半導体原料を収容するるつぼと、前記るつぼと対向して基板を支持する基板支持器と、前記るつぼと前記基板との間で前記るつぼの開口を覆って配置されるマスクと、前記るつぼおよび前記マスクを加熱する加熱器と、前記るつぼ、前記基板支持器、および前記マスクを収容する真空チャンバとを備える半導体膜蒸着装置。請求項1に記載の半導体膜蒸着装置において、前記マスクは金属製である半導体膜蒸着装置。請求項1または2に記載の半導体膜蒸着装置において、前記るつぼと前記マスクとが接触しており、前記マスクは前記るつぼを介して前記加熱器に加熱される半導体膜蒸着装置。請求項3に記載の半導体膜蒸着装置において、前記るつぼの上端周縁部と前記マスクとが接触し、さらに、前記るつぼは、前記半導体原料が収容される底面から突出し前記マスクと接触する突出部を有する半導体膜蒸着装置。請求項1から4のいずれか1つに記載の半導体膜蒸着装置において、前記マスクの透過粒径の上限が300μmである半導体膜蒸着装置。請求項1から5のいずれか1つに記載の半導体膜蒸着装置において、前記マスクが前記真空チャンバ内での前記半導体原料の蒸発温度または昇華温度のいずれか高い温度で非溶融である半導体膜蒸着装置。請求項1から6のいずれか1つに記載の半導体膜蒸着装置において、前記マスクは織物である半導体膜蒸着装置。請求項7に記載の半導体膜蒸着装置において、前記織物は畳織されている半導体膜蒸着装置。請求項8に記載の半導体膜蒸着装置において、前記織物は平畳織または綾畳織されている半導体膜蒸着装置。請求項1から9のいずれか1つに記載の半導体膜蒸着装置において、前記基板に蒸着される半導体膜がアモルファス半導体膜である半導体膜蒸着装置。真空チャンバ内のるつぼに半導体原料を充填し、前記真空チャンバ内を減圧し、前記るつぼの開口を覆って配置されるマスクおよび前記るつぼを加熱し、前記マスクを介して前記るつぼから飛散する半導体粒子を前記るつぼに対向して配置される基板に蒸着させる半導体膜蒸着方法。請求項11に記載の半導体膜蒸着方法において、前記マスクが金属製である半導体膜蒸着方法。請求項11または12に記載の半導体膜蒸着方法において、前記マスクが織物である半導体膜蒸着方法。請求項13に記載の半導体膜蒸着方法において、前記織物が畳織されている半導体膜蒸着方法。請求項11から14のいずれか1つに記載の半導体膜蒸着方法において、蒸着される半導体膜がアモルファス半導体膜である半導体膜蒸着方法。しかしながら、不安定な半導体膜または強度の弱い半導体膜の場合、特許文献1に記載される化学機械的研磨を実施することは好ましくない。たとえば、蒸着により形成したアモルファス半導体膜の場合、化学機械的研磨を実施すると、研磨の際に用いる化学薬品によりアモルファス半導体膜が結晶化してしまう。また、研磨パッドを回転させる物理的衝撃によってもアモルファス半導体膜が結晶化するおそれがある。また、これら化学機械的研磨を実施すると、半導体膜表面だけではなく、半導体膜の深部へもクラック等の物理的な損傷を与えてしまい、半導体膜表面およびその近傍の半導体の結合状態を破壊してしまう。これにより、半導体膜の電気的特性が劣化する。このように、アモルファス半導体膜の場合、化学機械的研磨を実施することができないので、蒸着後に半導体膜を平坦化することができず、半導体膜に形成された凹凸である表面欠陥を低減することができなかった。その結果、成膜されたアモルファス半導体膜を直接変換型の放射線検出器の放射線変換層として用いる場合、アモルファス半導体膜に印加される電圧により半導体膜の表面欠陥部に電界が集中し、アモルファス半導体膜が放電破壊される。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、半導体膜の表面欠陥の発生を抑制する半導体膜蒸着装置および半導体膜蒸着方法を提供することを目的とする。