"基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される微結晶シリコン膜と、前記微結晶シリコン膜上に形成されるシリコンカーバイド膜と、前記シリコンカーバイド膜上に形成される一対の不純物半導体膜と、前記不純物半導体膜に接する配線とを有することを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の側面と、前記配線との間に、絶縁領域を有することを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2において、前記シリコンカーバイド膜は、非晶質シリコンカーバイド膜であることを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、窒素を含む微結晶シリコン膜と、前記窒素を含む微結晶シリコン膜に接する窒素を含む非晶質シリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、窒素を含む微結晶シリコン膜と、前記窒素を含む微結晶シリコン膜に接する、微結晶シリコンカーバイド膜とを有することを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜と、前記炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜に接する炭素及び窒素を含む非晶質シリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2において、前記シリコンカーバイド膜は、微結晶シリコンカーバイド膜であることを特徴とする半導体装置。請求項8において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項8において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、窒素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。請求項8において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。非晶質シリコン膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタは、電界効果移動度及びオン電流が低いといった問題がある。一方、微結晶シリコン膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタは、非晶質シリコン膜でチャネル領域が形成される薄膜トランジスタと比較して、電界効果移動度は向上するもののオフ電流が高くなってしまい、十分なスイッチング特性が得られないといった問題がある。多結晶シリコン膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタは、上記二種類の薄膜トランジスタよりも電界効果移動度が格段に高く、高いオン電流が得られるといった特性がある。この薄膜トランジスタは、その特性により、画素に設けられるスイッチング用のトランジスタとして使用できることに加えて、高速動作が要求されるドライバ回路をも構成することができる。しかし、多結晶シリコン膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタの作製工程は、非晶質シリコン膜を用いてチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを作製する場合に比べ、半導体膜の結晶化工程が必要となり、製造コストが増大することが問題となっている。例えば、多結晶シリコン膜の製造のために必要なレーザアニール技術は、レーザビームの照射面積が小さく、大画面の液晶パネルを効率良く生産することができないといった問題がある。ところで、表示パネルの製造に用いられているガラス基板は、第3世代550mm×650mm、第3.5世代600mm×720mm、または620mm×750mm、第4世代680mm×880mm、または730mm×920mm、第5世代1100mm×1300mm、第6世代1500mm×1850mm、第7世代1870mm×2200mm、第8世代2200mm×2400mm、第9世代2400mm×2800mm、または2450mm×3050mm、第10世代2950mm×3400mmへと大面積化が進んでおり、ガラス基板の大型化はコストミニマム設計の思想に基づいている。これに対して、第10世代2950mm×3400mmにおけるような大面積のマザーガラス基板に、高速動作が可能な薄膜トランジスタを、生産性良く作製することができる技術は依然として確立されておらず、そのことが産業界の問題となっている。そこで、本発明の一態様は、電気特性が良好な半導体装置を提供することを課題とする。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、シリコンカーバイド膜は配線側に形成されることを要旨とする。また、本発明の一態様は、基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶シリコン膜と、微結晶シリコン膜上に形成される非晶質シリコンカーバイド膜と、非晶質シリコンカーバイド膜上に形成される、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜と、不純物半導体膜に接する配線とを有することを特徴とする半導体装置である。なお、微結晶シリコン膜及び非晶質シリコンカーバイド膜の間には、炭素を含む微結晶シリコン膜を有してもよい。または、微結晶シリコン膜及び非晶質シリコンカーバイド膜の間には、窒素を含む微結晶シリコン膜と、窒素を含む非晶質シリコン膜とを有してもよい。または、微結晶シリコン膜及び非晶質シリコンカーバイド膜の間には、窒素を含む微結晶シリコン膜と、微結晶シリコンカーバイド膜とを有してもよい。または、微結晶シリコン膜及び非晶質シリコンカーバイド膜の間には、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜と、炭素及び窒素を含む非晶質シリコン膜とを有してもよい。また、本発明の一態様は、基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶シリコン膜と、微結晶シリコン膜上に形成される微結晶シリコンカーバイド膜と、微結晶シリコンカーバイド膜上に形成される、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜と、不純物半導体膜に接する配線とを有することを特徴とする半導体装置である。なお、微結晶シリコン膜及び微結晶シリコンカーバイド膜の間には、炭素を含む微結晶シリコン膜を有してもよい。または、微結晶シリコン膜及び微結晶シリコンカーバイド膜の間には、窒素を含む微結晶シリコン膜を有してもよい。または、微結晶シリコン膜及び微結晶シリコンカーバイド膜の間には、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜を有してもよい。窒素を含む非晶質シリコン膜の窒素濃度プロファイルのピーク濃度は、1×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下、好ましくは2×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下である。また、窒素を含む非晶質シリコン膜に、粒径が1nm以上10nm以下のシリコン結晶粒が分散されていてもよい。なお、ここでは、特に測定方法が記載されていない場合は、濃度はSIMSSecondaryIonMassSpectrometryにより測定された値である。また、本発明の一態様は、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜と、ソース電極及びドレイン電極との間に絶縁領域を有してもよい。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。本発明の実施の形態について、図面を参照して以下に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。したがって、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容のみに限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、オン電流とは、薄膜トランジスタがオン状態のときに、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流をいう。例えば、n型の薄膜トランジスタの場合には、ゲート電圧がトランジスタの閾値電圧よりも高いときにソース電極とドレイン電極との間に流れる電流である。