第1の開口を有する筐体と、テラヘルツ波を出力する素子と、前記テラヘルツ波が透過する第1のレンズと、この第1のレンズを保持して前記第1の開口の近傍に配設する保持部材とを備えたテラヘルツ波発生器であって、前記保持部材は、孔を有し、この孔は、前記レンズにより封止され、前記第1の開口は、前記保持部材および前記レンズにより封止され、前記素子は、前記筐体、前記保持部材および前記レンズにより構成される密閉空間内に配設されることを特徴とするテラヘルツ波発生器。前記筐体に設けられた第2の開口と、前記第2の開口を封止するとともに光信号を透過させる窓部材と、この窓部材を介して前記素子に光信号を入力する入力手段とをさらに備えることを特徴とする請求項1記載のテラヘルツ波発生器。前記入力手段と前記窓部材との間に設けられ、前記光信号を平行光とする第2のレンズと、前記窓部材と前記素子との間に設けられ、前記光信号を収束して前記素子に入力させる第3のレンズとをさらに備えることを特徴とする請求項2記載のテラヘルツ波発生器。しかしながら、上述したテラヘルツ波発生器として機能するフォトミキサはいずれも、受光素子を収容する金属フレーム内部を気密封止することが困難であるので、外部環境によらずに安定して動作させることが困難であった。例えば、図2に示した導波管を用いたフォトミキサモジュールは、導波管114により金属フレーム106内外が連通されているので、その金属フレーム106内部を気密封止することができなかった。また、その導波管114内部にテラヘルツ波を透過する材料からなる封止板を設けることにより、金属フレーム106内部を気密封止することも可能ではあるが、金属フレーム106内部の封止ガスと封止板との誘電率が異なることから、封止ガスと封止板および封止板と外部の空気との境界でテラヘルツ波の反射が生じ、出力特性が悪化したり、受光素子の動作が不安定になったりすることがあった。また、図3に示したアンテナを用いたフォトミキサモジュールも、半球レンズ211を外部に露出させるための開口部206aにより金属フレーム206の内外が連通されているので、その金属フレーム206内部を気密封止することができなかった。そこで、本願発明は、外部環境に関わらずに安定して動作させることができるテラヘルツ波発生器を提供することを目的とする。上述したような課題を解決するために、本発明に係るテラヘルツ波発生器は、第1の開口を有する筐体と、テラヘルツ波を出力する素子と、テラヘルツ波が透過する第1のレンズと、この第1のレンズを保持して第1の開口の近傍に配設する保持部材とを備えたテラヘルツ波発生器であって、保持部材は、孔を有し、この孔は、レンズにより封止され、第1の開口は、保持部材およびレンズにより封止され、素子は、筐体、保持部材およびレンズにより構成される密閉空間内に配設されることを特徴とするものである。上記テラヘルツ波発生器において、筐体に設けられた第2の開口と、第2の開口を封止するとともに光信号を透過させる窓部材と、この窓部材を介して素子に光信号を入力する入力手段とをさらに備えるようにしてもよい。この入力手段は、光コネクタ、光ファイバおよびファイバフェルール等から構成される。また、上記テラヘルツ波発生器において、入力手段と窓部材との間に設けられ、光信号を平行光とする第2のレンズと、窓部材と素子との間に設けられ、光信号を収束して素子に入力させる第3のレンズとをさらに備えるようにしてもよい。本発明によれば、素子が筐体、保持部材およびレンズにより構成される密閉空間内に配設されるので、受光素子を外部環境の影響を受けて劣化するのを防ぐことができ、結果として、外部環境によらずに安定して動作させることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。[テラヘルツ波発生器の構成]本実施の形態に係るテラヘルツ波発生器は、アンテナを用いたフォトミキサモジュールから構成される。このようなテラヘルツ波発生器1は、図1に示すように、テラヘルツ周波数で変調された光が入力される光コネクタ2と、この光コネクタ2に一端が接続された光ファイバ3と、一端に光ファイバ3の他端が接続されたファイバフェルール4と、このファイバフェルール4を支持するフェルールカラー5と、ファイバフェルール4の他端と対向配置されたコリメーションレンズ6と、このコリメーションレンズ6が側壁71に配設された金属フレーム7とを備えている。この金属フレーム7内部には、側壁71に形成された開口部71aを覆う窓部材8と、金属フレーム7の底壁内面に設けられたサブマウント9とが設けられている。また、このサブマウント9上には、窓部材8と対向配置された集光レンズ10と、この集光レンズ10と対向配置された半球レンズ11と、この半球レンズ11の平面に設けられた受光素子チップ12とが設けられている。