"炭化珪素半導体ボディと、第1の表面において前記炭化珪素半導体ボディ内に延びるトレンチと、前記トレンチ内のゲート誘電体とゲート電極と、前記トレンチの側壁に接する第1の導電型のボディ領域であって、前記ボディ領域より高い最高ドーパント濃度を含むボデイコンタクト領域を介しコンタクトに電気的に接続されるボディ領域と、前記ボディ領域を介し前記コンタクトに電気的に接続される第1の導電型の拡張領域と、を含む半導体装置であって、前記第1の表面に垂直な垂直方向に沿った前記拡張領域の最高ドーパント濃度は、前記垂直方向に沿った前記ボディ領域の最高ドーパント濃度より高く、前記第1の表面と前記拡張領域の底面との間の距離は、前記第1の表面と前記トレンチの底面との間の距離より大きい、半導体装置。前記トレンチの側壁に垂直な横方向に沿った前記拡張領域の上部の幅は前記ボディ領域の幅より小さい、請求項1に記載の半導体装置。前記トレンチの前記側壁と前記拡張領域の前記上部との間の最短横方向距離は0μm~1μmの範囲内である、請求項2に記載の半導体装置。前記拡張領域の前記上部の幅は前記拡張領域の下部の幅より小さい、請求項3に記載の半導体装置。前記垂直方向に沿った前記拡張領域のドーパントのプロフィールは逆行プロフィールである、請求項1に記載の半導体装置。前記垂直方向に沿った前記拡張領域の前記ドーパントの前記プロフィールのピークは、前記拡張領域の上半分より前記半導体ボディ内の深くに配置された前記拡張領域の下半分内に存在する、請求項5に記載の半導体装置。前記拡張領域は1013cm-2~5×1014cm-2のドーパントドーズ量を含む、請求項1に記載の半導体装置。前記拡張領域の底面から前記トレンチの底面までの垂直距離は500nm~1000nmであり、前記横方向に沿った前記トレンチの幅は1μm~2μmである、請求項1に記載の半導体装置。前記拡張領域の底面と側面は、前記第1の導電型と異なる第2の導電型のドリフト領域に接する、請求項1に記載の半導体装置。前記トレンチの底面に接する前記第2の導電型の電流拡散領域であって、前記ドリフト領域内の最高ドーパント濃度より高い最高ドーパント濃度を含む電流拡散領域をさらに含む、請求項9に記載の半導体装置。前記電流拡散領域は、3×1012cm-2~8×1012cm-2のドーパントドーズ量を含む、請求項10に記載の半導体装置。前記半導体装置はトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項1に記載の半導体装置。炭化珪素半導体ボディと、第1の表面において前記炭化珪素半導体ボディ内に延びるトレンチと、前記トレンチ内の、ゲート誘電体と、ゲート電極と、前記ゲート電極から電気的に絶縁された導電性領域と、前記トレンチの底面と側壁の一部とに接する第1の導電型のボディ領域であって、前記トレンチの底面を介し前記導電性領域に電気的に接続されるボディ領域と、前記トレンチの前記底面に接する第2の導電型のソース領域であって、前記トレンチの底面を介し前記導電性領域に電気的に接続されるソース領域と、前記第1の表面における前記第1の導電型の拡張領域と、前記第2の導電型のドリフト領域であって、その一部は前記拡張領域と前記ボディ領域との間に配置され、前記トレンチの側壁に接する、ドリフト領域と、を含む半導体装置。前記拡張領域は前記拡張領域の上面のコンタクトに電気的に接続される、請求項13に記載の半導体装置。前記ボディ領域と前記拡張領域との間の短絡回路をさらに含む、請求項14に記載の半導体装置。前記ゲート電極は、前記トレンチの第1の側壁に接するチャンネル領域の導電率を制御するように構成された第1のゲート電極部と、前記第1の側壁に対向する前記トレンチの第2の側壁に接するチャンネル領域の導電率を制御するように構成された第2のゲート電極部と、を含む、請求項13に記載の半導体装置。前記ボディ領域の側面と前記トレンチの前記側壁との間の前記ボディ領域の横方向寸法は0.2μm~1μmである、請求項13に記載の半導体装置。前記拡張領域は1013cm-2~5×1014cm-2のドーパントドーズ量を含む、請求項13に記載の半導体装置。前記第1の表面に垂直な垂直方向に沿った前記拡張領域の最高ドーパント濃度は、前記垂直方向に沿った前記ボディ領域の最高ドーパント濃度より高い、請求項13に記載の半導体装置。前記半導体装置はトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項13に記載の半導体装置。請求項1に記載の半導体装置を含む集積回路。請求項13に記載の半導体装置を含む集積回路。SiCの高い降伏電界に関し、SiCトレンチ半導体装置のゲート誘電体の信頼性上の要求を満たすことは困難な課題である。