"半導体基板と、前記半導体基板に設けた空洞部と、前記半導体基板上に前記空洞部を覆う様に設けた絶縁膜と、前記絶縁膜が前記空洞部を覆うことにより形成される薄膜領域と、前記絶縁膜上の前記薄膜領域に設けた発熱抵抗体と、前記絶縁膜上の前記薄膜領域上に設け、且つ、温度に応じて抵抗値が変化する第1感温抵抗体と、前記第1感温抵抗体の温度に基づいて前記発熱抵抗体の温度を制御する発熱制御手段と、前記発熱抵抗体の近傍に設置し、且つ、温度に応じて抵抗値が変化する第2感温抵抗体と、前記第2感温抵抗体の温度に基づいて流体の流量を検出する流量検出手段と、を有し、前記発熱制御手段は、前記第1感温抵抗体の目標温度となる第1指標温度と前記第1感温抵抗体の退避温度となる第2指標温度とに基づいて前記発熱抵抗体の温度を制御することを特徴とする熱式流量センサ。請求項1に記載の熱式流量センサにおいて、前記第2指標温度は、前記第1指標温度よりも高い温度に設定されており、前記発熱制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度を第1指標温度に近づける様に制御を行う第1温度制御手段と、前記第1感温抵抗体の温度を第2指標温度以下に保持する第2温度制御手段と、を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項2に記載の熱式流量センサにおいて、前記第1温度制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度に基づいた信号を入力とし前記発熱抵抗体に供給する電力或いは電力指示値を出力とする帰還制御手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項2に記載の熱式流量センサにおいて、前記第2温度制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度に基づいた信号を入力とし前記第1感温抵抗体の温度が前記第2指標温度以上であるか否かを判定する判定手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項2に記載の熱式流量センサにおいて、前記第2温度制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度と前記第2指標温度との温度差に基づいて前記発熱抵抗体に供給する電力或いは電力指示値を制限する制限手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項5に記載の熱式流量センサにおいて、前記制限手段は、前記電力或いは前記電力指示値の伝達経路を断絶する断絶手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項5に記載の熱式流量センサにおいて、前記制限手段は、前記電力或いは前記電力指示値を所定値に固定する固定手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項5に記載の熱式流量センサにおいて、前記制限手段は、前記発熱抵抗体に電気的に接続可能な少なくとも2つ以上の抵抗値を有する負荷抵抗体と、前記発熱抵抗体に前記負荷抵抗体のいずれかの抵抗値を選択して電気的に接続する接続手段と、を有していることを特徴とする熱式流量センサ。請求項3に記載の熱式流量センサにおいて、前記第2温度制御手段は前記第1感温抵抗体の温度と第2指標温度との温度差に基づいて、前記帰還制御手段の入出力応答を高速化する高速化手段を有することを特徴とする熱式流量センサ。請求項9に記載の熱式流量センサにおいて、前記帰還制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度に基づいた信号をデジタル信号に変換するデジタル変換部と、第1クロック信号に基づいて演算処理を行うデジタル演算処理部とを有し、前記高速化手段は、前記第1クロック信号とは異なる周期の第2クロック信号を生成する第2クロック生成部と、前記デジタル演算処理部を動作させるクロック信号を切換えるクロック切換手段とを有し、前記クロック切換手段は、前記第1感温抵抗体の温度及び第2指標温度間の温度差に基づいて前記デジタル演算処理部の動作クロックを切換えることを特徴とする熱式流量センサ。