλが差分スペクトルデータΔIHλの算出に利用されないことに留意されたい。これは、光強度Iの変化率の波長依存性αλの算出においても、偏光子角度θを特定角度θP_SETに設定した状態で得られたスペクトルデータISETλを利用しないことが有利であることを意味している。よって、図20の測定手順を採用する場合には、光強度Iの変化率の波長依存性αλを、偏光子角度θをθP_SETθREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREFλと、偏光子角度θをθP_SET-θREFに設定した状態で得られたスペクトルデータIREF-λから、式12を用いて算出することが好ましい。続いて、図12のステップS16と同様の方法により、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλからベルデ定数の波長依存性Vλが算出されるステップS29。各波長におけるベルデ定数Vλは、上記にも提示された式11:Vλ=mλ/d11として算出される。ここで、mλは、各波長λにおける磁場Hとファラデー回転角θFλの関係を関数θFλ=mλHによってフィッティングして得られた傾きである。図20のベルデ定数の測定手順によれば、光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例すると近似できる領域を最大限に利用し、SN比を向上させながらベルデ定数Vλの波長依存性を測定することができる。第3の実施形態:図21は、本発明の第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10の構成を示す構成図である。第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10も、第2の実施形態と同様に、検光子5の角度検光子角度θを固定したままサンプルSのベルデ定数を測定可能な構成を有している。ただし、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10では、白色光源1とサンプルSとの間に、偏光子2に加えてファラデーセル11が挿入されている。関連して、ファラデーセル11を駆動する駆動電流を供給する駆動回路12が設けられると共に、駆動回路12を制御するためのディレイ回路13とファンクションジェネレータ14とが設けられる。ディレイ回路13は、更に、光センサ8がそれに入射された光の各波長成分の光強度Iを測定するタイミングを制御するシャッター信号の生成にも用いられる。以下、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10について詳細に説明する。ファラデーセル11は、偏光子2から白色光である直線偏光が入射されており、偏光面を駆動電流に比例する回転角Δθだけ回転させた上で該直線偏光をサンプルSに入射する。ここで、後述のように、駆動回路12からファラデーセル11には、正弦波の駆動電流が供給されるから、ファラデーセル11には正弦波状の磁場が印加され、回転角Δθも正弦波状に変化することになる。なお、図21において、偏光子2とファラデーセル11の位置は入れ替えられてもよい。駆動回路12は、ファンクションジェネレータ14から供給される波形信号の信号レベルに比例する電流レベルの駆動電流をファラデーセル11に出力する。ディレイ回路13は、光センサ8の動作タイミングがファラデーセル11に供給される駆動電流と同期するようにファンクションジェネレータ14の動作タイミングを制御する制御手段として機能する。ディレイ回路13は、同期信号をファンクションジェネレータ14に供給し、これにより、ファンクションジェネレータ14が駆動回路12に供給する波形信号の位相を制御する。加えて、ディレイ回路13は、シャッター信号を光センサ8に供給し、光センサ8に入射された光の各波長成分の光強度Iを測定するタイミングを制御する。シャッター信号にはトリガパルスが含まれており、光センサ8は、トリガパルスが入力されると、それに入射された光の各波長成分の光強度Iを測定する。ディレイ回路13は、シャッター信号に含まれるトリガパルスの遅延を制御する機能を有している。ディレイ回路13の動作タイミングは、演算装置9によって制御される。ファンクションジェネレータ14は、ディレイ回路13から供給される同期信号に応答して、波形信号を駆動回路12に供給する。ファンクションジェネレータ14から駆動回路12に供給される波形信号は正弦波であり、よって、駆動回路12からファラデーセル11に供給される駆動電流も正弦波となる。そして、ファラデーセル11に供給される駆動電流の位相は、ディレイ回路13から供給される同期信号に同期して制御されることになる。図22は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10によるベルデ定数の測定の原理を説明する概念図である。以下に述べられる第3の実施形態の測定手順の説明では、検光子5の透過軸の角度即ち、検光子角度θを90°であると定義する。本実施形態では、ベルデ定数の測定の際、偏光子2の透過軸の角度偏光子角度θPが検光子5の透過軸の角度に対して直角になるように調節される。即ち、偏光子角度θPは0°であるように調節される。サンプルSにおいてファラデー回転が発現せず、且つ、ファラデーセル11に駆動電流が供給されない状態では、光センサ8によって検出される光強度は、原理的には全ての波長λについてゼロになることになる。まず、サンプルSにおいてファラデー回転が発生していない状態即ち、サンプルSに磁場Hが印加されていない状態を考える。この状態で、ファラデーセル11に、周波数fの正弦波の駆動電流が供給されると、検光子5には、角度0°を中心として偏光面の角度が正弦波状に変化する直線偏光が入射されるから、結果として、光センサ8においては、各波長成分の光強度Iは振幅I0/2、周波数2fの正弦波として観測される。ここで、サンプルSに磁場Hを印加してファラデー回転を発生させると、検光子5に入射される偏光面の角度に、ファラデー回転角θFだけのオフセットが発生する。この結果、光センサ8において検出される各波長成分の光強度Iが変調される。光センサ8において検出される光強度Iは、図22に図示されているように、周期T=1/fを有する一方で、1周期において2つの極大が現れる。2つの極大のうちの一方における光強度IAは、他方における光強度IBよりも大きくなる。