第1の波長を有し且つパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のレーザビームと、第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザビームとを供給するレーザ光源と、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させる光学集束モジュールと、コンピュータにより制御されるマイクロ移動テーブルと、を含むレーザマイクロナノ加工システム。前記第1のレーザビームは、繰り返し周波数が1Hz~200MHzであり、波長が157nm~1064nmの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載のレーザマイクロナノ加工システム。前記第2のレーザビームのパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあり、前記第1のレーザビームと第2のレーザビームとが前記焦点に到達する時間の差が、加工すべき感光性材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、前記第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整する光学遅延モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザマイクロナノ加工システム。前記第2のレーザビームが連続波レーザビームであることを特徴とする請求項1に記載のレーザマイクロナノ加工システム。加工すべき感光性材料に多光子効果を発生させる第1の波長を有し且つパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のレーザビームと、第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザビームとを出力するように、レーザ光源を調整するステップと、前記第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させるように、光学集束モジュールを調整するステップと、マイクロ移動テーブル上の加工すべき感光性材料を前記焦点で露光するように、コンピュータ制御のマイクロ移動テーブルを調整するステップと、を含むレーザマイクロナノ加工方法。前記加工すべき感光性材料が、有機感光性材料、無機感光性材料、金属イオンを含有する感光性材料から選択されたものであることを特徴とする請求項5に記載のレーザマイクロナノ加工方法。前記第2のレーザビームは、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲にあるパルスレーザビームであり、前記レーザ光源から出力される前記第2のレーザビームの波長を、加工すべき感光性材料に二光子効果を発生させる第2の波長に調整するステップと、第1のレーザビームと第2のレーザビームとが前記焦点に到達する時間の差が、加工すべき感光性材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、前記第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザマイクロナノ加工方法。前記加工すべき感光性材料が金属イオン溶液であり、かつ、前記第2のレーザビームが連続波レーザビームであり、前記金属イオンが金属ナノ粒子を形成するように前記第1のレーザビームを調整するステップと、前記金属ナノ粒子に光ピンセット作用を発生させるように前記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のレーザマイクロナノ加工方法。前記金属ナノ粒子に光ピンセット作用を発生させるように前記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップは、前記金属ナノ粒子に表面プラズマ吸収及び光ピンセット作用を発生させるように、前記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のレーザマイクロナノ加工方法。前記金属イオン溶液は、銀イオン溶液、金イオン溶液、白金イオン溶液、銅イオン溶液、鉄イオン溶液、ニッケルイオン溶液、コバルトイオン溶液、またはパラジウムイオン溶液を含むことを特徴とする請求項7に記載のレーザマイクロナノ加工方法。前記金属イオン溶液は、界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のレーザマイクロナノ加工方法。得られたマイクロナノ構造が、1次元マイクロナノ構造、2次元マイクロナノ構造、または3次元マイクロナノ構造であることを特徴とする請求項5に記載のレーザマイクロナノ加工方法。基板にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するステップと、レーザ光源により出力された第1のレーザビームと第2のレーザビームとを、それぞれ、前記フォトレジストに二光子吸収効果を発生させる第1の波長と、第1の波長と異なる第2の波長とに調整し、前記第1のレーザビーム及び前記第2のレーザビームのパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあるようにレーザ光源を調整するステップと、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを、同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させるステップと、対物レンズを介して前記重畳レーザビームを同一の焦点に集束させるステップと、同一の焦点に集束されたレーザビームにより前記フォトレジストの特定位置を露光するステップと、前記フォトレジストを現像するステップと、得られたフォトレジストのパターンを基板に転写するステップと、を含む、レーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造デバイスを製作する方法。前記マイクロナノ構造デバイスが半導体装置であることを特徴とする請求項13に記載のレーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造デバイスを製作する方法。基板にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するステップの後に、透明補助基板を前記フォトレジスト層上に置き、基板と、フォトレジスト層と、透明補助基板とからなるサンドイッチ構造を形成するステップと、前記レーザビームを前記サンドイッチ構造の透明補助基板方向から前記フォトレジストに照射し、前記フォトレジストの特定位置を露光するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のレーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造デバイスを製作する方法。前記第1のレーザビームと第2のレーザビームとの平均パワーがそれぞれ0.1μW~1Wであり、露光時間がそれぞれ1ms~10minであることを特徴とする請求項13に記載のレーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造デバイスを製作する方法。従来の技術では、通常、フォトレジストが塗布されたガラス板をフェムト秒レーザ加工装置のマイクロ移動テーブルに置き、油浸対物レンズを介してガラス板の下方からレーザ光を入射させる。そして、油とガラスとの間のマッチングされた屈折率を利用して小さなスポットサイズを実現し、分解能を向上させるとともに、対物レンズがダメージを受けないように保護する。このため、従来のフェムト秒レーザ技術は、ガラス基板上に形成された感光性材料を加工することに限定されている。従って、様々な基板上の感光性材料を加工でき、広い分野に応用できるレーザ二光子直接描画技術の提供が求められている。本発明の1つの目的は、加工分解能と加工精度を精確に制御できるレーザマイクロナノ加工方法及びシステムを提供することにある。加工すべき感光性材料の特性とマッチングする波長をそれぞれ有する2つのレーザビームを選択して感光性材料を加工することにより、マイクロナノ加工できる材料の範囲を広げ、レーザマイクロナノ加工の精度を向上させる。本発明の他の1つの目的は、低コスト、簡単な操作、高分解能で金属のマイクロナノ構造を製作するシステム及び方法を提供することにある。本発明の更なる他の1つの目的は、半導体プロセスと完全な互換性を有するレーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造のデバイスを製作する方法を提供することにある。レーザ二光子直接描画技術により基板に施されたフォトレジストを露光し、フォトレジストにおいてマイクロナノ構造のデバイスに対応するパターンを形成する。これにより、マイクロナノスケールのフィーチャーサイズを有するマイクロナノ構造のデバイスが製作でき、特に、マイクロナノスケールのフィーチャーサイズを有するマイクロナノ構造の半導体装置を製作できる。本発明に係るレーザ二光子直接描画技術を利用するレーザマイクロナノ加工方法によれば、低コスト、超解像、高精度、真の3次元のマイクロナノ構造のデバイスを製作できる。波長の異なる2つのレーザビームを重畳させ、かつ、重畳されたレーザビームを同一の焦点に作用させると、当該焦点における光強度分布は、当該焦点における上記2つのレーザ光の光強度分布関数の積によって決められる。レーザビームのスポット径を表徴する光強度分布関数の半値全幅を比較すると、重畳されたレーザビームの光強度分布関数の積のFWHMは、単一のレーザ光の光強度を2乗にした場合のFWHMよりも小さいことがわかる。従って、波長の異なる2つのレーザを重畳させて得られた重畳レーザビームを用いて二光子吸収効果を有する感光性材料に作用すると、単一のレーザビームを用いて当該二光子吸収効果を有する感光性材料に作用した場合よりも、高い分解能が得られる。以下、波長の異なる2つのレーザビームを重畳させて得られた重畳レーザビームを同一の焦点に集束させた場合の光強度分布関数、及び該光強度分布関数と加工分解能との間の関係について、具体的に分析する。