"多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンは、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の部分においてビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記ビアプラグを超えて延在する第2の部分を有し、前記延出部は、前記第1の領域において第1の幅を有し、前記第2の領域において、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、前記第2の導体パターン、前記延出部、前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。前記第1の配線層には、第3の、別の導体パターンが埋設されており、前記延出部は前記第3の導体パターンと、前記第1の領域よりも前記第2の導体パターンの前記主要部からより遠い、あるいはより近い第2の領域において第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記延出部は、前記第1の領域において第1の幅を有し、前記第2の領域において、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有する請求項1記載の半導体装置。前記第2の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第2の導体パターンの前記主要部、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する請求項2記載の半導体装置。多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは主要部と、前記主要部から同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の領域において、第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記第1の領域よりも前記第3の導体パターンの前記主要部に近い第2の領域において同一層中を分岐する分岐パターンを有し、前記分岐パターンは前記第2の導体パターンと第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターンの前記主要部、前記分岐パターンを含む前記延出部、前記第1のビアプラグおよび前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは、前記第3の導体パターンと同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第3の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の各々は、前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、および前記一又は複数のダミー延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。前記延出部において前記第3の導体パターンから前記第1のビアプラグに至る距離は、前記一又は複数のダミー延出部において、前記第3の導体パターンから前記第2のビアプラグに至る距離よりも長い、請求項5記載の半導体装置。多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記第3の導体パターンは、その内側領域にカットアウト部と、前記カットアウト部中を延出するダミー延在部を有し、前記ダミー延出部は前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部においてビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第2の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の先端部にはボイドが形成されており、前記延出部、前記一又は複数のダミー延出部、および前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。図1は、従来の多層配線構造において生じる課題を説明する図である。図1を参照するに、多層配線構造に一部を構成する絶縁膜11上にはSiCやSiNなどのエッチングストッパ膜12を介して層間絶縁膜13が形成され、前記層間絶縁膜13上には、同じくSiCやSiNなどよりなるエッチングストッパ膜14を介して層間絶縁膜15が形成されている。さらに前記層間絶縁膜15上には、同様なエッチングストッパ膜16を介して層間絶縁膜17が形成され、前記層間絶縁膜17上には同様なエッチングストッパ膜18を介して、層間絶縁膜19が形成されている。前記層間絶縁膜13中には、側壁面および底面を、Ta/TaN積層構造などのバリアメタル膜13aに覆われて、Cuなどの導体パターン13Aが埋設されており、前記層間絶縁膜17中には側壁面および底面を、同様なTa/TaN積層構造などのバリア膜17aに覆われて、Cu配線パターン17Aが形成されている。また前記Cu配線パターン17AからはCuビアプラグ17Bが、その下の層間絶縁膜15中を、側壁面および底面が前記バリア膜17aの延在部により覆われて延在し、前記絶縁膜11中の導体パターン13Aにコンタクトする。このようなCu配線パターン17AおよびCuビアプラグ17Bは、層間絶縁膜17中に対応する配線溝を、また層間絶縁膜15中に対応するビアホールを形成し、その表面を前記バリアメタル膜17aで覆った後、前記層間絶縁膜17上に堆積したCu層で充填し、さらに層間絶縁膜17上の余計なCu層をCMP法で除去する、いわゆるダマシン法、特にCu配線パターン17AとCuビアプラグ17Bを同時に形成するデュアルダマシン法により形成される。ところで、このようなデュアルダマシン法で形成されたCu配線パターン17Aあるいはビアプラグ17Bでは、層間絶縁膜と前記配線パターン17Aあるいはビアプラグ17Bを構成する銅との間の熱膨張係数の差に起因して、バリアメタル膜17a形成時の熱により、配線パターン17Aあるいはビアプラグ17Bに引張り応力が残留することが知られている。このように配線パターン17Aあるいはビアプラグ17Bが残留引張り応力を含む場合、その後の熱処理などでCu原子がいわゆるストレスマイグレーションを起こし、体積が小さく、従って残留応力が小さいビアプラグ17Bから、残留応力の大きい配線パターン17Aへと移動する。これは、配線層17Aにおいて応力緩和の結果生じた空孔原子空孔がビアプラグ17Bへと流れる現象と見ることもでき、その結果前記ビアプラグ17Bでは、特にバリアメタル膜17aのステップカバレッジが不良でボイドが形成されているような箇所に空孔の集積が生じ、コンタクト不良が発生する。このような現象は、図2の平面図に示すような、幅広の主パターン21と、これから延出する幅狭の延在部22A,22Bを有する導体パターンパターン20において、前記延在部22A,22Bを、それぞれのビアコンタクト22a,22bにおいて他の配線層の導体パターンに接続するような場合にも生じる。図2を参照するに、前記他の配線層は前記導体パターン21が含まれる配線層の上に形成されており、幅広の主パターン31と、前記主パターン31から延出する幅狭の延出部32A,32Bを有している。