極紫外EUV波長範囲のためのフォトリソグラフィマスクEUVマスクの欠陥を分析する方法であって、a.EUVマスク検査ツールを用いて欠陥に関連する少なくとも1つの焦点スタックを生成する段階と、b.前記欠陥の位置での前記EUVマスクの面構成を判断する段階と、c.前記判断された面構成を有し、かつ異なる位相誤差を有するモデル構造を準備し、それぞれの焦点スタックを生成する段階と、d.前記欠陥の前記少なくとも1つの生成された焦点スタックと前記モデル構造の前記生成された焦点スタックとを比較することにより、前記EUVマスク欠陥の3次元誤差構造を判断する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記3次元誤差構造に異なる修復方法を適用し、最適修復方法を判断するためにそれぞれの焦点スタックを模擬する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記最適修復方法を前記欠陥位置に適用する段階を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記モデル構造は、前記EUVマスクの面上の吸収パターン構造を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。EUVマスク設計データから及び/又は少なくとも1つの像の記録から前記吸収パターン構造を準備する段階を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。得られる多層構造が理想的な多層構造に少なくとも近似的に補正されるように前記3次元誤差構造を補正する修復方法を使用する段階を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の方法。前記修復方法を前記EUVマスクの前記欠陥位置上に直接に適用する段階を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記修復方法は、前記多層構造を少なくとも部分的に除去する段階、特に、該多層構造内に少なくとも1つの穴を穿孔する段階を含むことを特徴とする請求項2から請求項7に記載の方法。前記修復方法は、前記EUVマスクの前記多層構造及び/又は基板を該EUVマスク内にフェムト秒レーザパルスを局所的に集束させることによって局所的に圧縮及び/又は膨張させる段階を含むことを特徴とする請求項2から請求項7に記載の方法。請求項1から請求項9に記載の方法のいずれかを実行するようになった極紫外波長範囲のフォトリソグラフィマスクのための検査顕微鏡。極紫外EUV光学要素内の埋め込み欠陥を低減する方法であって、EUV光学要素の体積を局所的に変化させるのに適するイオン線量が該EUV光学要素に注入されるようにイオンビームを埋め込み欠陥上に誘導する段階、を含むことを特徴とする方法。前記イオンビームは、不活性ガスイオン、好ましくは希ガスイオン、最も好ましくはヘリウムイオンを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。イオンビームエネルギを前記EUV光学要素の面の下の前記埋め込み欠陥の深さに適応させる段階を更に含むことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の方法。前記イオンビームエネルギは、1keVから200keV、好ましくは5keVから100keV、最も好ましくは10keVから50keVの範囲を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。前記EUV光学要素は、多層構造を含み、前記イオンビームの前記エネルギは、前記イオンが本質的に前記EUV光学要素の前記多層構造の層の下に注入されるように選択される、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。前記EUV光学要素は、基板と多層構造との間に配置された少なくとも1つの捕捉層を更に含み、前記イオンビームエネルギは、前記イオンが本質的に前記少なくとも1つの捕捉層に注入されるように調節される、ことを特徴とする請求項11から請求項14のいずれか1項に記載の方法。前記イオンビームを前記埋め込み欠陥上に誘導する前に、該埋め込み欠陥を修復する時に該イオンビームが誘導されて通る前記EUV光学要素の面上に局所保護層を配置し、該修復の終了時に該局所保護層を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項11から請求項16のいずれか1項に記載の方法。前記イオンビームは、前記EUV光学要素の面を通して前記埋め込み欠陥上に垂直に誘導されないことを特徴とする請求項11から請求項16のいずれか1項に記載の方法。前記埋め込み欠陥は、凹欠陥、特に、孔及び/又はスクラッチであり、前記局所体積変化は、局所体積増加、特に、局所高さ増加を含むことを特徴とする請求項11から請求項18のいずれか1項に記載の方法。前記埋め込み欠陥は、凸欠陥、特に、隆起であり、前記局所体積変化は、局所体積減少、特に、局所高さ低下を含むことを特徴とする請求項11から請求項18のいずれか1項に記載の方法。請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法を用いて前記埋め込み欠陥を分析する段階を更に含むことを特徴とする請求項11から請求項20のいずれか1項に記載の方法。請求項11から請求項20のいずれか1項に記載の方法を実行するための集束イオンビーム装置。従って、本発明の1つの目的は、上述の従来技術の欠点を少なくとも部分的に克服するEUVマスクの欠陥の分析及び/又は修復の方法及び装置を提供することである。本発明の第1の態様により、請求項1に記載の方法を提供する。実施形態では、極紫外EUV波長範囲のためのフォトリソグラフィマスクEUVマスクの欠陥を分析する方法は、aEUVマスク検査ツールを用いて欠陥に関連する少なくとも1つの焦点スタックを生成する段階と、b欠陥の位置のEUVマスクの面構成を判断する段階と、c判断された面構成を有し、異なる位相誤差を有するモデル構造を準備し、それぞれの焦点スタックを生成する段階と、d生成された少なくとも1つの欠陥焦点スタックと、生成されたモデル構造焦点スタックとを比較することにより、EUVマスク欠陥の3次元誤差構造を判断する段階とを含む。