組成が異なる複数の金属層を基板上に有する第1の構造、および形成時に焼成工程を要する第2の構造を含むデバイスであって、第1の構造を形成する第1の金属層と第2の金属層との間には中間層が形成されており、該中間層は第1の金属層を構成する一つ以上の金属元素および第2の金属層を構成する一つ以上の金属元素を含む金属間化合物であり、かつ該金属間化合物の融点はその後のデバイスの製造プロセスで必要とされる焼成温度よりも高いことを特徴とするデバイス。前記金属間化合物の融点は第2の構造を形成する際の焼成温度よりも高いことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記デバイスはマイクロ流路デバイスであることを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。前記第1の金属層はヒーターの機能を有し、前記第2の金属層は前記第1の金属層に電気的に接合された電極であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のデバイス。第1の金属層、第2の金属層および金属元素または金属元素を含む化合物であって第1の金属層と第2の金属層との間で焼成による相互拡散によって金属間化合物を形成するものからなる中間材の層を形成した後、第2の構造を形成する前に、それ以降のプロセスで必要な焼成温度よりも高い温度で第1の金属層、第2の金属層および中間材の層を焼成することにより、中間層を生成することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のデバイスの製造方法。第1の金属層および第2の金属層を形成した後、第2の構造を形成する前にそれ以降のプロセスで必要な焼成温度よりも高い温度で第1の金属層および第2の金属層を焼成することにより第1の金属層と第2の金属層との間に中間層を生成することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のデバイスの製造方法。積層した複数の金属層を基板上に有する第一の構造、および該基板に接合されており、ガラスフリットを焼成して得られた第二の構造を有するデバイスであって、第1の金属層と第2の金属層との間に、第1の金属層を構成する一つ以上の金属元素および第2の金属層を構成する一つ以上の金属元素を含む金属間化合物の中間層を有し、かつ該金属間化合物の融点が前記ガラスフリットの焼成温度よりも高いことを特徴とするデバイス。マイクロ流路デバイスのような、金属層からなる構造第1の構造と、ガラスフリット又はガラスペースト等のように形成時に焼成工程を要する材料から成る構造第2の構造とを含むデバイスを、ガラスペーストの印刷及びリソグラフィ技術等によって作製した場合、第2の構造を焼成する際に、デバイス全体に高温がかかることになる。この時に第1の構造も同様の温度になり、第1の構造の金属層を構成する材料が、焼成による熱で相互拡散してしまい、デバイスの一部の電気抵抗値が変動してしまう問題があった。それにより、例えばマイクロ流路の場合、第1の構造を構成するヒーター例えば、Ptからなると引出し電極例えば、Auからなるとの間の電気抵抗値が変動し、その変動量は電極間の接続状態面積や厚さ等で異なる為、相互拡散が発生すると電気抵抗値のばらつきが大きくなる。更に、熱処理プロセスを複数回繰り返すと、相互拡散の状態もその都度変化する為、ばらつき量がさらに大きくなる。電気抵抗値の変動量をプロセスにより制御する事は困難である為、デバイス上のヒーター毎に駆動条件を補正する必要が発生し、その補正値を得る為にヒーターの電気抵抗値を個別に測定しなければならず、非常に手間がかかり、作業効率が悪くなる。特許文献2のように、2つの電極の間に拡散を阻害する中間層を挿入する方法もあるが、ガラスフリットやガラスペーストの焼成のような温度が高い熱処理を行う場合は、中間層を構成する材料が拡散してしまう可能性がある。特許文献3に記載の方法のように、中間層に融点の高い金属間化合物層を挿入する方法もあるが、金属間化合物自体も、ガラスフリット及びガラスペーストを焼成する熱処理温度では拡散が発生してしまう。そこで、本発明は、ガラスフリット及びガラスペーストを焼成するような高温の熱処理を行った場合でも、金属層からなる第1の構造を構成する金属間の電気抵抗の変動を抑える事が出来る中間層の生成方法を提供する事を目的とする。