中央のターゲット部位が平坦なスパッタ面を備え、両端のターゲット部位が傾斜したスパッタ面を備えている全体が矩形であるスパッタリングターゲットであって、前記両端のターゲット部位の最大厚みは中央のターゲット部位の厚みよりも大きく、該両端のターゲット部位のスパッタ面は最大厚み部からターゲット中央に向かって下方向に傾斜した角度αの傾斜面と該角度αの傾斜面に向かい合う角度βの傾斜面を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記角度αは、0.3~45°であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。前記角度βは、前記角度αの30~80であることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。前記角度αの傾斜面と角度βの傾斜面は、直線で接合し、その接合位置のターゲット厚みは、中央のターゲット部位の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。前記角度αの傾斜面と角度βの傾斜面との間に、平坦面Pを有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。平坦面Pのターゲットの厚みは、前記中央のターゲット部位の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項5記載のスパッタリングターゲット。平坦面Pの長さL3が、角度αの傾斜面の長さL1及び角度βの傾斜面の長さL2よりも短いことを特徴とする請求項6記載のスパッタリングターゲット。前記L1とL2とL3の合計長さは、矩形ターゲットの全長の25以下であることを特徴とする請求項7記載のスパッタリングターゲット。ターゲットが分割ターゲットであることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。両端のターゲット部位が、角度αの傾斜面と角度βの傾斜面を有する一体のターゲットであることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。平坦部を持つ両端のターゲット部位、角度αの傾斜面を持つターゲット部位、角度βの傾斜面を持つターゲット部位、角度αの傾斜面と角度βの傾斜面との間に平坦面Pを有するターゲット部位、平坦なスパッタ面を備える中央のターゲット部位の、1又は複数個が分割ターゲットであることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。スパッタリング後の基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±10未満の範囲内であることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。本発明は、上記のような問題又は欠点に鑑みてなされたもので、スパッタリング法により薄膜を形成するときに使用されるスパッタリングターゲットであって、傾斜部分を有するターゲット材であっても、膜のユニフォーミティが悪化しない形状のターゲット材を提案するものであり、ターゲットの使用効率が高く、かつスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ膜厚の均一性が良好であるターゲットを提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明者はスパッタリング用ターゲットの形状とエロージョンを予想したターゲット形状とし、そのターゲットを用いてスパッタリングすることにより、スパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ膜厚の均一性を良好にするとともに、パーティクルの発生が少なく、さらにはターゲットの寿命を長くすることができるとの知見を得た。なお、本明細書で使用する高使用効率ターゲットは、このように、エロージョンを想定した形状を持つターゲットを意味するものである。本発明は、上記知見に基づき、1中央のターゲット部位が平坦なスパッタ面を備え、両端のターゲット部位が傾斜したスパッタ面を備えている全体が矩形であるスパッタリングターゲットであって、前記両端のターゲット部位の最大厚みは中央のターゲット部位の厚みよりも大きく、該両端のターゲット部位のスパッタ面は最大厚み部からターゲット中央に向かって下方向に傾斜した角度αの傾斜面と該角度αの傾斜面に向かい合う角度βの傾斜面を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、2前記角度αは、0.3~45°であることを特徴とする上記1記載のスパッタリングターゲット3前記角度βは、前記角度αの30~80であることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリングターゲット4前記角度αの傾斜面と角度βの傾斜面は、直線で接合し、その接合位置のターゲット厚みは、中央のターゲット部位の厚みよりも薄いことを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、5前記角度αの傾斜面と角度βの傾斜面との間に、平坦面Pを有することを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット6平坦面Pのターゲットの厚みは、前記中央のターゲット部位の厚みよりも薄いことを特徴とする上記5記載のスパッタリングターゲット7平坦面Pの長さL3が、角度αの傾斜面の長さL1及び角度βの傾斜面の長さL2よりも短いことを特徴とする上記6記載のスパッタリングターゲット、を提供する。