銅を主成分とする金属からなる第1の基材部と、前記第1の基材部の表面を被覆する酸化銅を主成分とする酸化物からなる第1の被膜部とを有する第1の被接合部、および銅を主成分とする金属からなる第2の基材部と、前記第2の基材部の表面を被覆する酸化銅を主成分とする酸化物からなる第2の被膜部とを有する第2の被接合部を用意する工程と、前記第1の被膜部と、前記第2の被膜部との間に、前記第1の被膜部の酸化銅を主成分とする酸化物および前記第2の被膜部の酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填し、前記第1の被接合部の最表面および前記第2の被接合部の最表面にそれぞれ前記第1の基材部の銅を主成分とする金属および前記第2の基材部の銅を主成分とする金属を露出させる工程と、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部との間の距離を縮めるように前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを加圧する工程と、前記第1の被接合部と前記第2の被接合部とを加圧した状態で、加熱により前記第1の被接合部の銅と前記第2の被接合部の銅とを接合する工程と、を備えることを特徴とする金属の接合方法。前記第1の被接合部の銅と前記第2の被接合部の銅とを接合させた後、接合部分を冷却する工程と、をさらに備える請求項1に記載の金属の接合方法。前記第1の被膜部と、前記第2の被膜部との間に、前記溶液を充填する前に、第1の被接合部の表面および第2の接合部の表面に対して外部から応力を加える工程を備える請求項1または2に記載の金属の接合方法。外部から応力を加える工程が、第1の被接合部の表面および第2の接合部の表面を研磨する工程である請求項3に記載の金属の接合方法。はんだを介して銅同士を接合する方法では、銅とはんだとの接合界面にCu-Sn合金が生じる。Cu-Sn合金は電気抵抗が比較的大きく、かつ延性が乏しいため、接合部分の電気特性や接続信頼性が低下するという課題がある。接合面を高温に加熱して加圧により接合する方法では、配線基板や半導体チップに熱や加圧によるダメージが生じる可能性がある。また、真空中で接合面を活性化させて接合する方法では、真空装置などの大がかりな設備が必要となりコストの増大が避けられない。本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を接合することのできる技術の提供にある。本発明のある態様は、金属の接合方法である。当該金属の接合方法は、銅を主成分とする金属からなる第1の基材部と、第1の基材部の表面を被覆する酸化銅を主成分とする酸化物からなる第1の被膜部とを有する第1の被接合部、および銅を主成分とする金属からなる第2の基材部と、第2の基材部の表面を被覆する酸化銅を主成分とする酸化物からなる第2の被膜部とを有する第2の被接合部を用意する工程と、第1の被膜部と、第2の被膜部との間に、第1の被膜部の酸化銅を主成分とする酸化物および第2の被膜部の酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填し、第1の被接合部の最表面および第2の被接合部の最表面にそれぞれ第1の基材部のおよび第2の基材部の銅を主成分とする金属を露出させる工程と、第1の被接合部と第2の被接合部との間の距離を縮めるように第1の被接合部と第2の被接合部とを加圧する工程と、第1の被接合部と第2の被接合部とを加圧した状態で、加熱により第1の被接合部の銅と第2の被接合部の銅とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。この態様の金属の接合方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。第1の被膜部および第2の被膜部が溶液中に溶出することにより、第1の被接合部および第2の被接合部の接合面にそれぞれ銅が露出する、言い換えると第1の被接合部および第2の被接合部の接合面が活性化される。第1の被接合部の接合面と、第2の被接合部の接合面とが活性化された後、析出銅を介して接合される。これにより、第1の被接合部の接合面と析出銅との間および第2の被接合部の接合面と析出銅との間にボイドが発生したり、副生成物が介在することが抑制されるため、第1の被接合部と第2の被接合部との接続信頼性を高めることができる。また上述した態様の金属の接合方法において、第1の被膜部と、第2の被膜部との間に、溶液を充填する前に、第1の被接合部の表面および第2の接合部の表面に対して外部から応力を加える工程を備えてもよい。この場合に、外部から応力を加える工程が、第1の被接合部の表面および第2の接合部の表面を研磨する工程であってもよい。なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。