"立体的形状の基材と、前記基材の外面の少なくとも一部を覆うグラフェンと、を含むグラフェン構造物。前記基材は柱状であり、前記グラフェンは、前記基材の外周面を覆い包むことを特徴とする請求項1に記載のグラフェン構造物。前記基材は、ナノワイヤまたはナノロッドであることを特徴とする請求項2に記載のグラフェン構造物。前記基材は、ゲルマニウムから形成されるか、あるいはゲルマニウムが外面に塗布されたことを特徴とする請求項1ないし請求項3のうち、いずれか一項に記載のグラフェン構造物。中空の柱状に形成されたグラフェンを含むグラフェン構造物。第1支持層と、前記第1支持層上に形成された第1グラフェンと、前記第1グラフェン上に形成された第2支持層と、前記第2支持層上に形成された第2グラフェンと、を含むグラフェン構造物。前記第1支持層及び第2支持層は、ゲルマニウムから形成されるか、あるいはゲルマニウムが上面に塗布されたことを特徴とする請求項6に記載のグラフェン構造物。前記第1グラフェン及び第2グラフェンのうち少なくとも一つは、パターニングされたことを特徴とする請求項6または請求項7に記載のグラフェン構造物。前記第2グラフェン上に、第3支持層と第3グラフェンとが積層されて多層グラフェンをなすことを特徴とする請求項6ないし請求項8のうち、いずれか一項に記載のグラフェン構造物。前記多層グラフェン上に、多数の孔が形成されたことを特徴とする請求項9に記載のグラフェン構造物。第1グラフェンと、前記第1グラフェンの面に垂直方向に離隔された第2グラフェンと、前記第1グラフェンと前記第2グラフェンとを横切って、前記第1グラフェンと前記第2グラフェンとを支持する第3グラフェンと、を含むグラフェン構造物。少なくとも一面が第1ゲルマニウム層から形成された基材を設ける段階と、前記基材が配されたチャンバ内に炭素含有ガスを供給し、前記第1ゲルマニウム層上に第1グラフェンを成長させる段階と、を含み、前記第1ゲルマニウム層は、立体的形状を有し、前記第1グラフェンは、前記第1ゲルマニウム層の立体的形状の外形に沿って形成するグラフェン構造物の製造方法。前記基材は柱状であり、前記第1グラフェンを、前記基材の外周面に沿って形成することを特徴とする請求項12に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記基材は、ゲルマニウムから形成し、前記第1グラフェンを形成した後、前記基材を除去することを特徴とする請求項12または請求項13に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記少なくとも一面が、第1ゲルマニウム層から形成された基材を設ける段階は、ゲルマニウムと異なる物質から形成された基材を設ける段階と、前記基材の外面の少なくとも一部に、第1ゲルマニウム層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項12に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1ゲルマニウム層は、前記第1グラフェンを形成した後で除去することを特徴とする請求項15に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1ゲルマニウム層を所定パターンにパターニングし、前記第1グラフェンを、前記第1ゲルマニウム層のパターンに沿って成長させることを特徴とする請求項15または請求項16に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成し、前記第2ゲルマニウム層上に第2グラフェンを成長させる積層段階をさらに含むことを特徴とする請求項12ないし請求項17のうち、いずれか一項に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン上に、第2ゲルマニウム層を形成する段階は、前記第1グラフェン上に、ゲルマニウムと異なる物質で非ゲルマニウム層を形成する段階と、前記非ゲルマニウム層上に、第2ゲルマニウム層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項18に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記積層段階を反復的に遂行し、多層グラフェンを形成することを特徴とする請求項18または請求項19に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記多層グラフェンに複数の孔を形成し、前記複数の孔に機能性物質を充填させる段階を含むことを特徴とする請求項20に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン及び前記第2グラフェンを所定パターンにエッチングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項18ないし請求項22のうち、いずれか一項に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン及び前記第2グラフェンのエッチングされて露出された各エッジは、水素終結処理を行ったり、作用基処理を行うことを特徴とする請求項22に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン及び前記第2グラフェンのエッチングされて露出された側面に、第3グラフェンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項22に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェン及び前記第2グラフェンは、前記第3グラフェンを形成した後で除去されることを特徴とする請求項24に記載のグラフェン構造物の製造方法。