8前記L1とL2とL3の合計長さは、矩形ターゲットの全長の25以下であることを特徴とする上記7記載のスパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、9ターゲットが分割ターゲットであることを特徴とする上記1~8のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット10両端のターゲット部位が、角度αの傾斜面と角度βの傾斜面を有する一体のターゲットであることを特徴とする上記1~9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット11平坦部を持つ両端のターゲット部位、角度αの傾斜面を持つターゲット部位、角度βの傾斜面を持つターゲット部位、角度αの傾斜面と角度βの傾斜面との間に平坦面Pを有するターゲット部位、平坦なスパッタ面を備える中央のターゲット部位の、1又は複数個が分割ターゲットであることを特徴とする上記1~10のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、12スパッタリング後の基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±10未満の範囲内であることを特徴とする上記1~11のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。本発明のスパッタリング法により薄膜を形成するときに使用されるスパッタリングターゲットであって、傾斜部分を有するターゲット材であっても、膜のユニフォーミティが悪化しない形状のターゲット材を提案するものであり、ターゲットの使用効率が高く、かつスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ膜厚の均一性が良好であるという優れた効果を有する。本発明のスパッタリングターゲットは、全体の形状は平面的にみて矩形長方形のターゲットである。このターゲットの中央のターゲット部位は、平坦なスパッタ面を有する。両端のターゲット部位はターゲットの製作と取扱の利便さから、最外部の一部を平坦とするが、それに続く部分は傾斜したスパッタ面とする。後述する図1、図2に示すように、平面的に見て、全体が矩形のスパッタリングターゲットである。図1に示すように、前記両端のターゲット部位の最大厚みは中央のターゲット部位の厚みよりも大きくし、該両端のターゲット部位のスパッタ面は最大厚み部からターゲット中央に向かって下方向に傾斜した角度αの傾斜面4と該角度αの傾斜面に向かい合う角度βの傾斜面5を形成する。このように角度αの傾斜面に対向する位置に角度βの傾斜面を形成するという発想は、極めて斬新なものであり、従来技術には存在せず、基本発明と言えるものである。本発明のターゲットは、通常マグネトロンスパッタリング用ターゲットとして使用される。マグネトロンスパッタリングでは、スパッタリング効率を上げるために、ターゲットの背面に配置したマグネットを配置するが、マグネットの配置あるいは磁力線の強度によってエロージョンを強く受ける部分と受けない部分が発生する。これはスパッタリング装置に依存するが、本発明のターゲットは、これに対応でき、安定したスパッタリングができ、膜のユニフォーミティをより均一にすることができる構造を持つ必要がある。一方、上記のようにエロージョンを強く受ける部分と受けない部分が発生するが、エロージョンを強く受けた箇所がターゲットの寿命を律することになる。しかし、このような場合であっても、ターゲットの全体の利用効率は常に高める必要が求められる。従来のスパッタリングターゲットではターゲットのエロージョンを強く受ける部位を厚くすることが提案されている。しかし、この場合は、ターゲットと基板間の距離が一定でないために、特にスパッタリング初期において、膜のユニフォーミティが安定しないという問題がある。このようなことから、本願発明においては、ターゲットはスパッタリングによりエロージョンを受ける部位が厚くなるようにすると共に、膜のユニフォーミティをより均一にするために上記のような傾斜面を作製する。しかし、ターゲットのエロージョン面に形成された傾斜角度αの傾斜面4からスパッタで叩き出された粒子は、ターゲット長手方向の中央部により多く集中するようになる。このため、その領域において基板上に形成される膜の膜厚は、他の領域と比較して厚くなり、逆に傾斜面4に対向する位置後述するターゲットの傾斜面の直上の位置の膜厚は薄くなる。