"基板と、該基板上に第1の電極、光電変換層および第2の電極の順で積層されてなる光電変換部と、該光電変換部から離れて前記基板上に配置された金属膜と、前記光電変換部および前記金属膜を覆って前記基板上に配置された被覆部材とを備えた、光電変換モジュール。前記金属膜は、平面視して前記光電変換部を囲うように配置されている、請求項1に記載の光電変換モジュール。前記金属膜は、独立して複数配置されている、請求項1または請求項2に記載の光電変換モジュール。前記金属膜は、前記第1の電極と同じ材質である、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記金属膜は、モリブデンを含んでいる、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記被覆部材を囲うように前記基板上に配置された第2の金属膜と、平面視して前記被覆部材を囲うとともに、前記第2の金属膜を覆って前記基板上に配置された封止部材とをさらに有する、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記第1の電極および前記第2の電極にそれぞれ電気的に接続された一対の配線導体をさらに有し、前記基板は、上下に貫通して前記配線導体を導出する貫通孔を有し、該貫通孔は、平面視して前記金属膜に対して前記光電変換部の反対側に位置している、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光電変換モジュール。前記貫通孔は、前記封止部材よりも内側に位置している、請求項7に記載の光電変換モジュール。しかしながら、従来のような光電変換モジュールであっても、外部からの水分の浸入を防止できていない。そのため、光電変換モジュールを長期間使用すると、外部から浸入した水分によって、光電変換部が劣化する可能性があった。本発明の一つの目的は、光電変換部に向かう水分の到達時間を遅らせることにより、長期的な信頼性の高い光電変換モジュールを提供することにある。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールでは、基板と、該基板上に第1の電極、光電変換層および第2の電極の順で積層されてなる光電変換部とを備えている。さらに、本実施形態では、前記光電変換部から離れて前記基板上に配置された金属膜と、前記光電変換部および前記金属膜を覆って前記基板上に配置された被覆部材とを備えている。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールでは、光電変換部から離れた位置に金属膜が配置されているため、基板と被覆部材との界面から浸入してくる水分の光電変換部まで到達する時間を遅らせることができる。これにより、水分に対する長期的な信頼性が向上する。本発明の光電変換モジュ-ルの実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。まず、光電変換モジュ-ルの一部である光電変換部について説明する。なお、各図には、後述する光電変換セルの配列方向をX軸とする右手系のXYZ座標が付している場合がある。<光電変換部>光電変換部1は、基板2の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部1は、第1の電極としての下部電極3と、光吸収層4およびバッファ層5を備えた光電変換層と、透光性導電層6および集電電極7を備えた第2の電極としての上部電極とを有する。この光電変換部1では、下部電極3および上部電極で挟まれた光吸収層4およびバッファ層5によって光電変換が行なわれる。この光電変換部1は、図1に示すように、複数の光電変換セル1a、1bが電気的に接続されるような態様を成している。具体的には、図1に示すように、一方の光電変換セル1aの上部電極集電電極7と、一方の光電変換セル1aに隣り合う他方の光電変換セル1bの下部電極3とが電気的に接続されている。これにより、隣接する光電変換セル1a、1bは、図1中のX方向に沿って直列接続され、基板2上で集積化されている。また、光電変換部1には、この光電変換部1で得られた電気出力を外部に導出するための出力電極8出力電極8a、8bがそれぞれ設けられている。次に、光電変換部1の各部材について説明する。下部電極3は、一方向図1のX方向に互いに間隔をあけて基板2の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図2に示すように、上記間隔に対応する分離溝P1によって互いに離間した3つの下部電極3が設けられている。なお、下部電極3の個数については、図1に示したものに限られない。このような下部電極3は、モリブデンMo、アルミニウムAl、チタンTi、タンタルTaまたは金Au等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極3は、例えば、基板2上にスパッタリング法または蒸着法等を利用して、厚さ0.2~1μm程度に形成すればよい。光吸収層4は、下部電極3上に配置されている。光吸収層4は、例えば、化合物半導体を含んでいる。