"支持体上面20を備えている支持体2と、前記支持体上面20上に取り付けられており、放射透過性の基板34と、電磁放射を形成するための少なくとも一つの活性層を有する半導体積層体32とを含んでいる、少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ3と、反射性の注型材料4とを有しており、前記注型材料4は、前記支持体上面20から出発して、前記半導体チップ3の周囲を水平方向において、少なくとも前記基板34の半分の高さまで包囲していることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記基板34は前記支持体2と前記半導体積層体32との間に設けられており、前記注型材料4は、前記支持体上面20から出発して、少なくとも、前記半導体チップ3の前記支持体2側とは反対側の放射主面30まで達している、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記放射主面30は、前記半導体チップ3から放出される放射を別の波長の放射に少なくとも部分的に変換するための変換手段6によって覆われており、前記変換手段6は層として形成されており、且つ、水平方向において少なくとも部分的に前記注型材料4と直接的に接触している、請求項1又は2に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記注型材料4は、前記支持体上面20から離れる方向において、前記半導体チップ3又は前記変換手段6と面一に終端している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記注型材料4は部分的又は完全に前記放射主面30にわたり延在している、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記支持体上面20に対して垂直な方向において、前記半導体チップ3並びに前記注型材料4は、前記変換手段6によって、及び/又は、前記変換手段6を貫通する少なくとも一つの電気的な接続部品5によって完全に覆われている、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記電気的な接続部品5の内の少なくとも一つを介して、前記支持体2と前記放射主面30との間に電気的な接続部が確立されており、前記接続部品5は少なくとも部分的に前記注型材料4内に埋設されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記注型材料4は、前記半導体チップ3及び前記少なくとも一つの電気的な接続部品5を水平方向において少なくとも部分的に直接的且つ形状結合により包囲している、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記電気的な接続部品5は部分的に、前記注型材料4及び/又は前記変換手段6の前記支持体側とは反対側の上面40,60上に直接的に取り付けられている、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。動作時に前記半導体チップ3において形成される放射の一部は水平方向において前記基板34から放出され、前記注型材料4内に最大で300μm入射し、前記注型材料4は前記放射の一部を少なくとも部分的に前記基板34へと戻るように拡散させながら反射させる、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。水平方向において前記半導体チップ3の隣にある、前記支持体上面20上の電気的な接続領域7は、前記半導体チップ3の動作時に形成される放射を吸収する材料を有しており、前記電気的な接続領域7は前記注型材料4によって前記放射から遮蔽されている、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記放射主面30及び/又は前記変換手段6の上面60は部分的又は完全に固着防止層によって覆われており、該固着防止層は前記注型材料4による前記放射主面30及び/又は前記上面60の湿潤を阻止する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記注型材料4は、前記半導体チップ3の動作時に形成される放射の放出角度を低減させる、請求項1乃至12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記注型材料4は放射透過性のマトリクス材料と、該マトリクス材料内に埋め込まれている反射性の粒子とを有しており、前記マトリクス材料はシリコーン及び/又はエポキシを含んでいるか、又は、シリコーン及び/又はエポキシから成るものであり、前記粒子は少なくとも一つの酸化金属を含んでいるか、又は、少なくとも一つの酸化金属から成るものである、請求項1乃至13のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記放射透過性の基板34は前記半導体積層体32の成長基板である、請求項1乃至14のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。