照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力し、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する制御手段と、を備えた、放射線画像撮影装置。前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群と、前記第2スイッチング素子とが接続された前記画素群とが、列方向に配置されている、請求項1に記載の放射線画像撮影装置。前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群と、前記第2スイッチング素子とが接続された前記画素群とが、行方向に予め定められた画素数分ずれて配置されている、請求項1に記載の放射線画像撮影装置。前記信号配線は、列方向に隣接する複数の画素の前記第1スイッチング素子の出力端子のみが接続された信号配線と、列方向に隣接する複数の画素の前記第1スイッチング素子の出力端子、及び前記画素群の前記第2スイッチング素子の出力端子が接続された信号配線と、を備えた、請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。前記信号配線毎に、前記第1スイッチング素子の出力端子のみが接続された画素と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子が接続された画素と、が列方向に予め定められた個数毎に、交互に配置されている、請求項1または請求項3に記載の放射線画像撮影装置。前記信号配線毎に設けられ、画素から前記信号配線に出力された電荷を読み取る読取手段を備え、前記制御手段は、予め定められた数の行毎に、前記読取手段が前記電荷を読み取るように、前記制御配線に前記制御信号を出力するよう制御する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置。第1センサ部、前記第1センサ部に入力端子が接続された第1スイッチング素子、及び前記第1センサ部に入力端子が接続された第2スイッチング素子を備えた第1画素と、第2センサ部、前記第2センサ部に入力端子が接続された第3スイッチング素子、及び前記第2センサ部に入力端子が接続された第4スイッチング素子を備えた第2画素と、から成る画素群が行列方向に配置された複数の画素と、前記画素群の列毎に設けられた、前記第1スイッチング素子の出力端子が接続された第1信号配線と、前記画素群の列毎に設けられた、前記第2スイッチング素子、前記第3スイッチング素子、及び前記第4スイッチング素子の出力端子が接続された第2信号配線と、前記画素群の行毎に設けられた、前記第1スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子の制御端子が接続された第1制御配線と、前記画素群の行毎に設けられた、前記第2スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の制御端子が接続され、かつ列方向に隣接する画素の前記第1制御配線となる第2制御配線と、列方向の一端に配置された前記画素群の前記第1制御配線から列方向の他端に配置された前記画素群の前記第2制御配線へ、列方向に順次、前記第1画素及び前記第2画素から電荷を出力させるための制御信号を出力するよう出力手段を制御する第1制御と、前記他端に配置された前記画素群の前記第2制御配線から前記一端に配置された前記画素群の前記第1制御配線へ、列方向に順次、前記制御信号を出力するよう出力手段を制御する第2制御と、を行う制御手段と、を備えた、放射線画像撮影装置。前記制御手段は、外部からの指示に基づいて、順次前記制御信号を出力する向きを切り換える、請求項6に記載の放射線画像撮影装置。放射線照射装置と、前記放射線照射装置から照射された放射線により放射線画像を撮影する前記請求項1から前記請求項8のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置と、を備えた放射線画像撮影システム。前記放射線照射装置による放射線の照射を指示すると共に、前記放射線画像撮影装置に、放射線画像の撮影を指示する制御装置を備えた、請求項9に記載の放射線画像撮影システム。前記放射線画像撮影装置の前記制御手段は、前記制御装置の制御に基づいて、順次前記制御信号を出力する向きを切り換える請求項10に記載の放射線画像撮影システム。照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、を備えた放射線画像撮影装置を制御するコンピュータを、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力し、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する制御手段として機能させるための放射線画像撮影装置の制御プログラム。照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、を備えた放射線画像撮影装置により、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する工程と、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する工程と、を備えた放射線画像撮影装置の制御方法。特許文献1に記載の技術では、系統Aのデータラインと、系統Bのデータラインとを備えており、目的に応じて、使用されるデータラインが異なる。そのため、配線数の増加や、データラインから出力されるデータを処理する信号検出回路等が増加するため、装置の大型化を招くという問題がある。また、2画素に3本の信号配線及び制御配線を配置しているため、少なくとも1本の配線は必ず平面的に画素と重なり合う位置に配置する必要があり、寄生容量の大幅な増加に伴いノイズが増加するという問題がある。本発明は、上記問題点を解決するために成されたものであり、装置の大型化と、ノイズの増加を抑制しつつ、S/Nを向上させることができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置の制御プログラム、及び放射線画像撮影装置の制御方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像撮影装置は、照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力し、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する制御手段と、を備える。