6pF以下の負荷容量を有する水晶発振回路における負荷容量の決定方法であって、負性抵抗RL1における水晶発振回路の駆動電流がIos1、負荷容量値がCL1であるとき、負性抵抗RL1における水晶発振回路の駆動電流をIos2<Ios1にするときの負荷容量を、CL2=CL1×Ios2/Ios112で与えられる負荷容量値CL2の10以内の値に設定することを特徴とする水晶発振回路における負荷容量の決定方法。6pF以下の負荷容量を有する水晶発振回路における負荷容量の決定方法であって、駆動電流値Ios1における水晶発振回路の負性抵抗がRL1、負荷容量値がCL1であるとき、駆動電流値Ios1における水晶発振回路の負性抵抗をRL2にするときの負荷容量を、CL2=CL1×RL1/RL212で与えられる負荷容量値CL2の10以内の値に設定することを特徴とする水晶発振回路における負荷容量の決定方法。6pF以下の負荷容量を有する水晶発振回路における負荷容量の決定方法であって、CLn1/CLn2=αnは1以上の整数、αは安全係数でα=212が成立するように、負荷容量CL1に対して負荷容量CLnn≧2を決定することを特徴とする水晶発振回路における負荷容量の決定方法。CLm=44pF、CLm1=37pF、CLm2=31pF、CLm3=26pF、CLm422pFであるmは正の整数ことを特徴とする請求項3に記載の水晶発振回路における負荷容量の決定方法。6pF以下の負荷容量値を有する水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法であって、CMOSインバータの入力側と出力側の間に最小帰還抵抗Rfminと並列に配置されたリーク抵抗Rzを仮想して、最小合成帰還抵抗RFminをRFmin=Rfmin×Rzの関係を用いて決定し、さらに最大負性抵抗RLmaxの値を、RLmax/RFmin12<ααは安全係数で212であるの関係を用いて決定することを特徴とする水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法。前記リーク抵抗Rzを4~6MΩの間の値とすることを特徴とする請求項5に記載の水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法。最小帰還抵抗Rfmin=5MΩに対しては、前記負性抵抗RLの範囲は、|RL|<125MΩであり、最小帰還抵抗Rfmin=10MΩに対しては、前記負性抵抗RLの範囲は、|RL|<167MΩであり、最小帰還抵抗Rfmin=15MΩに対しては、前記負性抵抗RLの範囲は、|RL|<188MΩであり、最小帰還抵抗Rfmin=20MΩに対しては、前記負性抵抗RLの範囲は、|RL|<200MΩである、ことを特徴とする請求項6に記載の水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法。前記負性抵抗RLの最小値RLminは、発振余裕度M=|RL|/R1maxの式を用いて、M=5、R1max=60kΩとすることにより300kΩとすることを特徴とする請求項5~7のいずれかの項に記載の水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法。請求項1~4のいずれかの項に記載の水晶発振回路における負荷容量の決定方法、及び請求項5~8のいずれかの項に記載の水晶発振回路における負性抵抗RLの決定方法を用いて水晶発振回路における負荷容量、及び水晶発振回路における負性抵抗RLをそれぞれ設計したことを特徴とする発振回路。請求項9に記載の発振回路を搭載したことを特徴とする電子機器。負荷容量CLを低減すると水晶発振回路の駆動電流を小さくすることができるので、幾つかの所望の駆動電流Iosを得るために、1つの負性抵抗RLに対して種々の負荷容量CLを用意することになる。また、異なる負性抵抗の場合には、異なる値の負荷容量CLを用意して、所定の駆動電流Iosを実現することになる。このような方法では、たくさんの負荷容量CLを用意することになり、部品数が多くなる。また、負性抵抗RLに対しては、上述の1式を用いて発振余裕度Mを5以上の適当な値に設定して負性抵抗RLの下限を決めることはできるが、負性抵抗RLの上限は不明なので、負性抵抗RLを過大に設定する虞がある。