"電気的に、化学的に又は生物系との相互作用の特徴に対して機能化されたエラストマー製品であって、金属、酸化物又は他の金属化合物から選択される少なくとも1つの機能材料の堆積物を含むエラストマー製品の製造方法であって、エラストマー材料の表面における前記機能材料のナノメートル寸法の中性クラスターの注入によって前記の堆積物を形成する操作を含む、方法。注入の前記操作が、クラスタービーム蒸着技術によって行われる、請求項1に記載の方法。前記機能材料のナノメートル寸法の中性クラスターのビームを作る段階であって、前記クラスターは、平均速度が100~10000m/sであり、寸法が50nm未満である段階と;エラストマー材料の前記表面に前記ビームを向ける段階とを含む、請求項1又は2に記載の方法。前記中性クラスターの寸法が約1~10nmである、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記中性クラスターが、Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Ti,Fe,Ni,Cr,Co,Nb,Zr,Al,C,V,Zn,Mo,W,Pb,Sn,Hf,Ir,それらの合金又はそれらの酸化物から構成される、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。前記エラストマー材料が、ポリシロキサン、ポリウレタンエラストマー、エラストマーフッ素重合体、ポリオレフィン系エラストマー、ポリブタジエンBR、スチレンブタジエンゴムSBR、エチレンプロピレンゴムEPR、エチレンプロピレンジエンゴムEPDM、ニトリルゴムNBR、アクリルゴムACM、並びにイソブチレン及びイソプレン系ゴムIIRから選択される、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記エラストマー材料が、ポリジメチルシロキサンPDMSである、請求項6に記載の方法。注入の前記操作中、前記エラストマー材料が、-210~150°Cの温度にて維持される、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。注入の前記操作中、前記エラストマー材料が、室温にて維持される、請求項8に記載の方法。前記堆積物が、前記表面に支持されている若しくは支持されていない物理的マスクを用いることによって、又は前記表面に形成されたポリマーマスクを用いることによって、前記表面の選択された部分にだけ形成される、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。請求項1~10のいずれか1項に記載の方法によって得られる製品20;30であって、エラストマー体22;32;42で構成され、該エラストマー体の表面部分24;36;45には、エラストマー材料のマトリックスに埋め込まれた金属、酸化物又は他の金属化合物から選択される少なくとも1つの機能材料によって作られたナノメートル寸法の中性クラスターによって形成されるナノ複合材料25;37;46が存在している、製品。前記表面部分の厚さが5nm~10μmである、請求項11に記載の製品。前記厚さが50nm~1μmである、請求項12に記載の製品。ナノクラスター密度が1×10-5~1×10-1個/nm3である請求項11~13のいずれか1項に記載の製品であり、ここで、ナノクラスターは、ナノメートル中性クラスターを意味し、ナノクラスター密度は、注入単位面積当たりのナノクラスター数を前記表面部分の厚さで割ったものとして測定される、製品。前記エラストマー材料がポリジメチルシロキサンであり、前記ナノクラスター密度が約1×10-3個/nm3未満であり、前記部分が電気絶縁体の特性を持つ、請求項14に記載の製品。前記エラストマー材料がポリジメチルシロキサンであり、前記ナノクラスター密度が約1×10-3~約5×10-3個/nm3であり、前記部分は、前記部分の伸び率が40に等しい場合の電気抵抗が、静止時の前記部分の電気抵抗に対して250~500増加するような、ピエゾ抵抗性導電体の特性を持つ、請求項14に記載の製品。前記エラストマー材料がポリジメチルシロキサンであり、前記ナノクラスター密度が約5×10-3個/nm3より高く、前記部分は、前記部分の伸び率が40に等しい場合の電気抵抗が、静止時の前記部分の電気抵抗に対して250未満増加するような、弾性導電体の特性を持つ、請求項14に記載の製品。前記ナノメートル中性クラスターが、前記エラストマー体の前記部分の表面に現れる、請求項11~17のいずれか1項に記載の製品。前記エラストマー体の表面に現れる前記ナノメートル中性クラスター上に、連続金属堆積物が存在する、請求項18に記載の製品。前記部分が、前記エラストマー体の表面にある1つ以上の跡の形をとる、請求項11~19のいずれか1項に記載の製品。前記部分を作るのに用いた材料及び前記エラストマー材料は、生体適合性がある、請求項11~20のいずれか1項に記載の製品。請求項11~21のいずれか1項に記載の製品を備えるエラストマー装置であって、前記製品の前記表面部分が、ポリマーマトリックスによって外側との接触から分離され、任意には、前記部分に電極を形成するため、導電体を前記部分に接続するため又は細胞増殖部位を構成するための開口部から離れている、エラストマー装置。生体適合性若しくは生体不活性装置を作るための、又は増大した生物活性を持つ細胞増殖用支持体としての、請求項21に記載の製品の使用。ナノメートル寸法の凝集体は、この部門において、ナノクラスターの語によって一般に知られており、残りのテキストにおいて使用される。ナノクラスターは、様々な技術によって製造できる。最も一般的に使用されるナノクラスター源は、2つの種類に分けることができ、ナノクラスターがその源から離れ、その形成後に自由に拡散するものと、気体一般には不活性であり、キャリアガスと呼ばれるの拡張によってナノクラスターがその源から出され、ナノクラスターの授精気体ビームを形成するものがある。この2番目の種類の源は、ナノクラスター授精ビームを用いた源と呼ばれており、本発明に好適である。この2番目のケースでは、気体とナノクラスターの混合物の拡張が超音速状態で行われる場合、当業者によって知られるように、ナノクラスター超音速授精ビーム及びナノクラスター超音速授精ビームを用いた源の語が使用される。支持体上にナノクラスターを堆積するために前述の源を使用する技術は、非超音速ビームと超音速ケースの両方で、受精ビームによるクラスターの堆積と呼ばれ、クラスタービーム堆積の語又はその省略形CBDによって良く知られており、以下において使用される。ナノクラスター源の多くの変形があり、多くの場合、デザインの詳細、又はナノクラスター合成に使用される機能材料の気化に用いるプロセス例えば、スパッタリング処理、レーザー蒸発、又は電子ビーム蒸発等のみが互いに異なる。以下に、可能性がある1種類の源を純粋に一例として記載するが、本発明はまた、ナノクラスターを発生可能な他のあらゆる既知の源によっても実施できる。図1は、ナノ複合材料堆積物を作るための可能性があるシステムを示す。ナノクラスター源100は、数立方センチメートルの体積を一般的に有する円筒状の空洞部102源の空洞部と呼ばれるが内側にある中空セラミック体101からなる。該源の空洞部の一端には、前述の空洞部中へのキャリアガスの移入を制御するソレノイド弁104の出口ノズル103例えば直径100μmがある。好ましくは高純度の少なくとも99.9999に等しい、高圧工業ガス用の線105は、上記弁に接続される。源の空洞部内には、後者の軸に直角の円柱ロッド106一般には直径数ミリメートルがあり、その陰極を構成し、ナノクラスターが形成されるべき材料からできている。上記源の操作中、該ロッドは、その対称軸の周りを幾らかの毎分回転数rpmの速度にて回転した状態にしておくことが好ましい;この状態は、前述の源の操作を安定させるのに役立つ。一方で、上記源の陽極は、地面に接続され、上記弁の出口ノズルの近くに位置する前述のノズルを妨害しないように置かれる穴あき金属ディスク107例えば銅から構成される。上記源の空洞部の反対端部空洞部の出口端部と呼ばれるは、拡張チャンバーと呼ばれる真空チャンバー110に、オリフィス111その業界ではノズルと呼ばれる及び空力レンズを備えたコリメータ112を介して接続される。上記ノズルは、直径数センチメートルの金属ディスク例えば鉄鋼であり、その中心には、直径が約2mmの穴がある。上記ノズルは、前述の空洞部がノズルの穴を経由して空力レンズを備えたコリメータに接続されるように、上記源の円筒状空洞部の出口端部を閉じるものである。