露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、その内部に処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に設けられ、前記基板を載置する処理用載置部と、前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための加熱部と、前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気として基板を処理するための溶剤の蒸発源となる蒸発源形成部材と、前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とを互いに切替える区画機構と、前記処理容器に設けられ、前記区画状態の第2の領域に開閉自在な基板搬送口と、前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する排気口と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。前記区画機構は、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動自在に構成され、前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記待機領域を囲む筐体と、当該筐体内を排気するための外側領域排気口と、が設けられることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。前記待機領域と処理空間との間で移動自在、且つ前記区画機構に覆われるように構成され、前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部と、前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載するための移載機構と、が設けられ、前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を排出するための排出機構を備え、前記区画機構は、前記溶剤を排液して除去するための液受け部を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記排気口は、前記区画機構に設けられることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記区画機構は、前記第2の領域の溶剤雰囲気を前記排気口にパージして除去するためのパージガスを当該第2の領域に供給するパージガス供給口を備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記蒸発源形成部材は、基板に対向して設けられ、基板に向けて開口する溶剤供給用開口部を備える対向部により構成され、溶剤が貯留される貯留部が設けられ、前記貯留部から前記溶剤供給用開口部へ毛細管現象により溶剤が供給されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理装置。前記貯留部の液の残量を検出するためのセンサを備えることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、処理容器の内部に形成された処理空間に設けられる処理用載置部に前記基板を載置する工程と、加熱部により前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱する工程と、前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられる蒸発源形成部から溶剤を蒸発させ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気とする工程と、区画機構により、前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態とする工程と前記区画機構により前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とする工程と、前記区画状態の第2の領域に、前記処理容器に設けられる基板搬送口を開閉する工程と、排気口により前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。