信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、を有することを特徴とする受光素子。前記コアと前記第1半導体層は前記コアの延在方向に沿って隣接するように接続されていることを特徴とする請求項1記載の受光素子。前記吸収層の屈折率は、前記第1半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1又は2記載の受光素子。前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記吸収層の上面よりも前記基板に近い位置にあることを特徴とすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする請求項5記載の受光素子。前記コアの底面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記第1の半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項記載の受光素子。前記コアと前記基板の間にバッファ層をさらに有することを特徴とする請求項7記載の受光素子。基板の第1領域に設けられ、複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、前記基板の第2領域に設けられ、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、前記基板の第3領域に設けられ、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、前記基板の第4領域に設けられ、それぞれ、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部とを有する光受信器であって、前記複数の導波路の各々は、対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、前記複数の光検出素子の各々は、対応する前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層とを含むことを特徴とする光受信器。複数の入射光が入射され、前記複数の入射光を検出して前記複数の入射光に応じた複数の電気信号を出力する複数の光受信器と、前記複数の電気信号が入力され、前記複数の電気信号を増幅する複数の増幅器とを有する光受信モジュールであって、前記複数の光受信器の各々は、基板の第1領域に形成され、前記複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、前記基板の第2領域に形成され、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、前記基板の第3領域に形成され、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、前記基板の第4領域に形成され、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部とを有し、前記複数の導波路の各々は、対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、前記複数の光検出素子の各々は、対応する前記コアから、前記コアの延在方向より前記出射光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層とを含むことを特徴とする光受信モジュール。図5は、光検出部101及び301において発生するフォトキャリア密度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸はフォトキャリアの密度を示し、一定の値に基づいて規格化された密度を示す。横軸は光検出部101及び301のPD内部位置を示す。ここで、本明細書において、PD内部位置とは、対応するコアの延在方向、すなわち、信号光の進行方向に沿ったPD内部の位置のことであり、信号光が入射する側の端部を基準にした、光検出部に含まれるPD内部の位置のことである。また、PD長とは、対応するコアの延在方向、すなわち、信号光の進行方向に沿った、光検出部のPDの長さのことであり、信号光が入射する側の端部を基準にした、光検出部のPDの長さのことである。図5において、aで示した曲線は、図1及び図2に示した光検出部101におけるフォトキャリア密度分布を示すものであり、bで示した曲線は、図3及び図4に示した光検出部301におけるフォトキャリア密度分布を示すものである。受光素子100の光検出部101では、信号光が一定の距離だけ光検出部101のコア112及び半導体層102を伝播した後で、信号光の吸収層103への染み出しが起こり、それによって吸収が発生する。そのため、図5の分布曲線aから分かるように、フォトキャリア密度分布のピークは、光検出部101の中で、信号光が入射する光検出部の端部から一定の距離だけ離れた位置で生じる。また、全体の密度分布も光検出部の端部から更に離れた位置まで広がり、分布は全体として大きな広がりを持つ。よって、光検出部101では、十分な吸収効率を得るためには、光検出部101のPD長を十分に長くする必要がある。しかしながら、光検出部101のPD長を長くすると、半導体層102、吸収層103及び上部クラッド層104を含むキャパシタのサイズが大きくなるため、光検出部101に生じる静電容量が増加する。それにより、受光素子100と後段の電気回路の間の伝送路において、CR時定数から求められる遮断周波数が低くなる。そのため、受光素子100から出力される電気信号を受けとる後段の電気回路においては、高周波数帯域において入力信号のレベルが減衰してしまい、高周波数帯域において入力信号を適切に処理するのが困難になるという問題が生じる。その結果、図1及び図2に示した受光素子100の構造では、高い光吸収効率を確保しながら、後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することが困難であった。一方、受光素子300の光検出部301では、コア312を伝播してきた信号光が直接吸収層303に入射する。このため、光検出部301の端部付近において大きな吸収が発生し、図5の分布曲線bから分かるように、信号光が入射する光検出部301の端部の近傍の狭い範囲においてフォトキャリアが発生し、その密度は高くなる。よって、光検出部301では、高い光吸収効率を確保しながら、PD長を短くすることができる。しかしながら、光検出部301では、端部近傍において、フォトキャリア密度分布の立ち上がりが大きすぎるため、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合、光検出部の端部近傍において局所的に発生するフォトキャリアの密度が過剰に高くなる。その結果、光検出部301では、p側電極とn側電極の間に印加された上述の電圧によってつくられる電界とは逆向きに、局所的に過剰に生じたフォトキャリアによって、上部クラッド層304と下部クラッド層302の間に大きな電界がつくられる。局所的に過剰に生じたフォトキャリアによってつくられる電界は、p側電極とn側電極の間に印加された上述の電圧によってつくられる電界を打ち消すように作用する。これにより、光検出部301は、吸収層303における光吸収により発生したフォトキャリア正孔及び電子を上部クラッド層304及び下部クラッド層302を介して適切に検出することができなくなる。そのため、高強度信号光に対する検出応答特性が劣化するという問題が生じる。その結果、図3及び図4に示した受光素子300の構造では、高強度の光入力に対応した出力動作を行うことが困難であった。従って、本実施例の一側面における受光素子は、光検出部における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することを目的とする。本実施例の一側面における受光素子はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことを目的とする。本実施例における受光素子は、信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層とを有する。本実施例における受光素子は、光検出部における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。本実施例における受光素子はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。以下、本発明の実施例について説明する。[1.第1実施例][1-1.受光素子600の構造]図6は、本発明の第1実施例に係る受光素子600の構造の一例を示す斜視図であり、受光素子600の要部のみを示した図である。図7は、図6のB1-B2の破線で示した断面における受光素子600の断面図であり、光検出部601と導波路部611の境界領域の近傍を示した図である。尚、本明細書においては、受光素子の構造が形成される側の基板表面に関して、基板表面から離れる方向を上と称し、基板の表面に近づく方向を下と称するものとする。図6及び図7に示したように、受光素子600は、基板614の上に設けられた光検出部601と、同一の基板614の上に設けられた導波路部611を含む。導波路部611は、コア612及び上部クラッド層613が基板614側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。導波路部611は、上部クラッド層613及びコア612を含むメサ構造を有する。信号光はコア612を伝播し、光検出部601に入射される。光検出部601は、n型半導体層602、i型吸収層603、p型上部クラッド層604及びp型コンタクト層605が基板614側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。光検出部601は、p型コンタクト層605、上部クラッド層604、吸収層603及びn型半導体層602の一部を含むメサ構造を有する。