空力レンズを備えたコリメータは、4つの連続段階113、113’、113’’、113’’’で構成されてもよく、それぞれは、その順番で、内径約10mm及び高さ典型的に数センチメートルの中空金属シリンダーで構成されている。上記段階は、直径が中空シリンダーと等しく、中心の穴が約2mmの直径である鉄鋼ディスクから構成される空力レンズによって、他の1つと相互に接続されている。最後の段階は、その順番で、直径約1mmの穴を有する他の空力レンズ114によって拡張チャンバーに接続されている。上記拡張チャンバーは、該チャンバー中の圧力を注入開始に先立ち約1×10-5~1.5×10-4パスカルPaの値にすることが可能なポンプシステム115例えば、これら源に採用される典型的なシステムは、カスケードでの一連のポンプ、回転式又は2段階ルーツポンプ及びターボ分子ポンプから構成されるによって真空下で保たれる。注入プロセスが始まる前に、源の空洞部を空にするため、ノズル及びコリメータの穴を介して、拡張チャンバーのポンプシステムによって、その圧力をシステム全体でおおよそ均一にする;反対に、注入プロセス中、ソレノイド弁からの気体の流入は、源の空洞部内の圧力を増大させ、それは、入ってくる気体の流量及びポンプシステムのポンピング速度によって平衡値に制御される。上記源の円筒状空洞部、ノズルの穴及び全空力レンズの穴は、同一の対称軸ビーム軸と呼ばれる上で一列に並べられている;源の空洞部から拡張チャンバーに流れることができるためには、気体が、ノズルの穴と全空力レンズの穴の両方を連続して通過する必要がある。上記源は、パルス領域を有し、該源の操作サイクルの周波数は典型的に数ヘルツに等しい。各サイクルにおいて、ソレノイド弁は、典型的には何百マイクロ秒μs程度の期間弁開口時間と呼ばれる開かれている。各サイクルでは、弁開口から0.3~1.0ミリ秒msの時間遅延時間と呼ばれるの後、源の陽極と陰極の間に、60μs~100μsの期間放電時間と呼ばれる、約850Vの電圧放電電圧と呼ばれるが印加される。弁開口時間、遅延時間、放電電圧及び放電時間は、プロセス制御パラメータである;これらパラメータは、その操作を安定させ、1秒当たりに作られるナノクラスターの量この量は、源の堆積速度と呼ばれるを最適化するため、源が運転可能な時間の前及びその間にオペレータによって規定される;これらパラメータ、特に弁開口時間は、先験的には完全に選択できず、源の操作中に調整せざるを得ない。ナノクラスターの大きさは、ノズル又はコリメータを通って出る瞬間まで、凝集によって成長し続けるため、源の空洞部内の気相の形成からノズル又はコリメータを通って出てビームを形成するまでの間に経過する時間を制御することによって、注入前のナノクラスターの大きさを制御することができる。この時間は、その順番で、源の幾何学的特徴例えば、源の空洞部の体積、ノズル内の穴の直径、コリメータの段階数、前述の段階の大きさ、及び全空力レンズ内の穴の直径を調整することと、源の操作パラメータを変えることの両方によって、制御できる。後者は、それらが空洞部内のキャリアガスの圧力及び温度弁開口時間、弁入り口圧力、放電電圧及び放電時間を変えることにより制御可能であるを決定するため、源の空洞部内における混合物の滞留時間に影響する。更に、キャリアガス即ち、使用される気体又は気体の混合物の性質、及び空洞部と拡張チャンバー間の圧力差拡張チャンバーのポンプシステムに作用することによって制御可能であるもまた、前述の滞留時間に影響する。最後に、上述の全パラメータはまた、ビーム中のナノクラスターの速度を決定する。陰極と陽極間での放電電圧の適用は、源内部のロッド端部と陽極間に放電を引き起こす。この放電は、アルゴン原子をイオン化し、印加電位によって陰極に向かって推進し、イオンスパッタリングによって金属を浸食するプラズマプルームを形成する。それ故に、陰極材料の原子は、蒸発され、アルゴンと熱平衡を構築し、一緒に集まり、ナノクラスターを形成する。次いで、アルゴン及びナノクラスターから形成された混合物は、典型的に数百ヘクトパスカルhPaの圧力にて、ノズル及び空力レンズを備えたコリメータを通って、源チャンバーから拡張チャンバーに抜け出ることができる。源チャンバーと拡張チャンバー間の高圧勾配は、前述の混合物をノズル及びコリメータを通って拡張チャンバーに推進させる上、その急速な断熱膨張を引き起こし、超音速ビームの形成に至る。更に、当業者によって知られているように、空力レンズを備えたコリメータの幾何学的配置は、ビーム軸上にナノクラスターを集めることができる流体力学効果を誘発する。このおかげで、ナノクラスタービームは、発散が1°程度で、ビーム中のナノクラスターの平均速度が約1000m/sであるこれら2つのパラメータは、源の操作パラメータに関して調節できる。拡張チャンバーは、頂点に3mmの穴がある中空円錐部121スキマーと呼ばれるを用いて、第3のチャンバー120堆積チャンバーと呼ばれると通じている。この穴の軸は、ナノクラスタービームの中心部分の通過を可能にし、アルゴンとナノクラスターのビームの平衡ではない部分を分散させるように、ビーム軸と揃えられている。堆積チャンバーは、先に説明したものと同様に、第2のポンプシステム122に接続され、源の操作中、チャンバー内を約5×10-3Paの平均圧力に維持する。サンプルホルダー123は、堆積チャンバー内に置かれ、ナノクラスタービームを途中で捕捉するため、ナノクラスタービームの方を向いている;エラストマー124は、ナノクラスターが注入されるべきものであり、堆積チャンバーの排気前に前述のサンプルホルダー上に置かれる。一部の配置では、ナノクラスタービームの軸が、ビームにさらされるエラストマー表面に対して直角でなくてもよい。ナノクラスターは、まさにポリマー表面部分に堆積でき、以下に記載されるように、マスクを用いてその境界を定める;図は、この好適な実施態様を示す:要素125はマスクである。更に、サンプルホルダーは、遠隔制御された電動式システムに接続されてもよく、クラスタービーム軸に直角な2方向において前述のサンプルホルダーを存在する場合には、マスクも移動させることができる。この移動は、ラスタリングと呼ばれており、サンプルホルダー上におけるナノクラスタービームの投射が約3cmの直径であっても、ポリマーフィルムの任意に大きい面積をナノクラスタービームにさらすことができる。最後に、サンプルホルダーは、水晶微量てんびんQCMの省略形で当業者に知られているが、図示していないが装備されており、それは、ポリマーフィルムへのナノクラスターの注入プロセスの開始前に、サンプルホルダーの電動式駆動システムによって常にナノクラスタービームにさらされている。それ故、源の堆積速度を測定し、その操作パラメータを最適化することができる。最適化後、ポリマーへのナノクラスタービーム照射プロセスが始まる。このプロセス中、ナノクラスターは、ポリマーに注入され、ここでナノ複合材料層を形成する。照射前及びその間、ポリマーフィルムは、室温約20°Cに等しいにて維持される。照射時間は、ラスタリングによって覆われる領域、及びナノ複合材料の望ましいナノクラスター密度によって決まり、一般には、数十分から数時間に及ぶ。また、空白部分が、一般に、サンプルホルダー上、エラストマー近傍、ラスタリング処理により覆われた領域に位置しており、前述の空白部分は、例えば、研磨面がビームにさらされ、部分的にアルミ箔で覆われた数平方ミリメートルのケイ素支持体を含む。それ故、前述の支持体の覆われていない部分は、前述の支持体上でのナノクラスターの慣性が注入を可能するほどではないことを除いて、ポリマーフィルムと同様に、ナノクラスターの堆積を受ける。それ故に、ナノクラスターの表面フィルムの形成があり、その厚さ等価厚と呼ばれるは、ナノクラスター堆積の終わりにスタイラス表面形状測定装置を用いて堆積が行われた空白部分領域とアルミ箔によるマスクのために堆積が行われなかった領域間に形成される段の高さを測定することによって測定できる;この手順の目的は、材料の堆積量と、それ故にエラストマーに注入された量の独立した調査を提供することである。照射が終わり、ナノクラスター源、並びに拡張チャンバー及び堆積チャンバーのポンプシステムは、スイッチが切られ、ナノクラスターの注入が行われたエラストマーサンプルを取り外すため、後者を開ける。先に記載した技術の変形は、例えば、アルゴンと異なる不活性気体例えばヘリウムの使用、又は、反応性気体と他の要素間の反応に由来する材料のナノクラスターの形成が望まれる場合には反応性気体の使用;固体以外の物理的形態、即ち液体或いは気体及び/又は蒸気の形態としてナノクラスターを形成するための出発材料の使用;或いはナノクラスターが形成されるべき材料が固体状である場合、前述の固体材料から原子を剥ぎ取るため、電位差の適用と異なる方法例えばレーザー切断等の使用を予測することができる。