"下記式1で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式1中、Xは、酸素原子又は硫黄原子である。G11~G18のうち1つは、L1と結合する炭素原子であり、他のG11~G18は、それぞれ、窒素原子又はCR0である。R0及びR1は、それぞれ、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。R2は、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。L1,L2は、それぞれ、単結合、環形成炭素数3~18のシクロアルキレン基、環形成炭素数6~18のアリーレン基又は環形成原子数5~18のヘテロアリーレン基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。Rは、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基である。a及びbは、それぞれ1~3の整数であり、nは0~3の整数である。下記式2で表される請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式2中、X、G11~G18、R、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは前記式1と同じである。下記式3で表される請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式3中、X、G11~G18、R、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは前記式1と同じである。陰極と陽極の間に、発光層を含む1層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が、請求項1~3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層、又は前記陰極と前記発光層の間の有機薄膜層の少なくとも1層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層が、ホスト材料及びりん光発光性材料を含有する請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記りん光発光性材料が、イリジウムIr又は白金Ptを含有する化合物である請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記イリジウムIr又は白金Ptを含有する化合物が、オルトメタル化金属錯体である請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の目的は、長寿命な有機EL素子用材料を提供することである。本発明によれば、以下の有機EL素子用材料等が提供される。1.下記式1で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式1中、Xは、酸素原子又は硫黄原子である。G11~G18のうち1つは、L1と結合する炭素原子であり、他のG11~G18は、それぞれ、窒素原子又はCR0である。R0及びR1は、それぞれ、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。R2は、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。L1,L2は、それぞれ、単結合、環形成炭素数3~18のシクロアルキレン基、環形成炭素数6~18のアリーレン基又は環形成原子数5~18のヘテロアリーレン基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。Rは、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基である。a及びbは、それぞれ1~3の整数であり、nは0~3の整数である。2.下記式2で表される1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式2中、X、G11~G18、R、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは前記式1と同じである。3.下記式3で表される2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。式3中、X、G11~G18、R、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは前記式1と同じである。4.陰極と陽極の間に、発光層を含む1層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が、1~3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。5.前記発光層、又は前記陰極と前記発光層の間の有機薄膜層の少なくとも1層が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6.前記発光層が、ホスト材料及びりん光発光性材料を含有する4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。7.前記りん光発光性材料が、イリジウムIr又は白金Ptを含有する化合物である6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。8.前記イリジウムIr又は白金Ptを含有する化合物が、オルトメタル化金属錯体である7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明によれば、長寿命な有機EL素子材料が提供できる。本発明の有機エレクトロルミネッセンスEL素子用材料は、下記式1で表される。