超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線TSVにおけるボイドの存在を推定する方法であって、複数のTSVが配列されているボードを用意するステップと、これら複数のTSVの中から、テスト要素グループTEGに属する単数または複数のTSVを選び出すステップであって、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのTEGの周囲における物理的な遮蔽物は、このTEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、この選び出すステップと、TEGに属している少なくとも1つのTSVを、ボード面にわたってスキャンするステップと、スキャンするステップの結果に基づいて、TEGに属していない他のTSVにボイドが存在するであろうと推定するステップと、を有する、方法。TEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物は、はんだバンプである、請求項1に記載の方法。さらに、はんだバンプの下側に、ボードを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項2に記載の方法。テスト要素グループTEGに属しているTSVが複数あって、その配列されているピッチが、TEGに属していない他のTSVが配列されているピッチよりも狭い、請求項1に記載の方法。テスト要素グループTEGに属している少なくとも1つのTSVの径が、TEGに属していない他のTSVの径よりも小さい、請求項1に記載の方法。テスト要素グループTEGに属していない他のTSVが、40μm±20μmのピッチおよび25μm±10μmの径をもって配列されている、請求項1に記載の方法。テスト要素グループTEGに属している少なくとも1つのTSVが、15μm~20μm±10μmの径であり、超音波スキャンに用いる超音波の周波数の主成分が、230MHz~400MHzである、請求項6に記載の方法。面にわたっての超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線TSVにおけるボイドの存在を推定するために、複数のTSVが配列されているボードであって、これら複数のTSVの中から、テスト要素グループTEGに属する単数または複数のTSVが選び出されており、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのTEGの周囲における物理的な遮蔽物は、このTEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、ボード。TEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物は、はんだバンプであり、さらに、はんだバンプの下側に、ボードを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項8に記載のボード。テスト要素グループTEGは、ボード上において、ボードに配列されている複数のTSVからは独立して設けられている、請求項8に記載のボード。超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線TSVにおけるボイドの存在を推定する装置であって、用意されるところの、複数のTSVが配列されているボードについて、これら複数のTSVの中から、テスト要素グループTEGに属する単数または複数のTSVを選び出すことであって、ボード面にわたって超音波でスキャンするにあたってこのTEGの周囲における物理的な遮蔽物は、このTEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、この選び出すことと、TEGに属している少なくとも1つのTSVを、ボード面にわたってスキャンすることと、スキャンすることの結果に基づいて、TEGに属していない他のTSVにボイドが存在するであろうと推定することとを、自動的に実行する、装置。用意されるところのボードには、TEGに属している少なくとも1つのTSVを覆ってしまうアルミまたは銅のパッドが設けられている、請求項11に記載の装置。本発明は、このような背景技術では解決できていない課題を解決することを目的とするものである。本発明では、隠れたTSVボイドの有無を検出するために、チップ周辺など、この検出するTSVの上下方向に分解能を低下させる構造物バンプ電極や配線層がない場所において、エッチング停止層およびTSVのみのTEGTestElementGroup領域を形成し、超音波顕微鏡を用いて隠れたTSVボイドの有無を検出して推定する。特に微細なTSV観測においては高解像度を要求されるため、高NAの超音波プローブを用いて、欠陥との観測距離を近づけて観察を行う必要があり、半導体素子面側から観測を行うことが望ましい。また、このTEGによる検査推定方式では、このTEGに配置されるTSVとして、ActiveなTSVと同じ直径のものの他に、例えば10、20または40程度細い径のものを同時に形成することで推定の精度を向上させる。また、TSVの密度はActiveなTSVの最小ピッチと同じピッチのものの他に、例えば10、20など、小さなピッチのものを同時に形成する。また、このTEGを配置する場所としては、チップ面内の少なくとも1箇所に配置し、特に隣り合うチップが異なるTSVパターンを持つウエハにおいては、ウエハ面内のチップ配置によるめっきレートの差異を考慮し、異なるチップ間の辺の近傍にそれぞれ1箇所以上配置する。