"表面に金属膜が被覆された硬質基板を所定の厚みに研削する硬質基板の研削方法であって、研削装置のチャックテーブルで硬質基板の裏面を保持して該金属膜を露出させる保持工程と、硬質基板を保持したチャックテーブルを回転させると共に、研削砥石が環状に配設された研削ホイールの該研削砥石が該チャックテーブルの回転中心を通過するように位置付けて該研削ホイールを回転させながら研削送りして、該チャックテーブルに保持された硬質基板の表面に被覆された該金属膜を研削する金属膜研削工程と、該金属膜が研削されて露出した硬質基板を引き続き研削して硬質基板を所定の厚みに形成する硬質基板研削工程とを具備し、該金属膜研削工程は、該研削ホイールを駆動するモータの負荷電流値が所定の値を超えて上昇した際に該金属膜から該研削砥石を離反させる離反工程と、該金属膜に該研削砥石を再度接触させて該金属膜を研削する接触工程とを含み、該離反工程と該接触工程とを繰り返し実施して該金属膜を研削して除去することを特徴とする硬質基板の研削方法。該研削ホイールを研削送りする速度は0.3μm/秒である請求項1記載の硬質基板の研削方法。硬質基板はSiC基板から構成され、該金属膜はチタン膜から構成される請求項1又は2記載の硬質基板の研削方法。しかし、このような金属膜を表面に有するSiCウエーハ等の硬質基板を研削すると、摩擦熱に起因して金属膜が軟化し、それに伴い研削抵抗が増大して研削能力が低下し、研削が困難になるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表面に金属膜が被覆されたSiC、サファイア等の硬質基板を研削して金属膜を除去し、更に硬質基板を所望の厚みに研削する硬質基板の研削方法を提供することである。本発明によると、表面に金属膜が被覆された硬質基板を所定の厚みに研削する硬質基板の研削方法であって、研削装置のチャックテーブルで硬質基板の裏面を保持して該金属膜を露出させる保持工程と、硬質基板を保持したチャックテーブルを回転させると共に、研削砥石が環状に配設された研削ホイールの該研削砥石が該チャックテーブルの回転中心を通過するように位置付けて該研削ホイールを回転させながら研削送りして、該チャックテーブルに保持された硬質基板の表面に被覆された該金属膜を研削する金属膜研削工程と、該金属膜が研削されて露出した硬質基板を引き続き研削して硬質基板を所定の厚みに形成する硬質基板研削工程とを具備し、該金属膜研削工程は、該研削ホイールを駆動するモータの負荷電流値が所定の値を超えて上昇した際に該金属膜から該研削砥石を離反させる離反工程と、該金属膜に該研削砥石を再度接触させて該金属膜を研削する接触工程とを含み、該離反工程と該接触工程とを繰り返し実施して該金属膜を研削して除去することを特徴とする硬質基板の研削方法が提供される。好ましくは、研削ホイールを研削送りする速度は0.3μm/秒であり、硬質基板はSiC基板から構成され、金属膜はチタン膜から構成される。本発明の研削方法によると、金属膜研削工程が、研削ホイールを駆動するモータの負荷電流値が所定の値を超えて上昇した際に金属膜から研削砥石を離反させる離反工程と、金属膜に研削砥石を再び接触させて金属膜を研削する接触工程とを含んでおり、離反工程と接触工程とを繰り返し実施して金属膜を研削して金属膜を除去するようにしたので、離反工程によって金属膜と研削砥石との摩擦熱を発散させることができ、これにより、金属膜が軟化して研削抵抗が大きくなり研削が困難になるという問題を解消することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置2の外観斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台16に取り付けられている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18を回転駆動するモータ20と、スピンドル18の先端に固定されたホイールマウント22と、ホイールマウント22に着脱可能に装着された研削ホイール24とを含んでいる。研削装置2は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される研削ユニット送り機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構36が配設されている。チャックテーブル機構36はチャックテーブル38を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。40,42は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル44が配設されている。図2Aを参照すると、本発明の研削方法により研削するのに適した被加工物の一例の斜視図が示されている。図2Bはその縦断面図である。被加工物11は、サブストレート13上にサブストレート13より小径のSiC基板15が積層されて構成されており、図2Bから明らかなように、SiC基板15の表面上及びサブストレート13の表面上に厚さ約10μmのチタン膜が被覆されている。サブストレート13は、例えばSiCから形成される。本実施形態の研削方法では、ウエーハ着脱位置Aにチャックテーブル38を位置付け、図3に示すように、被加工物11のサブストレート13側をチャックテーブル38で吸引保持し、チタン膜17を露出させる。