プラズマチャンバ内のウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように寸法を定めたギャップ距離にすることと、前記プラズマチャンバに成膜ガスを流入させることと、ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。請求項1記載の方法であって、前記ギャップ距離は、前記ウェハの前記中央部上方にプラズマが形成されたかを検出するように構成されたフィードバック制御システムに基づいて調整される、方法。請求項1記載の方法であって、前記中央部は、特徴部がエッチングされる前記ウェハ上の範囲と実質的に等しい、方法。請求項1記載の方法であって、前記中央部は、前記ウェハの表面が実質的に平坦である前記ウェハ上の範囲と実質的に等しい、方法。請求項1記載の方法であって、前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。請求項1記載の方法であって、更に、前記成膜完了後に、誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。請求項1記載の方法であって、更に、前記ヒータ温度を、付着応力が最小となるように調整することを含む、方法。請求項1記載の方法であって、前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。請求項1記載の方法であって、前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。ウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された圧力にすることと、ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。請求項10記載の方法であって、前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。請求項10記載の方法であって、更に、誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。請求項10記載の方法であって、更に、前記ヒータ温度を、付着応力が最小となるように調整することを含む方法。請求項10記載の方法であって、前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。プラズマチャンバにおける、ウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定されたギャップ距離にすることと、前記プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定された圧力とすると共に、前記ギャップ距離及び前記圧力は、前記電極ギャップの調整及び前記流入の調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された状態となることと、ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。請求項15記載の方法であって、前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。請求項15記載の方法であって、更に、誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。請求項15記載の方法であって、更に、付着応力が最小となるように設定された前記ヒータ温度を調整することを含む、方法。請求項15記載の方法であって、前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。以下、添付図面に示した幾つかの実施形態を参照して、本発明を詳細に説明する。以下の説明では、本発明を完全に理解するために、多数の具体的な詳細について述べる。しかしながら、こうした具体的な詳細の一部又は全部が無くとも、本発明を実現し得ることは、当業者には明らかであろう。また、周知の処理ステップ及び/又は構造については、本発明を不必要に曖昧にしないために詳細な説明は省略する。本発明は、少なくともビアエッチング及びウェハ接合において直面する問題に対処する。本発明は、一実施形態において、プラズマチャンバ内のウェハ又はウェハ群のベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法に関する。方法は、ウェハを介在させた可動電極と静止電極との間の電極ギャップを調整することを含む。電極ギャップは、ウェハの中央部上方でのプラズマ形成を防止するように設定されたギャップ距離に調整される一方、ウェハのベベルエッジ部の周囲では、プラズマ持続可能状態が依然として形成され得る。方法は、更に、プラズマチャンバに成膜ガスを流入させることを含む。方法は、更に、ヒータを用いて、ベベルエッジ上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することを含む。方法は、更に、成膜ガスから局所プラズマを生成してベベルエッジ部上に成膜することを含む。本発明は、一実施形態において、ウェハ又はウェハ群のベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法に関する。