本発明の放射線画像撮影装置は、複数の画素が行列状に配置されている。各画素は、照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、センサ部から電荷を読み出して電荷を出力する第1スイッチング素子、及びセンサ部から電荷を読み出して電荷を出力する第2スイッチング素子を備えている。本発明の放射線画像撮影装置では、このように、同一のセンサ部から電荷を読み出して読み出した電荷を出力するスイッチング素子を、1画素に2つ備えて構成されている。また、画素の列毎に設けられた信号配線を備えている。さらに、複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線を備えている。さらに、本発明の制御手段は、画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、第2スイッチング素子の制御端子が接続された画素群から第1スイッチング素子の制御端子が接続された画素群に向けた列方向に順次制御信号を制御配線に出力する。また、制御手段は、画素群毎に同一の信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次制御信号を制御配線に出力するよう制御する。このように制御手段が、画素毎に信号配線に第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合、制御配線に第1スイッチング素子の制御端子が接続された画素群の第1スイッチング素子がオン状態になり、画素毎に信号配線に電荷が出力される。同様に、制御手段が、画素群毎に同一の信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合、制御配線に第2スイッチング素子の制御端子が接続された画素群の前記第2スイッチング素子がオン状態になり、画素群毎に同一の信号配線に電荷が出力される。このように本発明では、第2スイッチング素子の制御端子が接続された画素群から第1スイッチング素子の制御端子が接続された画素群に向けた列方向に順次制御信号を制御配線に出力することにより、画素毎に第1スイッチング素子を介して信号配線に電荷が出力され、当該列方向と逆方向に順次制御信号を制御配線に出力することにより、画素群毎にから第2スイッチング素子を介して同一の信号配線に電荷が出力される。すなわち、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群毎に電荷をまとめて読み出す、いわゆるアナログビニングを行うことができる。従って、電荷をまとめて読み出すことができるため、電荷をまとめて読み出すことで信号処理速度が向上し、フレームレートを向上させることができる。また、電荷をまとめて読み出すための専用の信号配線や制御配線、駆動手段等を設ける必要がなくいため、装置の大型化と、ノイズの増加を抑制しつつ、アナログビニングを行うことにより、S/Nを向上させることができる、なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群と、前記第2スイッチング素子とが接続された前記画素群とが、列方向に配置されているようにしてもよい。なお、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群と、前記第2スイッチング素子とが接続された前記画素群とが、行方向に予め定められた画素数分ずれて配置されているようにしてもよい。なお、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記信号配線は、列方向に隣接する複数の画素の前記第1スイッチング素子の出力端子のみが接続された信号配線と、列方向に隣接する複数の画素の前記第1スイッチング素子の出力端子、及び前記画素群の前記第2スイッチング素子の出力端子が接続された信号配線と、を備えるようにしてもよい。なお、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記信号配線毎に、前記第1スイッチング素子の出力端子のみが接続された画素と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子が接続された画素と、が列方向に予め定められた個数毎に、交互に配置されているように構成してもよい。なお、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記信号配線毎に設けられ、画素から前記信号配線に出力された電荷を読み取る読取手段を備え、前記制御手段は、予め定められた数の行毎に、前記読取手段が前記電荷を読み取るように、前記制御配線群に前記制御信号を出力するよう出力手段を制御することが好ましい。このように、予め定められた数の行毎に電荷を読み取ることにより、予め定められた数の行単位の画素毎に、さらにまとめて電荷を読み出すことができる。請求項7に記載の放射線画像撮影装置は、第1センサ部、前記第1センサ部に入力端子が接続された第1スイッチング素子、及び前記第1センサ部に入力端子が接続された第2スイッチング素子を備えた第1画素と、第2センサ部、前記第2センサ部に入力端子が接続された第3スイッチング素子、及び前記第2センサ部に入力端子が接続された第4スイッチング素子を備えた第2画素と、から成る画素群が行列方向に配置された複数の画素と、前記画素群の列毎に設けられた、前記第1スイッチング素子の出力端子が接続された第1信号配線と、前記画素群の列毎に設けられた、前記第2スイッチング素子、前記第3スイッチング素子、及び前記第4スイッチング素子の出力端子が接続された第2信号配線と、前記画素群の行毎に設けられた、前記第1スイッチング素子及び前記第3スイッチング素子の制御端子が接続された第1制御配線と、前記画素群の行毎に設けられた、前記第2スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の制御端子が接続され、かつ列方向に隣接する画素の前記第1制御配線となる第2制御配線と、列方向の一端に配置された前記画素群の前記第1制御配線から列方向の他端に配置された前記画素群の前記第2制御配線へ、列方向に順次、前記第1画素及び前記第2画素から電荷を出力させるための制御信号を出力するよう出力手段を制御する第1制御と、前記他端に配置された前記画素群の前記第2制御配線から前記一端に配置された前記画素群の前記第1制御配線へ、列方向に順次、前記制御信号を出力するよう出力手段を制御する第2制御と、を行う制御手段と、を備える。