"EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズであって、少なくとも2つの反射型光学素子Miを備え、前記反射型光学素子Miのそれぞれは、前記投影レンズがEUV光の露光力に曝される場合に、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するための本体MBiと反射面MSiとを備え、前記EUV光は前記EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによって照射されるときに前記レチクルから反射され、前記少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備え、前記ゼロクロス温度T0m、T0nの差の絶対値は6Kより大きく、absT0m-T0n>6Kで表し、前記投影レンズは8Wより大きい前記EUV光の前記露光力に曝されるように設計され、前記EUV光の波長は50nmの波長範囲より小さい、投影レンズ。請求項1に記載の投影レンズであって、4つまたは6つの前記反射型光学素子Miを備え、前記投影レンズは10Wより大きい前記露光力に曝されるように設計され、前記ゼロクロス温度T0m、T0nの前記差の前記絶対値は8Kより大きく、absT0m-T0n>8Kで表す、投影レンズ。請求項1または2に記載の投影レンズであって、受動的または能動的に前記反射型光学素子Miを支持するための支持構造であって、前記支持構造の少なくとも一部分の温度は基準温度TRefである支持構造と、前記本体MBn、MBmの少なくとも1つを加熱するためのヒータであって、それぞれの前記ゼロクロス温度T0m、T0nで前記温度依存熱膨張係数がゼロである前記素材を備えるヒータと、前記少なくとも1つの加熱可能な本体MBn、MBmの温度を温度Tkに制御するための温度制御システムと、を備える、投影レンズ。請求項3に記載の投影レンズであって、前記ヒータを操作せずに、前記本体MBn、MBmの前記反射面MSmおよびMSnをEUV光で露光させ、前記EUV光は前記照射されたレチクルから反射され、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備え、その結果として、前記本体MBn、MBmの前記基準温度TRefに対する温度分布はΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRefおよびそれぞれの平均および最高温度はΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなり、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nは、前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTrefまたはΔTmmaxTref、ΔTnavTrefまたはΔTnmaxTrefのうち最も高い温度より高く、T0m>maxTRef,ΔTmavTref,T0m>maxTRef,ΔTmmaxTrefまたはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTrefで表す、投影レンズ。請求項4に記載の投影レンズであって、前記素材は、製造による前記ゼロクロス温度の実際の値に関して変動する前記ゼロクロス温度T0m、T0nを備え、その結果として、前記ゼロクロス温度の前記それぞれの実際の値が間隔T0m±ΔT0mおよびT0n±ΔT0nとの間となるようなそれぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nとなり、少なくとも1つの前記ゼロクロス温度T0m、T0nは、前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度より高く、前記それぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nの前記絶対値を加えて、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef│ΔT0m│,T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRef│ΔT0m│またはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef│ΔT0n│,T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRef│ΔT0n│で表す、投影レンズ。請求項4または5に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの前記温度Tkは、前記それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを中心として間隔±5Kの範囲内であり、より良くは±2Kの範囲内である、投影レンズ。請求項3~6のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝される前に、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの前記温度Tkは、前記ヒータを第1の加熱力を用いて加熱することによって、その値に制御される、投影レンズ。請求項7に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている期間に、前記ヒータの前記加熱力は前記第1の加熱力よりも小さい、投影レンズ。請求項7または8に記載の投影レンズであって、前記温度制御システムは、前記少なくとも1つの本体MBn、MBmを加熱する前記ヒータの前記加熱力と、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmによって吸収される前記EUV光の前記露光力が時間がたつと一定となるように、前記温度Tkを制御する、投影レンズ。請求項1~9のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、鏡の形状で4つまたは6つの反射型光学素子を備える、投影レンズ。請求項3~10のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmは前記本体の並進運動のためにアクチュエータに接続する、投影レンズ。請求項3~11のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つを加熱するための前記ヒータは、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える、投影レンズ。請求項12に記載の投影レンズであって、前記加熱素子は1次元または2次元において規定の空間座標に配置され、グリッド構造を形成する、投影レンズ。請求項12または13に記載の投影レンズであって、赤外線放射を放射または誘導する前記加熱素子は、前記赤外線放射を構成するための光学構成を備え、前記光学構成はコリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備え、前記構成素子は少なくとも軸上の周囲で傾斜可能であってよい、投影レンズ。請求項12~14のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つは、前記鏡本体内または鏡本体上に修正を備え、前記修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される、投影レンズ。EUVリソグラフィ投影型露光システムであって、請求項1~15のうちいずれか一項に記載の投影レンズを備える、システム。EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズであって、少なくとも2つの反射型光学素子Miを備え、前記反射型光学素子Miのそれぞれは、前記投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合に、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するための本体MBiと反射面MSiとを備え、前記EUV光は、前記EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによって照射されるときに前記レチクルから反射され、前記少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備え、前記レンズは、受動的または能動的に前記反射型光学素子Miを支持するための支持構造であって、支持構造の少なくとも一部分の温度は基準温度TRefである支持構造と、前記本体MBn、MBmの少なくとも1つを加熱するためのヒータであって、前記ゼロクロス温度T0m、T0nを有する前記素材を備えるヒータと、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度を温度Tkに制御するための温度制御システムと、を備え、前記本体MBn、MBmを前記ヒータを用いて加熱せずに、前記それぞれの反射面MSmおよびMSnを前記EUV光の前記露光力で露光させ、前記EUV光は前記照射されたレチクルから反射され、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備え、その結果として、前記本体MBn、MBmの前記基準温度TRefに対する温度分布がΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRef、およびそれぞれの平均および最高温度ΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなり、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nは、最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づき、前記基準温度を加えた前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTrefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度より高く、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef、T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRefまたはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRefで表す、投影レンズ。請求項17に記載の投影レンズであって、前記素材は、製造による前記ゼロクロス温度の実際の値に関して変動する前記ゼロクロス温度T0m、T0nを備え、その結果として、前記ゼロクロス温度の前記それぞれの実際の値が間隔T0m±ΔT0mおよびT0n±ΔT0nとの間となるようなそれぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nとなり、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nは、前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度より高く、前記それぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nの絶対値を加えて、T0m>maxTRef、ΔTmavTRef│ΔT0m│、T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRef│ΔT0m│またはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef│ΔT0n│、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRef│ΔT0n│で表す、投影レンズ。請求項17または18に記載の投影レンズであって、前記ゼロクロス温度T0mとT0nとの差の絶対値は6Kより大きく、absT0m-T0n>6Kで表し、前記投影レンズは8Wより大きいEUV光の前記露光力に曝されるように設計され、前記EUV光の波長は50nmより小さい、投影レンズ。請求項19に記載の投影レンズであって、4つまたは6つの前記反射型光学素子Miを備え、前記投影レンズは10Wより大きいEUV光の露光力に曝されるように設計され、前記EUV光の波長は50nmの波長範囲より小さく、前記ゼロクロス温度T0m、T0nの前記差の前記絶対値は8Kより大きく、absT0m-T0n>8Kで表す、投影レンズ。請求項17~20のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの前記温度Tkは、前記それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを中心として間隔±5Kの範囲内であり、より良くは±2Kの範囲内である、投影レンズ。請求項17~21のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝される前に、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの前記温度Tkは、前記ヒータを第1の加熱力を用いて加熱することによって、その値に制御される、投影レンズ。請求項22に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている期間に、前記ヒータの前記加熱力は前記第1の加熱力よりも小さい、投影レンズ。請求項22または23に記載の投影レンズであって、前記温度制御システムは、前記少なくとも1つの本体MBn、MBmを加熱する前記ヒータの前記加熱力と、前記少なくとも1つの加熱される本体によって吸収される前記EUV光の前記露光力が時間がたつと一定となるように前記温度Tkを制御する、投影レンズ。請求項17~24のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを有する前記本体MBnおよびMBmは同一の素材からなる、投影レンズ。請求項17~25のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、鏡の形状で4つまたは6つの反射型光学素子を備える、投影レンズ。請求項17~26のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmは前記本体の並進運動のためにアクチュエータに接続する、投影レンズ。請求項17~27のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つを加熱するための前記ヒータは、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える、投影レンズ。請求項28に記載の投影レンズであって、前記加熱素子は、1次元または2次元において規定の空間座標に配置され、グリッド構造を形成する、投影レンズ。請求項28または29に記載の投影レンズであって、赤外線放射を放射または誘導する前記加熱素子は、前記赤外線放射を構成するための光学構成を備え、前記光学構成はコリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備え、前記構成素子は少なくとも軸上の周囲で傾斜可能であってよい、投影レンズ。請求項28~30のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つは、前記鏡本体内または鏡本体上に修正を備え、前記修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される、投影レンズ。EUVリソグラフィ投影型露光システムであって、請求項17~31のうちいずれか一項に記載の投影レンズを備える、システム。EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズであって、少なくとも2つの反射型光学素子Miを備え、前記反射型光学素子Miのそれぞれは、前記投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合に、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するための本体MBiおよび反射面MSiを備え、前記EUV光は、EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによって照射される間に前記レチクルから反射され、前記少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、少なくとも2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備え、前記レンズは、受動的または能動的に前記反射型光学素子Miを支持するための支持構造であって、支持構造の少なくとも一部分の前記温度は基準温度TRefである支持構造と、前記少なくとも2つの本体MBn、MBmを個別に加熱および/または冷却するための少なくとも2つの焼き戻し手段、好ましくは、ヒータと、前記少なくとも2つの加熱または冷却される本体MBn、MBmの前記温度をそれぞれの温度TknおよびTkmに個別に制御するための温度制御システムと、を備え、前記レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている間に、前記温度制御された本体MBnの前記温度Tknは、前記第1のゼロクロス温度T10mnを中心として間隔±5Kの範囲内であり、より良くは±2Kの範囲内であり、前記温度制御された本体MBmの前記温度Tkmは前記第2のゼロクロス温度T20mnを中心として間隔±5Kの範囲内であり、より良くは±2Kの範囲内である、投影レンズ。請求項33に記載の投影レンズであって、前記2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnの少なくとも1つは前記基準温度TRefより高い、投影レンズ。請求項33または34に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmを前記ヒータを用いて加熱せずに、前記反射面MSmおよびMSnを前記EUV光で露光させ、前記EUV光は前記照射されたレチクルから反射され、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備え、その結果として、前記本体MBn、MBmの基準温度TRefに対する温度分布はΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRef、およびそれぞれの平均および最高温度はΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなり、前記2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnの少なくとも1つは、前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度より高く、T10mn>maxTRef,ΔTmavTRef、T10mn>maxTRef,ΔTmmaxTRefまたはT20mn>maxTRef,ΔTnavTRef、T20mn>maxTRef,ΔTnmaxTRefで表す、投影レンズ。請求項33~35のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記素材は、製造による前記ゼロクロス温度の実際の値に関して変動する前記ゼロクロス温度T10mnおよびT20mnを備え、その結果として、前記それぞれの実際の値が間隔T10mn±ΔT10mnおよびΔT20mn±ΔT20mnとの間となるような製造公差ΔT10mn、ΔT20mnとなり、少なくとも1つのゼロクロス温度T10mn、T20mnは前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、前記それぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度より高く、前記それぞれの製造公差の前記絶対値│ΔT10mn│、│ΔT20mn│を加えて、T10mn>maxTRef,ΔTmavTRef│ΔT10mn│またはT10mn>maxTRef,ΔTmmaxTRef│ΔT10mn│またはT20mn>maxTRef,ΔTnavTRef│ΔT20mn│またはT20mn>maxTRef,ΔTnmaxTRef│ΔT20mn│で表す、投影レンズ。請求項33~36のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝される前に、前記少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの前記温度TknまたはTkmは、前記ヒータを第1の加熱力を用いて加熱することによって、その値に制御される、投影レンズ。請求項37に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている期間に、前記第1の加熱力を有する前記ヒータの前記加熱力は、前記第1の加熱力よりも低い、投影レンズ。請求項37または38に記載の投影レンズであって、前記温度制御システムは、前記それぞれのヒータの前記加熱力と、前記少なくとも1つの温度制御された本体MBmまたはMBnによって吸収される前記EUV光の前記露光力が時間がたつと一定となるように、前記温度TkmおよびTknの少なくとも1つを制御する、投影レンズ。請求項33~39のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記ゼロクロス温度T10mn、T20mnの前記差の前記絶対値は6Kより大きく、absT10mn-T20mn>6Kで表し、および/または前記レンズは8Wより大きい前記EUV光の前記露光力に曝されるように設計され、前記EUV光の波長は50nmの波長範囲より小さい、投影レンズ。請求項33~40のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、鏡の形状で4つまたは6つの反射型光学素子を備える、投影レンズ。請求項33~41のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記温度制御システムによって制御される前記鏡本体MBn、MBmの1つは、並進運動のためにアクチュエータに接続する、投影レンズ。請求項33~42のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝される前に、前記温度制御された本体MBn、MBmの前記少なくとも1つの前記温度TknまたはTkmは、前記焼き戻し手段を第1の冷却力で冷却することによって、その温度値に制御される、投影レンズ。請求項43に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている期間に、前記第1の冷却力を有する前記焼き戻し手段の前記冷却力は前記第1の冷却力よりも高い、投影レンズ。請求項33~44のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つを加熱するための前記焼き戻し手段は、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える、投影レンズ。