上記課題に鑑み、本発明においては、組成が異なる複数種の金属層基板上に有する第1の構造、および形成時に焼成工程を要するガラスフリット又はガラスペースト等の材料から成る第2の構造を含むデバイスにおいて、第1の構造を形成する第1の金属層と第2の金属層との間には中間層が形成されている。該中間層は第1の金属層内の一つ以上の金属元素および第2の金属層内の一つ以上の金属元素からなる金属間化合物である。前記金属間化合物の融点は第2の構造を形成する際の焼成温度よりも高く、第2の構造を形成する焼成温度よりも高い温度で、前記金属間化合物を生成する。本発明の金属間化合物による中間層が生成した後では、電気抵抗の変動が金属間化合物層を用いない場合と比較すると1/100以下になる大幅な改善が見られた。また、一度金属間化合物が生成すると、その生成温度を超える熱処理をしない限り、抵抗の変動は抑制され続ける。以下、マイクロ流路デバイスの製造を例として、本発明の電気抵抗の変動を抑制する金属間化合物による中間層を用いた製造方法を説明する。なお、本発明は、以下に説明するマイクロ流路デバイスの製造に限定されるものではなく、異種材料から成る接合界面を有し、ガラスフリット又はガラスペースト等の高温での熱処理によって製造されるデバイスの製造に広く適用することができる。なお、以下の例では、第1の構造として組成が異なる複数の金属層が積層した構造を用いて説明するが、本発明の対象となるデバイスはこのような構造に限定されるものではない。組成が異なる複数の金属層からなる第1の構造、および、形成時に焼成工程を要する材料から成る第2の構造を有するデバイスで、第1の構造が複数の金属層の間に本発明の中間層を有していればいかなるデバイスも本発明の対象となる。例えば、第1の構造を構成する金属層は基板に垂直な方向に積層されている必要はなく、複数の組成が異なる金属層が基板上に横方向に並んで存在しており、それらの間に本発明の中間層が存在するような構成でもよい。また、複数の金属層との間の熱拡散により本発明の中間層による拡散防止層が第1の構造を構成する複数の金属層の間に形成されれば、第1の構造を構成する金属層と中間層とは必ずしも互いに接している必要はない。図1は、本発明の対象となるマイクロ流路デバイスの一例を示す模式図であり、aに平面図、bにaのA-A断面図を示す。マイクロ流路デバイスは、図1bに示されるように、第1の基板11と第2の基板12の間に、第1の構造であるヒーターの機能を有する抵抗体33第1の金属層、抵抗体33に電気的に接合された引出し電極部32第2の金属層および抵抗体33と引出し電極部32の間の中間材34、抵抗体の上の抵抗体保護膜31、マイクロ流路41、第2の構造であるマイクロ流路の隔壁21、ならびに接合部22からなる。なお、マイクロ流路デバイスとは、流路内の流体の流れ方が層流であるようなマイクロ流路を有するデバイスをいう。マイクロ流路とは、層流が起こるような、レイノルズ数Reが約2000以下の流路である。レイノルズ数は以下の式により求めることができる。レイノルズ数:Re=ρVd/μ=Vd/νρは流体の密度、μは流体の粘度、Vは管内の流体の流速、dは管の直径、νは流体の動粘度マイクロ流路41は、第一の基板11に開けられた穴42によって外部と繋がっている。マイクロ流路41は、隔壁21と接合部22に囲まれて封止されており、中を通過する流体は、リークする事がないようになっている。抵抗体33は、引出し電極32によって電気的に接合されており、引出し電極32に外部の電源から通電させる事によって抵抗体を加熱することが出来、また加熱時の抵抗体の電気抵抗を測定する事によって温度を測定する事が出来る。次に、マイクロ流路デバイスを構成する構成部材について説明する。第1の基板11は、透明で透光性を有していれば良く、例えば、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、石英等が使用できる。第2の基板12は、耐熱性を有していれば良く、必ずしも透明な基板である必要はないが、第1の基板と接合される為、熱膨張係数は、第1の基板と近しい事が望まれる。例えば、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、石英、アルミナ、SiN、サファイヤ等が使用できる。