"低熱膨張基板と、前記低熱膨張基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を具備し、前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠を設けることを特徴とする反射型マスクブランク。前記遮光枠となる領域の前記低熱膨張基板の表面が高さ2.5~4.5nm、周期30nm以下の凹凸形状を有することを特徴とする請求項1記載の反射型マスクブランク。後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層を形成する工程に先だって、凹凸形状を形成する工程と、を具備することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程は、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えることを特徴とする請求項3記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えることを特徴とする請求項3記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともプラズマ処理による工程を備えることを特徴とする請求項3記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともウェット処理による工程を備えることを特徴とする請求項3記載の反射型マスクブランクの製造方法。前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程は、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えることを特徴とする請求項3記載の反射型マスクブランクの製造方法。請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクの上面に吸収層領域、遮光枠領域、回路パターン領域を形成したことを特徴とする反射型マスク。請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、レジストを剥離洗浄し、吸収層に回路パターン領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、次いで塩素プラズマより緩衝層をエッチング処理し、レジストを剥離洗浄して、吸収層に回路パターン領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。しかしながら、前記特許文献1に記載される技術では、吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。特にマスク作製工程における多層反射層の掘り込みはSiとMoの合計80層を加工する必要があり、加工面からのパーティクル発生は避けられず、欠陥面でのマスク品質の低下を招くとうい不都合を有する。さらに、この方法では、上層の吸収層を除去した後に、多層反射層を除去することから、多層反射層がほんの数層残ってしまった場合は、逆に反射率を高くしてしまう懸念がある。また、反射型マスク上にレーザ照射もしくはイオン注入することで遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率の低下してしまうことが懸念される。そこで、本発明は、遮光枠の形成において、マスク作製時のリソグラフィ、エッチングなどによるパターニング工程を必要とせず、且つ欠陥面でのマスク品質低下を防ぎ、且つ吸収層へのダメージや光学的性質の変化のない、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。請求項1に係る発明による反射型マスクブランクは、低熱膨張基板と、前記低熱膨張基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層とを具備し、前記吸収層には転写回路パターンが形成され、ブランク作製時に前記転写回路パターン領域の外側にEUV光の反射率の低い遮光枠を設けて構成した。請求項2に係る発明による反射型マスクブランクは、前記遮光枠となる領域の前記低熱膨張基板の表面を高さ2.5~4.5nm、周期30nm以下の凹凸形状に形成して構成した。請求項3に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、後に遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に、多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層を形成する工程に先だって、凹凸形状を形成する工程とを備えて構成した。請求項4に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に前記多層反射層の形成に先立ち凹凸形状を形成する工程に、少なくともリソグラフィとエッチング工程を備えて構成した。請求項5に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくとも自己組織化単分子膜による工程を備えて構成した。請求項6に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともプラズマ処理による工程を備えて構成した。請求項7に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともウェット処理による工程を備えて構成した。請求項8に係る発明による反射型マスクブランクの製造方法は、前記遮光枠となる領域の低熱膨張基板の表面に凹凸形状を形成する工程に、少なくともサンドブラスト処理による工程を備えて構成した。請求項9に係る発明による反射型マスクは、請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクを用いて構成した。請求項10に係る発明による反射型マスクの製造方法は、請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、レジストを剥離洗浄し、吸収層に回路パターン領域を形成するように構成した。請求項11に係る発明による反射型マスクの製造方法は、請求項1及び2に記載の反射型マスクブランクにレジストパターンを形成した後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層をエッチング処理して、次いで塩素プラズマより緩衝層をエッチング処理し、レジストを剥離洗浄して、吸収層に回路パターン領域を形成するように構成した。