"P型領域とN型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置であって、P型領域は、P型コンタクト部と、P型コンタクト部から第1方向に延びるP型接合部とを有しており、N型領域は、N型コンタクト部と、N型コンタクト部からP型接合部に沿って第1方向と逆方向に延びると共にP型接合部と接合しているN型接合部とを有しており、P型接合部の第1方向に直交する第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭く、N型接合部の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭い、半導体装置。温度検出素子の第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅以下である、請求項1に記載の半導体装置。温度検出素子の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅以下である、請求項1または2に記載の半導体装置。半導体装置には、絶縁ゲート型の半導体素子が形成されており、絶縁ゲートの長手方向は第1方向に平行である、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。P型領域とN型領域の接合する部分の端部に、ポリシリコン領域が形成されている、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。半導体装置を平面視したときに、P型接合部とN型接合部は、P型コンタクト部とN型コンタクト部とに挟まれる領域内に配置されている、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。特許文献1において、温度検出素子が半導体素子の発熱を検出する時間をより短縮するためには、長方形状の温度検出素子の短辺方向の幅を小さくして、発熱部からPN接合面までの距離をより小さくすればよい。しかしながら、温度検出素子のP型半導体、N型半導体は、それぞれ配線と電気的に接合するために幅をある程度大きくする必要がある。P型半導体の最小コンタクト幅本明細書では、半導体と配線が電気的に接合するために必要な幅を最小コンタクト幅というをWPmin,N型半導体の最小コンタクト幅をWNminとすると、特許文献1では、温度検出素子の幅長方形状の短辺方向の幅Wを、W≧WPminWNminとする必要がある。本願は、P型領域とN型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置を提供する。この半導体装置の温度検出素子のP型領域は、P型コンタクト部と、P型コンタクト部から第1方向に延びるP型接合部とを有しており、N型領域は、N型コンタクト部と、N型コンタクト部からP型接合部に沿って第1方向と逆方向に延びると共にP型接合部と接合しているN型接合部とを有するN型領域とを有している。P型接合部の第1方向に直交する第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭く、N型接合部の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭い。上記の半導体装置によれば、P型接合部の第2方向の幅およびN型接合部の第2方向の幅を狭くして、発熱部からPN接合面までの距離をより小さくして、温度検出素子が半導体素子の発熱を検出する時間をより短縮することと、P型コンタクト部の第2方向の幅およびN型コンタクト部の第2方向の幅を広くして、P型領域、N型領域と配線との電気的接合を確保することを両立できる。温度検出素子の第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅以下であってもよく、N型コンタクト部の第2方向の幅以下であってもよい。半導体装置に絶縁ゲート型の半導体素子が形成されている場合には、絶縁ゲートの長手方向は第1方向と平行であることが好ましい。P型領域とN型領域の接合する部分の端部に、ポリシリコン領域が形成されていてもよい。半導体装置を平面視したときに、P型接合部とN型接合部は、P型コンタクト部とN型コンタクト部とに挟まれる領域内に配置されていてもよい。本願によれば、温度検出素子が半導体素子の発熱を検出する時間をより短縮することと、P型領域、N型領域と配線との電気的接合を確保することを両立できる。本願は、P型領域とN型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置を開示する。