シリコン単結晶基板にノズル連通孔と、リザーバと、インク供給口とを備える流路形成基板の製造方法であって、前記ノズル連通孔の形成領域内の前記ノズル連通孔の連通方向に、レーザー光を照射して前記シリコン単結晶基板に改質部を積層して形成する改質部形成工程と、前記ノズル連通孔の形成範囲及び前記リザーバの形成範囲をエッチングにより穿孔する第1エッチング工程と、前記インク供給口を前記インク供給口の形成範囲をエッチングにより形成する第2エッチング工程と、を含むことを特徴とする流路形成基板の製造方法。前記改質部形成工程では、前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第1の位置にレーザー光を集光させて複数の第1の改質部を形成する第1のステップと、前記シリコン単結晶基板の第1の位置から前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第2の位置にレーザー光の集光位置を移動させる第2のステップと、前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第2の位置に前記レーザー光を集光させて前記第1の改質部に連なる複数の第2の改質部を形成する第3のステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の流路形成基板の製造方法。前記第2のステップにおいて、前記第1の位置から前記第2の位置に前記レーザー光の集光位置を移動させる場合に、前記レーザー光の集光位置を前記シリコン単結晶基板の基板面に垂直な方向および前記シリコン単結晶基板の基板面と平行な方向に移動させるようにしたことを特徴とする請求項2に記載の流路形成基板の製造方法。前記改質部形成工程において、レーザー光の照射は前記シリコン単結晶基板表面からの深さDから前記改質部が形成され、前記深さDは、0≦D≦0.7W、但し、W:ノズル連通孔開口部最小部径、である、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の流路形成基板の製造方法。前記改質部形成工程の前に、酸化ケイ素をエッチング保護膜として前記シリコン単結晶基板に形成する第1エッチング保護膜形成工程を備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の流路形成基板の製造方法。前記改質部形成工程と前記第1エッチング工程の間に、窒化ケイ素をエッチング保護膜として前記シリコン単結晶基板に形成する第2エッチング保護膜形成工程を備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の流路形成基板の製造方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の製造方法により製造された流路形成基板。請求項7に記載の流路形成基板を用いたインクジェット式記録ヘッド。しかしながら、上述の従来技術であっても、エッチング誘導孔貫通孔もしくは非貫通孔形成がレーザーによる孔明け加工であり、ノズル連通孔の開口部はレーザー光照射領域の大きさ孔径孔周辺の改質領域を小さくする事ができない。このため、エッチングして得られるエッチング領域、すなわちノズル連通孔開口部も小さくできないという課題があった。このため、エッチング誘導部を小さく形成できる方法が望まれていた。本発明は、少なくとも上述の課題の一つを解決するように、下記の形態または適用例として実現される。適用例1本適用例の流路形成基板の製造方法は、シリコン単結晶基板にノズル連通孔と、リザーバと、インク供給口とを備える流路形成基板の製造方法であって、前記ノズル連通孔の形成領域内の前記ノズル連通孔の連通方向に、レーザー光を照射して前記シリコン単結晶基板に改質部を積層して形成する改質部形成工程と、前記ノズル連通孔の形成範囲及び前記リザーバの形成範囲をエッチングにより穿孔する第1エッチング工程と、前記インク供給口の形成範囲をエッチングにより形成する第2エッチング工程と、を含むことを特徴とする。この適用例によれば、ノズル連通孔を穿孔するエッチング工程の前にレーザー光の照射によって、ノズル連通孔の連通方向にシリコンの改質部が形成される。この改質部は、シリコン単結晶が持つ結晶性が改質しエッチングの異方性を持っていない。このため、改質部は結晶を有する部分とエッチングレートが異なり、エッチングスピードが速い。この改質部を、連通孔形成範囲のシリコン単結晶基板の厚さ方向、すなわち連通孔の連通方向に連続して形成することで、連通孔のエッチング工程において、改質部が先にエッチングされ、微小径の貫通孔が形成される。