超合金金属基板を被覆する断熱保護物11を製造する方法であって、前記断熱保護物11は、少なくとも1つの金属サブ層13と、気孔を規定するカラム構造を有するイットリウム安定化ジルコニア系セラミック層14と、を含み、ジルコニア系ゾルでのセラミック層14の気孔の少なくとも一部の含浸は、ゾル-ゲル手段で達成されて、保護層用のアンカーサブ層22を形成するステップと、前記アンカーサブ層22で覆われた前記セラミック層14上に、酸化物系連続保護層20が、前記酸化物の前駆体を含むゾルを使用することによってゾル-ゲル手段で形成されるステップと、熱処理が実行されるステップとが適用され、それによって、外側保護層が、CMASによる断熱層の作用に対して形成されることを特徴とする、方法。前記保護層20が、イットリウムおよび/またはランタニド系元素の群に属する少なくとも1つの元素でドープされたジルコニアを実質的に含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記保護層20が、1つ以上の希土類酸化物を実質的に含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。ゾル-ゲル手段での保護層20の形成が、フィラー充填ゾルを使用することによって達成されることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の方法。アンカーサブ層22の形成が、フィラー未充填ゾルで達成され、ゾル-ゲル手段で保護層20を形成するために使用されるフィラー充填ゾルは、前記フィラー未充填ゾルと同じ組成を有するゾルで形成されたバインダーと、粒子で形成されたフィラーと、を含むことを特徴とする、請求項4に記載の方法。これらの粉末粒子が、アンカーサブ層22の形成のために使用されるものと同じフィラー未充填ゾルから得られることを特徴とする、請求項5に記載の方法。超合金金属基板上に断熱層を形成するのに適切な多層コーティングであって、基板上に位置する少なくとも1つの金属サブ層13と、前記金属サブ層13を被覆し、気孔を規定するカラム構造を有するイットリウム安定化ジルコニア系セラミック層14と、ゾルに由来する、セラミック層14と保護層20との間、およびセラミック層14の気孔の少なくとも一部に位置する連続フィルムおよびジルコニア系アンカーサブ層22を形成しながらセラミック層を被覆する酸化物系保護層20と、を含む、多層コーティング。前記保護層20が、さらに、セラミック層14の気孔の少なくとも一部に浸透されていることを特徴とする、請求項7に記載のコーティング。前記保護層20が、1~100μmの厚さを有することを特徴とする、請求項7から8のいずれかに記載のコーティング。前記保護層20が、非配向気孔を有することを特徴とする、請求項7から9のいずれかに記載のコーティング。前記保護層20が、イットリウムおよび/またはランタニド系元素群に属する少なくとも1つの元素でドープされたジルコニアを実質的に含むことを特徴とする、請求項7から10のいずれかに記載のコーティング。前記保護層20が、1つ以上の希土類酸化物を実質的に含むことを特徴とする、請求項7から10のいずれかに記載のコーティング。前記保護層20が、前記アンカーサブ層22より厚いことを特徴とする、請求項7から12のいずれかに記載のコーティング。保護層20の粒子のサイズが、アンカーサブ層22の粒子のサイズより大きいことを特徴とする、請求項7から13のいずれかに記載のコーティング。アンカーサブ層22の粒子のサイズの分布が、保護層20の粒子のサイズの分布より均質であることを特徴とする、請求項14に記載のコーティング。上記の技術は、いくらか欠点を有し、それらでは、適用するのが比較的難しい方法でさらなる材料層の堆積をそれらが必要とすることである。したがって、本発明は、適用することが簡単な断熱保護物を製造する方法、および断熱層の多孔性構造上の融解塩によって引き起こされる劣化を防ぐまたは遅らせる、またはそれらの程度を最小化するこの方法に起因する断熱構造を提案することを目的とする。本発明の目的は、超合金金属基板上に断熱層を形成するのに適切な多層コーティングを提案することでもあり、その構造は、これらのCMASによって発生される劣化からの保護の可能性を付与する。本発明の目的は、断熱システムの寿命を著しく向上するために、部品の作動中に融解塩から生じるセラミックへのダメージを限定するこの処理方法から生じる熱機械超合金部品、特に、高温でのタービン翼を提供することでもある。