冷却器と、絶縁体を介して半導体素子を実装した放熱板と、前記半導体素子と電気的に接続された内部接続端子と、前記放熱板及び前記内部接続端子を保持する保持部材とを含む第1の構造体と、外部接続端子と、前記外部接続端子を保持する保持部材とを含む第2の構造体と、を有し、前記第1の構造体及び前記第2の構造体は、前記冷却器の同一側に搭載され、前記内部接続端子と前記外部接続端子とは着脱可能に接触することで導通しており、前記第1の構造体は、前記第2の構造体を前記冷却器に搭載した状態で、前記冷却器に着脱可能である半導体モジュール。しかしながら、従来の半導体モジュールは、ボンディング材とケース内壁に形成された接続用パターンを直接接続する構成であるため、半導体素子周辺の構造体の修復性を向上させることは困難であった。つまり、従来の半導体モジュールには、半導体素子が破損したような場合のリペア修理の作業性が悪いという問題があった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、リペア性を向上した半導体モジュールを提供することを課題とする。本半導体モジュールは、冷却器と、絶縁体を介して半導体素子を実装した放熱板と、前記半導体素子と電気的に接続された内部接続端子と、前記放熱板及び前記内部接続端子を保持する保持部材とを含む第1の構造体と、外部接続端子と、前記外部接続端子を保持する保持部材とを含む第2の構造体と、を有し、前記第1の構造体及び前記第2の構造体は、前記冷却器の同一側に搭載され、前記内部接続端子と前記外部接続端子とは着脱可能に接触することで導通しており、前記第1の構造体は、前記第2の構造体を前記冷却器に搭載した状態で、前記冷却器に着脱可能であることを要件とする。本発明によれば、リペア性を向上した半導体モジュールを提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。[本実施の形態に係る半導体モジュールの構造]まず、本実施の形態に係る半導体モジュールの構造について説明する。図1は、本実施の形態に係る半導体モジュールを例示する断面図である。図2は、本実施の形態に係る半導体モジュールの冷却器の全体構造を例示する平面図である。図1及び図2を参照するに、半導体モジュール10は、主なる構成要素として、第1の構造体20と、第2の構造体30と、冷却器40とを有する。第1の構造体20は、主なる構成要素として、半導体素子21と、接合部22と、基板23と、絶縁体24と、放熱板25と、内部接続端子26と、ハウジング27と、ボンディング材28とを有する。半導体モジュール10は、例えば、インバータを構成し、半導体素子21は、例えば、正極ラインと負極ラインとの間に互いに並列に配置されるU相、V相、W相の各上アーム及び各下アームを構成する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBT及びダイオードである。なお、半導体素子21は、例えば、MOSFETのようなスイッチング素子を含んでもよい。半導体素子21は、はんだや銀Agペースト等の接合部22を介して、基板23上に実装されている。基板23としては、例えば、酸化アルミニウムAl2O3や窒化アルミニウムAlN等のセラミック基板を用いることができる。但し、基板23は、必要とされる絶縁特性や熱伝導率、機械的強度等を満足するものであれば、セラミック基板以外の基板や、セラミック基板の両面にアルミニウム層が形成された3層構造の基板等を用いても構わない。基板23は、絶縁体24を介して、放熱板25上に搭載されている。絶縁体24は、例えば樹脂シートからなり、基板23と放熱板25との間の電気的な絶縁性を確保しつつ、基板23から放熱板25への高い熱伝導を可能とする。絶縁体24は、基板23や放熱板25よりも大きい外形を有してもよい。放熱板25は、熱過渡熱等を吸収し拡散するヒートシンク機能を有し、主に半導体素子21の駆動時に生じる半導体素子21からの熱を吸収し内部に拡散する。放熱板25は、銅CuやアルミニウムAl等の熱拡散性の優れた金属から形成されることが好ましいが、ヒートシンク機能を有するものであれば金属以外の材料で構成されてもよい。内部接続端子26は、第1の構造体20と第2の構造体30とを電気的に接続する端子であり、例えば銅CuやアルミニウムAl等の導電性材料から構成されている。内部接続端子26は、第1接続部26a及び第2接続部26bを有する。第1接続部26aは、ハウジング27の下側に突起している。基板23、絶縁体24、放熱板25、及び内部接続端子26は、ハウジング27により保持されている。ハウジング27は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性材料から構成されている保持部材である。内部接続端子26の第1接続部26aはハウジング27の下側に露出しており、内部接続端子26の第2接続部26bはハウジング27の上側に露出している。ボンディング材28は、半導体素子21の電極図示せずと内部接続端子26の第2接続部26bとを電気的に接続している。