請求項45に記載の投影レンズであって、前記加熱素子は1次元または2次元において規定の空間座標に配置され、グリッド構造を形成する、投影レンズ。請求項45または46に記載の投影レンズであって、赤外線放射を放射または誘導する前記加熱素子は、前記赤外線放射を構成するための光学構成を備え、前記光学構成はコリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備え、前記構成素子は少なくとも軸上の周囲で傾斜可能であってよい、投影レンズ。請求項33~47のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記本体MBn、MBmの前記少なくとも1つは、前記鏡本体内または鏡本体上に修正を備え、前記修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される、投影レンズ。EUVリソグラフィ投影型露光システムであって、請求項33~48のうちいずれか一項に記載の投影レンズを備える、システム。EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズを構成する方法であって、反射型光学素子Miの数を決定するステップであって、前記反射型光学素子Miはレチクル上の対象フィールドを、規定の空間解像度品質を有する基板上の画像フィールドに、50nmより小さい波長を有するEUV投影光線で投影するステップと、各反射型光学素子Miの表面画像および表面形状を、前記対象フィールドおよび前記画像フィールドおよび前記規定の空間解像度品質の幾何学的データに基づいて決定するステップと、各反射型光学素子Miの基板素材とその形状および大きさを決定するステップであって、少なくとも1つの基板素材は、ゼロクロス温度T0mで温度依存熱膨張係数がゼロになる素材群から選択されるステップと、前記対象フィールドを前記画像フィールドに投影中に予測される、各反射型光学素子Miの最大熱負荷を決定するステップと、各反射型光学素子Miの熱負荷に基づき、各反射型光学素子Miの空間温度Tx、y、zを決定し、最大および平均温度TimaxおよびTiavを決定するステップと、前記ゼロクロス温度T0mを有する前記少なくとも1つの素材を、前記ゼロクロス温度T0mに基づいて選択するステップであって、前記少なくとも1つの素材に関連する前記光学素子Mmの前記温度Tx,y,zの前記最高温度または前記平均温度TmmaxおよびTmavは、前記ゼロクロス温度T0mより低くなり、Tmmax<T0mまたはTmav<T0mで表す、ステップと、前記鏡および前記レンズを前記選択される素材で形成するステップと、を備える方法。請求項50に記載の投影レンズを構成する方法であって、前記少なくとも1つの素材を選択するステップを備え、前記ゼロクロス温度T0mは、それぞれの製造公差ΔT0mの絶対値を加えた前記最高温度または前記平均温度TmmaxおよびTmavの最高温度よりも高くなり、T0m>Tmmax│ΔT0m│またはT0m>Tmav│ΔT0m│で表し、前記ゼロクロス温度T0mを有する前記素材は、前記製造公差ΔT0mによって前記ゼロクロス温度の実際の値に関して変動し、前記実際の値が間隔T0m±ΔT0mの範囲内となる、方法。請求項51に記載の方法であって、前記ゼロクロス温度T0mを有する前記1つの素材は第2のゼロクロス温度T20mを備え、前記ゼロクロス温度と前記第2のゼロクロス温度の差の絶対値は40Kより小さく、absT0m-T20m<40Kで表す、方法。請求項52に記載の方法であって、前記第2のゼロクロス温度を有する前記素材は、少なくとも1つの追加反射型光学素子の基板素材として用いられる、方法。請求項50~53のうちいずれか一項に記載の方法であって、ヒータおよび温度制御システムを適用して、前記ゼロクロス温度を有する前記少なくとも1つの素材を制御可能に加熱する、方法。EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズであって、複数の反射型光学素子sMiを備え、前記複数の反射型光学素子Miのそれぞれは、本体MBiおよび反射面MSiであって、前記投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合に、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影し、前記EUV光は前記EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによって照射されるときに前記レチクルから反射される、本体MBiおよび反射面MSiと、受動的または能動的に前記反射型光学素子Miを支持するための支持構造であって、前記支持構造の少なくとも一部分の温度は基準温度TRefである、支持構造と、少なくとも1つの光学素子Mkを加熱するためのヒータであって、前記光学素子Mk上には、前記ヒータを加熱せずに前記投影レンズが前記露光力に曝されるときに、前記基準温度TRefに対する空間温度分布ΔTx,y,z=Tx,y,z-TRefが形成され、前記温度分布ΔTx,y,zは平均温度ΔTavおよび最高温度ΔTmaxを有する、ヒータと、前記少なくとも1つの光学素子Mkの前記温度を温度Tkに制御するための温度制御システムであって、前記少なくとも1つの加熱される反射型光学素子Mkの前記本体MBkは、前記基準温度TRefより高い温度である温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備える、温度制御システムと、を備え、前記露光力に曝される前に、前記ヒータを用いて加熱することによって、前記光学素子Mkは温度Tkを有し、前記温度Tkは、Tk=T0k-ΔTav;Tk=2T0k-TRef-ΔTav;Tk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTav;Tk=T0k-ΔTmax;Tk=2T0k-TRef-ΔTmax;Tk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTmaxからなる群から選択される、投影レンズ。請求項55に記載の投影レンズであって、前記温度Tkは、前記光学素子Mkの前記反射面MSkの温度TMSkと、前記光学素子Mkの前記本体MBkの温度TMBkと、前記本体MBkの前記温度TMBkおよび/または前記反射面MSkの前記温度TMSkの関数によって得る温度と、前記本体MBkまたは前記反射面TMSkの空間温度分布から選択される温度と、からなる群から選択される温度を表す、投影レンズ。請求項55または56のいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱される光学素子Mkの前記ヒータは、前記素子Mkを少なくとも1次元において均一的に加熱するように設計される、投影レンズ。請求項55~57のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝される前に、前記光学素子Mkの前記温度Tkは、前記ヒータを第1の加熱力を用いて加熱することによって、その値に制御される、投影レンズ。請求項58に記載の投影レンズであって、前記投影レンズが前記EUV光の前記露光力に曝されている間に、前記ヒータの前記加熱力は前記第1の加熱力よりも小さい、投影レンズ。請求項55~59のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、第2の光学素子M2kを温度T2kまで加熱するための第2のヒータを備え、前記第2の光学素子上には、第2のヒータを加熱せずに、前記投影レンズが前記露光力に曝される場合に、前記基準温度TRefに対する第2の空間温度分布ΔT2x,y,z=T2x,y,z-TRefが形成され、平均温度ΔT2avおよび最高温度ΔT2maxを有し、前記第2の光学素子M2kの前記本体MB2kは、前記基準温度より高い温度T02kで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備え、前記露光力に曝される前に、前記第2のヒータを用いて加熱することによって、前記光学素子M2kは温度T2kを有し、前記温度T2kは、T2k=T02k-ΔT2av;T2k=2T02k-TRef-ΔT2av;T2k=TRef3T02k-TRef/2-ΔT2av;T2k=T02k-ΔT2max;T2k=2T02k-TRef-ΔT2max;T2k=TRef3T02k-TRef/2-ΔT2maxからなる群から選択される、投影レンズ。請求項60に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱可能な反射型光学素子Mkの前記本体MBkおよび前記加熱可能な第2の光学素子M2kの前記本体MB2kは同一の素材からなる、投影レンズ。請求項60または61のいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記加熱可能な光学素子および前記第2の加熱可能な光学素子の前記ゼロクロス温度T0k、T02kの前記差の前記絶対値は6Kより高く、absT0k-T02k>6Kで表す、投影レンズ。請求項55~62のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの加熱可能な光学素子Mkの前記ゼロクロス温度T0kは、前記最高基準温度TRef、および前記それぞれの空間温度分布ΔTx,y,zに基づく、前記平均または最高温度ΔTavTRefまたはΔTmaxTRefのうち最も高い温度より高く、T0k>maxTRef、ΔTavTRefまたはT0k>maxTRef、ΔTmaxTRefで表す、投影レンズ。請求項55~63のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、鏡の形状で4つまたは6つの反射型光学素子を備える、投影レンズ。請求項55~64のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記ヒータによって加熱可能な前記少なくとも1つの光学素子Mkは並進運動のためにアクチュエータに接続する、投影レンズ。請求項55~65のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの光学素子Mkを加熱するための前記ヒータは、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える、投影レンズ。請求項66に記載の投影レンズであって、前記加熱素子は、1次元または2次元において規定の空間座標に配置され、グリッド構造を形成する、投影レンズ。請求項66または67に記載の投影レンズであって、赤外線放射を放射または誘導する前記加熱素子は、前記赤外線放射を構成するための光学構成を備え、前記光学構成はコリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備え、前記構成素子は少なくとも軸上の周囲で傾斜可能であってよい、投影レンズ。請求項66~68のうちいずれか一項に記載の投影レンズであって、前記少なくとも1つの光学素子Mkは、前記鏡本体MBk内または鏡本体MBk上に修正を備え、前記修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される、投影レンズ。EUVリソグラフィ投影型露光システムであって、請求項55~69のうちいずれか一項に記載の投影レンズを備える、システム。投影レンズ20内の鏡または反射型光学素子前述の図1を参照の変形または位置の変化を低減するため、および表面画像の精度および位置の精度を0.1nmの範囲またはさらに正確にするため、熱膨張を最小限に抑えなけらばならない。つまり、鏡面形状に関する実際の表面データおよび鏡の実際の位置データが、鏡面の形状に必要なまたは特定の寸法に関して、および鏡に必要なまたは特定の位置に関して、特定の範囲内でなければならないことを意味する。投影レンズにおいてこのような光学素子を用いると、約10nm単位の横幅まで、またはさらに小さい横幅を有する画像構造を生成することができる。さらに、このような光学素子鏡または投影レンズでは、光学収差は1nmより小さく、さらに0.1nmより小さく、または実効値RMS値で50pmピコメートルより小さい。つまり、実際の波面の理想的な波面からの偏差の二乗平均平方根RMS値は前述の値よりも小さくなることを意味する。光学素子の熱膨張を最小限に抑えることで、熱による光学収差を低減する結果となる。そのために、投影レンズの複数の反射型光学素子Miの少なくとも1つの鏡または複数の反射型光学素子Miの本体MBkは、熱依存熱膨張係数CTEが温度T0kでゼロとなる素材であるか、またはそのような素材を備える。この温度T0kはゼロクロス温度と呼ばれる。このような素材の例を図2aおよび図2bに示す。このような素材をEUVリソグラフィ投影型露光システムに適用することは、たとえば、国際公開第2004/015477号に記載されている。リソグラフィ投影型露光システム100の操作温度、またはこのようなシステムの反射型光学素子の操作温度によっては、少なくとも1つのゼロクロス温度T0を有する様々な使用可能な素材がある。反射型光学素子の通常の操作温度は約0°Cから約100°Cの範囲であり、好ましくは、約10°Cから約60°Cの範囲であり、より好ましくは、約20°Cから約40°Cの範囲であり、使用可能な素材の数は非常に制限される。図2aによるとスーパーインバーFe-Ni-Co合金またはULE登録商標CorningInc.の登録商標は適切な素材であり、または図2bによると、ガラスセラミックからなるゼロデュア登録商標SchottAGの登録商標型からなる素材を選択してもよい。ULE登録商標はチタンケイ酸ガラスであり、SiO2およびTiO2のガラス混合物である。一次近似式では、ULE登録商標およびゼロデュア登録商標それぞれのゼロクロス温度近辺のCTE値は、たとえば、図2aおよび図2b参照を参照して、方程式CTET=a1T-T0で近似されることができる。ULE登録商標では、定数または傾斜a1は正である。これは、温度が高くなるにつれて、ULE登録商標製の素材の温度TがT0より低いときは素材が縮み、素材の温度TがT0より高いときは素材が膨張することを意味する。ゼロデュア登録商標では、図2bに示すように、定数または傾斜a1は室温の範囲内では負である。これは、温度が高くなるにつれて、温度TがT0より低いときは素材が膨張し、温度がT0より大きいときは素材が縮むことを意味する。高温では、第2のゼロクロス温度T20があり、正の定数または傾斜a2を近似CTET=a2T-T20に有する。これは、素材が熱収縮および熱膨張に関して、ULE登録商標に類似する性質を示すことを意味する。ゼロクロス温度周囲の一定の温度範囲では、ULE登録商標およびゼロデュア登録商標のCTE値は1ppb/K109/Kの範囲からゼロまでである。これは、たとえば、約100mmの厚さを有し、CTE値が約1ppb/Kの素材からなる本体は、温度が1ケルビン1K変化すると約0.1nm膨張または収縮することを意味する。スーパーインバーが1ppb/Kの効率的なCTE値を達成するためには、ゼロクロス温度周辺の温度範囲はかなり小さくなくてはならない。このため、温度制御システムに関して余分な努力が必要となり、これが、EUVリソグラフィにおける反射型光学素子の基板素材として用いるには、特にEUVリソグラフィ露光システム100の投影レンズ20として用いるには、スーパーインバーよりもULE登録商標および/またはゼロデュア登録商標の方が好ましい1つの理由である。一般的に、熱または温度の変動は光学結像システムの収差または画像欠陥に影響を与える。しかし、温度の全体的な変化または均一な変化、たとえば、温度をTx,y,zからTx,y,zΔTx、yおよびzは空間座標を示すに変化する空間温度分布の温度オフセットΔTによる変化は、VUVリソグラフィで用いられる屈折レンズ素子にはほとんど影響を与えない。これは、屈折力はレンズ素子において全体的に変化し、屈折レンズの表面画像の変化は、屈折素材の熱膨張係数CTEがほとんど一定であるため、ごくわずかであるからである。EUVリソグラフィ投影システムでは、鏡などの反射型光学素子が、たとえば、図2aおよび図2bに示すように、温度Tに強く依存する熱膨張係数CTETを備える素材からなり、前述したように、均一の温度変化であっても光学システムの収差値に大きな影響を与える。これについてはより詳細に、図3aおよび図3bに発明者の分析に基づき、概略的に説明する。図3aは本体MBkおよび反射面MSkを備える鏡などの反射型光学素子Mkの側面図を概略的に示す。鏡Mkは空間温度分布Tx,y,zを有する。鏡本体MBkがゼロクロス温度を持つ素材を備える場合は、通常は、温度分布Tx,y,zはゼロクロス温度とは異なる。温度分布が一定の値ΔTによって変化する場合は、たとえば、温度がゼロクロス温度の近くまで上昇すると、たとえば、ゼロデュア登録商標を傾斜a2近似CTET=a2T-T20が負である温度範囲で用いると、鏡は鏡Mkまで膨張し、本体は本体MBkまで膨張する。ただし、第1の近似における膨張にも関わらず、表面MSkの表面画像の形状は変化しないが、膨張した鏡Mkの表面MSkはその位置が変化する。表面MSkは図示するように、値Δzだけz方向に変位する。反射面の位置がこのように変化することは、加熱される鏡Mkの並進運動によって容易に修正可能である。本事例では、画像欠陥または光学収差はほとんど変化しない。図3bは温度分布Tx,y,z=TRef基準温度と呼ばれるのときの鏡Mkの状況を概略的に示す。さらに、一例として、鏡を表面領域において、x1からx2まで鏡本体MBkのx次元に沿って局所的に加熱する。これを温度プロファイルまたは温度分布ΔTxによって示す。最高温度ΔTmaxを有する温度分布ΔTxを基準温度TRefに加える。本事例では、基準温度TRefは鏡が基準形状を有する温度を意味し、また、鏡の反射面MSkが基準表面画像を有する温度を意味する。熱膨張による偏差はこれらの基準形状および表面画像に関連する。さらに、間隔[x1、x2]は鏡本体のx方向の寸法よりも小さいと推定する。鏡本体が基準温度TRefから温度プロファイルΔTxによって加熱され、鏡本体が図2aおよび図2bに示すようにゼロデュア登録商標またはULE登録商標などの、温度T0のときにゼロである温度依存熱膨張係数を備える素材からなる場合、およびTRefΔTmaxである鏡本体の最高温度が、加熱によって一例としてゼロクロス温度T0より低く、基準温度TRefより高い場合は、座標x1とx2との間の反射鏡面は基準温度での表面に比べて収縮する。これは、たとえば、ULE登録商標を用いた場合である。図3bでは、表面画像の変化をMSkによって概略的に示し、基準温度TRefでの基準表面画像MSkと比較する。L1およびL2は基準温度Tx,y,z=TRefでの本体の座標を示し、x方向の本体L0TRef=L2-L1の長さを表す。この変形を詳細に説明するために、図3cを参照する。図3cは本体MBkの長さΔL/L0の相対的な変化を概略的に示す。ここでは長さL0図3bと関連して言及した長さなどを温度の関数とし、ppb単位10億分の1、つまり109の値の関数である。基準温度として、TRef=22°Cを選択する。これは、長さL0が22°Cにおける長さであることを意味する。ゼロクロス温度T0kを、一例として、基準温度より3K高い25°Cに設定する。曲線301はULE登録商標の相対的な長さの変化を概略的に示し、曲線302はゼロデュア登録商標素材の状況を概略的に示す。ゼロデュア登録商標素材は、約25°Cでゼロクロス温度T0を有し、CTE近似CTET=a1T-T0で負の傾斜a1を有するように選択される。たとえば、鏡本体MBkがULE登択商標からなり、鏡本体の温度が鏡内のTRefと2T0k-TRefの温度間隔から選択される場合は、鏡本体は基準温度での鏡本体に対して収縮する。鏡本体がゼロデュア登録商標からなる場合は、図3cから分かるように、曲線302を参照し、鏡本体は基準温度での本体に対して膨張する。鏡面が図3bに示す温度プロファイルに類似する温度プロファイルを有する場合は、第1の近似においてL1とx1との間の鏡面領域は熱膨張によって変化しない。また、温度が基準温度であるかまたは基準温度に近いため、x2とL2との間の領域も変化しない。x1とx2との間の領域では、温度が基準温度とは異なるため、鏡本体は膨張または収縮する。この領域で膨張または収縮のどちらが起こるかは、素材および絶対温度プロファイルΔTxTRefとゼロクロス温度T0kのお互いに対する相対的な位置によって決まる。温度プロファイルの平均温度ΔTavをΔTav=∫ΔTxdx│x2x1/x2-x1とし、積分限度をx1およびx2とする。絶対温度プロファイルΔTxTRefがゼロクロス温度T0kにほぼ等しい場合は、間隔[x1、x2]の膨張または収縮はない。しかし、温度プロファイルΔTxに局所的な温度の変動がある場合には、この間隔内にこの間隔よりも小さい規模で表面変形図3bには不図示がなおあり得る。TavTRef=T0kの場合は、表面画像の変形は最小限となり、間隔[x1、x2]の規模では、無視できるものである。本事例では、収差または画像欠陥は最小限となる。その他の事例では、平均温度がゼロクロス温度ではなく、鏡本体MBkが間隔[x1、x2]の間で収縮する場合は、図3bにMSkとして概略的に示すように、反射面の表面画像は変化する。膨張する事例では、反射面はMSkに変化し、表面画像も変化する。両方の事例において、収差および画像欠陥は増加する。図3bでは、一例として、絶対平均温度はゼロクロス温度より低いが、基準温度TRefと2T0-TRefで示される温度との範囲内にあり、その結果として、図3aの鏡本体MBkにおいてULE登録商標の表面変形MSkおよびゼロデュア登録商標の表面変形MSkが起こる。鏡が均一的に温度T=2T0-TRef近辺に向かう場合は、鏡は基準温度TRefのときと同一の寸法および表面画像を有し、その結果として、加熱によるそれ以上の収差または画像エラーは生じないことに言及するべきであろう。収差に対する熱膨張の影響を上記で簡単に説明したが、様々な単純化がある。たとえば、特別な温度プロファイル、x方向にのみ温度変化があり、その他の次元は基準温度TRefのままであるという前提、および鏡本体がゼロクロス温度において変化しない素材ゼロクロス温度が鏡のx、yおよびz方向において変化しないからなるという前提などである。実際の設計では反射面および鏡のゼロクロス温度または任意の熱負荷下での操作温度などその他の鏡パラメータを最適化するために、より複雑なシミュレーション計算または有限要素計算が必要となる。本発明によれば、鏡の操作温度およびゼロクロス温度を、鏡または反射型光学素子の基準温度TRefx,y,zとは異なる絶対温度プロファイルΔTx,y,zTRefがゼロクロス温度T0に対してほぼ対称となるように、選択する。1次元、たとえば、x方向において、これはΔTavTRef=∫ΔTxdx│x2x1/x2-x1TRef=T0となることを意味する。温度プロファイルΔTが2次元以上で変動する場合、たとえば、ΔT=ΔTx,y,zである場合は、積分を各次元で行い平均温度を得る。つまり、Tav=∫∫∫ΔTx,y,zdxdydz│x2x1│y2y1│z2z1/x2-x1/y2-y1/z2-z1であり、式中、y1、y2およびz1、z2はyおよびz方向それぞれの鏡の縁である。代替的に、各次元の平均温度を個別に算出する。本事例では、ゼロクロス温度への最適化を収差に最も関連する一次元または複数の次元に関連する、1つの個々の平均温度または2つの個々の平均温度に対して行うことができる。さらに、本発明によれば、ゼロクロス温度の最適化を、ゼロクロス温度を有するEUV投影レンズの各鏡の期待絶対平均温度ΔTavTRef=T0に適合してもよい。