図示の例では、前記主パターン21の延出部22Aが、前記主パターン31の延出部32Bに、ビアコンタクト22aにおいてビアプラグ32bにより接続される。図3は、前記図2の延出部22A,32Bを含む断面図を示す。図3を参照するに、前記延出部22A,32Bでは、矢印で示すような、それぞれの主部21,31から輸送される空孔の集積により、前記ビアプラグ32bの先端部にボイドXが、また前記延出部21先端部のビアコンタクト22aにおいてボイドYが形成される。また前記ビアプラグ32bでは、前記延出部32Bの先端に対応する基部においても、かかる空孔の集積によりボイドZが形成されると考えられる。一方、本発明の発明者は本発明の基礎となる研究において、前記図2の紙面上において横長形状の主パターン21,31を、図4に示すように紙面上において縦長形状に形成し、これを図中で横方向に接続した場合に、ビアコンタクトの不良率が増大することを見出した。例えば図4の構成において、パターン21,31の縦方向へのサイズをH,横方向へのサイズをL、また延出部22A,22B,32A,32Bの幅をWとして、前記サイズHを20μm、サイズLを5μm、サイズWを0.1μmとした場合、前記サイズHを5μm、サイズLを20μm、サイズWを同じく0.1μmとした場合に比べて不良率が3倍増加することが見出された。また図5に示すように、縦長の導体パターン21,31を図中、横方向に接続する際にも、コンタクト不良率の増大が生じるのが見出された。図4,5の結果は、図4に矢印で示すように、このようなコンタクト不良が、主として前記導体パターン31のうち、延出部32Bが形成されたエッジに沿った空孔の流れにより生じることを示唆しており、このような機構によれば、前記エッジの長さが増大すると、流れる空孔の量、従って不良率も増大すると考えられる。そこで、このような導体パターンから延出部が延出するような配線構造では、図4のような縦長の導体パターンを使わないのが望ましいが、実際の半導体集積回路装置では、図4のようなパターンを使わざるを得ない場合が生じる。従来、特許文献1~特許文献6にこのようなCu原子のストレスマイグレーションを抑制する様々な提案がなされている。しかし、特に図4,5のような縦長の導体パターンを横方向に接続する構成の多層配線構造では、さらに効果的にコンタクト部への空孔の流れを抑制できる構造が求められている。一の側面によれば本発明は、多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンは、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の部分においてビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記ビアプラグを超えて延在する第2の部分を有し、前記延出部は、前記第1の領域において第1の幅を有し、前記第2の領域において、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、前記第2の導体パターン、前記延出部、前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置を提供する。他の側面によれば本発明は、多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは主要部と、前記主要部から同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の領域において、第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記第1の領域よりも前記第3の導体パターンの前記主要部に近い第2の領域において同一層中を分岐する分岐パターンを有し、前記分岐パターンは前記第2の導体パターンと第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターンの前記主要部、前記分岐パターンを含む前記延出部、前記第1のビアプラグおよび前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置を提供する。他の側面によれば本発明は、多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは、前記第3の導体パターンと同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第3の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の各々は、前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、および前記一又は複数のダミー延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置を提供する。他の側面によれば本発明は、多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記第3の導体パターンは、その内側領域にカットアウト部と、前記カットアウト部中を延出するダミー延在部を有し、前記ダミー延出部は前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置を提供する。他の側面によれば本発明は、多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部においてビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第2の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の先端部にはボイドが形成されており、前記延出部、前記一又は複数のダミー延出部、および前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置を提供する。本発明によれば、ダマシン構造あるいはデュアルダマシン構造の多層配線構造において、隣接する配線層に電気的に接続される導体パターンに延出部を設け、前記導体パターンをかかる延出部においてビアプラグを介して、前記隣接する配線層中の配線パターンに電気的にコンタクトさせ、その際、前記延出部近傍に、空孔の集積を生じやすい領域を空孔のトラップとして形成することにより、ストレスマイグレーションにより前記ビアプラグに空孔が集積されるのを抑制する。[原理]図6A~Cは本発明の原理を示す図である。図6Aは前記図4に対応する構造であるが、本発明の発明者は本発明の基礎となる研究において、図6Bに示すように前記導体パターン31からビアプラグまでの距離lを図6Aの構造に対して延長した場合l2>l1、ビアプラグの不良率が低減することを見出した。また本発明の発明者は本発明の基礎となる研究において、図6Cに示すように前記導体パターン31から延在しビアプラグにより導体パターン21の対応する延出部に接続される延出部32Bの幅wを、図6Aの構造に対して増大させた場合w1<w2、ビアプラグの不良率が低減することを見出した。図6Bの結果は、前記延出部32Bの長さを増大させることにより、ストレスマイグレーションの際に空孔がビアプラグに到達するまでの距離が増大し、その結果、ビアプラグにおける空孔の集積が低減されたものと考えられる。