発明者は鋭意研究の結果、半導体膜の成膜後に化学機械的研磨を実施する代わりに、半導体膜を蒸着する段階で半導体膜に発生する表面欠陥を低減することで半導体膜の平坦化に成功した。すなわち、本発明は上述した目的を達成するために、次のような構成をとる。本発明における第1の発明は、半導体原料を収容するるつぼと、前記るつぼと対向して基板を支持する基板支持器と、前記るつぼと前記基板との間で前記るつぼの開口を覆って配置されるマスクと、前記るつぼおよび前記マスクを加熱する加熱器と、前記るつぼ、前記基板支持器、および前記マスクを収容する真空チャンバとを備える半導体膜蒸着装置である。上記構成によれば、減圧雰囲気下の真空チャンバ内でるつぼに収容された半導体原料は、加熱器によりるつぼを介して加熱され蒸発または昇華して飛散する。飛散した半導体原料は、るつぼの開口を覆っているマスクと衝突し分散されて、るつぼと対向して配置されている基板上に蒸着する。るつぼから飛散した半導体分子が、加熱されたマスクと衝突するので、飛散した半導体分子の大きさがマスクの透過粒径よりも小さく分割される。マスクの透過粒径よりも小さく分割された半導体分子が基板上に蒸着するので、半導体膜の表面の凸凹が低減され、平坦化された半導体膜を作成することができる。化学機械的研磨を実施することなく半導体膜表面を平坦化することができるので、半導体膜の特性を劣化させることがない。すなわち、半導体膜に直接加工しないので半導体膜の物理的な変質や電気的特性の劣化が無く、安定した特性の半導体膜を得ることができる。また、前記るつぼと前記マスクとが接触しており、前記マスクは前記るつぼを介して前記加熱器に加熱されてもよい。るつぼ上に接触してマスクを配置し、加熱器によりるつぼを介してマスクを加熱することで、マスクを簡易に加熱することができる。また、るつぼとマスクとが接触しているので、マスクを高温状態に保持して、マスクの目詰まりを防止し、蒸着レートを維持しやすくなる。また、前記るつぼの上端周縁部と前記マスクとが接触し、さらに、前記るつぼは、前記半導体原料が収容される底面から突出し前記マスクと接触する突出部を有することが好ましい。この構成によれば、るつぼとマスクとの接触面積を増やすことができ、るつぼからマスクへの熱伝導が均一化されるので、マスクの熱分布のばらつきをさらに低減することができる。また、前記マスクの透過粒径の上限が300μmであることが好ましい。マスクの透過粒径の上限が300μmであれば、基板に蒸着される半導体膜の表面において直径が300μmを超える表面欠陥の発生を著しく低減することができる。これより、放射線変換膜として最適な半導体膜を成膜することができる。また、前記マスクが前記真空チャンバ内での前記半導体原料の蒸発温度または昇華温度のいずれか高い温度で非溶融であることが好ましい。マスクが真空チャンバ内での半導体原料の蒸発温度または昇華温度のいずれか高い温度の耐熱性を有しているので、減圧雰囲気下で蒸発または昇華した半導体分子の粒径をマスク4の透過粒径よりも好適に小さくすることができる。また、本発明における第2の発明は、真空チャンバ内のるつぼに半導体原料を充填し、前記真空チャンバ内を減圧し、前記るつぼの開口を覆って配置されるマスクおよび前記るつぼを加熱し、前記マスクを介して前記るつぼから飛散する半導体粒子を前記るつぼに対向して配置される基板に蒸着させる半導体膜蒸着方法である。上記方法によれば、減圧雰囲気下の真空チャンバ内でるつぼに収容された半導体原料は、加熱器によりるつぼを介して加熱され蒸発または昇華して飛散する。飛散した半導体原料は、るつぼの開口を覆っているマスクの内部を通過して、るつぼと対向して配置されている基板上に蒸着する。るつぼから飛散した半導体分子が、加熱されたマスクに衝突して分散するので、飛散した半導体分子の大きさがマスクの透過粒径よりも小さく分割される。マスクの透過粒径よりも小さく分割された半導体分子が基板上に蒸着するので、半導体膜の表面の凸凹が低減され、平坦化された半導体膜を作成することができる。