光を出射する光源と、前記光を光ディスクに集光する対物レンズと、前記対物レンズで反射された反射光を回折する偏光ホログラム素子と、前記回折によって生成された0次回折光を検出する第1の光検出部と、前記回折によって生成された1次回折光を検出する第2の光検出部と、を備え、前記偏光ホログラム素子は、前記第1の光検出部に入射する0次回折光と、前記第2の光検出部に入射する1次回折光とで、光の偏光方向が直交するように前記反射光を回折する、光ピックアップ装置。前記光源から出射された光の方向を変更するビームスプリッタをさらに備え、前記光源から出射されて前記ビームスプリッタへ入射する光の偏光方向は、前記ビームスプリッタの光路上における前記光ディスク側の面に対して傾いている、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記光源から出射された光の方向を変更するビームスプリッタと、前記光源を回転させることにより、前記光源から出射されて前記ビームスプリッタへ入射する光の偏光方向と、前記ビームスプリッタの光路上における前記光ディスク側の面の方向との間の角度を切り替える切り替え部と、をさらに備える、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記切り替え部は、前記光ディスクへの情報の記録時と再生時とで前記角度を切り替える、請求項3に記載の光ピックアップ装置。前記切り替え部は、前記記録時の前記角度を、前記再生時よりも大きくなるように切り替える、請求項4に記載の光ピックアップ装置。前記偏光ホログラム素子は、光路の上流側に隣接する光学素子よりも下流側に隣接する光学素子に近い位置に配置されている、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記偏光ホログラム素子は、複屈折性を有する基板と、前記基板上に施された回折格子と、を備える、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記偏光ホログラム素子は、回折格子を施した複屈折性を有する層を備える、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記偏光ホログラム素子によって生成される前記0次回折光と前記1次回折光との光強度比率を所定の値に設定する回折光強度比率設定部をさらに備える、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記回折光強度比率設定部は、前記偏光ホログラム素子へ入射する光の偏光方向を制御する偏光制御部である、請求項9に記載の光ピックアップ装置。前記偏光制御部は波長板である、請求項10に記載の光ピックアップ装置。前記回折光強度比率設定部は、前記偏光ホログラム素子が備える複屈折性を有する部材における光学異方性を示す軸方向と、前記偏光ホログラム素子が備える回折格子の格子方向とに所定の角度を設定する、請求項9に記載の光ピックアップ装置。前記第1の光検出部は、第1の検光子を介して入射する前記0次回折光を検出し、前記第2の光検出部は、第2の検光子を介して入射する前記1次回折光を検出する、請求項1に記載の光ピックアップ装置。前記回折光強度比率設定部を用いて前記0次回折光と前記1次回折光との光強度比率を複数の値に切替える、請求項9に記載の光ピックアップ装置。請求項1に記載の光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置であって、前記第1の光検出部で受光した光に基づいて、フォーカスエラー信号を生成する第1の演算部と、前記第2の光検出部で検出された光量から得られる差動出力を演算し、トラッキングエラー信号の少なくとも一部を生成する第2の演算部と、前記第1および第2の演算部で演算された信号を用いて、フォーカシング制御およびトラッキング制御を行う制御部と、を備える、光ディスク装置。ところが、このとき図10において光ディスク1206が有する2つの情報記録層1206a、1206bのうち、第1の情報記録層1206aに焦点が合っている場合について述べたが、このとき同時に第1の情報記録層1206aを透過し、デフォーカスした状態で第2の情報記録層1206bへ入射し、反射される光も存在する。そのため、第2の情報記録層1206bで反射され、対物レンズ1205、ビームスプリッタ1203を介して回折素子1202へ入射して生成された0次回折光と1次回折光は、検出レンズ1207を通過して、大きくデフォーカスした状態で光検出器1208へ入射する。図13において鎖線で示した光スポット1410、1042a、1042b、1042c、1042d、1042e、1042fは光ディスク1206の第2の情報記録層1206bからの反射光が回折素子1202により回折された光スポットであり、回折素子1202の領域1300による0次回折光は光スポット1410、領域1030a、1030b、1030c、1030d、1030e、1030fによる1次回折光はそれぞれ光スポット1042a、1042b、1042c、1042d、1042e、1042fとなる。このうち、回折素子1202による0次回折光である光スポット1410は、デフォーカスした状態で光検出器1208へ入射し、光検出器1208が備えるすべての光検出部1040a、1040b、1040c、1040d、1040e、1040f、1040g、1040hへ入射する。ここで、一般に、レーザ光源1201として用いられる半導体レーザから出射された光はある所定の方向に揃った直線偏光であり、このとき図11において、レーザ光源の出射する光は、図中Y軸に沿った方向に偏光されているとする。すなわち、レーザ光源1201から出射された光は、その偏光方向を保ち、ビームスプリッタ1203へ入射する。ビームスプリッタ1203によって反射し、光ディスク1206へ向かう光の偏光方向はY軸に沿った方向を保ち、コリメートレンズ1204、対物レンズ1205を介し光ディスク1206へ集光される。さらに光ディスク1206によって反射された光は入射光と同じくY軸に沿った偏光方向を保ちながら、対物レンズ1205、コリメートレンズ1204、ビームスプリッタ1203を透過し回折素子1202へ入射するが、生成された0次回折光および1次回折光の偏光状態は、その偏光状態は変換されることなく、検出レンズ1207を経て検出器1208へ入射する。従って、このとき光ディスク1206の第1の情報記録層1206aからの反射光による光スポット1400と第2の情報記録層1206bからの反射光による光スポット1410はいずれも同じY軸方向に沿った偏光方向を有す。ここで、偏光方向が異なる複数の光が存在する場合、互いに等しい偏光方向をもつ光では互いに干渉が発生する。この光の干渉が発生する場合、観測位置においてそれぞれの光がもつ位相によって光強度の重ね合わせ、すなわち例えば互いに同位相である場合はその光強度が足し合わされ、互いに逆の位相である場合ではその光強度は打ち消しあう現象が発生し、光強度の増減が起こる。従って、光検出部1040a、1040b、1040c、1040d上においては、第1の情報記録層1206aで反射した光が回折素子1202へ入射し、生成される0次回折光である光スポット1400と、第2の情報記録層1206bで反射した光が回折素子1202へ入射し生成される0次回折光である光スポット1410の一部とが互いに干渉し、光強度の増減が発生する。さらに、光検出部1040e、1040f、1040g、1040h上においては第1の情報記録層1206aで反射した光が回折素子1202へ入射し生成される1次回折光である1041a、1041b、1041ef、1041cdと第2の情報記録層1206bで反射した光が回折素子1202へ入射し生成される光スポット1410の一部とが、互いに干渉し、光強度の増減が発生する。ここで一般に、レーザ光源1201を構成する半導体レーザから出射される光は中心の光強度が最も大きく中心から離れるに従って光強度が小さくなるという連続的な光強度分布を有するが、光ディスク1206へ集光され、反射された後に回折格子1202により生成され、光検出器1208へ入射する光スポットについてもその連続的な光強度分布は保たれる。