第1配線と、配線基板の平面方向において、前記第1配線と隣接して配置された第2配線と、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と隣接して配置された第3配線と、前記配線基板の平面方向において、前記第3配線と隣接して配置された第4配線と、前記第1配線と前記第2配線との間、前記第1配線と前記第3配線との間、前記第2配線と前記第4配線との間、及び、前記第3配線と前記第4配線との間に形成された絶縁層と、を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第4配線とが隣接して配置され、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と前記第4配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第3配線とが重ならず、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第1配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第2配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線の側面に設けられた谷部と前記第3配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線の側面に設けられた谷部と前記第4配線とが重なることを特徴とする配線基板。前記第3配線と前記第4配線とが隣接する領域における前記第3配線の側面は、直線形状であり、前記第3配線と前記第4配線とが隣接する領域における前記第4配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。前記第1配線と前記第3配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、前記第2配線と前記第4配線とは、前記配線基板の平面方向にずらして配置され、前記第1配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第3配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第1配線と前記第2配線との間の距離の半分であり、前記第2配線の側面に設けられた山部の頂点部分と、前記第4配線の側面の直線形状部分とのずらし量は、前記第3配線と前記第4配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。前記第1配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、前記第2配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の配線基板。第1配線と、配線基板の平面方向において、前記第1配線と隣接して配置された第2配線と、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と隣接して配置された第3配線と、前記配線基板の平面方向において、前記第3配線と隣接して配置された第4配線と、前記第1配線と前記第2配線との間、前記第1配線と前記第3配線との間、前記第2配線と前記第4配線との間、及び、前記第3配線と前記第4配線との間に形成された絶縁層と、を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第4配線とが隣接して配置され、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と前記第4配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第3配線とが重ならず、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第1配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第2配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第3配線と前記第4配線とが隣接する領域における前記第3配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第3配線と前記第4配線とが隣接する領域における前記第4配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線の側面に設けられた山部と前記第3配線の側面に設けられた山部とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線の側面に設けられた山部と前記第4配線の側面に設けられた山部とが重ならないことを特徴とする配線基板。前記第1配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第1配線と前記第2配線との間の距離の半分であり、前記第2配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第1配線と前記第2配線との間の距離の半分であり、前記第3配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第3配線と前記第4配線との間の距離の半分であり、前記第4配線の側面に設けられた山部の突出量は、前記第3配線と前記第4配線との間の距離の半分であることを特徴とする請求項5に記載の配線基板。前記第1配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、前記第2配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、前記第3配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返しており、前記第4配線の側面に設けられた山部及び谷部は交互に繰り返していることを特徴とする請求項5又は6に記載の配線基板。前記第1配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第1配線の側面は、直線形状であり、前記第2配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第2配線の側面は、直線形状であり、前記第3配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第3配線の側面は、直線形状であり、前記第4配線の側面に設けられた山部と谷部との間における前記第4配線の側面は、直線形状であることを特徴とする請求項5から7の何れか一項に記載の配線基板。前記第1配線及び前記第2配線は、グランドプレーンであり、前記第3配線及び前記第4配線は、電源プレーンであることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載の配線基板。前記第1配線及び前記第2配線は、電源プレーンであり、前記第3配線及び前記第4配線は、グランドプレーンであることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載の配線基板。配線基板の絶縁層にクラックが発生した場合には、絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することが求められる。配線基板の各層の配線をずらして配置することにより、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制する方法がある。しかし、配線基板の各層に配置された配線同士が近づき過ぎると、一方の配線の電圧変動が他方の配線の電圧に影響を与えることにより、各層に配置された配線の電気特性が劣化する可能性がある。本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することを目的とする。本件の一観点による配線基板は、第1配線と、配線基板の平面方向において、前記第1配線と隣接して配置された第2配線と、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と隣接して配置された第3配線と、前記配線基板の平面方向において、前記第3配線と隣接して配置された第4配線と、前記第1配線と前記第3配線との間、及び、前記第2配線と前記第4配線との間に形成された絶縁層と、を備え、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第4配線とが隣接して配置され、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線と前記第4配線とが重ならず、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線と前記第3配線とが重ならず、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第1配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記第1配線と前記第2配線とが隣接する領域における前記第2配線の側面には、山部及び谷部が設けられ、前記配線基板の厚さ方向において、前記第1配線の側面に設けられた谷部と前記第3配線とが重なり、前記配線基板の厚さ方向において、前記第2配線の側面に設けられた谷部と前記第4配線とが重なる。本件は、配線基板の各層に配置された配線の電気特性を劣化させずに、配線基板の絶縁層に発生したクラックの伝播を抑制することができる。半導体パッケージとしての半導体装置の一例を図9に示す。図9のAは、半導体装置100の上面図である。図9のBは、図9のAの一点鎖線M-Mにおける半導体装置100の断面図である。図9に示す半導体装置100は、配線基板支持基板又はインターポーザとも称する101の実装面上面上に、半導体素子200が、接着材を介して設置されている。配線基板101の実装面は、封止樹脂102で封止されている。配線基板101と半導体素子200とは、ワイヤ103を介して接続されている。配線基板101の実装面の反対面下面には、半田ボール104が設置されている。図10のAは、図9のAの一点鎖線で示された領域300の拡大図である。図10のBは、図10のAの一点鎖線N-Nにおける半導体装置100の要部断面図である。図10のA及びBに示すように、配線基板101は、L1層においてグランドプレーン110、信号配線111及び導通ビア112を有している。また、図10のBに示すように、配線基板101は、L2層において電源プレーン113を有しており、L3層においてグランドプレーン114を有しており、L4層においてランド115を有している。図10のAに示すように、配線基板101に形成されているボンディングパッド116と半導体素子200に形成されているボンディングパッド201とは、ワイヤ103を介して接続されている。図10のAに示すように、信号配線111は、導通ビア112及びボンディングパッド116に接続されている。図10のA及びBに示すように、配線基板101は、グランドプレーン110、信号配線111及び導通ビア112の上に絶縁層120を有している。図10のBに示すように、配線基板101は、L1層とL2層との間に絶縁層121を有しており、L2層とL3層との間に絶縁層122を有しており、L3層とL4層との間に絶縁層123を有している。図10のBに示すように、配線基板101には、半導体素子200が設置されている面の反対側の面に絶縁層124が形成されている。図10のBに示すように、半田ボール104は、ランド115に接合されている。配線基板101の上層に形成されている絶縁層120にクラックが発生した場合、配線基板101の平面方向及び厚さ方向積層方向にクラックが伝播し、配線基板101の平面方向及び厚さ方向に連続したクラックが発生する。図10のBに示すように、絶縁層120にクラックが発生した場合、絶縁層120の直下にグランドプレーン110が形成されていない部分に沿って、絶縁層120にクラックが伝播する。絶縁層120の直下にグランドプレーン110が形成されていない部分に沿って、絶縁層120にクラックが伝播することにより、配線基板101の平面方向に連続したクラックが発生する。また、図10のBに示すように、絶縁層120にクラックが発生した場合、絶縁層121、122、123及び絶縁層124にクラックが伝播する。絶縁層121、122、123及び絶縁層124にクラックが伝播することにより、配線基板101の積層方向に連続したクラックが発生する。上記の課題を解決するための実施形態について、以下、図面を参照して説明する。図1のAは、本実施形態に係る半導体装置1の平面図である。図1のBは、図1のAの一点鎖線A-Aにおける半導体装置1の断面図である。図1に示す半導体装置1は、配線基板支持基板又はインターポーザとも称する2の実装面上面上に、半導体素子半導体チップ3が、接着材を介して設置されている。配線基板2は、例えば、ビルドアップ基板などの有機基板等である。配線基板2の実装面は、封止樹脂4で封止されている。封止樹脂4は、例えば、エポキシ樹脂である。配線基板2と半導体素子3とは、金Au等のワイヤ5を介して接続されている。配線基板2の実装面の反対面下面には、半田ボール6が設置されている。半導体装置1は、半田ボール6を介して、マザーボード等の他の基板に接続される。本実施形態の実施例1について説明する。実施例1の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置1は実施例1の構成に限定されない。図2Aは、実施例1に係る半導体装置1の要部平面図である。図2Aは、図1のAの一点鎖線で示された領域10を拡大して示している。図2Bは、図2Aの一点鎖線B-Bにおける半導体装置1の要部断面図である。図2Cは、図2Aの一点鎖線C-Cにおける半導体装置1の要部断面図である。図2Dは、図2Aの一点鎖線D-Dにおける半導体装置1の要部断面図である。図2Aから図2Dにおいては、封止樹脂4の図示を省略している。図2A及び図2Bに示すように、配線基板2のL1層に、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13が形成されている。また、図2Bから図2Dに示すように、配線基板2のL2層に電源プレーン14A及び14Bが形成され、配線基板2のL3層にグランドプレーン15A及び15Bが形成され、配線基板2のL4層にランド16A及び16Bが形成されている。第1配線は、グランドプレーン11A及び電源プレーン14Aの一例である。第2配線は、グランドプレーン11B及び電源プレーン14Bの一例である。第3配線は、グランドプレーン11A及び電源プレーン14Aの一例である。第4配線は、グランドプレーン11B及び電源プレーン14Bの一例である。図2Aから図2Dに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン11Aの下方に電源プレーン14Aが配置され、グランドプレーン11Bの下方に電源プレーン14Bが配置されている。すなわち、図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとが隣接して配置され、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、電源プレーン14Aの下方にグランドプレーン15Aが配置され、電源プレーン14Bの下方にグランドプレーン15Bが配置されている。