当然ながら、この技術を基礎にしたプロセスの統計的性質を考慮すると、ナノクラスターの大きさとその速度の両方は、前述の値の分布の平均値として理解されるものである。このようにして作られたナノクラスターは、電気的に中性の粒子であり、それ故に、通常電気絶縁体であるエラストマー中において、電荷の蓄積の問題なしに注入できる。更に、支持体に放出されるエネルギーは、一般には1原子当たり数meVと1原子当たり数eV間にあるナノクラスターの低下した運動エネルギーのおかげで非常に低いため、相当のポリマー加熱を誘発せず、特には後者への損傷又は先の他の機能化に対する損傷を防ぎ、先に論じられたようなイオン注入等の技術で起こるものとは対照的である。本発明の目的に使用可能なナノクラスターは、数単位から数千に及ぶ多くの原子から構成されており、数オングストロームÅから数百ナノメートルnmまでの寸法を有する;好ましくは、これらナノクラスターの寸法が50nmより小さく、より好ましくは約1~10nmである。ナノクラスターは、本質的に全ての金属又は半金属、例えばAu、Ag、Pd、Pt、Cu、Ti、Fe、Ni、Cr、Co、Nb、Zr、Al、C、V、Zn、Mo、W、Pb、Sn、Hf、Ir、それらの合金又はそれらの酸化物から作製できる;生きた生物例えば人体に注入するための装置の作製を目的とする堆積物の場合、これら金属又は化合物は、生体適合性で且つ非毒性であるものに制限される必要があり、例えば、Cr又はPb等の金属は除外される。貴金属、特には金、白金、銀及びチタン又はその酸化物は、本発明の目的に適している。金及び白金は、それらの高い電気伝導性、化学安定性及び生体適合性が理由で好ましい。銀は、消泡剤及び抗菌剤等の特定の生物活性、及び誘電特性が理由で好ましい。チタン酸化物一般式TiOx0<x≦2の化学量論又は非化学量論化合物と理解されるは、多くの場合、その誘電特性、透明性、生体適合性、及び細胞増殖促進能力が理由で、生物学的応用に使用される。全ての既知エラストマー材料天然と合成の両方は、本発明の製品の作製に使用できる;純粋に例として、我々は、ポリシロキサンより一般的にはシリコーンとして知られる、ポリウレタンエラストマー、エラストマーフッ素重合体、ポリオレフィン系エラストマー、ポリブタジエンBR、スチレンブタジエンゴムSBR、エチレンプロピレンゴムEPR、エチレンプロピレンジエンゴムEPDM、ニトリルゴムNBR、アクリルゴムACM、並びにイソブチレン及びイソプレン系ゴムIIRについて言及できる。これが本発明の目的の中に含まれていなくても、当然ながら、該技術は、更に、例えば、ポリウレタン、ポリアミドPA、パリレンポリ-パラキシレン、フルオロポリマー、ポリオレフィン、コラーゲン、キチン、アルギン酸塩、ポリビニルピロリドンPVP、ポリエチレングリコールPEG、ポリエチレンオキシドPEO、ポリビニルアルコールPVA、乳酸及びグリコール酸のポリマー又はコポリマー、ポリカプロラクトン、ポリアミノ酸、並びにヒドロゲル等の他のポリマーに適用できる。ポリシロキサンは、一般式RxSiO4-x/2n[ここで、Rは、メチル、エチル又はフェニル等の有機ラジカルであり、xは1~3の整数である]のポリマーであり、本発明の目的に好ましく、特には生体適合性製品が製造される場合に好ましい。この分類の中では、ポリジメチルシロキサンPDMSが、表示した一連の特徴のため、特に好ましい;このポリマーは、実際、温度、化学攻撃及び酸化に対して顕著な耐性を有しており、水に対して不浸透性で、優れた電気絶縁体で、耐老化性があり、透明で、不活性で、非毒性で、不燃性である。エラストマーは、どんな形状でも厚さでもよい;しかしながら、実用的応用の大部分では、要求厚さが小さいか又は非常に小さく、電子装置の製造に良く見られ、その大きさを縮小し及びそれらを統合した、シート又はフィルム形態の製品が好ましい;この要求は、身体に埋め込む装置の分野においてより一層適用され、ここで、該装置は、患者の快適さを増大させ、挿入される身体部分及びその周囲部分の機能性への該装置の干渉の可能性を最小限にするために考えられる最小の寸法とすることが必要である。本発明に使用されるエラストマー支持体は、厚さが典型的に約500nm~1mmであり、約5~300μmが好ましい。これら範囲において厚さが大きいと、エラストマーは、事前に作製され、装置のサンプルホルダー上に配置されるシートの形態で使用できる。先に規定された好ましい範囲の厚さのように、厚さが低いと、エラストマー層は、ポリマー前駆物質を例えば溶液形態で硬質支持体上に堆積させることによって;例えば該支持体を回転させることで該支持体上に該溶液のフィルムを形成させることによってスピンコーティングとして知られる技術;溶媒を蒸発させることによって;並びに、このようにして得られた前駆物質のフィルムに、熱処理又は典型的にはUV範囲の波長の放射による照射等の重合又は架橋を引き起こす処理硬化として定義されるを行うことによって、硬質支持体例えば平面ケイ素ディスク上に直接作製されるのが好ましい。次いで、上記フィルムが形成された支持体は、注入段階においてサンプルホルダーとして直接使用できる。残りの記載では、本発明の方法がこの好適な実施態様について言及されるが、予備成形品例えばシート又は複雑な3次元構造物形態のエラストマーに対しても、一般的適用性に変わりはない。ナノクラスターのエラストマーへの注入は、その後者の表層において、ナノ複合材料の形成をもたらし、即ち、第2材料エラストマーのマトリックスにおける第1材料金属又は酸化物ナノ粒子分散体から構成される材料を大量にもたらす。この表層の厚さは、ナノクラスターの浸透深さ、即ち、粒子が選択操作条件で到着する表面からの最大距離によって決定される;浸透深さは、様々な要因によって決まり、主として、エラストマー表面に衝突する瞬間のナノクラスター平均速度注入速度として定義され、ビーム軸に平行である成分から測定される、及びそれらの平均質量ナノクラスターの慣性を決定する、堆積中のエラストマー温度があり、より小さい範囲では、その化学的性質例えば、ポリマーの種類、重合度、及び架橋度耐浸透性の度合いを一緒に決定するがある。本発明の目的で、これら量の典型的な値は以下の通りである:堆積温度は、広範囲にわたって変化でき、例えば-210~150°Cとすることができ、好ましくは20~90°Cであり、より好ましくは室温である;注入速度は、約100~10000m/sであり、好ましくは約500~2000m/sであり、より好ましくは約1000m/sである。上記方法の実用的な実施において、与えられた1対の材料機能材料及びエラストマーと与えられた注入装置の特徴では、浸透深さが、容易に決定でき、任意には少しの予備テストによって望ましい値に最適化できる。典型的に、ナノ複合材料層の厚さは、5nm~10μmであり、好ましくは約50nm~1μmであり、より好ましくは、約100nmの値に制御される。図2は、上記方法の実施の必須の段階を示す。この図において、要素は、縮尺通りに示されておらず、具体的に、フィルム厚さ及びナノ粒子の寸法は、明確にするため、かなり拡大されている。図2Aは、フィルム22がその上にある支持体21の断面を図式的に示し、例えば、該支持体上への前駆物質溶液の堆積とインサイチューでの重合により得られるエラストマーからなる。図2Bは、ナノクラスター注入段階を示す:番号23は、フィルム22上面に入射するナノクラスタービームを特定する;ナノクラスターは、浸透深さPPとして図中に示されるの範囲までエラストマー中に浸透し、ナノ複合材料層を生じさせる。図2Cは、注入段階の最終結果を示し、ナノ複合材料25がフィルム22の上部24に作られ、同一フィルムの下部26にはナノ粒子が存在しないままである製品20からなる。最後に、図2Dは、ここで形成されたナノ複合材料25を備えたフィルム22を支持体21から、例えば剥離により、取り外すことによって得られる最終製品を示す。図2Cに明らかに示されるように、ナノ複合材料は、ナノ複合材料25とフィルム22の下部26間に物理界面が形成されないように作られており、即ち、注入プロセス後、フィルム22の上部24のナノ複合材料25と同一フィルムの下部26の弾性ポリマーの間に、はっきりした物理界面は形成されていない。あらゆる物理界面の欠如は、ナノ複合材料25とフィルム22の下部26間に良好な付着を保証するため、特には、製品20全体に機械抵抗を保証するために極めて重要である;当業者によって知られるように、物理界面の存在は、製品の脆弱領域を表す可能性があり、機械的応力をかけた場合、そのシステムの破損に至る場合がある。本発明に開示の方法の他の利点は、使用された特定の物理過程によって、ポリマー及びナノクラスターの材料を除けば、他の化合物が使用されないことである。