水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法。前記ジェット流から金属シリコン粉末を溶融状態で分離し、溶融シリコンを非酸化性雰囲気で冷却する請求項1に記載の方法。水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種を供給する請求項1または2に記載の方法。溶融シリコンを、ジェット流の下流に設けられた容器に回収する請求項2または3に記載の方法。前記容器の主成分はシリカである請求項4に記載の方法。前記容器の一部が開口しており、溶融シリコンを連続的に取り出す請求項4または5に記載の方法。プラズマを囲む絶縁性の反応容器の周りに配置されたコイルに高周波を印加し、高周波誘導によってプラズマ化する請求項1~6のいずれかに記載の方法。ジェット流の流速は、20m/秒以下である請求項1~7のいずれかに記載の方法。金属シリコン粉末の最大粒径が3mm以下である請求項1~8のいずれかに記載の方法。請求項1~9のいずれかに記載の方法によってボロンを除去した金属シリコン。しかし、特許文献1、2に開示される方法では、ボロンの除去速度が非常に遅く、目標とするボロン濃度に達するまでに長時間を要するという問題があった。特許文献3の方法によって達成できるボロン除去速度は、特許文献1、2に比べれば速くなるものの、実用化するには不十分であった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供することにある。上記課題を達成した本発明は、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。本発明において、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種を供給することも好ましい。また、前記ジェット流から金属シリコン粉末を溶融状態で分離し、溶融シリコンを非酸化性雰囲気で冷却することが好ましい。この場合、溶融シリコンを、ジェット流の下流に設けられた容器に回収することが好ましい。前記容器の主成分がシリカであることが好ましく、さらに前記容器の一部が開口しており、溶融シリコンを連続的に取り出すことも好ましい。本発明において、プラズマを囲む絶縁性の反応容器の周りに配置されたコイルに高周波を印加し、高周波誘導によってプラズマ化すること、ジェット流の流速が20m/秒以下であること、また金属シリコン粉末の最大粒径が3mm以下であること、などが好ましい。本発明は、上記方法によってボロンを除去した金属シリコンも包含する。本発明によれば、プラズマのジェット流に粉末状態の金属シリコンを供給するため、プラズマと金属シリコンとの反応面積を大きくなるとともに、金属シリコン表面までの拡散距離を短くできるため、ジェット流滞在中にボロンがシリコン表面に十分拡散できる。したがって、ボロンを効率よく除去することができる。また、本発明の好ましい態様において、プラズマに曝された金属シリコン粉末を溶融して非酸化性雰囲気で冷却すれば、揮発性のSiOの形成を防止することができ、捕集率を向上できる。本発明は、特定のガスをプラズマ化してジェット流を形成しておき、このジェット流に金属シリコン粉末を供給する点に特徴を有している。特定のガスをプラズマ化して形成したジェット流を用いることによって、ボロンが金属シリコン表面に迅速に拡散し、蒸気圧の高い物質となって効率よく除去できる。また金属シリコンを粉末状態で供給することによって、プラズマとの接触面積を大きくできるとともに、金属シリコン表面までのボロンの拡散距離を短くできるため、プラズマに滞在している時間内に、ボロンが金属シリコン表面に十分に拡散でき、ボロンの除去効率を一層向上できる。さらに、金属シリコン粉末はジェット流から溶融状態で分離し、非酸化性雰囲気で冷却することも好ましい。金属シリコン粉末を溶融すると、気体との接触面積が減少するため、金属シリコンの酸化を抑制できる。また、溶融した金属シリコンを非酸化性雰囲気で冷却すると、冷却中の雰囲気からの酸素の混入を防止できるため、金属シリコンの酸化を抑制でき、揮発性のSiOの形成を防止することができ、捕集率を向上できる。本発明におけるプラズマは熱プラズマであり、熱プラズマの発生方法としては、直流アーク放電による方法、高周波電圧による方法、マイクロ波による方法などが挙げられる。本発明では高周波電圧によってプラズマを発生させることが好ましい。高周波プラズマは、他の方法によって発生するプラズマに比べてプラズマガスの流速が遅く、金属シリコンがプラズマ中に滞在する時間を長くすることができ、ボロンの除去反応の進行を十分に行うことができる。プラズマジェット流の流速は、20m/秒以下が好ましい。このようにすることによって、金属シリコン粉末がプラズマ中に滞在する時間を長く例えば0.1秒以上でき、金属シリコン粉末に十分にプラズマを照射できる。該ジェット流の流速は18m/秒以下がより好ましく、15m/秒以下がさらに好ましい。ジェット流の流速の下限は、通常1m/秒である。水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種と不活性ガスとの混合ガスを、およそ30~150SLM0°C、1atmでの1分当たりのガス流量L程度好ましくは50~130SLMとすることによって、プラズマジェット流の流速を上記範囲にできる。プラズマ化するガスとしては、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種と不活性ガスアルゴンなどの希ガス、窒素などとの混合ガスを用いる。混合ガス中の水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素の割合は、例えば1~50体積程度である。また、水として加える場合には0.1~10ml/min程度であり、好ましくは0.3~8ml/minであり、より好ましくは0.5~5ml/minである。このようなガスを用いることによって、ボロンが水素及び/又は酸素と結合して蒸気圧の高い物質を形成し、ボロンを効率良く除去できる。混合ガスは少なくとも水素を含むことが好ましい。