前記区画機構を、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動させる工程と、処理容器において、前記区画機構を移動させるための移動用開口部を開閉する工程と、を備えることを特徴とする請求項10記載の基板処理方法。前記待機領域を囲む筐体内を排気する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の基板処理方法。前記区画機構に覆われるように構成され、前記待機領域と処理空間との間で前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部を移動させる工程と、移載機構により前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載する工程と、を備え、前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成されることを特徴とする請求項11または12に記載の基板処理方法。排出機構により前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を前記区画機構に排出する工程と、前記区画機構に設けられる液受け部から、前記溶剤を排液して除去する工程と、を備えることを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一つに記載の基板処理方法。前記第2の領域の溶剤雰囲気を除去するために、前記第2の領域にパージガスを供給して前記溶剤雰囲気を前記排気口にパージする工程と、を備えることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか一つに記載の基板処理方法。前記蒸発源形成部材を構成し、前記基板に対向して形成された対向部にて、基板に向けて開口するように設けられた溶剤供給用開口部へ、溶剤が貯留される貯留部から毛細管現象により溶剤を供給する工程を含むこと特徴とする請求項11ないし15のいずれか一つに記載の基板処理方法。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項11ないし16のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板に形成されたパターンマスクの表面を平滑化させる基板処理装置において、処理容器からの溶剤の外部への漏洩を防ぐと共にスループットの低下を防ぐことができる技術を提供することである。本発明の基板処理装置は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、その内部に処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に設けられ、前記基板を載置する処理用載置部と、前記処理用載置部に載置された基板を溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための加熱部と、前記基板の表面全体と対向するように前記処理空間に設けられ、前記基板との間の雰囲気を溶剤の飽和蒸気雰囲気として基板を処理するための溶剤の蒸発源となる蒸発源形成部材と、前記処理空間において前記蒸発源形成部材が設けられる第1の領域と、処理容器の外部と前記処理用載置部との間で基板を受け渡すための第2の領域とを、夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が互いに開放される開放状態とを互いに切替える区画機構と、前記処理容器に設けられ、前記区画状態の第2の領域に開閉自在な基板搬送口と、前記区画状態の第2の領域を排気して、当該第2の領域の溶剤雰囲気を除去する排気口と、を備えたことを特徴とする。本発明の具体的な態様は、例えば下記の通りである。a前記区画機構は、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動自在に構成され、前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられている。b前記待機領域を囲む筐体と、当該筐体内を排気するための外側領域排気口と、が設けられる。c前記待機領域と処理空間との間で移動自在、且つ前記区画機構に覆われるように構成され、前記加熱部により加熱された基板を載置して冷却するための冷却用載置部と、前記処理用載置部から前記冷却用載置部へ基板を移載するための移載機構と、が設けられ、前記第2の領域は冷却用載置部と、区画機構との間に形成される。