"磁場空間中心を通る中心軸周りに環状に形成された複数の超電導コイルおよび良導体リングを同軸上に備える超電導磁石装置であって、前記良導体リングは、電気的に開放された開放部を有し、前記開放部を電気的に接続または非接続を切り替え可能なスイッチと、前記スイッチの切り替えを制御する制御手段と、を、更に備えることを特徴とする超電導磁石装置。前記超電導コイルの常電導転移を検出する検出手段を更に備え、前記制御手段は、常電導転移を検出した超電導コイルと、前記スイッチの切り替えとの関係を示す切替情報を記憶する記憶手段を有し、前記検出手段が前記超電導コイルの常電導転移を検出すると、前記記憶手段に記憶された前記切替情報に基づいて、前記スイッチを切り替えることを特徴とする請求項1に記載の超電導磁石装置。前記スイッチは、半導体スイッチング素子からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超電導磁石装置。前記良導体リングは、前記超電導コイルを支持する巻き枠に設けられた支持部材によって支持され、冷却される構造を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の超電導磁石装置。前記複数の超電導コイルは、順方向に永久電流を循環させて静磁場を誘導するメインコイルと、逆方向に永久電流を循環させて漏れ磁場を抑制するシールドコイルと、を有し、前記良導体リングは、前記シールドコイルの径方向外側に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の超電導磁石装置。前記複数の超電導コイルは、順方向に永久電流を循環させて静磁場を誘導するメインコイルと、逆方向に永久電流を循環させて漏れ磁場を抑制するシールドコイルと、を有し、前記良導体リングは、前記シールドコイルの径方向内側に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の超電導磁石装置。前記複数の超電導コイルは、順方向に永久電流を循環させて静磁場を誘導するメインコイルと、逆方向に永久電流を循環させて漏れ磁場を抑制する一対のシールドコイルと、を有し、前記良導体リングは、前記中心軸方向に対して、前記一対のシールドコイルの両端より内側に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の超電導磁石装置。請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の超電導磁石装置と、被検体を載置するベッドと、前記ベッドに載置された前記被検体を前記磁場空間の撮像領域へ搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって前記撮像領域に搬送された前記被検体からの核磁気共鳴信号を解析する解析手段と、を備えることを特徴とする磁気共鳴画像装置。請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の超電導磁石装置と、前記磁場空間内に配置された検体からの核磁気共鳴信号を捉えるプローブと、前記プローブで捉えた信号を解析する解析手段と、を備えることを特徴とする核磁気共鳴装置。ところで、超電導磁石装置は、複数の超電導コイルから構成されている。クエンチ過程においては、全磁気エネルギがジュール発熱によって熱エネルギに変換されるため、単一コイルで全磁気エネルギを消費すると超電導コイルの損傷をまねく可能性が高い。このため、超電導コイルはいくつかの電気回路に区分され、さらに保護抵抗を並列に接続することで超電導コイルの焼損を回避する手段がとられる。しかし、電気回路が区分されることによって、各超電導コイルに流れる電流値は同一とはならない。超電導コイル全体が生成する全磁束が保存されるように、各区分された電気回路に電流が誘導されるため、当該電気回路ごとに、電流が減衰する場合と増大する場合が発生する。つまり、各超電導コイル電流が生成する磁場の重畳による漏洩磁場は、部分的に拡大する領域と縮退する領域が存在する。漏洩磁場を抑制するための比抵抗の小さい良導体が周辺に存在する場合、この漏洩磁場の拡大する領域では、その磁束増加を打ち消す向きに誘導電流が流れてその拡がりを抑制する。しかし、漏洩磁場が縮退する領域では、その磁束減少を抑制する向きに誘導電流が流れて、逆に漏洩磁場領域を拡げる働きをする。この状況を回避する対策として、クエンチバックヒータを各超電導コイルに設置して、クエンチを検出したら全ての超電導コイルを同時に常電導転移させる手段もあるが、クエンチバックヒータを設置することにより超電導コイルへの入熱量が増える可能性がある。そこで、本発明は、このようなクエンチ過程においても漏洩磁場の領域拡大を効果的に抑制することができる超電導磁石装置、磁気共鳴画像装置および核磁気共鳴装置を提供することを課題とする。このような課題を解決するために、本発明は、撮像領域中心を通る中心軸周りに環状に形成された複数の超電導コイルおよび良導体リングを同軸上に備える超電導磁石装置であって、前記良導体リングは、電気的に開放された開放部を有し、前記開放部を電気的に接続または非接続を切り替え可能なスイッチと、前記スイッチの切り替えを制御する制御手段と、を、更に備えることを特徴とする超電導磁石装置である。本発明によれば、クエンチ過程においても漏洩磁場の領域拡大を効果的に抑制することができる超電導磁石装置、磁気共鳴画像装置および核磁気共鳴装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態に係る超電導磁石装置が適用されるMRI装置について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下では、水平磁場方式のMRI装置について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の超電導磁石装置にも適用することができる。