しかしながら、従来の光ピックアップ装置においては、光検出部1040a、1040b、1040c、1040d、1040e、1040f、1040g、1040h上の光スポット1400、1041a、1041b、1041ef、1041cdにおいて光の干渉が発生し、それぞれ干渉する光同士の位相関係は不規則、不連続であるために、光強度の増減が不規則、不連続に起こり、結果として光検出部1040a、1040b、1040c、1040d、1040e、1040f、1040g、1040hにより検出される光スポットの光強度分布は光スポット1400、1041a、1041b、1041ef、1041cdのそれとは異なり、不規則で不連続となる。従来の光ピックアップ装置においては、上述した中心の光強度が最も大きく中心から離れるに従って光強度が小さくなるという連続的な光強度分布をもつ光ディスクの情報記録層で反射され回折素子1202で回折された光スポットを用いて、式1から式5に基づいて生成したTE、FEを用いて安定したトラッキング制御およびフォーカシング制御を行うことが可能な構成となっている。ところがこのとき、光検出部1040e、1040f、1040g、1040hへ入射する光スポット1041a、1041b、1041ef、1041cdにおいて光の干渉が発生し不規則で不連続な光強度分布を持つため、第1の情報記録層1206aから反射され回折素子1202で回折された光スポットを検出して式3から式5にて生成される信号MTE、STE、TEを適切に得ることができない。一方、第2の情報記録層1206bからの反射光である光スポット1410はデフォーカスして光検出部1040a、1040b、1040c、1040d、1040e、1040f、1040g、1040hへ入射するため、その光強度は第1の情報記録層1206aからの反射光である光スポット1400の光強度に対しては小さく、光検出部1040a、1040b、1040c、1040d上においてこれらの光の干渉により発生する光強度の増減の大きさは十分小さいため、その光強度分布の連続性に与える影響も小さく、第1の情報記録層1206aからの反射光である光スポット1400により式1および式2から生成される信号FE、RFを適切に得ることができる。これは、従来の光ピックアップ装置においては、回折素子1202による0次回折光、1次回折光の回折効率はそれぞれ80、8と、0次回折光と1次回折光の光強度比が10:1程度となるように設定されているが、この場合、図13における第2の情報記録層1206bからの反射光による回折素子1202の0次回折光である光スポット1410の光強度に対する、第1の情報記録層1206aからの反射光による回折素子1202の0次回折光である光スポット1400の光強度の比率は、光検出部1040e、1040f、1040g、1040hへ入射する光スポット1041a、1041b、1041ef、1041cdの光強度の比率の約1/10となるためである。すなわち、これらの光が干渉することで発生する不規則で不連続な光強度の増減の、光スポット1041a、1041b、1041ef、1041cdの光強度分布に対する影響は、光スポット1400の光強度分布に対する影響よりも約10倍大きいということである。従って、従来の光ピックアップ装置においては、フォーカスエラー信号FE、情報信号RFは適切に生成できるが、TEメイン信号MTE、TEサブ信号SFEは不正確なものとなり、式5に基づいてトラッキングエラー信号TEを生成する上で、適切な制御信号を得ることができないために、記録再生性能が低下するという問題があった。なお、前述したように第2の情報記録層1206bからの反射光による回折素子1202の1次回折光である光スポット1042a、1042b、1042c、1042d、1042e、1042fも光検出器1208へ入射するが、図13に示すように、光検出部1040a、1040b、1040c、1040d、1040e、1040f、1040g、1040hからは離れた距離に到達し、これらの光検出部には入射しないためここで考慮する必要はない。また、この影響を避けるために図13において光検出部1040e、1040f、1040g、1040hと、光検出部1040a、1040b、1040c、1040dとの距離を大きくとり、第2の情報記録層1206bからの反射光による回折素子1202による0次回折光である光スポット1410が光検出部1040e、1040f、1040g、1040hへ入射しないように設定することも可能であるが、この場合、光検出器1208の面積が大きくなるため、光検出器1208を小型化する妨げとなり、光ピックアップ装置の小型化薄型化が困難となる。特許文献2は、復路の回折素子と光検出器との間に2分の1波長板を追加し、その2分の1波長板を用いて0次回折光の偏光方向と1次回折光の偏光方向とを直交させる光ピックアップ装置を開示している。この方法によれば、図13に示す0次回折光である光スポット1410の偏光方向と、1次回折光である光スポット1041a、1041b、1041ef、1041cdの偏光方向とを直交させることができ、これにより互いの干渉を低減することができる。しかし、特許文献2が開示する構成では、回折素子と光検出器との間に2分の1波長板を追加する必要があるため部品点数が増加し、光ピックアップ装置の小型化薄型化が困難となる。また、光学素子の部品点数が増加することで、光学素子同士の位置合わせにより高い精度が要求されるようになるため、製造コストが増大する。また、反射光は回折素子で回折されることにより広がるため、その広がった反射光に応じて2分の1波長板の面積は広くする必要がある。また、上述したように位置合わせが困難になるため、マージンを確保するためには、後段の検出レンズ1207および光検出器1208のサイズも大きくする必要があり、光ピックアップ装置が大型化してしまうという問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、複数の記録層を有する光ディスクから信頼性高く情報を読み出すことが可能な小型の光ピックアップ装置およびそれを備える光ディスク装置を提供することを目的とする。本発明の光ピックアップ装置は、光を出射する光源と、前記光を光ディスクに集光する対物レンズと、前記対物レンズで反射された反射光を回折する偏光ホログラム素子と、前記回折によって生成された0次回折光を検出する第1の光検出部と、前記回折によって生成された1次回折光を検出する第2の光検出部とを備え、前記偏光ホログラム素子は、前記第1の光検出部に入射する0次回折光と、前記第2の光検出部に入射する1次回折光とで、光の偏光方向が直交するように前記反射光を回折することを特徴とする。ある実施形態によれば、前記光源から出射された光の方向を変更するビームスプリッタをさらに備え、前記光源から出射されて前記ビームスプリッタへ入射する光の偏光方向は、前記ビームスプリッタの光路上における前記光ディスク側の面に対して傾いている。ある実施形態によれば、前記光源から出射された光の方向を変更するビームスプリッタと、前記光源を回転させることにより、前記光源から出射されて前記ビームスプリッタへ入射する光の偏光方向と、前記ビームスプリッタの光路上における前記光ディスク側の面の方向との間の角度を切り替える切り替え部とをさらに備える。ある実施形態によれば、前記切り替え部は、前記光ディスクへの情報の記録時と再生時とで前記角度を切り替える。ある実施形態によれば、前記切り替え部は、前記記録時の前記角度を、前記再生時よりも大きくなるように切り替える。ある実施形態によれば、前記偏光ホログラム素子は、光路の上流側に隣接する光学素子よりも下流側に隣接する光学素子に近い位置に配置されている。ある実施形態によれば、前記偏光ホログラム素子は、複屈折性を有する基板と、前記基板上に施された回折格子とを備える。ある実施形態によれば、前記偏光ホログラム素子は、回折格子を施した複屈折性を有する層を備える。ある実施形態によれば、前記偏光ホログラム素子によって生成される前記0次回折光と前記1次回折光との光強度比率を所定の値に設定する回折光強度比率設定部をさらに備える。ある実施形態によれば、前記回折光強度比率設定部は、前記偏光ホログラム素子へ入射する光の偏光方向を制御する偏光制御部である。