"積層セラミックコンデンサを製造するためのワークを切削する切削装置であって、前記ワークを切削するブレードと、前記ブレードを回転させるモータを備えたスピンドルと、リング照明および同軸落射照明を切り換えて前記ワークを撮像可能に構成された撮像装置と、前記撮像装置により取得された前記ワークの画像に対して画像処理を行うことにより該ワークの切削位置を特定し、該切削位置において該ワークを切削するように前記ブレードを制御する制御部と、を有することを特徴とする切削装置。前記制御部は、前記撮像装置により取得された前記ワークの前記画像に基づいて該ワークの溝領域を特定し、前記ワークの前記溝領域における前記画像に基づいて該ワークの前記切削位置を特定する、ことを特徴とする請求項1に記載の切削装置。前記制御部は、前記ワークの前記画像を輝度の波形として表し、該輝度の波形に基づいて該ワークの前記溝領域を特定することを特徴とする請求項2に記載の切削装置。前記制御部は、前記ワークの前記溝領域における輝度の最大値または最小値を前記切削位置として特定することを特徴とする請求項3に記載の切削装置。積層セラミックコンデンサを製造するためのワークを切削する切削方法であって、リング照明および同軸落射照明を切り換えて撮像装置を用いて前記ワークの画像を撮像する撮像工程と、前記撮像装置により取得された前記ワークの画像に対して画像処理を行うことにより該ワークの切削位置を特定するアライメント工程と、前記アライメント工程で特定された前記切削位置において前記ワークを切削する切削工程と、を有することを特徴とする切削方法。前記アライメント工程は、前記撮像装置により取得された前記ワークの前記画像に基づいて該ワークの溝領域を特定する工程と、前記ワークの前記溝領域における前記画像に基づいて該ワークの前記切削位置を特定する工程と、を有することを特徴とする請求項5に記載の切削方法。前記アライメント工程は、前記ワークの前記画像を輝度の波形として表し、該輝度の波形に基づいて該ワークの前記溝領域を特定することを特徴とする請求項6に記載の切削方法。前記アライメント工程は、前記ワークの前記溝領域における輝度の最大値または最小値を前記切削位置として特定することを特徴とする請求項7に記載の切削方法。しかしながら、積層セラミックコンデンサを製造する際の前工程において、電極および誘電体ペーストを備えたシート部材を積層して圧力を加える際に、積層後のシート部材積層部材が互いにずれることがある。積層部材が互いにずれた状態で、アライメントマークを基準とした均等分割を行って切削すると、積層セラミックコンデンサの外形精度および歩留まりが悪化するおそれがある。また、切削精度を向上させるため、レーザ変位計を利用して積層部材を切削する方法や、積層部材をハーフカットしてその内部を露出させた状態でアライメントを行う方法などもある。しかし、これらの方法は、コストや精度の観点で問題がある。そこで本発明は、低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置および切削方法を提供する。本発明の一側面としての切削装置は、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークを切削する切削装置であって、前記ワークを切削するブレードと、前記ブレードを回転させるモータを備えたスピンドルと、リング照明および同軸落射照明を切り換えて前記ワークを撮像可能に構成された撮像装置と、前記撮像装置により取得された前記ワークの画像に対して画像処理を行うことにより該ワークの切削位置を特定し、該切削位置において該ワークを切削するように前記ブレードを制御する制御部とを有する。本発明の他の側面としての切削方法は、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークを切削する切削方法であって、リング照明および同軸落射照明を切り換えて撮像装置を用いて前記ワークの画像を撮像する撮像工程と、前記撮像装置により取得された前記ワークの画像に対して画像処理を行うことにより該ワークの切削位置を特定するアライメント工程と、前記アライメント工程で特定された前記切削位置において前記ワークを切削する切削工程とを有する。