≪第1実施形態≫図1は、本発明の超電導磁石装置が適用されるMRI装置の概念図である。このMRI装置は、核磁気共鳴NMR現象を利用して被検体図示せず、以下同じの断層画像を得るものであり、図1に示すように、被検体にNMR現象を誘起してNMR信号を受信するための各種装置を収容するガントリ1、被検体を載置するベッド2、このベッド2に載置された被検体を磁場空間内の撮像領域F図2参照へ搬送する搬送手段2a、ガントリ1内の各種装置を制御する電源や各種制御装置を収納した制御装置3、検出された核磁気共鳴信号を処理するコンピュータ等の処理装置4、および処理された核磁気共鳴信号に基づき断層画像を表示する表示装置5等を含み、それぞれ電源信号線6で接続される。ガントリ1、ベッド2および搬送手段2aは、高周波電磁波と静磁場を遮蔽する図示しないシールドルーム内に配置され、制御装置3、処理装置4および表示装置5は、シールドルーム外に配置される。図2は、第1実施形態の超電導磁石装置が適用されるMRI装置のガントリの断面模式図である。ガントリ1は、中心軸Zを中心とした円筒形状である。ガントリ1内には超電導磁石装置が設けられており、中心軸Z上の中心に撮像領域Fが存在する。ガントリ1に設けられた超電導磁石装置は、撮像領域Fに磁場を生成するための超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12Bと、生成した磁場が装置外へ漏洩することを抑制するための超電導シールドコイル20A,20Bと、一箇所もしくは複数個所が電気的に開放された環状の良導体リング40A,40Bと、を有している。超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20B、良導体リング40A,40Bは、中心軸Zを軸として同軸に配置されている。また、超電導主コイル10Aと超電導主コイル10Bとは、撮像領域Fの中心Oを通りかつ中心軸Zを法線とする対称面図示せずに対して対称に配置されている。同様に、超電導主コイル11A,11Bは対称面に対して対称に配置され、超電導主コイル12A,12Bは対称面に対して対称に配置され、超電導シールドコイル20A,20Bは対称面に対して対称に配置され、良導体リング40A,40Bは対称面に対して対称に配置されている。また、超電導磁石装置は、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20B、良導体リング40A,40Bを、冷媒61とともに収容する冷却容器62と、この冷却容器62を覆うように形成された輻射シールド63と、冷却容器62および輻射シールド63を囲繞し、内部を真空にした真空容器64と、を有している。冷却容器62に収容される冷媒61としては、例えば液体ヘリウムなどの液化した冷媒61が用いられており、この冷媒61と輻射シールド63とを冷却するための図示しない冷凍機が真空容器64に設置されている。冷却容器62内は、このような冷媒61によって、例えば、4.2K程度に保たれている。超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12Bには、一定の電流が流れており、超電導シールドコイル20A,20Bには、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12Bとは逆方向の一定の電流が流れている。なお、これらの超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bは、電磁力、漏洩磁場、最大経験磁場、磁場均一度、および磁場強度を許容範囲内に抑えるように、位置、形状、および設置個数の変更が可能である。図3は、超電導磁石装置の保護回路を示す回路図である。超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12Bおよび超電導シールドコイル20A,20Bは、図3に示すような回路で接続されている。超電導主コイル10Aと超電導シールドコイル20Bとが対をなして直列に接続され超電導コイル群A1を形成し、超電導主コイル11Aと超電導主コイル12Aとが対をなして直列に接続され超電導コイル群B1を形成し、超電導主コイル12Bと超電導主コイル11Bとが対をなして直列に接続され超電導コイル群C1を形成し、超電導シールドコイル20Aと超電導主コイル10Bとが対をなして直列に接続され超電導コイル群D1を形成し、これらの超電導コイル群A1,B1,C1,D1が直列に接続されている。そして、直列に接続された超電導コイル群A1,B1,C1,D1に対して、並列に永久電流スイッチ31が接続されて、超電導磁石装置の主回路が形成されている。そして、双方向ダイオード32が、それぞれの超電導コイル群A1,B1,C1,D1と並列に接続されており、4つに分割された保護回路を構成している。ここで、双方向ダイオード32は、2つのダイオードがそれぞれ逆方向に並列接続されてなる。なお、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bの組み合わせ、双方向ダイオード32の構成数、保護回路の分割数は、クエンチ時のコイル電圧、温度上昇、電磁力、漏洩磁場を考慮して、これらが許容範囲に収まるように適宜設定することができる。このような回路において、MRI装置の通常運転時には、超電導コイル群A1,B1,C1,D1と永久電流スイッチ31とで構成される回路上に電流が流れる。つまり、双方向ダイオード32には、電流が流れないようになっている。なお、必要に応じてダイオードの数を調整することによって、仮に、超電導コイル群A1,B1,C1,D1の励磁時および消磁時等に、双方向ダイオード32のダイオード順方向電圧を上回る電圧が発生したような場合にも、電流がダイオード側に分流しないようにすることができる。