"実質的にニッケルからなるコアと、該コアの全面を実質的に覆う実質的にコバルトからなるシェルと、を備えたニッケル-コバルトナノ粒子。ニッケル含有量が30~90質量の範囲内であり、コバルト含有量が10~70質量の範囲内であり、平均粒径が10~200nmの範囲内であり、かつ、前記シェルの厚みが1~50nmの範囲内である請求項1に記載のニッケル-コバルトナノ粒子。ニッケル塩、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えたニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。ニッケル微粒子、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えたニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液にニッケル微粒子を加えた後、加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えたニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。前記ニッケル塩が、炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基および下記構造式1で示される基のうちのいずれか一方を有するものである請求項3~5のいずれか1項に記載のニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。ここで、置換基Ra~Rcはメチル、エチル、フェニルおよびハロゲンからなる群より選ばれる基である。置換基Ra~Rcは同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。前記コバルト塩が、炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基および下記構造式1で示される基のうちのいずれか一方を有するものである請求項3~6のいずれか1項に記載のニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。ここで、置換基Ra~Rcはメチル、エチル、フェニルおよびハロゲンからなる群より選ばれる基である。置換基Ra~Rcは同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。前記炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基が、ギ酸基または酢酸基であり、前記構造式1で示される基がアセチルアセトナトである請求項6又は7に記載のニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。前記ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程で、加熱手段としてマイクロ波を用いる請求項3~5のいずれか1項に記載のニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法。本発明は例えば触媒、磁性材料、電極等の用途に好適に用いることができる、ニッケルがコアをなし、コバルトがシェル層をなすニッケル-コバルトナノ粒子およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子は、実質的にニッケルからなるコアと、該コアの全面を実質的に覆う実質的にコバルトからなるシェルを備えている。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子は、好ましくは、ニッケル含有量が30~90質量の範囲内であり、コバルト含有量が10~70質量の範囲内であり、平均粒径が10~200nmの範囲内であり、前記シェルの厚みが1~50nmの範囲内であることを特徴とする。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、ニッケル塩、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えている。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、ニッケル微粒子、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えている。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、前記錯化反応液にニッケル微粒子を加えた後、加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程と、を備えている。