Au、Ag、Cu、Al、Rh、Ptからなる群より選択される1つの物質を含む金属製のE字形アンテナ、およびSiO2、Si3N4、SiOxNyからなる群より選択される1つの物質を含む誘電性C字形開口部を含む近接場トランスデューサと、磁極と、前記磁極に接続された磁性リップと、前記近接場トランスデューサと前記磁性リップに挟まれた拡散障壁層とを含む、熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、TiC、TaC、WC、SiC、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる層を含み、厚さが5nm以下である、請求項1に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、厚さが4nm以下であるRh、Ru、Pd、Au、Ag、Pt、Irからなる群より選択される1つの物質からなる貴金属層、および厚さが1nm以下であってRhまたはRuからなる層と前記近接場トランスデューサに挟まれたTa、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる接着層を含む、請求項1に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、各々Ta、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質を含む第1と第2の接着層に挟まれた厚さ4nm以下の貴金属層を含み、各々の接着層の厚さが1nm以下である、請求項1に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。Au、Ag、Cu、Al、Rh、Ptからなる群より選択される1つの物質を含み、先細りであってABSで一点に収束する三角形のビークアンテナを含み近接場トランスデューサと、磁極と、前記磁極に磁気的に接続された磁性リップと、前記近接場トランスデューサと前記磁性リップに挟まれた拡散障壁層とを含む、熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、TiC、TaC、WC、SiC、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる層を含み、厚さが5nm以下である、請求項5に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、厚さが4nm以下である貴金属層、および厚さが1nm以下であってRhまたはRuからなる層と前記近接場トランスデューサに挟まれたTa、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる接着層を含む、請求項5に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、各々Ta、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる第1と第2の接着層に挟まれた厚さ4nm以下の貴金属層を含み、各々の接着層の厚さが1nm以下である、請求項5に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。Au、Ag、Cu、Al、Rh、Ptからなる群より選択される1つの物質からなるロリポップ形の金属アンテナを含む近接場トランスデューサと、磁極と、前記磁極に磁気的に接続された磁性リップと、前記近接場トランスデューサの先端と前記磁性リップに挟まれた拡散障壁層とを含む、熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、TiC、TaC、WC、SiC、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる層を含み、厚さが5nm以下である、請求項9に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、厚さが4nm以下である貴金属層、および厚さが1nm以下であってRhまたはRuからなる層と前記近接場トランスデューサに挟まれたTa、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる接着層を含む、請求項9に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、各々Ta、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる第1と第2の接着層に挟まれた厚さ4nm以下の貴金属層を含み、各々の接着層の厚さが1nm以下である、請求項9に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。