"基板と、該基板上に設けられた電極層と、該電極層上に設けられた光電変換層とを備え、前記電極層は、複数の結晶粒からなり、該結晶粒が前記電極層の厚み方向に柱状に連なって湾曲部を有するように配列されている、光電変換装置。前記結晶粒の配列は、前記湾曲部を複数有しており、これら湾曲部が同じ方向に湾曲している、請求項1に記載の光電変換装置。前記電極層は、複数の層で構成されており、これら層のそれぞれにおいて前記湾曲部を有している、請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記結晶粒は、屈曲部を有している、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記電極層は、モリブデンからなる、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。ところで、光電変換装置の電極層が金属等の薄膜で作製される場合、電極層の形成工程では、加熱処理後に冷却処理が行われる場合がある。このとき、基板と電極層の熱膨張率の差異によって応力が発生し、電極層にクラックが発生する可能性があった。この電極層のクラックの進行によって、光電変換装置の直列抵抗成分が増大し、光電変換効率が低下する場合があった。本発明の一つの目的は、光電変換効率の低下を低減する光電変換装置を提供することにある。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置は、基板と該基板上に設けられた電極層と該電極層上に設けられた光電変換層とを備える。そして、前記電極層は、複数の結晶粒からなり、該結晶粒が前記電極層の厚み方向に柱状に連なって湾曲部を有するように配列されている。本発明の一の実施形態に係る光電変換装置によれば、電極層の厚み方向におけるクラックの進行を低減できる。これにより、光電変換装置の直列抵抗成分の増大を低減できるため、光電変換効率の低下を小さくできる。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1~図3、図6および図7には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の概略構成><光電変換装置の概略構成>光電変換装置100は、図1または図2に示すように、基板1と、該基板1の一主面上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は溝部P3によって分離されている。すなわち、光電変換装置100では、所定の配列方向本実施形態ではX方向に沿って、溝部P3を介して複数の光電変換セル10が基板1の一主面上に配列されている。図1では、図示の都合上、溝部P1が上面透視されており、点線で示されている。また、図1では、3つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、光電変換装置100には、図面の左右方向に、多数例えば、8個の光電変換セル10が平面的に二次元的に配列されていても良い。そして、例えば、光電変換装置100のX軸方向の両端部に、発電による電圧および電流を得るための電極が設けられ得る。なお、光電変換装置100には、例えば、多数の光電変換セル10がマトリックス状に配置されていても良い。また、例えば、各光電変換セル10の上面の形状が概ね長方形であり、光電変換装置100の上面の形状が概ね正方形である態様が採用され得る。なお、各光電変換セル10の上面の形状は概ね長方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。また、光電変換装置100の上面の形状は概ね正方形である必要はなく、その他の形状であっても良い。但し、光電変換装置100では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置100において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置100から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置100に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、電極層としての下部電極2、光電変換層3、上部電極層4および線状導電部5を備えている。また、各光電変換セル10には、溝部P1および溝部P2が設けられている。そして、光電変換装置100では、線状導電部5が設けられた側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、および金属等が挙げられる。ここでは、基板1が、1~3mm以下程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスであるものとする。また、ガラスには、カリウムおよびナトリウムのいずれか一方を含有させてもよい。これにより、光吸収層31を後述するI-III-VI族化合物半導体で構成した場合、光電変換層3のキャリア濃度を増加させることができるため、光電変換層3の変換効率が高められ得る。下部電極層2は、基板1のZ側の一主面の上に設けられた導電層である。下部電極層2は、図2に示すように、互いに間隙溝部P1を置いて基板1のZ側の一主面の上に配列されている。下部電極層2に含まれる主な材料には、例えば、モリブデン、アルミニウム、チタン、タンタル、および金等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。上記金属において、モリブデンは、セレンなどのVI族元素と反応しにくいため、該セレンによって生じ得る劣化が発生しにくい。また、下部電極層2の厚さは、例えば、0.2~1μm以下程度である。なお、下部電極層2の詳細な構造については、後述する。光電変換層3は、下部電極層2の上に設けられており、順に積層された光吸収層31とバッファ層32とを有している。