化学機械的研磨を実施することなく半導体膜表面を平坦化することができるので、半導体膜の特性を劣化させることがない。すなわち、半導体膜に直接加工しないので半導体膜の物理的な変質や電気的特性の劣化が無く、安定した特性の半導体膜を得ることができる。また、前記マスクは金属製であることが好ましい。マスクが金属製であれば熱伝導が良好であるので、マスクが均等に加熱され温度分布のばらつきを低減できる。またマスクは織物であることが好ましい。マスクが織物であれば、飛散した半導体分子と容易に衝突および分散させることができる。また、前記マスクは畳織されていることが好ましい。畳織であれば、飛散した半導体分子がるつぼから基板へ直進して蒸着することを低減し、半導体分子とマスクとの衝突回数を増やすので、飛散した半導体分子の粒径を適切に小さくする。また、畳織として平畳織または綾畳織がさらに好ましい。平畳織または綾畳織であれば、飛散した半導体分子とマスクとの衝突を適切に増やすことができる。また、前記基板に蒸着される半導体膜がアモルファス半導体膜であってもよい。アモルファス半導体膜に対しても表面欠陥を著しく低減することができる。本発明に係る半導体膜蒸着装置および半導体膜蒸着方法によれば、半導体膜の表面欠陥の発生を抑制することができる。1.平坦化の原理従来の蒸着方法によれば、るつぼから飛散した半導体分子は直接に基板上に成膜される。るつぼから飛散した半導体分子の粒径は大小様々にばらついている。この大小様々な粒径の半導体分子が基板上に順に付着して固化するので、成膜された半導体膜の表面には直径の大きい凹凸による表面欠陥が発生する。この半導体膜表面に表面欠陥が発生する過程には2種類あることを発明者が知見した。この2種類の表面欠陥形成を図8および図9を参照して説明する。第1の過程は、飛散した半導体原料の分子の粒径が大きい場合、この分子を核として凹凸が成長する過程である。図8に示すように、るつぼより飛散した分子21の大きさが他の飛散した分子に比べて比較的大きいと、成膜面の表面に凹凸ができる。さらに、成膜が進むにつれて、この粒径の大きい分子21を核として凹凸が成長し、成膜後の半導体膜22の表面に表面欠陥23が形成される。第2の過程は、飛散した半導体原料の分子の粒径の大きさが小さくても分子のエネルギーが他の飛散した分子よりも大きい場合、この粒子を核として凹凸が成長する場合である。図9に示すように、半導体膜22に積層される半導体原料の分子25の粒径の大きさが飛散した他の半導体原料の分子の平均粒径と同等もしくはそれよりも小さい場合でも、分子25の持つエネルギーが他の分子よりも大きい場合、半導体層22の成膜が進むとともに分子25を核として凹凸が成長し、成膜後の半導体膜22の表面に表面欠陥23が形成される。分子25の持つエネルギーが大きい理由として突沸で発生した分子25が直接に基板に蒸着されることが考えられる。そこで、飛散する分子を予め定められた透過粒径以下のマスクを通過させることで、第1の過程による半導体膜22の凹凸の成長を防ぐことができ表面欠陥23の低減をすることができる。また、飛散した分子がマスクと衝突しなければマスク内の経路を通過できない構造、すなわち、蒸着源から見て被蒸着物が見えない構造とすることで、飛散した分子のエネルギーを低減させて第2の過程による半導体膜22の凹凸の成長を防ぐことができ表面欠陥23の低減をすることができる。ここで、表面欠陥23の低減とは、表面欠陥23の直径Srの小径化を意味する。2.半導体膜蒸着装置次に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図1は実施例における半導体膜蒸着装置の全体図であり、図2はるつぼの上面図であり、図3は図2における線IIIに沿ったるつぼの縦断面図である。