このような化合物半導体としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄S、セレンSeまたはテルルTeを含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、I-III-VI化合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいう、III-B族元素13族元素ともいうおよびVI-B族元素16族元素ともいうの化合物半導体である。そして、このようなI-III-VI化合物半導体は、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体とも呼ばれるCIS系化合物半導体ともいう。I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウムCuInSe2、二セレン化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe2、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaSe,S2、二イオウ化銅インジウムガリウムCuIn,GaS2または薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層4が含む化合物半導体は、上記したI-III-VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅Cu、亜鉛Zn、錫Sn、硫黄Sを含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体としては、例えば、Cu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、I-III-VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層4は、例えば、p型の導電型を有し、厚さが1~3μm程度である。光吸収層4は、例えばスパッタリング法または蒸着法等のような真空プロセスによって形成される。また、光吸収層4は、塗布法または印刷法等のプロセスによっても形成される。塗布法または印刷法では、例えば、光吸収層4に主として含まれる元素の錯体溶液を下部電極3の上に塗布した後、乾燥および熱処理を行なっている。バッファ層5は、光吸収層4のZ側の主面の上に設けられており、光吸収層4の第1導電型とは異なる第2導電型ここではn型の導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。また、光吸収層4の導電型がn型であり、バッファ層5の導電型がp型であってもよい。ここでは、バッファ層5と光吸収層4との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、各光電変換セルでは、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層4とバッファ層5とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層5は、化合物半導体を主に含む。このような化合物半導体としては、例えば硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgO等が挙げられる。また、バッファ層5が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リ-ク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層5は、例えば、ケミカルバスデポジションCBD法等によって形成され得る。また、バッファ層5は、光吸収層4の一主面の法線方向Z方向に厚さを有する。この厚さは、例えば、10~200nmに設定される。バッファ層5の厚さが100~200nmであれば、バッファ層5の上に透光性導電層6がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層5においてダメージが生じ難くなる。透光性導電層6は、バッファ層5のZ側の主面の上に設けられており、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。この透光性導電層6は、光吸収層4において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うとして働く。透光性導電層6は、バッファ層5よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層6には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。透光性導電層6は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウムITOおよび酸化錫SnO2等の金属酸化物半導体等が挙げられる。