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、好ましくは、前記ニッケル塩およびコバルト塩が、それぞれ、炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基または下記構造式1で示される基のうちのいずれか一方を有することを特徴とする。ここで、置換基Ra~Rcはメチル、エチル、フェニルおよびハロゲンからなる群より選ばれる基である。置換基Ra~Rcは同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、好ましくは、前記カルボン酸基が、ギ酸基または酢酸基であり、前記構造式1で示される基がアセチルアセトナトである。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法は、好ましくは、前記ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程で、加熱手段としてマイクロ波を用いる。本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子は、ニッケルのコアとコバルトのシェルで構成されるため、例えば触媒、磁性材料、電極等の用途に適したものである。また、これらの用途に応じてコバルト含有量を調整することによって、コストを適正にすることができ、また、上記各用途においてコバルトの性能を最大限に引き出すことができる。また、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法によれば、本発明に係るニッケル-コバルトナノ粒子を好適に得ることができる。本発明の実施の形態について、以下に説明する。[ニッケル-コバルトナノ粒子]本実施の形態に係るニッケル-コバルトナノ粒子以下、これを単にナノ粒子ということがある。は、実質的にニッケルからなるコアと、コアの全面を実質的に覆う実質的にコバルトからなるシェルを含む。ここで、ナノ粒子は、コアが少量のコバルトを含み、また、シェルが少量のニッケルを含む形態を排除するものではない。すなわち、実質的にニッケルからなるコアとは、コア中に不可避的に含まれる少量のコバルトの存在を許容するが、大半はニッケルからなるという意味であり、実質的にコバルトからなるシェルとは、シェル中に不可避的に含まれる少量のニッケルの存在を許容するが、大半はコバルトからなるという意味である。また、ナノ粒子のシェルはコアの全面を覆うものであることが望ましいが、これに限らず、一部ニッケルが露出する形態を排除するものではない。つまり、コアの全面を実質的に覆うとは、シェルがコアを完全に覆う形態だけでなく、本発明の効果ナノ粒子の機能を損なわない範囲でシェルが不連続に形成され、部分的にコアが露出した形態を許容するが、ニッケル-コバルトナノ粒子の表面の大半はシェルからなるという意味である。またナノ粒子は、コバルトのシェルとニッケルの間にインナーシェルを有する構成であってもよい。本実施の形態に係るナノ粒子は、例えば、ニッケル含有量が30~90質量およびコバルト含有量が10~70質量である。ナノ粒子のコバルト含有量は、適用する用途において求められる特性や、コスト等を考慮して適宜設定できるが、10質量を下回ると例えばコアがシェルから大きく露出して触媒性能や磁気的特性の効果が十分得られないおそれがあり、一方70質量を越えるとコストが高くなる。ナノ粒子の平均粒径は、例えば、10~200nm、好ましくは、10~150nmである。ナノ粒子の平均粒径は、10nmを下回ると、凝集が激しく分散性が悪くなって例えば触媒や電極などのペースト材料としては適さなくなるおそれがある。一方、ナノ粒子の平均粒径は、200nmを越えると、比表面積が小さくなり、例えば高い触媒性能が発揮されないおそれがある。また、ナノ粒子は、Cv値[変動係数;平均粒径dと標準偏差σの比率σ/d]が0.01≦σ/d≦0.5であることが好ましい。ナノ粒子のシェルの厚みは、例えば、1~50nm、好ましくは、5~20nmである。ナノ粒子のシェル層の厚みは、1nmを下回ると、コバルト量が少なすぎて、コバルトの本来もつ触媒活性や磁気的特性を十分に発揮できなくなるおそれがある。一方、50nmを超えると、コストが高くなる。ナノ粒子の形状は、例えば球状、擬球状、長球状、立方体様、切頭四面体様、双角錘状、正八面体様、正十面体様、正二十面体様等の種々の形状であってよいが、例えばニッケルナノ粒子を電子部品の電極に使用した場合の充填密度の向上という観点から、球状又は擬球状が好ましく、球状がより好ましい。ここで、ナノ粒子の形状は、走査電子顕微鏡SEMで観察することにより確認できる。