"ばらつき要素をばらつき要素マージ部に入力するばらつき要素入力部と、ここで、前記ばらつき要素は、半導体集積回路の寄生容量に影響を与えるデータであって、前記半導体集積回路の設計時のデータの値からのばらつきが生じるデータであり、2種類のばらつき要素のばらつきを、1種類のばらつき要素のばらつきにマージするばらつき要素マージ部と、マージした前記ばらつき要素を使用して統計的STAStatisticalStaticTimingAnalysisを実行する統計的STA実行部とを備えるタイミング解析システム。前記ばらつき要素マージ部は、第1のばらつき要素のばらつきXと、第2のばらつき要素のばらつきYの組を、座標平面上の点X,Yとした場合に、前記点X,Yのばらつきに基づいて、ある半径rを決定し、rcosθ,rsinθで表現される円周上の点を定義域として前記寄生容量を算出し、前記寄生容量が最小となるθ1を求めることで、前記ばらつきXと前記ばらつきYを統計的に緩和した点rcosθ1,rsinθ1を算出するばらつき緩和部と、前記rcosθ1と前記rsinθ1を、前記1種類のばらつき要素のばらつきZにマージするマージ部を備える請求項1に記載のタイミング解析システム。前記ばらつき要素マージ部は、第1のばらつき要素のばらつきXと、第2のばらつき要素のばらつきYの組を、座標平面上の点X,Yとした場合に、前記点X,Yのばらつきに基づいて、ある半径rを決定し、rcosθ,rsinθで表現される円周上の点を定義域として前記寄生容量を算出し、前記寄生容量が最大となるθ1を求めることで、前記ばらつきXと前記ばらつきYを統計的に緩和した点rcosθ1,rsinθ1を算出するばらつき緩和部と、前記rcosθ1と前記rsinθ1を、前記1種類のばらつき要素のばらつきZにマージするマージ部を備える請求項1に記載のタイミング解析システム。前記マージ部は、マージ前の前記第1のばらつき要素のばらつきrcosθ1と前記第2のばらつき要素のばらつきrsinθ1から算出した前記寄生容量と、マージ後の前記1種類のばらつき要素のばらつきZから算出した前記寄生容量が、同一となるように前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定する請求項2又は3に記載のタイミング解析システム。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の膜厚であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記マージ部は、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項4に記載のタイミング解析システム。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の比誘電率であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記マージ部は、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項4に記載のタイミング解析システム。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の膜厚であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記マージ部は、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項4に記載のタイミング解析システム。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の比誘電率であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記マージ部は、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項4に記載のタイミング解析システム。前記ばらつき要素マージ部は、全ての配線層の配線を含む半導体集積回路のテストレイアウトを作成するテストレイアウト作成部と、前記テストレイアウトに対して、前記ばらつき要素をマージした場合の前記寄生容量と、前記ばらつき要素をマージしなかった場合の前記寄生容量を算出するテストレイアウト寄生容量算出部と、マージ後の前記寄生容量とマージ前の前記寄生容量の差分を、容量精度クライテリアと比較する容量精度クライテリア比較部とを更に備え、ここで、前記容量精度クライテリアは、前記2種類のばらつき要素をマージするかどうかを判断するための閾値であり、前記マージ部は、前記差分が、前記容量精度クライテリア以内であれば、前記2種類のばらつき要素のばらつきを、前記1種類のばらつき要素のばらつきにマージする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のタイミング解析システム。ばらつき要素入力部が、ばらつき要素をばらつき要素マージ部に入力するステップと、ここで、前記ばらつき要素は、半導体集積回路の寄生容量に影響を与えるデータであって、前記半導体集積回路の設計時のデータの値からのばらつきが生じるデータであり、ばらつき要素マージ部が、2種類のばらつき要素のばらつきを、1種類のばらつき要素のばらつきにマージするステップと、統計的STA実行部が、マージした前記ばらつき要素を使用して統計的STAStatisticalStaticTimingAnalysisを実行するステップとを含むタイミング解析方法。