図1に示すように、半導体膜蒸着装置1には、半導体原料を収容するるつぼ2と、るつぼを加熱する加熱器3と、るつぼ2の上面に載置されるマスク4と、るつぼ2と対向して配置される基板5を支持する基板支持器6と、これらを収容する真空チャンバ7と、真空チャンバ7内の空気を減圧する真空ポンプ8とが備えられている。るつぼ2は、半導体原料を収容する容器である。本実施例では半導体原料としてSeセレンを用いる。るつぼ2が加熱器3により加熱されると、るつぼ2内に収容されたSeが蒸発または昇華し、マスク4の方へ上昇する。るつぼ2は、図2および図3に示すように、上端周縁部2aと、上端周縁部2aと接続する柱状部2cと、るつぼ2の底面2bから上端周縁部2aの天面と同じ高さまで突出した突起部2dとを有する。マスク4は、るつぼ2の上端周縁部2a、柱状部2cおよび突起部2d上に固定される。加熱器3は、るつぼ2およびマスク4を加熱する。加熱器3は、るつぼ2の内部に埋め込まれている。るつぼ2の上端周縁部2a、柱状部2cおよび突起部2dを介して、マスク4も加熱される。このように、マスク4は、るつぼ2の上端周縁部2aだけでなく、柱状部2cおよび突起部2dを介して加熱されるので、マスク4の熱分布の偏りを低減することができる。加熱器3の一例として、本実施例では電熱器を採用する。マスク4には温度測定器10が接触しており、るつぼ2には温度測定器12が接触しており、温度測定器10および12の測定する温度を基に温度制御部11が予め定められた温度になるように、加熱器3を温度制御する。マスク4は、金属製の織物で内部に透過粒径の直径が300μm以下の通路を有する。金属製の織物の一例として金属メッシュが挙げられる。金属メッシュは一般的に金属線を平織した金網である。金属として金、銅、ステンレス材が例として挙げられる。図4には、平織の金属メッシュ15が図示されている。金属メッシュ15は、縦線15aと横線15bとが交互に編まれており、隣り合う縦線15aおよび横線15bで囲まれた孔15cが通路として形成されている。孔15cは、通過するのに直進的に移動すれば通過できるので、1次元構造の通路ともいえる。孔15cの透過粒径の直径は300μm以下である。これより、孔15cを通過するSe分子の粒径は300μmを上限として制限される。孔15cよりも粒径の大きいSe分子が金属メッシュ15に衝突すると、その衝突エネルギーにより、細かく分割される。飛散したSe分子はマスク4に液化または固化しないようにマスク4は加熱されている。すなわち、マスク4は液化または固化するほどエネルギーの低いSe分子に対しては熱エネルギーを供給して再び飛散させるので第2の蒸着源としても機能する。マスク4の他の例として、畳織の織物が挙げられる。図5には、平畳織の金属織物17が図示されている。金属織物17は、金属線の縦線17aと横線17bとが織り込まれ、隣り合う縦線17aは互いに接触している。縦線17aと横線17bとの間には3次元構造の通路を有する。るつぼ2から飛散したSe分子は、この3次元構造の通路を通る過程で金属織物17の金属線に衝突し、この衝撃により粒径が小さく分割される。Se分子は金属織物17内の非直線貫通通路において衝突、分散を繰り返しながら通過する過程で小さく分割され、さらに金属織物17から熱エネルギーを吸収するので、液化または固化することなく基板5の方へ上昇する。内部に3次元構造の通路を有する畳織の織物のマスク4として、綾畳織の織物を採用してもよい。このように、畳織の織物のマスク4はエネルギーが均一で分子径の小さな半導体分子を再び飛散させる第2の蒸着源としても機能する。マスク4は、金属線を織り込んだ金属製の織物の他にも合成樹脂の糸を織り込んだ非金属製の織物であってもよい。マスク4は真空チャンバ7内での半導体原料の蒸発温度または昇華温度のいずれか高い温度で非溶融であればよい。マスク4は真空チャンバ7内の減圧雰囲気下で加熱すればよいので、半導体原料としてSeを用いる場合、マスク4の耐熱温度が150度以上のものであれば採用できる。