"大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第一成膜工程と、前記第一成膜工程に使用した温度よりも高い温度下で、前記ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第二成膜工程と、前記第二成膜工程後に、前記ガラス基板をガラスの歪点以上の温度下で保持する歪取工程と、前記歪取工程後に、前記ガラス基板を室温近傍まで徐冷する徐冷工程とを備える、ガラス基板への成膜方法。前記第二成膜工程で使用した温度が前記ガラスの徐冷点以上である、請求項1に記載のガラス基板への成膜方法。前記徐冷工程において、前記ガラス基板の温度が5°C/分以上30°C/分以下の速度で低下するように冷却する、請求項1または2に記載のガラス基板への成膜方法。前記1層目の膜は、前記ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制するバリア層であり、前記2層目の膜は、透明導電膜である、請求項1~3のいずれかに記載のガラス基板への成膜方法。前記1層目の膜は、SiO2からなり、前記第一成膜工程における温度は、常温にて噴霧されその後、200°C以上400°C以下で乾燥焼成されており、前記2層目の膜は、フッ素がドープされたSnO2からなり、前記第二成膜工程における温度は、550°C以上600°C以下である、請求項4に記載のガラス基板への成膜方法。前記第1成膜工程の前に、大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に下地膜前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して下地膜を形成する下地膜形成工程をさらに備え、前記下地膜は、プリズム層であり、前記1層目の膜は、前記ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制するバリア層であり、前記2層目の膜は、透明導電膜である、請求項1~3のいずれかに記載のガラス基板への成膜方法。前記下地膜は、TiO2からなり、前記下地膜形成工程における温度は、200°C以上400°C以下であり、前記1層目の膜は、SiO2からなり、前記第一成膜工程における温度は、200°C以上400°C以下であり、前記2層目の膜は、フッ素がドープされたSnO2からなり、前記第二成膜工程における温度は、550°C以上600°C以下である、請求項6に記載のガラス基板への成膜方法。ミスト法またはスプレー熱分解法によりガラス基板上に薄膜を形成する際、加熱および冷却の熱履歴による内部歪によりガラス基板に割れまたは反りが発生することがある。ガラス基板に割れまたは反りが発生した場合、ガラス基板上に成膜された薄膜の膜特性が低下する。薄膜太陽電池においては、薄膜の膜特性が低下すると太陽電池の発電効率が低下する。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、大気圧下での成膜を可能とするとともにガラス基板の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜できる、タクトタイムが短くなるガラス基板への成膜方法を提供することを目的とする。本発明のガラス基板への成膜方法は、大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第一成膜工程と、前記第一成膜工程に使用した温度よりも高い温度下で、前記ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第二成膜工程と、前記第二成膜工程後に、前記ガラス基板をガラスの歪点以上の温度下で保持する歪取工程と、前記歪取工程後に、前記ガラス基板を室温近傍まで徐冷する徐冷工程とを備えることを特徴とする。本発明のガラス基板への成膜方法において、前記第二成膜工程で使用した温度が前記ガラスの徐冷点以上であることが好ましい。本発明のガラス基板への成膜方法において、前記徐冷工程において、前記ガラス基板の温度が5°C/分以上30°C/分以下の速度で低下するように冷却することが好ましい。本発明のガラス基板への成膜方法において、前記1層目の膜は、前記ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制するバリア層であり、前記2層目の膜は、透明導電膜であることが好ましい。