また、オフ電流とは、薄膜トランジスタがオフ状態のときに、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流をいう。例えば、n型の薄膜トランジスタの場合には、ゲート電圧が薄膜トランジスタの閾値電圧よりも低いときにソース電極とドレイン電極との間に流れる電流である。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一形態である半導体装置に用いることが可能な薄膜トランジスタの断面構造について、図1を用いて説明する。なお、薄膜トランジスタは、p型よりもn型の方が、キャリアの移動度が高い。また、同一の基板上に形成する薄膜トランジスタを全て同じ極性に統一すると、工程数を抑えることができ、好ましい。そのため、本実施の形態では、n型の薄膜トランジスタについて説明する。図1Aに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、微結晶シリコン膜129と、ゲート電極103及び微結晶シリコン膜129の間に設けられるゲート絶縁膜105と、微結晶シリコン膜129上に形成される非晶質シリコンカーバイド膜127と、非晶質シリコンカーバイド膜127上に形成されるソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125に接する配線123とを有する。非晶質シリコンカーバイド膜127及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。図1Bに示す薄膜トランジスタは、図1Aに示す薄膜トランジスタと比較して、微結晶シリコン膜129上に形成される非晶質シリコンカーバイド膜127の代わりに、微結晶シリコンカーバイド膜135を有する点が異なる。微結晶シリコン膜129を種結晶としながら、結晶成長させることで、微結晶シリコンカーバイド膜135に結晶構造を有せしめることができる。また、図1に示す薄膜トランジスタは、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135との界面が、平坦であることを特徴とする。微結晶シリコン膜129上に非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135を形成する際に、微結晶シリコン膜129が部分的に結晶成長しない条件で、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135を形成することで、このような構造となる。図1に示す薄膜トランジスタは、チャネル領域となる微結晶シリコン膜129と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125との間に、シリコンカーバイド膜を有する。シリコンカーバイド膜は、微結晶シリコン膜と比較して、バンドギャップが広い。具体的には、微結晶シリコンのバンドギャップは1.0eV以上1.2eV以下であり、非晶質シリコンのバンドギャップは1.6eV以上1.8eV以下であるが、4H-シリコンカーバイドのバンドギャップは3.26eV程度であり、シリコンカーバイド中の炭素濃度を調整することで、バンドギャップを制御することができる。ここで、従来のトランジスタにおけるドレイン領域を形成する不純物半導体膜例えばn型半導体膜とチャネル領域を形成する半導体膜例えばi型半導体膜の半導体接合に着目すると、ドレインにある一定値以上の逆方向電圧が印加された場合、当該半導体接合のポテンシャル障壁を通り抜けるトンネル電流が流れてしまい、それがオフ電流の増加となって現れてしまうことになる。しかし、図1Aで示すように、不純物半導体膜125と微結晶シリコン膜129との間に、バンドギャップの広い非晶質シリコンカーバイド膜127を介在させると、トンネリング確率が低減し、微結晶シリコン膜129の価電子帯から不純物半導体膜125の伝導帯にキャリアが流れる、前述のようなトンネル電流を低減させることができ、その結果オフ電流を低減することができる。さらに、薄膜トランジスタを交流駆動させた場合には、ソース領域とドレイン領域は交流電圧の向きに追従して入れ替わるため、電界が印加されるソース領域、およびドレイン領域近傍に、従来の非晶質シリコンのバンドギャップよりも広いシリコンカーバイド膜を形成することで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。次に、薄膜トランジスタの各構成について、以下に説明する。基板101としては、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁膜を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基板101のサイズに限定はなく、例えば上述のフラットパネルディスプレイの分野でよく使われる第3世代乃至第10世代のガラス基板を用いることができる。ゲート電極103は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム、ニッケル等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、Ag-Pd-Cu合金、Al-Nd合金、Al-Ni合金などを用いてもよい。例えば、ゲート電極103の二層の積層構造としては、アルミニウム膜上にモリブデン膜を積層した二層の積層構造、または銅膜上にモリブデン膜を積層した二層構造、または銅膜上に窒化チタン膜若しくは窒化タンタル膜を積層した二層構造、窒化チタン膜とモリブデン膜とを積層した二層構造、酸素を含む銅-マグネシウム合金膜と銅膜とを積層した二層構造、酸素を含む銅-マンガン合金膜と銅膜とを積層した二層構造、銅-マンガン合金膜と銅膜とを積層した二層構造などとすることが好ましい。三層の積層構造としては、タングステン膜または窒化タングステン膜と、アルミニウムとシリコンの合金膜またはアルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜またはチタン膜とを積層した三層構造とすることが好ましい。電気的抵抗が低い膜上にバリア膜として機能する金属膜が積層されることで、電気的抵抗を低くでき、且つ金属膜からシリコン膜への金属元素の拡散を防止することができる。ゲート絶縁膜105は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜を、単層でまたは積層して形成することができる。また、ゲート絶縁膜105を酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜により形成することで、薄膜トランジスタの閾値電圧の変動を低減することができる。なお、ここでは、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringSpectrometryを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。微結晶シリコン膜129は、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造のシリコンである。微結晶シリコンは、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なシリコンであり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは、20nm以上50nm以下の柱状結晶または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。このため、柱状結晶または針状結晶の界面には、結晶粒界が形成される場合もある。なお、ここでの結晶粒径は、基板表面に対して平行な面における結晶粒の最大直径をいう。また、結晶粒は、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子を有する。また、結晶粒は双晶を有する場合もある。微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。このような微結晶半導体に関する記述は、例えば、米国特許4,409,134号で開示されている。非晶質シリコンカーバイド膜127は、非晶質シリコンを含んでもよい。例えば、非晶質シリコンカーバイド膜中に非晶質シリコンが分散してもよい。または、非晶質シリコンカーバイドにおける炭素の濃度が徐々に増加してもよい。なお、この場合、シリコンカーバイドの化学量論比を満たさない量の炭素が含まれる領域では、炭素を含む非晶質シリコンとなる。微結晶シリコンカーバイド膜135は、微結晶シリコンカーバイド粒の間に非晶質シリコンカーバイドを含んでもよい。または、微結晶シリコンカーバイド粒の間に非晶質シリコンを含んでもよい。非晶質シリコンカーバイド及び微結晶シリコンカーバイドは、微結晶シリコンと比較して、バンドギャップが広い。