"式I[式I中、Rは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。Y1及びY2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Xは、炭素数1~12のペルフルオロアルキル基を表す。]で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体。請求項1記載の重合体及び溶剤を含むレジスト組成物。請求項2記載のレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後の組成物から溶剤を除去した組成物層。1請求項2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来の重合体によれば、該重合体を含むレジスト組成物により形成されるレジストパターンのラインエッジラフネスLERが必ずしも満足できない場合や、欠陥が発生する場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式I[式I中、Rは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。Y1及びY2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Xは、炭素数1~12のペルフルオロアルキル基を表す。]で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体。21記載の重合体及び溶剤を含むレジスト組成物。32記載のレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後の組成物から溶剤を除去した組成物層。412記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の重合体によれば、該重合体を含むレジスト組成物により、ラインエッジラフネスLERに優れるパターンを形成することができる。<式Iで表される化合物に由来する構造単位を有する重合体以下重合体Dという場合がある。>本発明の重合体は、式Iで表される化合物以下化合物Iという場合がある。に由来する構造単位を有する。式Iで表される化合物[式I中、Rは水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。Y1及びY2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Xは、炭素数1~12のペルフルオロアルキル基を表す。]Y1及びY2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1~6アルキル基を表す。アルキル基としては、直鎖状でも分枝鎖状でもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基及びtert-ブチル基などが挙げられる。Y1及びY2は、ともにアルキル基であってもよいが、Y1及びY2のうち少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、Y1及びY2がともに水素原子であることがより好ましい。Xの炭素数1~12のペルフルオロアルキル基としては、直鎖状でも分枝鎖状でもよく、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘブチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、ペルフルオロウンデシル基、ペルフルオロドデシル基、ペルフルオロ1-メチルエチル基、ペルフルオロ1-メチルプロピル基及びペルフルオロ1,1-ジメチルエチル基等が挙げられる。。Xは、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロ1-メチルエチル基であることが好ましく、ペルフルオロブチル基であることがより好ましい。化合物Iの中でも、Y1及びY2がともに水素原子である式Iaで表される化合物が好ましい。式Ia中、R及びXは、上記と同じ意味を表す。化合物Iの好ましい例としては、例えば、以下の化合物I-1~化合物I-36が挙げられる。式IaにおけるR及びXの組み合わせを表1、表2及び表3に示す。化合物Iは、式III式III中、X、Y1及びY2は、上記と同じ意味を表す。Zはハロゲン原子を表す。で表される化合物以下化合物IIIという場合がある。と、式IV式IV中、Rは、上記と同じ意味を表す。で表される化合物以下化合物IVという場合がある。とを反応させる工程を有する方法により製造することできる。式III中のZにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。上記製造は、例えば、溶媒、化合物III及び化合物IVを混合し、該混合液中で、化合物III及び化合物IVを反応させることが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、二塩化メチレン、塩化メチレン、二塩化エチレン、モノクロロベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの有機溶媒、水又はこれらの混合溶媒が挙げられる。溶媒として、水と、水に不溶又は難溶の有機溶媒とを併用する場合には、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの相間移動触媒を用いてもよい。化合物IIIと化合物IVとを反応させる温度は、-30~200°Cが好ましく、-10~100°Cがより好ましい。反応時間は、0.5~48時間が好ましく、5~24時間がより好ましい。反応時間は、用いる化合物IIIや化合物IVの種類、及び反応温度などにより調整することができる。また、反応途中の反応溶液を所定時間おきにサンプリングし、高速液体クロマトグラフィー分析やガスクロマトグラフィー分析といった公知の分析手段により、化合物III又は化合物IVの消失の度合い、あるいは化合物Iの生成の度合いを追跡することで反応時間を定めることもできる。化合物IVとの使用量は、化合物IIIの使用量1モルに対して、1~5モルが好ましく、1~3モルがより好ましい。化合物IIIと化合物IVとを反応させると、酸が副生するため、該反応には脱酸剤を用いてもよい。該脱酸剤としては塩基が好ましい。該塩基としては例えば、ピリジン、トリエチルアミン、N-メチルピペリジン、N,N-ジエチルアニリン及びジアザビシクロウンデセンDBUなどの有機塩基;水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムなどの無機塩基が挙げられる。これらは単独で用いても2種以上を併用してもよく、有機塩基と無機塩基とを併用してもよい。脱酸剤の使用量は、化合物III1モルに対して、1~5モルが好ましく、1~3モルがより好ましい。化合物IIIと化合物IVとを反応させた後の反応液から、化合物Iを取り出す方法は、特に限定されず、公知の種々の方法が挙げられる。例えば、有機溶媒による化合物Iの抽出、あるいは化合物Iの貧溶媒を用いて反応溶液から晶析して取り出す方法などが挙げられる。上記のように取り出した化合物Iを、クロマトグラフィー、再結晶又は蒸留等、公知の精製方法、あるいはこれらを組み合わせた精製方法により、さらに精製してもよい。得られた化合物Iは、例えば、核磁気共鳴スペクトルNMRや質量スペクトルMSなどによって構造を確認することができる。化合物I以外のモノマー重合体Dは、化合物I以外のモノマーに由来する構造単位を有していてもよい。化合物I以外のモノマーとしては、酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとが挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。化合物I以外のモノマーとしては、メタアクリル酸エステル誘導体が好ましい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、脱離基を有し、酸と接触すると該脱離基が脱離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を生じる基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基が挙げられる。式1で表される基は、-O-が第三級炭素原子と結合しており、酸と接触すると、該第三級炭素原子と-O-との結合が開裂して、-CRa1Ra2Ra3が脱離することにより、カルボキシ基が生じる。なお以下では、式1で表される基を酸に不安定な基1という場合がある。