"以下の工程を含むことを特徴とする、半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置の製造方法:a第1インナー部、前記第1インナー部とは反対側の第1アウター部、および前記第1インナー部と前記第1アウター部との間に位置する第1オフセット部を有する第1リードと、前記第1インナー部と対向する第2インナー部、前記第2インナー部とは反対側の第2アウター部、および前記第2インナー部と前記第2アウター部との間に位置する第2オフセット部を有する第2リードとを備えたリードフレームを準備する工程;b前記第1インナー部の上面に半導体チップを搭載する工程;c前記半導体チップの主面に形成された電極と前記第2インナー部とを、ワイヤを介して電気的に接続する工程;d前記第1アウター部の一部および前記第2アウター部の一部が露出するように、前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記第1インナー部、前記第1オフセット部、前記第2インナー部、および前記第2オフセット部を樹脂で封止して、封止体を形成する工程;e前記d工程の後、前記封止体の下面、前記封止体の前記下面から露出する前記第1アウター部、および前記封止体の前記下面から露出する前記第2アウター部に向かって液体を噴出する工程;f前記e工程の後、前記封止体から露出する前記第1アウター部の一部および前記第2アウター部の一部のそれぞれの表面にメッキ層を形成する工程、ここで、前記第1アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第1裏面と、前記封止体の第1側面から露出し、かつ前記第1裏面と交わる第1外端面と、前記第1外端面とは反対側で、かつ前記第1裏面と交わり、かつ前記第1オフセット部と前記第1アウター部との境界に位置する第1内端面とを有し、前記第2アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第2裏面と、前記封止体の前記第1側面とは反対側の第2側面から露出し、かつ前記第2裏面と交わる第2外端面と、前記第2外端面とは反対側で、かつ前記第2裏面と交わり、かつ前記第2オフセット部と前記第2アウター部との境界に位置する第2内端面とを有する。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、平面視において前記第1インナー部と前記第2インナー部とを結ぶ第1仮想線は、平面視において前記第1アウター部と前記第2アウター部とを結ぶ第2仮想線と重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記e工程では、電解処理を施して、前記液体を噴出することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記e工程で噴出する前記液体は、樹脂ビーズまたはガラスビーズを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1インナー部は前記第1アウター部よりも上方に位置し、前記第1インナー部と前記第1アウター部との間に形成された前記第1オフセット部は屈曲部であり、前記第2インナー部は前記第2アウター部よりも上方に位置し、前記第2インナー部と前記第2アウター部との間に形成された前記第2オフセット部は屈曲部であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1インナー部および前記第1オフセット部の厚さは前記第1アウター部の厚さよりも薄く、前記第2インナー部および前記第2オフセット部の厚さは前記第2アウター部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置であって、前記半導体装置は、第1リードと、前記第1リードと対向する第2リードと、前記第1リードに搭載された半導体チップと、前記半導体チップの主面に形成された電極と前記第2リードとを電気的に接続するワイヤと、前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止体とを含み、前記第1リードは、第1インナー部と、前記第1インナー部とは反対側で、前記封止体の下面から露出する第1アウター部と、前記第1インナー部と前記第1アウター部との間に位置する第1オフセット部とを有し、前記第2リードは、前記第1インナー部と対向する第2インナー部と、前記第2インナー部とは反対側で、前記封止体の前記下面から露出する第2アウター部と、前記第2インナー部と前記第2アウター部との間に位置する第2オフセット部とを有し、前記封止体は、前記第1リードの前記第1インナー部および前記第1オフセット部と、前記第2リードの前記第2インナー部および前記第2オフセット部とを封止し、前記第1アウター部は、前記封止体の下面から露出する第1裏面と、前記封止体の第1側面から露出し、かつ前記第1裏面と交わる第1外端面と、前記第1外端面とは反対側で、かつ前記第1裏面と交わり、かつ前記第1オフセット部と前記第1アウター部との境界に位置する第1内端面とを有し、前記第2アウター部は、前記封止体の前記下面から露出する第2裏面と、前記封止体の第2側面から露出し、かつ前記第2裏面と交わる第2外端面と、前記第2外端面とは反対側で、かつ前記第2裏面と交わり、かつ前記第2オフセット部と前記第2アウター部との境界に位置する第2内端面とを有することを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記第1リードの前記