"発光ダイオードであって、第一電極と、前記第一電極にオーミック接触される複数個のn型窒化ガリウムナノロッドを有するn型窒化ガリウムナノロッドアレイと、各n型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、複数個のp型窒化ガリウムナノロッドを有し、各p型窒化ガリウムナノロッドは一個のn型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各n型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に設置されるp型窒化ガリウムナノロッドアレイと、前記p型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極を含むことを特徴とする発光ダイオード。前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの数量は二個以上で、窒化ガリウム障壁層は各二個の窒化インジウムガリウムナノディスク間に設置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクのエレクトロルミネセンス発光は単色光或いは多色光であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光は偏光であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。各前記窒化インジウムガリウムナノディスクの厚さは10nm以上とすることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。各前記窒化インジウムガリウムナノディスクの厚さは10nmから40nmとすることを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオード。駆動電流が増加した場合、前記発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光の波長を変化させずに維持させることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードの発光色温と前記発光ダイオードの駆動電流は無関係であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。駆動電流が5mAを超過した場合、前記発光ダイオードの色温は6000Kを保持させることを特徴とする、請求項8に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードの駆動電流の密度が50A/cm2まで増加した場合、前記発光ダイオードの相対外部量子効率も変化するが、飽和或いは低下はしないことを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。前記第一電極或いは前記第二電極は透明電極で、各前記p型窒化ガリウムナノロッド或いは各前記n型窒化ガリウムナノロッドは両端を有し、前記透明電極に近い一端は他端より幅広いことを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。発光ダイオードであって、第一電極と、前記第一電極にオーミック接触されるn型窒化ガリウムナノロッドと、前記n型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスク上方に設置されるp型窒化ガリウムナノロッドと、前記p型窒化ガリウムナノロッドにオーミック接触される第二電極を含むことを特徴とする発光ダイオード。前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの数量は二個以上で、窒化ガリウム障壁層は各二個の窒化インジウムガリウムナノディスク間に設置されることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクのエレクトロルミネセンス発光は単色光或いは多色光であることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光は偏光であることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光は偏光比を有し、前記偏光比と前記発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光の波長及び前記窒化インジウムガリウムナノディスクの直径は無関係であることを特徴とする、請求項15に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードの駆動電流の密度は8000A/cm2以上に達することを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。各前記窒化インジウムガリウムナノディスクの厚さは10nm以上であることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードはサブ波長光学リソグラフィーの光源となり、接触或いは近接露光、リトグラフィー方式により、前記発光ダイオードが照射する波長の範囲内のフォトレジストを感光させ、ここでは前記フォトレジストは前記発光ダイオードの近接場範囲内に位置されることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。