本発明が解決すべき課題は、高い放射効率を有するオプトエレクトロニクス半導体モジュールを提供することである。オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが支持体上面を備えた支持体を有している。支持体は例えば回路基板、特にプリント回路基板及び/又はメタルコア基板である。同様に支持体として、有利には導体路が設けられているセラミック、又は、導体路が設けられている、パッシベートされた半導体材料、例えばケイ素又はゲルマニウムが考えられる。更に、支持体をいわゆるクワッドフラットノーリードパッケージQuadFlatNoLeadsPackage、略してQFNとして実施することができる。オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが支持体上面に取り付けられている、一つ又は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを有している。半導体チップは、電磁放射を形成するための少なくとも一つの活性層を備えている半導体積層体を有している。更に、少なくとも一つの半導体チップは、放射透過性の基板、有利には透過性で透明の基板を有している。基板は、半導体積層体のための成長基板で良い。同様に、成長基板が半導体積層体から除去されていることも考えられ、その場合の半導体チップの基板は、半導体積層体を担持し、事後的に被着される、成長基板とは異なる基板である。半導体積層体、及び/又は、有利には透過性の基板を、少なくとも部分的に放射透過性のパッシベーション層によって特に直接的に包囲することができる。半導体チップの半導体積層体は、有利には、III-V族化合物半導体材料を基礎としている。半導体材料は、例えば、AlnIn1nGamNのような窒化物系化合物半導体材料、又はAlnIn1nGamPのようなリン化物系化合物半導体材料であり、ここではそれぞれ、0≦n≦1、0≦m≦1且つnm≦1である。半導体積層体がドーパント並びに付加的な構成要素を有していても良い。しかしながら分かり易くするために、結晶格子の本質的な構成要素が少量の別の成分によって置換及び/又は補充することができる場合であっても、それらの結晶格子の本質的な構成要素、即ちAl、Ga、IN、N又はPのみを示している。活性層は特にpn接合部及び/又は量子井戸構造を含んでいる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、半導体モジュールが反射性の注型材料を有している。反射性とは、注型材料が可視スペクトル領域の放射に対して、特に80又は90、有利には94よりも高い反射率を有していることを意味する。注型材料は有利には拡散反射を行なう。観察者にとって注型材料は有利には白色に見える。オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、反射性の注型材料は水平方向において半導体チップの周囲を包囲している。特に、注型材料は少なくとも部分的に半導体チップの周囲と直接的に接触している。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は、支持体上面から離れる方向において少なくとも、半導体チップの基板の半分の高さにまで達している。特に、半導体チップの水平方向の境界面は少なくとも、基板の半分の高さまで反射性の注型材料によって覆われている。換言すれば、半導体チップは少なくとも、基板の半分の高さまで反射性の注型材料内に埋設されている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体チップがいわゆるボリュームエミッタvolumeemitterである。即ち、反射性の注型材料のような付加的な措置を講じなくても、半導体チップの動作時に形成されて、半導体チップから出力される放射全体のうち20又は40を上回る割合の放射が、放射透過性の基板を介して半導体チップから放出される。つまり注型材料のような付加的な措置を講じなくても、半導体チップの動作時には放射が半導体積層体においてだけでなく、大部分が基板において放出される。オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが支持体上面を備えた支持体を有している。支持体上面には少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップが取り付けられている。半導体チップは、電磁放射を形成するための少なくとも一つの活性層を備えている半導体積層体並びに放射透過性の基板を含んでいる。更に半導体モジュールは、支持体上面から出発して、半導体チップの周囲を水平方向において少なくとも基板の半分の高さまで包囲している、反射性の注型材料を有している。基板の材料、例えばサファイア又は炭化ケイ素は、その結晶格子に基づき、またその高い熱伝導性に基づき、放射形成のための半導体積層体を被着させることに特に適している。しかしながらそれらの材料は放射透過性である。従って、半導体チップの動作時に形成される放射は半導体チップ全体を介して、また特に基板も介して伝播する。従って動作時に形成される放射は、基板の境界面も通過して半導体チップから放出される。基板から放出される放射は比較的無指向性であり、例えば基板において吸収される可能性がある。