"下記式1-1又は1-2で表される含窒素芳香族複素環誘導体。[式1-1、及び1-2において、環Aは、上記式1a又は1bで表され、環形成炭素C1とC2、C3とC4、C4とC5、又はC5とC6を隣接環と共有する。Xは、NR5、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。W及びZは、それぞれ独立に、単結合、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。L1は、単結合、環形成炭素数6~30のアリーレン基、環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基を表す。R1~R7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30のアリール基、環形成原子数5~30のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、2つのR1~R7同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。a、c及びdは、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。bは、0~3の整数を表す。eは、0~2の整数を表す。Qは下記式1cで表される構造である。][式1cにおいて、Yは、酸素原子又は硫黄原子を表す。L2は、単結合、環形成炭素数6~30のアリーレン基又は環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基を表す。但し、L2が式1cで表される構造の2位の炭素と結合している場合、L2は、環形成炭素数6~30のアリーレン基又は環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基を表す。R8及びR9は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30のアリール基、環形成原子数5~30のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR8~R9同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。fは、0~3の整数を表す。gは、0~4の整数を表す。]前記式1-1及び式1-2におけるWが単結合を表し、かつ、前記式1a及び1bにおけるZが単結合を表す請求項1に記載の含窒素芳香族複素環誘導体。下記式2-1又は2-2で表される請求項2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体。[式2-1及び2-2において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]下記式3-1又は3-2で表される請求項2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体。[式3-1及び3-2において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]下記式4-1で表される請求項2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体。[式4-1において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]下記式5-1又は5-2で表される請求項2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体。[式5-1及び5-2において、R1、R2、a、c、X及びQは、前記と同義である。]前記L2が単結合で表される請求項1~6のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記L2が下記式7a~7cのいずれかで表される請求項1~6のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。[式7a~7cにおいて、R11~R13は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR11~R13同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。R14及びR15は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基を表す。k1~k3は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。]前記Xが、前記NR5を表す請求項1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Xが、酸素原子を表す請求項1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Xが、硫黄原子を表す請求項1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Xが、前記CR6R7を表す請求項1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Xが、前記SiR6R7を表す請求項1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Yが、酸素原子を表す請求項1~13のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記Yが、硫黄原子を表す請求項1~13のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。前記1cにおいて、前記L2が、式1cで表される構造の4位の炭素と結合している請求項1~15のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体。有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体。陽極と陰極との間に発光層を含む複数の有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体を含有する有機薄膜層を少なくとも1層以上有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機薄膜層として少なくとも正孔輸送層を有し、前記含窒素芳香族複素環誘導体が該正孔輸送層に含有されている、請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層が、さらにりん光発光性材料を含有する請求項19又は20に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記りん光発光性材料がイリジウムIr,オスミウムOs又は白金Pt金属のオルトメタル化錯体である請求項21に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記正孔輸送層に、下記式Aで表される化合物を含有する層が接合されている請求項20~22のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。上記式A中、R21~R26は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、-CONH2、カルボキシル基、又は-COOR27R27は炭素数1~20のアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基を表す。ただし、R21及びR22、R23及びR24、及びR25及びR26の1又は2以上の対が一緒になって-CO-O-CO-で示される基を表してもよい。しかしながら、本発明者らが検討したところ、カルバゾール誘導体は電子輸送性が相対的に高いため、輸送機能の調整が十分でなく、再結合領域が正孔輸送層側に偏る結果、効率や寿命において課題があることを見出した。本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであって、発光効率が高く、長寿命である有機EL素子を実現する有機EL材料を提供することを目的とする。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ヘテロ原子を有してもよいインデノインドール骨格やインデノカルバゾール骨格の窒素原子と、ヘテロ原子を有してもよいフルオレン骨格のベンゼン環上の環形成炭素とが結合している含窒素芳香族複素環誘導体により、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、1.下記式1-1又は1-2で表される含窒素芳香族複素環誘導体、[式1-1、及び1-2において、環Aは、上記式1a又は1bで表され、環形成炭素C1とC2、C3とC4、C4とC5、又はC5とC6を隣接環と共有する。Xは、NR5、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。W及びZは、それぞれ独立に、単結合、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。L1は、単結合、環形成炭素数6~30のアリーレン基、環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基を表す。R1~R7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30のアリール基、環形成原子数5~30のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、2つのR1~R7同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。a、c及びdは、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。bは、0~3の整数を表す。eは、0~2の整数を表す。Qは下記式1cで表される構造である。][式1cにおいて、Yは、酸素原子又は硫黄原子を表す。L2は、単結合、環形成炭素数6~30のアリーレン基又は環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基を表す。但し、L2が式1cで表される構造の2位の炭素と結合している場合、L2は、環形成炭素数6~30のアリーレン基又は環形成原子数5~30のヘテロアリール基を表す。R8及びR9は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30のアリール基、環形成原子数5~30のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR8~R9同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。