SiCウエハ表面にカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置において、a840~860°CのO2ガスを、減圧下において装置内に導入する工程と、b導入した前記O2ガスによって、装置内に付着した前記カーボン膜を除去する工程とを備えることを特徴とする、カーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置内の構成が、石英によって形成されることを特徴とする、請求項1に記載のカーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置が、前記カーボン膜の面内均一性を向上させるための、前記SiCウエハを載置する回転機構を備えないことを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置が、排気ラインにおいて計測器をさらに備え、前記計測器が、合成ゴム素材によって前記排気ラインに接続されることを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置が、排気ラインにおいて水冷トラップおよびメインバルブをさらに備え、前記水冷トラップが、前記カーボン膜デポ装置における圧力を大気圧に戻す際にクローズする前記メインバルブの、前記排気ラインにおける下流に配置されることを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置の排気ラインにおける構成が、カーボンによってコーティングされていることを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボン膜除去方法。前記カーボン膜デポ装置は、前記O2ガスを導入するチャンバー下部に、マニホールドをさらに備え、前記マニホールドが、カーボンによってコーティングされていることを特徴とする、請求項1または2に記載のカーボン膜除去方法。上記のようなカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置は、減圧したチャンバー内においてエタノールを気化させて、カーボン膜を形成するため、装置内のSiCウエハ以外の箇所においてもカーボン膜が形成されてしまう。このため、装置の内壁にはカーボン膜が付着していき、例えば1μm以上堆積すると内壁のカーボン膜が剥がれ、SiCウエハ表面に形成するカーボン膜に対する異物となる、すなわち、内壁に体積したカーボン膜がSiCウエハ表面のカーボン膜に混入することで、当該カーボン膜の品質の劣化を生じさせるという問題があった。これを防ぐため、装置内に付着したカーボン膜を定期的に除去する必要があった。本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、SiCウエハ表面にカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置において、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を防ぐため、装置内に付着したカーボン膜を適切に除去するカーボン膜除去方法の提供を目的とする。本発明にかかるカーボン膜除去方法は、SiCウエハ表面にカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置において、a840~860°CのO2ガスを、減圧下において装置内に導入する工程と、b導入した前記O2ガスによって、装置内に付着した前記カーボン膜を除去する工程とを備えることを特徴とする。本発明にかかるカーボン膜除去方法によれば、SiCウエハ表面にカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置において、a840~860°CのO2ガスを、減圧下において装置内に導入する工程と、b導入した前記O2ガスによって、装置内に付着した前記カーボン膜を除去する工程とを備えることにより、装置内に付着したカーボン膜を適切に除去し、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を防ぐことができる。本発明にかかるカーボン膜除去方法の前提技術として、SiCウエハプロセスにおける、カーボン膜形成、アニール処理等について、以下に説明する。まず、図1に示すようなSiCウエハを準備する。すなわち、SiC基板1上にエピタキシャル層5を形成し、さらにエピタキシャル層5の表層に、異なる導電型例えばP型のイオンを注入した第1注入層2および第2注入層3を形成する。