それぞれがIII族窒化物からなるチャネル層と障壁層とを含むHEMT構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法であって、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルから、前記チャネル層のバンド端に相当する波長近傍での最大発光強度を表すバンド端ピーク強度値を取得する第1予備測定工程と、前記複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第2予備測定工程と、前記第1予備測定工程において取得したバンド端ピーク強度値と前記第2予備測定工程とにおいて取得したシート抵抗値とから、バンド端ピーク強度とシート抵抗との関係を表す検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行い、前記評価対象エピタキシャル基板のバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、前記評価対象エピタキシャル基板のバンド端ピーク強度値と前記検量線とに基づいて前記評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備えることを特徴とするエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法。請求項1に記載のシート抵抗評価方法であって、前記バンド端ピーク強度をP、前記シート抵抗をRsΩ/□とし、α、β、γ、kはすべて正の定数とするときに、前記検量線を、前記第1予備測定工程において取得したバンド端ピーク強度値と前記第2予備測定工程とにおいて取得したシート抵抗値とを用いた回帰分析によって、Rs=αP-βkγなる関係式として定めることを特徴とするエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法。請求項1または請求項2に記載のシート抵抗評価方法であって、前記HEMT構造が下地基板の上にエピタキシャル形成されてなることを特徴とするエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のシート抵抗評価方法であって、前記複数のエピタキシャル基板として、前記障壁層におけるIII族元素の組成比が相異なる複数のエピタキシャル基板を用いることを特徴とするエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のシート抵抗評価方法であって、前記チャネル層がGaNからなり、前記フォトルミネッセンス測定においてHe-Cdレーザを励起光源として用いることを特徴とするエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法。HEMT素子用のエピタキシャル基板を量産するにあたって、その品質管理を好適に行うためには、重要な検査項目については、非破壊での全数測定全数検査を行うことが望ましい。例えば、該エピタキシャル基板において、HEMT構造のシート抵抗は、障壁層の膜厚組成、チャネル層の結晶性、障壁層/チャネル層あるいは障壁層/スペーサ層/チャネル層の界面ラフネス等の様々な要因に左右されるものである。係るシート抵抗は、非破壊での全数検査が行われるのが好ましい。下地基板がサファイアや半絶縁性SiCなどの絶縁性基板である場合は、渦電流法を適用すれば、下地基板の上に設けたHEMT構造自体のシート抵抗を再現性よく評価することができる。しかしながら、下地基板として導電性の基板が用いられているHEMT素子用のエピタキシャル基板に渦電流法を適用する場合、HEMT構造のみの抵抗が得られるわけではなく、それ自体はデバイスとして機能しない下地基板の抵抗をも含んだ合成抵抗が得られるに過ぎない。このように、下地基板が導電性を有するエピタキシャル基板の場合、渦電流法によるHEMT構造自体のシート抵抗の評価は困難である。