"有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法であって、基板上に、親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成するバンクを規定する工程、および前記バンク材料のパターニング層をマスクとして使用して、自己整合self-alignedプロセスにおいて、前記親水性材料層をエッチングする工程を含む形成方法。前記エッチング工程は、前記バンクの端部において、前記親水性層における下層切除を規定するための等方性エッチング工程を含む請求項1に記載の形成方法。前記エッチング工程は、非等方性エッチング工程を含む請求項1に記載の形成方法。前記バンクは、前記バンク材料の単一層および前記親水性材料の単一層によって規定される請求項1ないし3のいずれかに記載の形成方法。前記親水性材料は誘電体材料を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の形成方法。前記親水性材料は金属を含む請求項1ないし4のいずれかに記載の形成方法。前記バンク材料はレジスト材料を含み、前記方法は、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記エッチングされた層の上部表面の一部を露出するために、前記エッチング工程の後にレジストのストリッピング法を行う工程をさらに含む請求項1ないし6のいずれかに記載の形成方法。有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法であって、基板上に、親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にレジスト材料層を堆積させる工程、前記レジスト材料層をパターニングして前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成するバンクを規定する工程、前記親水性材料層をパターニングして、前記液滴堆積ウェルの1または2以上の底部領域の少なくとも1部から前記親水性材料を除去する工程、およびレジストストリッピング法を使用して、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターニングされた層の上部表面の一部を露出する工程を含む方法。前記レジストストリッピング法はプラズマアッシングを含む請求項7または8に記載の方法。前記液滴堆積ウェル中に液滴堆積プロセスを使用して溶解した有機電子材料を堆積させることにより、前記有機電子デバイスを形成する工程をさらに含む請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。前記有機電子デバイスはOLEDデバイスを含み、前記溶解した有機電子材料はPEDOTの親水性溶液を含む請求項10に記載の方法。有機電子材料で満たされた複数の液滴堆積ウェルの下の親水性材料のパターニングされた層を有する基板を含む有機電子デバイスであって、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターニングされた層の上部表面の一部が前記有機電子材料に露出される有機電子デバイス。有機電子デバイス構造であって、基板、および前記基板によって支持され、有機電子材料の溶媒ベースの堆積のためのウェルを規定するバンク層を含み、前記構造は、さらに前記ウェルの内部端部および前記ウェルの底部にある平縁を規定するようにパターニングされた平縁層を含む有機電子デバイス構造。前記平縁は親水性材料を含む請求項13に記載の有機電子デバイス構造。前記平縁はシリコンの酸化物および/または窒化物を含む請求項13に記載の有機電子デバイス構造。前記バンク層の厚さは前記ウェルの側面が近づくにつれ前記基板に向けて薄くなり、前記平縁は前記バンク層の前記薄くなった部分に乗り上げることを特徴とする請求項13ないし15のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。