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の飽和環状炭化水素基を表すか或いはRa1及びRa2は互いに結合して炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す以下同じ。脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。式1における飽和環状炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸に不安定な基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、炭素数5~20の飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基1と飽和環状炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー及び式a1-2で表されるモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。ここで、メタアクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを表す。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表す。k1は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の飽和環状炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数を表す、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の飽和環状炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の飽和環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式a1-4で表されるモノマーが挙げられる。[式a1-4中、R10は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるに含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-、-SO2-又は-NRc-で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基、ペルヨードメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ等が挙げられる。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。R10及びR11のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。R11のアルコキシ基としては、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。R12及びR13の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、イソボルニル基等が好ましい。Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。式a1-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式a1-5で表されるモノマーが挙げられる。式a1-5で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。R31としては、R10と同じものが挙げられ、水素原子又はメチル基であることが好ましい。L1及びL2は-O-であることが好ましい。L3は-S-であることが好ましい。s1は、1であることが好ましい。s1’は、0~2の整数であることが好ましい。Z1は、単結合であることが好ましい。式a1-5で表されるモノマーの具体例としては、以下の化合物が挙げられる。さらに、酸に不安定な基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーとしては、下記のモノマーが挙げられる。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、R8は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のR9は同一であっても異なってもよい。]R8におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基が挙げられ、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられ、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1又は2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、フェノール性ヒドロキシ基がアセチルオキシ基に置き換わったものに相当するアセチルオキシスチレン類、及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。以上のモノマーのうち、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましく前記d1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。γ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3としては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。式iで表される基を有するモノマー重合体Dは、式iで表される基を含むモノマー以下モノマーiという場合がある。に由来する構造単位を有していてもよい。[式i中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]炭素数1~6のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基、ペルフルオロヘキシル基が挙げられる。重合体Dは、式iで表される基及び炭素-炭素二重結合を含む化合物以下化合物i’という場合がある。に由来する構造単位を有することがより好ましい。化合物i’に含まれる炭素-炭素二重結合を含む基は、例えば、式IIIで表される基である。[式III中、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基又はフェニル基を表す。は、結合手を表す。]アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が挙げられる。R7及びR8は好ましくは水素原子であり、R9は好ましくは水素原子又はメチル基である。化合物i’としては、例えば、式i-1で表される化合物が挙げられる。[式i-1中、R1は、上記と同じ意味を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、2価の炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。]2価の炭素数1~10の飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状のアルカンジイル基;エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等が挙げられる。また、これらの基の2種以上を組み合わせたものでもよい。モノマーiとしては、以下の化合物が挙げられる。式iiで表されるモノマー重合体Dは、式iiで表されるモノマー以下モノマーiiという場合がある。に由来する構造単位を有していてもよい。[式ii中、R21は、水素原子又はメチル基を表す。R22は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R23は、置換基を有してもよい炭素数6~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A1は、単結合又は-CH2m-CO-O-を表す。mは、1~6の整数を表す。は、Nとの結合手を表す。]R22における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。ここでいう炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。R22としては、式R22-1~式R22-14で表される基が挙げられる。は炭素原子との結合手を表す。