式1中、Xは、酸素原子又は硫黄原子である。G11~G18のうち1つは、L1と結合する炭素原子であり、他のG11~G18は、それぞれ、窒素原子又はCR0である。R0及びR1は、それぞれ、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。R0は、好ましくは水素原子、アダマンチル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、より好ましくは水素原子、フルオロ基、シアノ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリフェニレン基、ピリジル基、ピリミジル基、又は1,3,5-トリアジニル基である。R1は、好ましくは水素原子、アダマンチル基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、より好ましくは水素原子、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリフェニレン基、ピリジル基、ピリミジル基、1,3,5-トリアジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、又は上記式1においてAで表される基と同一の基である。R2は、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。nが2以上の場合、複数のR2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。L1,L2は、それぞれ、単結合、環形成炭素数3~18のシクロアルキレン基、環形成炭素数6~18のアリーレン基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリーレン基であり、これらは置換基Rで置換されていてもよい。aが2以上の場合、複数のL1はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、bが2以上の場合、複数のL2はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。L1及びL2は同一の基であると好ましい。L1,L2は、好ましくは、それぞれ、アダマンチレン基アダマンチル基に対応する2価の基、環形成炭素数6~18のアリーレン基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリーレン基である。平面性のπ共役骨格アリーレン基、ヘテロアリーレン基にアダマンタンが直接結合すると、π共役骨格の凝集を抑制する効果が高くなる。L1,L2は、より好ましくは、それぞれ、環形成原子数5~18のヘテロアリーレン基であり、具体的にはピリジル基、ピリミジル基、1,3,5-トリアジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、又は上記式1においてAで表される基と同一の基に対応する2価の基が好ましい。Rは、それぞれ、炭素数1~20のアルキル基、環形成炭素数3~18のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基、環形成炭素数6~18のアリールオキシ基、アミノ基、シリル基、フルオロ基、シアノ基、環形成炭素数6~18のアリール基、又は環形成原子数5~18のヘテロアリール基である。a及びbは、それぞれ1~3の整数であり、nは0~3の整数である。a及びbは好ましくは1であり、nは好ましくは0である。尚、アダマンタン骨格におけるL1,L2、R2の結合位置は限定されない。本発明の化合物は、アダマンタン骨格を有することにより、下記の点で有利である。1.ガラス転移点を高くすることができる。2.アダマンタン骨格は、π共役効果を有さない構造であるため、アリールやヘテロアリール等のπ共役系骨格と結合しても、それらπ共役系骨格の一重項エネルギーEgS,S1及び三重項エネルギーEgT,T1、イオン化ポテンシャルIp、アフィニティーAfに影響を与えにくい。従って、アダマンタン骨格を有することで、化合物のエネルギーギャップの低下等を招くことなく置換基を導入することができる。3.アダマンタン骨格は、非環状アルキルに比べて化学的安定性が高い。また、本発明の化合物は、好ましくはXが酸素原子である。即ち、ジベンゾフラン骨格、又はG11~G18のいずれか1つ以上が窒素原子であるジベンゾフラン類似骨格を有する。ジベンゾフラン骨格又はジベンゾフラン類似骨格を有することにより、下記の点で有利である。1.骨格として三重項エネルギーがワイドギャップなため、発光ドーパントのエネルギー閉じ込め効果が高く、特に短波長発光するりん光素子において高効率の素子を実現する点で、発光層ホスト材料又は発光層周辺材料に用いるのに好適である。2.Afがカルバゾールよりも大きいため、陰極側隣接層からの電子注入がカルバゾールよりも容易となり、低電圧化しやすい。3.カルバゾールよりも高い電子輸送性を有し、低電圧化しやすい。本発明の化合物において、L1及びL2の少なくとも1つが、アダマンタン骨格の3級炭素、即ち1位炭素に結合していることが好ましい。より好ましくは、L1及びL2の両方がアダマンタン骨格の3級炭素、即ち1位及び3位炭素に結合していることが好ましい。アダマンタン骨格の1位炭素にアリール基又はヘテロアリール基L1、L2が結合すると、1位炭素が4級炭素となり、化学的不安定性が懸念されるベンジル位水素原子が生じることがなく、化合物の化学的安定性が高くなると考えられる。尚、ベンジル位水素原子とは、アリール基又はヘテロアリール基の隣接位の炭素上の、π共役効果によって活性化されている水素原子である。また、L1及びL2の両方がアダマンタン骨格の3級炭素に結合すると、即ち、アダマンタン骨格の1位及び3位を連結部位とすると、下記の点で有利である。アダマンタン骨格の1位及び2位で連結する場合に比べて、化学的安定性に劣るベンジル位水素原子を減らすことができる。