半導体素子が固着されるアイランドと、該アイランドと離間するリードとが設けられたリードフレームを準備する工程と、前記半導体素子および前記リードの接続部とそれぞれ接続し、一主面に導電性固着層が設けられた固着部を両端に有する金属接続板を準備する工程と、前記アイランドの一主面に接合材を介して前記半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子の電極上と前記リードの接続部上に前記導電性固着層を重畳させて前記金属接続板を固着する工程と、封止樹脂層により前記アイランド、前記半導体素子、前記金属接続板および前記リードの一部を被覆する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記金属接続板のパターンが複数設けられた金属板に選択的に導電性ペーストを付着させて前記導電性固着層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体素子の前記アイランドへの固着と、前記金属接続板の固着とを同一工程にて行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記金属接続板のパターンが複数設けられた金属板を選択的にめっき処理して前記導電性固着層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記金属接続板のパターンが複数設けられた金属板に選択的に金属を蒸着させて前記導電性固着層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。図7Aの固着材132、134に例えば半田を用いた場合、これらは各ユニット142毎にソース電極130上と接続部126上のそれぞれの半田の供給領域に対して供給される。一例として半田ワイヤーを用いる場合は、ソース電極130上の半田の供給領域に半田ワイヤーを所定量長さ送り出し、半田ワイヤーの先端をソース電極130に近接又は接触させる。リードフレームアイランド114は加熱されえており、その熱によって半田ワイヤーの先端が溶融し、ソース電極130上に供給される。接続部126上も同様に半田が供給される。しかし、半田ワイヤーの送り出しが所定量に設定されているとはいえ、それぞれの供給領域毎に供給する方法では複数のユニット142間で半田の供給量のばらつきが生じる問題があった。また、特に半導体素子118の小型化およびアイランド114の狭小化が進むと、半田の供給量も少なくなるため、この様な供給方法では供給量のコントロールも困難となる問題があった。すなわち、アイランド114上の半導体素子118の固着位置、半田の供給位置および金属接続板116の固着位置はそれぞれに位置合わせが必要である。位置合わせ精度に余裕がある場合は、例えば必要量より若干多めに供給されたり、供給量より多めにばらつきが生じても、影響は少ない。しかし半導体素子118の小型化およびアイランド114の狭小化が進むと、位置合わせ精度がシビアになり、半田の供給量も少なく、且つそのばらつきの許容範囲も小さくなる。そうなると半田の供給量を厳密にコントロールする必要があるが、上記の方法では限界がある。尚、固着材132、134として半田ペーストを採用することもできるが、その場合であってもそれぞれの供給領域毎に供給する方法では上記と同様に供給量のばらつきや供給量のコントロールが困難となる問題が生じる。本発明はかかる課題に鑑みてなされ、半導体素子が固着されるアイランドと、該アイランドと離間するリードとが設けられたリードフレームを準備する工程と、前記半導体素子および前記リードの接続部とそれぞれ接続し、一主面に導電性固着層が設けられた固着部を両端に有する金属接続板を準備する工程と、前記アイランドの一主面に接合材を介して前記半導体素子を載置する工程と、前記半導体素子の電極上と前記リードの接続部上に前記導電性固着層を重畳させて前記金属接続板を固着する工程と、封止樹脂層により前記アイランド、前記半導体素子、前記金属接続板および前記リードの一部を被覆する工程と、を具備することにより解決するものである。本発明の半導体装置の製造方法によれば、以下の効果が得られる。第1に、金属接続板を半導体素子およびリードの接続部に固着するための導電性固着材の供給量のばらつきを低減できる。導電性固着材は、金属接続板が複数パターンニングされた金属板の状態で、予め金属接続板の両端第1固着部、第2固着部に導電性固着層として形成される。すなわち導電性固着層は第1固着部および第2固着部毎に略均一な面積および厚みでそれぞれの金属接続板の主面に付着しており、これを溶融や共晶等で半導体素子の電極とリードの接続部とに固着することで、導電性固着材の供給量を半導体装置ごとに略一定にできる。