ある実施形態によれば、前記偏光制御部は波長板である。ある実施形態によれば、前記回折光強度比率設定部は、前記偏光ホログラム素子が備える複屈折性を有する部材における光学異方性を示す軸方向と、前記偏光ホログラム素子が備える回折格子の格子方向とに所定の角度を設定する。ある実施形態によれば、前記第1の光検出部は、第1の検光子を介して入射する前記0次回折光を検出し、前記第2の光検出部は、第2の検光子を介して入射する前記1次回折光を検出する。ある実施形態によれば、前記回折光強度比率設定部を用いて前記0次回折光と前記1次回折光との光強度比率を複数の値に切替える。本発明の光ディスク装置は、前記光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置であって、前記第1の光検出部で受光した光に基づいて、フォーカスエラー信号を生成する第1の演算部と、前記第2の光検出部で検出された光量から得られる差動出力を演算し、トラッキングエラー信号の少なくとも一部を生成する第2の演算部と、前記第1および第2の演算部で演算された信号を用いて、フォーカシング制御およびトラッキング制御を行う制御部とを備える。本発明によれば、偏光ホログラム素子を用いて、第1の光検出部に入射する0次回折光の偏光方向と、第2の光検出部に入射する1次回折光の偏光方向が直交するように反射光を回折する。これにより、偏光ホログラム素子で回折された0次回折光が第2の光検出部に入射した場合であっても、第2の光検出部に入射する1次回折光と0次回折光との干渉を軽減できる。これによって、第1の光検出器と第2の光検出器との距離を短く設定することができるようになり、光ピックアップ装置の小型化および薄型化を実現できる。本発明のように、複数の記録層を有する光ディスクから情報を読み出す場合、情報を読み出している対象層とは異なる層からの反射光が問題になる。この異なる層からの反射光は、上述したように、例えば、図14に示す光スポット1410である。本発明によれば、そのような光スポットによる干渉を低減し、光検出器を小型化でき、ひいては光ピックアップの小型化を実現できる。また、本発明によれば、偏光ホログラム素子を用いて、偏光方向が互いに直交する0次回折光と1次回折光とを生成する。このため、光学素子の部品点数を少なくすることができ、光ピックアップ装置の小型化および薄型化を実現することができる。また、光学素子の部品点数が少ないことにより、製造時の光学素子同士の位置合わせ工程が簡易になるので、製造コストを減少させることができる。また、位置合わせが容易になることにより、後段の検出レンズおよび光検出器のサイズを小さくしてもマージンを確保することができるので、光ピックアップ装置の小型化および薄型化を実現することができる。また、本発明によれば、光源から出射されてビームスプリッタへ入射する光の偏光方向を、ビームスプリッタの光路上における光ディスク側の面に対して傾かせることにより、0次回折光と1次回折光との光強度比率を所望の比率に設定することができる。また、本発明によれば、光源から出射されてビームスプリッタへ入射する光の偏光方向と、ビームスプリッタの光路上における光ディスク側の面の方向との間の角度を切り替える。これにより、動作条件毎に最適な光強度比率を設定することができる。例えば、記録時には、その角度を再生時よりも大きくなるように光源を回転させることで、1次回折光の光強度比率を大きくすることができる。これにより、トラッキングエラー信号を大きくすることができるため、記録時により重要となるオフトラック量を低減した制御が可能となり、より良好な記録性能が得られる。また、再生時にはその角度を小さくすることで、0次回折光の光強度比率を大きくすることができる。光ディスクを再生する際には情報信号となる0次回折光に大きな光強度が必要であるため、再生時に0次回折光の光強度比率を大きく設定することにより、良好な再生性能が実現可能となる。また、回折光強度比率設定部として、偏光ホログラム素子を構成する複屈折性を有する基板の結晶軸方向と回折格子の格子方向とに所定の角度を設定することで、安定したトラッキングエラー信号およびフォーカスエラー信号などの制御信号の検出が可能となるため、良好な記録再生性能を実現できる。また、第1の光検出部は第1の検光子を介して入射する0次回折光を検出し、第2の光検出部は第2の検光子を介して入射する1次回折光を検出してもよい。これにより、0次回折光と1次回折光を光学的に分離し、それぞれを独立して検出することができるため、さらに安定した制御信号の検出が可能となり、優れた記録再生性能を実現できる。実施形態1本発明の実施形態1における光ピックアップ装置を図1から図4Bを用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1における光ピックアップ装置100を示す図である。本光ピックアップ装置100は、第1の情報記録層206a、第2の情報記録層206bの2層の情報記録層を有する光ディスク206の記録再生に対応する。図1に示した光ピックアップ装置の光学系構成10について詳細を図2に示す。図2によると、レーザ光源201から出射された光ビームは、ビームスプリッタ203、コリメートレンズ204、および対物レンズ205を介して光ディスク206の第1の情報記録層206a上に光スポットを形成する。このとき、第1の情報記録層206a上に焦点が合っているものとする。光ディスク206の第1の情報記録層206aによって反射された光ビームは、対物レンズ205、ビームスプリッタ203および検出レンズ207を介して、偏光ホログラム素子209へ入射し、検出レンズ207を経て光検出器208へ入射する。図3は偏光ホログラム素子209の構成を示しており、領域30a、30b、30c、30d、30e、30f、30gの7つの領域に分割されている。領域300は領域30a、30b、30c、30d、30e、30f、30gを含む、偏光ホログラム素子209へ入射する光ビームの全体の形状にほぼ等しい領域である。ここで、領域30c、30d、30e、30fは光ディスク206の第1の情報記録層206aにおけるトラックの形状によって反射されない0次回折光のみが入射する領域、領域30a、30bは光ディスク206の第1の情報記録層206aにおけるトラックの形状によって反射される1次回折光と、0次回折光とが重なる領域である。なお、領域300の中心は図2における光学系10の光軸20とほぼ一致するように構成されている。図4A、図4Bは、光検出器208の詳細な構成を示している。光検出器208は光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hを有しており、光電変換により、各々の光検出部が受けた光の強さに応じた電気信号を出力する。図4Aにおける光検出部40a、40b、40c、40dは、偏光ホログラム素子209の領域300による0次回折光である光スポット400を検出し、光検出部40e、40fは、それぞれ領域30a、30bによる1次回折光である光スポット41a、41bを検出する。さらに、光検出部40gは、領域30eと30fによる1次回折光が重なって生成される光スポット41efを、光検出部40hは領域30cと30dによる1次回折光が重なって生成される光スポット41cdを検出する。なお、領域30gによる1次回折光は光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hのいずれからも離れた位置に入射し、これらの光検出部には入射しない設定となっている。各光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hは、それぞれ、信号A、B、C、D、E、F、G、Hを出力する。これらの信号A~Hを演算することにより、トラッキングエラー信号TEおよびフォーカスエラー信号FEが生成される。FEは公知の非点収差法により検出され、図4BにおけるFERF信号演算回路504により、信号A~Dに基づいてフォーカスエラー信号FE、および情報信号RFを生成し、信号演算回路505へ出力する。