形成された微小径の貫通孔は、連通孔のエッチング誘導孔として貫通孔の中にエッチング液が導入される。このことにより、貫通孔エッチング誘導孔内周面の全域に対してエッチングが開始され、小径のノズル連通孔を形成することができる。適用例2上述の適用例において、前記改質部形成工程では、前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第1の位置にレーザー光を集光させて複数の第1の改質部を形成する第1のステップと、前記シリコン単結晶基板の第1の位置から前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第2の位置にレーザー光の集光位置を移動させる第2のステップと、前記シリコン単結晶基板の厚み方向における第2の位置に前記レーザー光を集光させて前記第1の改質部に連なる複数の第2の改質部を形成する第3のステップと、を含むことを特徴とする。この製造方法によれば、改質部を連通孔の連通方向に形成する場合、先に形成された改質部に対して、次に形成される改質部が重なる量を制御できるようになる。このため、重なり量が大きくなると発生する、レーザー光による局所的な熱の蓄積がなくなり、材料へのダメージを抑える事ができる。つまり、第1の改質部と第2の改質部とで形成される改質部が必要以上に大きくなることを抑える事ができる。この結果、シリコン単結晶基板内での改質部を小さくできるため、微細な貫通孔または非貫通孔を形成することが可能となる。また、この方法は、例えば公知のレーザー加工装置により実現できるため、装置コストを低減させる事も可能となる。適用例3上述の適用例において、前記第2のステップにおいて、前記第1の位置から前記第2の位置に前記レーザー光の集光位置を移動させる場合に、前記レーザー光の集光位置を前記シリコン単結晶基板の基板面に垂直な方向および前記シリコン単結晶基板の基板面と平行な方向に移動させるようにしたことを特徴とする。この製造方法によれば、公知のレーザー加工装置を活用して貫通孔を形成するための改質部を形成する時間の短縮を図ることができる。適用例4上述の適用例において、前記改質部形成工程において、レーザー光の照射は前記シリコン単結晶基板表面からの深さDから前記改質部が形成され、前記深さDは、0≦D≦0.7W、但し、W:ノズル連通孔開口部最小径、であることを特徴とする。上述の適用例によれば、レーザー光の照射の焦点集光部位置がシリコン単結晶基板の表面に設定されないため、シリコン単結晶基板表面に施された連通孔形成用のエッチングマスク酸化膜パターンを損なうことがない。さらに、シリコン単結晶基板の内部に改質を形成するだけのエネルギー量のレーザー照射であることから、エッチングマスクにおける連通孔形成部の開口部は、最小形状で形成することができる。適用例5上述の適用例において、前記改質部形成工程の前に、酸化ケイ素をエッチング保護膜として前記シリコン単結晶基板に形成する第1エッチング保護膜形成工程を備えることを特徴とする。上述の適用例によれば、エッチング保護膜が透明な酸化ケイ素であることで、エッチング保護膜を透過してレーザー照射が可能となる。しかも、改質部形成工程におけるレーザー照射がシリコン単結晶基板の表面より内部に焦点が設定されているため、レーザー照射によるエッチング保護膜へのダメージも発生しない。また、酸化ケイ素膜の形成が上述の適用例における製造工程の初期段階で行われるため、取扱時におけるシリコン単結晶基板表面への傷付き防止膜としての効果も有する。適用例6上述の適用例において、前記改質部形成工程と前記第1エッチング工程の間に、窒化ケイ素をエッチング保護膜として前記シリコン単結晶基板に形成する第2エッチング保護膜形成工程を備えることを特徴とする。窒化ケイ素の膜はエッチング保護膜として優れた特性を有するが、レーザー光に対して透過性が無い。上述の適用例によれば、エッチング保護膜を形成する前にレーザー光をシリコン単結晶基板に照射して改質部を形成することで、エッチング保護膜に窒化ケイ素を適用しても、開口部の小さなノズル連通孔が形成できる。適用例7上述の適用例に記載の製造方法により製造された流路形成基板。上述の適用例によれば、吐出される液滴の粒径をさらに小さくする流路形成基板を実現することができる。適用例8上述の流路形成基板を用いたインクジェット式記録ヘッド。上述の適用例によれば、この流路形成基板を用いたインクジェット式記録ヘッドを使ったインクジェット式記録装置により高密度、高精細の印刷物を出力することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。