"複数の素子基板が面付けされた素子側マザー基板と、複数の対向基板が面付けされた対向側マザー基板と、が貼り合わされた一対のマザー基板をブレークすることにより、複数の電気光学装置を製造するブレーク方法であって、前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第1ブレーク工程と、前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第2ブレーク工程と、を有していることを特徴とするブレーク方法。請求項1に記載のブレーク方法であって、前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、前記第1ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることを特徴とするブレーク方法。請求項1又は請求項2に記載のブレーク方法であって、前記第1ブレーク工程の後、前記第2ブレーク工程を行うことを特徴とするブレーク方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のブレーク方法であって、前記第1ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、前記第2ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることを特徴とするブレーク方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のブレーク方法であって、前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることを特徴とするブレーク方法。一対のマザー基板をブレークバーを用いてブレークすることにより複数の電気光学装置を製造するブレーク装置であって、前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とするブレーク装置。しかしながら、対向基板における張出し部の基端に対応する部分をブレークする際、対向基板のみをブレークするが、マザー基板の外周側からクラックが入り、その結果、素子基板にもクラックが入る、いわゆる共割れが発生するという課題がある。また、対向基板側をブレークした後、素子基板側をブレークするが、マザー基板の外周付近において、正規の分断ラインから反れ曲がってブレークする場合があり、バリや欠けが発生するという課題がある。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係るブレーク方法は、複数の素子基板が面付けされた素子側マザー基板と、複数の対向基板が面付けされた対向側マザー基板と、が貼り合わされた一対のマザー基板をブレークすることにより、複数の電気光学装置を製造するブレーク方法であって、前記対向側マザー基板の表面に対向側スクライブラインを形成する対向側スクライブライン形成工程と、前記素子側マザー基板の表面を、前記素子側マザー基板における周縁部より中心部が先に接触するような中凸状のブレークバーで叩いて、前記対向側スクライブラインに沿って前記対向側マザー基板をブレークする第1ブレーク工程と、前記素子側マザー基板の表面に素子側スクライブラインを形成する素子側スクライブライン形成工程と、前記対向側マザー基板の表面を、前記対向側マザー基板における中心部よりも周縁部が先に接触するような中凹状のブレークバーで叩いて、前記素子側スクライブラインに沿って前記素子側マザー基板をブレークする第2ブレーク工程と、を有していることを特徴とする。この方法によれば、第1ブレーク工程において、対向側スクライブラインに沿って対向側マザー基板をブレークする際、中凸状のブレークバーを用いるので、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった叩いたときのように、共割れ割りたくない素子側マザー基板が割れるが発生することを抑えることができる。また、第2ブレーク工程において、素子側スクライブラインに沿って素子側マザー基板をブレークする際、中凹状のブレークバーを用いるので、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。[適用例2]上記適用例に係るブレーク方法において、前記素子基板は、前記対向基板より外側に張り出した張出し部を有し、前記第1ブレーク工程は、前記対向側マザー基板における前記張出し部の基端に対応する部分をブレークすることが好ましい。この方法によれば、張出し部の基端に対応する部分を中凸状のブレークバーを用いてブレークするので、マザー基板の略中央から周縁部に向かって順に叩いていくことが可能となる。よって、対向側マザー基板のみを分断することができ、素子側マザー基板まで割れてしまう共割れが発生することを抑えることができる。[適用例3]上記適用例に係るブレーク方法において、前記第1ブレーク工程の後、前記第2ブレーク工程を行うことが好ましい。