直径、密度及び平坦度のうち少なくとも一つの特性が相違する少なくとも二種類の熱電半導体材料からなる複数の半導体層が積層されて構成される熱電素子。熱電半導体材料からなる第1半導体層と、前記第1半導体層を構成する材料と直径、密度及び平坦度のうち少なくとも一つの特性が相違する熱電半導体材料からなる第2半導体層と、を含む熱電素子。前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に積層されて構成される請求項2に記載の熱電素子。前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に積層され、少なくとも3層以上に構成される請求項2に記載の熱電素子。前記第2半導体層を構成する材料の直径が、前記第1半導体層を構成する材料の直径の5倍以上である請求項2に記載の熱電素子。前記第1半導体層を構成する材料の直径は10nm~900μmである請求項2に記載の熱電素子。前記第2半導体層の密度は、前記第1半導体層の1.5倍以上である請求項2に記載の熱電素子。前記第1半導体層を構成する材料の短軸/長軸の比率と、前記第2半導体層を構成する材料の短軸/長軸の比率との比は、1:0.1~0.9の範囲である請求項2に記載の熱電素子。前記第1半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項2に記載の熱電素子。前記第2半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項2に記載の熱電素子。熱電半導体材料からなる第1熱電層と、熱電半導体材料からなる領域と金属材料からなる領域とが結合されてなる第2熱電層と、を含む熱電素子。前記第1熱電層と前記第2熱電層とが交互に積層されて構成される請求項11に記載の熱電素子。前記第1熱電層と前記第2熱電層とが交互に積層され、少なくとも3層以上に構成される請求項11に記載の熱電素子。前記第2熱電層は、層を異にして備えられる度に熱電半導体材料からなる領域と金属材料からなる領域の位置が変更される請求項11に記載の熱電素子。前記第1熱電層を構成する熱電半導体材料と、前記第2熱電層を構成する熱電半導体材料は、直径が相違する請求項11に記載の熱電素子。前記第1熱電層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項11に記載の熱電素子。前記第2熱電層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項11に記載の熱電素子。熱電半導体材料からなる半導体層と、前記半導体層を構成する材料と直径が相違する熱電半導体材料及び非半導体材料が混合されてなる複合半導体層と、を含む熱電素子。前記半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項18に記載の熱電素子。前記複合半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分される請求項18に記載の熱電素子。前記半導体層と前記複合半導体層とが交互に積層される請求項18に記載の熱電素子。前記半導体層と前記複合半導体層が交互に積層され、少なくとも3層以上に構成される請求項18に記載の熱電素子。前記半導体層を構成する材料の直径は、10nm~900μmである請求項18に記載の熱電素子。請求項1から23のうち何れか一つに記載の熱電素子を含む熱電モジュール。互いに対向する第1電極及び第2電極が備えられ、前記熱電素子はP型単一タイプで前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて構成される請求項24に記載の熱電モジュール。互いに対向する第1電極及び第2電極が備えられ、前記熱電素子はN型単一タイプで前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて構成される請求項24に記載の熱電モジュール。一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板が備えられ、前記熱電素子はP型単一タイプで前記上部基板と前記下部基板との間に介在されて構成される請求項24に記載の熱電モジュール。一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板が備えられ、前記熱電素子はN型単一タイプで前記上部基板と前記下部基板との間に介在されて構成される請求項25に記載の熱電モジュール。前記上部基板及び下部基板は絶縁基板であり、前記上部基板及び前記下部基板の凹み部が備えられた面には導電性物質が塗布されて構成される請求項27または28に記載の熱電モジュール。互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、N型またはP型のうち何れか一つの単一タイプで備えられる複数の熱電素子と、を含む熱電モジュール。