基板を収容する処理容器と、液体原料または固体原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンクから前記処理容器へ原料を供給する原料供給路と、前記原料供給路に設けられ、液体原料または固体原料をガス状態にするガス化機構と、前記原料供給路であって、前記ガス化機構と前記処理容器の間に設けられた流量制御機構と、前記ガス化機構、前記流量制御機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記処理容器へ前記液体原料または固体原料をガス状態で供給する際、前記ガス化機構および前記流量制御機構を制御して原料ガスの流量を制御するよう構成される基板処理装置。基板を収容する処理容器と、液体原料または固体原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンクから前記処理容器へ原料を供給する原料供給路と、前記原料供給路に設けられ、液体原料または固体原料を加熱による融解もしくは溶媒に溶解させることにより液体状態とする液化機構と、前記原料供給路に設けられ、前記液化機構と前記処理容器の間に設けられたガス化機構と、前記原料供給路であって、前記液化機構と前記処理容器の間に設けられた液体流量制御機構と、前記液化機構、前記ガス化機構、前記液体流量制御機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、処理容器へ前記液体原料または固体原料を供給する際、前記液化機構および前記液体流量制御機構を制御して前記液体状態の原料の流量を制御した後に、前記ガス化機構を制御して前記液体状態の原料をガス化してガス状態の原料を前記処理容器へ供給するよう構成される基板処理装置。しかしながら、金属薄膜を形成する際には、材料として固体原料や液体原料を使用する場合がある。CVD法で成膜を行う場合、例えばバブリング方式で供給される金属原料の供給量は、基本的には飽和蒸気圧とキャリアガスの流量で決まるが、金属原料供給中は減圧下の反応室とタンクが直接接続されることとなり、蒸発した金属原料の一部はキャリアガス流量とは関係なく反応室内に流れ込むこととなる。このため、金属原料の供給量の制御性が劣化し、CVD反応の成膜速度にバラツキが生じたり、その結果膜質にバラツキが発生することとなる。ALD法では、起用着飽和現象を利用するため、原理的には上記のCVD法での問題点を解決することが可能となる。しかし、TiN等の金属系材料のALD法においてはALD反応1サイクルあたりの成膜量が完全には飽和しない場合が多い、このため、CVDでの問題点を緩和できるが完全には解決できないことになる。さらに、特にALD反応においてより活性な金属材料を使用する場合は、金属材料の供給ステップが長時間すぎると材料の分解によりCVD反応が起きてしまうため好ましくない。このため、供給ステップを短時間化することを目的として単位時間あたりの供給量を増やす対策が取られるが、この場合にも材料供給のバラツキの影響が出ることがある。本発明は上述の問題点を解決し、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制できる基板処理装置及び薄膜成膜方法を提供することを目的とする。本発明の一の態様によれば、基板を収容する処理容器と、液体原料または固体原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンクから前記処理容器へ原料を供給する原料供給路と、前記原料供給路に設けられ、液体原料または固体原料をガス状態にするガス化機構と、前記原料供給路であって、前記ガス化機構と前記処理容器の間に設けられた流量制御機構と、前記ガス化機構、前記流量制御機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記処理容器へ前記液体原料または固体原料をガス状態で供給する際、前記ガス化機構および前記流量制御機構を制御して原料ガスの流量を制御するよう構成される基板処理装置を提供する。本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、液体原料または固体原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンクから前記処理容器へ原料を供給する原料供給路と、前記原料供給路に設けられ、液体原料または固体原料を加熱による融解もしくは溶媒に溶解させることにより液体状態とする液化機構と、前記原料供給路に設けられ、前記液化機構と前記処理容器の間に設けられたガス化機構と、前記原料供給路であって、前記液化機構と前記処理容器の間に設けられた液体流量制御機構と、前記液化機構、前記ガス化機構、前記液体流量制御機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、処理容器へ前記液体原料または固体原料を供給する際、前記液化機構および前記液体流量制御機構を制御して前記液体状態の原料の流量を制御した後に、前記ガス化機構を制御して前記液体状態の原料をガス化してガス状態の原料を前記処理容器へ供給するよう構成される基板処理装置を提供する。本発明によれば、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制できる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。<第1の実施形態><基板処理装置の構成>始めに、図1を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置101の構成について説明する。ここに、図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す斜透視図である。本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置101は、半導体装置ICの製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置の使用を前提としたものでなく、例えば、枚葉装置を使用しても良い。図1に示す通り、基板処理装置101では、基板の一例となるウェハ200を収納したカセット110が使用されており、ウェハ200はシリコン等の材料から構成されている。基板処理装置101は筐体111を備えており、筐体111の内部にはカセットステージ114が設置されている。