この方法によれば、第1ブレーク工程によって対向側マザー基板をブレークすると、対向側マザー基板特に周縁部の強度が弱くなり不安定な状態になりやすいが、第2ブレーク工程によって中凹状のブレークバーを用いて素子側マザー基板の周縁部から叩いていくので、分断予定線に沿ってブレークすることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。[適用例4]上記適用例に係るブレーク方法において、前記第1ブレーク工程において、前記対向側スクライブラインに対応する前記素子側マザー基板のラインは、分断ラインではなく、前記第2ブレーク工程において、前記素子側スクライブラインに対応する前記対向側マザー基板のラインは、分断ラインであることが好ましい。この方法によれば、第2ブレーク工程は、素子側マザー基板及び対向側マザー基板の共通の分断ラインをブレークするので、例えば、中凹状のブレークバーを用いて共割れが発生したとしても、対向側マザー基板側に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。[適用例5]上記適用例に係るブレーク方法において、前記対向側マザー基板及び前記素子側マザー基板は、ウエハー状であることが好ましい。この方法によれば、ウエハー状のマザー基板を用いてブレークを行った際、マザー基板の周縁部が分断予定線に対し反れ曲がって分断されやすい傾向にあるが、第2ブレーク工程において中凹状のブレークバーを用いるので、周縁部が反れ曲がることを抑えることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。[適用例6]本適用例に係るブレーク装置は、一対のマザー基板をブレークバーを用いてブレークすることにより複数の電気光学装置を製造するブレーク装置であって、前記ブレークバーは、中凸状のブレークバーと、中凹状のブレークバーと、を備え、前記一対のマザー基板において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は前記中凸状のブレークバーを用い、前記一対のマザー基板において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は前記中凹状のブレークバーを用いるように制御することを特徴とする。この構成によれば、中凸状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち対向側マザー基板をブレークする際、マザー基板の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった叩いたときのように、共割れ割りたくない素子側マザー基板が割れるが発生することを抑えることができる。また、中凹状のブレークバーを用いることにより、例えば、一対のマザー基板のうち素子側マザー基板をブレークする際、マザー基板の外周側を先に叩くことが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることが可能なブレーク装置を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。第1実施形態<電気光学装置の構成>図1は、電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のA-A線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図1及び図2を参照しながら説明する。図1及び図2に示すように、液晶装置100は、例えば、薄膜トランジスター以下、TFTThinFilmTransistor素子と称する。を画素のスイッチング素子として用いたTFTアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置100は、一対の基板を構成する素子基板12と対向基板13とが、平面視略矩形枠状のシール材14を介して貼り合わされている。素子基板12及び対向基板13は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置100は、シール材14に囲まれた領域内に液晶層15が封入された構成になっている。なお、シール材14には液晶を注入するための注入口16が設けられ、注入口16は封止材17により封止されている。液晶層15としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置100は、シール材14の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜18が対向基板13に形成されており、この額縁遮光膜18の内側の領域が表示領域19となっている。額縁遮光膜18は、例えば、遮光性材料であるアルミAlで形成されており、対向基板13側の表示領域19の外周を区画するように設けられている。表示領域19内には、画素領域21がマトリクス状に設けられている。画素領域21は、表示領域19の最小表示単位となる1画素を構成している。また、素子基板12は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板13よりも外側に張り出した張出し部29を有している。この張出し部29の領域には、信号線駆動回路22及び外部接続端子23が形成されている。