結晶化されるべき分子の結晶化装置9であって:-少なくとも1つの結晶化セル1であり、結晶化室2であり、その中に、結晶化されるべき分子ならびにその結晶種、および任意に少なくとも1種の緩衝剤を含有する第1の溶液S1を受け取ることが意図された空洞3が作られ、前記空洞3が、光学的底部4および前記光学的底部4に面した隙間5を含む結晶化室2、前記結晶化室2の前記空洞3の前記隙間5を覆うことが意図された透析膜、前記結晶化室2上に嵌め込まれることが意図された貯槽7であり、それにより一方で前記貯槽7によって、そして他方で前記結晶化室2によって形成される密封された区画を作り出し、前記区画が、結晶化剤、添加剤および緩衝剤によって構成される群から選択される成分を含有する第2の溶液S2、いわゆる結晶化溶液で満たされることが意図されている貯槽7を含む前記結晶化セル1と;-少なくとも1種の画像取得手段とを具備し、-前記貯槽7中に、結晶化剤、添加剤および緩衝剤によって構成される群から選択される成分を前記溶液S2に添加するために配置された少なくとも1種の添加手段、および/または-前記貯槽7内において、前記溶液S2の全部または一部を採取するために配置された少なくとも1種の採取手段を含むことを特徴とする結晶化装置9。請求項1に記載の結晶化装置9であって、前記貯槽7内において、前記添加手段が、結晶化剤、添加剤および緩衝剤によって構成される群から選択される成分を、前記溶液S2に添加するために配置された駆動手段にあることを特徴とする結晶化装置。請求項1または2に記載の結晶化装置9であって、前記採取手段が、前記貯槽内において、前記溶液S2の全部または一部を採取するために配置された駆動手段にあることを特徴とする結晶化装置。請求項1~3のいずか1項に記載の結晶化装置9であって、前記添加手段および前記採取手段が、多チャンネル蠕動ポンプにあることを特徴とする結晶化装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記結晶化装置9の温度を制御しかつ変えるための少なくとも1種の手段をさらに含むことを特徴とする結晶化装置。請求項5に記載の結晶化装置9であって、前記温度を制御しかつ変動させるための前記手段が、ペルチェ効果セルであることを特徴とする結晶化装置。請求項1~6のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記溶液S1中の前記結晶化されるべき分子の濃度を測定するための少なくとも1種の手段をさらに含むことを特徴とする結晶化装置。請求項1~7のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記結晶化セル1が、前記結晶化室2と前記貯槽7との間に取り付けられるように配置されるとともに、その上に前記透析膜が置かれる上部室12を含むことを特徴とする結晶化装置。請求項1~8のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記貯槽7が、前記透析膜の反対側端部に取り付けられる、光学的窓14を備えたプラグ6を含むことを特徴とする結晶化装置。請求項1~9のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記透析膜が、セルロース膜または合成膜であることを特徴とする結晶化装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の結晶化装置9であって、前記光学的底部4が、ポリカーボネート、石英またはガラス内にあることを特徴とする結晶化装置。-結晶化室2であり、その中に、結晶化されるべき分子ならびにその結晶種、および任意に少なくとも1種の緩衝剤を含有する第1の溶液S1を受け取ることが意図された空洞3が作られ、前記空洞3が、光学的底部4およびその光学的底部4に面した隙間5を含む結晶化室2、-前記結晶化室2の前記空洞3の前記隙間5を覆うことが意図された透析膜、-前記結晶化室2上に嵌め込まれることが意図された貯槽7であり、それにより一方で前記貯槽7によって、そして他方で前記結晶化室2によって形成される密封された区画を作り出し、前記区画が、結晶化剤、添加剤および緩衝剤によって構成される群から選択される成分を含有する第2の溶液S2、いわゆる結晶化溶液で満たされることが意図されている貯槽7を具備する前記結晶化セル1であって、前記結晶化セル1は、前記結晶化室2と前記貯槽7との間に取り付けられるように配置されるとともに、その上に前記透析膜が置かれる上部室12をさらに含むことを特徴とする結晶化セル1。