"基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、前記バッファ内に格納されるデータに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を備えた基板処理装置の制御システム。前記収集ユニットは、所定の期間、前記データが前記バッファに格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する請求項1記載の基板処理装置の制御システム。本発明の目的は、上述した課題を解消して、高精細且つ高頻度なデータを出力することが可能な基板処理装置の制御システムを提供することにある。本発明の一態様によれば、基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、前記収集されたデータを一時的に格納するバッファと、前記バッファ内に格納されるデータに添付される時刻データに基づいて、時系列に並べ換える手段と、を備えた基板処理装置の制御システムが提供される。本発明によれば、基板処理システム内部で生成される各種データの発生時刻を管理することができるので、基板処理装置の一種である半導体製造装置側からデータ処理上で発生する時刻差が管理されたデータを半導体製造工場側システムに提供することができる。従い、半導体製造工場側のシステムで基板処理時に収集されるデータの解析を行う際に、時刻差が管理されたデータを利用することができるので、データ解析の精度が向上する。以下に、本発明の一実施の形態について説明する。[第1の実施の形態]第1の実施の形態の概要本実施の代表的な形態は、複数の部品で構成される基板処理装置と、該基板処理装置を構成する部品を規定する手順を定めたものレシピにより制御する制御手段と、各部品からデータを収集する収集ユニットとを備え、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に、前記データが発生した時刻順に並べ換えることでデータを管理する形態である。このような、本実施の形態によれば、基板処理システム内部で生成される各種データの発生順序を管理することができる。また、本実施の形態によれば、半導体製造装置側のシステムからデータ発生時刻が管理された高精細且つ高頻度なデータを半導体製造工場側のシステムへ供給する事ができるので、このようなデータを用いて、半導体製造工場側でデータ解析ができる。以下、第1の実施の形態を具体的に説明する。1-1基板処理システムの構成まず、図1を用いて、本発明の一実施の形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1に示すように、基板処理システムは、基板処理装置100、制御部を構成する制御手段としてのモジュールコントローラMC:ModuleController300、操作部を構成する端末装置としてのオペレーションユニットOU:OperationUnit400、収集ユニットとしてのコレクションユニットCU:CollectionUnit700を少なくとも有する。また、ホストインタフェースユニットHU:HostI/FUnit500、ホストコンピュータHOST:HOSTComputer600及びデータベースDB:DataBase800を含めて基板処理システムを構成しても構わない。また、本実施の形態における基板処理システムは、基板処理装置100で取得したデータを、基板処理システムの設置場所から離れた半導体製造工場側のHOST600やDB800に送るための分散処理システムである。尚、図1では、MC300及びOU400は基板処理装置100とは、別体で掲載されているが、実際には、基板処理装置100に含む構成となっている。一方、CU700は、図1で示されるように基板処理装置100とは別体で構成されているが、MC300と同様に基板処理装置100に含まれるよう構成しても構わない。基板処理装置100は、一例として、半導体装置を製造する半導体製造装置として構成されている。基板処理装置100は、複数の部品で構成される。各部品はデータを生成する。ここで、部品とは、例えば、駆動制御部搬送制御部、温度制御部等や各センサや各アクチュエータなどの基板処理装置を構成する全てのものを示す。また、図1では別体で掲載されているMC300やOU400は、実質的に基板処理装置を構成するため、部品とみなされる。但し、本実施の形態について、以後、図1に掲載された基板処理システムの構成に沿って説明される。基板処理装置100は、HOST600から送信されたレシピ及びOU400で実行指示されたレシピを受信し、受信したレシピに基づいて基板の処理を実行する。具体的には、このようなレシピには、基板を処理するための手順が時系列に記載されており、MC300が、複数のステップで構成される上記レシピに基づいて基板処理装置100内の各部品を制御する。なお、基板処理装置100の詳細については後述する。MC300は、基板処理装置100とOU400との間に設けられ、フィールドネットワーク1000を介して接続されている。基板処理装置100内の各部品はMC300により制御される。MC300は、基板処理を行うために、基板処理装置100を構成する部品を規定する制御手順を規定したもの例えばレシピに従い、基板処理装置100に対して必要な制御を行うコントローラである。MC300には、基板処理、例えば成膜に必要な制御を行うものと、半導体基板を含む基板やそれを複数枚格納するキャリア等を運ぶための搬送機構を制御するものとがあり、システムに応じて必要な数が用意されている。図示例では、成膜に必要な制御を行う温度圧力ガス用の第一の制御部としてのMC300Aと、キャリア等を運ぶための搬送機構を制御する駆動制御用の第二の制御部としてのMC300Bとの2台が用意される。ここで、図1では、MC300と基板処理装置100は別体として掲載されているが、MC300は基板処理装置100を構成する。なお、MC300の詳細については後述する。OU400は、目的とするレシピを編集するための端末装置である。また、OU400はMC300から各部品で生成されるデータを収集する端末装置である。OU400は、MC300と通常のネットワーク900を介して接続して設けられており、キーボード401やマウス402などの入出力装置と操作画面403とを有する。操作画面403には、オペレータにより所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面等が表示される。ここで、図1では、OU400と基板処理装置100は別体として掲載されているが、OU400は基板処理装置100を構成する。HU500は、基板処理システムと半導体製造工場とのインタフェースI/Fを担う。HU500は基板処理装置から収集したデータをHOST600へ送る機能を有する。HU500は直接制御に影響を及ぼさない受動ユニットである。ここで、図1では、HU500と基板処理装置100は別体として掲載されているが、HU500は基板処理装置100を構成してもよい。HOST600は、半導体製造工場側に設置される。HOST600は、通常のネットワーク900を介してHU500からOU400に接続されている。HOST600は、複数のレシピを記憶し、ロット情報とレシピとの対応関係を記憶し、受け付けられたロット情報と記憶されている対応関係とに基づいて、記憶されている複数のレシピから1つのレシピを選択し、選択されたレシピを基板処理装置100に対して送信する。CU700は、データの高速収集を目的として、基板処理装置に対しHU500とは異なるポートに設置された専用のコレクション収集ユニットである。CU700は、通常のネットワーク900でOU400に接続され、フィールドネットワーク1000で基板処理装置100に直接接続されている。