本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。本発明によれば、低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置および切削方法を提供することができる。以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図の説明において、重複する説明は省略する。まず、図1を参照して、本実施例における切削装置について説明する。図1は、本実施例における切削装置100の概略構成図である。切削装置100は、積層セラミックコンデンサを製造するためのワーク10を、画像処理によりその切削位置それ自体を直接特定して切削するように構成されている。なお、ワーク10としては、セラミック誘電体と電極部材が積層された積層体を使用することができる。ワーク10は、切削装置100により、図1中の破線12に沿って切削されて個片化される。なお、ワーク10において破線12に相当する格子状の部分は内部の構造により他の位置よりも例えば数μm程度低くなっている。このように非常に段差が小さいため、実際の切削したい破線12の部分は大変特定しにくく、通常の撮像手段で単に撮像し又は変位計で変位を測定するだけで切削位置を確実に特定するのは困難である。本実施例においては、ワーク10には四隅にアライメントマーク14が設けられたものを用いる例について説明する。アライメントマーク14は、切削装置100を用いてワーク10を切削する際の位置合わせを行うために設けられている。本実施例の切削装置100は、後述のように、アライメントマーク14による所定の画像処理による位置合わせを行い、撮像装置により取得されたワーク10の画像に対して画像処理を行うことによりワーク10の切削位置を特定する。そして、切削装置100を用いてワーク10をX軸方向及びY軸方向に切削することにより、多数の積層セラミックコンデンサ個片化ワークが製造される。なお、本実施例のワーク10は積層セラミックコンデンサを製造するための積層構造体であるが、同様の構造を有するワークであればこれに限定されるものではない。本実施例は、ワークの切削部それ自体を画像処理により認識可能な構造体に広く適用することができる。このような構造体ワークであれば、例えば、リードフレームの上に複数の半導体素子ICチップを搭載して樹脂封止された半導体パッケージを製造するためのワークにも適用可能である。切削装置100において、20は装置枠体に対してX方向に進退可能に取り付けられているスピンドルである。22はダイシングブレード切削刃:以下、単にブレードというである。ブレード22は、スピンドル20の先端部に取り付けられている。ブレード22は、スピンドル20内のモータ不図示によりスピンドル20の回転と共に回転し、ワーク10をθ方向に回転可能に構成されたθテーブル15回転テーブル上に載置されたワーク10を切削することが可能である。スピンドル20は、位置決めモータ不図示によりX軸方向に移動可能に構成されており、ワーク10の切削位置をX軸方向に移動させることができる。また、1つのスピンドル20に複数のブレード22を取り付けたマルチブレード構成としてもよい。この場合、積層セラミックコンデンサの間隔に基づいてブレード22の間隔が設定される。なお本実施例の切削装置100において、2つのスピンドル20のブレード22同士を対向して設け、ワーク10を同時に切削可能なツインスピンドル構成としてもよい。ワーク10は、θテーブル15の上に載置されている。θテーブル15は、テーブルモータ不図示により駆動されることでY軸方向に送り移動可能に構成され、また回転モータ不図示によりθ方向にXY平面内で回転可能に構成されている。このため、θテーブル15に載置されたワーク10の切削方向を任意に設定することが可能となる。θテーブル15のθ軸は、撮像装置30カメラから得られた位置情報に基づいて制御される。撮像装置30は、ワーク10の切削位置の画像を撮像可能に構成され、制御部40を介して表示部60に出力可能に構成されている。制御部40は、切削装置100の各部の動作を制御する。特に本実施例において、制御部40は、撮像装置30により取得されたワーク10の画像に対して後述の画像処理を行うことによりワーク10の切削位置を特定する。