第1実施形態流路形成基板の製造方法の一実施形態について、以下に説明する。図1にインクジェット式記録ヘッドの流路ユニットの概略断面図を示す。流路ユニット100は、流路形成基板10と、流路形成基板10の一方の面を封止する弾性板20と、流路形成基板10の他方の面を封止するノズル開口31を備えたノズルプレート30と、から構成されている。流路形成基板10は、図示しない外部のタンクからインクの供給を受けるリザーバ11と、外部からの加圧力を受ける圧力発生室12と、リザーバ11と圧力発生室12とを接続するインク供給口13と、圧力発生室12とノズルプレート30のノズル開口31とを接続するノズル連通孔14と、を備える。上記の構造により、以下の動作を行う事ができる。まず、流路ユニット100の弾性板20に圧電振動子40を当接させ、圧電振動子40を収縮方向に変位させることにより、弾性板20が変位する。このとき、圧力発生室12の容積が大きくなるのでリザーバ11のインクはインク供給口13を経由して圧力発生室12に吸引される。次に、圧電振動子40を伸ばすことで圧力発生室12の容積が小さくなるので、圧力発生室12のインクが加圧されノズル開口31を経由して、インク滴として吐出される。図2に、図1における流路形成基板10のA-A’断面の概略平面を示す。図2に示すように、流路形成基板10は一つのリザーバ11に複数の圧力発生室12と、インク供給口13と、ノズル連通孔14と、を備えている。それぞれのノズル連通孔14にはノズルプレート30のノズル開口31が対応している。さらに、流路形成基板10の構成を分り易くするため、図3に流路形成基板10の斜視図を示した。次に流路形成基板10の製造方法について説明する。図4は流路形成基板の製造工程を示す製造フローチャートである。図5、図6は流路形成基板の製造方法を示す概略断面図である。以下、図4のフローチャートに従い、図5、図6を参照して流路形成基板の製造工程を説明する。保護膜形成工程保護膜形成工程S101では、図5aに示すように、熱酸化法によりシリコン単結晶基板50以下、基板50というの表面全体に酸化ケイ素膜を成膜し、エッチング保護膜60とする。エッチング保護膜60の膜厚としては、約1μm程度が好ましい。第1エッチングパターン形成工程第1エッチングパターン形成工程S102では、フォトリソグラフィーにより、エッチング保護膜60を、後述する第1エッチングのためのマスク形状に形成する。この第1エッチングパターン形成工程S102では、まず保護膜形成工程S101で成膜されたエッチング保護膜60にレジスト剤をスピンコート法などにより塗布する。さらに、リザーバ11及びノズル連通孔14の形成範囲に相当する範囲のレジスト剤を露光し、露光部のレジスト剤を除去する。次に緩衝フッ酸溶液に浸漬し、図5bに示すように、基板50をエッチングする第1エッチングマスク63を形成する。エッチング保護膜60の一部が除去された第1エッチングマスク63は、リザーバ形成用開口部61及びノズル連通孔形成用開口部62と、を備えている。なお、この第1エッチングパターン形成工程S102において、インク供給口13及び圧力発生室12が形成される範囲は、エッチング保護膜60をハーフエッチングしたハーフエッチング部64に対応する。改質部形成工程次に、改質部形成工程S103に移行する。なお、本実施形態の基板50は、図示しないが一般的に多数個の流路形成基板10が形成できる、ウエハー状の基板となっている。この基板50に対して改質部形成工程S103では、次のようにレーザー光70を照射している。図5cに示すように、上述の第1エッチングマスク63を備える基板50に対して、レーザー光70をノズル連通孔形成用開口部62のいずれか一方の面側から照射する。この時、レーザー光70の焦点71部分には、改質部51が形成される。改質部51はレーザー光70の照射方向に縦長となる略紡錘形に形成され、レーザー光70の焦点71を移動させることで、改質部51を基板50の内部に連続的に形成することができる。照射するレーザー光70は、基板50の材料である単結晶シリコンを透過する波長域である、1000~1400nmの波長とすることが好ましい。1000nmより短い波長では単結晶シリコンに対する透過率が極端に低下するため、焦点71に到達する前にほとんど吸収され、改質部51を形成することができない。なお、上記の条件を満たせば、レーザーの種類として特に限定されるものではなく、YAGレーザー、YLFレーザー、YVO4レーザーなどが、レーザー装置として使用できる。