グラフェン膜の形成方法であって、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で、ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を加熱することで、前記金属膜上にグラフェン膜を成長させる工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前記金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程とを有する、グラフェン膜の形成方法。前記金属膜が、金属箔である、請求項1に記載のグラフェン膜の形成方法。前記金属膜が、基板上に形成された金属薄膜である、請求項1に記載のグラフェン膜の形成方法。グラフェン膜をCVD法によりNi膜Ni箔あるいは基板上に形成されたNi薄膜上に形成した後、グラフェン膜をNi基板から剥離する際、Ni膜を化学的にエッチングして除去する工程が必要となる。通常、Niの溶解には、低濃度の希塩酸や希硫酸など、反応性が低く、低濃度のエッチング液を用いるが、その反応速度は速くない。このため、Ni膜の除去工程には時間かかり、プロセスコストが増加する原因となる。Ni膜が基板上に薄膜として形成されている場合は裏面からの溶解ができず、エッチング液は横方向から浸入するため、より長時間のエッチングが必要となる。長時間のエッチングは、グラフェン膜に対して損傷を起こすことがある。グラフェン膜がエッチング溶液に暴露されることで、グラフェン膜に欠陥が発生し、膜質が低下する要因となりうる。Ni薄膜が基板上に形成されている場合、エッチングの初期段階で金属膜が除去された領域では、グラフェン膜がエッチング液にさらされ続けるので、より損傷の可能性が高まる。Ni膜の除去時間を短縮するには、より濃度の高いエッチング液を用いるか、あるいは反応性の高い、例えば酸化力を有する硝酸等のエッチング溶液を用いることができる。しかし、反応性の高いエッチング溶液を用いると、グラフェン膜への欠陥発生も促進されるため、結果としてグラフェン膜に対する損傷を増大する結果となる。以上のように従来技術によるグラフェン膜の形成方法には、下地のNi膜の除去に時間がかかり、グラフェン膜への損傷を引き起こす要因があるという課題があった。上記課題を解決する本発明に係るグラフェン膜の形成方法は、ニッケルと亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程とを有する。本発明によれば、エッチング工程を短縮し、またエッチング時の膜質低下を抑制した、品質の高いグラフェン膜の形成方法が提供される。本明細書では、複数の炭素原子がsp2結合により結合して六員環構造を形成し、シート状の形態をとったものをグラファイト原子層、あるいはグラフェンと記載する。また、六員環構造のみからなる単一原子層のグラフェンだけでなく、部分的に欠陥を含むグラフェンや、数層から十数層の複数のグラフェンが積層した膜、また複数の配向の異なるグラフェンが同一層内に集合してなる多結晶グラフェン等を総称してグラフェン膜と記載する。本発明のCVD成長に用いる炭素源原料としては各種の炭化水素を用いることができる。例えばメタンガス、エタンガス、エチレンガス、プロピレンガス等を用いることで安定したグラフェン膜成長が可能である。本発明に用いるエッチング液は、各種の金属エッチング液を用いることができる。例えば希塩酸、あるいは希硫酸を用いることで、グラフェン膜に対する損傷が比較的少ないエッチングが可能である。実施の形態1以下、本発明の第1の実施の形態であるグラフェン膜の形成の工程を、図1および図2を用いて詳細に説明する。まずニッケルNiおよび亜鉛Znの合金からなる金属箔101を準備した。次に、前記金属箔の表面の還元処理として、前記金属箔を熱処理装置内に保持し、装置内部を水素ガス雰囲気として、加熱処理を行った。上記処理により、前記金属箔表面に存在する酸化層が還元され、平滑な金属表面が形成した。上記の加熱処理の後、金属箔101を取り出さずに装置内部をメタンガスと水素ガスの混合ガス雰囲気に置換して、加熱処理グラフェン膜形成工程を行った図1aおよび図2a。