"第1の導電層、誘電体層、第2の導電層、発光層および第3の導電層が順に積層された積層部と、少なくとも前記誘電体層を貫通し当該第1の導電層および当該第2の導電層を電気的に接続するコンタクトホールとを備え、発光面側から見たとき、i連続した発光領域を少なくとも1つ有し、ii前記コンタクトホールの個数は、1つの前記発光領域あたり102個以上であると共に、当該コンタクトホールの占める面積の割合が当該発光領域の面積に対して0.1以下となる個数であることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子。前記コンタクトホールの占める面積の割合は、前記発光領域の面積に対して0.001~0.1である請求項1に記載のエレクトロルミネッセント素子。発光面側から見た前記コンタクトホールの形状は、当該形状を内包する最小円の直径が0.01μm~2μmである請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセント素子。前記コンタクトホールは、前記第1の導電層を更に貫通して形成される請求項1乃至3の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。前記第1の導電層、前記誘電体層および前記第2の導電層が、発光する光の波長に対して透明である請求項1乃至4の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。前記誘電体層の屈折率は、1.0~1.5である請求項1乃至5の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。前記第2の導電層は、導電性金属酸化物または導電性高分子を含む請求項1乃至6の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。前記第2の導電層と第3の導電層の間に、正孔輸送層、正孔ブロック層及び電子輸送層から選ばれる少なくとも1層を更に備える請求項1乃至7の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子。請求項1乃至8の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子を備えることを特徴とする表示装置。請求項1乃至8の何れか1項に記載のエレクトロルミネッセント素子を備えることを特徴とする照明装置。ここで電極の一方を半導体層と電気的に接続し、この半導体層ともう一方の電極との間に挟まれた発光層から発光するエレクトロルミネッセント素子は、電極をパターニングした後に、電極と接して半導体層を形成する必要がある。そのため電極を微細なパターンで形成した場合は、平滑な半導体層を電極間に形成することが難しくなり、発光面内の発光が不均一になりやすい。また半導体層を平滑化するには、別途平滑化処理が必要となるため、製造工程が複雑になり、製造コストの増加につながる。上記の問題に鑑み、本発明の目的は、発光部における発光面が平滑で、発光の均一性が高く、製造が容易なエレクトロルミネッセント素子を提供することである。また、本発明の他の目的は、発光の均一性が高い表示装置および照明装置を提供することである。本発明のエレクトロルミネッセント素子は、第1の導電層、誘電体層、第2の導電層、発光層および第3の導電層が順に積層された積層部と、少なくとも誘電体層を貫通し第1の導電層および第2の導電層を電気的に接続するコンタクトホールとを備え、発光面側から見たとき、i連続した発光領域を少なくとも1つ有し、iiコンタクトホールの個数は、1つの発光領域あたり102個以上であると共に、コンタクトホールの占める面積の割合が発光領域の面積に対して0.1以下となる個数であることを特徴とする。発光素子の両面が発光面となっている時は、両面ともに上記i及びiiを満たしていることが好ましい。ここで、1つの発光領域は、発光面側から見たとき、発光部分が途切れることなく連続する領域であり、かつ、この領域に内包されるコンタクトホールも含む領域である。また、コンタクトホールの占める面積の割合は、発光領域の面積に対して0.001~0.1であることが好ましく、発光面側から見たコンタクトホールの形状は、この形状を内包する最小円の直径が0.01μm~2μmであることが好ましく、コンタクトホールは、第1の導電層を更に貫通して形成されることが好ましい。更に第1の導電層、誘電体層および第2の導電層が、発光する光の波長に対して透明であることが好ましく、誘電体層の屈折率は、1.0~1.5であることが好ましい。