"絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成されたショットキー電極とを有する紫外線受光素子。絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成されたショットキー電極とを有する紫外線受光素子。導電性基板と、前記導電性基板表面上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成された第1のショットキー電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成された第2のショットキー電極と、前記導電性基板裏面に形成されたオーミック電極とを有する紫外線受光素子。絶縁性基板を準備する工程と、前記絶縁性基板上方に、第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層を形成する工程と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有する第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層を形成する工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部をエッチングして、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部を露出させる工程と、前記露出させた第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部上に、オーミック電極を形成する工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に、ショットキー電極を形成する工程とを有する紫外線受光素子の製造方法。絶縁性基板を準備する工程と、前記絶縁性基板上方に、第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層を形成する工程と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有する第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層を形成する工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部をエッチングして、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部を露出させる工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に、オーミック電極を形成する工程と、前記露出させた第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部上に、ショットキー電極を形成する工程とを有する紫外線受光素子の製造方法。導電性基板を準備する工程と、前記導電性基板表面上方に、第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層を形成する工程と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有する第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層を形成する工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部をエッチングして、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部を露出させる工程と、前記露出させた第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層の一部上に、第1のショットキー電極を形成する工程と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に、第2のショットキー電極を形成する工程と、前記導電性基板裏面に、オーミック電極を形成する工程とを有する紫外線受光素子の製造方法。本発明の目的は、紫外線受光素子の製造を容易にすることである。本発明の他の目的は、ワイヤーボンディング用金属電極の有機物電極からの剥離が抑制された新規な構造の紫外線受光素子、及びその製造方法を提供することである。本発明の一観点によれば、紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成されたショットキー電極とを有する。また、本発明の他の観点によれば、紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成されたオーミック電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成されたショットキー電極とを有する。