有機発光装置OLEDであり、前記有機発光装置は:第1の電極;第2の電極;前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた有機発光層;及び前記第1の電極と前記発光層との間に設けられた有機電荷移動層とを含み、i前記電荷移動層が、前記発光層に面した前記電荷移動層の表面上がパターン化されるか又は表面構造を与えられ、及び/又はii前記発光層へ電荷移動を可能にする配列層が、前記電荷移動層及び前記発光層との間に設けられ、配列層は、前記発光層の分子の光学双極子が前記分子軸の共通の好ましい方向に向くことを促進する、OLED。請求項1に記載のOLEDであり、前記配列層が前記電荷移動層と前記発光層の間に設けられ、前記電荷移動層及び前記発光層の両方に直接接触する、OLED。請求項1に記載のOLEDであり、前記配列層が単分子層である、OLED。請求項2に記載のOLEDであり、前記電荷移動層の周期的構造が、10Aオングストロームから100nmの範囲の周期的寸法を持つ、OLED。請求項1に記載のOLEDであり、前記電荷移動層が、前記OLEDの層の全ての他の層の屈折率よりも小さい屈折率を持つ、OLED。請求項5に記載のOLEDであり、前記電荷移動層がフォトニック結晶を形成する、OLED。請求項5又は6のいずれか1項に記載のOLEDであり、前記電荷移動層の周期的構造が1nmから100μmの範囲の周期的寸法を持つ、OLED。請求項5又は6のいずれか1項に記載のOLEDであり、前記電荷移動層の周期的構造が1nmから1μmの範囲の周期的寸法を持つ、OLED。請求項7に記載のOLEDであり、前記フォトニック結晶の面内方向での光学密度が、パターン化されたか又は前記表面構造を持つ電荷移動層により抑制され、及び/又は前記層法線に関して定義された全内部反射角の臨界角θCよりも小さい角度を持つ方向での状態の光密度がパターン化されたか又は前記表面構造を持つ電荷移動層により強化される、OLED。請求項1に記載のOLEDであり、前記少なくとも1つの層が、溶液プロセスされる、OLED。請求項10に記載のOLEDであり、少なくとも前記電荷移動層が溶液プロセスされる、OLED。請求項1に記載のOLEDを製造する方法であり、前記方法は次のステップ:a層スタックの基礎を形成するために、基板上に第1の電極層を形成するステップ;b前記層スタック上に電荷移動層を形成するステップ;c表面構造を持つように前記電荷移動層をパターン化又はエンボス化するか又は前記電荷移動層上に配列層を形成するステップ;及び/又は前記電荷移動層に配列層を形成するステップ;d前記パターン化又はエンボス化された電荷移動層上に発光層を形成するか又は前記配列層上に発光層を形成して、それにより前記発光層の分子の分子軸が共通の好ましい方向に配列され;及びe前記層スタック上に第2の電極層を与えるステップ、を含む方法。請求項12に記載の方法であり、前記エンボス化がナノインプリント技術を用いて実施される、方法。請求項11に記載のOLEDを製造するための請求項12に記載の方法であり、前記少なくともステップbが溶液プロセス技術を用いて実施される、方法。請求項14に記載の方法であり、前記ステップd及びeの少なくとも1つが、真空処理技術を用いて実施される、方法。本発明の課題は、この問題を解決し、改善された光出力カップリングを持つOLEDを提供することである。本発明の第1の側面によると、この及び他の課題はOLEDにより達成され、前記OLEDには少なくとも:-第1の電極;-第2の電極;-前記第1及び第2の電極の間に設けられる有機発光層;及び-前記第1の電極と前記発光層との間に設けられる有機電荷移動層を含み、前記電荷移動層は、前記発光層に面する前記電荷移動層の表面上がパターン化されているか、又は周期的表面構造を有する、を含む。パターン化されているか又は前記周期的表面構造を持つ前記電荷移動層に代えて又はこれに加えて、前記OLEDは配列層を含み、これは前記発光層への電荷移動を可能とし、かつ前記電荷移動層と前記発光層との間に設けられ、前記配列層は、前記発光層の分子の光学的双極子を1つの共通の好ましい方向へ配列することを促進する。本発明は、異なる機構により前記OLEDの光出力カップリング効率を増加させ得る。いくつかの実施態様は主に前記機構の1つにより増加される出力カップリングを促進するために最適化され、一方他の実施態様は2又はそれ以上の機構を同時に利用して増加された出力カップリングを達成するように適合され得る。