"Li、Na、K、Nb及びOをその構成元素とするアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにおいて、組成式Li3NbO4で示される結晶相を保持することを特徴とする圧電セラミックス。組成式{Lix[NayK1-y]1-x}aNbO3但し、式中、0<x≦0.20、0≦y≦1、1.0≦a≦1.01である。で示されることを特徴とする請求項1に記載の圧電セラミックス。AgをAg2O換算として請求項2に記載の圧電セラミックス100molに対して、0.1mol以上、0.5mol以下含有させたことを特徴とする請求項2の圧電セラミックス。第一の電極と第二の電極とが圧電セラミックス層を介して対向する圧電セラミックス部品において、前記圧電セラミックス層が、請求項1~3のいずれか1項に記載の圧電セラミックスで形成されていることを特徴とする圧電セラミックス部品。第一の電極と第二の電極とが圧電セラミックス層を介して交互に複数層積み重ねられており、前記第一の電極と電気的に接続する第一の端子電極と、前記第二の電極と電気的に接続する第二の端子電極とを有する圧電セラミックス部品において、前記圧電セラミックス層が、請求項1~3のいずれか1項に記載の圧電セラミックスで形成されていることを特徴とする圧電セラミックス部品。圧電セラミックス層を有する基板を有し、その圧電セラミックス層の上部に第一の電極と第二の電極が対向して配置される圧電セラミックス部品において、前記圧電セラミックス層が、請求項1~3のいずれか1項に記載の圧電セラミックスで形成されていることを特徴とする圧電セラミックス部品。第一の電極と第二の電極とが圧電セラミックス層を有する基板上に交互に複数層対向しており、前記第一の電極と電気的に接続する第一の端子電極と、前記第二の電極と電気的に接続する第二の端子電極とを有する圧電セラミックス部品において、前記圧電セラミックス層が、請求項1~3のいずれか1項に記載の圧電セラミックスで形成されていることを特徴とする圧電セラミックス部品。請求項4~7のいずれか1項に記載の圧電セラミックス部品を用いたことを特徴とする圧電デバイス。前述のとおり、LNKNの緻密な焼結体を得るには1050°C~1100°Cの焼成温度が必要とされるので、LNKNは、1000°C前後で緻密な焼結体が得られ且つ高い圧電特性を有する鉛含有圧電セラミックスの代替としては不十分である。例えば、貴金属又は卑金属を電極として有する積層圧電セラミックス部品用の圧電セラミックスとしてLNKNを利用する場合には、内部電極の収縮を抑制するために焼成温度を1000°C程度とすることが望ましいが、1000°C程度でLNKNの緻密な焼結体を得る技術はこれまでに知られていない。本発明の様々な実施形態は、圧電特性を損なわずに1000°C前後で焼結させることが可能なLNKNを主成分とするセラミック化合物を提供することを目的とする。本発明者らは、Li、Na、K、Nb及びOを構成元素とするアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにLi3NbO4結晶相を析出させることで、当該圧電セラミックスが1000°C前後で緻密に焼成できることを見いだした。本発明の一態様における圧電セラミックスは、Li、Na、K、Nb及びOを構成元素とするアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスを主成分とするセラミックスにおいて、組成式がLi3NbO4で示される結晶相を保持する。本発明の実施形態によって、圧電特性を損なわずに1000°C前後で焼結させることが可能なLNKNを主成分とするセラミック化合物を提供する。本出願は、日本国特許出願2010288242号に基づく優先権を主張する。同出願に記載の内容は、参照により全体として本明細書に組み込まれる。本発明の様々な実施形態における圧電セラミックス材料は、Li、Na、K、Nb及びOをその構成元素とし、アルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスつまり、LNKNを主成分とする。アルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造は、ABO3型のペロブスカイト構造の一種であり、AサイトにK、Na、Li等のアルカリ金属元素を含み、BサイトにNbを含む。図1にペロブスカイト構造の模式図を示す。図示の通り、ペロブスカイト構造は、Bサイトの周りに6つのOが配位され、Aサイトの周りに12のOが配位されて成る単位構造を有し、この単位構造が周期的に連続することで結晶を形成する。