"磁化して磁力を変化させ、磁化特性が変化する可変磁力磁石を備えた同期電動機と、前記可変磁力磁石の前記磁化特性を特定する磁化特性特定手段と、前記同期電動機の回転数に基づいて、磁化後の前記可変磁力磁石の磁束の目標値である磁束目標値を決定する磁束目標値決定手段と、前記磁化特性特定手段により特定された前記磁化特性及び前記磁束目標値決定手段により決定された前記磁束目標値に基づいて、前記可変磁力磁石を磁化するために流す磁化電流を決定する磁化電流決定手段と、前記磁化電流決定手段により決定された前記磁化電流を前記同期電動機に出力する磁化電流出力手段とを備えたことを特徴とするモータドライブ装置。所定時間内に磁化した前記可変磁力磁石の最も小さい磁束値である最小磁束値を記憶する最小磁束値記憶手段を備え、前記磁化特性特定手段は、前記最小磁束値記憶手段に記憶された前記最小磁束値に基づいて、前記磁化特性を特定することを特徴とする請求項1に記載のモータドライブ装置。前記磁化特性の特定の正確性を向上させるために、前記可変磁力磁石を最大磁束又は最小磁束にリセットするための磁化をする磁束リセット手段を備えたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のモータドライブ装置。前記磁束リセット手段は、前記同期電動機の回転数が所定値より低下した場合、前記リセットするための磁化をすることを特徴とする請求項3に記載のモータドライブ装置。前記磁束リセット手段は、前記同期電動機の回転数が所定値より増加した場合、前記リセットするための磁化をすることを特徴とする請求項3に記載のモータドライブ装置。前記磁束リセット手段は、前記可変磁力磁石の磁化を所定回数実行した場合、前記リセットするための磁化をすることを特徴とする請求項3に記載のモータドライブ装置。前記磁束リセット手段は、所定時間内に前記リセットするための磁化をしていない場合、前記リセットするための磁化をすることを特徴とする請求項3に記載のモータドライブ装置。前記磁化電流決定手段により決定された前記磁化電流を前記同期電動機に出力する場合、前記同期電動機のトルク不連続を解消するように流すトルク電流を決定するトルク電流決定手段と、前記トルク電流決定手段により決定された前記トルク電流を前記同期電動機に出力するトルク電流出力手段とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のモータドライブ装置。前記磁化電流決定手段により決定された前記磁化電流を前記同期電動機に出力する場合、前記同期電動機に出力する電圧余裕を確保するように流すトルク電流を決定するトルク電流決定手段と、前記トルク電流決定手段により決定された前記トルク電流を前記同期電動機に出力するトルク電流出力手段とを備えたことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のモータドライブ装置。磁化して磁力を変化させ、磁化特性が変化する可変磁力磁石を備えた同期電動機に、交流電力を供給するインバータを制御するインバータ制御装置であって、前記可変磁力磁石の前記磁化特性を特定する磁化特性特定手段と、前記同期電動機の回転数に基づいて、磁化後の前記可変磁力磁石の磁束の目標値である磁束目標値を決定する磁束目標値決定手段と、前記磁化特性特定手段により特定された前記磁化特性及び前記磁束目標値決定手段により決定された前記磁束目標値に基づいて、前記可変磁力磁石を磁化するために流す磁化電流を決定する磁化電流決定手段と、前記磁化電流決定手段により決定された前記磁化電流を前記同期電動機に出力する制御をする磁化電流制御手段とを備えたことを特徴とするインバータ制御装置。磁化して磁力を変化させ、磁化特性が変化する可変磁力磁石を備えた同期電動機を制御する同期電動機の制御方法であって、前記可変磁力磁石の前記磁化特性を特定することと、前記同期電動機の回転数に基づいて、磁化後の前記可変磁力磁石の磁束の目標値である磁束目標値を決定することと、特定した前記磁化特性及び決定した前記磁束目標値に基づいて、前記可変磁力磁石を磁化するために流す磁化電流を決定することと、決定した前記磁化電流を前記同期電動機に出力することとを含むことを特徴とする同期電動機の制御方法。しかしながら、可変磁力磁石の磁化には、短時間で過大な磁化電流を印加する必要がある。過大な磁化電流を流すためには、この過大な磁化電流に相応する高いインバータ出力電圧が必要である。磁化電流に必要なインバータ出力電圧が確保できない場合、可変磁力磁石の磁力を変えることができない。このような場合、モータ効率の低下や必要なトルクの確保ができない、というような状況に陥る。そこで、本発明の実施形態の目的は、可変磁力磁石の磁力を変化させるための磁化電流を低減することのできるモータドライブ装置を提供することにある。本発明の観点に従ったモータドライブ装置は、磁化して磁力を変化させ、磁化特性が変化する可変磁力磁石を備えた同期電動機と、前記可変磁力磁石の前記磁化特性を特定する磁化特性特定手段と、前記同期電動機の回転数に基づいて、磁化後の前記可変磁力磁石の磁束の目標値である磁束目標値を決定する磁束目標値決定手段と、前記磁化特性特定手段により特定された前記磁化特性及び前記磁束目標値決定手段により決定された前記磁束目標値に基づいて、前記可変磁力磁石を磁化するために流す磁化電流を決定する磁化電流決定手段と、前記磁化電流決定手段により決定された前記磁化電流を前記同期電動機に出力する磁化電流出力手段とを備えている。