"基材上に形成されたウルツ鉱型結晶膜であり、上記基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含み、上記ウルツ鉱型結晶構造が上記基材面に対して垂直方向に0001方向又は0001方向へ配向し、0001方向又は0001方向への極性分布割合が72以上であることを特徴とするウルツ鉱型結晶膜。上記アルカリ金属元素が、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムKであり、上記アルカリ土類金属元素が、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr、バリウムBaであることを特徴とする請求項1に記載のウルツ鉱型結晶膜。上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物は、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、AlN、GaN、InN、InPのうちの少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のウルツ鉱型結晶膜。上記元素は、リチウムLiからなり、Liが2~7.5at.の範囲内の濃度でドープされていることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のウルツ鉱型結晶膜。上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物は、ZnOであって、0001方向への極性分布割合O極性分布割合が73以上であることを特徴とする請求項4に記載のウルツ鉱型結晶膜。圧電特性を有することを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載のウルツ鉱型結晶膜。上記結合層に含まれる粒子の平均粒子径が5~1000nmの範囲内であることを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載のウルツ鉱型結晶膜。金属、合金、ガラス、半導体基板、セラミックス、および無機単結晶からなる群のうちの少なくとも一つの基材上に形成されていることを特徴とする請求項1~7の何れか一項に記載のウルツ鉱型結晶膜。請求項1~8の何れか一項に記載のウルツ鉱型結晶膜の製造方法であって、ウルツ鉱型結晶膜となる金属種とドープする元素とを含有する化学溶液を、基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備えることを特徴とするウルツ鉱型結晶膜の製造方法。スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、シルクスクリーン印刷法、またはインクジェット印刷法を用いて上記塗布工程を行うことを特徴とする請求項9に記載のウルツ鉱型結晶膜の製造方法。上記塗布工程、上記乾燥工程および上記焼成工程を1セットとして複数回繰り返すことを特徴とする請求項9または10に記載のウルツ鉱型結晶膜の製造方法。これまで、第13族元素であるアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムInをZnO膜ウルツ鉱型結晶膜にドープする方法によって、ZnO膜ウルツ鉱型結晶膜の極性を変化させる方法が知られている。例えば、PLD法を用いた製造方法がThinSolidFilms519pp58755881に記載されており、1モルの濃度でアルミニウムAlをドープすることにより、Zn極性のZnO膜ウルツ鉱型結晶膜が得られ、一方、その他のドープ条件では、O極性のZnO膜ウルツ鉱型結晶膜が得られることが知られている。しかしながら、この方法でドープしたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜は、3価の陽イオンの形態を採り得るため、電子ドナーの機能を有することになる。その結果、結晶膜の電気抵抗率を引き下げてしまうことになり、圧電体膜のように絶縁性を必要とするウルツ鉱型結晶膜に対して適用することができないという問題点を有している。また、これまで、ZnO膜ウルツ鉱型結晶膜に第1族元素であるLiをドープすることは行われているものの、当該ドープは、圧電体膜としての絶縁性向上および強誘電体開発の目的のために行われている。すなわち、ZnO膜の極性分布割合へのLiドープによる影響は、これまで検討されていない。また、ZnO膜における圧電応答性と極性分布割合との相関性についても研究が行われていない。ウルツ鉱型結晶膜の圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性、エッチング特性等は、極性分布割合に依存する。それゆえ、特に、圧電体膜等への応用のためには、ウルツ鉱型結晶膜の絶縁性を確保しつつ、特性を効率的に利用できるように、極性分布割合を制御可能な、新たな技術が必要である。さらに、近年、圧力センサや発光素子の発光体膜等を開発するために、極性制御されたウルツ鉱型結晶膜を低コストかつ広面積な膜として製造する技術が求められている。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物に他元素をドープすることによって、その極性分布割合を制御し、その結果、圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性、エッチング特性等の各種特性が向上されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供することにある。