d前記蒸発源形成部材から不要な溶剤を排出するための排出機構を備え、前記区画機構は、前記溶剤を排液して除去するための液受け部を備える。e前記排気口は、前記区画機構に設けられることを特徴とする。f前記区画機構は、前記第2の領域の溶剤雰囲気を除去するためのパージガスを当該第2の領域に供給するパージガス供給口を備える。g前記蒸発源形成部材は、基板に対向して設けられ、基板に向けて開口する溶剤供給用開口部を備える対向部により構成され、溶剤が貯留される貯留部が設けられ、前記貯留部から前記溶剤供給用開口部へ毛細管現象により溶剤が供給される。h前記貯留部の液の残量を検出するためのセンサを備える。本発明によれば、処理空間を溶剤の蒸発源形成部材から区画する区画機構が設けられ、この区画された領域を排気する排気口と、区画された領域に開閉自在な搬送口とが設けられる。従って、処理空間に対して基板の搬入出を行うときに、蒸発源形成部材から発生した溶剤が処理容器の外部へ漏洩することを防ぐことができる。また処理容器内において排気する容積の大きさが抑えられるため、速やかに前記領域の排気を行い、処理済みの基板を搬出して次の基板を処理容器内に搬入することができる。従ってスループットの向上を図ることができる。以下、本発明の実施形態に係る基板処理装置1について図面を参照して説明する。この基板処理装置1は、露光、現像されてレジストからなるパターンマスクがその表面に形成されたウエハWに対して、前記パターンマスクの荒れを改善する表面処理を行う。図1、図2は夫々基板処理装置1の縦断断面図、横断平面図である。この基板処理装置1は、処理雰囲気を形成するための処理容器11と、処理容器11の外部から処理容器11内へ進退自在な冷却アーム51及び排気アーム61と、筐体71とを備えている。図3の概略斜視図に示すように処理容器11は例えば扁平な角形状に形成されており、その内部がウエハWを処理する処理空間10として構成されている。処理容器11は上下に分割され、下部側をなす基体12と、上部側をなす蓋体13とにより構成されている。この処理容器11のウエハWの搬送路に臨む側部において、前記基体12と蓋体13との隙間は、ウエハWの搬送口14として構成されている。また、前記搬送口14に対向する基体12と蓋体13との隙間は進退口移動用開口部15として構成されており、冷却アーム51及び排気アーム61が処理空間10に対してこの進退口15を介して進退する。説明の便宜上、以下搬送口14側を前方側、進退口15側を後方側とする。前記基体12について更に説明すると、基体12は、処理空間10の側部を囲む側壁16と、処理空間10の底部をなすステージ21とにより構成されている。処理用載置部をなすステージ21は側壁16に囲まれ、水平に形成されている。また、前記側壁16において前方側は、ステージ21の表面よりも高く形成され、処理容器11内に進入した冷却アーム51の先端側前方側が、この側壁16に接触できるようになっている。ステージ21は、その内部に加熱部をなすヒータ22が設けられており、ステージ21に載置されるウエハWを、後述する溶剤の露点温度よりも高く、前記溶剤の沸点よりも低い温度に加熱する。また、ステージ21は、当該ステージ21を厚さ方向に穿孔された3つの孔23aと、各孔23aに挿通された昇降ピン23とを備えている。昇降ピン23の先端は、昇降機構24により当該ステージ21の表面において突没する。昇降ピン23と昇降機構24はウエハWの移載機構をなす。蓋体13は、処理容器11の天井壁17と、前記処理空間10の側部を囲む側壁18とを備えている。側壁18において、前方側は後述の溶剤保持板33よりも低く形成され、処理容器11内に進入した排気アーム61の先端側が当該側壁18に接触できるようになっている。蓋体13は昇降機構19により昇降自在に構成されている。蓋体13の前方側の側壁18には、シャッタ36が設けられている。シャッタ36は蓋体13に対して昇降自在に構成され、前記搬送口14を開閉する。また、蓋体13の後方側の側壁18には、シャッタ37が設けられている。シャッタ37は、蓋体13に対して昇降自在に構成され、前記進退口15を開閉する。蓋体13の左右の側壁には仕切り板38、38が下方に伸びるように設けられている。これら仕切り板38は蓋体13と共に昇降し、蓋体13の上昇時及び下降時において処理容器11の左右に形成されている蓋体13と基体12との隙間を塞ぎ、処理容器11の左右から処理空間10の雰囲気が漏洩することを防ぐ。