また、クエンチ時には、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bにおいて、ダイオード順方向電圧を大きく上回る電圧が発生するため、双方向ダイオード32側に電流が流れる。図2に戻り、良導体リング40A,40Bは、中心軸Zを軸として超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bと同軸に配置されており、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向中心軸Zに鉛直に交差する方向外側に配置されている。なお、良導体リング40A,40Bは、超電導コイル超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bを支持する巻き枠に設けられた支持部材図示せずによって支持され、超電導コイルとともに冷却されるようになっている。なお、良導体リング40A,40Bの材質は、アルミニウムや銅などの金属に加えて、超電導線材であってもよい。通電用スイッチ50A,50Bおよびスイッチ制御部52は、図4で後記する。図4は、超電導磁石装置の良導体リングの構成を示す回路模式図である。良導体リング40A,40Bは、一箇所もしくは複数個所が電気的に開放され、電気的に開放された箇所に通電用スイッチ50A,50Bが設けられている。なお、図4では、電気的に開放された箇所が一箇所設けられた良導体リング40A,40Bを図示している。通電用スイッチ50A,50Bは、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorなどの半導体スイッチング素子を単独もしくは複数個を並列接続してなり、スイッチ制御部52の入力信号に応じて電気的に開閉する機能を有している。また、通電用スイッチ50A,50Bは、良導体リング40A,40Bの開放された箇所に近接して設けられていることが望ましい。これにより、通電用スイッチ50A,50Bが閉オンの場合、良導体リング40A,40Bは、磁場の変化に応じて誘導電流が流れることができるようになっている。一方、通電用スイッチ50A,50Bが開オフの場合、良導体リング40A,40Bは、誘導電流が流れることができないようになっている。スイッチ制御部52は、クエンチ検出部53と、切替指令部55と、記憶部54と、を有している。なお、スイッチ制御部52は、制御装置3図1参照の内部に設けられていてもよく、制御装置3図1参照とは別に設けられていてもよい。クエンチ検出部53は、各超電導コイル超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bのコイル端子間電圧信号が入力され、超電導コイルで発生した常電導転移クエンチ現象の発生をコイル端子間電圧の変化として検出することができるようになっている。例えば、クエンチ検出部53は、最初にコイル端子間電圧が所定の閾値を超えた超電導コイルをクエンチが発生した超電導コイルと特定する。そして、クエンチ検出部53は、常電導転移クエンチ現象の発生を検知すると、その検知に係る超電導コイル超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bを示す信号を切替指令部55に送信するようになっている。記憶部54は、クエンチが発生した超電導コイル群超電導コイル群A1,B1,C1,D1と、その際の通電用スイッチ50A,50Bの開閉との関係を示すマップ切替情報を記憶している。このマップ切替情報の例を図5に示す。なお、このマップ切替情報は、超電導磁石装置の構成超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20B、良導体リング40A,40Bの位置、形状、および設置個数、超電導コイル群の組み合わせ等に基づいて、数値解析により、クエンチ時の漏洩磁場の拡大が抑制される通電用スイッチ50A,50Bの開閉の組み合わせを求めたものが記憶されている。例えば、超電導シールドコイル20B超電導コイル群A1にクエンチが発生したと仮定して、通電用スイッチ50A,通電用スイッチ50Bが、開,開、開,閉、閉,開、閉,閉の全ての組み合わせに対して、漏洩磁場を数値解析し、漏洩磁場の拡大が抑制される通電用スイッチ50A,50Bの開閉の組み合わせ図5の例では、開,閉がマップ切替情報に記憶される。切替指令部55は、クエンチ検出部53から受信したクエンチが発生した超電導コイルの属する超電導コイル群超電導コイル群A1,B1,C1,D1に基づいて、記憶部54に記憶されているマップ例えば、図5を参照して、通電用スイッチ50A,50Bの開閉を決定し、通電用スイッチ50A,50Bに開または閉を指令する信号を出力するようになっている。<作用効果>次に、本実施形態に係る超電導磁石装置の作用効果について説明する。良導体リング40A,40Bを、図2に示すように、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向外側に配置した第1実施形態に係る超電導磁石装置について、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bを4つの超電導コイル群A1,B1,C1,D1図3参照として構成し、後記するシミュレーション数値解析を行った。なお、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bに初期通電した電流値は、撮像領域Fにおよそ3Tの磁場を生成するコイル電流値とした。また、良導体リング40A,40Bの断面積を50mm角とした。超電導シールドコイル20B超電導コイル群A1でクエンチが発生したものと仮定し、通電用スイッチ50Aが開オフ、通電用スイッチ50Bが閉オンとして図5参照、後記するシミュレーション数値解析を行った。