方法は、プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を、ウェハの中央部上方でのプラズマ形成を防止するように構成され且つ、調整後、ウェハのベベルエッジ部の周囲において、プラズマ持続可能状態が形成されるように調整された圧力に調整することを含む。方法は、更に、ヒータを用いて、ベベルエッジ上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することを含む。方法は、更に、成膜ガスから局所プラズマを生成してベベルエッジ部上に成膜することを含む。本発明は、一実施形態において、ウェハ又はウェハ群のベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法に関する。方法は、ウェハを介在させた可動電極と静止電極との間の電極ギャップを調整することを含む。電極ギャップは、ウェハの中央部上方でのプラズマ形成を防止するように設定されたギャップ距離に調整される一方、ウェハのベベルエッジ部の周囲では、プラズマ持続可能状態を依然として形成し得るか、或いはプラズマ持続可能状態が形成される。方法は、更に、プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を、ウェハの中央部上方でのプラズマ形成を防止するように設定された圧力に調整することを含む一方、ウェハのベベルエッジ部の周囲では、プラズマ持続可能状態を依然として形成し得るか、或いはプラズマ持続可能状態が形成される。方法は、更に、ヒータを用いて、ベベルエッジ上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することを含む。方法は、更に、成膜ガスから局所プラズマを生成してベベルエッジ部上に成膜することを含む。図3Aは、エッチング前のウェハ300に適用された、図1A及び1Bにおいて指摘したビアエッチング問題に対する提案解決法を示している。更に、基板エッジ領域302を示している。ハードマスク306は、ウェハの中央部に残存しており、共形保護膜308がベベルエッジ部を保護するためにベベルエッジ部上に配置されている。図3Bは、エッチング後のウェハ300に適用された、図1A及び1Bにおいて指摘したビアエッチング問題に対する提案解決法を示している。ここでも、ハードマスク306が残存している。保護膜308は、僅かに摩滅し、ベベルエッジ領域312において下の基板を保護している。これにより、ベベルエッジ部に生じるブラックシリコンの問題が解決され、折れや汚染物の閉じ込めの可能性が抑制される。図3Aと図3Bとを比較すると、エッチング後の基板の厚さ320は、エッチング前の基板エッジ部の厚さ318からほぼ変化していないことが明らかとなろう。図4は、図2A及び2Bに提示したウェハ接合問題に対する提案解決策を示している。図4は、化学機械研磨CMP処理後の接合ウェハ400を示している。下部ウェハ402は、接合材料406により上部ウェハ414に接合されている。上部ウェハ414は、CMPにより薄く研削されている。この状況において、殆どの半導体製造業者は、接合ウェハのエッジ部上に正の傾斜を形成しつつ、接合材料を保護する必要がある。図4は、ベベルエッジ領域420に成膜した局所共形膜418が、接合ウェハのエッジ部上で所望の効果をどのように生み出し得るかを示している。図5Aは、ウェハのベベルエッジ部において保護膜を成膜するための一般化された仕組みを示す。正確な共形膜をベベルエッジ部の難しいトポロジに成膜する必要性と、別の場所での成膜を防止する必要性とのため、特殊な機器が必要となる。図5Aの仕組みは、容量結合チャンバ500を含む。ガス流制御部504は、ガス又はプラズマをウェハ502のエッジ領域へ供給する。ガス流制御部506は、ガス又はプラズマをウェハ502の中央領域へ供給する。ガス流は、液体ガスの送給又は気相での送給により供給してよい。2つのガス流制御部504及び506は、ウェハエッジ部分と比較したウェハ中央部分上方の差圧を個別に又は連携して変化させ得る。チャンバからの排気は、排気ポンプ508を介して排出し得る。ギャップ510は、セラミックカバー512とウェハ502との間の距離を表す。本発明において、ギャップ510は、プラズマ形成にとって不十分となるように制御される。例えば、1mm以下のギャップでは、プラズマ形成を持続できない場合がある。ギャップ自体は、各チャンバの詳細に基づいて実験的に決定し得る。ガス流制御部504及び506により供給されたガスは、ヒータ/チャック524に電力を供給する高周波源520によりプラズマにする。上部電極526は、セラミックカバー512の上方に配置される。更に、図5Aは、ヒータ/チャック524の上方に配置されたウェハ502を図示している。チャンバの縁部には、接地された上部延長電極536と、接地された下部延長電極538とがある。ライナ540は、成膜から下部延長電極538を保護するのに役立つ。ライナ540は、成膜処理に適合する適切な材料により形成し得る。高周波電流は、ヒータ/チャック524から、上部延長電極536及び下部延長電極538の両方を通過し、チャンバ壁を通って流れ、再び高周波源520へ戻る。サイズ制御可能なセラミック部550は、ヒータ/チャック524の隣に配置される。図5Bは、サイズ制御可能なセラミック部550の拡大図を示す。