前記天井壁17には側壁18に囲まれるように、扁平な円形の流路形成部材31が設けられている。この流路形成部材31の下方には円形の凹部が形成されており、当該凹部は溶剤供給領域32をなす。この溶剤供給領域32を下側から塞ぐように蒸発源形成部材をなす溶剤保持板33が設けられている。この溶剤保持板33の下面はステージ21上のウエハWに対向する対向部を構成し、溶剤保持板33においては多数の溶剤供給口34が分散されて配置されている。各溶剤供給口34は溶剤保持板33の厚さ方向に穿孔されており、溶剤供給領域32に供給された溶剤は毛細管現象により各溶剤供給口34を溶剤保持板33の下面側へ向けて滲み出す。この滲み出した溶剤が揮発して、ステージ21上のウエハWから見たときにウエハWの表面全体に対向する領域から溶剤の蒸発が起こり、ウエハW全体が前記溶剤の蒸気に曝される。このようにウエハW全体に溶剤蒸気を供給するように溶剤保持板33は、その平面形状がウエハWよりも大きく形成されている。各溶剤供給口34の径は例えば0.3mm~1mm程度である。流路形成部材31には加熱部であるヒータ35が埋設されている。このヒータ35によって溶剤供給領域32を介して溶剤保持板33は均一性高く温調され、溶剤供給口34を下方へ向かった溶剤は、上記のように溶剤保持板33の面内において均一性高く揮発し、ウエハWに均一性高く溶剤蒸気が供給される。図1中41は溶剤が貯留される供給源であり、溶剤供給管42を介して溶剤を前記溶剤供給領域32に圧送する。図1中V1は溶剤供給管42に介設されたバルブであり、後述の制御部80により開閉状態が制御されることで、溶剤供給領域32への溶剤の給断が制御される。この溶剤としては例えば、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、γブチルラクトン、ピリジン、キシレン、Nメチル2ピロリジノンNMP、乳酸エチル、2-へプタノン、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、アニソール、ジメチルスルホキシドDMSO、m-クレゾール等であり、レジスト膜の溶解作用を有する。溶剤供給領域32には起立した液面検出管43が接続されている。この液面検出管43には下方側から上方側に向けて下側液面検出センサ44、タンク45、上側液面検出センサ46がこの順に介設されている。液面検出管43の上方端には、排液路に接続される排液管47と、N2ガスの供給源48に接続されるガス供給管49とに分岐する。図中V2、V3は排液管47、ガス供給管49に夫々介設されるバルブである。後述するように溶剤を廃棄するときには液面検出管43内を加圧するためにバルブV2は閉鎖されるが、この溶剤の廃棄動作を行う場合を除いては、バルブV2は溶剤供給源41から液面検出管43に溶剤を供給するために開放される。バルブV3は前記溶剤を廃棄するときにはガス供給源48から液面検出管43内にN2ガスを供給するために開放され、この溶剤の廃棄動作を行う場合を除いては閉鎖される。バルブV3、ガス供給管49及びN2ガス供給源48は溶剤の排出機構をなす。続いて、冷却アーム51及び排気アーム61について夫々その下側斜視図、正面図を夫々示した図4、図5も参照しながら説明する。冷却アーム51は、水平且つ角型に形成された冷却用載置部を構成する冷却板52を備えている。例えば冷却板52の内部には、図示しない冷却水の流路が形成されており、冷却板52の表面に載置されたウエハWを前記冷却水との熱交換により冷却する。図5に示すように前後方向に向かって見て、冷却板52の左右は上側に向けて折れ曲がり、起立板53、53を構成している。冷却アーム51の左右の後端側は下方へ向かって伸びて支持部54を構成し、図示しない駆動機構に接続されている。この駆動機構により冷却アーム51は、図1、図2に示す処理容器11の後方側の待機領域70と処理容器11の処理空間10との間で前後方向に移動することができる。図中55はスリットであり、冷却板52の前方端から後方側に向かって平行に2本形成され、冷却アーム51が処理空間に移動したときに昇降ピン23がこれらのスリット55を通過することができる。続いて、区画機構を構成する排気アーム61について説明する。図3に示すように排気アーム61は、冷却アーム51を覆うように形成されており、冷却板52の上方に位置する区画板62を備えている。