混合ガスが水素を含み、さらに水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種を含む場合、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化してジェット流を形成しておき、該ジェット流の中流に水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも1種を供給することがより好ましい。このようにすることで、プラズマを安定化できる。この場合、中流で供給する水蒸気、二酸化炭素及び酸素の少なくとも1種は、合計量で通常、0.1~10ml/min程度であり、好ましくは0.3~8ml/min、より好ましくは0.5~5ml/minである。プラズマ発生のために印加する高周波電力は5~500kWが好ましい。このようにすることによって、金属シリコン粉末の温度を十分に上昇させ、ボロンの除去効率を向上できる。金属シリコン粉末の最大粒径は、3mm以下が好ましい。このようにすれば、プラズマジェット流での滞在時間で、ボロンを金属シリコン表面に十分拡散させることができる。金属シリコン粉末の最大粒径は、好ましくは1mm以下であり、より好ましくは150μm以下、さらに好ましくは100μm以下特に50μm以下である。金属シリコン粉末の最大粒径は、通常1μmを下回らない。最大粒径が1μmを下回ると、取り扱いが困難になる。また、金属シリコン粉末は、プラズマジェット流の上流及び/又は中流から供給することができる。金属シリコン粉末の温度は、1350°C以上とすることが好ましい。1350°C以上という温度は、エリンガム図において、ボロンの酸化を表す直線と、シリコンの酸化を表す直線が交差する点の温度であり、1350°C以上ではシリコンよりもボロンが優先的に酸化しやすく、ボロンを効率良く除去することができる。金属シリコン粉末の温度は、シリコンの融点以上約1414°Cとすることがより好ましい。金属シリコン粉末の温度が融点以上となると、金属シリコンが溶融し、ボロンを除去後に直ちに表面積が減少して酸化を防止できる。金属シリコンの温度は、好ましくは1450°C以上であり、より好ましくは1500°C以上である。一方、金属シリコンの温度が沸点近くになると、シリコンの蒸発量が多くなるため、シリコンの沸点を超えないことが好ましい。具体的には、2200°C以下とすることが好ましく、より好ましくは1800°C以下であり、さらに好ましくは1600°C以下である。なお、金属シリコンを溶融状態とする場合、プラズマジェット流のみによって溶融させても良いし、ジェット流の下流に設けた加熱手段によって溶融させても良い。溶融状態の金属シリコンは、ジェット流から分離して回収すれば良く、例えばジェット流の下流に設けられた容器に回収すれば良い。前記容器はシリカを主成分とする容器であることが好ましい。シリカを主成分とする容器を用いれば、溶融シリコンへの不純物の混入を抑制できる。該容器の内側をSiNでコーティングすることも好ましく、この場合、容器からの酸素の混入を防ぐことができる。さらに、ジェット流から分離して回収された溶融シリコンは、非酸化性雰囲気で冷却固化することが好ましい。非酸化性雰囲気で冷却することによって冷却中の雰囲気から酸素の混入を防ぐことができ、溶融シリコンの酸化を防止できる。非酸化性雰囲気は、例えば真空中、又は不活性ガスアルゴンなどの希ガス、窒素などである。ジェット流の下流に設ける容器は、容器の一部が開口しており、溶融シリコンを連続的に取り出せることが好ましい。該容器は、一つであっても良いし、複数の容器を直列に配置しても良く、最下流の容器を非酸化性雰囲気として溶融シリコンを冷却すれば良い。例えば、プラズマ発生装置に直結した容器を非酸化性雰囲気として冷却しても良いし、複数の容器を用いる場合は、容器の一部を開口することによって一つ下流の容器に連続的に取り出し、最下流の容器を非酸化性雰囲気として冷却しても良い。連続的に取り出すことによって生産性を向上できる。溶融したシリコンは、例えば一方向凝固用のルツボに取り出し、そのまま冷却することもできる。本発明によれば、短時間でボロンを効率よく除去することができる。また、本発明は、上記方法によってボロン濃度が低減された金属シリコンも包含する。本発明の方法によって処理した後の金属シリコン中のボロン濃度は、0.4ppm以下であることが好ましい。処理後の金属シリコン中のボロン濃度は、処理前のボロン濃度に影響され、ボロン濃度が数ppmの金属シリコンを本発明の方法で1回処理すれば、ボロン濃度を0.4ppm以下まで低減できる。また、ボロン濃度が高い金属シリコンを処理する場合には、本発明の方法を複数回繰り返すことによって、ボロン濃度を0.4ppm以下まで低減できる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、前記、後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1真空排気が可能なステンレス製の容器の上部に、高周波電圧によるプラズマ発生装置を配置した。プラズマ発生装置は、誘導加熱コイルの内周に沿うように石英管が配置され、石英管上部にガス導入部が設けられ、ガス導入部は粉末供給装置に接続されている。またプラズマ発生領域の中流部にもガス導入部が設けられ、このガス導入部も粉末供給装置と接続されており、中流部からもガス及び粉末を供給可能である。上記プラズマ発生装置上部のガス導入部にアルゴンと20体積の水素との混合ガスを100SLM0°C、1atmでの1分当たりの流量Lの割合で供給し、100kWの出力でプラズマジェット流を発生させ、表1に示す条件投入位置、投入量で金属シリコン粉末ボロン含有量:質量基準で140ppm、最大粒径:45μmを供給し、瞬間的約0.1秒程度に金属シリコンを溶融させ金属シリコンの温度は、約1500~2000°C、ガス流上記したアルゴン、水素、及び中流から供給される水蒸気で急速に冷却し、上記したステンレス製容器に回収した。なお、試験No.2、4~7については、ジェット流の中流部から水蒸気を、水の供給量で0.5~5ml/min供給した。処理後冷却後のボロン濃度を表1に示す。本発明の要件を満たす試験No.1~7では、約0.1秒程度でボロン濃度を35以上も低減することができた。比較例1アルゴンガスのみでプラズマジェット流を発生させたこと以外は実施例1と同様にした結果、金属シリコン中のボロン濃度は、処理前後で変化しなかった。