ボンディング材28としては、例えば、金Au線やアルミニウムAl線等を用いることができる。第2の構造体30は、主なる構成要素として、外部接続端子31と、外部接続端子31を保持するハウジング32とを有する。外部接続端子31は、例えば銅CuやアルミニウムAl等の導電性材料から構成されている。ハウジング32は、例えばエポキシ系樹脂等を主成分とする絶縁性材料から構成されている保持部材である。外部接続端子31は、例えば金属板リードフレーム基材から加工されて構成される。外部接続端子31は、例えば電源ライン用の配線部材電源ライン用リードや、信号伝達用の配線部材信号ライン用リードである。冷却器40は、主なる構成要素として、波板形状のフィンを有し内部に冷却水等の冷却媒体が流れる冷媒流通部41と、冷媒流通部41の上面に接合される天板42と、冷媒流通部41の下面に接合される底板43と、冷却器本体41の外側において天板42と底板43との間に介装されるスペーサ44とを有する。冷却器40は、冷媒を冷媒流通部41に導入するための導入パイプ45と、冷媒を導出するための導出パイプ46とを有する。冷却器40は、例えば、導入パイプ45及び導出パイプ46の延出方向が長手方向となる略矩形形状とされている。冷却器40は、銅CuやアルミニウムAl等の熱伝導性の優れた金属から形成することができる。第1の構造体20の放熱板25の下面は、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41の上面に接合されている。伝熱材50としては、例えば、低融点のアルミニウム合金Al-Si系合金やAl-Si-Mg系合金等からなるロウ材等を用いることができる。伝熱材50の厚さは、例えば、10~200μm程度とすることができる。第2の構造体30のハウジング32の下面は、接着材51を介して、冷却器40の天板42の上面に接合されている。接着材51としては、例えば、エポキシ系の接着材等を用いることができる。接着材51の厚さは、例えば、10~200μm程度とすることができる。第1の構造体20の内部接続端子26の第1接続部26aは、第2の構造体30の外部接続端子31の上面と着脱可能な状態で接触することで電気的に導通している。このようにして、半導体素子21の駆動時に生じる半導体素子21からの熱は、接合部22、基板23、絶縁体24、放熱板25、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41内を流れる冷却媒体へと伝達され、半導体素子21の冷却が実現される。なお、図2に示すように、冷却器40上には、複数の半導体モジュール10が搭載されている。半導体モジュール10には、1個又は複数個の半導体素子21を搭載することができる。各半導体モジュール10は、例えば、冷却器40の長手方向に沿って2列に配置されている。図3は、本実施の形態に係る半導体モジュールを含むシステムを例示する回路図である。図3に示す半導体モジュール10を含むシステムは、蓄電池55と、コンデンサ56と、昇降圧コンバータ60と、コンデンサ66と、インバータ70と、モータ90とを含む。蓄電池55は、例えば、ニッケル水素やリチウムイオン等の二次電池や電気二重層キャパシタ等の蓄電装置である。コンデンサ56は、蓄電池55に並列接続されており、蓄電池55の直流電圧を平滑化する機能を有する。昇降圧コンバータ60は、スイッチング素子61及び62と、ダイオード63及び64と、リアクトル65とを有する。図3の例では、スイッチング素子61及び62は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTである。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTは、ゲートにMOSFETを組み込んだバイポーラトランジスタであり、エミッタ、コレクタ及びゲートの3端子を備えている。ダイオード63及び64は、フライホイールダイオードである。フライホイールダイオードは、電流を還流させるためのダイオードである。スイッチング素子61とスイッチング素子62とは、直列接続されている。スイッチング素子61とダイオード63とは並列接続されており、スイッチング素子62とダイオード64とは並列接続されている。スイッチング素子61及び62の各ゲートは、ECU図示せず等に接続されており、ECU図示せず等からの駆動信号に基づいてスイッチング動作を行う。スイッチング素子61のエミッタ及びダイオード63のアノードと、スイッチング素子62のコレクタ及びダイオード64のカソードと、リアクトル65の一端とは相互に接続されている。リアクトル65の他端は、コンデンサ56の一端及び蓄電池55の正極に接続されている。コンデンサ56の他端は、スイッチング素子62のエミッタ、ダイオード64のアノード、及び蓄電池55の負極に接続されている。スイッチング素子61のコレクタ及びダイオード63のカソードは、コンデンサ66の一端及びインバータ70の一端と接続されている。