ベース板と、前記ベース板の上に設けられた実装基板と、前記実装基板の上に設けられた半導体素子と、前記実装基板の上方に設けられたホルダと、前記ホルダに保持され、前記半導体素子と電気的に接続されたホルダ端子と、前記実装基板を前記実装基板の側面に沿って取り囲み、前記ホルダを前記ホルダの側面に沿って取り囲むケースと、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆う第1封止層と、前記ケースで取り囲まれた前記空間内において前記第1封止層の上に設けられた第2封止層と、前記ケースと、前記ホルダの側面の少なくとも一部と、前記ホルダの下面と、に接し、前記第2封止層よりも硬度が高くエポキシ系樹脂を含むホルダ用樹脂層と、前記実装基板と前記ホルダとの間に設けられ、前記半導体素子を制御する制御素子を含み、前記第2封止層に囲まれた制御回路基板と、を備え、前記第2封止層の針入度は、前記第1封止層の針入度よりも低く、前記第2封止層と前記ホルダ用樹脂層との間に空隙が存在することを特徴とする半導体装置。ベース板と、前記ベース板の上に設けられた実装基板と、前記実装基板の上に設けられた半導体素子と、前記実装基板の上方に設けられたホルダと、前記ホルダに保持され、前記半導体素子と電気的に接続されたホルダ端子と、前記実装基板を前記実装基板の側面に沿って取り囲み、前記ホルダを前記ホルダの側面に沿って取り囲むケースと、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆う第1封止層と、前記ケースで取り囲まれた前記空間内において前記第1封止層の上に設けられ、前記第1封止層よりも硬度が高い第2封止層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記第1封止層及び前記第2封止層は、シリコーンゲルを含むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。ベース板と、前記ベース板の上に設けられた実装基板と、前記実装基板の上に設けられた半導体素子と、前記実装基板の上方に設けられたホルダと、前記ホルダに保持され、前記半導体素子と電気的に接続されたホルダ端子と、前記実装基板を前記実装基板の側面に沿って取り囲み、前記ホルダを前記ホルダの側面に沿って取り囲むケースと、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆う第1封止層と、前記ケースで取り囲まれた前記空間内において前記第1封止層の上に設けられ、前記第1封止層よりも変形し難い第2封止層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。前記第1封止層は、シリコーンオイルを含むことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。前記ケースと、前記ホルダの側面の少なくとも一部と、前記ホルダの下面と、に接し、前記第2封止層よりも硬度が高いホルダ用樹脂層をさらに備え、前記第2封止層と前記ホルダ用樹脂層との間に空隙が存在することを特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載の半導体装置。前記ホルダ用樹脂層は、エポキシ系樹脂を含むことを特徴とする請求項6記載の半導体装置。前記実装基板と前記ホルダとの間に設けられ、前記半導体素子を制御する制御素子を含み、前記第2封止層に囲まれた制御回路基板をさらに備えたことを特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の半導体装置。前記第2封止層の針入度は、前記第1封止層の針入度よりも低いことを特徴とする請求項2~8のいずれか1つに記載の半導体装置。ベース板と、前記ベース板の上に設けられた実装基板と、前記実装基板の上に設けられた半導体素子と、前記実装基板の上方に設けられたホルダと、前記ホルダに保持され、前記半導体素子と電気的に接続されたホルダ端子と、前記実装基板を前記実装基板の側面に沿って取り囲み、前記ホルダを前記ホルダの側面に沿って取り囲むケースと、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆う封止部と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆い、前記封止部の一部となる第1封止層を形成する工程と、前記ケースで取り囲まれた前記空間内において前記第1封止層の上に配置され、前記第1封止層よりも硬度が高く、前記封止部の一部となる第2封止層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明の実施形態は、封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。本発明の実施形態によれば、ベース板と、実装基板と、半導体素子と、ホルダと、ホルダ端子と、ケースと、第1封止層と、第2封止層と、を備えた半導体装置が提供される。前記実装基板は、前記ベース板の上に設けられる。前記半導体素子は、前記実装基板の上に設けられる。