Debye方法非特許文献13によれば、波長がλ、偏光方向がφの光が、開き角がαの対物レンズによって集束された後の光強度分布関数は、下記数式1に示すようになる。上式から分かるように、レーザビームの波長λ、偏光方向が異なれば、その光強度分布関数も異なる。波長の異なる2つのレーザビームを同一の対物レンズで同一の焦点に集束させる場合、それぞれの光強度分布関数I1とI2とを算出し、また、これらを乗算して重畳ビームの焦点における光強度分布を算出する必要がある。たとえば、z方向に沿って伝搬するλ1=800nmの第1のレーザビーム及びλ2=500nmの第2のレーザビームを、NA=1.45の対物レンズにより屈折率n=1.515の材料中に集束させる場合を想定する。この場合、焦点における、レーザの伝搬方向に直交する方向横方向の光強度分布関数I1とI2の積を算出すると、図1に示すような結果が得られる。図1において、I1、I2はそれぞれ、800nmのレーザ、500nmのレーザのレーザ光強度を示し、IxとIyはそれぞれ、用いられたレーザビームがxとy方向に沿って偏光された直線偏光であることを示す。光強度分布の半値全幅FWHMから次のようなことが分かる。すなわち、波長の異なる2つのレーザビームを重畳させて形成された重畳レーザビームの焦点における光強度分布関数の積のFWHMは、1つの800nmのレーザビームの焦点における光強度分布関数を2乗にした場合のFWHMよりも小さいことがわかる。また、レーザビームの偏光方向は、FWHMに対しても影響を与えることがわかる。さらに、たとえば、z方向に沿って伝搬するλ1=800nmの第1のレーザビーム及びλ2=400nmの第2のレーザビームを、NA=1.45の対物レンズにより屈折率n=1.515の材料中に集束させる場合を想定する。この場合、焦点における、レーザ伝搬方向に直交する方向横方向の光強度の分布関数I1とI2の積を算出すると、図2に示すような結果が得られる。図2において、I1、I2はそれぞれ、800nm、400nmのレーザ光強度を示し、Ix、Iyはそれぞれ、利用するレーザビームがx及びy方向に沿って偏光された直線偏光であることを示す。光強度分布のFWHMから次のようなことが分かる。すなわち、波長の異なる2つのレーザビームを重畳させて形成された重畳レーザビームの焦点における光強度分布関数の積のFWHMは、1つの800nmのレーザビームの焦点における光強度分布関数を2乗にした場合のFWHMよりも小さいことがわかる。また、レーザの偏光方向は、FWHMに対しても影響を与えることがわかる。数式1、図1及び図2に示した算出結果から分かるように、波長の異なる2つのレーザビームを同一の焦点に集束させて形成したスポット径は、従来の単一のレーザを利用して形成したスポット径よりも小さい。つまり、波長の異なる2つのレーザビームで形成された重畳光ビームを利用して二光子吸収効果を有する感光性材料を加工すると、次のようになる。すなわち、重畳光ビームは、通過する全ての領域において感光性材料との作用を起こさず、光ビームのエネルギーが感光性材料に二光子吸収を発生させて光化学反応を引起せる閾値に到達した領域のみにおいて感光性材料との作用を引き起こす。本明細書に係る二光子吸収とは、高強度なレーザビームにより照射する場合には物質が2つ、2つ以上、ひいては数十個の光子を同時に吸収できることをいい、物質が2つの光子を吸収する2光子吸収に限られない。2つのレーザビームのパワーをそれぞれ調整することにより、重畳光ビームと感光性材料との作用領域を重畳光ビームのスポットの位置に制御できる。これによって、従来の単一のレーザビームの二光子効果を利用して加工する場合の加工分解能よりも高い加工分解能を実現する。さらに、2つのレーザビームの偏光方向をそれぞれ調整することにより、加工分解能をさらに向上できる。さらに、上述した波長の異なる2つのレーザビームによって形成された重畳光ビームを用いて加工すべき金属イオンを含有する溶液を照射すると、次のようになる。すなわち、溶液中の加工すべき金属イオンは、レーザビームに対して多光子吸収効果を発生し、光化学還元反応が引き起こされて金属ナノ粒子に還元する。また、形成した直後の金属ナノ粒子の位置は、レーザビームの光ピンセット作用によって変化できる。2つのレーザビームうち、一方の波長を、金属イオンが複数の光子を同時に吸収して多光子吸収効果を発生し、光化学反応が引き起こされる波長に調整し、金属イオンを金属ナノ粒子に還元できる。そして、他方のレーザビームの波長を、形成した直後の金属ナノ粒子が光ピンセット作用を発生する波長に調整し、形成した直後の金属ナノ粒子をレーザビームの焦点の中心に集合させ、マイクロナノ構造を形成できる。好ましくは、他方のレーザビームの波長を、形成した直後の金属ナノ粒子が光ピンセット作用及び表面プラズマ熱吸収作用を発生する波長に調整する。こうして、形成した直後の金属ナノ粒子をレーザビームの焦点の中心に集合させて融合させることにより、マイクロナノ構造を形成する。単一のレーザビームのみで金属イオンを還元して得られた金属ナノ粒子の加工分解能がレーザビームの焦点における光強度分布関数の2乗により決められることと比較して、当該方法によりマイクロナノ構造を形成し、次のような利点がある。すなわち、レーザ多光子還元、光ピンセット作用、表面プラズマ熱吸収作用を合わせることにより、レーザ多光子還元のみで金属イオン溶液を還元して実現した加工分解能よりも高い加工分解能、及びより複雑な金属マイクロナノ構造が実現できる。本発明に係るレーザマイクロナノ加工システムは、第1の波長を有し且つパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のレーザビームと、第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザビームとを供給するレーザ光源と、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させる光学集束モジュールと、コンピュータにより制御されるマイクロ移動テーブルと、を含む。前記光学集束モジュールは、第1のレーザビームと第2のレーザビームとをそれぞれ拡大するビームエキスパンダーレンズと、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを、同じ光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させるダイクロイックミラー及び反射鏡と、重畳レーザビームを集束する対物レンズとを含んでよい。当該対物レンズは、乾燥対物レンズ、水浸対物レンズや油浸対物レンズでよい。本発明に係る最適な実施の形態のレーザマイクロナノ加工システムは、さらに、第1のレーザビームの偏光状態を変更する第1の波長板と、第2のレーザビームの偏光状態を変更する第2の波長板とを含んでもよい。上記のコンピュータ制御のマイクロ移動テーブルは、3次元マイクロ移動テーブルであり、当該3次元マイクロ移動テーブルのx、y、及びz方向における移動範囲は、1nm~300mmである。本発明に係るレーザマイクロナノ加工システムは、更に、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの露光時間を例えば1ms~10minにそれぞれ調整する第1のシャッター及び第2のシャッターと、第1のレーザビームと第2のレーザビームの平均パワーを例えば0.1μW~1Wに調整する光減衰器とを含む。好ましくは、前記第1のレーザビームは、繰り返し周波数が1Hz~200MHzであり、波長が157nm~1064nmの範囲内にある。好ましくは、該レーザマイクロナノ加工システムのレーザ光源は、第1のレーザビームを供給する第1のパルスレーザと、第2のレーザビームを供給する第2のパルスレーザとを含む。第2のレーザビームは、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあり、繰り返し周波数が1Hz~200MHzの範囲内にあり、波長調整可能な範囲が157nm~1064nmであってよい。好ましくは、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの偏光状態は、自然偏光状態、直線偏光、円偏光や楕円偏光である。上記に限らず、該レーザマイクロナノ加工システムのレーザ光源は、第1の波長を有する第1のレーザビームを発生するパルスレーザと、第1のレーザビームを、第1の光路に沿って進行する第1のレーザビームと第2の光路に沿って進行する第2のレーザビームとに分けるハーフミラーと、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの周波数を逓倍する逓倍器とを含んでもよい。該レーザマイクロナノ加工システムは、さらに、第1レーザビームと第2のレーザビームが焦点に到達する時間の差が、加工すべき材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整する光学遅延モジュールを含む。該光学遅延モジュールは、1次元のマイクロ移動テーブルに位置する4つの反射鏡を含み、該1次元のマイクロ移動テーブルを調整することにより、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を変更してもよい。上記に限らず、該光学遅延モジュールは、1次元のマイクロ移動テーブルに位置する二つの直角プリズムを含み、該1次元のマイクロ移動テーブルを調整することにより、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を変更してもよい。上記1次元のマイクロ移動テーブルの移動範囲は、例えば0.1μm~1mである。また、本発明に係るレーザマイクロナノ加工システムにおいて、前記第2のレーザビームが連続波レーザビームであってもよい。該連続波レーザビームの波長は、300nm~1064nmの範囲内にある。本発明に係るレーザマイクロナノ加工方法は、加工すべき感光性材料に多光子効果を発生させる第1の波長を有し且つパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のレーザビームと、第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザビームとを出力するように、レーザ光源を調整するステップと、前記第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させるように、光学集束モジュールを調整するステップと、マイクロ移動テーブル上の加工すべき感光性材料を前記焦点で露光するように、コンピュータ制御のマイクロ移動テーブルを調整するステップと、を含む。