例えば、化学溶媒又は界面活性剤は、最終製品の生体適合性を傷つける可能性があるものの、本発明に開示のナノ複合材料形成過程では、使用されない。特に、ナノ複合材料のポリマー部分は、専らエラストマーフィルムの同一モノマーによって構成され、即ち、エラストマーフィルムを構成するポリマーと化学的に同一である。ナノ複合材料層の最終特性を制御するために重要な他のパラメータは、ナノクラスター密度である。本発明の目的で、この値は、平方ナノメートルnm2で測定される注入単位面積当たりの注入ナノクラスター数注入過程の終了時にてポリマーマトリックスに注入されたナノクラスターの数を、ナノ複合材料の厚さナノメートルで割ったものとして定義される;この量は、粒子の個数/nm3の寸法で表される。注入過程後で、その後の製品処理中に、ポリマーマトリックス中に含まれるナノクラスター数は、融合及び凝集過程によって変えることができる:ナノクラスターは、凝集を受けてもよく、大きな寸法の粒子を生じさせ、直接的な注入の結果として得られるものより少ない数で存在している。この意味で、注入ナノクラスター数は、注入過程終了時での注入ナノクラスター数を指す。しかしながら、原子及びイオンと比較したエラストマー体中のナノクラスターの移動性の低下によって、この現象は、起きていること、例えばイオン注入と比較して非常に減少した実体となる。同様に、凝集によって、最終ナノクラスターの平均サイズもまた、ナノクラスタービーム図2B中の23の中性クラスターよりわずかに大きい可能性があるが、この寸法増加の程度は、イオン注入の場合よりずっと少なく、最終製品のナノクラスターは、前述の従来技術の技術によって得られたものよりずっと狭い範囲の寸法を有する。更に、ナノ複合材料層に存在するナノクラスターの平均サイズは、ナノ複合材料全体に亘って均一であり、例えばイオン注入に特有である、ナノ複合材料層表面に直角の方向におけるサイズ分布勾配を示さない。本発明の目的に有用なナノクラスター密度の値は、典型的には1×10-5~1×10-1個/nm3である。更に、発明者は、注入過程終了時のナノ複合材料中に存在するナノクラスター平均サイズが、全ての場合において、ナノクラスタービームの中性クラスター平均サイズから前述のサイズの10倍までの間に含まれており、ナノ複合材料層のナノクラスター密度にわずかに依存していることを見出した。それ故に、ナノ複合材料のナノクラスター平均サイズとは殆ど無関係に、ナノ複合材料のナノクラスター密度又は堆積物の等価厚を制御することが可能である。例えば、他の合成アプローチ、例えばイオン注入等によって、これは、不可能である。当業者によって知られるように、ナノクラスター平均サイズは、製品の多くの物理的特性に影響を及ぼすパラメータであるため、ナノ複合材料中に存在するナノクラスターの平均サイズと密度のほぼ独立した制御は、本発明に開示される方法の他の利益を示す。最後に、発明者は、ナノ複合体材料25の上面は、表面粗さが0.1nm~100nmであり、一般的に1nm~10nmであることを見出した。ここで、表面粗さは、原子間力顕微鏡AFM測定に通常採用され、当業者が知っている通りに定義される二乗平均表面粗さを意味する。この表面粗さは、ナノ複合材料のナノクラスター平均サイズによって影響を受け、本発明に開示される製造方法に厳密に関係している;当業者によって知られるように、表面粗さは、例えば表面上での細胞接着を改善し得るため、この粗さは、おそらく、本発明の製品の良好な生体適合性の、少なくとも部分的な、原因である。ナノ複合材料の形成後、ポリマーは、その構造及び形態学的再配列を促進するため、焼鈍されるのが好ましい;ポリマーが、既に記載されるように、支持体上にポリマー前駆物質を堆積させることによって得られるフィルムの形態であり、硬化プロセスが部分的にだけ即ち、規定された時間より短い期間で行われた場合、焼鈍は、完全な重合及び/又は架橋を促進することができ、最終的に、エラストマーを強固にし、経時的に安定な特徴を持つ製品を作製する。焼鈍は、おおよそ40~120°Cの温度にて、約15~20分から48時間までの時間で、行うことができる;好適な焼鈍条件は、約90°Cの温度及び約10時間の処理である。電気的機能性を備えた製品を作るため、本発明の方法に従って得られた堆積物には、例えば装置の2点を結ぶ線状の跡トレースの形をした、規定形状を有することが必要である。これら2点には、例えば、温度センサーを作るため、跡内の電気抵抗を検出する2つの電気接点が存在してもよい;しかしながら、典型的に、該装置は、かなり複雑であり、本発明に従って得られる跡は、抵抗、コンデンサ、インダクタンス又はRFアンテナ等の装置の機能要素を結ぶ;該装置のこれら要素は、半導体集積回路の分野における当業者によって知られるように、各種機能層の堆積方法の工程のうち少なくとも1工程又は全行程において、本発明の方法を用いて順々に作製できる。特定形状を持つ跡又は堆積物の作製は、別の2つの実施態様を参照しながら、以下に記載される。第1の実施態様において、注入領域の定義は、物理的マスクこの部門においてステンシルマスクとして良く知られるを用いて得られる。即ち、一般的には、金属シートの他、ガラス、プラスチック、ケイ素又はセラミックの板で、一般的には約100μm~1mmの厚さがあるものであって、所望の注入形状に対応する形状及び寸法を備える開口部を持つものである。この起こり得るものを図3に示す:エラストマーフィルム32を支持体31上に作る;該エラストマーの上面から特定の距離に、ナノクラスタービーム33の方向に沿って、マスク34を置く。該マスクは、前述のビームの一部を途中で捕捉し、その開口部35に対応する他の部分33’が通過することを可能にする。その生産物は、層32の部分36図面中、点線によって特定されるにナノ複合材料37が作られた製品30である。ステンシルマスクは、マイクロエレクトロニクス業界において良く知られており、更なる説明を必要としない。この実施態様では、ステンシルマスクが、エラストマー表面から典型的には約50~500μmの距離で維持される;ナノクラスタービームは高度に方向性があるため、これらの操作条件は、マスク中の開口部の形状及び寸法を約0.5μmの正確さで再生する堆積物を提供する。ナノ複合材料37が存在する表面部分36は、横方向に10ミクロンより優れた解像度で且つエラストマー体表面に直角な方向に100nmより優れた解像度で、エラストマー体中、空間的に局在できることを強調することが重要である。第2の実施態様において、上記マスクは、堆積物が作られるべきエラストマー表面に直接作られ、製造操作の終了時に溶解によって除去される。この実施態様も、マイクロエレクトロニクス部門において良く知られており、リフトオフ技術として知られ、詳細な説明を必要としない。簡潔に、その方法は、エラストマー表面に、フォトレジスト又は単にレジストと呼ばれるポリマー材料の前駆物質の連続フィルムを堆積することにある;次いで、該フィルムは、例えばUV放射による照射によって、使用されるレジストの種類に応じて、得られるべき開口部又はそのネガに対応する一部の領域のみが選択的に硬化される;ポジ型のレジストの場合、照射領域は、適切な溶媒に溶解できるようになり、選択的な照射にさらされたレジストに対するかかる溶媒の使用により、照射部分を除去し、下層のエラストマーをさらし、一方、非照射部分は依然として後者を覆っている;ネガ型のレジストの場合、照射領域は、溶媒に不溶になり、次の溶媒を用いた処理により、非照射部分を除去し、照射領域のネガに対応する領域のエラストマーをさらす。両方の場合において、照射と選択的洗浄の適切な組み合わせによって、堆積物が作られるべきエラストマー表面の部分又は複数の部分のみをさらすことが可能であり、他の領域を保護する。その手順の終了時に、第1の溶媒によって除去されないマスク部分も、一般には第2の溶媒によって除去され、エラストマー表面を解放する。レジストマスクの使用を図4に示す:エラストマーフィルム42を支持体41上に作る;上述した代わりの2つの実施態様の1つによって、マスク44をエラストマー上面に作る;マスクの開口部に対応するビーム43のナノクラスター部分43’が、エラストマー表面に達し、フィルム42の部分45図面中、点線によって特定されるにナノ複合材料を形成する;マスク44上に達するナノクラスター部分は、後者の材料に注入され、その溶解中に除去される。当然ながら、特定の電気的機能性を持つ装置を作る目的で、同一の又は異なる機能性を備えた連続層からなる複雑な建築物を得るため、上述の操作例えば回転塗布によって支持体上にエラストマーフィルムが直接作られた場合、更なるポリマー層の堆積及び硬化の操作を含むを、様々な連続する操作において同一の又は異なる条件又は実施態様において、数回繰り返し行うことが可能である;また、上述の操作又は一連の操作の終了時に、半仕上げ製品の反対面に1つ以上の類似の操作を行うこともできる簡単には、エラストマーシートを用いる場合、それを回転するか、又は支持体上に直接作られたエラストマーフィルムの場合、支持体からそれを取り外し、後者と最初に接触しているその面をさらすことによって行う。