なお、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記制御手段は、外部からの指示に基づいて、順次前記制御信号を出力する向きを切り換えるようにしてもよい。請求項9に記載の放射線画像撮影システムは、放射線照射装置と、前記放射線照射装置から照射された放射線により放射線画像を撮影する前記請求項1から前記請求項7のいずれか1項に記載の放射線画像撮影装置と、を備える。なお、本発明は、請求項10に記載の発明のように、前記放射線照射装置による放射線の照射を指示すると共に、前記放射線画像撮影装置に、放射線画像の撮影を指示する制御装置を備えるようにしてもよい。また、請求項10に記載の発明は、請求項11に記載の発明のように、前記放射線画像撮影装置の前記制御手段は、前記制御装置の制御に基づいて、順次前記制御信号を出力する向きを切り換えるようにしてもよい。請求項12に記載の放射線画像撮影装置の制御プログラムは、照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、を備えた放射線画像撮影装置を制御するコンピュータを、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力し、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する制御手段として機能させるためのものである。請求項13に記載の放射線画像撮影装置の制御方法は、照射された放射線に応じた電荷を発生するセンサ部、前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第1スイッチング素子、及び前記センサ部から前記電荷を読み出して前記電荷を出力する第2スイッチング素子を各々備えた行列状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の列毎に設けられた信号配線と、前記複数の画素の行毎に設けられ、行方向に隣接する複数の画素から成る画素群の前記第1スイッチング素子の制御端子及び当該画素群と列方向に隣接する他の画素群の前記第2スイッチング素子の制御端子が接続された制御配線と、を備えた放射線画像撮影装置により、前記画素毎に前記信号配線に前記第1スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、前記第2スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群から前記第1スイッチング素子の前記制御端子が接続された前記画素群に向けた列方向に順次制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する工程と、前記画素群毎に同一の前記信号配線に前記第2スイッチング素子から電荷を出力させる場合は、当該列方向と逆方向に順次前記制御信号を前記制御配線に出力するよう制御する工程と、を備える。以上説明したように、装置の大型化と、ノイズの増加を抑制しつつ、S/Nを向上させることができるという効果が得られる。以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。[第1の実施の形態]まず、本実施の形態の放射線画像撮影装置を用いた放射線画像撮影システムの概略構成について説明する。図1は、本実施の形態の放射線画像撮影システムの一例の概略構成図である。放射線画像撮影システム200は、放射線例えばエックス線X線等を被検体206に照射する放射線照射装置204と、放射線照射装置204から照射され、被検体206を透過した放射線を検出する放射線検出素子10を備えた放射線画像撮影装置100と、放射線画像の撮影を指示すると共に、放射線画像撮影装置100から放射画像を取得する制御装置202と、を備えている。制御装置202の制御に基づいたタイミングで、放射線照射装置204から照射され撮影位置に位置している被検体206を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線画像撮影装置100に照射される。なお、放射線画像撮影システム200は、静止画撮影及び動画撮影を行う機能を有しており、制御装置202は、ユーザの指示、または、放射線照射装置204の制御に基づいて、静止画撮影及び動画撮影のいずれを行うかを切り換え、その旨を放射線画像撮影装置100に指示する。次に、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の概略構成について説明する。本実施の形態では、X線等の放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子10に本発明を適用した場合について説明する。本実施の形態では、放射線画像撮影装置100は、間接変換方式の放射線検出素子10を備えて構成されている。なお、図2では、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。放射線検出素子10には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部13と、センサ部13に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である2つのTFTTFT1、TFT2と、を含んで構成される画素20が複数、マトリックス状行列状に配置されている。本実施の形態では、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、センサ部13が電荷を発生する。画素20は、一方向図2の横方向、以下行方向ともいう及び当該行方向に対する交差方向図2の縦方向、以下列方向ともいうにマトリクス状に複数配置されている。図2では、画素20の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素20は行方向及び列方向に1024×1024個配置されている。