それらの要件を満足することができるトレンチ半導体装置のニーズがある。これらの理由と他の理由のため、本発明が必要とされる。半導体装置の一実施形態によると、装置は炭化珪素半導体ボディを含む。トレンチが第1の表面において炭化珪素半導体ボディ内に延び、ゲート誘電体とゲート電極がトレンチ内に形成される。第1の導電型のボディ領域は、トレンチの側壁に接し、ボディ領域より高い最高ドーパント濃度を含むボデイコンタクト領域を介しコンタクトに電気的に接続される。第1の導電型の拡張領域がボディ領域を介しコンタクトに電気的に接続され、第1の表面に垂直な垂直方向に沿った拡張領域の最高ドーパント濃度は、垂直方向に沿ったボディ領域の最高ドーパント濃度より高い。第1の表面と拡張領域の底面との間の距離は第1の表面とトレンチの底面との間の距離より大きい。半導体装置の別の実施形態によると、半導体装置は炭化珪素半導体ボディを含む。トレンチが第1の表面において炭化珪素半導体ボディ内に延びる。ゲート誘電体、ゲート電極、および導電性領域はトレンチ内に形成され、導電性領域はゲート電極から電気的に絶縁される。第1の導電型のボディ領域は、トレンチの底面と側壁の一部とに接し、トレンチの底面を介し導電性領域に電気的に接続される。第2の導電型のソース領域はトレンチの底面に接し、トレンチの底面を介し導電性領域に電気的に接続される。第1の導電型の拡張領域は第1の表面に形成される。装置はさらに第2の導電型のドリフト領域を含み、ドリフト領域の一部は拡張領域とボディ領域との間に配置され、トレンチの側壁に接する。当業者は、以下の詳細な説明を読みかつ添付図面を見ることによりさらなる特徴と利点を理解することになる。添付図面は実施形態をさらに理解するために含まれており、本明細書に組み込まれその一部を構成する。図面は実施形態を例示し、説明と共に実施形態の原理を説明することに役立つ。他の実施形態、および実施形態の意図した利点の多くは、以下の詳細説明を参照することによりさらに良く理解されるので、容易に理解されるであろう。添付図面の構成要素同士は互いに対して必ずしも縮尺通りに記載されていない。同様な参照符号は、対応する同様な部分を示す。実施形態の特徴と利点は、添付図面を参照した以下の説明から明らかになる。図面は必ずしも縮尺通りに記載されておらず、原理を例示することに重点が置かれる。様々な例示実施形態の特徴は互いに排除しない限り任意のやり方で組み合わせられる。図1は、SiCトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタトレンチMOSFET100の一部を示す。トレンチMOSFET100は、例えば前側に第1の表面106と例えば裏側に第2の表面107とを有するSiC半導体ボディ105を含み、第2の表面107は第1の表面106に対向する。少なくとも1つのトレンチ110が第1の表面106において半導体ボディ105内に延びる。誘電体構造115がトレンチ110の底面と側壁を覆う。トレンチ110の側壁を覆う誘電体構造115の一部はSiCトレンチMOSFET100のゲート誘電体として機能する。一例として、誘電体構造は、トレンチ110の側壁にSiC材料を熱酸化することにより形成されたサーマルSiO2を含んでもよい。ゲート電極120はトレンチ110内の誘電体構造115に接する。ゲート電極120は、ドープ半導体材料例えば、p型ポリシリコン等のドープポリシリコン、およびNi、AgまたはW等の金属またはそれらの合金等の導電材料の1つまたはそれらの組み合わせにより形成されてよい。少なくとも1つのp型ボディ領域125が半導体ボディ105内に形成される。p型ボディ領域125は隣接トレンチ110の対向側壁126、127に接する。p型ボディ領域125の底面とゲート電極120の底面は、第1の表面106に垂直な垂直方向yに沿って同じレベルまたは互いに近接して配置される。他の実施形態によると、p型ボディ領域125の底面はまた、トレンチ110の底面の垂直レベルと異なる垂直レベルで配置されてもよい。但し、チャネル電流が要望どおりにチャネルを出てドリフト領域に入ることができる例えば、電流がチャネルを出てドリフト領域の入口領域に入るときドリフト領域のいずれの入口領域内にも許容できない電流閉塞constrictionが無いものとする。p型ボディ領域125はドーパントのイオン注入により形成されてよい。一例として、Nをn型のドーパントとして使用してもよく、Alおよび/またはBをp型のドーパントとして使用してもよい。