"処理チャンバ104、204内に配置される基板102、202、730上に薄膜トランジスタゲート絶縁層100、200、734を形成するための方法であって、前記処理チャンバ104、204内にプラズマを生成するための処理ガス116、216を導入するステップと、前記基板102、202、730を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱するステップと、中波においてターゲットアセンブリ108、206をスパッタリングすることによって前記加熱された基板102、202、730上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるステップとを含む、方法。酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素の前記堆積は、1kHzから100kHzの周波数において実行される、請求項1に記載の方法。前記堆積させるステップは、二重陰極132a、132b、226a、226bからのMFスパッタリングを含む、請求項1または2に記載の方法。前記ターゲットアセンブリ108、206は、回転可能ターゲットを含む、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。前記スパッタリングは、完全反応性スパッタリングである、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。前記ターゲットアセンブリ108、206は、純粋なシリコンターゲットを含む、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。基板上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するための堆積システム180、280、500、600であって、プラズマを内部に生成するための処理ガス116、216を収容するように構成される、処理チャンバ104、204と、前記基板102、202、730を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱するように構成される加熱システム110、210と、前記基板102、202、730上にゲート絶縁層100、302、734が形成されるように、中波においてターゲットアセンブリ108、206をスパッタリングすることによって前記加熱された基板102、202、730上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるように構成されるスパッタリングシステム128、228とを備える、堆積システム180、280、500、600。前記加熱システム110、210は、前記基板を加熱するために前記基板102に結合されるヒータ112、212と、前記基板処理温度を制御するために前記ヒータ112、212に関連付けられる加熱制御システム214とを備え、前記加熱制御システム214は、前記基板処理温度を50°C~350°Cの温度に調整するように構成される、請求項7に記載の堆積システム180、280、500、600。前記スパッタリングシステム128、228は、少なくとも2つの電極132a、132b、226a、226bと、電源130、222とを含み、前記電源は、前記ターゲットアセンブリ108、206のスパッタリング中に前記プラズマに中波AC電力が結合されるように、前記少なくとも2つの電極に動作可能なように結合される、請求項7または8に記載の堆積システム180、280、500、600。前記スパッタリングシステム128、228は、前記陰極アセンブリ108、206の一部を形成する二重陰極からのMFスパッタリングによって、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるように構成される、請求項7ないし9のいずれか一項に記載の堆積システム180、280、500、600。前記ターゲットアセンブリ108、206は、回転可能ターゲットを含む、請求項7ないし10のいずれか一項に記載の堆積システム280。前記処理チャンバ204に関連付けられ、前記処理ガス216を前記処理チャンバ204に供給するためのガス供給源224を更に備え、前記ガス供給源および前記ターゲットアセンブリは、前記ターゲット230a、230bの完全反応性スパッタリングによって、前記ゲート絶縁層200を形成するように構成される、請求項7ないし11のいずれか一項に記載の堆積システム280。トランジスタ基板上に薄膜トランジスタの少なくとも一部を形成するように構成される堆積システム180、280、500、600とともに用いるための制御アセンブリ300であって、前記堆積システム180、280、500、600は、前記トランジスタ基板を加熱するための加熱システム110、210と、スパッタリング周波数においてターゲットアセンブリ106、230a、230bをスパッタリングすることによって酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるためのスパッタリングシステム128、228とを備え、前記制御アセンブリ300は、前記トランジスタ基板の温度を基板処理温度に調整するために前記加熱システム110、210を動作させるように構成される加熱制御モジュール302と、前記基板処理温度が約50°C~350°Cであるときに、中波範囲内のスパッタリング周波数において前記ターゲット106、230a、230bをスパッタリングすることによって前記薄膜トランジスタのゲート絶縁層100、200、734を形成するために前記スパッタリングシステム128、228を動作させるように構成されるスパッタリング制御モジュール304とを備える、制御アセンブリ300。中波においてターゲットアセンブリ108、206をスパッタリングすることによって、50°C~350°Cの基板処理温度において基板102、202、730上に堆積される酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を含むゲート絶縁層100、200、734を備える、薄膜トランジスタ700。前記ターゲットアセンブリのスパッタリングは、二重陰極からのMFスパッタリングを含む、請求項14に記載の薄膜トランジスタ700。ここで種々の実施形態が詳細に参照されることになり、その1つまたは複数の例が図に示される。各例は説明として与えられ、本発明を限定することは意図していない。1つの実施形態の要素は、更に列挙はしないが、有利にも他の実施形態においても利用できると考えられる。本明細書において記述される実施形態はTFTゲート絶縁層を形成するための方法を含み、その方法では、基板が50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱され、中波においてターゲットアセンブリをスパッタリングすることによって、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のようなゲート絶縁材料が加熱された基板上に堆積される。典型的な実施形態によれば、ターゲットアセンブリは二重陰極を含む。具体的には、ターゲットアセンブリは少なくとも2つのターゲットサブアセンブリを含むことができ、ターゲットサブアセンブリはそれぞれ、ターゲット材料をスパッタリングするためにターゲット要素に動作可能なように結合される陰極を含む。