上記の目的のために、本発明によれば、超合金金属基板を被覆する断熱保護物を製造する方法であって、前記断熱保護物は、少なくとも1つの金属サブ層と、気孔を規定するカラム構造を有するイットリウム安定化ジルコニア系セラミック層と、を含む方法を提案する。本発明によれば、この方法は、次のステップが適用されることを特徴とする:前記セラミック層上に、酸化物の前駆体を含むゾルを使用することによって、ゾル-ゲル手段で、酸化物系連続保護層が形成される、熱処理が実行される、それによって、外側保護層が、断熱層のCMASの作用に対して形成される。そのような保護層は、特定の場合には、セラミックへのCMASの浸透を遅らせる犠牲層を形成するのに適切である。この方法によって、室温で実行される非常に簡単な塗布ゾル-ゲル法によって上記保護層を作成することによって、したがって、射出タイプの高温および/または真空中での堆積の適用を回避することによって、既に形成された従来のバリヤを処理することがこのようにして可能となる。このように、特に、厚み、組成、気孔率レベルの点から、非常に可変であるが制御可能な特性を有する保護層を形成することが可能であることが分かる。この解決法は、多孔性保護層の形成をさらに可能にするさらなる利点をも有し、それは、セラミック層のカラム構造を固めることを回避し、作動中に温度変化から生じる熱応力に適応することができる断熱層を保護する可能性を付与する。ゾル-ゲル手段で得られたそのような保護層の気孔は、いずれの優先的方向をも有さないことが注目されるべきであり、保護層の多孔性構造の方向性のこの欠如は、融解塩によるいかなる直接の浸透を防ぐ。さらなる提供によれば、保護層を形成する前に、ジルコニア系ゾルでのセラミック層の気孔の少なくとも一部の含浸は、保護層用のジルコニア系アンカーサブ層を形成するためにゾル-ゲル手段で実行される。このように、セラミック層の構造および組成と一致するようなアンカーサブ層の存在によって、保護層の密着が促進され、その後、層は続いて堆積される。第1の実施形態によれば、前記保護層は、イットリウムおよび/またはランタニド系元素群に属する少なくとも1つの元素でドープされたジルコニアを実質的に含む。このように、ジルコニア系保護層で、セラミック層の1つに近い組成が保護層のために見出される。これは、保護層が酸化イットリウムまたはイットリアでドープされたジルコニアから形成される場合に最も特にあてはまる:そのとき、これらの層間の異なる構造は、保護層が断熱層上に犠牲層を形成することを可能にしながら、保護層とセラミック層との間に組成の同一性があり、CMASは、直接そこに浸透することができないが、しばらくの間、セラミック層に達することなく保護層と反応することができる。これは、保護層がランタニド系元素ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウム、その上にニオブの群に属する少なくとも1つの元素でドープされたジルコニアから形成される場合にもあてはまる。このように、この第1の実施形態では、ジルコニア系保護層は、イットリアを含んでおり、そのとき、セラミック層と同じ組成を有し、または、ジルコニア系保護層は、CMASとの共融合金の形成を引き起こす可能性がある化合物の保護層中の存在を回避するために少しもイットリアを含まない。第2の実施形態によれば、前記保護層は、少しも酸化ジルコニウムを含まないが、実質的に1つ以上の希土類酸化物を含む。希土類によって意味されるのは、ランタニド系元素ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウム、その上にニオブ、スカンジウム、イットリウム、ジルコニウム、およびハフニウムの群に属する元素である。優先的な実施形態によれば、ゾル-ゲル手段での保護層の形成は、フィラー充填ゾルを使用することによって実行される。このように、粒子を含むゾルを使用することによって、100μmまでの保護層用のより厚い堆積物を達成することが可能である。優先的な別の手段では、フィラー充填ゾルが保護層を形成するために使用される場合、フィラー未充填ではなく同じゾルがアンカーサブ層を形成するために使用され、セラミック層の気孔をより容易でより深くこのようにして満たすアンカーサブ層を形成することを目的とするゾルのために、アンカーサブ層とより大きな粘性を備えた保護層との間の大きな化学親和力を保つ可能性を付与する。