ソルダーレジストパターンにて被覆された回路パターンを有する回路基板の製造方法において、前記回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程と、前記未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程と、前記パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程と、を有する回路基板の製造方法。請求項1において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、非接触式によるパターン露光を行う回路基板の製造方法。請求項1または2において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、部分的に露光箇所を重複させる回路基板の製造方法。請求項1から3の何れかにおいて、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程で、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくする回路基板の製造方法。請求項1から4の何れかにおいて、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程では、前記回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることまたはドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることによって、未露光のソルダーレジストを形成する回路基板の製造方法。しかし、より高精度なソルダーレジストパターンが要求される場合は、非接触式パターン露光を用いることになる。この非接触式パターン露光の場合、接触式パターン露光に比べて、露光装置のワークテーブルに回路基板を強固に吸着固定させる必要がある。パターン露光前の未露光のソルダーレジストは、ソルダーレジスト用インクを塗布した後に、インク中の溶剤を乾燥するプレキュアを行っただけで、硬化はしていない状態である。また、一般に、この未露光のソルダーレジストの形成は、工数を少なくする目的で、パターン露光の前に回路基板の表裏の両面に対して行われる。このため、非接触式パターン露光では、ワークテーブルへの吸着固定時に、回路基板の裏面側の未露光のソルダーレジストが、回路基板からワークテーブルに転写し易く、その結果、回路基板に形成した未露光のソルダーレジストが脱落する問題が生じる場合がある。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、未露光のソルダーレジストに対して、非接触式のパターン露光を適用する場合でも、未露光のソルダーレジストの脱落を低減可能とし、高精度でしかも歩留まりや信頼性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供するものである。本発明は以下を特徴とする。1ソルダーレジストパターンにて被覆された回路パターンを有する回路基板の製造方法において、前記回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程と、前記未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程と、前記パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程と、を有する回路基板の製造方法。2上記1において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、非接触式パターン露光を行う回路基板の製造方法。3上記1または2において、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、部分的に露光箇所を重複させる回路基板の製造方法。4上記1から3の何れかにおいて、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくする回路基板の製造方法。5上記1から4の何れかにおいて、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程では、前記回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることまたはドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることによって、未露光のソルダーレジストを形成する回路基板の製造方法。本発明によれば、未露光のソルダーレジストに対して、非接触式のパターン露光を適用する場合でも、未露光のソルダーレジストの脱落を低減可能とし、高精度でしかも歩留まりや信頼性の向上を図ることが可能な回路基板の製造方法を提供することができる。