また、放射線検出素子10には、TFT1及びTFT2のON/OFFを制御するための複数の制御配線G図2では、Gn~Gn4と、上記センサ部13に蓄積された電荷を読み出すための画素20の列毎に備えられた複数の信号配線D図2では、D1~D4と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、例えば、画素20が行方向及び列方向に1024×1024個配置されている場合、制御配線Gは、行数1本=1025本、信号配線Dは、列数=1024本設けられている。なお、各画素20のセンサ部13は、図示を省略した共通配線に接続されており、共通配線を介して電源図示省略からバイアス電圧が印加されるように構成されている。制御配線Gには、各制御配線G毎に、制御端子が接続された各TFT1及び各TFT2をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各制御配線Gに流れることによって、各TFT1及び各TFT2がスイッチングされる。信号配線Dには、各画素20のTFT1のスイッチング状態及びTFT2のスイッチング状態に応じて、各画素20に蓄積された電荷量に応じた電気信号がTFT1またはTFT2を介して流れる詳細後述。各信号配線Dには、各信号配線Dに流れ出した電気信号を検出する信号検出回路105が接続されている。なお、ここで電気信号の検出とは、電気信号をサンプリングすることを表している。また、各制御配線Gには、各制御配線GにTFT1及びTFT2をON/OFFするための制御信号を出力する制御信号制御回路104が接続されている。図2では、信号検出回路105及び制御信号制御回路104を1つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路105及び制御信号制御回路104を複数設けて所定本例えば、256本毎に信号配線Dまたは制御配線Gを接続してもよい。例えば、信号配線D及び制御配線Gが1024本ずつ設けられている場合、制御信号制御回路104を4個設けて256本ずつ制御配線Gを接続し、信号検出回路105も4個設けて256本ずつ信号配線Dを接続してもよい。本実施の形態の放射線検出素子10では、詳細には、画素20の行図2では、A行~D行の4行毎に、TFT1の制御端子が共通の制御配線Gに接続されている。また、画素20の行毎に、TFT2の制御端子が、当該画素のTFT1の制御端子が接続されている画素と列方向に隣接する共通の制御配線Gに接続されている。具体的に図2に示した一例では、制御配線Gnには、A行に配置された画素20画素20A1~画素20A4のTFT2の制御端子が接続されている。また、制御配線Gn1には、A行に配置された画素20画素20A1~画素20A4のTFT1の制御端子と、B行に配置された画素20画素20B1~画素20B4のTFT2の制御端子が接続されている。制御配線Gn2には、B行に配置された画素20画素20B1~画素20B4のTFT1の制御端子と、C行に配置された画素20画素20C1~画素20C4のTFT2の制御端子が接続されている。制御配線Gn3には、C行に配置された画素20画素20C1~画素20C4のTFT1の制御端子と、D行に配置された画素20画素20D1~画素20D4のTFT2の制御端子が接続されている。制御配線Gn4には、D行に配置された画素20画素20D1~画素20D4のTFT1の制御端子が接続されている。一方、画素20の列図2では、1列~4列の4列毎に奇数列では、信号配線D図2では、信号配線D1、D3にTFT1及びTFT2のうち、TFT1の出力端子のみが接続されている。また、偶数列では、信号配線D図2では、信号配線D2、D4にTFT1の出力端子、及び当該信号配線Dに隣接する画素のTFT2の出力端子が接続されている。具体的に図2に示した一例では、信号配線D1には、1列に配置された画素20画素20A1~画素20D1のTFT1の出力端子が接続されている。また、信号配線D2には、1列に配置された画素20画素20A1~画素20D1のTFT2の出力端子と、2列に配置された画素20画素20A2~画素20D2のTFT1及びTFT2の出力端子が接続されている。信号配線D3には、3列に配置された画素20画素20A3~画素20D3のTFT1の出力端子が接続されている。信号配線D4には、3列に配置された画素20画素20A3~画素20D3のTFT1の出力端子と、4列に配置された画素20画素20A4~画素20D4のTFT1及びTFT2の出力端子が接続されている。信号検出回路105は、各信号配線D毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。図3及び図4に、本実施の形態の信号検出回路105の一例の概略構成図を示す。信号検出回路105では、各信号配線Dより入力される電気信号を増幅回路50により増幅し、ADCアナログデジタル変換器54によりアナログ信号をデジタル信号へ変換する。本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路50、及びADCアナログデジタル変換器54を備えている。なお、本実施の形態では、増幅回路50は、信号配線D毎に設けられている。すなわち、信号検出回路105は、放射線検出素子10の信号配線Dの数と同じ数の、複数の増幅回路50を備えている。なお、図3は、信号配線D1及び信号配線D3のそれぞれに備えられている増幅回路50の概略構成について示しており、図4は、信号配線D2及び信号配線D4のそれぞれに備えられている増幅回路50の概略構成について示している。増幅回路50は、チャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ等のアンプ52と、アンプ52に並列に接続されたコンデンサCと、アンプ52に並列に接続された電荷リセット用のスイッチSW1と、を備えている。増幅回路50では、電荷リセット用のスイッチSW1がオフの状態で画素20から電荷電気信号が読み出され、コンデンサCに読み出された電荷が蓄積され、蓄積される電荷量に応じてアンプ52から出力される電圧値が増加するようになっている。また、制御部106は、電荷リセット用スイッチSW1に電荷リセット信号を印加して電荷リセット用のスイッチSW1のオン/オフを制御するようになっている。なお、電荷リセット用のスイッチSW1がオン状態とされると、アンプ52の入力側と出力側とが短絡され、コンデンサCの電荷が放電される。