前記1種類のばらつき要素のばらつきにマージするステップは、ばらつき緩和部が、第1のばらつき要素のばらつきXと、第2のばらつき要素のばらつきYの組を、座標平面上の点X,Yとした場合に、前記点X,Yのばらつきに基づいて、ある半径rを決定するステップと、ばらつき緩和部が、rcosθ,rsinθで表現される円周上の点を定義域として前記寄生容量を算出するステップと、ばらつき緩和部が、前記寄生容量が最小となるθ1を求めることで、前記ばらつきXと前記ばらつきYを統計的に緩和した点rcosθ1,rsinθ1を算出するステップと、マージ部が、前記rcosθ1と前記rsinθ1を、前記1種類のばらつき要素のばらつきZにマージするステップとを含む請求項10に記載のタイミング解析方法。前記1種類のばらつき要素のばらつきにマージするステップは、ばらつき緩和部が、第1のばらつき要素のばらつきXと、第2のばらつき要素のばらつきYの組を、座標平面上の点X,Yとした場合に、前記点X,Yのばらつきに基づいて、ある半径rを決定するステップと、ばらつき緩和部が、rcosθ,rsinθで表現される円周上の点を定義域として前記寄生容量を算出するステップと、ばらつき緩和部が、前記寄生容量が最大となるθ1を求めることで、前記ばらつきXと前記ばらつきYを統計的に緩和した点rcosθ1,rsinθ1を算出するステップと、マージ部が、前記rcosθ1と前記rsinθ1を、前記1種類のばらつき要素のばらつきZにマージするステップとを含む請求項10に記載のタイミング解析方法。前記1種類のばらつき要素のばらつきZにマージするステップは、マージ部が、マージ前の前記第1のばらつき要素のばらつきrcosθ1と前記第2のばらつき要素のばらつきrsinθ1から前記寄生容量を算出するステップと、マージ部が、マージ後の前記1種類のばらつき要素のばらつきZから前記寄生容量を算出するステップと、マージ部が、マージ前の前記寄生容量とマージ後の前記寄生容量が同一となるように前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定するステップとを含む請求項11又は12に記載のタイミング解析方法。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の膜厚であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定するステップは、マージ部が、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項13に記載のタイミング解析方法。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の比誘電率であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定するステップは、マージ部が、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項13に記載のタイミング解析方法。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の膜厚であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の膜厚であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定するステップは、マージ部が、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項13に記載のタイミング解析方法。前記Xは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記Yは、配線間の第2の絶縁層の比誘電率であり、前記Zは、配線間の第1の絶縁層の比誘電率であり、前記1種類のばらつき要素のばらつきZを決定するステップは、マージ部が、マージ前後の前記寄生容量が同一であるかどうかを、前記絶縁層の実効誘電率を、前記絶縁層の膜厚で除算した値が同一であるかどうかで判断する請求項13に記載のタイミング解析方法。テストレイアウト作成部が、全ての配線層の配線を含む半導体集積回路のテストレイアウトを作成するステップと、テストレイアウト寄生容量算出部が、前記テストレイアウトに対して、前記ばらつき要素をマージ後の前記寄生容量と、前記ばらつき要素をマージ前の前記寄生容量を算出するステップと、容量精度クライテリア比較部が、マージ後の前記寄生容量とマージ前の前記寄生容量の差分を、容量精度クライテリアと比較するステップとを更に含み、ここで、前記容量精度クライテリアは、前記2種類のばらつき要素をマージするかどうかを判断するための閾値であり、前記マージするステップは、前記差分が、前記容量精度クライテリア以内であれば、前記2種類のばらつき要素のばらつきを、前記1種類のばらつき要素のばらつきにマージする請求項10乃至17のいずれか1項に記載のタイミング解析方法。請求項10乃至18のいずれか1項に記載のタイミング解析方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。