p型ボディ領域125はまた、エピタキシャル成長例えば、SiC半導体ボディ105の一部の化学気相蒸着CVDエピタキシャル成長中にその場ドーピングin-situdopingにより形成されてもよい。CVDエピタキシャル成長の場合、N2をn型ドーピングの蒸着室内に導入してもよいし、トリメチルまたはトリエチルアルミニウムをp型ドーピングの蒸着室内に導入してもよい。P型ボディ領域125のドーピングはまた、例えばその場ドーピングとイオン注入とを組み合わせることにより実現されてもよい。第1の表面106にはn型ソース領域135が形成される。P型ボディ領域125と同様に、半導体ボディ105内にそれぞれのドーパントを導入するためにイオン注入および/またはその場ドーピングが使用されてもよい。n型ソース領域135は横方向xに沿ってトレンチ110の対向側壁126、127に接する。トレンチ110は並列ストライプとして配置されてもよい。しかしながら、多角形例えば、八辺形または円環を含むトレンチ幾何形状も同様に好ましい。n型ソース領域135とP型ボディ領域125はコンタクト140に電気的に接続される。図1に示す実施形態では、コンタクト140は、金属、合金、ドープ半導体、またはそれらの組み合わせ例えば、NiAl、TiAl等の導電材料を含むトレンチコンタクトである。他の実施形態によると、コンタクト140はトレンチコンタクトとは異なってもよい。一例としてコンタクト140はまた、コンタクトプラグとして、あるいはn型ソース領域135上および第1の表面106のP型ボディ領域125上に配置されるコンタクト線として形成されてもよい。本明細書で使用されるように、用語電気的に接続は、構成要素同士が直接連結されなければならないことを意味するようには意図されず、電気的に接続された構成要素間に介在構成要素が設けられてもよい。一例として、P型ボディ領域125はコンタクト140の底部のP型コンタクト領域145を介しコンタクト140に電気的に接続されてもよい。P型コンタクト領域145は、コンタクト140へのオーム接触を改善するまたは容易にするためにP型ボディ領域125より高い濃度のドーパントを含む。P型拡張領域150がP型ボディ領域125の下に配置され、P型ボディ領域125とP型コンタクト領域145を介しコンタクト140に電気的に接続される。P型拡張領域150の側面と底面はn型ドリフト領域130に接する。P型拡張領域150の上面はP型ボディ領域125に接する。P型ボディ領域125とP型拡張領域150との間の界面領域には、これらの領域の重なり注入プロフィールのためにP型ボディ領域125とP型拡張領域150の両方のドーパントが存在し得る。垂直方向yに沿ったP型拡張領域150の最高ドーパント濃度は、この方向に沿ったP型ボディ領域125の最高ドーパント濃度より高い。この関係に関しては、P型コンタクト領域145を画定するドーパントはP型ボディ領域125のドーパントと考えられない。P型ボディ領域125の下にP型拡張領域150を形成することにより、誘電体構造115内の最大電界を、ブロッキング動作モードにおけるP型拡張領域150とn型ドリフト領域130との間の空間電荷領域を介し電界遮蔽により低減することができる。こうして誘電体構造115すなわち、トレンチMOSFET100のゲート誘電体の信頼性を改善することができる。垂直チャネルはトレンチ110の側壁に沿って延びる。トレンチMOSFET100のオン状態では、電流は、垂直方向yに沿って半導体ボディ105の第1の表面106のn型ソース領域135から垂直チャネルとn型ドリフト領域130を介し第2の表面107のドレイン領域155へ流れる。図1に示すように垂直チャネル装置では、垂直チャネルに沿ったキャリヤの移動度は、P型ボディ領域125と誘電体構造115との間の優れた界面特性のために、横チャネル装置における移動度より高いと考えられる。これは、誘電体構造115が形成されるSiC表面の異なる結晶方位のためである。垂直チャネル装置の一実施形態によると、誘電体構造115は4H-SiCの[1,1,-2,0]面の表面上に形成される。垂直チャネル装置はまた、小さなセルピッチ例えば、横チャネル装置よりも小さなセルピッチを可能にする。P型ボディ領域125を介しP型拡張領域150をコンタクト140に電気的に接続することにより、ラッチアップ耐性を、限られた位置例えば、ストライプ形トレンチMOSFETの端、中央、および/または始めの部分にだけ拡張領域へのコンタクトを有する装置レイアウトと比較して、改善することができる。図1に示した垂直チャネルトレンチMOSFET100は、ゲート誘電体の信頼性と装置のオン抵抗に関し有利である。図1に示す実施形態によると、横方向xに沿ったP型拡張領域150の幅w1はP型ボディ領域125の幅w2より小さい。