R23における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状アルキル基;イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びtert-オクチル基などの分岐鎖状アルキル基が挙げられ、好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。芳香族炭化水素基としては、R22におけるものと同じ基が挙げられる。R23における脂環式炭化水素基としては、式R23-19~式R23-28で表される基が挙げられる。R23における炭化水素基が含んでいてもよいヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子等が挙げられる。該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。R23としては、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の脂肪族炭化水素基がより好ましく、メチル基及びトリフルオロメチル基がさらに好ましい。ヘテロ原子を含むR23としては、式R23-1~式R23-18で表される基が挙げられる。A21としては、単結合及び式A21-1~式A21-15で表される基が挙げられる。モノマーiiとしては、例えば、下記の式で表される化合物が挙げられる。その他の酸安定モノマーa4その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸又は式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成し、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、3級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。Ra25及びRa26のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12である。Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。更に、その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する以下の酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を表す。スルトン環としては、下記の環が挙げられる。スルトン環が有していてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基、炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。式a4-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。更に、その他の酸安定モノマーa4としては、例えば、フッ素原子を有する酸安定モノマーa4-5ただし、などが挙げられる。フッ素原子を有する酸安定モノマーa4-5としては、以下のモノマーを挙げることができる。中でも、単環又は多環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。重合体Dは、当該分野で公知の方法によって製造することができる。重合体Dの重合方法としては、付加重合が好ましい。付加重合としては例えば、ラジカル重合、アニオン重合及び配位重合等が挙げられる。中でも、ラジカル重合が好ましい。化合物Iをラジカル重合するには、まず、重合に用いるモノマーと、溶媒以下重合溶媒という場合があると、重合開始剤とを混合する。化合物Iのホモポリマーを製造する場合、前記重合させるモノマーは化合物Iのみである。化合物Iに由来する構造単位を含む共重合体を製造する場合、前記重合させるモノマーは化合物I及び他のモノマーの混合物である。これらの混合順序は任意であり、例えば、重合溶媒と、重合開始剤とを予め混合し、ここに重合させるモノマー化合物Iのみ、又は化合物I及び他のモノマーの混合物を添加してもよい。重合開始剤としては、公知のラジカル重合開始剤を用いることができるが、加熱によってラジカルを発生するもの熱重合開始剤が好ましい。熱重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ化合物、2,5-ジメチル-2,5-ビスtert-ブチルパーオキシヘキサン及びt-ヘキシルパーオキシピバレートなどの有機過酸化物が挙げられる。重合開始剤は単独で用いても、2種以上を併用してもよい。重合溶媒としては、トルエンなどの炭化水素類;1,4-ジオキサン及びテトラヒドロフランなどのエーテル類;メチルイソブチルケトンなどのケトン類;イソプロピルアルコールなどのアルコール類;γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及び乳酸エチルなどのエステル類;アセトニトリルなどのニトリル類;スルホランなどの含硫黄溶媒類が挙げられ、用いる化合物Iや重合開始剤の種類などに応じて適切な溶媒を選択することができる。重合溶媒は単独で用いても、2種以上を併用してもよい。重合溶媒の使用量は、用いる化合物Iや重合開始剤の種類などに応じて適宜調節すればよい。また、ラジカル重合により得られる重合体Dの分子量を調節するため、分子量調節剤を用いることもできる。該分子量調節剤としては、連鎖移動剤と呼ばれる各種の化合物、例えば、ブタン-1-チオール、ブタン-2-チオール、オクタン-1-チオール、デカン-1-チオール、テトラデカン-1-チオール、シクロヘキサンチオール及び2-メチルプロパン-1-チオールなどが挙げられる。連鎖移動剤の使用量は、所望する重合体Dの分子量に応じて調節することが好ましく、例えば、使用するモノマーの合計モル数に対して、0.01~20モルが好ましく、0.5~5モルがより好ましい。ラジカル重合を行う際の温度重合温度は、上述の熱重合開始剤がラジカルを発生しうる温度が好ましく、例えば0~150°Cが好ましく、40~100°Cがより好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC分析により、ポリスチレン換算の重量平均分子量として求められる。重量平均分子量をこのような範囲にするためには、例えば、重合させるモノマー化合物Iのみ、又は化合物I及び他のモノマーの混合物に応じて、重合溶媒の種類及びその量、重合開始剤の種類及びその量、分子量調節剤の種類及びその量を適宜変更した予備実験などを実施すればよい。また、重合途中の反応混合物を所定時間おきにサンプリングし、GPC分析により、反応溶混合物中の重合体Dの分子量を求めることで、所望の分子量となる重合時間を定め、この重合時間でラジカル重合を停止させてもよい。前記のラジカル重合を停止させるためには、反応混合物を冷却したり、重合停止剤を添加すればよい。重合を停止させた後の反応混合物は例えば、得られた重合体Dが不溶又は難溶である溶媒以下貧溶媒という場合があると混合し、重合体Dを沈殿させた後、ろ過等することにより、重合体Dを回収できる。ここでいう貧溶媒としては例えば、ヘプタン、メタノール又はメタノール/水混合溶媒などが挙げられる。かくして回収された重合体Dは、重合体Dを溶解できる溶媒に再び溶解し、得られた溶解液を、貧溶媒と混合し、沈殿した重合体Dをろ過回収するという再沈殿操作、重合体Dを貧溶媒で洗浄するという洗浄操作、又はこれらを組み合わせた操作により、精製することができる。再沈澱操作に用いる重合体Dを溶解できる溶媒としては、上記重合溶媒と同じ溶媒が挙げられる。重合体Dには、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である重合体D以下重合体DAという場合がある。と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂ではない重合体D以下重合体DBという場合がある。とがある。ここで酸の作用によりアルカリ可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。重合体DAは、化合物Iに由来する構造単位及び酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有し、さらに、酸安定モノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。重合体DAにおける酸に不安定な基を有するモノマーa1としては、式a1-1で表されるモノマー及び式a1-2で表されるモノマーが好ましい。