区画板62は水平な角型状に形成されており、図5に示すようにこの区画板62を前後方向に見ると、その左右には下方側に向かって垂直に伸びる下降板63、63が設けられている。これら下降板63、63は冷却アーム51を左右から挟むように形成される。この下降板63及び前記冷却アーム51の起立板53は、後述の隣接領域60の溶剤蒸気から見て排気領域50へ向かう流路を屈曲構造とするために形成され、当該蒸気の排気領域50への進入を抑える役割を有する。区画板62の後方側には下降板63、63に挟まれるように排気部64が設けられており、この排気部64は、排気アーム61の前方端の位置と、冷却アーム51の前方端の位置とが揃った状態で、冷却アーム51の冷却板52と起立板53、53と、区画板62とに囲まれて形成される排気領域50を後方側から塞ぐように設けられている。排気部64には左右方向に伸びるスリット状の排気口65が形成されており、排気領域50の雰囲気を排気して除去することができる。この排気口65はバルブV4を介して後述のタンク81に接続されている。図4、図5中66は冷却アーム51の起立板53が通過するために、排気部64と下降板63との間に設けられる隙間である。下降板63の後端側は下方へ向かって伸びて支持部67を構成し、図示しない駆動機構に接続されている。この駆動機構により排気アーム61は、図1に示す処理容器11の後方側の待機領域70と、処理容器11の処理空間10との間で前後方向に移動することができる。区画板62の下面の前方側の端部には左右に伸びるスリット状のパージガス吐出口68が形成されている。このパージガス吐出口68は、前記排気領域50において当該領域50の溶剤雰囲気が処理容器11の外側へ向けて流れることを防ぐために、斜め後方側に向けてパージガスであるN2ガスを吐出する。パージガス吐出口68は、バルブV5を介して上記のN2ガス供給源48に接続される。区画板62の上面側には円形の凹部をなす液受け部69が形成されている。この液受け部69は、排気アーム61が処理容器11内に進入したときに溶剤保持板33の下方に対向して位置し、当該溶剤保持板33から吐出された不要な溶剤を受けて除去する役割と、区画板62の上側の雰囲気とを除去する役割とを有しており、溶剤保持板33よりも大きく形成されている。この液受け部69には廃液路69aが接続され、廃液路69aはバルブV6を介してタンク81に接続されている。図1、図2に戻って筐体71について説明する。筐体71は、処理容器11の外側において上記の冷却アーム51及び排気アーム61が待機する待機領域70と、処理容器11とを囲むように形成される。筐体71内の後方側には排気口外側領域排気口72が開口しており、上記のシャッタ37が開いて進退口15が開放されたときに処理空間10から放出される溶剤雰囲気を除去し、筐体71の外部へ溶剤雰囲気の漏洩を防ぐ。排気口72はバルブV7を介してタンク81に接続されている。筐体71の前方側には、処理空間10にウエハWの受け渡しを行うための搬送口73が開口している。タンク81はクリーンルーム内に設置され、その内部に前段室82及び後段室83を備え、各室82、83を仕切る仕切り壁84が設けられている。仕切り壁84には前段室82から後段室83へ気体を流通させる孔85が形成されている。前段室82には排液路82aが接続され、後段室83には真空ポンプなどの排気機構86が接続されており、当該タンク81を介して排気機構86は上記のように装置1の各所から排気を行うことができる。仕切り壁84及び前段室82を構成するタンク81の壁部には冷却水の流路87が形成され、タンク81の外部の図示しない温調部にて温度調整された冷却水が、この流路87に供給された後、前記温調部にて温調されて繰り返し前記流路87に供給される。処理容器11内及び筐体71内から排気され、前段室82に流れ込んだ雰囲気中の溶剤及びレジストの溶解物などは、この前段室82にて冷却されて液化し、前記排液路から排液される。そして、このように溶剤及びレジストなどが除去された雰囲気が後段室83に流れ込んで排気される。つまり、タンク81は気体と液体とを分離して除去する役割を有する。なお、処理容器11内及び筐体71内から排気される溶剤ガスは高温多湿のガスなので、前記クリーンルームの温度、例えば23度程度で液化するため、冷却水の流路87を設けずに自然冷却させてもよいが、流路87を設けることで前記分離性能をより高くすることができる。冷却水の代わりに温度調整されたガスを流路87に流してもよい。基板処理装置1は制御部80により制御される。