"基板と、前記基板内において、前記基板の主面に平行な第1方向に延びるように区画された複数の素子領域と、前記基板上に、前記第1方向に垂直な第2方向に延びるように形成された複数の選択ゲートと、前記基板上において前記選択ゲート間に設けられており、個々の前記素子領域上に形成された複数のコンタクトプラグを含むコンタクト領域とを備え、前記コンタクト領域は、N個Nは2以上の整数の前記コンタクトプラグが、連続するN本の前記素子領域上に、前記第1及び第2方向に非平行な直線上に並ぶように形成された部分領域を複数有し、前記Nの値は、前記部分領域ごとに異なる値に設定されており、前記コンタクトプラグの各々は、楕円形又は長方形の平面形状を有し、前記第1方向に対し、前記楕円形の長軸又は前記長方形の長辺が傾けられて配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。各々の前記コンタクトプラグの前記長軸又は前記長辺は、前記第1方向に対し、前記直線とは逆方向に傾けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。前記コンタクト領域は、N1個N1は2以上の一定の整数の前記コンタクトプラグが、連続するN1本の前記素子領域上に、前記第1及び第2方向に非平行な直線上に並ぶように形成された第1部分領域と、N2個N2はN1と異なる2以上の一定の整数の前記コンタクトプラグが、連続するN2本の前記素子領域上に、前記第1及び第2方向に非平行な直線上に並ぶように形成された第2部分領域とを有し、前記コンタクト領域には、複数の前記第1部分領域と、複数の前記第2部分領域とが、前記第2方向に沿って交互に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。前記第1部分領域内の各々の前記コンタクトプラグと、前記第2部分領域内の各々の前記コンタクトプラグは、前記第1方向に対し同じ方向に傾けられていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。前記N1及びN2の値は、N1とN2との差が1又は-1となるよう設定されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体記憶装置。前記第1部分領域内の前記コンタクトプラグは、前記第1及び第2方向に非平行な第3方向に延びる複数本の第1直線と、前記第2方向に延びる複数本の第2直線と、により張られる格子の各格子点に配置され、前記第2部分領域内の前記コンタクトプラグは、前記第3方向に延び、前記第1直線の間を通る複数本の第3直線と、前記第2方向に延び、前記第2直線の間を通る複数本の第4直線と、により張られる格子の各格子点に配置されている、ことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。本発明は、コンタクトプラグ同士のショートや、コンタクトプラグ間の耐圧の低下を抑制することが可能な半導体記憶装置を提供することを課題とする。本発明の一の態様の半導体記憶装置は、例えば、基板と、前記基板内において、前記基板の主面に平行な第1方向に延びるように区画された複数の素子領域とを備える。更に、前記装置は、前記基板上に、前記第1方向に垂直な第2方向に延びるように形成された複数の選択ゲートと、前記基板上において前記選択ゲート間に設けられており、個々の前記素子領域上に形成された複数のコンタクトプラグを含むコンタクト領域とを備える。そして、前記コンタクト領域は、N個Nは2以上の整数の前記コンタクトプラグが、連続するN本の前記素子領域上に、前記第1及び第2方向に非平行な直線上に並ぶように形成された部分領域を複数有し、前記Nの値は、前記部分領域ごとに異なる値に設定されている。また、前記コンタクトプラグの各々は、楕円形又は長方形の平面形状を有し、前記第1方向に対し、前記楕円形の長軸又は前記長方形の長辺が傾けられて配置されている。本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。図1の半導体記憶装置は、NAND型フラッシュメモリとなっている。図1には、本実施形態の半導体記憶装置のメモリセルアレイが示されている。図1のメモリセルアレイ内では、メモリセルトランジスタ201と選択ゲートトランジスタ202が、基板101上に2次元アレイ状に配置されている。図1には、基板101の主面に平行で、互いに垂直なX方向及びY方向が示されている。X方向は、これらのトランジスタのチャネル幅方向、Y方向は、これらのトランジスタのゲート長方向に相当する。図1には更に、基板101内に形成された複数の素子領域111が示されている。これらの素子領域111は、基板101内において、Y方向に延び、X方向に互いに隣接するよう区画されている。Y方向は、本発明の第1方向の例であり、X方向は、本発明の第2方向の例である。素子領域111は、AAActiveAreaとも呼ばれる。上記のメモリセルトランジスタ201と選択ゲートトランジスタ202は、図1に示すように、これらの素子領域111上に形成されている。図1には更に、基板101内に形成され、素子領域111同士を分離する素子分離絶縁膜112が示されている。本実施形態では、素子分離絶縁膜112は、STIShallowTrenchIsolation絶縁膜となっている。また、図1に示すように、個々の素子領域111上には、Y方向に延びるNANDストリング211が形成されている。NANDストリング211はそれぞれ、一列に配置された複数のメモリセルトランジスタ201と、これらのメモリセルトランジスタ201を挟むように配置された2つの選択ゲートトランジスタ202により構成されている。図1では、NANDストリング211がX方向に複数本配置されてメモリセルアレイが構成されている。図1には更に、X方向に延びるワード線WL1~WLKKは2以上の整数と、X方向に延びる選択ゲートSGS,SGDが示されている。選択ゲートSGSは、ソース側選択ゲートに相当し、選択ゲートSGDは、ドレイン側選択ゲートに相当する。これらの選択ゲートSGS,SGDとワード線WL1~WLKは、X方向に隣接する選択ゲートトランジスタ202及びメモリセルトランジスタ201のゲート電極に共通接続されている。図1には更に、X方向に延び、それぞれ選択ゲートSGS,SGDに隣接する選択ゲートSGS’,SGD’が示されている。