多層膜の処理方法であって、当該方法が、基材膜第1面と基材膜第2面とを有する基材膜を用意する段階と、基材膜第2面に隣接した遮蔽層であって、基材膜と遮蔽層の外面とを流体連通する1以上の開口を有する遮蔽層を用意する段階と、基材膜第1面を第1の反応体に暴露する段階と、遮蔽層の外面を第2の反応体に暴露して、第2の反応体を第1の反応体と反応させる段階とを含んでおり、基材膜第1面を第1の反応体に暴露する段階と、遮蔽層の外面を第2の反応体に暴露する段階とが、第1の反応体と第2の反応体との反応によって反応層が形成される条件下で実施される、方法。反応層の形成によって遮蔽層中の開口が塞がれる、請求項1記載の方法。遮蔽層中の1以上の開口がピンホール欠陥又は亀裂である、請求項1記載の方法。基材膜が熱可塑性材料を含む、請求項1記載の方法。遮蔽層がゼロ価金属を含み、ゼロ価金属が金、銀及びアルミニウムからなる群から選択される、請求項1記載の方法。遮蔽層材料が金属、ニトリド、有機材料、無機材料及びセラミック材料からなる群から選択される、請求項1記載の方法。基材膜第1面を第1の反応体に暴露する段階と、遮蔽層の外面を第2の反応体に暴露する段階とが同時に実施される、請求項1記載の方法。基材膜第1面を第1の反応体に接触させる段階と、遮蔽層の外面を第2の反応体に接触させる段階とが別々に実施される、請求項1記載の方法。第1の反応体が水、硫黄、セレン、テルル、酸素、アルコール、アンモニア、又は非金属ヒドリドもしくはスルフィドからなる群から選択される、請求項1記載の方法。第2の反応体がオルトシリケートである、請求項1記載の方法。第2の反応体が金属ハライド、金属アルキル化合物、金属アルコキシド、オルトシリケート、金属β-ジケトナト化合物、金属シクロペンタジエニル化合物、金属カルボキシレート、金属カルボニル、金属ヒドリド、金属アルキルアミドもしくはシリルアミド、又はバイメタル化合物、又はこれらの組合せからなる群から選択される、請求項1記載の方法。基材膜が有機膜である、請求項1記載の方法。基材膜及び遮蔽層に第1の反応体を接着させるために有機金属化合物を添加することを含む、請求項1記載の方法。第1の反応体と第2の反応体との反応に対する最適温度を用意することを含む、請求項1記載の方法。超音波システム、プラズマ源及び紫外線放射源からなる群から選択される供給源による反応のための追加のエネルギーを用意することを含む、請求項1記載の方法。基材膜上に反応層を形成する方法であって、当該方法が、第1の外面と第2の外面とを有する基材膜を用意する段階と、第1の外面を第1の反応体に暴露する段階と、基材膜の第2の外面を第2の反応体に暴露して、第2の反応体を第1の反応体と反応させて反応層を形成する段階とを含んでおり、基材膜が第1の反応体に対して透過性であって、基材膜の第2の外面で第1の反応体と第2の反応体とを反応させることができる、方法。基材膜が熱可塑性材料を含む、請求項16記載の方法。基材膜に隣接した複数の遮蔽層を用意することをさらに含む、請求項16記載の方法。基材膜上に反応層を形成する方法であって、第1の外面と第2の外面とを有する基材膜を用意する段階と、基材膜を第1の反応体で飽和させる段階と、飽和した基材膜の第1の外面又は第2の外面を第2の反応体に暴露して、第2の反応体を第1の反応体と反応させて反応層を形成する段階とを含む方法。飽和した基材膜の第1の外面と第2の外面の両方を第2の反応体に暴露し、第2の反応体を第1の反応体と反応させて反応層を形成することを含む、請求項19記載の方法。以下で詳細に論じる通り、本発明の実施形態は、遮蔽層を有する多層膜を加工し、且つ遮蔽層中の開口又は空隙を塞ぐために反応層を形成する方法を対象とする。本明細書で使用される際、開口又は空隙という用語は、細孔、ピンホール、亀裂などを指す。従って、本発明は、このような開口又は空隙を有する遮蔽層又は金属層を含んだ多層膜を加工する方法を取り扱うものである。本発明の様々な実施形態の構成要素について紹介する際、単数形で記載したものは、その構成要素が1以上存在することを意味する。含む、備える及び有するという用語は内包的なものであり、記載した構成要素以外の追加の要素が存在していてもよいことを意味する。作動パラメータの例は、開示した実施形態以外のパラメータを除外するものではない。