すなわち、図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとが隣接して配置され、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン15Aの下方にランド16Aが配置され、グランドプレーン15Bの下方にランド16Bが配置されている。すなわち、図2Bから図2Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aとランド16Aとが隣接して配置され、グランドプレーン15Bとランド16Bとが隣接して配置されている。グランドプレーン11A、15A及び電源プレーン14Aは、図示しない導通ビアを介してランド16Aに接続されている。グランドプレーン11B、15B及び電源プレーン14Bは、図示しない導通ビアを介してランド16Bに接続されている。グランドプレーン11A、11B、15A、15B、信号配線12、導通ビア13、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの材料として、例えば、銅Cu等の金属を用いてもよい。図2Bから図2Dに示すように、ランド16A、16Bには、半田ボール6が接合されている。図2Aに示すように、配線基板2に形成されているボンディングパッド17と半導体素子3に形成されているボンディングパッド18とは、ワイヤ5を介して接続されている。図2Aに示すように、信号配線12は、導通ビア13及びボンディングパッド17に接続されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2には、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13の上に絶縁層20が形成されている。絶縁層20の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図2Aでは、絶縁層20の図示を省略している。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2は、L1層とL2層との間に絶縁層21を有しており、L2層とL3層との間に絶縁層22を有しており、L3層とL4層との間に絶縁層23を有している。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2には、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとの間、及び、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとの間に絶縁層21が形成されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2には、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとの間、及び、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとの間に絶縁層22が形成されている。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2には、グランドプレーン15Aとランド16Aとの間、及び、グランドプレーン15Bとランド16Bとの間に絶縁層23が形成されている。絶縁層21、22、23の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層21、22、23の厚さを、例えば、30μm以上100μm以下としてもよい。図2Bから図2Dに示すように、配線基板2には、半導体素子3が設置されている面の反対側の面に絶縁層24が形成されている。絶縁層24の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図3Aは、実施例1に係る半導体装置1が備える配線基板2のL1層の要部平面図である。図3Aでは、封止樹脂4及び絶縁層20の図示を省略している。図3Bは、実施例1に係る半導体装置1が備える配線基板2のL2層の要部平面図である。図3Bでは、封止樹脂4、絶縁層20及び配線基板2のL1層の図示を省略している。図3Cは、実施例1に係る半導体装置1が備える配線基板2のL3層の要部平面図である。図3Cでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層及びL2層の図示を省略している。図3Dは、実施例1に係る半導体装置1が備える配線基板2のL4層の要部平面図である。図3Dでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層、L2層及びL3層の図示を省略している。なお、図3Aから図3Dは、図2Aと同様に、図1のAの一点鎖線で示された領域10の拡大平面図である。図3Aに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図3Bに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図3Cに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図3Dに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図3Aから図3Dに示すように、グランドプレーン11A、11B、15A、15Bの側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン11A、11B、15A、15Bの側面の一部が非平面となり、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部が平面となっている。図3Aに示すように、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面が非直線形状ジグザグ形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面には、三角形状の山部突出部及び三角形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面を、グランドプレーン11Aの隣接側面とも表記する。実施例1において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図3AのA2から突出した部分である。実施例1において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図3AのA2からへこんだ部分である。図3Aに示すように、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面が非直線形状ジグザグ形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面には、三角形状の山部突出部及び三角形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面を、グランドプレーン11Bの隣接側面とも表記する。実施例1において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図3AのA4から突出した部分である。実施例1において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図3AのA4からへこんだ部分である。図3Bに示すように、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面を、電源プレーン14Aの隣接側面とも表記する。図3Bに示すように、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面が平面になっている。明細書では、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面を、電源プレーン14Bの隣接側面とも表記する。図3Cに示すように、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面が非直線形状ジグザグ形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面には、三角形状の山部突出部及び三角形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面を、グランドプレーン15Aの隣接側面とも表記する。実施例1において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図3CのA7から突出した部分である。実施例1において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図3CのA7からへこんだ部分である。図3Cに示すように、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面が非直線形状ジグザグ形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面には、三角形状の山部突出部及び三角形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。明細書では、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面を、グランドプレーン15Bの隣接側面とも表記する。実施例1において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図3CのA9から突出した部分である。実施例1において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図3CのA9からへこんだ部分である。図3Dに示すように、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面を、ランド16Aの隣接側面とも表記する。図3Dに示すように、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面が平面になっている。明細書では、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面を、ランド16Bの隣接側面とも表記する。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間には、絶縁層20が形成されている。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間に、絶縁層21を形成するようにしてもよい。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間に、絶縁層20及び絶縁層21を形成するようにしてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bと隣接側面との間図2A及び図2BのA1とA3との間、図2A及び図2CのA2とA4との間、図2A及び図2DのA3とA5との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面について、非直線形状の底点図3AのA2とA11との交点と中間点図3AのA2とA12との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面について、非直線形状の中間点図3AのA2とA12との交点と頂点図3AのA3とA13との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面について、非直線形状の底点図3AのA1と11との交点と頂点図3AのA3とA13との交点との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン11Aの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面について、非直線形状の頂点図3AのA3とA11との交点と中間点図3AのA4とA12との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面について、非直線形状の中間点図3AのA4とA12との交点と底点図3AのA5とA13との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面について、非直線形状の頂点図3AのA3とA11との交点と底点図3AのA5とA13との交点との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン11Bの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間には、絶縁層21が形成されている。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間に、絶縁層22を形成するようにしてもよい。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間に、絶縁層21及び絶縁層22を形成するようにしてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間図3BのA2とA4との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間には、絶縁層22が形成されている。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間に、絶縁層23を形成するようにしてもよい。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間に、絶縁層22及び絶縁層23を形成するようにしてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との間図2BのA6とA8との間、図2CのA7とA9との間、図2DのA8とA10との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面について、非直線形状の底点図3CのA6とA14との交点と中間点図3CのA7とA15との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面について、非直線形状の中間点図3CのA7とA15との交点と頂点図3CのA8とA16との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面について、非直線形状の底点図3CのA6とA14との交点と頂点図3CのA8とA16との交点との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン15Aの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面について、非直線形状の頂点図3CのA8とA14との交点と中間点図3CのA9とA15との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面について、非直線形状の中間点図3CのA9とA15との交点と底点図3CのA10とA16との交点との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面について、非直線形状の頂点図3CのA8とA14との交点と底点図3CのA10とA16との交点との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。