第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有するフォトマスクであって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記第2パターンと同等な形状および間隔で複数のダミーパターンが前記第1スペースに配置され、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和以下、かつ、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より大きい場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、前記ダミーパターンが前記第1パターンの方向に延在して前記第1パターンに接触しており、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和以下の場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、該ダミーパターンが前記第1パターンと接続されている、いずれかひとつの方法により配置されたフォトマスク。請求項1記載のフォトマスクにおいて、前記第1スペースの距離が前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記複数のダミーパターンの一部が前記第1パターンと重なっている、フォトマスク。請求項1または2記載のフォトマスクにおいて、前記複数の第2パターンが第1方向に配置された列が、該第1方向と交差する第2方向に等間隔で複数配置され、複数の前記列は、隣接する列の前記第2パターンの位置が一致しており、前記ダミーパターンが、前記第2方向に前記列の間隔と同じ間隔で前記第1パターンに沿って複数配置されている、フォトマスク。請求項3記載のフォトマスクにおいて、前記第2方向に配置される前記ダミーパターンの間隔の中心が、前記列の間隔の中心と一致していない、フォトマスク。請求項1または2記載のフォトマスクにおいて、前記複数の第2パターンが第1方向に配置された列が、該第1方向と交差する第2方向に等間隔で複数配置され、複数の前記列は、隣接する列の前記第2パターンの位置が一致してなく、前記ダミーパターンが、前記第2方向に前記列の間隔と同じ間隔で複数配置されている、フォトマスク。請求項3または5記載のフォトマスクにおいて、複数の前記列が配置される領域の最外周部に位置する列である最外列の外側に、該最外列に平行に配置された第3パターンが設けられ、前記第3パターンと前記最外列における前記第2パターンとの第2スペースについて、前記第1スペースに対する前記ダミーパターンの配置にしたがって、前記ダミーパターンが配置された、フォトマスク。第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有するフォトマスクであって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの間に、前記第2パターンと同等な形状および間隔で前記第1パターンに最も近い第2パターンから該第1パターンの方向に第1ダミーパターンが配置され、前記第1パターンと前記第1ダミーパターンとのスペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より小さく、かつ、前記複数の第2パターンの間隔よりも大きい場合、前記スペースに前記第1ダミーパターンから前記複数の第2パターンと同等な形状および間隔で第2ダミーパターンが前記第1パターンに重ねて配置され、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和に等しい場合、前記スペースに前記第1ダミーパターンから前記複数の第2パターンと同等な形状および間隔で第2ダミーパターンが前記第1パターンに接触するように配置され、前記複数の第2パターンの間隔以下の場合、前記第1ダミーパターンが延在して前記第1パターンに接触している、いずれかひとつの方法により配置されたフォトマスク。第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有する半導体装置であって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記第2パターンと同等な形状および間隔で複数のダミーパターンが前記第1スペースに配置され、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和以下、かつ、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より大きい場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、前記ダミーパターンが前記第1パターンの方向に延在して前記第1パターンに接触しており、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和以下の場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、該ダミーパターンが前記第1パターンと接続されている、いずれかひとつの方法により配置された半導体装置。請求項8記載の半導体装置において、前記第1スペースの距離が前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記複数のダミーパターンの一部が前記第1パターンと重なっている、半導体装置。請求項8または9記載の半導体装置において、前記複数の第2パターンが第1方向に配置された列が、該第1方向と交差する第2方向に等間隔で複数配置され、複数の前記列は、隣接する列の前記第2パターンの位置が一致しており、前記ダミーパターンが、前記第2方向に前記列の間隔と同じ間隔で前記第1パターンに沿って複数配置されている、半導体装置。請求項10記載の半導体装置において、前記第2方向に配置される前記ダミーパターンの間隔の中心が、前記列の間隔の中心と一致していない、半導体装置。