ラスター走査による前記単体ナノロッド発光ダイオードと前記フォトレジストの走査を経て、サブ波長光学リソグラフィーを完成させることを特徴とする、請求項19に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードはサブ波長光画像技術の光源となり、オブジェクトは前記発光ダイオードの近接範囲内に位置されることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。ラスター走査による前記発光ダイオードと前記オブジェクトの走査を経て前記光画像を完成させることを特徴とする、請求項21に記載の発光ダイオード。発光ダイオードの製造方法であって、第一電極の形成と、複数個のn型窒化ガリウムナノロッドを有し、前記第一電極にオーミック接触されるn型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、各n型窒化ガリウムナノロッド上に一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの形成と、複数個のp型窒化ガリウムナノロッドを有し、各p型窒化ガリウムナノロッドは一個のn型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各n型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に形成されるp型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、前記p型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極の形成を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。これら前記n型窒化ガリウムナノロッドとp型窒化ガリウムナノロッドの格子構造は六方ウルツ鉱型構造であり、ここではこれら前記ナノロッドは六方ウルツ鉱型構造のc軸方向に沿いエピタキシー成長することを特徴とする、請求項23に記載の発光ダイオードの製造方法。プラズマ援用分子線エピタキシー法を利用して前記n型窒化ガリウムナノロッド、前記p型窒化ガリウムナノロッド、及び前記窒化インジウムガリウムナノディスクを製作することを特徴とする、請求項23に記載の発光ダイオードの製造方法。記プラズマ援用分子線エピタキシー法は、III族窒化物フィルムの成長時に用いられるIII族分子線と窒素の流束比の比較の下に窒素リッチの条件で使用されることを特徴とする、請求項25に記載の発光ダイオードの製造方法。各窒化インジウムガリウムナノディスクの発光波長はエピタキシー工程の温度及びIII族半導体の分子線の流束により決定されることを特徴とする、請求項26に記載の発光ダイオードの製造方法。前記一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクは、一個或いは複数個のT1窒化インジウムガリウムナノディスク、一個或いは複数個のT2窒化インジウムガリウムナノディスク、及び一個或いは複数個のT3窒化インジウムガリウムナノディスクを含み、このエピタキシー温度はT1>T2>T3となることを特徴とする、請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。これらの異なる前記エピタキシー温度T1、T2、T3で成長するナノディスクを結合させる事で、エレクトロルミネセンス発光は白色光となることを特徴とする、請求項28に記載の発光ダイオードの製造方法。二個以上の前記窒化インジウムガリウムナノディスクを形成させる場合、各二個の窒化インジウムガリウムナノディスク間の窒化ガリウム障壁層の形成を更に含ことを特徴とする、請求項23に記載の発光ダイオードの製造方法。過去数年来QCSE効果克服の為に多くの研究がなされており、例えば各種基板上に非極性のa-平面或いはm-平面7、8を成長させる等がある。しかしながら、前述した従来の技術では、非極性の方法はそれ自身に制限と困難8を有する為、緑黄色光バンドギャップの効率低下問題に対しての、最良の解決策とはならない。本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題解決のため、本発明は、緑黄色光の周波数の好ましくない効率と、発光ダイオードの発光効率低下問題の克服を主目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る発光ダイオードは、第一電極と、第一電極にオーミック接触される複数個のn型窒化ガリウムナノロッドを有するn型窒化ガリウムナノロッドアレイと、各n型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、複数個のp型窒化ガリウムナノロッドを有し、各p型窒化ガリウムナノロッドは一個のn型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各n型窒化ガリウムナノロッド上方の窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に設置されるp型窒化ガリウムナノロッドアレイと、p型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極を含むことを特徴とする発光ダイオード。