溶液法により原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸と、前記原料溶液を収容する坩堝と、前記坩堝を成長炉内の内壁から距離をおいて保持するための支持部と、前記成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを含んで成る溶液法SiC単結晶製造装置を用いるSiC単結晶製造方法であって、前記支持部の少なくとも一部として、坩堝を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部を用いる、前記方法。溶液法により原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸と、前記原料溶液を収容する坩堝と、前記坩堝を成長炉内の内壁から距離をおいて保持するための支持部と、前記成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを含んで成る溶液法SiC単結晶製造装置であって、前記支持部の少なくとも一部が、坩堝を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部である、前記装置。前記伝熱異方性支持部が、パイロリティックカーボン製である請求項2に記載の装置。前記支持部が、坩堝から近い順に前記伝熱異方性支持部および金属支持部がこの順に接続されて成る請求項2又は3に記載の装置。前記支持部が、さらに中空リングを備えて成る請求項2~4のいずれか1項に記載の装置。前記中空リングが、黒鉛製中空リング体である請求項5に記載の装置。前記支持部と坩堝との間に、炭素製の断熱材が設けられている請求項2~6のいずれか1項に記載の装置。しかし、これらの技術を溶液法によるSiC単結晶の製造装置に適用したのでは、坩堝からの放熱により溶液中の温度が不均一になることが避けられず部分的な過冷却による多結晶の生成を防止若しくは抑制することが困難である。従って、本発明の目的は、成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍でのSiC多結晶の発生を抑制し得る溶液法によるSiC単結晶製造方法およびそれに用いる装置を提供することである。本発明は、溶液法により原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸と、前記原料溶液を収容する坩堝と、前記坩堝を成長炉内の内壁から距離をおいて保持するための支持部と、前記成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを含んで成る溶液法SiC単結晶製造装置を用いるSiC単結晶製造方法であって、前記支持部の少なくとも一部として、坩堝を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部を用いる、前記方法に関する。また、本発明は、溶液法により原料溶液からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶を有する成長炉と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸と、前記原料溶液を収容する坩堝と、前記坩堝を成長炉内の内壁から距離をおいて保持するための支持部と、前記成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体とを含んで成る溶液法SiC単結晶製造装置であって、前記支持部の少なくとも一部が、坩堝を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部である、前記装置に関する。本発明によれば、成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍でのSiC多結晶の発生を抑制し得る溶液法によるSiC単結晶製造方法および装置を得ることができる。特に、本発明において、以下の実施態様を挙げることができる。1前記伝熱異方性支持部が、パイロリティックカーボン製である前記装置。2前記支持部が、坩堝から近い順に前記伝熱異方性支持部および金属支持部がこの順に接続されて成る前記装置。3前記支持部が、さらに中空リングを備えて成る前記装置。4前記中空リングが、黒鉛製中空リング体である前記装置。5前記支持部と坩堝との間に、炭素製の断熱材が設けられている前記装置。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳説する。