"放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程と、前記基板剥離除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ光検出部一体化工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法。放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法。請求項1または2に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満となるように、前記保護部材を設ける、放射線画像検出装置の製造方法。放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備え、前記光検出部は、ガラス材料よりも放射線吸収率が低い低放射線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する、放射線画像検出装置。請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、放射線画像検出装置。請求項5に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が、0.1mm以上、1.0mm以下である、放射線画像検出装置。請求項4から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記低放射線吸収性材料が、金属金属間化合物及び合金を含む及び又は樹脂である、放射線画像検出装置。請求項7に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材が、樹脂層と、当該樹脂層の放射線入射側に設けられ金属からなる光反射層とを含む、放射線画像検出装置。請求項7または8に記載の放射線画像検出装置であって、前記金属が、Al、Mg、Cr、Zr、Ti、並びにMnの各単体金属、当該各単体金属の酸化物、および当該各単体金属を含む合金のうちの少なくとも一種である、放射線画像検出装置。請求項7から9のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記樹脂が、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、およびアラミドのうちの少なくとも一種である、放射線画像検出装置。請求項4から10のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材が、前記薄膜部の前記シンチレータ側とは反対側に配置され前記蛍光を前記薄膜部に向けて反射する光反射部材である、放射線画像検出装置。請求項4から11のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記薄膜部の少なくとも一部は、非晶質酸化物あるいは有機材料により形成される、放射線画像検出装置。請求項4から12のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材の厚みが、0.01mm以上、1mm以下である、放射線画像検出装置。請求項4から13のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータが、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、放射線画像検出装置。請求項14に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータの前記柱状結晶の端部に、非柱状結晶を含む非柱状部が設けられる、放射線画像検出装置。請求項4から15のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記保護部材において前記薄膜部が形成された側とは反対側の部分は、前記保護部材を支持していた基板から剥離された際の当該保護部材の剥離面である、放射線画像検出装置。請求項4から16のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を備え、当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納された、放射線撮影用カセッテ。請求項17に記載の放射線撮影用カセッテであって、前記保護部材が、前記天板に貼り付けられる、放射線撮影用カセッテ。請求項17または18に記載の放射線撮影用カセッテであって、前記保護部材と前記天板とを用いた際の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、放射線撮影用カセッテ。しかしながら、シンチレータの光検出部側からX線を照射する方式において、特許文献2,3のように基板を剥離してしまうと、光検出部の強度が維持できずに光検出部が破損したり、外気に含まれる水分によって光検出部が腐食したり、薄い光検出部を介した透湿によってシンチレータの性能が劣化するなどの新たな問題が生じるおそれがある。このような基板剥離に伴う課題を解決して、さらなる高画質化を図ることが要求されている。本発明の目的は、光検出部が基板を有しない放射線画像検出装置における上記課題を解決しうるとともに、光検出部における放射線吸収の低減が可能であり、これによりシンチレータへの入射放射線量を増大させうる放射線画像検出装置及びその製造方法、並びに当該放射線画像検出装置を備えた放射線撮影用カセッテを提供することにある。