この場合、前記1層目の膜は、SiO2からなり、前記第一成膜工程における温度は、常温にて噴霧されその後、200°C以上400°C以下で乾燥焼成されており、前記2層目の膜は、フッ素がドープされたSnO2からなり、前記第二成膜工程における温度は、550°C以上600°C以下であることがより好ましい。本発明のガラス基板への成膜方法はまた、前記第1成膜工程の前に、大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に下地膜前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して下地膜を形成する下地膜形成工程をさらに備え、前記下地膜は、プリズム層であり、前記1層目の膜は、前記ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制するバリア層であり、前記2層目の膜は、透明導電膜であることが好ましい。この場合、前記下地膜は、TiO2からなり、前記下地膜形成工程における温度は、200°C以上400°C以下であり、前記1層目の膜は、SiO2からなり、前記第一成膜工程における温度は、200°C以上400°C以下であり、前記2層目の膜は、フッ素がドープされたSnO2からなり、前記第二成膜工程における温度は、550°C以上600°C以下であることがより好ましい。本発明によれば、大気圧下で連続して成膜をすることができ、ガラス基板の割れおよび反りの発生を抑制してガラス基板上に高品質の膜を成膜できる。まず、本発明の実施形態1に係るガラス基板への成膜方法に用いる成膜装置について説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。本実施形態においては、薄膜太陽電池などに用いられる透明導電膜の成膜を例に説明するが、本発明はガラス基板上への様々な膜の成膜に応用可能である。<実施形態1>図1は、本発明の実施形態1に係るガラス基板への成膜方法に用いる成膜装置の構成を示す上面図である。図2は、ガラス基板への成膜方法に用いる成膜装置の構成を示す側面図である。図3は、本実施形態に係る成膜装置に含まれる成膜室の構成を示す断面図である。図4は、図3の成膜室を矢印III方向から見た図である。なお、図4においては、噴霧機構を簡略に図示している。図1および図2に示すように、本発明の実施形態に係る成膜装置10は、ガラス基板である基板200が投入される投入部11と、基板を洗浄する洗浄部16と、基板200が常温で成膜塗布処理される第一成膜部12と、第一成膜部12で成膜された基板を焼成する焼成部17と、基板200が成膜処理される第二成膜部13と、基板200を一定時間高温で保持する保持部18と基板が冷却される徐冷部14と、基板200が取り出される取出し部15とを有している。図1から4に示すように、成膜装置10は、基板200を搬送経路に沿って搬送する搬送手段である搬送コンベア110を備える。搬送コンベア110は、投入部11、洗浄部16、第一成膜部12、焼成部17、第二成膜部13、温度保持部18、徐冷部14および取出し部15に亘って設けられている。搬送コンベア110は、基板200が載置される搬送ベルト111と、搬送ベルト111が巻き掛けられたプーリ112と、プーリ112を駆動させる駆動軸113と、駆動軸113に動力を付与する図示しないモータとから構成されている。搬送ベルト111は、耐熱性を有する金属または樹脂から形成されている。基板200は、搬送コンベア110により矢印114で示す方向に搬送される。すなわち、本実施形態に係る成膜装置10においては、基板200の搬送経路は平面視において直線状である。ただし、搬送経路は直線状に限られず、搬送経路が平面視において屈曲していてもよいし、曲線状であってもよい。また成膜装置10は、搬送経路中に位置する複数の成膜室を備える。図1および図2には、基板200の搬送方向の上流側から順に、第一成膜部12に成膜室100a、第二成膜部13に成膜室100bがそれぞれ設けられた例を示している。本実施形態においては、2つの成膜室100100a,100bが設けられた例を示しているが、成膜室は3つ以上設けられていてもよい。さらに、成膜装置10は、複数の成膜室100のうち、少なくとも1つの成膜室100aは、基板が成膜位置で固定され、スプレーノズルがXYZの三方向に移動可能に設けられ、XY平面内すなわち被処理基板面に対して平行な面内において成膜材料が噴霧される。また、複数の成膜室100のうち、上述した成膜室100a以外の少なくとも1つの成膜室100bは、図3および図4に示す例のように、搬送経路に沿ってトンネル状に位置し、成膜室100bを順次通過する基板200を取り囲んで加熱する加熱炉120を備える。