また図6Cの結果は、前記延出部32Bの幅を増大させることにより、前記延出部32B中の空孔濃度が低減され、ビアプラグにおける空孔の集積が低減されるものと考えられる。一方、同一幅の導体パターンで比較すると、小径のビアプラグにおいてはより空孔の集積が顕著に生じることが見出された。以下、本発明を実施形態について説明する。[第1の実施形態]図7A~Cは、本発明の第1の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置の構成を示す。ただし図7Aは前記多層配線構造の平面図であり、図7Bは図7A中、点線で囲んだ領域の拡大図、図7Cは図7Bの断面図を示す。最初に図7Cの断面図を参照するに、本実施形態の多層配線構造では、MOSトランジスタなどの活性素子図示せずを担持したシリコン基板を覆う絶縁膜41上に、SiC膜あるいはSiN膜よりなる厚さが例えば50nmのエッチングストッパ膜42を介して、SiOH膜やSiOCH膜などの無機絶縁膜、あるいは炭化水素系有機絶縁膜などよりなる層間絶縁膜43が例えば200nmの厚さに形成されており、さらに前記層間絶縁膜43上に同様な層間絶縁膜45,47,29が、同様なエッチングストッパ膜44,46,48を介して、それぞれ例えば300nm、200nm、300nmの厚さに積層されている。前記層間絶縁膜43中には下層配線パターンの一部を構成するCu配線パターン43Aが、側壁面および底面を、例えばTa/TaN積層構造、あるいはTi/TiN積層構造などのバリアメタル膜43aで覆われた状態で埋設され、また別の孤立Cuパターン43Bが、側壁面および底面を同じバリアメタル膜43aにより覆われた状態で埋設されている。前記孤立Cuパターン43Bはダミーパターンである。さらに前記層間絶縁膜47中には、図7Cには示されていないが、図7Aに示す上層配線層の一部を構成するCu配線パターン47Aが、側壁面および底面を前記バリアメタル膜43aと同様なバリアメタル膜47bにより覆われた状態で埋設されており、前記Cu配線パターン47Aからは図7A,B,Cに示すようにCuよりなる延出部47Bが、同じ層間絶縁膜47中を、側壁面および底面を前記バリアメタル膜47bにより覆われた状態で、例えば0.1μmの幅で0.5μmの長さ延在する。図示の例では前記Cu配線パターン47Aは図7Aの紙面内において横方向に5μmの幅Lと縦方向に20μmの高さHを有する縦長のパターンである。先に図4,5で説明したように、このようなパターンでは、側方に延出する延出部に形成されたビアプラグにおいて、ストレスマイグレーションによるコンタクト不良が発生しやすい。前記導体パターン47Aおよびその延出部47Bは、前記層間絶縁膜47中にデュアルダマシン法で形成され、従って前記層間絶縁膜47の上主面に実質的に一致する上主面を有し、さらに前記延出部47Bからはその下の層間絶縁膜45中に、径が例えば0.1μmのCuコンタクトコンタクトビアプラグ47Cが、底面および側壁面を前記バリアメタル膜47bで覆われた状態で延在し、前記Cu配線パターン43Aにコンタクトしている。さらに前記延出部からは、前記コンタクトコンタクトビアプラグ47Cが形成された領域よりも先端部の領域において、同様なCuビアプラグ47Dが例えば0.085μmの径でダミービアプラグとして前記層間絶縁膜45中に、同じバリアメタル膜47bで側壁面および底面を覆われた状態で延在し、前記ダミーCuパターン43Bにコンタクトしている。すなわち本実施形態では、前記図7A,Bよりわかるように前記Cu配線パターン43Aは図7Cの断面図に対応して前記コンタクトコンタクトビアプラグ47Cの直下を延在しており、また前記ダミーCuパターン43Bはダミービアプラグ47Dの直下に形成されている。本実施形態では、このように前記ダミービアプラグ47Dがコンタクトビアプラグ47Cよりも小径に形成されており、その結果、前記ダミービアプラグ47D中にはストレスマイグレーションにより前記Cuパターン47Aから移動してきた空孔が集積しやすく、前記ダミービアプラグ47Dの先端部には、バリアメタル膜47bとの間にボイド47Xが形成される。このようなボイド47Xは空孔のトラップとして機能し、前記Cu配線パターン47Aからストレスマイグレーションにより拡散してきた空孔を捕獲して成長する。一方、このように前記Cuパタ―ン47Aからストレスマイグレーションにより拡散してくる空孔が前記ダミービアプラグ47Dの先端部で捕獲されるため、前記Cu配線パターン43Aにコンタクトするコンタクトビアプラグ47Cでは空孔の集積は効果的に回避され、信頼性の高い電気接続を、前記Cuパターン47AとCu配線パターン43Aの間形成することが可能となる。本実施形態においては、前記ダミービアプラグ47Dの、コンタクトビアプラグ47Cに対する断面積比を0.9以下とするのが好ましい。一方、実際的な観点から、前記ダミービアプラグの径は0.08μmを下回らないのが好ましい。径小とするために全く開口しない露光限界以下の設計値はダミープラグ形成自体の困難度が高くなるためである。また、この数値自体はテクノロジーの進歩に伴い縮小傾向となる。また前記ダミービアプラグ47Dによる空孔の捕獲を効果的に行うためには、前記延出部47Bが延出する前記Cu配線パターン47Aの縁部から前記ダミービアプラグ47Dまでの距離を、前記Cu配線パターン47Aの紙面上で前記コンタクトビアプラグ47Cからの距離を0.5μm以内とするのが好ましい。その他の特徴は同じであり、説明を省略する。図8Aは、前記図7A~Cの構造上に、さらに次の配線層を形成した例を示す。図8Aを参照するに、前記層間絶縁膜49上にはエッチングストッパ膜50を介して次の層間絶縁膜51が形成されており、前記層間絶縁膜51上にはエッチングストッパ膜52を介してさらに次の層間絶縁膜53が形成されている。前記層間絶縁膜51中にはCuなどの配線パターン51Aが、バリアメタル膜51bにより表面を覆われて埋設されており、前記配線パターン51Aからはコンタクトプラグ51Cが、前記バリアメタル膜51bに表面を覆われて前記層間絶縁膜29中を下方に延出し、前記延出部47Bに、前記バリアメタル膜51bを介してコンタクトする。すなわち図8の例では、前記配線パターン51Aおよびビアプラグ51Cは、デュアルダマシン法により形成されている。かかる構成では、前記延出部47B中の空孔が効果的にダミービアプラグ47Dの先端部に集合してボイド47Xを形成し、その結果、先に図3で説明したような、ダミービアプラグ47Dの上端部を含む、前記延出部41Bの上面におけるボイドZの形成が抑制される。このため、前記ビアプラグ51Cは前記延出部47Bとの間に信頼性の高いコンタクトを形成する。また図8Bは、前記図8Aの構造と同様な工程にて形成された変形例を示す。ここで図8Aとの違いは、コンタクトプラグ51Cの位置が延出部47Bの先端ではなく、少し手前側にある点である。図8Bの構成により、前記図3にて説明した配線上側に形成されるボイドYおよびZに対して、より冗長性が増大しており、ストレスマイグレーションに対してより高い耐性が得られる。なお図8Aの例では前記配線パターン51Aおよびビアプラグ51Cはデュアルダマシン法により形成していたが、図9に示すように前記ビアプラグ51Cをシングルダマシン法により、前記配線パターン51Aとは別に形成することも可能である。