"絶縁性セラミック層が積層されて、概形状が直方体である素体と、前記素体の内部に形成され、互いに対向する対向部を有する、少なくとも一対の放電電極と、前記素体の表面に形成され、前記放電電極に導通する外部電極と、を有するESD保護デバイスであって、前記素体は、中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の少なくとも一方で、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な面の中央部が前記積層方向の内側へ凹んだ形状であることを特徴とするESD保護デバイス。前記素体は、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な両面の中央部が前記積層方向の内側へ凹んだ形状である、請求項1に記載のESD保護デバイス。前記素体は、その内部に空洞を備え、前記放電電極の対向部が前記空洞内に露出していて、前記放電電極の対向部が前記素体の中央部に位置している、請求項1または2に記載のESD保護デバイス。少なくとも前記放電電極の前記対向部および前記対向部間の部分に隣接して配置される放電補助電極を備え、前記放電補助電極は、導電性粒子と、絶縁性粒子または半導体粒子とを含んで構成された、請求項1~3のいずれかに記載のESD保護デバイス。前記導電性粒子は、表面が絶縁材料で被覆された粒子である、請求項4に記載のESD保護デバイス。第1絶縁性セラミック層の一面と第2絶縁性セラミック層の一面との少なくとも一方に互いに対向する一対の放電電極を形成する放電電極形成工程と、前記放電電極の対向部間に放電補助電極材料を付着させる放電補助電極材料付与工程と、第1絶縁性セラミック層の前記一面と第2絶縁性セラミック層の前記一面とが互いに対向した状態で前記第1絶縁性セラミック層と前記第2絶縁性セラミック層とを積層して積層体を構成する積層工程と、前記積層体を個々の素体に分割する分割工程と、前記分割工程により得られた素体の表面に前記放電電極に導通する外部電極を形成する外部電極形成工程と、前記外部電極が形成された前記素体を焼成し、前記第1絶縁性セラミック層と前記第2絶縁性セラミック層との間に前記放電電極のそれぞれの端部が露出する空洞部を形成し、前記空洞部内に前記放電補助電極材料を分散させる焼成工程と、を有し、前記素体の中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の少なくとも一方で、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な面の中央部を前記積層方向の内側へ凹ませるくびれ化工程を備えたことを特徴とするESD保護デバイスの製造方法。前記くびれ化工程は、前記焼成工程による焼成前の前記素体の金型によるプレス加工である、請求項6に記載のESD保護デバイスの製造方法。前記くびれ化工程は、前記第1絶縁性セラミック層および第2絶縁性セラミック層のセラミック材料より焼結収縮が遅れる材料を前記第1絶縁性セラミック層、第2絶縁性セラミック層の一方または両方に配置する工程である、請求項6に記載のESD保護デバイスの製造方法。特許文献1に示されるような従来構造のESD保護デバイスにおいては、ESD保護作動時に流れるサージ電流で、放電電極の対向部近傍に発生した熱が放熱され難い。そのため、サージ電流が短時間に繰り返し流れると、放電電極の対向部の発熱量が非常に大きくなり、放電電極対向部近傍において電極の溶融やセラミックのガラス化が起こる場合がある。また、熱応力による亀裂マイクロクラックや割れも生じる。これらの現象によりショート不良に至るおそれがある。本発明は上述の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、短時間に繰り返しサージ電流が流れたときのESD保護デバイスの放電部の劣化を抑制したESD保護デバイスを提供することにある。1本発明のESD保護デバイスは、絶縁性セラミック層が積層されて、概形状が直方体である素体と、前記素体の内部に形成され、互いに対向する対向部を有する、少なくとも一対の放電電極と、前記素体の表面に形成され、前記放電電極に導通する外部電極と、を有するESD保護デバイスであって、前記素体は、中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の少なくとも一方で、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な面の中央部が前記積層方向の内側へ凹んだ形状であることを特徴とする。