互いに隣接する少なくとも第1及び第2の素子配列を有するリフレクトアレーであって、前記第1及び第2の素子配列の各々は複数の素子を含み、前記第1及び第2の素子配列の内の1つの素子配列に属する2つの素子がそれぞれ反射する電波の位相差は、該2つの素子の間隔と前記電波の反射角を引数とする三角関数の値との積に比例し、前記1つの素子配列に属する複数の素子全体にわたる前記位相差の合計は2πに相当し、前記第1の素子配列に属する任意の素子が反射する電波の位相は、前記第2の素子配列に属する何れの素子が反射する電波の位相とも異なる、リフレクトアレー。前記1つの素子配列に属する隣接する素子がそれぞれ反射する電波の位相差と2πとの比率が無限小数を含む値である、請求項1記載のリフレクトアレー。前記1つの素子配列に属する隣接する素子がそれぞれ反射する電波の位相差と2πとの比率が有理数である、請求項1記載のリフレクトアレー。当該リフレクトアレーが前記第1の素子配列に隣接していない第3の素子配列を更に含み、前記第1の素子配列に属する何れかの素子が反射する電波の位相は、前記第3の素子配列に属する何れの素子が反射する電波の位相に等しい、請求項3記載のリフレクトアレー。前記1つの素子配列に属する隣接する素子がそれぞれ反射する電波の位相差と2mπとの比率が割り切れる値であり、mは2以上の自然数である、請求項4記載のリフレクトアレー。本発明の課題は、入射波を所望の方向に反射させるリフレクトアレーにおいてグレーティングローブを抑制することである。一実施形態によるリフレクトアレーは、互いに隣接する少なくとも第1及び第2の素子配列を有するリフレクトアレーであって、前記第1及び第2の素子配列の各々は複数の素子を含み、前記第1及び第2の素子配列の内の1つの素子配列に属する2つの素子がそれぞれ反射する電波の位相差は、該2つの素子の間隔と前記電波の反射角を引数とする三角関数の値との積に比例し、前記1つの素子配列に属する複数の素子全体にわたる前記位相差の合計は2πに相当し、前記第1の素子配列に属する任意の素子が反射する電波の位相は、前記第2の素子配列に属する何れの素子が反射する電波の位相とも異なる、リフレクトアレーである。一実施形態によれば、入射波を所望の方向に反射させるリフレクトアレーにおいてグレーティングローブを抑制することができる。以下、添付図面を参照しながら実施例を説明する。図中、同様な要素には同じ参照番号又は参照符号が付されている。実施例は次の観点から説明される。1.リフレクトアレー2.発明原理3.シミュレーション<1.リフレクトアレー>図2は一実施形態によるリフレクトアレーの部分拡大図を示す。図示の例の場合、リフレクトアレーは、平面状に並ぶ多数の素子で形成され、多数の素子の各々はマッシュルーム構造を有する。個々のマッシュルーム構造は、接地プレート51と、ビア52と、パッチ53とを有する。図示の例の場合、ある直線pに沿って3つの素子が並んでおり、直線pに平行な別の直線qに沿って3つの素子が並んでおり、全部で6つの素子が示されている。図示の簡明化のため描かれていないが、実際には、直線p、qに沿って更に多くの素子が整列しており、直線p、qに平行な他の直線に沿う素子も存在する。すなわち、リフレクトアレーはx軸方向及びy軸方向に沿って整列した多数の素子を有する。図3は一実施形態によるリフレクトアレーの平面図を示す。図2に示されている接地プレート51は、多数の素子に対して共通の電位を供給する導体である。Δx及びΔyは、隣接する素子におけるビア同士の間のx軸方向の間隔及びy軸方向の間隔をそれぞれ示す。Δx及びΔyは、マッシュルーム構造1つ分に対応する接地プレート51のサイズを表す。一般に、接地プレート51は多数のマッシュルーム構造が並んだアレイと同程度に大きい。ビア52は、接地プレート51とパッチ53とを電気的に接続又は短絡するために設けられる。パッチ53は、x軸方向にWxの長さを有し、y軸方向にWyの長さを有する。パッチ53は、接地プレート51に対して平行に距離tを隔てて設けられ、ビア52を介して接地プレート51に接続又は短絡される。