"半導体ウェハ上の欠陥を複数の検査方法を用いて検査する方法であって、半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と、検査情報から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージするステップと、マージした座標の検査順序を決定するステップと、前記マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行う欠陥の検査ステップと、を有することを特徴とする欠陥検査方法。請求項1記載の欠陥検査方法であって、前記危険点座標を、前記検査ステップから得られる欠陥の検査結果あるいは半導体ウェハの設計情報を用いて決定することを特徴とする欠陥検査方法。請求項1記載の欠陥検査方法であって、前記マージした座標の検査順序を決定するステップにおいて、前記座標の種類を示す情報を用いて座標間のステージの移動時間を比較し、撮像順序を決定することを特徴をする欠陥検査方法。請求項1記載の欠陥検査方法であって、前記欠陥の検査ステップで得られた欠陥の検査結果であって、前記欠陥の検査結果から、前記欠陥検査座標を撮像した画像と、前記危険点座標を撮像した画像を比較し、一致度を求めて、前記一致度の高さを判定し、前記欠陥検査座標の候補と前記危険点座標の候補に分別する危険点判定ステップを有することを特徴とする欠陥検査方法。請求項4記載の欠陥検査方法であって、前記危険点判定ステップにおいて、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、撮像条件の違いを合わせ込んだ上で比較を行うことを特徴とする欠陥検査方法。請求項4記載の欠陥検査方法であって、前記危険点判定ステップにおいて、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、予め作成した欠陥状態の分類結果を用いて一致度の比較を行うことを特徴とする欠陥検査方法。請求項4記載の欠陥検査方法であって、前記危険点判定ステップにおいて、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、予め作成した欠陥状態の分類結果を用いて一致度に重みづけして比較を行うことを特徴とする欠陥検査方法。半導体ウェハ上の欠陥を複数の検査方法を用いて検査する装置であって、半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と、検査情報から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージする手段と、マージした座標の検査順序を決定する手段と、前記マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行う欠陥の検査手段と、を備えることを特徴とする欠陥検査装置。請求項8記載の欠陥検査装置であって、前記危険点座標を、前記検査手段から得られる欠陥の検査結果あるいは半導体ウェハの設計情報を用いて決定することを特徴とする欠陥検査装置。請求項8記載の欠陥検査装置であって、前記マージした座標の検査順序を決定する手段において、前記座標の種類を示す情報を用いて座標間のステージの移動時間を比較し、撮像順序を決定することを特徴とする欠陥検査装置。請求項8記載の欠陥検査装置であって、前記欠陥の検査手段で得られた欠陥の検査結果であって、前記欠陥の検査結果から、前記欠陥検査座標を撮像した画像と、前記危険点座標を撮像した画像を比較し、一致度を求めて、前記一致度の高さを判定し、前記欠陥検査座標の候補と前記危険点座標の候補に分別する危険点判定手段を有することを特徴とする欠陥検査装置。請求項11記載の欠陥検査装置であって、前記危険点判定手段において、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、撮像条件の違いを合わせ込んだ上で比較を行うことを特徴とする欠陥検査装置。