セラミック部550のサイズは、ウェハ502の下側エッジ部を、成膜のためにプラズマに多少露出させるように制御し得る。図5Bは、セラミック部550及びセラミックカバー512を図示している。半導体製造業者が、ウェハ502のエッジ部の裏側に対する成膜を増やしたい場合には、セラミック部550のサイズを調整し得る。例えば、セラミック部550の外径を小さくすることにより、ベベルエッジ部の裏側においてより多くの成膜を可能にし得る。セラミックカバー512の直径も、ウェハ上側でのベベルエッジ成膜幅を決定するために調整し得る。例えば、セラミックカバー512の外径を小さくすることにより、ベベル部の上方外側のエッジ部において、より多くの成膜を可能にし得る。セラミックカバー512及び上部電極526は、ギャップ制御を可能とするため、ロボットアーム、ベローズ、ベルト、又は他の方法を用いて例えば、上下に移動させることができる。この機構は、ギャップコントローラ回路により制御される。ギャップコントローラは、ウェハとチャンバ上部電極との間でのプラズマ形成を制御する役割を果たす。ギャップコントローラは、プラズマチャンバでのウェハの挿入及び取り出しも支援する。ギャップを制御する実際の機械的運動は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギア等により達成し得る。図6は、本発明の実施形態による、ベベルエッジ部に保護膜を形成する方法ステップを示している。最初のステップ652において、シリコンウェハを、ロボットアーム機構によりチャンバ内に配置する。ステップ654において、上部セラミックカバーとウェハとの間のギャップを、プラズマ抑止ギャップ距離に調整し、ウェハの中央部上方にプラズマが形成されない状態を確保する。本発明の実施形態において、ウェハの中央部は、エッチングされた特徴部を有するウェハの部分、或いは、エッチングされた特徴部を有することを目的とした部分である。本発明の別の実施形態において、ウェハの中央部は、実質的に平坦なウェハの部分である。ステップ656において、液体又は気相成膜ガスをプラズマチャンバに流入させ、チャンバ中央部とチャンバ縁部との間に圧力差を形成する。本発明の実施形態において、圧力差は、プラズマチャンバの中央部及び縁部への複数のガス注入口により制御される。本発明の実施形態において、圧力差及び規定の電極ギャップは、ウェハのエッジ領域近傍においてプラズマを維持し得るが、ウェハの中央部と上部電極との間の領域ではプラズマを維持し得ない。正確な圧力差及び電極ギャップは、試験により予め決定してよく、或いは、プラズマがウェハの中央部上方に形成されているかを検出可能なフィードバック制御システムによりリアルタイムに決定してよい。使用する成膜ガスは、誘電膜、導体膜、有機膜、又は半導体業界において用いる他の任意の膜の前駆物質にしてよい。ステップ658において、ヒータ及び/又はチャックに対する高周波電力をオンにする。この段階において、成膜プラズマが、ウェハのベベルエッジ部上に生じているべきである。ヒータ温度は、例えば、付着応力を最小にするように制御される。ステップ660において、高周波電力及びガス流をオフにする。ステップ662において、ウェハ上方の電極ギャップを拡大し、ウェハの取り出しを容易にする。ステップ664において、ウェハをロボットアーム機構により取り出す。図7は、本発明の実施形態による、図3Aの一般化された実施にベベルエッジ部での原位置insitu洗浄用誘導アンテナを追加したものを示す。原位置洗浄を行う能力は、生産量の向上において重要な利点となる。ギャップ710は、洗浄に最適となるように調整し得る。局所プラズマは、高周波源722によりコイル724に通電することで形成し得る。実施形態において、電極726は、アルミニウムにより形成される。接地された上部延長電極736及び下部延長電極738は、一つ以上の実施形態において、同様にアルミニウムにより作成される。他の材料を、様々な電極に使用してもよい。図8は、本発明の実施形態による、局所成膜後の原位置insitu誘導洗浄のための方法ステップを示す。実質的に容量性のチャンバにおいて高密度洗浄プラズマを形成する原位置誘導洗浄を組み合わせることは、多くの利点を有する。最初のステップ852において、プラズマチャンバ内のウェハ上方の電極ギャップを、ウェハ取り出し用の空間が生じるように調整する。ステップ854において、電極ギャップを、洗浄プラズマがプラズマチャンバの中央部に侵入する量を制御するギャップ距離に再び調整する。ステップ856において、エッチャント洗浄ガスをプラズマチャンバに流入させる。ステップ858において、トランス結合プラズマTCPインダクタコイルの電源を一定期間オンにして、洗浄プラズマを形成し、洗浄プラズマを用いてプラズマチャンバを洗浄できるようにする。ステップ860において、エッチャント洗浄ガスを排出させる。本発明の利点には、ベベル部の折れ及びエッチング処理中の基板エッジ部でのブラックシリコンの形成の防止が含まれる。付加的な利点には、ウェハ接合処理後の接合材料を密封することが含まれる。この共形エッジ成膜処理により、更に、使用者は、2枚の接合ウェハのエッジ部に正の傾斜を形成することができる。以上、実施形態例及び最良の形態を開示してきたが、開示した実施形態には、以下の特許請求の範囲で画定した本発明の主題及び趣旨の範囲内で、変形及び変更を加え得る。