統計的STAの実行時間を短縮することができるタイミング解析システムが求められている。上記の課題を解決するために、本発明は、以下に述べられる手段を採用する。その手段を構成する技術的事項の記述には、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための形態]の記載との対応関係を明らかにするために、[発明を実施するための形態]で使用される番号符号が付加されている。ただし、付加された番号符号は、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲を限定的に解釈するために用いてはならない。本発明のタイミング解析システム200は、ばらつき要素をばらつき要素マージ部に入力するばらつき要素入力部130と、2種類のばらつき要素のばらつきを、1種類のばらつき要素のばらつきにマージするばらつき要素マージ部160と、マージしたばらつき要素を使用して統計的STAを実行する統計的STA実行部140とを備える。本発明のタイミング解析方法は、タイミング解析システム200により実施されるタイミング解析方法である。ばらつき要素入力部130が、ばらつき要素をばらつき要素マージ部に入力するステップと、ばらつき要素マージ部160が、2種類のばらつき要素のばらつきを、1種類のばらつき要素のばらつきにマージするステップと、統計的STA実行部140が、マージしたばらつき要素を使用して統計的STAを実行するステップとを含む。本発明によれば、ばらつき要素をマージして、ばらつき要素数を減らすことにより、統計的STAの実行時間を短縮することができるタイミング解析システムを提供することができる。添付図面を参照して、本発明の実施形態による半導体集積回路のタイミング解析システム200を以下に説明する。第1実施形態[構成の説明]はじめに、本実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200の構成の説明を行う。本発明の第1実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200は、コンピュータシステムにより実現される。図1は、本発明の第1実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200のハードウェア構成図である。本発明の第1実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200は、表示装置1、記憶装置2、処理装置4、キーボード7及びマウス8を備える。表示装置1は、CRTCathodeRayTube、LCDLiquidCrystalDisplay等のディスプレイ装置であって、統計的STAの解析結果や各種のメッセージ等を表示する。キーボード7は、文字キー、数字キー、機能指示キー等を備えている。マウス8は、表示装置1に対するポインティングデバイスである。キーボード7やマウス8等の入力装置により、半導体集積回路のレイアウト情報から、半導体集積回路の寄生容量及び寄生抵抗を抽出以下、RC抽出というする方法の実行指示等を行う。記録装置2は、HDD3HardDiskDrive等であって、半導体集積回路のレイアウト情報ネットリスト等、RC抽出結果、統計的STAの解析結果等を記録する。処理装置4は、CPU6CentralProcessingUnit及びROMReadOnlyMemoryやRAMRandomAccessMemory等のメモリ5等からなるマイクロコンピュータであって、タイミング解析システム200全体の制御を行う。具体的には、記憶装置2からRC抽出結果を読み込む処理、統計的STAによる解析処理、統計的STAの解析結果を記憶装置2にファイル形式で記憶させる処理、記憶装置2に記憶されている統計的STAによる解析結果をメモリ5に読み込む処理、統計的STAによる解析結果を表示装置1へ表示させるための処理等を行う。次に、本発明の実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200の機能構成について説明する。図2は、本発明の第1実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200のブロック図である。回路ネットリスト入力部100は、タイミング解析対象となる半導体集積回路の構造を表すネットリストを、統計的STA実行部4に入力する。アサーション入力部110は、統計的STAによってタイミングを検証する際に、必要となるタイミングの条件クロックの位相等を、統計的STA実行部4に入力する。アサーションは、確定的な値だけでなく、確率分布の形式をとることができる。遅延モデル入力部120は、統計的STAを実行するために必要となる遅延モデル線形遅延モデル等を、統計的STA実行部4に入力する。ばらつき要素入力部130は、製造ばらつきや、電圧変動や温度変動等の環境変化等の要因によって発生するばらつきを考慮する必要があるデータ配線間の絶縁層膜厚や絶縁層の比誘電率等を、統計的STA実行部4に入力する。統計的STA実行部140は、入力されたデータに基づいて統計的STAを実行する。タイミングレポート出力部150は、統計的STAによるタイミング解析結果を、タイミングレポートとして出力する。ばらつき要素マージ部160は、配線間の絶縁層膜厚や絶縁層の比誘電率等のばらつき要素をマージすることにより、ばらつき要素の数を減らす。