"形状適応性ナノコーティングを導電性および非導電性要素から構成される三次元構造体またはアセンブリの上に被覆させる方法であって、該コーティングを低圧プラズマ工程によって被覆させることを特徴とする方法。前記コーティングが、低圧プラズマ重合工程によって被覆される請求項1記載の方法。前記プラズマ重合工程が、プラズマ洗浄および/またはエッチング工程によって進む請求項2記載の方法。前記プラズマ重合工程が、プラズマ活性化工程によって進む請求項2記載の方法。前記プラズマ重合工程が、前記構造体またはアセンブリの脱ガス工程によって進む請求項2~4のいずれか1項記載の方法。a請求項5記載の脱ガス工程、b請求項3記載のプラズマ洗浄および/またはエッチング工程、およびc請求項1または2記載の被覆工程を含む請求項1~5のいずれか1項記載の方法。a請求項5記載の脱ガス工程、b請求項3記載のプラズマ洗浄および/またはエッチング工程、c請求項4記載の活性化工程、およびd請求項1または2記載の被覆工程を含む請求項1~5のいずれか1項記載の方法。前記洗浄および/またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項7記載の方法。前記脱ガス工程、洗浄および/またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項7または8記載の方法。全工程が同一プラズマチャンバー内で処理される請求項3~9のいずれか1項記載の方法。前記コーティングが、厚さ5~500nm、好ましくは25~250nmを有する請求項1~10のいずれか1項記載の方法。前記プラズマ工程が、圧力10~1000ミリトールで行われる請求項1~10のいずれか1項記載の方法。前記プラズマ工程が、温度5~200°C、好ましくは20~90°Cで行われる請求項1~10のいずれか1項記載の方法。前記プラズマ工程が、周波数20kHz~2.45GHz、好ましくは40kHz、より好ましくは13.56MHzで行われる請求項1~10のいずれか1項記載の方法。RFパワーが、前記プラズマ重合工程の間、連続的に維持される請求項1~14のいずれか1項記載の方法。前記RFパワーが、前記プラズマ重合工程の間、パルスを生じ、マークとスペースとの比が概して0.05~50であると共に、前記パルスの周波数が概して1Hz~100kHzである請求項1~14のいずれか1項記載の方法。前記洗浄および/またはエッチング工程が、ガス状のO2、N2、H2、CF4、Ar、Heまたはそれらの混合物によって行われる請求項3記載の方法。前記活性化工程が、O2、N2O、N2、NH3、H2、CF4、Ar、Heまたはそれらの混合物のガスによって行われる請求項4記載の方法。請求項17または18記載のガスと混合して、ガス状重合性モノマーまたはそれらの混合物を使用する請求項2~18のいずれか1項記載の方法。液状前駆体を加熱するか、固形前駆体を加熱するか、またはそれらの組み合わせによって、ガス状重合性モノマーがガス状前駆体から生成される請求項19記載の方法。前記モノマーが、ハロゲン、硫黄、リン、窒素および/またはシリコーンを含む請求項19または20記載の方法。前記モノマーが、前駆体CF4、C2F6、C3F6、C3F8、C4F8、C5F12、C6F14および/または他の飽和または不飽和ハイドロフルオロカーボンCxFyの内の1つ以上から誘導される請求項19または20記載の方法。前記モノマーが、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェートまたは他のリン酸誘導体の内の1つ以上から誘導される請求項19または20記載の方法。前記モノマーが、前駆体エチルアミン、トリエチルアミン、アリルアミンまたはアクリロニトリルの内の1つ以上から誘導される請求項19または20記載の方法。前記モノマーが、アクリレート、メタクリレートまたはそれらの混合物から誘導される請求項19または20記載の方法。前記モノマーが、シロキサン、シラン、シラザンまたはそれらの混合物から誘導される請求項19または20記載の方法。前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、銅、アルミニウム、銀または金を含む金属を含有する請求項1~26のいずれか1項記載の方法。前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、半導体材料または導電性ポリマーを含む請求項1~26のいずれか1項記載の方法。