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか1つの元素等が含まれたものである。透光性導電層6は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。透光性導電層6の厚さは、例えば、0.05~3.0μmである。ここで、透光性導電層6が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層6を介して光吸収層4から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層5および透光性導電層6は、光吸収層4が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していてもよい。これにより、光吸収層4における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、透光性導電層6の厚さが0.05~0.5μmであれば、透光性導電層6における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、透光性導電層6の絶対屈折率とバッファ層5の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層6とバッファ層5との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。集電電極7は、透光性導電層6のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている線状部7aと、接続部7bを有している。そして、例えば、光電変換セル1aの透光性導電層6によって集められた電荷は、線状部7aによってさらに集められ、接続部7bを介して隣接する光電変換セル1bに伝達され得る。この線状部7aが設けられることで、透光性導電層6における導電性が補われるため、透光性導電層6の薄層化が可能となる。これにより、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層6における光透過性の向上とが両立し得る。なお、線状部7aが、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換部1における変換効率が向上し得る。なお、線状部7aに含まれる金属としては、例えば銅、アルミニウムおよびニッケル等が挙げられる。また、線状部7aの幅は、50~400μmであれば、隣接する光電変換セル1aおよび光電変換セル1b間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層4への光の入射量の低下が低減され得る。1つの光電変換セルに複数の線状部7aが設けられる場合、該複数の線状部7aの間隔は、例えば、2.5mm程度であればよい。なお、線状部7aの表面が、光吸収層4が吸収し得る波長領域の光を反射する性質を有していれば、光電変換部1がモジュ-ル化された際に、線状部7aの表面で反射した光が、モジュール内で再び反射して光吸収層4に入射し得る。これにより、光電変換部1における変換効率が向上し得る。このような線状部7aは、例えば、透光性の樹脂に光反射率の高い銀等の金属粒子が添加されたペーストを用いて形成すればよい。また、アルミニウム等の光反射率の高い金属が線状部7aの表面に蒸着されることによっても実現できる。接続部7bは、図2に示すように、光吸収層4およびバッファ層5を分離する分離溝P2内に配置されている。この接続部7bは、線状部7aと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル1a内に位置する接続部7bは、分離溝P2を通って隣の光電変換セル1bから延伸されている下部電極3に接続するような垂下部を有している。これにより接続部7bは、図1において、光電変換セル1aの上部電極透光性導電層6および線状部7aと、光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続できる。なお、図1では、透光性導電層6に電気的に接続された光電変換セル1aの線状部7aと光電変換セル1bの下部電極3とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部7bは、例えば、分離溝P2に配置されるバッファ層5および透光性導電層6の少なくとも一方を介して光電変換セル1aの上部電極と光電変換セル1bの下部電極3とを電気的に接続する形態であってもよい。すなわち、上部電極は、透光性導電層6のみで構成されていてもよい。このとき、接続部7bは、分離溝P2内に透光性導電層6が配置されているような態様となる。接続部7bは、線状部7aと同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続部7bは、線状部7aの形成と同時に行なってもよい。また、接続部7bは、線状部7aの一部であってもよい。出力電極8a、8bは、各光電変換セルで光から変換された電流を外部に出力するものである。