絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および上記絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、上記表面電極パターンの、上記絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および上記半導体素子基板を覆う第一の封止樹脂と、を備えた半導体装置において、上記半導体素子が接合されている位置の上記表面電極パターンの電位と同電位となる上記表面電極パターンの位置に、導電体の中継端子と、この中継端子と上記表面電極パターンとを絶縁する絶縁部材とで形成された絶縁端子台を設け、上記半導体素子から外部への配線を、上記中継端子を介して引き出す構成としたことを特徴とする半導体装置。上記絶縁部材の線膨張率と上記第一の封止樹脂の線膨張率との差が15ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。上記半導体素子基板の上記半導体素子が固着された側であって上記半導体素子基板の周辺部分に、上記半導体素子基板の周囲を囲むように設けられた上記半導体素子の高さよりも高い樹脂製の区画壁を備えるとともに、第一の封止樹脂が上記区画壁の内側を満たし、上記区画壁の樹脂の弾性率は上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。上記第一の封止樹脂および上記区画壁を覆う、上記第一の封止樹脂の弾性率よりも小さい弾性率を有する第二の封止樹脂を備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。上記区画壁の樹脂の弾性率が30kPaから3GPaの範囲であり、上記第一の封止樹脂の弾性率が1GPaから20GPaの範囲であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の半導体装置。上記半導体素子がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の半導体装置。上記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイアモンドの半導体であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示されている方法では、半導体素子がSiCなどワイドバンドギャップ半導体素子になって、これまで以上に高温で動作したり、これに対応してヒートサイクル試験の温度が高温になったりすると、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりして、半導体装置の信頼性を著しく損ねる課題があった。この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。この発明は、絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および半導体素子基板を覆う封止樹脂と、を備えた半導体装置において、半導体素子が接合されている位置の表面電極パターンの電位と同電位となる表面電極パターンの位置に、導電体の中継端子と、この中継端子と表面電極パターンとを絶縁する絶縁部材とで形成された絶縁端子台を設け、半導体素子から外部への配線を、中継端子を介して引き出すようにしたものである。この発明に係る半導体装置は上記のように構成されているため、高温動作に際して、封止樹脂と表面電極パターンや絶縁基板の間に剥離が発生したり、封止樹脂に亀裂が生じたりし難く、高温動作による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置の基本構造を示す断面図、図2はケース側板、ベース板などを省略し、封止樹脂を取り除いて示す斜視図である。図1は図2のA-A線を含んで半導体素子基板に垂直な面で切断した断面図である。絶縁基板1の上面に表面電極パターン2、裏面に裏面電極パターン3が貼られた半導体素子基板4の表面電極パターン2の表面に半導体素子5、6がはんだなどの接合材7で固着されている。ここで、例えば半導体素子5は大電流を制御するMOSFETのような電力用半導体素子であり、半導体素子6は例えば電力用半導体素子5に並列に設けられる還流用のダイオードである。半導体素子基板4は裏面電極パターン3側がベース板10にはんだなどの接合材70で固着されており、このベース板10が底板となり、ベース板10とケース側板11とでケースが形成され、このケース内に第一の封止樹脂12を注入してモールドする。各半導体素子には各半導体素子の電極などを外部に電気接続するための配線13が接続され、配線15が端子14に接続されている。端子14を介して半導体装置の外部と電気接続が行われる。半導体素子5から端子14への接続は、半導体素子5のチップ上はスペースの関係から細線ワイヤにより配線する必要があり、端子14への配線は強度が必要なため太線ワイヤにより配線する必要がある。