n型半導体層602、吸収層603、及び上部クラッド層604はPIN型のフォトダイオードを構成する。図7に示したように、受光素子600では、コア612はn型半導体層602の側面に接続されており、コア612とn型半導体層602は、コア612の延在方向に沿って隣接するように接続されている。コア612は、その上面がn型半導体層602の底面よりも高くなり基板614から離れた位置にあり、その底面がn型半導体層602の上面よりも低くなる基板614に近い位置にあるように形成される。また、n型半導体層602は、その屈折率がコア612の屈折率よりも高く、吸収層603の屈折率よりも低くなるように形成される。すなわち、n型半導体層602は、そのバンドギャップ波長がコア612のバンドギャップ波長より長く、吸収層603のバンドギャップ波長より短くなるように形成される。n型半導体層602は信号光に対する吸収率が十分小さくなるような組成を有するように形成される。図7に示したように、受光素子600では、信号光は導波路部611においてコア612を伝播し、光検出部601においてn型半導体層602に入射する。n型半導体層602は、コア612から、コア612の延在方向より信号光を受光する。n型半導体層602の屈折率をコア612の屈折率よりも高くしているので、信号光がコア612からn型半導体層602へ入射する際の損失を低減することができる。入射した信号光の一部は、n型半導体層602から吸収層603に染み出しており、吸収層603において吸収される。p型コンタクト層605及びn型半導体層602には、不図示のp側電極及びn側電極がそれぞれ接続されている。p側電極とn側電極の間に、p側電極を負電位、n側電極を正電位とする一定の電圧を印加することにより、吸収層603における光吸収により発生したフォトキャリア正孔及び電子が上部クラッド層604及びn型半導体層602を介して検出される。それによって、光検出部601は信号光を電気信号として検出し、検出信号を電気信号フォトキャリア電流として生成する。光検出部601は後段の電気回路に信号光の強度に対応する検出信号フォトキャリア電流を出力する。光検出部601では、図1及び図2に示した受光素子100の光検出部101とは異なり、信号光が入射するn型半導体層602と信号光の吸収が起こる吸収層603の間に、半導体層102が形成されていない。そのため、光検出部601では、信号光がn型半導体層602に入射するとすぐに、吸収層603まで信号光が染み出すようになり、入射後すぐに信号光の吸収が始まる。このため、光検出部601では、十分な光吸収効率を確保しながら、PD長を光検出部101のPD長よりも短くすることができる。また、光検出部601では、PD長を短くできることから、n型半導体層602、吸収層603及び上部クラッド層604を含むキャパシタのサイズを小さくすることができる。そのため、光検出部601に生じる静電容量を低減することができるので、受光素子600と後段の電気回路の間の伝送路において、CR時定数から求められる遮断周波数が高くなる。これにより、受光素子600は、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができ、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。加えて、受光素子600では、図3及び図4に示した受光素子300の光検出部301とは異なり、信号光は吸収層603に直接入射せず、n型半導体層602に入射した後で吸収層603に染み出している成分が吸収されていく。これにより、光検出部601では、光検出部301と比べて、全体の発生フォトキャリア密度分布が平坦で緩やかな分布となる。このため、光検出部601では、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。それによって、光検出部601では、フォトキャリア正孔及び電子によってつくられる電界の影響により、高強度信号光に対する検出応答特性が劣化するのを抑えることができる。従って、受光素子600においては、高強度光入力に対応した出力動作が可能となる。以上説明したように、受光素子600では、光検出部601における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子600はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。[1-2.光検出部601におけるフォトキャリア密度分布]図8は、受光素子600の光検出部601において発生するフォトキャリア密度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸はフォトキャリアの密度を示し、一定の値に基づいて規格化された密度を示す。横軸は光検出部601のPD内部位置を示す。図8において、cで示した曲線は、図6及び図7に示した受光素子600の光検出部601におけるフォトキャリア密度分布を示すものである。図8においては、比較のために、図1及び図2に示した受光素子100の光検出部101におけるフォトキャリア密度分布を曲線aにより示し、図3及び図4に示した受光素子300の光検出部301におけるフォトキャリア密度分布を曲線bにより示してある。図8における分布曲線a及びbはそれぞれ、図5における分布曲線a及びbと同一である。分布曲線cに示したように、受光素子600では、受光素子100の場合分布曲線aと比べて、フォトキャリア密度分布のピーク位置は、より光検出部の端部の近くに存在する。それに伴い、全体のフォトキャリア密度分布も光検出部の端部により近い側にシフトされており、分布の広がりも全体として小さく抑えられている。従って、受光素子600においては、十分な光吸収効率を確保しながら、光検出部601のPD長を、受光素子100の光検出部101のPD長よりも短くすることができる。例えば、ピーク位置のシフト量から見積もって、同一の光吸収率を得るのであれば、光検出部601のPD長は、光検出部101のPD長の2/3程度の長さにすれば十分である。また、PD長を短くできることから、光検出部601に生じる静電容量も光検出部101における静電容量より小さくなる。それにより、受光素子600は、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができ、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。加えて、分布曲線cに示したように、受光素子600では、受光素子300分布曲線bの場合と比べて、フォトキャリア密度分布のピークは十分に低いものとなっている。受光素子600では、フォトキャリア密度分布のピーク位置における密度の値は、受光素子300分布曲線bの場合の密度の最大値光検出部の端部近傍における密度よりも、十分に小さくなっている。また、密度分布も、受光素子300分布曲線bの場合と比べて、全体として平坦で緩やかなものとなっている。従って、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。これにより、受光素子600では、高強度信号光に対する検出応答特性が劣化するのを抑えることができる。以上説明したように、受光素子600では、光検出部601における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子600はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。[1-3.光検出部601における量子効率]図9は、受光素子600の光検出部601における量子効率のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸は量子効率を示す。横軸は光検出部601のPD内部位置を示す。図9において、aで示した曲線は、図6及び図7に示した受光素子600の光検出部601における量子効率を示すものである。図9においては、比較のために、図1及び図2に示した受光素子100の光検出部101における量子効率を曲線bにより示してある。図9から分かるように、受光素子600の量子効率は全体的に受光素子101の量子効率よりも高くなっている。すなわち、受光素子600では、図6及び図7に示した構造を採用することによって、受光素子100と比べて、量子効率を向上させることができる。例えば、80の量子効率を得るのであれば、受光素子600のPD長は、受光素子100のPD長の約60の長さにすれば十分である。また、例えば、同じ10μmのPD長とした場合、受光素子600は受光素子100の約1.5倍の量子効率を得ることができる。従って、受光素子600では、光検出部601における光吸収効率を向上させることができる。[1-4.受光素子600の構造の具体例]図10は、受光素子1000の構造の一例を示す斜視図であり、受光素子1000の要部のみを示した図である。図10に示した受光素子1000の構造は、図6に示した受光素子600の構造の1つの具体例であり、受光素子600の各層の構成例を具体的に示したものである。図11は、図10のB3-B4の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、光検出部1001と導波路部1011の境界領域の近傍を示したものである。図12Aは、図10のB5-B6の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、メサ構造の近傍を示したものである。図12Bは、図10のB7-B8の破線で示した断面における受光素子1000の断面図であり、メサ構造の近傍を示したものである。図10ないし図12に示したように、受光素子1000は、例えば、半絶縁性Semi-insulating、以下SIと称する。のInPからなる基板1014の上に設けられた光検出部1001と、同一の基板1014の上に設けられた導波路部1011を含む。SI-InP基板1014には、Fe等の深い不純物準位を形成する元素がドープされている。導波路部1011は、1.05μmのバンドギャップ波長を有するi型のInGaAsPからなるコア1012、i型のInPからなる上部クラッド層1013がSI-InP基板1014側から積層された構造を有する。