改質部51は、基板50の表裏面を除く内部であって、ノズル連通孔14図1及び図5e参照を形成すべき経路に沿ってレーザー光を照射させて改質部51を形成させる。レーザー光70の照射は、図示しないレンズを用いてレーザー光を集光させることにより行う。なお、焦点71は、レンズを配置した、図示しないレーザーヘッドを上下に移動させることで変更が可能となっている。ここで、レーザー光70の照射条件の一例を示すと、波長が1064nmのYAGレーザー基本波を使用し、レンズの開口数NAは0.5~0.9であり、1パルス当りのエネルギーは20μJである。その時の、スポット径はおおよそ1μm程度である。基板50に形成される改質部51は、例えば基板50の密度、屈折率、機械的強度、結晶配列、その他の物理的特性が周囲とは異なった部分をいい、エッチングで容易に除去できる。まず、図示しないレーザー加工装置の図示しない加工テーブルに基板50を載せる。その後、加工テーブルをX軸方向図5の手前もしくは奥の方向に移動させることにより、基板50がX軸方向に移動する。そして、基板50の1つ目のノズル連通孔14が形成される位置に、焦点71が到達したときに、図示しないレーザー装置からレーザー光70を出射し、レーザー光70はレンズにより第1の深さの位置に焦点71で集光され、改質部51が形成される。ここで、第1の深さの位置は、基板50の厚さ方向の一番深い位置である。さらに、加工テーブルをX軸方向に移動させながら、ノズル連通孔14を形成する位置に焦点71が到達するたびに、レーザー装置からレーザー光70を出射する。これにより、ノズル連通孔14が形成される各領域内の第1の深さの位置に順次改質部51が形成される。以上の方法で第1の深さの位置への改質部51の形成が完了した後、加工テーブルを停止させ、レーザーヘッドをZ軸方向基板50の厚み方向の上側に、焦点71が第2の深さになるように移動させて停止させる。レーザーヘッドの移動量は、レーザー光70を集光させる光学系の焦点深度の深さに対応する値で決められる。ここで、レーザーヘッドの移動量は、使用するレンズの焦点深度に対応する深さである。すなわち、焦点深度が小さい光学系では、この移動量は小さく設定し、焦点深度が大きい光学系では、この移動量は大きく設定する。その後、レーザーヘッドの位置を固定のままとし、加工テーブルを-X軸方向に移動させることにより、基板50が-X軸方向に移動する。そして、再び、ノズル連通孔14を形成する位置に焦点71が到達するたびに、レーザー装置からレーザー光70を出射する。これにより、ノズル連通孔14が形成される領域内の第2の深さの位置にレーザー光が集光され、改質部51が形成される。ここで、第2の深さは、上記の第1の深さよりも浅い。さらに、基板50のノズル連通孔14が形成される位置に焦点71が到達するごとにレーザー装置からレーザー光70を出射させる。これにより、ノズル連通孔14が形成される各領域内の第2の深さにレーザー光70が集光されるため、全てのノズル連通孔14が形成される部分に複数の連続した改質部51が形成される。さらに、上記のように、レーザーヘッドのZ軸方向の移動、加工テーブルのX軸方向あるいは-X軸方向の移動、およびレーザー装置からのレーザー光70の照射など、一連の処理制御を繰り返す。この結果、基板50のノズル連通孔14が形成される各領域内には、複数の改質部51が所定の位置に所定の長さで積み上げられた状態になる。改質部形成工程S103で形成された改質部51は、貫通孔であるノズル連通孔14を後述のエッチングにより形成する際、先にエッチングされる貫通孔として機能する。この理由として、改質部51は、改質部51以外の領域に比べてエッチング異方性がなく、エッチングレートが高いエッチングしやすいためである。この改質部51から形成される貫通孔がパイロット孔となって、ノズル連通孔14の形成のためのエッチングが進行する。図5cのノズル連通孔形成用開口部62近傍であるA部の詳細を図7に示す。図7に示すように、改質部51の形成は基板50の表面から深さD位置から形成されることが好ましい。0≦D≦0.7W、W:ノズル連通孔開口部最小径、すなわち、最も基板50の表面に近い改質部51を形成するレーザー光70の焦点71の位置が、基板50の表面より基板50の内部側になるように設定される。開口幅Wと深さDにより定義される角錐部Mは、後述の第1エッチング工程S104において、エッチングにより最初にエッチングされる領域であるが、シリコン単結晶の結晶面11152が露出した時に、エッチングが止まってしまう。従って、エッチングがさらに継続するように、このエッチング可能範囲の角錐部Mの範囲、すなわち0≦D≦0.7Wの領域に改質部51を形成することが好ましい。