近接場トランスデューサと、磁極と、前記近接場トランスデューサと前記磁極に挟まれた拡散障壁層とを含む、熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が前記近接場トランスデューサの先端と磁極の先端に挟まれている、請求項13に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサがプラズモン装置である、請求項13又は14に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、金属アンテナを含むプラズモン装置であって、前記拡散障壁層が前記金属アンテナと前記磁性リップに挟まれている、請求項13又は14に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、ロリポップ形の金属アンテナであって、前記拡散障壁層が前記金属アンテナと前記磁性リップに挟まれている、請求項13又は14に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、金属アンテナおよび開口部を含むプラズモン装置であって、前記拡散障壁層が前記開口部と前記磁性リップに挟まれている、請求項13又は14に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、TiC、TaC、WC、SiC、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる層を含み、厚さが5nm以下である、請求項13~18のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、厚さが4nm以下であるRh、Ru、Pd、Au、Ag、Pt、Irからなる群より選択される1つの物質からなる貴金属層、および厚さが1nm以下であってRhまたはRuからなる層と前記近接場トランスデューサに挟まれたTa、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる接着層を含む、請求項13~18のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、各々Ta、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる第1と第2の接着層に挟まれた厚さ4nm以下の貴金属層を含み、各々の接着層の厚さが1nm以下である、請求項13~18のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、屈折率が1.75未満である誘電材料を含む開口部を含み、前記拡散障壁層が前記開口部と前記磁性リップに挟まれている、請求項13~21のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、SiOx、SiNx、SiOxNy、Al2O3からなる群より選択される1つの物質からなる開口部を含んでいる、請求項13~21のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記近接場トランスデューサが、切欠きおよび開口部で構成された金属アンテナを含み、前記開口部が前記金属アンテナと前記磁性リップの間に配置されていて、前記拡散障壁層が前記開口部と前記磁性リップに挟まれている、請求項13~21のいずれか1項に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、TiC、TaC、WC、SiC、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる層を含み、厚さが5nm以下である、請求項22に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、厚さが4nm以下であるRh、Ru、Pd、Au、Ag、Pt、Irからなる群より選択される1つの物質からなる貴金属層、および厚さが1nm以下であってRhまたはRuからなる層と前記近接場トランスデューサに挟まれたTa、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる接着層を含む、請求項22に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。前記拡散障壁層が、各々Ta、Cr、TaN、TiN、ZrN、HfN、NbN、CrN、VN、Si3N4からなる群より選択される1つの物質からなる第1と第2の接着層に挟まれた、厚さ4nm以下であるRh、Ru、Pd、Au、Ag、Pt、Irからなる群より選択される1つの物質からなる貴金属層を含み、各々の接着層の厚さが1nm以下である、請求項22に記載の熱アシスト磁気書き込みヘッド。ビットサイズを更に減らし、従って対応するデータ密度を高めることができるように、加熱要素を書き込みヘッドに組み込むことができる。従来よりも小さいビットのデータを書き込むには、データが書き込まれた後で極めて小さいビットが消磁されるのを防止するために保磁力を増大しなければならない。データを書き込む間に媒体を局所的に加熱することで、媒体の保磁力が一時的に下がってデータを高保磁力媒体に書き込むことができるようになる。本発明は、磁性リップおよび加熱装置を含む熱アシスト磁気書き込みヘッドを提供する。