請求項11記載の欠陥検査装置であって、前記危険点判定手段において、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、予め作成した欠陥状態の分類結果を用いて一致度の比較を行うことを特徴とする欠陥検査装置。請求項11記載の欠陥検査装置であって、前記危険点判定手段において、前記欠陥検査座標を撮像した画像と前記危険点座標を撮像した画像を比較する際に、予め作成した欠陥状態の分類結果を用いて一致度に重みづけして比較を行うことを特徴とする欠陥検査装置。請求項11記載の欠陥検査装置であって、前記危険点判定手段において、危険点座標候補を抽出し、前記抽出された危険点座標候補をユーザが危険点であるか否かを判定するインターフェースと、危険点と判定された危険点座標候補を危険点座標として記憶する手段とを備えることを特徴とした欠陥検査装置。半導体ウェハを高歩留まりで生産するためには,製造プロセスで発生した欠陥種ごとに発生頻度を把握し,致命的な欠陥の発生原因を特定し,フィードバックすることが重要である。半導体製造プロセスの微細化に伴い,致命となる欠陥のサイズも微小化している。さらに、欠陥には、ランダム欠陥とシステマティック欠陥が含まれている。ランダム欠陥とは、発生頻度、欠陥の状態、欠陥の大きさにばらつきがあり発生箇所が予測できないものである。システマティック欠陥とは、発生しやすい箇所が回路パターンなどに起因するため一定であることが多い。しかし、システマティック欠陥は発生しないこともあり、ランダム欠陥に比べてパターン状態が欠陥であるか否かの判断が困難である。そこで、光学式検査装置を微小な欠陥を検出可能な感度に設定すると、欠陥とはならない製造公差やノイズなどを大量に検出してしまう問題を有している。SEMを用いることで、高解像度で画像を取得できるため微小な欠陥を高感度に検査を行うことが可能であるが,光学式検査装置に比べて画像の撮像に時間がかかるため,ウェハ全面を検査するのは実用的ではなく、スループット低下が問題である。この点について、特許文献3の方法では、システマティック欠陥の座標を予測するものであるが、上記の課題を解決する方法は開示されていない。本発明は,光学式検査装置を用いた欠陥レビューとSEMを用いた定点検査を含む欠陥検査を実施する場合において,高スループットと欠陥の検出精度向上を両立させる検査方法を提供することが目的である。上記の課題を解決するために、半導体ウェハ上の欠陥を複数の検査方法を用いて検査する方法であって、半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と検査結果から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標と、前記危険点座標と前記欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージし、マージした座標の検査順序を決定し、マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行うようにした。本発明によれば,欠陥レビューと定点検査を実施する場合において,高スループットで精度が高い検査を行うことが可能となる。以下に,本発明に関わる画像自動分類装置について説明する。本実施例では走査型電子顕微鏡SEMを備えた観察装置で撮像した画像を分類する場合を対象に説明するが,本発明に関わる撮像装置はSEM以外でも良く,イオンなどの荷電粒子線を用いた撮像装置でも良い。図1は本発明にかかる装置の構成図を表しており,画像の撮像を行うSEM101と,全体の制御を行う制御部102,磁気ディスクや半導体メモリなどに情報を記憶する記憶部103,プログラムに従い演算を行う演算部104,装置に接続された外部の記憶媒体との情報の入出力を行う外部記憶媒体入出力部105,ユーザとの情報の入出力を制御するユーザインターフェース部106,ネットワークを介して他の装置などと通信を行うネットワークインターフェース部107からなる。また,ユーザインターフェース部106には,キーボードやマウス,ディスプレイなどから構成される入出力端末113が接続されている。