"相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が1以上10未満であり、且つシリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが2.0以上である、有機半導体膜。前記電荷移動度の比の値が5以下である、請求項1に記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜が溶液法によって得られたものである、請求項1又は2に記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものである、請求項1~3のいずれかに記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度が、1.00×10-5cm2/Vs以上である、請求項1~4のいずれかに記載の有機半導体膜。有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、前記有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、前記基材又は第1のスタンプ上において前記未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップ、を含み、且つ前記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が100°以上である、有機半導体膜の製造方法。前記熟成を、前記未乾燥の有機半導体膜を10秒以上にわたって保持することによって行う、請求項6に記載の方法。前記熟成を、前記未乾燥の有機半導体膜を50°C未満の雰囲気に保持することによって行う、請求項6又は7に記載の方法。前記第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を転写するステップを更に含む、請求項6~8のいずれかに記載の方法。前記基材又は第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を、乾燥及び/又は焼成するステップを更に含む、請求項6~9のいずれかに記載の方法。前記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が105°以上である、請求項6~10のいずれかに記載の方法。請求項1~5のいずれかに記載の有機半導体膜を有する、有機半導体デバイス。薄膜トランジスタである、請求項12に記載の有機半導体デバイス。前記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものであり、かつ前記有機半導体デバイスが、ボトムゲートボトムコンタクト型又はトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタである、請求項13に記載の有機半導体デバイス。相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が2以上である、有機半導体膜。前記電荷移動度の比の値が10以上である、請求項15に記載の有機半導体膜。前記電荷移動度の比の値が150以下である、請求項15又は16に記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜が溶液法によって得られたものである、請求項15~17のいずれかに記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものである、請求項15~18のいずれかに記載の有機半導体膜。前記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度が、1.00×10-5cm2/Vs以上である、請求項15~19のいずれかに記載の有機半導体膜。シリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが1.3以上である、請求項15~20のいずれかに記載の有機半導体膜。相対する前記2つの表面の間で、前記有機半導体膜を構成する有機半導体材料の結晶配向の程度が徐々に変化している、請求項15~21のいずれかに記載の有機半導体膜。有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、前記有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、前記基材又は第1のスタンプ上において前記未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップ、を含む、有機半導体膜の製造方法。前記熟成を、前記未乾燥の有機半導体膜を10秒以上にわたって保持することによって行う、請求項23に記載の方法。前記熟成を、前記未乾燥の有機半導体膜を50°C未満の雰囲気に保持することによって行う、請求項23又は24に記載の方法。前記第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を転写するステップを更に含む、請求項23~25のいずれかに記載の方法。前記基材又は第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を、乾燥及び/又は焼成するステップを更に含む、請求項23~26のいずれかに記載の方法。前記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が40°以上である、請求項23~27のいずれかに記載の方法。請求項15~22のいずれかに記載の有機半導体膜を有する、有機半導体デバイス。薄膜トランジスタである、請求項29に記載の有機半導体デバイス。前記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものであり、かつ前記有機半導体デバイスが、ボトムゲートボトムコンタクト型又はトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタである、請求項30に記載の有機半導体デバイス。回路基材の一方の面上に請求項30又は31に記載の薄膜トランジスタを2つ以上有する電気回路であって、前記薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つにおいて、前記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が、前記回路基材に向かい合うようにして、前記有機半導体膜が配置されており、且つこの表面側が、前記薄膜トランジスタにおいて活性面となっており、且つ前記薄膜トランジスタのうちの少なくとも他の1つにおいて、前記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が、前記回路基材の反対側に向くようにして、前記有機半導体膜が配置されており、且つこの表面側が、前記薄膜トランジスタにおいて活性面となっている、電気回路。転写する有機半導体膜を保持するための転写部、及び前記転写部の周囲の周縁部を有し、且つ前記転写部の水に対する接触角が、前記周縁部の水に対する接触角よりも20°以上大きい、コンタクトプリント用スタンプ。前記転写部の水に対する接触角が、40°以上である、請求項33に記載のスタンプ。前記転写部と前記周縁部とが同一平面上にある、請求項33又は34に記載のスタンプ。前記転写部が、前記周縁部に対して凹部となっている、請求項33~35のいずれかに記載のスタンプ。前記転写部の大きさが、0.01μm2~1,000,000μm2である、請求項33~36のいずれかに記載のスタンプ。溶媒と前記溶媒中に溶解及び/又は分散している有機半導体材料とを含有する有機半導体溶液を提供するステップ、並びに有機半導体溶液を、請求項33~37のいずれかに記載のスタンプの前記転写部に適用して、有機半導体膜を得るステップ、を含む、有機半導体膜の製造方法。第1及び第2の本発明の目的は、新規な有機半導体膜及びその製造方法、並びにこのような有機半導体膜を有する有機半導体デバイスを提供することである。第3の本発明の目的は、新規なコンタクトプリント用スタンプ、特に有機半導体膜の製造に用いられるコンタクトプリント用スタンプ、及びこのようなコンタクトプリント用スタンプを用いた有機半導体膜の製造方法を提供することである。《第1の本発明》本件発明者等は、溶液法によって有機半導体膜を製造する際に、基材又は第1のスタンプ上で未乾燥の有機半導体膜を熟成させることによって、基材又は第1のスタンプに接していない面において有機半導体膜の電荷移動度が改良されること、及びこのような基材又は第1のスタンプの表面エネルギーが小さい場合には、基材又は第1のスタンプに接している面においても有機半導体膜の電化移動度が改良されることを見出して、下記の第1の本発明の新規の有機半導体膜及びその製造方法、並びに有機半導体デバイスに想到した。1相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が1以上10未満であり、且つシリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが2.0以上である、有機半導体膜。2上記電荷移動度の比の値が5以下である、上記1項に記載の有機半導体膜。3上記有機半導体膜が溶液法によって得られたものである、上記1又は2項に記載の有機半導体膜。4上記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものである、上記1~3項のいずれかに記載の有機半導体膜。5上記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度が、1.00×10-5cm2/Vs以上である、上記1~4項のいずれかに記載の有機半導体膜。