導波路部1011は、i-InPクラッド層1013及びi-InGaAsPコア層1012を含むメサ構造を有し、その側面が半導体材料で埋め込まれていないハイメサ導波路構造を有する。光検出部1001は、1.3μmのハンドギャップ波長を有するn型のInGaAsPからなる半導体層1002、InPと格子整合したi型のInGaAsからなる吸収層1003、p型のInPからなる上部クラッド層1004、及びp型のInGaAsとInGaAsPの2層構造からなるp型コンタクト層1005がSI-InP基板1014側から積層された構造を有する。光検出部1001は、p型コンタクト層1005、p-InPクラッド層1004及びi-InGaAs吸収層1003及びn型半導体層1002の一部を含むメサ構造を有し、その側面が半導体材料で埋め込まれていないハイメサ導波路構造を有する。n-InGaAsP半導体層1002、i-InGaAs吸収層1003及びp-InPクラッド層1004は、PIN型のフォトダイオードを構成する。p型コンタクト層1005の上にはp側電極1015が形成され、n-InGaAsP半導体層1002の上にはn側電極1016が形成されている。受光素子1000のp側電極1015及びn側電極1016が形成されていない部分は、シリコン窒化膜等の誘電体からなるパッシベーション膜1017によって覆われている。尚、図10では、構造の理解を容易にするために、パッシベーション膜1017の図示は省略されている。p側電極1015とn側電極1016の間には、p側電極1015を負電位、n側電極1016を正電位とする一定の電圧が印加されている。それによって、p-InPクラッド層1004及びn-InGaAsP半導体層1002を介して、i-InGaAs吸収層1003における光吸収により発生したフォトキャリア正孔及び電子が検出される。導波路部1011では、例えば、i-InGaAsPコア層1012の厚さを0.5μm、i-InPクラッド層1013の厚さを1.5μmとする。光検出部1001では、例えば、n-InGaAsP半導体層1002の厚さを0.5μm、i-InGaAs吸収層1003の厚さを0.5μm、p-InPクラッド層1004及びp型コンタクト層1005の厚さの合計を1.0μmとする。各層の厚さを上述のようにすることにより、導波路部1011のi-InGaAsPコア層1012を光検出部1001のn-InGaAsP半導体層1002の側面に接続させることができる。導波路部1011のi-InGaAsPコア層1012と光検出部1001のn-InGaAsP半導体層1002は、i-InGaAsPコア層1012の延在方向に沿って隣接するように接続されている。導波路部1011において、例えば、i-InGaAsPコア層1012及びi-InPクラッド層1013を含むメサ構造の幅i-InGaAsPコア層1012の延在方向に直交する方向の幅は、2.5μmである。光検出部1001において、i-InGaAs吸収層1003、p-InPクラッド層1004及びコンタクト層1005を含むメサ構造の幅i-InGaAsPコア層1012の延在方向に直交する方向の幅は、5μmであり、光検出部の長さPD長は10μmである。以上説明した構造を有する受光素子1000では、光検出部1001における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子1000はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。尚、上述の実施例では、波長が約1.5μmの信号光に対する受光素子の例として吸収層をInGaAsで構成し、導波路層などの層をInGaAsP系の材料で構成したフォトダイオードの例を述べたが、これには限定されない。上述の実施例の受光素子において、吸収層の材料を、入射される信号光の波長帯域の光を吸収する他の材料とし、その他の層の材料をその光を吸収しないような他の材料としてもよい。また、吸収層などの層の材料をi型の半導体とした例を示したが、例えば吸収層の一部又は全ての材料をp型又はn型の半導体としてもよい。また、上述の実施例では、導波路部および光検出部の導波路構造としてハイメサ構造を示したが、それらの一部又は全てが埋め込み型導波路になっているような構造であってもよい。[1-5.受光素子1000の製造方法]図13ないし図17は、図10ないし図12に示した受光素子1000の製造工程の一例を示す図である。各図において、上側の図は、基板の上方から見たときの平面図であり、受光素子1000の要部を示した図である。下側の図は、各平面図の破線で示した断面で見たときの断面図であり、光検出部1001と導波路部1011の境界領域の近傍を示したものである。以下、図13ないし図17を用いて受光素子1000の製造方法の一例を説明する。図13に示したように、SI-InP基板1301の上に、例えば有機金属気相成長MOCVD法により、n-InGaAsP膜1302、i-InGaAs膜1303、p-InP膜1304、及びp-InGaAsとInGaAsPの2層からなる積層膜1305を堆積させる。ここで、n-InGaAsP膜1302の厚さが0.5μm、i-InGaAs膜1303の厚さが0.5μmとなるように堆積を行う。また。p-InP膜1304とp-InGaAs/InGaAsP積層膜1305の厚さの合計が1.0μmとなるように堆積を行う。次に、p-InGaAs/InGaAsP積層膜1305の上に、図10ないし図12に示した光検出部1001となる領域を覆うマスク1401を形成し、導波路部1011となる領域を選択的に露出させる。マスク1401としては、例えばシリコン酸化膜が用いられる。マスク1401を用いた周知のエッチングにより、図14に示したように、光検出部1001にのみn-InGaAsP膜1302、i-InGaAs膜1303、p-InP膜1304、及びp-InGaAs/InGaAsP積層膜1305を残し、導波路部1011からはこれらの膜を除去する。この処理により、導波路部1011では、SI-InP基板1301が露出する。次に、図15に示したように、導波路部1011の露出したSI-InP基板1301の上に、MOCVD法を用いた周知の選択成長により、i-InGaAsP膜1501及びi-InP膜1502を堆積させる。ここで、i-InGaAsP膜1501の厚さが0.5μm、i-InP膜1502の厚さが1.5μmとなるように堆積を行う。上述のエッチングに用いたマスク1401により光検出部1001が覆われているので、光検出部1001にi-InGaAsP膜1501及びi-InP膜1502が成長するのを防止することができる。i-InP膜1502の堆積後、マスク1401を除去する。次に、p-InGaAs/InGaAsP積層膜1305及びi-InP膜1502の上に、光検出部1001及び導波路部1011においてメサ構造となる領域を覆うマスクを形成する。マスクとしては、例えばシリコン酸化膜が用いられる。このマスクを用いた周知のエッチングにより、光検出部1001及び導波路部1011において、それぞれメサ構造を形成する。エッチング後、マスクを除去する。このとき、図16に示したように、光検出部1001では、上述のマスクを用いて、p-InGaAs/InGaAsP積層膜1305、p-InP膜1304及びi-InGaAs膜1303を除去するとともに、n-InGaAsP膜1302については途中の深さまで除去し、一部を残すようにする。この処理により、n-InGaAsP膜1302の一部が露出する。これにより、図10ないし図12に示した、n-InGaAsP半導体層1002の一部、i-InGaAs吸収層1003、p-InPクラッド層1004及びコンタクト層1005を含むメサ構造が形成される。また、図16に示したように、導波路部1011では、上述のマスクを用いて、i-InP膜1502及びi-InGaAsP膜1501を除去するとともに、i-InGaAsP膜1501の下に位置するSI-InP基板1301の一部も除去する。この処理により、SI-InP基板1301の一部が露出する。これにより、図10ないし図12に示した、i-InGaAsPコア層1012及びi-InPクラッド層1013を含むメサ構造が形成される。次に、光検出部1001及び導波路部1011において、電極が形成される領域を除いて、シリコン窒化膜等の誘電体からなるパッシベーション膜1017を形成する。その後、図17に示したように、光検出部1001において、メサ構造上部のp型コンタクト層1005の露出した領域に、金属蒸着、メッキなどの周知の形成方法によって、p側電極1015を形成する。また、n-InGaAsP半導体層1002の露出した領域に、金属蒸着、メッキなどの周知の形成方法によって、n側電極1016を形成する。尚、図17Aの平面図では、構造の理解を容易にするために、パッシベーション膜1017の図示は省略している。ここで、図17では、p側電極1015としてエアブリッジ構造の電極が用いられている。図17Bの断面図から明らかように、この構造により、p側電極1015と、n側電極1016が接続されるn-InGaAsP半導体層1002とが空気によって電気的に絶縁される。これにより、p側電極1015とn側電極1016の間に生じる寄生容量を低減することができる。よって、光検出部1001に生じる静電容量をさらに小さくすることができるので、受光素子1000は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。但し、p側電極については、エアブリッジ構造に限定されない。p側電極の形成位置に予め絶縁体を形成しておき、その上にp側電極を形成するようにしてもよい。また、図17では、PDについて導波路部1011と反対側の部分にn-InGaAsP半導体層1002が一部残っており、その上にパシベーション膜1017を介してp側電極1015を形成しているが、PDについて導波路部1011と反対側の部分のn-InGaAsP半導体層を除去することも可能である。これによって、p側電極の容量を低減し、高周波帯域の特性をより高めることも可能である。また、図15では図示は省略したが、実際には、図14に示したエッチングにより露出した光検出部1001の側壁部にも、i-InGaAsP膜1501が薄く堆積する場合がある。