また、本発明の他の観点によれば、紫外線受光素子は、導電性基板と、前記導電性基板表面上方に形成された第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層と、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成され、前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層のMg組成xよりも低いMg組成yを有し、一部が前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上から除去されている第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層の一部が除去された部分から露出している前記第1のMgxZn1-xO0<x≦0.6層上に形成された第1のショットキー電極と、前記第2のMgyZn1-yO0≦y<0.6層上に形成された第2のショットキー電極と、前記導電性基板裏面に形成されたオーミック電極とを有する。本発明によれば、紫外線受光素子の製造を容易にすることができる。また、本発明によれば、ワイヤーボンディング用金属電極が、有機物電極と絶縁層とにまたがるように形成されていることにより、ワイヤーボンディング用金属電極の剥離が抑制される。図1Aは、基板上に積層されるMgxZn1-xO層のMg組成xとエッチング速度との関係を示すグラフである。エッチャントとして、王水HNO3:HCl=1:3を用いた場合、及びEDTA2Naエチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウムEDAエチレンジアミン101混合溶液pH10.6を用いた場合の、単結晶基板のC面上に積層されるMgxZn1-xO層のMg組成xとエッチング速度との関係をそれぞれ示している。エッチャントとして、EDTA2NaEDA101混合溶液pH10.6を用いた場合のエッチング速度は、Mg組成MgxZn1-xOのxが0では、10nm/min以上であるのに対して、Mg組成が0.2では0.1nm/min以下となり、Mg組成が0.4では0.01nm/min以下となっており、Mg組成が増加すると、エッチング速度が減少することがわかる。また、エッチャントとして、王水HNO3:HCl=1:3を用いた場合のエッチング速度は、Mg組成MgxZn1-xOのxが0では、100nm/min以上であるのに対して、Mg組成が0.2では10nm/min以下となり、Mg組成が0.4では1nm/min以下となっており、Mg組成が増加すると、エッチング速度が減少することがわかる。図1Bは、ZnOとMgOの物性をまとめた表である。ZnOは、結晶構造が六方晶hexagonalで、格子定数がa軸で0.324982nm、c軸で0.520661nmであり、バンドギャップ3.37eV、分子量81.41g/mol、密度5.67g/cm3、融点1975°C、結合エネルギー284kJ/molである。MgOは、結晶構造が立方晶cubicで、格子定数がa=0.4213nmであり、バンドギャップ7.8eV、分子量40.32g/mol、密度3.585g/cm3、融点3250°C、結合エネルギー3964kJ/molである。このように、MgOの結合エネルギーは、ZnOに比べ10倍以上高く、融点も非常に高い。すなわち化学的に安定な物質と言える。このことから、ZnOとMgOの混晶であるMgZnO結晶は、Mg組成が高くなるに従い、化学的な安定性が向上し、エッチャントが酸であるかアルカリであるかにかかわらずエッチング速度が減少したものと推察される。以上のことから、基板上にMgxZn1-xO層を積層する際に、下地によりMg組成xの高いMgxZn1xO層を形成し、その上に当該下地層よりもMg組成xの低いMgxZn1xO層を形成することにより、下地MgxZn1xO層がエッチング処理におけるストッパー層として機能する。なお、Mg組成xを明示したMgxZn1-xOは、0≦x<0.6のときはウルツ鉱構造となり、0.6≦x≦1のときは岩塩構造となる。なお、Mg組成xが0のMgxZn1-xOはZnOを表す。なお、ウルツ鉱構造のMgxZn1-xOにおいて、Mg組成xを0から0.6まで大きくすると、エネルギーギャップは3.3eV波長376nmから4.4eV波長282nmまで大きくなる。また、岩塩構造のMgxZn1-xOにおいて、Mg組成xを0.6から1.0まで大きくすると、エネルギーギャップは5.4eV波長230nmから7.8eV波長159nmまで大きくなる。エネルギーギャップが大きくなることにより、受光感度波長が短波長側へシフトする。これを利用することにより波長選択が可能となる。太陽光の紫外線は、UV-A320~400nm、UV‐B280~320nm、及びUV-C280nm以下に分類されるが、UV-Cはオゾン層で吸収されて地表まで届かないので、通常の紫外線は、実質的にUV-AとUV‐Bである。