また更に第2の導電層は、導電性金属酸化物または導電性高分子を含むことが好ましく、第2の導電層と第3の導電層の間に、正孔輸送層、正孔ブロック層及び電子輸送層から選ばれる少なくとも1層を更に備えることが好ましい。また本発明の表示装置は、上記のエレクトロルミネッセント素子を備えることを特徴とする。また本発明の照明装置は、上記のエレクトロルミネッセント素子を備えることを特徴とする。本発明によれば、発光の均一性が高く、製造が容易なエレクトロルミネッセント素子等を提供できる。エレクトロルミネッセント素子以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本実施の形態が適用されるエレクトロルミネッセント素子の発光領域の一例を説明した部分断面図である。図1に示したエレクトロルミネッセント素子10は、基板11上に、正孔を注入するための第1の導電層12と、絶縁性の誘電体層13と、誘電体層13の上面を覆って第1の導電層12と電気的に接続した第2の導電層14と、正孔と電子が結合して発光する発光層15と、電子を注入するための第3の導電層16とが順に積層した構造の積層部を備える。また、誘電体層13にはコンタクトホール17が形成されている。そしてコンタクトホール17内には第2の導電層14の成分が充填されている。これにより第1の導電層12と第2の導電層14とはコンタクトホール17を介して電気的に接続する。そのため第1の導電層12と第3の導電層16との間に電圧を印加すると、第2の導電層14と第3の導電層16との間に電圧が印加され、発光層15が発光する。この場合、エレクトロルミネッセント素子10の発光面は、基板11側の面、及び/または、その反対側の面となる。基板11は、第1の導電層12、誘電体層13、第2の導電層14、発光層15、第3の導電層16を形成する支持体となるものである。基板11には、エレクトロルミネッセント素子10に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。通常、このような支持体として必要な機械的強度を満たす材料が基板11に用いられる。基板11の材料としては、エレクトロルミネッセント素子10の基板11側から光を取り出したい場合基板11側の面が光を取出す面、すなわち、発光面となる場合は、発光する光の波長に対して透明であることがこのましい。具体的には、発光する光が可視光の場合、ソーダガラス、無アルカリガラスなどのガラス;アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂などの透明プラスチック;シリコンなどが挙げられる。エレクトロルミネッセント素子10の基板11側との面から光を取り出す必要がない場合は、基板11の材料としては、透明であるものに限られず、不透明なものも使用できる。具体的には、上記材料に加えて、銅Cu、銀Ag、金Au、白金Pt、タングステンW、チタンTi、タンタルTa、もしくはニオブNbの単体、またはこれらの合金、あるいはステンレスなどからなる材料も使用することができる。基板11の厚さは、要求される機械的強度にもよるが、好ましくは、0.1mm~10mm、より好ましくは0.25mm~2mmである。第1の導電層12は、第3の導電層16との間で電圧を印加し、第2の導電層14を介して発光層15に正孔を注入する。即ち、本実施の形態では第1の導電層12は、陽極層である。第1の導電層12に使用される材料としては、電気伝導性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、-5°C~80°Cの温度範囲で面抵抗が1000Ω以下であることが好ましく、100Ω以下であることが更に好ましい。加えて、アルカリ性水溶液に対し、電気抵抗が顕著に変化しないことが好ましい。このような条件を満たす材料として、導電性金属酸化物、金属、合金が使用できる。ここで、導電性金属酸化物としては、例えば、ITO酸化インジウムスズ、IZOインジウム-亜鉛酸化物が挙げられる。また金属としては、ステンレス、銅Cu、銀Ag、金Au、白金Pt、タングステンW、チタンTi、タンタルTa、ニオブNb等が挙げられる。そしてこれらの金属を含む合金も使用できる。透明電極を形成するのに用いられる透明材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、それらの複合体であるITO酸化インジウムスズ、IZOインジウム-亜鉛酸化物等からなる導電性ガラスNESA等、金、白金、銀、銅が挙げられる。これらの中でも、ITO、IZO、酸化スズが好ましい。また、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体等の有機物からなる透明導電膜を用いてもよい。