さらに、他の目的は、圧電体膜等にも応用できるように、高い電気抵抗率絶縁性を確保しつつ、極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に均一に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、とその製造方法を提供することにある。上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明者は、PFM法が、化学溶液堆積法により得られた多結晶膜にも適用可能で、当該多結晶膜の極性分布割合を測定可能であることを見出し、また、ウルツ鉱型結晶膜において、ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物に、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素を一定濃度でドープすることにより、極性分布割合を容易に制御することができることを見出した。このウルツ鉱型結晶膜は、化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法を用いて製造することができることを見出した。さらに、本発明者らは、極性分布割合と圧電応答性等との間に相関関係が存在することを見出した。さらに、図1から理解できるように、c軸配向性は、極性を有するための必要前提条件である。化学溶液堆積法を用いて、ウルツ鉱型結晶膜の極性が揃うような極性制御は困難であると予測されたが、これまでの研究蓄積を踏まえて上記課題に鋭意取り組み、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記課題を解決するために、基材上に形成されたウルツ鉱型結晶膜であり、上記基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含み、上記ウルツ鉱型結晶構造が上記基材面に対して垂直方向に0001方向又は0001方向へ配向し、0001方向又は0001方向への極性分布割合が72以上であることを特徴としている。上記の構成によれば、高い電気抵抗率を維持しつつ、極性分布割合を一定に制御したウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記アルカリ金属元素が、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムKであり、上記アルカリ土類金属元素が、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr、バリウムBaであることがより好ましい。上記の構成によれば、上記元素がドープされているため、その極性分布割合をより好適に変化させることができ、圧電特性、発光特性、化学的安定性等をより向上させたウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物は、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、AlN、GaN、InN、InPのうちの少なくとも一つの化合物を含むことがより好ましい。上記の構成によれば、上記化合物を含むことにより、より高い圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性等を有するウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記元素は、リチウムLiからなり、Liが2~7.5at.の範囲内の濃度でドープされていることがより好ましい。上記の構成によれば、より高い極性分布割合を示すため、より高い圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性等を有するウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物は、ZnOであって、0001方向への極性分布割合O極性分布割合が73以上であることがより好ましい。上記の構成によれば、より高い圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性等を有するウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、圧電特性を有することがより好ましい。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、上記結合層に含まれる粒子の平均粒子径が5~1000nmの範囲内であることがより好ましい。上記の構成によれば、さらに一定の極性分布割合を有する、より信頼性の高い良質なウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、金属、合金、ガラス、半導体基板、セラミックス、および無機単結晶からなる群のうちの少なくとも一つの基材上に形成されていることがより好ましい。上記の構成によれば、より広い面積の基材上に均一な膜厚で成膜された、より信頼性が高く、より実用的なウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、上記課題を解決するために、ウルツ鉱型結晶膜となる金属種とドープする元素とを含有する化学溶液を、基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備えることを特徴としている。上記の方法によれば、経済的であり、より広い面積の基材上に均一な膜厚で成膜することが可能であり、極性分布割合を制御することにより、信頼性の高い良質な圧電体膜等に好適なウルツ鉱型結晶膜の製造方法を提供することができる。また、ドープする上記元素の添加割合の制御も容易であり、極性分布割合の制御を容易に行うことができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、シルクスクリーン印刷法、またはインクジェット印刷法を用いて上記塗布工程を行うことがより好ましい。