"タングステンを含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むからなる電解銅合金箔。タングステン、炭素、硫黄、窒素、及び塩素を含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むからなる電解銅合金箔。硫酸-硫酸銅系電解液に、チオ尿素系化合物、タングステン塩、塩化物イオンを添加し、電解析出によりタングステンを含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を除くからなる電解銅合金箔を製造する電解銅合金箔の製造方法。しかし、上記特許文献1~3に開示された電解銅箔の場合、いずれも常態での機械的強度は大きいものの、300°C以上といった高温で加熱した場合には著しく機械的強度が低下する。上記特許文献1~3に開示の電解銅箔の場合、いずれも硫酸-硫酸銅系電解液を用い、添加剤の種類は特許文献1~3で異なるが、いずれも有機化合物を添加剤として使用している以下有機添加剤と記す。有機添加剤は通常は結晶の成長を抑制する効果のあるものが多く、結晶粒界に取り込まれると考えられている。この場合、結晶粒界に取り込まれる有機添加剤の量が多いほど機械的強度が向上する傾向にある。非特許文献1有機添加剤が結晶粒界に取り込まれた特許文献1~3に開示された電解銅箔の場合、いずれも常態での機械的強度が大きいものの、300°C以上といった高温で加熱した場合には著しく機械的強度が低下する。これは、結晶粒界に取り込まれた有機添加剤が300°C以上といった高温で加熱した場合には分解してしまい、その結果として機械的強度が低下すると考えられる。そこで、本発明者らは、鋭意研究の結果、以下に述べる電解銅合金箔を採用することで、低プロファイルで、常態の機械的強度が大きく、300°C以上で加熱しても熱劣化がしにくい電解銅合金箔を提供することに成功した。本発明に係る電解銅合金箔は、タングステンを含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むからなる電解銅合金箔である。また、本発明の電解銅合金箔は、タングステン、炭素、硫黄、窒素、及び塩素を含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むからなる電解銅合金箔である。本発明の電解銅合金箔は、銅電解液を電解することにより得られる電解銅合金箔であって、当該電解銅合金箔は、タングステンを10~600ppm含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むの電解銅合金箔であることが好ましい。本発明の電解銅合金箔は、銅電解液を電解することにより得られる電解銅合金箔であって、当該電解銅合金箔は、タングステンを10~600ppm含有し、炭素、硫黄、窒素、塩素を含有し残部銅不可避的に混入する不純物を含むの電解銅合金箔であることが好ましい。本発明の電解銅合金箔の製造方法は、硫酸-硫酸銅系電解液を用い、電解法により電解銅合金箔を製造する方法であって、前記硫酸-硫酸銅系電解液は、下記添加剤A、B、Cを含むことを特徴とする。添加剤A:チオ尿素系化合物添加剤B:タングステン塩添加剤C:塩化物イオン本発明は、低プロファイルで、常態の機械的強度が大きく、かつ、300°C以上で加熱しても熱劣化がしにくい電解銅合金箔を提供することができる。以下、本発明電解銅合金箔について説明する。本発明の電解銅合金箔はタングステンを含有し、残部が銅不可避的に混入する不純物を含むの電解銅合金箔である。電解銅合金箔に含まれるタングステンの量は10~600ppmの範囲が好ましい。タングステンの含有量を10ppm以上とするのは、10ppm以下ではタングステンを添加した効果が殆ど現れないためである。一方、タングルテンの添加量を600ppm以下とするのは、600ppm以上添加してもその効果は既に飽和し、物性改善の効果が見られないためである。即ち、タングステンを10ppm以下添加した銅合金箔では300°C×1H加熱後の機械的強度は、タングステンを含有しない場合と同様、強度が低下する傾向を示す。タングステンの添加量を増加するに従って300°C×1H加熱後の強度の低下は小さくなるが、含有量がある程度多くなるとその効果は飽和してくる。従って添加量の上限は600ppm程度である。なお、成分の含有量表示に使用した単位ppmは、mg/kgを意味する。本発明電解銅合金箔は、銅電解液を電解することにより得られる電解銅合金箔である。電解銅箔は、タングステンを10~600ppm含有し、炭素、硫黄、窒素、塩素を含有し残部銅不可避的に混入する不純物を含むの電解銅合金箔とすることが好ましい。