記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極にライトギャップを置いて対向するトレーリングシールドと、前記主磁極とトレーリングシールドとの間に設けられ高周波磁界を発生する高周波発振子と、を備える磁気記録ヘッドの製造方法であって、主磁極を形成し、前記主磁極のトレーリング側端面および側壁に重ねて、スピン注入層、発振層、キャップ層を有する発振子形成層を成膜し、前記発振子形成層の内、前記主磁極の側壁上に形成された部分を除去し、少なくとも前記主磁極のトレーリング側端面の幅に整合した高周波発振子を形成する磁気記録ヘッドの製造方法。前記主磁極のトレーリング側端面に垂直な方向に対して、60ないし90度の角度でイオンミリングすることにより、前記発振子形成層の内、前記主磁極の側壁上に形成された部分を除去する請求項1に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。前記発振子形成層において、前記キャップ層の膜厚を、前記発振子形成層の膜厚の15~40に形成する請求項2に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。前記発振子形成層の内、高周波発振子の側壁、および主磁極の高周波発振子側の側壁に付着した部分のみを除去し、主磁極の側壁に残る発振子形成層の部分と、高周波発振子とが分断する請求項2に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。前記主磁極および高周波発振子を形成した後、高周波発振子と接続するようにトレーリングシールドを積層形成する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。高周波磁界アシスト記録方式の磁気記録ヘッドで良好な書き込み特性を実現するためには、主磁極とスピントルク発振子の位置ずれが小さいことが必要となる。これは主磁極からの記録磁界とスピントルク発振子が発生する高周波磁界とが重なり合うところで書き込みを行うため、これらの位置がずれるとそれぞれが発生する磁界が重なり合わず良好な書き込みが行えなくなるためである。一方、主磁極の上部の幅およびスピントルク発振子の幅はそれぞれ50nmかそれ以下となってきており、主磁極とスピントルク発振子とを通常のフォトリソグラフィ工程で位置合わせを行うのは非常に困難となっている。そこで、本発明の課題は、主磁極と高周波発振子とを正確に位置合わせし書込み特性に優れた磁気記録ヘッドを製造することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。実施形態によれば、記録磁界を印加する主磁極と、前記主磁極にライトギャップを置いて対向するトレーリングシールドと、前記主磁極とトレーリングシールドとの間に設けられ、高周波磁界を発生する高周波発振子と、を備える磁気記録ヘッドの製造方法であって、主磁極を形成し、前記主磁極のトレーリング側端面および側壁に重ねて、スピン注入層、発振層、キャップ層を有する発振子形成層を成膜し、前記発振子形成層の内、前記主磁極の側壁上に形成された部分を除去し、少なくとも前記主磁極のトレーリング側端面の幅に整合した高周波発振子を形成する磁気記録ヘッドの製造方法である。以下図面を参照しながら、種々の実施形態について説明する。第1の実施形態図1は、磁気記録ヘッドを備えるディスク装置として、HDDのトップカバーを取り外して内部構造を示し、図2は、浮上状態の磁気ヘッドを示している。図1に示すように、HDDは筐体10を備えている。この筐体10は、上面の開口した矩形箱状のベース11と、図示しない矩形板状のトップカバーとを備えている。トップカバーは、複数のねじによりベースにねじ止めされ、ベースの上端開口を閉塞している。これにより、筐体10内部は気密に保持され、呼吸フィルター26を通してのみ、外部と通気可能となっている。ベース11上には、記録媒体としての磁気ディスク12および駆動部が設けられている。駆動部は、磁気ディスク12を支持および回転させるスピンドルモータ13、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう複数、例えば、2つの磁気ヘッド33、これらの磁気ヘッド33を磁気ディスク12の表面に対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ14、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ以下VCMと称する16を備えている。