成膜室100bでは、図4に示すように、トンネル状の加熱炉120の上部に開口が設けられ、その開口内に筐体150が組み込まれることで、筐体150の下部が加熱炉120に覆われるように構成される。加熱炉120は、基板200を焼成または予熱するために、基板200の搬送方向の上流側に位置する成膜室100bより上流側から設けられている。すなわち、加熱炉120は、第一成膜部12で成膜された基板200を焼成する焼成部17、第二成膜部13および歪取りのための温度保持部に亘って設けられており、第一成膜部12には設けられていない。本実施形態に係る成膜室100は、微粒子化した成膜材料160を基板200上に堆積させて成膜する装置である。図3に示すように、成膜室100bは、筐体150と、筐体150の内部に成膜材料160を微粒子化したミストを噴霧する噴霧機構と、筐体150の1つの側壁に位置してミストを排気するための排気口152とを有している。図2に示すように、排気口152には、接続管310の一端が接続されている。接続管310の他端は、排気されたミストを無害化処理するガス処理手段である除害装置300に接続されている。図3に示すように、筐体150は、筐体150内を3つの空間に分割する仕切壁154を有している。第一の空間は、噴霧機構の一部が配置される噴霧機構配置空間158である。第二の空間は、噴霧機構からミストが噴霧されるミスト噴霧空間159である。第三の空間は、排気口152と繋がっている排気空間153である。筐体150は、ミスト噴霧空間159からミストを基板200上に流動可能とする、基板200と対向する開放部を有している。開放部は、筐体150の下部に形成されている。図2,3、4に示すように、開放部は、加熱炉120内に位置している。搬送コンベア110により搬送されている基板200と筐体150の開放部との間には、所定の隙間が設けられている。スプレーノズル130の端部に、スプレーノズル130を冷却する冷却手段である冷却ジャケット131が取り付けられている。冷却ジャケット131は図示しない冷却水供給管と接続され、冷却ジャケット131の内部では冷却水が循環している。また、噴霧機構は、スプレーノズル130の先端に取り付けられた筒状の整流部材132を含む。本実施形態においては、整流部材132は、内側面に位置してミストを整流するテーパ状の整流部134を有している。ただし、整流部134の形状はこれに限られず、たとえば、ラッパ状の形状を有していてもよい。整流部材132は、整流部材132の外側面の一部に接続された図示しない接続部材が冷却ジャケット131の外側面の一部に接続されることにより、冷却ジャケット131に取り付けられている。スプレーノズル130は、成膜材料160の溶液と圧縮空気との2流体を混合してミスト状に噴霧する2流体スプレーノズルである。ここで、ミストとは、平均粒子経が0.1μm以上100μm以下の液滴が気体中に分散された状態のものをいう。ミストの平均粒子径は、液浸法によって算出された値とする。ただし、噴霧機構はスプレーノズル130に限られず、超音波を用いてミスト状の成膜ガスを発生させるものでもよい。超音波振動子によってミスト状の成膜ガスを発生させる場合、スプレーノズル130によりミスト状の成膜ガスを発生させる場合に比べて、ミストの平均粒子径を均一にできるため、発生させたミスト同士が基板200に到達する前に凝集することを抑制できる。図4に示すように、複数のスプレーノズル130は、筐体150内において、基板200と対向して互いに間隔を置いて基板200の搬送方向と直交する方向に並んでいる。図4においては、3つのスプレーノズル130を配置しているが、スプレーノズル130の数は1つ以上であればよい。設けられるスプレーノズル130の数は、基板200の成膜処理の所望のタクトタイムを満たすために必要な単位時間当たりの成膜ガスの噴霧量、または、成膜処理を行なう上で必要な成膜速度に応じて適宜変更される。なお、スプレーノズル130は上述の冷却ジャケット131により水冷される。このように、スプレーノズル130の近傍を冷却することにより、スプレーノズル130から噴き付けられる前の成膜材料160の溶液が沸点以下の温度まで冷却される。より好ましくは、成膜材料160の溶液が室温程度まで冷却される。この冷却により、成膜材料160の溶液中の溶媒がスプレーノズル130内において揮発することを抑制できるため、噴き付けられる成膜材料160の溶液の濃度を一定に保つことができる。また、スプレーノズル130内において成膜材料160の溶液中の溶媒が揮発することによる成膜材料160の固化を抑制できる。