基板と、前記基板の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含み、かつ前記第1導電型半導体層の一部を上部に露出する発光構造物と、前記第2導電型半導体層の上にショットキーコンタクト領域と、前記第2導電型半導体層の上に第2電極と、前記露出された第1導電型半導体層の上に第1電極と、を含み、前記ショットキーコンタクト領域は、メサエッジ領域に近いほどショットキーコンタクト領域間の距離が狭くなることを特徴とする、発光素子。前記ショットキーコンタクト領域の上に形成された透明電極をさらに含み、前記透明電極の上に形成された誘電体層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極は、前記誘電体層の一側と接して形成されることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第2電極は、前記誘電体層の他側と接して形成されることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記第1電極は、前記誘電体層の上面にも形成されることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記誘電体層は、透明誘電体層であることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記誘電体層は、メサエッジ領域に形成されることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。前記ショットキーコンタクト領域は、メッシュMesh形態を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記ショットキーコンタクト領域は、ストライプパターンを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記ショットキーコンタクト領域は、プラズマ処理Plasmatreatment領域、前記第2導電型半導体層とショットキーコンタクトをなす金属層、または非晶質層のうち、いずれか1つ以上を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記ショットキーコンタクト領域は、絶縁層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。前記誘電体層は、TiO2、Al2O3、SiO2のうち、いずれか1つ以上を含むことを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。前記第1電極、前記誘電体層、及び前記第2電極は、MIMMetal/Insulator/Metalキャパシタ機能をすることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。パッケージ胴体と、前記パッケージ胴体の上に配置される請求項1ないし13の何れか1項に記載の発光素子と、前記パッケージ胴体と前記発光素子とを電気的に連結する電極と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。請求項14に記載の発光素子パッケージを備える発光モジュール部を含むことを特徴とする、照明システム。本発明の目的は、電流拡散currentspreading効率を上げるだけでなく、光抽出効率lightextractionefficiencyを向上させることができる、発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供することにある。本発明の他の目的は、光量吸収の損失無しで静電気放電に従う損傷が防止できる発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供することにある。本発明に従う発光素子は、基板と、上記基板の上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含み、かつ上記第1導電型半導体層の一部を上部に露出する発光構造物と、上記第2導電型半導体層の上にショットキーコンタクト領域と、上記第2導電型半導体層の上に第2電極と、上記露出された第1導電型半導体層の上に第1電極と、を含み、上記ショットキーコンタクト領域は、メサエッジ領域に近いほどショットキーコンタクト領域の間の距離が狭くなることができる。また、本発明に従う発光素子パッケージは、パッケージ胴体と、上記パッケージ胴体の上に配置される請求項1に記載の発光素子と、上記パッケージ胴体と上記発光素子とを電気的に連結する電極と、を含む。また、本発明に従う照明システムは、上記発光素子パッケージを備える発光モジュール部を含む。本発明の発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムによれば、電流拡散currentspreading効率を上げるだけでなく、光抽出効率lightextractionefficiencyを向上させることができる。また、本発明によれば、光量吸収の損失無しで静電気放電に従う損傷が防止できる発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供することができる。以下、実施形態に従う発光素子、発光素子パッケージ、及び照明システムを添付の図面を参照しつつ説明する。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図1は、本発明の実施形態に従う発光素子の断面図である。