図9の例では、前記ビアプラグ51Cが前記配線パターン51Aとは別に形成されるため、前記ビアプラグ51Cは、前記バリアメタル膜51bとは別のバリアメタル膜51cにより覆われている。図8A~C,図9に示す上部配線構造は、以下に説明する他の実施形態においても同様に形成することができる。[第2の実施形態]図10A~Cは本発明の第2の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置の構成を示す。ただし図10Aは前記多層配線構造の平面図を、図10Bは図10A中、点線で囲んだ領域の拡大図を、図10Cは図10Bの断面図を示す。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図10Aを参照するに、本実施形態は先の図7A~Cの実施形態と同様な構成を有しているが、前記ダミーCuパターン43Bが前記Cu配線パターン47Aから見て、前記Cu配線パターン43Aの手前に形成されており、その結果、前記ダミービアプラグ47Dは前記延出部47B上、前記コンタクトビアプラグ47Cよりも前記Cu配線パターン47Aに近い位置に形成される。なお前記図10A,Bよりわかるように前記Cu配線パターン43Aは図10Cの断面図に対応して前記コンタクトビアプラグ47Cの直下を延在しており、また前記ダミーCuパターン43Bはダミービアプラグ47Dの直下に形成されている。このため、前記Cu配線パターン47Aから前記延出部47B中をストレスマイグレーションにより前記コンタクトビアプラグ47Cに向かって流れる空孔は、その手前で小径のダミービアプラグ47Dにより捕獲され、前記コンタクトビアプラグ47Cにおける空孔の集積を、先の実施形態よりもさらに効果的に抑制することが可能となる。本実施形態においても、前記ダミービアプラグ47Dの、コンタクトビアプラグ47Cに対する断面積比を0.9以下とするのが好ましい。一方、実際的な観点から、前記ダミービアプラグの径は0.08μmを下回らないのが好ましい。また、前記図8Bと類似の構造として、図10Bは、前記図8Bの変形例と同様な工程にて形成された構造を示す。図8Bとの違いは、前記コンタクトプラグ51Cに加えて、上流配線から、冗長性のある別のダミービアプラグ51Dが設けられている点である。図10Bの変形例では多層配線構造が、前記図10Cの構造を、前記図8Bの変形例に組み合わせて形成されていると見ることができる。図10Bの変形例では、前記コンタクトプラグ51Cに対して先の図8Bの構成と同様な冗長性が得られ、コンタクトプラグ51C中に発生する、図3のボイドXを抑制する効果が得られる。図8Bや図10Dの構成のように、より冗長性の高い構造を上下配線間で組み合わせることにより、ストレスマイグレーションに対して高い耐性を有する構造を実現することが可能である。また配線の上下関係についても、種々の変形が可能である。[第3の実施形態]図11A~Cは本発明の第3の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置の構成を示す。ただし図11Aは前記多層配線構造の平面図を、図11Bは図11A中、点線で囲んだ領域の拡大図を、図11Cは図11Bの断面図を示す。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図11Aを参照するに、本実施形態は先の図7A~Cの実施形態と同様な構成を有しているが、本実施形態では前記延出部47Bが前記ビアプラグBまで0.15μmの第1の幅で0.5μmの距離延在し、さらに前記延出部47Bの先端部に第2の延出部47Eが、より狭い例えば0.1μmの第2の幅で、例えば0.5μmの長さで形成されている。また本実施形態では前記ダミービアプラグ47Dは、前記第2の延出部47Eの先端部に、前記コンタクトビアプラグ47Cと同一の径で形成される。なお図11A,Bの平面図よりわかるように前記Cu配線パターン43Aは図11Cの断面図に対応して前記コンタクトビアプラグ47Cの直下を延在しており、また前記ダミーCuパターン43Bはダミービアプラグ47Dの直下に形成されている。その際、本実施形態では前記ダミービアプラグ47Dはコンタクトビアプラグ47Cと同じ径を有しているが、より小さい径を有してもよい。このようにダミービアプラグ47Dが形成される第2の延出部47Eの幅を縮小し、コンタクトビアプラグ47Cが形成される延出部47Bの幅を拡張することにより、ストレスマイグレーションによりCu配線パターン47Aから輸送される空孔が前記第2の延出部に優先的に流入し、ダミービアプラグ47Dにおいて捕獲される。これにより、コンタクトビアプラグ47Cの不良が減少する。本実施形態においては、前記第2延出部47Eの幅を前記第1延出部47Bの幅の70~80以下に抑制するのが、前記ダミービアプラグ47Dにおける効率的な空孔の捕獲に有効である。また本実施形態においても、前記ダミービアプラグ47Dによる空孔の捕獲を効果的に行うためには、前記コンタクトビアプラグ47Cからの距離を0.5μm以内とするのが好ましい。また本実施形態において前記ダミービアプラグ47Dを前記コンタクトビアプラグ47Cよりも縮小して形成することも可能である。[第4の実施形態]図12A~Cは本発明の第4の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置の構成を示す。ただし図12Aは前記多層配線構造の平面図を、図12Bは図12A中、点線で囲んだ領域の拡大図を、図12Cは図12Bの断面図を示す。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図12Aを参照するに、本実施形態は先の図11A~Cの実施形態と同様な構成を有しているが、前記ダミーCuパターン43Bが前記Cu配線パターン47Aから見て、前記Cu配線パターン43Aの手前に形成されており、その結果、前記ダミービアプラグ47Dは前記延出部47B上、前記コンタクトビアプラグ47Cよりも前記Cu配線パターン47Aに近い位置に、前記コンタクトビアプラグ47Cと同一の径で形成される。これに伴い、図12Aに示すように本実施形態では、第2の延出部47Eが前記Cu配線パターン47Aから直接に延出し、前記延出部47Bは前記第2の延出部47Eの先端部に形成される。本実施形態ではこのように前記ダミービアプラグ47Dが、前記Cu配線パターン47Aに接した幅狭の第2延出部47Eに形成されるため、前記Cu配線パターン47Aから前記延出部47B中をストレスマイグレーションにより前記コンタクトビアプラグ47Cに向かって流れる空孔は、その手前でダミービアプラグ47Dにより効果的に捕獲され、前記コンタクトビアプラグ47Cにおける空孔の集積を、先の実施形態よりもさらに効果的に抑制することが可能となる。なお前記図12A,Bの平面図に示されたように、前記Cu配線パターン43Aは図12Cの断面図に対応して前記コンタクトビアプラグ47Cの直下を延在しており、また前記ダミーCuパターン43Bはダミービアプラグ47Dの直下に形成されている。本実施形態では前記ダミービアプラグ47Dはコンタクトビアプラグ47Cと同じ径を有しているが、より小さい径を有してもよい。本実施形態においては、前記第2延出部47Eの幅を前記第1延出部47Bの幅の70以下に抑制するのが、前記ダミービアプラグ47Dにおける効率的な空孔の捕獲に有効である。[第5の実施形態]図13A~Cは本発明の第4の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置の構成を示す。