本発明の放射線画像検出装置の製造方法は、放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程と、前記基板剥離除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ光検出部一体化工程とを備える。本発明の別の放射線画像検出装置の製造方法は、放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりも放射線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程とを備える。本発明の放射線画像検出装置は、放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、前記シンチレータの放射線入射側に設けられた光検出部とを備え、前記光検出部は、ガラス材料よりも放射線吸収率が低い低放射線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する。本発明の放射線撮影用カセッテは、上述の放射線画像検出装置を備え、当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納される。本発明によれば、光検出部が保護部材を有しており、光検出部の基板が剥離除去された場合であっても、薄膜部が保護される。このように保護部材が設けられていることにより、外気の水分等や、荷重等に対して薄膜部を保護できる。すなわち、光検出部の基板を剥離したことによって生じる問題が解決されるので、シンチレータに対して光検出部側から放射線が照射される構成による高画質化の効果を十分に享受できる。その上、放射線吸収率の低い保護部材を用いるため、シンチレータの放射線入射側における放射線吸収を極力抑制でき、シンチレータへの入射放射線量が増大するので、検出画像の高画質化を最大限に実現できる。また更に、製造時において基板と薄膜部との間に保護部材が介装されていることにより、基板の影響による薄膜部の性能劣化Na汚染などを防止できる。上記事項の連関から、放射線が光検出部を介してシンチレータに入射する構成において、より一層の高画質化を促進できる。以下、本発明の実施形態を説明するためのX線画像検出装置の一例を図1~図10を参照して説明する。なお、既に述べた構成と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略又は簡略化する。1.全体構成図1は、間接変換方式のX線撮影用カセッテ100の概略構成を模式的に示す側断面図である。X線撮影用カセッテ100は、X線画像検出装置1と、X線画像検出装置1を収納する筺体60とを備えている。X線画像検出装置1は、X線図1の白抜き矢印の照射により蛍光を発する蛍光物質を含有するシンチレータ10と、シンチレータ10のX線入射側に配置され、シンチレータ10から発せられた蛍光を電気信号として検出する光検出部50と、シンチレータ10のX線入射側とは反対側に設けられる制御モジュール70とを備えている。制御モジュール70は、光検出部50を駆動制御する制御部としてのICや、画像信号を処理するIC等が実装された回路基板、及び電源回路などを有し、シンチレータ10及び光検出部50に一体に組み付けられている。筐体60は、シンチレータ10、光検出部50、及び制御モジュール70を収容する。シンチレータ10及び光検出部50のそれぞれの厚みは、模式図である図1とは違って薄いため、筺体も図1に示したものよりも薄型に形成されている。筺体60は、被写体が載置される天板60Aを有しており、この天板60Aの裏面に光検出部50が対向するようにX線画像検出装置1が配置されている。2.光検出部の構成図2は、光検出部50を模式的に示す側断面図である。図3は、素子が二次元配列された光検出部50の構成を模式的に示す平面図である。光検出部50は、保護部材49と、保護部材49上に形成された薄膜部40とを備えている。薄膜部の構成薄膜部40は、a-Si等で形成されたPDPhotodiode41、及びa-Si等で形成された薄膜スイッチング素子であるTFT42を有する。これらPD41及びTFT42は、図2に示すように光検出部50の厚み方向に重ねられている。PD41は、シンチレータ10から入射した光図2の実線矢印を電荷に変換する光導電層を有する。各PD41は、光検出部50によって検出される画像の画素に対応している。各PD41には、図3に示すように、TFT42、ゲート線43、及びデータ線44がそれぞれ設けられている。各ゲート線43及び各データ線44は、接続端子45まで延設され、この接続端子45に接続された異方性導電膜等のフレキシブル配線46を介して制御モジュール70の回路基板に接続されている。その回路基板に実装された制御部からゲート線43を通じて送られる制御信号により、各TFT42のオンオフが行単位で切り替えられ、TFT42がオン状態にあるPD41の電荷が、データ線44を介して回路基板の信号処理部に画像信号として読み出される。PD41の電荷が行単位で順に読み出されることにより、二次元画像が検出される。図2では、光検出部50の厚み方向両側の面は、平坦化層樹脂製の膜47によって平坦化されている。この平坦化層47は、設けられるのが好ましいが、設けられなくてもよい。光検出部50は、シンチレータ10に接着層48を介して貼り合わせられている。なお、シンチレータ10と光検出部50との間には、接着層48や平坦化層47がなくてもよく、光検出部50の表面にシンチレータ10を押し当てて直接密着させてもよい。