図1は、本発明の一実施形態による多層膜10を図示している。示したように、多層膜10は、基材膜第1面11と基材膜第2面13とを有する基材膜層12を含む。いくつかの実施形態では、基材材料は、可撓性及び/又は実質的に透明でもよい。一実施形態では、基材膜層12は個材でもよいし、異なる材料製の複数の隣接片を含む構造でもよい。基材膜層12の材料の非限定的な例は、熱可塑性材料も含み得る。基材材料のその他の非限定的な例には、特に限定されないが、有機ポリマー樹脂、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリアクリレート、ポリノルボルネン、ポリカーボネートPC、シリコーン、エポキシ樹脂、シリコーン官能化エポキシ樹脂、MYLAR登録商標E.I.duPont社から市販のようなポリエステル、KAPTON登録商標H又はKAPTON登録商標EduPont社から市販、APICAL登録商標AVカネカハイテックマテリアルズ社から市販、UPILEX登録商標宇部興産株から市販のようなポリイミド、ポリエーテルスルホン、ULTEM登録商標GeneralElectric社から市販のようなポリエーテルイミド、ポリ環状オレフィン、又はポリエチレンナフタレートPENが挙げられる。追加の基材材料は、細孔、ピンホール又は亀裂を有するガラス又は金属箔又は溶融セラミックの超薄層を含んでいてもよい。さらに、様々な工業的名称における基材材料は、Aclar、Vectran、Tefzel、Surlyn、PETST504、PETmylarD、ArmstrongA661、Tedlar、BRP-C、PVCBlack、PO100、PO130、Kapton、PVCclear、Korad、EVA、PVB、TPU、DCSylguard、GERTV615を含み得る。基材材料の組合せも本発明の範囲に含まれることに留意されたい。多層膜10はまた、基材膜層第2面13に隣接した遮蔽層14も含む。一実施形態では、多層膜10は、基材膜の片面上の2つの遮蔽層の間に配置された基材膜層を有していてもよい。遮蔽層14は、ディップコーティング、スプレーコーティング、物理蒸着法、化学蒸着法CVD、プラズマ促進化学蒸着法PECVD、スパッタリング、及び/又は反応性スパッタリング、又はその他の手段によって作製された金属又はセラミック薄膜コーティングでもよい。多層膜10の様々な実施形態は、単層バリア、又は多層バリア、又はマルチゾーングレードバリアmultizonegradedbarrierを含み得る。図示した通り、遮蔽層14は開口又は空隙15を含む。別の実施形態では、遮蔽層14は、複数の開口又は空隙15を含んでいてもよい。このような開口又は空隙15は、遮蔽層14の欠陥であり、細孔、ピンホール、亀裂などを含み得る。さらに、図1で図示した一実施形態では、多層膜10には、開口又は空隙15において反応層の形成技術が取り入れられている。基材膜層12及び遮蔽層14を有する多層膜10は、基材膜第1面11上で第1の反応体16に暴露される。多層膜10はまた、遮蔽層14の外面で第2の反応体18にも暴露される。第1の反応体16及び第2の反応体18は、液体反応体、又は揮発性反応体、又は複数の反応体の混合物を含み得る。第1の反応体16及び基材膜材料は、反応体が基材中で実質的に透過性となるように選定される。これにより、第1の反応体16は、基材膜層12を透過して遮蔽層14の開口又は空隙15に到達し、続いて、適当な温度条件において第2の反応体18と反応することが可能になる。この反応により、開口又は空隙15中に反応層の形成が起き、これにより、対象とする浸透物、例えば酸素、湿分、二酸化炭素などのための開口又は空隙15の閉塞が可能になる。さらに、この反応はまた、紫外線エネルギー源、プラズマ源又は超音波からなる群から選択されるエネルギー源からエネルギーを追加することによって促進することもできる。また、反応層の形成によって、反応体又は前駆体のそれぞれが益々分離されるようになり、さらには、反応プロセスが自己制御的になる。一実施形態では、基材膜層12は、ロール状又はシート状の第1の反応体によって加工又は処理できる。別の実施形態では、基材膜層12は、例えばボトルに成形した後で加工又は処理できる。