UV-Cは、例えば火炎等のみに含まれることになる。なお、エネルギーギャップの大きな岩塩構造のMgxZn1-xOを使用することにより、短波長のUV-C280nm以下だけを検知する事が可能となる。従って、例えば、UV-Cを含む炎を検知するための火炎センサとして使用可能となる。以下、Mg組成xの高いMgxZn1xO層をストッパー層として機能させるZnO系紫外線受光素子の積層構造の製造方法について実施例に沿って説明する。図2A~図3Cは、第1の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。第1の実施例では、絶縁性の単結晶基板上に、MBE法にて半導体層を成長させる。まず、図2Aに示すように、c面サファイア基板1上に、MgビームとOラジカルビームを同時照射して、MgO層2を厚さ約10nm成長させる。MgO層2の成長条件は、例えば、成長温度650°C、Mgフラックス0.05nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。MgO層2は、その上に成長させるZnO系半導体層をZn極性面c面で成長させる極性制御層となる。なお、無極性単結晶基板上方に成長させるZnO系半導体層の極性を、MgO層を介して制御する技術については、特開2005‐197410号公報の発明を実施するための最良の形態の項を参照する。次に、図2Bに示すように、MgO層2上に、Znビーム及びOラジカルビームを同時照射して、ZnOバッファー層3を厚さ約30nm成長させる。ZnOバッファー層3の成長条件は、例えば、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、OソースガンのO2流量2sccm/RFパワー300Wとする。ZnOバッファー層3の成長後、結晶性及び表面平坦性改善のため、900°C、30分のアニールを施す。続いて、図2Cに示すように、ZnOバッファー層3上に、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビーム、及びGaビーム又はAlビームを同時照射して、n型MgxZn1-xO0<x≦0.6、x>y層4を厚さ約1~4μm成長させる。n型MgZnO層4の成長条件は、例えば、成長温度850~1050°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0.02~0.15nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300W、Gaセル温度を350~420°Cとする。例えば、Gaセル温度380°Cの時、キャリア濃度は6×1017cm-3となり、400°Cの時、2×1018cm-3となる。なお、n型MgZnO層4のキャリア濃度は、オーミックコンタクトを形成する観点から下限値は1017cm-3以上が好ましく、結晶性の観点から上限値は5×1018cm-3以下が好ましい。次に、図2Dに示すように、n型MgZnO層4上に、Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを同時照射して、アンドープMgyZn1-yO0≦y<0.6、x>y層5を例えば厚さ約1~2μm成長させる。アンドープMgZnO層5の成長条件は、例えば、成長温度850~1050°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0~0.1nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300Wとする。なお、アンドープMgZnO層5のキャリア濃度は、ショットキー接合を形成する観点から1016cm-3以下が好ましい。第1の実施例による受光素子をUV-A用とする場合は、例えば、n型MgxZn1-xO層4のMg組成xを0.35、アンドープMgyZn1-yO層5のMg組成yを0に設定する。この場合のn型MgxZn1-xO層4の成長条件は、例えば、成長温度950°C、Znフラックス0.2nm/s、Mgフラックス0.02nm/s、OソースガンのO2流量1.0sccm/RFパワー250W、Gaセル温度380°Cである。また、アンドープMgyZn1-yO層5の成長条件は、例えば、成長温度900°C、Znフラックス0.2nm/s、Mgフラックス0nm/s、OソースガンのO2流量2.0sccm/RFパワー300Wである。また、第1の実施例による受光素子をUV-B用とする場合は、例えば、n型MgxZn1-xO層4のMg組成xを0.5、アンドープMgyZn1-yO層5のMg組成yを0.37に設定する。この場合のn型MgxZn1-xO層4の成長条件は、例えば、成長温度900°C、Znフラックス0.2nm/s、Mgフラックス0.03nm/s、OソースガンのO2流量1.0sccm/RFパワー250W、Gaセル温度380°Cである。また、アンドープMgyZn1-yO層5の成長条件は、例えば、成長温度900°C、Znフラックス0.2nm/s、Mgフラックス0.04nm/s、OソースガンのO2流量1.5sccm/RFパワー250Wである。