基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有する、基板上のパターンを形成することが可能である、方法。前記BCP材料を堆積させる前に化学的な表面パターンを形成するように、前記得られたインプリントされたレジストを処理するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。処理するステップは、前記得られたインプリントされたレジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項2に記載の方法。前記BCP材料を堆積させる前に、前記得られたインプリントされたパターンを直接基板上に転写するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。インプリントするステップは、UVインプリント、熱インプリント、およびインキ盛りインプリントからなるプロセスのグループから選択されるインプリントプロセスを適用することを含む、請求項1に記載の方法。前記堆積させるステップは、層状のブロック共重合体、円筒状のブロック共重合体、および球状のブロック共重合体からなるBCP材料のグループから選択されるBCP材料を堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。前記BCP材料は、ポリスチレン-ブロック-ポリメチルメタクリレートPS-b-PMMA、ポリスチレン-ブロック-ポリ2-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリ4-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリエチレンオキシド、ポリスチレン-ブロック-ポリイソプレン、ポリスチレン-ブロック-ブタジエン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、請求項1に記載の方法。前記BCP材料は、ポリスチレン-ブロック-ポリジメチルシロキサンPS-b-PDMS、ポリスチレン-ブロック-ポリフェロセニルシラン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、請求項1に記載の方法。前記アニールするステップは熱アニールを含む、請求項1に記載の方法。前記アニールするステップは溶媒アニールを含む、請求項1に記載の方法。前記除去するステップは、レジストをUV照射および少なくとも1つの酸に露出させることを含む、請求項1に記載の方法。前記除去するステップは、レジストを少なくとも1つの溶媒に露出させることを含む、請求項1に記載の方法。前記除去するステップは、レジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項1に記載の方法。前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5~100nmの特徴ピッチを有する、請求項1に記載の方法。前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された一次元アレイを有する、請求項1に記載の方法。前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された二次元アレイを有する、請求項1に記載の方法。基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、前記テンプレートを使用して基板上のレジストをパターン化し、前記基板上にパターンを形成する、方法。前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5~100nmの特徴ピッチを有する、請求項17に記載の方法。基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、さらに、前記テンプレートをマスクとして使用するステップを含む、方法。前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップは、5~100nmの特徴ピッチを有するテンプレートをもたらす、請求項19に記載の方法。基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するためのインプリントモールドと、前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるための堆積装置とを備え、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するためのアニール装置と、前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するためのBCP除去装置とを備え、5~100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するための手段と、前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるための手段とを備え、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するための手段と、前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するための手段とを備え、5~100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。詳細な説明ここに開示されるのは、BCPの誘導された成長をBPM製造プロセスに組み込むためのシステムおよびプロセスである。