光透過性を有する第1の基板の表面に形成された光透過性及び導電性を有する透明電極の表面と、第2の基板の表面に形成された少なくとも導電性を有する画素電極の表面に第1及び第2の無機配向膜をそれぞれ斜方蒸着法により成膜する成膜ステップと、前記成膜ステップにより前記透明電極上に成膜された前記第1の無機配向膜、及び前記成膜ステップにより前記画素電極上に成膜された前記第2の無機配向膜のそれぞれの表面に対して、塩基性ガスによる表面処理を行う表面処理ステップと、前記表面処理ステップを経た前記第1及び第2の基板を、前記透明電極と前記画素電極とが対向し、かつ、前記第1及び第2の基板の間に空隙が生じるように貼り合わせる貼り合わせステップと、前記空隙内に強誘電性液晶組成物を注入して液晶パネルを完成する液晶組成物注入ステップとを含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。前記表面処理ステップは、前記成膜ステップにより前記透明電極上に前記第1の無機配向膜が成膜された前記第1の基板と、前記成膜ステップにより前記画素電極上に前記第2の無機配向膜が成膜された前記第2の基板とを、室温条件下でアンモニアガスに晒しつつ、その処理時間を制御することにより液晶分子のプレチルト制御を行うことを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの製造方法。前記表面処理ステップは、前記成膜ステップにより前記透明電極上に前記第1の無機配向膜が成膜された前記第1の基板と、前記成膜ステップにより前記画素電極上に前記第2の無機配向膜が成膜された前記第2の基板とを、アミンガス雰囲気中に晒しつつ処理時間を制御することにより液晶分子のプレチルト制御を行うことを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの製造方法。FLC型液晶パネルに用いられる強誘電性液晶のシェブロン構造にはC1配向とC2配向とがあり、そのうち光の変調度が大きい方のC2配向を均一に得るには、2°程度の小さなプレチルト角が必要とされている。しかしながら、特許文献3や特許文献4に記載された無機配向膜としてSiO2の斜め蒸着膜だけで、小さなプレチルトを安定に出すことは難しく、蒸着方法の条件出し例えば、蒸着角度、蒸着膜厚、二段斜方蒸着などを十分に行う必要がある。また、小さなプレチルトを発現させるためには、基板に対して極めて小さな入射角で気化したSiO2粒子を入射させる必要があり、そのために無機配向膜の膜厚が不均一となるためにプレチルトの不均一が生じ易く、配向欠陥が発生し易いという課題もある。本発明は以上の点に鑑みなされたもので、無機配向膜を使用した場合の配向欠陥の発生を低減した液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の液晶パネルの製造方法は、光透過性を有する第1の基板の表面に形成された光透過性及び導電性を有する透明電極の表面と、第2の基板の表面に形成された少なくとも導電性を有する画素電極の表面に第1及び第2の無機配向膜をそれぞれ斜方蒸着法により成膜する成膜ステップと、成膜ステップにより透明電極上に成膜された第1の無機配向膜、及び成膜ステップにより画素電極上に成膜された第2の無機配向膜のそれぞれの表面に対して、塩基性ガスによる表面処理を行う表面処理ステップと、表面処理ステップを経た第1及び第2の基板を、透明電極と画素電極とが対向し、かつ、第1及び第2の基板の間に空隙が生じるように貼り合わせる貼り合わせステップと、空隙内に強誘電性液晶組成物を注入して液晶パネルを完成する液晶組成物注入ステップとを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、上記表面処理ステップが、成膜ステップにより透明電極上に第1の無機配向膜が成膜された第1の基板と、成膜ステップにより画素電極上に第2の無機配向膜が成膜された第2の基板とを、室温条件下でアンモニアガス雰囲気中に晒しつつ、その処理時間を制御することにより液晶分子のプレチルト制御を行うことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、上記表面処理ステップが、成膜ステップにより透明電極上に第1の無機配向膜が成膜された第1の基板と、成膜ステップにより画素電極上に第2の無機配向膜が成膜された第2の基板とを、アミンガス雰囲気中に晒しつつ処理時間を制御することにより液晶分子のプレチルト制御を行うことを特徴とする。