請求項9に記載の熱式流量センサにおいて、前記帰還制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度に基づいた信号をデジタル信号に変換するデジタル変換部と、前記デジタル信号に基づいて演算処理を行うデジタル演算処理部とを有し、前記高速化手段は、前記デジタル演算処理部の入出力ゲインを変更するゲイン変更手段を有し、且つ、前記第1感温抵抗体の温度と第2指標温度との温度差に基づいて、前記ゲイン変更手段は前記デジタル演算処理部の入出力ゲインを最大化することを特徴とする熱式流量センサ。請求項9に記載の熱式流量センサにおいて、前記帰還制御手段は、前記第1感温抵抗体の温度に基づいた信号をデジタル信号に変換するデジタル変換部と、前記デジタル信号に基づいて演算処理を行うデジタル演算処理部と、少なくとも2つ以上の異なる処理プログラムを記憶する記憶手段とを有し、前記高速化手段は、前記デジタル演算処理部の処理内容を選択するプログラム選択手段を有し、前記プログラム選択手段は前記第1感温抵抗体の温度と第2指標温度との温度差に基づいて前記デジタル演算処理部の処理内容を変更することを特徴とする熱式流量センサ。しかしながら、従来技術ではヒータや傍熱抵抗の熱容量のばらつきが起動特性に大きく影響を与えてしまう。例えば、半導体タイプのセンサ素子では、ヒータや傍熱抵抗の熱容量にばらつきが生じる。起動時に所定の駆動電力をヒータに印加した場合の熱的応答は熱容量に応じて異なるため、過渡にばらつきが生じ、例えば、過渡の増大により起動時間の長化を招く可能性がある。加えて、温度過渡の増大はセンサ素子の劣化を促進させる可能性がある。従来技術では、これらの点に関して十分な配慮がなされていなかった。これらの課題に対しては、演算処理の速度、即ち、クロック周期を調整する対応が考えられるが、調整工程の増加はコストアップを招いてしまう。また、ヒータや傍熱抵抗を大化することで熱容量のばらつきを抑制する対応が考えられるが、消費電力を増大させてしまう。本発明は、上記諸課題を鑑みて考案されたものであり、安定した起動特性とセンサ素子の劣化抑制を実現し、センサ素子の更なる小型化にも対応し得るヒータ温度制御手段を有する熱式流量センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の熱式流量センサは、半導体基板と、前記半導体基板に設けた空洞部と、前記半導体基板上に前記空洞部を覆う様に設けた絶縁膜と、前記絶縁膜が前記空洞部を覆うことにより形成される薄膜領域と、前記絶縁膜上の前記薄膜領域に設けた発熱抵抗体と、前記絶縁膜上の前記薄膜領域上に設け、且つ、温度に応じて抵抗値が変化する第1感温抵抗体と、前記第1感温抵抗体の温度に基づいて前記発熱抵抗体の温度を制御する発熱制御手段と、前記発熱抵抗体の近傍に設置し、且つ、温度に応じて抵抗値が変化する第2感温抵抗体と、前記第2感温抵抗体の温度に基づいて流体の流量を検出する流量検出手段と、を有し、前記発熱制御手段は、前記第1感温抵抗体の目標温度となる第1指標温度と前記第1感温抵抗体の退避温度となる第2指標温度とに基づいて前記発熱抵抗体の温度を制御することを特徴としている。本発明によれば、安定した起動特性とセンサ素子の劣化抑制を実現し、センサ素子の更なる小型化にも対応し得るヒータ温度制御手段を有する熱式流量センサを提供できる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。本発明における第1実施例について、図1,図2を参照しながら説明する。尚、図1は第1実施例におけるセンサ素子の略式断面構造を示す。また、図2は第1実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第1実施例における熱式流量センサの構成について説明する。第1実施例における熱式流量センサは、センサ素子100及び処理回路200により構成される。センサ素子100は、ケイ素Siやセラミック等の熱伝導率の良い材料で構成する半導体基板1の一面3上に酸化物等を堆積することにより電気絶縁膜4を形成し、半導体基板1の他面方向からエッチングすることにより空洞部2を設け、さらに、空洞部2上の薄膜領域5上に、ヒータ6と傍熱抵抗7及び検出抵抗9a~9dを、例えば、多結晶ケイ素Siや白金Pt,モリブデンMo等の抵抗温度係数以下、TCRと称す。の高い抵抗材料で形成し、さらに、薄膜領域5以外の電気絶縁膜4上に、固定抵抗101~103を形成することにより構成する。尚、簡単化のため、固定抵抗101~103の抵抗値は全て等しいものとして扱うが、それぞれ異なる値を適用しても良い。処理回路200は、ヒータ6の発熱量制御を行う発熱制御回路8及びヒータ6上を移動する流体の流量を検出する流量検出回路10により構成する。