"パターニングされた配線パスを持つ基板と、放熱用の引き出し部を持ち、前記基板上に設けられた薄板と、表面に複数の電極を持ち、前記薄板上の前記引き出し部以外の部分に前記表面を上にして設けられた半導体チップと、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。請求項1記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、前記放熱用の引き出し部を複数持つ、ことを特徴とする半導体モジュール。請求項1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、折り曲げが可能な材料又は構造からなり、前記放熱用の引き出し部は、前記基板の前記配線パスがパターニングされている実装面から離れ、当該実装面内とは空間的に異なる面内に導かれている、ことを特徴とするモジュール。請求項1乃至3のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記配線パスに電気的に接続され、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記薄板に電気的に接続され、前記薄板と前記基板とが電気的に接続された、ことを特徴とする半導体モジュール。請求項1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、前記半導体チップと同じ半導体材料からなる、ことを特徴とする半導体モジュール。請求項1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、炭化珪素又は窒化アルミニウムからなる、ことを特徴とする半導体モジュール。請求項1乃至6のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップと前記薄板とは、銀ペースト、導熱樹脂又ははんだによって接合された、ことを特徴とするモジュール。請求項1乃至7のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記電極と前記薄板とは、ワイヤボンディングによって電気的に接続された、ことを特徴とする半導体モジュール。請求項1乃至8のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板と電気的に接続する前記電極は、グランド端子又は電源端子である、ことを特徴とする半導体モジュール。パターニングされた配線パスを持つ基板上に、放熱用の引き出し部を持つ薄板を設け、この薄板上に、表面に複数の電極を持つ半導体チップを、前記表面を上にして設ける、ことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。フェイスアップ実装した場合の基板からの放熱については、従来から様々な技術が採られてきた。例えば、熱伝導を良くした放熱用基板を配線用基板とは別構造にしたものや、配線用基板として熱伝導率が高い材質窒化アルミニウムなどを採用したものがある。しかし、いずれの技術も、構造及び製造方法が複雑になったり、高価な材料を必要としたりするという課題があった。また、特許文献1~4の関連技術では、配線基板の一部をくりぬき、その開口部に放熱板とともにICを収めるため、構造及び製造方法が複雑になるという課題があった。そこで、本発明の目的は、簡単な構造で放熱性を向上し得る半導体モジュールを提供することにある。本発明に係る半導体モジュールは、パターニングされた配線パスを持つ基板と、放熱用の引き出し部を持ち、前記基板上に設けられた薄板と、表面に複数の電極を持ち、前記薄板上の前記引き出し部以外の部分に前記表面を上にして設けられた半導体チップと、を備えたことを特徴とする。本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、パターニングされた配線パスを持つ基板上に、放熱用の引き出し部を持つ薄板を設け、この薄板上に、表面に複数の電極を持つ半導体チップを、前記表面を上にして設ける、ことを特徴とする。本発明によれば、放熱用の引き出し部を持つ薄板が基板と半導体チップとの間に挟まれた構造になっていることから、半導体チップから発生した熱を引き出し部から外へ逃がすことができるので、簡単な構造で放熱性を向上することができる。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態以下実施形態という。について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。[実施形態1]図1は、本発明に係る半導体モジュールの実施形態1を示す平面図である。図2は、図1におけるII-II線縦断面図である。以下、図1及び図2に基づき説明する。本実施形態1の半導体モジュール10は、パターニングされた配線パス31を持つ基板30と、放熱用の引き出し部41を持ち、基板30上に設けられた薄板40と、表面一つの面23に複数の電極21を持ち、薄板40上の引き出し部41以外の部分に、表面23を上にして設けられたIC20と、を備えたものである。本実施形態1の半導体モジュール10の製造方法は、パターニングされた配線パス31を持つ基板30上に、放熱用の引き出し部41を持つ薄板40を設ける工程と、薄板40上に、表面23に複数の電極21を持つ半導体チップ20を、表面23を上にして設ける工程と、を備えている。換言すると、半導体モジュール10は、表面23に複数の電極21を持つIC20と、パターニングされた配線パス31を持つ基板30と、放熱用の引き出し部41を持つ導熱性の薄板40とを具備している。薄板40は、薄板40とIC20とが熱的に接続されるように、IC20と基板30との間に挟まれている。複数の電極21のうち少なくとも一個が配線パス31に電気的に接続され、複数の電極21のうち少なくとも一個が薄板40に電気的に接続され、薄板40と基板30とが電気的に接続されている。電極21と配線パス31及び薄板40とは、それぞれワイヤボンディングによって接続されている。すなわち、電極21と配線パス31及び薄板40とは、それぞれワイヤ22によって接続されている。