導電性透明酸化物層と、半導体層と、屈折率ndが>1.6である光技術ハイブリッドガラスを含む基板層とを含む透明層複合体アセンブリ。前記光技術ハイブリッドガラスがホウ酸ランタンガラスである、請求項1に記載の透明層複合体アセンブリ。前記光技術ハイブリッドガラスがホウケイ酸ガラスである、請求項1に記載の透明層複合体アセンブリ。前記光技術ハイブリッドガラスがシリケートガラスである、請求項1に記載の透明層複合体アセンブリ。前記光技術ハイブリッドガラスがnd≧1.8の屈折率を有する、請求項1~4の何れか1項に記載の透明層複合体アセンブリ。前記光技術ハイブリッドガラスが、不可避的不純物を除いては、鉛、ヒ素及び/又はアンチモンの酸化還元活性酸化物を含まない、請求項1~5の何れか1項に記載の透明層複合体アセンブリ。前記透明酸化物層が酸化インジウムスズを含む、請求項1~6の何れか1項に記載の透明層複合体アセンブリ。前記酸化物層と前記基板との間の屈折率の差が最大で0.45である、請求項1~7の何れか1項に記載の透明層複合体アセンブリ。前記半導体層が有機半導体を含む、請求項1~8の何れか1項に記載の透明層複合体アセンブリ。a.板ガラス方法における前記基板の調製b.前記基板を他の層と接合して層複合体アセンブリにすることを含む、請求項1~9の何れか1項に記載の層複合体アセンブリを製造する方法。前記板ガラス方法がフロート法である、請求項10に記載の方法。OLEDにおいてカソードと共に用いる、請求項1~9の少なくとも1項に記載の層複合体アセンブリの使用。ソーラーモジュールにおいてカソードと共に用いる、請求項1~9の少なくとも1項に記載の層複合体アセンブリの使用。[実施例]表2~6には、好ましい組成範囲にある45の態様が含まれる。本発明によるガラスは、以下のようにして製造される。従来の板ガラスプラントでコスト及び製造能力に集約したガラスを取り替えて、若干の例のみ、大規模の板ガラスプラントで製造した。その代わりに、態様の材料を、白金/イリジウム及びシリカ坩堝中で実験室の量で溶融し、続いて、板ガラス方法における製造の可能性について情報を提供する、材料に特異的なパラメータを記録した。粘度-温度曲線に加えて、失透の上限OEG、担体プレート法、上昇温度制御を取得して、元素状スズに関する酸化還元挙動を電気化学的に特徴づけた。したがって、本発明によるガラスは、HFG温度より少なくとも20K、好ましくは50K、より好ましくは100Kだけ低い温度で、即ちそれぞれの工程に特異的なHFG-粘度を超える粘度でOEGを示す。その際、本発明によるフロート法にとって好ましいガラス不可避的不純物は別として、多価化合物及び酸化亜鉛を含まないは、電気化学的特徴づけで錫浴では酸化還元感受性の反応の徴候を示さない。従来の板ガラス用プラントで製造するために、酸化物の原料、好ましくは、酸化物自体及び/又は炭酸塩及び/又はフッ化物を秤量し、1つ以上の工程に合わせて調節した清澄剤を添加し、それから十分に混合する。ガラスの混合物を、ガラスのタイプに応じて約103dPasの粘度に対応する温度で、連続溶融プラント中で溶融し、及びしばしば対流ロールの設定により均質化し、次に、約1025dPasの粘度に対応する温度で清澄化して、最後に均質化する。約104dPasの粘度に対応する低い流動温度で加工処理温度VA、ガラスをそれぞれのHFG-工程に供給して、所望の寸法に加工処理する。100kgの計算したガラスについての溶融例表1生じたガラスの性質を表6の例36に示す。表2溶融例ホウ酸ランタンwt表3溶融例ホウケイ酸アルカリ土類金属wt表4溶融例ホウケイ酸ランタンwt表5溶融例チタンシリケートwt表6溶融例アルカリ土類金属チタンシリケートwt