なお、Mg組成は、Mgフラックス、Oラジカル量O2流量、RFパワーに依存するとともに、成長温度の高温側Zn付着係数にも影響を受ける。したがって、これらの条件を適宜選択することにより、所望のMg組成を得ることができる。例えば、Zn及びMgフラックス一定のもと、Oラジカル量を減らすO2流量を減らす、RFパワーを落とすことにより、Mg組成を高くすることが可能であり、Oラジカル量を増やすことにより、Mg組成を低くすることが可能である。あるいは、Znフラックス及びOラジカル量一定のもと、Mgフラックスを変化させてもよい。さらに、成長温度が900°CまではZnの付着係数が1であるが、950°C以上となるとZnの付着係数が減少していくため、同じフラックス条件においてもMg組成が高くなる。上述したように、下地層であるn型MgxZn1-xO0<x≦0.6層4のMg組成xは、その上に積層されるアンドープMgyZn1-yO0≦y<0.6層5のMg組成yよりも高く設定x>yされ、n型MgxZn1-xO層4は、後の図2Fに示すエッチング処理工程においてストッパー層として機能する。次に、図2Eに示すように、アンドープMgZnO層5上の所定領域に、レジストパターンRP11を形成する。レジストパターンRP11は、後の図3Bに示す工程で有機物電極8が形成される領域を覆う。この状態で、例えば、SiO2を全面にスパッタリングで厚さ300nm堆積し、レジストパターンRP11とともに不要部のSiO2を除去するリフトオフにより、絶縁層6を形成する。次に、図2Fに示すように、絶縁層6上及びアンドープMgZnO層5上の所定領域に、レジストパターンRP12を形成する。レジストパターンRP12は、後の工程でオーミック電極7が配置される領域を露出する開口を有する。レジストパターンRP12をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングでアンドープMgZnO層5をエッチングして、n型MgZnO層4を露出させる。この時、n型MgZnO層4は、エッチングのストッパー層として機能する。その後、レジストパターンRP12を除去して洗浄を行う。なお、酸性又はアルカリ性溶液としては、王水HNO3:HCl=1:3、HCl、HNO3、HF、EDTA溶液、バッファードHF、EDTA2NaEDA101混合溶液pH10.6等を用いることができる。その後、図3Aに示すように、図2Fの工程で露出したn型MgZnO層4の一部上に、オーミック電極7を形成する。オーミック電極7の形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層7aを形成し、Ti層7a上に例えば厚さ500nmのAu層7bを積層して、オーミック電極37を形成する。次に、図3Bに示すように、レジストパターンRP13を形成する。レジストパターンRP13は、図2Aの工程で絶縁層6が除去された領域のアンドープMgZnO層5を露出する開口を有する。この実施例では、レジストパターンRP13の縁が、図2Eの工程で絶縁層6が除去された領域の縁と整合している。続いて、UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンRP13とともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、有機物電極ショットキー電極8を形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。なお、有機物電極8の加熱処理には、真空乾燥炉、クリーンオーブン等を用いてもよい。PEDOT:PSSは、キャリアドーパント兼水分散剤としてポリスチレンスルホン酸PSSを含んだ、ポリチオフェン誘導体のポリ3,4‐エチレンジオキシチオフェンPEDOTである。PEDOT:PSSに、導電率増加剤として例えばジメチルスルホキシドDMSOを添加して使用することができる。有機物電極8は、アンドープMgZnO層5に対してショットキー電極を形成するとともに、紫外線透過性である。有機物電極8を透過してアンドープMgZnO層5に入射した紫外線により、光起電力が生じる。なお、このような半導体紫外線受光素子では、ショットキー電極を用いることにより、n型半導体層に比べて形成が難しいp型半導体を形成しなくてすむ。次に、図3Cに示すように、ワイヤーボンディング用金属電極9を形成する。ワイヤーボンディング用金属電極9は、絶縁層6と有機物電極8とにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極9と有機物電極8との剥離が抑制される。ワイヤーボンディング用金属電極9の形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層9aを形成し、Ti層9a上に例えば厚さ500nmのAu層9bを積層して、ワイヤーボンディング用金属電極9を形成する。Ti層9aが、絶縁層6との密着層として働く。