SEM101は,試料ウェハ108を搭載する可動ステージ109,試料ウェハ108に電子ビームを照射するため電子源110,試料ウェハから発生した2次電子や反射電子などを検出する検出器111の他,電子ビームを試料上に収束させる電子レンズ図示せずや,電子ビームを試料ウェハ上で走査するための偏向器図示せずや,検出器111からの信号をデジタル変換してデジタル画像を生成する画像生成部112等から構成される。なお,これらはバス114を介して接続され,相互に情報をやり取りすることが可能である。図2に制御部102,記憶部103,演算部104の構成を示す。制御部はウェハの搬送を制御するウェハ搬送制御部201,ステージの制御を行うステージ制御部202,電子ビームの照射位置を制御するビームシフト制御部203,電子ビームの走査を制御するビームスキャン制御部204からなる。記憶部103は,取得された画像データを記憶する画像記憶部205,危険点の座標を記憶する危険点座標記憶部206,検査装置により検出された欠陥座標を記憶する検出欠陥座標記憶部207,欠陥レビューおよび定点検査のパラメータなどを記憶するレシピ記憶部208からなる。演算部104は撮像する座標の情報を設定する撮像座標情報設定部209,撮像の順序を設定する撮像順序設定部210,欠陥部位の検出を行う欠陥検出処理部211,欠陥を種類ごとに分類する欠陥分類部212からなる。なお,209~212は各演算を行うように設計されたハードウェアとして構成されても良いほか,ソフトウェアとして実装され汎用的な演算装置例えばCPUやGPUなどを用いて実行されるように構成しても良い。指定された座標の画像を取得するための方法を説明する。まず,撮像対象となるウェハ108は,ウェハ搬送制御部201の制御によりロボットアームによりステージ109の上に設置される。つぎに,撮像視野がビーム照射範囲内に含まれるようにステージ制御部202によりステージ109が移動される。この時,ステージの移動誤差を吸収するため,ステージ位置の計測が行われ,ビームシフト制御部203により移動誤差を打ち消す様にビーム照射位置の調整が行われる。電子ビームは電子源110から照射され,ビームスキャン制御部204により撮像視野内において走査される。ビームの照射によりウェハから生じる2次電子や反射電子は検出器111により検出され,画像生成部112を通してデジタル画像化される。撮像された画像は撮像条件や撮像日時などの付帯情報とともに画像記憶部205に記憶される。図3は本発明にかかる欠陥レビューおよび危険点検査を行うフロー図である。まず,ウェハをステージ上にロードしS301,ウェハに対応したレシピをレシピ記憶部208から読み込むS302。レシピにはウェハアライメントS303やファインアライメントS304,フォーカスマップ推定S305,欠陥レビューS311,危険点検査S312に関するパラメータが記憶されている。レシピを読み込んだ後,ウェハアライメントS303とファインアライメントS304,フォーカスマップ推定S305を実行する。次に,ウェハに対応した危険点座標の読み込みS306と,検査装置が出力された検出欠陥座標の読み込みS307を行う。次に,危険点座標と検出欠陥座標を属性を付加した上でマージするS308。ここで、危険点とは、システマティック欠陥が発生し得る位置である。マージする際に、危険点座標と欠陥座標に座標の種類を示す情報を付加するが、ここでは特に属性と呼ぶ。そして,ステージの移動距離が短くなるように撮像順序の並び替えを行うS309。なお,ウェハアライメントS303~フォーカスマップ推定S305の処理と,危険点座標読み込みS306~撮像順序設定S309の処理は並列に実行するようにしても良い。また,ファインアライメントS304とフォーカスマップ推定S305はレシピに応じて実行の有無を切り替えても良い。図3に戻り説明を続ける。撮像座標情報設定処理S308により設定された全ての座標点について,設定された撮像順序に従い欠陥レビューおよび危険点検査を行う。このとき,座標に設定された属性をもとに,シーケンスの切り替えを行うS310。つまり,座標の属性が検出欠陥であった場合には,欠陥レビューのシーケンスを実行するS311。属性が危険点であった場合には危険点検査のシーケンスを実行するS312。