その結果、一定の濃度の成膜材料160を用いて成膜できるため、基板200上に成膜される膜の品質を安定させることができる。また、固化した成膜材料160によるスプレーノズル130の目詰まりを抑制することができる。第二成膜工程において、成膜室100bで2層目の膜を形成するために用いられる成膜材料160の溶液としては、亜鉛、スズ、インジウム、カドミウムおよびストロンチウムからなる群より選択される無機材料の塩化物を、溶媒に溶解させた溶液を用いることができる。溶媒としては、水、メタノール、エタノールおよびブタノールなどを用いることができる。このような成膜材料160の溶液としては、たとえば、酢酸亜鉛を含む水溶液、酸化インジウム錫を含む水溶液および酸化錫を含む水溶液などを用いることができる。ただし、成膜材料160の溶液としてはこれに限られず、種々の溶液を用いることができる。成膜材料160の溶液の濃度は特に限定されないが、たとえば、0.1mol/L以上3mol/L以下の濃度である。噴き付け領域Aに到達したミストは、基板200の主面に沿って流動する。具体的には、仕切壁154の一部であって基板200の主面と対向している対向面と、基板200の主面との間を矢印183で示す向きにミストが流動する。ミストが矢印183で示す向きに流動する領域を、流路領域Bと称する。流路領域Bを通過したミストは、排気空間153内を矢印184で示す向きに流動する。このようにミストが基板の主面上から排気口152に向かう領域を、排気領域Cと称する。排気空間153内を通過して排気口152に到達したミストは、除害装置300により無害化されて排気ガス180として外部に放出される。なお、図2においては、除害装置300を図示していない。上記の噴き付け領域Aと流路領域Bと排気領域Cとから開放部が構成されている。ミストは、複数の成膜室100の各々において、噴霧機構から開放部を通過して排気口152に向けて流動する。なお、排気口152においては、導入口151から導入されるキャリアガス170の3倍~10倍程度大きな流量でミストを排気している。ただし、導入されるキャリアガス170の流量およびミストの排気流量は適宜設定される。スプレーノズル130の吐出圧力、キャリアガス170の流量および排気流量を適切に設定することにより、ミストを安定して基板200の上面に到達させることができる。図1に示すように成膜ミストが流動している状態で、開放部の近傍を基板200が通過することにより、基板200が成膜処理される。本実施形態の成膜装置10においては、開放部の近傍を基板200が通過するように搬送コンベア110が設けられている。基板200は、搬送コンベア110により、成膜室100bにおいて、噴き付け領域A、流路領域Bおよび排気領域Cを順に通過するように搬送される。基板200は、噴き付け領域A、流路領域Bおよび排気領域Cを通過する間に、主面上に成膜材料160の微粒子が堆積することにより成膜される。本発明における第二成膜工程を行なうための成膜室100bを例に挙げて上述したが、第一成膜工程を行なうための成膜室100aは、加熱炉120を備えないこと以外は、成膜室100aと同様である。第一成膜工程では、まず、第一成膜部12の成膜室100aで大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して1層目の膜を形成する。その後、加熱炉120を備える焼成部17で、乾燥焼成される。焼成部17における温度は特に制限されないが、第一成膜工程でアルカリバリア層としてSiO2からなる1層目の膜を成膜する場合には、200°C以上400°C以下の範囲内が好ましい。また本発明における第二成膜工程では、前記第一成膜工程に使用した温度よりも高い温度下で、前記ガラス基板上に酸化物前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して2層目の膜を形成する。第二成膜工程における温度は、第一成膜工程における上述した焼成部17での温度よりも高い温度であれば特に制限されないが、第二成膜工程で透明導電TCO:TransparentConductiveOxide膜としてフッ素がドープされたSnO2からなる2層目の膜を成膜する場合には、550°C以上600°C以下の範囲内が好ましく、550°C以上580°C以下の範囲内がより好ましい。なお、上述したアルカリバリア層は、基板200に含まれるアルカリ分によって太陽電池の性能低下を防止するためのものである。