第2に、半導体素子が載置されたリードフレームに対して金属接続板の位置合わせを行うのみで半田の供給領域に関する位置合わせが不要となる。従って、半導体素子の小型化およびアイランドのサイズの狭小化が進んだ場合であっても、供給量のコントロールが不要となる。導電性固着層は、略均一な厚みでそれぞれの金属接続板の主面に付着しているため、半導体装置毎に導電性固着材を安定して供給できる。つまり位置合わせ精度がシビアな場合であっても、厳密な供給量のコントロールが不要となる。本発明の実施形態を図1から図6を参照して詳細に説明する。図1を参照して本実施形態の半導体装置10の構成を説明する。図1Aは半導体装置10の全体の斜視図であり、図1Bは平面図であり、図1Cは図1Bのa-a線断面図である。図1Aを参照して、半導体装置10は、半導体素子12と、半導体素子12が実装されるアイランド14と、リード20A~20Hと、半導体素子12とリード20E~20G、20Hとをそれぞれ接続する金属接続板16A、16Bと、これらを一体的に封止する封止樹脂38を主要に有する。以下、複数のリード20A~20Hはリード20と総称する場合がある。半導体素子12としては、少なくとも上面に電極が形成された素子が採用される。具体的には、MOSFETMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor、バイポーラトランジスタ、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor等が、半導体素子12として採用可能である。例えば、半導体素子12としてMOSFETが採用されると、半導体素子12の上面にソース電極31およびゲート電極32が設けられ、下面にドレイン電極33が設けられる。また、半導体素子12としてバイポーラトランジスタが採用されると、半導体素子12の上面にベース電極およびエミッタ電極が設けられ、下面にコレクタ電極が設けられる。半導体素子12の下面の電極は、例えば半田ペースト等の導電性固着材から成る接合材28を介してアイランド14の上面に接続される。またここで、半導体素子としてICが採用されても良い。半導体素子12の下面に電極が設けられない場合は、接合材28はエポキシ樹脂等の絶縁性接着材も採用できる。以下では、半導体素子12が、MOSFETの場合を例に説明する。半導体素子12の上面に形成されたソース電極31は金属接続板16Aを経由してリード20E~20Gの接続部26と接続される。一方、半導体素子12のゲート電極32は、金属接続板16Bを経由してリード20Hの接続部24と接続される。また、ソース電極31はゲート電極32よりも大電流が通過するので、ソース電極31と接続される金属接続板16Aは、ゲート電極32と接続される金属接続板16Bよりも大きく形成される。金属接続板16Aは両端が導電性固着層41、42によってソース電極31および接続部26と接続し、金属接続板16Bは両端が導電性固着層43、44によってゲート電極32および接続部24と接続する。ここで、半導体素子12のゲート電極32は、流れる電流が小さいので、必ずしも金属接続板16Bが使用される必要は無く、金属細線を介してリード20Hと接続されても良い。アイランド14は、厚みが0.5mm程度の導電板例えば銅Cu板をエッチング加工または打ち抜き加工することで形成される。リード20は、アイランド14と同様の方法により形成され、一端が封止樹脂38の内部に位置し、他端が封止樹脂38から外部に露出している。封止樹脂38から露出する部分のリード20は例えばアイランド14より低くなるように折り曲げ加工され、外側の端部の下面は、封止樹脂38の下面と同一平面上に位置している。接続部24および接続部26と、アイランド14とは、同一平面上に配置されても良いし、アイランド14の方が接続部24等よりも上方に配置されても良いし下方に配置されても良い。図1Bを参照して、アイランド14の平面的な大きさは、上面に実装される半導体素子12よりも若干大きい程度である。例えば、半導体素子12平面的なサイズが1.6mm×1.0mmの場合は、アイランド14の平面的なサイズは1.75mm×1.15mm程度である。半導体装置10は、装置全体を一体的に封止する四角形状の封止樹脂38の両側辺から複数のリード20が外部に導出されている。具体的には、封止樹脂38の左側の側辺から、4つのリード20A、20B、20C、20Dの端部が外部に導出している。そして、リード20A~20Dの右側の端部は、アイランド14に連続している。一方、封止樹脂38の右側の側辺からも、4つのリード20E、20F、20G、20Hの端部が外部に露出している。封止樹脂38内のリード20E~20Hの端部左側端部は、いずれもアイランド14とは分離して、アイランド14の一辺と近接して対向配置されている。