好ましくは、加工すべき感光性材料は、有機感光性材料、無機感光性材料、金属イオンを含有する感光性材料から選択されたものである。好ましくは、本発明に係る方法で得られたマイクロナノ構造は、1次元マイクロナノ構造、2次元マイクロナノ構造または3次元マイクロナノ構造である。好ましくは、本発明に係る方法において、上記第2のレーザビームは、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあるパルスレーザビームであり、レーザ光源から出力される第2のレーザビームの波長を、加工すべき感光性材料に二光子効果を発生させる第2の波長に調整するステップと、第1のレーザビームと第2のレーザビームとが前記焦点に到達する時間の差が、加工すべき感光性材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整するステップと、をさらに含む。好ましくは、上記の第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させるステップは、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとをそれぞれ拡大するステップと、拡大された第1のレーザビームと拡大された第2のレーザビームとを重畳させ、同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームを得るステップと、重畳レーザビームを同一の焦点に集束させ、焦点における前記感光性材料を露出するステップと、をさらに含む。さらに、本発明に係るレーザマイクロナノ加工方法は、第1の光路に位置するシャッター及び第2の光路に位置するシャッターをそれぞれ調整することにより、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの露光時間を1ms~10minに変更するステップと、第1の光路に位置する光減衰器及び第2の光路に位置する光減衰器をそれぞれ調整することにより、感光性材料に作用するレーザの平均パワーが0.1μW~1Wになるように第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの露光エネルギーを変更するステップと、をさらに含む。好ましくは、上記有機感光性材料は、光重合反応を発生可能な有機材料、光分解反応を発生可能な有機材料、光架橋反応を発生可能な分子を含有する有機材料、及び光異性化反応を発生可能な分子を含有する有機材料から選択されたものである。好ましくは、上記無機感光性材料は、光重合反応を発生可能な無機材料、光分解反応を発生可能な無機材料、光架橋反応を発生可能な分子を含有する無機材料、光還元反応を発生可能な分子を含有する無機材料、及び光酸化反応を発生可能な分子を含有する無機材料である。好ましくは、前記金属イオンを含有する感光性材料は、光還元反応を発生可能な分子の金属イオンを含有する無機材料、光還元反応を発生可能な分子の金属イオンを含有する有機材料、光酸化反応を発生可能な分子を含有する無機材料、及び光酸化反応を発生可能な分子を含有する有機材料である。また、上記加工すべき感光性材料が金属イオン溶液である場合、該方法は、前記金属イオンが金属ナノ粒子を形成するように前記第1のレーザビームを調整するステップと、形成された金属ナノ粒子に光ピンセット作用を発生させるように、連続波レーザビームである前記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップと、をさらに含む。好ましくは、前記金属ナノ粒子に光ピンセット作用を発生させるように上記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップは、前記金属ナノ粒子に表面プラズマ吸収及び光ピンセット作用を発生させるように、前記第2のレーザビームの第2の波長を調整するステップをさらに含む。好ましくは、前記金属イオン溶液は、銀イオン溶液、金イオン溶液、白金イオン溶液、銅イオン溶液、鉄イオン溶液、ニッケルイオン溶液、コバルトイオン溶液、またはパラジウムイオン溶液を含む。好ましくは、前記金属イオン溶液は、さらに界面活性剤を含む。本発明に係る最適な実施の形態によれば、上記金属イオン溶液は、基板上に施され、さらに、補助透明基板によって覆われている。該基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、または半導体基板である。該金属イオン溶液は、さらに、n-デカノイルサルコシンナトリウム、クエン酸ナトリウム、セチル臭化アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、酪酸ナトリウム、吉草酸ナトリウム、カプロン酸ナトリウム、辛酸ナトリウム、カプリン酸ナトリウム、またはこれらのうち2以上の物質を混合した混合物をさらに含む。好ましくは、金属イオン溶液内における集束されたレーザビームの移動速度は、1mm/ms~1nm/msである。本発明に係るレーザ二光子直接描画技術によりマイクロナノ構造デバイスを製作する方法は、基板にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するステップと、レーザ光源により出力された第1のレーザビームと第2のレーザビームとを、それぞれ、前記フォトレジストに二光子吸収効果を発生させる第1の波長と、第1の波長と異なる第2の波長とに調整し、前記第1のレーザビーム及び前記第2のレーザビームのパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内になるようにレーザ光源を調整するステップと、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームとを同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させるステップと、対物レンズを介して前記重畳レーザビームを同一の焦点に集束させるステップと、同一の焦点に集束されたレーザビームにより前記フォトレジストの特定位置を露光するステップと、前記フォトレジストを現像するステップと、得られたフォトレジストのパターンを基板に転写するステップとを含む。好ましくは、前記マイクロナノ構造デバイスが半導体装置である。好ましくは、基板にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するステップの後に、透明補助基板を前記フォトレジスト層上に置き、基板と、フォトレジスト層と、透明補助基板とからなるサンドイッチ構造を形成するステップと、前記レーザビームを前記サンドイッチ構造の透明補助基板方向から前記フォトレジストに照射し、前記フォトレジストの特定位置を露光するステップと、をさらに含む。好ましくは、前記フォトレジストは、ネガ型フォトレジストまたはポジ型フォトレジストである。好ましくは、前記ポジ型フォトレジストは、紫外ポジ型フォトレジストまたは深紫外ポジ型フォトレジストである。好ましくは、ポジ型フォトレジスト層は、厚さが10nm~100μmである。好ましくは、前記基板はIV族材料の基板、III-V族材料の基板、II-VI族材料の基板、SOI基板、誘電体層が形成されたガラス基板、ガラス基板及びその上に誘電体層が形成された半導体材料の基板から選択されたものである。好ましくは、ウェットエッチング、ドライエッチング、蒸着または金属スパッタリングにより、或いは、半導体層や絶縁層を堆積させる方法により、フォトレジスト層のパターンを基板に転写する。好ましくは、パターン転写ステップの後にフォトレジスト層を剥離するステップを含む。本発明に係る加工システム及び方法によれば、2つのレーザ光の時空間における重畳を実現することにより、単一のレーザビームの平均パワーよりも低い平均パワーで、該単一のレーザビームよりも高い加工分解能を有するマイクロナノ構造体が得られる。また、本発明に係る加工方法によれば、2つのビームと感光性材料とが作用する露光エネルギーと露光時間を調整することにより、加工分解能と加工精度とを精確に制御できる。さらに、本発明に係る加工方法によれば、加工すべき感光性材料の特性とマッチングするようにレーザビームの波長を選択することによって、加工材料の範囲を広げ、多種の機能性材料の加工を実現できる。また、本発明に係る加工方法によれば、ともにパルスレーザである第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの光学的距離の差を調整することにより、得られた構造の分解能をさらに向上できる。さらに、本発明に係る加工方法によれば、例えば金属イオン水溶液のような低コストの金属源を用いて、金属のマイクロナノ構造を直接に生成できる。これは、従来の技術のように、金属のマイクロナノ構造を製作する場合、まず、パターンを製作し、次に、金属層を大面積に蒸着し、その後、少量の金属を残すように、金属層の大部分を除去して金属のマイクロナノ構造を製作するプロセスと異なる。したがって、従来の技術におけるプロセスが複雑で、貴金属の使用率が低いなどのような欠点を回避できる。本発明に係る加工方法によれば、金属イオンの水溶液を施し、さらに、該金属イオンの水溶液を露光することにより、基板上において金属のマイクロナノ構造を直接形成できる。本発明に係る加工方法によれば、従来技術における金属構造形成のステップを簡素化するとともに、金属のマイクロナノ構造を形成するための金属の用量を節約できる。上記第2のレーザビームを、加工すべき金属イオンに対して光ピンセット作用及びプラズマ熱吸収作用を発生する連続波レーザビームに選択することにより、金属のマイクロナノ構造の分解能をさらに向上できる。また、本発明に係る加工方法によれば、レーザによってフォトレジストを直接描画することにより、従来の半導体プロセスにおいてフォトマスクを形成しフォトマスクを介してフォトレジストを露光するという複雑なプロセスを簡素化できる。したがって、プロセスステップを縮減し、フォトマスクを製作するコストを節約できる。フォトレジストの二光子吸収効果を引起すことにより、ポジ型フォトレジストに対しては約100nmのフィーチャーサイズが得られ、ネガ型フォトレジストに対しては約100nm以内のフィーチャーサイズのパターンが得られる。