"-光起電力特性を有する膜5、及び、-該光起電力膜5の両側に配置されている、一方が下部電極膜3であり、他方が上部電極膜6である、電極を形成している2つの膜3,6を少なくとも含む多層薄膜層30を保護する少なくとも1つの透明ガラス基材10を含み、前記下部電極膜3は特にAl、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr及びGeを含む群より選ばれる元素又はこれらの種々の元素の組み合わせにより置換されている酸化亜鉛を含む又はからなるTCOである、光電池セル100であって、前記光電池セル100は、前記基材10と前記下部電極膜3との間に、-ガラス基材から出てくる、特に、テンパリングもしくはアニーリング操作の間に出てくるアルカリ金属に対するバリアを形成する少なくとも1つの材料の第一の膜又は1組の第一の膜1、及び、-窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はその2つの化合物の混合物を含む又はからなる第二の膜2を含む誘電性材料の少なくとも2つの連続した膜をさらに含み、AlNもしくはGaN又はその2つの化合物の混合物から作られた前記第二の膜2は前記下部電極膜3に接触していることを特徴とする、光電池セル100。前記下部電極膜3と接触している前記第二の膜2は窒化アルミニウムAlNから作られている、請求項1に記載の光電池セル。前記下部電極膜3はAl、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr及びGeの群より選ばれる元素によりドーピングされ又はこれらの種々のドーパントの組み合わせによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOを含む又はからなるTCOであり、好ましくは、アルミニウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOAZO又はガリウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOGZO又はガリウム及びアルミニウムにより同時ドーピングされた酸化亜鉛ZnOからなるTCOである、請求項1又は2に記載の光電池セル。アルカリ金属バリアを形成している前記材料はSi3N4、SnxZnyOz、SiO2、SiOxNy、TiO2及びAl2O3からなる群より選ばれる材料の少なくとも1つの膜を含み、前記材料は、場合により、特に、Al、Zr及びSbから選ばれる元素によりドーピングされている、請求項1~3のいずれか1項に記載の光電池セル。アルカリ金属バリアを形成している膜1はSi3N4のみからなる、請求項1~4のいずれか1項に記載の光電池セル。アルカリ金属バリアを形成している1層又は複数層の前記膜1の物理的厚さは、合計で、15~100nmであり、好ましくは20~80nmである、請求項1~5のいずれか1項に記載の光電池セル。AlN、GaN又はその2つの化合物の混合物から作られた前記膜2の物理的厚さは30~200nmであり、好ましくは40~150nmである、請求項1~6のいずれか1項に記載の光電池セル。AlN、GaN又はその2つの混合物から作られた前記第二の膜2の厚さはアルカリ金属バリアを形成している前記第一の膜1の物理的厚さより大きい、請求項1~7のいずれか1項に記載の光電池セル。AlN、GaN又はその2つの混合物から作られた前記第二の膜2の物理的厚さ/アルカリ金属バリアを形成している前記第一の膜1の物理的厚さの比は1.1~20.0であり、好ましくは1.2~10である、請求項8に記載の光電池セル。前記下部電極膜3は1つ以上の酸化保護膜4によりその反対側の面が覆われている、請求項1~9のいずれか1項に記載の光電池セル。前記光起電力膜5は非晶性シリコンa-Si、微結晶性シリコンμc-Si又はテルル化カドミウムCdTeタイプの半導体材料、あるいは、タンデムセルを形成するように微結晶性シリコン上の非晶性シリコンの薄膜アセンブリをベースとする半導体材料を含む又はからなる、請求項1~10のいずれか1項に記載の光電池セル。