出力電極8aおよび出力電極8bは、一方が正極であり、他方が負極である。本実施形態では、光電変換部1の一端側に出力電極8a、他端側に出力電極8bがそれぞれ設けられている。すなわち、出力電極8aおよび出力電極8bは、光電変換部1と電気的に接続されているといえる。具体的に、本実施形態において、出力電極8aは、光電変換セル1aの一端側-X方向に位置する下部電極3の一部が延在された部位に相当する。一方で、出力電極8bは、光電変換セル1bの他端側X方向に位置する下部電極3の一部が延在された部位に相当する。なお、本実施形態では、出力電極8aおよび出力電極8bを下部電極3の一部を延在させて形成しているが、これに限られない。出力電極8aおよび出力電極8bは、例えば、光電変換セルの上部電極の一部を延在させて形成してもよい。また、光電変換セルが3個以上配列されるような場合は、光電変換部1の一端に位置する光電変換セルに出力電極8aが設けられ、光電変換部1の他端に位置する光電変換セルに出力電極8bが設けられる。次に、光電変換部1の製造方法の一例について説明する。まず、基板2の略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、金属層を形成する。次いで、金属層の所望の位置にYAGイットリウム、アルミニウム、ガーネットレーザ等を照射して分割溝P1を形成し、複数の下部電極3を得る。次に、パターニングされた下部電極3上に光吸収層4をスパッタリング法、蒸着法または印刷法等を用いて成膜する。次いで、光吸収層4上にバッファ層5をケミカルバスデポジション法CBD法等で成膜する。次に、スパッタリング法または有機金属気相成長法MOCVD法等でバッファ層5上に透光性導電層6を成膜する。次いで、メカニカルスクライビング等で分割溝P2を形成して、光吸収層4、バッファ層5および透光性導電層6をパターニングする。次に、透光性導電層6上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極7を形成する。次いで、メカニカルスクライビング等でY方向に沿って分割溝P3を形成してパターニングを行なうことにより、X方向に配列する複数の光電変換セルを形成することによって、光電変換部1が形成される。次に、X方向における両端に位置する光電変換セル本実施形態では光電変換セル1aおよび光電変換セル1bについて、例えばブレードおよびホイールブラシ等などを用いて光吸収層4、バッファ層5、透光性導電層6および集電電極7等を2~7mm程度の幅で削り取り、下部電極3の一部を延在させる。これにより、光電変換セル1aの一端部に出力電極8aを形成し、光電変換セル1bの他端部に出力電極8bが形成される。<光電変換モジュール>本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールMは、図3に示すように、光電変換部1と、基板2と、被覆部材9と、保護部材10と、配線導体11と、端子ボックス12と、金属膜13と、封止部材14とを備えている。基板2は、光電変換部1を支持する機能を有している。この基板2の材質としては、例えば厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスおよびポリイミド樹脂などの耐熱性プラスチック等が挙げられる。また、基板2としては、表面を酸化膜などの絶縁膜で被覆した厚さ100~200μm程度のステンレスまたはチタン等の金属箔を用いてもよい。また、基板2の形状は、例えば矩形状、円形状等の平板状であればよい。被覆部材9は、図4および図5に示すように、基板2および保護部材10の互いに対向する一主面間に充填されている。この被覆部材9は、主として光電変換部1を保護する機能を有しており、光電変換部1を覆うように配置されている。このような被覆部材9としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテートEVAを主成分とする樹脂が挙げられる。なお、EVAには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。また、EVAにより、基板2と保護部材10とを接着し、これらが一体化されていてもよい。保護部材10は、被覆部材9と接触するように設けられており、光電変換部1等を外部から保護する機能を有している。この保護部材10の大きさおよび形状は、基板2とほぼ同等のものである。保護部材10は、光透過率と必要な強度の点から、例えば、風冷強化した白板ガラス等を用いることができる。配線導体11は、出力電極8と電気的に接続されており、光電変換部1の出力を出力電極8を介して外部に導く機能を有している。本実施形態において、配線導体11aは、出力電極8aと電気的に接続されている。すなわち、配線導体11aは、第1の電極としての下部電極3と電気的に接続されている。一方で、配線導体11bは、出力電極8bと電気的に接続されている。出力電極8bは、図2に示すように、上部電極集電電極7と電気的に接続されている。すなわち、配線導体11bは、第2の電極としての上部電極と電気的に接続されている。