アダマンタン骨格の1位及び2位、又は2位及び2位で連結する場合に比べて、連結する置換基同士の距離が離れ、立体反発を低減させることができ、化合物の安定性を向上することができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、好ましくは下記式2で表される。式2中、X、G11~G18、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは上記式1と同じである。尚、アダマンタン骨格におけるL2、R2の結合位置は限定されない。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、より好ましくは下記式3で表される。式3中、X、G11~G18、R0、R1、R2、L1,L2、a、b及びnは上記式1と同じである。尚、アダマンタン骨格におけるR2の結合位置は限定されない。本発明の化合物の分子量は通常400以上、好ましくは1000以下、より好ましくは分子量800以下である。また、本発明の化合物は、式1においてBで表されるアダマンタン骨格の他に、1価又は2価の環形成炭素数3~18のシクロアルキル基好ましくは1価又は2価のアダマンチル基を1~5個、好ましくは1~3個有することが好ましい。この場合、本発明の化合物は、例えばR0、R1、R2、L1及び/又はL2としてアダマンチル基を有する。尚、上記シクロアルキル基は置換基Rで置換されていてもよい。上記シクロアルキル基好ましくはアダマンチル基の数が多いほど、π共役骨格の凝集を抑制しやすいため好ましい。一方、本発明の化合物を蒸着に用いる場合、分子量が大きくなると昇華に要する温度が高温となり、熱分解と競合してしまうため、分子量が大きくなりすぎないこと、即ち、上記シクロアルキル基の数が多すぎないことが好ましい。以下、上述した式1の各基の例について説明する。炭素数1~20のアルキル基としては、直鎖状もしくは分岐状のアルキル基があり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基である。炭素数3~18のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-ノルボルニル基、2-ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基である。炭素数3~18のシクロアルキレン基としては、上述した基の2価の基が挙げられ、好ましくは、1,2-アダマンチレン基、1,3-アダマンチレン基、2,2-アダマンチレン基である。炭素数1~20のアルコキシ基は、-OY1と表され、Y1の例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。アルコキシ基はフッ素原子で置換されていてもよく、この場合、トリフルオロメトキシ基等が好ましい。環形成炭素数3~20のシクロアルコキシ基は、-OY2と表され、Y2の例として上記のシクロアルキル基の例が挙げられる。シクロアルコキシ基は、例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。環形成炭素数6~18のアリール基は、好ましくは環形成炭素数6~12のアリール基である。尚、環形成炭素とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。1価のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、ベンゾ[g]クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基である。アリーレン基としては、上述した基の2価の基が挙げられる。環形成炭素数6~18のアリールオキシ基は、-OY3と表され、Y3の例として上記のアリール基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。環形成原子数5~18のヘテロアリール基は、好ましくは環形成原子数5~10のヘテロアリール基である。1価のヘテロアリール基の具体例としては、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジヒドロアクリジニル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、キナゾリニル基等が挙げられ、好ましくは、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基である。ヘテロアリーレン基としては、上述した基の2価の基が挙げられる。Rで置換されたアミノ基としては、炭素数1~10好ましくは炭素数1~6のアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基、炭素数6~30好ましくは炭素数6~20、より好ましくは炭素数6~10のアリールアミノ基又はジアリールアミノ基等が挙げられる。Rで置換されたシリル基としては、シリル基、炭素数1~10好ましくは炭素数1~6のアルキルシリル基、炭素数6~30好ましくは炭素数6~20、より好ましくは炭素数6~10のアリールシリル基等が挙げられる。アルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。アリールシリル基の具体例としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリキシリルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。上記式Aで表される化合物の具体例を以下に示す。本発明の有機EL素子用材料は、燐光発光する有機EL素子の発光層や、発光層に隣接する層、例えば、正孔障壁層や電子障壁層の材料等として特に好ましい。続いて、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む1層以上の有機薄膜層を有する。