典型的な実施形態によれば、ゲート絶縁材料の堆積は、基板が50°C~350°Cの温度にあるときに実行される。典型的な実施形態によれば、ゲート絶縁材料を堆積させるために、1kHz~100kHzの範囲内の周波数、例えば、20kHz~50kHzの周波数を有する中間周波数スパッタリングまたは中波スパッタリングを提供することができる。本開示の典型的な実施形態によれば、中波スパッタリングは、スパッタリング中に、電極システムを通して処理チャンバ内のプラズマに中波AC電力を結合することによって実現される。電極システムは典型的には少なくとも2つのスパッタリング陰極によって形成される。具体的には、特定の実施形態によれば、ゲート絶縁材料の堆積は、二重陰極からの中波MFスパッタリングを含む。本明細書において用いられるときに、二重陰極からのMFスパッタリングは、二重ターゲットを含むターゲットアセンブリからのスパッタリングを指しており、ターゲットはそれぞれ1つの陰極を含み、それらの陰極がそれぞれ陽極および陰極として交互に機能するようにして、両方の陰極がMF発生器から電力を供給される。典型的な実施形態によれば、MF発生器は、40kHzのような、1kHz~100kHzの範囲内の周波数において陰極に電力を与える。基板加熱および中波におけるスパッタリングのそのような組み合わせは、特に高い膜品質を有するゲート絶縁層を設ける効果を有する。ゲート絶縁層の膜品質がそのように高いことによって、少なくとも幾つかの既知のTFTに対して改善された特性を有するTFTを製造できるようになる。具体的には、本明細書において記述される実施形態のうちの少なくとも幾つかによれば、限定はしないが、9MV/cmのような高い破壊電圧と、限定はしないが、1nA/cm2のような低い漏れ電流とを有するTFTを製造できるようになる。破壊電圧および漏れ電流のこれらの値は、少なくとも幾つかの既知のTFTと比べて著しい改善を表す。具体的には、本明細書において記述される実施形態のうちの少なくとも幾つかによれば、少なくとも幾つかの既知のTFTに対して10倍~100倍の改善に相当する破壊電圧値および漏れ電流値を有するTFTを製造できるようになる。さらに、本発明の実施形態による、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のようなゲート絶縁材料のスパッタリングはTFTの製造を容易にし、ゲート絶縁層の膜品質を劣化させることなく、有毒ガスの使用を回避する。それとは対照的に、化学気相堆積CVDのような、高い膜品質が必要とされる用途においてゲート絶縁層を形成するための少なくとも幾つかの既知の方法は、そのような有毒ガスを生成する。さらに、本発明の実施形態による、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のスパッタリングは、高品質のTFT製造を容易にし、全ての堆積ステップが、大面積スパッタ堆積によって実行される。それにより、製造プロセスにおける効率の著しい向上を達成することができる。それに加えて、本発明の実施形態のうちの少なくとも幾つかによる、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のスパッタリングによれば、ゲート絶縁層の膜品質を劣化させることなく、ゲート絶縁層がその上に堆積されるときにTFTのチャネル層の損傷を回避するTFTを製造できるようになる。それとは対照的に、ゲート絶縁層を形成するための少なくとも幾つかの既知の方法は、堆積中に生成されるプラズマを通して、またはチャネルの中に水素が拡散することによって、チャネルに損傷を引き起こす。特定の実施形態によれば、その堆積方法は、ゲート絶縁層に隣接する半導体層すなわち、チャネルを有するTFTのゲート絶縁層を形成するための方法であり、半導体層は、限定はしないが、酸化インジウムガリウム亜鉛IGZOのような、スパッタリングされた金属酸化物を含む。そのような種類のTFTでは、ゲート絶縁層の品質要件は特に高い。それゆえ、本明細書における実施形態によるゲート絶縁層の堆積は、特に高い膜品質が助長されるので、これらの種類のTFTの場合に好都合である。本明細書において記述される実施形態は、TFTの少なくとも一部を形成するための堆積システムを含む。図1は、そのような堆積システム180の一例を概略的に示す。例示的な実施形態では、堆積システム180は、処理ガス116を収容するのに適応した処理チャンバ104を含む。典型的な実施形態によれば、処理チャンバ104は高真空チャンバである。処理ガス116は、処理チャンバ104内にプラズマを生成するためのものである。処理ガス116はアルゴン、酸素または窒素のうちの少なくとも1つを含むことができる。例えば、処理ガス116はアルゴンを含むことができるか、代替的には、アルゴンおよび酸素を含むことができるか、代替的には、アルゴンおよび窒素を含むことができるか、代替的にはアルゴン、酸素および窒素を含むことができる。例示的な実施形態は、基板102を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱するための加熱システム112を更に含む。例示的な堆積システム180は、ターゲットアセンブリ108からターゲット材料をスパッタリングするように構成され、それにより、基板102上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のようなゲート絶縁材料を堆積できるようにするスパッタリングシステム128を更に含む。それにより、TFTを作製するために、ゲート絶縁層100を基板上に堆積させることができる。その例示的な実施形態では、ターゲットアセンブリ108は、ターゲット材料を含むターゲット要素106a、106bと、陰極132a、132bとを含む。特定の実施形態によれば、中波においてターゲットアセンブリ108をスパッタリングすることによって、加熱された基板102上に酸化ケイ素が堆積される。それにより、ゲート絶縁層が酸化ケイ素、具体的にはSiO2、すなわち、十分に特徴付けられた材料を堆積させることによって形成され、それによりゲート絶縁層を形成する際の高度な制御が容易になる。特定の実施形態によれば、中波スパッタリングを実施するために、そのスパッタリングシステムは、ターゲットアセンブリの一部を形成する少なくとも2つの電極と、電源とを含むことができ、ターゲット材料のスパッタリング中に中波AC電力がプラズマに結合されるように、電源は電極に動作可能なように結合される。図1に示されるように、例示的な堆積システム180は、電気的接続134aおよび134bを通して、スパッタリングシステム128の陰極132aおよび132bに結合されるAC電源130を更に含む。AC電源130は、陰極132aおよび132bに、スパッタリング中に処理チャンバ104内のプラズマを保持するための電力を供給する。典型的な実施形態によれば、陰極の動作電力は1kW~200kW、より具体的には、5kW~100kWとすることができる。AC電源130は、任意の適切に配置される電極に結合することができ、その電極によって、堆積システム180は、本開示の実施形態に従って中波においてターゲット要素をスパッタリングできるようになる。本明細書における実施形態に従ってターゲット材料をスパッタリングすることによって基板102上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のようなゲート絶縁材料を堆積できるように、陰極132aおよび132bがそれぞれのターゲット要素106a、106bに対して配置される。