"蛍光体層による蛍光を検出する光電変換素子を有する放射線検出パネルであって、前記光電変換素子を有する、前記蛍光体層を支持するための基材と、前記蛍光体層を覆う保護膜と、を備え、前記蛍光体層は前記基材の表面および少なくとも1つの側面に形成され、前記表面と前記少なくとも1つの側面とのなす角度が90度以下であることを特徴とする放射線検出パネル。前記保護膜は、前記蛍光体層を覆ってさらに前記基材の背面に形成されることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出パネル。前記側面は、前記表面よりも粗い面として形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出パネル。前記側面において前記蛍光体層と前記基材との間にさらに反射防止層が形成されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の放射線検出パネル。前記反射防止層は、前記基材の表面における前記側面との境界部分から所定の領域において前記蛍光体層と前記基材との間にさらに形成されることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出パネル。前記基材がシリコンで形成され、前記基材の表面に絶縁層が形成されることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の放射線検出パネル。前記蛍光体層と前記保護膜との間に熱可塑性樹脂層が形成され、前記基材の前記側面において前記熱可塑性樹脂層が前記蛍光体層よりも厚く形成されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の放射線検出パネル。請求項1乃至7の何れか1項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線撮影装置。しかしながら、特許文献1および特許文献2においては、マンモ撮影用FPDカセッテに対する狭額縁が実現できていない。ここで、狭額縁とは、カセッテ外形の一辺からの距離が小さい領域まで例えば2mm以内画像化できることをいう。上記の課題に鑑み、本発明は、狭額縁を実現する放射線検出装置放射線検出パネルを提供することを目的とする。上記の目的を達成する本発明に係る放射線検出パネルは、蛍光体層による蛍光を検出する光電変換素子を有する放射線検出パネルであって、前記光電変換素子を有する、前記蛍光体層を支持するための基材と、前記蛍光体層を覆う保護膜と、を備え、前記蛍光体層は前記基材の表面および少なくとも1つの側面に形成され、前記表面と前記少なくとも1つの側面とのなす角度が90度以下であることを特徴とする放射線検出パネル。本発明によれば、狭額縁を実現する放射線検出パネルを提供することができる。第1実施形態図1を参照して、第1実施形態に係る放射線検出装置放射線検出パネル、2次元光検出器とも称するについて説明する。なお、放射線にはX線の他にα線、β線、γ線等が含まれる。図1aは、放射線検出装置の模式的平面図であり、図1bは、図1aにおけるA-A′線における断面図である。図1bにおいて、放射線検出装置としてのセンサパネル100は、ガラス基板101と、光電変換素子部102と、配線部103と、接触リード104と、保護層105と、蛍光体下地層106と、反射防止層120とを備える。ガラス基板101は、放射線検出装置の基礎部分を構成する基材である。光電変換素子部102は、例えばアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとTFTとから構成される。配線部103および接触リード104は、光電変換素子部102に含まれている。保護層105は、例えば窒化シリコンにより構成され、SiNやTiO2、LiF、Al2O3、MgO等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。特に保護層105は、放射線照射時に蛍光体によって変換された光が通過することから、蛍光体が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。蛍光体下地層106は、光電変換素子部102の剛性保護層を兼ねる、樹脂膜等により形成された下地層である。蛍光体下地層106は、柱状化蛍光体による蛍光体層形成工程での熱プロセス200°C以上に耐える材料であればいずれの材料であってもよい。例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。蛍光体保護部材110は、蛍光体保護層111と、反射層112と、保護基材113とを備える。蛍光体保護部材110は、センサパネル100上に形成された光電変換素子部102や後述する蛍光体層114の防湿保護の機能を有し、水分透過率の低い材料を少なくとも1層構成するとよい。蛍光体保護層111は、有機樹脂等により構成され、蛍光体保護部材110と蛍光体層114との接着を担う。