しかしながら、光検出部1001の側壁部に堆積する膜はi-InGaAsPコア層1012に比べて十分に薄く、かつ、側壁部に堆積される膜の屈折率はi-InGaAsPコア層1012の屈折率と同じであるため、信号光の伝播に影響を与えることはない。[2.第2実施例]図18は、本発明の第2実施例に係る受光素子1800の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図18に示した受光素子1800は、図6に示した受光素子600と、コアの厚さが異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子1800の斜視図については、図6に示した受光素子600の斜視図と、コアの厚さが異なっている点を除いて同様であるので、図示を省略している。図18に示したように、受光素子1800は、基板1814の上に設けられた光検出部1801と、同一の基板1814の上に設けられた導波路部1811を含む。導波路部1811は、コア1812及び上部クラッド層1813が基板1814側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。導波路部1811は、上部クラッド層1813及びコア1812を含むメサ構造を有する。信号光はコア1812を伝播し、光検出部1801に入射される。光検出部1801は、n型半導体層1802、i型吸収層1803、p型上部クラッド層1804及びp型コンタクト層1805が基板1814側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。光検出部1801は、p型コンタクト層1805、上部クラッド層1804、吸収層1803及びn型半導体層1802の一部を含むメサ構造を有する。n型半導体層1802、吸収層1803、及び上部クラッド層1804はPIN型のフォトダイオードを構成する。図18に示したように、受光素子1800では、コア1812はn型半導体層1802の側面に接続されており、コア1812とn型半導体層1802は、コア1812の延在方向に沿って隣接するように接続されている。コア1812は、その上面がn型半導体層1802の底面よりも高くなり基板1814から離れた位置にあり、その底面がn型半導体層1802の上面よりも低くなる基板1814に近い位置にあるように形成される。また、n型半導体層1802は、その屈折率がコア1812の屈折率よりも高く、吸収層1803の屈折率よりも低くなるように形成される。すなわち、n型半導体層1802は、そのバンドギャップ波長がコア1812のバンドギャップ波長より長く、吸収層1803よりのバンドギャップ波長より短くなるように形成される。n型半導体層1802は信号光に対する吸収率が十分小さくなるような組成を有するように形成される。さらに、図18に示したように、受光素子1800においては、コア1812は、その上面がn型半導体層1802の上面よりも低くなる基板1814に近い位置にあるように形成されている。コア1812の底面はn型半導体層1812の底面と一致している。図18に示した構造は、例えば、コア1812の厚さをn型半導体層1802の厚さよりも小さくすることにより、形成することができる。図18に示したように、受光素子1800では、信号光は導波路部1811においてコア1812を伝播し、光検出部1801においてn型半導体層1802に入射する。n型半導体層1802は、コア1812から、コア1812の延在方向より信号光を受光する。n型半導体層1802の屈折率をコア1812の屈折率よりも高くしているので、信号光がコア1812からn型半導体層1802へ入射する際の損失を低減することができる。入射した信号光は、n型半導体層1802から吸収層1803に染み出し、吸収層1803において吸収される。光検出部1801では、図1及び図2に示した受光素子100の光検出部101とは異なり、信号光が入射するn型半導体層1802と信号光の吸収が起こる吸収層1803の間に、半導体層102が形成されていない。そのため、信号光がn型半導体層1802に入射すると速やかに、吸収層1803に信号光が染み出し、吸収が始まる。このため、光検出部1801では、十分な光吸収効率を確保しながら、PD長を、受光素子100の光検出部101のPD長よりも短くすることができる。また、光検出部1801のPD長を短くできることから、光検出部1801に生じる静電容量を低減することができる。それによって、受光素子1800は、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。これにより、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。加えて、受光素子1800では、図3及び図4に示した受光素子300の光検出部301とは異なり、信号光は吸収層1803に直接入射せず、n型半導体層1802に入射した後で吸収層1803に染み出している成分が吸収されていく。これにより、光検出部1801では、光検出部301と比べて、全体の発生フォトキャリア密度分布が平坦で緩やかな分布となる。このため、光検出部1801では、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができ、高強度信号光に対する検出応答特性の劣化を抑えることができる。さらに、受光素子1800では、図7に示した受光素子600とは異なり、コア1812の上面がn型半導体層1802の上面よりも低くなっている。そのため、受光素子1800では、受光素子600の場合と比べて、コア1812の上面とn型半導体層1802の上面の差分に相当する、n型半導体層1802の領域の分だけ、信号光の吸収層への染み出しが小さくなる。すなわち、吸収層1803における単位長さ当たりの吸収が受光素子600の場合よりも小さくなり、十分な吸収が発生する信号光の伝播距離が、受光素子600の場合と比べて長くなる。そのため、受光素子1800の光検出部1801におけるフォトキャリア密度分布のピークは、光検出部601の場合のピークと比べて、信号光が入射する光検出部の端部から、より離れた位置で生じる。これに伴い、受光素子1800では、全体の発生フォトキャリア密度分布は光検出部の端部から、より離れた位置まで広がり、受光素子600の場合の分布と比べて、より平坦で緩やかな分布となる。フォトキャリア密度分布のピーク位置における密度の値は、受光素子600の場合のピーク位置の密度の値と比べて、小さくなる。従って、受光素子1800の光検出部1801では、光検出部601と比べて、より高い強度を有する信号光が入力された場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。それによって、光検出部1801では、高強度信号光に対する検出応答特性が劣化するのを抑えることができる。これにより、受光素子1800においては、受光素子600と比べて、さらに高い強度を有する信号光の入力に対応した出力動作が可能となる。以上説明したように、第2実施例に係る受光素子1800は、光検出部1801における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子1800はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。さらに、第2実施例に係る受光素子1800は、第1実施例に係る受光素子600と比べて、より高い強度を有する信号光が入力される場合にも対応することができる。例えば、第2実施例に係る受光素子1800は、より高い強度を有する信号光を処理する受光素子、光受信器、光受信モジュール及びこれらを用いたシステムにおいて有効である。尚、第2実施例に係る受光素子1800の構造の具体例としては、第1実施例に係る受光素子600の構造の具体例として説明した構成を用いることができる。但し、コア1812は、上述のように、その厚さがn型半導体層1802の厚さよりも小さくなるように形成される。また、受光素子1800の製造方法についても、受光素子600の製造方法として説明した方法を用いることができる。[3.第3実施例][3-1.受光素子1900の構造]図19は、本発明の第3実施例に係る受光素子1900の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図19に示した受光素子1900は、図6に示した受光素子600と、コアの厚さが異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子1900の斜視図については、図6に示した受光素子600の斜視図と、コアの厚さが異なっている点を除いて同様であるので、図示を省略している。図19に示したように、受光素子1900は、基板1914の上に設けられた光検出部1901と、同一の基板1914の上に設けられた導波路部1911を含む。導波路部1911は、コア1912及び上部クラッド層1913が基板1914側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。導波路部1911は、上部クラッド層1913及びコア1912を含むメサ構造を有する。信号光はコア1912を伝播し、光検出部1901に入射される。光検出部1901は、n型半導体層1902、i型吸収層1903、p型上部クラッド層1904及びp型コンタクト層1905が基板1914側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。光検出部1901は、p型コンタクト層1905、上部クラッド層1904、吸収層1903及びn型半導体層1902の一部を含むメサ構造を有する。n型半導体層1902、吸収層1903、及び上部クラッド層1904はPIN型のフォトダイオードを構成する。図19に示した受光素子1900では、コア1912はn型半導体層1902の側面と吸収層1903の側面に接続されており、コア1912と、n型半導体層1902及び吸収層1903は、コア1912の延在方向に沿って隣接するように接続されている。