Na-Si-B組成を有する三元系ホウ化物。ホウ化物が、一般式、NaxSiyBzで表される化合物0<x、x<y<4x、8x<z<20xであることを特徴とする請求項1に記載のNa-Si-B組成を有するホウ化物。ホウ化物の結晶構造が、六方晶系又は菱面体晶系であることを特徴とする請求項1又は2に記載のNa-Si-B組成を有するホウ化物。Na-MMはSi及び/又はCを表す-B組成を有するホウ化物の多結晶反応焼結体。ホウ化物が、一般式、NaxSiyBzで表される化合物0<x、x<y<4x、8x<z<20xであることを特徴とするホウ化物の多結晶反応焼結体。ホウ素と元素:MMはSi及び/又はCを表すの混合成形体を金属ナトリウムとともに加熱することを特徴とする請求項4又は5に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。ホウ素の成形体を金属ナトリウム及び元素:MMはSi及び/又はCを表すとともに加熱することを特徴とする請求項4又は5に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。加熱温度が800°C以上であることを特徴とする請求項6又は7に記載のホウ化物の多結晶焼結体の製造方法。不活性ガス雰囲気中で加熱することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載のホウ化物多結晶体の製造方法。この発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、第1の課題は、高機能性材料として有用な新しいホウ化物を提供することにある。第2の課題は、従来の焼結法に比べてエネルギーコストがかからず焼結助剤を必要とせず、しかも複雑な形状の成形が可能で、さらには多元系ホウ化物への展開も可能とする、ホウ化物の多結晶焼結体の新しい製造方法を提供することにある。本発明のホウ化物は以下のことを特徴としている。1Na-Si-B組成を有する三元系ホウ化物。2ホウ化物が、一般式、NaxSiyBzで表される化合物0<x、x<y<4x、8x<z<20xであることを特徴とする1に記載のNa-Si-B組成を有するホウ化物。3ホウ化物の結晶構造が、六方晶系又は菱面体晶系であることを特徴とする1又は2に記載のNa-Si-B組成を有するホウ化物。本発明のホウ化物の多結晶体反応焼結体及びその製造方法は以下のことを特徴としている。4Na-MMはSi及び/又はCを表す-B組成を有する三元系ホウ化物の多結晶反応焼結体。5三元系ホウ化物が、一般式、NaxSiyBzで表される化合物0<x、x<y<4x、8x<z<20xであることを特徴とする4に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体。6ホウ素と元素:MMはSi及び/又はCを表すの混合成形体を金属ナトリウムとともに加熱することを特徴とする4又は5に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。7ホウ素の成形体を金属ナトリウム及び元素:MMはSi及び/又はCを表すとともに加熱することを特徴とする4又は5に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。8加熱温度が800°C以上であることを特徴とする6又は7に記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。9不活性ガス雰囲気中で加熱することを特徴とする6から8のいずれかに記載のホウ化物の多結晶反応焼結体の製造方法。本発明のホウ化物及びホウ化物の多結晶反応焼結体は、これまでにない新規なものであり、これらのものは、耐熱材料や耐摩耗材料、軽量構造材料、熱電変換材料等としての応用が期待される産業上有用な素材である。