すなわち、アルカリバリア層は、ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制するバリア層である。そのため、基板200がアルカリ分を多く含まない材質からなる場合には、アルカリバリア層を形成しなくてもよい。本実施形態は、具体的には、まず、基板200を構成するガラスの徐冷点および歪点を、ビーム曲げ法により測定する。具体的には、所定の形状に切断および研削したガラスをビーム曲げ測定装置東京工業株式会社製を用いてビーム曲げ法ASTM-C598により測定する。ガラスの徐冷点は、降温下でのたわみ速度から求める。ガラスの歪点は計算により算出する。本実施形態に係るガラス基板におけるガラスの徐冷点は543°C以上548°C以下程度であり、ガラスの歪点は498°C以上503°C以下程度である。なお、ガラスの徐冷点とは、ガラスの内部歪が15分間で実質的に除去される温度で、徐冷域における上限温度に相当し、粘度が1013dPasに相当する温度である。ガラスの歪点とは、ガラスの粘性流動が事実上起こりえない温度で、徐冷域における下限温度に相当し、粘度が1014.5dPasに相当する温度である。好適な具体例を挙げると、第一成膜工程として、成膜室100aにおいて、酸化物前駆体である-SiH2-NH-を1mol/L、および、触媒アミン系0.08質量部、残部ジブチルエーテルの溶液を基板200上に噴霧する。この場合、成膜後の加熱焼成温度は、200°C以上かつガラスの歪点より低くなるように設定される。本実施形態においては、加熱焼成温度を室温以上400°C以下とする。より好ましくは、上述のように200°C以上400°C以下の範囲内の温度で焼成する。第一成膜工程により、基板200上にSiO2膜が形成される。ポリシラザンは室温で放置しても、SiO2膜が形成できるが、焼成を行ったほうが膜の安定性の面から好ましい。次に、第二成膜工程として、成膜室100bにおいて、酸化物前駆体であるSnCl45H2Oを0.9mol/L、NH4Fを0.3mol/L、HClを30vol、メタノールを2.5vol含む水溶液を基板200上に噴霧する。成膜室100b内の温度は、第一成膜工程での焼成の際の温度より高く、かつ、ガラスの徐冷点以上となるように設定される。上述のように、より好ましくは550°C以上600°C以下の範囲内、特に好ましくは550°C以上580°C以下の範囲内の温度とする。本発明のガラス基板への成膜方法では、第二成膜工程後に、歪取工程としてガラス基板をガラスの歪点以上、より好ましくはガラスの徐冷点以上の温度下で保持する。図1に示した成膜装置10を用いた場合には、成膜室100bより下流側に位置する加熱炉120内の温度を500°C以上550°C以下に保持する。ガラスの歪点以下では歪が取れにくく残留応力がガラス基板の内部に残ったままとなり、温度が550°Cを超えると、成膜装置10への負担が大きくなり好ましくない。保持時間としては、5分以上30分以下であることが好ましい。保持時間が5分より短い場合、熱履歴による基板200の内部歪を除去できない。保持時間が30分より長い場合、成膜タクトタイムが長くなり成膜効率が低下する。本実施形態においては、第二加熱温度をガラスの徐冷点以上となるように設定しているため、歪取工程の保持時間を短くすることができる。その結果、成膜タクトタイムを短くして成膜効率を向上できる。歪取工程後に、徐冷工程としてガラス基板を室温近傍まで徐冷する。徐冷速度は、成膜装置10の小型化および成膜タクトタイムの短縮化の観点から大きい方がよい。基板200の温度が5°C/分以上30°C/分以下の速度で低下するように空冷することが好ましい。より好ましくは、基板200の温度が10°C/分以上20°C/分以下の速度で低下するように空冷する。これにより、基板200の内部歪が残らないようにすることができる。基板200は、第一成膜部12に搬送され、第一成膜部12の成膜室100a内で、成膜材料をスプレー法にて塗布される。その後、基板200は、焼成するために焼成部17に搬送され、350°Cに昇温、保持される。その後、基板200は第二成膜部13に搬送され、第二成膜部13の成膜室100b内の噴き付け領域Aを通過する際に温度が低下する。その後さらに昇温した基板200は、徐冷部14を通過する間に室温近傍まで冷却される。なお、噴き付け領域Aで基板200の温度が低下する理由は、吹き付けられた水溶液の溶媒である水の気化熱により基板200の熱が奪われるためである。このように、スプレー法およびミスト法を用いて2層の膜を成膜する場合、基板200は加熱および冷却の繰り返しによる熱履歴を有することになる。この熱履歴により基板200に内部歪が蓄積されると、基板200に割れおよび反りなどが発生する。