熱可塑性樹脂からなる第1樹脂層と、該第1樹脂層上に部分的に形成された導電層と、該導電層の非形成領域において、前記第1樹脂層を厚み方向に貫通するネジ挿入用の貫通孔と、該貫通孔と前記導電層との間の領域において、前記第1樹脂層を貫通するダミービア孔とを備えたことを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記ダミービア孔の内部に配された樹脂部をさらに備えたことを特徴とする配線基板。請求項2に記載の配線基板において、前記第1樹脂層上および前記導電層上に形成された、熱硬化性樹脂からなる第2樹脂層をさらに備え、前記樹脂部は、前記第2樹脂層の一部が前記ダミービア孔の内部に配されてなることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記ダミービアは、複数形成されており、該複数のダミービア孔は、前記貫通孔を取り囲むように配列していることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板において、前記ダミービア孔は、前記貫通孔を取り囲むように環状に形成されていることを特徴とする配線基板。請求項1ないし5のいずれかに記載された配線基板と、該配線基板の一主面側に接続し、プローブを有するプローブヘッドと、前記配線基板の他主面側に接続し、ネジ穴が形成されたメイン基板と、前記配線基板および前記メイン基板を接続するネジとを備え、前記配線基板の一主面に当接したネジ頭と、前記貫通孔および前記ネジ穴の双方に挿入されたネジ軸とを有することを特徴とするプローブカード。本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびそれを用いたプローブカードを提供するものである。本発明の一形態にかかる配線基板は、熱可塑性樹脂からなる第1樹脂層と、該第1樹脂層上に部分的に形成された導電層と、該導電層の非形成領域において、前記第1樹脂層を厚み方向に貫通するネジ挿入用の貫通孔と、該貫通孔と前記導電層との間の領域において、前記第1樹脂層を貫通するダミービア孔とを備える。また、本発明の一形態にかかるプローブカードは、上記配線基板と、該配線基板の一主面側に接続し、プローブを有するプローブヘッドと、前記配線基板の他主面側に接続し、ネジ穴が形成されたメイン基板と、前記配線基板および前記メイン基板とを接続するネジとを備え、前記配線基板の一主面に当接したネジ頭と、前記貫通孔および前記ネジ穴の双方に挿入されたネジ軸とを有する。本発明の一形態にかかる配線基板によれば、ネジ挿入用貫通孔と導電層との間の領域において、第1樹脂層を貫通するダミービア孔を備えているため、ネジ挿入用貫通孔から第1樹脂層を介して導電層に伝わる応力を低減することができる。それ故、導電層の断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。また、本発明の一形態にかかるプローブカードによれば、上記配線基板を用いることによって、電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を用いたプローブカードを例に、図面に基づいて詳細に説明する。図1aに示したプローブカード1は、半導体ウェハ検査装置において、テスタ等の測定器図示せずからの信号によって、半導体ウェハの電気的信頼性を検査するものである。このプローブカード1は、プローブヘッド2と、このプローブヘッド2が接続した配線基板3と、この配線基板3が接続したメイン基板4と、このメイン基板4が接続した補強板5と、配線基板3およびメイン基板4を接続するネジ6とを含んでいる。プローブヘッド2は、半導体ウェハの検査を行なうものである。このプローブヘッド2は、プローブ7と、このプローブ7を保持する保持部材8とを含んでいる。プローブ7は、半導体ウェハに接触する端子として機能するものであり、配線基板3からの信号を半導体ウェハに伝えるとともに、半導体ウェハからの信号を配線基板3に伝える。このプローブ7は、検査対象である半導体ウェハの配線パターンに応じて配置されており、検査対象である半導体ウェハに対応するものが適宜使用される。また、プローブ7は、本実施形態においては、保持部材8を厚み方向に貫通して配線基板3に電気的に接続している。配線基板3は、プローブヘッド2の保持部材として機能するとともに、プローブ7とメイン基板4とを電気的に接続するものである。