そして、有機薄膜層の少なくとも1層が、本発明の有機EL素子用材料を含有する。図1は、本発明の有機EL素子の一実施形態の層構成を示す概略図である。有機EL素子1は、基板10上に、陽極20、正孔輸送帯域30、燐光発光層40、電子輸送帯域50及び陰極60を、この順で積層した構成を有する。正孔輸送帯域30は、正孔輸送層又は正孔注入層等を意味する。同様に、電子輸送帯域50は、電子輸送層又は電子注入層等を意味する。これらは形成しなくともよいが、好ましくは1層以上形成する。この素子において有機薄膜層は、正孔輸送帯域30に設けられる各有機層、燐光発光層40及び電子輸送帯域50に設けられる各有機層である。これら有機薄膜層のうち、少なくとも1層が本発明の有機EL素子用材料を含有する。これにより、有機EL素子の駆動電圧を低くできる。尚、本発明の有機EL素子用材料を含有する有機薄膜層に対するこの材料の含有量は、好ましくは1~100重量である。本発明の有機EL素子においては、燐光発光層40が本発明の有機EL素子用材料を含有することが好ましく、特に、発光層のホスト材料として使用することが好ましい。本発明の材料は、三重項エネルギーが十分に大きいため、青色の燐光発光性ドーパント材料を使用しても、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることができる。尚、青色発光層に限らず、より長波長の光緑~赤色等の発光層にも使用できる。燐光発光層は、燐光発光性材料燐光ドーパントを含有する。燐光ドーパントとしては、金属錯体化合物が挙げられ、好ましくはIr,Pt,Os,Au,Cu,Re及びRuから選択される金属原子と、配位子とを有する化合物である。配位子は、オルトメタル結合を有すると好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、燐光ドーパントは、Ir,Os及びPtから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。ドーパントは、1種単独でも、2種以上の混合物でもよい。燐光発光層における燐光ドーパントの添加濃度は特に限定されるものではないが、好ましくは0.1~30重量wt、より好ましくは0.1~20重量wtであるまた、燐光発光層40に隣接する層に本発明の材料を使用することも好ましい。例えば、図1の素子の正孔輸送帯域30と燐光発光層40の間に、本発明の材料を含有する層陽極側隣接層を形成した場合、該層は電子障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。一方、燐光発光層40と電子輸送帯域50の間に本発明の材料を含有する層陰極側隣接層を形成した場合、該層は正孔障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。尚、障壁層阻止層とは、キャリアの移動障壁、又は励起子の拡散障壁の機能を有する層である。発光層から正孔輸送帯域へ電子が漏れることを防ぐための有機層を主に電子障壁層と定義し、発光層から電子輸送帯域へ正孔が漏れることを防ぐための有機層を正孔障壁層と定義することがある。また、発光層で生成された三重項励起子が、三重項エネルギーが発光層よりも低い準位を有する周辺層へ拡散することを防止するための有機層を励起子阻止層トリプレット障壁層と定義することがある。また本発明の材料を燐光発光層40に隣接する層に用い,かつ更にその隣接する層に接合する他の有機薄膜層に用いることもできる。さらに、発光層を2層以上形成する場合、発光層間に形成するスペース層としても好適である。図2は、本発明の有機EL素子の他の実施形態の層構成を示す概略図である。有機EL素子2は、燐光発光層と蛍光発光層を積層したハイブリッド型の有機EL素子の例である。有機EL素子2は、燐光発光層40と電子輸送帯域50の間にスペース層42と蛍光発光層44を形成した他は、上記有機EL素子1と同様な構成を有する。燐光発光層40及び蛍光発光層44を積層した構成では、燐光発光層40で形成された励起子を蛍光発光層44に拡散させないため、蛍光発光層44と燐光発光層40の間にスペース層42を設けることがある。本発明の材料は、三重項エネルギーが大きいため、スペース層として機能できる。有機EL素子2において、例えば、燐光発光層を黄色発光とし、蛍光発光層を青色発光層とすることにより、白色発光の有機EL素子が得られる。尚、本実施形態では燐光発光層及び蛍光発光層を1層ずつとしているが、これに限らず、それぞれ2層以上形成してもよく、照明や表示装置等、用途に合わせて適宜設定できる。例えば、白色発光素子とカラーフィルタを利用してフルカラー発光装置とする場合、演色性の観点から、赤、緑、青RGB、赤、緑、青、黄RGBY等、複数の波長領域の発光を含んでいることが好ましい場合がある。上述した実施形態の他に、本発明の有機EL素子は、公知の様々な構成を採用できる。また、発光層の発光は、陽極側、陰極側、あるいは両側から取り出すことができる。本発明の有機EL素子は、陰極と有機薄膜層との界面領域に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを有することも好ましい。このような構成によれば、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも1種類が挙げられる。有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、及び希土類金属を含む有機金属錯体等から選ばれた少なくとも1種類が挙げられる。アルカリ金属としては、リチウムLi仕事関数:2.93eV、ナトリウムNa仕事関数:2.36eV、カリウムK仕事関数:2.28eV、ルビジウムRb仕事関数:2.16eV、セシウムCs仕事関数:1.95eV等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはK、Rb、Cs、さらに好ましくはRb又はCsであり、最も好ましくはCsである。