図1には更に、Y方向に延びるビット線BL1~BL3が示されている。ビット線BL1~BL3は、素子領域111の上方に配置されている。図1に示すように、メモリセルトランジスタ201は、ワード線WL1~WLKと、個々の素子領域111との交点に設けられている。また、選択ゲートトランジスタ202は、選択ゲートSGS,SGD及びSGS’,SGD’と、個々の素子領域111との交点に設けられている。図1には更に、基板101上に設けられたコンタクト領域RS,RDが示されている。コンタクト領域RSは、基板101上において、ソース側選択ゲートSGS,SGS’間に設けられている。コンタクト領域RSには、複数のコンタクトプラグ図1では便宜上図示せずが設けられており、これらのコンタクトプラグは、ソース側選択ゲートSGS,SGS’間の個々の素子領域111上に形成されている。また、コンタクト領域RDは、ドレイン側選択ゲートSGD,SGD’間に設けられている。コンタクト領域RSと同様、コンタクト領域RDには、複数のコンタクトプラグ図1では便宜上図示せずが設けられており、これらのコンタクトプラグは、ドレイン側選択ゲートSGD,SGD’間の個々の素子領域111上に形成されている。なお、これらのコンタクトプラグの詳細については、後述する。図2は、図1に示すI-I’線に沿った側方断面図である。図2には、本実施形態の半導体記憶装置のAAActiveArea断面が示されている。図2には、図1と同様に、基板101と、素子領域111と、素子分離絶縁膜112が示されている。図2には更に、基板101内に順に形成された埋め込みウェル領域102とウェル領域103が示されている。本実施形態では、基板101は、シリコン基板等の半導体基板である。また、埋め込みウェル領域102は、N型不純物が注入されたN型ウェルとなっている。当該N型不純物は、例えばPリンである。また、ウェル領域103は、P型不純物が注入されたP型ウェルとなっている。当該P型不純物は、例えばBボロンである。図2には更に、ウェル領域103内に形成された素子分離溝Tが示されている。素子分離溝Tにより、素子領域111は、ウェル領域103内において、Y方向に延びるように区画されている。また、素子分離絶縁膜112は、素子分離溝T内に埋め込まれ、これらの素子領域111同士を分離している。図2には更に、図1と同様に、素子領域111上に形成された複数のメモリセルトランジスタ201が示されている。メモリセルトランジスタ201はそれぞれ、ゲート絶縁膜121、浮遊ゲート122、ゲート間絶縁膜123、及び制御ゲート124を含んでいる。浮遊ゲート122は、素子領域111上に、ゲート絶縁膜121を介して形成されており、制御ゲート124は、浮遊ゲート122上に、ゲート間絶縁膜123を介して形成されている。本実施形態では、ゲート絶縁膜121と浮遊ゲート122が、個々のメモリセルトランジスタ201ごとに分断されているのに対し、ゲート間絶縁膜123と制御ゲート124は、X方向に隣接するメモリセルトランジスタ201間で共有されている。図2に示す制御ゲート124は、図1に示すワード線WLKに相当する。また、本実施形態では、図2に示すように、素子分離絶縁膜112の上面が、浮遊ゲート122の上面よりも低く設定されている。その結果、素子分離絶縁膜112上に位置するゲート間絶縁膜123の下面は、浮遊ゲート122上に位置するゲート間絶縁膜123の下面よりも低くなっている。同様に、素子分離絶縁膜112上に位置する制御ゲート124の下面は、浮遊ゲート122上に位置する制御ゲート124の下面よりも低くなっている。図2には更に、基板101上に、メモリセルトランジスタ201を覆うように形成された層間絶縁膜131が示されている。層間絶縁膜131上には、ビット線BL1~BL3が形成されている。図2には更に、層間絶縁膜131上に、ビット線BL1~BL3を覆うように形成された層間絶縁膜132が示されている。図3は、図1に示すJ-J’線に沿った側方断面図である。図3には、本実施形態の半導体記憶装置のGCGateConductor断面が示されている。図3には、図2と同様に、基板101と、埋め込みウェル領域102と、ウェル領域103が示されている。図3には更に、ウェル領域103素子領域111上に形成された複数のメモリセルトランジスタ201と、2つの選択ゲートトランジスタ202が示されている。選択ゲートトランジスタ202はそれぞれ、第1絶縁膜141、第1電極層142、第2絶縁膜143、及び第2電極層144を含んでいる。第1電極層142は、ウェル領域103上に、第1絶縁膜141を介して形成されており、第2電極層144は、第1電極層142上に、第2絶縁膜143を介して形成されている。第1電極層142と第2電極層144は、第2絶縁膜143に設けられた開口部Hにより導通されている。図3には、1本のNANDストリング211を構成する複数のメモリセルトランジスタ201と、2つの選択ゲートトランジスタ202が示されている。これらのトランジスタは、ウェル領域103内に形成された拡散層151により直列接続されている。図3に示す制御ゲート124は、X方向に隣接するメモリセルトランジスタ201で共通接続されることで、図1に示すワード線WL1~WLKとなっており、図3に示す第2電極層144は、X方向に隣接する選択ゲートトランジスタ202で共通接続されることで、図1に示す選択ゲートSGS,SGDとなっている。図3には更に、図2と同様に、これらのトランジスタを覆う層間絶縁膜131と、層間絶縁膜131上に形成されたビット線BL1と、ビット線BL1を覆う層間絶縁膜132が示されている。1コンタクト領域RDの構成千鳥配置以下、図1に示すコンタクト領域RDの構成について、詳細に説明する。図4は、図1に示す領域Zを拡大して示した平面図である。図4には、ドレイン側選択ゲートSGD,SGD’間に設けられたコンタクト領域RDが示されている。図4には、個々の素子領域111上に形成された複数のコンタクトプラグCWが示されている。符号CWに付された添え字は、これらのコンタクトプラグCW同士を区別するための添え字である。これらのコンタクトプラグCWは、ビット線コンタクトに相当する。それぞれのコンタクトプラグCWは、その底面が素子領域111に接し、その上面がビット線BLに接している。このように、図4では、1つの素子領域111上に1つのコンタクトプラグCWが配置され、同様に、1つのビット線BL下に1つのコンタクトプラグCWが配置されている。