単純な例としては、同一マスクを保ちながら、電流導体である第1レベル、絶縁体である第2レベル及び再び導体である第3レベルの3つのレベルから構成され、それ故にコンデンサを構成するナノ複合材料層を作ることが可能である。様々なレベルは、例えばバイアス、即ち層の全高さを通り抜けて作られ、次いで金属が充填された開口部、の周知の方法を用いて、互いに電気的に通じることができ、装置の異なるレベルに位置する2つの跡の間に、電気的導通を提供する。柔軟性電子装置の製造に必要とされる機能性を得るために使用できる他の方法及び他の建築物は、マイクロエレクトロニクス技術の当業者に明らかである。異なる機能性を備えるナノ複合材料の異なる部分は、個々の操作の機能材料を変更するか又はその一部の操作条件を変更することによって得ることができる。例えば、先に記載したナノクラスター密度に作用することによって、導体材料例えば金を依然として使用しつつ、状態の特徴を調節することができる。本発明者は、このパラメータの臨界値臨界密度又はdcと呼ばれるが存在することを観察し、それを下回ると、導体材料の粒子で作られたナノ複合材料は、それにもかかわらず絶縁体であり、一方、この値を上回ると、ナノ複合材料層は、電気伝導性の特徴を手に入れる;絶縁体及び導体の定義は、これら用語に通常適用されるものであり、即ち、ここで、絶縁体とは、その2つの端部に電位差を適用する際、標準的な電子装置の計測器を用いて測定可能な電流の通過を許容しないナノ複合材料の跡を意味し、一方、導体は、2つの端部に電位差Vを適用する際、周知のオームの法則I=V/Rここで、Rは導体の抵抗であるに従って該電位差に比例する電流Iが流れるナノ複合材料の跡を意味する。臨界密度の値は、使用したポリマーに対して特異的であり、当業者によれば、少しの予備試験によって容易に特定できる。例えば、PDMSフィルムの場合、本発明者は、dc値が約3×10-4~約1×10-3個/nm3の幅があり得ることを確認した。絶縁性跡は、臨界密度より低いナノクラスター密度値を有するエラストマーフィルムに作製でき、導電性跡は、臨界密度の1.5倍より大きい密度で作業することが好ましい。更に、本発明者は、導電性跡の挙動に更に違いを付けることができることを見出した。dcを上回るがおよそ3倍のdcよりは小さいナノクラスター密度で作業することにより、跡の伸びの結果としてかなり抵抗が変化する導電性跡が得られ、以下、それをピエゾ抵抗伸縮性導体として定義する。例えば、PDMSの跡の場合、ピエゾ抵抗伸縮性導体は、約1×10-3個/nm3より大きいが約5×10-3個/nm3未満、好ましくは約1.5×10-3個/nm3~4×10-3個/nm3の密度で得られる例えば、40に等しい製品の伸長に対して500より大きな跡の抵抗値の変化で得られる。反対に、およそ3倍のdcより大きなナノクラスター密度で作業することによって、以下、弾性伸縮性導体と定義される跡が得られるが、この伝導性は、伸びを受けてもほんの少ししか変化しない。例えば、PDMSの跡の場合、約5×10-3個/nm3より大きな密度では、40に等しい製品の伸長に対して250未満の跡の抵抗値の変化が観察された。製品又はそれが存在する装置の伸びの後でさえも一定の電気的特性を有することがその跡自体に望ましい場合、弾性跡を作製することができる;反対に、変形センサーの製造では、ピエゾ抵抗性跡を都合良く利用することができる。本発明者は、透明なエラストマーフィルムを使用し、およそ10倍のdcに満たないナノクラスター密度の値では、得られるナノ複合材料が、半透明であり、即ち、可視光の透過を許容することを見出した。先に述べられたように、浸透深さは、ナノクラスターが達するポリマー表面下の最大深さを表す;注入過程を延長して、ナノ複合材料のポリマーマトリックス中のナノクラスター密度を増加させる場合、ナノクラスターは、ポリマー中に浸透させる際、次第に、より大きな困難に直面し、その結果、前述の表面から次第に減少する距離で止まる。次いで、十分な時間注入を継続する場合、ナノクラスターがナノ複合材料の表面に現れ始めるまで、ナノ複合材料層の成長がポリマー自体の表面に向かってますます起こる。この状態を図5に示し、注入時間が増大するにつれてナノ粒子の堆積物が発達することを示す。この図では、垂線及び上部波線が、断面から見たエラストマーフィルムの輪郭を表す;水平座標は、堆積時間を表す。そのプロセスの開始時短時間、図の左側部分では、ナノクラスターが小さく、ポリマーマトリックス内で分離している;中間時点図の中央部分で、ナノクラスターは、互いに凝集することによって大きさが成長し始めており、相互接触し始め、導電性粒子の場合、ナノ複合体材料を通過するパーコレーション伝導経路を作る;長い注入時間図の右側部分で、ナノクラスター層は、ナノ複合材料層の上部に向かって、後者の表面に現れるまで、成長する。このようにして得られるナノクラスター出現の状態は、エラストマーに対して本質的に高い付着性を示し、スコッチテープ接着試験として知られる標準的な接着試験を合格でき、或いは、ポリマーから引き離されず、水又は有機溶媒例えばエタノール中における少なくとも60分間の超音波処理に耐えることができる。次いで、この現れている層は、例えば電着によって、更にぎっしり詰まった金属層ナノクラスターと同一の又は異なる金属のものの成長に優れた支持体を構成することもできる。従って、本発明の方法は、エラストマー表面に適合する金属堆積物を作るための既知の方法に対して代替方法を提供し、生体適合性がない金属Cr等又はプラズマ処理等の技術の使用を不要にし、同時に金属跡の良好な付着を提供する。この実施態様によれば、ナノ複合材料層はまた、重なる連続金属跡から構成された主要導体のための緊急導電層の役割を果たすことができ、ここで、ナノ複合材料は、主要導体が破損した場合、跡の電気的導通を確保する。本発明に従って得られ、任意には連続金属層で被覆されたナノ複合材料層は、最終装置において剥き出しのままの場合があるものの、適用の大部分では、例えば人体への埋め込み用の装置において、これらの部品が、封入され、それ故に外側との接触から分離されるように、追加のエラストマー層によって被覆することができる;外部からの分離は、一方で、例えば、装置をショートさせるか又は経時的にナノクラスターの化学的性質を変更することによって装置の操作を変更し得る食塩水典型的には人体に存在するものとの接触を防ぐ目的があり、他方では、人体での漏電を回避する目的がある。しかしながら、任意には連続金属層で被覆される、ナノ複合材料層部分は、これら部分を電極又はマイクロメートル寸法である場合にはマイクロ電極及び/又は接点として利用する目的で、封入ポリマー層におけるバイアスを用いて、現れているものとして維持できる。電極の場合、これらは、最終装置が挿入された周囲環境例えば生物の組織又は個々の細胞に対して電気信号を供給するため、又は類似環境における電気信号を検出するために使用できる。接点の場合、これらは、最終装置を他の装置、例えば電力供給ユニット又は信号収集及び処理ユニットと相互接続するために使用できる。前述の装置の内部には、電気刺激の供給及び検出の両方のために使用される電極と、接点とが存在できる。強調されるべきことには、特に、装置が生きた生物に埋め込まれるか又はインビトロでの生物系の調査に使用されるべきものである場合、これら電極及び/又は接点の生体適合性が、必須条件となる。また、ナノ複合材料層任意には連続金属層で被覆されたものの現れている部分は、一部の配置において、細胞増殖部位として使用できる。封入エラストマー層は、ナノ複合材料が得られるエラストマー層と同一の方法で、即ち、例えば、被覆されるべき表面での前駆物質溶液の堆積と、次いで、溶媒除去時におけるインサイチューでの重合及び/又は架橋とによって作製できる。更に、本発明の方法は、生きた生物に埋め込み可能な装置と、生物の外側で、例えばインビトロでの分析に用いる装置の両方を作製することができる。後者の場合、提案した方法を、例えば、一連のマイクロ電極例えば、細胞の電気泳動又は刺激に使用されるもの、回路素子例えば、抵抗、温度センサー、化学センサー、pHセンサー又は容量センサー用のもの及び/又は生体適合性の増大若しくは例えば細胞増殖又は細胞分化の促進による生物系への刺激の供給目的でのポリマー基礎材料の機能化に使用することができる。以下に示す例を用いて本発明を更に説明する。例1この例は、エラストマーフィルムの表面部分にあるナノ複合材料層から構成される製品の製造に関する。