ただし図13Aは前記多層配線構造の平面図を、図13Bは図13A中、点線で囲んだ領域の拡大図を、図13Cは図13B中、線A-A’に沿った断面図を示す。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図13Aを参照するに、本実施形態は先の図10A~Cの実施形態に似た構成を有し、前記延出部47Bの先端部にコンタクトビアプラグ47Cが形成されているが、前記延出部47Bからは、前記延出部47Bが前記Cu配線パターン47Aから延出する基部と前記ビアプラグ47Dの中間部において分岐パターン47Fが延出し、前記ダミービアプラグ47Dはかかる分岐パターン47Fに、前記コンタクトビアプラグ47Cと同一の径で形成される。なお本実施形態においても図13A,Bの平面図において、前記Cu配線パターン43Aは図13Cの断面図に対応して前記コンタクトビアプラグ47Cの直下を延在しており、また前記ダミーCuパターン43Bはダミービアプラグ47Dの直下に形成されている。本実施形態では前記ダミービアプラグ47Dはコンタクトビアプラグ47Cと同じ径を有しているが、より小さい径を有してもよい。本実施形態では、前記基部から測った前記ダミービアプラグ47Dまでの距離l2は、同じく前記基部から測った前記コンタクトビアプラグ47Cまでの距離l1よりも短く、l2<l1、このため前記ビアプラグ47Dには前記Cu配線パターン47Aからストレスマイグレーションにより前記延出部47Bに輸送される空孔が効率よく集積し、前記コンタクトビアプラグ47Cにおける空孔の集積が抑制される。[第6の実施形態]図14は、本発明の第6の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置のレイアウトを示す平面図である。本実施形態においても多層配線構造は先の各実施形態と同様にデュアルダマシン構造を有しており、断面図は省略する。図14を参照するに、先の実施形態と同様に前記Cu配線パターン47Aは上層配線層を形成し、Cu配線パターン43A1~43A5が下層配線層を形成する。また前記下層配線層には、孤立CuパターンよりなるダミーCuパターン43B3~43B5が形成されている。先の実施形態と同様に前記Cu配線パターン47Aからは延出部47B3~47B5が、それぞれ前記Cu配線パターン43A1~43A5に対応して延出し、コンタクトビアプラグ47C3~47C5により接続されている。また本実施形態では前記Cu配線パターン47Aからダミー延出部47E3~47E5が、それぞれ前記ダミーCuパターン43B3~43B5に対応して延出し、前記コンタクトビアプラグ47C3~47C5と同一径のビアプラグ47D3~47D5により、それぞれ接続されている。図14の構成では、前記ダミー延出部47E4は前記延出部47B4に隣接して、同じ幅および同じ長さで形成されているが、かかるダミー延出部47E4およびダミービアプラグ47D4は、前記延出部47B4に輸送される空孔を分散させる効果を奏する。また前記図14の構成では、前記ダミー延出部47E3は前記延出部47B3の近傍に、より短い長さで形成されており、ダミービアプラグ47D3に空孔を効率良く集積させることにより、コンタクトビアプラグ47C3への空孔の輸送を抑制する効果を奏する。また前記図14の構成では、前記延出部47B5に隣接して下層のCu配線パターン43A1,43A2が形成されているため、前記ダミー延出部43E3のようにダミー延出部を直近に形成することができない。このため図14の構成では、前記下層Cu配線パターン43A1の外側に短いダミー延出部47E5を形成し、その上のダミービアプラグ47D5に空孔を集めることにより、前記延出部47B5への空孔の輸送を軽減している。このように図14には三種類の異なった構成が示されているが、いずれにおいても、延出部を介したビアプラグへの空孔の輸送を抑制し、ビアコンタクトの信頼性を向上させることができる。[第7の実施形態]図15は、本発明の第7の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置のレイアウトを示す平面図である。ただし図15中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。本実施形態においても多層配線構造は先の各実施形態と同様にデュアルダマシン構造を有しており、断面図は省略する。図15を参照するに、前記下層Cu配線パターン43A3には、先の実施形態と同様に延出部47B3がコンタクトビアプラグ47C3を介してコンタクトし、前記下層Cu配線パターン43A4には延出部47B4がコンタクトビアプラグ47C4を介してコンタクトし、前記下層Cu配線パターン43A5には延出部47B5がコンタクトビアプラグ47C5を介してコンタクトしているが、前記下層配線層には、上層の前記Cu配線パターン47Aの長手縁に沿ってダミーCuパターン43Ba,43Bb,43Bc,43Bd,43Beが形成されており、前記Cu配線パターン47Aから延出する多数のダミー延出部47Ea,47Eb,47Ec,47Ee,47Efが、それぞれのダミービアプラグ47Da,47Db,47Dc,47De,47Dfを介して接続されている。前記図15の構成では、前記ダミー延出部47Eb,47Ecは、隣接する延出部47B5よりも短く、多数形成されており、図15においてCu配線パターン47Aの上縁に沿って輸送される空孔を分散して吸収することにより、かかる空孔が前記延在部47B5に流入するのを抑制する。同様なダミー延出部47Ea,47Ed,47Eeが、前記延在部47B3あるいは47B4の両側に、それぞれダミーCuパターン47Ba,43Bd,43Beにダミービアプラグ47Da,47Dd,47Deを介して接続されている。本実施形態では、前記ダミー延出部47Ea~Eeを、延出部47B4を除き、近傍の延出部47B3~47B5よりも短く、換言するとCu配線パターン47Aからダミービアプラグ47Da~47Dcまでの距離を短く形成することで、ダミービアプラグ47Da~47Dcへの空孔の集積を促進し、コンタクトビアプラグ47C3~47C5への空孔の輸送を抑制する。またこれらのダミー延出部を多数設けることで、空孔の捕獲をさらに促進する。本実施形態では延出部47B4は、レイアウトの都合上、ダミー延出部47Eaあるいは47Edと同じ長さに形成されているが、他の延出部と同様に長く形成してもよい。[第8の実施形態]図16は、本発明の第8の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置のレイアウトを示す平面図である。ただし図16中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。本実施形態においても多層配線構造は先の各実施形態と同様にデュアルダマシン構造を有しており、断面図は省略する。図16を参照するに、本実施形態は前記図14,15の実施形態においてダミー延出部および対応するダミービアプラグ、さらにダミーCuパターンを除去した構成に対応し、さらに前記Cu配線パターンを図中右側の端部で延長して延長領域47Aexを形成し、この部分にカットアウトパターン47Acを、その下に形成した下層ダミーCuパターン43Bfに対応して形成している。