代替的に、期待絶対平均温度を、たとえば、少なくとも1次元において、均一的に鏡本体を加熱手段を用いて加熱することによって、均一的に鏡素材のゼロクロス温度まで上昇させる。この方法によって、下記で述べるように、さらなる可撓性が実現できるため、この方法が好ましい。図3dから図3fは投影レンズ20図1で使用するEUV鏡のより現実的な温度分布を示す。図3dでは、上面からの鏡Mkとその寸法を示す。この鏡の温度分布およびそれぞれの収差をシミュレーションするために、図6に示すように6つの鏡を備えるEUV-投影レンズk=1から6を用いた。鏡24図6参照、つまり、図3dから図3fに示す、投影光線の方向から数えてレチクルから4つ目の鏡であるM4の結果を図3dから図3fに示す。6つの鏡を備えるEUVレンズを下記に示し、説明する。図3dでは、温度分布をグレーの陰影パターンで示す。温度は鏡周辺部の基準温度TRefである22°Cから、中央の黒点における約TRefΔTmaxx=24°Cまで上昇する。図3eは基準温度に対する温度差を、最高温度ΔTmaxまでx方向に沿った鏡の温度プロファイルΔTxとして示す。図3fは基準温度に対する温度差を、最高温度ΔTmaxまでy方向に沿った鏡の温度プロファイルΔTyとして示す。鏡が均一に温度プロファイルを有する結果として、前述した鏡面の変形が生じる。これらの変形は収差を生じ、この収差が画像エラーまたは欠陥の原因となる。これを図3gに示す。図3gでは鏡M4のゼルニケ係数値を示す。この係数は、像点IPを生成する画像面の理想的な球面波面の偏差量または大きさである図1参照。ゼルニケ係数を得るために、一連のゼルニケ関数において波面を膨張させる。理想的な球面波は第1のゼルニケ係数のみを有し、ほかのすべての係数はゼロである。そこで、2より大きいゼルニケ係数の値は様々な画像エラーの基準であり、これらの係数が大きくなるほど、光学撮像システムの光学収差は大きくなる。図3gでは、各ゼルニケ係数に2つの値が与えられている。左側の値バーは鏡を追加加熱していない値である。右側のバーが示す右側の値は、均一な追加加熱を行った鏡の値である。この値に関してここで詳細に説明する。この例の鏡M4は25°Cのゼロクロス温度を備えるULE登録商標からなる鏡本体を有する。基準温度はTRef=22°Cである。これは、EUV光がないと、鏡の温度は22°Cであることを意味する。好ましくは、この22°Cの温度で、収差は最小限となる。EUV光のスイッチを入れ、物点OPを像点IPに投影すると、図3gのそれぞれの左側のバーに示すように、鏡は加熱し、収差が起こる。EUV光のスイッチを入れる前に、鏡M4を追加して均一的に2°C加熱して24°Cにすると、右側のバーに示すスイッチを入れた後の収差は大幅に左側の収差よりも低くなる。これは、EUVレンズの収差を、少なくとも1つのレンズの鏡を均一に加熱することによって、大幅に低減できることを意味する。図3hから図3lは、投影レンズ20図1で用いるEUV鏡の別の現実的な温度分布を示す。図3hでは、図6のEUV投影レンズの鏡M6を図3dと同様に示す。この鏡の温度分布およびそれぞれの収差をシミュレーションするために、6つの鏡を備えるEUV投影レンズを図3dから図3gに用い、および図6に示す。鏡26図6参照、または投影光線の方向から数えてレチクルから6つ目の鏡であるM6の結果を図3hから図3lに示す。温度は鏡周辺部の基準温度TRefである22°Cから、左側および右側の黒点中央において約1.2°Cまで上昇する。図3iは最高温度までx方向に沿った鏡の温度プロファイルを示し、基準温度に対する温度差ΔTx=Tx-TRefを示す。図3kは、x方向の最大値の間の最低温度まで、y方向の基準温度に対する温度差ΔTy=Ty-TRefを示す。鏡の不均一な温度プロファイルの結果として、鏡面の変形がここでも起きる。この鏡のゼルニケ係数の値を図3lに示す。ここでも左側の値バーは鏡を追加加熱していない値である。右側の値は鏡を追加加熱した値である。鏡M6も25°Cのゼロクロス温度を備えるULE登録商標からなる鏡本体を有する。基準温度もTRef=22°Cである。これも、EUV光がないと、鏡の温度は22°Cであることを意味する。好ましくは、この22°Cの温度で、収差は最小限となる。EUV光のスイッチを入れ、たとえば、物点OPを像点IPに投影すると、図3lのそれぞれの左側のバーに示すように、鏡は加熱し、収差が起こる。EUV光のスイッチを入れる前に、鏡M6を追加して基準温度TRefを均一的に3.8°C加熱して25.8°Cにすると、スイッチを入れた後の右側のバーに示す収差は大幅に左側の収差よりも低くなる。これも、EUVレンズの収差を、投影レンズの少なくとも1つのレンズの鏡を均一に加熱することによって、大幅に低減できることを意味する。図4を参照し、鏡取り付け台を備える鏡をより詳細に説明し、基準温度TRefの意味を説明する。図1または図6を参照して前述した投影レンズ20は、鏡21、22、23、2425、26または全体的に複数の反射型光学素子Miを備え、それぞれの鏡が本体MBiおよび反射面MSiを備え、投影レンズ20が50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクルまたは構造化対象物M上の対象フィールドの少なくとも1つの物点OPを、基板またはウエハW上の画像フィールドにおける像点IPに投影する。好ましくは、約13nmの波長を用いる。EUV光は、EUVリソグラフィ投影型露光システム100の照明システム10による照明の後に、レチクルMから反射される。さらに、投影レンズ20は、受動的または能動的に複数の反射型光学素子Miたとえば、鏡21、22、23、24を支持する支持構造を備える。支持構造または支持構造の少なくとも一部分の温度は基準温度TRefである。これを図4に詳細に示す。図4では鏡421の鏡取り付け台アセンブリ400を概略的に示す。鏡421は、EUVリソグラフィ投影型露光システム100図1で用いられる複数の反射型光学素子Miから、たとえば、国際公開第2005/026801号に記載するように、1つの反射型光学素子Mkを表す。鏡421は、ゼロデュア登録商標またはULE登録商標からなる鏡本体MBk、またはゼロデュア登録商標またはULE登録商標の1つを備える素材からなる鏡本体MBk、または少なくとも1つのゼロクロス温度を有する素材からなる鏡本体MBkを備える。鏡421はまた、規定の層厚さを有する規定の層素材からなる任意の多層を備える反射面450を備え、EUV光の投影光線4図1の反射率を改善する。鏡本体MBkは支持素子480によって支持される。一例として、鏡421は3つの取り付け台または連結点451、452、453によって支持、または懸架される。これらの各取り付け点において、鏡本体MBkは二脚構造461、462、463を備える連結素子471、472、473と接続して、運動学的取り付けを実現する。運動学的取り付けによって、寄生力および/またはモーメントがほとんど支持素子480から鏡に移動しないように鏡421を保持する。通常は、これらの二脚構造の少なくとも1つは作動装置を有してもよいが、必ずしも必要ではない。支持素子480は投影レンズ20のハウジング構造481に固定される。ハウジング構造は投影光学ボックスまたはPOBと呼ばれることもある。本発明によれば、規定のまたは制御された基準温度TRefを有する支持構造として、連結点451、452、453、連結素子471、472、473、二脚構造461、462、463、支持素子480またはハウジング構造481の素子の1つを、好ましくは選択する。選択した支持構造はEUVリソグラフィ投影システムで用いる温度制御システムにもとりわけ依存する。このため、図4においてこれらすべての素子はTRefで示されているが、これらすべての素子が投影システム100の操作中に同一の温度を有することを必ずしも意味しない。本発明によれば、基準温度TRefは選択される支持素子の温度である。選択される支持素子は、EUVリソグラフィ投影システムのEUV光のスイッチを切る操作モードにおいて、またはEUV光出力が約10より低い露光力である操作モードにおいて、反射型光学素子421を支持する。EUV光出力が約10より低い露光力である操作モードは、通常は、EUVリソグラフィ投影システムの大量生産操作モードにおいて、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するために用いられる。この基準温度TRefは、通常は、投影レンズ20を操作するクリーンルームの室温に近い温度を選択する。つまり、基準温度は約20°Cから24°Cの範囲内であり、好ましくは、22°Cである。ほとんどのEUVリソグラフィ投影型露光システムにおいて、追加温度制御システムは、基準温度が投影レンズ20の操作中においても一定となるように基準温度TRefを制御する。通常は、この基準温度はハウジング構造481および/または支持素子480の温度であり図4、たとえば、図3で選択するように22°Cである。本発明によれば、好ましくは、ゼロクロス温度T0kが基準温度より高くなるように、温度を選択する。これにより、鏡をゼロクロス温度近辺で操作するために、鏡または反射型光学素子を基準温度TRefより低い温度に冷却する必要がないという有利点を有する。EUV投影レンズの鏡を冷却することを避けることは有利である。なぜなら、レンズは真空で操作されるため、真空内で鏡を冷却することは技術的に困難であり、または費用がかかるためである。さらに、本発明によれば、投影レンズ20は、少なくとも1つの光学素子Mkを加熱するためのヒータ300と、少なくとも1つの光学素子Mkの温度を、図5に示すように温度Tkまで制御するための温度制御システム200とを備える。図5では、類似の符号は図4と同一または類似の部品を示す。加熱可能な光学素子Mk上では、投影レンズが露光力に曝される場合、およびヒータ300を起動せず、または加熱しない場合は、基準温度に対する空間温度分布ΔTx,y,z=Tx,y,z-TRefが形成される。この分布は上記で規定するように平均温度ΔTavを有する。少なくとも1つの加熱される光学素子Mkを図4に示す方法と同一の方法で支持構造に接続してもよい。さらに、少なくとも1つの加熱される反射型光学素子Mkの鏡本体MBkは、基準温度TRefより高い温度T0kでゼロである温度依存熱膨張係数を有する素材を備える。温度T0kはゼロクロス温度とも呼ばれる。好ましい基準温度はTRef=22°Cであるため、好ましいゼロクロス温度T0kは22°Cと約70°Cの間である。前述したように、このような素材は、たとえば、ゼロデュア登録商標またはULE登録商標である。少なくとも1つの温度制御されたまたは加熱可能な光学素子Mkの温度Tkと、ゼロクロス温度T0kおよび基準温度TRefとの関係は、Tkを以下の群から選択するものである。Tk=T0k-ΔTav;Tk=2T0k-TRef-ΔTav;Tk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTav;Tk=T0k-ΔTmax;Tk=2T0k-TRef-ΔTmax;Tk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTmax。この温度Tkを、好ましくは、温度分布ΔTx,y,zが光学素子Mkに形成される前に達成する。その一方で、光学素子が投影システムの操作モード中のEUV光に曝される場合に、温度分布は加熱の結果として生じる。反射素子Mkはゼロクロス温度に近いため、鏡または反射素子Mkが吸収する投影光線のEUV光は約ゼロクロス温度まで加熱するので、これは有利点を有する。本発明の有利点は、ヒータ300を利用することによって、鏡を投影プロセスの間に好ましいゼロクロス温度で操作でき、ゼロクロス温度を極めて自由に選択できることである。代替として、ΔTavが約1Kと小さい場合に、Tkもゼロクロス温度T0とすることができる。これは、温度Tkは温度制御システム200によってヒータ300図5参照の温度まで制御されることを意味する。好ましくは、ヒータは鏡Mkを均一的にこのような一定温度値まで加熱する。温度TkはEUV光の電源が入っていないEUVリソグラフィ投影システムが操作モードにあるときの、鏡Mkの操作温度である。EUV光の露光力は、通常は、リソグラフィ露光システムの大量生産操作モードにおいて、レチクルの対象フィールドを基板の画像フィールドに投影するために用いられる。EUV光を露光力にすると、反射型光学素子または鏡Mkの温度は平均温度ΔTav分増加し、ゼロクロス温度T0になるか、またはゼロクロス温度T0に近づく。前述の通り、好ましくは、EUV光のスイッチを入れる前に、温度Tkをすでにその値に制御する。好ましい実施形態では、ヒータを制御し、鏡Mkが受ける熱エネルギが一定となるようにする。これは、たとえば、鏡がエネルギの一部を吸収する場合、たとえば、EUV光の一部を吸収する場合に、ヒータが加熱力を低減し、鏡への熱エネルギの全入力が時間がたつと一定となるようにすることを意味する。この結果として、鏡の平均温度も時間がたつと一定またはほとんど一定となる。Tkの様々な好ましい値の詳細は以下で説明する。温度Tkは反射面MSkまたは鏡本体MBkで制御されてもよい。温度T0kゼロクロス温度、鏡Mkまたは反射型光学素子全般の操作温度Tkと支持構造の基準温度TRefならびに平均温度ΔTavとの前述した関係によって、ほとんどの現実的な事例では、反射型光学素子Mkの長さおよび表面画像にはほとんど変化は起こらない。また、収差または画像エラーは図3gおよび図3lに示すように、大幅に低減し、温度Tkは約Tk=T0k-ΔTavおよびTk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTavに制御される。方程式Tk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTavも、温度分布が鏡面だけではなく、鏡の厚さ方向またはz方向にもあることを考慮している。反射面側面、たとえば、鏡の周辺部に温度Tkが存在すると想定し、鏡の裏側に、たとえば、基準温度TRefである支持構造の熱伝導によって基準温度TRefが存在する場合は、Tkの有効な温度はTk=2T0k-TRef-ΔTavによって得られる。しかし、温度制御システムの精度または温度Tkが制御可能な精度も、収差または画像エラーに影響する。温度制御およびその他システムの変動による反射型光学素子Mkの本体MBkの温度の精度が±1Kの範囲内である場合は、長さの相対的な変化は、図3cの符号303によって概略的に示されるように、通常は約10ppb未満である。しかし、これは、操作温度が約TRefT0k-TRef/2とTRef3T0k-TRef/2との間で選択できることを前提としている。図3cから分かるように、操作温度が基準温度TRefに近すぎると、または全般的にゼロクロス温度T0kから遠すぎると、符号304および305が示すように、長さの相対的な変化は10ppbよりもはるかに大きい。このような事例では、本体MBkの変形により、鏡が変形する大きな危険性があり、システムの光学性能の劣化を招く。これらの理由から、特に操作温度Tkが間隔[TRefT0/2;TRef3T0k-TRef/2]の間にある場合は、操作温度Tk=T0k-ΔTavおよびTk=TRef3T0k-TRef/2-ΔTavが好ましい。鏡本体MBkの素材のゼロクロス温度が光レンズの設計に用いられる設計計算またはシミュレーションよりも高い素材を選択すると有利である。これらの計算において、周辺温度の変動、レンズ設計の設計前提の変動、EUV光源およびレチクル反射の変動も考慮してもよい。これらの変動は、EUV投影レンズを設計する際に、鏡Mkの最大または平均温度の計算に影響する。ゼロクロス温度を算出した値よりも数度高いケルビン値に選択すると、EUVレンズを、あらゆる状況下で、収差が最小限となるゼロクロス温度に近い好ましい温度で操作することができる。鏡のこの操作温度を、ヒータ300およびコントローラ200を用いて均一および制御して加熱することによって実現してもよい。ヒータ300には、様々な実施形態を用いることができる。たとえば、金属板として形成し、鏡の近辺、好ましくは、鏡の裏側近辺に配置する加熱素子を用い、電気的に加熱する。代替的にまたは追加的に、電気加熱素子を鏡本体と直接接触させる。別の代替的または追加のヒータは、鏡または反射素子を照射する赤外線源を備える。さらに、温度制御システム200は、鏡温度Tkを1または複数の位置で直接測定するセンサを備えてもよい。本発明の別の実施形態では、少なくとも1つの光学素子Mkの温度Tkは、温度制御システムによって制御され、光学素子Mkの反射面MSkの温度TMSK図5または光学素子Mkの本体MBkの温度TMBKであることもある。代替的にTkは、本体MBkの温度TMBKおよび/または反射面MSkの温度の関数から得る温度であることもある。さらに、反射面TMSKの温度は平均表面温度であることもある。このような平均は、たとえば、表面温度を赤外線カメラ、または空間分解パイロメータで測定することによって行うことができる。本体TMBKの温度もデータ本体MBkの複数の空間位置で測定した複数の温度の平均温度とすることもできる。好ましくは、空間位置または鏡本体の温度を測定する空間位置のサブセットを、反射面の近辺に配置する。コントローラ200によって、温度値または制御パラメータを反射面および/または本体の1または複数の温度の測定から算出することができる。別の代替として、前述の通り、制御システムの温度Tkを本体MBkまたは反射面TMSKの空間温度分布から選択する。光学素子Mkの温度が1つの場所または複数の場所で測定されるか、温度制御システムが温度信号の1つの入力チャネルまたは複数の入力チャネルを備えるかによって、前述の温度制御の選択肢の1つを選択する。代替的にまたは追加的に、光学収差を決定することができ、温度コントローラ200は鏡温度を制御して、収差が最小になるようにする。温度制御または収差制御のために、温度Tkを明示的に決定する必要はない。また、モデルベースのコントローラも、鏡の温度または鏡に伝達されるヒータの加熱を制御するために用いることができる。モデルはレンズが受けるEUV光出力、レチクルが照射される照明設定、レチクル上の構造およびレンズの光学収差などのパラメータを考慮してもよい。別の実施形態では、照射されたレチクルのEUV光は、照明設定にしたがって、角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備える。この結果として、通常は、基準温度TRefに対する空間温度分布ΔTx,y,z=Tx,y,z-TRefとなる。この温度分布は、通常は、平均温度ΔTkavおよび最高温度ΔTkmax=TRefΔTkmaxを有する。この温度分布は、ヒータを加熱せずに、投影レンズが露光力を受ける場合に、加熱可能な光学素子Mkの反射面MSkから形成されることに言及すべきである。前述の温度Tkの選択の代わりに、温度分布決定後に温度TkをTk=T0kTRefΔTkmax/2として選択する。ΔTkmaxによって、前述のゼロクロス温度が最高温度Tkmax=TRefΔTkmaxより高い場合に、この選択は、加熱される光学素子はゼロクロス温度近くまで加熱されるという有利点を有する。前述の通り、Tkは光学素子Mkの本体MBkの温度TMBKであってよく、温度は、本体MBkの温度TMBKおよび反射面MSkの温度TMSKの関数によって得られる温度、または投影光線4のEUV光のスイッチを入れる前の本体MBkまたは反射面TMSKの空間温度分布から選択される温度であってよい。本発明による投影レンズの別の実施形態では、光学素子Mkの温度Tkは投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、第1の加熱力でヒータを加熱することによって、その値を制御される。これは、EUV光に曝される前の光学素子Tkの操作温度は非常に露光中の操作温度に近いという有利点を有する。この結果露光時間の関数としての収差エラーは大幅に低減でき、投影システムは、画像品質がほとんど変化しない安定状態の作動条件ではるかに迅速になる。好ましくは、露光中の投影レンズがEUV光の露光力を受けている間ヒータの加熱力は第1の加熱力より小さい。これにより、光学素子Mkが加熱することを防ぐ。本発明による投影レンズの別の実施形態では、第2の光学素子M2kを温度T2kまで過熱するための第2のヒータを用いる。第2の光学素子M2kの本体MB2kも基準温度より高い温度T02kでゼロである温度依存熱膨張係数を有する素材を備える。第2の光学素子上では、投影レンズが露光力に曝されるとき、第2のヒータを加熱せずに、基準温度TRefに対する第2の空間温度分布ΔT2x,y,z=T2x,y,z-TRefが形成され、平均温度ΔT2avおよび最高温度ΔT2maxを有する。前述の実施形態と同様に、図3cにも関連して、第2の光学素子M2kの温度T2kを前述の第1の加熱される鏡Mkの操作温度Tkと同一の関係にしたがって選択する。これは、第2の光学素子M2kの操作温度T2kは、好ましくは、次のグループから選択されることを意味する。T2k=T02k-ΔT2av;T2k=2T02k-TRef-ΔT2av;T2k=TRef3T02k-TRef/2-ΔT2av;T2k=T02k-ΔT2max;T2k=2T02k-TRef-ΔT2max;T2k=TRef3T02k-TRef/2-ΔT2max。この場合、光学素子または鏡M2kを投影光線4のEUV光のスイッチを入れる前の温度T2kまで加熱するか、または好ましくは加熱する。この実施形態では、本体MB2kの素材は第1の光学素子の本体MBkの素材と同一であっても、異なっていてもよい。同一の素材の第1の事例では、好ましくは、素材は第1の反射素子Mkとは異なるゼロクロス温度を有し、CTET関数たとえば図2b参照はそれぞれのゼロクロス温度の傾斜に異なる算術記号を有する。これには、素材が図2bに示すゼロデュア登録商標素材に対して、少なくとも2つのゼロクロス温度T0およびT02を有することが必要である。異なる素材の例は、ULE登録商標を1つの光学素子に用い、ゼロデュア登録商標をもう1つの光学素子に用いることである。また本事例では、好ましくは、それぞれのゼロクロス温度の傾斜の算術記号は異なる。たとえば、国際公開2005/040924に記載するように、この有利点は収差を低減するための別の手段として用いることができる。図6は反射型光学素子M1からM6として6つの鏡を備えるEUV投影レンズの追加の概略的な構成を示す。反射型光学素子M1からM6はそれぞれ符号21、22、23、24、25および26で示される。図6では、図1と類似の符号は同一または類似の部品を示す。さらに、鏡をレチクルMからウエハWまでの投影光線4の下流方向に配置された順番に付番する。たとえば、図1または図6に示すように、このようなEUV投影レンズ20が物点OPをウエハ上の像点IPに投影するためのEUV光に曝されると、個々の鏡が加温される。好ましくは、EUV光のスイッチを入れる前に、これらの鏡を、たとえば、22°Cの基準温度TRefにする。図7は、このようなレンズがレチクルM後に16Wの出力を有する投影光線4に曝される場合に、図6の投影レンズ20の6つの鏡を加温する例を示す。この出力を生成するために、1kWより大きい光源力が光源1に必要である図1参照。図示する線図はシミュレーション計算であり、レチクルは双極子照明設定で照明され、図3hに示す鏡と同様に、最後の鏡M6に温度分布を与える。鏡M6は投影レンズ20の瞳面に、またはその近くに配置されるため、双極子はこの鏡上に見ることができる。図7では、6つの鏡それぞれの平均温度ΔTavを時間の関数として、それぞれ下方の曲線で示す。平均温度を上記で規定するように算出する。同様に、温度分布ΔTx,y,zの各鏡の最高温度ΔTmaxを時間の関数として示し、各鏡の上方の曲線で表す。鏡M5、M3およびM2の熱負荷によって、これらの鏡がそれぞれ約4.5K、4.0Kおよび3.5Kまで加温されることが分かる。M1は約2K加温され、M4、M6は約0.5K加温される。