この配線基板3は、プローブ7の配置とメイン基板4の配線パターンとに応じたパターンの配線が内部に形成されており、用いられるプローブヘッド2に対応するものが適宜使用される。さらに、配線基板3は、検査対象である半導体ウェハに応じて適宜交換可能となるように、メイン基板4にネジ止めされている。この配線基板3は、本実施形態においては、図1bに示すように、コア基板10と、コア基板10の両主面に形成された一対のビルドアップ部11とを含んでいる。また、配線基板3には、厚み方向に貫通する貫通孔Pが形成されている。ここで、便宜上、一対のビルドアップ部11のうち、プローブヘッド2側に配されたビルドアップ部11を第1ビルドアップ部11aとし、メイン基板4側に配されたビルドアップ部11を第2ビルドアップ部11bとする。コア基板10は、配線基板3の強度を高めるものであり、厚み方向に貫通する円柱状のスルーホールTが形成された基体12と、スルーホールTの内壁に形成された筒状のスルーホール導体13と、該スルーホール導体13の内部に配された柱状の絶縁体14とを含んでいる。基体12は、コア基板10の主要部をなして剛性を高めるものである。この基体12は、エポキシ樹脂等の樹脂と、該樹脂によって被覆されたガラスクロス等の基材と、該樹脂によって被覆された複数の粒子からなるシリカフィラー等の無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、基体12の厚みは、例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。基体12の平面方向への熱膨張率は、例えば5ppm/°C以上30ppm/°C以下に設定されている。基体12の厚み方向への熱膨張率は、例えば15ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定されている。基体12のヤング率は、例えば5GPa以上30GPa以下に設定されている。なお、基体12の熱膨張率は、市販のTMA装置を用いてJISK7197‐1991に準じた測定方法により測定される。また、基体12のヤング率は、MTSシステムズ社製NanoIndenterXP/DCMを用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率およびヤング率は、基体12と同様に測定される。スルーホール導体13は、コア基板10の両主面に形成されたビルドアップ部11を電気的に接続するものである。このスルーホール導体13は、例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の導電材料により形成することができる。このスルーホール導体13は、基体12を厚み方向に貫通する円柱状のスルーホールTの内壁に被着している。このスルーホールTの径直径は、例えば50μm以上250μm以下に設定されている。絶縁体14は、後述するビア導体17の支持面を形成するものである。この絶縁体14は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。一方、コア基板10の両主面には、上述した如く、一対のビルドアップ部11が形成されている。このビルドアップ部11は、図2aに示すように、厚み方向に貫通するビア孔Vおよびダミービア孔Dが形成された複数の絶縁層15と、基体12上および絶縁層15上に部分的に形成された複数の導電層16と、ビア孔V内に充填され、導電層16に接続したビア導体17とを含んでいる。絶縁層15は、導電層16を支持する支持部材として機能するだけでなく、導電層16同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものである。この絶縁層15は、第1樹脂層18aと、該第1樹脂層18aよりもコア基板10側に配された第2樹脂層18bとを含んでいる。この絶縁層15の厚みは、例えば5μm以上40μm以下に設定されている。第1樹脂層18aは、絶縁層15の剛性を高めるとともに平面方向における熱膨張率を低減するものである。この第1樹脂層18aは、樹脂と該樹脂に被覆された複数の粒子からなるシリカフィラー等の無機絶縁フィラーとを含んでいる。また、第1樹脂層18aの平面方向への熱膨張率は、例えば0ppm/°C以上30ppm/°C以下に設定されている。第1樹脂層18aの厚み方向への熱膨張率は、例えば20ppm/°C以上50ppm/°C以下に設定されている。第1樹脂層18aのヤング率は、例えば2.5GPa以上10GPa以下に設定されている。