基板と、スポットサイズが一定な第1の部分、及び前記第1の部分の一端に接続された第2の部分を含み、前記基板上に形成されたコアと、を有し、前記第2の部分の前記基板に接する底面は、前記第1の部分側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状を有し、前記第2の部分の前記第1の部分と接する端面は、前記第1の部分と同等のスポットサイズを有し、前記第2の部分の前記第1の部分と反対側の端面は、前記第1の部分よりも大きいスポットサイズを有し、先端部が丸みを帯びた凸形状を有する、スポットサイズ変換導波路。前記基板は、石英ガラスからなり、前記コアは、屈折率を上げるためのドーパントを含む石英ガラスからなる、請求項1に記載のスポットサイズ変換導波路。幅が一定な第1の部分と、前記第1の部分の一端に接続された、前記第1の部分側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状の第2の部分と、を含む板状のコアを、基板上に形成する工程と、前記基板を上側、前記コアを下側にした状態で、前記第1の部分の反対側に位置する前記第2の部分の少なくとも一部を下方から加熱し、自重により下向きの先端部が丸みを帯びた凸形状に変形させる工程と、を含み、前記加熱は、前記第2の部分の幅方向の中心付近に実施される、スポットサイズ変換導波路の製造方法。前記コアの軟化温度は、前記基板の軟化温度よりも低く、前記加熱は、前記コアの軟化温度よりも高く、前記基板の軟化温度よりも低い温度で実施される、請求項3に記載のスポットサイズ変換導波路の製造方法。前記基板は、石英ガラスからなり、前記コアは、屈折率を上げるためのドーパントを含む石英ガラスからなる、請求項3又は4に記載のスポットサイズ変換導波路の製造方法。しかし、特許文献1に記載のスポットサイズ変換導波路によると、リッジ部において、疑似コアとなる膜をコアとは別に形成する必要があるため、製造工程が複雑になる。したがって、本発明の目的の一つは、比較的容易に製造することのできるスポットサイズ変換導波路、及びその製造方法を提供することにある。本発明の一態様においては、基板と、スポットサイズが一定な第1の部分、及び前記第1の部分の一端に接続された第2の部分を含み、前記基板上に形成されたコアと、を有するスポットサイズ変換導波路が提供される。前記第2の部分の前記基板に接する底面は、前記第1の部分側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状を有する。前記第2の部分の前記第1の部分と接する端面は、前記第1の部分と同等のスポットサイズを有する。また、前記第2の部分の前記第1の部分と反対側の端面は、前記第1の部分よりも大きいスポットサイズを有し、先端部が丸みを帯びた凸形状を有する。また、上記スポットサイズ変換導波路においては、例えば、前記基板は、石英ガラスからなり、前記コアは、屈折率を上げるためのドーパントを含む石英ガラスからなる。本発明の他の態様においては、幅が一定な第1の部分と、前記第1の部分の一端に接続された、前記第1の部分側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状の第2の部分と、を含む板状のコアを、基板上に形成する工程と、前記基板を上側、前記コアを下側にした状態で、前記第1の部分の反対側に位置する前記第2の部分の少なくとも一部を下方から加熱し、自重により下向きの先端部が丸みを帯びた凸形状に変形させる工程と、を含むスポットサイズ変換導波路の製造方法が提供される。前記加熱は、前記第2の部分の幅方向の中心付近に実施される。上記スポットサイズ変換導波路の製造方法においては、前記コアの軟化温度は、前記基板の軟化温度よりも低く、前記加熱は、前記コアの軟化温度よりも高く、前記基板の軟化温度よりも低い温度で実施されることが好ましい。また、上記スポットサイズ変換導波路の製造方法においては、例えば、前記基板は、石英ガラスからなり、前記コアは、屈折率を上げるためのドーパントを含む石英ガラスからなる。本発明によれば、比較的容易に製造することのできるスポットサイズ変換導波路、及びその製造方法を提供することができる。