ゲート電極103に負の電圧が印加され、且つ配線123の一方に電圧が印加された場合、非晶質シリコンカーバイド及び微結晶シリコンカーバイドにおけるトンネル電流が低減するため、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。不純物半導体膜125は、リンが添加された非晶質シリコン、リンが添加された微結晶シリコン等で形成する。また、リンが添加された非晶質シリコン及びリンが添加された微結晶シリコンの積層構造とすることもできる。なお、薄膜トランジスタとして、pチャネル型薄膜トランジスタを形成する場合は、不純物半導体膜125は、ボロンが添加された微結晶シリコン、ボロンが添加された非晶質シリコン等で形成する。なお、シリコンカーバイド膜と、のちに形成する配線123とがオーミックコンタクトをする場合は、不純物半導体膜125を形成しなくともよい。配線123は、アルミニウム、銅、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等を用いて単層で、または積層して形成することができる。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金ゲート電極103に用いることができるAl-Nd合金等により形成してもよい。ドナーとなる不純物元素を添加した結晶性シリコンを用いてもよい。ドナーとなる不純物元素が添加された結晶性シリコンと接する側の膜を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。絶縁膜131は、外部からの汚染物が微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135に侵入するのを妨げるための保護膜として機能する。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様の材料を用いて形成すればよい。なお、微結晶シリコン膜129、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135、不純物半導体膜125、配線123を覆う絶縁膜131と、絶縁膜131上において、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135と重畳するバックゲート電極を有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタとしてもよい。本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、チャネル領域となる微結晶シリコン膜129と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125との間に、バンドギャップが広いシリコンカーバイド膜を有する。このため、薄膜トランジスタのオフ電流が低い。更に、表示装置において当該薄膜トランジスタを画素のスイッチングに用いることで、コントラストが高く、画質の良好な表示装置となる。また、保持容量素子に充電された電荷のうち、薄膜トランジスタのオフ電流によって放電される量が低減されるため、保持容量素子の大きさを小さくすることができる。保持容量素子が小さくなると、充電に必要な電流能力を抑えられるため、当該薄膜トランジスタの面積および保持容量素子の面積を縮小することが可能であり、画素の開口率が向上し、バックライトの透過率が向上する。この結果、バックライトの光量を低減することができる。また、低消費電力化が可能となる。また、画素毎の保持容量素子の大きさを低減できることによって、駆動回路の負荷が軽減されるため、駆動回路部における薄膜トランジスタの大きさを小さくでき、表示装置の狭額縁化が可能となる。更には、駆動回路の負荷の低減および画素の開口率の向上によって、表示装置の精細度を向上することが可能となるため、画素数が2k×4kあるいは4k×8kといった高精細な大型ディスプレイを作製することができる。更には、駆動回路の負荷が軽減されることによって、高速駆動が可能となり、高精細高速駆動が可能な大型ディスプレイや、高精細の大型三次元ディスプレイを作製することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造の薄膜トランジスタについて、図2を用いて説明する。図2Aに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、微結晶シリコン膜129と、ゲート電極103及び微結晶シリコン膜129の間に設けられるゲート絶縁膜105と、微結晶シリコン膜129に接する炭素を含む微結晶シリコン膜137と、炭素を含む微結晶シリコン膜137に接する非晶質シリコンカーバイド膜127と、非晶質シリコンカーバイド膜127に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125に接する配線123とを有する。非晶質シリコンカーバイド膜127及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。炭素を含む微結晶シリコン膜137は、シリコンカーバイドの化学量論比よりも少ない量の炭素を含んでいる。即ち、シリコン及び炭素の化学量論比がSi:C=1:x0<x<1である膜である。炭素を含む微結晶シリコン膜137は、シリコンカーバイド膜の堆積初期において、炭素を含む気体の流量を低減することで、微結晶シリコン膜129を種結晶として、結晶成長させることにより形成される。図2Aにおいては、炭素を含む微結晶シリコン膜137は、表面において凸部137aを有する断面形状を示したが、図2Bに示すように、表面において、凹部137bを有する断面形状であってもよい。微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127とは、バンドギャップ及び電子親和力が異なり、界面がヘテロ接合となってしまう。このため、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127との界面において障壁が生じる。当該障壁は、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度に影響を与える。一方、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127との間に、炭素を含む微結晶シリコン膜137を形成することで、当該障壁を緩和することが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度をさらに上昇させることができる。本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127との間に、炭素を含む微結晶シリコン膜137を有するため、オン電流及び電界効果移動度を更に高めることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2と異なる構造の薄膜トランジスタについて、図3を用いて説明する。図3Aに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、微結晶シリコン膜129と、ゲート電極103及び微結晶シリコン膜129の間に設けられるゲート絶縁膜105と、微結晶シリコン膜129に接する窒素を含む微結晶シリコン膜139と、窒素を含む微結晶シリコン膜139に接する窒素を含む非晶質シリコン膜141と、窒素を含む非晶質シリコン膜141に接する非晶質シリコンカーバイド膜127と、非晶質シリコンカーバイド膜127に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125に接する配線123とを有する。非晶質シリコンカーバイド膜127及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。図3Bに示す薄膜トランジスタは、図3Aに示す薄膜トランジスタと比較して、窒素を含む非晶質シリコン膜141及び非晶質シリコンカーバイド膜127の代わりに、窒素を含む微結晶シリコン膜139に接する微結晶シリコンカーバイド膜135と、を有する点が異なる。窒素を含む微結晶シリコン膜139を種結晶としながら、結晶成長させることで、微結晶シリコンカーバイド膜135に結晶構造を有せしめることができる。図3Cに示す薄膜トランジスタは、図3Bに示す薄膜トランジスタと比較して、微結晶シリコンカーバイド膜135及び不純物半導体膜125の間に、非晶質シリコンカーバイド膜127を有する点が異なる。窒素を含む微結晶シリコン膜139及び窒素を含む非晶質シリコン膜141の詳細については、実施の形態6で図8を用いて説明する。