一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板と、前記凹み部に一部が挿入され、前記上部基板と前記下部基板との間に介在される熱電素子と、を含む熱電モジュール。前記上部基板及び前記下部基板は絶縁基板であり、前記上部基板及び前記下部基板の凹み部が備えられた面には導電性物質が塗布されて構成される請求項31に記載の熱電モジュール。上述のような問題点を解決するために導き出された本発明は、熱電素子の熱電性能指数を向上させることができる熱電素子を提供することを目的とする。また、本発明は、熱電性能指数が向上された熱電モジュール及び信頼性と製造効率が向上された熱電モジュールを提供することを他の目的とする。上述のような目的を果たすための本発明による熱電素子は、直径、密度及び平坦度のうち少なくとも一つの特性が相違する少なくとも二種類の熱電半導体材料からなる複数の半導体層が積層されて構成される。また、熱電半導体材料からなる第1半導体層と、前記第1半導体層を構成する材料と直径、密度及び平坦度のうち少なくとも一つの特性が相違する熱電半導体材料からなる第2半導体層と、を含んで構成されることができる。この際、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に積層されて構成されることが好ましい。また、前記第1半導体層と前記第2半導体層とが交互に積層され、少なくとも3層以上に構成されることができる。また、前記第2半導体層を構成する材料の直径が、前記第1半導体層を構成する材料の直径の5倍以上であることが好ましい。この際、前記第1半導体層を構成する材料の直径は10nm~900μmであることが好ましい。一方、前記第2半導体層の密度は、前記第1半導体層の1.5倍以上となるようにして層を区分することができる。また、前記第1半導体層を構成する材料の短軸/長軸の比率と、前記第2半導体層を構成する材料の短軸/長軸の比率との比は、1:0.1~0.9の範囲となるようにして層を区分することができる。また、前記第1半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されるようにすることができる。また、前記第2半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されるようにすることができる。一方、本発明による熱電素子は、熱電半導体材料からなる第1熱電層と、熱電半導体材料からなる領域と金属材料からなる領域とが結合されてなる第2熱電層と、を含んで構成されることができる。この際、前記第1熱電層と前記第2熱電層とが交互に積層されて構成されることが好ましい。また、前記第1熱電層と前記第2熱電層とが交互に積層され、少なくとも3層以上に構成されることが好ましい。また、前記第2熱電層は、層を異にして備えられる度に熱電半導体材料からなる領域と金属材料からなる領域の位置が変更されることが好ましい。また、前記第1熱電層を構成する熱電半導体材料と、前記第2熱電層を構成する熱電半導体材料は、直径が相違するように構成することが好ましい。また、前記第1熱電層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されることが好ましい。また、前記第2熱電層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されることが好ましい。一方、本発明による熱電素子は、熱電半導体材料からなる半導体層と、前記半導体層を構成する材料と直径が相違する熱電半導体材料及び非半導体材料が混合されてなる複合半導体層と、を含んで構成されることもできる。この際、前記半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されることができる。また、前記複合半導体層を構成する材料の直径は、少なくとも二種類以上の値に区分されることができる。また、前記半導体層と前記複合半導体層とが交互に積層されることが好ましい。また、前記半導体層と前記複合半導体層とが交互に積層され、少なくとも3層以上に構成されることが好ましい。また、前記半導体層を構成する材料の直径は、10nm~900μmであることが好ましい。一方、本発明による熱電モジュールは上述の熱電素子を含んで構成されることができる。この際、互いに対向する第1電極及び第2電極が備えられ、前記熱電素子はP型単一タイプで前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて構成されることができる。また、互いに対向する第1電極及び第2電極が備えられ、前記熱電素子はN型単一タイプで前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて構成されることができる。