"金属ベースと、前記金属ベース上のミラーと、前記ミラー上のp型半導体層と、光を放出するように構成された、前記p型半導体層上の多重量子井戸MQW層と、外周部及び中心部を有する、前記多重量子井戸MQW層上のn型半導体層と、前記n型半導体層上の電極と、前記電極と電気的接触状態にある、前記n型半導体層上の電極フレームと、を備え、前記電極フレームは、前記n型半導体層の前記外周部内に包含され、前記n型半導体層20の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されていることを特徴とする、垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極フレームが4面額縁形状を有するとともに、前記電極が前記電極フレームの側部と接触するパッドを備えることを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記金属ベース上に、前記電極フレーム、前記ミラーのエッジ、前記p型半導体層のエッジ、前記多重量子井戸MQW層のエッジ、及び、前記n型半導体層のエッジを取り囲んで電気的に絶縁するパッシベーション層をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記パッシベーション層はダムとして構成され、且つ、前記ダム内に包含された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質をさらに備えることを特徴とする請求項3記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極フレーム内に包含された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記p型半導体層及び前記n型半導体層は、GaN、AlGaN、InGaN及びAlInGaNからなる群から選択された材料を含むことを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極は、前記電極フレーム内に包含された、前記電極フレームの側部と接触する結合パッドを備えることを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極フレームは、外周幅W及び外周長Lを有する略矩形状であり、前記ミラーは、幅Wm≦W及び長さLm≦Lを有することを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型半導体層は、前記ミラーの第2の面積よりも大きい第1の面積を有することを特徴とする請求項1記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。金属ベースと、幅Wm及び長さLmを有する、前記金属ベース上のミラーと、前記ミラー上のp型半導体層と、光を放出するように構成された、前記p型半導体層上の多重量子井戸MQW層と、外周部及び中心部を有する、前記多重量子井戸MQW層上のn型半導体層と、前記n型半導体層上の電極と、前記電極と電気的接触状態にあり、前記n型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成された、前記n型半導体層上の電極フレームと、を備え、前記電極フレームは、前記n型半導体層の前記外周部からd離隔した4面額縁形状を有するとともに、外周幅W≧Wm、外周長さL≧Lm、壁幅E及び厚さdEを有することを特徴とする、垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記長さLは、L=A/Wである所望の放出面積Aを満たすように選択されることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ前記厚さdEが1μm~100μmであることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ前記p型半導体層、前記多重量子井戸MQW層及び前記n型半導体層は、略ピラミッド形状のエピタキシャルスタックを形成しており、前記n型半導体層がベースを形成しているとともに前記p型半導体層が平坦な頂部を形成していることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記金属ベース上に、前記電極フレーム、前記ミラーのエッジ、前記p型半導体層のエッジ、前記多重量子井戸MQW層のエッジ、及び、前記n型半導体層のエッジを取り囲んで電気的に絶縁するパッシベーション層をさらに備えることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記パッシベーション層はダムとして構成され、且つ、前記ダム内に包含された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質をさらに備えることを特徴とする請求項14記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極フレーム内に包含された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質をさらに備えることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記p型半導体層及び前記n型半導体層は、GaN、AlGaN、InGaN及びAlInGaNからなる群から選択された材料を含むことを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記電極は、前記電極フレーム内に包含された、前記電極フレームの側部と接触する結合パッドを備えることを特徴とする請求項10記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。