さらに図16の実施形態では、前記カットアウトパターン47Ac中にダミー延出部47Efが延出し、前記ダミー延出部47Efが前記ダミーCuパターン43Bfに、ダミービアプラグ47Dfによりコンタクトしている。かかる構成によれば、前記Cu配線パターン47Aのうち、右側端部近傍で発生する空孔を前記ダミービアプラグ47Dfに集積することが可能で、延出部47B3~47B5を介したコンタクトビアプラグ47C3~47C5への空孔の輸送を軽減することができる。[第9の実施形態]前記第3~第8の実施形態では、ダミービアプラグ47D,47D3~47D5,47Dc~47Dfを、コンタクトコンタクトビアプラグ47Cと同じ径で形成していたが、先の第1および第2の実施形態のように、より小さい径で形成することも可能である。一般にコンタクトビアプラグあるいはこのようなダミービアプラグを形成する場合、図17Aの上段に示すように正四角形の露光パターンを露光限界で使って、下段に示す円形断面のビアホールを形成することが行われているが、図17Bの上段に示すように、露光パターンを、露光限界を超えて縮小した場合、形成されるビアホールの形状は図17B下段に示すように真円から歪む。そこで本実施形態では、前記ダミービアプラグ47D,47D3~47D5,47Dc~47Dfとして、このような真円から歪んだビアホールを形成し、ビアプラグ形成時に意図的にステップカバレッジの不良を誘起することで、空孔集積の核となるボイドを形成する。このように空孔集積の核をダミービアプラグが形成されるビアホールに形成しておくことにより、本実施形態では、ダミービアプラグへのより効率的な集積を促進する。このような歪んだビアホールの形成は、図17Bの例以外にも、図17C~Eに示すように十字型、三角形、台形などの形状の露光マスクを使うことでも実現することができる。[第10の実施形態]図18は、本発明の第10の実施形態による多層配線構造を有する半導体装置のレイアウトを示す平面図である。ただし図18中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。本実施形態においても多層配線構造は先の各実施形態と同様にデュアルダマシン構造を有しており、断面図は省略する。図18を参照するに、本実施形態は図14の構成を基本としているが、下層のCuパターン43B3~43B5およびダミービアプラグ47D3~47D5が省略されている。このようなダミービアプラグを含まない構成においても、ダミー延出部47E3~47E5先端部には空孔の集積により、図18に示すようにボイド47Exが生じやすく、特にかかるダミー延出部47E3~47E5を、コンタクトビアホール47C3~47C5が形成される延在部47B3~47B5よりも短く形成することにより、空孔を効果的に捕獲することが可能となる。以上の各実施形態では、多層配線構造において配線層およびビアプラグをCuにより構成する場合を説明したが、本発明はデュアルダマシンプロセスが可能なAlなど他の金属を配線層およびビアプラグとして使う場合にも有効である。[第11の実施形態]図19A,Bは、本発明の第11の実施形態による多層配線構造を示すそれぞれ平面図および断面図である。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図19A,Bを参照するに、本実施形態の構造は先に図11A~Cで説明した多層配線構造において、配線パターン43A,43Bを含む配線層と配線パターン47Aを含む配線層を入れ替え、配線パターン43A,43Bが層間絶縁膜47に形成され、配線パターン47Aが層間絶縁膜43に形成される構成を有する。すなわち本実施形態による多層配線構造は、少なくとも前記層間絶縁膜47中に形成される第1の配線層と、前記第1の配線層の下の層間絶縁膜43に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、前記層間絶縁膜47中に埋設され配線パターンの一部を構成する導体パターン43Aと、前記層間絶縁膜47中に埋設された別の導体パターンダミー配線パターン43Bとを含み、前記第2の配線層は、前記層間絶縁膜43中に埋設され配線パターンの一部を構成する導体パターン47A,47B,47Eを含み、前記導体パターン47Aは主要部47Aと、前記主要部47Aから同一層中を延出する延出部47B,47Eと、を有し、前記導体パターン47Aは前記第1の導体パターン43Aに、前記延出部47B,47Eの第1の部分47Bにおいて第1のビアプラグ47Cにより電気的に接続され、前記延出部47B,47Eは前記第2の導体パターン43Bと、前記第1の領域47Bよりも前記導体パターン47A,47B,47Eの前記主要部47Aからより遠い第2の領域47Eにおいて第2のビアプラグダミービアプラグ43Bを介してコンタクトし、前記延出部47B,47Eは、前記第1の領域47Bにおいて第1の幅を有し、前記第2の領域47Eにおいて、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、前記第1のビアプラグ47C、および前記第2のビアプラグ47Dは、ダマシン構造を形成することを特徴とする。かかる構成によれば、前記延出部47B,47Eの第2の領域47Eに空孔が集中し、前記図3のボイドYに対応するボイド47Xを発生させることができ、前記ビアプラグ47Cにおけるコンタクトの信頼性を向上させることができる。なお本実施形態において、図20A,Bに示すようにダミービアプラグ47Dおよびダミー配線パターン43Bを省略することも可能である。この場合、前記幅狭パターン43Eへの空孔の集中およびボイドの形成は、前記パターン47Eの幅狭形状により誘起されるものであることから、ダミービアプラグ47Dおよびビアプラグ47Cをデュアルダマシン法で形成する必要はなく、シングルダマシン法により形成することも可能である。[第12の実施形態]図21A,Bは、本発明の第12の実施形態による多層配線構造を示すそれぞれ平面図および断面図である。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図21A,Bを参照するに、本実施形態の構造は先に図12A~Cで説明した多層配線構造において、配線パターン43A,43Bを含む配線層と配線パターン47Aを含む配線層を入れ替え、配線パターン43A,43Bが層間絶縁膜47に形成され、配線パターン47Aが層間絶縁膜43に形成される構成を有する。すなわち本実施形態による多層配線構造は、少なくとも前記層間絶縁膜47中に形成される第1の配線層と、前記第1の配線層の下の層間絶縁膜47中に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、前記層間絶縁膜47中に埋設され配線パターンの一部を構成する導体パターン43Aと、前記第層間絶縁膜47中に埋設された別の導体パターンダミー配線パターン43Bとを含み、前記第2の配線層は、層間絶縁膜43中に埋設され配線パターンの一部を構成する導体パターン47A、47B,47Eを含み、前記導体パターン47A,47B,47Eは主要部47Aと、前記主要部47Aから同一層中を延出する延出部47B,47Eと、を有し、前記導体パターン47A,47B,47Eは前記導体パターン43Aに、前記延出部47B,47Eの第1の領域47Bにおいて、第1のビアプラグ47Cにより電気的に接続され、前記延出部47B,47Eは前記第2の導体パターン43Bと、前記第1の領域47Bよりも前記主要部47Aに近い第2の領域47Eにおいて、第2のビアプラグダミービアプラグ47Dを介してコンタクトし、前記延出部47B,47Eは、前記第1の領域47Bにおいて第1の幅を有し、前記第2の領域47Eにおいて、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、前記ビアプラグ47Cおよび前記ビアプラグ47Dはダマシン構造を形成することを特徴とする。