第1インナー部の厚さが前記第1アウター部の厚さよりも薄く、前記第2リードの前記第2インナー部の厚さが前記第2アウター部の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、平面視において前記第1インナー部と前記第2インナー部とを結ぶ第1仮想線は、平面視において前記第1アウター部と前記第2アウター部とを結ぶ第2仮想線と重なることを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記第1リードの前記第1インナー部が前記第1アウター部よりも前記封止体の上面側に位置し、前記第2リードの前記第2インナー部が前記第2アウター部よりも前記封止体の上面側に位置することを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記第1内端面および前記第2内端面の前記封止体の前記下面からの高さは、0.05mm以上であることを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記封止体の前記下面にそれぞれ露出している前記第1リードの前記第1アウター部と前記第2リードの前記第2アウター部との間隔は、対向する前記第1リードの前記第1インナー部と前記第2リードの前記第2インナー部との間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項7記載の半導体装置において、前記第1内端面および前記第2内端面は前記封止体の内部にあり、前記第1外端面および前記第2外端面は前記封止体の外部にあることを特徴とする半導体装置。互いに対向するように配置された2つのリードと、一方のリードの上面に搭載された半導体チップと、この半導体チップと他方のリードとを電気的に接続するワイヤと、2つのリードのそれぞれの下面を露出させて、半導体チップおよびワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置において、2つのリード間に高電圧を印加する場合、耐圧を確保するために2つのリード間の距離を十分に広げておく必要がある。これは、空気の耐圧が、例えば個体物ここでは封止体の耐圧に比べて一般的に低いため、一方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分と、他方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分との最短距離で、半導体装置の耐圧が決まるためである。しかし、ワイヤを介して一方のリードの上面に搭載された半導体チップと他方のリードとを電気的に接続する場合は、単に、互いに対向する2つのリード間の距離を大きくするとワイヤの長さが長くなるという問題が生じる。そこで、本発明者らは、リードの形状を工夫することにより、一方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分と、他方のリードのうち封止体から露出して空気にさらされる部分との距離を広げる検討を行った。例えば、図23または前述した特許文献1に示すような形状を有し、互いに対向する2つのリード51,52を備えた半導体装置SWの検討を行った。すなわち、一方のリード51を、半導体チップSCが搭載される部分以下、インナー部と言う51Aと、このインナー部51Aと連なりインナー部51Aの反対側に位置し、実装基板に実装した際には実装基板の電極と接続される部分以下、アウター部と言う51Bとに分ける。同様に、他方のリード52を、ワイヤ53が接続される部分以下、インナー部と言う52Aと、このインナー部52Aと連なりインナー部52Aの反対側に位置し、実装基板に実装した際には実装基板の電極と接続される部分以下、アウター部と言う52Bとに分ける。そして、インナー部51Aがアウター部51Bよりも実装基板から離れる方向に位置するように、またインナー部52Aがアウター部52Bよりも実装基板から離れる方向に位置するように、それぞれのリード51,52を折り曲げて、インナー部51A,52Aの全体を封止体54により覆う。なお、図23において、符号51Cで示す部分が、一方のリード51のインナー部51Aとアウター部51Bとの間に位置する折り曲げ部分以下、屈曲部と言うであり、符号52Cで示す部分が、他方のリード52のインナー部52Aとアウター部52Bとの間に位置する折り曲げ部分以下、屈曲部と言うである。これにより、一方のリード51のうち封止体54の下面に露出して空気にさらされる部分と、他方のリード52のうち封止体54の下面から露出して空気にさらされる部分との距離D1を広く保ちながら、互いに対向するインナー部51Aとインナー部52Aとの距離を、この距離D1よりも小さくできるので、ワイヤ53の長さを短くすることができた。一方、近年、半導体装置の高耐圧化に加えて、低コスト化の要求が強まっている。そこで、本発明者らは、この低コスト化の要求に応えるための一手段として、封止体54を形成する工程モールド工程において、例えば前述した特許文献2に記載されているようなフィルムまたはラミネートを使用せずに、リードフレームを直接、金型の表面金型面に配置することにより、半導体チップSCを樹脂で封止する検討を行った。ところが、フィルムを使用しない場合、このモールド工程において、封止体54から露出しているリード51のアウター部51Bおよびリード52のアウター部52Bのそれぞれの下面実装面が薄い樹脂以下、バリと言うで覆われ易くなる。そのため、モールド工程の後に、液体をリード51のアウター部51Bおよびリード52のアウター部52Bのそれぞれの下面に圧力水圧をかけて噴きつけて、バリを除去する工程バリ取り工程が必要となった。