以下では、相対的に大きい極大値に対応する光強度IAが現れるタイミングをタイミングA、相対的に小さい極大値に対応する光強度IBが現れるタイミングをタイミングBと呼ぶ。図22において、時刻t0において光強度Iがゼロとなり、光強度Iの変化の1周期が始まるとすると、時刻t0から時間tAだけ遅延したタイミングがタイミングAであり、時刻t0から時間tBだけ遅延したタイミングがタイミングBである。なお、図22から理解されるように、時刻t0は、駆動電流の1周期が開始されるタイミングゼロクロスするタイミングである。ここで、上述するように、ファラデー回転角θFが微小である場合には検光子5を通過する光の光強度Iの変化量がファラデー回転角θFに比例すると近似できるから、タイミングAにおける光強度IAと、タイミングBにおける光強度IBとの差ΔIA-Bは、サンプルSのファラデー回転角θFに比例することになる。よって、タイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差ΔIA-Bとファラデー回転角θFとの関係を事前に測定しておけば、逆に、ファラデー回転が起こっている場合のタイミングA、Bにおける光強度IA、IBとの差ΔIA-Bからファラデー回転角θFを算出できることになる。そこで、本実施形態では、タイミングA、Bにおける光強度IA、IBとの差ΔIA-Bとファラデー回転角θFとの関係を示す回転角-光強度変化データを事前に取得しておき、この回転角-光強度変化データを用いてファラデー回転角θFが算出される。ここで、本実施形態では、サンプルSの磁場を印加しない状態で偏光子角度θPを所定角度だけ微小に変化させることでサンプルSにおいてファラデー回転が発生した場合の光センサ8の状態を擬似的に再現した上でタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差ΔIA-Bが取得され、測定された差ΔIA-Bが、タイミングA、Bにおける光強度IA、IBとの差ΔIA-Bとファラデー回転角θFとの関係を示す回転角-光強度変化データとして利用される。以下、第3の実施形態におけるベルデ定数の測定手順を詳細に説明する。図23は、タイミングA、Bにおける光強度IA、IBとの差ΔIA-Bとファラデー回転角θFとの関係を示す回転角-光強度変化データを事前に用意する手順を示すフローチャートである。本実施形態では、回転角-光強度変化データとして、ファラデー回転角1°あたりのタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差分の波長依存性βλが測定される。具体的には、まず、磁場Hがゼロに設定された状態で、白色光源1がオンにされステップS31、更に、駆動回路12からファラデーセル11に正弦波状の駆動電流が供給されるステップS32。更に、偏光子角度θPが所定の基準角θREFに設定されるステップS33。基準角θREFは、例えば、1°である。加えて、ディレイ回路13により、シャッター信号のトリガパルスの遅延tDが時間tAに設定されるステップS34、これにより、光センサ8は、駆動電流の各周期において、タイミングAにおいて各波長成分の光強度IAが測定される状態に設定される。この状態で、光センサ8により、タイミングAにおける各波長成分の光強度IAがスペクトルデータIA_REFλとして測定されるステップS35。タイミングAにおける各波長成分の光強度IAの測定は、駆動電流のN周期Nは、所定の自然数に渡ってN回行われ、測定された光強度IAの平均がスペクトルデータIA_REFλとして使用される。続いて、ディレイ回路13により、シャッター信号のトリガパルスの遅延tDが時間tBに設定されるステップS35、これにより、光センサ8は、駆動電流の各周期において、タイミングBにおいて各波長成分の光強度IBが測定される状態に設定される。この状態で、光センサ8により、タイミングBにおける各波長成分の光強度IBがスペクトルデータIB_REFλとして測定されるステップS36。タイミングAにおける各波長成分の光強度IBの測定は、駆動電流のN周期Nは、所定の自然数に渡ってN回行われ、測定された光強度IBの平均がスペクトルデータIB_REFλとして使用される。続いて、偏光子角度θPが-θREFに設定された状態でもステップS34~S37と同様の測定が行われるステップS38。以下では、偏光子角度θPが-θREFに設定された状態で得られたタイミングAにおける各波長成分の光強度IAを、スペクトルデータI-A_REFλと記載し、偏光子角度θPが-θREFに設定された状態で得られたタイミングBにおける各波長成分の光強度IBを、スペクトルデータI-B_REFλと記載する。スペクトルデータIA_REFλ、IB_REFλ、I-A_REFλ、I-B_REFλから、ファラデー回転角1°あたりのタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差分の波長依存性βλが算出されるステップS39。具体的には、βλは、下記式15によって算出される:βλ={IA_REFλ-IB_REFλI-A_REFλ、I-B_REFλ}/2θREF15図24は、ファラデー回転角1°あたりのタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差分の波長依存性βλを概念的に示すグラフを示している。なお、βλの算出において、偏光子角度θPが所定の基準角θREFに設定された状態で取得されたスペクトルデータIA_REFλ、IB_REFλのみが使用されてもよい。この場合、βλは、下記式16によって算出される:βλ=IA_REFλ-IB_REFλ/θREF16図25は、第3の実施形態において、上述のβλを用いてファラデー回転角θFの波長依存性θFλを演算し、更に、ベルデ定数の波長依存性Vλを演算する手順を示すフローチャートである。具体的には、まず、偏光子角度θPが0°に設定された状態で白色光源1がオンにされステップS41、更に、駆動回路12からファラデーセル11に正弦波状の駆動電流が供給されるステップS42。更に、サンプルSに印加される磁場Hが所望の値に設定されるステップS43。磁場Hの制御は、励磁電源4から電磁石3に供給される励磁電流を制御することによって行われる。これにより、サンプルSにはファラデー回転が発現し、サンプルSから出射される直線偏光の偏光面はファラデー回転角θFだけ偏光子角度θP=0°から回転される。更に、シャッター信号のトリガパルスの遅延tDが時間tAに設定されるステップS44、これにより、光センサ8は、駆動電流の各周期において、タイミングAにおいて各波長成分の光強度IAが測定される状態に設定される。