かかる構成によれば、前記領域47Eに空孔が集中し、前記図3のボイドYに対応するボイド47Xを発生させることができ、前記ビアプラグ47Cにおけるコンタクトの信頼性を向上させることができる。この場合にも、前記幅狭パターン43Eへの空孔の集中は、前記パターン47Eの幅狭形状により誘起されるものであることから、ダミービアプラグ47Dおよびビアプラグ47Cをデュアルダマシン法で形成する必要はなく、シングルダマシン法により形成することも可能である。同様に、図示は省略するが、図13A~Cの実施形態において、層間絶縁膜47中の配線層47A,47B,,47Fと層間絶縁膜43中の配線層を上下入れ替えた場合でも、分岐パターン47Fの先端部に空孔を集中させることで、ビアプラグ47Cのコンタクト信頼性を向上させることができる。この場合にも、前記分岐パターン43Bの先端部への空孔の集中は、前記分岐パターン47Fの形状により誘起されるものであることから、ダミービアプラグ47Dおよびビアプラグ47Cをデュアルダマシン法で形成する必要はなく、シングルダマシン法により形成することも可能である。同様に、図示は省略するが、図14,15,16,18の実施形態においても、上下の配線層を入れ替えることが可能である。この場合も、ダミービアプラグおよびビアプラグの形成はデュアルダマシン法に限定されることがなく、シングルダマシン法により形成することが可能である。[第13の実施形態]図22は、上記本発明の多層配線構造を有する本発明の第13の実施形態による半導体装置50の構成を示す。図示の例では多層配線構造は、前記第1の実施形態で説明したものになっているが、前記半導体装置50では、前記第1~第10の実施形態のいずれの多層配線構造を使ってもよい。図22を参照するに、前記半導体装置50はSi基板51中に素子分離構造51Bにより画成された素子領域51A上に形成されており、前記Si基板51上に形成されたゲート絶縁膜52を介して形成されたゲート電極53と、前記ゲート電極53の両側に形成された一対の拡散領域51a,51bとを含む。前記ゲート電極53は側壁面が側壁絶縁膜53a,53bにより覆われ、さらに前記Si基板51上には、例えばPSGあるいはBPSGなどの絶縁膜54が、前記ゲート電極53および側壁絶縁膜53a,53bを覆うように形成される。前記絶縁膜54上には、例えばダウケミカル社より登録商標SiLKとして市販されている低誘電率有機絶縁膜よりなる層間絶縁膜55が形成され、前記層間絶縁膜55中にはCu配線パターン55A,55B、およびCuダミーパターン55Cが、ダマシン法により形成される。前記Cu配線パターン55A,55Bの各々は、前記絶縁膜54中に形成されたコンタクトプラグ54P,54Qを介して前記拡散領域51a,51bに電気的に接続される。前記Cu配線パターン55A,55Bは前記層間絶縁膜55上に形成された別の同様な低誘電率有機層間絶縁膜56により覆われ、さらに前記層間絶縁膜56上にはさらに別の同様な低誘電率有機層間絶縁膜57が形成されている。図示の例では前記層間絶縁膜56中にはCu配線パターン56A,56Bが、また前記層間絶縁膜57中にはCu配線パターン57A,57Bが埋設されており、前記配線パターン56A,56Bは前記配線パターン55A,55BにそれぞれCuビアプラグ56P,56Qを介して接続され、また前記配線パターン57A,57Bは前記配線パターン56A,56Bに、それぞれCuビアプラグ57P,57Qを介して接続されている。ここで前記ビアプラグ55P,55Q,56P,56Q,57P,57Qは、デュアルダマシン法により形成されている。図中、Cu配線パターンあるいはCuビアプラグを画成する太線はバリアメタル膜を示している。さらに図22の構成では、前記層間絶縁膜55中にダミーCuパターン55C,55Dが埋設されており、前記ダミーCuパターン55C,55Dには前記Cu配線パターン56A,56Bのそれぞれの先端部から、ダミーCuビアプラグ56p,56qが延在し、コンタクトする。同様に前記層間絶縁膜56中にはダミーCuパターン56C,56Dが埋設され、前記ダミーCuパターン56C,56Dには、前記Cu配線パターン57A,57Bのそれぞれの先端部から、ダミーCuビアプラグ57p、57qが延在し、コンタクトする。ここでダミーCuビアプラグ56p、56qは、前記Cuビアプラグ56P,56Qと同時にデュアルダマシン法で形成されており、またダミーCuビアプラグ57p、57qは、前記Cuビアプラグ57P,57Qと同時にデュアルダマシン法で形成されている。このため、Cu配線パターン56A,56B、あるいは57A,57B中の空孔は、先の実施形態で説明したように、これらのダミーCuプラグに集中し、Cuビアプラグ56P,56Qあるいは57P,57Qにおけるストレスマイグレーション耐性が向上する。さらに図示の例では前記層間絶縁膜57上にSiOC層間絶縁膜58,59,60が順次積層されており、前記層間絶縁膜58中にはCuあるいはAlよりなる配線パターン58Aが、前記層間絶縁膜59中にはCuあるいはAlよりなる配線パターン59Aが、また前記層間絶縁膜60中にはCuあるいはAlよりなる配線パターン60Aが埋設されている。ただし図22では各層間絶縁膜58,59,60中の配線パターンは、各層で同一の参照符号により、集合的に示してある。前記配線パターン58A,59A,60Aは図示を省略したビアプラグにより相互に電気的に接続されており、また前記配線パターン58Aは図示を省略したビアプラグにより前記配線パターン57A,57Bのいずれかに接続されている。図22の構造ではさらに前記層間絶縁膜60上に次の層間絶縁膜61を形成されており、さらに前記層間絶縁膜61中に次の配線パターンを形成することも可能である。また図19の半導体装置50において、多層配線構造は先の第1の実施形態で説明したものに限定されることはなく、第2~第10の実施形態で説明した多層配線構造を使うことも可能である。以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形変更が可能である。付記1多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の領域において第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は前記第2の導体パターンに、前記第1の領域よりも前記第3の導体パターンからより遠い、又はより近い第2の領域において、第2の、より小径のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターンの前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する半導体装置。