具体的には、ここに記載されるプロセスは、電子ビームリソグラフィによって基板上に形成されたプリパターンなしに、媒体基板上にナノパターンを形成するためにBCPがどのように使用され得るかを例示する。本開示は、電子ビームリソグラフィによって作製されたプリパターンの製造以外のプロセスについて記載する。基板上での電子ビームリソグラフィは、最終的にブロック共重合体BCP高密度構造の成長の長範囲の配列および品質に影響を及ぼすプリパターンに汚染欠陥を導入し得る。図1は、電子ビームリソグラフィを使用して基板上に形成された密度がより低いプリパターンから開始して生成された高密度BCPパターンの走査電子顕微鏡画像である。高密度パターンの均一な周期性は、基板全体にわたっては維持されない。その代わり、BCP構造の成長を誘導するためにインプリント技術が使用される。その結果、本開示の実施例は、電子ビームリソグラフィ技術に関連付けられたパターン欠陥および潜在的な化学的毒性を回避し得る。当業者は、円筒状、層状、または球状のBCPなどの異なるBCPが使用され得ると認識するであろう。一実施例では、BCPは有機成分、無機成分、または有機成分および無機成分の組合せを有し得る。BCPの選択は、以下にさらに記載されるBCP構成単位の寸法、分子量、または他の特徴に基づき得る。特定的なBCPが特定の用途に選択されるが、ここに開示されるプロセスは一般化されたプロセスである。他の変形例が以下でさらに議論され、図に例示される。図2~図7は、本開示の様々な実施例に向けられる。しかし当業者は、本開示から逸脱することなく他の実施例が可能であり、かつ図2~図7に描かれるプロセスは本開示をいずれか1つのプロセスまたは実施例に限定するとは意図されないと認識するであろう。当業者は、図2~図7はBPM製造プロセスの一部分を例示しているにすぎず、図2~図7に示され上記したプロセスの前または後に他のプロセスが含まれ得ると認識するであろう。たとえば、図2~図7は、製造のために後のプロセスで使用されるBPMテンプレートを生成するためのプロセスの実施例を例示する。代替的にまたは追加的に、図2~図7は、BCPを使用してBPM基板を直接パターン化するためのプロセスの実施例を例示する。以下の例において、BCPは、少なくとも2つの構成単位、構造単位、またはブロックで構成され、ここではブロックAおよびブロックBもしくはAブロックおよびBブロックと称される。以下の例は、Aブロックの除去について記載する。しかし当業者は、一実施例ではAブロックの代わりにBブロックが除去され得ると認識するであろう。単数のブロックAまたはブロックBの使用は、複数のブロックAおよびブロックBの使用も含む。上記のように、ブロックAおよびブロックBは有機もしくは無機であり得るか、またはブロックAは有機、ブロックBは無機であり得るか、またはブロックAは無機、ブロックBは有機であり得る。一実施例では、ブロックAもしくはブロックBは、有機ポリスチレン-ブロック-ポリメチルメタクリレートPS-b-PMMA、ポリスチレン-ブロック-ポリ2-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリ4-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリエチレンオキシド、ポリスチレン-ブロック-ポリイソプレン、またはポリスチレン-ブロック-ブタジエンを含む。一実施例では、ブロックAまたはブロックBは、無機ポリスチレン-ブロック-ポリジメチルシロキサンPS-b-PDMS、またはポリスチレン-ブロック-ポリフェロセニルシランを含む。当業者は、ここに記載されるプロセスはBCPブロックの化学的特性に依存して相応して変動され得ると認識するであろう。当業者は、BCPの選択は、BCPを使用して作成されることになるターゲットパターンにも依存し得ると認識するであろう。たとえば、あるBCPブロックはある地形的なパターン特徴およびパターン寸法によりよく相関し得ることから、以下に記載されるインプリントステップによって残される地形的なパターンが、選択されるBCPを決定し得る。図2は、円筒状または層状のBCPが、インプリントされたレジストパターンで使用されるプロセスに向けられる。一実施例では、図2で使用されるBCPはPS-b-PMMAである。しかし、他の円筒状または層状のBCPも使用され得る。ブロック201において、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱、またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック203において、インプリントされたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック205においてアニールされる。当業者は、熱または溶媒アニールがブロック205において適用され得ると認識するであろう。ブロック207において、アニールされたBCPのブロックのうちの1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAおよびブロックBが有機である場合、ブロックAを除去するためにUV露光および酸が使用される。たとえば、ブロック203において使用されるBCPがPS-b-PMMAである場合、PMMAブロックを除去するためにUV露光および酢酸洗浄または溶媒が使用される。一実施例では、ブロックAが有機でありBが無機である場合、有機Aブロックを除去するために酸素プラズマが使用される。図2のブロック207は、酸素プラズマエッチングを含み得るディスカミングdescummingも含む。しかし、残留物を除去するために、アニールされたBCPをディスカムするdescumための他の方法も使用され得る。