本実施形態においては、第二成膜工程における温度を第一成膜工程における温度よりも高くして基板200の内部歪の蓄積を抑制しつつ、歪取工程においてガラスの歪点以上、より好ましくは徐冷点以上の温度下で基板200を保持して基板200の内部歪を除去している。その結果、基板200に割れおよび反りが発生することを抑制しつつ、基板200上に高品質の2層の膜を成膜することができる。次に、本発明の第一成膜工程であるアルカリバリア層形成のためのスプレー法での塗布方法に係わるポリシラザン膜形成用塗布液に付き説明する。ポリシラザン本発明の塗布方法に係わるポリシラザンとは、珪素-窒素結合を持つポリマーで、Si-N、Si-H、N-HなどからなるSiO2、Si3N4、及び両方の中間固溶体SiOxNyなどのセラミック前駆体無機ポリマーである。基材を損なわないように塗布するには、特開平8-112879号公報に記載されているように、下記一般式で示されるポリシラザンを比較的低温でセラミック化してシリカに変性するものがよい。但し、式中のR1、R2、R3のそれぞれは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基などであって、本発明では得られるガスバリア膜としての緻密性からはR1、R2およびR3の全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザンが特に好ましい。一方、そのSiと結合する水素部分が一部アルキル基などで置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基などのアルキル基を有することにより基材との接着性が改善され、且つ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることが出来、より膜厚を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。用途に応じて適宜、これらパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することも可能である。パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と6および8員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量Mnで約600から2000程度ポリスチレン換算であり、液体又は固体の物質であり、分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン膜形成用塗布液として使用することができる。低温でセラミック化するポリシラザンの別の例としては、上記化学式で表されるポリシラザンに珪素アルコキシドを反応させて得られる珪素アルコキシド付加ポリシラザン特開平5-238827号公報、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン特開平6-122852号公報、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン特開平6-240208号公報、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン特開平6-299118号公報、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン特開平6-306329号公報、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン特開平7-196986号公報などが挙げられる。溶媒ポリシラザン膜形成用塗布液を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応してしまうようなアルコール系や水分を含有するものを用いることは好ましくない。具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素などの炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテルなどのエーテル類が使用することができる。具体的には、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベンなどの炭化水素、塩化メチレン、トリクロロエタンなどのハロゲン炭化水素、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類などがある。