"液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第1の透明基板及び第2の透明基板と、前記第1の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、前記第2の透明基板の前記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを含む液晶表示装置であって、前記透明導電膜は、前記第1の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の体積含有率Aが、25~60であり、前記導電性無機粒子の平均粒子径Bが、30~200nmであり、前記透明導電膜の膜厚Cが、0.2~5.0μmであり、前記導電性無機粒子の体積含有率A、前記導電性無機粒子の平均粒子径B及び前記透明導電膜の膜厚Cの関係が、下記数式1の要件を満たすことを特徴とする液晶表示装置。数式10.8≦A/1002×√B×C≦4.0前記透明導電膜の表面抵抗が、1×104~1×1014Ω/スクエアである請求項1に記載の液晶表示装置。前記透明導電膜の450~650nmの波長領域における光透過率が、70以上である請求項1又は2に記載の液晶表示装置。前記導電性無機粒子が、酸化スズ粒子、アンチモン含有酸化スズ粒子及びスズ含有酸化インジウム粒子からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項1~3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。しかし、特許文献1に記載のスパッタリングにより導電層を形成する方法では、スパッタリング工程のための大型の真空装置が必要であり、製造工程の簡略を図ることができず、製造コスト的にも不利である。また、特許文献1に記載の粘着材中に導電性粒子を散在させて導電層を形成する方法では、粘着層は一般的に膜厚が10μm以上と厚いため、導電性粒子を散在させて粘着層に導電性を付与する方法では透明性が低下する,問題がある。本発明は、上記問題を解決したもので、導電性無機粒子の体積含有率及び平均粒子径並びに透明導電膜の膜厚を、特定の要件を満たすようにして、帯電防止機能が高くかつ透明性に優れる透明導電膜を横電界方式の液晶表示装置に配置したものである。本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第1の透明基板及び第2の透明基板と、前記第1の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、前記第2の透明基板の前記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを含む液晶表示装置であって、前記透明導電膜は、前記第1の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の体積含有率Aが、25~60であり、前記導電性無機粒子の平均粒子径Bが、30~200nmであり、前記透明導電膜の膜厚Cが、0.2~5.0μmであり、前記導電性無機粒子の体積含有率A、前記導電性無機粒子の平均粒子径B及び前記透明導電膜の膜厚Cの関係が、下記数式1の要件を満たすことを特徴とする。数式10.8≦A/1002×√B×C≦4.0本発明によれば、帯電防止機能が高くかつ透明性に優れる透明導電膜を、横電界方式の液晶表示装置の透明基板に直接的かつ簡易に配置することができる。本発明の液晶表示装置は、液晶層と、上記液晶層を介して互いに対向して配置された第1の透明基板及び第2の透明基板と、上記第1の透明基板の上記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、上記第2の透明基板の上記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを備えている。また、上記透明導電膜は、上記第1の透明基板の上記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、上記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、上記導電性無機粒子の体積含有率Aが、25~60であり、上記導電性無機粒子の平均粒子径Bが、30~200nmであり、上記透明導電膜の膜厚Cが、0.2~5.0μmであり、上記導電性無機粒子の体積含有率A、上記導電性無機粒子の平均粒子径B及び上記透明導電膜の膜厚Cの関係が、下記数式1の要件を満たすことを特徴としている。