"リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマICPソースであって、チャンバを備え、前記チャンバは、上面、下面及び側面を有し、長さ及び前記長さよりも大きい高さを有するチャンバ本体と、誘電体窓と、前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの引き出しスリットを有する端部とを有し、前記誘導結合プラズマソースは更に、前記チャンバにガスを流入させるのを可能とする少なくとも1つのガス供給口と、前記誘電体窓に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長いスパイラル形状のアンテナと、前記引き出しスリットに近接して位置し、リボンイオンビームを形成するべく、前記スリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。前記上面、前記下面及び前記側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造を更に備える請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記磁気閉じ込め構造は、磁性体を含むヨークと、複数のマグネットと、前記複数のマグネットの各々の間に位置する1以上の非磁性スペーサとを有する請求項2に記載の誘導結合プラズマソース。前記複数のマグネットは、一のマグネットのN極が前記チャンバに面し、前記一のマグネットに隣接するマグネットのS極が前記チャンバに面するように配置されている請求項3に記載の誘導結合プラズマソース。前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の縁部方向に沿うように向けられている請求項3に記載の誘導結合プラズマソース。前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の奥行き方向に沿うように向けられている請求項3に記載の誘導結合プラズマソース。前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内に磁場を形成し、前記幅の最小値は、前記チャンバの鉛直方向中央線に対応する部分に磁場が存在しないように決定される請求項2に記載の誘導結合プラズマソース。前記チャンバは、前記誘電体窓と対向する前記端部との間の距離として規定される奥行きを有し、前記奥行きは、前記アンテナによって前記プラズマが最適に生成されるように決定される請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記長さは、前記リボンイオンビームの前記所望の幅に基づいて決定される請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内の磁場を形成し、前記高さは、引き出しスリットの前記所望の数及び前記磁場の貫通深さに応じて決定される請求項2に記載の誘導結合プラズマソース。前記ガス供給口は、水平方向の中央線に沿って位置する請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記アンテナは、13.56MHzで電力を得る請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記アンテナは、0.46MHz、2.0MHz、27MHz又は60MHzで電力を得る請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記チャンバ本体は、八角形の形状を有し、前記上面及び前記下面が、テーパ状の面によって、前記側面にそれぞれ接続されている請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。前記チャンバ本体の前記側面は、前記上面及び前記下面に接続される半筒形状を有する請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマICPソースであって、チャンバを備え、前記チャンバは、上面、下面及び2つの側面を有し、長さ及び前記長さよりも大きい高さを有し、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記2つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記2つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