"複数のローラ間に張設されて走行しているワイヤソーに対し、該ワイヤソーの走行方向に沿って配置した複数の柱状の単結晶体を同じ押圧方向に沿って相対的に押圧し、前記ワイヤソーによって前記単結晶体を切断する単結晶体の切断方法であって、前記単結晶体の中心軸に沿った結晶方位を、複数の前記単結晶体同士でいずれも平行な結晶方位とし、複数の該単結晶体を、前記中心軸を前記走行方向に対して直交させて配置し、前記中心軸に垂直な前記単結晶体における中心を通る仮想面を、前記押圧方向に対して所定角度傾けるとともに、隣り合う2つの前記単結晶体同士で前記押圧方向に対する前記仮想面の傾斜の向きを異ならせて、前記ワイヤソーに対して押圧し、前記仮想面に対して前記所定角度傾いた切断面を有する単結晶切断体を得ることを特徴とする単結晶体の切断方法。前記単結晶体が、前記中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっており、複数の前記単結晶体を、隣り合う2つの前記単結晶体同士で、一方端と他方端とが交互に反対となるように配置することを特徴とする請求項1記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体に六方晶系の単結晶体を用いることを特徴とする請求項1または2記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体が金属酸化物からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体に、前記中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが同じものを用いることを特徴とする請求項1記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体に立方晶系の単結晶体を用いることを特徴とする請求項5記載の単結晶体の切断方法。単結晶体において、結晶における100面や110面などの低次結晶面は、構成元素が高密度で、かつ高い規則性をもって配列されており、構成元素同士の結合が切れ難い。例えば、外部から単結晶体に力が加わった場合、この低次結晶面に沿って劈開され易くなっている。従来の単結晶体の切断方法では、図8に示すように、インゴット120の押圧方向Mに対して、上記仮想面Iを所定角度だけ傾斜させてインゴット120を切断した場合でも、図8bに矢印で示すように、ワイヤソー119が仮想面Iに沿うよう切れ上がり、切断によって得られるウエハの表面が、所望する傾斜角度に対して傾いたり、比較的大きな凹凸を備えた形状になり易いといった課題を有していた。これは、上述のように、格子定数の指数が比較的小さい主要面に沿ってワイヤが進行しやすく、所望する傾斜角度からずれた方向にワイヤが切れ上がり易いためである。本願は、かかる課題を解決するためになされたものである。上記課題を解決するために、複数のローラ間に張設されて走行しているワイヤソーに対し、該ワイヤソーの走行方向に沿って配置した複数の柱状の単結晶体を同じ押圧方向に沿って相対的に押圧し、前記ワイヤソーによって前記単結晶体を切断する単結晶体の切断方法であって、前記単結晶体の中心軸に沿った結晶方位を、複数の前記単結晶体同士でいずれも平行な結晶方位とし、複数の該単結晶体を、前記中心軸を前記走行方向に対して直交させて配置し、前記中心軸に垂直な前記単結晶体における中心を通る仮想面を、前記押圧方向に対して所定角度傾けるとともに、隣り合う2つの前記単結晶体同士で前記押圧方向に対する前記仮想面の傾斜の向きを異ならせて、前記ワイヤソーに対して押圧し、前記仮想面に対して前記所定角度傾いた切断面を有する単結晶切断体を得ることを特徴とする単結晶体の切断方法を提供する。本発明によれば、特定の結晶面に対して所定の角度だけ高精度に傾いた切断面をもつ単結晶ウエハを得ることができる。また、表面の平坦度が比較的高い単結晶ウエハを得ることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の単結晶体の切断方法の一実施形態について説明する図である。本発明の単結晶体の切断方法は、図1に示すワイヤソー装置1を用いて行われる。ワイヤソー装置1は、複数のローラ12と、これら複数のローラ12の間に張設されて走行するワイヤソー19と、保持部材16と、調整手段17と、押圧手段18とを備えている。図1に示す例では、複数のローラ12の間に張設されて走行しているワイヤソー19に対して、ワイヤソー19の走行方向Rに沿って配置した、複数の柱状の単結晶体20を相対的に押圧し、ワイヤソー19によって単結晶体20を切断して、単結晶体の中心軸に垂直な仮想面に対して所定角度θ傾斜した切断面を表面とする、複数枚の単結晶ウエハ以下、単にウエハともいうを得る状態について示している。