この状態で、光センサ8により、タイミングAにおける各波長成分の光強度IAが測定されるステップS45。タイミングAにおける各波長成分の光強度IAの測定は、駆動電流のN周期Nは、所定の自然数に渡ってN回行われ、測定された光強度IAの平均が、磁場HについてのスペクトルデータIA,Hλとして使用される。続いて、シャッター信号のトリガパルスの遅延tDが時間tBに設定されるステップS46、これにより、光センサ8は、駆動電流の各周期において、タイミングBにおいて各波長成分の光強度IBが測定される状態に設定される。この状態で、光センサ8により、タイミングBにおける各波長成分の光強度IBが測定されるステップS47。タイミングAにおける各波長成分の光強度IBの測定は、駆動電流のN周期Nは、所定の自然数に渡ってN回行われ、測定された光強度IBの平均が、磁場HについてのスペクトルデータIB,Hλとして使用される。図26のaは、特定の磁場HについてのスペクトルデータIA,Hλ、IB,Hλを概念的に示している。上述のステップS43~S47は、磁場Hを変化させながら繰り返して行われる。即ち、ステップS44~S47の測定を行った磁場Hが終了磁場である場合にはステップS49に測定手順が進み、そうでない場合には、ステップS43において磁場Hを異なる所望値に設定した上で、ステップS44~S47によるスペクトルデータの取得が再度に行われるステップS48。例えば、1kOe、2kOe、3kOe、4kOe、5kOeの磁場Hについて、ステップS44~S47によるスペクトルデータの取得が行われる。続いて、各磁場Hについて、タイミングA、BのスペクトルデータIA,Hλ、IB,Hλの差分である差分スペクトルデータΔIA-B,Hλが算出されるステップS49。図26のbは、特定の磁場Hについての差分スペクトルデータΔIA-B,Hλを概念的に示している。更に、各磁場Hについて、差分スペクトルデータΔIA-B,Hλからファラデー回転角θFの波長依存性θFλが演算されるステップS50。ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、差分スペクトルデータΔIA-B,Hλを、図23の手順で得られたファラデー回転角1°あたりのタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差分の波長依存性βλで割ることによって得られる。即ち、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλは、次式17で得られる:θFλ=ΔIA-B,Hλ/βλ17続いて、第2の実施形態のステップS16と同様の方法により、ファラデー回転角θFの波長依存性θFλからベルデ定数の波長依存性Vλが算出されるステップS51。各波長におけるベルデ定数Vλは、上記にも提示された式11:Vλ=mλ/d11として算出される。ここで、mλは、各波長λにおける磁場Hとファラデー回転角θFλの関係を関数θFλ=mλHによってフィッティングして得られた傾きである。第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10でも、第1及び第2の実施形態と同様に、波長についての走査を行うことなく複数の波長のベルデ定数を測定できる。また、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10でも、第2の実施形態と同様に、検光子角度θの走査も行わずに複数の波長のベルデ定数を測定できる。したがって、波長依存性の測定にかかる時間を一層に短縮することができる。加えて、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10では、第2の実施形態と比較して検光子5を透過する光の光強度が小さい領域が使用される。即ち、偏光子角度θPが0°であるため、検光子5に入射される直線偏光の角度は0°に近い角度である。一方、検光子角度θは90°であるから、検光子5を透過する光の光強度は小さい。このため、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10では、光センサ8の分解能を有効に活用してSN比を向上させ、より高感度にベルデ定数を測定することができる。なお、偏光子角度θPは、0°の近傍であればよく、例えば、-2°~2°の範囲即ち、サンプルSにおける偏光面の回転が無い場合に検光子5に入射する直線偏光の偏光面と検光子5の透過軸の角度が88°~92°の範囲であってもよい。なお、上述の第3の実施形態の説明では、ファラデーセル11に供給される駆動電流が正弦波であるとして説明が行われているが、駆動電流の波形は、交流の即ち、駆動電流の方向が反転するような周波数fの周期信号であれば異なっていてもよい。この場合でも、光センサ8に入射する光の光強度が相対的に大きな極大値をとるタイミングタイミングAにおける各波長成分の光強度と光センサ8に入射する光の光強度が相対的に小さな極大値をとるタイミングタイミングBにおける各波長成分の光強度の差分から、ファラデー回転角1°あたりのタイミングA、Bにおける光強度IA、IBの差分の波長依存性βλを用いてファラデー回転角θFが算出されてもよい。この場合、同一の波形の駆動電流が、光強度IA、IBの差分の波長依存性βλの算出においても使用される。図27は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10の変形例を示す構成図である。図27の構成では、分光器7と光センサ8の間に、光増幅を行うイメージインテンシファイア15が挿入されている。イメージインテンシファイア15は、ゲート動作に対応しており、イメージインテンシファイア駆動回路16から供給されるゲート信号に応答して動作する。ここで、図27の構成では、ディレイ回路13は、トリガパルスを含むシャッター信号を光センサ8ではなく、イメージインテンシファイア駆動回路16に供給する。イメージインテンシファイア駆動回路16は、トリガパルスが入力されると、イメージインテンシファイア15を動作させる。上述されているように、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10では検光子5を透過する光の光強度は小さいから、図27に図示されているようにイメージインテンシファイア15を使用することは、より高感度にベルデ定数を測定するために有効である。