半導体光源と、前記半導体光源を保持する基板と、を備えてなる発光素子であって、前記基板内には熱伝導路が形成され、前記熱伝導路の熱伝導率は前記基板の熱伝導率より高いことを特徴とする発光素子。前記熱伝導路の数量は、複数であり、前記熱伝導路は、前記基板の厚さの方向に沿って、延在されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記熱伝導路は、前記基板を上下に貫通することを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記半導体光源に近い熱伝導路の密度は、前記半導体光源から離れた熱伝導路の密度より大きいことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の発光素子。前記半導体光源に近い熱伝導路の直径は、前記半導体光源から離れた熱伝導路の直径より大きいことを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載の発光素子。前記熱伝導路が電極に電気接続されることによって、導電路が形成されることを特徴とする請求項3~5のいずれか一項に記載の発光素子。前記発光素子は、前記半導体光源に接続されるピンをさらに備えることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の発光素子。前記半導体光源は、発光ダイオードであり、前記基板は、回路基板であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の発光素子。前記熱伝導路が、第一熱伝導路と、前記第一熱伝導路と交互に配列される第二熱伝導路と、を備え、前記第一熱伝導路は、前記基板の頂面から下に向かって延在して、且つ前記基板の底面を貫通せず、前記第二熱伝導路は、前記基板の底面から上に向かって延在して、且つ前記基板の頂面を貫通しないことを特徴とする請求項2に記載の発光素子。以上の問題点に鑑みて、本発明は、優れた熱伝導率を有する発光素子を提供することを目的とする。本発明に係る発光素子は、半導体光源と、前記半導体光源を保持する基板と、を備え、前記基板内には熱伝導路が形成され、前記熱伝導路の熱伝導率は前記基板の熱伝導率より高い。本発明に係る発光素子において、基板内には熱伝導路が形成され、且つ前記熱伝導路の熱伝導率が前記基板の熱伝導率より高いので、前記基板の熱伝導率を効果的に高め、半導体光源の熱を即時に放熱して、前記半導体光源の正常な動作を確保することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1を参照すると、本発明に係る第一実施形態の発光素子10は、発光ダイオードであり、基板20と、前記基板20に固定される2つのピン30と、前記2つのピン30に電気接続される半導体光源40と、前記半導体光源40を被覆する封止体50と、を備える。前記基板20は、プラスチック例えば、ガラスエポキシ樹脂、ガラスベンゼン樹脂など、又はセラミック酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素などからなる。前記基板20の材料に応じてその熱伝導率も変化し、約01~約30WmKである。前記基板20には、その厚さの方向に沿って、前記基板20を上下に貫通する複数の通路図示せず1が平均に設けられ、各々の通路内に、金、銀、銅、アルミニウムなどのような熱伝導性が優れる材料を充填することにより、熱伝導路22が形成される。前記基板20の熱伝導率がK1であると仮定し、熱伝導路22に充填される熱伝導材料の熱伝導率がK2であると仮定すると、前記基板20の1体積1mm1mm1mmの範囲における熱伝導率は、以下の式で表される。K=K1V1K2V2その中で、V1は、1体積の範囲における基板20の材料の体積パーセントであり、V2は、1体積の範囲における熱伝導材料の体積パーセントである。前記基板20の1体積の範囲において、n個の熱伝導路があると仮定し、1つの熱伝導路の半径がRであると仮定すると、前記式は以下に示したようになる。K=nπR2K21-nπR2K1このように、前記基板20の1体積の範囲における熱伝導率は、熱伝導路の数、孔径及び熱伝導材料の種類と関係がある。例えば、K1=3WmK、K2=428WmK金を熱伝導材料として熱伝導路22に充填する、n=9、R=015mmの場合、前記式により計算するとK=273WmKである。熱伝導材料を充填した基板20の熱伝導率は、熱伝導材料を充填しない基板の熱伝導率より高い。前記基板20に熱伝導材料を充填することによって、前記基板20の熱伝導率を効果的に高め、前記半導体光源40の正常な動作を確保することができる。