一方、特許文献1および特許文献2に開示されているように、キャリア濃度の測定に関しては、フォトルミネッセンス法を用いた非破壊の手法がすでに知られているが、HEMT構造のシート抵抗の評価にフォトルミネッセンス法を適用した例はない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、下地基板の導電性を問わずに非破壊でHEMT構造のシート抵抗を評価することができる方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、それぞれがIII族窒化物からなるチャネル層と障壁層とを含むHEMT構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法であって、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルから、前記チャネル層のバンド端に相当する波長近傍での最大発光強度を表すバンド端ピーク強度値を取得する第1予備測定工程と、前記複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第2予備測定工程と、前記第1予備測定工程において取得したバンド端ピーク強度値と前記第2予備測定工程とにおいて取得したシート抵抗値とから、バンド端ピーク強度とシート抵抗との関係を表す検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行い、前記評価対象エピタキシャル基板のバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、前記評価対象エピタキシャル基板のバンド端ピーク強度値と前記検量線とに基づいて前記評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備えることを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載のシート抵抗評価方法であって、前記バンド端ピーク強度をP、前記シート抵抗をRsΩ/□とし、α、β、γ、kはすべて正の定数とするときに、前記検量線を、前記第1予備測定工程において取得したバンド端ピーク強度値と前記第2予備測定工程とにおいて取得したシート抵抗値とを用いた回帰分析によって、Rs=αP-βkγなる関係式として定めることを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のシート抵抗評価方法であって、前記HEMT構造が下地基板の上にエピタキシャル形成されてなることを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のシート抵抗評価方法であって、前記複数のエピタキシャル基板として、前記障壁層におけるIII族元素の組成比が相異なる複数のエピタキシャル基板を用いることを特徴とする。請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のシート抵抗評価方法であって、前記チャネル層がGaNからなり、前記フォトルミネッセンス測定においてHe-Cdレーザを励起光源として用いることを特徴とする。請求項1ないし請求項5の発明によれば、HEMT構造を設けたエピタキシャル基板について、HEMT構造部分のシート抵抗を非破壊にて評価することが出来る。測定端子を接続するための電極形成処理などが必要ないので、HEMT素子用のエピタキシャル基板を量産するにあたって係る評価手法を適用すれば、短時間での全数検査が可能となる。特に、請求項3の発明によれば、下地基板が導電性であるか絶縁性であるかを問わず、エピタキシャル基板に設けたHEMT構造部分のシート抵抗を非破壊にて評価することが出来る。<シート抵抗評価の対象>図1および図2は、それぞれ、本発明に係るシート抵抗の評価方法の適用対象たるエピタキシャル基板10またはエピタキシャル基板20の構成を模式的に示す図である。図1に示すエピタキシャル基板10は、下地基板1の上に、バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とをこの順に積層形成した構成を有する。また、図2に示すエピタキシャル基板20は、係るエピタキシャル基板10のチャネル層3と障壁層5との間に、スペーサ層4を介在させた構成を有する。バッファ層2と、チャネル層3と、スペーサ層4と、障壁層5とはいずれも、MOCVD法有機金属化学気相成長法やMBE法分子線エピタキシー法、HVPE法ハイドライド気相エピタキシャル成長法、LPE法液相エピタキシャル成長法など種々のエピタキシャル成長手法を用いてエピタキシャル形成されるのが好適な一例である。以降、エピタキシャル基板10のチャネル層3と障壁層5との積層部分、およびエピタキシャル基板20のチャネル層3とスペーサ層4と障壁層5との積層部分を、HEMT構造もしくはHEMT構造部分と称することがある。なお、図1および図2における各層の厚みの比率は、実際のものを反映したものではない。下地基板1は、その上に結晶性の良好な窒化物半導体層を形成できるものであれば、導電性の有無を含め、特段の制限なく用いることができる。