レーザーを照射するレーザー照射部と、生体親和性セラミックスからなるターゲットと、ターゲットがレーザーの照射線上に位置し、レーザーの照射によってターゲットから飛散した原子、分子、クラスター、ドロップレットが硬組織に堆積されるように、レーザー照射部及びターゲットを保持するターゲット保持部と、を備え、硬組織に薄膜を形成する薄膜形成装置。レーザー照射部、ターゲット、及びターゲット保持部の少なくとも何れか一つを冷却する冷却部を備える請求項1に記載の薄膜形成装置。レーザー照射部が、ErYAGレーザー、ErCrYSGGレーザー、NdYAGレーザー、半導体レーザーのうちの何れか一つからなる請求項1に記載の薄膜形成装置。生体親和性セラミックスが、第一リン酸カルシウム、第二リン酸カルシウム、リン酸八カルシウム、リン酸三カルシウム、リン酸四カルシウム、オクタリン酸カルシウム、ハイドロキシアパタイト、炭酸アパタイト、フッ化アパタイト、生体アパタイト及びこれらの混合物からなる群れより選択されるリン酸カルシウム化合物である請求項1に記載の薄膜形成装置。そこで、この発明は生体を侵襲せずに、エナメル質などの硬組織の再生を助けることができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。この発明の薄膜形成装置は、レーザーアブレーション法により硬組織表面にカルシウムCaとリンPを含む薄膜を形成する。その後、硬組織に形成された薄膜に含まれるカルシウムCaやリンPが体液や唾液などによりイオン化し、再石灰化することによって、エナメル質などの硬組織が非侵襲で再生する。すなわち、この発明の薄膜形成装置は、レーザーアブレーション法によって硬組織に薄膜を形成することを最も主要な特徴とする。この発明の薄膜形成装置を使用することによって、硬組織を非侵襲で再生することができるため、患者に苦痛を与えずに硬組織を再生できる。そのため、従来は、苦痛を恐れて治療を避けていた患者が治療を受け易くなり、ひいては国民の健康の向上に資することができる。この発明の薄膜形成装置は、硬組織表面に薄膜を形成する装置である。ここで、硬組織とは歯、骨であればよく、その種類は特に限定されない。また、図1に示すように、この発明の薄膜形成装置1は、レーザー照射部11と、ターゲット12、ターゲット保持部13を備えている。そこで、以下にその詳細について説明する。1レーザー照射部レーザー照射部11は、ErYAGレーザー波長2940nm程度、ErCrYSGGレーザー波長2780nm程度、NdYAGレーザー波長1064nm、半導体レーザー波長655~2000nm程度などのレーザー照射装置である。なお、レーザー照射部は、ターゲット12にレーザーを照射した時にターゲットを分解剥離できる波長とエネルギーを持つものであれば、前述のレーザーに限定されるものではない。また、レーザー照射部11の形状は、ターゲット12にレーザーを照射できるのであれば、図1に示す形状に限定されるものではない。例えば、レンズやミラーなどの公知の技術を使用してレーザーの方向を変えるものや、その出力を集中させるものであってもよい。なお、照射するレーザーの波長や出力は、ターゲットや治療対象である硬組織に応じて自由に設定すればよい。2ターゲットターゲット12は生体親和性セラミックスからなる。ここで、生体親和性セラミックスとは、リン酸カルシウム化合物であればよく、カルシウムとリンPを含んだ混合物である。具体的には、第一リン酸カルシウム、第二リン酸カルシウム、リン酸八カルシウム、リン酸三カルシウム、リン酸四カルシウム、オクタリン酸カルシウムOCP、ハイドロキシアパタイト、炭酸アパタイト、フッ化アパタイト、生体アパタイトなどが例示できる。また、生体アパタイトとは、10aMa6bZb2cXcの組成を持った鉱物群であり、具体的には、式中のMが例えばNa、Mg、Ba、K、Zn、Alに、Zが例えばSO4、CO3に、XがF、CO3に置き換わったものである。