前記第1グラフェンは、単原子層、二原子層または三原子層によって形成することを特徴とする請求項12ないし請求項25のうち、いずれか一項に記載のグラフェン構造物の製造方法。本発明は、グラフェンからなる多様な立体的形状のグラフェン構造物、及びかような立体的形状のグラフェン構造物を可能にする製造方法を提供するものである。一類型によるグラフェン構造物は、立体的形状の基材と、基材の外面の少なくとも一部を覆うグラフェンと、を含む。該基材は、柱状であり、該グラフェンは、基材の外周面を覆い包む構造である。該柱状は、例えば、円柱や多角柱である。該基材がナノサイズである場合、基材は、ナノワイヤやナノロッドであると理解することができる。該基材は、ゲルマニウムから形成されるか、あるいはゲルマニウムが外面に塗布されて形成される。該基材の外面にゲルマニウムが塗布された場合、基材自体は、ゲルマニウムでない他の物質から形成される。他の類型によるグラフェン構造物は、中空の柱状に形成されたグラフェンである。ゲルマニウムは容易に除去されうるので、基材をゲルマニウムから形成し、これを利用してグラフェンを形成した場合、ゲルマニウムを除去することによって、中空形状を具現することができる。さらに他の類型によるグラフェン構造物は、第1グラフェンと、第1グラフェン上に形成された支持層と、支持層上に形成された第2グラフェンとからなる。このとき、該支持層は、ゲルマニウムから形成されるか、あるいはゲルマニウムが上面に塗布されている。第1グラフェン及び第2グラフェンのうち少なくとも一つは、所定パターンにパターニングされる。かようなパターンは、グラフェン構造物の物性を変化させ、またはグラフェン構造物を回路として利用できるようにする。また、第2グラフェン上に、支持層/グラフェンが多層に積層され、グラフェン構造物は、多層構造を有することができる。規則的に反復する支持層/グラフェンの積層は、超格子superlattice構造であると理解することができる。支持層を形成する物質は、制限されるものではない。多層に積層された支持層/グラフェン上に、多数の孔が形成され、かような孔には、機能性物質が充填されうる。さらに他の類型によるグラフェン構造物は、第1グラフェンと、第1グラフェンの面に垂直方向に離隔された第2グラフェンと、第1グラフェンと第2グラフェンとを横切り、第1グラフェンと第2グラフェンとを支持する第3グラフェンと、を含むものである。このとき、第1グラフェン及び第2グラフェンのうち少なくとも一つは、所定パターンにパターニングされる。このように、グラフェンが立体的に連結した構造は、電子回路の配線や、電子素子の立体的構造を可能にする。一類型によるグラフェン構造物の製造方法は、少なくとも一面がゲルマニウム層から形成された基材を設ける段階と、基材が配されたチャンバ内に炭素含有ガスを供給し、ゲルマニウム層上にグラフェンを成長させる段階と、を含み、ゲルマニウム層は、立体的形状を有し、該グラフェンは、ゲルマニウム層の立体的形状の外形に沿って形成される。該基材をゲルマニウムから形成し、基材の外面をゲルマニウム層にすることができる。該基材は柱状に形成し、グラフェンを基材の外周面に沿って形成させることができる。該基材は、例えば、ゲルマニウムナノワイヤである。ゲルマニウムから形成された基材は、グラフェンを形成した後で除去することができる。一方、基材の外面の一部領域を、ゲルマニウムと異なる物質で塗布し、グラフェンが基材の外面の一部領域に形成されていないようにすることができる。少なくとも一面がゲルマニウム層から形成された基材を設ける段階は、ゲルマニウムと異なる物質から形成された基材を設ける段階と、基材の外面の少なくとも一部にゲルマニウム層を形成する段階と、を含む。該基材は柱状に形成し、該ゲルマニウム層は、基材の外周面に沿って形成され、グラフェンは、ゲルマニウム層の外周面に沿って形成される。該基材は、例えば、ナノワイヤまたはナノロッドである。該基材を形成する物質は、制限されるものではない。一方、該ゲルマニウム層は、グラフェンを形成した後で除去される。また、ゲルマニウム層を所定パターンにパターニングし、グラフェンをゲルマニウム層のパターンに沿って成長させることができる。該グラフェンを第1グラフェンとするとき、第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成し、第2ゲルマニウム層上に第2グラフェンを成長させることができる。