"基本波を出射するレーザ素子と、前記基本波が入射され、入射された前記基本波の少なくとも一部を、当該基本波より短波長の変換波に波長変換する波長変換素子と、前記波長変換素子の出射波に含まれる前記基本波の成分を減衰させて導波する導波路と、前記導波路に形成され、前記波長変換素子から出射された前記基本波をフィードバックして前記レーザ素子から出射する前記基本波の波長または周波数をロックする回折格子と、を備え、前記回折格子は、前記導波路中の前記基本波の減衰量を考慮した位置に形成されていることを特徴とするレーザ光源。前記導波路として、光ファイバを備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記光ファイバの前記回折格子が形成された箇所の周囲が固定されていることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。前記導波路として、所定の基板上に前記導波路を形成した基板状導波路を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記導波路は、前記変換波をシングルモードで導波することを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記波長変換素子と前記導波路とを光学的に結合する結合部材として、グレーデッドインデックス型光ファイバを備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。上述した従来技術では、偏光保持ファイバが発振器の一部として機能するため、この偏光保持ファイバからは、波長変換素子で波長変換されない基本波が出力されてしまうという問題があった。出射光から基本波を取り除くためには、別途フィルタを設ける必要があり、さらに、LDと偏光保持ファイバとの間にレンズを設ける必要があるため、小型化できないものであった。また、LDから出射された光が複数の光学部品を介して出力されるため、光の結合箇所が多く、光損失が増大する。本発明は、上述の従来技術による問題点を解消するため、基本波の成分を除去した変換波を低損失で効率良く出力でき、小型化できるレーザ光源を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるレーザ光源は、基本波を出射するレーザ素子と、前記基本波が入射され、入射された前記基本波の少なくとも一部を、当該基本波より短波長の変換波に波長変換する波長変換素子と、前記波長変換素子の出射波に含まれる前記基本波の成分を減衰させて導波する導波路と、前記導波路に形成され、前記波長変換素子から出射された前記基本波をフィードバックして前記レーザ素子から出射する前記基本波の波長または周波数をロックする回折格子と、を備え、前記回折格子は、前記導波路中の前記基本波の減衰量を考慮した位置に形成されていることを特徴とする。上記の構成により、波長変換素子から出射された基本波は、導波路に形成された回折格子によりフィードバックされ、基本波の波長または周波数がロックされる。導波路は、基本波の成分を減衰させるため、FBGが設けられた導波路を設けるだけで、変換波を低損失で効率良く出力できるようになる。また、前記導波路として、光ファイバを備えることを特徴とする。上記の構成により、汎用の光ファイバを用いる簡単な構成で変換波を低損失で効率良く出力できるようになる。また、前記光ファイバの前記回折格子が形成された箇所の周囲が固定されていることを特徴とする。上記の構成により、光ファイバに対する外力の印加による影響を低減させることができ、変換波を効率良く導波させ、出力できるようになる。また、前記導波路として、所定の基板上に前記導波路を形成した基板状導波路を備えることを特徴とする。上記の構成により、外力の印加による影響を低減させることができ、変換波を効率良く導波させ、出力できるようになる。また、基板上に導波路の基板を面接合等により簡単に搭載できるようになる。また、前記導波路は、前記変換波をシングルモードで導波することを特徴とする。上記の構成により、変換波を効率良く導波させ、出力できるようになる。また、前記波長変換素子と前記導波路とを光学的に結合する結合部材として、グレーデッドインデックス型光ファイバを備えることを特徴とする。ここで、グレーデッドインデックスGradedIndex型はグラディエントインデックスGradientIndex型と称する場合もあるが、以下ではグレーデッドインデックス型とする。また、上記の各構成により、部品点数を削減できるとともに、装置を小型化でき、半導体基板上にレーザ素子および波長変換素子を精度良く搭載でき、組み立ても容易化できるようになる。