"ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含み、互いに異なる分極率を有する複数の半導体層を含み、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に、デュアルデプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。前記複数の半導体層のうち分極率の小さい半導体層は、2DEG2-dimensionalelectrongasと2DHG2-dimensionalholegasとのうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記複数の半導体層は、上部物質層、中間物質層、下部物質層を含み、前記中間物質層の分極率が、前記上部物質層及び前記下部物質層の分極率と異なることを特徴とする請求項2に記載の高電子移動度トランジスタ。前記下部物質層が2DEGチャネルを、前記上部物質層が2DHGチャネルを含むことを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層が2DEGチャネルを、前記下部物質層が2DHGチャネルを含むことを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記中間物質層の前記上部物質層との界面に2DEGチャネルを、前記中間物質層の下部物質層との界面に2DHGチャネルを含むことを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記中間物質層の前記下部物質層との界面に2DEGチャネルを、前記中間物質層の前記上部物質層との界面に2DHGチャネルを含むことを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記中間物質層は、単一物質層あるいは複数物質層であることを特徴とする請求項3に記載の高電子移動度トランジスタ。前記複数の半導体層は、上部物質層、中間物質層及び下部物質層を含み、前記ゲート電極と前記ドレイン電極は、前記上部物質層上に存在して互いに離隔されていることを特徴とする請求項1に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ソース電極は、前記上部物質層上に存在することを特徴とする請求項9に記載の高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層は、2DHGチャネルを含み、前記ソース電極は前記2DHGチャネルと直接接触し、前記上部物質層の側面と直接接触していることを特徴とする請求項10に記載の高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層と前記ゲート電極との間に、絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の高電子移動度トランジスタ。下部物質層上に形成された中間物質層と、前記中間物質層上に存在する上部物質層及びドレイン電極と、前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか1層の上に形成されたゲート電極と、前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか1層の上に形成されたソース電極と、を含み、前記中間物質層の極性は、前記上部物質層及び下部物質層の極性と異なり、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、デュアルデプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層と前記ドレイン電極は、前記中間物質層と接触し、前記ソース電極は、前記ゲート電極と離隔され、前記中間物質層上または前記上部物質層上に配されたことを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート電極と前記ソース電極は、前記上部物質層上に備わったことを特徴とする請求項14に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート電極と前記ソース電極は、前記中間物質層上に備わっており、前記ゲート電極の側面は、前記上部物質層と接触したことを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート電極と前記上部物質層は、オーミック接触され、前記ゲート電極と前記中間物質層は、ショットキー接触したことを特徴とする請求項16に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ゲート電極は、第1ゲート電極及び第2ゲート電極を含むことを特徴とする請求項16に記載の高電子移動度トランジスタ。前記第1ゲート電極は、前記上部物質層とオーミック接触され、前記第2ゲート電極は、前記第1ゲート電極及び前記上部物質層とはオーミック接触し、前記中間物質層とはショットキー接触をなすことを特徴とする請求項18に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ソース及びドレイン電極のうち少なくともいずれか一つは、前記下部物質層の側面と接触したことを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記中間物質層及び前記上部物質層のうち少なくともいずれか1層の層と、ゲート電極との間に絶縁層が含まれたことを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層と前記ドレイン電極は、前記中間物質層上から離隔されていることを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記ソース電極は、前記上部物質層上に備わったことを特徴とする請求項13に記載の高電子移動度トランジスタ。前記上部物質層は、2DHGチャネルを含み、前記ソース電極は前記2DHGチャネルと直接接触し、前記上部物質層の側面と接触することを特徴とする請求項23に記載の高電子移動度トランジスタ。本発明の課題は、ゲートの電場集中を防止でき、均一な電場分布を得ることができるHEMTを提供することである。本発明の課題はまた、かようなHEMTの製造方法を提供することである。本発明の一実施形態によるHEMTは、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含み、互いに異なる分極率または極性polarityを有する複数の半導体層を含み、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にデュアルデプレションdualdepletion領域が存在する。前記複数の半導体層のうち、分極率または極性の小さい半導体層は、2DEG2-dimensionalelectrongasと2DHG2-dimensionalholegasとのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。前記分極率が異なる複数の半導体層は、上部物質層、中間物質層、下部物質層を含み、前記中間物質層の分極率または極性が、前記上部物質層及び前記下部物質層の分極率または極性と異なりうる。前記下部物質層が2DEGチャネルを、前記上部物質層が2DHGチャネルを含むことができる。前記上部物質層が2DEGチャネルを、前記下部物質層が2DHGチャネルを含むことができる。