素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成され、前記素子と電気的に接続される第1の電極と、前記層間絶縁膜の上に形成され、外部との電気的な接続を行うランド端子と、前記層間絶縁膜の上に形成され、一方が前記第1の電極と接続され、他方が前記ランド端子と接続する第1の配線と、前記層間絶縁膜の上に形成され、一方が前記ランド端子及び前記第1の配線の少なくとも1つに接続され、他方が前記ランド端子及び前記配線のいずれにも接続しない第2の配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。前記ランド端子、前記第1の配線、及び第2の配線の厚みは、互いに等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記層間絶縁膜の上に形成され、前記第1の電極とは異なる第2の電極と、前記層間絶縁膜の上に形成され、前記第2の電極に接続され、前記ランド端子及び前記第1の配線のいずれにも接続しない第3の配線とをさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第3の配線及び前記第2の配線の厚みは、互いに等しいことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記第1の配線、前記第2の配線、及び前記ランド端子は、銅を含む金属からなることを特徴とする請求項1~4のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の配線、前記第2の配線、前記ランド端子、及び前記第3の配線は、銅を含む金属からなることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。前記第1の配線は、前記第1の電極と接続する面において、Ti又はTiWを含むアンダーバンプメタルを含んでいることを特徴とする請求項1~6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記第3の配線は、前記第2の電極と接続する面において、Ti又はTiWを含むアンダーバンプメタルを含んでいることを特徴とする請求項3、4、又は6に記載の半導体装置。前記第1の電極は、Alからなることを特徴とする請求項1~8のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記ランド端子の上に形成された半田端子をさらに備えていることを特徴とする請求項1~9のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記層間絶縁膜と前記第1の配線との間に形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜と前記第1の配線との間に形成された第2の保護膜とをさらに備えていることを特徴とする請求項1~10のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。前記第2の保護膜の厚みは、前記第1の保護膜の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。前記第1の配線及び前記第2の配線の上に、前記ランド端子上を露出する一方で前記第1の配線及び前記第2の配線を覆うように形成された第3の保護膜をさらに備えていることを特徴とする請求項1~12のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。ところで、近年、CSPタイプの半導体装置において、高速駆動の場合又は高電流を印可する場合等、半導体チップの内部に熱を保持するものが増加している。上記従来の半導体装置の構成では、半導体チップ107内部で発生した熱は、半導体チップ107裏面から大気中に放出されるか、又は熱伝導性に優れた金属からなる配線から入出力パッド101、再配線103、及び半田端子106を通して放熱される。しかしながら、発熱量が増大すると、これらからの放熱だけでは、半導体チップ温度の上昇を抑制することは困難であるという問題があった。前記に鑑み、本発明の目的は、良好な放熱特性を実現できる構造を有する半導体装置を提供することである。前記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、素子が形成された半導体基板と、半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に形成され、素子と電気的に接続される第1の電極と、層間絶縁膜の上に形成され、外部との電気的な接続を行うランド端子と、層間絶縁膜の上に形成され、一方が第1の電極と接続され、他方がランド端子と接続する第1の配線と、層間絶縁膜の上に形成され、一方がランド端子及び第1の配線の少なくとも1つに接続され、他方がランド端子及び配線のいずれにも接続しない第2の配線とを備えている。本発明の半導体装置において、ランド端子、第1の配線、及び第2の配線の厚みは、互いに等しいことが好ましい。本発明の半導体装置において、層間絶縁膜の上に形成され、第1の電極とは異なる第2の電極と、層間絶縁膜の上に形成され、第2の電極に接続され、ランド端子及び第1の配線のいずれにも接続しない第3の配線とをさらに備えていることが好ましい。本発明の半導体装置において、第3の配線及び第2の配線の厚みは、互いに等しいことが好ましい。本発明の半導体装置において、第1の配線、第2の配線、及びランド端子は、銅を含む金属からなることが好ましい。