コア1912は、その上面がn型半導体層1902の底面よりも高くなり基板1914から離れた位置にあり、その底面がn型半導体層1902の上面よりも低くなる基板1914に近い位置にあるように形成される。また、n型半導体層1902は、その屈折率がコア1912の屈折率よりも高く、吸収層1903の屈折率よりも低くなるように形成される。すなわち、n型半導体層1902は、そのバンドギャップ波長がコア1912のバンドギャップ波長より長く、吸収層1903よりのバンドギャップ波長より短くなるように形成される。n型半導体層1902は信号光に対する吸収率が十分小さくなるような組成を有するように形成される。さらに、図19に示したように、受光素子1900では、コア1912は、その上面がn型半導体層1902の上面よりも高くなり基板1914から離れた位置にあり、吸収層1903の上面よりも低くなる基板1914に近い位置にあるように形成されている。コア1912の底面はn型半導体層1912の底面と一致している。図19に示した構造は、例えば、コア1912の厚さをn型半導体層1902の厚さよりも大きくすることにより、形成することができる。但し、n型半導体層1902の厚さがコア1912の厚さの半分以上となるようにするのが好ましい。すなわち、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さが、コア1912全体の厚さの半分以下となるようにするのが好ましい。また、コア1912のうち、厚さ方向に対して半分以上の部分が、n型半導体層1902の上面よりも低い位置にある基板1914に近い位置にあるようにするのが好ましい。また、コア1912の厚さが、吸収層1903の厚さとn型半導体層1902の厚さの和より小さいことが好ましい。光検出部1901における光吸収が、信号光の吸収層1903への直接入射と比べて、n型半導体層1902から吸収層1903への染み出しによって同程度若しくは支配的に行われるようにし、光検出部1901の端部近傍におけるフォトキャリア密度の値が過度に大きくならないようにするためである。詳細については後述する。図19に示したように、受光素子1900では、信号光は導波路部1911においてコア1912を伝播し、光検出部1901において、その大部分がn型半導体層1902に入射し、残りの部分が吸収層1903に直接入射する。n型半導体層1902及び吸収層1903は、コア1912から、コア1912の延在方向より信号光を受光する。n型半導体層1902及び吸収層1903の屈折率をコア1912の屈折率よりも高くしているので、信号光がコア1912からn型半導体層1902及び吸収層1903へ入射する際の損失を低減することができる。n型半導体層1902に入射した信号光の一部は、n型半導体層1902から吸収層1903に染み出しており、吸収層1903において吸収される。吸収層1903に入射した信号光はそのまま、吸収層1903の、信号光が入射する端部の近傍の領域において吸収される。光検出部1901では、図1及び図2に示した受光素子100の光検出部101とは異なり、信号光が入射するn型半導体層1902と信号光の吸収が起こる吸収層1903の間に、半導体層102が形成されていない。そのため、信号光の大部分がn型半導体層1902に入射するとすぐに、吸収層1903まで信号光が染み出し、入射後すぐに信号光の吸収が始まる。このため、光検出部1901では、十分な光吸収効率を確保しながら、PD長を、受光素子100の光検出部101のPD長よりも短くすることができる。また、光検出部1901のPD長を短くできることから、光検出部1901に生じる静電容量を低減することができる。それによって、受光素子1900は、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。これにより、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。加えて、受光素子1900では、図7に示した受光素子600とは異なり、信号光の一部が吸収層1903に直接入射する。入射した信号光の吸収は吸収層1903の、信号光が入射する端部の近傍の領域において生じるので、光検出部1901の端部近傍において、フォトキャリア密度の値を増加させることができる。これにより、受光素子1900では、光検出部601と比べて、光検出部1901における光吸収効率をさらに向上させることができる。従って、受光素子1900では、受光素子600と比べて、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の入力にも対応することができる。あるいは、受光素子1900では、光吸収効率がさらに向上することから、光検出部1901のPD長を、受光素子600よりもさらに短くすることも可能である。PD長をさらに短くした場合は、光検出部1901に生じる静電容量をさらに低減することができる。それによって、受光素子1900は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。これにより、後段の電気回路は更なる高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。一方、受光素子1900においては、図4に示した受光素子300の光検出部301とは異なり、吸収層1903に直接入射するのは信号光の一部のみである。このため、信号光が入射する光検出部1901の端部近傍においても、フォトキャリア密度の値が過度に大きくなることはない。このため、光検出部1901では、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。これにより、受光素子1900では、高強度信号光に対する検出応答特性の劣化を抑えることができる。以上説明したように、第3実施例に係る受光素子1900は、光検出部1901における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子1900はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。さらに、第3実施例に係る受光素子1900は、第1実施例に係る受光素子600と比べて、光吸収効率をさらに向上させることができる。これにより、受光素子1900は、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の検出にも対応することができる。あるいは、受光素子1900は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。例えば、第3実施例に係る受光素子1900は、より低い強度を有する信号光を処理する受光素子、光受信器、光受信モジュール及びこれらを用いたシステムにおいて有効である。あるいは、第3実施例に係る受光素子1900は、より高い動作周波数において動作する電気回路が後段に配置される受光素子、光受信器、光受信モジュール及びこれらを用いたシステムにおいて有効である。尚、第3実施例に係る受光素子1900の構造の具体例としては、第1実施例に係る受光素子600の構造の具体例として説明した構成を用いることができる。但し、コア1912は、上述のように、その厚さがn型半導体層1902の厚さよりも大きくなるように形成される。また、受光素子1900の製造方法についても、受光素子600の製造方法として説明した方法を用いることができる。[3-2.光検出部1901におけるフォトキャリア密度分布]図20は、受光素子1900の光検出部1901において発生するフォトキャリア密度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。縦軸はフォトキャリアの密度を示し、一定の値に基づいて規格化された強度を示す。横軸は光検出部1901のPD内部位置を示す。図20において、d~fで示した曲線は、図19に示した受光素子1900の光検出部1901におけるフォトキャリア密度分布を示すものである。dで示した分布曲線は、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さを、コア1912全体の厚さの25とした場合の分布を示すものである。eで示した分布曲線は、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さを、コア1912全体の厚さの50とした場合の分布を示すものである。fで示した分布曲線は、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さを、コア1912全体の厚さの75とした場合の分布を示すものである。尚、図20においては、比較のために、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さが、コア1912全体の厚さの100である場合に相当する、図3に示した受光素子300の光検出部301におけるフォトキャリア密度分布曲線bを破線で示し、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さが、コア1912全体の厚さの0である場合に相当する、図6に示した受光素子600の光検出部601におけるフォトキャリア密度分布曲線cを一点鎖線で示してある。[3-2-1.コア1912のうちの吸収層1903と接続する部分の厚さが異なる場合の比較]コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さが異なる場合において、光検出部におけるフォトキャリア密度分布の比較を行う。図20の分布曲線dに示したように、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さをコア1912全体の厚さの25とした場合には、信号光が入射する光検出部1901の端部から一定の距離だけ離れた位置において、フォトキャリア密度分布のピークが生じる。分布曲線dにおいて、フォトキャリア密度分布のピーク位置における密度の値は、分布曲線b受光素子300の場合の最大値光検出部の端部近傍における密度と比べて、十分に小さいものとなっている。密度分布も、分布曲線b受光素子300と比べて、全体として平坦で緩やかな分布となっている。