そして、特定された切削位置においてワーク10を切削するようにブレード22を制御する。記憶部50は、例えば半導体メモリやハードディスク等により構成されており、所定の制御プログラムを記憶している。また、記憶部50は、制御部40が各種の信号処理や画像処理を行う間、制御部40との間で情報のやり取りを行いながら、順次、情報を記憶していく。表示部60には、例えば、ワーク10の切削状況、ワーク10の切削位置、スピンドル20の回転数、負荷電流、切削速度、切削トータル距離、ブレード外径、及び、切削加速度等の各加工条件情報や後述する画像処理結果などが表示される。次に、図2を参照して、本実施例におけるワーク10の切削方法について説明する。なお、本実施例の切削方法は、オペレータによって行われる一部の工程を除き、切削装置100の制御部40の指令に基づいて行われる。図2は、ワーク10の切削方法のフローチャートである。まずステップS1において、制御部40はワーク10に対して第1のアライメントを行う。第1のアライメントでは、切削装置100ブレード22に対するワーク10のθ角度XY平面内の角度を調整する。制御部40は、撮像装置30で取得した画像を用いてワーク10の四隅に配置されたアライメントマーク14の位置を認識し、これらのアライメントマーク14の位置に基づいて、ワーク10のθ角度を調整するワーク10の位置合わせを行う。第1のアライメントが完了すると、ステップS2においてマップデータの読み込みが行われる。ここでは、制御部40は、マップデータから、ワーク10の外形、アライメント部座標、切削溝の位置座標、各個片化ワーク中心座標X座標、Y座標、個片化ワークサイズ、を読み込み、その情報を記憶部50に記憶させる。続いてステップS3において、制御部40はワーク10に対して第2のアライメントを行う。第2のアライメントでは、制御部40は、撮像装置30により取得されたワーク10の画像に基づいてワーク10の凹凸表面形状を認識し画像情報を取得し、この画像情報からワーク10の切削位置を特定する。ここで、図3乃至図9を参照して、第2のアライメントについて詳細に説明する。図3は、本実施例における切削装置100撮像装置30で用いられる照明光の説明図であり、図3aはリング照明、図3bは同軸落射照明を用いてワーク10の表面の画像を取得している場合撮像工程をそれぞれ示している。前者のリング照明は、リング状の形状をしており、物体に円周方向から照射ができる照明装置である。斜光照明の一種で、物体に斜めの角度から照射する方式である。光が物体に斜めから照射した時の散乱光を利用する散乱光照明と呼ばれる照明である。撮像装置30は、ワーク10の表面に対してリング照明を当てることにより、ワーク10に対して斜め方向から照射された散乱光を捕らえた部分を白く検出し、散乱光が撮像装置30に検出されない部分や吸収された部分を黒く検出する。リング照明は、ワーク10のエッジや散乱の多い部分がより白く検出されるため、エッジがはっきりしているような物体の輪郭を強調するのに適している。後者の同軸落射照明は、物体の真上から照射する方式で、光が物体に照射した時の直接光を利用する直接光照明と呼ばれる照明である。撮像装置30は、ワーク10の表面に対して同軸落射照明を当てることにより、ワーク10に対して垂直方向から照射された反射光を捕らえた部分を白く検出し、反射光が撮像装置30に検出されない部分や吸収された部分を黒く検出する。同軸落射照明は、撮像装置30の検出面と平行な部分がより白く検出されるため、平行な部分を強調するのに適している。このように本実施例では、ワーク10の形状の違いを検出する目的で、性質の異なる二種類の照明を使い分ける。このように、撮像装置30は、リング照明および同軸落射照明を切り換えてワーク10の画像を撮像可能に構成されている。また図4は、第2のアライメント工程ステップS3のフローチャートである。まずステップS31において、撮像装置30は、リング照明によりワーク10の表面の画像第1の画像を取得する。図3a及び図3bに示されるように、撮像装置30にはテレセントリックレンズ32およびリング照明光源33及び同軸落射照明光源35が設けられている。テレセントリックレンズ32とは、主光線が光軸に対して平行なレンズである。リング照明光源33から射出したリング照明光34は、ワーク10の表面に対して斜め方向からワーク10の表面を照射する。