また、ベース11上には、磁気ヘッド33が磁気ディスク12の最外周に移動した際、磁気ヘッド33を磁気ディスク12から離間した位置に保持するランプロード機構18、HDDに衝撃等が作用した際、ヘッドアクチュエータ14を退避位置に保持するイナーシャラッチ20、およびプリアンプ、ヘッドIC等の電子部品が実装された基板ユニット17が設けられている。ベース11の外面には、制御回路基板25がねじ止めされ、ベース11の底壁と対向して位置している。制御回路基板25は、基板ユニット17を介してスピンドルモータ13、VCM16、および磁気ヘッド33の動作を制御する。図1および図2に示すように、磁気ディスク12は、垂直磁気記録膜媒体として構成されている。磁気ディスク12は、例えば、直径約2.5インチの円板状に形成され非磁性体からなる基板19を有している。基板19の各表面には、下地層としての軟磁性層23と、その上層部に、ディスク面に対して垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁気記録層22とが順次積層され、さらにその上に保護膜24が形成されている。図1に示すように、磁気ディスク12は、スピンドルモータ13のハブに同軸的に嵌合されているとともにハブの上端にねじ止めされたクランプばね21によりクランプされ、ハブに固定されている。磁気ディスク12は、駆動モータとしてのスピンドルモータ13により所定の速度で矢印B方向に回転される。ヘッドアクチュエータ14は、ベース11の底壁上に固定された軸受部15と、軸受部から延出した複数のアーム27と、を備えている。これらのアーム27は、磁気ディスク12の表面と平行に、かつ、互いに所定の間隔を置いて位置しているとともに、軸受部15から同一の方向へ延出している。ヘッドアクチュエータ14は、弾性変形可能な細長い板状のサスペンション30を備えている。サスペンション30は、板ばねにより構成され、その基端がスポット溶接あるいは接着によりアーム27の先端に固定され、アームから延出している。各サスペンション30の延出端にジンバルばね41を介して磁気ヘッド33が支持されている。図2に示すように、各磁気ヘッド33は、ほぼ直方体形状のスライダ42とこのスライダの流出端トレーリング端に設けられた記録再生用のヘッド部44とを有している。各磁気ヘッド33は、サスペンション30の弾性により、磁気ディスク12の表面に向かうヘッド荷重Lが印加されている。2本のアーム27は所定の間隔を置いて互いに平行に位置し、これらのアームに取り付けられたサスペンション30および磁気ヘッド33は、磁気ディスク12を間に挟んで互いに向かい合っている。各磁気ヘッド33は、サスペンション30およびアーム27上に固定された中継フレキシブルプリント回路基板以下、中継FPCと称する35を介して後述するメインFPC38に電気的に接続されている。図1に示すように、基板ユニット17は、フレキシブルプリント回路基板により形成されたFPC本体36と、このFPC本体から延出したメインFPC38とを有している。FPC本体36は、ベース11の底面上に固定されている。FPC本体36上には、プリアンプ37、ヘッドICを含む電子部品が実装されている。メインFPC38の延出端は、ヘッドアクチュエータ14に接続され、各中継FPC35を介して磁気ヘッド33に接続されている。VCM16は、軸受部15からアーム27と反対方向に延出した図示しない支持フレーム、および支持フレームに支持されたボイスコイルを有している。ヘッドアクチュエータ14をベース11に組み込んだ状態において、ボイスコイルは、ベース11上に固定された一対のヨーク34間に位置し、これらのヨークおよびヨークに固定された磁石とともにVCM16を構成している。磁気ディスク12が回転した状態でVCM16のボイスコイルに通電することにより、ヘッドアクチュエータ14が回動し、磁気ヘッド33は磁気ディスク12の所望のトラック上に移動および位置決めされる。この際、磁気ヘッド33は、磁気ディスク12の径方向に沿って、磁気ディスクの内周縁部と外周縁部との間を移動される。次に、磁気ヘッド33の構成について詳細に説明する。図3は、磁気ヘッド33のヘッド部44を拡大して示す断面図、図4は、磁気記録ヘッドの磁気ディスク側の端部を拡大して示す断面図、図5は、記録ヘッド部分をスライダのABS面側から見た平面図である。