図4のコンタクト領域RDは、複数の第1部分領域R1と、複数の第2部分領域R2とを有している。各第1部分領域R1では、3個のコンタクトプラグCWが、X方向に連続して隣接する3本の素子領域111上に、X方向及びY方向に非平行な直線上に並ぶように配置されている。例えば、コンタクトプラグCW31,CW23,CW15は、X方向に連続して隣接する3本の素子領域111上に、直線L1上に並ぶように配置されている。また、コンタクトプラグCW41,CW33,CW25は、X方向に連続して隣接する3本の素子領域111上に、直線L2上に並ぶように配置されている。このように、各第1部分領域R1では、3個のコンタクトプラグCWが3連斜め配置されている。また、各第2部分領域R2では、2個のコンタクトプラグCWが、X方向に連続して隣接する2本の素子領域111上に、X方向及びY方向に非平行な直線上に並ぶように配置されている。例えば、コンタクトプラグCW32,CW24は、X方向に連続して隣接する2本の素子領域111上に、直線L3上に並ぶように配置されている。また、コンタクトプラグCW42,CW34は、X方向に連続して隣接する2本の素子領域111上に、直線L4上に並ぶように配置されている。このように、各第2部分領域R2では、2個のコンタクトプラグCWが2連斜め配置されている。図4のコンタクト領域RDには、複数の第1部分領域R1と、複数の第2部分領域R2とが、X方向に沿って交互に設けられている。このように、図4のコンタクト領域RDは、3連斜め配置と2連斜め配置とが交互に繰り返すコンタクト配置を有している。すなわち、コンタクトプラグCWは、X方向及びY方向に非平行な直線L1~L4上に配置されている。また、リソグラフィのマージン向上のため、直線L1~L4は、平行となっていることが望ましい。これにより、図4のコンタクト領域RDは、変則的な5連千鳥配置が周期的に繰り返すコンタクト配置を有している。よって、図4に示すコンタクト配置を、変則5連3連2連千鳥配置と呼ぶことにする。なお、本実施形態では、各第1部分領域R1に、N1個N1は2以上の一定の整数のコンタクトプラグCWを斜め配置して、各第2部分領域R2に、N2個N2はN1と異なる2以上の一定の整数のコンタクトプラグCWを斜め配置してもよい。この場合、N1とN2との差を1又は-1に設定することで、変則N1N2連千鳥配置を実現することが可能となる。ただし、N1とN2との差は、±1以外の値に設定しても構わない。2コンタクトプラグCWの構成次に、図4に示すコンタクトプラグCWの構成について、詳細に説明する。本実施形態では、図4に示すように、コンタクト領域RD内の各コンタクトプラグCWが、楕円形の平面形状を有している。また、コンタクト領域RD内の各コンタクトプラグCWは、Y方向に対し、楕円形の長軸が傾けられて配置されている。この楕円形の長軸の傾きについては、図5を参照して詳細に説明する。図5は、コンタクトプラグCWの回転角度について説明するための平面図である。コンタクトプラグCWの回転角度とは、Y方向に対する上記長軸の傾き角度を意味する。図5では、コンタクトプラグCWの回転角度について、直線L1上に配置されているコンタクトプラグCW31を例にして説明する。図5には、楕円形の平面形状を有するコンタクトプラグCW31が示されており、楕円形の長軸上の直線がDa、楕円形の短軸上の直線がDbで示されている。更には、直線Daと直線Dbとの交点がGで示されている。点Gは、コンタクトプラグCW31の中心点中心軸に相当する。図5には更に、点Gを通り、Y方向に延びる直線Y1が示されている。また、図5では、Y方向に対する直線L1の角度が、θで示されている。直線L1は、上述の通り、X方向及びY方向に非平行な直線であるため、角度θは、0°<θ<90°の関係を満足する。また、図5では、Y方向に対する直線Daの角度が、φ1で示され、直線L1に対する直線Daの角度が、φ2で示されている。角度φ1は、コンタクトプラグCW31の回転角度に相当する。本実施形態の各コンタクトプラグCWは、上述の通り、Y方向に対し、楕円形の長軸が傾けられて配置されるため、角度φ1は、角度θと同様に、0°<φ1<90°の関係を満足する。ただし、本実施形態では、コンタクトプラグCW31の長軸は、Y方向に対し、直線L1とは逆方向に傾けられている。具体的には、直線L1が、Y方向に対し時計周りに角度θだけ回転しているのに対し、直線Daは、Y方向に対し反時計周りに角度φ1だけ回転している。その結果、θ、φ1、φ2の間には、φ2=φ1θの関係が成り立っている。本実施形態では、これらの関係は、直線L1以外の直線L2~L4や、CW31以外の各コンタクトプラグCWでも成り立つものとする。例えば、直線L2,L3,L4はいずれも、Y方向に対し時計周りに角度θだけ回転しており、コンタクトプラグCW33,CW32,CW34はそれぞれ、素子領域111が延びる方向Y方向に対し反時計周りに角度φ1だけ回転している。この様子は、図4に具体的に示されている。なお、本実施形態では、Y方向に対する直線L1~L4の傾きは、いずれも角度θに設定されているが、互いに異なる角度に設定しても構わない。また、コンタクト領域RD内のコンタクトプラグCWの回転角度は、いずれもφ1に設定されているが、互いに異なる角度に設定しても構わない。ただし、リソグラフィのマージン向上のためには、前者の傾きも後者の傾きも、それぞれ同じ角度に統一することが望ましい。また、本実施形態では、各コンタクトプラグCWは、Y方向に対し、直線L1~L4とは逆方向に傾けられているが、直線L1~L4と同じ方向に傾けられていても構わない。ただし、同じ部分領域内でのコンタクトプラグCW同士のショートを防止しやすいという観点からいうと、各コンタクトプラグCWは、直線L1~L4とは逆方向に傾けられていることが望ましい。また、本実施形態では、コンタクト領域RD内のコンタクトプラグCWが、Y方向に対し、いずれも反時計周りに回転しているため、第1部分領域R1内の各コンタクトプラグCWと、第2部分領域R2内の各コンタクトプラグCWが、同じ方向に傾いている。本発明者らの計算によれば、このような配置は、第1部分領域R1内の各コンタクトプラグCWと、第2部分領域R2内の各コンタクトプラグCWが、逆方向に傾いている配置に比べ、好適なコンタクト配置を実現できることが判明している。この詳細については後述する。同様に、本実施形態では、互いに隣接する変則5連斜め配置内のコンタクトプラグCW同士が、同じ方向に傾いている。