円筒状または層状のBCPが、インプリントされ処理されたレジストパターンで使用されるプロセスが図3に示される。一実施例では、図3で使用されるBCPはPS-b-PMMAである。しかし、他の円筒状または層状のBCPも使用され得る。ブロック301では、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック303では、化学的パターンを形成するために、インプリントされたレジストが化学的に処理される。ブロック305では、インプリントされ処理されたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック307においてアニールされる。当業者は、熱または溶媒アニールがブロック307において適用され得ると認識するであろう。ブロック309において、アニールされたBCPから形成されたブロックのうちの1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAおよびブロックBが有機である場合、ブロックAを除去するために、UV露光および酸または溶媒が使用される。たとえば、ブロック305において使用されるBCPがPS-b-PMMAである場合、PMMAブロックを除去するためにUV露光および酢酸洗浄が使用される。一実施例では、ブロックAが有機でありBが無機である場合、有機Aブロックを除去するために酸素プラズマが使用される。図3のブロック309は、酸素プラズマエッチングを含み得るディスカミングも含む。しかし、残留物を除去するために、アニールされたBCPをディスカムするための他の方法も使用され得る。例として、図3に例示されるプロセスを組込む1つのプロセスについて以下に記載する。ブロック301において、基板を覆うインプリントレジストは、アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストの20~50nm厚さの薄膜である。アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストがこの例では使用されたが、共重合体の1つのブロックに対して親和性を有する限り、他の種類のインプリントレジスト材料を使用することもできる。熱インプリントまたはインキ盛りなどの他のインプリント法も適用され得る。この例では、あらかじめ製造されたインプリントモールドを使用して、レジスト層に地形的な表面パターンを作成した。ブロック303において、30W、圧力2mTorr、および毎分30標準立方センチメートルsccmのO2流量での酸素プラズマプロセスを使用して、インプリントされたレジストが処理された。その結果、インプリントされたレジスト層は10nm厚さ未満に薄層化され、インプリント領域において基板を露出させた。薄層化したインプリントレジスト層は、次いで、特にインプリントによって作製されたくぼみまたは穴の残留物を除去するために洗浄される。ブロック305において、1トルエン溶液中のPS-b-PMMAのBCPコーティングが、インプリントで規定されたパターン化した基板上にスピンコーティングされた。次いでブロック307において、配列されたBCPナノパターンの誘導された自己組織化形成を可能にするために、PS-b-PMMAフィルムが170°Cにて12~24時間アニールされるすなわち熱アニールプロセス。当業者は、アセトン蒸気大気を使用する溶媒アニールプロセスも使用され得ると認識するであろう。ブロック309における選択的なポリマーブロック除去は、248nmに設定されたUV照射を使用して行われる。たとえば、これは、ポリスチレンPSブロックを架橋結合させる一方、PMMAブロックを劣化させる。いずれかの不純物を除去するために1分間酢酸に浸漬した後、劣化したBCPの残留物もしくは部分、ナノ多孔性PS円筒状システムテンプレート、またはPSラインアレイが残される。残りのPSが円筒状のシステムまたは線状/層状のアレイを形成するかどうかは、上記のブロック305において選択される特定のBCPによって決定される。図4は、円筒状または層状のBCPが、インプリントされ転写されたパターンで使用されるプロセスに向けられる。一実施例では、図4で使用されるBCPはPS-b-PMMAである。しかし、他の円筒状または層状のBCPも使用され得る。ブロック401において、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック403において、インプリントされたレジストパターンが基板上に転写される。ブロック405において、インプリントされ処理されたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック407においてアニールされる。当業者は、熱または溶媒アニールがブロック407において適用され得ると認識するであろう。ブロック409において、アニールされたBCPからのブロックのうち1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAおよびブロックBが有機である場合、ブロックAを除去するためにUV露光および酸または溶媒が使用される。たとえば、ブロック405において使用されるBCPがPS-b-PMMAである場合、PMMAブロックを除去するためにUV露光および酢酸洗浄が使用される。一実施例では、ブロックAが有機でありBが無機である場合、有機Aブロックを除去するために酸素プラズマが使用される。図4のブロック409は、酸素プラズマエッチングを含み得るディスカミングも含む。しかし、残留物を除去するために、アニールされたBCPをディスカムするための他の方法も使用され得る。球状のBCPが、インプリントされたレジストパターンで使用されるプロセスが図5に示される。一実施例では、図5において使用されるBCPはPS-b-PDMSである。しかし、他の球状のBCPも使用され得る。