"凹凸の表面を有する光吸収基板の製造方法であって、基板にレーザ光を照射することにより、前記基板の表面に沿って二次元状に配列されるように、前記基板の内部に複数の改質領域を形成し、前記改質領域、及び前記改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方を前記基板の前記表面に到達させる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記基板の前記表面にエッチング処理を施すことにより、前記基板の前記表面に凹凸を形成する第2の工程と、を備える、光吸収基板の製造方法。前記第2の工程では、前記エッチング処理として異方性エッチング処理を施す、請求項1に記載の光吸収基板の製造方法。前記第2の工程では、前記異方性エッチング処理を施した後、前記エッチング処理として等方性エッチング処理を施す、請求項2に記載の光吸収基板の製造方法。前記第1の工程では、前記レーザ光の偏光方向に沿うように、前記基板の前記表面に沿って前記レーザ光を相対的に移動させる、請求項1~3のいずれか一項に記載の光吸収基板の製造方法。前記第1の工程では、前記基板の前記表面と前記レーザ光の集光点との距離を変化させて前記レーザ光を複数回照射することにより、前記改質領域のそれぞれを形成する、請求項1~4のいずれか一項に記載の光吸収基板の製造方法。凹凸の表面を有する光吸収基板を製造するための成形型の製造方法であって、基板にレーザ光を照射することにより、前記基板の表面に沿って二次元状に配列されるように、前記基板の内部に複数の改質領域を形成し、前記改質領域、及び前記改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方を前記基板の前記表面に到達させる第1の工程と、前記第1の工程の後、前記基板の前記表面にエッチング処理を施すことにより、前記基板の前記表面に凹凸を形成する第2の工程と、前記第2の工程の後、前記基板の前記表面の形状を転写することにより、前記成形型を得る第3の工程と、を備える、成形型の製造方法。しかしながら、上述したような光吸収基板の製造方法にあっては、凹部の位置及び形状を制御することはできるものの、マスキングパターンを形成するのに手間を要する。そこで、本発明は、所望のパターンで形成された凹凸の表面を有する光吸収基板を簡単に製造することができる光吸収基板の製造方法、及びそれを製造するための成形型の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一側面の光吸収基板の製造方法は、凹凸の表面を有する光吸収基板の製造方法であって、基板にレーザ光を照射することにより、基板の表面に沿って二次元状に配列されるように、基板の内部に複数の改質領域を形成し、改質領域、及び改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方を基板の表面に到達させる第1の工程と、第1の工程の後、基板の表面にエッチング処理を施すことにより、基板の表面に凹凸を形成する第2の工程と、を備える。この光吸収基板の製造方法では、改質領域、及び改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方が基板の表面に到達しているので、改質領域のそれぞれを起点としてエッチングが選択的に進行し、基板の表面に複数の凹部が形成される。このとき、改質領域の位置、すなわち凹部の位置は、レーザ光の照射条件によって制御することができる。更に、凹部の形状は、エッチングの処理条件によって制御することができる。よって、この光吸収基板の製造方法によれば、所望のパターンで形成された凹凸の表面を有する光吸収基板を簡単に製造することが可能となる。ここで、第2の工程では、エッチング処理として異方性エッチング処理を施してもよい。これによれば、基板の表面に形成される複数の凹部間における形状のばらつきを抑制することができる。更に、第2の工程では、異方性エッチング処理を施した後、エッチング処理として等方性エッチング処理を施してもよい。これによれば、基板の表面に形成された複数の凹部の内面を滑らかにすることができる。また、第1の工程では、レーザ光の偏光方向に沿うように、基板の表面に沿ってレーザ光を相対的に移動させてもよい。これによれば、基板の表面に形成される複数の凹部間における形状のばらつきをより一層抑制することができる。また、第1の工程では、基板の表面とレーザ光の集光点との距離を変化させてレーザ光を複数回照射することにより、改質領域のそれぞれを形成してもよい。これによれば、凹部の開口の広さに対する凹部の深さアスペクト比がより大きくなるように凹部を形成することができる。また、本発明の一側面の成形型の製造方法は、凹凸の表面を有する光吸収基板を製造するための成形型の製造方法であって、基板にレーザ光を照射することにより、基板の表面に沿って二次元状に配列されるように、基板の内部に複数の改質領域を形成し、改質領域、及び改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方を基板の表面に到達させる第1の工程と、第1の工程の後、基板の表面にエッチング処理を施すことにより、基板の表面に凹凸を形成する第2の工程と、第2の工程の後、基板の表面の形状を転写することにより、成形型を得る第3の工程と、を備える。