本発明により、波長変換素子で波長変換されない基本波の出力を抑制し、低損失で効率良く波長変換でき、小型化できるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、本発明にかかるレーザ光源の好適な実施の形態を詳細に説明する。実施の形態図1は、この発明にかかるレーザ光源を示す構成図である。このレーザ光源100は、波長変換素子102を有し、第2次高調波を出力するSHGSecondHarmonicGenerationレーザ光源である。このレーザ光源100は、レーザ素子LD101と、波長変換素子102と、導波路103と、結合部材であるGIレンズ104とから構成されている。LD101は、近赤外波長1064nmの基本波のレーザ光を出射する。波長変換素子102には、PPLNPeriodicallyPoledLithiumNiobateが用いられ、LD101から出射された基本波たとえば1064nm帯が入射される。基本波は、波長変換素子102内部を伝搬し、SH第2高調波光変換波、たとえば532nm帯に変換される。導波路103は、波長変換素子102の出射波に含まれる基本波の成分を減衰させて導波する光ファイバ可視光用光ファイバ103を用いて構成できる。これに限らず、可視光~近赤外帯域の光を導波する光ファイバを用いても良い。この可視光用光ファイバ103は、変換波をシングルモードSMで導波する径を有する。これにより、基本波は、可視光用光ファイバ103のコアモードと結合できないため、可視光用光ファイバ103はハイパスフィルタとして作用し、入力された基本波の成分を減衰させる。すなわち、可視光用光ファイバ103は、変換波のみ伝搬させる波長選択の機能を有する。この可視光用光ファイバ103の端部付近には、回折格子ファイバーブラッググレーティング:FBG113が形成されている。FBG113は、波長変換素子102から出射された基本波をフィードバックしてLD101から出射する基本波の波長または周波数をロックする。FBG113は、基本波に対する反射率を50~100にすることが望ましい。図1の例では、FBG113の一端入射端は、可視光用光ファイバ103の端部に位置しているが、このFBG113の入射端側の位置、およびFBG113を形成する長さは、導波路中の基本波の減衰量を考慮した位置、および所定範囲の長さたとえば10cm以内を有して形成する。この可視光用光ファイバ103は、例えば、Nufern460HPを用いる。この可視光用光ファイバ103は偏波保持ファイバで構成しても良い。ところで、LD101からの基本波の一部は、そのまま波長変換素子102を透過する。そして、結合部材GIレンズ104を介して可視光用光ファイバ103に形成されているFBG113と結合し、その一部が周波数波長選択されて反射する。このフィードバックにより、LD101の周波数波長ロックを行う。この実施の形態では、FBG113の反射バンドと、波長変換素子102の変換波長とをマッチングさせ、高効率の波長変換を行う。また、可視光用光ファイバ103の入射側には、結合部材としてのGIレンズ104を設けることができる。このGIレンズ104は、波長変換素子102からの小モードフィールド径を波長変換素子102より大きなモードフィールド径に変換するために用いる。このGIレンズ104は、グレーデッドインデックス型またはグラディエントインデックス型GI型の光ファイバからなるGIレンズにより構成されている。このGIレンズ104としては、汎用のレンズ、例えば、東洋ガラス株式会社製シリカグリンを使用することができる。GIレンズ104は、変換波が可視光用光ファイバ103のコアと高効率に結合するように設計するが、基本波である近赤外領域においてもFBG113が形成された可視光用光ファイバ103のコアへのレンズとして作用し、FBG113の反射波長域において比較的高い結合を実現することができる。これにより、波長変換素子102で波長変換された変換波は、変換波用に最適化されたGIレンズ104により、波長変換素子102の出射モードフィールドをFBG113が形成された可視光用光ファイバ103の端面に高効率に結合できる。そして、可視光用光ファイバ103と、GIレンズ104は、融着接続により一体化される。上記のGIレンズ104を個別の空間光学系レンズで構成した場合には、基本波のIR領域と変換波の可視光領域とで生じる大きな波長分散を補償するため、従来技術の如く複雑で大きな光学系が必要となるが、この実施の形態で説明したGIレンズ104を用いることにより、高効率で小型の周波数波長ロック機能を有するSHGレーザ光源を容易に実現できるようになる。