光検出部50とシンチレータ10との間に設けられる平坦化層、接着層、透明な液体又はゲルであるマッチングオイル層などの樹脂層を構成する樹脂は、シンチレータ10から発せられるシンチレーション光を実質的に減衰させることなく光検出部50に到達させうるものであれば特に制限はない。平坦化層を形成する樹脂としては、ポリイミドやパリレン等を使用することができ、製膜性が良好なポリイミドが好ましい。接着層を形成する接着剤としてはシンチレータ10から発せられるシンチレーション光に対して光学的に透明なものが好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、UV硬化接着剤、加熱硬化型接着剤、室温硬化型接着剤、両面接着基板、などが挙げられるが、画像の鮮鋭度を低下させないという観点からは、光検出部50の画素サイズに対して十分に薄い接着層を形成しうるという点で、低粘度エポキシ樹脂製の接着剤を用いることが好ましい。また、平坦化層、接着層等の樹脂層の厚みは、感度、画質の観点からは50μm以下であることが好ましく、5μm~30μmの範囲であることがより好ましい。保護部材の構成保護部材49は、薄膜部40におけるX線入射側に設けられている。この保護部材49は、ガラス材料よりもX線吸収率が低くかつ、後述する基板51よりもX線吸収率が低い低X線吸収性材料により形成されており、管電圧60kVのX線に対する保護部材49のAl当量は、1.8mm未満である。Al当量とは、X線の吸収性をアルミニウムの透過性と比較し、何mmのアルミニウム板純度99以上の板厚に相当するかで示す指標である。Al当量を測定する際には、X線源から典型的には1~2m離れた位置に試験対象の部材を置き、当該部材を通過したX線量を測定する。X線源と部材との間には障害物を置かず、障害物によるX線吸収が生じない状態にして測定する。ここで、X線画像検出装置の使用状態によっては、保護部材49のX線入射側にX線吸収を生じさせる他の部材が配置されることが想定されるので、その部材と保護部材49との総X線吸収量を考慮すると、保護部材49のAl当量管電圧60kVは、1.0mm以下であることが好ましい。一方、保護部材49は薄膜部40を支持するものであるため一定の強度は必要であり、この点と、被写体の被曝量低減とを考慮すると、保護部材49の管電圧60kVのX線に対するAl当量が0.1mm以上、1.0mm以下であるのが好ましい。ここでは、保護部材のX線吸収能を上記のように管電圧60kVのX線に対するAl当量として規定したが、このときのAl当量に基づいて、60kV以外の管電圧例えば、80kVのX線に対するAl当量を算出できることは言うまでもない。なお、X線の吸収性に関しては、JESRAJapanEngineeringStandardsofRadiationApparatusの規格に基づいて試験することができる。例えば、JESRAの類似条件である80kV、2mA、40secでAl当量の測定を実施しても良い。また、図1に示すようにX線画像検出装置1が筺体60に収納されてX線撮影用カセッテが構成される場合、筺体60の天板60A及び保護部材49の両方を用いた際のAl当量管電圧60kVは、1.8mm未満であることが好ましい。より好ましくは、当該Al当量は0.1mm以上、1.0mm以下である。ここで、筺体60の天板60A及び保護部材49の両方を用いた際のAl当量管電圧60kVは、天板60A及び保護部材49が重ねられた状態において、X線源から射出されたX線が天板60A、保護部材49の順に通過した後のX線量に基づいて測定されたものであってもよいし、天板60A、保護部材49のそれぞれのAl当量を別々に測定し、これらの測定値を合計したものであってもよい。なお、保護部材49、天板60A等のAl当量は、照射されるX線のエネルギーを考慮して決められる。例えば、マンモグラフィー用途では一般に、照射されるX線エネルギーが28keV程度と低エネルギーであるため、それよりも高エネルギーである場合と比較して、保護部材49及び天板60AのAl当量を相対的に低くすることが好ましい。保護部材49の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である限りにおいて、保護部材49を形成する低X線吸収性材料に特に制限はないが、金属金属化合物及び合金を含む及び又は樹脂を用いるのが好ましい。前記金属としては、Al、Mg、Cr、Zr、Ti、並びにMnの各単体金属、当該各単体金属の酸化物、及び当該各単体金属を含む合金のうちの少なくとも一種であることが好ましい。ここで、Mg、Cr、Zr、Ti、及びMnの少なくともいずれかを保護部材49の金属材料として用いることにより、薄膜部40等の耐腐食性を改善できる。例えば、Mg、Cr、Zr、Ti、及びMnの少なくともいずれかを含むAl合金を保護部材49に用いることにより、耐腐食性を改善できる。また、このようなAl合金の表面処理によってAl合金表面にアルミ酸化物層Al2O3等を形成することにより、耐腐食性を更に改善できる。また、前記樹脂としては、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、及びアラミド全芳香族ポリアミドのうちの少なくとも一種であることが好ましい。また、保護部材49に用いることができる単体の樹脂フィルムとしては、例えば、透明ポリイミドフィルム、ポリアリレートPARフィルム、OPS登録商標フィルムポリスチレンフィルム、アラミドフィルム等が挙げられる。これらのフィルムはいずれもX線吸収率が低く、耐熱性が高いという利点を有する。OPSフィルムとしては、東ソー株式会社製や、旭化成ケミカルズ株式会社製のもの等があり、これらは機械的強度に優れコシがある、吸水率が十分に低いという利点を有する。