"所望波長の光の強度を増大させるように構成される基板であって、前面、後面、及び外側端面を有し、基板の前面で受光する光を反射するように構成され、セラミックを含む基板と、液化されたガスを、冷却システムを通して送給することができ、基板内で発生する熱を基板の後面から吸収するように構成される冷却システムとを備える、装置。ガスは、アルゴン、窒素、及び水素から成るグループから選択される、請求項1に記載の装置。基板には、イッテルビウム、ネオジム、エルビウム、及びツリウムから成るグループから選択されるドーパントがドープされる、請求項1に記載の装置。ドーパントの濃度は、均一濃度または勾配濃度のうちの少なくとも1つであり、勾配は、ドーパントの濃度が、基板内で或る距離に亘って変化する勾配を含む、請求項3に記載の装置。基板は、直径が約4センチメートル~約6センチメートルであり、複数のセクションにより構成される、請求項1に記載の装置。更に、複数のセクションの間に配置され、かつ複数のセクションの間を通過する光を減衰させるように構成される材料を備え、複数のセクションの各セクションの端面は材料で取り囲まれ、材料にはクロムイオンがドープされ、そしてクロムイオンは4価である、請求項5に記載の装置。冷却システムは、基板の後面に沿って熱を吸収するように構成される、請求項1に記載の装置。冷却システムは、基板の後面に沿って、基板の外側端面に向かって液体窒素を放出するように構成される、請求項1に記載の装置。光を管理する方法であって、励起源から、所望波長の光の強度を増大させるように構成されるセラミックを含む基板の前面に向かって、光を送出するステップと、基板の後面から冷却システムで、熱を除去するステップであって、冷却システムが、液化されたガスを、冷却システムを通して送給することができるように構成される、ステップと、基板によって、光が基板を透過するときに所望波長の光を増幅するステップと、光を1つの位置に向かって反射するステップとを含む、方法。光を位置に向かって反射するステップは、別の基板またはターゲットから成るグループから選択される位置に向かって光を反射するステップを含む、請求項9に記載の方法。これらの図面を具体的に参照するに、本開示の実施形態については、図1に示す航空機製造及び整備方法100、及び図2に示す航空機200に関連して説明することができる。まず、図1を参照するに、航空機製造及び整備方法の図が有利な実施形態に従って描かれている。製造前段階では、航空機製造及び整備方法100において、図2の航空機200の仕様決定及び設計102、及び材料調達104を行なうことができる。製造段階では、図2の航空機200の部品及びサブアセンブリ製造106、及びシステム統合108が行なわれる。その後、図2の航空機200は、証明書発行及び機体引き渡し110を経て、供用112される。顧客が供用している間、図2の航空機200は、日常的なメンテナンス及び整備114を行うようにスケジューリングされ、このメンテナンス及び整備114は、改修、再構成、改装、及び他のメンテナンスまたは整備を含むことができる。航空機製造及び整備方法100のプロセス群の各プロセスは、システムインテグレータ、サードパーティ、及び/又はオペレータによって行なうことができるか、または実行することができる。これらの例では、オペレータは顧客とすることができる。この説明を進めるために、システムインテグレータとして、これらには限定されないが、何れかの数の航空機製造業者、及び航空機大手システムサブコントラクタを挙げることができ;サードパーティとして、これらには限定されないが、何れかの数のベンダー、サブコントラクタ、及びサプライヤーを挙げることができ;そしてオペレータは、航空会社、リース会社、軍隊、航空機整備機関などとすることができる。次に、図2を参照するに、有利な実施形態を実施することができる航空機の図が描かれている。この例では、航空機200は、図1の航空機製造及び整備方法100により製造され、そして複数のシステム204を搭載した機体202と、そして機内206と、を含むことができる。複数のシステム204の例として、推進システム208、電気システム210、油圧システム212、環境システム214、及びレーザシステム216のうちの1つ以上を挙げることができる。何れかの数の他のシステムを含めてもよい。航空宇宙用の例を示しているが、異なる有利な実施形態は、自動車産業のような他の産業に適用することができる。本明細書において具体化される装置及び方法は、図1の航空機製造及び整備方法100の種々の段階のうちの少なくとも1つの段階において用いることができる。