fは、0~3の整数を表す。gは、0~4の整数を表す。]2.前記式1-1及び式1-2におけるWが単結合を表し、かつ、前記式1a及び1bにおけるZが単結合を表す上記1に記載の含窒素芳香族複素環誘導体、3.下記式2-1又は2-2で表される上記2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体、[式2-1及び2-2において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]4.下記式3-1又は3-2で表される上記2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体、[式3-1及び3-2において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]5.下記式4-1で表される請求項2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体、[式4-1において、R1、R3、R4、a、d、e、X及びQは、前記と同義である。]6.下記式5-1又は5-2で表される上記2に記載の含窒素芳香族複素環誘導体、[式5-1及び5-2において、R1、R2、a、c、X及びQは、前記と同義である。]7.前記L2が単結合で表される上記1~6のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、8.前記L2が下記式7a~7cのいずれかで表される上記1~6のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、[式7a~7cにおいて、R11~R13は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR11~R13同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。R14及びR15は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基を表す。k1~k3は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。]9.前記Xが、前記NR5を表す上記1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、10.前記Xが、酸素原子を表す上記1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、11.前記Xが、硫黄原子を表す上記1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、12.前記Xが、前記CR6R7を表す上記1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、13.前記Xが、前記SiR6R7を表す上記1~8のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、14.前記Yが、酸素原子を表す上記1~13のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、15.前記Yが、硫黄原子を表す上記1~13のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、16.前記1cにおいて、前記L2が、式1cで表される構造の4位の炭素と結合している上記1~15のいずれかに記載の含窒素複素環誘導体、17.有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である上記1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、18.有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である上記1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体、19.陽極と陰極との間に発光層を含む複数の有機薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記1~16のいずれかに記載の含窒素芳香族複素環誘導体を含有する有機薄膜層を少なくとも1層以上有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子、20.前記有機薄膜層として少なくとも正孔輸送層を有し、前記含窒素芳香族複素環誘導体が該正孔輸送層に含有されている、上記19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、21.前記発光層が、さらにりん光発光性材料を含有する上記19又は20に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、22.前記りん光発光性材料がイリジウムIr,オスミウムOs又は白金Pt金属のオルトメタル化錯体である上記21に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、23.前記正孔輸送層に、下記式Aで表される化合物を含有する層が接合されている上記20~22のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、上記式A中、R21~R26は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、-CONH2、カルボキシル基、又は-COOR27R27は炭素数1~20のアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基を表す。ただし、R21及びR22、R23及びR24、及びR25及びR26の1又は2以上の対が一緒になって-CO-O-CO-で示される基を表してもよい。を提供するものである。本発明によれば、発光効率が高く、長寿命である有機EL素子及びそれを実現する有機EL材料を提供することができる。本明細書において、置換もしくは無置換の炭素数a~bのX基という表現における炭素数a~bは、X基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、X基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。含窒素芳香族複素環誘導体本発明の含窒素芳香族複素環誘導体は、下記式1-1又は1-2で表される。[式1-1、及び1-2において、環Aは、環形成炭素C1とC2、C3とC4、C4とC5、又はC5とC6を隣接環と共有する上記式1a又は1bで表される構造である。Xは、NR5、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。W及びZは、それぞれ独立に、単結合、CR6R7、SiR6R7、酸素原子、硫黄原子を表す。L1は、単結合、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリーレン基、環形成原子数5~30好ましくは5~18のヘテロアリーレン基を表す。R1~R7は、それぞれ独立に、炭素数1~15好ましくは1~5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15好ましくは5~12のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリール基、環形成原子数5~30好ましくは5~18のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、2つのR1~R7同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。a、c及びdは、それぞれ独立に、0~4好ましくは0~2の整数を表す。bは、0~3好ましくは0~2の整数を表す。eは、0~2好ましくは0又は1の整数を表す。Qは下記式1cで表される構造である。][式1cにおいて、Yは、酸素原子又は硫黄原子を表す。L2は、単結合、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリーレン基又は環形成原子数5~30好ましくは5~18のヘテロアリーレン基を表す。但し、L2が式1cで表される構造の2位の炭素と結合している場合、L2は、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリーレン基又は環形成原子数5~30好ましくは5~18のヘテロアリール基を表す。R8及びR9は、それぞれ独立に、炭素数1~15好ましくは1~5の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15好ましくは5~12のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリール基、環形成原子数5~30好ましくは5~18のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR8~R9同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。fは、0~3好ましくは0~2の整数を表す。gは、0~4好ましくは0~2の整数を表す。]前記L1及びL2が表すアリーレン基の例としては、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、ビフェニル、ターフェニル異性体を含む、クォーターフェニル異性体を含む、フルオランテン、トリフェニレン、9,9-ジメチルフルオレン、ベンゾ[c]フェナントレン、ベンゾ[a]トリフェニレン、ナフト[1,2-c]フェナントレン、ナフト[1,2-a]トリフェニレン、ジベンゾ[a,c]トリフェニレン、及びベンゾ[b]フルオランテンから選ばれる芳香族化合物の2価の残基が挙げられ、好ましくは、1,4-フェニレン基、1,3-フェニレン基、ナフタレン-2,6-ジイル基、ナフタレン-2,7-ジイル基、9,9ジメチルフルオレン-2,7-ジイル基である。前記R1~R9が表すアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、ネオペンチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-ペンチルヘキシル基、1-ブチルペンチル基、1-ヘプチルオクチル基、3-メチルペンチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、t-ブチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基である。前記R1~R9が表すシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられ、好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。