数式10.8≦A/1002×√B×C≦4.0本発明の液晶表示装置は、液晶層と、上記液晶層を介して互いに対向して配置された第1の透明基板及び第2の透明基板と、上記第1の透明基板の上記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜と、上記第2の透明基板の上記液晶層の側に配置された表示用電極及び基準電極とを備えているので、横電界方式の液晶表示装置に、装置の外部又は内部からの静電的な影響や外部の電磁的妨害に対するシールド機能を付与できる。また、本発明の液晶表示装置では、上記透明導電膜が、上記第1の透明基板の上記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、更に、上記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、上記導電性無機粒子の体積含有率Aが、25~60であり、上記導電性無機粒子の平均粒子径Bが、30~200nmであり、上記透明導電膜の膜厚Cが、0.2~5.0μmであり、上記導電性無機粒子の体積含有率A、上記導電性無機粒子の平均粒子径B及び上記透明導電膜の膜厚Cの関係が、上記数式1の要件を満たすため、帯電防止機能が高くかつ透明性に優れる透明導電膜を、横電界方式の液晶表示装置の透明基板に直接的かつ簡易に配置することができる。本発明においては、透明導電膜の膜厚、透明導電膜中の導電性無機粒子の体積含有率及び平均粒子径の相関を鋭意検討した結果、導電性無機粒子の体積含有率A及び平均粒子径B、並びに透明導電膜の膜厚Cの関係が、0.8≦A/1002×√B×C≦4.0という要件を満たすことにより、導電性と透明性とのバランスがとれた透明導電膜を得ることができた。上記透明導電膜中の導電性無機粒子の体積含有率を体積含有率Aとすると、体積含有率Aは、25~60であり、30~50であることが好ましく、35~45であることが特に好ましい。ここで、体積含有率Aは、不揮発固形成分からなる透明導電膜中の導電性無機粒子の体積の比率を意味する。上記体積含有率Aが60を超えると、透明導電膜中の粒子による散乱が増加するだけでなく、導電性無機粒子間に樹脂が充填されずに粒子と空気の界面が増加したり、透明導電膜表面に粒子が露出して表面が粗くなったりするため、塗膜のヘイズが上昇してしまうという問題が生じる。また、上記体積含有率Aが25を下回ると、粒子間の接点が少なくなりすぎるため、透明導電膜の表面抵抗が上昇する。上記透明導電膜中の導電性無機粒子の平均粒子径を平均粒子径Bとすると、平均粒子径Bは、30~200nmであり、50~180nmであることが好ましく、80~150nmであることが特に好ましい。ここで、平均粒子径Bは、透明導電膜に含まれる導電性無機粒子の平均分散粒子径をいい、単位はナノメートルnmで表記するものとする。なお、上記平均粒子径は、透過型電子顕微鏡TEMにより、透明導電膜の表面又は断面における個々の粒子の粒子径を観察測定した後、少なくとも100個の粒子の粒子径を平均することにより得られる。上記平均粒子径Bが200nmを超えると、粒子の散乱によって塗膜のヘイズ値が上昇しすぎるという問題が生じる。また、導電性無機粒子の平均粒子径Bを小さくするためには1次粒子径の小さい導電性無機粒子を用いることが必要となるが、一般に、粒子の1次粒子径が小さいほど比表面積が増大して分散が難しくなるため、平均粒子径Bを30nm未満にすることは実質的に困難である。上記平均粒子径Bを30~200nmとするためには、導電性無機粒子の1次粒子径は5~180nmであることが好ましい。ここで、粒子の1次粒子径とは、導電性無機粒子そのものをサンプルとし、透過型電子顕微鏡TEMにより、粒界で区切られた個々の粒子の粒子径を観察測定した後、少なくとも100個の粒子の粒子径を平均した平均粒子径をいう。導電性無機粒子の1次粒子径が5nm未満であると、結晶性のよい粒子を得ることが難しい傾向がある。一方、上記1次粒子径が180nmよりも大きいと、平均粒子径Bを200nm以下にすることが困難である。本発明の透明導電膜の膜厚を膜厚Cとすると、膜厚Cは、0.2~5.0μmであり、0.5~3.0μmであることが好ましい。上記膜厚Cが0.2μm未満であると、透明導電膜の光透過率は向上するものの、透明導電膜が薄すぎるために表面抵抗が上昇してシールド機能が低下する。また、上記膜厚Cを厚くすると表面抵抗は低下する傾向にあるが、膜厚Cが5.0μmを超えると光透過率が低下する。上記透明導電膜において、上記体積含有率A、平均粒子径Bnm及び膜厚Cμmは、下記数式1の関係を満たす。数式10.8≦A/1002×√B×C≦4.0上記透明導電膜において、膜厚Cが厚くなると、シートの単位面積あたりの導電性無機粒子の量が増加するため、表面抵抗は小さくなる傾向にあるが、一方で粒子の光吸収や散乱によって光透過率が低下してヘイズが上昇するという問題が生じる。また、膜厚Cを一定とした場合、導電性無機粒子の平均粒子径Bを小さくすれば、粒子の散乱が少なくなってヘイズが減少する。