第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成する前に、第1グラフェン上に、ゲルマニウムと異なる物質で非ゲルマニウム層をまず形成し、非ゲルマニウム層上に、第2ゲルマニウム層を形成することもできる。また、第2ゲルマニウム層を所定パターンにパターニングし、第2グラフェンを第2ゲルマニウム層のパターンに沿って成長させることができる。第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成し、第2ゲルマニウム層上に第2グラフェンを成長させる積層段階を反復的に遂行し、多層グラフェンを形成することもできる。多層グラフェンに複数の孔を形成することができる。かような複数の孔には、機能性物質を充填することができる。第1グラフェン及び第2グラフェンを所定パターンにエッチングすることができる。かようなエッチング段階で、第1グラフェン及び第2グラフェンそれぞれのエッジを側面に露出させることができる。第1グラフェン及び第2グラフェンそれぞれのエッジは、水素終結処理H-terminationを行ったり、作用基処理を行うことができる。または、第1グラフェン及び第2グラフェンの露出された側面に、第3グラフェンを形成することができる。第1ゲルマニウム層と第2ゲルマニウム層とを除去することができる。グラフェンは、単原子層、二原子層または三原子層によって形成することができる。グラフェンは、化学気相蒸着法で成長させることができる。他の類型によるグラフェン構造物の製造方法は、第1ゲルマニウム層を含む基材を設ける段階と、第1ゲルマニウム層上に第1グラフェンを成長させる段階と、第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成する段階と、第2ゲルマニウム層上に第2グラフェンを成長させる段階と、を含む。第1グラフェン上に第2ゲルマニウム層を形成する段階は、第1グラフェン上にゲルマニウムではない物質で非ゲルマニウム層を形成する段階と、非ゲルマニウム層上に第2ゲルマニウム層を形成する段階と、を含む。第1ゲルマニウム層及び第2ゲルマニウム層のうち、少なくとも1層は、所定パターンに形成されうる。第2ゲルマニウム層を形成する段階と、第2グラフェンを形成する段階と、を反復的に遂行し、多層グラフェンを形成することができる。第1グラフェン及び第2グラフェンをエッチングし、第1グラフェン及び第2グラフェンそれぞれのエッジを側面に露出させることができる。また、第1グラフェン及び第2グラフェンそれぞれのエッジは、水素終結処理を行ったり、作用基処理を行うことができる。第1グラフェン及び第2グラフェンの露出された側面に、第3グラフェンを形成することができる。第3グラフェンを形成した後、第1ゲルマニウム層と第2ゲルマニウム層とを除去することができる。本発明のグラフェン構造物の製造方法は、グラフェンを立体的形状に容易に具現することができる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の実施形態について詳細に説明する。図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を指し、各構成要素の大きさや厚みは、説明の明瞭性のために誇張されていることがある。本明細書で、グラフェンgrapheneという用語は、複数個の炭素原子が互いに共有結合によって連結され、二次元構造の炭素六角網面、すなわち、ハニカムhoneycomb構造の二次元薄膜を形成した多環芳香族分子を意味し、前記共有結合で連結された炭素原子は、基本反復単位として六員環を形成するが、五員環及び/または七員環をさらに含むことも可能である。従って、前記グラフェンは、互いに共有結合された炭素原子sp2hibridazationの単一層として見なされる。前記グラフェンは、多様な構造を有することができ、かような構造は、グラフェン内に含まれうる五員環及び/または7員環の含有量によって変わりうる。前記グラフェンは、単原子層からなりうるが、それらが何層か互いに積層されて複数の原子層を形成することも可能である。図1Aは、一実施形態によるグラフェン構造物graphenestructure100の概略的な斜視図である。図1Aを参照すれば、本実施形態のグラフェン構造物100は、柱rod状の基材template110と、基材110の外周面を取り囲むグラフェン150と、を含む。基材110は、柱状であり、その大きさやその形成材料には、制限がない。例えば、基材110は、ゲルマニウムナノワイヤやシリコンナノワイヤのようなナノワイヤまたはナノロッドを用いることができる。場合によっては、基材110は、数μmないし数mmの大きさまたはそれ以上の大きさを有することもある。本実施形態のグラフェン構造物100が、機能性物質の運搬体として使われる場合、基材110は、かような機能性物質を含むことができる。図1Aは、基材110は、円筒状である場合を図示しているが、これに限定されるものではない。図1Bないし図1Dに図示されているように、基材110は、多角形柱、球、多面体、それ以外の多様な立体的形状が可能である。グラフェン150は、基材110に密着していてもよいし、密着していなくともよい。