付記2多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンは、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の部分においてビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記ビアプラグを超えて延在する第2の部分を有し、前記延出部は、前記第1の領域において第1の幅を有し、前記第2の領域において、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、前記第2の導体パターン、前記延出部、前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。付記3前記第1の配線層には、第3の、別の導体パターンが埋設されており、前記延出部は前記第3の導体パターンと、前記第1の領域よりも前記第2の導体パターンの前記主要部からより遠い、あるいはより近い第2の領域において第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記延出部は、前記第1の領域において第1の幅を有し、前記第2の領域において、前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有する付記2記載の半導体装置。付記4前記第2の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第2の導体パターンの前記主要部、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する付記2または3記載の半導体装置。付記5多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは主要部と、前記主要部から同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部の第1の領域において、第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記延出部は、前記第1の領域よりも前記第3の導体パターンの前記主要部に近い第2の領域において同一層中を分岐する分岐パターンを有し、前記分岐パターンは前記第2の導体パターンと第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターンの前記主要部、前記分岐パターンを含む前記延出部、前記第1のビアプラグおよび前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。付記6前記第1の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第3の導体パターンの前記主要部、前記分岐パターンを含む前記延出部、前記第1のビアプラグおよび前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する付記5記載の半導体装置。付記7多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンは、前記第3の導体パターンと同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第3の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の各々は、前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、および前記一又は複数のダミー延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。前記第2の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第3の導体パターン、前記延出部、および前記一又は複数のダミー延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する付記7記載の半導体装置。付記9前記延出部において前記第3の導体パターンから前記第1のビアプラグに至る距離は、前記一又は複数のダミー延出部において、前記第3の導体パターンから前記第2のビアプラグに至る距離よりも長い、付記8記載の半導体装置。付記10多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層とを含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜中に埋設された第2の、別の導体パターンとを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第3の導体パターンを含み、前記第3の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第3の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部において第1のビアプラグにより電気的に接続され、前記第3の導体パターンは、その内側領域にカットアウト部と、前記カットアウト部中を延出するダミー延在部を有し、前記ダミー延出部は前記第2の導体パターンに、第2のビアプラグを介してコンタクトし、前記第3の導体パターン、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。付記11前記第2の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第3の導体パターン、前記延出部、前記第1のビアプラグ、および前記第2のビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する付記10記載の半導体装置。付記12多層配線構造を有する半導体装置であって、前記多層配線構造は少なくとも第1の配線層と、前記第1の配線層の上又は下に形成された第2の配線層を含み、前記第1の配線層は、第1の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第1の導体パターンを含み、前記第2の配線層は、第2の層間絶縁膜中に埋設され配線パターンの一部を構成する第2の導体パターンを含み、前記第2の導体パターンはその一部に、同一層中を延出する延出部を有し、前記第2の導体パターンは前記第1の導体パターンに、前記延出部においてビアプラグにより電気的に接続され、さらに前記第2の導体パターンは、前記延出部が延出する縁部に一又は複数のダミー延出部を有し、前記一又は複数のダミー延出部の先端部にはボイドが形成されており、前記延出部、前記一又は複数のダミー延出部、および前記ビアプラグの各々は、ダマシン構造を形成する半導体装置。付記13前記第2の配線層は前記第1の配線層の上に形成され、前記第2の導体パターン、前記延出部、前記ビアプラグは、前記第2の層間絶縁膜と共に、デュアルダマシン構造を形成する付記12記載の半導体装置。付記14前記第2のビアプラグは、真円に対して歪んだ不規則な断面形状を有することを特徴とする請求項1~13のうち、いずれか一項記載の半導体装置。付記15前記第3の導体パターンは前記延出部が形成される第1の縁部とこれに直交する縁部により画成される長方形形状を有し、前記第1の縁部は前記第2の縁部よりも長い付記1~14のうち、いずれか一項記載の半導体装置。付記16前記第1~第3の導体パターン、および前記コンタクトビアプラグおよびダミービアプラグは、Cuよりなる付記1~15のうち、いずれか一項記載の半導体装置。"