アルカリ土類金属としては、カルシウムCa仕事関数:2.9eV、ストロンチウムSr仕事関数:2.0eV以上2.5eV以下、バリウムBa仕事関数:2.52eV等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、スカンジウムSc、イットリウムY、セリウムCe、テルビウムTb、イッテルビウムYb等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。アルカリ金属化合物としては、酸化リチウムLi2O、酸化セシウムCs2O、酸化カリウムK2O等のアルカリ酸化物、フッ化リチウムLiF、フッ化ナトリウムNaF、フッ化セシウムCsF、フッ化カリウムKF等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウムLiF、酸化リチウムLi2O、フッ化ナトリウムNaFが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウムBaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化カルシウムCaO及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウムBaxSr1xO0<x<1、カルシウム酸バリウムBaxCa1xO0<x<1等が挙げられ、BaO、SrO、CaOが好ましい。希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウムYbF3、フッ化スカンジウムScF3、酸化スカンジウムScO3、酸化イットリウムY2O3、酸化セリウムCe2O3、フッ化ガドリニウムGdF3、フッ化テルビウムTbF3等が挙げられ、YbF3、ScF3、TbF3が好ましい。有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも1つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β-ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、モル比で有機物:電子供与性ドーパント及び/又は有機金属錯体=100:1~1:100であり、好ましくは5:1~1:5である。電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み0.1nm以上15nm以下で形成する。電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み0.05nm以上1nm以下で形成する。また、本発明の有機EL素子における、主成分と、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかの割合としては、モル比で、主成分:電子供与性ドーパント及び/又は有機金属錯体=5:1~1:5であると好ましく、2:1~1:2であるとさらに好ましい。本発明の有機EL素子では、上述した本発明の有機EL素子用材料を使用した層以外の構成については、特に限定されず、公知の材料等を使用できる。以下、実施形態1の素子の層について簡単に説明するが、本発明の有機EL素子に適用される材料は以下に限定されない。[基板]基板としてはガラス板、ポリマー板等を用いることができる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。[陽極]陽極は例えば導電性材料からなり、4eVより大きな仕事関数を有する導電性材料が適している。上記導電性材料としては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が挙げられる。陽極は、必要があれば2層以上の層構成により形成されていてもよい。[陰極]陰極は例えば導電性材料からなり、4eVより小さな仕事関数を有する導電性材料が適している。上記導電性材料としては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びこれらの合金が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、上記合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陰極は、必要があれば2層以上の層構成により形成されていてもよく、陰極は上記導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は10より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μmであり、好ましくは50~200nmである。発光層本発明の有機EL素子層材料以外の材料で燐光発光層を形成する場合、燐光発光層の材料として公知の材料が使用できる。具体的には、特願2005-517938等を参照すればよい。本発明の有機EL素子は、図2に示す素子のように蛍光発光層を有していてもよい。蛍光発光層としては、公知の材料が使用できる。発光層は、ダブルホストホストコホストともいうとしてもよい。具体的に、発光層において電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせることで、発光層内のキャリアバランスを調整してもよい。また、ダブルドーパントとしてもよい。発光層において、量子収率の高いドーパント材料を2種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光する。例えば、ホストと赤色ドーパント、緑色のドーパントを共蒸着することによって、黄色の発光層を実現することがある。発光層は単層でもよく、また、積層構造でもよい。発光層を積層させると、発光層界面に電子と正孔を蓄積させることによって再結合領域を発光層界面に集中させることができる。これによって、量子効率を向上させる。