本明細書において使用されるように、atleastoneofというフレーズは、複数のアイテムを列挙して使用される場合に、列挙されるこれらのアイテムのうちの1つ以上のアイテムの異なる組み合わせを用いることができ、そして列挙されるアイテムの中の各アイテムの1つだけで済ませることができることを意味する。例えば、atleastoneofitemA,itemB,anditemCは、例えばこれらには限定されないが、itemAアイテムAまたはitemAanditemBアイテムA及びアイテムBを含むことができる。この例は更に、itemA,itemB,anditemCアイテムA、アイテムB、及びアイテムCまたはitemBanditemCアイテムB及びアイテムCを含むことができる。1つの例示的な例として、図1の部品及びサブアセンブリ製造106において製造される部品群またはサブアセンブリ群は、航空機200を図1において供用112している状態で製造される部品群またはサブアセンブリ群と同様の方法で組み立てる、または製造することができる。更に別の例として、多数の装置実施形態、方法実施形態、またはこれらの組み合わせは、図1の部品及びサブアセンブリ製造106、及びシステム統合108のような製造段階において利用することができる。異なる有利な実施形態では、多数の異なる注意事項を認識し、そして考慮に入れる。例えば、異なる有利な実施形態では、ビームパワーを大きくする現在の解決策において、ディスク群の数を増やすことを認識し、そして考慮に入れる。ディスク群の数を増やすことにより、ビーム品質が低下する。有利な実施形態では、レーザ媒質群が、これらのレーザ媒質が励起されているときに加熱されることを認識し、そして考慮に入れる。レーザ媒質がより大きくなると、より多くの熱が生成される。現在の解決策では、水の熱伝導率が高いので、水を使用して熱を除去する。有利な実施形態では、自然放出増幅光の強度は、レーザ媒質のサイズが大きくなるにつれて大きくなることを認識する。自然放出増幅光によって、ビーム品質、及びレーザ媒質の利得が制限される。多数の有利な実施形態は、所望波長の光の強度を増大させるように構成される基板を備える装置及び方法を提供する。当該基板は、前面、後面、及び外側端面を有する。当該基板は、基板の前面で受光する光を反射するように構成される。当該基板はセラミックを含む。当該基板は複数のセクションを含む。当該方法及び装置は更に、複数のセクションの間を通過する光を減衰させるように構成される材料を含む。当該材料は、複数のセクションの各セクションの端面を取り囲む。当該装置及び方法は更に、液体窒素を、冷却システムを通して送給することができ、そして基板内で発生する熱を基板の後面から吸収するように構成される冷却システムを備える。図3を参照するに、レーザ環境のブロック図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ環境300は、レーザシステム302と、励起源304と、そして位置306と、を備える。レーザシステム302は、誘導放出を固体媒質、液体媒質、またはガス媒質内で継続する結果として、高強度の光、赤外線、または紫外線を、光子を放出することにより放出する。放出プロセスに関与する光子群は全て、略同じエネルギー及び位相を有するので、レーザビームは、略単色であり、かつコヒーレントである。光は、当該光が1つの光波長を含む場合に単色であるmonochromatic。光は、各光子が他の光子群の各光子と同期して移動する場合にコヒーレントである。レーザシステム302は、基板308と、多数の支持体310と、そして枠体312と、を備える。レーザビームは、1方向の略指向性である。これとは異なり、閃光は光を多方向に放出する。自然放出増幅光は、レーザの方向に略沿って進む光の方向以外の方向に進む光である。レーザを含む光は、光学素子群が向いている方向に進んでいる。基板308は光利得源である。基板308はレーザ発振基板lasingsubstrateとすることができる。利得は、励起源304によってこれまでに蓄積された、より高いエネルギーの準位からより低いエネルギー準位に電子または分子が遷移する際の誘導放出により得られる。励起源304は半導体ダイオードとすることができる。利得は、光314のような信号の強度を増大させる能力の指標である。基板308は、レーザ媒質lasingmediumと表記することもできる。例示的な例では、基板308にはイッテリビウムがドープされる。