また、一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板が備えられ、前記熱電素子はP型単一タイプで前記上部基板と前記下部基板との間に介在されて構成されることができる。また、一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板が備えられ、前記熱電素子はN型単一タイプで前記上部基板と前記下部基板との間に介在されて構成されることができる。この際、前記上部基板及び下部基板は絶縁基板であり、前記上部基板及び前記下部基板の凹み部が備えられた面には導電性物質が塗布されて構成されることができる。一方、本発明による熱電モジュールは、互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に介在され、N型またはP型のうち何れか一つの単一タイプで備えられる複数の熱電素子と、を含んで構成されることができる。また、一側面に複数の凹み部が形成された上部基板及び下部基板と、前記凹み部に一部が挿入され、前記上部基板と前記下部基板との間に介在される熱電素子と、を含んで構成されることもできる。この際、前記上部基板及び下部基板は絶縁基板であり、前記上部基板及び前記下部基板の凹み部が備えられた面には導電性物質が塗布されて構成されることができる。上述のように構成された本発明による熱電素子及び熱電モジュールは、フォノンの散乱現象が各層の境界部分で活発に発生するため、熱電性能指数が向上される有用な効果を提供する。また、本発明は、単一タイプの複数の熱電素子を並列連結することにより、従来の直列連結構造に比べて信頼性が改善され、電極構造及び組立過程を単純化することができるため、熱電モジュールの製作工程の効率性が向上されるという有用な効果を提供する。また、本発明は凹み部が備えられた基板を利用して熱電モジュールの組立工程の効率を向上させることができるため、製造時間及び製造コストを低減することができるという有用な効果を提供する。本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付図面とともに詳細に後述される実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されず、相異なる多様な形態で具現されることができる。本実施例は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明が属する技術分野にて通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一参照符号は同一構成要素を示す。本明細書で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる含むcomprise及び/または含んでいるcomprisingは言及された構成要素、段階、動作及び/または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び/または素子の存在または追加を排除しない。以下、添付された図面を参照して本発明の構成及び作動をより詳細に説明する。図1は電源部を除いた熱電モジュールの構造を例示している。一般的に、熱電素子thermoelectricelement100はN型とP型の半導体が用いられ、複数の対を構成するN型とP型の半導体を平面に配列し、これを再び金属電極を利用して直列連結してモジュールを構成する。モジュールに電流を印加すると、一方の金属電極でキャリアcarrierである電子electron、e-と正孔hole、hが生成され、N型半導体には電子が、P型半導体には正孔が夫々流れて熱を伝達し、これらキャリアは反対側電極で再結合される。一方、一般的な熱電素子100の熱電性能指数は数式1の通りである。ここで、zTは熱電性能指数、αはゼーベック係数、σは電気伝導度、kは熱伝導度、Tは温度を意味する。数式1で表されるように、熱伝導度と電気伝導度は互いに相互連関性を有している。また、電子は熱と電気をともに移動させ、フォノンは熱を移動させる媒体である。数式1のように、電気伝導度と熱伝導度は互いに反比例の関係にあるため、熱電性能指数であるzTを向上させるためには、熱電素子100の端から反対側端に電子を円滑に移動させることにより電気伝導度を高める一方、フォノンの散乱を増加させなければならない。本発明で開示する熱電素子100は、多様な方式で層状構造を備え、各層の境界部分及び熱電素子100全体でフォノンの散乱現象が増加されることにより、熱電性能指数zTが向上される目的を果たすことができる。本発明の発明者は、上述のようにフォノンの散乱現象を増加させる構造に対して鋭意検討した結果、物理的特性が相違する層を積層して熱電素子100を構成する技術を完成するに至った。