ミラーと、前記ミラー上のp型半導体層と、光を放出するように構成された、前記p型半導体層上の多重量子井戸MQW層と、外周部を有する、前記多重量子井戸MQW層上のn型半導体層と、を有する金属ベースを提供するステップと、前記n型半導体層上に電極を形成するステップと、前記電極と電気的接触状態にある電極フレームを前記n型半導体層上に形成するステップと、を含み、前記電極フレームは、前記n型半導体層の前記外周部内に包含され、前記n型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されていることを特徴とする、垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法。前記電極フレーム、前記ミラーのエッジ、前記p型半導体層のエッジ、前記多重量子井戸MQW層のエッジ、及び、前記n型半導体層のエッジを電気的に絶縁するように構成されたパッシベーション層を前記金属ベース上に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19記載の方法。前記パッシベーション層をダムとして形成し、前記ダム内に、選択された光学特性を有する有機又は無機物質を堆積させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項20記載の方法。選択された光学特性を有する有機又は無機物質を前記電極フレーム内に堆積させるステップをさらに備えることを特徴とする請求項19記載の方法。前記p型半導体層及び前記n型半導体層は、GaN、AlGaN、InGaN及びAlInGaNからなる群から選択された材料を含むことを特徴とする請求項19記載の方法。本開示は、電極フレームを有する垂直型発光ダイオードVLEDダイ、及び、垂直型発光ダイオードVLEDダイの製造方法に関する。垂直型発光ダイオードVLEDダイは、改善した熱特性及び電気特性を有する発光ダイオードLEDを構築することに使用可能である。垂直型発光ダイオードVLEDダイは、金属ベース基部と、金属ベース上のミラーと、当該ミラー上のp型半導体層と、光を放出するように構成された、p型半導体層上の多重量子井戸MQW層と、当該多重量子井戸MQW層上のn型半導体層と、を含む。垂直型発光ダイオードVLEDダイは、n型半導体層上の電極と、当該電極と電気的接触状態にある、n型半導体層上の電極フレームと、当該電極フレーム内に含有された、選択された光学特性を有する有機又は無機物質とをさらに含む。電極フレームは、n型半導体層の外周部内に包含された4面額縁外周部を有し、高電流容量を提供するとともにn型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されている。垂直型発光ダイオードVLEDダイは、金属ベース上に、電極フレーム、ミラーのエッジ端縁、p型半導体層のエッジ、多重量子井戸MQW層のエッジ、及び、n型半導体層のエッジを取り囲んで電気的に絶縁するように形成されたパッシベーション保護層をさらに含みうる。垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法は、ミラー、当該ミラー上のp型半導体層、光を放出するように構成された、当該p型半導体層上の多重量子井戸MQW層、及び、当該多重量子井戸MQW層上のn型半導体層を有する金属ベースを提供するステップを含む。当該方法は、n型半導体層上の電極と、当該電極と電気的接触状態にあり、n型半導体層の外周から中心へと電流を伝播させるように構成されたn型半導体層上の電極フレームとを形成するステップをさらに含みうる。当該方法は、電極フレーム、ミラーのエッジ、p型半導体層のエッジ、多重量子井戸MQW層のエッジ、及び、n型半導体層のエッジを電気的に絶縁するように構成されたパッシベーション層を形成するステップをさらに含みうる。当該方法は、選択された光学特性を有する有機又は無機物質を電極フレーム内に堆積させるステップをさらに含みうる。例示する実施形態が図面にて説明される。実施形態及び図面は、限定するためではなく説明のためにここに開示される。図1に示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10図1は、金属ベース12、金属ベース12上のミラー14、第1金属ベース上のp型半導体層16、p型半導体層16上の多重量子井戸MQW層18活性層、及び、多重量子井戸MQW層18上のn型半導体層20を含む。垂直型発光ダイオードVLEDダイ10は、電極22、及び、電極22と電気接触状態にあるn型半導体層20上の電極フレーム24をさらに含む。金属ベース12、金属ベース12上のミラー14、p型半導体層16、多重量子井戸MQW層18、及びn型半導体層20は、外周形状において全て略矩形である。さらに、電極フレーム24は、2つの平行に離間した幅方向の側壁と、前記幅側壁に対して直角な2つの平行に離間した長手方向の側壁とからなる4面の額縁形状を有し、n型半導体層20の外周部内に包含される。