上記の方法によれば、より均質でかつ、信頼性の高いウルツ鉱型結晶膜の製造方法を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、上記塗布工程、上記乾燥工程および上記焼成工程を1セットとして複数回繰り返すことがより好ましい。上記の方法によれば、より良質なウルツ鉱型結晶膜の製造方法を提供することができる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜によれば、優れた圧電特性、電気特性、蛍光発光特性、化学的安定性を備えた安価なウルツ鉱型結晶膜を提供することができるという効果を奏する。また、本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の製造方法によれば、大面積の薄膜を成膜することが可能であり、特別な装置を必要としないため低コストで、安価なウルツ鉱型結晶膜の製造方法を提供することができるという効果を奏する。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、例えば、化学溶液堆積法等により製造されたウルツ鉱型結晶膜であって、基材上に形成されたウルツ鉱型結晶膜であり、上記基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であり、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含み、上記ウルツ鉱型結晶構造が上記基材面に対して垂直方向に0001方向又は0001方向へ配向し、0001方向又は0001方向への極性分布割合が72以上であることを特徴としている。本発明における膜構造粒子構造の形態としては、基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造であり、より具体的には、例えば、基材上に形成されたウルツ鉱型結晶膜において、膜の最上層は充填した粒子が互いに結合し、粒子の粒界が認められる結合層であり、基材に接する下層基材面側は粒子の粒界が認められない緻密層を有する構造の形態が挙げられる。一方、極性制御された膜の既往の成膜法であるスパッタ法やPLD法で得られた膜も、ナノ柱状晶から構成され、広義ではナノ粒子膜の一つであるが、基材上から垂直方向での粒子の充填状態が大きく異なる。スパッタ法もしくはPLD法により得られた膜では、一般的に、基材上から膜表面に至るまで成長したナノ柱状結晶により構成される。それに対して、化学溶液堆積法を用いて得られた膜では、基材面に対して垂直方向に二つ以上の球状の粒子が充填および堆積した構造である非特許文献9,10を参照。この点で、化学溶液堆積法を用いて得られた膜は、特有の膜構造を有する。以下、本発明の実施の一形態について、ウルツ鉱型結晶膜、ウルツ鉱型結晶膜の製造方法の順に詳細に説明する。<ウルツ鉱型結晶膜>本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、ウルツ鉱型結晶粒子が充填および堆積し、その粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有する結晶膜である。上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物としては、従来公知の各種酸化物、並びに、硫化物、セレン化物、テルル化物、窒化物等が挙げられる。これら化合物は、一種類のみでウルツ鉱型結晶を構成していてもよい。また、二種類以上でウルツ鉱型結晶を有する化合物が、混晶を構成してもよいし、化合物ごとに個別の粒子として混在していてもよい。また、上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物としては、具体的には、例えば、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、AlN、GaN、InN、InP等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明においては、上記ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を主成分とすることがより好ましい。さらに、本発明における上記ウルツ鉱型結晶を有する化合物は、ZnOを主成分とすることがより好ましく、ZnOであることがさらに好ましい。ここで、本発明において主成分とは、ウルツ鉱型結晶に当該成分が50重量以上含まれていることを指す。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜には、極性分布割合を制御、または、O極性分布割合を向上させるために、上記化合物に対して、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素が一定の割合でドープされている。上記アルカリ金属元素としては、具体的には、例えば、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK等が挙げられる。また、上記アルカリ土類金属元素としては、具体的には、例えば、マグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr、バリウムBa等が挙げられる。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜は、膜厚が100~10000nmの範囲内であることが好ましく、200~5000nmの範囲内であることがより好ましい。