これによって、膜厚が薄いところと厚いところができて膜厚が不均一となり、ユニフォーミティが悪化する。本願発明は、傾斜面4に向かい合うように、角度βの新たな傾斜面5を形成する。このため、角度βで形成された傾斜面5から叩き出された粒子は、傾斜面4に対向する位置に到達するので、比較例で膜厚が薄くなる部分を補うようになり、基板面内全体でユニフォーミティが良好な膜が得られる。前記角度αの傾斜面4と角度βの傾斜面5は、直線で接合することになるが、角度βの傾斜面5は、中央のターゲット部位の平坦な面のレベルが高低の出発点となるので、直線の接合位置におけるターゲット厚みは、中央のターゲット部位の厚みよりも薄くなる。角度αは0.3~45°であるのが望ましい。角度αが45°を超えると、角度βを形成しても、ユニフォーミティの均一性はそれほど向上しない。また、角度βは角度αの30~80の範囲にあるのが望ましい。すなわち、α×0.3<β<α×0.8とするのが良い。角度βがαの30未満であると、膜厚が薄くなる部分を充分に補うことが難しくなる、80を超えると、傾斜面4と傾斜面5の中間部分での膜厚が薄くなる傾向がある。前記スパッタリングターゲットの傾斜角度αの傾斜面4と傾斜角度βとの傾斜面5の間に、図2に示すように、平坦面Pを設けることもできる。前記の通り角度βの傾斜面5は、中央のターゲット部位の平坦な面のレベルが高低の出発点となるので、これに接続する平坦面Pの厚みは、前記中央のターゲット部位の厚みよりも薄くなる。平坦面Pの長さL3は、角度αの傾斜面L1の長さ及び角度βの傾斜面L2の長さよりも短くするのが、本願発明のスパッタリングターゲットにおいて、ユニフォーミティの均一性を保持するための好適な条件である。また、前記L1とL2とL3の合計長さは、矩形ターゲットの全長の25以下であるのが良い。しかし、この条件は好適な条件であり、これ以外の条件を選択することも可能である。スパッタリングターゲットは、全てを一体型のターゲットとすることができるが、分割ターゲットとすることもできる。分割ターゲットとする場合、いくつかの形態が可能であるが、両端のターゲット部位のみを、角度αの傾斜面と角度βの傾斜面を持つ一体のターゲット分割されていないターゲットに作製し、他を適宜、分割したターゲットとすることができる。この形態が代表的なスパッタリングターゲットの例である。また、平坦部を持つ両端のターゲット部位、角度αの傾斜面4を持つターゲット部位、角度βの傾斜面5を持つターゲット部位、角度αの傾斜面4と角度βの傾斜面5との間に平坦面Pを有するターゲット部位、平坦なスパッタ面を備える中央のターゲット部位の、1又は複数個を分割ターゲットとすることもできる。本発明のスパッタリングターゲットの材料として、インジウム、錫、アルミニウム、銅、タンタル、チタン、ニッケル、コバルト、ルテニウム、タングステン、ロジウム、若しくはこれらの合金又は酸化物等に適用することができる。特に、ITOインジウムと錫の酸化物等の表示材用ターゲットの製作に好適である。本発明のエロージョンプロファイルターゲットの製造に際しては、予め平板状のターゲットをスパッタリングし、その時のエロージョン形状及び深さを調べ、それに基づいて、ターゲットの厚さ調節することができる。これによって、ターゲットの材料の種類により変化するというエロージョンの相違があっても、固有のターゲットエロージョンに応じて高使用効率ターゲットを容易に製造することができる。本発明のターゲットは、製作が容易であると共に、該ターゲットの寿命を長くすることができる利点がある。また、スパッタ初期及びスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ膜厚の均一性を良好にすることができ、またパーティクルの発生が少ないという優れた効果を有する。さらに、ターゲットの材料の種類により変化するというエロージョンの相違があっても、固有のターゲットエロージョンに応じて高使用効率ターゲットを容易に製造することができる大きな効果を有する。次に、本発明の実施例と比較例を以って本発明の特徴を説明する。なお、以下の例は発明を容易に理解できるようにするためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく他の例又は変形は、当然本発明に含まれるものである。図1に示すバッキングプレート上にターゲット設置した。この場合、バッキングプレートには銅製のバッキングプレートを使用したが、他の材料から製作しても良い。ターゲットにはITOインジウム錫酸化物を用いた。図1には、ターゲットバッキングプレート組立体の平面図一部、C-C断面図、A-A断面図、B-B断面図を示す。この図1に示すように、実施例1のターゲットバッキングプレート組立体のバッキングプレートは、平面的にみて矩形長方形である。この場合、分割ターゲットを使用している。実施例と比較例1500×1850mmサイズの基板に対向して、200×2300mmサイズのITOターゲットを8本配列させ、膜厚40nmを目標として成膜を行った。本実施例では、基板はターゲットに静止対向して成膜する例を示したが、本発明のターゲットは、基板がターゲット上を通過して成膜される方式においても有効である。