また、最も基板50の表面に近い改質部51を形成する場合、レーザー光70の焦点71の位置を、基板50の表面より基板50の内部側、すなわち、基板50の表面を含まない領域に焦点71が設定されることで以下の効果が期待できる。まず、表面からの飛散物がなくなるため、レンズ表面に被加工物が付着しない。このため、レンズの表面損傷が回避でき、透過率低下を防ぐためのクリーニングの必要もなくなる。また、エッチング保護膜60へのダメージも発生しないため、ノズル連通孔14の開口が必要以上に大きくなってしまうことも回避できる。第1エッチング工程次に第1エッチング工程S104に移行する。第1エッチング工程S104では、貫通孔であるリザーバ11とノズル連通孔14をエッチングにより形成する。エッチング液は、20質量KOHの水溶液であり、80°Cに加熱して使用する。このエッチング液に、第1エッチングマスク63を備える基板50を約2時間浸漬させることで、貫通孔を形成することができる。第1エッチング工程S104は、図5dに示すように、はじめは改質部形成工程S103により形成された改質部51と、リザーバ形成用開口部61とがエッチングされる。この時、改質部51の形成部分のエッチングレートが高いため、貫通孔14aが形成される。改質部15は断面径で約1μm程度ときわめて細く形成されるため、改質部51をエッチングして形成される貫通孔14aもきわめて細く形成できる。同時に、リザーバ形成用開口部61からのエッチングも進行する。この結果、図5eに示すように、リザーバ11とノズル連通孔14を貫通構造として形成することができる。第2エッチングパターン形成工程次に第2エッチングパターン形成工程S105に移行する。第2エッチングパターン形成工程S105は、第1エッチングパターン形成工程S102において形成された、図5bに示すハーフエッチング部64を緩衝フッ酸溶液に浸漬することで除去し、図6aに示す第2エッチングマスク65を形成するものである。このとき、緩衝フッ酸溶液に浸漬する条件は、ハーフエッチング部64に該当する領域の第1エッチングマスク63のみが除去され、ハーフエッチング部64に該当する領域以外の第1エッチングマスク63は除去されない条件とする。第2エッチング工程次に第2エッチング工程S106に移行する。エッチング液は第1エッチング工程S104と同じエッチング液を用い、浸漬時間を短くして図6bに示す圧力発生室12を形成する凹部16とインク供給口13を形成する凹部17とを形成する。保護膜除去工程最後に保護膜除去工程S107において、図6cに示すように、第2エッチングマスク65を除去し、流路形成基板10が形成される。本実施形態におけるノズル連通孔14の形成において、エッチング前に予めレーザー照射により改質部51を基板50の内部に形成したことにより、エッチングレートが高く、且つ断面径が約1μmときわめて小径の改質部51が形成できる。このため、改質部51から形成されたエッチングのパイロット孔も小径の貫通孔となり、開口面積の小さいノズル連通孔14を容易に形成することができる。さらに、焦点71は極めて微小な領域であるため、低出力なレーザー装置であっても改質部51が形成できる。このため、従来から行われている貫通孔加工で用いられる、高出力レーザーに比較して基板50に対する損傷の虞も無い。また、従来のレーザーによる貫通孔形成では、基板50の表面からレーザー除去加工が開始され、しかも貫通孔とするために、その開口部では30~40μmの大きな孔となってしまう。このため、ノズル連通孔形成用開口部62はレーザー照射による損傷を回避するために更に大きな開口面積で形成しなければならず、結果として、ノズル連通孔14の開口部は少なくとも30μmを下回ることができなかった。これに対して、上述の通り約1μmの断面径で形成された改質部51から貫通孔を形成する本実施形態では、数μmの開口部の大きさでノズル連通孔14を形成すること可能となった。第2実施形態次に、流路形成基板10の他の製造方法について説明する。本実施形態ではエッチング保護膜として窒化ケイ素膜を形成し、流路形成基板10を製造した。図8に本実施形態のフローチャートを示す。改質部形成工程本実施形態では、後述するようにエッチング保護膜として窒化ケイ素膜を形成し、流路形成基板10を製造する。また、本実施形態では最初にレーザー照射による改質部形成工程S201が行われる。図9aに示すように、基板50にノズル連通孔14を形成する位置にレーザー光70を照射し、改質部51を形成する。改質部形成のための条件、方法は第1実施形態と同じであるので、説明は省略する。保護膜形成工程保護膜形成工程S202では、図9bに示すように、改質部51が形成された基板50の表面全体にエッチング保護膜80を形成する。