グラフェン膜中にスピン波を形成する方法であって、2000nmの長さ寸法を有するグラフェン膜の予め選択された動作領域であって、50nmから100nmの寸法を有する複数の部分に分割された動作領域に、グラフェン膜中のスピン密度の非励起状態に対応する基底エネルギー準位からスピン密度の励起状態の第4動作エネルギー準位までの遷移に対応する3テラヘルツの周波数を有する交流パルス磁場を作用させ、これによりスピン密度のエネルギーポンピングを引き起こし、スピン密度の励起状態の第3動作エネルギー準位から第2動作エネルギー準位までの遷移に対応する0.5テラヘルツから1テラヘルツの動作周波数を有するスピノンを共鳴反射する動作領域の端に、空間的に局在化した外部磁場を形成し、前記スピノンは、動作領域を通過するときに、動作周波数のスピン波の誘導コヒーレント放出を引き起こすことを特徴とする方法。この既知の方法の欠点は、形成されるスピンパルスの量子コヒーレンスの欠如であり、これは、種々の実用的な用途にとって重要である、グラフェン表面でのスピンパルスの寿命と緩和長を制限する。本発明は、グラフェン膜中のスピンパルスの寿命と伝播長を増加させて性能を向上させるという課題に基づく。設定された課題を解決し、前記技術的結果を達成するために、2000nmの長さ寸法を有するグラフェン膜の予め選択された動作領域であって、50nmから100nmの寸法を有する複数の部分に分割された動作領域に、グラフェン膜中のスピン密度の非励起状態に対応する基底エネルギー準位からスピン密度の励起状態の第4動作エネルギー準位までの遷移に対応する3テラヘルツの周波数を有する交流パルス磁場を作用させ、これによりスピン密度のエネルギーポンピングを引き起こし、スピン密度の励起状態の第3動作エネルギー準位から第2動作エネルギー準位までの遷移に対応する0.5テラヘルツから1テラヘルツの動作周波数を有するスピノンを共鳴反射する動作領域の端に、空間的に局在化した外部磁場を形成し、前記スピノンは、動作領域を通過するときに、動作周波数のスピン波の誘導コヒーレント放出を引き起こす。このような量子生成のための動作体は、グラフェン膜そのものである。グラフェン膜は、グラフェン中で空間的に局在化したスピン密度ソリトンの相互作用の非線形性に起因して、シュレディンガー方程式各解に対する固有エネルギーに対応する値と相互作用するスピンソリトン系の波動関数についてのの解スペクトルに対する離散値を利用可能とする極小値を有する。グラフェン膜は、スピン密度の複数の励起状態の離散スペクトルを有し、当該複数の励起状態の間の量子遷移に、スピノンと呼ばれるスピン密度の素励起量子の放出または吸収が伴うような媒質である。生成を保証する共振器は、磁気ミラーと呼ばれスピノンを反射する、グラフェン膜の表面上の外部デバイスによって形成される磁場構成である。スピンパルスの寿命と伝播長の増加は、量子コヒーレントなスピン波の流れスピンエイサと呼ばれるスピン波量子発信器によってこのようなスピンパルスが形成されるという事実によって達成される。方法は以下のように実施できる。ポンピング構造平面磁気コイルと呼ばれる制御構造を使用することによって、振幅1Tから5Tを有する交流磁場パルスが形成される。当該磁場は、グラフェン膜の所定の50nmから100nmの領域中でのスピン密度の定常励起状態を形成するように、空間的に構成されている。このようにしてポンピングが行われる。4つの連続エネルギースピノン準位を有するポンピングレイアウト4準位レイアウトが、動作レイアウトとして選択される。同時に、2000nmの動作領域で空間的に局在化し、かつ、所定のエネルギーのスピノンとパルスを反射する外部磁場構成磁気ミラーと呼ばれるが、100ミクロンの長さ寸法を有する動作領域の端に沿って形成される。これらの構成は、スピノンに対する回折ミラーを形成し、所定のエネルギーのスピノンとパルスを反射し、他のスピノンに対する透明ウインドを有する磁場空間変調の50nmの領域である。前記磁気ミラーは、光学範囲の電磁波に対してファブリペロ共振器に類似する共振器を形成する。ポンピングレイアウトと制御構造での磁場強度の動作値は、1Tから5Tの範囲内の値である。ポンピングの結果、グラフェン膜の動作領域に、励起され、空間的に局在化したスピン密度の定常状態、即ちブリーザが形成される論文:DDGrachevYuPRybakovLASevastianovYeFShekaFerromagnetismingrapheneandfullerenenanostructuresTheorysimulationexperimentMUDNNewsletter2010GMArzumanyanEAAyrjanDDGrachevLASevastianovQuantumFieldModelforGrapheneMagnetismDDGrachevLASevastianovQuantumFieldApproachtotheFerromagneticPropertiesoftheGrapheneFilmsIntConferenceofTheoreticalPhysicsDubnaNano2010p63DubnaJINR2010。ブリーザは、それらのエネルギーに応じて20nmから100nmの空間寸法を有し、最も上で第4エネルギー準位にあり、そこから、磁気ミラーが透明であるようなスピノンを放出して準安定の第3エネルギー準位に自発的に移る。第3エネルギー準位でのブリーザの寿命は第2準位での寿命より10倍長く、ブリーザの反転分布を作成する可能性を生み出す。第2エネルギー準位から第1エネルギー準位への自発的な遷移中に、スピノンそれに対しても磁気ミラーが透明であるようなが放出される。これにより、共鳴条件は、その間でブリーザの分布の反転密度が作成されるような、第3エネルギー準位から第2エネルギー準位への動作遷移の結果として放出されるスピノンについてのみ保証される。このようなスピノンが、第3準安定エネルギーレベルにあるブリーザと相互作用する結果として動作領域を移る場合、ブリーザは強制的にかつコヒーレントに類似のスピノンを放出して第2動作エネルギー準位に移り、そこから自発的に第1基底準位へ移る。結果として、コヒーレントなスピノン流の量子増幅効果が得られる。磁気ミラーは、増幅係数の多重の増加を保証する。多重度は、ミラー間を移動する流れの数に等しく、10から100である。このようにして、増幅係数が吸収係数と散乱係数との和を超える場合、スピノンのコヒーレントな流れの量子生成が保証され、結果として、非コヒーレントパルスを使用したプロトタイプと比較して、スピンパルスの寿命は100倍に増加し、伝播長は1000倍に増加する。