また、第1樹脂層18aは、第2樹脂層18bよりもヤング率が高いとともに平面方向の熱膨張率が小さい。第1樹脂層18aの樹脂は、ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、この樹脂は、平面方向への熱膨張率低減の観点から、各樹脂分子鎖の長手方向が第1樹脂層18aの平面方向に平行である構造を有するフィルム状であることが望ましい。第2樹脂層18bは、厚み方向に隣接した該第1樹脂層18a同士を接着するとともに、導電層16の側面および一主面に接着して導電層16を固定するものである。この第2樹脂層18bは、樹脂を含んでいる。なお、第2樹脂層18bは、接着性の観点から無機絶縁フィラーを含まない方が望ましいが、無機絶縁フィラーを含んでも構わない。また、第2樹脂層18bの平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば10ppm/°C以上100ppm/°C以下に設定されている。また、第2樹脂層18bの平面方向への熱膨張率は、第1樹脂層18aの平面方向への熱膨張率の例えば2倍以上100倍以下に設定されている。また、第2樹脂層18のヤング率は、例えば0.05GPa以上0.5GPa以下に設定され、第1樹脂層18aのヤング率の例えば0.0005倍以上0.2倍以下に設定されている。また、第2樹脂層18bは、第1樹脂層18aよりもヤング率が低い。第2樹脂層18bの樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、またはアミド樹脂等を用いることができる。導電層16は、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。この導電層16は、例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の導電材料により形成することができる。また、導電層16は、ニッケルクロム合金からなる下地膜と、この下地膜上に設けられた銅からなる導体部とを含んでいることが望ましい。その結果、下地膜によって、導電層16と第1樹脂層10aとの接着強度を高めつつ、導体部によって、導電層16の導電率を高めることができる。また、導電層16の厚みは、例えば3μm以上20μm以下に設定されている。ビア導体17は、厚み方向に互いに離間した導電層16同士を相互に接続するものである。このビア導体17例えば銅、チタン、モリブデン、クロムまたはニッケルクロム合金等の金属材料により形成することができる。また、ビア導体17は、絶縁層15を厚み方向に貫通するビア孔Vに充填されている。ビア孔Vは、コア基板10に向って幅狭となるテーパー状である。このビア孔Vの最大径直径は、例えば20μm以上50μm以下に設定されている。また、ビア孔Vの最小径直径は、例えば10μm以上40μm以下に設定されている。また、絶縁層15には、厚み方向に貫通するダミービア孔Dが形成されている。本実施形態において、ダミービア孔Dは、貫通孔Pと導電層16との間に形成されている。また、一対のビルドアップ部11のうち、第1ビルドアップ部11aのみに形成されている。ダミービア孔Dは、コア基板10に向って幅狭となるテーパー状である。このダミービア孔Dの最大径直径は、例えば20μm以上50μm以下に設定されている。また、ダミービア孔Dの最小径直径は、例えば10μm以上40μm以下に設定されている。また、ダミービア孔Dの最大径は、ビア孔Vの最大径と同じであることが望ましい。この場合、ダミービア孔Dの最大径は、ビア孔Vの最大径の例えば0.9倍以上1.1倍以下に設定されている。ここで、便宜上、配線基板3の内部に位置する絶縁層15に形成されたダミービア孔Dを第1ダミービア孔D1とし、配線基板3の最外層に位置する絶縁層15に形成されたダミービア孔Dを第2ダミービア孔D2とする。第1ダミービア孔D1には、この第1ダミービア孔D1が形成された絶縁層15に隣接する絶縁層15の第2樹脂層18bの一部樹脂部19が充填されている。また、第2ダミービア孔D2は、部材が配されておらず、内面が露出した空間となっており、配線基板3周囲の雰囲気に晒されている。上述した配線基板3には、導電層16の非形成領域において、厚み方向に貫通する貫通孔Pが形成されている。この貫通孔Pには、ネジ6の一部が挿入される。なお、貫通孔Pは、内面にネジ山およびネジ溝が形成されておらず、内面が曲面状であってネジ6から離れていることが望ましい。