請求項8または9記載の半導体装置において、前記複数の第2パターンが第1方向に配置された列が、該第1方向と交差する第2方向に等間隔で複数配置され、複数の前記列は、隣接する列の前記第2パターンの位置が一致してなく、前記ダミーパターンが、前記第2方向に前記列の間隔と同じ間隔で複数配置されている、半導体装置。請求項10または12記載の半導体装置において、複数の前記列が配置される領域の最外周部に位置する列である最外列の外側に、該最外列に平行に配置された第3パターンが設けられ、前記第3パターンと前記最外列における前記第2パターンとの第2スペースについて、前記第1スペースに対する前記ダミーパターンの配置にしたがって、前記ダミーパターンが配置された、半導体装置。第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有する半導体装置であって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの間に、前記第2パターンと同等な形状および間隔で前記第1パターンに最も近い第2パターンから該第1パターンの方向に第1ダミーパターンが配置され、前記第1パターンと前記第1ダミーパターンとのスペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より小さく、かつ、前記複数の第2パターンの間隔よりも大きい場合、場合、前記スペースに前記第1ダミーパターンから前記複数の第2パターンと同等な形状および間隔で第2ダミーパターンが前記第1パターンに重ねて配置され、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和に等しい場合、前記スペースに前記第1ダミーパターンから前記複数の第2パターンと同等な形状および間隔で第2ダミーパターンが前記第1パターンに接触するように配置され、前記複数の第2パターンの間隔以下の場合、前記第1ダミーパターンが延在して前記第1パターンに接触している、いずれかひとつの方法により配置された半導体装置。第1の方向に延在するラインパターンと、前記第1の方向に交差し第2の方向に延在する線上に、かつ、等間隔で設けられたドットパターンとを有するフォトマスクであって、前記ラインパターンの端部から前記ラインパターンに最も近くに設けられている前記ドットパターンに向かって突き出した突出部を有するフォトマスク。請求項15記載のフォトマスクにおいて、前記突出部の前記第1の方向における幅は、前記ドットパターンの前記第1の方向における幅と実質同一である、フォトマスク。請求項15記載のフォトマスクにおいて、前記突出部は現像後に基板上に残る寸法である、フォトマスク。請求項15記載のフォトマスクにおいて、互いに隣接する前記ドットパターンの前記第2の方向における間隔と、前記突出部と前記突出部に最も近くに設けられている前記ドットパターンとの前記第2の方向における間隔とが実質同一である、フォトマスク。請求項15記載の半導体装置において、前記突出部と前記突出部に最も近くに設けられている前記ドットパターンとの前記第2の方向における間隔が、デフォーカス時に前記ドットパターンが影響されない間隔である、フォトマスク。第1の方向に延在するラインパターンと、前記第1の方向に交差し第2の方向に延在する線上に、かつ、等間隔で設けられたドットパターンとを有する半導体装置であって、前記ラインパターンの端部から前記ラインパターンに最も近くに設けられている前記ドットパターンに向かって突き出した突出部を有する半導体装置。請求項20記載の半導体装置において、前記突出部の前記第1の方向における幅は、前記ドットパターンの前記第1の方向における幅と実質同一である、半導体装置。請求項20記載の半導体装置において、互いに隣接する前記ドットパターンの前記第2の方向における間隔と、前記突出部と前記突出部に最も近くに設けられている前記ドットパターンとの前記第2の方向における間隔とが実質同一である、半導体装置。請求項20記載の半導体装置において、前記突出部と前記突出部に最も近くに設けられている前記ドットパターンとの前記第2の方向における間隔が、デフォーカス時に前記ドットパターンが影響されない間隔である、半導体装置。特許文献1から4のいずれかに開示されている方法では、繰り返し配置されるドット状パターンにフォーカスずれが起きた場合、ダミーパターンを配置しても、ドット状パターンが変形し、剥がれてしまうおそれがある。パターンが剥がれてしまうと、製品歩留が低下してしまうという問題がある。本発明のフォトマスクは、第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有するフォトマスクであって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記第2パターンと同等な形状および間隔で複数のダミーパターンが前記第1スペースに配置され、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和以下、かつ、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より大きい場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、前記ダミーパターンが前記第1パターンの方向に延在して前記第1パターンに接触しており、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和以下の場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、該ダミーパターンが前記第1パターンと接続されている、いずれかひとつの方法により配置された構成である。また、本発明の半導体装置は、第1パターンと、等間隔で配置された複数の第2パターンとを有する半導体装置であって、前記第1パターンと前記複数の第2パターンのうち前記第1パターンに最も近い第2パターンとの第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和よりも大きい場合、前記第2パターンと同等な形状および間隔で複数のダミーパターンが前記第1スペースに配置され、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔の2倍との和以下、かつ、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和より大きい場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、前記ダミーパターンが前記第1パターンの方向に延在して前記第1パターンに接触しており、前記第1スペースの距離が、前記第2パターンの幅と前記複数の第2パターンの間隔との和以下の場合、前記第2パターンと同等な形状のダミーパターンが前記第1パターンに最も近い第2パターンから前記間隔を空けて配置され、該ダミーパターンが前記第1パターンと接続されている、いずれかひとつの方法により配置された構成である。