本発明によれば、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を接合することができる。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。実施の形態1図1および図2は、実施の形態1に係る金属の接合方法を示す工程図である。図1および図2を参照して実施の形態1に係る金属の接合方法を説明する。まず、図1Aに示すように、第1の被接合部10および第2の被接合部20を用意する。第1の被接合部10は、銅を主成分とする金属からなる第1の基材部12と、第1の基材部12の接合面側の表面を被覆する第1の被膜部14とを有する。また、第2の被接合部20は、銅を主成分とする金属からなる第2の基材部22と、第2の基材部22の接合面側の表面を被覆する第2の被膜部24とを有する。第1の被膜部14および第2の被膜部24はともに酸化銅を主成分とする酸化物で形成されている。ここで、銅を主成分とするおよび酸化銅を主成分とするという表現中、主成分とするは、銅または酸化銅の含有量が50よりも大きいことを意味する。第1の基材部12および第2の基材部22は、銅を主成分とする金属で形成されていればよく、その形態は特に制限されない。第1の基材部12および第2の基材部22は、たとえば、スパッタ法によりSi基板などの基板上に形成された銅からなる堆積層であってもよく、銅箔などの銅板をパターニングすることにより形成した配線層の外部端子部分であってもよい。第1の被膜部14および第2の被膜部24は、具体的には、Cu2Oで形成された薄膜状の被膜であり、その厚さは、たとえば、10nmである。第1の被膜部14および第2の被膜部24は、意図的に形成された被膜であっても、意図せず形成された被膜であってもよい。本実施の形態では、第1の被膜部14および第2の被膜部24は、銅が大気中で酸化することにより形成される自然酸化膜である。次に、図1Bに示すように、第1の被膜部14と第2の被膜部24との間に、第1の被膜部14の酸化銅および第2の被膜部24の酸化銅が溶出または溶解する溶液30を充填する。本実施の形態では、溶液30はアンモニア水である。第1の被膜部14と第2の被膜部24との間に溶液30を充填したときの、第1の被膜部14の露出面と第2の被膜部24の露出面との距離は、たとえば、1μmである。室温で1分程度放置すると、図1Cに示すように、第1の被膜部14を構成する酸化銅が溶液30中に溶出し、第1の被膜部14が消失する。また、第2の被膜部24を構成する酸化銅が溶液30中に溶出し、第2の被膜部24が消失する。第1の被膜部14および第2の被膜部24を構成する酸化銅が溶液30に溶出することにより、第1の被接合部10の最表面接合面側の露出面および第2の被接合部20の最表面接合面側の露出面にそれぞれ第1の基材部12および第2の基材部22を構成する銅が露出する。また、溶液30中では、配位子となるアンモニアイオンと銅イオンとにより銅錯体が形成される。本実施の形態では、銅錯体は、[CuNH34]2で表される加熱分解性のテトラアンミン銅錯イオンとして存在すると考えられる。なお、アンモニア水は銅に対して不活性であるため、第1の基材部12および第2の基材部22を構成する銅はアンモニア水と反応せずに残存している。次に、図2Aに示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20との間の距離を縮めるように、プレス機を用いて第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧する。加圧時の圧力は、たとえば、1MPaである。次に、図2Bに示すように、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧した状態で200°C~300°Cの比較的低温な条件下で加熱することにより溶液30中の銅以外の成分を除去して銅を析出または再結晶化させる。本実施の形態では、加熱により水分が蒸発するとともに、テトラアンミン銅錯イオンが熱分解してアンモニア成分が蒸発する。これにより、溶液30において銅の割合が徐々に高まるとともに、プレス機による加圧により第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面との距離が徐々に近づく。なお、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧して接合させる際には、プレス機の第1及び/または第2の被接合部に接する面をあらかじめ加熱しておいた状態で、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを加圧して接合させる、即ち、加熱と加圧を同時に行っても良い。次に、図2Cに示すように、溶液30中の銅以外の成分の除去が完了すると、第1の被接合部10の最表面と第2の被接合部20の最表面とが酸化銅由来の銅からなる析出銅40により接合される。