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置図示略によって搬入されたり、カセットステージ114上から搬出されたりされる。カセットステージ114は、工程内搬送装置によって、カセット110内のウェハ200が垂直姿勢を保持しかつカセット110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ114は、カセット110を筐体111の後方に右回り縦方向90°回転し、カセット110内のウェハ200が水平姿勢となり、カセット110のウェハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。筐体111内の前後方向の略中央部にはカセット棚105が設置されており、カセット棚105は複数段複数列にて複数個のカセット110を保管するように構成されている。カセット棚105には後述するウェハ移載機構125の搬送対象となるカセット110が収納される移載棚123が設けられている。カセットステージ114の上方には予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ118aと、搬送機構としてのカセット搬送機構118bとで構成されている。カセット搬送装置118はカセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連続動作により、カセットステージ114とカセット棚105と予備カセット棚107との間で、カセット110を搬送するように構成されている。カセット棚105の後方には、ウェハ移載機構125が設置されている。ウェハ移載機構125は、ウェハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置125aと、ウェハ移載装置125aを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ125bとで構成されている。ウェハ移載装置125aにはウェハ200をピックアップするためのツイーザ125cが設けられている。ウェハ移載装置125はウェハ移載装置125aとウェハ移載装置エレベータ125bとの連続動作により、ツイーザ125cをウェハ200の載置部として、ウェハ200をボート217に対して装填チャージングしたり、ボート217から脱装ディスチャージングしたりするように構成されている。筐体111の後部上方には、ウェハ200を熱処理する処理炉202が設けられており、処理炉202の下端部が炉口シャッタ147により開閉されるように構成されている。処理炉202の下方には処理炉202に対しボート217を昇降させるボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115の昇降台にはアーム128が連結されており、アーム128にはシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219はボート217を垂直に支持するとともに、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート217は複数の保持部材を備えており、複数枚例えば50~150枚程度のウェハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。カセット棚105の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット134aが設置されている。クリーンユニット134aは供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアを筐体111の内部に流通させるように構成されている。筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット134bが設置されている。クリーンユニット134bも供給ファン及び防塵フィルタで構成されており、クリーンエアをウェハ移載装置125aやボート217等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウェハ移載装置125aやボート217等の近傍を流通した後に、筐体111の外部に排気されるようになっている。続いて、基板処理装置101の主な動作について説明する。工程内搬送装置図示略によってカセット110がカセットステージ114上に搬入されると、カセット110は、ウェハ200がカセットステージ114の上で垂直姿勢を保持し、カセット110のウェハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウェハ200が水平姿勢となり、カセット110のウェハ出し入れ口が筐体111の後方を向くように、筐体111の後方に右周り縦方向90°回転させられる。その後、カセット110は、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へカセット搬送装置118によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚105ないし予備カセット棚107からカセット搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。カセット110が移載棚123に移載されると、ウェハ200はカセット110からウェハ移載装置125aのツイーザ125cによってウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ボート217に装填チャージングされる。ボート217にウェハ200を受け渡したウェハ移載装置125aはカセット110に戻り、後続のウェハ200をボート217に装填する。予め指定された枚数のウェハ200がボート217に装填されると、処理炉202の下端部を閉じていた炉口シャッタ147が開き、処理炉202の下端部が開放される。その後、ウェハ200群を保持したボート217がボートエレベータ115の上昇動作により処理炉202内に搬入ローディングされ、処理炉202の下部がシールキャップ219により閉塞される。ローディング後は、処理炉202にてウェハ200に対し任意の処理が実施される。その処理後は、上述の逆の手順で、ウェハ200およびカセット110が筐体111の外部に搬出される。