本発明の一実施の形態は、端部にスポットサイズの異なる光ファイバが接続されるコアを含むスポットサイズ変換導波路であって、基板と、スポットサイズが一定な第1の部分、及び前記第1の部分の一端に接続された第2の部分を含み、前記基板上に形成されたコアと、を有し、前記第2の部分の前記基板に接する底面は、前記第1の部分側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状を有し、前記第2の部分の前記第1の部分と接する端面は、前記第1の部分と同等のスポットサイズを有し、前記第2の部分の前記第1の部分と反対側の端面は、前記第1の部分よりも大きいスポットサイズを有し、先端部が丸みを帯びた凸形状を有するスポットサイズ変換導波路を提供する。以下に、このスポットサイズ変換導波路の例を詳細に説明する。実施の形態スポットサイズ変換導波路の構成図1a、bは、本発明の実施の形態に係るスポットサイズ変換導波路1の斜視図である。図2は、スポットサイズ変換導波路1の上面図である。図3a~cは、それぞれ図2の線分A~Cに沿ったスポットサイズ変換導波路1の垂直断面図である。なお、図1bは、図1aの後述される上部クラッド6の図示が省略された図面である。スポットサイズ変換導波路1は、光屈折率差の大きい光導波路である。スポットサイズ変換導波路1は、基板2と、基板2上のコア3を有する。また、基板2及びコア3は、上部クラッド6に覆われる。コア3は、スポットサイズが一定な第1の部分31と、第1の部分31の一端に連続して接続された第2の部分32とを含む。また、コア3は、第2の部分32の第1の部分31の反対側の端面に連続して接続された第3の部分33を含む。第2の部分32の基板2に接する底面は、第1の部分31側からその反対側の第3の部分33側に向かって幅が広がるテーパー形状を有する。第3の部分33の基板2に接する底面は、長方形である。第2の部分32の第1の部分31と接する端面41は、第1の部分31と同等のスポットサイズを有する。例えば、第1の部分31の断面形状が四角形である場合は、端面41は、第1の部分31の断面と同じ面積及び形状の四角形である。コア3の端面43には、光ファイバが接続される。第1の部分31のスポットサイズよりも光ファイバのスポットサイズは大きいため、第1の部分31のスポットサイズよりも端面43のスポットサイズは大きい。また、コア3の端面43は、先端部が丸みを帯びた凸形状を有する。例えば、光ファイバの断面が円形である場合は、接続部分の伝送損失を低減するために端面43の凸部分の形状が円形に近いことが好ましい。第2の部分32の第3の部分33と接する端面42は、端面43と同じ形状を有する。なお、第3の部分33はコア3に含まれなくともよく、その場合、端面42に光ファイバが接続される。第2の部分32の高さ及び幅は、第1の部分31側よりも第3の部分33側において大きい。すなわち、第2の部分32のスポットサイズは、第1の部分31側よりも第3の部分33側において大きい。特に、第2の部分32の高さ及び幅が第1の部分31側から第3の部分33側に向かって連続的に増加すること、すなわち、第2の部分32のスポットサイズが第1の部分31側から第3の部分33側に向かって連続的に増加することが好ましい。端面41に相当する図3cに示される断面の高さよりも、端面42に相当する図3aに示される断面の高さの方が高い。図3bに示される第2の部分32の中間部分の断面の高さは、図3cに示される断面の高さよりも高く、図3aに示される断面の高さよりも低い。また、図3bに示される断面は、端面42と同様に先端部が丸みを帯びた凸形状を有する。コア3の屈折率は、基板2及び上部クラッド6の屈折率よりも高い。例えば、コア3の屈折率は1.4624~1.4944であり、基板2及び上部クラッド6の屈折率は1.457~1.459である。例えば、基板2及び上部クラッド6は石英ガラス望ましくは、石英ガラスのみからなり、コア3はGe等の屈折率を上げるためのドーパントを含む石英ガラスからなる。この場合、例えば、GeO2が添加された石英ガラスがコア3の材料として用いられる。