6有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、上記有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、上記基材又は第1のスタンプ上において上記未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップ、を含み、且つ上記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が100°以上である、有機半導体膜の製造方法。7上記熟成を、上記未乾燥の有機半導体膜を10秒以上にわたって保持することによって行う、上記6項に記載の方法。8上記熟成を、上記未乾燥の有機半導体膜を50°C未満の雰囲気に保持することによって行う、上記6又は7項に記載の方法。9上記第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を転写するステップを更に含む、上記6~8項のいずれかに記載の方法。10上記基材又は第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を、乾燥及び/又は焼成するステップを更に含む、上記6~9項のいずれかに記載の方法。11上記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が105°以上である、上記6~10項のいずれかに記載の方法。12上記1~5項のいずれかに記載の有機半導体膜を有する、有機半導体デバイス。13薄膜トランジスタである、上記12項に記載の有機半導体デバイス。14上記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものであり、かつ上記有機半導体デバイスが、ボトムゲートボトムコンタクト型又はトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタである、上記13項に記載の有機半導体デバイス。《第2の本発明》本件発明者等は、溶液法によって有機半導体膜を製造する際に、基材又は第1のスタンプ上で未乾燥の有機半導体膜を熟成させることによって、基材又は第1のスタンプに接していない面において有機半導体膜の電荷移動度が改良されることを見出して、下記の第2の本発明の新規の有機半導体膜及びその製造方法、並びに有機半導体デバイスに想到した。15相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が2以上である、有機半導体膜。16電荷移動度の比の値が10以上である、上記15項に記載の有機半導体膜。17上記電荷移動度の比の値が150以下である、上記15又は16項に記載の有機半導体膜。18上記有機半導体膜が溶液法によって得られたものである、上記15~17項のいずれかに記載の有機半導体膜。19上記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものである、上記15~18項のいずれかに記載の有機半導体膜。20上記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度が、1.00×10-5cm2/Vs以上である、上記15~19項のいずれかに記載の有機半導体膜。21シリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが1.3以上である、上記15~20項のいずれかに記載の有機半導体膜。22相対する上記2つの表面の間で、上記有機半導体膜を構成する有機半導体材料の結晶配向の程度が徐々に変化している、上記15~21項のいずれかに記載の有機半導体膜。23有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、上記有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、上記基材又は第1のスタンプ上において上記未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップ、を含む、有機半導体膜の製造方法。24上記熟成を、上記未乾燥の有機半導体膜を10秒以上にわたって保持することによって行う、上記23項に記載の方法。25上記熟成を、上記未乾燥の有機半導体膜を50°C未満の雰囲気に保持することによって行う、上記23又は24項に記載の方法。26上記第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を転写するステップを更に含む、上記23~25項のいずれかに記載の方法。27上記基材又は第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を、乾燥及び/又は焼成するステップを更に含む、上記23~26項のいずれかに記載の方法。28上記基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角が40°以上である、上記23~27項のいずれかに記載の方法。29上記15~22項のいずれかに記載の有機半導体膜を有する、有機半導体デバイス。30薄膜トランジスタである、上記29項に記載の有機半導体デバイス。31上記有機半導体膜がコンタクトプリント法によって得られたものであり、かつ上記有機半導体デバイスが、ボトムゲートボトムコンタクト型又はトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタである、上記30項に記載の有機半導体デバイス。32回路基材の一方の面上に上記30又は31項に記載の薄膜トランジスタを2つ以上有する電気回路であって、上記薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つにおいて、上記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が、上記回路基材に向かい合うようにして、上記有機半導体膜が配置されており、且つこの表面側が、上記薄膜トランジスタにおいて活性面となっており、且つ上記薄膜トランジスタのうちの少なくとも他の1つにおいて、上記有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が、上記回路基材の反対側に向くようにして、上記有機半導体膜が配置されており、且つこの表面側が、上記薄膜トランジスタにおいて活性面となっている、電気回路。本件発明者等は、低表面エネルギーの転写部、及びこの転写部の周囲の高表面エネルギーの周縁部を有するコンタクトプリント用スタンプを用いることによって、得られる有機半導体膜の電荷移動度が改良されること見出して、下記の第3の本発明の新規なコンタクトプリント用スタンプ、及びこのようなコンタクトプリント用スタンプを用いる有機半導体膜の製造方法に想到した。33転写する有機半導体膜を保持するための転写部、及び上記転写部の周囲の周縁部を有し、且つ上記転写部の水に対する接触角が、上記周縁部の水に対する接触角よりも20°以上大きい、コンタクトプリント用スタンプ。34上記転写部の水に対する接触角が、40°以上である、上記33項に記載のスタンプ。35上記転写部と上記周縁部とが同一平面上にある、上記33又は34項に記載のスタンプ。36上記転写部が、上記周縁部に対して凹部となっている、上記33~35項のいずれかに記載のスタンプ。37上記転写部の大きさが、0.01μm2~1,000,000μm2である、上記33~36項のいずれかに記載のスタンプ。38溶媒と上記溶媒中に溶解及び/又は分散している有機半導体材料とを含有する有機半導体溶液を提供するステップ、並びに有機半導体溶液を、上記33~37項のいずれかに記載のスタンプの上記転写部に適用して、有機半導体膜を得るステップ、を含む、有機半導体膜の製造方法。第1の本発明の新規な有機半導体膜によれば、基材又は第1のスタンプに接していない面及び基材又は第1のスタンプに接している面の両方において、大きい電荷移動度を提供することができる。第2の本発明の新規な有機半導体膜によれば、電荷移動度が大きい面を活性面として用いることによって、大きい電荷移動度を提供することができる。第3の本発明の新規なコンタクトプリント用スタンプによれば、改良された半導体特性を有する有機半導体膜、例えば第1及び第2の本発明の有機半導体膜を製造することができる。《第1の本発明の有機半導体膜》第1の本発明の有機半導体膜では、相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が1以上10未満であり、且つシリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが2.0以上である。この電荷移動度の比の値は例えば、7以下、5以下、又は3以下であってよい。すなわち、図1で示されているように、第1の本発明の有機半導体膜10では、基材15に接している面側11の電荷移動度と、その反対面側12の電荷移動度との差が比較的小さい。なお、この電荷移動度は、直接に測定するだけでなく、有機半導体膜の表面の配向、結晶化度等から評価することもできる。第1の本発明の有機半導体膜によれば、いずれの面を活性面として用いた場合にも、大きい電荷移動度を提供することができる。第1の本発明の有機半導体膜では、シリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが、2.0以上、2.2以上、2.4以上、又は2.5以上である。ここで、この相対X線反射ピーク高さの値が大きいことは、有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度が大きいことを意味している。第1の本発明の有機半導体膜では、両方の表面の電荷移動度が例えば、1.00×10-5cm2/Vs以上、1.00×10-4cm2/Vs以上、又は1.00×10-3cm2/Vs以上であってよい。