すなわち、グランドプレーン15Bの隣接側面の屈曲点ピッチを、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。ランド16Aとランド16Bとは、所定距離を離して配置されている。ランド16Aとランド16Bとの間には、絶縁層24が形成されている。ランド16Aとランド16Bとの間に、絶縁層23を形成するようにしてもよい。ランド16Aとランド16Bとの間に、絶縁層23及び絶縁層24を形成するようにしてもよい。ランド16Aの隣接側面とランド16Bとの隣接側面との間図3DのA7とA9との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。図2Bに示すように、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図3BのA2よりもへこんでいる。したがって、図2Bに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン14Aが存在している。すなわち、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン14Aとが重なっている領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図3BのA2よりも突出している。したがって、図2Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン14Aが存在しない領域がある。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン11Aの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン11Aの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Aの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン11Aの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。図2Bに示すように、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分図3BのA4よりも突出している。したがって、図2Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン14Bが存在しない領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図3BのA4よりもへこんでいる。したがって、図2Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン14Bが存在している。すなわち、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部と電源プレーン14Bが重なっている領域がある。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン11Bの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン11Bの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Bの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン11Aの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11A又は電源プレーン14Bの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11B又は電源プレーン14Aの電気特性が劣化する。したがって、図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン11A及び電源プレーン14Bが配置されている。また、図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン11B及び電源プレーン14Aが配置されている。実施例1では、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。また、実施例1では、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Aの直線形状部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Bの直線形状部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11A又は電源プレーン14Bの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11B又は電源プレーン14Aの電気特性が劣化する可能性がある。したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン11A又は電源プレーン14Bの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン11B又は電源プレーン14Aの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン11Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン11Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。グランドプレーン11Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Aと表記する。ずらし量Aは、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン11Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン14Bの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン14Aの配置をずらしている。グランドプレーン11Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Bと表記する。ずらし量Bは、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン11Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分と電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン14Aの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン14Bの配置をずらしている。図2Bに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面における直線形状部分図3BのA2よりもへこんでいる。したがって、図2Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの下方にグランドプレーン15Aが存在しない領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図3BのA2よりも突出している。したがって、図2Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン14Aが存在しない領域がある。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン15Aの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン15Aの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン15Aの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン15Aの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。図2Bに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分図3BのA4よりも突出している。したがって、図2Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン14Bが存在しない領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分図3BのA4よりもへこんでいる。したがって、図2Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの下方にグランドプレーン15Bが存在しない領域がある。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の突出量又は谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン15Bの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン15Bの非直線形状の各中間点を通る直線からの突出量である。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン15Bの非直線形状の各中間点を通るように直線を引いた場合において、グランドプレーン15Bの非直線形状の各中間点を通る直線からのへこみ量である。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14A又はグランドプレーン15B電気特性が劣化する。また、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14A又はグランドプレーン15Bの電気特性が劣化する。したがって、図2Bから図2Dに示すように、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン14A及びグランドプレーン15Bが配置されている。また、図2Bから図2Dに示すように、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン14B及びグランドプレーン15Aが配置されている。実施例1では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aを配置してもよい。実施例1では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bを配置してもよい。実施例1では、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。また、実施例1では、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの直線形状部分とグランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの直線形状部分とグランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14A又はグランドプレーン15Bの電気特性が劣化する可能性がある。また、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとの距離が近づき過ぎると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14B又はグランドプレーン15Aの電気特性が劣化する可能性がある。したがって、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン14A又はグランドプレーン15Bの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、電源プレーン14B又はグランドプレーン15Aの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間の距離の約半分とすることが好ましい。また、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間の距離の約半分とすることが好ましい。電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Cと表記する。ずらし量Cは、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとを重ね合わせた場合において、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン14Bの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン14Aの配置をずらしている。電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とのずらし量を、ずらし量Dと表記する。ずらし量Dは、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとを重ね合わせた場合において、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分とグランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分との間の最短距離である。なお、電源プレーン14Aの配置方向の反対方向に向けて、電源プレーン14Bの配置をずらしている。図2Bに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、ランド16Aの隣接側面の直線形状部分図3DのA7よりもへこんでいる。したがって、図2Bに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド16Aが存在している。すなわち、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部とランド16Aとが重なっている領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、ランド16Aの隣接側面の直線形状部分図3DのA7よりも突出している。したがって、図2Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の下方にランド16Aが存在しない領域がある。図2Bに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、ランド16Bの隣接側面の直線形状部分図3DのA9よりも突出している。したがって、図2Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の下方にランド16Bが存在しない領域がある。図2Dに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、ランド16Bの隣接側面の直線形状部分図3DのA9よりもへこんでいる。