図1において、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置1は、溶液法により原料溶液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸5と、前記原料溶液を収容する坩堝6と、坩堝6からの放熱を防ぐための断熱材7と、坩堝6を成長炉4内の内壁から距離をおいて保持するための成長炉外の支持台によって支持されている支持部8と、成長炉を囲んで成長炉外に配置されたエネルギー放出体9とを含んでなり、前記支持部8の少なくとも一部が、坩堝6を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部11であり、さらにエネルギー放出体9から出力されたエネルギーによって発熱して成長炉4内を加熱するための断熱材7の内側に設けられた発熱部材12、支持部8の上端部に炭素製の断熱材13、および支持部8を伝熱異方性支持部11とともに構成する黒鉛製中空リング体14およびその下方のステンレス製支持体15を備えてなる。図1において、本発明の実施態様における支持部8は、伝熱異方性支持部11とステンレス製支持体15とが黒鉛製中空リング体14を介して接続されているが、支持部8は伝熱異方性支持部のみから構成されていてもよい。また、前記伝熱異方性支持部11とステンレス製支持体15との黒鉛製中空リング体14を介しての接続は、任意の手段、例えば機械的又は物理的な接続機構によってなされ得る。本発明の図1に示す実施態様のSiC単結晶成長装置によれば、坩堝を成長炉内の内壁から距離をおいて保持するための成長炉外の支持台によって支持されている支持部の少なくとも一部が、坩堝を支える方向の熱伝導率TCVと前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHとの間にTCH>TCVの関係を有する部材から構成されてなる伝熱異方性支持部であることにより、炉内部の熱が支持部に伝わる速度が炉外部に逃げる速度よりも大きくなり、支持部からの熱の流出を低減し得ることに加えて、さらにエネルギー放出体から出力されたエネルギーを受ける発熱部材による間接的な加熱構造を有することにより、図4に示すように、溶液がある場合の深さ方向鉛直方向の温度差が坩堝内の溶液内および溶液上の空間の合計でも約5°C程度未満であって、ほぼ均一な温度分布を得ることが可能となる。本発明の実施態様の溶液法SiC単結晶製造方法および装置によれば、成長炉内を均熱化することが可能であり種結晶近傍に多結晶が付着していないか極めて少なくし得る。これに対して、従来のSiC単結晶成長装置10は、図2に示すように、溶液法により原料溶液2からSiC種結晶基板上にSiC単結晶を成長させるための種結晶3を有する成長炉4と、前記種結晶を支え且つ種結晶から熱を成長炉の外部に伝達するための支持軸5と、原料溶液2を収容する坩堝6と、坩堝6からの放熱を防ぐための断熱材7と、等方性黒鉛製の支持部18、場合により坩堝の一部を覆いエネルギー放出体により発熱するための断熱材7の外側に発熱部材図示せず、および炉外に成長炉内を加熱するためのエネルギー放出体9を備えている。このため、従来の溶液法SiC単結晶製造方法および装置によれば、たとえ坩堝の一部を覆いエネルギー放出体により発熱する発熱部材を有していても下方向と上方向とで熱逃げが生じ、大きな温度分布温度勾配の発生が避けられず、図4に示すように、坩堝内の溶液内および溶液上の空間に深さ方向鉛直方向に、例えば約200°Cという大きな温度差が生じ得る。また、同様に坩堝内の溶液内炭素C濃度分布が発生する。このため、従来の溶液法製造装置によれば、種結晶に多結晶が付着し得る。本発明のSiC単結晶成長装置において、前記種結晶は任意のSiC単結晶、例えば4H-SiC、6H-SiCや3C-SiCなどであり得る。また、本発明の前記実施態様のSiC単結晶成長装置において、坩堝は通常炭素製であって原料溶液に炭素Cを溶出してSiCの炭素源となり得る。そして、この坩堝は単一の構成材からなるものであってもよいが、中坩堝および外坩堝から構成されてもよい。また、本発明のSiC単結晶成長装置において、支持軸は耐熱性が必要なことから炭素棒であり得て、種結晶から熱を外部に伝達するために炉外に冷却機構16、例えばガス冷却機構あるいは液体冷却機構が設けられていてもよい。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体としては高周波エネルギーを放出する高周波コイルが挙げられる。また、本発明のSiC単結晶成長装置において、前記発熱部材は例えば黒鉛製であり得て、通常サセプターと呼ばれるものが用いられ得る。本発明のSiC単結晶成長装置における支持部としては、少なくとも一部が坩堝6を支える方向の熱伝導率TCVよりも前記方向に垂直な方向の熱伝導率TCHの方が大きい部材から構成されていることが必要である。このような部材としては、パイロリティックカーボンpyrolyticcarbon製の支持部材が挙げられ、このような部材は例えば巴工業社から市販商品名:PG部品されている。本発明のSiC単結晶成長装置においては、前記の構成を必須要件とするものであるが、図1に示すように、坩堝の下部に中空の黒鉛製中空リング14のような中空リングが設けられることにより、坩堝6から熱が放出されるのをさらに抑制し得る。