"半導体基板に設けられ、光電変換機能を有する光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域と、前記半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、前記画素領域に配列される複数の前記画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する前記画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の前記画素は、前記カラーフィルタの色により、互いに隣接する前記画素として、前記カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、および前記カラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、前記画素間遮光部は、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する、固体撮像装置。前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに異なる板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、遮光膜である、請求項1に記載の固体撮像装置。前記画素領域の周囲に設けられる周辺回路領域と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、前記周辺回路領域に設けられ、前記遮光膜と同じ層の周辺遮光膜と、をさらに備える、請求項2に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、前記同色画素の組み合わせにおける前記境界部分に存在せず、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分にのみ存在する、請求項2に記載の固体撮像装置。前記遮光膜は、固定電位に接続されている、請求項2に記載の固体撮像装置。複数の前記画素における前記境界部分に存在する複数の前記遮光膜は、透明電極により互いに電気的に接続されている、請求項5に記載の固体撮像装置。前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに同じ板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、前記配線層を構成する配線である、請求項1に記載の固体撮像装置。前記各画素からの出力信号の処理を行う信号処理回路をさらに備え、前記信号処理回路は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する、請求項1に記載の固体撮像装置。固体撮像装置と、前記固体撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動装置と、を備え、前記固体撮像装置は、半導体基板に設けられ、光電変換機能を有する光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域と、前記半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、前記画素領域に配列される複数の前記画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する前記画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を含み、複数の前記画素は、前記カラーフィルタの色により、互いに隣接する前記画素として、前記カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、および前記カラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、前記画素間遮光部は、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する、電子機器。前記固体撮像装置に照射される光の照射時間および遮光時間を前記画素ごとに制御するためのシャッタ装置をさらに備え、前記駆動装置は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記照射時間および前記遮光時間の少なくともいずれか一方を制御することにより、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する、請求項9に記載の電子機器。確かに、特許文献2の技術によれば、遮光膜の材料を非導体とすることにより、静電遮蔽効果による感度の低下を抑制することができると考えられる。しかしながら、特許文献2の技術であっても、隣接画素間において遮光膜自体は存在することから、遮光膜によって画素が感知すべき光が遮られることによる感度の低下を抑制するという効果については限定的である。本技術の目的は、光学的な混色やMgフレアを抑制することができるとともに、感度を向上させることができる固体撮像装置および電子機器を提供することである。本技術に係る固体撮像装置は、半導体基板に設けられ、光電変換機能を有する光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域と、前記半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、前記画素領域に配列される複数の前記画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する前記画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の前記画素は、前記カラーフィルタの色により、互いに隣接する前記画素として、前記カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、および前記カラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、前記画素間遮光部は、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在するものである。また、本技術に係る固体撮像装置においては、好ましくは、前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに異なる板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、遮光膜である。また、本技術に係る固体撮像装置は、好ましくは、前記画素領域の周囲に設けられる周辺回路領域と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、前記周辺回路領域に設けられ、前記遮光膜と同じ層の周辺遮光膜と、をさらに備える。また、本技術に係る固体撮像装置においては、好ましくは、前記遮光膜は、前記同色画素の組み合わせにおける前記境界部分に存在せず、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分にのみ存在する。また、本技術に係る固体撮像装置においては、好ましくは、前記遮光膜は、固定電位に接続されている。また、本技術に係る固体撮像装置においては、好ましくは、複数の前記画素における前記境界部分に存在する複数の前記遮光膜は、透明電極により互いに電気的に接続されている。また、本技術に係る固体撮像装置においては、好ましくは、前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに同じ板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、前記配線層を構成する配線である。また、本技術に係る固体撮像装置は、好ましくは、前記各画素からの出力信号の処理を行う信号処理回路をさらに備え、前記信号処理回路は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する。本技術に係る電子機器は、固体撮像装置と、前記固体撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動装置と、を備え、前記固体撮像装置は、半導体基板に設けられ、光電変換機能を有する光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域と、前記半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、前記画素領域に配列される複数の前記画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する前記画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を含み、複数の前記画素は、前記カラーフィルタの色により、互いに隣接する前記画素として、前記カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、および前記カラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、前記画素間遮光部は、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在するものである。本技術に係る電子機器は、好ましくは、前記固体撮像装置に照射される光の照射時間および遮光時間を前記画素ごとに制御するためのシャッタ装置をさらに備え、前記駆動装置は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記照射時間および前記遮光時間の少なくともいずれか一方を制御することにより、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する。本技術によれば、光学的な混色やMgフレアを抑制することができるとともに、感度を向上させることができる。本技術は、複数の画素が配列される半導体基板と、各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層との間において、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部のレイアウトを工夫することにより、光学的な混色やMgフレアを抑制しながら、感度の向上を図ろうとするものである。[固体撮像装置の概略構成]本技術の第1実施形態に係る固体撮像装置1の構成について、図1を用いて説明する。本実施形態に係る固体撮像装置1は、CMOS固体撮像装置である。固体撮像装置1は、シリコン等の半導体により構成される半導体基板2を有する。固体撮像装置1は、画素領域3と、画素領域3の周囲に設けられる周辺回路領域4とを備える。画素領域3は、半導体基板2に設けられる撮像領域であり、所定の配列で設けられる複数の画素5を有する。画素領域3は、各画素5における光電変換により信号電荷の生成、増幅、および読み出しを行う有効画素領域と、黒レベルの基準となる光学的黒を出力する光学的黒レベル領域とを有する。通常、光学的黒レベル領域は、有効画素領域の外周に形成される。本実施形態の固体撮像装置1においては、複数の画素5は、いわゆるクリアビット配列によって配列されており、平面視で矩形状を有する半導体基板2に対して45°傾いた状態で斜めに行列状に配置されている。画素5は、半導体基板2に形成される。複数の画素5の配列以下画素配列という。としてクリアビット配列が用いられることにより、解像度を維持しつつ、1画素の面積を大きく確保することが容易となる。本実施形態の固体撮像装置1では、画素配列としてクリアビット配列が採用されているが、画素配列は特に限定されない。画素配列としては、例えば、複数の画素5が矩形状の半導体基板2に沿って平面的に縦方向垂直方向横方向水平方向に行列状に配置される、一般的な正方格子配列が採用されてもよい。