実施形態に従う発光素子100は、基板105と、上記基板105の上に第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含んで形成され、かつ上記第1導電型半導体層112の一部を上部に露出する発光構造物110と、上記第2導電型半導体層116の上に形成されたショットキーコンタクト領域120と、上記第2導電型半導体層116の上に形成された第2電極146と、上記露出された第1導電型半導体層112の上に形成された第1電極142と、を含むことができる。実施形態は、メサエッジ領域に近いほどショットキーコンタクト領域120の間の距離が狭くなることができる。実施形態は、LEDの電流拡散currentspreadingを向上させて光量の向上を誘導するための構造であって、第2導電型半導体層116の領域上に所定の形態、例えば、メッシュMesh形態でショットキーコンタクトSchottkycontactを形成させることができる。実施形態において、ショットキーコンタクトのメッシュMeshの構造はメサエッジmesaedge領域に近いほどメッシュMesh間隔W4を狭め、遠ざかるほど間隔W1を広げることができる。実施形態によれば、ショットキーコンタクトメッシュSchottkycontactmesh間の間隔調節を用いて透明電極内の領域に従う抵抗の変化をもたらす。これにより、電流拡散currentspreadingを向上させて光量の向上を図ることができる。実施形態に従う発光素子によれば、効率的な電流流れcurrentflowの調節により光抽出効率lightextractionefficiencyを増加させることができる。また、実施形態によれば、電流拡散currentspreadingにより発光素子の信頼性を向上させることができる。以下、図2乃至図4を参照して実施形態に従う発光素子の製造方法を説明する。実施形態での発光素子は、GaN、GaAs、GaAsP、GaPなどのIII-V族物質で形成できるが、これに限定されるのではない。また、以下に説明される工程の順序は限定されるのでなく、その順序を異にすることができる。まず、図2のように、第1基板105を用意する。上記第1基板105は伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば上記第1基板105は、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及びGa2O3のうち、少なくとも1つを使用することができる。上記第1基板105の上には凹凸構造が形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記第1基板105に対して、湿式洗浄を行って表面のドーパントを除去することができる。以後、上記第1基板105の上に、第1導電型半導体層112、活性層114、及び第2導電型半導体層116を含む発光構造物110を形成することができる。上記発光構造物110は、例えば有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記第1基板105の上にはバッファ層図示せずが形成できる。上記バッファ層図示せずは、上記発光構造物110の材料と第1基板105との格子不整合を緩和させることができ、バッファ層図示せずの材料は3族-5族化合物半導体、例えばGaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNのうち、少なくとも1つで形成できる。上記バッファ層図示せずの上にはアンドープドundoped半導体層が形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層112は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族化合物半導体で具現されることができ、上記第1導電型半導体層112がN型半導体層の場合、上記第1導電型ドーパントはN型ドーパントとしてSi、Ge、Sn、Se、Teを含むことができるが、これに限定されるのではない。上記第1導電型半導体層112は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第1導電型半導体層112は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち、いずれか1つ以上で形成できる。上記第1導電型半導体層112は、化学蒸着方法CVD、分子線エピタキシーMBE、スパッタリング、または水酸化物気相エピタキシーHVPEなどの方法を使用してN型GaN層を形成することができる。また、上記第1導電型半導体層112は、チャンバーにトリメチルムガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型ドーパントを含むシランガスSiH4が注入されて形成できる。上記活性層114は、第1導電型半導体層112を通じて注入される電子と以後に形成される第2導電型半導体層116を通じて注入される正孔とが互いに会って活性層発光層物質固有のエネルギーバンドにより決まるエネルギーを有する光を放出する層である。上記活性層114は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線QuantumWire構造、または量子点QuantumDot構造のうち、少なくともいずれか1つで形成できる。例えば、上記活性層114は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて多重量子井戸構造が形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層114の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAsInGaAs、/AlGaAs、GaPInGaP/AlGaPのうち、いずれか1つ以上のペア構造で形成できるが、これに限定されるのではない。