重合体DAにおける酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2より好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1及びラクトン環を有する酸安定モノマーa3より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1、γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2が好ましい。重合体DAが、化合物Iに由来する構造単位及び酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位からなる共重合体である場合、これらの含有量は、重合体Dが有する全構造単位に対して、以下の範囲であることが好ましい。化合物Iに由来する構造単位;好ましくは5~50モル、より好ましくは10~45モル酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位;好ましくは50~95モル、より好ましくは55~90モル重合体DAが、化合物Iに由来する構造単位、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位からなる共重合体である場合、これらの含有量は、重合体Dが有する全構造単位に対して、以下の範囲であることが好ましい。化合物Iに由来する構造単位;好ましくは5~50モル、より好ましくは10~45モル酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位;好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モル酸安定モノマーに由来する構造単位;好ましくは5~50モル、より好ましくは10~45モル重合体DAとしては、化合物Iに由来する構造単位、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位からなる共重合体が好ましい。重合体DAにおいては、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位のうち、式a1-1で表されるモノマーの含有量は、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位に対して、15モル以上であることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が高いと、レジストパターンのドライエッチング耐性に優れる傾向がある。重合体DBは、化合物Iに由来する構造単位のみからなる重合体でもよいし、化合物Iに由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位であってもよい。重合体DBが、化合物Iに由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位からなる共重合体である場合、これらの含有量は、重合体Dが有する全構造単位に対して、以下の範囲であることが好ましい。化合物Iに由来する構造単位;好ましくは1~99モル、より好ましくは10~90モル酸安定モノマーに由来する構造単位;好ましくは1~99モル、より好ましくは10~90モル重合体Dの重量平均分子量は、1,000~500,000であることが好ましく、3,000~50,000であるとより好ましい。重合体Dが重合体DAである場合、好ましくは2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは40,000以下である。重合体Dが重合体DBである場合、重量平均分子量は、好ましくは、3,000以上より好ましくは5,000以上、80,000以下より好ましくは60,000以下である。重合体Dは、例えば、特開2010-1461号公報に記載された方法によって製造することができる。具体的には、重合体Dを構成するモノマーを溶剤中で、重合開始剤を用いて反応させることにより得ることができる。溶剤としては、1,4-ジオキサン等が挙げられる。重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル等が挙げられる。<重合体Dを含むレジスト組成物>本発明のレジスト組成物は、重合体Dを含み、さらに酸発生剤Bを含むことが好ましい。重合体D重合体Dが重合体DAである場合、その含有量は、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において組成物の固形分とは、レジスト組成物成分の合計から後述する溶剤Eの含有量を除いた量を意味する。組成物の固形分及びこれに対する重合体Dの含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。重合体Dが重合体DBである場合、その含有量は、組成物の固形分中0.1質量以上10質量以下であることが好ましく、0.5質量以上8質量以下であることがより好ましい。樹脂A樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂ただし、化合物Iに由来する構造単位は有さない。である。樹脂Aは、重合体Dを製造するために用いるモノマーと同じものただし、化合物Iは除く。を用い、かつ同様の方法で製造することができる。樹脂Aとしては、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位からなる共重合体であることが好ましい。樹脂Aが、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位及び酸安定モノマーに由来する構造単位からなる共重合体である場合、これらの含有量は、樹脂Aが有する全構造単位に対して、以下の範囲であることが好ましい。酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位;10~95モル、より好ましくは15~90モル酸安定モノマーに由来する構造単位;5~90モル、より好ましくは10~85モル樹脂Aが、式a1-1で表されるモノマーに由来する構造単位、式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位、式a1-4で表されるモノマーに由来する構造単位及び式a1-5で表されるモノマーに由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む場合、その含有量は、それぞれ、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは10~95モルであり、より好ましくは15~90モルであり、さらに好ましくは20~85モルである。樹脂Aが、式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは5~95モルであり、より好ましくは10~85モルであり、さらに好ましくは15~80モルである。樹脂Aが、式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは3~40モルであり、より好ましくは5~35モルであり、さらに好ましくは5~30モルである。樹脂Aが、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位を含む場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは5~60モルであり、より好ましくは15~55モルである。樹脂Aが、式a3-1で表されるモノマーに由来する構造単位、式a3-2で表されるモノマーに由来する構造単位及び式a3-3で表されるモノマーに由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む場合、その含有量は、それぞれ、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは5~60モルであり、より好ましくは10~50モルであり、さらに好ましくは20~50モルである。樹脂Aが、モノマーiに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは5~70モルであり、より好ましくは10~50モルである。樹脂Aが、化合物iiに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは5~70モルであり、より好ましくは10~50モルである。樹脂Aが、式a4-1で表されるモノマーに由来する構造単位、式a4-2で表されるモノマーに由来する構造単位及び式a4-3で表されるモノマーに由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む場合、その含有量は、それぞれ、樹脂Aの全構造単位に対して、通常2~40モルであり、好ましくは3~30モルであり、より好ましくは5~20モルである。