以上説明した本実施の形態に係るナノ粒子は、触媒、磁性材料、電極等の用途に応じてコバルト含有量を調整してコストを適正にすることができ、また、コバルトの性能を好適に引き出すことができる。[ニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法]次に、ニッケル-コバルトナノ粒子を好適に得るためのニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法について説明する。本実施の形態に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法以下、単にナノ粒子の製造方法ということがある。として第一の例~第三の例を挙げる。<第一の例>ナノ粒子の製造方法の第一の例は、ニッケル塩、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程を有する。<第二の例>ナノ粒子の製造方法の第二の例は、ニッケル微粒子、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程を有する。すなわち、第一の例のニッケル塩に代えてニッケル微粒子を用いる。<第三の例>ナノ粒子の製造方法の第三の例は、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱して錯化反応液を得る工程と、錯化反応液にニッケル微粒子を加えた後、加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程を有する。すなわち、第二の例のニッケル微粒子を錯化反応液生成過程ではなく、ニッケル-コバルトナノ粒子スラリー生成過程で加える。第二の例および第三の例は、いずれも好適な実施の形態であるが、ニッケル微粒子を添加する場合、ニッケル微粒子を錯化反応液中に高分散させることが必要であり、それが不十分な場合、コバルトシェルの均一な形成が行えないおそれがある。その意味では、高分散処理する必要のない第一の例が最も好ましい方法である。[錯化反応液を得る工程]本工程では、ニッケル塩、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱するか第一の例、ニッケル微粒子、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱するか第二の例、あるいは、コバルト塩および1級アミンを含む混合物を加熱する第三の例ことにより、ニッケル及び/又はコバルトの錯体を生成させ、錯化反応液を得る。ここで、錯化反応液とは、ニッケル塩及び/又はコバルト塩と1級アミンとの反応によって生成する反応生成液反応生成物をいう。錯化反応液は、錯体として、第一の例ではニッケル錯体及びコバルト錯体を、第二の例並びに第三の例ではコバルト錯体を、含有すると考えられる。錯化反応液を加熱することにより、ニッケル錯体及び/又はコバルト錯体のニッケルイオン及び/又はコバルトイオンが還元され、該イオンに配位しているカルボン酸イオンが同時に分解し、最終的に0価のNi及び/又は0価のCoが生成し、コア-シェル構造のナノ粒子が生成する。ニッケル塩、コバルト塩ニッケル塩およびコバルト塩は、いずれも、特に限定するものではないが、炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基または下記構造式1で示される基のうちのいずれか一方または双方を有するものが好ましい。下記構造式1で示される基は、1,3-ジケトナト基βジケトナト配位子である。ニッケル塩およびコバルト塩は、同種の塩であっても異種の塩であってもよい。また、ニッケル塩およびコバルト塩は、いずれも、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。ここで、置換基Ra~Rcはメチル、エチル、フェニルおよびハロゲンからなる群より選ばれる基である。置換基Ra~Rcは同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基を有するニッケル塩は、具体的には、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル又はプロピオン酸ニッケルであり、特にギ酸ニッケル又は酢酸ニッケルを用いることが好ましい。また、炭素数が1~3の直鎖カルボン酸基を有するコバルト塩は、具体的には、ギ酸コバルト、酢酸コバルト又はプロピオン酸コバルトであり、特にギ酸コバルト又は酢酸コバルトを用いることが好ましい。これらのカルボン酸ニッケルやカルボン酸コバルトは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。