また、マスク4は、織物ではなく、多孔質シートを採用してもよい。多孔質シートの孔内を通る半導体分子が固化しないために、多孔質シートが適当な熱伝導率を有することが好ましい。また、この他にも、スチールウールをフィルタ状に形成したものを採用してもよい。基板5には、マスク4を通過したSeが積層される。本実施例では、基板5は複数の薄膜トランジスタTFT回路を有する。基板5にアモルファスSe半導体膜を蒸着することで放射線検出器を作成することができる。基板5は、基板支持器6のアーム6bに支持されている。基板5とるつぼ2との距離は支持アーム6bが支柱6aを上下することで調節することができる。真空チャンバ7は、るつぼ2、加熱器3、マスク4、基板5および基板支持器6を内部に収容する。真空チャンバ7内の大気は真空ポンプ8により脱気され、真空チャンバ7内の大気圧が減圧される。真空チャンバ7内の気圧は好ましくは10Torr以下である。3.半導体膜蒸着次に、図6を参照して、実施例により半導体膜が蒸着される流れを説明する。図6は実施例に係る半導体膜蒸着の流れを示すフローチャートである。まず、るつぼ2内に半導体原料としてSeを充填するステップS01。次に、真空チャンバ7内を真空ポンプ8により減圧するステップS02。次に、加熱器3によりるつぼ2およびマスク4を加熱するステップS03。一例として、150°C以上300°C以下に加熱する。加熱されたるつぼ2からSe分子が飛散する。飛散したSe分子はマスク4と衝突することで粒径を小さくして、マスク4を通過する。Se分子の衝突により失われるエネルギーの一部は加熱されたマスク4から得られるので、Se分子はマスク4内で液化または固化することなく移動することができる。マスク4を通過したSe分子は、基板5上に蒸着されるステップS04。マスク4が畳織りの金属織物17の場合、金属織物17の通路の透過粒径以下のSe分子は、通路内において金属線との衝突を繰り返しながら金属織物17を通過して基板5へ上昇する。通路の透過粒径よりも大きいSe分子は、通路入口において金属織物17に衝突することで、細かく分割される。衝突したSe分子は透過粒径以下になるまで、金属織物17との衝突を繰り返す。透過粒径以下の大きさまで分割されると、Se分子は通路を通過して基板5上に積層される。これより、第1の過程による半導体膜表面の凹凸の成長を阻止することができ、表面欠陥の低減をすることができる。さらには、金属織物17内の通路が直線的でない3次元構造を有するので、通路内のSe分子は金属線との衝突を繰り返しながら通過することで直進性が失われ、Se分子ごとのエネルギーのバラツキが低減される。突沸等により発生した高エネルギーのSe分子のエネルギーを低減して蒸着させることができる。これより、第2の過程による半導体膜表面の凹凸の成長を阻止することができる。マスク4が平織りの金属メッシュ15の場合、孔15cの透過粒径以下のSe分子は、るつぼ2から孔15cを通過して基板5へ直進する。孔15cの透過粒径よりも大きいSe分子は、金属メッシュ15に衝突することで、細かく分割される。衝突したSe分子は透過粒径以下になるまで、マスク4との衝突を繰り返す。透過粒径以下の大きさまで分割されると、Se分子は孔15cを通過して基板5上に積層される。これより、第1の過程による凹凸の成長を阻止することができ、表面欠陥の低減をすることができる。図7には、マスク4の種類と100mm2当りに観測された直径300μmを超える表面欠陥の数との関係を示す表を図示している。マスク4をるつぼ2に設置しないで蒸着した場合、100個以上の表面欠陥が観測されたが、透過粒径300μm以下の平織の金属メッシュ15をるつぼ2に設置して蒸着した場合、5個以下の表面欠陥が観測された。さらに、透過粒径300μm以下の綾畳織の金属織物17をるつぼ2に設置して蒸着した場合、観測された表面欠陥は1個以下であった。