このようにして、第1実施例による受光素子が作製される。その後、ダイボンディング及びワイヤーボンディングにより、受光素子をステム上に接合して、受光装置を作製することができる。図4A~図5Cは、第2の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。第2の実施例でも、第1の実施例と同様に絶縁性の単結晶基板上に、MBE法にて半導体層を成長させる。第1の実施例との主な相違点は、ZnOバッファー層3上に、アンドープMgxZn1-xO0<x≦0.6、x>y層24を形成し、その上に、アンドープMgZnO層24よりもMg組成が低いn型MgyZn1-yO0≦y<0.6層25を形成する点である。まず、c面サファイア基板1上に、例えば第1の実施例と同様な条件で、MgO層2及びZnOバッファー層3を成長させる。その後、図4Aに示すように、ZnOバッファー層3上に、Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを同時照射して、アンドープMgxZn1-xO0<x≦0.6、x>y層24を例えば厚さ約1~2μm成長させる。アンドープMgZnO層24の成長条件は、第1の実施例によるn型MgZnO層4と同様である。ただし、n型不純物はドーピングしない。続いて、図4Bに示すように、アンドープMgZnO層25上に、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビーム、及びGaビーム又はAlビームを同時照射して、n型MgyZn1-yO0≦y<0.6、x>y層25を厚さ約0.1~1μm成長させる。n型MgZnO層25の成長条件は、第1の実施例によるアンドープMgZnO層5と同様である。また、n型不純物をドーピングしてもよい。第2の実施例でも、第1の実施例と同様にアンドープMgZnO層24及びn型MgZnO層25のMg組成を調整することにより、UV-A用又はUV-B用のセンサを作製可能である。その後、図4Cに示すように、n型MgZnO層25上の所定領域に、レジストパターンRP21を形成する。レジストパターンRP21は、n型MgZnO層25を残す領域を覆う、すなわち、後の図4Eに示す工程で絶縁層6が形成される領域及び後の図5Bに示す工程で有機物電極8が形成される領域に開口を有する。レジストパターンRP21をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングでn型MgZnO層25をエッチングして、アンドープMgZnO層24を露出させる。この時、アンドープMgZnO層24は、エッチングのストッパー層として機能する。その後、レジストパターンRP21を除去して洗浄を行う。なお、エッチャントは、第1の実施例と同様のものが使用可能である。次に、図4Eに示すように、アンドープMgZnO層24上の所定領域及び残存したn型MgZnO層25を覆って、レジストパターンRP22を形成する。レジストパターンRP22は、後の図5Bに示す工程で有機物電極8が形成される領域を覆う。この状態で、例えば、SiO2を全面にスパッタリングで厚さ300nm堆積し、レジストパターンRP22とともに不要部のSiO2を除去するリフトオフにより、絶縁層6を形成する。その後、図5Aに示すように、図4Cの工程で残したn型MgZnO層25の一部上に、オーミック電極7を形成する。オーミック電極7の形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層7aを形成し、Ti層7a上に例えば厚さ500nmのAu層7bを積層して、オーミック電極37を形成する。次に、図5Bに示すように、レジストパターンRP23を形成する。レジストパターンRP23は、図4Cの工程でn型MgZnO層25が除去され、図4Eの工程で絶縁層6が除去された領域のアンドープMgZnO層24を露出する開口を有する。続いて、UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンRP23とともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、有機物電極ショットキー電極8を形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。その後、図3Cに示す工程と同様の工程で、図5Cに示すように、ワイヤーボンディング用金属電極9Ti層9a及びAu層9bを形成する。このようにして、第2実施例による受光素子が作製される。その後、ダイボンディング及びワイヤーボンディングにより、受光素子をステム上に接合して、受光装置を作製することができる。図6A~図7Bは、第3の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。第3の実施例による受光素子は、受光感度波長帯域の異なる二つの受光半導体層を有する。第3の実施例では、導電性の単結晶基板を成長基板として用いる。