本発明は、基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、その粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜において、有効である。ウルツ鉱型結晶膜に含まれるその結晶粒子結合層に含まれる粒子の形状は、特に限定されないものの、より緻密に充填することができる形状であればよい。そして、上記結晶粒子結合層に含まれる粒子の平均粒子径は、5~1000nmの範囲内であることが好ましく、10~500nmの範囲内であることがより好ましい。また、ウルツ鉱型結晶膜は、粒子の粒界が認められない緻密層を含んでいてもよい。そのような膜構造として、例えば、膜の最上層は充填および堆積した粒子が互いに結合してなる結合層であり、基材に接する下層は緻密層である膜構造が挙げられる。なお、本発明において粒子の粒界が認められないとは、下記実施例に記載の観察条件で、膜断面をフィールドエミッション走査型電子顕微鏡FE-SEMで観察しても、粒子の粒界が認められないことを指す。本発明に係るウルツ鉱型結晶膜において、ドープされるアルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素濃度は、ウルツ鉱型結晶化合物と添加される元素との関係、目的とする応用物性に応じて設定すればよく、特に限定されるものではない。例えば、ZnOにLiをドープする場合には、ZnとLiの原子濃度の和に対して、2~7.5at.の範囲内の濃度でLiドープされていることが好ましく、3.0~6.0at.の範囲内の濃度でドープされていることがより好ましい。上記範囲内で他元素をドープすることにより、O極性分布割合を向上させることができ、より高い圧電応答性を有するウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。また、本発明に係るウルツ鉱型結晶膜をPFMPiezoresponseForceMicroscopy圧電応答顕微鏡法を用いて評価した極性分布割合は、基板面に対して垂直方向に、0001方向もしくは0001方向に配向し、そのどちらかの極性分布割合が72以上である。例えば、LiがドープされているZnOからなるウルツ鉱型結晶膜では、0001方向への極性分布割合O極性分布割合は、72以上であることが好ましく、73以上であることがより好ましく、74以上であることがさらに好ましい。上記の範囲内であることにより、より優れた圧電特性、電気特性、発光特性、化学的安定性およびエッチング特性を示すウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。本発明でのPFM測定条件は、1μm×1μm256×256測定点の観察領域で、周波数10kHz、電圧10Vppの交流電場をステージに掛け、その交流電場により生じる圧電試料の高さの変位をロックインアンプにより検出した。なお、PFM信号に含まれるバックグラウンド補正を行うため、圧電応答を示さない試料、例えば、インコネル基板を用いて同様に測定し、観察領域での平均の変位量の値を除去した。測定点ごとに、補正された変位量の符号から0001方向または0001方向への極性かを判定し、観察領域におけるそれらの分布数から極性分布割合を求めた。PFMの変位量は、補正された変位量の絶対値を測定領域ごとに平均値を算出し求めた。試料の極性分布割合およびPFM変位量は、一試料に対して少なくとも異なる5箇所以上の観察領域でそれぞれ評価し、それらの平均値とする。また、本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の電気抵抗率は、1×106Ωcm以上であることが好ましく、1×107Ωcm以上であることがより好ましい。上記の範囲内であることにより、高い圧電特性を有し、圧電体膜等に応用可能なウルツ鉱型結晶膜を提供することができる。ウルツ鉱型結晶膜が形成される基材としては、慣用の従来公知の各種基材が挙げられ、そのうち、後述する焼成工程を行うことができるように、耐熱性に優れている基材がより好ましく、ウルツ鉱型結晶膜を圧電素子等の各種機能性薄膜に応用することができるように、電気導電性を示す基板基材がさらに好ましい。上記基板としては、具体的には、例えば、シリコンSiやGaAs等の半導体基板、AlやインコネルInconel:登録商標、ステンレス等の金属および合金基板、石英ガラスや耐熱ガラス例えばパイレックスガラス:登録商標等のガラス基板、アルミナ、シリカ、シリカアルミナ等のセラミックス基板、サファイア等の無機単結晶基板が挙げられる。また、上記基板上に白金Pt等の金属膜を積層した基板、当該金属膜と基板との密着性を向上させるためにチタンTi等のバッファー層を上記基板上に成膜した上に金属膜を積層した基板、および、上記基板上にITOやZnO系の透明導電膜を積層した基板を用いてもよい。また、基板は、無機結晶膜を圧電素子等の各種機能性薄膜に応用することができるように、可撓性を備えていることが好ましい。従って、基板の厚さは、特に限定されないものの、その機能が損なわれない範囲においてより薄い方が好ましい。<ウルツ鉱型結晶膜の製造方法>本発明に係るウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、上記ウルツ鉱型結晶膜の製造方法であって、ウルツ鉱型結晶膜となる金属種とドープする元素アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素とを含有する化学溶液を、基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備えている。そして、上記製造方法においては、膜厚を厚くするために、上記塗布工程、上記乾燥工程および上記焼成工程を1セットとして複数回繰り返すことがより好ましい。