次に、第1注入層2および第2注入層3に注入したイオンを活性化させる熱処理工程アニール工程に入るが、その前に、露出しているエピタキシャル層5、第1注入層2、第2注入層3それぞれを保護するためのカーボン膜4を形成する。第1注入層2および第2注入層3を活性化させるための熱処理工程は、SiCウエハにおけるドーパント種の拡散しにくさを考慮して、1500°C以上の温度領域において行われるが、エピタキシャル層5、第1注入層2、第2注入層3それぞれが露出したままの状態で熱処理工程を行うと、ドーパント種のアウトディフューズ外方拡散等により、SiCウエハの電気特性を劣化させてしまう。よって、このため当該処理前に、保護膜としてのカーボン膜4をSiCウエハ表面に形成する。当該カーボン膜は、1500°C以上の熱処理にも耐えうるものとする。カーボン膜4の形成には、プラズマCVDによる膜形成、減圧CVDによる膜形成等の手法が考えられる。ただし、後の工程における1500°C以上でのアニール処理を考慮すると、カーボン膜4の膜ストレスができるだけかからないようにしておくことが望ましい。枚葉式のプラズマCVDによりカーボン膜を形成した場合には、ウエハ表面の上面側のみにカーボン膜が形成される。よって、膜ストレスが比較的大きくなってしまう。一方、バッチ式の減圧CVDによりカーボン膜を形成した場合には、ウエハ両面に均一にカーボン膜が形成される。よって、膜ストレスが比較的小さくなる。以上より、バッチ式の減圧CVDによりカーボン膜を形成する方が望ましいことが分かる。<実施の形態1><構成>バッチ式の減圧CVDによりカーボン膜を形成するカーボン膜デポ装置について、以下に説明する。圧力は、たとえば1.2kPaとする。図2に、具体的なカーボン膜デポ装置の構成図を示す。装置としては、大気の巻き込みによる自然酸化膜の形成を抑止すべく、縦型の減圧CVD装置としている。図中の矢印は、気体の流れを模式的に示すものである。ローディングエリア11内にSiC基板1を搬送し、ローディングエリア11内のボートへSiC基板1を移載する。ローディングエリア11内にはサイドフィルター20整流板が設置され、エリア内の雰囲気を循環させる。また、ローディングエリア11には、N2シャワー導入口21、および、N2導入口17が、図2に示すようにそれぞれ設置される。一方、ローディングエリア11のバックドア18には、吸気口26と取り込み口27とが設置されている。その後、SiC基板1を搭載したボートをチャンバー12内へ挿入する。チャンバー12の下部には、バルブを複数並列に取り付けたマニホールド25が配置される。そして、減圧後に、チャンバー12の下部に接続されたガス導入ライン22から例えばN2、エタノール、Ar等のガスを導入することによって、SiC基板1に対する様々な処理が行われる。排気側の構成としては、チャンバー12からの排気ライン16上に、センサ機構23、バルブ機構14、ダストトラップ24、ポンプ15が備えられる。センサ機構23は、圧力センサ、大気圧復帰センサ等を備え、排気ライン16における圧力等を計測する。バルブ機構14は、SSVサブサブバルブ、SVサブバルブ、MVメインバルブの複数のバルブから構成される。大気圧から減圧していく際には、異物発塵防止のため、ゆっくりとした真空引きを行うことが望ましいが、バルブ機構14のバルブを適宜変更制御することにより、変化が緩やかな真空引きを実現する。ダストトラップ24は、排気ガスを冷却する水冷トラップ。そして、未反応の副生成物を除去する。ポンプ15は、排気ライン16の他にローディングエリア11と直接接続され、チャンバー12およびローディングエリア11内の排気を行う。<動作>上記のカーボン膜デポ装置は、減圧したチャンバー内においてエタノールを気化させて、カーボン膜を形成する。そのため、チャンバー12内のSiCウエハ以外の箇所においてもカーボン膜が形成されてしまう。このため、チャンバー12の内壁にはカーボン膜が付着していき、例えば1μm以上堆積すると内壁のカーボン膜が剥がれ、SiCウエハ表面に形成するカーボン膜に対する異物となる、すなわち、内壁に体積したカーボン膜がSiCウエハ表面のカーボン膜に混入する。よって、当該カーボン膜の品質の劣化を生じさせる。このような現象の発生を抑制するため、チャンバー12内壁に付着したカーボン膜を定期的に除去する必要がある。除去の方法としては、減圧したチャンバー12内にO2ガスを流すことで、チャンバー12内壁に付着したカーボン膜を燃焼除去する方法がある。当該方法を採用することによって、チャンバー12を取り外す等して、物理的にカーボン膜を除去する必要がなく、チャンバー12内の温度も下げない状態で除膜が可能となるため、大幅なメンテナンス時間短縮が行える。しかしO2ガスによるドライクリーニング以下、O2クリーニングを適用することで、他の問題が生じる。