これらTEG内に配置されるTSVの形状ピッチおよびチップ内のTEGの配置場所によってウエハの全面におけるボイド発生の推定の検出精度を向上させることもでき、実質的にチップ内のActiveなTSVの不良の発生を高感度で推定することができる。[用語の定義]超音波とは、一般的に、人間の耳には聞こえない20kHz以上の周波数の音のことをいい、医学における超音波エコー、洗浄器、魚群探知機、バックソナーなど、様々な技術的な利用がなされている。本発明の実施例でも20kHz以上の周波数を用いることを想定している。複数の異なる周波数の波の成分が含まれたパルス波が用いられる場合もある。スキャンという用語は、検出すべき場所や空間を移動させることをいう。本発明では、XY方向で示す2次元的範囲にわたって、または、XYZ方向で示す3次元的範囲にわたって、移動させる。[超音波の特性]超音波の第1の特性として、伝播速度が電波などに比べて著しく遅い。伝播速度が速い順に並べると、固体>液体>空気の順となり、伝播媒体そのものの影響が大きい。空中では固体の約15分の1の速度となる。超音波の伝播速度vは、音の周波数とは無関係であって、対象となる物質の密度と弾性率の比で決まり、以下の式1で決まる。伝播速度vm/秒=√弾性率Pa/密度kg/m31超音波の第2の特性として、反射しやすく、例えばガラスなどを透過しない。この反射は、密度差による音響インピーダンスの変化によって生じており、音響インピーダンス伝播媒体の密度ρ×伝播速度vの値が大きく異なってくる伝播媒体の境界では、超音波は伝播せずに反射するという性質に基いている。超音波の第3の特性としては、周波数が高いほど指向性があり、減衰が大きいという性質がある。波長に対して振動面の面積が大きいほど、波長が短いほど鋭い指向性が得られる。超音波の第4の特性としては、人体に対する害が報告されておらず、基本的に安全であるといわれている。実際、今日の産婦人科医療において超音波検査が必要不可欠の検査法になっており、レントゲン検査などとは違って、胎児への影響が全く心配のない安全な検査法であるといわれている。腹部や心臓の診断、小児科などでも広く使われている。[本発明の説明]図4は、本発明であるところの、超音波スキャンに基づいて、シリコン貫通配線TSVにおけるボイドの存在を推定する方法の基本原理を示す図である。複数のTSVが配列されているボードにおいてボイドの存在を推定しようとすると、ボード面にわたって超音波スキャンをすることになる。しかし、この例では、はんだバンプが物理的な遮蔽物として超音波を散乱させてしまい、超音波スキャンによる測定を妨げてしまう。そこで、これら複数のTSVの中から、テスト要素グループTEGに属する単数または複数のTSVを選び出すにあたって、ボード面にわたって超音波でスキャンするべく、このTEGの周囲における物理的な遮蔽物は、このTEGには属していない他のTSVの周囲における物理的な遮蔽物よりも少なく存在している、ように選び出している。このようにTEGを選び出すことは、ボード上に予め設計して決めておいてよい。装置が自動的ユーザからの指示を待ち、それをきっかけにしてもよい、以下同じ。に選び出すという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に選び出す対象を変更しながら実行するようにしてもよい。そして、TEGに属している少なくとも1つのTSVを、ボード面にわたってスキャンして、そのスキャンした結果に基づいて、TEGに属していない他のTSVにボイドが存在するであろうと推定すればよい。装置が自動的に推定するという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に変更しながら推定の実行をするようにしてもよい。ちなみに、たとえ物理的な遮蔽物が少ないTEGがボード上に予め設計されていても、後発的に柔軟に、あえて物理的な遮蔽物が多いTSVを検査することもできるであろう。図5は、ボード面にわたってスキャンした結果の超音波画像の例を示す模式図である。テスト要素グループTEGは、ボード上において、実線または点線の○で囲まれている箇所において、ボードに配列されている複数のTSVからは独立して設けられている。ボイドのあると推定されるサンプルでは、右下の4つのTSVによって囲まれたテスト要素グループTEGにボイドがあることが検出されている。このような場合、TEGに属していない他のTSVここでは、40μm±20μmのピッチをもって整然と配列されている複数のTSVにおいてもボイドが存在するであろうと推定することができる。ボイドがないと推定されるサンプルでは、左上の4つのTSVによって囲まれたテスト要素グループTEGにボイドがあることを示す画像が現れていない。テスト要素グループTEGに属している少なくとも1つのTSVの径が、TEGに属していない他のTSVの径よりも小さい、ように設定すれば、より厳しい基準をTEGに課すことができる。例えば、このTEGによる検査方式に従えば、TSVの全数検査をしないでも済むように、このTEGに配置されるTSVはActiveなTSVと同じ直径のものの他に、例えば10、20または40程度細い径のものを同時に形成しておく。テスト要素グループTEGに属しているTSVが複数あって、その配列されているピッチが、TEGに属していない他のTSVが配列されているピッチよりも狭い、ように設定すれば、より厳しい基準をTEGに課すことができる。例えば、TSVの密度はActiveなTSVの最小ピッチと同じピッチのものの他に、例えば10、20など、小さなピッチのものを同時に形成しておく。例えば、このTEGを独立して設けて配置する場所としては、チップ面内の少なくとも1箇所に配置し、特に隣り合うチップが異なるTSVパターンを持つウエハにおいては、ウエハ面内のチップ配置によるめっきレートの差異を考慮し、異なるチップ間の辺の近傍にそれぞれ1箇所以上配置しておく。