他の例示的な例では、基板308には、所望波長の増幅を可能にする、例えばネオジム、エルビウム、及びツリウムのような他の種類のドーパント316をドープすることができる。例示的な例では、基板308は、例えば約4センチメートル~約6センチメートルの直径とすることができる。他の例示的な例では、基板308は他の直径とすることができる。基板308は、結晶、ガラス、セラミックス、または他の或る適切な固体利得媒質により構成することができる。レーザ発振を、基板308に入射する光を増幅するプロセスにより維持することができる元素を基板308に含有させる。これらの例示的な例では、基板308には、ドーパント316がドープされる。ドーパント316は、基板308にドープされて光学特性を変化させる不純物である。ドーパント316の濃度318は、均一濃度320とすることができる、または勾配322を有することができる。均一濃度320は、同じ濃度318を基板318全体に亘って有する。勾配322は、ドーパント316の濃度が基板308内の距離324に亘って変化する勾配を含む。基板308は複数のセクションを含むことができる。各セクション326及び328は、端面330及び332、サイズ334及び336、及び中央部分338及び340を含む。材料342は、各セクション326と328との間に配置することができる。材料342は、セクション326及び328に接着剤343で接続することができる。使用する接着剤343は、エポキシ及びシアノアクリレートを含むことができる。エポキシは、樹脂及び硬化剤が特定温度になると反応することにより形成される。シアノアクリレートは、メチル-2-シアノクリレートまたはエチル-2-シアノアクリレートの何れかを含む接着剤の総称である。材料342は、セクション326及び328に、接着剤を使用することなく、光学的接触をこれらの要素の間に実現して、接合が、粒子の分極に起因する力のような静電気力によって生じることにより接続することができる。光学的接触を実現するためには、粒子群に熱処理を施し、そして揮発性成分を脱ガスする必要がある。脱ガスでは、或る材料に捕捉された、或る材料内で凍結した、または或る材料に吸収されたガスが徐々に放出される。脱ガスでは、昇華及び蒸発が発生する。揮発性成分は、大気中で殆どが蒸発する大きさの蒸気圧を有する化合物である。例示的な例では、何れかの数のセクションを何れかのサイズに設けることができる。セクション群の数は、複数のセクションのサイズとともに、自然放出増幅光346の所望強度344に基づいて決定される。所望強度344は、自然放出増幅光346の最大所望強度である。自然放出増幅光346は、自然放出により生成され、かつレーザ媒質で増幅される光である。当該光は、利得媒質の誘導放出のプロセスによって光増幅されている。光増幅は、デバイスが光のような光信号を、最初に当該信号を電気信号に変換する必要を伴なうことなく、直接増幅するときに起きる。自然放出増幅光346によって、基板308のような利得媒質を使用して得られる利得量が小さくなる。異なる例示的な例では、材料342は、基板308全体に、かつ多数の位置347に配置することができる。多数の位置347は、自然放出増幅光346を低減するように配置することができる。材料342は、多数の位置347の各位置において異なるサイズ及び形状とすることができる。材料342は、材料342を透過する光を減衰させる。例示的な例では、材料342には、クロムイオンがドープされる。クロムイオンは、4価クロムにおけるように4価とすることができる。他の例示的な例では、材料342には、光の透過を阻止する他の種類のドーパント316をドープすることができる。図示の例では、基板308は、前面350、後面352、及び外側端面354を含む。光314を受光すると、基板308は熱356を発生する。熱356は、前面350、後面352、及び外側端面354を含む基板308全体に分布する。熱356は、基板308全体に一様に分布する可能性がある、または分布しない可能性がある。熱356は、冷却システム358によって低減することができる。冷却システム358は、冷媒360を基板308に結合させる。冷媒360は、熱を除去し、そして基板308の温度を下げる材料及び/又は物質である。これらの例では、当該結合は、冷媒360が、熱356を基板308から冷媒360に移すように行なわれる。冷媒360は、基板308に多数の異なる方法により結合させることができる。例えば、冷媒360は、基板308に直接触れる必要はない。