たとえば、基材110がゲルマニウムGeから形成された場合、グラフェン150は、基材110上に形成されるので、グラフェン150は、基材110に密着している。場合によっては、基材110自体が除去され、中空のhollowグラフェンチューブのようなグラフェン150のみで、グラフェン構造物100を形成することもできる。グラフェン150が円筒状である場合、その外形は、炭素ナノチューブと類似しているが、その中に基材110が入っていることがあるという点で異なる。また、一般的な炭素ナノチューブは、多重壁炭素ナノチューブmultiwalledcarbonnanotubeでも、ほぼ100nm以内の直径を有するが、本実施形態のグラフェン構造物100は、その直径に制限がない。たとえば、本実施形態のグラフェン構造物100は、100nmないし1mmの直径に形成することができる。本実施形態のグラフェン構造物100は、100nm以下の直径にも形成することができることは、いうまでもない。また、グラフェン150は、基材110の形状に依存するので、図1Bに図示されているように、基材110が多角柱である場合、グラフェン150は、断面が多角形であるチューブ形状を有することになる。また、図1Cに図示されているように、基材110が円球である場合、グラフェン150は、球形シェルsphericalshell形状を有することもできる。また、図1Dに図示されているように、基材110が多面体である場合、グラフェン150は、多面体シェルpolyhedralshell形状を有することになる。前記のようなグラフェン構造物100は、グラフェン自体の物理的特性、化学的特性を利用した素子、センサ、機械的構造物などに利用され、また基材110の材料に制限がないので、所定の機能性物質を保護したり運搬するのに利用することもできる。図2Aないし図2Cは、図1のグラフェン構造物100の製造工程の一例を図示している。図2Aを参照すれば、まず、ゲルマニウムから形成された基材110を設ける。たとえば、基材110は、ゲルマニウムナノワイヤであるか、単結晶ゲルマニウム柱rodである。場合によっては、基材110は、図1Bないし図1Dに図示されているように、ゲルマニウムからなる多角形柱、球、多面体、それ以外の多様な立体的形状とすることができる。次に、図2Bを参照すれば、基材110の外周面に、グラフェン150を成長させる。ゲルマニウムを利用してグラフェンを形成する具体的な方法の一例は、本出願人によって出願された大韓民国特許出願第2010-0029509号に開示されている。一例として、図2Cに図示されているように、基材110をチャンバ190に入れて炭素含有ガスGを注入し、化学気相蒸着法で、基材110の外周面にグラフェン150を形成する。具体的には、炭素含有ガスとしては、CH4、C2H2、C2H4、COなどが使われる。グラフェン150の形成は、ほぼ200ないし1,100°C、チャンバ内総圧力0.1ないし760torrで、ほぼ10分~60分ほどかかる。ゲルマニウムは、炭素との共融温度eutectictemperatureが約937°Cと比較的高く、ゲルマニウム内炭素の固溶限界solubilitylimitは、約108atom/cm3と比較的低い。すなわち、炭素の溶解度がグラフェンの一般的な蒸着温度である700~850°Cから低いので、基材110の外周面、すなわち、ゲルマニウムから炭素が容易に析出され、単原子層のグラフェン150を容易に形成できる。場合によっては、蒸着条件を変化させ、グラフェン150を二原子層や三原子層によって形成することができ、それ以上の多原子層に形成することもできる。従来の化学気相蒸着方法を利用したグラフェン製造方法として、金属触媒を利用する方法が提示されているが、かような金属触媒を利用する方法は、金属触媒がグラフェン成長後に十分に除去されずにグラフェンに汚染を発生させたり、金属触媒の除去時に、グラフェンを損傷させるという問題を生じさせる。また、金属触媒の固溶限界が相対的に大きく、グラフェンを単原子層に形成させるのに困難さが多かった。しかし、本実施形態の製造方法によれば、金属触媒を使用していないので、残留する金属触媒による汚染や損傷が発生せず、グラフェンの単原子層を容易に形成できる。さらに、図2Cに図示されているように、ゲルマニウムからなる基材110を除去することができる。一般的に、ゲルマニウムは、水のような溶液に容易に溶解するので、グラフェン150が成長された基材110を水溶液に浸して基材110を除去することによって、純粋なグラフェン150だけのグラフェン構造物を形成することができる。前述のように、基材110の直径や長さは、制限されるものではないので、本実施形態の製造方法によって製造されたグラフェン150の直径や長さが、制限されるものではない。図3Aないし図3Dは、図1のグラフェン構造物100の製造工程の他の例を図示している。図3Aを参照すれば、まず基材112を準備する。基材112の材料は、制限されるものではない。一例として、基材112は、ガラス、サファイア、プラスチック、金属、シリコン、シリコン酸化物、化合物半導体、複合材料などから形成されうる。基材112は、ナノワイヤやナノロッドのようなナノ構造物であって、場合によっては、基材112は、数μmないし数mmの大きさまたはそれ以上の大きさを有することもできる。