次に図2及び図3を用いて前述した基板処理装置101に適用される処理炉202について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る処理炉202の一例とそれに付随する部材の概略構成図であって、特に処理炉部分を縦断面で示す図であり、図3は、本発明の第1の実施形態に係る図2に示す処理炉202のA-A線断面図である。なお、図2において、説明の便宜上、後述するクリーニングガス供給系が不図示とされている。図2及び図3に示す通り、処理炉202にはウェハ200を加熱するための加熱装置加熱手段であるヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状の断熱部材と複数本のヒータ素線とを備えており、断熱部材に対しヒータ素線が設けられたユニット構成を有している。ヒータ207の内側には、ウェハ200を処理するための石英製の反応管203が設けられている。反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は反応管203の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側にはボートを回転させる回転機構267が設けられている。回転機構267の回転軸255はシールキャップを貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウェハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は反応管203の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。シールキャップ219にはボート217を支持するボート支持台218が設けられている。図1に示す通り、ボート217はボート支持台218に固定された底板210とその上方に配置された天板211とを有しており、底板210と天板211との間に複数本の支柱212が架設された構成を有している。ボート217には複数枚のウェハ200が保持されている。複数枚のウェハ200は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持した状態でボート217の支柱212に支持されている。以上の処理炉202では、バッチ処理される複数枚のウェハ200がボート217に対し多段に積層された状態において、ボート217がボート支持台218で支持されながら処理室201に挿入され、ヒータ207が処理室201に挿入されたウェハ200を所定の温度に加熱するようになっている。図2及び図3に示す通り、処理室201には、原料ガスを供給するための2本のガス供給管310、320第1のガス供給管310、第2のガス供給管320が接続されている。ガス供給管310は、本発明に係る原料供給路の一例であり、ガス供給管310には上流側から順にMFCMassFlowController:流量制御器312、開閉弁であるバルブ314、本発明に係る原料タンクの一例である液体原料タンク315、開閉弁であるバルブ317、本発明に係る流量制御機構の一例であるMFC318及び開閉弁であるバルブ319が設けられている。ガス供給管310の先端部にはノズル410第1のノズル410が連結されている。ノズル410は、処理室201を構成している反応管203の内壁とウェハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿った上下方向ウェハ200の積載方向に延在している。ノズル410の側面には原料ガスを供給する多数のガス供給孔410aが設けられている。ガス供給孔410aは、下部から上部にわたってそれぞれ同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。さらに、ガス供給管310にはMFC318とバルブ319との間に、後述の排気管231に接続されたベントライン610及びバルブ614が設けられており、原料ガスを処理室201に供給しない場合は、バルブ614を介して原料ガスをベントライン610へ供給する。主に、ガス供給管310、MFC312、バルブ314、液体原料タンク315、バルブ317、MFC318、バルブ319、ノズル410、ベントライン610、バルブ614により第1のガス供給系が構成される。また、ガス供給管310にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管510が接続されている。キャリアガス供給管510にはMFC512及びバルブ514が設けられている。ガス供給管310から供給された原料ガスは、キャリアガス供給管510と合流し、更に反応ガスとしてノズル410を介して処理室201内に供給される。主に、キャリアガス供給管510、MFC512、バルブ514により第1のキャリアガス供給系不活性ガス供給系が構成される。ガス供給管320には上流側から順にMFC322及びバルブ324が設けられている。ガス供給管320の先端部にはノズル420第2のノズル420が連結されている。ノズル420も、ノズル410と同様に、処理室201を構成している反応管203の内壁とウェハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿って上下方向ウェハ200の積載方向に延在している。ノズル420の側面には、原料ガスを供給する多数のガス供給孔420aが設けられている。ガス供給孔420aも、ガス供給孔410aと同様に、下部から上部にわたってそれぞれ同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、ガス供給管320、MFC322、バルブ324、ノズル420により第2のガス供給系が構成される。ガス供給管320にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管520が連結されている。キャリアガス供給管520にはMFC522及びバルブ524が設けられている。ガス供給管320から供給された原料ガスは、キャリアガス供給管520と合流し、更に反応ガスとしてノズル420を介して処理室201内に供給される。主に、キャリアガス供給管520、MFC522、バルブ524により第2のキャリアガス供給系不活性ガス供給系が構成される。上記構成に係る一例として、ガス供給管310には原料ガスの一例としてTi原料四塩化チタンTiCl4やテトラキスジメチルアミノチタンTDMAT、Ti[NCH32]4、テトラキスジエチルアミノチタンTDEAT、Ti[NCH2CH32]4等が導入される。