前記2つのピン30は、前記基板20に離間して配置される。各々のピン30は、前記基板20の頂面に固定される輸入段32と、前記基板20の側面から外に向かって突出する外接段34と、前記輸入段32と前記外接段34との間に連接される連接段36と、を備える。前記外接段34は、外部の電源に接続され、電流を前記連接段36により前記輸入段32に流入させる。前記連接段36は、前記基板20の側面に貼合され、互いに平行する前記輸入段32と前記外接段34に直交する。前記輸入段32は、前記半導体光源40に電気接続され、電流を前記半導体光源40に供給する。前記半導体光源40は、前記基板20の頂面に固定され、2つのピン30の輸入段32の間に配置される。本実施例において、前記半導体光源40は、発光チップであり、窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、ガリウムヒ素などのような半導体発光材料からなる。前記半導体光源40は2つのリード線60により前記ピン30の輸入段32にそれぞれ接続され、外部の電源に電気接続される。前記封止体50は、ガラス、エポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルなどのような透明材料からなり、前記半導体光源40及びリード線60を被覆し、前記半導体光源40及びリード線60を保護することができる。前記半導体光源40に近い位置の熱量は、前記半導体光源40から離れている位置の熱量より高いので、前記熱伝導路22の寸法及び配列は適宜変更することもでき、熱伝導率を向上させる。図2に示したように、本発明に係る第二実施形態の発光素子10は、前記半導体光源40に近い熱伝導路22の間の距離を減らし、前記半導体光源40に近い熱伝導路22の密度は、前記半導体光源40から離れている熱伝導路22の密度より大きい。又は、図3に示したように、本発明に係る第三実施形態の発光素子10は、前記半導体光源40に近い熱伝導路22が太くなっている。すなわち、前記半導体光源40に近い熱伝導路22の直径が、前記半導体光源40から離れている熱伝導路22の直径より大きくなる。金属材料を熱伝導材料とする時、前記熱伝導路22は、前記基板20を貫通し、且つ一部の熱伝導路22は前記ピン30に接続されるので、2つのピン30は、外界の要因を受けて、前記熱伝導路22により電気接続され、ショートを引き起こす可能がある。そのため、前記熱伝導路22を、図4に示したような構造に変更することもできる。即ち、前記熱伝導路22は、第一熱伝導路220と、第二熱伝導路222と、を備える。前記第一熱伝導路220は、前記基板20の頂面から下に向かって延在して、且つ前記基板20の底面を貫通しない。前記第二熱伝導路222は、前記第一熱伝導路220と交互に配列され、前記基板20の底面から上に向かって延在して、且つ前記基板20の頂面を貫通しない。前記第一熱伝導路220と前記第二熱伝導路222は、前記基板20を貫通しないので、前記基板20の底面に導電材料を塗布しても、2つのピン30が前記熱伝導路22により電気接続されショートを引き起こすことはない。前記熱伝導路22が導電性を有する場合、図5に示したように、本発明に係る第五実施形態の発光素子10は、ピン30を省略することが可能である。前記熱伝導路22を導電路として、前記基板20の頂面及び底面には、2つの電極24がさらに設けられ、前記電極24により前記半導体光源40を外界に電気接続する。前記熱伝導路22の構造は、発光ダイオードの封止基板に設けられることに限定されるものではなく、発光ダイオードの回路基板に応用されることもできる。図6を参照すると、本発明に係る第六実施形態の発光素子10は、第一基板20aと、前記第一基板20aに設けられる第二基板20bと、前記第二基板20bに固定される半導体光源40bと、ピン30bとを備える。前記第一基板20aは、前記ピン30bにより、前記半導体光源40bに電気接続される回路基板であり、前記発光素子10の第一実施例ないし第五実施例のいずれか1つにおける基板20であることができる。本実施例において、前記第一基板20aには熱伝導路22aが設けられる。前記第二基板20bは前記発光素子10の第一実施例ないし第五実施例のいずれか1つにおける基板20であってもよく、熱伝導路22が設けられない基板であってもよく、且つ前記第二基板20bの熱伝導路は前記第一基板20aの熱伝導路22aに接続されず、2つのピン30bをショートさせることを回避することができる。以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形又は修正が可能であり、該変形又は修正も又、本発明の特許請求の範囲内に含まれるものであることは、いうまでもない。