"下記一般式I:式中、Pは重合性基であり;R1は単結合、またはC1~C10線状もしくは分岐有機基を表し;R2およびR3はそれぞれ独立して水素原子、またはC1~C10有機基を表し、場合によっては一緒になって環を形成しており;R4は水素原子、またはC1~C10有機基を表し;並びに、R5およびR6はそれぞれ独立してC1~C6有機基を表し、場合によっては一緒になって環を形成しているのモノマーから形成される第1の単位、並びにラクトン部分を含む第2の単位を含むポリマー。R1が単結合、C1~C10線状もしくは分岐アルキレン基、またはC2~C10線状もしくは分岐アルケニレン基を表す請求項1に記載のポリマー。R5およびR6がそれぞれ独立してC1~C6アルキル基を表すか、または一緒になってC3~C6シクロアルキル基を形成している、請求項1または2に記載のポリマー。R2、R3およびR4がそれぞれ水素原子を表す、請求項1~3のいずれか1項に記載のポリマー。Pが下記式P-A:式中、R7は水素およびC1~C3アルキルから選択されるの重合性基である、請求項1~4のいずれか1項に記載のポリマー。エーテル、エステル、極性基または酸不安定部分を含み、かつ前記第1の単位および第2の単位とは異なる第3の単位をさらに含む請求項1~5のいずれか1項に記載のポリマー。前記第1の単位とは異なる一般式Iの第2の単位をさらに含む、請求項1~6のいずれか1項に記載のポリマー。請求項1~7のいずれか1項に記載のポリマーと、光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物。基体と、当該基体の表面上の請求項8に記載のフォトレジスト組成物の層とを含むコーティングされた基体。aパターン形成される1以上の層を基体の表面上に含む基体を提供し;b請求項8に記載のフォトレジスト組成物の層を前記パターン形成される1以上の層上に適用し;c前記フォトレジスト組成物層を化学線でパターン様式で露光し;d露光した前記フォトレジスト組成物層を露光後べークプロセスにおいて加熱し;並びにe現像剤を前記フォトレジスト組成物層に適用して、前記フォトレジスト層の一部分を除去し、それによりフォトレジストパターンを形成する;ことを含む、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。フォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトレジストパターンを形成する請求項10に記載の方法。この技術分野において、電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にし、および最新技術に関連する1以上の上記課題を回避するかまたは顕著に改善する、改良されたポリマー、フォトレジスト組成物、およびネガティブトーン現像のためのフォトリソグラフィ方法についての継続した必要性が存在している。本発明のフォトレジスト組成物は特定のアセタール部分を含むモノマーから部分的に形成されたポリマーを含む。本発明の好ましい組成物および方法は、フォトリソグラフィ処理における厚さ損失の低減、並びにパターン崩壊マージン、解像度およびフォトスピードの向上をもたらしうる。本発明に従ってポリマーが提供される。このポリマーは下記一般式I:式中、Pは重合性基を表し;R1は単結合、またはC1~C10線状もしくは分岐有機基を表し;R2およびR3はそれぞれ独立して水素原子、またはC1~C10有機基を表し、場合によっては一緒になって環を形成しており;R4は水素原子、またはC1~C10有機基を表し;並びに、R5およびR6はそれぞれ独立してC1~C6有機基を表し、場合によっては一緒になって環を形成しているのモノマーから形成される第1の単位、並びにラクトン部分を含む第2の単位を含む。本発明のさらなる形態に従って、フォトレジスト組成物が提供される。このフォトレジスト組成物は本明細書において記載されるポリマーおよび光酸発生剤を含む。フォトリソグラフィパターンを形成する方法も提供される。この方法はaパターン形成される1以上の層を基体の表面上に含む基体を提供し;b本明細書において上述した本発明のフォトレジスト組成物の層を前記パターン形成される1以上の層上に適用し;cフォトレジスト組成物層を化学線でパターン様式でpatternwise露光し;d露光したフォトレジスト組成物層を露光後べークプロセスにおいて加熱し;並びにe現像剤をフォトレジスト組成物層に適用して、フォトレジスト層の一部分を除去し、それによりフォトレジストパターンを形成することを含む。ネガティブトーン現像方法においては、フォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトレジストパターンを形成する。ポジティブトーン現像方法においては、フォトレジスト層の露光領域が現像剤によって除去されて、フォトレジストパターンを形成する。コーティングされた基体も提供される。コーティングされた基体は、基体と、その基体の表面上の、本明細書に記載される本発明のフォトレジスト組成物の層とを含む。本明細書において記載される方法によって形成される電子デバイスも提供される。本明細書において使用される場合、gはグラムを意味し;重量は重量パーセントを意味し;Lはリットルを意味し;mLはミリリットルを意味し;nmはナノメートルを意味し;mmはミリメートルを意味し;minは分を意味し;hは時間を意味し;Åはオングストロームを意味し;モルはモルパーセントを意味し;Mwは重量平均分子量を意味し;Mnは数平均分子量を意味する。本発明は添付の図面を参照して説明され、この図面においては同様の参照番号は同様のフィーチャを示す。ポリマー本発明のポリマーは環構造およびアセタール基を有する部分を含むモノマーから形成される第1の単位を含む。アセタール基の特徴である2つの酸素原子およびこれら酸素原子に結合した第二級炭素原子アセタール第二級炭素原子は、環構造の部分を形成する。このアセタール第二級炭素原子に結合するものは、この環構造にペンダントな2つの基の形態を取りうる構造か、またはこのアセタール第二級炭素原子と一緒になって環構造の形態を取りうる構造である。ペンダント基と一緒になったこのアセタール第二級炭素原子は酸不安定acidlabileであり、活性化放射線への露光および熱処理の際に光酸推進脱保護反応を受ける。もたらされるアセタール第二級炭素原子およびペンダント基の開裂は、元のアセタール酸素原子を有するヒドロキシ基の形成をもたらすと考えられる。これは、レジスト層を現像するのに使用される有機溶媒中でのポリマーの可溶性をより低くし、ネガ型像の形成を可能にする。