ADC54は、S/HサンプルホールドスイッチSWがオン状態において、増幅回路50から入力されたアナログ信号である電気信号をデジタル信号に変換する機能を有するものである。ADC54は、デジタル信号に変換した電気信号画像データを制御部106に順次出力する。なお、本実施の形態のADC54には、信号検出回路105に備えられた全ての増幅回路50から出力された電気信号が入力される。すなわち、本実施の形態の信号検出回路105は、増幅回路50信号配線Dの数にかかわらず、1つのADC54を備えている。この信号検出回路105及び制御信号制御回路104には、信号検出回路105において変換されたデジタル信号の画像データに対してノイズ除去やゲイン補正等の所定の処理を施して照射された放射線が示す放射線画像を生成する制御部106が接続されている。また制御部106は、信号検出回路105に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、制御信号制御回路104に対して制御信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する。本実施の形態の制御部106は、マイクロコンピュータによって構成されており、CPU中央処理装置、ROM及びRAM、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部106は、記録媒体であるROMに記憶された制御プログラム詳細後述をCPUで実行することにより、放射線画像の撮影のための制御を行う。なお、当該制御プログラムは、当該ROMに予め記憶するようにしてもよいし、外部から供給されるようにしてもよい。制御部106では、信号検出回路105から出力されたデジタル信号の電気信号画像データに対してノイズ除去やゲイン補正等の所定の処理を施して照射された放射線が示す放射線画像を生成する。次に、本実施の形態の放射線画像撮影装置100放射線検出素子10による放射線画像の撮影動作について図面を参照して説明する。放射線画像撮影装置100は、放射線の照射開始を検出して放射線検出素子10の各画素20で電荷を蓄積し、蓄積した電荷に応じた画像データに基づいた放射線画像を出力することにより放射線画像を撮影する。本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、通常の撮影の場合例えば、高い解像度で撮影を行う静止画の撮影と、ビニングを行う撮影の場合例えば、高いフレームレートで撮影を行う動画の撮影と2種類の撮影を行うことができるものであるが、それぞれの種類に応じて、動作が異なる、以下、高い解像度で撮影を行う場合を静止画の撮影、高いフレームレートで撮影を行う場合を動画の撮影とし、それぞれの撮影に応じて説明する。なお、本実施の形態では、複数の画素20から電荷をまとめて読み出すことをビニングという。なお、本実施の形態では、制御装置202からの指示に基づいて、制御部106の制御により静止画の撮影及び動画の撮影のいずれかを行う。制御部106では、制御装置202から撮影指示を受け付けると、制御プログラムがCPUにより実行されることにより以下の制御処理が実行される。当該制御処理の流れの一例のフローチャートを図5に示す。撮影指示を受け付けると、ステップ100では、静止画の撮影が指示されたのか、動画の撮影が指示されたのかを判断する。静止画の撮影が指示された場合は、肯定されてステップ102へ進む。なお、静止画の撮影及び動画の撮影に係わらず、照射された放射線に応じた電荷が、センサ部103により蓄積される。静止画の撮影を行う場合、本実施の形態では、静止画用の第1制御を制御部106が実行する。そのため、ステップ102では、TFT1をオンにさせて、TFT1を介して画素20センサ部13から電荷を各信号配線Dに出力させるように、順次、制御配線Gに制御信号を出力させた後、本処理を終了する。本実施の形態の静止画用の第1制御では、制御配線Gn4から制御配線Gnへ、順次制御信号を出力する図2、通常スキャン方向参照。まず、制御配線Gn4に制御信号を出力すると、D行の画素20画素20D1~画素20D4のTFT1がオン状態になり、画素20D1~画素20D4のセンサ部13から電荷が各信号配線DD1~D4に出力される。次に、制御配線Gn3に制御信号を出力すると、C行の画素20画素20C1~画素20C4のTFT1がオン状態になり、画素20C1~画素20C4のセンサ部13から各信号配線DD1~D4に電荷が出力される。この際、D行の画素20画素20D1~画素20D4のTFT2もオン状態になるが、既に、画素20D1~画素20D4からは電荷が出力済みの状態なので、当該TFT2を介して電荷が各信号配線Dに出力されることはない。同様に、制御配線Gn2に制御信号を出力すると、B行の画素20画素20B1~画素20B4のTFT1がオン状態になり、画素20B1~画素20B4のセンサ部13から各信号配線DD1~D4に電荷が出力される。この際、C行の画素20画素20C1~画素20C4のTFT2もオン状態になるが、既に、画素20C1~画素20C4からは電荷が出力済みの状態なので、当該TFT2を介して電荷が各信号配線Dに出力されることはない。このように、第1制御では、制御配線Gn4から制御配線Gnへ、順次制御信号を出力することにより、各画素20毎に、画素20の列毎に、信号配線DD1~D4に、電荷が出力される。すなわち、各画素20毎に、信号配線Dに電荷が出力される。このようにして信号配線Dに出力された電荷に応じた電気信号が、信号検出回路105により、デジタル信号に変換され、制御部106により、当該電気信号に応じた画像データに基づいた放射線画像を生成する。一方、制御装置202から動画の撮影を指示された場合は、ステップ100で否定されてステップ104へ進む。動画の撮影を行う場合、本実施の形態では、動画用の第2制御を制御部106が実行する。そのため、ステップ104では、TFT2をオンにさせて、TFT2を介して画素20センサ部13から電荷を各信号配線Dに出力させるように、順次、制御配線Gに制御信号を出力させた後、本処理を終了する。本実施の形態の動画用の第2制御では、制御配線Gnから制御配線Gn4へ、順次制御信号を出力する。すなわち、第2制御では、上述の第1制御と列の逆方向に順次、制御信号を出力する図2、ビニングスキャン方向参照。まず、制御配線Gnに制御信号を出力すると、A行の画素20画素20A1~画素20A4のTFT2がオン状態になり、画素20A1~画素20A4のセンサ部13から電荷が各信号配線DD1~D4に出力される。