その結果、ネジ6による応力が貫通孔Pの内面に印加されることを低減し、該応力による導電層16の断線を低減することができる。この貫通孔Pの径直径は、例えば300μm以上3400μm以下に設定されている。一方、メイン基板4は、測定器からの信号を配線基板3へと伝送する機能を有するものである。このメイン基板4は、例えばプリント配線板等を用いることができる。また、メイン基板4は、内面にネジ山およびネジ溝が形成されたネジ穴Hを含んでいる。補強板5は、メイン基板4を補強して、メイン基板4の反りを低減する機能を有するものである。この補強板5は、ステンレスまたはアルミニウム等の金属材料により形成することができる。ネジ6は、配線基板3をメイン基板4に固定する機能を有する。具体的には、以下のように作用する。まず、ネジ6は、配線基板3の一主面に当接するネジ頭20と、配線基板3の貫通孔Pおよびメイン基板4のネジ穴Hに挿入され、外面にネジ山およびネジ溝が形成されたネジ軸21とを含んでいる。このネジ軸21をおねじ、メイン基板4のネジ穴Hをめねじとして用いることによって、ネジ6をメイン基板4に締めることができる。そして、ネジ6をメイン基板4に締めることによって、ネジ頭20を配線基板3に当接させ、さらには、ネジ頭20で配線基板3を押圧させることによって、配線基板3がメイン基板4に固定される。なお、ネジ頭20が当接する配線基板の一主面には、一対のビルドアップ部11aのうち、第1ビルドアップ部11aにおいて最外層の絶縁層15の第1樹脂層18aが配置されている。ところで、上述した配線基板3においては、ネジ頭20が配線基板3の一主面に当接するため、ネジ6を締める際に、配線基板3がネジ頭20に巻き込まれて、巻き込み方向への応力巻き込み応力が配線基板3に印加されることがある。この巻き込み応力は、第1樹脂層18aを伝播しやすい。この巻き込み応力が第1樹脂層18aを伝播して導電層16に達すると、導電層16に断線が生じやすくなる。特に、導電層16が信号用配線である場合、線幅が狭く形成されるため、この配線に断線が生じやすい。なお、第1樹脂層18aが巻き込み応力を伝搬しやすいのは、第1樹脂層18aのヤング率が第2樹脂層18bよりも大きいことに起因すると推測される。一方、本実施形態の配線基板3においては、貫通孔Pと導電層16との間の領域において、第1樹脂層18aを厚み方向に貫通するダミービア孔Dが形成されている。その結果、このダミービア孔Dにおいて、第1樹脂層18aにおける巻き込み応力の伝播を緩和することができる。したがって、導電層16における断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板3を得ることができる。また、ダミービア孔Dは、ビルドアップ部11のうち、第1ビルドアップ部11aに形成されている。その結果、ネジ頭20が当接する第1ビルドアップ部11aにおいては、ダミービア孔Dによって、第1樹脂層18aにおける巻き込み応力の伝播を緩和することができる。一方、第2ビルドアップ部11bにおいては、ネジ頭20との間にコア基板10が介在しているため、剛性の高いコア基板10によって巻き込み応力が伝播しにくい。それ故、導電層16の信頼性を担保しつつ、ダミービア孔Dを形成しないことによって、配線基板3の生産効率を高めることができる。また、ダミービア孔Dのうち、配線基板3の内部に位置する第1樹脂層18aに形成された第1ダミービア孔D1は、樹脂部19が充填されている。その結果、巻き込み応力を第1ダミービア孔D1と樹脂部19との界面に集中させることによって、第1樹脂層18aにおける巻き込み応力の導電層16への伝播を低減できる。また、樹脂部19が配線基板3の内部の空間を低減するため、空間に侵入した水分が加熱によって気化することに起因した、配線基板3内部の膨れを低減し、ひいてはこの膨れによる導電層16の断線を低減できる。また、樹脂部19は、第2樹脂層18bの一部である。この第2樹脂層18bは、第1樹脂層18aよりもヤング率が低いため、弾性変形しやすい。それ故、第1ダミービア孔D1に配された樹脂部19が弾性変形することによって、第1樹脂層18aにおける巻き込み応力の導電層16への伝播を低減できる。また、ダミービア孔Dのうち、配線基板3の最外層に位置する第1樹脂層18aに形成された第2ダミービア孔D2は、内部が空間となっている。この内部が空間である第2ダミービア孔D2は、内部に部材が充填された第1ダミービア孔D1よりも、巻き込み応力の伝播を強く抑制することができる。