第1実施形態の超電導磁石装置における数値解析結果を図6から図8に示す。図6は、クエンチ開始からの超電導コイル群A1,B1,C1,D1図3参照の電流の時間発展図である。図7は、クエンチ開始からの超電導コイル超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bのコイル端子間電圧の時間発展図である。図8は、クエンチ開始からの良導体リング40A、40Bの誘導電流の時間発展図である。なお、クエンチが発生した時刻を時刻ゼロとしている。なお、良導体リング40Aは開回路通電用スイッチ50Aが開オフとなっており、図8において、良導体リング40Aを流れる電流誘導電流はゼロとなっている。クエンチ検出部53が、超電導コイルにクエンチが発生したと判断するためのコイル端子間電圧の閾値を100Vとすると、図7に示すように、クエンチ開始から約0.15秒で閾値のコイル端子間電圧100Vに達する。そして、図8に示すように、クエンチ開始から約0.15秒以内で良導体リング40Aを開回路即ち、通電用スイッチ50Aを開オフとすれば、良導体リング40Bに主要な電流が流れる前にスイッチの開閉を行うことが可能であることがわかる。即ち、クエンチ検出部53において、コイル端子間電圧が閾値を超えたとして、超電導主コイル10Aまたは超電導シールドコイル20B即ち、超電導コイル群A1でクエンチが発生したと検出し、その後、切替指令部55において、記憶部54に記憶されたマップ図5参照に基づいて、通電用スイッチ50Aを開オフとしても、良導体リング40A,40Bに主要な電流が流れる前にスイッチの開閉を行うことが可能であることがわかる。図9に第1実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の漏洩磁場の拡がる領域を示した数値解析結果を示す。図9は、第1実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図である。図9aは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示し、図9bは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの負方向に最大となる状態を示している。ここで、縦軸は中心軸Z図2参照に相当し、その中心が撮像領域Fの中心Oである。また、横軸は径方向中心軸Zに鉛直に交差する方向に相当する。なお、1メモリ0.5mである。太実線で示す曲線は、5ガウスライン超電導磁石装置からの漏洩磁場の磁束密度が5ガウス0.5mTとなる境界であり、漏洩磁場を評価する指標として用いる。なお、5ガウスラインは、漏洩磁場の評価として、広く用いられている基準値である例えば、WHOEnvironmentalHealthCriteria69MagneticFields1987。超電導シールドコイル20B超電導コイル群A1でクエンチが発生すると、図6に示すように、超電導コイル群A1超電導主コイル10A、超電導シールドコイル20Bを流れる電流が低下する。これにより、漏洩磁場は、まず、中心軸Zの正方向に拡大する。中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図9aに示すように、クエンチ開始から1.84秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は6.0mであった。その後、漏洩磁場は、中心軸Zの負方向に拡大する。中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図9bに示すように、クエンチ開始から2.76秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は5.2mであった。ここで、比較例として、良導体リング40A,40Bを有さない従来の超電導磁石装置第1比較例と、良導体リング40A,40Bを有するが開放機構を有さない従来の超電導磁石装置第2比較例の数値解析結果、図10および図11に示す。なお、第1比較例に係る超電導磁石装置は、本実施形態に係る超電導磁石装置の通電用スイッチ50A,50Bを常開オフとしたものに等しく、第2比較例に係る超電導磁石装置は、本実施形態に係る超電導磁石装置の通電用スイッチ50A,50Bを常閉オンとしたものに等しい。図10は、第1比較例の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図であり、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示す。第1比較例において、中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図10に示すように、クエンチ開始から1.84秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は7.8mであった。なお、この時点で中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となり、5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は5.0mであった。図11は、第2比較例の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図である。図11aは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示し、図11bは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの負方向に最大となる状態を示している。