したがって、図2Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部の下方にはランド16Bが存在している。すなわち、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部とランド16Bとが重なっている領域がある。実施例1では、グランドプレーン15Aとランド16Aとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。また、実施例1では、グランドプレーン15Bとランド16Bとを、配線基板2の平面方向においてずらして配置している。配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Aの直線形状部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。また、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Bの直線形状部分とが一致すれば、配線基板2の厚さ方向におけるクラックの伝播をより抑制することが可能となる。しかし、グランドプレーン15Aとランド16Bとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15A又はランド16Bの電気特性が劣化する可能性がある。また、グランドプレーン15Bとランド16Aとの距離が近づき過ぎると、一方の電圧変動が他方の電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15B又はランド16Aの電気特性が劣化する可能性がある。したがって、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン15A又はランド16Bの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。また、クラックの伝播の抑制と、グランドプレーン15B又はランド16Aの電気特性の劣化の抑制とのバランスを考慮する必要がある。このことから、グランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Aの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン15Aの隣接側面とランド16Bの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。また、グランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Bの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、グランドプレーン15Aの隣接側面とランド16Bの隣接側面との間の距離の約半分とすることが好ましい。グランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Aの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Eと表記する。ずらし量Eは、グランドプレーン15Aとランド16Aとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン15Aの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Aの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド16Bの配置方向の反対方向に向けて、ランド16Aの配置をずらしている。グランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Bの隣接側面の直線形状部分とのずらし量を、ずらし量Fと表記する。ずらし量Fは、グランドプレーン15Bとランド16Bとを重ね合わせた場合において、グランドプレーン15Bの隣接側面の非直線形状の頂点部分とランド16Bの隣接側面の直線形状部分との間の最短距離である。なお、ランド16Aの配置方向の反対方向に向けて、ランド16Bの配置をずらしている。グランドプレーン15Aとランド16Bとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15A又はランド16B電気特性が劣化する。また、グランドプレーン15Bとランド16Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15B又はランド16Bの電気特性が劣化する。したがって、図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン15Aとランド16Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン15A及びランド16Bが配置されている。また、図2Bから図2Dに示すように、グランドプレーン15Bとランド16Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン15B及びランド16Aが配置されている。実施例1では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン14A及びランド16Aが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン14A及びランド16Aが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン14A及びランド16Aを配置してもよい。実施例1では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン14B及びランド16Bが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン14B及びランド16Bが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン14B及びランド16Bを配置してもよい。絶縁層20に発生したクラックは、配線基板2の平面方向及び厚さ方向に向かって伝播する。グランドプレーン11Aの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン11Aの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Aに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Aに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックをグランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン11Bの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン11Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Bに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックをグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。図3Aに示すように、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間には、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン11A及び11Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11A又は11Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層20を伝播するクラックをグランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Aに衝突せずに、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播する場合がある。配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン14Aが存在している。そのため、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Aに衝突する。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが電源プレーン14Aに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層22に伝播しない。したがって、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン14Aで止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。絶縁層20を伝播するクラックが、グランドプレーン11Bに衝突せずに、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けて、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播する場合がある。配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部の下方には電源プレーン14Bが存在している。そのため、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Bに衝突する。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが電源プレーン14Bに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは絶縁層22に伝播しない。したがって、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部を通り抜けたクラックを電源プレーン14Bで止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン15Aの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン15Aの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックが、グランドプレーン15Aに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックが、グランドプレーン15Aに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン15Bの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン15Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックが、グランドプレーン15Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックが、グランドプレーン15Bに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックをグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。図3Cに示すように、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間には、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン15A及び15Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックが、グランドプレーン15A又は15Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって絶縁層22を伝播するクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。絶縁層24に発生したクラックは、配線基板2の厚さ方向に向かって伝播する。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播するクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播するクラックをグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。実施例1では、グランドプレーン11A、11B、15A及び15Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部を三角形状とする例を示したが、グランドプレーン11A、11B、15A及び15Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部を他の形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン11A、11B、15A及び15Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、矩形状としてもよい。本実施形態の実施例2について説明する。実施例2の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置1は実施例2の構成に限定されない。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。図4Aは、実施例2に係る半導体装置1の要部平面図である。図4Aは、図1のAの一点鎖線で示された領域10を拡大して示している。図4Bは、図4Aの一点鎖線E-Eにおける半導体装置1の要部断面図である。図4Cは、図4Aの一点鎖線F-Fにおける半導体装置1の要部断面図である。図4Dは、図4Aの一点鎖線G-Gにおける半導体装置1の要部断面図である。図4Eは、図4Aの一点鎖線H-Hにおける半導体装置1の要部断面図である。図4Aから図4Eにおいては、封止樹脂4の図示を省略している。図4A及び図4Bに示すように、配線基板2のL1層に、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13が形成されている。第1配線は、グランドプレーン11Aの一例である。第2配線は、グランドプレーン11Bの一例である。また、図4Bから図4Eに示すように、配線基板2のL2層に電源プレーン14A及び14Bが形成され、配線基板2のL3層にグランドプレーン15A及び15Bが形成され、配線基板2のL4層にランド16A及び16Bが形成されている。第3配線は、電源プレーン14Aの一例である。第4配線は、電源プレーン14Bの一例である。図4Aから図4Eに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン11Aの下方に電源プレーン14Aが配置され、グランドプレーン11Bの下方に電源プレーン14Bが配置されている。