パターン転写プロセスにより、マイクロナノスケールのフィーチャーサイズを有する半導体装置を形成する。本発明に係る加工方法は、従来の半導体プロセスと組み合わせることができ、低コスト、高効率、操作簡易、真の3次元などの利点があり、半導体などの関連分野において広く利用できる。本発明により得られた半導体装置のマイクロナノスケールのフィーチャーサイズは、従来の技術で得られたマイクロナノスケールのフィーチャーサイズと比べて、遥かに小さい。このため、半導体装置のコンパクト化及び半導体装置の集積度のさらなる向上が可能となる。以下、図面を参照して、本発明の最適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書において、本発明の実施の形態の全貌を分かりやすく伝えるために、構造素子、波長、材料等について詳述している。しかし、本発明はこれらに限らず、当業者ならば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内において、他の構造素子、波長、材料等にも適用可能であることは言うまでもない。以下に開示する各実施の形態は、本発明を最適に実施するための例示であって、本発明を限定しようとするものではない。以下、本発明に係るレーザマイクロナノ加工システムの最適な実施の形態を詳細に説明する。図3は、本発明に係るレーザマイクロナノ加工システムの構成を示すブロック図である。レーザマイクロナノ加工システム100は、レーザ光源101と、光学集束モジュール102と、コンピュータにより制御されるマイクロ移動テーブル103とを含む。レーザ光源101は、第1の波長を有する第1のレーザビームおよび第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザビームを供給する。第1のレーザビームのパルス幅は、ナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある。光学集束モジュール102は、第1のレーザビームおよび第2のレーザビームを同一の焦点に集束させる。コンピュータ制御のマイクロ移動テーブル103は、その上に置かれた加工すべき試料上の感光性材料を焦点位置に移動させる。レーザ光源101は、第1のレーザビームを供給する第1のパルスレーザと、第2のレーザビームを供給する第2のレーザとを含んでよい。第2のレーザは、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあるレーザビームを供給するパルスレーザでもよいし、連続波レーザビームを供給する連続波レーザでもよい。これに限らず、レーザ光源101は、パルスレーザと、ハーフミラーと、逓倍器とを含むことにより、異なる波長を有する第1のパルスレーザビームと第2のパルスレーザビームとを供給しても良い。この場合、パルスレーザは、第1の波長を有する第1のレーザビームを出力する。ハーフミラーは、第1のレーザビームを、第1の光路に沿って進行する第1のレーザビームと第2の光路に沿って進行する第2のレーザビームとに分ける。逓倍器は、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの周波数を逓倍する。光学集束モジュール102は、第1のビームエキスパンダーレンズ及び第2のビームエキスパンダーレンズと、ダイクロイックミラー及び反射鏡と、対物レンズとを含んでよい。第1のビームエキスパンダーレンズ及び第2のビームエキスパンダーレンズは、第1のレーザビームと第2のレーザビームとをそれぞれ拡大する。ダイクロイックミラー及び反射鏡は、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを、同じ光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させる。対物レンズは、重畳レーザビームを同一の焦点に集束させる。対物レンズは、乾燥対物レンズ、水浸対物レンズや油浸対物レンズでもよい。レーザマイクロナノ加工システム100は、さらに、第1のレーザビームの偏光状態を変更する第1の波長板と、第2のレーザビームの偏光状態を変更する第2の波長板とを含んでよい。コンピュータ制御のマイクロ移動テーブル103は、3次元マイクロ移動テーブルであり、3次元マイクロ移動テーブルのx、y、及びz方向における移動範囲は、例えば1nm~300mmである。上述のパルスレーザは、繰り返し周波数が1Hz~200MHz、波長が157nm~1064nmの範囲にあるレーザビームを出力する。上述の連続波レーザは、波長が300nm~1064nm、パワーが1mW~10Wの範囲にあるレーザビームを出力する。レーザマイクロナノ加工システム100は、更に、第1のシャッター及び第2のシャッターと、第1の光減衰器及び第2の光減衰器とを含んでよい。第1のシャッター及び第2のシャッターは、例えば1ms~10minの範囲内において、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの露光時間をそれぞれ調整する。第1の光減衰器及び第2の光減衰器は、例えば0.1μW~1Wの範囲内において、第1のレーザビームと第2のレーザビームの露光エネルギーをそれぞれ変更する。第1のレーザビームを加工すべき感光性材料に多光子吸収効果例えば、二光子吸収効果を発生させる波長に選択し、さらに、必要に応じて第2のレーザビームの波長を選択する。そして、2つの重畳されたレーザビームを、加工すべき感光性材料の所望の位置に集束させ、当該材料を高精度にマイクロナノ加工できる。第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの平均パワーと露光時間とを調整することにより、より優れた分解能とより高い精度を実現できる。パルス幅が共にナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のレーザビーム及び第2のレーザビームで試料を加工する場合、レーザマイクロナノ加工システム100は、光学遅延モジュールを含むことが好ましい。光学遅延モジュールは、第1のレーザビームと第2のレーザビームが焦点に到達する時間の差を、加工すべき材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整する。これによって、加工効率を向上させる。実施形態1図4は、実施形態1に係るレーザマイクロナノ加工システムの構成イメージを示す図である。レーザマイクロナノ加工システム200は、レーザ1、ハーフミラー3、逓倍結晶5のような逓倍器、光学遅延モジュール9、光学集束モジュール及び移動テーブル21を含む。レーザ1は、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にあるパルスレーザを発生する。ハーフミラー3は、レーザ1の出力光の光路に配置され、透過光と反射光とを形成する。透過光の光路において、主軸に沿って逓倍結晶5とフィルタ6とが順に配置されている。フィルタ6は、逓倍された光以下、逓倍光とも称する。ビームをフィルタリングし、その出力エネルギーのうち、逓倍されたレーザビームのエネルギーとフィルタの出力エネルギーとの比率は、99.5以上である。レーザマイクロナノ加工システム200は、透過されて逓倍された光以下、透過逓倍光とも称する。の経路上においてフィルタ6の後方に位置し、逓倍光を拡大するレンズ12、13をさらに含む。ハーフミラー3の反射光の光路において、主軸に沿って反射鏡4が配置されている。反射鏡4は、反射された後の光以下、基本波光とも称するの光路を透過逓倍光の光路と平行させる。反射鏡4の後方には、光学遅延モジュール9が配置されている。光学遅延モジュール9は、2つのレーザビームが集束することにより同一の焦点に到達する時間の差を、加工すべき感光性材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、光学的距離を調整する。さらに、光学遅延モジュール9の後方には、基本波光を拡大するレンズ10及び11が配置されている。レーザマイクロナノ加工システム200は、それぞれ透過光路と反射光路の上に位置し、透過光路と反射光路上のレーザの偏光状態をそれぞれ調整する波長板15、14をさらに含む。波長板14、15は、動作波長が所在する光路のレーザ光の波長の全波長板、1/2波長板や1/4波長板であることが好ましい。レーザマイクロナノ加工システム200の光学集束モジュールは、ダイクロイックミラー18及び反射鏡19と、対物レンズ20とを含む。ダイクロイックミラー18及び反射鏡19は、2つのレーザを重畳レーザビームに重畳させる。対物レンズ20は、レーザビームをコンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21に置かれた感光性材料に集束させる。対物レンズ20は、乾燥対物レンズ、水浸対物レンズまたは油浸対物レンズで、開口数が0.7~1.65、倍率が10~100であることが好ましい。コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルのx、y、及びz方向の移動範囲は、1nm~200mmであることが好ましい。レーザマイクロナノ加工システム200は、それぞれ透過光路と反射光路に位置して露光時間を調整するシャッター8、7と、それぞれ透過光路と反射光路に位置して露光エネルギーを調整する光減衰器17、16とをさらに含む。好ましくは、レンズ10、11、12、13の焦点距離は、それぞれ1mm~500mmの範囲内である。本実施形態において、レーザマイクロナノ加工システム200は、基本波のレーザビームと逓倍されたレーザビームとを、同じ光路に沿って伝搬される重畳レーザビームに形成する。そして、当該重畳レーザビームを同一の焦点に集束させ、加工すべき感光性材料を露光している。これによって、高分解能及び高い加工精度で感光性材料をマイクロナノ加工する方法を提供する。実施形態1の変形例図5は、実施形態1の変形例に係るレーザマイクロナノ加工システムの概略構成を示す図である。レーザマイクロナノ加工システム300は、レーザ1、レーザ2、光学遅延モジュール9、光学集束モジュール及び移動テーブル21を含む。レーザ1は、第1の波長を有し、パルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第1のパルスレーザを発生する。レーザ2は、図4に示すハーフミラー3、反射鏡4、逓倍結晶5、フィルタ6の代わりものとして、第1の波長と異なる第2の波長を有し、且つパルス幅がナノ秒からフェムト秒までの範囲内にある第2のパルスレーザを提供する。