なお、カルボン酸ニッケルやカルボン酸コバルトに代えて、塩化ニッケル塩化コバルト、硝酸ニッケル硝酸コバルト、硫酸ニッケル硫酸コバルト、炭酸ニッケル炭酸コバルト、水酸化ニッケル水酸化コバルト等の無機塩を用いることも考えられるが、無機塩の場合、解離が高温であるため、解離後のニッケルイオン又はニッケル錯体やコバルトイオン又はコバルト錯体を還元する過程で更なる高い温度での加熱が必要となるため好ましくない。上記構造式1で示される基としては、例えば2,4-ペンタジオナト別名:アセチルアセトナト、24-ヘキサジオナト、3,5-ヘプタジオナト、1-フェニル-1,3-ブタンジオナト、1-クロル-1,3-ブタンジオナト等が挙げられるが、このうちアセチルアセトナトを用いることが好ましい。ニッケル塩、コバルト塩の配合量は、例えば、金属換算で、錯化反応液中のニッケル及びコバルトの合計量100質量部に対して、ニッケル30~90質量部、コバルト10~70質量部とすることが好ましく、ニッケル50~80質量部、コバルト20~50質量部とすることがより好ましい。コバルトの配合量は、ナノ粒子の用途において求められる特性や、コスト等を考慮して適宜設定できるが、金属換算で、ニッケル及びコバルトの合計量100質量部に対して10質量部を下回ると例えばコアがシェルから大きく露出して触媒性能や磁気的特性の効果が十分得られないおそれがあり、一方70質量部を越えるとコストが高くなる。ニッケル微粒子ナノ粒子の製造方法の第二の例および第三の例で用いるニッケル微粒子は、粒径の大きさを限定するものではないが、例えば5~200nmの粒径のものを用いることが好ましい。粒径が5nmを下回ると、凝集が激しく、液中でも分散しにくくなるおそれがある。一方、粒径が200nmを超えと、粒子の比表面積が過小となって、十分な反応が行われないおそれがある。また、ニッケル微粒子の形状は、例えば球形、擬球形等が好ましいが、球形が最も好ましい。ニッケル微粒子の添加量は、金属換算で、錯化反応液中のニッケル及びコバルトの合計量100質量部に対して、30~90質量部とすることが好ましく、50~80質量部、とすることがより好ましい。1級アミン1級アミンは、ニッケルイオンやコバルトイオンとの錯体を形成することができ、ニッケル錯体又はニッケルイオンに対する還元能を効果的に発揮する。一方、2級アミンは立体障害が大きいため、ニッケル錯体やコバルト錯体の良好な形成を阻害するおそれがあり、3級アミンはニッケルイオンやコバルトイオンの還元能を有しないため、いずれも使用できない。1級アミンは、ニッケルイオンやコバルトイオンとの錯体を形成できるものであれば、特に限定するものではなく、常温で固体又は液体のものが使用できる。ここで、常温とは、20°C±15°Cをいう。常温で液体の1級アミンは、ニッケル錯体やコバルト錯体を形成する際の有機溶媒としても機能する。なお、常温で固体の1級アミンであっても、100°C以上の加熱によって液体であるか、又は有機溶媒を用いて溶解するものであれば、特に問題はない。1級アミンは、分散剤としても機能し、ニッケル錯体やコバルト錯体を反応液中に良好に分散させることができるため、錯体形成後にニッケル錯体やコバルト錯体を加熱して分解してナノ粒子を得る際の粒子同士の凝集を抑えることができる。1級アミンは、芳香族1級アミンであってもよいが、反応液におけるニッケル錯体形成やコバルト錯体形成の容易性の観点からは脂肪族1級アミンが好適である。脂肪族1級アミンは、例えばその炭素鎖の長さを調整することによって生成するナノ粒子の粒径を制御することができ、特に平均粒径が10~200nmのナノ粒子を製造する場合において有利である。ナノ粒子の粒径を制御する観点から、脂肪族1級アミンは、その炭素数が6~20程度のものから選択して用いることが好適である。炭素数が多いほど得られるナノ粒子の粒径が小さくなる。このようなアミンとして、例えばオクチルアミン、トリオクチルアミン、ジオクチルアミン、ヘキサデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、ミリスチルアミン、ラウリルアミン等を挙げることができる。例えばオレイルアミンは、ナノ粒子生成過程に於ける温度条件下において液体状態として存在するため均一溶液での反応を効率的に進行できる。1級アミンは、ナノ粒子の生成時に表面修飾剤として機能するため、1級アミンの除去後においても二次凝集を抑制できる。また、1級アミンは、還元反応後の生成したナノ粒子の固体成分と溶剤又は未反応の1級アミン等を分離する洗浄工程における処理操作の容易性の観点からも好ましい。更に、1級アミンは、ニッケル錯体やコバルト錯体を還元してナノ粒子を得るときの反応制御の容易性の観点からは還元温度より沸点が高いものが好ましい。すなわち、脂肪族1級アミンにおいては沸点が200°C以上のものが好ましく、炭素数が9以上であることが好ましい。