請求項12に記載の結晶化セル1であって、前記貯槽7が、前記透析膜の反対側末端に取り付けられる、光学的窓14を備えたプラグ6を含むことを特徴とする結晶化セル。結晶化されるべき分子の結晶化方法であって、下記の工程を含むことを特徴とする方法。a-請求項1~11のいずれかに記載の結晶化装置9の前記結晶化セル1の前記結晶化室2内に、前記結晶化されるべき分子の第1の溶液S1を有し、そしてこれが、第1の温度T1にあり、かつ前記溶液S1中の前記結晶化されるべき分子の濃度C1にあり、それにより、前記結晶化されるべき分子の濃度のパラメータおよび温度により設定される、前記結晶化されるべき分子の相図の自発的核生成帯域内に、または準安定帯域の上限上に、前記結晶化されるべき分子が見出され、-前記結晶化セル1の区画8内に第2の溶液S2、いわゆる結晶化溶液を有し、前記結晶化溶液S2が、一定濃度Pにおける少なくとも1種の結晶化剤および/または1種の添加剤を含有し、それにより、前記結晶化剤および/または前記添加剤が前記溶液S1中に拡散し、それにより前記結晶化されるべき分子の結晶種が現れる工程;b前記結晶化セル1の温度を、温度T2まで上昇させ、それにより核生成が停止し、前記結晶化されるべき分子が、前記結晶化されるべき分子の相図の当該準安定帯域内に見出される工程;c温度T2で、前記結晶種を第1の平衡点E1が得られるまで成長させ、そこにおいて結晶のサイズは一定に維持され、到達される前記溶液S1中の前記結晶化されるべき分子の濃度が、その結果濃度C2である工程;d前記結晶化室2の温度を、温度T3まで低下させ、それにより、前記結晶化室2内に存在する前記結晶が常に、前記結晶化されるべき分子の相図の当該準安定帯域内に位置する工程;e前記結晶種および前記結晶を、温度T3で、第2の平衡点E2が得られるまで成長させ、そこにおいて前記結晶のサイズは一定に維持され、到達される前記溶液S2中の前記結晶化されるべき分子の濃度が、その結果濃度C3である工程;f前記結晶化されるべき分子の所望のサイズの結晶が得られるまで、工程c~eを繰り返す工程;g工程fの終わりに得られた前記結晶を回収する工程。結晶化されるべき分子の結晶化方法であって、下記の工程を含むことを特徴とする方法。a-請求項1~11のいずれかに記載の結晶化装置9の前記結晶化セル1の前記結晶化室2内に、前記結晶化されるべき分子の第1の溶液S1を有し、そしてこれが、前記結晶化セル1の一定温度Tにあり、かつ濃度C1にあり、それにより、前記結晶化されるべき分子の濃度のパラメータおよび結晶化剤および/または添加剤の濃度のパラメータにより設定される、前記結晶化されるべき分子の相図の自発的核生成帯域内に、または準安定帯域の上限上に、前記結晶化されるべき分子が見出され、-前記結晶化セル1の区画8内に、濃度P1における少なくとも1種の結晶化剤および/または1種の添加剤を含有する第2の溶液S2、前記結晶化溶液を有し、それにより、前記結晶化剤および/または前記添加剤が前記溶液S1中に拡散し、それにより前記結晶化されるべき分子の結晶種が現れる工程;b前記結晶化剤および/または前記添加剤の濃度を、濃度P2まで低下させ、それにより核生成が停止し、前記結晶化されるべき分子が、前記結晶化されるべき分子の相図の当該準安定帯域内に見出される工程;c前記結晶化剤および/または前記添加剤の濃度P2で、前記結晶種を、第1の平衡点E1が得られるまで成長させ、そこにおいて結晶のサイズは一定に維持され、到達される前記溶液S1中の前記結晶化されるべき分子の濃度が、その結果濃度C2である工程;d前記結晶化剤および/または前記添加剤の濃度を、濃度P3まで上昇させ、それにより、前記結晶化室2内に存在する前記結晶が常に、前記結晶化されるべき分子の相図の当該準安定帯域内に位置する工程;e前記結晶種および前記結晶を、前記結晶化剤および/または前記添加剤の濃度P3で、第2の平衡点E2が得られるまで成長させ、そこにおいて前記結晶のサイズは一定に維持され、到達される前記溶液S1中の前記結晶化されるべき分子の濃度が、濃度C3である工程;f前記結晶化されるべき分子の所望のサイズの結晶が得られるまで、工程c~eを繰り返す工程;g工程fの終わりに得られた前記結晶を回収する工程。