例えば、サファイア、6H-SiC、4H-SiC、Si、GaAs、スピネル、MgO、ZnO、フェライトなどの単結晶基板を用いることができる。バッファ層2は、その上に形成されるチャネル層3とスペーサ層4と障壁層5との結晶品質を良好なものとするべく設けられる層である。バッファ層2は、III族窒化物にて形成されるが、その組成および厚みは、下地基板1の種類に応じて適宜に定められる。バッファ層2は、いわゆる低温バッファ層などの結晶性の劣る層として形成されていてもよいし、高温成長や形成後のアニール処理により優れた結晶性を有するものとなっていてもよい。また、バッファ層2は、単一の層であってもよいし、超格子構造など多層構造を有していてもよい。チャネル層3は、AluInvGa1uvN0≦u≦1、0≦v≦1、0≦uv≦1なる組成式で表されるIII族窒化物にて、数nm~数十nm程度の厚みに形成されてなる層である。例えば、チャネル層3は、GaNにて数μm程度の厚みに形成されてなる。障壁層5は、AlxInyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1なる組成式で表される、AlとInとGaのうちの少なくとも1つを含むIII族窒化物にて、数nm~数十nm程度の厚みに形成されてなる層である。以上の各層が積層されてなるエピタキシャル基板10においては、チャネル層3と障壁層5との界面がヘテロ接合界面となる。当該界面には、ピエゾ分極と自発分極効果により、二次元電子ガスが高濃度に存在する二次元電子ガス領域が形成される。また、エピタキシャル基板20に設けられたスペーサ層4は、二次元電子ガスの閉じ込め効果を高める目的で形成された層である。スペーサ層4は、AlpGa1pN0.1≦p≦1なる組成を有するIII族窒化物にて、0.5nm~3nmの範囲の厚みで形成される。なお、合金散乱効果の抑制による二次元電子ガスの濃度および移動度の向上という観点からは、AlとNの二元系化合物であるAlNにてスペーサ層4を形成するのが最適であるが、0.95≦p<1の場合も同程度の効果を得ることができる。係るスペーサ層4を備えたエピタキシャル基板20の場合、スペーサ層4を含むヘテロ接合界面領域が二次元電子ガス領域となる。<シート抵抗評価>次に、本実施の形態において行う、上述のような構成を有するエピタキシャル基板10または20を対象としたシート抵抗評価の内容について説明する。図3は、エピタキシャル基板10または20についての、チャネル層3のバンド端ピーク強度と、シート抵抗との相関関係を模式的に示す図である。本発明の発明者は、障壁層5におけるIII族元素の組成比を除く全ての構成が共通するエピタキシャル基板10または20に関して、任意単位にて表したバンド端ピーク強度PとHEMT構造部分のシート抵抗RsΩ/□との間に、以下の1式として示す近似式が成立することを見出した。係る近似式の成立は、本発明の発明者によって初めて見出された知見である。図3に示したのは、係る近似式を表すグラフである。Rs=αP-βkγ1ただし、α、β、γ、kは正の定数である。ここで、チャネル層3のバンド端ピーク強度とは、フォトルミネッセンス測定を行うことで得られるスペクトルにおける、チャネル層3のバンド端に相当する波長近傍での最大発光強度を表す値である。例えば、チャネル層3がGaNからなる場合であれば、バンド端波長は約365nmであるので、その近傍での最大発光強度からバンド端ピーク強度が特定される。ただし、1式のPの値としては、フォトルミネッセンス測定に用いる光検出器から出力される出力信号の値を直接に用いる態様であってもよいし、出力信号値を所定の変換式に基づいて異なる単位の値に変換したものを用いる態様であってもよい。本実施の形態においては、1式で表される関数関係に基づいて、エピタキシャル基板10または20のHEMT構造部分についてのシート抵抗を評価する。具体的には、あらかじめ構造が既知である複数のエピタキシャル基板10または20について、フォトルミネッセンス測定によるバンド端ピーク強度値の取得と、シート抵抗の実測とを行っておき、得られたデータから、回帰分析によって1式の係数、α、β、γ、kを求めることで、検量線を得る。ただし、エピタキシャル基板10または20のHEMT構造部分のシート抵抗値は、障壁層5におけるIII族元素の組成比に応じて取り得る範囲が限られる例えば、図3に示すグラフの一部のみとなる場合があるので、検量線の信頼性を高めるには、少なくとも検査対象となるエピタキシャル基板10または20の障壁層5が取り得る組成範囲において、障壁層5の組成の異なるエピタキシャル基板10または20を用意するのが好ましい。