O2クリーニングでは、チャンバー12内へ導入するエタノールの熱分解によりO2を生成するが、当該工程において、アルデヒド等も生成されてしまう。このアルデヒド等が、チャンバー12内に備えられる機器等を構成するSUSステンレス鋼材、Cu材等に付着し、さらにO2と反応することで、蟻酸、酢酸等のカルボン酸を生成してしまう。カルボン酸が生成されることで、付着したSUS材、Cu材等を腐食する。この腐食により発生したサビはチャンバー12内に蓄積し、SiCウエハ表面におけるカーボン膜の形成時に、そのカーボン膜に混入してしまう。この混入によって、カーボン膜の品質の劣化を生じてしまう。ここで、O2クリーニングは、高温のO2ガスをチャンバー12内に導入することによって行われるが、上記のSUS材、Cu材等の腐食の速度は、O2ガスの温度が高いほど加速する。一方で、チャンバー12内壁に付着したカーボン膜を燃焼除去する速度も、O2ガスの温度が高いほど加速する。900~1000°Cの温度でO2ガスを導入した場合には、排気ライン16におけるSUS材の腐食を加速させることとなった。当該加速は、O2ガスの温度を840~860°Cまで下げると、一定のレベルまで下がった。また、1時間程度の処理時間でチャンバー12内壁に付着したカーボン膜を除去しようとすると、できるだけ高い温度を維持しなくてはならない。840°Cを下回るような温度でカーボン膜を除去しようとすると、除去しきれないカーボン膜が発生する可能性が高まる。よって、導入するO2ガスの温度を840~860°Cとすることにより、SUS材、Cu材等の腐食を抑制しつつ、短時間でチャンバー12内壁に付着したカーボン膜の除去を行うことができる。エッチングレートは、たとえば15~20nm/minとする。<腐食に対する対応>上記のO2クリーニングによりカーボン膜を除去し、さらに、装置構成においても、腐食への対策をしておくことが望ましい。図3aは、カーボン膜デポ装置のボート下部に設置していたSUS材製のボートターンテーブル100で、O2クリーニング実施後に赤いサビ斜線部が発生した様子を示す。当該サビは、全反射蛍光X線を用いた重金属汚染評価によって、5×1011atms/cm2のCuが検出された。このため、このボートターンテーブル100の石英化を行うことが望ましい。また、図3bに示すようなボートターンテーブル周りの構成では、ボートターンテーブル100の下部に、磁気シール101および磁気シールカップリング102が配置されている。このうち、Cu使用部材である磁気シール101のシャフト部も、撤去することが望ましい。ここで磁気シール101とは、SiCウエハ表面において形成されるカーボン膜の、膜厚均一性を向上させるボート回転機構である。また、カーボン膜デポ装置の排気ライン16に配置されたセンサ機構23は、具体的には排気ライン16からポート接続されており、接続するシール材密封材を金属にすると、O2クリーニング実施後に腐食するおそれがある。よって、これらのシール材を、合成ゴム素材例えばバイトン登録商標やカルレッツ材登録商標等によって構成することが望ましい。さらに、排気ライン16に設置しているダストトラップ24水冷トラップは、チャンバー12の排気口の下流に設置すると、O2クリーニング実施により、トラップ内部特に、冷却水が流れる場所の金属表面が腐食しサビが生じる。これは、エタノールに含まれる水分が水冷トラップ内で結露し、O2クリーニングによって酸化しサビとなったものと考えられる。このサビが、チャンバー12を大気圧に復帰させる際に逆拡散し、チャンバー12内に設置したSiCウエハ表面に付着し、カーボン膜に混入してしまう。このため水冷トラップは、チャンバー12の大気圧復帰時にクローズするメインバルブMV以降、すなわち下流に設置し、トラップ内に生じたサビがチャンバー12内に逆拡散しないようにすることが望ましい。また、装置の排気ライン16における構成や、チャンバー12下部に配置されたマニホールド25は、カーボンコーティングすることによって、SUS材製であっても、O2クリーニングの際の腐食を防ぐことができる。これは、排気ライン16やマニホールド25は、O2クリーニングの際にもチャンバー12内に比べて温度が低い状態に保たれるため、カーボンコーティングが除去されないからである。<効果>本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、SiCウエハ表面にカーボン膜4を形成するカーボン膜デポ装置において、a840~860°CのO2ガスを、減圧下において装置内に導入する工程と、b導入したO2ガスによって、装置内に付着したカーボン膜4を除去する工程とを備えることで、装置内に付着し堆積したカーボン膜が、SiCウエハ表面に形成するカーボン膜に異物として混入することを抑制することができる。