図示されてはいないが、パッチ53と接地プレート51との間には誘電体又は絶縁体が存在し、ビア52はその誘電体を貫通している。図4はリフレクトアレーの動作原理を説明するための図を示す。図示のリフレクトアレーは、y軸方向に並んだ複数の素子M1ないしMNを有し、これらN個の素子と同様な構造が、y軸方向及びx軸方向に反復的に設けられている。素子の各々は電波を反射する何らかの素子であり、図示の例ではマッシュルーム構造である。電波は、z軸∞方向から到来又は入射し、z軸方向に対して角度αをなして反射する。隣接する素子同士の間隔がΔyであったとすると、これらの素子による反射波の位相差Δφ及び反射角αは次式を満たす。Δφ=×Δy×sinα=sin1[]λは電波の波長である。一例として、λは272cmであり、これは11GHzの電波に対応する。波長に比べて十分大きなリフレクトアレーを構成する場合、y軸方向に整列するN個の素子M1ないしMNの全体による反射位相差N×Δφが、360度になるように、個々の素子の反射位相を設定することが望ましい。例えば、N=4の場合、Δφ=3604=90度である。したがって、少なくとも理論上は、隣接する素子間の反射位相差が90度であるように素子を設計し、それらを4個並べたものを2次元的に反復的に並べることで、角度αの方向に電波を反射するリフレクトアレーを実現することが原理的には可能である。ただし、後述するようにグレーティングローブの問題が生じてしまう。図5は、隣接する素子同士の位相差が90度である場合の反射波を模式的に示す。90度ずつ反射位相が変化する4つの素子を1つの単位として、周期的な構造を実現することで、所望のリフレクトアレーを実現することができる。図5には、各反射波における等位相面が破線で示されている。図6は、図2に示すマッシュルーム構造の等価回路を示す。図2に示されるように、線pに沿って並ぶ素子のパッチ53と、線qに沿って並ぶ素子のパッチ53との間のギャップに起因して、キャパシタンスCが生じる。更に、素子のビア52及び接地プレート51に起因してインダクタンスLが生じる。したがって、隣接するマッシュルーム構造の等価回路は、図6右側に示されるような回路になる。すなわち、等価回路において、インダクタンスLとキャパシタンスCとが並列に接続されている。キャパシタンスC、インダクタンスL、表面インピーダンスZs及び反射係数Γは、次のように表すことができる。数式において、ε0は真空の誘電率を表し、εrはパッチ同士の間に介在する材料の比誘電率を表す。素子間隔は上記の例の場合、x軸方向のビア間隔Δxである。ギャップは隣接するパッチ同士の隙間又は間隔であり、上記の例の場合、である。Wxはx軸方向のパッチの長さを表す。すなわち、arccosh関数の引数は、素子間隔とギャップとの比率を表す。数式において、μはビア同士の間に介在する材料の透磁率を表し、tはパッチ53の高さを表す。数式において、ωは角周波数を表し、jは虚数単位を表す。数式において、ηは自由空間インピーダンスを表し、Φは位相差を表す。図7は、図2に示すような素子のパッチのサイズWxと反射位相φとの関係を示す。図示されているように、素子のパッチのサイズと反射位相との間には一定の関係がある。上述したように、リフレクトアレーの場合、整列するN個の素子の全体による反射位相差N×Δφが、360度になるように、個々の素子の反射位相φを設定することが望ましい。従って、リフレクトアレーの設計においては、個々の素子が適切な反射位相を実現するように、キャパシタンスC及びインダクタンスLを適切に設定する必要がある。一般に、素子の反射位相は、共振周波数において0になり、共振周波数は上記のキャパシタンスC及びインダクタンスLにより決定される。従って、個々の素子が実現すべき反射位相は、パッチやビアの寸法等を適切に設定し、キャパシタンスC及びインダクダンスLの値を適切な値に設定することで実現される。図7は、5種類の基板の厚みtの各々について、パッチのサイズWxと反射位相との関係を示す。基板の厚みはビアの高さと同義である。