それ故、巻き込み応力が最も強く印加される最外層の第1樹脂層18aに第2ダミービア孔D2を形成することによって、最外層の第1樹脂層18a上に形成された導電層16の断線を効果的に低減することができる。また、内部が空間である第2ダミービア孔D2を最外層の第1樹脂層18aに形成しており、第2ダミービア孔D2の内面が外部に露出しているため、配線基板3の膨れを抑制できる。また、ダミービア孔Dは、第1ビルドアップ部11aを構成する絶縁層15の各層に形成されている。このダミービア孔Dは、図2aに示すように、絶縁層15の積層方向へ一列に配列しているスタック構造。ダミービア孔Dは、1層の絶縁層15に複数形成されている。この複数のダミービア孔Dは、図2bに示すように、平面視において、貫通孔Pを取り囲むように配列している。その結果、貫通孔Pの周囲に形成された導電層16の断線を低減することができ、配線設計の自由度を高めることができる。かくして、上述したプローブカード1は、メイン基板4、配線基板3およびプローブヘッド2と順次信号を伝送することによって、メイン基板4に接続した測定器の信号を、プローブヘッド2のプローブ7に接触した半導体ウェハへと伝送することができる。また、プローブカード1は、逆方向に信号を伝送することによって、半導体ウェハの信号を測定器へと伝送することができる。その結果、プローブカード1は、半導体ウェハの電気的信頼性の検査を可能とし、所望の機能を発揮する。次に、上述したプローブカード1の製造方法を、図3から図6に基づいて説明する。まず、配線基板3の作製方法について詳細に説明する。配線基板の作製1図3aに示すように、両主面に導電層16が形成されたコア基板10を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、例えば未硬化の樹脂シートを複数積層するとともに最外層に銅箔を積層し、該積層体を加熱加圧して硬化させることにより、基体12を作製する。なお、未硬化は、ISO472:1999に準ずるA‐ステージまたはB‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体12を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法および電気めっき法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、スルーホール導体13を形成する。次に、スルーホール導体13の内部に、樹脂等を充填し、絶縁体14を形成する。次に、導電材料を絶縁体14の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー法、エッチング法等により、銅箔をパターニングして導電層16を形成する。2図3bに示すように、コア基板10上に絶縁層15を形成し、該絶縁層15にビア孔Vおよびダミービア孔Dを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、未硬化の第2樹脂層18bを介して、フィルム状の第1樹脂層18aをコア基板10上に配置した後、コア基板10、第2樹脂層18bおよび第1樹脂層18aを加熱加圧して第2樹脂層18bを硬化させることにより、コア基板10上に絶縁層15を形成する。次に、例えばYAGレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置等によるレーザー加工を用いて、絶縁層15にビア孔Vを形成し、ビア孔V内に導電層16の少なくとも一部を露出させる。また、ビア孔Vと同様の方法で、ダミービア孔Dを形成する。このようにレーザー加工でダミービア孔Dを形成することによって、ダミービア孔Dは、コア基板10に向かって幅狭なテーパー状とすることができる。3図3cおよび図4aに示すように、絶縁層15上に導電層16を形成するとともに、ビア孔Vにビア導体17を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、スパッタリング法を用いて、絶縁層15上およびビア孔V内面に下地膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、下地膜上にパターニングしたレジストを形成する。次に、電気めっき法を用いて、この下地膜上に部分的に導体部を形成する。次に、レジストを下地膜から除去する。次に、エッチング法を用いて、下地膜における導体部の非形成領域を除去することによって、ことによって、導電層16およびビア導体17を形成する。