図2および図3に示すように、磁気ヘッド33は浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体状に形成されたスライダ42と、スライダの流出トレーリング側の端部に形成されたヘッド部44とを有している。スライダ42は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体アルチックで形成され、ヘッド部44は薄膜を積層して形成されている。スライダ42は、磁気ディスク12の表面に対向する矩形状のディスク対向面空気支持面ABS43を有している。スライダ42は、磁気ディスク12の回転によってディスク表面とディスク対向面43との間に生じる空気流Cにより、磁気ディスク表面から所定量浮上した状態に維持される。空気流Cの方向は、磁気ディスク12の回転方向Bと一致している。スライダ42は、磁気ディスク12表面に対し、ディスク対向面43の長手方向が空気流Cの方向とほぼ一致するように配置されている。スライダ42は、空気流Cの流入側に位置するリーディング端42aおよび空気流Cの流出側に位置するトレーリング端42bを有している。スライダ42のディスク対向面43には、図示しないリーディングステップ、トレーリングステップ、サイドステップ、負圧キャビティ等が形成されている。図3および図4に示すように、ヘッド部44は、スライダ42のトレーリング端42bに薄膜プロセスで形成された再生ヘッド54および磁気記録ヘッド56を有し、分離型磁気ヘッドとして形成されている。再生ヘッド54は、磁気抵抗効果を示す磁性膜50と、この磁性膜のトレーリング側およびリーディング側に磁性膜50を挟むように配置されたシールド膜52a、52bと、で構成されている。これら磁性膜50、シールド膜52a、52bの下端は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。記録ヘッド56は、再生ヘッド54に対して、スライダ42のトレーリング端42b側に設けられている。記録ヘッド56は、磁気ディスク12の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる高飽和磁化材料からなる主磁極66と、主磁極66のトレーリング側に配置され、主磁極直下の軟磁性層23を介して効率的に磁路を閉じるために設けられたトレーリングシールドリターン磁極68と、磁気ディスク12に信号を書き込む際、主磁極66に磁束を流すために主磁極66およびトレーリングシールド68を含む磁気回路に巻きつくように配置された記録コイル71と、主磁極66の先端部66aとトレーリングシールド68との間に設けられた高周波発振子、例えば、スピントルク発振子74と、を有している。主磁極66とトレーリングシールド68とに電源70が接続され、この電源から主磁極66、トレーリングシールド68を通して電流を直列に通電できるように電流回路が構成されている。主磁極66は、磁気ディスク12の表面に対してほぼ垂直に延びている。主磁極66の磁気ディスク12側の下端部は、磁気ディスク12に向かって幅が狭くなるように先細に絞り込まれ、その先端部66aは、他の部分に対して幅の狭い柱状に形成されている。図5に示すように、主磁極66の先端部66aは、例えば、断面が台形状に形成され、トレーリング端側に位置した所定幅のトレーリング側端面67a、トレーリング端面と対向しているとともにトレーリング側端面よりも幅の狭いリーディング側端面67b、および両側面を有している。主磁極66の下端面は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。トレーリング側端面67aの幅WT1は、磁気ディスク12におけるトラックの幅にほぼ対応している。図3に示すように、トレーリングシールド68は、ほぼU字形状に形成され、その先端部68aは、細長い矩形状に形成されている。トレーリングシールド68の先端面は、スライダ42のディスク対向面43に露出している。先端部68aのリーディング側端面68bは、磁気ディスク12のトラックの幅方向に沿って延びている。このリーディング側端面68bは、主磁極66のトレーリング側端面67aとライトギャップWGを置いてほぼ平行に対向している。トレーリングシールド68は、ライトギャップWG、すなわち、スライダ42のディスク対向面43から離れた位置で、主磁極66の上部に接近した連結部65を有している。この連結部65は、例えばSiO2等の絶縁体で形成されたバックギャップ部67を介して主磁極66に連結されている。