換言すると、電極フレーム24が有する長手外周部、幅外周部、及び、外周面積は、n型半導体層20の長手部、幅部、面積よりも小さい。その上、さらに説明するが、電極フレーム24が有する外周長手辺、外周幅辺及び外周面積は、ミラー14の長手辺、幅辺及び面積よりも大きく又は等しく、電極フレーム24による光遮断ブロッキングを軽減する。金属ベース12図1は、p型半導体層16及びn型半導体層20のものよりも大きい面積を有しうる。金属ベース12は単金属層又は2以上の金属層のスタック堆積層を備えることができ、適切な堆積処理を使用して形成される。さらに、金属ベース12の材料は、高導電性及び高熱伝導性を提供するように選択可能である。金属ベース12の適切な材料は、Cu,Ni,Ag,Au,Co,Cu-Co,Ni-Co,CuMo,Ni/Cu,Ni/Cu-Mo及びこれら材料の合金を含む。金属ベース12を形成するための適切な堆積処理は、電解堆積、無電解堆積、化学気相堆積CVD、プラズマ強化化学気相堆積PECVD、物理気相堆積PVD、蒸着、及び、プラズマスプレーを含む。ミラー14図1は、p型半導体層16のものよりも小さい面積を有する形状で略矩形とすることができる。リフレクタ反射器として機能することに加えて、ミラー14は、アノードp型半導体層16からカソードn型半導体層20への電流路を提供するように、アノード電極として機能する。ミラー14は、Agのような単金属層、或いは、Ag,Au,Cr,Pt,Pd又はAlを含有する合金を堆積することによって形成されるNi/Ag,Ni/Ag/Ni/Au,Ag/Ni/Au,Ti/Ag/Ni/Au,Ag/Pt又はAg/Pd又はAg/Crのような金属のスタックを含むことが可能である。ミラー14の厚さを約1.0μmより小さくすることができる。また、高温のアニーリング又は合金化を、ミラー14の接触抵抗及び付着性を改善することに使用可能である。p型半導体層16図1は、ミラー14のものよりも大きい面積を有する形状で略矩形とすることができる。p型半導体層16の好ましい材料は、pGaNを含む。p型層の他の好ましい材料は、AlGaN,InGaN及びAlInGaNを含む。多重量子井戸MQW層18は、GaAsのような半導体材料を含む。図1に示すとおり、多重量子井戸MQW層18及びn型半導体層20は、p型半導体層16とほぼ同じ矩形状を有しうる。しかし、傾斜した側壁を有するエピタキシャルのスタックが半導体層16、20及び多重量子井戸MQW層18によって形成されるように面積が減少する。言い換えれば、n型半導体層20、多重量子井戸MQW層18及びp型半導体層16で形成されたエピタキシャルのスタックは、ベースを形成するn型半導体層20及び平坦な頂部を形成するp型半導体層を有する形で略ピラミッド形状である。n型半導体層20の上面は、電極フレーム24のベースを提供するように平坦且つ平面とすることができる。n型半導体層20の好ましい材料は、nGaNを含む。n型層の他の好ましい材料は、AlGaN,InGaN及びAlInGaNを含む。説明が進むにつれてより明確になるが、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10図1の要素の幾何学的形状は、改善された性能を提供する。例えば、多重量子井戸MQW層18、p型半導体層16及びミラー14の面積よりも大きいn型半導体層20の面積で、光遮蔽が軽減される。特には、n型半導体層20のより大きい面積は、電極フレーム24がn型半導体層20上により少ない光遮蔽物で形成されることを可能にする。さらに、ミラー14が最小面積を有すると、ミラー14による電流阻止が軽減される。電極22図1は、電極フレーム24の側部に接触するパッド及び電極フレーム24内に包含された矩形又は正方形の外周部を有する。さらに、電極22は、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10及び対応する支持基板図示せずにワイヤーボンディングするための結合パッドとして構成可能である。さらに、電極22及び電極フレーム24は、単相及び物質のスタックを備え、PVD、E-Gun蒸着、熱蒸着又は無電解化学堆積を使用して形成される。電極22及び電極フレーム24の適切な材料は、Ti/Al/Ni/Au,Al/Ni/Au,Al/Ni/Cu/Au及びTi/Al/Ni/Cu/Ni/Auを含みうる。図1では、以下の形状的特徴が特定される。さらに、以下に代表的な寸法が表される。W:電極フレーム24の外周の幅1μm~1000μmL:電極フレーム24の外周の長さ1μm~25mm250000μmE:電極フレーム24の壁幅1μm~100μmd:電極フレーム24の外周からn型半導体層20までの距離1μm~100μmdE:電極フレーム24の厚さ1μm~100μmBW:電極22の幅10μm~1000μmBL:電極22の長さ10μm~300μm電極22の高さは、dEと等しい。垂直型発光ダイオードVLEDダイ10図1では、電極フレーム24の外周部の幅Wは、n型半導体層20上の電流を外周又は側部からその中心に伝播させるために十分な電流容量を提供するように最適化可能である。さらに、電極フレーム24の4面額縁形状の外周部は、n型半導体層20の外周エッジ端縁から内方の間隔dを有する。電極フレーム24の長さLは、必要な放出面積を充足するように選択可能である。例えば、必要な放出面積をAとすると、L=A/Wとなるように長さLが選択されうる。光度の要求に応じて、より長いLがより大きい放出面積Aを提供し、より高い光度を提供可能である。