このように、この場合、フィラー未充填ゾルを備えたアンカーサブ層の形成は達成され、ゾル-ゲル手段で保護層を形成するために使用されるフィラー充填ゾルは、フィラー未充填ゾルと同じ組成を有するゾルで形成されたバインダーと、粉末粒子で形成されたフィラーと、を有する。有利には、これらの粉末粒子は、アンカーサブ層を形成するために使用されるものと同じフィラー未充填ゾルから得られる。本発明は、前述の製造方法から生じる多層コーティング、およびそのようなコーティングに含まれた超合金部品にも関する。本発明のコーティング目的は、超合金金属基板上に断熱層を形成するのに適切な多層コーティングであって、基板上に位置する少なくとも1つの金属サブ層と、前記サブ層を被覆し、気孔を規定するカラム構造を有するイットリウム安定化ジルコニア系セラミック層と、連続フィルムを形成することによってセラミック層を被覆する酸化物系保護層と、を含む。前記保護層は、セラミック層の気孔の少なくとも一部にさらに浸透されることが一般的に分かる。さらなる提供によれば、前記コーティングは、セラミック層と保護層との間およびセラミック層の気孔の少なくとも一部に位置する、ゾルから生じるジルコニア系アンカーサブ層をさらに含む。確かに、セラミック層上への保護層の直接の堆積が、熱処理中に著しい応力を発生する可能性があることが示され、それは、多層コーティングの早期の分離をもたらす可能性がある。本発明の範囲内で、アンカーサブ層は、セラミック層に対する保護層の化学親和力を向上する役割がある。この目的のために、アンカーサブ層は、薄く、緻密で、基板との良好な密着を確実にする:それは、セラミック層との化学結合の進展、および多層コーティングの全体の結合の向上を可能にする。それは、セラミック層と保護層との間の化学界面の役割を果たす。本発明によれば、前記保護層は、好ましくは、1~100μm、好ましくは、2~50μm、好ましくは、2~10μmの厚さを有する。本発明によれば、前記保護層は、非配向気孔を有する:確かに、ゾル-ゲル法での塗布によってとりわけ以前に検討されるように、配向気孔のいずれかの存在が、CMASの直接の浸透を防ぐために保護層において防止される。有利には、前記保護層は、前記アンカーサブ層の厚さをセラミック層上に突出するものの厚みとして前記アンカーサブ層より厚い。例えば、前記保護層は、前記アンカーサブ層の2~50倍厚く、好ましくは、5~40倍であり、有利には、前記アンカーサブ層の10~20倍厚い。一例として、アンカーサブ層は、2~5μm程度の厚さを有し、それを覆う保護層は、40~60μm程度、つまり、10~15倍大きい厚さを有する。有利には、保護層の粒子のサイズは、アンカーサブ層の粒子のサイズより大きい:保護層の平均粒子サイズは、例えば、アンカーサブ層の粒子の平均サイズの5~20倍、有利には8~10倍である。一例として、アンカーサブ層は、80~100nmナノメーター程度の粒子サイズを有し、それを覆う保護層は、800nmナノメーター~2μmマイクロメートル程度の粒子サイズを有する。有利には、アンカーサブ層の粒子のサイズの分布は、保護層粒子のサイズの分布より均質である。このようにして、有利には、本発明によれば、アンカーサブ層が微細で均質の粒子を備えた微構造を有し、保護層は、より厚い活性層を形成し、より大きなサイズでより単分散でない粒子を備えた微構造を有するコーティング構造が達成される。本発明の他の利点および特徴は、一例としてなされる次の説明を添付図面を参照して読むことで明らかとなる。図1で部分的に説明された熱機械部品の表面は、ニッケルおよび/またはコバルト系超合金などの超合金の基板12上に堆積された断熱コーティング11を含む。断熱コーティング11は、基板12上に堆積された金属サブ層13と、サブ層13上に堆積されたセラミック層14と、を含む。結合サブ層13は、ニッケルアルミナイドからなる金属サブ層である。セラミック層14は、4~12モル酸化イットリウム含有量を含むイットリウム化されたジルコニア部分安定化ジルコニアを含む。安定化ジルコニア14は、また、ある場合には、希土類、好ましくは、サブ群:Yイットリウム、Dyジスプロシウム、Erエルビウム、Euユウロピウム、Gdガドリニウム、Smサマリウム、Ybイッテルビウム、または酸化タンタルTaおよび少なくとも1つの希土類酸化物の組み合わせ、または酸化ニオブNbおよび少なくとも1つの希土類酸化物の組み合わせからなる群から選択された元素の少なくとも1つの酸化物を含んでいてもよい。製造の間に、結合サブ層13は、セラミック層14の堆積に先立って酸化され、そのために、サブ層13とセラミック層14との間に中間アルミナ層15が存在する。