前記ウェルの前記内部端部における段部を規定するようにパターニングされる1または2以上の段部層をさらに含み、前記平縁が前記段部に接することを特徴とする請求項13ないし15のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。前記基板によって支持され、前記ウェルの前記底部を規定する底部層をさらに含み、前記段部層は前記底部層と前記基板の間にあり、前記段部は前記基板から前記底部層までの間隔で段階的変化を有し、前記平縁は前記底部層に接することを特徴とする請求項17に記載の有機電子デバイス構造。前記平縁のための前記ウェルの前記内部端部における2段を規定するようにパターニングされた少なくとも2つの前記段部層を有する請求項18に記載の有機電子デバイス構造。前記バンク層の厚さは前記ウェルの側面が近づくにつれ前記基板に向けて薄くなり、前記底部層の位置と前記ウェルの内部端部周辺の前記有機電子材料の接触を可能にすること特徴とする請求項18または19に記載の有機電子デバイス構造。前記1または2以上の段部層は、前記有機電子デバイスの活性部分のための金属および/またはシリコン層を有する請求項13ないし20のいずれかに記載の有機電子デバイス構造。前記バンク層は、ポジ型フォトレジストを含み、前記有機電子材料は導電性材料の第1層と発光材料の第2層を含む請求項13ないし21のいずれかに記載の有機電子デバイス構造を含むOLEDディスプレイデバイス。有機電子材料の溶媒ベースの堆積のための少なくとも1つのウェルを有する基板上への有機電子デバイスの形成方法であって、前記方法は、前記デバイスの形成のための前記有機電子材料の溶媒ベースの堆積の前に、平縁層を堆積させて前記平縁層を非等方的にエッチングして、前記ウェルの内部端部において平縁を規定する工程を含むことを特徴とする方法。したがって、これらの問題を解決する改良された有機電子デバイス構造および製造技術、特に、有機電子材料を溶媒ベースの堆積プロセスに広げるのを助ける必要性がある。したがって、本発明は、有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルの形成方法を提供する。前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして1または2以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。実施態様において、この方法は、1つはバンク材料について、もう1つは親水性またはスペーサー層についての2つの独立したマスク工程の必要性を省く。当業者は、一般的に、この方法が適用される基板は、ITOのような最初の透明導電体の下層を有するものが購入または用意されてきたことを理解する。本方法のいくつかの好ましい実施態様において、バンク材料は、レジスト、好ましくは、ポジ型レジストを含む。好ましくは、バンクはバンク材料の一層のみこれは好ましくは疎水性であるおよび親水性材料酸化物のようなの1層のみを有する。本発明の方法の好ましい実施態様において、親水性材料は、誘電体材料、特にSiO2を有する。ただし、窒化シリコンおよびシリコン酸窒化物のような他の誘電体材料またはレジストも適用できる。他の実施態様において、親水性材料は、アルミニウム、クロムまたはモリクロムのような親水性金属を含む。このような実施態様において、例えば、前記金属は、アノードトラック抵抗を減らすためにITO上に形成されたアノード金属であってもよい。この方法を用いて製造されたOLEDデバイスの実施態様において、前記金属は有機電子材料に、特にPEDOTに向けられることができ、その後ウェル中に堆積される。しかしながら、前記金属が関係する材料PEDOTのための不良な電子注入体高い仕事関数を有するである場合、これは、実質的に絶縁層として機能するのでこの接触はデバイスの十分な作動とならない。自己整合エッチング工程においては、バンクレジストはマスクとして働くか、等方性または非等方性であり得る。好ましい実施態様において、エッチングはプラズマエッチングを含む。等方性エッチングは親水性層の下を切り取るしたがって、基板および上部バンク層の間のスペーサーとして働く。非等方性エッチングは、バンクの端部これは通常先細であるが終了する親水性層の端部をほぼ垂直下方に切除する。