個片化されるワーク10の外形の面が角張っている場合には、輪郭部分のエッジが白く検出され、散乱できない深い溝部分や窪んだ部分は黒く検出される。このように撮像装置30は、リング照明光源33から射出したリング照明光34をワーク10の表面に照射することにより、ワーク10の画像を取得することができる。ここで図5を参照して、リング照明時におけるカメラの視野とワーク10との関係、および、画像の明暗について説明する。図5は、リング照明時のカメラの視野70および画像の明暗を説明する図である。図5に示されるように、カメラの視野70は、少なくとも一つの積層セラミックコンデンサに相当する領域同図において4つの十字マークとして図示した位置で囲まれた領域の全体を含む程度の大きさに設定されている。このようにカメラの視野70は、縦横方向X軸方向、Y軸方向において少なくとも2本の線切削線が含まれるように設定されることが好ましい。2本の切削線を同一視野に含む事によって、切削線の位置座標に加えて2本の切削線の位置座標の差分を取ることで、切削線同士の間隔を検出可能となる。このようにカメラの視野70を設定し、位置と間隔を同時に検出することで、1本の切削線の位置だけを検出する場合に較べて検出精度信頼性を向上させることができる。なお、縦方向または横方向のいずれか一方においてのみ少なくとも2本の線切削線が含まれるように設定してもよい。図5において、一点鎖線16は積層セラミックコンデンサのエッジ部に相当し、リング照明時に明るい高輝度の画像が得られる部分である。リング照明により外形エッジを得られる場合には、実際に切削したい切削線は、個片化するワークの外形エッジ部分から間接的に求める事が可能となる。続いて、図4中のステップS32において、切削装置100の制御部40は、撮像装置30のリング照明により取得された画像を用いて、ワーク10の切削位置を特定する。具体的には、制御部40は、予め登録された基準となるワーク10とのパターンマッチングを行う記憶部50に記憶された標準テンプレートとの対応する画素の相関を調べる、またはワークの輪郭線情報を利用して整合性を調べることにより個片化するワークの外形寸法と、検出された重心から中心位置を求めることができる。例えば、偶数個分のワークの中心、複数個分のワークの中心同士の中心、又は1つのワーク中心位置から定められた距離分検出された外形寸法÷2設定切削溝幅÷2を引く足す等により切削位置を特定する。そしてステップS33において、制御部40はワーク10の切削位置を特定することができたか否かをパターンマッチングの演算結果整合性の指標値により閾値判定する。切削位置が特定された場合、第2のアライメント工程を終了する。一方、切削位置が特定されない場合、ステップS34に進む。ステップS34において、撮像装置30は、同軸落射照明によりワーク10の表面の画像第2の画像を取得する。図3bに示されるように、撮像装置30には更に同軸落射照明光源35が設けられている。同軸落射照明光源35から射出した同軸落射照明光36は、ワーク10の表面に対して垂直方向からワーク10の表面を照射する。ワーク10の表面が撮像装置30の検出面と平行な領域では白い明るい像が得られ、反射できない凹凸が存在するV字状の溝が存在する傾斜領域では黒い暗い像が得られる。同軸落射照明光36を用いると、ワーク10の水平部が強調されるため、水平部と傾斜部凹凸部とをより容易に分離することが可能となる。このように撮像装置30は、同軸落射照明光源35から射出した同軸落射照明光36をワーク10の表面に照射することにより、ワーク10の画像を取得することができる。そしてステップS35において、制御部40は、撮像装置30の同軸落射照明により取得された画像を用いて、直接ワーク10の切削位置を特定する。ここで図7を参照して、同軸落射照明時におけるカメラの視野70とワーク10との関係、および、画像の明暗について説明する。図7aは同軸落射照明時におけるワーク10の反射光の説明図であり、図7bは同軸落射照明時のカメラの視野70とワーク10との関係および画像の明暗の説明図である。図7aに示されるように、ワーク10の表面に対して垂直方向に同軸落射照明光36が射出されると、ワーク10の破線12切削部から離れた領域個片化後の積層セラミックコンデンサの中央部では、同軸落射照明光36は垂直方向矢印Aの方向に反射する。