"微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、帯状の一方の凹凸構造領域上、又は、該凹凸構造が後に形成される領域上に、一時的なマスキングするためのレジスト部をパターン形成する工程を備え、前記レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を0.05質量以上1.0質量以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記乾燥工程における前記レジストの残留溶剤が0.05質量以上0.8質量以下である請求項1に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジストの残留溶剤として、酢酸ブチルを1とした場合の蒸発速度が1以下の溶剤を含む請求項1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジストの残留溶剤として、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される1種以上を含む請求項1から3のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジストの残留溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む請求項1から4のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記乾燥工程における前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの残留量が0.4質量以下である請求項5に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジスト部の膜厚が1μm以上10μm以下である請求項1から6のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記レジストが、スチレン-マレイン酸系樹脂を含む請求項1から7のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。前記乾燥工程を10°Cから30°Cで10時間以上行う請求項1から8のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。このように、パターン位相差フィルムでは、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要がある。このような、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法として、例えば、図1から図2に示す方法が検討されている。この方法は、具体的には、図1aに示す無機材料からなる第1層の表面に、図1bに示すように第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図1cに示すように第1層の第1凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図2dに示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成する第2層形成工程と、図2eに示すように第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図2fに示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を剥離するレジスト剥離工程とからなる。すなわち、帯状のレジスト部の形成によって一方の凹凸構造領域将来凹凸構造領域が形成される領域でもよいを一時的にマスキングし、その後にレジスト部を剥離することによって異なる凹凸構造領域を帯状に交互に配列させる方法である。本発明等は、このレジストのパターニング精度を向上させるために、レジストの残留溶剤量の調整が有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。なお、レジスト中の残留溶剤を検討した従来技術としては、例えば特許文献2や特許文献3が存在するが、特許文献2は感光性平版印刷版に関するものであり、特許文献3はシリコンウエハのリソグラフィーに用いられる膜厚500nmのレジスト層に関するものであり、いずれも用途、目的が異なるものである。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。1微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第1凹凸構造領域と、前記第1凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第2凹凸構造領域とが交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、帯状の一方の凹凸構造領域上、又は、該凹凸構造が後に形成される領域上に、一時的なマスキングするためのレジスト部をパターン形成する工程を備え、前記レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を0.05質量以上1.0質量以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。2前記乾燥工程における前記レジストの残留溶剤が0.05質量以上0.8質量以下である1に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。3前記レジストの残留溶剤として、酢酸ブチルを1とした場合の蒸発速度が1以下の溶剤を含む1又は2に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。4前記レジストの残留溶剤として、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される1種以上を含む1から4のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。5前記レジストの残留溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む1から5のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。6前記乾燥工程における前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの残留量が0.4質量以下である6に記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。7前記レジスト部の膜厚が1μm以上10μm以下である1から7のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。8前記レジストが、スチレン-マレイン酸系樹脂を含む1から8のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。