非金属の薄型遮蔽膜は非常に脆い傾向があるので、後続の成形/引抜きプロセスにより、通常、非金属遮蔽膜などの薄膜バリアのどこかが損なわれるであろうから、後者は重要である。さらに、一実施形態では、基材膜層12の厚さは、約5μm~約250μmになり得る。第1の反応体は基材膜層12を透過しなければならないので、反応層形成のための最適温度において反応速度を向上するためには、より薄くてより透過性の基材膜層が好ましいであろう。さらに、反応層形成のための反応速度又は膜堆積速度は、特定の第1の反応体のための基材膜層の浸透能力に依存することに留意されたい。非限定的な一例として、本発明の一実施形態は、約80nm/分の反応層形成速度を有し得る。このような一実施形態には、85°Cにおける浸透性が約11gmm/m2/日であり、第1の反応体として水を含み、厚さが100μmのPET基材膜層が含まれる。1g/cm3の水の密度を用いることにより、反応層形成のための反応速度は毎分約80nm/分と決定され、浸透ラグタイムは約3分と決定される。水第1の反応体の浸透は、温度及び材料に関連して著しく変化することに留意されたい。さらに、反応速度が第2の反応体にも依存することも留意され得る。より詳細には、PETST504などのPET基材の中を通る25°Cの水の定常状態での浸透速度は、約0.243gmm/m2/日であり、一方、85°CでPETST504の中を通る際の浸透速度は、約11.2g-mm/m2/日である。従って、反応層の形成又は膜の堆積は、最適温度、例えば基材材料のガラス転移温度を超える温度において、基材膜層の中を通って遮蔽層の縁部に至るまでの反応体又は前駆体の浸透速度を上昇させることによって効果的に実施される。別の一実施形態では、第1の反応体16を基材膜層12上にさらすことの非限定的な例は、基材膜第1面11における体積を制限することと、体積を第1の反応体16で満たすこととを含んでいてもよく、ここで、第1の反応体16は、基材膜第1面11上での移動度がより高い液体前駆体でもよい。さらに、体積は、基材膜第1面11での体積に体積が一致及び対応するように、遮蔽層14の外面で制限される。その後、遮蔽層14の外面で制限された体積は、図1に示す第2の反応体18で満たされる。これにより、第1の反応体が基材膜層12を透過して開口又は空隙15で第2の反応体と反応した際、反応層が形成される。対応する体積を多層膜10のいずれかの面上で制限し、続いて反応体に暴露することは、遮蔽層14の開口又は空隙における反応層の効果的な形成を確実にするために必要とされる。さらに、これにより、多層膜10の縁部に沿って反応体が流動することにより起きてしまう不要な反応が回避される。加えて、別の実施形態では、基材膜層12は、第1の反応体16で予め飽和されていてもよい。基材膜層12を予め飽和させることは、第1の反応体16と第2の反応体18とは直接反応しないが、予め飽和させた基材膜層に含まれた第1の反応体16が、一方の側から遮蔽層14の開口又は空隙に到達して、他方の側から遮蔽層14に施用された第2の反応体18と反応できるようになることを確実にするために実施される。この結果、開口又は空隙15が効果的に塞がれる。非限定的な一例では、PETの基材材料は第1の反応体としての水で適切に飽和させることができる。このように予め飽和させることは、単純なチャンバー内で実施でき、これにより、多層膜10の縁部に沿って反応体が流動することにより効果的でない反応層が形成されてしまうことがなくなる。図2は、本発明の一実施形態に従って多層膜を加工するための流れ図100を図示している。多層膜を加工する下記段階の結果、化学種又は環境要因、例えば酸素、水蒸気、二酸化炭素、硫化水素、SOx、NOx、溶媒などの拡散に対する耐性が改善される。これにより、包装した食品の鮮度を長く保つことができ、又は本発明の多層膜を組み込んだ周囲環境に鋭敏なデバイスの貯蔵寿命を延長できる。最初に、段階102において、本方法は、基材膜第1面と基材膜第2面とを有する基材膜を用意することを含む。段階104において、本方法は、基材膜第2面に隣接した遮蔽層を用意することを含む。一般に、遮蔽層は、1以上の開口又は空隙、例えば細孔、ピンホール、亀裂などを有する。多層膜を加工する本方法により、このような開口又は空隙の閉塞が可能になる。