先行の請求項のいずれか1項記載の光電池セルの前面を構成することができる透明基材であって、その1つの面上に、先行の請求項のいずれか1項記載の透明導電性酸化物TCOからなる透明コーティングを含み、前記基材と前記TCO膜との間に、前記ガラス基材から出てくる、特に、前記基材をテンパリングもしくはアニーリングしている間に出てくるアルカリ金属に対するバリアを形成する少なくとも1つの材料の第一の膜又は1組の第一の膜、及び、窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はその2つの化合物の混合物を含む又はからなる第二の膜を含む、誘電性材料の少なくとも2つの連続した膜をさらに含み、AlN、GaN又はその2つの化合物の混合物から作られた前記膜は前記透明導電性酸化物TCOに接触している、透明基材。アルカリ金属バリアを形成している前記膜はSi3N4のみからなる、請求項12に記載の透明ガラス基材。前記TCO膜と接触している前記第二の膜は窒化アルミニウムAlNからなる、請求項12又は13に記載の透明基材。前記TCOはアルミニウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOAZO又はガリウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOGZO又はアルミニウム及びガリウムにより同時ドーピングされた酸化亜鉛ZnOを含む又はからなる、請求項12~14のいずれか1項に記載の透明基材。それゆえ、本発明の目的は、TCO膜の光学特性及び導電性の両方の特性が光電池セルの製造の間の逐次的な熱処理及び加熱段階によって実質的に影響を受けず、さらには、その段階により改善されるような多層を含む解決策を提供することにより上記の技術の欠点を回避することである。本発明の目的は、さらに詳細には、透明導電性酸化物膜TCOの光学特性が、特にTCO膜を再結晶化させるためのアニーリング操作の後に改良される、TCO膜により被覆された透明ガラス基材を含む、新規の光電池セルを提供することである。より詳細には、本発明は、第一に、-光起電力特性を有する膜、及び、-該光起電力膜の両側に配置されている、一方が下部電極膜であり、他方が上部電極膜である、電極を形成している2つの膜、を少なくとも含む多層薄膜層を保護する少なくとも1つの透明ガラス基材を含み、前記下部電極膜は特にAl、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr及びGeを含む群より選ばれる元素又はこれらの種々の元素の組み合わせにより置換されている酸化亜鉛を含む又はからなるTCOである、光電池セルであって、前記光電池セルは、前記基材と前記下部電極膜との間に、-ガラス基材から出てくる、特に、テンパリングもしくはアニーリング操作の間に出てくるアルカリ金属に対するバリアを形成する少なくとも1つの材料の第一の膜又は1組の第一の膜、及び、-窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はその2つの化合物の混合物を含む又はからなる第二の膜、を含む誘電性材料の少なくとも2つの連続した膜をさらに含み、AlNもしくはGaN又はその2つの化合物の混合物から作られた前記第二の膜は前記下部電極膜に接触していることを特徴とする、光電池セルに関する。好ましくは、前記下部電極膜と接触している第二の膜は窒化アルミニウムAlNからなる。表現置換された亜鉛酸化物タイプとは、TCOを得る分野に周知の原理にしたがって、特に導電性を実質的に上げる量までドーピングすることにより、周期律表の元素により置換された酸化亜鉛を意味するものと理解される。特に、下部電極膜はAl、Ga、In、B、Ti、V、Y、Zr及びGeの群より選ばれる元素によりドーピングされ又はこれらの種々のドーパントの組み合わせによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOを含む又はからなるTCOであることができる。この膜は、好ましくは、アルミニウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOAZO又はガリウムによりドーピングされた酸化亜鉛ZnOGZO又はガリウム及びアルミニウムにより同時ドーピングされた酸化亜鉛ZnOからなるTCOである。