In、Ga、及びZnを含有する酸化物焼結体であって、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有し、かつ抗折強度が100MPa以上であることを特徴とする焼結体。相対密度が95以上である、請求項1記載の焼結体。請求項1又は2に記載の焼結体をターゲット材として用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。In、Ga、及びZnを含有する成形体を電磁波加熱により焼成することを特徴とする、請求項1又は2に記載の焼結体の製造方法。本発明の目的は、抗折強度が高く、円筒形スパッタリングターゲットに使用された場合においても割れの少ないIGZO焼結体、及びその製造方法を提供することにある。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、IGZO焼結体の製造プロセスの改良により、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有する焼結体の抗折強度を100MPa以上に高められることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の態様は以下の通りである。1In、Ga、及びZnを含有する酸化物焼結体であって、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有し、かつ抗折強度が100MPa以上であることを特徴とする焼結体。2相対密度が95以上である、1に記載の焼結体。3上述の1又は2に記載の焼結体をターゲット材として用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。4In、Ga、及びZnを含有する成形体を電磁波加熱により焼成することを特徴とする、1又は2に記載の焼結体の製造方法。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のIGZO焼結体はインジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を含んでなり、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有する焼結体である。本発明で言うInGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有する焼結体とは、X線回折パターンがInGaZnO4の回折パターンと一致し、InGaZnO4の回折パターンに帰属されないピークを含まないことを意味する。本発明によれば、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有するIGZO焼結体において、100MPa以上の抗折強度を有するものを得ることができる。このため、本発明の焼結体を、高いパワーが投入される円筒形スパッタリングターゲットに使用した場合においても、割れの問題が発生しにくい。さらに、150MPa以上あるいは200MPa以上の抗折強度を有するIGZO焼結体を得ることも可能である。なお、本発明において、抗折強度はJISR1601の3点曲げ試験に準拠して測定した。本発明のIGZO焼結体の相対密度は95以上が好ましく、より好ましくは96以上、さらに好ましくは97以上である。相対密度が95未満であるとアーキングが多く起きる場合がある。本発明のIGZO焼結体は、In、Ga、及びZnを含有する成形体を電磁波加熱により焼成することにより得ることができる。電磁波加熱による焼成では、従来の電気ヒーターなどによる外部加熱と比べ、得られる焼結体の密度は同じであっても、抗折強度が高いものが得られる。この理由は定かではないが、電磁波加熱では、被焼成物が自己発熱し、被焼成物内部で均一に焼成が進行する。このため、焼結粒子の不均一な成長やポアなどの偏析が非常に少なく、抗折試験において破壊源となる欠陥が減少していると考えられる。さらに電磁波の影響により、ホモロガス結晶相の層状構造の機械的な強度が向上した可能性なども考えられる。また、電磁波加熱によれば、被焼成物が自己発熱するため、被焼成物内の温度分布が小さく、速い昇温速度で加熱することが可能で、従来の電気ヒーターなどによる外部加熱に比べて極めて高い生産性が得られる。電磁波としてはマグネトロンまたはジャイロトロン等から発生する連続またはパルス状の2.45GHz等のマイクロ波、28GHz等のミリ波、またはサブミリ波が利用できる。電磁波の周波数の選択は、被焼成物の電磁波吸収特性から適切なものを選択することができるが、発振器のコスト等の経済性を考慮すると2.45GHzのマイクロ波が好ましい。次に本発明の焼結体の製造方法について、工程毎に説明する。1原料混合工程原料粉末は特に限定されるものではなく、例えば、インジウム、ガリウム又は亜鉛の塩化物、硝酸塩、炭酸塩等の金属塩粉末を用いることも可能であるが、取り扱い性を考慮すると酸化物粉末が好ましい。各原料粉末の純度は、通常99以上、好ましくは99.9以上、より好ましくは99.99以上である。