本発明によれば、繰り返し配置された第2パターンと第1パターンとの間のスペースに、複数の第2パターンの連続性に合わせてダミーパターンが配置されているため、露光処理時の回折光の影響が抑制され、第1パターンに最も近い第2パターンが所望の寸法よりも小さく形成されることを防げる。一方、本発明のフォトマスクは、第1の方向に延在するラインパターンと、前記第1の方向に交差し第2の方向に延在する線上に、かつ、等間隔で設けられたドットパターンとを有するフォトマスクであって、前記ラインパターンの端部から前記ラインパターンに最も近くに設けられている前記ドットパターンに向かって突き出した突出部を有する構成である。また、本発明の半導体装置は、第1の方向に延在するラインパターンと、前記第1の方向に交差し第2の方向に延在する線上に、かつ、等間隔で設けられたドットパターンとを有する半導体装置であって、前記ラインパターンの端部から前記ラインパターンに最も近くに設けられている前記ドットパターンに向かって突き出した突出部を有する構成である。本発明によれば、ラインパターンの端部からラインパターンに最も近くに設けられているドットパターンに向かって突き出した突出部を有するため、露光処理時の回折光の影響が抑制され、ラインパターンに最も近いドットパターンが所望の寸法よりも小さく形成されることを防げる。本発明によれば、パターン剥がれを防止し、製品歩留を向上させることができる。本実施形態のフォトマスクおよびレジストパターンについて説明する。図1は本実施形態のフォトマスクおよびレジストパターンを説明するための図である。図1aは、後述するパターン配置方法で作製されるフォトマスク120の一部の構成を示し、上段はフォトマスク120の平面図であり、下段は平面図に示すEE部の断面図である。図1bは、光源からの光を図1aに示したフォトマスク120に透過させて、フォトレジストの表面で最適フォーカスとした場合の強度分布を示すグラフである。図1cは、図1bに示した光強度で露光した場合におけるフォトレジストのパターン形状を示しており、上段は平面図であり、下段は平面図に示すFF部の断面図である。なお、背景技術で説明したのと同様に、Y方向に等間隔に配置された複数のドット状パターンのグループをドットパターンと称する。図1aに示すように、フォトマスク120には、ラインパターンとドットパターンを一体化させた多角形パターン59が、基板9の裏面でY方向に延在するように配置されており、複数のドット状パターンが基板9の裏面でXY方向に格子状に配置されている。本実施形態では、破線で示す領域110に、ドットパターン11a、11bの他に、ドットパターン11cが設けられている。詳細な説明は後で行うが、多角形パターン59は、図13に示したラインパターン10とY方向にドット状パターンを延在させたドットパターンとを接触させた構成の輪郭を外形としたパターンに相当する。ラインパターン10とドットパターンとを接触させた構成は、ラインパターン10にドットパターンが重なる構成も含むものとする。ラインパターン10に最も近いドットパターン11cは、多角形パターン59とスペース60の分離れて配置され、隣接するドットパターン11aとスペース61の分空けて配置されている。スペース60のX方向の長さである幅をX2とすると、スペース61のX方向の長さである幅もX2になっている。また、ドットパターン11aとそのX方向に隣接するドットパターン11bとの間に存在するスペース13の幅もX2になっている。ドットパターン11cは、フォトマスク500におけるスペース12に、複数のドット状パターンをY方向に等間隔で配置させたものであり、ドットパターン11aと同様なパターンである。ドットパターン11cは、被加工膜にパターンを形成するためではなく、ラインパターン10とドットパターン11aにおける光強度の変動を防ぐために配置されたものである。光強度の変動を防ぐ役目を果たすパターンのうち、リソグラフィ工程で現像後にも残るパターンを、解像ダミーパターンと称する。説明の都合上、X方向における多角形パターン59の最小幅とドットパターン11a、11b、11cのそれぞれの幅を同じ寸法としている。また、多角形パターン59とドットパターン11cの間のスペース60の幅が、スペース13およびスペース61の幅X2と同じになるようにしている。また、図に示していないが、多角形パターン59の左側には、幅がX2であるスペースを介してラインパターン10と同じパターンが配置されており、ドットパターン11bの右側には、幅がX2であるスペースを介してドットパターン11bと同じパターンが配置されている。図1bに示す光強度グラフ220は、横軸にフォトマスク120のパターンとスペースの位置を示し、縦軸に光強度を示し、パターンおよびスペースのそれぞれの位置に応じた、フォトレジスト表面における光強度をプロットしたものである。図1bには、現像処理時における光強度の閾値74を示しており、閾値74より大きい光強度の領域では、ポジ型のフォトレジストが現像時に溶解する。図1bに示すように、スペース13およびスペース61と同じ幅のスペース60に面している多角形パターン59の端部における光強度63は、対峙する端部の光強度64と同じである。これと同様に、スペース60に面したドットパターン11cの端部における光強度65も、対峙する端部の光強度66と同じになっている。さらに、スペース61に面したドットパターン11aの端部における光強度67、68は、光強度66とほぼ同じ値で安定しており、スペース13に面したドットパターン11bの端部における光強度69、70もほぼ同じ値である。