等方性エッチングの場合、ドライエッチング、特にプラズマガスエッチングが採用されることができ、これは下方切除内で自己整合し、下方切除の深さが制御される。あるいは、溶液エッチングを導入することができ、これによりエッチング液がある限りエッチングが続いて行われる。非等方性エッチングについては、ドライプラズマエッチングが好ましい。前記デバイス構造のアンダーカットの実施態様については、親水性スペーサー層の幅は500nm未満、例えば、50nmと200nmの間、およびいくつかの実施態様において約100nmであり得る。他の実施態様において、親水性層は効果的な絶縁を提供しバンク端部の底部での短絡を減らすのに役立つ場合堆積された有機電子材料が溶媒乾燥効果のため、より薄くなる傾向にある場合、親水性層はより薄くすることができ、例えば、100nm、50nm、10nmまたは5nm未満である。限界の厚さは、連続的な絶縁膜を形成する要望によって決まり、例えば、SiO2では約2nmである。非等方性エッチングは、下方切除を実質的に防止し、棚を残すために切り取られるバンク材料の量を減らすので、ウェルの底部で絶縁性の棚を形成する方法の実施態様として好ましい。いくつかの特に好ましい実施態様においては、レジストストリッピング法、好ましくはO2プラズマアッシングのようなプラズマアッシング法がエッチングの後に行われる。これは、最も薄くなっている先細りバンクの底部の一部、すなわち、ウェルの底部に隣接する部分を取り除き同時にバンクの全体の厚みを減らす、ウェルの底部に隣接する親水性材料を露出させる。これは、バンク材料の穴を親水性層中のものより大きくなるように拡大させる。親水性材料層の露出部分は、前述したように、絶縁性のスペーサーとして働き、ウェルの底部の端部の短絡を防止するのに役立つ。特に、これは親水性PEDOT溶液を引きつけ、これはこの材料の露出部分に効果的に付着し、このような堆積された材料の液滴の端部を留める。さらに、PEDOT溶液はこのように閉じ込められるので、バンク材料の層の表面エネルギー特性は、発光ポリマーLEP層のような後の材料の堆積層のために望まれる特性に向けて独立して調整され得る。バンクレジストの場合、例えば、これは、LEPの良好な閉じ込めのために、バンク材料をCF4プラズマで処理して疎水性にすることによって行われ得る。この調整は、わずかな汚染効果があるだけで、下層酸化物の親水性にほとんど影響を与えない。あるいは、テフロン登録商標化またはフッ素化レジストが疎水性のバンク特性を達成するために導入され得る。したがって、この方法のこれらの実施態様は、大まかに言って、いわゆるPEDOTおよびLEPの溶液堆積の結合を切り離すための異なる望まれる表面エネルギー処理親水性及び疎水性を許容する。さらに、水中のいわゆるPEDOT溶液の高いバンク接触角は例えば90~110°であり、PEDOTをバンクから離れさせ、したがってこの材料を閉じ込めることを助ける。したがって、他の側面において、本発明は、有機電子デバイスの液滴堆積ベースの製造のための構造における液滴堆積ウェルを形成する方法を提供し、この方法は、基板上に親水性材料の層を堆積させる工程、前記親水性材料の層の上にレジスト材料の層を堆積させる工程、前記レジスト材料の層をパターニングして前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成するバンクを規定する工程、前記親水性材料の層をパターニングして、前記1または2以上の液滴堆積ウェルの底部領域の少なくとも一部から前記親水性材料を除く工程、およびレジストストリッピング法を使用して前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターンニングされた層の上部表面の一部を露出する工程を含む。実施態様において、バンクを超えて突き出し、下層ITOと同様の表面エネルギーを有する低部層の供給はコストおよび開口率に大きな影響を与えずに生産性と均一性を助けることが可能である。レジストストリッピングアッシングがなされるこの構造は自己整合プロセスで形成される必要はなく、例えば、2マスクプロセスを使用して形成されることができたはずである。