2前記素体は、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な両面の中央部が前記積層方向の内側へ凹んだ形状であることを特徴とする。3前記素体は、その内部に空洞を備え、前記放電電極の対向部が前記空洞内に露出していて、前記放電電極の対向部が前記素体の中央部くびれ部に位置していることが好ましい。このことにより、放電電極の対向部で発生した熱が速やかに素体の表面に達して放熱されるので、放電部の劣化がより抑制される。4少なくとも前記放電電極の前記対向部および前記対向部間の部分に隣接して放電補助電極が配置されていて、前記放電補助電極は、導電性粒子と、絶縁性粒子または半導体粒子とを含んで構成されていることが好ましい。5たとえば、前記導電性粒子は、表面が絶縁材料で被覆された粒子である。6本発明のESD保護デバイスの製造方法は、第1の絶縁性セラミック層の一面と第2の絶縁性セラミック層の一面との少なくとも一方に互いに対向する一対の放電電極を形成する放電電極形成工程と、前記放電電極の対向部間に放電補助電極材料を付着させる放電補助電極材料付与工程と、第1絶縁性セラミック層の前記一面と第2絶縁性セラミック層の前記一面とが互いに対向した状態で前記第1絶縁性セラミック層と前記第2絶縁請求項セラミック層とを積層して積層体を構成する積層工程と、前記積層体を個々の素体に分割する分割工程と、前記分割工程により得られた素体の表面に前記放電電極に導通する外部電極を形成する外部電極形成工程と、前記外部電極が形成された前記素体を焼成し、前記第1絶縁性セラミック層と前記第2絶縁性セラミック層との間に前記放電電極のそれぞれの端部が露出する空洞部を形成し、前記空洞部内に前記放電補助電極材料を分散させる焼成工程と、を有し、前記素体の中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の少なくとも一方で、前記素体の外面のうち、前記絶縁性セラミック層の積層方向にほぼ垂直な面の中央部を前記積層方向の内側へ凹ませるくびれ化工程を備えたことを特徴とする。7たとえば、前記くびれ化工程は、前記焼成工程による焼成前の前記素体の金型によるプレス加工である。8たとえば、前記くびれ化工程は、前記第1絶縁性セラミック層および第2絶縁性セラミック層のセラミック材料より焼結収縮が遅れる材料を前記第1絶縁性セラミック層、第2絶縁性セラミック層の一方または両方に配置する工程である。本発明によれば、放電部の放熱性および耐熱衝撃性が高いので、たとえば短時間に繰り返しサージ電流が流れたときの放電部の劣化が抑制されたESD保護デバイスが得られる。《第1の実施形態》図5Aは第1の実施形態のESD保護デバイス201の斜視図である。図6Aは図5AにおけるESD保護デバイス201のA-Aラインでの縦断面図、図6Bは図5AにおけるESD保護デバイス201のB-Bラインでの縦断面図である。図6AにおけるB-B′ラインは、前記B-Bラインでの縦断面の位置を表している。このESD保護デバイス201は、絶縁性セラミック層17が積層されて、概形状が直方体である素体101と、素体101の内部に形成され、互いに対向する対向部を有する一対の放電電極16と、素体101の表面に形成され、放電電極16に導通する外部電極11と、を有するESD保護デバイスである。外部電極11は素体101の互いに対向する長手方向の両端部に形成されている。また、素体101は、その内部に空洞18を備え、放電電極16の対向部が空洞18内に露出している。そして、放電電極16の対向部が素体101の中央部くびれ部に位置している。素体101は、図6Aに表れているように、中央を通る長手方向の縦断面および中央を通る短手方向の縦断面の両方について、素体101の両端部近傍から中央部にかけて絶縁性セラミック層17の積層方向寸法プリント配線板Pの面に垂直な高さ方向の厚み寸法が次第に細くなったくびれた鼓形である。但し、第1の実施形態では、図6Bに表れているように、素体101の短手方向の水平方向プリント配線板Pの実装面に平行な方向の幅については、プリント配線板Pの実装面に垂直な高さ方向の位置で中央部が上下面より太くなっている。また、前記幅は素体101の長手方向の両端部近傍から長手方向の中央部にかけて次第に太くなっている。一般的に鼓形状とは、数学的意味で一葉双曲面が上底面および下底面で閉じられた立体形状のことであるが、本発明における鼓形状は二葉双曲面が所定形状の側面で閉じられた立体形状の意味で用いている。