前記ホルダは、前記実装基板の上方に設けられる。前記ホルダ端子は、前記ホルダに保持され、前記半導体素子と電気的に接続される。前記ケースは、前記実装基板を前記実装基板の側面に沿って取り囲み、前記ホルダを前記ホルダの側面に沿って取り囲む。前記第1封止層は、前記ケースで取り囲まれた空間内において前記実装基板及び前記半導体素子を覆う。前記第2封止層は、前記ケースで取り囲まれた前記空間内において前記第1封止層の上に設けられ、前記第1封止層よりも硬度が高い。以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図1に表したように、本実施形態に係る半導体装置110は、ベース板10と、実装基板30と、半導体素子50と、ホルダ20と、ホルダ端子21と、ケース90と、第1封止層71と、第2封止層72と、を備える。半導体素子50は、例えば、サイリスタ、ダイオード、トランジスタなどの各種の電力用半導体素子である。すなわち、半導体装置110は、例えば、樹脂封止型のパワーモジュールである。実装基板30は、ベース板10の上に設けられる。半導体素子50は、実装基板30の上に設けられる。ホルダ20は、実装基板30の上方に設けられる。ホルダ端子21は、ホルダ20に保持される。ホルダ端子21は、半導体素子50と電気的に接続される。ケース90は、実装基板30を実装基板30の側面30sに沿って取り囲み、ホルダ20をホルダ20の側面20sに沿って取り囲む。第1封止層71は、ケース90の内側ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆う。第2封止層72は、ケース90の内側ケース90で取り囲まれた空間内において第1封止層71の上に設けられる。第2封止層72は、第1封止層71よりも硬度が高い。例えば、第2封止層72は、第1封止層71よりも変形し難い。例えば、後述するように、第2封止層72の針入度は、第1封止層71の針入度よりも低い。ベース板10には、例えば、金属板、及び、AlSiCなどの複合材料板などが用いられる。ベース板10は、例えば、半導体素子50で発生する熱を放熱する機能を有する。実装基板30は、例えば、セラミック板33と、下側回路層31と、上側回路層32と、を有することができる。下側回路層31は、セラミック板33のベース板10に対向する側の面に設けられる。上側回路層32は、セラミック板33のホルダ20に対向する側の面に設けられる。上側回路層32は、例えば、第1上側回路層32aと第2上側回路層32bとを有する。この例では、ベース板10と実装基板30との間具体的には、ベース板10と下側回路層31との間に接合層15が設けられる。接合層15には、例えば、はんだが用いられる。これにより、ベース板10と実装基板30とは熱的に接続される。半導体素子50は、例えば、第1上側回路層32aの上に設けられる。この例では、半導体素子50と第1上側回路層32aとの間に半導体素子接合層35が設けられる。半導体素子接合層35には、例えば、はんだが用いられる。半導体素子50の下面実装基板30に対向する面には、図示しない電極が設けられる。半導体素子接合層35は、この電極に接続される。これにより、半導体素子50の1つの電極と第1上側回路層32aとが電気的に接続される。さらに、半導体素子50と第1上側回路層32aとが、熱的に接続されることができる。半導体素子50の上面ホルダ20に対向する側の面には、図示しない電極が設けられている。この電極には、ワイヤ40の一端が接続される。ワイヤ40の他端は、例えば、第2上側回路層32bに接続される。これにより、半導体素子50の別の電極と第2上側回路層32bとが電気的に接続される。この例では、ホルダ端子21は、第1ホルダ端子21aと第2ホルダ端子21bとを含む。第1ホルダ端子21a及び第2ホルダ端子21bは、実装基板30から上方ベース板10とは反対の側に向けて延在している。第1ホルダ端子21aは、第1上側回路層32aに電気的に接続されている。第2ホルダ端子21bは、第2上側回路層32bに電気的に接続されている。ケース90は、ベース板10の周縁部の上に設けられている。ケース90は、実装基板30の側面30s及び半導体素子50の側面に対向する。さらに、ケース90は、ホルダ20の側面20sの少なくとも一部に対応する。例えば、ケース90は、ホルダ20の厚さ方向の一部を、ホルダ20の側面20sに沿って取り囲む。または、ケース90は、ホルダ20の厚さ方向の全部を、ホルダ20の側面20sに沿って取り囲む。第1封止層71及び第2封止層72は、封止部70に含まれる。第1封止層71及び第2封止層72には、絶縁性が高く化学的に安定な材料が用いられる。第1封止層71及び第2封止層72は、例えばシリコーンゲルを含む。なお、このシリコーンゲルは、フィラなどの固形粒子を含んでも良い。実施形態において、第1封止層71及び第2封止層72に用いられる材料は任意である。後述するように、例えば、第1封止層71には、シリコーンオイルなどを用いても良い。さらに、この例では、半導体装置110は、ホルダ用樹脂層80をさらに備えている。ホルダ用樹脂層80は、ケース90と、ホルダ20の側面20sの少なくとも一部と、ホルダ20の下面20bと、に接する。