また,欠陥レビュー,危険点検査に関するレシピに記憶された撮像条件例えばプローブ電流や加速電圧などと現在の撮像条件が一致していない場合にはシーケンス実行前に撮像条件の切り替えを行う。全ての座標について処理が終了した後,危険点座標候補の抽出S313を行う。そして,欠陥レビューの結果と危険点検査の結果を集計するS314。例えば,欠陥種ごとに発生頻度やウェハ面内での発生傾向を集計する。最後に,ウェハをアンロードS315して終了する。図4を用いて比較検査を用いた欠陥レビューのシーケンスを説明する。欠陥レビューでは欠陥の外観を観察するための観察用画像の撮像と,欠陥の発生原因や欠陥の種類に基づいた分類を行う。まず,比較検査に用いる参照画像が撮像できる位置に視野を移動するS401。具体的には前述のようにステージの移動とビームシフトを行う。そして,参照画像の撮像を行うS403。つぎに,検出欠陥座標が撮像できる位置に視野を移動しS404,欠陥画像の撮像を行うS405。そして,撮像した参照画像と欠陥画像を比較し,欠陥部位の再検出を行うS406。この結果,欠陥が検出された場合には,欠陥部位について観察用画像を撮像S407し,欠陥種ごとに分類S408する。以上は比較検査を用いた欠陥レビューのシーケンスを例に説明したが,特許文献2に記載されているような欠陥画像1枚から欠陥を再検出する方式を用いても良い。また,欠陥の再検出を行わずに検出欠陥座標をもとに観察用画像を撮像し,分類するようにしても良い。これらはレシピに記憶されたパラメータをもとに切り替え可能である。また,撮像した画像を記憶しておき,分類処理S408を後でまとめて行うようにしても良い。図5を用いて危険点検査のシーケンスを説明する。危険点検査では危険点の画像を撮像し,撮像された画像から欠陥部位を検出し,検出された各欠陥部位について欠陥種ごとに分類を行う。そのために,まず危険点の画像が撮像できる位置に視野を移動するS501。このとき,ステージ停止位置の測定誤差などにより,数十nm~数μm程度の位置ずれが生じる場合がある。そのため,位置決め用の画像を撮像S502し,予め登録された危険点座標との相対座標が既知なテンプレートパターンの位置を位置決め用画像の中から特定することで撮像位置の決定を行いS503,危険点の画像を撮像するS504。そして,画像から欠陥の検出S505と欠陥の分類を行うS506。なお,位置ずれが問題とならない場合には位置決め用画像撮像S502と撮像位置決めS503は行わなくても良い。これはレシピに記憶されたパラメータをもとに切り替え可能である。また,撮像した危険点の画像を記憶しておき,欠陥の検出S505,分類S506を後でまとめて行うようにしても良い。次に,撮像座標情報設定S308について説明する。本処理は入力された検出欠陥座標と危険点座標を属性を付加した上でマージする処理である。検出欠陥座標は検査装置により検出された欠陥座標である。なお,入力となる検出欠陥座標は予めサンプリングした結果であっても良いし,入力された検出欠陥座標をサンプリングしてからマージするようにしても良い。危険点座標はシステマティック欠陥が発生しやすい箇所など,ユーザが検査を所望する危険点の座標である。一般的に,危険点はチップ座標系で指定される場合が多い。図6は半導体ウェハ上のチップ601とウェハ602を表したものである。チップ座標系とはチップ上の一点を原点とした座標系であり,ウェハ座標系とはウェハ上の一点を原点とした座標系である。通常,ウェハにはチップが複数レイアウトされており,位置u,vにあるチップにおける,チップ座標cx,cyとウェハ座標x,yの関係は数1で表され,相互の変換は容易に行える。ただし,W,Hは1チップの幅と高さ,ox,oyはオフセットを表す。図7はチップ座標系で入力されたm個の危険点座標cxi,cyii=1~mと,検査対象として指定されたk個のチップをもとにウェハ座標系での危険点座標xij,yiji=1~m,j=1~kを算出した結果例を表している。撮像座標情報設定S308の説明に戻る。前述の方法により危険点座標をウェハ座標系に変換した後,検出欠陥座標とマージする。この際,検出欠陥座標と危険点座標の区別が着くように属性を付加する。