堆積用支持体として使用するため、エラストマーPDMSフィルムを別々に作る。約5グラムの投与量のPDMSは、ポリマー基礎材料Sylgard184DowCorningを適切な硬化剤と10:1の割合で混合することによって調製される。ビーカー中に含まれるその混合物を、膜型真空ポンプによって排気されたチャンバー内に置き、混合物からどんな気泡も吐き出すため、約13Paの圧力にて30分間維持される。次いで、このようにして得られた生産物を、当業者によって知られる標準的技術回転塗布によって寸法2cm×6cmの市販のケイ素支持体直径4インチで厚さ約300μmの結晶シリコンウェハのポリマーの堆積が行われる表面を研磨したものを切断することにより得られる上に堆積させる。この例で用いた回転塗工機パラメータは、速度が1000rpmに等しく、回転時間が約1分に等しい。次に、フィルムを100°Cの温度にて約45分間加熱する硬化プロセス。得られたフィルムは、厚さが約100μmであり、支持体と同一の寸法である。次いで、図1を参照しながら先に説明したタイプであり、ナノクラスター授精気体ビームを用いた源を含むナノクラスターの生成及び堆積用のシステムをセットする。このシステムでは、該源の空洞部が、約2.5cm3の体積である;該空洞部の内部には、それに対して垂直にある、直径2mmで且つ純度が99.99の金ロッドがあり、4rpmで回転させる;純度99.9999のArをソレノイド弁により40barに等しい注入圧力にて空洞部に注入する。源の陽極は、直径2cmで且つ中央の穴が1mmの穿孔銅ディスクから構成される。使用したノズルは、2mmオリフィスを有し、これから下流には、順々に4つの段階から構成される空力レンズを備えたコリメータが存在し、4つの段階のそれぞれは、その順番で、内径10mm及び高さ28mmの中空金属シリンダーから構成される;該段階は、中空シリンダーと等しい直径であり且つ中心穴の直径が2mmである鋼鉄ディスクから構成される空力レンズによって、互いに相互接続している。最後の段階は、その順番で、直径1mmのオリフィスを備えた他の空力レンズを通して、拡張チャンバーに接続されている。ルーツポンプ及びターボ分子ポンプを含むポンプシステムによって、拡張チャンバー内に9.3×10-5Paの圧力を確立する。次いで、ナノクラスターの生成及び堆積手順を開始し、周波数5Hzのパルス領域で操作する。各サイクルでは、ソレノイド弁を300μs間開けて、弁開口から0.43msの遅延時間後、源の陽極と陰極の間に850Vの電圧を80μs間かける。アルゴンと金ナノクラスターの混合物を発生させ、圧力が約0.27barである。源の空洞部と拡張チャンバー間の圧力差によって、混合物を、後者に向かって、次いでPDMSフィルムに向かって加速させ、それ故に、約1000m/sの平均速度の金ナノクラスタービームを生成する。拡張チャンバーは、頂点に3mmの穴があるスキマーを経由して堆積チャンバーと通じている。堆積チャンバーは、先のものと同様な第2ポンプシステムに接続され、源の操作中、チャンバー内を約6.7×10-3Paの平均圧力に維持する。堆積チャンバーには、ビーム軸に対して直角で、ナノクラスタービームに向いた、約10cm×10cmのサンプルホルダーが存在し、その上には、堆積チャンバーの排気前に、先に作製したポリマーフィルムケイ素支持体によって支持されたものが設置されている。更に、ステンシルマスクは、ポリマー表面とナノクラスタービームの間に置かれている。このマスクは、鉄鋼シート厚さ約300μmから構成され、ここでは、レーザー切断によって、スリットが作られた。これらスリットは、長さが10mmで且つ幅が500μmの中心溝で構成されており、その端部には1mm×1mmの正方形領域が2つある。当業者によって作製されたマスクは、ポリマー表面から約300μmの距離に設置され、前述のポリマー及びサンプルホルダーと一体となっている。ポリマーフィルム上にステンシルマスクを割り込ませることによって、マスク中のスリットに対応するポリマーフィルムの領域のみが、ナノクラスタービームにさらされることになる。更に、サンプルホルダーは、遠隔操作の電動式システムに接続され、前述のサンプルホルダー結果として、ポリマーフィルム及びステンシルマスクを、クラスタービーム軸に対して直角の2方向に移動させることができ、ポリマーフィルム及びステンシルマスクが位置するサンプルホルダーの完全領域にナノクラスタービームを照射させるため、3×8cm2の領域に亘ってラスタリングを行うことを可能にする。照射前及び照射中、ポリマーフィルムを室温約20°Cに等しいにて維持する。照射時間は90分である。等価厚の堆積物が得られ、サンプルホルダー上に置かれ、ラスタリングにさらされたケイ素サンプルブランク上で表面形状測定装置当業者によって知られているものを用いて測定したら、50nmであった。ナノクラスター注入の終了時に、堆積チャンバーからサンプルを取り出し、長さ10mm及び幅500μmである先のステンシルマスクの中心溝をマスクすることができる第2ステンシルマスクを設置した後に、蒸発器中に置くその操作は当業者によって知られている。2つのマスクの組み合わせにより、中心溝の端部にあるスリットの正方形部分1mm×1mmだけが照射され続けている。それ故に、厚さ50nmの金表面フィルムは、上述の正方形部分に堆積される。次に、上記製品即ち、重なっている金属化跡を備えるPDMSポリマーフィルムは、操作を容易にするためにエタノールを用いた剥離当業者によって知られているプロセスによって、ケイ素支持体から分離される。このようにして得られた製品は、図6の概略上面図において表される;製品60は、上面に、寸法10mm長さ×500μm幅×等価厚50nmに相当する有効厚さのナノ複合材料溝61PDMSポリマーマトリックスに注入された金ナノ粒子からなるを有し、この溝の端部には、面積が1mm2であり、厚さ50nmの金表面フィルムで被覆されたナノ複合材料層PDMSポリマーマトリックスに注入された金ナノ粒子であり、同一の有効厚さを有するから構成された2つの金属化正方形領域パッド62及び62’を有する。これらパッドは、外部との電気的接触を目的とする。例2この例は、例1に記載される同一の手順を受けるが、異なる金属を用いた2つの製品の製造に関する。第1の製品は、注入プロセス用の出発金属材料として金の代わりに銀Agを用い、例1の手順を繰り返し行うことにより作製される。この場合、フィルムは、ラスタリング例1に記載されるによって十分な時間180分銀ナノクラスタービームにさらされ、約150nmの堆積等価厚を得る先に行ったように、ブランクケイ素サンプル上で表面形状測定装置を用いて測定される。第2の製品は、注入プロセス用の出発金属材料として金の代わりにチタンTiを用い、例1の手順を繰り返し行うことにより作製される。この場合、遅延時間を0.68msにセットし、各サイクルでソレノイド弁を200μs間開ける。フィルムは、ラスタリング例1に記載されるによって十分な時間180分チタンナノクラスタービームにさらされ、約200nmの堆積等価厚を得る先に行ったように、ブランクケイ素サンプル上で表面形状測定装置を用いて測定される。これら2つの製品を用いて得られた結果は、例1で作製された製品により得られたものと同様であり、一般に、注入プロセス用の出発金属材料として他の材料を用いても、本発明に開示の方法を使用できることが確認される。例3この例は、本発明の方法を用いて、エラストマーフィルムの表面部分にあるナノ複合材料層からなるマイクロメートル寸法の跡から構成される製品を製造する可能性を実証する。第1の製品は、ステンシルマスクとして、六角形開口部の格子を備えたAgarScientificLtd.Essex,GBからのG2760N回折格子を用い、例1の手順を繰り返し行うことにより作製される;堆積条件は、作製されるナノ複合材料堆積物が、堆積等価厚50nmに相当する有効厚さを有するような条件である例1の場合のように、ブランクケイ素サンプル上で表面形状測定装置を用いて測定される。図7Aは、光学顕微鏡により得られた製品の一部の写真である倍率50×:明るい部分は、金ナノ複合材料が形成された部分であり、一方、該ナノ複合材料堆積物周囲にある暗い部分は、ナノクラスター注入が行われなかったPDMS部分を表す。第2の製品は、ステンシルマスクとして、正方形開口部の格子を備えたAgarScientificLtd.Essex,GBからのG2786N回折格子を用い、上述のものと同一の手順によって作製される。結果を図7Bに示すが、それは、同一の光学顕微鏡により得られた製品の一部の写真である倍率50×。この場合も、明るい部分は、金ナノ複合材料が形成された部分であり、一方、該ナノ複合材料堆積物周囲にある暗い部分は、ナノクラスター注入が行われなかったPDMS部分を表す。