しかし、このバリ取りを施すと、図24に示すように、封止体54の下面の一部斜線で示す部分が剥がれて、例えば一方のリード51のインナー部51Aとアウター部51Bとの間の屈曲部51Cの一部が封止体54の下面に露出し他方のリード52も同様、一方のリード51の空気にさらされる部分と、他方のリード52の空気にさらされる部分との距離D2が、前述の図23に示した距離D1よりも短くなることが分かった。この理由として、封止体54を構成する樹脂の厚さが薄くなると、樹脂とリード51,52との密着強度が弱くなることが主な原因であると考えられた。すなわち、一方のリード51のうちのインナー部51Aとアウター部51Bとの間の屈曲部51Cの下面側に形成される樹脂においては、インナー部51Aからアウター部51Bに向かって樹脂の厚さは徐々に薄く形成されている。そのため、バリ取り工程において封止体54に吹き付けられた液体の圧力水圧によって、屈曲部51Cの下面側のアウター部51Bに近い封止体54の一部が剥がされて、屈曲部51Cの一部が封止体54から露出したと推考された。これは、他方のリード52においても同様である。なお、一方のリード51の屈曲部51Cの一部および他方のリード52の屈曲部52Cの一部が封止体54から露出すると、実装基板55に半導体装置SWを実装した際に、図25に示すように、一方のリード51のアウター部51Bおよび他方のリード52のアウター部52Bのそれぞれの表面に形成された半田材56が封止体54の下面実装面における中央部に寄ってしまう。従って、半導体装置SWの耐圧は、半導体装置SWの耐圧を考慮して設定された上記距離D1ではなく、この距離D1よりも短い、一方のリード51の屈曲部51Cの下面側に形成された半田材56と、他方のリード52の屈曲部52Cの下面側に形成された半田材56との距離すなわち上記距離D2とほぼ同じ距離により決まることになる。このため、半導体装置SWにおいて耐圧低下の問題が生じてしまう。本発明の目的は、半導体装置の耐圧を確保することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、半田材を介して実装基板に搭載される半導体装置の製造方法であって、第1リードの第1アウター部は、封止体の下面から露出する第1裏面と、第1裏面と交わる第1外端面と、第1裏面と交わり、かつ第1オフセット部と第1アウター部との境界に位置する第1内端面とを有し、第1リードと対向する第2リードの第2アウター部は、封止体の下面から露出する第2裏面と、第2裏面と交わる第2外端面と、第2裏面と交わり、かつ第2オフセット部と第2アウター部との境界に位置する第2内端面とを有する。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。半導体装置の耐圧を確保することができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本発明の実施の形態による半導体装置の構造を図1~図4を用いて説明する。図1は半導体装置の構造を示す上面図、図2は半導体装置の構造を示す底面図、図3は図1のA-A′線に沿った要部断面図、図4は半導体装置の構造を示す透過平面図である。図1~図4に示すように、半導体装置SW1は、所定の間隔を有し、互いに対向して配置された一対の第1リード1と第2リード2とを備え、さらに、第1リード1に搭載された半導体チップSC、第2リード2と半導体チップSCの主面回路形成面に形成されたパッド電極とを電気的に接続するワイヤ3、ならびに第1リード1の一部、第2リード2の一部、半導体チップSCおよびワイヤ3を封止する封止体4を備えている。第1リード1および第2リード2は、例えば厚さが0.1~0.3mm程度の銅、鉄、リン青銅などの熱伝導率の良い薄板金属をプレス加工することによって形成される。第1リード1はダイボンド電極として機能し、第2リード2はワイヤボンド電極として機能する。第1リード1は、第1インナー部1Aと、第1アウター部1Bと、第1インナー部1Aと第1アウター部1Bとの間に位置する第1オフセット部1Cとから構成される。第1インナー部1Aは第1アウター部1Bよりも上方封止体4の上面側に位置している。第1インナー部1Aは、半導体チップSCが搭載され、かつ封止体4により覆われる部分であり、第1インナー部1Aは封止体4からは露出していない。第1アウター部1Bは、半導体装置を実装基板に実装した際には、実装基板の電極と接続される部分である。また、第1アウター部1Bは封止体4から露出する部分と露出しない部分とを有している封止体4に覆われる部分も一部に有する。第1アウター部1Bの封止体4から露出した部分には、封止体4の下面から露出して実装基板の電極と直接接する第1裏面D11と、封止体4の側面から突出し、かつ第1裏面D11と交わる第1外端面D12とがある。なお、本実施の形態では、第1外端面D12が封止体4の側面から突出していることについて説明したが、封止体4の下面実装面から露出する第1裏面D11の面積が大きい場合には、封止体4の側面から突出していなくてもよい。すなわち、第1外端面D12が封止体4の側面から露出しているだけでもよい。また、第1アウター部1Bの封止体4から露出しない部分には、第1外端面D12とは反対側で、かつ第1裏面D11と交わる第1内端面D13がある。この第1内端面D13は、第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界界面に位置する。