このため、配線を中継する端子台が必要となる。本発明では、配線を中継する端子台を、表面電極パターン2上に設けている。ここで、端子台は、配線が接続される中継端子82が表面電極パターン2と絶縁されるように構成された絶縁端子台8としている。絶縁端子台8は、少なくとも配線を中継するための中継端子82となる導電体と、この導電体を表面電極パターン2から絶縁するための絶縁部材81とで構成される。絶縁端子台8の構造は、半導体素子基板4上の表面電極パターン2と、配線が接続される中継端子82が絶縁される構造であれば形状は特に限定されない。また、絶縁端子台8は、半導体素子が接合されている位置の表面電極パターンの電位と同電位となる表面電極パターンの位置に設けている。中継端子82となる導電体は、必要な電気特性を満たしていれば良く、例えば銅やアルミ、鉄等を用いることが出来る。また、絶縁部材81の材料としては、例えばエポキシ樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、所望の耐熱性と接着性を有している樹脂であれば用いることが出来る。例えばエポキシ樹脂の他に、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、等が好適に用いられる。また、耐熱性熱膨張率の調整のために、セラミック粉を分散させた樹脂硬化物なども用いることが出来る。使用するセラミック粉は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などが用いられるが、これに限定するものではなく、ダイアモンド、SiC、B2O3、などを用いても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。絶縁端子台8は、例えば、絶縁材料で形成される絶縁部材81の表面に、中継端子82となる銅箔が形成されている。また、絶縁部材81の表面電極パターン2側の面は、この表面電極パターン2にはんだなどで固着するための固着用銅箔83が形成されている。絶縁端子台8の表面電極パターン2への固着は、はんだではなく、絶縁性接着剤によっても良く、この場合は、必ずしも固着用銅箔83を設ける必要はない。中継端子82は、絶縁部材81上にエッチングにより島状にパターンを形成して設けることもできる。それぞれの島が別々の中継端子となり、別々の配線を中継する端子となる。本発明は、本実施の形態1のみならず他の実施の形態においても、電力用半導体素子として、150°C以上の高温で動作する半導体素子に適用すると効果が大きい。特に、炭化珪素SiC、窒化ガリウムGaN系材料またはダイアモンドといった材料で形成された、珪素Siに比べてバンドギャップが大きい、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に適用すると効果が大きい。また、図2では、一つのモールドされた半導体装置に半導体素子が2個しか搭載されていないが、これに限定するものではなく、使用される用途に応じて必要な個数の半導体素子を搭載することができる。表面電極パターン2、裏面電極パターン3、ベース板10および端子14は、通常銅を用いるが、これに限定するものではなく、アルミや鉄を用いても良く、これらを複合した材料を用いても良い。また表面は、通常、ニッケルメッキを行うが、これに限定するものではなく、金や錫メッキを行っても良く、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる構造であれば構わない。また、銅インバー銅などの複合材料を用いても良く、SiCAl、CuMoなどの合金を用いても良い。また、端子14及び表面電極パターン2は、第一の封止樹脂12に埋設されるため、樹脂との密着性を向上させるため表面に微小な凹凸を設けても良く、化学的に結合するようにシランカップリング剤などで接着補助層を設けても良い。半導体素子基板4は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などのセラミックの絶縁基板1に銅やアルミの表面電極パターン2および裏面電極パターン3を設けてあるものを指す。半導体素子基板4は、放熱性と絶縁性を備えることが必要であり、上記に限らず、セラミック粉を分散させた樹脂硬化物、あるいはセラミック板を埋め込んだ樹脂硬化物のような絶縁基板1に表面電極パターン2および裏面電極パターン3を設けたものでも良い。また、絶縁基板1に使用するセラミック粉は、Al2O3、SiO2、AlN、BN、Si3N4などが用いられるが、これに限定するものではなく、ダイアモンド、SiC、B2O3、などを用いても良い。また、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を用いても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な放熱性と絶縁性が得られる量が充填されていれば良い。