別の表現をすると、別の材料または媒介物を、冷媒360と基板308との間に設けない。別の構成として、冷媒360は基板308に、冷媒360と基板308との間の材料を使用して結合させることにより、熱356を間接的に除去することができる。例示的な例では、冷却システム358は、枠体312内に配置される。例示的な例では、冷媒360は液化窒素361を含む。他の例では、冷媒360は、液化アルゴン363及び液化水素365のような別の種類の液化ガス359、低温流体、または他の何れかの適切な冷媒とすることにより、所望の温度値を維持することができる。基板308は、多数の支持体310によって支持することができる。多数の支持体310は、プラスチック、金属のような材料、または基板308を所定の位置に動作中に保持する他の或る適切な材料とすることができる。多数の支持体310は更に、枠体312によって支持することができる。レーザシステム302が動作している間、励起源304は光314を基板308の前面350に向かって送出する。基板308は、所望波長364の光314の強度350を増大させるように構成される。所望波長364は、基板308が、波長または波長領域の光を吸収するように形成されるような当該波長または当該波長領域とすることができる。基板308の前面350は、強度362が増大した状態の所望波長364の光314を、位置306に向かって反射するように構成される。位置306は、別の基板366、またはターゲット368とすることができる。レーザ環境300は、レーザシステム302のような複数のレーザシステムと、そしてレーザシステム302と同様の他のレーザシステム群を備えることができる。各レーザシステムは光314を隣のレーザシステムに再誘導することができる。一旦、光314が全てのレーザシステムによって反射されると、光314を最終的にターゲット368に向かって誘導することができる。例示的な例では、レーザシステムを4つ設けている。例示的な例では、何れかの数のレーザシステムを使用して、光314の所望強度を選択することができる。図3のレーザ環境300は、異なる有利な実施形態を実現することができる態様に物理的な、または構造上の制約があることを示すために図示しているのではない。図示される構成要素群の他に、そして/または代わりに、他の構成要素群を使用してもよい。幾つかの構成要素は、幾つかの有利な実施形態では不要とすることができる。また、ブロック群を提示して、幾つかの機能的構成要素を示している。これらのブロックのうちの1つ以上のブロックは、異なる有利な実施形態において実装される場合に、組み合わせることができる、そして/または異なるブロックに分割することができる。例えば、図3のセクション326及びセクション328よりも多くのセクションを設けることができる。また、冷却システム358は、図3に示すような枠体312内に配置しなくてもよい。次に、図4を参照するに、レーザ兵器のブロック図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ兵器400は、図3のレーザ環境300の1つの実施形態の一例とすることができる。レーザ兵器400は、レーザ装置402と、ビーム制御システム404と、兵器制御部406と、そして外部コマンド制御部408と、を備える。レーザ兵器400を利用して、集光され、かつ安定化されたレーザビーム412をターゲット410に照射することができる。ビーム制御システム404は、レーザ装置402からのレーザビーム412を管理し、そして安定化させ、ターゲット410の画像を取得し、そしてレーザビーム412をターゲット410に照射する。ビームコントローラ414は、レーザビーム412を管理し、そして安定化させる。取得指向方向追尾部acquisitiontrackingandpointing416は、ターゲット410の画像を自然光から取得する、またはビームディレクタbeamdirectorに含まれる照射源から取得する。取得指向方向追尾部416は、ビームディレクタ418にターゲット410の方向及び/又は位置を供給する。ビームディレクタ418は、レーザビーム412をターゲット410に照射し、そして光をターゲット410から受光して、取得指向方向追尾部416において使用する。兵器制御部406は、レーザ兵器400の動作を、外部コマンド制御部408からの情報、及びビーム制御システム404において生成されるターゲット情報に基づいて管理する。