また、本発明に係る発光ダイオードは、第一電極と、第一電極にオーミック接触されるn型窒化ガリウムナノロッドと、n型窒化ガリウムナノロッド上に設置される一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクと、一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスク上方に設置されるp型窒化ガリウムナノロッドと、p型窒化ガリウムナノロッドにオーミック接触される第二電極を含むことを特徴とする発光ダイオード。また、本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、第一電極の形成と、複数個のn型窒化ガリウムナノロッドを有し、第一電極にオーミック接触されるn型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、各n型窒化ガリウムナノロッド上に一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの形成と、複数個のp型窒化ガリウムナノロッドを有し、各p型窒化ガリウムナノロッドは一個のn型窒化ガリウムナノロッドに対応されて、対応される各n型窒化ガリウムナノロッド上方の窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に形成されるp型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、p型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極の形成を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。以下に本案の各実施形態について詳述し、図式を例示する。これらの詳細な説明以外に、本発明は更に広範囲に亘り他の実施形態を施行でき、ここで述べられる実施形態の代替、改修、当量の変化は全て本案の範囲内であり、以後の特許範囲の基準とする。明細書の説明では、読者が本発明を完全に理解できる様、特定の子細について多く詳述するが、然しながら本発明は部分的に、或いはこれらの特定の子細を全て省略する前提でも実施可能である。このほか、周知のステップ或いは部材はこの特定の子細では説明せず、本発明が不必要な制限を受けるのを避ける。図式中の同じ或いは類似する部材については、同じ或いは類似する符号を用いて表示する。特に注意したいのは、図式は概略に用いらているに過ぎず、特に説明する物を除いては、部材の実際の寸法或いは数量を示す訳ではない。本発明に係る実施形態の方法では、利用シリコン基板上に組み立てられたGaNナノロッドアレイを結晶成長のテンプレートとし、ナノロッドアレイ上でInGaN/GaNナノロッドのヘテロ接合構造を成長させ、これにより本発明の主目的を完成させる。上述の方法の最大の特徴は圧電分極効果の排除であり、これにより厚さ数十ナノメートルに達する各InGaNナノディスク構造が形成可能となる。上述の方法を利用して、本発明に係る実施形態では、無燐光体の白色光ナノロッドアレイ発光ダイオード、及び偏光のフルカラー単体ナノロッド発光ダイオードについて全体的に例示する。以下に本発明に係る好ましい実施形態の、白色光のを発生させる多色ナノロッドアレイ発光ダイオードの無燐光体について述べる。まず、プラズマ援用分子線エピタキシー法により、3インチの、n型シリコン基板上に、六方ウルツ鉱型構造のc軸に沿って成長し垂直に自動配列されるGaNナノロッドアレイが作られる。上述のプラズマ援用分子線エピタキシー法の詳細な内容はChen、H.-Y.、Lin、H.-W.、Shen、C.-H.Gwo、S.StructureandphotoluminescencepropertiesofepitaxiallyorientedGaNnanorodsgrownonSibyplasma-assistedmolecular-beamepitaxy.Appl.Phys.Lett.89、243105を参照し、その内容を本文中に挿入させ、本案の明細書の一部分とする。上述の方法により成長したナノロッドアレイは、歪緩和の、無転位の単結晶構造であり、これは相似する格子構造を持つ歪緩和InGaNナノディスクを成長させる。図1aから図1dにかけては本発明に係る実施形態の発光ダイオードを図示し、この内の図1aは発光ダイオードの立体図である。図1bは発光ダイオードが20mAの駆動電流を加えられた時に白色光を発生させた写真であり、図の下方には各種駆動電流時のエレクトロルミネセンス発光の拡大倍率10倍の顕微鏡写真を示す。図1cは発光ダイオードが20mAの駆動電流を加えられた時のエレクトロルミネセンス発光の拡大倍率100倍の顕微鏡写真である。図1dは発光ダイオードの国際照明委員会のxy色度図における、駆動電流が5mAから25mAに増加した際の、色温が自然白色光である6000Kを保持する様子である。