"走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、書込み期間と維持期間と消去期間とを有するサブフィールドを複数用いて1つのフィールドを構成するとともに駆動電圧波形を発生して前記プラズマディスプレイパネルの各電極に印加する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、前記駆動回路は、前記消去期間において、直前の書込み期間で書込み放電を発生した放電セルのみで選択的に消去放電を発生させて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するとともに、前記維持期間において前記走査電極に印加する維持パルスの低圧側電圧から前記データ電極に印加する電圧を減じた電圧を第1の電圧とし、前記維持期間において前記走査電極に印加する前記維持パルスの高圧側電圧から前記データ電極に印加する電圧を減じた電圧を第2の電圧とし、前記書込み期間において前記走査電極に印加する走査パルスの低圧側電圧から前記データ電極に印加するデータパルスの低圧側電圧を減じた電圧を第3の電圧とするとき、前記第1の電圧から前記第3の電圧を減じた電圧が、前記データ電極を陽極とし前記走査電極を陰極とする放電開始電圧以上であり、前記第2の電圧から前記第3の電圧を減じた電圧が、前記データ電極を陽極とし前記走査電極を陰極とする放電開始電圧と前記データ電極を陰極とし前記走査電極を陽極とする放電開始電圧との和を超えない電圧に設定し、前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、前記前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、前記保護層は、下地層と前記下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、前記金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、前記金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長200nmから300nmの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの60以上、100未満の強度である、プラズマディスプレイ装置。請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置であって、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの80以上、100未満の強度である、プラズマディスプレイ装置。しかしながら、特許文献1および特許文献2に記載の駆動方法であっても強制初期化動作を行うため、階調表示に関係しない発光が発生する。これは黒を表示する放電セルであっても発光が発生することを意味しており、そのためコントラストの向上には限界があった。また、強制初期化動作には、続く書込み期間において書込み放電を発生させるために必要な壁電荷を蓄積する働きがあり、加えて放電遅れ時間を短くして書込み放電を確実に発生させるためのプライミングを発生するという働きも持っている。そのため単純に強制初期化動作を省略すると、書込み放電が発生しない、あるいは書込み放電の放電遅れ時間が長くなりすぎて書込み動作が不安定となり、正常な画像表示ができなくなるという課題があった。本発明は、強制初期化動作を使用しなくても、安定した書込み動作を行い、コントラストを向上させたプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、走査電極と維持電極とデータ電極とを有する放電セルを複数備えたパネルと、書込み期間と維持期間と消去期間とを有するサブフィールドを複数用いて1つのフィールドを構成するとともに駆動電圧波形を発生してパネルの各電極に印加する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、駆動回路は、消去期間において、直前の書込み期間で書込み放電を発生した放電セルのみで選択的に消去放電を発生させてパネルを駆動するとともに、維持期間において走査電極に印加する維持パルスの低圧側電圧からデータ電極に印加する電圧を減じた電圧を第1の電圧とし、維持期間において走査電極に印加する維持パルスの高圧側電圧からデータ電極に印加する電圧を減じた電圧を第2の電圧とし、書込み期間において走査電極に印加する走査パルスの低圧側電圧からデータ電極に印加するデータパルスの低圧側電圧を減じた電圧を第3の電圧とするとき、第1の電圧から第3の電圧を減じた電圧が、データ電極を陽極とし走査電極を陰極とする放電開始電圧以上であり、第2の電圧から第3の電圧を減じた電圧が、データ電極を陽極とし走査電極を陰極とする放電開始電圧とデータ電極を陰極とし走査電極を陽極とする放電開始電圧との和を超えない電圧に設定し、プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備え、前面板は、電極と誘電体層と保護層とを有し、保護層は、下地層と下地層の上に形成された金属酸化物とを含み、金属酸化物は、金属酸化物粗粒子が粉砕されたものであり、金属酸化物と前記金属酸化物粗粒子とは、波長200nmから300nmの範囲にフォトルミネッセンスのピークがあり、前記金属酸化物のピークは、前記金属酸化物粗粒子のピークの60以上、100未満の強度である。この構成により、書込み動作を安定に発生させつつ強制初期化動作を省略して、階調表示に関係しない発光をなくし、コントラストを大幅に向上したプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。本発明によれば、強制初期化動作を使用しなくても、安定した書込み動作を行い、コントラストを向上させたプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル10の分解斜視図である。ガラス製の前面基板21上には、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対24が複数形成されている。そして表示電極対24を覆うように誘電体層25が形成され、その誘電体層25上に保護層26が形成されている。保護層26は、放電を発生しやすくするために、電子放出性能の高い材料である酸化マグネシウムを用いて形成されている。背面基板31上にはデータ電極32が複数形成され、データ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形成されている。そして、隔壁34の側面および誘電体層33上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層35が設けられている。赤の蛍光体としては、例えばY,GdBO3:Euを、緑の蛍光体としては、例えばZn2SiO4:Mnを、青の蛍光体としては、例えばBaMgAl10O17:Euをそれぞれ主成分とする蛍光体を用いている。これら前面基板21と背面基板31とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対24とデータ電極32とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンとの混合ガスが封入されている。放電空間は隔壁34によって複数の区画に仕切られており、表示電極対24とデータ電極32とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。なお、パネル10の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。図2は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル10の電極配列図である。パネル10には、行方向に長いn本の走査電極SC1~走査電極SCn図1の走査電極22およびn本の維持電極SU1~維持電極SUn図1の維持電極23が配列され、列方向に長いm本のデータ電極D1~データ電極Dm図1のデータ電極32が配列されている。そして、1対の走査電極SCii=1~nおよび維持電極SUiと1つのデータ電極Djj=1~mとが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にm×n個形成されている。次に、パネル10を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち1フィールドを複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光非発光を制御することによって画像を表示する。本実施の形態においては、それぞれのサブフィールドは、書込み期間、維持期間および消去期間を有する。本実施の形態においてはそれまでの放電の有無にかかわらず強制的に初期化放電を発生させる強制初期化動作を行わない。書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する書込み動作を行う。維持期間では、サブフィールド毎にあらかじめ決められた輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる維持動作を行う。なお、発光輝度を低く抑えるために維持期間を省略してもよい。