本発明によれば、反射型マスクの製造工程を変更する必要が無いため、マスクの欠陥品質を低下することなく、マスク上のチップ外周部に従来の吸収層よりも遮光性の高い遮光枠を形成することができる。このため、本発明の反射型マスクを用いることで、高い精度で転写パターンを形成できるという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態に係る反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。図1a~dは、本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400の断面を示している。即ち、本発明のブランクの構成は、100、200、300、400のいずれを用いてもよい。図2は、図1a~dの本発明の反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見た図である。図1aに示す反射型マスクブランク100は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されている。図1bに示す反射型マスクブランク200は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されていると共に、基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。つまり、図1bの反射型マスクブランク200は、図1aの反射型マスクブランク100の基板11の裏面に導電膜71が形成されている。図1cの反射型マスクブランク300は、基板11の表面に多層反射層21、緩衝層41、吸収層51が順次形成されている。図1dの反射型マスクブランク400は、図1cの反射型マスクブランク300の基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。前記基板11の多層反射層側の表面で、後にチップ周辺部の遮光枠に相当する領域には、微細な凹凸パターンが形成された凹凸領域11aが存在しており、次いで形成された多層反射層21には多層反射層の凹凸領域21aが、次いで形成された吸収層51には、吸収層の凹凸領域51aが形成されている。図1c、dの場合は、緩衝層41の凹凸領域41aも形成されている。図1a~dの反射型マスクブランク100、200、300、400を上面から見ると図2のように、通常の吸収層領域80と遮光枠領域90が形成されている。ここで、前記基板11の凹凸領域11aの凹凸パターンについて説明する。即ち、基板11は、後にパターン周辺部の遮光枠領域となる部分が、高さ2.5~4.5nm、周期30nm以下の凹凸領域11aを有している。基板11の凹凸領域11aの凹凸は、ドット、ホール、ラインスペースのいずれでも良い。また、上述した高さと周期の条件を満たせば、ランダムな配置であっても良い。次に、前記基板11に凹凸領域11aを形成する方法について説明する。まず、図1に示す基板11を用意し、その表面に対し、リソグラフィ、エッチング、レジスト剥離洗浄工程を経て、基板11の凹凸領域11aを形成する。このときのパターンの周期が30nm以下であれば、パターンの種類はドット、ホール、ラインスペースのいずれでも良い。エッチングの掘り込み深さは、2.5~4.5nmになるように、エッチング条件と処理時間を設定する。エッチング方法は、ウェットエッチングであればエッチング液にフッ酸を用い、ドライエッチングであれば、基板のエッチングに適している塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を含むガスを用いたプラズマエッチング法が可能である。また、基板11に凹凸領域11aを形成する別の方法としては、凹凸領域となる部分の基板表面に自己組織化単分子膜SelfAssembledMonolayers:SAMによって、周期30nm以下のドットパターンを形成し、次いでSAMをエッチングマスクとしてドライエッチングにより、基板11に深さ2.5~4.5nmの凹凸パターンを形成しても良い。さらに、基板11に凹凸領域11aを形成する別の方法としては、上述したようなリソグラフィや自己組織化単分子膜による所望の周期や大きさを有する微細パターン後にエッチングマスクとなるものを形成せずに、基板に直接プラズマやウェット処理をすることで、表面にラフネスを形成しても良い。リソグラフィや自己組織化単分子膜に比べ、パターンの周期や大きさなどの制御性は、低いが、周期30nm以下、且つ深さ2.5~4.5nmの凹凸パターンは、エッチング条件と時間を適宜設定して形成することも可能である。ただし、この場合、凹凸領域以外の領域は、エッチングによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。また、さらに基板11に凹凸領域11aを形成する別の方法としては、基板11に対して直接サンドブラスト処理を施すことによって所望の周期や高さを有するラフネスを形成しても良い。ただし、この場合も、凹凸領域以外の領域は、サンドブラストによって処理されないように保護される必要があるので、あらかじめリソグラフィやフィルムにより保護膜を形成しておく。次に、基板以外のブランクの構成多層反射層21、緩衝層41、吸収層51、裏面導電膜71について説明する。これらの膜は、いずれもスパッタリング法により形成する。このうち、図1a、bの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデンMoとシリコンSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとRuの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層の最上層のRuは、吸収層の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。そして、図1c、dの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUV光に対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40~50ペア積層した積層膜で、最上層はSi層で構成されている。この場合の多層反射層の最上層のSiも、上述したRuと同様の役割を果たす。また、図1c、dの緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層21の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。そして、図1a~dの吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。