[正孔注入層及び正孔輸送層]正孔注入輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.6eV以下と小さい層である。正孔注入輸送層の材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104~106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V秒であれば好ましい。正孔注入輸送層の材料としては、具体的には、トリアゾール誘導体米国特許3,112,197号明細書等参照、オキサジアゾール誘導体米国特許3,189,447号明細書等参照、イミダゾール誘導体特公昭37-16096号公報等参照、ポリアリールアルカン誘導体米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45-555号公報、同51-10983号公報、特開昭51-93224号公報、同55-17105号公報、同56-4148号公報、同55-108667号公報、同55-156953号公報、同56-36656号公報等参照、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55-88064号公報、同55-88065号公報、同49-105537号公報、同55-51086号公報、同56-80051号公報、同56-88141号公報、同57-45545号公報、同54-112637号公報、同55-74546号公報等参照、フェニレンジアミン誘導体米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51-10105号公報、同46-3712号公報、同47-25336号公報、同54-119925号公報等参照、アリールアミン誘導体米国特許第3,567,450号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49-35702号公報、同39-27577号公報、特開昭55-144250号公報、同56-119132号公報、同56-22437号公報、西独特許第1,110,518号明細書等参照、アミノ置換カルコン誘導体米国特許第3,526,501号明細書等参照、オキサゾール誘導体米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの、スチリルアントラセン誘導体特開昭56-46234号公報等参照、フルオレノン誘導体特開昭54-110837号公報等参照、ヒドラゾン誘導体米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54-59143号公報、同55-52063号公報、同55-52064号公報、同55-46760号公報、同57-11350号公報、同57-148749号公報、特開平2-311591号公報等参照、スチルベン誘導体特開昭61-210363号公報、同第61-228451号公報、同61-14642号公報、同61-72255号公報、同62-47646号公報、同62-36674号公報、同62-10652号公報、同62-30255号公報、同60-93455号公報、同60-94462号公報、同60-174749号公報、同60-175052号公報等参照、シラザン誘導体米国特許第4,950,950号明細書、ポリシラン系特開平2-204996号公報、アニリン系共重合体特開平2-282263号公報等を挙げることができる。また、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。正孔注入輸送層の材料には架橋型材料を用いることができ、架橋型の正孔注入輸送層としては、例えば、Chem.Mater.2008,20,413422、Chem.Mater.2011,23,658681、WO2008108430、WO2009102027、WO2009123269、WO2010016555、WO2010018813等の架橋材を、熱、光等により不溶化した層が挙げられる。[電子注入層及び電子輸送層]電子注入輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい層である。有機EL素子は発光した光が電極例えば陰極により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子注入輸送層は数nm~数μmの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、104~106V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも10-5cm2/Vs以上であることが好ましい。電子注入輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましく、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。その他、ドナー性材料のドーピングn、アクセプター材料のドーピングpにより、半導体性を備えた有機層を形成してもよい。Nドーピングの代表例は、電子輸送性材料にLiやCs等の金属をドーピングさせるものであり、Pドーピングの代表例は、正孔輸送性材料にF4TCNQ等のアクセプター材をドープするものである例えば、特許3695714参照。本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm~10μmの範囲が適しているが、10nm~0.2μmの範囲がさらに好ましい。次に、合成例及び実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の合成例、実施例に限定されない。尚、化合物の評価方法は下記の通りである。1三重項エネルギー市販の装置F-4500株式会社日立ハイテクノロジーズ製を用いて測定した。三重項エネルギーEgTの換算式は以下の通りである。