a基材を準備する工程、b少なくとも1のケイ素化合物、及び、ドーパントとして疎水化剤の群からの少なくとも1の化合物を含有する処方物を準備する工程、c前記処方物を前記基材に設ける工程、dコーティングされた前記基材を放射線照射及び/又は熱処理し、主としてケイ素からなる、p型ドープされた層を形成させる工程、を含む、基材に配置されたp型ドープされたシリコン層少なくとも1を製造する方法。前記疎水化剤の群からの化合物が、aTHF、NR3式中、R=H、アルキル、アリール並びにSR′2式中、R′=H、アルキル、アリールからなる群から選択された錯形成剤とのBH3錯体、又は、baで定義されたBH3錯体と環状ジエンとの反応によって製造可能なBxCxnH2xnx式中、x=1~4及びn=3~10タイプの化合物から選択されている、請求項1記載の方法。前記ケイ素化合物が、ケイ素-水素-化合物、好ましくは一般式SinH2n2又はSinH2n式中、n=3~20のケイ素-水素-化合物、ケイ素-ハロゲン化物、ケイ素-オルガニル、オリゴマーのケイ素化合物SinR2n2又はSinR2n式中、n=8~100及びR=H、ハロゲン、オルガニルであり、各Rは独立して選択されてよい又はこれらケイ素化合物の任意の混合物である請求項1又は2記載の方法。前記ケイ素化合物、好ましくは一般式SinH2n2又はSinH2n式中、n=3~20のケイ素-水素-化合物が、工程bでの使用前に、部分的に又は完全にオリゴマー化され、オリゴマー化された前記ケイ素化合物のモル質量は330g/mol~10000g/mol、好ましくは400g/mol~3000g/mol、特に好ましくは500g/mol~1000g/molに調節される請求項3記載の方法。ケイ素を含有する処方物が溶媒を含む請求項1から4のいずれか1項記載の方法。前記基材のコーティングが、フレキソ/グラビア印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷、デジタルオフセット印刷及びスクリーン印刷、スプレー法、回転コーティング法、浸漬法、及び、メニスカスコーティング、スリットコーティング、スロットダイコーティング及びカーテンコーティングから選択される方法、を用いて行われる請求項1から5のいずれか1項記載の方法。前記熱処理を200~1000°C、好ましくは250~700°C、さらに好ましくは300~650°Cの温度で実施する請求項1から6のいずれか1項記載の方法。工程b~dを複数回実施する請求項1から7のいずれか1項記載の方法。前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する請求項1から8のいずれか1項記載の方法。p型ドープがホウ素ドープであり、ホウ素が疎水化剤の群からの化合物によって導入されることを特徴とする、基材及びp型ドープされたシリコン層を含むコーティングされた基材。請求項1から9のいずれか1項記載の方法によって製造された、請求項10記載のコーティングされた基材。前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する、請求項10又は11記載のコーティングされた基材。光起電装置の製造方法が請求項1から9のいずれか1項記載の方法を含む、光起電装置、特にソーラーセル又はソーラーセルの組み合わせ物。少なくとも1のケイ素化合物を含む処方物を設ける工程、及び、コーティングされた前記基材を放射線照射及び/又は熱処理し、主としてケイ素からなる、p型ドープされた層を形成させる工程、を含む方法により製造される、シリコン層のp型ドープのための疎水化剤の群からの化合物の使用。