発熱制御回路8は、傍熱抵抗7の温度を目標温度となる第1指標温度に近づける様に制御する第1温度制御回路11と、第1指標温度よりも高く、且つ、傍熱抵抗7の退避温度となる第2指標温度以下に保持する様に制御する第2温度制御回路12により構成する。第1温度制御回路11は、比較器21と、デジタル演算処理回路以下、DSP22と、DA変換器201と、トランジスタ素子202により構成される。第2温度制御回路12は、比較器14と、スイッチング素子16により構成される。また、センサ素子100には電極301~305を設け、処理回路200と電気的に接続する。センサ素子100において、ヒータ6は電極301および基準電位点に接続する。また傍熱抵抗7及び固定抵抗101~103によりブリッジ回路を構成し、傍熱抵抗7と固定抵抗101の中点電位V1を電極302に接続し、固定抵抗102と固定抵抗103の中点電位V2を電極303に接続する。また、検出抵抗9a~9dによりブリッジ回路を構成し、検出抵抗9aと検出抵抗9bの中点電位を電極304に接続し、検出抵抗9cと検出抵抗9dの中点電位を電極305に接続する。尚、流量検出回路10は、電極304及び305から出力された信号に基づいて流量を求める。次に、第1実施例における熱式流量センサの動作について説明する。尚、以降では熱式流量センサが起動処理を終える、即ちヒータ6の温度が収束した状態で、流量検出を行っている状態を安定状態と呼称する。また、起動処理中、即ち制御系が過渡にある状態を過渡状態と呼称する。安定状態においては、DA変換器201の出力によりトランジスタ素子202はオン状態のため、駆動電流Ihがスイッチング素子16及び電極301を介してセンサ素子100に入力される。ヒータ6は駆動電流Ihによってジュール熱を生じ、電気絶縁膜4及び流体を介して傍熱抵抗7に伝わる。傍熱抵抗7は温度が上昇するため抵抗値が増大し、中点電位V1における電位は降下する。尚、固定抵抗101~103は薄膜領域2にないため、伝わった熱は半導体基板1に吸収されてしまい温度は変化しない。そのため、中点電位V2は不変である。次に、中点電位V1及びV2は、電極302および電極303を介して比較器21に入力される。比較器21は、中点電位V1及びV2を比較し、比較結果をDSP22に入力する。DSP22は、中点電位V1及びV2が等しくなる様な駆動電力指示値を算出し、後段のDA変換器201に出力する。そして、DA変換器201に入力された駆動電力指示値に応じてトランジスタ素子202のベース電圧が変化し、駆動電流Ihが変化する。以上の帰還制御により、ヒータ6の温度は常に一定に保たれる。次に、過渡状態の動作内容を図8~図11を参照しながら説明する。図8は起動時における傍熱抵抗7の温度変化を示す。また、図9は起動時における中点電位V1の変化を示す。また、図10は起動時におけるヒータ6に印加する駆動電流の変化を示す。尚、図8~図10には、第2温度制御回路がない場合の特性も示す。起動の瞬間においては、ヒータ6,傍熱抵抗7及び検出抵抗9a~9dは同じ温度なので、中点電位V1はV2より高い電位となっている。起動した瞬間においては、DSP22の出力は初期値または不定値のため、トランジスタ素子202から供給される駆動電流Ihは適当な大きさとなる。半導体タイプのヒータ6の熱容量は微小のため、如何なる電流値であってもヒータ6は発熱を始める。ヒータ6の熱を受けた傍熱抵抗7は抵抗値が上昇し、中点電位V1は降下する。次に、ある程度の時間が経過した時点で傍熱抵抗7の温度は第1指標温度を超え、第2指標温度に近づく。同時に、中点電位V1は中点電位V2よりも低電位となり、第2指標温度に相当する電位V1′に到達する。この状態における第2温度制御回路12の動作を説明する。第2温度制御回路12において、比較器14はV1とV2との電位差からV1′に到達したことを検出し、比較器14の出力を反転して警告信号を出力する。警告信号を受けたスイッチング素子16は、トランジスタ素子202とヒータ6との接続を断絶する。この状態において、ヒータ6に電流は流れないため発熱量は減少する。同時に、傍熱抵抗7の温度も低下するため、中点電位V1はV2方向に近づく。すると、比較器14は警告信号を解除し、スイッチング素子16は再び接続状態となり、傍熱抵抗7の温度は再上昇し、中点電位V1はV1′に再び近づいてゆく。以上の動作を第2温度制御回路12が繰返し実行する間に、DSP22は過渡状態を脱して適切な制御量を出力する。すると、スイッチング素子16を接続した状態においても、傍熱抵抗7の温度は第2指標温度に近づかなくなり、この後、第1温度制御回路11の機能により、第1指標温度に静定する。