基板の大部分を包囲している反射性の注型材料によって、基板を介して放出される放射を再び基板に向かって反射させることができる。これによって、半導体モジュールの放射効率を高めることができる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、半導体チップが、有利には近紫外線又は近赤外線のスペクトル領域にある放射及び/又は青色光又は白色光のような可視光を放射する発光ダイオードである。半導体積層体の厚さは例えば最大で12μm又は最大で8μmである。放射透過性の基板の厚さは例えば40μm以上500μm以下、特に、50μm以上200μm以下である。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、放射透過性の基板は支持体と半導体積層体との間に設けられている。即ち、半導体積層体は、基板の支持体側とは反対側の面に被着されている。この場合、半導体チップの放射主面は、半導体積層体又は半導体チップの基板側並びに支持体側とは反対側の境界面によって形成されている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は、支持体上面から出発して、少なくとも、半導体チップの支持体側とは反対側の放射主面にまで達している、及び/又は、少なくとも、基板の支持体側とは反対側の放射主面にまで達している。換言すれば、半導体チップの水平方向の境界面の周囲は反射性の注型材料によって覆われており、有利に完全に覆われている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、半導体モジュールが変換材料を含んでいる。変換材料は、動作時に半導体チップにおいて形成された放射を部分的又は完全に別の波長の放射に変換するよう構成されている。変換手段は放射方向に見て半導体チップの後方に配置されている。例えば変換手段は、支持体から離れる方向及び支持体上面に対して垂直な方向において、放射主面を部分的又は完全に少なくとも直接的に覆っている。変換手段を半導体チップの放射主面と直接的に接触させることができる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、変換手段が層として形成されている。このことは、変換手段の水平方向の寸法が変換手段の厚さを上回っていることを意味していると考えられる。例えば、変換手段の厚さは10μm以上150μm以下、特に、15μm以上50μm以下である。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、変換手段は、水平方向において、即ち支持体上面に平行な方向において、部分的又は完全に注型材料と直接的に接触している。注型材料と変換手段を水平方向において相互に直接的に接触させることもできる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料及び変換手段が支持体上面から離れる方向において面一で終端している。換言すれば、注型材料並びに変換手段の支持体側とは反対側の上面は、注型材料と変換手段が水平方向において最も接近している及び/又は接触している領域において、支持体上面に対して等しい間隔を有している。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は部分的又は完全に放射主面にわたり延在している。即ち、放射主面は支持体上面から離れる方向において注型材料によって覆われている。支持体上面上方の注型材料の厚さは有利には最大で50μm又は最大で20μmである。注型材料を放射主面と直接的に接触させることも可能である。しかしながら有利には、放射主面の上方の注型材料と放射主面自体との間に変換手段が設けられている。この場合、注型材料は半導体チップも変換手段も覆っている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、半導体チップ並びに注型材料は、支持体上面に対して垂直な方向において、変換手段によって大部分又は完全に覆われている。大部分とは、被覆度が75又は90を上回ることを意味していると考えられる。特に、半導体チップ及び注型材料は、変換手段及び少なくとも一つの電気的な接続部品によって完全に覆われている。電気的な接続部品は、例えば、変換手段を貫通するボンディングワイヤによって形成されている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、少なくとも一つの電気的な接続部品を介して、支持体、特に支持体上面又は支持体上面上に設けられている電気的な接続領域と、半導体チップの放射主面との間に電気的な接続部が確立されている。支持体を放射主面に接続させる接続部品は、少なくとも部分的に反射性の注型材料内に埋設されており、特に注型材料の支持体側とは反対側の上面まで埋設されている。注型材料は水平方向において接続部品の周囲を直接的且つ形状結合により包囲することができる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は水平方向において半導体チップの周囲を直接的且つ形状結合により包囲している。