以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。実施形態図1は、本発明の実施形態に係る可変磁力メモリモータドライブ装置1の構成を示す構成図である。図2は、本実施形態に係る可変磁力メモリモータ2の回転子40の構造を示す断面図である。なお、各図において、同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、異なる部分について主に述べる。以降の実施形態も同様にして重複する説明を省略する。可変磁力メモリモータドライブ装置1は、可変磁力メモリモータ2と、ロータ位置検出器3と、インバータ4と、直流電源5と、平滑コンデンサ6と、直流電圧検出器7と、モータ電流検出器8U,8Wと、制御部9とを備えている。可変磁力メモリモータ2は、磁力を変化させることのできる永久磁石である可変磁力磁石41が回転子40に埋め込まれた永久磁石同期電動機である。可変磁力磁石41は、インバータ4から入力される磁化電流Imagd軸電流Idにより磁化されることで、磁力が変化する。これにより、可変磁力メモリモータ2は、磁束が変化する。可変磁力メモリモータ2は、インバータ4から供給される交流電力により、駆動する。ロータ位置検出器3は、可変磁力メモリモータ2の回転子ロータ40の回転位置を示すロータ位相θmを検出する。ロータ位置検出器3は、例えばレゾルバである。インバータ4は、直流電源5から供給された直流電力を三相交流電力に変換する。インバータ4は、変換した交流電力を可変磁力メモリモータ2に供給する。インバータ4は、可変磁力メモリモータ2に交流電力を出力することで、可変磁力メモリモータ2を制御する。直流電源5は、インバータ4の直流側入力側に接続されている。直流電源5は、インバータ4に直流電力を供給する。平滑コンデンサ6は、インバータ4の直流側に接続されている。平滑コンデンサ6は、インバータ4に入力される直流電圧Vdcを平滑化する。直流電圧検出器7は、インバータ4の直流側の電圧であるインバータ直流入力電圧Vdcを検出する。直流電圧検出器7は、検出したインバータ直流入力電圧Vdcを制御部9に出力する。交流電流検出器8U,8Wは、インバータ4から可変磁力メモリモータ2に流れるモータ電流Iu,Iwを検出する。交流電流検出器8Uは、モータU相電流Iuを検出する。交流電流検出器8Wは、モータW相電流Iwを検出する。交流電流検出器8U,8Wは、検出したモータ電流Iu,Iwを制御部9に出力する。制御部9は、ロータ位置検出器3により検出されたロータ位相θm、直流電圧検出器7により検出されたインバータ直流入力電圧Vdc、及び交流電流検出器8U,8Wにより検出されたモータ電流Iu,Iwに基づいて、インバータ4を制御する。制御部9は、インバータ4から出力されるモータ電流Iu,Iwを制御することで、可変磁力メモリモータ2を制御する。図2を参照して、回転子40の構造について説明する。図2中の矢印は、各磁石41,42,43の磁力線の向きを示している。回転子40は、回転子鉄心44に磁石41,42,43が埋め込まれた構造である。回転子40は、8つの磁石の磁極部45及び8つのリラクタンストルク発生の鉄の磁極部46を備えている。回転子40は、回転軸51を中心に回転する。軸受52は、回転軸51を支える。1つの磁石の磁極部45は、1つの可変磁力磁石41と、1つの固定磁力磁石42と、2つ固定磁力磁石43とを備える。可変磁力磁石41は、磁力を変化させる磁石である。従って、可変磁力磁石41は、保磁力が低い材質の磁石である。一方、固定磁力磁石42,43は、磁力をほぼ固定させたまま使用する磁石である。従って、固定磁力磁石42は、保磁力が高い材質の磁石である。固定磁力磁石42は、可変磁力磁石41と直列に配置されている。固定磁力磁石42は、可変磁力磁石の磁力を補うために設けられている。図3は、本実施形態に係る回転子40に使用する磁石41~43の磁束密度Bと磁界Hとの相関関係を表す特性BH特性を示す特性図である。曲線Ccは、可変磁力磁石41のBH特性を示している。曲線Cvは、固定磁力磁石42,43のBH特性を示している。可変磁力磁石41のBH特性は、磁束密度Bを上限から下限まで変化させるために必要な磁界Hの変化幅Scがインバータ4から流す磁化電流Imagにより変化する磁界Hの幅Siよりも狭い。可変磁力磁石41は、このように保磁力が低い材質でできている。これにより、可変磁力磁石41は、インバータ4から流す磁化電流Imagによる磁界Hにより、任意の磁束密度Bに変化させることができる。一方、固定磁力磁石42,43のBH特性は、磁束密度Bを上限から下限まで変化させるために必要な磁界Hの変化幅がインバータ4から流す磁化電流Imagにより変化する磁界Hの幅Siよりも非常に広い。固定磁力磁石42,43は、このように保磁力が高い材質でできている。これにより、固定磁力磁石42,43は、インバータ4から流す磁化電流Imagによる磁界Hにより、磁化電流Imagの影響をほとんど受けず磁束密度Bをほぼ変化させないようにすることができる。