これらの溶剤は、ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度など、目的にあわせて選択し、複数の溶剤を混合してもよい。ポリシラザン膜形成用塗布液中のポリシラザンの濃度は、目的とするポリシラザン膜の膜厚、塗布液の寿命などを考慮し、0.2質量から10質量が好ましい。有機ポリシラザンは、そのSiと結合する水素部分が一部アルキル基などで置換された誘導体であってもよい。アルキル基、特に最も分子量の少ないメチル基を有することにより基材との接着性が改善され、且つ硬くて脆いシリカ膜に靭性を持たせることができ、より膜厚を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる。本発明においては、必要に応じて適当な充填剤を加えてもよい。充填剤の例としてはシリカ、アルミナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物系無機物或いは炭化珪素、窒化珪素などの非酸化物系無機物の微粉などが挙げられる。本発明の塗布方法に係るポリシラザン膜形成用塗布液には、必要に応じて各種顔料、レベリング剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、表面改質剤を加えてもよい。ポリシラザン膜の酸化珪素化合物への転化を促進するための触媒酸化珪素化合物への転化を促進するために、アミンや金属の触媒を添加することもできる。具体的には、AZエレクトロニックマテリアルズ株製アクアミカNAX120-20、NN110、NN310、NN320、NL110A、NL120A、NL150A、NP110、NP140、SP140などが挙げられる。ポリシラザン膜の酸化珪素化合物への転化図5aにポリシラザン膜の組成とその転化したもののIR分析を行った結果を示す。基板に塗布するだけで、空気中の水分と反応し、SiO2へ転化が起こり安定した特性を示す。その後、図5b150°Cで焼成した場合、図5c300°Cで焼成した場合、図5d400°Cで焼成した場合にそれぞれ示されるように、200°C以上400°C以下での焼成により、より強固な膜が得られる。<実施形態2>本発明のガラス基板への成膜方法では、前記第1成膜工程の前に、大気圧下において、常温あるいはそれより高い温度下で、ガラス基板上に下地膜前駆体を溶質として含む溶液を噴霧して下地膜を形成する下地膜形成工程をさらに備えることが、好ましい。以下、本発明の実施形態2に係るガラス基板への成膜方法について説明する。なお、本実施形態に係るガラス基板への成膜方法は、下地膜形成工程をさらに含む点のみ実施形態1に係るガラス基板への成膜方法と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。本実施形態においては、第一成膜工程の前に、下地膜形成工程において基板200上に下地膜としてプリズム層であるTiO2膜を形成する。その上に、上述した第一成膜工程にてアルカリバリア層としてSiO2からなる1層目の膜を形成する。さらにその上に、上述した第二成膜工程にて透明導電膜として、フッ素をドープされたSnO2からなる2層目の膜を形成する。本実施形態を行なう場合、上述した成膜装置10において、第一成膜工程を行なうための成膜室100aおよび焼成部17に加え、その基板200の搬送方向上流側に、下地膜形成工程を行なうための同様の成膜室100aおよび焼成部17をさらに備える成膜装置を用いることが好ましい。本実施形態の好適な具体例を挙げると、下地膜形成工程として、上述した成膜室100aにおいて、酸化物前駆体であるペルオキソチタン酸の水溶液0.1mol/L、過酸化水素水0.1mol/Lアンモニア濃度0.007mol/Lを用いた水溶液を基板200上に噴霧する。本実施形態においては、下地膜の焼成温度を200°C以上400°C以下とする。このような下地膜形成工程により、基板200上にTiO2膜が形成される。次に、第一成膜工程として、上述した成膜室100aにおいて、酸化物前駆体である-SiH2-NH-を1mol/L、および、触媒アミン系0.08質量部、残部がキシレンの溶液を基板200上に噴霧する。第一成膜工程では、加熱が必要ない場合もあるが、上述のように、焼成部にて、200°C以上400°C以下の温度より好ましくは300°C以上400°C以下の温度で焼成することが好ましい。第一成膜工程により、基板200上に形成された下地膜上に、SiO2からなる1層目の膜が形成される。