また、例えば、受光半導体層として、ウルツ鉱構造のZnO系半導体を用い、半導体層の成長方法としてMBE法を用いる。図6Aを参照する。Alが添加されたn型Zn面ZnO0001基板31上に、例えば第1の実施例と同様な条件で、ZnOバッファー層33を成長させアニールを行う。その後、ZnOバッファー層33上に、Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを同時照射して、アンドープMgxZn1-xO0.3≦x≦0.6、x>y層34を例えば厚さ約1~2μmを成長させる。アンドープMgZnO層34の成長条件は、例えば、成長温度850~1050°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0.02~0.15nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300Wである。ただし、Mg組成xが、後に積層されるアンドープMgyZn1-yO層35のMg組成yよりも高くなるように成長条件を設定する。本実施例では、アンドープMgxZn1-xO層34のMg組成xが0.37で、このときエネルギーギャップは4eV波長としては310nmとなるように成長条件を設定する。次に、図6Bに示すように、アンドープMgZnO層34上に、アンドープMgyZn1-yO0≦y<0.3、x>y層35を形成する。Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを同時照射して、アンドープMgyZn1-yO0≦y<0.3、x>y層35を例えば厚さ約1~2μm成長させる。アンドープMgZnO層35の成長条件は、例えば、成長温度850~1050°C、Znフラックス0.1~0.5nm/s、Mgフラックス0~0.06nm/s、OソースガンのO2流量1.0~3.0sccm/RFパワー200~300Wである。なお、Mg組成yが、アンドープMgZnO層34のMg組成xよりも低くなるように成長条件を設定する。なお、本実施例では、アンドープMgyZn1-yO層35のMg組成を0として、実質的にアンドープZnO層を形成する。したがって、アンドープMgZnOMg0Zn1O層35のエネルギーギャップは3.3eV波長としては376nmとなる。その後、図6Bに示すように、アンドープMgZnO層35上に、レジストパターンRP31を形成する。レジストパターンRP31は、受光半導体層としてアンドープMgZnO層35を用いる領域を覆い、受光半導体層としてアンドープMgZnO層34を用いる領域を露出する。続いて、図6Cに示すように、レジストパターンRP31をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングでアンドープMgZnO層35をエッチングして、アンドープMgZnO層34を露出させる。その後、レジストパターンRP31を除去する。この時、アンドープMgZnO層34は、エッチングのストッパー層として機能する。なお、エッチャントは、第1の実施例と同様のものが使用可能である。次に、図6Dに示すように、アンドープMgZnO層35及び露出したアンドープMgZnO層35上に、レジストパターンRP32を形成する。レジストパターンRP32は、後の工程で、アンドープMgZnO層34上に配置される有機物電極38Aの形成領域、及びアンドープMgZnO層35上に配置される有機物電極38Bの形成領域を覆う。この状態で、例えば、SiO2を全面にスパッタリングで厚さ300nm堆積し、レジストパターンRP32とともに不要部のSiO2を除去するリフトオフにより、絶縁層36を形成する。次に、図6Eに示すように、レジストパターンRP33を形成する。レジストパターンRP33は、アンドープMgZnO層34上の有機物電極38Aの形成領域、及び、アンドープMgZnO層35上の有機物電極38Bの形成領域をそれぞれ露出する開口を有する。UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンRP33とともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、アンドープMgZnO層34上に有機物電極38Aを、アンドープMgZnO層35上に有機物電極38Bを形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。次に、図7Aに示すように、アンドープMgZnO層34上方にワイヤーボンディング用金属電極39Aを形成するとともに、アンドープMgZnO層35上方にワイヤーボンディング用金属電極39Bを形成する。ワイヤーボンディング用金属電極39Aは、絶縁層36と有機物電極38Aとにまたがるように配置され、ワイヤーボンディング用金属電極39Bは、絶縁層36と有機物電極38Bとにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極39Aと有機物電極38Aとの剥離や、ワイヤーボンディング用金属電極39Bと有機物電極38Bとの剥離が抑制される。