"半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を外部に導波する光ファイバと、前記半導体レーザ素子および該半導体レーザ素子と前記光ファイバとの光結合を行う光結合部の少なくとも一部を上部に載置するベースと、該ベースの下部に設けられた熱伝導率が高い材質で構成される底板を有するとともに前記半導体レーザ素子が発生する熱を放出する放熱部と、前記放熱部に組み合わされ、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを収容する樹脂製のパッケージと、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを含む領域と前記パッケージとの間に設けて前記領域を覆い、前記底板に熱的に接続され、かつ前記半導体レーザ素子のレーザ光を反射および吸収可能な金属からなる遮蔽部と、を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。前記遮蔽部は、前記パッケージの内壁面に形成された遮蔽膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。前記遮蔽部は、前記パッケージの内壁面と離間して設けられた遮蔽板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。前記放熱部は、前記ベースと前記底板との間に配置され前記半導体レーザ素子を冷却する電子冷却装置を備えたことを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。前記光結合部は、前記光ファイバの先端に形成されたファイバレンズであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。前記光結合部は、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間に配置された1以上のディスクリートレンズを有し、前記遮蔽部は、1以上のディスクリートレンズのうちの前記半導体レーザ素子に最も近いディスクリートレンズを少なくとも覆うことを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を外部に導波する光ファイバと、前記半導体レーザ素子および該半導体レーザ素子と前記光ファイバとの光結合を行う光結合部の少なくとも一部を上部に載置するとともに前記半導体レーザ素子が発生する熱を放出する放熱部と、前記放熱部に組み合わされるパッケージ周壁と蓋とを備え、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを収容する樹脂製のパッケージと、前記半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合ロスに起因する光を遮蔽もしくは吸収するとともに、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを含む領域を覆うように、前記パッケージ周壁の内壁面と、前記蓋の内壁面とに形成されると共に、それぞれ互いに接触するように設けられ、前記放熱部に熱的に接続される金属膜でなる遮蔽部と、を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。前記放熱部は、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを上部に載置するベースと、該ベースの下部に設けられた底板とを有し、前記遮蔽部は、前記底板に熱的に接触していることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザモジュール。前記放熱部は、前記ベースと前記底板との間に配置され前記半導体レーザ素子を冷却する電子冷却装置を備えたことを特徴とする請求項8に記載の半導体レーザモジュール。前記光結合部は、前記光ファイバの先端に形成されたファイバレンズであることを特徴とする請求項7~9のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。前記光結合部は、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間に配置された1以上のディスクリートレンズを有し、前記遮蔽部は、1以上のディスクリートレンズのうちの前記半導体レーザ素子に最も近いディスクリートレンズを少なくとも覆うことを特徴とする請求項7~10のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。