前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラス繊維補強された、またはされていないポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーンまたはポリアミドを含むポリマー、あるいは紙を含有する請求項1~26のいずれか1項記載の方法。前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラスを含むセラミック材料を含有する請求項1~26のいずれか1項記載の方法。前記三次元構造体またはアセンブリが硬質である請求項1~26のいずれか1項記載の方法。前記三次元構造体またはアセンブリがフレキシブルである請求項1~26のいずれか1項記載の方法。電子部品および小型電子部品を被覆するための請求項1~32のいずれか1項記載の方法の使用方法。集積回路を被覆するための請求項1~32のいずれか1項記載の方法の使用方法。実装前のプリント基板を被覆するための請求項1~32のいずれか1項記載の方法の使用方法。電子部品実装後のプリント基板を被覆するための請求項1~32のいずれか1項記載の方法の使用方法。前記構造体またはアセンブリの全表面および一部に、撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃剤保護を提供するためにナノコーティングを被覆するための請求項1~36のいずれか1項記載の方法の使用方法。弾性を有するナノコーティングを被覆するための請求項1~36のいずれか1項記載の方法の使用方法。ハンダ付けすることができるナノコーティングを被覆するための請求項1~36のいずれか1項記載の方法の使用方法。異なる材料の導電性および非導電性部分および/または部品の三次元構造体に被覆された適応性ナノコーティング。厚さ5~500nm、好ましくは25~250nmを有する請求項40記載の適応性ナノコーティング。請求項1~32のいずれか1項記載の方法によって被覆される請求項40または41記載の適応性ナノコーティング。請求項40~42のいずれか1項記載の適応性ナノコーティングを含むプリント基板アセンブリ。前記適応性ナノコーティングが低圧プラズマ工程によって被覆される請求項43記載のプリント基板アセンブリ。実施例1反応チャンバー中の電極配置電極を図1および図2に示すように配列した。低圧プラズマを発生する電極配列には、中空で、湾曲した、円形1組の浮遊電極1を含み、真空チャンバー5は集団massとして機能する。上記電極1は液体を用いて供給され、上記液体は冷却および加熱することができ、上記プラズマ工程を温度範囲5~200°Cで、好ましくは20~90°Cの制御された温度で行うことを可能とする。上記配置の典型的電極1は、直径5~50mm、壁厚0.25~25mm、回転角度180度を有する端に向かっての湾曲加工を有し、湾曲部の前後の管の間の距離が管直径の1~10倍、好ましくは5倍であった。クラッチ板4上に搭載した接続板2によって電力を上記電極1に印加した。薄い絶縁層または遮蔽層3を、上記クラッチ板4および上記チャンバー5の間に被覆した。上記層の厚さは、プラズマが通過できないように、通常、数mmである。電極間を押すことができる穿孔処理した金属容器またはトレイ6を用いることによって、ナノコーティングが被覆される三次元構造体または装置を、電極間に配置した。上記電極および/または基板の間に、数mmの最小距離を維持することが好ましい。前述の装置中の上記浮遊電極によって、均一な三次元コーティングを単一工程で被覆することが可能である。構造体の上部および底部を、2つの異なる工程で被覆する必要はない。上記電極は、周波数20kHz~2.45GHz、好ましくは40kHz~13.56MHz,より好ましくは13.56MHzで、高周波電場を発生した。そのような電極配置は、CD1000プラズマ装置に好適であった。実施例2電話用埋め込み型回路基板のC3F6による低圧プラズマ重合実装後の携帯電話用回路基板を、実施例1に記載したように、CD1000プラズマ装置中に2分以上配置し、圧力100~1000ミリトールで脱ガスした。次いで、上記基板を、Arを用いて洗浄およびエッチングし、50ミリトールおよび室温で、C3F6を用いて10分間プラズマ重合を行った。上記プラズマ重合工程によって被覆されたフルオロポリマー適応性コーティングの厚さを測定すると、約80nmであった。次いで、上記回路基板を、湿度、高温および塩の煙霧への長期曝露などの種々のエージング工程に曝露した。見たところ、適応性ナノコーティングを有する回路基板は、未処理の回路基板より、かなり小さい腐食作用を示すことがわかった。電気的試験を行ったところ、ナノ適応性コーティングを有する回路基板アセンブリは見たところ電気的故障を示さず、未処理の回路基板より、かなり少ないこともわかった。"