このエッチング保護膜80は窒化ケイ素膜であり、CVD法により基板50の表面全体に形成される。第1エッチングパターン形成工程図9cに示すように、第1エッチングパターン形成工程S203では、エッチング保護膜80をフォトリソグラフィーすることにより、リザーバ形成用開口部81と、ノズル連通孔形成用開口部82と、ハーフエッチング部84とを備える、マスク83を形成する。以降、第1エッチング工程S204、第2エッチングパターン形成工程S205、第2エッチング工程S206、保護膜除去工程S207は、第1実施形態と同じであるので説明は省略する。本実施形態に示すように、エッチング保護膜80に窒化ケイ素膜を用いることにより、エッチング液に対する耐性が向上し、微小なノズル連通孔形成用開口部82となるエッチング保護膜80の端部の侵食を最小限に留めることができ、ノズル連通孔形成用開口部82の形状を忠実にノズル連通孔14の開口形状に実現することができる。また、これにより隣合うリザーバ11、圧力発生室12、インク供給口13、ノズル連通孔14のそれぞれの間の壁が薄くなり過ぎることを防止することもできる。第3実施形態上述の実施形態により得られる流路形成基板10を用いたインクジェット式記録ヘッドについて説明する。図10はインクジェット式記録ヘッドの主要部断面を示す。インクジェット式記録ヘッド1000以下、記録ヘッド1000というは、ケース200、流路ユニット100、及びアクチュエーターユニット300等を主な構成としている。流路ユニット100には、上述の実施形態の製造方法によって得られた流路形成基板10を用いている。ケース200は合成樹脂製の中空箱状部材であり、先端部には流路ユニット100を接合し、内部に形成された収容空間部201内にはアクチュエーターユニット300を収容している。また、流路ユニット100の接合部とは反対側の基端面には、印刷装置本体側からの駆動信号をアクチュエーターユニット300に供給するための図示しない回路基板を取り付けている。アクチュエーターユニット300は、櫛歯状に列設された複数の圧電振動子301と、圧電振動子301を固定する固定板302と、回路基板からの駆動信号を圧電振動子301に供給するためのTCPテープキャリアパッケージ等の配線部材303と、を含む構成となっている。各圧電振動子301は、固定板302に接合固定される固定端部と固定板302の端部から突出している自由端部を有した、いわゆる片持ち梁の状態で、固定板302に取り付けられている。このアクチュエーターユニット300は、固定板302の圧電振動子301の固定面とは反対の面を、収容空間部201を区画するケース200の内壁面202に接着固定された状態でケース200内に収納されている。流路ユニット100は、弾性板20と、流路形成基板10と、及びノズルプレート30と、を積層、接着して一体化されている。この構造により、インクは、リザーバ11、インク供給口13、圧力発生室12、ノズル連通孔14を経由し、ノズル開口31に至る。圧力発生室12は、ノズル開口31の列設方向ノズル列方向に対して直交する方向に細長い室として形成されている。また、リザーバ11は、インクカートリッジ等のインク供給源からインクが導入される室である。リザーバ11に導入されたインクは、インク供給口13を通じて各圧力発生室12に分配供給される。図11に示すように、ノズルプレート30には、ドット形成密度に対応したピッチで複数のノズル開口31が形成されている。各ノズル列はインク種別に対応しており、図11に示すノズルプレート30では、例えば8種類のインクが吐出可能である。インクジェット式記録装置における解像度は、ドット配置密度いわゆるdpiDotsPerInchiで表示される。これは1インチ当たり何個のインクドット液滴を記録媒体に載せることができるかを示すものである。図11に示すノズル開口31の配列で示すと、ノズル開口31の配置ピッチPの逆数となる。解像度を上げるためにはピッチPをより小さくする必要があるが、このピッチPを決定している一要素として、ノズル連通孔14の開口部の大きさがある。第1実施形態及び第2実施形態で得られる流路形成基板10は、ノズル連通孔14を従来よりも小さい開口面積で実現するものである。従来、ノズル連通孔14の開口部の大きさに対応してノズル開口31のピッチPは35μm程度が限界であったが、本実施形態ではピッチPを20μmまで小さくすることができた。上述の通り、本実施形態の記録ヘッド1000を使うことで、従来技術に対して約75以上と大幅に解像度を向上させたインクジェット式記録装置が実現し、より高画質な印刷が可能となる。