リード20E~20Gの左側端部は、一体的に形成された接続部26であり、この接続部26の上面に金属接続板16Aが接続される。また、リード20Hの左側端部は、他の部分よりも幅広に形成された接続部24であり、この接続部24の上面に金属接続板16Bが固着される。金属接続板16Aは平面視において略長方形であり、半導体素子12の上面に設けられたソース電極31と接続される第1固着部17Aと、リード20E~20Gの接続部26と接続される第2固着部18Aとをその両端に有する。また第1固着部17Aおよび第2固着部18A間でこれらを連結する中間部19Aを有する。金属接続板16Bは平面視において略長方形であり、半導体素子12の上面に設けられたゲート電極32と接続される第1固着部17Bと、リード20Hの接続部24と接続される第2固着部18Bとをその両端に有する。また第1固着部17Bおよび第2固着部18B間でこれらを連結する中間部19Bを有する。封止樹脂38は、例えばトランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂またはインジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂からなり、リード20の一部、アイランド14、半導体素子12、金属接続板16A、16Bを被覆して一体的に支持している。ここで、封止樹脂38の材料として酸化金属等から成る粒子状のフィラーが混入された樹脂材料を採用しても良い。図1Cを参照して、金属接続板16A16Bも同様は、厚みが0.1mm~0.5mm程度の銅などを主体とする金属基材を、所定形状に曲折加工して成形されている。従って、直径が数十μm程度の金属細線と比較すると、金属接続板16Aの断面積は大きいので、オン抵抗が低減される。金属接続板16Aは半導体素子上に載置する状態において第2固着部18Aが最も低い下段に、中間部19Aが最も高い上段に、第1固着部17Aがこれらの間の中段に位置するように折り曲げられる。また、金属接続板16A、16Bの両端に設けられた第1固着部17Aおよび第2固着部18Aは、平坦面とされている。第1固着部17Aおよび第2固着部18Aは、例えば半田ペースト等の導電性固着材によって電気的に固着される。後に詳述するが、導電性固着材は予め金属接続板16Aの第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの一主面に導電性固着層41、42として設けられたものである。このように固着する構造は、図1ABに示す金属接続板16Bに関しても同様である。図2から図6を参照して、上記した構成の半導体装置の製造方法を説明する。図2はリードフレーム50を示す図であり、図2Aはリードフレーム50全体を示す平面図であり、図2Bは1つのユニット54を斜め上方から見た斜視図である。図2Aを参照して、リードフレーム50を加工することにより、複数のユニット54を設ける。すなわち、厚みが例えば0.5mm程度の銅から成る金属基材金属板に対して、プレス加工やエッチングを行うことで、数個~数百個のユニット54が外枠52の内部に設けられたリードフレーム50を形成する。ここでユニット54とは、1つの半導体装置10を構成する要素単位である。この図では、額縁状の外枠52と連結された7個のユニット54が図示されているが、外枠52の内部にマトリックス状に多数個のユニット54が設けられても良い。図2Bを参照して、ユニット54は、アイランド14およびリード20A-20Hを具備している。具体的には、中央部に四角形状のアイランド14が配置されている。そして、アイランド14の左側側辺から連続して外側に4本のリード20A~20Dが延在している。更に、アイランド14の右側には、4本のリード20E~20Hが配置されている。そして、リード20E、20F、20Gの左側の端部は連続し、接続部26が形成されている。また、リード20Hの左側の端部は、幅広の接続部24として形成されている。次に、他の金属基材を加工することにより、複数の金属接続板16Aを形成する。図3は金属接続板16Aを説明する図であり、図3Aは金属板51の全体を示す平面図であり、図3Bは1つの金属接続板16Aを斜め上方から見た斜視図であり、図3Cは1つの金属接続板16Bを斜め上方から見た斜視図である。図3Aを参照して、厚みが例えば0.1mm~0.5mm程度の銅から成る一枚の金属基材に対して、プレス加工やエッチングを行うことで、数個~数百個の金属接続板16Aが外枠53の内部に設けられた金属板51を形成する。この図では、額縁状の外枠53と吊り部55などによって連結支持された7個の金属接続板16Aが図示されているが、外枠53の内部にマトリックス状に多数個の金属接続板16Aが設けられても良い。