これにより、画素20A1及び画素20A2の電荷が信号配線D2に出力される。また、画素20A3及び画素20A4の電荷が信号配線D4に出力される。次に、制御配線Gn1に制御信号を出力すると、B行の画素20画素20B1~画素20B4のTFT2がオン状態になり、画素20B1~画素20B4のセンサ部13から各信号配線DD1~D4に電荷が出力される。この際、A行の画素20画素20A1~画素20A4のTFT1もオン状態になるが、既に、画素20A1~画素20A4からは電荷が出力済みの状態なので、当該TFT1を介して電荷が各信号配線Dに出力されることはない。これにより、画素20B1及び画素20B2の電荷が信号配線D2に出力される。また、画素20B3及び画素20B4の電荷が信号配線D4に出力される。同様に、制御配線Gn2に制御信号を出力すると、画素20C1及び画素20C2の電荷が信号配線D2に出力される。また、画素20C3及び画素20C4の電荷が信号配線D4に出力される。また、制御配線Gn3に制御信号を出力すると、画素20D1及び画素20D2の電荷が信号配線D2に出力される。また、画素20D3及び画素20D4の電荷が信号配線D4に出力される。なお、制御配線Gn4に制御信号を出力した際は、いずれの画素20からも電荷が出力されない。このように、第2制御では、制御配線Gnから制御配線Gn4へ、順次制御信号を出力することにより、行方向に隣接する2つの画素20画素30の電荷の和が隣接する信号配線DD2、D4に出力される。すなわち、画素30毎に、偶数番号の信号配線Dに電荷が出力される。このようにして信号配線Dに出力された電荷に応じた電気信号が、信号検出回路105により、デジタル信号に変換され、制御部106により、当該電気信号に応じた画像データに基づいた放射線画像を生成する。このように本実施の形態では、動画の撮影を行う場合は、2つの画素20を1つの画素30のようにみなしてまとめて電荷を取り出すため、電荷をまとめて読み出すことにより信号処理速度が向上し、静止画の撮影に比べてフレームレートを向上させることができる。以上説明したように本実施の形態の放射線画像撮影装置100放射線検出素子10では、各画素20が静止画撮影に用いるTFT1及び動画撮影に用いるTFT2を備えている。また、奇数番号の信号配線DD1、D3には、画素20の奇数列1列、3列のTFT1の出力端子が接続されている。一方、偶数番号の信号配線DD2、D4には、画素20の奇数列1列、3列のTFT2の出力端子と、画素20の偶数列2列、3列のTFT1及びTFT2の出力端子と、が接続されている。従って、偶数番号の信号配線DD2、D4には、複数の画素20のTFT2の出力端子が接続されるように構成されている。さらに、制御配線Gnには、A行の画素20画素20A1~画素20A4のTFT2の制御端子が接続されており、制御配線Gn1には、A行の画素20のTFT1の制御端子及びBの画素20画素20B1~画素20B4のTFT2の制御端子が接続されている。このように、列の両端を除いた制御配線には、隣接する2つの行の画素20の、一方の行の画素20のTFT1の接続端子が接続されていると共に、他方の行の画素20のTFT2の接続端子が接続されている。静止画等の通常撮影の場合は、各画素20において、TFT1から電荷が出力されるように、制御配線Gn4から制御配線Gnへ順次、制御信号が出力される。一方、動画等のビニング撮影の場合は、各画素20において、TFT2から電荷が出力されるように、制御配線Gnから制御配線Gn4へ順次、制御信号が出力される。静止画撮影の場合も動画撮影の場合も、制御配線に制御信号が出力された際には、当該制御配線に隣接する2つの行の画素20のうちの一方の行の画素20は、既に電荷が読み出された状態であるため、他方の行の画素20からのみ電荷が信号配線Dに出力される。このように、本実施の形態の放射線画像撮影装置100では、制御配線に制御信号を出力する順番を変えるのみで、静止画撮影通常撮影と、動画撮影ビニング撮影とを行うことができる。また、本実施の形態では、2つの画素20を1つの画素30のようにみなしてまとめて電荷を取り出すため、電荷をまとめて読み出すことにより信号処理速度が向上し、静止画に比べてフレームレートを向上させることができる。従って、動画撮影時に電荷を流すための信号配線Dや、制御配線G、及びTFT2を駆動するための駆動基板等を別途設ける必要がないため、放射線画像撮影装置100放射線検出素子10が大型化するのを抑制しつつ、簡便な構成及び制御でアナログビニングを行うことができる。また、行方向に隣接する2画素画素20を1つの画素画素30とみなして複数画素単位で電荷を読み出すため、1つの積分期間に同時に読み出される画素数が2倍になり、従って、電荷量電荷量に応じた電気信号Sを2倍にすることができる。これにより、画素密度S/Nを向上することができる。従ってアナログビニングによりS/Nを向上させることができる。なお、上述の動画撮影の場合の動作では、各行毎制御配線G毎に電荷を読み出す場合について説明したがこれに限らない。制御部106の制御により、複数の行毎制御配線G毎に電荷を読み出すようにしてもよい。この場合の、信号検出回路105の増幅回路50アンプ52の電荷の検出読み取り動作の一例のタイムチャートを図6に示す。アンプ52ではリセット後、所定周期Ts及びサンプリング期間Tcaで信号配線D本実施の形態では、動画撮影の場合は信号配線D2、D4にそれぞれ流れる電気信号をデジタル信号に変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。各所定周期Tsのホールド期間に複数図6では、2つの制御配線Gに対して、TFT2をオン状態にするための制御信号以下、オン信号というを出力させることにより、複数の制御配線Gに応じた複数の画素20から電荷が加算された電気信号が信号配線Dに流れる。従って、当該ホールド期間の後のサンプリング期間Tcaでは、列方向に複数の画素20の電荷が加算された電気信号がアンプ52によりサンプリングされる。すなわち、列方向に複数の画素20がアナログビニングされる。具体的には、図6及び図7に示したように、まず、ホールド期間に制御配線Gn及び制御配線Gn1に順次オン信号が出力されると、次のサンプリング期間Tcaでは、画素20A1、画素20A2、画素20B1、及び画素20B2から成る2画素×2画素を1画素画素40とみなして画素40の電荷が加算されて信号配線D2に接続された増幅回路50のアンプ52でサンプリングされる。