9前記乾燥工程を10°Cから30°Cで10時間以上行う1から9のいずれかに記載の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。本発明によれば、3次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。図面を用いて本発明を具体的に説明する。図1及び図2は、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程aからfで構成されている。具体的には、図1aに示す無機材料からなる第1層の表面に、図1bに示すように第1凹凸構造領域を形成する第1研磨工程と、図1cに示すように第1層の第1凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図2dに示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第2層膜を形成する第2層形成工程と、図2eに示すように第2層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第2凹凸構造領域を形成する第2研磨工程と、図2fに示すようにレジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。<第1研磨工程>図1a及び図1bに示すように、第1層10の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第1凹凸構造領域12を形成する。第1層10は基材の最表層として存在する無機材料層である。無機材料としては、後述する第2層を剥離除去可能に積層できるものであれば特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の金属材料;SiO2、SiOx、Al2O3、GeO2、TiO2、Cr2O3、ZrO3、Ta2O5、Nb2O3等の無機酸化物;Si3N4、AlN等の無機窒化物;SiOxNy等の無機酸化窒化物;SiC等の無機炭化物;DLCダイヤモンドライクカーボン等を挙げることができ、なかでも、後述する第2層や第3層を剥離除去可能に積層できる観点から、金属材料、DLC等であることが好ましく、チタン、ニッケル、クロム、DLCであることがより好ましい。第1凹凸構造領域12は、第1層10の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により3次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~500nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~100nmの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、1nm~500nmの範囲内であることが好ましく、なかでも、1nm~100nmの範囲内であることがより好ましく、特に、1nm~50nmの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね1nm~1000nmの範囲内であることが好ましく、なかでも1nm~100nmの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法ブラシグレイニング法、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。第1層10がDLCのような硬い基材表面の場合には、テープ研磨法、ペーパー研磨であることが好ましいが、本発明においては第1層10をクロムやニッケルのような金属材料とすることもできるので、この場合にはラビンク法も好ましく用いられる。<第2層形成工程>まず、図1cに示すように、第1凹凸構造領域12が形成された第1層10の表面に帯状の第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成する。レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜図示せずを形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第1レジスト部31と非レジスト部32とをパターン形成することができる。本工程に用いられるレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料光照射部分が溶解するものおよびネガ型レジスト材料光照射部分が固まるもののいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。なかでも、レジスト剥離工程におけるレジスト剥離の容易さ、溶解容易性、ポットタイム可使時間の観点からポジ型レジスト材料であることが好ましい。レジスト材料は、化学増幅レジスト、非化学増幅レジストいずれも使用可能であるが、後述する残留溶剤との関係から親水性のものをなるべく含まないレジストであることが好ましい。ポジ型レジストとしては、スチレン-マレイン酸系樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリビニルフェノール系樹脂、ノボラック樹脂などのベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸の作用により解離する基で置換した樹脂が例示できる。ネガ型のレジストとしては、上記のベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸や光により重合する基で置換した樹脂が例示できる。スチレン-マレイン酸系樹脂を含むポジ型レジストとしては、例えば、WO2005/001576号国際公開公報に記載の、スチレン/マレイン酸系共重合体のように分子中に少なくとも1つのカルボキシル基を有する高分子物質、及び、露光光源の赤外線を吸収して熱に変換する光熱変換物質赤外線吸収色素、を含有するポジ型感光性組成物などが例示できる。ここで、スチレン/マレイン酸系共重合体は、スチレン系単量体と、無水マレイン酸との共重合物であるスチレン/無水マレイン酸系共重合体に、水アルコールなどの水酸基を有する化合物を反応させて部分エステル化させて得ることができる。このスチレン/マレイン酸系共重合体は公知であり、例えば、SARTOMER社製の商品名SMA1140などを使用できる。レジスト材料は溶剤を含む組成物であり、レジスト組成物は、通常、前記各成分を溶剤に溶解させ、この溶液を必要に応じて濾過することにより調製することができる。ここで用いられる溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、アセトン、エチルメチルケトンMEK、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒;メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、γ-ブチロラクトン、3-メトキシプロピオン酸メチルなどのエステル系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系溶媒;ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒や、溶解性向上のためこれらにジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアルデヒド、N-メチルピロリジノン等を添加した混合溶媒を用いることができる。