具体的には、ターゲット要素106a、106bは、それぞれの陰極132a、132bに結合することができる。代替の実施形態では、ターゲット要素106a、106bはそれぞれの陰極に結合されない。スパッタリングシステム128具体的には、AC電源130および電気的接続134a、134bは典型的には、各陰極132a、132bが陽極および陰極として交互に機能するように構成される。それにより、プロセスが不安定になるのを回避するのが容易になる。陰極132a、132は水冷式とすることができ、埋込み磁石アセンブリ図示せずを更に含むことができる。さらに、スパッタリングシステム128は、適切な接地遮蔽材図示せずを含むことができる。本明細書における実施形態による堆積システムの特定の要件に対処するために、本開示は異なる設計、そして最終的には異なる磁石アセンブリ構成を考慮する。例示的な実施形態では、加熱システム112は、基板102を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱するように構成される。特定の実施形態によれば、加熱システムは、基板102を加熱するためのヒータガラスを含むことができる。それに加えて、スパッタリングシステム128は、中波スパッタリングによって、加熱された基板102上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるように構成される。典型的な実施形態によれば、堆積システム180は、基板が50°C~350°Cの温度にあるときに、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素の堆積を実行するように構成される。例示的な実施形態では、堆積は中波例えば、1kHz~100kHzの周波数においてターゲット材料をスパッタリングすることによって実行される。すなわち、典型的な実施形態によれば、中波電力がAC電源130によって生成され、スパッタリング中に処理チャンバ104内のプラズマに結合するために陰極132aおよび132bに伝送される。それにより、中波電力はチャンバ116に収容されるプラズマに供給され、それにより、ターゲット要素106a、106bのスパッタリングが継続される。スパッタリング電力は典型的にはターゲットアセンブリに印加される電圧に比例することに留意されたい。0Vに近い値は別として、印加される電圧とスパッタリング電力との間の関係は典型的には第一の近似において線形である。それゆえ、経時的に変化する電圧がターゲットアセンブリに印加される結果として、概してスパッタリング電力も経時的に変化することになる。特定の実施形態によれば、正の電位が印加される陽極図1には示されないが、ターゲットアセンブリに近接して配置される。そのような陽極は棒状の形状を有することができ、その棒の軸は典型的には角型管の軸に対して平行に配置される。代替的な実施形態では、基板に別のバイアス電圧が印加される場合がある。典型的な実施形態によれば、TFTの予め堆積/処理された層上にゲート絶縁層が堆積される以下の例を参照。典型的な実施形態によれば、基板102はTFTの複数の層を含み、それらの層はゲート絶縁層100の堆積前に形成されている。例えば、限定はしないが、基板102はトランジスタ基板例えば、ガラス、ゲート材料例えば、酸化インジウムスズITOを含むことができる。別の例として、基板102はトランジスタ基板例えば、ガラス、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを含む導電層例えば、ITO層およびチャネル層例えば、IGZO層を含むことができる。スパッタリングは、ダイオードスパッタリングまたはマグネトロンスパッタリングとして行うことができる。特定の実施形態では、マグネトロンスパッタリングは、達成される堆積速度がダイオードスパッタリングに比べて速いので特に好都合である。特定の実施形態によれば、スパッタリングシステムは、生成された磁界内に自由電子を捕捉するための磁石アセンブリ限定はしないが、回転可能ターゲット内に配置される磁石などを含む。典型的な実施形態によれば、そのような磁石アセンブリは、基板に面するターゲット表面に直に隣接して磁界が生成されるように配置される。それにより、自由電子が磁界内で動くことを余儀なくされ、脱出することができないので、ガス分子をイオン化する確率が典型的には数桁だけ高められ、それゆえ、堆積速度が著しく上昇する。本明細書において用いられるとき、用語磁石アセンブリは、少なくとも1つの磁石を含む、磁界を生成することができるユニットである。典型的な実施形態によれば、磁石アセンブリは複数の磁石を含む。磁石アセンブリは永久磁石を含むか、または永久磁石から成ることができる。そのような永久磁石は、生成された磁界内に自由電子が捕捉されるように、回転可能ターゲット内に配置することができる。典型的な実施形態によれば、スパッタリングシステムは、回転可能スパッタターゲットを含む。回転可能ターゲットは、堆積システムが本明細書において記述されるように機能できるようにする任意の適切な形状寸法を有することができる。典型的な実施形態によれば、回転可能ターゲットは円筒形の形状寸法を有する。特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリは回転可能ターゲットを含む。具体的には、ターゲットアセンブリは二重回転可能ターゲット、具体的には、MFスパッタリング用に構成される二重回転可能ターゲットを含むことができる。図2は、堆積システム280の別の例を概略的に示す。例示的な実施形態では、スパッタリングシステムは、2つの回転可能円筒形ターゲットサブアセンブリ206a、206bを有するターゲットアセンブリ206を含む。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わせることができる代替的な実施形態では、スパッタリングシステムは、限定はしないが、例示的な実施形態において記述されるもののように、1つ、3つ、または4つ以上のターゲットを有するターゲットアセンブリを含むことができる。回転可能円筒形ターゲットアセンブリの例は、2009年10月9日に出願されたMethodforcoatingasubstrateandcoaterと題する米国特許出願第12/577,073号において記述されており、その特許出願は、本開示と矛盾しない範囲で、参照により本明細書に援用される。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態では、回転する円筒形ターゲットサブアセンブリ206a、206bは、駆動アセンブリ図示せずによって駆動される。回転する円筒形ターゲットサブアセンブリ206a、206bのうちの少なくとも一方はバッキング管226a、226bを含むことができ、その中に磁石アセンブリ220a、220bが配置される。そのようなバッキング管226a、226bは銅、真鍮またはステンレス鋼のような適切な非磁性材料から形成することができ、実行されることになる動作の要件に応じて設計される。スパッタリングされることになるターゲット材料を含む円筒形ターゲット要素230a、230bは、それぞれのバッキング管226a、226bの周囲に配置される。ターゲット要素はそれぞれのバッキング管に結合することができる。