t02は厚みtが02mmである場合のグラフを表す。t08は厚みtが08mmである場合のグラフを表す。t16は厚みtが16mmである場合のグラフを表す。t24は厚みtが24mmである場合のグラフを表す。t22は厚みtが22mmである場合のグラフを表す。ビア間隔Δx及びΔyは、一例として193mmである。グラフt02より、厚さを02mmとすることにより、反射位相を175度の周辺にできることがわかる。しかし、パッチのサイズWxが05mmから19mmまで変化しても、反射位相の値はほとんど変化しない。グラフt08より、厚さを08mmとすることにより、位相を160度の周辺とすることができる。この場合、パッチのサイズWxが05mmから19mmまで変化すると、反射位相は約162度から148度まで変化するが、変化の範囲は14度であり、比較的狭い。グラフt16より、厚さを16mmとすると位相は135度以下になり、パッチのサイズWxが05mmから18mmに変化する場合、反射位相は135度から90度まで緩慢にしか減少していないが、サイズWxが18mmより大きくなると、反射位相は急激に減少し、サイズWxが19mmの場合に、20度付近に達する。グラフt24の場合、パッチのサイズWxが05mmから15mmに変化する場合、反射位相は107度から57度まで緩慢にしか減少していないが、サイズWyが15mmより大きくなると、反射位相は急激に減少し、サイズWxが19mmの場合に、反射位相は、110度付近に達する。ビアの間隔が19mmの場合、パッチのサイズWxは19mmが限界値になるが、隣接するパッチが僅かな高低差とともに重なることが許容される場合、ビアの間隔より大きなパッチのサイズを使用することが可能になる。グラフt22はそのような場合に対応する。すなわち、一方の素子のビアの高さは24mmであり隣接する他方の素子のビアの高さは22mmである。グラフt22より、パッチのサイズWxが19mmから24mmに変化する場合、反射位相は80度から160度まで急激に減少するが、サイズWyが24mmより大きくなると、反射位相は緩慢にしか減少せず、サイズWxが31mmの場合に、反射位相は、173度に達する。図2に示すようなマッシュルーム構造で素子を形成する場合、y軸方向のパッチサイズWyは全ての素子で同一であり、x軸方向のパッチサイズWxが素子の場所によって異なる。なお、パッチサイズWyが全ての素子で共通することは必須ではなく、素子毎に異なるように設計することも可能である。ただし、パッチサイズWyが全ての素子で同一であるマッシュルーム構造を用いてリフレクトアレーを設計する場合、設計が簡易になり、x軸方向のパッチサイズWxを、素子の場所に応じて決定すればよい。具体的には、様々なビアの高さ又は基板の厚みtの内、設計に使用するものを選択し、整列する複数のパッチ各々のサイズが、そのパッチの位置で必要な反射位相に応じて決定される。一例として、ビア間隔Δy193mm、隣接する素子による反射位相差Δφ24度、反射角α70度、周波数f11GHzであったとする。この場合、360度÷Δφ15個の素子でリフレクトアレーの1単位を形成することが考えられる。15個の素子各々が実現すべき反射位相は、一例として、図7の四角印で示される点に対応する値とすることができる。図7はビア間隔が193mmの場合のグラフであり、ビア間隔が異なればグラフも異なるが、反射位相とパッチサイズとの間の相互関係は図7に示すものに類似している。ところで、図24に示す構造において、電界がx軸方向を向いた電波がz軸∞方向から到来すると、反射波は電界の方向に対して横方向に反射する。このようにして反射波を制御することを便宜上水平制御と言及する。しかしながら本発明は水平制御に限定されない。例えば、図24に示す構造の代わりに、図8に示すような構造でリフレクトアレーを構成することで、電界がy軸方向を向いた電波を、電界の方向に対して縦方向に反射させることが可能である。このようにして反射波を制御することを便宜上垂直制御と言及する。垂直制御の場合、ある方向に沿って並ぶ複数の素子に関し、隣接する素子同士の間の隙間は、その方向に沿って徐々に変化している。