第1オフセット部1Cは、第1インナー部1Aが第1アウター部1Bよりも上方封止体4の上面側に位置するように、第1リード1の一部を折り曲げた部分であって、第1インナー部1Aと第1アウター部1Bとの間に位置する屈曲部である。また、第1オフセット部1Cは封止体4からは露出していない。第2リード2は、第2インナー部2Aと、第2アウター部2Bと、第2インナー部2Aと第2アウター部2Bとの間に位置する第2オフセット部2Cとから構成される。第2インナー部2Aは第2アウター部2Bよりも上方封止体4の上面側に位置している。第2インナー部2Aは、ワイヤ3と電気的に接続される部分であり、第2インナー部2Aは封止体4からは露出していない。第2アウター部2Bは、半導体装置を実装基板に実装した際には、実装基板の電極と接続される部分である。また、第2アウター部2Bは封止体4から露出する部分と露出しない部分とを有している封止体4に覆われる部分も一部に有する。第2アウター部2Bの封止体4から露出した部分には、封止体4の下面から露出して実装基板の電極と直接接する第2裏面D21と、封止体4の側面から突出し、かつ第2裏面D21と交わる第2外端面D22とがある。なお、本実施の形態では、第2外端面D22が封止体4の側面から突出していることについて説明したが、封止体4の下面実装面から露出する第2裏面D21の面積が大きい場合には、封止体4の側面から突出していなくてもよい。すなわち、第2外端面D22が封止体4の側面から露出しているだけでもよい。また、第2アウター部2Bの封止体4から露出しない部分には、第2外端面D22とは反対側で、かつ第2裏面D21と交わる第2内端面D23がある。この第2内端面D23は、第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界界面に位置する。第2オフセット部2Cは、第2インナー部2Aが第2アウター部2Bよりも上方封止体4の上面側に位置するように、第2リード2の一部を折り曲げた部分であって、第2インナー部2Aと第2アウター部2Bとの間に位置する屈曲部である。また、第2オフセット部2Cは封止体4からは露出していない。半導体チップSCは、第1リード1の第1インナー部1Aの上面に搭載されており、半導体チップSCの裏面と第1インナー部1Aの上面とは、例えば金-錫Au-Sn共晶接合により電気的に接続されている。ワイヤ3は、例えば金線であり、その直径は、例えば20μm程度である。封止体4は、例えばトランスファーモールド法により形成される。その素材は樹脂、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等である。図5は、半導体装置SW1の各部位のそれぞれの代表的な寸法の一例を説明する半導体装置SW1の要部断面図である。例えば、第1リード1と第2リード2との間に印加される電圧が600Vの場合空気の耐圧:3kV/1mm、封止体樹脂の耐圧:20kV/1mm、封止体4から露出する第1リード1と第2リード2との最短の距離間隔L1は0.8mm以上とすることが望ましい。また、対向する第1リード1と第2リード2との距離間隔L4は、封止体樹脂4の耐圧から、0.1mm以上とすることが望ましい。本実施の形態では、封止体4から露出する第1リード1と第2リード2との最短の距離L1は0.8mm、対向する第1リード1と第2リード2との距離L4は0.1mmとした。半導体装置SW1の耐圧を確保するためには、第1リード1と第2リード2との距離だけでなく、第1リード1および第2リード2を覆う封止体4の各部位の厚さ、さらに第1リード1および第2リード2のそれぞれの厚さも考慮する必要がある。本実施の形態では、例えば半導体装置SW1封止体4の裏面から第1リード1の第1インナー部1Aの裏面までの距離L5および半導体装置SW1封止体4の裏面から第2リード2の第2インナー部2Aの裏面までの距離L5は0.1mm、半導体チップSCからワイヤ3までの距離L2は0.08mm、ワイヤ3から封止体4の上面までの距離L3は0.1mmとした。さらに、第1リード1および第2リード2の強度を維持するためには、それぞれの厚さは厚い方が好ましいが、高い耐圧を得るためには、それぞれの厚さは薄い方が好ましい。そこで、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cのそれぞれの厚さを第1アウター部1Bの厚さよりも薄くし、同様に、第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cのそれぞれの厚さを第2アウター部2Bの厚さよりも薄くした。これにより、第1リード1および第2リード2の所望する耐圧を得ると同時に強度の低下を防止することができる。また、第1リード1の第1内端面D13の半導体装置SW1封止体4の裏面からの高さL6および第2リード2の第2内端面D23の半導体装置SW1封止体4の裏面からの高さL6は、バリ取り工程における封止体4の剥がれを防止するために0.05mm以上必要である。すなわち、上記高さL6が封止体4を構成する樹脂に含まれるフィラーの最大径例えば0.048mmよりも低くなると、第1内端面D13および第2内端面D23の各部分にフィラーが詰まり樹脂が入らなくなることがある。このような状態の場合、バリ取り工程において第1内端面D13および第2内端面D23の各部分に詰まったフィラーが取れやすくなる。そこで、上記高さL6をフィラーの最大径よりも大きく設定する。本実施の形態では、上記高さL6は0.05mmとした。