より具体的には、このポリマーは下記一般式Iのモノマーから形成される第1の単位を含む:式中、Pは重合性基を表し;R1は単結合、またはC1~C10線状もしくは分岐有機基、例えば、C1~C10もしくはC1~C6線状もしくは分岐アルキレン基、またはC2~C10もしくはC2~C6線状もしくは分岐アルケニレン基を表し;R2およびR3はそれぞれ独立して水素原子、またはC1~C10有機基、例えば、C1~C10もしくはC1~C6アルキル、アルデヒド、アルコキシカルボニル、ベンジルオキシメチル、フェニルスルホニルオキシメチル、もしくはトシルオキシメチル基を表し、場合によってはR2とR3は一緒になって環、例えば、C3~C6もしくはC4~C6シクロアルキル環を形成しており;R4は水素原子、またはC1~C10有機基、例えば、C1~C10もしくはC1~C6アルキルアルキル、またはC2~C10もしくはC2~C6アルケニル基を表し;並びに、R5およびR6はそれぞれ独立してC1~C6有機基、例えば、C1~C6アルキルもしくはアセチルオキシ基を表し、場合によってはR5とR6は一緒になって環、例えば、C3~C6もしくはC4~C6シクロアルキル環を形成している。R1、R2、R3、R4、R5およびR6基は場合によっては置換されていてよく、これは1以上の水素原子が別の原子もしくは基で置き換えられうることを意味する。このモノマー中の重合性官能基は、例えば、アルキルアクリラート、ビニルおよび非芳香族環式オレフィン環内二重結合、例えば、ノルボルネンから選択されることができ、例えば、以下の一般式P-A、P-BおよびP-Cのものがそれぞれ挙げられうる:式中、R7は水素およびC1~C3アルキルから選択される;式中、R8は水素およびC1~C3アルキルから選択される;並びに式中、mは0~3の整数である。R7は場合によっては、例えば、1以上の水素原子をフッ素のようなハロゲンで置き換えることにより置換されうる。好ましくは、このモノマーおよび他のモノマー単位の重合性基は、式P-Aのアルキルアクリラート基、典型的には、アクリラートもしくはメタクリラートである。ポリマーにおける第1の単位および他の単位の含有量は、そのポリマーを構成する様々な単位の数および種類に応じて変化しうるが、第1の単位は典型的には、ポリマー中に30~60モルの量で存在する。限定されないが、式Iの好適なモノマーには、例えば、以下のものが挙げられる:式中、R7は上で定義される通りであって、水素およびC1~C3アルキル、好ましくは水素もしくはメチルから選択される。上記モノマーにおいてアルキルアクリラート重合性基が例示されたが、これらの代わりに、上記式P-BおよびP-Cのもののような他の重合性基が使用されうることも明らかである。式Iの好適なモノマーは商業的に入手可能でありおよび/または、既知の方法、例えば、対応するアルコールのメタクリロイルクロリドでのエステル化を使用して合成されうる。このポリマーはラクトン部分を含むモノマーから形成される第2の単位をさらに含む。第2の単位は典型的には20~60モルの量でポリマー中に存在する。好適なこのラクトン部分は当該技術分野において知られており、例えば、下記式のものが挙げられる:式中、R7は上で定義される通りであって、水素およびC1~C3アルキル、好ましくは水素もしくはメチルから選択される。上記モノマーにおいてアルキルアクリラート重合性基が例示されたが、これらの代わりに、上記式P-BおよびP-Cのもののような他の重合性基が使用されうることも明らかである。第2の単位のために好適なモノマーは商業的に入手可能でありおよび/または既知の技術を用いて合成されうる。上述の第1の単位および第2の単位に加えて、ポリマーは1種以上の追加の単位を含むことができる。典型的には、追加の単位は第1の単位および/または第2の単位のモノマーとして使用されるのと同じ重合性基を含むことができるが、同じポリマー骨格内で、様々な重合性基、例えば、上述のP-A、P-Bおよび/またはP-Cの重合性基を含んでいてもよい。このポリマーのための好適な追加のモノマー単位には、例えば、以下の1種以上が挙げられる:第1の単位とは異なる式Iの部分を含むモノマーから形成されるモノマー単位;エーテル、ラクトンもしくはエステルを含むモノマー単位、例えば、2-メチル-アクリル酸テトラヒドロ-フラン-3-イルエステル、2-メチル-アクリル酸2-オキソ-テトラヒドロ-フラン-3-イルエステル、2-メチル-アクリル酸5-オキソ-テトラヒドロ-フラン-3-イルエステル、2-メチル-アクリル酸3-オキソ-4,10-ジオキサ-トリシクロ[5.2.1.02,6]デシ-8-イルエステル、2-メチル-アクリル酸3-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.02,6]デシ-8-イルエステル、2-メチル-アクリル酸-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノニ-2-イルオキシカルボニルメチルエステル、アクリル酸3-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[5.2.1.02,6]デシ-8-イルエステル、2-メチル-アクリル酸5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノニ-2-イルエステル、および2-メチル-アクリル酸テトラヒドロ-フラン-3-イルエステル;極性基を有するモノマー単位、例えば、アルコールおよびフッ素化アルコール、例えば、2-メチル-アクリル酸3-ヒドロキシ-アダマンタン-1-イルエステル、2-メチル-アクリル酸2-ヒドロキシ-エチルエステル、6-ビニル-ナフタレン-2-オール、2-メチル-アクリル酸3,5-ジヒドロキシ-アダマンタン-1-イルエステル、2-メチル-アクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-プロピル-ビシクロ[2.2.1]ヘプチ-2-イル、および2-ビシクロ[2.2.1]ヘプテ-5-エン-2-イルメチル-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-プロパン-2-オール;酸不安定部分を有するモノマー単位、例えば、ポリマーのエステルのカルボニル酸素に共有結合した、t-ブチルのような第三級非環式アルキル炭素を含むエステル基、またはメチルアダマンチルもしくはエチルフェンキルのような第三級脂環式炭素を含むエステル基、2-メチル-アクリル酸2-1-エトキシ-エトキシ-エチルエステル、2-メチル-アクリル酸2-エトキシメトキシ-エチルエステル、2-メチル-アクリル酸2-メトキシメトキシ-エチルエステル、2-1-エトキシ-エトキシ-6-ビニル-ナフタレン、2-エトキシメトキシ-6-ビニル-ナフタレン、および2-メトキシメトキシ-6-ビニル-ナフタレン。このような追加の単位に好適なモノマーは商業的に入手可能でありおよび/または既知の方法を用いて合成されうる。追加の単位は典型的には40~70モルの量でポリマー中に存在する。サブ-200nmの波長、例えば、193nmでの像形成のために、このポリマーは典型的には、フェニル、ベンジルもしくはこの放射線を非常に吸収する他の芳香族基を実質的に含まない例えば、15モル未満。