この半導体装置の温度検出素子のP型領域は、P型コンタクト部と、P型コンタクト部から第1方向に延びるP型接合部とを有しており、N型領域は、N型コンタクト部と、N型コンタクト部からP型接合部に沿って第1方向と逆方向に延びると共にP型接合部と接合しているN型接合部とを有している。P型接合部の第1方向に直交する第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭く、N型接合部の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭い。上記の半導体装置によれば、P型接合部の第2方向の幅およびN型接合部の第2方向の幅を狭くして、発熱部からPN接合面までの距離をより小さくして、温度検出素子が半導体素子の発熱を検出する時間をより短縮することと、P型コンタクト部の第2方向の幅およびN型コンタクト部の第2方向の幅を広くして、P型領域、N型領域と配線との電気的接合を確保することを両立できる。P型領域の第2方向の幅は、P型コンタクト部において最も広く、N型領域の第2方向の幅は、N型コンタクト部において最も広い。例えば、P型コンタクト部の第2方向の幅をP型半導体の最小コンタクト幅WPminとし、N型コンタクト部の第2方向の幅をN型半導体の最小コンタクト幅をWNminとなるように設計することができる。この場合に、半導体装置を平面視したときに、P型接合部とN型接合部がP型コンタクト部とN型コンタクト部とに挟まれる領域内に配置することで、温度検出素子の第2方向の幅Wは、W<WPminWNminとすることができる。本願によれば、従来の温度検出素子よりも幅が狭く、素子領域とPN接合面との距離が小さくできるため、温度検出時間がより短い温度検出素子を備えた半導体装置を提供することができる。温度検出素子の第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅以下であってもよく、N型コンタクト部の第2方向の幅以下であってもよい。温度検出素子の第2方向の幅Wは、WPminとWNminのうちのいずれか広い方の幅まで小さくすることができる。また、P型接合部およびN型接合部の第2方向の幅の和は、温度検出素子の第2方向の幅よりもさらに小さくすることもできる。半導体装置に絶縁ゲート型の半導体素子が形成されている場合には、絶縁ゲートの長手方向は、第1方向と平行であることが好ましい。なお、絶縁ゲートは、直線状に限定されず、曲線状、矩形状であってもよい。例えば、絶縁ゲートの長手方向が円弧状の場合には、第1方向はその円弧に沿う方向となり、その円弧の法線ベクトルが第2方向となる。P型領域とN型領域の接合する部分の端部に、ポリシリコン領域が形成されていてもよい。ポリシリコン領域によって、P型領域とN型領域の接合する部分の端部から電流漏れが発生することが抑制される。図1に示すように、半導体装置10は、半導体基板100と、半導体基板100の表面に形成された表面電極101a~101c、小信号パッド102a~102eおよび温度検出素子120とを備えている。半導体基板100の表面電極101a~101cおよび小信号パッド102a~102eが形成されていない領域には絶縁膜104が形成されており、温度検出素子120は絶縁膜104の表面に形成されている図3参照。なお、半導体基板100上には、ゲート配線も形成されているが、図1では図示を省略している。温度検出素子120は、半導体装置10を平面視したときの中央部に形成されている。半導体装置10を平面視したときの中央部は、半導体装置10が発熱した場合に温度が上昇しやすい部分である。このように、温度検出素子は、半導体装置が発熱した場合に温度が上昇し易い部分に形成されることが好ましい。図2に示すように、温度検出素子120は、P型領域121とN型領域122とを備えている。P型領域121は、P型半導体材料によって形成されており、P型接合部121aと、配線123と電気的に接続するP型コンタクト部121bとを備えている。N型領域122は、N型半導体材料によって形成されており、N型接合部122aと、配線124と電気的に接続するN型コンタクト部122bとを備えている。P型コンタクト部121bは、P型領域121のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。N型コンタクト部122bは、N型領域122のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。P型接合部121aは、P型コンタクト部121bからX軸の正方向第1方向に延びている。N型接合部122aは、N型コンタクト部122bからX軸の負方向に延びている。P型領域121およびN型領域122はL字形状であり、互いに接合して長方形状の温度検出素子120を構成している。温度検出素子120は長辺がX方向に平行かつ短辺がY方向に平行な長方形状である。P型接合部121aとN型接合部122aとは、X方向に平行な面において接合している。