抵抗体33を構成する材料は、電気抵抗によるジュール熱で発熱する金属元素または金属元素を含む化合物で、電気抵抗の温度係数が直線である材料が望ましい。例えば、Pt、AuPt、AgPd、AgRuO等がある。引出し電極32を構成する材料は、電気抵抗が低く、表面が酸化され難い金属元素が望ましい。例えば、Au、Ni、Pt等がある。抵抗体と電極の間に配置する中間材34は、金属元素または金属元素を含む化合物であり、前述の抵抗体33を構成する材料および引出し電極32を構成する材料の両方との間で焼成により金属間化合物を生成するものを材料とする。このような中間材の材料として、例えば、Ti、Zr、V、Nb等がある。また、中間材34の材料は純金属に限定されることはなく、前述の抵抗体33を構成する材料および引出し電極32を構成する材料と金属間化合物を生成するような金属間化合物を中間材34として用いてもよい。その際に中間材34の材料である金属間化合物とは異なる新たな金属間化合物が拡散によって生成してもよい。中間材の材料に用いることができるこのような金属間化合物として、例えば、Ti3Au、AuZr3、V3Au、AuNb3等の金属間化合物が上げられる。本発明の中間層は、抵抗体33を構成する材料および引出し電極32を構成する材料と中間材34の材料との熱拡散によって生じる金属間化合物であるが、このような金属間化合物を形成することができれば、中間材の材料に抵抗体または電極の材料である元素を含む必要はない。また、本発明のデバイスを製造する際に中間材34の材料を用意せず、抵抗体33を構成する材料と引出し電極32を構成する材料とを焼成することにより第1の金属層と第2の金属層との間に中間層となる金属間化合物層を生成してもよい。また、後述の製造過程において中間層を形成した後に再度の相互拡散が生じること防ぐため、本発明の中間層である金属間化合物としては、その融点がその後のデバイスの製造プロセスで必要とされる焼成温度よりも高いものが選択される。抵抗体33の絶縁および保護を目的とする保護膜31は、絶縁体であり、マイクロ流路内に流す試薬との反応性に乏しい材料が望ましい。例えば、SiO2、SiN等がある。隔壁21は、マイクロ流路41を通過する流体がリークせず、マイクロ流路内に流す試薬との反応性に乏しい材料が望ましい。例えば、Bi2O3-B2Oガラス等がある。第1の基板と第2の基板を接合する接合材22は、粘度が負の温度係数を有し、高温度で軟化すれば一般に使用する材料であれば特に限定されない。次に、本発明の金属間化合物層を有するマイクロ流路デバイスを製造する方法の例について説明する。[ステップ1]まず、図2aに示されるように、第2の基板12を準備し、次に、図2bに示されるように、引出し電極部32を第2の基板12の上に形成する。図2cに示されるように引出し電極部32の抵抗体33が接触する部分に、中間材34を引出し電極部32の上に形成する。図2dに示されるように、中間材34の上に抵抗体33を形成する。図2eに示されるように、抵抗体33を覆うように保護膜31を形成する。引出し電極部、中間材、抵抗体、保護膜の形成方法として、公知の方法を用いることができる。[ステップ2]次に、図2eに示されるように、第2の基板上に抵抗体、中間材、引出し電極部、保護膜を形成した時点で、中間層と抵抗体、引出し電極部との間に金属間化合物を成長させる為の熱処理を行う。熱処理は、これ以降のプロセスで行う熱処理温度よりも高い温度で行う必要がある。熱処理の際の加熱方法、加熱雰囲気は特に限定されない。引出し電極部が過度に酸化しないように不活性ガス中および真空中で加熱しても良い。熱処理によって金属間化合物が生成すると、生成前よりも電気抵抗は増加する傾向にある。予め、熱処理によって抵抗が増加する分を把握しておき、所望の抵抗値になるように抵抗体の形状を設計しておく。[ステップ3]次に、図2fに示されるように、保護層31の上に隔壁21を形成する。隔壁21の形成方法は、スクリーン印刷または、ディスペンス等の方法を用いる事が出来る。隔壁21を形成した後に、焼成を行う。焼成温度は、前述の金属間化合物を生成した熱処理温度よりも低くなければならない。熱処理は、加熱方法、加熱雰囲気は特に限定しない。[ステップ4]次に、図2gに示されるように、隔壁21の上に接合材22を形成する。