絶縁基板1に用いる樹脂は、通常エポキシ樹脂が用いられるが、これに限定するものではなく、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などを用いても良く、絶縁性と接着性を兼ね備えた材料であれば構わない。配線13、配線15は、アルミまたは金でできた断面が円形の線体以下、ワイヤと称する。を用いるが、これに限定するものではなく、例えば断面が方形の銅板を帯状にしたものリボンとも称する。を用いても良い。また半導体素子の電流密度などにより、必要な本数を設けることができる。あるいは、配線13は、銅や錫などの金属片を溶融金属で接合しても良く、必要な電流と電圧を半導体素子に供給できる構造であれば構わない。配線13、配線15の配線形状や配線径は、電流量配線長電極パッド面積により適宜自由に選択して用いることができる。例えば電流量が大きい場合や配線長が長い場合は径の太い配線、例えば直径400μmのワイヤやリボンボンド等を用いることができる。また、SiC半導体素子はコスト面で小面積化が図られており、電極パッド面積が小さい場合が多く、この場合は径の細い配線、例えば直径150μmのワイヤ等を用いることができる。従来の半導体装置では、例えば特許文献1の図1に示されているように、本願の表面電極パターンに相当する導電パターンを、半導体素子を固定するダイパッドと、配線を中継するためのセカンドパッドに分けて形成する。ダイパッドとセカンドパッドは絶縁されており、ダイパッドとセカンドパッドとの間は、回路用基板が露出している。これら回路用基板、導電パターンや半導体素子を封止樹脂で封止しているが、封止樹脂材料と回路用基板材料の熱膨張率に大きな差があるため、高温動作が繰り返されると、この回路用基板が露出している部分で封止樹脂と回路用基板の間にクラックが入ったり、剥離が生じたりすることがあった。この部分でクラックや剥離が発生すると、ダイパッドとセカンドパッドの間に高電圧が印加されるため、絶縁破壊が生じることがあった。一方、本発明の実施の形態1による半導体装置では、表面電極パターン2は少なくとも半導体素子が接合されている部分と絶縁端子台が固着されている部分では同電位となっており、また絶縁端子台8と半導体素子5の間で絶縁基板1が露出していないため、この部分で封止樹脂12にクラックや剥離が発生する恐れがなく、絶縁破壊が生じ難い。よって、信頼性の高い半導体装置が提供できる。実施の形態2.実施の形態2では、絶縁端子台8の構造や製造方法を説明する。絶縁端子台8の詳細構造の例を図3に示す。図3Aは絶縁端子台8の上面図、図3Bは側面図、図3Cは下面図である。絶縁部材81の上面に中継端子82である導電体が形成されており、下面に固着用銅箔83が形成されている。図3では、中継端子82が島状のパターンとして2個設けられており、それぞれの中継端子82が別々の配線の中継端子となる。ここで、図3に示す絶縁端子台8の製造方法の一例を説明する。絶縁部材81となる絶縁性樹脂の両面に導電体を張り合わせたシート状部材を形成し、このシート上の導電体に写真製版を用いて中継端子82となる必要なパターンを形成する。その後、所望のサイズで切り出して絶縁端子台8とする。シート状部材は、例えば絶縁性樹脂として半硬化エポキシシートを用い、この両面に銅箔をプレス成形にて張り合わせ、両面銅貼りシートを作製することが出来る。銅箔の厚さは、必要な電気特性が得られれば特に限定はされないが、好ましくは1~2000μm、さらに好ましくは20~400μmのものが用いられる。銅箔が薄すぎると配線を接合するためのワイヤボンド時に、銅箔とワイヤの接合部で銅箔が裂損することがあり、厚すぎると中継端子のパターン形成時のエッチングに時間が掛かり、著しく生産性が低下する。絶縁部材81の厚さは、必要な絶縁特性が得られれば特に限定されないが、好ましくは1~5000μm、さらに好ましくは50~2000μmで調整される。樹脂厚が薄いと必要な絶縁特性を得ることが出来ず、樹脂厚が厚いとワイヤボンド時の取り回しに難が生じたり、所望サイズでの切り出しが困難になったりする。また、シート状部材は一般的なガラスエポキシ基板を流用することもできる。中継端子82のパターンは、感光性の組成物フォトレジストを塗布して、パターン露光、現像により、中継端子82となる導電体の必要な部分のみを残すことで形成される。なお、中継端子にパターンが必要ない場合、すなわち中継端子が一つだけの場合はこの工程は省略できる。絶縁端子台の切り出しは、レーザカットやルータ加工等の一般的な個片化の手法を用いて行うことが出来る。絶縁端子台のサイズは搭載する半導体素子基板のサイズによって適宜選択することができる。また、ワイヤボンドで配線接続する場合、用いるワイヤ径、ワイヤボンダーの打ち下ろし位置精度等の制約によっても形状が規定される。絶縁端子台の寸法は、例えば、タテ5mm、ヨコ25mm、高さ1mmといった寸法のものが用いられる。