このポリマーはヘテロ原子、特に酸素および/または硫黄を含む繰り返し単位、例えば、ポリマー骨格に縮合したヘテロ脂環式単位;縮合炭素脂環式単位、例えば、ノルボルネン基の重合により提供される;並びに1以上のヘテロ原子例えば、酸素もしくは硫黄含有基で置換されている炭素環式アリール単位、例えば、ヒドロキシナフチル基:から選択される1種以上を含むことができる。本発明に従う好ましいポリマーには、例えば、以下のものが挙げられる:本発明のポリマーの重量平均分子量Mwは典型的には100,000未満、例えば、5000~50,000、より典型的には7000~30,000、または10,000~25,000である。本発明に従う好適なポリマーは既知の方法および市販の出発材料を用いて当業者によって容易に合成されうる。このポリマーは、例えば、まず、重合性基含有モノマーを好適な有機溶媒、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールメチルエーテルアセタートPGMEA、塩化メチレン、クロロホルム、アセトン、メチルエチルケトンなどに溶解させ、そして脱ガスすることにより合成されうる。ラジカル開始剤が好適な溶媒この溶媒は、モノマー溶解に使用したものと同じかまたは異なっているに溶解されることができ、次いでモノマー溶液に添加されうる。好適なラジカル開始剤には、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオナートVazo商標601、デュポン、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルVazo商標52、デュポン、および2,2-アゾビス2-メチルブタン-ニトリルVazo商標67、デュポンが挙げられる。モノマー溶液に使用されたのと同じかまたは異なる溶媒が反応容器に入れられ、40~140°C、典型的には70~80°Cの温度まで加熱される。次いで、この反応容器に開始剤溶液が添加されることができ、モノマー溶液はこの容器に滴下様式で添加されうる。反応混合物は冷却されることができ、沈殿のために素早く攪拌された非溶媒にゆっくりと添加されうる。好適な非溶媒には、例えば、水、アルコール、アルカン、エーテル、およびこれらの組み合わせが挙げられる。ポリマーは集められ、場合によっては少量の非溶媒ですすがれ、乾燥させられる。さらなる精製のために、このポリマーは好適な溶媒に再溶解させられ、沈殿させられ、かつ乾燥させられうる。フォトレジスト組成物本発明の好ましいフォトレジスト組成物はネガティブトーンnegativetone現像プロセスにおいて非常に微細なパターンを形成するために使用される場合に、従来のポジティブトーンフォトリソグラフィ技術と比較して、解像度、上部損失toploss、パターン崩壊、焦点寛容度focuslatitude、露光寛容度exposurelatitude、フォトスピードおよび不具合defectivityの1以上の改良を提供することができる。好ましいフォトレジストは、ラインおよびコンタクトホールについて形状が均一なレジストパターンを提供することができる。本明細書に記載される組成物はドライリソグラフィまたは液浸リソグラフィプロセスにおいて使用されうる。A.マトリックスポリマーフォトレジスト組成物は上述のようなマトリックスポリマーを含む。フォトレジスト組成物の層の要素としてのマトリックスポリマーは、ソフトベーク、活性化放射線への露光、並びに露光後ベークの後の、光酸発生剤から生じた酸との反応の結果として、有機現像剤中での溶解度の変化を受ける。マトリックスポリマーはレジスト組成物中に所望の厚みの均一な塗膜を得るのに充分な量で存在する。典型的には、マトリックスポリマーはレジスト組成物の全固形分を基準にして70~95重量の量で組成物中に存在する。B.光酸発生剤感光性組成物は、活性化放射線への露光の際に組成物の塗膜層中に潜像を生じさせるのに充分な量で使用される光酸発生剤PAGをさらに含む。例えば、光酸発生剤はフォトレジスト組成物の全固形分を基準にして約1~20重量の量で好適に存在しうる。典型的には、化学増幅型ではない材料と比較して、より少ない量のPAGが化学増幅型レジストのためには好適であろう。好適なPAGは化学増幅型フォトレジストの技術分野で知られており、例えば、オニウム塩、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、p-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリスp-tert-ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナート;ニトロベンジル誘導体、例えば、2-ニトロベンジルp-トルエンスルホナート、2,6-ジニトロベンジルp-トルエンスルホナート、および2,4-ジニトロベンジルp-トルエンスルホナート;スルホン酸エステル、例えば、1,2,3-トリスメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリストリフルオロメタンスルホニルオキシベンゼン、および1,2,3-トリスp-トルエンスルホニルオキシベンゼン;ジアゾメタン誘導体、例えば、ビスベンゼンスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン;グリオキシム誘導体、例えば、ビス-O-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、およびビス-O-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム;N-ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体、例えば、N-ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル;並びに、ハロゲン含有トリアジン化合物、例えば、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、および2-4-メトキシナフチル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジンが挙げられる。このようなPAGの1種以上が使用されてもよい。C.溶媒本発明のフォトレジスト組成物に好適な溶媒には、例えば、グリコールエーテル、例えば、2-メトキシエチルエーテルジグリム、エチレングリコールモノメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;乳酸エステル、例えば、乳酸メチルおよび乳酸エチル;プロピオン酸エステル、例えば、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、エチルエトキシプロピオナート、およびメチル-2-ヒドロキシイソブチラート;セロソルブエステル、例えば、メチルセロソルブアセタート;芳香族炭化水素、例えば、トルエンおよびキシレン;並びにケトン、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよび2-ヘプタノンが挙げられる。