一実施形態では、遮蔽層は、基材層上に配置された金属層である。別の実施形態では、遮蔽層は、基材膜に接触した遮蔽コーティングを含んでいてもよい。遮蔽層材料の非限定的な例には、金、銀及びアルミニウムが挙げられる。金属層は通常、ゼロ価金属である。非限定的な一例における遮蔽層はまた、窒化ケイ素などのニトリドを含んでいてもよい。その他の非限定的な遮蔽層組成物は、有機材料、無機材料、セラミック材料、及びこれらの組合せから選択されるものを含む。一実施例では、これらの材料は、複数のプラズマ種の反応に由来した再結合生成物であり、基材膜表面上に堆積する。有機遮蔽コーティング材料は通常、炭素及び水素、並びに適宜その他の元素、例えば酸素、窒素、ケイ素、硫黄及び同様の元素を含んでいてもよい。遮蔽コーティング中の有機組成物を生じさせる適切な反応体は、炭素原子数約15以下の直鎖又は枝分れアルカン、アルケン、アルキン、アルコール、アルデヒド、エーテル、アルキレンオキシド、芳香族などの種を含む。無機及びセラミック遮蔽コーティング材料は典型的には、IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、IB又はIIB族元素の、IIIB、IVB、VB族の金属の、又は希土類元素のオキシド、ニトリド、ボライド、又はこれらの組合せが挙げられる。例えば、炭化ケイ素を含む遮蔽コーティングは、シランから発生するプラズマと、メタンやキシレンなどの有機材料との再結合により基材上に堆積できる。オキシ炭化ケイ素を含む遮蔽コーティングは、シランとメタンと酸素とから又はシランとプロピレンオキシドとから発生するプラズマ、又はテトラエトキシオルトシランTEOS、ヘキサメチルジシロキサンHMDS、ヘキサメチルジシラザンHMDZ、又はオクタメチルシクロテトラシロキサンD4などの有機シリコーン前駆体から発生するプラズマによって堆積できる。窒化ケイ素を含む遮蔽コーティングは、シラン及びアンモニアから発生したプラズマによって堆積できる。アルミニウムオキシカルボニトリドを含む遮蔽コーティングは、例えば酒石酸アルミニウムとアンモニアとの混合物から発生するプラズマによって堆積できる。いくつかの実施形態では、有機材料を含む遮蔽コーティングは、公知な方法、例えば、特に限定されないが、スピンコーティング、フローコーティング、グラビア又はミクログラビアプロセス、ディップコーティング、スプレーコーティング、真空蒸着、化学蒸着法CVD、プラズマ促進化学蒸着法PECVDなどの方法、例えば高周波プラズマ促進化学蒸着法RF-PECVD、膨張熱プラズマ化学蒸着法、反応性スパッタリング、電子サイクロトロン共鳴プラズマ促進化学蒸着法ECRPECVD、誘導結合プラズマ促進化学蒸着法ICPECVD、スパッタ蒸着、蒸発、原子層堆積、又はこれらの組合せを用いて堆積してもよい。さらに、段階106では、本方法は、基材膜第1面を第1の反応体に暴露することを含む。最後に、多層膜を加工する方法は、段階108において遮蔽層の外面を第2の反応体に暴露することを含む。第2の反応体は、第1の反応体と反応して遮蔽層の開口又は空隙に反応層を形成する。この反応層は、遮蔽層の開口を効果的に塞ぐことにより、化学種又は環境要因の浸透を確実に阻止する。基材膜第1面を第1の反応体に暴露する方法段階と、遮蔽層の外面を第2の反応体に暴露する方法段階の両方は、反応層が形成される条件下で同時又は別々に実施される。加工条件には、適当な温度と、遮蔽層の開口又は空隙における反応層の形成の維持とが含まれ得る。複数の反応体間の反応は、プラズマ源、紫外線源、超音波源、コロナ放電又は電子ビームなどのエネルギー源の追加によってさらに促進できる。図1に示す一例では、遮蔽層及び基材膜層は、1種以上の反応体に順に暴露され、これらの反応体は、堆積種又は前駆体図1では反応層16、18と呼ぶを含んでいてもよい。一実施形態では、堆積種又は前駆体はすべてが気相中にある。別の実施形態では、片方又は両方の前駆体は、液体の形態又は粘性ペーストの形態で施用される。さらに別の一実施形態では、基材膜上に配置された遮蔽層を有する多層膜を、連続的又は半連続的なロールツーロールプロセスを用いてプロセスチャンバー中に供給する。ロールツーロールプロセスの一実施形態では、プロセスチャンバーは、多層膜の連続移動を可能にするように構成されている。