この制御部80は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、CPUを備えている。前記プログラムには制御部80から基板処理装置の各部に制御信号を送り、所定の表面処理を進行させるように命令各ステップが組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO光磁気ディスク、メモリーカード等の記憶部に格納されて制御部80にインストールされる。ここで前記プログラムには、各バルブVの開閉、ヒータ22、35による昇温、冷却アーム51及び排気アーム61の移動及び昇降ピン23の昇降動作等を制御するためのプログラムも含まれており、制御部80のメモリに予め記憶されたプロセスレシピに応じて、前記各部が制御されるようになっている。続いて、基板処理装置1によるウエハの処理工程について、装置1の各部の動作を示す図6~図16を参照しながら説明する。また、装置1の各部の動作を示すタイムチャートである図17も適宜参照しながら説明する。このタイムチャートでは、シャッタ36、37による搬送口14及び進退口15の開閉動作、各アーム51、61の処理空間10への進入動作及び処理空間10からの退出動作、各部からのガス供給及び排気のオンオフ、蓋体13の昇降動作、昇降ピン23の昇降動作を示している。先ず基板処理装置1は、搬送口14が閉じ、蓋体13が上昇位置にあり、進退口15が開いて冷却アーム51及び排気アーム61が処理空間10に進入し、各アーム51、61の先端が処理容器11の内壁に接して排気アーム61と冷却アーム51とに囲まれる排気領域50が周囲から区画された状態におかれる。便宜上処理空間10において、このように区画された排気領域50の周囲の領域を隣接領域60と記載する。このような排気領域50の区画後、筐体71の排気口72からの当該筐体71内の排気と、排気アーム61の液受け部69からの排気とが行われる。続いて溶剤供給源41から溶剤が溶剤供給領域32に圧送されて液面検出管43に流入し、図6に示すように当該液面検出管43における溶剤の液面が次第に上昇する。このとき溶剤供給口34から落下した溶剤は前記液受け部69から排液される。タンク45に溶剤が満たされ、上側液面検出センサ46が溶剤の液面を検出すると、溶剤供給領域32への溶剤の供給が停止する。ヒータ22によりステージ21の温度が上昇すると共に、ヒータ35により溶剤保持板33の下面が前記ステージ21よりも低い温度例えば40°Cに加熱され、溶剤保持板33の溶剤供給口34から溶剤が蒸発して溶剤蒸気となり、溶剤供給口34から蒸発した分の溶剤は毛細管現象により溶剤供給領域32から溶剤供給口34に自動で供給される。このように溶剤供給領域32及び液面検出管43に溶剤が供給された後、ウエハWの処理が開始される。このウエハWの処理は、概略的には図17に記載したようにウエハWの処理空間10への搬入及び温度調整、溶剤蒸気によるレジストマスクの平滑化処理、処理後のウエハWの冷却及び処理空間10からの搬出を行う各区間からなる。排気アーム61のパージガス吐出口68からN2ガスが吐出されると共に排気口65から排気が行われ、隣接領域60から区画された排気領域50の溶剤濃度が低下する。そして、搬送口14が開かれて排気領域50が処理容器11の外部に開放され図16中時刻t1、図7に示すように搬送機構20がウエハWの裏面周縁部を支持した状態でこの排気領域50に進入する。昇降ピン23が上昇してウエハWの裏面を支持し、搬送機構20が処理容器11から退避する。図8に示すように搬送口14が閉じられ時刻t2、パージガス吐出口68からのN2ガスの吐出が停止すると共に排気口65からの排気が停止すると、冷却アーム51が待機領域70へ後退し時刻t3、昇降ピン23が下降して図9に示すようにウエハWがステージ21に載置される時刻t4。このときウエハWはクリーンルームの温度例えば23°Cであり、ステージ21のヒータ22により溶剤の露点温度より高く、溶剤の沸点よりも低い目標温度例えば50°Cになるように加熱される。このウエハWの温度上昇中において、溶剤保持板33と当該ウエハWとが排気アーム61により仕切られているため、溶剤保持板33から揮発した溶剤が目標温度に達する前のウエハWに付着、結露することが抑えられる。従って、ウエハWは過度に膨潤してしまうことが防がれながら、目標温度に達する。ウエハWが目標温度に達すると排気アーム61が待機領域70へ後退し、シャッタ37により進退口15が閉じられ、図10に示すように処理空間10が待機領域70から区画されて密閉され、排気口72からの筐体71内の排気が停止し、図11に示すように処理容器11の蓋体13が処理位置に下降する時刻t5。