さらに、鏡がほとんど一定の安定状態温度になるまで150分以上必要であることが分かる。この期間中、これらの表面の反射面および表面画像の効率的な位置は、図3aから図3cで説明したように変化する。この結果として、時間がたつと平均温度がそれぞれのゼロクロス温度に対して変化するため、前述の光学収差が生じる。しかし、レンズ20を安定状態条件に最適化してもよい。これは、鏡のゼロクロス温度が安定状態温度またはほとんど安定状態温度、つまりi番目の鏡i=1から6に対してT0i=TaviTRefとなるように、鏡のゼロクロス温度を選択することを意味する。この場合は、図3aから3cと関連して記載したように、収差は最小限となる。鏡を表面画像が約22°Cの温度となるようにまたは全般的に基準温度の近辺となるように製造する場合は、図3aと関連して記載したように、鏡を均一的にこのように選択されるゼロクロス温度まで加熱した場合であっても、この表面画像はほとんど同一のままである。さらに、鏡が投影光線4の出力を吸収したために空間温度分布Tx,y,zを有する場合は、この吸収によって生成されたこの収差も、図3bおよび図3cで説明したように最小限となる。現実的には、ゼロクロス温度を素材選択によって最適化する提案は次の欠点を有する。1.安定状態温度は、光源力、照射されたレチクルおよびレチクルを照射する照明設定によって異なる。2.特定のゼロクロス温度を有する鏡素材を製造することは非常に高価である。さらに、製造公差が存在し、製造公差を有する大量の素材群の中から必要な素材を選択することによってのみ、特定のゼロクロス温度が実現できる。これは非常に高価となる。米国公開特許第2003/0125184号では、一定の規定のゼロクロス温度を有するゼロデュア登録商標の製造が困難であることが記載されている。さらに、ゼロクロス温度を決定することが困難であることも示される。3.最初の約2時間から3時間の加温段階中に、EUVレンズを微細構造対象物の大量生産には用いることのできない、許容できない収差がある。収差に関する上記の欠点の影響は図8から分かる。図8はゼルニケ係数Z5の形で収差を示す。Z5で、図6に示すレンズの6つの鏡それぞれのRMS値実効値を示す。投影レンズの各鏡が図7に記載する安定状態にある場合に、Z5をゼロクロス温度の関数として示す。各鏡のバーは、ゼロクロス温度が高くまたは低く選択される場合に、収差が増加する様式を示す。計算は18°C最も左側のバーから34°C最も右側のバーまでのゼロクロス温度に対して1Kごとに行った。M2では安定状態温度は約25.5°CTRef=22°CでTav2=3.5Kであり、様々なゼロクロス温度の収差値を、それぞれのゼロクロス温度データを記載した矢印で示す。図8による最適なゼロクロス温度は26°Cから27°Cの間であり、安定状態温度25.5°Cがゼロクロス温度に対応する場合に、最小収差が実現することと一致する。図8は、鏡の安定状態温度がゼロクロス温度と約±1Kの範囲内で一致しない場合は、収差が増加することを明確に示す。安定状態温度TRefΔTavはEUV光源力、用いた照明設定、用いたレチクルおよびその他複数の態様に依存する。鏡素材を選択するとゼロクロス温度は固定されるため、収差を最小にできる前述のすべての動作条件下で、EUVレンズをこのように構築することは不可能に思われる。また図8では、ゼロクロス温度T0kに関する製造公差の影響が分かる。たとえば、鏡M2では、27°Cのゼロクロス温度で収差が最小限となり、製造素材がゼロクロス温度T02=29°Cを有する場合は、収差はほとんど2倍となる。鏡M1では、最適なゼロクロス温度から2K偏差すると、矢印81および82で示すように、さらに高い収差が生じる。図9は投影中にEUVレンズ20が受けるレチクルM後のEUV光出力Pの関数として最適化ゼロクロス温度を示す。計算は最大の収差が生じる設定で行う。すべての鏡の最適化ゼロクロス温度T0iは出力Pと線形に良く近似して増加することが分かる。計算は16Wまで行い、図7および図8の計算をするために、6つの鏡すべての鏡素材としてULE登録商標を選択した。さらに、製造されたレンズ20が光学収差に関して最適化される場合は、1つのEUVレンズ内でのゼロクロス温度の変動は出力と共に変動することも分かる。これは、鏡を製造するために、幅広く変動し、異なるゼロクロス温度を有する異なる素材を用いなければならないことを意味する。このため、製造がさらに非常に高価になる。さらに、本発明者らは、EUVレンズがEUV光出力および収差に最適化されている場合は、高い露光力に対して、投影レンズ内のゼロクロス温度の差は6Kより大きく、さらに8Kより大きくなることを初めて気付いた。このため、好ましくは、別の実施形態では、本発明の投影レンズの前述の実施形態では、加熱可能な光学素子のゼロクロス温度T0kと第2の加熱可能な光学素子のゼロクロス温度T02kとの差の絶対値が6Kより大きくなるように選択し、absT0k-T02k>6Kで表す。このような投影レンズを用いて、有利には、光学素子でのEUV光の吸収による熱効果によって生じる光学収差を高いEUV光出力においても低減することができる。前述の本発明の投影レンズの別の実施形態では、少なくとも1つの加熱可能な光学素子Mkのゼロクロス温度T0kは、最高基準温度TRefおよび、それぞれの空間温度分布ΔTx,y,zに基づく、平均または最高温度ΔTavTRefまたはΔTmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く、T0k>maxTRef,ΔTavTRefまたはT0k>maxTRef,ΔTmaxTRefで表す。これは、ヒータ300を用いると、少なくとも1つの加熱可能な光学素子は、投影プロセス中に用いるEUV光出力および基準温度に関わらず、ゼロクロス温度まで加熱されるという有利点を有する。このように光学収差は投影レンズ20のすべての操作条件で最小限にすることができる。前述の本発明の実施形態の教示は鏡の数とは無関係である。本発明の実施形態の教示は、たとえば、図1に示す4つの鏡21、22、23および24を備える投影レンズ20、または図6に示す、6つの鏡21、22、23、24、25および26を備える投影レンズ20に適用することができる。さらに、特に少なくとも1つの鏡または光学素子Mkがヒータ300によって加熱される投影レンズ20において、光学収差を最小限にするために、少なくとも1つの加熱される光学素子Mkを並進運動のためにアクチュエータに接続することが有利である。これにより、図3aと関連して記載したように、鏡Mkを鏡Mkの均一の加熱を補償するために移動することが可能となる。さらに、鏡または光学素子Mkを加熱するためのヒータ300は、有利には、図13の記載を参照して下記に詳細に述べるように、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える。さらに、このような加熱素子を規定の空間座標で1次元または2次元に任意に配置し、グリッド構造を形成する。有利には、加熱素子が赤外線放射を放射または誘導する実施形態において、これらの実施形態は、赤外線放射を構成するための光学構成を備える。光学構成は、コリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備える。このような構成素子は少なくとも軸の周囲で傾斜可能であってよい。このような光学構成の例を図13に示す。さらに、前述の投影レンズの実施形態の代わりとして、少なくとも1つの光学素子Mkは鏡本体MBk内または鏡本体MBk上に修正を備える。修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される。修正については図13と関連して下記に詳細に説明するが、有利には、修正は、たとえば、光学素子を局所的に加熱するための赤外線放射を誘導するために用いられる。高い露光力のために、投影レンズ内の鏡のゼロクロス温度の差は6K以上でなければならないという前述の発見から、本発明は、以下第1の投影レンズと呼ぶ投影レンズにさらに関する。この第1の投影レンズは8WのEUV光より大きい露光力に曝されるように設計され、50nmより小さい波長範囲の波長、好ましくは、13nmの波長を備える。図7、図8および図9の計算は、13nmの波長、および図6に示す6つの鏡を備えるレンズ20を用いて行った。一般的に、このようなレンズは鏡などの少なくとも2つの複数の反射型光学素子Miを備える。各鏡または反射型光学素子は本体MBiおよび反射面MSiを備え、投影レンズがEUV光の露光力に曝される場合は、レチクルの対象フィールドを基板の画像フィールドに投影する。この光は、レチクルがEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによって照明された後に、レチクルから反射される。さらに、少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備える。この第1の投影レンズのゼロクロス温度T0mとT0との差の絶対値は6Kより大きく、absT0m-T0n>6Kで表す。これは、図8から分かるように、レンズが8W以上の露光力に曝される場合に、たとえば、鏡M5および鏡M4またはM6の事例である。このような第1の投影レンズの別の第2の実施形態として、レンズはたとえば、図1および図6に示す4つまたは6つの複数の反射型光学素子Miまたは鏡を備えることもある。好ましくは、投影レンズは10Wより大きい露光力に曝されるように設計される。本事例では、ゼロクロス温度T0mとT0nの差の絶対値は8Kより大きく、absT0m-T0n>8Kで表す。図6、図9の6つの鏡のレンズ20は、鏡M5およびM4またはM6に対してこれを明確に示す。これらの鏡のゼロクロス温度の差は、露光力が10Wより大きい場合に、8Kより大きい。第3の実施形態における第1の投影レンズおよびその従前の実施形態は、図4および図5と関連して記載したように、受動的または能動的に複数の反射型光学素子Miを支持する支持構造を備えていてもよい。支持構造の少なくとも一部分の温度は、基準温度TRefであり、たとえば、22°Cに選択される。さらに、第1のレンズの実施形態によればレンズは、異なるゼロクロス温度を有する素材を備える鏡本体MBn、MBmの少なくとも1つを加熱するためのヒータ300を備える。温度制御システム200は少なくとも1つの加熱される鏡本体MBn、MBmの温度を温度Tkまで制御する。好ましくは、ヒータ300が本体を均一的に加熱できるようにヒータ300を構成する。これは、本体MBn、MBmが本体の少なくとも1次元において均一的に加熱されることを意味する。様々な種類のヒータ300を本明細書で以下に記載する。第1のレンズの別の第4の実施形態およびその従前の実施形態によれば、前述のヒータ300の操作をせずに、EUV光を備える本体MBn、MBmの反射面MSmおよびMSnの露光によって、本体MBn、MBmの基準温度TRefに対する温度分布はΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRef、それぞれの平均および最高温度はΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなる。反射面MSmおよびMSnを照射するEUV光は照射されたレチクルによって反射され、照明設定にしたがって、角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布パラメータを備える。この実施形態において、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nは、最高基準温度TRef、およびそれぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、それぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択され、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef、T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRefまたはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRefで表す。通常は、基準温度は一定であり、支持素子480またはハウジング構造481図4および図5参照の温度として選択される。レンズがEUV光の露光力に曝される場合であっても、鏡の裏側もこの温度を有することが多い。ゼロクロス温度をこのように選択する有利点は、ヒータ300を用いると、それぞれの鏡が加熱によって常にゼロクロス温度になることである。通常は、ヒータ300を適用せずに、図7で説明するように、鏡のみが平均温度まで加熱されるためである。ゼロクロス温度をこの温度に適応すると、図3aおよび図3bと関連して記載したように、光学収差は最小となる。しかし、ゼロクロス温度が絶対平均温度TRefΔTmavまたはTRefΔTnavよりも高く設定される場合は、鏡を追加ヒータ300で加熱することによって、鏡を選択されるゼロクロス温度まで加熱し、収差を最小限にすることができる。さらに第1の投影レンズの第5の実施形態およびその従前の実施形態によれば、ゼロクロス温度の製造公差を考慮する。これは、本発明による第1の投影レンズの素材が、ゼロクロス温度T0m、T0nを有する素材を備え、製造プロセスによるゼロクロス温度の実際の値に関して変動し、製造公差がΔT0m、ΔT0nとなる場合は、それぞれの実際の値が温度間隔T0m±ΔT0mおよびT0n±ΔT0nの間であることを意味する。本事例では、有利には、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nは、最高基準温度TRefおよびそれぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、それぞれの絶対平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択され、さらに、これらの値にそれぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nの絶対値を加え、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef│ΔT0m│、T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRef│ΔT0m│またはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef│ΔT0n│、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRef│ΔT0n│で表す。このようなゼロクロス素材に関する素材選択は、ゼロクロス温度に関する仕様を緩めることができるという大きな有利点を有する。なぜなら、ヒータ300は選択されるゼロクロス温度を備える、それぞれの加熱可能な反射型光学素子を、追加加熱によって加熱してゼロクロス温度まで、またはゼロクロス温度近辺まで加熱でき、収差を最小限にできることを保証するからである。好ましくは、必ずしも必要ではないが、鏡を均一的に加熱するように加熱を行う。素材選択に関するこの単純可の結果として、大幅な費用削減が可能となる。平均温度ΔTnav、ΔTmavの代わりに、最高温度ΔTnmaxおよびΔTmmaxをゼロクロス温度として選択する場合は、選択プロセスにおいて、たとえば、露光力をより高い値にする変化に関してシステムはより強固になる。さらに第1のレンズの第6の好ましい実施形態およびその従前の実施形態によれば、加熱される鏡本体または加熱される鏡本体MBn、MBmの温度は温度Tkの値に制御される。温度Tkはそれぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを中心として間隔±5K、より良くは間隔±2Kの範囲内にあり、熱伝導光学収差を最小限にする。たとえば、図7に示すように、ゼロクロス温度が安定状態に最適化される場合は、システムを加温段階では用いることができないという前述の欠点の項目3は、本発明の第1のEUVレンズの第3から第6の実施形態によって、ヒータ300を用いることで解決することができる。この欠点を解決するために、第1のレンズの第3から第6の実施形態の1つによる第7の実施形態では、投影レンズ20を投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に加熱する。反射型光学素子Mn、Mmの少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度Tkは、第1の加熱力を備えるヒータ300によって加熱されることによって、その値に制御される。好ましくは、温度Tkは第1の投影レンズの上記の第3から第6の実施形態の値から選択される。ゼロクロス温度およびEUVレンズが受ける露光力の値によって、第1のレンズの第8の実施形態によれば、ヒータの加熱力は、EUV光の露光力を備える投影レンズ20の露光時間中に、第7の実施形態で前述した第1の加熱力より低く選択される。好ましい第1のレンズの第9の実施形態によれば、温度制御システム200は温度Tkを制御し、反射型光学素子Mn、Mmの少なくとも1つの本体MBn、MBmを加熱するヒータ300の加熱力、および少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmは吸収するEUV光の露光力は、時間がたつと一定またはほとんど一定になる。有利には、この結果として、鏡本体の温度変動が最小となり、熱伝導光学収差も最小限となる。第1のレンズおよびその様々な実施形態では、反射型光学素子または鏡に、ゼロクロス温度に関して大幅に異なる素材を基本的に使用する。本発明の第1のレンズおよびその様々な実施形態は、図4および図6に記載するように鏡の形で4つまたは6つの反射型光学素子を備えるEUV投影レンズに限定されるものではないことに言及すべきである。EUV露光のEUV力も増加する場合は、リソグラフィ投影型露光装置のEUV投影レンズの鏡の数は6より多くなることも想定される。EUV光出力は、将来利用可能となるEUV光源によって異なる。一般的に、鏡の数は用件によって異なっていてもよい。特にEUVリソグラフィ投影型露光装置で用いる場合は、第1の投影レンズに関する教示の原理を各鏡または各反射型光学素子に適用してもよい。さらに、少なくとも1つの鏡または光学素子Mkがヒータ300によって加熱される本発明の第1のレンズによる投影レンズにおいて、光学収差を最小限にするために、少なくとも1つの加熱される光学素子Mkを並進運動のためにアクチュエータに接続することは有利である。これにより、図3aと関連して記載したように、鏡Mkを鏡Mkの均一の加熱を補償するために移動することが可能となる。さらに、鏡または光学素子Mkを加熱するためのヒータ300は、有利には図13の記載を参照して下記に詳細に述べるように、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える。さらに、このような加熱素子を規定の空間座標で1次元または2次元に任意に配置し、グリッド構造を形成する。有利には、加熱素子が赤外線放射を放射または誘導する実施形態において、これらの実施形態は、赤外線放射を構成するための光学構成を備える。光学構成は、コリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備える。このような構成素子は少なくとも軸の周囲で傾斜可能であってよい。このような光学構成の例を図13に示す。さらに、前述の投影レンズの実施形態の代わりとして、少なくとも1つの光学素子Mkは鏡本体MBk内または鏡本体MBk上に修正を備える。修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される。修正については図13と関連して下記に詳細に説明するが、有利には、修正は、たとえば、光学素子を局所的に加熱するための赤外線放射を誘導するために用いられる。第1のレンズの代替的な実施形態は、下記に記載するEUVリソグラフィ投影システムの第2の投影レンズである。ヒータ300を用いると、レンズ設計、特に鏡素材の素材選択要件に大きな影響を与えることに発明者らは気付いた。本発明による第2の投影レンズ20の第1の実施形態は、少なくとも2つの鏡などの反射型光学素子Miを備える。これらの反射型光学素子Miは、21、22、23、24、25および26で付番し、図1および図6に示す。このような素子のそれぞれは、投影レンズ20が50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドOPを基板W上の画像フィールドIPに投影する本体MBiおよび反射面MSiを備える。好ましくは、約13nmの波長を用いる。EUV光はEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後にレチクルから反射される。レンズ20の少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、図2aおよび図2bに示すように、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nで温度依存熱膨張係数がゼロになる素材を備える。このような素材の例はゼロデュア登録商標またはULE登録商標であるが、スーパーインバーも利用可能である。さらに、第2のレンズは、反射型光学素子Miを受動的または能動的に支持する支持構造を備える。このような支持構造は図4および図5に関連して詳細に記載した。支持構造の少なくとも一部分の温度は基準温度TRefであり、たとえば、図3および図6の実施形態のように22°Cである。この温度はクリーンルームの温度に近い。通常は、EUV投影レンズの鏡または反射型光学素子はこの基準温度においても、特定の表面および表面画像に関して特定される。さらに、第2の投影レンズはゼロクロス温度を備える反射型光学素子の本体MBn、MBmの少なくとも1つを過熱するためのヒータ300を備える。また、第2のレンズは、少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度を温度Tkm、Tknに制御するための温度制御システム200を備える。さらに、本体MBn、MBmの第2のレンズをヒータで過熱しない場合は、照射されたレチクルから反射される、EUV光の反射面MSmおよびMSnの露光の結果、基準温度TRefに対して本体MBn、MBmの温度分布はΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRef、それぞれの平均および最高温度はΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなる。EUV光は、通常は、規定の強度空間分布、角空間分布および偏極空間分布パラメータを備え、照明設定によって画定される。さらに、第2のレンズでは、少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nを、最高基準温度TRef、およびそれぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、それぞれの絶対平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択し、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef、T0m>maxTRef,ΔTmmaxTRefまたはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef、T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRefで表す。