戦闘管理制御部420は、レーザ兵器400の外部の構成要素群との相互作用を可能にし、これらの構成要素は、外部コマンド制御部408を含む。発射制御部422は、レーザ兵器400の全ての構成要素の動作の調整及び制御を可能にする。外部コマンド制御部408は、レーザ兵器400から離れている、または離れていなくてもよい外部ソースから制御コマンドを受信することができる。レーザシステム402は、図3のレーザシステム302の1つの実施形態の一例とすることができる。次に、図5を参照するに、レーザ装置の図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ装置500は、複数のレーザ基板504の各レーザ基板に対応する複数のリフレクタ502を有するレーザシステムを例示している。複数のレーザ基板504の各レーザ基板は、図3の基板308の一例の1つの実施形態とすることができる。複数のレーザ基板504及びリフレクタ502は、複数のレーザ基板504及び複数のリフレクタ502の位置を維持するベンチ506に取り付けることができる。次に、図6を参照するに、レーザの図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザユニット600は、図5のレーザ装置500の一部である。レーザユニット600は、リフレクタ602及びレーザ基板604を備える。レーザユニット600は、図3のレーザシステム302の一例の1つの実施形態とすることができる。図5を参照するに、レーザユニット600は、レーザベンチ506だけでなく、他のレーザ発振ユニット群に個別に取り付けることにより、レーザ装置500を構成することができる。次に、図7を参照するに、複数のレーザ基板の図が有利な実施形態に従って描かれている。複数のレーザシステム700は、複数のレーザシステムを有する図3のレーザシステム302の1つの例示の一例とすることができる。光702は、励起源からレーザシステム704に送出することができる。レーザシステム704は、光702の強度を増大させることができ、そして光702をレーザシステム706に向かって反射することができ、このレーザシステム706が今度は、光702の強度を更に増大させる。レーザシステム706は、光702をレーザシステム708に向かって反射し、このレーザシステム708が今度は、光702の強度を更に増大させる。レーザシステム708は光702をレーザシステム710に向かって反射し、このレーザシステム710が今度は、光702の強度を更に増大させる。レーザシステム710は、光702をターゲットに向かって反射する、または光702を複数のレーザシステムから離れる方向に再誘導するために使用される他の或るデバイスに向かって反射する。各レーザシステム704,706,708,及び710は、液体窒素ヒートシンク712,714,716,及び718によって冷却される。次に、図8を参照するに、レーザシステムの図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザシステム800は、図3のレーザシステム302の1つの例示の一例とすることができる。レーザシステム800は、レーザ発振基板802と、支持体群804と、枠体806と、そして冷却システム808と、を備える。冷却システム808は、シャワーヘッドshowerheadと表記することもできる。冷却システム808は、図3の冷却システム358の1つの例示の一例とすることができる。図示していないが、冷却システム808は、多数のマイクロ流路を有することができ、冷媒をこれらのマイクロ流路を通過させて、レーザ発振基板802に最も近接する端部に送給する。冷媒は、材料810に拡散させることができる。材料810は、冷媒の影響を受けることができる何れかの種類の材料とすることができる。例示的な例では、材料810は、銅のような導電材料とすることができる。他の例示的な例では、材料810は、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金、炭化珪素、及びグラフェン及びダイヤモンドを含む炭素構造とすることができる。一旦、冷媒が冷却システム808を通して送給されると、冷媒は枠体806から流路812を通って流出する。例示的な例では、冷媒806は部分的に蒸発し、そして部分的に再利用することができる。他の例示的な例では、冷媒806は、完全に蒸発する、または全て再利用することができる。