関連する側面において、本発明は上記の方法を使用して形成される有機電子デバイスを提供する。特に、このようなデバイスは、有機電子材料で満たされた複数の液滴堆積ウェルの下の親水性材料のパターニングされた層を有する基板を含み、前記液滴堆積ウェルの1または2以上を形成する前記バンクの底部に隣接する親水性材料の前記パターニング層の上部表面の一部は前記有機電子材料にさらされる。さらに他の側面において、本発明は有機電子デバイス構造を提供し、前記構造は、基板、および前記基板により支持され、有機電子材料の溶媒ベースの堆積のためのウェルを規定するバンク層を含み、前記構造は、さらに、前記ウェルの内部端部および前記ウェルの底部にある平縁を規定するためにパターニングされる平縁層を含む。好ましくは、前記平縁は、シリコンの酸化物および/または窒化物のような親水性材料を有する。前記平縁層は、前記デバイスの一部を形成するまたは前記装置に連結される薄膜トランジスタの酸化物層のような有機電子デバイスのいくつかの他の部分も形成する層を好都合に含むことができる。1つの実施態様において、前記平縁は基板に向かって先細りする前記バンクの一部に横たわっている。他の実施態様において、1または2以上の層はパターニングされて前記ウェルの内側端部において階段を規定し、前記平縁は前記階段に隣接する。例えば、好ましい実施態様において、前記ウェルは、アノードまたはITO層のような底部層を有し、また、階段層これも、前記デバイスの既存の層を再使用して供給され得るは、前記ウェルの内部端部に隣接する前記底部層において高さの階段的変化を提供するように前記底部層と前記基板の間に供給される。この場合、前記平縁は前記底部層におけるこの階段に接する。いくつかの実施態様において、2段は、2つまたはそれ以上の下側階段層を使用して前記底部層に規定され、前記ITOの下により高いスペーサー積層、したがって前記ウェルの端部での改良された溶媒の留めのための広い平縁領域を提供する。実施態様において、1または2以上の階段層は、1または2以上の金属層、ドープされていないシリコン層、ドープされたシリコン層および第2金属層を有し得る。これらの層は、例えば、OLEDディスプレイデバイスの画素に連結された薄膜トランジスタのための既存の製造プロセスの一部として既に存在し得る。好ましくは、このようなデバイスにおいて、前記バンク層は、ポジ型フォトレジストを含み、従来どおり基板に向かって先細る。この場合の有機電子材料の堆積層は、導電性正孔輸送層およびこれを覆う発光層を有することができる。他の側面において、本発明は、有機電子材料の溶媒ベースの堆積のための少なくとも1つのウェルを有する基板上の有機電子デバイスの形成方法を提供し、前記方法は、前記デバイスを形成するための前記有機電子材料の溶媒ベースの堆積の前に前記ウェルの内部端部の平縁を規定するために前記平縁層を堆積させ、非等方的にエッチングする工程を含む。好ましくは、前記平縁材料は、有機電子材料を堆積させるために使用される単一の溶媒または溶媒の混合物で濡れるように選択または処理される。好ましくは、このような濡れは、前記平縁と前記溶媒または溶媒混合物との間の接触角として15°未満、より好ましくは10°未満を提供する。本発明は、さらに、本発明の1つの側面の方法によって製造された有機電子デバイス、特に、アクティブまたはパッシブOLEDディスプレイデバイスを提供する。本発明のこれらおよび他の側面を、添付の図面を参照して単に例示としてさらに説明する。図5を参照すると、これは、アクティブマトリックスOLEDディスプレイの画素のウェル502のための第1構造500の垂直断面図および上面図を示す。ウェル502は基板506に向けて先細るバンク504によって規定され、その上を、前記画素のアノードを提供するITO層508が覆う。ウェル502内には、PEDOT層510が堆積され、その上を発光ポリマーLEP層512が覆う。図5は、PEDOTおよびLEP層の堆積の前の構造の断面図も示す。酸化物スペーサー層514はITO層518の上、バンク層504の下に供給される。これは、前記ポジ型バンクフォトレジストのパターニングの後、従来の溶液またはドライ等方性エッチング法を使用してエッチングされる。