ブロック501において、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック503において、インプリントされたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック505においてアニールされる。当業者は、自己組織化BCP構造を成長させるためにブロック505において熱または溶媒アニールが適用され得ると認識するであろう。ブロック507において、アニールされたBCPからのブロックのうち1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAが無機であるがブロックBが有機である場合、ブロックBを除去するために酸素プラズマが使用される。たとえば、ブロック503において使用されるBCPがPS-b-PDMSである場合、PSブロックを除去するために酸素プラズマが使用され得、それによってナノドットアレイを残す。球状のBCPが、インプリントされ処理されたレジストパターンで使用されるプロセスが図6に示される。一実施例では、図6で使用されるBCPはPS-b-PDMSである。しかし、他の球状のBCPも使用され得る。ブロック601において、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック603において、インプリントされたレジストは化学的パターンを形成するために化学的に処理される。ブロック605において、インプリントされ処理されたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック607においてアニールされる。当業者は、熱または溶媒アニールがブロック607において適用され得ると認識するであろう。ブロック609において、アニールされたBCPからのブロックのうち1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAは無機であるがブロックBは有機である場合、ブロックBを除去するために酸素プラズマが使用される。たとえば、ブロック605において使用されるBCPがPS-b-PDMSである場合、PSブロックを除去するために酸素プラズマが使用され、それによってナノドットアレイを残す。例として、図6に例示されるプロセスを組込む1つのプロセスについて以下に記載する。ブロック601において、基板を覆うインプリントレジストは、アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストの20~50nm厚さの薄膜である。アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストがこの例では使用されたが、共重合体の1つのブロックに対して親和性を有する限り、他の種類のインプリントレジスト材料を使用することもできる。熱インプリントまたはインキ盛りなどの他のインプリント法も適用され得る。この例では、あらかじめ製造されたインプリントモールドを使用して、レジスト層に地形的な表面パターンを作成した。ブロック603において、30W、圧力2mTorr、および30sccmのO2流量での酸素プラズマプロセスを使用して、インプリントされたレジストが処理された。その結果、インプリントされたレジスト層は10nm未満の厚さに薄層化した。薄層化したインプリントレジスト層は、次いで、特にインプリントによって作製されたくぼみまたは穴の残留物を除去するために洗浄される。ブロック605において、1トルエン溶液中のPS-b-PDMSのBCPコーティングが、インプリントで規定されたパターン化した基板上にスピンコーティングされた。このステップに次いで、ブロック607において、配列されたBCPナノパターンの自己組織化形成を可能にするために、PS-b-PDMSフィルムが170°Cにて12~24時間アニールされるすなわち熱アニールプロセス。当業者は、トルエン蒸気大気を使用する溶媒アニールプロセスも使用され得ると認識するであろう。ブロック609における選択的なブロック除去は、30W、圧力2mTorr、および30sccmのO2流量での酸素プラズマプロセスを使用して行われる。このステップはPSブロックの大部分を除去し、それによってPDMSナノドットアレイを後に残す。当業者は、ある分子量およびブロック間の容積比を有するBCPの選択が、ナノドットアレイの球状形態、領域寸法および間隔を決定することになると認識するであろう。球状のBCPが、インプリントされ転写されたパターンで使用されるプロセスが図7に示される。一実施例では、図7で使用されるBCPはPS-b-PDMSである。しかし、他の球状のBCPも使用され得る。ブロック701では、基板を覆うインプリントレジストがインプリントモールドでインプリントされ、地形的なパターンを形成する。インプリントは、UV、熱またはインキ盛り技術を利用し得る。ブロック703において、インプリントされたレジストパターンが基板上に転写される。ブロック705において、インプリントされ処理されたレジスト上にBCPがスピンコーティングされ、次いでブロック707においてアニールされる。当業者は、熱または溶媒アニールがブロック707において適用され得ると認識するであろう。ブロック709において、アニールされたBCPからのブロックのうち1つが選択的に除去される。一実施例では、ブロックAは無機であるがブロックBは有機である場合、ブロックBを除去するために酸素プラズマが使用される。たとえば、ブロック705において使用されるBCPがPS-b-PDMSである場合、PSブロックを除去するために酸素プラズマが使用され、それによってナノドットアレイを残す。例として、図7に例示されるプロセスを組込む1つのプロセスについて以下に記載する。