基材112は、図3Aに図示された円柱であり、それ以外に、多角形柱、球、多面体のような多様な立体的形状を有することができる。次に、図3Bを参照すれば、基材112の外周面に、ゲルマニウム115を蒸着させる。一例として、基材112をチャンバ190図2Cに入れ、ゲルマニウムを含むガス、例えば、GeH4またはGeCl4を注入し、化学気相蒸着法でゲルマニウム層115を形成することができる。蒸着温度は、ほぼ200ないし900°C、チャンバ内総圧力は、1ないし300Torrである。ゲルマニウム層115は、例えば、10nm厚ないし10μm厚に形成される。ゲルマニウム層115は、化学気相蒸着法以外にも、原子層蒸着法、スパッタリング、電子ビーム蒸着法などを使用して形成することもできる。ゲルマニウム層115は、単結晶または多結晶層でよい。次に、図3Cを参照すれば、ゲルマニウム層115の外周面に、グラフェン150を成長させる。ゲルマニウム層115を利用して、グラフェン150を形成する方法は、図2Bを参照して説明した形成方法と実質的に同一である。さらに、図3Dに図示されているように、ゲルマニウム層115を除去することによって、グラフェン150の内側に、基材112だけを残しておくことができる。この場合、グラフェン構造物は、基材112と、基材112を覆い包むグラフェン150とからなる。前述のように、基材112の材料には制限がないので、用途に合うように、基材112の材料を選択することができる。一方、図3B及び図3Cの工程を反復すれば、柱状の基材112の外周面に、ゲルマニウム層115とグラフェン150とが多層に取り囲む構造を形成することができる。また、形成されたゲルマニウム層115を除去すれば、柱状の基材112の外周面に、多層のグラフェン150が取り囲む構造を形成することができる。このとき、各層のグラフェン150は、ゲルマニウムを利用して形成するので、単原子層に形成することができる。場合によっては、各層のグラフェン150は、二原子層や三原子層などに形成することもできる。さらに、図3Cのようにグラフェン150を形成した後、ゲルマニウムではない他の物質によってグラフェン150の外面を塗布し、さらに図3B及び図3Cの工程を遂行することによって、円筒形のグラフェン150を複数重ねて形成しつつ、その間に非ゲルマニウム物質層を形成することができる。図4は、他の実施形態によるグラフェン構造物の概略的な断面図である。図4を参照すれば、本実施形態のグラフェン構造物200は、基板210に順次に形成された第1ゲルマニウム層220、第1グラフェン230、第2ゲルマニウム層240、第2グラフェン250、第3ゲルマニウム層260及び第3グラフェン270を含む積層構造を有する。基板210の材料は、制限されるものではない。もし基板210が、ゲルマニウムから形成された場合であるならば、第1ゲルマニウム層220は、省略されうる。第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270それぞれは、単原子層でよい。場合によっては、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270それぞれは、二原子層、三原子層またはそれ以上の多原子層でもよい。一般的にグラフェンは、二次元シート状に製造されるという点と対比してみるとき、本実施形態のグラフェン構造物200のように、グラフェンが積層された構造は、立体的形状であると理解することができる。一方、本実施形態のグラフェン構造物200は、3層グラフェンの積層構造を有する場合を例に挙げて説明しているが、2層グラフェン構造であったり、4層以上の多層グラフェン構造を有することができる。図5は、図4のグラフェン構造物の一変形例である。図5を参照すれば、本変形例のグラフェン構造物201は、図4のグラフェン構造物200で、第1ゲルマニウム層220,第2ゲルマニウム層240及び第3ゲルマニウム層260が除去され、基板210上に、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270だけ残った構造を有する。場合によっては、基板210も、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270から分離されうる。本変形例のグラフェン構造物201は、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270の層数でもって積層される原子層の層数が非常に正確に調節された構造である。図6は、図4のグラフェン構造物の他の変形例である。図6を参照すれば、本変形例のグラフェン構造物202は、図4のグラフェン構造物200に、さらに第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265が介在された構造を有する。第1非ゲルマニウム層225は、基板210と第1ゲルマニウム層220との間に介在し、第2非ゲルマニウム層245は、第1グラフェン230と第2ゲルマニウム層240との間に介在し、第3非ゲルマニウム層265は、第2グラフェン250と第3ゲルマニウム層260との間に介在する。