コア領域及び前記コア領域を包囲するクラッド領域からなるファイバ光導波路であって、前記クラッド領域は、内側クラッド領域及び外側クラッド領域を含み、前記内側クラッド領域は、リング構造の周期的格子を有し、前記コア領域が前記リング構造の前記周期的格子の欠陥として機能して前記ファイバ光導波路内で光をガイドし、前記ファイバ光導波路は所定のモードにおいて光学バンドギャップを有し、前記リング構造の前記周期的格子は、セル状リング構造の格子であることを特徴とする導波路。前記セル状リング構造の各々は、内部コアを包囲する複数の空気カラムによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の導波路。前記セル状リング構造の各々は、低屈折率誘電物質の固体の内部コアを包囲する6つの空気カラムによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の導波路。前記内部コアは、前記外側クラッド領域の屈折率以下の屈折率を有する固体材料からなることを特徴とする請求項3に記載の導波路。引例は、現時点での本発明の好適な実施例を詳細にするであろう。本発明の実施例は、添付の図面において図示される。可能な限り、同じ参照番号が、同じ又は同様の部分を参照するために図面の全体に亘って使用されるであろう。図4を参照すると、本発明の好適な実施例によるフォトニック結晶ファイバPCF30の断面図が示されている。PCF30は、高屈折率のファイバコア領域34の周囲に形成された低屈折率の内側クラッド領域32を含む。しかしながら、ブラッグ散乱の効果を増やすために、僅かに高い屈折率の内側クラッド領域32によって包囲された低屈折率ファイバコア領域34を含むPCF30を製造することが可能である。内側クラッド領域32は、リング構造36の周期格子からなる。PCF30の特定の特徴は、コア領域34がリング構造36を含まないことである。その結果、コア領域32は、格子構造における欠陥として機能して、導波路を通る光をガイドする。ファイバコア領域34は、好ましくは、シリカから形成され、n=約145の屈折率nを有する。しかしながら、コア領域34は、屈折率特性を交互に変化させるために添加されたシリカから形成されてもよい。外側クラッド領域42は、好ましくは添加されたシリカから形成され、少なくとも内側クラッド領域32の屈折率よりも高い屈折率を有して、内側クラッド領域32を包囲する。具体的には図示されないが、吸収ポリマーコーティングがファイバ30の外表面に与えられる。図5に関して、各々のリング構造36は、内部コア40を包囲する環状リング38によって画定される。各々の環状リング38は、低屈折率ガラスのような固体中実材料の環状カラムによって形成されることが好ましい。好ましくは、各々の内部コア40は、環状リング38の屈折率未満の屈折率を有する。各内部コア40に好適な組成は、空気又は低屈折率材料、例えばフッ素又はチタンを添加したシリカである。しかしながら、当業者は様々な材料が内部コア40の格子のために使用され得ることを認識するであろう。環状リング38の材料は、リング38を包囲する材料よりも高い温度でより安定なリングとなるように選択され得る。認識されるように、この特徴は、内部コア40が空気のカラムであるとき、各環状リング38をその形状に維持することを補助して、溶融スプライシング又はテーパリングの間での各内部コア40の圧壊を防止する。環状リング構造36の結果として生じる周期格子は、ファイバコア領域34よりも低い屈折率を有する内側クラッド領域32を生じる。これは、環状リング38を形成している材料がファイバコア領域34を形成しているシリカ又は添加されたシリカ材料未満の平均屈折率を生じる理由である。コアとクラッドの間の屈折率の差は、しばしば屈折率デルタと称される。図示されるように、内側クラッド領域32は、リング構造36の三角形の格子である。しかしながら、当業者は、四角形又は他の適切な構造を含むが、これに限定されることなく、リング構造36が様々な構造にアレンジされ得ることを認識するであろう。ここで、図6に戻って、本発明の他の好適な実施例による内側クラッド領域44の部分断面図が示される。内側クラッド領域44は、内側クラッド領域32についてPCF30図4と置換されてもよい。内側クラッド領域44は、セル状リング構造46をモディファイした屈折率の三角形格子としても図示される。セル状リング構造46をモディファイした各屈折率は、コアを囲む屈折率モディファイ殻を形成する複数のカラム構造50によって包囲された内部コア48を含む。図示するように、6つのカラム50は、各内部コア48の周囲にセル状リングを形成する。カラム50は、好ましくは、ファイバ30に沿って空気カラムを形成するボイドである。あるいは、カラム50は、カラム50又はファイバコア領域34を包囲する外側クラッド領域の基板シリカとは異なる固体材料であることが好ましい。好ましくは、各内部コア48は、低屈折率材料、例えばフッ素又はチタンを添加されたシリカから形成される。好適な組み合わせにおいて、各内部コア48は、外側クラッド領域42の周囲のシリカ基板よりも低い屈折率を有する材料である。しばしば、より低い屈折率を有する当該材料を、マイナスのデルタ材料と称する。図7は、ファイバ30が溶融スプライス若しくはテーパー付けされた後のクラッド領域44を示す。より具体的には、スプライシング又はテーパリング工程によって、内部コア48の格子を残して、収縮若しくは完全に圧壊して、セル状リング構造46が生じる。圧壊されたリング構造は、52として一般に図示される。