また、シール材14の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路24がそれぞれ形成されている。素子基板12の残る一辺図1における上側には、検査回路25が形成されている。対向基板13側に形成された額縁遮光膜18は、例えば、素子基板12上に形成された走査線駆動回路24及び検査回路25に対向する位置言い換えれば、平面的に重なる位置に形成されている。一方、対向基板13の各角部例えば、シール材14のコーナー部の4箇所には、素子基板12と対向基板13との間の電気的導通をとるための上下導通端子26が配設されている。また、図2に示すように、素子基板12の液晶層15側には、複数の画素電極27が形成されており、これら画素電極27を覆うように第1配向膜28が形成されている。画素電極27は、ITOIndiumTinOxide等の透明導電材料からなる導電膜である。一方、対向基板13の液晶層15側には、格子状の遮光膜BM:ブラックマトリクス図示せずが形成され、その上に平面ベタ状の共通電極31が形成されている。そして、共通電極31上には、第2配向膜32が形成されている。共通電極31は、ITO等の透明導電材料からなる導電膜である。液晶装置100は透過型であって、素子基板12及び対向基板13における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板図示せず等が配置されて用いられる。なお、液晶装置100の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図3を参照しながら説明する。図3に示すように、液晶装置100は、表示領域19を構成する複数の画素領域21を有している。各画素領域21には、それぞれ画素電極27が配置されている。また、画素領域21には、TFT素子33が形成されている。TFT素子33は、画素電極27へ通電制御を行うスイッチング素子である。TFT素子33のソース側には、信号線34が電気的に接続されている。各信号線34には、例えば、信号線駆動回路22図1参照から画像信号S1,S2,...,Snが供給されるようになっている。また、TFT素子33のゲート側には、走査線35が電気的に接続されている。走査線35には、例えば、走査線駆動回路24図1参照から所定のタイミングでパルス的に走査信号G1,G2,...,Gmが供給されるようになっている。また、TFT素子33のドレイン側には、画素電極27が電気的に接続されている。走査線35から供給された走査信号G1,G2,...,Gmにより、スイッチング素子であるTFT素子33が一定期間だけオン状態となることで、信号線34から供給された画像信号S1,S2,...,Snが、画素電極27を介して画素領域21に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。画素領域21に書き込まれた所定レベルの画像信号S1,S2,...,Snは、画素電極27と共通電極31図2参照との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号S1,S2,...,Snがリークするのを防止するために、画素電極27と容量線36との間に蓄積容量37が形成されている。このように、液晶層15に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層15に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。<一対のマザー基板ウエハーの構成>図4は、液晶装置を切り出す前の、一対のマザー基板ウエハーの構造を示す模式斜視図である。図5は、一対のマザー基板を分断する分断予定線を説明する平面図である。なお、本実施形態に係る液晶装置は、複数の液晶装置となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置は、いわゆるマザー基板から多面取りを行う方法により形成される。具体的には、一対のマザー基板は、図4に示すように、素子側マザー基板41上に複数の素子基板12を構成する積層構造44を行列状に連なった状態で形成し、また同様に対向側マザー基板42上に複数の対向基板13を構成する積層構造を行列状に形成し、この素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とをシール材14を介して貼り合わせることにより形成される。本実施形態では、各マザー基板41,42は、オリエンテーションフラットOrientationFlat:以下、オリフラと称する。43を有するウエハー状の略円板形状を有する。マザー基板41,42の大きさは、例えば、200mmである。マザー基板41,42の厚みは、例えば、それぞれ素子側マザー基板41、対向側マザー基板421.2mmである。以下の説明においては、対向側マザー基板42と対向する面上においてオリフラ43と平行な軸をX軸とし、また当該面上において該X軸と直交する軸をY軸とする。また、X軸及びY軸に直交する軸をZ軸とする。素子側マザー基板41上に形成される複数の積層構造44は、対向側マザー基板42に対向する面上においてX軸及びY軸に沿う行列状に配列される。