通常、アルカリ金属バリアを形成している材料はSi3N4、SnxZnyOz、SiO2、SiOxNy、TiO2及びAl2O3からなる群より選ばれる材料の少なくとも1つの膜を含み、前記材料は、場合により、特に、Al、Zr及びSbから選ばれる元素によりドーピングされている。アルカリ金属バリアを形成している膜はSi3N4のみからなることができる。1つの可能な実施形態によると、アルカリ金属バリアを形成している1層又は複数層の膜の物理的厚さは、合計で、15~100nmであり、好ましくは20~80nmである。AlN、GaN又はその2つの化合物の混合物から作られた膜の物理的厚さは30~200nmであり、好ましくは40~150nmであることができる。AlN、GaN又はその2つの混合物から作られた第二の膜の厚さは、好ましくは、アルカリ金属バリアを形成している第一の膜の物理的厚さより大きい。特に、AlN、GaN又はその2つの混合物から作られた前記第二の膜の物理的厚さ/アルカリ金属バリアを形成している第一の膜の物理的厚さの比は1.1~20.0であり、好ましくは1.2~10である。下部電極膜は1つ以上の酸化保護膜によりその反対側の面が被覆されていてよい。本発明に係る光電池セルにおいて、光起電力膜は非晶性シリコンa-Si、微結晶性シリコンμc-Si又はテルル化カドミウムCdTeタイプの半導体材料、あるいは、タンデムセルを形成するように微結晶性シリコン上の非晶性シリコンの薄膜アセンブリをベースとする半導体材料を含む又はからなる。本発明は、また、上述してきたとおりの、特に光電池セルの前面を構成することができる透明基材にも関し、その透明基材はその1つの面上に、上記のとおりの透明導電性酸化物TCOからなる透明コーティングを含み、さらに、前記基材と前記TCO膜との間に、前記ガラス基材から出てくる、特に、前記基材をテンパリングもしくはアニーリングしている間に出てくるアルカリ金属に対するバリアを形成する少なくとも1つの材料の第一の膜又は1組の第一の膜、及び、窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はその2つの化合物の混合物を含む又はからなる第二の膜を含む、誘電性材料の少なくとも2つの連続した膜をさらに含み、AlN、GaN又はその2つの化合物の混合物から作られた前記膜は前記透明導電性酸化物TCOに接触している。もちろん、上記の透明基材のこのような透明基材において、-アルキル金属バリアを形成する膜はSi3N4のみからなることができ、-前記TCO膜に接触している第二の膜は窒化アルミニウムAlNからなることができ、そして-TCOはアルミニウムによりドーピングされた酸化亜鉛AZOを含む又はそれからなることができる。本発明の1つの実施形態を下記に記載するが、単一の添付の図面の関係で記載した態様によって本発明を限定することができるものと考えられない。図1は本発明に係る光電池セル100を模式的に示している。このセルは、前面として、すなわち、太陽光線に暴露される側に、透明な第一のガラス基材10、すなわち、前面基材を含む。この基材は、たとえば、ソーダ-ライム-シリカガラスなどのアルカリ金属を含有するガラスから全体として作られることができる。ガラス機能を有する基材のほぼすべての質量すなわち、少なくとも98質量又は実際にすべては、好ましくは、ソーラーモジュールとしての用途に有用な太陽スペクトルの部分、すなわち、一般に、約300~約1250又は1300nmの範囲のスペクトルの部分の放射線に対して最も良好な透明性を有することができる材料からなる。このように、本発明により選択される透明基材10は300~1300nmの波長を有する電磁線、特に太陽光に高い透過性を有する。一般に、ガラス基材は、前記範囲内のその透過率が75を超え、特に85又はさらには95を超えるように選択される。有利には、この基材は超透明ガラスであり、たとえば、SaintGobainにより販売されるガラスDiamante登録商標であり、又は、表面組織化ガラスであり、たとえば、これもSaintGobainにより販売されているガラスAlbarinoである。