基板と、前記基板の主面上に形成され、EUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する第1の吸収層で形成された吸収体パターンと、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域と、前記吸収体パターンを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、前記遮光領域が、前記第1の吸収層の上に第2の吸収層を積層して設けられたEUV露光用の反射型マスクであって、前記アライメントマークが、前記第2の吸収層をエッチングして前記遮光領域に形成されており、前記アライメントマークを構成する前記第2の吸収層の厚みが、前記アライメントマークを前記電子ビームで検出できる厚みであり、前記EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする反射型マスク。前記第2の吸収層の厚みが、前記第1の吸収層の厚みと同じかまたは前記第1の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴する請求項1に記載の反射型マスク。前記第2の吸収層の厚みが、60nm~200nmの範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の反射型マスク。前記アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の反射型マスク。基板と、前記基板の主面上に形成され、EUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する第1の吸収層と、前記第1の吸収層の上に積層した第2の吸収層と、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記第2の吸収層の厚みが、前記第2の吸収層をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、前記アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、前記EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とする反射型マスクブランクス。前記第2の吸収層の厚みが、前記第1の吸収層の厚みと同じかまたは前記第1の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴する請求項5に記載の反射型マスクブランクス。前記第2の吸収層の厚みが、60nm~200nmの範囲であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の反射型マスクブランクス。請求項4に記載の反射型マスクの製造方法であって、請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクスを用い、前記第2の吸収層上に前記転写パターン領域と前記アライメントマークを作成するための第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンをマスクにして前記第2の吸収層をエッチングして前記転写パターン領域と前記アライメントマークを同時に形成し、次に、前記第1のレジストパターンを剥離後、前記基板の主面上に第2のレジストを塗布し、前記アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、前記第1の吸収層上に前記吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターンを形成し、前記第2のレジストパターンをマスクにして前記第1の吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成し、次に、前記第2のレジストパターンを剥離する反射型マスクの製造方法において、前記アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。前記第1の吸収層上に、前記第2の吸収層のエッチング時のエッチング停止層、前記第2の吸収層、前記第2の吸収層のエッチング時にマスクとなるマスク層がこの順に設けられていることを特徴とする請求項8に記載の反射型マスクの製造方法。前記第1の吸収層および前記第2の吸収層がTa膜であり、前記エッチング停止層および前記マスク層がTaO2膜であることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の反射型マスクの製造方法。ここで、図12に示す上述の第2の方法を使用して反射型マスクを作る際には、上層の第2の吸収層114をパターンニングする際に、同時にアライメントマーク不図示を作成し、このアライメントマークを基準にして転写パターン領域に吸収体パターンを電子ビームにより露光し、レジストパターンを形成することになる。しかしながら、電子ビームによりアライメント露光をおこなう際には、表面にレジスト150nm程度の厚みを塗布するため、アライメントパターンのエッジは滑らかになり、EBアライメント露光時のEBスキャンでアライメントパターンのエッジを捉えることができず、EBアライメント露光をすることができないという問題が生じていた。