また、光強度は、各スペースの中央で極大値となるが、上述した回折現象が生じても、ドットパターン11aと11bの間における極大値71と、ドットパターン11aとドットパターン11cの間における極大値72は、多角形パターン59とドットパターン11cの間における極大値73と同じ値になっている。上述したように、パターンとスペースの配置によって光強度が異なるが、本実施形態では、スペース幅を一定にして、パターン密度を安定させることで、複数の同一パターンが配置された領域の周辺部でも、光強度の過大な変動を抑えて安定させることができる。図1cは、図1bに示した光強度で露光した場合におけるフォトレジストのパターン形状を示す。フォトレジストはポジ型である。図1cに示すように、ウェハの一部となっている半導体基板75上には、被加工膜76が形成され、さらに被加工膜76上には、被加工膜76の加工マスクとなるフォトレジストが形成されている。そして、フォトレジストには、フォトマスク120のパターンが転写されている。加工マスクとなるフォトレジストにおけるパターンを大別すると、多角形レジスト77とドットレジスト78となっている。さらに、ドットレジスト78は、スペース79を介して多角形レジスト77に隣接するドットレジスト78cと、スペース80を介してドットレジスト78cに隣接するドットレジスト78aと、スペース81を介してドットレジスト78aに隣接するドットレジスト78bに区分される。フォトレジストがポジ型なので、露光箇所のフォトレジストが現像処理によって除去され、スペース79、80、81が設けられている。図1cに示すドットレジスト78cは、図13cに示したスペース28に、Y方向に複数のドット状パターンのフォトレジストが形成されたものである。その後、図1cに示すレジストパターンをマスクにして被加工膜76をエッチングすることで、レジストパターンに対応するパターンが被加工膜76で形成される。本実施形態では、多角形レジスト77のフォトマスクとなる多角形パターン59と、ドットレジスト78cのフォトマスクとなるドットパターン11cによって、多角形パターン59とドットパターン11aにおける光の回折角度が、ドットパターン11bにおける回折角度とほぼ同じに安定する。そのため、多角形レジスト77の最小幅は多角形パターン59の最小幅とほぼ同じ値となり、ドットレジスト78aのX方向の最長部はドットパターン11aとほぼ同じ幅で形成される。本実施形態では、フォトマスクにおけるスペースの幅を同じにして、パターン密度が均一になるように解像ダミーパターンを配置することによって、回折光による光強度の変動を抑えることができる。そのため、複数のドット状パターンのうち、ラインパターンに最も近いパターンのレジストパターンが所望の寸法よりも縮小するのを阻止し、レジスト剥がれによる歩留低下を防止することができる。本実施形態のフォトマスクを用いた露光処理において、デフォーカスした場合を説明する。図2aは、本実施形態のフォトマスク120の一部の構成を示し、上段はフォトマスク120の平面図であり、下段は平面図に示すGG部の断面図である。図2bは、光源からの光を図2aで示したフォトマスク120に透過させて、フォトレジストの表面でデフォーカスとした場合の強度分布を示すグラフである。図2cは、図2bに示した光強度で露光した場合におけるフォトレジストのパターン形状を示し、上段は平面図であり、下段は平面図に示すHH部の断面図である。図2aに示すフォトマスク120は、図1aに示したフォトマスク120と同様な構成である。説明の重複を避けるため、図1を参照して説明した構成と同様な構成の説明を省略する。図2bに示す光強度グラフ230は、横軸にフォトマスク120のパターンとスペースの位置を示し、縦軸に光強度を示し、パターンおよびスペースのそれぞれの位置に応じた、フォトレジスト表面における光強度をプロットしたものである。比較のために、図1bに示した、最適フォーカス時の光強度グラフ220を図2bに破線で示し、現像処理時における光強度の閾値74と等しい閾値83を図2bに破線で示している。閾値83より大きい光強度の領域では、ポジ型のフォトレジストが現像時に溶解する。光強度グラフ230を見ると、デフォーカス時における光強度は、最適フォーカス時よりも振幅極大値と極小値の差が小さくなっており、パターンとスペースの位置によって規則正しく変動している。光強度は、フォトマスク120における多角形パターン59とドットパターン11a、11b、11cのそれぞれの中心部で、極小値82となっている。極小値82は、スペース13、60、61のそれぞれを全て同じ幅にしているので、最適フォーカス時の極小値62よりも大きくなっているが、その位置は変動していない。また、回折光の影響があっても、ドットパターン11a、11b、11cの端部の光強度88~93は、最適フォーカス時の光強度65~70と同じ値で安定しており、多角形パターン59の端部の光強度86、87も同様に、同じ値で安定している。また、光強度は、各スペースの中央で極大値となるが、これもスペース13、60、61のそれぞれを全て同じ幅としているので、夫々のスペースの極大値94~96は、最適フォーカス時における極大値71~73より小さくなっているが、位置は変動しない。露光処理がデフォーカスの場合の光強度は、最適フォーカスの場合と比べて、その振幅が小さくなる。本実施形態では、スペースの幅を一定にして、パターン密度を安定させることで、デフォーカスの場合でも、光強度の過大な変動を抑えて安定させることができる。図2cは、図2bに示した光強度で露光した場合におけるフォトレジストのパターン形状を示す。フォトレジストはポジ型である。図2cに示すように、ウェハの一部となっている半導体基板97上には、被加工膜98が形成され、被加工膜98上には、被加工膜98の加工マスクとなるフォトレジストが形成されている。そして、フォトレジストには、フォトマスク120のパターンが転写されている。加工マスクとなるフォトレジストにおけるパターンを大別すると、多角形レジスト99とドットレジスト100となっている。さらに、ドットレジスト100は、スペース101を介して多角形レジスト99に隣接するドットレジスト100cと、スペース102を介してドットレジスト100cに隣接するドットレジスト100aと、スペース103を介してドットレジスト100aに隣接するドットレジスト100bに区分される。フォトレジストはポジ型なので、露光箇所のフォトレジストが現像処理によって除去され、スペース101、102、103が設けられている。