説明する方法は、振幅誤差と位相誤差とが、異なる焦点特性において明らかになることを利用する。従って、測定焦点スタックは、振幅誤差と位相誤差との間で区別を付けることを可能にする。振幅誤差は、実質的に面欠陥に対応し、位相誤差は、実質的に埋め込み欠陥に対応する。振幅誤差は、当業技術で公知の方法を用いて補正される。位相誤差に現れる識別された埋め込み欠陥の面構成が分析される。測定面構成からモデル構造が計算され、そこから欠陥の3次元3D誤差構造が識別される。従って、説明する方法は、EUVマスクの欠陥を確実に検出して区別し、識別された埋め込み欠陥の個々の3D誤差構造を判断する手順を定義する。埋め込み欠陥の3D誤差構造は、分析された埋め込み欠陥に向けて個々に設計された修復方針又は補償方針を作成する上で使用することができる。EUVマスクは、好ましくは、反射光学要素である。しかし、本節の最初の段落で定義した方法を透過光学要素に適用することができる。更に、説明する方法は、EUVマスクの欠陥を分析することに限定されない。実際には、本方法をより長い波長範囲、並びにより短い波長範囲に向けて設計されたフォトリソグラフィマスク又はより一般的には光学要素の欠陥を分析するために適用することができる。更に別の態様では、面構成を判断する段階は、原子間力顕微鏡、走査トンネル効果顕微鏡、スタイラス表面形状測定器、及び/又は干渉計を用いて欠陥を走査する段階を含む。マスク検査ツールを用いて測定された焦点スタックを分析することによって位相誤差が識別されて位置付けられた後に、面構成を判断するために、位相誤差をもたらす埋め込み欠陥の上のEUVマスク面が詳細に走査される。面構成は、EUV光学要素の欠陥位置にある面トポロジーに対応する。両方の測定データの例示的な組合せは、分析された欠陥における3D誤差構造の判断を可能にする。別の態様は、3次元誤差構造に異なる修復方法を適用して最適修復方法を判断するために、関連付けられた焦点スタックを模擬する段階を含む。3D誤差構造を識別した後に、得られた焦点スタックに対する様々な修復方法の効果をそれぞれの修復方法の適用前にシミュレーションによって評価することができる。分析された欠陥に最適に適合する修復方法が、欠陥の補正の前にシミュレーションによって識別される。特に、説明する修復方法は、EUVマスクの多層膜上に配置されたパターン構造の修正に限定されない。それとは逆に、定義する修復方法は、EUVマスクだけではなくEUVミラーの分析済みの欠陥を補正するためのEUVマスクの基板及び/又は多層膜の修正を明確に含む。従って、定義する方法は、補償修復によって単に埋め込み欠陥の振幅誤差部分を補償するのではなく、埋め込み欠陥を補正する。更に別の態様では、最適修復方法を判断する段階は、異なる修復方法のうちの1つをウェーハの照明時のEUV光学要素に対するプロセスウィンドウを最大にする焦点スタックを生成する最適修復方法として選択する段階を含む。プロセスウィンドウは、異なる修復方法のうちで最大非集束範囲において所定の臨界寸法CD変化を満たす焦点スタック空間像を有する修復方法において最大にされる。この最適化基準の適用は、補正済みのEUV光学要素の照明時のプロセスウィンドウを最大にするか又はリソグラフィシステム内でのEUV光学要素の適用において最も重要な焦点深度DOFを最大にする。別の態様は、最適修復方法を欠陥位置に適用する段階を含む。欠陥位置の特定の処置は、ウェーハ上に配置されたフォトレジスト内のEUVパターンの像に対する欠陥の影響を最小にし、それによってそれぞれの誤差処理の後にEUV光学要素を生成工程において再度利用することができる。更に別の態様では、モデル構造は、EUVマスクの面上の吸収パターン構造を含む。吸収パターン構造は、EUVマスクの面上の欠陥位置の識別に使用することができるので、吸収パターン構造の存在は、欠陥位置に対するモデル構造の判断を容易にする。更に、パターン要素の修正を誤差補正工程の一部とすることができる。一方、埋め込み欠陥のモデル構造がパターン構造を含むことは必須ではない。それとは逆に、説明する方法は、吸収パターンを持たないEUVミラーに適用することができる。別の態様は、EUVマスク設計データ及び/又は少なくとも1つの像の記録から吸収パターン構造を準備する段階を含む。パターンデータが利用可能である場合には、このデータは、様々な修復方法の効果のシミュレーション工程において入力として使用される。一方、この情報が利用可能ではない場合には、パターンデータは、代替的にパターン構造の像の記録から取得することができる。パターンの像を記録するには、走査電子顕微鏡SEMを使用することができる。EUVマスクのパターンデータを判断するために、両方の方法の組合せを使用することができる。更に別の態様は、得られる多層構造が、理想的な多層構造に少なくとも近似的に補正されるように3次元誤差構造を補正する修復方法を使用する段階を含む。埋め込み欠陥、すなわち、多層欠陥及び/又は基板欠陥を補償しようと試みる場合にパターン要素しか修正しない補償修復とは対照的にこの説明する方法は、埋め込み誤差を補正するために基板及び/又は多層を修正する。従って、定義する方法は、分析された埋め込み欠陥を埋め込み欠陥の振幅誤差部分しか対処しない補償修復によるものよりも非常に高い量まで補正することを可能にする。その結果、説明する方法は、リソグラフィシステムにおけるEUV光学要素の使用中にそのプロセスウィンドウを最大にする。別の態様は、修復方法をEUVマスクの欠陥位置に直接適用する段階を含む。既に上述のように、説明する方法は、埋め込み欠陥に近いパターン要素を局所的に修正することによって欠陥を部分的にのみ補償する代わりに、埋め込み欠陥の3D誤差構造を分析して、基板及び/又は多層膜に対して影響を及ぼすことによって欠陥を補正する。別の態様により、修復方法は、多層構造を少なくとも部分的に除去する段階、特に、多層構造内に少なくとも1つの穴を穿孔する段階を含む。多層構造のうちで埋め込み欠陥を含む部分を除去することにより、欠陥も同様に除去される。次に、欠陥のない多層膜を新たに堆積させることができる。この手順はある程度の労力を必要とするが、欠陥を補償するのではなく、欠陥は、この修復工程によって除去される。