EgTeV=1239.85/λph式中、λphは、縦軸にリン光強度、横軸に波長をとって、リン光スペクトルを表したときに、リン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値単位:nmを意味する。各化合物をEPA溶媒ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2容積比、各溶媒は分光用グレードに溶解し試料:10μmol/L、リン光測定用試料とした。燐光スペクトルは、日立製作所製F-4500を用いて測定した。具体的には、石英セルへ入れたリン光測定用試料を77Kに冷却し、励起光をリン光測定用試料に照射し、観測波長を変えながらリン光強度を測定した。リン光スペクトルは、縦軸をリン光強度、横軸を波長とした。このリン光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λphnmを求めた。燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれつまり縦軸が増加するにつれ、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。尚、スペクトルの最大ピーク強度の10以下のピーク強度を有する極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。2ガラス転移点ガラス転移点は、3mg程度の試料を用い、PerkinElmer社製DSC8500を用い、以下のi~viまでの2サイクルの昇降温プロセスを行い、viの昇温時のDSC曲線のベースラインが段状に変化している変曲点の立ち上がり温度によって定義する。i30°Cで1分間保持する。ii30°Cから該試料の熱分解温度未満の一定温度まで昇温速度10°C/minで加熱する。iii該一定温度にて3分間保持する。iv該一定温度から0°Cまで200°C/minで冷却する。v0°Cで10分間保持する。vi0°Cから200°Cまで昇温速度10°C/minで加熱する。3イオン化ポテンシャルIpイオン化ポテンシャルは、各層の単独層を別途ITOガラス基板上に真空蒸着で作製し、ITOガラス基板上の薄膜を用いて大気下で光電子分光装置理研計器株社製:AC-3を用いて測定した。具体的には、材料に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。照射光のエネルギーに対し、放出された光電子を1/2乗でプロットし、光電子放出エネルギーのしきい値をイオン化ポテンシャルIpとした。4アフィニティAfアフィニティは、イオン化ポテンシャルIpとエネルギーギャップEg一重項エネルギーEgSの測定値から算出した。算出式は、次のとおりである。Af=Ip-EgエネルギーギャップEgは、トルエン溶液中の吸収スペクトルの吸収端から測定した。具体的には、市販の可視紫外分光光度計を用いて、吸収スペクトルを測定し、そのスペクトルの長波長側の立ち下がり波長から算出した。換算式は、次のとおりである。EgeV=1239.85/λab縦軸に吸光度、横軸に波長をとって、表したものを吸収スペクトルとした。エネルギーギャップEgに関する上記換算式において、λab単位:nmは、吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値を意味する。各化合物をトルエン溶媒に溶解し試料2×10-5mol/リットル、光路長は1cmとなるように試料を準備した。波長を変えながら吸光度を測定した。吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれつまり縦軸が減少するにつれ傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側ただし、吸光度が0.1以下となる場合は除くで極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。なお、吸光度の値が0.2以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。また、有機EL素子の評価方法は下記の通りである。1外部量子効率23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で、輝度1000cd/m2時の外部量子効率を輝度計ミノルタ社製分光輝度放射計CS-1000を用いて測定した。2半減寿命時間初期輝度1000cd/m2で連続通電試験直流を行い、初期輝度が半減するまでの時間を測定した。3電圧V23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で、KEITHLY236SOURCEMEASUREUNITを用いて、電気配線された素子に電圧を印加して発光させ、素子以外の配線抵抗にかかる電圧を差し引いて素子印加電圧を測定した。電圧の印加測定と同時に輝度計ミノルタ社製分光輝度放射計CS-1000を用いて輝度測定も行い、これらの測定結果から素子輝度が1000cd/m2時の電圧を読み取った。合成例1[化合物1の合成]1化合物1-aの合成三口フラスコに3-ブロモ-N-フェニルカルバゾール35.4g,110mmol、1,3-アダマンタンジオール8.41g,50mmol、メタンスルホン酸6.5ml、クロロベンゼン50mlを入れ、窒素雰囲気下にて120°Cで12時間加熱撹拌した。反応終了後、試料溶液をビーカーに移し、水酸化ナトリウム水溶液にてpH10以上となるよう中和を行い、その後、分液ロートを用いてトルエンで有機相を抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮を行った。その後、シリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=6:4で精製し、さらに酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒で分散洗浄を行い、白色の固体を得た。