このようにチャックテーブル38で被加工物11を吸引保持した後、チャックテーブル38を図1でY軸方向に移動して研削位置Bに位置付ける。この研削位置Bでは、研削ホイール24とチャックテーブル38に保持された被加工物11とは図4に示すような関係となる。図4において、研削ユニット10のスピンドル18の先端に固定されたホイールマウント22には、複数のねじ31により研削ホイール24が着脱可能に装着されている。研削ホイール24は、ホイール基台26の自由端部下端部に複数の研削砥石28を環状に配設して構成されている。研削位置Bでは、研削ホイール24の研削砥石28をチャックテーブル38の回転中心を通過するように位置付け、図4に示すように、チャックテーブル38を矢印aで示す方向に例えば500rpmで回転しつつ、研削ホイール24を矢印bで示す方向に例えば1500rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構34を駆動して研削ホイール24の研削砥石28をSiC基板15に被覆されたチタン膜17に接触させて研削を開始する。図5を参照すると、本発明実施形態の金属膜研削工程のフローチャートが示されている。ステップS10で研削砥石28をSiC基板上に被覆されたチタン膜17に接触させて研削を開始し、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に研削送りするステップS11。このときのモータ20の負荷電流値を測定しステップS12、ステップS13で負荷電流値が7A以下か否かを判定する。SiC基板15上のチタン膜17は研削が困難であるため、研削を続行するとチタン膜17が軟化し研削抵抗が増大する。研削抵抗の増大に伴ってモータ20の負荷電流値も増大し、負荷電流値が7Aより大きくなると、ステップS14へ進んで研削砥石28を1.0μm上昇させてチタン膜17から離反させる離反工程。この離反工程によってチタン膜17と研削砥石28との摩擦熱を発散させた後、再びステップS10へ進んで研削砥石28をチタン膜17に接触させて研削を開始する。研削砥石28を上昇させてから再び研削を開始するまで研削送り速度が0.3μm/sなので約4秒程度の時間を要する。そして、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に研削送りしながらチタン膜17を研削し、ステップS12でモータ20の負荷電流値を測定する。ここでは、ステップS10~ステップS12を接触工程と称することにする。ステップS13の判定ステップでモータ20の負荷電流値が7Aより大きくなる度に、ステップS14の離反工程と、ステップS10~ステップS12の接触工程とを繰り返して、チタン膜17を研削する金属膜研削工程を実施し、SiC基板15上のチタン膜17を除去する。SiC基板15上のチタン膜17が除去されると、SiC基板15の研削が開始される。SiC基板15の研削ではモータ20の負荷電流値は4A程度で7Aより大きくなることはないため、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで研削送りしながらSiC基板15の研削を続行し、ステップS15で所定の研削量に達したと判断した場合には、研削を終了するステップS16。金属膜研削工程及び硬質基板研削工程実施後の被加工物11の縦断面図が図6に示されている。研削完了時点では、サブストレート13上のSiC基板15は所定の厚みに研削され、サブストレート13上のチタン膜17は研削されずに残存している。被加工物として、直径φ15cm、厚み1mmのSiCサブストレート上に直径φ10cm、厚み500μmのSiC基板が配設され、サブストレートとSiC基板の表面に一体的にチタン膜が5~10μmの厚さで被覆されている被加工物を用意し、この被加工物を以下の条件で研削した。研削砥石:粒径φ20~30μmのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンドで固定チャックテーブルの回転数:500rpm研削ホイールの回転数:1500rpm研削送り速度:0.3μm/s研削水:4リットル/分負荷電流値:7Aを超えた時点で離反工程を実施1.0μm上昇上述した研削条件で上述した被加工物を研削したところ、SiC基板上のチタン膜を除去することができ、更にSiC基板を所定の厚みである100μmの厚みに研削することができた。上述した実施形態の研削方法によると、金属膜研削工程を、研削ホイール24を駆動するモータ20の負荷電流値が7Aを超えて上昇した際、チタン膜17から研削砥石28を離反させる離反工程と、チタン膜17に研削砥石28を再び接触させてチタン膜を研削する接触工程とから構成し、この離反工程と接触工程とを繰り返し実施してチタン膜17を研削して除去するようにしたので、離反工程によってチタン膜17と研削砥石28との摩擦熱を発散させることができ、チタン膜17が軟化して研削抵抗が大きくなり、研削が困難になるという問題を解消することができる。尚、上述した実施形態では、硬質基板としてSiC基板15を採用し、金属膜としてチタン膜17をSIC基板上に被覆した例について説明したが、本発明の研削方法はこの特別な実施形態に限定されるものではなく、サファイア基板等の他の硬質基板上に被覆されたチタン膜以外の他の金属膜の研削にも同様に適用することができる。"