或いは、プロセスは、バッチ式プロセスを用いて実施してもよく、これにより、基材の1つ以上の面に配置された遮蔽層は、プロセス中にホルダー上に配置される。任意選択によるプラズマ源をプロセスチャンバー内部に配置してもよい。プラズマ源又はその他の表面活性化技術の使用、例えば電子ビーム、紫外線、オゾン、又はコロナの使用により反応速度を向上でき、堆積の品質及び反応層の形成を改善し得る。適宜、交流電流AC又は直流電流DCスパッタリングを、このプロセスと組み合わせて実施してもよい。反応体の選択は、多層膜の遮蔽層及び基材膜層に対する反応体の接着に関連し得る。一実施形態では、堆積種又は前駆体反応体のうち1種以上は、遮蔽層を濡らすことができるものである。別の実施形態では、有機基材膜層上への反応体の堆積の前に有機金属化合物が添加される。これにより、上述した段階106における有機基材膜第1面層の表面に対する第1の反応体の接着が容易になる。さらに、堆積種又は前駆体の基材膜層に対する接着及び遮蔽層の縁部に対する接着は、最適温度、例えば基材材料のガラス転移温度を超える温度で多層膜を加工することによって実現してもよい。別の実施形態では、多層膜のこうした層に対する反応体の接着を容易にする方法は、超音波使用して遊離粒子を移動させ、多層膜中の弱い箇所及び亀裂を封止することを含んでいてもよい。さらに、遮蔽層が官能基を含む場合、第2の反応体は、この反応体が官能基と反応して、それにより遮蔽層に化学的に結合した単層を形成でき、且つ、任意選択による追加の反応に関与して反応層を形成することが可能になり得るように選定してもよい。遮蔽層が官能基を有していない場合、最初の堆積は、遮蔽層の表面を官能化するように行ってもよい。遮蔽層の開口又は空隙に生じる反応層は金属、例えば、特に限定されないが、亜鉛、カドミウム、ケイ素、アルミニウム、ゲルマニウム、銅、タングステン、チタン、又はタンタル、又は金属系化合物、例えば、特に限定されないが、金属ハライド、金属オキシド、金属スルフィド、金属ニトリド、金属カーバイド、又はバイメタル又はトリメタル化合物を含んでいてもよく、堆積種又は前駆体を用いた遮蔽層の表面上の反応によって得ることができる。堆積種又は前駆体の非限定的な例には、金属又は金属前駆体、例えば金属ハライド、金属アルキル化合物、金属アルコキシド、オルトシリケート、金属β-ジケトナト化合物、金属シクロペンタジエニル化合物、金属カルボキシレート、金属カルボニル、金属ヒドリド、金属アルキルアミドもしくはシリルアミド、又はバイメタル化合物、又はこれらの組合せが挙げられる。例示的な金属ハライドには、特に限定されないが、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、マンガン、銅、亜鉛又はカドミウムのハライドが挙げられる。原子層堆積プロセスの一実施形態では、基材膜層上の第1の堆積種又は前駆体は、非金属及び/又はその他の前駆体を含んでいてもよく、遮蔽層上の第2の堆積種は、基材膜層上に堆積した非金属の第1の堆積種又は前駆体と反応し得る上述した金属又は金属前駆体を含んでいてもよい。例示的な非金属及びその他の前駆体には、硫黄、セレン、テルル、水、酸素、アルコール、アンモニア、又は非金属ヒドリドもしくはスルフィドが挙げられる。例えば、一実施形態では、アルミナを含む反応層は、トリメチルアルミニウムTMAを含む第2の堆積種又は前駆体を遮蔽層上に用い、続いて、水、アルコール、又はシラノール、又はこれらの組合せを含む第1の堆積種又は前駆体を基材膜層上に用いて、遮蔽層の開口上に堆積してもよい。別の実施形態では、基材膜層を最初にガス状TMAにさらした後、不活性ガスでパージし、続いて、水又はアルコールの蒸気にさらして、サイクルを完結させてもよい。別の例示的な一例では、シリカナノラミネートを含む反応層は、遮蔽層を触媒性化合物などの交互堆積種にさらし、その後、アルコキシシラノール、アルコキシアルキルシラノール、又はアルコキシシランジオール化合物にさらすことによって形成してもよい。適切な触媒性化合物は、金属カルボキシレート又は金属アルコラート、例えば、特に限定されないが、ジブチルスズジラウリレート、ジブチルスズジアセテート、チタンイソプロポキシド、亜鉛オクトエート、これらの混合物などを含む。