前記機構には:-前記発光層/電荷移動層境界の屈折性を、例えば前記発光層からこの境界への入射光の全内部反射の臨界角を増加させ、より多い光が前記電荷移動層及びまた前記ガラス基板を通過できるように、適合させること、-前記電荷移動層のフォトニック結晶特性を利用すること、ここで前記特性は、前記電荷移動層の面内方向の状態の光学密度の抑制、及び前記全内部反射の臨界角よりも小さい入射角前記発光層/電荷移動層境界でのに対応する方向の状態の光学密度の増加を含み、それによって多くの光が、前記発光層内に閉じ込められることなく前記電荷移動層を通過させること、-前記発光分子の光学的双極子の1つの好ましい方向に配列し、それにより、前記電荷移動層境界での実質的又は全反射を起こさない入射角を持つ方向に発光を向ける、ことを含む。前記機構のそれぞれは、発光層からの発光の抽出を改善し、これらの機構のそれぞれは、前記電荷移動層のパターン化又は前記発光層に面する表面上に周期的表面構造を持たせることで達成され得る。さらに、前記光学的双極子の配列はまた、通常前記電荷移動層と前記発光層の間の、前記発光層と直接接触して設けられる配列層により達成され得る。従って本発明はまたOLEDに関し前記OLEDには少なくとも:-第1の電極;-第2の電極;-前記第1の電極と第2の電極との間に設けられる有機発光層;及び-有機電荷移動層又は電荷移動層と追加の層を含む有機電荷移動層アセンブリを含み、前記電荷移動層又は電荷移動アセンブリが、前記第1の電極と前記発光層の間に設けられ、及び前記発光層の分子の光学的双極子の1つの共通の好ましい方向への配列を促進するように適合され、そこでi前記電荷移動層がパターン化されるか、又は前記発光層に面する前記電荷移動層の表面に周期的表面構造を持ち、パターン又は表面構造が前記配列を促進させ、及び/又はii前記電荷移動層アセンブリの追加の層が配列層であり、これは配列を促進し、及び前記電荷移動層と前記発光層との間に設けられる、OLEDである。前記光学的双極子の配列は通常は、前記発光層の分子の、分子軸が1つの共通の好ましい方向を指すように自己配列することにより達成され得る。前記発光層の分子の光学的双極子が1つの共通の方向へ配列されると、前記発光層内の前記双極子により生成される光は1つの特定の方向に発光される。前記分子軸及び従ってまた前記発光分子の光学的双極子の配列の制御により、発光の方向が制御され、より多くの光が隣接する層に透過され、発光層内への導光による閉じ込めがない。従って、発光層の分子が配列されない場合に比較してより多くの光が発光層から抽出され得る。通常は、前記配列層は、前記電荷移動層と前記発光層との間に設けられ、及び前記電荷移動層と前記発光層との両方に直接接触する。前記発光層への電荷移動が保証されるために、前記配列層は単分子層を含み得る。前記パターン又は周期的表面構造の好ましい寸法は、前記機構のうちの優勢な機構に依存する。本発明の実施態様では、前記電荷移動層の周期的構造は、10オングストロームAから100nmの範囲の周期的寸法を持ち、これは発光分子の配列を促進することで効果的に光出力カップリングを増加させるために適した範囲である。本発明の他の実施態様では、前記電荷移動層の周期的構造は、1nmから100μmの範囲、例えば1nmから1μmの範囲の周期的寸法を持つ。本発明の実施態様、特に光出力カップリング効率が前記機構1又は2の1つで増加される場合の実施態様では、前記電荷移動層は、前記OLEDの層の全ての他の層の屈折率よりも小さい屈折率を持ち得る。前記電荷移動層の低い屈折率は、前記発光層/電荷移動層境界での全内部反射の臨界角を増加するように寄与する。そのような実施態様では、前記電荷移動層の周期的構造は、1nmから100μmの範囲、例えば1nmから1μmの範囲での周期寸法を持ち得る。本発明の実施態様では、前記電荷移動層はフォトニック結晶を形成し得る。そのような実施態様では、前記フォトニック結晶の面内方向での状態の光学密度は、パターン化された又は前記表面構造を持つ電荷移動層により抑制され得る、及び/又は前記層垂直に関して定義される全内部反射の臨界角θCよりも小さい角度を持つ方向での状態の光学密度は、パターン化された、又は前記表面構造を持つ電荷移動層により強化され得る。従って、前記発光層から始まる前記正孔移動層への光の伝搬が強化される。そのような実施態様では、前記電荷移動層の周期的構造は、1nmから100μmの範囲、例えば1nmから1μmの範囲で周期的寸法を持ち得る。