注型材料を半導体チップに注ぐことにより注型を行なうこともできる。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、一つ又は複数の電気的な接続部品が部分的に、注型材料及び/又は変換手段の支持体側とは反対側の上面に直接的に被着されており、この被着は例えば気相からのスパッタリング又は析出を介して行なわれる。この場合、接続部品は少なくとも一つの導電層を含んでいる。接続部品の導電層は有利には、注型材料及び/又は変換手段を貫通するスルーコンタクトを介して、支持体及び/又は半導体チップと接続されている。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、半導体チップの動作時に形成される放射の一部が水平方向において半導体チップの基板から放出され、注型材料へと入射する。入射深さは例えば少なくとも10μm又は少なくとも30μmである。有利には、入射深さは最大で300μm又は最大で100μmである。入射深さは例えば、注型材料に入射する放射の強度が1/e2まで低下している、支持体上面に平行な深さである。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は、その注型材料に入射する放射の一部が少なくとも部分的に拡散されて再び基板に反射されるよう構成されている。即ち、放射の一部は基板及び/又は半導体積層体から放出され、注型材料に入射し、この注型材料によって反射され、続いて再び半導体チップへと達し、その後有利には放射主面において半導体チップから出力される。オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、特に水平方向において半導体チップの隣に存在する支持体上面における電気的な接続領域は、半導体チップの動作時に形成される放射を吸収する材料を有している。接続領域は注型材料によって、半導体チップにおいて形成される放射から遮蔽されている。例えば、接続領域は金を有しており、半導体チップは青色のスペクトル領域にある放射を放出する。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、変換手段の放射主面及び/又は上面が部分的又は完全に固着防止層によって覆われている。固着防止層は、半導体モジュールの製造中に注型材料によって変換手段の放射主面及び/又は上面が湿潤することを阻止するよう構成されている。固着防止層は、例えばフッ化ポリマー、例えばポリテトラフルオロエチレンを有している。半導体モジュールの少なくとも一つの実施の形態によれば、注型材料は、半導体モジュールの動作時に形成される放射の放出角度が低減されるよう構成されている。このことは、注型材料が半導体チップにおいて形成され、水平方向において半導体チップから放出される放射の割合を低減させるか、又は放射の一部を阻止することによって実現される。択一的又は付加的に、注型材料の上面を放物面状の反射器又は双曲面状の反射器として形成することができる。以下では、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールを、図面を参照しながら複数の実施例に基づき詳細に説明する。同一の参照番号は個々の図面における同一の構成要素を表している。しかしながら、それらは縮尺通りの関係を表しているのではなく、むしろより良い理解のために個々の構成要素を過度に大きく示している場合もある。図1には、オプトエレクトロニクス半導体モジュール1の実施例が概略的な断面図で示されている。半導体モジュール1は、空所25を有している支持体2を含んでいる。支持体2の導体路は図示していない。空所25の底面は支持体上面20を表している。支持体上面20にはオプトエレクトロニクス半導体チップ3が取り付けられている。半導体チップ3は、半導体チップ3の動作時に電磁放射を形成するための活性層を備えている半導体積層体32を有している。更に、半導体チップ3は放射透過性の基板34を含んでおり、この放射透過性の基板34に半導体積層体32が被着されている。図面において、半導体積層体32並びに放射透過性の基板34はそれぞれ破線によって概略的に分離されている。しかしながら半導体チップ3は、構成要素はユニットとして取り扱うことができ、また特にユニットとして支持体上面20に実装されている、単一で小型のモノリシックな構成要素である。半導体チップ3の接触接続は電気的な接続部品5を介して行なわれており、この電気的な接続部品5は図1ではボンディングワイヤによって形成されている。接続部品5は、支持体上面20における電気的な接続領域7aを半導体チップ3の放射主面30における電気的な接続領域7bに接続している。支持体上面20に平行な水平方向において、半導体チップ3の周囲は、支持体上面20から出発して放射主面30まで、反射性の注型材料4によって直接的に包囲されている。半導体チップ3のオフ状態では、観察者にとって注型材料4は有利には白色に見える。支持体上面20から離れる方向において、注型材料4は放射主面30と面一に終端している。半導体チップ3の湿潤効果及び空所25の水平方向の境界壁に起因する僅かな厚さの変動を除いて、注型材料4は一定の高さを有している。換言すれば、支持体上面20側とは反対側の注型材料上面40は支持体上面20に実質的に平行に配向されている。