第1の導電層12の厚さは、エレクトロルミネッセント素子10の基板11側から光を取り出したい場合は、高い光透過率を得るため、2nm~300nmであることが好ましい。またエレクトロルミネッセント素子10の基板11側から光を取り出す必要がない場合は、例えば、2nm~2mmで形成することができる。なお、基板11は、第1の導電層12と同一の材質を使用することもできる。この場合、基板11は第1の導電層12を兼ねてもよい。誘電体層13は、第1の導電層12上に積層され、コンタクトホール17以外の箇所で第1の導電層12と第2の導電層14とを分離し絶縁する。このため誘電体層13は高い抵抗率を有する材料であることが好ましく、抵抗率としては、108Ωcm以上が好ましく、1012Ωcm以上有することがより好ましい。具体的な誘電体層13の材料としては、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物;酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられるが、他にポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。また、基板11側の面からの光を取り出す場合、発光層15から入射する光を屈折して光の進行方向を変えることによって基板11の外へ取り出す光を増加させることができる。このためには、誘電体層13の屈折率は1.0~1.5の範囲内であることが好ましい。誘電体層13の厚さとしては、第1の導電層12と第2の導電層14との間の電気抵抗を抑えるために1μmを越えないことが好ましい。但し、薄すぎると絶縁耐力が十分でなくなるおそれがある。従って誘電体層13の厚さとしては、好ましくは、10nm~500nm、更に好ましくは50nm~200nmで作製するのがよい。また誘電体層13の屈折率は、光を外部に取出しやすくするため、1.0~1.5の範囲内であることが好ましい。第2の導電層14は、コンタクトホール17の内部で第1の導電層12と電気的に接続し、第1の導電層12から受け取った正孔を発光層15へ注入する。第2の導電層14は、導電性金属酸化物または導電性高分子を含むことが好ましい。具体的には、光透過性を有するITO、IZO、酸化スズおよび有機物からなる透明導電膜であることが好ましい。また本実施の形態では、コンタクトホール17の内部は、第2の導電層14を形成する材料で充填されるため、コンタクトホール17内表面への膜形成を容易にするために、第2の導電層14は、塗布により成膜されることが好ましい。従ってこの観点から、第2の導電層14は、有機物からなる透明導電膜であることが特に好ましい。なお、第2の導電層14と第1の導電層12の材質が同一であってもよい。第2の導電層14の厚さは、エレクトロルミネッセント素子10の基板11側から光を取り出したい場合は、高い光透過率を得るため、2nm~300nmであることが好ましい。また発光部15への正孔の注入を容易にする層を、第2の導電層14の発光部15と接触する表面上に設けてもよい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の導電性高分子、Mo酸化物、アモルファスカーボン、フッ化カーボン、ポリアミン化合物等からなる1nm~200nmの層、あるいは金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚10nm以下の層を形成することで実現することができる。発光部15は、電圧を印加することで光を発する発光材料を含む。発光層15の発光材料としては、有機材料および無機材料のいずれも用いることができる。有機化合物であれば低分子化合物及び高分子化合物のいずれをも使用することができる。発光性有機材料としては、リン光性有機化合物および金属錯体が好ましい。金属錯体の中にはリン光性を示すものもあり、かかる金属錯体も好ましく用いられる。本発明においては、特にシクロメタル化錯体を用いることが発光効率向上の観点から非常に望ましい。シクロメタル化錯体としては、例えば、2-フェニルピリジン誘導体、7,8-ベンゾキノリン誘導体、2-2-チエニルピリジン誘導体、2-1-ナフチルピリジン誘導体、2-フェニルキノリン誘導体等の配位子を有するIr、PdおよびPt等の錯体が挙げられるが、イリジウムIr錯体が特に好ましい。シクロメタル化錯体は、シクロメタル化錯体を形成するのに必要な配位子以外に、他の配位子を有していてもよい。なお、シクロメタル化錯体には、三重項励起子から発光する化合物も含まれ、発光効率向上の観点から好ましい。