純度が低いと、含有される不純物により、本発明のIGZO焼結体を用いたスパッタリングターゲットで形成された薄膜TFTに、悪影響が及ぼされることがあるからである。これらの原料の配合は、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を生成する組成であれば良く、金属元素の原子比換算でIn:Ga:Zn=1:1:1とすることが好ましい。これら各粉末の混合は、特に限定されるものではないが、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミルやメディアレスの容器回転式混合、機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、V型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。また、粉末の混合と同時に粉砕が行われるが、粉末の平均粒径が大きいと焼成後の密度が充分に上昇しない場合があるので、粉砕後の粉末粒径は微細であるほど好ましい。粉末の平均粒径はレーザー回折/散乱法で測定した時に1.0μm以下であることが好ましく、更に好ましくは0.1~1.0μmである。こうすることにより、焼結粒子が小さく、焼結密度の高い焼結体を得ることが可能となる。湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が例示できる。また、酸化物粉末以外の粉末を使用する場合や予めInGaZnO4を生成させる場合は、混合後に900~1200°Cで仮焼を行うことも出来る。仮焼粉末の粒径が大きくなった場合は粉砕して、平均粒径を1.0μm以下とすることが好ましく、0.1~1.0μmとすることがさらに好ましい。なお、成形処理に際しては、ポリビニルアルコール、アクリル系ポリマー、メチルセルロース、ワックス類、オレイン酸等の成形助剤を原料粉末に添加しても良い。2成形工程成形方法は、各原料粉末の混合粉末仮焼した場合には仮焼した混合粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。成形圧力は成形体にクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体であれば特に限定されるものではないが、成形密度は可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧CIP成形等の方法を用いることも可能である。CIP圧力は充分な圧密効果を得るため1ton/cm2以上が好ましく、さらに好ましくは2ton/cm2以上、とりわけ好ましくは2~3ton/cm2である。ここで初めの成形を鋳込法により行い、続いてCIPを行った場合には、CIP後の成形体中に残存する水分及びバインダー等の有機物を除去する目的で、脱バインダー処理を施してもよい。また、初めの成形をプレス法により行った場合でも、原料混合工程でバインダー等を添加したときは、同様の脱バインダー処理を行うこともできる。3焼成工程次に得られた成形体を電磁波焼成炉内に投入して焼成を行う。使用される焼成炉としては、バッチ式、連続式、外部加熱式とのハイブリット式等の種々の焼成炉を使用することができる。電磁波による焼成の場合、成形体はセッターの上に置かれ、断熱材で囲まれる。この際、断熱材の内側に等温熱障壁を設置することも可能である。セッターや等温熱障壁の材質は焼成温度にて耐熱性を有する材料を選択すればよく、アルミナ、ムライト、ジルコニア、SiC等が挙げられる。被焼成物の昇温速度については特に限定されないが、高強度の焼結体を得るために、20~600°C/時間、好ましくは100~600°C/時間、より好ましくは200~600°C/時間、さらに好ましくは300~600°C/時間とする。電磁波による焼成は自己発熱による加熱であるため、被焼成物内の温度分布が小さく、特に大型焼成物を速い昇温速度で加熱しても割れの発生が非常に少ない。なお水分やバインダーを含む成形体の場合、特に大型の成形体では水分やバインダー成分が揮発する際に、急激な体積膨張を伴うと成形体が割れることがある。このため、水分やバインダー成分が揮発している温度領域、例えば100~400°Cの温度域においては昇温速度を20~100°C/時間とすることが好ましい。焼成温度は、1300°C~1500°Cとする。この温度範囲であれば、得られる焼結体は、十分にInGaZnO4のホモロガス結晶構造となる。焼成温度での保持時間は特に限定しないが、10時間以内で十分である。また、降温速度は、焼成温度から1100°Cまでは250°C/時間以上、好ましくは300°C/時間以上である。この温度域を250°C/時間以上で降温することで焼結体の表面へ取り込まれる酸素を少なくすることができ、焼結体表面の色むらを抑制することが可能である。これ以外の温度域では、降温速度については特に限定されず、焼結炉の容量、焼結体のサイズ及び形状、割れ易さなどを考慮して適宜決定することができる。焼成時の雰囲気としては特に制限されないが、亜鉛の昇華を抑制するために大気または酸素雰囲気とすることが好ましい。また、焼結体表面の色むらの抑制や焼結体の比抵抗を下げる目的で、焼成温度からの降温時に、窒素等の非酸化性雰囲気とすることも可能である。