半導体チップと基板とを導電性ボンディング材を通じて接続するためのヒータにおいて、前記半導体チップを吸着する吸着エア用の第1流路と、前記導電性ボンディング材を溶着するための発熱体と、前記発熱体を挟み込む各部を接続する締付具と、前記発熱体によって加熱された導電性ボンディグ材を冷却する冷却エア用の第2流路とを備え、前記締付具は中空構造とされていて、当該中空部分が前記第1流路を構成しているヒータ。前記締付具は、前記第1流路が形成されているボルトを含み、当該ボルトには、その外部を前記冷却エアが抜けることを防止する円環が取り付けられている、請求項1記載のヒータ。前記締付具は、熱膨張係数が3.0×10-6~10.0×10-6である、請求項1記載のヒータ。前記冷却エアの流路であってヒータ本体を構成する各部間には、当該冷却エアの漏れを防止するワッシャが設けられている、請求項1記載のヒータ。しかし、特許文献1に示すようなヒータは、ヒータ構成各部の熱膨張率が異なるため、冷却時に各部間に僅かながら隙間が生じる。この結果、冷却孔からの冷却エアが、この隙間を通じて吸着孔にも流れ込み、半導体チップの取付対象である基板上の半田を部分的に押し下げることがある。この結果、半田間がショートして、半導体製品に欠陥が生じることがある。特に、冷却エアの吹き出し直後は、ヒータが半導体チップを瞬間的に数十μm程度押すことがある。係る場合には、半導体チップと基板との間に傾きが生じ、半田を部分的に押し下げることがある。この結果、半田間がショートして、半導体製品に欠陥が生じることがある。そこで、本発明は、上記不都合を回避すべく、ヒータ構成各部間に隙間が生じないようにすることを課題とする。上記課題を解決するために、本発明のヒータは、半導体チップと基板とを導電性ボンディング材を通じて接続するためのヒータにおいて、前記半導体チップを吸着する吸着エア用の第1流路と、前記導電性ボンディング材を溶着するための発熱体と、前記発熱体を挟み込む各部を接続する締付具と、前記発熱体によって加熱された導電性ボンディグ材を冷却する冷却エア用の第2流路とを備え、前記締付具は中空構造とされていて、当該中空部分が前記第1流路を構成している。また、前記締付具は、前記第1流路が形成されているボルトを含み、当該ボルトには、その外部を前記冷却エアが抜けることを防止する円環を取り付けるとよい。そして、前記締付具は、熱膨張係数が3.0×10-6~10.0×10-6の中から選択するとよい。さらに、前記冷却エアの流路であってヒータ本体を構成する各部間には、当該冷却エアの漏れを防止するワッシャを設けるとよい。