また、画素20A3、画素20A4、画素20B3、及び画素20B4から成る2画素×2画素を1画素画素40とみなして画素40の電荷が加算された電気信号が信号配線D4に接続された増幅回路50のアンプ52でサンプリングされる。このように、アンプ52のホールド期間に複数の制御配線にオン信号を出力させ、サンプリング期間Tcaに複数行の画素20の電荷が加算された電気信号をアンプ52でサンプリングさせることにより、列方向にアナログビニングすることができる。なお、図6及び図7に示した具体的一例では、2画素20×2画素20を1画素40とみなしたアナログビニングを行うように、ホールド期間に2つの制御配線Gにオン信号を出力させているがこれに限らず、ホールド期間中にさらに複数の制御配線Gにオン信号を出力させて、2画素20×3画素20以上を1画素とみなしたアナログビニングを行うようにしてもよい。[第2の実施の形態]第2の実施の形態の放射線画像撮影装置は、第1の実施の形態の放射線画像撮影装置100と略同様の構成であるため、同一部分にはその旨を記し、詳細な説明を省略する。なお、本実施の形態の放射線画像撮影装置は放射線検出素子の画素の配置が、第1の実施の形態の放射線検出素子10と異なるため、異なる構成、動作について詳細に説明する。図8に、本実施の形態の放射線検出装置の概略構成の一例の構成図を示す。なお、図8では、制御信号制御回路104、信号検出回路105、及び制御部106の記載を省略している。本実施の形態の放射線検出素子50は、第1の実施の形態の放射線検出素子10と同様に、センサ部13と、センサ部13に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である2つのTFTTFT1、TFT2と、を含んで構成される画素20が複数、マトリックス状行列状に配置されている。なお、本実施の形態では、第1の実施の形態の放射線検出素子10と異なり、A行の画素20及びB行の画素20が、行方向に1列分ずれて配置されて状態になっている。そのため、信号配線D1には、画素20A1のTFT1及びTFT2の出力端子、画素20B1のTFT1及びTFT2の出力端子、画素20C1のTFT1の出力端子、及び画素20D1のTFT1の出力端子が接続されている。また、信号配線D2には、画素20A2のTFT1の出力端子、画素20B2のTFT1の出力端子、画素20C1のTFT2の出力端子、画素20C2のTFT1及びTFT2の出力端子、画素20D1のTFT2の出力端子、及び画素20D2のTFT1及びTFT2の出力端子が接続されている。また、信号配線D3には、画素20A2のTFT1の出力端子、画素20A3のTFT1及びTFT2の出力端子、画素20B2のTFT2の出力端子、画素20B3のTFT1及びTFT2の出力端子、画素20C3のTFT1の出力端子、及び画素20D3のTFT1の出力端子が接続されている。同一の信号配線DにTFT2が接続されている行方向に隣接する2つの画素20を画素30とみなしてビニングするため、本実施の形態では、図8に示すように、画素30が列方向に2つを1組にして千鳥状に配置されている。次に、本実施の形態の放射線検出素子50による放射線画像の撮影動作について説明する。なお、本実施の形態においても、第1の実施の形態と略同様に、制御部106が、通常の撮影の場合例えば、高い解像度で撮影を行う静止画の撮影の第1制御と、ビニングを行う撮影の場合例えば、高いフレームレートで撮影を行う動画の撮影の第2制御と2種類の制御を制御装置202からの指示に基づいて行う。なお、本実施の形態においても、静止画の撮影を行う第1制御の場合は、制御配線Gn4から制御配線Gnへ、順次制御信号を出力し図8、通常スキャン方向参照、動画の撮影を行う第2制御の場合は、制御配線Gnから制御配線Gn4へ、順次制御信号を出力する図8、ビニングスキャン方向参照。従って、制御部106で行われる制御処理図5参照の流れは、第1の実施の形態と略同様であるため、ここでは具体的に説明する。まず、静止画の撮影を行う第1制御の場合について説明する。静止画の撮影を行う場合、制御配線Gn4から制御配線Gnへ、順次制御信号を出力する。行毎に各画素20では、TFT1がオン状態になることにより、当該TFT1を介して、センサ部13からTFT1の出力端子が接続されている信号配線Dにそれぞれ電荷が出力される。なお、第1の実施の形態で上述したように、各画素20では、TFT2がオン状態になった際には、既に当該画素20センサ部13の電荷は出力済みであるため、TFT2を介して信号配線Dに電荷が出力されることはない。このように、本実施の形態の第1制御では、第1の実施の形態と同様に、制御配線Gn4から制御配線Gnへ、順次制御信号を出力することにより、各画素20毎に、画素20の列毎に、信号配線DD1~D4に、電荷が出力される。すなわち、各画素20毎に、信号配線Dに電荷が出力される。次に、動画の撮影を行う第2制御の場合について説明する。動画の撮影を行う場合、制御配線Gnから制御配線Gn4へ、順次制御信号を出力する。行毎に各画素20では、TFT2がオン状態になることにより、当該TFT2を介してセンサ部13からTFT2の出力端子が接続されている信号配線Dにそれぞれ電荷が出力される。なお、第1の実施の形態で上述したように、各画素20では、TFT1がオン状態になった際には、既に当該画素20センサ部13の電荷は出力済みであるため、TFT1を介して信号配線Dに電荷が出力されることはない。図8に示すように、制御配線Gnに、TFT2をオンにするよう制御信号が出力されると、A行の画素20のTFT2がオン状態になる。画素20A1の電荷が、信号配線D1に出力される。また、画素20A2及び画素20A3の電荷が、信号配線D3に出力される。また、画素20A4及び画素20A5の電荷が、信号配線D5に出力される。また同様に、制御配線Gn1に、TFT2をオンにするよう制御信号が出力されると、B行の画素20のTFT2がオン状態になる。画素20B1の電荷が、信号配線D1に出力される。また、画素20B2及び画素20B3の電荷が、信号配線D3に出力される。また、画素20B4及び画素20B5の電荷が、信号配線D5に出力される。さらに、制御配線Gn2に、TFT2をオンにするよう制御信号が出力されると、C行の画素20のTFT2がオン状態になる。画素20C1及び画素20C2の電荷が、信号配線D2に出力される。