他の側面で、本発明はここで記載されたOLEDの製造の方法を提供し、前記方法は次のステップ:a基板上に第1の電極を設けて層スタックの基礎を形成するステップ;b前記層スタック上に電荷移動層を形成するステップ;c前記電荷移動層をパターン化するか、又は前記電荷移動層をエンボス化して表面構造を持たせるステップ;又はd前記パターン化又はエンボス化された電荷移動層上に発光層を形成するステップ、又は前記配列層上に発光層を形成し、それにより前記発光層の分子の軸が1つの共通の望ましい方向に配列され;及びe前記層スタック上に第2の電極を設けるステップ、を含む。ステップcのエンボス化はナノインプリント技術を用いて実施され得る。本発明の実施態様では、前記層の少なくとも1つが溶液プロセスで処理される。溶液プロセスは層の真空蒸着堆積よりも簡便であり、この製造プロセスをより簡単にかつ安価なものにする。また、溶液プロセスは、1つのステップで望ましい厚さの滑らかな層を製造することができる。具体的には、前記電荷移動層は溶液プロセスで処理され得る。従って、本発明の実施態様では、ステップbの少なくとも1つは溶液プロセス技術を用いて実施され得る。さらに、ステップd及びeの少なくとも1つは真空プロセス技術を用いて実施され得る。留意すべきことは、本発明は特許請求の範囲に記載される構成の全ての可能な組み合わせに関する、ということである。本発明のこれらの側面及び他の側面について、本発明の実施態様を示す添付の図面を参照して以下より詳しく説明される。図で示されるように、層及び領域ゾーンのサイズは説明目的のために誇張されており、本発明の実施態様の一般的な構造を説明するために与えられている。本発明者は次の知見を得た。即ち、OLEDの光出力カップリング効率は、発光層に隣接して層通常は、正孔移動層などの前記発光層と前記アノードの間に位置され、エンボス化された周期的表面構造を持つを設けるか、又は前記層をパターン化することで改善される、ということである。本発明者はさらに次の知見を得た。即ち、パターン化されるか又は前記周期的表面構造を持つ前記電荷移動相に代えて又は加えて、OLEDの光出力カップリング効率は、前記電荷移動層と前記発光層の間に配向層を取り入れることで、前記配向層が、前記発光層の分子の光学的双極子を共通する1つの好ましい方向へ配向させることで、改善される、ということである。図1は、本発明による有機発光装置の断面図を示す。前記OLED100は、ボトム発光構成のために従来の基板101例えばガラス基板上に設けられている。前記基板101上には、透明アノード102通常はインジウム-スズ酸化物ITO、有機正孔移動層103、有機発光層104及び従来のカソード105通常は金属から形成されるが設けられる。想定されるべきことは、前記装置はまた、前記アノード102と前記発光層104との間例えば正孔注入層又は電気阻止層、又は前記発光層104と前記カソード105例えば電子注入層又は移動層又は正孔阻止層との間、又はその両方に設けられる1又はそれ以上の追加の電荷移動又は電荷阻止層を含み得る、ということである。本発明の前記有機発光装置は、小分子OLEDsmOLED又はポリマー性有機光発光装置PLEDであり得る。正孔移動層103は、溶液プロセス技術又は真空堆積技術により製造され得る。通常、前記正孔移動層は、従来の溶液プロセス技術、例えばスピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディッピングなどの技術を用いて与えられる。さらに、前記正孔移動層HTL103は、前記発光層に面する前記HTLの表面の周期的パターンを形成する表面構造を持って与えられる。前記構造の周期寸法は、約1nmから100nmの範囲であり得る。前記表面構造は、エンボス化で与えられ得る。これにより、例えばナノインプリントリソグラフィ技術を用いる、エンボス化された表面構造が得られる。前記HTL、の最大厚さは通常は、1nmから1μmの範囲、例えば約100nmである。前記望ましい厚さは、前記HTLの材料に依存し、又前記装置の全体の設計又は構造にも依存する。いかなる理論にも縛られることなく、次のことが考えられる。即ち、外部量子収率の増加は、主に、前記正孔移動層の特性に依存して、本発明の異なる実施態様での異なる機構により主に達成され得る、ということである。例えば、本発明の実施態様では、前記正孔移動層103は、前記隣接する発光層104の屈折率よりも低い屈折率を持ち得る。前記正孔移動層の低屈折率及び、パターン化又は表面構造化の組み合わせにより、前記正孔移動層内にできるだけ閉じ込められることなく前記透明基板を通じて透過することを保証される。