この後、流量検出回路10は、電極304及び305の電圧信号に基づいて正確な流量を検出する。ここで、熱容量ばらつきによる起動特性への影響を図11を参照しながら説明する。第2温度制御回路12が無い場合には、起動時の温度上昇が抑制されることはなく、曲線的な温度変化を経て目標温度に収束する。しかし、熱容量のばらつきは過渡のばらつき要因となるため、静定までに必要な時間にも所定のばらつきΔt′が生じる。一方、第2温度制御回路12がある場合には、起動時の温度上昇を所定温度でクランプするため、目標温度に収束するまでの時間が短くなる。さらに、温度を直接クランプするために、熱容量のばらつきがクランプ温度に影響することはない。従って、熱容量ばらつきの影響による起動時間のばらつきはΔt′に対して小さいΔtとなる。次に、第1実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第1の利点は、第2温度制御回路12を導入することにより、製造誤差等による熱容量のばらつきが、起動時特性に及ぼす影響を低減することができるため、安定した起動特性を得ることができる点である。この結果、個体毎の調整工程を設ける必要はなく、また、ヒータ6を大化しなくても均一な起動特性を確保することができる様になる。第2の利点は、第2温度制御回路12を導入することにより、起動時のヒータ6の温度のオーバーシュート量を抑制することができるため、起動時間が短縮可能である点である。この結果、ヒータ6の温度はより素早く静定するため、流量検出を開始するまでの待機時間を短縮することができる。または、自己診断等に充てられる時間をより確保することができる。第3の利点は、第2温度制御回路12を導入することにより、傍熱抵抗7の温度が第2指標温度よりも高温になることを予防することができるため、傍熱抵抗7の熱による劣化を抑制することができる点である。図12には傍熱抵抗7の経時劣化の環境温度依存性を示す。温度を抑制すれば、劣化が抑制できることを示している。この結果、ヒータ6の温度を長期に渡って制御することができ、検出精度を長期に渡って維持できる様になる。第4の利点は、第2温度制御回路12を導入することにより、第1温度制御回路11が故障した場合のフェールセーフ回路として、ヒータ6の熱暴走を防止できる点である。これにより、安全にフェールセーフモードに移行することが可能となる。尚、本実施例においては、スイッチング素子16をトランジスタ素子202及びヒータ6間の通電経路上に配置したが、DA変換器201及びトランジスタ素子202間に配置しても同様の効果が得られる。また、必ずしも比較器14を設ける必要はなく、比較器21の代わりにアナログデジタル変換器以下、AD変換器を設け、AD変換器の出力に基づいてスイッチング素子16を動作しても同様の効果が得られる。本発明における第2実施例について、図3を参照しながら説明する。尚、図3は、第2実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第2実施例における熱式流量センサは、第1実施例におけるスイッチング素子16の代わりにクランプ素子17を設けることにより構成する。第2実施例において、安定状態における動作は第1実施例における動作内容と相違ない。過渡状態における動作内容には一部相違がある。具体的には、比較器14が警告信号を出力した時のクランプ素子17の動作は、ヒータ6とトランジスタ素子202との接続を絶ち、且つ、所定電位にヒータ6をクランプする。これにより、ヒータ6には一定の電圧が印加される。この時、ヒータ6をクランプする電位は、アース電位またはこれに準ずる電位であることが望ましい。次に、第2実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第2実施例により得られる利点は、第1実施例の利点に加えて、クランプ素子17が動作した時のヒータ端電圧を確実に低減し得る点である。これにより、ヒータ6の温度をより確実に降下させることができる様になる。尚、本実施例においては、クランプ素子17をトランジスタ素子202及びヒータ6間の通電経路上に配置したが、DA変換器201及びトランジスタ素子202間に配置しても同様の効果が得られる。この場合のクランプ電圧は、トランジスタ素子202のエミッタ電位またはアース電位、またはこれらに準じた電圧であることが好ましい。また、クランプ素子17をDSP22及びDA変換器201の間に配置し、DSP22が出力するデジタル値を所定値にクランプする様な構成としても同様の効果が得られる。