この図の写真から明確に示されるように、本発明の方法によって、マイクロメートル寸法のナノ複合材料堆積物を高い正確さで製造することが可能である。例4この例は、透過電子顕微鏡法TEM技術による本発明の製品の内部構造及び形態特性の分析に関する。エラストマーPDMS厚膜は、堆積用支持体として使用されるため、別々に作製される。約1グラムの投与量のPDMSは、ポリマー基礎材料Sylgard184DowCorningを適切な硬化剤と10:1の割合で混合することによって調製される。底面半径が約18mmの円筒状ビーカーに含まれた混合物を、膜型真空ポンプを用いて排気されたチャンバー中に置き、該混合物からどんな気泡も吐き出すため、約13Paの圧力にて30分間維持する。次いで、気泡が除かれた混合物を含有する円筒状ビーカーを100°Cの温度にて約45分間加熱する硬化プロセス。次に、PDMSポリマー厚膜を、操作を容易にするためにエタノールを用いた剥離によって、ビーカーから分離させる。得られたフィルムは、厚さが約1mmである。このようにして得られたフィルムから5mm長さ×1mm幅の寸法の部分を切断し、寸法1cm×1cm×約300μmの市販のケイ素支持体上に置く。次いで、製品は、ナノクラスタービームがPDMS厚膜の上面に入射するように図2の同一ホルダー123にあるケイ素支持体によって支持されるPDMS部分を置き、ステンシルマスクなしで2×2cm2の領域に亘ってラスタリングを行い、例1の注入手順を繰り返すことによって作製される。照射時間10分は、PDMSフィルムの上部に金ナノ粒子の堆積物を得るのに十分であり、等価厚35nmのナノ複合材料層を形成する。等価厚は、サンプルホルダー上にPDMSフィルムに隣接して置かれ、ラスタリングにさらされたブランク裸ケイ素支持体上で、表面形状測定装置によって測定される。次に、操作を容易にするためにエタノールを用いた剥離によって、ケイ素支持体から製品を分離させる。次いで、このように得られたサンプルは、TEM分析のために用意される。TEMラメラは、-120±5°Cでクリオウルトラミクロトームを用い、標準的な操作手順を受けて調製される。サンプルをクリオウルトラミクロトームのホルダーに固定し、ナイフ及びチャンバーとの熱平衡に達した後、ガラスナイフを用い、切断速度1.0mm/sにて、ラメラを薄く切る。完全ループ当業者によって知られるは、その薄片を刃からフォルムバール被覆TEM格子300メッシュに移すために使用される。薄片の断面厚さは、約300nmである。次いで、薄片を備えた格子をTEM顕微鏡によって分析する。ナノ複合材料層のTEM顕微鏡写真を図8Aに示す。図8Aの顕微鏡写真は、先に記載されたナノクラスター注入手順が、約90nmの厚さを有するナノ複合材料層を作製したことを明確に示す。次いで、第2の製品は、先に記載される同一の手順を受けて作製されるが、120nmの等価厚表面形状測定装置を用いて測定されるを得るのに十分な照射時間35分を採用する。その後、このサンプルの薄片を備えたTEM格子を、上記のものと同一の方法を受けて調製し、次いで、TEMを用いて分析する。この第2のナノ複合材料層のTEM顕微鏡写真を図8Bに示す。図8Bの顕微鏡写真は、先に記載されたナノクラスター注入手順が、約136nmの厚さを有するナノ複合材料層を作製したことを明確に示す。例5この例は、伸長及び緩和サイクル後の本発明の製品の電気的特性の評価に関する。製品図9の概略上面図に示されるは、作製されるナノ複合材料溝91、91’、91’’が10mm長さ×5mm幅の寸法を有するようなステンシルマスクを用い、興味のある領域に中心を置く2×2cm2の領域に亘ってラスタリングを行い、例1の手順を繰り返し行うことによって作製され、有効厚さは等価厚400nm例1で説明したに相当し、ナノ複合材料溝の端部91及び91’’に重なる2つの金属化パッド92及び92’は、5mm×5mmの寸法を有するこれらのナノ複合材料の有効厚さは、400nmの等価厚に相当し、一方、重なる蒸着金フィルムのものは50nmである。この場合、ナノクラスターへの照射時間2時間は、ラスタリングによって覆われた領域の照射を約400nmの等価厚まで可能にするためのものである先に行われたように、ブランクケイ素サンプル上で表面形状測定装置を用いて測定される。ポリマーフィルム90は、寸法2cm幅×4cm長さ×100μm厚さを有し、金属化跡即ち、溝及び2つのパッドを、該跡の対称中心がポリマーフィルムの対称中心に対応するように作製し、そのため、該跡の対称軸は、フィルムの長い端即ち、4cmに等しい長さのものと平衡である。伸長及び緩和サイクル時における本発明の製品の電気的特性を評価するため、製品をストレッチャーに固定する。このストレッチャーは、電気的に絶縁されたクランプ93及び93’を備えており、図9に示されるような2つの領域においてポリマーフィルムを固定することが可能である。2つのクランプは、安全な固定伸長時にフィルムのずれを防ぐを保証するように調節されており、フィルムの領域91は、クランプによって保持されていない。この例において、クランプによって拘束されておらず、引き伸ばすことができる領域91のエリアは、8mm長さ×5mm幅の寸法を有する。2つのクランプのうち1つは、マイクロメートルスライドと一体となっており、ステッピングモーターによって制御され、跡の対称軸と平行な方向に行ったり来たりする移動をもたらす;この移動は、初期値に対して40の跡の伸長と初期寸法への戻り収縮のサイクルからなる;伸長/緩和の各サイクルは、約30秒続く。2つのパッド92及び92’は、試験中のナノ複合材料跡の抵抗を記録するマルチメーターの電極に接続され、50000サイクルが連続して行われる。具体的に、一定間隔最初、10サイクル毎にほぼ1度、その後、サイクルス数5000から始めて、100サイクル毎に1度で、それぞれが約1200秒続く伸長/緩和サイクルを行う;これらの遅いサイクル中、伸び率に応じて、製品の抵抗値のより正確な測定を受けることが可能である。試験結果を図10に示す。図10Aは、試験片の伸びに応じたナノ複合材料跡図9の91の電気抵抗の変化曲線を示す;試験中の抵抗R,Ωで測定されるは、縦座標に示され、伸び率εは、横座標上に示される;該横座標は、左側部分が0から40に増加する伸びを示し、右側部分がフィルムの緩和、即ち最大伸び40から静止時寸法0までの戻りを示す。3つの曲線を示す継続時間1200秒の3つのサイクル中で得られる:実線曲線は、10番目の伸長/緩和サイクル中の電気抵抗の測定に対応し、破線曲線は、サイクル数1000の同一測定に対応し、点曲線は、サイクル数50000の同一測定に対応する。代わりに、図10Bは、サイクル数Nに応じた各サイクルにおける最大抵抗上側曲線及び最低抵抗下側曲線の値を示す。この試験の結果は、本発明の方法に従って得られた導電性ナノ複合材料跡が、試験片の最大伸長時には抵抗が増加するものの、40の伸びの後でさえも導電性を残していることを示す図10Aの曲線。この特徴は、既にそれ自体が、特には直線跡波状でもジグザグ状でもないの場合に、先行技術のシステムによって提示される可能性と比較して顕著な改善である。この最初の利点に加えて、注目すべきことには、試験片は、応力及び歪みに対する顕著な耐性を示し、その特徴を50000サイクルの間維持する。しかしながら、より一層驚くべきことは、連続サイクル中における試験片の電気抵抗の変化である;先行技術の装置の場合に起こるような装置の段階的な変形による増大の代わりに、電気抵抗は、前述のサイクルの増加により改善の傾向を示し、個々のサイクルにおける電気抵抗の曲線は、より平らになる傾向がある図10A;この変化は、図10Bのグラフにおいて明らかに分かり、伸長/緩和サイクル数の増加により、静止時の抵抗のわずかな増加と、最大伸長時の抵抗値のかなりの低下があることを示す。それ故に、本発明に従って作製される導電性跡を含む装置は、先行技術の装置に典型的な老化を受ける代わりに、経時的に増大する信頼性を有する。例6この例は、最大伸長試験時の本発明の製品の機械的及び電気的性能の評価に関する。製品は、例5の手順を正確に繰り返し行うことにより作製される;図9の概略上面図に示されるナノクラスター堆積物の形状を有する製品が得られ、ナノ複合材料跡91は、抵抗の測定に適切な形をしている。次いで、伸長時での電気的性能を評価するため、例5に記載されるように、製品をストレッチャーに固定する。この場合、ポリマーフィルムの電気的故障又は破断が起こるまで製品を伸ばす;これら事象のうち一方が、製品が支持できる最大歪みを決定する。一旦最大歪みに達したら終わる伸長サイクル中において、試験片伸びに応じた製品の電気抵抗を記録する。その試験結果を図11に示す:グラフ中の曲線は、縦座標が跡91の電気抵抗R,Ωで測定されるの変化を表し、横座標が伸び率εを表す。