この絶縁体により、主磁極66とトレーリングシールド68とが電気的に絶縁している。このように、バックギャップ部67を絶縁体で構成することにより、スピントルク発振子74の電極と兼用している主磁極66およびトレーリングシールド68を通じて、電源70からスピントルク発振子74に効率的に電流を印加することが可能となる。バックギャップ部67の絶縁体はSiO2以外にも、Al2O3を用いてもよい。図3ないし図5に示すように、スピントルク発振子74は、主磁極66の先端部66aのトレーリング側端面67aとトレーリングシールド68のリーディング側端面68bとの間に挟まれ、これらの端面と平行に配置されている。すなわち、スピントルク発振子74は、ライトギャップWG内で主磁極先端部のトラック幅方向幅WT1の範囲内に整位して位置し、スピントルク発振子74のトラック幅方向長さWT2は、主磁極66のトレーリング側端面67aのトラック幅方向長さWT1と等しく形成されている。スピントルク発振子74は、例えば、Ta/Ruの積層膜からなる下地層74a、Co/Niの人工格子膜からなるスピン注入層第2磁性体層74b、Cuからなる中間層74c、FeCoAl磁性膜からなる発振層第1磁性体層74d、Cu/Ruの積層膜からなるキャップ層保護層74eを、主磁極66側からトレーリングシールド68側に順に積層して構成されている。そして、下地層74aとキャップ層74eが、電極を兼用する主磁極66とトレーリングシールド68にそれぞれ接続している。発振層74dの材料は軟磁性材料であることが望ましく、FeCoAlの他、NiFe、FeCoSi、FeNiCo、CoFe、FeSiなど、Ni、Fe、Coを1種類以上含む合金、FeCo/Ni、Fe/Ni、Fe/Coなど、Ni、Fe、Coを1種類以上含む合金を積層した人工格子磁性層、CoMnSi、CoFeMnSi、CoFeAlSi、CoMnAl、CoMnGaSn、CoMnGaGe、CoCrFeSi、CoFeCrAl等の、ホイッスラー合金等が用いられる。スピン注入層74bの材料は、垂直磁気異方性を有する材料であることが望ましく、CoCr系磁性層、例えば、CoCrPt、CoCrTa、CoCrTaPt、CoCrTaNb、RERareEarth-TMTransitionMetal系合金磁性層、例えば、TbFeCo、Co合金とPd、Pt、Ni等白金族元素を用いた合金の人工格子磁性層、例えば、Co/Pd、Co/Pt、CoCrTa/Pd、Co/Ni、Co/NiPt等、CoPt系やFePt系の合金磁性層、SmCo系合金磁性層など、垂直磁気異方性に優れた材料も適宜用いることができる。中間層74cの材料は、貴金属、例えば、Cu、Pt、Au、Ag、Pd、Ru、あるいは、非磁性遷移金属、例えば、Cr、Rh、Mo、Wなどを用いることができる。また、中間層74cは、アルミナ母材とCu、または、アルミナ母材とNiFe合金からなる電流狭窄構造としてもよい。発振層74d、スピン注入層74bおよび中間層74cに用いられる材料及びこれらの大きさは任意に選択可能である。なお、スピン注入層74b、中間層74c、発振層74dの順に積層したが、発振層、中間層、スピン注入層の順に積層してもよい。この場合、主磁極66と発振層74dとの距離が近くなり、主磁極66が発生する記録磁界と、発振層が発生する高周波磁界とが効率的に重畳する範囲が、媒体上で広くなり、良好な記録が可能となる。スピントルク発振子74は、その先端がABS面43に露出し、磁気ディスク12の表面に対して、主磁極66の先端面と同一の高さ位置に設けられている。スピントルク発振子74は、前述した制御回路基板25の制御の下、電源70から主磁極66、トレーリングシールド68に電圧を印加することにより、スピントルク発振子74の膜厚方向に直流電流が印加される。通電することにより、スピントルク発振子74の発振層の磁化が回転し、高周波磁界を発生させることが可能となる。これにより、磁気ディスク12の記録層に高周波磁界を印加する。このように、トレーリングシールド68と主磁極66はスピントルク発振子74に垂直通電する電極として働くことになる。上記のように形成された再生ヘッド54および記録ヘッド56は、スライダ42のディスク対向面43に露出する部分を除いて、保護絶縁膜72により覆われている。保護絶縁膜72は、ヘッド部44の外形を構成している。次に、上記構成の磁気ヘッド33の記録ヘッド56の製造方法について説明する。図6ないし図11は、記録ヘッド56の製造方法を工程順に示す図である。