このように、実施例の半導体膜蒸着装置1および半導体膜蒸着方法によれば、化学機械的研磨を実施することなく、半導体膜表面を平坦化することができるので、半導体膜の特性を劣化させることがない。すなわち、半導体膜に直接加工しないので半導体膜の物理的な変質や電気的特性の劣化が無く、安定した特性の半導体膜を得ることができる。また、るつぼ2上に接触してマスク4を配置し、加熱器3によりるつぼ2を介してマスク4を加熱することで、簡易にマスク4を加熱することができる。マスク4がるつぼ2の上端周縁部2aと接触し、さらに、るつぼ2の半導体原料が収容される底面2bから突出しマスク4と接触する柱状部2cおよび突起部2dとも接触することでマスク4の熱分布のばらつきをさらに低減することができる。また、マスク4の透過粒径の上限が300μmであるので、基板5に蒸着される半導体膜上に直径が300μmを超える表面欠陥の発生を著しく低減することができる。これより、放射線変換膜として最適な半導体膜を成膜することができる。マスク4が少なくとも150°Cの耐熱性を有しているので、減圧雰囲気下で飛散したSe分子の粒径を好適に小さくすることができる。アモルファス半導体膜であっても表面欠陥を著しく低減することができる。また、マスク4は畳織であれば、飛散した半導体分子がるつぼ2から基板5へ直進して蒸着することを低減し、マスク4との衝突回数を増やすので、飛散した半導体分子の粒径を小さくする。また、畳織として平畳織または綾畳織であれば、飛散した半導体分子との衝突を適切に増やすことができる。また、マスク4が金属糸を織り込んだ金属製であれば熱伝導が良好であるので、マスク4が均等に加熱され温度分布のばらつきが低減できる。マスク4は、単に、粒径の小さな半導体分子を通す濾過フィルタとしての機能だけではなく、マスク4が加熱されていることで、衝突した半導体分子を液化または固化させることなく細かく分割する機能も併せもつ。半導体分子がマスク4の内部通路に固化することで発生する目詰まりは、マスク4を加熱することで低減される。実施例の半導体膜蒸着装置1および半導体膜蒸着方法は、成膜後、平坦化処理を実施することのできないアモルファス半導体膜の成膜に特に有効である。このように成膜されたアモルファス半導体膜は、直接変換型の放射線検出器の放射線を電気信号に変換する変換膜として適している。放電破壊を引き起こす大きさの表面欠陥の発生が抑制されるからであり、放電破壊による放射線検出器の故障を低減することができる。本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。1上述した実施例では、るつぼ2とマスク4とはるつぼ2の上端周縁部2a、柱状部2cおよび突起部2dと接触して固定されていたが、これに限らず、るつぼ2の上端周縁部2aとだけで接触する構造でもよい。2上述した実施例では、1枚の基板5に対して1個のるつぼ2が対向して配置されていたが、これに限らず、1枚の基板5に対して複数個のるつぼ2が対向して配置されてもよい。この場合、各るつぼ2上に複数のマスク4を設置してもよいし、各るつぼ2の開口を覆うように1枚のマスク4を設置してもよい。3上述した実施例では、マスク4の透過粒径は300μm以下であったが、これに限らず、他の大きさでもよい。半導体膜表面上において抑制したい表面欠陥の大きさに対応して選択すればよい。4上述した実施例では、マスク4の耐熱温度は少なくとも150°であったが、これに限らず、他の温度でもよい。半導体原料の蒸発温度または昇華温度、真空チャンバ7の気圧によって選択すればよい。5上述した実施例では、平織りの金属メッシュ15をるつぼ2上に1枚設置していたが、これに限らず、平織りの金属メッシュ15を2枚重ねて設置してもよい。各金属メッシュ15はそれぞれ独立に加熱されてもよいし、るつぼ2を介して加熱されてもよい。2枚用いる際には、各金属メッシュ15の孔15cが重ならないように設置すると飛散した半導体分子の直進性を無くすことができる。