基材は0.5~10mmの範囲の合計厚さであることができ、光電池セルのための保護板として使用される。この目的で、基材がテンパリング処理などの熱処理を事前に経験していることが有利であることがある。従来から、光線に向けられる基材10の前面外側面は面Aと呼ばれ、そしてソーラーモジュールの残りの膜に向けられる基材の裏面内側面は面Bと呼ばれる。基材10の面Bは本発明の方法を用いて多層薄膜層30により被覆されている。このように、基材の少なくとも1つの表面部分は、多層30の種々の膜をとおしたアルカリ金属の拡散、特に、本質的にセル製造サイクルの間である種々のテンパリングもしくはアリーリング段階の間、又は、さらには加熱堆積の間などのアセンブリを高熱に加熱するときに、アルカリ金属の拡散を防止する、バリア特性が知られている材料の少なくとも1つの膜1により面Bが被覆されている。基材の面B上のこのバリア膜1の存在により、特に、上部活性膜中へのガラスからのナトリウムの拡散を回避し又はさらにブロックすることが可能になる。本発明によると、このバリア膜の種類は特に限定されず、この目的で知られている任意の膜を使用することができる。このアルカリ金属バリア膜はケイ素窒化物、酸化物又は酸窒化物、又は、さらにはジルコニウム窒化物、酸化物又は酸窒化物から選ばれる誘電性材料をベースとすることができる。それはSi3N4、SnxZnyOz、SiO2、SiOxNy又はTiO2であることができる。これらのすべての材料の中で、特に、窒化ケイ素Si3O4は優れたアルカリ金属バリア効果を提供する。このアルカリ金属バリア膜は、特に窒化ケイ素をベースとするときに、化学量論的である必要はなく、本来的に、化学量論未満であり又は化学量論を超えることができる。しかしながら、膜1は必ずしも単一の膜でなくてもよく、そして本発明の関係で、アルカリ金属に対するバリアとして作用する同一の目的の膜の組み合わせで置き換えることができる。バリア膜1又はバリア膜の組み合わせの厚さは、合計で、3~200nmであり、好ましくは10~100nmであり、特に20~50nmである。本発明によると、第二の膜2はこのアルカリ金属バリアの第一の膜の上に堆積され、その第二の膜は窒化アルミニウムAlN、窒化ガリウムGaN又はこれら2つの化合物の混合物から選ばれる材料を含み、又は、好ましくは、その材料からなる。膜2は、特に、窒化アルミニウムAlNのみからなることができる。TCOタイプの導電性膜3は本発明により、この第二の膜2の上に堆積されそしてそれと直接的に接触している。この膜3は光電池セルの下部電極を構成する。膜3は、好ましくは、Al、Gaの群の少なくとも1つの元素によりドーピングされ又は置換されている酸化亜鉛から選ばれる材料からなる。変更として、In、B、Ti、V、Y及びZrから選ばれるドーパント又は置換元素を選択することも可能である。導電性膜3はソーラーモジュールの効率を不必要に低減しないようにできるかぎり透明であり、そして機能膜を構成する材料の吸収スペクトルに対応する波長の範囲内で高い光透過率を有しなければならない。この導電膜の厚さは50~1500nmであり、好ましくは200~800nmであり、実質的に約700nmである。本発明に係る基材のTCO膜は高い導電率、及び、電磁線、特に太陽光に対して高い透明性を有しなければならない。本発明に係る導電性TCO膜3は光電池モジュール中でシート抵抗が30Ω/□以下、特に20Ω/□以下、又はさらには10Ω/□以下でなければならない。本発明によると、少なくとも透明導電性TCO膜、そして好ましくは多層30の少なくとも膜1~3は既知の薄膜真空堆積技術、特に薄膜堆積の分野において常用されているスパッタリング技術、特に、下記に詳述するようなマグネトロンスパッタリング技術により堆積され、特に逐次的にそして同一装置内で堆積される。1つの可能な実施形態によると、透明導電性膜の表面は組織化されてよく、その組織のRMS粗さは、特にセル10の光起電力膜5がシリコン系であるときに、1nm~250nmである。膜3の粗さは、それから、好ましくは、約20nm~約180nmであり、特に好ましくは40nm~140nmである。組織化のサイズは、たとえば、走査型電子顕微鏡SEM又は原子間力顕微鏡AFMにより決定されうる。