また、その他の部分の寸法の一例として、例えば第1リード1の第1オアウター部1Bのうち封止体4に覆われた部分の第1リード1の延在方向の長さL7および第2リード2の第2アウター部2Bのうち封止体4に覆われた部分の第2リード2の延在方向の長さL7は0.1mm、第1リード1の第1外端面D12から第2リード2の第2外端面D22までの距離L8は1.4mm、半導体装置SW1封止体4の裏面から上面までの高さL9は0.54mmとした。上記したL1~L9の寸法を有する半導体装置SW1において、第1リード1の第1アウター部1Bと第2リード2の第2アウター部2Bとの間で600V以上の耐圧が得られた。次に、本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法の一例を図6~図19を用いて工程順に説明する。図6は半導体装置の製造方法のパッケージ工程の流れを説明する工程図、図7はリードフレーム多数個取り基材を構成する単位フレームの要部平面図、図8は図7のI-I′線方向に沿った要部断面図、図9aおよびbはそれぞれリードフレームの加工方法の一例を説明するリードの部分断面図、図10はダイボンド工程における半導体装置の要部平面図、図11は図10のII-II′線方向に沿った要部断面図、図12はワイヤボンディング工程における半導体装置の要部平面図、図13は図12のIII-III′線方向に沿った要部断面図、図14はモールド工程における半導体装置の要部平面図、図15は図14のIV-IV′線方向に沿った要部断面図、図16はバリ取り工程における半導体装置の要部断面図、図17はメッキ工程における半導体装置の要部断面図、図18は切断工程における半導体装置の要部断面図、図19は実装工程における半導体装置の要部断面図である。リードフレーム準備工程まず、図7および図8に示すように、金属製の枠組みであるリードフレーム5を用意する。リードフレーム5は多数個取り基材であり、例えば長手方向を列とし、これに直交する方向を行とすると、半導体装置が1つ形成される単位フレームが、例えば複数行2列に配置された構成となっている。なお、半導体装置の製造方法の一例の説明に用いる図7~図19では、単位フレームに該当する領域のみを図示している。各単位フレームは、リードフレーム5の本体と繋がった第1リード1と、第1リード1と対向してリードフレーム5の本体と繋がった第2リード2とを含んでいる。また、図示は省略するが、各単位フレームの周囲には、リードフレーム5の位置決めのため、または樹脂封止に伴うリードフレームの歪みを緩和するために、複数の貫通孔が設けられている。リードフレーム5は、例えば銅、鉄、リン青銅銅を主成分として錫3.5~9.0およびリン0.03~0.35を含む合金などの熱伝導性の良い薄板金属を母材とし、その厚さは0.1~0.3mm程度である。前述の図1~図4を用いて説明したように、各単位フレームを構成する第1リード1は、第1インナー部1Aと第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとから構成され、各単位フレームを構成する第2リード2は、第2インナー部2Aと第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとから構成されている。平面視において第1リード1の第1インナー部1Aと第2リード2の第2インナー部2Aとを結ぶ第1仮想線V1は、平面視において第1リード1の第1アウター部1Bと第2リード2の第2アウター部2Bとを結ぶ第2仮想線V2と重なる。すなわち、第1インナー部1A、第2インナー部2A、第1アウター部1B、および第2アウター部2Bは、前述の図4にも示したように、平面視において1つの直線上に配置されている。また、第1リード1において、第1インナー部1Aは第1アウター部1Bよりも上方に位置しており、第2リード2において、第2インナー部2Aは第2アウター部2Bよりも上方に位置している。そのため、第1リード1および第2リード2を加工して、第1インナー部1Aを第1アウター部1Bよりも上方に位置するように、また、第2インナー部2Aを第2アウター部2Bよりも上方に位置するように成形する必要がある。このような形状のリードフレーム5各単位フレームの加工方法の一例を図9aおよびbを用いて以下に説明する。ここでは、第1リード1のみを図示して第2リード2の図示は省略するが、第2リード2も同様である。まず、図9aに示すように、下金型6aと上金型6bとを備える第1成形金型6を用いて、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1C、ならびに第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cをプレスして、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cのそれぞれの厚さを第1アウター部1Bよりも薄くし、第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cのそれぞれの厚さを第2アウター部2Bよりも薄くする。このとき、第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cのそれぞれの上面は第1アウター部1Bの上面と同じ位置にあるのに対して、第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cのそれぞれの下面は第1アウター部1Bの上面と第1アウター部1Bの下面との間に位置する。ここで、第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界で第1リード1の下面に第1内端面D13が形成される。