また、発光性高分子化合物としては、MEH-PPVなどのポリ-p-フェニレンビニレンPPV誘導体;ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等のπ共役系の高分子化合物;低分子色素とテトラフェニルジアミンやトリフェニルアミンを主鎖や側鎖に導入したポリマー;等が挙げられる。発光性高分子化合物と発光性低分子化合物とを併用することもできる。発光層15は発光材料とともにホスト材料を含み、ホスト材料中に発光材料が分散されていることもある。このようなホスト材料は電荷輸送性を有していることが好ましく、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物であることが好ましい。第3の導電層16は、第1の導電層12との間で電圧を印加し、発光層15に電子を注入する。即ち、本実施の形態では第3の導電層16は、陰極層である。第3の導電層16に使用される材料としては、第1の導電層12と同様に電気伝導性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。具体的には、Al、MgAg合金、AlLiやAlCaなどのAlとアルカリ金属の合金等の材料を例示することができる。ただし、第3の導電層16の材料は、エレクトロルミネッセント素子10の第3の導電層16側から光を取り出したい場合第3の導電層16側の面が光を取出す面、すなわち、発光面となる場合は、例えば、第1の導電層12と同様な発光光に対して透明な材料を用いることが好ましい。第3の導電層16の厚さは0.01μm~1μmが好ましく、0.05μm~0.5μmがより好ましい。また、第3の導電層16から発光層15への電子の注入障壁を下げて電子の注入効率を上げる目的で、図示しない陰極バッファ層を、第3の導電層16に隣接して設けてもよい。陰極バッファ層は、第3の導電層16より仕事関数の低いことが必要であり、金属材料が好適に用いられる。例えば、アルカリ金属Na、K、Rb、Cs、アルカリ土類金属Sr、Ba、Ca、Mg、希土類金属Pr、Sm、Eu、Yb、あるいはこれら金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる単体あるいは2つ以上の混合物を使用することができる。陰極バッファ層の厚さは005nm~50nmが好ましく、01nm~20nmがより好ましく、05nm~10nmがより一層好ましい。第2の導電層14と第3の導電層16の間に、発光層15以外の層が形成されていてもよい。このような層としては正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層等を例示することができ、それぞれの機能に応じて、上記のホスト材料として例示した電荷輸送性化合物のほか、公知の材料を用いることができる。コンタクトホール17の形状は、例えば、円柱形状、四角柱形状などとすることができるが、これに限られるものではない。誘電体層13上に形成される発光層15の面積を大きくし、エレクトロルミネッセント素子10の輝度を高くするため、コンタクトホール17の大きさは、第1の導電層12と第2の導電層14との間で電気的な接続が十分可能である限りにおいて、より小さいことが望ましい。本実施の形態においてコンタクトホール17の大きさは、発光面側から基板11に対して鉛直方向から見た場合、図5a~bに示すように、コンタクトホール17の形状を内包する最小円最小内包円17aの直径で表す。即ち、図5aでは、コンタクトホール17が正方形状である場合の最小内包円を17aで示し、図5bでは、コンタクトホール17が正六角形状である場合の最小内包円を17aで示している。そして最小内包円17aの直径は、0.01μm~2μmであることが好ましい。例えばコンタクトホール17が円柱形状である場合、その円柱の直径は0.01μm~~2μmであることが好ましい。また、発光面側から見たコンタクトホール17の占める面積の割合が発光領域の面積に対して0.1以下であることが好ましく、0.001~0.1であることが特に好ましい。これによって輝度が高い発光を得ることが可能となる。更に、コンタクトホール17は、1つの発光領域に少なくとも102個以上、好ましくは104個以上形成されることが好ましい。更にこれら多数のコンタクトホール17が発光領域内で均一に分布していることが好ましい。ただし、コンタクトホール17の個数の上限は、前述したとおり、発光領域面におけるコンタクトホール17の占める面積の割合が0.1以下となる範囲であることが好ましい。これらにより発光領域における発光の均一性が高まる。なお、図1は模式図であるので必ずしもこれら各数値の比を表すものとしていない。更に図1でコンタクトホール17は誘電体層13内にのみ形成されているが、更に第1の導電層12及び/または第3の導電層16にまで延伸し貫通して形成されていてもよい。