また、塗布工程を行う前に、化学溶液を調製する化学溶液調製工程を行うことがより好ましい。以下、各工程について説明する。化学溶液調製工程ウルツ鉱型結晶膜となる金属種とドープする元素とを含有する化学溶液であるコート液は、上記ウルツ鉱型結晶膜となる金属種を含有する金属化合物、および、ドープする元素であるアルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素を含有する化合物アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物を、溶剤に特定の割合で溶解させることにより、容易に調製することができる。また、上記金属化合物を安定的に溶解させることを目的として、溶剤に安定化剤等を加えておくことがより好ましい。本発明で用いることができる上記金属化合物としては、本発明に係る製造方法によってウルツ鉱型結晶に変換される金属化合物であればよく、具体的には、上記金属化合物を含有する化学溶液を調製することができる、溶剤に可溶な金属化合物であればよい。より具体的には、金属がZnである場合には、酢酸亜鉛二水和物、酸化亜鉛微粒子、アセチルアセトナート亜鉛水和物、硫酸亜鉛水和物、安息香酸亜鉛、炭酸亜鉛、塩化亜鉛、リン酸亜鉛水和物等が挙げられる。また、本発明で用いることができる上記アルカリ金属化合物およびアルカリ土類金属化合物としては、具体的には、例えば、酢酸リチウム二水和物、硝酸リチウム、酢酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、酢酸カリウム、硝酸カリウム、塩化カリウム、酢酸マグネシウム四水和物、硝酸マグネシウム六水和物、酢酸カルシウム水和物、酢酸ストロンチウム、硝酸ストロンチウム、酢酸バリウム等が挙げられる。本発明で用いることができる上記溶剤としては、金属化合物、アルカリ金属化合物および/またはアルカリ土類金属化合物を溶解させることができる溶剤であればよく、特に限定されないものの、具体的には、例えば、2-メトキシエタノール、2-プロパノール、エタノール、1-ブタノール、トリオクチルフォスフィン、水等が挙げられる。本発明で必要に応じて用いることができる上記安定化剤としては、具体的には、例えば、2-アミノエタノール、N-ブチルエタノールアミン等が挙げられる。そして、化学溶液における上記金属化合物、アルカリ金属化合物および/またはアルカリ土類金属化合物の合計の濃度としては、具体的には、0.1~10モル/Lの範囲内がより好ましく、0.2~1.0モル/Lの範囲内がさらに好ましい。濃度が低すぎると、ウルツ鉱型結晶膜の膜厚を効率的に稼ぐことができないおそれがある。また、濃度が高すぎると、良質なウルツ鉱型結晶膜を得ることができないおそれがある。また、上記安定化剤の使用量は、特に限定されないものの、金属化合物と当モル程度であることが好ましい。なお、化学溶液を調製する工程は、最初の塗布工程の前に一度行われていればよい。つまり、成膜プロセスの最初に、繰り返して行う成膜プロセスで必要とされる化学溶液量を確保するように化学溶液を調製しておき、その後の繰り返し行う塗布工程では保存していた化学溶液を使用してもよい。塗布工程化学溶液を基材に塗布する方法としては、基材上に化学溶液を均一に塗布することができる塗布方法であればよく、特に限定されないものの、公知のスピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、シルクスクリーン印刷法、またはインクジェット印刷法が簡便であるので好適である。これら塗布方法は、大面積の基材上に均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。つまり、これら塗布方法を行うことにより、局所的な欠損部分を有しない、均一な膜厚の塗布膜が得られる。塗布条件は、化学溶液の組成溶剤の種類、金属化合物の濃度等に応じて設定すればよいが、一回の塗布工程で成膜される塗布膜は、より厚い方が効率的であるので好ましい。塗布は空気中で行えばよいが、塗布雰囲気は特に限定されない。乾燥工程塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥条件は、化学溶液の組成溶剤の種類等に応じて設定すればよいが、乾燥温度は70°C~300°Cの範囲内が好ましい。乾燥時間は乾燥温度に応じて設定すればよいが、3分~30分の範囲内が好ましい。また、乾燥は空気中で行えばよいが、乾燥雰囲気は特に限定されない。但し、蒸発した溶剤が大気中に放出されないように、ドラフト等で溶剤を回収することが望ましい。ウルツ鉱型結晶膜となる金属種は化学溶液中ではイオン状態で存在し、塗布工程後、乾燥させると析出および凝集して、通常、平均粒子径が1~500nmの範囲内の大きさの粒子以下、微粒子とも称するになる。つまり、塗布工程および乾燥工程を行うことによって得られる膜乾燥した膜は、微粒子が充填された集合体である。塗布工程および乾燥工程を一回行うことによって得られる膜乾燥した膜の膜厚は、5~100nmの範囲内である。従って、膜厚をこれよりも厚くするには、塗布工程および乾燥工程を1セットとして複数回繰り返せばよい。焼成工程に至るまでに繰り返す回数は、特に限定されないものの、1~20回程度が好ましく、2~10回程度がより好ましい。尚、塗布工程および乾燥工程を1セットとして複数回繰り返す場合において、それぞれの工程の条件塗布条件、乾燥条件同士は、互いに異なっていてもよいが、均一なウルツ鉱型結晶膜を形成するには互いに同一条件であることが好ましい。焼成工程上記塗布工程および乾燥工程を1セットとして少なくとも一回、好ましくは複数回繰り返した後、焼成工程を行って乾燥した膜を焼成する。これにより、基材上にウルツ鉱型結晶膜を形成する。焼成条件は、膜乾燥した膜の組成金属種の種類等に応じて設定すればよいが、焼成温度は450°C~800°Cの範囲内が好ましく、550°C~700°Cの範囲内がより好ましい。