負性抵抗RLを大きく取りすぎると帰還抵抗Rfの影響が無視できなくなり発振異常不定を引き起こす原因となる。本発明の目的は、約10pF以下、好適には8pF以下、更に好適には約6pF以下の低い負荷容量を有する低CL水晶発振回路において、幾つかの負荷容量値CLを用意して、種々の負性抵抗に対応しながら所定の駆動電流を得るための手法を提供し、さらに水晶発振回路の設計およびこれを用いたIC設計を容易にするために負性抵抗の範囲を決定する手法を提供することである。具体的には、本発明は以下の1~6に記載するものである。1本発明は、負性抵抗RL1における水晶発振回路の駆動電流がIos1、負荷容量値がCL1であるとき、負性抵抗RL1における水晶発振回路の駆動電流をIos2<Ios1とするにするときの負荷容量は、CL2=CL1×12で与えられる負荷容量値CL2の10以内の値に設定することを特徴とする負荷容量の決定方法である。2本発明は、駆動電流値Ios1における水晶発振回路の負性抵抗がRL1、負荷容量値がCL1であるとき、駆動電流値Ios1における水晶発振回路の負性抵抗をRL2にするときの負荷容量は、CL2=CL1×12で与えられる負荷容量値CL2の10以内の値に設定することを特徴とする負荷容量の決定方法である。3本発明は、2=αnは1以上の整数、αは安全係数でα=212が成立するように、負荷容量CL1に対して負荷容量CLnn≧2を決定することを特徴とする負荷容量の決定方法である。4本発明は、具体的な負荷容量値として、CL1=44pF、CL2=37pF、CL3=31pF、CL4=26pF、CL522pFを設定することを特徴とする負荷容量の決定方法である。5本発明は、CMOSインバータの入力側と出力側の間に最小帰還抵抗Rfminと並列に配置されたリーク抵抗Rzを仮想して、最小合成帰還抵抗RFminを式RFmin=Rfmin×Rzを用いて決定し、さらに最大負性抵抗RLmaxの値を、式RLmax/RFmin12<ααは安全係数で212であるを用いて、決定することを特徴とする、負性抵抗RLの決定方法である。さらに、本発明は、リーク抵抗Rzを4~6MΩの間の値、好適には5MΩとすることを特徴とする負性抵抗RLの決定方法である。本発明によれば、水晶発振回路における負荷容量値CL2を水晶発振回路の駆動電流比Ios2/Ios1をもとにして、式CL2=CL1×Ios2/Ios112を用いて決定するので水晶発振回路の設計およびその水晶発振回路を用いたICの設計が単純になる。あるいは、水晶発振回路における負荷容量値CL2を水晶発振回路の負性抵抗比RL1/RL2をもとにして、CL2=CL1×RL1/RL212を用いて決定するので水晶発振回路の設計およびその水晶発振回路を用いたICの設計が単純になる。さらに、負荷容量値は既に決められた値から選定すれば良いので、設計者が独自に設定する必要がなく、設計が容易となる。負性抵抗RLについても上限および下限が定められるので、水晶発振回路が充分に動作するかどうか設計者は悩む必要がなくなり、負性抵抗の設定が容易となる。たとえば、最小帰還抵抗Rfmin=5MΩに対しては、負性抵抗RLは、300kΩ<|RL|<125MΩの範囲で設定すれば良い。図1は、負性抵抗RL=1MΩにおける種々の負荷容量と水晶発振回路の駆動電流Iosの測定値を示すグラフである水晶振動子は、32768kHz使用、図3に示す回路を使用。尚、図1は図6においてCLが6pF以下のグラフと同じである。このように、低CL化すると駆動電流Iosも低下するので、水晶発振回路の消費電流を低下することができる。種々の負性抵抗に関して、幾つかの負荷容量を設定しておき、駆動電流を制御できると水晶発振回路を使用する電子機器たとえば、マイコンの設計者は回路を設計しやすい。そこで、我々は、以下のような半値カレントオプションを提案する。ICの駆動電流Iosは、Ios=Gm×V-Vthで示され、1式でCg=Cd=2CLとすると|RL|=|Gm|/23であることから、ICの駆動電流Iosはに比例すると予想される。ただし、幾つかの仮定上記以外にも、帰還抵抗Rf=∞の理想的な状態を仮定をおいている実際図1のグラフに近似式を当てはめるとIos=1196×194相関係数0999となり、測定誤差も考慮すればこの予想はほぼ正しい。