CU700は、OU400によりMC300A、MC300Bを介して基板処理装置100の複数の部品から収集したデータを一時的に保管蓄積する。なお、CU700は、HU500と同様に直接制御に影響を及ぼさないユニットである。ここで、図1では、CU700と基板処理装置100は別体として掲載されているが、CU700は基板処理装置100を構成してもよい。CU700の詳細については後述する。DB800は、半導体製造工場側に設置されている。CU700から取得されたデータは、ネットワーク900を介してDB800に格納され、半導体製造工場側で適時抽出解析などが行われる。基板処理装置100のデータのうち、MC300やOU400を経由するデータは、ネットワーク900を介してCU700に収集された後、DB800にレポート報告されている。なお、HOST600へも同様にレポート報告してもよい。なお、これらOU400/MC300/HU500などはソフトウェアプログラムで構成することができるので、実際に動作するための物理的なコンピュータユニットと1対1の関係とは限らない。例えばOU400とHU500の組合せやOU400とMC300の組合せ等の種々の構成が可能である。例えば、同一のコンピュータ上で動作する構成もありえる。また、上述した実施の形態の分散処理システムでは、HOSTに1台の基板処理装置100が接続されている場合を例示している。複数台の基板処理装置100が接続されて管理されるように構成してもよい。1-2基板処理装置の構成続いて、本実施の形態にかかる基板処理装置100の構成について、図6,図7を参照しながら説明する。図6は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の斜透視図である。図7は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置100は、例えばウェハ等の基板に酸化、拡散処理、CVD処理などを行なう縦型の半導体製造装置として構成されている。図6、図7に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置100は、耐圧容器として構成された筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設されている。正面メンテナンス口103には、正面メンテナンス口103を開閉する一対の正面メンテナンス扉104が設けられている。シリコン等のウェハ基板200を収納したポッド基板収容器110が、筐体111内外へウェハ200を搬送するキャリアとして使用される。筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口基板収容器搬入搬出口112が、筐体111内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ基板収容器搬入搬出口開閉機構113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート基板収容器受渡し台114が設置されている。ロードポート114上には、ポッド110を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド110は、工程内搬送装置図示せずによってロードポート114上に搬送されるように構成されている。筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚基板収容器載置棚105が設置されている。回転式ポッド棚105上には複数個のポッド110が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板基板収容器載置台117と、を備えている。複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置基板収容器搬送装置118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ基板収容器昇降機構118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構基板収容器搬送機構118bとで構成されている。ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ基板収容器蓋体開閉機構121との間で、ポッド110を相互に搬送するように構成されている。筐体111内の下部には、サブ筐体119が、筐体111内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウェハ200をサブ筐体119内外に搬送する一対のウェハ搬入搬出口基板搬入搬出口120が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウェハ搬入搬出口120には、ポッドオープナ121がそれぞれ設置されている。各ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する一対の載置台122と、ポッド110のキャップ蓋体を着脱するキャップ着脱機構蓋体着脱機構123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122上に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウェハ出し入れ口を開閉するように構成されている。サブ筐体119内には、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室124が構成されている。移載室124の前側領域にはウェハ移載機構基板移載機構125が設置されている。ウェハ移載機構125は、ウェハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置基板移載装置125aと、ウェハ移載装置125aを昇降させるウェハ移載装置エレベータ基板移載装置昇降機構125bとで構成されている。図6に示すように、ウェハ移載装置エレベータ125bは、サブ筐体119の移載室124前方領域右端部と筐体111右側端部との間に設置されている。ウェハ移載装置125aは、ウェハ200の載置部としてのツイーザ基板保持体125cを備えている。これらウェハ移載装置エレベータ125b及びウェハ移載装置125aの連続動作により、ウェハ200をボート基板保持具217に対して装填チャージング及び脱装ディスチャージングすることが可能なように構成されている。移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、基板処理系としての処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ炉口開閉機構147により開閉されるように構成されている。図6に示すように、サブ筐体119の待機部126右端部と筐体111右側端部との間には、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ基板保持具昇降機構115が設置されている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が連結されている。アーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート217は複数本の保持部材を備えている。ボート217は、複数枚例えば、50枚~125枚程度のウェハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。図6に示すように、移載室124のウェハ移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されている。ウェハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、図示はしないが、ウェハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、図示しないノッチ合わせ装置、ウェハ移載装置125a、待機部126にあるボート217の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体111の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側供給側にまで循環されてクリーンユニット134によって移載室124内に再び吹き出されるように構成されている。1-3基板処理装置の動作次に、本実施形態にかかる基板処理装置100の動作について、図6,図7を参照しながら説明する。図6、図7に示すように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114の上のポッド110が、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって回転式ポッド棚105の棚板117上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板117上から一方のポッドオープナ121の載置台122上に移載される。なお、筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって直接ポッドオープナ121の載置台122上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ121のウェハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124内にクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、移載室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気である筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウェハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウェハ出し入れ口が開放される。その後、ウェハ200は、ウェハ移載装置125aのツイーザ125cによってウェハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填チャージングされる。ボート217内にウェハ200を装填したウェハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウェハ200をボート217内に装填する。この一方上段または下段のポッドオープナ121におけるウェハ移載機構125によるウェハのボート217への装填作業中に、他方下段または上段のポッドオープナ121の載置台122上には、別のポッド110が回転式ポッド棚105上からポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。予め指定された枚数のウェハ200がボート217内に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウェハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより処理炉202内へ搬入ローディングされていく。ローディング後は、処理炉202内にてウェハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置135でのウェハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウェハ200を格納したボート217が処理室201内より搬出され、処理後のウェハ200を格納したポッド110が筐体111外へと搬出される。1-4処理炉の構成続いて、本実施形態にかかる処理炉202の構成について、図8を用いて説明する。図8は、本発明の一実施の形態にかかる基板処理装置の処理炉の縦断面図である。図8示すように、処理炉202は、反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウェハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201内は後述するボート217を収容可能なように構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状になるように、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209により反応容器が形成される。後述するシールキャップ219には、ガス導入部としてのノズル230が処理室201内に連通するように接続されている。ノズル230には、ガス供給管232が接続されている。ガス供給管232の上流側ノズル230との接続側と反対側には、ガス流量制御器としてのMFCマスフローコントローラ241を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、MFC241を制御するように構成されている。マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されており、筒状空間250に連通している。排気管231の下流側マニホールド209との接続側と反対側には、圧力検出器としての圧力センサ245、例えばAPCAutoPressureControllerとして構成された圧力調整装置242、真空ポンプ等の真空排気装置246が上流側から順に接続されている。圧力調整装置242及び圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検出された圧力値に基づいて、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置242を制御するように構成されている。マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219の中心部付近であって処理室201と反対側には、ボートを回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。回転機構254は、ボート217を回転させることでウェハ200を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219を昇降させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されている。駆動制御部237は、回転機構254及びボートエレベータ115が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。上述したように、基板保持具としてのボート217は、複数枚のウェハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるように構成されている。プロセスチューブ203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206と温度センサ263とには、電気的に温度制御部238が接続されている。温度制御部238は、温度センサ263により検出された温度情報に基づいて、処理室201内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ206への通電具合を調整するように構成されている。ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238は、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、及び主制御部239は、前述したMC300として構成されている。1-5処理炉の動作続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉202を用いてウェハ200上に膜を形成する方法について、図8を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はMC300により制御される。複数枚のウェハ200がボート217に装填ウェハチャージされると、図8に示すように、複数枚のウェハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように、真空排気装置246によって真空排気される。この際、圧力センサ245が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置242の弁の開度がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ206によって加熱される。この際、温度センサ263が検出した温度値に基づき、ヒータ206への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217及びウェハ200が回転させられる。次いで、処理ガス供給源から供給されてMFC241にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管232内を流通してノズル230から処理室201内に導入される。導入されたガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して排気管231から排気される。ガスは、処理室201内を通過する際にウェハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウェハ200の表面上に薄膜が堆積デポジションされる。予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されてマニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウェハ200を保持するボート217がマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部へと搬出ボートアンローディングされる。その後、処理済のウェハ200はボート217より取り出され、ポッド110内へ格納されるウェハディスチャージ。1-6MC300の構成次に図1に示すMC300の詳細を説明する。MC300はMC300AとMC300Bとから構成される。MC300Aの構成図2は、温度、ガス、圧力を制御するMC300Aを中心としたハードウェア構成を示す。MC300Aは、CPU140、ROMread-onlymemory142、RAMrandom-accessmemory144、入出力装置との間でのデータの送受信を行う入出力インタフェースIF146、温度制御部238、ガス制御部235、圧力制御部236、及び温度制御部238等とのI/O制御を行うI/O制御部148、通常のネットワーク900を介して外部のコンピュータであるOUOperationUnit400との間でのデータの通信を制御する通信制御部156、及びデータを記憶するハードディスクドライブHDD158を有する。これらの構成要素はバス160を介して相互に接続されており、データは構成要素の間でバス160を介して送受信される。MC300Aにおいて、CPU140は、HU500、OU400若しくはOU400を介してHOST600により送信されたレシピに基づいて、装置を制御してウェハを処理させる。具体的には、CPU140は、制御データ制御指示を、温度制御部238、ガス制御部235及び圧力制御部236に対して出力する。ROM142、RAM144、及びHDD158には、シーケンスプログラム、通信制御部156を介して入力されるデータ等が格納される。温度制御部238は、上述した処理炉202の外周部に設けられたヒータ206により該処理室201内の温度を制御する。ガス制御部235は、処理炉202のガス供給管232に設けられたMFCマスフローコントローラ241からの出力値に基づいて処理室201内に供給する反応ガスの供給量等を制御する。圧力制御部236は、処理炉202の排気管231に設けられた圧力センサ245の出力値に基づいて圧力調整用のバルブ242を開閉することにより処理室201内の圧力を制御する。このように、温度制御部238等は、CPU140からの制御指示に基づいて基板処理装置100の各部品ヒータ206、MFC241及びバルブ242等の制御を行う。MC300Bの構成図3は、駆動部を制御するMC300Bを中心としたハードウェア構成を示す。図3のハードウェハ構成は、制御部と制御部品が異なる点を除いて図2と同じであり、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。駆動制御部237は、上述した処理炉202の回転機構254及びボートエレベータ115に設けられたセンサa261、センサb262によりボート217の回転及びボート217の昇降を制御する。レシピのデータがHOST600から送信されると、通信制御部156を介してMC300A、MC300Bに入力される。CPU140は、シーケンスプログラムを起動し、該シーケンスプログラムに従って、送信されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、制御パラメータの目標値等が設定されているステップが逐次実行され、I/O制御部148を介して温度制御部238、ガス制御部235、圧力制御部236、及び駆動制御部237に対して基板を処理するための制御指示が送信される。温度制御部238等は、制御指示に従って基板処理装置100内の各部品ヒータ206、MFC241、バルブ242及び回転機構254等の制御を行う。これにより、上述したウェハ200の処理が行われる。1-7CU700の構成図4は、データを収集して一時的に保管蓄積するCU700を中心としたハードウェア構成を示す。CU700は、基板処理装置100からの種々の部品のデータ温度、ガス流量、圧力、駆動制御データ等を自動的に取得して保管するものである。CU700は、制御部710と記憶部720とを含む構成である。制御部710はネットワーク900、1000と記憶部720との間に介在し、ネットワーク900から送られてくるデータを記憶部720に書き込んだり、記憶部720に保管したデータを読み出して、ネットワーク900に送出したりする。ネットワーク900を介して送られてくる装置からのデータが、記憶部720に自動的に収集される。なお、制御部710は、DB800からの要求を処理し、DB800へ送るための制御をするものであり、装置側へ要求を出すことはない。尚、本実施の形態において、CU700は、HU500と別体に記載されているが、HU500と一体構成でも構わない。1-8収集データの報告図1に示すような本実施の形態の基板処理システムにおいて、直接制御に影響を及ぼさないCU700を使って、HOST600やDB800に収集データの報告をする場合、次のような課題がある。基板処理システム内部では、イベントや例外異常が発生した時には、必要な反応動作、例えばあるイベントにより次の動作を行うとか、例外異常の場合はシステムを停止する等の動作を行う必要がある。また、トレースデータイベントデータ例外異常データの発生順を正しく管理する必要があるため、これらデータはシステムの一箇所本実施形態においてはCU700に集める必要がある。