上記以外の絶縁端子台の製造方法として、例えば、絶縁性樹脂の片面に銅箔を張り合わせ、所望の中継端子のパターンをエッチングにて形成して絶縁端子台を作製することも出来る。この絶縁端子台の場合、絶縁端子台の半導体素子基板への固定方法は、エポキシ樹脂等の絶縁性接着剤によって半導体素子基板の任意の位置に固着する方法、絶縁性樹脂の軟化点以上に加熱して任意の位置に押し付け、その後冷却することで固着させる方法、などが好適である。また、例えば後述の実施の形態4で説明するように、中継端子を導電性物質のブロックで構成し、絶縁部材として絶縁性接着剤を用いて導電性物質のブロックを表面電極パターンに固着する構造でも良い。導電性物質として、銅、鉄やアルミ等、またそれらの複合物質を用いることができる。ブロックの形状は用いる半導体装置に応じて任意に調整することができる。導電性物質で構成された中継端子を用いた場合は、半導体素子基板の表面電極パターンとの絶縁を確保するため、エポキシ樹脂等の絶縁性接着剤を用いる。なお、絶縁端子台の中継端子と表面電極パターンを絶縁する絶縁部材は、第一の封止樹脂と、線膨張率を合わせることが望ましい。絶縁部材と第一の封止樹脂の線膨張率が大きく異なると、半導体素子の動作の繰り返し、すなわちヒートサイクルが生じた場合に、絶縁部材と第一の封止樹脂の界面で剥離が生じる恐れがある。このため、絶縁部材の線膨張率と第一の封止樹脂の線膨張率との差が15ppm以下であることが望ましい。実施の形態3.図4は、本発明の実施の形態3による半導体装置の基本構造を示す断面図、図5は封止樹脂、配線、および端子を取り除いて示す本発明の実施の形態3による半導体装置の基本構造の上面図である。図4および図5において、図1および図2と同一符号は、同一または相当する部分を示す。図4は図5のA-A位置に相当する位置で切断した断面図であり、封止樹脂、配線および端子を含めて示している。図4および図5に示すように、本実施の形態2では、半導体素子基板4の周辺を囲むように、樹脂製の区画壁9を設けた。この区画壁9で区切られた内部を第一の封止樹脂120で覆っている。また第一の封止樹脂120および区画壁9の外部は、第二の封止樹脂121で覆っている。区画壁9には、例えばシリコーン樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、ウレタン樹脂やアクリル樹脂なども用いる事ができる。また、Al2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いることもできるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。ただし、区画壁9の弾性率は、第一の封止樹脂120の弾性率よりも小さくなければならない。半導体素子が高温で動作すると、半導体素子の周囲にある第一の封止樹脂120や半導体素子基板4が熱膨張し、半導体素子が動作を止めると、熱収縮が起こる。すなわちヒートサイクルが生じる。第一の封止樹脂120は、半導体素子基板4の材料のうち表面電極パターン2や裏面電極パターン3の材料例えば銅の線膨張係数に近い線膨張係数となるように調整されているため、絶縁基板1とは線膨張係数が異なる。従来の半導体装置では、半導体素子基板の表面電極パターン2や裏面電極パターン3が形成されていない部分は、封止樹脂と絶縁基板が直接接しているため、ヒートサイクルを繰り返すうちに、両者の線膨張係数の違いにより、封止樹脂と絶縁基板との接触部分で、封止樹脂の剥離や亀裂が発生し、半導体装置の信頼性を著しく低下させていた。しかしながら、図4および図5に示す本発明の実施の形態3による半導体装置では、第一の封止樹脂120で覆う前の半導体素子基板4単体において絶縁基板1が露出している周辺部分に、第一の封止樹脂120よりも弾性率が低い樹脂の区画壁9を設けた。このため、ヒートサイクルが生じた場合、第一の封止樹脂120よりも低弾性、すなわち軟らかい区画壁9の部分で、膨張係数の違いにより発生する応力が緩和され、第一の封止樹脂120の剥離や亀裂が生じ難くなり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。さらに、配線に銅板配線130を用いた例を図6に示す。図6において、図1および図4と同一符号は、同一または相当する部分を示す。銅板配線130の表面は、防錆のためにニッケル鍍金を用いてもよく、防錆剤などの化学的処理を行っても良い。また、各封止樹脂との密着性を高めるために、表面に凹凸を設けても良く、シランカップリング剤などの化学的処理を行っても良い。ここでは、配線として銅板を用いた例を示したが、端子14と電気的に接続することができ、半導体素子5や半導体素子6とも電気的に接続することができ、必要な電流容量を確保できる材料であれば、銅以外の金属を用いても良い事は言うまでも無い。区画壁9の高さは、第一の封止樹脂120が半導体素子5や半導体素子6を覆うように、半導体素子5や半導体素子6の高さ以上であり、半導体装置のケース側板11の高さを超えない高さであれば構わない。