FE=AC-BD式6RF=ABCD式7また、TEメイン信号演算回路501により生成されるTEメイン信号MTEは公知のブッシュプル法によるトラッキングエラー信号であり、TEメイン信号演算回路501により式8により演算される。また、TEサブ信号演算回路502ではTEサブ信号STEが式9により演算され、TE信号演算回路503により、式10のトラッキングエラー信号TEの演算差動出力の演算が実行される。MTE=E-F式8STE=H-G式9TE=MTE-α×STEαは定数式10ここで、式10の定数αの設定方法について述べる。対物レンズ駆動装置制御回路101は信号演算回路505から出力されるフォーカスエラー信号FEに基づき、対物レンズ駆動装置102を制御し、アクチュエータ103を駆動して、レーザ光源201から出射される光が第1の信号記録層206a上に集光スポットを結んだ状態で、光ディスク206の径方向に沿って、対物レンズ205を所定の距離だけ変移させる。ここで一般に、光源201から出射されるレーザ光は近軸で強く、光軸から離れるに従い弱くなるような不均一な強度分布を示すため、対物レンズ205のディスク径に沿った偏芯光強度分布に対する偏芯に伴い、偏光ホログラム素子209上の光ビームの強度分布は図3におけるY軸に対して非対称となるため、式8による信号MTEおよび式9による信号STEにはオフセットが発生する。このとき信号MTE、信号STEに発生するそれぞれの偏芯に対応するオフセット係数傾きδ、εをそれぞれ検出し、TE信号演算回路503はオフセット係数δ、εの比により偏芯補正係数であるαをα=ε/δ式11より求め、式10に基づきトラッキングエラー信号TEを演算し、信号演算回路505へ出力する。図6に、対物レンズ205が光ディスク206のディスク径方向に沿って偏芯した時の信号MTE、STE、TEのオフセット量の変化の概念図を示す。図6aは式8による信号MTE、図6bは式9による信号STEである。横軸は対物レンズ205の径方向に沿った偏芯量であり、縦軸は信号のオフセット量である。図6から明らかなように、信号MTEに式11により求めた偏心補正係数αを与えて増幅演算した信号を信号STEから減算する式10の演算を行うと、図6cに示したように対物レンズ205の偏芯によるトラッキングエラー信号TEのオフセットをキャンセルすることができ、トラッキング制御時にオフトラックが発生しない。信号演算回路505は上記の式6から式11より得られた信号を、図1における対物レンズ駆動装置制御回路101へ出力し、信号演算回路505から出力される各信号を用いて、対物レンズ駆動装置102を制御、駆動し、対物レンズ205を光ディスク206の厚さ方向および半径方向に移動させるフォーカシング制御およびトラッキング制御を行う。図7aに偏光ホログラム素子209の断面形状の模式図を示す。ニオブ酸リチウム基板701は、複屈折性を有し、その光学異方性を示す結晶軸が所定の方向に設定されている。そのニオブ酸リチウム基板701上に、Y軸方向に延びる複数のプロトン交換領域702が設けられている。複数のプロトン交換領域702は、Z軸方向に一定の間隔で設けられている。偏光ホログラム素子209は、ニオブ酸リチウム基板701を透過する光とプロトン交換領域702を透過する光との間に位相差を発生させ、光を回折する回折格子の機能を有する。さらに、ニオブ酸リチウム基板701の厚さ、プロトン交換領域702の深さを適当な値に設定することで、光学異方性を示す結晶軸に沿った方向に偏光成分を持つ光常光と、それに直交する偏光成分を持つ光異常光との回折効率の比をそれぞれ所望の値に設定することができる。このとき常光からなる0次回折光と異常光からなる1次回折光の偏光方向は互いに直交する。本実施形態においては、ニオブ酸リチウム基板701の光学異方性を示す結晶軸は図中Y軸に沿った方向に設定され、偏光ホログラム素子209の回折格子機能により発生する位相差が、図2中Y軸に沿った方向に偏光成分を持つ光常光に対しては0、それに直交するZ軸に沿った偏光成分を持つ光異常光に対しては0でないある所定の値となるように設定されている。このため、偏光ホログラム素子209へ入射する光のうちY軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折されずに透過する0次回折光として、また、それと直交するZ軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折され、1次回折光として光検出器208へ入射する。すなわち、偏光ホログラム素子209へ入射する常光と異常光との間に発生させる位相差の設定によって、光検出器208へ入射するY軸に沿った方向に偏光方向をもつ0次回折光の光強度と、それに直交するZ軸方向に偏光方向をもつ1次回折光の光強度とが、それぞれ所望の値となるように設定されている。ここで、レーザ光源201として用いられる半導体レーザから出射される光は所定の偏光方向を有するため、光ディスク206により反射され、偏光ホログラム素子209へ入射する光において偏光ホログラムに対する常光成分と異常光成分が存在し、上述したように設定された光強度をもつ0次回折光と1次回折光として光検出器208へ入射することになる。なお、上述したように第1の情報記録層206aに焦点が合っている場合、同時に第1の情報記録層206aを透過し、デフォーカスした状態で第2の情報記録層206bへ入射し、反射された光が存在し、この光は対物レンズ205からビームスプリッタ203を介し、偏光ホログラム素子209へ入射する。この第2の情報記録層206bで反射し、デフォーカスした状態で偏光ホログラム素子209へ入射する光についても、Y軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折されずに透過する0次回折光として、また、それと直交するZ軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折され1次回折光として光検出器208へ入射する。すなわち、これらの第2の情報記録層206bからの反射光は、図4A中に鎖線で示したように、偏光ホログラム素子209の領域300による0次回折光が光スポット410、領域30a、30b、30c、30d、30e、30fによる1次回折光がそれぞれ光スポット42a、42b、42c、42d、42e、42fとして光検出器208へ入射する。このとき、第1の情報記録層206aからの反射光と同様に、0次回折光はY軸に沿った偏光方向、1次回折光はZ軸に沿った偏光方向となる。図4Aによると、光スポット410は、デフォーカスした状態で光検出器208へ入射するため、光検出器208が備えるすべての光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hへ入射するが、偏光方向が異なる複数の光が存在する場合、互いに等しい偏光方向をもつ光では互いに干渉が発生する。この光の干渉が発生する場合、観測位置においてそれぞれの光がもつ位相によって光強度の重ね合わせ、すなわち例えば互いに同位相である場合はその光強度が足し合わされ、互いに逆の位相である場合ではその光強度は打ち消しあう現象が発生し、光強度の増減が起こる。しかし、本実施形態における光ピックアップ装置においては、上述したように偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の偏光方向はそれぞれY軸方向、Z軸方向であり、互いに直交しているために、図4Aにおける第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の1次回折光である光検出部40e、40f、40g、40hへ入射する光スポット41a、41b、41ef、41cdと、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット410とでは、光の干渉は発生しない。一方で、光検出部40a、40b、40c、40dへ入射する第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット400と、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット410とでは、偏光方向が同じY軸方向となり互いに平行であるため、光の干渉が発生する。