溶媒のブレンド、例えば、上述の溶媒の2種類、3種類もしくはそれより多い種類のブレンドも好適である。溶媒はフォトレジスト組成物の全重量を基準にして典型的には90~99重量、より典型的には95~98重量の量で組成物中に存在する。D.他の成分フォトレジスト組成物は他の任意材料を含むこともできる。例えば、組成物は化学線およびコントラスト染料actinicandcontrastdyes、ストリエーション防止剤anti-striationagents、可塑剤、速度向上剤、増感剤などの1種以上を含むことができる。このような任意の添加剤は、使用される場合には、典型的には、フォトレジスト組成物の全固形分を基準にして0.1~10重量のような少量で組成物中に存在する。本発明のレジスト組成物の好ましい任意の添加剤は追加塩基、例えば、カプロラクタムであり、これは現像されたレジストレリーフ像の解像度を向上させることができる。他の好適な塩基性添加剤には、アルキルアミン、例えば、トリプロピルアミンおよびドデシルアミン、アリールアミン、例えば、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、アミノフェノール、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパンなどが挙げられる。追加塩基は好適には比較的少量で、例えば、フォトレジスト組成物の全固形分を基準にして0.01~5重量、好ましくは0.1~2重量で使用される。レジスト層上のトップコート層の必要性を回避することにより液浸リソグラフィプロセスを単純化するために、フォトレジスト配合物中の添加剤として界面活性ポリマーが場合によっては使用されうる。トップコート層は光酸発生剤のようなレジスト成分が像形成レンズ表面を汚染するのを妨げるために典型的に使用される。フォトレジスト配合物に添加される界面活性ポリマー添加剤は、その比較的低い表面自由エネルギーのせいでコーティングプロセス中に表面へ移動する。界面活性ポリマーが表面に移動するのを可能にするように、この界面活性ポリマー添加剤はマトリックスポリマーよりも低い表面自由エネルギーを有するべきである。界面活性ポリマー添加剤の典型的な表面自由エネルギーは10~40mJ/m2である。好適な界面活性ポリマーは当該技術分野において知られており、例えば、TsibouklisツィボクリスおよびNevellネベルAdvancedMaterials,2003,15,647~650ページによって開示されたものが挙げられる。典型的に好適なポリマー添加剤には、例えば、ポリアクリル酸n-ブチル、ポリメタクリル酸n-ブチル、ポリアクリル酸i-ブチル、ポリメタクリル酸i-ブチル、ポリジエチルシロキサン、ポリ酪酸ビニル、ポリテトラヒドロフラン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキシドおよびフッ素化ポリマーが挙げられる。1種以上の添加剤ポリマーは典型的にはフォトレジスト組成物中に比較的少量で存在しうるが、依然として有効な結果を提供できる。添加剤ポリマーの量は、例えば、リソグラフィが乾燥もしくは液浸型プロセスであるかに応じて変化しうる。例えば、液浸リソグラフィのための添加剤ポリマーの下限は概してレジスト成分の漏出を妨げる必要性によって定められる。より高い添加剤ポリマー量は典型的にはパターン劣化をもたらすであろう。本発明の組成物中には、1種以上のポリマー添加剤は、フォトレジスト組成物の全固形分を基準にして、典型的には0.1~10重量、より典型的には1~5重量の量で存在する。添加剤ポリマーの重量平均分子量は典型的には400,000未満、例えば、5000~50,000である。フォトレジスト組成物の製造本発明に従って使用されるフォトレジストは既知の手順に従って一般的に製造される。例えば、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジストの成分を溶媒成分中に溶解させることにより製造されうる。フォトレジストの望まれる全固形分量は組成物中の具体的なポリマー、最終層厚さおよび露光波長などの要因に応じて変化しうる。典型的には、フォトレジストの固形分量は、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして1~10重量、より典型的には2~5重量である。本発明のフォトレジスト組成物には、以下に記載されるようなネガティブトーン現像プロセスにおける特別な適用性が見いだされるが、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジスト層の露光部分が現像剤溶液中で除去されるポジティブトーン現像において使用されることが可能である。ネガティブトーンnegativetone現像方法本発明は、本発明のフォトレジストを用いてフォトレジストレリーフ像を形成する方法および電子デバイスを製造する方法をさらに提供する。本発明は、本発明のフォトレジスト組成物でコーティングされた基体を含む新規製造物品も提供する。本発明に従う方法は、ここで図1A~Eを参照して説明され、この図1A~Eは、ネガティブトーン現像によってフォトリソグラフィパターンを形成するための代表的なプロセスフローを示す。図1Aは様々な層およびフィーチャを含むことができる基体100の断面を示す。基体は、半導体、例えばケイ素、または化合物半導体例えば、III-VまたはII-VI、ガラス、石英、セラミック、銅などの材料からなることができる。典型的には、基体は半導体ウェハ、例えば、単結晶シリコン、または化合物半導体ウェハであり、基体はその表面上に形成された1以上の層およびパターン形成されたフィーチャを有することができる。パターン形成される1以上の層102が基体100上に提供されうる。場合によっては、例えば、基体材料に溝を形成することが望まれる場合には、下にあるベース基体材料自体がパターン形成されてよい。ベース基体材料自体をパターン形成する場合には、このパターンは基体の層に形成されると見なされるものとする。この層には、例えば、1以上の導電体層、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、このような金属の合金、窒化物もしくはケイ化物、ドープされた非晶質ケイ素、またはドープされたポリシリコン、1以上の誘電体層、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、もしくは金属酸化物の層、半導体層、例えば、単結晶シリコン、並びにこれらの組み合わせが挙げられ得る。パターン形成される層は様々な技術、例えば、化学蒸着CVD、例えば、プラズマ援用CVD、低圧CVDもしくはエピタキシャル成長;物理蒸着PVD、例えばスパッタリングもしくは蒸発;または電気めっきによって形成されうる。パターン形成される1以上の層102の具体的な厚みは、材料および形成される具体的なデバイスに応じて変化しうる。