まず、図6に示すように、磁気ヘッド33の再生ヘッド54を積層形成した後、これに重ねて下地層80を形成し、更に、この下地層80に主磁極めっきのためのめっきフレーム82を形成する。このめっきフレーム82はレジストで形成するが、例えば、絶縁膜にRIEリアクティブイオンエッチング等によりトレンチ84を形成することで同様なめっきフレームを形成してもよい。次に、めっきを行うためのシード層83をめっきフレーム82上に形成する。続いて、図7に示すように、シード層83に重ねて高飽和磁化材料からなる主磁極層を形成した後、CMPにより主磁極層、シード層83、めっきフレーム82の表面を平坦化し、主磁極66を形成する。次に、図8に示すように、有機溶媒、RIE、イオンミリング等により、めっきフレーム82を除去し、主磁極66およびシード層83の側壁を露出させる。続いて、図9に示すように、主磁極66、シード層83および下地層80を覆うように、スピントルク発振子74となる下地層74a、スピン注入層第2磁性体層74b、中間層74c、発振層第1磁性体層74d、キャップ層74eを順に成膜し、積層することにより、スピントルク発振子形成層86を形成する。その後、スピントルク発振子形成層86の内、下地層80上に形成された部分および主磁極66の側面上に積層された部分を、Arイオンミリングにより除去する。このイオンミリングは、下地層80に垂直な方向に対して、ミリング角度θを60ないし90度で行う。この範囲の角度でイオンミリングを行うことで、主磁極66およびシード層83の側壁部に付いた膜のみを取り除き、主磁極66のトレーリング側端面上に形成された積層膜スピントルク発振子74を整合的に残すことができる。なお、下地層80上に、スピントルク発振子形成層86の一部が残っていてもよい。主磁極66およびスピントルク発振子74の側壁に付着した部分をイオンミリングで取り除く際、主磁極上のスピントルク発振子のキャップ層保護層74eがどのくらいエッチングされるかイオンミリングレートから算出する。スピントルク発振子74の全膜厚が30nm程度を想定すると、キャップ層の膜厚は最低でスピントルク発振子の全膜厚の20強必要となる。厳しい条件で算出した場合、キャップ層の膜厚の割合が23であるとして側壁を取り除くと、主磁極上に残るキャップ層がほぼなくなる。キャップ層の膜厚の割合を30程度にすると、2ないし3nmのキャップ層が残り、35にすると、5nm程度のキャップ層が残る。次の工程を考慮すると、最低2nm程度はキャップ層74eが残ることが望ましく、スピントルク発振子形成層86におけるキャップ層の膜厚の割合は、30以上、より好ましくは、35程度とする。キャップ層74eを2nm残すには膜厚を13、5nm残すには膜厚を20とする。以上のことから、スピントルク発振子形成層86におけるキャップ層の膜厚の割合は、最低15、より好ましくは、20ないし30であり、40以上であると無駄に厚い条件となる。上記のように、スピントルク発振子形成層86の内、主磁極66およびスピントルク発振子74の側壁に付着した部分を除去することにより、図10に示すように、主磁極66上にスピントルク発振子74が残り、しかも、主磁極66とスピントルク発振子74が自己整合的に位置合わせされて形成される。その後、図11に示すように、主磁極66およびスピントルク発振子74の側壁部分を絶縁層72で埋め込み、表面をCMPにより平坦化し、スピントルク発振子74の頭出しをする。更に、図5に示したように、スピントルク発振子74と接続するようにトレーリングシールド68を積層形成する。その後、トレーリングシールド68に重ねて保護層を形成することにより、記録ヘッド56を含む磁気ヘッド33が形成される。上記磁気記録ヘッドの製造方法によれば、フォトリソグラフィ工程の位置合わせ精度によることなく、スピントルク発振子74と主磁極66とを自己整合的セルフアライメントに形成し、両者を位置ずれなく形成することができる。これにより、主磁極66からの記録磁界とスピントルク発振子74が発生する高周波磁界がずれずに重なり、良好な高周波アシスト記録が可能な書き込み特性に優れた磁気記録ヘッドを製造することができる。第1の実施形態において、主磁極66の側面側に形成されたスピントルク発振子形成層を完全に除去する構成としたが、例えば、図12に示す第1変形例のように、スピントルク発振子形成層86の内、スピントルク発振子74の側壁、および主磁極66のスピントルク発振子74側の側壁に付着した部分のみを除去してもよい。この場合、主磁極66の側壁に残るスピントルク発振子形成層86の部分と、スピントルク発振子74とが分断されるまで、除去する。