この成形型の製造方法では、改質領域、及び改質領域から発生する亀裂の少なくとも一方が基板の表面に到達しているので、改質領域のそれぞれを起点としてエッチングが選択的に進行し、基板の表面に複数の凹部が形成される。このとき、改質領域の位置、すなわち凹部の位置は、レーザ光の照射条件によって制御することができる。更に、凹部の形状は、エッチングの処理条件によって制御することができる。そして、このように凹部の位置及び形状が制御された基板の表面の形状が転写されるので、基板の表面に形成された凹凸と相補的な関係を有する凹凸が形成された成形型が得られる。よって、この成形型の製造方法によれば、所望のパターンで形成された凹凸の表面を有する光吸収基板を製造し得る成形型を製造することが可能となる。本発明によれば、所望のパターンで形成された凹凸の表面を有する光吸収基板を簡単に製造することができる光吸収基板の製造方法、及びそれを製造するための成形型を提供することが可能となる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。[光吸収基板の製造方法]図1に示されるように、光吸収基板1は、凹凸平均10μm程度の高低差の表面2を有している。光吸収基板1は、太陽電池に利用されるものであって、表面2を100面とする矩形板状の単結晶シリコン基板からなる。表面2は、いわゆる無反射面と称されるものであって、太陽光の受光面となる。表面2には、二次元マトリックス状に配列された複数の凹部3、及び平坦部4が形成されている。各凹部3は、外側開口側に向かって末広がりとなる四角錐状に形成されている。なお、平坦部4は、太陽電池の配線電極等が形成される部分である。以上のように構成された光吸収基板1の製造方法について説明する。まず、図2,3に示されるように、光吸収基板1の母材である基板1Aを準備する。基板1Aは、その表面2Aを100面とする矩形板状の単結晶シリコン基板からなる。続いて、基板1Aに対し、その厚さ方向から見た場合に光吸収基板1の各凹部3の中心位置と対応するように、改質領域7の形成予定位置5を設定する。各形成予定位置5は、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方が表面2Aに到達するように、表面2Aから所定の距離だけ基板1Aの内側に設定される。なお、隣り合う形成予定位置5の間隔は、10μm程度である。続いて、各形成予定位置5にレーザ光Lの集光点Pを合わせて、基板1Aにレーザ光Lを照射する。これにより、表面2Aに沿って二次元マトリックス状に配列されるように、基板1Aの内部に複数の改質領域7を形成し、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方を表面2Aに到達させる。ここでは、改質領域7を形成する場合、基板1Aの表面2Aをレーザ光入射面として基板1Aの内部に集光点Pを合わせて、集光点Pにおけるピークパワー密度1×108W/cm2以上かつパルス幅1μs以下の条件で、波長1064nmのパルスレーザ光Lを基板1Aに照射する。これにより、レーザ光Lは、基板1Aの表面2Aを透過して、基板1Aの内部の形成予定位置5すなわち、レーザ光Lが集光させられる集光点Pの位置の近傍で特に吸収され、その結果、基板1Aの内部に改質領域7が形成される。このように、基板1Aの内部に改質領域7を形成する内部吸収型レーザ加工は、表面2Aにおいて基板1Aの一部を溶融蒸発させて表面2Aに凹部や溝等を形成する表面吸収型レーザ加工とは大きく異なる。ところで、改質領域7は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域である。改質領域7としては、基板1Aの材料に応じて、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域7としては、基板1Aの材料に応じて、加工対象物の材料において改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域があるこれらをまとめて高密転移領域ともいう。また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域7と非改質領域との界面に亀裂割れ、マイクロクラックを内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域7の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。なお、基板1Aの材料としては、単結晶シリコンに限定されず、種々のものを選択し得るが、ここでは、単結晶シリコンであるため、改質領域7としては、主に溶融処理領域が形成される。また、レーザ光Lを照射する際には、直線偏光のレーザ光Lの偏光方向に沿うように、基板1Aの表面2Aに沿ってレーザ光Lを相対的に移動させる。そして、各形成予定位置5の近傍の部分では、レーザ光Lをパルス発振して集光点Pにおけるピークパワー密度を加工閾値以上とし、それ以外の部分では、レーザ光Lを連続発振する。