このエッチングプロセスは、ウェル502の低い内部端部周辺の上に突き出る棚516上面図における破線によって示されるをもたらし、堆積工程において溶解したPEDOTを有する溶媒が流れ込むことができるくぼみを提供する。前記PEDOT溶液は毛細管現象により前記くぼみに自然に流れ込むが、前記酸化物スペーサー514は親水性であるため、前記溶媒は前記棚516の下の層514の露出された内部端部にも付着する。実施態様におけるこれら2つの効果の結合が信頼性のあるPEDOT端部の厚さプロフィールを提供する。PEDOTは、乾燥時に、このへこんだ端部に付着し続けるが、疎水性のバンクには残らない。PEDOT溶液は親水性層514の露出された端部および/または前記くぼみの毛細管現象によって効果的に留まるので、バンクは、例えば、CF4により処理されることができ、PEDOT溶液の要求から大きく独立したLEPの堆積に特に適した表面必要な程度まで疎水性にされるを提供する。単純な例の製造過程において、ITOで被覆された基板は任意の供給者から購入され、パターニングされ、次いで、二酸化シリコン、一酸化シリコンまたはシリコン酸窒化物のようなブランケット酸化物で被覆され、親水性層を提供する。このブランケット酸化物は、例えば、スピンオンガラスを含むことができる。次いで、ポジ型フォトレジスト層504がスピンコートされ、フォトリソグラフィーによってパターニングされる露光、現像および洗浄。次いで、追加のマスクを必要とせずに、くぼみが酸化物スペーサー層514の等方性エッチングバックによって形成される。このプロセスは、バンクが有効に前記酸化物層のエッチングマスクを供給するので、自己整合プロセスである。図6は、図5の画素構造500と一緒に、および/または後述する本発明の第1および第2の側面の他の実施態様と一緒に製造され得る底面ゲート型TFT構造600の垂直断面図を示す。図6において、図5と同じ番号は同じ構成要素を示す。この例において、基板はこの時点でITOによってパターニングされていないか、代わりに、第1の相対的に厚い金属層602はガラス基板506上に堆積され、パターニングされてTFTのゲート金属を提供する。例えば、シリコン窒化物からなるゲート誘電体層604は、ゲート金属602上に堆積され、ドープされていないアモルファスシリコン層606およびドープされたアモルファスシリコン層608の堆積およびパターニングが続き、それぞれ、TFTのチャネルおよびドレイン/ソース領域を形成する。次いで、第2の金属層610が堆積され、パターニングされて、トランジスタおよび絶縁層612のためのソースおよびドレイン導電体を提供し、次いで、例えば、シリコン窒化物が前記構造上に堆積され、ソースおよびドレイン接続孔612aがエッチングされる。次いで、ITO層508が堆積されて前記ソースおよびドレイン電極への接続が形成され、これらを1または2以上の隣接する画素に結合する。従来の工程においては、このITO層が、バンクフォトレジスト層504が堆積される前の最後の層であるが、このTFT構造が、例えば、図5の改良されたウェル構造と関連して使用されるとき前記バンク層504の堆積およびパターニング前に、前記ITO層の上に追加の酸化物層図6に示さないが堆積される。次に、図7を参照すると、これは、図5で例示した原理を採用するより典型的なリアルライフウェル構造を示す。図7および続く図において、図5および図6の同じ番号は同じ構成要素を示す。図7に示されたウェル構造700の実施態様において、2つの下層シリコン窒化層誘電体層604および絶縁体層612が示されている。図8は、棚が絶縁層612と第2金属層610の結合によって供給されるウェル構造800の追加の実施態様を示す。前の2つの実施態様と異なり、この実施態様は単に部分的自己整合であり、さらに、いずれかのシリコン層の前にITO層508の堆積を含む。これは、TFT構造はただ画素のアクティブ領域に使用されるため、アクティブマトリックスディスプレイにおいて可能である。しかしながら、この実施態様において層の連続は異なるが、同じ一般的な原理が採用される。概要において、シリコン606,608、金属610および窒化物612層はバンク端部内に配列され、次いで、前記金属端部の下にある前記シリコン層の等方性エッチングバックが導入されてこの構造を生成する前記金属は、前記シリコン端部によって攻撃されないので。