また、メチルプロピオン酸メチル等のプロピオン酸誘導体、乳酸エチル等の乳酸エステル類や、PGMEAプロピレングリコールモノエチルアセテート等も、低毒性であり好ましく用いられ得る。さらにイソプロピルアルコールIPA、エチルアルコール、メチルアルコールMeOH、nブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、イソブチルアルコールなどの脂肪族アルコールや、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒が含有されていても構わない。なお本発明において、このような溶媒は単独または2種以上を混合して用いることができる。本発明のレジスト材料に用いられる溶剤としては、酢酸ブチルを1とした場合の蒸発速度が1以下の溶剤を含むことが好ましい。露光現像後の洗浄リンス工程において水を用いる場合、特に蒸発速度が低いこれらの溶剤は残留し易く、更に、この溶剤が水との相溶性が高いと、レジスト中に入り込んで剥離や膨潤を起しやすくなり、結果として端部の欠けなどの欠陥に繋がる。このため、これらの溶剤を含む場合に特に残留溶剤を制限することで、レジストパターンの欠陥を防止できる。このような溶媒としては、水酸基を有する多価アルコール、水酸基を有する多価アルコールエーテル、水酸基を有する多価アルコールエステルより選択される1種以上が例示でき、より具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコール系溶媒である。上記レジスト材料を塗工してレジスト膜を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。そして、本発明においては、レジスト部のパターン形成において、レジストの塗布後で露光前に、前記レジストの残留溶剤を0.05質量以上1.0質量以下、好ましくは0.8以下とする乾燥工程を備えることを特徴とする。0.05質量未満では乾燥によるクラックが発生し易くなるので好ましくなく、1.0質量を超えるとレジスト部の端部の剥離により欠けが顕著になるので好ましくない。なお、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含有する場合、その残留量が0.4質量以下であることが好ましく、0.3質量以下であることがより好ましい。残留溶剤の調整は、従来公知の乾燥工程を用いればよいが、本発明においては、10°Cから30°C、好ましくは15°Cから25°Cで、10時間以上、好ましくは20時間以上のいわゆる室温乾燥が乾燥ムラや溶剤の蒸発を阻害しうる皮膜形成を抑制できる観点から好ましい。上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。このようにして形成されたレジスト部31の膜厚は1μm以上10μm以下が好ましい。1μm未満であると膜厚ムラが大きく、レジスト色の濃淡の違いで線幅のバラツキが大きくなること、また後述する2層目の研磨ラビング工程において、レジスト膜下にある1層目チタン膜へレジストを突き抜けて傷つけてしまうため好ましくなく、10μmを超えると露光時の減衰が大きくなりレジストの深い部分が露光不足となったり、近在する2層目間の段差が大きく図2dの隣接する第2層膜20間の段差、図2eにおいて高さが低い2層目へラビング布の毛の先端が入りにくくなり、後述する液晶の塗工時に、液晶が一方向に配向する領域が狭くなるため好ましくない。次いで、図2dに示すように、レジスト部31及び非レジスト部32上に、無機材料の第2層膜20が、好ましくは0.01μm以上1μm以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部32の凹部内に第2層膜20からなる第2層パターンが形成される。この第2層膜20の膜厚が0.01μm未満であると第1層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第1層の微小な凹凸と第2層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、1μmを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法PVD、気相成長法CVD法、めっき法、塗布法等を挙げることができる。無機材料としては、上記の第1層10と同じでもよく、異なっていてもよいが、層間の密着性や生産性の観点から同一の無機材料を用いることが好ましい。具体的には、第1層/第2層膜を、チタン/チタン、DLC/DLC、クロム/クロム、ニッケル/ニッケルなどの構成とすることが好ましい。なお、特に同一材料にこだわる必要は無く、DLC/Ni、DLC/Cr、Cr/Ni、Ni/Crであってもよい。<第2研磨工程>次に、図2eに示すように、第2層膜20の全面、すなわちレジスト部31及び非レジスト部32上の第2層膜20の表面を、第1凹凸構造領域12aと異なる方向に研磨して、第2層パターン21の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第2凹凸構造領域21aを形成する。この工程は、研磨方向が第1凹凸構造領域12aと異なる方向である点を除いては、基本的に図1bで説明した上記の第1研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図1bの第1研磨工程と、図2eの第2研磨工程とでは、XY平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ135度及び45度であり90度異なる場合図2fのθ1=135度、θ2=45度参照を示しているが、これに限らず、例えば45度異なっていてもよい。なお、θ1=0度、θ2=90度であってもよい。最後に、図2fに示すように、この状態でアルカリ処理や溶剤処理などによりレジスト部31を剥離する。このとき、レジスト部31上に形成される第2層膜20も併せて除去されて第1層10上の第1凹凸構造領域12aが形成されると共に表面に第2凹凸構造領域21aが形成された第2層パターン21が残り、3次元表示用パターン配向膜用原版100が得られる。図2fに示すように、この3次元表示用パターン配向膜用原版100は平面視Aにおいては、第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとが帯状交互に形成されている。また、断面視Bにおいては第1層10上に、第2層パターン21が凸部として存在して、第2層パターン21の膜厚h分の段差が形成されている。<パターン配向膜/パターン位相差フィルム>このようにして得られた3次元表示用パターン配向膜用原版100は、図3に示すように、TACトリアセチルセルロースやCOP環状オレフィン樹脂やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム110上に、従来公知のUV硬化樹脂などの賦型樹脂120を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、3次元表示用パターン配向膜用原版100の第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面121に転写され、その後UV硬化させる。