樹脂Aが、式a4-4で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは2~40モルであり、より好ましくは3~35モルであり、さらに好ましくは5~30モルである。樹脂Aが、フッ素原子を有する酸安定モノマーa4-5を含む場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位に対して、好ましくは1~20モルであり、より好ましくは2~15モルであり、さらに好ましくは3~10モルである。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上、50,000以下より好ましくは40,000以下、さらに好ましくは10,000以下である。重合体Dが重合体DAである場合、レジスト組成物は樹脂Aを含まなくてもよい。重合体DAと樹脂Aとの合計含有量が、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。重合体Dが重合体DBである場合、樹脂Aの含有量は、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。酸発生剤以下酸発生剤Bという場合がある酸発生剤Bは、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、レジスト分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]ペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルキレンに、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記2価飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、式b1-1~式b1-6が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-Yと結合する。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は12である。中でも、式b1-1で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又は-CH2-である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但しフッ素原子を除く、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基における-CH2-が-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基-CH2-が-O-で置き換わった基、オキソ基を有する飽和環状炭化水素基-CH2-が-CO-で置き換わった基、スルトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-SO2-で置き換わった基又はラクトン環基隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-又は-CO-で置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの飽和環状炭化水素基としては、式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。なかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基で置換された飽和環状炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。式B1で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、置換基Lb1が式b1-1である以下の式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1~4の脂肪族炭化水素基好ましくは、メチル基を表す。脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する飽和環状炭化水素であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテルであるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換のYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する飽和環状炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。なかでも、式b1-1で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。酸発生剤Bに含まれるカチオンは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。式B1中のZは、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表されるカチオンである。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上のとき、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上のとき、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環の-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上である場合、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上である場合、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよく、u2が2以上である場合、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよく、q2が2以上である場合、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、r2が2以上である場合、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、n-ブチル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1,2-ジメチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、n-ヘキシル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられる。中でも、好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上である場合、複数のRb19は互いに同一であっても異なってもよく、w2が2以上である場合、複数のRb20は互いに同一であっても異なってもよく、x2が2以上である場合、複数のRb21は互いに同一であっても異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオンb1-1-1~アニオンb1-1-9のいずれかとカチオンb2-1-1との組合せ、並びにアニオンb1-1-3~b1-1-5のいずれかとカチオンb2-3との組合せが好ましい。好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-17で表されるものである。中でも、ヒドロキシアダマンチル基を有するアニオンを含む酸発生剤B1-2~B1-5が好ましい。また、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-6、B1-11、B1-12、B1-13及びB1-14がより好ましい。酸発生剤Bの含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していることが好ましい。塩基性化合物Cの含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量程度であることが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物例えば、アミンである。