以上の実施形態では、ファラデー効果に対する磁気光学活性を表すベルデ定数を測定するための磁気光学効果測定装置10の構成が提示されているが、サンプルSの反射光について同様の測定を行うように構成を変更することで、磁気光学カー効果に対する磁気光学活性を表すカー定数を測定することもできる。図28~図33は、カー定数を測定するための磁気光学効果測定装置10の構成が提示されている。図28は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10を極Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図28の磁気光学効果測定装置10では、図2の磁気光学効果測定装置10にサンプルSからの反射光を反射するハーフミラー17が追加されると共に、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、ハーフミラー17で反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は0°である。更に、電磁石3は、入射光の方向と平行な方向同一方向又は逆方向に磁場HをサンプルSに印加するように配置される。図28の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして極Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって極Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、ハーフミラー17で反射されて検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第1の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから極Kerr効果についてのカー定数が得られる。図29は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10を縦Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図29の磁気光学効果測定装置10においては、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、サンプルSで反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は、0°より大きく90°より小さい。更に、電磁石3は、サンプルSの表面に平行な方向に磁場Hを印加するように配置される。図29の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして縦Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって縦Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第1の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから縦Kerr効果についてのカー定数が得られる。図30は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10を極Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図30の磁気光学効果測定装置10では、図11の磁気光学効果測定装置10にサンプルSからの反射光を反射するハーフミラー17が追加されると共に、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、ハーフミラー17で反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は0°である。更に、電磁石3は、入射光の方向と平行な方向同一方向又は逆方向に磁場HをサンプルSに印加するように配置される。図30の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして極Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって極Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、ハーフミラー17で反射されて検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第2の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから縦Kerr効果についてのカー定数が得られる。図31は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10を縦Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図31の磁気光学効果測定装置10においては、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、サンプルSで反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は、0°より大きく90°より小さい。更に、電磁石3は、サンプルSの表面に平行な方向に磁場Hを印加するように配置される。図31の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして縦Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって縦Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第2の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから縦Kerr効果についてのカー定数が得られる。図32は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10を極Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図32の磁気光学効果測定装置10では、図27の磁気光学効果測定装置10にサンプルSからの反射光を反射するハーフミラー17が追加されると共に、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、ハーフミラー17で反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は0°である。