これによりパターン配向膜150が得られる。さらに、図4に示すように、この賦型樹脂表面121上には重合性の液晶化合物160が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム200が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。例えば、上記実施形態の説明は、第1凹凸構造領域12aと第2凹凸構造領域21aとで段差を有する版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、第1凹凸構造領域と第2凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法でも適用可能である。また、例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図1、図2に示す工程aからfを、最表面に第1層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。[試験例1]<第1研磨工程>図1ab:円筒状の基材の最表面クロム層5μm第1層の円周方向に対し、円筒の円周方向から45度方向でラビング処理し、全面に第1凹凸構造領域を形成した。<第2層形成工程>レジスト材料として、上記のスチレン-マレイン酸系樹脂及び赤外線吸収色素を含むポジ型レジストを、固形分5となるように下記の溶剤で希釈した。PGME蒸発速度0.75:40質量MeOH蒸発速度6.1:20質量MEK蒸発速度4.52:20質量IPA蒸発速度1.59:20質量円周方向に対し上記のレジストをコーティングし、15°Cから25°Cで所定時間乾燥した本発明における乾燥工程。その際の、全溶剤合計の残留溶剤量、及びそれぞれの溶剤の残留量を図6に示す。図6の横軸の乾燥時間において、表1に示すように表中の数値は質量である、1時間残留溶剤1.89質量、PGME残留量1.35質量及び3時間残留溶剤1.31質量、PGME残留量0.82質量の乾燥後のものが、それぞれ比較例1、2であり、16時間残留溶剤0.69質量、PGME残留量0.26質量、24時間残留溶剤0.61質量、PGME残留量0.18質量、40時間残留溶剤0.43質量、PGME残留量0.08質量、48時間残留溶剤0.54質量、PGME残留量0.08質量の乾燥後のものが、それぞれ実施例1から4である。その後、実施例及び比較例について、赤外線レーザー露光方法で360μm幅の平行な帯状にパターンを形成し、アルカリ溶液にて現像処理を行い、その後、洗浄として水にてレジストの残渣を除去することにより、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。このとき、レジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。図1d:第1レジスト部及び非レジスト部に、第2層膜として高さ0.1μmのクロム層をスパッタリングで形成した。<第2研磨工程>図2e:第2層膜の全面を、円筒の円周方向から135度方向にラビング処理して第2凹凸構造領域を形成した。<レジスト剥離工程>図2f:レジスト部及び該レジスト部上の第2層膜を、MEK,IPA,メタノールの混合溶剤で剥離して、第1凹凸構造領域及び第2凹凸構造領域を360μmピッチで交互に形成し、本発明の3次元表示用パターン配向膜用原版を得た。<パターン配向膜の作製>透明フィルム基材として60μmのTACに、希釈溶剤としてMEKとMIBKとが質量比4対1で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分45、2500mPasのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み8μmとなるようにコーティングし、溶剤を80°Cで30秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで1000MPacmの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材パターン配向膜を得た。得られたパターン配向膜表面を原子間力顕微鏡AFMを用いて、表面の凹凸形状を測定したところ、微小なライン状凹凸構造の周期ピッチは、ほぼ5nm~500μmの範囲内でランダムに分布していた。また、微小なライン状凹凸構造の高さは1nm~100nmの範囲内であり、幅は5nm~500nmの範囲内であった。このように、実施例1ではパターン配向膜を容易に形成できることが確認できた。[試験例2]レジストの溶剤をPGME:MeOH=50:50とし、円筒状の基材の最表面層及び第2層膜をニッケル層とした以外は、試験例1と同様の試験を行なった。第2層形成工程においては、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをニッケル層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図7、表2に示す。試験例1と同じく、乾燥時間1時間と3時間が、それぞれ比較例3、4であり、乾燥時間16時間、24時間、40時間、48時間が、それぞれ実施例5から8である。この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。[試験例3]レジストの溶剤をPGME:MEK=70:30とし、円筒状の基材の最表面層及び第2層膜をチタン層とした以外は、試験例1と同様の試験を行なった。第2層形成工程においては、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをチタン層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図8、表3に示す。試験例1と同じく、乾燥時間1時間と3時間が、それぞれ比較例5、6であり、乾燥時間16時間、24時間、40時間、48時間が、それぞれ実施例9から12である。この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。[試験例4]レジストの溶剤をPGME=100とし、円筒状の基材の最表面層及び第2層膜をクロム層とした以外は、試験例1と同様の試験を行なった。第2層形成工程においては、360μm幅の非レジスト部と、360μmピッチで高さ5μmの第1レジスト部とをクロム層上に交互に形成した。その際の乾燥工程における残留溶剤の結果を図9、表4に示す。試験例1と同じく、乾燥時間1時間と3時間が、それぞれ比較例7、8であり、乾燥時間16時間、24時間、40時間、48時間が、それぞれ実施例13から16である。この場合においても、パターン形成後のレジスト形状を目視で観察したところ、残留溶剤の低い実施例では欠けが見つからなかったが、残留溶剤の高い比較例においてはレジストのストライプパタン切れやレジストの端部に欠けなどの欠陥が発生していた。"