図1aによると、本実施形態の発光ダイオードは、チタン/金電極2がシリコン基板1上に設置されるn型シリコン基板1と、複数のn型GaNナノロッドで構成され、チタン/金電極にオーミック接触されるn型窒化ガリウムナノロッドアレイ3と、各n型GaNナノロッド上に設置される一個或いは複数個窒化インジウムガリウムナノディスク4と、複数のp型GaNナノロッドで構成され、InGaNナノディスク4の上方に設置され、一個のp型GaNナノロッドは一個のn型GaNナノロッドに対応されるp型GaNナノロッドアレイ5と、p型GaNナノロッドアレイ5にオーミック接触されるニッケル/金電極6を含む。注意すべきは、チタン/金電極2はn型GaNナノロッドアレイ3に直接接触されるのではなく、シリコン基板1とn型GaNナノロッドアレイ3によりオーミック接触される点である。このほか、ニッケル/金電極6は透明電極であり、各p型GaNナノロッド5は両端を有し、また透明電極に近い一端は他端より幅広く、この構造は漏電の回避に役立つ。上述の発光ダイオードの白色発光は、GaNナノロッドp-nをヘテロ接合構造のInGaNナノディスク4に積層させて混光效果を完成させる。注意したいのは、前述の一個或いは複数個の各InGaNナノディスク4は多くの異なる波長を照射させる発光体で構成されており、その平均的な照射される波長は結晶成長時の温度TとIn/Gaの分子線の流束比により制御される。ナノディスクは複数の成長温度が組み合わされる事で本実施形態の様になり、発光ダイオードは三種類の異なる成長温度が組み合わされるInGaNナノディスクを有し、ここでは三つのT1、一つのT2、一つのT3を有するInGaNナノディスクであり、またその結晶成長温度はT1>T2>T3となる。本発明に係る他の実施形態では、発光の要求に基き、異なる数量或いは組み合わせを有するInGaNナノディスクである。このほか、各二個のInGaNナノディスク間には、GaN障壁層7が設置される。従来の平面性InGaN/GaN多重量子井戸構造の、InGaN活性層の厚さは2nmから4nmに制限されている。本発明に係る実施形態では、成長するナノディスクは歪緩和の長所を有し、これにより積層しての成長がナノディスクの厚さを制御する事になる。例えば、各ナノディスクの厚さが10nmから25nmになる。このほかにも、ナノディスクの数量と位置は精確に制御されなければならず、これにより図1bに示す白色光效果が得られる。本実施形態で提供される厚いInGaNナノディスクはより大きく、調整も可能な活性層を提供し、また高い駆動電流時には、過剰な電子を低減させ、キャリアが捕捉される現象を改善させる。本文で後述する、厚いナノディスクは発光ダイオードの効率低下問題を有効的に解決できる。このほか、図1cに示す本実施形態のナノロッドアレイ発光ダイオードは、各種の多様な色彩光を発生させる能力を有する。従来の燐光体の発光ダイオードについて言えば、多色性の光を発生させる場合、新たなフルカラー燐光体ロッドアレイを作り出す必要があり、もしその温度の安定性、量子の効率、化学的ロバスト性を考慮するならば、これは気の遠くなる任務といえる。図2aは本発明に係る上述の実施形態のInGaN/GaNナノロッドアレイ白色発光ダイオードの、駆動電流1mAから25mAの際のエレクトロルミネセンス発光のスペクトルグラフである。図によると、駆動電流20mA時に、二つの主な発光のピーク波長は青色光の周波数帯448nmと黄色光の周波数帯569nmにそれぞれ位置される。図によると、駆動電流が増加すると青色光に偏移する発光波長の量は、無視してよい程に小さくなる。これは本発明に係る実施形態の発光ダイオードの発光体がQCSE効果を有効的に排除している事を示す。発光ダイオードの活性層構造中の、成長温度T1のナノディスクは青色光を照射する周波数帯を提供し、成長温度T2のナノディスクは黄色光の周波数帯を提供し、成長温度T3のナノディスクは少な目の赤色光の周波数帯と黄色光の周波数帯の混合を提供する。駆動電流の増加に従い、青色光は無論の事、黄色光の周波数帯も無視できる程度の波長の偏移量を示す。エレクトロルミネセンス発光のスペクトルグラフを鑑みると、青色光の周波数帯と黄色光の周波数帯の混合は図1bに示す白色光效果を示す。図1dによると、極めて小さい波長の偏移は、InGaNナノディスク発光体の圧電分極効果は無視できる程度である事を示し、ナノロッドアレイ発光ダイオードの色温は、駆動電流の影響を受けないようになる。青色光の周波数帯の1.3nmと黄色光の周波数帯の2.4nmは偏移量が小さく、これはInGaNとGaN間の微小な自発分極のミスマッチによる可能性がある。前述の、高速な駆動電流時の効率低下は、現在発光ダイオードの発展にとって大きな障害となっている。効率低下の原因は、学会に於いて広く討論され、例えばオージェ型非発光再結合や、キャリアオーバーフロー、分極場、貫通転位等、いくつかのメカニズムが提出されている。本発明に係る実施形態で提供する厚い歪緩和のInGaN/GaNナノロッドヘテロ接合構造は効率低下問題を克服するものである。図2bは図2aの二つのピーク波長と全体の駆動電流とエレクトロルミネセンス発光強度の関係図である。無論青色光の周波数帯或いは黄色光の周波数帯は、駆動電流が増加した場合、そのエレクトロルミネセンス発光の強度も直線的に増加し、また斜率が固定される。これにより、発光ダイオード全体が発生させる白色光は、駆動電流増加の影響で変化される事はないと証明される。このほかに、発光ダイオード全体のエレクトロルミネセンス発光のスペクトルグラフは発光強度が減衰していない事を示す。