同様に、第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cのそれぞれの上面は第2アウター部2Bの上面と同じ位置にあるのに対して、第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cのそれぞれの下面は第2アウター部2Bの上面と第2アウター部2Bの下面との間に位置する。ここで、第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界で第2リード2の下面に第2内端面D23が形成される。第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cの厚さと第1アウター部1Bの厚さとの差前述の図5を用いて説明した第1リード1の第1内端面D13の高さL6および第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cの厚さと第2アウター部2Bの厚さとの差前述の図5を用いて説明した第2リード2の第2内端面D23の高さL6は、例えば0.05mm以上である。次に、図9bに示すように、下金型7aと上金型7bとを備える第2成形金型7を用いて、第1オフセット部1Cおよび第2オフセット部2Cを折り曲げることにより、第1インナー部1Aを第1アウター部1Bよりも上方に位置するよう成形し、また、第2インナー部2Aを第2アウター部2Bよりも上方に位置するように成形する。ダイボンド工程次に、図10および図11に示すように、第1リード1の上面と半導体チップSCの裏面に形成された裏面電極とを、例えば金-錫Au-Sn共晶を用いて接合して、半導体チップSCを第1リード1の上面に搭載する。Au-Sn共晶に代えて、ペースト状の接着剤例えば銀Agペーストを用いた接合、またはフィルム状の接着剤DAFDieAttachFilmを用いた接合などを用いることができる。ワイヤボンディング工程次に、図12および図13に示すように、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディングボールボンディング法により、半導体チップSCの主面に形成されたパッド電極8と第2リード2の第2インナー部2Aとをワイヤ3を介して電気的に接続する。ワイヤ3には、例えば15~20μmφの金線を用いる。半導体チップSCにはダイオード、例えばPINPositiveIntrinsicNegativeダイオード、pnダイオード例えばスイッチングダイオードまたはチェナーダイオード、またはショットキバリアダイオード等が形成されており、半導体チップSCの主面に形成されたパッド電極8と、半導体チップSCの裏面に形成された裏面電極とから2つの端子を取り出すことができる。モールド工程次に、図14および図15に示すように、半導体チップSC、ワイヤ3、第1リード1の一部、および第2リード2の一部を保護する封止体4を形成する。封止体4は樹脂からなり、例えばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等である。封止体4の形成には、上金型と下金型とを備える成形金型を用いる。まず、成形金型の樹脂導入孔から溶融樹脂を注入し、成形金型の窪みキャビティ内に溶融樹脂を充填した後、溶融樹脂を硬化させることにより封止体4が形成される。これにより、リードフレーム5の各単位フレームに半導体チップSCが搭載された半導体装置SW1が形成される。ここで、第1リード1のうち、第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cは封止体4内に位置する。さらに、第1オフセット部1Cと第1アウター部1Bとの境界界面に位置する第1内端面D13は封止体4内に位置するが、第1アウター部1Bの第1裏面D11は封止体4の裏面から露出している。同様に、第2リード2のうち、第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cは封止体4内に位置する。さらに、第2オフセット部2Cと第2アウター部2Bとの境界界面に位置する第2内端面D23は封止体4内に位置するが、第2アウター部2Bの第2裏面D21は封止体4の裏面から露出している。バリ取り工程次に、図16に示すように、モールド工程において成形金型の微細な隙間からはみ出し、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に付着した余分な樹脂バリを取り除く。バリを取り除く方法としては、例えば封止体4の下面実装面、封止体4の下面から露出する第1アウター部1B、および封止体4の下面から露出する第2アウター部2Bに向けて、数百kg/cm2の高圧の液体高圧水をノズルから噴射するウォータージェット法を用いる。このとき、電解処理を施してバリを浮かせる方法を併用してもよい。上記ウォータージェット法を用いると、封止体4の下面実装面にも高圧水が噴射されるが、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cのそれぞれの下面側に形成される封止体4の厚さが0.5mm以上あることから、封止体4の剥がれを防止することができる。従って、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cは露出しない。バリをより完全に取り除くために、高圧水に代えて、樹脂ビーズまたはガラスビーズフィラーを含む液体を噴射する液体ホーニング法を用いてもよい。この際にも、噴出された液体による封止体4の剥がれを防止することができる。メッキ工程次に、図17に示すように、リードフレーム5に半導体装置SW1が形成された状態でメッキ処理を施す。