すなわち、ホルダ用樹脂層80は、ケース90で取り囲まれた空間内において、ホルダ20の側面20sの少なくとも一部、及び、ホルダ20の下面20bに接する。ホルダ用樹脂層80は、第2封止層72よりも硬度が高い。例えば、ホルダ用樹脂層80は、第2封止層72よりも変形し難い。第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gが存在する。ホルダ用樹脂層80には、機械的強度が高く、防湿性が高い材料が用いられる。ホルダ用樹脂層80は、例えば、エポキシ系樹脂を含む。ただし、実施形態において、ホルダ用樹脂層80に用いられる材料は任意である。このような構成を有する半導体装置110は、例えば、ベース板10の上に、実装基板30、半導体素子50、ケース90、ホルダ20及びホルダ端子21を配置した後に、封止部70第1封止層71及び第2封止層72となる材料を充填することによって作製される。本具体例の半導体装置110は、制御回路基板60をさらに備える。制御回路基板60は、実装基板30とホルダ20との間に設けられる。制御回路基板60は、制御素子61を含む。制御素子61は、例えば、制御回路基板60のホルダ20の側の面上、及び、実装基板30の側の面上、の少なくともいずれかに設けられる。制御回路基板60は、第2封止層72に囲まれる。制御素子61は、例えば、抵抗、サーミスタ及び半導体集積回路ICなどの少なくともいずれかを含む。制御素子61がICを含む場合は、制御素子61に電気的に接続される電極が、ホルダ20の上面に設けられる電極と電気的に接続される。これらの電極は一体的に設けられても良い。既に説明したように、第1封止層71は、ケース90の内側において実装基板30及び半導体素子50を覆う。第1封止層71は、ワイヤ40をさらに覆う。第1封止層71と、その上に設けられる第2封止層72と、の間には、隙間が発生する場合がある。ワイヤ40を第1封止層71で覆うことで、半導体素子50と第2上側回路層32bとの電気的既に説明したように、第2封止層72は、第1封止層71よりも硬度が高い。例えば、第2封止層72の針入度は、第1封止層71の針入度よりも低い。針入度は、ゲル状物などの軟らかさを表し、規定円錐が規定時間に進入する深さを測定し、得られた値である。例えば、第1封止層71の針入度は、例えば100以上500以下である。例えば第1封止層71には、針入度が400のシリコーンゲルを用いることができる。第2封止層72の針入度は、例えば10以上100未満である。例えば第2封止層72には、針入度が40のシリコーンゲルを用いることができる。このように、実施形態においては、第2封止層72の硬度は高い。一方、第1封止層71の硬度は低い。または、後述するように、第1封止層71には、液体オイルが用いられる。これにより、封止材のクラック及び剥離の発生が抑制され、高信頼性の半導体装置が得られる。発明者は、封止部70として1種類の材料を用いた場合に、クラックや剥離が発生することがあることを見出した。すなわち、封止部70として、封止樹脂例えばシリコーン樹脂を用いると、封止樹脂の熱硬化収縮時に残留応力が発生する。この残留応力により、封止樹脂にクラック亀裂が発生することがある。例えば、モジュールの構造に起因して、封止樹脂において、上下方向に熱膨張及び収縮が発生する。そして、収縮後の樹脂中の残留応力により、クラックが発生する。このクラックは、封止樹脂の表面上面から、実装基板30に向かう縦方向に延びる。クラックが、実装基板30まで、または、実装基板30の近傍まで到達すると、必要な絶縁性が得られない。実装基板30の周辺部が、封止樹脂で覆われることで、必要な絶縁性が確保できる。このクラックは、制御回路基板60を実装基板30の上方に設けた場合に特に発生し易いことも判明した。発明者の実験によると、封止樹脂として、低針入度高硬度、高強度の材料を用いると、封止樹脂のクラックは改善されるが、封止樹脂と実装基板30との間の界面で剥離が発生し易くなることが分かった。一方、封止樹脂として、高針入度の材料を用いると、封止樹脂と実装基板30との間の界面での剥離は改善されるが、封止樹脂の熱硬化収縮時の残留応力により、封止樹脂中にクラックが生じ易くなることが分かった。発明者は、このような問題を新たに見出した。実施形態は、この新たに見出された課題を解決するための構成を有する。実施形態においては、第2封止層72の硬度を第1封止層71よりも高くする。すなわち、第2封止層72を第1封止層71よりも変形し難くする。換言すれば、第1封止層71を第2封止層72よりも変形し易くする。実装基板30を覆う第1封止層71として、変形し易い材料を用いることで、封止部70と実装基板30との間の界面での剥離が抑制される。そして、第1封止層71の上に設けられる第2封止層72として、高硬度の材料を用いることで封止部70のクラックの発生が抑制される。もし、第2封止層72においてクラックが発生した場合においても、そのクラックは、第2封止層72と第1封止層71との間の界面で止まり、実装基板30の周辺部にクラックが到達することが抑制される。このように、実施形態によれば、封止材のクラックが抑制されると共に、封止材の剥離が抑制される。