冷却システム808は、当該冷却システム808がレーザ発振基板802の端面を直接冷却することがなく、かつレーザ発振基板802の後面814のみを直接冷却するので、面冷却システムfacecoolingsystemである。他の例示的な例では、冷却システム808は端面冷却システムedgecoolingsystemとすることができる。端面冷却システムによって、冷媒でレーザ発振基板802の外側端面816を直接冷却することができる。直接directlyとは、冷媒がレーザ発振基板802に触れることを指す、または材料810のような材料を介して触れることを指す。次に、図9を参照するに、レーザ発振基板の前面図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ発振基板900は、図3のレーザ発振基板308の1つの実施形態の一例である。レーザ発振基板900は、セクション902~918のような複数のセクションを有する。セクション902~918は、異なる形状及び/又はサイズとすることができる。例示的な例では、セクション902~918は、同じ厚さとすることができる。他の例示的な例では、セクション902~918は、異なる厚さとすることができる。セクション902~918のような複数のセクションの各セクションは、材料920を、これらのセクションの間に有する。材料920は、或る種類の抑制材料であり、そして異なるセクション間を透過して干渉を起こす光を減衰させる。更に、レーザ発振基板900は、材料920を、レーザ発振基板900の外側端面922の周りに有する。他の例示的な例では、材料920は、セクション902~918とは異なる材料とする必要はないが、その代り、異なるドーピングが施された、またはドーピングが施されていない同じ材料とすることができる。材料920がセクション902~918と同じ材料である場合、レーザ発振基板900全体を単一のディスク上に形成することができる。次に、図10を参照するに、レーザ発振基板の前面図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ発振基板1000は、図3の複数の基板308の1つの例示の一例とすることができる。レーザ発振基板1000は、レーザ発振基板1000が、異なる形状及びサイズを持つ異なる数のセクションを有する点を除き、レーザ発振基板900と同様である。レーザ発振基板1000は、セクション1002~1012のような複数のセクションを有する。セクション1002~1012は、異なる形状及びサイズとすることができる。例示的な例では、セクション1002~1012は、同じ厚さとすることができる。他の例示的な例では、セクション1002~1012は、異なる厚さとすることができる。セクション1002~1012のような複数のセクションの各セクションは、材料1014を、これらのセクションの間に有する。材料1014は、或る種類の抑制材料であり、そして異なるセクション間を透過して干渉を起こす光を減衰させる。更に、レーザ発振基板1000は、材料1000を、レーザ発振基板1000の外側端面1016の周りに有する。他の例示的な例では、材料1014は、セクション1002~1012とは異なる材料とする必要はないが、その代り、異なるドーピングが施された、またはドーピングが施されていない同じ材料とすることができる。材料1014がセクション1002~1012と同じ材料である場合、レーザ発振基板1000全体を単一のディスク上に形成することができる。次に、図11を参照するに、レーザ発振基板の前面図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ発振基板1100は、図3の基板308の1つの例示の一例とすることができる。レーザ発振基板1100は、材料を多くの位置1102に有する。当該材料は、或る種類の抑制材料であり、そして当該材料を透過する光を減衰させる。更に、レーザ発振基板1100は、当該材料を、レーザ発振基板1100の外側端面1104の周りに有することができる。異なる例示的な例では、当該材料は、レーザ発振基板1100全体に、多数の位置1102に配置することができる。多数の位置1102は、自然放出増幅光を低減するように配置することができる。当該材料は、多数の位置1102の各位置で異なるサイズ及び形状とすることができる。次に、図12を参照するに、レーザ発振基板の前面図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ発振基板1200は、図3の基板308の1つの実施形態の一例とすることができる。