消去期間では、直前の書込み期間において書込み放電を発生した放電セルのみで選択的に消去放電を発生し、書込み放電またはそれに続く維持放電で形成された壁電荷の履歴を消去し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する消去動作を行う。サブフィールド構成としては、例えば、1フィールドを10のサブフィールドSF1、SF2、、SF10に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、1、2、3、6、11、18、30、44、60、80の輝度重みを持つものとする。しかし、本発明は上記のサブフィールド数、輝度重み等のサブフィールド構成に限定されるものではない。図3は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置の各電極に印加する駆動電圧波形図である。SF1の書込み期間では、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを、維持電極SU1~維持電極SUnには電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vcを印加する。次に、1行目の走査電極SC1に電圧Vaの走査パルスを印加するとともに発光すべき放電セルに対応するデータ電極Dkに電圧Vdの書込みパルスを印加する。するとデータ電極Dk上と走査電極SC1上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差Vd-Vaにデータ電極Dk上の正の壁電圧が加算され、放電開始電圧VFdsを超えるためデータ電極Dkと走査電極SC1との間で放電が発生する。そしてデータ電極Dkと走査電極SC1との間で発生した放電が走査電極SC1と維持電極SU1との間に伸展して書込み放電が起こる。そして走査電極SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。ここで電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。このようにして、1行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Dhと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧VFdsを超えないので、書込み放電は発生しない。次に、2行目の走査電極SC2に走査パルスを印加するとともに、発光すべき放電セルに対応するデータ電極Dkに書込みパルスを印加する。するとデータ電極Dkと走査電極SC2との間および維持電極SU2と走査電極SC2との間で書込み放電が起こり、走査電極SC2上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU2上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、2行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Dhと走査電極SC2との交差部の電圧は放電開始電圧VFdsを超えないので、書込み放電は発生しない。以下、n行目の走査電極SCnに至るまで同様の書込み動作を行い、続く維持放電に必要な壁電荷を形成する。ここで、以下の説明のために、第1の電圧V1、第2の電圧V2、第3の電圧V3を、図4に示すように定義する。後述する維持期間において走査電極SCiに印加する維持パルスの低圧側電圧からデータ電極Djに印加する電圧を減じた電圧を第1の電圧V1とし、維持期間において走査電極SCiに印加する維持パルスの高圧側電圧からデータ電極Djに印加する電圧を減じた電圧を第2の電圧V2とし、書込み期間において走査電極SCiに印加する走査パルスの低圧側電圧からデータ電極Djに印加するデータパルスの低圧側電圧を減じた電圧を第3の電圧V3とする。さらに、データ電極Djを陽極とし走査電極SCiを陰極とする放電開始電圧を放電開始電圧VFdsとし、データ電極Djを陰極とし走査電極SCiを陽極とする放電開始電圧を放電開始電圧VFsdとする。なお、データ電極Djを陽極とし走査電極SCiを陰極とする放電とは、放電が発生するときの放電セル内の電界が、データ電極Dj側が高電位側、走査電極SCi側が低電位側となる放電である。またデータ電極Djを陰極とし走査電極SCiを陽極とする放電とは、放電が発生するときの放電セル内の電界が、データ電極Dj側が低電位側、走査電極SCi側が高電位側となる放電である。そして走査電極SCi側には電子放出性能の高い酸化マグネシウムの保護層26が形成されているため、放電開始電圧VFdsは放電開始電圧VFsdよりも低くなる。このとき走査電極SCiに印加する走査パルスの電圧Vaは、次の2つの条件条件1、条件2を満たすように設定されている。条件1全ての放電セルに対して、第1の電圧V1から第3の電圧V3を減じた電圧が、データ電極Djを陽極とし走査電極SCiを陰極とする放電開始電圧VFds以上、すなわち、V1-V3≧VFdsを満たす。条件2全ての放電セルに対して、第2の電圧V2から第3の電圧V3を減じた電圧が、データ電極Djを陽極とし走査電極SCiを陰極とする放電開始電圧VFdsとデータ電極Djを陰極とし走査電極SCiを陽極とする放電開始電圧VFsdとの和を超えないこと、すなわち、V2-V3≦VFdsVFsdを満たす。書込み期間の後に続くSF1の維持期間では、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vsの維持パルスを印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極SCi上と維持電極SUi上との電圧差が電圧Vsに走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧との差を加算したものとなり走査電極SCiと維持電極SUiとの間の放電開始電圧VFssを超える。そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。一方、書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化動作の終了時における壁電圧が保たれる。続いて、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧0Vを印加するとともに維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Vsの維持パルスを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは再び維持放電が起こり、蛍光体層35が発光する。そして維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1~走査電極SCnと維持電極SU1~維持電極SUnとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を継続して発生させる。続くSF1の消去期間では、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnには電圧Vrまで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。なお本実施の形態においては電圧Vrは電圧Vsと同じ電圧に設定されている。すると維持放電を行った放電セル維持期間が省略されている場合は書込み放電を行った放電セルでは走査電極SCiと維持電極SUiとの間で微弱な消去放電が発生する。そして走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。その後、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnには電圧0Vから電圧Viに向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。なお電圧Viは、走査パルスの電圧Vaと等しいか電圧Vaよりわずかに高い電圧に設定されている。すると、微弱な消去放電を発生した放電セルで再び微弱な放電が発生し、走査電極SCi上、維持電極SUi上の壁電圧、およびデータ電極Dk上の壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。このようにして消去動作が完了する。続くSF2~SF10における動作は、維持パルス数を除きSF1の動作と同様である。本実施の形態においては、電圧Viは-260V、電圧Vcは-145V、電圧Vaは-280V、電圧Vsは200V、電圧Vrは200V、電圧Veは20V、電圧Vdは60Vである。しかしこれらの電圧値は上述した値に限定されるものではなく、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様にもとづき最適に設定することが望ましい。なお、本実施の形態において用いたパネル10の放電開始電圧VFdsや放電開始電圧VFsdは、後述する方法により測定されており、それらの値は以下のとおりである。放電開始電圧は蛍光体によって異なり、赤の蛍光体を塗布した放電セルに対するデータ電極-走査電極間の放電開始電圧VFdsは200±10V、同放電開始電圧VFsdは320±10V、緑の蛍光体を塗布した放電セルに対するデータ電極-走査電極間の放電開始電圧VFdsは220±10V、同放電開始電圧VFsdは350±10V、青の蛍光体を塗布した放電セルに対するデータ電極-走査電極間の放電開始電圧VFdsは200±10V、同放電開始電圧VFsdは330±10Vであった。