IC20は、外形が四角形であり、その四辺全てに電極21を持つ。引き出し部41は、IC20から発生した熱を外へ逃がす放熱パスとなっている。以下に、更に詳しく説明する。本実施形態1は、表面23の四辺に電極21を持つ四角形のIC20をフェイスアップ実装した半導体モジュール10であって、放熱構造に特徴を有する。半導体モジュール10は、次のように製造される。まず、基板30及び薄板40を用意する。基板30は、アルミナ酸化アルミニウム製であり、配線パス31及びグランドGNDパターン32が金メッキでパターニングされている。薄板40は、0.2mm厚の銅タングステン製であり、その両面に金メッキが施されている。続いて、基板30のグランドパターン32上に薄板40を、はんだを用いて接合する。続いて、薄板40上にIC20を、銀ペーストを用いてフェイスアップ実装する。その後、IC20の表面23の電極21と基板30上の配線パス31とを、ワイヤボンディングを用いて接続する。図1では、電極21のうち、グランドGND端子21bを四角形、その他の端子21aを丸形で表している。ここで、図1に示すとおり、グランド端子21b付近から、薄板40の一部引き出し部41が放熱パスとして、IC20のフットプリントの外に引き出されている。引き出し部41では、電極21グランド端子21bと薄板40とをワイヤボンディングによって接続する。前述のとおり、薄板40は、基板30のグランドパターン32と電気的に接合されている。そのため、IC20のグランド端子21bは、薄板40を通して基板30のグランドパターン32と電気的に接合される。また、引き出し部41は、図示しない外部のヒートシンクに熱的に接続してもよい。この場合は、IC20で発生した熱を効果的に逃がすことができる。換言すると、本実施形態1は、複数辺からワイヤボンディング接続を行う必要のあるIC20をフェイスアップ実装した際に、IC20の裏面にヒートスプレッドを接続することにより、効果的に放熱する構造を持つ半導体モジュール10に関する。すなわち、本実施形態1は、特に、小型で高密度な全辺に電極21を持つIC20について、安価な基板アルミナなど30を単純な単板構造で用いながら、フェイスアップ実装したIC20の放熱性を確保する構造を提案するものである。具体的には、基板30とIC20との間に、金属又は金属メッキした熱伝導性導電性の良い材質の薄板40を敷く。そして、薄板40の一部である引き出し部41をそのまま放熱器として用いるか、又は、引き出し部41を外部の放熱器に熱的に接続する。このとき、引き出し部41がワイヤ22と干渉するが、干渉する電極21については、電極21からワイヤ22を引き出し部41に接続して、導電性の薄板40を通して基板30に電気的に接続する。特に小型で高密度なIC20では、電位を安定させるために複数の電極21すなわちグランド端子21bを1箇所又は数箇所にまとめることがあるので、そのような箇所で薄板40を外部に接続することを想定している。本発明によれば、放熱用の引き出し部41を持つ薄板40が基板30とIC20との間に挟まれた構造になっていることから、IC20から発生した熱を引き出し部41から外へ逃がすことができるので、簡単な構造で放熱性を向上することができる。[実施形態2]図3は、本発明に係る半導体モジュールの実施形態2を示す平面図である。以下、図3に基づき説明する。本実施形態2の半導体モジュール50は、薄板60が複数の放熱用の引き出し部61,62を持つことを特徴とする。以下に、更に詳しく説明する。ここで用いるIC70は、表面23の四辺に電極21を持ち、グランド端子21bを二辺に持つ四角形の半導体チップである。本実施形態2は、IC70をフェイスアップ実装した半導体モジュール50における放熱構造に関する。本実施形態2は、実装手順は実施形態1と同様であるが、図3に示すとおり、放熱パスとしての引き出し部61,62を二箇所から取り出すことを特徴としている。本実施形態2によれば、二箇所から放熱することにより、熱抵抗を低く抑えることができると同時に、薄板60の熱勾配を少なくできるので、IC70を均一に冷却することも可能になる。本実施形態2のその他の構成、作用及び効果は、実施形態1の構成、作用及び効果と同様である。[実施形態3]図4は、本発明に係る半導体モジュールの実施形態3を示す平面図である。図5は、図4におけるV-V線縦断面図である。以下、図4及び図5に基づき説明する。本実施形態3の半導体モジュール80は、薄板90に特徴を有する。薄板90は、折り曲げが可能な材料又は構造例えば金属からなる薄板からなる。放熱用の引き出し部91は、基板30の配線パス31がパターニングされている実装面33から離れ、実装面33内とは空間的に異なる面内に導かれ、そのまま放熱板として用いられ、又は、例えばヒートシンク100に接続される。以下に、更に詳しく説明する。本実施形態3は、表面23の四辺に電極21を持つ四角形のIC20をフェイスアップ実装した半導体モジュール80についての、三次元的な放熱構造に関する。本実施形態3の実装手順は実施形態1と同様であるが、放熱用の薄板90として金メッキした銅ホイルを用いる。図5に示すように、ホイル状の薄板90を基板30に対して垂直方向に持ち上げ、基板30の上方に位置する外部のヒートシンク100と熱的に接続する。この構造の場合、基板30の平面上だけではなく、三次元的に放熱パスを形成できる。そのため、本実施形態3によれば、放熱パスを最短にすることで熱抵抗を低く抑えることが可能になると同時に、IC20とヒートシンク100との位置関係の設計自由度を上げることが可能になるので、半導体モジュール80の小型化等の構造の最適化が可能になる。本実施形態3のその他の構成、作用及び効果は、実施形態1,2の構成、作用及び効果と同様である。[他の実施形態]上記各実施形態の構造において、放熱用の薄板にSi、Ge、GaAs等のICと同じ材料を用いてもよい。このとき、薄板の材料は導体ではないため、表裏面に加えて側面にも金メッキをしておく。これにより、薄板とICとの熱膨張率の差がなくなるので、ICの熱膨張による特性変化又は信頼性劣化を抑えることが可能になる。また、薄板の材料としては、炭化珪素又は窒化アルミニウムを用いることができる。上記各実施形態の構造において、ICの裏面が金メッキ処理されている場合は、放熱用の薄板とICとの接合にはんだを用いることができる。