保持部材16は、例えばカーボンからなる部材であり、ワイヤソーの走行方向に沿って複数本実施形態では2つ配列されている。各保持部材16aおよび16bには、単結晶体20aおよび20bが、それぞれ配置されている。保持部材16の下面は平面状であり、単結晶体20に形成されている平坦面が、接着剤等の接合手段を介して、保持部材16のこの下面に接合されている。ここで平坦面は、切り出した後のウエハにおいて、いわゆるオリエンテーションフラット面に対応する部分であり、円柱状の単結晶体20aおよび20bの周面の一部に形成された、単結晶体20aおよび20bの、各中心軸OaおよびObにそれぞれ平行な面である。平坦面には、単結晶体20の特定の結晶方位に垂直な結晶面が現れている。押圧手段18は、保持部材16aおよび16bを保持した、例えばステンレス等からなる土台部材13と、土台部材13を支持する例えばステンレス等からなる支持部材11と、例えばボールスプライン機構を有する図示しない駆動機構とを有している。支持部材11と土台部材13とは、上記駆動機構を介して接合されており、この駆動機構によって、支持部材11に対して土台部材13が、図1中の上下方向に昇降するように構成されている。すなわち、押圧手段18は、図示しない駆動機構によって、走行しているワイヤソー19に対して、保持部材16aおよび16bが保持する単結晶体20aおよび20bを、押圧方向M図1中における下方向に沿って押圧させる。押圧の最中において、土台部材13の図1中の下側の面は、ワイヤソー19に平行とされている。ここで、保持部材16aおよび保持部材16bはそれぞれ、調整手段17aおよび調整手段17bを介して上記土台部材13に保持されている。図2は、調整手段17aについて説明する概略側面図である。調整手段17bは、調整手段17aと同様の構成を有しており、説明は省略する。調整手段17aは、土台部材13に接合した第1接続部材31と、保持部材16に接合した第2接続部材32と、軸体33と、角度調整用ネジ部材34以降、ネジ部材34とするを備えて構成されている。第1接続部材31と第2接続部材32とは貫通孔を備え、この貫通孔の周囲はベアリング図示せずを備えた軸受け部35となっている。それぞれが備える貫通孔とが連通するように、これら第1接続部材31と第2接続部材32とが組み合わされて、この貫通孔に軸体33が挿通されている。ネジ部材34は、軸体33を間に挟んで複数図2に示す例では2つ配置されており、第1接続部材31に設けられたネジ穴に挿入されている。ネジ部材34は、回転量を変化させることで、第1接続部材31からの突出量が調整可能であり、軸体33を挟んで複数設けられたネジ部材34の各突出量を調整することで、図2に示す矢印αに示す方向に沿って、土台部材13に対する保持部材16aの姿勢を変化させることができる。これら調整手段17aによって、押圧方向Mに対する、単結晶体20aにおける仮想面22aの傾きが調整される。単結晶体20aにおける仮想面22aとは、中心軸Oaに沿った単結晶体20aの長さの中心位置を通る、中心軸Oaに垂直な面のことをいう。また、単結晶体20bにおける仮想面22bとは、中心軸Obに沿った単結晶体20bの長さ方向に沿った中心位置を通る、中心軸Obに垂直な面のことをいう。ワイヤソー19は、例えば直径0.18mmのピアノ線からなる芯線に、平均砥粒径42μmのダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固着した、いわゆるダイヤモンドワイヤソーである。複数のローラ12は、略円柱状の回転体であり、外周面が例えば樹脂によって形成されている。複数のローラ12の各外周面には、複数本の溝が等間隔で形成されており、複数本の溝に1本のワイヤソー14が掛けまわされて、ワイヤソー14の一部分が平行に並んだワイヤー列が形成されている。また、ワイヤー装置1では、図示しないスラリー供給部から、例えばラッピングオイルに遊離砥粒が混入されてなる砥液スラリーが噴射され、ワイヤソー19および単結晶体20単結晶体20aと単結晶体20bに、スラリーが供給される。ワイヤソー装置1では、図示しない上記スラリー供給部からスラリーを供給しつつ、ローラ12を回転させてワイヤソー19を走行方向Rに沿って走行させている状態で、押圧手段18により土台部材13が図1中の下方向押圧方向Mに移動されることで、保持部材16に接合された単結晶体20単結晶体20aおよび単結晶体20bが、ワイヤソー19に対して押圧される。これにより、ワイヤソー19は、単結晶体20aおよび20bに対して切れ込んで、単結晶体20aおよび20bを複数のウエハに切り分ける。