金属および/または窒化物層は同時にパターニングされる。ウェル構造800において、前記棚の下のスペースは前の実施態様のそれより潜在的に深く、実施態様において示されるように、この深さはPEDOT層によって完全に満たされない可能性がある。このような場合も、電子発光層は棚の下に伸びる。PEDOT層および電子発光層は、例えば、示されるドープされたおよびドープされないシリコン共に親水性のようなそれぞれ異なるスペーサー層に連結されていることが可能である。有機材料層の厚さは最大500nmであり得、ただし、厚さは、一般的により薄く、例えば、50nm~200nmであり、図8の実施態様において、棚の下のくぼみの全体高さは最大500nmまたはこれ以上であり得る。次に、図9を参照すると、これは、シリコン堆積の前のITO堆積と共に部分的自己整合エッチング工程を使用するウェル構造900の他の実施態様を示す。概要において、シリコンおよび窒化物層がバンク端部に配列されて、次いで、シリコン層が窒化物端部の下で等方的にエッチングバックされる。これは、ドープされおよびドープされないシリコン層が異なる段階でエッチングされるため、TFTを組み込む構造において可能である。図10は、酸化物スペーサー層514がITO層508の後に、ただしシリコン窒化物絶縁層612の前に堆積されるウェル構造1000の他の実施態様を示す。この構造の形成は、くぼみが前記酸化物層の等方性エッチングバックによって形成されるので、部分的に自己整合される。PEDOT溶液がくぼみに入り、親水性および/または毛細管現象によってウェルの端部に留まり、信頼性のあるPEDOT端部厚みプロフィールを提供するのを助ける。次に、図11を参照すると、これは、本発明の第2の側面のウェル構造1100の第1の実施態様の垂直断面図溶媒ベースの有機材料堆積の前および後および上面図を示す。再び、この実施態様およびこれに続くものにおいて、上記の層と同様の層は同じ番号によって示される。図11において、第1の金属層602がパターニングされて、その内側端部のすぐ外側のウェルの周囲に画像フレームを提供する。これは、上に覆うITO508における階段を形成する。次いで、ブランケット酸化物層が堆積されて、当業者に周知な態様で等方的に垂直にエッチングされ、垂直端部上の材料の平縁1102、1102aを生成する。これら酸化物平縁は親水性材料を有し、および前記ウェルの端部にPEDOT含有溶媒を留めるのに役立つただし、この溶媒は疎水性のバンク端部に乗り上げない傾向にある。この疎水性のCF4表面処理は、PEDOT溶媒がバンク上に、たとえ上るとしてもほんの短い距離だけ上るので、PEDOT堆積から大きく独立したLEP溶媒によって適用されることができる。バンク材料、処理および/またはLEP溶媒は、したがって、例えば、LEP溶媒がバンクをある程度濡らし、示されるようにバンクを上るLEPの尾を残すように調整され得る。図11はバンク端部と平縁の正確な配置を示すが、実際にはこれはなくてもよいにしても、この構造は、バンク端部の配置において小さなばらつきこれは、特に先細りされたバンク端部で生じ得るを許容することが理解されよう。図12は、本発明の第2の側面によるウェル構造1200の第1の代替の実施態様を示す。図11に示される実施態様のように、これはある程度理想化された構造を表す。再び、平縁1102が形成されるが、この場合、金属階段はITO層508の下ではなく上を覆う。前と同様、平縁1102はウェル502の底部における内部端部の周辺の画像フレームを提供する。図12の実施態様における注意すべき特徴は、金属602とLEP層512の直接接触である。この配列は、仕事関数の相違のために金属とLEPの間の直接接触領域から光が放射されないかまたはほとんどされないので、バンク配列に対する改良された頑丈さを提供する。金属602は、PEDOTのような正孔輸送層存在する場合と接触しないことでアノードとしてのその効果を減らすことがないものとし、および/または金属602およびLEP層の間の接触領域中で発光された光が見えないように実質的に不透明であるように十分厚いものとし、および/または低い仕事関数を有するものとする。