"複数の荷電粒子線を用いて物体を処理する荷電粒子線装置であって、複数行の画素を有するイメージセンサと、荷電粒子線を画素に照射して信号電荷を生成する照射動作と、画素に蓄積された信号電荷を列方向に1画素分ずつ順次転送する転送動作と、画素に蓄積された信号電荷を前記イメージセンサから出力する出力動作とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、照射領域としての前記イメージセンサの第1の一部の行に対する第1の照射動作、該第1の照射動作によって前記第1の一部の行に生成された信号電荷を前記第1の一部の行に隣接した非照射領域としての第2の一部の行に転送する転送動作、および、前記第1の一部の行に対する第2の照射動作を順次行わせる制御を行う、ことを特徴とする荷電粒子線装置。前記照射領域の画素は、特性を計測する対象の荷電粒子線が照射される第1画素と、前記計測に対する補正値を得るために使用される第2画素とを含み、前記制御部は、前記第1画素で生成された信号電荷の値と前記第2画素を用いて求められた補正値とに基づいて前記特性を求める、ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線装置。前記補正値は、荷電粒子線の強度の時間的変動に関する補正値を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置。前記補正値は、前記イメージセンサの暗電流値を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置。前記特性は、荷電粒子線の強度、強度分布および照射位置の少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置。請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の荷電粒子線装置を含み、複数の荷電粒子線を用いて基板に描画を行う、ことを特徴とする描画装置。請求項6に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。特許文献1記載の技術では、不要データが垂直方向にならんでいる場合は、転送するデータ数を削減でき、読み出し時間を短縮することが出来る。しかし、不要データが水平方向に並んでいる場合には、不要な垂直CCD列が発生しないので、読み出し時間を短縮することが出来ない。特許文献2記載の技術では、電荷蓄積部を増やして一度に計測できる回数を増加させているので、読み出す回数を減らすことができる。しかし、センサの構造が複雑になり、また、全画素の蓄積電荷を読み出さなければならないので、時間の短縮効果はほとんど無い。複数のセンサを配置する場合、電子線が照射されるセンサのみから信号を出力させれば、エリアセンサで問題になる不要画素の読み出しが減り、計測時間を短縮することが出来る。しかし、センサを配置する領域が大きくなったり、センサ毎に外部回路を構成しなくてはならなくなったりするなど、フットプリントやコストの点で課題がある。本発明は、例えば、荷電粒子線の特性を効率的に計測するのに有利な技術を提供することを目的とする。本発明は、複数の荷電粒子線を用いて物体を処理する荷電粒子線装置であって、複数行の画素を有するイメージセンサと、荷電粒子線を画素に照射して信号電荷を生成する照射動作と、画素に蓄積された信号電荷を列方向に1画素分ずつ順次転送する転送動作と、画素に蓄積された信号電荷を前記イメージセンサから出力する出力動作とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、照射領域としての前記イメージセンサの第1の一部の行に対する第1の照射動作、該第1の照射動作によって前記第1の一部の行に生成された信号電荷を前記第1の一部の行に隣接した非照射領域としての第2の一部の行に転送する転送動作、および、前記第1の一部の行に対する第2の照射動作を順次行わせる制御を行う、ことを特徴とする。本特許によれば、例えば、荷電粒子線の特性を効率的に計測するのに有利な技術を提供することができる。本発明は、複数の荷電粒子線を用いて物体の処理描画、加工、計測、検査等を行う荷電粒子線装置に適用可能であるが、複数の電子線を用いて基板に描画を行う描画装置に適用した例を説明する。[実施例1]実施例1におけるマルチビーム方式の電子線描画装置の構成を図1の概略図を用いて説明する。電子銃が形成するクロスオーバ1を電子線源としてコンデンサレンズ2により平行な電子線を生成する。アパーチャアレイ3には、開口が2次元に配列されている。レンズアレイ4には、同一の焦点距離を持つ静電レンズが2次元に配列されている。ブランカアレイ5には、電子線を個別に偏向することが可能なブランカが2次元に配列されている。ステージ11に向けて並行して照射される電子線の数は、ブランキング制御部13によってブランカアレイ5を制御することで決定される。