しかし、導電性無機粒子間の粒子間接点が増えて接触抵抗が上昇するため、透明導電膜の表面抵抗を下げるためには、平均粒子径Bが大きい場合に比べて体積含有率Aを増加する必要がある。また、体積含有率Aが一定の場合、平均粒子径Bを大きくすると表面抵抗が低下して、導電性が向上し得る。しかし、粒子の散乱によるヘイズが上昇するため、透明導電膜の白濁を防ぐためには体積含有率Aを下げることが必要である。上記数式1は、透明導電膜における透明性と導電性のバランスを良好にするための指標である。本発明において、透明性は、光透過率により示され、光透過率の値が低いほど、透明性に優れる。また、本発明において、導電性は表面抵抗により示され、表面抵抗の値が低いほど、導電性に優れる。具体的には、上記数式1の値が0.8を下回ると、透明導電膜の表面抵抗が高くなり帯電防止機能、即ち導電性が低下する。一方、上記数式1の値が4.0を上回ると、透明導電膜の光透過率が低下してヘイズ値が高くなり膜が白濁してしまう。上記透明導電膜の表面抵抗は、1×104~1×1014Ω/スクエアであることが好ましく、1×105~1×1012Ω/スクエアであることが更に好ましい。上記表面抵抗が1×1014Ω/スクエアを超えると、シールド機能が低下し、液晶表示装置の表示劣化を防止することが困難になる。また、上記透明導電膜に含有させる導電性無機粒子の量を増加させると上記表面抵抗は低下するが、導電性無機粒子による光の散乱も増加して、ヘイズが増加して透明性が低下するため、上記透明導電膜の透明性を保持したまま上記表面抵抗を1×104Ω/スクエア未満にすることは困難である。上記透明導電膜の450~650nmの波長領域における光透過率は70以上であることが好ましく、90以上であることが更に好ましい。次に、上記透明導電膜の製造方法を説明する。上記透明導電膜の製造方法は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含むコーティング組成物を作製する工程と、透明基板の上に、上記コーティング組成物を塗布して塗膜を形成する工程と、上記塗膜を乾燥して透明導電膜を形成する工程とを含む。上記透明導電膜の形成に用いるコーティング組成物は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含む。上記コーティング組成物における導電性無機粒子の体積含有率を体積含有率A1とすると、体積含有率A1は、25~60であり、30~50であることが好ましく、35~45であることが特に好ましい。ここで、体積含有率A1は、溶剤を除く不揮発固形成分全体に対する導電性無機粒子の体積の比率を意味する。上記コーティング組成物における導電性無機粒子の体積含有率A1を25~60にすることにより、コーティング組成物を塗布して形成した上記透明導電膜における導電性無機粒子の体積含有率Aも25~60にすることができる。上記コーティング組成物における導電性無機粒子の平均粒子径を平均粒子径B1とすると、平均粒子径B1は、30~200nmであり、50~180nmであることが好ましく、80~150nmであることが特に好ましい。ここで、平均粒子径B1は、コーティング組成物中に分散している導電性無機粒子の平均粒子径をいい、単位はナノメートルnmで表記するものとする。なお、上記平均粒子径は、レーザー回折散乱法や動的光散乱法によって測定される粒度分布の平均値と定義する。上記コーティング組成物における導電性無機粒子の平均粒子径B1を30~200nmにすることにより、コーティング組成物を塗布して形成した上記透明導電膜における導電性無機粒子の平均粒子径Bも30~200nmにすることができる。上記体積含有率A1、平均粒子径B1nm及び透明導電膜の膜厚Cμmは、下記数式2の関係を満たす。数式20.8≦A1/1002×√B1×C≦4.0上記コーティング組成物における導電性無機粒子の体積含有率A1を25~60にし、平均粒子径B1を30~200nmにすることにより、コーティング組成物を塗布して形成した透明導電膜における導電性無機粒子の体積含有率Aを25~60にし、平均粒子径Bを30~200nmにすることができる。また、上記体積含有率A1、平均粒子径B1nm及び透明導電膜の膜厚Cμmが数式2の要件を満たすことにより、透明導電膜において、導電性無機粒子の体積含有率A及び平均粒子径B並びに透明導電膜の膜厚Cも、上記数式1の要件、即ち、0.8≦A/1002×√B×C≦4.0の関係を満たすことになる。上記導電性無機粒子としては、透明性と導電性を兼ね備えた粒子であればよく、特に限定されず、例えば、金属粒子、カーボン粒子、導電性金属酸化物粒子、導電性窒化物粒子等を用いることができる。中でも、透明性と導電性とを兼ね備えた導電性金属酸化物粒子が好ましい。