具体的な数値例としては、テスト要素グループTEGに属していない他のTSVが、40μm±20μmのピッチおよび25μm±10μmの径をもって配列されている、ものを示すことができる。もっとも、ボード内では、所定のピッチおよび所定の径をもって配列されており、全てのTSVが同じピッチであるとは限らず、全てのTSVが同じ径であるとは限らない。同じものを均一に作成しようとした場合、ピッチの寸法に比較すると、径の寸法はエッチングのプロセス条件露光条件などに影響されやすい傾向があり、径の寸法にはバラツキが生じやすい。具体的な数値例としては、テスト要素グループTEGに属している少なくとも1つのTSVが、15μm~20μm±10μmの径であり、超音波スキャンにはSonoscan製の高開口数高いNAを有する高分解能の230MHz~400MHzプローブを用いる、ものを示すことができる。スキャンするステップの結果に基づいて、TEGに属していない他のTSVにボイドが存在するであろうと推定することについては、所定の閾値を超える反射波の強度が検出された場合のみ、TSVにボイドが存在するであろうと推定するようにしてもよい。図6は、超音波を音響レンズを用いてボードに焦点をあわせる原理を説明する図である。後述する図9のように、各アレイ状の検出素子の出力を電気的に適切なディレーラインを介して加算することによって、このような音響レンズと同様な集束効果を得ることが出来る。フェイズドアレイ図7は、超音波リーダ20を中心とした、超音波読取りシステム10のブロック略図である。代表面22を通して超音波が送信されるように送信部が設けられ、ボード100において超音波が反射され、代表面22を通して超音波が受信されるように受信部が設けられている。これら送信部と受信部とはAD/DA変換回路24に接続され、AD/DA変換回路24は制御回路26に接続され、制御回路26は演算処理回路28に接続され、演算処理回路28は画像処理回路29に接続され、画像処理回路29はディスプレイ30に接続される。例えば、ボード100の2次元的範囲ボード面にわたってスキャンする場合に、制御回路26によって奥行き方向の情報を分離して取得することができる。また、演算処理回路28では、ある奥行き寸法の2次元的範囲ボード面における超音波の受信の状態と、それとは異なる奥行き寸法の2次元的範囲における超音波の受信の状態とを比較することもできる。これら比較の結果をCRT、LCD、プラズマなどのディスプレイ30において表示するにあたっては、例えば、反射される超音波の振幅に比例して濃淡を付けるなどして、超音波の反射が異なっている状態を可視化することが可能となる。図7に示した超音波リーダ20として、AD/DA変換回路24、制御回路26、演算処理回路28、画像処理回路29のどの部分までを含めるかは、当業者にとって適宜設計可能である。図8は、単一のプローブによるスキャンを示す模式図である。単一のプローブの先端から矢印Tのように指向性のある超音波が送信されて、ボード100において矢印Rのように反射される。実証実験としても図8のような走査を採用した。走査型超音波顕微鏡SAMScanningAcousticMicroscopeを用いて、音響レンズ等によって細く絞った230MHz~400MHzの超音波を主成分とするビームを、試料に対してY方向をずらしながらX方向に1次元的にスキャンをして、超音波の送信と反射波の受信とを繰り返すことで、ボード100の構造を深さ方向に高い分解能で解析することに成功している。図9は、超音波の受信部をピエゾ素子のアレイによって実現することを示す模式図である。圧電振動子水晶などなどの電歪振動子の代わりに、磁歪振動子などを使うこともできる。ピエゾ素子をアレイとして配することで、反射された超音波を2次元的に受信することができる。アレイ状に配置した電気-音響変換素子を用い、各素子に印加する超音波駆動波の位相を制御する事によっても実現することが出来る。この方式は、フェイズドアレイといわれる。通常、超音波はピエゾ素子のような振動-電圧変換を行う素子で検出する。各アレイ状の検出素子の出力を電気的に適切なディレーラインを介して加算することによって、音響レンズと同様な集束効果を得ることが出来る。特定のピエゾ素子を、TEGに属しているTSVに割振られるように選び出しておくこともできる。装置として自動的に選び出すという、機械的処理のステップまたはオペレーションとして、柔軟に変更しながら実行するようにできるであろう。超音波の第2の特性に従い、超音波はその箇所まで送信されてきた液体や空気などの伝播媒体からボードへと移ることになる、このように、リーダ200の側から超音波を送信し、反射波が帰ってくるまでの時間を、それぞれのTSVの箇所について測定することにより、ボイドの存在、その奥行き寸法、その容積を知ることができる。この原理は、パルスエコー法の原理としても知られている。また、ボード面にわたってスキャンする方法も、スキャンする方向、スキャンする回数、スキャンをリトライする回数など、予め設計して決めておいてもよい。スキャンする深さおよびスキャンできる分解能については、スキャンする超音波の周波数と密接な関係がある。高い周波数の超音波を用いると高い分解能による高い解像度が得られるが、その一方で、深い部分まではスキャンすることができないことになる。TEGに属しているTSVを覆っている部分のアルミ層部分をより薄くなるように設定しておけば、検出し易くなると予想される。また、本発明は、シリコン貫通配線TSV:ThroughSiliconeViaとして説明してきたが、シリコンに限らず、ガリウム砒素、ガリウム燐、ゲルマニウム単体、シリコンゲルマニウムなど、他の半導体に置き換えても広く適用することができる。この点、シリコン貫通配線TSVという用語の意義は広く解釈されるべきである。