また、本発明の多結晶反応焼結体の製造方法は、予め成形したホウ素Bを含む成形体に対してホウ素B以外の物質を反応焼結させるだけの簡便な製造方法であり、異種元素を添加することなく複雑な形状のホウ化物の多結晶反応焼結体を容易に製造することができる。また、本発明の製造方法によれば、Na、Bを含有する、種々の新たな多元系ホウ化物焼結体を簡便に製造できることから、多元系ホウ化物焼結体の研究開発に極めて有利な道筋を与えることとなる。本発明に係る、Na-Si-B組成を有する三元系ホウ化物金属ナトリウムNa、ケイ素Si及びホウ素Bを含有する三元系ホウ化物以下、Na-Si-Bホウ化物ともいうについて具体的に説明する。もちろん、以下の説明は、発明の趣旨をより良く理解可能とするためのものであり、本発明を限定するものではない。<Na-Si-Bホウ化物>本発明のNa-Si-Bホウ化物は、Na、Si、Bを混合して、通常は800°C以上の高温で加熱することにより得られる。なお、本発明のNa-Si-Bホウ化物においては、Na-Si-Bの組成のホウ化物の生成を阻害しない限り原料や反応装置由来の微量の不純物の混入が許容されることは言うまでもない。本発明に用いられるNaは、通常公知のNaであれば特に限定されることなく用いることができる。また、本発明に用いられるSiは、通常公知のSiであれば特に限定されることはなく、塊状又は粉末状のSiを使用することができる。本発明に用いられるBは、通常公知のBであれば特に限定させることはなく、結晶性又は非晶質のものを使用することができる。本発明のNa-Si-Bホウ化物の安定存在領域は、一般式、NaxSiyBzで表すことができ、xの値は0<x、好ましくは0<x<10、yの値はx<y<4x、zの値は8x<z<20xの範囲である。また、結晶構造は、六方晶系又は菱面体晶系に属し、ホウ素20面体B1220面体クラスターの構造を含む。代表的組成の化合物はx=8であるNa8Si17.5B74.5であり、六方晶系の格子定数がa=1.024±0.008nm、c=1.092±0.008nmである。本発明によるNa-Si-Bホウ化物は、従来公知のホウ化物に比べて、同程度の強度及び硬度を有する結晶を低温で合成できる点で優れたものである。<Na-Si-Bホウ化物の製造>本発明のNa-Si-Bホウ化物は、通常、上記のNa、Si、Bの各成分を特定の配合量秤量を基準的目安として、これらを不活性ガスとともに反応容器等に密封して加熱することにより得られる。Na、Si、Bの各成分の配合量は、Na:Si:Bのモル比として、通常は、1~10:0.1~5:0.1~10の範囲とし、たとえばモル比が5:1:6となる配合量である。上記、反応容器内に封入する不活性ガスとしては、化学反応性の低いガスであれば制限なく用いることができ、これらのものとしては希ガスや窒素ガス等を挙げることができる。本発明では、特にアルゴンガスを好適に用いることができる。なお、Naの供給方法は特に限定されることはなく、蒸気供給又は融液供給等の供給方法を用いることができる。加熱条件としては、加熱温度が800°C以上、好ましくは800~1200°Cであり、加熱時間が1~48時間、好ましくは24時間である。この加熱条件とすることにより、反応容器内の各成分を十分に反応させることができる。なお、上記の加熱時間の条件は、後述する実施例に用いたBの結晶サイズや配合量を基準とした条件であって、Bの結晶サイズや配合量をこれよりも小さくした場合には、加熱時間を上記の条件よりも短くしても十分に反応させることが可能である。反応後の反応容器内には、本発明のNa-Si-Bホウ化物のほか、NaSi化合物等の残存物が考慮されるが、Na-Si-Bホウ化物以外の物質をエタノール及び蒸留水で洗浄することにより、本発明のNa-Si-Bホウ化物を得ることができる。なお、上記本発明のNa-Si-Bホウ化物の結晶構造は、上記の製造条件に於いて、Bとして非晶質の粉末を用いて1000°Cより低い温度で合成する又は結晶質のBを用いることにより六方晶系とすることができ、Bとして非晶質の粉末を用いて1000°C以上で合成すると菱面体晶系とすることができる。