ここで、本発明に関して電荷移動度{cm2/Vs}は、有機半導体膜の表面における電荷移動度であり、正孔又は電子である電荷の移動のしやすさを表している。第1の本発明の有機半導体膜は任意の厚さを有することができ、例えば1nm~1μm、又は10nm~500nmの厚さを有することができる。第1の本発明の有機半導体膜では、有機半導体膜は任意の有機半導体材料で構成されていてよい。このような有機半導体材料としては例えば、ペンタセン系、チオフェン系、ペリレン系、フラーレン系材料のような低分子系の有機半導体分子、ポリアルキルチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン-チオフェンコポリマー等のような高分子系の有機半導体分子を挙げることができる。第1の本発明の有機半導体膜はその製造方法によっては限定されるものではなく、したがって例えば分子線蒸着法MBE法、真空蒸着法、化学蒸着法、溶液法等によって得たものであってよい。ただし、第1の本発明の有機半導体膜の有機半導体膜は、溶液法、すなわち例えばキャスト法、スピンコート法、コンタクトプリント法のようなプリント法、ディップ法等で製造することが、生産性等に関して好ましいことがある。本発明の有機半導体膜が溶液法によって得られた膜である場合、有機半導体膜中に残留する微量の溶媒の存在、膜の形状及び物性等によって、他の方法によって作られたものと区別することができる。本発明の有機半導体膜は例えば、本発明の方法を用いて得ることができる。《第2の本発明の有機半導体膜》第2の本発明の有機半導体膜では、相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が2以上、10以上、20以上、50以上、80以上、又は100以上である。また、この比の値は例えば、150以下、130以下、100以下、又は80以下であってよい。すなわち、図1で示されているように、本発明の有機半導体膜10では、基材15に接している面側11の電荷移動度と、その反対面側12の電荷移動度との差が比較的大きい。なお、この電荷移動度は、直接に測定するだけでなく、有機半導体膜の表面の配向、結晶化度等から評価することもできる。第2の本発明の有機半導体膜によれば、電荷移動度が大きい面を活性面として用いることによって、大きい電荷移動度を提供することができる。第2の本発明の有機半導体膜では、シリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した同一の厚さ及び材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準としたときに、相対X線反射ピーク高さが、1.3以上、1.5以上、1.6以上、1.7以上、又は1.8以上、又は1.9以上であってよい。ここで、この相対X線反射ピーク高さの値が大きいことは、有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度が大きいことを意味している。第2の本発明の有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度については、第1の本発明の有機半導体膜についての記載を参照できる。また、第2の本発明の有機半導体膜の厚さ、有機半導体材料、製造方法については、第1の本発明の有機半導体膜についての記載を参照できる。なお、第2の本発明の有機半導体膜は、相対する2つの表面側の電荷移動度の比が大きい有機半導体膜、すなわち相対する2つの表面側の電気的特性が異なる有機半導体膜であるにもかかわらず、膜の厚さ方向について不連続面を有さないことができる。すなわち、第2の本発明の有機半導体膜は、相対する2つの表面の間で、有機半導体膜を構成する有機半導体材料の結晶配向の程度が徐々に変化していてよい。これによれば、相対する2つの表面の間で有機半導体材料の結晶配向の程度が不連続に変化することによる問題を防ぐことができる。このような有機半導体膜は例えば、第2の本発明の方法によって一度に膜を形成して得ることができる。これに対して、特許文献4でのように相対する2つの表面の製造条件を変更させて、相対する2つの表面側の電荷移動度が異なるようにする場合、製造条件の変更の前後で、半導体膜の特性が不連続的になると考えられる。《有機半導体膜を製造する第1の本発明の方法》有機半導体膜を製造する第1の本発明の方法は、有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、及び基材又は第1のスタンプ上において未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップを含む。ここで、有機半導体溶液を適用される基材又は第1のスタンプの表面の水に対する接触角は、100°以上又は105°以上である。有機半導体膜を製造する第1の本発明の方法によれば、第1の本発明の有機半導体膜、すなわち相対する2つの表面側の電荷移動度がいずれも大きい有機半導体膜を製造することができる。具体的には、有機半導体膜を製造する第1の本発明の方法によれば、図2で示すように、未乾燥の有機半導体膜10を基材又は第1のスタンプ15上で熟成させることによって、基材又は第1のスタンプに接していない面側12、すなわち周囲雰囲気に露出されている面側12において、未乾燥の有機半導体膜中の有機半導体材料を、その結晶性、自己組織化性等によって再配列させることができる。より具体的には、基材又は第1のスタンプ15に接していない面側12では、未乾燥の有機半導体膜中の有機半導体材料は、基材又は第1のスタンプ15の表面の影響を受けにくく、したがって有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができる。また、この熟成の間には、基材又は第1のスタンプ15に接している面側11では、基材又は第1のスタンプ15の表面の水に対する接触角が小さいこと、すなわち基材又は第1のスタンプ15の表面の表面エネルギーが小さいことによって、未乾燥の有機半導体膜10中の有機半導体材料は、この基材又は第1のスタンプ15の表面に接しているにも関わらず、基材又は第1のスタンプ15の表面の影響を受けにくく、したがって有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができる。すなわち、第1の本発明の方法では、相対する2つの表面側11、12のいずれにおいても、有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができ、したがってこれらの表面側11、12のいずれにおいても電荷移動度が小さく、且つ全厚にわたる結晶化の程度が大きい有機半導体膜が得られる。これに対して、有機半導体膜を製造する従来の方法では、図3で示すように、有機半導体溶液を基材又は第1のスタンプ15上に適用後すぐに、有機半導体溶液を乾燥させているので、基材又は第1のスタンプ15に接している面側21だけでなく、基材又は第1のスタンプ15に接していない面側22においても、有機半導体材料が再配列することが困難となる。したがって、従来の方法では、相対する2つの表面側21、22の電荷移動度の差が小さいが、全厚にわたる結晶化の程度が小さい有機半導体膜が得られていた。《有機半体膜を製造する第2の本発明の方法》有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法は、有機半導体材料が溶解及び/又は分散している有機半導体溶液を提供するステップ、有機半導体溶液を、基材又は第1のスタンプ上に適用して、未乾燥の有機半導体膜を得るステップ、及び基材又は第1のスタンプ上において未乾燥の有機半導体膜を熟成させるステップを含む。有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法によれば、第2の本発明の有機半導体膜、すなわち相対する2つの表面側の電荷移動度の差が大きい有機半導体膜を製造することができる。具体的には、有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法によれば、図2で示すように、未乾燥の有機半導体膜10を基材又は第1のスタンプ15上で熟成させることによって、基材又は第1のスタンプに接していない面側12、すなわち周囲雰囲気に露出されている面側12において、未乾燥の有機半導体膜中の有機半導体材料を、その結晶性、自己組織化性等によって再配列させることができる。より具体的には、この熟成の間には、基材又は第1のスタンプ15に接している面側11では、未乾燥の有機半導体膜10中の有機半導体材料は、基材又は第1のスタンプ15の表面の影響、特に基材又は第1のスタンプ15の表面に対する親和性によって、再配列が制限を受けることがある。これに対して、基材又は第1のスタンプ15に接していない面側12では、未乾燥の有機半導体膜中の有機半導体材料は、基材又は第1のスタンプ15の表面の影響を受けにくく、したがって有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができる。すなわち、第2の本発明の方法では、相対する2つの表面側11、12の電荷移動度の差が大きい有機半導体膜が得られる。これに対して、有機半導体膜を製造する従来の方法では、図3で示すように、有機半導体溶液を基材又は第1のスタンプ15上に適用後すぐに、有機半導体溶液を乾燥させているので、基材又は第1のスタンプ15に接している面側21だけでなく、基材又は第1のスタンプ15に接していない面側22においても、有機半導体材料が再配列することができない。したがって、従来の方法では、相対する2つの表面側21、22の電荷移動度の差が小さい有機半導体膜が得られていた。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の方法-有機半導体材料及び溶媒》本発明の方法で用いられる有機半導体材料については、本発明の有機半導体膜に関する記載を参照できる。