さらに限定的には、素体の互いに対向する端部の近傍から中央部にかけて次第に細くなったすなわちくびれた形状の意味で用いている。このように、素体101が鼓形状であれば、素体101の外面積素体101の両端面およびその間を結ぶ四側面の面積の総和は、両端面の寸法が同じ六面体以下、従来構造に比べて大きい。そのため、素体101の外表面からの放熱性が高い。また、素体101の積層方向について、空洞18の内面から素体101の外面までの厚み寸法は従来構造に比べて薄い。そのため、素体101の発熱部と表面間の温度勾配が大きくなって放熱性が高まる。さらに、ESD保護デバイス201をプリント配線板Pに実装した状態で、素体101の中央部とプリント配線板Pとの間隙dが従来構造に比べて大きい。そのため、素体101の下部における放熱効果も高まる。上述の三つの作用によって、サージ電流が流れて放電電極16の対向部すなわち空洞18近傍に発生した熱を素体101表面へ伝達し外部へ放熱することが容易にできる。ちなみに素体が太鼓形や球形に近い形状にしても表面積は増大するが、電極対向部から素体表面までの距離が大きくなるので、素体が鼓形状である場合に比較して放熱性は劣る。図5Bは、図5Aに示したA-Aラインの断面、B-Bラインの断面およびC-Cラインの断面で囲まれた素体の1/8の領域の表面形状を示す。積層方向に垂直な表面の中央部が二葉双極面の形状である。また、図5Cは別の例であり、図5Bの場合と同様に素体の1/8の領域の表面形状を示す。素体の形状は、表面積が増大して、電極対向部から素体表面までの距離が小さくなるものであればよく、中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の少なくとも一方で、中央部が積層方向の内側へ凹んでいる形状であればよい。図5Cに示すように、素体表面の中央部が角錐状に凹んでいる形状であってもよい。上記では、中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の双方で積層方向の内側へ凹んでいる形状であるが、中央を通る長手方向の縦断面または中央を通る短手方向の縦断面の一方で積層方向内側へ凹んでいる形状であってもよい。次に、前記ESD保護デバイス201の製造方法について示す。ESD保護デバイス201の製造手順は以下のとおりである。セラミック材料の準備絶縁性セラミック層17の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、8001000°Cで仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで12時間粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエンエキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合しスラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。また、放電電極を形成するための電極ペーストを作製する。平均粒径約2μmのCu粉80wtとエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、3本ロールで撹拌、混合することで電極ペーストを得る。ここで平均粒径は、セラミックス粉体の一般的な測定方法であるレーザー回折散乱法による。空洞18を形成する起点となる樹脂ペーストも同様の方法にて作製する。樹脂ペーストは樹脂と溶剤のみからなる。樹脂材料には焼成時に分解、消失する樹脂を用いる。例えば、PET、ポリプロピレン、アクリル樹脂などである。スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布セラミックグリーンシ-ト上に電極ペーストを塗布して、対向部間が放電ギャップとなる間隔を隔てて放電電極16のパターンを形成する。ここでは、放電電極16の太さが100μm、放電ギャップ幅対向部間の間隔寸法が30μmとなるように形成した。さらにその上に、空洞部を形成するための樹脂ペーストを塗布する。積層、圧着通常のセラミック多層基板と同様に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより積層体を構成する。ここでは焼成後の厚みが025mmで、放電電極16の対向部が焼成後に空洞18内に露出するように積層した。