なお上述した例では、第1の導電層12を陽極層とし、第3の導電層16を陰極層とする例について説明を行なったがこれに限られるものではなく、第1の導電層12を陰極層とし、第3の導電層16を陽極層としてもよい。エレクトロルミネッセント素子の製造方法次に、本発明のエレクトロルミネッセント素子の製造方法について、図1で説明を行ったエレクトロルミネッセント素子10の場合を例に取り説明を行う。図2a~eは、本実施の形態が適用されるエレクトロルミネッセント素子10の製造方法について説明した図である。まず基板11上に第1の導電層12、誘電体層13を順に積層する形で形成する図2a。これらの層を形成するには、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法などを用いることができる。また、塗布成膜方法即ち、目的とする材料を溶剤に溶解させた状態で基板に塗布し乾燥する方法が可能な場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などの方法を用いて成膜することも可能である。次に誘電体層13にコンタクトホール17を形成する。コンタクトホール17の形成には、例えば、リソグラフィーを用いた方法が使用できる。これを行うには、まず誘電体層13の上にレジスト液を塗布し、スピンコート等により余分なレジスト液を除去して、レジスト層71を形成する図2b。そして、コンタクトホール17を形成するための所定のパターンが描画されたマスクをかぶせ、紫外線UV:UltraViolet、電子線EB:ElectronBeam等により露光を行う。ここで、等倍露光例えば、接触露光やフロキシ露光の場合を行えばマスクパターンと等倍のコンタクトホール17のパターンを、縮小露光例えば、ステッパーを使用した露光の場合を行えば、マスクパターンに対して縮小されたコンタクトホール17のパターンを、それぞれ形成することができる。次に、現像液を用いてレジスト層71の露光部分を除去すると、パターンの部分のレジスト層71が除去される図2c。次に、露出した誘電体層13の部分を場合によっては第1の導電層12の部分もエッチング除去し、コンタクトホール17を形成する図2d。エッチングは、ドライエッチングとウェットエッチングの何れをも使用することができる。ドライエッチングとしては、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingや誘導結合プラズマエッチングが利用でき、またウェットエッチングとしては、希塩酸や希硫酸への浸漬を行う方法などが利用できる。なお、エッチングを行う際にエッチングの条件処理時間、使用ガス、圧力、基板温度を調節することにより、コンタクトホール17が貫通する層を選択することができる。またコンタクトホール17の形成は、ナノインプリント法による方法で行うことができる。具体的にはレジスト層71を形成した後に、パターンを形成するための所定の凸パターンが描画されたマスクを、レジスト層71表面に、圧力をかけて押し当てる。そしてこの状態で、熱あるいは/および光をレジスト層71に照射することにより、レジスト層71を硬化させる。次にマスクを除去することにより、レジスト層71表面に凸パターンに対応するコンタクトホール17のパターンが形成される。続いて、前述したエッチングを行うことにより、コンタクトホール17を形成することができる。そして第2の導電層14、発光層15、第3の導電層16を順に積層する形で形成する図2e。これらの層を形成するには、第1の導電層12、誘電体層13を形成したのと同様の手法を使用することができる。なお第2の導電層14を形成する際には、コンタクトホール17内部に第2の導電層14を形成する材料を充填するために塗布成膜方法を使用することが好ましい。以上の工程により、エレクトロルミネッセント素子10を製造することができる。また、エレクトロルミネッセント素子10を長期安定的に用い、エレクトロルミネッセント素子10を外部から保護するための保護層や保護カバー図示せずを装着することが好ましい。保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、窒化ケイ素、酸化ケイ素等のシリコン化合物などを用いることができる。そして、これらの積層体も用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板、金属などを用いることができる。この保護カバーは、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法を採ることが好ましい。またこの際に、スペーサを用いることで所定の空間を維持することができ、エレクトロルミネッセント素子10が傷つくのを防止できるため好ましい。