ばらつき要素マージ部160は、マージ後のばらつき要素を、統計的STA実行部4に入力する。[動作方法の説明]次に、本実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200において、タイミング解析方法の説明を行う。回路ネットリスト入力部100、アサーション入力部110、遅延モデル入力部120、ばらつき要素入力部130、統計的STA実行部140及びタイミングレポート出力部150についての動作は、一般的な統計的STAによるタイミング解析システム200と同様であるため、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体集積回路のタイミング解析システム200におけるばらつき要素マージ部160について説明する。図3は、本発明の第1実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200のばらつき要素マージ部160による処理のフローチャートである。ステップS210ばらつき要素マージ部160は、ばらつき要素入力部130から、ばらつき要素を読み込む。ステップS220ばらつき要素マージ部160は、ステップS210で読み込んだばらつき要素から、マージ対象となるばらつき要素を抽出する。例えば、異なる配線層の間に存在する絶縁層膜厚のばらつきと、比誘電率のばらつきを抽出する。ステップS221ばらつき要素マージ部160は、マージ対象のばらつき要素がある間、ステップS230及びステップS240の処理を行う。例えば、異なる配線層間の絶縁層膜厚のばらつき、比誘電率のばらつきの単位で、ステップS230及びステップS240の処理を行う。ばらつき要素マージ部160は、マージ対象のばらつき要素がなくなった場合には、ステップS250の処理に進む。ステップS230ばらつき要素マージ部160は、以下の方法により、寄生容量に影響するばらつきを統計的に緩和する。以下、ばらつき要素が、絶縁層膜厚のばらつきと、比誘電率のばらつきである場合を例にして、ばらつき要素マージ部160の動作方法について説明する。図4Aは、絶縁層膜厚のばらつきdT1及びdT2が図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。図4Aでは、配線層20と配線層23との間に、絶縁層21と絶縁層22が存在している例である。配線層20には、配線24が存在し、配線層23には、配線25が存在している。絶縁層21の膜厚をT1、比誘電率をε1とし、絶縁層22の膜厚をT2、比誘電率をε2とする。また、絶縁層21の膜厚T1のばらつきをdT1とし、絶縁層22の膜厚T2のばらつきをdT2とする。図5は、本発明の第1実施形態において、ばらつき要素マージ部160によるばらつき要素のばらつきを統計的に緩和する方法を説明するための図である。縦軸は、膜厚T1のばらつきdT1が取り得る値を示しており、横軸は、膜厚T2のばらつきdT2が取り得る値を示している。絶縁層膜厚T1のばらつきdT1、絶縁層膜厚T2のばらつきdT2は、平均0、標準偏差σの正規分布に従うと仮定している。図5に記載の円の半径の大きさは、この正規分布の標準偏差σの値である。一般に、半導体製造の製造プロセスにおいて、異なる絶縁層は異なる工程で形成されるため、絶縁層21の膜厚のばらつきdT1と、絶縁層22の膜厚のばらつきdT2との間に、ばらつきの相関はない。したがって、ばらつきdT1とばらつきdT2は、独立な確率変数である。ばらつき要素マージ部160は、絶縁層21、絶縁層22のばらつきdT1、ばらつきdT2の組dT1,dT2に対して、すべての組を考慮せずに、dT1R,dT2Rのみ考慮することにより、統計的に緩和したばらつきを考える。ここで、dT1R=σsinθ、dT2R=σcosθである。本実施形態では、点Pのような半径σ上の点のみを考慮し、点Qのように半径σ上にない点については、考慮しない。この円の半径の大きさについては、上述の正規分布の標準偏差σ以外の値を使用してもよい。ここで、異なる配線間の寄生容量配線容量について考える。一般に、複数の絶縁層で構成される異なる配線層間の実効誘電率は、Σ{絶縁層膜厚×比誘電率}/Σ絶縁層膜厚で求めることができる。したがって、ばらつきの組dT1,dT2を、統計的に緩和したばらつきの組dT1R,dT2Rの絶縁層膜厚を絶縁層膜厚1とし、実効誘電率を実効誘電率1とすると、実効誘電率1は、次式で表すことができる。ばらつき要素マージ部160は、最も寄生容量が小さくなるような、ばらつきの組dT1,dT2を求めることで、ばらつきを統計的に緩和する。異なる配線間の寄生容量配線容量は、比誘電率に比例し、配線間の距離に反比例するため、図5の角度θを変更して、実効誘電率1/絶縁層膜厚1が最も小さくなるdT1R,dT2Rを決定する。ここで、ばらつき要素マージ部160は、最も寄生容量が大きくなるような、ばらつきの組dT1,dT2を求めることで、ばらつきを統計的に緩和する方法も考えることができる。この場合には、図5の角度θを変更して、実効誘電率1/絶縁層膜厚1が最も大きくなるdT1R,dT2Rを決定する。図4Bは、図4Aで図示されたばらつきdT1、dT2を統計的に緩和した後のばらつきdT1R、dT2Rが図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。