加熱装置は、プラズモンアンテナまたは透過開口部等の近接場トランスデューサを含んでいてもよい。近接場トランスデューサと磁性リップの間に拡散障壁層が挟まれている。加熱装置は、プラズモンアンテナに隣接する不透明な金属性プラズモンアンテナおよび開口部を含むプラズモン加熱装置であってもよい。磁性リップ構造とプラズモンアンテナの間に開口部が存在するようにプラズモンアンテナの反対側に磁性リップ構造を配置することができる。アンテナ/開口部と磁性リップ構造の間に拡散障壁層を挟むことができる。開口部と磁性リップの間に拡散障壁層が存在することで、プラズモン加熱装置により高温が生じている間に、開口部と磁性リップの間を原子が移動するのを防止する点が好都合である。これにより、いくつかの点で書き込みヘッドの確実な動作および高性能が保証される。例えば、拡散の防止により、磁性リップの書き込み端と熱アシスト記録用に熱を発生させるアンテナ/開口部界面の間の有効間隔により無用な拡大が回避される。また、そのような拡散を防止することで開口部の光学特性の維持が保証される。本発明の上記および他の特徴および利点は、以下に示す好適な実施形態の詳細説明を図面と合わせて精査すれば明らかであろう。図面中、同一参照番号は同一要素を指す。本発明の特性および利点、並びにその好適な使用モードの完全な理解のために、添付図面と合わせて以下の詳細説明を参照されたい。図面は原寸に比例していない。以下の記述は、本発明を実施するために現在考えられる最良の実施形態に関するものである。この記述は、本発明の一般原理を例示するためのものであり、本明細書において権利請求する発明の概念を限定することを意図していない。ここで図1を参照するに、本発明を実現するディスクドライブ100を示す。図1に示すように、少なくとも1個の回転可能な磁気ディスク112がスピンドル114上で支持されていて、ディスクドライブモーター118により回転される。各ディスク上の磁気記録は、磁気ディスク112上の同心データトラック図示せずの環状パターンの形式をなしている。少なくとも1個のスライダ113が磁気ディスク112の近くに配置されていて、各スライダ113は1個以上の磁気ヘッドアセンブリ121を支持している。磁気ディスクが回転するにつれて、所望のデータが書き込まれた磁気ディスクの異なるトラックに磁気ヘッドアセンブリ121がアクセスできるように、スライダ113はディスク表面122上方を半径方向内側および外側に移動する。各スライダ113は、サスペンション115によりアクチュエータアーム119に取り付けられている。サスペンション115は、スライダ113をディスク表面122に付勢する弱いバネ力を提供する。各アクチュエータアーム119は、アクチュエータ手段127に取り付けられている。図1に示すようにアクチュエータ手段127は、ボイスコイルモーターVCMであってもよい。VCMは、固定磁場内で移動可能なコイルを含んでいて、コイルの移動方向および速度はコントローラ129が与えるモーター電流信号により制御される。ディスク記憶システムの動作中、磁気ディスク112の回転により、スライダに対して上向きの力または浮力を作用させるエアベアリングをスライダ113とディスク表面122の間に生成する。当該エアベアリングは従って、サスペンション115の弱いバネ力と相殺し、正常動作する間、スライダ113をディスク表面からほぼ一定の狭い間隔だけ上方へ離れた状態で支持する。ディスク記憶システムの各種要素は、制御装置129が生成するアクセス制御信号および内部クロック信号等の制御信号により動作が制御される。通常、制御装置129は、論理制御回路、記憶手段、およびマイクロプロセッサを含んでいる。制御装置129は、各種のシステム動作を制御するために、導線123上の駆動モーター制御信号や導線128上のヘッド位置およびシーク制御信号等の制御信号を生成する。導線128上の制御信号は、スライダ113をディスク112上の所望のデータトラックに最適に移動および配置させる所望の最新プロファイルを提供する。記録チャネル125を介して書き込み/読み出しヘッド121との間で書き込み/読み出し信号が通信される。図2を参照するに、スライダ113内における磁気ヘッド121の向きをより詳細に見ることができる。図2はスライダ113のABS図であり、図からわかるように、誘導書き込みヘッドおよび読み出しセンサを含む磁気ヘッドがスライダの後縁に配置されている。典型的な磁気ディスク記憶システムの上の記述および添付する図1の描画は、例示目的に過ぎない。ディスク記憶システムが多数のディスクおよびアクチュエータを含み得ることは明らかであり、各アクチュエータは多数のスライダを支持することができる。ここで図3を参照するに、図2に示すヘッド121等の磁気ヘッドに組み込み可能な書き込みヘッド300について述べる。書き込みヘッド300は、エアベアリング面ABSおよび磁気戻り極304まで延びる書き込み極302を含んでいてもよい。戻り極304はABSにおいて、ABSにおける書き込み極302の断面より大きい断面を有する。書き込み極302は、ABSから除外された領域において整形層306と関係があることができる。磁気後部ギャップ層308は、整形層306とABSから除外された領域における戻り極304を接続することにより、書き込み極302をABSから除外された領域の戻り極304と磁気的に接続する。