図3は、本発明の別の実施形態に従って基材膜上に反応層を形成する方法の流れ図200を図示している。基材膜は機能及び材料の特性の観点からは基材膜層12図1で図示と同様であるが、プロセスの開始時点では遮蔽膜を有していないことに留意されたい。段階202では、本方法は、第1の外面と第2の外面とを有する基材膜を用意することを含む。段階204では、本方法は、第1の外面を第1の反応体に暴露することを含む。さらに、本方法は、段階206において基材膜の第2の外面を第2の反応体に暴露することにより、第2の反応体が第1の反応体を反応して反応層を形成することを含む。これらの反応体は、上記で図2に具体化した方法について先述した際の堆積種又は前駆体と同様であることも留意され得る。さらに、一実施形態では、基材膜は第1の反応体に対して透過性であり、基材膜層の第2の外面で第1の反応体と第2の反応体とを反応させることができる。別の実施形態では、基材膜は第2の反応体に対して透過性であり、第2の反応体は、基材膜を透過して第1の反応体と反応し、基材膜の第1の外面に反応層を形成する。図4は、本発明の別の実施形態に従って基材膜上に反応層を形成するための方法の流れ図300を図示している。基材膜が機能及び材料の特性の観点からは基材膜層12図1で図示と同様であることに留意されたい。段階302では、本方法は、第1の外面と第2の外面とを有する基材膜を用意することを含む。段階304では、本方法は、基材膜を第1の反応体で飽和させることを含む。さらに、本方法は、段階306において基材膜の第1の外面又は第2の外面のいずれかを第2の反応体に暴露することを含む。第2の反応体は、第1の反応体と反応して反応層を形成する。別の実施形態では、本方法は、飽和した基材膜の両方の外面を第2の反応体に暴露することにより、基材膜の両方の外面上に反応層を形成することを含んでいてもよい。これらの反応体は、上記で図2に具体化した方法について先述した際の堆積種又は前駆体と同様であることも留意され得る。有利なことに、本発明の実施形態による多層膜は、密封食品包装、飲料ボトルの調製に関した包装産業における使用、及び、可撓性、光透過性、重量又はコストに対する必要性により、金属箔やガラス板などの真に不透過性の基材を使用できない数多くの製薬、光学及び電子産業における使用が見いだされている。多層膜のその他の用途には、デバイス又は部材、例えば、特に限定されないが、環境中で普通に接する反応性化学種に対して鋭敏な電気活性デバイスが挙げられる。電気活性デバイスの非限定的な例には、エレクトロルミネセンスデバイス、液晶ディスプレイLCDを始めとするフレキシブルディスプレイデバイス、薄膜トランジスタLCD、発光ダイオードLED、発光デバイス、有機発光デバイスOLED、光電デバイス、光起電性デバイス、有機光起電性デバイス、集積回路、光導電体、光検出器、化学的センサー、生化学的センサー、医療用診断システムの部材、エレクトロクロミックデバイス、又はこれらの組合せが挙げられる。別の例では、本発明の実施形態に記載の多層膜は、有利なことに、環境中に通常存在する化学的又は生物学的作用剤によって容易に損なわれる材料、例えば食料品の包装に使用できる。さらに、当業者ならば、異なる実施形態の様々な特徴の互換性を認識するであろう。同様に、当業者ならば、記載した様々な方法の段階及び特徴、並びにこうした方法及び特徴のそれぞれに対したその他の公知な等価物を組み合わせて、本開示の原理に従った追加のシステム及び技術を構築することが可能である。当然ながら、必ずしも上述したこのような目的又は利点のすべてを特定の実施形態に従って達成できるとは限らないことを理解されたい。従って、例えば、当業者ならば、本明細書で説明したシステム及び技術は、本明細書から教示又は示唆され得るその他の目的又は利点を必ず達成しないでも、本明細書で教示した1つの利点又は利点の群が達成又は最適化されるようにして具体化又は実施できることを認識するであろう。本明細書では本発明の特定の特徴しか図示及び記載していないが、数多くの修正及び変更が当業者によって行われるであろう。従って、添付請求項は、本発明の真の趣旨に属するこのような修正及び変更のすべてを包含することを意図したものであることを理解されたい。