撮像順序設定S309では,マージされた座標について,ステージの移動時間が短くなるように撮像順序を並び替える。ステージの移動時間とは、ステージの移動距離によって発生するものであり、ステージの移動時間はステージの移動距離を含む。一般的にステージの移動は時間を要するため,ステージの移動時間が短くなればスループット向上効果が生まれる。ただし,この問題は組み合わせ最適化問題であり,座標点数が多くなると移動時間が最短になる最適解を実用的な時間内で探索することが困難となる。そのため,焼きなまし法SimulatedAnneling法などを用いて順最適解を求めても良い。また,複数点の撮像座標がビームシフトにより移動できる範囲内にある場合,ステージの移動座標をマージし,ビームシフトにより視野移動するようにしても良い。また,危険点座標と検出欠陥座標を撮像する際の撮像条件例えば,プローブ電流や加速電圧などが異なる場合,切り替えに要する時間を座標間の移動時間に含めるようにして組み合わせ最適化問題を解いても良い。つまり,属性が同じ座標間の移動時間はステージ移動に要する時間のみとし,属性が異なる座標間の移動時間はステージ移動に要する時間に加え,撮像時間の切り替えに要する時間を含めるようにする。ただし,ステージ移動と撮像条件の切り替えを並列に行うことができる場合は,長い方の時間を移動時間とする。これにより撮像条件の切り替え時間を考慮した上で移動順序を決定することが可能となり,全体の撮像時間を短縮することが可能となる。図8はN点の検出欠陥座標と,M点の危険点座標について撮像順序を設定した結果例である。図8ではi番目の撮像座標点x2,y2とi1番目の撮像座標点xN1,yN1がビームシフトにより移動できる範囲内である場合を例に,ステージの移動座標をxi’,yi’に共通化した結果を示している。次に,危険点座標候補の抽出S313について,まず本機能を用いてウェハ上の危険点を抽出する全体の流れを図9を用いて説明した後,本処理の処理内容について図10を用いて説明する。まず,図9を用いてウェハ上の危険点を抽出する流れについて説明する。検査対象となる複数枚のウェハのうち1枚目については感度を高めた上で検査装置により欠陥検査を行う。この結果,検出欠陥座標901にはランダム欠陥とシステマティック欠陥および多量のニュイサンス欠陥が含まれることになる。ランダム欠陥とは、発生頻度、欠陥の状態、欠陥の大きさにばらつきがあり発生箇所が予測できないものである。システマティック欠陥とは、発生しやすい箇所が回路パターンなどに起因するため一定であることが多い。しかし、システマティック欠陥は発生しないこともあり、ランダム欠陥に比べてパターン状態が欠陥であるか否かの判断が困難である。ニュイサンス欠陥とは、光学式検査装置を微小な欠陥を検出可能な感度に設定することで、欠陥とはならない製造公差やノイズなどを大量に欠陥として検出してしまうことがあり、欠陥以外を誤検出したものである。また,予め設計情報やユーザの経験から抽出した危険点座標902を記憶しておく。そして,検出欠陥座標901と,記憶した危険点座標903を入力とし図3に示したフローにより欠陥レビューと危険点検査を行う。これにより,危険点座標候補904が出力される。ユーザは危険点座標候補の中から危険点905を判定しS906,危険点として追加記憶する。2枚目以降のウェハにおいては,欠陥検査装置の感度をニュイサンス欠陥の発生を低減し,ランダム欠陥を検出可能な感度に設定しても良い。この場合,検査結果907には微小なシステマティック欠陥の検出結果が含まれないことになるが,1枚目のウェハから抽出した危険点を含む危険点908を検査することが可能となるため,ランダム欠陥の観察と,システマティック欠陥の検査を高効率かつ高キャプチャレートで行うことが可能となる。なお,危険点候補の判定は1枚目のウェハについてのみ行わなくてもよく,適当なタイミングで行っても良いS909。図10を用いて,危険点座標候補抽出S313の処理内容について説明する。本処理は欠陥レビューのシーケンスにおいて収集した画像の中からシステマティック欠陥の候補を抽出する処理である。危険点検査のシーケンスで収集した画像と同様の回路パターンが形成され,同種の欠陥が発生している画像であればシステマティック欠陥と判定する。