上記導電性金属酸化物粒子としては、酸化スズ粒子、アンチモン含有酸化スズATO粒子、スズ含有酸化インジウムITO粒子、アルミニウム含有酸化亜鉛AZO粒子、ガリウム含有酸化亜鉛GZO粒子等の金属酸化物粒子が挙げられる。上記導電性金属酸化物粒子は、単独で用いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。また、上記導電性無機粒子は、酸化スズ粒子、アンチモン含有酸化スズ粒子及びスズ含有酸化インジウム粒子からなる群から選ばれる少なくとも一種を主成分とすることが好ましい。これらの化合物は透明性、導電性や化学特性に優れており、塗膜にした場合にも高い光透過率と導電性を実現することができるからである。ここで、主成分とは、導電性無機粒子全体に対して、70重量以上含まれる導電性無機粒子をいう。上記樹脂成分としては、上記導電性無機粒子を分散して塗膜を形成できるものであればよく、特に限定されない。例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、及び光硬化性モノマーと重合開始剤とを含む光硬化性樹脂等が挙げられる。上記コーティング組成物は、更に溶剤を含むことが好ましい。コーティング組成物は固形成分である導電性無機粒子を多く含むため、仮に樹脂成分が光硬化性モノマーのような液状成分であったとしても、溶剤を含まない場合にはコーティング組成物を塗布に適した粘度とすることが困難になる傾向がある。上記溶剤としては、樹脂成分を溶解し、かつ塗布後の乾燥工程によって除去できるものであればよく、特に限定されない。例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族化合物;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールアルキルエーテルやグリコールアルキルエステル類等が挙げられる。上記コーティング組成物には、更に、導電性無機粒子の分散性を向上させるための分散剤や、透明基板に対する濡れ性及び/又はレベリング性を向上させるための表面調整剤が添加されていてもよい。上記コーティング組成物の作製は、導電性無機粒子を樹脂及び/又は溶剤中に分散できればよく、特に限定されない。例えば、導電性無機粒子を分散させるために、ボールミル、サンドミル、ピコミル、ペイントコンディショナー等のメディアを介在させた機械的処理、又は超音波分散機、ホモジナイザー、ディスパー及びジェットミル等を使用して分散処理を施してもよい。次に、上記コーティング組成物を透明基板に塗布して透明導電膜を形成する。塗布方法としては、平滑な塗膜を形成しうる塗布方法であればよく、特に限定されない。例えば、スピンコート、ロールコート、ダイコート、エアナイフコート、ブレードコート、リバースコート、グラビアコート、マイクログラビアコート等の塗工法、又はグラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等の印刷法、スプレー塗布やディップ塗布等の塗布法を用いることができる。コーティング組成物を塗布した後、乾燥によって溶剤を除去する。また、必要に応じて、塗膜にUV光やEB光を照射して塗膜を硬化させたりして、透明導電膜を形成してもよい。また、透明導電膜を形成する透明基板としては、透明で平滑な基板であればよく、ガラス基板であることが特に好ましい。以下、本発明の液晶表示装置を図面に基づき説明する。図1は、本発明の液晶表示装置の一例を示す模式断面図である。図1において、本発明の液晶表示装置10は、液晶層11と、液晶層11を介して互いに対向して配置された第1の透明基板12a及び第2の透明基板12bと、第1の透明基板12aの液晶層11とは反対側に配置された透明導電膜13とを備えている。また、図示は省略したが、第2の透明基板12bの液晶層11の側には表示用電極及び基準電極が配置されている。これにより、液晶表示装置10は、横電界方式の液晶表示装置を構成している。また、透明導電膜13は、第1の透明基板12aの液晶層11とは反対側の主面上に塗布により形成されている。更に、透明導電膜13の上には、偏光板14aが配置され、第2の透明基板12bの外側には偏光板14bが配置されている。また、偏光板14bの外側には、バックライトユニット15が配置されている。また、液晶層11は、封止部16により密閉されている。本発明の液晶表示装置10は、液晶層11と、液晶層11を介して互いに対向して配置された第1の透明基板12a及び第2の透明基板12bと、第1の透明基板12aの液晶層11とは反対側に配置された透明導電膜13と、第2の透明基板12bの液晶層11の側に配置された表示用電極及び基準電極図示せず。とを備えているので、横電界方式の液晶表示装置に、装置の外部又は内部からの静電的な影響や外部の電磁的妨害に対するシールド機能を付与できる。以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。