後述する製造工程で説明するように、第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265は、グラフェンの形成と関係がないので、その形成物質に制限がない。第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265は、いずれも同じ物質から形成されうるが、場合によっては、互いに異なる物質から形成されることもある。かような第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265の物質は、例えば、ガラス、サファイア、プラスチック、金属、シリコン、シリコン酸化物、III-V族の化合物半導体、複合材料などでよい。図7は、図4のグラフェン構造物のさらに他の変形例である。図7を参照すれば、本変形例のグラフェン構造物203は、図6のグラフェン構造物202で、第1ゲルマニウム層220,第2ゲルマニウム層240及び第3ゲルマニウム層260が除去され、基板210上に、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270、並びに第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265のみ残った構造を有する。第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270と、第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265は、互いに交互に積層される多層構造を有するので、いわゆる、超格子superlattice構造であると理解することができる。前記のようなグラフェン構造物200,201,202,203は、一般的な半導体素子の構造と非常に類似した積層構造を有するので、グラフェンを利用した各種電子素子、光素子、エネルギー素子などに容易に適用することができる。図8Aないし図8Eは、図4または図5のグラフェン構造物の製造工程の一例を図示している。図8Aを参照すれば、基板210上に、第1ゲルマニウム層220を形成する。ゲルマニウム層220は、例えば、10nm厚ないし10μm厚に形成されうる。第1ゲルマニウム層220は、図3Bを参照して説明したように、基板210上に、化学気相蒸着法で形成することができる。第1ゲルマニウム層220は、化学気相蒸着法以外にも、原子層蒸着法、スパッタリング、電子ビーム蒸着法などを使用して形成することもできる。場合によっては、基板210自体がゲルマニウムから形成され、その場合、第1ゲルマニウム層220は、基板210の上部面であると理解することができる。次に、図8Bを参照すれば、第1ゲルマニウム層220の上部面に、第1グラフェン230を成長させる。第1ゲルマニウム層220を利用して、第1グラフェン230を形成する方法は、図2Bを参照して説明した形成方法と実質的に同一である。前記の通りに、ゲルマニウムを利用して、グラフェンを形成する工程は、反復してなされ、その結果、図8Cに図示されているように、基板210上に、第1ゲルマニウム層220、第1グラフェン230、第2ゲルマニウム層240、第2グラフェン250、第3ゲルマニウム層260及び第3グラフェン270が順次に積層され、多層グラフェンをなすことができる。従来に知られたグラフェン製造方法としては、グラフェンを形成した後、これを機械的方法または化学的方法で剥離させて利用する。しかし、本実施形態の製造方法によれば、グラフェンを直接に積層形成でき、従来の製造方法では具現し難かった多層グラフェン構造を具現することができる。一方、図8Dに図示されているように、第1ゲルマニウム層220,第2ゲルマニウム層240及び第3ゲルマニウム層260を除去することによって、図8Eに図示されているように、基板210上に、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270だけを残しておくことができる。この場合、グラフェン構造物は、基板210、並びに第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270だけからなる多層グラフェンになる。第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270それぞれは、単原子層によって形成されうるので、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270の層数を調節することによって、グラフェン構造物の原子層数を正確に調整することができる。必要によっては、第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270それぞれを、二原子層、三原子層またはそれ以上の多原子層によって形成できることは、いうまでもない。図9Aないし図9Eは、図6または図7のグラフェン構造物の製造工程の一例を図示している。図9Aを参照すれば、まず基板210上に、第1非ゲルマニウム層225を形成し、第1非ゲルマニウム層225上に、第1ゲルマニウム層220を形成する。