ペロブスカイト構造においては、Aサイトを占める元素とBサイトを占める元素との組成比モル比がペロブスカイト構造の化学量論比に従った1:1となるときに、全てのサイト位置が対応する元素で占められ、安定した構造が得られる。しかしながら、LNKNの焼結体の組成は、K、Na、Liの溶出や仮焼工程又は焼成工程におけるK、Na、Liの揮発などによって、化学量論比に従った組成から最大2程度変動し得る。これらの構成元素の変動量は、その原材料、合成時期、合成工程によって変化する。そこで、初期配合において、Aサイトを占める元素K、Na、Liの原材料のBサイトを占める元素の原材料に対する配合比率を、化学量論比から定められる理想的な配合比率よりも高くし、最終的に得られる焼結体のAサイトを占める元素とBサイトを占める元素との組成比が1:1の化学量論比となるようにする。ただし、最終的に得られるLNKNが高い圧電効果を有するためには、焼結後のAサイトに含まれる元素とBサイトに含まれる元素との組成比は0.98<A/B<1.01の範囲とすることが望ましい。しかしながら、Aサイトを占めるK,Na,Li元素の原材料の配合比率を高めると、K2O,Na2O,Li2O等酸化物やしK2CO3,Na2CO3,Li2CO3等の炭酸化合物が析出し、得られる圧電セラミックスの比抵抗率を低下させたり、潮解性を生じさせたりすることがある。本発明の一実施形態においては、LNKNから成る主成分にLi3NbO4を析出させることによって、高い焼結性を有する圧電セラミックが得られる。一態様において、LNKNの化学量論比よりもLiが過剰となるようにLi2CO3等のLiの原材料を配合することで、LNKNから成る主成分にLi3NbO4を析出させることができる。一態様においては、出発原料のLi2CO3として、市販のLi2CO3をボールミルにて24時間予備粉砕して平均粒子径を1μm以下としたものを用いることができる。市販されるLi2CO3の多くは平均粒子径が5μm以上であり、このような平均粒子径が5μm以上のLi2CO3を用いると、Li3NbO4を析出させることは難しい。本発明の実施形態に係る圧電セラミックスにおいては、LNKNから成る主成分にLi3NbO4を析出させることで、1000°C前後で容易に焼結し、Li3NbO4結晶相を含有しない圧電セラミックスと比較して圧電特性が損なわれていない圧電セラミックスを得ることができる。本発明の実施形態に係る圧電セラミックスにおいては、アルカリ成分とニオブが1対1で含まれるペロブスカイト構造の主成分に、この主成分よりもアルカリ成分が過剰なLi3NbO4結晶相が析出することによって、焼結時にペロブスカイト構造から揮発するアルカリ成分を過剰なLiで補うことができ、これにより焼結性を補っていると考えられる。一実施形態において、Li3NbO4結晶相は、ICSDInorganicCrystalStructureDatabaseにおいてPDF-01-082-1198又はPDF-01-075-0902に記載されている立方晶系の結晶相であってもよい。一実施形態におけるLi3NbO4結晶相の格子定数は8.412Åもしくは8.429Åである。このうち、格子定数およびその各々の回折線強度比に関しては、Li3NbO4結晶相の結晶性、結晶構造内の欠損因子などにより、例えばコンマ2桁目以下の格子定数が変化する場合があるが、本発明の障害とはならない。本発明の一実施形態に係る圧電セラミックスは、組成式{Lix[NayK1-y]1-x}aNbO3但し、式中、0.0<x≦0.20、0≦y≦1、1.0≦a≦1.01である。で示される圧電セラミックスであってもよい。一実施形態における圧電セラミックスは、組成式{Lix[NayK1-y]1-x}aNbO3但し、式中、0.03≦x≦0.10、0.40≦y≦0.60、1.0≦a≦1.01である。で示される。本発明の実施形態に係る圧電セラミックスの構成元素の組成比をこれらの組成式に示された範囲内とすることで、鉛含有圧電セラミックスの圧電特性と同程度の特性を得ることができるとともに、1000°C前後で緻密に焼成することができる。したがって、圧電デバイスに用いられる鉛含有圧電セラミックスを代替可能な鉛を含有しない圧電セラミックスを提供することができる。本発明の一実施形態に係る圧電セラミックスは、{Lix[NayK1-y]1-x}aNbO3で示したLNKNから成る主成分100molに対して、Ag2O換算で0.1mol以上から0.5molの範囲のAgをを含有してもよい。これにより、Li3NbO4結晶相の析出をさらに促進でき、圧電特性を損なうことなくより容易に焼結させることが可能となる。一態様において、Agは、主成分100molに対して、Ag2O換算で0.1mol以上から0.25mol以下の範囲で含まれる。これにより、Agの含有量の増加に伴う比抵抗率の低下を抑制することができる。