ここで、例えば炭素数が9である脂肪族アミンのC9H21Nの沸点は201°Cである。1級アミンの量は、金属換算でニッケル及びコバルトの合計量1molに対して2mol以上用いることが好ましく、2.5mol以上用いることがより好ましく、4mol以上用いることが望ましい。1級アミンの量の上限は特にはないが、例えば生産性の観点からは金属換算でニッケル及びコバルトの合計量1molに対して20mol以下程度とすることが好ましい。2価のニッケルイオンは配位子置換活性種として知られており、形成する錯体の配位子は温度、濃度によって容易に配位子交換により錯形成が変化する可能性がある。例えばカルボン酸ニッケルおよび1級アミンの混合物を加熱して反応液を得る工程において、用いるアミンの炭素鎖長等の立体障害を考慮すると、例えば、図1に示すようなカルボン酸イオンR1COO、R2COOが二座配位aまたは単座配位bのいずれかで配位する可能性があり、さらにアミンの濃度が大過剰の場合は外圏にカルボン酸イオンが存在する構造をとる可能性がある。目的とする反応温度還元温度において均一溶液とするには少なくともA、B、C、D、E、Fの配位子のうち少なくとも一箇所は1級アミンが配位している必要がある。その状態をとるには、1級アミンが過剰に反応溶液内に存在している必要があり、少なくともニッケルイオン1molに対し2mol以上存在していることが好ましく、2.5mol以上存在していることがより好ましく、4mol以上存在していることが望ましい。コバルトイオンについてもニッケルイオンと類似の挙動をとり、錯体を形成するものと考えられる。このため、1級アミンはコバルトイオンに対しても過剰量存在する必要があり、少なくともニッケルイオン1molに対し2mol以上存在していることが好ましく、2.5mol以上存在していることがより好ましく、4mol以上存在していることが望ましい。錯形成反応は室温においても進行させることができるが、反応を確実かつより効率的に行うために、100°C以上の温度で加熱を行うことが好ましい。この加熱は、ニッケル塩やコバルト塩として、例えば酢酸ニッケル4水和物のようなカルボン酸ニッケルの水和物やカルボン酸コバルトの水和物を用いた場合に特に有利である。加熱温度は、好ましくは100°Cを超える温度とし、より好ましくは105°C以上の温度とすることで、カルボン酸ニッケルやカルボン酸コバルトに配位した配位水と1級アミンとの配位子置換反応が効率よく行われ、この錯体配位子としての水分子を解離させることができ、更にその水を系外に出すことができるので効率よく錯体を形成させることができる。例えば、酢酸ニッケル4水和物は、室温では2個の配位水と2座配位子である2個の酢酸イオン、外圏に2つの水分子が存在した錯体構造をとっているため、この2つの配位水と1級アミンの配位子置換により効率よく錯形成させるには、100°Cより高い温度で加熱することでこの錯体配位子としての水分子を解離させることが好ましい。また、加熱温度は、後に続くニッケル錯体又はニッケルイオン及びコバルト錯体又はコバルトイオンの加熱還元の過程と確実に分離し、前段の錯形成反応を完結させるという観点から、175°C以下が好ましい。したがって、錯体形成時の加熱は、例えば、105~175°Cで行うことが好ましい。より好ましくは、加熱温度は125~160°Cである。加熱時間は、加熱温度や、各原料の含有量に応じて適宜決定することができるが、錯形成反応を確実に完結させるという観点から、15分以上とすることが好ましい。加熱時間の上限は特にないが、長時間加熱することは、エネルギー消費及び工程時間を節約する観点から無駄である。なお、この加熱の方法は、特に制限されず、例えばオイルバスなどの熱媒体による加熱であっても、マイクロ波照射による加熱であってもよい。錯形成反応は、ニッケル塩及び/又はコバルト塩と1級アミンを混合して得られる溶液を加熱したときに、溶液の色の変化によって確認することができる。また、この錯形成反応は、例えば紫外可視吸収スペクトル測定装置を用いて、300nm~750nmの波長領域において観測される吸収スペクトルの吸収極大の波長を測定し、原料の極大吸収波長例えば酢酸ニッケル四水和物ではその極大吸収波長は710nmである。に対する反応液のシフトを観測することによって確認することができる。ニッケル塩及び/又はコバルト塩と1級アミンとの錯形成が行われた後、得られる反応液を、後で説明するように、マイクロ波照射等の方法によって加熱することにより、ニッケル錯体のニッケルイオン及び/又はコバルト錯体のコバルトイオンが還元され、ニッケルイオンやコバルトイオンに配位しているカルボン酸イオンが同時に分解し、最終的に酸化数が0価のニッケル及び/又はコバルトを含有するナノ粒子が生成する。一般にカルボン酸ニッケルやカルボン酸コバルトは水を溶媒とする以外の条件では難溶性であり、マイクロ波照射による加熱還元反応の前段階として、カルボン酸ニッケルやカルボン酸コバルトを含む溶液は均一反応溶液とする必要がある。