画素5は、光電変換機能を有する光電変換部としてのフォトダイオードと、複数のMOSトランジスタとにより構成される。画素5を構成するフォトダイオードは、受光面を有し、その受光面に入射した光の光量強度に応じた量の信号電荷を生成する。画素5は、複数のMOSトランジスタとして、例えばフォトダイオードにより生成された信号電荷の増幅、転送、選択、およびリセットをそれぞれ受け持つトランジスタを有する。周辺回路領域4は、第1駆動回路6と、カラム信号処理回路7と、第2駆動回路8と、出力回路9と、制御回路10とを備える。第1駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、45°傾いた状態の行列状の複数の画素5を、行列状の配列における行方向または列方向に対応する並びの方向である第1の方向矢印A1参照の並びの単位で画素を駆動する。第1駆動回路6は、複数の画素5に対して画素駆動配線により接続される。第1駆動回路6は、画素駆動配線を選択することで、選択した画素駆動配線に画素5を駆動するための駆動パルスを供給し、第1の方向の並びの単位で画素を駆動する。第1駆動回路6は、画素領域3の各画素5を第1の方向の並びの単位で第1の方向に順次選択走査し、各画素5のフォトダイオードにて生成された信号電荷に基づく画素信号を、所定の信号線を通じてカラム信号処理回路7に供給する。カラム信号処理回路7は、各画素5からの出力信号の処理を行う信号処理回路である。カラム信号処理回路7は、複数の画素5の行列状の配列における行方向または列方向に対応する並びの方向のうちの第1の方向に直交する第2の方向の並びの単位ごとの要素を有する。カラム信号処理回路7は、各要素により、第1の方向の並びの単位の1単位分の画素5から出力される信号を、第2の方向の並びの画素5群ごとに処理する。カラム信号処理回路7が行う信号処理としては、例えば、画素5固有の固定パターンノイズを低減するためのCDSCorrelatedDoubleSampling:相関2重サンプリングや、信号増幅や、ADアナログ/デジタル変換等が挙げられる。カラム信号処理回路7の出力段には、図示せぬ選択スイッチが設けられる。第2駆動回路8は、例えばシフトレジスタによって構成され、第2の方向の走査パルスを順次出力することにより、カラム信号処理回路7の各要素を順番に選択し、カラム信号処理回路7の各要素から画素信号を所定の信号線11に出力させる。出力回路9は、カラム信号処理回路7の各要素から信号線11を通じて順次供給される信号に対し、所定の信号処理を行って出力する。出力回路9により行われる信号処理としては、例えば、バファリング、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル処理等が挙げられる。制御回路10は、動作モード等を指令するデータや入力クロック等を受け取ったり、固体撮像装置1の内部情報等のデータを出力したりする。制御回路10は、画素配列における第1の方向および第2の方向それぞれの方向についての同期信号、およびマスタクロックに基づいて、第1駆動回路6、カラム信号処理回路7、および第2駆動回路8の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成し、生成した信号を、各回路6,7,8に入力する。[固体撮像装置の詳細構成]固体撮像装置1の詳細構成について説明する。固体撮像装置1は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置である。図2に示すように、固体撮像装置1は、半導体基板2に設けられる画素領域3を有する。画素領域3は、光電変換機能を有する光電変換部であるフォトダイオード21を含む画素5が複数配列された領域である。画素5は、フォトダイオード21と、MOSトランジスタ22とを有する。フォトダイオード21は、半導体基板2の厚さ方向の全域にわたるように形成される。本実施形態では、フォトダイオード21は、第1導電型としてのn型半導体領域23と、半導体基板2の表裏両面に臨むように形成される第2導電型としてのp型半導体領域24とを有し、pn接合型のフォトダイオードとして構成される。フォトダイオード21が有するp型半導体領域24は、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねる。MOSトランジスタ22は、図示せぬソースドレイン領域と、ゲート電極25とを有する。MOSトランジスタ22のソースドレイン領域は、半導体基板2の一方の板面側である表面2a側に形成されたp型半導体ウェル領域26においてn型の領域として形成される。ゲート電極25は、MOSトランジスタ22のソースドレイン領域の両領域間における半導体基板2の表面2a上にゲート絶縁膜を介して形成される。このようにフォトダイオード21およびMOSトランジスタ22からなる各画素5は、素子分離領域27により分離される。素子分離領域27は、p型半導体領域として形成され、接地される。半導体基板2の表面2a上には、積層配線層28が設けられる。積層配線層28は、層間絶縁膜29を介して積層される複数の配線30を有する。層間絶縁膜29は、例えば、二酸化ケイ素SiO2により形成されるシリコン酸化膜により構成される。複数の配線30は、例えば異なる金属により形成され、層間に形成されるプラグ等を介して互いに接続される。なお、本実施形態において半導体基板2の一方の板面側に設けられる配線層は、複数の配線を有する積層配線層28であるが、これに限定されず、単層構造の配線層であってもよい。一方、半導体基板2の他方の板面である裏面2b上には、反射防止膜として機能する絶縁膜31が設けられている。絶縁膜31は、互いに屈折率が異なる複数の膜が積層された積層構造を有する。本実施形態では、絶縁膜31は、半導体基板2側から積層されるシリコン酸化膜32とハフニウム酸化膜33とからなる2層構造を有する。また、画素領域3においては、絶縁膜31上に、光透過性を有する平坦化膜34が設けられる。平坦化膜34は、例えば、樹脂などの有機材料で形成される。平坦化膜34上には、カラーフィルタ層35が形成される。カラーフィルタ層35上には、複数のマイクロレンズ36が形成される。カラーフィルタ層35は、画素領域3に配列される複数の画素5の各画素5に対応して設けられる複数のカラーフィルタ37に区分される。つまり、カラーフィルタ層35は、各画素5を構成するフォトダイオード21ごとに複数のカラーフィルタ37に区分される。本実施形態の固体撮像装置1では、各カラーフィルタ37は、赤色R、緑色G、および青色Bのいずれかの色のフィルタ部分であり、各色の成分の光を透過させる。各色のカラーフィルタ37は、いわゆるオンチップカラーフィルタであり、クリアビット配列に従って形成される。マイクロレンズ36は、いわゆるオンチップマイクロレンズであり、画素5を構成するフォトダイオード21に対応して、画素5ごとに形成される。したがって、複数のマイクロレンズ36は、画素5と同様に平面的に行列状に配置される。マイクロレンズ36は、外部からの入射光を、対応する画素5のフォトダイオード21に集光する。マイクロレンズ36は、例えば、樹脂などの有機材料で形成される。また、本実施形態の固体撮像装置1においては、絶縁膜31上に形成される平坦化膜34内における画素境界に、画素間遮光部としての画素間遮光膜40が設けられている。画素間遮光膜40は、絶縁膜31上において、互いに隣接する画素5間の境界線に沿って形成される遮光膜である。つまり、画素間遮光膜40は、平面視において、略正方形状を有する画素5に対して、その略正方形状の辺に沿うように、所定の線幅を有する線状の層部分として形成される。画素間遮光膜40は、光を遮光する材料により形成される。画素間遮光膜40を構成する材料としては、遮光性が強く、例えばエッチングで精度良く加工できるように、微細加工に適した材料が好ましい。こうした特性を有する材料としては、例えば、アルミニウムAl、タングステンW、銅Cu等の金属が挙げられる。画素間遮光膜40は、絶縁膜31上に、上記のようなアルミニウム等の金属材料によって膜を形成する成膜工程と、この成膜工程によって形成した金属層上に選択的にレジストマスクを形成するマスク工程と、レジストマスクを介して金属層を選択的に除去する除去工程とを含む方法により形成される。成膜工程では、例えば、スパッタリング法、CVDChemicalVaporDeposition法、メッキ処理等が用いられ、上記のようなアルミニウム等の金属材料による膜金属層が形成される。マスク工程では、レジストマスクが、複数の画素5間の境界に対応する部分に沿って形成される。除去工程では、ウエットエッチングまたはドライエッチング等のエッチングにより、金属層が選択的にエッチング除去される。以上のように、本実施形態の固体撮像装置1は、半導体基板2に対して、積層配線層28が設けられる表面2a側と反対側である裏面2b側に、カラーフィルタ層35およびマイクロレンズ36が設けられる裏面照射型の構造を有する。つまり、固体撮像装置1においては、積層配線層28とカラーフィルタ層35とは、半導体基板2に対して互いに異なる板面側に設けられており、半導体基板2に対して光が入射する裏面2b側と反対側の表面2a側に、積層配線層28が設けられる。裏面照射型の固体撮像装置1においては、マイクロレンズ36側から入射する光は、カラーフィルタ層35を透過した後、積層配線層28を通過することなく、画素5のフォトダイオード21により受光される。このため、固体撮像装置1においては、マイクロレンズ36側から入射する光は、積層配線層28によって遮られることなく、画素5のフォトダイオード21により受光されることから、いわゆる表面照射型の構造に対して、フォトダイオード21の実質的な受光面積の確保が容易であり、比較的高い感度が得られる。また、積層配線層28が半導体基板2に対して光が入射する側裏面2b側と反対側である表面2a側に設けられることから、積層配線層28を構成する配線30のレイアウトについて高い自由度を得ることができる。そして、本実施形態の固体撮像装置1は、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間にて、互いに隣接する画素5間の境界部分以下画素間境界部分という。に設けられる画素間遮光部として、画素間遮光膜40を備える。具体的には、固体撮像装置1は、半導体基板2の裏面2b側とカラーフィルタ層35との間に設けられる絶縁膜31上に、画素間遮光膜40を有する。なお、本実施形態の固体撮像装置1は、裏面照射型であるが、半導体基板2に対して光が入射する表面2a側に積層配線層28が設けられる表面照射型であってもよい。表面照射型の構造の場合、半導体基板2に対して、半導体基板2の一側に設けられる積層配線層28を介して、積層配線層28と同じ側に、カラーフィルタ層35およびマイクロレンズ36が形成される。このように、固体撮像装置1が備える積層配線層28は、半導体基板2のいずれか一方の板面側に設けられればよい。固体撮像装置1が表面照射型の構造の場合、例えば、半導体基板2の一方の面側に設けられる積層配線層上に、絶縁膜31のような絶縁膜が形成され、この絶縁膜上に、画素間遮光膜40が設けられる。ただし、裏面照射型および表面照射型のいずれの場合であっても、画素間遮光膜40が設けられる位置は、固体撮像装置1における半導体基板2とカラーフィルタ層35との間の部分であれば特に限定されない。[画素間遮光膜の詳細構成]本実施形態の固体撮像装置1が備える画素間遮光膜40の構成について、詳細に説明する。上述したように画素間境界部分に設けられる画素間遮光膜40は、画素配列において、互いに隣接して境界を構成する一対の画素5のカラーフィルタ37の色以下単に色ともいう。の関係に基づいて、選択的に設けられる。つまり、画素間遮光膜40は、複数の画素5が配列される画素領域3における全ての画素間境界部分のうち、隣り合う画素5の色の組み合わせに基づいて、一部の画素間境界部分に設けられる。ここで、本実施形態の固体撮像装置1が有する画素配列について、図3を用いて説明する。図3に示すように、画素領域3における画素配列は、上記のとおりクリアビット配列であり、平面視で矩形状を有する半導体基板2に対して45°傾いた状態で斜めに行列状に配置される。