更に別の態様では、修復方法は、EUVマスク又は一般的にはEUV光学要素の多層構造及び/又は基板をEUVマスク内にフェムト秒レーザパルスを局所的に集束させることによって局所的に圧縮及び/又は膨張させる段階を含む。定義する修復方法は、EUV光学要素の基板及び/又は多層膜に対して影響を及ぼすことによって埋め込み欠陥を直接補正する修復の例である。この関連において、多層に対する欠陥の修復の影響を最小にすることができるので、基板の変更が好ましい。別の態様では、フェムト秒レーザパルスは、EUVマスクの基板を通じて入射する。フェムト秒レーザパルスが基板を通じて欠陥位置にもたらされる場合には、多層又は多層膜のうちで最も重要な少なくとも上側のMo-Si層は、埋め込み欠陥の補正によって有意に影響を受けることはない。更に別の態様により、極紫外波長範囲のフォトリソグラフィマスクに対する検査顕微鏡が、上述の態様のうちのいずれかの方法を実行する。本発明の更に別の態様により、請求項11に記載の方法を提供する。実施形態では、極紫外EUV光学要素内の埋め込み欠陥を修復する方法は、EUV光学要素の体積を局所的に変化させるのに適するイオン線量がEUV光学要素内に注入されるように、イオンビームを埋め込み欠陥上に誘導する段階を含む。EUV光学要素は、基板及び多層構造を有するEUVミラー、及び/又は基板、多層構造、及び吸収パターン構造を有するEUVマスクを含む。本発明の方法は、補償修復を適用することによってEUV光学要素の埋め込み欠陥の振幅誤差部分のみを補償する代わりに、基板及び/又は多層を直接修正することによってこれらの欠陥を補正する。従って、本発明の方法は、EUVマスクに適用できるだけでなく、EUVミラーの埋め込み欠陥を補正するのに使用することもできる。EUV光学要素は、恐らく反射光学要素であることになる。しかし、本発明の方法は反射光学要素に限定されず、透過光学要素にも適用することができる。更に、定義する方法は、EUV光学要素の埋め込み誤差の補正にも限定されない。それとは逆に、本方法は、より長い波長、並びにより短い波長に向けて設計された光学要素の埋め込み欠陥を補償することに適用することができる。更に別の態様では、イオンビームは、不活性ガスイオン、好ましくは、希ガスイオン、最も好ましくは、ヘリウムイオンを含む。不活性ガスイオンは、これらのイオンが注入される材料と反応しないという利点を有する。これは、基板及び/又は多層膜の機械的特性及び/又は光学特性が、イオンを注入する結果として有意に修正されることはないことを意味する。更に、不活性ガスイオンの希ガス特性は、リソグラフィシステムのEUV光子がEUV光学要素の作動中に時間経過に伴ってその光学特性を変化させる可能性がある注入不活性ガスと周囲の材料との反応を誘起するのも防ぐ。更に別の態様は、イオンビームエネルギをEUV光学要素の面の下の埋め込み欠陥の深さに適応させる段階を含む。更に別の態様では、イオンビームエネルギは、1keVから200keV、好ましくは、5keVから100keV、最も好ましくは、10keVから50keVの範囲を含む。イオンは、特定の空間分布を伴ってEUV光学要素内に注入される。空間分布、並びにこの分布の最大値は、イオンがEUV光学要素上に当たるエネルギに依存する。注入イオンのビーム方向の分布を以下では深さ分布と呼ぶ。イオンがEUV光学要素上に入射するエネルギは、注入イオンの深さ分布が、埋め込み欠陥の深さに適合するように選択することができる。更に別の態様では、EUV光学要素は多層構造を含み、イオンビームのエネルギは、イオンが本質的にEUV光学要素の反射特性を決めるその多層構造の層の下に注入されるように選択される。この場合、並びに本明細書内の更に別の箇所において、本質的にという用語は、深さ分布の最大値及び/又は幅が、それぞれのMo-Si層に対してこれらの層が注入イオンの大部分を含むように調節されることを意味する。第2の節で上述したように、多層構造内に注入されたイオンは、EUV光子に対する反射率を局所的に変化させる可能性があり、従って、振幅誤差を形成する可能性がある。多層膜が漸近的反射率特性を示すことは公知である。これは、EUV要素の面に近いMo-Si層が、反射EUV放射線の大部分を受け持ち、それに対して基板に近い層は、EUV光学要素の反射率に殆ど寄与しないことを意味する。その結果、下側のMo-Si層基板に近いMo-Si層内に注入されたイオンは、EUV光学要素の反射特性に本質的に影響を及ぼすことなく埋め込み欠陥を実質的に補正することができる。更に別の態様では、EUV光学要素は、基板と多層構造の間に配置された少なくとも1つの捕捉層を含み、イオンビームエネルギは、イオンが、本質的に少なくとも1つの捕捉層に注入されるように調節される。イオンの大部分を捕捉層内に注入することにより、多層構造の反射特性は変化せず、又は少なくとも有意に変化することはない。基板面上で基板に近いMo-Si層内に位置する欠陥は、多層を通じて伝播する可能性があり、従って、その反射特性に影響を及ぼす。従って、欠陥補正工程が多層構造の反射特性に有意に影響を及ぼさないように、捕捉層内にイオンの大部分を注入することにより、埋め込み欠陥を実質的に除去することができる。更に別の態様は、イオンビームを欠陥上に誘導する前に欠陥を修復する時にイオンビームが誘導されて通るEUV光学要素の面上に局所保護層を配置し、修復の終了時に局所保護層を除去する段階を含む。EUV光学要素上に入射するイオンは、EUV光学要素の面に対してスパッタリング効果を有し、すなわち、これらのイオンは、EUV光学要素の面から原子を除去するエネルギを有する。従って、入射イオンは、EUV光学要素の面に損傷を与える可能性がある。この影響は、イオン照射の前に多層上に保護層を局所的に配置し、欠陥修復工程の終了時に保護層を除去することによって回避することができる。更に別の態様により、イオンビームは、EUV光学要素の面を通して埋め込み欠陥上に垂直に誘導されない。上述のように、スパッタリング効果以外に、イオンは、多層面からイオン注入位置までのイオン経路に沿って多層内に損傷を誘起する可能性がある。イオンビームにおいて傾斜入射を使用することにより、EUV光学要素のうちでウェーハ上のマスクパターンの結像に対してそれ程影響を持たない部分をイオン経路に選択することができる。特に、イオンビームが吸収要素上に入射するように入射角を選択することができる。この手法により、埋め込み欠陥の上方の多層構造は、欠陥の修復中に損傷を受けない。