本発明によれば、無機配向膜を用いた場合でも、小さなプレチルトが安定して形成できるために、FLC型液晶パネルの配向欠陥の発生を低減することができる。本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図1は、本発明になる液晶パネルの製造方法の一実施の形態のフローチャートを示す。本実施の形態の製造対象のFLC型液晶パネルでは、配向欠陥が配向膜界面近傍での液晶分子のプレチルトの不均一性に起因して発生する。特に無機配向膜の場合には、配向膜表面の形状が液晶分子のプレチルトや配向規制力を変えることが知られている。また、無機配向膜は、ポリイミドを用いた有機配向膜よりも配向規制力が弱いためにプレチルトの不均一性が発生し易い。そのために無機配向膜でも配向規制力を高める工夫が必要である。そこで、本実施の形態では以下説明するように無機配向膜の表面処理として塩基性ガスによる表面処理を行うことを特徴とするすなわち、まず、公知の方法で光透過性及び導電性を有する透明電極が表面に形成された硝子基板以下、透明電極基板というと、公知の方法で複数の導電性を有する画素電極が表面に形成された基板以下、画素電極基板というのそれぞれについて、透明電極あるいは画素電極の表面上に無機配向膜の材料であるSiO2膜を成膜するステップS1。この成膜方法としては、例えば気化したSiO2の蒸気流を透明電極表面あるいは画素電極表面の法線に対して斜めの方向から所定の入射角で入射してSiO2膜を成膜する公知の斜方蒸着法がある。なお、画素電極及びその基板は光反射性を有していてもよいし、光透過性を有していもよい。続いて、透明電極基板の透明電極上に成膜されたSiO2膜無機配向膜と、画素電極基板の画素電極上に成膜されたSiO2膜無機配向膜のそれぞれをアンモニア処理するステップS2。このアンモニア処理の方法としては、アンモニアガスに晒す方法が有効である。アンモニアガスに晒す場合には、密閉された容器内で無機配向膜が形成された基板をアンモニアガスに晒す方法が有効であり、室温条件下で1分~60分で効果がある。また、同様にアミンガスの雰囲気中で処理した場合でも同じ効果が得られることが分かった。アミンガスとしては、例えば炭素数が1~3のアミンが好ましく、具体例としてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミンなどが例示される。すなわち、本発明ではアンモニアガスに晒したり、アミンガスの雰囲気中に晒すなどの、塩基性ガスによる表面処理を行う。続いて、アンモニア処理後の無機配向膜が透明電極上に成膜されている透明電極基板と、アンモニア処理後の無機配向膜が画素電極上に成膜されている画素電極基板とをすなわち、一対の無機配向膜付き基板を、それぞれ透明電極と画素電極とを対向させてそれらの間に一定の間隙空セルが形成されるように公知の方法で貼り合わせるステップS3。そして、空セル内に公知の液晶組成物を注入して目的の液晶パネルを製造するステップS4。液晶組成物として、本実施の形態では強誘電性液晶を用いることでFLC型液晶パネルを製造する。ここで、本実施の形態はステップS2により無機配向膜の表面処理としてアンモニア処理を行うことで無機配向膜の配向規制力を高める点に特徴がある。無機配向膜の表面処理としてアンモニア処理を行うことで無機配向膜の配向規制力が高まる理由は、おおよそ次のように考えられる。斜方蒸着法により成膜された無機配向膜としてのSiO2膜による配向規制力は、無機配向膜の形状効果によるものと考えられており、SiO2膜と液晶組成物間の電気的化学的な相互作用は非常に弱いと考えられている。これはSiO2膜の結晶構造上、極性を持ちにくいためである。本実施の形態によれば、SiO2膜の表面にアンモニア処理を行うことで、SiO2膜表面が塩基性となる。SiO2膜表面が塩基性に偏ることで、カチオン陽イオンとの相互作用が強くなり、SiO2膜表面の極性が強くなる。そのために液晶組成物中の極性基との相互作用が強まるために配向規制力が強くなると考えられる。また、アンモニア処理条件によって、SiO2膜表面の塩基性の強弱が制御できることが分かった。SiO2膜表面の塩基性の強弱により、液晶組成物中の極性基との相互作用の強弱が制御できるために、液晶分子のプレチルトを容易に制御することが可能となった。