図2の図では、セラミック層14の典型的カラム構造が表面に存在する異なる前述の層を説明する図であることが分かる。この作動の間に、部品例えば、タービンブレードは、何百もの高温サイクル1100°C程度を受け、その間に、融解塩16CMASは表面に達し、セラミック層14の特定の厚さにわたってカラム構造の気孔および隙間に浸透する可能性がある図2参照。これらの融解塩16は、部品の冷却の間に凝固し、熱衝撃によってセラミック層14中にクラック18を発生する応力の生成をもたらし、それは、つまり、セラミック層14の表面部分を発端とする層間剥離をもたらす。熱膨張応力は、結合サブ層13に近接してセラミック層から特定のカラムの分離をも引き起こす図2の位置19を参照。図3および図4をそれぞれ参照すれば、CMASは、融解塩16の形態で堆積し、それは、セラミック層のカラム間に浸透することによってセラミック層14を被覆し図3、これらの融解塩16と次いで溶解する傾向があるセラミック層14に含まれたイットリアとの反応によって断熱層の劣化を特に引き起こす図4でセラミック層14の分解を参照。本発明の範囲内で、出願人は、セラミック層14中への高温での融解塩の浸透を遅らせる、限定する、またはさらに停止し、それによって、断熱層で被覆された部品の寿命を向上するために、セラミック層14の微構造をその上部分において保護しようと努めた。解決法は、保護層20を使用することによって分かり図5参照、それは、CMASによる作用からセラミック層14を保護するために、セラミック層14の全体の表面を被覆する。これが既に以前特定され、これが図5に現われるように、保護層20とセラミック層14との間にアンカー層22を配置することが行われる。保護層20およびアンカー層22は、ゾル-ゲル手段でセラミック層上に配置される。この堆積は、液体手段で実行されるので、液体手段は、気孔中に、特に、セラミック層14のカラム間にゾルの浸透を可能とするすなわち、アンカー層22、および特定の場合には、アンカー層22および保護層20。ゾル-ゲル手段は、酸化物タイプのセラミック粉末および層を低温特に室温で合成するために使用されるマイルド化学合成方法であることが思い出される。この方法は、鉄前駆体金属塩類および/または分子前駆体金属アルコキシドの混合物を使用する。ゾルと呼ばれるこの液相では、加水分解および縮合化学反応が、溶媒のままである無限の粘性内で、3次元無機ネットワークゲルを形成することに寄与する。この溶媒を取り除くために、2つの考えられる乾燥方法が存在する:一方は、低温および大気圧でオーブン中で乾燥し、ゲルの3次元ネットワークが消えるキセロゲルを形成するために、ジルコニア前駆体ゲルを乾燥することによって可能性を付与する従来の乾燥;他方は、超臨界条件下で乾燥を行うことが可能であり、それは、ゲルの3次元ネットワークを保持する溶媒の蒸発の後に可能性を付与する。この場合、エーロゲルが形成され、それは、後の仮焼ステップの終わりに、キセロゲルの場合と同様に、粉末粒子の形成をもたらす。そのような粒子は、フィラー充填ゾルを形成する場合にフィラーとして使用されてもよい。エーロゲルの場合には、粒子が、はるかに微細500nm未満のサイズで単分散であり、高い比表面積を備えることが留意される。従来の射出方法特に、EPBVDに比較して合成温度の低下に加えて、ゾル-ゲル手段は、さらに、保護層20のために、高い純度の酸化ジルコニウムだけでなくイットリウムまたは他の希土類などの元素でドープされた酸化ジルコニウムを得る可能性を付与する。したがって、いくつかの技術が、セラミック層を合成するためにゾルの堆積を実行するために組み合わせられてもよいので、ゾル-ゲル手段は、酸化物タイプのセラミック材料を合成する方法だけでなくシェーピング方法である。ゾル-ゲル手段でセラミックタイプの酸化物層を合成する最も使用される堆積プロセスがディッピングまたはディッピングコーティングである。それは、被覆される基板、この場合、断熱層11で被覆された部品をゾル中に浸漬すること、次いで、所望の厚さのフィルムが良好な密着で表面を均質的に被覆するように、制御された速度でそれを引き上げること、からなる。特に遠心分離またはスピンコーティングまたはスプレーまたはスプレーコーティングなどの他の堆積技術が存在する。一般的に、ゾルから得られた堆積物は、多くても2~3μmに達する厚さを有する。より厚い堆積物一般的に100μm以下を作製するために、使用される堆積媒体は、粒子を含むゾル、いわゆるフィラー充填ゾルである。