注意する点は、図中の駆動電流は25mAで測定したのみで、本実施形態の発光ダイオードの実際の駆動電流と電流密度これよりずっと大きい。効率低下前の最大電流密度を測定する為に、本発明に係る他の実施形態では単体ナノロッド発光ダイオードを提供し、その光電特性を測定する。図3aは本発明に係る実施形態の単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードの室温下での電流-電圧曲線である。図によると、-10Vの場合は漏電は発生しない。図中の挿入図は単体ナノロッド発光ダイオードのフィールドエミッション走査電子顕微鏡のグラフと、構造の概略図である。図によると、スケールバーは500nm、単体ナノロッド発光ダイオードの長さ約2μm、それを含む直径は90nm、厚さ40nmの単一InGaNナノディスク4となっている。I-V曲線は好ましいダイオード特性を示している。また、用意された単体ナノロッド発光ダイオードは漏電しておらず、それ自身を通過する実際の電流密度値の測定に適合している。図3bは本発明に係る複数の実施形態の単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードのエレクトロルミネセンス発光のスペクトルグラフであり、ここでは各発光ダイオードは単体のInGaNナノディスクを有するのみである。スペクトルグラフによると、単一のInGaNナノディスクが発生させる光は全て単色光であり、約25nmと狭いスペクトルバンド幅を有する。顕微鏡図像によると、500nAの駆動電流の場合、これらの単体ナノロッド発光ダイオードが顕示する回折限界を有する点光源はそれぞれ紫色光、青色光、青緑色光、緑色光、黄色光である。図3cは図3aの単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードの、駆動電流が100nAから500nAまで増加された場合、発光のピーク波長が475nmを維持することを示す。このほか、挿入図はエレクトロルミネセンス発光強度及び相対的な外部量子効率と駆動電流密度の関係を示す。相対EQE値は固定の集光装置の、直流電流方式での、エレクトロルミネセンス発光強度から駆動電流を除く事で得られる。挿入図によると、駆動電流の密度が増加した場合、相対EQEも増加する。従来の発光ダイオードは、同じ様なEQE増加の趨勢下では、電流密度を10A/cm2より小さく維持するのみである。本実施形態では、ナノロッドの直径は90nmであり、これにより電流密度値を換算できる。挿入図によると、本発明に係る実施形態の発光ダイオードが、駆動電流密度が8000A/cm2に達した場合でも、EQE効率は依然として減衰の傾向を示さない。従来のInGaN発光ダイオードと比較し、その駆動電流密度が約10A/cm2の場合、比較的厚めのInGaN活性層を有する発光ダイオードにとっては、その駆動電流密度は僅か200A/cm2である。本実施形態の発光ダイオードの高い駆動電流密度は、厚さ40nmにも達する歪緩和のナノディスク構造に起因する。ディスプレイへの応用については、例えばバックライトシステムでは、発光ダイオードが発生される光は偏光化が必須であり、そのシステム効率を改善できる。非極性m-平面InGaN発光ダイオードに対しては、文献中に指摘されるin-plane方向に発生される異方性の光の為、液晶ディスプレイのバックライトシステムに応用される機会がある。このほかに、従来の極性c-平面InGaN発光ダイオードはこの特性が欠乏している。然しながら、本発明に係る実施形態の発光ダイオードの、その極性ナノロッドが発生させる光は、高度に偏光化されている。図4aは図3aの単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードが、駆動電流が500nAの場合の偏光エレクトロルミネセンス発光のスペクトルグラフである。図中の曲線Aは偏光方向とGaNナノロッドの軸方向に平行なエレクトロルミネセンス発光強度であり、曲線Bは偏光方向とGaNナノロッドの軸方向に垂直なエレクトロルミネセンス発光強度であり、ここではナノロッドの軸方向は六方ウルツ鉱型構造の極性c軸の方向である。このほか、偏光比ρの定義はρ=I-I⊥/II⊥であり、ここではIとI⊥はc軸方向にそれぞれ平行、または垂直なエレクトロルミネセンス発光強度を示す。計算後に得られる偏光比ρは-0.85である。このほか、図4aの挿入図は100倍に拡大した顕微鏡の図像である。図4bは図3aに示す単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードの、極座標を利用して表示されるエレクトロルミネセンス発光強度の二次元分布とナノロッド幾何的相対関係である。前述の偏光比ρは-0.85であるという測定結果は、単体ナノロッド発光ダイオードが発生させる光が高度偏光化されている事を示し、図4bの内容が実証される事になる。従来の極性ナノロッド或いはナノワイヤとは異なり、本発明に係る実施形態の発光ダイオードは高度な異方性の光を発生させ、負の偏光比-0.85は偏光方向がナノロッドの長軸方向に垂直である事を示す。以前の研究では、幅が100nmより小さい単体GaNナノロッド内の光閉じ込め効果が光の偏光化の原因であると指摘されている。この理論に基くと、偏光比は発光波長とナノロッド直径の函数であると言える。