すなわち、図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとが隣接して配置され、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、電源プレーン14Aの下方にグランドプレーン15Aが配置され、電源プレーン14Bの下方にグランドプレーン15Bが配置されている。すなわち、図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとが隣接して配置され、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン15Aの下方にランド16Aが配置され、グランドプレーン15Bの下方にランド16Bが配置されている。すなわち、図4Bから図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aとランド16Aとが隣接して配置され、グランドプレーン15Bとランド16Bとが隣接して配置されている。グランドプレーン11A、15A及び電源プレーン14Aは、図示しない導通ビアを介してランド16Aに接続されている。グランドプレーン11B、15B及び電源プレーン14Bは、図示しない導通ビアを介してランド16Bに接続されている。グランドプレーン11A、11B、15A、15B、信号配線12、導通ビア13、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの材料として、例えば、銅Cu等の金属を用いてもよい。図4Bから図4Eに示すように、ランド16A、16Bには、半田ボール6が接合されている。図4Aに示すように、配線基板2に形成されているボンディングパッド17と半導体素子3に形成されているボンディングパッド18とは、ワイヤ5を介して接続されている。図4Aに示すように、信号配線12は、導通ビア13及びボンディングパッド17に接続されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2には、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13の上に絶縁層20が形成されている。絶縁層20の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図4Aでは、絶縁層20の図示を省略している。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2は、L1層とL2層との間に絶縁層21を有しており、L2層とL3層との間に絶縁層22を有しており、L3層とL4層との間に絶縁層23を有している。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2には、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとの間、及び、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとの間に絶縁層21が形成されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2には、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとの間、及び、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとの間に絶縁層22が形成されている。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2には、グランドプレーン15Aとランド16Aとの間、及び、グランドプレーン15Bとランド16Bとの間に絶縁層23が形成されている。絶縁層21、22、23の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層21、22、23の厚さを、例えば、30μm以上100μm以下としてもよい。図4Bから図4Eに示すように、配線基板2には、半導体素子3が設置されている面の反対側の面に絶縁層24が形成されている。絶縁層24の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図5Aは、実施例2に係る半導体装置1が備える配線基板2のL1層の要部平面図である。図5Aでは、封止樹脂4及び絶縁層20の図示を省略している。図5Bは、実施例2に係る半導体装置1が備える配線基板2のL2層の要部平面図である。図5Bでは、封止樹脂4、絶縁層20及び配線基板2のL1層の図示を省略している。図5Cは、実施例2に係る半導体装置1が備える配線基板2のL3層の要部平面図である。図5Cでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層及びL2層の図示を省略している。図5Dは、実施例2に係る半導体装置1が備える配線基板2のL4層の要部平面図である。図5Dでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層、L2層及びL3層の図示を省略している。なお、図5Aから図5Dは、図4Aと同様に、図1のAの一点鎖線で示された領域10の拡大平面図である。図5Aに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図5Bに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図5Cに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図5Dに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図5Aから図5Dに示すように、グランドプレーン11A、11B、15A、15B、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部を非直線形状としている。すなわち、グランドプレーン11A、11B、15A、15B、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部が非平面となっている。図5Aに示すように、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、グランドプレーン11Aの隣接側面設けられた山部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図5AのB2から突出した部分である。実施例2において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図5AのB2からへこんだ部分である。図5Aに示すように、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図5AのB4から突出した部分である。実施例2において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図5AのB4からへこんだ部分である。図5Bに示すように、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Bの配置方向に対して図5BのB2から突出した部分である。実施例2において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン14Bの配置方向に対して図5BのB2からへこんだ部分である。図5Bに示すように、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Aの配置方向に対して図5BのB4から突出した部分である。実施例2において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた谷部は、電源プレーン14Aの配置方向に対して図5BのB4からへこんだ部分である。図5Cに示すように、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図5CのB7から突出した部分である。実施例2において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図5CのB7からへこんだ部分である。図5Cに示すように、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図5CのB9から突出した部分である。実施例2において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図5CのB9からへこんだ部分である。図5Dに示すように、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部は、ランド16Bの配置方向に対して図5DのB7から突出した部分である。実施例2において、ランド16Aの隣接側面に設けられた谷部は、ランド16Bの配置方向に対して図5DのB7からへこんだ部分である。図5Dに示すように、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面が非直線形状櫛歯形状になっている。すなわち、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面には、矩形状の山部突出部及び矩形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。実施例2において、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部は、ランド16Aの配置方向に対して図5DのB9から突出した部分である。実施例2において、ランド16Bの隣接側面に設けられた谷部は、ランド16Aの配置方向に対して図5DのB9からへこんだ部分である。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間には、絶縁層20が形成されている。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間に、絶縁層21を形成するようにしてもよい。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間に、絶縁層20及び絶縁層21を形成するようにしてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間図4A、図5AのB2とB4との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5AのB14とB15との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5AのB12とB13との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部とのピッチ図5AのB11とB12との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部とのピッチ図5AのB13とB14との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとは、所定距離を離して配置されている。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間には、絶縁層21が形成されている。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間に、絶縁層22を形成するようにしてもよい。電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとの間に、絶縁層21及び絶縁層22を形成するようにしてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間図5BのB2とB4との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5BのB16とB17との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ図5BのB16とB17との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとは、所定距離を離して配置されている。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間には、絶縁層22が形成されている。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間に、絶縁層23を形成するようにしてもよい。グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間に、絶縁層22及び絶縁層23を形成するようにしてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との間図5CのB2とB4との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5CのB21とB22との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5CのB19とB20との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とのピッチ図5CのB18とB19との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部とグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とのピッチ図5AのB20とB21との間の距離を、例えば、100μm以上300μm以下としてもよい。ランド16Aとランド16Bとは、所定距離を離して配置されている。ランド16Aとランド16Bとの間には、絶縁層24が形成されている。ランド16Aとランド16Bとの間に、絶縁層23を形成するようにしてもよい。ランド16Aとランド16Bとの間に、絶縁層23及び絶縁層24を形成するようにしてもよい。ランド16Aの隣接側面とランド16Bとの隣接側面との間図5DのB2とB4との間の距離を、例えば、50μm以上300μm以下としてもよい。ランド16Aの隣接側面に設けられた山部と谷部とのピッチ図5DのB23とB24との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。ランド16Bの隣接側面に設けられた谷部と山部との間のピッチ図5DのB23とB24との間の距離を、例えば、200μm以上600μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとが、配線基板2の厚さ方向積層方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11A又は電源プレーン14Bの電気特性が劣化する。また、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン11B又は電源プレーン14Aの電気特性が劣化する。したがって、図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン11A及び電源プレーン14Bが配置されている。また、図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン11B及び電源プレーン14Aが配置されている。電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14A又はグランドプレーン15B電気特性が劣化する。