例えば、変則5連斜め配置CW21,CW22,,CW25の各コンタクトプラグCWと、変則5連斜め配置CW31,CW32,,CW35の各コンタクトプラグCWは、同じ方向に傾いている。本発明者らの計算によれば、このような配置は、これらの変則5連斜め配置内のコンタクトプラグCW同士が、逆方向に傾いている配置に比べ、好適なコンタクト配置を実現できることが判明している。この詳細については後述する。3コンタクトプラグCWの回転角度の決定方法次に、図6及び図7を参照して、コンタクトプラグCWの回転角度の決定方法について説明する。図6及び図7はそれぞれ、コンタクトプラグCWの回転角度の決定方法を説明するための平面図及びグラフである。以下、回転角度の決定方法について、図6に示すコンタクトプラグCW31,CW32,CW23,CW24を例として説明する。図6では、CW31とCW23の中心点G同士を結ぶ直線上における、CW31とCW23との距離が、符号Aで示されている。更には、CW31とCW24の中心点G同士を結ぶ直線上における、CW31とCW24との距離が、符号Cで示されている。また、回転前のコンタクトプラグは、点線で図示されている。距離Aと距離Cはいずれも、X方向に隣接する素子領域111上に配置されたコンタクトプラグCW同士の距離に相当する。ただし、距離Aは、同じ部分領域内のコンタクトプラグCW同士の距離となっており、距離Cは、異なる部分領域内のコンタクトプラグCW同士の距離となっている。なお、距離Aや距離Cの値は、CW31,CW23,CW24以外のコンタクトプラグCW同士についても共通である。また、図6には、回転前のコンタクトプラグCW24に接し、且つ、Y方向に延びる第1の接線と、回転後のコンタクトプラグCW24に接し、且つ、Y方向に延びる第2の接線が示されており、これらの接線間の距離が、符号Bで示されている。距離Bの値は、CW24以外のコンタクトプラグCWについても共通である。また、図6では、CW31とCW24の中心点G同士を結ぶ直線と直線Y1との角度が、符号δで示されている。図6では、各コンタクトプラグCWの回転角度φ1は、角度δよりも大きい値に設定されているが、逆に角度δよりも小さい値に設定しても構わない。一方、図7には、各コンタクトプラグCWの回転角度φ1に応じて、距離A,B,Cが変化する様子が示されている。図7は、本発明者らの計算により得られた回転角度φ1と距離A,B,Cとの関係をプロットしたグラフである。上述の通り、距離Bは、各コンタクトプラグCWの回転前の接線と回転後の接線との距離に相当する図6参照。よって、距離Bは、各コンタクトプラグCWが素子領域111からはみ出した部分の長さが、回転によりどの程度変化したかを表す変化量に相当する。はみ出し部分の長さは、各コンタクトプラグCWと素子領域111との接触面積を確保するという観点や、各コンタクトプラグCWが隣接する素子領域111とショートするのを防止するというからは、小さい値に設定することが望ましい。よって、距離Bは、小さい値に設定することが望ましい。図7を参照すると、距離Bは、回転角度φ1の増加に応じて増加する。よって、回転角度φ1を決定する際には、例えば、0度~30度の範囲内に限定して角度を選択するなどして、回転角度φ1を小さい値に設定することが望ましい。また、図7を参照すると、回転角度φ1が比較的小さな値例えば0度~30度の場合には、距離Aは、距離Cよりも短い値となっている。よって、回転角度φ1が比較的小さな値の場合に、コンタクトプラグCW同士のショートを抑制するためには、距離Aが増加するように回転角度φ1を設定することが望ましい。図7を参照すると、距離Aは、回転角度φ1の増加に応じて増加する。よって、距離Aを増加させるという観点からすると、回転角度φ1は大きな値に設定することが望ましい。ただし、上述の通り、距離Bの増加を抑制するという観点からすると、回転角度φ1は小さな値に設定することが望ましい。また、図7を参照すると、距離Cは、回転角度φ1が小さい間はほとんど変化しない。一方、回転角度φ1が一定の角度以上になると、距離Cは増加する傾向にある。なお、距離Cは距離Aに対して大きく、コンタクトプラグCW間のショートは主に、距離Aに依存する傾向にある。よって、本実施形態では、回転角度φ1は、距離Aの増加と距離Bの増加抑制とのバランスを考慮して決定する。本実施形態では、回転角度φ1は、例えば5度~15度、より詳細には、例えば10度に設定される。なお、図7には、5連斜め配置CW21,CW22,,CW25の各コンタクトプラグCWと、5連斜め配置CW31,CW32,,CW35の各コンタクトプラグCWが、同じ方向に傾いている場合の距離Aの計算結果に加え、これらが逆方向に傾いている場合の距離Aの計算結果も示されている。例えば、コンタクトプラグCW31がY方向に対し反時計回りに回転し、コンタクトプラグCW23がY方向に対し時計回りに回転する場合である。図7において、前者は白丸のプロットで示され、後者は黒丸のプロットで示されている。これらのプロットから解るように、白丸のプロットは、黒丸のプロットに比べ、回転に伴う距離Aの増加率が大きい。よって、回転により距離Aを増加させるという観点からすると、互いに隣接する5連斜め配置内のコンタクトプラグCW同士は、同じ方向に傾けるY方向に対し同じ方向に回転させることが望ましい。また、同様の観点から、第1部分領域R1内の各コンタクトプラグCWと、第2部分領域R2内の各コンタクトプラグCWも、距離Aを増加させるために、同じ方向に傾けることが望ましいと言える。4コンタクトプラグの楕円寸法の変更方法図6及び図7を参照した上記の説明は、コンタクトプラグCWを、楕円寸法を変更せずに回転させることを前提としている。一方ここでは、図8を参照して、コンタクトプラグCWの回転に伴い、コンタクトプラグCWの楕円寸法を変更する場合について説明する。図8は、コンタクトプラグCWの楕円寸法の変更方法について説明するための平面図である。図8には、回転前のコンタクトプラグCWが示されている。図8には、コンタクトプラグCWの楕円寸法として、長径aと短径bが示されている。続いて、図8には、図8のコンタクトプラグCWを、楕円寸法a,bを変更せずに回転させた様子が示されている。図8には更に、コンタクトプラグCWの回転前の接線と回転後の接線との距離Bが示されている。続いて、図8には、図8のコンタクトプラグCWの楕円寸法a,bを変更した様子が示されている。