前記アノード通常ITOは、前記発光層の屈折率と類似する屈折率を持ち得る。本発明の他の実施態様では、前記正孔移動層103はフォトニック結晶を形成する。そのようなフォトニック結晶では、前記正孔移動層がパターン化されているか又は前記のような表面構造を持つことから、面内方向での光学密度を下げ及び/又は全内部反射θc、前記層の垂直に対しての臨界角よりも小さい入射角を持つ方向での状態の光学密度を上げる。従って、前記正孔移動層を通る前記発光層からの光の伝播が増加する。フォトニック結晶HLTは前記発光層104の屈折率よりも小さい屈折率を持ち得る。前記のフォトニック結晶を用いる本発明の実施態様では、前記正孔移動層の構造化表面は、前記発光層内のパターン化発光を与えるように適合され得る。図2は、発光層204と直接接触する構造化正孔移動層203を含むOLEDの部分を示す。前記構造化構成により、前記HTL203のある領域203aは他の領域203bよりも小さい厚さの層を持つ。領域203aのより小さい厚さが、正孔について最も低い抵抗値を与えることから、正孔は優先的に領域203aを介して注入され、発光は従って前記正孔移動層の領域203aに隣接する発光層の領域204aで優先的に起こることとなる。図3で示される他の実施態様では、前記正孔移動層の小さい厚さの領域は除かれ例えば、異方性の反応性イオンエッチングにより、パターン化不連続の正孔移動層が形成される。ここでは、正孔は残る正孔移動層の領域303aを通じてのみ注入され、従って光は前記HTLの領域303aに隣接する発光層の領域304aから発光されることとなる。そのような局所的発光領域の空間分布は、光を強め合う干渉の方向を制御することを可能にする。従って光の強め合う干渉が、全内部反射の臨界角よりも小さい前記発光層/HTL境界での入射角を持つ方向で達成され得る。さらに光の弱め合う干渉が、全内部反射の臨界角よりも大きい入射角を持つ方向で達成され得る。従って、発光の方向は、前記発光層-HTL境界での全内部反射が低減、最小化又は完全に抑制されるように適合され得る。ここで使用される、層についてのパターン化とは、前記層が不連続であり、その基礎表面上にあるパターンが形成されている例えば、リソグラフィ又はエッチングにより、最初の連続層の選択された部分を除去することで形成されることを意味する。ここで使用される、層についての構造化された表面又はエンボス化とは、前記層が、その表面上を部分的にパターン化されてインプリントを形成するか、エンボス化されるが、層厚さは完全には除去されずに基礎層又は基板の表面が暴露される、ことを意味する。従って表面構造化又はエンボス化層は連続である。さらに本発明者は、OLEDの光出力カップリングはまた、前記発光層の分子を配列させて、前記発光分子の分子軸を1つの共通の好ましい方向に配列させるようにすることで、改善されるということを見出した。前記発光層の分子の分子軸の配列のよって、前記分子の光学双極子が配列され、それにより光が既定の方向に発光する。従って、前記分子軸の配列を促進又は制御することで、発光の方向が促進又は制御されて、全内部反射を起こさない方向での光の発光を増加させ、それにより全内部反射を起こす方向での光の発光を低減又は抑制して、光出力カップリングを増加させることとなる。前記配列される分子軸の好ましい方向に関して配列された光学双極子の好ましい方向は、使用される材料に依存し、さらにこれらの方向はお互いに異なり得る。前記発光分子の配列は、前記配列を促進する周期的表面構造でエンボス化された正孔移動層の上に発光層を堆積することで達成され得る。従って、図1に記載されたHTL、のパターン化又は表面構造はまた光学双極子の配列に寄与し、それにより前記の機構による光出力カップリングを増加させることができる。しかし、前記HTLの異なる寸法のパターン又は周期的表面構造であっても多かれ少なかれ前記配列効果を達成する、ということも考えられる。例えば、分子軸の配列を促進するために。HTLのパターン又は表面構造は、1nmから100nmの範囲、又はより小さい範囲、例えば約10Aオングストローム又は20Aから100nmまでの範囲を持ち得る。前記パターン又は表面構造のより大きい寸法、例えば1μmまで又は100μmなどのより大きい寸法は、前記発光分子の配列を促進するというより、主に低屈折率との組み合わせにより光出力カップリングを増加させ得る。従って、HTLのパターン又は表面構造の最適寸法は、本発明の異なる実施態様についてそれぞれ異なり得る。