微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135との間に、窒素を含む非晶質シリコン膜141または窒素を含む微結晶シリコン膜139を形成することで、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135との間の障壁を緩和することが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を上昇させることができる。窒素を含む微結晶シリコン膜139及び窒素を含む非晶質シリコン膜141は、窒素を含む気体を処理室に導入することにより、微結晶シリコン膜の堆積後期において、結晶成長が抑制される。この結果、窒素を含む微結晶シリコン膜139及び窒素を含む非晶質シリコン膜141が形成される。さらには、窒素を含む微結晶シリコン膜139の代わりに、窒素及び炭素を含む微結晶シリコン膜を形成してもよい。また、窒素を含む非晶質シリコン膜141の代わりに、窒素及び炭素を含む非晶質シリコン膜を形成してもよい。窒素及び炭素を含む微結晶シリコン膜、窒素及び炭素を含む非晶質シリコン膜は、シリコンカーバイドの化学量論比よりも少ない量の炭素と、窒素とを含んでいる。微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135との間に、窒素及び炭素を含む非晶質シリコン膜、または窒素及び炭素を含む微結晶シリコン膜を形成することで、微結晶シリコン膜129と、非晶質シリコンカーバイド膜127または微結晶シリコンカーバイド膜135との間の障壁を緩和することが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を上昇させることができる。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3に示す薄膜トランジスタと比較して、更にオフ電流の低い薄膜トランジスタについて、図4を用いて説明する。本実施の形態では、実施の形態1を用いて説明するが適宜実施の形態2及び実施の形態3に本実施の形態を適用することができる。本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、図4に示すように、微結晶シリコン膜129及び非晶質シリコンカーバイド膜127と、配線123との間に障壁領域となる絶縁領域147を有することを特徴とする。障壁領域となる絶縁領域147は、微結晶シリコン膜129及び非晶質シリコンカーバイド膜127の一部を窒化または酸化して形成される領域であり、代表的には、半導体窒化物または半導体酸化物で形成される。半導体窒化物としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンカーバイド、窒化酸化シリコンカーバイド等があり、半導体酸化物としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコンカーバイド、酸化窒化シリコンカーバイド等がある。なお、絶縁領域147を構成する半導体窒化物及び半導体酸化物は、必ずしも化学量論比を満たす必要はない。なお、図4においては、障壁領域となる絶縁領域147は、微結晶シリコン膜129及び非晶質シリコンカーバイド膜127の側壁及び不純物半導体膜125の表面の一部に形成されているが、微結晶シリコン膜129及び非晶質シリコンカーバイド膜127の側壁のみに形成されていてもよい。本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜と配線との間に障壁領域となる絶縁領域を有するため、配線から微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜へのホールの注入を低減することが可能であり、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2に示す薄膜トランジスタの作製方法について、図5及び図6を用いて説明する。なお、本実施の形態では、図1Aに示す薄膜トランジスタの作製方法を説明するが、適宜実施の形態1及び実施の形態2に示す他の薄膜トランジスタに適宜適用することができる。図5Aに示すように、基板101上にゲート電極103を形成する。次に、ゲート電極103を覆うゲート絶縁膜105を形成し、ゲート絶縁膜105上に微結晶シリコン膜107を形成し、微結晶シリコン膜107上に非晶質シリコンカーバイド膜109を形成し、非晶質シリコンカーバイド膜109上に不純物半導体膜111を形成する。基板101としては、実施の形態1に示す基板101を適宜用いることができる。ゲート電極103は、基板101上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、上記した材料により導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜をエッチングして形成することができる。また、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することができる。なお、ゲート電極103と、基板101との密着性向上を目的として、上記の金属材料の窒化物膜を、基板101と、ゲート電極103との間に設けてもよい。ここでは、基板101上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストで形成されるマスクを用いて、当該導電膜をエッチングする。なお、ゲート電極103の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。これは、後の工程で、ゲート電極103上に形成される絶縁膜、シリコン膜及び配線が、ゲート電極103の段差箇所において切断しないためである。ゲート電極103の側面をテーパー形状にするためには、レジストで形成されるマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。また、ゲート電極103を形成する工程により、ゲート配線走査線及び容量配線も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の保持容量の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方または双方と、ゲート電極103とは別に設けてもよい。ゲート絶縁膜105は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜105のCVD法による形成工程におけるグロー放電プラズマの生成は、3MHzから30MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力、または30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には、60MHzを印加することで行われる。また、周波数が1GHz以上であるマイクロ波プラズマCVD装置を用いてゲート絶縁膜105を形成すると、ゲート電極と、ドレイン電極及びソース電極との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性の高い薄膜トランジスタを得ることができる。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、HF帯の高周波電力と、VHF帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。また、ゲート絶縁膜105として、有機シランガスを用いたCVD法により酸化シリコン膜を形成することで、後に形成する半導体膜の結晶性を高めることが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスとしては、珪酸エチルTEOS:化学式SiOC2H54、テトラメチルシランTMS:化学式SiCH34、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、ヘキサメチルジシラザンHMDS、トリエトキシシランSiHOC2H53、トリスジメチルアミノシランSiHNCH323等のシリコン含有化合物を用いることができる。微結晶シリコン膜107は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。ここでは、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を10~2000倍、好ましくは10~200倍にして堆積性気体を希釈する条件により、微結晶シリコン膜を形成する。なお、シリコンを含む堆積性気体の代わりにゲルマニウムを含む堆積性気体を用いると、微結晶ゲルマニウム膜を形成することができる。または、シリコンを含む堆積性気体及びゲルマニウムを含む堆積性気体を用いると、微結晶シリコンゲルマニウム膜を形成することができる。このときの堆積温度は、150°C以上300°C以下とすることが好ましく、より好ましくは150°C以上280°C以下とする。なお、処理室内の圧力、上部電極及び下部電極の間隔は、プラズマが発生しうる値とすればよい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、SiH4、Si2H6等がある。