ここで、ダミービア孔D上にレジストを形成することによって、ダミービア孔D内にビア導体17を形成せずに、ダミービア孔Dの内部の空間を維持することができる。4図4bないし図6aに示すように、上述した2および3の工程を繰り返して一対のビルドアップ部11を形成した後、図6bに示すように、ドリル加工等を用いて貫通孔Pを形成することによって、配線基板3を作製することができる。ここで、3の工程において、絶縁層15にダミービア孔Dを形成するとともに導電層16を形成した後、図4cに示すように、2の工程と同様に、未硬化の第2樹脂層18bを介して、フィルム状の第1樹脂層18aを絶縁層15上に配置した後、第2樹脂層18bおよび第1樹脂層18aを加熱加圧して第2樹脂層18bを硬化させる際に、第2樹脂層18bの一部がダミービア孔D内に入り込むことによって、樹脂部19が形成される。この際、ダミービア孔Dは、コア基板10に向かって幅狭なテーパー状であるため、第2樹脂層18bの一部がダミービア孔Dに充填されやすい。以上のようにして、配線基板3を作製することができる。次に、この配線基板3を用いたプローブカード1の作製方法について説明する。プローブカードの作製5プローブヘッド2、配線基板3、メイン基板4および補強板5を順次接続することによって、図1に示すプローブカードを作製することができる。ここで、配線基板3およびメイン基板4は、ネジ6のネジ軸21を、配線基板3の貫通孔Pに挿入した後、さらにネジ軸21の先端部をメイン基板4のネジ穴Hに挿入する。そして、ネジ6をネジ穴Hに締めつけ、ネジ頭20で配線基板3を押圧することによって、配線基板3をメイン基板4に固定する。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。例えば、上述した実施形態において、配線基板をプローブカードに用いた構成を例に説明したが、配線基板は他の部材にネジ止めされるものであればよく、他の用途に用いても構わない。また、上述した実施形態において、3層の絶縁層によりビルドアップ部を形成した構成を例に説明したが、絶縁層は1層以上であればよい。また、上述した実施形態において、樹脂部を充填した第1ダミービア孔と内部が空間である第2ダミービア孔とを形成した構成を例に説明したが、どちら一方のみが形成されていても構わない。また、上述した実施形態において、樹脂部として第2樹脂層の一部を用いたが、第2樹脂層とは異なる樹脂を樹脂部として用いても構わない。このような樹脂部は、上述した2の工程において、第1ダミービア孔を形成した後に、第2樹脂層とは異なる樹脂を充填することによって、形成することができる。また、上述した実施形態において、ダミービア孔をスタック構造とした構成を例に説明したが、ダミービア孔は、1層の絶縁層のみに形成されていても構わないし、図7に示すように、各層で平面方向における位置がずれたスパイラル構造でも構わない。この場合、スタック構造と比較して、貫通孔Pの周囲に貫通孔Pの周囲をより分散させて配置することができるため、貫通孔Pの周囲で巻き込み応力の伝搬を均一に低減することができ、導電層16の断線を低減できる。なお、ダミービア孔をスパイラル構造とする場合、図7に示すように、隣接する1組の絶縁層15において、一方の絶縁層15のダミービア孔D ́が、他方の絶縁層15にて隣接するダミービア孔D同士の間に、配されていることが望ましい。また、ダミービア孔Dにおけるコア基板10側の端部は、このダミービア孔Dよりもコア基板側10側に配された第1樹脂層10aの凹部からなり、樹脂部19の一部が凹部に充填されていることが望ましい。この凹部は、ダミービア孔を形成する際のレーザー条件を適宜調節することによって、形成できる。なお、この凹部は、上述したダミービア孔をスタック構造とする実施形態に適用しても構わない。また、上述した実施形態において、複数のダミービア孔が貫通孔を取り囲むように配列した構成を例に説明したが、このように配列してなくても構わず、すくなくとも1つのダミービア孔が貫通孔と導電層との間に配置していればよい。また、ダミービア孔Dの他の例としては、図8に示すように、貫通孔Pを取り囲む環状、なかでも円環状に形成されていることが望ましい。この場合、第1樹脂層18aにおける応力の伝播をより効果的に低減できる。このようなダミービア孔Dは、例えば、上述した2の工程において、レーザーの照射位置を一部が重なるようにずらしていくことによって、形成することができる。