石英ガラスプリフォーム又は石英ガラス部材の同軸の集合体の引き伸ばしにより、屈折率nKを有するコア区域と、前記コア区域を取り囲む屈折率nMiの内側クラッド区域と、前記内側クラッド区域を取り囲む屈折率nFのドープされた石英ガラスからなる環状区域と、前記環状区域を取り囲む外側クラッド区域とを有し、nF<nMi<nKが当てはまる光ファイバを製造する方法において、前記環状区域の石英ガラスを、少なくとも6000質量ppmの平均フッ素含有量を有する石英ガラスからなる環状区域管の形で準備し、前記環状区域管は管の内側表面及び管の外側表面により規定された壁部を有し、前記環状区域管の壁部にわたって半径方向のフッ素濃度プロフィールを調節し、前記フッ素濃度プロフィールは少なくとも1μmで最大10μmの層厚を有する内側のフッ素貧有層を有し、前記内側のフッ素貧有層中でフッ素含有量は管の内側表面に向かって低減しかつ1μmの厚さを有する表面近傍領域中では最大3000質量ppmであることを特徴とする、光ファイバを製造する方法。前記環状区域管に環状区域管の壁部にわたって半径方向のフッ素濃度プロフィールを付与し、前記フッ素濃度プロフィールは管の外側表面に向かってフッ素濃度が低下する外側のフッ素貧有層を有することを特徴とする、請求項1記載の方法。前記内側のフッ素貧有層は、4μm未満の層厚を有することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。前記環状区域管を、工具なしで、フッ素がドープされた石英ガラスからなる母材管の線引きにより、内側表面及び外側表面にフッ素貧有区域を形成させながら作成することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記環状区域管の少なくとも管の内側表面を、前記母材管の線引きの際又は線引きの後に部分的に除去し、前記管の内側表面を除去する深さは、フッ素が低減された表面層の当初の厚さの10~70の範囲内であることを特徴とする、請求項3又は4記載の方法。前記フッ素貧有層は、1μmの層厚を有する表面近傍層中で、最大2000質量ppmのフッ素含有量を有することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記環状区域管の石英ガラスは、フッ素貧有層の領域内で、1質量ppm未満の、好ましくは0.5質量ppm未満の平均ヒドロキシル基含有量を有することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記内側クラッド区域の石英ガラスを、10μmの層厚を有する表面層の領域内で0.5質量ppm未満のヒドロキシル基含有量を有するコアロッドから準備することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。光ファイバを製造するための管状半製品において、前記管状半製品は少なくとも6000質量ppmの平均フッ素含有量を有する石英ガラスからなり、前記管状半製品は管の内側表面と管の外側表面とにより規定される壁部を有し、前記壁部にわたって半径方向のフッ素濃度プロフィールが調節されていて、前記フッ素濃度プロフィールは少なくとも1μmで最大10μmの層厚を有する内側のフッ素貧有層を有し、前記内側のフッ素貧有層内でフッ素含有量は管の内側表面に向かって低下し、かつ1μmの厚さを有する表面近傍領域内で最大3000質量ppmであることを特徴とする、管状半製品。前記環状区域管の壁部にわたって半径方向のフッ素濃度プロフィールが調節されていて、前記フッ素濃度プロフィールは、管の外側表面に向かってフッ素濃度が低下する外側のフッ素貧有層を有することを特徴とする、請求項9記載の管状半製品。前記内側のフッ素貧有層は、4μm未満の層厚を有することを特徴とする、請求項9又は10記載の管状半製品。前記環状区域管は工具なしで溶融流中で作成される管の内部表面を有することを特徴とする、請求項9から11までのいずれか1項記載の管状半製品。前記フッ素貧有層は、1μmの層厚を有する表面近傍層中で、最大2000質量ppmのフッ素含有量を有することを特徴とする、請求項9から12までのいずれか1項記載の管状半製品。前記環状区域管の石英ガラスは、フッ素貧有層の領域内で、1質量ppm未満の、好ましくは0.5質量ppm未満の平均ヒドロキシル基含有量を有することを特徴とする、請求項9から13までのいずれか1項記載の管状半製品。