ブロック701において、基板を覆うインプリントレジストは、アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストの20~50nm厚さの薄膜である。アクリル酸塩ベースのUVインプリントレジストがこの例では使用されたが、共重合体の1つのブロックに対して親和性を有する限り、他の種類のインプリントレジスト材料を使用することもできる。熱インプリントまたはインキ盛りなどの他のインプリント法も適用され得る。この例では、あらかじめ製造されたインプリントモールドを使用して、レジスト層に地形的な表面パターンを作成した。次いで、30W、圧力2mTorr、および30sccmのO2流量での酸素プラズマプロセスを使用して、インプリントされたレジストが処理され、次いで、特にインプリントによって作製されたくぼみまたは穴の残留物を除去するために洗浄される。ブロック703において、80W、20mTorr、30sccmCF4および30sccmArでのCF4反応性イオンエッチングを用いて、インプリントされたレジストパターンを下にあるシリコン基板に転写した。エッチング深さは5~10nmであった。ブロック705において、1トルエン溶液中のPS-b-PDMSのBCPコーティングが、パターン化した基板上にスピンコーティングされ、次いでブロック707において、配列されたBCPナノパターンの自己組織化を可能にするために、170°Cにて12~24時間アニールされたすなわち熱アニールプロセス。当業者は、トルエン蒸気大気を使用する溶媒アニールプロセスも使用され得ると認識するであろう。ブロック709における選択的なブロック除去は、30W、圧力2mTorr、および30sccmO2流量での酸素プラズマプロセスを使用して行われた。これはPSブロックの大部分を除去し、それによってPDMSナノドットアレイを後に残す。当業者は、ある分子量およびブロック間の容積比を有するBCPの選択が、ナノドットアレイの球状の形態、領域寸法および間隔を決定することになると認識するであろう。上述され図1に例示されたように、大面積にわたって欠陥のない長範囲の横方向の配列は、プリパターン化プロセス中に使用される化学薬品およびプロセスによる電子ビームリソグラフィとブロック共重合体自己組織化とによって形成されるパターン化したテンプレートまたは基板においては現在のところ見出されない。そのような欠陥は、ここに記載されるプロセスを使用して回避され得る。なぜなら、プリパターン化プロセスから電子ビームリソグラフィが無くされ、UV、熱またはインキ盛りインプリント技術で代用されるからである。当業者は、BCPの自己組織化をここに記載されるように方向付けることによって、少なくとも1Tdpsiの線形または面状のビット密度および/または5~100nmの特徴ピッチを有するインプリントテンプレートをもたらし得ると認識するであろう。また、ここに記載されるプロセスは、スケーラブルなナノパターン化を可能にする長範囲の横方向に配列されたアレイを形成する。図8~図10は、上述され図2~図7に例示されたプロセスの実施例によって生成されたBCPテンプレートの走査電子顕微鏡SEM画像である。図8は、PS-b-PMMAのBCPテンプレートが1Tdpsiのビット密度を有する実施例を例示する。図3に記載されているように表面プリパターンがインプリントされ処理されている。図9は、PS-b-PDMSのBCPテンプレートが1.3Tdpsiのビット密度を有する例を例示する。表面プリパターンがインプリントされ処理されている。図9が示すように、横方向の配列は、図1に示される横方向の配列とは異なる。図9に示される大面積にわたって形成されたモアレパターンは、本開示の長範囲のスケーラビリティを示す。図10は、PS-b-PDMSのBCPテンプレートが1.3Tdpsiのビット密度を有する例を例示する。図10では、図7に記載されているように表面プリパターンがインプリントされ転写されている。先述したように、図2~図7に例示されここに記載されるプロセスは、ビットパターンド媒体BPM媒体製造プロセスの一部を形成し得る。一実施例では、記憶媒体での磁気膜層のパターン化、半導体製造などといった長範囲の横方向の配列を有する大面積高密度ナノパターン化を特色とするいずれかの製造プロセスに本開示が適用され得る。一実施例では、ここに記載されるプロセスは、マスクとして使用されるテンプレートを製造するために使用され得、それによって機能性材料の堆積または他のアディティブ法を容易にする。一実施例では、パターンを記憶媒体上に直接もしくは間接的に形成するための機能性材料のエッチング、または他のサブトラクティブ法を容易にするために、ここに記載されるプロセスが使用され得る。本開示の範囲から逸脱することなく、他の用途が可能である。当業者にとって、これらの開示された特定の詳細なしに実施例が実行され得ることが明らかであろう。他の例では、説明を容易にするために、周知の構造および装置がブロック図の形態で示される。実施例の説明は、ここに添付される請求項の範囲を限定するものとは意図されていない。さらに、ここに開示される方法において、実施例の機能のうちのいくつかを例示する様々なプロセスが開示される。当業者は、これらのプロセスが例にすぎず、いずれかの方法で限定することが目的ではないと認識するであろう。本開示または実施例の範囲から逸脱することなく、他の機能が想定され得る。ここに記載される要素、部分およびステップすべてが含まれることが好ましい。当業者にとっては自明であろうが、これらの要素、部分およびステップのうちのいずれかは、他の要素、部分およびステップと置換され得るか、またはすべて削除され得ると理解されるべきである。概して、本文書は、1つ以上のブロック共重合体および1つ以上のナノインプリントステップを製造プロセスに組込むことによってナノパターン化するための記載する方法を開示する。ブロック共重合体は、有機もしくは無機成分で構成され得、層状、球状、または円筒状であり得る。