カット、端面電極塗布LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、マイクロカッタでカットして、各素体に分離する。ここでは、10mm×05mmになるようにカットした。カット後の素体を金型でプレス加工することによって図6に示した鼓形状に成形する。その後、素体101の端面に、焼成後に外部電極11となる電極ペーストを塗布する。なお、セラミックグリーンシートの積層方向であり、素体の厚み方向縦横高さのうち最も薄い寸法方向に上記のプレスを行うことにより成形が容易且つ効率良くできる。焼成次いで、通常のセラミック多層基板と同様に、N2雰囲気中で焼成する。また、ESDに対する応答電圧を下げるため空洞部にArNe等の希ガスを導入する場合には、セラミック材料の収縮、焼結が行われる温度領域をArNeなどの希ガス雰囲気で焼成すればよい。放電電極16および外部電極11が酸化しない電極材料である場合には、大気雰囲気で焼成してもよい。めっきLCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、外部電極11の表面に電解NiSnめっきによりNiSnめっき膜を形成する。以上の手順で、図5A、図6A、図6Bに示したESD保護デバイス201が完成する。なお、基板に用いるセラミック材料は、特に上記の材料に限定されるものではなく、フォレステライトにガラスを加えたものや、CaZrO3にガラスを加えたものなど、他のものを添加してもよい。また、電極材料もCuだけでなく、AgPdPtAlNiWや、これらの組合せでもよい。また、空洞部形成の起点として樹脂ペーストを塗布したが、樹脂でなくともカーボンなど焼成で消失するものならばよいし、また、ペースト化して印刷で形成しなくとも、樹脂フィルムなどを所定の位置にのみ貼り付けること等によって配置してもよい。上述のとおり、カット後の素体を金型でプレス加工することによって鼓形状に成形する方法は低コストに製造できる。次に、上記の手順で作製したESD保護デバイスの特性を示す。ここでは、従来構造のESD保護デバイスと第1の実施形態のESD保護デバイスをそれぞれ100個作製し、ESD繰り返し耐性を確認した。ESD繰り返し耐性は、IECの規格IEC6100042に従って接触放電にて8kV印加を連続で50回、100回、300回、500回と行い、連続印加後にショートIR=1MΩ未満の発生有無を確認した。ショートしていないものを良好○印、ショートしているものを不良×印とし、不良については不良率も求めた。その結果を表1に示す。表1から明らかなように、従来構造のESD保護デバイスではサージの繰り返し回数が100回以上でショート不良が発生し、繰り返し回数が増すほど不良率が高まっている。これに対し、本発明の第1の実施形態では、サージの繰り返し回数が500回であってもショート不良は発生しなかった。このように、本発明によれば、ショート発生率を低減でき、ESD繰り返し耐性の向上を得ることができた。なお、第1の実施形態では、素体101の短手方向の水平方向の幅について、長手方向の両端部近傍から長手方向の中央部にかけて次第に太くなった例を示したが、この短手方向の水平方向の幅についても、長手方向の両端部近傍から長手方向の中央部にかけて次第に細くなっていることが好ましい。《第2の実施形態》図7Aは第2の実施形態のESD保護デバイス202Aの長手方向の縦断面図、図7BはそのESD保護デバイス202Aの短手方向の縦断面図である。図7AにおけるB-B′ラインは図7Bに対応する縦断面の位置を表している。図8Aは第2の実施形態の別のESD保護デバイス202Bの長手方向の縦断面図、図8BはそのESD保護デバイス202Bの短手方向の縦断面図である。図8AにおけるB-B′ラインは図8Bに対応する縦断面の位置を表している。前記ESD保護デバイス202Aは、絶縁性セラミック層27が積層されて、概形状が直方体である素体102Aと、素体102Aの内部に形成され、互いに対向する対向部を有する一対の放電電極16と、素体102Aの表面に形成され、放電電極16に導通する外部電極11と、を有するESD保護デバイスである。外部電極11は素体101の互いに対向する両端部に形成されている。また、素体102Aは、その内部に空洞18を備え、放電電極16の対向部が空洞18内に露出している。そして、放電電極16の対向部が素体102Aの中央部くびれ部に位置している。このESD保護デバイス202Aの素体102Aは、中央を通る長手方向の縦断面および中央を通る短手方向の縦断面の両方について、素体102Aの両端部近傍から中央部にかけて絶縁性セラミック層27の積層方向寸法プリント配線板Pの面に垂直な高さ方向の厚み寸法が次第に細くなったくびれた鼓形である。