ここで一般に、レーザ光源201を構成する半導体レーザから出射される光は中心の光強度が最も大きく中心から離れるに従って光強度が小さくなるという連続的な光強度分布を有する。光ディスク206へ集光され、反射された後に偏光ホログラム素子209により生成される0次回折光および1次回折光の光強度分布についてもその連続性が保たれ、この連続的な光強度分布をもつ0次回折光および1次回折光を用いて、式6から式11に基づいて生成したTE、FEにより安定した制御を行うことが可能な構成となっている。従って、0次回折光である光スポット410の光検出部40e、40f、40g、40hへ入射する部分と、1次回折光である光スポット41a、41b、41ef、41cdとでは、光の干渉は発生せず、光強度の増減は発生しない。このため、光スポット41a、41b、41ef、41cdの光強度分布の連続性は保たれ、式8から式11より適切なMTE、STE、TE信号が得られる。本実施形態の光ピックアップ装置100では、偏光ホログラム素子209を用いて、偏光方向が互いに直交する0次回折光と1次回折光とを生成する。このため、特許文献2が開示する回折素子と光検出器との間に2分の1波長板を追加する構成と比較して、光学素子の部品点数を少なくすることができ、光ピックアップ装置100の小型化および薄型化を実現することができる。また、光学素子の部品点数が少ないことにより、製造時の光学素子同士の位置合わせ工程が簡易になるので、製造コストを減少させることができる。また、反射光を回折素子および2分の1波長板の両方で回折する構成と比較して、回折は偏光ホログラム素子209での1回であるので、反射光の広がる程度を小さくすることができる。そのため、後段の検出レンズ207および光検出器208のサイズを小さくすることができ、光ピックアップ装置100の小型化および薄型化を実現することができる。また、偏光ホログラム素子209を、光路復路の上流側に隣接する光学素子よりも下流側に隣接する光学素子に近くなるように配置することが望ましい。図2に示す例では、ビームスプリッタ203よりも、検出レンズ207に近い位置に偏光ホログラム素子209を配置することが望ましい。より具体的には、検出レンズ207の位置を基点とし、基点からビームスプリッタ203までの距離を1としたとき、基点から偏光ホログラム素子209の距離は、1/4以上、1/2未満であることが望ましい。これにより、偏光ホログラム素子209を通過した反射光の広がり具合を抑制した状態で検出レンズ207に入射させることができるので、検出レンズ207および光検出器208のさらなる小型化を実現することができる。なお、第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット400と、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット410とでは、光の干渉が発生する。しかしながら、第2の情報記録層206bの反射光による光スポット410はデフォーカスして光検出部40a、40b、40c、40dへ入射するため、その光強度は第1の情報記録層206aからの反射光による光スポット400の光強度に対しては十分小さく、光検出部40a、40b、40c、40d上においてこれらの光の干渉により発生する光強度の増減の大きさは十分小さいために、光スポット400の光強度分布の連続性に与える影響も小さいため、式6および式7により適切なFE、RF信号が得られる。なお、第2の情報記録層206bからの反射光による回折素子202の1次回折光である光スポット42a、42b、42c、42d、42e、42fも光検出器208へ入射するが、図4Aに示すように、光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hからは離れた距離に入射するように設定されているため、これらの光検出部には入射せず、式6から式11により得られるFE、TE、RF信号への影響はない。従って、以上の様な構成をとることにより、複数の情報記録層を持つ光ディスクの記録再生を行う際において、記録再生を行う情報記録層とは別の情報記録層からの迷光の影響を小さくすることができ、安定したトラッキング信号およびフォーカスエラー信号の検出が可能となるため、良好な記録再生性能を実現することができる。なお、本実施形態においては光学系、検出器構成として図2から図4Bに示すような構成を挙げたが、他の構成であっても本発明の効果は同様であり、本実施形態の光ピックアップ装置の構成に限定されるものではない。さらに、本実施形態における光ピックアップ装置においては、式8により、TEメイン信号MTEを求めたが、光検出部40a、40b、40c、40dからの出力を用いて、MTE=CD-AB式12として、式10から式12を用いてトラッキングエラー信号TEを生成しても良い。式12により生成される信号は公知のプッシュプル法によるトラッキングエラー信号であるため、式10により適切なトラッキングエラー信号TEが得ることが可能である。また、TEメイン信号MTEを、MTE={CD-AB}E-F式13により生成しても良い。上述したように式8、式12のいずれも公知のプッシュプル法によるトラッキングエラー信号であるため、式8あるいは式12でそれぞれ得られる信号単独に比べ、得られるMTE信号出力が大きくなり、式9、式10、式13により、さらに安定したトラッキングエラー信号TEを得ることが可能となる。なお、本実施形態における光ピックアップ装置が搭載する各回路についての構成については一例であり、例えば、対物レンズ駆動装置制御回路101が対物レンズ駆動回路102の機能を含んでいてもよく、回路構成は本発明の実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態において、光ディスクから得られる各信号を演算する各演算回路は光ディスク装置が備えていてもよく、本発明の実施形態に限定されるものではない。以下に、本実施形態においてさらに偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光との光強度比率を設定する構成について述べる。上述したように、偏光ホログラム素子209が有する回折格子機能により、入射する常光と異常光との間に発生させる位相差の設定によって、光検出器208へ入射するY軸に沿った方向に偏光方向をもつ0次回折光の光強度と、それに直交するZ軸方向に偏光方向をもつ1次回折光の光強度とが、それぞれ所望の値となるように設定されている。従って、0次回折光と1次回折光との光強度比率を調整するには、偏光ホログラム素子209へ入射する時点の光における、常光と異常光との光強度比率を調整すればよい。そのために、レーザ光源201図2を、光学系10の光軸20Z軸に沿った方向を中心軸として回転させる。この場合、レーザ光源201の回転角度の設定により、レーザ光源201から出射され、ビームスプリッタ203で反射され、光ディスク206へ入射し、光ディスクで反射され、偏光ホログラム素子209へ入射する光における常光と異常光との光強度の比率は、レーザ光源201を回転しない場合と異なる比率に設定される。これにより、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率を調整および設定することができる。図5を参照して、レーザ光源201を回転させたときの出射光の偏光方向を説明する。まず、レーザ光源201を回転させない場合の出射光の偏光方向201aを説明する。この場合、レーザ光源201から出射した光の偏光方向201aは、Y軸方向に沿った方向となり、ビームスプリッタ203の光路上における光ディスク206側の面203aに平行な方向となる。ビームスプリッタ203の面203aは、レーザ光源201から出射した光を反射して光路方向を変更する反射面であり、図中のY軸方向に平行な面である。Y軸方向は、レーザ光源201からビームスプリッタ203へ入射する光の光軸方向Z軸方向に垂直であり、且つ、ビームスプリッタ203で反射された光の光軸方向X軸方向に垂直な方向である。