選択プロセスにおいて、絶対平均温度の代わりに絶対最高温度を考慮すると、たとえば、露光力をより高い値にする変化に関してシステムはより強固になる。本発明による第2の投影レンズは、投影光線が照射された場合に鏡が到達することもある平均または最高温度に基づいて、鏡または反射型光学素子の素材を選択する。ヒータを適用することによって、投影レンズが操作される投影光線のEUV光出力が高いか低いかに関わらず、ゼロクロス温度を達成することができる。好ましくは、加熱可能な鏡本体の最大または平均温度を、投影レンズが受けてもよい最大出力に規定する。本発明による第2の投影レンズの実施形態では、第1の投影レンズおよび図4および図5と関連して説明した基準温度と同一の基準温度を適用することもできる。ゼロクロス温度の製造公差を考慮するために、第2の投影レンズの第2の実施形態は、ゼロクロス温度T0m、T0nを有する素材は、製造によるゼロクロス温度の値に関して変動することもあることを考慮する。通常は、この結果として、製造公差ΔT0m、ΔT0nとなり、ゼロクロス温度のそれぞれの実際の値は間隔T0m±ΔT0mとT0n±ΔT0nとの間のとなる。このような場合は、第2のレンズの少なくとも1つのゼロクロス温度T0m、T0nを、最高基準温度TRef、およびそれぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx、y、zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択すると有利である。この最大値にさらに、それぞれの製造公差ΔT0m、ΔT0nの絶対値を加え、T0m>maxTRef,ΔTmavTRef│ΔT0m│、T0m>maxTRef、ΔTmmaxTRef│ΔT0m│またはT0n>maxTRef,ΔTnavTRef│ΔT0n│,T0n>maxTRef,ΔTnmaxTRef│ΔT0n│で表す。第2のレンズの第1の実施形態と同様に、絶対最高温度の代わりに、絶対平均温度でも十分である。しかし、その場合は、第2のレンズは高い露光力によって生じる鏡の温度の上昇に対してあまり強固ではなくなる。第2の投影レンズの第3の実施形態では、ゼロクロス温度T0mとT0nの間の差の絶対値は6Kより大きく、absT0m-T0n>6Kで表す。好ましくは、本事例では、第2の投影レンズは8WのEUV光より大きい露光力に曝されるように設計され、50nmより小さい波長範囲の波長を備える。本発明の第1の投影レンズの説明に関連して前述したように、同一の有利点も有効である。好ましくは、波長は[12nm、14nm]、[12.5nm、13.5nm]、[5nm、15nm]、[15nm、25nm]および[25nm、50nm]からなる群から選択される波長間隔である。このような波長の選択は、本明細書に記載するEUVリソグラフィ投影型露光システムのレンズのその他の実施形態にも適用することができる。第2の投影レンズの第4の実施形態では、少なくとも4つまたは6つの反射型光学素子Miを用いる。さらに、投影レンズは10Wより大きいEUV光の露光力に曝されるように設計され、50nmより小さい波長範囲の波長を備える。EUV光の出力が高くなると、通常は鏡の数は増加する。16Wの出力では、図6に示すように通常は6つの鏡を用いる。ゼロクロス温度T0mとT0nとの差の絶対値はこの実施形態では8Kより大きく、T0m-T0n>8Kで表す。本発明による第2のレンズの第5の実施形態では、少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度Tkを、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを中心として間隔±5K、より良くは間隔±2Kの範囲内に制御し、熱伝導光学収差を最小限にする。第2の投影レンズの第6の実施形態では、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度Tkは、第1の加熱力を備えるヒータ300を用いて過熱することによって、温度Tkの値に制御される。これは第1の投影レンズの第7の実施形態と同様であり、EUV露光システムの加温段階を短縮する。さらに、第2の投影レンズの第7の実施形態では、投影レンズがEUV光の露光力に曝される場合は、第6の実施形態の加熱力は第1の加熱力より小さい。第2の投影レンズの第8のより高度な実施形態では、温度制御システム200は温度Tkを制御し、少なくとも1つの本体MBn、MBmを過熱するヒータ300の加熱力と、少なくとも1つの加熱される本体によって吸収されるEUV光の露光力は、時間がたつと一定になる。これは第1の投影レンズのそれぞれの実施形態と同様である。時間がたつと一定になるということは、この文脈および本明細書に記載するその他のレンズの実施形態では、鏡が受ける熱の全出力たとえば、ヒータの加熱力と、EUV光などの吸収した光との合計が[0、20]、[0、10]、[0、5]および[0、2]からなる群から選択される間隔内で変化するのみであることを意味する。これは、シンクロトロン放射源のように、EUV源がEUV光を時間的に継続して提供する場合である。プラズマEUV光源などのパルスEUV源では、前述の全出力はパルス数に対する平均によって決定される。パルス数は、[1、5]、[1、10]、[1、20]、[1、50]および[1、100]パルスからなる間隔群から選択される間隔内となるように選択される。第2の投影レンズの第9の実施形態では、それぞれのゼロクロス温度T0m、T0nを備える本体MBnおよびMBmは同一の素材からなる。さらに、第2のレンズの第10の実施形態では、レンズは4つまたは6つの反射型光学素子を鏡の形で備える。前述したように、第2のレンズの鏡の数も要件にしたがって変化してもよく、特にEUVリソグラフィ投影型露光装置で用いる場合は、第1および第2の投影レンズに関する教示の原理を各鏡または各反射型光学素子に適用してもよい。さらに、少なくとも1つの鏡または光学素子Mkがヒータ300によって加熱される本発明の第2のレンズによる投影レンズ20において、光学収差を最小限にするために、少なくとも1つの加熱される光学素子Mkを並進運動のためにアクチュエータに接続することは有利である。これにより、図3aと関連して記載したように、鏡Mkを鏡Mkの均一の加熱を補償するために移動することが可能となる。さらに、鏡または光学素子Mkを加熱するためのヒータ300は、有利には図13の記載を参照して下記に詳細に述べるように、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える。さらに、このような加熱素子を規定の空間座標で1次元または2次元に任意に配置し、グリッド構造を形成する。有利には、加熱素子が赤外線放射を放射または誘導する実施形態において、これらの実施形態は、赤外線放射を構成するための光学構成を備える。光学構成は、コリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備える。このような構成素子は少なくとも軸の周囲で傾斜可能であってよい。このような光学構成の例を図13に示す。さらに、前述の第2の投影レンズの実施形態の代わりとして、少なくとも1つの光学素子Mkは鏡本体MBk内または鏡本体MBk上に修正を備える。修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される。修正については図13と関連して下記に詳細に説明するが、有利には、修正は、たとえば、光学素子を局所的に加熱するための赤外線放射を誘導するために用いられる。以下に、第3の投影レンズを本発明の一部として説明する。この第3の投影レンズは、レンズが光学収差を最小に低減するように設計される場合に、異なる鏡のゼロクロス温度は、EUV光出力が増加するにつれてさらに大きく異なるという図9の知識を用いる。図6のレンズの一例として、レンズが約16WのEUV光に曝される場合は、鏡M4およびM6は基準温度より少なくとも約1K高いゼロクロス温度を有する。反対に、鏡M5は約34°Cのゼロクロス温度T05を有し、ゼロクロス温度T05は22°Cの上記の基準温度より約12K以上高くなるべきである。本発明の第1および第2の投影レンズの実施形態によると、図9に示すようなゼロクロス温度を有することが好ましい。このような事例では、これらの実施形態のヒータは、たとえば、均一的にそれぞれのゼロクロス温度まで鏡を加熱することができ、光学収差を最小限にする。そこで、EUV光出力がさらに増加することは常に望ましく、EUV光出力がさらに増加する場合は、ゼロクロス温度間の差も増加し、図9の値を持つ図6に記載するレンズでは、11Kより大きくなる。特に高いEUV光出力を将来利用可能となるレンズに用いる場合には、この差は2倍になることもあるため、最も熱い鏡と最も冷たい鏡との差は約20K以上にもなる。このような事例では、最も冷たい鏡と最も熱い鏡に同一の素材を用いるために、有利には、ゼロデュア登録商標などのガラスセラミックを用いてもよい。2つのうちより冷たい鏡を第1のゼロクロス温度T10で、またはその近辺で用い、または操作する。より熱い鏡は第1のゼロクロス温度より高い第2のゼロクロス温度T20で、またはその近辺で用い、または操作する。これは、たとえば、鏡Mmおよび鏡Mnは2つの前述のゼロクロス温度を有する同一の素材からなることを意味し、T10mnおよびT20mnで示す。米国公開特許第2003/0125184号で示すように、約0°Cから約100°Cの範囲の温度で2つのゼロクロス温度を有するガラスセラミック素材は存在する。そのゼロクロス温度の差T20-T10は約20Kである。2つの鏡に1つの素材のみを用いることも、投影レンズの費用を低減する。上記の有利点のために、本発明による第3の投影レンズも、少なくとも2つの反射型光学素子Miを備える。少なくとも2つの反射型光学素子Miのそれぞれは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するための本体MBiおよび反射面MSiを有する。前述のEUV光は、EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後に、レチクルから反射される。少なくとも2つの反射型光学素子の本体MBm、MBnは、少なくとも2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnで温度依存熱膨張係数がゼロになる素材を備える。第3のレンズは、反射型光学素子Miを受動的または能動的に支持する支持構造を追加して備える。支持構造の少なくとも一部分の温度は、たとえば、図4、図5および図3と関連して説明した基準温度TRefである。さらに、第3のレンズは少なくとも2つの焼き戻し手段、好ましくはヒータを備え、2つの反射型光学素子の少なくとも2つの本体MBn、MBmを個別に加熱または冷却する。さらに、第3の投影レンズは、少なくとも2つの加熱または冷却される本体MBn、MBmの温度を、それぞれの温度TknおよびTkmに独立して制御するための温度制御システムを備える。選択肢として、基準温度は、通常は22°Cの範囲であるため、2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnの少なくとも1つは基準温度TRefよりも高い。この任意の実施形態によって、素材選択が簡略化し、2つのゼロクロス温度を有する適切な素材を得る。さらに、EUV光の露光力でレンズが露光中には、本体MBnの温度Tknは、好ましくは、第1のゼロクロス温度T10mnを中心として間隔±5K、より良くは間隔±2Kの範囲内にあり、本体MBmの温度Tkmは、好ましくは、第2のゼロクロス温度T20mnを中心として間隔±5K、より良くは間隔±2Kの範囲内にある。第3のレンズの別の実施形態では、反射型光学素子の本体の温度TknおよびTkmはそれぞれのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnにできるだけ近づくように制御される。全般的に、基準温度TRefを個々に各鏡に対して設定してもよいことに言及する。これは、鏡を保持するために用いる支持構造によっても異なる。今日のシステムでは、基準温度はすべての鏡で同一である。しかし、これは将来変化するかもしれない。このため、本発明では、基準温度TRefの意味は、常に関連する鏡または反射型光学素子に対する基準温度であることを理解されたい。さらに、本発明による第3のレンズは鏡を最低ゼロクロス温度T10mnに冷却するためのクーラを有していてもよく、鏡をより高いゼロクロス温度T20mnに加熱するためのヒータを有していてもよい。これは、最低ゼロクロス温度は必ずしも上記の基準温度の22°Cでなくてもよいという有利点を有する。クーラを適用することによって、たとえば、図6を参照して、鏡M4またはM6で用いられるように、素材をT10mnが約15°Cである状況で用いることができる。同様に、鏡M3またはM5で用いられるように、素材をT20mnが約35°Cである状況で用いることができる。この鏡の選択によって、基本的に図9のような結果となる。このような素材は、たとえば、米国公開特許第2003/0125184号で記載されている。もちろん、どちらのゼロクロス温度も約22°Cから約40°Cの温度範囲にあり、つまり、それぞれの鏡または光学素子の基準温度TRefで以上であるような方法で素材が製造される場合は、第3のレンズの好ましい実施形態では、両方の鏡MmおよびMnはヒータで加熱される。第3のレンズの第2の実施形態では、ヒータによって加熱しない本体MBn、MBmの温度は、基準温度TRefに対する本体MBn、MBmの温度分布ΔTnx,y,z=Tnx,y,z-TRef、ΔTmx,y,z=Tmx,y,z-TRefとなり、それぞれの平均および最高温度はΔTnav、ΔTmavおよびΔTnmaxおよびΔTmmaxとなる。これは反射面MSmおよびMSnを、照射されたレチクルから反射したEUV光で露光した結果である。このEUV光は、照明設定にしたがって、角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布パラメータを備える。さらに、2つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnの少なくとも1つは、最高基準温度TRef、およびそれぞれの空間温度分布ΔTmx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、それぞれの絶対平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く、T10mn>maxTRef,ΔTmavTRef、T10mn>maxTRef,ΔTmmaxTRefまたはT20mn>maxTRef,ΔTnavTRef、T20mn>maxTRef,ΔTnmaxTRefで表す。ゼロクロス温度をこの方法で選択することは、本発明の第1および第2のレンズに関連して前述した有利点と同様の有利点を有する。第3の投影レンズの第3の実施形態が備える素材では、ゼロクロス温度T10mnおよびT20mnが製造によるゼロクロスの実際の値に関して変動し、それぞれの実際の値が間隔T10mn±ΔT10mnおよびT20mn±ΔT20mnの間となるように製造公差がΔT10mn、ΔT20mnとなる。この公差のため、有利には、少なくとも1つのゼロクロス温度T10mnおよびT20mnは、最高基準温度TRef、およびそれぞれの空間温度分布ΔTnx,y,z、ΔTnx,y,zに基づく、それぞれの絶対平均または最高温度ΔTmavTRefまたはΔTmmaxTRef、ΔTnavTRefまたはΔTnmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く、それぞれの製造公差ΔT10mn、ΔT20mnの絶対値をさらに加え、T10mn>maxTRef,ΔTmavTRef|ΔT10mn|またはT10mn>maxTRef,ΔTmmaxTRef|ΔT10mn|またはT20mn>maxTRef、ΔTnavTRef|ΔT20mn|またはT20mn>maxTRef,ΔTnmaxTRef|ΔT20mn|で表す。第2の投影レンズの説明で前述したように、第3の投影レンズに対しても、代替的にゼロクロス温度の選択をT0n>maxTRef,TavnTRefまたはT0m>maxTRef、TavmTRefによって行うことができる。ここで、TavmおよびTavnは、たとえば、図7または図3に関連して前述した鏡MmおよびMnのそれぞれの平均温度である。しかし、平均温度の代わりに最高温度を選択プロセスにおいて考慮すると、第3のレンズも、たとえば、露光力をより高い値にする変化に関して強固になる。本発明によるレンズの従前の実施形態と同様に、絶対最高温度の代わりに絶対平均温度でも十分である。しかし、この場合は、第3のレンズは高い露光力によって生じる鏡の温度の上昇に対してあまり強固ではなくなる。本発明による第1および第2の投影レンズと同様に、第4の実施形態の第3の投影レンズは、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に制御されるときには、少なくとも1つの加熱される本体MBn、MBmの温度TknまたはTkmは、第1の加熱力を用いてヒータによってその値まで加熱される。第5の実施形態では、第3の投影レンズをEUV光の露光力で露光する間に、初期の第1の加熱力を用いるヒータの加熱力は第1の加熱力より低いように制御する。第3の投影レンズの第4および第5の実施形態の代わりに、第3のレンズの第6の実施形態では、温度制御システムは温度TkmおよびTknの少なくとも1つを制御する。それぞれのヒータの加熱力および少なくとも1つの温度制御された本体MBmまたはMBnが吸収したEUV光の露光力は時間がたつと一定になる。第3のレンズの第4から第6の実施形態の有利点は、第1および第2の投影レンズに関連してすでに述べた。本発明の第3の投影レンズの第7の実施形態では、レンズは8WのEUV光より大きい露光力に曝されるように設計され、50nmより小さい波長範囲の波長を備える。特に図9では、レンズが受ける高いEUV光出力には、前述したように現在利用可能な相当な素材を用いて、第3の実施形態を用いることができることを示す。第3の投影レンズの第8の実施形態では、ゼロクロス温度T10mn、T20mnの差の絶対値が6Kより大きくなるように選択し、absT10mn-T20mn>6Kで表す。本事例では、投影レンズは8WのEUV光より大きい露光力に曝されるように設計され、50nmより小さい波長範囲の波長を備える。図9はこのようなレンズの例を示す。さらに、第3の投影レンズの第9の実施形態では、4つまたは6つの反射型光学素子は鏡である。代替的に、または追加的に、第3の投影レンズの実施形態では、前述のように、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に制御されるときには、温度制御された本体MBn、MBmの温度の少なくとも1つは第1の冷却力でそれぞれの焼き戻し手段によってその値まで制御されるように操作してもよい。冷却力とは温度制御された本体から焼き戻し手段までの、時間あたりの熱伝導を意味する。ここでも、第3の投影レンズの鏡の数は要件にしたがって変化してもよい。特にEUVリソグラフィ投影型露光装置に用いられる場合は、第3の投影レンズに用いた原理を各鏡または各反射型光学素子に適用してもよい。さらに、少なくとも1つの鏡または光学素子Mkがヒータ300または焼き戻し手段によって加熱または冷却される、本発明の第3のレンズの投影レンズ20において、光学収差を最小限にするために、少なくとも1つの加熱および/または冷却される光学素子Mkを並進運動のためにアクチュエータに接続することが有利である。これにより、図3aと関連して記載したように、鏡Mkを鏡Mkの均一の加熱を補償するために移動することが可能となる。さらに、焼き戻し手段、たとえば、鏡または光学素子Mkを加熱するためのヒータ300は、有利には、図13の記載を参照して下記に詳細に述べるように、赤外線光発光ダイオード、ペルチェ素子、光ファイバ、光導体ロッドおよび赤外線レーザからなる群から選択される加熱素子を備える。さらに、このような加熱素子を規定の空間座標で1次元または2次元に任意に配置し、グリッド構造を形成する。有利には、加熱素子が赤外線放射を放射または誘導する実施形態において、これらの実施形態は、赤外線放射を構成するための光学構成を備える。光学構成は、コリメータ、集束レンズ、調節可能レンズ、鏡および回折光学素子からなる群から選択される構成素子を備える。このような構成素子は少なくとも軸の周囲で傾斜可能であってよい。このような光学構成の例を図13に示す。さらに、前述の第3の投影レンズの実施形態の代わりとして、少なくとも1つの光学素子Mkは鏡本体MBk内または鏡本体MBk上に修正を備える。修正は凹部、止まり穴、規定の表面粗さ、回折構造、球面突起、球面凹部および表面屈曲からなる群から選択される。修正については図13と関連して下記に詳細に説明するが、有利には、修正は、たとえば、光学素子を局所的に加熱するための赤外線放射を誘導するために用いられる。さらに本発明はEUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズを構成する方法にも関する。以下の方法は従前の本発明の実施形態の教示に基づく。構成方法は以下のステップを備える。第1のステップでは、EUV投影レンズの反射型光学素子Miの数を決定する。要件の一部は、投影レンズが、レチクル上の任意の大きさの対象フィールドを基板上の任意の大きさの画像フィールドに投影することである。露光には、50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV投影光線を用いる。露光要件は、たとえば、規定の品質を備える規定の空間解像度である。第2のステップでは、各反射型光学素子Miの表面画像および表面形状を、対象フィールドと画像フィールドの幾何学的データ、および規定の空間解像度によって決定する。第3のステップでは、各反射型光学素子Miの基板素材とその形状および大きさを選択する。素材は熱膨張を考慮して選択する。第4のステップでは、少なくとも基板上において、素材をゼロクロス温度T0mで温度依存熱膨張係数がゼロになる素材群から選択する。この素材は、好ましくは熱負荷を有する鏡に用いる。第5のステップでは、各反射型光学素子Miの最大熱負荷を決定する。最大熱負荷は、EUV光出力などのEUV投影型露光システム、レチクルの伝達または反射、様々な照明設定およびレチクル上の様々なパターン構造など、様々な条件下で、対象フィールドを画像フィールドに投影する際に発生すると予測される。第6のステップでは、第5のステップに基づき熱負荷を考慮して、各反射型光学素子Miの空間温度Tx,y,z、最大および平均温度値TimaxおよびTiavを決定する。第7のステップでは、ゼロクロス温度T0mに基づき、ゼロクロス温度T0mを有する少なくとも1つの素材を選択する。少なくとも1つの基板素材に関連する光学素子Mmの温度Tx,y,zの最高温度または平均温度TmmaxおよびTmavがゼロクロス温度T0mより低くなるように、選択を行う。これは、Tmmax<T0mまたはTmav<T0mで表す。第8のステップでは、鏡およびレンズを選択した素材で形成する。好ましい方法では、構成方法は追加ステップを備える。追加ステップでは、少なくとも1つの素材を、ゼロクロス温度T0mが最高温度または平均温度TmaxおよびTavよりも高くなるように選択し、それぞれの製造公差ΔT0mの絶対値を加えて、T0m>Tmmax│ΔT0m│またはT0m>maxTRef,Tmmax│ΔT0m│で表す素材を製造する。この素材選択において、ゼロクロス温度T0mの変動も考慮する。