図4は、本実施形態に係る可変磁力磁石41の磁束量と磁化電流の相関関係を示す特性図である。図4を参照して、可変磁力磁石41を磁化について説明する。可変磁力磁石41に、最大の増磁電流I5を流すと、可変磁力磁石41の磁束値は、最大磁束値φ1となる。この状態で、減磁電流I6を流すと、可変磁力磁石41の磁束値は、減磁して最大磁束値φ1よりも小さい磁束値φ2になる。この状態で、増磁電流I1を流すと、磁束量が最大となる位置にある増磁するパス磁化特性P1を通って、可変磁力磁石41の磁束値は、最大磁束値φ1になる。この状態で、最大の減磁電流I10を流した場合、可変磁力磁石41の磁束値は、最小磁束値φ6になる。しかし、この最小磁束値φ6の状態で、先程は増磁することができた増磁電流I1を流しても、可変磁力磁石41は、増磁しない。この場合の増磁は、磁束量が最小となる位置にあるパスP5を通って、可変磁力磁石41が磁化されるためである。従って、このように最小磁束値φ6になった後の状態では、最大の増磁電流I5を流すことにより、可変磁力磁石41の磁束値は、最大磁束値φ1になる。ここでは、可変磁力磁石41の磁束値を磁束値φ2,φ6までそれぞれ減磁した後に増磁する場合に、それぞれパスP1,P5を通ることについて説明したが、パスP1とパスP5の間にある中間のパスP2~P4を通る場合についても同様である。即ち、まず、可変磁力磁石41の磁束値φをそれぞれ磁束値φ3~φ5まで減磁するには、それぞれ減磁電流I7~I9を流す必要がある。次に、可変磁力磁石41の磁束値を磁束値φ3~φ5まで減磁した後に、最大磁束値φ1まで増磁する場合には、それぞれ増磁電流I2~I4を流す必要がある。このように、それぞれ増磁電流I2~I4を流す場合には、それぞれパスP2~P4を通るように、可変磁力磁石41は増磁される。従って、可変磁力磁石41を磁束目標値φとなるように磁化するためには、制御部9は、どのパス磁化特性P1~P5で増磁されるのかを把握する必要がある。そこで、制御部9の磁束管理部21では、このような磁化特性を特定するための要素となる最小磁束値φminを管理している。制御部9は、磁束管理部21と、通常時電流指令演算部22と、指令選択部23と、座標変換部24,26と、電流制御部25と、PWM回路27と、回転数演算部28と、磁化管理部29と、磁化時電流指令演算部30と、減算器33d,33qとを備えている。ここで、DQ軸座標について説明する。DQ軸上のD軸とは、磁石磁束方向の軸であり、磁気トルクに作用しない軸である。DQ軸上のQ軸とは、磁石磁束方向と直交する軸D軸と直交する軸であり、磁気トルクに作用する軸である。まず、主に通常時磁化していない時の制御部9の構成について説明する。磁束管理部21は、磁化管理部29から入力される磁束目標値φ及び磁化モードMDに基づいて、様々な磁束に関する演算処理又は管理を行う。具体的には、磁束管理部21は、磁束目標値φ、現在磁束値φn、及び最小磁束値φminを管理する。ここで、現在磁束値φnは、磁束管理部21で管理されている可変磁力磁石41の現在の磁束値である。磁束管理部21は、現在磁束値φnが運転中に低下した最小の磁束値を、最小磁束値φminとして記憶する。磁束管理部21は、管理している現在磁束値φnを通常時電流指令演算部22及び磁化時電流指令演算部30に出力する。磁束管理部21は、管理している磁束目標値φ及び最小磁束値φminを磁化時電流指令演算部30に出力する。通常時電流指令演算部22には、トルク指令Trq、磁束管理部21により管理されている現在磁束値φnが入力される。通常時電流指令演算部22は、トルク指令Trq及び現在磁束値φnに基づいて、通常時のD軸電流指令Id1及び通常時のQ軸電流指令Iq1を演算する。通常時電流指令演算部22は、演算した通常時のDQ軸電流指令Id1,Iq1を指令選択部23に出力する。通常時電流指令演算部22は、演算した通常時のD軸電流指令Id1を磁化時電流指令演算部30の磁化電流指令演算部31に出力する。通常時のD軸電流指令Id1は、通常時に可変磁力メモリモータ2に流すD軸電流磁化電流Idを制御するための指令である。通常時のQ軸電流指令Iq1は、通常時に可変磁力メモリモータ2に流すQ軸電流トルク電流Iqを制御するための指令である。即ち、Q軸電流指令Iq1は、可変磁力メモリモータ2のトルクを制御するための指令となる。指令選択部23は、磁化管理部29から出力される磁化モードMDに基づいて、通常時と磁化時とで、電流指令Id,Iqを切り替える。磁化モードMDは、通常時では0であり、磁化時は1又は2である。指令選択部23は、磁化モードMDが0であれば、通常時のDQ軸電流指令Id1,Iq1を電流指令Id,Iqとして選択し、磁化モードMDが非0であれば、磁化時のDQ軸電流指令Id2,Iq2を電流指令Id,Iqとして選択する。ここでは、通常時であるため、指令選択部23は、通常時のDQ軸電流指令Id1,Iq1を選択する。指令選択部23は、選択した電流指令Id,Iqを減算器33d,33qに出力する。座標変換部24は、交流電流検出器8U,8Wにより検出された相電流であるモータ電流Iu,Iwを、ロータ位置検出器3により検出されたロータ位相θmに基づいて、DQ軸座標系のDQ軸電流Id,Iqに変換する。