ゲルマニウムを含む堆積性気体の代表例としては、GeH4、Ge2H6等がある。微結晶シリコン膜107の原料ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを用いることで微結晶シリコン膜107の成膜速度が高まる。また、成膜速度が高まることで、微結晶シリコン膜107に混入される不純物量が低減するため、微結晶シリコン膜107の結晶性を高めることができる。微結晶シリコン膜107を形成する際のグロー放電プラズマの生成は、ゲート絶縁膜105と同様に行うことができる。なお、微結晶シリコン膜107を形成する前に、CVD装置の処理室内の気体を排気しながら、処理室内にシリコンを含む堆積性気体を導入して、処理室内の不純物元素を除去することで、微結晶シリコン膜107における不純物量を低減することが可能である。また、微結晶シリコン膜107を形成する前に、フッ素、フッ化窒素、フッ化シラン等のフッ素を含む雰囲気でプラズマを発生させて、フッ素プラズマをゲート絶縁膜105に曝してもよい。なお、ゲート絶縁膜105を窒化シリコン膜で形成すると、微結晶シリコン膜107の堆積初期において非晶質シリコンが形成されやすく、微結晶シリコン膜107の結晶性が低くなる。このため、シリコンを含む堆積性気体の希釈率の高い条件、または堆積温度を150°C以上250°C以下とする低温条件で微結晶シリコン膜107を形成することが好ましい。代表的には、シリコンを含む堆積性気体の流量に対して、水素の流量を200~2000倍、好ましくは250~400倍とする高希釈率条件が好ましい。また、非晶質シリコンカーバイド膜109の堆積温度を200°C以上250°C以下とする低温条件が好ましい。高希釈率条件または低温条件により、初期核発生密度が高まりゲート絶縁膜105上に非晶質シリコンが形成されにくくなり、微結晶シリコン膜107の結晶性が向上する。また、窒化シリコン膜で形成したゲート絶縁膜105の表面を酸化処理することで、微結晶シリコン膜107の密着性が向上する。酸化処理としては、酸化気体の暴露、酸化気体雰囲気でのプラズマ処理等がある。酸化気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、水蒸気、酸素及び水素の混合気体等がある。非晶質シリコンカーバイド膜109は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、炭素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、プラズマCVD装置の反応室内において、有機シランと、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。なお、プラズマCVD法の代わりに、熱CVD法、光を利用した光CVD法等を用いて、非晶質シリコンカーバイド膜109を形成することができる。また、成膜条件を適宜調整することで、微結晶シリコンカーバイド膜を形成することができる。炭素を有する気体としては、炭化水素、ハロゲン化アルキル、有機シラン等を用いることができる。炭化水素の代表例としては、メタンCH4、エタンC2H6、プロパンC3H8、ブタンC4H10等の飽和炭化水素、エチレンC2H4、プロピレンC3H6、アセチレンC2H2等の不飽和炭化水素等を用いることができるが、これに限定されない。なかでも、メタンCH4、プロパンC3H8、アセチレンC2H2が好ましい。ハロゲン化アルキルの代表例としては、塩化メチルCH3Cl、四塩化炭素CCl4等を用いることができるが、これに限定されない。有機シランの代表例としては、シリコンに炭化水素官能基が結合した分子構造のものであれば特に限定されないが、例えば、モノメチルシランSiH3CH3:MMS、ジメチルシランSiH2CH32:DMS、テトラメチルシランSiCH34:TMS、テトラエチルシランSiC2H54:TES、ヘキサメチルジシランSi2CH36:HMDS等が好適に用いられる。また、上記有機シランに他の官能基が結合した分子構造、例えば、テトラエトキシシランSiOC2H54:TEOS、メチルトリクロロシランCH3SiCl3、ヘキサメチルジシラザンHNSiCH332等を用いてもよい。不純物半導体膜111は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンを含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加された非晶質シリコン、またはリンが添加された微結晶シリコンを形成する。なお、p型の薄膜トランジスタを作製する場合は、不純物半導体膜111として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより形成すればよい。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを不純物半導体膜111上に形成する。次に、レジストで形成されるマスクを用いて、微結晶シリコン膜107、非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111をエッチングする。この工程により、微結晶シリコン膜107、非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111を素子毎に分離し、微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117を形成する。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図5B参照。。次に、不純物半導体膜117上に導電膜119を形成する図5C参照。。導電膜119は、CVD法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。また、導電膜119は、銀、金または銅等の導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法またはインクジェット法等を用いて吐出し、焼成することで形成しても良い。導電膜119は、実施の形態1に示す配線123と同様の材料を適宜用いることができる。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを形成し、当該レジストで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線123を形成する。導電膜119のエッチングはドライエッチングまたはウェットエッチングを用いることができる。なお、配線123の一方は、ソース電極またはドレイン電極のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース電極及びドレイン電極とは別に設けてもよい。次に、不純物半導体膜117及び非晶質シリコンカーバイド膜115の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜125を形成する。また、表面の露出部が凹形状にエッチングされた非晶質シリコンカーバイド膜127を形成する。ここでは、エッチングにおいてドライエッチングを用いているため、配線123の端部と、不純物半導体膜125の端部とが揃っているが、導電膜119をウェットエッチングし、不純物半導体膜117をドライエッチングすると、配線123の端部と、不純物半導体膜125の端部とがずれ、断面において、配線123の端部が、不純物半導体膜125の端部より内側に位置する。次に、ドライエッチングを行ってもよい。ドライエッチングの条件は、非晶質シリコンカーバイド膜127にダメージが入らず、且つ非晶質シリコンカーバイド膜127に対するエッチングレートが低い条件を用いる。エッチングガスとしては、代表的にはCl2、CF4、またはN2等を用いる。また、エッチング方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma方式、容量結合型プラズマCCP:CapacitivelyCoupledPlasma方式、電子サイクロトン共鳴プラズマECR:ElectronCyclotronResonance方式、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching方式等を用いることができる。次に、非晶質シリコンカーバイド膜127の表面にプラズマ処理、代表的には水プラズマ処理、酸素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理、窒素プラズマ処理等を行ってもよい。水プラズマ処理は、水蒸気に代表される、水を主成分とするガスを反応空間に導入し、プラズマを生成して、行うことができる。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図6A参照。。