凹部及び凸部を有するパターンが形成された透光性基板と、前記凹部の底面及び前記凸部の上面に形成された金属を含有する遮光膜と、前記遮光膜上に形成された金属拡散防止保護膜と、を備えたことを特徴とするテンプレート。前記基板と前記遮光部との間に金属拡散防止保護膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のテンプレート。前記金属拡散防止保護膜は窒化膜または酸化膜であることを特徴とする請求項1又は2記載のテンプレート。前記遮光膜に含有された金属は、Ag、Pt、Cu及びCrのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のテンプレート。請求項1乃至4のいずれか一項に記載のテンプレートを加工対象層上の光硬化性材料に接触させて、前記テンプレートの凹部に光硬化性材料を充填する工程と、前記テンプレートを介して前記光硬化性材料に光を照射することにより、前記テンプレートの凹部の側壁近傍に位置する前記光硬化性材料部分を硬化させて、光硬化性材料パターンを形成する工程と、前記光硬化性材料パターンを形成した後、前記テンプレートを離型する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。本発明は、半導体装置等の製造に用いられるインプリント方法において、製造するデバイス特性の悪化又は微細パターンの加工不良を防止することができるテンプレート及びパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明の一態様に係るテンプレートは、凹部及び凸部を有するパターンが形成された透光性基板と、前記凹部の底面及び前記凸部の上面に形成された金属を含有する遮光膜と、前記遮光膜上に形成された金属拡散防止保護膜と、を備えたことを特徴とする。以下、図面を参照して本発明に係るパターン形成方法の実施形態について詳細に説明する。実施形態実施形態に係るインプリント法で用いられるテンプレートの構造を、図1乃至図3を用いて説明する。図1に示したように、本実施形態に係るテンプレート100のテンプレート基板101には凹凸形状のパターン102が形成されている。基板101は、クオーツガラスなどの透光性材料が用いられている。凹凸パターンは、例えばラインアンドスペース状、すなわちテンプレートの凹部パターン102がライン状となっている。なお図1では、テンプレート100のパターン形成部の一部のみを表しており、パターンが形成されていない周辺部の記載は省略している。また、図1では、凹凸形状のラインアンドスペースの幅の寸法が1対1とはなっていないが、それぞれ1対1の寸法とすることも可能である。テンプレート基板101に形成されたパターン102の凹部底面及び凸部上面には、遮光膜103が形成されている。この遮光膜103は、厚さ10nm~50nm程度の金属薄膜であり、クロムCrや銀Agが材料として用いられている。遮光膜103は、複数の凹凸形状パターン102の一部のみに設けることも可能である。また、テンプレート100のパターン102が形成されている側の表面のうち、パターン102が形成されている中央部の外側に位置する周辺部パターンが形成されていない領域には、遮光膜103を形成してもよいし、反対に形成しなくともよい。テンプレート基板101の凹凸パターン102の表面上には、遮光膜103を覆うようにして、拡散防止保護膜104が形成されている。この拡散防止保護膜104は、5nm~10nm程度の膜厚であり、遮光膜103からテンプレート外部への金属の拡散を防止するために形成されている。拡散防止保護膜104は、TiNxここで、xは任意の数。以下同じ。、TiOx、SiNx、SiOx、AlOx、などの窒化膜や酸化膜である。一方、図2に示すように、前述のテンプレート100の凹凸パターン102の側面を傾斜させることもできる。図2は、テンプレート100のパターン部102のみを表した図である。図2に示したように、テンプレート100の凹部パターン102がその底部から上面に向かって拡がるように構成されている、言い換えると、テンプレート100の凸部パターン102がその底部から上面に向かって細くなるように構成されている。またさらに、図3に示したテンプレート100のように、図1に示したテンプレートの凹凸パターン部102の表面と金属薄膜遮光膜103の間に拡散防止膜104を形成することもできる。続いて、図1乃至図3で示したテンプレート100の製造方法について、図4を用いて説明する。まず、図4aに示したように、用意したクオーツガラスなどのテンプレート基板101の所定箇所に凹凸溝形状のパターン102を形成する。基板101上に形成したハードマスク材をマスクにして、基板101をエッチングすることにより、パターン102を形成する。なお、基板101をエッチングする際、マスク材の基板平面方向のエッチングレートと基板の膜厚方向のエッチングレートを調整することにより、図2に示したような、側壁が傾斜したテーパー状の凹凸パターン102を形成することができる。次に、図4bに示したように、蒸着法により、テンプレート基板101上に金属薄膜103を堆積する。金属薄膜103には、クロムCr膜や銀Ag膜等を用いることが可能である。これにより、パターン102の凹部の底面および凸部の上面に金属薄膜遮光部103が形成される。凹凸部102の側壁に金属膜が形成される場合もあるが、側壁に形成される金属膜は極めて薄いため遮光部とはならない。この金属薄膜103の材料としては一般に、Cr、Ag、Au、Pt、Cu、Al及びTi、或いはこれらを含む合金を用いることができる。なお、テンプレート基板101上の不要な箇所周辺部等に形成された金属薄膜103は、リソグラフィ及びエッチング工程を通して、局所的に除去することができる。なお、図3に示したテンプレート100を製造する場合は、テンプレート凹凸表面102に金属薄膜103を形成する前に、後述する拡散防止保護膜104をテンプレート凹凸表面102に形成しておき、さらに拡散防止保護膜104が形成された凹部の底面および凸部の上面に金属薄膜103を形成する。