なお、上部クラッド6を設けずに、コア3の周囲の空気を上部クラッドとして用いてもよい。また、コア3の軟化温度は、基板2の軟化温度よりも低いことが好ましい。例えば、コア3の軟化温度は1000°Cであり、基板2の軟化温度は1100°Cである。例えば、基板2が石英ガラスからなり、コア3がGeを含む石英ガラスからなる場合、コア3の軟化温度は基板2の軟化温度よりも低い。スポットサイズ変換導波路の製造まず、図4に示されるような板状のコア5を基板2上に形成する。例えば、基板2上の石英ガラス膜をフォトリソグラフィを用いてパターニングすることにより、コア5を形成する。なお、コア5の上面図は、図2に示されるコア3の上面図とほぼ同じである。コア5は、幅が一定な第1の部分51と、第1の部分51の一端に接続された、第1の部分51側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状の第2の部分52とを含む。また、コア5は、第2の部分52の第1の部分51の反対側の端面に接続された第3の部分53を含む。第1の部分51、第2の部分52、及び第3の部分53は、一定の厚さを有する。ここで、コア5は加工前のコア3であり、第1の部分51、第2の部分52、及び第3の部分53は、それぞれ第1の部分31、第2の部分32、及び第3の部分33に対応する。次に、基板2を上側、コア5を下側にした状態で、第1の部分51の反対側に位置する第2の部分52の少なくとも一部を下方から加熱し、軟化させて自重により下向きの先端部が丸みを帯びた凸形状に変形させる。ここで、加熱は、第2の部分52の幅方向の中心付近に実施される。これにより、第2の部分52の幅方向の中心付近に凸形状の凸部分が形成される。第2の部分52の第1の部分51側から第3の部分33側に向けて変形の度合いが大きくなるように加熱することが好ましい。また、第2の部分52の第1の部分51側の端部は加熱されないことが好ましい。なお、第3の部分33は、第2の部分52の第3の部分33側の端部と同程度に変形させる。図5a、b及び図6a、bは、コアの第2の部分が加熱により板状の第2の部分52から凸形状の第2の部分32に変形する様子を表す断面図である。ここで、図5a、bに示される断面は、図3aに示される断面に対応し、それぞれ加熱前、加熱後の様子を表す。また、図6a、bに示される断面は、図3bに示される断面に対応し、それぞれ加熱前、加熱後の様子を表す。図5a、bに示されるように、加熱された位置において、第2の部分32の断面の高さは第2の部分52の断面の高さよりも高くなる。また、加熱された位置において、第2の部分32の断面の面積は第2の部分52の断面の面積とほぼ等しい。コア5の軟化温度コア3の軟化温度は、基板2の軟化温度よりも低く、上記の加熱は、コア5の軟化温度よりも高く、基板2の軟化温度よりも低い温度で実施されることが好ましい。その場合、加熱によりコア5を変形させる際に、基板2の変形を抑え易い。加熱の方法としては、図5a、bに示されるように火炎で炙ってもよいし、炭酸ガスレーザを照射してもよい。また、上記の方法によれば、加熱した箇所を局所的に変形させることができるため、所望の箇所のみを変形させることができる。その後、必要に応じて基板2とコア3を覆うように石英ガラス膜等からなる上部クラッド6を形成してもよいし、そのまま上部クラッド6を形成せずに、コア3の周囲の空気を上部クラッドとして用いてもよい。実施の形態の効果本発明の実施の形態によれば、コアの端面を比較的簡単な方法で光ファイバを接続するために適した形状に変形させ、スポットサイズ変換導波路を製造することができる。特に、通常、コアの水平方向の形状はパターニング等により容易に制御できるが、コアの高さを制御するためには特殊な工程が必要になる。しかし、本実施の形態によれば、比較的容易にコアの端面の高さを大きくし、適切な形状に加工することができる。例えば、コアの材料として石英ガラスを用いる場合は、軟化温度が高く金型を用いて成形することが困難であるため、本実施の形態は有用であるといえる。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。