なお、当該レジストで形成されるマスクの除去は、不純物半導体膜125及び非晶質シリコンカーバイド膜115のドライエッチング前に行ってもよい。非晶質シリコンカーバイド膜127を形成した後に、非晶質シリコンカーバイド膜127にダメージを与えない条件で更なるドライエッチングを行うことで、露出した非晶質シリコンカーバイド膜127上に存在する残渣などの不純物を除去することができる。また、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成する薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。以上の工程によりシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。次に、絶縁膜131を形成する図6B参照。。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様に形成することができる。以上の工程により図1Aに示すような、オン電流及び電界効果移動度が高く、且つオフ電流の低い薄膜トランジスタを作製することができる。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態3に示す薄膜トランジスタの作製方法について、図7乃至図9を用いて説明する。実施の形態5と同様に、図7Aに示すように、基板101上にゲート電極103を形成する。次に、ゲート電極103を覆うゲート絶縁膜105を形成し、ゲート絶縁膜105上に微結晶シリコン膜107を形成する。次に、微結晶シリコン膜107上に窒素を含むシリコン膜151を形成する。次に、窒素を含むシリコン膜151上に非晶質シリコンカーバイド膜109を形成し、非晶質シリコンカーバイド膜109上に不純物半導体膜111を形成する。微結晶シリコン膜107及び非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111は、実施の形態5と同様に形成することができる。窒素を含むシリコン膜151は、窒素を含む微結晶シリコン膜138及び窒素を含む非晶質シリコン膜140を含む。微結晶シリコン膜107を種結晶として、部分的に結晶成長させる条件部分的に結晶成長が抑制される条件で、窒素を含む微結晶シリコン膜138及び窒素を含む非晶質シリコン膜140を形成することができる。窒素を含むシリコン膜151は、プラズマCVD装置の処理室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン、フルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、微結晶シリコン膜107と同様にすることができる。このとき、シリコンを含む堆積性気体と、水素との流量比は、微結晶シリコン膜107と同様の流量比を用い、さらに原料ガスに窒素を含む気体を用いる条件とすることで、微結晶シリコン膜107の堆積条件よりも、結晶成長を低減することができる。具体的には、窒素を含むシリコン膜151の堆積初期においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に結晶成長が抑制され、錐形状の窒素を含む微結晶シリコンが成長すると共に、窒素を含む非晶質シリコンが形成される。さらに、堆積中期または後期では、錐形状の窒素を含む微結晶シリコンの結晶成長が停止し、窒素を含む非晶質シリコンのみが堆積される。この結果、窒素を含むシリコン膜151において、窒素を含む微結晶シリコン膜138、及び欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜で形成される非晶質シリコン膜140を形成することができる。ここでは、窒素を含むシリコン膜151を形成する条件の代表例は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が10~2000倍、好ましくは10~200倍である。なお、通常の非晶質シリコン膜を形成する条件の代表例は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は0~5倍である。また、窒素を含むシリコン膜151の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトン等の希ガスを導入することで、成膜速度を高めることができる。また、シリコンを含む堆積性気体及び窒素を含む気体のほかに、炭素を含む気体を導入することで、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜並びに炭素及び窒素を含む非晶質シリコン膜を形成できる。窒素を含むシリコン膜151の厚さは、厚さ50~350nmとすることが好ましく、さらに好ましくは120~250nmとする。ここで、図7Aに示すゲート絶縁膜105と、不純物半導体膜111との間の拡大図を、図8に示す。図8Aに示すように、窒素を含むシリコン膜151の窒素を含む微結晶シリコン膜138は凹凸状であり、凸部はゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質シリコン膜140に向かって、先端が狭まる凸部の先端が鋭角である凸状錐形状である。なお、窒素を含む微結晶シリコン膜138の形状は、ゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質シリコン膜140に向かって幅が広がる凸状逆錐形状であってもよい。窒素を含む微結晶シリコン膜138の厚さ、即ち、ゲート絶縁膜105との界面から、窒素を含む微結晶シリコン膜138の突起凸部の先端までの距離を、5nm以上310nm以下とすることで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含むシリコン膜151に含まれる酸素及び窒素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度を、1×1018atoms/cm3未満とすることで、窒素を含む微結晶シリコン膜138の結晶性を高めることができるため好ましい。窒素を有する微結晶シリコン膜138及び窒素を有する非晶質シリコン膜140に含まれる窒素は、例えばNH基またはNH2基として存在していてもよい。窒素を含む非晶質シリコン膜の窒素濃度プロファイルのピーク濃度は、1×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下、好ましくは2×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下である。窒素を含む非晶質シリコン膜140は、従来の非晶質シリコンと比較して、CPMConstantphotocurrentmethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体である。即ち、窒素を含む非晶質シリコンは、従来の非晶質シリコンと比較して、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体である。窒素を含む非晶質シリコンは、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻であるため、バンドギャップが広くなり、トンネル電流が流れにくい。このため、窒素を含む非晶質シリコン膜を窒素を含む微結晶シリコン膜138及び非晶質シリコンカーバイド膜109の間に設けることで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含む非晶質シリコン膜を設けることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。さらに、窒素を含む非晶質シリコン膜140は、低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピーク領域が、1.31eV以上1.39eV以下である。なお、微結晶シリコンを低温フォトルミネッセンス分光により測定したスペクトルのピーク領域は、0.98eV以上1.02eV以下であり、窒素を含む非晶質シリコンは、微結晶シリコンとは異なる特徴を有する。また、図8Bに示すように、窒素を含む非晶質シリコン膜140に、粒径が1nm以上10nm以下、好ましくは1nm以上5nm以下のシリコン結晶粒138aを含ませることで、更にオン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。ゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質シリコン膜140に向かって、先端が狭まる凸状錐形状の微結晶シリコン膜138または幅が広がる凸部を有する窒素を含む微結晶シリコン膜138は、微結晶シリコン膜107を形成した後、部分的に結晶成長させる条件部分的に結晶成長が抑制される条件で、非晶質シリコンを堆積することで、このような構造となる。