このとき、光ディスク206へ入射し、反射され、偏光ホログラム素子209へ入射する光は、その大部分の偏光方向がY軸に沿った方向を有する常光となる。この大部分を占める常光は、回折されずに透過する0次回折光として、光検出器208へ入射し、それと直交するZ軸に沿った方向に偏光方向を有する異常光は回折され、1次回折光として光検出器208へ入射することになる。レーザ光源201を回転させた場合は、レーザ光源201から出射した光の偏光方向201bは、ビームスプリッタ203の面203aに対して傾いた状態になる。例えば、レーザ光源201を角度θ回転させた場合、偏光方向201bは、偏光方向201aに対して角度θ傾き、偏光方向201aと平行な面203aに対しても角度θ傾いた状態になる。角度θは例えば5°以上10°以下の角度である。このとき、面203aに対して平行な成分と垂直な成分との比率が変わり、光ディスク206へ入射し、反射され、偏光ホログラム素子209へ入射する光のうち、偏光方向がY軸に沿った方向を有する常光と、それと直交するZ軸に沿った方向に偏光方向を有する異常光との比率が変わる。従って、このような構成をとることにより、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定することができる。例えば、式6によるフォーカスエラー信号FEと数7による情報信号RFの生成に必要な0次回折光の光強度と、式8から式11によるトラッキングエラー信号TEの生成に必要な1次回折光の光強度とを両立させる設定が可能となる。例えば、0次回折光と1次回折光の比率が10:1となるように設定することが可能となり、良好な品質の信号を検出することができる。よって、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカシング制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。また、光ピックアップ装置を組み立てた後に光学素子同士の位置調整を行うことは困難であるが、光源を回転させることは容易である。そのため、光強度比率の微調整が容易となり、低コストで安定したトラッキングおよびフォーカシング制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。また、偏光ホログラム素子209へ入射する光の偏光方向を制御し、0次回折光と1次回折光の光強度比率を設定する構成として、図8に示したように、光学系10に1/2波長板801を追加した光学系11を用い、光ディスク206からの反射光を1/2波長板801に入射させる構成も考えられる。このとき、光ディスク206からの反射光は1/2波長板801を通り、偏光ホログラム素子209へ入射する。1/2波長板801は、入射する光の偏光方向を、光軸20X軸に沿った方向を中心軸としてある所定の角度だけ回転させる構成となっており、その回転角度の設定によって、光ディスク206で反射され1/2波長板801を通る光は、偏光ホログラム素子209へ入射する常光と異常光との光強度比率が所望の値に設定され、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率を所望の値に設定することができる。従って、このような構成をとることにより、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定し、良好な品質の信号を検出することができるため、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカス制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。なお、図8における本発明の実施形態においては1/2波長板801をビームスプリッタ203と偏光ホログラム素子209の間に配置する構成について述べたが、1/2波長板801がレーザ光源201と光ディスク206に向かう光路上に配置、または光ディスク206から偏光ホログラム素子209に向かう光路上にあってもよく、図8に示す構成に限定されるものではない。さらに、図8において、1/2波長板801と偏光ホログラム素子209が一体化していてもよく、このとき、部品点数の削減による、ピックアップ装置の小型化、低コスト化に有利となる。また、さらに0次回折光と1次回折光との光強度の比率を設定するために、以下のような構成も可能である。本実施形態における偏光ホログラム素子209において設定された図2中Y軸に沿った方向に設定された回折格子機能に対して、ニオブ酸リチウム基板701の光学異方性を示す結晶軸方向がZY平面において、Y軸からある所定の角度をもって設定される場合について述べる。この場合、偏光ホログラム素子209へ入射する光において、光学異方性を示す結晶軸に沿った方向に偏光方向を有する光がこのときの常光、それに垂直な方向に沿った方向に偏光方向を有する光が異常光となり、これらの光に対して回折格子機能により常光、異常光に発生する位相差は、それぞれ0と0でないある所定の値となり、このときの常光が偏光ホログラム素子209によって回折されず0次回折光となり、異常光が回折されて1次回折光となる。よって、偏光ホログラム素子209の回折格子機能における格子に対して所定の角度を設定することで、レーザ光源201から出射され、光ディスク206で反射された後に偏光ホログラム素子209へ入射する光において、常光と異常光との比率を所定の値に設定することができ、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率の設定が可能となる。従って、このような構成をとることにより、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定し、良好な品質の信号を検出することができるため、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカス制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。なお、上述した構成を組み合わせて偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の光強度比率を設定する構成も可能であり、その効果は同様である。さらに、上述した構成を用いて、偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の比率を、動作に応じて切替えてもよい。一例として、光ディスクの再生時、記録時により0次回折光と1次回折光の比率を切替える場合が挙げられる。一般に、光ディスクを再生する際には情報信号となる0次回折光に大きな光強度が必要であるため、再生時に0次回折光の光強度比率を大きく設定することにより、良好な再生性能が実現可能となる。一方で記録時には、1次回折光の光強度比率を大きく設定することにより、式8から式11により生成されるトラッキングエラー信号を大きくすることができるため、記録時により重要となるオフトラック量を低減した制御が可能となり、より良好な記録性能が得られる。例えば、光ピックアップ装置100はレーザ光源201を回転させる切り替え部偏光制御部210を備えてもよい。切り替え部210は、磁気コイルや圧電部材等の任意の駆動部を備え、レーザ光源201を回転させる。レーザ光源201を回転させることで、レーザ光源201の出射光の偏光方向と、ビームスプリッタ203の光路上における光ディスク206側の面203aの方向との間の角度を切り替えることができる。また、記録時には、その角度を再生時よりも大きくなるようにレーザ光源201を回転させることで、1次回折光の光強度比率を大きくすることができる。また、再生時には角度を小さくすることで、0次回折光の光強度比率を大きくすることができる。例えば、再生時には角度θ図5を0°に設定することに対して、記録時には角度θを5°から10°の間の範囲に設定することで、適切な光強度比率を得ることができる。従って、このような構成をとることにより、より良好な記録再生性能を実現することが可能となる。