なぜなら、ゼロクロス温度T0mの実際の値は、たとえば、米国公開特許第2003/0125184号に記載するように、製造プロセスパラメータによって実際の値に関して変動するからである。ゼロクロス温度T0mの実際の値は間隔T0m±ΔT0mの間である。構成方法は、ゼロクロス温度T0mを有する1つの素材が、第2のゼロクロス温度T20mを有するような素材を備えていてもよい。このとき、ゼロクロス温度と第2のゼロクロス温度の差の絶対値が40Kより小さくなるようにし、absT0m-T20m<40Kで表す。これは、このような素材はEUV投影レンズの2つの鏡に適用可能であるという有利点を有する。EUV投影レンズでは、図9に関連して記載したように、2つの鏡は異なる熱負荷を有し、光学収差を最小限にするために非常に異なるゼロクロス温度となるためである。さらに、構成方法は、先ほど説明したように、第2のゼロクロス温度を有する素材を少なくとも1つの追加反射型光学素子の基板素材として用いることを備えていてもよい。構成方法は、ヒータ300および温度制御システム200を有するステップを備えていてもよい。ヒータ300および温度制御システム200は、ゼロクロス温度を有する少なくとも1つの素材をゼロクロス温度まで加熱可能である。ヒータ300の様々な実施形態を以下で説明する。さらに、反射型光学素子Mkの加熱方法および特別な本体も示す。これにより、反射素子または鏡を熱伝導光学収差が最小となるように加熱可能となる。これらの別の態様も本発明の一部として扱う。図10は、たとえば、図4および図5に示すような、EUV投影レンズの鏡421などの反射型光学素子Mkの側面図を概略的に示す。光学素子は反射面MSkを備え、反射面MSkは鏡面450または回折表面であってもよい。一般的に、本発明によるすべての反射型光学素子上で、反射面は入射光の回折光学素子を形成するために、回折構造を備えることもある。入射光1000はEUV光投影光線4図1参照であることもあり、または、たとえば、赤外線光などの別の波長光であることもある。図10ではさらに、図4および図5と関連して記載する手段と同様の支持手段を、同一の符号を用いて概略的に示す。これらの支持手段は、たとえば、図4に記載する連結点451、連結部材471または二脚構造461である。また、支持素子480およびハウジング構造481の一部分を示す。さらに、ヒータまたは全般的な第1の焼き戻し素子300を示す。このようなヒータまたは第1の焼き戻し素子300の部品と一部の実施形態はすでに図5と共に記載した。ヒータと焼き戻し素子の違いは、ヒータは制御された方法で加熱のみ可能であるが、焼き戻し素子は制御された方法で加熱および冷却が可能である。この文脈での加熱は、熱エネルギがヒータまたは焼き戻し素子から周囲に伝達することを意味する。冷却は、熱エネルギがヒータまたは焼き戻し素子の周囲からヒータまたは焼き戻し素子に伝達し、およびヒータまたは焼き戻し素子の温度が周辺温度よりも低いように制御可能であることを意味する。さらに、図10に示す実施形態はクーラまたは第2の焼き戻し素子350を備える。クーラ350または第2の焼き戻し素子は、好ましくは、ヒータまたは第1の焼き戻し素子300と、支持素子480および/またはハウジング構造481不図示および/または支持手段451、461、471不図示、図5参照との間に配置される。ヒータまたは第1の焼き戻し素子300を用いて、反射型光学素子Mkの温度分布に影響を与える場合は、反射素子Mkの周囲のその他の素子の温度も変化するという危険性がある。このような素子は、支持素子480、ハウジング構造481または支持手段451、461、471であることもある。しかし、これらの素子の一部は、反射型光学素子または鏡Mk421を所定の位置に維持するために、十分に制御された一定温度である必要がある。前述のように、この位置はナノメートルまたはナノメートル以下の範囲で一定である必要がある。このため、これらの素子は温度感受性素子と表される。たとえば、ヒータまたは第1の焼き戻し素子300を用いて、反射型光学素子または鏡Mk421の温度または温度分布に影響を与えるために、その周囲を加熱および/または冷却すると、反射型光学素子または鏡Mk421の位置が変化する。このため、クーラまたは第2の焼き戻し素子350はヒータまたは第1の焼き戻し素子300が発生する熱効果を吸収するように形成される。これは、支持素子480などの温度感受性素子および/またはハウジング構造481および/または支持手段451、461、471の方向を向いている、クーラ350または第2の焼き戻し素子の側面351で、クーラまたは第2の焼き戻し素子の温度は一定を保つことを意味する。その結果として、温度感受性素子は一定温度となり、それぞれの光学素子Mkの位置はナノメートルまたはナノメートル以下のレベルでさえ一定する。この手段を用いると、たとえば、ヒータまたは第1の焼き戻し素子の温度が変化し、反射型光学素子または鏡Mk421の温度または温度分布に影響を与える場合であっても、これらの温度感受性素子の温度変動を低減でき、本発明の前述の投影レンズに関連して記載したように有利点を実現できる。図10に示す実施形態の有利点によって、本発明は、複数の反射型光学素子Miを備えるEUVリソグラフィ投影型露光システムの第4の投影レンズにも関する。各反射素子Miは本体MBiおよびa反射面MSiを備え、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影する。EUV光は、EUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後に、レチクルから反射される。レンズはさらに、少なくとも1つの光学素子Mkを受動的または能動的に支持するための連結点451、二脚構造461、連結素子471、支持素子480およびハウジング構造481からなる群から選択される温度感受性素子を備える支持手段を備える。さらに、温度感受性素子は一定温度または規定の温度に制御される。レンズはさらに、少なくとも1つの光学素子Mkを温度Tkまで加熱および/または冷却するための第1の焼き戻し素子300と、温度感受性素子を一定温度または規定の温度まで焼き戻すための第2の焼き戻し素子350とを備える。さらに、第2の焼き戻し素子350は、温度感受性素子と第1の焼き戻し素子300との間に空間的に配置される。第4の投影レンズの別の第2の実施形態では、加熱または冷却される反射型光学素子Mkは、ゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロとなる素材を備える。ゼロクロス温度T0kは温度感受性素子の一定のまたは規定の温度とは異なる。好ましくは、第4の投影レンズの別の第3の実施形態では、第4の投影レンズの温度感受性素子の温度は基準温度TRefである。基準温度TRefとは、本発明または本明細書に記載するその他の投影レンズの基準温度TRefと同一の意味を有する。好ましくは、しかし必ずしも必要ではないが、基準温度TRefは22°C、または、リソグラフィ投影型露光装置が大量生産のために操作されるクリーンルームの温度である。第4の投影レンズの別の第4の実施形態は、上記の第2および第3の実施形態の特徴と、本体MBkを第1の焼き戻し素子300で焼き戻さず、照射されたレチクルから反射されるEUV光で反射面MSkを露光するという追加の特徴を備え、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備える。その結果として、本体MBkの基準温度TRefに対する温度分布はΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRef、さらに平均および最高温度はΔTkavおよびΔTkmaxとなる。さらに、この実施形態のゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度より高く、T0k>maxTRef,ΔTkavTRefまたはT0k>maxTRef,ΔTkmaxTRefで表す。第4の投影レンズの別の第5の実施形態では、ゼロクロス温度T0kを有する素材は製造プロセスによるゼロクロス温度の実際の値に関して変化する。この結果として、製造公差ΔT0kの実際の値は間隔T0k±ΔT0kの間となる。この実施形態では、ゼロクロス温度T0kは、基準温度TRefおよび空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択される。最大値に製造公差ΔT0kの絶対値を加え、T0k>maxTRef、ΔTkavTRef│ΔT0k│,T0k>maxTRef,ΔTkmaxTRef│ΔT0k│で表す。第4の投影レンズの別の第6の実施形態およびその実施形態では、反射型光学素子Mkのゼロクロス温度T0kは基準温度TRefより低いか、または基準温度より少なくとも6K高い。ゼロクロス温度が基準温度より低い場合は、反射型光学素子Mkは第1の焼き戻し手段によって、このゼロクロス温度近辺まで冷却される。第4の投影レンズのこの特徴を本発明の第3の投影レンズに用い、鏡を前述したように最低ゼロクロス温度まで冷却することもできる。ゼロクロス温度T0kが前述の基準温度より少なくとも6K高い場合は、第4の投影レンズのこの特徴を第1の投影レンズによる投影レンズに用いることができる。第1の投影レンズでは、2つの反射素子のゼロクロス温度は少なくとも6Kだけ異なり、2つの反射素子の1つはゼロクロス温度、基準温度近辺、または基準温度である。本発明による第1の投影レンズの説明で記載したように、このような投影レンズは8Wより大きいEUV露光力のために設計されている図9の説明も参照。第4の投影レンズの追加の第7の実施形態およびその実施形態では、反射型光学素子Mkは少なくとも1つの空間次元において第1の焼き戻し素子300から発生する熱伝達を均一に受ける。第1の焼き戻し素子300の影響のみを考慮する場合は、このような均一の熱伝達によって光学素子Mkは均一に加熱または冷却され、その結果として、反射型光学素子Mkの温度分布が少なくとも1次元に沿って一定となる。第4の投影レンズのこの変形を、第1、第2および第3の投影レンズに用いて、これらの投影レンズと関連して記載したように、および図3aから図3lおよび図5に概略的に記載するように、たとえば、均一に反射型光学素子をゼロクロス温度まで、またはゼロクロス温度近辺まで加熱することもできる。有利には、第4の投影レンズの別の実施形態およびその様々な実施形態では、光学素子Mkは並進運動のためにアクチュエータに接続される。これにより、図3aおよび図3bに関連して記載したように、光学素子が温度基準温度TRefとは異なる温度まで均一に加熱または冷却される場合には、投影レンズまたは光学素子Mkの光学収差を最小限にする。図10に示すように、第4の投影レンズの好ましい第8の実施形態およびその実施形態では、第1の焼き戻し素子300は少なくとも1つの光学素子Mkの本体MBkの、反射面MSkと対向する側面に配置される。これは、図5でヒータ300について記載した構成と類似する第1の焼き戻し素子300と類似の構成である。第4の投影レンズおよびその実施形態では、好ましくは、第1の焼き戻し素子300はペルチェ素子または放射源を備え、少なくとも1つの光学素子Mkの本体MBkが半透明となる波長を備える放射を放出する。図10に示すように、第4の投影レンズの別の実施形態では、第2の焼き戻し素子350は第1の焼き戻し素子300の、少なくとも1つの光学素子Mkの、本体MBkに対向する側面に配置される。図10による一実施形態では、焼き戻し素子300はペルチェ素子であってもよく、または前述のペルチェ素子を備えていてもよい。ペルチェ素子は、反射素子または鏡Mk、421の方向に向いている表面側362の周囲を加熱または冷却してもよい。好ましくは、ペルチェ素子は、反射面MSk、450に対向する反射素子Mk、421表面に平行または略平行に延在する。ペルチェ素子が少なくとも反射面または反射素子さえも1つの側面で覆えるような大きさの場合、反射素子の均一な加熱および/または冷却を行うことができ、その結果として、本明細書に記載するたとえば図3aに関連するすべての有利点が生じる。ペルチェ素子をより効果的にするために、好ましくは、ペルチェ素子を、クーラ350、または全般的に第2の焼き戻し素子に、たとえば、ペルチェ素子の表面361の1つをクーラ350または第2の焼き戻し素子の表面352の1つに連結することによって、連結する。クーラ350または全般的に第2の焼き戻し素子は一種のサンドイッチ構造を有し、第1の焼き戻しまたはペルチェ素子300と接触する表面352は表面351とは離間している。表面351は、支持素子480、ハウジング構造481または支持手段451、461、471などの温度感受性素子の方向を向いている。別の実施形態では、第1の焼き戻し素子300は複数のペルチェ素子を備えていてもよい。好ましくは、ペルチェ素子は少なくとも1次元において並列して配置され、アレイ状の構成を形成する。2次元または3次元においてもペルチェ素子を配列することも有利である。好ましくは、このような構成の各ペルチェ素子は、たとえば、図5に記載する温度制御システムなどの制御システムによって制御可能である。本事例では、反射素子または鏡に向いている側面上の制御可能な温度分布は調整することができる。これにより、反射素子または鏡Mk、421内の温度分布に制御された方法で影響を与える。このようなヒータまたは焼き戻し素子を用いて、本発明の教示にしたがい熱伝導光学収差または画像エラーが最小限となるように、反射素子または鏡Mk421を温度制御することができる。前述のペルチェ素子300、またはペルチェ素子の構成を、本発明による第3のレンズの焼き戻し手段として用いることによって、本発明の第3の投影レンズによる低いゼロクロス温度T10mnを有する鏡をこの温度またはさらに低い温度まで冷却することができるという有利点を有する。これは、ゼロクロス温度が基準温度TRefより低い場合に重要である。さらに、高いゼロクロス温度T20mnまたは基準温度TRefより高いゼロクロス温度を有する鏡を、この温度または本発明による投影レンズの1つに関連して前述したようにそれぞれの操作温度まで加熱することができる。第4の投影レンズの別の実施形態およびその実施形態では、投影レンズは、圧力Δpを少なくとも1つの反射型光学素子Mkの周囲内に制御するための圧力制御システムを備える。このような圧力制御システムを図11に関連して以下に記載する。圧力制御は、反射型光学素子Mkの温度、時間、直接的または間接的に光学素子Mkの温度に影響するパラメータ、照明設定、レチクルの変化、光学素子Mkまたは投影レンズの熱伝導光学収差データまたは機械的伝導光学収差データ、およびモデルからの出力パラメータからなる群から選択されるパラメータに基づく。モデル入力は、反射型光学素子Mkの温度、時間、直接的または間接的に光学素子Mkの温度に影響するパラメータ、照明設定、光学素子Mkまたは投影レンズの熱伝導光学収差データまたは機械的伝導光学収差データおよびレチクルの変化からなる群から選択されるデータを備える。さらに、圧力制御システムは、好ましくは、少なくとも1つの光学素子Mkの近くにガス注入口および/またはガス排気口を備える。本発明による第4のレンズは、好ましくは、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、第1の焼き戻し素子を第1の加熱力で加熱することによって、光学素子Mkの温度Tkをその値に制御するように操作される。次に、投影レンズがEUV光の露光力に曝される間に、第1の焼き戻し素子の加熱力は第1の加熱力より低い。さらに、第4の投影レンズの好ましい実施形態およびその様々な実施形態では、第1の焼き戻し素子300によって加熱および/または冷却される少なくとも1つの光学素子Mkの温度Tkはゼロクロス温度T0kである。図11は本発明の別の実施形態を、図10と同様に概略的に示し、類似の素子は同一の符号で表す。次の記載は図10の実施形態の差のみに焦点を当てる。素子は記載せず、素子の機能は図10に記載したものと同様である。図11の実施形態では、ヒータまたは焼き戻し手段はない。反射型光学素子または鏡Mk421の温度を、Δpで表す反射素子または鏡Mk421の周囲内の圧力に圧力制御することによって、制御する。本事例では、たとえば、反射素子または鏡Mk421の温度の関数として、時間の関数または直接的または間接的に反射素子または鏡Mk421の温度に影響するその他のパラメータの関数として、圧力を制御することができる。さらに、圧力を制御する制御システムは、前述の関数変数などの入力データを用いるモデルを備えていてもよく、任意にモデルを調節し、圧力または直接的または間接的に前述の周囲の圧力に影響する任意のパラメータなどの出力パラメータを提供する。前述したように、本発明はまた、第5の投影レンズにも関する。第5の投影レンズはEUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズである。レンズは複数の反射型光学素子Miを備える。複数の反射型光学素子Miのそれぞれは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影する本体MBiおよび反射面MSiを備える。EUV光はEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後にレチクルから反射される。レンズはさらに、受動的または能動的に少なくとも1つの光学素子Mkを支持するための支持手段と、図11の実施形態と関連して記載したように少なくとも1つの反射型光学素子Mkの周囲内に圧力Δpを制御するための圧力制御システムとを備える。制御は、反射型光学素子Mkの温度、時間、直接的または間接的に光学素子Mkの温度に影響するパラメータ、照明設定、レチクルの変化、光学素子Mkまたは投影レンズの熱伝導光学収差データまたは機械的伝導光学収差データ、およびモデルからの出力パラメータからなる群から選択されるパラメータに基づく。さらに、モデルは、反射型光学素子Mkの温度、時間、直接的または間接的に光学素子Mkの温度に影響するパラメータ、照明設定、光学素子Mkまたは投影レンズの熱伝導光学収差データまたは機械的伝導光学収差データおよびレチクルの変化からなる群から選択される入力データを用いる。以下に、第5の投影レンズを、図11を参照して、様々な修正した実施形態と共に説明する。第5の投影レンズの第2の実施形態では、支持手段は図10に関連して記載したように動的または能動的に少なくとも1つの光学素子Mkを支持するための連結点451、二脚構造461、連結素子471、支持素子480およびハウジング構造481からなる群から選択される温度感受性素子を備える。温度感受性素子は一定のまたは規定の温度にクーラ350によって制御される。好ましくは、クーラ350は温度感受性素子と少なくとも1つの光学素子Mkとの間に空間的に配置される。第5の投影レンズおよびその様々な実施形態では、少なくとも1つの光学素子Mkの周囲内の圧力Δpは0.1Paから10Paまでの範囲であり、より好ましくは、1Paと5Paとの間の範囲である。少なくとも1つの光学素子Mkとクーラ350との間の距離は、好ましくは、1mmから10mmまでの範囲であり、より好ましくは、3mmと5mmとの間の範囲である。さらに、圧力制御システムは、ガス注入口および/またはガス排気口を少なくとも1つの反射型光学素子Mkの近くに備える。ガス注入口および/またはガス排気口図11には不図示を用いると、少なくとも1つの光学素子Mkの周囲内の圧力を調節できる。第5の投影レンズのさらに好ましい実施形態では、少なくとも1つの反射型光学素子Mkとクーラ350との間のクーラ350の距離は、これらの素子間の熱伝達を制御するために調節可能である。さらに、図10に記載した第4の投影レンズおよびその実施形態と同様に、第5の投影レンズでは、少なくとも1つの反射型光学素子Mkは、ゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロである素材も備える。一般的に、このゼロクロス温度は温度感受性素子の一定のまたは規定の温度とは異なり、この温度は、好ましくは、しかし必ずしも必要ではないが、図10に関連して説明し本発明の第4の投影レンズと関連してすでに述べたように、基準温度TRefである。第5の投影レンズによって、有利には、少なくとも1つの反射型光学素子Mkの温度がゼロクロス温度となるように、制御システムによって制御される圧力Δpを制御可能となる。通常は、反射素子または鏡Mk421の周囲は、約1から5Paパスカルの範囲内、好ましくは、約3.5Paの圧力のガスを備える。図10にすでに記載したように、クーラ350は、通常は鏡421の任意の温度変化が温度感受性素子に影響しないように、温度感受性素子を覆う。このため、好ましくは、クーラ350は、温度感受性素子と少なくとも1つの光学素子Mkとの間に空間的に配置される。支持手段によって支持される少なくとも1つの光学素子または鏡421とクーラ350との間の距離は、約3mmから5mmである。この空間内に、前述の通りのガス圧力がある。ガスは、通常は水素を用いる。水素ガスの場合は、圧力は約±1Paだけ変化し、ガスの熱抵抗は約±25変化する。鏡421の直接的な周囲の圧力を制御するために圧力制御システムを用いることによって、鏡を制御された絶対温度および時間の関数としての温度分布に関して制御できる。一例として、EUV投影プロセス起動時に、鏡421は安定状態にあるため、低い温度である。本事例では、鏡が迅速に安定状態温度まで加熱するように、圧力を低減する。別の例としては、照明設定および/またはレチクルが変化する場合は、EUV投影レンズが受ける出力も変化する可能性が高い。このような事例では、鏡421を高いまたは低い安定状態温度まで加熱する。第1の事例では、熱抵抗クーラ350と鏡421との間の熱抵抗を低減するために圧力が増加する。第2の事例では、ガス周囲の熱抵抗を増加させるために、圧力が低減され図7で説明するように鏡を最適な安定状態温度にする。この安定状態温度はゼロクロス温度に最も近い。ガス圧力を鏡421の周囲で規制すると、安定状態の温度に影響する。理想的には、光学収差を最小限にするために、安定状態温度はゼロクロス温度であるべきである。別の適用では、任意の鏡Mkのゼロクロス温度における、たとえば、製造公差による小さい変動も、この鏡の平均温度Tavkの安定状態がゼロクロス温度に最適に適合するように、この鏡の直接的な周囲の圧力を調整するような方法で補償してもよい。このような圧力制御には、EUVレンズの個々の鏡または反射型光学素子の直接的な周囲の圧力が独立して変化できることが必要となる。現実的には、これは、鏡の近くのガス注入口およびガス排気口によって行われる。ここから、第5の投影レンズの別の実施形態では、圧力制御システムは、支持手段によって支持される少なくとも1つの反射型光学素子Mkの近くにガス注入口およびガス排気口を備える。第5の投影レンズの別の実施形態では、クーラ表面352、または一般的にはクーラ350と鏡421または反射型光学素子Mkとの間の距離も、これらの素子間の熱伝達を制御するために調整することができる。図12aは、5mmおよび25mmの伝達経路のゼロデュア登録商標の伝達を示す。ゼロデュア登録商標が700nmから約2μmの範囲の波長を有する光本明細書では赤外線または赤外線放射または赤外線光と表すに対して約一定の吸収係数を有することが分かる。この範囲の波長を有する赤外線光に対するゼロデュア登録商標の減衰の長さは約50mmから約100mmである。この結果として、図12a、図3dおよび図3hはEUV投影レンズに用いる鏡の一般的な鏡の大きさも示す。直径は、一般的には200mmから600mmの範囲であり、厚さは100mmまでである。これは、赤外線光が50mmから100mmの距離をゼロデュア登録商標素材内で通過する場合は、そのエネルギの63がその経路に沿って吸収されるということを意味する。