スイッチング素子62のエミッタ及びダイオード64のアノードは、コンデンサ66の他端及びインバータ70の他端と接続されている。つまり、コンデンサ66は、昇降圧コンバータ60に並列接続されており、昇降圧コンバータ60の直流電圧を平滑化し、平滑化した直流電圧をインバータ70へ供給する。インバータ70は、スイッチング素子71~76と、ダイオード81~86とを有する。スイッチング素子71~76は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタIGBTである。ダイオード81~86は、フライホイールダイオードである。スイッチング素子71とスイッチング素子72、スイッチング素子73とスイッチング素子74、スイッチング素子75とスイッチング素子76とは、直列接続されている。スイッチング素子71~76と、ダイオード81~86とは、それぞれ並列接続されている。スイッチング素子71~76の各ゲートは、ECU図示せず等に接続されており、ECU図示せず等からの駆動信号に基づいてスイッチング動作を行う。スイッチング素子71のコレクタ、ダイオード81のカソード、スイッチング素子73のコレクタ、ダイオード83のカソード、スイッチング素子75のコレクタ、及びダイオード85のカソードは、相互に接続されている。スイッチング素子72のエミッタ、ダイオード82のアノード、スイッチング素子74のエミッタ、ダイオード84のアノード、スイッチング素子76のエミッタ、及びダイオード86のアノードは、相互に接続されている。スイッチング素子71のエミッタ、ダイオード81のアノード、スイッチング素子72のコレクタ、及びダイオード82のカソードは、モータ90のコイル91の一端と接続されている。スイッチング素子73のエミッタ、ダイオード83のアノード、スイッチング素子74のコレクタ、及びダイオード84のカソードは、モータ90のコイル92の一端と接続されている。スイッチング素子75のエミッタ、ダイオード85のアノード、スイッチング素子76のコレクタ、及びダイオード86のカソードは、モータ90のコイル93の一端と接続されている。モータ90のコイル91、92、及び93の他端は、接続されている。モータ90は、例えば、車両ハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池車等の電気エネルギーによって車両駆動力を発生する自動車の駆動輪を駆動するためのトルクを発生するための駆動用電動機であり、U相、V相、W相の3つのコイル91、92、93の一端が中性点に共通接続されている。モータ90は、電動機の機能と発電機の機能とを併せ持つように構成することができる。図3に示すシステムは、以下のように動作する。すなわち、昇降圧コンバータ60は、ECU図示せず等からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、蓄電池55の両端の電圧V1を電圧V2に昇圧し、コンデンサ66の両端に出力する。具体的には、スイッチング素子61がオフ状態でスイッチング素子62がオン状態になると、蓄電池55からリアクトル65に電流が流れ、リアクトル65は電気エネルギーを一時的に蓄積する。次いで、スイッチング素子61がオン状態でスイッチング素子62がオフ状態になると、リアクトル65が一時的に蓄積した電気エネルギーは、ダイオード63を経由して出力される。すなわち、蓄電池55の両端の電圧V1は、電圧V2に昇圧されてコンデンサ66の両端に出力される。又、昇降圧コンバータ60は、ECU図示せず等からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、コンデンサ66の両端の電圧V2を電圧V1に降圧し、蓄電池55の両端に出力する。具体的には、スイッチング素子61がオン状態でスイッチング素子62がオフ状態になると、コンデンサ66からリアクトル65に電流が流れ、リアクトル65は電気エネルギーを一時的に蓄積する。次いで、スイッチング素子61がオフ状態、スイッチング素子62がオン状態になると、リアクトル65が一時的に蓄積した電気エネルギーは、ダイオード64を経由して還流する。すなわち、コンデンサ66の両端の電圧V2は、電圧V1に降圧され蓄電池55が充電される。コンデンサ66は、昇降圧コンバータ60からの直流電圧を平滑化し、その平滑化した直流電圧をインバータ70へ供給する。インバータ70は、交流電圧と直流電圧とを相互に変換するスイッチング回路であり、コンデンサ66から直流電圧が供給されると、ECU図示せず等からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、直流電圧を交流電圧に変換して、モータ90を駆動する。又、インバータ70は、車両の回生制動時には、ECU図示せず等からのスイッチング制御信号に応答してスイッチング動作を行い、モータ90が発電した交流電圧を直流電圧に変換し、変換した直流電圧をコンデンサ66を介して昇降圧コンバータ60へ供給する。