なお、偏光ホログラム素子209として、図7bに断面形状の模式図を示したようなY軸に沿った方向に、Z軸に沿った方向に対して一定の間隔で生成された複屈折性を有する複屈折層704と透明層705を透明基板703で挟持した構成を用い、複屈折層704を透過する光と透明層705を通過する光との位相差を発生させ、光を回折する回折格子の機能を有す構成も考えられる。この場合、透明基板703はガラスなど、複屈折層704は例えば液晶などの高分子材料、透明層705に光学的に等方性を示す材料にて構成されるが、ニオブ酸リチウム基板701のような結晶材料に比べて低コストであり、また液晶の複屈折性の制御は比較的容易であり量産性に優れるため、光ピックアップ装置の低コスト化に有利となる。さらに、図2中Y軸に沿った方向に設定された回折格子機能における格子に対して、複屈折層705の光学異方性を示す軸方向をある所定の角度をもって設定することにより、偏光ホログラム素子209へ入射する光において、常光と異常光との比率を所定の値に設定することができ、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率の設定が可能となる。また、本実施形態においては、第2の記録層からの反射光に対する本発明の効果について述べたが、光ディスクの表面からの反射光に対しても、本発明の効果は同様であり、その場合には、1つまたは複数の記録層を有する光ディスクのいずれに対しても、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。実施形態2以下、本実施形態2を図1~図9を用いて説明する。なお、図1~図8に関して、実施形態1と同じ要素については、同一の番号を振って説明する。本実施形態は、実施形態1において、図9に示す光検出器208を用いた構成である。図9はXZ平面から見た側面図であるが、光検出器208は図4Aには図示しない光検出器基板903上に光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hを備え、さらに第1の検光子901、第2の検光子902を搭載する。第1の検光子901は光検出部40a、40b、40c、40dに入射する光のうち、図中Y軸に沿った偏光方向をもつ光のみを透過させる機能を有し、第2の検光子902は光検出部40e、40f、40g、40hに入射する光のうち、図中Z軸に沿った偏光方向をもつ光のみを透過させる機能を有する。図7aに偏光ホログラム素子209の断面形状の模式図を示すが、複屈折性を有し、その光学異方性を示す結晶軸が所定の方向に設定されたニオブ酸リチウム基板701上に、プロトン交換領域702がY軸に沿った方向に、Z軸に沿った方向に対して一定の間隔で生成されており、ニオブ酸リチウム基板701を透過する光とプロトン交換領域702を透過する光との間に位相差を発生させ、光を回折する回折格子の機能を有し、ニオブ酸リチウム基板701の厚さ、プロトン交換領域702の深さを適当な値に設定することで、光学異方性を示す結晶軸に沿った方向に偏光成分を持つ光常光と、それに直交する偏光成分を持つ光異常光との回折効率の比をそれぞれ所望の値に設定することができ、このとき常光からなる0次回折光と異常光からなる1次回折光の偏光方向は互いに直交する。このとき、本実施形態においては、ニオブ酸リチウム基板701の光学異方性を示す結晶軸は図中Y軸に沿った方向に設定され、偏光ホログラム素子209の回折格子機能により発生する位相差が、図2中Y軸に沿った方向に偏光成分を持つ光常光に対しては0、それに直交するZ軸に沿った偏光成分を持つ光異常光に対しては0でないある所定の値となるように設定されており、偏光ホログラム素子209へ入射する光のうちY軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折されずに透過する0次回折光として、また、それと直交するZ軸に沿った方向に偏光方向をもつ成分は回折され、1次回折光として光検出器208へ入射する。レーザ光源201として用いられる半導体レーザから出射される光は所定の偏光方向を有すため、光ディスク206により反射され、偏光ホログラム素子209へ入射する光において偏光ホログラムに対する常光成分と異常光成分が存在し、上述したように設定された光強度をもつ0次回折光と1次回折光として光検出器208へ入射するが、上述したように第1の情報記録層206aに焦点が合っている場合、同時に第1の情報記録層206aを透過し、デフォーカスした状態で第2の情報記録層206bへ入射し、反射された光が存在し、この光は対物レンズ205からビームスプリッタ203を介し、偏光ホログラム素子209へ入射する。ここで、上述したように第1の情報記録層206aに焦点が合っている場合、同時に第1の情報記録層206aを透過し、デフォーカスした状態で第2の情報記録層206bへ入射し、反射された光が存在し、この光は、対物レンズ205からビームスプリッタ203を介し、偏光ホログラム素子209へ入射するが、第1の情報記録層206aからの反射光と同様に、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光はY軸に沿った偏光方向、1次回折光はZ軸に沿った偏光方向となる。ここで、図4Aによると、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209による0次回折光である光スポット410は、デフォーカスした状態で光検出器208へ入射するため、光検出器208が備えるすべての光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hへ向かうが、光スポット410はY軸に沿った偏光方向を有すため、図9における第2の検光子902を通過することはできずに光検出部40e、40f、40g、40hへは入射せず、光検出部40a、40b、40c、40dにのみ入射する。従って、光検出部40e、40f、40g、40hには第2の情報記録層206bからの反射光は入射せず、第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の1次回折光である光スポット41a、41b、41cd、41efのみが入射するため、式9により適切なSTE信号が得られる。一方、光検出部40a、40b、40c、40d上へ入射する第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット400と第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット410とは、いずれも偏光方向がY軸方向であるため、第1の検光子901を透過し、その偏光方向が互いに平行であることにより光の干渉が発生する。しかしながら、第2の情報記録層206bの反射光による光スポット410はデフォーカスして光検出部40a、40b、40c、40dへ入射するため、その光強度は第1の情報記録層206aからの反射光による光スポット400の光強度に対しては十分小さく、光検出部40a、40b、40c、40d上においてこれらの光の干渉により発生する光強度の増減の大きさは十分小さいために、光スポット400の光強度分布の連続性に与える影響も小さいため、式6および式7により適切なFE、RF信号が得られる。なお、本実施形態においては、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の1次回折光である光スポット42a、42b、42c、42d、42e、42fも光検出器208へ入射するが、図4Aに示すように、光検出部40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hからは離れた距離に入射するように設定されているため、これらの光検出部には入射せず、式6から式11により得られるFE、TE、RF信号への影響はない。しかしながら、光学系10を構成する部品の取り付け誤差、調整誤差などによって、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の1次回折光である光スポット42a、42b、42c、42dが光検出部40a、40b、40c、40dに入射する場合においても、Z軸に沿った方向に偏光方向を有する光スポット42a、42b、42c、42dは第1の検光子を透過できず、適切なFE、RF信号が得られる。