トレンチ110の側壁126とP型拡張領域150との間の横方向距離は0μm~1μm、具体的には0μm~500nmあるいはさらに0μm~200nmの範囲であってもよい。別の実施形態によると、垂直方向yに沿ったP型拡張領域150のドーパントのプロフィールのピークは、P型拡張領域150の上半分より半導体ボディ105内の深くに配置された同領域の下半分内に存在する。イオン注入によりP型拡張領域150を形成する際、ドーパントのドーズ量は1013cm-2~5×1014cm-2の範囲であってよい。さらに別の実施形態によると、P型拡張領域150の底面からトレンチ110の底面までの垂直距離は500nm~1000nmの範囲であり、横方向に沿ったトレンチの幅は1μm~2μmの範囲である。図2は、本発明の実施形態による図1に示すトレンチMOSFET100の線A-A’の垂直方向yに沿ったP型ボディ領域125とP型拡張領域150のドーパントプロフィールN1、N2を示す図である。N1で示す曲線は、領域125と150の両方がイオン注入により形成された場合のP型ボディ領域125とP型拡張領域150のドーパント濃度の和を指す。座標yiは、P型ボディ領域125とP型拡張領域150との間の界面を指す。P型拡張領域150のドーパントのプロフィールは、ピークすなわち最高ドーパント濃度が、n型ドリフト領域130に接する底面またはその近くすなわち、A’にまたはその近くにも、yiすなわち、P型拡張領域150とP型ボディ領域125との間の界面におけるP型拡張領域の上面にも位置しないことを意味する逆行プロフィールretrogradeprofileである。P型拡張領域150のドーパントの逆行プロフィールは、注入ドーズ量、注入エネルギー等の適切な注入パラメータを選択することにより実現されてよい。逆行プロフィールとは別に、P型拡張領域150はまた、異なるタイプのプロフィールを含んでよい。N1で示すドーパントのプロフィールと同様に、N2で示すドーパントのプロフィールもまたP型拡張領域150内に逆行プロフィールを含む。N1で示すプロフィールと異なり、プロフィールN2は、P型ボディ領域125内に一定またはほぼ一定のドーパント濃度を含む。プロフィールN2を含むP型ボディ領域125は例えば、この領域のエピタキシャル成長中にその場ドーピングにより形成されてもよい。逆行プロフィールとは別に、P型ボディ領域125はまた、異なるタイプのプロフィールを含んでもよい。図3は、別の実施形態によるSiCトレンチMOSFET101の一部を示す。トレンチMOSFET101は、図3の150’で示すP型拡張領域の設計を除き、図1に示すトレンチMOSFET100と似ている。P型拡張領域150’は上部151と下部152を含む。上部151の横幅w11は下部152の横幅w12より小さい。一実施形態によると、下部152内の最高ドーパント濃度は上部151内の最高ドーパント濃度より高い。P型拡張領域150’の上部151の幅を狭くすることによって、電流がチャネルから出てドリフト領域130の入口領域に入る際にドリフト領域130の入口領域における電流の閉塞を妨げることを可能にし、一方下部152は、トレンチMOSFET101のブロッキング動作モード中にn型ドリフト領域130とP型拡張領域150’との間の空間電荷領域を介し高電界から誘電体構造115を遮蔽することを可能にする。図4は、本発明の一実施形態による図3に示すトレンチMOSFET101の線A-A’の垂直方向yに沿ったP型ボディ領域125とP型拡張領域150’のドーパントプロフィールN3を示す図である。N3で示す曲線は、領域125と150’の両方がイオン注入により形成された場合のP型ボディ領域125とP型拡張領域150’のドーパント濃度の和を指す。座標yiは、P型ボディ領域125とP型拡張領域150’の上部151との界面を指す。P型拡張領域150’の両方の部分すなわち上部151、下部152内のドーパントのプロフィールは逆行プロフィールである。下部152内のプロフィールN3のピーク高さは上部151内のN3のピーク高さより高い。上部151と下部152のドーパントの逆行プロフィールは、注入ドーズ量、注入エネルギー等の適切な注入パラメータを選択することにより実現されてよい。下部152内に最も高いピークを含むP型拡張領域150’の逆行プロフィールはアバランシェ降伏を半導体ボディの深部に移動できるが、異なる注入プロフィールすなわち、非逆行プロフィールを使用してもよい。図5は、さらに別の実施形態によるSiCトレンチMOSFET102の一部の断面図を示す。トレンチMOSFET102は図3に示すトレンチMOSFET101と似ているが、さらにトレンチ110の底面に接するn型電流拡散領域160を含む。