また、必ずしも比較器14を設ける必要はなく、比較器21の代わりにアナログデジタル変換器以下、AD変換器を設け、AD変換器の出力に基づいてクランプ素子17を動作しても同様の効果が得られる。本発明における第3実施例について、図4を参照しながら説明する。尚、図4は、第3実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第3実施例における熱式流量センサは、第1実施例におけるスイッチング素子16の代わりに2種の抵抗値を有する負荷抵抗18a及び18bと、いずれかの抵抗を選択してヒータ6に接続する抵抗切替スイッチ19とを設けることにより構成する。尚、本実施例においては、各負荷抵抗の抵抗値は18a<18bとする。第3実施例において、安定状態における動作は第1実施例における動作内容と相違ない。ただし、安定状態においてはヒータ6に接続される負荷抵抗は18aとする。過渡状態における動作内容には一部相違がある。具体的には、比較器14が警告信号を出力した時に、抵抗切替スイッチ19はヒータ6に接続する負荷抵抗を18aから18bに切換える。これにより、ヒータ6に流れる電流は低減される。次に、第3実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第3実施例により得られる利点は、第1実施例の利点に加えて、抵抗切替スイッチ19が動作した時の駆動電流Ihの変化を低減し得る点である。図1に示すセンサ素子の構成によれば、ヒータ6及び傍熱抵抗7、及び検出抵抗9a~9dは薄膜領域5上に近接して設けられているため、クロストークが発生する可能性がある。本実施例によれば、センサ素子上のクロストークによるノイズを低減することができるため、優れた精度でヒータ6の温度制御ならびに検出抵抗9による流量検出を行うことができる。尚、本実施例においては、負荷抵抗18a,18b及び抵抗切替スイッチ19をトランジスタ素子202及びヒータ6間の通電経路上に配置したが、DA変換器201及びトランジスタ素子202間に配置しても同様の効果が得られる。また、必ずしも比較器14を設ける必要はなく、比較器21の代わりにアナログデジタル変換器以下、AD変換器を設け、AD変換器の出力に基づいて抵抗切替スイッチ19を動作しても同様の効果が得られる。また、負荷抵抗18を可変抵抗体で構成し、抵抗切替スイッチ19によって可変抵抗体の抵抗値を変化させることによっても同様の効果が得られる。また、負荷抵抗18はヒータ6に対して並列接続としても同様の効果が得られる。本発明における第4実施例について、図5を参照しながら説明する。尚、図5は、第4実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第4実施例における熱式流量センサは、第1実施例におけるスイッチング素子16の代わりに、基準発振器203の出力を異なる分周比で分周する分周器23a及び23bと、分周期23aによって生成された第1クロック信号と、分周期23bによって生成された第1クロック信号よりも低速な第2クロック信号の何れかをDSP22の動作クロックとして選択するクロック切換スイッチ24とを設けることにより構成する。尚、第4実施例において、安定状態における動作は第1実施例における動作内容と相違ない。ただし、安定状態においてクロック切換スイッチ24は第2クロック信号を選択する。過渡状態における動作内容には一部相違がある。具体的には、比較器14が警告信号を出力した時に、クロック切換スイッチ24はDSP22の動作クロックを第2クロック信号から第1クロック信号に切換える。これにより、DSP22の動作速度が高速化され、素早く過渡状態を脱して安定状態に移行する。次に、第4実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第4実施例により得られる利点は、第1実施例の利点に加えて、ヒータ6の駆動電力を断絶若しくはクランプしないため、図10に示す様な不連続な電流変化は生じず平滑的なふるまいとなり、クロストークを確実に抑制できる点である。これにより優れた精度でヒータ6の温度制御ならびに検出抵抗9による流量検出を行うことができる。尚、本実施例の応用例として、基準発振器とは異なる周期のクロックを生成する第2の基準発振器を新たに設けても同様の効果を得られる。また、必ずしも比較器14を設ける必要はなく、比較器21の代わりにアナログデジタル変換器以下、AD変換器を設け、AD変換器の出力に基づいてクロック切換スイッチ24を切換えても同様の効果が得られる。