第1の実施形態と異なり、水平方向プリント配線板への実装面に平行な方向の幅については、プリント配線板への実装面に垂直な高さ方向位置では、どの高さ位置でもほぼ一定である。もう一つのESD保護デバイス202Bについては、図8Bに表れているように、ESD保護デバイス202Bの素体102Bは、中央を通る長手方向の縦断面および中央を通る短手方向の縦断面の両方について、素体102Bの両端部近傍から中央部にかけて絶縁性セラミック層37の積層方向寸法が次第に細くなったくびれた鼓形であるだけでなく、水平方向の幅については、プリント配線板への実装面に垂直な高さ方向位置の中央部で細くなった形状である。その他の構成は第1の実施形態の場合と同様である。なお、素体102A,102Bの短手方向の水平方向の幅について、長手方向の両端部近傍から長手方向の中央部にかけて次第に太くなっていてもよいが、この短手方向の水平方向の幅についても、長手方向の両端部近傍から長手方向の中央部にかけて次第に細くなっていることが好ましい。《第3の実施形態》図9Aは第3の実施形態のESD保護デバイス203の長手方向の縦断面図、図9BはそのESD保護デバイス203の短手方向の縦断面図である。図9AにおけるB-B′ラインは図9Bに対応する縦断面の位置を表している。第1第2の実施形態では、素体のくびれ形状の形成を金型によるプレス加工にて得た。第3の実施形態では、積層体を構成するセラミック材料と焼結収縮挙動の異なる材料以下、収縮挙動変更材という。を用いることでくびれ形状を得る。ESD保護デバイス203は、絶縁性セラミック層17が積層されて、概形状が直方体である素体103と、素体103の内部に形成され、互いに対向する対向部を有する一対の放電電極16と、素体103の表面に形成され、放電電極16に導通する外部電極11と、を有するESD保護デバイスである。外部電極11は素体103の長手方向の互いに対向する両端部に形成されている。また、素体103は、その内部に空洞18を備え、放電電極16の対向部が空洞18内に露出している。そして、放電電極16の対向部が素体103の中央部くびれ部に位置している。第1の実施形態で示したESD保護デバイスと異なり、図9A、図9Bに示すESD保護デバイス203においては、空洞18に沿って収縮挙動変更材29を設けている。次に、このESD保護デバイス203の製造方法について示す。ESD保護デバイス203の製造手順は以下のとおりである。セラミック材料の準備第1の実施形態で示したセラミック材料の準備と同じである。収縮挙動変更材29用のペーストも、他ペーストと同様の方法にて作製する。収縮挙動変更材29用のペーストは絶縁性セラミック層のセラミック材料よりも焼結収縮が遅れる材料を用いる。例えば、アルミナ単体やBAS材とアルミナの混合体などである。アルミナは1300~1400°Cで焼結するのに対しBAS材は1000°C以下で焼結するので、この二つの混合体は、BAS材の焼結が始まるとアルミナ粉がBAS材中に取り込まれるようになり、焼結収縮が遅れる。そして焼結収縮の遅れ具合は、BAS材とアルミナの比を設定することにより定められる。スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布収縮挙動変更材29用ペーストを下地のグリーンシートに塗布する。その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。その他は第1の実施形態で示したスクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布と同様である。積層、圧着第1の実施形態で示した積層、圧着と同様である。カット、端面電極塗布第1の実施形態で示したカット、端面電極塗布と基本的に同様である。但し、金型によるプレス加工は行わない。焼成第1の実施形態で示した焼成と同様である。めっき第1の実施形態で示しためっきと同様である。以上の製造手順のうち焼成工程で、収縮挙動変更材29は絶縁性セラミック層17のセラミック材料よりも焼結収縮が遅れる。図9Aの断面でみると、素体103の長手方向の収縮は、絶縁性セラミック層17が収縮挙動変更材29より先に進む。すなわち、収縮挙動変更材29は素体103の中央高さで長手方向の収縮を抑制するように作用する。そのため、素体103の長手方向の両端から中央にかけて積層方向の厚みが次第に薄くなる。また、図9Bの断面でみると、素体103の短手方向の収縮は、絶縁性セラミック層17が収縮挙動変更材29より先に進む。