パターン形成される具体的な層、膜厚および使用されるフォトリソグラフィ材料およびプロセスに応じて、層102上に、フォトレジスト層108がこの上にコーティングされる反射防止塗膜bottomantireflectivecoating;BARC106および/またはハードマスク層104を配置することが望まれる場合がある。例えば、パターン形成される層がかなりのエッチング深さを必要とし、および/または具体的なエッチング剤がレジスト選択性に劣る非常に薄いレジスト層を使用する場合には、ハードマスク層104の使用が望まれる場合がある。ハードマスク層が使用される場合には、形成されるレジストパターンはハードマスク層に写されることができ、これはひいては、下にある層102をエッチングするためのマスクとして使用されうる。好適なハードマスク材料および形成方法は当該技術分野において知られている。典型的な材料には、例えば、タングステン、チタン、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、非晶質炭素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素が挙げられる。ハードマスク層104は単一層を構成するか、または異なる材料の複数の層を含むことができる。ハードマスク層は、例えば、化学または物理蒸着技術によって形成されうる。反射防止塗膜がなければ基体および/または下にある層が、フォトレジスト露光中に有意な量の入射放射線を反射し、その結果、形成されたパターンの品質が悪影響を受けるであろう場合には、反射防止塗膜106が望まれる場合がある。このような塗膜は焦点深度、露光寛容度、ライン幅均一性およびCD制御を向上させうる。レジストが深紫外光300nm以下、例えば、KrFエキシマレーザー光248nm、もしくはArFエキシマレーザー光193nmに露光される場合には、反射防止塗膜が典型的に使用される。反射防止塗膜106は単一層を構成するか、または複数の異なる層を含むことができる。好適な反射防止材料および形成方法は当該技術分野において知られている。反射防止材料は市販されており、例えば、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー米国、マサチューセッツ州、マルボロにより、AR商標40AおよびAR商標124反射防止材料などのAR商標の下で販売されているものがある。本明細書において記載されるようにフォトレジスト組成物が基体上に、存在する場合には反射防止層106上に適用されて、フォトレジスト層108を形成する。フォトレジスト組成物はスピンコーティング、ディッピング、ローラーコーティング、または他の従来のコーティング技術によって基体に適用されうる。もちろん、スピンコーティングが典型的である。スピンコーティングについては、コーティング溶液の固形分量は、所望の膜厚を提供するために、使用される具体的なコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度および回転の時間量に基づいて調節されうる。フォトレジスト層108の典型的な厚みは約500~3000Åである。フォトレジスト層は、次いで、ソフトベークされることができ、層内の溶媒含量を最小限にすることができ、それにより、粘着性のない塗膜を形成し、この層の基体に対する接着性を向上させることができる。ソフトベークはホットプレート上でまたはオーブン内で行われることができ、ホットプレートが典型的である。ソフトベーク温度および時間は、例えば、フォトレジストの具体的な材料および厚みに応じて変動しうる。典型的なソフトベークは約90~150°Cの温度で、約30~90秒の時間で行われる。フォトレジスト層108は次いで、第1のフォトマスク112を通した活性化放射線110に露光されて、露光領域と未露光領域との間に溶解度の差を作り出す。本明細書における、組成物を活性化する放射線へのフォトレジスト組成物の露光についての言及は、その放射線がフォトレジスト組成物に潜像を形成することができることを意味する。フォトマスクは光学的に透明な領域113および光学的に不透明な領域114を有し、これらはそれぞれ、示されるようなポジ型材料については、その後の現像工程において、レジスト層が残る領域およびレジスト層が除去される領域に対応する。露光波長は典型的にはサブ-400nm、サブ-300nm、またはサブ-200nmであり、248nmおよび193nmが典型的である。本方法は液浸もしくは乾燥非液浸リソグラフィ技術における用途を見いだす。露光エネルギーは典型的には約10~80mJ/cm2であり、露光ツールおよび感光性組成物の成分に応じて変化する。図1Bに示されるように、露光されたレジスト層は未露光領域108aおよび露光領域108bからなる。フォトレジスト層108の露光の後で、露光後ベークPEBが行われる。PEBは、例えば、ホットプレート上でまたはオーブン内で行われうる。PEBの条件は、例えば、具体的なフォトレジスト組成物および層厚さ応じて決定されうる。PEBは典型的には約80~150°Cの温度で、約30~90秒の時間で行われる。露光されたフォトレジスト層は次いで現像されて未露光領域108aを除去し、露光領域108bを残して、図1Cに示されるようなレジストパターンを形成する。現像剤は典型的には有機現像剤であり、例えば、ケトン、エステル、エーテル、炭化水素およびこれらの混合物から選択される溶媒である。好適なケトン溶媒には、例えば、アセトン、2-ヘキサノン、5-メチル-2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトンおよびメチルイソブチルケトンが挙げられる。好適なエステル溶媒には、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチル-3-エトキシプロピオナート、3-メトキシブチルアセタート、3-メチル-3-メトキシブチルアセタート、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチルおよび乳酸プロピルが挙げられる。好適なエーテル溶媒には、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、およびグリコールエーテル溶媒、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルおよびメトキシメチルブタノールが挙げられる。好適なアミド溶媒には、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、およびN,N-ジメチルホルムアミドが挙げられる。好適な炭化水素溶媒には、例えば、芳香族炭化水素溶媒、例えば、トルエンおよびキシレンが挙げられる。さらに、これらの溶媒の混合物、または上記以外の溶媒と混合された1種以上の示された溶媒、または水と混合された1種以上の示された溶媒が使用されても良い。もちろん、2-ヘプタノンおよび5-メチル-2-ヘキサノンが特に好ましい。