前記金属膜は、金属箔の圧着またはメッキによって形成されたものであることを特徴とする請求項7~11のいずれか一つに記載の半導体レーザモジュール。ところで、半導体レーザ素子からの光を光ファイバに結合しようとする場合、必ず結合ロスが発生する。光ファイバに結合しなかった光は、パッケージ内部に放射され、最終的にはパッケージ周壁や蓋、底板に吸収される。上述した特許文献1に記載された従来の半導体レーザモジュールの場合、樹脂は、金属やセラミックに比べて、近赤外、赤外領域の波長の光を吸収しやすいため、パッケージ全体の温度が上昇する。特に、レーザ加工の分野や医療分野で使用される半導体レーザは、高出力であり、光ファイバへの結合効率がたとえば80で、ファイバ端光出力5Wを得ようとするとパッケージ内部に1.2W程度の光が放出されていることになる。ここで、パッケージの樹脂部分部が1.2Wの光を吸収するとパッケージ全体は、100°C程度まで温度が上昇する。通常、半導体レーザモジュールを使用した装置では、半導体レーザモジュールを複数台使用し、多いときは数十台の半導体レーザモジュールを使用する。ここで、各半導体レーザモジュールの温度が100°C程度にまで上昇してしまうと、装置内部の温度も非常に高くなり、IC等の他の電子部品を誤作動させ、あるいは劣化させるといった悪影響をおよぼすことになるとともに、装置内部で発生した熱を排出するために、装置に特別な放熱設計を施す必要が生じ、あるいは、放熱のために装置全体の消費電力が大きくなるという問題点があった。さらに、今後、半導体レーザモジュールの更なる高出力化の進展にともなって、パッケージ全体の温度上昇もさらに大きくなり、パッケージに取り付けられているファイバの被覆の溶融ないし発火、さらにはパッケージ自体の変形、溶融を引き起こす可能性もある。さらに、放熱のために半導体レーザモジュールと外部のヒートシンクとの間に塗布されたグリスの特性劣化をも引き起こすという問題もある。この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、コスト低減を図りつつ、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合ロスに起因して発生する熱の放熱性を高めることができる半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を外部に導波する光ファイバと、前記半導体レーザ素子および該半導体レーザ素子と前記光ファイバとの光結合を行う光結合部の少なくとも一部を上部に載置するとともに前記半導体レーザ素子が発生する熱を放出する放熱部と、前記放熱部に組み合わされ、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを収容する樹脂製のパッケージと、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを含む領域と前記パッケージとの間に設けて前記領域を覆い、前記放熱部に熱的に接続される遮蔽部と、を備えたことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記遮蔽部は、前記パッケージの内壁面に形成された遮蔽膜であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記遮蔽部は、前記パッケージの内壁面と離間して設けられた遮蔽板であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記放熱部は、前記半導体レーザ素子と前記光結合部の少なくとも一部とを上部に載置するベースと、該ベースの下部に設けられた底板とを有し、前記遮蔽部は、前記ベースに固定されることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記放熱部は、前記ベースと前記底板との間に配置され前記半導体レーザ素子を冷却する電子冷却装置を備えたことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記光結合部は、前記光ファイバの先端に形成されたファイバレンズであることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体レーザモジュールは、上記の発明において、前記光結合部は、前記半導体レーザ素子と前記光ファイバとの間に配置された1以上のディスクリートレンズを有し、前記遮蔽部は、1以上のディスクリートレンズのうちの前記半導体レーザ素子に最も近いディスクリートレンズを少なくとも覆うことを特徴とする。