ガス供給管320には、改質原料の一例として窒化原料であるアンモニアNH3、窒素N2、亜酸化窒素N2O、モノメチルヒドラジンCH6N2等が導入される。キャリアガス供給管510および520からは、例えば窒素N2ガスが、それぞれMFC512および522、バルブ514および524、ガス供給管510および520、ノズル410、420を介して処理室201内に供給される。なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第1のガス供給系により原料ガス供給系、すなわち金属含有ガス金属化合物供給系が構成される。また、第2のガス供給系により反応性ガス改質ガス供給系が構成される。次に、図4を参照し、本発明の第1の実施形態に係る第1のガス供給系の詳細について説明する。ここに、図4は、本発明の第1の実施形態に係る第1のガス供給系を中心とした構成の一例を示す拡大詳細図である。図4に示すように、液体原料タンク101は、内部に液体状態の原料、固体状態の原料を加熱による融解させることにより液体状態とする原料又は固体原料が溶解された溶媒以下、適宜原料液と総称するを収容充填可能な密閉容器である。ガス供給管310は、外部からキャリアガスを液体原料タンク315に供給するキャリアガス供給管310aと、気化された原料ガスを液体原料タンク315から処理室201に供給する原料ガス供給管310bとを備えている。キャリアガス供給管310aは、上流側端部には不図示のキャリアガス供給源が接続され、下流側端部は液体原料タンク315内に収容した原料液内に浸されるように構成されている。一方、原料ガス供給管310bの上流側端部は液体原料タンク315内に収容した原料液内に浸されないように構成されている。本発明の第1の実施形態に係る第1のガス供給系の構成により、バブリング方式を原料供給方式として、キャリアガスを液体原料タンク315内に供給することで、液体原料タンク315内部に収容された原料液をバブリングにより気化させて原料ガスを生成させ、処理室201に供給することが可能となる。即ち、液体原料タンク315、キャリアガス供給管310a及び原料ガス供給管310bにより本発明に係るガス化機構の一例が構成されている。なお、キャリアガスとしては、原料液とは反応しないガスを用いることが好ましく、例えばN2ガスやArガスやHeガス等の不活性ガスが好適に用いられる。液体原料タンク315よりも下流側には、原料ガス供給管310bの一部であって、本発明に係る流量制御機構の一例であるMFC318が設けられている。MFC318及び後述するコントローラ280の制御により、ガス状態となる原料液、即ちバブリングにより気化された原料ガスの流量を制御することが可能となる。なお、本発明の第1の実施形態において、MFC318は、図4に示すように、原料ガス供給管310bと排気管231に接続されたベントライン610との分岐点より上流側に設けられているが、本発明に係るガス化機構の一例である液体原料タンク315と処理室201との間に設けられ、気化された原料ガスの流量を制御することが可能である限りにおいて、特に限定されず各種の態様を有してよい。例えば、原料ガス供給管310bと排気管231に接続されたベントライン610との分岐点より下流側に設けられてもよい。この構成によれば、後述するコントローラ280がMFC318を制御することにより、金属原料即ち、バブリング方式で気化された気体状態の金属原料の供給量を制御することができ、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制することができる。また、図4に示すように、ガス供給管310にはクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給管330が接続され、クリーニングガス供給管330にはMFC332、バルブ334及び切り替え弁336が設けられている。ガス供給管320にはクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給管340が接続され、クリーニングガス供給管340にはMFC342、バルブ344及び切り替え弁346が設けられている。一方、ガス供給管310、320それぞれには、クリーニングガス供給管330、340それぞれと合流する合流点より上流側において切り替え弁338、348が設けられている。主に、クリーニングガス供給管330、340、MFC332、342、バブル334、344及び切り替え弁336、346、338、348によりクリーニングガス供給系が構成される。再び図2に戻り、反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245および圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ243を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ243は弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ243、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ノズル410および420と同様にL字型に構成されており、反応管203の内壁に沿って設けられている。反応管203内の中央部にはボート217が設けられている。ボート217は、ボートエレベータ115により反応管203に対し昇降出入りすることができるようになっている。ボート217を支持するボート支持台218の下端部には、処理の均一性を向上するためにボート217を回転させるボート回転機構267が設けられている。ボート回転機構267を駆動させることにより、ボート支持台218に支持されたボート217を回転させることができるようになっている。以上のMFC312、318、322、332、342、512、522、バルブ314、317、319、324、334、346、348、344、346、348、514、524、614、APCバルブ243、ヒータ207、温度センサ263、圧力センサ245、真空ポンプ246、ボート回転機構267、ボートエレベータ115等の各部材はコントローラ280に接続されている。