P型接合部121aのX軸の正方向の端部において、P型接合部121aのY方向第1方向に直交する第2方向に平行な面は、N型コンタクト部122bと接合している。N型接合部122aのX軸の負方向の端部において、N型接合部122aのY方向に平行な面は、P型コンタクト部121bと接合している。半導体装置10を平面視したときに、P型接合部121aとN型接合部122aは、P型コンタクト部121bとN型コンタクト部122bとに挟まれる領域内に配置されている。図2および図3に示すように、温度検出素子120は、半導体素子が形成されている素子領域111bの間に形成されており、温度検出素子120の下方には半導体素子は形成されていない。半導体基板100上において、素子領域111bのX方向の両側にはゲート配線112bが形成されており、そのさらに外側に、温度検出素子120と接続する配線123,124が形成されている。素子領域111bには、トレンチゲート14を有する半導体素子が形成されている。トレンチゲート14は、長手方向がX方向に平行となるように形成されており、温度検出素子120の長辺方向と、トレンチゲート14の長手方向は平行である。図3では、半導体素子の一例として、トレンチゲート14を有する半導体素子を図示しているが、半導体素子の形態はこれに限定されない。例えば、プレーナゲート型の半導体素子であってもよいし、ダイオード等の絶縁ゲートを有さない半導体素子であってもよい。プレーナゲート型の半導体素子が形成されている場合には、図3と同様に、温度検出素子の長辺方向とプレーナゲートの長手方向が平行となるように配置されることが好ましい。図4に示すように、温度検出素子120では、P型コンタクト部121bの幅W1とN型コンタクト部122bの幅W2は同一であり、温度検出素子120の幅Wは、W=W1=W2である。Y方向に沿うP型接合部121aの幅は、P型コンタクト部121bの幅W1よりも狭く、Y方向に沿うN型接合部122aの幅は、N型コンタクト部122bの幅W2よりも狭い。Y方向に沿うP型接合部121aの幅とN型接合部122aの幅の和はWである。上記のとおり、実施例1係る半導体装置10によれば、温度検出素子120において、Y方向に沿うP型接合部121aの幅およびN型接合部122aの幅すなわち、P型接合部121aのY方向の幅およびN型接合部122aのY方向の幅を狭くして、発熱部である素子領域111bからP型接合部121aとN型接合部122aとのPN接合面までのY方向の距離をより小さくすることと、Y方向に沿うP型コンタクト部121bの幅W1およびN型コンタクト部122bの幅W2P型コンタクト部121bのY方向の幅W1およびN型コンタクト部122bのY方向の幅W2を広くすることを両立することができる。このため、温度検出素子120が素子領域111aからの発熱を検出する時間をより短縮することと、P型領域121およびN型領域122と配線123,124との電気的接合を確保することを両立できる。また、上記の半導体装置10によれば、P型半導体の最小コンタクト幅がWPminであり、N型半導体の最小コンタクト幅がWNminである場合に、温度検出素子120の幅Wは、W<WPminWNminとすることができる。例えば、P型半導体の最小コンタクト幅WPminがN型半導体の最小コンタクト幅WNmin以下である場合WPmin≦WNminには、W=W1=W2=WNminと設計することができる。逆に、P型半導体の最小コンタクト幅WPminがN型半導体の最小コンタクト幅WNmin以上である場合WPmin≧WNminには、W=W1=WPmin=W2と設計することができる。温度検出素子120の幅Wは、WPminとWNminのうちのいずれか広い方の幅まで小さくすることができる。本実施例によれば、従来の温度検出素子よりも幅が狭く、温度検出時間がより短い温度検出素子を備えた半導体装置を提供することができる。変形例P型領域とN型領域の形状は、実施例1において説明したL字形状に限定されない。例えば、図5に示すように、温度検出素子130は、平面視したときに矩形波状のP型接合部131aとN型接合部132aを備えており、P型接合部131aとN型接合部132aがその矩形面で互いに接合して、PN接合面となっていてもよい。実施例1と同様に、P型コンタクト部131bは、P型領域131のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。N型コンタクト部132bは、N型領域132のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。P型接合部131aのX軸の正方向の端部はN型コンタクト部132bと接合しており、N型接合部132aのX軸の負方向の端部はP型コンタクト部131bと接合している。