そのため、図12に示すような従来の吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法においては、位置精度良く、吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することが困難であるという問題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に設けられ、EUV光の反射光の放射を低減し遮光するための吸収層積層方式の遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクにおいて、EB描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができる反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することである。上記の課題を解決するために、本発明の請求項1の発明に係る反射型マスクは、基板と、前記基板の主面上に形成され、EUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する第1の吸収層で形成された吸収体パターンと、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域と、前記吸収体パターンを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマークと、を少なくとも備え、前記遮光領域が、前記第1の吸収層の上に第2の吸収層を積層して設けられたEUV露光用の反射型マスクであって、前記アライメントマークが、前記第2の吸収層をエッチングして前記遮光領域に形成されており、前記アライメントマークを構成する前記第2の吸収層の厚みが、前記アライメントマークを前記電子ビームで検出できる厚みであり、前記EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とするものである。本発明の請求項2の発明に係る反射型マスクは、請求項1に記載の反射型マスクにおいて、前記第2の吸収層の厚みが、前記第1の吸収層の厚みと同じかまたは前記第1の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴するものである。本発明の請求項3の発明に係る反射型マスクは、請求項1または請求項2に記載の反射型マスクにおいて、前記第2の吸収層の厚みが、60nm~200nmの範囲であることを特徴とするものである。本発明の請求項4の発明に係る反射型マスクは、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の反射型マスクにおいて、前記アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状であることを特徴とするものである。本発明の請求項5の発明に係る反射型マスクブランクスは、基板と、前記基板の主面上に形成され、EUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する第1の吸収層と、前記第1の吸収層の上に積層した第2の吸収層と、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記第2の吸収層の厚みが、前記第2の吸収層をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、前記アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、前記EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いことを特徴とするものである。本発明の請求項6の発明に係る反射型マスクブランクスは、請求項5に記載の反射型マスクブランクスにおいて、前記第2の吸収層の厚みが、前記第1の吸収層の厚みと同じかまたは前記第1の吸収層の厚みよりも厚いことを特徴するものである。本発明の請求項7の発明に係る反射型マスクブランクスは、請求項5または請求項6に記載の反射型マスクブランクスにおいて、前記第2の吸収層の厚みが、60nm~200nmの範囲であることを特徴とするものである。本発明の請求項8の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項4に記載の反射型マスクの製造方法であって、請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の反射型マスクブランクスを用い、前記第2の吸収層上に前記転写パターン領域と前記アライメントマークを作成するための第1のレジストパターンを形成し、前記第1のレジストパターンをマスクにして前記第2の吸収層をエッチングして前記転写パターン領域と前記アライメントマークを同時に形成し、次に、前記第1のレジストパターンを剥離後、前記基板の主面上に第2のレジストを塗布し、前記アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、前記第1の吸収層上に前記吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターンを形成し、前記第2のレジストパターンをマスクにして前記第1の吸収層をエッチングして前記吸収体パターンを形成し、次に、前記第2のレジストパターンを剥離する反射型マスクの製造方法において、前記アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成することを特徴とするものである。本発明の請求項9の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項8に記載の反射型マスクの製造方法において、前記第1の吸収層上に、前記第2の吸収層のエッチング時のエッチング停止層、前記第2の吸収層、前記第2の吸収層のエッチング時にマスクとなるマスク層がこの順に設けられていることを特徴とするものである。本発明の請求項10の発明に係る反射型マスクの製造方法は、請求項8または請求項9に記載の反射型マスクの製造方法において、前記第1の吸収層および前記第2の吸収層がTa膜であり、前記エッチング停止層および前記マスク層がTaO2膜であることを特徴とするものである。