そして、この空間に窒素、アルゴン、ヘリウムのような不活性なガスを封入すれば、上側の第3の導電層16の酸化を防止しやすくなる。特にヘリウムを用いた場合、熱伝導が高いため、電圧印加時にエレクトロルミネッセント素子10より発生する熱を効果的に保護カバーに伝えることができるため、好ましい。更に酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置することにより上記一連の製造工程で吸着した水分がエレクトロルミネッセント素子10にダメージを与えるのを抑制しやすくなる。表示装置次に、以上詳述したエレクトロルミネッセント素子を備える表示装置について説明を行う。図3は、本実施の形態におけるエレクトロルミネッセント素子を用いた表示装置の一例を説明した図である。図3に示した表示装置200は、いわゆるパッシブマトリクス型の表示装置であり、表示装置基板202、陽極配線204、陽極補助配線206、陰極配線208、絶縁膜210、陰極隔壁212、エレクトロルミネッセント素子214、封止プレート216、シール材218とを備えている。表示装置基板202としては、例えば、矩形状のガラス基板等の透明基板を用いることができる。表示装置基板202の厚みは、特に限定されないが、例えば0.1~1mmのものを用いることができる。表示装置基板202上には、複数の陽極配線204が形成されている。陽極配線204は、一定の間隔を隔てて平行に配置される。陽極配線204は、透明導電膜により構成され、例えばITOIndiumTinOxideを用いることができる。また陽極配線204の厚さは例えば、100nm~150nmとすることができる。そして、それぞれの陽極配線204の端部の上には、陽極補助配線206が形成される。陽極補助配線206は陽極配線204と電気的に接続されている。このように構成することにより、陽極補助配線206は、表示装置基板202の端部側において外部配線と接続するための端子として機能し、外部に設けられた図示しない駆動回路から陽極補助配線206を介して陽極配線204に電流を供給することができる。陽極補助配線206は、例えば、厚さ500nm~600nmの金属膜によって構成される。また、エレクトロルミネッセント素子214上には、複数の陰極配線208が設けられている。複数の陰極配線208は、それぞれが平行となるよう、かつ、陽極配線204と直交するように配設されている。陰極配線208には、Al又はAl合金を使用することができる。陰極配線208の厚さは、例えば、100nm~150nmである。また、陰極配線208の端部には、陽極配線204に対する陽極補助配線206と同様に、図示しない陰極補助配線が設けられ、陰極配線208と電気的に接続されている。よって、陰極配線208と陰極補助配線との間に電流を流すことができる。表示装置基板202上には、陽極配線204を覆うように絶縁膜210が形成される。絶縁膜210には、陽極配線204の一部を露出するように矩形状の開口部220が設けられている。複数の開口部220は、陽極配線204の上にマトリクス状に配置されている。この開口部220において、後述するように陽極配線204と陰極配線208の間にエレクトロルミネッセント素子214が設けられる。すなわち、それぞれの開口部220が画素となる。従って、開口部220に対応して表示領域が形成される。ここで、絶縁膜210の膜厚は、例えば、200nm~300nmとすることができ、開口部220の大きさは、例えば、300μm×300μmとすることができる。陽極配線204上の開口部220の位置に対応した箇所に、エレクトロルミネッセント素子214が形成されている。なお、ここでエレクトロルミネッセント素子214は、陽極配線204が基板11の代わりとなるため、陽極配線204の上に直接、第1の導電層12、誘電体層13、第2の導電層14、発光層15、第3の導電層16図1参照が形成されている。エレクトロルミネッセント素子214は、開口部220において陽極配線204と陰極配線208とに挟持されている。すなわち、エレクトロルミネッセント素子214の第1の導電層12が陽極配線204と接触し、第3の導電層16が陰極配線208と接触する。エレクトロルミネッセント素子214の厚さは、例えば、150nm~200nmとすることができる。絶縁膜210の上には、複数の陰極隔壁212が陽極配線204と垂直な方向に沿って形成されている。陰極隔壁212は、陰極配線208の配線同士が導通しないように、複数の陰極配線208を空間的に分離するための役割を担っている。従って、隣接する陰極隔壁212の間にそれぞれ陰極配線208が配置される。