代替的には、ターゲット要素は、バッキング管に結合されることなく配置することができる。例えば、バッキング管は、1つまたは複数の非結合ターゲット円筒体がその周囲に配置されるように適応した管を含むことができる。その管は、ターゲット円筒体のうちの少なくとも1つに面するように適応した外面と、少なくとも3つ以上の突出部収容位置とを有することができる。その管は、ターゲット円筒体を中心に配置するために突出部収容位置のそれぞれにおいて管の外面上に取り付けられる突出部を更に含むことができる。そのようなバッキング管の例は、2009年7月17日に出願されたTargetbackingtubecylindricaltargetandcylindricaltargetassemblyと題する米国特許出願第12/505,363号において記述されており、その特許出願は、本開示と矛盾しない範囲で、参照により本明細書に援用される。典型的な実施形態によれば、磁石アセンブリ220a、220bは、その中にアセンブリが配置されるバッキング管226a、226bの長手方向延長部に対して平行に延在する細長い構造を有する。例えば、磁石アセンブリ220a、220bは、バッキング管226a、226bの長手方向軸または回転軸に対して平行に配置することができる。典型的な実施形態によれば、磁石アセンブリ220a、220bは、それらのそれぞれのバッキング管と実質的に同じ長さを有する。例えば、磁石構成は、処理チャンバ204内にあるバッキング管の部分の長手方向延長部の約80以上、例えば、90以上の長さを有することができる。磁石アセンブリは、スパッタリングされた材料が基板202上に適切に集中するように、互いに配置され、方向づけられる。典型的な実施形態では、磁石アセンブリは3つの磁石のアレイを含むことができる。そのような磁石アセンブリの例は、2009年12月17日に出願されたAngleofmagneticfieldforrotarymagnetronsと題する米国特許出願第12/641,080号において記述されており、その特許出願は、本開示と矛盾しない範囲で、参照により本明細書に援用される。回転可能ターゲットは、平面的なターゲットのような他のターゲットに比べて、ターゲット材料の著しく高い利用率を助長する。すなわち、より多くの量のターゲット材料をスパッタリングすることができ、堆積プロセスが終了したときに、未使用のままターゲット上に残される材料が相対的に少ない。さらに、回転可能ターゲットを含む本明細書における実施形態による堆積システムは、ターゲット幾何学的形状と適切なスパッタリングパラメータ、すなわち、基板処理温度およびスパッタリング周波数とを組み合わせることに起因して、膜品質を劣化させることなく、ターゲット材料の高い利用率を助長する。堆積システム280は、ターゲットアセンブリ206の陰極に結合されるAC電源222を更に含むことができる。それにより、AC電源222によって中波電力を生成することができ、その電力をスパッタリング中に処理チャンバ204内のプラズマに結合することができる。例示的な実施形態では、AC電源222は、それぞれ電気的接続223a、223bを通してバッキング管226a、226bに結合され、それらの管は、スパッタリング中に処理チャンバ104内のプラズマに電力を結合するための陰極として機能する。代替的には、AC電源222は、本開示の実施形態に従って堆積システム280が中波においてターゲット材料をスパッタリングできるようにする任意の適切に配置された電極に結合することができる。特定の実施形態によれば、図2の例示的な実施形態に示されるように、堆積システム280は、基板202を加熱するために基板に結合されるヒータ212を有する加熱システム210を含む。加熱システム210は、基板処理温度を制御するためにヒータ212に関連付けられる加熱制御システム214を更に含む。加熱制御システム214は、基板処理温度を50°C~350°Cの温度に調整するように構成される。それにより、中波スパッタリングによってゲート絶縁層200を形成中に基板処理温度を調整することができ、結果として、先に論じられたように、高品質の膜を達成することができる。典型的な実施形態によれば、加熱システム210は、トランジスタ基板すなわち、その上にTFTの少なくとも一部が形成されつつある基板の温度を調整するように構成される。代替的な実施形態では、加熱システム210は、限定はしないが、その上にTFTのゲート絶縁層のような、ゲート絶縁層が形成される層の温度を調整するように構成される。図2の例示的な実施形態に示されるような典型的な実施形態によれば、堆積システム280は、処理チャンバ204に関連付けられ、処理チャンバ204に処理ガス216を供給するためのガス供給源224を更に含む。典型的な実施形態によれば、ガス供給源224およびターゲットアセンブリ206は、反応性スパッタリングによってゲート絶縁層200を形成するように構成される。具体的には、特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリ206はターゲット材料を含み、ターゲット材料は処理ガス216内の反応性材料と反応する。例えば、特定の実施形態によれば、ターゲット材料はシリコンを含み、処理ガスは酸素または窒素のうちの少なくとも1つを含み、それにより、シリコンがスパッタリングされるときに、スパッタリングされたシリコンが処理ガス内の酸素または窒素のうちの少なくとも1つと反応し、その結果、基板上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素の膜が堆積され、それにより、ゲート絶縁層が形成される。特定の実施形態によれば、ガス供給源224およびターゲットアセンブリ206は、完全反応性スパッタリングによってゲート絶縁層200を形成するように構成される。具体的には、これらの実施形態では、ターゲット材料は反応性材料を含まず、実質的には、完全に堆積された酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素は、スパッタリングされたシリコンと、処理ガス216内の酸素または窒素のうちの少なくとも1つとの反応から生じる。反応性スパッタリングを実施する本開示の実施形態は、不活性ガスおよび反応性ガスの相対的な圧力を変更することによって、堆積される酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素の組成を制御するのを容易にする。それにより、本開示の少なくとも幾つかの実施形態によれば、膜組成の適切な制御と、適切なスパッタリングパラメータ、すなわち、基板処理温度およびスパッタリング周波数とを組み合わせることによって、ゲート絶縁層を形成する場合の膜品質を特に高めることができるようになる。ガス供給源224は、処理ガス216の成分の分圧の制御を容易にするための分圧制御図示せずも含む。例えば、ガス供給源224は、限定はしないが、酸素、窒素および/またはアルゴンのような処理ガスのうちの少なくとも1つの成分の分圧を正確に制御するために、動的フィードバック制御を通して制御される作動弁の配列を含むことができる。それに加えて、堆積システム280はポンピングシステム図示せずも含み、ポンピングシステムによって、1×10-7mbarという圧力など、特定の用途の場合に堆積システムを動作可能にできるほど十分に低い、処理チャンバ204内圧力を達成することができる。