第1非ゲルマニウム層225は、形成物質に制限がないが、ただしゲルマニウムではない物質から形成する。例えば、第1非ゲルマニウム層225の物質は、ガラス、サファイア、プラスチック、金属、シリコン、シリコン酸化物、III-V族の化合物半導体、複合材料などから形成することができ、形成物質によって、化学気相蒸着法、原子層蒸着法、スパッタリング、電子ビーム蒸着法などが利用できる。次に、図9Bを参照すれば、第1ゲルマニウム層220の上部面に、第1グラフェン230を成長させる。第1ゲルマニウム層220を利用して、第1グラフェン230を形成する方法は、図2Bを参照して説明した形成方法と実質的に同一である。前記の通りに、ゲルマニウムを利用してグラフェンを形成する工程は、反復してなされ、その結果、図9Cに図示されているように、基板210上に、第1非ゲルマニウム層225、第1ゲルマニウム層220、第1グラフェン230、第2非ゲルマニウム層245、第2ゲルマニウム層240、第2グラフェン250、第3非ゲルマニウム層265、第3ゲルマニウム層260及び第3グラフェン270が順次に積層されて多層グラフェンをなすことができる。このとき、第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265は、いずれも同じ物質から形成することができるが、場合によっては、互いに異なる物質から形成することもできる。一方、図9Dに図示されているように、第1ゲルマニウム層220,第2ゲルマニウム層240及び第3ゲルマニウム層260を除去することによって、図9Eに図示されているように、基板210上に第1グラフェン230,第2グラフェン250及び第3グラフェン270、並びにと第1非ゲルマニウム層225,第2非ゲルマニウム層245及び第3非ゲルマニウム層265が、互いに交互に積層された超格子構造を形成することができる。図10は、さらに他の実施形態によるグラフェン構造物300の概略的な断面図であり、図11Aないし図11Dは、図10のグラフェン構造物の製造工程の一例を図示している。図11Aを参照すれば、基板310上に、第1ゲルマニウム層320を所定のパターンに形成する。第2ゲルマニウム層320が形成されていない残りの領域325は、シリコンのように、グラフェンが成長しない物質で充填する。次に、図11Bを参照すれば、第1ゲルマニウム層320上には、第1グラフェン330を形成する。従って、第1グラフェン330のパターンは、第1ゲルマニウム層320のパターンと実質的に同一である。次に、図11Cを参照すれば、第1グラフェン330が形成された層上には、第2ゲルマニウム層340を所定のパターンに形成する。第2ゲルマニウム層340が形成されていない残りの領域345は、シリコンのように、グラフェンが成長しない物質で充填する。第1グラフェン330は、単原子層または数層の原子層からなるので、その厚みは、実質的に無視することができる。次に、図11Dを参照すれば、第2ゲルマニウム層340上に、第2グラフェン350を形成する。第2グラフェン350のパターンは、第2ゲルマニウム層340のパターンと実質的に同一である。同様に、第2グラフェン350が形成された層上に、第3ゲルマニウム層360図10と、第3グラフェン370図10とを順次に形成することができる。前記の通りに形成されたグラフェン構造物300は、図10に図示されているように、所定のパターンを有する第1グラフェン330,第1グラフェン350及び第3グラフェン370が積層された構造を有する。第1グラフェン330,第1グラフェン350及び第3グラフェン370それぞれが有するパターンは、所定の電子素子の機能を具現したり、あるいは配線回路を具現するのに利用されうる。本実施形態のグラフェン構造物300は、3層グラフェンの積層構造を有する場合を例に挙げて説明しているが、2層グラフェン構造であったり、4層以上の多層グラフェン構造を有することができる。図12は、さらに他の実施形態によるグラフェン構造物400の概略的な断面図である。本実施形態のグラフェン構造物400は、基板410上に、第1支持層ないし第4支持層420,440,460,480、並びに第1グラフェンないし第4グラフェン430,450,470,490が互いに交互に積層された積層柱状を有する。かような積層柱状は、図4を参照して説明したグラフェン構造物200や、図7を参照して説明したグラフェン構造物203の変形例であると理解することができる。すなわち、本実施形態のグラフェン構造物400は、前述の実施形態のグラフェン構造物200,203で、所定領域を除外した残りの領域をいずれもエッチング除去して形成したものであると理解することができる。第1グラフェンないし第4グラフェン430,450,470,490それぞれのエッジ430a,450a,470a490aは、外部に露出される。第1支持層ないし第4支持層420,440,460,480の形成物質には、制限がない。たとえば、図4を参照して説明したグラフェン構造物200でのように、第1支持層ないし第4支持層420,440,460,480は、ゲルマニウムから形成されうる。または、図7を参照して説明したグラフェン構造物203のように、ゲルマニウムではない物質から形成することもできる。