支持体上面20と注型材料上面40との間では、接続部品5の周囲が水平方向において注型材料4によって直接的且つ形状結合により包囲されている。注型材料上面40には、実質的に一定の層厚でもって、変換手段上面60を備えている変換手段6が被着されている。変換手段上面60は注型材料上面40に対してほぼ一定の間隔を空けて延在している。接続部品5は一部分だけ変換手段6内に埋設されている。接続部品5は支持体上面20から離れる方向において変換手段上面60から突出している。放射主面30全体は、変換手段6及び接続部品5によって完全に覆われている。変換手段6は空所25を部分的にしか充填していないので、それによって変換手段上面60の支持体2側とは反対側では空所25内に自由空間が残存している。反射性の注型材料4は有利には、反射性の粒子が注入されているポリマーであり、これは他の全ての実施例にも当てはまる。粒子のためのマトリクスを形成する注型材料4のポリマーは例えばシリコーン、エポキシ、又は、シリコーンとエポキシのハイブリッド材料である。反射性の粒子は例えば、酸化アルミニウム又は酸化チタンのような酸化金属、又は、フッ化カルシウムのようなフッ化金属、又は、酸化ケイ素から製造されているか、もしくはそれらの材料から成るものである。粒子の平均直径、例えばQ0での中位径d50は有利には0.3μm以上5μm以下である。注型材料4全体における粒子の重量割合は有利には5以上50以下、特に10以上30以下である。粒子は、有利にはそれ自体が白色であることに起因して、及び/又は、マトリクス材料との屈折率の差に起因して反射性に作用する。図2には、半導体モジュール1のための半導体チップ3の概略的な側面図が示されている。半導体モジュール1の全ての実施例において、図2Aから図2Eに示されている半導体チップ3を同様に使用することができる。図2Aによる半導体チップ3は、半導体積層体32における放射主面30上に二つの電気的な接続領域7bを有している。半導体チップ3の水平方向の境界面は放射主面30に対して実質的に垂直に配向されている。基板34は例えばサファイア基板である。図2Bによれば、基板34は、直径が低減されている土台領域と、直径が拡大されている頭部領域とを有しており、また頭部領域に半導体積層体32が被着されている。電気的な接触接続は、半導体チップ3の相互に対向する主面上の接続領域7bを介して行なわれる。図2Cによる半導体チップ3においては、複数の接続領域7が半導体積層体32における放射主面30上に設けられている。放射主面から離れる方向において、半導体チップ3の幅は縮小されている。例えば半導体チップ3は角錐台状に成形されている。図2Dによる半導体チップ3では、図2Cにおける半導体チップとは異なり、接続領域7bが半導体チップ3の相互に対向する主面上に設けられている。図2Bから図2Dによる半導体チップ3の基板34は特に炭化ケイ素基板である。図2Eにおいては、半導体チップ3の半導体積層体32に二つより多い接続領域7bが設けられている。図2Eによる半導体チップ3は、図2Eには図示してない支持体2と基板34との間に半導体積層体32が存在するように支持体2に実装するために構成されている。放射主面30は、基板34の半導体積層体32側とは反対側の主面によって形成されている。図3による実施例においては、反射性の注型材料4が、図1とは異なり、空所25の水平方向の境界面に関して湿潤性に作用する。このことから、注型材料4によって放物面状の反射器が空所25内に実現されている。変換手段6の層厚は、注型材料4全体にわたりほぼ一定である。図4による半導体モジュール1の実施例においては、電気的な接続部品5が変換手段6及び注型材料4内に完全に埋設されている。接続部品5は変換手段6から突出していない。図1及び図3においても、注型材料4並びに半導体チップ3は支持体上面20から離れる方向において、変換手段6によって完全に覆われているか、又は、変換手段6及び接続部品5によって完全に覆われている。選択的に、変換手段6が補助注型材料8によって特に完全に覆われていることも考えられ、その場合、補助注型材料8は空所25からは突出しない。補助注型材料8を透明且つ透過性にすることができるか、又は、補助注型材料8はフィルタ手段及び/又は拡散体を含有することができ、これは他の全ての実施例にも当てはまる。図5による半導体モジュール5の実施例においては、補助注型材料8がレンズとして成形されている。変換手段6は小型プレートとして構成されており、また放射主面30に限定されている。図5に示されているものとは異なり、変換手段6が接続部品5のための欠落部又は開口部を有することもできる。支持体上面20上の電気的な接続領域7は、反射性の注型材料4によって、動作時に半導体チップ3において形成されて半導体チップ3から出力される放射からは遮蔽されている。これによって、接続領域7は半導体チップ3において形成された放射を吸収する材料を含むことができる。例えば、接続領域7は腐食耐性のある金又は金合金を有することができる。選択的に、半導体チップ3と支持体上面20との間にミラー10を設けることも可能であり、これは他の全ての実施例にも当てはまる。例えば、ミラー10は反射性の金属、例えば銀を含むことができるか、又は反射性の金属から成るものである。