コントローラ280は、基板処理装置101の全体の動作を制御する本発明に係る制御部の一例であり、MFC312、318、322、332、342、512、522の流量調整、バルブ314、317、319、324、334、346、348、344、346、348、514、524、614の開閉動作、APCバルブ243の開閉および圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動停止、ボート回転機構267の回転速度調節、ボートエレベータ115の昇降動作等をそれぞれ制御するようになっている。次に、図5を参照し、本発明の第1の実施形態に係るコントローラ280と当該コントローラ280によって制御される各部材について説明する。ここに、図5は、本発明の第1の実施形態に係るコントローラ280と当該コントローラ280によって制御される各部材を説明するためのブロック図である。図5に示すように、コントローラ280は、操作メニュー等を表示するディスプレイ288と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作入力部290とを備えている。また、コントローラ280は、基板処理装置101全体の動作を司るCPU281と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM282と、各種データを一時的に記憶するRAM283と、各種データを記憶して保持するHDD284と、ディスプレイ288への各種情報の表示を制御すると共にディスプレイ288からの操作情報を受け付けるディスプレイドライバ287と、操作入力部290に対する操作状態を検出する操作入力検出部289と、後述する温度制御部291、後述する圧力制御部294、真空ポンプ246、ボート回転機構267、ボートエレベータ115、MFC312、318、322、332、342、512、522、後述するバルブ制御部299等の各部材と各種情報の送受信を行う通信インタフェースI/F部285と、を備えている。CPU281、ROM282、RAM283、HDD284、ディスプレイドライバ287、操作入力検出部289および通信I/F部285は、システムバスBUS286を介して相互に接続されている。従って、CPU281は、ROM282、RAM283、HDD284へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ287を介したディスプレイ288への各種情報の表示の制御およびディスプレイ288からの操作情報の把握、通信I/F部285を介した各部材との各種情報の送受信の制御を行うことができる。また、CPU281は、操作入力検出部289を介して操作入力部290に対するユーザの操作状態を把握することができる。温度制御部291は、ヒータ207と、ヒータ207に電力を供給する加熱用電源250と、温度センサ263と、コントローラ280との間で設定温度情報等の各種情報を送受信する通信I/F部293と、受信した設定温度情報と温度センサ263からの温度情報等に基づいて加熱用電源250からヒータ207への供給電力を制御するヒータ制御部292とを備えている。ヒータ制御部292もコンピュータによって実現されている。温度制御部291の通信I/F部293とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル751で接続されている。圧力制御部294は、APCバルブ243と、圧力センサ245と、コントローラ280との間で設定圧力情報、APCバルブ243の開閉情報等の各種情報を送受信する通信I/F部296と、受信した設定圧力情報、APCバルブ243の開閉情報等と圧力センサ245からの圧力情報等に基づいてAPCバルブ243の開閉や開度を制御するAPCバルブ制御部295とを備えている。APCバルブ制御部295もコンピュータによって実現されている。圧力制御部294の通信I/F部296とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル752で接続されている。真空ポンプ246、ボート回転機構267、ボートエレベータ115、MFC312、318、322、332、342、512、522とコントローラ280の通信I/F部285は、それぞれケーブル753、754、755、756、757、758、759、760、761、762で接続されている。バルブ制御部299は、バルブ314、317、319、324、334、346、348、344、346、348、514、524、614と、エアバルブであるバルブ314、317、319、324、334、346、348、344、346、348、514、524、614へのエアの供給を制御する電磁バルブ群298とを備えている。電磁バルブ群298は、バルブ314、317、319、324、334、346、348、344、346、348、514、524、614にそれぞれ対応する電磁バルブ297を備えている。電磁バルブ群298とコントローラ280の通信I/F部285はケーブル763で接続されている。<半導体装置の製造方法>次に、図6乃至図8を参照しながら、上述の基板処理装置の処理炉202を用いて、半導体装置デバイスの製造工程の一工程として、大規模集積回路LargeScaleIntegration;LSIを製造する際などに、基板上に絶縁膜を成膜する方法の例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。本実施形態では、金属膜として窒化チタン膜を基板上に形成する方法について説明する。ここに、図6は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置101において実行される成膜工程のフローチャートであり、図7は、本発明の第1の実施形態に係る第1の成膜工程における窒化チタン膜の成膜シーケンスを示す図であり、図8は、本発明の第1の実施形態に係る第2の成膜工程における窒化チタン膜の成膜シーケンスを示す図である。窒化チタン膜を基板上にそれぞれ異なる成膜方法で形成するよう2つの工程に分ける。まず第1の成膜工程としてALD法を用いて基板上に窒化チタン膜を成膜する。次に、第2の成膜工程としてCVD法を用いて基板上に窒化チタン膜を成膜する。本実施形態では、チタンTi含有原料として、TiCl4、窒化ガスとしてNH3を用いる例について説明する。尚、この例では、第1のガス供給系によりチタン含有ガス供給系第1の元素含有ガス供給系が構成され、第2のガス供給系により窒素含有ガス供給系第2の元素含有ガス供給系が構成される。図6は、本実施形態における制御フローの一例を示す。