不透明性のために、金属602は好ましくは30nmを超える厚さを有する不透明性のために必要とされる正確な厚さは材料によって異なる。図13は、平縁1102がウェルバンク層504の傾斜面を上るウェル構造1300の第3の理想的な例を示す。構造1300は、例えば、ポジ型バンクフォトレジスト層504がスピンコートされフォトリソグラフィーによりパターニングされた後に、スピンオンガラスのブランケット堆積により製造され得る。次いで、スピンオンガラスは、平縁を残してスピンオンガラスを除去する非等方性、好ましくはドライエッチングプロセスを使用して、ブランケットマスク無しエッチングされ得る。より一般的には、他の低温またはスピンオン材料が堆積され、続いて非等方性エッチングバックによりバンクレジスト端部の内部の親水性スペースを形成することができる。図13の実施態様はより高い平縁の利点を有し、これによって改良された溶媒留めを潜在的に提供する。図14は、ウェル構造1400の他の代替の実施態様であり、階段層は、この実施例では、シリコン窒化物絶縁層612の下、およびITO層508の下に、ドープされないおよびドープされたアモルファスシリコン層606,608および第2金属層610を有する。ITO層508の下にスペーサー堆積層を伴うこの構造は、潜在的により高い階段端部およびこれによってより広い平縁表面積および改良されたPEDOT-バンク分離を提供することができる。図15は、ウェル構造1500の他の代替の実施態様であり、図14に示されるものに似ているが、シリコン窒化物誘電体層604の下に、第1金属層602により供給された他の階段の追加を伴う、図14に示された実施態様の層の同じ組合せにより形成される2段を有する。これは、ITO層508の下により高いスペーサー堆積層およびこれによって平縁1102の潜在的により大きな表面積を提供する。図16は、ウェル構造1600のさらに他の代替的な実施態様を示し、この構造において先細りバンク504端部の2つの代替的な相対的配置を示しており、配置の許容範囲の広さを示している。図16の構造において、ITO層508が金属層の1つの上に堆積され、例示において、第1金属層602および次いで自己整合スペーサー平縁1102がパターニングされたITO層508の端部周辺に形成される。先細りバンク層504の端部は下部金属層に配置されるが、ITO層508に正確に配置される必要がない。なぜなら、下層金属層602が露出されても、仕事関数の不適合により、形成されるダイオードは発光効率がよくないからである。したがって、図16の構造1600の画素の発光は本質的にITO508の面積によって決まり、配置の許容範囲の広い構造を提供する。それにもかかわらず、前のように、平縁はPEDOT含有溶媒をウェルの側面の底部に向けて引っ張る効果を有するおよび、これがITOを覆うので、濡れまたは、他の点ではバンク端部の程度は本質的に重要ではない。というのは、バンク端部の直近では実効的なデバイスは存在しないからである。。この原理は、いくつかの点で図12の実施態様に類似している。ただし、この実施態様では、画素領域の周囲のいくつかは配置の許容範囲を広げるために実効的に費やされている。例示されるように、図16における第1の実施態様において、金属は透明であるが、PEDOTと接触せず、したがって高仕事関数金属であり得る。図16の第2の実施態様において、金属は透明で、バンクの配置ミスのためPEDOTと接触されることがあり、これは、この実施態様における金属層は好ましくは低仕事関数を有し、PEDOTとの不適合を提供することを意味する。図17を参照すると、インク液滴堆積ウェルの底部の親水性材料の短く突き出た棚を有するデバイスを製造するために示されるように、これはOLEDデバイスの製造方法の実施態様を示す。この方法も、アンダーカットバンクを有するデバイスを製造するために、種々に有益である。より詳細には、図17a~17cはウェル構造1700の製造における連続的な工程を示し、ここでは、前に採用した参照番号を使用し、OLEDディスプレイの画素のためのウェル502は基板上のバンク504によって規定される。