本発明の回路基板の製造方法の一形態としては、図2に示すように、回路パターン3上に未露光のソルダーレジスト12を形成する工程図2Aと、未露光のソルダーレジスト12に対して、接触式パターン露光図2B及び非接触式パターン露光図2Cを行って、接触式パターン露光で露光されたソルダーレジスト11及び非接触式パターン露光で形成されたソルダーレジスト2を形成する工程と、パターン露光されたソルダーレジスト11、2を現像することによって、目的とするソルダーレジストパターン20を形成する図2D工程と、を有する回路基板16の製造方法が挙げられる。ソルダーレジストとは、回路基板の主に表面に設けられ、表面に設けられた回路パターンを被覆し、電子部品との接続に用いるはんだに対して回路パターンを保護したり、一部に開口を設けて回路パターンの一部を露出させ接続端子を形成したりするものである。ソルダーレジストとしては、ソルダーレジストパターンが、いわゆるフォトリソグラフィーで形成される現像型のものや、印刷によって形成される非現像型のものがあるが、本発明で用いるソルダーレジストは、前者の現像型のものである。このような現像型のソルダーレジストは大きく分けて、ドライフィルム状で回路基板上にラミネートするタイプと、液状で回路基板に塗布しプレキュアするタイプの二種類がある。また、現像型のソルダーレジストの材料は、感光性を有するエポキシアクリレート樹脂を主としたものと、感光性ポリイミドを主としたものがあり、いずれも、炭酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液で現像が可能な、ネガ型が主流である。回路パターンとは、回路基板の絶縁樹脂層上に設けられ、回路基板に搭載される電子部品同士や、回路基板に搭載される電子部品と他の電子機器を電気的に接続して機能させるものである。本発明における回路パターンは、一般の配線基板と同様に、銅やアルミニウム等の金属により構成することができる。また、回路パターンの形成方法は、ドライフィルムを用いて、絶縁樹脂層上に形成した銅やアルミニウム等の金属箔の必要な箇所を保護し、不要な箇所をエッチング液で除去するサブトラクティブ法でも良いし、絶縁樹脂層上に形成したドライフィルムを銅めっきレジストとし、必要な箇所に銅めっきを析出させるアディティブ法でも良い。回路基板とは、絶縁樹脂層と回路パターンとを備え、電子部品を搭載して回路を形成するものである。回路パターンが絶縁樹脂層の片面または両面に形成されたものや、回路パターンと絶縁樹脂層が交互に積層され多層となった回路基板も含まれる。本発明における回路基板に用いる絶縁樹脂層は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂としては例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニル樹脂、などが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱硬化性樹脂は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。熱可塑性樹脂としては例えば、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリブタジエン、ポリイミドなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。熱可塑性樹脂は、1種類のものを単独で用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良い。また、無機充填剤を含んでいても良い。本発明は、回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程を有する。未露光のソルダーレジストとは、パターン露光されていない状態のソルダーレジストであり、パターン露光時の光主に紫外光による硬化は生じていない状態のものをいう。回路パターン上に未露光のソルダーレジストを形成する工程は、例えば、回路パターン上に、液状のソルダーレジストインクを塗布しプレキュアすることや、ドライフィルム状のソルダーレジストフィルムをラミネートすることで行うことができる。ソルダーレジストの塗布やラミネートは片面毎でも良いし、両面同時でも良い。ソルダーレジストインクを塗布する場合、塗布方式は、版を用いたスクリーン方式でも良いし、ロールで塗布するロールコート方式でも良いし、スプレーで吹き付けるカーテンコート方式でも良い。また、ソルダーレジストを塗布またはラミネートする前の回路基板の回路パターンは、粗化処理が施されていても良いし、施されていなくても良い。粗化処理を行う場合、粗化処理は化学的処理でも良いし、物理的処理でも良い。回路基板の回路パターン上には、金属めっきが施されていても良い。本発明は、未露光のソルダーレジストに対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行って、パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程を有する。接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行うとは、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光のそれぞれを少なくとも1回ずつ組み合わせて行なうということであり、それぞれを複数回行ってもよい。