なお、直接検出してないV相電流は、他の2つの相電流Iu,Iwから演算される。座標変換部24は、演算したDQ軸電流Id,Iqを減算器33d,33qに出力する。減算器33dには、指令選択部23から出力されたD軸電流指令Id及び座標変換部24により演算されたD軸電流Idが入力される。減算器33dは、D軸電流指令IdからD軸電流Idを減算する。減算器33dは、減算したD軸電流の差分ΔIdを電流制御部25に出力する。減算器33qには、指令選択部23から出力されたQ軸電流指令Iq及び座標変換部24により演算されたQ軸電流Iqが入力される。減算器33qは、Q軸電流指令IqからQ軸電流Iqを減算する。減算器33qは、減算したQ軸電流の差分ΔIqを電流制御部25に出力する。電流制御部25は、減算器33d,33qにより演算されたDQ軸電流の差分ΔId,ΔIqを、PI制御器などにより、零にするように、DQ軸電圧指令Vd,Vqを演算する。DQ軸電圧指令Vd,Vqは、インバータ4の出力電圧を制御するためのDQ軸座標系の電圧指令である。電流制御部25は、演算したDQ軸電圧指令Vd,Vqを座標変換部26に出力する。座標変換部26は、電流制御部25により演算されたDQ軸電圧指令Vd,Vqを、ロータ位置検出器3により検出されたロータ位相θmに基づいて、三相交流の各相の電圧指令Vu,Vv,Vwに変換する。三相交流電圧指令Vu,Vv,Vwは、インバータ4の出力電圧を制御するための三相交流の各相の電圧指令である。座標変換部26は、演算した三相交流電圧指令Vu,Vv,VwをPWM回路27に出力する。PWM回路27は、座標変換部26により演算された三相交流電圧指令Vu,Vv,Vwに基づいて、インバータ4をPWM制御するためのゲート信号GSを生成する。例えば、PWM回路27は、三角波比較PWM又は同期PWMにより、ゲート信号GSを生成する。PWM回路27は、生成したゲート信号GSをインバータ4のゲート回路に出力する。これにより、三相交流電圧指令Vu,Vv,Vwに従って、インバータ4から三相交流電圧が出力される。これにより、制御部9は、可変磁力メモリモータ2の駆動を制御する。次に、磁化時の制御部9の構成について説明する。回転数演算部28は、ロータ位置検出器3により検出されたロータ位相θmに基づいて、回転子40の回転数Nr[rpm]を演算する。回転数演算部28は、演算した回転数Nrを磁化管理部29に出力する。磁化管理部29には、トルク指令Trq、直流電圧検出器7により検出されたインバータ直流入力電圧Vdc、磁化時電流指令演算部30の磁化電流指令演算部31により決定された可変磁力磁石41の磁化時の磁化特性Fimag、及び回転数演算部28により演算された回転数Nrが入力される。ここで、磁化特性Fimagとは、図4に示すパスP1からパスP5のいずれの磁化特性であるかを示す関数である。この関数は、最小磁束値φminにより決定される。また、磁化時の磁化特性Fimagとは、可変磁力磁石41の磁化処理を実行するとき磁化時のD軸電流指令磁化電流指令Id2の演算時に把握できる磁化特性Fimagのことである。磁化電流指令演算部31では、磁化電流指令D軸電流指令Id2を演算するために、前述したように、可変磁力磁石41の磁化時の磁化特性Fimagを決定する必要がある。従って、磁化電流指令演算部31は、磁束管理部21で管理されている最小磁束値φminに基づいて、磁化特性Fimagを決定する。磁化管理部29は、可変磁力磁石41の磁化を実行する制御を管理する。具体的には、回転数Nr、トルク、インバータ直流入力電圧Vdc、又は磁化時の磁化特性Fimagなどに基づいて、可変磁力磁石41の磁化処理を実行するか否かを決定する。磁化管理部29は、磁化処理の実行を判断した場合は、可変磁力磁石41の磁化後の磁束の目標となる磁束目標値φを決定する。磁化管理部29は、磁化処理を実行するために、磁化処理の過程を表す磁化モードMDを生成する。磁化管理部29は、磁束目標値φ及び磁化モードMDを磁束管理部21に出力する。磁化管理部29は、電流指令値Id,Iqを通常時のDQ軸電流指令Id1,Iq1から磁化時のDQ軸電流指令Id2,Iq2に切り替えるために、指令選択部23に磁化モードMDを出力する。図5は、本実施形態に係る磁化管理部29の構成を示す構成図である。磁化管理部29は、磁束目標値設定部51と、前回値記憶部52と、比較器53と、選択器54と、OR回路55と、磁束目標値記録部56と、磁化モードシーケンス処理部57と、磁束リセット処理部58とを備えている。磁束目標値設定部51は、回転数Nr、磁化特性Fimag、及びインバータ直流入力電圧Vdcに基づいて、磁束目標値φの基礎の値となる磁束目標値φ0を設定する。磁束目標値設定部51は、可変磁力メモリモータ2の運転効率及び出力が優位になるように、磁束目標値φ0を設定する。磁束目標値設定部51は、設定した磁束目標値φ0を、前回値記憶部52、比較器53、及び選択器54に出力する。図6を参照して、磁束目標値φ0の設定方法について説明する。図6は、磁束目標値φ0を決定するための回転数Nrと磁束目標値φ0との相関関係を示すグラフ図である。