機械的強度に優れる点は、基板51剥離後の薄膜部40を支持する上で有利であり、また、吸水率が低い点は、薄膜部40やシンチレータ10の腐食や劣化を防止する上で有利である。保護部材49の耐熱温度に関しては、透明ポリイミドフィルムが約300°C、ポリアリレートフィルムが約175°C、OPSフィルムが約250°C、アラミドフィルム200°C以上であり、このような耐熱性の高さは、シンチレータが保護部材49上に蒸着される場合図13参照に特に有効である。保護部材49は、金属のみ、あるいは樹脂のみで形成されていてもよく、あるいは金属粒子が分散された樹脂等、金属と樹脂とが併用されて形成されていてもよい。また、保護部材49は単一の層で形成されていてもよく、あるいは図11に例示するように、2つ以上の層で形成されていてもよい。更に、保護部材49はシンチレータ10からの蛍光を反射する光反射部材であることが好ましい。保護部材49の厚みは、保護部材49を構成する低X線吸収性材料にもよるが、一般に0.01mm以上、1mm以下であることが好ましい。後述する基板51の厚みよりも、保護部材49の厚みを薄くすることによって、天板60Aに載置される被写体と薄膜部40との距離を短くできるので、高画質化を促進できる。保護部材49上には、薄膜部40を構成する複数のPD41及び複数のTFT42がそれぞれフォトエッチングプロセス等によって形成されている。これら薄膜部40と保護部材49との間には接着層などが無く、薄膜部40は保護部材49の表面に密着している。ところで、保護部材49は、後述するX線画像検出装置1の製造過程において、基板51図7に積層された状態で基板51とは反対側に薄膜部40が形成された後、当該基板から剥離されたものである。言い換えると、保護部材49から基板51が剥離され、除去される。保護部材49の薄膜部40が形成された側とは反対側の面は、基板51から保護部材49が剥離された際の保護部材49の剥離面である。基板51の剥離により、シンチレータ10に入射するX線量が増加する。基板51が剥離された状態において、薄膜部40は保護部材49によって支持されている。基板51は、保護部材49形成のための補助部材であり、いずれ剥離除去されることから、基板51の材料については勿論、X線吸収を考慮することなく適宜決めることができる。薄膜部40は保護部材49上に形成されており、基板51の材料によるNa汚染等の悪影響を受けることがないので、基板51として安価なソーダガラスを用いることも検討してよい。また、基板51によるX線吸収を考慮しなくて良いため、基板51の厚みを大きくして、製造中のハンドリング性を十分に確保することが可能となる。また更に、基板剥離により、剥離した基板51を再利用することが可能となるので、コストダウンできる。基板剥離による以上のような効果を得つつ、保護部材49が薄膜部40に設けられていることによって薄膜部40を補強できる。このため、X線撮影用カセッテ100の製造時や使用時に必要な強度を確保できる。X線撮影用カセッテ100においては、落下衝撃を受ける可能性が高いため、耐衝撃性の確保が重要である。また、カセッテ天板60Aからの荷重に対する耐荷重の確保も重要である。そして、保護部材49が薄膜部40に設けられていることにより、外気中の水分等に対する薄膜部40及びシンチレータ10の防湿が図られるので、薄膜部40の腐食やシンチレータ10の性能劣化を防止することができる。なお、保護部材49は、複数の画素毎に設けられていてもよいが、補強の観点からは、薄膜部40の全面に一体に設けられることが好ましい。上述の通り、保護部材49の材料としてAl等の軽金属や、樹脂などを用いることができる。保護部材49がAlなどであって、光の反射部材として機能する場合には、PD41を通過して保護部材49に入射した光をPD41に向けて反射させることができるので、PD41への入射光量が増え、検出感度を向上させることができる。更に、反射部材とする目的などでAl等の金属を保護部材49に用いる場合には、ガラス基板に比較して金属部材の熱伝導率が高いため、被写体から光検出部50への熱の伝搬による画像ムラを抑制することができる。すなわち、光検出部を支持するガラス部材における熱ムラ温度不均一により、画像形成領域におけるPD41の温度不均一、ひいては性能不均一が生じうるため、熱伝導率の良い金属部材を保護部材とすることにより、画質を向上させることができる。また、保護部材49がAl等の単体金属あるいは合金である場合には、保護部材49による薄膜部40の封止効果が高い。すなわち、そのような保護部材49を用いることで、薄膜部40の気密水密性を確保しやすいので、シンチレータ10の吸湿による性能劣化をより十分に防止することができる。3.シンチレータの構成シンチレータ10は、光を反射するAl等の材料からなる支持体11上に蒸着されている。支持体11としては、Al製の板に限らず、カーボン板、CFRPcarbonfiberreinforcedplastic、ガラス板、石英基板、サファイア基板などから適宜選ぶことができ、支持体表面にシンチレータを形成させうる限りにおいて特にこれらに限定されない。ただし、支持体11が光の反射部材を兼ねる場合には、Alなどの軽金属を支持体の材料として用いるとよい。支持体11は、X線画像検出装置1においてX線入射側とは反対側に配置されるため、X線透過率が低い材料で形成されていてもよい。なお、X線画像検出装置1において、支持体11は必須ではない。つまり、支持体11上にシンチレータを蒸着形成した後、支持体11からシンチレータを剥離して用いることも可能である。シンチレータ10の光検出部50側とは反対側に、光の反射部材が設けられてもよい。シンチレータ10は、パリレン等で形成された保護膜30によって被覆されている。保護膜30は、気相堆積法によって形成され、シンチレータ10を支持体11上に封止している。