、誘電体窓と、前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの引き出しスリットを有する端部とを有し、前記誘導結合プラズマソースは更に、前記チャンバにガスを流入させるのを可能とする少なくとも1つのガス供給口と、前記誘電体窓に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長いスパイラル形状のアンテナと、前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記2つの側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造と、前記引き出しスリットに近接して位置し、リボンイオンビームを形成するべく、前記スリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマソースICPであって、チャンバを備え、前記チャンバは、上面、下面及び2つの側面を有し、150mm~250mmの間の高さ及び600mm~700mmの間の長さを有し、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記2つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記2つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、誘電体窓と、前記誘電体窓に対向して、前記誘電体窓から100mm~200mm離れて設けられ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの引き出しスリットを有する端部とを有し、前記誘導結合プラズマソースは更に、前記チャンバにガスを流入させるのを可能とする少なくとも1つのガス供給口と、前記誘電体窓に近接して設けられ、13.56MHzで電力を得て、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長いスパイラル形状のアンテナと、前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記2つの側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造と、前記引き出しスリットに近接して位置し、リボンイオンビームを形成するべく、前記スリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。図2A~2Dには、本開示に係るICPプラズマソース200の主な構成要素が示されている。図2Aには、プラズマソース200の中心を通過する鉛直方向断面yz面が示されている。好ましくは、アルミニウムで形成されたチャンバ本体201を使用して、低圧ガスを収容し、プラズマの生成を行う。ある実施形態では、チャンバ本体201は、150mmの高さh及び140mmの奥行きdを有してもよい。ソース200の前面は、チャンバ本体201に対して真空密閉された誘電体窓202を含む。誘電体窓202は、水晶、アルミナ、アルミニウム酸窒化物alon、サファイア、又は、その他の好適な誘電体材料から形成可能である。誘電体窓202の厚みは、窓を構成する材料が、約200°Cから300°Cの熱応力の下で約1atmの圧力差を維持可能な厚みとして計算されてもよい。ある実施形態では、2.5cmの厚みの水晶の窓が使用され、別の実施形態では、19mmの厚みの98アルミナの窓、又は、8mmの厚みのサファイアの窓を使用することができる。平面スパイラルアンテナ203は、誘電体窓202に平行に近接して位置し、RF電源図示せずからのエネルギーを電子に結合させ、チャンバ本体201内のガス分子を解離させてイオン化させる。平面スパイラルアンテナ203は、好ましくは、冷却を可能とする銅管から形成される。50ΩのRF電源の出力インピーダンスと、可変プラズマインピーダンスとの整合は、整合回路図示せずによって達成される。誘電体窓202に対向するプラズマチャンバ後壁217は、ビーム引き出しスリット205を含む面板204を収容するスロットを有する。引き出しスリットは、好ましくは、鉛直方向の中央線213に設けられる。プラズマチャンバ本体201、誘電体窓202及び後壁217は、チャンバ218を規定している。拡大図に示されるように、プラズマエッジ効果を防ぐべく、プラズマチャンバの開口206は、引き出しスリット205よりも高くなっている。プラズマソース200は、大きな真空チャンバ図示せずに搭載され、高温フルオロカーボンOリング207を使用して真空密閉されている。