しかしながら、制御データイベントデータ例外異常等のデータの発生順を管理しながら、高精細且つ高頻度なデータ送信は難しい。例えば、制御に必要且つ十分な収集頻度は、部品やデータの種別によって異なり、1回/秒から1回/500msec程度のものが多い。また、収集頻度には、1回/100msやそれ以下の周期で収集するものもある。しかし、これらの収集頻度はあくまで制御に必要な収集頻度であり、通常は、モジュールコントローラMC300内部にとどまる。このような高精細且つ高頻度収集頻度が密なデータを半導体製造工場側へ送信しようとすると、データ収集してから送信するまでの処理時間が膨大になり、システム負荷に直結することがある。ここで、本実施の形態で問題となるのが、時刻差が生じる挙動である。即ち、MC300やOU400を経由するデータはネットワーク900を介し、プログラムで転送されてくるため即時性はなく、時間的に数100msec程度の遅延が発生し得る。因みにここでは、基板処理システムの内部において各コントローラ等MC300、OU400、CU700の時刻は必要十分な精度で同期していることを前提としている。1-9時刻差が生じる挙動時刻差の詳細について、図5を用いて説明する。図5はデータ収集タイミングと遅延を示すタイミング図である。図5において、横軸は時間軸でt1からスタートさせ、100msec刻みでマーキングを付してある。一番上のラインのCUデータを、制御手段であるMC300を経由して収集したデータとする。MC300は、フィールドネットワーク収集制御周期例えば100msecでフィールドネットワーク1000に流れる部品データを取得するMC◆。MC→OUへのデータ報告は、制御周期維持のため、例えば1回/500msecとする。MC300では、データを受け取って転送するまでの遅延iデータ報告遅延が発生する。iのデータ報告遅延発生は以下の事由による。MC300では、データを取得したら関連する内部制御を優先した後、OU400への報告周期に合致したタイミングであればネットワーク送信することになるが、この時、内部制御による遅延と送信のためバッファに入れてから実際に送信されるまでの遅延が累積して、この遅延が発生する。OU400では、データを受け取って処理するまでの遅延iiデータ取得遅延OU●と、受け取ったデータをCU700に転送するまでの遅延iiiデータ報告遅延とが発生する。iiのデータ取得遅延発生は以下の事由による。OU400では、ネットワーク900からの受信データを必要なプログラムに渡すが、プログラムは空き時間になって初めてその受信通知により受信データを処理することができる。遅延はこの受信データを処理できるようになるまでの時間である。iiiデータ報告遅延発生は以下の事由による。OU400では、CU700へネットワーク送信することになるが、この時データの内部処理と送信のためバッファに入れてから実際に送信されるまでの遅延が累積してこの遅延が発生する。CU700では、データを受け取って処理するまでの遅延ivデータ取得遅延CU●がある。ivのデータ取得遅延発生事由は、iiデータ取得遅延発生と同様の事由による。そして、この遅延がデータ発生時刻の時刻差になる。また、MC300Aの内部制御は、ウェハ200を処理する制御に関わるため、データ量が多く、極めて遅延しやすい。一方、MC300Bは、ウェハ200の搬送、ウェハ200を格納するキャリアの搬送などの搬送機構の制御に関わり、MC300Aと比較すると、データ量は比較的少ない。従って、データが同時に発生してもMC300AとMC300Bとを介したデータでは、CU700に到達するまでに時刻差が生じる。特にイベントデータキャリア搬入、キャリア搬出、RUN開始、RUN終了などや例外データ温度異常、圧力異常などは、MC300により管理されている。従って、HOST600やDB800に蓄積されるデータを解析しても、各ユニット間で時刻差による遅延が発生しているため適切なデータ解析を行うことが困難であった。2-1データ報告方式本実施の形態におけるデータ報告送信方式は、データをCU700にて受信した後、一旦バッファ一時格納手段内部に溜めるものである。データにはかならず収集時刻時刻データが付随しているので、データを溜める際、この収集時刻を利用する。要するに、このバッファに、付随する時刻データに基づいて時系列順に格納する。尚、時刻データは、各ユニットMC300、OU400等がデータを受信する際に、付加されるよう構成されている。2-2CUにおけるソフトウエア構成図9は、本発明の実施形態に係る基板処理システムの制御装置、例えばCU700の制御部710により実行される制御プログラムソフトウエアの機能構成を示す図である。図9に示すように、制御プログラムは、データ受信部730、バッファ部740、同期部750、データ報告部760を有する。バッファ部740は、バッファ[0]、バッファ[1]...バッファ[n]というように複数のバッファを持ちうる。同期部750は複数のタイマA、タイマB、...タイマnを備える。装置データ保存部770はCU700内のメモリにより実現される。以下、各機能構成の処理プロセスを説明する。2-3データ受信部データ受信部730は、時刻データを必要に応じて整形し、バッファ部740へ渡す。例えば、MC300やOU400を介したデータは、時刻データを伴う可変長フォーマットで形成される。2-4バッファ部バッファ部740は整形されたデータを一時的に格納する。バッファ部740へ送られてくるデータの種類には、例えば、種々の制御データを含む装置モニタデータ、イベントデータ、例外データ、後述する内部タイマによる空データ等がある。尚、本実施の形態では、図10に示すように、収集時刻順に従ったバッファ内の適切な位置に挿入する。また、データが受信されない場合でも、バッファ内に滞留するデータが正しく処理されるよう、収集ユニットCU700内部で時刻だけを扱う空データを定期的例えば0.5秒毎にバッファ内部へ追加していく。この空データ追加処理はバッファに設けた内部タイマにより行う。定期的な時間は、短すぎるとシステム負荷やバッファ容量増加につながり、また長すぎると後に説明するデータ報告頻度が少なくなる場合があるので、それらを考慮した適切な値を把握して設定する必要がある。ここで、バッファは一定時間分、データを保持する能力を持つ。この一定時間TBは、MC300等でデータが収集されてからCU700に送られるまでの最大遅延時間を想定したものとしている。一定時間TBは、例えば最大遅延時間を3秒とした場合αとして1秒、計4秒を想定する。最大遅延時間はシステムの持つ能力により異なるため、適切な値を把握して設定する必要がある。システム内部の遅延時間はこのバッファにより吸収する。つまり、本実施の形態におけるシステム内のデータ遅延時間の最大値が、このバッファ長により決定される。本実施の形態においては、一定時間TB4秒遅れになるが、データは時刻データ順に整然と並び換えることができる。従い、上位コンピュータにおけるデータ解析の信頼性が向上する。尚、この時刻による並び換える機能は上位コンピュータに備えても良い。図11に示すように、時間によるバッファ長4秒を点線で示す。バッファ内のデータの保持能力が一杯のとき、黒四角で示す新データが受信されてバッファ内へ挿入されると、バッファの保持能力の一定時間TBを超えるため、白抜きの丸印で示すデータのうち新しく追加されたデータ黒四角からTB時間を越える分の古いデータが、バッファから出力されて黒丸同期部750に送られる。2-5データ受信フロー図12に、バッファ部740によるデータ受信の概念フローを示す。制御プログラムのバッファ部740は、データを受信するとその受信データをバッファヘ挿入しステップ280、バッファ範囲外データをフラッシュするステップ290。ステップ280では、複数のバッファ検索、新規のバッファ作成、及びバッファへのデータ挿入処理が実行される。