本発明のEUV露光用の反射型マスクによれば、EUV露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高め、ウェハへの露光時に多重露光によるレジストの膜減りやパターン寸法仕上がり精度の低下を防止した吸収層積層方式の遮光領域を備え、高い位置精度で高解像の転写パターンを形成することが可能となる。本発明のEUV露光用の反射型マスクブランクスによれば、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するEUV露光用の反射型マスクを得ることができる。本発明のEUV露光用反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクの製造において、EB描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができる。以下、本発明のEUV露光用の反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法について、図面を参照しながら実施形態を説明する。<反射型マスク>第1の実施形態図1は、遮光領域を有する本発明の反射型マスク10の第1の実施形態を示す図であり、図1aは概略断面図であり、マスクパターン側から見た平面図である図1bのA-A線における断面図を示す。図1に示すように、反射型マスク10の一方の主面表面上には、転写パターン領域21と遮光領域22が形成されている。ここで、転写パターン領域21は、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク10上のパターン領域であり、遮光領域22は、転写パターン領域21の周辺に設けられたEUV光の反射を低減させた領域で、EUV露光時に多重露光となる領域に設けられている。例えば、外形6インチ角の反射型マスクにおいて、転写パターン領域21の面積は100mm×130mm程度であり、遮光領域22の幅は概ね3mm~25mm程度である。なお、遮光領域22よりもさらに外側は、露光時にブレードを用いて遮光することができる。図1aに示すように、本実施形態の反射型マスク10は、基板11の一方の主面表面上にEUV光を反射する多層の反射層12と、その反射層12上にEUV光を吸収する第1の吸収層13で形成された吸収体パターン13aと、吸収体パターン13aによって形成された転写パターン領域21の周囲に、EUV光の反射光の放射を低減し遮光するための遮光領域22と、吸収体パターン13aを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマーク15と、を少なくとも備えている。遮光領域22は、第1の吸収層13の上に第2の吸収層14を積層して設けられており、上記アライメントマーク15は、第2の吸収層14をエッチングして遮光領域22に形成されており、上記のアライメントマーク15を構成する第2の吸収層14の厚みは、アライメント露光の観点を優先し、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みであり、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くするものである。本発明において、レジストを塗布した第2の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを電子ビームで検出できる第2の吸収層の厚みは、60nm以上あればよい。一方、吸収層を積層して遮光領域を形成した反射型マスクにおいては、通常、第1の吸収層と第2の吸収層が合計で100nm程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができる。したがって、本発明において、上記のEUV光を遮光するのに必要な第2の吸収層の厚みは、100nmから第1の吸収層の厚みnmを引いた数値以上の厚みとするものである。吸収層を積層した遮光領域を備えた反射型マスクにおいては、通常、マスクパターン転写時に位相効果を得て解像力を上げるために、第1の吸収層は、60nm~70nmの厚みとしている。本発明の反射型マスクにおいて、電子ビームによりコントラストを有するアライメント信号が得られアライメント露光が可能であるならば、第2の吸収層の厚みは第1の吸収層の厚みよりも薄くてもよいが、アライメント露光をさらに確実に容易にするには、第2の吸収層の厚みは、第1の吸収層の厚みと同じかまたは第1の吸収層の厚みよりも厚いことがより好ましい。本発明の反射型マスクにおいて、第2の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを電子ビームで検出するには、上記のように第2の吸収層の膜厚は60nm以上あればよく、一方、第2の吸収層の膜厚が200nmを超えるとエッチング加工がしにくくなる。したがって、本発明の反射型マスクの第2の吸収層の厚みは、60nm~200nmの範囲が好ましく、より好ましくは80nm~150nmの範囲である。本発明において、アライメントマークの形状としては特に制限はなく、電子ビーム描画用に通常用いられるアライメントマーク形状が適用できる。例えば、十字形状マークなどを用いることができる。本発明の作用効果次に、第2の吸収層14の厚みが、アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚い本発明の反射型マスクにおいて、電子ビーム露光による吸収体パターン形成用のアライメントマークの作用効果について、従来の反射型マスクのアライメントマークと比較して、図面を用いて説明する。