図3では、各画素5の色について、赤をR、緑をG、青をBで表している。図3に示すように、クリアビット配列においては、第1の方向矢印A1参照および第2の方向矢印A2参照の各方向について、緑Gの画素5以下G画素という。のみからなる画素列以下単色画素列という。41と、赤Rの画素5以下R画素という。、青Bの画素5以下B画素という。、およびG画素の3色の画素5からなる画素列以下複数色画素列という。42とが、交互に配置される。複数色画素列42では、R画素とB画素とが、G画素を挟んで交互に配置される。このようなクリアビット配列においては、互いに隣り合う画素5の色の組み合わせとして、画素5の色が互いに異なる異色画素の組み合わせと、画素5の色が互いに同じである同色画素の組み合わせとが存在する。具体的には、図3に示すようなクリアビット配列においては、第1の方向および第2の方向の各方向について、複数色画素列42を構成する画素5に関しては、互いに隣り合う画素同士が、R画素とG画素、またはG画素とB画素のいずれかの組み合わせで異色画素の組み合わせとなる。また、第1の方向および第2の方向の各方向について、単数画素列41を構成する画素5に関しては、互いに隣り合う画素同士が、G画素同士で同色画素の組み合わせとなる。このように、画素配列としてクリアビット配列を採用する本実施形態の固体撮像装置1においては、複数の画素5は、カラーフィルタ37の色により、互いに隣接する画素5として、カラーフィルタ37の色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタ37の色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有する。以下では、異色画素の組み合わせで互いに隣接する画素5同士の画素間を異色画素間とし、同色画素の組み合わせで互いに隣接する画素5同士の画素間を同色画素間とする。つまり、上述したようなクリアビット配列においては、異色画素間としては、R画素とG画素との間の画素間、およびG画素とB画素との間の画素間が存在し、同色画素間としては、G画素同士の画素間が存在する。そして、本実施形態の固体撮像装置1においては、画素間遮光膜40は、上述したようなクリアビット配列において、異色画素の組み合わせにおける画素間境界部分、つまり異色画素間の境界部分に偏在するように設けられる。すなわち、図3に示すような画素配列において、画素間遮光膜40が、同色画素間であるG画素同士の画素間境界部分に対して、異色画素間であるR画素とG画素との間、あるいはG画素とB画素との間の画素間境界部分に、重点的に設けられる。言い換えると、同色画素間の境界部分よりも、異色画素間の境界部分の方が、画素間遮光膜40の存在の割合が高い。ここで、画素間遮光膜40の存在の割合とは、画素間遮光膜40が設けられる画素間境界部分の箇所数単位での割合や、各画素間境界部分における画素間遮光膜40の面積の割合を含む概念である。具体的には、前者の割合については、例えば、画素配列全体において、異色画素間および同色画素間それぞれの境界部分が100箇所ずつ存在する場合、異色画素間の境界部分には、100箇所の画素間境界部分のうちの80箇所に画素間遮光膜40が設けられ、同色画素間の境界部分には、100箇所の画素間境界部分のうちの20箇所に画素間遮光膜40が設けられる。このようにして、同色画素間の境界部分よりも、異色画素間の境界部分の方が、画素間遮光膜40の存在の割合が高くなるように、画素間遮光膜40が設けられる。また、後者の割合については、例えば、画素間遮光膜40を各画素5の辺の長さに対して部分的または断続的に形成したり、幅を狭く形成したりすることによる、各画素間境界部分における画素間遮光膜40の長さや線幅の寸法調整が行われる。これにより、異色画素間の境界部分に設けられる画素間遮光膜40の面積が、同色画素間の境界部分に設けられる画素間遮光膜40の面積よりも大きく設定される。したがって、上記のとおり同色画素間の境界部分よりも異色画素間の境界部分の方が画素間遮光膜40の存在の割合が高いとは、画素領域3における全ての画素配列において、画素間遮光膜40が存在する画素間境界部分としては、同色画素間の境界部分よりも異色画素間の境界部分の方が多いことを意味する。このように、同色画素間よりも異色画素間に画素間遮光膜40を偏在させることは、異色画素間においては、光学的な混色を抑えることを重視し、異色画素間においては、画素5を構成するフォトダイオード21が本来感知すべき光が遮光されることによる感度の低下を抑制することを重視することに基づく。具体的には次のとおりである。まず、異色画素間の場合について、図4を用いて説明する。図4には、異色画素の組み合わせの一例として、互いに隣接するR画素5RとG画素5Gとを示している。R画素5Rのマイクロレンズ36に入射した光のうちの大部分は、赤色のカラーフィルタ37Rを透過して、R画素5Rのフォトダイオード21に入射する。その一方で、R画素5Rのマイクロレンズ36に入射した光には、マイクロレンズ36が集光しきれずに、赤色のカラーフィルタ37Rを透過した後、R画素5Rに隣接するG画素5G側に向かい、このG画素5Gのフォトダイオード21に入射するような斜め光が含まれる破線矢印L1参照。また、G画素5Gのマイクロレンズ36に入射した光のうちの大部分は、緑色のカラーフィルタ37Gを透過して、G画素5Gのフォトダイオード21に入射する。したがって、上記のとおり赤色のカラーフィルタ37Rを透過した光が斜め光としてG画素5Rのフォトダイオード21に入射した場合、光学的な混色が生じる。つまり、フォトダイオード21に入射する光が透過したカラーフィルタ37の色と、その光を受光するフォトダイオード21に対応して設けられるカラーフィルタ37の色とが異なることで、光学的な混色が生じる。図4に示す例では、赤Rと緑Gの混色が生じる。こうした異色画素間で生じる混色は、主に、マイクロレンズ36からカラーフィルタ37とフォトダイオード21との間の部分を斜め向きに透過して隣接する画素5のフォトダイオード21に入射する光により、異色画素間の境界部分の近傍において生じる。そこで、異色画素間の境界部分に画素間遮光膜40が存在することにより、光学的な混色が抑制される。具体的には、図4に示すように、例えば、R画素5Rのマイクロレンズ36に入射した光のうち、マイクロレンズ36により集光されずに、R画素5Rに隣接するG画素5G側に向かう斜め光実線矢印L2は、異色画素間の境界部分に存在する画素間遮光膜40によって遮光される。すなわち、画素間遮光膜40が存在しない場合にR画素5R側から隣のG画素5Gのフォトダイオード21に入射する光破線矢印L1が、画素間遮光膜40に入射して反射される実線矢印L2,L3。これにより、異色画素間において混色の原因となる斜め光のフォトダイオード21への入射が阻止される。次に、同色画素間の場合について、図5を用いて説明する。図5には、同色画素の組み合わせとして、互いに隣接する2つのG画素5Gを示している。同色画素間においては、上述したように異色画素間で生じるような光学的な混色は生じない。すなわち、一方の図5において左側のG画素5Gのマイクロレンズ36に入射した光には、マイクロレンズ36が集光しきれずに、緑色のカラーフィルタ37Gを透過した後に、一方のG画素5Gに隣接する他方の図5において右側のG画素5G側に向かい、この他方のG画素5Gのフォトダイオード21に入射するような斜め光が含まれる実線矢印L4参照。また、他方の図5において右側のG画素5Gのマイクロレンズ36に入射した光のうちの大部分は、他方のG画素のマイクロレンズ36に対応する緑色のカラーフィルタ37Gを透過して、そのカラーフィルタ37Gに対応する他方のG画素5Gのフォトダイオード21に入射する。したがって、上記のとおり一方のG画素5Gの緑色のカラーフィルタ37Gを透過した光が斜め光として他方のG画素5Gのフォトダイオード21に入射しても、光学的な混色は生じない。つまり、フォトダイオード21に入射する光が透過したカラーフィルタ37の色と、その光を受光するフォトダイオード21に対応して設けられるカラーフィルタ37の色とが同色であることから、光学的な混色が生じない。その一方で、画素間境界部分に存在する画素間遮光膜40は、光を遮る物体であるため、上述したような画素間遮光膜40による入射光の反射により、各画素5のフォトダイオード21が本来感知すべき光を遮光する可能性もある。このように各画素5のフォトダイオード21が本来感知すべき光が遮光されることは、感度の低下につながる。そこで、上述したように光学的な混色が問題とならない同色画素間の境界部分においては、画素間遮光膜40を意図的に無くしたり少なくしたりすることにより、隣接画素間における入射光の無駄な遮光が抑制され、感度の向上を図ることができる。本実施形態の固体撮像装置1の場合は、同色画素間を構成するG画素の感度の向上を図ることができる。すなわち、同色画素間よりも異色画素間に画素間遮光膜40を偏在させることは、異色画素間では、画素間遮光膜40による光学的な混色の抑制を優先し、同色画素間では、画素間遮光膜40が存在しないことによる感度の向上を優先するという観点に基づく。また、異色画素間においては画素間遮光膜40によって光学的な混色が抑制されることから、光学的な混色が原因で信号処理の過程で生じるMgフレアを抑制することができる。以上のように、本実施形態の固体撮像装置1によれば、光学的な混色やMgフレアを抑制することができるとともに、感度を向上させることができる。図3には、画素間遮光膜40が同色画素間に対して異色画素間の境界部分に偏在する場合の一例として、異色画素間の境界部分にのみ、画素間遮光膜40が設けられる場合を示している。すなわち、本実施形態の固体撮像装置1においては、画素間遮光膜40は、同色画素の組み合わせにおける画素間境界部分に存在せず、異色画素の組み合わせにおける画素間境界部分にのみ存在する。なお、図3においては、便宜上、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間に存在する画素間遮光膜40を、画素配列における画素5間の境界線に沿う太線で示している。図3に示すように、固体撮像装置1においては、画素間遮光膜40として、異色画素間の境界部分であるR画素とG画素との画素間境界部分に設けられる画素間遮光膜40Aと、同じく異色画素間の境界部分であるB画素とG画素との画素間境界部分に設けられる画素間遮光膜40Bとが存在する。そして、固体撮像装置1においては、同色画素間の境界部分、つまりG画素同士の画素間境界部分には、画素間遮光膜40は設けられていない。固体撮像装置1の画素配列であるクリアビット配列において、上述のような画素間遮光膜40のレイアウトが採用されることにより、結果的に、平面視で矩形状の画素5について、R画素の4辺が画素間遮光膜40Aにより囲まれ、B画素の4辺が画素間遮光膜40Bにより囲まれる態様で、画素間遮光膜40が設けられる。このような各画素間境界部分に対する画素間遮光膜40の選択的な配置は、上述したような画素間遮光膜40の形成方法において、同色画素間の境界部分に存在する遮光膜が除去されることで実現される。具体的には、画素間遮光膜40の形成方法において、マスク工程で、成膜工程により形成された金属層に対して、異色画素間の境界部分に対応する部分のみに、レジストマスクが形成される。そして、除去工程で、画素間遮光膜40となる金属層のうち、同色画素間の境界部分が、画素間境界部分以外の部分とともにエッチング除去される。これにより、異色画素間の境界部分のみに、画素間遮光膜40が形成される。以上のような画素間遮光膜40のレイアウトを有する本実施形態の固体撮像装置1によれば、上述したような異色画素間では光学的な混色の抑制を図りつつ、同色画素間では感度の向上を図ることができるという効果を、確実に得ることができる。ここで、本実施形態の固体撮像装置1におけるMgフレアに対する遮蔽効果について述べる。Mgフレアは、次のようにして発生する。画素5のフォトダイオード21側に向けてマイクロレンズ36から入射した光の一部は、反射光や回折光として、フォトダイオード21側からマイクロレンズ36側に向かう方向の光となる。