すなわち、Ios=a×4aは定数、RLの設定値により変化するそこで、負性抵抗RL1における水晶発振回路の駆動電流をIos1、負荷容量値をCL1とすれば、Ios1=a×であるから、水晶発振回路の駆動電流をIos2にするとき負性抵抗RL1の負荷容量CL2は、CL2=CL1×125と推定できる。実際には、測定誤差も存在するので、5式で計算される値の約10以内の値に負荷容量を設定しておけば目標の水晶発振回路の駆動電流を実現できる。たとえば、図1のグラフを用いると、CL=44pFのときIos1=200nAであるから、Ios2=100nAと半分のIosにするには、12=1/212=0707であるから、CL2=31pFとなる。実際の測定値ではIos2=110nAとなっているので、かなり良い推定方法である。式5ではたくさんの負荷容量をその都度用意しなければならないので、次に最適の負荷容量設定法を述べる。最初に狙いとする駆動電流値Ios1を実現したときの負荷容量をCL1としたとき、次の駆動電流値の目標Ios2駆動電流値を下げることが目標なので、Ios2<Ios1をIos1×12とする。その次の駆動電流値の目標Ios3はIos2×12となり、最初の駆動電流値Ios1の半分となる。これから、1/212で関係づけられるので非常にきれいな関係となる。たとえば、最初の狙いの駆動電流値Ios1=200nAはCL1=44pFで実現されるから、次の狙い値Ios2=Ios1×1/212=142nAはCL2=CL1×{1/212}12=44pF×0841=37pFで実現する。実測値はIos2=150nAであるから、ほぼ良い近似である。次は、Ios3であるが上述した様に、CL3=31pFでIos2=100nA実測値は110nAである。その次の狙い値Ios4はIos3×12=71nAで、CL4=CL3×{1/212}12=31pF×0841=26pFで実現する。実測値はIos4=80nAであるから、ほぼ良い近似である。その次の狙い値Ios5はIos4×1/212=50nAで、CL5=CL4×{1/212}12=26pF×0841=22pFで実現する。実測値はIos4=55nAであるから、ほぼ良い近似である。この駆動電流値Ios5は最初の駆動電流値Ios1の14になっており、負荷容量値CL5はCL1の半分となる。次の負荷容量値CL6は、CL6=CL5×{1/212}12=22pF×0841=19pF、次の負荷容量値CL7は、CL7=CL6×{1/212}12=19pF×0841=16pFとなる。CLは式2よりCL=Cs{Cg×Cd/}で示されるから、CL値の限界は浮遊容量Cs以下にはできない。従って、CL値の限界値は10pF~15pFと考えられるから、上式を用いてその程度までのCL値を設定しておけば良い。以上のように半値1/2あるいは1/212という値を用いて、負荷容量値を幾つか設定しておくことにより、ほぼ狙いとする駆動電流Iosを実現できる。一般化すれば、最初の駆動電流値Ios1を実現するCL1を設定した後、さらに駆動電流を下げる手法として、n個のCL値CL1~CLnを用意する。その方法は、2=αmは2以上nまでの整数、α=212、αをこの値に設定しておけば負性抵抗RLはほぼ一定に維持でき、水晶発振回路は安定に発振するので、安全係数と呼んでも良い。が成立するように、CL1に対して負荷容量CLmm≧2を決定する。これによって、Iosm/Iosm1=αmは2以上nまでの整数、αは安全係数でα=212が成立する駆動電流Iosmを実現することができる。この関係は、1つの負性抵抗RL図1に示したグラフはRL=1MΩに対して成り立つ関係であるが、他の値の負性抵抗RLに対しても成立する。発振余裕度Mが充分でない場合には異なる負性抵抗にすれば良い。このときに新たなCL値の関係群を上述の式により求めても良いが、上記の1連の負荷容量値CL群44pF、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、を用いても良い。最初の駆動電流値Ios1だけ分かれば、後は上記した方法により駆動電流値を知ることができる。逆に駆動電流値から使用すべき負荷容量値を上の1連の負荷容量値CL群44pF、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、から選択することもできる。ただし、この場合には、異なる負性抵抗RLにおいて任意の駆動電流値を選択できないが、それに近い駆動電流値で決定する。