ここで、金属フレーム7は、上面が開口した金属の筐体7aと、この筐体7aの上面を覆う金属の板状の蓋部材7bとから構成される。筐体7aの側壁71には、上述したように開口部71aが設けられている。また、その側壁71に対向配置された側壁72にも開口部72aが設けられており、この開口部72aと開口部71aとは同一直線上に位置している。窓部材8は、板状の部材からなり、テラヘルツの周波数で変調された光が透過可能な材料から構成される。このような窓部材8は、開口部71aを覆うように、筐体7aの側面71に接着される。サブマウント9は、保持部材として機能し、上面が開口するとともに、1つの側壁9aが底壁9bを越えて延在する断面略h字状の金属の筐体からなる。ここで、この底壁9bには、開口部91が設けられている。このようなサブマウント9は、側壁9aの外面が金属フレーム7における筐体7aの底壁73上に配設されるとともに、上面が金属フレーム7における筐体7aの側壁72内面における開口部72aの周囲に接着される。集光レンズ10は、公知の凸レンズから構成され、サブマウント9の側壁9a内面上に配設される。これにより、集光レンズ10は、窓部材8および開口部91と対向配置される。半球レンズ11は、公知の半球レンズから構成され、少なくともその平面の周囲がサブマウント9の底壁9b内面における開口部91の周囲に接着されている。受光素子チップ12は、テラヘルツの周波数で変調された光を受信するとともに、この受信した光を電気信号に変換する電子回路と、その電気信号をテラヘルツ波に変換するアンテナとともに集積した半導体チップから構成される。このような受光素子チップ12は、半球レンズ11の開口部91から露出する平面に配設される。このようなテラヘルツ波発生器1において、コリメーションレンズ6、金属フレーム7の開口部71a、窓部材8、集光レンズ10、サブマウント9の開口部91、受光素子チップ12、半球レンズ11、金属フレーム7の開口部72aは、ファイバフェルール4の光軸上に配設される。[テラヘルツ波発生器の製造方法]次に、本実施の形態に係るテラヘルツ波発生器1の製造方法について説明する。まず、半球レンズ11と受光素子チップ12とを用意し、半球レンズ11の平面に受光素子チップ12を配設する。このとき、受光素子チップ12は、その中心と半球レンズ11の中心とを同一直線上に位置させた状態で、半球レンズ11上に固定される。次に、サブマウント9を用意し、開口部91内に受光素子チップ12が配設される状態とした上で、底壁9bに半球レンズ11を固定する。このとき、半球レンズ11は、その平面の周囲が底壁9b内面における開口部91の周囲に密着した状態で固定される。この固定は、例えば、ガラス材料を溶融したり、樹脂で接着したり、ハンダで接着したりすることにより行われる。これにより、開口部91は、半球レンズ11の平面により塞がれることとなる。なお、半球レンズ11をサブマウント9に固定する方法はこれに限定されず、開口部91が半球レンズ11の平面または球面によってサブマウント9の上面側の空間と隔離されるのであれば、サブマウント9と半球レンズ11との各所を適宜自由に固定することができる。例えば、半球レンズ11の平面に隣接する球面を、サブマウント9の側壁に固定したり、その球面を平面とともに底壁9b内面に固定したりするようにしてもよい。次に、集光レンズ10を用意し、サブマウント9の側壁9a内面上に固定する。このとき、集光レンズ10は、その中心と、半球レンズ11の中心および受光素子チップ12の中心とを同一直線上に位置させた状態で、サブマウント9に固定される。次に、開口部71aに窓部材8が固定された金属フレーム7を用意し、この内部にサブマウント9を固定する。ここで、サブマウント9は、側壁9aの外面を筐体7aの底壁73上に固定されるとともに、上面を筐体7aの側壁72内面における開口部72aの周囲に固定される。それらの固定は、例えば、ガラス材料を溶融したり、樹脂で接着したり、ハンダで接着したりすることにより行われる。これにより、金属フレーム7の開口部72aからは、半球レンズ11の球面が露出することとなる。また、その開口部72aは、サブマウント9の内面および半球レンズ11により塞がれて、筐体7a内部の側壁71側の空間と隔離された状態となる。ここで、本実施の形態において、半球レンズ11は、金属フレーム7に直接固定されるのではなく、サブマウント9に固定された後、このサブマウント9を介して金属フレーム7に固定される。これは、上述したように半球レンズ11の固定が、ガラス材料を溶融したり、樹脂で接着したり、ハンダで接着したりするなど高温環境下で行われるとともに、金属フレーム11の筐体が一般に薄板で形成されることに起因する。