そのため、減衰の長さは、EUVレンズの鏡の大きさに十分に適合し、鏡がゼロデュア登録商標からなる、またはゼロデュア登録商標を備える場合は、鏡は前述の赤外線光によって加熱可能である。これは、赤外線光がそのエネルギを約50mmから100mmより大きい距離であっても蓄積するからである。このような距離は同時におおよそ均一な方法で加温することができる。これは、鏡Mkの鏡本体MBkは、たとえば、図5、図10または図11に示すように、図12aに示す赤外線範囲の波長を備える放射には半透明であることを意味する。この効果を利用するために、図12bは本発明の別の実施形態を概略的に示す。この実施形態では、鏡を赤外線放射で加熱可能にするために、反射型光学素子または鏡Mk421は表面全体またはほとんど表面全体を被膜Cで被膜されている。被膜Cは反射面MSk450とは異なる。反射面MSk450もEUV光を反射するために多層の形状での被膜を備えていてもよい。被膜Cは赤外線放射が反射するように選択される。被膜素材として、非常に薄い金属層を用いることができる。赤外線放射を反射するその他の被膜も用いることができる。さらに、被膜および赤外線放射の波長は、反射が最適化されるように適合されることもある。被膜Cは赤外線放射が鏡本体MBkを離れないようにする機能を有し、図12bに1002として示すように、鏡は様々な反射によって、より均一に加熱される。この方法では、赤外線放射はほとんど瞬時におよび完全にエネルギを鏡本体MBkに蓄積する。赤外線放射を鏡本体MBkに通すために、少なくとも1つの表面領域は被膜されず、または被膜は部品的に赤外線放射を透過する。このような表面領域を1004および1006で表し、赤外線窓と呼ぶ。赤外線窓または複数の赤外線窓1004、1006は、鏡本体素材内の赤外線放射の減衰の長さ、鏡の幾何学的形状および大きさを考慮して鏡上の適切な位置に配置される。また、構造上の空間に関する制限があれば考慮する。しかし、減衰の長さは比較的大きいため、または言い換えると、鏡の大きさの範囲においては、赤外線窓の位置はそれほど重要ではない。特に、図12bの例に示すように、鏡本体MBkの位置は、反射素子または鏡の反射面MSk450が配置される、鏡本体MBkの側面にあることもある。これは、赤外線放射を反射素子または鏡に連結するために、鏡正面の構造上の空間も用いることができるという有利点を有する。ほとんどのその他のヒータまたは焼き戻し手段はEUV投影光線1000を遮断または遮蔽するため、この空間で用いることはできない。好ましくは、図12bに概略的に示すように、赤外線窓は反射面MSk450を囲む。別の選択肢として、赤外線窓は一定の表面粗さまたは回折構造を備え、赤外線放射を鏡本体内部に散乱または配分する。さらに、赤外線放射は、図12bの右側の赤外線光線に示すように、少なくとも部分的に同一の構造上の空間をEUV投影光線1000と共有してもよい。赤外線放射源としては、レーザ、赤外線ダイオード、フィラメントまたはランプなどの任意の赤外線放射源を用いることができる。赤外線源によって、適切な光学構成を用いて、赤外線放射が反射素子または鏡Mk421と赤外線窓を通じて連結できるように、赤外線放射を構成することができる。このような光学構成は、レンズおよび鏡または全般的な屈折、回折および/または反射型光学素子を備えていてもよい。追加的または代替的に、このような光学構成はまた、たとえば、赤外線放射を赤外線源から赤外線窓1004、1006まで伝達するために、石英ファイバまたは光ファイバ一般的に光導体を備えていてもよい。本事例では、赤外線源をEUV投影レンズの側面外側、またはEUVリソグラフィ投影システムの外側に配置することもある。図12bに記載するように、反射型光学素子または鏡Mk421は、ヒータまたは焼き戻し素子または焼き戻し手段赤外線源と、赤外線光を構成するための任意の光学構成とを備えると、反射素子または鏡Mkとの機械的な接触がないという有利点を有する。本発明の別の実施形態では、図12bの反射素子または鏡を、たとえば、図10の実施形態のヒータ300および/または図10または図11の実施形態に記載するクーラ350などの、焼き戻し素子または焼き戻し手段と共に用いることができる。さらに、代替として、図11に記載する圧力制御も、図12bの実施形態と共に用いることができる。これらすべての実施形態は、有利には、EUV投影レンズに用いることができ、特に本発明による前述した1つのEUV投影レンズにおいて、好ましくは、熱伝導光学収差は最小限であるという有利点を有する本発明による第1、第2および第3の投影レンズにおいて用いることができる。図12aおよび図12bの上記の論述から、図12bに例示する本発明による第6の投影レンズが結実する。EUVリソグラフィ投影型露光システムの第6の投影レンズの第1の実施形態は複数の反射型光学素子Miを備える。反射型光学素子Mkのそれぞれは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影する本体MBiおよび反射面MSiを備える。EUV光はEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後にレチクルから反射される。さらに、少なくとも1つの反射型光学素子Mkは、ゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロとなる素材を備える。さらに、光学素子Mkの本体MBkは赤外線放射に半透明であり、少なくとも1つの反射型光学素子Mkと本体MBkは、本体MBkの表面全体またはほとんど表面全体を被膜する被膜Cを備える。被膜Cは本体MBk内部の赤外線放射を反射する。第6の投影レンズの第2の実施形態は、赤外線光源または赤外線光経路を形成する光学構成を備える。赤外線光源または赤外線光経路は赤外線放射を、被膜Cを備える本体MBkに連結する。好ましい実施形態では、赤外線光源または光学構成は、レーザ、赤外線ダイオード、フィラメント、レンズ、鏡、屈折素子、回折素子、反射素子、光導体および光ファイバからなる群から選択される素子を備える。さらに、本体MBkは、好ましくは、被膜Cに被膜されていない表面領域1004、1006を備え、または赤外線放射を本体MBkに連結するための、赤外線放射に半透明な被膜をされている表面領域1004、1006を備える。好ましくは、被膜Cは金属を備える。第6の投影レンズの別の実施形態では、表面領域1004、1006は反射面MSkを備える本体MBkの側面に配置される。代替的にまたは追加的に、表面領域1004、1006は反射面MSkを囲む。さらに、表面領域1004、1006は、赤外線放射を本体に散乱するために表面粗さを備えていてもよく、または表面領域は赤外線放射を回折によって本体MBkに配分するために回折構造を備えていてもよい。第6の投影レンズの別の実施形態では、反射面MSkに近い構造上の空間は赤外線放射およびEUV光によって照射される。好ましくは、赤外線源は投影レンズの外側またはEUVリソグラフィ投影型露光システムの外側に配置される。さらに、前述の第1から第5の投影レンズと同様に、第6の投影レンズにおいても、光学素子Mkは任意に並進運動のためにアクチュエータに接続される。第1から第5の投影レンズと同様に、第6の投影レンズも、クーラ350を備える実施形態を備えていてもよい。クーラ350は少なくとも1つの光学素子Mkの本体MBkの、反射面MSkに対向する側面に配置される。さらに、クーラ350から少なくとも1つの反射型光学素子Mまでの距離は、好ましくは、これらの素子間の熱伝達を制御するために調節可能である。代替的にまたは追加的に、第6の投影レンズおよびその実施形態は、少なくとも1つの反射型光学素子Mk周囲内の圧力Δpを制御するための圧力制御システムを備える。さらに、前述の圧力制御システムは、少なくとも1つの光学素子Mkの近くにガス注入口および/またはガス排気口を備えていてもよい。第6の投影レンズの本体MBkを赤外線放射で放射せずに、EUV光を受けた反射面MSkの露光は、基準温度TRefに対する本体MBkの温度分布ΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRefおよび温度Tkx,y,zをもたらす。EUV光は照射されたレチクルから反射され、照明設定にしたがって、角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備える。温度分布は、平均および最高温度ΔTkavおよびΔTkmaxを備える。好ましくは、ゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く、T0k>maxTRef、ΔTkavTRefまたはT0k>maxTRef、ΔTkmaxTRefで表す。さらに、ゼロクロス温度T0kを有する素材が製造によるゼロクロス温度の実際の値に関して変動し、その結果として、製造公差ΔT0kの実際の値が間隔T0k±ΔT0kの間となる場合は、ゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、空間温度分布ΔTkx、y、zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択され、最大値に製造公差ΔT0kの絶対値を加え、T0k>maxTRef,ΔTkavTRef│ΔT0k│,T0k>maxTRef,ΔTkmaxTRef│ΔT0k│で表す。第6の投影レンズの別の実施形態およびその様々な実施形態では、光学素子Mkの温度Tkは、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、光学素子MBkを第1の赤外線放射力で照射することによってその値に制御される。任意には、赤外線放射力は投影レンズがEUV光の露光力を受けている際の第1の赤外線放射力より小さい。さらに、本発明は、図12に示す鏡に関する。この鏡は本体MBkと、反射面MSkと、ゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロとなる素材とを備える。さらに、光学素子Mkの本体MBkは赤外線放射に対して半透明であり、本体MBkは本体MBkの表面全体またはほとんど表面全体を被膜する被膜Cを備える。被膜Cは本体MBk内部の赤外線放射を反射し、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、鏡は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するためのEUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズに適合される。任意には、鏡本体MBkは被膜Cに被膜されていない表面領域1004、1006を備え、または両方とも赤外線放射を本体MBkに連結するための、赤外線放射に半透明な被膜をされている表面領域1004、1006を備える。好ましくは、被膜は金属を備える。鏡の別の実施形態では、表面領域1004、1006は反射面MSkを備える本体MBkの側面に配置される。代替的にまたは追加的に、表面領域1004、1006は反射面MSkを囲む。鏡の別の実施形態では、表面領域1004、1006は赤外線放射を本体に散乱するために表面粗さを備えていてもよく、または表面領域は赤外線放射を回折によって本体MBkに配分するために回折構造を備えていてもよい。図12cは、本発明の別の実施形態を概略的に示す。この実施形態では、反射型光学素子または鏡Mk421は少なくとも部分的に被膜C2で表面を被膜され、鏡を加熱可能にする。この実施形態によると、被膜C2は反射面MSk450とは異なる。反射面MSk450もEUV光1000を反射するために多層被膜の形状での被膜を備えていてもよい。被膜C2は一定の電気抵抗を有するように選択される。そのため、被膜C2は抵抗被膜C2と呼ばれる。抵抗被膜C2において電流が生成される場合は、加熱する反射素子または鏡Mkに熱エネルギとして伝達されるエネルギが産出される。この方法において、反射素子または鏡Mk421の温度は制御可能である。この実施形態では、ヒータまたは焼き戻し手段300は抵抗被膜C2と、被膜C2と接続される電源VSとを備える。本発明のこの実施形態によれば、抵抗被膜C2は本体Mkの表面を覆っていてもよい。好ましくは、反射面MSk450と本体MBkとの間に抵抗被膜C2はない。代替的に、本体表面の一部分または複数の部分を抵抗被膜C2で被膜する。これらの部分は本体および/または反射面で均一な温度分布が実現できるように選択される。これにより、前述の実施形態と同様に、反射素子または鏡の収差が最小限になる。抵抗被膜C2の電流は電圧によって発生する。このため電源VSは光学素子Mk421の抵抗被膜C2に接続される。接続はケーブル1008によって行われる。代替的にまたは追加的に、電源VSは符号1010で示すように、本体に取り付けられる。電源を本体MBkに取り付ける場合にも、ケーブルまたはワイヤ1008を用いると、被膜C2によって形成されるヒータまたは焼き戻し手段300と、被膜されていない支持構造との機械的な接続はない。有利には、ケーブルまたはワイヤから鏡または反射型光学素子Mk421に転送される力またはモーメントはない。図12cに記載する実施形態による、本発明の別の実施形態では、図12cの反射素子または鏡は、図10の実施形態の焼き戻し手段またはヒータ300および/または前述したクーラ350と共に用いることができる。追加的にまたは代替的に、図11に関連して記載したように、圧力制御も図12cの実施形態と共に用いることができる。さらに、図12bおよび図12cの実施形態を、たとえば、被膜Cを赤外線光の反射および抵抗被膜C2として用いることによって組み合わせてもよい。代替的に、図12bの赤外線反射被膜Cを、図12cに記載する電源VRによって加熱される抵抗被膜C2で覆ってもよい。さらに、これらすべての実施形態を、有利には、EUV投影レンズに用いることができ、特に前述した本発明によるEUV投影レンズ、好ましくは、本発明による第1、第2および第3から第6の投影レンズに用いて、熱伝導光学収差を低減することができる。図12cと関連して記載したように、鏡または反射型光学素子を備える投影レンズの実施形態と関連して説明する有利点によって、本発明はまた、第7の投影レンズおよび第7の投影レンズで用いる鏡にも関する。図12cに関連する本発明による鏡は、本体MBkと反射面MSkとを備える。さらに、鏡はゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロとなる素材を備える。本体MBkは少なくとも部分的に抵抗被膜C2で被膜され、抵抗被膜C2は電気抵抗加熱によって本体を加熱するために適切な電気抵抗を有する。さらに、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、鏡は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するためのEUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズに適合される。好ましくは、抵抗加熱は0.01Wと1Wとの間である。さらに、被膜C2は電源VSに接続される。電源は、好ましくは、鏡本体MBkに取り付けられるか、または電源は鏡本体MBkにワイヤ1008によって電気的に接続する。図12cと関連して説明した鏡の別の実施形態では、鏡の被膜C2は、反射面MSkの領域を除いて鏡本体MBkを覆う。さらに、有利には、光学素子Mkの本体MBkは赤外線放射に対して半透明であり、抵抗被膜C2は反射被膜Cを被膜し、反射被膜Cは本体MBkの表面全体またはほとんど表面全体を被膜する。したがって、図12bと関連して説明したような特徴を備える鏡を実現することができる。このため、好ましくは、反射被膜Cは本体MBk内部の赤外線放射を反射する。さらに好ましい鏡の実施形態では、鏡本体MBkは好ましくは、被膜CおよびC2に被膜されていない表面領域1004、1006を備え、または赤外線放射に半透明な被膜をされている表面領域1004、1006を備える。これらの鏡の実施形態は、赤外線放射をこれらの表面領域1004、1006で本体MBkに連結することができるという有利点を有する。表面領域1004、1006は、好ましくは、反射面MSkを備える本体MBkの側面に配置される。および任意には、表面領域1004、1006は反射面MSkを囲む。図12cと関連して記載したように、さらに好ましい鏡の実施形態では、表面領域1004、1006の鏡は、赤外線放射を本体に散乱するために表面粗さを備えていてもよく、または表面領域は赤外線放射を回折によって本体MBkに配分するために回折構造を備えていてもよい。さらに、抵抗被膜C2は、好ましくは、金属を備える。また、好ましくは、反射および抵抗被膜C、C2は同一の金属を備える。前述のように、本発明はまた、図12cと関連して説明した有利点を利用するために、第7の投影レンズにも関する。EUVリソグラフィ投影型露光システムの第7の投影レンズは複数の反射型光学素子Miを備える。複数の反射型光学素子Miは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影する本体MBiおよび反射面MSiを備える。EUV光はEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後にレチクルから反射される。さらに、少なくとも1つの反射型光学素子Mkは、図12cに関連して前述した、本発明の鏡の実施形態の特徴を備える。さらに、光学素子Mkは、任意には、並進運動のためにアクチュエータに接続する。別の実施形態では、第7の投影レンズは、少なくとも1つの光学素子Mkの本体MBkの、反射面MSkに対向する側面に配置されるクーラ350を備える。任意には、クーラ350と少なくとも1つの反射型光学素子Mkとの間の距離は、これらの素子間の熱伝達を制御するために、調節可能である。本発明による第7の投影レンズの別の実施形態は、圧力Δpを少なくとも1つの反射型光学素子Mkの周囲内に制御するための圧力制御システムを備える。圧力制御システムは、図12cに関連して前述した、本発明の鏡の実施形態の特徴を備える。さらに、圧力制御システムは、任意には、少なくとも1つの光学素子Mkの近くにガス注入口および/またはガス排気口を備える。第7の投影レンズの別の実施形態では、反射面MSkがEUV光に曝される場合は、投影レンズは加熱するが、本体MBkの抵抗被膜C2は加熱されない。EUV光は照射されたレチクルによって反射され、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を有し、その結果として、基準温度TRefに対する本体MBkの温度分布はΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRefとなる。温度分布ΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRefは、平均および最高温度ΔTkavおよびΔTkmaxを備える。さらに、鏡本体MBkのゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択され、T0k>maxTRef,ΔTkavTRefまたはT0k>maxTRef,ΔTkmaxTRefで表す。さらに第7の投影レンズにおいても、ゼロクロス温度の任意の製造公差を考慮してもよい。第7の投影レンズのこのような実施形態では、ゼロクロス温度T0kを有する素材が製造によるゼロクロス温度の実際の値に関して変動し、その結果として、製造公差ΔT0kの実際の値が間隔T0k±ΔT0kの間となる。このような事例では、ゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択される。この最大値に製造公差ΔT0kの絶対値をさらに加え、T0k>maxTRef,ΔTkavTRef│ΔT0k│,T0k>maxTRef,ΔTkmaxTRef│ΔT0k│で表す。第7の投影レンズの好ましい実施形態およびその様々な実施形態では、光学素子Mkの温度Tkは、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、抵抗被膜C2を電源の第1の電力で加熱することによってその値に制御される。投影レンズがEUV光の露光力を受けている間に、好ましくは、抵抗被膜C2を加熱する電力は第1の電力より小さい。図12dは本発明の別の実施形態を概略的に示す。この実施形態では、反射型光学素子または鏡Mk421は少なくとも部分的にマルチゾーンワイヤグリッド1050によって加熱される。マルチゾーンワイヤグリッド1050は反射面MSkの近くに配置される。このような反射素子または鏡は次の基本的なステップを備えるプロセスで製造することができる。1.好ましくは、本体素材MBkとして、たとえば、本明細書の実施形態の少なくとも1つにおいて用いる、高ゼロクロス温度T0kを有する素材を選択する。一例として、本体素材の少なくとも1つのゼロクロス温度は30°C以上である。2.薄い抵抗被膜を電気めっきプロセスを用いて本体表面素材MBk上に形成することによって、ワイヤグリッド1050を本体素材上に製造する。抵抗被膜はインバーであってもよく、またはインバーを備えていてもよい。3.様々なパターン構造1051を、マルチゾーンワイヤグリッド1050構造を形成する抵抗被膜にエッチングする。これは既知のリソグラフィ方法を適用して行う。4.様々なパターン構造1051を電気的に接続し、多層化可能な集積回路を形成する。5.電気回路を形成するパターン構造1051を、石英などの低いCTEを有する絶縁層1052で、集積回路が完全に覆われるように覆う。6.反射素子または鏡Mkに必要な表面画像精度まで絶縁層1052の表面を研磨する。7.研磨した絶縁層1052を複層反射被膜1054で被膜する。任意の圧縮層1053を絶縁層1052と反射面MSkを形成する反射被膜1054との間に配置することができる。反射素子または鏡の好ましい実施形態では、マルチゾーンワイヤグリッドで覆われる面積は約50であり、図12dに概略的に示すように、反射面MSkの面積の95にまでなる。さらに高い被覆率が好ましい。これは、ワイヤグリッドのワイヤに沿って生成された熱は本体素材の広い面積に蓄積されるという有利点を有する。ワイヤグリッドを備える反射型光学素子は、上記の様々な実施形態に前述するように、追加ヒータ300を用いずに加熱されることができるという有利点を有する。たとえば、EUVリソグラフィ投影型露光システムの起動時に、EUV投影レンズがEUV投影光線に曝される前に、光学素子をゼロクロス温度まで加熱することができる。この結果として、上記の第2の投影レンズと関連して説明した有利点が生じる。ワイヤグリッドの主な有利点は、ワイヤグリッドは反射面MSkの非常に近くで温度を制御できるということである。EUV投影光線が不均一な配光を反射面に有し、その結果として、反射面を不均一な方法で加熱する場合は、ワイヤグリッドは、たとえば、制御システム200によって制御され、EUV強度が大きく、またはEUV吸収が大きい場所での加熱力を低減し、EUV吸収が低いかまたはゼロである場所での加熱力を増加する。このような規制によって、反射鏡面または反射型光学素子全体でほとんど一定の温度プロファイルを実現することができ、その結果として熱伝導収差はほとんどなくなる。さらに、ワイヤグリッドを用いて、グリッド構造によって画定される空間解像度の温度を測定することもできる。温度測定のためには、温度に関連するワイヤの電気抵抗を測定する。さらに、ワイヤグリッドを備える光学素子を、本明細書に記載するその他の加熱および焼き戻し構想に用いることができる。たとえば、図10に記載するように、ワイヤグリッドを備える光学素子をヒータおよびクーラと組み合わせることもできる。本事例では、ワイヤグリッドを、反射面MSk近くの非常に小さい温度変動を制御するためだけに用いることができる。