本発明の半導体装置において、第1の配線、第2の配線、ランド端子、及び第3の配線は、銅を含む金属からなることが好ましい。本発明の半導体装置において、第1の配線は、第1の電極と接続する面において、Ti又はTiWを含むアンダーバンプメタルを含んでいることが好ましい。本発明の半導体装置において、第3の配線は、第2の電極と接続する面において、Ti又はTiWを含むアンダーバンプメタルを含んでいることが好ましい。本発明の半導体装置において、第1の電極は、Alからなることが好ましい。本発明の半導体装置において、ランド端子の上に形成された半田端子をさらに備えていることが好ましい。本発明の半導体装置において、層間絶縁膜と第1の配線との間に形成された第1の保護膜と、第1の保護膜と第1の配線との間に形成された第2の保護膜とをさらに備えていることが好ましい。本発明の半導体装置において、第2の保護膜の厚みは、第1の保護膜の厚みよりも大きいことが好ましい。本発明の半導体装置において、第1の配線及び第2の配線の上に、ランド端子上を露出する一方で第1の配線及び第2の配線を覆うように形成された第3の保護膜をさらに備えていることが好ましい。本発明の半導体装置によると、外形の変更、新たな工程及び費用の発生なく、パッケージ単体で、従来の半導体装置に比べて優れた放熱特性を実現できる。第1の実施形態以下に、図1並びに図2a及びbを用いて、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の例として、CSPタイプの半導体装置の構成を示す平面図であって、個片化されたCSPの一部を示している。また、図2a及びbは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図であって、図1のIIII線に対応する断面を示している。図1並びに図2a及びbに示すように、例えば厚み0.7μm~4μm程度のAl合金材料からなり、外部との信号のやり取りをする配線入出力パッド1第1の電極を表面部に有する半導体チップ5の上には、例えば厚み0.5μm~2μm程度の窒化シリコン又は酸化シリコン膜等の絶縁物からなり、配線入出力パッド1の一部を露出するパッシベーション膜8第1の保護膜が形成されている。このように半導体チップ5はパッシベーション膜8によって覆われて、外的な影響から保護されている。本実施形態に係る半導体装置は、これらの構造の上に、後述する再配線構造を備えている。なお、半導体チップ5には、例えば、MOS型トランジスタのような半導体素子、PN接合にて形成されているダイオード、又はバイポーラ型トランジスタなどの発熱する半導体素子12が形成されており、半導体チップ5表面の金属配線層によってそれらの素子が相互に電気的に接続されている。また、図2a及びbにおいては、半導体基板5aにおける素子分離領域5bによって区画された素子形成領域に、ゲート電極12a及びソースドレイン拡散層12bを有するトランジスタを例として示しており、該トランジスタは、各々が層間絶縁膜5c中に形成された、ソースドレイン拡散層12bに接続するコンタクトプラグ5d、金属配線層5e、及びビアプラグ5fを介して配線入出力パッド1に電気的に接続されている。ここで、再配線構造は、電気的な接続に寄与する再配線第1の配線2と電気的な接続に寄与しない無接続再配線4とを含んでいる。具体的に、再配線2は、配線入出力パッド1と後述するランド端子3とを電気的に接続する役割を有するものである。一方、無接続再配線4は、再配線2を介して又は介さずに配線入出力パッド1又はランド端子3と接続されていても、電気的な接続には寄与しないものである。つまり、無接続再配線4は、配線入出力パッド1又はランド端子3と接続されていても、他のどの部分も、他の配線入出力パッド1にも他のランド端子3にも接続しない電気信号のやり取りに関わらない配線である。図2a及びbに示すように、配線入出力パッド1及びパッシベーション膜8の上には、半導体チップ5上の配線入出力パッド1においてAl合金とCuの相互拡散を防ぐことを目的とする厚み200nm程度のTi層及びTiW層の積層膜からなるアンダーバンプメタル層7が形成されており、該アンダーバンプメタル層7の上には、例えば厚み3μm~10μmのCu層からなる再配線2が形成されている。また、無接続再配線4は、再配線2と同様に、例えば厚み3μm~10μmのCu層から形成され、配線幅が10μm~30μmであって、パッシベーション膜8上に形成されたアンダーバンプメタル層7の上に設けられている。また同様に、本実施形態の半導体装置を実装基板へ端子を接続するためのランド端子3は、直径が150μm~250μm程度であって、且つ、再配線2と同じ構成からなり、再配線2と接続して設けられている。つまり、再配線2は、50μm~100μm程度の大きさの配線入出力パッド1とランド端子3とを電気的に接続している。このように、再配線2とランド端子3と無接続再配線4とは全て同じ膜構成を有している。また、再配線構造は、再配線2及び無接続再配線4からなるが、これらの下部に形成された上記アンダーバンプメタル層7を含めて再配線構造と呼ぶこともできる。なお、アンダーバンプメタル層7には、再配線2を構成するCu層を電解めっき工法にて形成するために、電流を導く膜として厚み200nm~700nmのCuシード層がその上層に含まれるが、電解めっき工法にてCu層を堆積すると、アンダーバンプメタル層7に含まれるCuシード層との境界は不明確になることがある。また、アンダーバンプメタル層7は、ここではTi層及びTiW層の積層膜からなる場合について説明したが、Ti層又はTiW層を含む膜構成とすることもできる。