そのために,まずチップ座標でm箇所ある危険点画像のうちp番目の画像を読み込むS1002。ここで,例えばメモリセル部内の危険点においては同一の回路パターンが形成されているため新たな危険点候補を抽出しなくて良い場合がある。そのため,欠陥レビュー画像との比較を行うか否かの判定を行うS1009。欠陥レビュー画像との比較を行うか否かは各危険点についてユーザが指定する様にしても良いし,撮像した画像から回路パターンの繰り返し周期性を判定し,周期性がある場合には比較しないようにしても良い。次に,N箇所で撮像した欠陥レビュー画像からt番目の欠陥画像を読み込むS1004。危険点画像と欠陥画像は撮像倍率などの撮像条件が異なる場合があるため,画像の比較を行いやすくするため撮像条件の違いを吸収するように画像を加工するS1005。合わせ込みが必要となる場合の例を図11を用いて説明する。図11aは危険点検査における画像の撮像視野1101と欠陥レビューにおける欠陥画像の撮像視野1102,観察用画像の撮像視野1103の関係の例を示している。また,図11bは撮像した危険点画像,図11cは欠陥画像を表している。この例では危険点画像は1000x1000画素となるように撮像し,欠陥画像は500x500画素となるように撮像した場合を示している。撮像視野や画像サイズはレシピによりそれぞれ個別に設定可能なため,画像の拡大縮小や切抜きなどの加工を行い,撮像条件の違いを吸収する。なお,ノイズ除去や超解像処理などの加工を行っても良い。図10に戻り説明を続ける。画像の合わせ込みが完了した後,危険点画像と欠陥画像の一致度を算出するS1006。一致度の算出には例えば正規化相関値を用いればよい。また,画像から回路パターンおよび欠陥の輪郭線を検出し,輪郭線の一致度を算出するようにしても良い。また,欠陥レビューにおける欠陥分類S408と危険点検査における欠陥分類S506の分類結果を考慮して算出するようにしても良い。たとえば,分類結果が同じ場合,一致度が高くなるようにしても良い。また,異物として分類された欠陥は一致度が低くなるようにしても良い。そして,算出した一致度と予め設定したしきい値を比較しS1007,しきい値以上の場合は欠陥画像を撮像した座標を危険点座標の候補として出力する。以上のS1004~S1008を全ての欠陥画像に対して行いS1003,S1002~S1008を全ての危険点画像に対して行うS1001。なお,S1002で読み込む危険点画像は,チップ座標pに関する複数枚の危険点画像図7で示したところのウェハ座標xpj,ypjj=1~kの危険点画像から合成したものでも良い。また,S1004にて読み込む画像は欠陥画像ではなく参照画像でも良いし,欠陥画像から合成した参照画像でも良い。以降では本発明にかかるユーザインターフェースに関して説明する。図12に欠陥レビューと危険点検査を行うレシピの設定に関わるユーザインターフェースの一例を示す。本インターフェースでは,ウェハアライメントとファインアライメントに関するパラメータ設定インターフェースを呼び出すボタン1201,フォーカスマップ推定に関するパラメータ設定インターフェースを呼び出すボタン1202を備える。また,対象ウェハを検査装置で検査した結果が記憶されている場所を指定するボタン1203,欠陥レビューに関するパラメータ設定インターフェースを呼び出すボタン1204を備える。また,危険点座標を編集するインターフェース後述を呼び出すボタン1205,危険点検査に関するパラメータ設定インターフェースを呼び出すボタン1206を備える。また,設定された検出欠陥座標と危険点座標を読み込んだ結果をウェハマップ上にプロットして表示するインターフェース1207,撮像座標と付加された属性をリスト表示するインターフェース1208を備える。また,作成したレシピを保存するボタン1209,レシピを実行するボタン1210,実行後に危険点候補を確認するインターフェースを呼び出すボタン1211を備える。危険点座標を編集するインターフェースの一例を図13に示す。本インターフェースはレシピ設定に関わるインターフェースの危険点座標編集ボタン1205より呼び出される。