また、走査電極-維持電極間の放電開始電圧VFssは、赤および青の蛍光体を塗布した放電セルに対しては250±10V、緑の蛍光体を塗布した放電セルでは、280±10Vであった。本実施の形態においては、維持パルスの低圧側の電圧は電圧0V、維持期間においてデータ電極に印加する電圧は電圧0Vであるため、第1の電圧V1は電圧0Vである。また、走査パルスの低圧側は電圧Va、データパルスの低圧側電圧は電圧0Vであるため、第3の電圧V3は電圧Vaである。また、放電開始電圧VFdsの最大値は、ばらつきを考慮すると電圧230Vである。従って、第1の電圧V1-第3の電圧V3=-Va>VFdsの最大値、すなわち280V>230Vとなり、全ての放電セルで条件1を満足していることがわかる。また維持パルスの高圧側は電圧Vsであり、維持期間においてデータ電極に印加する電圧は電圧0Vであるため、第2の電圧V2は電圧Vsである。また、放電開始電圧VFsdと放電開始電圧VFdsとの和の最小値は電圧500Vである。従って、第2の電圧V2-第3の電圧V3=Vs-Va<VFdsVFsdの最小値、すなわち480V<500Vとなり、条件2についても全ての放電セルで満足していることがわかる。また、上記の電圧から明らかなように、走査電極には、走査パルスの低圧側電圧Va以上、維持パルスの高圧側電圧Vs以下の電圧を印加し、走査パルスの低圧側電圧Vaより低い電圧または維持パルスの高圧側電圧Vsを超える電圧を印加することはない。そのため書込み放電を行わなかった放電セルが発光することはない。また、上記の電圧から明らかなように、条件1を満たすように電圧Vaを低く設定すると、走査パルスの低圧側電圧Vaの絶対値|Va|は、維持パルスの高圧側電圧Vsの絶対値|Vs|よりも大きくなる。このように本実施の形態においては、各電極に印加する駆動電圧波形、特に走査パルスの電圧Vaを、条件1および条件2を満たすように設定することにより、強制初期化動作を使用しなくても、書込み動作を安定に発生させることができる。その理由は以下のように考えられる。まず、条件1について説明する。書込み放電を発生させるためには、データ電極Djと走査電極SCiとの間で放電を開始する必要がある。データ電極Djに比較的低い電圧Vdaを印加して放電を開始するためには、走査電極SCiに走査パルスを印加したときに放電開始電圧VFdsにほぼ等しい電圧がデータ電極Djと走査電極SCiとの間に印加されるように、データ電極Dj上に十分な正の壁電圧を蓄積しておかなければならない。上述したように本実施の形態においては強制初期化動作を行わず、黒を表示する放電セルでは放電を発生させない。そのため壁電圧を能動的に制御することができず、黒を表示する放電セルの壁電圧は不定となる。しかしながらこのような放電セルであっても放電空間内にわずかな荷電粒子が存在すれば、それらが放電空間内部の電界を緩和するように各々の電極に移動して放電セルの壁に付着して壁電圧を蓄積する。まず、このようにして蓄積される壁電圧について説明する。維持期間では維持放電を発生する放電セルで多量の荷電粒子が発生するので、これらが拡散することにより、維持放電を起こさずに黒を表示する放電セル内部の空間にもわずかながら荷電粒子が供給されていると考えられる。そして黒を表示する放電セルでは、走査電極SCi、維持電極SUiおよびデータ電極Djのそれぞれに印加される電圧により、電極間の電位差を緩和するようにゆっくりと壁電圧が蓄積されていく。このとき壁電圧が漸近する最終的に落ち着く電圧を放置壁電圧と定義すると、仮に走査電極SCiおよび維持電極SUiに交互に維持パルスを印加し続けた場合の放置壁電圧は維持パルスの高圧側電圧と低圧側電圧との間の電圧となる。実際には維持パルス以外の駆動電圧波形も印加されるので、各放電セルの放置壁電圧は概ね維持パルスの低圧側電圧に近いと考えてよい。また放置壁電圧は、放電セル内部に塗布されている蛍光体の帯電特性の影響を大きく受ける。本実施の形態においては、蛍光体の帯電特性はそれぞれ赤の蛍光体が20μC/g、緑の蛍光体が-30μC/g、青の蛍光体が10μC/gであり、緑の蛍光体のみ負電位に帯電する特性を持つため、赤および青の蛍光体に比べて放置壁電圧は低くなる。次に、書込み期間における放電セル内部の電圧について説明する。黒を表示する放電セルのデータ電極Dj上には概ね維持パルスの低圧側電圧またはそれよりも高い放置壁電圧に向かって徐々に壁電圧が蓄積される。一方、本実施の形態における走査パルスの電圧Vaは、条件1を満たす電圧である。そのため、データ電極Dj上には書込み放電を発生させるに十分な正の壁電圧が蓄積され、強制初期化動作を全く行わなくても書込み放電を発生させることができる。また黒を表示する放電セルの壁電圧はゆっくりと放置壁電圧に漸近し、消去期間においてデータ電極-走査電極間の電圧に壁電圧を加算した電圧が放電開始電圧に近づくと暗電流が流れ、データ電極Dj上の壁電圧を低下させる。そしてこのとき流れる暗電流が書込み放電を助けるプライミングの役割を果たすため、黒を表示していた放電セルであっても、大きな放電遅れを生じることなく安定した書込み放電を発生させることができると考えることができる。このように、条件1を満たすように各電極に印加する駆動電圧、特に条件1を満たすように走査パルスの電圧Vaを低く設定することにより、強制初期化動作を行うことなく、書込みに必要な壁電圧を蓄積することができ、かつ書込み放電を安定させるプライミングも発生させることができる。次に、条件2について説明する。走査パルスの電圧Vaを低くしすぎると、維持期間において走査電極SCnに維持パルスの電圧Vsを印加した時点で書込み動作の有無に関係なく放電が発生して画像を表示できなくなる。この誤放電を抑制するためには、維持パルスの電圧Vsを印加した時点でデータ電極-走査電極間の電圧が放電開始電圧VFsd以下となるように設定しなければならない。この条件が条件2である。このように本実施の形態においては、全ての放電セルで条件1および条件2を満たすように駆動電圧波形が設定されている。そのため書込み動作を安定に発生させつつ強制初期化動作を省略して、階調表示に関係しない発光をなくした画像表示が可能となる。次に、放電開始電圧VFsdと放電開始電圧VFds、および壁電圧は、例えばIEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES,VOL.ED-24,NO.7,JULY,1977MeasurementofaPlasmaintheACPlasmaDisplaypanelUsingRFCapacitanceandMicrowaveTechniquesに記載されている方法により測定できる。あるいは、以下のようにして簡易的に測定してもよい。放電開始電圧を簡易的に測定する方法の一例を図5を用いて説明する。まず壁電荷を消去する動作を行う。具体的には図5の壁電荷消去期間に示したように、予想される放電開始電圧よりも十分高いパルス状の電圧Versを、測定したい電極間、例えばデータ電極と走査電極とに交互に印加する。次に、放電開始を観測する。具体的には図5の測定期間に示したように、予想される放電開始電圧よりも低いパルス状の電圧Vmsrを一方の電極、例えばデータ電極に印加し、そのときの放電にともなう発光をフォトマル等の光検出センサを用いて検出する。放電が観測されない場合には、壁電荷消去期間で壁電荷を消去する動作を行った後、測定期間で電圧の絶対値を少しあげたパルス状の電圧Vmsrを印加して発光を観測する。この動作を繰り返し、測定期間において発光が観測される絶対値が最小の電圧Vmsrが放電開始電圧である。このとき測定期間で印加する電圧Vmsrを正の電圧とすると、データ電極を陽極とし走査電極を陰極とする放電開始電圧VFdsを測定することができる。また、測定期間で印加する電圧Vmsrを負の電圧とすると、データ電極を陰極とし走査電極を陽極とする放電開始電圧VFsdを測定することができる。放電開始電圧がわかれば、壁電圧が蓄積している放電セルに対して、放電が開始する電圧を測定し、その電圧値とあらかじめ測定した放電開始電圧との差として壁電圧を知ることができる。次に、パネル10を駆動するための駆動回路について説明する。図6は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置40の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置40は、パネル10とその駆動回路とを備え、駆動回路は、画像信号処理回路41、データ電極駆動回路42、走査電極駆動回路43、維持電極駆動回路44、タイミング発生回路45および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路図示せずを備えている。画像信号処理回路41は、入力された画像信号をサブフィールド毎の発光非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路42はサブフィールド毎の画像データを各データ電極D1~データ電極Dmに対応する書込みパルスに変換し各データ電極D1~データ電極Dmに印加する。タイミング発生回路45は垂直および水平同期信号をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路43は、タイミング信号にもとづいて上述した駆動電圧波形を発生し各走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれに印加する。維持電極駆動回路44は、タイミング信号にもとづいて上述した駆動電圧波形を発生し維持電極SU1~維持電極SUnに印加する。