水平制御の場合は、ある直線に沿って整列する素子と、その直線に隣接する平行な直線に沿って整列する素子との間の隙間が、それらの直線に沿って徐々に変化している。垂直制御を行う場合において、パッチサイズとギャップはいくつかの方法によって決めることができる。例えば、図9に示すように個々のパッチを対称に形成し且つ素子の間隔Δyを共通にしてもよいし、図10に示すように個々のパッチを非対称に形成し且つ素子の間隔Δyを共通にしてもよいし、図11に示すように個々のパッチを対称に形成し且つ素子の間隔を異ならせてもよい。これらは一例に過ぎず、適切な如何なる方法でパッチサイズ及びギャップが決定されてもよい。本発明によるリフレクトアレーは、水平制御及び垂直制御の何れの素子構造をも使用することができる。<2.発明原理>図12はリフレクトアレーにおける素子の配置例を概略的に示す。リフレクトアレーは行列形式に配置された複数の素子配列G11、G12、G21、G22...を有する。個々の素子配列は、電波を反射する素子を複数個含み、それら複数個の素子全体で所望の方向に電波を反射させることができる。すなわち、任意の1つの素子配列に属する2つの素子がそれぞれ反射する波長λの電波の位相差Δφは、その2つの素子の間隔Δyと反射角αを引数とする三角関数の値sinとの積に比例する。Δφ=×Δy×sin。更に、1つの素子配列Gijに属する複数の素子全体にわたる位相差の合計は2πに相当する。従来のリフレクトアレーの場合、ある素子配列Gij内の個々の素子が実現する反射位相と、隣接する素子配列Gi±1j±1内の個々の素子が実現する反射位相とは完全に同一であるように設計されている。すなわち、図5に示すような設計の第1周期が図12の1つの素子配列に対応し、図5の設計の第2周期が図12の隣接する素子配列に対応する。例えば、第1周期における2番目の素子の反射位相は90度に設定されており、第2周期における2番目の素子の反射位相も90度に設定されている。より一般的には、y軸方向においてm番目の素子が反射する電波の位相と、番目の素子が反射する電波の位相は同一であるように決定される。このように同一の位相を有する反射波が周期的に生じることに起因して、所望方向θαだけでなく、非所望方向θα方向にも反射波が発生してしまう。本発明の一実施形態では、従来とは異なり、ある素子配列Gijに属する任意の素子が反射する電波の位相は、隣接する素子配列Gi±1j±1に属する何れの素子が反射する電波の位相とも異なるように、個々の素子の位相が設計される。すなわち、隣接する2つの素子配列全体の中で、同じ反射位相を実現する素子は存在しない。このような反射位相を実現する方法として、少なくとも以下の2つが考えられる。[方法1]方法の1つは、隣接する素子がそれぞれ反射する電波の位相差Δφと2πとの比率Xが、無限小数を含む値であるように、位相差Δφを決定することである。この点、が自然数になるように位相差Δφを決定していた従来の方法と大きく異なる。例えば、ある素子の反射位相がφ0度であったとすると、隣接する素子の反射位相φ1は、φ1φ0Δφとなる。一般的には、m番目の素子の反射位相φmは、φmφ0Δφとなる。右辺の第2項は、次のように変形できる。右辺第2項Δφ×2π×[X]×2πただし、Xであり、これは無限小数を含む値である。従って、2以上のmに関し、[X]が整数になることはないので、m番目の素子の反射位相φmがφ0に等しくなることはない。後述の実施例では、Δφ23度の例が説明され、この場合、X360度23度1565217391である。無限小数を含む値は、無理数で表現されてもよいし、有理数で表現されてもよい。有理数の場合、無限小数を含む値は循環小数で表現されてもよいし、循環小数でない小数で表現されてもよい。[方法2]方法1の場合、隣接する素子配列だけでなく、リフレクトアレーに含まれている全ての素子配列全体において、同じ反射位相を実現する素子が存在しないようにすることができる。