基板506はITO508層を有し、画素のためのアノード接続を提供し、その上に酸化物スペーサー層514および次いでバンク材料好ましくは従来の形でパターン形成されたポジ型フォトレジストなどの有機材料で形成されるが堆積されて、図17aに示されるように基板に対して傾くバンク504を形成する。図17bにおいて、SiO2層514の非等方性ドライプラズマガスエッチングはバンク504をマスクとして使用して行われ、自己整合エッチングマスク法を提供する。これは、図17cに示されるように、前方に出た階段の製造の用意である。これは、バンク材料で規定されるものと実質的に同じ開口を生成する。あるいは、溶液または、ドライ、プラズマ等方性エッチングが行われ、酸化物層514の下部を切除し、図17bに示される真直ぐな垂直な端部ではなく、図5に示されるような一般的なタイプの構造を製造することができる。他の代替において、溶液またはドライ、プラズマ等方性エッチングが行われ、次の工程で十分なバンク材料が除去されて、図17cに示される突き出た階段を残すことができる。図17cはO2プラズマアッシングレジストストリップ工程後の構造を示し、この工程は、画素端部において薄くなることで短絡を生じないように、バンク504の厚さを減らして開口を広げ、示されるようにSiO2層514の端部を露出する。この工程は、酸化物および下層ITOを清浄化して十分濡れるようにし、PEDOT溶液の堆積、これに続くLEP堆積の準備をする。この方法の実施態様は、レジストバンク画素ウェルの端部における親水性作用を提供し、この作用を酸化物層に対する独立したマスクを使用しないで自己整合または部分的自己整合によって行うことを可能にする。さらに、もし端部突き出た階段または下部切除構造が、アルミニウムのような層の側面に形成されると、アノード接続が低仕事関数金属通常、アノードはITOのような高仕事関数金属であるで形成されるときこのダイオード構造は非効率であるから、この層はアクティブ画素の自然な規定も提供することができる。この方法の実施態様は、標準のポジ型レジストが画素バンク端部を横切るカソード金属化のための良好な階段被覆を維持するために使用されるのを可能にする。したがって、LEPインクは、PEDT濡れおよびLEP濡れプロセスを分断しながら、表面エネルギー改変処理プロセス例えば、前述したように、CF4プラズマ処理に基づいて場合によって閉じ込められ得る。これは、表面調整工程がLEPのために調整され画素レジスト内における良好な閉じ込めを潜在的に可能にし、一方、PEDT濡れは、自己整合された画素端部突き出した階段または下層切除構造の親水性または毛細管現象により強くまたは実質的に完全に頼るので、レジスト上のPEDT接触角には敏感ではないことがある。本発明の実施態様は、ポジ型バンクレジストの使用を可能にし、前述した構造上の利点、特に、画素端部にわたって不連続部なしに良好な金属カソード接続を形成すること、およびPEDOTの分離された段階およびLEPまたは他の発光材料堆積のための構造例えば、表面調整の採用を容易化するためにPEDOTおよびLEP濡れ工程を実質的に分離することを提供する。さらに、例えば、追加のマスク/パターニング工程の必要なく前述した構造の実施態様は自己整合または部分的自己整合工程を使用して製造されることができる。他の実施態様は、前記アノード接続が、例えば、4電子ボルト未満および/または介在する正孔輸送層なしの低仕事関数金属により形成されるとき、発光ダイオード構造の固有の非効率性の利点をとり配置の許容範囲の広さを達成する。大まかに言って、本発明の実施態様は、前記材料が堆積されるウェルの側面においてPEDOTおよびLEP溶媒の濡れ/留めを容易化するための表面エネルギー関連技術に頼る。上述したウェル構造は、溶液堆積有機電子デバイスの広い範囲に採用され得る。これらは、アクティブまたはパッシブマトリックス電子発光ディスプレイデバイス、または、例えば、いわゆるバンク層および/または有機電子材料の堆積のために準備されるデバイスのためのTFTベースのアクティブマトリックス背板に組み込まれ得る。言うまでもなく、当業者は他の効果的な代替例を思いつくであろう。本発明は上記の実施態様に限定されることはなく、添付の特許請求の範囲の精神と範囲内にある技術において当業者には自明な変更を含んでいることを理解されたい。"