この反射光や回折光は、マイクロレンズ36等を通過して、CMOS固体撮像装置のパッケージにおいてマイクロレンズ36を覆うシールガラス等によって反射され、再びフォトダイオード21側に向けてマイクロレンズ36から入射する。このように再びフォトダイオード21側に入射する光は、反射角や回折角等の関係から、例えば赤色、緑色、および青色の各色の画素で均一に光学的な混色を生じさせる。また、固体撮像装置1においては、信号処理の過程で、各色の成分の光の分光特性を揃えるために、ホワイトバランス処理と称される処理が行われる。ホワイトバランス処理によれば、例えば、カラーフィルタ層35が赤色、緑色、および青色の3色のカラーフィルタ37に区分される場合、赤色および青色の信号が、緑色の信号に対してゲインが大きくされて強調される。このようなホワイトバランス処理が上記のとおり各色の画素5で均一に混色が生じる状態で行われることが原因で、Mgフレアが発生する。図3に示すように、同色画素間であるG画素間において画素間遮光膜40をなくすことは、Mgフレアにおけるマゼンタ色が白色に近づくことを意味する。官能的にみた場合、白色のフレア成分は、カメラ等におけるセットレンズに起因しても発生するが、見え方は自然であることから、問題視されておらず、画質を悪化させる原因とはならないと考えられている。なお、画素配列としては、G画素以外の色の画素が隣接する配列を有するものがあるが、このような配列において同色画素間で画素間遮光膜40をなくす場合であっても、マイクロレンズ36を覆うシールガラス側に反射防止膜を設ける等の、Mgフレアの回避策を取ることができる。[信号処理の補正]図3に示すように、クリアビット配列において、異色画素間の境界部分にのみ画素間遮光膜40が設けられる構成においては、平面視で矩形状となる各画素5の4辺に対する画素間遮光膜40の存在の態様により、画素5間で感度の差が生じる。具体的には、図3に示すようなクリアビット配列における画素間遮光膜40のレイアウトの場合、G画素について、平面視で4辺のいずれの辺に対応する画素間境界部分にも画素間遮光膜40が存在しないG画素以下第1G画素という。5Gaと、平面視で互いに対向する2辺に対応する画素間境界部分にのみ画素間遮光膜40が存在するG画素以下第2G画素という。5Gbとが存在する。つまり、第1G画素5Gaの周縁には、画素間遮光膜40が存在せず、第2G画素5Gbの周縁には、互いに対向する2辺に画素間遮光膜40が存在する。このような第1G画素5Gaと第2G画素5Gbとの間では、各画素5の周縁における画素間遮光膜40の存在の態様により、感度の差が生じる。つまり、画素間遮光膜40による遮光作用により、同じG画素であっても、周囲の画素間境界部分に存在する画素間遮光膜40の有無により、画素5のフォトダイオード21により受光される光の量が異なり、感度差が生じる。このように、第1G画素5Gaと第2G画素5Gbとの間における感度差は、各画素5Ga,5Gbの周囲に存在する画素5との間の画素間境界部分における画素間遮光膜40の量の差に起因して複数の画素5の間で生じる。ここで、画素間遮光膜40の量とは、各画素5の周囲において画素間遮光膜40が設けられる箇所数画素5の平面視での矩形形状において4辺のうち画素間遮光膜40が設けられる辺の数等、各画素間境界部分に設けられる画素間遮光膜40の長さや線幅の寸法、つまり画素間遮光膜40の面積等、画素5間において感度差を生じさせる、画素間遮光膜40のあらゆる量的な要素を含む概念である。そこで、本実施形態の固体撮像装置1では、周辺回路領域4に設けられるカラム信号処理回路7における信号処理の過程で、各画素5からの出力信号の出力値について、上述のような第1G画素5Gaと第2G画素5Gbとの間の感度差の大きさに基づく補正以下感度差補正という。が行われる。感度差補正は、具体的には次のようにして行われる。本実施形態では、互いに対向する一対の辺部に画素間遮光膜40が存在する第2G画素5Gbの方が、4辺の全てに画素間遮光膜40が存在しない第1G画素5Gaに対して感度が低い。ここでは、第1G画素5Gaの感度S1に対する第2G画素5Gbの感度S2<S1の感度差をα=S1-S2とする。なお、画素5についての感度とは、光の透過率と光の吸収率の積で表される光電変換率に比例する値である。このように、第1G画素5Gaと第2G画素5Gbとの間に感度差αが存在する場合、その感度差αの値に応じて、カラム信号処理回路7による各画素5から出力される信号の処理において、画素5ごとに信号のゲインを変えることで、感度が低い方の第2G画素5Gbのゲインを上げる補正が行われる。この場合において、感度差補正は、次式1に基づいて行われる。β=γ×100α/1001ここで、βは補正値、γは第2G画素5Gbからの出力信号の出力値である。したがって、例えば、第1G画素5Gaの感度S1=100で、第2G画素5Gbの感度S2=90である場合、α=10となる。この場合、上記式1によれば、第2G画素5Gbの出力値γに対して、1.1の値が乗算された値が、補正値βとして算出される。また、上述した感度差補正の例では、第1G画素5Gaおよび第2G画素5Gbのうち、感度が低い方の第2G画素5Gbのゲインを上げる補正を行う場合について説明したが、感度が高い方の第1G画素5Gaのゲインを下げる補正を行ってもよい。この場合において、感度差補正は、次式2に基づいて行われる。β=η×100-α/1002ここで、βは補正値、ηは第1G画素5Gaからの出力信号の出力値である。したがって、例えば、第1G画素5Gaの感度S1=100で、第2G画素5Gbの感度S2=90である場合、α=10となる。この場合、上記式2によれば、第1G画素5Gaの出力値ηに対して、0.9の値が乗算された値が、補正値βとして算出される。以上のように、本実施形態の固体撮像装置1においては、カラム信号処理回路7は、各画素5からの出力信号の出力値γ.ηを、各画素5の周囲に存在する画素間境界部分における画素間遮光膜40の量の差に起因して複数の画素5の間で生じる感度差の大きさαに基づいて補正する。このように、本実施形態の固体撮像装置1において感度差補正が行われることにより、光学的な混色およびMgフレアを抑制して感度の向上を図りつつ、複数の画素間境界部分において画素間遮光膜40が不均一に存在することにより複数の画素5間で生じる感度差を是正することができる。これにより、良好な感度特性を得ることができる。[第2実施形態]本開示の第2実施形態について説明する。なお、以下に説明する本技術の実施形態では、すでに説明した実施形態と共通する部分については、同一の符号を付して、説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置51は、画素領域3の周囲に設けられる周辺回路領域4において、遮光膜を備える。図6に示すように、本実施形態の固体撮像装置51は、周辺回路領域4に設けられる遮光膜として、周辺遮光膜52を備える。周辺遮光膜52は、固体撮像装置51が備える画素間遮光膜40と同じ層構造として形成される。つまり、周辺遮光膜52は、画素間遮光膜40と同じ層であり、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間にて、周辺回路領域4に設けられる。そして、画素間遮光膜40と周辺遮光膜52とは、同じ材料の膜によって同時に形成される。したがって、周辺遮光膜52を構成する材料は、例えば、アルミニウムAl、タングステンW、銅Cu等の金属である。図6に示すように、固体撮像装置51が備える画素領域3は、有効画素領域53と光学的黒レベル領域54とを有する。有効画素領域53は、各画素5における光電変換により信号電荷の生成、増幅、および読み出しを行う領域である。光学的黒レベル領域54は、黒レベルの基準となる光学的黒を出力する領域である。光学的黒レベル領域54は、有効画素領域53の外周に形成される。本実施形態では、周辺回路領域4に設けられる周辺遮光膜52は、光学的黒レベル領域54に設けられる遮光膜52aとともに、連続する一体の遮光膜を形成する。周辺回路領域4においては、画素領域3と同様に、半導体基板2の表面2a側には積層配線層28が設けられ、半導体基板2の裏面2b側には絶縁膜31および平坦化膜34が設けられる。また、平坦化膜34上には、カラーフィルタ層35が設けられ、カラーフィルタ層35上には、マイクロレンズ36が形成される。そして、画素領域3の外周部分に設けられる光学的黒レベル領域54において、絶縁膜31上に遮光膜52aが設けられる。また、光学的黒レベル領域54の周囲に位置する周辺回路領域4において、絶縁膜31上に、遮光膜52aと連続する周辺遮光膜52が設けられる。周辺回路領域4に設けられる周辺遮光膜52を設けるためには、上述したような画素間遮光膜40の形成方法の成膜工程において、画素間遮光膜40となる金属層が周辺回路領域4において形成される。そして、マスク工程で、成膜工程により形成された金属層に対して、画素間遮光膜40となる部分に加えて、周辺遮光膜52および遮光膜52aが設けられる位置に対応する部分に、レジストマスクが形成される。これにより、除去工程を経ることで、周辺遮光膜52および遮光膜52aが形成される。本実施形態の固体撮像装置51においては、画素領域3の周囲に設けられる周辺回路領域4に、画素領域3に設けられる画素間遮光膜40と同じ層構造である周辺遮光膜52が設けられることから、画素領域3と周辺回路領域4との間における画素間遮光膜40による段差が低減される。これにより、本実施形態の固体撮像装置51によれば、第1実施形態の固体撮像装置1において得られる効果に加え、画素領域3において、感度むらを低減することができ、均一的な光学特性を得ることができる。詳細には、周辺回路領域4において、周辺遮光膜52のような、画素領域3の画素間遮光膜40に対応する層構造が設けられない場合、その画素間遮光膜40に対応する層構造の有無によって、画素領域3と周辺回路領域4との領域間で段差が生じるときがある。この領域間の段差は、画素領域3の有効画素領域53の中央部分と周辺部分とでマイクロレンズ36のレンズ面の高さの差を生じさせる。このような有効画素領域53におけるマイクロレンズ36のレンズ面の高さの差は、マイクロレンズ36による集光状態を不均一とし、感度むらの原因となる。具体的には、有効画素領域53の中央部分の明るさに対して同領域の周辺部分の明るさが暗くなる。そこで、本実施形態の固体撮像装置51のように、周辺回路領域4において、画素領域3の画素間遮光膜40と同じ層構造の周辺遮光膜52が設けられることにより、画素領域3と周辺回路領域4との領域間の段差が低減される。これにより、画素領域3の有効画素領域53の中央部分と周辺部分との間でのマイクロレンズ36のレンズ面の高さの差が低減される。結果として、有効画素領域53においてマイクロレンズ36による集光状態の均一化が図れ、感度むらを抑制することができ、画質の向上を図ることができる。このように画素領域3と周辺回路領域4との領域間の段差を低減する観点からは、本実施形態の固体撮像装置51における遮光膜52aのように、画素領域3の光学的黒レベル領域54においても画素間遮光膜40と同じ層の遮光膜が設けられることが好ましい。光学的黒レベル領域54にも画素間遮光膜40と同じ層の遮光膜が存在することで、画素領域3と周辺回路領域4との領域間の段差を効果的に低減することができる。ただし、画素間遮光膜40と同じ層の遮光膜は、光学的黒レベル領域54には設けられず、周辺遮光膜52として周辺回路領域4のみに設けられてもよい。[第3実施形態]本開示の第3実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像装置61においては、画素間遮光膜40が半導体基板2のグランド領域GND領域に接続されている。図7に示すように、本実施形態の固体撮像装置61においては、複数の画素間遮光膜40は、周辺回路領域4に設けられる周辺遮光膜62を介して、半導体基板2のグランド領域であるp型半導体領域としての素子分離領域27に接続され、接地されている。周辺遮光膜62は、画素間遮光膜40と同じ材料の膜によって同時に形成される。したがって、周辺遮光膜62を構成する材料は、例えば、アルミニウムAl、タングステンW、銅Cu等の金属である。周辺遮光膜62は、周辺回路領域4の素子分離領域27に対する電気的な接続のため、コンタクト部62aを有する。