図6では、磁束目標値φ0を、回転数Nrに応じて、3段階に切り替える例を示している。磁束目標値設定部51は、低回転域では磁束値φa、中回転域では磁束値φb、高回転域では磁束値φcに磁束目標値φを設定する。ここで、磁束値φa,φb,φcは、φa>φb>φcの関係にある。従って、磁束目標値設定部51は、高回転域ほど小さい磁束目標値φ0に設定する。高回転ほど磁石磁束による逆起電圧が大きくなり、弱め界磁電流を流すことによる銅損が増加する場合があり、かつ、鉄損が生じる。このため、図6に示すように、高回転では可変磁力磁石41の磁束を低減した方が効率及び出力の点で優位になる。磁力を変化させる即ち、磁化する場合には、磁化電流Imagを可変磁力メモリモータ2に流し込むために、インバータ4の出力電圧が通常時の運転よりもより高い必要がある。また、この磁化時のインバータ4の出力電圧は、増磁する場合よりも、減磁する場合の方が小さくてよい。これは、減磁する場合は、マイナスのD軸電流Idを磁化電流Imagとして流すため、可変磁力磁石41の磁束を打ち消すような作用になるためである。このように、増磁をする場合と減磁をする場合のインバータ4の出力電圧への要求の違いから、図6に示すように、回転数Nrに対して設定する磁束目標値φ0の関係がヒステリシス特性を有する。例えば、電気自動車への適用を想定する場合は、減磁する回転数N4,N6を次のようになるように可変磁力メモリモータドライブ装置1を設計する。磁束値φaから磁束値φbに減磁する回転数N4は、市街地走行以上の回転数に設定する。また、φbからφcに減磁する回転数N6は、通常の高速走行以上の回転数に設定する。これにより、可変磁力メモリモータドライブ装置1の運転効率を向上することができる。このように設計された可変磁力メモリモータドライブ装置1では、一度、減磁したら増磁することが困難であり、かつ、磁束値が高いほど、運転効率が良い状態であることが考慮されている。可変磁力磁石41の磁化特性Fimagは、前述したように、磁化を実行した履歴により変化する。従って、磁束目標値設定部51は、磁化時の磁化特性Fimagに従って、どの回転数Nrで増磁をすることができるかを決定する。即ち、図6では、磁束目標値φa,φb,φcは、磁化時の磁化特性Fimagに依存しないが、増磁する回転数N1,N2は、磁化時の磁化特性Fimag、インバータ直流入力電圧Vdc、及び回転数Nrに応じて決定される。ここで、磁束目標値φaに増磁する場合について考える。磁化時の磁化特性Fimagに基づいて、磁化特性Fimagが示す関数の逆関数から磁束目標値φに増磁するための磁化電流Imagを計算することができる。ここで、回転数Nrに対応した電気角周波数をωとすると、次式のようにインバータ4の出力電圧として、DQ軸上の必要な電圧V1が決定できる。Vd=R×Id-ω×Lq×Iqd/dtLd×IdVq=R×Iqω×Ld×Idω×φd/dtLq×IqV1=√Vd×VdVq×Vqここで、VdはD軸電圧指令、VqはQ軸電圧指令、IdはD軸電流指令、IqはQ軸電流指令、Rは抵抗、LdはD軸インダクタンス、LqはQ軸インダクタンス、をそれぞれ示している。一方、最大となる1パルスモードのDQ軸上のインバータ4の出力電圧は、インバータ直流入力電圧Vdcを用いて、次式のように表すことができる。Vmax=√6/π×Vdcここで、電流制御能力確保のための電圧の余裕分及びパラメータ誤差を考慮するための係数K0<K<1を設定する。DQ軸上の最大出力電圧V1maxは、係数Kを用いて、以下のように決定する。V1max=K×Vmax従って、V1max>V1を満たすことを条件にして、増磁するための電気角周波数ω即ち、回転数Nrを決定することができる。また、減磁する場合の特性についても同様に演算することができる。前回値記憶部52には、磁束目標値設定部51により設定された磁束目標値φ0が入力される。前回値記憶部52は、前回磁化処理をしたときの磁束目標値φ0が記憶されている。従って、前回値記憶部52は、磁化処理が開始又は終了すると、最新の磁束目標値φ0を記憶する。前回値記憶部52は、記憶している前回の磁束目標値φ0を比較器53に出力する。比較器53には、磁束目標値設定部51により設定された最新の磁束目標値φ0と前回値記憶部52に記憶された前回の磁束目標値φ0が入力される。比較器53は、最新の磁束目標値φ0が前回の磁束目標値φ0と異なる場合は、選択器54及びOR回路55に1を出力する。即ち、比較器53は、磁束目標値φ0が変化すると1を出力する。比較器53は、磁束目標値φ0が変化していないときは、0を出力する。OR回路55は、磁束リセット処理部58又は比較器53から1を受信すると、1を磁束目標値記録部56及び磁化モードシーケンス処理部57に1を出力する。即ち、OR回路55は、磁束リセット処理部58及び比較器53からそれぞれ入力される信号の論理和を演算する。OR回路55が1を出力すると、磁化処理の開始の合図を示す磁化要求フラグFrqが1になる磁化要求フラグFrqが立つ。選択器54は、比較器53から1を受信すると、磁束目標値設定部51により設定された最新の磁束目標値φ0を選択する。選択器54は、比較器53から0を受信すると、最大磁束値φ1を選択する。図6に示す特性では、最大磁束値φ1は、磁束値φaである。