その結果、5~100nmの特徴ピッチおよび/または少なくとも1Tdpsiのビット密度を有する一次元もしくは二次元のパターンを有するパターンド媒体が形成され得る。概念本文書は、少なくとも以下の概念を開示している。概念1基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有する、基板上のパターンを形成することが可能である、方法。概念2BCP材料を堆積させる前に化学的な表面パターンを形成するように、得られたインプリントされたレジストを処理するステップをさらに含む、概念1に記載の方法。概念3処理するステップは、得られたインプリントされたレジストを酸素プラズマに露出させることを含む、概念2に記載の方法。概念4BCP材料を堆積させる前に、得られたインプリントされたパターンを直接基板上に転写するステップをさらに含む、概念1に記載の方法。概念5インプリントするステップは、UVインプリント、熱インプリント、およびインキ盛りインプリントからなるプロセスのグループから選択されるインプリントプロセスを適用することを含む、概念1に記載の方法。概念6堆積させるステップは、層状のブロック共重合体、円筒状のブロック共重合体、および球状のブロック共重合体からなるBCP材料のグループから選択されるBCP材料を堆積させることを含む、概念1に記載の方法。概念7BCP材料は、ポリスチレン-ブロック-ポリメチルメタクリレートPS-b-PMMA、ポリスチレン-ブロック-ポリ2-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリ4-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ポリエチレンオキシド、ポリスチレン-ブロック-ポリイソプレン、ポリスチレン-ブロック-ブタジエン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、概念1に記載の方法。概念8BCP材料は、ポリスチレン-ブロック-ポリジメチルシロキサンPS-b-PDMS、ポリスチレン-ブロック-ポリフェロセニルシラン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、概念1に記載の方法。概念9アニールするステップは熱アニールを含む、概念1に記載の方法。概念10アニールするステップは溶媒アニールを含む、概念1に記載の方法。概念11除去するステップは、レジストをUV照射および少なくとも1つの酸に露出させることを含む、概念1に記載の方法。概念12除去するステップは、レジストを少なくとも1つの溶媒に露出させることを含む、概念1に記載の方法。概念13除去するステップは、レジストを酸素プラズマに露出させることを含む、概念1に記載の方法。概念14アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5~100nmの特徴ピッチを有する、概念1に記載の方法。概念15アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された一次元アレイを有する、概念1に記載の方法。概念16アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された二次元アレイを有する、概念1に記載の方法。概念17基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、テンプレートを使用して基板上のレジストをパターン化し、基板上にパターンを形成する、方法。概念18アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5~100nmの特徴ピッチを有する、概念17に記載の方法。概念19基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、さらに、テンプレートをマスクとして使用するステップを含む、方法。概念20アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップは、5~100nmの特徴ピッチを有するテンプレートをもたらす、概念19に記載の方法。概念21基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するためのインプリントモールドと、得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるための堆積装置とを備え、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するためのアニール装置と、アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するためのBCP除去装置とを備え、5~100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。概念22基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するための手段と、得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体BCP材料を堆積させるための手段とを備え、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するための手段と、アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するための手段とを備え、5~100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。