これにより、高信頼性の半導体装置が提供できる。実施形態においては、例えば、高針入度の第1封止層71となる材料と、低針入度の第2封止層72となる材料と、の2種類のシリコーン樹脂を、ケース90の内側の空間に充填する。例えば、実装基板30、半導体素子50及びワイヤ40を覆うように、第1封止層71となる材料を充填し、熱硬化させて第1封止層71を形成する。その後、第1封止層71の上に、制御回路基板60を覆うように、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させて第2封止層72を形成する。このように、実装基板30の周辺部に界面剥離の起き難い高針入度の樹脂を充填する。そして、その上に、熱収縮時の残留応力に起因したクラックが発生し難い低針入度高硬度、高強度の樹脂を充填する。この構成により、封止材のクラック及び剥離の発生が抑制される。制御回路基板60が設けられる場合において、制御回路基板60は、第1封止層71に覆われるのではなく、第2封止層72に覆われることが望ましい。クラックは、制御回路基板60を設けた場合に特に発生し易い。これは、制御回路基板60を設けた場合には、封止部70の熱硬化収縮時に、制御回路基板60が障害物となり、封止部70が制御回路基板60に引っ張られることが原因であると考えられる。このとき、制御回路基板60を第2封止層72で覆い、実装基板30と制御回路基板60との間に第1封止層71と第2封止層72との間の界面を配置する。これにより、第2封止層72の表面上面で発生したクラックは、第1封止層71と第2封止層72との間の界面に到達するが、第1封止層71の内部には進行しない。このように、制御回路基板60を設ける場合には、第1封止層71と第2封止層72との間の界面を、実装基板30と制御回路基板60との間に配置することで、封止材のクラック及び剥離の発生がより効率良く抑制される。さらに、実施形態においては、ホルダ用樹脂層80が設けられ、ホルダ用樹脂層80により、ケース90とホルダ20とが固定され、強度がより向上される。このとき、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gを設けることで、半導体装置110の耐熱性がより向上する。すなわち、ホルダ用樹脂層80は、封止部70第1封止層71及び第2封止層72よりも硬度が高い。すなわち、ホルダ用樹脂層80は、封止部70よりも変形し難い。ホルダ用樹脂層80の熱膨張係数に比べて、封止部70第1封止層71及び第2封止層72の熱膨張係数は大きい。第2封止層72とホルダ用樹脂層80とが接し空隙80gを設けない参考例においては、半導体装置を高温に保持したときに、封止部70が大きく膨張し、例えば、ホルダ用樹脂層80とケース90との間で剥離が発生し、半導体装置が破壊されることがある。これに対し、実施形態に係る半導体装置110においては、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gを設けることで、半導体装置110を高温に保持したときにおいても、封止部70の膨張に起因した破壊は抑制される。第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間の空隙80gは、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間の全面に渡って設ける必要なない。例えば、第2封止層72の一部がホルダ用樹脂層80と接していても良い。また、ホルダ用樹脂層80の一部が、第2封止層72に接していても良い。すなわち、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に、封止部70第1封止層71及び第2封止層72が変形例えば熱膨張に起因した変形できる空間が設けられれば良い。空隙80は、1つでも良く、複数でも良い。なお、半導体チップを複数の樹脂層で覆う構成において、内側の樹脂層の膨張率、弾性率または粘度が、外側のそれらよりも低い参考例の構成がある。例えば、膨張率が小さい材料で半導体チップを覆い、その周りを膨張率が高い材料で覆う。この構成においては、半導体チップの動作中の発熱に起因して生じる樹脂の剥離及びクラックを抑制することを意図している。このため、この構成においては、本願において解決しようとしている課題を解決することは困難である。すなわち、本願が対象としている半導体装置においては、半導体素子50及び実装基板30の上面及び側面が封止部70で覆われるが、封止部70は、実装基板30の下側には配置されない。実装基板30の下面は、接合層15はんだ層を介して、ベース板10に接合されている。このため、上記の参考例の構成は、本願が対象としている半導体装置の構成とは異なる。このような構成において発生し得る、熱硬化収縮時の残留応力に起因する封止部70のクラック、及び、封止部70と実装基板30との間の界面での剥離を、実施形態は抑制することができる。また、半導体素子と、半導体素子を被覆する第1樹脂と、第1樹脂を被覆し、第1樹脂よりも硬度が高い第2樹脂と、第2樹脂の周囲を被覆成形するモールド樹脂と、を有する構成がある。