図7は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置40の走査電極駆動回路43の回路図である。走査電極駆動回路43は、維持パルス発生回路50と、傾斜波形電圧発生回路60と、走査パルス発生回路70とを備えている。維持パルス発生回路50は、電力回収回路51と、スイッチング素子Q55と、スイッチング素子Q56と、スイッチング素子Q59とを有し、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する維持パルスを発生する。電力回収回路51は走査電極SC1~走査電極SCnを駆動するときの電力を回収して再利用する。スイッチング素子Q55は走査電極SC1~走査電極SCnを電圧Vsにクランプし、スイッチング素子Q56は走査電極SC1~走査電極SCnを電圧0Vにクランプする。スイッチング素子Q59は分離スイッチであり、走査電極駆動回路43を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。走査パルス発生回路70は、スイッチング素子Q71H1~スイッチング素子Q71Hn、スイッチング素子Q71L1~スイッチング素子Q71Ln、スイッチング素子Q72を有する。そして電圧Vaの電源、および走査パルス発生回路70の基準電位図7に示した節点Aの電位に重畳された電圧Vc-Vaの電源E71をもとにして走査パルスを発生し、走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれに、図3に示したタイミングで走査パルスを順次印加する。なお、走査パルス発生回路70は、維持動作時には維持パルス発生回路50の出力電圧をそのまま出力する。すなわち、節点Aの電圧を走査電極SC1~走査電極SCnへ出力する。傾斜波形電圧発生回路60は、ミラー積分回路61、ミラー積分回路63を備え、図3に示した傾斜波形電圧を発生させる。ミラー積分回路61は、トランジスタQ61とコンデンサC61と抵抗R61とを有し、入力端子IN61に一定の電圧を印加することにより、電圧Vrに向かって緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。ミラー積分回路63は、トランジスタQ63とコンデンサC63と抵抗R63とを有し、入力端子IN63に一定の電圧を印加することにより、電圧Viに向かって緩やかに低下する下り傾斜波形電圧を発生する。なおスイッチング素子Q69も分離スイッチであり、走査電極駆動回路43を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。なお、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、MOSFETやIGBT等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。またこれらのスイッチング素子およびトランジスタは、タイミング発生回路45で発生したそれぞれのスイッチング素子およびトランジスタに対応するタイミング信号により制御される。図8は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置40の維持電極駆動回路44の回路図である。維持電極駆動回路44は、維持パルス発生回路80と、一定電圧発生回路85とを備えている。維持パルス発生回路80は、電力回収回路81と、スイッチング素子Q83と、スイッチング素子Q84とを有し、維持電極SU1~維持電極SUnに印加する維持パルスを発生する。電力回収回路81は維持電極SU1~維持電極SUnを駆動するときの電力を回収して再利用する。スイッチング素子Q83は維持電極SU1~維持電極SUnを電圧Vsにクランプし、スイッチング素子Q84は維持電極SU1~維持電極SUnを電圧0Vにクランプする。一定電圧発生回路85は、スイッチング素子Q86、スイッチング素子Q87を有し、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加する。なお、これらのスイッチング素子も、MOSFETやIGBT等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。またこれらのスイッチング素子も、タイミング発生回路45で発生したそれぞれのスイッチング素子に対応するタイミング信号により制御される。図9は、本発明の実施の形態1におけるプラズマディスプレイ装置40のデータ電極駆動回路42の回路図である。データ電極駆動回路42は、スイッチング素子Q91H1~スイッチング素子Q91Hm、スイッチング素子Q91L1~スイッチング素子Q91Lmを有する。そしてスイッチング素子Q91Ljをオンにすることでデータ電極Djに電圧0Vを印加し、スイッチング素子Q91Hjをオンにすることでデータ電極Djに電圧Vdを印加する。このような駆動回路を用いて、図3に示したパネルの駆動電圧波形を発生させることができる。しかし図6~図9に示した駆動回路は一例であって、本発明がこれらの駆動回路の回路構成に限定されるものではない。以上のように本実施の形態のパネルの駆動方法では、上述の条件を満たす走査パルスを走査電極に印加することで、強制初期化動作を使用しなくても、安定した書込み動作を行うことができるとともに、コントラストを向上させたパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することができる。実施の形態2本発明の他の駆動電圧波形について以下に図面を用いて説明する。図10および図11は、本発明の第2の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の各電極に印加する駆動電圧波形図であり、図10は第1のフィールドにおける駆動電圧波形を示し、図11は第2のフィールドにおける駆動電圧波形を示している。そして本実施の形態においては、第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に用いてパネルを駆動している。なお本実施の形態においても、実施の形態1と同様のサブフィールド構成を用いて実施の形態1と同様のパネル10を駆動するものとして説明する。第1のフィールドのSF1の書込み期間では、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを、維持電極SU1~維持電極SUnには電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vcを印加する。次に、1行目の走査電極SC1に電圧Vaの走査パルスを印加するとともに発光すべき放電セルに対応するデータ電極Dkに電圧Vdの書込みパルスを印加する。ここで電圧Vaは、実施の形態1と同様に条件1と条件2とを満たすように設定されている。するとデータ電極Dkと走査電極SC1との間、および走査電極SC1と維持電極SU1との間で書込み放電が起こる。そして走査電極SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして1行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Dhと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以下、2行目の走査電極SC2、3行目の走査電極SC3、、n-1行目の走査電極SCn-1、n行目の走査電極SCnに走査パルスを順次印加する。そして1行目の放電セル、2行目の放電セル、3行目の放電セル、、n-1行目の放電セル、n行目の放電セルの順に書込み動作を行い、続く維持放電に必要な壁電荷を形成する。続くSF1の維持期間では、赤の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D1、D4、D7、、Dr、、および青の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D3、D6、D9、、Db、、に電圧Vdを印加し、緑の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D2、D5、D8、、Dg、、には電圧0Vを印加する。そして維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vsの維持パルスを印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。一方、書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化動作の終了時における壁電圧が保たれる。続いて、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧0Vを印加するとともに維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Vsの維持パルスを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは再び維持放電が起こり、蛍光体層35が発光する。そして維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1~走査電極SCnと維持電極SU1~維持電極SUnとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を継続して発生させる。