気相堆積法によって形成されたパリレンの保護膜は、シンチレータ10との密着性が良く、その上柔軟性を有するので、支持体11及び保護部材49のソリ等への追従性が良い。なお、保護膜30は、防湿フィルムでシンチレータ10を気密水密に包むなどの他の手段によってシンチレータの防湿が図られる場合には、形成されなくてもよい。シンチレータ10は、蛍光物質を柱状に成長させた柱状結晶の群で形成されており、蛍光物質としてCsI:Tlタリウム付活ヨウ化セシウムが用いられている。その他、シンチレータ10の蛍光物質として、NaI:Tlタリウム付活ヨウ化ナトリウム、CsI:Naナトリウム付活ヨウ化セシウム等を用いることも可能である。発光スペクトルがa-Siフォトダイオードの分光感度の極大値550nm付近と適合する点で、CsI:Tlを材料に用いることが好ましい。また、シンチレータ10が柱状結晶を含んでいなくてもよく、例えばGOSGd2O2S:Tbテルビウム付活酸硫化ガドリニウムを支持体に塗布することなどによってシンチレータが形成されていてもよい。ここで、シンチレータ10は、気相堆積法により形成されることが好ましい。気相堆積法の概要としては、真空度0.01~10Paの環境下、母体であるCsIと付活剤であるTlとのそれぞれを抵抗加熱式のるつぼ中で通電などの手段により加熱して気化させ、支持体11の温度を室温20°C~300°CとしてCsI:Tlを支持体11上に堆積させる。真空度や支持体温度、蒸着レート等を変更することによって、シンチレータ10の結晶の形状や結晶径、空隙率などを制御することができる。図4は、シンチレータ10の結晶構造を模式的に示す側断面図である。シンチレータ10は、柱状結晶12Aの群で形成された柱状部12と、柱状結晶12Aの基端に形成された非柱状結晶13Aを含む非柱状部13とを有する。X線の照射によってシンチレータ10から発せられた蛍光は、柱状結晶12Aによって柱の高さ方向結晶成長方向にガイドされ、光検出部50に入射する。このとき、支持体11側に向かって進行した光は、非柱状部13及び支持体11によって反射されて光検出部50に入射する。柱状部の構成柱状部12は、多数の柱状結晶12Aの集合体であり、図4に示した例では、各柱状結晶12Aは支持体11上にほぼ垂直に起立する。柱状結晶12Aは、先端側がすぼまった形状とされている。柱状結晶12Aの先端部は研磨されていてもよい。光検出部50の1つの画素PD41に対して、複数の柱状結晶12Aが対向する。柱状結晶12Aは非柱状結晶に比べ結晶性が良く、蛍光の発光量が多い。また、空隙を介して隣り合う柱状結晶12Aがシンチレータの厚み方向に立設されているので、柱状結晶12Aは、光のガイドとなって柱の高さ方向に光を導光する。この柱状結晶12Aによる光ガイド効果によって画素間の光拡散が抑制されることから、検出画像を鮮鋭化できる。図5は、図4のA-A断面柱状部12の高さ方向略中央の断面における柱状部12の電子顕微鏡写真である。隣り合う柱状結晶12Aの間には、空隙がある図5で濃く見える部分。柱状結晶12Aは、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を有する。柱状部12の領域の一部では、隣り合う柱状結晶12Aが互いに結合して一体の柱状体を構成している例えば、図5のP。柱状部12の厚みは、必要な感度に対応するX線吸収能を考慮して、マンモグラフィー用途では200μm前後、一般撮影用では500μm以上に決められる。ただし、柱状部12の厚みが厚すぎる場合には、光の吸収及び散乱等のため発光の利用効率が低下しがちである。このため、柱状部12の厚みは、感度及び発光の利用効率のそれぞれを考慮した適切な値に決められる。非柱状部の構成非柱状部13は、略球形あるいは不定形の非柱状結晶13Aを含んで構成されている。なお、非柱状部13は、アモルファス非晶質の部分を含むことがある。非柱状結晶13Aの形状は、結晶間に空隙が維持され易く、反射効率を高くできる観点から、略球状であることが好ましい。すなわち、非柱状部13は、球状に近い結晶が産出するセルロースミクロフィブリル束が幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有するバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料バイオナノファイバーということがあるを好適に使用できる。バクテリアセルロース基板にアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を約60~70と高い比率で含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数約3~7ppm、鋼鉄並の強度、及び高弾性が得られる。上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008-34556号公報の記載が参考となる。以上説明したX線画像検出装置及びX線撮影用カセッテは、医療用のX線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。特に、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求されるマンモグラフィ装置には、高感度、高精細であるという特徴を有する上述の各X線画像検出装置を好適に使用できる。また、上述のX線画像検出装置は、医療用のX線撮影装置のほか、例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いることができる。