一方、破線12近傍における溝領域のエッジ部縁部では、同軸落射照明光36は斜め方向矢印Bの方向に反射する。また破線12の直上部溝領域の中央部、すなわち溝の底部では、同軸落射照明光36は垂直方向矢印Cの方向に反射する。図7bに示されるように、カメラの視野70は、少なくとも一つの積層セラミックコンデンサに相当する領域同図において4つの十字マークとして図示した位置で囲まれた領域の全体を含む程度の大きさに設定される。これは、図5を参照して説明したリング照明の場合と同様である。図7bにおいて、一点鎖線18で囲まれた領域は積層セラミックコンデンサの中央部であり、実線19で囲まれた領域は積層セラミックコンデンサの溝の底部に相当する。これらの領域では、図7aを参照して説明したように、溝領域にある程度の幅が有り、底部に撮像装置30と水平となる部分があれば、同軸落射照明光36がワーク10の表面に対して垂直方向に反射するため、相対的に明るい画像が得られる部分である。逆に溝領域の幅が狭くて深い場合には、同軸落射照明光36が反射されずに吸収されてしまい、相対的に暗い画像が得られる部分である。次に、同軸落射照明光36を用いて照明した場合における、ワーク10の切削位置の特定方法について詳述する。本実施例において、ワーク10の切削位置の特定方法は、溝領域の特定および切削位置の特定の2段階の工程に分けて説明される。すなわち制御部40は、撮像装置30により取得されたワーク10の画像に基づいてワーク10の溝領域を特定し、続いて、ワーク10の溝領域における画像に基づいてワーク10の切削位置を特定する。まず、図6を参照して、ワーク10における溝領域の特定方法について説明する。溝領域の特定方法は、正確な切削位置を特定する前段階として、溝領域の中心位置と範囲概略範囲を求める工程である。図6は、溝領域の特定方法のフローチャートである。ステップS41において、撮像装置30は、測定部位であるワーク10の表面を撮像して画像を取得する。この画像は、ステップS34における同軸落射照明を用いて取得された画像である。ステップS42において、制御部40は、ステップS41で取得された画像に対して二値化処理を行うことにより、ワーク10の概略溝領域を抽出する。続いてステップS43において、制御部40は、ステップS41で抽出された画像における輝度の波形を生成する。輝度の波形については後述する。続いてステップS44において、制御部40は輝度の波形に対して近似関数を生成する。すなわち制御部40は、ワーク10の画像を輝度の関数輝度の波形として表す。続いてステップ45において、求めた近似関数から極小値最小値を特定する。溝領域が一つの場合は最小値と特定できるが、複数ある場合には極小値溝領域毎の最小値として特定する。そして、ステップS46において、撮像装置30で撮像された画像撮像画像にステップS44で生成した近似関数を重ね合わせて表示部60に表示し確認可能とする。以上の各ステップにより、輝度の波形に基づいて溝領域溝領域の概略中心や概略範囲が特定される。次に、図9を参照して、ワーク10における切削位置の特定方法について説明する。図9は、切削位置の特定方法のフローチャートである。図9に示される切削位置の特定方法は、図6を参照して説明した溝領域の概略中心および概略範囲を算出した後に行われる。まずステップS51において、制御部40は、図6で求めた溝領域の概略範囲のみに対してワーク10の溝領域における輝度の波形を生成する。輝度の波形については後述するが、溝領域毎に、前述の図6の溝領域の特定の時よりさらに詳細に生成する。続いてステップS52において、制御部40は、ステップS51で抽出された波形輝度の波形から近似関数の生成をする。ステップS53では、ステップS52で求めた近似関数から極大値の中の最大値または極小値の中の最小値を特定する。図8は、ワーク10の溝領域における輝度の波形図例である。図8aは輝度の波形の概念を説明する波形図を示す。また、図8bは溝領域を特定する際に取得される輝度の波形図を示す。また図8cは、切削位置の特定する際に取得されるワーク10の溝領域における波形図を示す。この輝度の波形は、図7bのカメラの視野70の中心指定範囲で投影した水平方向における輝度のプロファイルである。