つまり、周辺遮光膜62は、コンタクト部62aを通じて、素子分離領域27に接続される。コンタクト部62aは、周辺遮光膜62から、半導体基板2側図7において下側に突出するように設けられる。コンタクト部62aは、周辺遮光膜62と同じ材料により、周辺遮光膜62と一体的に形成される部分であり、周辺遮光膜62の半導体基板2側への延出部分である。コンタクト部62aは、絶縁膜31を構成するシリコン酸化膜32およびハフニウム酸化膜33を貫通して、半導体基板2の裏面2b側から素子分離領域27に対して電気的に接続される。複数の画素間遮光膜40は、周辺回路領域4に設けられる周辺遮光膜62を介して、半導体基板2のグランド領域に接地される。このため、本実施形態の固体撮像装置61は、画素間遮光膜40を周辺遮光膜62に対して接続する第1接続用遮光膜63と、画素領域3において各画素間境界部分に存在する画素間遮光膜40同士を接続する第2接続用遮光膜64とを有する。図7に示すように、第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64は、固体撮像装置61が備える画素間遮光膜40と同じ層構造として形成される。そして、第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64ならびに画素間遮光膜40は、同じ材料の膜によって同時に形成される。したがって、第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64を構成する材料は、例えば、アルミニウムAl、タングステンW、銅Cu等の金属である。図8に示すように、第2接続用遮光膜64は、画素間遮光膜40と同様に、画素間境界部分に設けられる。つまり、第2接続用遮光膜64は、平面視において、略正方形状を有する画素5に対して、その略正方形状の辺に沿うように、所定の線幅を有する線状の層部分として形成される。第2接続用遮光膜64は、同色画素間であるG画素間の境界部分に設けられ、上述したような画素間遮光膜40のレイアウトにおいてR画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む画素間遮光膜40群同士を、電気的に接続する。なお、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む画素間遮光膜4040A,40B同士は、一体的に連続する部分であり、電気的には接続状態にある。図8に示す例では、第2接続用遮光膜64は、第1の方向矢印A1参照に沿う複数色画素列42において、R画素またはB画素ごとに第2の方向矢印A2参照について交互に配置され、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む画素間遮光膜40群同士を接続する。つまり、第2接続用遮光膜64は、第1の方向に沿う複数色画素列42において、第1の方向における所定の向き例えば図8において右斜め上向きに向かって、1つのG画素を介するR画素からB画素までの間では、第2の方向についての一側の画素間境界部分に設けられ、1つのG画素を介するB画素からR画素までの間では、第2の方向についての他側の画素間境界部分に設けられ、第2の方向についてB画素とR画素との間ごとに交互に配置されている。このように、第2接続用遮光膜64によって互いに電気的に接続された画素間遮光膜40群が、第1接続用遮光膜63図7参照によって、半導体基板2のグランド領域に接地されている周辺遮光膜62に対して電気的に接続される。これにより、固体撮像装置61が備える画素間遮光膜40は、周辺遮光膜62を介して半導体基板2のグランド領域に接地される。なお、固体撮像装置61が備える画素間遮光膜40を半導体基板2のグランド領域に接地させるための第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64のレイアウトは、特に限定されない。したがって、第2接続用遮光膜64の配置は、例えば、図9に示すような態様であってもよい。図9に示す例では、第2接続用遮光膜64は、第1の方向矢印A1参照に沿う複数色画素列42において、R画素またはB画素ごとに第2の方向矢印A2参照について同じ側に配置され、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む画素間遮光膜40群同士を接続する。つまり、図9に示す例では、第2接続用遮光膜64は、第1の方向に沿う複数色画素列42において、第1の方向に沿って、第2の方向についての同じ側の画素間境界部分に設けられている。図9に示す例では、第2接続用遮光膜64は、第2の方向についての同じ側の画素間境界部分として、第1の方向に沿う複数色画素列42のG画素の右斜め下側の辺に対応する画素間境界部分に設けられているが、それとは反対側、つまり第1の方向に沿う複数色画素列42のG画素の左斜め上側の辺に対応する画素間境界部分に設けられてもよい。第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64を設けるためには、上述したような画素間遮光膜40の形成方法のマスク工程で、成膜工程により形成された金属層に対して、画素間遮光膜40となる部分に加えて、第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64が設けられる位置に対応する部分に、レジストマスクが形成される。これにより、除去工程を経ることで、第1接続用遮光膜63および第2接続用遮光膜64が形成される。このように、本実施形態の固体撮像装置61においては、画素領域3に設けられる複数の画素間遮光膜40は、第2接続用遮光膜64によって互いに電気的に接続されるとともに、第1接続用遮光膜63により、グランド領域に接地されている周辺遮光膜62に対して電気的に接続される。これにより、画素領域3に設けられる画素間遮光膜40は、半導体基板2のグランド領域に接続される。そして、画素間遮光膜40には、素子分離領域27を通じて、グランド電位接地電位が印加される。本実施形態の固体撮像装置61によれば、第1実施形態および第2実施形態で得られる効果に加え、画素間遮光膜40が接地されていることから、固体撮像装置61の加工プロセスにおいて、画素間遮光膜40がプラズマ処理等による影響でダメージを受けることを防止することができる。固体撮像装置61の加工プロセスにおいては、例えば、画素間遮光膜40を形成するための除去工程におけるエッチングや、マイクロレンズ36を形成するためのエッチングとして、ドライエッチングの一つであるプラズマエッチングが行われる場合がある。プラズマエッチングは、プラズマ処理を行うことで、放電中のプラズマの働きによってエッチングを起こす。このようなプラズマエッチングが行われると、画素間遮光膜40が接地されることなく電気的に浮いた状態で存在する場合、プラズマ処理により、画素間遮光膜40がダメージを受けることが考えられる。そこで、本実施形態の固体撮像装置61のように、同色画素間の境界部分に引き回される第2接続用遮光膜64、および第1接続用遮光膜63によって、画素間遮光膜40を半導体基板2のグランド領域に接地させることで、固体撮像装置61の加工プロセスにおいてプラズマ処理等によるダメージを回避することができる。なお、本実施形態の固体撮像装置61では、画素間遮光膜40は、周辺回路領域4に設けられる周辺遮光膜62を経由して半導体基板2のグランド領域である素子分離領域27に接地されているが、画素領域3において素子分離領域27に接地されてもよい。ただし、この場合、周辺回路領域4におけるコンタクト部62aのようなコンタクト部が有効画素領域53に形成されることによる半導体基板2へのダメージを回避する観点からは、画素間遮光膜40は、画素領域3の光学的黒レベル領域54において素子分離領域27に接地されることが好ましい。因みに、この場合における半導体基板2へのダメージは、白点発生の原因となり得る。また、上述したようなプラズマ処理等による画素間遮光膜40のダメージを回避する観点からは、画素間遮光膜40は、半導体基板2のグランド領域としての素子分離領域27に対する接地に限らず、電位が一定の部分、つまり接地電位や電源電位等を含む固定電位に接続されていればよい。固体撮像装置61において、素子分離領域27以外の固定電位としては、例えば、0Vや1.0Vや2.5Vや3.3Vや5V等の値の固定電位、接地電位、電源電位等がある。また、本実施形態の固体撮像装置61によれば、画素間遮光膜40の電位が固定されることから、画素間遮光膜40の存在がその直下のフォトダイオード21に対して与える、暗時ノイズ等の悪影響を低減することができる。本実施形態の固体撮像装置61において、画素間遮光膜40同士を接続する第2接続用遮光膜64は、実質的には画素間遮光膜40と同じである。つまり、第2接続用遮光膜64は、同色画素間の境界部分に存在する画素間遮光膜40であると言える。この点、本実施形態の固体撮像装置61では、第2接続用遮光膜64の引き回しの量が可及的に抑えられることで、同色画素間の境界部分に設けられる第2接続用遮光膜64としての画素間遮光膜40に対して、異色画素間の境界部分に設けられる画素間遮光膜40の方が多くなるように、画素間遮光膜40がレイアウトされる。[第4実施形態]本開示の第4実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像装置は、第3実施形態の固体撮像装置61との比較において、異色画素間の境界部分に設けられる画素間遮光膜40を互いに電気的に接続する第2接続用遮光膜64に代えて、透明電極72が設けられている。図10に示すように、透明電極72は、平面視において、略正方形状を有する画素5に対して、その略正方形状の辺に沿うように、所定の線幅を有する線状の層部分として形成される。図10に示すように、透明電極72は、図9に示す場合の第2接続用遮光膜64と同じ配置で設けられている。すなわち、図10に示す例では、透明電極72は、第1の方向矢印A1参照に沿う複数色画素列42において、R画素またはB画素ごとに第2の方向矢印A2参照について同じ側に配置され、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む画素間遮光膜40群同士を接続する。つまり、図10に示す例では、透明電極72は、第1の方向に沿う複数色画素列42において、第1の方向に沿って、第2の方向についての同じ側の画素間境界部分に設けられている。なお、本実施形態の固体撮像装置が備える複数の画素間遮光膜40を互いに電気的に接続する透明電極72のレイアウトは、第3実施形態の第2接続用遮光膜64と同様、特に限定されない。したがって、透明電極72のレイアウトは、例えば、図10に示す例に対して、第1の方向に沿う複数色画素列42のG画素の左斜め上側の辺に対応する画素間境界部分に透明電極72が設けられたり、図8に示す第2接続用遮光膜64のレイアウトと同じであったりしてもよい。透明電極72は、例えば、画素間遮光膜40と同じ層位置に設けられる。この場合、透明電極72は、画素間遮光膜40と同様に、絶縁膜31上に設けられる。透明電極72の層位置は、特に限定されないが、画素間遮光膜40と同様に、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間において、複数の画素間遮光膜40同士を電気的に接続可能な位置に設けられる。なお、図10においては、便宜上、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間に存在する透明電極72を、画素配列における境界線に沿う線状の部分として示している。透明電極72は、例えば、酸化インジウムスズITO:IndiumTinOxideや、酸化亜鉛に酸化アルミニウムや酸化ガリウムを添加した材料や、酸化スズに酸化アンチモンやフッ素をドープした材料等の、光学的に透明でかつ導体の材料により構成される。ただし、透明電極72を構成する材料は、光透過性を有する導体であれば特に限定されない。このように、本実施形態の固体撮像装置においては、複数の画素5における画素間境界部分に存在する複数の画素間遮光膜40は、透明電極72により互いに電気的に接続されている。