上記井戸層は、上記障壁層のバンドギャップより低いバンドギャップを有する物質で形成できる。上記活性層114の上または/及び下には導電型クラッド層が形成できる。上記導電型クラッド層は、AlGaN系半導体で形成されることができ、上記活性層114のバンドギャップより高いバンドギャップを有することができる。上記第2導電型半導体層116は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族-5族元素の化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択できる。上記第2導電型半導体層116がP型半導体層の場合、上記第2導電型ドーパントはP型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。上記第2導電型半導体層116は、単層または多層で形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記第2導電型半導体層116は、チャンバーにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びマグネシウムMgのようなp型ドーパントを含むビセチルサイクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2Mg{MgC2H5C5H42}が注入されてp型GaN層が形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態において、上記第1導電型半導体層112はN型半導体層、上記第2導電型半導体層116はP型半導体層で具現できるが、これに限定されるのではない。また、上記第2導電型半導体層116の上には上記第2導電型と反対の極性を有する半導体、例えばn型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物110は、N-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうち、いずれか1つの構造で具現できる。次に、上記発光構造物110をメサエッチングして上記第1導電型半導体層112の一部を上部に露出させることができる。例えば、所定のエッチングパターン図示せずをマスクにして第1電極142が形成される領域に対して上記第2導電型半導体層116からエッチングして活性層114を経て第1導電型半導体層112の上面の一部を露出させることができる。次に、図3aのように、上記発光構造物110の上にショットキーコンタクト領域120を形成することができる。実施形態において、ショットキーコンタクト領域120を形成する方法には、プラズマ処理Plasmatreatment、第2導電型半導体層116とショットキーコンタクトをなす金属、例えばTi、TiW、TiNなどを蒸着するか、イオンインパクトimpactによる非晶質性転移などの方法を採用できるが、これに限定されるのではない。図3aで、ショットキーコンタクト領域120は、第2導電型半導体層116の上部表面の内に形成されたものを例として図示しており、例えばプラズマ処理または非晶質性転移方法などにこのような形態が可能である。また、図3bのように、第2導電型半導体層116とショットキーコンタクトをなす金属層または絶縁層を形成する場合、第2導電型半導体層116の上部表面の上に第2ショットキーコンタクト領域120bが形成されることもできる。上記第2ショットキーコンタクト領域120bが絶縁層で形成される場合、上記絶縁層は、酸化膜、窒化膜などの誘電体や不導体層などで形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態は、LEDの電流拡散currentspreadingを向上させて光量の向上を誘導するための構造であって、第2導電型半導体層116の領域上に所定の形態、例えば、メッシュMesh形態でショットキーコンタクトSchottkycontactを形成させることができる。実施形態において、ショットキーコンタクトのメッシュMeshの構造はメサエッジmesaedge領域に近いほどメッシュ間隔W4を狭め、遠ざかるほど間隔W1を広げることができる。上記ショットキーコンタクト領域120は、電気的に相互間に連結されていることができる。上記ショットキーコンタクト領域120がメサエッジmesaedge領域に近いほどメッシュMesh間隔W4を狭め、メサエッジ領域から遠ざかるほど間隔W1を広げることができる方法には、ショットキーコンタクト領域120を形成する前にマスクパターンをメサエッジmesaedge領域に近いほどマスクパターン間の間隔を調節してショットキーコンタクト領域を形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態によれば、ショットキーコンタクトメッシュSchottkycontactmesh間の間隔調節を用いて透明電極の内の領域に従う抵抗の変化をもたらす。これを通じて、電流拡散currentspreadingを向上させて光量の向上を図ることができる。図3c乃至図3eは、本発明の実施形態に従う発光素子の製造方法におけるショットキーコンタクト領域120まで形成された状態での平面図の例示図である。例えば、実施形態に従う発光素子の製造方法において、ショットキーコンタクト領域120は、図3cのようにメッシュ形態でありうるが、これに限定されるのではなく、図3dのようにストライプパターンであることもできる。