レーザマイクロナノ加工システム300において、レーザ2を除くその他の構成は、図4に示すレーザマイクロナノ加工システム200と同様である。本発明において、上述したレーザマイクロナノ加工システムによってマイクロナノ加工する方法は、例えば、以下のステップを含む。ステップ1では、レーザ光源を動作させ、第1のレーザビームと第2のレーザビームを、それぞれ加工すべき感光性材料に二光子効果を発生させる第1の波長及び第2の波長に調整する。ステップ2では、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームが該感光性材料に到達する時間の差を、該感光性材料が励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、第1のレーザビームまたは第2のレーザビームの光学的距離を調整する。ステップ3では、主軸方向に平行してビームを拡大するシステムにおけるレンズを調整し、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルにより、対物レンズを介して2つの光を同一の焦点面に集束させる。ステップ4では、対物レンズを介して2つの光が同一の焦点面上の同じポイントに集束されるように、反射鏡、ハーフミラー、直角プリズム、ダイクロイックミラーを調整する。ステップ5では、感光性材料が形成された試料を、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルの試料台に置く。そして、波長板によってレーザの偏光状態を制御し、シャッターによって露光時間を1ms~10分の範囲内に制御する。例えば、光グラデーション減衰器によって、感光性材料に作用するレーザの平均パワーを0.1μW~1Wの範囲内に制御する。ステップ6では、コンピュータ制御の3次元移動テーブルの動きにより、2つのレーザが重畳された後の焦点が感光性材料に対する走査を実現する。本実施形態において、上記感光性材料は、有機感光性材料、無機感光性材料、または金属イオンを含有する感光性材料であってよい。本実施形態において、上記有機感光性材料は、光重合反応を発生可能な有機材料、光分解反応を発生可能な有機材料、光架橋反応を発生可能な分子を含有する有機材料、または光異性化反応を発生可能な分子を含有する有機材料である。本実施形態において、上記無機感光性材料は、光重合反応を発生可能な無機材料、光分解反応を発生可能な無機材料、光架橋反応を発生可能な分子を含有する無機材料、光還元反応を発生可能な分子を含有する無機材料または光酸化反応を発生可能な分子を含有する無機材料である。本実施形態において、上記金属イオンを含有する感光性材料は、光還元反応を発生可能な分子の金属イオンを含有する無機材料、光還元反応を発生可能な分子の金属イオンを含有する有機材料、光酸化反応を発生可能な分子を含有する無機材料や光酸化反応を発生可能な分子を含有する有機材料である。以下、本実施形態に係るレーザマイクロナノ加工システム及び方法により高い加工分解能を実現する具体的な実施例を説明する。<実施例1>以下、本発明に係るレーザマイクロナノ加工システム、及び当該レーザマイクロナノ加工システムを用いてガラス基板上に施された商品名がSCR500のフォトレジストにおいてラインアレイ構造を形成する方法を詳細に説明する。本実施例においては、図4に示すようなレーザマイクロナノ加工システム200を利用する。レーザ1は、波長が800nm、パルス幅が100fs、パルス繰り返し周波数が82MHz、ビーム径が1.8mm、偏光状態が直線偏光のレーザビームを出力するチタン宝石フェムト秒パルスレーザを選択する。チタン宝石フェムト秒パルスレーザ1の出力光路には、例えばBK7ガラスで製作され、透過反射比が例えば7:3であるハーフミラー3が配置され、これにより透過光及び反射光を形成する。透過光路における逓倍器は、例えば、主軸に沿って順次に配置された、厚さが1mmのようなI型BBO逓倍結晶5と、800nmの波長をフィルタリングする干渉フィルタ6とを含む。透過光が逓倍結晶5を通ることで、ビーム径が1.2mmで、波長が400nmの純粋な逓倍光が得られる。そのうち、波長が400nmのレーザ光のエネルギーとフィルタ6の出力したエネルギーとの比率は、99.5以上である。レーザマイクロナノ加工システム200は、逓倍光を拡大するエキスパンダーレンズとして、例えば、透過経路における焦点距離が60mmのレンズ12と焦点距離が150mmのレンズ13とをさらに含んでもよい。ハーフミラー3の反射光路において、主軸に沿って、反射光路を透過光路と平行させる、例えばBK7ガラスで製作された反射鏡4が配置されている。反射鏡4の後方には、2つのレーザビームが焦点に到達する時間の差を、該フォトレジストが励起された励起状態のエネルギー準位の寿命よりも大きくならないように、光学的距離を調整する光学遅延モジュール9が配置されている。光学遅延モジュール9は、図6に示すように、1次元マイクロ移動テーブル22とBK7ガラスで製作された4つの反射鏡23、24、25及び26とを含む。光学遅延モジュール9の後方には、基本波光を拡大する焦点距離が35mmのレンズ10と焦点距離が150mmのレンズ11とが配置されている。さらにその後方には、光軸方向が基本波光の偏光方向と一致し、動作波長が800nmと等しい1/2波長板14が配置されている。光学集束モジュールは、BK7ガラスで製作されたダイクロイックミラー18および逓倍光路後のBK7ガラスで製作された反射鏡19と、さらにその後方に位置する開口数が1.45、倍率が100の油浸対物レンズ20とを含む。ダイクロイックミラー18と反射鏡19は、2つのビームを1つのビームに合せる。油浸対物レンズ20は、重畳されたレーザビームを、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21におかれた感光性材料内部に集束させる。2つのレーザが重畳された後の焦点がガラス基板と感光性材料の界面にあって移動速度が10nm/msになるように、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21を調整する。波長が400nmの光の平均パワーが2.3μWになるように光グラデーション減衰器17を調整し、波長が800nmの光の平均パワーが14.91mW~11.19mWの範囲で変化するように光グラデーション減衰器16を調整し、感光性材料の中で露光する。そして、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去し、ガラス基板の表面に図8bに示すようなラインアレイ構造が得られる。図8bに示すラインアレイ構造において、左から右へ、ライン毎の波長が800nmのレーザの平均パワーは順に、14.91mW、14.50mW、14.09mW、13.73mW、13.36mW、13.02mW、12.68mW、12.36mW、12.06mW、11.77mW、11.48mW及び11.19mWである。このように、波長が400nmのレーザビームの加工パワーを変更しないまま保持する場合、波長が800nmのレーザビームの加工パワーを低減することにより、感光性材料の加工分解能を向上できることがわかる。実施例1では、波長が400nmのレーザの平均パワーが2.3μW、波長が800nmのレーザの平均パワーが11.19mWである加工条件で、100nm以下の加工分解能のライン構造が得られる。<比較例1>以下、上記の実施例1と比較して、800nmの単一のレーザビームのみで感光性材料を露光し、他の実施条件を実施例1と同様にした場合の比較例および得られた結果を説明する。波長が400nmの光のパワーが0Wになるように、光グラデーション減衰器17を調整する。また、波長が800nmの光の平均パワーが14.91mW~13.36mWの範囲で変化するように、光グラデーション減衰器16を調整する。そして、感光性材料の中で露光し、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去し、ガラス基板の表面上に図8aに示すようなラインアレイ構造が得られる。図8aに示すラインアレイ構造において、左から右へ、ライン毎の波長が800nmのレーザの平均パワーは順に、14.91mW、14.50mW、14.09mW、13.73mW、13.36mWである。なお、レーザパワーをさらに低減すると、所望のライン構造が得られなくなる。比較例1では、波長800nmのレーザの平均パワーが13.36mWである加工条件で、加工分解能が120nmであるライン構造が得られる。このように、本発明に係るレーザマイクロナノ加工システム及び方法によれば、800nmのレーザの加工パワーを変更することで100nmよりも小さい加工分解能が得られる。したがって、従来の単一の800nmのレーザを使用して得られた120nmの分解能よりも高い加工分解能が得られることがわかる。さらに、平均パワーが単一のレーザビームの平均パワーよりも低い2つのレーザビームを用いて、高精度のマイクロナノ構造が得られることがわかる。<実施例2>以下、図4に示したレーザマイクロナノ加工システム、及び当該レーザマイクロナノ加工システムを用いてガラス基板上に施された商品名がSCR500のフォトレジストにおいてフロートライン構造を形成する方法を詳細に説明する。実施例2に係るレーザマイクロナノ加工システムの構成と実施例1に係るレーザマイクロナノ加工システムの構成とは、遅延モジュール9を除いて、他の構成は同じである。ハーフミラー3の反射光路において、主軸に沿って、他方の光路と平行させるBK7ガラスで製作された1個の反射鏡4が配置されている。反射鏡4の後方には、図7に示すように、1次元マイクロ移動テーブル22とBK7ガラスで製作された直角プリズム27及び28とによって構成される光学遅延モジュール9が配置されている。光学遅延モジュール9の後方に位置する焦点距離が35mmのレンズ10と焦点距離が150mmのレンズ11とにより、基本波光を拡大し、さらに、その後方に、光軸方向が基本波光の偏光方向と一致し、動作波長が800nmの1/2波長板14が配置されている。基本波光路の後に配置されたBK7ガラスで製作された1個のダイクロイックミラー18と、逓倍光路の後に配置されたBK7ガラスで製作された1個の反射鏡19とを用いて、2つのビームを1つのビームに合わせる。