なお、回生制動とは、車両を運転するドライバーによるフットブレーキ操作があった場合の回生発電を伴う制動や、フットブレーキを操作しないものの、走行中にアクセルペダルをオフすることで回生発電をさせながら車両を減速または加速の中止させることを含む。本実施の形態に係る半導体モジュール10の半導体素子21は、昇降圧コンバータ60とインバータ70の何れか一方又は双方を含むように構成することができる。又、本実施の形態に係る半導体モジュール10の半導体素子21は、昇降圧コンバータ60やインバータ70の一部の回路のみを含むように構成してもよい。[本実施の形態に係る半導体モジュールの組み立て方法]次に、本実施の形態に係る半導体モジュールの組み立て方法について説明する。図4は、本実施の形態に係る半導体モジュールの組み立て方法を例示するフローチャートである。図5及び図6は、本実施の形態に係る半導体モジュールの組み立て方法を例示する図である。図4及び図5を参照するに、まず、ステップS100では、射出成形等により、外部接続端子31と、外部接続端子31を保持するハウジング32を含む第2の構造体30を作製する。次に、ステップS110では、第2の構造体30の下面ハウジング32の下面に接着材51を塗布する。接着材51は、例えば、第2の構造体30の下面ハウジング32の下面の内縁部近傍に環状に塗布することができる。次に、ステップS120では、第2の構造体30のハウジング32の下面を、接着材51を介して、冷却器40の天板42の上面に接合する。この際、例えば、冷却器40の天板42の上面に対して第2の構造体30を押圧して接着材51を押し潰し、この状態で加熱炉等により加熱して接着材51を硬化させる。次に、図4及び図6を参照するに、ステップS130では、第1の構造体20を作製する。具体的には、射出成形等により、基板23と、絶縁体24と、放熱板25と、内部接続端子26と、ハウジング27を含む構造体便宜上、作製した構造体を放熱モジュールと称するを作製する。そして、放熱モジュールの基板23に接合部22を介して半導体素子21を実装する。更に、半導体素子21の電極図示せずと内部接続端子26の第2接続部26bとを金Au線やアルミニウムAl線等のボンディング材28で接合する。これで、第1の構造体20が完成する。次に、ステップS140では、第1の構造体20の下面放熱板25の下面に伝熱材50を塗布する。次に、ステップS150では、第1の構造体20の放熱板25の下面を、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41の上面に接合する。この際、例えば、冷却器40の冷媒流通部41の上面に対して第1の構造体20を押圧して伝熱材50を押し潰し、この状態で加熱炉等により加熱して伝熱材50を硬化させる。なお、ステップS100~S110と、ステップS130~S140とは、何れか一方を先に実行しても構わないし、両方を並行して実行しても構わないが、ステップS150は、ステップS120よりも後に実行する。すなわち、冷却器40に既に第2の構造体30が接合されている状態で、第1の構造体20を冷却器40に接合する。この際、第1の構造体20の内部接続端子26の第1接続部26aが、第2の構造体30の外部接続端子31の上面と接触するように、第1の構造体20を冷却器40に接合する。その結果、第1の構造体20と第2の構造体30とは電気的に接続され、半導体モジュール10が完成するS160。[比較例]次に、比較例を示しながら、本実施の形態に係る半導体モジュール10の有する特有の効果について説明する。[比較例に係る半導体モジュールの構造]まず、比較例に係る半導体モジュールの構造について説明する。図7は、比較例に係る半導体モジュールを例示する断面図である。図7を参照するに、半導体モジュール10Aは、図1に示す半導体モジュール10の第1の構造体20が第1の構造体20Aに置換され、第2の構造体30が第2の構造体30Aに置換された構造を有する。第1の構造体20Aは、主なる構成要素として、半導体素子21と、接合部22と、基板23と、絶縁体24と、放熱板25と、ボンディング材28とを有する。つまり、第1の構造体20Aは、図1に示す第1の構造体20から内部接続端子26及びハウジング27が削除された構造を有する。半導体モジュール10Aの機能は、半導体モジュール10と同様であるため、その説明は省略する。第2の構造体30Aは、主なる構成要素として、外部接続端子31Aと、外部接続端子31Aを保持するハウジング32Aとを有する。外部接続端子31A及びハウジング32Aは、図1等に示す外部接続端子31及びハウジング32とは形状が異なるが、材料や機能等は同様である。第1の構造体20Aの放熱板25の下面は、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41の上面に接合されている。第2の構造体30Aのハウジング32Aの下面は、接着材51を介して、冷却器40の天板42の上面に接合されている。