他の好適な溶媒には、フォトレジスト組成物に使用される溶媒が挙げられる。溶媒は実質的に純粋な材料として、例えば、現像剤の全重量を基準にして95重量を超える、98重量を超える、もしくは99重量を超える量で存在することができる。溶媒の混合物が現像剤において使用される場合には、この溶媒の沸点は好ましくは類似する。現像剤の溶媒は現像剤の全重量を基準にして典型的には50重量~100重量、より典型的には80重量~100重量の量で存在する。現像剤材料は、フォトレジストに関して上述したような界面活性剤など任意の添加剤を含むことができる。このような任意の添加剤は、典型的には少量で、例えば、現像剤の全重量を基準にして約0.01~5重量の量で存在することができる。現像剤は既知の技術で、例えば、スピンコーティングもしくはパドルコーティングで基体に適用されることができる。現像時間はフォトレジストの未露光領域を除去するのに有効な期間であり、5~30秒の時間が典型的である。現像は典型的には室温で行われる。現像プロセスは現像の後にクリーニングすすぎを使用することなく行われうる。これに関して、現像プロセスが、このような追加のすすぎ工程を不要にする残留物非含有ウェハ面を生じさせうることが見いだされた。レジストパターン108bをエッチングマスクとして用いて、存在する場合には、BARC層106が選択的にエッチングされて、下にあるハードマスク層104を露出させる。図1Dに示されるように、このハードマスク層は、次いで、レジストパターン108bを再びエッチングマスクとして使用して、選択的にエッチングされて、結果として、パターン形成されたBARC106’およびハードマスク層104’を生じさせる。BARC層およびハードマスク層をエッチングするのに好適なエッチング技術および化学物質は、当該技術分野において知られており、かつ、例えば、これらの層の具体的な物質に応じて変化するであろう。反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスが典型的である。レジストパターン108bおよびパターン形成されたBARC層106’は、次いで、既知の技術、例えば、酸素プラズマアッシングを用いて、基体から除去される。ハードマスクパターン104’をエッチングマスクとして使用して、1以上の層102が選択的にエッチングされる。下にある層102をエッチングするのに好適なエッチング技術および化学物質は当該技術分野において知られており、反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスが典型的である。パターン形成されたハードマスク層104’は、次いで、公知の技術、例えば、反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスを用いて、基体表面から除去されうる。得られる構造は図1Eに示されるようなエッチングされたフィーチャ102’のパターンである。別の典型的な方法においては、ハードマスク層104を使用することなく、レジストパターン108bを用いて直接に、層102をパターン形成することが望ましい場合がある。直接パターニングが使用されうるかどうかは、関連する物質、レジスト選択性、レジストパターン厚みおよびパターン寸法などの要因に応じて定まるであろう。本発明のネガティブトーン現像方法は上述の代表的な方法に限定されない。例えば、本発明のフォトレジスト組成物は、コンタクトホールを製造するためのネガティブトーン現像二重露光方法において使用されうる。代表的なこのような方法は図1を参照して説明されるが、第1の露光とは異なるパターンでのフォトレジスト層のさらなる露光を使用する様々な技術である。このプロセスにおいては、フォトレジスト層は第1の露光工程でフォトマスクを通して化学線に露光される。フォトマスクは、マスクの不透明な領域を形成する一連の平行線を含む。第1の露光の後で、フォトレジスト層の第2の露光が、第1のフォトマスクの方向とは垂直の方向の一連の線を含む第2のフォトマスクを通して行われる。得られるフォトレジスト層は未露光領域、1回露光された領域および2回露光された領域を含む。第2の露光の後で、フォトレジスト層は上述のように、露光後ベークされ、そして現像剤を用いて現像される。2つのマスクの線の交点に対応する未露光領域が除去され、レジストの1回および2回露光された領域を残す。得られる構造は、次いで、図1に関して上述したようにパターン形成されうる。この方法は電子デバイスの製造におけるコンタクトホールの形成に特に適する。マトリックスポリマー合成以下の実施例におけるコポリマーの合成に以下のモノマーが使用された:6-O-メタクリロイル-1,2-イソプロピリデン-DL-グリセリンIPGMAの合成DL-1,2-イソプロピリデングリセリン98、528g、4.0mol、無水トリエチルアミン600mlおよび無水塩化メチレン1600mlの溶液に、0°Cで、無水塩化メチレン200ml中の塩化メタクリロイル438.9g、4.2molを40分間にわたって滴下添加した。機械式スターラーを用いてこの混合物は、室温で2.5時間、激しく攪拌された。白色沈殿物がろ過により除去された。薄黄色溶液が蒸留水で2回2×1500ml、炭酸水素ナトリウム飽和水溶液で2回2×1500ml、次いで蒸留水1500mlで再び洗浄された。無水硫酸マグネシウムを用いてこの溶液は30分間乾燥させられた。この溶液はろ紙を通してろ過され、硫酸マグネシウム相は無水塩化メチレンで5回5×100ml洗浄された。全ての有機相が一緒にされた。ヒドロキノン結晶150mgが禁止剤として添加され、ロータリーエバポレータを用いて25°Cで溶媒が除去された。得られた薄黄色オイルが無水THFに再溶解させられ、シリカゲルのプラグを通された。別のバッチのヒドロキノン結晶75mgが添加され、減圧下、25°Cで溶媒が除去されて、わずかに黄色のオイルを得て、これは痕跡量の溶媒を除去するために室温で48時間真空下で乾燥させられた。667.5gの黄色がかったオイルが得られた83.3収率。1HNMR500MHz、CDCl3δ1.34s,6H、1.41s,3H、1.95s,3H、3.78m,1H、4.03m,1H、4.19d,2H、4.32m,1H、5.54s,1H、6.13s,1H。ポリIPGPMA/α-GBLMA/MNLMAの合成15.77gのIPGPMA、6.54gのα-GBLMAおよび2.69gのMNLMAを31gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに18gのPGMEAを入れ、この溶液を80°Cの温度にした。1.0gのPGMEAに溶解した1.03gのV601ジメチル-2,2-アゾジイソブチラートをこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に13.0mL/hの速度で供給した。1時間後、1.0gのPGMEAに溶解した0.52gのV-601をこの反応器に添加し、さらに3時間の間モノマー供給を行った。