具体的には、例えば基材がインコネル基板である場合には650°C程度が好ましい。焼成時間は焼成温度に応じて設定すればよいが、5分~60分の範囲内が好ましく、10分~30分の範囲内がより好ましい。また、焼成は、大気中の他に、アルゴン雰囲気や窒素雰囲気等の不活性ガス中、あるいは酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で行えばよいが、焼成雰囲気は特に限定されない。乾燥工程で得られた膜を焼成することにより、充填した集合体となっている微粒子は互いに焼結する。つまり、充填した微粒子が互いに結合してなる多孔体である結合層を形成する。当該結合層は、微粒子が無秩序に構造上においては規則性無く充填された構造である。次いで、上記結合層が形成された基材を用いて上記塗布工程および乾燥工程を繰り返すと、新たに塗布された化学溶液が多孔体の間隙に入り込むので、当該結合層の間隙は乾燥工程で形成された微粒子によって埋められ、焼成焼結することによって粒子がより緻密に充填された構造となっていく。つまり、その詳細な生成過程については不明であるものの、微粒子である微細な結晶粒子は、周囲の大きな結晶粒子に取り込まれながら成長すると推測され、基材上に先に形成されていた結合層は上記塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして繰り返すことにより緻密な膜構造へと変化していき、この緻密な膜構造の上に、新たな結合層が形成されることになる。塗布工程、乾燥工程および焼成工程を一回行うことによって得られる膜ウルツ鉱型結晶膜の膜厚は、10~1000nmの範囲内である。従って、膜厚をこれよりも厚くするには、塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして複数回繰り返せばよい。繰り返す回数は、特に限定されないものの、ウルツ鉱型結晶膜を機能性薄膜として用いる場合の膜厚が通常、100~10000nmの範囲内であることを考慮すれば、1~20回程度が好ましく、2~10回程度がより好ましい。なお、塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして複数回繰り返す場合において、それぞれの工程の条件塗布条件、乾燥条件、焼成条件同士は、互いに異なっていてもよいが、均一なウルツ鉱型結晶膜を形成するには互いに同一条件であることが好ましい。本発明に係る製造方法によれば、大面積の基材上に均一な膜厚で成膜する大面積の薄膜を成膜することが可能であり、特別な装置を必要としない。従って、コストが低減された低コストのウルツ鉱型結晶膜の製造方法、すなわち、他種の膜を積層して素子化しても性能や信頼性の低下を招くことなく利用することができる膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜の製造方法を提供することができる。また、化学溶液堆積法を用いた本発明に係る製造方法によれば、ウルツ鉱型結晶構造におけるC軸を膜厚方向に揃えることができる。すなわち、ウルツ鉱型結晶の結晶構造の極性を揃えることができるO極性分布割合を向上させることができる。それゆえ、得られるウルツ鉱型結晶膜は良好な圧電応答性を示す。上記製造方法によって成膜することによって最終的に得られる一方の外層基材に接している側の外層は、塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして複数回繰り返すことによって形成されているので、粒子の粒界が認められない緻密層となっている。これに対して、最終的に得られる他方の外層基材に接していない側の外層は、塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして一回繰り返すことによって形成されているので、充填した粒子が互いに結合してなる多孔体である結合層となっている。以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1:Zn0.97Li0.03O膜の作成とその特性試験2-メトキシエタノールを溶剤として用いて、酢酸亜鉛二水和物および2-アミノエタノールを各々0.582モル/Lの濃度で、酢酸リチウム二水和物を0.018モル/Lの濃度で含有する2-メトキシエタノール溶液からなるコート液を調製した。得られたコート液を、インコネル登録商標600で形成された基板大きさ:20mm角、厚さ:0.5mm上にスピンコート法で塗布した成膜工程。その後、得られた塗布膜を、ホットプレート上で200°C、5~30分間乾燥した乾燥工程。そして、上記塗布工程および乾燥工程を1セットとして6回繰り返して成膜した後、得られた膜を、アルゴン雰囲気中、電気炉内昇温速度10°C/分で650°C、20分間焼成した焼成工程。さらに、上記塗布工程6回、乾燥工程6回および焼成工程1回を1セットとして3回繰り返すことにより、膜厚が凡そ700nmの、LiでドープされたZnO薄膜を作製したZnO薄膜の組成はZn0.97Li0.03O。このZnO膜に対して、X線回析XRDCuKα線照射分析を行った結果、得られたXRDパターン図はウルツ鉱型ZnO結晶の002および004回折ピークのみを示した。この結果は、得られた膜がウルツ鉱型ZnO結晶構造を有し、基板面に対して垂直方向に高くc軸配向していることを示す。上記構造のZnO薄膜ウルツ鉱型結晶膜の膜表面に、Ptからなる直径2mmの上部電極を6箇所形成し、基材を下部電極として圧電素子を作製し、それぞれの上部電極に関して電気抵抗および圧電応答性を測定した。その結果、上記圧電素子の電気抵抗は、6箇所とも短絡が認められず、その平均の抵抗値は5×108Ωcmであった。d33メータを用いて上記圧電素子の圧電応答性を測定した結果、6箇所とも良好なO極性の圧電応答性を示し、その平均値は5.6pC/Nであった。