多角形レジスト99およびドットレジスト100a、100b、100cは、フォトマスクにおける多角形パターン59とドットパターン11a、11b、11cの端部における光強度が、デフォーカス状態となっても変動しないので、多角形パターン59の最小幅とドットパターン11a、11b、11cはほぼ同じ幅で形成されている。本実施形態では、デフォーカス時においても、フォトマスクにおけるスペース幅が同じになるように解像ダミーパターンを配置することで、回折光による光強度の変動を抑えてプロセスマージンが拡大する。そのため、レジストパターンの縮小を阻止し、レジスト剥がれによる歩留低下を防止することができる。次に、本実施形態のフォトマスクの製造方法およびレジストパターンの形成方法を説明する。図3は、本実施形態の半導体デバイスのレイアウト設計方法、フォトマスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法を示すフローである。図3に示すように、回路設計を行った後ステップ1001、レイアウト設計ステップ1002へ移行して、半導体デバイスを構成する要素の配置を決定する。次に、それらの設計仕様に基づいてフォトマスクを作製しステップ1003、そのフォトマスクを用いて半導体デバイスを製造するステップ1004。ステップ1002のレイアウト設計では、例えば、回路パターンを配置した後ステップ1201、半導体デバイスを製造するフォトリソグラフィ工程で用いる位置合わせパターンを配置するステップ1202。その後、フォトリソグラフィ工程の光近接効果で生じる疎密パターンの寸法差が緩和されるように、ダミーパターンを配置するステップ1203。続いて、配置した各パターンに対してOPCOpticalProximityEffectCorrection処理を行ってステップ1204、回路パターンの寸法を補正する。ステップ1003のフォトマスクの作製では、ステップ1002で行われたレイアウト設計で寸法および配置が決められたパターンに対応して、ガラス基板に遮光膜を形成する。また、反射型の基板にフォトマスクを作成することもできる。ステップ1004の半導体デバイスの製造では、半導体基板上に被加工膜を形成する成膜工程の後ステップ1401、ステップ1003で作製したフォトマスクのパターンを被加工膜の上に塗布したフォトレジストに転写するフォトリソグラフィ工程を行うステップ1402。続いて、ステップ1402で形成したフォトレジストパターンをマスクに被加工膜に対してエッチングするエッチング工程を行うことでステップ1403、被加工膜で所望のパターンを形成する。本実施形態では、レイアウト設計におけるダミーパターンの配置に関して、フォトリソグラフィ工程におけるパターンの加工精度を向上させて、半導体デバイスの歩留低下を防止する効果を奏する。以下に、図3に示すステップ1203における、ダミーパターンの配置方法を詳細に説明する。第1のダミーパターン配置方法第1のダミーパターン配置方法を説明する。図4a~図4dは、第1のダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。説明には、図1に示した符号も使用し、図1に示した構成と対応させて説明する。図4aに示すように、レイアウト300のレイアウト領域149は、ラインパターン10がY方向に延在するように配置された四角形150の領域と、ドットパターン11aが配置された四角形151aおよびドットパターン11bが配置された四角形151bを含む四角形151の領域とを有する。四角形151には、複数のドット状パターンがXY方向に格子状に配置されている。四角形150に隣接する四角形151aは、四角形150とスペース152の分離れて配置され、隣接する四角形151bとスペース153の分空けて配置されている。ここでは、四角形150と四角形151a、151bのそれぞれのX方向の長さである幅を同じ寸法にしている。スペース152のX方向の長さである幅をX15とし、スペース153のX方向の長さである幅をX16とすると、X15はX16よりも大きい。大きさの関係は、四角形151aの幅2×X16<X15となっている。図4aに示したレイアウト300に対して、図4bのレイアウト310に示すように、スペース152に、解像ダミーパターンとなる複数のドット状パターンをY方向に等間隔で配置した四角形154をY方向に延在するように配置する。四角形154は、四角形151a、151bと同じ大きさであり、四角形151aとの間に、幅X16のスペース155を設けて配置される。このとき、四角形150と四角形154との間のスペース156の幅はX17となり、スペース152の幅X15よりも小さくなる。このようにして、解像ダミーパターンを含む四角形154は、既存の四角形151a、151bとの連続性を保つように、スペース153と同じ幅のスペース155が四角形151aとの間に設けられる。ここで、スペース156の幅X17がX16と同値になるとは限らない。これは、スペース152が、回路などの必須パターンである四角形150、151a、151bを優先的に配置した後の残留スペースであり、その後に四角形154を配置しても、新たに生じたスペース156の幅がスペース153、154と同じ周期で連続性を保つスペース幅となるのは稀であることに起因している。幅X17がX16より広い場合、図4cのレイアウト320に示すように、スペース156へ解像ダミーパターンを含む四角形157をY方向に延在するように配置する。四角形157は、四角形154と同じ大きさであり、四角形154との間に幅X16のスペース158を設けて配置される。このとき、四角形150と四角形157との間にスペースはなくなって、四角形150と四角形157が接触している。このように、解像ダミーパターンを含む四角形157は、既存の四角形151a、151bとの連続性を保つように、スペース153と同じ幅のスペース158を設ける。このため、四角形158を配置する際、四角形150との接触量重なり量を調整することによって、スペース158の幅をスペース153の幅と同じ値にすると共に、四角形150と四角形158の間に余剰なスペースが生じることを防止している。次に、図4dのレイアウト330に示すように、四角形150と四角形157を一体化した多角形159を、四角形150と四角形157が存在していた位置に配置する。