具体的には、図8b及び図8cに示されるように、輝度の波形は、切削位置の特定方向に対する垂直方向において撮像画像の輝度を積算または平均化することで数値化される。図8bとcでは、この平均化処理を粗くし、または、細かくすることにより所定の波形が求められる。このため、例えば図7bにおいて、各積層セラミックコンデンサの領域において中央部付近を通過する破線L上では高輝度領域一点鎖線18を通過するため輝度の数値は高くなる。同図において、各積層セラミックコンデンサの領域の境目溝の中央に相当する領域を通過する破線M上では輝度がある程度高い領域実線19を部分的に通過するだけであるため、輝度の値は低くなる。これに対し、同図において各積層セラミックコンデンサの領域の縁を通過する破線N上では、輝度の高い領域を通過しないため輝度の値は最も低くなる。すなわち、この波形において、極大点は撮像装置30と水平で同軸落射照明から反射が多く最も明るい部分を表し、極小点は同軸落射照明からの反射が少なく最も暗い部分を表す。しかしながら、実際の撮像画像では、例えば破線L上における輝度の値は、破線M,Nにおける輝度の値に対して極めて大きい。このため、溝領域を特定する際に取得される輝度の波形では図8bに示されるように溝領域G破線M,Nの領域に相当おける差は小さいため、この時点では溝の中央を特定しない。なお、ここでは粗く平均化することで溝部分では輝度の値を平準化させて境界が検出されやすくする。次いで、先の工程で検出された溝領域の中央部として切削位置の特定するときには、溝領域Gのみにおいて細かく平均化して輝度の波形を生成する。この場合、図8cに示されるように溝領域G図8aの波形の溝領域Gに着目すると、輝度の波形は、溝領域のエッジ部E縁部において小さく、溝領域の中央部F切削部において大きくなる。そして中央部Fにおいて、矢印Aで示される輝度の波形の極大値最大値が存在する。この極大値の中の最大値を示す位置がワーク10の切削位置として設定する。なお、製造工程の違いによりワーク10によっては、各積層セラミックコンデンサの領域の境目において縁よりも傾斜が急になる溝が深くなることもある。この場合、各積層セラミックコンデンサの領域の境目のほうが縁よりも暗く輝度が低くなる。このような場合には、図8cの一点鎖線に示されるように、極小値最小値となる場合もある。この場合、この極小値の中の最小値を示す位置がワーク10の切削位置として設定する。このように、ステップS53で溝領域における輝度の波形の極大値の中の最大値または極小値の中の最小値を示す位置を特定することで、制御部40は、ステップS54においてワーク10の切削位置や複数の溝領域間のピッチ間隔を設定することができる。なお、ワーク10の切削位置が、溝領域における輝度の波形の極大値の中の最大値または極小値の中の最小値のいずれを示すかは、ワーク10の種類に応じて異なるため、ワーク10に応じて適切な方が選択される。ワーク10の切削位置が特定されると、第2のアライメント工程図2中のステップS3は終了する。以上のように、ワーク10の切削位置の特定方法は、溝領域の特定および切削位置の特定の2段階の工程に分けて説明される。この2段階で分けて特定することにより、溝領域における輝度の波形に違いがある場合でも、同じアルゴリズムの中で、種類によって極大値の中の最大値や極小値の中の最小値のどちらかを選択することで、切削位置の検出が可能となる。また、第2工程で範囲を絞り込み、詳細に抽出することにより、溝の底部の微妙な違いを高精度に検出可能となる。第1工程での溝領域の概略範囲を求めて、その範囲を絞り込んだ結果を使って第2工程で切削位置を検出することにより、ワーク表面の傷や汚れなどによる影響を少なくさせる効果もある。続いて図2中のステップS4において、制御部40は、第2のアライメント工程ステップS3で特定された切削位置や間隔が許容範囲内所定の範囲内であるか否かを判定する。ここで許容範囲とは、ワーク10の種類ごとに予め設定されている記憶部50に記憶されている切削位置や間隔の範囲であり、設計値に基づいて適宜設定される。第2のアライメント工程で特定された切削位置や間隔がこの許容範囲内でない場合、制御部40はその切削位置が誤検出されたものと判定する。