更に別の態様では、埋め込み欠陥は、凹欠陥、特に、孔及び/又はスクラッチであり、局所体積変化は、局所体積増加、特に、局所高さ増大を含む。別の態様により、埋め込み欠陥は、凸欠陥、特に、隆起であり、局所体積変化は、局所体積減少、特に、局所高さ低下を含む。更に、更に別の態様は、上述の態様のうちのいずれかの方法を用いて埋め込み欠陥を分析する段階を含む。最後に、別の態様により、集束イオンビーム装置は、上述の態様のうちのいずれかの方法を実行する。本発明をより明快に理解し、その実用的な用途を理解するために、以下の図を提供して以下で参照する。これらの図は、単に例証を提供するものであり、いずれの場合にも本発明の範囲を限定しない。以下では、本発明の例示的な実施形態を示す添付図面を参照して本発明をより完全に説明する。しかし、本発明は、異なる形態に実施することができ、本明細書に公開する例に限定されるものと解釈すべきではない。限定することではなく、これらの例は、本発明の開示が徹底したものになり、本発明の範囲を当業者に伝達するように提供するものである。図1は、EUVマスク100の切り抜き断片の平面図を示している。左の図110は、埋め込み欠陥と呼ぶ多層構造120内に埋め込まれた多層欠陥130を有する多層構造120を含む。多層120上には、吸収ストライプの形態を有する2つのパターン要素140が配置される。右の図150は、埋め込み欠陥130によって覆われる区域の低下した反射率を補償するために、埋め込み欠陥130の周囲のパターン要素160の吸収材料の一部分を除去することによって多層欠陥130が部分的に補償された後のEUVマスク100の左の図110の吸収構造160を示している。第3の節で上述したように、この埋め込み欠陥修復手法を補償修復と呼ぶ。図2は、13.5nmの露光波長に対するフォトリソグラフィマスク200の概略断面図を示している。現在適用されているフォトリソグラフィマスクとは異なり、EUVマスク200は、多層構造205を基体とする反射光学要素である。多層構造205は、入射EUV光子を選択的に反射するミラーとして機能する。EUVマスク200の多層構造205は、溶融シリカ基板のような適切な基板210の前側基板面215上に堆積される。例えば、ZERODUR登録商標、ULE登録商標、又はCLEARCE-RAM登録商標のような他の透過性誘電体、ガラス材料、又は半導体材料をフォトリソグラフィマスクのための基板として適用することができる。基板210の材料は、非常に低い熱膨張係数を有することが好ましい。多層膜又は多層構造205は、交替するモリブデンMo層220とシリコンSi層225とで構成される40個から60個の対以下ではMo-Si層と呼ぶを含む。各Mo層220の厚みは4.15nmであり、Si層225の厚みは2.80nmである。多層構造205を保護するために、自然酸化物を有するシリコンから構成される7nm深さのキャップ層230が、多層構造205の上部に配置される。キャップ層230を形成するのに、例えば、ルテニウムのような他の材料を使用することができる。多層205内では、Mo層220は散乱層として機能し、それに対してシリコン層225は分離層として機能する。散乱層において、Moの代わりに、コバルトCo、ニッケルNi、タングステンW、レニウムRe、及びイリジウムIrのような高いZ数を有する他の要素を利用することができる。上述のように、EUVマスク200の基板210上の多層構造205は、EUV電磁放射線に対するミラーとして機能する。EUVマスク200にするために、キャップ層230上にバッファ構造235及び吸収パターン構造240が更に堆積される。バッファ層235は、処理中、例えば、吸収パターン構造240のエッチング及び/又は修復中に多層構造205を保護するために堆積することができる。可能なバッファ構造材料は、例えば、溶融シリカSiO2、酸窒化珪素SiON、ルテニウムRu、クロムCr、及び/又は窒化クロムCrNから構成される。吸収構造240は、EUV波長範囲の光子に対して大きい吸収率を有する材料を含む。これらの材料の例は、クロムCr、窒化チタンTiN、及び/又は窒化タンタルTaNである。いずれの光子も吸収パターン240の面によって反射されないことを保証するために、吸収パターン構造240上に反射防止AR層245を更に配置することができる。AR層のための材料は、例えば、酸窒化タンタルTaONである。吸収構造240上に入射する基本的に全てのEUV光子250を吸収するためには、約50nmの厚みで十分である。それとは対照的に、キャップ層230上に入射する光子250の大部分は、光子255として反射される。この関連で、並びに本明細書の更に別の箇所では、基本的にという用語は、その測定限度内の量の数値を意味する。EUVマスク200の基板210は、152mm×152mmの一般的な横寸法及び本質的に6.35mmの厚み又は高さを有する。基板210の後側面270又は後側基板面270は薄い金属コーティング275を有する。一般的に、このコーティング275はクロムを含む。金属コーティング275は、静電気力の印加によってEUVマスク200をEUVスキャナに固定するのに使用される。図3は、様々な欠陥を有する図2のEUVマスク300を表している。以下の考察を単純に保つために、図3ではキャップ層230、バッファ層235、並びにAR層245を割愛している。多層構造305上には吸収パターン340が堆積される。吸収パターン340のパターン要素350は、吸収材料を部分的に欠損する部分を有する。更に、多層305の面370上には汚物粒子360が付着している。汚物粒子360は、清浄化工程により、すなわち、EUVマスク300を洗浄及び/又は研磨することによって除去することができる。以下では、両方の種類の欠陥、吸収欠陥350とEUVマスク300の面370上の粒子欠陥360とを面欠陥380と呼ぶ。面欠陥380は、EUVマスク300の面分析によって検出することができる。例えば、EUVマスク300の面分析のために、走査電子顕微鏡SEMの電子ビームを印加することができる。更に、面欠陥380は、吸収パターン340の修正による修復に対して対処可能である。第2の節で上述したように、この修復は、例えば、CarlZeissSMSのMeRiT登録商標システムのようなマスク検査及び修復システムを使用することによって実行することができる。