RMS根二乗平均粗さは、たとえば、原子間力顕微鏡を用いてISO25178標準法により決定される。本発明の1つの可能な実施形態によると、必須ではないけれど、下部電極としての役割を果たす導電性膜は、その後、酸化保護膜4により被覆されることができる。本発明の1つの可能な実施形態によると、特許出願WO2009/056732に記載されるように、下部電極の熱処理の間、より正確には、たとえば、その電極により被覆された基材がテンパリングもしくはアリーリングされている間に、金属が酸化されうる、すなわち、当該金属の酸化物膜を形成することができる少なくとも1つの金属ブロッキング膜を、下部電極3の上方で、多層中に取り込むことも考えられる。金属ブロッキング膜は、個々に又は合金として用いて、チタン、ニッケル、クロム又はニオブをベースとすることができる。前面基材10上にこのようにして形成された主要な多層薄膜層40は、上記に記載されるとおりに光線を電気エネルギーに変換する、エネルギー変換材料を含む機能膜5により覆われる。本発明に係るソーラーセル中の薄膜5として使用するのに適切である光起電力特性を有する半導体材料の例は、たとえば、限定するわけではないが、非晶性シリコンa-Si、微結晶性シリコンμc-Si、多結晶シリコンpc-Si、ヒ化ガリウム単層として、ヒ化ガリウム二層膜として、ヒ化ガリウム三層膜として、窒化ガリウムインジウム、テルル化カドミウム及び銅-インジウム-ガリウム-硫黄-セレン化合物である。本発明に係る薄膜ソーラーセルの光起電力半導体膜は単一の半導体転移単純接合又は幾つかの半導体転移多重接合を用いることができる。同一のバンド間転移を有する半導体膜は太陽光の一部のみを使用することができるが、異なるバンド間転移を有する半導体膜は太陽スペクトルのより大きな部分に感受性である。第二の上部電極を形成するために、機能性膜5は上記のとおりに場合により透明であるTCOタイプの導電性膜6、又は、モリブデン又は別の金属材料の膜などの不透明なタイプの導電性膜6により覆われている。特に、上部電極膜はITOインジウムスズオキシドをベースとすることができ、又は、金属銀、金、銅、アルミニウム又はモリブデンから作られることができ、又は、フッ素によりドーピングされた酸化スズ又はAlによりドーピングされた酸化亜鉛から作られることができる。多層30の薄膜1~6の組み合わせは、最終的に、PU、PVB又はEVAなどから作られた熱可塑性インターレイヤ7により前面基材10と後面基材20との間にラミネート化構造の形態でサンドイッチされ、最終のソーラーセル100を形成する。これまで記載してきたような本発明に係る光電池セルは下記の工程を含む方法を用いて得ることができる:aスパッタリング、可能にはマグネトロンスパッタリングの真空堆積技術を用いて、透明導電性酸化物膜及びその保護コーティングを含む多層薄膜層40により、逐次的にそして同一のデバイス中で、前面基材10の表面を被覆すること、b被覆された基材を300°C~750°Cにて、たとえば、酸素含有雰囲気中で加熱し、TCO膜を結晶化させること、c場合により、透明導電性酸化物膜をエッチングすること、d光起電力膜5を、ここでも、可能には、真空技術を用いて同一のデバイス中で堆積させること、e下部電極膜6を堆積させること、及び、f最終の多層薄膜層30を、熱可塑性ポリマー7を適用することにより前面基材10と後面基材20との間に封入し、ラミネート化構造を得ること。スパッタリングによる真空堆積を含む工程aは蒸発させることが困難な材料の薄膜を製造するための既知の従来法である。ターゲットと呼ばれる、適切な組成の固体物体の表面を、低圧プラズマから発生する高エネルギーイオン、たとえば、酸素イオンO及び/又はアルゴンイオンAr又は中性粒子を発射することによりスパッタリングし、その後、スパッタリングされた材料を基材上の薄膜として堆積させるRomppOnline2008,sputteringを参照されたい。通常にマグネトロンスパッタリングと呼ばれる、磁場により維持されるスパッタリングを使用することが好ましい。本発明によると、酸素及びアルゴン分圧は広く変更でき、このため、各々の特定の場合の要求にしたがって容易に調整されうる。