ここで、バッファ範囲外データとは、バッファ内で管理する一定時間TBを超えたデータのことをいう。また、本実施の形態におけるフラッシュとは、同期部へデータを渡し、所定の送信先へデータを送信送出することをいう。以下、上述した受信データをバッファへ挿入と、バッファ範囲外データをフラッシュについて具体的に説明する。2-6受信データをバッファへ挿入図13を用いて、バッファ部740が実行するテップ280図12の挿入内容を具体的に説明する。カウンタiにバッファ数nをセットするステップ281。nの初期値は0である。nをセット後、i=0か否か判断しステップ282、i=0であれば、新しいバッファを作成し、カウンタiにnをセットし、nにn1をセットしステップ286、後述する挿入ステップ285へ進む。iが0でなければ、i-1をカウンタiにセットするステップ283。この場合、iの値の大きなものは、最後に作成したバッファから検索する。i-1をセット後、受信データ時刻に基づいてバッファ[i]に挿入可能か否か判断しステップ284、不可能であればステップ282に戻る。可能であれば、受信データをバッファ[i]へ挿入してステップ285、挿入フローを終了する。上記ステップ284について、一点鎖線で囲った挿入可能確認処理内容を示す説明図を用いて具体的に説明する。新規の受信データ黒四角の収集時刻TRがxx:xx:xx.xxであるとする。バッファの持つデータ保持能力を示す一定時間がTB=4秒であることから、この受信データ収集時刻TRxx:xx:xx.xxが、バッファ内の最新データ収集時刻TLに対して、その収集時刻TLの4秒前に収まっているか、又はその収集時刻TLより4秒以上経過していなければ、バッファに挿入可能と判断する。すなわち、受信データ収集時刻TRが、TR≧TL-4TL4>TRの範囲にあるかをバッファ部740は判断し、その範囲内にある場合、バッファに挿入可能と判断する。例えば、最新バッファ[n-1]内の最新データ黒丸が、TL=10:00:00.00だった場合、TL-4=10:00:00.00-00:00:04.00=09:59:56.00TL4=10:00:00.0000:00:04.00=10:00:04:00となるから、新規の受信データはその収集時刻TRが09:59:56.00~10:00:03.59の範囲内の場合、バッファ部740は、バッファ[n-1]に挿入可能と判断する。受信データ収集時刻TRxx:xx:xx.xxが、バッファ内最新データの収集時刻10:00:00.00より遅ければ、受信データ黒四角はバッファ内最新データ黒丸より後のバッファ長さ4秒に挿入される。バッファ内最新データ黒丸の収集時刻10:00:00.00より早ければ、受信データ黒四角はバッファ内最新データ黒丸より前のバッファ長さ4秒に挿入される。このように、バッファヘのデータ挿入可能確認処理では、最新データに対して4秒前から4秒後までの範囲が含まれるため、各バッファの最新データに対してバッファヘのデータ挿入可能範囲は2×TB4秒の幅を持つ。すなわち、バッファへの格納処理では、各バッファ分の2×TB時間で格納可否を判定している。なお、受信データ収集時刻TRが10:00:04:00だった場合、各バッファ分の時間2×TB=8秒を超えるため、新たなバッファ[n]を作成する。ところで、バッファヘのデータ挿入可能確認処理では、各バッファの最新データに対してバッファは2×TBの幅持っているため、バッファ間で管理する時間にダブりが生じる可能性がある。そこで、本実施の形態では、バッファ間で管理する時間にダブりが生じないように、つぎのA、Bで説明するようにしてデータ間の時間的な重なりを排除している。A新しいバッファが時間的に新しい場合の処理例図14を用いて説明する。なお、図14における丸数字は、便宜上付の数字で示す。後述する図15、図18においても同様とする。バッファ[i]のデータ1が最新の状態で、データ2を受信したとする。この収集時刻が、データ1の収集時刻TBより新しい時、バッファ[j]を作成し、そのバッファ[j]にデータ2を格納する。その後データ3~8はバッファ[j]内のデータ2より前収集時刻が古いに格納されたとする。この場合、データ7と8はバッファ[i]の格納可能範囲にあったとしても、バッファ[j]への格納処理を優先させる。その後データ9を受信したとする。このデータ9の収集時刻がバッファ[j]内のデータ2の収集時刻-TBより古く、バッファ[i]の1の収集時刻より新しい収集時刻だった場合、バッファ[i]に格納される。このケースでは、重なり部分のデータは全て新しいバッファ[j]へ格納するので、データ管理上の矛盾は生じない。B新しいバッファが時間的に古い場合の処理例図15を用いて説明する。バッファ[i]のデータ10が最新の状態で、データ11を受信したとする。この収集時刻が、データ10の収集時刻-TBより古い時、バッファ[j]を作成し、このバッファ[j]にデータ11を格納する。その後、データ12~16はバッファ[j]内のデータ11より後収集時刻が新しいに格納されたとする。この場合、データ16はバッファ[i]の格納可能範囲にあったとしても、バッファ[j]への格納処理を優先させる。このケースでは、バッファ[i]のデータ3、4がバッファ[j]のデータ16と時間的に重なる位置に格納されており、データ管理上の不整合のように見える。しかし、実際にデータ16は時間的に新たに受信したデータであり、古くに受信したデータ3や4がフラッシュされた後、TB程度の時間が経過した後にデータ16をフラッシュすることになる。また次項で説明するが、フラッシュ処理では、全バッファトータルでTB時間分のデータを残し、それ以上のデータはフラッシュする。よって上記のようなデータ間の時間的な重なりは、常に排除しながら管理される。したがって、データ管理上の不整合は起こらない。2-7バッファ範囲外データをフラッシュ図16を用いて、バッファ部740が実行するステップ290図12のフラッシュ内容を具体的に説明する。カウンタiにバッファ数n-1を設定するステップ321。設定後、バッファ[i]...[0]それぞれのデータ時刻幅のトータルが、TB秒以上となるデータが有るか否か判断しステップ322、否の場合、フラッシュすることなく終了する。そのようなデータが有りの場合はバッファ[0]から[n-2]の順にTB秒以上のデータをフラッシュしてステップ323、終了する。ステップ323では、iの値の小さなもの、すなわち古いバッファから処理する。[0]が最も古いバッファとなる。次に、上記フラッシュにおけるバッファ管理の時間的範囲について説明する。まず、図17を用いて第1の具体例を説明する。図17に示すように、バッファが3つ[0]~[2]存在する状態を想定し、バッファ[0]内の最新データと最古データ間の時間幅が1秒、バッファ[1]が同様に2秒、バッファ[2]が同様に1.5秒だったとするバッファ内最新データの収集時刻10:00:00.00、バッファ内の最古データの収集時刻09:59:58.50。この場合、バッファトータルのデータ時間は4.5秒となり、最も古いバッファ[0]に、TB=4秒にくらべて0.5秒間分はみだすデータがあることになる。このはみだしたデータを黒四角で示すが、これがフラッシュ対象となる。前述したバッファへの格納処理では、各バッファ2×TB時間で格納可否を判定していたが、ここではバッファトータルでTB時間を管理する。こうする事で、バッファトータルの管理時間TBを維持し、同期部750へのデータ送出を途切れなく継続することが可能となる。また、図18を用いて第2の具体例を説明する。図18に示す具体例では、図15と同様にバッファは2つしか存在しないとする。バッファ[i]=バッファ[0]の管理時間範囲をT0、バッファ[j]=バッファ[1]の管理時間範囲をT1とすると、このバッファ範囲外データをフラッシュする処理を行う直前では、T0≦2×TBT1≦2×TBとなっている。