また、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、電源プレーン14A又はグランドプレーン15Bの電気特性が劣化する。したがって、図4Bから図4Eに示すように、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン14A及びグランドプレーン15Bが配置されている。また、図4Bから図4Eに示すように、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、電源プレーン14B及びグランドプレーン15Aが配置されている。グランドプレーン15Aとランド16Bとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15A又はランド16B電気特性が劣化する。また、グランドプレーン15Bとランド16Aとが、配線基板2の厚さ方向において重なると、一方のプレーンの電圧変動が他方のプレーンの電圧に影響を与えることにより、グランドプレーン15B又はランド16Bの電気特性が劣化する。したがって、図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン15Aとランド16Bとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン15A及びランド16Bが配置されている。また、図4Bから図4Eに示すように、グランドプレーン15Bとランド16Aとが、配線基板2の厚さ方向において重ならないようにして、グランドプレーン15B及びランド16Aが配置されている。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Cに示すように、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Bの配置方向に対して、グランドプレーン11Aの隣接側面の直線形状部分図5AのB2よりも突出している。したがって、図4Cに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン11Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Cに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。図4Dに示すように、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図5BのB2よりも突出している。したがって、図4Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン14Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン14Aとが重なっていない領域がある。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Bに示すように、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分図5BのB4よりも突出している。したがって、図4Bに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の下方に電源プレーン14Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部と電源プレーン14Bとが重なっていない領域がある。図4Eに示すように、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Aの配置方向に対して、グランドプレーン11Bの隣接側面における直線形状部分図5AのB4よりも突出している。したがって、図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の上方にグランドプレーン11Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Eに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Cに示すように、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Bの配置方向に対して、グランドプレーン15Aの隣接側面の直線形状部分図5CのB7よりも突出している。したがって、図4Cに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン15Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Cに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン15Aとが重なっていない領域がある。図4Dに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、電源プレーン14Aの隣接側面の直線形状部分図5BのB2よりも突出している。したがって、図4Dに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の上方に電源プレーン14Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部と、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Bに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、電源プレーン14Bの隣接側面の直線形状部分図5BのB4よりも突出している。したがって、図4Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の上方に、電源プレーン14Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。図4Eに示すように、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部は、電源プレーン14Aの配置方向に対して、グランドプレーン15Bの隣接側面における直線形状部分図5CのB9よりも突出している。したがって、図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の下方にグランドプレーン15Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Eに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン15Bとが重なっていない領域がある。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部と、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Cに示すように、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部は、ランド16Bの配置方向に対して、グランドプレーン15Aの隣接側面の直線形状部分図5CのB7よりも突出している。したがって、図4Cに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン15Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Cに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aとランド16Aの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。図4Dに示すように、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して、ランド16Aの隣接側面の直線形状部分図5DのB7よりも突出している。したがって、図4Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の下方に、ランド16Aが存在しない領域がある。すなわち、図4Dに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とランド16Aとが重なっていない領域がある。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部と、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。図4Bに示すように、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して、ランド16Bの隣接側面の直線形状部分図5DのB9よりも突出している。したがって、図4Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の下方にランド16Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Bに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とランド16Bとが重なっていない領域がある。図4Eに示すように、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部は、ランド16Aの配置方向に対して、グランドプレーン15Bの隣接側面の直線形状部分図5CのB9よりも突出している。したがって、図4Eに示すように、配線基板2の厚さ方向において、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部の上方に、グランドプレーン15Bが存在しない領域がある。すなわち、図4Eに示すように、配線基板2には、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bとランド16Bの隣接側面に設けられた山部とが重なっていない領域がある。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン11Aの直線形状部分図5AのB2からの突出量である。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Aの直線形状部分図5AのB2からのへこみ量である。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量は、グランドプレーン11Bの直線形状部分図5AのB4からの突出量である。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Bの直線形状部分図5AのB4からのへこみ量である。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン11Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン14Aの直線形状部分図5BのB2からの突出量である。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン14Aの直線形状部分図5BのB2からのへこみ量である。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、任意の値を設定することができる。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の突出量は、電源プレーン14Bの直線形状部分図5BのB4からの突出量である。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量は、電源プレーン14Bの直線形状部分図5BのB4からのへこみ量である。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の突出量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の突出量を、電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、例えば、25μm以上150μm以下としてもよい。電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた谷部のへこみ量を、電源プレーン14Aの隣接側面と電源プレーン14Bの隣接側面との間の距離の約半分としてもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面の形状とグランドプレーン15Aの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面とグランドプレーン15Aの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン11A及びグランドプレーン15Aを配置してもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面の形状とグランドプレーン15Bの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりがずれないように、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりが揃うように、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面とグランドプレーン15Bの隣接側面との重なりをずらして、グランドプレーン11B及びグランドプレーン15Bを配置してもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面の形状とランド16Aの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン14A及びランド16Aが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン14A及びランド16Aが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面とランド16Aの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン14A及びランド16Aを配置してもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面の形状とランド16Bの隣接側面の形状とは同一形状になっている。したがって、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量は、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部の突出量及び谷部のへこみ量と同じ値である。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりがずれないように、電源プレーン14B及びランド16Bが配置されている。すなわち、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりが揃うように、電源プレーン14B及びランド16Bが配置されている。