また、分周器23の分周比率を可変とし、比較器14の出力に応じて分周比率を変更する構成としても同様の効果が得られる。本発明における第5実施例について、図6を参照しながら説明する。尚、図6は、第5実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第5実施例における熱式流量センサは、第4実施例における分周器23の代わりに、記憶素子204と、記憶素子204に記憶された2つの異なる記憶値204a又は204bをDSP22の演算定数として選択する定数選択スイッチ25とを設けることにより構成する。尚、本実施例においては、記憶値204a及び204bは、204aの絶対値<204bの絶対値の関係にあるとする。また、DSP22の内部構成について図13を参照しながら説明する。尚、図13はDSP22の演算処理内容例のブロック図表記である。DSP22の内部は、例えば、比例ゲイン401と、積分ゲイン402と、積分器403と、比例ゲイン401の出力と積分器403の出力とを加算する加算器404により構成する。第5実施例において、安定状態における動作は第1実施例における動作内容と相違ない。ただし、安定状態において図6に示されように定数選択スイッチ25は記憶値204aを選択する。また、過渡状態における動作内容には一部相違がある。具体的には、比較器14が警告信号を出力した時に、定数選択スイッチ25はDSP22の入出力ゲインを変更するため、記憶値204aから記憶値204bに選択先を切換える。これにより、DSP22の比例ゲイン401及び積分ゲイン402に設定される値は変更され、DSP22の入出力ゲインが増加する。即ち、帰還ゲインが増加することによりヒータ制御系の応答性が向上するため、素早く過渡状態を脱して安定状態に移行する。次に、第5実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第5実施例により得られる利点は、第1実施例の利点に加えて、ヒータ6の駆動電力を断絶若しくはクランプしないため、図10に示す不連続な電流変化は生じず平滑的なふるまいとなり、クロストークを確実に抑制できる点である。これにより優れた精度でヒータ6の温度制御ならびに検出抵抗9による流量検出を行うことができる。さらに、ハードウェアとしては記憶素子204の追加のみで対応可能であるため、簡素な構成で上記利点を得ることができる。尚、本実施例の応用例として、比例ゲイン401及び積分ゲイン402とは別に調整用ゲインを設けても良い。具体的には、比較器21からの入力を増幅させてから各ゲインに入力する方法や、加算器404の後段にゲインを設ける方法がある。また、DA変換器201のゲイン、即ち、ダイナミックレンジを変更することによっても同様の効果が得られる。本発明における第6実施例について、図7を参照しながら説明する。尚、図7は、第6実施例における熱式流量センサの回路構成を示す。第6実施例における熱式流量センサは、第5実施例における分周器23の代わりに、記憶素子26と、記憶素子26に記憶された2つの演算処理プログラム26a又は26bをDSP22の演算処理プログラムとして選択するプログラム選択スイッチ27とを設けることにより構成する。尚、本実施例においては、演算処理プログラム26a及び26bのプログラム容量は、26a>26bの関係にあるとする。第6実施例において、安定状態における動作は第1実施例における動作内容と相違ない。ただし、安定状態においてプログラム選択スイッチ27は演算処理プログラム26aを選択する。過渡状態における動作内容には一部相違がある。具体的には、比較器14が警告信号を出力した時に、プログラム選択スイッチ27は、DSP22の演算処理プログラムを、より短い演算処理プログラム26bに変更する。これにより、DSP22の演算周期は実質的に高速化されるため、ヒータ制御系の応答性が向上し、素早く過渡状態を脱して安定状態に移行する。次に、第6実施例における熱式流量センサにより得られる利点について説明する。第6実施例により得られる利点は、第1実施例の利点に加えて、ヒータ6の駆動電力を断絶若しくはクランプしないため、図10に示す様な不連続な電流変化は生じず平滑的なふるまいとなり、クロストークを確実に抑制できる点である。これにより優れた精度でヒータ6の温度制御ならびに検出抵抗9による流量検出を行うことができる。さらに、ハードウェアとしては記憶素子26の追加のみで対応可能であるため、簡素な構成で上記利点を得ることができる。"