これにより、一対の配線導体11a、11bは、第1の電極下部電極3および第2の電極上部電極にそれぞれ電気的に接続されていることとなる。このような配線導体11としては、例えば厚み0.3~2.0mm程度の銅、銀およびアルミニウム等を含む金属箔を用いることができる。また、配線導体11は、上記した金属を含む合金またはこれらの金属の積層体であってもよい。また、配線導体11の幅は、例えば、出力電極8a、8bの幅の50~90程度であればよい。配線導体11は、出力電極8と半田を介して接続される。また、半田は、予め配線導体11にコーティングされていてもよい。配線導体11は、基板2に設けられた貫通孔2aを介して基板2の裏面側に導出され、端子ボックス12内まで延びている。貫通孔2aは、基板2の一主面から他主面に向かって形成されている。すなわち、貫通孔2aは、基板2を上下に貫通している。貫通孔2aは、光電変換部1を基板2上に形成する前に予め設けてもよいし、光電変換部1を形成した後に設けてもよい。なお、基板2がステンレス等の金属、ガラスまたはプラスチックである場合、貫通孔2aは、ドリル等を用いた機械加工法およびYAGイットリウムアルミニウムガーネットレーザなどによるレーザ加工法等で形成できる。端子ボックス12は、光電変換部1の発電電力を外部に出力できるようにする役割を有する。このような端子ボックス12は、ポリフェニレンエーテル樹脂やABS樹脂等からなる箱体内に、銅およびステンレス等からなるターミナル図示なしを備えている。配線導体11は、ターミナルに電気的に接続されている。また、ターミナルには、外部の機器と接続するための接続ケーブル図示なしが取り付けられている。金属膜13以下、第1の金属膜13aとするは、図3に示すように、光電変換部1から離れて基板2上に配置されている。そして、本実施形態において、第1の金属膜13aは、図4および図5に示すように、被覆部材9に覆われている。これにより、被覆部材9は、第1の金属膜13aによるアンカー効果によって基板2との接着力が増大する。また、光電変換モジュールMは、使用する環境によって、基板2と封止部材14との界面から水分が浸入する場合がある。これに対し、光電変換モジュールMでは、光電変換部1の周囲に第1の金属膜13aが配置されているため、基板2と被覆部材9との界面から浸入してくる水分の光電変換部1まで到達する時間を遅らせることができる。これは、水分が第1の金属膜13aの表面を伝って移動するからである。このとき、第1の金属膜13aを迂回するように水分が移動する場合もある。これにより、光電変換部1に水分が到達しにくくなる。それゆえ、水分に対する長期的な信頼性が向上する。第1の金属膜13aは、光電変換部1から離れつつ、基板2の外周部側に配置されていればよい。これにより、光電変換部1との絶縁を確保しつつ、水分の浸入を遅らせることができる。第1の金属膜13aは、図3に示すように、平面視して光電変換部1を囲うように配置されていてもよい。これにより、水分が光電変換部1により到達しにくくなる。第1の金属膜13aの厚みおよび幅等の大きさは特に限定されない。図3に示すような光電変換部1を囲うような形状である場合、例えば幅が2~5μm、厚みが2~3μmである。また、第1の金属膜13aは、光電変換部1と絶縁を確保できる程度まで離間していればよい。そのため、第1の金属膜13aと光電変換部1との距離は、例えば、5mm以上あればよい。第1の金属膜13aの材質は、特に限定されないが、例えば、下部電極3第1の電極に用いられる金属であればよい。さらに、第1の金属膜13aは下部電極3と同じ材質であってもよい。例えば、下部電極3および第1の金属膜13aを構成する金属層を基板2上に配置した後に、当該金属層をレーザまたはサンドブラスト等でパターニングして、下部電極3および第1の金属膜13aを同時に形成してもよい。これにより、製造工程が簡易になる。また、第1の金属膜13aをモリブデンを含む金属で形成すれば、第1の金属膜13aに水分が到達したことがわかりやすくなる。これは、モリブデンが水分中の酸素と酸化して酸化モリブデンが生成されると、モリブデンと比べて色が変わるためである。そのため、第1の金属膜13aの色を観察することによって、水分の浸入度合いが確認可能である。そして、この水分の浸入度合いに応じて、被覆部材9および封止部材14を交換する等の修理を行なえばよい。なお、第1の金属膜13aの色の変化は、例えば、基板2を透光性部材で形成すれば、基板2の裏面から目視で確認できる。また、第1の金属膜13aは、図3に示すように、平面視して光電変換部1と貫通孔2aとの間に設けられていてもよい。すなわち、貫通孔2aは、平面視して第1の金属膜13aに対して光電変換部1の反対側に位置している。換言すれば、貫通孔2aは、図5に示すように、断面視して第1の金属膜13aよりも基板2の外周側に位置している。これにより、貫通孔2aを介して浸入してくる水分についても第1の金属膜13aによって光電変換部1まで到達させにくくできる。また、第1の金属膜13aは、図6および図7に示すように、独立して複数配置されていてもよい。第1の金属膜13aは、例えば、図6に示すように、平面形状が長方形、平行四辺形等の四角形状、円形状等のものが複数配置されていてもよい。