また、障壁層5の膜厚も適宜に違えておいてもよい。上述のように1式の係数、α、β、γ、kが特定されることによって検量線が得られれば、被検試料となるエピタキシャル基板10または20については、そのバンド端ピーク強度値さえ取得すれば、その測定値を1式に代入することで、HEMT構造部分のシート抵抗を求めることができる。算出値と実測値との誤差は、せいぜい数程度である。なお、検量線の作成にあたって、バンド端ピーク強度Pの値として、光検出器からの出力信号値を変換等した値を用いた場合には、被検試料のシート抵抗を求める場合においても、同様の変換等を行うようにする。例えば、ある構造を有するエピタキシャル基板10について、α=10000、β=3.5、γ=550、k=1.75なる検量線が得られている場合、同一の構造を有するエピタキシャル基板10について、フォトルミネッセンス測定を行いP=25.0mVなるバンド端ピーク強度値が得られたとすると、そのエピタキシャル基板10のシート抵抗Rsの値は、1式より、Rs=1000025-3.5175550=597Ω/□となる。以上のような、フォトルミネッセンス測定と検量線とを用いる本実施の形態のシート抵抗評価手法は、被検試料となるエピタキシャル基板10または20について、HEMT構造部分のシート抵抗を非破壊で求めることができる点で特徴的である。よって、HEMT素子用のエピタキシャル基板を量産するにあたって係る評価手法を適用すれば、HEMT構造部分のシート抵抗についての全数検査を短時間で迅速に行うことが可能となる。このことは、製品不良の発生を低減し、ひいては、より品質の優れたエピタキシャル基板の実現に資するものである。また、本実施の形態の評価手法は、下地基板1の導電性を問わない。従って、下地基板1が導電性材料からなる場合であっても、絶縁性材料からなる場合であっても、同様に適用することができる。この点で、導電性の下地基板を用いたエピタキシャル基板については適用ができない渦電流法に比して優れている。<バンド端ピーク強度値の取得手法>次に、バンド端ピーク強度の取得の仕方について説明する。図4は、バンド端ピーク強度値の取得に用いるフォトルミネッセンス測定装置100の構成の一例を示す模式図である。バンド端ピーク強度値の取得に適用可能なフォトルミネッセンス測定装置100の構成は、図4に示したものには限られない。図4に示すフォトルミネッセンス測定装置100は、励起光源101から出射した励起光L0を、チョッパ102、減光板103、および集光レンズ104を備える照射光学系を介して試料台105に載置固定された試料106のHEMT構造をなす面つまりはエピタキシャル基板10または20の上面に照射し、これにより得られるフォトルミネッセンス光L1を、集光レンズ107、108からなる集光光学系にて集光し、これを分光器109にて分光したうえで光検出器110に取り込むことで、スペクトルを得るようになっている。なお、光検出器110で検出される信号は微弱であるため、チョッパ102と同期してロックインアンプ111で増幅されたうえで、スペクトルのデータとして取り出される。また、試料台105の位置は、ロックインアンプ111での信号の検出値が最大となるように調整される。励起光源101としては、チャネル層3のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを有する光を出射可能なものを用いればよい。チャネル層3がGaNからなるHEMT構造を対象とする場合であれば、GaNのバンドギャップエネルギーが3.4eVであることから、He-Cdレーザ発振波長325nmを用いるのが好適な一例である。また、GaNよりもバンドギャップが大きいAlGaNにてチャネル層を構成したHEMT構造を対象とする場合であれば、より高いエネルギーを与えるレーザ光源を用いる態様であってもよいし、電子線励起CLを適用するようにしてもよい。光検出器110としては、光電子増倍管を用いるのが好適な一例であるが、これに代わり、マルチチャンネルプレートやCCDなどを用いる態様であってもよい。エピタキシャル基板10または20を測定対象としてフォトルミネッセンス測定装置100による測定を行う場合、励起光L0は、障壁層5あるいはさらにスペーサ層4を透過してチャネル層3に照射される。従って、HEMT構造自体を維持したままでチャネル層3のバンド端に相当する波長近傍での発光を検出することができる。また、フォトルミネッセンス測定は室温で行えるので、迅速なシート抵抗評価が可能となる。