Ag2Oを添加することにより、Li3NbO4結晶相のLiの一部がAgで置換で置換されたLi,Ag3NbO4結晶相が析出するが、Li3NbO4結晶相のみが析出した場合と同様の効果を奏する。これは、Li3NbO4結晶相とLi,Ag3NbO4結晶相とは、結晶系、格子定数等の結晶としての物性を決定する対称性が等しいためである。特許文献4には、Ta及びSbを含む主成分に対してAgを添加することが開示されているが、本発明の実施形態に係る圧電セラミックスは、Ta、Sbを含まない点で特許文献4で開示された圧電セラミックスと区別される。本発明の一態様における圧電セラミックスは、第一遷移元素であるSc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znを少なくとも1種類含む。これにより焼結温度を制御したり、粒子の成長を制御したり、高電界化における絶縁破壊を制御することが可能となる。本発明の一態様における圧電セラミックスは、第二遷移元素であるY、Zr、Mo、Ru、Rh、Pdを少なくとも1種類含む。これにより、焼結温度を制御したり、粒子の成長を制御したり、高電界化における絶縁破壊を制御することが可能となる。本発明の一態様における圧電セラミックスは、第三遷移元素であるLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Auを少なくとも1種類含む。これにより、焼結温度を制御したり、粒子の成長を制御したり、高電界化における絶縁破壊を制御することが可能となる。本発明の一態様における圧電セラミックスは、第一遷移元素及び第二遷移元素からそれぞれ選択された元素、第一遷移元素及び第三遷移元素からそれぞれ選択された元素、第二遷移元素及び第三遷移元素からそれぞれ選択された元素、又は第一遷移元素、第二遷移元素、及び第三遷移元素からそれぞれ選択された元素を含む。次に、図2~図5を参照し、本発明の一実施形態に係る圧電セラミックスを用いた圧電セラミックス部品、及び圧電セラミックス部品用いた圧電デバイスについて説明する。図2の圧電セラミックス部品は、板状の圧電セラミックス層101と、第一の電極102と、第二の電極103とを備える。この第一の電極102と第二の電極103とは、圧電セラミックス層101を介して対向配置されている。圧電セラミックス層101は、本発明の一実施形態に係る圧電セラミックから成り、具体的には、組成式Li3NbO4で示される結晶相が析出したLNKNから成る。一態様において、圧電セラミックス層101は、圧電セラミックスの原料混合粉をバインダと混合し、この混合物を板状に成形した成形体を作り、この成形体を焼成することで作製される。次に、この圧電セラミックス層101の両面に、Cu、Ag、Au、Pt等の導電体を用いた導電ペーストを塗布し、この導電ペーストを焼き付けて第一の電極102及び第二の電極103を形成することで製造される。圧電セラミックス層101は、1000°C前後で緻密に焼成されるため、Li3NbO4結晶相を含有しない従来のLNKNを用いた場合に比較して量産性に優れる。図3は、本発明の一実施形態に係る積層型圧電セラミックス部品を示す模式断面図である。図示のとおり、本発明の一実施形態に係る積層型圧電セラミックス部品は、圧電セラミックス層101と、複数の第一の電極102と複数の第二の電極103と、第一の電極102の各々と電気的に接続される第一の端子電極104と、第二の電極103の各々と電気的に接続される第二の端子電極105とを含む。第一の電極102の各々は、隣接する第二の電極103と圧電セラミックス層101を介して対向配置されている。この積層型圧電セラミックス部品は、例えば積層圧電アクチュエータとして用いられる。この圧電セラミックス層101は1000°C前後で緻密に焼成することが可能であるため、本発明の一実施形態に係る積層型圧電セラミックス部品はLi3NbO4結晶相を含有しない従来のLNKNを用いた同種の部品と比較して量産性に優れる。図4は、本発明の一実施形態に係る圧電表面弾性波フィルタSAWフィルタを示す模式である。図示のとおり、本発明の一実施形態に係る圧電表面弾性波フィルタは、基板106と、基板106上に形成された圧電セラミックス層101と、基板106上の圧電セラミックス層101と略同一面上に対向配置された第一の電極102及び第二の電極103とを備える。圧電セラミックス層101は1000°C前後で緻密に焼成することが可能であるため、本発明の一実施形態に係る圧電表面弾性波フィルタは、Li3NbO4結晶相を含有しない従来のLNKNを用いた同種のフィルタと比較して量産性に優れる。図5は、本発明の一実施形態に係る屈曲型の圧電アクチュエータを用いたスイッチ素子の模式断面図を示す。