前記R1~R9が表す置換シリル基の例としては、-SiH2R、-SiHR2、又は-SiR3ただしRは前記のアルキル基であり、2又は3個のRは同一でも異なっていてもよいで表される基が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基である。前記R1~R9が表すアリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、ベンゾ[c]フェナントレニル基、ベンゾ[a]トリフェニレニル基、ナフト[1,2-c]フェナントレニル基、ナフト[1,2-a]トリフェニレニル基、ジベンゾ[a,c]トリフェニレニル基、ベンゾ[b]フルオランテニル基などが挙げられ、好ましくは、フェニル基、4-ビフェニル基、3-ビフェニル基、5’-m-ターフェニル基、1-ナフチル基、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基、2ナフチル基、9フェナントレニル基である。前記R1~R9が表すヘテロアリール基としては、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子から選ばれる少なくとも1個のヘテロ原子を含むものが好ましく、その具体例としては、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、及びキサンテニル基が挙げられ、好ましくはフリル基、チエニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基である。隣接するR1~R9同士が互いに結合して形成する2価の基としてはブタン-1,4-ジイル基、1,3-ブタジエン-1,4-ジイル基などが挙げられる。前記W及びZとしては、単結合が好ましい。前記L2としては、単結合又は下記式7a~7cのいずれかで表されるものが好ましい。[式7a~7cにおいて、R11~R13は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシリル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基、ハロゲン原子若しくはシアノ基を表すか、又は、隣接した2つのR11~R13同士が互いに結合して環を形成する飽和もしくは不飽和の2価の基を表す。R14及びR15は、それぞれ独立に、炭素数1~15の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数3~15のシクロアルキル基、環形成炭素数6~20のアリール基、環形成原子数5~20のヘテロアリール基を表す。k1~k3は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。]また、前記式1cにおいては、前記L2が、式1cで表される構造の4位の炭素と結合していることが好ましい。尚、当該4位の炭素は式1c中に図示されている。本発明に係る含窒素芳香族複素環誘導体は、下記式2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、5-1及び5-2のいずれかで表されるものが好ましく、特に好ましいのは、2-1、2-2、3-2及び5-2のいずれかで表されるものである。式2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、5-1及び5-2において、R1、R2、R3、R4、a、b、c、d、e、X及びQは、前記と同義である。上記及び後述する置換もしくは無置換という場合の任意の置換基としてはフッ素原子、シアノ基、炭素数1~20好ましくは1~5のアルキル基、炭素数3~20好ましくは5~12のシクロアルキル基、炭素数1~20好ましくは1~5のアルコキシ基、炭素数1~20好ましくは1~5のハロアルキル基、炭素数1~20好ましくは1~5のハロアルコキシ基、炭素数1~10好ましくは1~5のアルキルシリル基、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリール基、環形成炭素数6~30好ましくは6~18のアリールオキシ基、炭素数6~30好ましくは6~18のアリールシリル基、炭素数7~30好ましくは7~20のアラルキル基、及び環形成原子数5~30の好ましくは5~18ヘテロアリール基が挙げられる。以下に含窒素芳香族複素環誘導体の具体例を記載するが、本発明の化合物は下記化合物に限定されない。有機EL素子次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、陰極と陽極の間に発光層を含む複数の有機薄膜層を有し、この有機薄膜層のうちの少なくとも1層が前述した本発明の含窒素芳香族複素環誘導体を含むことを特徴とする。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体が、本発明の有機EL素子の有機薄膜層のうちの少なくとも一層に含有されることで、有機EL素子の高発光効率化、長寿命化が期待できる。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体が含まれる有機薄膜層の例としては、正孔輸送層、発光層、スペース層、及び障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体は、特に、正孔輸送層に含まれることが好ましい。また、発光層は蛍光発光材料や燐光発光材料を含有することが好ましく、特に燐光発光材料を含有することが好ましい。本発明の有機EL素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光/燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、発光ユニットとは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。従って、シンプル型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。1陽極/発光ユニット/陰極また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。a正孔輸送層/発光層/電子輸送層b正孔輸送層/第一燐光発光層/第二燐光発光層/電子輸送層c正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層d正孔輸送層/第一燐光発光層/第二燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層e正孔輸送層/第一燐光発光層/スペース層/第二燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層f正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/第一蛍光発光層/第二蛍光発光層/電子輸送層上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光層dにおいて、正孔輸送層/第一燐光発光層赤色発光/第二燐光発光層緑色発光/スペース層/蛍光発光層青色発光/電子輸送層といった層構成が挙げられる。なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。タンデム型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。2陽極/第一発光ユニット/中間層/第二発光ユニット/陰極ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。図1に、本発明の有機EL素子の一例の概略構成を示す。有機EL素子1は、基板2、陽極3、陰極4、及び該陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット10とを有する。発光ユニット10は、燐光ホスト材料と燐光ドーパントを含む少なくとも1つの燐光発光層を含む発光層5を有する。発光層5と陽極3との間に正孔輸送層6等、発光層5と陰極4との間に電子輸送層7等を形成してもよい。また、発光層5の陽極3側に電子障壁層を、発光層5の陰極4側に正孔障壁層を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層5に閉じ込めて、発光層5における励起子の生成確率を高めることができる。なお、本明細書において、蛍光ドーパントと組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を構成する材料を意味し、蛍光発光層を構成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。基板本発明の有機EL素子は、透光性基板上に作製する。透光性基板は有機EL素子を支持する基板であり、400nm~700nmの可視領域の光の透過率が50以上で平滑な基板が好ましい。具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。陽極有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有するものを用いることが効果的である。陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金ITO、酸化錫NESA、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を10より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常10nm~1μm、好ましくは10nm~200nmの範囲で選択される。陰極陰極は電子注入層、電子輸送層又は発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料により形成するのが好ましい。陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-スカンジウム-リチウム合金、マグネシウム-銀合金等が使用できる。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、必要に応じて、陰極側から発光を取り出してもよい。発光層発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。燐光素子の場合、ホスト材料は主にドーパントで生成された励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。ここで、上記発光層は、例えば、電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせるなどして、発光層内のキャリアバランスを調整するダブルホストホストコホストともいうを採用してもよい。