これに限らず、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面とランド16Bの隣接側面との重なりをずらして、電源プレーン14B及びランド16Bを配置してもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面の形状とグランドプレーン15Aの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン11Aの隣接側面の形状とグランドプレーン15Aの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面の形状とグランドプレーン15Bの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、グランドプレーン11Bの隣接側面の形状とグランドプレーン15Bの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。例えば、図6に示すように、グランドプレーン11Aの隣接側面の形状とグランドプレーン15Aの隣接側面の形状とを異なる形状にし、グランドプレーン11Bの隣接側面の形状とグランドプレーン15Bの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。図6は、実施例2の変形例に係る半導体装置1が備える配線基板2のL3層の要部平面図である。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aの隣接側面の形状とランド16Aの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン14Aの隣接側面の形状とランド16Aの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。実施例2では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bの隣接側面の形状とランド16Bの隣接側面の形状とを同一形状にする例を示している。これに限らず、電源プレーン14Bの隣接側面の形状とランド16Bの隣接側面の形状とを異なる形状にしてもよい。例えば、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部を、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部が設けられている位置と異なる位置に設けるようにしてもよい。例えば、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさを、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部及び谷部の大きさと異なるようにしてもよい。グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間の領域の絶縁層20及び21に発生したクラックは、配線基板2の平面方向に向かって伝播する。また、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間の領域の絶縁層20及び21に発生したクラックは、配線基板2の厚さ方向に向かって伝播する。グランドプレーン11Aの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン11Aの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン11Aに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン11Aに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の絶縁層20及び21に発生したクラックをグランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン11Bの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン11Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン11Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン11Bに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の絶縁層20及び21に発生したクラックをグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。図5Aに示すように、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとの間には、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン11A及び11Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン11A又は11Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の絶縁層20及び21に発生したクラックをグランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板2の絶縁層20に発生したクラックが、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播する場合がある。上述したように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン14Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板2の絶縁層20に発生したクラックが、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播する場合がある。上述したように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部と、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックを電源プレーン14Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン15Aの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン15Aの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン15Aに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン15Aに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の絶縁層22又は23を伝播するクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。グランドプレーン15Bの隣接側面に山部を設けることにより、グランドプレーン15Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン15Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン15Bに衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の平面方向に向かって伝播しなくなる。したがって、配線基板2の絶縁層22又は23を伝播するクラックをグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。図5Cに示すように、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとの間には、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部とグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、グランドプレーン15A及び15Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、グランドプレーン15A又は15Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の絶縁層22又は23を伝播するクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部又はグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。図5Dに示すように、ランド16Aとランド16Bとの間には、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部とランド16の隣接側面に設けられた山部とが交互に繰り返して配置されている。これにより、ランド16A及び16Bの側面が直線形状の場合と比較して、配線基板2の平面方向に向かって伝播するクラックが、ランド16A又は16Bに衝突する可能性が高くなる。配線基板2の絶縁層23又は24を伝播するクラックをランド16Aの隣接側面に設けられた山部又はランド16Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の平面方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。ランド16Aとランド16Bとの間の領域の絶縁層24に発生したクラックは、配線基板2の厚さ方向に向かって、絶縁層23を伝播する。配線基板2の絶縁層24に発生したクラックが、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播する場合がある。上述したように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部と、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層21を伝播するクラックが、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播するクラックが、グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド16Aの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。配線基板2の絶縁層24に発生したクラックが、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播する場合がある。上述したように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部と、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部とが重ならないようにしている。このため、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部に衝突せずに、配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播するクラックが、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部に衝突する場合がある。配線基板2の厚さ方向に向かって絶縁層23を伝播するクラックが、グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部に衝突した場合、クラックは終息し、クラックは配線基板2の厚さ方向に向かって伝播しなくなる。したがって、ランド16Bの隣接側面に設けられた山部に衝突しなかったクラックをグランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部で止めることで、配線基板2の厚さ方向にクラックが伝播するのを抑制することができる。本実施形態の実施例3について説明する。実施例3の構成は例示であり、本実施形態に係る半導体装置1は実施例3の構成に限定されない。なお、実施例1及び実施例2と同一の構成要素については、実施例1及び実施例2と同一の符号を付し、その説明を省略する。図7Aは、実施例3に係る半導体装置1の要部平面図である。図7Aは、図1のAの一点鎖線で示された領域10を拡大して示している。図7Bは、図7Aの一点鎖線J-Jにおける半導体装置1の要部断面図である。図7Cは、図7Aの一点鎖線K-Kにおける半導体装置1の要部断面図である。図7Dは、図7Aの一点鎖線L-Lにおける半導体装置1の要部断面図である。図7Aから図7Dにおいては、封止樹脂4の図示を省略している。図7A及び図7Bに示すように、配線基板2のL1層に、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13が形成されている。また、図7Bから図7Dに示すように、配線基板2のL2層に、電源プレーン14A及び14Bが形成され、配線基板2のL3層に、グランドプレーン15A及び15Bが形成され、配線基板2のL4層に、ランド16A及び16Bが形成されている。図7Aから図7Dに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、グランドプレーン11Aの下方に電源プレーン14Aが配置され、グランドプレーン11Bの下方に電源プレーン14Bが配置されている。すなわち、図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとが隣接して配置され、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、電源プレーン14Aの下方にグランドプレーン15Aが配置され、電源プレーン14Bの下方にグランドプレーン15Bが配置されている。すなわち、図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとが隣接して配置され、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図7Bから図7Dに示すように、グランドプレーン15Aの下方にランド16Aが配置され、グランドプレーン15Bの下方にランド16Bが配置されている。すなわち、図7Bから図7Dに示すように、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aとランド16Aとが隣接して配置され、グランドプレーン15Bとランド16Bとが隣接して配置されている。グランドプレーン11A、15A及び電源プレーン14Aは、図示しない導通ビアを介してランド16Aに接続されている。グランドプレーン11B、15B及び電源プレーン14Bは、図示しない導通ビアを介してランド16Bに接続されている。グランドプレーン11A、11B、15A、15B、信号配線12、導通ビア13、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの材料として、例えば、銅Cu等の金属を用いてもよい。図7Bから図7Dに示すように、ランド16A、16Bには、半田ボール6が接合されている。図7Aに示すように、配線基板2に形成されているボンディングパッド17と半導体素子3に形成されているボンディングパッド18とは、ワイヤ5を介して接続されている。