これに対して、本実施の形態で使用される1級アミンは、使用温度条件で液体であり、かつそれがニッケルイオンやコバルトイオンに配位することで液化し、均一反応溶液を形成すると考えられる。有機溶媒均一溶液での反応をより効率的に進行させるために、1級アミンとは別の有機溶媒を新たに添加してもよい。有機溶媒を用いる場合、有機溶媒をニッケル塩やコバルト塩と1級アミンと同時に混合してもよいが、ニッケル塩やコバルト塩と1級アミンをまず混合し、錯形成した後に有機溶媒を加えると、1級アミンが効率的にニッケルイオンやコバルトイオンに配位するので、より好ましい。使用できる有機溶媒としては、1級アミンとニッケルイオンもしくはコバルトイオンとの錯形成を阻害しないものであれば、特に限定するものではなく、例えば炭素数4~30のエーテル系有機溶媒、炭素数7~30の飽和又は不飽和の炭化水素系有機溶媒、炭素数8~18のアルコール系有機溶媒等を使用することができる。また、マイクロ波照射等による加熱条件下でも使用を可能とする観点から、使用する有機溶媒は、沸点が170°C以上のものを選択することが好ましく、より好ましくは200~300°Cの範囲内にあるものを選択することがよい。このような有機溶媒の具体例としては、例えばテトラエチレングリコール、n-オクチルエーテル等が挙げられる。[ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程]本工程では、錯化反応液を加熱することにより、ニッケル錯体及び/又はコバルト錯体ニッケルイオン及び/又はコバルトイオンを金属に還元してナノ粒子を生成させる。例えば、第一の例では、ニッケル錯体およびコバルト錯体の混合物が、還元され、熱分解するとき、ニッケル錯体の方がコバルト錯体よりも先に低い温度で熱分解してアミンにより還元され、ニッケル粒子がコアとなり、そのコアの表面にコバルトのシェルが形成されるものと考えられる。通常、コバルト錯体は熱分解で配位子が解離し、Co2の錯体からCo0価のナノ粒子が形成される。これに対して、本発明では、過剰のオレイルアミン存在下で、Niを触媒としてコバルト錯体がCo2からCo0価へ、通常よりも低温で還元される錯体が解離する。錯化反応液を加熱することで、錯化反応液が還元され、錯体は熱分解される。加熱温度は、還元反応を効率的に行う観点からは、好ましくは200°C以上、より好ましくは220°C以上である。処理を能率的に行う観点からは好ましくは270°C以下、より好ましくは250°C以下程度である。例えばニッケルを例に挙げて説明すると、均一な粒径を有したナノ粒子を生成させるには、錯化反応液を得る工程でニッケル錯体を均一にかつ十分に生成させることと、錯化反応液を加熱してニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程でニッケルイオンの還元により生成するNiの核の同時発生成長を行う必要がある。すなわち、錯化反応液を得る工程の加熱温度を上記の特定の範囲内で調整し、ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程の加熱温度よりも確実に低くしておくことで、粒径形状の整った粒子が生成し易い。例えば、錯化反応液を得る工程で加熱温度が高すぎるとニッケル錯体の生成とNiへの還元反応が同時に進行しニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程で粒子形状の整った粒子の生成が困難となるおそれがある。また、ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程の加熱温度が低すぎるとNiへの還元反応速度が遅くなり核の発生が少なくなるため粒子が大きくなるだけでなく、ナノ粒子の収率の点からも好ましくはない。本工程では、加熱源はオイルバスその他であってもよいが、マイクロ波であることが好ましい。錯化反応液にマイクロ波を照射すると、マイクロ波が錯化反応液内に浸透し、内部加熱により急速な昇温と均一加熱が行われる。これにより、錯化反応液全体を所望の温度に均一にすることができ、ニッケルやコバルト粒子の還元、核生成、核成長各々の過程を溶液全体において同時に生じさせ、結果として粒径分布の狭い単分散な粒子を短時間で容易に製造することができる。なお、マイクロ波の使用波長は、特に限定するものではなく、例えば2.45GHzである。錯化反応液を加熱して得られるナノ粒子スラリーは、例えば、静置分離し、上澄み液を取り除いた後、適当な溶媒を用いて洗浄し、乾燥することで、ナノ粒子が得られる。ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程においては、必要に応じ、錯化反応液に前述の有機溶媒を加えてもよい。