すなわち、種々の負性抵抗RLにおいて、最初の駆動電流値Ios1CL1=44pFに対して、Iosm/Iosm1=αmはm≧2整数、α=212を実現する負荷容量は、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、ということである。以上のように幾つかの負荷容量の設定値だけ用意しておけば、種々の負性抵抗RLに対して駆動電流Iosを所望程度の値へ低減できる。式3から、一定の駆動電流値Iosに対して負性抵抗RLは2に逆比例している。従って、上述したことは負性抵抗RLに関しても同じことが言える。すなわち、|RL|=b×26bは定数、駆動電流Iosの設定値により変化する駆動電流値Ios1における、水晶発振回路の負荷容量CL1に対して負性抵抗をRL1であるとき、負荷容量CL2に対して負性抵抗をRL2とすれば、CL2=CL1×127と推定できる。実際には、測定誤差も存在するので、7式で計算される値の10以内の値に負荷容量CLを設定しておけば目標の水晶発振回路の負性抵抗RLを実現できる。図7は、駆動電流値Iosを75nAと一定にして、負荷容量値CLと負性抵抗RLの関係を示したグラフである。負荷容量値CLは、上述の設定値44pF、37pF、31pF、26pF、22pF、19pFのときの負性抵抗値RLを測定した。得られたグラフの近似式は、RL=6480×2で相関係数もR1で上記の式6および式7の予想が合っていることを示す。負性抵抗についても駆動電流値と同様に、半値1/2あるいは12という値を用いて、負荷容量値を幾つか設定しておくことにより、ほぼ狙いとする負性抵抗値RLを実現できる。一般化すれば、最初の負性抵抗値RL1を実現するCL1を設定した後、さらに負性抵抗を上げる手法発振余裕度Mを高める方向として、n個のCL値CL1~CLnを用意する。その方法は、CLm/CLm12=αmは2以上nまでの整数、α=212、αをこの値に設定しておけば駆動電流Iosをほぼ一定に維持できる。が成立するように、CL1に対して負荷容量CLmm≧2を決定する。これによって、RLm/Iosm1=1/αmは2以上nまでの整数、αは安全係数でα=212が成立する負荷容量値RLmを実現することができる。この関係についても、駆動電流の場合と同様に、種々の値の駆動電流値Iosに対しても成立する。従って、駆動電流の場合と同様に、一連の負荷容量値CL群44pF、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、を用意しておけば、最初の負性抵抗値RL1が分かっていれば、後は上記した方法により適当なCL値を選択して負性抵抗値RLを設定することができる。逆に負性抵抗値RLから使用すべき負荷容量値CLを上の1連の負荷容量値CL群44pF、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、から選択することもできるただし、この場合には、異なる駆動電流値Iosにおいて任意の負性抵抗値RLを選択できないが、それに近い負性抵抗値で決定する。すなわち、種々の駆動電流値Iosにおいて、最初の負性抵抗値RL1CL1=44pFに対して、RLm/RLm1=1/αmはm≧2の整数、α=212を実現する負荷容量は、37pF、31pF、26pF、22pF、19pF、ということである。以上のように幾つかの負荷容量の設定値だけ用意しておけば、種々の駆動電流値Iosに対して負性抵抗RLを所望程度の値へ増大できる。次に負性抵抗RLの範囲を決定する方法について説明する。負性抵抗の範囲が分かっていれば発振回路の設計が容易となる。式1よりM=|RL/R1max、M≧5であるから、|RLの最小値|RLminだが、便宜上|RLmin|と記載は|RLmin=5×R1max、R1maxは水晶振動子の等価直列抵抗の最大値で、水晶振動子の種類により異なるが、約60kΩとすると、|RLmin=300kΩである。すなわち、|RL>300kΩである。Cg=Cd=2CLとすれば、式1は発振余裕度M={|Gm|/2}×1/R1max=|RL/R1max8負性抵抗RLまたはインピーダンス{1/Ω}が大きくなるとRf帰還抵抗の影響が無視できなくなる。そこで、Rf帰還抵抗の影響を最小に押さえ、関係式8が成り立つための負性抵抗RLの最大値RLmaxを求める。発振子の角振動数ω0および時定数τ0と発振システムの角振動数ωおよび時定数τとの関係は、ω=1/τ={Gm/}12=ω0×12である。