処理ガスの流れは、質量流量制御部によって制御されて、共通の入力ガスラインに送られる。ある実施形態では、チャンバ本体201の上部及び下部に対称に配置された2つのガス供給口208を介して、ガスがプラズマチャンバ本体201に導入される。これらのガス供給口208は、z方向に誘電体窓202から、例えば、5センチメータ離れた距離に配置される。ある実施形態では、真空排気は、引き出しスリット205を介して行われる。一実施形態において、上記で説明した供給-排気の構成により、プラズマソース200内に均一なガス分布を実現することができる。図2Bには、プラズマソース200の水平断面が示されている。この実施形態では、ガス供給口208は、プラズマチャンバ本体201の幅wに沿った中央に配置されている。別の実施形態では、ガス供給口208は、水平方向中央線214について対称に上部及び下面部に位置している。更なる別の実施形態では、3つ以上のガス供給口208が使用される。また別の実施形態では、これらのガス供給口208は、プラズマチャンバ本体201の幅にほぼ等しい範囲において対称に且つ均一に分布するように位置する。すなわち、ガス供給口208は、x方向に等しい間隔で設けられる。ガスを適切に解離させてイオン化させるために、プラズマソース200内のガス圧は、好ましくは、1mTorrから99mTorrの範囲に維持する。圧力監視のために、バラトロンBaratron登録商標又はピラニPirani登録商標のような圧力計は、好ましくは、ポート209を使用してチャンバに接続される。チャンバ内のガス圧は、ガス流量及び引き出しスリット205のコンダクタンスによって制御される。別の実施形態では、独立した圧力制御を行うべく、2つの大きな真空コンダクタンス排気ポートが、ソース側壁に設けられる。図2Cには、プラズマソース200の正面図が示されている。明瞭に図示するために、一部省略されている部分がある。この実施形態では、長いスパイラル状のアンテナ形状にほぼ沿って、チャンバ本体201の角部分がテーパ状になっており、本体が8角形の形状となっている。別の実施形態では、チャンバ本体201は、細長い楕円形状であってもよく、対向する端部に半円筒を有する矩形の直方体であってもよい。更に別の実施形態では、チャンバ本体201は、任意の横長又は縦長の形状であってもよく、2つの直交する方向の寸法のうち一方が他方より大きい形状であってもよい。ソレノイドアンテナとは異なり、この配置では、誘電体窓面に対して誘起される電場が平行になる。その結果、電子は、x方向に平行な方向に加速される。巻いているアンテナの真っ直ぐな部分は、引き出しスリットの方向と平行であり、スリットの幅waistよりも長いので、引き出しスリットが位置するスパイラルの範囲におけるx方向に沿って、プラズマ密度が均一になると期待できる。図2A~2Bに示すように、引き出しスリット205はx方向に沿っており、鉛直方向の中央線213に沿って対象的にチャンバ本体201の上壁及び下壁から間隔を空けて設けられている。引き出しスリット205の位置は、プラズマチャンバ本体201の端面図である図2Dで確認することができる。所望の引き出された電流の線密度の値、及び、利用可能な引き出し光学系に応じて、引き出しスリット205の高さは、約2~5mmの間であってもよい。引き出しスリット205の幅は、プラズマソース200から引き出されるリボンビームの幅によって決定される。450mm直径のウェハにイオン注入を行うには、少なくとも500mmの幅を有するリボンイオンビームを使用してもよい。陽イオンの引き出しを可能とするべく、プラズマチャンバ本体201は、高電圧DC電源図示せずによって正の電位に電気的にバイアスされる。図1Aに示したような様々な電位の電極のセットを含む引き出し光学系を、プラズマソース200と組み合わせて使用してもよい。一実施形態では、図2Dに示すように、イオンビームを引き出すのに、1つの引き出しスリット205が使用される。別の実施形態では、引き出される電流及び/又は複数ラインの注入を増加させる目的から、複数のビームレットを引き出すべく、図2Eに示すように、複数の引き出しスリット205a-cが使用される。高いプラズマ密度及び良好な均一性を得るべく、磁気マルチカスプ閉じ込め構造を使用してもよい。図2A~2Eには、方位マルチカスプ配置を示した図である。永久磁石であってもよい複数のマグネット210及び複数のスペーサ211のアレイが、チャンバ本体201を取り囲む。マグネット210は、矩形状の断面を有してもよい。ある実施形態では、マグネット210は、9.5×9.5mm2の断面積を有し、長手方向の寸法が157mmである。