<Na-MMはSi及び/又はCを表す-Bホウ化物の多結晶反応焼結体>本発明のNa-MMはケイ素Si及び/又は炭素Cを表す-Bホウ化物の多結晶反応焼結体以下、単に、ホウ化物多結晶体又は多結晶体ともいうは、上記本発明のNa-Si-Bホウ化物等を焼結させることにより得られ、該ホウ化物と同様の組成を有するものである。本発明のNa-MMはSi及び/又はCを表す-Bホウ化物の反応焼結体の製造に当たっては、前駆体として上記Na-Si-Bホウ化物と同様のものを用いることができる。ホウ化物として、種々のものを用いることができるが、一般式、NaxSiyBzで表される化合物0<x、x<y<4x、8x<z<20xであるものを用いることが好ましい。本発明の上記ホウ化物多結晶体の製造方法に用いるNaとしては、通常公知のNaを用いることができる。成形体に対するNaの供給方法としては特に制限はなく、蒸気供給、融液供給等を適宜用いることができる。Bとしては、通常公知の結晶性又は非晶質のものを用いることができる。また、Na、Bとともに多元系ホウ化物を構成する元素:MとしてはSi及び/又はCを用いることができる。本発明のホウ化物多結晶体の製造方法では、Na-M-Bの3成分からなる三元素、そして複数種の元素:Mが組合わされたものまでの多元系ホウ化物の製造方法を可能とする。より具体的には、上記のBとMの混合成形体をNaとともに加熱してホウ化物多結晶体を製造する方法、又は、Bの成形体をNa及びMとともに加熱してホウ化物多結晶体を製造する方法のいずれの方法でもよい。上記本発明のホウ化物多結晶体の製造方法においては、成形体と他の構成材料を不活性ガスとともに反応容器等に密封して加熱することが好ましい。不活性ガスとしては、化学反応性の低いガスであれば制限なく用いることができ、これらのものとしては希ガスや窒素ガス等を挙げることができる。本発明では、特にアルゴンガスを好適に用いることができる。加熱温度は、目安としては800°C以上、好ましくは800~1200°Cの範囲内とし、加熱時間は1~48時間、好ましくは20~30時間の範囲内とすることが考慮される。このような加熱条件とすることにより、反応容器内のホウ化物多結晶体の構成成分を十分に化合、焼結させることができ、高品質のホウ化物多結晶体を得ることができる。なお、上記の加熱時間の条件は、成形体の寸法を約2.0mm×3.0mm×14.0mmとした場合の条件であり、成形体の寸法をこれよりも小さくした場合には、加熱時間を上記条件より短くしても十分に化合、焼結させることが可能である。反応後の反応容器内には、本発明のホウ化物多結晶体のほか、他の化合物等の残存物が考慮されるが、ホウ化物以外の物質をエタノール及び蒸留水で洗浄することにより、本発明のホウ化物多結晶体を得ることができる。本発明のホウ化物多結晶体の製造方法においては、上記MとしてSi及び/又はCを用いる。Cとしては通常公知のものを用いることができ、これらのものとしてはカーボンブラックやフラーレン等の粉末状のものを挙げることができる。また、Siとしては、通常公知の塊状又は粉末状のSiを用いることができる。以下に、本発明のホウ化物多結晶体の特に好ましい製造方法の形態として、Mとして、Siを用いたホウ化物焼結体及び、Cを用いたホウ化物焼結体の製造方法について詳述する。<Na-Si-Bホウ化物の多結晶体の製造1>B成形体を用いる製造方法においては、まず、非晶質のBを圧粉してBの成形体を作製する。次に不活性ガス雰囲気中でNa:Si:Bがモル比で基準目安1~10:0.1~5:0.1~10の範囲で、より好ましくは3:1:1となるようにNa及びSiを秤量し、反応容器に密封して、前記本発明の条件の範囲で加熱した後、冷却してNa-Si-Bホウ化物多結晶体を製造することができる。<Na-Si-Bホウ化物多結晶体の製造2>BとSiの混合成形体を用いる製造方法においては、非晶質のBとSiをモル比が標準目安として4:xx=1~4になるように秤量して混合した後、圧粉してBとSiの混合成形体を作製する。