しかしながら、この場合、実現しなければならない反射位相の値は、リフレクトアレーに含まれている素子の総数の分だけ用意する必要があり、簡易に実現できないことが懸念される。特に、リフレクトアレーを構成する素子数が多い場合、そのような問題が懸念される。このような懸念に対処する観点からは、少なくとも隣接する素子配列同士の間では同一の反射位相を実現する素子が存在しないようにするが、隣接していない素子配列においては、同一の反射位相を実現する素子が存在してもよい、とすることが考えられる。例えば、図5に示す例の場合、第1周期と第2周期の間では、同一の反射位相を実現する素子が存在しないようにするが、第1周期と第3周期の間では、同一の反射位相を実現する素子が存在してもよい。この場合、同一の反射位相を実現する素子が存在することに起因して、グレーティングローブに寄与する反射波が若干生じてしまうが、隣接する素子配列同士の間にそのような素子が存在する場合よりも、グレーティングローブを効果的に抑制することができる。同一の反射位相を実現する素子が存在したとしても、それらが遠く離れていれば、グレーティングローブに大きくは寄与しないことが期待できる。この場合、隣接する素子がそれぞれ反射する電波の位相差Δφと2mπとの比率は、従来と同様に割り切れる値であるが、mは2以上の自然数に制限される点が従来と大きく異なる。<3.シミュレーション>上記の発明原理に基づいて個々の素子の反射位相が設計されたリフレクトアレーについてシミュレーションが行われた。図13は、シミュレーションに使用されたシミュレーションモデルを示す。概して、x軸方向に多数の素子が整列しており、これらの素子は全て異なる反射位相を実現するように寸法等が設計されている。図示のような構造がy軸方向に反復的に設けられることで、リフレクトアレーが形成される。x軸及びy軸の取り方が図2等の場合と異なっていることに留意を要するが、座標軸の取り方は本発明に本質的ではない。個々の素子はx軸方向にWx及びy軸方向にWyの寸法を有し、x軸方向の寸法Wxは全ての素子に共通しており、1846mmである。隣接する素子の反射波の位相差Δφは、23度である。この場合、X360度23度1565217391となり、割り切れない。図示の例の場合、このような素子をx軸方向に47個並べた構造が理想的であるが、実現困難な反射位相に対応する5つの素子が設けられていない。図14は、図13に示すシミュレーションモデルのxz平面に関する断面図を示す。リフレクトアレーは、例えば銅板である5つの導電層と各導電層の間を満たす絶縁層又は誘電体層とで構成されることが想定されている。誘電体層の厚みは5種類ある。図15は、図13に示すシミュレーションモデルの平面図を示す。x軸方向に関する素子間隔XSize及びy軸方向の素子間隔YSizeはともに1846mmである。また、パッチのx軸方向に沿う辺の長さPXSizeは1746mmである。図161ないし165は、1層目ないし5層目の導電層の平面図をそれぞれ示す。図161及び図162に示されているように、x軸方向に並ぶ素子には1ないし47の番号が付されているが、上述したように、47個の素子の内5つは省略されている。具体的には、17、18、32、33、34に対応する素子が設けられていない。図17は、図13ないし図165に示すシミュレーションモデルにおけるパラメータの値を一覧表で表現している。図18は、各素子のパッチサイズを示す。入射及び反射する電波の周波数は11GHzであり、波長は約273cmである。従って個々のパッチの寸法は波長に対してかなり小さい。図19は、42個の素子各々に設定される反射位相を示す。目下のシミュレーションモデルの場合、隣接する素子同士の間の反射位相差Δφは、23度である。従って、0度から始まって23度ずつ反射位相が異なるように素子を整列させることが想定されている。ただし、47個の内5つは設けられていないので、それらの素子に対応するものが図中の×印で示されている。上述したように、X360231565217391は、無限小数を含む値でなり、割り切れない。このため、42個の素子は全て異なる反射位相を実現するように設計される。