以上の様に、偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の偏光方向とを互いに直交させることにより、第1および第2の検光子を用いて偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光とを光学的に分離し、それぞれの光検出部へ入射させることができるため、複数の情報記録層を持つ光ディスクの記録再生を行う際において、記録再生を行う情報記録層とは別の情報記録層からの迷光の影響をさらに小さくすることができ、さらに安定したトラッキング信号およびフォーカスエラー信号の検出が可能となるため、良好な記録再生性能を実現することができる。なお、本実施形態の光ピックアップ装置において、第1の検光子901を搭載せず、光検出器208が第2の検光子902のみを搭載する構成でもよい。上述したように、光学系10を構成する部品の取り付け誤差、調整誤差などによって、第2の情報記録層206bからの反射光による偏光ホログラム素子209の1次回折光である光スポット42a、42b、42c、42dが光検出部40a、40b、40c、40dに入射する場合においても、第1の情報記録層206aからの反射光による偏光ホログラム素子209の0次回折光である光スポット40a、40b、40c、40dはY軸に沿った方向に偏光方向を有すために、Z軸に沿った方向に偏光方向を有する光スポット42a、42b、42c、42dとの光の干渉は発生しないために、適切なFE、RF信号が得られる。また、本実施形態においては、光検出器208が第1の検光子901、第2の検光子902を備える場合について述べたが、第1の検光子901、第2の検光子902は光検出器208が搭載せず、検出レンズ207と光検出器208の間に備えられていても効果は同様である。なお、本実施形態においては光学系、検出器構成として図2から図4B、図9のような構成を挙げたが、上記構成に限定されず、構成は適宜変更可能である。また、本実施形態における光ピックアップ装置が搭載する各回路についての構成については一例であり、例えば、対物レンズ駆動装置制御回路101が対物レンズ駆動回路102の機能を含んでいてもよく、回路構成は本実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態において、光ディスクから得られる各信号を演算する各演算回路は光ディスク装置が備えていてもよく、本実施形態に限定されるものではない。さらに、図2においてレーザ光源201を光学系10の光軸20Z軸に沿った方向を中心軸として回転し、その回転角度の設定により、レーザ光源201から出射され、光ディスクで反射され、偏光ホログラム素子209入射する光において常光と異常光との光強度比率を所望の値に設定し、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率を設定する場合においては、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定し、良好な品質の信号を検出することができるため、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカシング制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。また、偏光ホログラム素子209へ入射する光の偏光方向を制御し、0次回折光と1次回折光の光強度比率を設定する構成として、図8に示した光学系10に、入射する光の偏光方向を光軸20を中心軸としてある所定の角度だけ回転させる1/2波長板801を追加した光学系11を用い、光ディスク206からの反射光を1/2波長板801に入射させる構成をとる場合、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率を所望の比率に設定することが可能となり、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定し、良好な品質の信号を検出することができるため、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカス制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。また、さらに0次回折光と1次回折光の光強度の比率を設定する構成として、偏光ホログラム素子209において設定された図2中Y軸に沿った方向に設定された回折格子機能に対して、ニオブ酸リチウム基板701の光学異方性を示す結晶軸方向がZY平面において、Y軸からある所定の角度をもって設定される場合においては、レーザ光源201から出射され、光ディスク206で反射された後に偏光ホログラム素子209へ入射する光において、常光と異常光との比率を所定の値に設定することができ、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率の設定が可能となるため、式6から式11に基づいて生成される信号の大きさを適切に設定し、良好な品質の信号を検出することができるため、光ピックアップ装置における安定したトラッキングおよびフォーカス制御、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。なお、上述した構成を組み合わせて偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の光強度比率を設定する構成も可能であり、その効果は同様である。さらに、上述した構成を用いて偏光ホログラム素子209による0次回折光と1次回折光の比率を切替えてもよい。一例として、光ディスクの再生時、記録時により0次回折光と1次回折光の比率を切替える場合が挙げられる。一般に、光ディスクを再生する際には情報信号となる0次回折光に大きな光強度が必要であるため、再生時に0次回折光の光強度比率を大きく設定することにより、良好な再生性能が実現可能となる。一方で記録時には、1次回折光の光強度比率を大きく設定することにより、式6から式11により生成されるトラッキングエラー信号を大きくすることができるため、記録時により重要となるオフトラック量を低減した制御が可能となり、より良好な記録性能が得られる。なお、本実施形態における光ピックアップ装置においては、式8により、TEメイン信号MTEを求めたが、式10から12を用いてトラッキングエラー信号TEを生成しても良いし、TEメイン信号MTEを式13により生成しても良い。式8、式12のいずれも公知のプッシュプル法によるトラッキングエラー信号であるため、式8あるいは式12でそれぞれ得られる信号単独に比べ、得られるMTE信号出力が大きくなり、式9、式10、式13により、さらに安定したトラッキングエラー信号TEを得ることが可能となる。また、本実施形態1と同様に、偏光ホログラム素子209として、図7bに断面形状の模式図を示したようなY軸に沿った方向に、Z軸に沿った方向に対して一定の間隔で生成された複屈折性を有する複屈折層704と透明層705を透明基板703で挟持した構成を用い、複屈折層704を透過する光と透明層705を通過する光との位相差を発生させ、光を回折する回折格子の機能を有す構成も可能であり、光ピックアップ装置の低コスト化に有利となる。さらに、図2中Y軸に沿った方向に設定された回折格子機能における格子に対して、複屈折層705の光学異方性を示す軸方向をある所定の角度をもって設定することにより、偏光ホログラム素子209へ入射する光において、常光と異常光との比率を所定の値に設定することができ、光検出器208によって検出される0次回折光と1次回折光との光強度比率の設定が可能となる。また、本実施形態においては、第2の記録層からの反射光に対する本発明の効果について述べたが、光ディスクの表面からの反射光に対しても、本発明の効果は同様であり、その場合には、1つまたは複数の記録層を有する光ディスクのいずれに対しても、良好な記録再生性能を実現することが可能となる。