また、図5に示すように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、X方向に平行な対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線を第1分断予定線51分断ラインとする。また、X軸に平行な素子基板12の1辺を規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線を第2分断予定線52分断ラインとする。また、Y軸に平行な外形の1辺を規定する線を第3分断予定線53分断ラインとする。<ブレーク装置の構造>図6aは、ブレーク装置の構造を示す模式側面図である。図6b、cは、ブレーク装置を構成するブレークバーの構造を示す模式側面図である。図7は、ブレーク装置の構造を斜め方向から見た模式斜視図である。以下、ブレーク装置の構造について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6及び図7に示すように、ブレーク装置61には、ステージ62が設けられている。ステージ62の大きさは、例えば、520mm×520mmである。また、ステージ62の材質は、ステンレス板とゴム板との合板である。ステージ62には、一対のマザー基板41,42を吸引して固定するための開口部が複数設けられている。複数の開口部は、ステージ62に加工された図示しない真空回路に接続されている。ステージ62の上部には、ブレーク切断の対象となる一対のマザー基板41,42が載置される。また、ブレーク装置61には、図7に示すように、ステージ62の上方に移動自在の枠状部63が設けられている。枠状部63の囲まれた中には、シリンダー64によってステージ62と平行に上下動することが可能なブレークバー65が設けられている。ブレークバー65の下降速度や最下端で停止する時間、また一対のマザー基板41,42を押圧させるためにシリンダー64に供給される圧力などは、調整自在とする。ブレークバー65は、棒状の金属部材66の下面に断面がV字形状をなすV字部材67例えば、ウレタンゴムが接合されたものである。また、ブレークバー65の長さは、例えば、520mmである。ブレークバー65の硬度は、例えば、ショアA硬度90である。なお、ブレークバー65は、V字部材67の中央に向かって除々に凸状となった第1ブレークバー65aと、V字部材67の中央に向かって除々に凹状となった第2ブレークバー65bとを有する。凸部の高さ、及び凹部の深さは、例えば、1mmである。第1ブレークバー65aは、マザー基板41,42をブレークする際、マザー基板41,42の周縁部と比較して中央部を先に接触したい場合に用いられる。また、第2ブレークバー65bは、マザー基板41,42の中央部と比較して周縁部を先に接触したい場合に用いられる。また、ステージ62は、回転機構により90°ごと回転させることができる。つまり、直交するスクライブラインが形成されているマザー基板41,42に対しても、マザー基板41,42をブレーク分断することが可能となっている。ブレーク装置61は、一対のマザー基板41,42において周縁部より中心部を先にブレークしたい場合は中凸状の第1ブレークバー65aを用い、一対のマザー基板41,42において中心部より周縁部を先にブレークしたい場合は中凹状の第2ブレークバー65bを用いるように制御する。<電気光学装置の製造方法、ブレーク方法>図8は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図9~図11は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図8~図11を参照しながら説明する。まず、ステップS11では、素子側マザー基板41の一方の面上に、複数の積層構造44を、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で形成する。具体的には、図9aに示すように、素子側マザー基板41の面上に、公知の製造方法を用いて積層構造44を形成する。積層構造44は、素子基板12の液晶層15側に形成される構成であって、第1配向膜28、画素電極27、走査線35、信号線34、容量線36、TFT素子33、外部接続端子23などを有する。ステップS12では、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とを貼り合わせる。具体的には、図9bに示すように、複数の素子基板12の積層構造44が形成された素子側マザー基板41と、複数の対向基板13の積層構造が形成された対向側マザー基板42とを、シール材14を介して貼り合わせる。対向側マザー基板42に形成されている積層構造は、共通電極31や第2配向膜32などからなる。また、このステップS12においては、一対のマザー基板41,42を貼り合わせると共に、一対のマザー基板41,42との間に液晶を充填する。本実施形態においては、複数の積層構造44上にそれぞれ枠状のシール材14を形成し、シール材14により囲まれた領域内に所定量の液晶を滴下した後に対向側マザー基板42を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。