これにより、熱抵抗を更に下げることが可能になると同時に、高温高湿環境での接続信頼性が向上する利点がある。また、はんだの代わりに、銀ペーストや導熱樹脂を用いてもよい。薄板と電気的に接続する電極は、グランド端子又は電源端子である、としてもよい。この場合は、グランド端子又は電源端子は電流が集中して流れるので、薄板に電流を流すことにより、電気抵抗を下げることができ、これに伴い発熱も抑制できる。[総括]本発明は、複数辺からワイヤボンディング接続を行う必要のあるICをフェイスアップ実装した際に、ICの裏面にヒートスプレッドを接続して効果的に放熱する構造を持つことを特徴とする半導体モジュールである。すなわち、本発明は、特に、小型で高密度な全辺に電極を持つICについて、安価な基板アルミナなどを単純な単板構造で用いながら、フェイスアップ実装されたICの放熱性を確保する構造を提案するものである。具体的には、基板とICとの間に、金属又は金属メッキした熱伝導性導電性の良い材質の薄板を敷き、薄板の一部を外部の放熱器に熱的に接続する。このとき、薄板の一部がワイヤ配線と干渉するが、干渉する電極については、その電極からワイヤを薄板に接続して、導電性の薄板を通して基板に電気的に接続する。特に小型で高密度なICでは、電位を安定させるために複数のGND電極を1箇所又は数箇所にまとめることがあるので、そのような箇所で薄板を外部に接続することを想定している。基板は、半導体チップを一つだけ実装するものに限らず、例えば複数の半導体チップや、受動部品、その他の能動部品を実装するものでもよい。配線パスは、長方形に限らず、例えば基板上の部品同士を電気的に接続する線状にしたものでもよい。以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。[付記1]パターニングされた配線パスを持つ基板と、放熱用の引き出し部を持ち、前記基板上に設けられた薄板と、表面に複数の電極を持ち、前記薄板上の前記引き出し部以外の部分に前記表面を上にして設けられた半導体チップと、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。[付記2]付記1記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、前記放熱用の引き出し部を複数持つ、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記3]付記1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、折り曲げが可能な材料又は構造からなり、前記放熱用の引き出し部は、前記基板の前記配線パスがパターニングされている面から離れ、当該面内とは空間的に異なる面内に導かれている、ことを特徴とするモジュール。[付記4]付記1乃至3のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記配線パスに電気的に接続され、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記薄板に電気的に接続され、前記薄板と前記基板とが電気的に接続された、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記5]付記1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、前記半導体チップと同じ半導体材料からなる、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記6]付記1又は2記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、炭化珪素又は窒化アルミニウムからなる、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記7]付記1乃至6のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップと前記薄板とは、銀ペースト、導熱樹脂又ははんだによって接合された、ことを特徴とするモジュール。[付記8]付記1乃至7のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記電極と前記薄板とは、ワイヤボンディングによって電気的に接続された、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記9]付記1乃至8のいずれか一つに記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板と電気的に接続する前記電極は、グランド端子又は電源端子である、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記10]パターニングされた配線パスを持つ基板上に、放熱用の引き出し部を持つ薄板を設け、この薄板上に、表面に複数の電極を持つ半導体チップを、前記表面を上にして設ける、ことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。[付記11]一つの面に複数の電極を持つ半導体チップと、パターニングされた配線パスを持つ基板と、放熱用の引き出し部を持つ導熱性の薄板とを具備し、前記薄板は、当該薄板と前記半導体チップとが熱的に接続されるように、前記半導体チップと前記基板との間に挟まれ、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記配線パスに電気的に接続され、前記複数の電極のうち少なくとも一個が前記薄板に電気的に接続され、前記薄板と前記基板とが電気的に接続された、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記12]付記11記載の半導体モジュールにおいて、前記薄板は、金属からなる、ことを特徴とする半導体モジュール。[付記13]付記11記載の半導体モジュールにおいて、前記半導体チップは、外形が四角形であり、その四辺全てに前記電極を持つICである、ことを特徴とする半導体モジュール。"