この析出銅40は、配向性および安定性が優れている。最終的な析出銅40の厚さは、図1Aで用意した第1の被膜部14の厚さと、第2の被膜部24の厚さの和と同程度である。析出銅40により接合が完了した後、加熱を停止して析出銅40による接合部分を徐々に室温程度まで冷却する。なお、加熱開始から加熱停止までの時間は、たとえば、10分間である。冷却完了後、加圧を解除し、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合工程が完了する。以上説明した金属の接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。具体的には、第1の被膜部14および第2の被膜部24が溶液30中に溶出することにより、第1の被接合部10および第2の被接合部20の接合面にそれぞれ銅が露出する、言い換えると第1の被接合部10および第2の被接合部20の接合面が活性化される。第1の被接合部10の接合面と、第2の被接合部20の接合面とが活性化された後、析出銅40を介して接合される。これにより、第1の被接合部10の接合面と析出銅40との間および第2の被接合部20の接合面と析出銅40との間にボイドが発生したり副生成物が介在することが抑制されるため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接続信頼性を高めることができる。第1の被接合部10と第2の被接合部20との接合を担う析出銅40として、第1の被接合部10と第2の被接合部20の酸化被膜として存在していた酸化銅由来の銅が用いられているため、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合するために、接合材料を別途用意する必要がない。このため、第1の被接合部10と第2の被接合部20との接続に要するコストを低減することができる。接合部の評価実施例1では、第1の被接合部としてプリント基板上の銅配線厚さ26μm、第2の被接合部としてSi基板上にスパッタ法により形成された銅層厚さ0.3μmを用意した。第1の被接合部と第2の被接合部との間に充填する溶液として、NH3濃度が0.28のアンモニア水を用いた。加圧は1MPaとし、加熱条件は、300°C、10分間保持として、第1の被接合部と第2の被接合部とを接合した。また、比較例1では、第1の被接合部と第2の被接合部との間に充填する溶液を純水としたことを除き、比較例1と同様な条件により、第1の被接合部と第2の被接合部とを接合した。実施例1および比較例1の接合方法で得られた接合部分について、それぞれ、SIM走査型イオン顕微鏡を用いて観察を行った。図3Aおよび図3Bは、それぞれ、実施例1および比較例1の接合方法で得られた接合部のSIM写真である。図3Bに示すように、比較例1の接合方法では、接合界面が比較的はっきりと確認でき、接合界面にボイドが生成する様子が示されている。これに対して、図3Aに示すように、実施例1の接合方法では、銅の粒塊が接合界面をまたがるように形成されており、接合部分にボイドが発生することが抑制されていることがわかる。このように、第1の被接合部と第2の被接合部との間に充填する溶液として単に純水を用いただけでは、銅同士の接合強度を十分に確保することができず、アンモニア水を用いることにより、接続信頼性を確保しつつ銅同士を接合することができることが確認された。金属接合に用いる溶液上述した実施の形態1に係る金属の接合方法では、金属接合に用いる溶液としてアンモニア水が用いられているが、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であれば、これに限られず、たとえば、カルボン酸水溶液であってもよい。カルボン酸水溶液の調製に用いられるカルボン酸としては、酢酸などのモノカルボン酸、また、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸などのジカルボン酸、さらに、酒石酸、クエン酸、乳酸、サリチル酸などのオキシカルボン酸が挙げられる。このうち、カルボン酸水溶液は多座配位子となるカルボン酸を有することが好ましい。多座配位子となるカルボン酸を有するカルボン酸水溶液では、カルボン酸と銅がキレートを形成することにより銅錯体の安定性が非常に大きくなる。この結果、接合に必要な温度をより低温化させることができる。なお、酒石酸がキレートを形成することについては、理化学辞典第4版岩波書店の第593頁に記載されている。また、酒石酸、シュウ酸などがキレートを形成することはヘスロップジョーンズ無機化学下齋藤喜彦訳の第666頁に記載されている。ここで、キレート化とは、多座配位子によって環が形成されることによって錯体の安定度が非常に大きくなることをいう。カルボン酸水溶液を用いた接合実験金属接合に用いる溶液として、酢酸溶液酢酸濃度10wt、シュウ酸溶液シュウ酸濃度10wtを用いて上述した接合方法に従い接合実験を行った。なお、接合時の圧力は1MPaとした。