第2のアライメント工程で特定された切削位置や間隔が許容範囲内でない場合にはステップS5に進み、制御部40は、第2のアライメント工程による切削位置や間隔の測定回数が許容測定回数以下であるか否かを判定する。許容測定回数は、例えば3回や5回であるが、これに限定されるものではない。許容測定回数以下である場合、ステップS3に戻り、制御部40は第2のアライメント工程を再度実行する。また、この再度実行する前に予め設定された方向の前後左右の隣のワーク位置へ移動して行なうように構成してもよい。このように構成することにより、ワークの汚れや傷に起因する誤検出範囲外検出を効果的に避けることができる。ステップS5において、許容測定回数を超えた場合にはステップS7に進み、第2のアライメント工程による切削位置や間隔の測定回数が許容測定回数を超えたことをオペレータに通知する。この通知は、例えば表示部60に表示することができる。また、切削装置100の警報部不図示によりオペレータに通知するように構成してもよい。この場合にはステップS8に進み、制御部40は、オペレータに対してマニュアル指定によりワーク10の切削位置や間隔を指定するか否かを要求する。オペレータがマニュアル指定を行う場合、ステップS10において切削位置が指定される。一方、オペレータがマニュアル指定を行わない場合、切削位置を特定することなくワーク10を切削することなく、図2に示されるフローを終了する。ステップS4において、第2のアライメント工程ステップS3で特定した切削位置や間隔が許容範囲内である場合には、ステップS6に進む。ステップS6では、ステップS2で読み込まれたマップデータワーク10の各部の座標を、第2のアライメント工程で特定した切削位置に適合するように修正する。すなわち、第2のアライメント工程で得られた位置データ位置情報をワーク10の全体のマップデータに反映させる。また、1本の切削線を複数の位置データで修正する場合、最小二乗法などの近似直線として計算した結果を反映させてもよい。続いてステップS9において、切削のシミュレーションを行う。すなわち、修正後のマップデータに基づいて、撮像装置30を用いた切削のシミュレーションを行うことで動作確認を行う。このステップは、必ずしも毎回行なう必要は無く運用可能である。また本実施例において、第2のアライメント工程での所定の演算は、縦方向または横方向の一方向切削方向のみについて行われるが、両方向について同時に演算を行ってもよい。このように構成することで、全体のアライメント時間を短縮することができる。そしてステップS11において、ワーク10が切削される切削工程。すなわち制御部40は、上述のステップで特定された切削位置に従ってワーク10を切削するようにブレード22を制御する。これにより、ワーク10は複数の積層セラミックコンデンサに個片化される。なお本実施例では、リング照明を用いて切削位置を特定することができない場合に同軸落射照明を用いているが、これに限定されるものではない。逆に、同軸落射照明を用いて切削位置を特定することができない場合にリング照明を用いるように構成してもよい。また、リング照明と同軸落射照明の両方をワーク上に同時に照射して取得された情報に基づいて切削位置を特定することもできる。このとき、例えばリング照明を70、同軸落射照明を30のように所定の割合に設定して、これらの照明光をワーク上に照射することができる。いずれの照明方法を利用するかは、ワークの材質や形状などに応じて適宜決定される。また本実施例では、図2のステップS1においてアライメントマーク14でワーク10のθ角度を調整することを説明した。しかし、ワークによってはアライメントマークが無い、または使用できない種類もある。このような場合には、代わりにワークのコーナ角やエッジ辺部分を使って角度調整することができる。さらに続けて図2のステップS3で説明した第二のアライメントと同じ手法を併用して角度検出精度を向上させることができる。いずれの調整方法を利用するかは、ワークの種類や材質や形状などに応じて適宜決定される。本実施例によれば、低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置および切削方法を提供することができる。以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。"