また、図6に示すように、温度検出素子140は、平面視したときに波形状のP型接合部141aとN型接合部142aを備えており、P型接合部141aとN型接合部142aがその波形面で互いに接合して、PN接合面となっていてもよい。実施例1と同様に、P型コンタクト部141bは、P型領域141のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。N型コンタクト部142bは、N型領域142のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。P型接合部141aのX軸の正方向の端部はN型コンタクト部142bと接合しており、N型接合部142aのX軸の負方向の端部はP型コンタクト部141bと接合している。図5,6に示すように、温度検出素子130,140のPN接合面は、温度検出素子120と比べて広くなっている。P型接合部とN型接合部の形状を適宜変化させることによって、PN接合面の面積を適切に変化させることが可能となる。また、図7に示すように、温度検出素子150は、平面視したときに三角形状のP型接合部151aとN型接合部152aを備えており、これらが互いに接合して、PN接合面となっていてもよい。P型領域151のX軸の負方向の端面がP型コンタクト部151bであり、P型領域151においてY方向の幅が最も広い。N型領域152のX軸の正方向の端面がN型コンタクト部152bであり、N型領域152においてY方向の幅が最も広い。温度検知素子150の配線図示しないは、端面であるP型コンタクト部151bおよびN型コンタクト部152bにそれぞれ接合されている。P型コンタクト部151bのY方向の幅は、P型接合部151aよりも広く、N型コンタクト部152bのY方向の幅は、N型接合部151aよりも広い。このように、P型コンタクト部151bおよびN型コンタクト部152bは、X軸方向に一定の幅を有していなくてもよい。P型接合部151aのX軸の正方向の端部はN型コンタクト部152bに達しており、N型接合部152aのX軸の負方向の端部はP型コンタクト部151bに達している。なお、図5~7に示す温度検出素子の上記に説明した以外の構成については、実施例1の温度検出素子120と同様であるから、参照番号の120番台をそれぞれ130番台、140番台、150番台に読み替えることによって、重複説明を省略する。さらに、図8~図11に示すように、温度検出素子120,130,140,150のP型領域121,131,141,151とN型領域122,132,142,152の接合する部分の端部に、さらにポリシリコン領域126,127,136,137,146,147,156,157が形成されていてもよい。高抵抗のポリシリコン領域によって、P型領域121,131,141,151とN型領域122,132,142,152の接合する部分の端部PN接合面の端部から電流漏れが発生することを抑制することができる。高抵抗のポリシリコン領域は、半導体装置の製造工程において、P型領域とN型領域にイオン注入を行う際に、P型領域とN型領域の接合する部分の端部にマスキング等を行ってイオンを注入しないようにすることによって、容易に形成することができる。上記の実施例および変形例においては、長方形状の温度検出素子を例示して説明したが、温度検出素子の形状はこれに限定されない。例えば、図12に示すように、円弧状の温度検出素子160であってもよい。この場合、第1方向は円弧の周に沿う矢印Lの方向であり、第2方向は、円弧の半径方向を示す矢印Rの方向である。温度検出素子の第1方向が曲線状である以外は、実施例1の温度検出素子120と同様であるから、参照番号の120番台を160番台に読み替えることによって、重複説明を省略する。半導体装置の素子領域に円弧状の絶縁ゲートが形成されている場合には、図12に示すような温度検出素子160を好適に用いることができる。温度検出素子160の第1方向と、円弧状の絶縁ゲートの長手方向が平行になるように温度検出素子160を配置すれば、素子領域と温度検出素子160との距離を小さくすることができる。このように、温度検出素子の形状は、絶縁ゲートの形状や素子領域の形状に応じて変更し、素子領域と温度検出素子のPN接合面との距離が小さくなるようにすることができる。なお、第2方向に沿うP型接合部およびN型接合部の幅の和は、温度検出素子の幅よりもさらに小さくすることもできる。また、上記の実施例および変形例においては、温度検出素子は、半導体装置を平面視したときの中央部に1つ形成されていたが、これに限定されない。温度検出素子は、半導体基板上のどの位置に形成してもよく、複数個形成してもよい。例えば、それぞれの素子領域の中央部に1つずつ形成してもよい。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"