続くSF1の消去期間では、引き続き赤の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D1、D4、D7、、Dr、、および青の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D3、D6、D9、、Db、、に電圧Vdを印加し、緑の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D2、D5、D8、、Dg、、には電圧0Vを印加する。そして維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnには電圧Vrまで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加する。なお実施の形態2においても電圧Vrは電圧Vsと同じ電圧に設定されている。すると維持放電を行った放電セル維持期間が省略されている場合は書込み放電を行った放電セルでは走査電極SCiを陽極とし維持電極SUiを陰極とする1回目の微弱な消去放電が発生する。そして走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。次に、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを印加する。そして維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加したまま、走査電極SC1~走査電極SCnには電圧0Vから電圧Viに向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。すると微弱な消去放電を発生した放電セルで再び微弱な放電が発生する。このときの微弱放電は走査電極を陰極としデータ電極を陽極とする1回目の放電である。その後、赤の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D1、D4、D7、、Dr、、および青の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極D3、D6、D9、、Db、、に電圧Vdを印加するとともに、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vrの矩形電圧を印加する。すると微弱な消去放電を発生した放電セルで3回目の放電が発生する。このときの放電は走査電極を陽極とし維持電極を陰極とする2回目の放電であり、弱い放電である。さらにその後、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを印加する。そして維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnには電圧0Vから電圧Viに向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。すると放電を発生した放電セルで4回目の放電が発生する。このときの微弱放電により走査電極SCi上、維持電極SUi上の壁電圧、およびデータ電極Dk上の壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。このようにして消去動作が完了する。続くSF2の書込み期間の動作は、SF1の書込み期間と同様の動作であるため説明を省略する。続くSF2の維持期間では、赤、緑、青の全ての放電セルのデータ電極D1~データ電極Dmに電圧Vdを印加する。そして走査電極SC1~走査電極SCnと維持電極SU1~維持電極SUnとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を継続して発生させる。続くSF2の消去期間では、引き続き全ての放電セルのデータ電極D1~データ電極Dmに電圧Vdを印加する。そして維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnには電圧Vrまで緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を印加して、維持放電を行った放電セル維持期間が省略されている場合は書込み放電を行った放電セルで微弱な消去放電を発生させる。その後、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを印加し、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧0Vを印加したまま、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧0Vから電圧Viに向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。その後、データ電極D1~データ電極Dmに電圧Vdを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vrの矩形電圧を印加する。さらにその後、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを印加するとともに維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnには電圧0Vから電圧Viに向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を印加する。こうして走査電極SCi上、維持電極SUi上の壁電圧、およびデータ電極Dk上の壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。続く第1のフィールドのSF3~SF10における動作は、維持パルス数を除き第1のフィールドのSF2の動作と同様である。続く第2のフィールドのSF1の書込み期間では、データ電極D1~データ電極Dmに電圧0Vを、維持電極SU1~維持電極SUnには電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnに電圧Vcを印加する。次に、n行目の走査電極SCnに電圧Vaの走査パルスを印加するとともに発光すべき放電セルに対応するデータ電極Dkに電圧Vdの書込みパルスを印加する。ここで走査パルスの電圧Vaは、実施の形態1と同様に条件1と条件2とを満たすように設定されている。するとデータ電極Dkと走査電極SCnとの間、および走査電極SCnと維持電極SUnとの間で書込み放電が起こり、n行目の発光すべき放電セルの各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。次に、n-1番目の走査電極SCn-1に電圧Vaの走査パルスを印加するとともに発光すべき放電セルに対応するデータ電極Dkに電圧Vdの書込みパルスを印加して、n-1行目の放電セルの各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。以下、n-2行目の走査電極SCn-2、n-3行目の走査電極SCn-3、、に走査パルスを順次印加して書込み動作を行い、1行目の走査電極SC1に至るまで同様の書込み動作を行う。このように第2のフィールドに属するサブフィールドの書込み期間においては、n行目の走査電極SCn、n-1行目の走査電極SCn-1、n-2行目の走査電極SCn-2、、2行目の走査電極SC2、1行目の走査電極SC1に走査パルスを順次印加する。そして、n行目の放電セル、n-1行目の放電セル、n-2行目の放電セル、、2行目の放電セル、1行目の放電セルの順に書込み動作を行う。このように第2のフィールドに属するサブフィールドの書込み期間における書込み動作の順番は、第1のフィールドに属するサブフィールドの書込み期間における書込み動作の順番の逆である。続く第2のフィールドのSF1の維持期間、消去期間の動作は、第1のフィールドのSF1の維持期間、消去期間の動作と同様である。また第2のフィールドのSF2~SF10における動作は、書込み期間における書込み動作の順番が逆であることを除き、第1のフィールドのSF2~SF10における動作と同様である。以下同様に、第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に用いてパネル10を駆動している。このように、本実施の形態においては、書込み期間において、複数配置された走査電極SC1~走査電極SCnの一方の走査電極SC1から他方の走査電極SCnへ順に走査パルスを印加する第1のフィールドと、他方の走査電極SCnから一方の走査電極SC1へ順に走査パルスを印加する第2のフィールドとを有する。そして第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に用いてパネル10を駆動している。このように駆動する理由について以下に説明する。画像信号が画面全体の黒の表示から画面全体の白の表示に切り換わった場合の動作について考える。本実施の形態においては、上述したように黒を表示する放電セルでは放電を発生させない。従って各放電セル内部にはプライミングは少なく、放電遅れの大きい状態となっている。この状態で書込み動作を行うと放電遅れが大きくなり書込み放電に失敗する放電セルが多数発生する可能性がある。しかしある放電セルで書込み放電に成功したとすると、その放電セルで発生したプライミングが隣接する放電セルに供給される。従ってその直後に書込み動作を行う放電セルでは放電遅れが小さくなり書込み放電に成功する確率が格段に高くなる。第1のフィールドのみを用いてパネルを駆動したと仮定すると、書込み期間において、常に表示画面上部の走査電極SC1から表示画面下部の走査電極SCnへ順に走査パルスが印加される。