先ず、以下のようにしてITO分散体組成物を調製した。<ITO分散体組成物>100mlのプラスチック製ビンに、下記の成分を計り取り、ペイントシェーカー東洋精機社製で20分間分散した後、ジルコニアビーズを取り除いて、ITO分散体組成物を得た。なお、下記スズ含有インジウム酸化物ITO粒子におけるスズの含有率は10重量である。1スズ含有インジウム酸化物ITO粒子12.0g2分散剤BYK111商品名、ビックケミー社製0.60g3メチルエチルケトン和光純薬社製13.7g4トルエン和光純薬社製13.7g5ジルコニアビーズ液の攪拌分散用、直径0.3mm60.0g上記ITO分散体組成物における、ITO粒子の平均粒子径を動的光散乱方式の粒度分布計コールター社製N4PLUS商品名で測定を行ったところ、180nmであった。なお、上記のとおり、透過型電子顕微鏡TEMで観測して、原料のITO粒子の1次粒子径を測定したところ、32nmであった。上記ITO粒子の1次粒子径は、100個の粒子の粒子径を測定して平均した結果である。次に、以下のようにしてコーティング組成物を調製した。<コーティング組成物>紫外線を遮蔽したプラスチック製ビンに、上記ITO分散体組成物及び下記の成分を計り取り攪拌して、30gのコーティング組成物を調製した。1ITO分散体組成物18.0g2アクリル樹脂BR106商品名、三菱レイヨン社製1.83g3メチルエチルケトン和光純薬社製2.27g4トルエン和光純薬社製2.27g5シクロヘキサノン和光純薬社製5.63g重量含有率をMをとし、ITOの比重を7.1、アクリル樹脂の比重を1.1として計算すると、体積含有率は、下記数式3により計算することができる。数式3体積含有率=M/7.1/[M/7.11-M]/1.1上記計算の結果、上記コーティング組成物の不揮発固形成分中のITO粒子の重量含有率は72.0であり、ITO粒子の体積含有率は28.5であった。次に、上記コーティング組成物を、厚さ1mmの光学ガラス基板上にスピンコーターミカサ社製1-HDX2商品名を用いて回転数500rpmにて塗布した後、100°Cの乾燥機で2分間乾燥させて、透明導電膜を得た。この透明導電膜中のITO粒子の平均粒子径を、透過型電子顕微鏡TEMで観測して測定した結果、185nmであり、コーティング組成物におけるITO粒子の平均粒子径とほぼ同一であることが分かった。なお、上記のITO粒子の平均粒子径は、100個の粒子の粒子径を測定して平均した結果である。続いて、上記透明導電膜の膜厚、表面抵抗及び光透過率を下記のとおり測定した。<膜厚>透明導電膜をガラス基板ごと切断し、走査型電子顕微鏡SEM、日立製作所社製S-4500商品名にて断面観察して、膜厚を測定した。その結果、膜厚は1.1μmであった。<表面抵抗>表面抵抗計ダイアインスツルメンツ社製ロウレスタAP-MCP-T400商品名を用いて、透明導電膜の表面抵抗を測定した。その結果、表面抵抗は2.3×106Ω/スクエアであった。<光透過率>先ず、紫外可視近赤外分光光度計V-570商品名、日本分光社製を用い、450~650nmの波長領域における光透過率スペクトルを測定した。次に、ガラス基板の光透過率を測定し、ガラス基板の光透過率を差し引いた透明導電膜のみの光透過率スペクトルについて、波長領域450~650nmの範囲の光透過率を平均した値を光透過率とした。その結果、透明導電膜の光透過率は95.4であった。実施例1上記コーティング組成物を用いて図1に示す構成の液晶表示装置を作製した。透明導電膜は、第1の透明基板に相当する上部ガラス基板の液晶層とは反対側の主面上に上記コーティング組成物をスピンコーターを用いて回転数500rpmで塗布した後、100°Cの乾燥機で2分間乾燥させて形成した。次に、この透明導電膜の端部に銀ペースト藤倉化成社製ドータイトD-362商品名にてアース線を取り付けた後、透明導電膜の上に偏光板を貼り付けた。また、表示用電極及び基準電極を設けた第2の透明基板に相当する下部ガラス基板のバックライト側にも偏光板を貼り付けた。次に、下部ガラス基板側からバックライトにより光を照射し、上記液晶表示装置が無通電状態で黒表示であることを確認した後、上部ガラス基板に静電印加装置にて電圧±12kVにて静電を印加した。その後、透明導電膜のアース線を接地してから、無通電状態の表示を確認した結果、上記液晶表示装置は黒表示を維持していた。比較例1透明導電膜を配置しなかった以外は、実施例1と同様にして液晶表示装置を作製した。次に、実施例1と同様にして、下部ガラス基板側からバックライトにより光を照射し、上記液晶表示装置が無通電状態で黒表示であることを確認した後、上部ガラス基板に静電印加装置にて電圧±12kVにて静電を印加した。その後、無通電状態の表示を確認した結果、上記液晶表示装置には光抜けによる白浮きが認められ、黒表示を完全には維持できなかった。"