光吸収層31およびバッファ層32は、主に半導体を含む層であるため、光電変換層3は、主に半導体を含む層半導体層とも言うである。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、第1導電型ここではp型の導電型を有する半導体を主に含む。光吸収層31の厚さは、例えば、1~3μm以下程度である。また、光吸収層31は、例えば、I-III-VI族化合物半導体を主として含む。これにより、光吸収層31の薄層化が可能となり、少ない材料で安価に変換効率が高められ得る。I-III-VI族化合物半導体は、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。ここで、I-III-VI族化合物としては、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISとも言う、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSとも言う、およびCuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSとも言う等の材料が採用され得る。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含むものとする。なお、光吸収層31は、例えば、二セレンイオウ化銅インジウムガリウムを主に含む薄膜を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体の薄膜であっても良い。また、光吸収層31は、例えば、II-VI族化合物半導体を主に含んでいても良い。II-VI族化合物半導体は、II-VI族化合物を主に含む半導体である。II-VI族化合物は、II-B族12族元素ともいうとVI-B族元素とを主に含む化合物である。但し、光吸収層31が、I-III-VI化合物半導体を主に含んでいれば、光電変換層3における光電変換の効率光電変換効率とも言うが高められ得る。また、光吸収層31は、例えば、銅Cu、亜鉛Zn、錫Snおよび硫黄Sを含む、CZTS系のものであってもよい。このようなCZTS系化合物半導体は、例えば、Cu2ZnSnS4が挙げられる。CZTS系化合物半導体は、IIIIVI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。光吸収層31は、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。この塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが用いられることで、光電変換装置100の製造にかかるコストが低減され得る。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型ここではn型の導電型を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。また、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウムCdS、硫化インジウムIn2S3、硫化亜鉛ZnS、酸化亜鉛ZnO、セレン化インジウムIn2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法等によって形成され得る。また、バッファ層32は、光吸収層31の一主面の法線方向Z方向に厚さを有する。この厚さは、例えば、10~200nm以下に設定される。バッファ層32の厚さが100~200nm以下であれば、バッファ層32の上に上部電極層4がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極層4は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている。上部電極層4は、バッファ層32の一主面の上に設けられており、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。この上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極取出電極とも言うとなる。上部電極層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛ZnO、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウムITO、および酸化錫SnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウムおよびフッ素のうちの何れか1つの元素等が含まれたものであれば良い。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。上部電極層4の厚さは、例えば、0.05~3μm以下であれば良い。ここで、上部電極層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05~0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。線状導電部5は、上部電極層4のZ側の主面一主面とも言うの上に設けられている線状の電極部である。線状導電部5は、複数の集電部5aと連結部5bと垂下部5cとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間しており、各集電部5aがX軸方向に延在している。連結部5bは、Y軸方向に設けられており、各集電部5aが接続されている。垂下部5cは、連結部5bの下部に接続され、溝部P2を通って隣の光電変換セル10から延伸されている下部電極層2に接続する。