非接触式パターン露光では、ソルダーレジストが未露光である場合、回路基板のワークテーブルへの固定が強固なため、ソルダーレジストの脱落が生じ易い。しかし、高精度を要する箇所と高精度を要しない箇所に対して、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を使い分けることにより、非接触式パターン露光の前に未露光のソルダーレジストの領域を減らすことが可能となるため、ソルダーレジスとの脱落を抑制しつつ、高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。パターン露光とは、未露光のソルダーレジストにソルダーレジストパターンとなるパターンを露光することをいう。本発明における接触式パターン露光及び非接触式によるパターン露光は、回路基板のワークサイズを一括で行っても良いし、例えば、製品となるシートごとに分割で行っても良い。本発明における未露光のソルダーレジストへのパターン露光の露光量は、ソルダーレジストの感度によるが、一般に、1回当たり100mJ/cm2以上が好ましく、300~600mJ/cm2がさらに好ましい。本発明における未露光のソルダーレジストへのパターン露光は、露光装置光源から光が拡散する散乱光方式でも良いし、露光装置光源から光が一定方向である平行光方式でも良い。比較的高精度が要求されない接触式パターン露光では散乱光方式を用い、比較的高精度が要求される非接触式パターン露光では平行光方式を用いるのが望ましい。接触式パターン露光とは、フォトマスクを未露光のソルダーレジスト上に接触させ、パターン露光を行う方法をいう。接触式パターン露光は、回路基板上に形成した未露光のソルダーレジスト上にフォトマスクを重ね、比較的低い真空度で密着させ、フォトマスクの上方から紫外光を露光することにより行うことができる。フォトマスクとしては、フィルムマスクとガラスマスクを用いることができる。非接触式パターン露光とは、フォトマスクを未露光のソルダーレジストに接触させないで、パターン露光を行う方法をいう。非接触式パターン露光は、未露光のソルダーレジストを形成した回路基板を、ワークテーブル上に比較的高い真空度で強固に密着させておき、回路基板上に形成した未露光のソルダーレジストの上方に、フォトマスクを位置させて、フォトマスクの上方から紫外線を投影露光することにより行うことができる。この場合のフォトマスクとしては、ガラスマスクが用いられる。また、レーザ等を用いて、未露光のソルダーレジストに対して、直接、ソルダーレジストパターンをパターン露光する直接描画を用いることもできる。フォトマスクとは、ソルダーレジストパターンをパターン露光により形成するための原版マスクをいう。フォトマスクとしては、フィルムマスクやガラスマスクを用いることができる。フィルムマスクはベース材としてPETポリエチレンテレフタレート等を用い、ガラスマスクはソーダライムガラス等を用い、パターン露光時の光主に紫外光を遮光する遮光膜を所望のパターンを設けることで形成できる。高精度を必要とする箇所に対してパターン露光する場合は、ガラスマスクを用いるのが望ましい。一方、高精度を必要としない箇所に対してパターン露光する場合は、フィルムのフォトマスクを用いても十分対応可能であり、また安価な点で望ましい。高精度を要する箇所とは、例えば、回路パターン上に接続端子を設ける目的等で形成されるソルダーレジストの開口や、接続端子となる回路パターンの間隙に電子部品との接続に用いる半田がブリッジしないように設けられるソルダーレジストのダム等のソルダーレジストパターンにおいて、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部を含む領域をいう。一方、高精度を要しない箇所とは、最終的に目的とするソルダーレジストパターンの端部から内側に100μm以上離れた箇所をいう。このような箇所は、最終的に目的とするソルダーレジストパターンを決定する箇所ではないので、比較的大まかなパターン露光を行えばよい。このため、フィルムマスクを用いるのが適している。本発明は、パターン露光されたソルダーレジストを現像することによって、目的とするソルダーレジストパターンを形成する工程を有する。現像とは、パターン露光されたソルダーの未露光箇所を現像液で除去し、最終的に目的とするソルダーレジストパターンを形成することである。現像液は、ソルダーレジストの種類によって選択されるが、一般的に用いられる、いわゆるアルカリ現像タイプのソルダーレジストでは、1質量程度の炭酸ナトリウム水溶液が用いられる。目的とするソルダーレジストパターンとは、製品として出荷される際の回路基板に、要求されるソルダーレジストのパターンである。なお、現像後のソルダーレジストに対しては、一般的に、ソルダーレジストが実用レベルの機械的強度、耐薬品性、耐熱性等を有する硬化度に達するようにするための最終硬化が行われる。最終硬化のための処理は、ソルダーレジストの種類によって選択されるが、一般的に用いられる、いわゆるアルカリ現像タイプのソルダーレジストでは、150°C程度で、1時間程度の熱処理が行われる。パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光を行った後、非接触式パターン露光を行うのが望ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う。これにより、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、部分的に露光箇所を重複させるのが望ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所及び既に接触式パターン露光を行った高精度を必要としない箇所の両者に対して、非接触式パターン露光を行う。この場合、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所は、全体を重複させる必要はなく、必要な部分のみを重複させてもよい。これにより、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。また、大部分を占める高精度を必要しない箇所については、パターン露光を2回行なうことになるため、現像後の密着性が確保できるとともに、ソルダーレジストの表面が現像液にアタックされて白化するのを防止できる。パターン露光されたソルダーレジストを形成する工程では、接触式パターン露光及び非接触式パターン露光を行う際、前記パターン露光の面積を、露光回数を増やす毎に小さくすることが好ましい。すなわち、n回目の露光面積をSn、n1回目の露光面積をSn1とすると、Sn>Sn1とすることが好ましい。通常、ソルダーレジストが形成される領域全体の面積のうち、高精度を必要とする箇所は一部であり、高精度を必要としない箇所が大部分である。このため、回路基板の表裏両面に形成された未露光のソルダーレジストへのパターン露光を行う際は、まず、回路基板の表裏両面の大部分を占める高精度を必要としない箇所に対して、接触式パターン露光を行い、次いで、回路基板の表裏両面の高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う。この場合、非接触式パターン露光では、回路基板の表裏両面の高精度を必要としない箇所を部分的に重複させてもよい。これにより、高精度を必要とする箇所に対して、非接触式パターン露光を行う際には、回路基板の大部分を占める高精度を必要としない箇所の未露光のソルダーレジストが硬化しているため、回路基板の裏面側からソルダーレジストが露光装置のワークテーブルに転写するのを低減させることができ、しかも高精度なソルダーレジストパターンを形成することが可能になる。また、レーザ等を用いた直接描画の場合は、描画時間を短縮することができる。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、本実施例に限定されない。実施例1図1に示すように、厚さ3μmの銅箔21を張り合わせた、絶縁樹脂層5の公称厚さ0.2mmのガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板である、MCL-E-679FG日立化成工業株式会社製、商品名に、ドリル加工にてΦ0.15mmの貫通穴22を形成し、過マンガン酸カリウム処理によるスミア除去を施した。次いで約1μmの無電解銅めっきを施し、エッチングレジスト用ドライフィルムNIT225ニチゴーモートン株式会社製、商品名をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクマスクをはり合わせて露光量140mJ/cm2の紫外線で両面に回路パターン3となるパターンを焼付け、0.9質量炭酸ナトリウム水溶液で現像してめっきレジストを形成した。次いで、めっきレジストのない部分に電解銅めっき23を析出させ、アミン系水溶液でめっきレジストを剥離除去し、硫酸-過酸化水素水混合水溶液でめっきレジストを形成していた箇所の下地銅をエッチング除去して回路パターン3を形成し、第1の回路基板4とした図1A。第1の回路基板4の回路パターン3の表面を粗化処理し、第1の回路基板4の両面に対し、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させた公称厚さ0.04mmのプリプレグGEA-679FG日立化成工業株式会社製、商品名を介して、18μmのキャリア銅箔付3μm銅箔MT18SDH3三井金属鉱業株式会社製、商品名を真空プレスにて圧力2.5MPa、温度175°C、保持時間1.5時間の条件で積層後、キャリア銅箔を剥離し、銅箔21と絶縁樹脂層5を有する第2の回路基板6とした図1B。第2の回路基板6の両面にドライフィルムNIT225ニチゴーモートン株式会社製、商品名をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量90mJ/cm2の紫外線で両面に回路パターンを焼付け、1質量炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジストを形成した。次いで、エッチングレジストのない銅部分を塩化第二鉄水溶液で除去し、3質量水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジストを剥離除去して、レーザー照射用マスクとなる直径0.1mmのコンフォーマルマスク7及びレーザー位置認識用のパターン図示しない。