吸収層を積層して遮光領域を形成したEUV露光用の反射型マスクにおいては、第1の吸収層と第2の吸収層が合計で100nm程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができるが、マスクパターン転写時に位相効果を得て転写パターンの解像力を上げるために、下層の第1の吸収層は、通常、60nm~70nm程度の厚みとするため、上部の第2の吸収層の厚みは、従来、30nm~50nm程度としている。図6は、比較として、従来の反射型マスクにおけるアライメントマークを説明する図である。図6aは、吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法において、第2の吸収層64にアライメントマーク65を形成した製造途中段階の反射型マスクの断面模式図である。上記のように、従来、第2の吸収層64の厚みは、第1の吸収層63の厚みよりも小さく形成されている。図6bは、アライメントマークを形成後の次の工程において、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、図6aに示すアライメントマーク領域M2の拡大断面図である。電子ビームによりアライメント露光をおこなう際には、基板表面にレジスト150nm程度の厚みが塗布される。第2の吸収層64の厚みが小さいので、上記の第2の吸収層の厚み30nm~50nm程度の段差では、図6bに示すように、吸収体パターン加工用のレジストを塗布した際、アライメントマーク65上のレジスト66はなだらかなスロープとなる。図6cは、レジスト66形成後の電子ビームによるアライメント時のアライメントマーク65の2次電子の強度プロファイル67である。EBアライメント露光時のEBスキャンで、2次電子の強度が弱いので、アライメントマークのパターンエッジを検出できず、アライメントをすることができない。一方、図5は、本発明の反射型マスクにおけるアライメントマークの作用効果を説明する図である。図5aは、上記の吸収層積層方式の反射型マスクの製造方法において、第2の吸収層14にアライメントマーク15を形成した状態を示す反射型マスクの製造途中の断面模式図である。上記のように、本発明においては、第2の吸収層14の厚みは、アライメント露光の観点を優先し、レジストを介して電子ビームでアライメントマークのエッジを検出できる厚みであり、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚い。図5aでは、第2の吸収層14の厚みは、第1の吸収層13の厚みよりも大きい場合を例示している。図5bは、アライメントマークを形成後の次の工程において、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、図5aに示すアライメントマーク領域M1の拡大断面図である。第2の吸収層14の厚みが大きいので、アライメントマーク15上のレジスト第1のレジスト56は急峻なスロープとなる。図5cは、レジスト56形成後の電子ビームによるアライメント時のアライメントマーク15の2次電子の強度プロファイル57である。アライメントマーク上のレジストが急峻なスロープとなることにより、レジスト56を介して電子ビームでアライメントマーク15のエッジを検出し、きわめて明確なアライメント信号が得られるようになる。本発明は、吸収層積層方式の反射型マスクにおいて、電子ビームにより吸収体パターンのアライメント露光を行うために、上部の第2の吸収層をEUV露光時に必要とされる遮光領域としての膜厚以上に厚くし、EBアライメント露光時のアライメントが容易にできるようにするものである。すなわち、上部の第2の吸収層の厚みを、EUV露光時の遮光性の観点からだけではなく、EBアライメント露光の観点から十分に厚くし、EBアライメント露光が容易にできるようにしている。EUV光の吸収効率は、吸収層の厚みが増すに従って上昇するため、遮光領域となる上部の第2の吸収層を厚くする分には、EUV露光に悪影響はない。また、遮光領域以外の第2の吸収層はエッチング除去されるので、マスクパターンの転写特性に障害は生じない。ただし、上部の第2の吸収層をあまり厚くしすぎると、エッチング加工がしにくくなるので、上部の第2の吸収層の厚みは、膜厚200nm以下が好ましい。一方、アライメントマークのエッジを検出するには膜厚60nm以上あればよいので、上部の第2の吸収層の厚みは、膜厚60nm~200nmの範囲が好ましく、さらにより好ましくは膜厚80nm~150nmの範囲とすると、エッチング加工しやすく、十分なEUV光の吸収効率を達成でき、アライメント露光しやすい反射型マスク構造となる。第2の実施形態図2は、本発明の遮光領域を有する反射型マスクの第2の実施形態を示す概略断面図である。図2において、図1と同じ部位と材料を示す場合には、図1と同じ符号を用いている。図2に示すように、反射型マスク20の一方の主面表面上には、転写パターン領域21と遮光領域22が形成されている。ここで、転写パターン領域21は、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク20上のパターン領域であり、遮光領域22は、転写パターン領域21の周辺に設けられたEUV光の反射を低減させた領域で、EUV露光時に多重露光となる領域に設けられている。図2に示すように、本実施形態の反射型マスク20は、基板11の一方の主面上にEUV光を反射する多層の反射層12と、その反射層12上にEUV光を吸収する第1の吸収層13で形成された吸収体パターン13aと、吸収体パターン13aによって形成された転写パターン領域21の周囲に、EUV光の反射光の放射を低減するための遮光領域22と、吸収体パターン13aを形成するための電子ビームによるアライメント露光に用いられるアライメントマーク15と、を少なくとも備えている。