図示のとおり、本発明の一実施形態に係るスイッチ素子は、基板106と、基板106上に形成された第一の電極102と、第一の電極102上に形成された圧電セラミックス層101と、圧電セラミックス層101上に形成された第二の電極103と、弾性体107と、接点108とを備える。圧電セラミックス層101は1000°C前後で緻密に焼成することが可能であるため、本発明の一実施形態に係る屈曲型の圧電アクチュエータを用いたスイッチ素子は、Li3NbO4結晶相を含有しない既存のLNKNを用いた同種のスイッチ素子と比較して量産性に優れる。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。まず、主成分であるLNKNの出発原料として純度が99以上のLi2CO3、Na2CO3もしくはNaHCO3、K2CO3もしくはKHCO3、及びNb2O5を用意し、これらを組成式{Lix[Na1-yKy]1-x}aNbO3但し、式中、0.0≦x≦0.20、0≦y≦1、1.0≦a≦1.01である。において、x=0.066、y=0.557、a=1.0の化学量論比となるように秤量した。出発原料のLi2CO3として、市販のLi2CO3をボールミルにて24時間予備粉砕して平均粒子径が1μm以下となるように調整したものを用いた。また、Li3NbO4結晶相を析出させるための出発原料として、主成分のLNKN100molに対して0.2molのLi2CO3を秤量した。次に、秤量した主成分の原料とLi3NbO4結晶相を析出させるための原料とをボールミルで約24時間湿式混合して混合物を得た。次に、この混合物を約100°Cの雰囲気で乾燥させた後、700°C~1000°Cで仮焼し仮焼成粉を得た。次に、この仮焼成粉をボールミルにて約24時間湿式粉砕し、約100°Cの雰囲気で乾燥して、粉砕粉を得た。そして、Agを含有させた効果を確認するために、得られた粉砕粉に、主成分のLNKN100molに対して0.1mol、0.25mol、0.50mol、1.00molのAg2Oを加えたものをボールミルにてそれぞれ約24時間湿式混合した。次に、この混合物の各々を約100°Cの雰囲気で乾燥させてAg2Oの含有量が異なる4種類のAg2O混合粉砕粉を得た。次に、このAg2O混合粉砕粉の各々に有機バインダを加えて混合し、この混合物を60メッシュの篩に通して粒度の調整を行った。次に、この粒度が調整された混合物の各々に対して1000kg/cm2の圧力で一軸成型を行い、直径10mm、厚さ0.5mmの円板状の成型体を得た。次に、この成形体の各々を大気中で960°C~1100°Cで焼成することによって、Agの含有量が異なる4種類の圧電セラミックスの焼結体表1の試料No.3~No.6に相当を得た。また、これらの試料No.3~No.6に相当する圧電セラミックスを作製する工程においてAg2Oの混合工程のみを省略して、Ag2Oを含まない圧電セラミックス表1の試料No.2に相当を作製した。また、この試料No.2に相当する圧電セラミックスを作製する工程においてLi3NbO4結晶相を析出させるためのLi2CO3を混合する工程を省略して、Li3NbO4結晶相を析出させるための過剰なLi2CO3を含まないただし、主成分LNKNの原料となるLi2CO3は含む圧電セラミックス表1の試料No.1に相当を作製した。続いて、上述のようにして得られた6種類の圧電セラミックスの各々の両表面に銀ペーストを塗布し、この銀ペーストを850°Cで焼付けて銀電極を形成した。次に、この銀電極が形成された圧電セラミックスの各々に対して絶縁性のオイル中で抗電界以上の約3~4kV/mmの電界を直流電圧で15分間印加することにより分極処理を施した。その後、各資料を一晩静置することによって、圧電セラミックスの試料No.1~No.6を得た。このようにして作製した圧電セラミックスの試料No.1~No.6の組成は表1に記載のとおりである。表1に記載した試料のうち、※が示してあるものは、本発明の範囲外にある試料である。次に、比較例の試料No.1及び本発明の実施例である試料No.2と同じ組成を有する圧電セラミックスを複数の焼成温度で作製し、各焼成温度で作製された焼結体の焼結密度を測定した。図6は、このようにして測定された焼結密度の焼成温度依存性を示すグラフである。図6から明らかなように、試料No.1と同じ組成を有する圧電セラミックスについては、1080°Cまで焼結温度を高めなければ緻密に焼結させることが出来ないが、Li2CO3を過剰に添加した試料No.2と同じ組成を有する圧電セラミックスにおいては、1000°C前後から焼結が進んでおり焼結密度が高くなっていることが分かる。また、両者とも、1080°C以上の温度での焼成では、試料の部分的な融解が発生した。