窒素を含むシリコン膜151に含まれる窒素を含む微結晶シリコン膜138は、錐形状または逆錐形状であるため、オン状態でソース電極及びドレイン電極の間に電圧が印加されたときの縦方向膜厚方向における抵抗、即ち、シリコン膜151の抵抗を下げることが可能である。また、微結晶シリコン膜107及び非晶質シリコンカーバイド膜109との間に、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い、窒素を含む非晶質シリコンを有するため、トンネル電流が流れにくくなる。以上のことから、本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、オン電流及び電界効果移動度を高めるとともに、オフ電流を低減することができる。ここでは、窒素を含むシリコン膜151の原料ガスに窒素を含む気体を含ませて、窒素を含む微結晶シリコン膜138及び窒素を含む非晶質シリコン膜140を形成したが、他の窒素を含むシリコン膜151の形成方法として、微結晶シリコン膜107の表面に窒素を含む気体を曝して、微結晶シリコン膜107の表面に窒素を吸着させた後、シリコンを含む堆積性気体及び水素を原料ガスとしてシリコン膜151を形成することで、窒素を含む微結晶シリコン膜138及び窒素を含む非晶質シリコン膜140を形成することができる。次に、実施の形態5と同様に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを不純物半導体膜111上に形成する。次に、レジストで形成されるマスクを用いて、微結晶シリコン膜107、窒素を含むシリコン膜151、非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111をエッチングする。この工程により、微結晶シリコン膜107、窒素を含むシリコン膜151、非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111を素子毎に分離し、微結晶シリコン膜113、窒素を含むシリコン膜153、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117を形成する。なお、窒素を含むシリコン膜153は、窒素を含む微結晶シリコン膜139及び窒素を含む非晶質シリコン膜141で構成される。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図7B参照。。次に、実施の形態5と同様に、不純物半導体膜117上に導電膜119を形成する図7C参照。。次に、実施の形態5と同様に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを形成し、当該レジストで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線123を形成する。次に、不純物半導体膜117及び非晶質シリコンカーバイド膜115の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜125を形成する。また、露出部が凹形状にエッチングされた非晶質シリコンカーバイド膜127を形成する図9A参照。。次に、実施の形態5と同様に、ドライエッチング及びプラズマ処理を行ってもよい。以上の工程によりシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。次に、絶縁膜131を形成する図9B参照。。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様に形成することができる。以上の工程により図3Aに示すような、オン電流及び電界効果移動度が高く、且つオフ電流の低い薄膜トランジスタを作製することができる。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態5及び実施の形態6と比較して、オフ電流をさらに低減できる薄膜トランジスタの作製方法について、図5及び図10を用いて説明する。ここでは、実施の形態5を用いて説明するが、適宜実施の形態6を適用することができる。実施の形態5と同様に、図5Aの後、微結晶シリコン膜107、非晶質シリコンカーバイド膜109、及び不純物半導体膜111をエッチングして、図10Aに示すように、微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117を形成する。次に、レジストで形成されるマスク143を残存させたまま、微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117の側面をプラズマ145に曝すプラズマ処理を行う。ここでは、酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させて、微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117をプラズマ145に曝す。酸化ガスとしては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、水蒸気、酸素及び水素の混合気体等がある。また、窒化ガスとしては、窒素、アンモニア、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン、フルオロアミン等がある。酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させることで、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルが発生する。当該ラジカルは微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117と反応し、微結晶シリコン膜113、非晶質シリコンカーバイド膜115、及び不純物半導体膜117の側面に障壁領域となる絶縁領域を形成することができる。なお、プラズマを照射する代わりに、紫外光を照射し、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルを発生させてもよい。また、酸化ガスとして、酸素、オゾン、水蒸気、酸素及び水素の混合気体を用いると、図10Bに示すように、プラズマ照射によりレジストが後退し、上面の面積が縮小したマスク143aが形成される。このため、当該プラズマ処理により、微結晶シリコン膜113及び非晶質シリコンカーバイド膜115の側壁と共に、露出された不純物半導体膜117が酸化し、微結晶シリコン膜113及び非晶質シリコンカーバイド膜115の側壁及び不純物半導体膜117の側壁及び上面の一部にも障壁領域となる絶縁領域147が形成される。次に、実施の形態5に示すように、図5C及び図6と同様の工程を経て、図10Cに示すように、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線123、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜125、非晶質シリコンカーバイド膜127、及び微結晶シリコン膜113を形成することで、シングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。本実施の形態に示すシングルゲート型の薄膜トランジスタは、障壁領域となる絶縁領域を有するため、配線123から微結晶シリコン膜113及び非晶質シリコンカーバイド膜127へのホールの注入を抑制することが可能であり、オフ電流が低く、電界効果移動度及びオン電流の高い薄膜トランジスタとなる。このため、薄膜トランジスタの面積を小さくすることが可能であり、半導体装置への高集積化が可能である。また、表示装置の駆動回路に本実施の形態に示す薄膜トランジスタを用いることで、駆動回路の面積を低減できるため、表示装置の狭額縁化が可能である。実施の形態8薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、薄膜トランジスタを用いた駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいうを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を形成した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。なお、本明細書中における表示装置とは、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクタ、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。実施の形態9本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デンジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図11に示す。