すなわち、当該除去方法によって装置内に付着したカーボン膜を適切に除去し、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を防ぐことができる。また、当該除去方法によれば、チャンバー12を取り外す等して、装置内に付着したカーボン膜を物理的に除去する必要がなく、チャンバー12内の温度も下げない状態で除膜が可能となるため、大幅なメンテナンス時間短縮が行える。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置内の構成ボートターンテーブル100等が、石英によって形成されることで、O2クリーニングの際に装置内に生成されるアルデヒド等が付着し、さらにカルボン酸を生成することにより、装置内の構成を腐食させることを防ぐことができる。よって、腐食によって形成されるサビが、SiCウエハ表面のカーボン膜に混入することを抑制し、品質のよいカーボン膜を形成することを可能とする。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置が、カーボン膜4の面内均一性を向上させるための、SiCウエハを載置する回転機構磁気シール101を備えないことで、回転機構に用いられていた金属箇所がなくなり、当該箇所が腐食することにより生じるサビが、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質を劣化させることを抑制することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置が、排気ライン16において計測器としてのセンサ機構23をさらに備え、センサ機構23が、合成ゴム素材バイトン登録商標やカルレッツ材登録商標等をシール材として排気ライン16に接続されることで、接続箇所に金属が使用されないため、当該金属が腐食することにより生じるサビが、チャンバーの大気圧復帰の際に逆拡散し、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質を劣化させることを抑制することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置が、排気ライン16において水冷トラップおよびMVをさらに備え、排気ライン16において反応副生成物を取り込む水冷トラップが、カーボン膜デポ装置における圧力を大気圧に戻す際にクローズするMVの、排気ラインにおける下流に配置されることで、チャンバー12を大気圧に復帰させる際、水冷トラップより上流に設置されたMVがクローズすることにより、水冷トラップで生じたサビがチャンバー12内に逆拡散することを抑制することができる。よって、チャンバー12内にサビが拡散することを抑制し、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を抑制することができる。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置の排気ライン16における構成が、カーボンによってコーティングされていることで、排気ライン16における配管をSUS材製とした場合であっても、O2クリーニング時に腐食し、サビが発生することが抑制され、排気ライン16からの逆拡散による、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を招くことが抑制される。なお、排気ライン16における配管は、チャンバー12内よりも温度が低い状態に保たれるため、O2クリーニングの際にもカーボン膜は除去されない。すなわち、コーティングされたカーボン膜が剥がれ、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を招くことはない。また、本発明にかかる実施の形態によれば、カーボン膜除去方法において、カーボン膜デポ装置は、O2ガスを導入するチャンバー12下部に、マニホールド25をさらに備え、マニホールド25が、カーボンによってコーティングされていることで、マニホールド25をSUS材製とした場合であっても、O2クリーニング時に腐食し、サビが発生することが抑制され、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を招くことが抑制される。なお、マニホールド25は、チャンバー12内よりも温度が低い状態に保たれるため、O2クリーニングの際にもカーボン膜は除去されない。すなわち、コーティングされたカーボン膜が剥がれ、SiCウエハ表面のカーボン膜の品質劣化を招くことはない。なお本発明は、その発明の範囲内において、本実施の形態における任意の構成要素の変形もしくは省略が可能である。