金属接続板16Aは平面視において略長方形に設けられ、長手方向の両端に第1固着部17Aと第2固着部18Aを有する。第1固着部17Aは、半導体素子12の上面に設けられたソース電極31と接続する領域であり、第2固着部18Aは、リード20E~20Gの接続部26と接続する領域である図1参照。また、第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの間でこれらを連結する中間部19Aを備える。第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの一主面にはそれぞれ導電性固着層41、42が設けられる。導電性固着層41、42は、金属板51に選択的に例えば導電性ペーストを付着させることにより形成される。導電性ペーストは、例えばエポキシ系樹脂あるいはアクリル系樹脂に金属粉を混合しペースト状にしたものであり、ここでは半田Pb/Snペーストを例に説明するが、場合によってはPbとSnの他にAgなど他の金属を添加したものであってもよい。また金スズAu/Snペーストあるいは銀Agペーストなども採用できる。更に、還元剤となるフラックスを用いたものであってもよい。具体的には、金属板51の全体に対して、第1固着部17Aおよび第2固着部18Aがライン状に露出するマスクを設け、半田ペーストを印刷または塗布する。これにより1枚の金属板51にパターンニングされる全ての第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの全面に、略均一な膜厚の導電性固着層41、42を形成する。つまり、金属板51の全ての第1固着部17Aには略同一面積、同一膜厚の導電性固着層41が設けられ、全ての第2固定部18Aには略同一面積、同一膜厚の導電性固着層42が設けられる。その後、所望の形状に折り曲げ加工し、吊り部55を切断して、略長方形状の平板状の金属接続板16を形成する。あるいは、金属板51に金属接続板16Aをパターンニングして所望の形状に折り曲げ加工した後、第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの一主面にそれぞれ導電性固着層41、42を形成してもよい。図3Bを参照して、金属接続板16は第1固着部17A、第2固着部18Aおよび中間部19Aがそれぞれ異なる高さになるように折り曲げ加工される。詳細には、半導体素子上に載置する状態この図示の状態において第2固着部18Aが最も低い下段に、中間部19Aが最も高い上段に、第1固着部17Aがこれらの間の中段に位置するように折り曲げられる。そして第1固着部17Aおよび第2固着部18Aのそれぞれ裏面側半導体素子および接続部と対向する側の主面に導電性固着層41、42が設けられている。図3Cを参照して、ゲート電極に接続する金属接続板16Bは、サイズ幅及び長さが金属接続板16Aと異なるが、形成方法は同様である。よって詳細な説明は省略するが、上記と同様の方法で、金属接続板16Bを準備する。すなわち金属板に選択的に半田ペーストを印刷または塗布し、第1固着部17Bおよび第2固着部18Bの全面に、略均一な膜厚の導電性固着層43、44を付着し、第1固着部17Bおよび第2固着部18Bのそれぞれ裏面側半導体素子および接続部と対向する側の主面に導電性固着層43、44が設けられるよう折り曲げ加工を施して金属接続板16Bを得る。次に図4の如く、半導体素子12をリードフレーム50に載置する。図4Aは、リードフレーム50全体を示す平面図であり、図4Bは1つのユニット54を示す斜視図である。図4Aを参照して、リードフレーム50の各ユニット54毎にアイランド14の一主面に接合材28を介して半導体素子12を載置する。接合材28は、ここでは導電性固着材であり、例えば、金属接続板16Aの導電性固着層41、42と同等の溶融温度例えば280°C~340°C程度の半田ペーストである。本工程では、リードフレーム50の全てのユニット54に対して、一括して半導体素子12のダイボンディングが行われる。接合材28に半田ペーストを採用した場合、ここでの溶融固着は成されず、半田ペーストの粘性によって半導体素子12はアイランド14主面に仮固定仮止めされた状態となっている。図5を参照して、半導体素子12およびリード20E~20Hと金属接続板16A、16Bを電気的に接続する。図5Aは金属接続板16Aを載置する以前の図5Bのb-b線に相当する断面図であり、図5Bは金属接続板16A、16Bを載置した後のリードフレーム50全体の平面図、図5Cは1つのユニット54の斜視図である。図5Aを参照して、リードフレーム51と金属接続板16Aの位置合わせを行い、アイランド14上に接合材28を介して載置された半導体素子12のソース電極31上に金属接続板16Aの導電性固着層41が重畳するように第1固着部17Aを載置する。