レーザ発振基板1200は、レーザ発振基板1200が材料を多数の位置1202に有する点を除き、図9のレーザ発振基板900と同様である。レーザ発振基板1200は、セクション群1204のような複数のセクションを有する。セクション群1204のような複数のセクションの各セクションは、当該材料を、これらのセクションの間に有する。当該材料は、或る種類の抑制材料であり、そして当該材料を透過する光を減衰させる。更に、レーザ発振基板1200は、当該材料を、レーザ発振基板1200の外側端面1206の周りに有する。セクション群1204の間、及び外側端面1206の周りの他に、レーザ発振基板1200は、当該材料を多数の位置1202に有する。異なる例示的な例では、当該材料は、レーザ発振基板1200全体に、かつ多数の位置1202に配置することができる。多数の位置1202は、自然放出増幅光を低減するように配置することができる。当該材料は、多数の位置1202の各位置で異なるサイズ及び形状とすることができる。次に、図13を参照するに、レーザ発振基板の側面図が有利な実施形態に従って描かれている。レーザ発振基板1300は、図3の基板308の1つの例示の一例とすることができる。レーザ発振基板1300は、前面1302と、後面1304と、そして外側端面1306と、を有する。次に、図14を参照するに、光を管理するフローチャートの図が有利な実施形態に従って描かれている。プロセス1400は、光を反射するプロセスを表わしている。当該プロセスは、励起源からの光を、所望波長の光の強度を増大させるように構成されるレーザ発振基板の前面に向かって送出することにより始まる操作1402。レーザ発振基板はセラミックを含むことができる。レーザ発振基板内のドーパント濃度は、レーザ発振基板内の均一濃度、及び勾配濃度のうちの少なくとも1つである。当該勾配は、ドーパントの濃度が、レーザ発振基板内の或る距離に亘って変化する勾配を含む。レーザ発振基板は、複数のセクションにより構成することができる。複数のセクションの各セクションの端面は、複数のセクションの間を通過する光を減衰させるように構成される抑制材料によって取り囲むことができる。複数のセクションの数、及びサイズは、自然放出増幅光の所望強度に基づいて決定される。1つ以上の有利な実施形態では、抑制材料は、複数のセクションに接着剤により接続することができる。他の例示的な例では、抑制材料は、レーザ発振基板の一部である。レーザ発振基板には、勾配を持つようにドープすることができる。ドーパントの濃度は、或る距離に亘ってレーザ発振基板内で変化し、そして当該濃度は、複数のセクションの各セクションの中央部分におけるよりも、複数のセクションの各セクションの端面において低い。当該プロセスでは更に、熱をレーザ発振基板の後面から、冷媒を、冷却システムを通して送給することができるように構成される冷却システムで除去する操作1404。冷媒は液体窒素とすることができる、または異なる種類の液体ガスのような他の或る適切な冷媒とすることができる。当該プロセスでは更に、レーザ発振基板によって所望波長の光を、当該光が基板を透過するときに増幅する操作1406。当該プロセスでは更に、光を1つの位置に向かって反射し操作1408、当該プロセスはその後、終了する。当該位置は、別の基板またはターゲットとすることができる。異なる図示の実施形態におけるフローチャート群及びブロック図群は、異なる有利な実施形態における装置及び方法の幾つかの可能な実施形態のアーキテクチャ、機能、及び操作を示している。この点に関して、これらのフローチャートまたはブロック図における各ブロックは、操作またはステップのモジュール、セグメント、機能、及び/又は一部を表わすことができる。幾つかの別の実施形態では、これらのブロックに記載される機能または機能群は、これらの図に記載される順番とは異なる順番で行なうことができる。例えば、幾つかの場合では、連続して示される2つのブロックは略同時に実行することができる、またはこれらのブロックは、実行される機能によって異なるが、逆の順番で実行することができることがある。また、フローチャートまたはブロック図に示されるブロック群の他に、他のブロック群を加えることができる。幾つかの別の実施形態では、ブロックに記載される機能または機能群は、これらの図に記載される順番とは異なる順番で行なうことができる。例えば、幾つかの場合では、連続して示される2つのブロックは略同時に実行することができる、またはこれらのブロックは、実行される機能によって異なるが、逆の順番で実行することができることがある。