マグネット210は、Sm-Coサマリウム-コバルトのような、約350°Cまでの耐熱性を有する磁性材料で形成されていてもよい。スペーサ211は、マグネット210間に位置し、アルミニウムのような非磁性材料で形成されている。マグネット210は、交互に配置されている。例えば、1つのマグネット210の磁気ベクトルが、チャンバ201の内側に向かう方向に対して垂直である場合、隣接するマグネット210は、外側に向いた磁気ベクトルを有する。チャンバ218内の磁場の強さを増大し、チャンバ218の外側の長距離磁力線をシールドするべく、例えば鉄又は磁気スチール磁性鋼から構成される磁性ヨーク212を使用して、磁気マルチカスプ閉じ込め構造を覆い、プラズマソース200の外側に位置する磁力線の短経路を提供してもよい。図2Aから2Eに示すように、カスプ配置を正しく機能させるために、磁場の対称性が良好であることが望ましい。例えば、チャンバ本体201の上側図2C参照のx=0,y=d/2に位置するS-N方向のマグネットは、チャンバ本体201の下側のx=0、y=-d/2に位置するN-S方向のマグネットに対向して配置されるべきであるここで、x=0及びy=0はそれぞれ、鉛直方向及び水平方向の中央線を規定する。プラズマチャンバのその他の面全てについても同様に、x=-w/2,y=0におけるN-S方向のマグネットは、対向する側のx=w/2,y=0におけるS-N方向のマグネットに面する。磁性の対称性が欠けると、上下方向の磁気双極子が発生し、特定の空間位置において荷電粒子がトラップされて、プラズマの均一性に悪影響を及ぼす。カスプ位置を除いて、マグネット210の長手方向がz方向に沿って並べられることから、図2A~2Eに示した磁気カスプ構造は、方位角で規定される。生成される磁場は、チャンバ本体201の外縁に沿った方向に向く。別の実施形態では、図3A~3Cに示すように軸カスプとして規定される場合、マグネット210の長手方向は、チャンバ本体201の外縁に沿った方向に向けられ、生成される磁場は、z方向に沿った方向に向く。図3Aには、マグネット210の軸方向が示されたチャンバ318の鉛直断面図が示されている。同様に、図3Bには、マグネット210の方向が示された水平断面図が示されている。プラズマソース200の構成要素を規定した後、チャンバの寸法それぞれと関連する制限、アンテナ形状及びサイズ、並びに、磁気カスプトポロジーについて以下に説明する。チャンバの幅すなわち、図2A~2E及び図3A~3Cにおけるwは、リボンイオンビームの所望の幅によって決定される。例えば、500mm幅のリボンイオンビームの場合、チャンバの幅は、例えば、660mmといったように、600mmから700mmの間の距離である。幅の大きなリボンビームの場合、相応に大きな幅のチャンバが必要である。有限プラズマの場合、イオン化周波数は、放電出力及びプラズマ密度には依存せず、電子温度Te、ガス圧p、及び、特徴的なプラズマ長さLの関数となる。特徴的なプラズマ長さLは、プラズマ体積とプラズマ境界面との比によって求められる。特定の動作条件の場合、特徴プラズマ長さの値は、プラズマ生成量及び壁面におけるプラズマ損失間の平衡によって決定される。プラズマチャンバの1つの寸法は、イオンビームの所望の幅によって設定されるので、プラズマ生成は、プラズマチャンバフォームファクタξで良好に説明できる。図1Aに示したICPプラズマソース100のような円筒形状のプラズマチャンバの場合、フォームファクターは典型的には、プラズマチャンバの直径に対するプラズマチャンバの奥行きの比として規定される。矩形状、又は、一方の寸法が他方の寸法よりも大きい横長/縦長形状の場合、フォームファクターは、プラズマチャンバ奥行きdのそのほかの直交する寸法w及びhの幾何平均に対する比として規定してもよく、次の式6のように規定される。本実施形態の場合、1つの寸法が他の2つの寸法よりも大幅に大きい場合には、フォームファクターは、次の式7に示すように特徴プラズマ長さLを基準として表すことができる。エネルギー平衡方程式では、プラズマ密度は、放電出力、及び、ガス圧pとプラズマ長さLとの積によってのみ決まることが示されており、その結果、プラズマ生成量を促進する大きな特徴プラズマ長さLは、小さなプラズマチャンバフォームファクタξを必要とする。一方で、現在のプラズマチャンバ配置では、アンテナからプラズマへと結合するRF電力は、プラズマバルクでは発生せず、プラズマエッジで発生する。更に、最大電力堆積は、表皮深さと等しい距離にわたって発生する。したがって、表皮層の厚みのオーダーの奥行きを有するプラズマチャンバは、所与の入力電力及び横断方向の寸法w及びhに対して最も高いプラズマ密度を提供する。