そして、図1a~dの吸収層51は、上層に波長190~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。また、図1b及び図1dの導電膜71は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。前記反射型マスクブランク100,200,300,400は、基板11の凹凸領域11aが形成された表面に、スパッタリング法により多層反射層21、吸収層51、緩衝層41が形成されるため、基板11の凹凸領域11aの凹凸形状は、最上層の吸収層51まで引き継がれる。したがって、多層反射層21、吸収層51、緩衝層41それぞれの凹凸領域21a、51a、41aは、別段の処理をしなくとも、自動的に形成される。ここで、重要なことは、基板11の凹凸形状によって、多層反射層21にも同様の高さ2.5~4.5nm、周期30nm以下の凹凸形状が形成されることである。これによって、EUV光を露光し、反射されるEUV光の位相が凹凸の凹部と凸部でほぼ180度反転するために、打ち消しあい、反射率を大幅に低下させることが可能となる。本来、凹凸部の高低差は、EUV光の波長13.5nmの1/4波長の奇数倍3.375nm、10.125nm、16.875nmで、丁度180度反転する計算になるが、実験によれば、概ね2.5~4.5nmの範囲で充分な効果が見られた。周期に関しては、EUV波長13.5nmにおいて、反転した位相が効果を発揮する距離を、周期を振った実験によって調べたところ、概ね30nm以下で効果が見られた。次に、この発明の一実施の形態に係る反射型マスク及びその製造方法について詳細に説明する。ここで、図3aには、前記図1aの反射型マスクブランク100から作製した反射型マスク101を示し、図3bには、前記図1bの反射型マスクブランク200から作製した反射型マスク201を示す。そして、図3cには、前記図1cの反射型マスクブランク300から作製した反射型マスク301を示し、図3dには、前記図1dの反射型マスクブランク400から作製した反射型マスク401を示す。いずれも、多層反射層21の上部の吸収層51及び緩衝層41がある場合は緩衝層41を掘り込むことによって、回路パターン領域85を有する反射型マスクが形成される。これら図3a~dの反射型マスク101、201、301、401は,いずれも図4に示すように通常の吸収層領域80と遮光枠領域90と回路パターン領域85から構成されている。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域80よりも充分に小さい遮光枠領域90を有する反射型マスクブランクを得る。ここで、上記反射マスクを作製する場合には、まず、図1に示す反射型マスクブランク100もしくは200を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51に回路パターン領域85を形成して図3に示す反射型マスク101もしくは201を作製する。また、図1に示す反射型マスクブランク300もしくは400を用意し、電子線リソグラフィによりレジストパターンを形成後、フルオロカーボンプラズマもしくは塩素プラズマ、必要な場合はその両方のプラズマより吸収層51をエッチングし、次いで塩素プラズマにより緩衝層41をエッチングし、レジスト剥離洗浄することで、吸収層51および緩衝層41に回路パターン領域85を形成して図3aに示す反射型マスク301もしくは401を作製する。このようにして、EUV光に対する反射率が吸収層領域よりも充分に小さい遮光枠領域を有する反射型マスク101,201,301,401を作製する。次に、本願発明による実施例1として反射型マスクブランクを作成し、実施例2として実施例1で作製した反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを作製して、その特性を確認する。実施例1図5aに示すように基板として低熱膨張ガラス基板111を用意して、後に遮光枠となる領域チップ外周部を取り囲むように幅2mmの帯状の領域に、電子線レジスト131ZEP520、日本ゼオン製を膜厚20nmでコートする図5b参照。次に、EB描画機JBX9000、日本電子製により、ドーズ100μC/cm2で、パターン線幅15nm、周期30nmのパターンを描画し、有機現像によりレジストドットパターン131aを形成した図5c参照。続いて、CF4/Ar混合ガスプラズマによるドライエッチングと、残ったレジストの剥膜洗浄を経て、基板111の一部にドットからなる凹凸パターン111aを形成する図5d参照。次に、波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64程度となるように設計されたMoとSiの40ペアの積層及び最上層にRuをもつ多層反射層121とTaNからなる吸収層151をスパッタリング装置により順次形成する図5d、e参照。このときの吸収層151の膜厚は、50nmとした。このようにして、外周部に遮光領域90図2参照を有する反射型マスクブランク100が完成される図5f参照。そして、この実施例1にて作製した反射型マスクブランク100の吸収層側のEUV光波長13.5nmの反射率を測定した。この結果、遮光枠以外の領域通常の吸収層部での反射率が1.24であるのに対し、遮光枠領域遮光枠部の反射率が0.21となり、遮光枠以外に比べて、概ね1/6に低減していることが確認された図6参照。網掛け実施例2実施例1にて作製した反射型マスクブランク100から反射型マスク101を作製し、露光テストを図7に示す手順で実施した。即ち、反射型マスクブランク100に電子線リソグラフィとドライエッチング、レジスト剥離洗浄を行い、吸収層151に回路パターン185を形成し、本発明の遮光枠を有する反射型マスク101を作製した。電子線リソグラフィには、化学増幅型ポジレジストFEP171富士フィルムエレクトニクスマテリアルズ製を用いて、描画機JBX9000日本電子製によってドーズ15μC/cm描画した後に、TMAH2.38現像液によりレジストパターン184を形成した図7c参照。吸収層51のエッチングには、Cl2の誘導結合型プラズマを適用した。そして、この実施例2にて作製した反射型マスク101を用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を行い、半導体基板上に隣接した4つのチップを転写した。隣接したチップにおいて、作製した反射型マスク上の遮光枠に相当する領域の一部は重なっていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。本発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより、種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。"