多角形159によって、半導体デバイスの製造時に解像ダミーパターンを含んだラインパターンを形成することができる。このとき、スペース158の幅は、変動せずにX16のままとなっている。以上のように、解像ダミーパターンを含む四角形157を四角形150と接触させた状態で配置することで、新たに生じたスペース158の幅を既存の四角形151a、151bのスペース153と同じ幅にすることができ、既存の四角形151aによるフォトレジストパターンの縮小を防止することができる。なお、ラインパターン10を含む四角形150は、最終的に多角形159になってしまうが、ラインパターン10で絶縁性膜のパターンを形成するのであれば、多角形159の絶縁パターンになっても、絶縁性能が劣ることはない。また、導電性膜の配線パターンを形成するのであれば、多角形159の配線パターンになると、配線幅が増大して配線抵抗を低減させる効果がある。上述の第1のダミーパターン配置方法では、2列のダミーパターンを配置したが、四角形150と四角形151aとの間にさらにスペースがあれば、3列以上のダミーパターンを配置することができる。第2のダミーパターン配置方法第2のダミーパターン配置方法を説明する。図5a~図5cは、第2のダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。説明には、図1に示した符号も使用し、図1に示した構成と対応させて説明する。図5aに示すように、レイアウト340のレイアウト領域149は、ラインパターン10がY方向に延在するように配置された四角形150の領域と、ドットパターン11aが配置された四角形151aおよびドットパターン11bが配置された四角形151bを含む四角形151の領域とを有する。四角形151には、複数のドット状パターンがXY方向に格子状に配置されている。四角形150に隣接する四角形151aは、四角形150とスペース160の分離れて配置され、隣接する四角形151bとスペース153の分空けて配置されている。ここでは、四角形150と四角形151a、151bのそれぞれのX方向の長さである幅を同じ寸法にしている。スペース160のX方向の長さである幅をX18とし、スペース153のX方向の長さである幅をX16とする。スペース160の幅X18は、スペース153の幅X16以上であるが、スペース153の幅X16と四角形151aの幅との和以下の場合とする。つまり、X16≦X18≦四角形151aの幅X16となっている。なお、スペース160の幅X18が、スペース153の幅X16と四角形151aの幅との和よりも小さい場合、レイアウト領域149の寸法を小さくなり、半導体デバイスの占有面積を縮小させることが可能となる。図5aに示したレイアウト340に対して、図5bのレイアウト350に示すように、スペース160に、解像ダミーパターンとなる複数のドット状パターンをY方向に等間隔で配置した四角形161を四角形150に接触させて、Y方向に延在するように配置する。四角形161は、四角形151a、151bと同じ大きさであり、四角形151aとの間に、幅X16のスペース162を設けて配置される。このとき、スペース160には、スペース162以外の新たなスペースは生じていない。このようにして、解像ダミーパターンを含む四角形161を四角形150と接触した状態で配置することによって、既存の四角形151a、151bとの連続性を保つように、スペース153の幅X16と同じ幅のスペース162を四角形161と四角形151aとの間に設けることができる。次に、図5cのレイアウト360に示すように、四角形150と四角形161を一体化した多角形163を、四角形150と四角形161が存在していた位置に配置する。多角形163によって、半導体デバイスの製造時に解像ダミーパターンを含んだラインパターンを形成することができる。このとき、スペース162の幅は、変動せずにX16のままとなっている。以上のように、幅X18のスペースに、1列の解像ダミーパターンを含む四角形161を四角形150と接触させた状態で配置することで、新たに生じたスペース162の幅を既存の四角形151a、151bのスペース153と同じ幅にすることができ、既存の四角形151aによるフォトレジストパターンの縮小を防止することができる。なお、ラインパターン10を含む四角形150は、最終的に多角形163になってしまうが、ラインパターン10で絶縁性膜のパターンを形成するのであれば、多角形163の絶縁パターンになっても、絶縁性能が劣ることはない。また、導電性膜の配線パターンを形成するのであれば、多角形163の配線パターンになると、配線幅が増大して配線抵抗を低減させる効果がある。図6aは本配置方法によるフォトマスクを用いて形成された半導体デバイスの一例を示す平面図であり、図6bは図6aに示す半導体デバイスのII部に対する一例の断面図である。Y方向を第1の方向とし、X方向を第2の方向とする。図6に示すように、基板600上に絶縁膜601が形成され、絶縁膜601上にラインパターンである配線パターン603と、ドットパターン604a、604bとが形成される。配線パターン603はドットパターン604aに向かって突き出ている突出部605を有している。突出部605の第1の方向における幅は、ドットパターン604a、605bの第1の方向における幅Y2と実質同一である。フォトマスクにおける突出部605は、図6に示すように現像後に基板上にパターンとして残る寸法である。互いに隣接するドットパターン604a、604bの第2の方向における間隔の距離がX16であり、突出部605と突出部605に最も近くに設けられているドットパターン604aとの第2の方向における間隔の距離もX16であり、これらの間隔は実質的に同一である。図6に示す半導体デバイスによれば、配線パターン603の端部からドットパターン604aに向かって突き出した突出部605を有するため、露光処理時の回折光の影響が抑制され、配線パターン603に最も近いドットパターン604aのパターンが所望の寸法よりも小さく形成されることを防げる。第3のダミーパターン配置方法第3のダミーパターン配置方法を説明する。図7a~図7dは、第3のダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。説明には、図1に示した符号も使用し、図1に示した構成と対応させて説明する。