但し反対に、本発明の実験結果は、偏光はGaNナノロッド中間に設置されるInGaNナノディスク構造から来ている事を示している。このほか、負の偏光比は、偏光と発光波長及びInGaNナノディスクの直径の依存関係が弱い事を示す。これらの特性は偏光を必要とするあらゆる応用の助けになる。本発明に係る実施形態で提供されるナノロッドアレイ発光ダイオードと単体ナノロッド発光ダイオードは、従来の技術の物とは異なる厚さの、歪緩和のInGaNナノディスク発光体であり、現在の発光ダイオードが抱える問題、特に白色発光ダイオードの発展を阻害する制限、例えば、緑黄色光バンドギャップや高い駆動電流時の効率低下等を克服する。このほか、本発明に係る実施形態の発光ダイオードの製作には特殊なナノテクノロジーを必要とせず、また半導体基板上に大量製造を可能とする。このほか、本発明に係る実施形態のInGaNナノディスクの数量、厚さ及び構造は需要に基き設計され、発光或いはディスプレイ装置の最適化に応用される。◎白色光InGaN/GaNナノロッドアレイ発光ダイオードの製作例発光ダイオード形成の為に、本実施形態では先ず誘導結合プラズマにより260×280μm2のプラットフォームが形成され、有効的に電流が通過するエリアは約47,100μm2となる。続いて上述のプラットフォーム上で二酸化シリコンによるエッチングマスクが行われ、エッチングによりその上にGaNナノロッドとナノプレートを成長させるエリアを形成させる。次に、107torrの真空下で、蒸発法によりシリコン基板及びp型GaNナノロッドアレイにそれぞれオーミック接触されるチタン/金電極とニッケル/金電極を形成させ、厚さはそれぞれ60nm/40nm及び15nm/35nmとなる。ニッケル/金電極の厚さは光線を透過させる程薄い。白色発光ダイオードの電流電圧曲線は、Keithley2400ソースメータで室温下で測定される。エレクトロルミネセンス発光のスペクトルと光ルミネセンスのスペクトルの測定は、光学分光システムとプローブステーションシステムを結合させ測定設備とする。室温下で10倍対物レンズで拡大させ、液体窒素冷却機能を装備する電荷結合素子感測チップのスペクトル計に結合させてエレクトロルミネセンス発光のスペクトルを測定する。スペクトル計はNISTアメリカ国立標準技術研究所に準ずるタングステン光源により校正が行われる。◎単体InGaN/GaNナノロッド発光ダイオードの製作例本実施形態では前述するPAMBE方法により単体ナノロッド発光ダイオードが製作される。先ず、3インチの、n型シリコン基板上は、770°Cの条件で、シリコンが混和される、厚さ約1.2μmのn型GaNナノロッドをシリコン基板上に成長させる。その後、705°Cにて、ガリウム分子線平衡圧3.5×108torr、インジウム分子線平衡圧2.6×108torrの条件で、n型GaNナノロッド上に厚さ40nmのInGaNナノディスクを成長させる。最後に、685°Cの条件で、厚さ約800nmのp型GaNナノロッドをInGaNナノディスク上方に成長させる。PAMBEエピタキシー工程終了後、単体ナノロッド発光ダイオードを1wtのフッ化水素酸水溶液に30秒間浸し、ナノロッド表面上に発生する酸化層を除去する。続いて、単体ナノロッド発光ダイオードを超音波洗浄方式で、イソプロパノール溶液中で懸濁させた後、単体ナノロッド発光ダイオードを表面を約500nmの酸化層が覆うシリコン基板上に設置させる。両接触電極のパターンは光学リトグラフィーのリフトオフで製作される。両接触電極は全てチタン/金であり、厚さは全て20nm/35nmである。この製作方法では槽内圧力約107torrの範囲で、電子ビーム蒸着法にて製作が行われる。蒸着工程後、単体ナノロッド発光ダイオードは、真空槽内圧力109torrの条件下で、600°Cで20秒間徐冷処理が行われる。単体ナノロッド発光ダイオードの電流電圧曲線は、Keithley2400ソースメータ及びフィールドエミッション走査電子顕微鏡をZyvexS100ナノマニピュレータシステムに結合させ、室温下で測定される。エレクトロルミネセンス発光のスペクトルの測定は、室温下で100倍対物レンズで収集後に測定される。本発明に係る実施形態で提供される単体ナノロッドは複数の特定の応用を有する。実施形態では、本発明の単体ナノロッド発光ダイオードはサブ波長光学リソグラフィーの光源とし、接触或いは近接露光、リトグラフィー方式により、照射される波長の範囲内のフォトレジストを感光させ、ここではフォトレジストは単体ナノロッド発光ダイオードの近接場範囲内に位置される。サブ波長光学リソグラフィーはラスター走査を利用して単体ナノロッド発光ダイオードとフォトレジストの走査を完成させる。他の実施形態では、本発明の単体ナノロッド発光ダイオードはサブ波長光画像技術の光源となり、オブジェクトを単体ナノロッド発光ダイオードの近接場範囲内に位置させ、ラスター走査を利用して単体ナノロッド発光ダイオードとオブジェクトを走査させ光画像を完成させる。上述の実施形態は本発明の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当該技術分野を熟知する者に本発明の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。従って、本発明の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は、後述の請求項に含まれるものとする。"