第一及び第二有機半導体材料の混合物から形成される有機半導体層38の製造方法であって、有効多孔率を備え、且つ前記第二半導体材料を受け入れ可能な、前記第一半導体材料から形成される多孔質固体体積32を形成する段階と、前記第一半導体材料に対して不活性であり、且つ前記第二半導体材料の蒸発温度未満の蒸発温度を有する溶媒A中に溶解又は分散された前記第二半導体材料を含む液体32を少なくとも前記多孔質固体体積の外面上に堆積する段階と、前記多孔質固体体積32が少なくとも部分的に前記液体で含浸されるとすぐに、前記溶媒の蒸発温度より高く、且つ前記第一及び前記第二半導体材料の蒸発温度未満の温度まで加熱することで前記溶媒Aを蒸発させる段階と、を含み、多孔質固体の形成が、溶媒B’中に溶解又は分散された前記第一半導体材料の溶液中へ気泡を導入する段階と、続く前記溶媒B’を蒸発させる段階とを含み、前記溶媒B’の温度が気体蒸発温度未満であることを特徴とする製造方法。前記第一半導体材料がP3HTであり、及び前記第二半導体材料がPCBMであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。請求項1又は2に記載の方法により製造され、且つ第一及び第二電極間に配された前記半導体層を含む光電子装置。本発明は、これらの材料間に大きな接触面積、つまり第二半導体材料によって少なくとも部分的に含浸された細孔を有する第一半導体材料から作成される多孔質体を有する2つの有機半導体材料によって形成される有機半導体層の製造方法を提供することによって、上述した問題を解決することを目的とする。これは細孔形状の固定を改善することを可能にし、且つ有機半導体層の品質に不利な影響を与える可能性のある残渣が存在しない多孔質体を得ることを可能にする。これを達成するために、このような層の製造方法は、第二半導体材料を受け入れ可能な有効多孔率を備え、第一半導体材料から形成される多孔質固体体積の形成と、第一半導体材料にとって不活性であり、第二半導体材料の蒸発温度未満の蒸発温度を有する溶媒であって、溶媒中に溶解又は分散された第二半導体材料を含む液体の、少なくとも多孔質固体体積の外面上への堆積と、多孔質固体体積が液体によって少なくとも部分的に一度含浸され、前記溶媒の蒸発温度より高い、且つ第一及び第二半導体材料の蒸発温度未満の温度で加熱することによる溶媒の蒸発とを含む。溶媒中に溶解又は分散された第一半導体材料の溶液中への気泡の導入と、続いて行われる前記溶媒の蒸発とを含み、溶媒温度は気体蒸発温度未満である多孔質液体の形成。互いに行き来可能であり材料内部への空間を形成する、外部からのアクセスが可能な、それゆえ充填可能な細孔を有する材料を意味する。言い換えると、2つの有機材料を接触させて配する前に、安定で大きな接触面積が生成される。そしてこの表面積は、2つの半導体材料の物理化学的な親和性の欠如とは無関係であり、2つの半導体材料間での改善された結合を備える非常に均一な半導体層が得られる。例えば5倍から100倍の範囲で有機フォトダイオードの効率の大幅な増加が観測され得る。その後、多孔質固体体積の製造により、一方では細孔径及び密度の大きな多様性を得ることが、及び他方では残渣のない綺麗な材料を形成することが可能となる。実際、気体の使用により、溶媒中の1つ又は複数の材料のエマルジョンから得られうる液滴よりも小さな気泡を得ることが可能であり、従って非常に微細な孔、ひいては多孔質体を形成する第一材料の全体積に亘り均一に分布した高密度の細孔を有することが可能となる。さらに、選択される気体によっては、気泡のサイズは可変となり、より正確に細孔径を調整することが可能となる。さらに、気体の蒸発は最終的な多孔質固体体積中に残渣を残さない。本発明の実施形態によると、第一半導体材料はP3HTであり、第二半導体材料はPCBMである。本発明は、上述の方法により形成され、且つ第一及び第二電極間に配された半導体層を含む光電子装置も目的とする。添付の図と関連し、単に例として示される以下の説明を読むことで、本発明はより理解が深まるであろう。ここで、同一の参照符号は、同一又は類似の要素を指す。図3Aから図3Gを参照すると、本発明による有機フォトダイオードの製造方法は通常、ガラス基板12の形成することで開始し図3A、フォトダイオードの第一電極を形成するために基板12上でエッチングすることによる金属化ITO14の形成が続く図3B。その後、本方法では通常第一電極14上にPEDOT:PSS注入層16の堆積が続く図3C。本方法では、多孔質P3HT層の製造が続く。より具体的には、P3HTは例えばアルカンなどの第一溶媒B中に溶解又は分散される。