また、量子収率の高いドーパント材料を二種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光するダブルドーパントを採用してもよい。具体的には、ホスト、赤色ドーパント及び緑色ドーパントを共蒸着することによって、発光層を共通化して黄色発光を実現する態様が挙げられる。上記発光層は、複数の発光層を積層した積層体とすることで、発光層界面に電子と正孔を蓄積させて、再結合領域を発光層界面に集中させて、量子効率を向上させることができる。発光層への正孔の注入し易さと電子の注入し易さは異なっていてもよく、また、発光層中での正孔と電子の移動度で表される正孔輸送能と電子輸送能が異なっていてもよい。発光層は、例えば蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法により形成することができる。また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かした溶液をスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。発光層は、分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、LB法により形成された薄膜分子累積膜とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。発光層を形成する燐光ドーパント燐光発光材料は三重項励状態から発光することのできる化合物であり、三重項励状態から発光する限り特に限定されないが、Ir,Pt,Os,Au,Cu,Re及びRuから選択される少なくとも一つの金属と配位子とを含む有機金属錯体であることが好ましい。前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ir,Os及びPtから選ばれる金属原子を含有する金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体がより好ましく、イリジウム錯体及び白金錯体がさらに好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が特に好ましい。燐光ドーパントの発光層における含有量は特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.1~70質量が好ましく、1~30質量がより好ましい。燐光ドーパントの含有量が0.1質量以上であると十分な発光が得られ、70質量以下であると濃度消光を避けることができる。好ましい有機金属錯体の具体例を、以下に示す。燐光ホストは、燐光ドーパントの三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることにより、燐光ドーパントを効率的に発光させる機能を有する化合物である。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体は燐光ホストとして有用であるが、本発明の含窒素芳香族複素環誘導体以外の化合物も、燐光ホストとして、上記目的に応じて適宜選択することができる。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体とそれ以外の化合物を同一の発光層内の燐光ホスト材料として併用してもよいし、複数の発光層がある場合には、そのうちの一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の含窒素芳香族複素環誘導体を用い、別の一つの発光層の燐光ホスト材料として本発明の含窒素芳香族複素環誘導体以外の化合物を用いてもよい。また、本発明の含窒素芳香族複素環誘導体は発光層以外の有機層にも使用しうるものであり、その場合には発光層の燐光ホストとして、本発明の含窒素芳香族複素環誘導体以外の化合物を用いてもよい。本発明の含窒素芳香族複素環誘導体以外の化合物で、燐光ホストとして好適な化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。燐光ホストは単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。発光層の膜厚は、好ましくは5~50nm、より好ましくは7~50nm、さらに好ましくは10~50nmである。5nm以上であると発光層の形成が容易であり、50nm以下であると駆動電圧の上昇が避けられる。電子供与性ドーパント本発明の有機EL素子は、陰極と発光ユニットとの界面領域に電子供与性ドーパントを有することも好ましい。このような構成によれば、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。ここで、電子供与性ドーパントとは、仕事関数3.8eV以下の金属を含有するものをいい、その具体例としては、アルカリ金属、アルカリ金属錯体、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属錯体、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、希土類金属錯体、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。アルカリ金属としては、Na仕事関数:2.36eV、K仕事関数:2.28eV、Rb仕事関数:2.16eV、Cs仕事関数:1.95eV等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはK、Rb、Cs、さらに好ましくはRb又はCsであり、最も好ましくはCsである。アルカリ土類金属としては、Ca仕事関数:2.9eV、Sr仕事関数:2.0eV~2.5eV、Ba仕事関数:2.52eV等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。希土類金属としては、Sc、Y、Ce、Tb、Yb等が挙げられ、仕事関数が2.9eV以下のものが特に好ましい。アルカリ金属化合物としては、Li2O、Cs2O、K2O等のアルカリ酸化物、LiF、NaF、CsF、KF等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、LiF、Li2O、NaFが好ましい。アルカリ土類金属化合物としては、BaO、SrO、CaO及びこれらを混合したBaxSr1xO0<x<1、BaxCa1xO0<x<1等が挙げられ、BaO、SrO、CaOが好ましい。希土類金属化合物としては、YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3等が挙げられ、YbF3、ScF3、TbF3が好ましい。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β-ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。電子供与性ドーパントの添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成すると好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する有機化合物発光材料や電子注入材料を同時に蒸着させ、有機化合物に電子供与性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機化合物:電子供与性ドーパント=100:1~1:100、好ましくは5:1~1:5である。電子供与性ドーパントを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、還元ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み0.1nm~15nmで形成する。電子供与性ドーパントを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み0.05nm~1nmで形成する。本発明の有機EL素子における、主成分と電子供与性ドーパントの割合は、モル比で主成分:電子供与性ドーパント=5:1~1:5であると好ましく、2:1~1:2であるとさらに好ましい。電子輸送層発光層と陰極との間に形成される有機層であって、電子を陰極から発光層へ輸送する機能を有する。電子輸送層が複数層で構成される場合、陰極に近い有機層を電子注入層と定義することがある。電子注入層は、陰極から電子を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。電子輸送層に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を1個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素6員環もしくは5員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。この含窒素環誘導体としては、例えば、下記式Aで表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。式AにおけるR2~R7は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数1~40の炭化水素基、炭素数1~40のアルコキシ基、炭素数数6~50のアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、または、環形成炭素数5~50の芳香族複素環基であり、これらは置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。アルキルアミノ基及びアラルキルアミノ基は-NQ1Q2と表される。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のアラルキル基を表す。Q1及びQ2の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。アリールアミノ基は-NAr1Ar2と表され、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、炭素数6~50の非縮合芳香族炭化水素基及び縮合芳香族炭化水素基を表す。Ar1及びAr2の一方は水素原子又は重水素原子であってもよい。炭素数1~40の炭化水素基はアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基を含む。アルコキシカルボニル基は-COOY’と表され、Y’は炭素数1~20のアルキル基を表す。Mは、アルミニウムAl、ガリウムGa又はインジウムInであり、Inであると好ましい。Lは、下記式A’又はAで表される基である。式A’中、R8~R12は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、または置換もしくは無置換の炭素数1~40の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。