これにより、封止体4から突出した第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に、例えば厚さ10μm以下の錫-銅Sn-Cu系合金または錫-鉛Sn-Pb系合金からなるメッキ層10を形成する。バリ取り工程において、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に付着したバリを完全に取り除いて、それぞれの表面を露出させているので、表面全体に均一にメッキ層10を形成することができる。切断工程図18に示すように、切断装置11を用いて第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bを切断し、個々の半導体装置SW1に切り分ける。この際、例えば切断装置11に備わるダイ12上に置かれたリードフレーム5に、切断装置11に備わる切断パンチ13が封止体4の上面側から打ち下ろされて、リードフレーム5の本体から各半導体装置SW1が切り離される。外観検査工程例えば画像処理装置等を備えた外観検査装置を用いて半導体装置SW1の外観検査を行う。外観検査において外観不良と判断された半導体装置SW1は取り除かれる。実装工程図19に示すように、実装基板14上に半導体装置SW1を実装する。第1リード1の第1アウター部1Bと実装基板14の実装面に設けられた電極15とを半田材16を介して電気的に接続し、同様に、第2リード2の第2アウター部2Bと実装基板14の実装面に設けられた電極15とを半田材16を介して電気的に接続する。第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面全体に均一にメッキ層10が形成されているので、半田材16が第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に十分に塗れて、強い実装強度が得られる。また、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面にのみに半田材16が塗られて実装基板14上に半導体装置SW1が実装されているので、設計した第1リード1と第2リード2との形状から予測される半導体装置SW1の耐圧を得ることができる。このように、本実施の形態によれば、1第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cのそれぞれの下面側に形成される封止体4の厚さを0.5mm以上としていることから、封止体4の剥がれに対する強度を向上させることができる。これにより、バリ取り工程において封止体4が剥がれることなく、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に付着したバリを除去することができる。さらに、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cは露出しないので、半導体装置SW1を実装基板14に実装しても第1リード1と第2リード2との間の耐圧を確保することができる。2モールド工程において、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面にバリが付着しても、バリを取り除いて、それぞれの表面を露出できるので、後のメッキ工程において、それぞれの表面全体に均一にメッキ層10を形成することができる。これにより、実装基板14に半導体装置SW1を実装する際に使用する半田材16が、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの表面に塗れ易くなるので、半導体装置SW1の強い実装強度が得られる。3第1リード1に第1オフセット部1Cを形成し、第2リード2に第2オフセット部2Cを形成することにより、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第2リード2の第2インナー部2Aは封止体4により覆われて、互いに対向する第1インナー部1Aと第2インナー部2Aとの間には樹脂が介在する。従って、空気が介在する場合よりも、互いに対向する第1インナー部1Aと第2インナー部2Aとの距離を小さくしても、両者間の耐圧を確保することができる。これにより、ワイヤ3の長さを短くすることができるので、ワイヤ3の使用量を減らすことによる製造コストの低減や半導体装置SW1の小型化を図ることができる。なお、前述した実施の形態では、リードフレーム5各単位フレームの加工方法の一例を図9aおよびbを用いて説明したが、リードフレーム5の加工方法はこれに限定されるものではない。以下に、リードフレーム5の加工方法の第1変形例、第2変形例、および第3変形例について説明する。リードフレーム5の加工方法の第1変形例を、図20を用いて説明する。図20は、リードフレームの加工方法の第1変形例を説明するリードの部分断面図である。ここでは、第1リード1のみを図示して第2リード2の図示は省略するが、第2リード2も同様である。まず、図20に示すように、下金型17aと上金型17bとを備える成形金型17を用いて、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1C、ならびに第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cをプレスして、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cと第1アウター部1Bとが段違いになるように加工し、第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cと第2アウター部2Bとが段違いになるように加工する。