書き込み極302、戻り極304、整形層306、および後部ギャップ層308は全て、NiFeまたはCoFe等の磁気材料で構成されている。書き込み極302もまた磁気材料で構成されていて、好適には非磁性材料の薄い層により分離されたCoFe等の高磁気モーメント材料の層を積層して構成されている。図3に断面で示す導電書き込みコイル310は、書き込み極302と戻り極304の間を通過し、また書き込み極302の下を通過することができる。書き込みコイル310は、Cu等の非磁性導電材料から構成されていてよく、アルミナ等の非磁性電気絶縁材料312内に埋め込まれていてもよい。引き続き図3を参照するに、磁気媒体112を局所的に加熱するように書き込み極302に隣接して加熱装置314を設けることができる。加熱装置314は、後部ギャップ層308内の開口部を通過することができるため後部ギャップ層308を越えて延びることができる。磁気媒体112は、矢印316で示す方向へ書き込みヘッド302に相対的に移動する。従って、図からわかるように、加熱装置314は書き込み極302から上流に、換言すれば書き込み極302に対して先行する方向にある。加熱装置314は、書き込む極302からすぐ上流の領域で磁気媒体112を局所的に加熱して、一時的に磁気媒体の保磁力を弱める。これにより、これが無ければ書き込みを行なうには保磁力が高過ぎる磁気媒体への書き込みが極めて容易になる。加熱装置314が効果的に機能するために、書き込み極のなるべく近くに配置されなければならない。また、加熱装置314は、データの隣接トラックまたは同一トラック上の下流データの消磁を避けるために媒体112上の極めて狭い領域だけを加熱しなければならない。磁気記録システムにおいて加熱装置としての使用に特に適した加熱要素の一例がプラズモン加熱装置である。図3の円4からわかるように、図4にプラズモン加熱装置314の一部の拡大図を示す。図5に、図4の線5-5からわかるように、図4に示す構造のABS図を示す。図4を参照するに、プラズモン加熱装置314は光導波管402を含んでいて、タンタル酸化物Ta2O5、チタン酸化物TiO2、ニオブ酸化物Nb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、ランタン酸化物La2O3、イットリウム酸化物Y2O3、スカンジウム酸化物Sc2O3、またはこれらの酸化物の二元、三元または四元の組合せ、等の酸化物で構成されていてもよい。導波管402もまた、シリコン酸窒化物SiOxNy、タンタル酸窒化物TaOxNy、チタン酸窒化物TiOxNy、およびジルコニウム酸窒化物ZrOxNy等の酸窒化物で構成されていてもよい。導波管402は、アルミナ等の材料であるクラッド材404に囲まれている。プラズモン加熱装置314もまた、ABSに配置された不透明な金属アンテナ406を含んでいる。磁性金属リップ408が書き込み極302から磁性リップ408とアンテナ406の間に形成された開口部410の方へ延びていてもよい。アンテナ406、磁性リップ408、および開口部410は、図4の全5-5から見た構造のABS図を示す図5に参照すればより明瞭に見ることができる。磁性リップ408のいずれかの側の側面部分412は、クラッド材404に等しいまたは類似したクラッド材で構成されていてもよい。あるいは、アンテナ406は、側面部分412がアンテナ406と同一材料で構成されるように、リップ408の側面の上へ延びていてもよい。引き続き図5を参照するに、開口部410に隣接してプラズモンアンテナ406が形成されていて、それらの間に界面504を形成している。プラズモンアンテナ406は、Au、Ag、CuまたはRh等の金属材料で構成されていてもよい。磁性リップ408は書き込み極302と磁気的に接続されていて書き込み極302の一部として磁気的に機能する。磁性リップ408は、Co、Fe、Crおよび/またはNiを含む二元または三元合成物例:CoFe、CoFeCr、CoFeNi等の磁性金属で構成されていてよく、最前縁506がリップ408の書き込み端として機能する。開口部410は、SiOx、SiOxNy、Al2O3等の低屈折率誘電材料、または屈折率が1.75未満である他の何らかの類似誘電体で構成されている。光が導波管402図4内を進む際に、アンテナ406と開口部410の間の接合部504でプラズモン波が形成される。アンテナ406と開口部410間の接合部504は切欠き508と共に形成されている。この切欠き508は、所望の位置でプラズモン波に結節を形成するように設計されている。スライダの屈折面側の導波管断面にレーザー光が入射し、当該光は導波管402により搬送されてE字形のプラズモンアンテナ406で分配される。金属と誘電体の界面504にぶつかる光は、切欠きに平行に分極され、従って共鳴プラズモン波を生成する。E字形アンテナ406の幅が広い翼部領域は電荷貯蔵部として機能するため、境界条件を設定する。避雷針効果に起因してアンテナの残りの部分と比較して、アンテナ406の寸法が100nm未満である切欠き508で空間電荷集中が増大する。光エネルギーの波長未満の寸法における当該集中により、切欠き508におけるホットスポットの生成につながる。