すなわち、分布曲線dは、分布曲線b受光素子300よりも、分布曲線c受光素子600に近似した特性を有するものとなっている。このため、この場合には、分布曲線c受光素子600と同様に、光検出部1901における光吸収が、信号光の吸収層1903への直接入射よりも、n型半導体層1902から吸収層1903への染み出しによって支配的に行われていると考えられる。一方、図20の分布曲線fに示したように、吸収層1903と接続する部分の厚さをコア1912全体の厚さの75とした場合には、フォトキャリア密度分布の最大値は、信号光が入射する光検出部1901の端部に存在し、その近傍にフォトキャリア密度分布が集中している。このため、分布曲線b受光素子300の場合に比べて低くはなっているものの、フォトキャリア密度は依然として高くなっている。すなわち、分布曲線fは、分布曲線c受光素子600よりも、分布曲線b受光素子300に近似した特性を有するものとなっている。このため、この場合には、分布曲線b受光素子300と同様に、光検出部1901における光吸収が、n型半導体層1902から吸収層1903への染み出しよりも、信号光の吸収層1903への直接入射によって支配的に行われていると考えられる。これらに対して、図20の分布曲線eに示したように、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さをコア1912全体の厚さの50とした場合には、光検出部1901の端部から一定の距離だけ離れた位置において、フォトキャリア密度分布に小さなピークが見られるとともに、光検出部1901の端部近傍の領域において、ある程度の高さのフォトキャリア密度が見られる。分布曲線eにおいて、フォトキャリア密度分布は、分布曲線b受光素子300や上述の分布曲線fの場合と異なり、光検出部の端部から比較的平坦な分布を有している。その結果、分布曲線eにおいて、フォトキャリア密度の最大値は、分布曲線b受光素子300の場合の最大値光検出部の端部近傍における密度と比べて、おおよそ半分程度まで小さく抑えられている。すなわち、分布曲線eは、分布曲線c受光素子600と分布曲線b受光素子300のおおよそ中間的な特性を有するものとなっている。このため、この場合には、光検出部1901における光吸収に対する寄与の割合が、n型半導体層1902から吸収層1903への染み出しと、信号光の吸収層1903への直接入射とで同程度となっていると考えられる。以上のことから、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さは、コア1912全体の厚さの半分以下とするのが好ましいことが分かる。これにより、光検出部1901における光吸収が、信号光の吸収層1903への直接入射と比べて、n型半導体層1902から吸収層1903への染み出しによって同程度若しくは支配的に行われるようにすることができる。それによって、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。[3-2-2.受光素子600分布曲線cとの比較]次に、コア1912のうち、吸収層1903と接続する部分の厚さをコア1912全体の厚さの25とした場合図20の分布曲線dを例にとって、受光素子1900と受光素子600について、光検出部におけるフォトキャリア密度分布の比較を行う。図20の分布曲線dにおいては、分布曲線c受光素子600の場合と比べて、フォトキャリア密度分布のピーク位置が、信号光が入射する光検出部の端部により近い位置に存在する。それに伴い、全体のフォトキャリア密度分布も光検出部の端部により近い側にシフトされており、密度分布の広がりも全体として小さく抑えられている。これにより、受光素子1900では、受光素子600よりも、さらに光吸収効率を向上させることができる。従って、受光素子1900では、受光素子600と比べて、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の検出にも対応することができる。あるいは、受光素子1900では、光吸収効率がさらに向上することから、光検出部1901のPD長を、受光素子600よりもさらに短くすることも可能である。PD長をさらに短くした場合は、光検出部1901に生じる静電容量をさらに低減することができる。それによって、受光素子1900は、受光素子600に比べて、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。以上説明したように、第3実施例に係る受光素子1900は、第1実施例に係る受光素子600と比べて、光吸収効率をさらに向上させることができる。これにより、受光素子1900は、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の検出にも対応することができる。あるいは、受光素子1900は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。[4.第4実施例]図21は、本発明の第4実施例に係る受光素子2100の構造の一例を示す図であり、第1実施例に係る受光素子600の図7に示した断面に対応する断面を示す図である。図21に示した受光素子2100は、図19に示した受光素子1900と、基板とコアの間にバッファ層が形成されている点で異なっているが、その他の部分については同様である。尚、受光素子2100の斜視図については、図19に示した受光素子1900の場合と同様に、図示を省略している。図21に示したように、受光素子2100は、基板2114の上に設けられた光検出部2101と、同一の基板2114の上に設けられた導波路部2111を含む。導波路部2111は、バッファ層2115、コア2112及び上部クラッド層2113が基板2114側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。導波路部2111は、バッファ層2115、上部クラッド層2113及びコア2112を含むメサ構造を有する。信号光はコア2112を伝播し、光検出部2101に入射される。ここで、基板2114とコア2112の間にバッファ層2115が設けられているのは、基板2114の表面にコア2112を直接形成した場合、コアとなる膜を基板2114の表面に堆積させる際に、膜中に欠陥が発生し、コアとして必要とされる膜質が得られないという不具合を防止するためである。また、図21に示したように、バッファ層2115は、製造工程の都合上、光検出部2101の側壁部にも残ってしまう。すなわち、バッファ層2115は、コア2112と、n型半導体層2102及び吸収層2103の間にも挿入されることとなる。バッファ層2115は基板2114と格子整合がとれる材料で形成されるため、コア2112に比べて屈折率が低く、信号光を閉じ込める作用が弱い。このため、コア2112を伝播してきた信号光がn型半導体層2102及び吸収層2103に入射する際に、バッファ層2115において信号光の損失が発生してしまう。この損失を低減するために、バッファ層2115は可能な限り薄く形成するのが好ましい。光検出部2101は、n型半導体層2102、i型吸収層2103、p型上部クラッド層2104及びp型コンタクト層2105が基板1914側から積層された構造を有する。この積層構造の各々の層の材料は、例えば半導体である。光検出部2101は、p型コンタクト層2105、上部クラッド層2104、吸収層2103及びn型半導体層2102の一部を含むメサ構造を有する。n型半導体層2102、吸収層2103、及び上部クラッド層2104はPIN型のフォトダイオードを構成する。コア2112はn型半導体層2102の側面と吸収層2103の側面にバッファ層2115を介して接続されており、コア2112と、n型半導体層2102及び吸収層2103は、コア2112の延在方向に沿って、バッファ層2115を介して隣接するように接続されている。コア2112は、その上面がn型半導体層2102の底面よりも高くなり基板2114から離れた位置にあり、その底面がn型半導体層2102の上面よりも低くなる基板2114に近い位置にあるように形成される。尚、本明細書においては、コアがn型半導体層の側面又は吸収層の側面に接続するとは、コアがバッファ層を介してn型半導体層の側面又は吸収層の側面に接続する場合も含むものとする。また、n型半導体層2102は、その屈折率がコア2112の屈折率よりも高く、吸収層2103の屈折率よりも低くなるように形成される。すなわち、n型半導体層2102は、そのバンドギャップ波長がコア2112のバンドギャップ波長より長く、吸収層2103よりのバンドギャップ波長より短くなるように形成される。n型半導体層2102は信号光に対する吸収率が十分小さくなるような組成を有するように形成される。さらに、図21に示したように、コア2112は、その上面がn型半導体層2102の上面よりも高くなり基板2114から離れた位置にあり、吸収層2103の上面よりも低くなる基板2114に近い位置にあるように形成されている。コア2112の底面は、n型半導体層2102の底面よりも高く基板2114から離れた位置にあり、かつ、n型半導体層2102の上面よりも低くなる基板2112に近い位置にある。バッファ層2115の底面はn型半導体層2112の底面と一致している。図21に示した構造は、例えば、コア2112とバッファ層2115からなる積層体の厚さをn型半導体層2102の厚さよりも大きくすることにより、形成することができる。但し、n型半導体層2102の厚さがコア2112の厚さの半分以上となるようにするのが好ましい。すなわち、コア2112のうち、吸収層2103と接続する部分の厚さが、コア2112全体の厚さの半分以下となるようにするのが好ましい。光検出部2101における光吸収が、信号光の吸収層2103への直接入射よりも、n型半導体層2102からの吸収層2103の染み出しによって支配的に行われるようにし、光検出部2101の端部近傍におけるフォトキャリア密度の値が過度に大きくならないようにするためである。詳細については、第3実施例において述べたとおりである。図21に示したように、受光素子2100では、信号光は導波路部2111においてコア2112を伝播し、光検出部2101において、その大部分がn型半導体層2102に入射し、残りの部分が吸収層2103に直接入射する。