次に、不活性ガス雰囲気中でB、Siの混合成形体と、Naを別々のルツボに入れた後2つのルツボを反応容器に密封して、前記本発明の条件の範囲で加熱した後、冷却する。この方法では、Naを蒸気相より供給し、B、Siの混合成形体と化合させることにより、Na-Si-Bホウ化物多結晶体を製造することができる。<Na-C-Bホウ化物多結晶体の製造>BとCの混合成形体を用いる製造方法においては、BとCをモル比が基準目安としてB/C=2~8になるように秤量して混合した後、圧粉してBとCの混合成形体を作製する。次に、不活性ガス雰囲気中でB、Cの混合成形体とNaを反応容器に密封し、前記本発明の条件の範囲で加熱した後、冷却することにより、Na-C-Bホウ化物多結晶体を製造することができる。前記モル比B/C=5とすることで、NaCB5ホウ化物多結晶体を製造することができる。上記の本発明のホウ化物多結晶体の製造方法によれば、圧粉して作製する成形体の形状を所望の形状とすることにより、これまで焼結法等の方法では非常に困難であった複雑な形状のホウ化物の多結晶反応焼結体を容易に製造することが可能となる。また、この方法によれば、従来の焼結体の製造で採用されているホットプレス焼結法HIP法やスパークプラズマ焼結法SPS法等のような高温、高圧条件が必要なく、さらに常圧焼結法で用いられる焼結助剤を用いる必要がないため、エネルギーコストを抑えた高品質のホウ化物多結晶体を製造することが可能となる。次に、本発明に係るNa-Si-Bホウ化物及びNa-MMはSi及び/又はCを表す-Bホウ化物の多結晶反応焼結体について、実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。高純度アルゴンガス雰囲気O2、H2O濃度<1ppmのグローブボックス内で、Na:Si:Bのモル比が5:1:6となるように、0.09gのNa日本曹達株式会社製、純度99.95と、0.02gの粉末状のSi高純度化学研究所、純度99.999、粒径<75μmと、0.05gの非晶質の粉末状B和光純薬、純度95を秤量した。次に、図1aに示すように、秤量したNa1、Si2、B3をBNルツボ6に入れた。BNルツボ6は、焼結BNルツボ昭和電工株式会社製を用いた。反応容器7ステンレス製:SUS316の内部にBNルツボ6を配置し、高純度アルゴン雰囲気中で反応容器7をステンレス製のキャップ8で密封した。反応容器7は、内径が10mm、長さが80mmのものを用いた。その後、反応容器5を電気炉内に設置し、800~1000°Cまで2時間で昇温して24時間保持した後、室温まで冷却して反応容器7を取り出した。反応容器7をグローブボックス内で切断して、BNルツボ6を取り出した。ルツボ内部には黒色の粉末状の物質と、銀色の物質の混合体が存在していた。X線回折測定株式会社リガク製、製品名Rint、線源;CuKαを用いて、得られた銀色の物質について調べたところ、NaSi組成比1:1の金属間化合物とNaを主相とするものであると同定された。上記で得られた混合体をエタノール及び蒸留水で洗浄して、NaSi化合物とNaを除去した。洗浄後に残存した黒色の結晶試料を回収した。図2に、Na、Si及び結晶質のBを1000°Cで加熱して得られた結晶試料の走査電子顕微鏡SEM写真を示す。観察された結晶は六角柱状で大きさは約数十~200μmであった。上記の試料中から大きさが約100μmの単結晶を取り出し、その単結晶についてイメージングプレートを装備した単結晶X線回折装置株式会社リガク製、製品名RAPID、線源;MoKαでX線回折を行った。X線回折スポットより、得られた結晶試料の空間群はP63/mmc、格子定数はa=1.024±0.008nm、c=1.092±0.008nmの六方晶系であることが確認された。結晶中ではホウ素20面体B1220面体クラスターが3次元ネットワークを形成している。表1~4に実施例1のNa-Si-Bホウ化物の単結晶X線回折データより得られた結果を示す。