また、リード20E~20Gの接続部26上に、金属接続板16Aの導電性固着層42が重畳するように第2固着部18Aを載置する。また同様にして、リードフレーム51と金属接続板16Bの位置合わせを行い、図5Bの如く、アイランド14上に接合材半導体素子12のゲート電極32上に金属接続板16Bの導電性固着層43が重畳するように第1固着部17Bを載置する。またリード20Hの接続部24上に、金属接続板16Bの導電性固着層44が重畳するように第2固着部18Bを載置する。導電性固着層41~44は半田ペーストであるので、金属接続板16A、16Bは、半導体素子12および接続部26、24上に仮固定された状態となっている。この状態で加熱処理リフロー温度は例えば300°C~360°C程度して接合材28および導電性固着層41~44である半田ペーストを溶融し、その後冷却して固化する。これにより半導体素子12をアイランド14に固着する。これと同時に金属接続板16Aの第1固着部17Aがソース電極31と固着し、第2固着部18Aが接続部26と固着する。また同時に金属接続板16B第1固着部17Bがゲート電極32と固着し、第2固着部18Bが接続部24と固着する。これにより、半導体素子12のソース電極31は、金属接続板16Aを経由して接続部26に接続される。また、半導体素子12のゲート電極32は、金属接続板16Bを経由して接続部24に接続される。このとき、本実施形態では導電性固着層41~44が金属接続板16A、16Bに設けられており、金属接続板16A、16Bとリードフレーム50半導体素子12の位置合わせを行うだけで半導体素子12および接続部26、24に接触する導電性固着層41~44の位置が決定される。したがって、例えばソース電極上に半田ペーストを供給し、その上に金属接続板を配置する従来の方法と比較して、半導体素子12上の半田ペーストの供給領域についての位置合わせが不要となり、半導体素子12と金属接続板16A、16Bと位置合わせの余裕度を小さくできる。リード20E~20Gの接続部26側につても同様である。つまり、半導体素子12のサイズが小型化し、アイランド14の面積が狭小化した場合であっても金属接続板16A、16Bの電気的固着の際の位置合わせを正確に行うことができる。また1枚の金属板51内において導電性固着層41は同一工程にて付着され、複数のユニット54間でそれぞれその面積及び厚み供給量が略均一である。導電性固着層42~44も同様である。したがって、ユニット54間の金属接続板16A、16Bを固着するための導電性固着材の供給量のばらつきを低減でき、位置合わせ精度に応じた導電性固着材の供給量のコントロールも不要となる。また、半導体素子12とアイランド14の接合材28と、金属接続板16A、16Bの導電性固着層41~44に溶融温度が同じ半田ペーストを用いることにより、同一の加熱処理工程にてこれらを一括して固着することができる。この場合、溶融した半田自身の表面張力によって、アイランド14と半導体素子12および、半導体素子12と金属接続板16A、16Bのセルフアライメントも可能となる。尚、図示は省略するが、アイランド14には、少なくとも半導体素子12の四辺に沿うように半導体素子12の固着領域の外周端部に溝が設けられていてもよい。溝は、プレス加工コイニング加工を施すことにより形成される。図4に示す半導体素子12のダイボンド工程において、溝の内側に接合材28半田ペーストを供給する。その後、図5に示すように金属接続板16A、16Bの載置後のリフロー時に、溶融した半田は溝によってその広がりが半導体素子12の固着領域に規制される。つまり、半導体素子12はより正確なセルフアライメントで固着領域に位置あわせすることができ、リフロー時の半導体素子12の位置ずれを防止できる。図6を参照して、次に、各ユニット54の半導体素子12を樹脂モールドする。図6Aは本工程を示す断面図であり、図6Bのc-c線の断面に相当する。図6Bは本工程が終了した後のリードフレーム50の平面図である。本工程では、モールド金型60を使用したトランスファーモールドにより各ユニット54を樹脂封止している。モールド金型60は、上金型62と下金型64とから成り、両者を当接することにより形成されるキャビティ66の内部に、アイランド14、半導体素子12および金属接続板16A16Bおよびリード20の一部が収納される。そして、液状または半固形状の封止樹脂をキャビティ66に充填して加熱硬化することより、アイランド14、半導体素子12および金属接続板16A16B及びリード20の一部は樹脂封止される。図6Bを参照して、各ユニット54のアイランド14、半導体素子12、金属接続板16A、16Bおよびリード20の一部は封止樹脂38により被覆され、多数のリード20が封止樹脂38の側辺から露出している。