そして、透明電極72によって互いに電気的に接続された複数の画素間遮光膜40は、第3実施形態の場合と同様に、半導体基板2のグランド領域としての素子分離領域27等の固定電位に接続される。本実施形態の固体撮像装置によれば、第1~3実施形態で得られる効果に加え、画素領域3において画素間遮光膜40が存在することにより生じる、いわゆる光学的なケラレを抑制することができ、光学特性を向上することができる。すなわち、画素間遮光膜40と同様に遮光性を有する第2接続用遮光膜64に代えて透明電極72が設けられることにより、透明電極72が設けられる画素間境界部分において光の入射が遮られることが防止されるので、光学的な損失を極力抑えることができ、光学特性の劣化を防止することができる。[第5実施形態]本開示の第5実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像装置81は、第1~第4実施形態の固体撮像装置が裏面照射型であるのに対し、表面照射型のCMOS固体撮像装置である。固体撮像装置81は、半導体基板2に設けられる画素領域3を有する。画素領域3は、光電変換機能を有する光電変換部であるフォトダイオード21を含む画素5が複数配列された領域である。図11に示すように、表面照射型の固体撮像装置81においては、裏面照射型の場合と同様に、半導体基板2の表面2a側に、積層配線層82が設けられる。半導体基板2と積層配線層82との間には、半導体基板2側から、平坦化膜83、絶縁膜84が順に形成されている。積層配線層82は、層間絶縁膜85を介して積層される複数の配線86を有する。層間絶縁膜85は、例えば、二酸化ケイ素SiO2により形成されるシリコン酸化膜により構成される。複数の配線86は、例えば異なる金属により形成され、層間に形成されるプラグ等を介して互いに接続される。なお、本実施形態において半導体基板2の一方の板面側に設けられる配線層は、複数の配線を有する積層配線層82であるが、これに限定されず、単層構造の配線層であってもよい。平坦化膜83は、半導体基板2の表面2a上に設けられる。平坦化膜83は、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜として形成される。平坦化膜83に、フォトダイオード21とともに画素5を構成するMOSトランジスタ87が設けられている。MOSトランジスタ87は、図示せぬソースドレイン領域と、ゲート電極88とを有する。MOSトランジスタ87のソースドレイン領域は、半導体基板2の一方の板面側である表面2a側に形成されたp型半導体ウェル領域26においてn型の領域として形成される。ゲート電極88は、MOSトランジスタ87のソースドレイン領域の両領域間における半導体基板2の表面2a上にゲート絶縁膜を介して形成される。このようにフォトダイオード21およびMOSトランジスタ87からなる各画素5は、素子分離領域27により分離される。絶縁膜84は、平坦化膜83上に設けられ、反射防止膜として機能する。絶縁膜84は、互いに屈折率が異なる複数の膜が積層された積層構造を有する。本実施形態では、絶縁膜84は、半導体基板2側から積層されるシリコン酸化膜91とハフニウム酸化膜92とからなる2層構造を有する。絶縁膜84上に、積層配線層82が設けられる。積層配線層82上には、光透過性を有する平坦化膜93が設けられている。平坦化膜93は、例えば、樹脂などの有機材料で形成される。平坦化膜93上に、カラーフィルタ層35および複数のマイクロレンズ36が形成される。以上のように、本実施形態の固体撮像装置81は、半導体基板2に対して、積層配線層82が設けられる表面2a側に、カラーフィルタ層35およびマイクロレンズ36が設けられる。つまり、固体撮像装置81においては、積層配線層82とカラーフィルタ層35とは、半導体基板2に対して互いに同じ板面側に設けられており、半導体基板2に対して光が入射する表面2a側に、積層配線層82が設けられる。以上のような表面照射型の固体撮像装置81において、絶縁膜84上に形成される積層配線層82内における画素間境界部分に、画素間遮光部としての画素間遮光膜90が設けられている。画素間遮光膜90は、上述した実施形態の固体撮像装置が備える画素間遮光膜40と同様に、絶縁膜84上において、互いに隣接する画素5間の境界線に沿って形成される遮光膜である。つまり、画素間遮光膜90は、平面視において、略正方形状を有する画素5に対して、その略正方形状の辺に沿うように、所定の線幅を有する線状の層部分として形成される。以上のように、本実施形態の固体撮像装置81は、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間にて、画素間境界部分に設けられる画素間遮光部として、画素間遮光膜90を備える。具体的には、固体撮像装置81は、半導体基板2の表面2a側とカラーフィルタ層35との間に設けられる絶縁膜84上に、画素間遮光膜90を有する。画素間遮光膜90は、上述した実施形態の固体撮像装置が備える画素間遮光膜40と同様に、クリアビット配列において、異色画素間の境界部分に偏在するように設けられる。画素間遮光膜90の詳細な構成については、上述した実施形態の画素間遮光膜40と同様であるため、説明を省略する。本実施形態の固体撮像装置81によれば、上述した実施形態において画素間遮光膜40を備えることにより得られる効果に加え、半導体基板2の受光面となる表面2aに極めて近い位置の画素境界部分に画素間遮光膜90が存在することから、異色画素間において、各マイクロレンズ36により集光しきれずに隣の画素5に向かう斜め光が遮光され、光学的な混色を効果的に低減することができる。なお、本実施形態の固体撮像装置81においては、第2実施形態のように周辺回路領域4において遮光膜を備える構成や、第3実施形態のように画素間遮光膜90が半導体基板2のグランド領域に接続される構成や、第4実施形態のように透明電極を備える構成等を適宜組み合わせることができる。これにより、各構成を備える固体撮像装置による効果を得ることができる。[第6実施形態]本開示の第6実施形態について説明する。本実施形態の固体撮像装置101は、第5実施形態と同様に表面照射型のCMOS固体撮像装置であり、第5実施形態の固体撮像装置81が備える画素間遮光膜90の代わりに、あるいは画素間遮光膜90に加えて、半導体基板2の表面2a側に設けられる積層配線層を構成する配線を、画素間遮光部として用いる。図12に示すように、本実施形態の固体撮像装置101は、半導体基板2の表面2a側に、平坦化膜83および絶縁膜84を介して、積層配線層102を有する。積層配線層102は、層間絶縁膜103を介して積層される複数の配線104を有する。層間絶縁膜103は、例えば、二酸化ケイ素SiO2により形成されるシリコン酸化膜により構成される。複数の配線104は、例えば異なる金属により形成され、層間に形成されるプラグ等を介して互いに接続される。そして、本実施形態の固体撮像装置101は、積層配線層102を構成する複数の配線104のうち、最上層、つまり光の入射側に最も近い層の配線以下最上層配線という。104Aを、画素間遮光部として用いる。図12に示す例では、固体撮像装置101は、第5実施形態の固体撮像装置81との比較において、画素間遮光部として、画素間遮光膜90図11参照の代わりに、つまり画素間遮光膜90を備えずに、最上層配線104Aを備える。最上層配線104Aは、上述した実施形態の固体撮像装置が備える画素間遮光膜40等と同様に、クリアビット配列において、異色画素間の境界部分に偏在するように設けられる。最上層配線104Aの具体的なレイアウトの例を、図13および図14に示す。なお、図13および図14においては、便宜上、なお、図13および図14においては、便宜上、半導体基板2とカラーフィルタ層35との間に設けられる積層配線層102内に存在する最上層配線104Aを、画素配列における画素5間の境界線に沿う太線で示している。図13は、第3実施形態の固体撮像装置61において異色画素間の境界部分に設けられる画素間遮光膜40、および同色画素間の境界部分に設けられる第2接続用遮光膜64のレイアウト図8参照と同様のレイアウトで、最上層配線104Aが設けられる場合を示している。すなわち、図13に示す例では、クリアビット配列において、最上層配線104Aは、平面視で、R画素およびB画素それぞれの4辺を囲む第1配線部分104Aaと、これらの第1配線部分104Aa同士を接続する第2配線部分104Abとを有する。図13に示す例では、第2配線部分104Abは、第1の方向矢印A1参照に沿う複数色画素列42において、R画素またはB画素ごとに第2の方向矢印A2参照について交互に配置され、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む第1配線部分104Aa同士を接続する。つまり、第2配線部分104Abは、第1の方向に沿う複数色画素列42において、第1の方向における所定の向き例えば図13において右斜め上向きに向かって、1つのG画素を介するR画素からB画素までの間では、第2の方向についての一側の画素間境界部分に設けられ、1つのG画素を介するB画素からR画素までの間では、第2の方向についての他側の画素間境界部分に設けられ、第2の方向についてB画素とR画素との間ごとに交互に配置されている。図14は、図13と同様に、第3実施形態の固体撮像装置61における画素間遮光膜40および第2接続用遮光膜64のレイアウトの他の例図9参照と同様のレイアウトで、最上層配線104Aが設けられる場合を示している。すなわち、図14に示す例では、クリアビット配列において、最上層配線104Aは、平面視で、R画素およびB画素それぞれの4辺を囲む第1配線部分104Aaと、これらの第1配線部分104Aa同士を接続する第2配線部分104Acとを有する。図14に示す例では、第2配線部分104Acは、第1の方向矢印A1参照に沿う複数色画素列42において、R画素またはB画素ごとに第2の方向矢印A2参照について同じ側に配置され、R画素およびB画素のそれぞれの4辺を囲む第1の配線部分104Aa同士を接続する。つまり、図14に示す例では、第2配線部分104Acは、第1の方向に沿う複数色画素列42において、第1の方向に沿って、第2の方向についての同じ側の画素間境界部分に設けられている。図14に示す例では、第2配線部分104Acは、第2の方向についての同じ側の画素間境界部分として、第1の方向に沿う複数色画素列42のG画素の右斜め下側の辺に対応する画素間境界部分に設けられているが、それとは反対側、つまり第1の方向に沿う複数色画素列42のG画素の左斜め上側の辺に対応する画素間境界部分に設けられてもよい。本実施形態の固体撮像装置101によれば、第1実施形態の固体撮像装置1と同様に、光学的な混色やMgフレアを抑制することができるとともに、感度を向上させることができる。本実施形態の固体撮像装置101においては、最上層配線104Aは、上述したようなクリアビット配列において、異色画素の組み合わせにおける画素間境界部分、つまり異色画素間の境界部分に偏在するように設けられる。同色画素間よりも異色画素間に最上層配線104Aを偏在させることは、異色画素間では、最上層配線104Aによる光学的な混色の抑制を優先し、同色画素間では、最上層配線104Aが存在しないことによる感度の向上を優先するという観点に基づく。また、異色画素間においては最上層配線104Aによって光学的な混色が抑制されることから、光学的な混色が原因で信号処理の過程で生じるMgフレアを抑制することができる。本実施形態の固体撮像装置101による感度の向上についてさらに説明する。例えば、積層配線層102を構成する最上層配線104Aが、電源を取るだけの目的で設けられる場合等においては、図15に示すように、最上層配線104Aは、画素間境界部分を這うように引き回され、全ての画素間境界部分に設けられる。図15に示すように最上層配線104Aが全ての画素間境界部分に設けられる場合、画素5のフォトダイオード21が本来感知すべき光の一部が積層配線層102の最上層配線104Aによって遮光される、いわゆる光学的なケラレが、全ての画素間境界部分で生じる可能性がある。