また、第一の封止樹脂120の表面張力を利用して、区画壁9の高さ以上に第一の封止樹脂120を液盛りした状態で半導体素子が完全に封止する方法をとることもできる。また、区画壁9の幅は、絶縁基板1の大きさが100mm×100mm以下のサイズが多い事から、1~2mm程度が良いが、これに限定するものではなく、第一の封止樹脂120を区画するのに必要な幅であれば構わない。第二の封止樹脂121には、例えばシリコーン樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、ウレタン樹脂やアクリル樹脂なども用いる事ができる。また、Al2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いることもできるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量であれば良い。本実施の形態3では、半導体素子基板4の周辺部分に区画壁9を設けて、区画壁9の内部を第一の封止樹脂120で覆い、区画壁9および第一の封止樹脂120を覆うように第二の封止樹脂121を設けた。区画壁9や第二の封止樹脂121を、第一の封止樹脂120よりも弾性率が低い材料で構成している。封止樹脂が硬化収縮やヒートサイクル時の熱応力を発生する際も、弾性率の低い区画壁9で応力緩和するため、半導体素子基板4への応力負荷が小さくなる。また、半導体素子基板4の外部を弾性率の低い第二の封止樹脂121で封止することで、第一の封止樹脂120と同等の弾性率の樹脂で封止するよりも、ベース板や半導体素子基板に発生する応力負荷が小さくなる。この結果、第一の封止樹脂120が半導体素子基板4から剥離したり亀裂が生じたりするのを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。実施の形態4.図7は、本発明の実施の形態4による半導体装置の構造を示す断面図である。図7において、図1、図4および図6と同一符号は、同一または相当する部分を示す。図7に示すように、本実施の形態4では、中継端子84に銅ブロックを用いて絶縁端子台8を構成している。銅ブロックの中継端子84は、第一の封止樹脂120から露出した構造となっており、半導体素子基板4へはエポキシ樹脂等の絶縁性接着剤85によって固着されている。絶縁性接着剤85は絶縁端子8の絶縁部材を構成しており、所望の電気的絶縁と耐熱性、密着性を有していれば良く、特に限定されない。この構造であれば、中継端子84を介して、表面電極パターン2の、区画壁9の外部となる部分から端子14などへ配線を接続することにより、モジュール内からモジュール外への電気接続を行うことで、第一の封止樹脂120と第二の封止樹脂121の界面を配線が通過することが無く、繰り返しヒートサイクルを受けても配線が断線しにくくなる。この時、中継端子84と、表面電極パターン2の上には、封止樹脂との密着性を向上させるために、表面に凹凸を設けても良く、またプライマー処理等の密着性向上剤を設けても良い。密着性向上剤は、例えばシランカップリング剤やポリイミド、エポキシ樹脂等が用いられるが、用いる配線15と、第一の封止樹脂120との密着性を向上させるものであれば特に限定されない。実施の形態5.図8は、本発明の実施の形態5による半導体装置の構造を示す断面図である。図8において、図1、図4、図6および図7と同一符号は、同一または相当する部分を示す。本実施の形態5では、中継端子82や表面電極パターン2といった第一の封止樹脂120に覆われた部分に配線を接続するためのソケット131を設けた。第一の封止樹脂120で覆った後に外部からソケット131に配線を差し込むことができるよう、ソケット131は、第一の封止樹脂120の表面に露出するように設けられている。通常、ソケットは、パイプ上の金属に金属状のピンを挿入することで両者の電気的な接続を行うが、この方法に限定するものではなく、第一の封止樹脂120に埋め込まれた部分と配線を電気的に繋げる構造であれば構わない。また、ソケット131の表面は、第一の封止樹脂120や第二の封止樹脂121との密着性を向上させるために表面に凹凸を設けても良く、シランカップリング剤などの化学的な処理を行っても良い。中継端子82や表面電極パターン2とソケット131の電気的な接続は、通常、はんだ材を用いて接続するがこれに限定するものではなく、銀ペーストや焼結により金属結合する材料を用いても良い。図8では、ソケット131への配線は銅板配線130を用いているが、通常の線状の配線を用いても良いのは言うまでもない。図8の破線で示した部分、すなわち区画壁9の内部に第一の封止樹脂120を注入して半導体素子5、6を封止したものをモジュール100として、このモジュール100をケース側板11内に複数個配置して一つの半導体装置とした構成の概念図を図9に示す。図9において、図8と同一符号は同一または相当する部分を示す。図9では、第二の封止樹脂121、端子14および配線130を取り除き、さらに一部は第一の封止樹脂120も取り除き半導体素子が見える状態を示す斜視図である。