これにより、主磁極66上にスピントルク発振子74が残り、しかも、主磁極66とスピントルク発振子74が自己整合的に位置合わせされて形成される。その後、図13に示すように、主磁極66およびスピントルク発振子74の側壁部分を絶縁層72で埋め込み、表面をCMPにより平坦化し、スピントルク発振子74の頭出しをする。以降、前述した第1の実施形態と同様の工程により、磁気記録ヘッドを形成する。上述した第1の実施形態において、有機溶媒、RIE、イオンミリング等により、めっきフレーム82を完全に除去し、主磁極66およびシード層83の側壁の全体を露出させる構成としたが、例えば、図14に示す第2変形例のように、少なくともスピントルク発振子形成層の厚さに相当する厚さ分だけ、めっきフレーム82を除去し、その後、主磁極66、シード層83およびめっきフレーム82下地層80を覆うように、スピントルク発振子74となる下地層74a、スピン注入層74b、中間層74c、発振層第1磁性体層74d、キャップ層74eを順に成膜し、積層することにより、スピントルク発振子形成層86を形成してもよい。その後、図14および図15に示すように、スピントルク発振子形成層86の内、下地層80上に形成された部分および主磁極66の側面上に積層された部分を、Arイオンミリングにより除去する。このイオンミリングは、下地層80に垂直な方向に対して、ミリング角度θを60ないし90度で行う。この範囲の角度でイオンミリングを行うことで、主磁極66およびシード層83の側壁部に付いた膜のみを取り除き、主磁極66のトレーリング側端面上に形成された積層膜スピントルク発振子74を整合的に残すことができる。その後、図15に示すように、主磁極66およびスピントルク発振子74の側壁部分を絶縁層72で埋め込み、表面をCMPにより平坦化し、スピントルク発振子74の頭出しをする。更に、図5に示したように、スピントルク発振子74と接続するようにトレーリングシールド68を積層形成する。その後、トレーリングシールド68に重ねて保護層を形成することにより、記録ヘッド56を含む磁気ヘッド33が形成される。上述した第1および第2変形例において、フォトリソグラフィ工程の位置合わせ精度によることなく、スピントルク発振子74と主磁極66とを自己整合的セルフアライメントに形成し、両者を位置ずれなく形成することができる。これにより、主磁極66からの記録磁界とスピントルク発振子74が発生する高周波磁界がずれずに重なり、良好な高周波アシスト記録が可能な書き込み特性に優れた磁気記録ヘッドを製造することができる。次に、他の実施形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。なお、以下に説明する他の実施形態において、前述した第1の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、第1の実施形態と異なる部分を中心に詳しく説明する。第2の実施形態図16および図17は、第2の実施形態に係るHDDの磁気記録ヘッドの製造工程を示している。本実施形態によれば、トレーリングシールドだけでなくサイドシールドを更に設けている点で第1の実施形態と相違している。図17に示すように、主磁極66の両側に、磁気的に隙間を置いて位置するサイドシールド90を設ける。このサイドシールド90は、例えば、トレーリングシールド68と一体に形成することができる。サイドシールド90を設けることで、記録磁界の広がりが押さえられるので、第1の実施形態の効果に加えてフリンジを低減することができる。本実施例で高周波磁界アシスト型の磁気ヘッド33の製造方法は、図6ないし図11までの工程は前述した第1の実施形態と同様である。次に、図16に示すように、スピントルク発振子74上にスピントルク発振子の幅よりも広い幅でレジスト92を形成し、RIE等により絶縁層72をエッチングする。これにより、主磁極66の両側部に所定幅の絶縁層72を残す。続いて、図17に示すように、スピントルク発振子74および絶縁層72に重ねて、サイドシールド90およびトレーリングシールド68を一括で形成する。このようにして形成された磁気記録ヘッドでは、主磁極66からの記録磁界とスピントルク発振子74が発生する高周波磁界がずれずに重なるため、良好な書き込みを行うことが可能となるだけでなく、フリンジも低減することができる。本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。