その結果、本実施の形態によれば、小さなプレチルトでのみ形成される強誘電性液晶のC2配向が、蒸着された無機配向膜でも上記アンモニア処理によって安定的に得られるようになり、FLC型液晶パネルの配向欠陥を少なくすることができ、また、無機配向膜でC2配向が形成できるために、耐光性の良好な強誘電性液晶パネルを得ることができる。次に、本発明の実施例1について説明する。前述したステップS1において、透明電極基板上及び画素電極上に無機配向膜としてSiO2膜を斜方蒸着にて成膜する。この時の蒸着角度は基板表面に対して極めて小さい入射角度である85°基板垂直方向からの角度、膜厚は75nm、成膜レートは10nm分とした。この配向膜付き基板を、前述したステップS2でのアンモニア処理を行うために、10のアンモニア水溶液の入った密閉容器中に入れ、アンモニアガスに晒しつつ室温で30分間放置した。この配向膜表面をESCAElectronSpectroscopyforChemicalAnalysisを用いた元素分析を行ったところ、未処理の場合に比べて、アンモニア処理した場合には、窒素Nの含有比率が上昇しており、配向膜表面にアンモニアが導入されることで塩基性に偏っていることが分かった。その後、前述したステップS3において一対の配向膜付き基板を対向させ、シール材を用いて貼り合わせることで空セルを得た。ついで、前述したステップS4において強誘電性液晶組成物を、アイソトロピック以上の温度になるまで加熱しながらこの一対の基板間に注入し、FLC型の液晶パネルを組み立てた。比較例として、アンモニア処理を行わない以外は実施例と同様にして液晶パネルを組み立てた。これらの液晶パネルを、観察したところ、アンモニア処理した液晶パネルは、均一なC2配向が得られていることが観察できたが、未処理の液晶パネルでは、均一なC2配向が得られていないことが分かった。次に、本発明の実施例2について説明する。前述したステップS1において、透明電極基板上及び画素電極上に無機配向膜としてSiO2膜を斜方蒸着にて成膜する。この時の蒸着角度は基板表面に対して極めて小さい入射角度である85°基板垂直方向からの角度、膜厚は75nm、成膜レートは10nm分とした。このステップS1の処理は実施例1と同様である。続いて、前述したステップS2のアンモニア処理を行うため、ステップS1により得られた配向膜付き基板を、5、10、20のアンモニア水溶液の入った密閉容器中に入れ、アンモニアガスに晒しつつ室温で1分、30分、60分間放置した基板をそれぞれ作製した。その後、実施例1と同様に、ステップS3で一対の配向膜付き基板を対向させ、シール材を用いて貼り合わせることで空セルを得た。続いて、ステップS4で強誘電性液晶組成物を、アイソトロピック以上の温度になるまで加熱しながらこの一対の基板間に注入し、FLC型の液晶パネルを組み立てた。比較例として、アンモニア処理を行わない以外は実施例と同様にして液晶パネルを組み立てた。アンモニア処理無しのプレチルトは7°であった。これらの液晶パネルのプレチルトを測定した。プレチルトの測定には、大塚電子製LCD評価装置LCDー5200を用いた。図2は、本実施例のプレチルトの測定結果を示す。アンモニア処理条件によって、プレチルトが可変できていることが分かる。すなわち、アンモニア濃度が同じ場合は処理時間が長くなるほどプレチルトが小さくなり、処理時間が同じ場合はアンモニア濃度が濃いほどプレチルトが小さくなる。同様に、均一なC2配向が形成できているかを比較した。図3は、この比較例を示す。図3において、○、△、×は配向欠陥の程度を表している。○は配向欠陥無く正常な状態を表し、△は部分的に配向欠陥が発生した異常な状態を表し、×は全面に配向欠陥が発生した異常な状態を表す。図3によると、プレチルトが2°以下となるアンモニア処理条件の場合図2に示すように、アンモニア濃度20で処理時間1分、30分、60分;アンモニア濃度10で処理時間30分、60分;アンモニア濃度5で処理時間60分には配向欠陥は発生しなかった。ここでアンモニア処理を行わない液晶パネルのプレチルトは7°であり、配向欠陥が発生したことは言うまでもない。従って、アンモニア濃度としては10以上、処理時間としては30分以上が好適であることが分かった。これらのアンモニア処理を行うことで、無機配向膜を用いた場合でも、配向欠陥が少ないC2配向が得られ、表示品位と耐光性に優れたFLC型液晶パネルを得ることができた。