3ターゲット保持部ターゲット保持部13は、ターゲット12がレーザーLの照射線上に位置し、レーザーLの照射によりターゲット12から飛散した原子、分子、クラスター、ドロップレットPが硬組織歯質Tに堆積されるように、ターゲット12を保持するものである。なお、ターゲット保持部13の形状は、この目的を達成できるのであれば、図1に記載の形状に限定されず、任意の形状を取ることができる。この発明の薄膜形成装置1は、レーザー照射部11、ターゲット12、ターゲット保持部13のほか、図1に示すように、空気Aを噴出してターゲット12を冷却する冷却部14を備えていてもよい。なお、冷却部は、図1に示すターゲット12を冷却するもののほか、レーザー照射部11、ターゲット保持部13を冷却するものであってもよい。薄膜形成装置1が冷却部14を備えることによって、レーザー照射に伴う温度上昇によるターゲット12の破壊、薄膜形成装置1の接触による硬組織付近の火傷、を防ぐことができる。なお、冷却部としては、レーザー照射部11、ターゲット12、ターゲット保持部13を冷却できるのであれば、公知の冷却装置、例えば、空冷装置、水冷装置、ペルチエ素子のような熱電素子などを特に限定することなく使用できる。以下、実施例によりこの発明を説明するが、この発明は以下の実施例により如何なる意味においても限定されるものではない。この発明の薄膜形成装置が、大気中でリンPとカルシウムを含む薄膜を形成できることを実証した。具体的には、図2に示す薄膜形成装置1を使用して、以下に示すような手順によって、チタン基板上に薄膜を形成し、その組成を調べた。まず、ErYAGレーザーパワー350mJ、パルス速度10pps11を高密度HApターゲットペンタックス製、商品名セルヤード12に10秒間照射して原子、分子、クラスター、ドロップレットPを発生させて、それらをチタン基板Tiφ16mm上に堆積させ、薄膜を形成した。つぎに、薄膜を走査型電子顕微鏡SEMにより観察し、チタン板上に堆積した粒子ドロップレットをエネルギー分散型X線分析装置EDXにより元素分析した。その結果を図3及び図4に示す。なお、図3aは薄膜の走査型電子顕微鏡SEM写真であり、図3bはEDX元素マッピングの結果である。また、図4は図3aに示す各粒子をEDXにより組成分析した結果である。ここで、図4aは、図3aの上側ドロップレットを組成分析した結果であり、図4bは図3aの下側ドロップレットを組成分析した結果である。図3及び図4から、ドロップレットがカルシウムとリンとを含んでいることが確認できた。この結果は、この発明の薄膜形成装置によって、リン酸カルシウム化合物の薄膜が形成できることを示している。この発明の薄膜形成装置が、大気中でリンPとカルシウムを含む薄膜をエナメル質上に形成できることを実証した。具体的には、図5に示す薄膜形成装置を使用して、以下に示すような手順によって、エナメル質上に薄膜を形成することを示した。まず、ErYAGレーザーパワー200mJ、パルス速度10ppsを生体アパタイトバルク体ターゲット株式会社エクセラ天然アパタイト粉末をプレス成型に5分間照射して原子、分子、クラスター、ドロップレットを発生させて、それらをエナメル質上に堆積させ、薄膜を形成した。つぎに、生体アパタイトバルク体ターゲットにレーザー照射前と照射後のエナメル質表面を観察した。その結果を図6に示す。なお、図6aは生体アパタイトバルク体ターゲットにレーザー照射前の写真であり、図6bは照射後の結果である。図6から、生体アパタイトバルク体ターゲットにレーザー照射後はエナメル質表面に白い堆積物が見られ、ターゲットから飛散した原子や、分子、クラスター、ドロップレットがエナメル質表面に堆積していることが確認できた。この結果は、この発明の薄膜形成装置によって、エナメル質上にリン酸カルシウム化合物の薄膜が形成できることを示している。また、図7は、形状測定レーザマイクロスコープVKX110によって測定したエナメル質表面に形成されたHAp薄膜の一部分の断面の測定結果である。なお、図7aは断面の測定部位の範囲を示し、図7bは測定部位におけるHAp薄膜の高さの分布を示している。図7bより、最大高さ約10μm以下のHAp薄膜が堆積したことが分かる。