この発明にかかる半導体レーザモジュールは、遮蔽部が、半導体レーザ素子と光結合部の少なくとも一部とを含む領域と、樹脂製のパッケージとの間に設けて前記領域を覆い、放熱部に熱的に接続され、半導体レーザ素子から光ファイバの先端部に光結合することなく、パッケージ内に放射されたレーザ光が遮蔽部で囲まれた空間内に閉じ込められ、この遮蔽部で吸収されることによって発生した熱が放熱部に流れるようにしているので、コスト低減を図りつつ、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合ロスに起因して発生する熱の放熱性を高めることができる。以下、この発明を実施するための最良の形態である半導体レーザモジュールについて、図面を参照して説明する。実施の形態1図1は、この発明の実施の形態である半導体レーザモジュールの構成を模式的に示す縦断面図であり、図2は、図1に示した半導体レーザモジュールのA-A線断面図である。図1および図2において、この半導体レーザモジュール1は、半導体レーザ2、先端部分3aが楔加工されたレンズドファイバ3、底板4、パッケージ周壁55a~5d、蓋6、ベース7、レンズドファイバ3の先端部近傍に取り付けられたフェルール8、ベース7にフェルール8を固定するための固定部材9、ヒートシンク10、リード1111a,11b、接着剤12、パッケージ周壁5の内壁に設けられた金属膜1313a~13d、蓋4の内壁に設けられた金属膜14を有する。半導体レーザ2は、GaAs系の半導体レーザであり、発光部の厚みが3.0μm、幅が100μm、発振波長が915~980nmの横マルチモードレーザーダイオードである。また、半導体レーザ2の垂直方向のファーフィールドパターンは、半値幅で約33°であり、水平方向のファーフィールドパターンは約10°である。また、半導体レーザ素子2は、駆動電流7Aのときに、その前端面から6Wの光を出力する。レンズドファイバ3の先端部分3aは、図3に示すように、コア径R1=105μm、クラッド径R2=125μm、NA=0.15もしくはNA=0.22のマルチモードファイバの先端を楔加工したものである。この先端形状は、開き角が110°、球面状に研磨された先端の曲率半径R=7μmである。このような先端部分3aを形成することによって、半導体レーザ2から発するレーザ光を効率よく結合することができる。レンズドファイバ3は、フェルール8によって固定され、このフェルール8は、固定部材9に半田AuSnで固定され、この固定部材9は、ベース7にYAG溶接による固定される。半導体レーザ素子2からレンズドファイバ3への光結合効率は、80~85程度であって、レンズドファイバ3に光結合しない光が1W程度ある。底板4、パッケージ周壁5、および蓋6は、パッケージを構成する。このパッケージ内には不活性ガスなどが密封される。底板4は、熱伝導率が高い材質で構成され、具体的には、銅Cu、タングステンW、モリブデンMo、アルミニウムAl、CuW、CuMo等の金属の他、ダイヤモンドDia、窒化アルミAlN、シリコンカーバイトSiC、酸化ベリリウムBeOや、これらを合金化したDia-Cu、Cu-SiC、Al-SiC等によって実現される。底板4の周辺には樹脂からなる周壁5が取り付けられている。このパッケージ周壁5を形成する樹脂材料としては、たとえば、ICの封止に用いられるエポキシ系の熱硬化性樹脂や、フェノール系の熱硬化性樹脂、ジアリル系の熱硬化性樹脂等の熱硬化性樹脂がある。そのほか、アクリロニトリルブタジエンスチレンABSや、液晶ポリマーLCP、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリエーテルイミドPEI、ポリフェニルサルファイドPPS、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリフェニレンエーテルPPE、ポリカーボネイトPC等の熱可塑性樹脂等を用いることができる。さらに、エンジニアプラスチックを用いても良い。また、上述した熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等の樹脂に、ガラスフィラーやガラスビーズを混入させてもよい。その混入割合を適宜に選択することによって、周壁5の熱膨張係数を調整することができる。パッケージのうち、蓋6を除いた、底板4およびパッケージ周壁5は、射出成形技術によって一体成形される。