また、フローチャートまたはブロック図に示されるブロック群の他に、他のブロック群を加えることができる。例えば、異なる有利な実施形態では、図12の操作1204及び操作1206は、同時に行なうことができる。有利な実施形態は、所望波長の光の強度を増大させるように構成される基板を備える装置及び方法を提供する。当該基板は、前面、後面、及び外側端面を有する。当該基板は、当該基板の前面で受光する光を反射するように構成される。当該基板は、結晶材料またはセラミック材料を含む。当該基板は、複数のセクションを備える。当該方法及び装置は更に、複数のセクションの間を通過する光を減衰させるように構成される材料を含む。当該材料は、複数のセクションの各セクションの端面を取り囲む。当該装置及び方法は更に、液体窒素を、冷却システムを通して送給することができ、そして基板内で発生する熱を、基板の後面から吸収するように構成される冷却システムを備える。有利な実施形態では、ビームパワーを大きくする現在の解決策において、ディスクの数を増やすことを認識する。ディスクの数が増えることにより、ビーム品質が低下する。有利な実施形態は、ビーム品質を、少ない数のディスクを使用し、かつ各ディスクによって増幅されるパワーを大きくすることにより維持しながら、ビームパワーを大きくする装置及び方法を提供する。このようにして、レーザビームの強度、及びポンプ光の強度は、ビームパワーが大きくなるので所望の値に維持することができる。有利な実施形態では、レーザ媒質は、これらのレーザ媒質が励起されているときに加熱されることを認識する。レーザ媒質の温度が上昇すると、より多くの量の熱が、レーザ発振プロセスの効率が低下し、かつ自然放出光増幅のようなプロセスの速度が速くなることに起因して発生する。現在の解決策では、水の熱伝導率が高いので、水を使用して熱を除去することができる。有利な実施形態は、熱を、水を使用する場合よりも低い値に保持する装置及び方法を提供する。有利な実施形態では、液体窒素のような液化ガス冷媒が、約3分の1の水流量で冷媒と熱源との間の同じ温度差を冷却する場合でも、液体窒素は水よりもずっと冷たいので、液体窒素によって、レーザ媒質の動作温度をより低い温度に維持することができることを認識する。有利な実施形態では、レーザ媒質のサイズが大きくなると、自然放出増幅光は更に増幅することを認識する。自然放出増幅光は、レーザ媒質の効率を低く抑え、そして更に、レーザ媒質内での熱の発生が大きくなるので、ビーム品質に悪影響を与える。有利な実施形態は、自然放出増幅光の強度が小さい状態を保持しながら、レーザ媒質を大きくすることができる装置及び方法を提供する。有利な実施形態では、レーザ媒質をセクション群に分離することができる。従って、各セクションは小さく、かつ低強度の自然放出増幅光を有することができる。異なる有利な実施形態は更に、材料を透過する光を抑制し、そして減衰させる材料を提供する。当該材料には、クロムイオンをドープすることができる。当該材料は、基板全体の異なる位置に、セクション間に、基板の外側端面の周りに、そして他の適切な位置に配置することができる。異なる有利な実施形態について、航空機の種々の部品に関連して説明してきたが、他の有利な実施形態は、他の種類の輸送手段の部品群に適用することができる。例えば、これらには限定されないが、他の有利な実施形態は、レーザシステムを設ける必要がある他の輸送手段に適用することができる。更に、異なる有利な実施形態は、他の有利な実施形態とは異なる利点を提供することができる。選択される実施形態または実施形態群は、これらの実施形態の原理、実際の用途を最も良く説明するために、そしてこの技術分野の他の当業者が、想定される特定の使用に適合するように種々の変更が加えられる種々の実施形態の開示内容を理解することができるように選択され、そして記載されている。異なる有利な実施形態に関する記載を提示して、例示及び説明を行なってきたが、当該記載を網羅的に行なおうとしているのではない、または当該記載を開示される構成の実施形態に限定しようとしているのではない。多くの変形及び変更が存在することは、この技術分野の当業者には明らかであろう。更に、異なる有利な実施形態は、他の有利な実施形態とは異なる利点を提供することができる。選択される実施形態または実施形態群は、これらの実施形態の原理、実際の用途を最も良く説明するために、そしてこの技術分野の他の当業者が理解することができるように選択され、そして記載されている。"