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、式C2で表される芳香族アミン、特に式C2-1で表されるアニリンが挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基、飽和環状炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該飽和環状炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基の-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~18程度であり、前記飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数5~10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6~10程度である。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基好ましくはシクロアルキル基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、上記と同様の置換基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1~6程度である。芳香族アミンC2としては、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。アニリンC2-1としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。中でもジイソプロピルアニリン特に2,6-ジイソプロピルアニリンが好ましい。塩基性化合物Cとしては、式C3~式C11で表される化合物が挙げられる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23~Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上のとき、複数のRc20は互いに同一であっても異なってもよく、p3が2以上のとき、複数のRc21は互いに同一であっても異なってもよく、q3が2以上のとき、複数のRc24は互いに同一であっても異なってもよく、r3が2以上のとき、複数のRc25は互いに同一であっても異なってもよく、s3が2以上のとき、複数のRc26は互いに同一であっても異なってもよく、t3が2以上のとき、複数のRc27は互いに同一であっても異なってもよく、u3が2以上のとき、複数のRc28は互いに同一であっても異なってもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度であり、アルカノイル基は、好ましくは炭素数2~6程度である。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくはアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-、-S-、-S-S-又はこれらの組合せを表す。該2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度である。Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。化合物C4としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリン、4-モルホリン、4-[2-[2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを、組成物中90質量以上の量で含有していてもよい。溶剤Eを含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。溶剤Eの含有量は、組成物中90質量以上好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上、99.9質量以下好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることいわゆるプリベークにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が好ましい。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が好ましい。得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線や、極端紫外光EUVを照射するものであってもよい。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。以下において、化合物の構造は、NMRJMM-ECA-500;日本電子株製及びLC-MSで確認した。尚、LC-MS分析は以下の条件で行った。LC装置:Agilient1100カラム:LカラムODS2.1mmφ×150mm移動相溶媒:A液:水、B液:アセトニトリルグラジエント:初期10B液、70A液10分後10B液40分後100B液70分後100B液分析終了流速:0.3mL/min注入量:2.5μL検出器:210、254、220nmUV検出MS装置:HPLC/MSDまた、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例13-ブロモ-5-2,2,3,3,4,4,5,5,5-ノナフルオロペンチルテトラヒドロフラン-2-オン化合物1の合成4つ口フラスコに、リチウムヘキサメチルジシラジド189g;1.093モル及びテトラヒドロフラン以下THFという場合がある脱水品;750mlを仕込み、内温が-71°Cになるまで冷却した。内温を-71°C~-68°Cの範囲に保持したまま、化合物0274g0.861モルのTHF420ml溶液を1.5時間かけて滴下した。さらに反応溶液を、-73°C~-68°Cの範囲を保持したまま、1時間攪拌した。次いで、臭素170g1.050モルを、内温-73°C~-64°Cを保持したまま、1.5時間かけて滴下した。さらに反応溶液を、同温度で保持したまま、1時間攪拌した後、リン酸バッファー溶液pH7;485mlとTHF250mlとの混合溶液を2時間かけて滴下した。内温を室温25°Cまで戻し、さらに室温にて1時間攪拌した。かくして得られた反応溶液を濃縮した後、エーテルで抽出した。得られた有機層を二亜硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、洗浄後の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除き、ろ液を減圧下に濃縮して、粗生成物である化合物1の異性体混合物を332g収率97.1得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm4.604.431H;3.07~2.195HLC-MS:395.9[M];C9H6BrF9O2=395.94メタクリル酸[5-2,2,3,3,4,4,5,5,5-ノナフルオロペンチルテトラヒドロフラン-2-オン-3-イル化合物2の合成4つ口フラスコに、上記で得た化合物1332g0.837モル、メタクリル酸151g;1.734モル及びメチルイソブチルケトン1000gを仕込み、これらを均一溶液とした。トリエチルアミン257g2.511モルを、内温20°C~25°Cを保持したまま、1時間かけて滴下した。さらに反応溶液を15°C~20°Cで15時間攪拌した。析出した塩をろ過して除き、ろ液を5重曹水で洗浄し、さらに純水で洗浄した。有機層を分取し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、硫酸マグネシウムをろ過により取り除いた。ろ液を減圧下に濃縮して、粗生成物277gを得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー展開液;ヘキサン/酢酸エチルで精製して、化合物2を異性体混合物シス体:トランス体=5:2として、195g収率58.0得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm6.241H;5.711H;5.58~5.401H;5.15~4.831H;3.10~2.044H;2.04s,3HLC-MS:402.0[M];C13H11F9O4=402.05上述の化合物230gを、シリカゲル200gを用いて、クロマトグラフィー精製を行った。ヘキサン/酢酸エチルで展開することにより、結晶化した化合物2の異性体シス体を5.3g得た。融点は79°C~81°Cであった。