遮光領域22は、第1の吸収層13の上に第2の吸収層14を積層して設けられており、上記アライメントマーク15は、第2の吸収層14をエッチングして遮光領域22に形成されており、上記のアライメントマーク15を構成する第2の吸収層14の厚みを、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みで、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くするものであり、アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状をなすものである。本実施形態では、第2の吸収層14の厚みを、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みで、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることによる効果に加えて、アライメントマークを構成する層の断面形状を逆台形状とすることにより、吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、アライメントマーク15上のレジスト断面はより急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント時に明確なアライメント信号を得ることができ、電子ビームによるアライメント露光がさらに容易となる。本実施形態において、断面形状が逆台形状のアライメントマークは、断面が表面側より基板面側に向けて連続的に狭くなっている逆台形状のみならず、断面の表面側が広く基板面側が狭いT字型をなす逆台形状のアライメントマークも含むものである。断面がT字型のアライメントマークも、そのマーク上に塗布したレジスト断面は急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント露光が可能となる。本発明の反射型マスクは、従来の反射型マスクの構成要素、材料を適用することが可能であるが、以下に説明する。基板本発明の反射型マスク10の基板11としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、SiO2-TiO2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において50nm以下が求められている。反射層多層の反射層12は、EUV露光に用いられるEUV光を高い反射率で反射する材料が用いられ、MoとSiからなる多層膜が多用されており、例えば、2.74nm厚のMoと4.11nmのSiを各40層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ru/Si、Mo/Be、Mo化合物/Si化合物、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜およびSi/Ru/Mo/Ru周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。MoとSiからなる多層膜の場合、DCマグネトロンスパッタ法により、まずSiターゲットを用いて、Arガス雰囲気下でSi膜を成膜し、その後、Moターゲットを用いて、Arガス雰囲気下でMo膜を成膜し、これを1周期として、30~60周期、好ましくは40周期積層されて、多層の反射層が得られる。上記のように、EUV光を高い反射率で反射させるために、13.4nmのEUV光を入射角6.0度で入射したときの多層の反射層12の反射率は、通常、60以上を示すように設定されている。吸収層マスクの転写領域21において吸収体パターン13aを形成し、EUV光を吸収する第1の吸収層13、および遮光領域22を形成する第2の吸収層15の材料としては、Ta、TaB、TaBNなどのTaを主成分とする材料、Cr、Crを主成分としN、O、Cから選ばれる少なくとも1つの成分を含有する材料などが、膜厚30nm~100nm程度の範囲、より好ましくは50nm~85nmの範囲で用いられる。他の構成要素本発明の反射型マスクは、上記の構成要素に加えて、他の構成要素が用いられていてもよい。図3は、他の構成要素を加えた本発明の反射型マスクの例である。図3に示すように、本発明の反射型マスク30は、吸収体パターン13aを形成する第1の吸収層13が必ずしも多層の反射層12に直接に接していなくてもよい。第1の吸収層13をパターン状にドライエッチングする時に下層の多層の反射層12に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層12と第1の吸収層13との間にバッファ層17が設けられる。さらに必要に応じて、多層の反射層12の上に反射層の酸化防止などのために、キャッピング層保護層とも称する16が設けられる。また、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、第1の吸収層13の上に反射防止層18を設ける場合もある。以下に、上記の他の構成要素の材料について説明する。キャッピング層多層の反射層12の反射率を高めるには屈折率の大きいMoを最上層とするのが好ましいが、Moは大気で酸化され易くて反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護膜として、スパッタリング法などによりSiやRuを成膜し、キャッピング層16を設けることがある。例えば、キャッピング層16としてSiは反射膜12の最上層に11nmの厚さに設けられる。Ruをキャッピング層とした場合には、後述のバッファ層を用いない構造とすることができる。バッファ層EUV露光に用いられるEUV光を吸収する第1の吸収層13をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の多層の反射層12に損傷を与えるのを防止するために、必要に応じてCrNなどを用いてバッファ層17が設けられる。反射防止層また、マスクパターン検査時の検出感度を上げるために、第1の吸収層13上に検査光波長250nmに対して低反射とした反射防止層18を設ける場合もある。