プラズマソースの深さの設計では、イオン化プロセスが表皮層において及び表皮層を超えて発生することに注意する必要がある。典型的な13.56MHzICPアルゴンプラズマの場合、25~30eVの電子エネルギー分布関数eedfのテールは、相対的に密度が高い。これは、エネルギーの大きい電子が存在し、イオン化衝突が、表皮深さを超えて発生する可能性があることを意味している。この現象は、イオン化エネルギーが希ガスよりも低い分子のプラズマにおいて顕著となる。しかしながら、アンテナから一定の距離を超えると、及び、磁気閉じ込めが存在しないと、プラズマ密度は、アンテナからの距離に指数関数的に比例して減少する。プラズマ密度に加えて、大きな面積の注入又は堆積を行う場合、大きな寸法にわたって均一なプラズマを有する必要があることから、プラズマチャンバの奥行きに対する別の制約が生じる。奥行きが小さすぎる場合、引き出しスリット又は堆積基板空間位置におけるアンテナパターンを反映した不均一なプラズマ密度が発生する。図2A~2E及び図3A~3Cに示すように、プラズマチャンバ218を矩形の箱として近似し、基本拡散モードの最初のゼロがプラズマチャンバ壁面と一致すると仮定すると、プラズマ密度分布は、次の式8で表される。特徴拡散長さは、次の式9で表される。マルチカスプ磁場閉じ込め及びz方向に沿った真空排気の効果によるx及びy方向における壁面反射係数を考慮しない概算では、Λの値は、約3cmとなる。BF2イオンBF3プラズマの主イオン成分の拡散係数5×104cm2/s、及び、約0.05eVの適度なイオン温度を使用した場合、拡散平均自由行程は約3~4cmとなる。高いプラズマ均一性のために複数の拡散平均自由行程を可能とすることにより、プラズマチャンバ奥行き図2A~2E及び図3A~3Cにおけるdの下限は、約10~12cmとなる。異なるイオンについて同様な計算を行い、それぞれ異なる拡散長さ、及び、異なる最適なプラズマチャンバ奥行きが得られる。プラズマチャンバを様々な前躯体ガスで動作させようとする場合、プラズマ密度は、動作パラメータRF出力及びガス圧によって制御可能である。また、プラズマ均一性は、主にプラズマチャンバ設計によって設定される。したがって、多くの実施形態では、プラズマチャンバ218の奥行きは、10~20cmの間であってもよい。上記のような考察に基づいて、様々な前駆体ガスBF3、PF4、PH3、AsF3、GeF4、CO2、SiF4、N2、Ar、Xe等におけるプラズマを生成する図2A~2E及び図3A~3Cに示すプラズマチャンバについて、チャンバの奥行きを約14cmに設定してもよい。上記の式によれば、フォームファクターξは、約0.32である。上記のプラズマソースの1つの特徴として、アンテナ形状が挙げられる。まず、引き出されるイオンビームを均一にするため、プラズマ引き出しは、引き出しスリットよりも幅の広い長さわたる必要がある。また、複数の引き出しスリットが使用される場合には、アンテナはy方向に延在する必要がある。一実施形態では、アンテナはx方向に610mm、y方向に76mmの寸法を有する。このように大きな面を覆うことにより、アンテナ経路が長くなり、プラズマの均一性に悪影響を与える定在波が形成される可能性がある。上記の実施形態では、アンテナの全長は約2mであり、したがって、銅内の13.56MHzの電磁放射に対応する4分の1波長よりも小さい。しかしながら、より長いアンテナ長さが必要である場合には、好ましくは、より低いRF駆動周波数波長が長いが使用されてもよい。ある実施形態では、0.46MHz及び2MHzといった低い周波数が使用される。その他の実施形態では、27MHz及び60MHzといった高い周波数が使用される。次に、本実施形態で使用される細長いスパイラル形状により、アンテナの両側に高電圧点と低電圧点を交互に配置することが可能となり、良好なプラズマ均一性につながる。さらに、アンテナの1つの脚がRF電源に接続され、他方の脚が、約2.5μHのアンテナインダクタンスに比例する誘導電圧を補償するキャパシタを介して接地されるので、アンテナ長に沿った電圧の均一な分布につながる。上記のプラズマソースの別の特徴として、プラズマチャンバを囲む磁性カプスの配置が挙げられる。図4Aに示すように、磁力線がチャンバ本体201の面で交差する有効プラズマリーク面積を除いて、得られる磁力線401は、チャンバ本体201の表面と平行な面に存在する。その結果、壁又は面に向かう拡散は、壁又は面に向かう荷電粒子が磁気トラップされることにより、大幅に減少する。チャンバ全表面積Aに比例するカプス構成が存在しない壁又は面での損失は、次の式10に示すようなカスプの数N及びカスプリーク面積Σに比例する比fにまで減少できる。