このように、ばらつき要素マージ部160が、ばらつき要素をマージする前に、ばらつきを統計的に緩和する理由は、統計的STA実行時に、ばらつき要素のばらつきを統計的に緩和する処理が行われるからである。ばらつき要素のマージ前に、ばらつき要素のばらつきを統計的に緩和しておくことで、マージ後に消滅するばらつき要素についても、統計的に緩和する処理を施したことになる。次に、ばらつき要素が、比誘電率である場合に、ばらつきを統計的に緩和する方法について説明する。ばらつき要素が、比誘電率である場合も、絶縁層膜厚ばらつきの場合と同様にして、ばらつきを統計的に緩和することができる。図6Aは、比誘電率のばらつきdε1及びdε2が図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。図6Aでは、配線層20と配線層23との間に、絶縁層21と絶縁層22が存在している例である。配線層20には、配線24が存在し、配線層23には、配線25が存在している。絶縁層21の膜厚をT1、比誘電率をε1とし、絶縁層22の膜厚をT2、比誘電率をε2とする。絶縁層21の比誘電率ε1のばらつきをdε1とし、絶縁層22の比誘電率ε2のばらつきをdε2とする。絶縁層膜厚のばらつきdT1及びdT2の場合と同様の理由で、絶縁層21の比誘電率ε1と絶縁層22の比誘電率ε2との間に、ばらつきに相関はない。ばらつき要素マージ部160は、絶縁層膜厚ばらつきdT1及びdT2の場合と同様に、絶縁層21の比誘電率のばらつきdε1、絶縁層22の比誘電率のばらつきdε2の組dε1,dε2に対して、dε1R,dε2Rのみ考慮することにより、統計的に緩和したばらつきを考える。ここで、dε1R=σsinθ、dε2R=σcosθである。絶縁層膜厚ばらつきdT1及びdT2の場合と同様に、ばらつきの組dε1,dε2を、統計的に緩和したばらつきの組dε1R,dε2Rについての実効誘電率2は、次式で表すことができる。ばらつき要素マージ部160は、絶縁層膜厚ばらつきの場合と同様に、最も寄生容量が小さくなるようなばらつきの組dε1,dε2を求める。異なる配線間の寄生容量配線容量は、比誘電率に比例し、配線間の距離に反比例するため、図5の角度θを変更して、実効誘電率2/絶縁層膜厚2が最も小さくなるdε1R,dε2Rを決定する。ここで、ばらつき要素マージ部160は、絶縁層膜厚ばらつきの場合と同様に、最も寄生容量が大きくなるようなばらつきの組dε1,dε2を求めることで、ばらつきを統計的に緩和する方法も考えることができる。この場合には、図5の角度θを変更して、実効誘電率2/絶縁層膜厚2が最も大きくなるdε1R,dε2Rを決定する。図6Bは、図6Aで図示されたばらつきdε1、dε2を統計的に緩和した後のばらつきdε1R、dε2Rが図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。ステップS240ばらつき要素マージ部160は、まず、統計的に緩和したばらつきの組dT1R,dT2Rを、絶縁層21の膜厚T1のばらつきdTm1としてマージする。ばらつきdTm1は、ばらつきの組dT1R,dT2Rを考慮した場合の寄生容量配線容量と、ばらつきdTm1のみを考慮した場合の寄生容量配線容量とが、同一の値になるようにして決定する。ばらつきdTm1にマージした場合の実効誘電率3は、次式で表すことができる。異なる配線層間の寄生容量配線容量は、比誘電率に比例し、配線間の距離に反比例するため、実効誘電率1/絶縁層膜厚1=実効誘電率3/絶縁層膜厚3を満たすように、ばらつきdTm1を決定する。すなわち、次式を満たすばらつきdTm1のうち、正の数値をマージ後のばらつきとする。すなわち、ばらつきdTm1は、数4をばらつきdTm1に関する2次方程式adTm12bdTm1c=0とみた場合の解であり、以下のようになる。である。図4Cは、統計的に緩和した後のばらつきdT1R、dT2Rを、マージした後のばらつきdTm1が図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。ばらつき要素マージ部160は、次に、統計的に緩和したばらつきの組dε1R,dε2Rを、絶縁層21の膜厚T1のばらつきdTm2としてマージする。統計的に緩和したばらつきの組dT1R,dT2RをdTm1にマージした際と、同様の方法で、統計的に緩和したばらつきの組dε1R,dε2Rをマージする。本実施形態では、比誘電率ε1のばらつきdε1、比誘電率ε2のばらつきdε2であっても、比誘電率としてのばらつきではなく、絶縁層21のばらつきとしてマージする。この理由は、絶縁層21の膜厚T1のばらつきdT1、絶縁層22の膜厚T2のばらつきdT2を、絶縁層21の膜厚T1のばらつきdTm1としてマージしたためである。マージ後のばらつき要素を合わせることで、ばらつき要素の種類を減らすことができる。なお、絶縁層のばらつき、比誘電率のばらつきを、どちらも、比誘電率のばらつきとしてマージして、ばらつき要素の種類を減らしてもよい。ばらつきdTm2は、ばらつきの組dε1R,dε2Rを考慮した場合の寄生容量配線容量と、ばらつきdTm2のみを考慮した場合の寄生容量配線容量とが、同一の値になるようにして決定する。ばらつきdTm2にマージした場合の実効誘電率4は、次式で表すことができる。異なる配線層間の寄生容量配線容量は、比誘電率に比例し、配線間の距離に反比例するため、実効誘電率2/絶縁層膜厚2=実効誘電率4/絶縁層膜厚4を満たすように、ばらつきdTm2を決定する。