反射防止層18の材料としては、例えば、タンタルの窒化物TaN、酸化物TaO、酸窒化物TaNO、タンタルホウ素酸化物TaBN、タンタルホウ素窒化物TaBNなどが挙げられ、膜厚5nm~30nm程度の範囲で用いられる。本発明において、反射防止層18は、第2の吸収層14をエッチングするときに、下層の第1の吸収層13が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるのが好ましい。導電層EUV露光用の反射型マスクでは、マスクを露光装置に設置する場合、通常、マスクのパターンと反対側の主面裏面上に設けた導電層を用いて静電チャックで行われる。導電層19の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロムCrや窒化クロムCrNなどを厚さ20nm~150nm程度に成膜して用いられる。上記の本発明のEUV露光用の反射型マスクによれば、EUV露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高め、ウェハへの露光時に多重露光によるレジストの膜減りやパターン仕上がり精度の低下を防止した吸収層積層方式の遮光領域を備え、高い位置精度で高解像の転写パターンを形成することが可能となる。次に、本発明のEUV露光用の反射型マスクブランクスについて説明する。<反射型マスクブランクス>図4は、吸収層積層方式の遮光領域を備えた本発明の反射型マスクの作成に用いる本発明の反射型マスクブランクスの一例としての断面模式図である。図4において、図1と同じ部位と材料を示す場合には、図1と同じ符号を用いている。図4に示すように、本発明の反射型マスクブランクス40は、基板11と、基板の主面上に形成され、EUV光を反射する多層膜よりなる反射層12と、反射層12上にEUV光を吸収する第1の吸収層13と、第1の吸収層13の上に積層した第2の吸収層14と、を少なくとも備え、第2の吸収層14の厚みが、第2の吸収層14をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、該アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いマスクブランクスである。本発明において、第2の吸収層に設けるアライメントマークのエッジをレジストを介して電子ビームで検出できる第2の吸収層の厚みは、60nm以上あればよい。一方、吸収層を積層して遮光領域を形成した反射型マスクにおいては、通常、第1の吸収層と第2の吸収層が合計で100nm程度の吸収層厚みがあれば、十分な遮光効果を得ることができる。したがって、本発明において、上記のEUV光を遮光するのに必要な第2の吸収層の厚みは、100nmから第1の吸収層の厚みnmを引いた数値以上の厚みとするものである。吸収層積層方式の遮光領域を備えた反射型マスクの作成に用いる反射型マスクブランクスにおいては、通常、マスクパターン転写時に位相効果を得て解像力を上げるために、下層の第1の吸収層は、60nm~70nmの厚みとしている。本発明の反射型マスクブランクスにおいて、電子ビームによりアライメント露光が可能であるならば、第2の吸収層の厚みは第1の吸収層の厚みよりも薄くてもよいが、アライメント露光をさらに確実に容易にするには、第2の吸収層の厚みは、第1の吸収層の厚みと同じかまたは第1の吸収層の厚みよりも厚いことがより好ましい。上記の本発明の反射型マスクブランクスにおいて、第2の吸収層に設けるアライメントマークのエッジを検出するには、第2の吸収層の膜厚は60nm以上あればよく、一方、第2の吸収層の膜厚が200nmを超えるとエッチング加工がしにくくなる。したがって、本発明の反射型マスクブランクスの第2の吸収層の厚みは、60nm~200nmの範囲が好ましく、より好ましくは80nm~150nmの範囲である。図4に示す反射型マスクブランクス40の構成要素である基板11、反射層12、第1の吸収層13、第2の吸収層14は、上記の反射型マスク10と同じなので、説明を省略する。また、本発明の反射型マスクブランクスは、上記の構成要素に加えて、上記の反射型マスク10で述べたような他の構成要素が用いられていてもよい。他の構成要素は、上記の反射型マスク10と同じなので、説明は省略する。本発明の反射型マスクブランクス40は、第2の吸収層14の厚みを、第2の吸収層14をエッチングしてアライメントマークを形成したときに、該アライメントマークを電子ビームで検出できる厚みであり、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることにより、上記の反射型マスクで説明したように、アライメントマーク作成後に吸収体パターン作成用の電子ビーム用レジストを塗布した時、第2の吸収層14の厚みが大きいので、アライメントマーク上のレジストは急峻なスロープとなり、電子ビームによるアライメント時のアライメントマークの2次電子の強度が大きくなり、アライメントが容易になる。本発明の反射型マスクブランクスによれば、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有する反射型マスクを得ることが可能となる。次に、本発明の第1のEUV露光用の反射型マスクの製造方法について説明する。<反射型マスクの製造方法>第1の実施形態の反射型マスクの製造方法図1に示す本発明の第1の実施形態のEUV露光用の反射型マスクの製造方法は、従来の製造方法が適用できるので、以下に要旨のみを述べる。