図9において、各モジュールの間に設けられているバー110は、各モジュールからの配線を橋渡しするための端子図9では取り除いて示している。を取り付けるための部材である。この構造では、第一の封止樹脂120で半導体素子5、6を封止した後、第二の封止樹脂121でモジュールを封止する前に、ソケット131から通電することにより各モジュール100の動作試験を行うことができる。動作試験において不良モジュールが判明した場合、不良モジュールについては、半導体素子基板4とベース板10の間の接合を取り除き、良品モジュールと置き換えることができるため、半導体装置の歩留まりの向上が図れる。実施の形態6.図10は、区画壁9を設けた本発明の半導体装置の製造方法を示す模式図である。区画壁9は、注射器に未硬化の樹脂を入れて、必要な箇所に押し出しながら描画したり、スクリーンマスクを用いて印刷を行ったりして作製できる。しかし、これらの方法では作製に時間がかかる。半導体素子基板の表面電極パターンと裏面電極パターンを、溝を設けた治具で挟み、その後に未硬化の樹脂を注入硬化すれば、溝の位置や形状を変えることで多様な区画壁を設けた基板を作製できる。まず、絶縁基板1の片面に表面電極パターン2、他方の面に裏面電極パターン3、が貼りつけられた半導体素子基板4を準備する図10A。また、テフロン登録商標で作製された上治具21と下治具22で構成される分割式の治具を準備する図10B。上治具21には樹脂を注入するための樹脂注入穴23が設けられている。下治具22の所定の位置に半導体素子基板4を置き、位置がずれない様に上治具22を用いて蓋をし、ねじ留めや油圧プレス等の方法を用いて、後に樹脂が注入された際に上下の治具から樹脂が漏れないよう十分締め付ける。上治具21および下治具22は、表面電極パターン2および裏面電極パターン3の表面に樹脂が流れないよう、十分な平面度をもって作製しておく。次に半導体素子基板4を内包した治具の内部を減圧チャンバー31等を用いて10torrまで減圧する。その後、図10Cの矢印で示すように未硬化の樹脂41を上治具21の樹脂注入穴23から約1MPaの押圧力で注入する。治具の空間部分の全部に樹脂が注入されたら、760torr大気に戻し、樹脂を熱硬化させる。例えば、樹脂にシリコーン樹脂である信越化学製KE1833を用いる場合は、120°Cで1時間の硬化を行う。熱硬化後は、治具を室温まで冷却してから、上下の治具を分割して、基板を取り出せば、区画壁9が成型された基板が作製できる図10D。この時、1か所の樹脂注入穴23から全ての空間部分に樹脂が注入されるよう、区画壁9を設ける箇所は、治具内部の空間で繋がっていなければならない。ここで、治具には、脱気用の穴を設けても良い。また、治具の壁面に、脱型性を向上させるために、離型剤を塗布しても良いことは言うまでもなく、治具の材質もテフロン登録商標以外の材料を用いて良い事はいうまでも無い。以上のように、本発明の実施の形態6による半導体装置の製造方法によれば、治具を使用しているので、同一形状の樹脂硬化物を精度良く形成できる。また、減圧下で圧力をかけて樹脂注入するため、低弾性樹脂である区画壁に気泡が入りにくいだけでなく、絶縁基板や銅パターンや裏面電極パターンとの密着性が向上し、ヒートサイクル時にも剥離しにくく、絶縁性も向上する。更に、電極パターンや裏面電極パターンを治具で挟み込んだため、樹脂硬化時の温度による表面酸化の影響が少なくなり、半導体素子やベース板を接合材で接合した時の信頼性が向上するという効果も奏する。実施の形態7.本実施の形態7では、試験用の半導体装置モジュールを、種々の材料を用いた区画壁や封止樹脂により作製し、パワーサイクル試験やヒートサイクル試験を行った結果を実施例として示す。実施例1.まず、本発明の実施の形態3による図4の構造の半導体装置、および図12に示す比較例の半導体装置を作製し、ヒートサイクル実施前後でPDIVPDInceptionVoltage:部分放電開始電圧測定を実施した。比較例の半導体装置は、図12に示すような、従来技術に相当する構造の半導体装置である。図12は、図2と同様、ケース側板、ベース板などを省略し、封止樹脂を取り除いて示している。比較例の図12に示す半導体装置は、絶縁端子台を用いず、表面電極パターン2とは電気的に絶縁され、絶縁基板1上に表面電極パターン2と同様に形成された中継端子パターン21により配線を中継する構造となっている。ヒートサイクル試験は、半導体装置全体を、温度制御が可能な恒温曹に入れ、恒温曹の温度を-40°C~150°Cの間で繰り返し変化させて実施した。PDIVは、部分放電試験機を使用して測定した。電極パターン間に電極を繋ぎ、不活性液体中25°Cにて、交流周波数60Hzで昇圧し、10pC以上の部分放電が発生した時の電圧を読み取った。n=5で実施し、その平均値で評価した。結果を図11に示す。