なお、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42との間に液晶を充填する方法は、液晶滴下方式に限定されるものではなく、素子側マザー基板41と対向側マザー基板42とが貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材14に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよい。ステップS13対向側スクライブライン形成工程、第1ブレーク工程では、対向側マザー基板42に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図9cに示すように、スクライブ刃図示せずによって、第1分断予定線51に沿って、対向側マザー基板42に対向側スクライブラインとしてのスクライブライン71を形成する。ここで、第1分断予定線51は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線である。次に、第1分断予定線51のスクライブライン71を基点としたクラック72を生じさせて、対向側マザー基板42を分断一次ブレークするクラック72を伸張させる。分断には、V字部材67の中央が凸状になった第1ブレークバー65aを用いる。これにより、対向側マザー基板42の中央付近から第1ブレークバー65aを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。なお、図9cは、一対のマザー基板41,42の配置上下方向の向きを他の図と同じにして示しており、図7に示すブレーク装置61を用いて実際に加工するときは、第1ブレークバー65aが上方に配置され、素子側マザー基板41と接触することとなる。ステップS14では、対向側マザー基板42に対してダイシングを行う。具体的には、図10aに示すように、第1分断予定線51、第2分断予定線52、及び第3分断予定線53に沿って、対向側マザー基板42に所定の深さの溝状部57を形成する。溝状部57の深さは、対向側マザー基板42の厚みよりも小さい値であり、対向側マザー基板42が完全に切断されない厚さ例えば、100μmを残すように設定される。ダイシングは、例えば、外形の寸法精度を出すために行われる。よって、寸法精度が高く要求されなければ、ダイシングを行わなくてもよい。ここで、第2分断予定線52は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、素子基板12のX軸に平行な2辺と対向基板13の1辺とを規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線である。すなわち、張出し部29は、その先端及び基端が第1分断予定線51及び第2分断予定線52によって規定されている。対向側マザー基板42における張出し部29に対向する領域である重畳部58図10c参照は、クラック及び溝状部57によって挟まれた状態となる。ステップS15素子側スクライブライン形成工程、第2ブレーク工程では、素子側マザー基板41を分断二次ブレークする。具体的には、図10bに示すように、図示しないスクライブ刃により第2分断予定線52及び第3分断予定線53に沿って、素子側マザー基板41に素子側スクライブラインとしてのスクライブライン73を形成する。次に、第3分断予定線53に沿って形成したスクライブライン73を基点としたクラック74を生じさせて伸張させて、素子側マザー基板41を分断する。分断には、V字部材67の中央が凹状になった第2ブレークバー65bを用いる。これにより、素子側マザー基板41の周縁部から第2ブレークバー65bを当てることが可能となり、分断予定線に沿ってブレークできるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。そして、一対のマザー基板41,42を短冊状に分割した後、図10cに示すように、複数の個片100aに分断する。この個片100aは、上述した液晶装置100の構成に対して、対向基板13から重畳部58が張出し部29とは反対の方向へ延出している。ステップS16では、重畳部58を分断する。具体的には、図11に示すように、個片100aの対向基板13から延出する重畳部58に対して、溝状部57において折り曲げるような力を加えることにより、重畳部58を対向基板13から分断する。これにより、一対のマザー基板41,42から液晶装置100が切り出される。以上詳述したように、第1実施形態のブレーク方法、及びブレーク装置によれば、以下に示す効果が得られる。1第1実施形態のブレーク方法によれば、一次ブレーク第1ブレーク工程において、第1分断予定線51に沿って対向側マザー基板42をブレークする際、中凸状の第1ブレークバー65aを用いるので、一対のマザー基板41,42の中央付近から叩くことが可能となり、従来のマザー基板の外周側が先に当たった叩いたときのように、共割れ割りたくない素子側マザー基板41が割れるが発生することを抑えることができる。また、二次ブレーク第2ブレーク工程において、スクライブライン73に沿って素子側マザー基板41をブレークする際、中凹状の第2ブレークバー65bを用いるので、一対のマザー基板41,42の周縁部を先に叩くことが可能となり、正規の分断ラインに近いラインで分断できるので、バリや欠けが発生することを抑えることができる。