"化1の化学式で示されるイミダゾール化合物を含有することを特徴とする銅または銅合金の表面処理剤。銅または銅合金の表面に、請求項1記載の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅または銅合金の表面処理方法。銅回路部の銅または銅合金の表面に、請求項1記載の表面処理剤を接触させて、銅回路部の銅または銅合金の表面に化成皮膜を形成させたことを特徴とするプリント配線板。銅または銅合金の表面を、請求項1記載の表面処理剤で接触させた後に半田付けを行うことを特徴とする半田付け方法。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであって、半田を使用して電子部品等をプリント配線板に接合する際に、プリント配線板の回路部等を構成する銅または銅合金の表面に、耐熱性および半田との濡れ性に優れた化成皮膜を形成させることによって、半田付け性を良好なものとする表面処理剤、表面処理方法、プリント配線板ならびに半田付け方法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、化1の化学式で示されるイミダゾール化合物を含有する表面処理剤によって、銅回路部を有するプリント配線板を処理することにより、銅回路部の表面に耐熱性に優れた、即ち無鉛半田の半田付け温度に耐え得る化成皮膜を形成させることができ、且つ無鉛半田を使用して半田付けを行うに際して、銅または銅合金の表面に対する半田の濡れ性を向上させることにより、良好な半田付け性が得られることを認め本発明を完成するに至ったものである。即ち、第1の発明は、化学式で示されるイミダゾール化合物を含有することを特徴とする銅または銅合金の表面処理剤である。第2の発明は、銅または銅合金の表面に、第1の発明の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅または銅合金の表面処理方法である。第3の発明は、銅回路部の銅または銅合金の表面に、第1の発明の表面処理剤を接触させて、銅回路部の銅または銅合金の表面に化成皮膜を形成させたことを特徴とするプリント配線板である。第4の発明は、銅または銅合金の表面を、第1の発明の表面処理剤で接触させた後に半田付けを行うことを特徴とする半田付け方法である。本発明の表面処理剤は、プリント配線板の回路部等を構成する銅または銅合金の表面に、耐熱性に優れた化成皮膜を形成させることができると共に、該表面に対する無鉛半田の濡れ性を飛躍的に向上させ、半田付け性を良好なものとすることができる。また、本発明の半田付け方法は、有害金属である鉛を含まない半田の使用を可能とするので、環境保護の観点において有用なものである。以下、本発明について詳細に説明する。本発明の実施において使用するイミダゾール化合物は、前記の化学式で示されるものであり、イミダゾール環の2位にチエニル基またはチエニルメチル基が結合し、同45位にフェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基またはナフチル基が結合し、同54位には、水素原子、メチル基またはフェニル基が結合した構造を有するイミダゾール化合物である。このイミダゾール化合物は、例えば、化2の反応スキームで示される合成法を採用することにより合成することができる。なお、アミジン化合物としては、アミジン塩酸塩化合物を好適に使用することができる。但し、式中のA、BおよびZは前記と同様であり、Xは塩素原子、臭素原子または沃素原子を表す。このイミダゾール化合物は、4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bが水素原子であって、Zが2-チエニル基であるイミダゾール化合物、5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾール、5-メチル-4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾール、5-メチル-4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがメチル基であって、Zが2-チエニル基であるイミダゾール化合物、45-ジフェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-1-ナフチル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、4-2-ナフチル-5-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがフェニル基であって、Zが2-チエニル基であるイミダゾール化合物、4-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-1-ナフチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2-ナフチル-2-3-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bが水素原子であって、Zが3-チエニル基であるイミダゾール化合物、5-メチル-4-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルイミダゾール、5-メチル-4-1-ナフチル-2-3-チエニルイミダゾール、5-メチル-4-2-ナフチル-2-3-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがメチル基であって、Zが3-チエニル基であるイミダゾール化合物、45-ジフェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-1-ナフチル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール、4-2-ナフチル-5-フェニル-2-3-チエニルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがフェニル基であって、Zが3-チエニル基であるイミダゾール化合物、4-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-1-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bが水素原子であって、Zが2-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物、5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、5-メチル-4-1-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、5-メチル-4-2-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがメチル基であって、Zが2-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物、45-ジフェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-1-ナフチル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール、4-2-ナフチル-5-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがフェニル基であって、Zが2-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物、4-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-1-ナフチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2-ナフチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bが水素原子であって、Zが3-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物、5-メチル-4-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-メチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、5-メチル-4-1-ナフチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、5-メチル-4-2-ナフチル-2-3-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがメチル基であって、Zが3-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物、45-ジフェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-4-クロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,3-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-2,6-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,4-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-3,5-ジクロロフェニル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール、4-1-ナフチル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾールおよび、4-2-ナフチル-5-フェニル-2-3-チエニルメチルイミダゾール以上、化学式Iにおいて、Bがフェニル基であって、Zが3-チエニルメチル基であるイミダゾール化合物を包含する。本発明の表面処理剤は、これらのイミダゾール化合物を、後述する可溶化剤および助剤と共に、水に溶解させることにより調製される。イミダゾール化合物は、表面処理剤中に好ましくは0.01~10重量の割合、より好ましくは0.1~5重量の割合で含有される。イミダゾール化合物の含有割合が0.01重量より少ないと、銅表面に形成される化成皮膜の膜厚が薄くなり、銅表面の酸化を十分に防止することができない虞がある。また、10重量より多い場合には表面処理剤中にイミダゾール化合物が溶け残ったり、あるいは完溶したとしても再析出して、銅表面にイミダゾール化合物の粒子が付着して、銅表面の半田付け性が損なわれる虞がある。なお、本発明の実施においては、前記のイミダゾール化合物から選択される1種または2種以上を組み合わせて使用することが可能であり、前記のイミダゾール化合物と共に、本発明と同一技術分野における公知のイミダゾール化合物を併用することも可能である。本発明の実施において、イミダゾール化合物を水に溶解水溶液化させるに当たっては、通常、可溶化剤として有機酸または無機酸を使用する。