本発明の実施態様における前記支持部としては、少なくとも一部が坩堝6を支える方向の熱伝導率よりも前記方向に垂直な方向の熱伝導率の方が大きい部材から構成されていて、その下方に黒鉛製中空リング体14が接続され、その下方にステンレス製支持体15のような剛性のある金属製支持体が接続され、支持台によって支持されているものであり得る。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置における支持部8の上端部の断熱材としては、炭素製の断熱材が挙げられ、通常多孔質カーボンとして用いられる炭素製シート1枚以上、例えば2枚以上積層したものが用いられ得る。また、本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記構成に加えて、前記成長炉4が坩堝6の少なくとも上方に空間を有し、前記発熱部材12が前記断熱材7の内側における坩堝6および前記空間を包囲する面全体に設けられ得る。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、前記発熱部材は、一体的であり得て鉛直方向の長さが坩堝の長さの1.5倍以上、特に2倍以上であり得て、炉内の空間全体を均一に加熱し得る。本発明の実施態様のSiC単結晶成長装置において、複数の異なるエネルギーを放出可能なエネルギー放出体は、通常成長炉を囲んで成長炉外に複数個設けられる。そして、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、少なくとも2個の高周波コイルのエネルギー出力比率、例えば電流比率を変えることにより、坩堝内の溶液中の深さ方向の温度分布を狭い範囲で付与することが可能となり、溶液内での対流を起こし易くなり、炭素C濃度の均一化が達成し得て、経時的なSiC単結晶成長の変化を抑制し得る。本発明の実施態様における原料溶液としては、SiとCとを必須成分とする任意の溶液を挙げることができる。例えば、Si含有溶液として、さらにTiおよび/又はCrを含むもの、例えばSi-Ti-C溶液又はNiおよびCrを含むもの、さらに前記Si、Cr、NiおよびC以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか1種の元素を含むもの、例えば前記の元素がCeであるものが挙げられる。また、半導体材料用に任意のドーパントを含有し得る。前記の原料溶液の温度は1800~2100°C、特に1850~2050°C程度であり得る。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置による温度の制御は、高周波コイルから出力されたエネルギーを受けた発熱部材による間接的な加熱構造によって加熱し、例えば放射温度計による溶液面の温度観察および/又は炭素棒内側に設置した熱電対、例えばW-Reタングステン/レニウム熱電対を用いて温度測定を行って求められた測定温度に基づいて温度制御装置図示せずによって行うことができる。本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いてSiC単結晶を製造する方法においては、少なくとも2個の高周波コイルの出力比率を変えることを除いて、それ自体公知の製造法、例えば溶液法におけるそれ自体公知の製造法、例えば黒鉛坩堝の形状、加熱方法、加熱時間、雰囲気、昇温速度および冷却速度を適用することができる。例えば、高周波コイルから出力されたエネルギーを受けた発熱部材による間接的な加熱による加熱時間原料の仕込みからSiC飽和濃度に達するまでの凡その時間としては坩堝の大きさにもよるが20分間~50時間程度例えば1~50時間程度で、雰囲気としては希ガス、例えばHe、Ne、Arなどの不活性ガスやそれらの一部をN2やメタンガスで置き換えたものが挙げられる。本発明のSiC単結晶製造装置を用いることによって、2000°C程度の高温、例えば1800~2100°C、特に1850~2050°C程度の溶液温度で長時間、例えば1時間以上、多結晶の成長を防止乃至は抑制したSiC単結晶を得ることができる。以下、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置と従来の溶液法によるSiC単結晶製造装置を用いて溶液有りの条件で坩堝内の温度分布を測定した結果を示す。以下の各例において、実験は以下の条件で行った。溶液温度:1900°Cガス流量:5L/分実験1伝熱異方性支持部としてパイロリティックカーボン製支持部を用い、図1に示す本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いて、図3に模式的に示す測定法によって行った。得られた坩堝内の深さ方向の温度分布をまとめて図4に示す。比較実験1図2に示す従来の溶液法によるSiC単結晶製造装置を用いて、図3に模式的に示す測定法によって行った。得られた坩堝内の深さ方向の温度分布を図4に示す。図4の結果は、本発明の実施態様のSiC単結晶製造装置を用いれば、良好な均熱化が達成され得ることを示している。