そのため、書込み放電に成功した放電セルの下に位置する放電セルおよび斜め下に位置する放電セルでは次々に書込み放電に成功し、白の表示に切り換えることができる。しかしながら書込み放電に成功した放電セルの上の放電セルはどこからもプライミングが供給されないので、書込み放電に失敗する確率が高いままである。そのため表示画面の上部では白の表示に切り換えるまでに時間がかかり、画像表示品質が低下する。また第2のフィールドのみを用いてパネルを駆動したと仮定すると、書込み期間において、常に表示画面下部の走査電極SCnから表示画面上部の走査電極SC1へ順に走査パルスが印加される。そのため、表示画面の下部では白の表示に切り換えるまでに時間がかかり、画像表示品質が低下する。しかし本実施の形態においては、第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に用いてパネルを駆動するため、全画面にわたって速やかに白の表示に切り換えることができる。また本実施の形態においては、SF1の維持期間において、緑の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Dgに印加する電圧0Vは、赤の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Drおよび青の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Dbに印加する電圧Vdよりも低く設定されている。このように設定することで、電圧Vaの設定マージンを広げることができる。以下、その理由について説明する。条件1および条件2を満たす電圧Vaの設定範囲は、放電開始電圧VFsd、放電開始電圧VFdsに依存する。上述したように赤および青の蛍光体と比較して、緑の蛍光体の放電開始電圧VFsd、放電開始電圧VFdsは高くなる傾向がある。そのため、緑の蛍光体が塗布されている放電セルでは走査パルスの電圧Vaの設定範囲が高電圧側にシフトする。加えて緑の蛍光体の帯電特性が負電圧であるため、緑の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Dg上の壁電圧は赤の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Dr、青の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Db上の壁電圧よりも実質的に低くなる。この効果が加わり、緑の蛍光体が塗布されている放電セルの電圧Vaの設定範囲はさらに高電圧側にシフトする。もちろん赤の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲、緑の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲、青の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲の共通部分が走査パルスの電圧Vaの実際の電圧設定範囲となるので、緑の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲だけがシフトすると走査パルスの電圧Vaの実際の電圧設定マージンが狭くなる。言い換えれば、各色の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲をそろえることにより、実際の電圧Vaの設定マージンを広げることができる。本実施の形態においては、サブフィールドの維持期間において、緑の蛍光体が塗布された放電セルのデータ電極Dgに印加する電圧0Vを、それ以外の放電セルのデータ電極に印加する電圧Vdよりも低く設定することで、各色の放電セルに対する走査パルスの電圧Vaの設定範囲をそろえ、実際の走査パルスの電圧Vaの設定マージンを広げている。また本実施の形態においては、上述したように黒を表示する放電セルでは放電を発生させない。そのため黒以外の階調を表示する放電セルと比較すると、黒を表示する放電セルの放電開始電圧は実質的に高くなる傾向がある。従って黒を表示する放電セルでは、発光させる放電セルと比較して、条件1および条件2を満たす電圧Vaの設定範囲が高電圧側にシフトする。そのため、サブフィールドの維持期間において、黒を表示する放電セルのデータ電極Dhに印加する電圧0Vを、それ以外の放電セルのデータ電極Dkに印加する電圧Vdよりも低く設定することで、放電セルに対する電圧Vaの設定範囲をそろえ、実際の電圧Vaの設定マージンを広げることができる。しかし本実施の形態においてはそのような駆動をせず、そのかわりに、最も輝度重みの小さいサブフィールドSF1の維持期間においてデータ電極Djに印加する電圧0Vを、それ以外のサブフィールドSF2~SF10の維持期間においてデータ電極Djに印加する電圧Vdよりも低く設定している。本実施の形態においては、階調を表示する場合にできるだけ低い輝度重みのサブフィールドが点灯する組み合わせを選択するようにコーディングが設定されている。これは動画擬似輪郭を抑制するための技術であり。例えば特開2008-197430号公報に詳細に説明されている。その結果、輝度重みの小さいサブフィールドほど発光させる確率が高くなる。特に黒を表示する放電セルでは、引き続き暗い階調を表示する確率が高いため、書込み放電を行う場合、最も低い輝度重みを持つSF1で書込み放電を行う確率が非常に高くなる。そのため最も輝度重みの小さいサブフィールドSF1の維持期間においてデータ電極Djに印加する電圧0Vを、それ以外のサブフィールドSF2~SF10の維持期間においてデータ電極Djに印加する電圧Vdよりも低く設定することにより、放電セルに対する電圧Vaの設定範囲をそろえ、実際の電圧Vaの設定マージンを広げることができる。もちろん、高い階調を表示する放電セルに対しては、SF1における電圧Vaの設定範囲は低電圧側にシフトすることになる。そのため高い輝度で発光する放電セルがSF1において誤放電する確率は高くなるが、SF1の輝度重みは小さいので、仮にこのような放電セルで誤放電が発生しても画像表示品質を低下させるおそれはない。また本実施の形態においては、消去期間において、維持電極SUiを陰極とし走査電極SCiを陽極とする1回目の放電を発生させ、その後、走査電極SCiを陰極としデータ電極Djを陽極とする1回目の放電を発生させ、その後、維持電極SUiを陰極とし走査電極SCiを陽極とする2回目の放電を発生させ、その後、走査電極SCiを陰極としデータ電極Djを陽極とする2回目の放電を発生させている。さらにこれらの放電を弱い放電とし、それにともなう発光を抑えるために、維持電極SUiに電圧0Vを印加するとともに走査電極SCiに上り傾斜波形電圧を印加し、その後、走査電極SCiに下り傾斜波形電圧を印加し、その後、走査電極SCiに正の矩形状電圧を印加し、その後、維持電極SUiに電圧0Vよりも高い電圧Veを印加するとともに走査電極SCiに下り傾斜波形電圧を印加している。このように強い放電を発生させなくても、微弱な放電を複数回繰り返し発生させることにより、各電極上に十分な壁電圧を蓄積することができ、続く書込み放電を安定して発生させることができる。なお、実施の形態1、実施の形態2において示した具体的な数値等は単に一例を示したに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。保護層26の詳細ここから本実施の形態における保護層26について説明する。保護層26は、下地膜91と金属酸化物結晶粒子92aを含む。下地膜91は、一例として、アルミニウムAlを不純物として含有する酸化マグネシウムMgO膜である。金属酸化物結晶粒子92aは、一例として、酸化マグネシウムMgO結晶粒子である。また、本実施の形態においては、金属酸化物結晶粒子92aが複数個凝集した凝集粒子92が、下地膜91の全面に亘って均一に分布するように複数個付着している。凝集粒子92の詳細アドレス放電の開始時には、トリガーとなる初期電子が、保護層26の表面から放電空間中に放出される。初期電子量が不足することが、放電遅れの主原因と考えられる。凝集粒子92には、主としてアドレス放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果とがある。すなわち、凝集粒子92は、高い初期電子放出能力を有する。そこで本実施の形態では、凝集粒子92が、放電パルスの立ち上がり時に必要な初期電子供給部として備えられている。凝集粒子92は、放電パルスの立ち上がり時に放電空間中に初期電子を豊富に存在させる。したがって、パネル10がより高精細になり、アドレス放電のための割り当て時間が短くなっても、放電遅れが抑制され、高速駆動ができる。凝集粒子92とは、所定の一次粒径の金属酸化物結晶粒子92aが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子92は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子92は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子92は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。金属酸化物結晶粒子92aは、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。酸化マグネシウム結晶粒子の作製方法本実施の形態にかかる方法は、熱分解法に基づいたものである。具体的には、焼成炉などによって、水酸基や炭酸基を有する酸化マグネシウム前駆体以下、前駆体と称するが焼成される。