図1に示す半導体モジュール10とは異なり、ボンディング材28は、第1の構造体20Aの半導体素子21の電極図示せずと第2の構造体30Aの外部接続端子31Aの上面とを電気的に接続している。このようにして、半導体素子21の駆動時に生じる半導体素子21からの熱は、接合部22、基板23、絶縁体24、放熱板25、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41内を流れる冷却媒体へと伝達され、半導体素子21の冷却が実現される。なお、半導体モジュール10Aの平面図は示していないが、図2と同様に、冷却器40上には、複数の半導体モジュール10Aが搭載されている。半導体モジュール10Aには、1個又は複数個の半導体素子21を搭載することができる。各半導体モジュール10Aは、例えば、冷却器40の長手方向に沿って2列に配置されている。[比較例に係る半導体モジュールの組み立て方法]次に、比較例に係る半導体モジュールの組み立て方法について説明する。図8は、比較例に係る半導体モジュールの組み立て方法を例示するフローチャートである。図9及び図10は、比較例に係る半導体モジュールの組み立て方法を例示する図である。図8及び図9を参照するに、まず、ステップS200では、基板23と、絶縁体24と、放熱板25とを含む構造体便宜上、作製した構造体を放熱モジュールと称するを作製する。次に、ステップS210では、放熱モジュールの下面放熱板25の下面に伝熱材50を塗布する。次に、ステップS220では、放熱モジュールの放熱板25の下面を、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41の上面に接合する。この際、例えば、冷却器40の冷媒流通部41の上面に対して放熱モジュールを押圧して伝熱材50を押し潰し、この状態で加熱炉等により加熱して伝熱材50を硬化させる。次に、ステップS230では、放熱モジュールの基板23に接合部22を介して半導体素子21を実装する。これにより、冷却器40上に、第1の構造体20Aのボンディング材28を除く部分が接合される。次に、図8及び図10を参照するに、ステップS240では、射出成形等により、外部接続端子31Aと、外部接続端子31Aを保持するハウジング32Aを含む第2の構造体30Aを作製する。次に、ステップS250では、第2の構造体30Aの下面ハウジング32Aの下面に接着材51を塗布する。接着材51は、例えば、第2の構造体30Aの下面ハウジング32Aの下面の内縁部近傍に環状に塗布することができる。次に、ステップS260では、第2の構造体30Aのハウジング32Aの下面を、接着材51を介して、冷却器40の天板42の上面に接合する。この際、例えば、冷却器40の天板42の上面に対して第2の構造体30Aを押圧して接着材51を押し潰し、この状態で加熱炉等により加熱して接着材51を硬化させる。これにより、冷却器40上に、第1の構造体20Aのボンディング材28を除く部分と、第2の構造体30Aとが接合される。次に、ステップS270では、第1の構造体20Aの半導体素子21の電極図示せずと第2の構造体30Aの外部接続端子31Aの上面とを金Au線やアルミニウムAl線等のボンディング材28で接合する図示せず。その結果、第1の構造体20Aと第2の構造体30Aとは電気的に接続され、図7に示す半導体モジュール10Aが完成するS280。このように、比較例に係る半導体モジュール10Aでは、第1の構造体20Aと第2の構造体30Aとをボンディング材28で直接接合する。このため、例えば、半導体素子21の破損等が発生した場合にリペア修理するためには、ボンディング材28を取り外してから第1の構造体20Aを交換する必要があった。一方、本実施の形態に係る半導体モジュール10では、第1の構造体20を、ボンディング材28を含めた半導体素子21の周辺部材を一体化した小型モジュール構造とし、第2の構造体30を冷却器40に搭載した状態で、冷却器40に着脱可能に構成している。その結果、例えば、半導体素子21の破損やボンディング材28の断線等が発生した場合に、これらの部品をリペア修理するためには、第1の構造体20のみを交換すればよい。具体的には、まず、伝熱材50を軟化させて半導体モジュール10から第1の構造体20のみを除去する。そして、正常動作する他の第1の構造体20を準備し、伝熱材50を介して、冷却器40の冷媒流通部41の上面に接合する。このように、半導体素子21やボンディング材28等の部品をリペア修理する場合に、第2の構造体30を交換せずに第2の構造体30を冷却器40に搭載した状態のまま、第1の構造体20のみを交換できるため、リペア性を向上することができる。又、ボンディング材28の接合評価等を含む開発時の製品評価をモジュール単位で第1の構造体20毎に実施できるため、半導体モジュール10の開発費用の低減や開発期間の短縮等が可能となる。更に、ボンディング材28を接合する工程で使用する設備も小型化でき、工程内不良に伴う仕損費の低減も期待できる。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。