コンデンサレンズ2によって生成された平行な電子線は、アパーチャアレイ3によって複数の電子線に分割される。分割された電子線は、レンズアレイ4によって、ブランカアレイ5の高さ面にクロスオーバ1の中間像を形成する。ブランカアレイ5を通過した電子線は、電子レンズ7,9により、ステージ11上に搭載された基板10又はCCDエリアセンサイメージセンサ12上に照射される。CCDエリアセンサ12には、複数行および複数列に配置された画素を有する。電子線の照射位置は、偏向器8の偏向量により決定される。CCDエリアセンサ12は、イメージセンサ制御部14によって制御されて、照射された電子線を検出する。電子線の特性を計測するために検出される電子線は、主制御部15により設定され、ブランキング制御部13によってブランカアレイ5を駆動することで選択される。CCDエリアセンサ12で検出された電子線のデータは主制御部15に送られ、電子線の特性が求められる。電子線の特性は、例えば電子線の強度、強度分布、照射位置である。主制御部15及びイメージセンサ制御部14を含む制御部Cは、荷電粒子線の照射動作と、信号電荷を列方向に1画素分ずつ順次転送する転送動作と、信号電荷の出力動作とを制御する。照射動作では、荷電粒子線が画素に照射されて信号電荷が画素に生成される。転送動作では、画素に蓄積された信号電荷が列方向に1画素分ずつ順次転送される。出力動作では、画素に蓄積された信号電荷がイメージセンサから出力される。実施例1における信号電荷の生成、転送、出力について図2を用いて説明する。図2では、1行目及び4行目の画素は、特性を計測するために一部の電子線22が照射される照射領域23の画素とする。また、2~3行目、5~6行目の画素は、電子線を照射しない非照射領域の画素とする。非照射領域は、信号電荷の転送方向に照射領域に隣接して設定される。まず、第1の照射動作で、計測対象の電子線22が照射領域第1の一部の行23に照射され、照射領域23の画素に信号電荷が生成され蓄積される状態a。次いで、垂直転送クロックに同期して転送動作が行われ状態b、照射領域23の画素に蓄積された信号電荷は、非照射領域第2の一部の行24の画素へと1行分転送され、照射領域23の画素は信号電荷が蓄積されていない状態となる状態b。信号電荷が蓄積されていない照射領域第1の一部の行23に第2の照射動作が行われる。その後も非照射領域24に信号電荷を蓄積していない画素が無くなるまで転送動作及び照射動作を順次行わせる。非照射領域24で信号電荷を蓄積していない画素が無くなったら、水平CCD25を用いて照射領域23及び非照射領域24に蓄積された信号電荷を順次出力する。実施例1では、CCDエリアセンサ12の一部の画素のみを照射領域23として計測を行う場合でも、無駄な転送動作例えば、照射毎の出力動作を行うことなく、信号電荷の出力を行うことが出来る。[実施例2]電子線の照射動作と転送動作との関係を決定する実施例2について図3を用いて説明する。実施例2では、図3のaのハッチングで示されるように、特性を計測したい電子線22の配置が転送方向垂直方向にずれているとする。この場合、照射領域23は、ハッチング領域を含む4行に設定される。まず、電子線22が照射領域23のハッチングされた複数の画素に照射され、複数の画素に信号電荷が蓄積される状態b。次いで、照射領域23の行数回4回の転送動作が繰り返され、照射領域23の画素に信号電荷が蓄積されていない状態とされる状態c。照射領域23のハッチングされた各画素に対して2回目の照射動作を行った後、転送動作、出力動作を行う。実施例2では、主制御部15は、特性を計測したい電子線22の配置から照射領域23の行数、ひいては、第1の照射動作のあとに行うべき転送動作の回数を求める。[実施例3]計測する電子線22の配列から、照射領域23を設定する実施例3について図4を用いて説明する。CCDエリアセンサ12は6行×6列=36の画素を持つ。いま、1行6列の電子線22の特性の計測に6回の照射が必要であるとする。その場合、図4ので示されるように、照射領域23を1行目の画素とする。そして、第1の照射動作、転送動作、第2の照射動作、、第6の照射動作を行って、6行6列の全画素に信号電荷を蓄積し状態b、その後出力動作を行う。一方、1行6列の電子線22の特性の計測に3回の照射が必要であるとする。この場合、照射領域23は、4行目の画素に設定され、第1の照射動作、転送動作、、第3の照射動作を行って、下3行の画素に信号電荷を蓄積し状態d、その後出力動作を行う。ここでは、例として6行×6列=36の画素を持つCCDエリアセンサ12を用いたが、CCDエリアセンサ12の画素数を制限するものではなく、計測条件によってCCDエリアセンサ12の構造は異なりうる。いずれにせよ、特性を計測する電子線22の配列が異なる場合でも、無駄な転送動作によるスループットの低下を防ぐことが出来る。