また、前記式A中、R13~R27は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数1~40の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。式A’及び式AのR8~R12及びR13~R27が示す炭素数1~40の炭化水素基は、前記式A中のR2~R7が示す炭化水素基と同様である。また、R8~R12及びR13~R27の互いに隣接する基が環状構造を形成した場合の2価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン-2,2’-ジイル基、ジフェニルエタン-3,3’-ジイル基、ジフェニルプロパン-4,4’-ジイル基等が挙げられる。電子輸送層に用いられる電子伝達性化合物としては、8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン一般に8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリンのキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス8-キノリノールアルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。前記式中、Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、Ar22及びAr25は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ar17とAr18、Ar19とAr21、Ar22とAr25は、たがいに同一でも異なっていてもよい。芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。Ar20、Ar23及びAr24は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数6~50の2価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基を示し、Ar23とAr24は、たがいに同一でも異なっていてもよい。2価の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。これらの置換基としては炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。これらの電子伝達性化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。電子伝達性化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の一般式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記式Bに示す骨格を含有する5員環もしくは6員環や、下記式Cに示す構造のものが挙げられる。前記式C中、Xは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Z1ならびにZ2は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、5員環もしくは6員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記式BとCもしくは上記式Bと下記式Dを組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物が好ましい。前記の含窒素芳香多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の一般式で表される含窒素複素環基から選択される。前記各式中、Rは、炭素数6~40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、炭素数3~40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、炭素数1~20のアルキル基、または炭素数1~20のアルコキシ基であり、nは0~5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のRは互いに同一又は異なっていてもよい。さらに、好ましい具体的な化合物として、下記式で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。HAr-L1-Ar1-Ar2前記式中、HArは、置換もしくは無置換の炭素数3~40の含窒素複素環基であり、L1は単結合、置換もしくは無置換の炭素数6~40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数3~40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ar1は置換もしくは無置換の炭素数6~40の2価の芳香族炭化水素基であり、Ar2は置換もしくは無置換の炭素数6~40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数3~40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。HArは、例えば、下記の群から選択される。L1は、例えば、下記の群から選択される。Ar1は、例えば、下記のアリールアントラニル基から選択される。前記式中、R1~R14は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6~40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の炭素数3~40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基であり、Ar3は、置換もしくは無置換の炭素数6~40の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の炭素数3~40の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基である。また、R1~R8は、いずれも水素原子又は重水素原子である含窒素複素環誘導体であってもよい。Ar2は、例えば、下記の群から選択される。電子伝達性化合物としての含窒素芳香多環有機化合物には、この他、下記の化合物も好適に用いられる。前記式中、R1~R4は、それぞれ独立に、水素原子、重水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20の脂肪族基、置換もしくは無置換の炭素数3~20の脂肪族式環基、置換もしくは無置換の炭素数6~50の芳香族環基、置換もしくは無置換の炭素数3~50の複素環基を表し、X1、X2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはジシアノメチレン基を表す。また、電子伝達性化合物として、下記の化合物も好適に用いられる。前記式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同一のまたは異なる基であって、下記式で表される芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基である。前記式中、R5、R6、R7、R8及びR9は互いに同一または異なる基であって、水素原子、重水素原子、飽和もしくは不飽和の炭素数1~20のアルコキシル基、飽和もしくは不飽和の炭素数1~20のアルキル基、アミノ基、または炭素数1~20のアルキルアミノ基である。R5、R6、R7、R8及びR9の少なくとも1つは水素原子、重水素原子以外の基である。さらに、電子伝達性化合物は、該含窒素複素環基または含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。本発明の有機EL素子の電子輸送層は、下記式60~62で表される含窒素複素環誘導体を少なくとも1種含むことが特に好ましい。式中、Z1、Z2及びZ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。R1及びR2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のハロアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。nは、0~5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のR1は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する2つのR1同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の炭化水素環を形成していてもよい。Ar1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~50のヘテロアリール基である。Ar2は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~50のヘテロアリール基である。但し、Ar1、Ar2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数10~50の縮合芳香族炭化水素環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数9~50の縮合芳香族複素環基である。Ar3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~50のヘテロアリーレン基である。L1、L2及びL3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数9~50の2価の縮合芳香族複素環基である。環形成炭素数6~50のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、トリル基、フルオランテニル基、フルオレニル基などが挙げられる。環形成原子数5~50のヘテロアリール基としては、ピローリル基、フリル基、チエニル基、シローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、べンゾフリル基、イミダゾリル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、セレノフェニル基、オキサジアゾリル基、トリアゾーリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノキサリニル基、アクリジニル基、イミダゾ[1,2-a]ピリジニル基、イミダゾ[1,2-a]ピリミジニル基などが挙げられる。炭素数1~20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基などが挙げられる。