ここで、図16、図17を用いて説明したフラッシュ処理を施すと、バッファ[0]で残せるデータ時間は、T0’=TB-T1となり、T0-T0’時間分のデータここではデータ3と4が押し出される事になる。バッファ[1]を作成することになったデータ11の時刻データを考慮すると、データ10と11の時間範囲がTB以上であるため、データ16のような前のバッファと時間的に重なるデータが入ってきた場合、それらの古いデータ3や4がフラッシュ対象となる。先に、受信データが来なくなった場合でも、バッファ内のデータが正しく処理されるよう、一定時間毎例0.5秒毎に空データを追加するとしたが、この空データの追加も上記処理フローに従う。これら処理フローにおいて、新しい受信データの収集時刻TRが、各バッファ分の2×TBを超えていずれのバッファにも格納できない場合、新たなバッファを作成すると説明した。通常、新たなバッファを作成するのは、時刻に変化があった場合であり、すべてのユニットが一定時間TB4秒以内に時刻同期すれば、バッファ数はたかだか2個にしかならない。もしバッファ数が3個以上となる場合、TB時間の見直しをしても良いが、基本的にはユニット間の時刻同期およびデータ伝送処理遅延に関して、改善を行うことが好ましい。また、図24を用いて第3の具体例を説明する。図24の方式では、データを直接バッファ内に蓄えるのではなく、同一時刻同一の時刻データを持つデータをリストで管理し、バッファはその時刻データのリストを管理する。これは、MC300が同一時刻に複数のデータを収集するため、データの持つ時刻も同一のものが複数存在するためである。このように、図24に示すように、バッファ部740におけるデータの格納を工夫することにより、上述の到着したデータに付随する時刻とバッファ内のデータに付随する時刻を逐次的に比較検索して、挿入場所を特定する挿入処理よりも、更に効率的な挿入処理が行えるという利点がある。例えば、同一時刻のデータが複数並んでいる場合、上述したバッファ部740の格納では、わざわざ各データの時刻を逐次比較するため、非効率である。ここで、第3の具体例では、図24に示すように、バッファ部740の格納を時刻リストにした場合、データ付随データ時刻データとバッファ内のリスト管理時刻と比較する事になり、同一時刻データの冗長性を排除することができる。更に、データの検索時に、二分検索を行う事で逐次検索より効率よく検索が実施できる。2-8同期部同期部750は、モニタデータ保存領域更新のタイミングとトレースデータ収集のタイミングを、CU700のシステム時刻とは関係なく、代わりに同期部750の内部に搭載したシステム時刻同期化時刻で同期させるモジュールである。以下、この同期部750のプロセスを図19を用いて説明する。図19に示すように、同期部750はタイマにより起動し、バッファ部740より送られたデータnがあった場合、同期部750はそのデータの時刻10:00:00.700をチェックする。このチェックでは、その時刻10:00:00.700と、同期部750内部のシステム時刻同期化時刻10:00:00.000との間に、同期部750内部にあるどのタイマA0.25秒、B0.5秒、C1.0秒、D2.0秒...がタイミングを発生できるかどうか調べる。なお、データnのnはデータの名前であって、例えば、温度とか圧力を意味する。また、タイマA、B、C、D...は報告データの時間間隔となる。図示例の場合、同期化時刻10:00:00.000とデータnの時刻10:00:00.700との間にあるタイマAとBが処理可能なので、タイマA、Bの順でタイマ処理を発生させる。タイマはDCPDataCollectionPlanのトレース等に結びついており、その発生タイミングでデータ収集やデータ送信を行う。DCPとは、クライアントが所望のデータの収集や設定を行うために定義するプランであって、DCPにはトレースデータやイベント、例外処理などのあらゆる番号や組合せ情報、頻度などが記載されている。図20に示すように、同期部750で処理可能なすべてのタイマを発生させた後、同期化時刻をデータnの時刻10:00:00.700に更新し、新しいデータn10:00:00.700を装置データ保存部760の、1つ前のデータn09:59:59.200の上に書き込む。2-9データ報告部図21に示すように、データ報告部770は、先の同期部750で処理可能となったタイマA、B、...nにより起動される。タイマはID等により関連するDCPを識別できる。DCPDCP1、DCP2、...DCPnはIDDCP1、DCP2、...DCPnを持つので、このIDをタイマ側に持たせると、同じIDを持つDCPを区別できるからである。データ報告部770はDCPに記述してある必要なデータを装置データ保存部760より収集し、報告データを作成送信する。以上で報告に必要なデータは集まったので、CU700の制御部710内の送信キューに入れることでCU700から通常のネットワーク900を介してDB800への送信が可能となる。以上、バッファを使ったプロセスを説明した。この処理方式では一見DB800等への報告するタイミングが不正確に行われるように見えるが、報告データに記載される作成の時刻はDCPで要求された時間間隔に正確に従ったものとなる。したがって、最終的にDB800内のデータを分析する際には、まさに装置システム内部の個々の収集時刻に従った正確な時刻のデータを矛盾なく取得する事ができる。2-10パッキングデータ前述した通り、装置システムには高精度でのデータ収集が求められているが、その解決手法の一つとして、あるデータに関する一定時間分のデータを一まとめにしたパッキングデータを扱う事は容易に想定できる所である。本実施の形態によれば、パッキングデータもバッファ内部にそれぞれの収集時刻に従った位置に挿入する事で、DBへの報告用のデータを矛盾無く作成し、このデータを報告する事が可能となる。以下に、これを具体的に説明する。図22に、プロセスモジュール圧力に関する0.1秒間隔で10個一まとめにした1秒間のデータをパッキングしたデータ例を示す。図23に、バッファ部740によって実行される、このようなパッキングデータと、非パッキングデータとが混在する場合のデータ受信フローを示す。バッファ部740は、受信したデータからパッキングするデータ数nを取得し、図12の処理280を行いバッファ内にデータを挿入する。データ挿入後、カウンタiを1つ増やす。そして、カウンタiが、受信データから取得したパッキングデータ数nと等しいかそれ以上に達したら図12の処理290を行い、バッファ範囲外データをフラッシュする。2-11本実施の形態の効果本実施の形態によれば、各種データの発生時刻を管理することが可能となるため、収集した各データ間で発生した時刻差を合致させることできる。従い、半導体製造装置側で生成される高精細高頻度なデータを適切に半導体製造装置工場側へ送信することが可能となる。また、レシピの終了時やキャリアとしてのFOUPの搬入出時などイベントデータが同時に発生する場合、この同時に発生した複数のイベントデータを同時に送信することができずに、最初のイベントデータに比べ最後のイベントデータは送信待ちが発生するため、時刻差が生じる。更に、これら各イベントデータを送信中に制御データの送信が発生した場合などは時刻差が大きくなってしまう。このような場合でも、本実施の形態におけるデータ管理により適切なデータを提供することができる。また、半導体製造工場側のシステムで基板処理時に収集されるデータの解析例えば、やDB800に蓄積されるデータを行う際に、時刻差が管理されたデータを利用することができるので、データ解析例えば、異常発生の原因追究やデータ異常の要因調査の精度が向上する。なお、上述した第1及び第2の実施の形態では、いずれも基板処理を成膜処理としたが、成膜処理には、例えばCVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理が含まれる。