また、図3に上記の結晶試料のX線回折パターンを示す。X線回折パターンは上記の格子定数で説明することができる。波長分散型X線分析法WDXを用いた組成分析の結果、得られた結晶試料はNa、Si、Bで構成されていることが確認された。また、結晶中にはNa、Si、B以外の元素は検出されなかった。これらの結果から、得られた結晶試料はその組成がNa8Si17.5B74.5の、本発明のNa-Si-Bホウ化物であることが確認された。得られた単結晶のc面に対してマイクロビッカース測定を行った結果、結晶の硬度は20.4±0.6GPaであった。実施例1の非晶質の粉末状Bを、結晶質のB和光純薬、純度995に変更した以外は、実施例1と同様の条件及び方法により結晶試料を得た。Na、Si及び非晶質のBを1000°Cで加熱して得られた結晶試料は、菱面体晶系の結晶構造であり、その格子定数はa1.020±0.008nm、c=1.661±0.008nmであった。表5に実施例2のNa-Si-Bホウ化物のX線回折データを示す。図4に上記の結晶試料のX線回折パターンを示す。X線回折パターンは上記の格子定数で説明することができる。波長分散型X線分析法WDXを用いた組成分析の結果、実施例1と同様、得られた結晶試料はNa、Si、Bで構成されていることが確認された。また、結晶中にはNa、Si、B以外の元素は検出されなかった。これらの結果から、得られた結晶試料は、本発明のNa-Si-Bホウ化物であることが確認された。次に、本発明に係るNa-Si-Bホウ化物反応焼結体について具体的に説明する。なお、以下の実施例3、4で用いた高純度アルゴンガス、BNルツボ、反応容器は、実施例1、2で用いたものと同様のものである。非晶質の粉末状B和光純薬、純度950.1gをダイスを用いて圧粉し、Bの成形体1.9mm×3.0mm×14.0mmを作製した。高純度アルゴンガス雰囲気のグローブボックス内でNa:Si:Bがモル比で3:1:1となるようにNa日本曹達株式会社製、純度99.95と粉末状Si高純度化学研究所製、純度99.999を秤量した。図1bに示すように、作製したB成形体4とともにNa1及びSi2をBNルツボ6に入れた。次に、反応容器7の内部にBNルツボ6を配置し、高純度アルゴン雰囲気中で反応容器7をキャップ8で密封した。その後、反応容器7を電気炉内に設置し、800~1000°Cまで2時間で昇温して24時間保持した後、室温まで冷却して反応容器7を取り出した。反応容器7をグローブボックス内で切断してBNルツボ6を取り出した。成形体のまわりをNa及びNaSiが覆っていた。これらをエタノール及び蒸留水で洗浄して、Na及びNaSiを除去して多結晶体試料を得た。図5は原料に用いたB成形体aと得られた多結晶体試料試料bの光学顕微鏡写真である。この多結晶体bの形状は1.99m×3.10mm×14.40mmで、加熱前のB成形体aに比べて体積が約11膨張していた。上記の多結晶体試料についてX線回折装置株式会社リガク製、製品名RINT、線源;CuKαでX線回折を行った。図6に多結晶体試料のX線回折パターンを示す。このX線回折パターンより、得られた多結晶体試料はNa8Si17.5B74.5P63/mmc、格子定数a1.024±0.008nm、c=1.092±0.008nmであり、本発明のNa-Si-Bホウ化物多結晶体であることが確認された。この多結晶反応体試料の密度は1.88Mg/m3で、Na8Si17.5B74.5の理論密度2.47Mg/m3の約76であった。得られた多結晶反応焼結体試料に対して室温曲げ試験を行った結果、試料の曲げ強度は104MPaであった。非晶質の粉末状B和光純薬、純度95と粉末状Si高純度化学研究所製、純度99.999をモル比で4:xx=1、2及び3となるように3種類秤量し、メノウ乳鉢を用いて混合した。その混合粉末約0.16gをダイスを用いて圧粉し、BとSiの混合粉末成形体2.4~2.5mm×3.0mm×14.0mmを3種類作製した。