本発明の電解銅合金箔は、電解液中に添加するタングステン、炭素、硫黄、窒素、塩素がタングステンとチオ尿素系化合物及び塩素とからなる錯体となって電解銅箔中に取り込まれたものと考えられる。即ち、本発明電解銅合金箔は硫酸-硫酸銅電解液にタングステン、チオ尿素系化合物、塩素を含む電解液から電解析出により形成する。このタングステン、チオ尿素系化合物、塩素を含む硫酸-硫酸銅電解液中で電解析出するとタングステンはチオ尿素系化合物、塩素とともにタングステン-チオ尿素系化合物-塩素の錯体を形成すると考えられる。タングステン、チオ尿素系化合物、塩素を含む硫酸-硫酸銅電解液により銅電析を行い、銅合金箔を形成するとタングステン-チオ尿素化合物-塩素錯体が結晶粒界に吸着され、結晶核の成長が抑制され、結晶粒が微細化低プロファイル化され、常態で大きな機械的強度を備えた電解銅合金箔が形成される。この銅合金箔の結晶粒界に存在するタングステン-チオ尿素系化合物-塩素錯体のタングステンは、バルクの銅結晶と結合、あるいは吸収されることなく、タングステン-チオ尿素系化合物-塩素錯体のまま結晶粒界にとどまると考えられる。従って、タングステンを含有する電解銅合金箔は300°C程度の高温で加熱しても、タングステン元素は結晶粒界にとどまり、銅の微細結晶が熱により再結晶し、結晶が粗大化するのを防ぐ働きをする。従って、300°C位の高温で加熱した後でも低プロファイルで、機械的強度の低下が小さいという、これまでの有機添加剤を用いた硫酸-硫酸銅系の電解液により製造された電解銅箔には見られない優れた特徴を発揮する。前述したように、硫酸-硫酸銅系の電解液に添加されるチオ尿素系化合物は、電解液中で金属元素、塩素とともに錯体を形成すると考えられる。前記特許文献1~に開示されている電解銅箔製造用の電解液に添加されている金属元素は銅である。従って、硫酸-硫酸銅電解液中で銅-チオ尿素系化合物-塩素の錯体が形成される。この電解液による銅電析で電解銅箔を形成すると、上述したように銅-チオ尿素系化合物-塩素錯体が結晶粒界に吸着され、結晶核の成長が抑制され、結晶粒が微細化され、常態で大きな機械的強度を備えた電解銅箔が形成される。しかし、この銅箔は結晶粒界に存在する物質が、銅-チオ尿素系化合物-塩素錯体であるため銅はバルクの銅結晶と結合あるいは吸収され、結晶粒界に存在する物質が、チオ尿素系化合物と塩素のみとなってしまうため、300°C程度の高温にさらされると分解し、その結果として機械的強度が低下すると考えられる。300°C程度の高温で加熱した場合に引張強さが著しく低下する理由は、上記のように結晶粒界に存在する化合物が有機化合物であり、該有機化合物は300°C程度の加熱により分解しやすいため、機械的強度が低下すると考えられる特許文献1~3では異なる有機化合物を使用して電解析出を行い電解銅箔を製造しているが、いずれも有機添加剤と塩素を含む硫酸-硫酸銅電解液から製造されたものであり、電解銅箔の結晶粒界に吸着しているのは有機化合物成分であるため、かかる電解銅箔が300°C以上の高温に曝された場合、著しく機械的強度が低下するのは結晶粒界に吸着している化合物がいずれも300°C以上の高温加熱で分解しやすい有機化合物であるからと考えられる。これに対して本発明による電解銅合金箔は硫酸-硫酸銅電解液にタングステン、チオ尿素系化合物、塩素を含む電解液から電解析出により形成された銅合金箔である。上述したようにタングステンはチオ尿素系化合物、塩素とともに硫酸-硫酸銅電解液中でタングステン-チオ尿素系化合物-塩素の錯体が形成されると考えられ、この電解液により銅電析を行い、銅合金箔を形成するとタングステン-チオ尿素化合物-塩素錯体が結晶粒界に吸着され、結晶核の成長が抑制され、結晶粒が微細化され、常態で大きな機械的強度を備えた電解銅合金箔が形成される。従って、本発明の電解銅合金箔はタングステン-チオ尿素系化合物-塩素錯体が結晶粒界に存在するため、銅-チオ尿素系化合物-塩素錯体の場合とは異なり、タングステンはバルクの銅結晶と結合、あるいは吸収されることなく、タングステン-チオ尿素系化合物-塩素錯体のまま結晶粒界にとどまると考えられる。このため、300°C程度の高温に曝されても、タングステン元素は結晶粒界にとどまり、銅の微細結晶が熱により再結晶し、結晶が粗大化するのを防ぐ働きをする。従って、300°C程度の高温で加熱した後でも機械的強度の低下が小さく、これまでの有機添加剤を用いた硫酸-硫酸銅系の電解液により製造された電解銅箔には見られない優れた特徴を有する。本発明に係わる電解銅合金箔は、硫酸-硫酸銅系銅電解液に以下の添加剤A及び添加剤B及び添加剤Cを添加した電解液で製造することができる。添加剤A:チオ尿素系化合物添加剤B:タングステン塩添加剤C:塩化物イオン添加剤Aはチオ尿素系化合物である。ここで、チオ尿素系化合物とは下記構造をもつ有機化合物である。