選択器54は、選択した磁束値を、最終的に決定された磁束目標値φとして、磁束目標値記録部56に出力する。磁束目標値記憶部56は、OR回路55から1が入力されると、選択器54から入力された磁束目標値φを記憶する。磁束目標値記憶部56は、磁束目標値φを磁束管理部21に出力する。従って、磁束目標値記憶部56は、OR回路55から0が入力されている場合は、磁束目標値φを記憶せずに出力する。磁化モードシーケンス処理部57は、OR回路55から1を受信する磁化要求フラグFrqが1になると、磁化処理をするための磁化処理の過程を表す磁化モードMDを生成する。図7~9を参照して、本実施形態に係る磁化処理について説明する。図7は、磁化処理における磁化モードMDの変移を示すグラフ図である。図8は、磁化処理におけるDQ軸電流指令Id,Iqの変化を示すグラフ図である。図9は、磁化処理における磁束量φ,φr,φnの変化を示すグラフ図である。なお、ここでは、説明の便宜上、実際に可変磁力メモリモータ2流れるDQ軸電流Id,Iqは、DQ軸電流指令Id,Iqと変化が一致するものとする。磁化モードMDは、磁化モード0を示す0、磁化モード1を示す1、及び磁化モード2を示す2のいずれかである。図7~9では、時刻t1までは磁化モード0、時刻t1から時刻t2までは磁化モード1、時刻t2から時刻t3までは磁化モード2、時刻t3以降は磁化モード0を示している。磁化モード0は、磁化処理を開始していない状態を示している。即ち、可変磁力メモリモータドライブ装置1は、通常運転している状態である。磁化要求フラグFrqが1になると、磁化モードMDは、0から1に移行する。磁化モード1は、D軸電流磁化電流指令Idを目標値まで漸増させている状態である。磁化モード1は、D軸電流指令Idを目標値まで増加させることで、可変磁力磁石41を磁束目標値φまで増磁させることができる。また、可変磁力磁石41を減磁する場合は、D軸電流指令Idを目標値まで漸減させる。一方、Q軸電流トルク電流指令Iqは、磁化中のトルク不連続を解消するため、又は磁化電流Imagの印加のためにインバータ出力電圧の電圧余裕を確保するための値に制御する。図8では、電圧余裕を確保するための制御を示している。D軸電流指令Idが目標値に到達すると、磁化モードMDは、1から2に移行する。磁化モード2は、通常時の運転に戻すモードである。磁化モード2では、DQ軸電流指令Id,Iqをそれぞれ通常時の電流指令値Id1,Iq1に漸近させる。通常時のQ軸電流トルク電流指令値Iqは、磁化処理の前後では、可変磁力磁石41が増磁又は減磁した分、一定にするトルクを変化させないように調整する。DQ軸電流指令Id,Iqを通常時の電流指令値Id1,Iq1に一致させると、磁化モードMDは、2から0に移行する。これにより、磁化処理が完了する。磁束リセット処理部58には、回転数演算部28により演算された回転数Nrが入力される。磁束リセット処理部58は、回転数Nrなどの各種情報に基づいて、磁束リセット処理を行うか否かを判定する。磁束リセット処理部58は、磁束リセット処理を行うと判定した場合は、1をOR回路55に出力する。これにより、磁束リセット処理が実行される。ここで、磁束リセット処理とは、把握している磁化特性Fimagを正確にするための処理である。具体的には、制御部9は、最大の磁化電流Imag図4では、増磁電流I5を流して、可変磁力磁石41の磁力を最大磁束φ1にする。磁束リセット処理部58による磁化処理では、比較機53の出力が0のときに選択器54により選択されている最大磁束値φ1が磁束目標値φとなる。磁束リセット処理を実行する条件は、制御部9で把握している磁化特性Fimag又は、磁束管理部21で管理されている最小磁束値φminの正確性が低下している可能性が高いと考えられる場合である。具体的には、磁束リセット処理を実行する条件は、次の条件のいずれかに該当する場合である。a回転数Nrが所定値例えば、零近傍より低下した場合b回転数Nrが所定値より増加した場合c磁束リセット処理をせずに、所定時間経過した場合d磁束リセット処理をせずに、磁化処理を所定回数実行した場合上記cの条件が成立しているか否かを判定するために、磁束リセット処理をしていない時間を計測してもよいし、所定時間間隔で磁束リセット処理を実行させてもよい。また、上記以外にも、ロータ温度及び磁石温度に基づいて判定してもよい。図10は、本実施形態に係る磁束管理部21の構成を示す構成図である。磁束管理部21は、比較器61、現在磁束値記憶部62、及び最小磁束値演算部63を備えている。磁束管理部21は、磁化管理部29から入力される磁束目標値φをそのまま出力する。現在磁束値記憶部62には、磁束目標値φが入力される。比較器61は、磁化モードMDが2であるか否かを判定する。比較器61は、磁化モードMDが2になると、現在磁束値記憶部62に1を出力する。現在磁束値記憶部62には、磁束目標値φが入力される。現在磁束値記憶部62は、比較器61から1が入力されると、その時点で入力されている磁束目標値φを現在磁束値φnとして記憶更新する。磁化モードMDが1から2に移行する時とは、図9に示すように、可変磁力磁石41の磁束値φrが磁束目標値φに達した時時刻t2である。現在磁束値記憶部62は、記憶している現在磁束値φnを出力する。