こうして得られる溶液は、第一溶媒Bと非混和性であり、第一溶媒Bよりも低い蒸発温度を有する第二溶媒Cと混合される。例えば第一溶媒はクロロベンゼン又はクロロホルムである。こうして得られる混合物は、例えば機械的攪拌によって乳化され、エマルジョン30は注入層16上に堆積される図3Dその後第二溶媒Cは、例えば自身の蒸発温度以上であるが、第一溶媒Bの蒸発温度未満の温度で加熱されることで蒸発する。その後第一溶媒Bは、例えば自身の蒸発温度より高い温度で加熱されることで蒸発する。PCBM溶液を受け入れ可能な開放気孔率を有するP3HT多孔質固体層32は、こうして得られる図3E。層32は、全表面積500μm2を超え10細孔/μmの線形分布を備える直径100nmの細孔を有する。エマルジョンの特性、並びに特に第一溶媒B中のP3HT液滴の大きさ及び第二溶媒C中の液滴濃度が、多孔質層32の最終的な気孔率を決定する。こうして50nmより大きな幅を有するマクロ孔、2nmから50nmの幅を有するメソ細孔、又は2nm未満の幅を有する微小孔を備える層32を形成することが可能である。細孔径は溶媒の性質によって、それらの非混和性の度合いによって、及びそれらの蒸発速度によって決定される。有利には、特に液滴が高濃度の場合、前述のエマルジョンの安定化のために添加剤も加えられ得る。例えば添加剤は界面活性剤、例えば生体高分子などの乳化剤、例えば石鹸の微粒子、又は例えばアミノトリメトキシシランなどの親水性アミン重合体であるポリマーである。さらに、界面活性剤の存在下において、乳化剤は2つの溶媒間の界面張力を数mN/mまで、又は数μN/mまでも下げる利点を有し、界面面積を増加させるために必要な力を減少することが可能である。これにより小さなドメインサイズが維持され、気孔率が増加する。その後本方法は、例えばシクロヘキサンである第三溶媒A中のPCBM溶液34を、多孔質層32の自由表面上に堆積することが続く。次いでこうして溶液は多孔質層32を完全に含浸する図3F。PCBMを溶解する又は分散するために用いられる第三溶媒Aには、PCBMよりも低い蒸発温度を有し、及び有利には揮発性であるものが選択される。この溶媒には、この材料を逆に溶解することを避けるために、多孔質層32を形成する材料、この場合P3HTに対して不活性であるものが選択される。その後、第三溶媒の蒸発温度以上であるが、PCBMの蒸発温度未満の温度で、PCBM溶液で含浸された多孔質層32の加熱が実行される。高度の均一性を備えたP3HT及びPCBMの混合物から形成される有機半導体層38がこうして得られる図3G。その後、例えばカルシウム、アルミニウム又は銀の層である第二電極を形成する層20を、層38の自由表面へ堆積することで本方法は終わる。前述の多孔質層はエマルジョンによって得られる。変形例として、多孔質層はポリスチレンの重合によって得られる。その重合中に直接得られる多孔性を有する多孔質ポリスチレンが用いられる。ポリスチレン細孔は、まずは第一材料で、及びその後第二材料で充填される。その後、ポリスチレンは不活性な骨組みとして残る。本発明によると、多孔質層は気体を追加することで、つまり泡を形成することで得られる。第一材料を含む溶液内へ気泡が導入される。溶媒の蒸発中に、もし溶媒の蒸発温度が気体の蒸発温度未満であれば、その後気泡は閉じ込められたままである。こうして気体が解放されるにつれて溶媒が蒸発する。後者は、人工的に導入され得る空気、二酸化炭素、又は例えばポリウレタンの若しくはエポキシ樹脂の重合のような、残渣二酸化炭素を生成する第一材料の重合によってインサイチューで生成され得る。気泡の大きさ及び気体の性質により、細孔の形状、特にそれらの大きさ及び密度を正確に設定することが可能となる。同様に、多孔質P3HT層がPCBMで充填される実施形態が記載された。変形例として、多孔質PCBM層がP3HTで充填される。同様に、P3HT及びPCBMが用いられる実施形態が記載された。当然、他の種類のポリマー又は非ポリマー型の有機半導体材料が、目的とする用途に応じて用いられ得る。エマルジョンの除去後に活性有機層を提供する、エマルジョンを形成するために用いられる第一及び第二溶媒の選定は、有機半導体材料の選定に明らかに依存する。非混和性である、又は極めてわずかに共に混和するように溶媒を選定すること、且つ第二溶媒の蒸発温度が第一溶媒の蒸発温度未満であることが唯一注意すべきことである。同様に、有機フォトダイオードが製造される実施形態が記載された。当然、本発明による製造方法によって得られた半導体材料の混合物から形成される有機半導体層は、例えば両極性トランジスタのような他の型の有機マイクロ電子部品において用いられ得る。