ワイヤーボンディング用金属電極39Aの形成領域、及びワイヤーボンディング用金属電極39Bの形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ50nmのTi層39aを形成し、Ti層39a上に例えば厚さ500nmのAu層39bを積層して、ワイヤーボンディング用金属電極39A及び39Bを形成する。本実施例では、アンドープMgZnO層34とアンドープMgZnO層35とにまたがって形成された部分の絶縁層36上に、ワイヤーボンディング用金属電極39A及び39Bを配置している。その後、図7Bに示すように、ZnO基板31の裏面上に、例えば厚さ10nmのTi層37aを形成し、Ti層37a上に例えば厚さ500nmのAu層37bを積層して、オーミック電極37を形成する。このようにして、第3の実施例による受光素子が作製される。第3の実施例による受光素子は、受光半導体層をアンドープMgZnO層34とする受光素子部分LSAと、受光半導体層をアンドープMgZnO層35とする受光素子部分LSBとを含む。ワイヤーボンディング用金属電極39Aが、有機物電極38Aを介して、アンドープMgZnO層34に電気的に接続され、ワイヤーボンディング用金属電極39Bが、有機物電極38Bを介して、アンドープMgZnO層35に電気的に接続されている。オーミック電極37が、アンドープMgZnO層34とアンドープMgZnO層35の両方に電気的に接続されて、両受光素子部分LSA及びLSBで共通である。その後、ダイボンディング及びワイヤーボンディングにより、第3の実施例による受光素子をステム上に接合して、第3の実施例による受光装置を作製することができる。第3実施例による受光素子は、例えば、日焼け対策のために太陽光の紫外線を測定する測定器に利用できる。上述のように、太陽光の紫外線は、実質的にUV-A320~400nmとUV‐B280~320nmである。受光半導体層をアンドープMgZnO層34とする受光素子部分LSAは、波長376nm以下の紫外線に受光感度があるので、UV-A320~400nm及びUV‐B280~320nmの測定に適する。一方、受光半導体層をアンドープMgZnO層35とする受光素子部分LSBは、例えばMg組成を0.37として波長310nm以下また例えばMg組成を0.31として波長320nm以下の紫外線に受光感度があるので、UV‐B280~320nmの測定に適する。受光素子部分LSAで測定された光電流から、受光素子部分LSBで測定された光電流を差し引くことにより、UV-Aの強さも見積もることができる。このように、ある受光半導体層の一部上に、この受光半導体層と同一結晶構造でエネルギーギャップの異なる他の受光半導体層をエピタキシャル成長させることにより、同一基板上に、受光感度波長帯域の異なる複数の受光素子部分を作ることができる。図8A~Dは、第4の実施例による受光素子の主要な製造工程を示す概略断面図である。第4の実施例でも、第1及び第2の実施例と同様に絶縁性の成長基板上に、MBE法にて半導体層を成長させる。第1の実施例との主な相違点は、ワイヤーボンディング用電極が絶縁性基板上に形成されている点である。まず、第1の実施例と同様な条件で、図8Aに示すように、c面サファイア基板1上に、MgO層42を成長させ、MgO層42上にZnOバッファー層43を成長させアニールを行い、ZnOバッファー層43上にn型MgZnO層44を成長させ、n型MgZnO層44上にアンドープMgZnO層45を成長させる。MgO層42上方のZnO系半導体層は、Zn面で成長する。なお、第4の実施例でも、第1の実施例と同様に、下地層であるn型MgxZn1-xO0<x≦0.6層44のMg組成xは、その上に積層されるアンドープMgyZn1-yO0≦y<0.6層45のMg組成yよりも高く設定x>yされ、n型MgxZn1-xO層44は、後の図8Aに示すエッチング処理工程においてストッパー層として機能する。その後、図8Aに示すように、アンドープMgZnO層45上に、レジストパターンRP41を形成する。レジストパターンRP41は、後の工程でオーミック電極47Oが配置される領域を露出する開口を有する。レジストパターンRP41をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングでアンドープMgZnO層45をエッチングして、n型MgZnO層44を露出させる。この時、n型MgZnO層44は、エッチングのストッパー層として機能する。なお、エッチャントは、第1の実施例と同様のものが使用可能である。その後、レジストパターンRP41を除去して洗浄を行う。次に、図8Bに示すように、レジストパターンRP42を形成する。レジストパターンRP42は、後の工程で形成されるワイヤーボンディング用金属電極47Wにワイヤーボンディングが行われる領域を露出する開口を有する。レジストパターンRP42をマスクとして、酸性又はアルカリ性溶液でアンドープMgZnO層45、n型MgZnO層44、ZnOバッファー層43、及びMgO層42をエッチングして、サファイア基板41を露出させる。