この際、底板4とパッケージ周壁5との結合部16は、底板4の外周に凸部もしくは凹部を設け、この凸部もしくは凹部がパッケージ周壁5の樹脂に埋設されるように射出成形することが望ましく、これによって結合部16の強度を向上させることができる。また、底板4およびパッケージ周壁5を一体成形する際に、半導体レーザ2などに電力を供給するためのリード11を同時に一体成形する。リード11には、一体成型後、パッケージ周壁5から抜けないように凸部11cが設けられる。この場合、パッケージ周壁5に用いる樹脂は、絶縁性材料のものを選択する。底板4の上部には、ベース7、ヒートシンク10、半導体レーザ2が各界面を半田AuSnで接合して設置されている。ベース7およびヒートシンク10は、銅Cu、タングステンW、モリブデンMo、アルミニウムAl、CuW、CuMo等の金属のほか、ダイヤモンドDia、窒化アルミAlN、シリコンカーバイトSiC、酸化ベリリウムBeO、Dia-Cu、Cu-SiC、Al-SiC等、熱伝導率が高い材質が用いられる。また、ベース7の上面には、上述したように、レンズドファイバ3の先端部を保持したフェルール8が、固定部材9を介して固定されている。固定部材9は、半田やYAG溶接によって、ベース7に固定される。レンズドファイバ3は、先端部分3aの楔加工部をフェルール8の端部から突出させた状態で、半田や接着剤によってフェルール8に固定され、半導体レーザ2から放出される光が先端部分3aの楔形レンズを介して入射する光量が最大となる位置で、フェルール8が固定部材9に半田やYAG溶接によって固定されている。フェルール8や固定部材9の材質としては、ステンレスやFeNiCo合金、W-Ni-Cu合金などが挙げられる。レンズドファイバ3がパッケージの外に延出される部分は、接着剤12によって固定され、封止される。接着剤12の種類としては、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ウレタン系、UV樹脂系等が挙げられる。上述した各部品を内設した後に、パッケージ周壁5で用いられる樹脂製の蓋6をパッケージ周壁5の上部に取り付ける。パッケージ周壁5と蓋6とは、半田や高熱伝導率の接着剤によって固定される。パッケージ周壁5および蓋6の内側には、金属膜13,14が形成されている。金属膜13,14の材質としては、金Au、銀Ag、動Cu、アルミニウムAl等が挙げられる。この金属膜13,14は、圧着金属箔を圧着や無電解メッキ等の方法を用いて形成される。リード11が取り付けられたパッケージ周壁5aの金属膜13aは、図2に示すように、リード11a,11bと金属膜13aとが接触しないように、リード11a,11bの周辺に金属膜13aが設けられない領域11e,11fが形成される。パッケージ周壁5の内面に形成された金属膜13と底板4の金属とは、熱的に良好に接触されている。具体的には、底板4とパッケージ周壁5の金属膜13とを半田や熱伝導の良い接着剤で接合する。また、底板4とパッケージ周壁5を一体成型した後、金メッキを底板4とパッケージ周壁5とを境目無く覆うように形成しても良い。一方、パッケージ周壁5と蓋6との接合部15は、両者の金属膜13,14が接触するように半田や高熱伝導率の接着剤を用いて接合する。このようにして形成された半導体レーザモジュール1では、半導体レーザ2を駆動することによって半導体レーザ2の前端面からレーザ光が出射される。この出射されたレーザ光のうち、レンズドファイバ3に結合しなかった光はパッケージ内に放出され、パッケージ周壁5や蓋6等の金属膜13,14および底板4に囲まれた空間を乱反射しながら、金属膜13,14に次第に吸収され熱に変わる。ここで、金属膜13,14は、ある一定の反射率を有するため、全ての光が一度に吸収されず、一回の反射時の吸収量は僅かなものとなる。この半導体レーザモジュール1では、パッケージ周壁5および蓋6に金属膜13,14を施し、この金属膜13,14が底板4と熱的に良好に接合しているので、光の吸収によって発生した熱は、パッケージ周壁5や蓋6の樹脂部分に伝わることはなく、速やかに底板4に伝わり、底板4に接触している図示しない外部のヒートシンク等に排出されることになる。この実施の形態1では、樹脂製のパッケージ周壁5や蓋6を用いて半導体レーザモジュール1のコスト低減を図りつつ、金属膜13,14を形成することによって半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合ロスに起因して発生する熱の放出性を高めることができ、半導体レーザモジュール1全体の温度上昇を抑えることができる。実施の形態2つぎに、この発明の実施の形態2について説明する。