図11は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705及び光電変換装置2706が組み込まれ、筐体2703には表示部2707及び光電変換装置2708が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図11では表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図11では表示部2707に画像を表示することができる。また、図11では、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態10本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図12Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図12Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム9700は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム9700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図13は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図13の携帯型のコンピュータは、上部筐体9301と下部筐体9302とを接続することによって、ヒンジユニットを閉状態として表示部9303を有する上部筐体9301と、キーボード9304を有する下部筐体9302とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部9303を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体9302はキーボード9304の他に入力操作を行うポインティングデバイス9306を有する。また、表示部9303をタッチ入力パネルとすれば、表示部9303の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体9302はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体9302は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート9305を有している。上部筐体9301には更に上部筐体9301内部にスライドさせて収納可能な表示部9307を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部9307の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部9307をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部9307の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部9303または収納可能な表示部9307は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。また、図13の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体9301と下部筐体9302とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部9307をスライドさせて画面全面を上部筐体9301から引き出し、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部9303を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。本実施例では、シリコンカーバイド膜の成膜条件と結晶性の関係について、図14及び図15を用いて説明する。はじめに、試料1の作製方法を示す。ガラス基板上に絶縁膜を形成した後、絶縁膜をN2Oプラズマに曝した。ここでは、絶縁膜として、厚さ100nmの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜は、プラズマCVD法によって形成した。次に、絶縁膜上に厚さ70nmの微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン膜の堆積の条件としては、SiH4の流量を3sccm、H2の流量を750sccm、Arの流量を750sccmとして材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を45Wとしてプラズマ放電を行う、プラズマCVD法を用いた。なお、ここで、微結晶半導体膜の堆積は、平行平板型のプラズマ処理装置を用いて行い、上部電極温度を250°C、下部電極温度を300°Cとした。以上の工程により、試料1を作製した。次に、試料2乃至試料8の作製方法を示す。試料2乃至試料8は、試料1と同様に、ガラス基板上に厚さ100nmの絶縁膜を形成し、絶縁膜をN2Oプラズマに曝した後、厚さ70nmの微結晶シリコン膜を形成した。次に、微結晶シリコン膜上に厚さ80nmのシリコンカーバイド膜を形成した。シリコンカーバイド膜の堆積の条件としては、材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を45Wとしてプラズマ放電を行う、プラズマCVD法を用いた。なお、ここで、シリコンカーバイド膜の堆積は、平行平板型のプラズマ処理装置を用いて行い、上部電極温度を250°C、下部電極温度を300°Cとした。また、各試料の原料ガスの流量を以下に示す。試料2:流量2sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料3:流量3sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料4:流量4sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料5:流量5sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料6:流量6sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料7:流量7sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr試料8:流量8sccmのCH3SiH3、流量3sccmのSiH4、流量750sccmのH2、流量750sccmのAr次に、試料1乃至試料8に形成された膜の結晶性について、ラマン分光分析を行った。ここでは、株式会社堀場製作所製のLabRAMHR-PLを用いてラマン分光分析を行った。各試料の、結晶/非晶質強度比Ic/Iaを図14に示す。丸印は試料に可視光である波長532nmのレーザ光を照射したときの結晶/非晶質強度比であり、三角印は試料にUV光であるレーザ光を照射したときの結晶/非晶質強度比である。可視光を照射することで、膜全体の結晶性を測定することができる。一方、UV光を照射することで、膜の表面の結晶性を測定することができる。図14より、試料2乃至試料8にUV光を照射したときの結晶/非晶質強度比は一定であり、且つ平均で1以下である。このため、試料2乃至試料8の表面、即ちシリコンカーバイド膜の表面は非晶質であることがわかる。一方、可視光を照射したときの結晶/非晶質強度比は、CH3SiH3の流量と共に増加しているが、CH3SiH3の流量が増えることでシリコンカーバイド膜に含まれる炭素濃度も増加し、バンドギャップが広くなる。この結果、可視光はシリコンカーバイド膜を透過しやすくなる。シリコンカーバイド膜を透過した可視光は、シリコンカーバイド膜の下に形成される微結晶シリコン膜に届き、微結晶シリコン膜のRaman散乱が現れる。これによって、CH3SiH3の流量が増加することで見かけ上の結晶/非晶質強度比が増加した。以上のことから、CH3SiH3の流量を増加させることで、シリコンカーバイド膜を形成することができる。次に、試料8の断面をSTEMScanningTransmissionElectronMicroscopyで観察した結果を図15に示す。ここでは、日立ハイテクノロジーズ製日立超薄膜評価装置HD-2300を用いて測定した。図15Aは、倍率5万倍の位相コントラスト像TE像であり、図15Bは微結晶シリコン膜205及び非晶質シリコンカーバイド膜207近傍の倍率20万倍のZコントラスト像ZC像である。図15より、ガラス基板201上に絶縁膜203が形成され、絶縁膜203上に微結晶シリコン膜205が形成される。微結晶シリコン膜205上に非晶質シリコンカーバイド膜207が形成されていることがわかる。"