第2比較例において、中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図11aに示すように、クエンチ開始から1.64秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は6.0mであった。また、中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図11bに示すように、クエンチ開始から3.0秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は6.0mであった。このように、第1実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図9参照は、第1比較例および第2比較例に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図10,11参照と比較して、中心軸Z方向に非平衡な漏洩磁場の拡大が抑制されることがわかる。以上のように、本発明によれば、特許文献1、2に記載された従来技術による漏洩磁場領域拡大の抑制第2比較例に相当を更に助長することが可能である。超電導磁石装置の高磁場化ニーズに伴う既存磁石装置のリプレースにおいても、漏洩磁場領域の拡大抑制は必須事項の一つである。≪第2実施形態≫次に、第2実施形態に係る超電導磁石装置について説明する。図12は、第2実施形態の超電導磁石装置が適用されるMRI装置のガントリの断面模式図である。第2実施形態に係る超電導磁石装置と、第1実施形態に係る超電導磁石装置との差異点は、第1実施形態に係る超電導磁石装置の良導体リング40A,40Bは、図2に示すように、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向外側に配置されているのに対し、第2実施形態に係る超電導磁石装置の良導体リング40A,40Bは、図12に示すように、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向内側に配置されている点で異なる。図13は、第2実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図である。図13aは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示し、図13bは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの負方向に最大となる状態を示している。第2実施形態において、中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図13aに示すように、クエンチ開始から1.88秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は6.8mであった。また、中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図13bに示すように、クエンチ開始から2.6秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は4.5mであった。このように、第2実施形態に係る超電導磁石装置は、良導体リング40A,40Bを超電導シールドコイル20A,20Bの内側に設置することで、第1実施形態に係る超電導磁石装置と比較して図2参照、超電導磁石装置全体の大きさを小さくすることができる図12参照。即ち、第2実施形態に係る超電導磁石装置は、良導体リング40A,40Bを備えない超電導磁石装置と同程度の大きさとすることができる。また、第2実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図13参照は、第1比較例に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図10参照と比較して、漏洩磁場の拡大が抑制されることがわかる。また、第2実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図13参照は、第2比較例に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図11参照と比較すると、中心軸Zの正方向の漏洩磁場は、拡大しているものの図11a、図13a参照、中心軸Zの負方向の漏洩磁場の拡大が抑制されることがわかる図11b、図13b参照。このように、第2実施形態に係る超電導磁石装置は、MRI用超電導磁石装置の周囲に設置された機器に対する磁気シールド対策として利用できる。≪第3実施形態≫次に、第3実施形態に係る超電導磁石装置について説明する。第3実施形態に係る超電導磁石装置と、第1実施形態に係る超電導磁石装置との差異点は、第1実施形態に係る超電導磁石装置の良導体リング40A,40Bの断面積を50mm角としたのに対し、第3実施形態に係る超電導磁石装置の良導体リング40A,40Bの断面積を100mm角とした点で異なる。なお、第3実施形態に係る超電導磁石装置の良導体リング40A,40Bは、第1実施形態に係る超電導磁石装置図2参照と同様に、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向外側に配置されている。図14は、第3実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図である。図14aは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示し、図14bは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの負方向に最大となる状態を示している。