ここで、再配線構造を構成する無接続再配線4は、例えば、図1に示すように、無接続再配線4C及び4D第2の配線では、その一部一方は、再配線2を介して又は介さずに、一つのランド端子3に接続されているが、その他の部分他方は、他のランド端子3又は配線入出力パッド1には接続されていない。このため、無接続再配線4C及び4Dでは、電気信号の伝播に寄与することはないが、無接続再配線4C及び4Dを構成する上記金属層は熱伝導性が良いので、放熱効果が得られる。また、無接続再配線4A第2の配線では、その一部一方は、再配線2を介して配線入出力パッド1A第1の電極に接続されているが、その他の部分他方は、他のランド端子3又は配線入出力パッド1には接続されていない。このため、無接続再配線4Aは、電気信号の伝播に寄与することはないが、無接続再配線4Aを構成する金属層は導電性が良いので、配線入出力パッド1から再配線2を通じて半導体チップ5内部で発生する熱を大気中に放散する効果が得られる。さらに、無接続再配線4B第3の配線では、その一部一方は、配線入出力パッド1B第2の電極に接続されているが、その他の部分他方は、他のランド端子3又は配線入出力パッド1には接続されていない。このため、無接続再配線4Bは、電気信号の伝播に寄与することはないが、無接続再配線4Bを構成する金属層は導電性が良いので、放熱効果が得られる。この場合、配線入出力パッド1Bが半導体素子12の近傍に設けられていることにより、熱の伝播距離が小さくなるため、さらに大きな放熱熱効果が得られる。配線入出力パッド1Bを半導体素子12の直上の領域に形成されるようにすると更に効果的に放熱することができる。以上のように、無接続再配線4を本実施形態の半導体装置CSP表面に設けることにより、半導体素子12で発熱した熱が半導体チップ5に伝わって半導体チップ5自体の温度が上昇しても、発生する熱を無接続再配線4を通じて効率的に大気中へ逃すことができる。また、無接続再配線4の形成は、従来に比較して特別な製造工程を追加することなく可能であるため、コスト増加がないという効果が得られる。このように、熱を効率よく放出できるので、高速駆動又は大電流密度駆動が可能であって、配線の幅を必要以上に大きくする必要がない上に、温度上昇に起因する半導体素子の特性変動に対する動作上の設計マージンを削減することもでき、チップサイズの増加を抑制できるという効果も得られる。本実施形態では、再配線構造中に無接続再配線4を備えることにより、半導体チップ5内で発生する熱を効率良く放散する効果があるため、放熱体の面積が大きい方が放熱効果が大きくなる。したがって、ランド端子3、又はランド端子3と配線入出力パッド1を接続する再配線2が形成されている領域以外の領域になるべく多く、無接続再配線4放熱電極が形成されていることが好ましい。なお、以上の半導体装置の構成において、ランド端子3の上に厚みが30μm~100μmであって、直径が150μm~250μm程度の太さを有し、Cuからなる円柱形状のポストを追加して、BGAパッケージとの結線を行う構成を採ることもできる。また、図2bに示すように、再配線2、無接続再配線4、ランド端子3及びパッシベーション膜8の上に、これらを覆う薄膜の有機保護膜11第3の保護膜を形成すると共に、該有機保護膜11中の開口された部分に露出するランド端子3上に半田端子10を格子状に形成することもできる。このようにすると、放熱面積が大きくなるため、従来の半導体装置の構造と比較して放熱性の改善が見られると共に、配線構造の表面を保護することができるという効果が得られる。また、半田端子10の受け皿となる格子状に配置されたランド端子3と半田端子10とを接続することで、BGA型のパッケージと実装基板との接合が可能となる。本実施形態では、上述したように、再配線2とランド端子3と無接続再配線4とは全て同じ膜構成であって、それぞれが連続した膜からなる。すなわち、熱の伝導経路に接続部分が存在しないため、熱伝導が良いという効果がある。また、これらは全て、製造工程において同時に形成することができるため、製造工程数の増加又は製造コストの増加がないという効果がある。さらに、ランド端子3に半田端子10又はポスト電極を設けることによって実装基板と接続するので、無接続再配線4と実装基板との間には必ず所定の間隙を有するため、無接続再配線4の表面には絶縁物からなる保護膜などで覆わない構造とすることができ、製造コストの増加を招くことなく、大きな放熱効果が得られる。第2の実施形態以下に、図3を用いて、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図であって、図1のIIII線に対応する断面を示している。図3に示す本実施形態に係る半導体装置は、パッシベーション膜8を覆うように、例えばポリイミド樹脂などの比較的高い温度耐性を有する絶縁性材料からなる厚み3μm~8μm程度の有機保護膜9第2の保護膜が、アンダーバンプメタル7との間に設けられている点で、上述した第1の実施形態に係る半導体装置の構造と異なっているが、その他の構造は図1及び図2aを用いて説明した構造と同様である。また、本実施形態に係る半導体装置の構造を上述した図2bの構造に適用することもできる。本実施形態に係る半導体装置では、パッシベーション膜8の段差緩和又は再配線2の内部応力若しくは外的な機械的ストレスがパッシベーション膜8に伝達することを抑制する応力緩衝の目的として、上記有機保護膜9を備える点に特徴を有している。本実施形態に係る半導体装置によると、第1の実施形態と同様の配線構造を有することにより、半導体チップ5内の発熱を効果的に放散することができる上に、有機保護膜9を備えることにより、例えば半田端子を介してCSPをBGAなどのパッケージに接合する際に特に生じる機械的な衝撃を緩衝でき、半導体チップ5をより保護できるという効果が得られる。