さらに、その後方に位置する開口数が1.45、倍率が100の油浸対物レンズ20により、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21に置かれた感光性材料内部に重畳されたビームを集束させる。コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21の移動速度を170nm/msに設定し、波長が400nmの光の平均パワーが2.5μW、波長が800nmの光の平均パワーが12.23mWとなるように、光グラデーション減衰器16及び17を調整する。そして、感光性材料の中で露光し、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去し、予め加工されたピッチが1μmの直方体の間において、図9に示すようなフロートライン構造が得られる。図9に示すように、フロートライン構造の分解能は、25nmよりも小さい。<実施例3>以下、図4に示したレーザマイクロナノ加工システム、及び当該レーザマイクロナノ加工システムを用いてガラス基板上に施された商品名がSCR500のフォトレジストにおいて2次元ドットアレイ構造を形成する方法を詳細に説明する。実施例3においては、実施例1に係るレーザマイクロナノ加工システムを採用する。2つのレーザが重畳された後の焦点がガラス基板と感光性材料の界面に位置するように、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21を調整する。2つのレーザの露光時間がいずれも100msとなるように、シャッター7、8を調整する。波長が400nmの光の平均パワーが4.2μW~6.0μWの範囲で変化するように光グラデーション減衰器16を調整し、波長が800nmの光の平均パワーが15.02mW~10.34mWの範囲で変化するように光グラデーション減衰器16を調整し、感光性材料の中で露光する。そして、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去し、ガラス基板の表面に図10bに示すような2次元ドットアレイ構造が得られる。図10bにおいて、左から右へ、波長が400nmのレーザの平均パワーを変わらないまま保持する。そして、波長が800nmのレーザの平均パワーを順に、15.02mW、14.12mW、13.20mW、12.34mW、11.50mW、10.84mW、10.34mWとなるように調整する。また、上から下へと、波長が800nmのレーザの平均パワーを変わらないまま保持する。そして、波長が400nmのレーザの平均パワーを順に、6.0μW、5.8μW、5.6μW、5.4μW、5.2μW、5.0μW、4.8μW、4.6μWとなるように調整する。実施例3では、波長が400nmのレーザの平均パワーが4.6μW、波長が800nmのレーザの平均パワーが10.84mWである加工条件で、分解能が130nmよりも小さいドットが得られる。<比較例2>以下、上記の実施例3と比較して、波長が800nmの単一のレーザビームのみで感光性材料を露光し、他の実施条件を実施例3と同様にした場合の比較例および得られた結果を説明する。波長が400nmの光のパワーが0Wになるように、光グラデーション減衰器17を調整する。また、波長が800nmの光の平均パワーが15.02mW~13.20mWの範囲で変化するように、光グラデーション減衰器16を調整する。そして、感光性材料の中で露光し、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去し、ガラス基板の表面に図10aに示すようなドットアレイ構造が得られる。図10aにおいて、波長が800nmのレーザの平均パワーは順に、15.02mW、14.12mW、13.20mWであり、13.20mWの平均パワーで得られた加工分解能は、155nmである。なお、波長が800nmのレーザビームの平均パワーを13.20mWよりも低くする場合、ドット構造が得られなくなる。このように、加工すべき感光性材料に対して多光子吸収を発生させる波長を選択し、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームのパワーを調整することにより、130nmよりも小さい加工分解能が得られる。したがって、従来の単一の波長が800nmのレーザを使用して得られた155nmの分解能よりも高い加工分解能が得られることがわかる。同時に、2つのレーザビームを使用した場合の加工エネルギーは、単一のレーザビームを使用した場合の加工エネルギーよりも低いことがわかる。<実施例4>以下、図面に示したレーザマイクロナノ加工システム、及び当該レーザマイクロナノ加工システムを用いてガラス基板上に施された商品名がSCR500のフォトレジストにおいて重合点を形成する方法を詳細に説明する。実施例4に係るレーザマイクロナノ加工システムは、波長が800nm、パルス幅が100fs、パルス繰り返し周波数が82MHz、ビーム径が1.8mm、偏光状態が直線偏光のレーザビームを出力するチタン宝石フェムト秒パルスレーザ1を含む。まず、チタン宝石フェムト秒パルスレーザ1を動作させる。その出力光路には、BK7ガラスで製作され、透過反射比が7:3であるハーフミラー3が配置されている。透過光路においては、主軸に沿って、厚さが1mmのI型BBO逓倍結晶5と、800nmの波長をフィルタリングする干渉フィルタ6とが順次に配置されている。これらにより、ビーム径が1.2mmで、波長が400nmの純粋な逓倍光が得られる。該逓倍光は、焦点距離が60mmのレンズ12と焦点距離が150mmのレンズ13とによって拡大される。ハーフミラー3の反射光路においては、主軸に沿って、他方の光路と平行させるBK7ガラスで製作された反射鏡4が配置されている。反射鏡4の後方には、1次元マイクロ移動テーブル22とBK7ガラスで製作された4つの反射鏡とで構成される光学遅延モジュール9が配置されている。光学遅延モジュール9の後方に位置する焦点距離が35mmのレンズ10と焦点距離が150mmのレンズ11により基本波光を拡大し、その後方には、動作波長が800nmの1/2波長板14が配置されている。基本波光と逓倍光との偏光方向の挟角がそれぞれ0°、45°及び90°になるように、1/2波長板14の光軸方向を調整する。逓倍光路の後方に配置されたBK7ガラスで製作されたダイクロイックミラー18と、基本波光路の後方に配置されたBK7ガラスで製作された反射鏡19により、2つのレーザビームを重畳させる。さらにその後方に位置する開口数が1.45、倍率が100の油浸対物レンズ20により、重畳されたレーザビームを、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21に置かれた感光性材料内部に集束させる。2つのレーザビームが重畳された後の焦点がガラス基板と感光性材料の界面に位置するように、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブル21を調整する。2つの光の露光時間がいずれも100msとなるように、シャッター7、8を調整する。波長が400nmの光の平均パワーが5.8μWで、波長が800nmの光の平均パワーが上記3つの偏光方向に対してそれぞれ、12.34mW、13.20mW及び11.79mWになるように光グラデーション減衰器16、17を調整する。そして、感光性材料の中で露光し、無水エタノール溶液で光と相互に作用しなかった感光性材料部分を除去する。そうすると、ガラス基板の表面に図11に示すような分解能が135nmよりも小さい重合点が得られる。このように、レーザビームの偏光方向を変更することにより、レーザマイクロナノ加工システムの加工精度を改善できる。[実施形態2]図12は、実施形態2に係る金属マイクロナノ構造を製作するレーザマイクロナノ加工システム400の概略構成を示す図である。レーザマイクロナノ加工システム400は、第1の光路に位置する第1レーザ1、第1のシャッター7、レンズ10と11とからなる第1のレンズ群、減衰器16を含む。また、レーザマイクロナノ加工システム400は、第2の光路に位置する第2レーザ2、第2のシャッター8、レンズ12と13とからなる第2のレンズ群、減衰器17を含む。さらに、レーザマイクロナノ加工システム400は、ダイクロイックミラー18、反射鏡19、対物レンズ20、マイクロ移動テーブル21を含む。第1レーザ1は、パルス幅がナノ秒からフェムト秒の範囲内にあり、繰り返し周波数が1Hz~100MHz、波長調整可能な範囲が157nm~1064nmである第1のレーザビームを生成する。シャッター7は、第1のレーザの出力光路の開閉を制御し、レンズ10とレンズ11は、第1のレーザ1のレーザビームを拡大する。減衰器16は、照射過程において、第1のレーザ1からの第1のレーザビームが試料に入射するレーザパワーを制御する。第2のレーザ2は、波長調整可能な範囲が300nm~1064nmであって、光ピンセット作用及び表面プラズマ吸収熱作用を発生させる第2のレーザビームを出力する連続波レーザであることが好ましい。シャッター8は、第2のレーザの出力光路の開閉を制御し、レンズ12とレンズ13は、第2のレーザ2からの第2のレーザビームを拡大する。減衰器17は、照射過程において試料に入射される第2のレーザビームのレーザパワーを制御する。ダイクロイックミラー18は、第1のレーザビームを対物レンズに反射するとともに、第2のレーザビームを透過させ、反射鏡19は、第2のレーザビームを対物レンズに反射する。これにより、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを、同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させる。対物レンズは、重畳されたレーザビームを3次元マイクロ移動テーブル21に置かれた試料に集束させる。レーザマイクロナノ加工システム400は、さらに、第1のレーザビームの光路上に位置する波長板14と、第2のレーザビームの光路上に位置する波長板15とを含む。波長板14、15は、所在する光路のレーザ光の波長の全波長板、1/2波長板及び1/4波長板であることが好ましい。レーザマイクロナノ加工システム400のレンズ10、11、12、13の焦点距離は、1mm~500mmであることが好ましい。レーザマイクロナノ加工システム400の対物レンズ20は、乾燥対物レンズ、水浸対物レンズや油浸対物レンズで、開口数が0.75~1.65、倍率が10~100倍であることが好ましい。