また、図7aに示すレイアウト370と図4aに示したレイアウト300は同様な構成であり、図7bに示すレイアウト380と図4aに示したレイアウト310は同様な構成であるため、その詳細な説明を省略する。図7cに示すレイアウト390では、図7bのレイアウト380に示した四角形154をX方向に拡大して、四角形150と接触させるように配置する。四角形154をX方向に拡大するとは、図7cに示すように、四角形154内でY方向に等間隔で配置された複数のドット状パターンのそれぞれをX軸の負の方向図の左方向に面積を拡大することを意味する。四角形164は、四角形154よりも大きくなっており、Y方向に延在していたスペース156の一部を覆うことで、四角形150と四角形154との間のスペースをなくしている。このようにして、解像ダミーパターンを含む四角形164を、既存の四角形151a、151bとの連続性を保つように設けている。このため、四角形164の配置は、四角形154をX方向へ拡大することによって、スペース155の幅をスペース153の幅と同じ値に保ちながら、四角形150と四角形164の間に余剰なスペースが生じることを防止している。次に、図7dのレイアウト400に示すように、四角形150と四角形164を一体化した多角形165を四角形150と四角形164が存在していた位置に配置する。多角形165によって、半導体デバイスの製造時に解像ダミーパターンを含んだラインパターンを形成することができる。このとき、スペース155の幅は、変動せずにX16のままとなっている。以上のように、解像ダミーパターンを含む四角形164を四角形150と接触させた状態で配置することで、新たに生じたスペース155の幅を既存の四角形151a、151bのスペース153と同じ幅にすることができ、既存の四角形151aによるフォトレジストパターンの縮小を防止することができる。特に、スペース152の幅X15が、四角形151aの幅X16<X15≦四角形151aの幅2×X16の関係にあるとき、余分なダミーパターンを配置する必要がないので、本ダミーパターン配置方法は有効である。なお、ラインパターン10を含む四角形150は、最終的に多角形165になってしまうが、ラインパターン10で絶縁性膜のパターンを形成するのであれば、多角形165の絶縁パターンになっても、絶縁性能が劣ることはない。また、導電性膜の配線パターンを形成するのであれば、多角形165の配線パターンになると、配線幅が増大して配線抵抗を低減させる効果がある。第4のダミーパターン配置方法第4のダミーパターン配置方法を説明する。図8a~図8dは、第4のダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。説明には、図1に示した符号も使用し、図1に示した構成と対応させて説明する。また、図8aに示すレイアウト410と図4aに示したレイアウト300は同様な構成であり、図8bに示すレイアウト420と図4aに示したレイアウト310は同様な構成であるため、その詳細な説明を省略する。図8cのレイアウト430に示すように、図8bに示す四角形150をX軸の正の方向図の右方向に移動させて、四角形154と接触させるように配置する。移動後の四角形150の幅は移動前と同じであり、四角形150は、Y方向に延在していたスペース156を完全に覆って、四角形150と四角形154との間のスペースをなくしている。このようにして、解像ダミーパターンを含む四角形154は、既存の四角形151a、151bとの連続性を保つように設けられることになる。四角形150を四角形154に近づけることによって、スペース155の幅をスペース153の幅と同じ値に保ちながら、四角形150と四角形154との間に余剰なスペースが生じることを防止することが可能となる。次に、図8dのレイアウト440に示すように、四角形150と四角形154を一体化した多角形166を四角形150と四角形154が存在していた位置に配置する。多角形166によって、半導体デバイスの製造時に解像ダミーパターンを含んだラインパターンを形成することができる。このとき、スペース155の幅は、変動せずにX16のままとなっている。次に、多角形166にOPC処理を行って、多角形166の寸法を補正する。以上のように、解像ダミーパターンを含む四角形154を四角形150と接触させた状態で配置することで、新たに生じたスペース155の幅を既存の四角形151a、151bのスペース153と同じ幅にすることができ、既存の四角形151aによるフォトレジストパターンの縮小を防止することができる。なお、ラインパターン10を含む四角形150は、最終的に多角形166になってしまうが、ラインパターン10で絶縁性膜のパターンを形成するのであれば、多角形166の絶縁パターンになっても、絶縁性能が劣ることは無い。また、導電性膜の配線パターンを形成するのであれば、多角形166の配線パターンになると、配線幅が増大して配線抵抗を低減させる効果がある。第5のダミーパターン配置方法第5のダミーパターン配置方法を説明する。図9aは第5のダミーパターン配置方法を説明するためのレイアウト図であり、図9bは図9aに示したダミーパターン配置方法によるフォトマスクを用いて形成したレジストパターンを示す平面図である。なお、図9aは図5aに示したレイアウト340に、第5のダミーパターン配置方法により解像ダミーパターンを配置した後のレイアウト図である。よって、図9aは、第2のダミーパターン配置方法の図5bに相当し、図5cのような最終レイアウト図ではない。説明には、図1および図5に示した符号も使用し、図1および図5に示した構成と対応させて説明する。図9aに示すように、レイアウト450のレイアウト領域149は、ラインパターン10がY方向に延在するように配置された四角形150の領域と、ドットパターン11aが配置された四角形151aおよびドットパターン11bが配置された四角形151bを含む四角形151の領域とを有する。四角形151には、複数のドット状パターンがXY方向に格子状に配置されている。四角形150に隣接する四角形151aは、X方向に隣接する四角形151bと、幅X16のスペース153を介して配置されている。解像ダミーパターンを含む四角形170を、四角形150に接触させた状態で、Y方向に延在するように配置する。四角形170は四角形151a、151bと同じ大きさであり、四角形170と四角形151aとの間に幅X16のスペース171を設けている。