また、実施形態において、ショットキーコンタクト領域120は、図3cのようにメッシュ形態の場合、オープンされた領域のパターンが四角形パターンでありうるが、これに限定されるのではなく、図3eのように円形パターンを含むこともできる。次に、図4のように、ショットキーコンタクト領域120が形成された第2導電型半導体層116の上に透明電極130を形成することができる。例えば、上記透明電極130は、単一金属または金属合金、金属酸化物などを多重で積層して形成できる。例えば、上記オーミック層はITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ni、Pt、Cr、Ti、Agのうち、少なくとも1つを含んで形成されることができ、このような材料に限定されるのではない。次に、上記露出された第1導電型半導体層112の上に第1電極142を形成し、上記透明電極130の上に第2電極146を形成することができる。上記第1電極142及び第2電極146は、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、金Au、タングステンWのうち、少なくともいずれか1つで形成できるが、これに限定されるのではない。第1実施形態によれば、ショットキーコンタクトメッシュSchottkycontactmesh間の間隔調節を用いて透明電極内の領域に従う抵抗の変化をもたらす。これによって電流拡散currentspreadingを向上させて光量の向上を誘導することができる。実施形態に従う発光素子によれば、効率的な電流流れcurrentflowの調節により光抽出効率lightextractionefficiencyを増加させることができる。また、実施形態によれば、電流拡散currentspreadingにより発光素子の信頼性を向上させることができる。図5は、本発明の第2実施形態に従う発光素子の断面図である。第2実施形態は、上記第1実施形態の技術的な特徴を採用することができる。第2実施形態は、上記透明電極130の上に誘電体層150をさらに含み、上記第1電極142は上記誘電体層150の一側と接して形成できる。第2実施形態は、上記露出された第1導電型半導体層112及び上記透明電極130の上に誘電体層150を形成することができる。上記誘電体層150は、発光領域の上にも形成されるので、透明誘電体でありうる。例えば、上記誘電体層150は、TiO2、Al2O3、SiO2等で形成できるが、これに限定されるのではない。実施形態において、上記誘電体層150はメサエッジ領域に形成されることによって、メサエッジ領域での電流集中現象を防止すると共に、静電気放電防止機能を遂行することができる。以後、上記誘電体層150と接しながら上記露出された第1導電型半導体層112の上に第1電極142を形成し、上記透明電極130の上に第2電極146を形成することができる。第2実施形態において、上記第1電極142、誘電体層150、及び第2電極146は、MIMMetal/Insulator/Metalキャパシタ機能をすることができる。実施形態は、LEDの静電気損傷ESD:Electrostaticdischargeを防止するための方法であって、第1電極142と第2電極146との間に誘電体層150を形成させることによって、第1電極142と第2電極146とが電気的にオープンopenとなる構造を形成する。これによって定電圧では活性領域に電流が流れて光を発生させるが、静電気放電Discharging時に生じるパルスpulse形態のESD発生時には高周波成分のエネルギーが誘電体層を経て伝達するので、活性層を保護することができる。第2実施形態において、上記誘電体層150はメサエッジ領域に形成されることによって、メサエッジ領域での電流集中現象を防止すると共に、静電気放電防止機能を遂行することができる。上記第1電極142は、上記誘電体層150と接しながら上記誘電体層150の上面にも形成できる。これを通じて第1電極142と誘電体層150との接触面積を増大させてキャパシタンスを増加させることができ、第1電極142により誘電体層150が発光構造物と硬く接触できる。また、上記誘電体層150は上記第2電極146と接するように形成できる。また、上記第2電極146は上記誘電体層150と接しながら上記誘電体層150の上面にも形成されてキャパシタンスを増大させ、誘電体層150を硬く維持させることができる。また、上記誘電体層150は上記第2電極146と接し、かつ上記第2電極146の上面にも形成されてキャパシタンスを増大させることができる。実施形態において、上記誘電体層150は発光領域の上にも形成されるので、透明誘電体層でありうるが、これに限定されるのではない。一方、実施形態によれば、上記誘電体層150は上記透明電極130とは接し、かつ上記第2電極146とは接しないように形成できる。この場合、上記誘電体層150が光抽出領域である第2導電型半導体層116を遮る部分が少ないので、静電気放電防止効果と共に光抽出に効果的である。実施形態は、LEDの静電気放電ESD:Electrostaticdischarge時の損傷を防止するための方法であって、第1電極142と第2電極146との間に誘電体層150を形成させることによって、定電圧では活性領域に電流が流れて光を発生させるが、静電気放電Discharging時に生じるパルスpulse形態のESD発生時には高周波成分のエネルギーが誘電体層を経て伝達するので、活性層を保護することができる。図6は、本発明の実施形態に従う発光素子の静電気放電時の電場形成概念図である。静電気放電によるLED破壊は半導体逆電圧時に起こる。逆電圧時に帯電された電荷によってLED活性領域の内に強い電場が誘導される。そして、静電気放電時にキャリア電子、ホールが加速されて原子と衝突して、更に他のキャリアを作り出し、また生成されたキャリアが数多いキャリアを作り出す。