すなわち、収縮挙動変更材29は素体103の中央高さで短手方向の収縮を抑制するように作用する。そのため、素体103の短手方向の両端から中央にかけて積層方向の厚みが次第に薄くなる。上述の収縮挙動の作用を利用するので、収縮挙動変更材29の材料、寸法、配置位置に応じて、積層体のセラミック材料の焼結収縮挙動を任意に変更でき、狙いとするくびれ形状を得ることができる。結果として、第1の実施形態で示したものと同様の効果が得られる。なお、収縮挙動変更材29用のペーストを塗布する方法以外に、グリーンシート状のものを積層圧着してもよい。また、収縮挙動変更材29の設置位置は空洞18の一部に配置してもよい。もしくは空洞18から離れた周囲に配置してもよい。この第3の実施形態にように、絶縁性セラミック層のセラミック材料より焼結収縮が遅れる材料を絶縁性セラミック層に配置することによって鼓形状にする方法は素体の形状を高精度に形成できる。《第4の実施形態》図10Aは第4の実施形態のESD保護デバイス204の長手方向の縦断面図、図10BはそのESD保護デバイス204の短手方向の縦断面図である。図10AにおけるB-B′ラインは図10Bに対応する縦断面の位置を表している。第1の実施形態と異なるのは放電部の構成である。第4の実施形態のESD保護デバイス204は空洞18内に、少なくとも放電電極16の対向部および対向部間の部分に隣接して放電補助電極39が配置されている。放電補助電極39は、導電性粒子と、絶縁性粒子もしくは半導体粒子とを含んで構成された混合物である。または、導電性粒子、絶縁性粒子および半導体粒子を含んで構成された混合物である。図11は放電部の断面構造を拡大して表した模式図である。この例では、絶縁性セラミック層17はアルミナであり、放電補助電極39Aは放電補助電極39Bよりも粒径が大きく、空洞18と絶縁性セラミック層17との界面、および界面近傍の絶縁性セラミック層17の内部に充填される構造であってもよい。放電補助電極39は、粒子状の金属材料39A1と、金属材料39A1の表面に設けられる絶縁性被膜39A2とを備える。また、放電補助電極39は、粒子状の半導体材料39B1と、半導体材料39B1の表面に設けられる絶縁性被膜39B2とを備える。ここでは、金属材料39A1はCu粒子であり、半導体材料39B1はSiC粒子である。また、絶縁性被膜39A2はアルミナ被膜であり、絶縁性被膜39B2は半導体材料39B1が酸化されてなるSiO2被膜である。また、空洞18の内部にはガラス様物質40が、放電補助電極39A,39Bを囲むように形成されている。ガラス様物質40は作為的に形成したものではなく、空洞18を形成するために用いる犠牲層の周辺部材由来の構成材料などの酸化等の反応によって形成されるものである。次に、このESD保護デバイス204の製造方法について示す。ESD保護デバイス204の製造手順は以下のとおりである。セラミック材料の準備第1の実施形態で示したセラミック材料の準備と同様である。スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布放電補助電極を形成するための混合ペーストは、導電性材料として平均粒径約3μmのCu粉と、セラミック材料として平均粒径約1μmのBAS粉を所定の割合で調合し、バインダー樹脂と溶剤を添加し3本ロールで撹拌、混合することで得た。混合ペーストはバインダー樹脂と溶剤を20wtとし、残りの80wtをCu粉とBAS粉とした。先ず、混合ペーストを下地のグリーンシートに塗布する。その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。または、グリーンシートに塗布した収縮挙動変更材上に混合ペーストを塗布する。その後、その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。積層、圧着第1の実施形態で示した積層、圧着と同様である。カット、端面電極塗布第1の実施形態で示したカット、端面電極塗布と同様である。焼成第1の実施形態で示した焼成と同様である。めっき第1の実施形態で示しためっきと同様である。放電補助電極を形成するための混合ペーストに用いるセラミック材料は、特に上記の材料に限定されるものではなく、フォレステライトにガラスを加えたものや、CaZrO3にガラスを加えたものなど、他のものを加えてもよい。デラミレーション抑制の観点から、前記セラミック多層基板の少なくとも1層を形成するセラミック材料と同じであることが好ましい。