図8では、長径aは、より長い長径a’に変更され、短径bは、より短い短径b’に変更されている。なお、回転角度φ1が大きくなり、長径aが素子領域111からはみ出した場合は、逆に、長径aをより短い長径に変更し、短径bをより長い短径に変更すればよい。本実施形態では、楕円寸法a’及びb’は、寸法変更によって距離Bを0に戻すという条件と、寸法変更前と寸法変更後で楕円面積を同じ値にするという条件により決定する。前者の条件には、コンタクトプラグCWが隣接する素子領域111とショートすることを抑制できるという効果がある。また、後者の条件には、回転に伴うコンタクトプラグCWと素子領域111との接触面積の変化を低減できるという効果がある。なお、リソグラフィのマージン向上のため、楕円寸法a’及びb’は、回転角度φ1と同様、コンタクト領域RD内の各コンタクトプラグCWについて同じ寸法に設定することが望ましい。これは、寸法変更を行わない場合における楕円寸法a及びbについても同様である。5図4の符号及びパラメータの説明次に、図4に示す種々の符号及びパラメータについて説明する。図4では、各コンタクトプラグCWのY方向の幅が、WYで示され、コンタクトプラグCW同士のY方向のピッチが、PYで示されている。幅WYは、コンタクトプラグCWの回転角度が0度の場合には、コンタクトプラグCWの長軸方向の径に相当する。また、ピッチPYは、同一の部分領域内に配置されたコンタクトプラグCW同士のY方向のピッチを表す。本実施形態では、ピッチPYは、幅WYよりも長くなっているPY>WY。なお、第1部分領域R1と第2部分領域R2におけるピッチPY及び幅WYを同じにすることにより、リソグラフィのマージンを向上させることが可能となる。図4では更に、コンタクトプラグCW同士のY方向の距離が、符号nで示されている。距離nは、同一の部分領域内に配置され、X方向に隣接するコンタクトプラグCW同士のY方向の距離を表す。幅WY、ピッチPY、距離nの間には、PY=WYnの関係が成り立つ。本実施形態では、距離nは、コンタクトプラグCW間の電気的な耐圧が十分に確保される距離に設定される。また、図4では、同一の部分領域内でX方向に隣接するコンタクトプラグCW同士のX方向の距離が、符号mで示されている。図4のコンタクト領域RDでは、X方向に隣接するコンタクトプラグCW間の最短距離は、n2m21/2となる。図4には更に、各コンタクトプラグCWの中心点中心軸Gが示されている。中心点Gは、各コンタクトプラグCWの長軸と短軸との交点を通過する位置に位置している。図4には更に、X方向に延びる直線X1~X5が示されている。図4に示すように、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWの中心点Gは、直線X1,X3,X5上に配置されており、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWの中心点Gは、直線X2,X4上に配置されている。このように、直線X1~X5更には直線L1~L4はそれぞれ、複数のコンタクトプラグCWの中心点Gを通過している。以下、直線X1~X5上に配置されたコンタクトプラグCWを、それぞれ1段目~5段目のコンタクトプラグCWと呼ぶことにする。なお、直線X1~X5のY方向の間隔は、すべて等間隔であることが望ましい。理由は、規則的にコンタクトプラグCWを配置することで、リソグラフィのマージンが向上するからである。また、図4のコンタクト領域RDでは、3連斜め配置と2連斜め配置とが交互に繰り返されることで、5個のコンタクトプラグCWが、1本置きの5本の素子領域111上に、直線X1~X5上に順に並ぶよう斜め配置された構造が実現されている。例えば、コンタクトプラグCW21,CW22,CW23,CW24,CW25は、1本置きの5本の素子領域111上に斜め配置されている。また、コンタクトプラグCW31,CW32,CW33,CW34,CW35は、1本置きの5本の素子領域111上に斜め配置されている。また、本実施形態では、直線X2は、第1部分領域R1内の1段目と3段目のコンタクトプラグCW間を通過しており、この直線X2上に、第2部分領域R2内の2段目のコンタクトプラグCWが配置されている。同様に、直線X4は、第1部分領域R1内の3段目と5段目のコンタクトプラグCW間を通過しており、この直線X4上に、第2部分領域R2内の4段目のコンタクトプラグCWが配置されている。一方、直線X3は、第2部分領域R2内の2段目と4段目のコンタクトプラグCW間を通過しており、この直線X3上に、第1部分領域R1内の3段目のコンタクトプラグCWが配置されている。このように、本実施形態では、M段目Mは2~4の整数のコンタクトプラグCWは、X方向に平行で、M-1段目とM1段目のコンタクトプラグCW間を通過する直線上に配置されている。このような配置は、上記のように、ピッチPYを幅WYよりも長くすることで実現可能となっている。また、奇数段目のコンタクトプラグCWの間に偶数段目のコンタクトプラグCWを配置することにより、X方向に隣接するコンタクトプラグCW間の間隔を広くすることが可能となる。図4では更に、各コンタクトプラグCWのX方向の幅が、WXで示され、コンタクトプラグCW同士のX方向のピッチが、PXで示されている。幅WXは、コンタクトプラグCWの回転角度が0度の場合には、コンタクトプラグCWの短軸方向の径に相当する。また、ピッチPXは、X方向に延びる同じ直線上に配置され、X方向に隣接するコンタクトプラグCW同士のX方向のピッチを表す。即ち、ピッチPXは、第1部分領域R1と第2部分領域R2を1つのまとまりとした場合のX方向のピッチを表す。本実施形態では、ピッチPXは、5本の素子領域111と5本の素子分離絶縁膜112の合計幅に相当する長さとなる。別言すると、X方向に延びる同じ直線上に配置され、X方向に隣接するコンタクトプラグCW同士の間には、4本の素子領域111が介在することとなる。なお、上記の変則N1N2連千鳥配置では、ピッチPXは、N1N2本の素子領域111とN1N2本の素子分離絶縁膜112の合計幅に相当する長さとなる。即ち、X方向に延びる同じ直線上に配置され、X方向に隣接するコンタクトプラグCW同士の間に、N1N2-1本の素子領域111が介在することとなる。図4では更に、1段目のコンタクトプラグCWの上端と、5段目のコンタクトプラグCWの下端との間のY方向の距離が、αで示されている。更に、選択ゲートSGD,SGD’間のY方向の距離が、βで示されている。