集電部5aは、光電変換層3において発生して上部電極層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電部5aが設けられることで、上部電極層4における導電性が補われるため、上部電極層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極層4における光透過性の向上とが両立し得る。なお、線状導電部5が、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換装置100における変換効率が向上し得る。また、線状導電部5に含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であっても良い。上部電極層4および複数の集電部5aによって集電された電荷は、連結部5bと垂下部5cとを通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置100においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。具体的には、一方の光電変換セル10の集電部5aと電気的に接続された垂下部5cと、他方の光電変換セル10の下部電極層2とが電気的に接続されることで直列に接続されている。また、集電部5aの幅が50~400μmであれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に設けられる複数の集電部5aの間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。<溝部の配置とその役割>溝部P1は、Y軸方向に直線状に延在している。1以上の該溝部P1が配されていることで、複数の電極層2がX軸方向に分離されている。すなわち、溝部P1は、隣り合う電極層間に設けられた間隙に相当する。図2では、2つの電極層2が示されている。溝部P1には、直上に配された光吸収層31の延在部分が埋入している。すなわち、光吸収層31は、電極層間に位置する間隙溝部P1を覆うように配置されている。これにより、隣り合う光電変換セル10において、一方の光電変換セル10の下部電極層2と、他方の光電変換セル10の下部電極層2とが電気的に分離されている。溝部P1の幅は、例えば、40~400μm以下程度であれば良い。溝部P2は、上部電極層4の一主面から下部電極層2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に直線状に延在している。このため、溝部P2は、光電変換層3と上部電極層4とが積層された積層部をX軸方向に分離している。すなわち、溝部P2は、光電変換層3を基板1の一主面に垂直な方向に貫通するように設けられる。溝部P3は、光電変換セル10の上面から下部電極層2の上面に至るまで設けられており、Y軸方向に延在している。溝部P3の幅は、例えば、40~1000μm以下程度であれば良い。受光面の上方ここではZ側から光電変換装置100を平面透視した場合、溝部P1と溝部P3との間に溝部P2が設けられている。換言すれば、X方向に、溝部P1と溝部P2と溝部P3とがこの順に設けられている。また、各光電変換セル10では、下部電極層2の上から溝部P1を越えて、隣の下部電極層2の上に至るまで光電変換層3が設けられている。ここで、隣の下部電極層2は、隣の光電変換セル10から延伸している下部電極層2である。そして、受光面の上方ここではZ側から光電変換装置100を平面透視した場合、光電変換装置100には、溝部P1および溝部P2を包含して、溝部P1と溝部P2とに挟まれた領域接続用領域とも言うと、溝部P2と溝部P3とに挟まれた領域と、残余の領域とがある。そして、この残余の領域が、発電に寄与する領域発電寄与領域とも言うとなる。<下部電極層2電極層の構造>下部電極層2は、図3で示されるように、複数の結晶粒2pを有している。この隣接する結晶粒2pの間には、粒界が存在している。複数の結晶粒2pは、下部電極層2の厚み方向Z方向に柱状に連なっている。この結晶粒2pのXY断面の形状は、例えば、略楕円形状を成している。このとき、結晶粒2pの長径は10~50nm程度、短径は3~20nm程度である。また、結晶粒2pのZ方向における長さは、0.2~1μm程度である。なお、結晶粒2pのXY断面の形状は、楕円形状に限らず、直線および曲線で外形を成した細長い形状であってもよい。さらに、複数の結晶粒2pは、図3で示されるように、XZ断面の形状が湾曲部2cを有するように配列されている。このように、XZ断面の形状が湾曲部2cを有するように結晶粒2pが配列されている場合、YZ断面における複数の結晶粒2pの配列形状は湾曲部2cを有していない。一方で、YZ断面の形状が湾曲部2cを有するように結晶粒2pが配列されている場合、XZ断面における複数の結晶粒2pの配列形状は湾曲部2cを有していない。このように、複数の結晶粒2pが柱状に連なって構成され得る湾曲部2cは、XZ断面またはYZ断面のいずれか一方で確認され得る。すなわち、湾曲部2cは、下部電極層2の厚み方向本実施形態ではZ方向と、該厚み方向と直交する方向本実施形態ではX方向またはY方向との間で構成される2つの断面のうち、いずれかの断面で確認され得る。このように、本実施形態における下部電極層2では、柱状に連なって配列されている結晶粒2pより成る結晶粒群2g同士の間に生じたクラックの進行を低減できる。このようなクラックは、基板1と下部電極層2の熱膨張率の差異によって発生した応力によって生じやすい。そして、上記クラックは、隣り合う結晶粒群2gの間に存在する粒界を介して下部電極層2の厚み方向に進行しやすい。これに対して、本実施形態のように、結晶粒群2gが湾曲していれば、下部電極層2の厚み方向にクラックを進行させにくくできる。すなわち、複数の結晶粒2pの配列で構成された湾曲部2cにおいて、クラックの進行が止まりやすくなる。これにより、下部電極層2の直列抵抗成分の増大を低減できるため、光電変換装置100の光電変換効率の低下が低減され得る。この湾曲部2cは、該湾曲部2cが確認され得る断面で見たときに、120~170度程度の角度を成していれば、クラックの進行が止まりやすい。