第3実施形態において、中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図14aに示すように、クエンチ開始から1.84秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は5.7mであった。また、中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図14bに示すように、クエンチ開始から2.84秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は5.2mであった。このように、第3実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図14参照は、第1実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図9参照と比較して、漏洩磁場の拡大が更に抑制されることがわかる。≪第4実施形態≫次に、第4実施形態に係る超電導磁石装置について説明する。図15は、第4実施形態の超電導磁石装置が適用されるMRI装置のガントリの断面模式図である。第4実施形態に係る超電導磁石装置と、第1実施形態に係る超電導磁石装置との差異点は、更に一対の良導体リング41A,41Bが配置されている点で異なる。良導体リング41A,41Bは、良導体リング40A,40Bと同様に、中心軸Zを軸として同軸に配置されており、超電導シールドコイル20A,20Bに対して径方向中心軸Zに鉛直に交差する方向外側に配置されている。また、良導体リング41A,41Bは、中心軸Z方向に対して、一対の超電導シールドコイル20A,20Bの両端より内側に配置されている。また、一箇所もしくは複数個所が電気的に開放され、電気的に開放された箇所に通電用スイッチ51A,51Bが設けられている。通電用スイッチ51A,51Bは、通電用スイッチ50A,50Bと同様に、スイッチ制御部52の入力信号に応じて電気的に開閉する機能を有している。図16に第4実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の漏洩磁場の拡がる領域を示した数値解析結果を示す。なお、良導体リング40A,40B,41A,41Bの断面積を50mm角とした。また、超電導シールドコイル20B超電導コイル群A1でクエンチが発生したものと仮定し、通電用スイッチ50A,51Aが開オフ、通電用スイッチ50B,51Bが閉オンとして、シミュレーション数値解析を行った。図16は、第4実施形態の超電導磁石装置におけるクエンチ時の最大漏洩磁場拡大範囲図である。図16aは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの正方向に最大となる状態を示し、図16bは、漏洩磁場の拡大が中心軸Zの負方向に最大となる状態を示している。第4実施形態において、中心軸Zの正方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図16aに示すように、クエンチ開始から1.84秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの正方向到達距離は5.7mであった。また、中心軸Zの負方向の漏洩磁場が最大となる状態は、図16bに示すように、クエンチ開始から2.76秒後で、このときの5ガウスラインの中心軸Zの負方向到達距離は5.0mであった。このように、第4実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図16参照は、第1実施形態に係る超電導磁石装置における漏洩磁場図9参照と比較して、漏洩磁場の拡大が更に抑制されることがわかる。なお、第4実施形態に係る超電導磁石装置は、良導体リングを2対設置するものとして説明したが、これに限られるものではなく、複数個の良導体リングを設置した構成であってもよい。≪変形例≫なお、本実施形態に係る超電導磁石装置は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。本発明の実施形態に係る超電導磁石装置は、MRI装置図1参照に適用されるものとして説明したが、これに限られるものではなく、核磁気共鳴装置以下、NMR装置と称する。に適用されるものであってもよい。なお、NMR装置に適用する場合には、図2や図15における冷却容器62や真空容器64などの形状、超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bの数や位置、形状などは適宜変更される。図17は、本発明の超電導磁石装置が適用されるNMR装置の概念図である。NMR装置は、図17に示すように、超電導磁石装置1’が備えた超電導主コイル10A,10B,11A,11B,12A,12B、超電導シールドコイル20A,20Bによって磁場が形成される磁場空間Kに、検体不図示、以下同じを入れるサンプル管Sが設置され、サンプル管Sに入れた検体からの核磁気共鳴信号を捉えるプローブP、プローブPで捉えた核磁気共鳴信号を解析する解析手段としてのスペクトロメータSM、そして超電導磁石装置1’やスペクトロメータSMの動作を制御するコンピュータ等の機器70などで構成される。機器70と超電導磁石装置1’およびスペクトロメータSM、そしてスペクトロメータSMとプローブPは、各々、配線Wを介して電気的に接続されている。また、図17に示すようなNMR装置では、冷凍機不図示による振動を防止するため、冷凍機を設けない構成とする場合もある。このようなNMR装置に用いた場合にも、開放部を有する良導体リング40A,40B、通電用スイッチ50A,50Bおよびスイッチ制御部52図示せずにより、超電導磁石装置におけるクエンチ時の漏洩磁場の拡大が抑制される。"