セル状リング構造46を形成する空気リング又はカラム50が圧壊するときに、圧壊領域の範囲内の屈折率コントラストは、セル状リング構造46が損なわれていないそれらの領域ほど高くないであろう。05のデルタであっても、ショートスプライス又はテーパー距離に亘って光をガイドするだろうことを実験は示している。内側クラッド領域32若しくは44のいずれかを有する結果として生じるファイバ30は、以下の動作特性を有する。短波長では、モードは実質的に環状リング構造36又はセル状リング構造46から締め出され、これらのクラッド領域のいずれかを有する導波路ファイバ30は実質的に同じ動作をなす。より長い波長では、モードはリング構造の外径によるファイバ特性の変化を生じさせる環状リング構造36又はセル状リング構造46を通過する。実験工程の一部として、環状リング構造36及びセル状リング構造46は、平面波展開PWEコンピューターコードを使用してモデル化された。図8は、半径を変化させた環状リング38を含む構造でのスケールフリーの空間波長の逆数の関数として、実効V値Veffのコンピュータ計算された変化を示す。参照破線54は、例えば、図2に示されるPCF16の如き、典型的な多孔質クラッド光ファイバでの波長の逆数スケールの関数としてVeffを表したものである。図4及び5について上記した如く、多孔質クラッド層18は、環状リング構造36の周期格子と置換された。図8において、Λラムダは、環状リング構造36の間の中心と中心の間隔である。破線54では、空気カラム20の各々は、半径r=025Λを有する。他の実線56、58、60、62及び64は、それぞれ、Δr=001Λ、Δr=002Λ、Δr=003Λ、Δr=004Λ及びΔr=005Λのリング厚さを有する環状リング38を表す。図8のグラフィックデータから、短波長では曲線が同一になることが明らかになる。しかしながら、長波長では曲線は異なり、クラッド領域32を有する光ファイバの間で僅かに異なる特性が環状リング構造36から形成されることを示す。より小さな半径の環状リング38であっても、モードは閉じ込まれたままである。しかしながら、より短波長では、かかる構造は、より低い開口数NAを有し、曲げ損失に対してより影響されやすくなるであろう。図9は、図6に示される構造でのVeffの計算された変化のグラフである。再度、参照破線54は、例えば、図2に示されるPCF16の如き、典型的な多孔質クラッド光ファイバでの波長の逆数スケールの関数としてVeffを表したものである。図6において上記した如く、多孔質クラッド層18は、セル状リング構造46の周期格子と置換されてきた。図9において、Λラムダは、セル状リング構造46の間の中心と中心の間隔である。破線54では、空気カラム20の各々は、上記した如く、r=025Λの半径を有する。その他の点線66及び実線68は、6つの小さいカラムの各々50が半径r=00518Λを有するセル状リング構造46を表す。また、各カラム50の中央は、半径r=0198Λの円内に分布している。破線54と比較すると、6つのカラムの各グループ50は、r=025Λの外周の円内に含まれる。好ましくは6つのカラムであるが、3つ以上のカラムの構造50は、同様の結果を生じることが示された。更に、点線66は、05のフッ素を添加したシリカから形成された内部コア48を有するセル状リング構造46を表す。実線68は、シリカから形成される内部コア48を有するセル状リング構造46を表す。更に、特性は、短波長では空気カラム20とほぼ同一であるが、長波長では異なる。上記したように、図2、5及び6の光ファイバ構造は、2つの方向に周期的であって且つファイバの長さ方向に沿って均一な二次元フォトニック結晶を形成する。図2、5及び6の構造において、フォトニックバンドギャップは、ファイバに沿っての伝搬に対して現れる。これらの構造のいずれかのコア領域34は、周期構造中に欠陥を生成するために高屈折率又は低屈折率であり得る。光がコア領域34を形成する欠陥に導かれるとき、バンドギャップによって定義される周波数範囲内の光周波数が欠陥に沿って反射される。周期性平面内での光伝搬のために、光モードは、各々独自のバンド構造を有する2つの独立した偏光に分割され得る。これらのバンドギャップの例として、図10は、図1に示される構造の中にあるXY平面内を伝搬する光のフォトニックバンド図を示す。図10のプロットでは、図1における構造の高屈折率シリンダ12は、固体である。図10は、横磁界TMモードでのフォトニックバンドギャップがそれぞれ第1及び第2のバンドを表す実線70及び72の間に存在することを示している。実線又はその束はTMモードを表し、点線又はその束は横電界TEモードを表す。すなわち、固体シリンダ構造12によって形成されるフォトニック結晶10は、第1及び第2のバンド間にあるTMモードに対して完全なバンドギャップを有するがTEモードでは有しない。同様に、図11は、固体カラム12が高屈折率環状リングによって置換された図1のフォトニック結晶構造におけるバンドダイアグラムを示す。図11も、横磁界TMモードでのフォトニックバンドギャップが第1及び第2のバンドのそれぞれを表す実線74及び76の間に存在することを示す。すなわち、環状リング構造によって形成されるフォトニック結晶構造10は、第1及び第2のバンド間でTMモードに対して完全なバンドギャップを有するがTEモードでは有しない。上述の議論は、本発明の典型的な実施例を開示及び記載したものである。当業者であれば、さまざまな変更、改良及びバリエーションが特許請求の範囲において定義された本発明の精神と範囲から逸脱することなくなされ得ることを当該議論及び添付の図面、特許請求の範囲から直ちに認識するであろう。