別の観点から言えば、XZ断面またはYZ断面において、隣り合う結晶粒群2gの間に位置する粒界が屈曲するように延在している。そのため、クラックが進行しやすい方向下部電極層2の厚み方向と異なる方向に粒界のすべり面が形成され得る。このクラックの進行は、結晶粒2pが動くすべることによって生じ得る。それゆえ、粒界のすべり面が異なる2方向に位置していれば、すべりが生じにくくなるため、下部電極層2の厚み方向にクラックが進行しにくくなる。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置100の製造プロセスの一例について説明する。図4は、光電変換装置100の製造フローを例示するフローチャートである。以下では、I-III-VI族化合物半導体を主に含む光吸収層31が塗布法あるいは印刷法が用いられて形成され、さらにバッファ層32が形成される場合を例として説明する。まず、ステップSp1では、略矩形の盤面を有する平板状の基板1が準備される。ステップSp2では、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法などが用いられて、下部電極層2が形成される。このステップSp2では、例えば、図5で示されているスパッタリング装置200が用いられる。スパッタリング装置200は、ロードロック室21、成膜室22およびアンロードロック室23を備えている。これらの室には、搬送機構2424a~24c、ゲートバルブ2525a~25d、供給ライン2626a~26cおよび真空ポンプ2727a~27cが設けられている。ロードロック室21は、成膜室22を外部雰囲気から遮断する機能を有している。これにより、成膜室22内の真空の確保および汚染等の発生を低減できるため、成膜処理の効率が向上する。ロードロック室21は、スパッタリング装置200の外部から搬送機構24aによってロードロック室21内に搬送される基板1を収容する。そして、ロードロック室21では、室内に設けられたヒーター28で基板1を昇温させることができる。成膜室22は、スパッタリング法により基板1に下部電極層2を成膜する機能を有している。成膜室22の内部には、下部電極層2を構成する金属から成るスパッタリングターゲット29が配置されている。このスパッタリングターゲット29は、成膜室22内のほぼ中央部に配置されている。また、成膜室22の外部には、DC電源30が設けられている。また、成膜室22には、成膜室22内部を一端部から他端部へ所定の速度で基板1を搬送する搬送機構24bが設けられている。この搬送機構24bは、成膜処理を行なっている際、速度の変更、停止および逆走等も可能である。アンロードロック室23は、成膜室22を外部雰囲気から遮断する機能を有している。これにより、成膜室22内の真空の確保および汚染等の発生を低減できるため、成膜処理の効率が向上する。アンロードロック室23は、成膜室22からアンロードロック室23内に搬送された基板1が収容される。基板1は、搬送機構24cによってスパッタリング装置200の外部に搬送される。搬送機構2424a~24cは、例えば、サーボモーターにより駆動されたチェーンによって基板1を搬送する機構を有している。さらに、各搬送機構24は、それぞれの搬送機構の間で、基板1を受け渡せる機構を有している。次に、スパッタリング装置200の動作について説明する。まず、成膜面が下になるように基板1を搬送機構24aにセットする。次いで、ロードロック室21内の供給ライン26aによって窒素ガスを供給してロードロック室21を大気圧に戻す。次に、ゲートバルブ25aを開けて、搬送機構24aにより基板1をロッドロック室21内に搬送する。次いで、窒素ガスの供給を止めて、ゲートバルブ25aを閉じるとともに真空ポンプ27aによってロードロック室21内部を所定の圧力まで減圧する。次に、ヒーター28により基板1を50~250°C程度に昇温する。次いで、ゲートバルブ25bを開閉して、基板1を成膜室22に搬送する。次に、真空ポンプ27bにより成膜室22を所定の圧力に減圧した後、アルゴンArガスをマスフローコントローラーなどにより流量を制御して、成膜室22内部に導入する。次いで、DC電源30により、スパッタリングターゲット29と基板1との間に電圧を印加して、スパッタリングを開始する。このとき、成膜室22内部の圧力は、0.1~10Pa程度であれば良い。スパッタリングを行なっているときに、搬送機構24によって基板1を1~10mm/sec程度の所定の速度でゲートバルブ25b側からゲートバルブ25c側に向かって搬送する。これにより、スパッタリングされる金属粒子は、基板1に向かって飛来する方向が徐々に変化することになる。例えば、図5で示されるように、金属粒子が基板1に飛来する方向は、基板1の位置1A~1Cに応じて変わる。まず、基板1が位置1Aにあるときは、進行方向の逆方向となる。また、基板1がスパッタリングターゲット29の直上付近の位置1Bにあるときは、進行方向と垂直方向になる。また、基板1が位置1Cにあるときは、進行方向と同じ方向となる。そして、基板1がスパッタリングターゲット29の直上付近の位置1Bを通過するときの速度は、基板の位置1Aおよび位置1Cを通過するときの速度よりも速い。これにより、湾曲部2cが形成され得る。このとき、基板1が位置1Bを通過するときの速度は、基板の位置1Aおよび位置1Cを通過する速度よりも1.2から1.6倍程度速ければ良い。このように、スパッタリングを行なっているときに、基板1に対する金属粒子の飛来方向を変化させることにより、結晶粒2pの成長方向も当該飛来方向に伴って変化させることができる。これにより、図3で示されるように、複数の結晶粒2pが下部電極層2の厚み方向に柱状に連なって湾曲部2cを有するように配列されるようになる。次に、基板1が成膜室22の終端部まで移動したら、スパッタリングを止め、アンロードロック室23内を真空ポンプ27cにより所定の圧力に減圧する。次いで、ゲートバルブ25cを開閉することにより、基板1をアンロードロック室23内へ移動する。