上述した実施の形態1では、パッケージ周壁5および蓋6の内側に設けられた金属膜13,14によって、半導体レーザ2とレンズドファイバ3の光結合部である先端部分3aとの間の光結合ロスに起因する熱を、底板4を介して外部に放出するようにしていたが、この実施の形態2では、金属膜13,14に替えて、光結合部を覆う遮蔽板を設けて光結合ロスに起因する熱を、底板4を介して外部に放出するようにしている。図4は、この発明の実施の形態2である半導体レーザモジュールの構成を模式的に示す縦断面図であり、図5は、図4に示したB-B線断面図であり、図6は、図4に示したC-C線断面図である。図4~図6において、この半導体レーザモジュール20は、実施の形態1に示した金属膜13,14に替えて遮蔽板21を設けている。その他の構成は実施の形態1と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。遮蔽板21は、半導体レーザ2およびレンズドファイバ3の先端部分3aと、パッケージ周壁5および蓋6との間に設けられ、半導体レーザ2およびレンズドファイバ3の先端部分3を少なくとも覆うように形成される。この遮蔽板21は、たとえば、銅Cu、アルミニウムAl、ステンレスSUS等の金属によって形成され、金属膜13,14と同じ機能を実現する。また、遮蔽板21と底板4とは、半田や高熱伝導率の接着剤などによって熱的に良好に接合される。ここで、遮蔽板21は、パッケージ周壁5および蓋6に対して離間して配置される。また、遮蔽版21は、レンズドファイバ3およびリード11a,11bに対して干渉することのないような形状に成形され、設置される。具体的には、断面がコの字状であって、図5,6に示すように、レンズドファイバ3やリード11a,11bが通る部分のみを開放した開放部22a,22bなどが設けられる。この実施の形態2に示した半導体レーザモジュール20では、実施の形態1と同様に、レンズドファイバ3に結合しなかった半導体レーザ2からの光がパッケージ内に放出される。この放出された光は、遮蔽板21に遮られ、遮蔽板21の内部で乱反射を繰り返す。光が遮蔽板21に吸収されて発生した熱は、遮蔽板21を通って速やかに底板4に伝わり、底板4の接触している図示しない外部のヒートシンク等に排出される。この実施の形態2では、特に、遮蔽板21がパッケージ周壁5および蓋6に対して離隔して設けられているので、遮蔽板21で発生した熱がパッケージ周壁5や蓋6に伝わることを防止することができ、半導体レーザモジュール20全体の温度上昇をさらに抑えることができる。なお、上述した実施の形態2の遮蔽板21は、レンズドファイバ3およびリード11a,11bに対して干渉する部分のみを開放するようにしていたが、図7および図8に示すように長手方向両端部が全て開放された遮蔽板31を用いてもよい。また、図4~図8に示した遮蔽板21,31は、その断面がコの字状であったが、これに限らず、形状は任意であり、たとえば、図9に示すように、断面が逆U字形状の遮蔽板40を用いてもよい。これらによっても、実施の形態1に示した半導体レーザモジュール1とほぼ同様に光結合ロスに起因する熱を確実に底板4に伝えることができる。実施の形態3つぎに、この発明の実施の形態3について説明する。この実施の形態3では、さらにペルチェ素子を用いて、光結合ロスによって発生した熱を半導体レーザモジュール外部に排出するようにしている。図10は、この発明の実施の形態3である半導体レーザモジュールの構成を模式的に示した縦断面図であり、図11は、図10に示したE-E線断面図である。図10および図11において、この半導体レーザモジュール50は、実施の形態2に示した遮蔽板21に対応する遮蔽板51を設け、この遮蔽板51は、半田や高熱伝導率の接着剤によってベース7上に熱的に良好に接続される。また、ベース7と底板4との間にペルチェ素子を用いた電子冷却装置52が、半田等で接合されて配置される。その他の構成は実施の形態2と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。なお、電子冷却装置52は、ヒートシンク10上であって半導体レーザ2の近傍に設けられた図示しないサーミスタを用いて検出された温度をもとに冷却制御を行っている。この実施の形態3に示した半導体レーザモジュール50では、実施の形態2と同様に、レンズドファイバ3に結合しなかった半導体レーザ2からの光がパッケージ内に放出される。この放出された光は、遮蔽板51に遮られ、遮蔽板51の内部で乱反射を繰り返す。光が遮蔽板51に吸収されて発生した熱は、遮蔽板51を通って速やかにベース7に伝わる。このベース7に伝わった熱は、ベース7に接合された電子冷却装置52によって、底板4を介してパッケージ外部に排出される。