ここで使用される自己配列とは、小さい分子の分子軸が1つの共通の好ましい方向に配列されるように、小分子自ら配列する現象を意味する。ここで使用される共通の好ましい方向とは、物質又は材料の異方性の現象を意味し、そのような物質又は材料発光物質の分子の分子軸が、前記分子を配列するように誘導する前記物質が堆積された上に存在する物理的及び/又は化学的構造などの特定の状態に置かれた場合に、自動的に配列する方向を意味する。留意すべきことは、ここで用語好ましいとの表現は、選択的な構成でなく、前記物質自体の性質を意味する、ということである。発光物質の分子が配列すると、分子軸は一般には共通の好ましい方向を指す。この共通の好ましい方向は実質的に前記層平面に垂直であり得るか、又は前記層平面に関して傾いている。従来の小分子OLEDsmOLEDでは、発光分子の光学双極子は発光層内でランダムに配列され、光は全ての方向から発光され、従っていくらかの光は道光により失われる。ポリマー性OLEDPOLEDはしかし、ある程度の分子秩序性配列を有する。従って、本発明のこの実施態様はsmOLEDの応用に最も効果的であり得るが、PLEDでもポリマー性発光物質の分子秩序性をさらに増加させるために使用され得る。HTL103の表面構造は、前記発光層104が前記構造上に適用されると、1つの共通の好ましい方向に発光物質の分子軸の自己配列を促進し得る。発光物質の自己配列は知られた方法で検出でき、例えばD.Yokoyama、M.Moriwake及びC.AdachiのSpectrallynarrowemissionsatcutoffwavelengthfromedgesofopticallyandelectricallypumpedanisotropicorganicfilmsJournalofAppliedPhysics2008、103、123104に記載されている。又は、前記分子軸の配列及びそれによる光学的双極子の配列は前記発光層に隣接する別の配列層例えば、前記正孔層上に設けられるを用いて達成できる。配列層は、前記のパターン化又は表面構造化された正孔移動層と組み合わせて使用され得る。図4は、本発明の1つの実施態様によるOLEDを示し、発光分子の自己配列は、前記正孔移動層上に設けられ、前記発光層に直接接触する配列層により達成される。前記装置400は、図1を参照して説明された、基板401、アノード402、発光層404及びカソード405、滑らかな正孔移動層404及び前記正孔移動層403及び発光層404との間に配置された薄い配列層406これは発光分子の配列を促進するを含む。発光層から、発光層への電荷移動を制限しないように、前記配列層は電荷移動ここでは、下の電荷移動層から前記発光層への正孔移動を可能とする。従って、この実施態様の配列層は導電性又は半導電性であり得る。しかし従来の配列層はしばしば絶縁性物質である。前記電荷移動を可能とするために、前記配列層ポリイミドなどの従来の配列層物質を含み得るは、分子の単一層から形成される単分子層などのように非常に薄く作られ得る。そのような層では、トンネル確率が許容される電荷移動を与えるに十分に高くなる。しかし、前記配列層はまた、前記物質を化学的に導電性に変性され得る。前記配列層は、ポリイミド又はポリフェニレンビニレンなどの従来の配列物質を含み得る。前記配列層が単分子層である実施態様では、自己配列単分子層SAMであり得る。自己配列単分子層の例には、チオール系、特にアントラセン-2-チオールanthracence-2-thiolSAMなどのアセンチオールacenethiol系SAMが含まれる。金基板上のアントラセン-2-チオールSAMの形成及び構造についての研究は、D.Kafer、G.Witte、P.Cyganik、A.Terfort及びC.WollのAcomprehensivestudyofself-assembledmonolayersofanthracencethiolongold:effects、structure、andstabilityJAmChemSoc.、2006、128、1723-1732に記載されている。前記配列層は、例えばこすったり、又は光照射光配列により処理して前記配列層の分子の望ましい方向を与えることができる。図4の装置は場合により1又はそれ以上の追加の前記有機層を含み得る。前記のように、発光分子の自己配列は、図1を参照して上で説明した表面構造を持つ正孔移動層103及び図4の配列層406との組み合わせにより達成され得る。