この際に使用される代表的な有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カプリル酸、べラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、イソ酪酸、2-エチル酪酸、オレイン酸、グリコール酸、乳酸、2-ヒドロキシ酪酸、3-ヒドロキシ酪酸、グルコン酸、グリセリン酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ブロモ酢酸、ヨード酢酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、プロポキシ酢酸、ブトキシ酢酸、2-2-メトキシエトキシ酢酸、2-[2-2-エトキシエトキシエトキシ]酢酸、2-{2-[2-2-エトキシエトキシエトキシ]エトキシ}酢酸、3-メトキシプロピオン酸、3-エトキシプロピオン酸、3-プロポキシプロピオン酸、3-ブトキシプロピオン酸、レブリン酸、グリオキシル酸、ピルビン酸、アセト酢酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマール酸、安息香酸、パラニトロ安息香酸、ピクリン酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、スルファミン酸等が挙げられ、同無機酸としては、塩酸、リン酸、硫酸、硝酸等が挙げられる。これらの酸は、単独または種類の異なる酸を組み合わせて使用することが可能であり、可溶化剤として表面処理剤中に好ましくは0.1~50重量の割合、より好ましくは1~30重量の割合で含有される。本発明の実施においては、前記の可溶化剤と共に、有機溶剤を併用することができる。この有機溶剤としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のセロソルブ、あるいはアセトン、N,N-ジメチルホルムアミド、アセチルアセトン等の水と自由に混和するものが好適であり、これらから選択される1種または2種以上を組み合わせて使用でき、表面処理剤中に好ましくは0.1~50重量の割合、より好ましくは1~40重量の割合で含有される。本発明の表面処理剤には、銅の表面における化成皮膜の形成速度造膜性を速めるために、銅化合物を助剤として添加することができ、また形成された化成皮膜の耐熱性を更に高めるために、亜鉛化合物を助剤として添加することができる。この銅化合物としては、例えばギ酸銅、酢酸銅、シュウ酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化第一銅、臭化第二銅、ヨウ化銅、水酸化銅、リン酸銅、硫酸銅、硝酸銅等が挙げられ、これらから選択される1種または2種以上を併用することができる。また、この亜鉛化合物としては、例えば酸化亜鉛、ギ酸亜鉛、酢酸亜鉛、シュウ酸亜鉛、乳酸亜鉛、クエン酸亜鉛、硫酸亜鉛、硝酸亜鉛、リン酸亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛等が挙げられ、これらから選択される1種または2種以上を併用することができる。前記銅化合物および亜鉛化合物の何れも、表面処理剤中に好ましくは0.01~10重量の割合、より好ましくは0.02~5重量の割合で含有される。本発明の表面処理剤には、化成皮膜の造膜性および該皮膜の耐熱性を更に向上させるために、助剤としてハロゲン化合物を表面処理剤中に好ましくは0.001~1重量、より好ましくは0.01~0.1重量の含有割合となるように添加することができる。ハロゲン化合物としては、例えばフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、塩化ナトリム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、クロロプロピオン酸、臭化ナトリウム、臭化カリウム、臭化アンモニウム、ブロモプロピオン酸、ヨウ化ナトリム、ヨウ化カリウム、ヨウ化アンモニウム、ヨードプロピオン酸等が挙げられ、これらから選択される1種または2種以上を併用することができる。本発明の表面処理剤には、前述の銅化合物および亜鉛化合物やハロゲン化合物以外にも、化成皮膜の変性を目的として、マンガン化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物等の金属化合物やクラウンエーテル、ビピリジン、ポルフィリン、フェナントロリン等の配位化合物を助剤として添加することができる。なお、マンガン化合物としては、例えばギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガン、硫酸マンガン、炭酸マンガン等が挙げられ、コバルト化合物としては、例えば酢酸コバルト、硫酸コバルト、硝酸コバルト等が挙げられ、ニッケル化合物としては、例えば塩化ニッケル、酢酸ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、硫酸ニッケル等が挙げられる。金属化合物については、その1種または2種以上を、表面処理剤中に好ましくは0.01~10重量の割合、より好ましくは0.02~5重量の割合で含有させれば良く、配位化合物については、その1種または2種以上を、表面処理剤中に好ましくは0.001~10重量の割合、より好ましくは0.01~5重量の割合で含有させれば良い。本発明の表面処理剤には、金Auの表面への化成皮膜の形成を抑制しつつ、銅の表面への化成皮膜の形成速度を速めるために、鉄化合物およびコンプレクサン化合物注:エチレンジアミン四酢酸などを、表面処理剤中に助剤として添加することができる特開平9-291372号公報参照。引用により本明細書に含む。本発明の表面処理剤を用いて銅の表面を処理する際には、表面処理剤のpHを調整することが好ましい。このpHは、表面処理剤の組成成分の種類と含有量や後述する処理温度と処理時間に応じて適宜設定される。pHを下げる場合には、前述の有機酸または無機酸を使用することができ、pHを上げる場合には、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムの他、アンモニアあるいはモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアミン類等の緩衝作用を有する物質が好ましく使用できる。本発明の表面処理剤を用いて銅の表面を処理する際の条件としては、表面処理剤の液温を10~70°Cの範囲に設定し、接触時間を1秒~10分の範囲に設定することが好ましい。銅の表面を処理するための、銅と表面処理剤の接触方法としては、浸漬、噴霧、塗布等の手段が挙げられる。