接合材22の形成方法は、スクリーン印刷または、ディスペンス等の方法を用いる事が出来る。接合材22を形成した後に、必要に応じて仮焼成等の熱処理を行う。[ステップ5]次に図1aに示されるように第1の基板11の所定の場所に貫通穴42を空ける。穴42は、流路41内を通過する試薬を入れる、または排出させる為のものである。穴42の加工方法は、ドリル、サンドブラスト、レーザ等の公知の加工方法を用いる事が出来る。[ステップ6]次に、図2hに示されるように、ステップ4まで作製した第2の基板12と、ステップ5で穴を空けた第1の基板11とを対抗配置させる。このとき、接合材22は第1の基板11に接触するように加圧され、配置される。加圧は、接合材22と第1の基板11とが接触するように加圧されれば良く、おもりやバネ材等で第1の基板11または第2の基板12を加圧しても良い。加圧しながら、熱処理を行い、接合材22軟化溶融させて第1の基板11と第2の基板12とを接合材22を介して封止接合する。熱処理は、接合材に適した加熱方法、加熱雰囲気であれば、特に限定しない。なお、中間材を用いずに、抵抗体33を構成する材料と引出し電極32を構成する材料とを焼成することにより第1の金属層と第2の金属層との間に中間層となる金属間化合物層を生成するときは、ステップ1で中間材34を形成する工程を省略することができる。このとき、引出し電極部32の上に抵抗体34を直接形成し、ステップ2で熱処理を行うことにより、引出し電極部32と抵抗体34との間に金属間化合物を生成させればよい。抵抗体および引出し電極の間に配置された中間材は、熱処理によって抵抗体および引出し電極の中に相互拡散され、中間材と抵抗体または引出し電極との界面に特定の金属間化合物を生成する。生成される金属間化合物は、熱処理の温度によって決まる。一度、金属間化合物が生成されると、金属間化合物層中の元素は、その層を生成した温度よりも低い温度では拡散しない。そのため、それ以降に金属間化合物の生成温度以下で熱処理を行った場合には、金属間化合物による中間層が、中間材、抵抗体および引出し電極の相互拡散を妨げるバリア層として作用する事になる。形成された金属間化合物による中間層は、生成した温度以下であれば、何回熱処理を行っても、電気抵抗の変化は起こらない。また、金属間化合物を生成する1回目熱処理ステップ2では、金属間化合物が界面に均一に生じるので、電気抵抗の変動量がほぼ一定の割合で変化する。その為、金属間化合物を生成する1回目熱処理後の電気抵抗の変動さえ把握しておけば、複数回の熱処理を通るようなプロセスでも容易に抵抗の制御が可能となる。生成した金属間化合物の融点がプロセスの熱処理温度よりも低い場合は、熱処理時に金属間化合物が溶融してしまう為、バリア層としては適当でない。相互拡散によって生じる金属間化合物は、界面に均一に生成される為、電気抵抗の変動は、ほぼ一定になる。同一条件で形成したデバイスであれば、電気抵抗の変動量は同じになる。その為、金属間化合物を生成する熱処理の前後で一部のデバイスの電気抵抗を測定しておけば、その時の変動量を同一条件で製造したデバイスに適用する事が出来る。本発明に係るデバイスは、上述したように流路を有する流路デバイスに好適に実施されるが、上記に限らず電気抵抗の変動が問題になるデバイスとして好適に実施できる。複数の開口したウエル構造を有するデバイスであってもよいし、電気泳動や誘電泳動などを利用するデバイスとして構成してもよい。すなわち、本発明の別の態様に係るデバイスは、積層した複数の金属層を基板上に有する第一の構造、および基板に接合されており、ガラスフリットを焼成して得られた第二の構造を有するデバイスであり、第1の金属層と第2の金属層との間に、第1の金属層を構成する一つ以上の金属元素および第2の金属層を構成する一つ以上の金属元素を含む金属間化合物の中間層を有し、かつ金属間化合物の融点が前記ガラスフリットの焼成温度よりも高いことで、ガラスフリット焼成時の金属拡散が抑えられている。以下、具体的な実施例を挙げて本発明の主要な工程においてを詳しく説明する。第1の実施例は、上記実施形態の図2で説明した製造方法を適用してマイクロ流路デバイスを製造した。工程1第1の基板11に穴を空ける工程、第2の基板12に引出し電極部32、中間材34、抵抗体33、保護膜31を形成する工程第1の基板11、第2の基板12として0.6mm厚、4インチウェハの合成石英基板を用意した。