また、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10図1では、電極フレーム24の外周の幅Wは、n型半導体層20の横方向電流伝播能力に応じて最適化可能である。例えば、n型半導体層20の電流伝播能力は、導電性、電子移動度及び厚さに依存する。より厚いn型半導体層20は、エッジから中心に電流を伝播するように、より多くの空間を有する。導電性及びn型半導体層20の移動度は、ドーピング濃度の最適化に依存する。また、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10図1では、電極フレーム24の厚さdEは1μm~100μmの範囲である。より厚いdEは、電流をより速く伝播するように、より低い抵抗を有する電極フレーム24を提供する。さらに、より高い電流注入は、より高い光度を提供可能である。さらに、電極フレーム24の最適化された厚さdE上の均一且つ速い導電は、電極22周辺の局所的に非均一な高電流密度を回避可能である。電極22周辺の局所的な高電流密度は、局所的な高い熱密度を生成すると共に、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10を損傷させる。換言すると、電極フレーム24の最適化された厚さは、電流を伝播させることを助けるだけでなく、いずれの局所的に発生した高熱部をも分散可能である。さらに、より厚い電極フレーム24は、より低い抵抗を提供可能であり、高電流で動作電圧を下げることができる。図2A及び3Aに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10では、ミラー14の幅Wmが表されるWm<W2d、あるいは随意に、Wm=W、又は、Wm<W。図3Aに示すとおり、ミラー14は、長さLmを有し、電極フレーム24の内周から離隔しているLm<L2d、あるいは随意に、Lm=L又はLm<L。電極フレーム24からミラー14の間隔は、電極フレーム24の電流遮蔽領域を提供するように構成される。さらに、電極22の下のミラー14は、電極22の下で、ほとんど電子ホール正孔再結合しない電流遮蔽領域を提供する。これは、所定の放出面積Aに、より高い電流密度及びより高い光度を許容する。図2B及び図3Bに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10は、金属ベース12上に、電極フレーム24を取り囲むとともに電気的に絶縁するパッシベーション保護層26をさらに含みうる。さらに、パッシベーション層26は、ミラー14のエッジ、p型半導体層16のエッジ、多重量子井戸MQW層18のエッジ、及びn型半導体層20のエッジを電気的に絶縁する。パッシベーション層26は、n型半導体層20上に高さdpを有する電気的に絶縁する堆積物を備える。随意に、dp<dE、dp=dE、dp>dEパッシベーション層20の適切な材料は、感光性又は非感光性材料、レジスト、ポリマー、ポリミド、エポキシ、熱可塑性物質、パリレン、ドライフィルムレジスト、シリコン、SU8及びNR7を含む。図4A~4Cに示すとおり、電極フレーム24、電極22及びミラー14のさらなる特徴が表される。図4Cに示すとおり、ミラー14の長さLmは、長さL2dあるいは随意にLm=L又はLm<Lよりも小さく、且つ、ミラー14のWmは、W2dあるいは随意にWm=W又はWm<Wよりも小さい。さらに、電極電流遮蔽領域30図4Cは、電極22のデザインに依存する。例えば、WBは、BWとほぼ同じ大きさを有し、WLはBLとほぼ同じ大きさを有する。図4Bに示されるとおり任意に、電極22を電極フレーム24の幅に亘って延在させ、且つ、部分的に電極フレーム24で覆うこともできる。図5に示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10は、電極フレーム24内に包含された有機又は無機物質28をさらに含みうる。さらに、電極フレーム24は、有機又は無機物質28を包含するためのダムとして構成可能である。特には、有機又は無機物質28が電極フレーム24の4つの側壁及びn型半導体層20の上面で包含される。この実施形態ではまた、パッシベーション層26dp図2Bの高さが、好ましくは、電極フレーム24の高さdE図1よりも低いdp<dE。有機又は無機物質28は、シリコンのような光透過性材料を備えうる。さらに、有機又は無機物質28は、スペクトル変換又は高屈折率などの必要な光学特性を提供するように選択可能である。図6に示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10は、選択したパッシベーション層26に含まれる光学特性を有する有機又は無機物質28をさらに含むことができる。また、この実施形態では、パッシベーション層26の高さdp図2Bが、好ましくは、電極フレーム24の高さdE図1よりも高いdp>dE。その上、パッシベーション層26を、有機又は無機物質28を包含するダムとして構成することができる。さらに、有機又は無機物質28が電極フレーム24を封入することもできる。したがって、本明細書は、改善した垂直型発光ダイオードVLEDダイ及び製造方法を説明する。複数の実施例及び実施形態が説明されたが、当該技術分野の当業者は、任意の改変、置換、付加、及びこれらの組み合わせを認識するであろう。すなわち、添付した特許請求の範囲は、発明の技術的範囲として、このような全ての改変、置換、付加、及び、組み合わせを含むものと解釈されることを意図している。"