たとえば、プラズマ中のガスの分圧レベル及びスパッタリングに必要な電力は透明基材の寸法及び堆積しようとする膜特にTCO膜の厚さによって決められることができる。本発明による方法において、膜は適切なスパッタリングターゲットにより既定のサイズの連続プラント中で逐次的にスパッタリングされる。本発明によると、基材上に最終的に得るTCO膜の組成に実質的に又はさらには正確に対応する組成を有するターゲットを使用することが好ましい。この場合において、通常にマグネトロンスパッタリングと呼ばれる、磁場の作用により維持されるスパッタリングの技術を使用することが有利には可能である。しかしながら、このようなデバイスの欠点は、得られる膜の構成材料、特にTCOの結晶化度が低く、それゆえ、その材料を再結晶化させるためにアニーリング工程を必要とすることである。工程bは、それゆえ、光電池セルの最終性能にとって主要な重要な工程であり、そして特に、その最終効率を決定する。この工程において、多層40の被覆された基材は300°C~750°C、好ましくは500°C~700°C、特に、600°C~700°Cで種々の雰囲気、たとえば、酸素含有雰囲気中で加熱される。酸素含有雰囲気として、空気、又は、酸素含有分が空気よりも低い又は高いガス混合物を使用することが可能である。処理工程は標準的な既知のデバイス、たとえば、適当なサイズのガラスリボンが連続的に通過している、ガラス工業で通常に使用されている炉テンパリング炉により行うことができる。これらの連続炉は、通常、空気又は不活性ガスを伝熱流体として使用する。被覆されそして加熱された基材のこの熱処理bにより、酸化物膜は結晶性となり、それゆえ、その抵抗率は大きく低下する。このようにして、上記の本発明に係るTCO膜は得られる。TCO膜により被覆された透明基材は、好ましくは次の処理工程cが行われる前に、冷たい空気又は冷たい不活性ガスの流れにより冷却されるが、消極的に冷却されることもできる。冷却後に、被覆された基材は好ましくは温度が20~30°Cである。このように、熱応力による基材の損傷の危険性及び/又は次の処理工程cの間、又は、可能にはその前に、被覆された基材と接触される液体の制御されない蒸発又は分解の危険性は低減され又はさらには完全に排除される。透明導電性酸化物膜はエッチング剤によりエッチングでき、そしてエッチング剤は、その後、濯ぎ落とされる。エッチング剤は気体であっても又は液体であってもよく、好ましくは、液体である。液体のエッチング剤は液体有機化合物、液体無機化合物、有機溶剤中の固体、液体もしくは気体の有機もしくは無機化合物の溶液、あるいは、固体、液体もしくは気体の有機もしくは無機化合物の水溶液を含むことができる。有機もしくは無機由来の酸もしくは塩基の水溶液を用いることが好ましい。好ましくは、揮発性有機もしくは無機酸、特に、無機酸を使用する。透明TCO電極を有する基材は、また、半導体材料を堆積するための技術を有するアセンブラーに輸送されるモジュールの他の構成要素とは独立に製造されそして可能にはエッチングされることができるが、実光起電力活性に責任を担う。下部電極6、すなわち、入射線に対してセルの内側に向けられている電極は、好ましくはその入射線を反射する。既知の方法で、特に真空堆積技術を用いて堆積する工程e。最終的に、工程fの間に、ラミネート化ガラスを得るために周知の技術を用いて、ポリビニルブチラールPVB又はエチレン-酢酸ビニルEVAタイプのプラスチックフィルム16により後面基材20をアセンブリにラミネートする。例下記の例は本発明に係る実施形態の有利でかつ改良された特性を例示する役割を果たす。これらの実施例は記載された態様のいずれによっても本発明の範囲を限定するものと決して考えられるべきでない。最初に、第一のTCO膜セルの下部電極を備えた基材を得るための通常の条件下に周知のマグネトロン真空堆積の技術を用いて、SaintGobainにより販売されているDiamant登録商標ガラス上に逐次の膜を堆積させた。幾つかの試料を調製し、特定の多層は本発明により例4及び例5、他のものは本発明によらず例6又は従来技術によるもの例1~3である。より正確には、例1~3は基材とTCO膜との間に1つのアルカリ金属バリア膜のみを含む。