これにより、各形成予定位置5に改質領域7が形成され、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方が表面2Aに到達する。なお、各改質領域7は、少なくとも1つの改質スポットパルスレーザ光Lの1パルスの照射によって形成される改質部分を含んでいる。1つの改質領域7が複数の改質スポットを含む場合、複数の改質スポットは、連続的に形成されていても、或いは断続的に形成されていてもよいが、複数の改質スポット間において少なくとも亀裂が繋がっていることが好ましい。改質領域7を形成した後、図4,5に示されるように、基板1Aの表面2Aにエッチング処理を施すことにより、表面2Aに凹凸を形成する。ここでは、エッチング剤として例えばKOH水酸化カリウムを選択し、異方性エッチング処理を施す。このとき、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方が表面2Aに到達しているので、エッチング剤が各改質領域7に至り、周囲に比べてエッチングレートの高い各改質領域7を起点としてエッチングが選択的に進行する。なお、エッチング処理としては、エッチング剤に基板1Aを浸漬する場合ディッピング方式:Dippingと、基板1Aを回転させつつエッチング剤を塗布する場合スピンエッチング方式:SpinEtchingとがある。そして、表面2Aが所望の形状となった段階で、エッチング処理を終了させる。この異方性エッチング処理によって、エッチングレートの低い111面が露出するので、基板1Aの表面2Aには、外側開口側に向かって末広がりとなる四角錐状の凹部3が形成される。以上により、基板1Aの表面2Aが光吸収基板1の表面2となって、凹凸の表面2を有する光吸収基板1が得られる。以上説明したように、光吸収基板1の製造方法では、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方が基板1Aの表面2Aに到達しているので、各改質領域7を起点としてエッチングが選択的に進行し、基板1Aの表面2Aに複数の凹部3が形成される。このとき、改質領域7の位置、すなわち凹部3の位置は、レーザ光Lの照射条件集光点Pを合わせる位置、レーザ光Lの相対的な移動速度、レーザ光Lの繰り返し周波数、レーザ光Lの加工閾値の切替えタイミング等によって容易にかつ正確に制御することができる。更に、凹部3の形状は、エッチングの処理条件エッチング時間、エッチング剤の使用温度等によって容易にかつ精度良く制御することができる。よって、光吸収基板1の製造方法によれば、所望のパターンで形成された凹凸の表面2を有する光吸収基板1を簡単に製造することが可能となる。また、レーザ光Lを照射する際には、レーザ光Lの偏光方向に沿うように、基板1Aの表面2Aに沿ってレーザ光Lを相対的に移動させる。これにより、改質領域7、改質領域7から発生した亀裂、及び改質領域7の周囲において熱的影響を受けた領域の状態が、複数の形成予定位置5間において安定化する。そのため、基板1Aの表面2Aに形成される複数の凹部3間における形状のばらつきを抑制することができる。更に、エッチング処理として、基板1Aの表面2Aに異方性エッチング処理を施すことも、複数の凹部3間における形状のばらつきの抑制に寄与する。ここでは、基板1Aが単結晶シリコン基板からなり、表面2Aが100面であるため、改質領域7を起点としたエッチングの進行により111面が露出し、外側に向かって末広がりとなる四角錐状の凹部3が複数形成される。なお、図6に示されるように、異方性エッチング処理を施した後、更に、等方性エッチング処理を施してもよい。これによれば、基板1Aの表面2Aに形成された複数の凹部3の内面3aを滑らかにすることができる。ここでは、外側に向かって末広がりとなる四角錐状に形成された凹部3の内面3aが滑らかにされて、光収集効果の高いウィストンコーン形状に近い形状の凹部3が形成される。また、図7,8に示されるように、基板1Aの厚さ方向に沿って並ぶように、基板1Aの表面2Aからの距離が異なる複数の位置に形成予定位置5を設定し、それぞれの形成予定位置5に改質領域7を形成してもよい。つまり、基板1Aの表面2Aとレーザ光Lの集光点Pとの距離を変化させてレーザ光Lを複数回照射することにより、各改質領域7を形成してもよい。これによれば、図9に示されるように、エッチング処理を施すことにより、凹部3の開口の広さに対する凹部3の深さがより大きい例えばアスペクト比2以上の凹部3を形成することができる。なお、この場合には、レーザ光入射面から遠い位置に設定された形成予定位置5ほど先にレーザ光Lの照射を行うことが好ましい。レーザ光Lの進行方向において形成予定位置5の手前に改質領域7が形成されることでレーザ光Lの集光が阻害されるのを防止するためである。また、基板1Aの厚さ方向に長く伸びるすなわち、基板1Aの厚さ方向を長手方向とする縦長の集光点Pを利用して、基板1Aの厚さ方向に長く伸びる縦長の改質領域7を形成することも可能である。この場合、レーザ光Lの照射回数を減少させることができる。縦長の集光点Pは、例えば、基板1Aの厚さ方向に集光点Pが複数並ぶようにすることで形成することができる。[成形型の製造方法]図10に示されるように、成形型10は、凹凸の表面12を有している。