このホットスポットを用いて磁気媒体112図3を局所的に加熱して当該位置における保磁力を一時的に低下させる。ホットスポットは、他の任意の加熱方法を用いるよりも、媒体の極めて集中した小領域で媒体112を加熱することができる。プラズモンアンテナに光エネルギーが集中することにより、プラズモンアンテナ406、開口部410、および磁性リップ408の加熱につながる。本発明が無ければ、この極端な加熱により、SiO2開口部410と磁性リップ408の間に相互拡散が生じる。この相互拡散は、書き込みヘッド300の性能低下を引き起こす。例えば、磁性リップの最前縁の磁気特性が劣化に起因してプラズモン装置の界面504と磁性リップ408の端506の間隔が広がる。従って、磁気書き込みと熱源の距離が広がってしまう。また、内部へ金属原子が拡散することに起因してSiO2の光学特性が変化する恐れがある。薄い拡散障壁層502の存在は好都合なことに、磁性リップとプラズモンアンテナ切欠きの間隔を極端に広げることなく、開口部材410とリップ材料408のこの相互拡散を防止する。拡散障壁層502の所望の特徴は、同時にCo、Fe、Niおよび/またはCrが磁気層408から開口部410へ移動するのを防止しながら、開口部410から磁性リップ408内への酸素拡散を防止するために酸素拡散係数が低くなければならない点である。拡散障壁502は、Si、O、Co、Fe、CrまたはNiとの間で化学反応を生じてはならない。また、温度が上昇した場合でも開口部410のSiO2およびリップ408の磁気材料とも良好に接着しなければならない。また、磁性リップ408とアンテナ切欠き508の間隔を大幅に広げないよう充分に薄くなければならない。このことを念頭に置いて、拡散障壁層502は厚さ5nm以下のTaNまたはSi3N4層として構成することができる。あるいは、図6により詳細に示すよう、拡散障壁層502は厚さ4nm以下のRhまたはRu層602であって、当該RhまたはRu層とSiO2開口部410の間に厚さ1nm以下の接着層604が挟まれていてもよい。接着層はTa、CrまたはTaNであってもよい。図7に示す別の実施形態において、拡散障壁層502は、各々が厚さ1nm以下である第1および第2の接着層704、706に挟まれた厚さ3nm以下のRhまたはRu層702で構成されていてもよい。再び、接着層704、706は、Ta、CrまたはTaNであってもよい。図4、5を参照して議論した、拡散障壁層により磁性リップから分離された上述のプラズモン装置は例に過ぎず、本発明が他の多くの装置の構成に組み込み可能であることを指摘する必要がある。NFTアンテナまたは開口部は、その間に挟まれた拡散浸透層により磁性リップから分離されている。NFTアンテナまたは開口部であろうとは各種な構成をなしていてもよい。例えば、上で議論したように、アンテナ406と磁性リップ408に挟まれた拡散障壁502により、磁性リップ408に隣接するアンテナ406を有する装置を構成することができる。また、磁気アンテナ406は、上で議論したもの以外の形状を有していてもよい。例えば、アンテナ406は、エアベアリング面で一点に狭まる、鳥のくちばしに似た形状を有するナノビーク設計であってもよい。図8、9に、アンテナがナノビークアンテナである本発明の別の可能な実施形態を示す。ナノビークアンテナは、拡散障壁層502により磁性リップ408に隣接且つ分離しているクラッド材404内に配置されていて、上で述べた材料または材料群で構成されていてもよい。ABSから測定したナノビーク金属および拡散障壁層の長さは、図8に示すように磁性リップ408の長さに等しい。図からわかるように、アンテナ804は先細構造をなしてABSにおいて一点に収束している。導波管802は、非磁性スペーサ層806により上側戻り極302から分離されていてもよい。図9にアンテナを上から見下ろした図を示し、アンテナ804も上から見た場合にABSで一点に収束することがわかる。導波管402内を進む光がアンテナへ導かれてアンテナ804の尖った先端で極端に集中したホットスポットを形成している。再び、当該ホットスポットからの熱により、アンテナ804と磁性リップ408の間に拡散を生じさせることできる。しかし、この拡散は、間に挟まれた拡散障壁層502の存在により防止される。従って、拡散障壁層502の存在により、現在記述している実施形態先においても先に述べた実施形態と同じ効果を提供する。他のアンテナ形状として、ロリポップ形状、蝶ネクタイ形状、または2ロッドアンテナが含まれる。同様に、開口部410の形状または構成も同様に変更できる。例えば、開口部はC字形、三角形形状であってよく、あるいはリッジ導波管開口部として構成してもよい。また、NFTは超小型開口レーザーVSALであってもよい。各種の実施形態について上で記述したが、これらは例示目的であって限定的ではないことを理解されたい。本発明の範囲内に含まれる他の実施形態もまた、当業者には明らかであろう。従って、本発明の幅および範囲は、上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されず、専ら添付の請求項およびその均等物に従って規定されるべきである。