すなわち、次式を満たすばらつきdTm2のうち、正の数値をマージ後のばらつきとする。すなわち、ばらつきdTm2は、数7をばらつきdTm2に関する2次方程式ddTm22edTm2f=0とみた場合の解であり、以下のようになる。である。図6Cは、統計的に緩和した後のばらつきdε1R、dε2Rを、マージした後のばらつきdTm2が図示された異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。ステップS250ばらつき要素マージ部160は、マージしなかったばらつき要素と、マージできるものについては、マージ処理を行ったばらつき要素を、記憶装置2に格納することで、ばらつき要素を最終的に確定する。本発明の第1実施形態の説明の最後に、具体例により、第1実施形態のばらつき要素マージ部160によるマージ処理について説明する。ここでは、配線層が8層であり、異なる配線層の間の絶縁層が2層で構成される場合について説明する。配線の寄生容量の抽出に関するばらつき要素としては、配線幅のばらつき要素が8種類、配線層膜厚のばらつき要素が8種類、異なる配線層間の絶縁層膜厚のばらつき要素が14種類、異なる配線層間の比誘電率のばらつき要素が14種類を考慮する場合について説明する。したがって、ばらつき要素の種類の合計は、44種類である。本実施形態では、隣り合う2つの配線層間の、絶縁層に関するばらつき要素絶縁層膜厚のばらつき2種類、比誘電率のばらつき2種類を、最終的に1つのばらつき要素絶縁層膜厚のばらつき、又は絶縁層の比誘電率のばらつきにマージできる。そのため、異なる配線層間の絶縁層膜厚のばらつき要素14種類と異なる配線層間の比誘電率のばらつき要素14種類の計28種類のばらつき要素は、最終的に、7種類のばらつき要素のばらつきにマージできる。この例では、全体で44種類あったばらつき要素が23種類になり、ばらつき要素をマージ前の約半分に削減する事ができる。そのため、統計的STA実行時に、寄生容量に影響するばらつき要素を処理する時間を短縮できる。この例では、配線幅のばらつき要素8種類、配線層膜厚のばらつき要素8種類は、マージ対象としていない。これは、配線幅と配線層膜厚については、配線の寄生容量の他に、配線自体の抵抗も考慮しなければならず、寄生容量の問題だけに着目して、ばらつき要素をマージすることは好ましくないからである。第2実施形態[構成の説明]本実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200の構成は、第1実施形態と同様であるため、説明を省略する。本発明の実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200の機能構成について説明する。図7は、本発明の第2実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200のブロック図である。本発明の第2実施形態におけるタイミング解析システム200は、ばらつき要素マージ部160が、精度を考慮するばらつき要素マージ部170に変更されている以外は、第1実施形態と同様である。そのため、精度を考慮するばらつき要素マージ部170以外の機能ブロックについては、説明を省略する。精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、マージ処理を行う前のばらつき要素を使用して、寄生容量配線容量確認用のテストレイアウトを用いて寄生容量を算出する。また、マージ処理を行った後のばらつき要素を使用して、寄生容量配線容量確認用のテストレイアウトを用いて寄生容量を算出する。マージ前の状態で算出した寄生容量と、マージ後の状態で算出した寄生容量の差分が、容量精度クライテリア以内であれば、ばらつき要素をマージする。容量精度クライテリアは、半導体集積回路の設計基準やマージン等から算出される値であり、容量単位であるpF等の差分の絶対値や、等の差分の相対値である。図9は、配線間に発生する電気力線による寄生容量配線容量への影響を説明するための異なる配線層とその間の絶縁層の断面図である。図9では、配線層30と配線層33との間に、絶縁層31と絶縁層32が存在している例である。配線層30には、配線34が存在し、配線層33には、配線35及び配線36が存在している。配線層35と配線層36の間には、絶縁膜37が存在している。図9の配線の例では、2本の配線35と配線36の2つの配線間には、同層の絶縁層である絶縁膜37の間を通る電気力線38が存在し、両配線間に生じる容量成分の大部分を占める。また、電気力線には、配線層33の上層である絶縁層32を通る電気力線39も存在し、両配線間に幾ばくかの影響を与える。一方、本発明の第1実施形態のばらつき要素マージ部160では、配線間の電気力線による寄生容量配線容量の影響は、マージする際に考慮されていない。したがって、配線層の配線パターンによっては、ばらつき要素のマージ前後で、寄生容量配線容量が異なる可能性がある。そこで、本発明の第2実施形態では、マージ前後の寄生容量を比較し、予め定めた容量精度クライテリアを満たすばらつき要素のみをマージすることで、統計的STA実行部140によって実行される統計的STAの精度の向上を図っている。[動作方法の説明]次に、本実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200において、タイミング解析方法の説明を行う。