フィラー充填ゾルの場合に、この堆積媒体は、ゾルの分子前駆体からなり、ゾルの分子前駆体に、サスペンジョンとして、求められる酸化物と同一の化学的構造組成を備えた粒子が添加され、そのサイズ、形態、および物理化学特性は、安定したサスペンジョンをもたらす。これらの粒子は、ゾル-ゲル手段だけでなく、ナノメトリックおよび単分散粒子の合成をもたらすいずれかの他のプロセスから生じてもよい。フィラー充填ゾルからディッピングにより得られた保護層20および、任意に、アンカー層22は、したがって、化合物であり、分散粒子が堆積サスペンジョン中に最初に存在するキセロゲル相ゾルから生じるの乾燥後にある。セラミック保護層20およびアンカー層22の形成を完成させるために、アンカー層22は、続いて空気中で熱処理を受け、その間に、溶媒の蒸発100°C、次いで、有機化合物の仮焼300~450°C、このようにしてアモルファス酸化物の形成をもたらすことが連続的に行われる。他のタイプの熱処理が、所定の構造パラメーターを備えた求められる酸化物相を得るために、雰囲気、温度上昇率、およびランプおよびプラトーの温度値を変更することによって可能である。これらの異なるステップの終わりに、1~100μmの厚さで得られた保護層20およびアンカー層22は、すべての場合に、初期のゾルの特性粒子の組成、サイズ、形態は、充填される場合のゾルの組成、ゾルの粘性、可塑剤および/またはポロジェニック剤の存在、などに入るに実質的に依存する非配向気孔を有する。このように、ゾル-ゲル法は、射出法EPBVDからのものなどカラム組織を備えた断熱層の保護を達成するために適っていることが分かる。確かに、熱ポスト処理に関連するゾル-ゲル手段は、従来技術によって得られたものと同一の構造組成および特性を有する酸化物タイプのセラミック材料の合成を可能にする。したがって、イットリウム安定化ジルコニアで形成された保護層20を堆積することが可能である同一組成であるが、セラミック層14のものとは異なる構造。この技術は、希土類を備えた代替固溶体の合成も適合される1つまたはいくつかの希土類酸化物から実質的になる保護層20。このようにして、保護層20およびアンカー層22が得られ、それらは、気孔率レベルが制御された無方向性の多孔性組織を有する。さらに、液体手段でのこの蒸着方法は、一方、堆積媒体フィラー未充填ゾルまたはフィラー充填ゾルの物理化学特性の作用によって多孔性材料ここでは、セラミック層14の含浸に適合され、他方、非常に重要な平滑化作用で強い粗さRa=15ミクロン程度を有する表面を被覆する可能性を付与する。したがって、ゾル-ゲル法は、融解CMAS塩によって断熱層11の劣化に対抗するために非常に適切な解決法に見える。この方法は、さらに、保護層20およびアンカー層22の特性、つまり、それらの組成、それらの結晶学的構造、それらの気孔率レベルを適合させる可能性を付与する。2つの材料族が、保護層20およびアンカー層22について分類されてもよく、それらの作用の形態によって互いに分類される。最初に、層20および層22は、セラミック層14のものと同一の組成からなる場合、酸化イットリウムでドープされたジルコニアの場合には、犠牲層を形成してもよい。この場合、フィラー充填ゾルの特性特に、粒子のレベル、サイズ、および形態は、それらから生じる層の気孔の密度の制御を可能にする。無方向性気孔の存在は、CMASで形成された共融合金の拡散への障害である。このように、ゾル-ゲル手段から生じるこの保護表層20の優先的な劣化があり、それは、基調を成す機能的断熱層11の少なくとも一時的な保護を可能にする。第2に、特に、保護層20の効率を向上するために、保護層20は、これがイットリアを備えた場合であるので、ゾルから、およびCMASと共融合金の形成を引き起こす可能性があるいずれの化合物も含まないフィラー充填ゾルから合成されてもよい。この場合、塗布されたゾルおよびフィラー充填ゾルは、ランタニド系元素族または他の酸化物前駆体、特に希土類酸化物に属する酸化物でドープされたジルコニア前駆体からなる。再び、ゾルの成分の含有量および熱処理条件は、それらから生じる保護層20およびアンカー層22用の求められる結晶相に依存して適合される可能性がある。フィラー充填ゾルのフィラーとしてジルコニアのエーロゲルの仮焼から生じる微細な粉末粒子の使用が、フィラー充填ゾルから、考えられる残りの気孔に浸透することができながら、アンカーサブ層で予め被覆されたセラミック層14の表面を完全に被覆する保護層を形成するジルコニアコーティングを得るために有効な手段であることが留意されることができる。