RFは帰還抵抗であるが、後に示す合成帰還抵抗である。従って、ω/ω0=τ0/τ=12<1となるが、さらに安定した発振を保証するために、安全係数α{=12}を導入する。すなわち、ω/ω0=τ0/τ=12<α=120707<19最大負性抵抗maxおよび最小帰還抵抗RFminの関係においても、{max/RFmin}<αである。従って、RL≦max<α2×RFmin=05×RFmin10式9や式10に示す帰還抵抗RFは、実際にシステムに組み込んだ帰還抵抗Rfとは必ずしも一致しない。すなわち、帰還抵抗RFは、水晶発振回路システムに実際に現われる帰還抵抗の合成値であり、合成帰還抵抗と呼んでも良い。RFminは、合成帰還抵抗の最小値であるから最小合成帰還抵抗と呼んでも良い。合成帰還抵抗RFは、たとえば以下のように求めることができる。図2は、水晶発振回路における合成帰還抵抗を説明する図である。51は回路として組み込んだ帰還抵抗抵抗Rfであるが、実際の動作においては51以外にも電流が流れるたとえば、リーク電流ため測定値抵抗RFとRfとは一致しない。すなわち、帰還抵抗以外の電流経路の抵抗52を考慮する必要がある。この抵抗52をリーク抵抗抵抗Rzと呼ぶ。このリーク抵抗Rzは帰還抵抗と並列な抵抗と考えることができる。このリーク抵抗Rzがどの部分に生じているか明確ではないので、仮想的抵抗と考えても良い。これらの両方を合成した抵抗が合成帰還抵抗抵抗RFである。従って、RF=Rf×Rz/RfRz11このリーク抵抗Rzは汚れや回路上の不具合などからも生じる抵抗なので必ずしも一定ではないが、Rzを4~6MΩ、好適にはRzを5MΩ程度に見積もると殆どの水晶発振回路で適用できる。最小合成帰還抵抗RFminおよび最小帰還抵抗Rfminに対してもRFmin=Rfmin×Rz/RfminRz12RFmin<Rfminとなるので、最小帰還抵抗Rfminを用いる場合よりも実際的であることが分かる。図8は種々のRfminに対して式10および式12を用いて計算した最小帰還抵抗値RFminおよび最大負性抵抗値RLmaxである。これらの値から以下のように負性抵抗RLの範囲を決定することができる。300kΩ<|RL|<125MΩRfmin=5MΩ300kΩ<|RL|<167MΩRfmin=10MΩ300kΩ<|RL|<188MΩRfmin=15MΩ300kΩ<|RL|<200MΩRfmin=20MΩ相互コンダクタンスGmを有する発振回路の負性抵抗RLおよび負荷容量CLの関係式は、Gm=a×2×13で示されるが、種々の負性抵抗値RLpおよび負荷容量値CLpの組み合わせで式7が成立するので、Gm=a×2×14p=1、2、3、4、と記載する。すなわち、同じ値のGmを実現する負性抵抗値RLpおよび負荷容量値CLpの組み合わせが複数存在する。式14から、Gm=a×2×=a×2×が成立するから、=×{2/2}15この式15を用いて、負性抵抗の最小値を決定することができる。たとえば、最小負性抵抗RLminのときの負荷容量CL値がCLmax、最大負性抵抗RLmaxのときのCL値がminとすれば、RLmin=RLmax×{2/2}16が成立する。従って、式16より最小負性抵抗を求めることができる。以上説明した様に、本発明を用いて、CLn1/CLn2=αnは1以上の整数、αは安全係数でα=212が成立するように、負荷容量CL1に対して幾つかの負荷容量CLnn≧2を設定しておき、さらにリーク抵抗Rzを想定して負性抵抗の範囲を決定しておくことにより、決定された負性抵抗の範囲内で設定した負荷容量を選定する。これにより所定の駆動電流を設計することができるので、設計者は水晶発振回路の設計を容易に行なうことが可能となる。上記において主に水晶振動子を用いた発振回路について説明してきたが、水晶振動子の代わりに他の圧電振動子たとえばセラミック振動子などを用いる場合にも本発明の水晶発振回路の負荷容量および負性抵抗決定方法を適用できる。上述した本発明の方法は、水晶振動子や他の圧電振動子を使用した発振器や電子機器に用いられる発振回路を設計するときにも適用できる。たとえば、時計、携帯電話、携帯端末、ノートパソコン等の電池駆動の電子機器にも使用できる。さらには省エネや省電力化を要求されている車載用電子機器、テレビ冷蔵庫エアコン等の家電製品など広範な電子機器にも適用できる。