レーザマイクロナノ加工システム400のマイクロ移動テーブル21は、コンピュータにより制御され、その移動範囲は、1nm~200mmである。図13は、実施形態2に係るレーザマイクロナノ加工システムを用いて、金属マイクロナノ構造を製作する方法を示すフローチャートである。まず、金属イオン溶液が載置された試料をマイクロ移動テーブルに置くS1301。金属イオン溶液が載置された試料は、基板と、当該基板上に施された金属イオン溶液とを含む。当該基板は、一般的に、例えば通常の光学ガラス、ITOガラス基板やFTOガラス基板のようなガラス基板、石英基板、セラミック基板、例えばジルコニア基板のような酸化物基板、或いは半導体基板である。良好な金属構造を得るために、必要に応じて、用いられる基板にフィルムを塗布または堆積してもよい。金属マイクロナノの構造の製作過程において、溶液の蒸発を防ぐために、通常、基板、金属イオン溶液、透明補助基板からなるサンドイッチ構造を用いて、溶液を封止する。例えば、溶液を収容する試料タンクを基板に置き、タンクに金属イオン溶液を満たした後、透明な補助基板を試料タンクに置くことにより、基板、金属イオン溶液、透明補助基板からなるサンドイッチ構造を形成できる。不透明、又は厚さが所用の集束対物レンズの作動距離を超える基板については、レーザビームを上記サンドイッチ構造の透明補助基板の方向から上記金属イオン溶液へ、上記溶液内の指定位置を照射する必要がある。図14は、実施形態2に係るサンドイッチ構造の透明補助基板の方向から感光性材料を照射する様子を示す図である。ここで、感光性材料は、例えば金属イオン溶液である。上記金属イオン溶液は、銀イオン溶液、金イオン溶液、白金イオン溶液、銅イオン溶液、鉄イオン溶液、ニッケルイオン溶液、コバルトイオン溶液、またはパラジウムイオン溶液であってもよい。上記金属イオン溶液は、界面活性剤成分、例えば、n-デカノイルサルコシンナトリウム、クエン酸ナトリウム、セチル臭化アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、酪酸ナトリウム、吉草酸ナトリウム、カプロン酸ナトリウム、辛酸ナトリウム、カプリン酸ナトリウムやこれらのうち2以上の物質を混合した混合物をさらに含んでもよい。第1のレーザビームと第2のレーザビームとをそれぞれ出力するように、第1のレーザと第2のレーザとを調整する。第1のレーザの出力するレーザビームを、上記溶液内の金属イオンに多光子効果を発生させる第1の波長に調整するS1302。該第1の波長は、溶液内の金属イオンに光還元反応を発生させ、金属ナノ粒子を形成することができる。第2のレーザの出力するレーザビームを、還元して得られた金属ナノ粒子に表面プラズマ吸収及び光ピンセット作用を発生させることが可能な第2の波長に調整するS1303。次に、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させるS1304。図12に示すレーザマイクロナノ加工システムにおける各々の光学素子を調整し、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させ、対物レンズを介して重畳されたレーザビームを同一の焦点に集束させる。次に、集束されたレーザビームで上記金属イオン溶液を照射し、レーザビームの焦点を金属イオン溶液の中で移動させることにより、溶液中で金属マイクロナノ構造を製作するS1305。所定の金属ナノ構造を得るために、レーザマイクロナノ加工システムにおけるマイクロ移動テーブルを調整し、上記重畳されたレーザビームの焦点を溶液中に移動させる。溶液中の金属イオンは、第1のレーザビームの作用により多光子吸収効果を発生し、金属ナノ粒子に還元される。該金属ナノ粒子は、第2のレーザビームの作用により、レーザビームの焦点に集まって融合され、レーザビームの移動に伴って金属マイクロナノ構造を形成する。<実施例5>以下、図12に示すレーザマイクロナノ加工システムを用いて、ガラス基板の上に銀ナノワイヤを加工する実施例を詳細に説明する。まず、銀イオン溶液が載置された試料を上記マイクロ移動テーブルに置く。銀イオン溶液が載置された試料は、ガラス基板と、当該ガラス基板上に施された銀イオン溶液と、透明な補助基板とを含む。銀イオン溶液の中では、銀イオンの濃度が0.01M~0.5M、界面活性剤としてのn-デカノイルサルコシンナトリウムの濃度が0.01M~0.2Mである。金属マイクロナノ構造の製作過程において、溶液の蒸発を防ぐために、通常、ガラス基板、銀イオン溶液、透明補助基板からなるサンドイッチ構造を用いて、溶液を封止する。その後、第1のレーザビームと第2のレーザビームとをそれぞれ出力するように、第1のレーザと第2のレーザとを調整する。第1のレーザのチタン宝石フェムト秒パルスレーザ1の出力するレーザビームを、上記溶液内の銀イオンに多光子効果を発生させる780nmの波長に調整する。さらに、パルス幅が100fs、パルス繰り返し周波数が82MHz、ビーム径が1.8mmの第1フェムト秒レーザビームを出力するように、チタン宝石フェムト秒パルスレーザ1を調整する。第2のレーザ2のヘリウムカドミウム連続レーザの出力する連続レーザビームを、還元して得られた金属ナノ粒子に表面プラズマ吸収及び光ピンセット作用を発生させることが可能な441.6nmの波長に調整する。次に、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の焦点に集束させる。レーザマイクロナノ加工システムにおける各々の光学素子を調整し、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の光路に沿って進行する重畳レーザビームに重畳させる。そして、開口数が1.45、倍率が100倍の油浸対物レンズを介して重畳されたレーザビームを同一の焦点に集束させる。図14に示すように、重畳されたレーザビームは、対物レンズを介して、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルに置かれた、ガラス基板と補助基板との間の感光性材料である銀イオン溶液に集束される。次に、集束されたレーザビームで上記金属イオン溶液を照射し、レーザ焦点を金属イオン溶液の中で移動させることにより、溶液中で金属マイクロナノ構造を製作する。銀ナノワイヤを得るために、レーザマイクロナノ加工システムにおけるマイクロ移動テーブル21を調整し、上記重畳されたレーザビームの焦点を溶液中でガラス基板と接触する表面から走査させる。溶液中の銀イオンは、第1のレーザビームの780nmのレーザの作用の下、多光子吸収効果を発生し、銀ナノ粒子に還元される。銀ナノ粒子は、第2のレーザビームの441.6nmのレーザの作用の下、レーザビームの焦点に集まって融合され、重畳レーザビームの走査に伴って銀ナノワイヤを形成する。チタン宝石フェムト秒パルスレーザの光路及びヘリウムカドミウムレーザの光路における光減衰器によって、2つのレーザビームのパワーを2.0~0.1mWと4.0~0.1mWとにそれぞれ調整できる。そして、3次元マイクロ移動テーブルの移動速度を20nm/ms~2nm/msにし、ガラス基板の上で150~50nmの銀ナノワイヤを製作できる。最後に、基板を洗浄し、残りの溶液を除去し、金属マイクロナノ構造が得られる。図15は、実施例5に係るレーザマイクロナノ加工システムを用いて金属ナノワイヤを製作する方法で、製作された銀ナノワイヤの走査型電子顕微鏡の図である。ここで、第1のレーザは780nmのフェムト秒レーザビームを発生し、レーザパワーはそれぞれ0.85mW、0.51mWである。また、第2のレーザは441.6nmの連続波レーザビームを発生し、レーザパワーは2.00mWである。図15に示す銀ナノワイヤの線幅は、それぞれ117nmと77nmである。<比較例3>比較として、図16は、他の実施条件を実施例5と同様にし、780nmのフェムト秒レーザビームを単独で使用して銀イオンを露光した場合、得られた銀ワイヤの電子顕微鏡の図である。フェムト秒レーザビームのパワーが0.85mWである場合の銀ワイヤの線幅は255nmであるが、パワーが0.51mWである場合には連続する銀ワイヤを取得することができない。<実施例6>他の実施条件を実施例5と同様にし、第1のフェムト秒レーザビームを波長が780nm、レーザパワーが0.484mWにし、第2の連続波レーザビームを波長が441.6nm、レーザパワーが2.47mWにして銀ナノワイヤを製作する。さらに、コンピュータ制御のマイクロ移動テーブルを変位させることにより、銀ナノワイヤアレイを製作する。この場合の走査型電子顕微鏡の図は、図17に示す通りである。<実施例7>他の実施条件を実施例5と同様にし、事前にプログラミングされたプログラムで第1のレーザビームと第2のレーザビームの重畳レーザビームの銀イオン溶液での走査を制御し、2次元の開ループ共振リングアレイを製作する。この場合の走査型電子顕微鏡の図は、図18に示す通りである。[実施形態3]フェムト秒レーザ直接描画技術において、レーザビームは、通過する全ての領域において物質との作用を起こさず、一定の閾値に達し、物質に二光子吸収を発生させて光化学反応を引き起せる領域においてのみ物質と作用する。1つのレーザビームが入射した場合、材料が同時に2光子を吸収し、吸収効率は焦点におけるレーザ光強度の2乗に正比例し、加工分解能はレーザ光の焦点における光強度分布関数の2乗により決められる。一方、波長の異なる2つのレーザビームが入射した場合、材料が2つの異なる周波数の光子を吸収し、吸収効率は焦点での2つのレーザ光強度の積に正比例し、加工分解能は2つのレーザ光の焦点における光強度分布関数の積に決められる。以下、レーザ直接描画技術を半導体プロセスに適用する例として、実施形態3に係るマイクロナノデバイスを製作する方法を具体的に説明する。図19は、実施形態3に係るマイクロナノ構造のデバイスを製作する方法を示すフローチャートである。該方法は、次のステップを含む。ステップS1901では、基板上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する。ステップS1902では、レーザ二光子吸収効果により当該フォトレジストの指定位置を露光する。ステップS1903では、露光後のフォトレジストを現像し、フォトレジスト層にデバイス構造に対応するパターンを形成する。ステップS1904では、フォトレジスト層のパターンを基板上に転写する。マイクロナノ構造を有する半導体装置を製造するために、該基板の材料は、一般的に、例えばケイ素Si、窒化ガリウムGaN、ガリウムヒ素GaAs等のIV族材料、III-V族材料やII-VI族材料である。