上記の2回の加熱処理の温度範囲としては、300°Cから1000°Cの範囲を用いることができる。また、上記の加熱処理において、例えばRFプラズマを導入することで、原料ガスの反応およびグラフェン膜の形成を促進することができる。上記の結果、前記金属箔101表面にグラフェン膜102が形成した。この後、金属箔101を室温付近まで冷却し、装置から取り出した。さらに、前記グラフェン膜102上に支持膜103としてポリメタクリル酸メチル樹脂PMMA膜をスピンコート法により形成した図1bおよび図2b。この後、前記金属箔101をエッチング液104に浸漬し、金属箔101を溶解して除去するエッチング工程を行った図1cおよび図2c。この際、金属箔101が、NiおよびZnの合金から構成されることにより、従来のNi箔からなる金属箔に比較して、短時間のエッチング工程で金属箔を溶解、除去できた。さらにエッチング時間が短縮されたため、グラフェン膜102とエッチング液104の接触を抑制し、エッチング液104によるグラフェン膜102への損傷を抑制できた。この後、支持膜103およびグラフェン膜102を転写基板105上に固定する工程図1dおよび図2dを行った。さらに転写基板105を純水中で洗浄した後、支持膜103を有機溶媒により除去する工程図1eを行い、表面にグラフェン膜102を固定した転写基板106を得た図2e。なお本実施の形態では、転写基板として表面に300nmのシリコン酸化膜を形成したシリコン基板を用いた。上記工程の後、光学顕微鏡観察およびラマン分光分析により、転写基板上にグラフェン膜が固定されていることを確認した。実施の形態2以下、本発明の第2の実施の形態であるグラフェン膜の形成の工程を、図1および図3を用いて詳細に説明する。まずc面0001を有するサファイア基板100を洗浄し、その上部に電子ビーム蒸着によりNiとZnの多層膜を形成した。次に、金属膜の合金化および表面還元処理として、前記基板を熱処理装置内に保持し、装置内部を水素ガス雰囲気として、熱処理を行った。上記処理により、前記金属多層膜が合金化してNiとZnの合金からなる金属膜101を形成し、また表面に存在する酸化層が還元されて、平滑な金属表面が形成した。上記の加熱処理の後、基板100を取り出さずに装置内部をメタンガスと水素ガスの混合ガス雰囲気に置換して、加熱処理グラフェン膜形成工程を行った図1aおよび図3a。上記の2回の加熱処理の温度範囲としては、300°Cから1000°Cの範囲を用いることができる。また、上記の加熱処理において、例えばRFプラズマを導入することで、原料ガスの反応およびグラフェン膜の形成を促進することができる。上記の結果、前記金属膜101表面にグラフェン膜102が形成した。この後、基板100を室温付近まで冷却し、装置から取り出した。さらに、前記グラフェン膜102上に支持膜103としてPMMA膜をスピンコート法により形成した図1bおよび図3b。この後、前記金属箔101をエッチング液104に浸漬し、金属膜101を溶解して除去するエッチング工程を行った図1cおよび図3c。この際、金属膜101が、NiおよびZnの合金から構成されることにより、従来のNi箔からなる金属箔に比較して、短時間のエッチング工程で金属膜を溶解、除去できた。さらにエッチング時間が短縮されたため、グラフェン膜102とエッチング液104の接触を抑制し、エッチング液104によるグラフェン膜102への損傷を抑制できた。この後、支持膜103およびグラフェン膜102を転写基板105上に固定する工程図1dおよび図3dを行った。さらに転写基板105を純水中で洗浄した後、支持膜103を有機溶媒により除去する工程図1eを行い、表面にグラフェン膜102を固定した転写基板106を得た図3e。なお本実施の形態では、転写基板として表面に300nmのシリコン酸化膜を形成したシリコン基板を用いた。上記工程の後、光学顕微鏡観察およびラマン分光分析により、転写基板上にグラフェン膜が固定されていることを確認した。なお、本実施の形態2では基板として、c面配向したサファイア基板をいたが、本発明では、この他、例えば表面に酸化層を有するシリコン基板等を用いてもよい。