n型電流拡散領域160内の最大ドーパント濃度はn型ドリフト領域130の最大ドーパント濃度より高い。一例として、電流拡散領域160は3×1012cm-2~8×1012cm-2のドーパントドーズ量を使用するイオン注入により形成されてもよい。電流拡散領域160の形成は、トレンチ110の底面に位置するチャネル端のチャネルからドリフト領域130に入る電流を拡散することによりトレンチMOSFET102のオン抵抗を改善できるようにする。図6は、さらに別の実施形態によるSiCトレンチMOSFET103の一部を示す。図1に示すトレンチMOSFET100と同様に、トレンチMOSFET103は、SiC半導体ボディ105、半導体ボディ105の第1の表面106から半導体ボディ105内に延びる少なくとも1つのトレンチ110、および第1の表面106と対向する第2の表面107のドレイン領域155を含む。図1、3、5に示すトレンチMOSFET100、101、102と異なり、トレンチMOSFET103は、トレンチ110の底面と側壁の一部とに接するP型ボディ領域125’を含む。トレンチMOSFET103のチャンネル領域は、P型ボディ領域125’がトレンチ110に接する側壁の部分に位置する。P型ボディ領域125’は、コンタクト140’の底面に接するP型コンタクト領域145’を介しトレンチ110内のコンタクト140’に電気的に接続される。ソース領域135’はトレンチ110の底面に接し、ソース領域135’の上面の一部はコンタクト140’の底面に接触し、したがってコンタクト140’に電気的に接続される。トレンチ110内のコンタクト140’は、誘電体構造115’によりゲート電極120’の第1の部分121とゲート電極120’の第2の部分122から電気的に絶縁される。トレンチ110の側壁においてP型ボディ領域125’に接する誘電体構造115’の部分はトレンチMOSFET103のゲート誘電体として機能する。P型拡張領域150は、例えば第1の表面106を介しイオンを注入することにより第1の表面に形成される。P型拡張領域内の最高ドーパント濃度はP型ボディ領域125’内の最高ドーパント濃度より高い。この関係に関して、P型コンタクト領域145’を画定するドーパントはP型ボディ領域125’のドーパントと考えられない。一例として、P型拡張領域のドーズ量は1×1013cm-2~5×1014cm-2の範囲であってよい。P型拡張領域150は、その上面のコンタクト142に電気的に接続され、例えばP型ボディ領域125’に短絡されてもよい。P型拡張領域150の底面とP型ボディ領域125’の上面との間に、n型ドリフト領域130の一部が配置される。ドリフト領域のこの部分では、ソース領域135’から第1の表面106の方向に垂直チャネルに沿って流れる電流は、反対垂直方向ドリフト領域130を通って第2の表面107のドレイン領域155への方向に流れる電流に向きを変えられる。トレンチMOSFET103では、ブロッキング動作モードにおける高電界は、トレンチ110の底部のP型ボディ領域125’と第1の表面106の拡張領域150とにより誘電体構造115’から遮蔽される。トレンチMOSFET103はゲート誘電体の信頼性を向上させる。下、下方、下部、上上部等の空間的相対用語は、1つの構成要素の第2の構成要素に対する位置の説明を簡単にするために使用される。これらの用語は、図面に図示したものとは異なる向きに加え、装置の様々な向きを包含するように意図されている。さらに、第1、第2等の用語はまた様々な素子、領域、部分等を説明するために使用され、制限することを意図していない。同様の用語は本明細書を通して同様の構成要素を指す。上に例示した実施形態では、半導体領域はn型またはP型で示された。他の実施形態によると、これらの領域の導電型は逆であってもよい。本明細書で使用されるように、用語電気的に接続は構成要素同士が直接連結されなければならないことを意味するようには意図されず、電気的に接続された構成要素間に介在構成要素が設けられてもよい。本明細書に記載の様々な実施形態の特徴は、特に明記しない限り互いに組み合わせられ得るということを理解すべきである。本明細書では特定の実施形態が例示され説明されたが、様々な代替のおよび/または等価な実施形態が本発明の範囲から逸脱することなく、上に示され説明された特定の実施形態を置換し得るということを当業者は理解することになる。本出願は、本明細書で検討された特定の実施形態のあらゆる適合または変形を網羅するように意図されている。したがって本発明は特許請求の範囲とその等価物だけにより制限されるように意図されている。"