まず、複数枚のウェハ200がボート217に装填ウェハチャージされると、複数枚のウェハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。さらに、成膜プロセスでは、コントローラ280が、基板処理装置101を下記の通りに制御する。すなわち、ヒータ207を制御して処理室201内を例えば300°C~550°Cの範囲の温度であって、好適には450°C以下、より好ましくは450°Cに保持する。その後、複数枚のウェハ200をボート217に装填し、ボート217を処理室201に搬入する。その後、ボート217をボート駆動機構267により回転させ、ウェハ200を回転させる。その後、真空ポンプ246を作動させるとともにAPCバルブ243を開いて処理室201内を真空引きし、ウェハ200の温度が450°Cに達して温度等が安定したら、処理室201内の温度を450°Cに保持した状態で後述するステップを順次実行する。1第1の成膜工程交互供給工程図7に、本実施形態に係る第1の成膜工程における窒化チタン膜の成膜シーケンスを示す。第1の成膜工程では、ALD法を用いて基板上に成膜を行う例について説明する。ALD法とは、CVD法の一つであり、ある成膜条件温度、時間等の下で、成膜に用いる少なくとも2種類の原料となる原料ガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、原料ガスを供給するサイクル数で行う例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合、20サイクル行う。ステップ11ステップ11では、TiCl4を流す。TiCl4は常温で液体であり、キャリアガスと呼ばれるHeヘリウム、Neネオン、Arアルゴン、N2窒素などの不活性ガスをTiCl4容器即ち液体原料タンク315の中に通し即ちバブリングし、気化している分をそのキャリアガスと共に処理室201へと供給する。ガス供給管310にTiCl4を、キャリアガス供給管510にキャリアガスN2を流す。ガス供給管310のバルブ314、317、319、切り替え弁338、キャリアガス供給管510のバルブ514及び排気管231のAPCバルブ243を共に開け、クリーニングガス供給管330の切り替え弁336、ベントライン610のバルブ614を閉める。キャリアガスは、キャリアガス供給管510から流れ、MFC512により流量調整される。TiCl4は、液体タンク315からバブリング方式で気化され供給され、MFC318により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給されつつ排気管231から排気される。この時、APCバルブ243を適正に調整して処理室201内の圧力を20~50Paの範囲であって、例えば30Paに維持する。MFC318で制御するTiCl4の供給量は1.0~2.0g/minである。TiCl4にウェハ200を晒す時間は3~10秒間である。このときヒータ207の温度は、ウェハの温度が300°C~550°Cの範囲であって、例えば450°Cになるよう設定してある。なお、本発明の第1の実施形態では、MFC318でTiCl4の供給量を制御すると例示されているが、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制することが可能である限りにおいて、各種の態様を有してよい。例えば、MFC312及びMFC318両方を利用してTiCl4の供給量を制御し、MFC318の制御を優先する態様であってもよい。このとき、処理室201内に流しているガスは、TiCl4とN2、Ar等の不活性ガスのみであり、NH3は存在しない。したがって、TiCl4は気相反応を起こすことはなく、ウェハ200の表面や下地膜と表面反応化学吸着して、原料TiCl4の吸着層またはTi層以下、Ti含有層を形成する。TiCl4の吸着層とは、原料分子の連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。Ti層とは、Tiにより構成される連続的な層の他、これらが重なってできるTi薄膜をも含む。尚、Tiにより構成される連続的な層をTi薄膜という場合もある。同時に、ガス供給管320の途中につながっているキャリアガス供給管520から、バルブ524及び切り替え弁348を開けて不活性ガスを流すと、NH3側にTiCl4が回り込むことを防ぐことができる。ステップ12ガス供給管310のバルブ314を閉めて処理室へのTiCl4の供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTiCl4を流す。これによりTiCl4を常に安定して処理室へ供給することができる。このとき排気管231のAPCバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TiCl4を処理室201内から排除する。このときN2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、更に残留TiCl4を排除する効果が高まる。ステップ13ステップ13では、NH3を流す。ガス供給管320にNH3を、キャリアガス供給管520にキャリアガスN2を流す。ガス供給管320のバルブ324、切り替え弁348、キャリアガス供給管520のバルブ524及び排気管231のAPCバルブ243を共に開け、クリーニングガス供給管340の切り替え弁346を閉める。キャリアガスは、キャリアガス供給管520から流れ、MFC522により流量調整される。NH3は、ガス供給管320から流れ、MFC322により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給されつつ排気管231から排気される。NH3を流すときは、APCバルブ243を適正に調節して処理室201内圧力を50~1000Paの範囲であって、例えば60Paに維持する。MFC322で制御するNH3の供給流量は1~10slmである。NH3にウェハ200を晒す時間は10~30秒間である。このときのヒータ207の温度は、300°C~550°Cの範囲の所定の温度であって、例えば450°Cになるよう設定してある。同時に、ガス供給管310の途中につながっているキャリアガス供給管510から、開閉バルブ514及び切り替え弁338を開けて不活性ガスを流すと、TiCl4側にNH3が回り込むことを防ぐことができる。NH3の供給により、ウェハ200上に化学吸着したTi含有層とNH3が表面反応化学吸着して、ウェハ200上に窒化チタン膜が成膜される。