次に、真空ポンプ27cを止め、供給ライン26cにより窒素ガスを供給してアンロードロック室23を大気圧に戻す。次いで、ゲートバルブ25dを開けて、搬送機構24cにより基板1をアンロードロック室23外に搬送する。なお、以上の説明ではスパッタリング装置を例に説明したが、成膜する金属粒子が飛来する方向を変化させる手法を蒸着法に適用してもよい。ステップSp3では、下部電極層2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P1が形成される。溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザーの光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。ステップSp4では、下部電極層2の上に、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む皮膜が形成される。皮膜は、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布された後に乾燥される処理が行われることで形成され得る。ステップSp5では、皮膜に対する加熱処理が行われることで、皮膜における化合物半導体の結晶化が進み、光吸収層31が形成される。ステップSp6では、光吸収層31の上にバッファ層32が形成される。これにより、光吸収層31とバッファ層32とが積層されている光電変換層3が形成される。バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法によって形成され得る。具体的には、例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニアに溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。ステップSp7では、バッファ層32の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P2が形成される。溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。ステップSp8では、光電変換層3の上面から溝部P2の内部にかけて上部電極層4が形成される。上部電極層4は、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法などで形成され得る。具体的には、例えば、バッファ層32の上に、Alが添加されたZnOを主に含む透明な上部電極層4が形成される。このとき、溝部P2内に、上部電極層4のうちの垂下部4aが形成される。ステップSp9では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部P2の内部にかけて線状導電部5が形成される。線状導電部5は、例えば、金属ペーストが所定のパターンを有するように印刷され、印刷後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。ステップSp10では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、一方向ここでは図1等に示されているY軸方向に直線状に延在する溝部P3図1および図2参照が形成される。これにより、基板1の上に複数の光電変換セル10が配されている光電変換装置100が得られる。溝部P3は、例えば、溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビングなどによって形成され得る。<変形例>なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。結晶粒2pの配列は、湾曲部2cを複数有していてもよい。例えば、図6で示されるように、複数の結晶粒2pが配列されてなる湾曲部2cは、下部電極層2の厚み方向に沿って2つ設けられても良い。このとき、厚み方向に沿って設けられた2つの湾曲部2cは、同じ方向に湾曲していても良い。これにより、クラックの進行を複数の湾曲部2cで止めることができるため、下部電極層2の直列抵抗成分の増大をより低減できる。なお、この2つの湾曲部2cのZ方向における長さは、ほぼ同じでも良いし、異なっていてもよい。また、これら湾曲部2cのXZ断面の形状も異なっていてもよい。このような下部電極層2は、ステップSp2で用いるスパッタリング装置において、スパッタリングターゲット29を互いに離間した位置に複数設けて、各スパッタリングターゲット29によって下部電極層2を成膜するようにすれば良い。また、下部電極層2は、図7で示されるように、複数の層で構成されていても良い。このとき、これらの層には、それぞれ湾曲部2cが設けられている。これにより、クラックの進行を複数の湾曲部2cおよび隣り合う層の境界面で止めることができるため、下部電極層2の直列抵抗成分の増大をより低減できる。なお、各層の厚みは、ほぼ同じであっても良いし、異なっていても良い。このような下部電極層2は、ステップSp2で用いるスパッタリング装置において、成膜室22を複数設けて、それぞれの成膜室22で下部電極層2を順次成膜すれば良い。また、下部電極層2における結晶粒2pは、結晶粒2p自体が屈曲している屈曲部を有していてもよい。これにより、結晶粒2pの屈曲部においてもクラックの進行を低減できる。このような結晶粒2pは、例えば、ステップSp2において、成膜室22内を搬送する際の基板1の移動速度を10~20mm/sec数値記載してください。まで増大させることによって、結晶粒2pのZ方向に沿った結晶成長が阻害され得る。これにより、結晶粒2pが屈曲部を有するようになる。一方で、ステップSp2において、基板1が位置1Bを通過するときの速度を、基板の位置1Aおよび位置1Cを通過するときの速度の2倍以上に設定すれば良い。これにより、1つの結晶粒2pが屈曲されやすい。"