本発明の図4の構造の半導体装置、および比較例の半導体装置共に初期状態では優れた絶縁特性を有しているが、ヒートサイクル実施後は比較例に比べ、図4の構造の半導体装置の部分放電電圧は十分に優れていることがわかった。以下の実施例2~実施例5では、絶縁端子台と半導体素子を図4または図7に示すような構成で半導体素子基板に設置し、配線にて各実装品を接続した半導体装置を作製し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を実施した結果を説明する。パワーサイクル試験は、半導体素子の温度が200°Cになるまで通電し、その温度に達したら通電を止め、半導体素子の温度が120°Cになるまで冷却し、冷却された後に再び通電した。またヒートサイクル試験は、半導体装置全体を、温度制御が可能な恒温曹に入れ、恒温曹の温度を-40°C~150°Cの間で繰り返し変化させて実施した。実施例2.本実施例2では、図4の構造で、種々の弾性率の区画壁9の半導体装置を作製し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を実施した。図13には、第一の封止樹脂120に弾性率が70GPaのサンユレック製EX550を用い、第二の封止樹脂121として東レダウコーニング社製SE1885弾性率15kPaを用いて区画壁9の弾性率を変えたときのパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。絶縁端子台8には、絶縁部材81として住友ベークライト製EI6782GHを用い、105ミクロンの銅箔83を絶縁部材81の片面に貼り付け、所望のサイズに加工し、中継端子82のパターンをエッチングにより形成したものを用い、サンユレック製EX550を用いて半導体素子基板へ固定した。半導体装置には、ベース板10のサイズが50×92×3mm、AlNを用いた絶縁基板1のサイズが232×234×112mm、SiCを用いた半導体素子のサイズが5×5×035mm、接合材には千住金属製M731、ポリフェニレンサルファイドPPSを用いたケース、直径が04mmのアルミを用いた配線を使用した。また、本試験では、モジュール内部にSiC半導体素子を1個のみ搭載し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を行った。図13の例2-1について説明する。東レダウコーニング製SE1885弾性率15kPaを用いて区画壁9を作製した場合、パワーサイクル試験では、110000サイクル後に第一の封止樹脂120に剥離が発生し、ヒートサイクル試験でも200サイクル後に第一の封止樹脂120の剥離と亀裂が発生して半導体装置が動作しなくなることがわかった。例2-2では、東レダウコーニング製SE1886弾性率30kPaを用いて区画壁9を作製した結果、パワーサイクル試験は200000サイクルまで改善され、ヒートサイクル試験でも800サイクルまで改善することが判明した。例2-3では、信越化学製KE1833弾性率35MPaを用いて、区画壁9を作製した結果、パワーサイクル試験は210000サイクルまで改善され、ヒートサイクル試験でも1200サイクル以上半導体装置の特性が維持されることが判明した。例2-4では、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約50wt添加し、弾性率を900MPaに調整し、区画壁9を作製した結果、パワーサイクル試験は200000サイクル、ヒートサイクル試験でも1200サイクル以上半導体装置の特性が維持されることがわかった。例2-5では、信越化学製SCR1016を用いて区画壁9を作製した結果、パワーサイクル試験は180000サイクルに低下し、ヒートサイクル試験も500サイクルに低下することが判明した。例2-6では、信越化学製SCR1016にガラスフィラーを約54wt添加し、弾性率を3000MPaに調整し、区画壁9を作製した結果、パワーサイクル試験は120000サイクルに低下し、ヒートサイクル試験も250サイクルに低下することがわかった。以上の結果より、区画壁9の弾性率Nは、30kPa以上3GPa未満の範囲が適切であることがわかった。実施例3.本実施例3では、図4の構造で、種々の弾性率の第一の封止樹脂120の半導体装置を作製し、パワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を実施した。図14に、区画壁9に信越化学製KE1833弾性率35MPaを用い、第二の封止樹脂として、東レダウコーニング製SE1885弾性率15kPaを用いて、第一の封止樹脂の弾性率を変えたときのパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。ここで、絶縁端子台には、105ミクロンの銅箔を住友ベークライト製EI6782GHの片面に貼り付け、所望のサイズに加工し、中継端子パターンをエッチングにより形成したものを用い、サンユレック製EX550を用いて半導体素子基板へ固定した。図14の例3-1について説明する。