このような現象を電子雪崩降伏avalanchebreakdownという。仮に、帯電された電荷により強い電場が誘導されて半導体が耐えることができるその以上の静電気が加えられれば、電子雪崩降伏により、結局LED半導体破壊が起こる。したがって、実施形態は図6のようにMIM形態のキャパシタ構造を挿入してLED活性層の内部にかかる電場を一部のMIMキャパシタに誘導して活性領域の電場を緩和することによって、静電気放電に対する耐性を向上させることができる。即ち、従来技術によれば、帯電された電荷による強い電場Q0が全てLED活性領域に誘導されて電子雪崩降伏によりLED破壊が起こる。一方、実施形態によれば、帯電された電荷による電場Q0のうちの一部Q2が誘電体層150領域に誘導されてLED活性領域での電場強さQ1を縮めることができる。図7は、本発明の実施形態に従う発光素子の回路例示図である。実施形態において、第1電極142、誘電体層150、及び第2電極146がキャパシタCD機能をすることができる。図7のように、実施形態に従う発光素子の回路図が可能であり、定電圧に従って電圧がフォワードForwardの場合つまり、電流がフォワード方向に流れる場合、電流currentflowはLEDを通じて流れて光を発光し、静電気放電に従って電圧がリバースReverseの場合つまり、電流がリバース方向に流れる場合、電流はMIMキャパシタCDを通じて流れるようになる。この際、静電気放電に従って電圧がリバースReverseの場合、トータルキャパシタンスTotalcapacitance;CTotが大きいほど、ESDストレスstressによる活性層に流れる電流は小さくなって、衝撃を緩和させることができる。これを数式により説明すれば、下記の通りである。QDisCESDVESDQDisはdischarging時の電荷量、CESDはdischarging時のキャパシタンスCTotCDiodeCDCTotCDiodeIdQdt△QτQDis∴CTot↑I↓∴IQDisIQDis即ち、静電気放電に従って電圧がリバースの場合、トータルキャパシタンスCTotが大きいほどESDストレスによる活性層に流れる電流I′は小さくなって衝撃を緩和させることができる。図8は、本発明の実施形態に従う発光素子の静電気放電時の波形図である。図8のように、パルスPulse波形はフーリエ変換をするようになれば、高周波成分を有するようになる。そして、立上り時間risingtimetrが急峻であるほど高周波成分の大きさは増加する。次の式のように、周波数が高まるほどキャパシタンスによるインピーダンスImpedance;抵抗は小さくなる。これによって、静電気放電に従って電圧がリバースの場合、MIMキャパシタのインピーダンスが小さくなるにつれて、高周波電流はMIMキャパシタに流れることができる。ImpedanceZZRjZImZRはRealImpedance、jは虚数部因子、ZImはキャパシタによるImpedance、CapacitorZImC1、即ち、静電気放電に従って電圧がリバースの場合、MIMキャパシタのインピーダンスが小さくなるにつれて、高周波電流はMIMキャパシタに流れることができる。実施形態に従う発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムによれば、光量吸収の損失無しでLEDの静電気放電ESD:Electrostaticdischargeによる損傷を防止することができる。また、実施形態によれば、LEDチップchipの内にキャパシタを形成して静電気損傷を防止することによって、パッケージ費用及び工程を簡略化することができ、光量吸収の減少を最小化することができる。また、実施形態によれば、効率的な電流currentflow調節により光抽出効率lightextractionefficiencyを増加させることができる。また、実施形態によれば、電流拡散currentspreadingにより発光素子の信頼性を向上させることができる。図9は、本発明の実施形態に従う発光素子パッケージ200の断面図である。図9を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、胴体部205と、上記胴体部205に設けられた第4電極層210及び第5電極層220と、上記胴体部205に設けられて上記第4電極層210及び第5電極層220と電気的に連結される発光素子100と、上記発光素子100を囲むモールディング部材240と、が含まれる。上記胴体部205は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。上記第4電極層210及び第5電極層220は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する役割をする。また、上記第4電極層210及び第5電極層220は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させる役割をすることができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。上記発光素子100は、図1または図5に例示された水平型タイプの発光素子が適用できるが、これに限定されるのではない。上記発光素子100は上記胴体部205の上に設置できる。上記発光素子100は、ワイヤ230を介して上記第4電極層210及び/または第5電極層220と電気的に連結されることができ、実施形態では水平型タイプの発光素子100が例示されているので、2つのワイヤ230が使われたものが例示されている。他の例として、上記発光素子100がフリップチップ方式の発光素子の場合、ワイヤ230が使われないこともある。