さらに、図10に示す実施形態のヒータ300をワイヤグリッド抵抗値によって制御してもよく、または部分的に制御してもよい。このように組み合わせたシステムのさらなる有利点は、フィードフォワード制御が必要ではないため、温度制御システムを単純化できることである。鏡素材のゼロクロス温度近辺の小さい温度範囲のみを調節する場合、およびその他のヒータまたは加熱構想によって鏡をこのゼロクロス温度まで加熱する場合には、反射面の表面温度をワイヤグリッドヒータを用いて非常に迅速に調整できるためである。図12dと関連して記載したように、鏡または反射型光学素子を備える投影レンズの実施形態と関連して記載した有利点によって、本発明はまた、第8の投影レンズ、および第8の投影レンズで用いる前述のワイヤグリッド1050を備える鏡にも関する。前述の通り、本発明はワイヤグリッドを備える鏡に関し、鏡は本体MBkと、反射面MSkとを備える。さらに、本体MBkはゼロクロス温度T0kで温度依存熱膨張係数がゼロである素材を備え、本体表面MBkの少なくとも一部分は、本体MBkを電気気的に抵抗加熱するためのワイヤグリッド1050を備える。追加的に、好ましくは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、鏡は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影するためのEUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズに適合される。さらに、鏡のワイヤグリッド1050は被膜素材を備える抵抗被膜から形成され、被膜素材は金属、半導体素材、炭素およびインバーを備える素材からなる群から選択される。好ましくは、鏡のワイヤグリッド1050は、少なくともN>1電気回路であるパターン構造1051を備える。好ましくは、パターン構造1051は少なくともN1電気連結部分を備え、電気回路を電源に接続し、電気回路に電力を加える。好ましくは、電気回路が受ける電力に関して、回路をお互いに独立して制御することができる。さらに、ワイヤグリッド1050の加熱力は0.01Wと5Wとの間であり、好ましくは、0.01Wと1Wとの間である。鏡のワイヤグリッド1050は少なくとも1つの電源に接続する。電源は鏡本体MBkに取り付けられてもよく、または電源は電気的に、たとえば、1または複数のワイヤによって鏡本体MBkに接続する。さらに、電源は少なくとも2つの電圧源および/または電流源を備える。さらに、電源は多重回路を備えていてもよい。多重回路を用いると、ワイヤグリッドの電気回路は連続して電源から電力を受ける。さらに、本発明によるワイヤグリッドを備える鏡は絶縁層1052を備える。ワイヤグリッド1050のパターン構造1051は絶縁層1052によって覆われ、絶縁層1052はCTEが低い素材を備える。さらに、絶縁層1052を研磨し、表面画像データが鏡の反射面MSkに必要な±3nmRMSの精度となるようにする。EUV光に対する鏡の反射率を改善するために、ワイヤグリッド1050を備える鏡の反射面MSkは、多層スタック1054を備える。多層スタック1054は絶縁層1052の上、または圧縮層1053の上に配置される。圧縮層1053は絶縁層1052の上に配置される。好ましくは、鏡のワイヤグリッド1050は反射面MSkの50より大きい面積を覆う。さらに、前述のワイヤグリッド1050を備える鏡を修正して、鏡が図12bおよび図12cと関連して記載した特徴も備えるようにすることができる。一例として、鏡の本体MBkは、反射面MSkの領域を除いて少なくとも部分的に抵抗被膜C2によって覆われる。抵抗被膜C2は電気抵抗加熱によって本体MBkを加熱するために適切な電気抵抗を有する。代替的にまたは追加的に、光学素子Mkの本体MBkは赤外線放射に対して半透明である。その場合には、有利には、鏡の本体MBkは本体MBkの表面全体またはほとんど表面全体を被膜する反射被膜Cを備える。反射被膜Cは本体MBk内部の赤外線放射を反射する。本発明による鏡のワイヤグリッドの別の実施形態では、抵抗被膜C2は反射被膜C上にある。本事例では、鏡は被膜Cによる赤外線放射および/または被膜C2による抵抗加熱によって加熱され、反射面MSkに近い領域はワイヤグリッド1050の方向を向く。鏡を外線放射で加熱するために、鏡は有利には、反射被膜Cおよび抵抗被膜C2に被膜されていない表面領域1004、1006を備え、または赤外線放射に半透明な被膜をされている表面領域1004、1006を備える。この表面領域1004、1006は、有利には赤外線放射を本体MBkに連結するために用いることができ、赤外線放射は鏡の加熱に寄与する。好ましくは、反射被膜Cまたは抵抗被膜C2を備える鏡は被膜層に金属を備える。好ましくは、両方の被膜を適用する場合には、金属は反射および抵抗被膜C、C2で同一である。さらに、赤外線放射を本体MBkに連結するための表面領域1004、1006は、反射面MSkを備える本体MBkの側面に配置されるか、または反射面MSkを囲む表面領域1004、1006に配置される。このような表面領域1004、1006は、有利には、赤外線放射を本体に散乱するために表面粗さを備えていてもよく、または表面領域1004、1006は赤外線放射を回折によって本体MBkに配分するために回折構造を備えていてもよい。前述のように、本発明はまた、第8の投影レンズにも関し、図12dと関連して記載した有利点、ワイヤグリッド1050を備える鏡、および前述したその様々な実施形態の有利点を利用する。EUVリソグラフィ投影型露光システムの第8の投影レンズの第1の実施形態は、複数の反射型光学素子Miを備える。複数の反射型光学素子Miのそれぞれは、投影レンズが50nmより小さい波長範囲の波長を有するEUV光の露光力に曝される場合は、レチクル上の対象フィールドを基板上の画像フィールドに投影する本体MBiおよび反射面MSiを備える。EUV光はEUVリソグラフィ投影型露光システムの照明システムによる照射の後にレチクルから反射される。さらに、第8の投影レンズは少なくとも1つの反射型光学素子Mkを備える。反射型光学素子Mkは、この鏡の前述の一実施形態によるワイヤグリッド1050を備える鏡の特徴を備える。さらに、ワイヤグリッド1050を備える鏡の特徴を有する1つの反射型光学素子Mkは加熱可能であるため、光学素子Mkを並進運動のためにアクチュエータに接続することは有利である。さらに、第8の投影レンズの一実施形態では、レンズは、少なくとも1つの光学素子Mkの本体MBkの、反射面MSkと対向する側面に配置されるクーラ350または第1の焼き戻し素子300を備える。任意には、クーラ350または第1の焼き戻し素子300と少なくとも1つの反射型光学素子Mkとの間の距離はこれらの素子間の熱伝達を制御するために調節可能である。第8の投影レンズの別の実施形態では、レンズは少なくとも1つの反射型光学素子Mk周囲内の圧力Δpを制御するための圧力制御システムを備える。好ましくは、圧力制御システムは、少なくとも1つの光学素子Mkの近くにガス注入口および/またはガス排気口を備えていてもよい。第8の投影レンズの別の実施形態は、本体MBk上のワイヤグリッド1050を加熱せずに、照射されたレチクルによって反射され、照明設定にしたがって角空間分布、偏極空間分布および強度空間分布を備える反射面MSkのEUV光の露光によって、基準温度TRefに対して温度Tkx,y,zを有する本体MBkの温度分布がΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRefとなるように選択される素材を備える。温度分布ΔTkx,y,z=Tkx,y,z-TRefは、平均および最高温度ΔTkavおよびΔTkmaxを備える。さらに本体MBkのゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最も高い温度よりも高く選択され、T0k>maxTRef,ΔTkavTRefまたはT0k>maxTRef,ΔTkmaxTRefで表す。通常は、ゼロクロス温度T0kを有する素材は製造問題によるゼロクロス温度の実際の値に関して変動する。このため、第8の投影レンズのさらに好ましい実施形態では、ゼロクロス温度T0kを有する素材が製造によるゼロクロス温度の実際の値に関して変動し、その結果として、実際の値が間隔T0k±ΔT0kの間となるような製造公差ΔT0kとなることを考慮する。この実施形態では、ゼロクロス温度T0kは、基準温度TRef、および空間温度分布ΔTkx,y,zに基づき、基準温度を加えたそれぞれの平均または最高温度ΔTkavTRefまたはΔTkmaxTRefのうち最大よりも高くなるように選択される。最大値に製造公差ΔT0kの絶対値をさらに加え、T0k>maxTRef,ΔTkavTRef│ΔT0k│,T0k>maxTRef,ΔTkmaxTRef│ΔT0k│で表す。第8の投影レンズの別の実施形態では、光学素子Mkの温度Tkは、投影レンズがEUV光の露光力に曝される前に、電源の第1の電力でワイヤグリッド1050を加熱することによって温度Tkの値に制御される。任意には、投影レンズがEUV光の露光力に曝される時に、ワイヤグリッド1050を加熱する電力は第1の電力より低くなるように選択される。さらに、第8の投影レンズはコントローラを備えていてもよい。コントローラはワイヤグリッド1050が受ける電力を制御し、またはワイヤグリッド1050の抵抗値を決定し、またはパターン構造1051の電気回路の少なくとも1つの抵抗値を決定する。さらに、任意には、コントローラは第1の焼き戻し素子300またはクーラ350の温度を制御する。さらに、任意には、コントローラは第1の焼き戻し素子350またはクーラ300から少なくとも1つの反射型光学素子Mkまでの距離を制御する。または、コントローラは光学素子Mk周囲内の圧力Δpを制御する。一般的に、制御は以下の群から選択されるパラメータに基づく。ワイヤグリッド1050の温度、抵抗値またはワイヤグリッド1050のパターン構造1051の少なくとも1つの電気回路の抵抗値、時間、光学素子Mkの温度に直接的または間接的に影響するパラメータ、照明設定、EUV光の露光力の変化、レチクルの変化、光学素子Mkまたは投影レンズの熱伝導光学収差データまたは機械伝導光学収差データおよびモデルからの出力パラメータ。さらに、コントローラは、好ましくは、反射面MSk、または鏡Mkの本体MBkの温度をゼロクロス温度T0kに制御する。第8の投影レンズの別の実施形態では、ゼロクロス温度T0kは基準温度TRefより低く選択される。またはゼロクロス温度T0kは基準温度TRefよりも少なくとも6K高くなるように選択される。図13では、本発明による反射素子または鏡Mk421に関連して、ヒータまたは焼き戻し手段300の複数の別の実施形態を概略的に示す。これらの実施形態でも、上記の教示によって、特に熱効果による光学収差を低減するために、反射素子または鏡Mk421の温度を操作温度、平均温度Tavkまたはゼロクロス温度T0kに制御することができる。以下に記載するヒータまたは焼き戻し手段300の様々な実施形態は単独でまたは任意の組み合わせにおいて用いることができ、前述の反射型光学素子または鏡の温度または収差を制御する。鏡、たとえば、421図4および図5に示すようなまたは反射素子Mkは支持素子480に取り付けられ、支持素子480はハウジング構造481に接続する。取り付け素子および支持手段は鏡または反射型光学素子を支持または懸架するが、図示しない。これらは、たとえば、図4で符号451、461、471で記載するように構成することができる。さらに、図10および図11の実施形態に記載するように、クーラ350を支持素子480および/またはハウジング構造481温度感受性素子であってもよいを保護するための選択肢として用いることができる。別の選択肢として、鏡421または反射型光学素子周囲の圧力Δpも図11に記載するガスの熱抵抗を調節するために制御してもよい。反射素子または鏡Mk421の本体MBkが、たとえば、ゼロデュア登録商標またはULE登録商標などの、少なくとも1つのゼロクロス温度T0を備える温度依存CTETを有する素材を備える場合、およびこの素材が赤外線光などの一定の波長光を透過する場合は、図12aおよび図12bと関連して記載したように本体をこのような光で加熱してもよい。この種類の加熱は、熱が本体表面MBkだけではなく、本体内部にも蓄積するという有利点を有する。赤外線光源としては、たとえば、光発光ダイオードLED1302を用いてもよい。LEDを用いると、LEDを少なくとも1次元においてほぼ並列して容易に配置することができ、図10のペルチェ素子に関連して前述したように、アレイ状の構成を形成するという有利点を有する。さらに、適切な光学構成を用いて、赤外線放射様々な条件で反射素子または鏡Mk421と連結できるように、LEDが発光する赤外線放射を構成することができる。一例として、光学構成1304はLEDからの赤外線光を収束し、平行とするように構成される。これは、本体表面MBkの規定の面積が赤外線光で照射されるという有利点を有する。任意には、この表面面積は、稼働中のLEDの数によって直径で調節することができる。このような光学構成を備えるLEDはグリッドを形成し、グリッド状またはマトリックス状形状で本体MBkを照射する。グリッド状形状は、赤外線エネルギがグリッド座標の関数として蓄積し、その結果としてxおよびyの関数として十分に規定された空間温度分布Tx、yとなるという有利点を有する。別の選択肢として、赤外線源の光学構成1306、たとえば、LED正面のレンズは調節可能であってよく、焦点距離を形成し、および/または焦点距離1307を変化させる。本体の集束赤外線光は内部の非常に局地的な点を加熱することができる。この特徴によって、本体内部の空間温度分布をx、yおよびz方向において調節することができる。赤外線光線を少なくとも1つの軸周囲に、好ましくは、xおよびy軸周囲に傾けることによって赤外線光の方向も調整することができる場合は、複数の赤外線光線の赤外線光は本体MBk内の狭い面積に収束することができる。これは、有利には、たとえば、一定のレチクルまたは照明設定から生じる、本体の温度分布Tx、y、zを均質化するために用いることができる。好ましい実施形態では、焦点距離1309が非常に反射面MSkに近くなるような方法で、焦点距離1309を光学構成1308によって調整する。さらに、吸収層不図示を赤外線光を吸収する反射面の下部に配置してもよい。本事例では、赤外線光のエネルギは反射面MSkの非常に近くに蓄積する。前述の光学構成の代わりに、光ファイバ1310を用いて、光源たとえば、赤外線LEDまたは赤外線レーザからの赤外線光を本体表面MBkの近くに伝達してもよい。ファイバを用いることで、1つの赤外線源の赤外線光を、グリッド状の様式でも配向することができる。さらに代替的には、光誘導ロッド1314を用いて、赤外線光を赤外線源から本体まで伝達する。さらに代替として、赤外線光源1312たとえば、赤外線LED、赤外線-レーザを、赤外線光を本体表面MBkに反射する鏡1313と共に用いる。好ましくは、鏡を少なくとも1つの軸、より良くはx軸およびy軸などの2つの軸の回りに傾斜することができる。このような実施形態では、赤外線光を本体全体に配光することができる。これは、たとえば、走査またはラスタプロセスによって行うことができる。さらに、反射素子または鏡の本体MBkそれ自体が、赤外線光が連結される凹部1315を備えていてもよい。一般的に、表面または赤外線光が連結される本体に連結される表面領域は規定の表面粗さまたは表面上の回折構造を備えるように準備された表面領域であってもよく、またはそのような表面領域を備えていてもよい。さらに、凹部は、球面などの表面形状を備えていてもよく、本体への赤外線放射の入射を改善する。凹部の代わりに、突起または本体素材の突出も選択することができる。これらすべてが、本体Mk内の赤外線放射の規定の空間分布を実現するために、表面屈曲を備えていてもよい。図13の実施形態では、鏡本体の反射被膜を用いて、赤外線力を吸収してもよい。このため図12bの実施形態の特徴も適用することができる。さらに、図13の実施形態のヒータ300もクーラ350と一体化することができる。さらに、赤外線放射の波長を制御して、本体素材の規定の厚さ内の吸収量を制御することができる。ゼロデュア登録商標では、波長は約400nmから約800nmまで変動する。図12aから分かるように、この波長範囲では、吸収は用いる波長によって大幅に異なる。図13と関連して記載したように、ヒータまたは焼き戻し手段300は、空間的に制御された様式で赤外線力を反射素子または鏡の本体内部に瞬時に蓄積するため、レンズの安定状態および鏡の加温時間中に熱伝導収差が最小限となるように、投影レンズ内部の反射素子または鏡の操作温度を制御するためには適切である。鏡の加温時間は赤外線加熱の瞬時の加熱効果によって大幅に低減することができる。さらに、一例として図12bおよび図13に関連して示すように、EUV投影レンズのk番目の反射型光学素子または鏡Mkの本体MBkを赤外線加熱することで、この本体をゼロクロス温度の少なくとも1つまで、非常に迅速に加熱することが可能となる。さらに、このような加熱によって、本体内部および反射面MSk内部に沿った空間温度分布を、少なくとも2次元、好ましくは、3次元すべてで制御することができる。これは、温度は、本体MBkのx、yおよびz座標の関数として制御可能であることを意味する。制御に関して、ここで再び図6を参照する。図6で630で表すEUV投影レンズ20のヒータは、少なくとも1つの反射素子または鏡26などの鏡Mkを備えることもある。反射素子または鏡Mkは、少なくとも1つのゼロクロス温度T0を備える温度依存CTETを有する素材を備える。このゼロクロス温度T0kは、投影レンズ20がレチクルMから発する最大EUV露光力に曝される場合は、素子または鏡Mkの期待平均温度ΔTavkTRefよりも高くなるように選択される。ゼロクロス温度は、EUV露光力を露光中に生じることもある期待温度分布Tx、y、zすべての最高温度それぞれよりも高く選択されるたとえば図7参照。これらの平均および最高温度ΔTavk、ΔTkmaxは、レチクルおよび照明設定に関する変動の可能性も考慮する。さらに、素材選択の前に、このような公差をこれらの平均または最高温度ΔTavk、ΔTkmaxに加えるような方法において、製造公差ΔT0kなどの製造によって生じるゼロクロス温度の変動も考慮してもよい。次に、ゼロクロス温度が、T0k>ΔTkmaxTRef│ΔT0k│またはT0k>ΔTavkTRef│ΔT0k│で表すこの温度よりも高くなるように、素材を選択する。前述の赤外線ヒータまたは本明細書に記載するその他のヒータを適用すると、素子または鏡Mkを実際のゼロクロス温度まで加熱することは常に可能である。好ましくは、レンズ20が、レチクルMからウエハWまで伝播するEUV投影光線4に露光中に、投影レンズまたは素子または鏡Mkの熱伝導収差または画像エラー622が最小となるように、制御部620図6はこの素子Mk鏡26などの温度を制御する。代替的に、反射素子または鏡Mk26の空間温度分布621が均一になるように、好ましくは、この温度がゼロクロス温度T0kに到達するように、制御部620は温度を制御する。さらに、ゼロクロス温度が、前述のT0k>ΔTkmaxTRef│ΔT0k│またはT0k>ΔTavkTRef│ΔT0k│から選択される場合は、好ましくは、EUV光MSkの本体MBkおよび反射面は、表面形状または像がゼロクロス温度T0kで特定の精度を実現するように製造される。本事例では、反射素子または鏡Mkは前述の赤外線ヒータ630、またはその他のヒータを用いて、本明細書に前述したように、ゼロクロス温度まで加熱される。好ましくは、投影レンズ20がEUV露光力に曝される前に行う。投影レンズ20をEUV光で露光中に、反射型光学素子または鏡Mkは、吸収したEUV光によって追加的に加熱される。次に、ヒータ630は制御部620によって、反射素子または鏡Mkの空間温度分布がEUV光のスイッチを入れる前とほとんど同一の条件となるように制御される。好ましくは、この条件は、素子または鏡Mk26の一定温度である。前述のように、素子Mk26自体の温度分布621を制御することは必要ではない。代替的にまたは追加的に、収差622を制御パラメータとして用いることができる。ヒータ630は収差622が最小限となるように制御される。素子Mkまたは鏡26の温度、特に空間温度分布、または素子Mkまたは鏡26を表す1または複数のパラメータを測定するために、赤外線カメラを用いることができる。その理由は、レンズ20の鏡21、22、23、24、25、26たとえば図3参照、用いたレチクルまたはマスク、EUV光出力および照明設定によって、EUV光の吸収による温度差は約1Kから約20Kまでの範囲内であるからである。この相対的に高い温度差によって、赤外線カメラの感度要件はそれほど高くない。代替的にまたは追加的に、光学素子Mkまたは鏡26の温度または温度分布、または光学素子Mkまたは鏡26の収差622を制御パラメータとして測定するために、光学素子Mkまたは鏡26レンズ20内の鏡21、22、23、24、25、26のいずれかの変形、または変形に関連するパラメータを用いて、本明細書に記載するヒータ630、特にヒータ630、300を制御してもよい。変形を測定するために、一例として、干渉計および/またはエンコーダシステムを用いて、光学素子または鏡の変形を測定することができる。本発明の別の実施形態では、前述の測定から得る温度データ特に温度分布データおよび/または変形データを、光学素子または鏡またはレンズ20の期待収差を計算するために用いる。レンズ20および/または光学素子Mkまたは鏡21、22、23、24、25、26は少なくとも1つのヒータ630、300によって、収差が低減されるように制御される。このような計算にモデルを適用し、レンズ20の収差はモデルベースの制御によって最小限となる。レンズ20を制御するためのモデルは、追加入力パラメータを用いてもよい。追加入力パラメータは、任意の事前に選択される鏡または光学素子の温度および/または変形データに追加して測定される。このような入力パラメータは、たとえば、レチクルまたはマスク、EUV光出力、照明設定、光学素子または鏡近くのガス圧力またはレンズ20内部のガス圧力、レンズ20がEUV光に曝される時間、またはレンズ20の鏡などの反射型光学素子21、22、23、24、25、または26の位置の変化たとえばz位置などである。出力パラメータとして、モデルは、任意のヒータ630、300、鏡などの反射型光学素子21、22、23、24、25、または26の任意の位置、EUV投影光力、レチクルが照射される照明設定、光学素子または鏡近くのガス圧力またはレンズ20内部のガス圧力、またはレンズ20の鏡21、22、23、24、25または26の反射面を変形する任意のアクチュエータを、制御された方法で、光学収差を低減するために制御してもよい。1または複数の出力パラメータは1または複数の入力パラメータにモデル伝達関数によって相関する。さらに、モデルの入力パラメータを用いて、モデルが伝達関数に関して調節されるように、つまり、伝達関数自体が入力パラメータおよび/または出力パラメータの値に依存するようにモデルを校正してもよい。さらに、本発明の一実施形態では、レンズ20の鏡21、22、23、24、25、26などの少なくとも1つの光学素子Mkの温度データを時間的に蓄積する。この結果として、空間解像度さえも備える、光学素子または鏡の熱負荷の測定値を表すパラメータが生じる。このような熱負荷パラメータを用いて、レンズ20またはEUVリソグラフィ投影システムの維持を制御することができる。一例として、反射多層スタックの劣化などのEUV光による鏡の任意の劣化、または鏡本体を形成するために用いられる基板素材の任意の圧縮効果を推測してもよい。さらに、照射されるマスクまたは用いる照明設定を、鏡21、22、23、24、25、26の熱負荷を空間的に解消することによって、投影レンズ20の寿命が長くなり、維持費用が低減するように選択してもよい。"