成膜後、基板上の膜の付いていない部分と付いている部分の段差を触針式段差計で測定し、基板面内9点の段差の分布から、膜厚ユニフォーミティを評価した。この結果を、表1に示す。比較例1比較例1は、傾斜面4の角度αが0.76°であり、角度βの傾斜面5を有しないものであるが、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±12となり、不良となった。比較例2比較例2は、傾斜面4の角度αが2.29°であり、角度βの傾斜面5を有しないものであるが、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±15となり、不良となった。比較例3比較例3は、傾斜面4の角度αが0.76°であり、角度βが0.19°0.25αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件である下限値から逸脱している。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±11となり、不良となった。比較例4比較例4は、傾斜面4の角度αが0.76°であり、角度βが0.72°0.94αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件である上限値から逸脱している。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±10となり、不良となった。比較例5比較例5は、傾斜面4の角度αが2.29°であり、角度βが0.57°0.25αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件である下限値から逸脱している。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±13となり、不良となった。比較例6比較例6は、傾斜面4の角度αが2.29°であり、角度βが1.91°0.83αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件である上限値から逸脱している。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±14となり、不良となった。実施例1以上の比較例に対して、実施例1では、傾斜面4の角度αが0.76°であり、角度βが0.29°0.38αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件の範囲にある。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±6となり、良好な結果となった。実施例2実施例2では、傾斜面4の角度αが0.76°であり、角度βが0.57°0.75αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件の範囲にある。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±4となり、良好な結果となった。実施例3実施例3では、傾斜面4の角度αが2.29°であり、角度βが0.72°0.31αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件の範囲にある。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±7となり、良好な結果となった。実施例4実施例4では、傾斜面4の角度αが2.29°であり、角度βが1.43°0.63αの傾斜面5を持つものである。この角度βと角度αの比は、本願発明の好ましい条件の範囲にある。この結果、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±6となり、良好な結果となった。上記の通り、比較例では、いずれの条件でも、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±10以上であった。これに対し、実施例では、いずれの条件でも、基板面内全体の膜厚ユニフォーミティが±10未満であり、良好な結果となった。上記の通り、図3に示す、従来技術であるスパッタリングターゲットでは、高い使用効率を得るため、エロージョン深さによって異なる板厚のターゲットを組み合わせて製作され、その際、スパッタリング面の一部に傾斜面が形成されるため、膜のユニフォーミティに問題が生じる場合があった。しかし、本発明のターゲットでは、上記の通り、高使用効率という特性を損なう事なく、ユニフォーミティが良好な膜が得ることが可能となった。現在、TFTLCDでは基板サイズが3m×3mに近い第10世代ラインが量産稼動している。このような超大型の基板に対して、わずか40nm程度の薄膜を均一に形成するのは非常に難しいが、本願発明のターゲットを使用する事により、その問題の解決を図ることができる。本願発明は、特にターゲットの全長が2mを超える第6世代ライン以上で、有効である。