を形成し、第3の回路基板8とした図1C。第3の回路基板8の両面に炭酸ガスレーザー加工機LC-1C/21日立ビアメカニクス株式会社製、商品名により、ビーム照射径0.2mm、パルス幅11μs、4ショットの条件でサイクル加工し、直径0.1mmの非貫通穴24を形成して第4の回路基板9とした図1D。なお、サイクル加工とは、ある一定のエリアに対し、1穴/ショットずつ加工し、規定回数本実施例の場合4回を繰り返したら次のエリアに移り、同様に加工していく方法である。第4の回路基板9に過マンガン酸カリウム処理によるスミア除去を施し、次いで約1μmの無電解銅めっきを施し、エッチングレジスト用ドライフィルムNIT225ニチゴーモートン株式会社製、商品名をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量140mJ/cm2の紫外線で両面に回路パターン3となるパターンを焼付け、0.9質量炭酸ナトリウム水溶液で現像してめっきレジストを形成した。次いで、めっきレジストのない部分に電解銅めっき23を析出させ、アミン系水溶液でめっきレジストを剥離除去し、硫酸-過酸化水素水混合水溶液でめっきレジストを形成していた下地銅をエッチング除去して回路パターン3を形成し、第5の回路基板10とした図1E。第5の回路基板10の回路パターン3の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストインクPSR-4000AUS308太陽インキ製造株式会社製、商品名を両面に塗布し、80°C、20分程度のプレキュアを行って第6の回路基板13とした図2A。第6の回路基板13の両面に、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量540mJ/cm2の紫外線でパターン露光すること接触式によるパターン露光により、未露光のソルダーレジスト12の大部分高精度を必要としない箇所に、接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト1を形成し、第7の回路基板14とした図2B。第7の回路基板14に、ガラスマスクによる投影露光を用いて露光量450mJ/cm2の紫外線で、未露光のソルダーレジスト12の一部高精度を必要とする箇所及び既に接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト1高精度を必要としない箇所に、パターン露光を行った非接触式によるパターン露光。これにより、未露光のソルダーレジスト12の一部高精度を必要とする箇所には、非接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト2を、また既に接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト1高精度を必要としない箇所には、接触式によるパターン露光後に非接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト1を形成し、第8の回路基板15とした図2C。第8の回路基板15を1質量炭酸ナトリウム水溶液で現像してソルダーレジストパターン20を形成し、紫外線を2000mJ/cm2照射して硬化させ、150°C、1時間の乾燥をして熱硬化させて第9の回路基板16とした図2D。実施例2第5の回路基板10の作製までは実施例1と同様に行った。第5の回路基板10の回路パターン3の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストフィルムPFR-800AUS402太陽インキ製造株式会社製、商品名を両面にラミネータで真空圧着し、第6の回路基板13とした図2A。第7の回路基板14、第8の回路基板15及び第9の回路基板16は、実施例1と同様に作製した。比較例以下、比較例として従来の製造方法を説明する。実施例1と同様に、第5の回路基板10を作製し、第5の回路基板10の回路パターン3の表面を粗化処理し、現像型ソルダーレジストインクPSR-4000AUS308太陽インキ製造株式会社製、商品名を両面に塗布し、80°C、20分程度のプレキュアを行って、第6の回路基板13とした図3A。第6の回路基板13の両面に、フィルム状のフォトマスクをはり合わせて露光量540mJ/cm2の紫外線でパターン露光すること接触式によるパターン露光により、未露光のソルダーレジスト12に目的とするソルダーレジストパターン20となるパターンのパターン露光を行った。これにより、未露光のソルダーレジスト12高精度を必要とする箇所及び高精度を必要としない箇所の両方に、接触式によるパターン露光がなされたソルダーレジスト11を形成し、第10の回路基板17とした図3B。第10の回路基板17を1質量炭酸ナトリウム水溶液で現像して、目的とするソルダーレジストパターン20を形成し、紫外線を2000mJ/cm2照射して硬化させ、150°C、1時間の乾燥をして熱硬化させて第11の回路基板とした図3C。上記実施例1、2及び比較例の結果、ソルダーレジストパターン20の脱落による製品不良率を4.0比較例から0.2実施例1、2に低減することができた。