その結果、シースエッジnedge、すなわち、引き出しスリットが位置する場所、におけるプラズマ密度、及び、黙示的に引き出されるイオン電流は、次の式11に規定されるように増加する。式11において、nbulkは、バルクプラズマの密度であり、fは式10で定義した比であり、kは、電子温度及びイオンの性質に依存する係数である。磁性カスプ構成の第2の有益な効果としては、従来技術では壁に衝突して失われてしまっていた高エネルギー電子が、本発明によれば反射されてプラズマに戻り、熱運動化されるまで新たなイオン化衝突に寄与することとなることから、プラズマ均一性が改善される。磁性カスプ構成の設計において、マグネットの分離については特別な注意を払う必要がある。式10によれば、カスプの数を減らすと、損失の割合を減らすことができるが、それと同時に、プラズマ体積に侵入する磁力線の深さが深くなる。ある実施形態では、マグネット210の幅Δ1は、約10mmである。ある実施形態では、スペーサ211の幅Δ2は、約20mmである。測定された磁場の強さ壁面に対して垂直な成分と深さχが図4Bに示されている。実験データ拡散グラフは、式12に示される理論的な予測に従っている。式12に従う理論的予測値は、図4Bにおいて点線で示されている。上記の式において、B0は、マグネットの表面における磁場の強さであり、χは、チャンバ壁に垂直な方向の距離、Δ1及びΔ2はそれぞれ、マグネットの幅及びマグネット間の距離である。図4Cに示すように、得られる磁場トポロジーは、磁場が存在する磁場の強さは、壁に向かって増大するチャンバ本体201に隣接する狭いゾーン402、及び、中央の磁場が存在しない領域403から構成される。良好なイオンビーム均一性を得るためには、好ましくは、磁場が存在しない領域403は引き出しスリットの端部を越えて延在してもよい。本実施形態では、10mmの幅のマグネット及び20mmのマグネット間距離を使用して、方位角配置で、磁場の強さは、プラズマチャンバの表面で1.5kGaussから、壁から約3.5cmの位置ではゼロになる。引き出しスリットの数に応じて、磁場の貫通深さにより、プラズマチャンバの高さの設定を行う。一実施形態では、高さは、約150mmから250mmである。この高さでは、高さ3mm及び設けられる間隔が約10mmである引き出しスリットを5つ設けることが可能である。異なる数の引き出しスリットを使用する場合には、高さはそれに従って調整可能である。このように、上記のようなw及びhの寸法によれば、約8cmの高さ及び60cmの幅の磁場が存在しない中央領域が存在する。図5A及び図5Bには、2つの異なる前躯体ガスBF3及びPH3の場合であって、小さなフォームファクターξが約0.32を有するプラズマソースにおいて、入力電力の関数として得られる引き出されたイオンビーム電流密度が示されている。予測されるように、引き出されるビーム電流jextrとRF電力との間には線形の関係が存在し、その傾きは、BF3及びPH3の場合でそれぞれ、約4.06mA/cm2/kW及び約4.3mA/cm2/kWである。高電流密度の値から、RF電力のプラズマへの結合が効率的に行われていることが実証されている。約3eVの電子温度を仮定すると、BF2イオンのボーム速度VBは、約2.5×105cm/sとなる。その結果、式13となる。ここで、eは、電気素量である。計算により、5kWの入力RF電力の場合、プラズマ密度nは、約5×1011cm-3となり、これは、達成可能な最大の誘導結合プラズマソースICP密度に近い。上記で説明したようなイオンソースによれば、得られるプラズマ密度及び組成を、所望のビーム電流及び元素の組成に応じて変更可能である。前躯体ガスの比率を高めるには、高RF電力及び低い流量低い圧力が望ましい。一方、高いプラズマ密度を全体として得るには、高い流量圧力が望ましい。前躯体ガスの性質及び所望の元素ビーム組成に応じて、異なるRF電力-ガス圧流量を選択可能である。本開示の範囲は、本明細書に記載された特定の実施形態によって限定されない。本開示に対して、上記の実施形態に加えて、その他の実施形態及び変更例が、添付の図面及び上記の説明から当業者に明らかである。したがって、このようなその他の実施形態及び変形例も本開示の範囲に含まれることを意図している。更に、本開示が特定の環境下において特定の目的で特定の実装形態を参照して説明されたが、当業者であれば、利用可能性はこれらに限定されず、本開示をその他の数多くの目的及び環境に実装可能であることは理解できる。したがって、添付の特許請求の範囲は、本開示の最大の範囲及び精神に基づいて解釈されるべきである。"