2第1実施形態のブレーク装置61によれば、中凸状の第1ブレークバー65aと中凹状の第2ブレークバー65bとの2本のブレークバー65を備えているので、ブレーク工程の種類によって専用のブレークバー65に交換する手間がなく、効率よく生産することができるブレーク装置61を提供することができる。第2実施形態<電気光学装置の製造方法、ブレーク方法>図12は、第2実施形態の電気光学装置としての液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を工程順に示すフローチャートである。図13は、液晶装置の製造方法、及びブレーク方法の一部の工程を示す模式断面図である。以下、第2実施形態の液晶装置の製造方法、及びブレーク方法を、図12及び図13を参照しながら説明する。第2実施形態のブレーク方法は、貼り合わされた一対のマザー基板41,42において先に張出し部29の領域を露出させる部分が、第1実施形態と異なっている。以下、第1実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。なお、ステップS21~ステップS22は、第1実施形態のステップS11~ステップS12と同様である。ステップS23では、対向側マザー基板42に対し一次ブレーク処理を行う。具体的には、図13aに示すように、スクライブ刃図示せず用いて第1分断予定線51に沿って、対向側マザー基板42にスクライブライン71を形成する。次に、第1分断予定線51のスクライブライン71を基点としたクラック72を生じさせて、対向側マザー基板42を分断一次ブレークする。第1実施形態と同様に、分断には、V字部材67の中央が凸状になった第1ブレークバー65aを用いる。これにより、対向側マザー基板42の中央付近から第1ブレークバー65aを当てることが可能となり、従来の対向側マザー基板の周縁部から当たったときのような、共割れが発生することを抑えることができる。なお、第1分断予定線51は、上記したように、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、対向基板13の外形の一辺を規定すると共に、張出し部29の基端側を規定する線である。ステップS24では、対向側マザー基板42に対してダイシングを行う。具体的には、図13bに示すように、第1分断予定線51、第2分断予定線52、及び第3分断予定線53に沿って、対向側マザー基板42に所定の深さの溝状部57を形成する。なお、第1実施形態と異なる点として、溝状部57の深さは、第2分断予定線52のみ素子側マザー基板41に食い込む深さまでダイシングを行う。これにより、張出し部29に対応する対向側マザー基板42の重畳部58が除去され、張出し部29が露出する。なお、上記したように、第2分断予定線52は、貼り合わされた状態の一対のマザー基板41,42を平面的に見た場合、素子基板12のX軸に平行な2辺と対向基板13の1辺とを規定すると共に、張出し部29の先端側を規定する線である。ステップS25では、素子側マザー基板41を分断する。具体的には、図13cに示すように、図示しないスクライブ刃により第2分断予定線52及び第3分断予定線53に沿って、素子側マザー基板41にスクライブライン73を形成する。次に、素子側マザー基板41に形成したスクライブライン73を基点としたクラック74を生じさせて、素子側マザー基板41を分断する。第1実施形態と同様に、分断には、V字部材67の中央が凹状になった第2ブレークバー65bを用いる。これにより、素子側マザー基板41の周縁部から第2ブレークバー65bを当てることが可能となり、バリや欠けが発生することを抑えることができる。そして、一対のマザー基板41,42は、ブレークによって複数の個片100aに分断され、チップソーターなどを用いて、複数の個片をピックアップする。これにより、一対のマザー基板41,42から液晶装置100が切り出される。以上詳述したように、第2実施形態のブレーク方法によれば、上記した第1実施形態の1の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。3第2実施形態のブレーク方法によれば、第1実施形態の製造工程と異なる工程を有する製造設備を有していた場合でも、複数の高品質な液晶装置100を製造することができる。なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。変形例1上記したように、ブレーク装置61は、中凸状の第1ブレークバー65aと、中凹状の第2ブレークバー65bと、の2本のブレークバー65を備えているが、これに限定されず、1本のブレークバー65を備え、中凸状のブレークバーと中凹状のブレークバーとを交互に交換して用いるようにしてもよい。また、1本のブレークバー65のみを用い、先端のV字部材のみ中凸状のブレークバーや中凹状のブレークバーに交換できるようにしてもよい。また、V字部材が交互に反転できるような機構を備えていてもよい。変形例2上記したように、電気光学装置は、液晶装置100に限定されず、例えば、有機EL装置やプラズマ装置などであってもよい。"