即ち、本発明は、熱電素子100の直径、密度及び平坦度のうち少なくとも一つの特性が相違する少なくとも二種類の熱電半導体材料から夫々なる複数の半導体層を積層するか、または、熱電半導体材料からなる領域と金属材料からなる領域とを含んで構成されるシートを利用するか、または、特定層に非半導体材料を添加することにより、熱電素子100を構成する層の物理的特性を相違するようにしたものである。以下、添付された図面を参照して本発明の各実施例による構成をより詳細に説明する。<第1実施例>図2は本発明の第1実施例による熱電素子100の構成を例示している。図2を参照すると、熱電素子100は、熱電半導体材料からなる第1半導体層110と、前記第1半導体層110を構成する材料と直径が相違する熱電半導体材料からなる第2半導体層120と、を含んで構成されることができる。この際、前記第1半導体層110と第2半導体層120とを交互に積層して層間界面での物理的特性差を極大化することができ、3層以上に構成することもできる。また、物理的特性差による界面効果を考慮して、前記第2半導体層120を構成する材料の直径が第1半導体層110を構成する材料の直径の5倍以上となるようにすることが好ましい。第1半導体層110と第2半導体層120との直径差が小さすぎると界面効果が小さく、界面でのフォノン散乱現象の増加が微小であるため、所期の目的を果たすことができなくなる。一方、前記第1半導体層110を構成する材料の直径は10nm~900μmであることが好ましい。<第2実施例>図3は本発明の第2実施例による熱電素子100の構成を例示している。図3を参照すると、熱電素子100は、熱電半導体材料からなる第1半導体層110と、前記第1半導体層110を構成する材料と密度が相違する熱電半導体材料からなる第2半導体層120と、を含んで構成されることができる。この際、層間界面効果によるフォノン散乱現象の効率的な増加を図るために、前記第2半導体層120の密度は第1半導体層110の1.5倍以上となるようにすることが好ましい。密度差が小さすぎると界面効果が小さく、界面でのフォノン散乱現象の増加が微小であるため、所期の目的を果たすことができなくなる。また、前記第1半導体層110と第2半導体層120とを交互に積層して層間界面での物理的特性差を極大化することができ、3層以上に構成することもできる。<第3実施例>図4は本発明の第3実施例による熱電素子100の構成を例示している。図4を参照すると、熱電素子100は、熱電半導体材料からなる第1半導体層110と、前記第1半導体層110を構成する材料と平坦度が相違する熱電半導体材料からなる第2半導体層120と、を含んで構成されることができる。前記平坦度は、粒子の長軸及び短軸の比率に数値化されることができる。即ち、前記第1半導体層110を構成する材料の短軸/長軸の比率と前記第2半導体層120を構成する材料の短軸/長軸の比率とが相違することにより、前記二つの層の界面でフォノン散乱現象が増加することができる。この際、前記第1半導体層110と第2半導体層120との短軸/長軸の比率の比は、1:0.1~0.9の範囲となるようにすることで、層間界面でのフォノン散乱現象を極大化することができる。また、前記第1半導体層110と第2半導体層120とを交互に積層して層間界面での物理的特性差を極大化することができ、3層以上に構成することもできる。<第4実施例>図5は本発明の第4実施例による構成を例示している。図5を参照すると、前記第1半導体層110を構成する材料の直径または前記第2半導体層120を構成する材料の直径を、少なくとも二種類以上の値に区分することにより、フォノン散乱現象をより増加させることができる。即ち、第1半導体層110は直径が相違する少なくとも2種類の粒子で構成し、第2半導体層120は直径が同一の粒子で構成すると、第1半導体層110と第2半導体層120との間の界面での物理的特性が相違するようになり、フォノン散乱現象が増加するようになる。<第5実施例>図6は本発明の第5実施例による熱電素子100の構成を例示している。図6を参照すると、熱電半導体材料からなる第1熱電層130と、熱電半導体材料からなる領域141と金属材料からなる領域142とが結合されてなる第2熱電層140と、を含んで熱電素子100を構成することができる。この際、前記金属材料として用いられる物質は、Cu、Ag、Ni、Pd、Al、Bなどがあり、これに限定されない。一方、前記第1熱電層130と第2熱電層140とを交互に積層して構成することが好ましく、少なくとも3層以上に構成することができる。この際、前記第2熱電層140は層を異にして備えられる度に、熱電半導体材料からなる領域141と金属材料からなる領域142との位置が変更されるようにして、フォノン散乱現象をより増加させることができる。<第6実施例>図7は本発明の第6実施例による熱電素子100の構成を例示している。図7を参照すると、前記第1熱電層130を構成する熱電半導体材料と、前記第2熱電層140を構成する熱電半導体材料の直径を相違するようにして、層間界面効果によるフォノン散乱現象を増加させることができる。