更に、電磁石3は、入射光の方向と平行な方向同一方向又は逆方向に磁場HをサンプルSに印加するように配置される。図32の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして極Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ファラデーセル11及びハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって極Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、ハーフミラー17で反射されて検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出されたタイミングA、B図22参照のそれぞれにおける光の各波長成分の光強度から、第3の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから極Kerr効果についてのカー定数が得られる。図33は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10を縦Kerr効果を測定するように構成を変更した例を示す構成図である。図33の磁気光学効果測定装置10においては、検光子5、分光器7、光センサ8の配置が、サンプルSで反射された光を検出されるように変更される。サンプルSに入射される光の入射角は、0°より大きく90°より小さい。更に、電磁石3は、サンプルSの表面に平行な方向に磁場Hを印加するように配置される。図33の磁気光学効果測定装置10では、次のようにして縦Kerr効果のカー定数が測定される。白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光は、ファラデーセル11及びハーフミラー17を介してサンプルSに入射される。サンプルSによって縦Kerr効果により偏光面が回転された上で反射された光は、検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出されたタイミングA、B図22参照のそれぞれにおける光の各波長成分の光強度から、第3の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で各磁場H、各波長λにおけるカー回転角θKが算出され、算出されたカー回転角θKから縦Kerr効果についてのカー定数が得られる。また、上述の第1乃至第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10の基本的な原理は、物質中における偏光面の角度の変化を検知する偏光変化スペクトル測定装置一般に適用可能である。即ち、第1乃至第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10において、偏光面の角度の変化を起こさせる異なるメカニズムを用いれば、該メカニズムによる偏光面の角度の変化の波長依存性を測定することができる。例えば、温度及び/又は圧力に応じて偏光面を旋回させる物質について、該物質中における偏光面の旋回角度の波長依存性偏光変化スペクトルを測定することができる。図34乃至図36は、それぞれ、温度による偏光面の角度の変化を検知する偏光変化スペクトル測定装置20の構成を示している。詳細には、図34は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10図2参照を温度による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図35は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10図11参照を温度による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図36は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10図21参照を温度による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示している。図34乃至図36の偏光変化スペクトル測定装置20では、恒温槽21と、恒温槽21の内部の温度を調節する温度制御装置22とが設けられる。サンプルSは、恒温槽21の内部に設けられる。図34の偏光変化スペクトル測定装置20では、次のようにして偏光面の角度の変化の温度依存性が測定される。サンプルSの温度即ち、恒温槽21の内部の温度を所望の温度に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第1の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各温度、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。また、図35の偏光変化スペクトル測定装置20では、次のようにして偏光面の角度の変化の温度依存性が測定される。サンプルSの温度即ち、恒温槽21の内部の温度を所望の温度に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第2の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各温度、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。更に、図36の偏光変化スペクトル測定装置20では、次のようにして偏光面の角度の変化の温度依存性が測定される。サンプルSの温度即ち、恒温槽21の内部の温度を所望の温度に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光が、ファラデーセル11を介してサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出されたタイミングA、B図22参照のそれぞれにおける光の各波長成分の光強度から、第3の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各温度、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。