図3は、図1に示すワイヤソー装置で切断する単結晶体の第1の実施形態の結晶構造について説明する図である。また、図4は、ワイヤソー装置1を用いて、単結晶体20aおよび20bを切断している状態について説明する概略側面図である。図4aは単結晶体20aのみを示し、図4bは単結晶体20bのみを示し、図4cは単結晶体20aおよび20bを併せて示している。図4a~cはいずれも、図1に示す矢印Sに示す方向に沿った見た場合の側面図である。第1の実施形態では、単結晶体20aおよび単結晶体20bとして、例えばシリコン等の立方晶の結晶からなる長尺の単結晶体を切断する。図3では、単結晶体20aおよび20bに共通する結晶構造について、単位格子Ucを縦方向に2つ並べた状態を示している。図3では各元素の配置位置等は示していないが、単結晶体20aおよび20bでは、結晶構造の100方位を示すベクトルに沿って見た場合でも、この100方位と逆向きの、結晶構造の-100方位を示すベクトルに沿って見た場合でも、各種類の元素の配列状態配列順序や配列位置が同じとなっている。なお、構成元素の配列状態が同じとは、基本的な結晶構造における理論配列状態が同じことをいい、実際の全ての構成元素の配列位置が、全くの結晶欠陥もなく完全に同一であることを必ずしも要求するものではない。本実施形態の単結晶体20aおよび20bは、いずれも中心軸OOaおよびObが、100方位に平行であり、一方端A側から他方端B側に向かう方向が100方向、一方端B側から他方端A側に向かう方向が-100方向に対応している。単結晶体20aにおける仮想面22aは100面であり、格子定数の指数が比較的小さい低次結晶面である。仮想面22aは、構成元素が、高密度かつ高い規則性をもって配列されており、構成元素同士の結合が切れ難い。本実施形態では、単結晶体20aおよび単結晶体20bの押圧の際、調整手段17によって各単結晶体20aの姿勢を調整し、押圧方向Mに対する各仮想面22aおよび仮想面22bそれぞれの傾きが、所定の向きおよび角度に設定される。具体的には、隣り合う2つの単結晶体20aおよび単結晶体20b同士で、押圧方向Mに対する仮想面22aおよび仮想面22bの傾斜の向きを異ならせるとともに、押圧方向Mに対する仮想面22aおよび仮想面22bの傾斜角度θを所定角度としている。本実施形態では、この配置の状態で、走行しているワイヤソー19に対して、配置した複数の単結晶体20aおよび20bを同時に相対的に押圧し、それぞれの単結晶体20aおよび20bをそれぞれ切断する。仮に、単結晶体20aのみを1本だけ配置して、仮想面22aに対して傾斜角度θだけ傾いた押圧方向Mでワイヤソー19に押圧して単結晶体20aを切断する場合や、単結晶体20bのみを1本だけ配置して切断する場合では、図4およびbに破線で示す、結合力が比較的強い低次結晶面すなわち、仮想面22aおよび仮想面22bに平行な面に沿ってワイヤソー19が切れ込むような力がワイヤソー19に働く。この力によって、ワイヤソー19が、図4中の矢印Cで示す方向に進行するように切れ込み、ワイヤソー19は、単結晶体20aおよび20bの、ワイヤソー19に対する押圧方向M図4中の下向きに対して、ずれた方向に進行する。このため、切断して得られた単結晶ウエハの表面が、所望する傾斜角度からずれる場合があった。このずれ量は微小な場合が多いが、低次結晶面の結合力やワイヤソー19にかかる張力、ワイヤソー19の表面状態など、複数の要因によって変動し、制御が難しい。しかしながら、本実施形態では、単結晶体20aおよび20bは、隣り合う2つの単結晶体20aおよび単結晶体20b同士で、押圧方向Mに対する仮想面22aおよび仮想面22bの傾斜の向きを異ならせた上で、押圧方向Mに対する仮想面22aおよび仮想面22bの傾斜角度θを所定角度としている。このため、図4cに示すように、単結晶体20aと単結晶体20bとで、中心軸に垂直な定次の結晶面の存在に起因してワイヤソーにかかる力上記ずれの原因となる力が相殺され、単結晶体の押圧方向Mに対するワイヤソー19のずれ量を小さくすることができる。本実施形態では、中心軸に垂直な低次の結晶面に対して所定の傾斜角度ずれた表面を有する単結晶ウエハを得る場合でも、所望の傾斜角度に高精度に対応する切断面を有する単結晶ウエハを得ることができる。また、ワイヤの切れ込み方向のずれが抑制されるので、所望する切れ込み方向に沿って、比較的高い平坦性を有するウエハを得ることができる。なお、単結晶体20aについても単結晶体20bについても、ワイヤソー19により切り込みが開始した当初においては、単結晶体20aおよび単結晶体20bそれぞれ単独でワイヤソーに当接することになり、切り込み当初の状態では、ずれの原因になる力は相殺されない。