本発明の方法で用いられる有機半導体溶液に含有されている溶媒は、有機半導体材料を溶解及び/又は分散させることができる任意の溶媒であってよい。このような溶媒としては、トルエン、キシレン、テトラリン、デカリン、クロロホルム、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、及びそれらの組み合わせ等を挙げることができる。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の方法-基材及び第1のスタンプ》第1及び第2の本発明の方法で有機半導体溶液を適用される基材は、有機半導体膜をその上に配置することを意図する任意の基材であってよい。したがって、例えばこのような基材としては、シリコンウェハ、ガラスのような無機材料、ポリマーフィルムのような有機材料を挙げることができる。また、本発明の方法で有機半導体溶液を適用される第1のスタンプは、有機半導体膜をその上で形成して、そしてそこから有機半導体膜を、基材等に転写することができる任意のスタンプ、すなわち有機半導体膜を形成するためのコンタクトプリント用スタンプであってよい。このような第1のスタンプは、例えばポリシロキサン等で作ることができる。また、この第1のスタンプは例えば、下記に示す転写部-周縁部構造を有する第3の本発明のスタンプであってもよい。第1の本発明の方法において有機半導体溶液を適用される基材又は第1のスタンプは、水に対する接触角が比較的大きい表面、すなわち例えば水に対する接触角が、100°以上又は105°以上である表面を有している。また、第2の本発明の方法において有機半導体溶液を適用される基材又は第1のスタンプは、水に対する接触角が比較的大きい表面、すなわち例えば水に対する接触角が、40°以上、50°以上、60°以上、70°以上、80°以上、90°以上、100°以上、又は105°以上である表面を有していてもよい。このように、基材の表面の水に対する接触角が比較的大きいことは、この表面が比較的疎液性であること、すなわちこの表面の表面エネルギーが比較的小さいことを意味している。なお、本発明に関して、水に対する接触角は、25°Cにおいて、接触角を測定する表面上に50μLの水を滴下し、滴下した液滴の形状を側面から観察し、液滴と表面とのなす角度を計測することによって決定できる。このように、本発明の方法において有機半導体溶液を適用される基材又は第1のスタンプが、低表面エネルギー表面を有する場合、未乾燥の有機半導体膜中の有機半導体材料は、基材又は第1のスタンプに接している面においても、基材又は第1のスタンプの表面の影響を受けにくく、したがって有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができる。水に対する接触角が比較的大きい表面を有する基材又は第1のスタンプは例えば、基材又は第1のスタンプの表面を疎液性材料で処理することによって得ることができる。このような疎液性材料としては例えば、シラン、シラザン、フッ素化合物、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリジメチルシロキサン、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法-適用》有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法において、有機半導体溶液を基材又は第1のスタンプに適用するためには、キャスティング法、スピンコート法、ディッピング法等の任意の方法を用いることができる。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法-熟成》有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法における熟成は例えば、未乾燥の有機半導体膜を、10秒以上、30秒以上、1分以上、3分以上、5分以上、又は7分以上にわたって保持して行うことができる。本発明の方法における熟成は例えば、未乾燥の有機半導体膜を乾燥及び/又は焼成する前に、所定の期間にわたって未乾燥の状態で保持して行うことができる。また、この本発明の方法における熟成は例えば、未乾燥の有機半導体膜を50°C未満、40°C未満、又は30°C未満の雰囲気に保持することによって行うことができる。ここで、比較的低い温度で未乾燥の有機半導体膜の熟成を行うことは、有機半導体膜の乾燥を抑制し、したがって基材又は第1のスタンプに接していない面における有機半導体材料の再配列を促進するために好ましいことがある。ただし、熟成のために必要な時間、温度等の条件は、使用する有機半導体材料、溶媒、基材又は第1のスタンプ等に依存し、当業者であれば、本明細書の記載にしたがってこれらの条件を決定することができる。なお、有機半導体膜を製造する本発明の方法において、未乾燥の有機半導体膜は、有機半導体膜中の有機半導体材料が有機半導体材料自身の結晶性等によって再配列することができる程度に、有機半導体膜が溶媒を含有していることを意味している。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法-乾燥》有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法は随意に、基材又は第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を乾燥及び/又は焼成するステップを更に含むことができる。この乾燥及び焼成は、熟成させた有機半導体層を、40°C超、50°C超、70°C超、100°C超の雰囲気に露出させることによって行うことができる。またこの乾燥は、減圧によって有機半導体溶液から溶媒を除去して行うこともできる。《有機半導体膜を製造する第1及び第2の本発明の方法-転写》有機半導体膜を製造する本発明の方法において有機半導体溶液を第1のスタンプ上に適用して熟成させる場合、本発明の方法は、第1のスタンプ上において熟成させた有機半導体層を、転写するステップ、例えば基材又は第2のスタンプに転写するステップを更に含むことができる。すなわち例えばこの場合、第1のスタンプ上で形成した有機半導体膜を、シリコンウェハ、ポリマーフィルム等の基材上に直接に転写することができる。また、この場合、第1のスタンプ上で形成された有機半導体膜を、第2のスタンプに転写し、そしてこの第2のスタンプから基材に転写することができる。なお、第1のスタンプから基材又は第2のスタンプへの有機半導体膜の転写は、有機半導体膜を保持している第1のスタンプを基材又は第2のスタンプと接触させることによって達成できる。ここで、接触時間、第1のスタンプ及び基材の温度等の転写条件は、転写が可能なように任意に決定できる。具体的にはこの転写は、基材又は第2のスタンプの温度が、第1のスタンプの温度よりも高くなるようにして行うことができる。また、この転写は、第1のスタンプの表面を処理して、有機半導体膜に対する付着性を小さくすること、及び/又は基材又は第2のスタンプの表面を処理して、有機半導体膜に対する付着性を大きくすることによって達成できる。また更にこの転写は、上記の組み合わせによって達成できる。なお、この本発明の方法で使用される第2のスタンプは、第1のスタンプ上で形成された有機半導体膜を転写され、そしてそこから有機半導体膜を、基材等に転写することができる任意のスタンプ、すなわちコンタクトプリント用スタンプであってよい。このような第2のスタンプは、例えばポリシロキサン等で作ることができる。また、第2のスタンプから基材への有機半導体膜の転写は、第1のスタンプから基材又は第2のスタンプへの有機半導体膜の転写に関して説明したようにして行うことができる。《有機半導体デバイス》第1及び第2の本発明の有機半導体デバイスはそれぞれ、第1及び第2の本発明の有機半導体膜を有する。なお、本発明に関して、有機半導体デバイスは、有機半導体膜を有するデバイスを意味しており、電極層、誘電体層等の他の層は、無機材料で作られていても、有機材料で作られていてもよい。第1及び第2の本発明の有機半導体デバイスは例えば、第1及び第2の本発明の有機半導体膜を有する薄膜トランジスタであってよい。例えば図4に示すように、本発明の薄膜トランジスタは、aボトムゲートトップコンタクト型BGTC型、bボトムゲートボトムコンタクト型BGBC型、cトップゲートトップコンタクト型TGTC型、及びdトップゲートボトムコンタクト型TGBC型のいずれであってもよい。これらの本発明の薄膜トランジスタ130、140、150及び160では、ソース電極134、144、154、164、ドレイン電極135、145、155、165、ゲート電極131、141、151、161、ゲート絶縁膜132、142、152、162、及び半導体膜133、143、153、163を有し、ゲート絶縁膜によってソース電極及びドレイン電極とゲート電極とを絶縁し、且つゲート電極に印加される電圧によってソース電極からドレイン電極へと半導体膜を通って流れる電流を制御する。第1及び第2の本発明の有機半導体デバイスが薄膜トランジスタであり、かつこの薄膜トランジスタの有機半導体層がコンタクトプリント法で得られたものである場合、この薄膜トランジスタは特に、ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ、すなわちボトムゲートボトムコンタクト型BGBC型又はトップゲートボトムコンタクト型TGBC型の薄膜トランジスタであってよい。ここで、ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを従来のスピンコーティング法で製造する場合、基板上に存在する金属電極と誘電体表面の表面エネルギーに差があるため、特に電極/誘電体の界面付近において、形成される有機トランジスタに配向乱れが生じる。そのため、電極と有機半導体層間の接触抵抗が大きくなる傾向がある。