溶剤保持板33から処理空間10に溶剤が揮発し、処理空間10と溶剤保持板33の表面との間で溶剤が平衡状態となり、処理空間10には溶剤の飽和蒸気雰囲気が形成される。このときウエハWが溶剤の露点温度よりも高く、溶剤の沸点よりも低い温度に調整されているため、レジストにより構成されたパターンマスク9の表面では、溶剤分子がレジストパターンに衝突し、パターン表面が溶剤により膨潤するものの、ウエハWの熱により再び溶剤が揮発していく現象が繰り返し生じている。このため、図17の上段、中段に示すように、溶剤によりパターンマスク9の表層部91のみが溶剤を吸収して膨潤し、この溶剤により当該部位ではレジスト膜を構成する分子が軟化、溶解して流動するものの、パターンマスク9の内部への浸透が抑えられるので、パターン形状の溶解や変形は抑えられる。図12に示すように蓋体13の上昇が開始され時刻t6、蓋体13は次第に下降する前の上昇位置へと戻る。それによって、溶剤保持板33がステージ21及びウエハWから受ける輻射熱が次第に低下し、溶剤保持板33の温度が低下し、それによって処理空間10への溶剤蒸気の揮発量が低下する。そのため、ウエハWへ供給される溶剤蒸気の量が抑えられ、前記膨潤した表層部91にさらに過剰な溶剤が供給されることが抑えられるので、パターンマスク9内部へ溶剤が浸透することがより確実に抑えられる。このように処理が進行して、パターンマスク9表面の凹凸の表面が平坦化され、ウエハWの面内においてパターン線幅のばらつきが低減する。図17の下段に示すようにパターンマスク9の表層部91は乾燥が進行し、蓋体13が上昇位置に戻り、昇降ピン23がステージ21からウエハWを突き上げ時刻t7、排気口72からの筐体71内の排気が再開される。そして、進退口15が開放され、冷却アーム51及び搬送アーム61が前記進退口15を介して処理空間10へ移動し時刻t8、ウエハWが排気領域50に収納される。冷却アーム51及び搬送アーム61の各先端が処理容器11の内壁に当接し、排気領域50がその外部の隣接領域60から区画された状態となる。そして、昇降ピン23が下降してウエハWが冷却アーム51に受け渡されて冷却される。このように昇降ピン23が下降する一方で、図14に示すように排気アーム61における液受け部69から排気が行われると共にパージガス吐出口68からのN2ガスの吐出及び排気口65からの排気が行われて、排気領域50に前方から後方へ向かうガス流が形成される時刻t9。このように排気領域50は、溶剤の供給源となる溶剤保持板33が設けられる隣接領域60から当該溶剤が流入しないように区画された状態で排気及びパージガスの供給が行われ、その溶剤濃度が速やかに低下する。その後、搬送口14が開いて排気領域50が処理容器11の外部に開放されると共に、昇降ピン23が上昇して冷却アーム51からウエハWが離れ時刻t10、排気領域50に搬送機構20が進入し、昇降ピン23が下降して搬送機構にウエハWが受け渡される図15。搬送機構20が後退し、ウエハWが搬出される。このウエハWの搬出時にも排気領域50には前記ガス流が引き続き形成され、より確実に排気領域50からの処理容器11の外部への溶剤雰囲気の漏洩が防がれる。搬送口14が閉じ、パージガス吐出口68からのN2ガスの吐出及び排気口65からの排気が停止する。液受け部69及び排気口72の排気により、溶剤保持板33から発生する溶剤蒸気は除去されるので、当該溶剤蒸気の排気領域50への流入は抑えられる。そして先のウエハWを搬入する場合と同様に、排気領域50に前記ガス流が形成されて排気領域50の溶剤濃度がさらに下げられた後、搬送口14が開いて後続のウエハWが搬入される。この後続のウエハWは先に処理されたウエハWと同様に処理されて、処理容器11から搬出される。このようにウエハWの装置1への搬入及び処理が続けられ、タンク45内の溶剤が空になり下側液面検出センサ44が溶剤の液面を検出すると、この液面の検出時に処理中のウエハWの処理を終了した後で、次のウエハWを処理容器11内に搬送する前に溶剤の補充動作が行われる。この補充動作は、図6で説明したように装置1の動作開始時に溶剤供給領域32に溶剤を供給する場合と同様に行われ、上側液面検出センサ46が液面を検出するまで溶剤供給領域32を介して液面検出管43に溶剤の供給が行われる。例えば所定の枚数のウエハWを処理後、装置の動作を停止するときには、バルブV3を開き、図16に示すようにN2ガスを液面検出管43に供給する。