或いは、基板は、シリコンオンインシュレータSOI、例えば酸化シリコン、窒化シリコンなどの誘電体が形成されたガラス基板、ガラス、及び媒介層が形成された半導体基板等であってもよい。これらの基板は、通常、可視光及びレーザ光を透過させない。フォトレジストに形成されるレーザビームスポットがナノスケールを有し、さらに、フォトレジストがレーザビームに対して優れた二光子吸収効果を持つために、レーザビームをフォトレジストの基板から離れる方向からフォトレジストに進入させる必要がある。図20は、図19に示すマイクロナノ構造の半導体装置を製作する方法において、フォトレジストを露光するステップの詳細を示すフローチャートである。図19のステップS1901で、フォトレジストを基板に塗布しフォトレジスト層を形成後、透明補助基板、例えばガラスにより、塗布されたフォトレジストを覆い、透明補助基板、フォトレジスト層、基板からなるサンドイッチ構造を形成するS2001。サンドイッチ構造における透明補助基板がレーザ入射方向に向けるように、形成されたサンドイッチ構造をレーザマイクロナノ加工システムのマイクロ移動テーブルの上に置くS2002。サンドイッチ構造とレーザ二光子加工装置の対物レンズとの位置関係は、図14に示す通りである。フォトレジストと集束するための対物レンズとの間に透明補助基板を設けることにより、対物レンズに対するフォトレジストの汚染を回避できる。レーザビームのビームスポットがフォトレジストと基板との界面に集束され、該界面から指定された位置に従い、レーザ二光子吸収効果によりフォトレジストを露光するように、レーザ二光子装置のレーザ光源を調整する。現在のレーザマイクロナノ加工システムでは、通常、油浸対物レンズを用いてレーザビームを集束させる。油とガラスとの屈折率がより近いため、レーザビームが屈折率のマッチングしている媒体を介してビームスポットを形成する場合、より小さい集束サイズが得られ、分解能を向上できる。同時に、油浸対物レンズを用いて、さらに油浸対物レンズ及びフォトレジスト層に補助透明基板を直接提供することにより、対物レンズがダメージを受けないように保護できる。従って、上記透明補助基板は、小さなビームスポットサイズが得られるように、屈折率が油媒体の屈折率とマッチングしている材料を選択することが好ましい。実施形態3によれば、非透光性基板、フォトレジスト層、補助透明基板からなるサンドイッチ構造を形成し、補助透明基板を介してレーザビームがフォトレジストを露光する。これにより、レーザ二光子が半導体装置の基板に塗布されたフォトレジスト層を直接描画することを実現できる。実施形態3の加工方法を半導体装置の製造に適用すれば、通常の半導体プロセス中のフォトマスクを使用せずに、基板に形成されたフォトレジストを直接露光できる。したがって、フォトマスクの製造フロー、製造コストを削減でき、半導体装置の製造コストを大幅に低減できる。また、マイクロナノスケール、例えば約10~約100ナノメートルのフィーチャーサイズを有する半導体装置を製造できる。基板上に塗布されたフォトレジストは、レーザ二光子吸収を発生させるポジ型フォトレジストまたはネガ型フォトレジストである。ポジ型フォトレジストは、例えば、紫外ポジ型フォトレジストまたは深紫外ポジ型フォトレジストであってよく、フォトレジストのコーティング層の厚さは、例えば10ナノメートル~100マイクロメートルである。第1のレーザビームと第2のレーザビームの重畳レーザビームにより、フォトレジストを露光する。レーザマイクロナノ加工システムにおけるマイクロ移動テーブルを調整することにより、上記重畳レーザビームの焦点をフォトレジスト層で移動させ、フォトレジストを露光する。所用のフォトレジストの種類に応じて、対応するレーザビームの波長、適切な露光エネルギー、露光時間及びマイクロ移動テーブルの移動速度を選択する。フォトレジストは、レーザ二光子露光により分解され、現像によってフォトレジストに孔や溝などの特定な構造を形成する。フォトレジスト上のパターンを、例えば半導体基板のような基板に転写する方法は、蒸着又は金属スパッタ、誘電体又は半導体材料の堆積、ウェットエッチングまたはドライエッチングなどを含む。これらの当業者であれば公知の技術を利用することにより、フォトレジスト上に形成されたパターンを半導体基板に転写し、構造特徴を有するように半導体構造を形成できる。さらに、マイクロナノスケールの構造特徴を有する完全の半導体装置を得るために、上記のように得られた半導体構造についてさらなる加工を行ってもよい。さらなる加工として、レーザ二光子直接描画、蒸発または金属スパッタ、エッチング等の方法を含むが、これらに限定されない。以下に、具体的な実施例を参照して、本実施形態を更に説明する。<実施例8>以下、図21~28を参照して、SOI基板上でFinFETデバイスを製作することを例にして、本実施形態の方法を詳細に説明する。まず、SOI基板上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する。図21に示すように、商品名がSCR500のネガ型フォトレジストをSOI基板に塗布し、フォトレジスト層801を形成する。SOI基板は、上から下へ、上層シリコン802、酸化シリコン絶縁層803、シリコン基板804によって構成されている。ここで、上層シリコンの厚さは、例えば55nm、酸化シリコン絶縁層の厚さは、例えば150nmである。次に、レーザ二光子吸収によりフォトレジスト層を露光し、フォトレジスト層でFinFETデバイスのパターンを露光する。レーザマイクロナノ加工システムのレーザ光源を動作させる。該レーザ光源は、波長が800nm、パルス幅が100fs、パルス繰り返し周波数が82MHz、ビーム径が1.8mm、偏光状態が直線偏光のレーザビームを出力するチタン宝石フェムト秒パルスレーザを選択使用する。ビームスプリッタにより、該レーザビームを2つの光路に分ける。第1の光路には、厚さが1mmの1個のIタイプBBO逓倍結晶と800nmの波長をフィルタリングする干渉フィルタとが配置され、波長が400nmの第1のレーザビームを得る。第1の光路の波長が400nmの第1のレーザビームと第2の光路の波長が800nmの第2のレーザビームとをそれぞれ拡大した後、例えば、ハーフミラーを介して、第1のレーザビームと第2のレーザビームとを同一の光路に進行する重畳レーザビームに重畳させる。該重畳レーザビームは、開口数が1.45、倍率が100倍の油浸対物レンズを介して、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルに置かれたフォトレジスト801に集束される。重畳レーザビームの焦点がSOI基板の上層シリコン802とフォトレジスト801との界面から走査し始め、図22に示す指定位置に従いフォトレジストを露光するように、コンピュータ制御の3次元マイクロ移動テーブルを調整する。こうすることにより、ソースとドレインを製作するためのメサ構造601、602と、アクティブ領域603とを含むパターンが得られる。第1のレーザビームの平均パワーが1.5μWになるように、波長が400nmの第1のレーザビームの光路に位置する光減衰器を調整する。また、第2のレーザビームの平均パワーが4.43mWになるように、波長が800nmの第2のレーザビームの光路に位置する光減衰器を調整する。さらに、3次元マイクロ移動テーブルの移動速度が80nm/msになるようにし、図22のアクティブ領域603を96nmの分解能を有するナノワイヤ構造に形成できる。さらに、現像により、フォトレジストの上にFinFETデバイス構造のパターンを形成する。露光を終了した後、例えば、無水エタノール溶液で、未露光のフォトレジスト部分を除去し、フォトレジスト層にはFinFETデバイス構造のパターンが得られる。図23は、当該パターンの断面を示す図であり、図26は、当該パターンの顕微鏡写真である。さらに、フォトレジスト層のパターンをSOI基板に転写する。フォトレジスト上のFinFET構造のパターンをマスクとし、誘導結合プラズマICPエッチング技術により、shallow2LR3のモードで15sエッチングし、図24に示すように、マスク無しの領域における埋め込み酸化シリコン絶縁層を露出させる。試料を、体積比が3:1である濃硫酸と過酸化水素水の混合溶液に浸漬し、200°Cの温度で20分間浸することで、マスクとしてのフォトレジスト部分を除去し、図25に示すような断面を有する構造が得られる。図27は、図25に示す構造の顕微鏡写真である。当該顕微鏡写真からわかるように、本実施形態のレーザ二光子直接描画技術により得られたシリコンナノワイヤの幅は、66nmである。さらに、一般的な半導体プロセスにより、得られる構造を処理して所望の半導体装置を形成する。例えば、図27に示す得られたシリコンフィンFin構造を含有するメサ構造を熱酸化して、シリカSiO2誘電体層を形成する。SiO2誘電体の上に、低圧化学気相蒸着LPCVDによって、ドープしたポリシリコンを形成する。形成されたドープしたポリシリコンに対してフォトリソグラフィー、例えば、光学リソグラフィー、電子ビーム直接描画を用いたリソグラフィー、フェムト秒レーザ直接描画を用いたリソグラフィーを行うことにより、上記ポリシリコンをポリシリコンゲートとして形成する。形成されたポリシリコンゲートをマスクとして、メサ領域に対してセルフアラインメトイオン注入及び急速アニールプロセスを行い、ソースドレイン領域を形成する。プラズマCVDPECVD法により、シリコン酸化物保護層を形成する。フォトリソグラフィー、例えば、光学リソグラフィー、電子ビーム直接描画を用いたリソグラフィー、フェムト秒レーザ直接描画を用いたリソグラフィーなどの技術によって、堆積されたシリコン酸化物保護層に、金属配線用の開口を形成する。その後、従来のメタライゼーションプロセスにより、各々の電極を形成する。これにより、図28に示すようなデバイス構造を形成する。以上、本発明を理解しやすくするために、本発明に係る最適な実施形態を説明した。ただし、本発明は、これらの最適の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内において、当業者ならば、自明な各種の修正、調整および取替を行うことができる。従って、特許請求の範囲は、本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内におけるあらゆる修正及び変更を含む。本発明のテーマは、中国国家973計画2010CB934100から資金補助されている。