金属接合に用いる溶液として、モノカルボン酸を含む酢酸溶液を用いた場合には、接合温度が150°Cのとき、せん断応力25MPa以上の接合強度が得られたが、接合温度が125°Cでは、十分な接合強度が得られなかった。一方、金属接合に用いる溶液として、ジカルボン酸を含むシュウ酸溶液を用いた場合には、接合温度が125°Cの低温条件においても、せん断応力25MPa以上の接合強度が得られた。さらに接合温度を100°Cに下げて接合実験を行ったところ、十分な接合強度が得られなかった。上記接合実験により、銅イオンとキレートを形成するシュウ酸溶液を用いることにより、接合温度を125°C程度まで低温化することができることが確認された。このような低温条件下での金属接合の実現は従来の技術では困難であり、本金属接合技術の特徴事項と言える。今後、本金属接合技術は電子部品の接合に限られず幅広い分野での適用が期待される。実施の形態2本実施の形態に係る金属の接合方法は、図1Bに示した溶液充填工程の前に、第1の被膜部14の表面および第2の被膜部24の表面に対して外部から応力を加える工程以下、応力印加工程というを備えることを除き、実施の形態1に係る金属の接合方法と同様な工程により、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合する方法である。応力印加工程の具体例としては、第1の被膜部14の表面および第2の被膜部24の表面を研磨する方法、第1の被膜部14の表面および第2の被膜部24の表面をハンマー状の部材で叩く方法、第1の被接合部10および第2の被接合部20を曲げ加工する方法やブラスト加工法、加熱する方法などが挙げられる。なお、応力印加工程は、第1の被接合部10の表面および第2の被接合部20の表面にそれぞれ歪層を形成することができればよく、上述した各方法には限定されない。応力印加工程により有機物等の不純物が生じる場合には、応力印加工程の後に洗浄工程を実施することが好ましい。なお、歪層とは、第1の基材部12および第2の基材部22中の銅よりも小さい平均粒径が小さい銅の粒塊で形成された層をいう。歪層の厚さは、第1の被膜部14や第2の被膜部24より厚く、たとえば1μmである。応力印加工程を経た後、上述した図1Bに示すようなアンモニア水あるいはカルボン酸水溶液を用いた溶液充填工程、図1Cに示すような被膜除去工程、図2Aに示すような加圧工程、図2Bに示すような加熱工程再結晶化工程、図2Cに示すような冷却工程を行うことにより、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合することができる。ただし、本実施の形態では、第1の被接合部10と第2の被接合部20とを接合する前に、応力印加工程により各表面に歪層を形成することで、加熱工程における温度をより低温たとえば125°C~200°Cにしても十分な接合強度を得ることができる。なお、歪層は再結晶化の過程で第1の基材部12および第2の基材部22中の銅の平均粒径と同等な銅の粒塊に成長する。応力印加に関する接合実験実施例2では、第1の被接合部および第2の被接合部としてそれぞれ銅板厚さ1.0μmを用意した。第1の被接合部の表面および第2の被接合部の表面に研磨により歪層を形成した後、上述したような拡散接合を行った。具体的には、第1の被接合部と第2の被接合部との間に充填する溶液として、NH3濃度が0.28のアンモニア水を用いた。加圧は6MPaとし、加熱条件は、125°C、10分間保持として、第1の被接合部と第2の被接合部とを接合した。比較例2では、応力印加工程に代えて、ウェットエッチングにより第1の被接合部の表面および第2の被接合部の表面を平坦化する工程を実施した。実施例3では、ウェットエッチングにより第1の被接合部の表面および第2の被接合部の表面を平坦化する工程を実施した後、研磨により歪層を形成した。図4は、実施例2、比較例2および実施例3の接合方法において応力印加またはウェットエッチングを行った後の第1の接合部の断面SIM像である。図4に示すように、実施例2、3では第1の接合部の表面に歪層が形成されていることが確認された。歪層の厚さは、実施例2、3ともに0.41μmであった。一方、比較例2では、第1の接合部の表面は平坦であり、歪層は形成されていない。実施例2、比較例2および実施例3の接合方法による接合実験を行った結果、実施例2および実施例3では、せん断応力が25MPa以上であり、歪層が0.41μmあれば十分な接合強度が得られることが確認された。これに対して、比較例2では、十分な接合強度が得られず、第1の接合部と第2の接合部とが容易に分離した。実施例3の結果が示すように、被接合部の表面がウェットエッチングで平坦になった状態でも歪層を形成することで十分な接合強度が得られることから、接合強度の向上に対して歪層が顕著に寄与していることが確認された。本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。