4ターゲット化得られた焼結体は、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンター等の機械加工機を用いて、板状、円状、円筒状等の所望の形状に研削加工する。さらに、必要に応じて無酸素銅やチタン等からなるバッキングプレート、バッキングチューブにインジウム半田等を用いて接合することにより、本発明の焼結体をターゲット材としたスパッタリングターゲットを得ることができる。本発明では、InGaZnO4で表されるホモロガス結晶構造を有するIGZO焼結体において、100MPa以上の抗折強度を有するものを得ることができる。このため、このような焼結体を高いパワーが投入される円筒形スパッタリングターゲットに使用した場合においても、割れの問題が発生しにくい。また、本発明のIGZO焼結体をターゲット材として用いることにより、成膜工程でのアーキングの発生を低減できる品質の優れたターゲット材を得ることができる。以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、本実施例における各測定は以下のように行った。1焼結体の密度焼結体の相対密度は以下のようにして求めた。即ち、まずJISR1634に準拠して、アルキメデス法によりかさ密度d1を測定した。また焼結体の理論密度dは、焼結体中のIn、Ga、Znを酸化物に換算して、それぞれ酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛としたときに、それぞれの量ag、bg、cgと、それぞれの真密度dag/cm3、dbg/cm3、dcg/cm3を用いて、以下のように相加平均から求められる。d=abc/a/dab/dbc/dc焼結体の相対密度Dは、D=d1/d×100で求められる。2X線回折測定2θ=20~70°の範囲のX線回折パターンを測定し、InGaZnO4の回折パターン株リガク社のX線回折解析ソフトJADE7.0のデーターベースNo:01-070-3626と比較した。X線回折試験の測定条件走査方法:ステップスキャン法FT法X線源:CUKαパワー:40kV、40mAステップ幅:0.02°3抗折強度抗折強度はJISR1601に準拠して測定した。抗折強度の測定条件試験方法:3点曲げ試験支点間距離:30mm試料サイズ:3×4×40mmヘッド速度:0.5mm/min。実施例1純度99.99以上の酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末及び酸化亜鉛粉末を、金属元素の原子比換算でIn:Ga:Zn=1:1:1となるように秤量し、秤量した粉末をポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより20時間混合し、混合粉末を調製した。この混合粉末の平均粒径をレーザー回折/散乱法の粒度分布計型式SALD-7100、島津製作所製で測定したところ、0.39μmであった。次に、ウレタンゴム製の枠と蓋、及び金属製の中子心棒から構成された円筒形状用の成形型に、この混合粉末をタッピングしながら充填し、成形型を密閉後、2ton/cm2の圧力でCIP処理して成形体を得た。次にこの成形体をマイクロ波焼成炉周波数=2.45GHzでアルミナ製のセッターの上に設置して、以下の条件で焼成し、概寸:内径132mm×外径154mm×長さ315mmの円筒形状の焼結体を得た。焼成条件焼成温度:1400°C保持時間:3時間昇温速度:300°C/時間雰囲気:大気降温速度:300°C/時間1400°Cから1100°Cまで得られた焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。実施例2焼成温度を1450°C、保持時間を1時間とした以外は実施例1と同様にして焼成を行った。得られた焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。実施例3焼成温度を1500°C、保持時間を20分、昇温速度を450°C/時間とした以外は実施例1と同様にして焼成を行った。得られた焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。実施例4混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスして成形体とし、3ton/cm2の圧力でCIPによる処理を行った以外は実施例1と同様にして、概寸:幅315mm×長さ680mm×厚み11mmの焼結体を得た。得られた焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。比較例1電気炉を使用した以外、実施例1と同様に焼成を行った。焼成時に円筒焼結体に割れが発生した。破材から測定した焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。比較例2電気炉を使用し昇温速度と降温速度を100°C/時間とした以外、実施例1と同様に焼成を行った。得られた焼結体の相対密度、X線回折XRD、抗折強度の測定結果を表1に示す。