ステップ14ステップ14では、ガス供給管320のバルブ324を閉めて、NH3の供給を止める。また、排気管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理室201から排除する。また、この時には、N2等の不活性ガスを、NH3供給ラインであるガス供給管320及びTiCl4供給ラインであるガス供給管310からそれぞれ処理室201に供給してパージすると、残留NH3を排除する効果が更に高まる。上記ステップ11~14を1サイクルとし、少なくとも1回以上行なうことによりウェハ200上にALD法を用いて所定膜厚の窒化チタン膜を成膜する。この場合、各サイクル中で、上記の通りに、ステップ11におけるTi含有原料ガスにより構成される雰囲気と、ステップ13における窒化ガスにより構成される雰囲気の夫々の雰囲気が処理室201内で混合しないように成膜することに留意する。また、ALD法による窒化チタン膜の膜厚は、サイクル数を制御して、1~5nm程度に調整すると良い。このときに形成される窒化チタン膜は、表面が滑らかスムーズであって且つ緻密な連続膜となる。2第2の成膜工程同時供給工程第2の成膜工程では、CVD法を用いて基板上に成膜を行う例について説明する。図8に、本実施形態に係る第2の成膜工程における窒化チタン膜の成膜シーケンスを示す。CVD法による窒化チタン膜の堆積は、コントローラ280が、バルブ、MFC、真空ポンプ等を制御して、気相反応CVD反応が起こるように、同時に存在するタイミングが出来るようにTiCl4とNH3を処理室201内に供給する。以下に、具体的な成膜シーケンスを説明する。本工程では、TiCl4とNH3を同時に流す。ガス供給管310にTiCl4を、キャリアガス供給管510にキャリアガスN2を流す。ガス供給管310のバルブ314、317、319、切り替え弁338、キャリアガス供給管510のバルブ514及び排気管231のAPCバルブ243を共に開け、クリーニングガス供給管330の切り替え弁336、ベントライン610のバルブ614を閉める。キャリアガスは、キャリアガス供給管510から流れ、MFC512により流量調整される。TiCl4は、液体タンク315からバブリング方式で気化され供給され、MFC318により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給される。また、ガス供給管320にNH3を、キャリアガス供給管520にキャリアガスN2を流す。ガス供給管320のバルブ324、切り替え弁348、キャリアガス供給管520のバルブ524及び排気管231のAPCバルブ243を共に開け、クリーニングガス供給管340の切り替え弁346を閉める。キャリアガスは、キャリアガス供給管520から流れ、MFC522により流量調整される。NH3は、ガス供給管320から流れ、MFC322により流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給される。そして、処理室201内に供給されたTiCl4とNH3は、排気管231から排気される。この時、APCバルブ243を適正に調整して処理室201内の圧力を10~30Paの範囲であって、例えば20Paに維持する。MFC318で制御するTiCl4の供給量は0.1~1.0g/minである。MFC322で制御するNH3の供給量は0.1~0.5slmである。TiCl4及びNH3にウェハ200を晒す時間は所望の膜厚に達するまでである。このときヒータ207温度は、ウェハの温度が300°C~550°Cの範囲であって、例えば450°Cになるよう設定してある。なお、ALD法を利用する第1の成膜工程と同様に、第2の成膜構成では、MFC318でTiCl4の供給量を制御すると例示されているが、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制することが可能である限りにおいて、各種の態様を有してよい。例えば、MFC312及びMFC318両方を利用してTiCl4の供給量を制御し、MFC318の制御を優先する態様であってもよい。ここで、第1の成膜工程と第2の成膜工程では、実質的に同じヒータ温度になるように設定しており、この場合は450°Cとしている。このように実質的に同じ温度としてインサイチューで処理を行うことにより、処理時間の短縮を図り、半導体装置の生産性を高める効果がある。また、逆に、温度を積極的に変化させて最適なALD法やCVD法の条件にすることも可能である。例えば、ALD法による処理温度をCVD法による処理温度より低くすることも可能である。このとき、処理室201内に流しているガスは、TiCl4とNH3及びN2、Ar等の不活性ガスであり、TiCl4とNH3が気相反応熱CVD反応を起こして、ウェハ200の表面や下地膜上に所定膜厚の薄膜が堆積デポジションされる。予め設定された処理時間が経過すると、ガス供給管310のバルブ314及びガス供給管320のバルブ324を閉め、TiCl4及びNH3の供給を停止する。このとき排気管231のAPCバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TiCl4及びNH3を処理室201内から排除する。またこのとき、ガス供給管510のバルブ514及びガス供給管520のバルブ524は開けておき、不活性ガスを処理室201内へ供給すると、更に残留TiCl3及びNH3を排除する効果が高まる。所定膜厚の窒化チタン膜を形成する成膜処理がなされると、N2ガス等の不活性ガスが処理室201内へ供給されつつ排気されることで処理室201内が不活性ガスでパージされるガスパージ。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され不活性ガス置換、処理室201内の圧力が常圧に復帰される大気圧復帰。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済ウェハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出ボートアンロードされる。その後、処理済ウェハ200はボート217より取出されるウェハディスチャージ。これにより1回の成膜処理バッチ処理が終了する。CVD法による窒化チタン膜の膜厚は、供給時間によって調整する。供給時間が長ければ長いほど膜厚をより厚くすることができ、供給時間が短ければ短いほど膜厚をより薄くすることが出来る。