ここで、ベース7は、電子冷却装置52によって一定温度に制御されているため、外部温度に左右されることなく、効率よく遮蔽板51の熱を排出することができる。この実施の形態3では、ペルチェ素子を用いた電子冷却装置52によって遮蔽板51の熱を、外部温度に左右されることなく、半導体レーザモジュール50外部に排出することができるので、半導体レーザモジュール20全体の温度上昇をさらに抑えることができる。実施の形態4つぎに、この発明の実施の形態4について説明する。上述した実施の形態1~3では、いずれもレンズドファイバ3の先端部分3aを用いて半導体レーザ2から出射される光の光結合を行っていたが、この実施の形態4では、1以上のディスクリートレンズを用いて光結合を行うようにしている。図12は、この発明の実施の形態4である半導体レーザモジュールの構成を模式的に示した縦断面図である。図12において、この半導体レーザモジュール60は、半導体レーザ2からの光を、2つの第1レンズ67および第2レンズ71を用いてファイバ73に結合するようにしている。すなわち、パッケージ内において半導体レーザ2からの光をコリメートする第1レンズ67がベース7上に設置され、パッケージ外に、このコリメートされた光を集光してファイバ73に結合する第2レンズ70が設置される。第1レンズ67は、フレーム68によって保持され、このフレーム68がベース7に固定されることによって第1レンズ67が固定される。パッケージ周壁5bには、第1レンズ67を介して半導体レーザ2に対向する領域に開口部が設けられ、この開口端縁からパッケージの外側と内側とのそれぞれに向けて筒壁部75が突出形成される。この筒壁部75のパッケージ内側開口部には透光窓69が設けられ、筒壁部75のパッケージ外側開口部にはレンズホルダ70が嵌合挿入される。レンズホルダ70の内部には第2レンズ71が固定される。レンズホルダ70のパッケージ外側部位には、スライドリング72が取り付けられ、このスライドリング72の内部にはフェルール74が挿入され、フェルール74にはファイバ73の先端側が挿通固定されている。上述した半導体レーザ2と第1レンズ67と第2レンズ71とファイバ73の先端とは、半導体レーザ2とファイバ73の先端とが良好な光結合状態となるように位置合わせが成された状態で固定されている。その他の構成は、電子冷却装置52を除いた実施の形態3と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。すなわち、遮蔽板61がベース7上に設置されている。この遮蔽板61は、上述した半導体レーザ2と第1レンズ67との間を覆うように設けられている。なお、パッケージ内部は、気密封止されており、その封止されたパッケージ内部は乾燥した不活性ガスの雰囲気状態と成し、パッケージ内部に設けられた各部が結露によって故障するのを防止している。この実施の形態4における半導体レーザ2と第1レンズ67との間でも、第1レンズ67を固定しているフレーム68による蹴られや、第1レンズ67の有効径による蹴られ、第1レンズ67の表面の反射等によってパッケージ内に光が放出される。上述したように遮蔽板61は、半導体レーザ2と第1レンズとの間を覆うように設けられるとともに、光路およびリード11a,11bに干渉しないように設置される。この実施の形態4に示した半導体レーザモジュール60では、実施の形態2と同様に、光が遮蔽板61に吸収されて発生した熱は、遮蔽板61を通って速やかにベース7に伝わる。このベース7に伝わった熱は、底板4を介してパッケージ外部に排出される。なお、上述した実施の形態4では、ペルチェ素子を用いた電子冷却装置が設置されていないが、実施の形態3と同様に、ベース7と底板4との間に電子冷却装置を設け、外部温度に左右されることなく、熱を外部に放出するようにしてもよい。また、実施の形態1と同様に、遮蔽板61に替えて、パッケージ周壁5および蓋6の内側に金属膜を設けるようにしてもよい。さらに、遮蔽板61は、半導体レーザ2と第1レンズ67との間を覆って半導体レーザ2と第1レンズ67との間の非結合光の熱を吸収するようにしていたが、これに限らず、第2レンズ71をパッケージ内に設置し、半導体レーザ2と第1レンズ67と第2レンズ71とを覆うようにし、第1レンズ67と第2レンズ71との間の非結合光の熱を吸収するようにしてもよい。この実施の形態4では、遮蔽板61あるいはこれに対応する金属膜によって吸収した熱を、底板4を介して効率よく半導体レーザモジュール50外部に排出することができるので、半導体レーザモジュール20全体の温度上昇を抑えることができる。"