>N-C=S-N<ここで、=Sの基が硫酸-硫酸銅電解液中でタングステンと反応してタングステン-チオ尿素化合物-塩素の錯体を形成すると考えられる。添加剤B:タングステン塩は硫酸-硫酸銅溶液中で溶解するもので、タングステン酸ナトリウム、タングステン酸アンモニウム、タングステン酸カリウム等をあげることができる。添加剤C:塩化物イオンには硫酸-硫酸銅溶液中で溶解するもので、塩酸、塩化ナトリウム、塩化カリウム等をあげることができる。以下、本発明に係わる電解銅合金箔についてその実施例を示す。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤Aとしてチオ尿素、添加剤Bとしてタングステン酸ナトリウム、添加剤Cとして塩酸をそれぞれ以下の量加えた。チオ尿素=1mg/L~50mg/Lタングステン酸ナトリウム=1mg/L~500mg/Lタングステンとして塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さのタングステン含有電解銅合金箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅合金箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤Aとしてエチレンチオ尿素、添加剤Bとしてタングステン酸アンモニウム、添加剤Cとして塩化ナトリウムをそれぞれ以下の量加えた。エチレンチオ尿素=1mg/L~50mg/Lタングステン酸アンモニウム=1mg/L~500mg/Lタングステンとして塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さのタングステン含有電解銅合金箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅合金箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤AとしてN,N‘-ジエチルチオ尿素、添加剤Bとしてタングステン酸カリウム、添加剤Cとして塩化カリウムをそれぞれ以下の量加えた。N,N‘-ジエチルチオ尿素=1mg/L~50mg/Lタングステン酸カリウム=1mg/L~500mg/Lタングステンとして塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さのタングステン含有電解銅合金箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅合金箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤Aとしてチオ尿素、添加剤Cとして塩酸をそれぞれ以下の量加えた。チオ尿素=1mg/L~50mg/L塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さの電解銅箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤Aとしてエチレンチオ尿素、添加剤Cとして塩化ナトリウムをそれぞれ以下の量加えた。エチレンチオ尿素=1mg/L~50mg/L塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さの電解銅箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。硫酸-硫酸銅系の電解液として以下の浴を基本浴組成として用いた。Cu=50~150g/LH2SO4=20~200g/L添加剤AとしてN,N‘-ジエチルチオ尿素、添加剤Cとして塩化カリウムをそれぞれ以下の量加えた。N,N‘-ジエチルチオ尿素=1mg/L~50mg/L塩化物イオン=1mg/L~100mg/Lこの電解液を用いて以下の条件で電析を行い、12μm厚さの電解銅箔を製造した。電流密度=30~100A/dm2温度=30~70°C得られた電解銅箔の常態での引張強さ、0.2耐力、伸び及び300°C×1H加熱後の引張強さ、0.2耐力、伸びを表1に示した。実施例1~3のタングステン含有電解銅合金箔は、常態での機械的強度が大きいことは言うまでもないく、300°C×1H加熱後でも機械的強度の低下が小さく、400MPa以上の値を保っている。これに対して比較例1~3の有機添加剤のみを添加した電解銅箔は、常態での機械的強度は大きいが、300°C×1H加熱後では機械的強度が著しく低下している。本発明による電解銅合金箔は、結晶粒の微細化効果とともに、タングステンを10~600ppm含有し、必要により炭素、硫黄、窒素、塩素を含有し残部銅不可避的に混入する不純物を含むの電解銅合金箔である。本発明に係る電解銅箔の常態での機械的強度が大きいことはもとより、300°C×1Hの加熱後においても、大きな機械的強度を有する。"