回路ネットリスト入力部100、アサーション入力部110、遅延モデル入力部120、ばらつき要素入力部130、統計的STA実行部140及びタイミングレポート出力部150についての動作は、一般的な統計的STAによるタイミング解析システム200と同様であるため、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体集積回路のタイミング解析システム200における精度を考慮するばらつき要素マージ部170について説明する。図8A及び図8Bは、本発明の第2実施形態における半導体集積回路のタイミング解析システム200の、精度を考慮するばらつき要素マージ部170による処理のフローチャートである。ステップS310精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ばらつき要素入力部130から、ばらつき要素を読み込む。ステップS311精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、全層を含むテストレイアウトを作成する。このテストレイアウトは、異なる配線層の配線同士が交差するパターンや並行するパターン、同層で配線が並行するパターン、これらが混在したパターン等、配線容量精度確認用のパターンが用いられる。ステップS312精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、記憶装置2から容量精度クライテリアを読み込む。容量精度クライテリアは、複数のばらつき要素をマージするかどうかを判定するために用いられる。ステップS320精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ステップS310で読み込んだばらつき要素から、マージ対象となるばらつき要素を抽出する。例えば、異なる配線層の間に存在する絶縁層膜厚のばらつきと、比誘電率のばらつきとする。ステップS320で抽出したばらつき要素については、同一の配線層間の絶縁層膜厚のばらつき、比誘電率のばらつきの単位で、ステップS330~ステップS340の処理を行う。ステップS321精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、マージ対象のばらつき要素がある間、ステップS330~ステップS340までの処理を繰り返す。精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、マージ対象のばらつき要素がなくなった場合には、ステップS350の処理に進む。ステップS330精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、第1実施形態と同様の方法で、配線容量に影響するばらつき要素のばらつきXと、配線容量に影響するばらつき要素のばらつきYから、統計的に緩和されたばらつきの組を算出する。ステップS331精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、第1実施形態と同様の方法で、統計的に緩和されたばらつきの組から、ばらつき要素をマージする。本実施形態では、第1実施形態とは異なり、マージ後のばらつき要素のばらつきを、すぐに確定せずに、未確定情報としてメモリ上で保持する。ステップS332精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ステップS331で算出したマージ後のばらつき要素を用いて、ステップS311で作成したテストレイアウトにおける寄生容量配線容量を算出する。ステップS333精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、マージ前のばらつき要素を用いて、ステップS311で作成したテストレイアウトにおける寄生容量配線容量を算出する。ステップS334精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ステップS332で算出した寄生容量と、ステップS333で算出した寄生容量の差分を比較する。ステップS335精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ステップS334で比較した寄生容量の差分が、容量精度クライテリア以内であれば、ステップS340に進み、容量精度クライテリアより大きければ、ステップS321に進む。ステップS340精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、ステップS331で算出したマージ後のばらつき要素のばらつきを、未確定情報から確定情報に変更してメモリ上で保持する。ステップS350精度を考慮するばらつき要素マージ部170は、マージしなかったばらつき要素と、マージできるものについては、マージ処理を行ったばらつき要素を、記憶装置2に格納することで、ばらつき要素を最終的に確定する。本発明の実施形態1又は2によれば、ばらつき要素をマージして、ばらつき要素数を減らすことにより、統計的STAの実行時間を短縮することができるタイミング解析システムを提供することができる。以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。"