ここで、第1リード1の下面の第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界に第1内端面D13が形成され、第2リード2の下面の第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界に第2内端面D23が形成される。その後、前述の図9bに示すように、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第1オフセット部1Cおよび第2オフセット部2Cを屈曲することにより、第1インナー部1Aを第1アウター部1Bよりも上方に位置するよう成形し、また、第2インナー部2Aを第2アウター部2Bよりも上方に位置するように成形する。しかし、第1変形例による加工方法では、第1リード1の一部第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界部および第2リード2の一部第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界部を引きちぎるような力が加わるため、第1リード1および第2リード2の強度が低下する恐れがある。リードフレーム5の加工方法の第2変形例を、図21を用いて説明する。図21は、リードフレームの加工方法の第2変形例を説明するリードの部分断面図である。ここでは、第1リード1のみを図示して第2リード2の図示は省略するが、第2リード2も同様である。まず、図21に示すように、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第1オフセット部1Cの下面、ならびに第2リード2の第2インナー部2Aおよび第2オフセット部2Cの下面をエッチングして、それぞれの厚さを薄く加工する。ここで、第1リード1の下面の第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界に第1内端面D13が形成され、第2リード2の下面の第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界に第2内端面D23が形成される。その後、前述の図9bに示すように、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第1オフセット部1Cおよび第2オフセット部2Cを屈曲することにより、第1インナー部1Aを第1アウター部1Bよりも上方に位置するよう成形し、また、第2インナー部2Aを第2アウター部2Bよりも上方に位置するように成形する。しかし、第2変形例による加工方法では、第1内端面D13第1リード1の第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界および第2内端面D23第2リード2の第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界が湾曲して、この部分に薄いバリが付着することがある。このバリはバリ取り工程において除去される可能性があり、封止体4に剥がれが生じる恐れがある。リードフレーム5の加工方法の第3変形例を説明する。まず、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cをプレスして、薄く加工する。ここで、第1リード1の下面の第1アウター部1Bと第1オフセット部1Cとの境界に第1内端面D13が形成され、第2リード2の下面の第2アウター部2Bと第2オフセット部2Cとの境界に第2内端面D23が形成される。次に、下金型と上金型とを備える成形金型を用いて、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cが外側になるように折り曲げることにより、第1インナー部1Aを第1アウター部1Bよりも上方に位置するよう成形し、また、第2インナー部2Aを第2アウター部2Bよりも上方に位置するように成形する。しかし、第1リード1と第2リード2との間の耐圧を考慮すると、第1リード1の第1オフセット部1Cおよび第2リード2の第2オフセット部2Cだけでなく、第1リード1の第1インナー部1Aおよび第2リード2の第2インナー部2Aも薄く加工することが好ましい。また、前述した実施の形態では、個片タイプの半導体装置SW1について説明したが、半導体装置の構造はこれに限定されるものではない。例えば図22に示すように、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bが封止体4の側面から突出せず、封止体4の側面と同じ面で露出するMAPMultiArrayPackageタイプの半導体装置SW2に本発明を適用することもできる。ただし、実装基板に半導体装置を実装した際の実装強度を考慮すると、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの下面の面積は大きい方が好ましい。また、個片タイプの半導体装置SW1のように、第1リード1の第1アウター部1Bおよび第2リード2の第2アウター部2Bのそれぞれの上面が封止体4から露出していると、これら上面にも半田材16が形成される。従って、実装強度を向上するには、個片タイプの半導体装置SW1のように、第1リード1および第2リード2を封止体4の側面から突出させておくことが好ましい。以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。"