従って、前記配列層は、図4の滑らかな正孔移動層403か、図1の構造化正孔層103のいずれかと組み合わせて使用され得る。本発明の装置の正孔移動層は、優れた正孔移動性を持つ、PEDOTなどの従来の物質から作られ得る。これはドープされているか、されていなくてもよい。又は前記正孔移動層は、真空蒸着されたか又は印刷された小分子物質からなり得る。さらに本発明は前記の装置を製造する方法を提供する。前記方法は:a層スタックの基礎を形成するために、基板上に第1の電極層を形成し;b前記層スタック上に電荷移動層を形成し;c表面構造を持つように前記電荷移動層をパターン化又はエンボス化するか又は前記電荷移動層上に配列層を形成し;d前記パターン化又はエンボス化された電荷移動層上に発光層を形成するか又は前記配列層上に発光層を形成して、それにより前記発光層の分子の分子軸が共通の好ましい方向に配列され;及びe前記層スタック上に第2の電極層を与える、ことを含む。前記電荷移動層は、通常は正孔移動層であり、前記第1の電極、通常はアノード上に直接形成され得る。しかし、場合により1又はそれ以上の有機層例えば電荷注入層、特に正孔注入層が前記第1の電極と前記電荷移動層との間に設けられ得る。そのような実施態様では、1つのステップで前記電荷注入層が前記第1の電極上に形成され、続くステップで前記電荷移動層が前記電荷注入層の上に形成され得る。前記のように、前記正孔移動層のパターン化又はエンボス化は、例えばナノインプリントリソグラフィなどの知られたパターン化技術により達成され得る。そのような技術は、例えば、JanHaisma等のMold-assistednanolithography:AprocessforreliablepatternreplicationJVacSciTechnol1996、B1464124-4128、StephenY.Chou等のNanoimprintlithographyJVacSciTechno1996、B1464129-414133、MarcVerscuuren及びHansvanSprangの3Dphotonicstructuresbysol-gelimprintlithographyMaterResSocSympProc2007、1002-N03-05、及びHelmutSchiftのNanoimprintlithography:AnoldstoryinmoderntimesAreviewJVacSciTechnol2008、B262、458-480に記載されている。パターン化又は表面構造化正孔移動層及び配列層を両方含む実施態様では、前記ステップcには、前記正孔移動層をパターン化又はエンボス化し、及び続いて前記配列層を前記正孔移動層上に適用することの両方を含む。本発明の実施態様では、ステップcで少なくとも前記正孔移動層は、スピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷又はディッピングなどの従来の溶液プロセス技術により形成され得る。そのような実施態様では、溶液プロセスで適用される層、例えば正孔移動層は溶液プロセス可能な材料から作られる。通常前記層、例えば場合によりドーパント物質を含み得る正孔移動材料は、固体として与えられ、前記装置スタック上に適用される前に有機溶媒中に溶解される。さらに、少なくとも電荷移動層が溶液プロセスで形成されるような実施態様では、ステップe及びfの少なくとも1つは、ハイブリッドOLEDを製造するように真空プロセス技術で達成され得る。本発明の実施態様の配列層は、溶液プロセス、通常はスピンコーティングにより形成され得る。又は、配列層が単分子層である実施態様では、前記単分子層は蒸発により適用され得る。さらに、前記配列層は、前記配列層分子の特定の方向を与え、それにより続いて適用される前記発光層の分子の特定の配列を促進するために、ひっかき又は光配列の対象とされる。当業者は、本発明が前記好ましい実施態様に全く限定されるものではない、いうことを理解する。逆に、多くの修正変更が添付の特許請求の範囲の範囲内で可能である。例えば、前記OLEDはトップ発光装置として構成され得る。そのような実施態様では、前記パターン化されるか周期的表面構造が与えられた電荷移動層は、前記カソード層及び前記発光層の間に設けられた電荷移動層であり得、及び任意の配列層は前記電荷移動層と前記発光層との間に設けられ得る。又は、他の実施態様では、前記OLEDスタックはフリップされ、前記カソードが前記基板上に位置する第1の電極を形成し、前記アノードが前記装置の最上部層を形成する。