これにより、被覆部材9は、第1の金属膜13aによるアンカー効果が高まり、基板2との接着力がより増大する。また、第1の金属膜13aは、より広範囲に点在するように形成すれば、上記したアンカー効果がより高まる。このような第1の金属膜13aは、例えば、基板2上に設けた上記金属層をレーザで所望の形状にパターニングすることによって得られる。封止部材14は、基板2および保護基板10を平面視して、光電変換部1および被覆部材9を取り囲むように、基板2と保護基板10との間に配置されている。これにより、封止部材14は、基板2と保護基板10との間から光電変換部1側に入ってくる異物の浸入を低減する機能を有している。このような異物の中には、外部から浸入する水分も含まれる。本実施形態において、封止部材14は、被覆部材9と接触するように配置されている。これにより、封止部材14と充填材9との隙間が低減される。それゆえ、外部からの応力に対して略均一な剛性を維持することができる。封止部材14は、例えばポリエチレン等の樹脂またはブチルゴム、エチレンプロピレンゴム等のゴムよりなる弾性体もしくは上述した樹脂とゴムの混合物のような高分子材料であればよい。上記したブチルゴムは、透湿度が0.1g/m2/day程度と低く、優れた防水性能を有している。また、封止部材14は、水分を吸着する吸着剤を含んでいてもよい。このような吸着剤としては、例えば酸化カルシウムCaO、酸化ナトリウムNa2O、酸化マグネシウムMgO、塩化カルシウムCaCl2、硫酸ナトリウム無水塩Na2SO4、硫酸銅無水塩CuSO4または硫酸カルシウムCaSO4などが挙げられる。上記した酸化カルシウムは、低湿度での水分吸収容量が大きく、潮解しにくい性質を有しているため、低湿度の環境下においても吸着力を維持しやすい。このような吸着剤の粒径は、例えば0.5~10μm程度である。また、ブチルゴムに吸着剤として酸化カルシウムを含有させて、封止部材14は、ブチルゴム100重量部に対し、酸化カルシウムを10~50重量部程度含有させればよい。これにより、封止部材14は、基板2および保護基板10とブチルゴムとの接着強度を維持しつつ、水分の吸着効果を得やすくなる。それゆえ、本実施形態では、光電変換部1に到達する水分量を低減することができる。また、封止部材14は、図8に示すように、第2の金属膜13bを介して設けられていてもよい。すなわち、封止部材14は、第2の金属膜13bを覆って基板2上に配置されている。このとき、第2の金属膜13bは、被覆部材9を囲うように基板2上に配置されている。このような形態であれば、第2の金属膜13bによるアンカー効果によって、封止部材14の基板2に対する接着力が増大する。また、基板2と封止部材14との界面から浸入してくる水分の光電変換部1まで到達する時間を第2の金属膜13bで遅らせることができる。それゆえ、水分に対する長期的な信頼性がより向上する。この第2の金属膜13bは、基板2と封止部材14との接触面積の0.8~3程度であればよい。これにより、水分の影響を低減しつつ、封止効果を維持できる。次に、光電変換モジュールMの製造方法の一例について説明する。上述した製造方法で基板2上に光電変換部1を形成する。次いで、基板2の外周部から内側に3~20mm程度の領域に位置する金属層下部電極3レーザまたはサンドブラスト等でパターニングして、金属膜13第1の金属膜13aを形成する。このとき、上記領域における金属層上に光電変換層および上部電極等が形成されている場合は、これらを予めメカニカルスクライブ等で除去してもよい。これにより、第1の金属膜13aの形成が容易になる。次に、基板2にレーザを用いて、直径が3~5mm程度の貫通孔2aを2つ形成する。次いで、出力電極8aおよび出力電極8bに配線導体11aおよび配線導体11bをそれぞれ半田で接続する。次に、半田で接続されていない配線導体11aおよび配線導体11bの一端側を貫通孔2aを介して基板2の裏側に導出する。次いで、基板2の外周側部分に、光電変換部1を取り囲むように封止部材14の前駆体を塗布する。この塗布は、封止部材14の前駆体をディスペンサーなどの吐出装置に充填し、吐出口から所定量の前駆体を吐出して所定の領域に塗布すればよい。このとき、封止部材14の前駆体は、基板2の外周側に2~8mm程度の幅で設ければよい。次に、光電変換部1上に、EVAなどの被覆部材9、保護基板10の順でそれぞれ載置する。次いで、各部材が積層された積層体をラミネート装置にセットし、50~150Pa程度の減圧下で100~200°C程度の温度で15~60分間程度加熱しながら加圧して一体化する。次に、端子ボックス12を基板2の裏面に固定するとともに、配線導体11aおよび配線導体11bを端子ボックス12内のターミナルと電気的に接続させることによって、光電変換モジュールMを作製できる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。例えば光電変換モジュールは上述のCIS系などのカルコパイライト系光電変換モジュールに限定されるものではなく、アモルファスシリコンや微結晶シリコンを使用した薄膜太陽電池、シリコン基板を用いた結晶系シリコン太陽電池等の光電変換モジュールにも適用可能である。"