外部に露出された第1グラフェンないし第4グラフェン430,450,470,490それぞれのエッジ430a,450a,470a,490aは、エッチングされて除かれた形態によって、アームチェア型であったり、ジグザグ型である形状を有することができる。かようなエッジ430a,450a,470aは、水素終結処理H-terminationを行ったり、所定の作用基を付着させることができる。図13は、さらに他の実施形態によるグラフェン構造物500の概略的な断面図である。本実施形態のグラフェン構造物500は、図4を参照して説明したグラフェン構造物200や、図7を参照して説明したグラフェン構造物203の変形例であると理解することができる。すなわち、本実施形態の構造物500は、基板510上に、第1支持層520,第2支持層540及び第3支持層560、並びに第1グラフェン530,第2グラフェン550及び第3グラフェン570が互いに交互に積層された多層グラフェン上に、多数の孔580が形成された多孔性porous多層グラフェン構造を有する。図13には、孔580の形状が円形であるように図示されているが、これに限定されるものではなく、場合によっては、多角形やそれ以外の所定パターンに形成されうる。孔580には、所定の機能性物質が注入されうる。たとえば、孔580が数nmないし数十nmの非常に小さいサイズを有する場合、孔580に量子点蛍光体のような物質が注入されうる。図14は、さらに他の実施形態によるグラフェン構造物600の概略的な斜視図であり、図15Aないし図15Dは、図14のグラフェン構造物の製造工程の一例を図示している。図15Aを参照すれば、基板610上に、第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660、並びに第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670が互いに交互に積層された多層グラフェンを準備する。かような多層グラフェンは、図4を参照して説明したグラフェン構造物200であると理解することができる。次に、図15Bを参照すれば、多層グラフェンを所定パターンにエッチングする。このとき、エッチングされた領域680の側面には、第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660の側面と、第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670それぞれのエッジとが露出される。次に、図15Cを参照すれば、エッチングされた領域680に露出された第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660の側面に、側面グラフェン690を形成する。側面グラフェン690は、エッチングされた領域680に露出された第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670それぞれのエッジと連結され、第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670と、側面グラフェン690とによって、立体的な形状が具現される。さらに、図15Dに図示されているように、第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660を除去することができる。このために、エッチングによって露出された第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660の側面のうち一部は、側面グラフェン690が形成されないようにする。このように、第1ゲルマニウム層620,第2ゲルマニウム層640及び第3ゲルマニウム層660を除去すれば、基板610上に、第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670、並びに側面グラフェン690のみの立体的構造物が具現されるのである。さらに、基板610も除去すれば、純粋なグラフェンだけの立体的構造物が具現されるのである。前記のような構造は、グラフェンによって立体的な形状を具現した一例である。側面グラフェン690を形成する領域を制限したり、第1グラフェン630,第2グラフェン650及び第3グラフェン670それぞれを所定のパターンに形成するなど、前述の実施形態の製造方法を共に適用することによって、多様な立体的形状が具現されうるのである。かような立体的な形状を有するグラフェンは、電子回路、電子素子、光素子、エネルギー素子などを立体的に具現するところに利用され、さらにナノサイズの機械的構造物を具現するのに利用することができる。本実施形態のグラフェン構造物600は、3層グラフェンの積層構造を有する場合を例に挙げて説明しているが、2層グラフェン構造であったり、4層以上の多層グラフェン構造を有することができることは、いうまでもない。前述の本発明であるグラフェン構造物及びその製造方法は、理解を助けるために図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決まるものである。"