当該液面検出管43、タンク45及び溶剤供給領域32に残留している溶剤は加圧され、溶剤保持板33の溶剤供給口34から排気アーム61の液受け部69に押し出されて当該液受け部69から除去される。然る後、排気口72からの筐体71内の排気と、排気アーム61の液受け部69からの排液及び排気とが停止する。このような基板処理装置1においては、溶剤蒸気の飽和蒸気雰囲気が形成された処理容器11内に周囲から隔離された排気領域50を形成するための排気アーム61及び冷却アーム51を進入させ、この排気領域50を排気アーム61の排気口65により局所的に排気するため、この排気領域50の溶剤濃度を速やかに低下させることができる。従って、この排気領域50に対して開閉される搬送口14から処理容器11の外部への溶剤蒸気の漏洩を抑えることができる。また処理空間10に対して排気領域50の容積を抑えることができるので、当該排気領域50の溶剤濃度を速やかに低下させることができるため、処理済みのウエハWの搬出及び後続のウエハWの搬入を速やかに行うことができる。その結果、スループットの向上を図ることができる。また、この装置1では排気領域50の溶剤雰囲気を除去する間に加熱されたウエハWを冷却アーム51により冷却するので、装置1から搬出後にウエハWを冷却する必要が無い。従って、より確実にスループットの向上を図ることができる。また、冷却アーム51を設け、上記のように排気領域50を形成することにより、排気領域50を処理空間10の下側の領域から区画し、当該排気領域50の容積を小さくすることができるので好ましい。ただし、冷却アーム51を設けず、排気アーム61により処理空間10の上下を区画して、排気アーム61の下方側のステージ21を含む領域を排気領域としてもよい。この場合には排気アーム61とステージ21との間隔を制御して、前記排気領域の高さを抑えて排気領域の容積を抑えることが好ましい。また、処理容器11内で溶剤保持板33の下面に溶剤を供給し、溶剤が不足したときには自動で補充を行えるため、溶剤を溶剤保持板33に供給するために溶剤保持板33を処理容器11の外部へ搬出する必要が無いので、それによってより確実に溶剤雰囲気の装置1の外側への漏洩を防ぐことができるし、溶剤保持板33を外部へ搬出するための搬送機構も不要になるので、装置の構成を簡素化し、製造コストを低下させることができる。この溶剤保持板33は多孔質体により構成してもよい。上記の例においてはクリーンルームの温度つまり溶剤の露点よりも低い温度のウエハWを処理空間10に搬入しているが、ウエハWを溶剤の露点よりも高い温度に加熱した状態で処理空間10に搬送してもよい。この場合、ステージ21に受け渡された前記ウエハWは搬入時の温度からステージ21の温度に降温して目標温度となり飽和蒸気雰囲気によりパターンマスク9が膨潤する。つまりウエハWの搬入時から目標温度になるまではウエハWへの溶剤分子の付着が防がれ、パターンマスク9の過度の膨潤をより確実に抑えることができる。上記の例で、処理容器11を囲う筐体71内を排気する構成とする代わりに図19に示すように進退口15にN2ガスの供給口101と排気口102とを設けてもよい。シャッタ37が開いたときには、供給口101からN2ガスが供給されると共に排気口102から排気が行われ、進退口15に矢印で示すようにガス流が形成され、処理空間10の雰囲気はこのガス流に阻まれて外部に漏れ出すことが防がれる。また、外部から区画部材である排気アーム61を進入させて処理空間10を区画する場合の他に、図20に示すように処理空間10内に開閉自在なシャッタ103を設け、それによって処理空間10を区画してもよい。図中104は処理容器11底部に設けられた排気口であり、ウエハWの処理後にシャッタ103が閉まり、溶剤保持板33とウエハWを載置したステージ21とが区画されると、排気口104からステージ21の周囲が排気されると共にガス供給口105からN2ガスが供給されて、シャッタ103により区画された下側の雰囲気が置換される。然る後、搬送口14からウエハWが搬出され、例えば処理容器11の外部の冷却装置に搬送されて冷却される。なお、上記の例では、ヒータ22がステージ21に内蔵されているが、ステージ21に載置されるウエハWが加熱される構成であれば、どのような構成であってもよく、例えば処理容器11内にLED発光ダイオードを設けて、このLEDからウエハWに光エネルギーを照射して加熱を行ってもよい。また、上記の装置1で各部からN2ガスを供給することに限られず、空気など他のガスを供給してもよい。