これに対して、ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタをコンタクトプリント法で製造する場合、スタンプ上において有機半導体層を形成し、その後で、この有機半導体層を、電極を有する基材に転写するので、スピンコーティング法の場合のような問題が生じない。したがって、ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタでは、コンタクトプリント法で有機半導体層を形成することの利益が大きい。また、第1及び第2の本発明の有機半導体デバイスは例えば、本発明の有機半導体膜を有する太陽電池であってよい。この太陽電池は例えば、p型半導体とn型半導体とが接合した構造を有し、これらのp型及びn型半導体の少なくとも一方として、本発明の有機半導体膜の有機半導体膜を用いる。《電気回路》本発明の電気回路は、回路基材の一方の面上に第2の本発明の薄膜トランジスタを2つ以上有する電気回路である。本発明の電気回路では、図4に示すように、シリコンウェハ、ポリマーフィルムのような回路基材100の一方の面上の第2の本発明の薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つ130、140において、有機半導体膜133、143の電荷移動度が大きい表面側133a、143aが、回路基材に向かい合うようにして、有機半導体膜133、143が配置されており、且つこの表面側133a、143aが、第2の薄膜トランジスタにおいて活性面、すなわちキャリアのためのチャンネルが形成される面となっている。すなわち例えば、本発明の電気回路では、回路基材100の一方の面上の第2の薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つが、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ130、140である。また、本発明の電気回路では、図4に示すように、第2の本発明の薄膜トランジスタのうちの少なくとも他の1つ150、160において、有機半導体膜153、163の電荷移動度が大きい表面側153a、163aが、回路基材100の反対側に向くようにして、有機半導体膜153、163が配置されており、且つこの表面側153a、163aが、薄膜トランジスタにおいて活性面となっている。すなわち例えば、本発明の電気回路では、回路基材100の一方の面上の薄膜トランジスタのうちの少なくとも1つが、トップゲート型の薄膜トランジスタ150、160である。したがって、本発明の電気回路では、複数の第2の本発明の薄膜トランジスタを有する場合に、それぞれのトランジスタにおいて活性面となる有機半導体層の表面側が、電荷移動度が大きい表面側となっている。すなわち、本発明の電気回路では、複数の第2の本発明の薄膜トランジスタを有する場合に、それぞれの薄膜トランジスタにおいて、有機半導体膜が大きい電荷移動度を提供することができる。このような本発明の電気回路のための有機半導体膜は、第2の本発明の有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法を用いて得ることができる。より具体的には例えば、有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が回路基材に向かい合っている第2の本発明の薄膜トランジスタを製造する場合、すなわち例えば図4で示すようなボトムゲート型の薄膜トランジスタ130、140を製造する場合、有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法において、第1のスタンプ上において未乾燥の有機半導体膜を熟成させた後で、得られた有機半導体膜を回路基材に転写することによって、有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側を、回路基材に向かい合わせることができる。また例えば、有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側が回路基材の反対側に向いている第2の本発明の薄膜トランジスタを製造する場合、すなわち例えば図4で示すようなトップゲート型の薄膜トランジスタ150、160を製造する場合、有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法において、第1のスタンプ上において未乾燥の有機半導体膜を熟成させた後で、得られた有機半導体膜を第2のスタンプに転写し、そしてその後で、回路基材に転写することによって、有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側を回路基材の反対側に向けることができる。またこの場合、有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法において、回路基材上において未乾燥の有機半導体膜を熟成させて、有機半導体膜の電荷移動度が大きい表面側を、回路基材の反対側に向けることができる。《転写部-周縁部構造を有する本発明のスタンプ》第1及び第2の本発明の方法では、第1及び第2のスタンプとして、下記に示す転写部-周縁部構造を有する本発明のスタンプを用いることとができる。転写部-周縁部構造を有する本発明のスタンプは、転写する有機半導体膜を保持するための転写部、及びこの転写部の周囲の周縁部を有し、且つ転写部の水に対する接触角が、周縁部の水に対する接触角よりも20°以上、30°以上、40°以上、50°以上、60°以上、70°以上、80°以上、90°以上、又は100°以上大きい。ここで、転写部-周縁部構造を有する本発明のスタンプでは、有機半導体膜を製造する第1の本発明の方法で用いる場合、例えば転写部の水に対する接触角が、105°以上又は110°以上であってよい。また、転写部-周縁部構造を有する本発明のスタンプでは、有機半導体膜を製造する第2の本発明の方法で用いる場合、例えば転写部の水に対する接触角が、40°以上、50°以上、70°以上、90°以上、95°以上、100°以上、105°以上、又は110°以上であってよい。すなわち、転写部-周縁部構造を有するスタンプは、転写部が周縁部よりも疎液性であるコンタクトプリント用スタンプである。ここで、疎液性であることは、表面エネルギーが小さいことを意味するので、転写部-周縁部構造を有するスタンプは、転写部の表面エネルギーが小さく、且つ周縁部の表面エネルギーが大きいコンタクトプリント用スタンプであるということができる。転写部-周縁部構造を有するスタンプの転写部上において、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する場合、疎液性の転写部の周囲に、親液性の周縁部が存在することによって、比較的濡れにくい転写部の表面に有機半導体溶液の膜を保持して、転写部の表面上で有機半導体溶液から有機半導体膜を形成することを促進できる。すなわち、このスタンプによれば、比較的濡れにくい転写部の表面上においても、有機半導体膜を形成できる。転写部-周縁部構造を有するスタンプの転写部において、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する場合、転写部に接している面において、有機半導体分子が転写部の表面の影響を比較的受けずに有機半導体分子間の作用によって配向することができる。すなわち、転写部-周縁部構造を有するスタンプによれば、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する際に転写部に接している面側において大きい電荷移動度を有する有機半導体膜を得ることができる。これに対して、一般的なコンタクトプリント用スタンプの転写部は一般に、その上での有機半導体溶液に対する濡れ性を改良し、それによって有機半導体溶液の膜を安定的に形成を可能にするために、親液性にされている。したがって、一般的なコンタクトプリント用スタンプの転写部上において、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する場合、転写部に接している面において、有機半導体分子が転写部の影響を受け、有機半導体分子間の作用によって配向することが難しい。すなわち、一般的なコンタクトプリント用スタンプでは、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する際に、転写部に接している面側において大きい電荷移動度を有する有機半導体膜を得ることができなかった。また、転写部-周縁部構造を有するスタンプの転写部上において、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する場合、得られた有機半導体膜と転写部との付着が比較的弱く、したがって比較的疎液性の基材の表面、すなわち例えば水に対する接触角が50°以上である基材の表面に、有機半導体膜を転写することができる。これに対して、上記記載のように、従来のコンタクトプリント用スタンプの転写部は一般に親液性にされている。したがって、従来のコンタクトプリント用スタンプの転写部上において、有機半導体溶液から有機半導体膜を形成する場合、得られた有機半導体膜と転写部との付着が比較的強く、したがって比較的疎液性の基材の表面、すなわち例えば水に対する接触角が50°以上である基材の表面に、有機半導体膜を転写することは難しかった。転写部-周縁部構造を有するスタンプは、有機半導体膜をその上で形成し、そしてこの有機半導体膜を基材等に転写することができる任意のコンタクトプリント用スタンプであってよい。このような第1のスタンプは、例えばポリシロキサン等で作ることができる。転写部-周縁部構造を有するスタンプのための材料としてポリシロキサンを用いる場合、疎液性のポリシロキサンを調製し、周縁部に対応する表面を親液化親水化処理し、且つ転写部に対応する部分にこのような処理を行わないことによって、転写部-周縁部構造を有するスタンプを得ることができる。