図4に示す反射型マスクブランクスの第2の吸収層上に転写パターン領域とアライメントマークを作成するための第1のレジストパターンを形成し、第1のレジストパターンをマスクにして第2の吸収層をエッチングして転写パターン領域とアライメントマークを同時に形成し、次に、第1のレジストパターンを剥離後、基板の主面上に第2のレジストを塗布し、アライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第1の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターンを形成し、次に、第2のレジストパターンをマスクにして第1の吸収層をエッチングして転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、次いで、第2のレジストパターンを剥離し、反射型マスクを得る。第1の実施形態の反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクの製造において、EB描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、上記のアライメントマークを構成する第2の吸収層の厚みを、電子ビームで検出できる厚みとし、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くすることにより、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができ、高精度の反射型マスクの製造が可能となる。第2の実施形態の反射型マスクの製造方法次に、図2に示すように、アライメントマークを構成する層の断面形状が、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状をなす本発明のEUV露光用の反射型マスクの製造方法について説明する。図7は、図2に示す遮光領域を有する本発明の反射型マスクの製造工程の一例を示す断面模式図である。図7において、図2および図4と同じ部位と材料を示す場合には、同じ符号を用いている。なお、本発明の製造方法における反射型マスクの各構成要素、材料は、上記の反射型マスクに記載した内容と同様であるので、説明は省略する。先ず、EUV露光用の反射型マスクブランクス40を準備する図7a。反射型マスクブランクス40は、図4に示す反射型マスクブランクスである。次に、第2の吸収層14上に転写パターン領域とアライメントマークを作成するための第1のレジストパターン71を形成し図7b、第1のレジストパターン71をマスクにして第2の吸収層14をドライエッチングして転写パターン領域21とアライメントマーク15を同時に形成する図7c。本発明においては、第2の吸収層14をドライエッチングにおいて、上記アライメントマーク15の第2の吸収層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状に作成するものである。次に、第1のレジストパターン71を剥離後、基板の主面上に第2のレジストを塗布し、アライメントマーク15を基準にして電子ビーム露光し、第1の吸収層13上に吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターン72を形成する図7d。次に、第2のレジストパターン72をマスクにして第1の吸収層13をエッチングして転写パターン領域21に吸収体パターン13aを形成し、次いで、第2のレジストパターン72を剥離し、反射型マスク20を得る図7e。本発明のEUV露光用反射型マスクの製造方法によれば、吸収層積層方式の遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクの製造において、EB描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、上記のアライメントマークを構成する第2の吸収層の厚みを、電子ビームで検出できる厚みとし、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くし、アライメントマークを構成する層の断面形状を、基板面側が表面側よりも狭い逆台形状とすることにより、十分なコントラストを有するアライメント信号を得ることができ、アライメント露光が容易で、位置精度良く吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成することができ、高精度の反射型マスクの製造が可能となる。以下、実施例により、本発明をさらに詳しく述べる。実施例1基板として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その一方の主面表面上に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のMo膜の上にSi膜を11nm成膜してキャッピング層を形成した。次に、RFマグネトロンスパッタ法によりCrターゲットを用いてN2雰囲気下で、上記のキャッピング層の上に、バッファ層としてCrN膜を10nmの厚さに成膜した。次に、上記のCrN膜上に、第1の吸収層として、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、TaN膜を40nmの厚さで形成した。次いで、上記のTaN膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で、TaO2膜を15nmの厚さで形成し、反射防止層とした。反射防止層のTaO2膜は、第1の吸収層の上に設けた第2の吸収層をエッチングするときに、下層の第1の吸収層が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるものである。次に、上記のTaO2膜上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、TaN膜を100nmの厚さで形成して第2の吸収層とし、反射型マスクブランクスとした。