PFMを用いて、上記Zn0.97Li0.03O膜の極性分布割合を評価した結果、O極性分布割合0001方向への極性分布割合は76であった。実施例2:Zn0.94Li0.06O膜の作製とその特性試験2-メトキシエタノールを溶剤として用いて、酢酸亜鉛二水和物および2-アミノエタノールを各々0.564モル/Lの濃度で、酢酸リチウム二水和物を0.036モル/Lの濃度で含有する2-メトキシエタノール溶液からなるコート液を調製した以外は、実施例1と同様の方法を行うことにより、LiでドープされたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を作製したZnO薄膜の組成はZn0.94Li0.06O。このZnO膜に対して、X線回析XRDCuKα線照射分析を行った結果、得られたXRDパターン図はウルツ鉱型ZnO結晶の002および004回折ピークのみを示した。この結果は、得られた膜がウルツ鉱型ZnO結晶構造を有し、基板面に対して垂直方向に高くc軸配向していることを示す。得られたZnO薄膜を基材ごと曲げることによって破断して、生じた膜断面をフィールドエミッション走査型電子顕微鏡FE-SEMで観察した。観察条件は、加速電圧5.0kV、倍率5万倍とした。観察画像を図3に示す。当該観察画像においては、基材が下側、膜表面が上側になっている。観察画像から、以下のことが判った。即ち、ZnO薄膜は、上層のうち膜表面から凡そ300nmの厚さ深さまでは、粒子径100nm程度の丸い粒子が無秩序に充填して互いに結合した構造を有する層となっていた。この層は、3回目に行った塗布工程、乾燥工程および焼成工程によって堆積された層に対応しており、当該構造は、非特許文献1において1回の焼成工程で作成された膜の膜構造と類似していた。一方、基材膜裏面から凡そ200nmの厚さ高さまでの下層基材に接する下層に相当では、均質な緻密層が形成されており、粒子の粒界は認められなかった。この下層は、塗布工程、乾燥工程および焼成工程を3回繰り返すことによって堆積された層に対応する。上記構造のZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を用いて、実施例1と同様の方法で圧電素子を作製し、電気抵抗および圧電応答性を測定した。その結果、上記圧電素子の電気抵抗は、6箇所とも短絡が認められず、その平均の抵抗値は7×107Ωcmであった。d33メータを用いて上記圧電素子の圧電応答性を測定した結果、6箇所とも良好なO極性の圧電応答性を示し、その平均値は5.8pC/Nであった。実施例1と同様にしてPFM評価により求めたZn0.94Li0.06O膜のO極性分布割合は74であった。比較例1:ZnO膜の作成とその特性試験2-メトキシエタノールを溶剤として用いて、酢酸亜鉛二水和物および2-アミノエタノールを各々0.600モル/Lの濃度で含有する2-メトキシエタノール溶液からなるコート液を調製した以外は、実施例1と同様の方法を行うことにより、アンドープZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を作製したZnO薄膜の組成はZnO。このZnO膜に対して、X線回析XRDCuKα線照射分析を行った結果、得られたXRDパターン図はウルツ鉱型ZnO結晶の002および004回折ピークのみを示した。この結果は、得られた膜がウルツ鉱型ZnO結晶構造を有し、基板面に対して垂直方向に高くc軸配向していることを示す。上記構造のアンドープZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を用いて、実施例1と同様の方法で圧電素子を作製し、電気抵抗および圧電応答性を測定した。その結果、上記圧電素子の電気抵抗は、6箇所のうち5箇所で短絡が認められず、その平均の抵抗値は3×106Ωcmであった。d33メータを用いて測定した上記圧電素子の圧電応答性を測定した結果、6箇所のうち5箇所でO極性の圧電応答性を示し、その平均値は3.9pC/Nであった。しかしながら、実施例1と同様にしてPFM評価により求めたZnO膜のO極性分布割合は71と低かった。比較例2:Zn0.90Li0.10O膜の作製とその特性試験2-メトキシエタノールを溶剤として用いて、酢酸亜鉛二水和物および2-アミノエタノールを各々0.540モル/Lの濃度で、酢酸リチウム二水和物を0.060モル/Lの濃度で含有する2-メトキシエタノール溶液からなるコート液を調製した以外は、実施例1と同様の方法を行うことにより、LiでドープされたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を作製したZnO膜の組成はZn0.90Li0.10O。このZnO膜に対して、X線回析XRDCuKα線照射分析を行った結果、得られたXRDパターン図はZウルツ鉱型ZnO結晶の002および004回折ピークが主なピークであることから、得られた膜がウルツ鉱型ZnO結晶構造を有し、基板面に対して垂直方向にc軸配向していることを示す。ただし、ウルツ鉱型ZnO結晶の103回折ピークが強度はかなり弱いながらも認められ、実施例1および実施例2で得られたZnO膜と比較すると、わずかにc軸配向性が劣っていることを示唆する。上記構造のZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を用いて、実施例1と同様の方法で圧電素子を作製し、電気抵抗および圧電応答性を測定した。その結果、上記圧電素子の電気抵抗は、6箇所とも短絡が認められず、その平均の抵抗値は1×107Ωcmであった。d33メータを用いて上記圧電素子の圧電応答性を測定した結果、6箇所ともO極性の圧電応答性を示し、その平均値は3.0pC/Nであった。