更に、前述の実施形態の説明では、X線を用いるX線画像検出装置を例に挙げたが、X線以外の放射線電磁波以外の粒子線であるα線、β線、γ線等の検出装置についても、前述のX線画像検出装置1等とほぼ同様に構成することができる。8.本明細書の開示内容以上、説明したように、本明細書には、X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりもX線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程と、前記基板剥離除去工程の前又は後に、予め作製された前記シンチレータと、前記光検出部とを一体化するシンチレータ光検出部一体化工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。また、本願明細書には、X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備える放射線画像検出装置を製造する方法であって、基板上に、前記基板よりもX線吸収率が低い保護部材を積層し、前記保護部材上に、前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部を形成して光検出部を作製する光検出部作製工程と、前記光検出部の前記薄膜部上に前記シンチレータを形成し、当該シンチレータの前記薄膜部側とは反対側に支持部材を設けるシンチレータ作製工程と、前記シンチレータ作製工程により前記シンチレータと一体化された前記保護部材から前記基板を剥離除去する基板剥離除去工程とを備える、放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。本願明細書に開示された放射線画像検出装置の製造方法にあっては、管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満となるように、前記保護部材を設ける、ことが好ましい。更に、本願明細書には、X線の照射によって蛍光を発する蛍光物質を有するシンチレータと、前記シンチレータのX線入射側に設けられた光検出部とを備え、前記光検出部は、ガラス材料よりもX線吸収率が低い低X線吸収性材料により形成された保護部材と、前記保護部材の前記シンチレータ側で前記保護部材上に形成され前記蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、を有する、放射線画像検出装置が開示されている。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材の管電圧60kVのX線に対するAl当量が、0.1mm以上、1.0mm以下である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記低放射線吸収性材料が、金属金属化合物及び合金を含む及び又は樹脂である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材が、樹脂層と、当該樹脂層の放射線入射側に設けられ金属からなる光反射層とを含む、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記金属が、Al、Mg、Cr、Zr、Ti、並びにMnの各単体金属、当該各単体金属の酸化物、及び当該各単体金属を含む合金のうちの少なくとも一種である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記樹脂が、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、及びアラミドのうちの少なくとも一種である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材が、前記薄膜部の前記シンチレータ側とは反対側に配置され前記蛍光を前記薄膜部に向けて反射する光反射部材である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記薄膜部の少なくとも一部は、非晶質酸化物あるいは有機材料により形成される、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材の厚みが、0.01mm以上、1mm以下である、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記シンチレータが、蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部を含む、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記シンチレータの前記柱状結晶の端部に、非柱状結晶を含む非柱状部が設けられる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線画像検出装置にあっては、前記保護部材において前記薄膜部が形成された側とは反対側の部分は、前記保護部材を支持していた基板から剥離された際の当該保護部材の剥離面である、ことが好ましい。また、本願明細書には、上述の放射線画像検出装置を備え、当該放射線画像検出装置は、被写体が載置される天板を有する筐体内に、前記薄膜部が前記保護部材を介して前記天板の裏面に対向するように収納された、放射線撮影用カセッテが開示されている。本願明細書に開示された放射線撮影用カセッテにあっては、前記保護部材が、前記天板に貼り付けられる、ことが好ましい。本願明細書に開示された放射線撮影用カセッテにあっては、前記保護部材と前記天板とを用いた際の管電圧60kVのX線に対するAl当量が1.8mm未満である、ことが好ましい。"