また、画素20C3及び画素20C4の電荷が、信号配線D4に出力される。また、画素20C5の電荷が、信号配線D6に出力される。また同様に、制御配線Gn3に、TFT2をオンにするよう制御信号が出力されると、D行の画素20のTFT2がオン状態になる。画素20D1及び画素20D2の電荷が、信号配線D2に出力される。また、画素20D3及び画素20D4の電荷が、信号配線D4に出力される。また、画素20D5の電荷が、信号配線D6に出力される。このように、本実施の形態の放射線検出素子50では、動画の撮影を行う場合では、2画素画素30に相当の電荷の和が、信号配線D毎に流れる。このように本実施の形態では、動画の撮影を行う場合は、全ての信号配線Dただし、図8では、行の両端の信号配線D1及びD6を除くに行方向に隣接する2つの画素20を1つの画素30のようにみなすため、2画素2行×2画素2列のビニングを行う場合に、列方向に4画素4列のビニングを行うことができる。このように、列方向のビニング数を増加させることができるため、より、フレームレートをより向上させることができる。なお、本実施の形態では、1画素とみなした画素30を2列毎に、行方向に1画素ずらして配置しているがこれに限らない。ずらす切れ目は、任意に設定することができる。なお、列方向2画素2列もしくは、4画素4列毎に行方向に1画素ずらすことが好ましい。4画素毎に行方向に1画素ずらした場合の、放射線検出素子50の概略構成の一例の構成図を図9に示す。また、本実施の形態では、第1の実施の形態と同様にアンプ52のホールド期間に複数の制御配線にオン信号を出力させ、サンプリング期間Tcaに複数行の画素20の電荷が加算された電気信号をアンプ52でサンプリングさせる。具体的には、図8に示した放射線検出素子50のように、2画素2列毎に行方向に1画素ずらした場合では、列方向に4画素をビニングして読み出すことが好ましい。図8では、制御配線Gn、Gn1のビニング読みと同時に、制御配線Gn2、Gn3のビニング読みを行うことにより、信号配線D2には、画素20C1画素20C2画素20D1画素20D2の電荷が出力され、信号配線D3には、画素20A2画素20A3画素20B2画素20B3の電荷が出力される。このように4列制御配線Gn~Gn3分の電荷を1列分の電荷として出力することができるため、よりフレームレートを向上させることができる。また、2画素2行×2画素2列の解像度分解能とすることができる。一方、図9に示した放射線検出素子50のように、4画素4列毎に行方向に1画素ずらした場合では、列方向に8画素をビニングして読み出すことが好ましい。図9では、制御配線Gn、Gn1、Gn2、Gn3及び制御配線Gn4、Gn5、Gn6、Gn7のビニング読みを同時に行うことにより、信号配線D2には、画素20E1画素20E2画素20F1画素20F2画素20G1画素20G2画素20H1画素20H2の電荷が出力され、信号配線D3には、画素20A2画素20A3画素20B2画素20B3画素20C2画素20C3画素20D2画素20D3の電荷が出力される。また、信号配線D4には、画素20E3画素20E4画素20F3画素20F4画素20G3画素20G4画素20H3画素20H4の電荷が出力され、信号配線D5には、画素20A4画素20A5画素20B4画素20B5画素20C4画素20C5画素20D4画素20D5の電荷が出力される。このように、8列制御配線Gn~Gn8分の電荷を1列分の電荷として出力することができるため、よりフレームレートを向上させることができる。この場合、4画素4行×2画素2列の解像度分解能であるが、さらに、1つ飛ばした行図9では、信号配線D2と信号配線D4、信号配線D3と信号配線D5をデジタルビニングすることにより、4画素4行×4画素4列の解像度分解能とすることができる。以上説明したように、本実施の形態の放射線検出素子10では、1画素とみなせる行方向に隣接する2つの画素20よりなる画素30が2画素2行毎に、1画素1列ずれて配置されている。また、列方向に4画素をビニングして読み出すことにより、4列分の電荷を1列分の電荷として出力することができるため、よりフレームレートを向上させることができる。また、4画素4行毎に、1画素1列ずれて配置されている場合は、列方向に8画素をビニングして読み出すことにより、8列分の電荷を1列分の電荷として出力することができるため、よりフレームレートを向上させることができる。さらに、この場合では、1つ飛ばした行とビニングして読み出すことにより、解像度を4画素2行×4画素2列とすることができる。なお、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、アナログビニングのみを行う場合について詳細に説明したがこれに限らず、さらに、増幅回路52のアンプ52から出力された隣接する信号配線Dの電気信号を制御部106で加算するデジタルビニングを行うようにしてもよい。このようにデジタルビニングを併用することにより、よりフレームレートを向上させることができる。また、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、列方向に隣接する2つの画素20を1画素とみなすアナログビニングのみを行う場合について詳細に説明したがこれに限らず、3つ以上の画素20を1画素とみなすようしてもよい。また、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、TFT1を介して信号配線Dに画素20のセンサ部13から電荷を出力させる第1制御により静止画の撮影を行い、TFT2を介して信号配線Dに画素20のセンサ部13から電荷を出力させる第2制御により動画の撮影を行う場合について説明したが静止画及び動画の撮影に限るものではない。例えば、TFT1を介して1画素単位毎に電荷を出力させて画像データを取得する動画の撮影を行ってもよいし、TFT2を介して複数の画素単位毎に電荷を出力させて画像データを取得するよう静止画の撮影を行ってもよい。なお、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態で説明した放射線画像撮影装置100、放射線検出素子10、50、画素20、及び制御部106等の構成、動作等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。また、上述の第1の実施の形態及び第2の実施の形態の放射線は、特に限定されるものではなく、X線やγ線等を適用することができる。