サンプルは、初期抵抗R0ゼロ歪みが29Ωに等しい;その抵抗は、歪みによって次第に増加し、97の伸長時に1057Ωの最大値に達する。伸び97までの伝導性の維持は、既にそれ自体が、先行技術のシステム大部分によって提示される可能性と比較して顕著な成果である。加えて、指摘しなければならないことに、この例の製品は、この伸び値にて、内因性の電気的故障によるものではなく、ポリマーフィルムの破断によって、その伝導性を失うナノ複合材料跡の切断による。比較の目的で、本発明のサンプルを用いて得た結果を、先行技術の技術に従って作製された類似の試験片から得られた結果と共に、図12のグラフに報告する。図中、与えられたサンプルの電気絶縁破壊前の最大歪みの値縦座標軸を、同一サンプルのゼロ歪みでの抵抗R0に応じて記録する。このグラフでは、本発明のサンプルの実測値をポイント1完全な円によって表す。先行技術データは、以前に引用したS.Rossetetal.による論文エラストマー上に伸縮性電極を製造するための金属イオン注入の図6に示されるものである;これらデータは、スパッタリングによって用意されたサンプルの値ポイント2、及び前述の論文の技術に従って用意された5つのサンプルの値ポイント3~7を表す。当業者にとって明らかになるように、第一に、R0が、与えられた試験片における金属材料の堆積物の量に直接関係するため、類似のR0値を持つ試験片を比較することは重要である高いR0値は、低い断面、特には低い厚さの導電性跡の指標となる;なぜなら、金属堆積物の量は、導電性層におけるクラック形成に影響するからである。図12中のグラフから分かるように、本発明に従って作製された製品は、類似の初期抵抗のサンプルと比較してずっと高い歪み抵抗性を有するサンプルは、スパッタリングによって作られたものがポイント2で表され、イオン注入によって作られたものがポイント3及び4で表される;本発明のサンプルと同程度の歪み抵抗性は、R0=237Ωを有する先行技術サンプルイオン注入によって作製される、即ち、本発明の製品の初期抵抗よりずっと高い初期抵抗ほぼ1桁を有するサンプルによってのみ得られ、それ故に、本発明の製品と比較して導電性層の厚さがかなり薄い。図12に報告された傾向線は、イオン注入によって得られた5つのサンプルによって得られており、これもまた、本発明のサンプルが、同一R0での最大歪みがかなり良好な値であることを明らかにする。それ故に、この比較から、本発明の方法は、良好な特性の組み合わせを備えた装置を作製することができると結論を出すことができる。例7この例は、本発明の製品の生体適合性の特徴の評価に関する。例1の手順を繰り返すが、ケイ素支持体に代えて、PDMSポリマーフィルムを直径13mmの顕微鏡カバースリップ上に堆積させることが唯一の違いである。ステンシルマスクは、ポリマーフィルムの表面の半分をマスクするように使用され、該フィルムは、約35nmの堆積等価厚先に記載されるように、ブランクケイ素サンプル上で表面形状測定装置を用いて測定されるを得るのに十分な時間60分ラスタリング例1に記載されるによって金ナノクラスタービームにさらされる。このPDMSポリマーフィルムに注入されたナノクラスターの線量は、ポリマー表面上におけるある割合の前述の金ナノクラスターの出現を可能にするのに十分である。例1と対照的に、注入プロセスの終了時に、フィルムの剥離を行わない。このように機能化したフィルムは、カバースリップと共に、70エタノール溶液中における浸漬によってまず殺菌され、次いで、当業者によって使用される標準的な手順によって成長したPC12株のニューロン型細胞を含有する溶液中に浸漬させる。溶液中の細胞を、10の熱不活性化ウマ血清HS及び5のウシ胎児血清FBSを加えたRPMI1640緩衝液Sigma-Aldrich中で、懸濁させる。溶液中の細胞濃度は、フィルム上における平方センチメートル当たり2000個の細胞濃度で存在するようなものである。培養物は、空気95及び二酸化炭素CO25からなる制御雰囲気下、37°Cで24時間インキュベートされる。手順の終了時、フィルムは、溶液から取り出され、非接着性細胞を除去するためにPBSを用いて洗浄し、まだ生きているニューロン細胞を特定するためにカルセインAMを用いて2.5μmol/lの濃度にて1時間処理し、蛍光顕微鏡の試験片ホルダー上に置く。当業者によって知られるように、カルセインAMの分子は、拡散により細胞膜に入り込み、ここで、その細胞が生きている場合、前述の細胞によって生成されるエステラーゼ酵素によって分解される。この分解の結果として、カルセインAMの修飾分子が細胞膜内部で捕獲されたままであり、非常に蛍光性が高くなる波長約490nmの光の照射の場合、約520nmで緑色の光を発する。それ故に、この方法は、カルセインAMへの照射を受けて、生細胞が死細胞と対照的に緑色の光を発するため、細胞培養物中における死細胞から生細胞を区別することを可能にする。比較のため、先に記載される同一の手順を受けて、PC12細胞培養物を、標準的TCPS即ち、組織培養ポリスチレンマルチウェル培養プレート上で成長させる。次いで、本発明のサンプル及びTCPS系サンプルを光学顕微鏡倍率10×によって観察し、図13に複写される写真を撮影する;具体的に、図13Aは、ナノクラスター注入を行わなかったPDMSフィルム部分を示し、図13Bは、金ナノ複合材料が形成されたPDMSフィルム部分を示し、図13Cは、TCPSを用いて得られた細胞培養物の写真を示す。写真は、ナノ複合材料が存在するエラストマーフィルム部分において、蛍光性のそれ故に生きているニューロン細胞の存在があり、非機能化エラストマーの場合よりはるかに優れていることを明確に示す。更に、機能化PDMSフィルム上に存在する蛍光性ニューロン細胞の細長い形状は、前述の細胞の活力に加えて、ナノ複合材料に対する優れた付着性も実証する。その上、ナノ複合材料が存在するエラストマーフィルム部分で得られた結果は、標準TCPS培養プレートを用いて得られたものと同程度である。それ故に、これら2つの観察生細胞の存在の増大及びナノ複合材料に対する高レベルの付着に基づき、本発明に従うナノ複合材料は、既に生体適合性が高く且つ人体に埋め込み可能な装置に使用されるエラストマーPDMSと同程度の良好な生物活性を有することが実証される。例8例7の手順を繰り返すが、この場合、PC12細胞株に代えて、メイディンダービーイヌ腎臓MDCK上皮細胞株を用いる。光学顕微鏡倍率10×の結果を図14に複写する;図14Aは、ナノクラスター注入が行われなかったPDMSフィルム部分を示し、図14Bは、金ナノ複合材料が形成されたPDMSフィルム部分を示し、図14Cは、TCPSを用いて得られた結果の写真を示す。これらの写真は、ナノ複合材料が存在するエラストマーフィルム部分において、蛍光性のそれ故に生きている上皮細胞の存在があり、非機能化エラストマーの場合よりはるかに優れていることを明確に示す。この場合、本発明に従って機能化したエラストマー部分上での細胞付着は、TCPS上で観察されたものよりかなり良好であるように見える。それ故に、これらの観察生細胞の存在の増大及びナノ複合材料に対する高レベルの付着に基づき、本発明に従うナノ複合材料は、既に生体適合性が高く且つ人体に埋め込み可能な装置に使用されるエラストマーPDMSと同程度の良好な生物活性を有することが実証される。例9この例は、原子間力顕微鏡技術による本発明の製品の表面形状特性の分析に関する。製品は、例7の手順を正確に繰り返すことによって作製されるが、フィルムが、約20nmの堆積等価厚を得るために十分な時間40分ラスタリング例1に記載されるによって金ナノクラスタービームにさらされることが唯一の違いである。照射プロセスの終了時に、原子間力顕微鏡AFMによって、AFM技術による表面形状分析用の標準的な手順及びプロトコルを受けて、このようして機能化されたフィルムをナノ複合材料跡が存在する選択領域において分析する。図15Aは、結果として得られるAFM画像画像サイズ:1μm×2μmを示す。図15A中の画像によって分かるように、本発明の製品のナノ複合材料跡は、特徴のある表面形状を有する。具体的には、この例において得られたフィルムのナノ複合材料跡の表面粗さが、約3.7nmの値を有する。次いで、第2の製品は、先に記載される同一の手順を受けて作製されるが、10分の照射時間を採用し、約5nmの等価厚をもたらす。その後、先の場合と同様に、機能化フィルムをAFMにより分析する。AFM画像画像サイズ:1μm×2μmを図15Bに報告する。この場合も、本発明の方法によって作製されたナノ複合材料跡の特徴的な表面形状が明らかに分かる。この場合、AFM測定は、ナノ複合材料跡の表面粗さが約2.98nmであることを示す。"