そのようなツールは、電子ビームを適切な前駆体ガス又は混合前駆体ガスとの組合せに使用することにより、欠陥を有するパターン要素350に吸収材料を追加することを可能にする。前駆体ガスの例は、金属カルボニル、特に、ジコバルトオクタカルボニルCo2CO8である。清浄化工程によって汚物粒子360を除去することができない場合には、汚物粒子360を含むEUVマスク300の多層区域305内の低下した反射率を補償するために、吸収パターン340を修正することができる。この修正は、埋め込み欠陥130の補償修復に対して図1に略示したように、粒子欠陥360の周囲の吸収パターン340の一部分を除去することによって行うことができる。吸収パターン340の一部分を選択的に除去するために、電子ビームをエッチングガス又は混合エッチングガスと共に適用することができる。例えば、エッチングガスとして二フッ化キセノンXeF2を使用することができる。更に、図3のEUVマスク300は、基板310内の欠陥320も示している。図3の例では、基板欠陥320は、基板310の面上の孔又はスクラッチである。基板欠陥320は、EUVマスク300の多層構造305内の欠陥330として伝播する。多層欠陥330は、多層構造305を通じたその伝播中に横寸法を増加させ、すなわち、多層面に向うMo-Si層の歪曲は、より広い区域にその範囲を広げる。同時に、個々のMo-Si層の高さ変化は、多層構造305を通じた多層欠陥330の伝播中に低減する。図3に示すように、基板310の基板欠陥320は、埋め込み欠陥320の上方の多層305の面370の浅い凹部内に反映される。多層305の面370における凹部の高さ変化は、数ナノメートル程度の小さいものである可能性がある。上述のように、図3は、基板310上の孔又はスクラッチによってもたらされる埋め込み欠陥320を表している。同様に、例えば、多層305の堆積の開始時点で基板310の面上に粉塵粒子が存在する可能性もある。更に、基板310は、その面370の小さい局所隆起を有する可能性がある。図4は、基板410が隆起欠陥420を有するEUVマスク400の切り抜き断片の断面を略示している。図3の孔欠陥320と同様に、隆起欠陥420も、多層405を通じて多層欠陥430として伝播する。基板欠陥320、420に加えて、埋め込み欠陥多層305、405内には埋め込み欠陥が位置する可能性がある。例えば、個々のMo層及び/又はSi層は、1つ又はいくつかの層の幅が、目標値から逸脱する可能性がある図3又は図4には示していない。更に、特定のMo層及び/又はSi層上の粉塵粒子が、多層構造305、405の連続して堆積したMo-Si層の周期性を外乱する可能性が考えられる。基板欠陥320、420と同様に、多層構造305、405の周期性のこれらの局所歪曲も、多層305、405の面370、470に向けて伝播する可能性がある。以下では、基板欠陥310、410及び多層構造305、405内の欠陥を埋め込み欠陥480として要約する。ウェーハ上の振幅誤差をもたらす面欠陥380とは対照的に、埋め込み欠陥480は、主にウェーハ照明における位相誤差をもたらす。多くの場合に、基板欠陥320、420、並びに多層305、405内の欠陥は、多層面370の小さい局所凹部又は小さい局所隆起としてしか顕在化しないが、これらの欠陥は、ウェーハ上にその照明においてプリント可能な誤差をもたらす可能性がある。基板欠陥320、420又は一般的に埋め込み欠陥480の検出が関わってくる。SEMの電子ビームは、基板欠陥320、420又は欠陥320、420によって誘起される多層305、405の面370、470における浅い凹部又は隆起のいずれも検出することができない。例えば、原子間力顕微鏡AFMは、多層構造305、405の面370、470の浅い変化を検出することができる。しかし、小さい局所隆起又は凹部をもたらす基板欠陥320、420又は一般的に埋め込み欠陥480は、別の測定ツールによって既に識別及び位置付けられる。時間的制約が、AFMによってEUVマスク300、400全体を走査するのを妨げている。マスク検査ツールを用いたEUVマスク300、400の欠陥位置の単一の空間像を記録するだけでなく、焦点を通る1組の空間像を記録することにより、埋め込み欠陥320、420を明らかにすることができる。この目的のために、最良の焦点面内で欠陥位置の空間像が記録される。更に、例えば、±15nm、±30nm、±45nm、±60nm、及び±75nmのような焦点面までの上下の距離を有する空間像が記録される。この例では、焦点スタックは11個の像を含む。像の個数、並びに非集束距離を分析対象の欠陥に対して調節することができる。図5は、吸収パターン要素の中心650と欠陥630の中心の場所660との間の距離であるオフセットの関数としての臨界寸法CD変化のシミュレーションの図500を示している。図6は、図5で模擬した構成を示している。図6は、図4の隆起欠陥420と類似の埋め込み欠陥620を有する多層構造605を示している。隆起欠陥620は、多層面680に向けて欠陥630として伝播する。多層面670は、吸収パターン要素640を有する。吸収パターン要素640の中心650は、欠陥630の中心660までのオフセット又は距離の基準点650である。図6の左方向への埋め込み欠陥620の移動は、図5では正のオフセットをもたらし、その逆も同様である。図5では、CDは22nmであり、これをこのCD数値の位置に垂直破線510に示している。上側の破線520と下側の破線530とは、±10のCD変化の境界線を表している。曲線540は、パターン要素640の中心650からの欠陥620の距離の関数としての焦点におけるCD変化のシミュレーションを表している。60nmと80nmの間の範囲のオフセットでは、シミュレーションCD変化は2.2nmよりも大きく、すなわち、CD変化は10よりも大きい。曲線550は、シミュレーションCD変化を75nmの非集束におけるオフセットの関数として示している。この非集束では、CD変化は、シミュレーションオフセット全体にわたって±10のCD変化帯域幅内にある。一方、-75nmの非集束で模擬した曲線560は、シミュレーションオフセット範囲の広い部分において±10の許容可能なCD変化よりも大きい。シミュレーション曲線540、550、560は、焦点位置へのCD変化の強い依存性を示している。そのような挙動は、図6の埋め込み欠陥620によって示すような位相誤差において予想される。