しかしながら、実施例1と同様にしてPFM評価により求めたZn0.90Li0.10O膜のO極性分布割合は62と低かった。比較例3:Zn0.80Li0.20O薄膜の作製とその特性試験2-メトキシエタノールを溶剤として用いて、酢酸亜鉛二水和物および2-アミノエタノールを各々0.480モル/Lの濃度で、酢酸リチウム二水和物を0.120モル/Lの濃度で含有する2-メトキシエタノール溶液からなるコート液を調製した以外は、実施例1と同様の方法を行うことにより、LiでドープされたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を作製したZnO膜の組成はZn0.80Li0.20O。このZnO膜に対して、X線回析XRDCuKα線照射分析を行った結果、得られたXRDパターン図はZウルツ鉱型ZnO結晶の002および004回折ピークが主なピークであることから、得られた膜がウルツ鉱型ZnO結晶構造を有し、基板面に対して垂直方向にc軸配向していることを示す。ただし、ウルツ鉱型ZnO結晶の100、101、102、および103回折ピークが強度はかなり弱いながらも認められ、実施例1および実施例2で得られたZnO膜と比較すると、c軸配向性が劣っていることを示唆する。上記構造のZnO膜ウルツ鉱型結晶膜を用いて、実施例1と同様の方法で圧電素子を作製し、電気抵抗および圧電応答性を測定した。その結果、上記圧電素子の電気抵抗は、6箇所とも短絡が認められず、その平均の抵抗値は1×107Ωcmであった。d33メータを用いて上記圧電素子の圧電応答性を測定した結果、6箇所ともO極性の圧電応答性を示し、その平均値は1.8pC/Nであった。しかしながら、実施例1と同様にしてPFM評価により求めたZn0.80Li0.20O膜のO極性分布割合は57と低かった。考察実施例1,2および比較例1~3において製造されたウルツ鉱型結晶膜のLi濃度とO極性分布割合との関係を示すグラフを、図3に示す。図3に示すように、PFM測定の結果から求めたZn1-xLixO膜のO極性分布割合は、Li濃度依存性を示すことが判った。アンドープZnO膜ウルツ鉱型結晶膜のO極性分布割合が71であるのに対し、Liを3at.および6at.の濃度でドープしてなるZnO膜ウルツ鉱型結晶膜のO極性分布割合は、76および74に向上した。しかし、Liを10at.以上の濃度でドープしてなるZnO膜ウルツ鉱型結晶膜のO極性分布割合は大きく低下することが判った。一方、各Zn1-xLixO膜に対するPFM測定における変位振幅Aを、観察領域における変位量の絶対値平均から評価すると、相対的な違いは±5の範囲内であった。すなわち、Li濃度が異なる何れのZn1-xLixO膜でも、変位振幅Aはほぼ一定であった。d33メータを用いて各Zn1-xLixO膜の圧電応答性を評価すると、何れの膜もO極性を有する圧電応答性を示した。その圧電応答性とLi濃度との関係を示すグラフを、図4に示す。図4に示すように、アンドープZnO膜ウルツ鉱型結晶膜の圧電応答性は3.9pC/Nであるのに対して、Liを3at.および6at.の濃度でドープすることにより、圧電応答性はそれぞれ5.8pC/Nおよび5.6pC/Nへと向上した。しかし、Liを10at.以上の濃度でドープした場合では、圧電応答性の値は逆に低下した。ウルツ鉱型圧電体膜の単純なモデルとして、柱状構造膜のような基板に対して垂直方向に同一の極性を有する膜構造を仮定すると、d33メータを用いて評価されたZn1-xLixO膜全体の圧電応答性Prと、PFM評価によるO極性分布割合ROPと変位振幅Aとの関係は、式Pr∝2ROP-100Aで表すことができる。変位振幅Aは、Li濃度が異なる何れのZn1-xLixO膜でも一定である。他方、ウルツ鉱型Zn1-xLixO結晶膜のO極性分布割合と圧電応答性との関係を示すグラフを、図5に示す。図5が示すように、O極性分布割合と圧電応答性との間には、傾きが正の比例関係が存在し、上記の関係式を満足する。この結果は、得られたZn1-xLixO膜は、仮定した圧電体膜の単純なモデルと同様に、基板に対して垂直方向に配列した粒子同士では、同一の極性を有することを示唆する。また、図5に示された外挿線が示すように、Zn1-xLixO膜のO極性分布割合が100であれば、圧電応答性が凡そ11pC/Nとなることが判る。この値は、ZnOバルク結晶に関する既往研究ProcIEEE56pp225226を参照で報告された代表的な圧電定数d33の値12.4pC/Nに匹敵する。このようなO極性分布割合と圧電応答性との間の比例関係は、本発明の実施例および比較例で作製されたZnO膜の圧電応答性を決定する主要因は、極性分布割合であることを帰結する。まとめ本実施例によって、LiをドープすることによりZnO膜ウルツ鉱型結晶膜のO極性分布割合を制御できることが判った。特に、化学溶液堆積法を用いて適当な濃度でLiドープされたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜は、アンドープZnO膜ウルツ鉱型結晶膜と比べて最大1.5倍に圧電応答性が向上した。また、LiドープされたZnO膜ウルツ鉱型結晶膜は、最大で凡そ6pC/Nの圧電応答性を示し、この値は広く応用されている水晶圧電体の圧電応答性2pC/Nと比べて凡そ3倍であるという結果であった。このように、他元素をドープすることによりO極性分布割合を制御できることは、極性分布制御を必要とするウルツ鉱型結晶膜に対して、化学溶液堆積法を用いた手法の適用を促進する。その結果、今後は極性が制御された、より安価なウルツ鉱型結晶膜からなる機能性膜を提供することができることが期待される。さらに、大面積を有するシート状の圧電体膜が必要とされる発電床シートのような新たな製品の実用化が期待される。さらに、本発明に係る製造方法に基づく他元素のドープにより、最適な製造条件の範囲を広げることができ、信頼性の高い製品およびその製造方法の提供に繋がると期待される。"