<第2実施形態>次に、図9を参照しながら本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置101について説明する。ここに、図9は、本発明の第2の実施形態に係る第1のガス供給系を中心とした構成の一例を示す拡大詳細図である。なお、図9において、図4と重複する箇所には同一の符合を付してその説明を適宜省略することとする。第1の実施形態では、原料ガスがバブリング方式で生成されるように構成されているが、第2の実施形態では、原料ガスが加熱方式で生成されるように構成されている。即ち、図9に示すように、液体原料タンク315の周りには、液体原料タンク315及び内部の原料液を加熱するヒータ350が設けられている。ヒータ350は、本発明に係るガス化機構の一例であり、加熱により液体原料タンク315内部に収容された原料液の蒸気圧を制御することで、原料液を気化させて原料ガスを生成させることが可能となるように構成されている。即ち、第2の実施形態は、バブリング方式ではなく、積極加熱による蒸発を利用することで、液体又は固体の金属原料をガス状態にするものである。この際、キャリアガス供給管310aの下流側端部及び原料ガス供給管310bの上流側端部は何れも液体原料タンク315内に収容した原料液内に浸されていない。この構成によれば、第2の実施形態では、第1の実施形態と同様に、コントローラ280がMFC318を制御することにより、金属原料即ち、ヒータ350の加熱により気化された気体状態の金属原料の供給量を制御することができ、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制することができる。なお、本発明の第2の実施形態では、液体原料タンク315の周りのみにヒータ350が設けられているが、原料ガスの再液化を防止することが可能である限りにおいて、各種の態様を有してよい。例えば、処理室201、原料ガス供給管310b、ノズル410、ベントライン610及び排気管231等の周囲にもヒータ350が設けられてもよい。<第3実施形態>次に、図10を参照しながら本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置101について説明する。ここに、図10は、本発明の第3の実施形態に係る第1のガス供給系を中心とした構成の一例を示す拡大詳細図である。なお、図10において、図4、図9と重複する箇所には同一の符合を付してその説明を適宜省略することとする。原料ガスは、第1の実施形態では原料ガスがバブリング方式で生成され、第2の実施形態では加熱方式で生成されるように構成されているが、第3の実施形態では、原料ガスが液体原料タンク315よりも下流側の気化部360により生成されるように構成されている。図10に示すように、原料ガス供給管310bには上流側から順にバルブ317、液体MFC362、気化部360、バルブ314及び切り替え弁338が設けられている。気化部360は、本発明に係るガス化機構の一例であり、液体原料タンク315から供給された原料液の蒸気圧を制御することで、原料液を気化させて原料ガスを生成させることが可能となるように構成されている。この際、原料ガス供給管310bの上流側端部は液体原料タンク315内に収容した原料液内に浸されていると共に、キャリアガス供給管310aの下流側端部は液体原料タンク315内に収容した原料液内に浸されていない。液体原料タンク315よりも下流側であって、気化部360よりも上流側には、原料ガス供給管310bの一部であって、本発明に係る液体流量制御機構の一例である液体MFC362が設けられている。液体MFC362及びコントローラ280の制御により、原料液の流量を制御することが可能となる。この構成によれば、第3の実施形態では、第1及び第2の実施形態と同様に、コントローラ280が気化部360及び液体MFC362を制御することにより、金属原料即ち、液体原料タンク315から供給された液体状態の金属原料の供給量を制御ことができ、成長する金属薄膜の成膜速度や膜質のバラツキを抑制することができる。<変形例>上述の第1、第2及び第3の実施形態では、2種類の原料の反応を利用して、原料分子が含まれる元素を構成要素とする膜を基板上に成膜する態様が例示されているが、第1、第2及び第3の実施形態の変形例としては、3種以上の原料の反応を利用してもよい。例えば、TiON酸窒化チタンなどを成膜する3元系の原料ガスを利用してもよい。この際、第1の成膜工程交互供給工程では、TiCl4供給、パージ、NH3供給、パージ、O2供給、パージを1サイクルとし、ウェハ200上にALD法を用いて所定膜厚の酸窒化チタン膜を成膜する。付記以下に、本実施形態に係る好ましい態様を付記する。付記1液体又は固体金属材料を反応室に供給し、熱プラズマ光電磁波の少なくとも一つを用いることで金属材料を分解するか、或いは他の材料と反応させることで基板上に導電性薄膜を形成する薄膜形成方法において、上記金属材料の蒸気を生成するためのバブリング機構又は加熱による気化機構と反応室を結合する配管の途中に流量制御機構を設けることを特徴とする、薄膜形成装置。付記2液体又は固体金属材料を反応室に供給し、熱プラズマ光電磁波の少なくとも一つを用いることで金属材料を分解するか、或いは他の材料を反応させることで基板上に導電性薄膜を形成する薄膜形成方法において、上記金属材料を加熱により融解するか、溶媒に溶解させた状態で液状の金属材料又は溶媒の流量を制御した後に気化し、反応室へ金属材料を供給することを特徴とする、薄膜形成装置。付記3付記1又は2に記載の成膜装置であって、反応に供する原料のうち少なくとも一つをパルス状に反応室内に供給することで薄膜を形成するために供給を制御するためのバルブを設けたことを特徴とする、薄膜形成装置、及びそれを用いた成膜方法。付記4液体又は固体金属材料を反応室に供給し、熱プラズマひかり電磁波の少なくとも一つを用いることで金属材料を分解するか、或いは他の材料と反応させることで基板上に導電性薄膜を形成する薄膜形成方法において、上記金属材料の蒸気を生成するためのバブリング機構又は加熱による気化機構を有しており、かつバブリング機構又は加熱による気化機構に接続されたキャリアガス導入部配管、及び気化された材料とキャリアガスの混合物を反応室に導くための配管の両者に流量制御機構を設けたことを特徴とする薄膜成膜装置。付記5付記1乃至4のいずれかに記載の薄膜形成装置であって、反応室4枚以上の基板を同時に処理するバッチ処理装置であることを特徴とする、薄膜成膜装置。