n型半導体層2102及び吸収層2103は、コア2112から、コア2112の延在方向より信号光を受光する。n型半導体層2102に入射した信号光の一部は、n型半導体層2102から吸収層2103に染み出しており、吸収層2103において吸収される。吸収層2103に入射した信号光はそのまま吸収層2103の、信号光が入射する端部の近傍の領域において吸収される。光検出部2101では、図19に示した受光素子1900の光検出部1901と同様に、信号光が入射するn型半導体層2102と信号光の吸収が起こる吸収層2103の間に、半導体層102が形成されていない。このため、信号光の大部分がn型半導体層2102に入射するとすぐに、吸収層2103まで信号光が染み出し、入射後すぐに信号光の吸収が始まる。このため、光検出部2101では、十分な光吸収効率を確保しながら、PD長を、受光素子100の光検出部101のPD長よりも短くすることができる。また、光検出部2101のPD長を短くできることから、光検出部2101に生じる静電容量を低減することができる。それによって、受光素子2100は、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。これにより、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。加えて、受光素子2100では、受光素子1900の光検出部1901と同様に、信号光の一部が吸収層2103に直接入射する。入射した信号光の吸収は吸収層2103の、信号光が入射する端部の近傍の領域において生じるので、光検出部2101の端部近傍において、フォトキャリア密度の値を増加させることができる。これにより、受光素子2100では、図7に示した受光素子600の光検出部601と比べて、光検出部2101における光吸収効率をさらに向上させることができる。従って、受光素子2100では、受光素子600と比べて、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の検出にも対応することができる。また、受光素子2100では、光吸収効率がさらに向上することから、光検出部2101のPD長を、受光素子600よりもさらに短くすることも可能である。PD長をさらに短くした場合は、光検出部2101に生じる静電容量をさらに低減することができる。それによって、受光素子2100は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。これにより、後段の電気回路は高周波数帯域においても入力信号の処理をすることができる。一方、受光素子2100においては、図4に示した受光素子300の光検出部301とは異なり、吸収層2103に直接入射するのは信号光の一部のみである。このため、信号光が入射する光検出部2101の端部近傍においても、フォトキャリア密度の値が過度に大きくなることはない。このため、光検出部2101では、入力される信号光の強度が高い高強度光入力の場合であっても、フォトキャリアの密度が局所的に過剰に高くなるのを防止することができる。これにより、受光素子2100では、高強度信号光に対する検出応答特性の劣化を抑えることができる。以上説明したように、第4実施例に係る受光素子2100においても、第3実施例に係る受光素子1900の場合と同様に、光検出部2101における光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。受光素子2100はさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。さらに、第4実施例に係る受光素子2100は、第1実施例に係る受光素子600と比べて、光吸収効率をさらに向上させることができる。これにより、受光素子2100は、PD長を長くすることなく、より低い強度を有する信号光の検出にも対応することができる。あるいは、受光素子2100は、更なる高周波数帯域においても後段の電気回路に十分な信号レベルを有する検出信号を供給することができる。尚、第4実施例に係る受光素子2100の構造の具体例としては、第3実施例に係る受光素子1900の場合と同様に、第1実施例に係る受光素子600の構造の具体例として説明した構成を用いることができる。但し、バッファ層としては、例えば厚さ0.1μmのInP層を形成する。また、コア2112とバッファ層2115からなる積層体は、その厚さがn型半導体層2102の厚さよりも大きくなるように形成される。また、受光素子2100の製造方法についても、第3実施例に係る受光素子1900の場合と同様に、受光素子600の製造方法として説明した方法を用いることができる。但し、図14に示した除去工程の後、かつ、図15に示した堆積工程の前に、InP膜を0.1μm堆積させる工程が追加される。[5.第5実施例]図22は、本発明の第5実施例に係る光受信器2200の構成の一例を示す図である。図22に示した光受信器2200は、QPSKQuadraturePhaseShiftKeying変調の信号を復調するための光コヒーレントレシーバの一例を示すものである。光受信器2200は位相変調の信号光を強度変調の信号光に変換する光ハイブリッド導波路と、フォトダイオードPDを同一の基板上に集積した導波路集積型の光受信器として、小型化や組立コストの削減の観点から有望である。図22に示したように、光受信器2200は、光検出部2201、接続導波路部2202、光ハイブリッド導波路部2203及び入力導波路部2204を含む。光検出部2201は、4つのフォトダイオードPD素子2205~2208を含む。接続導波路部2205は4つの接続導波路2209~2212を含む。光ハイブリッド導波路部2203は、2つの入力と4つの出力を有する90度光ハイブリッド導波路2213を含む。入力導波路部2203は2つの入力導波路2214、2215を含む。入力導波路部2203の2つの入力導波路2214、2215は、90度光ハイブリッド導波路2213の2つの入力に接続される。接続導波路部2205の4つの接続導波路2209~2212は、90度光ハイブリッド導波路2213の4つの出力に接続される。また、4つの接続導波路2209~2212は、光検出部2201の対応するPD素子2205~2208にそれぞれ接続される。光受信器2200において、PD素子2205及び接続導波路2209の部分には、図7、図18、図19及び図21に示した第1から第4実施例の受光素子600、1800、1900及び2100のいずれかの光検出部及び導波路部を用いることができる。残りのPD素子2206及び接続導波路2212、PD素子2207及び接続導波路2210、及びPD素子2208及び接続導波路2211の部分についても同様である。また、光ハイブリッド導波路部2203及び入力導波路部2204は、接続導波路部2202と同様の層構造を有するものとして、光検出部2201及び接続導波路部2202と同一の基板上に形成される。ここで、光受信器2200の動作について説明する。入力導波路2214にはQPSK変調の信号光が入射され、入力導波路2215には参照光として、ローカルオシレータLocalOscillator、以下LOと称する。光が入射される。90度光ハイブリッド導波路2213は、入力導波路2214及び2215を介して信号光及びLO光を受けとる。90度光ハイブリッド導波路2213は、LO光と信号光とを干渉させることによりQPSK変調の信号光を復調し、互いに位相が180°ずれたIチャネル信号光を生成するとともに、互いに位相が180°ずれたQチャネル信号光を生成する。90度光ハイブリッド導波路2213は、接続導波路2209及び2210に相補のIチャネル信号光を出力するとともに、接続導波路2211及び2212に相補のQチャネル信号光を出力する。PD素子2205及び2206はそれぞれ、接続導波路2209及び2210を介して90度光ハイブリッド導波路2213から相補のIチャネル信号光を受けとる。PD素子2205及び2206はそれぞれ、受けとったIチャネル信号光を電気信号として検出して、Iチャネル信号電気信号を生成する。PD素子2207及び2208はそれぞれ、接続導波路2210及び2211を介して90度光ハイブリッド導波路2213から相補のQチャネル信号光を受けとる。PD素子2207及び2208はそれぞれ、受けとったQチャネル信号光を電気信号として検出して、Qチャネル信号電気信号を生成する。尚、上述の光ハイブリッド導波路2213には、一例として、4つの入力と4つの出力を有する4×4多モード干渉MultiModeInterference、以下MMIと称する。導波路を用いることができる。この場合、入力導波路22314、2215が4×4MMI導波路の2つの入力に接続される。接続導波路2209~2212は4×4MMI導波路の4つの出力に接続される。第5実施例に係る光受信器2200においては、第1~第4実施例に係る受光素子600、1800、1900及び2100の場合と同様に、光検出部において光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においても後段の電気回路に、光検出部において生成されたIチャネル信号及びQチャネル信号を十分な信号レベルを有する状態で供給することができる。光受信器2200ではさらに、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。そのため、例えば、90度光ハイブリッド導波路2213において、位相変調の信号光を強度変調の信号光相補Iチャネル信号光、相補Qチャネル信号光に変換して復調を行うときに、LO光の強度を上げて変換後の信号光の強度を増加させた場合であっても、PD素子2205~2208において、入力される高強度信号光に対する検出応答特性の劣化を抑えることができる。また、光検出部2201に含まれる4つのPD素子2205~2208においては、それぞれ対応するn型半導体層が独立して形成される。これにより、各PD素子間において、p側電極だけでなくn側電極も電気的に分離させて形成することができ、各PD間の電気的な分離を十分にとることができる。