本インターフェースでは,登録されている危険点のチップ座標一覧を表示するインターフェース1301,新たな危険点を登録するインターフェースを呼び出すボタン1302,登録された危険点を修正するインターフェースを呼び出すボタン1303,登録された危険点を削除するボタン1304を備える。また,選択された危険点を撮像するチップを選択するインターフェース1305,登録された危険点の画像とそれに関連した情報を表示するインターフェース1306,撮像する危険点のウェハ座標一覧を表示するインターフェース1307を備える。また,以前に登録した危険点の一覧を読み込むボタン1309,登録した危険点の一覧を名前をつけて保存するボタン1310,危険点座標の編集を取り消すボタン1311を備える。危険点の登録に関するインターフェースの一例を図14に示す。本インターフェースは危険点座標を編集するインターフェースの追加ボタン1302もしくは修正ボタン1303より呼び出される。本インターフェースでは危険点に任意の名前を入力するインターフェース1401,危険点の座標を入力するインターフェース1402,入力された危険点の座標にステージを移動させるボタン1403,アドレッシング用座標を入力するインターフェース1404,アドレッシング用座標にステージを移動するインターフェース1405,危険点の画像を表示するインターフェース1406,危険点を登録するボタン1407,アドレッシング用の画像を表示するインターフェース1408,アドレッシング用の画像を登録するボタン1409を備える。また,S1009において欠陥レビュー結果との比較に用いるか否かを指定するインターフェース1410を備える。また,登録作業を完了するボタン1411,登録作業を中断するボタン1412を備える。抽出された危険点の候補を確認するインターフェースを図15に示す。本インターフェースはレシピ設定に関わるインターフェースの危険点候補確認ボタン1211より呼び出される。本インターフェースは危険点候補および危険点の座標をマッピングして表示するインターフェース1501,マッピング方法を切り替えるインターフェース1502,抽出された危険点候補の一覧をリスト表示するインターフェース1503,登録されている危険点の一覧をリスト表示するインターフェース1504,選択された危険点候補に関する画像や対応する設計情報を表示するインターフェース1505を備える。また,選択された危険点候補を危険点として追加するボタン1506,登録された危険点を削除するボタン1507を備える。また,確認作業を完了するボタン1508,作業を中断するボタン1509を備える。本インターフェースを用いることにより,ユーザはチップ内における危険点を把握することが可能となる。また,危険点候補をマッピングして表示する方法としては,図16に示すように,チップ座標毎の危険点の抽出頻度をグラフで表示するようにしても良い図16a。これにより多くのチップで発生している危険点候補を把握することが容易となる。また,ウェハマップと表示しても良い図16b。これによりウェハ面内で危険点候補が抽出されるチップの分布が把握可能となり,検査対象となるチップを決定する際の指針を得ることが可能となる。欠陥レビューおよび危険点検査を行った結果の出力例を図17に示す。欠陥種ごとの発生頻度を表示することや図17a,欠陥種ごとのウェハ面内での発生傾向を表示すること図17bなどが可能である。以上説明したように,欠陥レビューおよび危険点の検査を行う際に,検出欠陥座標と危険点座標を属性を付加した上でマージし,ステージの移動距離が短くなるように撮像順序を設定し,座標に付加された属性に応じてシーケンスを切り替えながら撮像を行うことで,ウェハアライメントやフォーカスマップ推定のシーケンスを共通化でき,ステージ移動時間を削減できるため,効率的に欠陥レビューと危険点検査を行うことが可能となる。また,欠陥レビュー結果から,危険点検査により取得した画像と一致度の高い画像を探索し,危険点候補を抽出することで,ユーザはシステマティック欠陥が発生しやすい箇所を把握することが可能となる。