なお、前記したように、錯形成反応に使用する1級アミンを有機溶媒としてそのまま用いることは、本発明の好適な実施の形態である。錯化反応液を加熱する工程で必要に応じて加える溶媒は、特に限定するものではなく、例えばオクタノールオクチルアルコール等のアルコールや非極性溶媒等を用いることができる。前記したように、1級アミンとしてオレイルアミンを用いる場合、溶媒は省略することができる。本実施の形態のナノ粒子の製造方法は、上記工程以外に任意の工程を含むことができる。また、例えば後述するように表面修飾剤の添加などの任意の処理を行うことができる。また、本実施の形態のナノ粒子の製造方法は、ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得る工程においてマイクロ波等を利用した加熱による還元方法を採用するため、強力な還元剤の使用は不要である。ただし、発明の効果を損なわない範囲で、錯形成反応液中に還元作用を有する物質が存在することを妨げるものではない。表面修飾剤の添加本実施の形態に係るナノ粒子の製造方法において、ナノ粒子の粒径を制御するための表面修飾剤として、例えばポリビニルピロリドンPVP、ポリエチレンイミン、ポリアクリルアミド等の高分子樹脂、ミリスチン酸、オレイン酸等の長鎖カルボン酸又はカルボン酸塩等を添加することができる。ただし、得られるナノ粒子の表面修飾量が多いと、用途によっては不純物として悪影響を及ぼすおそれがあるため、得られるナノ粒子を洗浄した後の表面修飾量は可能な限り少ない方が好ましい。例えばニッケル電極用の導電性ペーストに用いる場合、ニッケル粒子をペーストして高温で焼成すると充填密度の減少を招き、層間剥離やクラックを生じる可能性がある。従って、表面修飾剤の添加量は、ニッケル元素の合計量100質量部に対して0.1以上100質量部以下の範囲内とすることが好ましい。表面修飾剤は、錯化反応液形成工程におけるカルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物の段階で添加してもよく、錯化反応液形成工程で得られる錯化反応液に添加してもよいが、好ましくは、添加タイミングは錯化反応後か、ニッケルナノ粒子の生成後がよい。以上説明した本実施の形態に係るニッケル-コバルトナノ粒子の製造方法により、平均粒径が10~200nmで、Cv値[変動係数;平均粒径dと標準偏差σの比率σ/d]が0.01≦σ/d≦0.5という狭い粒径分布を有する、ニッケルのコアとコバルトのシェルで構成されるニッケル-コバルトナノ粒子を得ることができる。実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに説明するが、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。ナノ粒子の粒径は、透過型電子顕微鏡によりナノ粒子粉末の写真を撮影して、その中から無作為に200個を抽出し、その平均粒径と標準偏差を求めた。また、この結果からCv値=σ/d値を得た。さらに、エネルギー分散型X線分析装置を備えた走査型透過電子顕微鏡STEM-EDSにより、得られた粒子のニッケル、コバルトの存在またはそれぞれの濃度を面分析、線分析により確認した。コバルトシェル層の厚みは、図4に記載されたように、1粒子を横断する線上のニッケル、コバルト原子濃度をSTEM-EDSにより算出した。この線分析手法では、生成された球状の粒子のコア部のみの原子濃度を算出することはできない。即ち、粒子表面付近の分析では単純な粒子表面の濃度を示すが、粒子中央付近の分析結果は粒子表面と内部コアの金属元素の濃度の足し合わせとなる。従って、本分析の結果において、ニッケルよりコバルトの強度が高くなる層の厚みの平均値をコバルトシェル層の厚みとした。得られた粒子の組成に関しては、誘導結合プラズマ発光分光法により分析を行った。実施例1ギ酸コバルト2水和物12.5mmolと酢酸ニッケル四水和物12.5mmolにオレイルアミン275mmolを加え、窒素フロー下、120°Cで20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液を、マイクロ波を用いて225°Cまで加熱し、その温度を30分保持することによってナノ粒子スラリーを得た。ナノ粒子スラリーを静置分離し、上澄み液を取り除いた後、ヘキサンを用いて3回洗浄した。その後、60°Cに維持される真空乾燥機で6時間乾燥してナノ粒子を得た。得られたナノ粒子のTEM写真を図2Aに、ED電子回折:Electrondiffractionパターンを図2Bに示した。平均粒径82nmの球形の均一な粒子が形成された。また、EDパターンからナノ粒子が酸化物を含まないfcc構造の金属であることがわかる。