"高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1上に設けられた第1の導電型nのエピ層2と、該エピ層2中に設けられた第2の導電型pの層6と、該第2の導電型pの層6の表面に設けられ高濃度でドーピングされた第2の導電型pの層7とを有する、半導体装置において、前記第2の導電型pの層6と前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1との間に、互いに平行に配置された複数のショットキーコンタクト70,12が設けられていることを特徴とする、半導体装置。前記第2の導電型pの層6の表面に、高濃度でドーピングされた第1の導電型nの層8と、高濃度でドーピングされた第2の導電型pの層7とがさらに設けられており、前記エピ層2中に、ドーピングされたポリシリコン5により充填され誘電層4,4aにより覆われた少なくとも2つのトレンチ3が設けられており、該トレンチ3の底部における前記誘電層4aは、該トレンチ3の側壁における誘電層4よりも厚く形成されており、前記第2の導電型pの層6と高濃度でドーピングされた前記第1の導電型nの基板1との間に、金属層もしくはシリサイド層70,12と別の誘電層14とが交互に続く積層体がそれぞれ設けられており、前記金属層もしくはシリサイド層70,12はn型の前記エピ層2と、それぞれ非オーミックなショットキーコンタクトを形成している図2、請求項1記載の半導体装置。厚い方の誘電層4aは、前記第2の導電型pの層6の下方に設けられている、請求項2記載の半導体装置。前記ショットキーコンタクト70,12は、トレンチ壁においてそれぞれフローティング状態におかれている、請求項2または3記載の半導体装置。最も前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1側に位置するショットキーコンタクトは、トレンチ底部をそれぞれ覆っており、該高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板に対し間隔Depiを有している、請求項2から4のいずれか1項に記載の半導体装置。フローティング状態にある前記ショットキーコンタクト70,12はそれぞれ幅Dskを有しており、該ショットキーコンタクトの間に設けられている前記誘電層14はそれぞれ幅Dgapを有している、請求項2から5のいずれか1項に記載の半導体装置。半導体装置において隣り合うトレンチ3の間にそれぞれメサ領域が設けられており、該メサ領域において電界分布が間隔Dで周期的に繰り返され、ここで式D=DskDgapが成り立ち、ただし、Dskはフローティング状態にあるショットキーコンタクト70,12の幅であり、Dgapは別の誘電層14の幅である、請求項2から6のいずれか1項に記載の半導体装置。メサ領域の電圧分布はそれぞれ線形である、請求項7記載の半導体装置。前記エピ層2に、誘電層14aにより充填された少なくとも2つのトレンチ3が設けられており、該誘電層14aと前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1との間隔は、前記第2の導電型pの層6と前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1との間隔よりも小さく、前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1の側に位置する、前記誘電層14aの端部と、前記高濃度でドーピングされた第1の導電型nの基板1との間に、金属層もしくはシリサイド層70,12と別の誘電層14とが交互に続く積層体がそれぞれ設けられており、該金属層もしくはシリサイド層70,12はn型のエピ層と、それぞれ非オーミックなショットキーコンタクトを形成している図7、請求項1記載の半導体装置。互いに平行に配置されたショットキーコンタクト70,12が前記エピ層2内に配置されており、互いに平行に配置された該ショットキーコンタクト70,12の間に、前記エピ層2の材料が存在している図8、請求項1記載の半導体装置。前記互いに平行に配置されたショットキーコンタクト70,12は、DMOSトランジスタのボディダイオードの下方またはIGBTのボディダイオードの下方に設けられている、請求項1または9または10記載の半導体装置。はんだ付け可能な前面金属化部9とはんだ付け可能な背面金属化部11が設けられている、請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体装置。自動車ジェネレータの整流器に用いる、請求項1から12のいずれか1項に記載の半導体装置の使用方法。"