陰極隔壁212の大きさとしては、例えば、高さが2μm~3μm、幅が10μmのものを用いることができる。表示装置基板202は、封止プレート216とシール材218を介して貼り合わせられている。これにより、エレクトロルミネッセント素子214が設けられた空間を封止することができ、エレクトロルミネッセント素子214が空気中の水分により劣化するのを防ぐことができる。封止プレート216としては、例えば、厚さが0.7mm~1.1mmのガラス基板を使用することができる。このような構造の表示装置200において、図示しない駆動装置により、陽極補助配線206、図示しない陰極補助配線を介して、エレクトロルミネッセント素子214に電流を供給し、発光層15を発光させ、光を出射させることができる。そして、上述の画素に対応したエレクトロルミネッセント素子214の発光、非発光を制御装置により制御することにより、表示装置200に画像を表示させることができる。照明装置次に、エレクトロルミネッセント素子10を用いた照明装置について説明を行う。図4は、本実施の形態におけるエレクトロルミネッセント素子を備える照明装置の一例を説明した図である。図4に示した照明装置300は、上述したエレクトロルミネッセント素子10と、エレクトロルミネッセント素子10の基板11図1参照に隣接して設置され第1の導電層12図1参照に接続される端子302と、基板11図1参照に隣接して設置されエレクトロルミネッセント素子10の第3の導電層16図1参照に接続される端子303と、端子302と端子303とに接続しエレクトロルミネッセント素子10を駆動するための点灯回路301とから構成される。点灯回路301は、図示しない直流電源と図示しない制御回路を内部に有し、端子302と端子303を通して、エレクトロルミネッセント素子10の第1の導電層12と第3の導電層16との間に電流を供給する。そして、エレクトロルミネッセント素子10を駆動し、発光層15図1参照を発光させて、基板11を通し、光を出射させ、照明光として利用する。発光層15は白色光を出射する発光材料より構成されていてもよく、また緑色光G、青色光B、赤色光Rを出射する発光材料を使用したエレクトロルミネッセント素子10をそれぞれ複数個設け、その合成光が白色となるようにしてもよい。実施例1以下の方法によりエレクトロルミネッセント素子を作製した。まず基板11として石英ガラスからなるガラス基板25mm角、厚さ1mm上に、スパッタ装置キヤノンアネルバ株式会社製E-401sを用いて、第1の導電層12としてITOIndiumTinOxide膜を150nm、誘電体層13として二酸化ケイ素SiO2層を50nm、順に積層して成膜した。次に、フォトレジストAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AZ1500をスピンコート法により約1μm成膜した。次に、石英板厚3mmを基材とし、円を三角格子状に配置したパターンに対応するマスクAを作製し、ステッパー露光装置ニコン製、型式NSR-1505i6を用いて、1/5縮尺で露光を行った。次に、TMAHTetramethylammoniumhydroxide:CH34NOH1.2液により現像し、レジスト層をパターン化した。そして、この後に、130°Cで10分間熱を加えたポストベイク処理。次に反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いて、反応ガスとしてCHF3を使用し、圧力0.3Pa、出力Bias/ICP=50/100Wの条件で、18分間反応させ、ドライエッチング処理を行った。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去することによって、SiO2層を貫通するコンタクトホール17を形成した。このコンタクトホール17は直径1μmの円柱状であり、SiO2層の全面に4μmピッチで三角格子状に配列して形成された。次に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTとポリスチレンスルホン酸塩PSSとの混合物質量比でPEDOT:PSS=1:6の水懸濁液含有量1.5質量をスピンコート法回転数:3000rpmにより塗布し、窒素雰囲気下、140°Cで1時間放置し乾燥することで、第2の導電層14を形成した。次に、上記の第2の導電層14上に、以下に示す化合物Aのキシレン溶液をスピンコート法回転数:3000rpmにより塗布し、窒素雰囲気下、210°Cで1時間放置し乾燥することで、正孔輸送層を形成した。次に、上記の正孔輸送層上に、以下に示す化合物B、化合物C、化合物Dを質量比9:1:90で含むキシレン溶液をスピンコート法回転数:3000rpmにより塗布し、窒素雰囲気下、140°Cで1時間放置し乾燥することで、発光層15を形成した。