堆積中の圧力すなわち、堆積圧は1μbar~10μbarにすることができる。処理ガスがアルゴンと、酸素または窒素のうちの少なくとも1つとを含む特定の実施形態の場合、アルゴンの分圧は1μbar~4μbarにすることができ、酸素および/または窒素の分圧は1μbar~8μbarにすることができる。これらの圧力値は限定するものではなく、堆積のための圧力は、本明細書における実施形態に従ってゲート絶縁層を形成できるようにする任意の適切な値を有することができる。図1および図2の例示的な実施形態は、水平に配置された基板の上方に配置されるターゲットアセンブリを示しており、それらの実施形態に対する、基板-ターゲット相互接続面の画定が例示的に説明されるが、空間内の基板の配向は垂直にできることにも言及されるべきである。具体的には、大面積コーティングの観点から、基板を垂直に向けることにより、垂直に配向された基板の輸送および取扱いが単純で容易になり得る。他の実施形態では、基板は、水平な配向と垂直な配向との間にあるいずれかの向きに配置される。本開示の実施形態による堆積システムは、その特定の用途の場合に必要とされる任意の適切な構造、構成、配置および/または構成要素を含むことができることに留意されたい。図3は、堆積システムとともに用いるための例示的な制御アセンブリ300のブロック図を示す。例示的な制御アセンブリ300を用いて、図1および図2の例示的な堆積システムを制御し、トランジスタ基板上にTFTの少なくとも一部を形成することができる。先に論じられたように、例示的な堆積システムは、トランジスタ基板を加熱するための加熱システムと、スパッタリング周波数においてターゲットアセンブリをスパッタリングすることによって酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるためのスパッタリングシステムとを含む。例示的な制御システム300は、トランジスタ基板の温度を基板処理温度に調整するために加熱システムを動作させるように構成される加熱制御モジュール302を含む。例示的な制御アセンブリ300は、基板処理温度が約50°C~350°Cにあるときに、中波範囲内のスパッタリング周波数においてターゲットをスパッタリングすることによってTFTのゲート絶縁層を形成するためにスパッタリングシステムを動作させるように構成されるスパッタリング制御モジュール304を更に含む。典型的な実施形態によれば、制御アセンブリ300は、上記の堆積システムのような堆積システムとの通信を容易にするための入力/出力インターフェース306を更に含むことができる。例えば、入力/出力インターフェース306によって、加熱制御モジュール302は基板処理温度に関連する信号を受信し、基板処理温度を調整するための制御信号を送信できるようになる場合がある。例示的な制御アセンブリ300は典型的には、限定はしないが、基板温度およびスパッタリング電力、電圧、または電流のようなスパッタリングパラメータをリアルタイムに制御するためのリアルタイムコントローラ図示せずを含む。本開示の実施形態によれば、そのようなリアルタイムコントローラは、任意の適切なプロセッサに基づくシステム、またはマイクロプロセッサに基づくシステム、例えば、コンピュータシステムを含むことができ、そのシステムは、数ある中でも、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路ASIC、縮小命令セット回路RISC、論理回路、および/またはそれに加えて、本明細書において記述される機能を実行することができる任意の他の回路またはプロセッサを含む。特定の用途では、コントローラ102は、リードオンリーメモリROMおよび/またはランダムアクセスメモリRAMを含むマイクロプロセッサであり、例えば、2MビットROMおよび64KビットRAMを備える32ビットマイクロコンピュータである。用語リアルタイムは、入力の変化が結果に影響を及ぼした後のかなり短い時間内に結果が生じることを指しており、その時間は、結果の重要性、および/またはシステムが入力を処理して結果を生成する能力に基づいて選択することができる設計パラメータである。典型的な実施形態によれば、加熱制御モジュール302は、基板処理温度を50°C~350°Cの温度のような所定の温度に調整するために、PIDコントローラのような、加熱制御ループを実現する。スパッタリング制御モジュール304は、基板が所定の温度にあるときに、基板上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるために、堆積システムのスパッタリングシステムを制御するためのスパッタリング制御ループを実現することができる。典型的な実施形態によれば、そのようなスパッタリング制御ループは、限定はしないが、スパッタリング電力、電圧または電流のようなスパッタリングパラメータを適切に制御するように構成される。典型的な実施形態によれば、制御アセンブリ300は、TFT製造プロセス全体を制御するために制御ループを実現することができる。例えば、制御アセンブリ300は、基板を処理チャンバシステム内に輸送するためにコンベヤシステムを動作させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、例えば、処理チャンバから空気を抜くために真空ポンプを動作させることによって、処理チャンバ内の雰囲気がスパッタリングを実行するのに相応しいのを確実にするために堆積システムを動作させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、処理チャンバ内にアルゴンのような特定の量の第1の成分ガスを供給するためにガス供給システムを動作させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、処理チャンバ内に、酸素および/または窒素のような、或る特定の量の第2の成分ガスおよび/または第3の成分ガスを供給するためにガス供給システムを動作させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、ターゲット内に含まれる磁石アセンブリを冷却するために冷却システムを動作させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、限定はしないが、2つの回転可能ターゲットを含むターゲットアセンブリなどのターゲットアセンブリを動作させて、スパッタリング中にそれらを回転させることができる。それに加えて、制御アセンブリ300は、プラズマを通したターゲットアセンブリのスパッタリング中にチャンバ内のプラズマを保持するために、処理チャンバに動作可能なように接続されるAC電源を動作させることができる。それにより、スパッタリングによってターゲット材料をスパッタリングすることができ、最終的には完全反応性スパッタリングを通して、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素のようなゲート絶縁材料を堆積させることによって、基板上にゲート絶縁層を形成することができる。図4は、基板上にTFTゲート絶縁層を形成するための例示的な堆積方法400を示す流れ図である。そのような堆積方法400を用いて、図1~図3の例示的な堆積システム180、280および/または制御アセンブリ300を動作させることができる。例示的な堆積方法400は、基板が配置される処理チャンバ内にプラズマを生成するために処理ガスを導入すること402を含む。