四角形170に含まれる複数のドット状パターンが解像ダミーパターンに相当する。本ダミーパターン配置方法では、四角形170に含まれる複数のドット状パターンを、四角形151a内の複数のドット状パターンと同じピッチだが、四角形151a内の複数のドット状パターンに対して、Y方向に半ピッチずらして配置している。半ピッチとは、Y方向において隣接するドット状パターンの中心間の距離の半値である。図9bに示したレイアウト450を最終レイアウトにしたフォトマスクを用いて露光処理および現像処理を行ってレジストパターンを形成すると、図9bのようになる。図9aに示した四角形150および四角形170の領域のパターンがフォトレジストに転写されると、図9bに示すラインレジスト173が形成される。また、図9aに示した四角形151a、151bのそれぞれの領域のパターンがフォトレジストに転写されると、図9bに示すドットレジスト172a、172bのそれぞれが形成される。図9bに示すように、ドットレジスト172aとラインレジスト173との間の距離X19が、ドットレジスト172a内の各ドット状パターンの円周方向で略一定となる。これは、レイアウト450に示したように解像ダミーパターンをY方向に半ピッチずらしたことによって、回折光による光強度の変動が抑えられ、その結果、ドットレジスト172aの幅をドットレジスト172bと同じ値にすることができたことに起因している。なお、本ダミーパターン配置方法を、第2のダミーパターン配置方法の場合をベースにして説明したが、第1から第4のダミーパターン配置方法のいずれに適用してもよい。第6のダミーパターン配置方法第6のダミーパターン配置方法を説明する。図10は第6のダミーパターン配置方法を説明するためのレイアウト図である。図10aは、複数のドット状パターンがXY方向に格子状に配置される領域のコーナー部分におけるダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。図10bは、別のダミーパターン配置方法を示すレイアウト図である。図10aおよび図10bは、最終レイアウト図ではなく、第4のダミーパターン配置方法で言うと、図8bのレイアウト図に相当する。図10aに示すレイアウト領域174は、複数のドット状パターンがXY方向に格子状に配置された領域のコーナー部分に相当する。図10aを参照すると、レイアウト領域174には、XY方向に格子状に配置された複数のドット状パターンを含む四角形175の2辺に沿って、四角形175の外側にL字形状のラインパターンで構成される多角形176が配置されている。四角形175の領域には、複数のドット状パターンを含む四角形175bの2辺に沿って、複数のドット状パターンを含む多角形175aが配置されている。多角形175aは四角形175の領域の最外周部に相当し、多角形175a内でX方向に等間隔にドット状パターンが配置された列を最外列と称する。このような回路パターンの配置に対して、本ダミーパターン配置方法では、四角形175内のドット状パターンの配置の連続性を保つように、多角形176にXY方向で接触させた解像ダミーパターンを含む多角形177を配置している。このように、L字形状に沿ってラインパターンに解像ダミーパターンを接触させるように、多角形177を配置することで、図9で説明したように、多角形176に隣接する多角形175aで形成されるドットレジストの幅を減少させることなく、四角形175bで形成されるドットレジストと同じ値にすることができる。なお、本ダミーパターン配置方法は、第2のダミーパターン配置方法を、複数のドット状パターンのX方向の配置だけでなく、Y方向の配置にも適用したものに相当するが、第1、第3および第4のダミーパターン配置方法のいずれかを、複数のドット状パターンのX方向の配置だけでなく、Y方向の配置にも適用してもよい。図10bは、図10aとは異なる回路パターンに、ダミーパターンを配置する方法を示すレイアウト図である。図10bに示すレイアウトでは、複数のドット状パターン178がX方向に等間隔で配置された列が複数設けられ、各列が隣接する列とX方向に半ピッチずれて配置されている。そして、複数のドット状パターン178がXY方向に千鳥格子状に配置された領域の外側に、ラインパターンで構成される多角形179が配置されている。多角形179の複数のドット状パターン178に対する位置は、図10aに示した多角形176と四角形175に類似している。このような回路パターンの配置に対して、図10bに示すように、千鳥格子状に配置したドット状パターン178のXY方向の連続性を保つように、多角形179にXY方向に解像ダミーパターン180を接触させて配置している。複数のドット状パターンの配置が千鳥格子状であっても、図10bに示したように、ラインパターンとなる多角形179に解像ダミーパターン180を接触させて配置することで、図10aに示した場合と同様な効果を得ることができる。上述の第1から第6のダミーパターン配置方法では、ドットパターン、ラインパターン、解像ダミーパターンのいずれもがフォトレジストのパターンとなる場合を一例に説明したが、それぞれのパターンがフォトレジストの開口部となる場合でも、同様の効果を得ることができる。図11は、第2のダミーパターン配置方法で配置した各パターンを反転させた場合のレイアウト図である。反転とは、フォトマスクの明暗領域を逆にして、入れ換える処理である。図11は、解像ダミーパターンをラインパターンと一体化した後のレイアウト図5b参照を反転させたものに相当する。この処理によって、現像後にレジストパターンとなる、フォトマスクでの領域を開口部にすることができる。第2のダミーパターン配置方法では、図5bに示した四角形150と四角形161を一体化して、図5cに示した多角形163を四角形150と四角形161が存在していた位置に配置していた。ここでは、四角形150と四角形161を一体化して反転し、四角形151a、151bをそれぞれ反転することで、図11に示すレイアウト460のように、それぞれのパターンが開口部189となる。また、ネガ型フォトレジストを用いてドットパターン、ラインパターン、解像ダミーパターンを形成することもできる。なお、上述の実施形態では、ドット状パターンの形状が正方形の場合で説明したが、円でも、他の正多角形であってもよい。