本発明の実施に適する半田としては、従来知られたSn-Pb系の共晶半田の他、Sn-Ag-Cu系、Sn-Ag-Bi系、Sn-Bi系、Sn-Ag-Bi-In系、Sn-Zn系、Sn-Cu系等の無鉛半田が挙げられる。また本発明の半田付け方法は、加熱溶融した液体状の半田が入っている半田槽の上を、プリント配線板を流し、電子部品とプリント配線板の接合部に半田付けを行なうフロー法または、予めプリント配線板にペースト状のクリーム半田を回路パターンに合わせて印刷し、そこに電子部品を実装し、プリント配線板を加熱して半田を溶融させ、半田付けを行うリフロー法等に適応し得るものである。以下、本発明を実施例および比較例によって具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例で使用したイミダゾール化合物ならびに評価試験方法は次のとおりである。[イミダゾール化合物]実施例に使用したイミダゾール化合物は以下のとおりであり、これらの合成例を参考例2~16に示す。なお、参考例1には、参考例2に合成例を示したイミダゾール化合物の原料である2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩の合成例を示す。4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾールA-1と略記することがある5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾールA-2と略記することがある4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールA-3と略記することがある4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールA-4と略記することがある4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールA-5と略記することがある4,5-ジフェニル-2-2-チエニルイミダゾールA-6と略記することがある4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールA-7と略記することがある4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールA-8と略記することがある5-メチル-4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールA-9と略記することがある5-メチル-4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールA-10と略記することがある5-メチル-4-フェニル-2-3-チエニルイミダゾールA-11と略記することがある5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾールA-12と略記することがある4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールA-13と略記することがある4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールA-14と略記することがある4-2-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールA-15と略記することがある参考例1<2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩の合成>2-シアノチオフェン51.0g0.467molおよび脱水エタノール22.6g0.49molを脱水ジクロロメタン25gに溶解し、氷冷下4~10°Cにて、塩化水素ガス27.4g0.752molを2時間かけて吹き込んだ。同温度にて撹拌を続けると、約2時間後に結晶が析出した。この反応液を5°Cに温調した冷蔵庫内に3日間放置した後、溶媒を減圧留去して、暗赤色結晶性塊状の2-チオフェンイミド酸エチル塩酸塩89.0g0.464mol、収率99.4を得た。この2-チオフェンイミド酸エチル塩酸塩を粉砕した後、脱水エタノール80gにアンモニア13.6g0.799molを吸収させたエタノール溶液を、氷冷下にて少量ずつ注ぎ加えた後に4時間撹拌し、更に室温に戻して一晩撹拌した。反応懸濁液から溶媒を減圧留去し、固体濃縮物をヘキサン-ジクロロメタン2:1体積比混合液300mlにて洗浄後、減圧下にて乾燥し、微暗桃色粉末状の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩72.0g0.443mol、収率94.8対2-シアノチオフェンを得た。参考例2<A-1の合成>2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩24.4g0.15mol、炭酸カリウム54g0.391molとN,N-ジメチルアセトアミド81gからなる懸濁液を50°Cにて15分間撹拌後、2-ブロモアセトフェノン29.9g0.150molとトルエン75gからなる溶液を、50~55°Cにて40分間かけて滴下し、70°Cにて3.5時間撹拌した。この反応懸濁液を冷却後、水500mlにて2回洗浄し、トルエン層に析出した固形分を濾取した。取り出したケーキをトルエンと水で順次洗浄し、減圧下にて乾燥して黄褐色粉末18.1g粗収率53.3を得た。この粉末をアセトニトリルより再結晶して、クリーム色結晶状の4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール12.8g0.0566mol、収率37.7を得た。