熱によって前駆体が有する水酸基や炭酸基などが除去され、金属酸化物粗粒子である酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子は、金属酸化物結晶である酸化マグネシウム結晶の一次粒子が多数凝集したものである。次に、ボールミルなどによって、酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕されることで平均粒径が小さい酸化マグネシウム結晶粒子が作製される。なお、前駆体は、液相法によって、生成される。よって、前駆体自体が一次粒子の凝集体である。また、前駆体は、特に限定されない。例えば、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウムなどを用いることができる。また、前駆体が不純物を多く含むと、作製される酸化マグネシウム結晶粒子に意図しない不純物が混入する場合がある。すなわち、酸化マグネシウム結晶粒子の特性がばらつく場合があるので、前駆体の不純物は少ない方が好ましい。具体的に前駆体が含む不純物量としては、熱分解法により酸化マグネシウム結晶粒子を生成した際に残留する不純物の合計量が、0.1重量以下が好ましく、0.01重量以下がより好ましい。焼成炉は、大気炉などが用いられる。すなわち、焼成は、大気や酸素などの雰囲気下で開放して、又は、それらの気流を流しながら行われる。焼成温度は、700°Cから1500°Cの範囲である。1200°C程度が最も好ましい。焼成時間は、温度にもよるが、1時間から10時間程度である。例えば、温度が1200°C程度の場合には5時間程度が適当である。焼成炉の昇温速度は、特に限定されない。5°Cから10°C/min程度が好ましい。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素、アルゴンなどが用いられる。なお、酸化性雰囲気を用いると、前駆体に含まれる不純物を酸化ガスとして除去することが可能となる。すなわち、焼成時の雰囲気は、大気や、酸素が好ましい。上述の工程によって、酸化マグネシウム粗粒子が作製される。酸化マグネシウム粗粒子の平均粒径は1.0μmから4.0μmの範囲である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径D50のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置MT-3300日機装株式会社製が用いられた。酸化マグネシウム粗粒子をそのまま保護層26に用いると、製造装置に不具合が発生する場合がある。さらには、前面基板21と背面基板31とを組み立てるときに、隔壁34が破壊される場合がある。よって、酸化マグネシウム粗粒子は、より平均粒径が小さくなるように粉砕されることが好ましい。なお、本実施の形態において、粉砕とは、一次粒子が多数凝集した金属酸化物粗粒子を所定の平均粒径の金属酸化物になるようにほぐすことである。よって、金属酸化物の平均粒径は、金属酸化物結晶の一次粒子の大きさから、金属酸化物結晶の一次粒子が複数凝集したときの大きさまで変動してもよい。なお、粉砕によって、金属酸化物結晶の一次粒子の粒径は、ほとんど変化しない。次に、ボールミルによって酸化マグネシウム粗粒子が粉砕される。粉砕する際の溶媒として、エタノールが用いられる。また、エタノールの他に、メタノール、ブタノール、プロパノールなどのアルコール類や、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、エチレングリコールなどのグリコール類などの有機溶剤が用いられ得る。溶媒の使用量は、粉砕原料100質量部に対して20質量部~1000質量部、好ましくは30質量部~300質量部である。さらに、溶媒に分散剤が添加されてもよい。分散材は、溶媒に合わせて用いられる。分散材には、例えば、アクリル系ポリマー、アミン径ポリマーなどのポリマー類、硝酸、塩酸、硫酸などの無機酸、シュウ酸、クエン酸、酢酸、リンゴ酸、乳酸などの有機酸、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール類、ポリカルボン酸アンモニウムなどの界面活性剤などが用いられ得る。分散剤を用いる場合、分散剤の添加量は溶媒100質量部あたり0.1質量部~20質量部である。さらに、0.2質量部~10質量部であることが好ましい。本実施の形態において、酸化マグネシウム粗粒子は、種々の条件で粉砕された。粉砕条件の一覧、およびそれぞれの粉砕条件におけるフォトルミネッセンスの相対ピーク強度が表1に示される。粉砕には、ステンレス製のポッドを有するボールミルが用いられた。ポッドの直径は、24cmであった。ポッドの容量は、8Lであった。メディアボールの直径は、15mmであった。メディアには、鉄心入りナイロンボールが用いられた。酸化ジルコニウムZrO2や酸化アルミニウムAl2O3をメディアに用いると、酸化マグネシウム粗粒子によって削られる。すなわち、期待しない不純物として、酸化マグネシウム結晶粒子に混入するので好ましくない。また、ポッドに対するメディアの充填率は、5体積~30体積であった。原料である酸化マグネシウム粗粒子の充填率は40体積~75体積であった。ポッドは、30R.P.Mの速度で2時間~10時間回転された。次に、ポッドから粉砕後の原料が排出された。最終的に、酸化マグネシウム結晶粒子は、平均粒径が0.3μm~2μmの範囲にあった。酸化マグネシウム結晶粒子の評価表1に示されるように、粉砕前の酸化マグネシウム粗粒子および粉砕後の酸化マグネシウム結晶粒子について、フォトルミネッセンスの発光強度が測定された。なお、比較例として、ジェットミルにより粉砕された酸化マグネシウム結晶粒子についてもフォトルミネッセンスの発光強度が測定された。フォトルミネッセンス測定は、以下の条件で行われた。光源には、発光波長146nmのエキシマランプウシオ電機株式会社製が用いられた。エキシマランプは、サンプルから上方に100mmの位置に設置された。ターボ分子ポンプによって、真空チャンバー内の圧力は、1×10-2Paに保たれた。ディテクターには、CCD一体型で波長範囲200nmから800nmの分光器浜松ホトニクス株式会社製が用いられた。入射光の波長が、146nmであるため、フォトルミネッセンスは、サンプルのほぼ最表面から生じていると考えられる。全てのサンプルは、波長200nmから300nmの範囲に発光ピークがあった。図13に、粉砕前酸化マグネシウム粗粒子、実施例試料番号1および比較例のフォトルミネッセンス波形が例示される。図13に示されるように、各サンプルには、波長240nm近傍に発光ピークがあった。表1に示されるように各サンプルの発光ピーク強度は、酸化マグネシウム粗粒子の発光ピーク強度を100としたときの相対値相対ピーク強度である。最も相対ピーク強度が大きいサンプルは、試料番号11であった。試料番号11の相対ピーク強度は、99.4に達した。最も相対ピーク強度が小さいサンプルは、試料番号10であった。試料番号10の相対ピーク強度は、60.6であった。なお、相対ピーク強度が低下する原因は、粉砕時に発生する物理衝撃によって酸化マグネシウム結晶粒子の最表面がダメージを受けるためと考えられる。したがって、ダメージを最小限にとどめつつ、粉砕することが好ましい。つまり、粉砕時に、酸化マグネシウム結晶粒子に与えるエネルギーを抑制することで、相対ピーク強度の低下を抑制することができる。なお、実際に製品を製造する際には、タクトタイムなどを考慮して粉砕条件を設定することが望ましい。波長200nmから300nmの範囲に発光ピークがあることは、酸化マグネシウム粗粒子および酸化マグネシウム結晶粒子は、波長200nmから300nmの発光ピークに対応したエネルギー準位を有することを意味する。エネルギー準位は、初期化放電時に発生する電子を長時間数msec以上トラップできると考えられる。アドレス放電時にアドレス電圧が印加されると、保護層26に電界が形成される。熱および電界によって、トラップされた電子が放電空間に取り出される。アドレス放電開始に必要な初期電子が迅速かつ十分に得られると、放電開始時間が早められる。以上のように、波長200nmから300nmの発光ピーク強度が大きいと、放電遅れ時間が短縮されると考えられる。すなわち、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕によって生じる波長200nmから300nmの発光ピーク強度の低下を抑制することが、放電遅れ時間の短縮につながる。保護層26の形成方法図12に示されるように、保護層26の形成は、誘電体層25形成後から開始される。まず、ステップ1では、下地膜91が形成される。材料には、例えば、アルミニウムAlを含む酸化マグネシウムMgOの焼結体が用いられる。方法は、例えば、真空蒸着法が用いられる。具体的には、真空チャンバー内で原材料に電子ビームを照射することにより、原材料を蒸発させ誘電体層25上に付着させる。主として酸化マグネシウムMgOからなる下地膜91が誘電体層25上に形成される。下地膜91の膜厚は、一例として、500nmから1000nm程度である。ステップ2では、金属酸化物ペースト膜が形成される。材料には、例えば、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が有機樹脂成分と希釈溶剤とともに混錬された金属酸化物ペーストが用いられる。方法は、例えば、スクリーン印刷法が用いられる。具体的には、金属酸化物ペーストが下地膜91上の全面に亘って塗布されることにより、金属酸化物ペースト膜が形成される。