そのため本発明を用いることにより,ユーザは欠陥種ごとの発生頻度や,ウェハ面内での発生傾向を従来よりも高精度かつ迅速に把握することが可能となり,プロセス改善指針を決定するための指針を迅速に得ることが可能となる。図18は本発明に係る検査フローを示したものである。危険点座標と、検査装置が出力した検査情報を入力するS1801。次に,検査情報に含まれる各欠陥点に対応する参照点の座標を算出するS1808。危険点座標と検査情報に座標の種類を示す情報を付加してマージするS1802。次に、撮像順序の並び替えを行いS1803、撮像順序に従って欠陥の検査を行うS1804。全検査座標の検査を終了したかを確認しS1805、検査結果を出力しS1806、検査を終了するS1807。特に実施例2では、座標の種類を示す情報について述べる。S1801において、危険点座標はユーザが経験的に判断し決定した座標を入力してもよい。検査装置が出力した検査結果を基に、危険点を算出して、検査情報に反映させてもよい。あるいは半導体ウェハの設計データを基にして、危険点の予測を行ったものを入力してもよい。S1808において、参照点の座標を算出するには、欠陥点と同じ回路パターンが形成されるように設計された座標を算出すればよい。最も簡単な方法としては、欠陥点が存在するダイに隣接したダイにおける欠陥点に対応した座標を算出すればよい。つまり、欠陥点の座標に対してチップサイズ分の寸法を加算もしくは減算すればよい。また、隣接するダイである必要は無く、入力された危険点座標もしくは欠陥点座標もしくは既に算出された参照点座標の近くで撮像されるようにウェハ上の参照点座標を算出しても良い。以上のように算出した参照座標点については、後述のS1802において参照の属性を付加し,付帯情報として対応する欠陥点へのリンク情報を格納する。S1802において、危険点座標と検査情報をマージすることについて図19を用いて説明する。座標の種類を示す情報とは、欠陥の状態または種類の情報、欠陥検査時の検査座標の情報、検査方法の情報等である。実施例2において、座標の種類を示す情報は、属性と、必要であれば欠陥を示す番号や名前、図19のように付帯情報を付加したものを含む。前記付帯情報とは、欠陥の検査を支援するための情報、参照画像を用いた検査に対応する欠陥点へのリンク情報、欠陥の状態を示す情報、欠陥の発生確率等の情報等である。S1803において、撮像順序の決定方法は、実施例1と同様に行う。あるいは、検査座標の属性だけでなく、参照座標までのステージの移動時間も考慮して、検査時間が短くなるように撮像順序を決定してもよい。S1804において、欠陥検査ステップについて図20を用いて説明する。図19に示されるように属性が欠陥の場合には、検査座標の欠陥画像を撮像し,撮像した画像から欠陥検出を行う。欠陥検出では、付帯情報を参照し、撮像した参照画像と比較検査することにより求めても良いし、例えばメモリセル部のように繰り返し周期性を有する場合には、欠陥画像から参照画像を合成し、比較検査を行っても良い。属性が参照の場合について述べる。参照座標までステージを移動し、参照画像の撮像を行う。属性が危険点の場合は、参照した危険点座標へステージを移動アドレッシングし、危険点座標を撮像し、欠陥検出を行う。つまり、座標の種類を示す情報を判断し、座標の種類に応じた検査シーケンスを切り替えながら欠陥検査を行う。以上説明したように,欠陥レビューおよび危険点の検査を行う際に,危険点座標と検査情報を座標の種類を示す情報を付加した上でマージし,撮像順序を決定し,座標の種類を示す情報のうち特に属性に応じてシーケンスを切り替えながら撮像を行うことで,ウェハアライメントやフォーカスマップ推定のシーケンスを共通化でき,ステージ移動時間を削減できるため,効率的に欠陥レビューと危険点検査を行うことが可能となる。また,欠陥レビュー結果から,危険点検査により取得した画像と一致度の高い画像を探索し,危険点候補を抽出することで,ユーザはシステマティック欠陥が発生しやすい箇所を把握することが可能となる。そのため本発明を用いることにより,ユーザは欠陥種ごとの発生頻度や,ウェハ面内での発生傾向を従来よりも高精度かつ迅速に把握することが可能となり,プロセス改善指針を決定するための指針を迅速に得ることが可能となる。"