続いて、図4cに示すように、CVD法により、テンプレート基板101上に拡散防止保護膜104を形成する。テンプレート100の凹凸パターン102の側壁にも形成される拡散防止保護膜104は遮光性を有していない。以上のように、図1乃至図3に示したような、凹凸表面102に遮光膜103を備え、さらに遮光膜103が拡散防止保護膜104で覆われたテンプレート100を製造することができる。続いて、図5を参照して、図1乃至図3に示したテンプレートを用いたインプリント法によりパターンを形成する方法を説明する。図5は、本実施形態に係るパターン形成方法を説明するための工程図である。まず、シリコンを含有した加工対象層106及び光硬化性材料層107を順に表面に形成した半導体基板105をインプリント装置図示を省略に導入し、インプリント装置のアームにより図1に示したテンプレートを保持しつつ、テンプレート100の凹凸パターン102を光硬化性材料層107に接触させて、凹凸パターン102に光硬化性材料層107を充填する。充填された状態で、図5aに示したように、インプリント装置の光源から、テンプレート100を介して充填した光硬化性材料層107に光を照射する。このとき、テンプレート100のパターン102それぞれのエッジ近傍凹部と凸部の境界近傍で発生した近接場光により、光硬化性材料層107の一部が硬化する。すなわち、テンプレート100のパターン102の側壁近傍において、光硬化性材料層107が硬化して生じた光硬化性材料パターン108が形成される。遮光膜103として用いられている金属、特にAg、Pt、Cu又はCrは、その周囲に形成された材料、特にシリコン膜やシリコン酸化膜に拡散しやすい特性を持っている。そこで、本実施形態に係るテンプレート100は、遮光膜103を覆うように拡散防止保護膜104を備えている。このため、金属薄膜103から光硬化性材料層107、加工対象層106、半導体デバイスの基板105及び基板105上の絶縁膜等への金属の拡散を拡散防止保護膜104により防止することができ、光硬化性材料層107、加工対象層106、半導体基板105、及び基板105上の絶縁膜の金属汚染を防止し、製造するデバイスの特性の悪化および加工対象パターンの不良を防止することができる。特に、インプリント法における、後述の光硬化性材料層へのテンプレート接触後にエッチング除去の対象となる残渣層RCT層への金属汚染を防止することができるため、パターンの加工不良を防止することができる。またさらに、図3に示したテンプレート100を用いた場合には、テンプレート100の表面と金属薄膜103の間にも拡散防止保護膜104が形成されているため、金属薄膜103からテンプレート100への金属拡散を防止することもできる。続いて、図5bに示したように、テンプレート100を離型して、加工対象層106上に光硬化性材料パターン108を残す。ここでは、未硬化の光硬化性材料の一部も加工対象層106上に残るため、テンプレート100を離型した後、加工対象層106上に残っている未硬化の光硬化性材料層107を除去する。具体的には、硫酸及び過酸化水素の混合液によってエッチングを行い、さらに酸素ガスによるプラズマエッチングを行うことで、未硬化の光硬化性材料層107を除去する。次に、図5cに示したように、光硬化性材料パターン108をマスクにして、加工対象層106をエッチングすることにより、半導体基板105上に加工対象層パターン109を形成する。図5dは、図5cに示した加工対象層パターン109の平面図である。図5dに示したように、本パターン形成方法で用いたテンプレート100の凹部パターン102はラインパターン形状のため、パターン102の側壁部近傍で硬化した光硬化性材料パターン108は、平面上では閉ループ形状となる。したがって、光硬化性材料パターン108を転写して形成した加工対象膜パターン109も、平面上で閉ループ状パターン110となる。このため、半導体基板105上にラインアンドスペースパターンを形成するためには、閉ループ状パターン110の両端部を除去する必要がある。そこで次に、図5eに示したように、閉ループ状パターン110が形成された基板105上にマスク材層、例えばレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィプロセスを実施して、マスク材層に開口パターン111を形成した。なお、マスク材層としては、窒化膜などのハードマスクとレジスト層の多層マスクを用いてよく、この場合、フォトリソグラフィプロセスを実施して一旦レジスト層に開口レジストパターンを設け、さらにレジストパターンをマスクにエッチングプロセスを実施してハードマスクに開口パターン111を設ける。ここで、開口パターン111の開口部112の位置は、閉ループ状パターン110の端部が露出するように調整する。すなわち、閉ループを構成する2本のラインとそれらラインの接合箇所が露出するように、開口部112を配置する。さらに、図5fに示したように、開口パターン111をマスクにして、開口部112に露出した閉ループ状パターン110部分をエッチング処理して除去する。その後、開口パターン111をアッシング又はエッチングにより除去することにより、半導体基板105上にラインアンドスペースパターン113を形成することができる。以上、図5に示したように、凹凸パターン表面102に遮光膜103を備え、さらに凹凸部の表面が拡散防止保護膜104で覆われたテンプレート100を用いて、半導体基板105上にラインアンドスペースパターン113を形成することができる。本実施形態に係るパターン形成方法によれば、光硬化性材料層107、加工対象層106、半導体基板105、及び基板105上の絶縁膜の金属汚染を防止し、製造するデバイスの特性の悪化および加工対象パターンの不良を防止することができる。なお、上記の実施形態に係るパターン形成方法は、半導体装置の製造工程のみならず、ハードディスクの製造工程またはフォトアレイの製造工程におけるパターン形成方法として利用することができる。