最小磁束値演算部63は、最小磁束値φminを管理する。最小磁束値演算部63は、最小値選択部64、比較器65、及び選択器66を備えている。最小値選択部64は、現在出力されている最小磁束値φminと現在磁束値記憶部62に記憶されている現在磁束値φnのうち小さい方を選択する。最小値選択部64は、選択した磁束値を選択器66に出力する。比較器65は、現在磁束値記憶部62に記憶されている現在磁束値φnと磁束設定値φs1を比較する。比較器65は、現在磁束値φnが磁束設定値φs1よりも大きい場合は、1を出力する。比較器65は、現在磁束値φnが磁束設定値φs1以下の場合は、0を出力する。ここで、磁束設定値φs1は、図4に示すように、最大磁束値φ1よりも少し小さい値の磁束値である。例えば、磁束設定値φs1は、最大磁束値φ1の95の値である。選択器66は、比較器65から0が入力されている場合は、最小値選択部64により選択された現在の最小磁束値φmin又は現在磁束値φnのいずれか一方の磁束値を最小磁束値φminとして出力する。選択器66は、比較器65から1が入力されている場合は、予め設定されている最大磁束値φ1を最小磁束値φminとして出力する。ここで、比較器65から1が入力されている場合に、選択器66が最大磁束値φ1を出力する理由は、最小磁束値φminの正確性を確保するためである。即ち、現在磁束値φnが最大磁束値φ1に限りなく近い磁束値磁束設定値φs1以上の磁束値の場合、最小磁束値φminを確実に最大磁束値φ1にするためである。磁化時電流指令演算部30は、磁化時のDQ軸電流指令Id2,Iq2を演算する。磁化時電流指令演算部30は、演算した磁化時のDQ軸電流指令Id2,Iq2を指令選択部23に出力する。磁化時電流指令演算部30は、磁化電流指令演算部31及びトルク電流指令演算部32を備えている。図11は、本実施形態に係る磁化電流指令演算部31の構成を示す構成図である。磁化電流指令演算部31は、磁化特性設定部71及び内部磁化電流指令演算部72を備えている。磁化特性設定部71には、磁束管理部21で管理されている最小磁束値φminが入力される。磁化特性設定部71は、最小磁束値φminに基づいて、磁化特性Fimagを決定する。磁化特性設定部71は、決定した磁化特性Fimagを磁化電流指令演算部72及び磁化管理部29に出力する。ここで、磁化特性Fimagの決定方法について説明する。磁化特性Fimagは、磁化電流D軸電流Imagと可変磁力磁石41の磁束φとの関数である。一般に、磁化特性Fimagは、φ=Fφmin,Imagとなる関数である。従って、最小磁束値φminが決定されることで、磁化電流Imagによって磁束φが求まる関数FImagとなる。この関数が磁化特性Fimagとなる。なお、磁化特性Fimagは磁石温度に依存する。従って、磁化特性Fimagを特定する精度を上げるために、回転子40又は可変磁力磁石41の磁石温度を検出又は推定し、これらの温度に応じて磁化特性Fimagを決定してもよい。内部磁化電流指令演算部72には、磁化特性設定部71により決定された磁化特性Fimag、磁束管理部21により管理されている磁化管理部29により決定された磁束目標値φ、磁束管理部21により管理されている現在磁束値φn、及び通常時電流指令演算部22により演算された通常時のD軸電流指令Id1が入力される。内部磁化電流指令演算部72は、次のような演算をする。まず、内部磁化電流指令演算部72は、磁化特性設定部71により決定された磁化特性Fimag及び磁束管理部21により管理されている磁化管理部29により決定された磁束目標値φに基づいて、可変磁力磁石41を磁束目標値φに磁化するために必要な磁化電流指令D軸電流指令Id2を演算する。内部磁化電流指令演算部72は、磁化特性Fimagを示す関数FImagの逆関数により、磁化電流指令Id2を演算する。この演算を実現する方法としては、例えば、次の通りである。内部磁化電流指令演算部72は、磁化特性Fimag毎に、磁束目標値φと磁化電流指令Id2との対応関係を表すテーブル形式のデータが磁化特性設定部71に記憶されている。磁化特性設定部71は、決定された磁化特性Fimagのテーブルを参照して、磁化電流指令Id2を決定する。又は、内部磁化電流指令演算部72には、予め記憶されている磁化特性Fimagの逆関数の演算手順が記憶されている。内部磁化電流指令演算部72は、この逆関数の演算手順に磁束目標値φを代入することにより、磁化電流指令Id2を演算する。次に、内部磁化電流指令演算部72は、上述したように演算した磁束目標値φにするために必要な磁化電流指令Id2、磁束管理部21により管理されている現在磁束値φn、及び通常時電流指令演算部22により演算された通常時のD軸電流指令Id1に基づいて、図8に示すような磁化処理の処理経過に応じた磁化電流指令Id2の変化量を演算する。内部磁化電流指令演算部72は、演算した磁化電流指令Id2をトルク電流指令演算部32及び指令選択部23に出力する。トルク電流指令演算部32には、磁化電流指令演算部31により演算された磁化電流指令Id2、トルク指令Trq、及び磁束管理部21により管理されている現在磁束値φnが入力される。