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに3時間80°Cで攪拌した。合計7時間の重合時間の4時間の供給および3時間の攪拌後、重合混合物を室温に冷却した。1.0Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、52gのTHFに再溶解し、1.1Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中45°Cで48時間乾燥させ、18.0gの以下のポリマーAMw=15,239およびMw/Mn=1.84を得た:ポリIPGFMA/α-GBLMA/MNLMAの合成15.77gのIPGPMA、6.54gのα-GBLMAおよび2.69gのMNLMAを31gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに18gのPGMEAを入れ、この溶液を80°Cの温度にした。1.0gのPGMEAに溶解した1.03gのV601ジメチル-2,2-アゾジイソブチラートをこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に13.0mL/hの速度で供給した。1時間後、1.0gのPGMEAに溶解した0.52gのV-601をこの反応器に添加し、さらに3時間の間モノマー供給を行った。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに3時間80°Cで攪拌した。合計7時間の重合時間の4時間の供給および3時間の攪拌後、重合混合物を室温に冷却した。1.0Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、52gのTHFに再溶解し、1.1Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中45°Cで48時間乾燥させ、18.5gの以下のポリマーBMw=14,378およびMw/Mn=1.75を得た:ポリIPGMA/α-GBLMA/MNLMAの合成20.410gのIPGMA、13.876gのα-GBLMAおよび5.714gのMNLMAを40gのPGMEAに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに53.001gのPGMEAを入れ、この溶液を80°Cの温度にした。8.000gのPGMEAに溶解した3.286gのV601ジメチル-2,2-アゾジイソブチラートをこのフラスコに入れた。モノマー溶液をこの反応器に26.7.00mL/hの速度で供給した。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに1時間80°Cで攪拌した。合計4時間の重合時間の3時間の供給および1時間の攪拌後、重合混合物を室温に冷却した。1.6Lのイソプロピルアルコール中で沈殿が行われた。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、91gのTHFに再溶解し、1.6Lのイソプロピルアルコールに再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中60°Cで48時間乾燥させ、36.7gの以下のポリマーCMw=13,094およびMw/Mn=2.01を得た:添加剤ポリマー合成:ポリn-BMA13.01gのメタクリル酸n-ブチルnBMAを7gのTHFに溶解させた。この混合物を窒素での20分間のバブリングによって脱ガスした。凝縮器、窒素入口および機械式攪拌装置を備えた500mLのフラスコに8gのTHFを入れ、この溶液を67°Cの温度にした。2.11gのV601ジメチル-2,2-アゾジイソブチラート、モノマーに対して10.0モルが2gのTHFに溶解させられ、このフラスコに入れられた。モノマー溶液をこの反応器に6.29mL/hの速度で供給した。モノマー供給は3時間30分間行われた。モノマー供給が完了した後、重合混合物をさらに30分間67°Cで攪拌した。合計4時間の重合時間の3時間30分間の供給および30分間の攪拌後、7gのTHFを反応器に添加し、重合混合物を室温に冷却した。0.4Lの冷メタノール中で沈殿が行われた。ろ過後、真空オーブン中60°Cで48時間ポリマーを乾燥させ、8.4gの以下の添加剤AMw=12,284およびMw/Mn=1.79を得た:フォトレジスト組成物配合例1比較3.050gのポリマーAおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEA、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル-2-ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載のPAGA、0.010gの1-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX登録商標PF-656界面活性剤オムノバソリューションズインコーポレーティド;OmnovaSolutionsInc.を添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン登録商標フィルターを通して濾過した。例2比較3.050gのポリマーBおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEA、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル-2-ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載のPAGA、0.010gの1-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX登録商標PF-656界面活性剤オムノバソリューションズインコーポレーティドを添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン登録商標フィルターを通して濾過した。実施例33.050gのポリマーCおよび0.102gの添加剤Aを28.980gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEA、19.320gのシクロヘキサノンおよび48.300gのメチル-2-ヒドロキシイソブチラート中に溶解させた。この混合物に0.232gの以下に記載のPAGA、0.010gの1-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、および0.005gのPOLYFOX登録商標PF-656界面活性剤オムノバソリューションズインコーポレーティドを添加した。得られた混合物をローラー上で6時間ロールし、次いで0.2ミクロン孔サイズを有するテフロン登録商標フィルターを通して濾過した。