また、反対に、親液性のスタンプ材料を調製し、転写部に対応する表面を疎液化疎水化処理し、且つ周縁部に対応する部分にこのような処理を行わないことによって、転写部-周縁部構造を有するスタンプを得ることができる。更に、スタンプ材料を調製し、周縁部に対応する表面を親液化処理し、且つ転写部に対応する表面を疎液化処理して、転写部-周縁部構造を有するスタンプを得ることもできる。具体的には、転写部-周縁部構造を有するスタンプにおいて、疎液性の転写部を得るためには、スタンプの表面の転写部に対応する箇所を疎液性材料で処理することができる。このような疎液性材料としては例えば、シラン、シラザン、フッ素化合物、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリジメチルシロキサン、及びそれらの組み合わせを挙げることができる。また、転写部-周縁部構造を有するスタンプにおいて、親液性の周縁部を得るためには、スタンプの表面の周縁部に対応する箇所を、オゾン、紫外光、電子ビーム、ブラスマ等によって処理すること、親液性の材料によって形成すること等ができる。転写部-周縁部構造を有するスタンプは、意図する用途に適した有機半導体膜の形成を可能にする任意の形状及び寸法を有することができる。したがって、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、1つの転写部の大きさは、0.01μm2~1,000,000μm2、0.1μm2~100,000μm2、又は1μm2~10,000μm2であってよい。転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、周縁部が転写部上に有機半導体溶液を保持することを可能にし、且つ転写部上で形成された有機半導体膜を第2のスタンプ又は基材に転写できるかぎり、任意の形状、構造を有することができる。したがって、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、転写部と周縁部とは同一平面上にあっても、転写部が周縁部に対して凹部となっていてもよい。また、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、有機半導体膜を保持して有機半導体膜を形成する箇所が凸部を形成しており、この凸部において、転写部及びその周囲の周縁部を有していてもよい。このようなスタンプは例えば、図5に示すようなものである。図5に示すスタンプ50では、転写する有機半導体膜に対応する転写部51を9個有する。ここで、個々の転写部51の周囲には、転写する有機半導体膜を保持するための周縁部52が存在している。具体的には、図6aに示すように、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、転写部51aと周縁部52aとは、同一平面上にあってよい。この場合には、周縁部52aと有機半導体溶液61との親和性によって転写部51a上に有機半導体溶液61を保持することを促進できる。また、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、図6bに示すように、転写部51bが周縁部52bに対して凹部となっていてもよい。この場合には、周縁部52bと有機半導体溶液61との親和性と並んで、周縁部52bが立体的な囲いとなることによって、転写部51b上に有機半導体溶液61を保持することを促進できる。また更に、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、図6cに示すように、転写部51c及び周縁部52cがその他の部分に対して凸部となっていてもよい。この場合には、周縁部52cと有機半導体溶液61との親和性によって転写部51c上に有機半導体溶液61を保持することを促進でき、また転写部51c及び周縁部52cの形状に対応する形で有機半導体溶液61を保持できる。なお、この場合には、凸部となっている転写部51c及び周縁部52c以外の部分、すなわち凹部は、有機半導体溶液61との親和性が大きくても小さくてもよいが、有機半導体溶液61との親和性が小さいと、凹部に有機半導体溶液61が保持されないようにすることができる。転写部-周縁部構造を有するスタンプによって有機半導体膜を製造する方法は、溶媒と溶媒中に溶解及び/又は分散している有機半導体材料とを含有する有機半導体溶液を提供するステップ、並びに有機半導体溶液を、転写部-周縁部構造を有するスタンプの転写部に適用して、有機半導体膜を形成するステップを含む。以下の例を用いて本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、以下の例で用いた評価方法は下記の通りである。水接触角:水接触角は、協和界面科学製水接触角計CA-X型を用いて、25°Cの純水で測定した。相対X線反射ピーク高さ:リガク製RINTTTRIIを用いて、X線源Cu-Kα線、回転対陰極50kV-300mA15kWの条件で、有機半導体膜のX線の対称反射についてのピーク高さを測定した。このピーク高さは、シリコンウェハ上にスピンコーティングによって作製した材料の有機半導体膜についてのピーク高さを基準例12比較に準拠として、同一厚さに標準化した後、相対高さによって評価した。相対X線反射ピーク高さの値が大きいことは、有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度が大きいことを意味している。なお、レジオレギュラーポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTの有機半導体膜では、100面の対称反射についてのピーク高さを測定した。なお、以下の実施例では1回転写した有機半導体膜についてX線反射ピーク高さを評価したが、2回転写についても1回転写の場合と同じ値が得られる。電荷移動度:有機半導体膜の電荷移動度は、ケースレー社製4200-SCS型半導体評価装置を用いて評価した。また、電荷移動度の標準偏差は、10個以上の素子の特性を評価して算出した。《例1~13》例1~13では、ボトムゲートトップコンタクト型BGTC型のトランジスタを作成した。《例1》コンタクトプリント用スタンプの作製シリコーンゴム信越化学工業製SIM-260を平板状に硬化させ、ヘキサンを用いてオリゴマーを除去したものスタンプ材料として提供した。スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV紫外線-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。このUV-オゾン処理によって、周縁部に、親液性の表面を提供した。UV-オゾン処理を行っていない転写部の水接触角は110°であり、UV-オゾン処理を30分間行った周縁部の水接触角は44°であった。また、スタンプ上には、転写部が12個存在しており、個々の転写部の大きさは、100μm×2mmであった。有機半導体のインキングレジオレギュラーポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTアルドリッチ社販売、プレクトロニクス製、プレックスコアOS1100、MW=25,000~35,0001質量部を、トルエン99質量部に溶解して、有機半導体溶液としてのP3HT溶液を得た。このP3HT溶液を、パターン形成されたスタンプ材料上にスピンコーティング1800rpm、20秒間した。その後、そのまま10分程度放置してP3HT溶液を熟成及び乾燥し、それによってスタンプ上に有機半導体膜を形成した。シリコン基材300nmの熱酸化膜付のn型シリコンウェハ面方位100、比抵抗0.05Ωを、熱濃硫酸で30分処理した後、純水、アセトン、トルエン、ヘキサンを用いてそれぞれ数回超音波洗浄を行った。さらに、このシリコンウエハに、UVオゾン洗浄装置にて30分間洗浄を行って、基材とした。このシリコンウェハの表面に対する水接触角は4°であった。1回転写有機半導体膜を有するスタンプをローラーに固定して、スタンプ付ローラーを得た。シリコン基材を75°Cに加熱保持し、その上に上記のスタンプ付ローラーを接触させ、回転させて、有機半導体膜全体を基材に転写した。薄膜トランジスタの作製得られた有機半導体膜の転写部に対応する箇所にマスク蒸着法にて金を真空蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成しL/w=50μm/1.5mm、シリコン基材をゲート電極とし且つシリコン基材の表面の酸化膜をゲート絶縁膜として、薄膜トランジスタを得た。すなわち、図4の130で示すような構成の薄膜トランジスタを得た。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度及びX線反射ピーク高さを測定した。結果を表1に示す。2回転写また、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを製造する代わりに、2回転写によって製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。具体的には、シリコン基材の代わりに、第2のスタンプ上に有機半導体膜を転写した第一転写。その後、上記の有機半導体膜が転写された第2のスタンプをロールに固定し、75°Cに加熱保持されたシリコン基材上に接触させ、回転させて、有機半導体膜を基材上に転写した第二転写。ここで、第2のスタンプとしては、第1のスタンプの転写部と同様に処理したスタンプ材料を用いた。すなわち、第2のスタンプの表面に対する水接触角は、第1のスタンプの転写部の表面に対する水接触角と同じになるようにした。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例2》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を2分間にわたって行った。