トルク電流指令演算部32は、磁化電流指令Id2、トルク指令Trq、及び現在磁束値φnに基づいて、図8に示すような磁化処理の処理経過に応じたトルク電流指令Iq2を決定する。磁化処理におけるトルク電流指令Iq2の決定方法は、トルク不連続を解消するため、又は、磁化電流ImagD軸電流Idの印加のためのインバータ出力電圧の電圧余裕を確保するためなどの目的で決定される。磁化電流Imagが小さい場合は、トルク電流指令Iq2は、できるだけトルク不連続がなくなるように、次式のように決定する。Iq2=T/Pn/Ld-Lq/Id2ここで、Pnは極対数、LdはD軸インダクタンス、LqはQ軸インダクタンスである。一方、高速域で磁化ができるようにするためには、インバータ出力電圧の余裕が必要である。このためには、Q軸電流指令Iq2を零に近づけるように低減する。これにより、インバータ出力電圧の余裕を確保することができる。トルク電流指令演算部32は、これらの決定方法を用途及び目的等に応じて選択又は組み合わせることで、磁化時のトルク電流指令Iq2を決定する。本実施形態によれば、図4に示すような部分的減磁をしたときに、磁化特性が変化するタイプ、特に、増磁側の磁化特性が変化するタイプ磁化特性可変形の可変磁力磁石を可変磁力磁石に適用した可変磁力メモリモータ2に対しても、所望の磁束目標値φに磁化する処理に適した磁化電流指令Idを決定することができる。これにより、磁化特性可変形の可変磁力磁石を適用した可変磁力メモリモータ2に対しても、高い精度の磁力制御をすることができる。このように、磁化特性可変形の可変磁力磁石を適用した可変磁力メモリモータ2を高い精度で磁力制御することにより、磁化特性可変形でない可変磁力磁石を適用した可変磁力メモリモータよりも、部分減磁から増磁する場合の磁化電流Imagが低減できる。これにより、高速域でも増磁をすることができる。従って、可変磁力メモリモータ2のモータ効率の向上させることができる。例えば、電気自動車などに可変磁力メモリモータ2を適用した場合、磁力を最小化するのは、高速走行時である。一方、市街地走行などでは磁力を最小化する必要はない。よって、市街地走行の中で、可変磁力メモリモータ2の磁束を一旦部分減磁することで、その後に増磁する場合の磁化電流Imagを少なくすることができる。また、磁化管理部29に磁束リセット処理部58を設けることで、所定条件の成立により、最大磁束値φ1に磁化する。磁化特性可変形の可変磁力磁石41、磁化の履歴によって磁化特性Fimagが変化することが特徴である。このため、最小磁束値φminを管理している。しかし、制御上の磁化電流精度又は磁石温度変化などにより、管理している最小磁束値φminが実際値とずれていく可能性がある。このような場合には、例えば、最高効率を狙って最適と考えられる磁力制御をしている場合、その最適性が崩れることで、効率の劣化又は必要トルクの不足という事態に陥る可能性がある。そこで、磁束リセット処理部58の磁束リセットの機能により磁力を最大化することで、不確かな可能性のある磁化特性Fimagを確実に最大の磁化特性Fimagにすることができる。これにより、可変磁力メモリモータドライブ装置1を高出力かつ高出力特性に維持することができる。さらに、可変磁力磁石41の増磁のための磁化電流Imagを低減することで、増磁を行う図6に示す回転数N1,N2をより、高速回転側へシフトすることできる。また、インバータ出力電圧が確保できないことにより、可変磁力磁石41の増磁又は減磁ができないというような状況を減らすことができる。従って、磁化できないことによるモータ効率の低下又は必要トルクの不足などの事態を低減することができる。従って、可変磁力メモリモータドライブ装置1は、運転効率を向上させることができる。なお、可変磁力メモリモータ2の回転子40を図2に示す構造で説明したが、可変磁力メモリモータ2の構造は、この構造に限らない。永久磁石の磁力を変化させることで、モータの磁束を変えられる構造のモータであり、本実施形態の要旨に合うようなモータであれば、どのような構造でもよい。また、本実施形態では、磁化特性Fimagを、図4では5段階として説明したが、これに限らない。磁化特性Fimagは、5段階より低段階、5段階より多段階、又は無段階のいずれでもよい。それぞれの磁化特性Fimagに対応する関数又はテーブルを予め制御部9に記憶させておくことで、これらのような段階数の磁化特性Fimagでも実現することができる。また、磁化管理部29の磁束リセット処理部58では、最大の増磁電流I5を流して、可変磁力磁石41の磁力を最大磁束φ1図6では、磁束値φaにリセットする場合について説明したが、最大の減磁電流I10を流して、最小磁束φ6図6では、磁束値φcにリセットしてもよい。さらに、本実施形態では、磁化モード1から磁化モード2への移行条件又は磁化モード2から磁化モード0への以降条件を、DQ軸電流指令Id,Iq又はDQ軸電流Id,Iqに基づいて決定していたが、時間に基づいて決定してもよい。即ち、DQ軸電流指令Id,Iqなどが次の磁化モードに移行する条件となる目標値に達するまでの時間を予め決めておくことで、各磁化モードへの移行を時間管理で行うことができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"