第二成膜工程として、上述した成膜室100bにおいて、酸化物前駆体であるSnCl45H2Oを0.9mol/L、NH4Fを0.3mol/L、HClを30vol、メタノールを2.5vol含む水溶液を基板200上に噴霧する。成膜室100b内の加熱温度は、第一成膜工程における焼成の際の温度より高くかつガラスの徐冷点以上となるように設定される。本実施形態においては、成膜室100b内の加熱温度を好ましくは550°C以上600°C以下、より好ましくは550°C以上580°C以下とする。歪取工程および徐冷工程は、上述した実施形態1に係るガラス基板への成膜方法と同様に行なう。このように、ミスト法を用いて下地膜、1層目の膜および2層目の膜の3層の膜を成膜する場合、基板200は加熱および冷却の繰り返しによる熱履歴を有することになる。この熱履歴により基板200に内部歪が蓄積されると、基板200に割れおよび反りなどが発生する。本実施形態においては、第二成膜工程における加熱温度を下地膜形成工程における焼成の際の温度、ならびに、第一成膜工程における焼成の際の温度より高くして基板200の内部歪の蓄積を抑制しつつ、歪取工程においてガラスの徐冷点以上の温度下で基板200を保持して基板200の内部歪を除去している。その結果、基板200に割れおよび反りが発生することを抑制しつつ、基板200上に高品質の3層の膜を成膜することができる。なお、本発明は、ガラス基板上に4層以上の膜を成膜する場合にも適用可能である。この場合、成膜する際の加熱温度を1層毎順に高く設定し、最後に成膜する際の加熱温度をガラスの徐冷点以上にすることにより、ガラス基板の割れおよび反りの発生を抑制しつつ、ガラス基板上に高品質の膜を成膜することができる。<実験例1>以下、上述した実施形態1に係るガラス基板への成膜方法により成膜を行なった実験例について説明する。実施例1として、スプレー法を用いてポリシラザンを常温下において70nmの膜厚のSiO2膜1層目の膜を形成し、その後300°Cにおいて焼成を行い、次に透明導電膜として基板加熱温度を570°Cにして900nmの膜厚のSnO2膜2層目の膜を形成した。560°Cで15分間保持した後、室温まで徐冷した。比較例として、真空中において、スパッタリング法により、ガラス基板上に10nmの膜厚のTiO2膜を形成し、その上に30nmの膜厚のSiO2膜を形成し、さらにその上に900nmの膜厚のSnO2膜を形成した。実施例1で得られたSnO2膜からなるTCO膜の透過率は82、シート抵抗値は10Ω/□、ヘイズ率は10であった。また、飛行時間二次イオン質量分析計TOF-SIMSTime-of-flightsecondaryionmassspectrometerを用いて、実施例1および比較例のNaの分布を計測した。図6は、実施例1の計測結果を示すグラフである。図7は、比較例の計測結果を示すグラフである。図6および図7においては、縦軸にNaの検出強度、横軸に膜表面からの深さを示している。図6および図7に示すように、実施例1のTCO膜内のNaの検出強度が、比較例のTCO膜内のNa検出強度と略同様に低下していたことが分かる。すなわち、スパッタリング法により形成した25nmの膜厚のSiO2膜と略同等に、ミスト法により形成した70nmの膜厚のポリシラザン膜が、ガラス基板からアルカリ金属イオンが移行するのを抑制していたことがわかる。本実験例により、本実施形態に係るガラス基板への成膜方法により高品質の膜が形成できることが確認された。<実験例2>以下、上述した実施形態2に係るガラス基板への成膜方法により成膜を行なった実験例について説明する。実施例2として、焼成温度を340°Cにして20nmの膜厚のTiO2膜下地膜を形成し、焼成温度を400°Cにして50nmの膜厚のSiO2膜1層目の膜を形成し、加熱温度を570°Cにして900nmの膜厚のSnO2膜2層目の膜を形成した。520°Cで15分間保持した後、室温まで徐冷した。実施例2で得られたTiO2膜は高い屈折率2.5を示し、SnO2膜からなるTCO膜の透過率は81.2、シート抵抗値は8.6Ω/□、ヘイズ率は8.5であった。また、実施例2で作製されたTCO膜付基板を用いて薄膜太陽電池を作製してその特性値を測定した。その結果、太陽電池セルの出力が146.3W、開放電圧値が62.5V、短絡電流値が3.2A、フィルファクタが0.735であった。本実験例により、本実施形態に係るガラス基板への成膜方法により高品質の膜が形成できることが確認された。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"