図20は、図1319に示すシミュレーションモデルによるリフレクトアレーが電波を反射した場合の遠方放射界を示す。所望方向は70度の方向である。図示されているように、所望方向にメインローブが形成され、70度方向付近のサイドローブ又はグレーティングローブは小さく抑制されていることがわかる。本発明によるリフレクトアレーに関するシミュレーション結果を従来例と比較するために、従来の方法で反射位相が設計されたリフレクトアレーについてもシミュレーションが行われた。図21は、従来例についてのシミュレーションに使用されたシミュレーションモデルを示す。概して、x軸方向に多数の素子が整列しているが、13個の素子を含む素子配列が3組反復されている。すなわち、同一の反射位相を実現する素子が、x軸上で3つ存在することになる。個々の素子はx軸方向にWx及びy軸方向にWyの寸法を有し、x軸方向の寸法Wxは全ての素子に共通しており、193mmである。隣接する素子の反射波の位相差Δφは、24度である。この場合、360度24度15となり、ちょうど割り切れる。従って、15個の素子を含む素子配列を3組反復することで、従来例によるリフレクトアレーを形成することができる。ただし、本発明の場合と公平に比較を行うため、いくつかの素子が間引かれている。上述したように、図1320に示す例の場合、17、18、32、33、34の素子は設けられていなかった。そこで、図21に示すシミュレーションモデルにおいても、これらの素子の位置に概ね対応する場所の素子が間引かれている。図22は、39個の素子各々に設定される反射位相を示す。目下のシミュレーションモデルの場合、隣接する素子同士の間の反射位相差Δφは、24度である。従って、0度から始まって24度ずつ反射位相が異なるように素子を整列させることが想定されている。ただし、設けられていない素子に対応するものは図中の×印で示されている。36024は、割り切れる値になる。このため、39個の素子の内、異なる反射位相の値は13個しかなく、1つの反射位相につき3つの素子が同一の反射位相を実現する。図23は、図21、22に示すシミュレーションモデルによる従来例のリフレクトアレーが電波を反射した場合の遠方放射界を示す。所望方向は70度の方向である。図示されているように、所望方向にメインローブが形成されているが、70度方向付近のサイドローブ又はグレーティングローブが大きく形成されていることがわかる。図24は、本発明と従来例との比較例を示す。これは、図20に示すシミュレーション結果と図23に示すシミュレーション結果を重ねたものである。図示されているように、本発明の方がグレーティングローブを非常に小さく抑制できていることがわかる。以上本発明は特定の形態を参照しながら説明されてきたが、それらは単なる例示に過ぎず、当業者は様々な変形例、修正例、代替例、置換例等を理解するであろう。説明の便宜上、上記の実施形態はマッシュルーム構造の素子を有するリフレクトアレーの観点から説明されてきたが、本発明はそのような形態に限定されず、他の状況で使用されてもよい。例えば、左手系伝送線路理論、メタマテリアル、EBG電気的バンドギャップ構造を用いたリフレクトアレーの設計、リフレクトアレーを応用する伝搬環境改善技術、リフレクトアレーを応用する反射波の方向制御技術等のような様々な場面で本発明を使用することも可能である。発明の理解を促すため具体的な数値例を用いて説明がなされたが、特に断りのない限り、それらの数値は単なる一例に過ぎず適切な如何なる値が使用されてもよい。発明の理解を促すため具体的な数式を用いて説明がなされたが、特に断りのない限り、それらの数式は単なる一例に過ぎず適切な如何なる数式が使用されてもよい。項目の区分けは本発明に本質的ではなく、2以上の項目に記載された事項が必要に応じて組み合わせて使用されてよいし、ある項目に記載された事項が、別の項目に記載された事項に矛盾しない限り適用されてよい。本発明は上記実施例に限定されず、本発明の精神から逸脱することなく、様々な変形例、修正例、代替例、置換例等が本発明に包含される。