実施例6および9、並びに例4、5、7および8表1に示される成分および量を使用し、PAGBもしくはCを用いて、例1と同じ手順を用いてフォトレジスト組成物が製造された。クエンチャー:1-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン;界面活性剤:POLYFOX登録商標PF-656オムノバソリューションズインコーポレーティド;溶媒A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;溶媒B:シクロヘキサノン;溶媒C:メチル-2-ヒドロキシイソブチラート。全ての量はグラム単位である。比較例=比較例。ドライリソグラフィプロセスおよびコントラスト評価実施例12、15および18、並びに例10、11、13、14、16および17ドライリソグラフィ処理は、ASML/1100スキャナーにリンクしたTELCleanTrackクリーントラックACT8を用いて、0.75の最大開口数NAで、200mmのシリコンウェハ上で行われ、例1、2、4、5、7および8並びに実施例3、6および9のそれぞれのフォトレジスト組成物についてNTDコントラスト曲線を得た。シリコンウェハはAR商標77反射防止コーティングBARC材料ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズでスピンコートされ、60秒間205°Cでベークされ、840Åの膜厚を生じさせた。例1、2、4、5、7もしくは8または実施例3、6もしくは9のフォトレジスト組成物は、TELCleanTrackACT8コーター/デベロッパーにおいて、BARCコーティングしたウェハ上にコーティングされ、100°Cで60秒間ソフトベークされて、1000Åのレジスト層厚みをもたらした。このフォトレジストコーティングしたウェハは、次いで、0.89アウターシグマおよび0.64インナーシグマで、クアドラポールQuadrapole30照明条件および0.75NAを用いて、ブランクマスクを通して露光された。露光は1.0mJ/cm2の開始線量で0.2mJ/cm2の増分で実施され、1.0~20.8mJ/cm2の線量範囲で、ウェハ上の10×10アレイにおける100個のダイを露光した。露光されたウェハは100°Cの温度でで60秒間露光後ベークされ、次いでTELCleanTrackACT8コーター/デベロッパーにおいて2-ヘプタノンを用いて25秒間現像された。様々な露光線量に対して残留膜厚さをThermaWaveOptiprobeサーマウェーブオプティプローブKLA-Tencorにおいて測定し、残留膜厚さを露光線量の関数としてプロットすることによりNTDコントラスト曲線を得た。得られたコントラスト曲線は図2例1、2および実施例3、図3例4、5および実施例6、および図4例7、8および実施例9に認められうる。コントラスト曲線から、一定の膜厚さに到達する最小限のエネルギーとして、極性切り替えに必要な露光エネルギーEpsが決定された。NTDのための各組成物の光感度の指標として使用されるEpsが表2に示される。認められうるように、本発明に従うフォトレジスト組成物を使用する実施例3、6および9については、比較例1、2、4、5、7および8と比べて、Epsは有意に低いすなわち、光感度が高い。光感度における同様の傾向は試験された3種類のPAGについての組成物で観察された。パターン形成について不充分なNTDコントラストのせいで、パターン崩壊評価のための液浸リソグラフィ処理は行われなかった。液浸リソグラフィプロセス例19、20、22、23、25および26、並びに実施例21、24および27TELCLEANTRACKLITHIUSテルクリーントラックリシウスiコーター/デベロッパーにおいて、300mmシリコンウェハがAR商標40A反射防止剤ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズでスピンコートされ、第1の下部反射防止塗膜BARCを形成した。このウェハは60秒間215°Cでベークされ、840Åの第1のBARC膜厚を生じさせた。次いで、この第1のBARC上に、AR商標124反射防止剤ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズを用いて第2のBARC層がコーティングされ、205°Cで60秒間ベークされて、200Åの上部BARC層を生じさせた。次いで、TELCLEANTRACKLITHIUSiコーター/デベロッパーにおいて、この二重BARCコートウェハ上に例1、2、4、5、7もしくは8または実施例3、6もしくは9のフォトレジスト配合物がコーティングされ、90°Cで60秒間ソフトベークされて、1000Åのレジスト層厚を提供した。フォトレジストコーティングしたウェハは、1.35のNA、0.988アウターシグマ、0.9インナーシグマおよびXY偏光のC-クアッドQuad20照明を使用して、ASMLTWINSCANXT:1900i液浸スキャナにおいて、マスクを通して露光された。露光されたウェハは、TELCLEANTRACK商標LITHIUS商標iコーター/デベロッパーにおいて、表3に示されるようなその相対的フォトスピードに応じて80~100°Cで60秒間露光後ベークされ、次いで2-ヘプタノンを用いて25秒間現像されて、ネガティブトーンパターンを生じさせた。日立CG4000CDSEMにおいて、56nmでのマスクCDおよび76nmでのピッチCDを用いて、臨界寸法CDが測定され、~45nmコンタクトホールについて各配合物の解像能を比較した。結果は表3に示される。認められうるように、本発明に従う実施例3、6および9のフォトレジスト組成物は良好な解像を示したが、比較例1、2、4、5、7および8のフォトレジスト組成物は限定された解像しかもたらさないか、または全く解像しなかった。比較例=比較例;解像度は56nmでのマスクCDを使用し、76nmピッチでの45nmコンタクトホールについて試験された;X=解像せず;Δ=ホール架橋を伴う限定された解像;O=良好な解像。実施例28~40上記実施例に記載されるのと同様の重合方法を用いて様々なコポリマーが製造された。これらポリマーについてのモノマー単位、モル比および分子量情報が表4に示される。上記実施例に記載されたのと同様の手順を用い、表5に示された成分および量を用いてこれらポリマーからフォトレジスト組成物が形成された。液浸リソグラフィが行われ、組成物のそれぞれについて良好な解像度が得られた。=重合中の供給物におけるモノマーモル比。クエンチャー:1-tert-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン;界面活性剤:POLYFOX登録商標PF-656オムノバソリューションズインコーポレーティド;溶媒A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;溶媒B:シクロヘキサノン;溶媒C:メチル-2-ヒドロキシイソブチラート。全ての量はグラム単位である。比較例=比較例である。"