炭素数1~20のハロアルキル基としては、前記アルキル基の1又は2以上の水素原子をフッ素、塩素、ヨウ素および臭素から選ばれる少なくとも1のハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。炭素数1~20のアルコキシ基としては、前記アルキル基をアルキル部位としては有する基が挙げられる。環形成炭素数6~50のアリーレン基としては、前記アリール基から水素原子1個を除去して得られる基が挙げられる。環形成原子数9~50の2価の縮合芳香族複素環基としては、前記ヘテロアリール基として記載した縮合芳香族複素環基から水素原子1個を除去して得られる基が挙げられる。電子輸送層の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1nm~100nmである。また、電子輸送層に隣接して設けることができる電子注入層の構成成分として、含窒素環誘導体の他に無機化合物として、絶縁体又は半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Li2O、K2O、Na2S、Na2Se及びNa2Oが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及びCaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及びBeF2等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。また、半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子注入層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子注入層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。このような絶縁体又は半導体を使用する場合、その層の好ましい厚みは、0.1nm~15nm程度である。また、本発明における電子注入層は、前述の電子供与性ドーパントを含有していても好ましい。正孔輸送層発光層と陽極との間に形成される有機層であって、正孔を陽極から発光層へ輸送する機能を有する。正孔輸送層が複数層で構成される場合、陽極に近い有機層を正孔注入層と定義することがある。正孔注入層は、陽極から正孔を効率的に有機層ユニットに注入する機能を有する。正孔輸送層を形成する他の材料としては、芳香族アミン化合物、例えば、下記一般式Iで表される芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。前記一般式Iにおいて、Ar1~Ar4は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基、または、それら芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基と芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基が結合した基を表す。また、前記一般式Iにおいて、Lは置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~50の芳香族複素環基又は縮合芳香族複素環基を表す。一般式Iの化合物の具体例を以下に記す。また、下記式IIの芳香族アミンも正孔輸送層の形成に好適に用いられる。前記式IIにおいて、Ar1~Ar3の定義は前記一般式IのAr1~Ar4の定義と同様である。以下に一般式IIの化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。本発明の有機EL素子の正孔輸送層は第1正孔輸送層陽極側と第2正孔輸送層陰極側の2層構造にしてもよい。正孔輸送層の膜厚は特に限定されないが、10~200nmであるのが好ましい。本発明の有機EL素子では、正孔輸送層または第1正孔輸送層の陽極側に電子受容性化合物を含有する層を接合してもよい。これにより駆動電圧の低下及び製造コストの低減が期待される。前記電子受容性化合物としては下記式Aで表される化合物が好ましい。上記式A中、R21~R26は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、-CONH2、カルボキシル基、又は-COOR27R27は炭素数1~20のアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基を表す。ただし、R21及びR22、R23及びR24、及びR25及びR26の1又は2以上の対が一緒になって-CO-O-CO-で示される基を表してもよい。R27としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。電子受容性化合物を含有する層の膜厚は特に限定されないが、5~20nmであるのが好ましい。n/pドーピング上述の正孔輸送層や電子輸送層においては、特許第3695714号明細書に記載されているように、ドナー性材料のドーピングnやアクセプター性材料のドーピングpにより、キャリア注入能を調整することができる。nドーピングの代表例としては、電子輸送材料にLiやCs等の金属をドーピングする方法が挙げられ、pドーピングの代表例としては、正孔輸送材料にF4TCNQ等のアクセプター材料をドーピングする方法が挙げられる。スペース層上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが2.6eV以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。障壁層本発明の有機EL素子は、発光層に隣接する部分に、電子障壁層、正孔障壁層、トリプレット障壁層といった障壁層を有することが好ましい。ここで、電子障壁層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔障壁層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。トリプレット障壁層は、後述するように、発光層で生成する三重項励起子が、周辺の層へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の発光ドーパント以外の電子輸送層の分子上でのエネルギー失活を抑制する機能を有する。トリプレット障壁層を設ける場合、発光層中の燐光発光性ドーパントの三重項エネルギーをETd、トリプレット障壁層として用いる化合物の三重項エネルギーをETTBとすると、ETd<ETTBのエネルギー大小関係であれば、エネルギー関係上、燐光発光性ドーパントの三重項励起子が閉じ込められ他分子へ移動できなくなり、該ドーパント上で発光する以外のエネルギー失活経路が断たれ、高効率に発光することができると推測される。ただし、ETd<ETTBの関係が成り立つ場合であってもこのエネルギー差ΔET=ETTB-ETdが小さい場合には、実際の素子駆動環境である室温程度の環境下では、周辺の熱エネルギーにより吸熱的にこのエネルギー差ΔETを乗り越えて三重項励起子が他分子へ移動することが可能であると考えられる。特に燐光発光の場合は蛍光発光に比べて励起子寿命が長いため、相対的に吸熱的励起子移動過程の影響が現れやすくなる。室温の熱エネルギーに対してこのエネルギー差ΔETは大きい程好ましく、0.1eV以上であるとさらに好ましく、0.2eV以上であると特に好ましい。本発明における三重項エネルギーとは、以下のようにして測定する。まず、試料をEPA溶媒ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2容積比に10μmol/Lで溶解させ、燐光測定用試料とする。この燐光測定用試料を石英セルに入れ、温度77Kで励起光を照射し、放射される燐光の燐光スペクトルを測定する。これを基に換算式ETeV=1239.85/λedgeによって求めた値と定義する。λedgeとは、縦軸に燐光強度、横軸に波長をとって、燐光スペクトルを表したときに、燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値単位:nmを意味する。発光層のホスト材料としては、Ab-Ah≦0.1eVとなるものが好ましい。ここで、Abは障壁層材料のアフィニティーを表し、Ahは発光層ホスト材料のアフィニティを表す。本発明におけるアフィニティAf電子親和力とは、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出または吸収されるエネルギーをいい、放出の場合は正、吸収の場合は負と定義する。アフィニティAfは、イオン化ポテンシャルIpと光学エネルギーギャップEgSとにより次のように規定する。Af=Ip-EgSここで、イオン化ポテンシャルIpは、各材料の化合物から電子を取り去ってイオン化するために要するエネルギーを意味し、本発明では大気中光電子分光装置AC-3、理研計器株式会社製で測定した正の符号を持つ値である。光学エネルギーギャップEgSは、伝導レベルと価電子レベルとの差をいい、本発明では各材料のジクロロメタン希薄溶液の紫外可視光吸収スペクトルの長波長側接線とベースライン吸収ゼロとの交点の波長値をエネルギーに換算して求めた正の符号を持つ値である。また、トリプレット障壁層を構成する材料の電子移動度は、電界強度0.04~0.5MV/cmの範囲において、106cm2/Vs以上であることが望ましい。有機材料の電子移動度の測定方法としては、TimeofFlight法等幾つかの方法が知られているが、ここではインピーダンス分光法で決定される電子移動度をいう。電子注入層は、電界強度0.04~0.5MV/cmの範囲において、106cm2/Vs以上であることが望ましい。これにより陰極からの電子輸送層への電子注入が促進され、ひいては隣接する障壁層、発光層への電子注入も促進し、より低電圧での駆動を可能にするためである。次に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。中間体合成例1-1中間体1-1の合成アルゴン雰囲気下、2-ブロモ-9,9-ジメチルフルオレン55g201.3mmolにヨウ素23g90.6mmol、過ヨウ素酸2水和物9.4g41.2mmol、水42ml、酢酸360ml、及び硫酸11mlを加え、65°Cで30分撹拌した後、90°Cで6時間撹拌した。反応終了後に反応物を氷水に注入し、析出した結晶を濾取した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより、61gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-1と同定した。収率76中間体合成例1-2中間体1-2の合成窒素雰囲気下、ジベンゾフラン150g0.89molに酢酸1000mlを加え加熱溶解させた。さらに、臭素188g1.18molを滴下して加えた後、室温で20時間撹拌した。析出した結晶を濾取し、酢酸、水で順次洗浄した。