化合物の同定はFD-MS及び1H-NMRにて行った。収量は24.5g、収率は63であった。2化合物1の合成三口フラスコに化合物1-a9.7g,12.5mmol、2-ジベンゾフランボロン酸6.36g,30mmol、炭酸ナトリウム2M水溶液25ml、PdPPh340.58g,0.5mmol、1,2-ジメトキシエタン25ml、トルエン25mlを加え10時間還流させた。反応終了後、反応溶液にメタノールと水を加え、析出した試料をろ取、水洗した。これをトルエン500mlに溶解させ、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、シリカゲルクロマトグラフィーヘキサン:トルエン=1:1で精製した。さらにこれをトルエン/酢酸エチル混合溶媒から再結晶して白色の固体を得た。収量は7.60g、収率は64であった。合成例2[化合物2の合成]三口フラスコにN-2-ジベンゾフラニルカルバゾール16.67g,50mmol、1,3-アダマンタンジオール1.68g,10mmol、メタンスルホン酸1.3ml、1,2-ジクロロエタン20mlを入れ、窒素雰囲気下にて18時間還流させた。反応終了後、試料溶液をビーカーに移し、水酸化ナトリウム水溶液にてpH10以上となるよう中和を行い、その後、分液ロートを用いてトルエンで有機相を抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮を行った。その後、シリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=6:4で精製し、さらに酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒で分散洗浄を行い、白色の固体を得た。化合物の同定は、FD-MS及び1H-NMRにて行った。収量は1.85g、収率は23であった。合成例3[化合物3の合成]三口フラスコに1-アダマンタノール6.67g,20mmol、N-2-ジベンゾフラニルカルバゾール6.39g,42mmol、メタンスルホン酸2.6ml、1,2-ジクロロエタン20mlを入れ、窒素雰囲気下にて18時間還流させた。反応終了後、試料溶液をビーカーに移し、水酸化ナトリウム水溶液にてpH10以上となるよう中和を行い、その後、分液ロートを用いてトルエンで有機相を抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮を行った。その後、シリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒ヘキサン:トルエン=6:4で精製し、さらに酢酸エチル/ヘキサン混合溶媒から再結晶を行い、白色の固体を得た。化合物の同定はFD-MS及び1H-NMRにて行った。収量は4.57g、収率は38であった。合成例4[化合物4の合成]N-2-ジベンゾフラニルカルバゾールの代わりに、化合物4-aを用いた他は合成例3と同様に化合物4を合成した。合成した化合物1~4の物性値を表1に示す。比較例1膜厚130nmのITO電極ライン付きガラス基板ジオマテック社製を、イソプロピルアルコール中で5分間、超音波洗浄した後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後のITO電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずITO電極ラインが形成されている側の面上に、ITO電極ラインを覆うようにして化合物HI1を厚さ20nmで、次いで化合物HT1を厚さ60nmで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは1Å/sとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。次に、正孔注入輸送層上に、化合物A1と化合物BD1を同時に抵抗加熱蒸着して膜厚50nmの薄膜を成膜した。このとき、化合物BD1を、化合物A1と化合物BD1の総質量に対し質量比で20になるように蒸着した。成膜レートはそれぞれ1.2Å/s、0.3Å/sとした。この薄膜は、燐光発光層として機能する。次に、この燐光発光層上に、化合物H1を抵抗加熱蒸着して膜厚10nmの薄膜を成膜した。成膜レートは1.2Å/sとした。この薄膜は障壁層として機能する。次に、この障壁層上に、化合物ET1を抵抗加熱蒸着して膜厚10nmの薄膜を成膜した。成膜レートは1Å/sとした。この膜は電子注入層として機能する。次に、この電子注入層上に膜厚1.0nmのLiFを成膜レート0.1Å/sで蒸着した。次に、このLiF膜上に金属アルミニウムを成膜レート8.0Å/sにて蒸着し、膜厚80nmの金属陰極を形成して有機EL素子を得た。また、上記の方法により電圧、外部量子効率、及び半減寿命を求めた。結果を表2に示す。また、用いた化合物を以下に示す。実施例1~3比較例1において、化合物A1の代わりに表1に記載の化合物を用いて発光層を形成した以外は比較例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表2に示す。尚、半減寿命相対値とは、比較例1の素子の半減寿命を100とした場合の相対値である。比較例2発光層ホストとして化合物A1の代わりに化合物H1、正孔阻止層として化合物H1の代わりに化合物A1を用いた以外は比較例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表3に示す。実施例4~6比較例2において、正孔阻止層として化合物A1を用いる代わりに表3に記載の化合物を用いた他は比較例2と同様にして有機EL素子を作製した。表3に得られた素子の評価結果を示す。尚、半減寿命相対値とは、比較例2の素子の半減寿命を100とした場合の相対値である。表2及び3より、本発明の化合物1~4は長寿命であり、比較例化合物よりも低電圧かつ高効率で駆動する有機EL素子を提供できることがわかる。"