蛍光体保護層111は、蛍光体層114に対してセンサパネル100の光電変換素子部102を覆う蛍光体保護部材110を接着固定すると共に、蛍光体層114及び光電変換素子部102の防湿保護の目的で設けられている。蛍光体保護層111としては、加熱溶融状態で他の有機材料および無機材料に対して接着性を有し、常温で固体状態となり接着性を持たない樹脂を用いてもよい。この目的にかなうものであればいずれの材料であってもよく、特に水分透過率の低い樹脂がよい。加熱により硬化反応し硬化する加熱硬化型接着剤、例えば付加反応型のシリコン、加熱硬化型のアクリルやエポキシ加熱により可塑化して溶着可能となるポリオレフィン等のホットメルト樹脂熱可塑性樹脂を用いることができる。この熱可塑性樹脂層からなる蛍光体保護層111を蛍光体層114よりも厚く形成することにより不図示、ガラス基板101周辺部の機械的衝撃を緩和することができる。反射層112の材料としては、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAu等の反射率の高い金属がよい。保護基材113は、反射層112を予め形成するための基材であり、PET等の有機材料が挙げられる。この反射層112および保護基材113を保護膜とする。蛍光体層114は、柱状の蛍光体により構成される層である。蛍光体層114としては、アルカリハライド付活剤が好適に用いられ、CsI:Tlの他に、CsI:Na,NaI:Tl,LiI:Eu,KI:Tl等を用いることができる。この蛍光体層114は、ガラス基板101をベースに支持されている。反射防止層120は、上面表面からの蛍光がガラス基板101の側面、下面背面で反射することを防止すると同時に、ガラス基板101の側面に形成された蛍光体層114からの蛍光が側面から光電変換素子部102へ入射することを防止する。本実施形態では、2次元光検出器であるセンサパネル100として、ガラス基板101上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとTFTから構成される光電変換素子部102を形成した場合について説明する。しかしながら、本実施形態はこれに限定されず、CCDやCMOSセンサ等を2次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板上に下地層、蛍光体層を配置することにより同様の放射線検出装置を構成することができる。このことは他の実施形態においても同様である。図1aおよびbを参照して説明した放射線検出装置の製造方法を説明する。図2aおよびb、図3、図4は、放射線検出装置の製造工程を示す。なお、図a乃至図4は、図1aのA-A′線における模式的断面図を示している。図5は、本発明に係る放射線検出装置の製造手順を示すフローチャートである。まず、S501において、図2aに示されるように、ガラス基板101上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上に、フォトセンサとTFTからなる光電変換素子部光検出素子画素102及び配線部103を形成する。S502において、ガラス基板101の少なくとも1つの側面例えば、患者の胸部と接触する胸壁側部分をカッティングする。カッティングする時に、内側に向かって傾斜がつくように切り出す。すなわち、ガラス基板101の上面表面と側面とのなす角度が90度以下となるように切り出す。カッティングは、ダイアモンドカットの他に、レーザカット等が可能である。いずれのカッティング方であってもガラス基板101の内側に向かって側面が傾斜するようにカットすればよい。ガラス基板101の側面は上面よりも粗い面になるようにカッティングされている。ダイアモンドカットを行うと粗い面を形成しやすい。粗い面を形成することにより、蛍光体層114を形成させる際に、蛍光体がガラス基板101の側面を通って流れてしまい下面に付着することを防止しやすくなる。図1aの胸壁側A-A′線以外は側面が傾斜するようにカットする必要はない。放射線検出装置全体を必ずしも狭額縁にする必要はないからである。ただし、狭額縁にしたい側面に対しては胸壁側A-A′線以外も側面が傾斜するようにカットしてもよい。S503において、光電変換素子部102及び配線部103の上にSiNXよりなる保護層105と、更にポリイミド樹脂を硬化した蛍光体下地層106を形成する。S504において、更に、反射防止層120をガラス基板101の側面及び下面に形成する。反射防止層120を形成することによって、側面からの蛍光がガラス基板101に入射することにより生じる放射線画像のコントラストの低下を軽減する効果がある。S505において、次に、図2bに示されるように、不図示の蛍光体形成蒸着装置によってアルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体例えば、CsI:Tl、タリウム活性化沃化セシウムからなる蛍光体層114形成する。蛍光体層114は、厚さ約0.5mmで形成され、二次元に配置されている光電変換素子部102の上面を覆うように蛍光体下地層106上に形成する。蛍光体層114はガラス基板101の表面側および側面側に形成される。