UV-オゾン処理を2分間行った転写部の水接触角は107°であり、UV-オゾン処理を計32分間行った周縁部の水接触角は40°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例2A》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を2.5分間にわたって行った。UV-オゾン処理を2分間行った転写部の水接触角は105°であり、UV-オゾン処理を計32分間行った周縁部の水接触角は39°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例3》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を3分間にわたって行った。UV-オゾン処理を3分間行った転写部の水接触角は104°であり、UV-オゾン処理を計33分間行った周縁部の水接触角は37°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例4》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を5分間にわたって行った。UV-オゾン処理を5分間行った転写部の水接触角は99°であり、UV-オゾン処理を計35分間行った周縁部の水接触角は33°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例5》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を10分間にわたって行った。UV-オゾン処理を10分間行った転写部の水接触角は95°であり、UV-オゾン処理を計40分間行った周縁部の水接触角は21°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度及びX線反射ピーク高さを測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例6》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を20分間にわたって行った。UV-オゾン処理を20分間行った転写部の水接触角は72°であり、UV-オゾン処理を計50分間行った周縁部の水接触角は4°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度及びX線反射ピーク高さを測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例7》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を30分間にわたって行った。UV-オゾン処理を30分間行った転写部の水接触角は44°であり、UV-オゾン処理を計60分間行った周縁部の水接触角は4°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製することを試みた。しかしながら、この例では、上記のスタンプから第2のスタンプへの転写をうまく行うことができず、したがって製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタは作製できなかった。《例8》コンタクトプリント用スタンプの作製スタンプ材料を20mm角に切り出し、転写部に対応するマスクをこのスタンプ材料に載せて、転写部をマスクし、このように転写部がマスクされているスタンプ材料に、UV-オゾン処理を30分間にわたって行った。すなわち、転写部にUV-オゾン処理を行わず、且つ周縁部にUV-オゾン処理を行った。次いでマスクを除去し、スタンプ全体、すなわち転写部及び周縁部の両方にUV-オゾン処理を45分間にわたって行った。UV-オゾン処理を45分間行った転写部の水接触角は8°であり、UV-オゾン処理を計75分間行った周縁部の水接触角は4°であった。薄膜トランジスタの作製このようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。また、例1でのように2回転写によって製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製することを試みた。しかしながら、この例では、上記のスタンプから第2のスタンプへの転写をうまく行うことができず、したがって製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタは作製できなかった。《例9》例1でのようにして得たスタンプを用いて、例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。ただし、この例では、有機半導体溶液として、P3HT溶液の代わりに下記のようにして得たF8T2溶液を用いた。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。ここで、有機半導体溶液としてのF8T2溶液は、ポリ[9,9‘-ジオクチルフルオニル―2,7-ジイル-コ-ビチオフェン]F8T2アメリカンダイソース製0.5質量部を、トルエン99.5質量部に溶解して得た。また、例1でのように2回転写によって薄膜トランジスタを作製した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時にスタンプ側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。しかしながら、この例で得られた有機半導体層では有意の半導体特性が観察されなかった。結果を表1に示す。《例10比較》スピンコーティングによってスタンプにP3HT溶液を適用した後で熟成させずにすぐに基材に転写したこと以外は例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表1に示す。《例11比較》スタンプ材料を20mm角に切り出し、表面処理をせずにそのまま使用した。ここでは、スタンプの表面の水接触角は110°であった。このスタンプ面に、例1と同様にしてP3HT溶液をスピンコーティングした。しかしながら、スタンプ面全体が疎液性であったために、スタンプ面上において有機半導体膜を安定に形成することができなかった。《例12比較》例1において用いたP3HT溶液を、例1で用いたシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間した。すなわち、スタンプを用いずに、基材上に直接に半導体膜を形成した。得られた有機半導体膜に、例1と同様にしてソース電極及びドレイン電極を形成して、薄膜トランジスタを得た。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち有機半導体層の活性面が空気に面した状態での熟成工程を受けていない薄膜トランジスタについて、電荷移動度及びX線反射ピーク高さを測定した。結果を表1に示す。《例13比較》例9において用いたF8T2溶液を、例1で用いたシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間した。すなわち、スタンプを用いずに、基材上に直接に半導体膜を形成した。得られた有機半導体膜に、例1と同様にしてソース電極及びドレイン電極を形成して、薄膜トランジスタを得た。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち有機半導体層の活性面が空気に面した状態での熟成工程を受けていない薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。しかしながら、この例で得られた有機半導体層では有意の半導体特性が観察されなかった。結果を表1に示す。表1の例1~10から理解されるように、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、疎液性の表面においても、有機半導体膜を安定に形成することができた。特に表1の例1~3から理解されるように、転写部-周縁部構造を有するスタンプでは、水接触角が100°Cを超える疎液性の表面においても、有機半導体膜を安定に形成することができた。これに対して、表1の例11比較から理解されるように、転写部-周縁部構造を有さないスタンプでは、疎液性の表面において有機半導体膜を安定に形成することが困難であった。熟成を行った例1~9の有機半導体膜では、相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が、熟成を行わなかった例10比較と比べて大きかった。また、この比の値は、製膜のために使用したスタンプの転写部における疎液性が小さくなるにしたがって、すなわち製膜のために使用したスタンプの転写部が親液性になるにしたがって、大きくなった。例1~2Aの有機半導体膜では、相対する2つの表面側の電荷移動度の比{電荷移動度が大きい表面側の電荷移動度/電荷移動度が小さい表面側の電荷移動度}の値が例3~6と比べて小さく、且つ有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度を表す相対X線ピーク高さが大きかった。これは、製膜の際に基材又は第1のスタンプの表面に接していた表面側と、その反対側の表面側とのいずれにおいても、有機半導体材料の結晶化が進行したことによると考えられる。有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度を表す相対X線ピーク高さは、転写部の水接触角が小さくなるに従って又は転写部の表面が親液性になるに従って、すなわち転写部の表面エネルギーが大きくなるに従って小さくなった。