本発明による例4及び5は2つの逐次の膜:アルカリ金属バリアとして作用する窒化ケイ素の第一の膜1及び窒化アルミニウムAlNの第二の膜2を含む。窒化ケイ素の膜は、既知のように、8アルミニウムを含有するケイ素ターゲットを用い、窒素雰囲気中でスパッタリング反応性スパッタリングして得た。別の比較の多層は例6により調製し、これも2つの保護膜を含むが、本発明によるものでない。下記の表1は調製された種々の多層の組成及びその物理的実際の厚さをより詳細に示す。例1、2及び5本発明によるの基材の種々のTCO膜のシート抵抗の変化及び前記基材の膜側での光透過率TLを、550°Cでそれぞれ5分間及び9分間のベーキングでのアニーリングの前及び後に測定した。TCO膜のシート抵抗を、4点法又はファンデパウVanderPauw法を用いて従来の技術により測定した。TL測定を、パーキンエルマーラムダ900スペクトロメータで300~2500nmの波長範囲にわたってイルミナントD65下に行った。結果を表2に与える。この表は例1及び2による抵抗率特性が比較的に同様であることを示しており、厚さ50nmのSi3N4膜はガラス基材から出てくるアルカリ金属に対するバリアとして有効に作用するために十分であることを示す。表2に示すデータを比較することにより、従来技術による例1~3の多層、比較例6の多層及び本発明による例4及び5の多層の間の挙動に有意な差異があることも判る。同一の条件下での9分間のアニーリングの場合、例1~3及び6によるTCO膜は、本発明による例4及び5の多層中に取り込まれたTCO膜よりずっと高いシート抵抗の変化を示す。このように、本発明による多層を取り込んでいる基材により、TCOの特性、特に導電性を評価可能なほどに低下させることなく、アニーリングの時間を有意に延ばすことが可能である。さらに、例6により示される他の形態と比較して、このような改良効果は本発明による特定の組み合わせ、すなわち、ガラス基材から出てくるアルカリ金属に対するバリアを形成することが知られている材料の第一の膜及び窒化アルミニウムAlNにより形成される第二の膜の組み合わせであって、そのAlN膜がセル中でTCO膜と直接的に接触しているものによってのみ得られることも明らかである。第二に、550°Cでのアニーリング工程の関数としてのシート抵抗の変化を、従来技術による例2による基材、及び、本発明による例4及び5による基材に対しても測定した。光電池用途のためのTCO膜のセル中での許容される導電性の指標である10Ω/□の最大標的値に対する熱処理の最大可能時間に達するまで各基材のアニーリングを延長した。例2、4及び5の各基材では、上記と同一の条件下での光透過率TL及び光反射率RLも測定した。ここでも、得られた結果を図2に見ることができる。表3及び図2に示す結果は本発明に係る実施形態の利点を明らかに示している。このように、10Ω/□の同一のシート抵抗では、従来技術による基材はTLが約81.3であり、一方、熱処理が長時間維持されうる本発明による基材は実質的により高いTL値、すなわち、例4による基材の場合には83.22.4及び例5による基材の場合には84.53.9を有する。10Ω/□に等しい同一のシート抵抗を有するようにTCO膜をアニーリングしそして再結晶した、例2及び例5による基材の吸光率ALAL=100-TL-RL及びパラメータAsQEも決定した。より詳細には、その方法は問題の全範囲300~2500ミクロンの範囲にわたって積分したTCO膜を含む基材の吸光スペクトルを、この同一の範囲にわたる問題の材料すなわち、a-Si,CdTe又はa-Si/μc-SiCタンデムの量子効率QEスペクトルと掛け算することにより得られるパラメータAsQEを決定することにある。承知のとおり、問題の光起電力材料に関して、横座標の波長の入射光子が電子-正孔ペアに変換される確率の表現であることが思い出されるであろう。前記材料の量子効率QE曲線を図3にプロットする。下記の表4は例2及び例5による基材とともに前面上を被覆している種々のタイプの光起電力膜を含む種々のセルについて得られた吸光率AL及びパラメータAsQEの値を示す。上記の表4に示すデータから、本発明に係る前面基材を備えた光電池セルの性能は従来技術による光電池セルの性能よりも実質的に優れていることが期待されることが判る。"