"軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜形成方法であって、炭素と珪素と水素からなるDLC膜を、炭化水素ガスを導入したスパッタリング法により、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、前記軌道面または転動面の温度を150~180°Cの範囲に制御して、厚さ1.6μm以下に成膜することを特徴とする軸受部品への硬質膜形成方法。請求項1記載の方法で軌道面または転動面に硬質膜が形成された軸受部品を有する転がり軸受。この発明の課題は、軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜を形成する方法として、高負荷環境においても十分な耐久性を有する硬質膜が形成できる方法を提供することである。上記課題を解決するために、この発明の軸受部品への硬質膜形成方法は、軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜形成方法であって、炭素と珪素と水素からなるDLC膜を、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、炭化水素ガスを導入したスパッタリング法により、前記軌道面または転動面の温度を150~180°Cの範囲に制御して、厚さ1.6μm以下に成膜することを特徴とする。この方法で形成される炭素と珪素と水素からなるDLC膜の有効な厚さの下限値は0.8μmである。DLC膜の線膨張係数は、一般に1~7×106/°Cであるが、軸受鋼の線膨張係数は12×106/°C程度であるため、軸受鋼からなる被成膜面の温度が高いほど、DLC膜と被成膜面との間に大きな体積膨張差が生じる。また、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、炭化水素ガスを導入したスパッタリング法で成膜されると、DLC膜中にC-H結合だけでなくSi-H結合も存在する。Si-Hは結合エネルギーが小さいため、未結合のHが積極的にSiと結合する。その結果、炭化水素ガスを導入しない場合と比較してDLC膜の残留応力が小さくなると考えられている。しかし、成膜時の基材被成膜面の温度が高いと、Si-H結合が切れやすくなり、DLC膜中に未結合のHが存在することで、DLC膜の体積膨張が生じ、圧縮残留応力が増加する。また、成膜時の基材被成膜面の温度が高いと、珪素が結晶状態で成膜される傾向がある。これに対して、この発明の方法では、被成膜面である軸受部品の軌道面または転動面の温度を150~180°Cの範囲に制御することで、炭素と珪素と水素からなるDLC膜の体積膨張が抑えられる。また、軸受鋼の硬度低下が抑制されて、被成膜面に対する炭素と珪素と水素からなるDLC膜の密着性および耐久性が良好になる。また、被成膜面の温度を150~180°Cの範囲に制御しても、炭素と珪素と水素からなるDLC膜の厚さが2.0μm以上になると残留応力が極端に大きくなるが、厚さを1.6μm以下にすることでDLC膜の残留応力が小さく、軸受部品として良好な状態にすることができる。この発明の方法によれば、軸受部品の軌道面または転動面に、高負荷環境においても十分な耐久性を有する硬質膜が形成できる。以下、この発明の実施形態について説明する。図1のスラスト玉軸受転がり軸受は、上レース軌道輪1、下レース軌道輪2、玉転動体3、および保持器4で構成されている。上レース1と下レース2と玉3はSUJ2製であり、通常の方法で作製されている。上レース1の軌道溝軌道面1aと下レース2の軌道溝軌道面2aに、炭素と珪素と水素からなるDLC膜5が形成されている。このDLC膜5を、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、メタン炭化水素ガスとアルゴンガスを導入した非平衡マグネトロンスパッタリング法により成膜する。その際に、スパッタリング装置内の試料支持台をヒーターで加熱し、ヒーターの温度を制御することで、試料支持台に支持された上下のレース1,2の軌道溝1a,2aの温度を150~180°Cの範囲に保持する。また、DLC膜5の厚さが1.0~1.6μmとなるように時間を設定して成膜する。これ以外の点は通常のマグネトロンスパッタリング法に従う。