これは、製膜の際に基材又は第1のスタンプ15の表面に接していた表面側において電荷移動度が比較的小さいことで示されているように、転写部の水接触角が小さい場合又は転写部の表面が親液性である場合、すなわち表面エネルギーが大きい場合には、この表面側において有機半導体材料の結晶化の程度が小さかったことによると考えられる。表1から理解されるように、熟成を行わなかった例10比較の有機半導体膜では、相対する2つの表面側の電荷移動度の比の値が小さかったが、有機半導体膜の全厚にわたる結晶化の程度を表す相対X線ピーク高さも小さかった。なお、例10比較の有機半導体膜に関しては、製膜時にスタンプ側にあった面の電荷移動度の値として、例1の有機半導体膜の値を仮に用いているが、これは、製膜時にスタンプ側にあった面では、熟成の有無による電荷移動度の変化が比較的少ないとの理解に基づいている。《例14及び15》例14及び15では、ボトムゲートトップコンタクト型BGTC型のトランジスタを作成した。《例14》シリコン基材をヘキサメチルジシラザンHMDSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表2に示す。ここで、ヘキサメチルジシラザンHMDSで処理されたシリコン基材の表面に対する水接触角は75°であった。なお、ヘキサメチルジシラザンHMDSによる基材の処理は下記のようにして行った。HMDSの20mMトルエン溶液を作製した。得られたHMDS溶液中に上記のシリコン基材を浸漬し、7日間保持した。浸漬の後で、基材をトルエン及びエタノールで洗浄し、エタノール中で30分間にわたって超音波洗浄した。ここまでの工程は全て湿度が3以下に制御されたグローブボックス中で行った。その後、基材を純水で洗浄し、100°Cで5分間熱処理して、HMDS処理基材を得た。《例15》シリコン基材をオクタデシルトリクロロシランOTSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は例1と同様にして、1回転写によって製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表2に示す。ここで、オクタデシルトリクロロシランOTSで処理されたシリコン基材の表面に対する水接触角は108°であった。なお、オクタデシルトリクロロシランによる基材の処理は下記のようにして行った。OTSの20mMトルエン溶液を作製した。得られたOTS溶液中に上記のシリコン基材を浸漬し、7日間保持した。浸漬の後で、基材をトルエン及びエタノールで洗浄し、エタノール中で30分間にわたって超音波洗浄した。ここまでの工程は全て湿度が3以下に制御されたグローブボックス中で行った。その後、基材を純水で洗浄し、100°Cで5分間熱処理して、OTS処理基材を得た。表2では、比較のために例1の有機半導体膜での結果も示している。この表2から理解されるように、スタンプ上において有機半導体膜を熟成させ、そしてその後で、基材に転写する場合であっても、基材の表面エネルギーが、有機半導体膜の電荷移動度に影響を与えることが理解される。すなわち、この表2からは、スタンプ上において有機半導体膜を熟成させ、そしてその後で、基材に転写する場合であっても、基材の表面エネルギーが小さいことが、電荷移動度が大きい有機半導体膜を得るために好ましいことが理解される。《例16~27》例16~21では、ボトムゲートトップコンタクト型BGTC型のトランジスタを作成し、かつ例22~27では、ボトムゲートボトムコンタクト型BGBC型のトランジスタを作成した。《例16》P3HT0.5質量部をトルエン99.5質量部に溶解して、有機半導体溶液としてのP3HT溶液を得たこと以外は例1空気側面/スタンプ側面の比:2.8、相対X線ピーク強度:2.5と同様にして、ボトムゲートトップコンタクト型BGTC型の薄膜トランジスタを作成した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例17》例14でのようにしてシリコン基材をヘキサメチルジシラザンHMDSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は、例16と同様にして、製膜時に空気側にあった面を活性面とするBGTC型薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例18》例15でのようにしてシリコン基材をオクタデシルトリクロロシランOTSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は、例16と同様にして、製膜時に空気側にあった面を活性面とするBGTC型薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例19比較》例16において用いたP3HT溶液を、例16で用いたシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGTC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例20比較》例16において用いたP3HT溶液を、例17で用いたHMDS処理済みシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGTC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例21比較》例16において用いたP3HT溶液を、例18で用いたOTS処理済みシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGTC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例22》P3HT0.5質量部をトルエン99.5質量部に溶解して、有機半導体溶液としてのP3HT溶液を得たこと、及びUVオゾン洗浄後のシリコンウェハ基材上にマスク蒸着法にて金を真空蒸着して、ソース電極及びドレイン電極L/w=50μm/1.5mmを形成して、ボトムゲートボトムコンタクト型BGBC型の薄膜トランジスタとしたこと以外は、例1空気側面/スタンプ側面の比:2.8、相対X線ピーク強度:2.5と同様にして、薄膜トランジスタを作成した。すなわち、金の電極を有するシリコンウェハ基材を用いて、BGBC型の薄膜トランジスタとしたこと以外は例6と同様にして、薄膜トランジスタを作成した。このようにして得られた薄膜トランジスタ、すなわち製膜時に空気側にあった面を活性面とする薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例23》例14でのようにしてシリコン基材をヘキサメチルジシラザンHMDSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は例22と同様にして、製膜時に空気側にあった面を活性面とするBGBC型薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例24》例15でのようにしてシリコン基材をオクタデシルトリクロロシランOTSで処理したこと、及び転写工程において基材の温度を130°Cとして転写を促進したこと以外は、例22と同様にして、製膜時に空気側にあった面を活性面とするBGBC型薄膜トランジスタを作製した。得られた薄膜トランジスタについて、電荷移動度を測定した。結果を表3に示す。《例25》コンタクトプリント用スタンプを例5空気側面/スタンプ側面の比:86、相対X線ピーク強度:1.9の方法で作成した以外は、例22と同様に薄膜トランジスタの作成をおこなった。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例26》コンタクトプリント用スタンプを例5の方法で作成した以外は、例23と同様に薄膜トランジスタの作成をおこなった。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例27》コンタクトプリント用スタンプを例5の方法で作成した以外は、例24と同様に薄膜トランジスタの作成をおこなった。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例28比較》例22において用いたP3HT溶液を、例22で用いたシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGBC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例28比較》例22において用いたP3HT溶液を、例23で用いたHMDS処理済みシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGBC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。《例30比較》例22において用いたP3HT溶液を、例24で用いたOTS処理済みシリコン基材上に直接にスピンコーティング1800rpm、20秒間して、BGBC型薄膜トランジスタを得た。得られた薄膜トランジスタの電荷移動度を表3に示す。表3から理解されるように、コンタクトプリント法で製造した例16~18及び例22~27の薄膜トランジスタは、スピンコート法で製造した対応する例19~21及び例28~30の薄膜トランジスタと比較して、良好な電荷移動度を有している。この表3において、スピンコートに対する比は、コンタクトプリント法で製造した薄膜トランジスタの電荷移動度と、対応するスピンコート法で製造した薄膜トランジスタとの移動度との比を示している。この比から理解されるように、ボトムゲートボトムコンタクト型BGBC型の薄膜トランジスタの作成の際にコンタクトプリント法を用いることによる移動度の増加率は、ボトムゲートトップコンタクト型BGTC型の薄膜トランジスタの作成の際にコンタクトプリント法を用いる場合よりも大きい。すなわち、BGBC型の薄膜トランジスタの作成においては、コンタクトプリント法を用いることが特に好ましいことが理解される。"