距離αと距離βとの間には、α<βの関係が成り立つ。また、距離α、幅WY、距離nの間には、α=3WY2nの関係が成り立つ。6第1~第3比較例との比較次に、第1実施形態の半導体記憶装置と、第1~第3比較例の半導体記憶装置とを比較する。図9は、第1比較例の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。図9のコンタクト領域RDは、3連斜め配置されたコンタクトプラグCWがX方向に周期的に繰り返すコンタクト配置単純3連千鳥配置を有している。第1比較例のコンタクト配置では、1段目や3段目のような端部と、2段目のような中心部とで、コンタクトプラグCWの密度が大きく異なる。このような密度差が存在すると、コンタクトプラグCWを形成する際に、リソグラフィのばらつきや加工のばらつきが発生しやすくなってしまう。図10は、第2比較例の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。図10のコンタクト領域RDは、5連斜め配置されたコンタクトプラグCWがX方向に周期的に繰り返すコンタクト配置単純5連千鳥配置を有している。第2比較例のコンタクト配置では、第1比較例のコンタクト配置に比べて、選択ゲート間距離βが長くなっている。これに対し、第3比較例や本実施形態では、図4や図11に示すコンタクト配置変則5連千鳥配置が採用されている。図11は、第3比較例の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。第3比較例や本実施形態では、1組の斜め配置を構成する5個のコンタクトプラグCWが、連続する5本の素子領域111上ではなく、1本置きの5本の素子領域111上に配置されている変則5連斜め配置。また、第3比較例や本実施形態における距離nは、第1比較例における距離nと同じ値に設定することができ、コンタクトプラグCW間の電気的な耐圧は低下しない。第1比較例、第3比較例、及び本実施形態では、X方向に隣接するコンタクトプラグCW間の最小距離が、いずれもn2m21/2となるからである。これにより、第3比較例や本実施形態では、距離αを、第2比較例単純5連千鳥配置の場合よりも短い、第1比較例単純3連千鳥配置の場合と同程度の距離に設定することが可能となっている図4及び図11を参照。即ち、第3比較例や本実施形態では、距離α、幅WY、距離nの間に、α=3WY2nの関係が成り立つ。よって、第3比較例や本実施形態によれば、選択ゲート間距離βを長くすることなく、距離nやピッチPYを十分に確保することが可能となる。そして、以上の効果は、コンタクトプラグCWが無回転の第3比較例に比べ、コンタクトプラグCWを回転させた本実施形態において距離nやピッチPYをより十分に確保することができる。図4及び図11から解るように、幅WYの値は、第3比較例の値よりも本実施形態の値の方が小さい。また、本実施形態の距離nは、コンタクトプラグCWの回転により広くなるが、回転後にコンタクトプラグCW同士のY方向の距離を狭めることで、距離nを回転前の値に戻すことが可能である。よって、本実施形態の距離nは、第3比較例の距離nと同じ値に設定することが可能である。その結果、本実施形態によれば、距離αや距離βを、第3比較例に比べ短くすることが可能となる。以上のように、本実施形態によれば、距離nやピッチPYを十分に確保することで、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の電気的な耐圧の低下を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、選択ゲート間距離βを短くすることで、チップ面積の増大を抑制することが可能となる。この選択ゲート間距離βは、コンタクトプラグCWをY方向に対し回転させることで、無回転の場合よりも更に短くすることが可能となる。また、本実施形態では、3連斜め配置と2連斜め配置とが交互に繰り返すコンタクト配置が採用されている。これにより、本実施形態では、X方向に隣接する第1部分領域R1内の同一直線上に配置されたコンタクトプラグCWにより張られる直線と、第1部分領域R1内のX方向に隣接するコンタクトプラグCWにより張られる直線とで構成される格子の各格子セル内に、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWが配置された構造細密構造が実現されている。また、X方向に隣接する第2部分領域R2内の同一直線上に配置されたコンタクトプラグCWにより張られる直線と、第2部分領域R2内のX方向に隣接するコンタクトプラグCWにより張られる直線とで構成される格子の各格子セル内に、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWが配置された構造細密構造が実現されているとも言える。例えば、図4では、格子セルS1内にコンタクトプラグCW32が配置され、格子セルS2内にコンタクトプラグCW24が配置されている。このような細密構造には、選択ゲートSGに近いコンタクトプラグCW端部と選択ゲートSGの間の中央付近に配置されたコンタクトプラグCW中心部との間のコンタクトプラグCWの密度差が低減されるという利点がある。よって、本実施形態によれば、コンタクトプラグCWを形成する際に、リソグラフィのばらつきや加工のばらつきを低減し、リソグラフィ精度や加工精度を向上させることが可能となる。以上のように、本実施形態の各部分領域では、N個Nは2以上の整数のコンタクトプラグCWが、連続するN本の素子領域111上に、X方向及びY方向に非平行な直線上に並ぶように配置されており、Nの値は、部分領域ごとに異なる値に設定されている。より具体的には、Nの値は、部分領域ごとにN1又はN2に設定されており、これにより、変則N1N2連千鳥配置が実現されている。ただし、本実施形態では、このような変則N1N2連千鳥配置以外のコンタクト配置を採用しても構わない。7コンタクト領域RDの構成格子配列以下、図4を参照し、コンタクト領域RDの構成について、より詳細に説明する。図4に示すS1及びS2は、X方向及びY方向に非平行な同一方向に延びる直線L1,L2と、X方向に延びる直線X1,X3,X5とにより張られる格子の格子セルを表す。当該格子の各格子点には、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWが配置されている。