上記モールディング部材240は、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モールディング部材240には蛍光体が含まれて上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。実施形態に従う発光素子パッケージは複数個が基板の上にアレイされ、上記発光素子パッケージから放出される光の経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、バックライトユニットとして機能するか、照明ユニットとして機能することができ、例えば照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、及び街灯を含むことができる。図10は、本発明の実施形態に従う照明ユニットの斜視図1100である。図10を参照すると、上記照明ユニット1100は、ケース胴体1110と、上記ケース胴体1110に設けられた発光モジュール部1130と、上記ケース胴体1110に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1120と、を含むことができる。上記ケース胴体1110は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。上記発光モジュール部1130は、基板1132と、上記基板1132に載置される少なくとも1つの発光素子パッケージ200と、を含むことができる。上記基板1132は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板1132は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板1132の上には上記少なくとも1つの発光素子パッケージ200が載置できる。上記発光素子パッケージ200の各々は、少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV、UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール部1130は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ200の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。上記連結端子1120は、上記発光モジュール部1130と電気的に連結されて電源を供給することができる。図10の図示によると、上記連結端子1120はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1120は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。図11は、本発明の実施形態に従うバックライトユニットの分解斜視図1200である。実施形態に従うバックライトユニット1200は、導光板1210と、上記導光板1210に光を提供する発光モジュール部1240と、上記導光板1210の下に反射部材1220と、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220を収納するボトムカバー1230を含むことができるが、これに限定されるのではない。上記導光板1210は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1210は透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つを含むことができる。上記発光モジュール部1240は、上記導光板1210の少なくとも一側面に光を提供し、結果的に上記バックライトユニットが設けられるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。上記発光モジュール部1240は上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。具体的には、上記発光モジュール部1240は、基板1242と、上記基板1242に載置された多数の発光素子パッケージ200を含むが、上記基板1242が上記導光板1210と接することができるが、これに限定されるのではない。上記基板1242は、回路パターン図示せずを含む印刷回路基板PCB;PrintedCircuitBoardでありうる。但し、上記基板1242は一般PCBだけでなく、メタルコアPCBMCPCB;MetalCorePCB、軟性PCBFPCB;FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するのではない。そして、上記多数の発光素子パッケージ200は、上記基板1242の上に光が放出される発光面が上記導光板1210と所定距離離隔するように載置できる。上記導光板1210の下には上記反射部材1220が形成できる。上記反射部材1220は、上記導光板1210の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、上記バックライトユニットの輝度を向上させることができる。上記反射部材1220は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は、上記導光板1210、発光モジュール部1240、及び反射部材1220などを収納できる。このために、上記ボトムカバー1230は、上面が開口されたボックスbox形状で形成できるが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1230は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。