第一の封止樹脂として、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約50wt添加し、弾性率を09GPaに調整した樹脂を用いた結果、パワーサイクル試験では、100000サイクル後に封止樹脂に剥離が発生し、ヒートサイクル試験でも100サイクル後に封止樹脂の剥離と亀裂が発生して半導体装置が動作しなくなることがわかった。例3-2では、第一の封止樹脂として、信越化学製KER4000にガラスフィラーを約58wt添加し、弾性率を1GPaに調整した樹脂を用いた結果、パワーサイクル試験では、170000サイクル、ヒートサイクル試験では、350サイクルまで改善することがわかった。例3-3では、サンユレック製EX550弾性率70GPaを第一の封止樹脂に用いた結果、パワーサイクル試験では、210000サイクル、ヒートサイクル試験では、1200サイクル以上まで改善することがわかった。例3-4では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを15wt添加し、弾性率を12GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、170000サイクル、ヒートサイクル試験では、700サイクルになることがわかった。例3-5では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを20wt添加し、弾性率を14GPに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、140000サイクル、ヒートサイクル試験では、500サイクルになることがわかった。例3-6では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを36wt添加し、弾性率を20GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、110000サイクル、ヒートサイクル試験では、450サイクルになることがわかった。例3-7では、サンユレック製EX550にシリカフィラーを40wt添加し、弾性率を22GPaに調整した封止樹脂を使用した結果、パワーサイクル試験では、100000サイクル、ヒートサイクル試験では、200サイクルになることがわかった。この結果より、第一の封止樹脂の弾性率Mは、1GPa以上20GPa以下の範囲が適切であることが判明した。実施例4.本実施例4では、図7の構造、すなわち区画壁9を設け、絶縁端子台8の中継端子として銅ブロックを所定のサイズに加工し、サンユレック製EX550を用いて半導体素子基板へ固定した構造におけるパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験を実施した。図15に、区画壁9に信越化学製KE1833弾性率35MPaを用い、第二の封止樹脂121として東レダウコーニング製SE1885弾性率15kPaを用いて、第一の封止樹脂120の弾性率を変えたときのパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。例4-1~例4-7で用いた第一の封止樹脂は、それぞれ例3-1~例3-7と同様である。表3の例4-1~例4-7に示す試験結果からわかるように、この構造では、実施例3に比較して、高弾性率側のサイクル数に変化がみられるが、第一の封止樹脂の弾性率の範囲については実施例3と同様の結果が得られた。すなわち、実施例4においても、第一の封止樹脂の弾性率Mは、1GPa以上20GPa以下の範囲が適切であることが判明した。実施例5.図16には、ベース板のサイズが85×120×3mm、Si3N4を用いた絶縁基板のサイズが232×234×112mm、SiCを用いた半導体素子のイズが5×5×035mm、接合材には千住金属製M731、ポリフェニレンサルファイドPPSを用いたケース側板、直径が04mmのアルミを用いた配線を部材に使用した、図5の構造の半導体装置の試験モジュールによるパワーサイクル試験およびヒートサイクル試験の結果を示す。本実施例5は、実施例3と絶縁基板の材料が異なり、ベース板のサイズが実施例3のものより大きい試験モジュールによる、第一の封止樹脂120の弾性率を変化させた試験である。区画壁9には信越化学製KE1833弾性率35MPaを、第二の封止樹脂121には、東レダウコーニング製SE1886を用いた。例5-1~例5-7の第一の封止樹脂は、それぞれ実施例3の例3-1~例3-7と同じである。図15の試験結果を図13の試験結果と比較してわかるように、本実施例においても実施例3とほぼ同様の結果が得られた。以上の、実施例2~5の試験結果より、第一の封止樹脂には、1GPa以上20GPa以下の範囲の弾性率の樹脂を用い、区画壁には、30kPa以上3GPa以下の範囲の弾性率の樹脂を用いることで、より剥離や亀裂が発生し難く、信頼性の高い半導体装置が得られることがわかった。