図5は、焦点スタックの空間像又は焦点を通る空間像の測定をEUVマスク300、400、600の面欠陥380の振幅誤差と埋め込み欠陥480の位相誤差との間で区別を付けるのに使用することができることを明らかにしている。図5の曲線540、550、及び560は、補償修復に対して使用することができる。集束曲線540が、オフセット範囲にわたって±10の変化基準を満たすように、図1に略示するようにパターン要素640を修正することにより、集束曲線540の改善を得ることができる。しかし、非集束曲線550及び/又は560のCD変化は、±10の変化基準を依然として超える可能性がある。従って、そのような修復は、EUVマスク600によるウェーハの照明時のプロセスウィンドウを縮小する。この関連は満足をゆくものではなく、従って、埋め込み欠陥を詳細に分析する欠陥認識法が必要である。更に、修復工程の終了時にプロセスウィンドウが可能な限り大きいように、埋め込み欠陥を修復する欠陥修復方法が必要である。識別された埋め込み欠陥320、420、620の周囲で、例えば、原子間力顕微鏡AFMを用いてEUVマスク300、400、600の面構成が測定される。欠陥位置を走査するのに適用することができる更に別のツールは、例えば、走査トンネル効果顕微鏡、スタイラス表面形状測定器、及び/又は干渉計である。測定面構成は、EUVマスク300、400、600における理想的な面構成からの測定面構成の逸脱の判断を可能にする。次の段階では、EUVマスクの様々な埋め込み欠陥に対してモデル構造が生成される。モデル構造の生成には、欠陥位置におけるEUVマスクの吸収パターンのデータが必要である。このデータは、マスクの設計データから得られるか、又はSEMを用いて記録された像から得られる。以下では、欠陥分析をEUVマスクに対して説明するが、説明する方法は、EUVミラーの欠陥分析に適用することができることが認められる。更に、定義する方法は、EUV波長範囲に限定されず、透過光学要素の欠陥分析に利用することができる。生成されたモデル構造の各々に対して、焦点スタックの各焦点位置における空間像が模擬される。このシミュレーション工程では、各面構成に対して、複数の上記に解説した欠陥が考察される。次に、測定面構成及び欠陥位置における焦点スタックの測定空間像が、生成されたモデル構造の焦点スタックのシミュレーション空間像と比較される。焦点スタックにわたって測定空間像との最良の合致を与える空間像を有するモデル構造が、識別された欠陥の3次元3D誤差構造として採用される。最後に、識別された3D誤差構造に基づいて、ウェーハ照明時のEUVマスクの3D誤差構造の影響を欠陥位置の特定の処理によって最小にする修復又は補償の方針を提供する。この処理の目的は、修復工程の終了時にウェーハ照明における製造工程においてEUVマスクを再度利用することである。3D誤差構造の判断のために以下の2つの別の手法を考えることができる。a焦点スタックの測定空間像が、識別された誤差が振幅誤差であることを示す場合、パターン構造340、640を変更することにより、振幅誤差をもたらす面欠陥380を直接補正することができる。この選択肢は、AFMを用いて走査することによって検出された面欠陥380の周囲のEUVマスクの面構成を分析しない。b識別された各欠陥に関連する3D誤差構造のその後の判断に向けて面構成を判断するために、識別された誤差種類とは関係なく、例えば、AFMを用いて検出された欠陥の面構成が走査される。識別された3D誤差構造の補正のために様々な方法を適用することができる。既に上述のように、吸収パターン構造の一部分を電子ビーム及び/又はイオンビームを適宜エッチングガス又は混合エッチングガスとの組合せに用いて除去することができる。吸収材料は、垂直方向、並びに水平方向に除去することができる。代替的に、例えば、クロムのような吸収材料を垂直方向と水平方向の両方に追加することができる。堆積は、電子ビーム及び/又はイオンビームを適宜それぞれの前駆体ガス又は混合前駆体ガスと共に用いて実行することができる。両方の方法は、面欠陥380を補正するために適用することができ、更に図1に略示す埋め込み欠陥480の補償修復に対して使用することができる。更に別の修復方法は、例えば、多層構造305、405、605内に適切な寸法を有する穴を穿孔することなどによって多層構造305、405、605を少なくとも部分的に除去する段階を含む。多層構造305、405、605のうちで埋め込み欠陥480を含む部分が除去される場合には、欠陥480も除去される。次に、除去された多層部分の上に、欠陥のない多層構造305、405、605を新たに堆積させることができる。多層構造305、405、605の一部分の置換を実行する前に、前段落で説明した修復方法の効果がシミュレーションによって調べられる。すなわち、識別された3D誤差構造に意図する補正が最初に適用され、得られる焦点スタック空間像のシミュレーションが実施される。このシミュレーション結果が、得られる補正位置空間像が十分に幅広のプロセスウィンドウを有する場合にのみ、修復方法が実際に実施される。そうでない場合には、修復方法又は修復パラメータをそれぞれ変更して更に別のシミュレーションが実施される。修復方法のパラメータは、反復法によって最適化することができる。例えば、多層構造305、405、605内の埋め込み欠陥480が多層305、405、605内への穴開けによって修復される場合には、様々な深さ、異なる直径、及び/又は埋め込み欠陥からの様々な距離を有する穴に対してシミュレーションが実施される。上述の修復方法を実行するために、統合修復システムを有するEUVマスク検査顕微鏡が準備される。欠陥分析と欠陥修復とを別々のシステムで適用することも可能である。更に別の修復方法は、電磁放射線の衝撃による基板310、410及び/又は多層構造305、405、605の局所圧縮及び/又は局所膨張を含む。基板310、410及び/又は多層構造305、405、605は、例えば、フェムト秒レーザパルスの使用によって圧縮又は膨張させることができる。EUV光学要素の様々な層の圧縮並びに膨張は、EUV光学要素の適切な位置にイオンを注入することによって達成することができる。以下に説明する例では、本方法を体積膨張の関連で解説する。しかし、体積膨張の解説は、説明する方法を体積膨張に限定しないことが認められる。