択一的又は付加的に、ミラー10は少なくとも部分的に全反射による反射を行なうことができる。図6には、支持体2が空所を有しておらずに面平行なプレートとして形成されている、半導体モジュール1の実施例が示されている。変換手段6は小型プレートとして構成されており、また放射主面30上に被着されている。接続領域7は変換手段6によっては覆われていない。注型材料4は支持体上面20から離れる方向において変換手段6と面一に終端している。水平方向においては、変換手段6の周囲は注型材料4と直接的に接触している。接続領域7は注型材料4によって完全に覆われている。図6に示されているものとは異なり、接続部品5が支持体上面20から離れる方向において注型材料4から突出せずに、注型材料4内に完全に埋設されていることも考えられる。図7による実施例においては、接続部品5がコーティングによって半導体チップ3上に直接的に形成されている。変換手段6を貫通する、接続部品5と半導体チップ3との間のスルーコンタクトは図7において図示していない。電気的な短絡を回避するために、半導体チップ3は有利には少なくとも水平方向の境界面において絶縁層を有している。図6及び図7によれば、支持体2から離れる方向において、半導体チップ3並びに変換手段6及び注型材料4には補助注型材料8が続いている。補助注型材料8はレンズとして形成されている領域を有しており、この領域は補助注型材料8の一部にわたり延在しているか図6を参照されたい、又は補助注型材料8の全体にわたり延在している図7を参照されたい。半導体モジュール1の別の実施例が図8Aにおいては断面図で示されており、また図8Bにおいては平面図で示されている。水平方向において、接続部品5と半導体チップ3との間には注型材料4の一部が設けられている。即ち、水平方向における半導体チップ3と接続部品5との間の絶縁は注型材料4によって行なわれる。接続部品5は直接的に注型材料4上並びに変換手段6上に被着されており、またスルーコンタクトを介して半導体チップ3及び支持体2と電気的に接続されている。図9による実施例においては、注型材料4が半導体積層体32にまでは達していない。変換手段6は大容量の注型材として構成されており、また有利には100μm以上500μm以下の厚さを有している。図9に示されているものとは異なり、変換手段6が空所25から突出していても良い。図10による実施例においては、変換手段6が支持体2の空所25を完全に充填しており、且つ、支持体上面20から離れる方向において支持体2と面一に終端している。図11によれば、変換手段6が層として直接的に放射主面30上に被着されているか、又は小型プレートとして直接的に、図示していない接続手段を介して、特に接着されて、放射主面30に被着されている。半導体チップ3も変換手段6も、支持体2から離れる方向において、完全に注型材料4によって覆われている。換言すれば、半導体チップ3及び変換手段6の周囲は支持体2及び注型材料4によって完全に包囲されている。変換手段6の上方の注型材料4の層厚は有利には薄く、例えば最大で50μmであり、それにより半導体チップ3からの放射並びに、変換手段6からの変換された放射を、放射主面30上方の領域において半導体モジュール1から放出させることができる。図12A並びに図12Bにおいては、注型材料が設けられていないモジュールが示されている。半導体モジュール1は静電放電に対する保護のための保護ダイオード9を有することができ、これは他の全ての実施例にも当てはまる。図13においては、注型材料4が設けられている、図12A及び図12Bによる半導体モジュール1が示されている。注型材料4によって接続部品5は完全には覆われておらず、保護ダイオードは注型材料4内に埋設されている。同様に、半導体チップ3並びに変換手段6は注型材料4によって覆われていない。注型材料4は半導体チップ3の周囲を包囲し、空所の境界壁にまで達している。図14においては、図12によるモジュールに関する放射強度Iと放出角度αの関係曲線Aを参照されたいと、図13による半導体モジュール1に関する放射強度Iと放出角度αの関係曲線Bを参照されたいとが示されている。反射性の注型材料4によって、半導体モジュール1は、注型材料が設けられていない同一のモジュールに比べて狭い放出角度領域を有している。図15においては、任意の単位の光束Φと、CIE色度図の色座標cxとの関係が示されている。曲線Aは注型材料が設けられていないモジュールに対応し、曲線Bは注型材料4が設けられている半導体モジュール1に対応する。光束Φは曲線Bにおいて数パーセント点分だけ曲線Aに比べて高められている。即ち、注型材料4によって半導体モジュール1の効率を高めることができる。上記において説明した本発明は、実施例に基づいた説明によって制限されるものではない。むしろ本発明は新規の特徴、並びに、とりわけ特許請求の範囲に記載されている複数の特徴の組み合わせを内容とする、複数の特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、このことはその特徴又はその組み合わせ自体が明示的に特許請求の範囲又は実施例に記載されていない場合にも当てはまる。本明細書は、ドイツ連邦共和国特許明細書1020100272531の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により含まれるものである。"