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm6.22s,1H;5.70s,1H;5.57m,1H;4.49m,1H;3.10m,1H;2.75m,1H;2.52m,1H;2.15m,1H;1.97s,3H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm17.99;35.23;36.60t,J=21.0Hz;68.07;69.57;105.74~120.92;127.75;134.85;165.92;171.1319F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-77.6;-109.5;-120.9;-122.4合成例23-ブロモ-5-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-トリデカフルオロヘプチルテトラヒドロフラン-2-オン化合物4の合成4つ口フラスコに、リチウムヘキサメチルジシラジドのTHF1.6モル溶液18ml;28.8ミリモルを仕込み、内温が-70°Cになるまで冷却した。内温を-65°C以下に保持したまま、化合物310.0g23.9ミリモルのTHF50ml溶液を0.5時間かけて滴下した。さらに反応溶液を、-70°C~-60°Cの範囲を保持したまま、1時間攪拌した。次いで、臭素4.6g28.8ミリモルを、内温-60°C以下で、15分間で滴下した。さらに反応溶液を、-70°C~-60°Cの範囲で保持したまま、1時間攪拌した後、リン酸バッファー溶液pH7;15mlとTHF10mlとの混合溶液を0.5時間かけて滴下した。内温を室温25°Cまで戻し、さらに室温にて1時間攪拌した。かくして得られた反応溶液を濃縮した後、エーテルで抽出した。得られた有機層を二亜硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、洗浄後の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除き、ろ液を減圧下に濃縮して、粗生成物である化合物4の異性体混合物を11.4g収率95.9得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm4.60、4.421H;3.05~2.185HLC-MS:495.9[M];C11H6BrF13O2=495.93メタクリル酸[5-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-トリデカフルオロヘプチルテトラヒドロフラン-2-オン-3-イル]化合物5の合成4つ口フラスコに、上記で得た化合物410g20.1ミリモル、メタクリル酸3.5g;40.7ミリモル及びメチルイソブチルケトン50gを仕込み、これらを均一溶液とした。トリエチルアミン6.1g60.3ミリモルを、内温20°C~25°Cを保持したまま、0.5時間かけて滴下した。さらに反応溶液を15°C~20°Cで15時間攪拌した。析出した塩をろ過して除き、ろ液を5重曹水で洗浄し、さらに純水で洗浄した。有機層を分取し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、硫酸マグネシウムをろ過により取り除いた。ろ液を減圧下に濃縮して、粗生成物9.5gを得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー展開液;ヘキサン/酢酸エチルで精製して、化合物5を異性体混合物として、6.6g収率65.3得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm6.241H;5.711H;5.58~5.401H;5.16~4.841H;3.13~2.054H;2.04s,3HLC-MS:502.0[M];C15H11F13O4=502.04重合体及び樹脂の合成において使用した化合物を下記に示す。実施例1:重合体D1の合成化合物29.02gを、ジオキサン16.3gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.27g;全モノマーの合計モル量に対して1モルを添加し、72°Cで7時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン141gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する重合体5.20gを得た。この重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D1とする。Mw=6.6×103、Mw/Mn=1.42実施例2:重合体D2の合成式Eで表されるモノマー及び化合物2を、そのモル比モノマーE:化合物2が30:70となるようにモノマーE:化合物2=2.56g:8.16g、ジオキサン16.0gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.30g;全モノマーの合計モル量に対して1モルを添加し、72°Cで7時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン139gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する共重合体9.59gを得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D2とする。Mw=12.8×103、Mw/Mn=1.88実施例3:重合体D3の合成式Aで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー及び化合物2を、そのモル比モノマーA:モノマーB:化合物2が50:25:25となるようにモノマーA:モノマーB:化合物2=12.4g:5.9g:10.1g、メチルイソブチルケトン60gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.33g;全モノマーの合計モル量に対して2モルを添加し、80°Cで7時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン290gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過した。この樹脂をメチルイソブチルケトン50gにふたたび溶解し、この溶解液をヘプタン290gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する共重合体22.1gを得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D3とする。Mw=15.3×103、Mw/Mn=1.81実施例4:重合体D4の合成式Aで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー及び化合物2を、そのモル比モノマーC:モノマーB:化合物2が50:25:25となるようにモノマーC:モノマーB:化合物2=14.6g:5.9g:10.1g、メチルイソブチルケトン60gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.33g;全モノマーの合計モル量に対して2モルを添加し、80°Cで6時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン300gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過した。この樹脂をメチルイソブチルケトン106gにふたたび溶解し、この溶解液をヘプタン450gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する共重合体25.5gを得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D4とする。Mw=36.0×103、Mw/Mn=2.20実施例5:重合体D5の合成式Aで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー、式Dで表されるモノマー及び化合物2を、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーD化合物2が45:10:20:25となるようにモノマーA:モノマーB:モノマーD化合物2=11.2g:2.4g5.6g:10.1g、メチルイソブチルケトン60gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.33g;全モノマーの合計モル量に対して2モルを添加し、80°Cで6時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン290gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過した。