粗生成物をメタノールにより数回再結晶を繰り返し、66.8gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-2と同定した。収率30中間体合成例1-3中間体1-3の合成アルゴン雰囲気下、中間体1-224.7g100.0mmolに脱水THF400mlを加え、-40°Cに冷却した。さらに、1.6M濃度のn-ブチルリチウムヘキサン溶液63ml100.0mmolを徐々に加えた。反応溶液を0°Cまで加温しながら1時間攪拌した後、反応溶液を再び-78°Cまで冷却し、ホウ酸トリメチル26.0g250.0mmolの脱水THFの50ml溶液を滴下して加えた。滴下後、反応溶液を室温で5時間攪拌した。1N塩酸200mlを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層をMgSO4で乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、15.2gの白色結晶を得た。収率72中間体合成例1-4中間体1-4の合成アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g100.0mmol、中間体1-322.3g105.0mmol、Pd[PPh3]42.31g2.00mmolにトルエン150ml、ジメトキシエタン150ml、2MNa2CO3水溶液150ml300.0mmolを加え、10時間加熱還流攪拌した。反応終了後、試料を分液ロートに移しジクロロメタンにて抽出した。有機層をMgSO4で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、24.2gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-4と同定した。収率75中間体合成例1-5中間体1-5の合成アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン28.3g100.0mmol、ジベンゾフラン-4-ボロン酸22.3g105.0mmol、Pd[PPh3]42.31g2.00mmolにトルエン150ml、ジメトキシエタン150ml、2MNa2CO3水溶液150ml300.0mmolを加え、10時間加熱還流攪拌した。反応終了後、試料を分液ロートに移しジクロロメタンにて抽出した。有機層をMgSO4で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、26.2gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-5と同定した。収率81中間体合成例1-6中間体1-6の合成合成例1-5において、4-ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体-1を39.9g用いた以外は同様に反応を行ったところ、35.7gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-6と同定した。収率81中間体合成例1-7中間体1-7の合成9-フェニルカルバゾール17.7g72.7mmol、ヨウ化カリウム6.03g36.3mmol、ヨウ素酸カリウム7.78g36.4mmolに、硫酸5.9ml及びエタノール70mlを加え、75°Cにて2時間撹拌した。冷却後、水、酢酸エチルを加えて分液、抽出した後、重曹水、水を用いて有機層を洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、21.8gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-7と同定した。収率81中間体合成例1-8中間体1-8の合成アルゴン雰囲気下、中間体1-713.1g35.5mmolに脱水トルエン50ml、脱水エーテル50mlを加え、-45°Cに冷却し、1.58M濃度のn-ブチルリチウムヘキサン溶液25ml39.5mmolを滴下して、攪拌しながら1時間かけて-5°Cまで昇温した。再び-45°Cまで冷却し、ホウ酸トリイソプロピル25ml109.0mmolを徐々に滴下してから2時間反応させた。室温に戻した後、10希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、MgSO4で乾燥し、ろ別後、濃縮した。濃縮残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、得られた個体をn-ヘキサンで洗浄し、7.1gの白色固体を得た。収率70中間体合成例1-9中間体1-9の合成アルゴン雰囲気下、ジベンゾフラン78.0g0.46molに脱水テトラヒドロフラン600mlを加え、-30°Cに冷却し、1.65M濃度のn-ブチルリチウムヘキサン溶液300ml0.50molを滴下して、攪拌しながら1時間かけて室温まで昇温した。室温で5時間撹拌後、-60°Cまで冷却し、1,2-ジブロモエタン60ml0.70molを1時間かけて滴下した。室温で15時間撹拌した後、氷水1000mlに注ぎ、ジクロロメタンにて抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、MgSO4で乾燥し、濾過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、テトラヒドロフラン/メタノールで洗浄し、70gの固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体1-9と同定した。収率62中間体合成例2-1中間体2-1の合成アルゴン雰囲気下、インドロ[2,3-a]カルバゾールSynlettp.42-482005に記載の方法に従って合成した。15.0g58.5mmol、ヨードベンゼン11.9g58.5mmol、ヨウ化銅11.2g58.5mmol、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン20.0g175.5mmol、リン酸三カリウム37.3g175.5mmolに脱水1,4-ジオキサン90mlを加えて、24時間加熱還流攪拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン500mlを加えて120°Cに加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、10.0gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-1と同定した。収率51中間体合成例2-2中間体2-2の合成3,3-メチレンジインドール25.0g101.5mmol、オルトギ酸トリエチル15.1g101.5mmolにメタノール400mlを加えた溶液に、濃硫酸1.4mlを加えて、5時間加熱還流攪拌した。反応溶液を氷水浴で冷却し、析出物を濾取した。濾取した固体をメタノール500mlで洗浄することにより、19.0gの茶褐色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-2と同定した。収率73中間体合成例2-3中間体2-3の合成アルゴン雰囲気下、中間体2-25.1g20.0mmol、ヨードベンゼン4.1g20.0mmol、ヨウ化銅3.8g20.0mmol、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン6.9g60.0mmol、リン酸三カリウム12.7g60.0mmolに脱水1,4-ジオキサン50mlを加えて、48時間加熱還流攪拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン1000mlを加えて120°Cに加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、1.7gの茶褐色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-3と同定した。収率26中間体合成例2-4中間体2-4の合成アルゴン雰囲気下、2-ブロモニトロベンゼン25.0g123.8mmol、4-ジベンゾフランボロン酸31.5g148.5mmolに、2MNa2CO3水溶液124ml248mmol、DME250ml、トルエン250ml、Pd[PPh3]47.2g6.2mmolを加えて、12時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水500mlを加え、ジクロロメタンにて抽出した。MgSO4で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、24.0gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-4と同定した。収率67中間体合成例2-5中間体2-5の合成アルゴン雰囲気下、中間体2-424.0g83.0mmol、トリフェニルホスフィン54.4g207.4mmolにジメチルアセトアミド166mlを加え、20時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水400mlを加え、ジクロロメタンにて抽出した。MgSO4で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、14.5gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-5と同定した。収率68中間体合成例2-6中間体2-6の合成合成例2-4において、4-ジベンゾフランボロン酸の代わりに4-ジベンゾチオフェンボロン酸を33.9g用いた以外は同様に反応を行ったところ、28.4gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、中間体2-6と同定した。収率75中間体合成例2-7中間体2-7の合成合成例2-5において、中間体2-4の代わりに中間体2-5を25.3g用いた以外は同様に反応を行ったところ、14.7gの白色粉末を得た。FD-MSの分析により、中間体2-7と同定した。収率65中間体合成例2-8中間体2-8の合成1-インダノン18.7g142.0mmol、塩化フェニルヒドラジニウム20.5g142.0mmolをエタノール400mlに加えた溶液に、濃硫酸2.0mlを加えて、8時間加熱還流攪拌した。反応溶液を放冷し、析出物を濾集した。濾取した固体をメタノール500mlで洗浄した。粗生成物を再結晶することにより、17.5gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-8と同定した。収率60中間体合成例2-9中間体2-9の合成1-インダノン18.7g142.0mmol、4-ブロモフェニルヒドラジン塩酸塩31.7g142.0mmolをエタノール400mlに加えた溶液に、濃硫酸2.0mlを加えて、8時間加熱還流攪拌した。反応溶液を放冷し、析出物を濾集した。濾集した固体をメタノール500mlで洗浄した。粗生成物を再結晶することにより、21.7gの白色固体として得た。