次に、上記の反射型マスクブランクスの第2の吸収層を形成するTaN膜の上に、電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて、転写パターン領域とアライメントマークを形成するためのレジストパターンを形成した。ここで、アライメントマークを形成するためのレジストパターンは、5umのライン幅を有する平面形状が十字形のパターンとした。次いで、前記レジストパターンの開口部から露出する第2の吸収層を形成するTaN膜をCl2ガスでドライエッチングして、転写パターン領域と十字形状アライメントマークを同時に形成した。次に、第1のレジストパターンを剥離し、基板の主面上に第2の電子ビーム用レジストを塗布し、上記のアライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第1の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターンを形成した。電子ビーム露光においては、第2の吸収層の厚みを第1の吸収層の厚みよりも大きくし、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みとし、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚くしているので、アライメントマーク上のレジストは急峻なスロープとなり、明確なアライメント信号が得られた。次に、第2のレジストパターンをマスクにして、反射防止層を形成するTaO2膜をCF4ガスでドライエッチングし、次いで、第1の吸収層のTaN膜をCl2ガスでドライエッチングし、バッファ層CrN膜を露出させた。次いで露出したバッファ層のCrN膜をCl2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層を露出させ、転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、次いで、第2のレジストパターンを剥離し、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するEUV露光用の反射型マスクを得た。実施例2基板として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その一方の主面表面上に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のMo膜の上にRu膜を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。Ru膜はバッファ層を兼ねるものである。次に、上記のRu膜上に、第1の吸収層として、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ta膜を35nmの厚さで形成した。次いで、上記のTa膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で、TaO2膜を15nmの厚さで形成し、反射防止層とした。反射防止層のTaO2膜は、第1の吸収層の上に設けた第2の吸収層をエッチングするときに、下層の第1の吸収層が損傷するのを防止するエッチング停止層としての機能を兼ねるものである。次に、上記のTaO2膜上に、第2の吸収層として、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arガス雰囲気下で、Ta膜を90nmの厚さで形成した。さらに、第2の吸収層Ta膜の上に、エッチングマスク層としてTaO2膜を20nmの厚さで形成し、反射型マスクブランクスとした。上記のエッチングマスク層TaO2膜は、アライメントマークを構成する一部となり、第2の吸収層の断面形状を逆台形状に形成するために用いるものである。TaO2膜は、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で成膜した。次に、上記のエッチングマスク層を形成するTaO2膜の上に電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて、転写パターン領域とアライメントマークを形成するための第1のレジストパターンを形成した。ここで、アライメントマークを形成するためのレジストパターンは、5umのライン幅を有する平面形状が十字形のパターンとした。次に、上記のレジストパターンの開口部から露出するエッチングマスク層TaO2膜をCF4ガスでドライエッチングした。次いで、第2の吸収層を形成するTa膜を低バイアスパワーのCl2ガスプラズマでドライエッチングし、TaO2膜とTa膜よりなるアライメントマークを構成する層の断面形状がT字型をなす逆台形状のアライメントマークを転写パターン領域と同時に形成した。次に、第1のレジストパターンを剥離し、基板の主面上に第2の電子ビーム用レジストを塗布し、上記のアライメントマークを基準にして電子ビーム露光し、第1の吸収層上に吸収体パターンを作成するための第2のレジストパターンを形成した。本実施例においては、電子ビーム露光において、アライメントマークを構成する第2の吸収層の厚みが第1の吸収層の厚みよりも大きく、電子ビームでアライメントマークを検出できる厚みとし、EUV光を遮光するのに必要な厚み以上に厚いのに加えて、アライメントマークを構成する層の断面がT字型をなす逆台形状をなすので、アライメントマーク上のレジストはさらに急峻なスロープとなり、明確なアライメント信号が得られた。次に、第2のレジストパターンをマスクにして、反射防止層を形成するTaO2膜をCF4ガスでドライエッチングし、次いで、第1の吸収層のTa膜をCl2ガスでドライエッチングし、キャッピング層Ru膜を露出させ、転写パターン領域に吸収体パターンを形成した。次いで、第2のレジストパターンを剥離し、十分な遮光性を有する吸収層積層方式の遮光領域を備え、位置精度の良い高解像の吸収体パターンを有するEUV露光用の反射型マスクを得た。