すなわち、直接金属フレーム7に固定すると、常温になったときに半球レンズ11と金属フレーム7との間で反りや剥がれが生じてしまい、所望する位置に固定することが困難だからである。そこで、サブマウント9における半球レンズ11との接着箇所には、肉厚の部材を配置することが望ましい。これにより、半球レンズ11の固定を高温環境下で行った場合であっても、常温になったときに半球レンズ11と金属フレーム7との間で反りや剥がれが生じるのを防ぐことができる。次に、蓋部材7bを用意し、この蓋部材7bで筐体7aの上面を覆った上で、蓋部材7bの外周部を筐体7a上面の外周部に溶接等により固定する。上述したように、筐体7aの開口部71aは窓部材8により塞がれており、筐体7aの開口部72aはサブマウント9の内面および半球レンズ11により塞がれている。したがって、筐体7aの上面に蓋部材7bを封着することにより、筐体7aの内部が気密封止されることとなる。このとき、半球レンズ11は、球面が開口部72aから筐体7a外部に露出しているものの、平面のうちサブマウント9との接着部以外は筐体7a内部に露出している。したがって、その半球レンズ11の平面に設けられた受光素子チップ12は、金属フレーム7、窓部材8、サブマウント9および半球レンズ11により構成される密閉空間内に配設されて、金属フレーム7外部と隔離されることとなる。これにより、受光素子チップ12は、金属フレーム7の外部環境の影響を受けない。次に、コリメーションレンズ6を用意し、筐体7aの側壁71にコリメーションレンズ6を固定する。このとき、コリメーションレンズ6は、その中心が、集光レンズ10、半球レンズ11および受光素子チップ12の中心と同一直線上に位置するように、固定される。次に、ファイバフェルール4およびフェルールカラー5を用意し、このフェルールカラー5により、ファイバフェルール4をコリメーションレンズ6と対向配置させる。そして、一端が光コネクタ2に接続された光ファイバ3を用意し、この光ファイバ3の他端をファイバフェルール4と接続する。これにより、テラヘルツ波発生器1が完成する。[テラヘルツ波発生器の動作]次に、本実施の形態に係るテラヘルツ波発生器1の動作について説明する。まず、テラヘルツの周波数に変調された信号光は、光コネクタ2から光ファイバ3およびファイバフェルール4を介してコリメーションレンズ6に到達し、このコリメーションレンズ6により平行光とされた後、金属フレーム7の開口部71aおよびこの開口部71aを塞ぐ窓部材8を通過して集光レンズ10に到達し、この集光レンズ10により収束されて受光素子チップ12に照射される。この受光素子チップ12は、受光した信号光を電気信号に変換するとともに、集積されたアンテナによりその電気信号をテラヘルツ波に変換して半球レンズ11に向けて放射する。すると、この放射されたテラヘルツ波は、半球レンズ11により平行光とされた上で、外部に出力されることとなる。以上説明したように、本実施の形態によれば、受光素子チップ12が金属フレーム7、サブマウント9および半球レンズ11により構成される密閉空間内に配設されるので、受光素子チップ12を外部環境の影響を受けて劣化するのを防ぐことができ、結果として、外部環境によらずに安定して動作させることができる。また、本実施の形態では、アンテナを用いた場合においても集光レンズ10とともにコリメーションレンズ6を設けているので、光ファイバ3、集光レンズ10、受光素子チップ12等の位置決めをより容易に行うことができる。なお、本実施の形態では、半球レンズ11を金属フレーム7内部に配設されるサブマウント9により保持する場合を例に説明したが、半球レンズ11の球面が金属フレーム7外部に露出するとともに受光素子チップ12が金属フレーム7内部の密閉空間内に配設されるのであれば、半球レンズ11を保持する方法はこれに限定されず、適宜自由に設定することができる。例えば、開口を有する板部材を用意し、その開口を半球レンズ11の平面により封止するとともに、その板部材と半球レンズ11により金属フレーム7の開口部72aを封止するようにしてもよい。この場合、受光素子チップ12は、板部材の開口内部に配設される。また、上面が開口するとともに底壁に開口を有する筐体を用意し、その開口を半球レンズ11の平面により底壁外部から封止するとともに、開口部72aをその筐体の上面によって金属フレーム7の外部から封止するようにしてもよい。このようにしても、上述した本実施の形態の場合と同等の作用効果を実現することができる。また、本実施の形態では、テラヘルツ波を出力するフォトミキサモジュールに適用した場合を例に説明したが、受光素子を用いた封止型のフォトミキサモジュールであるならば、出力する信号に限定されず、適宜自由に適用することができる。例えば、テラヘルツ波よりも低い周波数のミリ波を出力するフォトミキサモジュールに適用することもできる。