また、ICP-AESにより得られた粒子の金属組成を確認したところ、Ni、Coそれぞれ47.6質量、47.3質量であったことから、mol比はNi/Co=1.0であり、原料比率Ni塩とCo塩の仕込み比molと非常によく一致した。STEM―EDSマッピング像の写真を同じく図3に示した。ニッケルの分布がナノ粒子の中央に、コバルトがナノ粒子の表面に多く分布していることからNiコア-Coシェル構造を有したナノ粒子であることがわかる。また、図4に示した粒子の線分析の結果より、コバルトシェル層シェルの厚みはおよそ13nmであることがわかる。さらに、SQUID磁化率測定により得られた飽和磁化の結果を図5に示した。市販のコバルトナノ粒子粒径50nm以下、アルドリッチ製に比べて飽和磁化は低いものの、後述する比較例8のナノ粒子と比べて飽和磁化が大幅に増加していることがわかる。実施例2~7、比較例1~8実施例2~7および比較例1~8では、ニッケル塩およびコバルト塩の種類ならびにナノ粒子スラリーを得る工程における加熱源の種類と反応温度加熱温度を変えた以外は、実施例1に準じてナノ粒子を調製した。その結果を、実施例1と合わせて表1に示した。なお、各実施例および各比較例において、オレイルアミン/のmol比は、いずれも10である。また、錯化反応液の加熱方法は、オイルバスを用いた実施例3を除いて、全てマイクロ波加熱で行った。なお、実施例1、2のニッケル-コバルトナノ粒子、比較例8のニッケル粒子及び市販のコバルト粒子のSQUID磁化率測定の結果を図5に、実施例2で得られたニッケル-コバルトナノ粒子のTEM写真を図6に、実施例4で得られたニッケル-コバルトナノ粒子のTEM写真を図7に、それぞれ示した。表1から、ニッケル塩およびコバルト塩として、ギ酸、酢酸塩またはアセチルアセトン塩を用いることにより、平均粒径が10~200nmでコバルトシェル層が1~50nmのニッケル-コバルトナノ粒子が得られることが確認された。また、図5から、実施例1及び2のニッケル-コバルトナノ粒子は、コバルトの飽和磁化に近くなっていることが確認された。実施例8ギ酸コバルト2水和物12.5mmolと平均粒径が100nmでCv値が0.14のニッケル粒子25mmolコバルト塩を使用せず、酢酸ニッケル四水和物から上記第一の例に準じて錯化反応を得、それを加熱して作成した粒子;比較例8にオレイルアミン125mmolを加え、窒素フロー下、120°Cで20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液を、マイクロ波を用いて225°Cまで加熱し、その温度を30分保持することによってニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得た。上記ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを静置分離し、上澄み液を取り除いた後、ヘキサンを用いて3回洗浄した。その後、60°Cに維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケル-コバルトナノ粒子を得た。得られたニッケル-コバルトナノ粒子の平均粒径は120nmで、粒度分布のCv値は0.15であり、コバルトシェル層の厚みは17nmであった。実施例9ギ酸コバルト2水和物12.5mmolにオレイルアミン125mmolを加え、窒素フロー下、120°Cで20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に平均粒径が100nmでCv値が0.14のニッケル粒子25mmolコバルト塩を使用せず、酢酸ニッケル四水和物から錯化反応を得、それを加熱して作成した粒子;比較例8を添加してよく攪拌したのちに、マイクロ波を用いて225°Cまで加熱し、その温度を30分保持することによってニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを得た。上記ニッケル-コバルトナノ粒子スラリーを静置分離し、上澄み液を取り除いた後、ヘキサンを用いて3回洗浄した。その後、60°Cに維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケル-コバルトナノ粒子を得た。得られたニッケル-コバルトナノ粒子の平均粒径は117nmで、粒度分布のCv値は0.15であり、コバルトシェル層の厚みは15nmであった。以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。本国際出願は、2010年3月17日に出願された日本国特許出願2010-60773号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容をここに援用する。"