さらに、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理などの処理でも構わない。また、基板処理装置が縦型装置である場合について説明したが、枚葉装置にも適用できる。更に、基板処理装置には、半導体製造装置の他に、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置なども含まれる。また、本実施の形態では、報告先であるDB等のクライアントシステムは、基板処理装置と同様のフロアクリーンルームに配置する必要はなく、例えば、LAN接続された事務所に配置されてもよい。以下に、本発明の好ましい態様を付記する。複数の部品で構成される基板処理装置と、該基板処理装置を時間と各部品を規定する制御手順を定めたものにより制御する制御手段と、前記各部品からデータを収集する収集ユニットとを備え、前記収集ユニットは、前記収集されたデータを一時的に格納するバッファを少なくとも含み、添付される時刻データに基づいて、時系列に前記バッファ内に格納されるデータを並べ換える手段を有する基板処理システム。前記データを収集する際に所定の期間、前記データが前記複数の部品から生成されない場合、前記収集ユニットは、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納することが好ましい。複数の部品で構成される基板処理装置と、基板処理を行うために各部品を規定する手順を定めたものを制御する制御手段と、該制御手段から各部品で生成されるデータを収集する収集ユニットを備えた基板処理システムにおけるデータ管理方法であって、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納するデータ管理方法。各部品を規定する手順を定めたものを実行する際に生成されるデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納するデータ管理装置。各部品を規定する手順を定めたものを実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記実行中に生成されるデータを収集する収集ユニットを備え、前記収集ユニットは、収集したデータを添付される時刻データに基づいて、時系列に格納する基板処理装置。尚、本実施の形態において、更に、以下の付記に記した内容を含む。付記1基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。付記2前記収集ユニットは、所定の期間、前記データが前記バッファに格納されない場合、前記時刻データのみの空データを前記バッファ内に格納する付記1の基板処理装置の制御システム。付記3複数の部品で生成されるデータが収集される操作部を設け、前記収集ユニットは、前記操作部から送信されるデータに添付される時刻データ順に、前記データを前記バッファ内に格納する付記1の基板処理装置の制御システム。付記4複数の部品で生成されるデータが収集される操作部と、前記基板処理装置を基板に所定の処理を付与するためのファイルを実行することにより前記各部品を動作させて制御する制御部を設け、前記各部品で生成されたデータを受信したときに前記操作部や前記制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記収集ユニットは、前記操作部から送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する付記1の基板処理装置の制御システム。付記5前記制御部は、前記基板に所定の基板処理を制御する第一の制御部と、前記基板に所定の基板搬送を制御する第二の制御部を設け、前記第一の制御部や前記第二の制御部のそれぞれにおいて添付される時刻データに基づいて、前記収集ユニットは、前記操作部から送信される前記データを前記時刻データ順に、前記バッファ内に格納する付記4の基板処理装置の制御システム。付記6前記バッファ内に格納するデータを保持する能力は、前記制御部でデータが収集されてから前記収集ユニットに送られるまでの最大遅延時間により決定される付記4の基板処理装置の制御システム。付記7前記バッファ内に格納するデータは、種々の制御データを含む装置モニタデータ、イベントデータ、例外データである付記1乃至付記6のいずれか一つの基板処理装置の制御システム。付記8各部品からデータを収集する収集ユニットであって、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える収集ユニット。付記9各部品からデータを収集する収集ユニットを有する基板処理装置であって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置。付記10各部品からデータを収集する収集ユニットを有する基板処理装置の制御方法であって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御方法。付記11基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットと、各部品で生成されるデータが収集される操作部とを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記操作部から送信される前記データに添付された時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。付記12基板処理装置を構成する各部品からデータを収集する収集ユニットと、前記基板処理装置を基板に所定の基板処理を付与するためのファイルを実行することにより前記各部品を動作させて制御する制御部とを設け、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記制御部から送信される前記データに添付された時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える基板処理装置の制御システム。付記13前記制御部は、前記基板に所定の基板処理を制御する第一の制御部と、前記基板に所定の基板搬送を制御する第二の制御部を設け、前記収集ユニットは、前記第一の制御部や前記第二の制御部が前記データに添付した時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える付記11の基板処理装置の制御システム。付記14前記制御部は、前記ファイルを実行することにより前記各部品を動作させて前記基板に所定の基板処理中に前記収集ユニットへ前記データを送信し、前記収集ユニットは、前記制御部が添付した時刻データに基づいて、前記バッファ内で時系列に前記データを並べ換える付記11の基板処理装置の制御システム。付記15各部品からデータを収集する収集ユニットであって、前記収集ユニットは、前記データを一時的に格納するバッファ部と、複数のタイマが設定されている同期部と、複数のプランを有するデータ報告部で構成され、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換え、前記時刻データと前記タイマより時間を同期させ、前記データを前記プランに沿った形式で報告する。付記16複数の部品で構成される基板処理装置を制御して基板を処理する処理工程と、前記基板を処理する際に各部品からデータを生成する生成工程と、生成された前記データを収集する収集工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記収集工程では、前記データを一時的に格納するバッファを有し、前記データを前記バッファ内に格納する際に添付されている時刻データに基づいて、時系列に前記データを並べ換える半導体装置の製造方法。"