また、ESD応答性の観点から、半導体セラミックであることが好ましい。半導体セラミックとは、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、炭化タングステン等の炭化物、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化クロム、窒化バナジウム、窒化タンタル等の窒化物、ケイ化チタン、ケイ化ジルコニウム、ケイ化タングステン、ケイ化モリブデン、ケイ化クロム、ケイ化クロム等のケイ化物、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、ホウ化ランタン、ホウ化モリブデン、ホウ化タングステン等のホウ化物、酸化亜鉛、チタン酸ストロンチウム等の酸化物をいう。特に、比較的安価で、かつ、各種粒径のバリエーションが市販されていることから、炭化ケイ素が特に好ましい。これらの半導体セラミックは、適宜、単独または2種類以上を混合して使用してもよい。また、半導体セラミックは、適宜、アルミナやBAS材等の絶縁性セラミック材料と混合して使用してもよい。放電補助電極を形成するための混合ペーストに用いる導電材料は、Cuだけでなく、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、Wや、これらの組合せでもよい。また、無機材料でコートされた導電材料でもよい。また、コート材料は無機材料であれば特に限定されるものではない。Al2O3、ZrO2、SiO2等の無機材料や、BASのような混合仮焼材料などでもよい。また、半導体セラミック材料などでもよい。デラミレーション抑制の観点から、前記セラミック材料と同一の成分を有しているか、少なくとも前記セラミック材料または前記セラミック多層基板を構成する元素を含有していることが好ましい。コートを施される金属材料も、Cuだけでなく、Ag、Pd、Pt、Al、Ni、Wやこれらの組合せでもよい。コート量は、混合セラミック粉と同様に、収縮挙動に合わせた最適化が必要である。また、金属/セラミックの混合材料は、ペーストとして形成するだけでなく、シート化して配置してもよい。なお、前記放電補助電極は、導電性粒子、絶縁性粒子および半導体粒子の全てを含んでいる必要はなく、導電性粒子とともに絶縁性粒子または半導体粒子を含んで構成されていてもよい。《第5の実施形態》図12Aは第5の実施形態のESD保護デバイス205の長手方向の縦断面図、図12BはそのESD保護デバイス205の短手方向の縦断面図である。図12AにおけるB-B′ラインは図12Bに対応する縦断面の位置を表している。第4の実施形態で図10に示したESD保護デバイス異なるのは、積層体を構成するセラミック材料と焼結収縮挙動の異なる材料収縮挙動変更材を用いてくびれ形状の素体を得ている点である。このように、放電補助電極39を備えたものに収縮挙動変更材29を適用してもよい。《第6の実施形態》図13Aは第6の実施形態のESD保護デバイス206の長手方向の縦断面図、図13BはそのESD保護デバイス206の短手方向の縦断面図である。図13AにおけるB-B′ラインは図13Bに対応する縦断面の位置を表している。第5の実施形態で図11に示したESD保護デバイス異なるのは、積層体を構成するセラミック材料と焼結収縮挙動の異なる材料収縮挙動変更材を空洞18の周囲に配置している点である。この第6の実施形態では、空洞18に下部に沿って収縮挙動変更材29を配置し、空洞18の上部に沿って収縮挙動変更材59を配置している。このように、収縮挙動変更材29,59を素体の中央部に配置することによって、素体106の長手方向の両端から中央にかけて積層方向の厚みが次第に薄くなり、素体106の短手方向の両端から中央にかけて積層方向の厚みが次第に薄くなる。この第6の実施形態では、空洞18の周囲に収縮挙動変更材29,59を配置しているので、素体106のくびれ形状を大きく形成できる。《第7の実施形態》図14Aは第7の実施形態のESD保護デバイス207の長手方向の縦断面図、図14BはそのESD保護デバイス207の短手方向の縦断面図である。図14AにおけるB-B′ラインは図14Bに対応する縦断面の位置を表している。第7の実施形態では、素体107の中央部に複数層に収縮挙動変更材29,59,69,79を配置しているその他の構成はこれまでの各実施形態で示したものと同様である。この第7の実施形態では、素体107の中央部に、より多くの収縮挙動変更材29,59,69,79を配置することになるので、素体107のくびれ形状をより大きく形成できる。"