典型的な実施形態によれば、処理ガスは、上記のように、処理チャンバに関連付けられるガス供給システムを動作させることによって導入される。例示的な堆積方法400は、基板を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱すること404を更に含む。典型的な実施形態によれば、加熱すること404は、基板を50°C~350°Cの基板処理温度まで加熱するために加熱システムを動作させることによって実行される。特定の実施形態によれば、加熱すること404は、加熱制御システムを動作させることによって実行され、加熱制御システムは、基板処理温度を50°C~350°Cの温度に調整するように構成される。そのような加熱制御システムは、典型的な実施形態では、基板に結合されるヒータに関連付けられ、それにより、上記のように、基板処理温度を制御することができる。例示的な堆積方法400は、中波においてターゲットをスパッタリングすることによって、加熱された基板上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させること406を更に含む。典型的な実施形態によれば、加熱すること404は、堆積させること406の前および最中に実行され、それにより、50°C~350°Cの基板処理温度にある基板上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素が堆積される。典型的な実施形態によれば、堆積させることは、1kHz~100kHzの周波数において実行される。典型的な実施形態では、磁石アセンブリが上記のようにターゲットの一部を形成する。特定の実施形態によれば、スパッタリングは、処理ガスを用いて実行され、処理ガスは少なくとも、上記のように、アルゴンおよび/または酸素または窒素のうちの少なくとも1つを含む。特定の用途によれば、スパッタリングすること406は、完全反応性スパッタリングとすることができる。完全反応性スパッタリングは、反応性材料を含む雰囲気内に反応性材料を含まないターゲットをスパッタリングすることを含むプロセスを意味する。例えば、完全反応性スパッタリングは、基板上に酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を堆積させるために、酸素および/または窒素のうちの少なくとも1つを含むチャンバ内で純粋なシリコンターゲット例えば、4Nの純度を有するシリコンのような高い純度のシリコンを含むターゲットをスパッタリングすることを含むことができる。完全反応性スパッタリングを実施することによって、堆積パラメータおよび層厚の適切な制御が助長される。完全反応性スパッタリングによって与えられるそのような適切な制御は、基板加熱および中波におけるスパッタリングと組み合わされて、形成されたゲート絶縁層の高い膜品質を達成するのを更に容易にする。他の代替の実施形態では、スパッタリングは直接スパッタリングとすることができる。直接スパッタリングは、堆積されることになる材料を含むターゲットを、反応済みの形でスパッタリングすることを含むプロセスを意味する。例えば、スパッタリングは、基板上に酸化ケイ素を堆積させるために、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素を含むターゲットをスパッタリングすることを含むことができる。直接スパッタリングは、その際に反応性成分ガスがもはや必要とされないので、堆積方法400を実行するための堆積システムの構成を簡単にするのを容易にする。さらに、これらのスパッタリング方法を実施する本開示の実施形態は、基板加熱および中波におけるスパッタリングの組み合わせのゆえに、形成されたゲート絶縁層の膜品質を低下させない。特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリは純粋なシリコンターゲット、すなわち、ターゲット材料が高純度のシリコンであるターゲットを含む。例えば、限定はしないが、そのターゲットは、少なくとも2Nの純度を有するシリコンすなわち、99純度を有するシリコン、または少なくとも3Nの純度を有するシリコンすなわち、99.9純度を有するシリコン、さらには少なくとも4Nの純度を有するシリコンすなわち、99.99純度を有するシリコンまたはそれ以上の純度を有するシリコンを含むか、またはそのような純度を有するシリコンから実質的に成ることができる。さらに、特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリは、少なくとも4Nの純度を有する純粋なシリコンを含む。高純度のシリコンは、堆積された酸化ケイ素、酸窒化ケイ素または窒化ケイ素の化学量論の適切な制御を容易にする。そのような適切な化学量論制御は、基板加熱および中波におけるスパッタリングと組み合わされて、形成されたゲート絶縁層の高い膜品質を達成するのを更に容易にする。特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリは鉄含有量の少ないシリコンターゲットを含む。具体的には、そのターゲットアセンブリは、シリコン含有スパッタ材料を含むことができ、そのスパッタ材料は200ppmすなわち、100万分の200未満の鉄を含む。鉄含有量の少ないターゲットの例は、2009年2月18日に出願されたSprayedSiorSiAlTargetwithlowironcontentと題する米国特許出願第12/388,342号、米国特許出願公開第20090218213号に記述されており、本開示と矛盾しない範囲で、参照により本明細書に援用される。特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリはアルミニウムAlを含む。具体的には、ターゲットアセンブリ内のターゲット材料は、少なくとも0.5、より具体的には1のAl含有量を有することができる。さらに、そのターゲットは、3未満、より具体的には2未満のAl含有量を有することができる。特定の実施形態によれば、ターゲットアセンブリは、上記のようなAl含有量と、それに加えて、200ppm未満の鉄含有量とを有することができる。本開示の実施形態は、複数のモジュールを含む堆積システムを更に含む。典型的な実施形態によれば、複数のモジュールはそれぞれTFTの少なくとも1つの層の堆積を実施する。図5は、TFTの少なくとも一部を形成するための別の例示的な堆積システム500を示す。堆積システム500は、ゲート絶縁層モジュール502これ以降、GIL-モジュール502と呼ばれるを含む。GIL-モジュール502は、ゲート絶縁層を堆積させるためのものであり、本開示の実施形態による堆積システムとして実現することができる。特定の実施形態によれば、堆積モジュール500は、ゲート絶縁層に隣接するように構成される半導体層を形成するように構成されるチャネル堆積モジュール504を更に含むことができる。典型的には、そのような半導体層はTFTのチャネルとして動作するように構成される。典型的な実施形態によれば、チャネル堆積モジュール504は、スパッタリングによって半導体層を形成するように構成される。さらに、チャネル堆積モジュール504は、半導体層が、限定はしないが、酸化インジウムガリウム亜鉛IGZO、酸化亜鉛例えば、ZnO、ZnSnOまたはIZOのような金属酸化物を含むように、半導体層を形成するように構成することができる。