例えば、格子セルS1を構成する格子点には、コンタクトプラグCW31,CW23,CW33,CW41が配置されており、格子セルS2を構成する格子点には、コンタクトプラグCW23,CW15,CW25,CW33が配置されている。このように、本実施形態では、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWは、X方向及びY方向に非平行な同一方向に延びる複数本の第1直線と、X方向に延びる複数本の第2直線とにより張られる格子の各格子点に配置されている。ここで、第1直線とは、直線L1,L2及びこれらの直線に平行な直線のことであり、第2直線とは、直線X1,X3,X5のことである。本実施形態では、このようなコンタクト配置により、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWの規則的な配置が実現されている。具体的には、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWは、平面斜方格子平行四辺形格子をなすように配置されている。以下、直線L1,L2が延びる方向を、Y方向第1方向及びX方向第2方向に対し、第3方向と呼ぶことにする。また、図4において、上記格子の各格子セル内には、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWが配置されている。例えば、格子セルS1内には、コンタクトプラグCW32が配置されており、格子セルS2内には、コンタクトプラグCW24が配置されている。このように、本実施形態では、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWは、第3方向に延びる複数本の第1直線と、X方向に延びる複数本の第2直線とにより張られる格子の各格子セル内に配置されている。これにより、本実施形態では、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWについても規則的な配置が実現されている。具体的には、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWは、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWと共に、面心斜方格子をなすように配置されている。なお、上記格子の各格子セル内には、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWが、2つ以上配置されていても構わない。また、図4に示すS3は、第3方向に延びる直線L3,L4と、X方向に延びる直線X2,X4とにより張られる格子の格子セルを表す。当該格子の各格子点には、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWが配置されている。例えば、格子セルS3を構成する格子点には、コンタクトプラグCW32,CW24,CW34,CW42が配置されている。このように、本実施形態では、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWは、第3方向に延び、上記第1直線の間を通る複数本の第3直線と、X方向に延び、上記第2直線の間を通る複数本の第4直線とにより張られる格子の各格子点に配置されている。ここで、第3直線とは、直線L3,L4及びこれらの直線に平行な直線のことであり、第4直線とは、直線X2,X4のことである。本実施形態では、このようなコンタクト配置により、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWについても、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWと同様の規則的な配置が実現されている。具体的には、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWは、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWと同様に、平面斜方格子をなすように配置されている。なお、本実施形態では、第1及び第3直線は、いずれも第3方向に延びており、互いに平行となっているが、これらの直線は、互いに平行でなくても構わない。例えば、第1直線は、第3方向に延びるように設定し、第3直線は、第1~第3方向と非平行な第4方向に延びるように設定しても構わない。8第1実施形態の効果最後に、第1実施形態の効果について説明する。以上のように、本実施形態の各部分領域では、N個のコンタクトプラグCWが、連続するN本の素子領域111上に、X方向及びY方向に非平行な直線上に並ぶように配置されており、Nの値は、部分領域ごとに異なる値に設定されている。より具体的には、Nの値は、部分領域ごとにN1又はN2に設定されており、これにより、変則N1N2連千鳥配置が実現されている。本実施形態によれば、変則N1N2連千鳥配置を採用することで、単純N1N2連千鳥配置を採用する場合に比べて、距離αを短くすることが可能となる例えば、図4及び図10を参照。そして、選択ゲート間距離βは、距離αに大きく依存する。よって、本実施形態によれば、選択ゲート間距離βを短くしつつ、距離n,mやピッチPYを十分に確保することが可能となる。また、本実施形態によれば、コンタクトプラグCWの長軸をY方向に対し傾けることで、長軸がY方向に平行な場合よりも、距離αや距離βを更に短くすることが可能となる。距離n,mやピッチPYを十分に確保することには、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の耐圧の低下を抑制する効果がある。また、選択ゲート間距離βを短くすることには、チップ面積の増大を抑制する効果がある。また、コンタクトプラグCWを素子領域111が延びる方向Y方向に対し回転させることにより、それぞれのコンタクトプラグCW間の距離を広くすることができる。特に、それぞれのコンタクトプラグCWを、Y方向に対し、直線L1~L4とは逆方向に回転させることにより、それぞれのコンタクトプラグCW間の距離をさらに広くすることができる。よって、本実施形態によれば、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の耐圧の低下を抑制することが可能となる。