参考例3<A-2の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例4<A-3の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-4′-クロロプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-4-クロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例5<A-4の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2′4′-ジクロロプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例6<A-5の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-3′4′-ジクロロプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例7<A-6の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2-フェニルアセトフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4,5-ジフェニル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例8<A-7の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-1′-アセトナフトンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例9<A-8の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2′-アセトナフトンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例10<A-9の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-1′-プロピオナフトンに代えて、参考例2の方法に準拠して5-メチル-4-1-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例11<A-10の合成>参考例2の2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2′-プロピオナフトンに代えて、参考例2の方法に準拠して5-メチル-4-2-ナフチル-2-2-チエニルイミダゾールを合成した。参考例12<A-11の合成>まず、参考例1の2-シアノチオフェンを3-シアノチオフェンに代えて、参考例1の方法に準拠して3-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を合成した。次いで、参考例2の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を3-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩に、2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して5-メチル-4-フェニル-2-3-チエニルイミダゾールを合成した。参考例13<A-12の合成>まず、参考例1の2-シアノチオフェンを2-チオフェンアセトニトリルに代えて、参考例1の方法に準拠して2-チエニルアセトアミジン塩酸塩を合成した。次いで、参考例2の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を2-チエニルアセトアミジン塩酸塩に、2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して5-メチル-4-フェニル-2-2-チエニルメチルイミダゾールを合成した。参考例14<A-13の合成>まず、参考例1の2-シアノチオフェンを2-チオフェンアセトニトリルに代えて、参考例1の方法に準拠して2-チエニルアセトアミジン塩酸塩を合成した。次いで、参考例2の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を2-チエニルアセトアミジン塩酸塩に、2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2′4′-ジクロロプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-2,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールを合成した。参考例15<A-14の合成>まず、参考例1の2-シアノチオフェンを2-チオフェンアセトニトリルに代えて、参考例1の方法に準拠して2-チエニルアセトアミジン塩酸塩を合成した。次いで、参考例2の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を2-チエニルアセトアミジン塩酸塩に、2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-3′4′-ジクロロプロピオフェノンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-3,4-ジクロロフェニル-5-メチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールを合成した。参考例16<A-15の合成>まず、参考例1の2-シアノチオフェンを2-チオフェンアセトニトリルに代えて、参考例1の方法に準拠して2-チエニルアセトアミジン塩酸塩を合成した。次いで、参考例2の2-チオフェンカルボキサミジン塩酸塩を2-チエニルアセトアミジン塩酸塩に、2-ブロモアセトフェノンを2-ブロモ-2′-アセトナフトンに代えて、参考例2の方法に準拠して4-2-ナフチル-2-2-チエニルメチルイミダゾールを合成した。A-1~A-15のイミダゾール化合物の化学式を、化3~4に示す。