この樹脂をメチルイソブチルケトン83gにふたたび溶解し、この溶解液をヘプタン400gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する共重合体26.3gを得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D5とする。Mw=10.7×103、Mw/Mn=1.68実施例6:重合体D6の合成式Fで表されるモノマー及び化合物2を、そのモル比モノマーF:化合物2が5050となるように各モノマーモノマーF:化合物2=6.51g:5.03gを、ジオキサン12.4gに溶解した。開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.24g;全モノマーの合計モル量に対して1モルを添加し、72°Cで7時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタン107gに注いで、樹脂を沈殿させ、ろ過し、乾燥した。以下の構造単位を有する共重合体7.32gを得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを重合体D6とする。Mw=14.8×103、Mw/Mn=2.47合成例3:樹脂A1の合成式Gで表される化合物、式Hで表される化合物、式Bで表される化合物、式Dで表される化合物、及び式Kで表される化合物を、637121035のモル比で仕込み、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを、全モノマー量に対して3mol添加し、73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量Mwが7.6×103の共重合体を収率77で得た。この共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とする。合成例4:樹脂A2の合成式Mで表される化合物、式Bで表される化合物、式Nで表される化合物及び式Oで表される化合物を、25:25:40:10のモル比で仕込み、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、77°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量Mwが7.6×103の共重合体を収率60で得た。この共重合体は、次式モノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とする。合成例5:重合体X1の合成式Jで表されるモノマー及び式Pで表されるモノマーを、50:50のモル比で仕込み、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、80°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで沈殿させる操作を3回行って精製し、重量平均分子量Mwが9.2×103の共重合体を収率50で得た。この共重合体は、次式モノマーに由来する構造単位を有するものであり、これを重合体X1とする。実施例及び比較例上記成分及び以下に示す各成分を表4の組成で混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過して、レジスト液を調製した。<樹脂>A1:樹脂A1A2:樹脂A2<重合体>D1:重合体D1D2:重合体D2D3:重合体D3D4:重合体D4D5:重合体D5D6:重合体D6X1:重合体X1<酸発生剤>B1:式B1-2で表される塩B2:式B1-11で表される塩B3:トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホナート<塩基性化合物クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリンC2:式C-2で表される化合物<溶剤>E1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部E2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500部プロピレングリコールモノメチルエーテル150部γ-ブチロラクトン5部<欠陥評価>12インチのシリコン製ウェハに、前記のレジスト組成物を、そのプリベーク後の膜厚が0.15μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表4のPB欄に示す温度で60秒間プリベークPBした。このようにしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、現像機[ACT-12;東京エレクトロン株製]を用いて、水リンスを60秒間行った。その後、欠陥検査装置[KLA-2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。欠陥数が500以下を◎、500を超え1000以下を○、1000を超え5000未満を△、5000以上を×として評価した。結果を表5に示す。<レジスト組成物の液浸露光評価>シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布したシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表4のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークし、レジスト膜組成物層を形成した。レジスト膜が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光で、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。<感度評価>各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、マスクホール径が70nmのマスクを用いて形成されたレジストパターンのホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。結果を表5に示す。ここでマスクホール径とは、露光によって基板に転写されるパターンのホール径を意味し、マスク上に形成されている透光部のホール径を意味しない。<マスクエラーファクターMEF評価>実効感度において、マスクホール径がそれぞれ72nm、71nm、70nm、69nm、68nmピッチはともに100nmのマスクでレジストパターンをそれぞれ形成した。マスクホール径を横軸に、各マスクホール径のマスクから形成されたレジストパターンのホール径を縦軸にプロットし、該プロットから求めた回帰直線の傾きをMEFとして算出した。傾きが、2.9未満のものを◎、3.0未満のものを○、3.0以上3.3以下のものを△、3.3より大きいものを×として判断した。これらの結果を表5に示す。<ラインエッジラフネス評価LER>リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、4nm以下であるものを◎4nmを超え、5nm以下であるものを○、5nmを超えるものを×とした。これらの結果を表5に示す。<レジスト組成物の電子線露光評価>シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、上記のレジスト組成物をプリベーク後の膜厚が40nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表4のPBの欄に示す温度で60秒間プリベークし、組成物層を得た。こうして組成物層を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50KeVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表4のPEBの欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。<感度評価>各レジスト組成物から形成されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、200nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。結果を表6に示す。<ラインエッジラフネス評価LER>リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、15nm以下であるものを○15nmを超え、20nm以下であるものを△、20nmを超えるものを×とした。これらの結果を表6に示す。表5及び表6の結果から、本発明の重合体を含むレジスト組成物により形成されたレジストパターンは、LERに優れることが確認された。"