しかしながら、ワイヤソーは、ずれの原因となる力が長時間にわたってかかることで徐々に切れ込んでいくのであって、切り込み当初の段階においては、上記ずれの原因となる力は有意な効果を及ぼさない。また、図4では、説明のために傾斜角度θの大きさを誇張して示しているが、一般的に傾斜角度θは0.01°≦θ≦5°であり、切れ込みが開始してすぐに、相殺する力が働くことになる。図5は、図1に示すワイヤソー装置で切断する単結晶体の第2の実施形態の結晶構造について説明する図である。図6は、ワイヤソー装置1を用いて、単結晶体50aおよび50bを切断している状態について説明する概略側面図である。図6aは単結晶体50aのみを示し、図6bは単結晶体50bのみを示し、図6cは単結晶体50aおよび50bを併せて示している。図6a~cはいずれも、図1に示す矢印Sに示す方向に沿った見た場合の側面図である。第2の実施形態では、例えば酸化亜鉛等の、金属酸化物からなる六方晶の結晶からなる、いわゆるインゴット状の長尺の単結晶体50単結晶体50aおよび単結晶体50を切断する。この第2の実施形態で切断する単結晶体50aおよび50bは、一方端A側から他方端B側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態と、他方端B側から一方端A側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態とが異なっている。本実施形態の単結晶体50aおよび50bは、いずれも中心軸OOaおよびObが、0001方位および000-1方位に平行であり、一方端A側から他方端B側に向かう方向が0001方向、一方端B側から他方端A側に向かう方向が000-1方向に対応している。第2の実施形態において、複数のローラ12の間に張設されて走行しているワイヤソー19に対して、ワイヤソー19の走行方向に沿って配置した、複数の柱状の単結晶体50を相対的に押圧し、ワイヤソー19によって単結晶体50を切断して、単結晶体の中心軸に垂直な仮想面に対して傾斜角度θだけ傾斜した切断面を表面とする、複数枚の単結晶ウエハ以下、単にウエハともいうを得る。図5では、単結晶体50aおよび50bに共通する結晶構造について、単位格子Ucを縦方向に2つ並べた状態を示している。図5では各元素の配置位置等は示していないが、単結晶体20aおよび20bでは、結晶構造の0001方位を示すベクトルに沿って見た場合と、この0001方位と逆向きの、結晶構造の000-1方位を示すベクトルに沿って見た場合とでは、各種類の元素の配列順序や配列位置が異なっている。このような結晶では、例えば0001方位および000-1方位に平行な軸に対し、特定の方向に傾いた高次の結晶面で、結晶面における各構成元素の結合力が比較的強くなり、この特定方向に傾いた高次の結晶面が、表面に表れやすくなる傾向を有している。例えば、10-12方位を示すベクトルに沿って見た場合と、10-1-2方位を示すベクトルに沿って見た場合とでも、結晶の配列状態が異なっている。本実施形態では、例えば図5に示す、例えば10-12面からなる高次結晶面Dは結合力が比較的強い一方、10-1-2面からなる高次結晶面D ́では結合力が比較的弱く、高次結晶面Dに沿って単結晶体が劈開し易い一方で、高次結晶面D ́に沿っては劈開され難い。本実施形態では、複数の単結晶体50aおよび50bが、各中心軸OaおよびObをワイヤソー19の走行方向Rに対して交差させるとともに、隣り合う2つの単結晶体50aおよび50bの間で、中心軸OaおよびObに沿った方向における構成元素の配列状態が異なるように交互に、ワイヤソー19の走行方向に沿って互いに平行に1列に並べて配置している。すなわち、より詳しくは、本実施形態では、各単結晶体50aおよび50bそれぞれにおける、一方端Aから一方端Bに向かう方向のベクトル0001方向に対応が、2つの単結晶体50aおよび50bとで、互いに反対の方向を向くように配置されている。加えて、ワイヤソー装置1では、2つの単結晶体50aおよび50bが、矢印Mに示す方向11-20方向に沿って移動される。単結晶体50aおよび50bは、11-20面に平行な平坦面を備え、ワイヤソー装置1では、この平坦面が、上記保持部材16aおよび16bの上述の下面に対向した状態で、単結晶体50aおよび50bそれぞれが、各保持部材16aおよび16bに、それぞれ接合されている。本実施形態においても、単結晶体50aおよび50bは、隣り合う2つの単結晶体50aおよび単結晶体50b同士で、押圧方向Mに対する仮想面52aおよび仮想面52bの傾斜の向きを異ならせた上で、押圧方向Mに対する仮想面52aおよび仮想面52bの傾斜角度θを所定角度としている。