体積膨張ではなく、本方法をそれぞれの体積圧縮を実行するように適用することもできる。図7は、生じたフォトリソグラフィマスクの高さ変化を注入イオン線量の関数として示す曲線を提供している。図7の例では、マスクを30keVのビームエネルギを有するヘリウムイオンビームで照射した。上述のように、ヘリウムビーム又は一般的にイオンビームは、aスパッタ効果、すなわち、ヘリウムイオンが試料の原子と衝突して試料から原子を放出させる効果、bヘリウムイオンが試料材料内に留まる注入という実質的に2つの効果を有する。図7の例では、ヘリウム原子の注入は、約21016cm2の埋め込みイオン線量よりも小さい場合は実質的に体積変化をもたらさない。この値よりも大きいと、ヘリウムイオンの注入はマスク材料の体積膨張をもたらし、この体積膨張は、注入ヘリウム量の増加と共に急勾配で増大する。図7は、ヘリウムイオンの例におけるフォトリソグラフィマスクの体積膨張と注入イオン線量の間の相互関係を示している。他の不活性ガス原子、特に、希ガス原子の場合にも類似の曲線が存在することが認められる。注入イオンの所定の深さ分布並びに所定の横分布を有するイオン線量をEUVマスク内に注入するために、イオンビームの集束イオンビームFIB装置を使用することができる。代替的に、FIB源は、上述のように欠陥分析に適用されるマスク検査ツールと統合することができる。更に、例えば、注入イオンによってもたらされる体積変化を判断するために、AFMを利用することができる。面構成の判断の関連で言及した走査ツールのうちの1つ又はその組合せをEUVマスク内へのイオンの注入によってもたらされる局所高さ変化を検出するために使用することができる。図8は、EUVマスク内へのヘリウムイオンビームの深さ分布のシミュレーションをイオンエネルギの関数として示している。ヘリウムビームは、吸収パターン要素を持たない位置でEUVマスクに当たる。縦座標は、注入イオンの累積正規化和を示している。図2から分るように、EUVマスクは、図8では参照番号830で表す薄いキャップ層を有する。多層構造805は、約280nmの幅を有する。多層構造805は、図8には上側の関連部分しか示していないミリメートル範囲の幅を有する基板810上に堆積される。図9は、EUVマスク内へのヘリウムイオンビームの深さ分布のシミュレーションをイオンエネルギの関数として提供している。ヘリウムビームは、吸収パターン要素の位置でEUVマスクに当たる。図8と同様に、縦座標は、ここでも注入イオンの累積正規化和を示している。図2に示すように、吸収パターン940は、吸収パターン要素940上に配置された数ナノメートルの薄いAR層945を有する。吸収パターン構造940は、約70nmの幅を有する。図2の解説の場面で上述したように、吸収材料に基づいて、全ての入射EUV光子を実質的に吸収するには約50nmの厚みで十分である。図9の多層構造905及び基板910は、図8の多層805及び基板810に等しい。図8及び図9から分るように、イオンがEUVマスク内に注入される深さは、イオンがEUVマスクの面上に当たるエネルギに依存する。これは、注入イオンの深さ分布をイオンビームエネルギを選択することによって設定することができることを意味する。更に、図8及び図9は、深さ分布の幅も、ヘリウムビームのエネルギと共に変化することも明らかにしている。90keVのイオンビームエネルギにおいてさえも、イオンは、注入イオンのうちの50超が200nmの深さ範囲に累積されるように注入される。50keV又はそれ未満のイオンビームエネルギでは、埋め込みイオンの大部分は、100nm又はそれ未満の深さ範囲に注入される。図8と図9の比較は、吸収パターン要素が注入ヘリウムイオンの深さ分布を有意に変化させることはないことを示している。図8及び図9のシミュレーションは、J.F.Ziegler、J.P.Biersack、及びU.Littmark著固体内でのイオンの停止及び範囲TheStoppingandRangeofIonsinSolids、PergamonPress、米国ニューヨーク州、1985年に説明されているソフトウエアプログラムSRIMを用いて実施された。EUVマスク内の注入量分布は、例えば、EUVマスクの断面試料を調製し、これらの試料を透過電子顕微鏡TEMを用いて調査することによって判断することができる。所定の時間にわたる所定のイオンビームパラメータを用いたEUVマスクの露光とEUVマスク内に得られる注入量分布との間の関係は、例えば、一連の調製試験試料のTEM測定から取得することができる。これは、注入イオンの空間分布をイオンビームパラメータの選択によって制御することができることを意味する。図10は、EUVマスク1000の基板1020内の孔欠陥1020を左の部分画像内に略示している。図3、図4、及び図6と同様に、孔欠陥は、欠陥1030として多層構造1005を通じて伝播する。右の部分画像は、例えば、ヘリウムイオンのようなイオンの注入の後の多層構造1005を略示している。ヘリウムイオンは、好ましくは、Si層1040内に累積され、それによってSi層1040の体積の局所増加がもたらされる。誘導体積変化は、イオン化学種及びイオン吸収材料の関数として変化することが認識されている。Mo-Si層内の埋め込みヘリウムイオンは、主にSi層1040の体積膨張をもたらす。その結果、Si層1040の局所体積膨張は、多層構造1005の面1070における孔欠陥1020の効果を補正する。図10の例では、孔欠陥1020の補正は、多層構造1005の個々のMo層1040の局所体積増加によって実施される。この修復方法は、Braggの反射条件の局所違反をもたらす。この問題は、好ましくは、イオンが、多層構造1005のうちで基板1010に近い最も低いMo-Si層に注入される場合に回避又は少なくとも低減することができる。既に上述のように、多層構造1005は、漸近的な反射挙動を示している。EUVマスク1000の面1070に近い上側のMo-Si層は、その大部分が反射EUV放射線に寄与し、それに対して最も低いMo-Si層の寄与はごく僅かである。従って、多層構造1005の最も低いMo-Si層内にイオンを注入することによってEUVマスク1000の孔欠陥1020を補正することにより、修復工程に起因するBraggの反射条件の局所違反は、多層構造1005の反射率に対して軽微な影響のみを有する。