金属酸化物ペースト膜の膜厚は、一例として、5μmから20μm程度である。なお、下地膜上に金属酸化物ペースト膜を形成する方法として、スクリーン印刷法以外に、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。ステップ3では、金属酸化物ペースト膜が乾燥される。乾燥炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、100°Cから150°C程度である。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、溶剤成分が除去される。ステップ4では、乾燥後の金属酸化物ペースト膜が焼成される。焼成炉などにより、金属酸化物ペースト膜が所定の温度で加熱される。温度範囲は、一例として、400°Cから500°C程度である。焼成時の雰囲気は特に限定されない。例えば、大気、酸素、窒素などが用いられる。加熱により、金属酸化物ペースト膜から、樹脂成分が除去される。以上のステップによって、下地膜91上に、凝集粒子92が離散的に付着する。実施例パネル10が作製され、パネル10の性能が評価された。作製されたパネル10は、42インチクラスのハイビジョンテレビに適合するものである。すなわち、パネル10は、前面基板21と、前面基板21と対向配置された背面基板31と、を備える。また、前面基板21と背面基板31の周囲は、封着材で封着されている。前面基板21は、表示電極対24と誘電体層25と保護層26とを有する。背面基板31は、データ電極32と、誘電体層33と、隔壁34と、蛍光体層35とを有する。パネル10には、キセノンXeの含有量が15体積のネオンNe-キセノンXe系の混合ガスが、60kPaの内圧で封入された。また、表示電極対24と表示電極対24との電極間距離は、0.06mmであった。隔壁34の高さは0.15mm、隔壁34と隔壁34との間隔セルピッチは0.15mmであった。実施例には、上述の方法で作製された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が用いられた。例えば、試料番号1の凝集粒子92の粒度分布は、0.49μmD10、1.15μmD50、241μmD90であった。一方、粉砕される前の酸化マグネシウム粗粒子の粒度分布は、0.62μmD10、1.86μmD50、3.71μmD90であった。一方、比較例として、ジェットミルによって、複数の条件で粉砕された、酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92が用いられた。ジェットミルによって得られた凝集粒子92の相対発光ピーク強度は、20.3~57.0であった。相対発光ピーク強度が57.0のサンプルの粒度分布は、0.41μmD10、1.20μmD50、2.35μmD90であった。実施例および比較例の凝集粒子92は、平均粒径が1.1μmであった。実施例および比較例の凝集粒子92の被覆率は8.0であった。被覆率とは、1個の放電セルの領域において、凝集粒子92が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したものである。つまり、被覆率=a/b×100の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁14により区切られた1個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、x×yの1セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに2値化される。次に、2値化されたデータに基づき凝集粒子92による黒エリアの面積aを求める。最後に、被覆率が、a/b×100の式により計算される。実施例と比較例におけるパネル10の製造方法違いは、酸化マグネシウム粗粒子の粉砕方法のみである。性能評価書込み放電時の放電遅れのために、ちらつきが発生する走査パルス幅印加時間を測定することによりパネルの性能が評価された。図14に示されるように、パネルの駆動電圧が、走査電極22、維持電極23、データ電極32に印加された。走査パルス幅だけがパラメータとなり、1.5μsから0.1μs間隔で0.3μsまで変化された。走査パルス幅が十分長いと、走査電極22とデータ電極32との間で発生させる書込み放電が遅れても、走査電極22と維持電極23との間で維持放電を発生し得るだけの壁電荷を下地膜91上に蓄積することができる。しかしながら、走査パルス幅を短縮すると、書込み放電中に走査パルスが立ち下がり、下地膜91への壁電荷の蓄積が不十分となる。壁電荷の蓄積が不十分な放電セルにおいては、維持パルスを印加しても、安定した維持放電が発生するだけの壁電荷が蓄積されていないためにちらつきが発生する。したがって、パネルの点灯性能評価として、正常点灯しているときの走査パルス幅から順次短縮していき、ちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅を求めることにより、パネルの放電遅れ特性を評価することができる。なお、ちらつきの有無は、パネルの全放電セルが点灯した状態白色表示にて目視判断された。なお、この性能評価実験でパネルに印加される電圧条件は、以下のとおりである。初期化電圧固定:330V走査電圧固定:-140V、パルス幅可変0.3μs~1.5μs書込み電圧固定:70V維持電圧固定:200V、維持周期0.5μs図15には、相対発光ピーク強度とちらつきが発生し始めたときの走査パルス幅が示されている。図15からは、ちらつきが発生し始める走査パルス幅は、相対発光ピーク強度に依存することがわかる。相対発光ピーク強度が60以上、100未満の場合は、走査パルス幅が、0.6μsでもちらつきが発生しなかったので、好ましい。これは、凝集粒子92が、走査パルス印加時に十分な量の初期電子を放出するために放電遅れ時間が短縮されたためである。さらに、相対発光ピーク強度が80以上、100未満の場合は、走査パルス幅が、0.5μsでもちらつきが発生しなかったので、より好ましい。なお、粉砕によって酸化マグネシウム結晶粒子の表面がダメージを受けると考えられるので、単に酸化マグネシウム粗粒子を粉砕したのみでは、相対発光ピーク強度が100以上になることはない。一方、比較例においては、0.7μs~0.8μsでちらつきが発生し始めた。1フィールドに配分されている時間は固定されているので、走査パルス印加時間を増加させると、必然的に維持パルス印加時間を減らすか、サブフィールド数を減らす対策を取ることになる。前者の対策ではパネルの輝度が減少し、後者の対策では表現できる階調数が減少して、いずれにしてもパネルの表示品質劣化を招くことになる。この結果より、本実施の形態におけるパネルによれば、書込み放電時の放電遅れを低減し、表示品質の向上が期待できる。このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長200nmから300nmの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が抑制される。なお、金属酸化物のピークは、金属酸化物粗粒子のピークの80以上、100未満の強度であるとより好ましい。このような構成によれば、金属酸化物において、初期電子放出能力と相関が高い波長200nmから300nmの範囲のフォトルミネッセンスのピーク強度の低下が、より抑制される。なお、本実施の形態では、金属酸化物結晶粒子92aが、酸化マグネシウム結晶粒子である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウムMgOの他にも、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などを用いることができる。要するに、高い初期電子放出能力を有する金属酸化物結晶粒子92aを用いると、同様の効果を得ることができる。したがって、金属酸化物結晶粒子92aは、酸化マグネシウムMgOに限定されない。また、複数の種類の金属酸化物結晶粒子を用いることもできる。さらに、本実施の形態では、下地膜91上に凝集粒子92が形成された場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。つまり、金属酸化物結晶粒子92aは凝集されないで、一次粒子の状態で下地膜91上に形成されてもよい。なお、本実施の形態では、下地層が、酸化アルミニウムを含む酸化マグネシウム膜である場合が例示された。しかし、本発明はこれには限られない。酸化マグネシウムMgOの他にも、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物が混合された膜を用いることもできる。さらに、金属酸化物膜の他にも、酸化マグネシウムMgO、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO、酸化バリウムBaO、酸化アルミニウムAl2O3などの金属酸化物微粒子の集合体を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物微粒子が混合された集合体を用いることもできる。このように、上記記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法と、保護層を有したプラズマディスプレイパネルであれば、パネルに表示される画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、画像表示品質を高めることができるプラズマディスプレイ装置を実現することができる。"