次に、上記の発光層15上に、陰極バッファ層としてフッ化ナトリウム4nm、第3の導電層16としてアルミニウム130nmを順に蒸着法により成膜することでエレクトロルミネッセント素子を作製した。作成されたエレクトロルミネッセント素子は、基板面側を発光面とし、連続した発光領域を1つ有している。また、このエレクトロルミネッセント素子を発光面側から観察したところ、前記発光領域中のコンタクトホールの数は、約2×107個であった。また、該発光領域の面積に対してコンタクトホールの占める面積の割合は0.057であった。実施例2発光層の組成を、以下に示す化合物E:化合物F:化合物G:化合物D=10:0.4:0.6:89質量比としたほかは実施例1と同様にしてエレクトロルミネッセント素子を作製した。作成されたエレクトロルミネッセント素子は、基板面側を発光面とし、連続した発光領域を1つ有している。また、このエレクトロルミネッセント素子を発光面側から観察したところ、前記発光領域中のコンタクトホールの数は、約2×107個であった。また、該発光領域の面積に対してコンタクトホールの占める面積の割合は0.057であった。実施例3まず実施例1と同様にして石英ガラス基板上に、第1の導電層12として150nmのITO膜および誘電体層13として50nmのSiO2層を順に積層して成膜した。次に実施例1と同様にして、SiO2層上に1μmのフォトレジスト層を成膜した後、石英を基材とし、円を三角格子状に配置したパターンに対応するマスクBを用い、ステッパー露光装置にて1/5縮尺でフォトレジスト層に露光を行った。次にTMAHの1.2液により現像し、130°Cで10分間加熱することでフォトレジスト層をパターン化した。次に反応性イオンエッチング装置サムコ株式会社製RIE-200iPを用いて、反応性ガスとしてCHF3を使用し、圧力0.3Pa、出力Bias/ICP=50/100Wの条件で、18分間反応させ、ドライエッチング処理を行った。その後、反応性ガスをCl2とSiCl4の混合ガスに替え、圧力1Pa、出力Bias/ICP=200/100Wの条件で5分間反応させ、ドライエッチング処理を行った。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去することによって、SiO2層およびITO膜を貫通するコンタクトホール17を形成した。このコンタクトホール17は直径0.5μmの円柱状であり、SiO2層およびITO膜の全面に1.6μmピッチで三角格子状に配列して形成された。次にスパッタ装置を用いて、SiO2層上およびコンタクトホール17内の全面に、第2の導電層14として20nmのITO膜を形成した。次に実施例1と同様にして、第2の導電層14上に正孔輸送層、発光層15、陰極バッファ層および第3の導電層16を順に積層して形成することでエレクトロルミネッセント素子を作製した。作製されたエレクトロルミネッセント素子は、基板面側を発光面とし、連続した発光領域を1つ有している。また、このエレクトロルミネッセント素子を発光面側から観察したところ、前記発光領域中のコンタクトホール17の数は、約1.4×108個であった。また、該発光領域の面積に対してコンタクトホール17の占める面積の割合は0.089であった。なお、SiO2層の屈折率は1.4であった。比較例1フォトレジスト層に露光する時のパターンマスクとしてマスクCを用いたほかは実施例1と同様にしてエレクトロルミネッセント素子を作製した。作製されたエレクトロルミネッセント素子は、基板面側を発光面とし、連続した発光領域を1つ有しており、直径2.5μmの円柱状でSiO2層の全面に5μmのピッチで三角格子状に配列して形成されたコンタクトホールを有していた。このエレクトロルミネッセント素子を発光面側から観察したところ、前記発光領域中のコンタクトホールの数は、約1.4×107個であった。また、該発光領域の面積に対してコンタクトホールの占める面積の割合は0.23であった。なお、SiO2層の屈折率は1.4であった。実施例1~3及び比較例1で作製したエレクトロルミネッセント素子に直流電源ケースレーインスツルメンツ株式会社製、型式SM2400により電圧を印加したところ、各実施例ではいずれも目視で発光面内における輝度が均一な白色光が観察されたが、比較例1では不均一な部分が観察された。また、以下の表1に実施例1~3及び比較例1で作製したエレクトロルミネッセント素子を300cd/m2の平均輝度で点灯させた時の発光効率と駆動電圧を示した。実施例1~3のエレクトロルミネッセント素子は、比較例1のエレクトロルミネッセント素子に比較して発光効率が高く、低い電圧で駆動できる優れた特性も有する。"