比較例に使用したイミダゾール化合物は、以下のとおりである。2-ウンデシルイミダゾール四国化成工業社製、商品名C11Z、Z-1と略記することがある2-ベンジル-4-フェニルイミダゾール特開2010-150651号公報に記載の方法に従って合成した。Z-2と略記することがある2-フェニルイミダゾール四国化成工業社製、商品名2PZ、Z-3と略記することがある2-フェニル-4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、商品名2P4MZ、Z-4と略記することがある2-ノニルベンズイミダゾールSIGMAALDRICH社製、試薬、Z-5と略記することがある2-ベンジルベンズイミダゾールScienceofSynthesis12529に記載の方法に準拠して合成した。Z-6と略記することがあるZ-1~Z-6のイミダゾール化合物の化学式を化5に示す。実施例および比較例で採用した評価試験方法は、以下のとおりである。[半田上がり性の評価試験]試験片として、内径0.80mmの銅スルホールを300穴有する120mm縦×150mm横×1.6mm厚みのガラスエポキシ樹脂製のプリント配線板を使用した。この試験片を脱脂、ソフトエッチングおよび水洗を行った後、所定の液温に保持した表面処理剤に所定時間浸漬し、次いで水洗、乾燥して銅表面上に厚さ約0.10~0.50μmの化成皮膜を形成させた。この表面処理を行った試験片について、赤外線リフロー装置製品名:MULTI-PRO-306、ヴィトロニクス社製を用いて、ピーク温度が240°Cであるリフロー加熱を3回行い、次いで、フロー半田付け装置コンベア速度:1.0m/分を用いて半田付けを行った。なお、使用した半田は、63Sn37Pb重量の組成を有するSn-Pb系共晶半田商品名:H63A、千住金属工業製であり、半田付けに際して使用したフラックスはJS-64MSS弘輝製である。また、半田温度は240°Cとした。また、前記の表面処理を行った試験片について、Sn-Pb系共晶半田の場合と同様にして無鉛半田を使用して半田付けを行った。なお、使用した半田は、96.5Sn3.0Ag0.5Cu重量の組成を有する無鉛半田商品名:H705エコソルダー、千住金属工業製であり、半田付けに際して使用したフラックスはJS-E-09弘輝製である。また、リフロー加熱のピーク温度は245°Cであり、半田温度も245°Cとした。半田付けを行った試験片について、銅スルーホールの上部ランド部分まで半田が上がった半田付けされたスルーホール数を計測し、全スルーホール数300穴に対する割合を算出した。銅の表面に対して半田の濡れ性が大きい程、溶融した半田が銅スルーホール内を浸透し該スルーホールの上部ランド部分まで上がり易くなる。即ち、全スルーホール数に対する上部ランド部分まで半田が上がったスルーホール数の割合が大きい程、銅に対する半田濡れ性が優れ、半田付け性が良好なものと判定される。[半田広がり性の評価試験]試験片として、50mm縦×50mm横×1.2mm厚みのガラスエポキシ樹脂製のプリント配線板回路パターンとして、銅箔からなる導体幅0.80mm、長さ20mmの回路部を、1.0mmの間隔にて幅方向に10本形成させたものを使用した。この試験片を脱脂、ソフトエッチングおよび水洗を行った後、所定の液温に保持した表面処理剤に所定時間浸漬し、次いで水洗、乾燥して銅表面上に厚さ約0.10~0.50μmの化成皮膜を形成させた。この表面処理を行った試験片について、赤外線リフロー装置製品名:MULTI-PRO-306、ヴィトロニクス社製を用いて、ピーク温度が240°Cであるリフロー加熱を1回行った。その後、開口径1.2mm、厚み150μmのメタルマスクを使用して銅回路部の中央にSn-Pb系クリーム半田を印刷し、前期条件でリフロー加熱を行い、半田付けを行った。なお、使用したSn-Pb系クリーム半田は63Sn37Pb重量からなる組成の共晶半田商品名:OZ-63-330F-40-10、千住金属工業製である。また、前記の表面処理を行った試験片について、Sn-Pb系クリーム半田の場合と同様にして無鉛系クリーム半田を使用して半田付けを行った。なお、使用した無鉛系クリーム半田は、96.5Sn3.0Ag0.5Cu重量からなる組成の無鉛半田商品名:M705-221BM5-42-11、千住金属工業製である。また、クリーム半田の印刷前および印刷後に行うリフロー加熱は、ピーク温度が245°Cになるように設定した。得られた試験片について、銅回路部上に濡れ広がった半田の長さmmを測定した。この長さが大きい程、半田濡れ性が優れ、半田付け性が良好なものと判定される。実施例1イミダゾール化合物として4-フェニル-2-2-チエニルイミダゾール、酸として酢酸、金属塩として酢酸銅および酢酸亜鉛、ハロゲン化合物として塩化アンモニウムおよびヨウ化アンモニウムを、表1記載の組成になるようにイオン交換水に溶解させた後、アンモニア水でpH3.9に調整して表面処理剤を調製した。次いで、プリント配線板の試験片を40°Cに温調した表面処理剤に90秒間浸漬したのち、水洗、乾燥し、半田上がり性および半田広がり性を測定した。これらの試験結果は表1に示したとおりであった。実施例2~15実施例1と同様にして、表1~2記載のイミダゾール化合物、酸、金属塩およびハロゲン化合物を使用して、表1~2記載の組成を有する表面処理剤を調製し、表1~2に記載の処理条件にて表面処理を行った。得られた試験片について、半田上がり性および半田広がり性を測定した。これらの試験結果は表1~2に示したとおりであった。比較例1~6実施例1と同様にして、表2記載のイミダゾール化合物、酸、金属塩およびハロゲン化合物を使用して、表2記載の組成を有する表面処理剤を調製し、表2に記載の処理条件にて表面処理を行った。得られた試験片について、半田上がり性および半田広がり性を測定した。これらの試験結果は表2に示したとおりであった。本発明の表面処理剤は、Sn-Pb系共晶半田を用いた半田付けの際にも問題なく使用し得るものであるが、該共晶半田に比べて半田付け性が劣る無鉛半田を用いた半田付けの際に好適に使用し得るものである。"