次に、有機溶媒洗浄、純水リンスおよびUV-オゾン洗浄によって、第1の基板および第2の基板の表面を脱脂した。第1の基板には、マイクロ流路の入り側と出側に当たる部分に、貫通穴を作製した。貫通穴は、レーザ加工波長355nmのYVO4レーザ、出力4W、周波数20kHzで、直径約200μmの穴を空けた。第2の基板には、基板にフォトレジストを塗布して、引出し電極の形状のフォトマスクを用い、電極の形状にパターニングを行った。その後、スパッタリングによってAu純度99.9を約300nm堆積させ、レジストを除去し、所望の電極パターンを得た。引出し電極と抵抗体が接触する部分に中間材34を配置する為、電極部のパターニングと同様にして、フォトレジスト塗布、中間材の形状のフォトマスクを用いパターニングを行い、スパッタリングによってTi純度99.9を約20nm堆積させた。中間材の寸法は、幅約300μm、長さ約200μmとした。抵抗体も上記と同様にして、パターニングを行い、スパッタリングによってPt純度99.9を約100nm堆積させた。抵抗体の寸法は、幅約300μm、長さ約180mmとし、図1aに示されるように、2本の抵抗体を平行に配置した。抵抗体全体を覆うように、保護膜を上記と同様にしてパターニングを行い、スパッタリングによってSiO2を約1000nm堆積させた。工程2第2の基板を熱処理し、中間材を引出し電極および抵抗体に拡散させ、金属間化合物を生成させる工程第2の基板を、バッチ式の電気炉にて熱処理を行った。熱処理雰囲気は、大気中で、温度は、約600°C、ピーク温度保持時間は、10~20minとした。ピーク温度保持後、十分な時間をかけて冷却を行い、室温とほぼ同温度になった所で第2の基板を炉から取出した。工程3第2の基板上にマイクロ流路の隔壁を形成する工程、隔壁上に接合材を形成する工程熱処理の終わった第2の基板上に図2fに示されるようにマイクロ流路の隔壁21となるガラスペースト材をスクリーン印刷によって形成した。本実施例では、ガラスペースト材として、軟化点500°CのBi系鉛非含有ガラスを母材とし、バインダーとして有機物および感光性樹脂を分散混合させたフォトペーストを用いた。このペーストを第2の基板の保護膜の上にスクリーン印刷で、パターン無しのベタ膜を印刷し、その後、所望のマイクロ流路の隔壁の形状の入ったフォトマスクを用いてパターニングし、炭酸ナトリウムで現像を行い、隔壁を形成した。マイクロ流路隔壁は、幅約200μmになるようにした。隔壁の形成後、ベルトコンベア式の連続炉で、約500°C、ピーク温度保持時間は20~30minで大気中の熱処理を行い、フォトペーストの有機物をバーンアウトさせて、焼成した。次に、図2gに示されるように、隔壁21の上に載るように接合材22をスクリーン印刷によって形成した。本実施例では、接合材22として、ガラスフリットを用いた。ガラスフリットとしては、熱膨張係数α=75×10-7/°C、軟化点390°CのBi系鉛非含有ガラスフリットを母材とし、バインダーとして有機物を分散混合させたペーストを用いた。このペーストを第2の基板に形成した隔壁の寸法に合うようにパターニングしたスクリーン版を用いて、スクリーン印刷を行った。その後、有機物をバーンアウトする為に、約400°Cで加熱し、焼成した。工程4第1の基板と第2の基板を貼り合せて接合する工程次に、接合材22が形成された第2の基板12を第1の基板11に対してアライメントしながら、第1の基板に空けた穴と第2の基板上のマイクロ流路が合うように接合材22を介して接触させ、これらの部材を仮組した。その後、接合材22への加圧を行う為に、第1の基板上に約40gのSUS304のブロックを重りとして載せた。このようにして、第1の基板と第2の基板とを接合材22を介して接触させた。その状態で、ベルトコンベア式の連続炉に入れ、約460°C、ピーク保持時間は20~30minで大気中の熱処理を行い、接合フリットを軟化溶融させて、第1の基板と第2の基板とを接合させた。以上の様にして、マイクロ流路デバイスを作製した。デバイスの抵抗体の電気抵抗を測定した所、金属間化合物を生成させた後の熱処理では、抵抗の変動が0.08以下と非常に小さく、ほとんど変動していない事が分かった。また、本実施例で作製した前記のデバイスは、金属間化合物の生成熱処理の前後で、全て抵抗体の電気抵抗の変動量が同じであり、抵抗の補正も容易に行う事が出来た。