図7Aに示すように、信号配線12は、導通ビア13及びボンディングパッド17に接続されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2は、グランドプレーン11A、11B、信号配線12及び導通ビア13の上に絶縁層20を有している。絶縁層20の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図7Aでは、絶縁層20の図示を省略している。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2は、L1層とL2層との間に絶縁層21を有しており、L2層とL3層との間に絶縁層22を有しており、L3層とL4層との間に絶縁層23を有している。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2には、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Aとの間、及び、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Bとの間に絶縁層21が形成されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2には、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Aとの間、及び、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Bとの間に絶縁層22が形成されている。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2には、グランドプレーン15Aとランド16Aとの間、及び、グランドプレーン15Bとランド16Bとの間に絶縁層23が形成されている。絶縁層21、22、23の材料として、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。絶縁層21、22、23の厚さを、例えば、30μm以上100μm以下としてもよい。図7Bから図7Dに示すように、配線基板2には、半導体素子3が設置されている面の反対側の面に絶縁層24が形成されている。絶縁層24の材料として、例えば、ソルダーレジストを用いてもよい。ソルダーレジストは、液状であってもよいし、ドライフィルム状であってもよい。図8Aは、実施例3に係る半導体装置1が備える配線基板2のL1層の要部平面図である。図8Aでは、封止樹脂4及び絶縁層20の図示を省略している。図8Bは、実施例3に係る半導体装置1が備える配線基板2のL2層の要部平面図である。図8Bでは、封止樹脂4、絶縁層20及び配線基板2のL1層の図示を省略している。図8Cは、実施例3に係る半導体装置1が備える配線基板2のL3層の要部平面図である。図8Cでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層及びL2層の図示を省略している。図8Dは、実施例3に係る半導体装置1が備える配線基板2のL4層の要部平面図である。図8Dでは、封止樹脂4、絶縁層20、配線基板2のL1層、L2層及びL3層の図示を省略している。なお、図8Aから図8Dは、図7Aと同様に、図1のAの一点鎖線で示された領域10の拡大平面図である。図8Aに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン11Aとグランドプレーン11Bとが隣接して配置されている。図8Bに示すように、配線基板2の平面方向において、電源プレーン14Aと電源プレーン14Bとが隣接して配置されている。図8Cに示すように、配線基板2の平面方向において、グランドプレーン15Aとグランドプレーン15Bとが隣接して配置されている。図8Dに示すように、配線基板2の平面方向において、ランド16Aとランド16Bとが隣接して配置されている。図8Aから図8Dに示すように、グランドプレーン11A、11B、15A、15Bの側面の一部を非直線形状とし、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部を直線形状としている。すなわち、グランドプレーン11A、11B、15A、15Bの側面の一部が非平面となり、電源プレーン14A、14B及びランド16A、16Bの側面の一部が平面となっている。図8Aに示すように、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面が非直線形状波形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Aの側面のうち、グランドプレーン11Bに隣接する側面には、半円形状の山部突出部及び半円形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図8AのA2から突出した部分である。グランドプレーン11Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Bの配置方向に対して図8AのA2からへこんだ部分である。図8Aに示すように、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面が非直線形状波形状になっている。すなわち、グランドプレーン11Bの側面のうち、グランドプレーン11Aに隣接する側面には、半円形状の山部突出部及び半円形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図8AのA4から突出した部分である。グランドプレーン11Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン11Aの配置方向に対して図8AのA4からへこんだ部分である。図8Bに示すように、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン14Aの側面のうち、電源プレーン14Bに隣接する側面が平面になっている。図8Bに示すように、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、電源プレーン14Bの側面のうち、電源プレーン14Aに隣接する側面が平面になっている。図8Cに示すように、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面が非直線形状波形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Aの側面のうち、グランドプレーン15Bに隣接する側面には、半円形状の山部突出部及び半円形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図8CのA7から突出した部分である。グランドプレーン15Aの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Bの配置方向に対して図8CのA7からへこんだ部分である。図8Cに示すように、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面が非直線形状波形状になっている。すなわち、グランドプレーン15Bの側面のうち、グランドプレーン15Aに隣接する側面には、半円形状の山部突出部及び半円形状の谷部へこみ部が交互に繰り返し設けられている。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた山部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図8CのA9から突出した部分である。グランドプレーン15Bの隣接側面に設けられた谷部は、グランドプレーン15Aの配置方向に対して図8CのA9からへこんだ部分である。図8Dに示すように、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド16Aの側面のうち、ランド16Bに隣接する側面が平面になっている。図8Dに示すように、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面が直線形状になっている。すなわち、ランド16Bの側面のうち、ランド16Aに隣接する側面が平面になっている。実施例3では、グランドプレーン11Aに関して、グランドプレーン11Aの隣接側面を波形状としている点が、実施例1とは異なっている。グランドプレーン11Aに関する他の点については、実施例1と同様である。実施例3では、グランドプレーン11Bに関して、グランドプレーン11Bの隣接側面を波形状としている点が、実施例1とは異なっている。グランドプレーン11Bに関する他の点については、実施例1と同様である。実施例3における電源プレーン14A及び14Bに関しては、実施例1と同様である。実施例3では、グランドプレーン15Aに関して、グランドプレーン15Aの隣接側面を波形状としている点が、実施例1とは異なっている。グランドプレーン15Aに関する他の点については、実施例1と同様である。実施例3では、グランドプレーン15Bに関して、グランドプレーン15Bの隣接側面を波形状としている点が、実施例1とは異なっている。グランドプレーン15Bに関する他の点については、実施例1と同様である。実施例3におけるランド16A及び16Bに関しては、実施例1と同様である。《実施例1から実施例3における共通事項》実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Aと電源プレーン14Bとが重なっていない。したがって、グランドプレーン11Aの電圧変動が電源プレーン14Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン14Bの電圧変動がグランドプレーン11Aの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン11A及び電源プレーン14Bの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン11Bと電源プレーン14Aとが重なっていない。したがって、グランドプレーン11Bの電圧変動が電源プレーン14Aの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、電源プレーン14Aの電圧変動がグランドプレーン11Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン11B及び電源プレーン14Aの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Aとグランドプレーン15Bとが重なっていない。したがって、電源プレーン14Aの電圧変動がグランドプレーン15Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン15Bの電圧変動が電源プレーン14Aの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン14A及びグランドプレーン15Bの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、電源プレーン14Bとグランドプレーン15Aとが重なっていない。したがって、電源プレーン14Bの電圧変動がグランドプレーン15Aの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、グランドプレーン15Aの電圧変動が電源プレーン14Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、電源プレーン14B及びグランドプレーン15Aの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Aとランド16Bとが重なっていない。したがって、グランドプレーン15Aの電圧変動がランド16Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド16Bの電圧変動がグランドプレーン15Aの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン15A及びランド16Bの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2の厚さ方向において、グランドプレーン15Bとランド16Aとが重なっていない。したがって、グランドプレーン15Bの電圧変動がランド16Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。また、ランド16Aの電圧変動がグランドプレーン15Bの電圧に対して影響を及ぼす可能性が低い。そのため、グランドプレーン15B及びランド16Aの電気特性の劣化を抑制した状態で、クラックの伝播を抑制することができる。実施例1から実施例3では、配線基板2のL1層に、グランドプレーン11A及び11Bを形成する例を示した。実施例1から実施例3において、配線基板2のL1層に、電源プレーン14A及び14Bを形成するようにしてもよい。また、実施例1から実施例3において、配線基板2のL1層に、グランドプレーン11Aと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン11Bと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例1から実施例3において、配線基板2のL1層に、電源プレーン14Aと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン14Bと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。実施例1から実施例3では、配線基板2のL2層に、電源プレーン14A及び14Bを形成する例を示した。実施例1から実施例3において、配線基板2のL2層に、グランドプレーン11A及び11Bを形成するようにしてもよい。また、実施例1から実施例3において、配線基板2のL2層に、電源プレーン14Aと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン14Bと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例1から実施例3において、配線基板2のL2層に、グランドプレーン11Aと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン11Bと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。実施例1から実施例3では、配線基板2のL3層に、グランドプレーン15A及び15Bを形成する例を示した。実施例1から実施例3において、配線基板2のL3層に、電源プレーン14A及び14Bを形成するようにしてもよい。また、実施例1から実施例3において、配線基板2のL3層に、グランドグランドプレーン15Aと同一形状の電源プレーンと、グランドプレーン15Bと同一形状の電源プレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。また、実施例1から実施例3において、配線基板2のL3層に、電源プレーン14Aと同一形状のグランドプレーンと、電源プレーン14Bと同一形状のグランドプレーンとを隣接して配置するようにしてもよい。更に、実施例1から実施例3において、配線基板2のL4層に、グランドプレーン15Aと同一形状のランドと、グランドプレーン15Bと同一形状のランドとを隣接して配置するようにしてもよい。