この方法で、上レース1と下レース2に形成された炭素と珪素と水素からなるDLC膜5は、図1のスラスト玉軸受を、荷重8820N900kgf、回転速度2000rpm、油潤滑で回転させた場合でも剥離が殆ど生じず、良好な密着性および耐久性が得られる。なお、軸受部品の軌道面および転動面に形成するDLC膜のヤング率は、150~200GPaであることが好ましい。DLC膜のヤング率が150GPa未満であると、DLC膜の硬さが軸受部品の軌道面および転動面の硬さとして不十分となる。200GPaを超えると、軸受鋼からなる軸受部品より変形しにくいものとなるため、高負荷環境で剥離しやすくなる。また、軸受鋼からなる軸受部品の軌道面および転動面とDLC膜との間に、クロムなどからなる金属製中間層を設けてもよい。また、DLC膜の組成が、表面に向かうにつれて炭素の割合が珪素の割合より高くなるように成膜することも、DLC膜の圧縮残留応力を小さくする点で好ましい。図1の転がり軸受を構成する上レース1と下レース2の軌道溝1a,2aに、炭素と珪素と水素からなるDLC膜5を、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、メタンガスとアルゴンガスを導入した非平衡マグネトロンスパッタリング法により成膜した。その際に、炭素ダーゲットに加える電圧を徐々に大きくし、珪素ターゲットに加える電圧を徐々に小さくすることで、DLC膜5の組成が、表面に向かうにつれて炭素の割合が珪素の割合より高くなるように成膜した。また、成膜時の軌道溝1a,2aの温度が150°CサンプルNo1、180°CサンプルNo2、200°CサンプルNo3、250°CサンプルNo4、300°CサンプルNo5の各温度±5°Cになるように、試料支持台の温度を制御した。また、膜厚が同じ1.0μmとなるように成膜時間を設定した。これらの点以外は全て同じ条件で成膜した。また、サンプルNo6~8では、成膜時の軌道溝1a,2aの温度を180°Cで同じにし、成膜時間を変化させて、膜厚が異なるDLC5を成膜した。これらの点以外はNo1~No5と同じ条件とした。このようにして得られたサンプルNo2とNo5のDLC膜5について、IRスペクトルを測定した。その結果のグラフを図2に示す。このグラフにおいて、波長2100cm1付近のSi-Hのピークが、成膜時の軌道溝の温度が150°CであるNo2のDLC膜5では観察されるが、成膜時の軌道溝の温度が300°CであるNo5のDLC膜5では観察されない。つまり、成膜時の軌道溝の温度が300°Cの場合は、Si-H結合が切れて未結合のHが多く存在することにより、DLC膜5の体積膨張が大きくなり、圧縮残留応力が大きくなったと推察される。また、得られた各サンプルの上レース1と下レース2を組み合わせ、通常の方法で作製したSUJ2製玉3を3個、軌道溝1a,2a間に等間隔で配置して、油浴VG10内に入れ、荷重8820N900kgf、回転速度2000rpmの条件で、1千万回107回回転させる試験を行った。試験終了後に、軌道溝1a,2aに形成されていたDLC膜5の状態を顕微鏡により観察した。そして、画像処理を行って、DLC膜5が剥がれている面積の割合を調べた。また、試験終了前回転が1千万回に達する前に軌道溝1a,2aに剥離が生じた場合は、その時点で、軌道溝1a,2aの剥離部分を除いた範囲で、DLC膜5が剥がれている面積の割合を調べた。その結果を下記の表1に示す。また、ヤング率および残留応力を測定するための試験片に対し、サンプルNo1~No8の軌道溝1a,2aに対する成膜と同じ条件で成膜を行い、ヤング率と残留応力を測定した。ヤング率はナノインデンテーション法により測定した。残留応力は金属薄片を用いた形状測定法により算出した。その結果も下記の表1に示す。残留応力で符号-が付いた値は圧縮応力を示す。符号無しの値は引張応力を示す。表1から分かるように、この発明の方法の実施例に相当する方法で成膜を行ったNo1、2、6、7は、DLC膜5の残留応力の絶対値が0.12GPa以下と小さく、剥がれ率が4面積以下と小さかった。また、軌道溝面に剥離は生じなかった。これに対して、成膜時の軌道溝の温度が180°Cより高いNo3~5と、温度は180°Cであるが膜厚が2.0μm以上であるNo7とNo8は、DLC膜5の残留応力の絶対値が0.32GPa以上と大きく、剥がれ率が7面積以上と大きかった。また、軌道溝面に剥離が生じていた。以上のことから、成膜時の軌道溝の温度150~180°C、DLC膜5の厚さ1.6μm以下を満たす方法を採用することで、密着性および耐久性が良好な硬質膜が形成できることが分かる。"