エッチャントは図8Aに示すエッチング工程と同様のものが使用可能である。また、ドライエッチングを用いてもよい。その後、レジストパターンRP42を除去して洗浄を行う。次に、図8Cに示すように、レジストパターンRP43を形成する。レジストパターンRP43は、有機物電極48の形成領域を露出する開口を有する。UVオゾン洗浄を行った後、導電率増加剤を添加したPEDOT:PSSを、スピンコートにより加熱処理後の厚さで例えば厚さ30nm塗布する。レジストパターンRP43とともに不要部のPEDOT:PSSを除去するリフトオフにより、有機物電極48を形成する。リフトオフ後、ホットプレートにより例えば200°C、20分の加熱処理を施す。有機物電極48は、アンドープMgZnO層45の上面と、アンドープMgZnO層45、n型MgZnO層44、ZnOバッファー層43、及びMgO層42の積層側面とを覆い、積層側面を覆った部分の端が、図8Bのエッチング工程で露出したサファイア基板41上に達する。次に、図8Dに示すように、オーミック電極47O及びワイヤーボンディング用金属電極47Wを形成する。なお、後の工程でオーミック電極47Oもワイヤーボンディングされるが、ワイヤーボンディング用金属電極47Wの方を、単にワイヤーボンディング用金属電極47Wと呼ぶこととする。オーミック電極47Oの形成領域と、ワイヤーボンディング用金属電極47Wの形成領域に開口を有する金属マスクを用い、EB蒸着により、例えば厚さ10nmのTi層47aを形成し、Ti層47a上に例えば厚さ500nmのAu層47bを積層して、オーミック電極47O及びワイヤーボンディング用金属電極47Wを同時形成する。オーミック電極47Oは、図8Aのエッチング工程で露出したn型MgZnO層44上に形成される。ワイヤーボンディング用金属電極47Wは、アンドープMgZnO層45の上面上の有機物電極48の縁部と、アンドープMgZnO層45、n型MgZnO層44、ZnOバッファー層43、及びMgO層42の積層側面上の有機物電極48を覆い、さらに、図8Bのエッチング工程で露出したサファイア基板41を覆って形成される。ワイヤーボンディング用金属電極47Wは、有機物電極48上から、絶縁性下地であるサファイア基板41上に延在するように配置され、透光領域を確保するため有機物電極48の一部上を覆い、サファイア基板41の上方部分に、ワイヤーボンディング領域となる程度の広い面積を確保する。Ti層47aが、絶縁性下地であるサファイア基板41との密着層として働く。有機物電極48が、アンドープMgZnO層45の上面、及び、アンドープMgZnO層45、n型MgZnO層44、ZnOバッファー層43、及びMgO層42の積層側面を覆っているので、ワイヤーボンディング用金属電極47Wが導電性ZnO層43~45と接触する短絡が防止されている。このようにして、第4の実施例による受光素子が作製される。その後、ダイボンディング及びワイヤーボンディングにより、第4の実施例による受光素子をステム上に接合して、第4の実施例による受光装置を作製することができる。以上、本発明の第1~第3の実施例によれば、ワイヤーボンディング用金属電極が、絶縁層と有機物電極とにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極と有機物電極との剥離が抑制される。また、本発明の第4の実施例によれば、ワイヤーボンディング用金属電極が、サファイア基板と有機物電極とにまたがるように配置される。これにより、ワイヤーボンディング用金属電極と有機物電極との剥離が抑制される。また、本発明の実施例によれば、下地層であるMgxZn1-xO層のMg組成xを、その上に積層されるMgyZn1-yO層のMg組成yよりも高く設定するので、下地層であるMgxZn1-xO層は、後のエッチング処理工程においてストッパー層として機能する。よって、半導体積層構造及半導体紫外線受光素子の製造が容易になる。以上説明した実施例では、有機物電極PEDOT:PSSの導電率増加剤として、ジメチルスルホキシドDMSOを添加して使用したが、エチレングリコールや1‐メチル‐2‐ピロリドンNMPなどの非プロトン性極性溶媒を使用してもよい。また、有機物電極形成において、スピンコートによりPEDOT:PSSを塗布し、リフトオフしてパターン形成したが、スクリーン印刷用の導電性ポリマーを使用して、スクリーン印刷により直接パターン形成してもよい。スクリーン印刷用の導電性ポリマーもポリチオフェン誘導体から形成されている。なお、上述の実施例では、ショットキー電極を形成したが、これに限らない。また、ワイヤーボンディング用金属電極の形成される絶縁層として、SiO2を使用したが、例えば、SiON、Si3N4、Al2O3、MgOを使用してもよい。絶縁層形成方法として、スパッタリングを使用したが、例えば熱化学気相堆積CVD、プラズマCVD、低圧LPCVD等を用いてもよい。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。"