仮に、単結晶体50aのみを1本だけ配置して切断する場合は、単結晶体50bのみを1本だけ配置して切断する場合では、図6およびbに破線で示す、結合力が比較的強い高次結晶面Dに沿ってワイヤソー19が切れ込むような力がワイヤソー19に働く。この力によって、ワイヤソー19が、図6中の矢印Cで示す方向に進行するように切れ込み、ワイヤソー19は、単結晶体50aおよび50bの、ワイヤソー19に対する押圧方向図6中の下向きに対して、ずれた方向に進行する。このずれ量は微小な場合が多いが、高次結晶面の結合力やワイヤソー19にかかる張力、ワイヤソー19の表面状態など、複数の要因によって変動し、制御が難しい。しかしながら、本実施形態では、単結晶体50aおよび50bは、一方端A側から他方端B側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態と、他方端B側から一方端A側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態とが異なっている。より詳しくは、本実施形態では、各単結晶体50aおよび50bそれぞれにおける、一方端Aから一方端Bに向かう方向のベクトル0001方向に対応が、2つの単結晶体50aおよび50b間で反対となるよう配置されている。このため、図6cに示すように、単結晶体50aと単結晶体50bとで、高次結晶面の存在に起因してワイヤにかかる力上記ずれの原因となる力が相殺され、単結晶体の押圧方向に対するワイヤソー19のずれ量を小さくすることができる。なお、単結晶体50aについても単結晶体50bについても、ワイヤソー19により切り込みが開始した当初においては、単結晶体50aおよび単結晶体50bそれぞれ単独でワイヤソーに当接することになり、切り込み当初の状態では、ずれの原因になる力は相殺されない。しかしながら、ワイヤソーは、ずれの原因となる力が長時間にわたってかかることで徐々に切れ込んでいくのであって、切り込み当初の段階においては、上記ずれの原因となる力は有意な効果を及ぼさない。また、図6では角度を誇張して示しているが一般的に傾斜角度θは0.01°≦θ≦5°であり、切れ込みが開始してすぐに、相殺する力が働くことになる。本明では、一方端A側から他方端B側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態と、他方端B側から一方端A側に向かう中心軸に沿った方向における構成元素の配列状態とが異なっている単結晶体であっても、所望の傾斜角度に対応する表面を有する単結晶ウエハを得ることができる。また、ワイヤの切れ込み方向のずれが抑制されるので、所望する切れ込み方向に沿って、比較的高い平坦性を有するウエハを得ることができる。なお、本発明において、切断する対象の単結晶体の結晶構造の種類は特に限定されない。第2の実施形態においても、中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっている各種単結晶、例えば、フッ化カルシウム,燐化インジウム,窒化ガリウム,砒化ガリウムまたは炭化珪素等の単結晶体などの各種単結晶体の切断においても、上述の効果を奏する。単結晶体が金属酸化物の場合、金属と酸素との配列状態が複雑になり、特徴的な高次結晶面を備えることが多く、さらに六方晶の場合に顕著になる。本願発明は、金属酸化物の切断、また、六方晶の切断において、顕著な効果を奏する。図7は、本発明の単結晶体の切断方法の、第3の実施形態について説明する図である。図7は、同一の単結晶体を3つ平行に配置した例である。図7に示す場合も、隣り合う2つの単結晶体同士で、押圧方向Mに対する仮想面の傾斜の向きを異ならせた上で、押圧方向Mに対する仮想面の傾斜角度θを所定角度としている。図7に示す場合も、ワイヤソー19にかかる力が、隣り合った単結晶体の間で逆方向に働き、ワイヤソー19の切れ込み方向のずれの程度が小さくされる。単結晶体の数等は特に限定されない。また、単結晶体の断面形状について特に限定はされないが、円柱状であれば、ワイヤソー1の切れ込み当初はワイヤソー19と単結晶体との接触長さが小さく、単結晶体の切断が進行するにつれて、この接触長さが徐々に長くなっている。単結晶体が円形状の場合、切断当初で大きなずれが生じることがなく、ずれ方向の力も、均等さを保ちながら徐々に大きくなっていくので、単結晶体の切断当初から切断終了まで、このずれ方向の力が高精度に均等した状態で維持することができる。単結晶体は円柱状であることが好ましい。以上、本発明の一実施形態について図面を用いて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。"