また、光路上で光の結合箇所は、LD101と波長変換素子102との間、波長変換素子102と導波路可視光用光ファイバ103との間の2箇所だけであるため、光損失を低減化でき、高い結合効率を得ることができる。また、GIレンズ104の先端には、基本波および変換波に対する反射を防止する反射防止膜ARコート等が施されている。さらに、このGIレンズ104の先端入射端面は、光軸方向に対して斜めに形成するほかに先球状に形成しても良く、これらにより、入射端面における表面反射を低減させFBG113で反射される所定の波長以外のLD101への不要な反射光を抑えることができる。また、上記の構成では、基本波の波長を1064nmとし、波長変換素子102による波長変換後の波長を532nmとしたが、これ以外の波長で波長変換を行う構成でも利用可能である。実施の形態1:レーザ光源のモジュール構造例1図2は、実施の形態1によるレーザ光源のモジュール構造の例を示す斜視図である。この構造例のレーザ光源モジュール200は、長方形状平板状の半導体基板Si基板201上に、上述したLD101と、波長変換素子102である、PPLNと、可視光用光ファイバ103の端部を固定保持する光ファイバ固定部202と、がそれぞれ設けられ、フェィスダウン実装される。図3-1は、図2の部分側断面図、図3-2は、図3-1のA-A線断面図である。光ファイバ固定部202は、Si基板からなりブロック状に形成される。この光ファイバ固定部202の下面Si基板201に向く面202Bには、可視光用光ファイバ103の被覆部103Aの径に対応した収容溝202aと、可視光用光ファイバ103の素線部103Bの径に対応した収容溝202bが溝形成されている。可視光用光ファイバ103の端部は、被覆部103A部分が収容溝202a部分に収容した状態で樹脂接着剤等により接合固定される。また、可視光用光ファイバ103の先端部は、被覆部103Aから所定長さを有して素線部103Bが表出される。この素線部103Bは、収容溝202bに収容した状態で樹脂接着剤等により接合固定される。これにより光ファイバ固定部202には、可視光用光ファイバ103の先端部が固定される。この際、可視光用光ファイバ103の先端部の光軸中心位置は、図3-2に示すように、光ファイバ固定部202の下面202Bの位置に一致する。光ファイバ固定部202は、Si基板201の端部に接合固定される。Si基板201の上面光ファイバ固定部202に向く面201Aには、可視光用光ファイバ103に接触せずにこの可視光用光ファイバ103を収容する逃がし溝201aが溝形成されている。逃がし溝201aは、光軸調整のためにSi基板201上で光ファイバ固定部202が縦横自在図2のX,Y,Z軸方向に移動できるよう、可視光用光ファイバ103の被覆部103Aの径よりも大きい径を有して溝形成されている。可視光用光ファイバ103は、基本波の成分については、電界分布がクラッドに広く分布しており、ファイバに曲げの応力が加わると放射しやすく、長距離に渡る波長変換光可視光を安定して導波することができなくなる。上述したように、可視光用光ファイバ103の端部にFBG113を設けることにより、外部からの曲げの応力を受けにくくできる。さらに、FBG113が設けられた位置を含み、可視光用光ファイバ103の端部を光ファイバ固定部202で固定する構成とすることにより、より外部からの曲げの応力を受けにくくすることができるようになり、長距離に渡って波長変換光可視光を安定して導波することができるようになる。また、光ファイバ固定部202で固定する箇所の可視光用光ファイバ103には、フェルールを設け、フェルールを介して光ファイバ固定部202を固定することにより、可視光用光ファイバ103への外力をさらに受けにくくすることができるようになる。上記構成によるレーザ光源モジュール200の組み立てについて説明する。まず、Si基板201上にLD101を載置固定し、この後、LD101の出射光の基本波および変換光をCMOSカメラや光検出器でモニタしながら光軸調整して波長変換素子102を搭載する。そして、Si基板201上において、波長変換素子102の出射位置に光ファイバ固定部202を基本波および変換光をモニタしながら載置する。この状態で、図3-2に示したSi基板201の上面201Aに、光ファイバ固定部202の下面202Bが摺動自在に面または多点接合面により接合する。この状態で、可視光用光ファイバ103は、光ファイバ固定部202の収容溝202a,202bにそれぞれ被覆部103A,素線部103Bが固定されており、可視光用光ファイバ103の先端の高さ位置は、波長変換素子102の出射光の高さ位置に一致する図3-1に示す状態。したがって、この後、光ファイバ固定部202を図2のX,Y軸方向に移動させることにより、波長変換素子102の出射光の光軸と、可視光用光ファイバ103の光軸とを光軸合わせできるようになる。