この点、本実施形態の固体撮像装置101によれば、最上層配線104Aの配置が、同色画素間の境界部分の一部で省略されることから、その分、画素間境界部分に最上層配線104Aが存在することで遮光される光が、フォトダイオード21に到達する。これにより、感度が向上する。なお、固体撮像装置101が備える最上層配線104Aのレイアウトは、上述した例に特に限定されるものではない。最上層配線104Aは、同色画素間の境界部分の配線面積が異色画素間の境界部分よりも小さくなるように、同色画素間の境界部分に対して、異色画素間の境界部分の方に偏在するように設けられれば良い。また、本実施形態の固体撮像装置101では、積層配線層102を構成する複数の配線104のうち、最上層配線104Aが画素間遮光部として用いられているが、最上層配線104A以外の層の配線104が画素間遮光部として用いられてもよい。また、本実施形態の固体撮像装置101では、半導体基板2の一方の板面側に設けられる配線層は、複数の配線を有する積層配線層102であるが、これに限定されず、単層構造の配線層であってもよい。この場合、単層の配線が、画素間遮光部として用いられる。[信号処理の補正]図13および図14に示すように、クリアビット配列において、異色画素間の境界部分に偏在するように最上層配線104Aが設けられる構成においては、平面視で矩形状となる各画素5の4辺に対する最上層配線104Aの存在の態様により、画素5間で感度の差が生じる。そこで、本実施形態の固体撮像装置101においても、上述したような信号処理の補正が行われることが好ましい。図13に示す場合を例に説明する。図13に示すようなクリアビット配列における最上層配線104Aのレイアウトの場合、G画素について、平面視で4辺のうち1辺に対応する画素間境界部分にしか最上層配線104Aが存在しないG画素以下第3G画素という。5Gcと、平面視で4辺のうち3辺に対応する画素間境界部分に最上層配線104Aが存在するG画素以下第4G画素という。5Gdとが存在する。つまり、第3G画素5Gcの周縁には、1箇所の画素間境界部分に最上層配線104Aが存在し、第4G画素5Gdの周縁には、3箇所の画素間境界部分に最上層配線104Aが存在する。このような第3G画素5Gcと第4G画素5Gdとでは、各画素5の周縁における最上層配線104Aの存在の態様により、感度の差が生じる。つまり、最上層配線104Aによる遮光作用により、同じG画素であっても、周囲の画素間境界部分に存在する最上層配線104Aの有無により、画素5のフォトダイオード21により受光される光の量が異なり、感度差が生じる。このように、第3G画素5Gcと第4G画素5Gdとの間における感度差は、各画素5Gc,5Gdの周囲に存在する画素5との間の画素間境界部分における最上層配線104Aの量の差に起因して複数の画素5の間で生じる。ここで、最上層配線104Aの量とは、各画素5の周囲において最上層配線104Aが設けられる箇所数画素5の平面視での矩形形状において4辺のうち最上層配線104Aが設けられる辺の数等、各画素間境界部分に設けられる最上層配線104Aの長さや線幅の寸法、つまり最上層配線104Aの面積等、画素5間において感度差を生じさせる、最上層配線104Aのあらゆる量的な要素を含む概念である。そこで、本実施形態の固体撮像装置101では、周辺回路領域4に設けられるカラム信号処理回路7における信号処理の過程で、各画素5からの出力信号の出力値について、上述のような第3G画素5Gcと第4G画素5Gdとの間の感度差の大きさに基づく感度差補正が行われる。感度差補正は、具体的には次のようにして行われる。本実施形態では、例えば、平面視で4辺のうち3辺に対応する画素間境界部分に最上層配線104Aが存在する第4G画素5Gdの方が、平面視で4辺のうち1辺に対応する画素間境界部分に最上層配線104Aが存在する第3G画素5Gcに対して感度が低い。ここでは、第3G画素5Gcの感度S3に対する第4G画素5Gdの感度S4<S3の感度差をα1=S3-S4とする。このように、第3G画素5Gcと第4G画素5Gdとの間に感度差α1が存在する場合、その感度差α1の値に応じて、カラム信号処理回路7による各画素5から出力される信号の処理において、画素5ごとに信号のゲインを変えることで、感度が低い方の第4G画素5Gdのゲインを上げる補正が行われる。この場合において、感度差補正は、次式3に基づいて行われる。β1=γ1×100α1/1003ここで、β1は補正値、γ1は第4G画素5Gdからの出力信号の出力値である。したがって、例えば、第3G画素5Gcの感度S3=90で、第4G画素5Gdの感度S4=80である場合、α1=10となる。この場合、上記式3によれば、第4G画素5Gdの出力値γ1に対して、1.1の値が乗算された値が、補正値β1として算出される。また、上述した感度差補正の例では、第3G画素5Gcおよび第4G画素5Gdのうち、感度が低い方の第4G画素5Gdのゲインを上げる補正を行う場合について説明したが、感度が高い方の第3G画素5Gcのゲインを下げる補正を行ってもよい。この場合において、感度差補正は、次式4に基づいて行われる。β1=η1×100-α1/1004ここで、β1は補正値、η1は第3G画素5Gcからの出力信号の出力値である。したがって、例えば、第3G画素5Gcの感度S1=90で、第4G画素5Gdの感度S4=80である場合、α1=10となる。この場合、上記式4によれば、第3G画素5Gcの出力値η1に対して、0.9の値が乗算された値が、補正値β1として算出される。以上のように、本実施形態の固体撮像装置101においては、カラム信号処理回路7は、各画素5からの出力信号の出力値γ1,η1を、各画素5の周囲に存在する画素間境界部分における最上層配線104Aの量の差に起因して複数の画素5の間で生じる感度差の大きさα1に基づいて補正する。このように、本実施形態の固体撮像装置101において感度差補正が行われることにより、光学的な混色およびMgフレアを抑制して感度の向上を図りつつ、複数の画素間境界部分において最上層配線104Aが不均一に存在することにより複数の画素5間で生じる感度差を是正することができる。これにより、良好な感度特性を得ることができる。[電子機器の構成例]上述した実施形態に係る固体撮像装置は、例えば、いわゆるデジタルカメラと称されるデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、撮像機能を有する携帯電話器その他の機器等、各種の電子機器に適用される。以下では、上述した実施形態に係る固体撮像装置を備える電子機器の一例であるビデオカメラ200について、図16を用いて説明する。ビデオカメラ200は、静止画像または動画の撮影を行うものである。ビデオカメラ200は、上述した実施形態に係る固体撮像装置201と、光学系202と、シャッタ装置203と、駆動回路204と、信号処理回路205とを備える。光学系202は、例えば一または複数の光学レンズを有する光学レンズ系として構成されるものであり、固体撮像装置201の受光センサ部に入射光を導く。光学系202は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置201の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置201内に、一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置203は、固体撮像装置201に照射される光の照射時間および遮光時間を画素5ごとに制御するための構成である。駆動回路204は、固体撮像装置201を駆動させる。駆動回路204は、固体撮像装置201を所定のタイミングで駆動させるための駆動信号タイミング信号を生成し、固体撮像装置201に供給する。駆動回路204から固体撮像装置201に供給される駆動信号により、固体撮像装置201の信号電極の転送動作等が制御される。つまり、固体撮像装置201は、駆動回路204から供給される駆動信号により、信号電荷の転送動作等を行う。駆動回路204は、固体撮像装置201を駆動するための駆動信号として各種のパルス信号を生成する機能と、生成したパルス信号を、固体撮像装置201を駆動するためのドライブパルスに変換するドライバとしての機能とを有する。駆動回路204は、シャッタ装置203の動作を制御するための駆動信号の生成供給も行う。信号処理回路205は、各種の信号処理を行う機能を有し、固体撮像装置201の出力信号を処理する。信号処理回路205は、入力された信号を処理することで、映像信号を出力する。信号処理回路205から出力された映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力されたりする。なお、ビデオカメラ200は、駆動回路204等に電源を供給するバッテリ等の電源部、撮像により生成した映像信号等を記憶する記憶部、装置全体を制御する制御部等を有する。以上のような構成を備えるビデオカメラ200においては、駆動回路204が、固体撮像装置201を駆動するための駆動信号を生成する駆動装置として機能する。そして、本実施形態の固体撮像装置201を備えるビデオカメラ200によれば、光学的な混色やMgフレアを抑制することができるとともに、感度を向上させることができる。[感度差の補正]ビデオカメラ200においては、シャッタ装置203によるシャッタ時間を画素5ごとに変えることにより、上述したような、平面視で矩形状となる各画素5の4辺に対する画素間遮光膜40や最上層配線104A等の存在の態様によって生じる感度差を補正することができる。シャッタ時間を画素5ごとに変えることによる感度差の補正以下シャッタ時間による感度差補正という。は、上述したような感度差補正と同様の手法により行われる。シャッタ時間による感度差補正について説明する。なお、シャッタ時間による感度差補正は、平面視で矩形状となる各画素5の4辺に対する画素間遮光膜40、画素間遮光膜90、または最上層配線104Aの存在の態様によって生じる感度差について同様に行われるため、ここでは、画素間遮光膜40の場合を例に説明する。また、シャッタ時間による感度差補正の対象となる、感度差を有する画素5として、感度が相対的に高い所定の画素5を高感度画素とし、感度が相対的に低い所定の画素5を低感度画素とする。シャッタ時間による感度差補正において、高感度画素の感度S5に対する低感度画素の感度S6<S5の感度差をα2=S5-S6とする。このように、高感度画素と低感度画素との間に感度差α2が存在する場合、その感度差α2の値に応じて、シャッタ装置203によるシャッタ時間、つまり固体撮像装置201に照射される光の照射時間または遮光時間を画素5ごとに変えることで、感度が低い方の低感度画素のゲインを上げる補正が行われる。この場合において、シャッタ時間による感度差補正は、次式5に基づいて行われる。β2=γ2×100α2/1005ここで、β2は補正値、γ2は低感度画素からの出力信号の出力値である。したがって、例えば、高感度画素の感度S5=100で、低感度画素の感度S6=90である場合、α2=10となる。この場合、上記式5によれば、低感度画素の出力値γ2に対して、1.1の値が乗算された値が補正値β2となる。この場合、上記式5を満たすように、シャッタ装置203のシャッタ時間が制御される。シャッタ時間による感度差補正において、感度が低い方の低感度画素のゲインを上げる場合、感度が低い方の低感度画素についての光の照射時間を感度が高い方の高感度画素に対して長くすること、あるいは低感度画素についての遮光時間を高感度画素に対して短くすることが行われる。また、上述したシャッタ時間による感度差補正の例では、高感度画素および低感度画素のうち、感度が低い方の低感度画素のゲインを上げる補正を行う場合について説明したが、感度が高い方の高感度画素のゲインを下げる補正を行ってもよい。この場合において、シャッタ時間による感度差補正は、次式6に基づいて行われる。β2=η2×100-α2/1006ここで、β2は補正値、η2は高感度画素からの出力信号の出力値である。したがって、例えば、高感度画素の感度S5=100で、低感度画素の感度S6=90である場合、α2=10となる。この場合、上記式6によれば、高感度画素の出力値η2に対して、0.9の値が乗算された値が補正値β2となる。