上記工程が終了した後は、露出するリード20をメッキ膜により被覆する工程、各ユニット54のリード20をリードフレーム50から分離させる工程、各ユニット54の電気的特性を測定する工程等を経て、図1に示す半導体装置10が製造される。尚、導電性固着層41~44にAu/Snペーストを用いる場合は、半導体素子12のダイボンドの接合材28にもAu/Snペーストを用いる。これにより、同一の加熱処理工程において、これらを同時に溶融し固着することができる。また導電性固着層41~44に銀Agペーストを用いる場合は、半導体素子12のダイボンドの接合材28にもAgペーストを用いる。この場合は、ダイボンド用の接合材28と導電性固着層41~44とはAg以外の物質が同じものでなくてもよい。まず、金属接続板16Aの形成方法から説明すると、金属接続板16Aのパターンが複数設けられた金属板51図3参照に第1固着部17Aおよび第2固着部18Aが露出するマスクを設ける。そして第1固着部17Aおよび第2固着部18AにAgペーストを供給し、熱処理温度は例えば80°C~100°Cで硬化させる。これにより、導電性固着層41、42を形成する。金属接続板16Bも同様である。ダイボンド工程においてアイランド14に接合材Agペースト28を供給し、半導体素子12を載置する。そして半導体素子12および接続部2624上に金属接続板16A16Bを載置して、熱処理温度は例えば150°C~200°Cを施し、これらを固着する。また、半導体素子12をアイランド14に固着した後、別工程で金属接続板16A16Bを固着してもよい。以上、金属接続板16A、16Bの導電性固着層41~44が導電性ペースト層の場合を例に説明したが、これに限らず、めっき層または金属蒸着層であってもよい。導電性固着層41~44のパターンは図3と同様であるのでこれを参照して説明する。以下、金属接続板16Aについて説明するが、金属接続板16Bも同様である。まず、導電性固着層41~44をめっき層で形成する方法を説明する。金属接続板16Aのパターンが複数設けられた金属板51に第1固着部17Aおよび第2固着部18Aが露出するマスクを設ける。そしてこれをめっき処理して膜厚が例えば10μm程度の導電性固着層41、42を形成する。この場合、半田めっきPb第1固定部17A側-Sn表面側あるいは、Sn-Auめっきなどが採用できる。また、めっき層を形成する前に、少なくとも第1固着部17Aおよび第2固着部18Aの表面に銀めっき層を形成してもよい。また、導電性固着層41~44を金属蒸着層で形成する方法を説明する。金属接続板16Aのパターンが複数設けられた金属板51に第1固着部17Aおよび第2固着部18Aが露出するマスクを設ける。そしてこれに金属蒸着を施して導電性固着層41、42を形成する。この場合蒸着金属として、半田Pb-Sn、スズSn-金Auなどが採用できる。但し、導電性固着層41~44をめっき層や金属蒸着層により形成した場合は、半導体素子12とアイランド14のダイボンド工程と、金属接続板16A、16Bの固着工程を同一工程で実施できない。例えば導電性固着層41~44が半田めっき層あるいは半田の金属蒸着層の場合、図4において、半導体素子12とアイランド14を半田ペースト、半田を接合材28として供給し、溶融および冷却して予め固着する。あるいは接合材28としてAgペーストを採用して接着する。その後、図5の如く、半導体素子12および接続部2624上に金属接続板16A16Bを載置して、加熱溶融し、固着する。導電性固着層41~44が半田めっき層、金属蒸着層の場合は、半導体素子12のダイボンド時の加熱温度と同じ280°C~340°Cの溶融温度の半田を採用する。また、導電性固着層41~44がSn-Auめっき層、金属蒸着層の場合、図4において、半導体素子12とアイランド14を接合材28として導電性固着層41~44と同じSn-Auあるいは、ダイボンドに用いたものと同様の半田溶融温度が例えば280°C~340°Cを採用して接着する。その後、図5の如く、半導体素子12および接続部2624上に金属接続板16A16Bを載置して、加熱し、固着する。Sn-Auめっき層、金属蒸着層の場合は共晶例えばAu:80とSn:20で温度280°Cでの固着がよい。尚、ゲート電極32とリード20Hの接続部24との接続に金属接続板16Bを用いる場合を例に説明したが、これらは金属細線で接続してもよい。その場合、金属接続板16Aの接続後にワイヤボンダーにてゲート電極と接続部24とのワイヤボンディング工程を行う。しかし、本実施形態の如く、ゲート電極32とリード20Hの接続部24との接続に金属接続板16Bを採用することで、別途ワイヤボンダーに移し変える必要があるワイヤボンド工程が不要となり、またゲート抵抗の低減も図れる利点を有する。