したがって、1080°C以上では均一な焼結体が得られないと判断した。次に、表1に記載の試料No.1~No.6にLi3NbO4結晶相が含まれるかどうかを以下のようにして確認した。まず、各試料から電極をはぎ取ったものをメノウ乳鉢内を用いてエタノール中で30分間粉砕した。この粉砕された試料の各々について、X線回折法によってXRDを測定した。この測定には、X線回折計としてリガク社製RINT-2500PCを用い、集中法による測定を行った。線源はCu-Kα線、印加電圧は50kV、印加電流は100mAとした。測定方法には2θ/θ法を用い、10°≦2θ≦60°の範囲においてFixedTime法で0.02°間隔で1秒ずつ計測を行った。図7の上段はこのようにして測定された試料No.1のX線回折プロファイルを示し、図7の下段は試料No.2のX線回折プロファイルを示す。図7には、10°≦2θ≦35°となる回折プロファイルにおけるバックグラウンド近傍のピークを拡大して示す。図7から明らかなように、試料No.2のプロファイルには、☆星印で示されているLi3NbO4結晶相のピークが現れることが確認できた。図8は、試料No.2~No.6のX線回折プロファイルを示す。図8の参照符号aのグラフは試料No.2のプロファイル、参照符号bのグラフは試料3のプロファイル、参照符号cのグラフは試料4のプロファイル、参照符号dのグラフは試料5のプロファイルであり、参照符号eのグラフは試料6のプロファイルである。図示のとおり、Ag2Oを含有させた圧電セラミックスにおいては、Ag2Oの含有量が増加するほどLi3NbO4結晶相の析出量が増加していることが分かる。したがって、Ag2Oを含有させることによって、Li3NbO4結晶相を主相のLNKNに析出させることができる。次に、試料1~6のそれぞれについて、電子情報技術産業協会規格であるJEITAEM-4501に則って共振-反共振法によって表2に示す各電気的特性の測定を行った。この測定は、インピーダンスアナライザ横河ヒューレットパッカード製:YHP4194Aを用いて行った。また、圧電d33定数については、d33メータ中国科学院声学研究所製:ZJ-6Bを用いて圧電特性の評価を行った。試料No.1と試料No.2については、1000°Cおよび1080°Cで焼成した試料の各々について各係数を測定し、試料No.3~6については、1000°Cで焼成した試料の各係数を測定した。ε33T/ε0は分極処理中に電界を印加した方向における分極処理後の比誘電率を示し、kpは分極処理後の円板状圧電セラミックスの径方向の電気機械結合定数を示し、Y11Eは分極処理中に電界を印加した方向と垂直な方向におけるヤング率を示し、d31は分極処理中に電界を印加した方向に垂直な方向の圧電定数を示し、d33は分極処理中に電界を印加した方向に対して平行な方向の圧電定数を示す。試料No.1の1000°Cで焼成した試料は抵抗率が低く分極処理中に絶縁破壊してしまっため圧電特性の評価を行うことが出来なかった。試料No.2については、1000°Cで焼成した試料と1080°Cで焼成した試料のいずれも分極処理を行うことができた。そして、1000°Cでの焼結であっても、試料No.1の1080°Cで焼成した試料と遜色のない高い圧電特性を有することが確認できた。したがって、本発明の実施例である試料2について、LNKNの化学量論比よりもLi2CO3を過剰に配合してLi3NbO4結晶相を析出させることにより、1000°C前後で緻密な焼結体を得ることができ、LNKNの化学量論比に従って配合した場合試料1と比較して圧電特性が損なわれていないことが確認できた。試料No.3~6についても、同様に1000°Cで焼結した場合に十分に緻密な焼結体が得られることが確認された。このうち、試料No.3、4においては、その電気機械結合定数を損ねることなくヤング率が低下し、圧電セラミックスがより変形しやすくなっていることが確認された。その結果、d33の向上が確認された。そして、試料No.5においても、電気機械結合係数が損なわれていないことが確認された。試料No.6については、比誘電率及び電気機械結合係数も大きく低下し、ヤング率も上昇したため、圧電定数がd31、d33ともに大きく低下した。以上の結果より、Ag2Oを含有させた圧電セラミックスのAg2Oを含有させる量としては、主成分となるLNKNが100molに対して、Ag2O換算で0.1mol以上、0.5mol以下が好ましいことが明らかになった。そしてまた、前記実施例で示した以外の組成式{Lix[Na1-yKy]1-x}aNbO3但し、式中、0.0<x≦0.20、0≦y≦1、1.0≦a≦1.01である。で表現される範囲にある圧電セラミックスについて、同様の手順でもって、本発明の効果を試験したところ、同様の効果を得られることが分かった。"