成形型10は、凹凸の表面を有する光吸収基板上述した光吸収基板1に相当するものをナノインプリント等で製造するための金型であって、例えばニッケル等の金属からなる。表面12の凹凸は、光吸収基板の表面に形成すべき凹凸と相補的な関係を有している。表面12には、二次元マトリックス状に配列された複数の凹部13が形成されている。各凹部13は、内側開口側と対向する側に向かって先細りとなる四角錐状に形成されている。以上のように構成された成形型10の製造方法について説明する。まず、ナノインプリント等で製造しようとする光吸収基板の原版として、上述した光吸収基板1を上述した製造方法で準備する。そして、図11aに示されるように、例えばシリコン等からなる基板14上にレジスト層15を積層する。続いて、図11bに示されるように、レジスト層15に対して光吸収基板1の表面2を押圧することにより、表面2の形状をレジスト層15に転写する。続いて、図12aに示されるように、レジスト層15から光吸収基板1を離脱させる。続いて、図12bに示されるように、光吸収基板1の表面2に形成された凹凸と相補的な関係を有する凹凸が形成されたレジスト層15の表面に、例えばニッケル等の金属を蒸着することにより、金属層16を形成する。続いて、図13に示されるように、金属層16に電鋳によってニッケル等の金属をブロック状になるまで厚く堆積することにより、金属層17を形成する。続いて、レジスト層15を溶解させて必要に応じて基板14を溶解させてもよい金属層16、17を取り出すことにより、成形型10を得る。以上説明したように、成形型10の製造方法では、製造しようとする光吸収基板の原版として、上述した光吸収基板1を上述した製造方法で準備する。ここで、上述した製造方法では、改質領域7、及び改質領域7から発生する亀裂の少なくとも一方が基板1Aの表面2Aに到達しているので、各改質領域7を起点としてエッチングが選択的に進行し、基板1Aの表面2Aに複数の凹部3が形成される。このとき、改質領域7の位置、すなわち凹部3の位置は、レーザ光Lの照射条件によって容易にかつ正確に制御することができる。更に、凹部3の形状は、エッチングの処理条件によって容易にかつ精度良く制御することができる。そして、このように凹部3の位置及び形状が制御された光吸収基板1の表面2の形状が転写されるので、表面2に形成された凹凸と相補的な関係を有する凹凸が形成された成形型10が得られる。よって、成形型10の製造方法によれば、所望のパターンで形成された凹凸の表面を有する光吸収基板を製造し得る成形型10を製造することが可能となる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、基板1Aの表面2Aに沿って二次元マトリックス状に配列されるように、基板1Aの内部に複数の改質領域7を形成したが、改質領域7の配列はマトリックス状の配列に限定されない。凹凸が所望のパターンで形成されるように、二次元状の所望の配列で複数の改質領域7を形成することができる。また、レーザ光Lは直線偏光に限定されない。レーザ光Lを偏光とする場合には、楕円率が1以外の楕円偏光であるレーザ光Lを用いることができる。ここで、楕円偏光の楕円率とは、楕円偏光を表す楕円における短軸の長さの半分/長軸の長さの半分である。従って、楕円率が1のとき、その楕円偏光は円偏光に相当し、楕円率が零のとき、その楕円偏光は直線偏光に相当する。また、レーザ光の偏光方向とは、楕円偏光を表す楕円の長軸の方向である。従って、楕円率が零のとき、レーザ光の偏光方向は、直線偏光を表す直線の方向である。また、楕円率が1以外の楕円偏光であるレーザ光Lを用いる場合には、レーザ光Lの偏光方向と、レーザ光Lの相対的な移動方向とが略一致していることすなわち、略平行となっていることが望ましい。ただし、レーザ光Lの偏光方向と、レーザ光Lの相対的な移動方向とのなす角度が45°未満であれば、例えば当該角度が90°である場合に比べて、複数の凹部3間における形状のばらつきを抑制することができる。最後に、基板1Aの材料と、それに用いるエッチング剤との関係の一例について説明する。基板1Aの材料がSiである場合、等方性のエッチング剤として、HNO3硝酸とHFフッ酸とH2O水又はCH3COOH酢酸の混合液を用いることができる。基板1Aの材料がSiである場合、異方性のエッチング剤として、KOH水酸化カリウム、TMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、EDP、NaOH、CsOH、NH4OH、ヒドラジンを用いることができる。更に、基板1Aの材料がGaAsである場合、H2SO4硫酸とH2O2過酸化水素水とH2O水の混合液、H3PO4リン酸とH2O2過酸化水素水とH2O水の混合液、HNO3硝酸、HCl塩酸、CH3OHブロメタ、NH4OH水酸化アンモニウムとH2O2過酸化水素水とH2O水の混合液を用いることができる。基板1Aの材料が石英ガラスである場合、HFフッ酸とH2O水の混合液、HF、NH4F重フッ化アンモニウム飽和水溶液を用いることができる。基板1Aの材料がサファイアである場合、H3PO4リン酸、H2SO4硫酸H3PO4リン酸を用いることができる。基板1Aの材料がSiCである場合、KOH水酸化カリウムを用いることができる。基板1Aの材料が水晶である場合、NH4Fを用いることができる。"