FD-MSの分析により、下記中間体2-9と同定した。収率54合成実施例1芳香族複素環誘導体H1の製造アルゴン雰囲気下、中間体1-53.2g10.0mmol、中間体2-13.3g10.0mmol、Pd2dba30.14g0.15mmol、PtBu3HBF40.087g0.3mmol、t-ブトキシナトリウム1.9g20.0mmolに、無水キシレン50mlを加えて8時間加熱還流した。反応終了後、反応液を50°Cに冷却し、セライト、及びシリカゲルを通して濾過を行い、濾液を濃縮した。得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し白色固体を得た。粗生成物をトルエンにて再結晶し、2.9gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H1と同定した。収率50合成実施例2芳香族複素環誘導体H2の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-4を3.2g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.0gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H2と同定した。収率52合成実施例3芳香族複素環誘導体H3の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-6を4.4g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.7gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H3と同定した。収率54合成実施例4芳香族複素環誘導体H4の製造合成実施例1において、中間体2-1の代わりに中間体2-3を3.3g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.0gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H4と同定した。収率50合成実施例5芳香族複素環誘導体H5の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-4を3.2g、中間体2-1の代わりに中間体2-3を3.3g用いた以外は同様に反応を行ったところ、2.9gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H5と同定した。収率50合成実施例6芳香族複素環誘導体H6の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-6を4.4g、中間体2-1の代わりに中間体2-3を3.3g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.2gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H6と同定した。収率46合成実施例7芳香族複素環誘導体H7の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-6を4.4g、中間体2-1の代わりに中間体2-5を2.6g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.1gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H7と同定した。収率50合成実施例8芳香族複素環誘導体H8の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-6を4.4g、中間体2-1の代わりに中間体2-7を2.7g用いた以外は同様に反応を行ったところ、3.0gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H8と同定した。収率47合成実施例9芳香族複素環誘導体H9の製造アルゴン雰囲気下、中間体1-68.8g20.0mmol、中間体2-84.1g20.0mmol、ヨウ化銅3.8g20.0mmol、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン6.9g60.0mmol、リン酸三カリウム12.7g60.0mmolに脱水1,4-ジオキサン50mlを加えて、48時間加熱還流攪拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン1000mlを加えて120°Cに加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、6.0gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記中間体9-aと同定した。t-ブトキシカリウム5.6g50.0mmolを脱水THF300mlに加え、0°Cに冷却し、さらに上記で得られた白色個体5.6g10.0mmolを加え、0°Cで1時間撹拌した。さらにヨウ化メチル7.1g50.0mmolを徐々に加えた後、室温で4時間撹拌した。反応終了後、反応溶液に水100mlを加え、ジクロロメタンにて抽出した。MgSO4で乾燥後、濾過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し白色固体を得た。粗生成物をトルエンにて再結晶し、3.5gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H9と同定した。収率59合成実施例10芳香族複素環誘導体H10の製造合成実施例9において、中間体1-6の代わりに中間体1-5を6.5g、中間体2-8の代わりに中間体2-9を5.7g用いた以外は同様に反応を行ったところ、6.1gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記中間体10-aと同定した。アルゴン雰囲気下、中間体9-a5.5g10.0mmol、中間体1-83.4g12.0mmolに、2MNa2CO3水溶液10ml20.0mmol、DME20ml、トルエン20ml、Pd[PPh3]40.58g0.5mmolを加えて、12時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水50mlを加え、ジクロロメタンにて抽出した。MgSO4で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し白色固体を得た。粗生成物をトルエンにて再結晶し、3.3gの白色固体を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H10と同定した。収率45合成実施例11芳香族複素環誘導体H11の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-9を2.5g用いた以外は同様に反応を行ったところ、1.5gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H11と同定した。収率30合成実施例12芳香族複素環誘導体H12の製造合成実施例1において、中間体1-5の代わりに中間体1-9を2.5g、中間体2-1の代わりに中間体2-3を3.3g用いた以外は同様に反応を行ったところ、1.7gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H12と同定した。収率34合成実施例13芳香族複素環誘導体H13の製造合成実施例10において、中間体1-5の代わりに中間体1-9を4.9g用いた以外は同様に反応を行ったところ、1.9gの白色結晶を得た。FD-MSの分析により、下記芳香族複素環誘導体H11と同定した。収率30実施例1有機EL素子の作製25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極ライン付きガラス基板ジオマティック社製をイソプロピルアルコール中で5分間超音波洗浄し、さらに、30分間UVUltravioletオゾン洗浄した。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に前記透明電極を覆うようにして下記電子受容性化合物Aを蒸着し、膜厚5nmのA膜を成膜した。このA膜上に、第1正孔輸送材料として下記芳香族アミン誘導体X1を蒸着し、膜厚157nmの第1正孔輸送層を成膜した。第1正孔輸送層の成膜に続けて、第2正孔輸送材料として前記合成実施例1で得た芳香族複素環誘導体H1を蒸着し、膜厚10nmの第2正孔輸送層を成膜した。この正孔輸送層上に、燐光用ホストである化合物Bと燐光用ドーパントであるIrppy3とを厚さ40nmで共蒸着し、燐光発光層を得た。Irppy3の濃度は10質量であった。続いて、この燐光発光層上に、厚さ20nmの化合物C、厚さ1nmのLiF、厚さ80nmの金属Alを順次積層し、陰極を形成した。なお、電子注入性電極であるLiFは、1Å/minの成膜速度で形成した。有機EL素子の発光性能評価以上のように作製した有機EL素子を直流電流駆動により発光させ、輝度L、電流密度を測定し、電流密度10mA/cm2における電流効率L/J、駆動電圧Vを求めた。さらに初期輝度20000cd/m2における素子寿命を求めた。結果を表1に示す。実施例2~13実施例1において、第2正孔輸送材料として芳香族複素環誘導体H1の代わりに、表1に記載の芳香族複素環誘導体を用いた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子を直流電流駆動により発光させ、輝度L、電流密度を測定し、電流密度10mA/cm2における電流効率L/J、駆動電圧Vを求めた。さらに初期輝度20000cd/m2における素子寿命を求めた。結果を表1に示す。比較例1~5実施例1において、第2正孔輸送材料として芳香族複素環誘導体H1の代わりに、下記比較化合物1~5を用いた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子を直流電流駆動により発光させ、輝度L、電流密度を測定し、電流密度10mA/cm2における電流効率L/J、駆動電圧Vを求めた。さらに初期輝度20000cd/m2における素子寿命を求めた。結果を表1に示す。実施例1と実施例2との対比や、実施例4と実施例5との対比より、式1cで表される構造の4位にL2が結合することが好ましいことが分かる。実施例1と実施例3との対比や、実施例4と実施例6との対比より、L2がフェニレンであると好ましいことが分かる。実施例7及び8と、実施例9又は実施例10との対比より、XがCR6R7であると好ましいことが分かる。実施例9~13の対比より、L2がフェニレン又は単結合であると好ましく、単結合であると特に好ましく、さらにXがCR6R7であることが好ましいことが分かる。表1より明らかなように、本発明の含窒素芳香族複素環誘導体は、長寿命であり、高効率での駆動が可能な有機EL素子を実現する材料として有用である。"