また、変則5連千鳥配置を採用することによりチップ面積の増大を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、コンタクトプラグCWを形成する際に、リソグラフィのばらつきや加工のばらつきを低減し、リソグラフィ精度や加工精度を向上させることが可能となる。なお、本実施形態では、各コンタクトプラグCWは、楕円形の平面形状を有しているとしたが、長方形の平面形状を有していても構わない。この場合、上述の説明における長軸は、長方形の長辺に読み替えられ、短軸は、長方形の短辺に読み替えられる。即ち、長方形の平面形状を有する各コンタクトプラグCWは、Y方向に対し、その長辺が傾けられて配置される。また、各コンタクトプラグCWの楕円形状は、数学的に厳密な楕円に限定されるものでなく、長方形の四隅を丸めて得られる任意の楕円状の形状も含むものとする。このような形状の例としては、1つ長方形と2つの半円とを連結して得られる長円や、卵形オーバル等が挙げられる。以下、第1実施形態の変形例である第2実施形態について、第1実施形態との相違点を中心に説明する。第2実施形態図12は、第2実施形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。図4の各第1部分領域R1では、3個のコンタクトプラグCWが斜め配置されており、各第2部分領域R2では、2個のコンタクトプラグCWが斜め配置されている。これに対し、図12の各第1部分領域R1では、4個のコンタクトプラグCWが斜め配置されており、各第2部分領域R2では、3個のコンタクトプラグCWが斜め配置されている。なお、コンタクトプラグCWのY方向に対する回転方向は、第1実施形態と同様である。これにより、図12では、4連斜め配置と3連斜め配置とが交互に繰り返すコンタクト配置変則7連千鳥配置が実現されている。図12では、ピッチPXが、7本の素子領域111と7本の素子分離絶縁膜112の合計幅に相当する長さとなっている。本実施形態では、1組の7連千鳥配置を構成する7個のコンタクトプラグCWが、連続する7本の素子領域111上ではなく、2本置きの7本の素子領域111上に配置されている。これにより、本実施形態では、距離αを、単純7連千鳥配置の場合よりも短い、単純4連千鳥配置の場合と同程度の距離に設定することが可能となっている。よって、本実施形態によれば、第1実施形態と同様、選択ゲート間距離βを短くしつつ、距離nやピッチPYを十分に確保することが可能となる。本実施形態によれば、距離nやピッチPYを十分に確保することで、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の耐圧の低下を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、選択ゲート間距離βを短くすることで、チップ面積の増大を抑制することが可能となる。図12には、第3方向に延びる直線L1,L2と、X方向に延びる直線X1,X3,X5,X7とにより張られる格子の格子セルS1,S2,S3が示されている。当該格子の各格子点には、第1実施形態の場合と同様に、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWが配置されている。これにより、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWの規則的な配置が実現されている。図12には更に、第3方向に延びる直線L3,L4と、X方向に延びる直線X2,X4,X6とにより張られる格子の格子セルS4,S5が示されている。当該格子の各格子点には、第1実施形態の場合と同様に、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWが配置されている。これにより、第2部分領域R2内のコンタクトプラグCWについても、第1部分領域R1内のコンタクトプラグCWと同様の規則的な配置が実現されている。第2実施形態の効果最後に、第2実施形態の効果について説明する。以上のように、本実施形態の各部分領域では、変則N1N2連ここではN1N2=7千鳥配置を採用することで、単純N1N2連千鳥配置を採用する場合に比べて、距離αを短くすることが可能となる。よって、本実施形態によれば、選択ゲート間距離βを短くしつつ、距離n,mやピッチPYを十分に確保することが可能となる。また、本実施形態によれば、コンタクトプラグCWの長軸をY方向に対し傾けることで、長軸がY方向に平行な場合よりも、距離αや距離βを更に短くすることが可能となる。第1実施形態の場合と同様である。距離n,mやピッチPYを十分に確保することには、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の耐圧の低下を抑制する効果がある。また、選択ゲート間距離βを短くすることには、チップ面積の増大を抑制する効果がある。よって、本実施形態によれば、コンタクトプラグCW同士のショートや、コンタクトプラグCW間の耐圧の低下を抑制することが可能となる。また、変則N1N2連千鳥配置を採用することで、チップ面積の増大を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、コンタクトプラグCWを形成する際に、リソグラフィのばらつきや加工のばらつきを低減し、リソグラフィ精度や加工精度を向上させることが可能となる。特に、N1N2の値が大きくなると、選択ゲートSGに近いコンタクトプラグCW端部と選択ゲートSGの間の中央付近に配置されたコンタクトプラグCW中心部との間のコンタクトプラグCWの密度差が大きくなる傾向にある。そのため、N1N2の値が大きくなるに従い、リソグラフィ精度や加工精度を向上させる効果は大きくなる。また、第1実施形態と同様に、コンタクトプラグCWを素子領域111が延びる方向Y方向に対し回転させることにより、それぞれのコンタクトプラグCW間の距離を広くすることができる。特に、それぞれのコンタクトプラグCWを、Y方向に対し、直線L1~L4とは逆方向に回転させることにより、それぞれのコンタクトプラグCW間の距離をさらに広くすることができる。以上、本発明の具体的な態様の例を、第1及び第2実施形態により説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。"