S506において、その後、図3に示されるように、厚さ25μmのPETからなる保護基材113に対して反射層112としてのAl膜が形成された、フィルム状の蛍光体保護部材110の反射層112の形成面側に、ポリオレフィン樹脂からなるホットメルタイプの有機樹脂から構成される蛍光体保護層111を、不図示のヒートローラを用いて転写接着させる。S507において、次に、図2bに示される蛍光体層114が形成された、センサパネル100の蛍光体層114形成面上に、蛍光体保護層111を形成した蛍光体保護部材110を不図示の加圧ローラにより押圧して接着させる。この時、加圧ローラやセンサパネル100を保持するステージ不図示は加熱せずに常温の状態で接着させる。また、ホットメルト樹脂からなる蛍光体保護層111は、熱可塑性樹脂であり本実施形態では融点が100°C程度の樹脂を用いており、本工程では溶融状態にはならず接着されていない状態である。S508において、次に、図4に示されるように、加熱ヒータ130を内蔵するライン状の加圧ヘッド140を用いて、センサパネル100に対して蛍光体保護層111の対向面を加熱押圧して接着させる。本実施形態では、蛍光体保護部材110の周囲辺の1辺を一括して押圧できる長さの加圧ヘッド140を用いて蛍光体保護部材110の上方から押圧加熱して接着し、順次他辺も同様に接着する。尚、図4に示される緩衝材150は、加圧ヘッド140とセンサパネル100面との押圧力を均一にするためのものであり、例えば厚さ0.3mmのシリコンゴムを用いる。また、本実施形態では、ヒータヘッド温度を制御し、蛍光体保護層111の温度が120°Cに達するように調整し、10sec加熱接着させる。このようにして、本実施形態に係る図1に示されるような放射線検出装置が作製される。なお、本実施形態で説明した放射線検出パネルを構成する各層膜は必ずしも全てを備えている必要はなく、その組み合わせは任意であってもよい。また、蛍光体層114を覆う保護膜としての保護基材113および反射層112は、ガラス基板101の表面側および側面側を覆う構成であってもよく、さらに背面側まで覆う構成であってもよい。なお図8は、図1aのB-B’線の断面を示す。マンモ撮影用FPDカセッテにおいて、胸壁側以外の3つの側面に対しては、本実施形態の処理を行うことなく、図8のような断面で構成される。本発明は少なくとも1つの側面に対して適用可能であり、胸壁側以外の3つの側面に対して本発明を適用してもよい。以上説明したように、辺に配置される膜蛍光体保護膜の破壊に対する緩衝材として蛍光体を使用することができる。また、光電変換素子をガラス基板周辺例えば、端部から2mm以内まで配置させることができるため、狭額縁を安価に実現することができる。これは直接蒸着および間接蒸着の両方に適用可能である。本発明に係る放射線検出装置を備えた放射線撮影装置を用いることによって、狭額縁の放射線画像を得ることができる。第2実施形態本実施形態では、図6に示されるように、第1実施形態とはS504における反射防止層120の形成方法が異なる。具体的には、ガラス基板101の側面及び下面だけでなく、ガラス基板101の上面にも反射防止層120を形成している点が異なる。ガラス基板101上面の周辺部に0.5mmから1mm程度の幅で、反射防止層120を形成する。すなわち、ガラス基板101の表面における側面との境界部分から所定の領域においても、蛍光体層114とガラス基板101との間に反射防止層120が形成される。反射防止層120をガラス基板101上面の周辺部にも形成することにより、蛍光体層114の厚みを制御することが可能になる。反射防止層120を上面に形成することにより、ガラス基板101上面の周辺部における蛍光体層114の厚みの低下を抑制することが可能になる。第3実施形態本実施形態では、図7に示されるように、第1実施形態とは光電変換素子部102の材質が異なる。第1実施形態では、ガラス基板101上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサとTFTから構成される光電変換素子部102を形成した場合について説明したが、光電変換素子部102は、アモルファスシリコンではなくクリスタルシリコンを用いて構成されているものとする。本実施形態に係る光電変換素子部102の例としては、CMOSセンサがある。CMOSセンサは、導電性を有するために支持部材107に取り付ける際に絶縁する必要がある。第3実施形態の場合、ガラス基板101の代わりにシリコン基板160が基材として用いられ、シリコン基板160の上面に絶縁性の保護層105が絶縁層として形成され、その上面にさらに蛍光体下地層106が形成される。その他は第1実施形態と同様の方法で製造される。その他の実施形態また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアプログラムを、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータまたはCPUやMPU等がプログラムを読み出して実行する処理である。"