この構成においては、第2樹脂とモールド樹脂とは互いに密着しており、空隙が設けられない。この構成においては、例えば、熱膨張係数の差異による応力によって、第1樹脂中に気泡が発生する。これにより、応力が緩和される。これに対し、実施形態においては、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gを設けることで、封止部70中例えば第1樹脂層71中に気泡が発生することが抑制できる。これにより、封止部70中に気泡を発生させる場合に比べて、応力をより効果的に緩和することができる。そして、封止部70に気泡が発生する場合に比べて、半導体素子50の動作がより安定化する。第2の実施形態図2は、第2の実施形態に係る半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図2に表したように、本実施形態に係る半導体装置120も、ベース板10と、実装基板30と、半導体素子50と、ホルダ20と、ホルダ端子21と、ケース90と、第1封止層71と、第2封止層72と、を備える。さらに、半導体装置120は、ホルダ用樹脂層80を備え、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gが存在する。さらに、半導体装置120は、制御回路基板60をさらに備える。制御回路基板60は、第2封止層72に囲まれる。半導体装置120においては、第1封止層71が液体である。例えば、第1封止層71は、シリコーンオイルを含む。一方、第2封止層72には、シリコーンゲルが用いられる。この場合も、第2封止層72は、第1封止層71よりも変形し難い。換言すれば、第1封止層71は、第2封止層72よりも変形し易い。例えば、実装基板30、半導体素子50及びワイヤ40の上方において、制御回路基板60を覆うように、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させて第2封止層72を形成する。その後、例えば、ディスペンサで第2封止層72に形成した孔を介して、ディスペンサにより第1封止層71となるシリコーンオイルを注入する。このシリコーンオイルは、実装基板30、半導体素子50及びワイヤ40を覆う。上記の孔を必要に応じて密閉する。第2封止層72は、例えば、第1封止層71のシリコーンオイルを密閉する。この構成により、実装基板30の周辺部には、界面の剥離が発生せず、クラックも発生しない。高い絶縁性が望まれる実装基板30の周辺をシリコーンオイルで充填することで、封止材のクラック及び剥離の発生が抑制され、高信頼性の半導体装置が提供できる。なお、実装基板30、半導体素子50及びワイヤ40を覆うように、第1封止層71となるシリコーンオイルを注入して第1封止層71を形成し、その後、第1封止層71の上に、制御回路基板60を覆うように、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させても良い。なお、上記の第1及び第2の実施形態においては、封止部70として、第1封止層71と第2封止層72とが設けられる場合について説明したが、実施形態はこれに限らない。例えば、第1封止層71と第2封止層72との間に、第3封止層などが設けられても良い。すなわち、封止部70として、性質が異なる2つ以上の層を用いることができる。例えば、封止部70として、針入度が異なる2つ以上の層を用いることができる。封止部70として、硬度が異なる変形のし易さが異なる2種類以上の樹脂を用いることで、クラックは、複数の樹脂どうしの界面に到達すると、下側の樹脂には進入しない。クラックは、複数の樹脂どうしの界面に沿って水平方向に延びる。これにより、実装基板30の周辺部の絶縁性が確保される。異なる針入度を有する2種類以上の樹脂を用いる場合、具体的には、上側部分表面側部分には熱収縮による残留応力に起因したクラックが生じ難い低針入度の樹脂を用いる。これにより、上側部分から実装基板30に向かって延びるクラックの発生が抑制される。そして、下側部分には、高針入度の樹脂を用いる。これにより、剥離が抑制される。これにより、実装基板30の周辺部における剥離を抑制しつつ、樹脂中のクラックを抑制できる。第1封止層71として、液体例えばシリコーンオイルを用いることで、ゲル状の材料を用いた場合に比べて、気泡、クラック及び剥離などの発生をさらに抑制することができる。そして、実装基板30のさらに高い絶縁性が確保できる。第3の実施形態本実施形態は半導体装置の製造方法に係る。本製造方法は、例えば、上記のベース板10、実装基板30、半導体素子50、ホルダ20、ホルダ端子21、ケース90及び封止部70を含む半導体装置の製造方法である。図3a及び図3bは、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。図3a及び図3bに表したように、本製造方法は、第1封止層71を形成する工程ステップS110と、第2封止層72を形成する工程ステップS120と、を備える。第1封止層71は、例えば、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆う。第1封止層71は、封止部70の一部となる。