例えば、半導体層は、ゲート絶縁層に隣接して堆積される金属酸化膜として形成することができる。金属酸化膜のような半導体層のスパッタリングを、本開示の実施形態によるゲート絶縁層を形成するための方法と組み合わせることによって、作製後のTFTの性能を低下させることなく、高い生産率で、基板上に大面積でTFTを作製するのを容易にする。チャネル堆積モジュール504は、上記のような半導体層、具体的には、TFTのチャネルとして動作するように構成される半導体層を堆積できるようにする任意の適切な構成を含むことができる。例えば、チャネル堆積モジュール504は、IGZOの直接スパッタリングのためのセラミックターゲットを含むことができる。代替的には、チャネル堆積モジュールは、IGZOを堆積させるように構成される完全反応性スパッタリングシステムとして構成することができる。特定の実施形態によれば、堆積モジュール500は、TFTの半導体層、すなわち、TFTのアクティブ層またはチャネルに隣接するように構成されるエッチング停止層を形成するように構成されるエッチング停止層堆積モジュール506これ以降、ESL-モジュール506と呼ばれるを更に含む。典型的な実施形態によれば、ESL-モジュール506は、スパッタリングによってエッチング停止層を形成するように構成される。さらに、ESL-モジュール506は、エッチング停止層が酸化ケイ素例えば、SiOまたはSiOyを含むように、エッチング停止層を形成するように構成することができる。例えば、エッチング停止層は、TFTのアクティブ層に隣接して形成されるSiO2層として形成することができる。ESL-モジュール506は、TFTのためのエッチング停止層を堆積できるようにする任意の適切な構成を含むことができる。例えば、ESL-モジュール506は、SiO2を堆積させるように構成される完全反応性スパッタリングシステムとして構成することができる。代替的には、堆積モジュール500は、TFTの少なくとも一部を形成するためのバックチャネルエッチBCEプロセスを実行するように構成することができる。それにより、エッチング停止層およびESL-モジュール506の形成を省くことができる。特定の実施形態によれば、堆積モジュール500は、共平面構造を有するTFTの少なくとも一部を堆積させるように構成される。典型的な実施形態によれば、堆積モジュールはチャネル堆積モジュール504によって堆積された半導体層をパターニングするためのパターニングモジュール図示せずを更に含む。特定の実施形態によれば、堆積モジュール500は、TFTのパッシベーション層を形成するように構成されるパッシベーション層堆積モジュール508これ以降、PL-モジュール508と呼ばれるを更に含むことができる。典型的な実施形態によれば、PL-モジュール508は、スパッタリングによってパッシベーション層を形成するように構成される。さらに、PL-モジュール508は、パッシベーション層が酸化ケイ素例えば、SiOまたはSiOyを含むように、パッシベーション層を形成するように構成することができる。例えば、パッシベーション層は、SiO2層として形成することができる。PL-モジュール508は、TFTのためのパッシベーション層を堆積できるようにする任意の適切な構成を含むことができる。例えば、PL-モジュール508は、SiO2層を堆積させるように構成される完全反応性スパッタリングシステムとして構成することができる。本開示の実施形態による堆積システムのモジュール式設計は、コストの削減、著しく速いサイクル時間、および堆積システム500の融通性のある構成を容易にし、生産効率を最大にする。さらに、本明細書における実施形態による、ゲート絶縁層を、または、例えば、ゲート絶縁層と、エッチング停止層またはパッシベーション層の少なくとも1つとを形成するように構成される堆積システムは、TFTの製造を容易にし、例えば、CVD法に基づく堆積システムとは対照的に、ゲート絶縁層の膜品質を劣化させることなく有毒ガスの使用を回避する。典型的な実施形態によれば、上記のモジュールは、TFTを形成するために共通の基板上に種々の層を形成するように構成される。そのような基板は、適切なコンベヤシステムによって種々のモジュール間で輸送される場合がある。代替的には、基板はフレキシブルバンドとして形成することができ、その基板は、ロールツーロールバンド輸送システムによって種々のモジュール間で輸送される。本明細書における実施形態による堆積システムは、TFTを作製する、例えば、ゲート、ソースおよび/またはドレインコンタクトを形成するために、基板を更に処理するための1つまたは複数のモジュールと組み合わせることができる。さらに、後に説明される堆積ステップのうちの少なくとも幾つかまたは全てを同じモジュールにおいて実行することもできる。限定はしないが、原子層堆積、またはスピンオンプロセスのような他の方法を用いて、半導体層、パッシベーション層および/または最終的にはエッチング停止層を堆積させることができることは理解されたい。図7は、本明細書における実施形態に従って作製されるTFT700の概略図を示す。本開示の実施形態によれば、TFT700は、図6の例示的なモジュール式作製システム600のようなモジュール式作製システムにおいて作製される。そのようなシステムは、図1もしく図2に示される薄膜トランジスタゲート絶縁層を形成するための例示的な堆積システムのうちの1つ、または図5に示されるモジュールのいずれかを含むことができる。作製システム600においてTFT700を製造する場合、透明基板730例えば、ガラス基板が、輸送方向602に沿って作製システム600の第1の堆積チャンバ640の中に透明基板730を輸送するための可動基板支持体図示せずに載置される場合がある。その中で、ガラス基板730の上面732上にゲート層752を堆積させることができる。ゲート層752の堆積は、例えば、堆積チャンバ640内に配置されるスパッタリングシステム642を用いて、スパッタリングによって実行することができる。ゲート層752は、限定はしないが、銅、金もしくチタンのような金属、または限定はしないが、ITOのような導電性透明材料を含むか、または実質的にそのような金属または材料から成ることができる。ゲート層752は、バリア/接着層753および導電層754を含むか、またはそれらの層から成ることができる。透明基板730にゲート層752が堆積された後に、ゲート層752をパターニングするために、処理された基板をモジュール式作製システム600の第1のパターニングチャンバ644に導入することができる。それにより、TFT700のゲート752を形成することができる。ここでパターニングされるは、例えば、選択性エッチング技法を用いて、堆積された材料層を所望の形および寸法を有するように成形することを指している。オプションでは、モジュール式作製システム600の別のチャンバにおいて選択性エッチングを実行することができる。更なるステップとして、本開示の実施形態に従ってゲート絶縁層734を形成するために、処理された基板をモジュール式作製システム600の第2の堆積チャンバ646に導入することができる。第2の堆積チャンバ646は、ターゲットのスパッタリングによって、ゲート絶縁層734を形成するためのスパッタリングシステム648を含むことができる。具体的には、ゲート絶縁層734は、本開示の実施形態に従って、ゲート752上に、かつ基板上面732の露出した部分に堆積させることができる。