[実施例4]計測する電子線22の配列から、照射領域23を設定する実施例4について図5を用いて説明する。主制御部15は、電子線がCCDエリアセンサ12の任意の位置に照射された場合、照射時間をカウントし記録する。ここで、一例として4回の照射動作で1回の計測を行う場合を考える。まず、主制御部15は、要求されるスループットから1回の計測に許される垂直方向転送動作の回数を求める。例えば、計測に許される時間が13msec、1回の照射動作に要する時間が1msec/回、1回の転送動作に要する時間が1msec/回とする。そうすると、照射領域23が図5のa~cのいずれであっても、第1~3の照射動作と各照射動作に続く各1回の転送動作を経て第4の照射動作を終えるのに、7msecを要する。したがって、第4の照射動作の後、照射領域23及び非照射領域24に蓄積された信号電荷を転送させるのに使用し得る時間は6msecとなる。しかし、照射領域23が図5のaの場合、第4の照射動作の後、照射領域23及び非照射領域24に蓄積された信号電荷を転送させるのに要する時間は4msecである。照射領域23がbの場合、第4の照射動作の後、照射領域23及び非照射領域24に蓄積された信号電荷を転送させるのに要する時間は5msecである。照射領域23がcの場合、第4の照射動作の後、照射領域23及び非照射領域24に蓄積された信号電荷を転送させるのに要する時間は6msecである。すなわち、照射領域23を図5の、、cのいずれとしても、要求されたスループットを満たす計測を行うことが可能である。しかし、照射領域23を図5のaのように設定すると、計測に要する時間を削減することができる。また、図5の-cに示された異なる複数の照射領域23の中から照射領域23を順次切り替えて設定すれば、スループットの仕様を満たしたうえで、CCDエリアセンサ12の特定行の画素の顕著な感度劣化を回避するのに有利となりうる。[実施例5]照射領域23が、特性を計測する対象の電子線が照射される第1画素と補正値を求めるために使用される第2画素とを含む実施例5について図6を用いて説明する。図6のでハッチングされた23aの領域の画素が第1画素であり、領域23bの画素が第2画素であるとする。第2画素として、例えば、第1画素に対して転送方向に隣接する画素を選択する。領域23aの第1画素における電子線22aのナイフエッジ計測に加えて、領域23bの第2画素で電子線22bの強度を計測する。図6のイメージセンサ12の一部拡大図を図7に示す。電子線の強度が小さい部分ではS/Nが低いため、可能な限り強度が強い状態で計測するのが良い。そのため、第2画素で補正値を求めるために電子線22bを計測するナイフエッジは、電子線22aのナイフエッジから、電子線の直径以上だけ転送した位置に構成される。そうすると、電子線22aがナイフエッジを横切ってナイフエッジ計測される間、電子線22bはナイフエッジを横切らない。上記構成にて計測を行った結果を図8に示す。図8のは第1画素における電子線22aのナイフエッジ計測結果、図8のは第2画素における電子線22bの強度計測結果である。図8aの横軸は位置、縦軸は強度である。図8ののように、電子線の強度に時間的変動揺らぎがある場合、ナイフエッジ計測結果にも揺らぎの影響が出る。そのため、図8のaのグラフを微分して算出した電子線の強度分布はcに示されるように歪んでしまう。そこで、揺らぎの影響を除くため、図8のの結果強度変動の影響を図8のの結果から除くと、計測結果は図8ののようになり、それを微分すると図8のeのようになる。このような補正をすれば、計測の精度や正確さの点で有利となる。揺らぎの影響の除去は、例えば、強度計測結果を規格化し、当該規格化結果でナイフエッジ計測結果を除算して行うことができる。上記実施例では、補正値として電子線の強度の変動を考慮したが、それには限定されない。例えば、第2画素には電子線を照射しないようにして得られる暗電流値を考慮しても良い。上記計測方法を用いることで、電子線の揺らぎやCCDエリアセンサ12のノイズの影響を軽減するのに有利となる。以上、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置を例に、本発明の実施形態を説明した。しかし、本発明は、描画装置に限らず、電子顕微鏡や電子測長装置等、複数の荷電粒子線を利用する他の荷電粒子線装置にも適用することができる。[物品製造方法]本発明の好適な実施形態の物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや、半導体露光用のマスクレチクル等の種々の物品の製造に好適である。前記方法は、上記の荷電粒子線描画装置を用いて基板感光剤が塗布された基板10にパターンを描画する工程と、当該工程でパターンを描画された基板10を現像する工程とを含みうる。さらに、前記物品の製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。"