第2封止層72は、例えば、ケース90で取り囲まれた空間内において第1封止層71の上に配置される。第2封止層72は、封止部70の別の一部となる。例えば、第2封止層72は、第1封止層71よりも硬度が高い。例えば、第2封止層72は、第1封止層71よりも変形し難い。例えば、第2封止層72の針入度は、第1封止層の針入度よりも低い。図3a及び図3bに例示したように、上記のステップS110と、ステップS120と、の順序は、入れ替えが可能である。既に説明したように、製造する半導体装置が制御回路基板60をさらに含む場合は、第2封止層72の形成は、第2封止層72が制御回路基板60を囲むように第2封止層72を形成することを含む。図4a~図4cは、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。図4aに表したように、実装基板30に半導体素子50が実装され、さらに、例えばワイヤ40のボンディングが行われる。そして、例えば、リフロー方式により、実装基板30の下側回路層31とベース板10とが接合層15により接合され、ホルダ端子21例えば第1ホルダ端子21a及び第2ホルダ端子21bと、実装基板30の上側回路層32例えば第1上側回路層32a及び第2上側回路層32bと、の接続が行われる。そして、ケース90が取り付けられる。なお、これらの工程は、実施形態に係る製造方法に含まれても良い。その後、図4bに表したように、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆うように、第1封止層71を形成する。具体的には、例えば、実装基板30、半導体素子50及びワイヤ40を覆うように、第1封止層71となる材料を充填し、熱硬化させる。これにより第1封止層71が形成される。この充填は、例えば、ホルダ用樹脂層80に設けられる孔、及び、ホルダ用樹脂層80とケース90との間の隙間の少なくともいずれかを介して行われる。その後、図4cに表したように、ケース90で取り囲まれた空間内において第1封止層の上に、第2封止層72を形成する。具体的には、第1封止層71の上に、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させる。これにより第2封止層72が形成される。なお、制御回路基板60が設けられる場合は、制御回路基板60を覆うように、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させる。第1封止層71及び第2封止層72は、例えば、シリコーンゲルである。これにより、例えば半導体発光素子110が形成される。なお、第2封止層80の形成は、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gが形成されるように第2封止層72を形成することを含むことが望ましい。これにより、製造された半導体装置の耐熱性がより向上する。図5a~図5cは、第3の実施形態に係る半導体装置の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。図5aに表したように、実装基板30への半導体素子50の実装、ワイヤ40のボンディング、実装基板30とベース板10との接合、ホルダ端子21と実装基板30との接続、及び、ケース90の取り付けが実施される。図5bに表したように、ケース90で取り囲まれた空間内に、実装基板30及び半導体素子50を覆わないように、第2封止層72を形成する。具体的には、例えば、制御回路基板60を覆うように、第2封止層72となる材料を充填し、熱硬化させる。これにより第2封止層72が形成される。第2封止層72は、例えばシリコーンゲルである。この充填は、例えば、ホルダ用樹脂層80に設けられる孔、及び、ホルダ用樹脂層80とケース90との間の隙間の少なくともいずれかを介して行われる。第2封止層80の形成は、第2封止層72とホルダ用樹脂層80との間に空隙80gが形成されるように第2封止層72を形成することを含むことができる。図5cに表したように、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆うように、第1封止層71を形成する。この第1封止層71としては、例えばシリコーンオイルが用いられる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置が効率良く製造できる。なお、上記で説明した第1~第3の実施形態に関して説明した図面においては、1つの半導体素子50が図示されているが、実施形態に係る半導体装置及びその製造方法においては、複数の半導体装置50が設けられても良い。実施形態によれば、封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置及びその製造方法が提供される。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれるベース板、ホルダ、ホルダ端子、実装基板、半導体素子、制御回路基板、制御素子及びケースなどの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。