従って、各PD素子間において不要なクロストークが発生するのを防止することができるので、光受信器2200では、エラーの少ない信号光の受信が可能となる。尚、上記の第5実施例では、導波路集積型の光受信器として光コヒーレントレシーバの例を示したが、これには限定されない。PDと導波路が集積されている素子であればよく、そのような素子には第1~第4実施例の受光素子を適用することができる。[6.第6実施例]図23は、本発明の第6実施例に係る光受信モジュール2300の構成の一例を示す図である。図23に示した光受信モジュール2300は、DP-QPSKDualPolarization-QuadraturePhaseShiftKeying変調の信号を復調するための光コヒーレントレシーバモジュールの一例を示すものである。図23に示したように、光受信モジュール2300は、光コヒーレントレシーバ2301、2302、トランスインピーダンス増幅器Transimpedanceamplifie、以下TIAと称する。2303~2306、偏光分離素子PolarizingBeamSplitter、以下PBSを称する。2307、2308、レンズ2309~2314、及びミラー2315、2316を含む。また、光受信モジュール2300には、光ファイバケーブル2317、2318が接続される。光受信モジュール2300は、光ファイバケーブル2317を介してDP-QPSK変調の信号光を受けとるとともに、光ファイバケーブル2318を介してLO光を参照光として受けとる。DP-QPSK変調の信号光は互いに直交した異なる偏光方向を有する2つの信号光を含み、2つの信号光はそれぞれ異なる信号を伝送している。DP-QPSK変調の信号光はレンズ2209を介してPBS2307に入射し、PBS2307によって異なる偏光方向を有する2つの信号光に分離される。分離された2つの信号光の一方はレンズ2311を介して光コヒーレントレシーバ2301に入射し、他方はミラー2315及びレンズ2313を介して光コヒーレントレシーバ2302に入射する。LO光も同様にして、光コヒーレントレシーバ2301及び2302の各々に供給される。光コヒーレントレシーバ2301及び2302にはそれぞれ、図22に示した第5実施例の光受信器2200を用いることができる。光コヒーレントレシーバ2301及び2302はそれぞれ、QPSK変調の信号光とLO光を受けとり、LO光と信号光とを干渉させることにより、QPSK変調の信号光を復調する。光コヒーレントレシーバ2301は復調によって得られた相補のIチャネル信号光を相補の電気信号Iチャネル信号として検出する。光コヒーレントレシーバ2301は復調によって得られた相補のQチャネル信号光を相補の電気信号Qチャネル信号として検出する。光コヒーレントレシーバ2301は、検出によって得られた相補のIチャネル信号電気信号をTIA2303に供給するとともに、検出によって得られた相補のQチャネル信号電気信号をTIA2304に供給する。同様に、光コヒーレントレシーバ2302は相補のIチャネル信号をTIA2305に供給し、相補のQチャネル信号をTIA2306に供給する。TIA2303~2306はそれぞれ、相補のIチャネル信号又は相補のQチャネル信号を受けとり、その信号レベルを差動増幅する。第6実施例に係る光受信モジュール2300においては、第5実施例に係る光受信器2200の場合と同様に、光コヒーレントレシーバにおいて光吸収効率を向上させつつ、高周波数帯域においてもTIA2303~06の各々に、Iチャネル信号及びQチャネル信号を十分な信号レベルを有する状態で供給することができる。さらに、光受信モジュール2300では、入力信号光の強度が高い高強度光入力に対応した出力動作を行うことができる。そのため、例えば、各光コヒーレントレシーバにおいて、位相変調の信号光を強度変調の信号光に変換して復調を行うときに、LO光の強度を上げて変換後の信号光の強度を増加させた場合であっても、入力される高強度信号光に対する検出応答特性の劣化を抑えることができる。また、光コヒーレントレシーバに含まれる複数のPD素子においては、それぞれ対応するn型半導体層が独立して形成される。これにより、各PD素子間において、p側電極だけでなくn側電極を電気的に分離させて形成することができ、各PD素子間の電気的な分離を十分にとることができる。従って、各PD素子間において不要なクロストークが発生するのを防止することができるので、光受信モジュール2300では、エラーの少ない信号光の受信が可能となる。以上、本発明の例示的な実施形態の受光素子、光受信器及び光受信モジュールについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。以上の第1ないし第6実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1信号光を伝播させるコアと、前記コアから、前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、を有することを特徴とする受光素子。付記2前記コアと前記第1半導体層は前記コアの延在方向に沿って隣接するように接続されていることを特徴とする付記1記載の受光素子。付記3前記コアの上面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、前記コアの底面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1又は2記載の受光素子。付記4前記吸収層の屈折率は、前記第1半導体層の屈折率よりも高いことを特徴とする付記1ないし3のいずれか一つ記載の受光素子。付記5前記第1半導体層の屈折率は、前記コアの屈折率よりも高いことを特徴とする付記1ないし4のいずれか一つに記載の受光素子。付記6前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つ記載の受光素子。付記7前記コアの厚さは、前記第1半導体層の厚さより小さいことを特徴とする付記6記載の受光素子。付記8前記コアの上面は、前記第1半導体層の上面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記吸収層の上面よりも前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つ記載の受光素子。付記9前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする付記8記載の受光素子。付記10前記コアの底面は、前記第1半導体層の底面よりも、前記基板から離れた位置にあり、かつ、前記第1の半導体層の上面よりも、前記基板に近い位置にあることを特徴とする付記1ないし5のいずれか一つに記載の受光素子。付記11前記コアと前記基板の間にバッファ層をさらに有することを特徴とする付記10記載の受光素子。付記12前記第1半導体層の厚さは、前記コアの厚さの半分以上であることを特徴とする付記10記載の受光素子。付記13前記第1半導体層、前記吸収層及び前記第2半導体層はPIN型のフォトダイオードを構成することを特徴とする付記1ないし13のいずれか一つ記載の受光素子。付記14前記コアと前記第1半導体層は、同一基板上に設けられていることを特徴とする付記1ないし13のいずれか一つ記載の受光素子。付記15前記コアの上に形成された第3半導体層をさらに含むことを特徴とする付記1ないし14のいずれか一つ記載の受光素子。付記16基板の第1領域に設けられ、複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、前記基板の第2領域に設けられ、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、前記基板の第3領域に設けられ、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、前記基板の第4領域に設けられ、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部とを有する光受信器であって、前記複数の導波路の各々は、対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、前記複数の光検出素子の各々は、対応する前記コアから、対応する前記コアの延在方向より前記信号光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記信号光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層と、を含むことを特徴とする光受信器。付記17前記複数の入射光は信号光と参照光を含み、前記第2導波路部は、前記信号光と前記参照光を干渉させることにより、前記複数の出射光を生成する多モード干渉導波路を含むことを特徴とする付記16記載の光受信器。付記18複数の入射光が入射され、前記複数の入射光を検出して前記複数の入射光に応じた複数の電気信号を出力する複数の光受信器と、前記複数の電気信号が入力され、前記複数の電気信号を増幅する複数の増幅器とを有する光受信モジュールであって、前記複数の光受信器の各々は、基板の第1領域に形成され、前記複数の入射光を伝播させる第1導波路部と、前記基板の第2領域に形成され、前記複数の入射光が入射され、前記複数の入射光に基づいて複数の出射光を生成する第2導波路部と、前記基板の第3領域に形成され、前記複数の出射光を伝搬させる複数の導波路を含む第3導波路部と、前記基板の第4領域に形成され、前記複数の導波路より前記複数の出射光が入射される複数の光検出素子を含む光検出部とを有し、前記複数の導波路の各々は、対応する前記出射光を伝播させるコアを含み、前記複数の光検出素子の各々は、対応する前記コアから、対応する前記コアの延在方向より前記出射光を受光する第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層が受光した前記出射光を吸収する吸収層と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する第2半導体層とを含むことを特徴とする光受信モジュール。