図37乃至図39は、それぞれ、圧力による偏光面の角度の変化を検知する偏光変化スペクトル測定装置30の構成を示している。詳細には、図37は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10図2参照を圧力による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図38は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10図11参照を圧力による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図39は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10図21参照を圧力による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示している。図37乃至図39の偏光変化スペクトル測定装置20では、圧力容器31と、圧力容器31の内部の圧力を調節する加圧減圧装置32とが設けられる。サンプルSは、圧力容器31の内部に設けられる。図37の偏光変化スペクトル測定装置30では、次のようにして偏光面の角度の変化の圧力依存性が測定される。サンプルSに印加される圧力即ち、圧力容器31の内部の圧力を所望の圧力に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第1の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各圧力、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。また、図38の偏光変化スペクトル測定装置30では、次のようにして偏光面の角度の変化の圧力依存性が測定される。サンプルSに印加される圧力即ち、圧力容器31の内部の圧力を所望の圧力に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第2の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各圧力、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。更に、図39の偏光変化スペクトル測定装置30では、次のようにして偏光面の角度の変化の圧力依存性が測定される。サンプルSに印加される圧力即ち、圧力容器31の内部の圧力を所望の圧力に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光が、ファラデーセル11を介してサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出されたタイミングA、B図22参照のそれぞれにおける光の各波長成分の光強度から、第3の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各圧力、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。図40乃至図42は、それぞれ、電圧又は電流による偏光面の角度の変化を検知する偏光変化スペクトル測定装置40の構成を示している。詳細には、図40は、第1の実施形態の磁気光学効果測定装置10図2参照を電圧又は電流による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図41は、第2の実施形態の磁気光学効果測定装置10図11参照を電圧又は電流による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示しており、図42は、第3の実施形態の磁気光学効果測定装置10図21参照を電圧又は電流による偏光面の角度の変化を測定するように構成を変更した例を示している。図40乃至図42の偏光変化スペクトル測定装置40では、サンプルSに所望の電圧又は電流を印加する電源装置41が設けられている。図40の偏光変化スペクトル測定装置40では、次のようにして偏光面の角度の変化の電圧依存性又は電流依存性が測定される。サンプルSに印加される電圧又は電流を所望値に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第1の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各電圧又は電流、及び、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。また、図41の偏光変化スペクトル測定装置40では、次のようにして偏光面の角度の変化の電圧依存性又は電流依存性が測定される。サンプルSに印加される電圧又は電流を所望値に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光がサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出された各波長成分の光強度から第2の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各電圧又は電流、及び、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。更に、図42の偏光変化スペクトル測定装置40では、次のようにして偏光面の角度の変化の電圧依存性又は電流依存性が測定される。サンプルSに印加される電圧又は電流を所望値に設定した状態で、白色光源1及び偏光子2によって生成された白色光である直線偏光が、ファラデーセル11を介してサンプルSに入射される。該直線偏光は、サンプルSにおいて偏光面の角度が変化された上で検光子5に入射される。検光子5を通過した光が分光器7に入射され、検光子5を通過した光の各波長成分の光強度が光センサ8によって検出される。更に、光センサ8によって検出されたタイミングA、B図22参照のそれぞれにおける光の各波長成分の光強度から、第3の実施形態においてファラデー回転角θFを算出するのと同様の手順で、各電圧又は電流、及び、各波長λにおける偏光面の回転角即ち、偏光面の角度の変化が算出される。以上には、本発明の様々な実施形態が説明されているが、本発明は、上記の実施形態に限定されない。本発明は、当業者には自明的な様々な変更をした上で実施され得る。"