図11は、多層構造の反射率を実質的に歪ませることなく、多層内に埋め込まれた欠陥の修復を可能にする更に別の手法を略示している。EUVマスク1100内には、基板1210と多層構造1105の間にいわゆる捕捉層1115が挿入される。捕捉層1115は、約数百ナノメートルの幅を有する。捕捉層に適する材料は、例えば、シリコンSi及び/又は二けい化モリブデンMoSi2である。イオンを効率的に捕捉し、大きい局所体積変化を与えるのが捕捉層1115の目的である。図11の右の部分画像のグラフは、注入イオンの深さ分布を略示している。薄い捕捉層1115内では、多層1105上に入射するイオンのうちの大部分が捕捉されて累積される。図7は、下回った場合に材料が体積膨張を示さないイオン線量閾値が存在することを示している。従って、注入イオンの深さ分布右の部分画像は、捕捉層1115が、入射イオンビームのビームパラメータを制御することによって調節することができる有意な局所体積膨張を与えることができることを示している。一方、基板1110及び多層構造1105内に注入される量は、これらの層内に体積変化をもたらすには十分に高くない。上述のように、イオンビームを用いた面の照射は、材料面からの原子の局所除去をもたらす。上側Mo-Si層は、多層構造の全体的な反射率に重要な寄与を与えるので、この効果は、多層に対して有害である可能性がある。図12は、EUVマスク及び/又はEUVミラーを含むことができるEUV光学要素1200を示している。EUV光学要素1200は、孔欠陥1220を有する基板1210と多層構造1205とを有する。簡略化の理由から、多層構造1205を通じた埋め込み欠陥の伝播は抑制される。入射イオンビームによるイオンの注入による欠陥修復工程を開始する前に、多層構造1205上に局所保護層1230が堆積される。図8と図9の比較から分るように、この保護層の使用は、注入イオンの空間分布又は深さ分布を有意に歪ませることはない。保護層1230は、少なくとも埋め込み欠陥の横寸法の幅及び約100nmの高さを有する。保護層1230に対する好ましい材料は、例えば、炭素C及び/又はテトラエチルオルトシリケートTEOSである。保護層1230は、電子ビーム及び/又はイオンビームを前駆体ガスとの組合せに使用することによって多層構造1205上に局所的に堆積される。保護層1230の局所堆積の後に、上述のように、多層構造1205内に適切なイオン線量を注入することによって埋め込み欠陥1220が補正される。図12の中央部分に、埋め込み欠陥1320の補正を略示している。入射イオンは、保護層1230の上側部分の一部分1240をスパッタリングする。従って、保護層1230は、多層構造1205の面を入射イオンのスパッタリング作用から効率的に保護する。イオン注入工程の終了時に、保護層1230は再度除去される。この除去は、例えば、電子ビーム及び/又はイオンビームを1つのエッチングガス又は混合エッチングガスと共に使用するエッチング処理によって行うことができる。面におけるスパッタリング作用以外に、材料を貫通するイオン経路に沿ったイオンと材料との相互作用は、イオン経路に沿って材料内に損傷を誘起する可能性がある。従って、EUV光学要素の多層構造のうちで多層膜の反射率に対して一体性があまり重要ではない部分を通じて入射イオンを誘導することを有利とすることができる。図13は、EUVマスク1300においてそのような改善を如何に達成することができるかの例を略示している。図12の左の部分画像と同様に、図13の左の部分画像は、ここでも孔欠陥1320を有する基板1310を提供している。ここでも、多層構造1305を通じた埋め込み欠陥の伝播を無視する。多層膜1305上に吸収パターン1340が堆積される。埋め込み欠陥1320は、吸収パターン要素1340の下には位置せず、多層構造1305の面1370の下に位置する。イオンビームが埋め込み欠陥1320上に垂直に入射する場合には、多層1305の面1370を通過しなければならず、面1370に最も近いMo-Si層からのスパッタリング原子によって面1370に損傷を与える可能性がある。更に、前段落で上述したように、イオンビームは、埋め込み欠陥1320までのその経路に沿って多層構造1305に損傷を与える可能性がある。図13は、多層の反射率に対して重要な部分の起こり得る損傷を少なくとも部分的に回避することができる構成を示している。図13の左の部分画像は、イオンビーム照射の開始時点の構成を略示している。イオンビーム1380は、パターン要素1340上に傾斜して衝突し、埋め込み欠陥1320までのその経路上で多層構造1305を傾斜して横断する。図13の右の部分画像は、修復工程の終了時点の関連を略示している。注入イオンによってもたらされた局所体積膨張が埋め込み欠陥1320を補正している。パターン要素1340の面1360は、修復工程中にイオンビーム1380のスパッタリング作用によって損傷を受ける。必要に応じて、パターン要素1340の面損傷1360は、上述の方法を使用することにより、損傷面1360上に吸収材料を局所的に堆積することによって補正することができる。吸収パターン要素1340の下の白色の区域1330は、イオンビーム1380のイオンと多層構造1305のMo原子及びSi原子との相互作用によって損傷を受ける可能性がある区域を示している。この区域は、液滴形の形状を有する。可能性として損傷を受ける区域の大部分は、パターン要素1340の下に位置する。特に、イオンは、多層構造1305の面1370に最も近いMo-Si層を横断しない。従って、イオンビーム1380の選択された経路により、多層構造1305の反射率に対するイオンビーム1380の影響は最小にされる。図12の保護層1230が、パターン要素1340の代わりにEUVミラー上に配置された場合には、解説した手順により、吸収パターンを持たないEUVミラーを補正することができる。最後に、解説した修復方法は、多層構造の堆積の前のマスクブランクの欠陥に対して適用することができる。基板上に存在する欠陥をマスクブランク上で事前に補正することにより、多層構造の起こり得る損傷を回避することができる。定義した欠陥分析の方法は、EUV光学要素の面欠陥と埋め込み欠陥との間で確実に区別を付ける。吸収パターンを修正することによってEUVマスクの埋め込み欠陥の影響を不完全に補償する代わりに、解説した修復方法は、EUV光学要素の基板及び/又は多層構造の修正によって埋め込み欠陥を補正する。