ゲート絶縁層734は、酸化ケイ素例えば、SiO、またはSiO2のようなSiOy、酸窒化ケイ素例えば、SiON、または窒化ケイ素例えば、SiNを含むか、または実質的にそれらの物質から成ることができ、約20nm~約300nmの厚みまで堆積させることができる。更なるステップとして、処理された基板をモジュール式作製システム600の第3の堆積チャンバ650に導入することができ、そのチャンバは上記のチャネル堆積モジュール504として構成することができる。その後、ゲート絶縁層734上に半導体層736を堆積させることができる。本開示の典型的な実施形態によれば、半導体層736は、限定はしないが、IGZOまたはドープされたシリコン等の半導体材料を含むか、または実質的にそれらの材料から成ることができ、約20nm~約300nmの厚みまで堆積させることができる。半導体層736は、この層がTFT700のチャネルを構成するように堆積される。半導体層732の堆積は、例えば、堆積チャンバ650内に配置されるスパッタリングシステム652を用いることによって、スパッタリングによって実行することができる。幾つかの実施形態では、更なるステップとして、半導体層736上にエッチング停止層782を形成するために、処理された基板をモジュール式作製システム600の更なる堆積チャンバ図示せずに導入することができる。各エッチング停止層782は、酸化ケイ素例えば、SiO、またはSiO2などのSiOyを含むか、または実質的に酸化ケイ素から成ることができる。この更なる堆積チャンバは、上記のエッチング停止層堆積モジュール506として構成することができる。堆積後に、エッチング停止層782は、例えば、更なるパターニングモジュール図示せずにおいて、または第1のパターニングモジュール644においてパターニングすることができる。その際、エッチング停止層782の一部が半導体層736上にとどまるように、パターニングが実行される。それにより、TFT700のソースおよびドレインコンタクトを形成するためのソース/ドレイン層の後続のエッチング中に、半導体層736がプラズマに暴露されない。半導体層736がそのように暴露されると、TFT700の性能が影響を受ける場合がある。代替的には、モジュール式作製システム600は、エッチング停止層782を堆積させることなく、TFTを作製するように構成することができる。例えば、モジュール式作製システム600は、TFT700を形成するために、バックチャネルエッチBCEプロセスを実行するように構成することができる。それにより、エッチング停止層782の形成を省くことができる。特定の実施形態によれば、モジュール式作製システム600は、共平面構造を有するTFTの少なくとも一部を堆積させるように構成される。更なるステップとして、TFT700のソースコンタクトおよびドレインコンタクトを形成するために、層752、734および736を含む処理された基板をモジュール式作製システム600の第4の堆積チャンバ654に導入することができる。代替的には、TFT700のソースおよびドレインを形成するために、処理された基板を第1の堆積チャンバ640に再導入することができる。この作製ステップでは、TFT700のソースおよびドレインを形成するためのソース/ドレイン層770が半導体層736上に堆積される。ソース/ドレイン層770は、障壁/接着層772および導電層774を含むことができる。これを果たすために、チャンバ654のスパッタリングシステム656、または代替的には、チャンバ640のスパッタリングシステム642が用いられる。ソース/ドレイン層770は、限定はしないが、銅、金もしくチタンのような金属、または限定はしないが、ITOのような導電性透明材料を含むことができる。更なるステップとして、ソース/ドレイン層770のパターニングのために、処理された基板をモジュール式作製システム600の第2のパターニングチャンバ658に導入することができる。それにより、ソース電極770aおよびドレイン電極770bを形成することができる。図7に示されるソース電極およびドレイン電極の配向は任意であることに留意されたい。デバイス構成に応じて、いずれかの電極がソースまたはドレインとしての役割を果たすことができる。ソース電極770aおよびドレイン電極770bのパターニングは、ソース/ドレイン層770および下層を成す半導体層736の一部を除去することを含むことができる。この除去はゲート752に付近において実行され、それにより、半導体層736がそれぞれのソース電極とドレイン電極との間に残る。更なるステップとして、処理された基板をモジュール式作製システム600の第4の堆積チャンバ660に導入することができ、そのチャンバは上記のパッシベーション層堆積モジュール508として構成することができる。その後、完成したTFT700上に、例えば、約100nm~約1000nmの厚みまで、パッシベーション誘電体層780を堆積させることができる。層752の堆積は、例えば、堆積チャンバ660内に配置されるスパッタリングシステム662を用いることによって、酸化ケイ素例えば、SiO、またはSiO2などのSiOyをスパッタリングすることによって実行することができる。モジュール式作製システム600は、上記の堆積ステップのうちの幾つかが同じ堆積チャンバ内で実行されるように構成できることに留意されたい。さらに、モジュール式作製システム600は、上記の全ての堆積ステップが同じ堆積チャンバ内で実行されるように構成することもできる。モジュール式作製システム600は、ロードロックモジュール、移送モジュール、プロセスモジュール上記のモジュール等、回転モジュール、カセットモジュールおよび/または雰囲気取扱いユニットを含む、モジュール式垂直インラインシステムとして構成することができる。さらに、モジュール式作製システム600は、基板キャリアと、基板ローディングおよびアンローディング用一体型ロボットと、システムの動作制御用コンピュータワークステーションとを含むことができる。例えば、モジュール式作製システム600は、本明細書において記述されるように機能するように構成されるAKT-NewAristo1800AppliedMaterials,SantaClaraから成ることができる。本明細書は複数の例を用いて、最良の形態を含む本発明を開示し、さらに、当業者ならだれでも本発明を形成し、使用できるようにする。本発明は種々の具体的な実施形態に関して記述されてきたが、本発明が特許請求の範囲の精神および範囲内で変更を加えて実施できることは当業者には理解されよう。特に、上記の本発明の実施形態または変更形態の例の互いに非排他的な機構は互いに組み合わせることができる。具体的には、本開示は、本明細書における実施形態に従って作製されるTFTを検討する。さらに、本開示は、本明細書における実施形態に従って作製されるTFTを形成するように構成される堆積システムおよび制御アセンブリを検討する。さらに、本発明の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者に思い浮かぶ他の例を含むこともできる。そのような他の例は、特許請求の範囲内にあることを意図している。これまでの説明は本発明の実施形態を対象にしているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他の実施形態および更なる実施形態を考案することができ、その範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。"