また、図5の第4実施例で例示したように、前記第1熱電層130を構成する材料の直径または第2熱電層140を構成する材料の直径を、少なくとも二種類以上の値に区分されるようにして、フォノン散乱現象をより増加させることができる。<第7実施例>図8は本発明の第7実施例による熱電素子100の構成を例示している。図8を参照すると、熱電半導体材料からなる半導体層150と、前記半導体層150を構成する材料と直径が相違する熱電半導体材料及び非半導体材料が混合してなる複合半導体層160と、を含んで熱電素子100を構成することができる。前記複合半導体層160に備えられる非半導体材料はフォノンの散乱を誘発することができ、前記半導体層150と複合半導体層160との間の界面でもフォノン散乱現象が増加する。この際、前記半導体層150を構成する材料の直径は少なくとも二種類以上の値に区分されることができ、前記複合半導体層160を構成する材料の直径は少なくとも二種類以上の値に区分されることができる。一方、前記半導体層150と複合半導体層160とを交互に積層することが好ましく、少なくとも3層以上に構成することができる。また、前記半導体層150を構成する材料の直径は10nm~900μmであることが好ましい。また、前記半導体層または複合半導体層を構成する材料の直径は2以上のサイズに区分されることもできる。<第8実施例>図面で例示していないが、本発明の第8実施例による熱電モジュールは、第1実施例から第7実施例で説明した熱電素子100を含んで構成されることができる。<第9実施例>図9は本発明の第9実施例による熱電モジュールの構成を例示している。図9を参照すると、本発明による熱電モジュールは、互いに対向する第1電極210と第2電極220とが備えられ、P型単一タイプまたはN型単一タイプの熱電素子100を前記第1電極210と第2電極220との間に介在して構成されることができる。上述のように構成される場合、従来の直列型熱電モジュールに比べて複雑な電極パターンを具現することが不必要となるため、製造工程の効率が増加し、多数の熱電素子100のうち一部に異常が発生しても、正常の熱電素子100を通じて熱電性能が具現されるため、信頼性が向上される。<第10実施例>図10は本発明の第10実施例による熱電モジュールの構成を例示している。図10を参照すると、本発明による熱電モジュールは、一側面に複数の凹み部311が形成された上部基板310及び下部基板320が備えられ、前記熱電素子100は前記上部基板310と下部基板320との間に介在されて構成されることができる。この際、前記基板310、320は導電性物質で構成されることができる。また、前記基板310、320を絶縁性物質で構成した場合は、前記基板310、320の凹み部311に導電性物質で電極を形成し、前記電極を電気的に連結することが好ましい。また、前記熱電素子100はP型単一タイプまたはN型単一タイプで、伝導性基板または電極の間に介在されて熱電モジュールの信頼性を向上させることができる。また、P型及びN型熱電素子100を直列配置することもできるが、この場合、熱電素子100の配列に応じて電極の配列もモジュール全体が直列となるように構成されなければならない。上述のように構成されると、熱電素子100を基板または電極と連結する組立工程の効率が向上し、製造時間及びコストを低減することができる。一方、熱電半導体材料は、P型半導体材料またはN型半導体材料であることができる。さらに、熱電半導体材料は、Biビスマス及びTeテルルの混合からなることができる。また、熱電半導体材料はZnxSbyからなることができ、ここで、x/yは0.5~1.5となるようにすることができ、特にx=4、y=3であるZn4Sb3を用いることができる。一方、熱電半導体材料はCoxSbyからなることができ、ここで、x/yは0.1~2.0となるようにすることができ、特にx=1、y=3であるCoSb3を用いることができる。以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、上述の内容は本発明の好ましい実施形態を示して説明するものに過ぎず、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で用いることができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、述べた開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。上述の実施例は本発明を実施するにおいて最善の状態を説明するためのものであり、本発明のような他の発明を用いるにおいて当業界に公知された他の状態での実施、そして発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。従って、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むと解釈されるべきであろう。