この場合、上記式6を満たすように、シャッタ装置203のシャッタ時間が制御される。シャッタ時間による感度差補正において、感度が高い方の高感度画素のゲインを下げる場合、感度が高い方の高感度画素についての光の照射時間を感度が低い方の低感度画素に対して短くすること、あるいは高感度画素についての遮光時間を低感度画素に対して長くすることが行われる。以上のようなシャッタ時間による感度差補正は、ビデオカメラ200において、シャッタ装置203の動作を制御する駆動回路204により行われる。すなわち、ビデオカメラ200においては、駆動回路204は、各画素5からの出力信号の出力値を、シャッタ装置203による光の照射時間および遮光時間の少なくともいずれか一方を制御することにより、各画素5の周囲に存在する画素間境界部分における画素間遮光部としての画素間遮光膜40の量の差に起因して複数の画素5の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する。このように、本実施形態のビデオカメラ200においてシャッタ時間による感度差補正が行われることにより、光学的な混色およびMgフレアを抑制して感度の向上を図りつつ、複数の画素間境界部分において画素間遮光膜40が不均一に存在することにより複数の画素5間で生じる感度差を是正することができる。これにより、良好な感度特性を得ることができる。[本技術の適用例]以上説明した実施形態では、固体撮像装置が備える画素配列として、クリアビット配列を例に説明したが、本技術は、クリアビット配列の他、異色画素間および同色画素間を有する画素配列であれば適用可能である。異色画素間および同色画素間を有する画素配列としては、以下に示すような画素配列がある。なお、以下に示す画素配列の例では、画素間遮光部のレイアウトとして、異色画素間および同色画素間のうち、異色画素間の境界部分のみに、画素間遮光部としての画素間遮光膜40が設けられる場合を示す。ただし、画素間遮光部としては、表面照射型の固体撮像装置における画素間遮光膜90または最上層配線104Aが、画素間遮光膜40と同様に適用可能である。図17は、複数の画素が行列状に配置される正方格子配列の画素配列の例を示す。図17aは、G画素のみからなる画素列301と、R画素およびB画素からなる画素列302とが交互に配置される画素配列である。図17aに示す画素配列においては、R画素同士およびB画素同士は、それぞれ同じ行に位置する。つまり、R画素およびB画素からなる画素列302は、いずれもR画素およびB画素を、それぞれ同じ行に位置させる。したがって、図17aに示す画素配列では、行方向についてみると、G画素とR画素が交互に配置される行と、G画素とB画素とが交互に配置される行とが、交互に配置される。図17aに示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、画素列302を構成するR画素とB画素との隣接画素間と、行方向に隣接する画素列301のG画素と画素列302のR画素またはB画素との隣接画素間とが存在する。また、同色画素間としては、画素列301を構成するG画素同士の隣接画素間が存在する。図17bは、G画素のみからなる画素列303と、R画素およびB画素からなる画素列304とが交互に配置される画素配列である。図17bに示す画素配列においては、G画素のみからなる画素列303を介して配置される画素列304は、行方向について、R画素とB画素とを交互に配置させる。したがって、図17bに示す画素配列では、行方向について、G画素のみからなる画素列303の一側図17bにおいて左側に位置する画素列304aにおける配列と、同じく画素列303の他側同図において右側に位置する304bにおける配列とは、R画素とB画素とが互い違いになっている。図17bに示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、画素列304を構成するR画素とB画素との隣接画素間と、行方向に隣接する画素列303のG画素と画素列304のR画素またはB画素との隣接画素間とが存在する。また、同色画素間としては、画素列303を構成するG画素同士の隣接画素間が存在する。図17cは、G画素のみからなる画素列305と、R画素のみからなる画素列306と、B画素のみからなる画素列307とが順に交互に配置されるストライプ状の画素配列である。図17cに示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、行方向に隣接するG画素とR画素との隣接画素間、R画素とB画素との隣接画素間、および、B画素とG画素との隣接画素間が存在する。また、同色画素間としては、各画素列305,306,307を構成するG画素同士、R画素同士、B画素同士の隣接画素間が存在する。図17dは、黄Yの画素5以下Y画素という。のみからなる画素列308と、G画素のみからなる画素列309と、シアンCの画素5以下C画素という。のみからなる画素列310とが順に交互に配置されるストライプ状の画素配列である。なお、図17dでは、各画素5の色について、黄をY、シアンをCで表している。図17dに示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、行方向に隣接するY画素とG画素との隣接画素間、G画素とC画素との隣接画素間、および、C画素とY画素との隣接画素間が存在する。また、同色画素間としては、各画素列308,309,310を構成するY画素同士、G画素同士、C画素同士の隣接画素間が存在する。図18は、平面視における画素の形状、詳細にはカラーフィルタの形状として、正8角形状のG画素と、この正8角形状の各辺の長さを1辺の長さとする正方形状のR画素およびB画素とを有する画素配列である。図18に示す例では、行方向および列方向の各方向について、正8角形状のG画素と、正方形状のR画素またはB画素とが、交互に配置されている。図18に示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、行方向および列方向に隣接するG画素とR画素またはB画素との隣接画素間が存在する。また、同色画素間としては、斜め方向に隣接するG画素同士の隣接画素間が存在する。図19は、複数の正6角形状の画素からなる、いわゆるハニカム状の画素配列である。図19に示す画素配列においては、G画素のみからなる画素列311と、R画素およびB画素からなる画素列312とが、列方向図19における上下方向に1/2ピッチずれた状態で交互に配置されている。また、図19に示す画素配列においては、G画素のみからなる画素列311を介して配置される画素列312は、行方向図19において左右方向について、R画素とB画素とを交互に配置させる。したがって、図19に示す画素配列では、行方向について、G画素のみからなる画素列311の一側図19において左側に位置する画素列312aにおける配列と、同じく画素列311の他側同図において右側に位置する312bにおける配列とは、R画素とB画素とが互い違いになっている。図19に示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、画素列312を構成するR画素とB画素との隣接画素間と、斜め方向に隣接するG画素とR画素またはB画素との隣接画素間が存在する。また、同色画素間としては、画素列311を構成するG画素同士の隣接画素間が存在する。図20は、複数の正8角形状の画素が、行方向図20において左右方向および列方向同図において上下方向の各方向について互い違いに配置された画素配列であり、いわゆるホワイト画素である白Wの画素以下W画素という。を含む画素配列である。図20に示す画素配列では、行方向および列方向の各方向について、W画素とG画素とが交互に配置された画素列と、R画素とB画素とがW画素を介して交互に配置された画素列とが、交互に配置されている。なお、図20では、画素5の色について、白をWで表している。図20に示す画素配列においては、画素間遮光膜40が設けられる異色画素間として、斜め方向に隣接するW画素とR画素、W画素とG画素、W画素とB画素、R画素とG画素、G画素とB画素の隣接画素間が存在する。また、同色画素間としては、斜め方向に隣接するW画素同士の隣接画素間が存在する。以上のような各画素配列において、本技術を適用することができる。ただし、本技術は、図17から図20に示す画素配列に限定されず、異色画素間および同色画素間を有する画素配列であれば適用可能である。また、上述した実施形態では、CMOS固体撮像装置を例に説明したが、本技術は、CCDChargeCoupledDevice型の固体撮像装置はもちろんのこと、画素配列として同色画素間および異色画素間を有する固体撮像装置において広く適用することができる。なお、本技術は、以下のような構成を取ることができる。1半導体基板に設けられ、光電変換機能を有する光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域と、前記半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、前記画素領域に配列される複数の前記画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する前記画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の前記画素は、前記カラーフィルタの色により、互いに隣接する前記画素として、前記カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、および前記カラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、前記画素間遮光部は、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する、固体撮像装置。2前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに異なる板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、遮光膜である、前記1に記載の固体撮像装置。3前記画素領域の周囲に設けられる周辺回路領域と、前記半導体基板と前記カラーフィルタ層との間にて、前記周辺回路領域に設けられ、前記遮光膜と同じ層の周辺遮光膜と、をさらに備える、前記2に記載の固体撮像装置。4前記遮光膜は、前記同色画素の組み合わせにおける前記境界部分に存在せず、前記異色画素の組み合わせにおける前記境界部分にのみ存在する、前記2または3に記載の固体撮像装置。5前記遮光膜は、固定電位に接続されている、前記2~4のいずれか1つに記載の固体撮像装置。6複数の前記画素における前記境界部分に存在する複数の前記遮光膜は、透明電極により互いに電気的に接続されている、前記2~5のいずれか1つに記載の固体撮像装置。7前記配線層と前記カラーフィルタ層とは、前記半導体基板に対して互いに同じ板面側に設けられており、前記画素間遮光部は、前記配線層を構成する配線である、前記1に記載の固体撮像装置。8前記各画素からの出力信号の処理を行う信号処理回路をさらに備え、前記信号処理回路は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する、前記1~7のいずれか1つに記載の固体撮像装置。9前記1~8のいずれか1つに記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動装置と、を備える、電子機器。10前記1~7のいずれか1つに記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動装置と、前記固体撮像装置に照射される光の照射時間および遮光時間を前記画素ごとに制御するためのシャッタ装置と、を備え、前記駆動装置は、前記各画素からの出力信号の出力値を、前記照射時間および前記遮光時間の少なくともいずれか一方を制御することにより、前記各画素の周囲に存在する前記境界部分における前記画素間遮光部の量の差に起因して複数の前記画素の間で生じる感度差の大きさに基づいて補正する、電子機器。"