この後、光ファイバ固定部202をSi基板201上に樹脂、あるいは半田等で接合固定させることにより、モジュールの組み立てが完成する。そして、LD101と、波長変換素子102には、Si基板201に接合する面にAu等の接合部材を設け、この接合部材に微少な突起マイクロバンプを形成し、Si基板201側にもAu等の接合部材を設ける。これにより、Si基板201に対し、LD101と、波長変換素子102とを常温活性化接合により、常温状態で圧力を加えることなく、精度良く接合することができる。また、接合部材をAu等の導電材を用いることにより、LD101と、波長変換素子102の電源および制御端子として併用することができる。上記実施の形態1によれば、基本波の成分を減衰させて導波する導波路を用い、この導波路の入射端近傍にFBGを設ける構成とすることにより、波長変換素子の出射波に含まれる基本波の成分を除去した成分の光を導波させることができる。FBGは、LDに対する波長ロックの機能も有しており、LDの出力も安定化できるようになる。また、特別な構成を設けることなく、光損失を低減化し小型化できるレーザ光源を得ることができるようになる。実施の形態2:レーザ光源のモジュール構造例2図4は、実施の形態2によるレーザ光源のモジュール構造の例を示す側面図、図5は、同斜視図である。実施の形態1では、導波路として可視光用光ファイバ103を用いたが、この構造例2のレーザ光源モジュール400では、導波路を基板で構成し、Si基板201に接合する構成としている。導波路は、Si等の基板からなる基板状導波路401で構成することができ、この基板状導波路401の下面側に光の導波路410が形成される。また、導波路410の途中位置には、回折格子411が光軸方向の所定長さ範囲に渡り所定のピッチを有して形成される。図6は、図4,図5のA-A‘線断面図である。図示のように、光軸方向に沿って基板状導波路401の中央部分は、凸形状のリッジにより導波路410が形成されている。また、導波路410には、回折格子411が形成されている。回折格子411は、たとえば、フォトリソ法等により簡単に形成することができる。この基板状導波路401の下面には、Au等の接合部材601が形成されており、Si基板201側の接合位置にも同様にAu等の接合部材が形成されている。これにより、基板状導波路401は、Si基板201にこれらAu同士の接合部材601を介して簡単に接合することができる。また、基板状導波路401、あるいはSi基板201の一方の接合部材601に微少な突起マイクロバンプを形成しておくことにより、常温活性化接合により、常温状態で圧力を加えることなく、Si基板201に対して基板状導波路401を接合することができる。そして、この実施の形態2によれば、Si基板201上に設けるLD101と、波長変換素子102と、導波路の基板状導波路401の全てを、常温活性化接合の方法を用いてSi基板201上に精度良く搭載することができる。図7-1、および図7-2は、それぞれ回折格子を示す部分拡大斜視図である。図7-1には、図6に示したようなリッジにより形成した凸形状の導波路410に回折格子411を形成した例を示している。図7-2の構成例は、プロトン交換により形成した導波路410に回折格子411を設けた例を示している。この場合、導波路410は、凸形状とはならず、基板状導波路401の内部に形成され、回折格子411は、基板状導波路401の面上に設ける。上記構成によれば、平板状のSi基板上に光部品を精度良く搭載でき、最小限の部品点数だけで小型で安価なレーザ光源を得ることができる。また、組み立て時における光部品間の光軸調整を容易に行うことができる。上記実施の形態2によれば、実施の形態1と同様に、基本波の成分を減衰させて導波する導波路を用い、この導波路の入射端近傍に回折格子を設ける構成とすることにより、波長変換素子の出射波に含まれる基本波の成分を除去した成分の光を導波させることができる。回折格子は、LDに対する波長ロックの機能も有しており、LDの出力も安定化できるようになる。また、特別な構成を設けることなく、光損失を低減化でき小型化できるレーザ光源を得ることができるようになる。また、導波路についても基板で形成し、Si基板上に接合する構成としたので、Si基板上の全ての光学素子を面接合等により容易に搭載できるようになる。また、導波路自体を基板で形成したので、外力を受けにくく所定の導波路の特性を維持し、変換後の波長のみを外部出力できるようになる。本願発明は、外部共振器型で波長ロックする構成、およびパルスレーザを用いて基本波の一部を戻し周波数ロックする構成のいずれにおいても適用可能である。"