なお、フォトルミネッセンス測定装置100の構成によって測定時の検出効率は異なり得るため、スペクトル自体は同じであっても、フォトルミネッセンス測定の仕方によって、バンド端ピーク強度を与える光検出器からの出力信号の絶対値は異なることがある。よって、シート抵抗評価のためのフォトルミネッセンス測定時には、検量線作成時と同一の装置構成や出力条件で測定を行う必要がある。また、同一のフォトルミネッセンス測定装置100であっても、励起光源101からの励起光L0の出力強度変動や、光検出器111における検出感度の変動が生じる。シート抵抗評価にあたっては、励起光L0の出力強度や光検出器111における検出感度を一定に保つ必要がある。例えば、光量計や可変減光板などによって励起光L0の強度を一定に調整したり、較正用試料による再現性確認などを行うことが必要である。<シート抵抗の測定方法>次に、検量線の作製に際してHEMT構造部分のシート抵抗を実測する方法について説明する。具体的には、まず、上述のフォトルミネッセンス測定装置100にてフォトルミネッセンス測定を行ったエピタキシャル基板10または20の被測定箇所を方形に切り出して測定試料を得る。次に、この切り出された測定試料を真空容器中に設置し、その四隅に、Ti/Alからなる抵抗測定用の金属電極測定端子接続電極を電子ビームによる金属溶融にて蒸着形成する。次に、電極形成後の測定試料を真空容器から取り出した後、高速アニール炉内にて600°C~850°Cの温度で1分~10分間、アニール処理する。室温まで自然冷却させた後、測定試料を高速アニール炉から取り出す。取り出した測定試料について、室温にてvanderPauw法によりシート抵抗を測定する。これにより、HEMT構造部分のシート抵抗を求めることが出来る。以上、説明したように、本実施の形態によれば、下地基板が導電性であるか絶縁性であるかを問わず、下地基板上にHEMT構造を設けたエピタキシャル基板について、HEMT構造部分のシート抵抗を非破壊にて評価することが出来る。測定端子を接続するための電極形成処理などが必要ないので、HEMT素子用のエピタキシャル基板を量産するにあたって係る評価手法を適用すれば、短時間での全数検査が可能となる。実施例1本実施例では、エピタキシャル基板10について、バンド端ピーク強度とシート抵抗との間に1式の関係が成り立つことを確認した。具体的には、障壁層5におけるIII族元素の組成比が異なる26種のエピタキシャル基板10を用意し、それぞれのバンド端ピーク強度とシート抵抗の値から検量線を作成した。まず、エピタキシャル基板10としては、直径4インチの111面シリコン基板を下地基板1とし、その上に、AlN/AlGaN多層膜からなるバッファ層2を2μmの厚みに形成し、GaNからなるチャネル層3を1.5μmの厚みに形成し、さらに、AlxGa1xN0≦x≦1からなる障壁層5を目標厚み25nmに形成したものを用意した。バンド端ピーク強度を求めるためのフォトルミネッセンス測定には、励起光源101としてHe-Cdレーザを備えるフォトルミネッセンス測定装置100を用いた。入射光学系においては、焦点距離100mm、直径30mmの集光レンズ104を用いた。入射角は45°とした。エピタキシャル基板10におけるレーザ光の照射径は約0.5mmであった。集光光学系においては、焦点距離100mm、直径60mmおよび焦点距離250mm、直径80mmの集光レンズ107、108を用いた。光検出器としては、GaAsCs光電子増倍管を用いた。なお、測定は室温にて行った。フォトルミネッセンス測定後の試料について、被測定箇所を含む6mm×6mmの方形に切り出した。この試料の四隅に、金属電極としてTi20nm/Al300nmの多層電極を形成し、600°C1分間の条件でアニール処理した。得られた試料について、室温にてvanderPauw法によりシート抵抗測定を行った。また、シート抵抗を測定した各試料について、XRDによる2θ-ω測定と、TEMによる障壁層厚さ測定とを実施した。その結果、エピタキシャル基板10における障壁層5のAl組成xは0.16~0.26の範囲にあり、厚みは23~27nmの範囲にあることが確認された。図5は、シート抵抗Rsの値をバンド端ピーク強度Pの値に対してプロットした図である。ここで、バンド端ピーク強度Pの単位としては、ロックインアンプ111からの出力値の単位であるmVを用いている。また、図5においては、障壁層5の組成Al組成比xに応じてデータ点のマークを変えている。図5からは、プロットしたデータ点が一の近似曲線に沿って分布していることがわかる。回帰分析により、この曲線は、Rs=10000P-3.51755502と求められる。