高純度アルゴンガス雰囲気のグローブボックス内で約0.5gのNa日本曹達株式会社製、純度99.95と作製した成形体を別々のBNルツボ6の内部に入れた。次に、図1cのように、反応容器7の内部に、BとSiの混合粉末成形体5を入れたBNルツボ6と、Na1を入れたBNルツボ6を別々に配置し、高純度アルゴン雰囲気中で反応容器7をキャップ8で密封した。その後、反応容器7を電気炉内に設置し、900°Cまで2時間で昇温して24時間保持した後、室温まで冷却して反応容器7を取り出した。反応容器7をグローブボックス内で切断してBNルツボ6を取り出した。成形体5のまわりをNa及びNaSiが覆っていた。これらをエタノール及び蒸留水で洗浄して、Na及びNaSiを除去して反応焼結体試料を得た。Si組成x=1、2及び3の3種類についてそれぞれ多結晶体試料を得た。図7はSi組成x=1の条件のNaとSiの混合成形体aとその条件で得られた多結晶体試料bの光学顕微鏡写真である。加熱前のNaとSiの混合成形体の形状が2.5mm×3.0mm×14.0mmであったのに対し、得られた多結晶体試料の形状は2.7mm×3.1mm×14.3mmであった。Si組成x=1、2及び3の条件で作製したすべての多結晶体試料が加熱前のNaとSiの混合成形体を保持していた。上記の多結晶体試料についてX線回折装置株式会社リガク製、製品名RINT、線源;CuKαでX線回折を測定した。X線回折パターンより、この多結晶反応焼結体試料はすべてNa8Si17.5B74.5P63/mmc、格子定数a1.024±0.008nm、c=1.092±0.008nmであり、本発明のNa-Si-Bホウ化物多結晶体であることが確認された。また、Si組成x=1、2及び3の条件で得られた多結晶体試料の密度はそれぞれ1.45、1.24及び0.92Mg/m3で、Na8Si17.5B74.5の理論密度2.47Mg/m3の約59、50及び37であった。非晶質の粉末状B和光純薬、純度95と、Cとしてカーボンブラック粉末三菱化学をモル比で5:1となるように秤量し、メノウ乳鉢を用いて混合した。その混合粉末0.12gをダイスを用いて圧粉し、BとCの混合成形体2.0mm×3.0mm×14.0mm9を作製した。次に、図1dに示すように、成形体9を高純度アルゴンガス雰囲気O2、H2O濃度<1ppmのグローブボックス内で約0.2gのNaとして金属ナトリウム1日本曹達株式会社製、純度99.95とともにBNルツボ6の内部に入れた。BNルツボ6としては、焼結BNルツボ昭和電工株式会社製を用いた。次に、反応容器7ステンレス製:SUS316の内部にBNルツボ6を配置し、高純度アルゴンガス雰囲気中で反応容器7をステンレス製のキャップ8で密封した。使用した反応容器7は、内径が10mm、長さが80~100mmである。その後、反応容器7を電気炉内に設置し、800~1000°Cまで2時間で昇温して24時間保持した後、室温まで冷却して反応容器7を取り出した。反応容器7をグローブボックス内で切断してBNルツボ6を取り出した。BNルツボ内の試料表面はNaで覆われていた。上記で得られた試料をエタノール及び蒸留水で洗浄して、Naを除去して多結晶体試料を得た。図8にBとCの混合成形体aと得られた多結晶体試料bの光学顕微鏡写真を示す。この多結晶反応体試料の形状は2.16mm×3.12mm×14.58mmで、加熱前のBとCの混合成形体に比べて体積が約17膨張していた。この多結晶反応体試料についてX線回折装置株式会社リガク製、製品名RINT、線源;CuKαでX線回折を測定した。図9にX線回折パターンを示す。このX線回折パターンより、得られた多結晶体試料はNaCB5Pm-3m、格子定数a0.409±0.008nmであり、本発明のホウ化物多結晶体であることが確認された。この多結晶体試料の密度は1.61Mg/m3で、NaCB5の理論密度2.16Mg/m3の約75であった。得られた多結晶体試料に対して室温曲げ試験を行った結果、試料の曲げ強度は92MPaであった。