2式は、1式において、α=10000、β=3.5、γ=550、k=1.75としたものである。このことは、上述の構成を有するエピタキシャル基板10について、1式の関係が成り立つことを示している。よって、下地基板1、バッファ層2、およびチャネル層3の構成が同じであり、障壁層5におけるIII族元素の組成比のみが異なるエピタキシャル基板10については、2式を検量線としてシート抵抗を求めることが可能となる。実施例2本実施例では、エピタキシャル基板20について、バンド端ピーク強度とシート抵抗との間に1式の関係が成り立つことを確認した。具体的には、障壁層5におけるIII族元素の組成比が異なる26種のエピタキシャル基板20を用意し、それぞれのバンド端ピーク強度とシート抵抗の値から検量線を作成した。まず、エピタキシャル基板20としては、直径4インチの111面シリコン基板を下地基板1とし、その上に、AlN/AlGaN多層膜からなるバッファ層2を2μmの厚みに形成し、GaNからなるチャネル層3を1.5μmの厚みに形成し、AlNからなるスペーサ層4を1nmの厚みに形成し、さらに、AlxInyN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1からなる障壁層5を目標厚み10nmに形成したものを用意した。フォトルミネッセンス測定およびシート抵抗測定については、実施例1と同様の条件および手順にて行った。また、XRDによる2θ-ω測定およびTEMによる障壁層厚さ測定についても、実施例1と同様に行った。その結果、エピタキシャル基板10における障壁層5のIn組成yは0.14~0.24の範囲にあり、厚みは9~11nmの範囲にあることが確認された。図6は、シート抵抗Rsの値をバンド端ピーク強度Pの値に対してプロットした図である。ここで、バンド端ピーク強度Pの単位としては、ロックインアンプ111からの出力値の単位であるmVを用いている。また、図6においては、障壁層5の組成In組成比yに応じてデータ点のマークを変えている。図6からは、プロットしたデータ点が一の近似曲線に沿って分布していることがわかる。回帰分析により、この曲線は、Rs=1000P-3.51252253と求められる。3式は、1式において、α=1000、β=3.5、γ=225、k=1.25としたものである。このことは、上述の構成を有するエピタキシャル基板20について、1式の関係が成り立つことを示している。よって、下地基板1、バッファ層2、チャネル層3、スペーサ層4の構成が同じであり、障壁層5におけるIII族元素の組成比のみが異なるエピタキシャル基板20については、3式を検量線としてシート抵抗を求めることが可能となる。実施例3実施例1で示したエピタキシャル基板10と同じ構造の基板を作成し、該基板におけるシート抵抗の面内分布を、2式を用いた算出値と、実測値とのそれぞれについて評価した。なお、障壁層5の組成はAl020Ga080Nであった。まず、基板10の径方向7箇所基板中心からの距離が0mm、6mm、12mm、18mm、24mm、32mm、40mmについて、励起レーザ光を照射してフォトルミネッセンス測定を行い、バンド端ピーク出力を記録した。そして2式により各点のシート抵抗を算出した。次に、フォトルミネッセンス測定の測定点を中心とする6mm角に基板を切出し、実施例1に示した手法にてシート抵抗を実測した。それぞれの手法にて求めたシート抵抗値を表1に示す。2式による算出値と実測値との誤差は、最大でも、10Ω/□程度であった。実施例4実施例2で示したエピタキシャル基板20と同じ構造の基板を作成し、該基板におけるシート抵抗の面内分布を、3式を用いた算出値と、実測値とのそれぞれについて評価した。なお、障壁層5の組成はAl020In080Nであった。まず、基板20の径方向7箇所位置は実施例3と同様について、励起レーザ光を照射してフォトルミネッセンス測定を行い、バンド端ピーク出力を記録した。そして3式により各点のシート抵抗を算出した。次に、フォトルミネッセンス測定の各測定点を中心とする6mm角に基板を切出し、実施例2に示した手法にてシート抵抗を実測した。それぞれの手法にて求めたシート抵抗値を表2に示す。3式による算出値と実測値との誤差の最大でも5Ω/□程度であった。実施例3および実施例4の結果について実施例3および実施例4の結果によれば、2式または3式からの算出値と実測値との誤差は、最大でも実測値の2~3程度に過ぎない。係る結果は、フォトルミネッセンス測定と1式を用いた算出とによって非破壊でシート抵抗を求める手法が、実測に代わるシート抵抗の評価手法として適切であることを意味している。