前記中間物質層の前記上部物質層との界面に2DEGチャネルを、前記中間物質層の下部物質層との界面に2DHGチャネルを含むことができる。前記中間物質層の前記下部物質層との界面に2DEGチャネルを、前記中間物質層の前記上部物質層との界面に2DHGチャネルを含むことができる。前記中間物質層は、単一物質層あるいは複数物質層でありうる。前記複数の半導体層は、上部物質層、中間物質層及び下部物質層を含むことができ、前記ゲート電極と前記ドレイン電極は、前記上部物質層上に互いに離隔されて配されうる。前記ソース電極は、前記上部物質層上にありうる。前記ソース電極は、2DHGチャネルに直接接触し、前記上部物質層の側面に直接接触しうる。前記上部物質層と前記ゲート電極との間に、絶縁層が配されうる。本発明の他の実施形態によるHEMTは、下部物質層上に形成された中間物質層;前記中間物質層上にある上部物質層及びドレイン電極;前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか1層の上にあるゲート電極;前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか1層の上にあるソース電極;を含み、前記中間物質層の分極率または極性は、前記上部物質層及び下部物質層の分極率または極性と異なり、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間にデュアルデプレション領域が存在する。前記上部物質層と前記ドレイン電極は、前記中間物質層と接触しうる。前記ソース電極は、前記ゲート電極と離隔され、前記中間物質層上または前記上部物質層上にありうる。前記ゲート電極と前記ソース電極は、前記上部物質層上に備わりうる。前記ゲート電極と前記ソース電極は、前記中間物質層上に備わっており、前記ゲート電極の側面は、前記上部物質層と接触しうる。前記ゲート電極と前記上部物質層は、オーミック接触され、前記ゲート電極と前記中間物質層は、ショットキー接触しうる。前記ゲート電極は、第1ゲート電極及び第2ゲート電極を含むことができる。前記第1ゲート電極は、前記上部物質層とオーミック接触され、前記第2ゲート電極は、前記第1ゲート電極及び前記上部物質層と接触しつつ、前記中間物質層とはショットキー接触しうる。前記ソース電極と前記ドレイン電極とのうち少なくともいずれか一つは、前記下部物質層の側面と接触しうる。前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか1層と、前記ゲート電極との間に、絶縁層が配されうる。前記上部物質層及び前記ドレイン電極は、前記中間物質層上から離隔されている。前記ソース電極は、前記上部物質層上に配されうる。前記ソース電極は、前記2DHGチャネルと直接接触し、同時に前記上部物質層の側面と接触しうる。本発明によれば、高電子移動度トランジスタを提供することができる。以下、本発明の一実施形態による高電子移動度トランジスタHEMT:highelectronmobilitytransistorとその製造方法とについて、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張して図示されている。本発明の一実施形態によるHEMThighelectronmobilitytransistorで2DEG2-dimensionalelectrongasは、分極を有する物質を使用して形成することができる。互いに異なる分極率を有する半導体を接合すれば、分極による表面電荷を相殺させるために、バンドギャップの小さい物質に2DEGが形成される。六方晶系hexagonalGaAl,InNは、c軸に沿って分極を有する物質であるが、成長方向がN-faceである場合、分極は、成長方向に生成され、成長方向がGa-faceである場合、分極は、成長方向と反対側に生成される。また異種接合をなす場合、格子定数の違いよるストレインstrainによって分極率が大きくなりうる。かような分極を利用する場合、別途のドーピングdopingなしに、2DEGあるいは2DHG2-dimensionalholegasを形成することができる。本発明の一実施形態によるHEMTについて説明する。図1ないし図3は、本発明の一実施形態によるHEMTの基本原理を紹介するためのものである。図1を参照すれば、第1物質層20及び第2物質層22が積層されている。第1物質層20及び第2物質層22は、分極率または極性polarityが異なる半導体層でありうる。例えば、第1物質層20は、GaN層またはInGaN層でありうる。第2物質層22は、第1物質層20より分極率または極性の大きい半導体層であるが、例えば、AlGaN層でありうる。かような分極率または極性の差によって、第2物質層22に分極P1が存在する。便宜上、分極P1は、1ヵ所にだけ表示し、相対的に低い分極率または極性を有する第1物質層20の分極は、表示を省略した。第2物質層22内に存在する電荷,-は、分極P1による電荷である。第2物質層22の分極P1によって、第2物質層22に接触する第1物質層20の表面に、負電荷-が現れる。この負電荷-は、2DEGを形成することができる。第2物質層22の第1物質層20と接触される面の反対面、すなわち、第2物質層22の上部面の外部面exteriorsideには、分極P1によって正電荷が現れる。第2物質層22の上部面の外部面に現れる正電荷は、移動できない表面電荷immobilesurfacecharge以下、正の不動電荷である。かような第2物質層22の上部面に現れる正の不動電荷を移動電荷mobilechargeになるようにし、HEMTの高耐圧特性を高めることができる。このために、図2に図示されているように、第2物質層22上に、第3物質層24を具備する。第3物質層24は、第2物質層22と分極率が異なる半導体層であり、例えば、第2物質層22より分極率の小さいGaN層またはInGaN層でありうる。第3物質層24は、第1物質層20と同じ物質であるが、同じ物質に限定されるものではない。第1物質層20、第2物質層22及び第3物質層24は、III-V族化合物半導体層でありうる。図2を参照すれば、第3物質層24の第2物質層22と接する界面に、正電荷が現れる。第3物質層24の前記界面に現れる正電荷は、自由ホールholeガスであり、2DEGの電子のように移動することができる電荷mobilechargeである。第3物質層24の前記界面に現れる正電荷は、2DEGとは反対になる概念であり、2DHGといえる。第1物質層20の2DEGがnチャネルとして使われうる一方、第3物質層24の2DHGは、pチャネルとして使われうる。図3に図示されているように、第1物質層20に正電圧が印加され、第3物質層24に2DHGを移動させるための電圧を印加すれば、第1物質層20から2DEGの一部が除去され、第3物質層24から2DHGの一部が除去される。このようにして、第1物質層20、第2物質層22及び第3物質層24に、電荷的に中性neutralityである領域A1が形成されうる。このように、2層の物質層の2DEGと2DHGとが除去され、電荷的に中性である領域A1が形成されたとき、デュアルデプレションdualdepletionによって、電荷的に中性である領域A1、すなわち、デュアルデプレション領域が形成されたという。領域A1で、実効電荷netchargeは0になる。従って、この領域A1、すなわち、デュアルデプレション領域が、HEMTのゲートとドレインとの間に存在すれば、HEMTの高耐圧特性は上昇し、HEMTの絶縁破壊電圧が増大しうる。また、既存のフィールドプレートのような補助手段がなくても、電場がゲートに集中することを防止でき、ゲートとドレインとの間の電場分布をピークなしに均一に維持できる。かような事実は、図4から分かる。図4は、図3に概念的に例示したHEMTと、デュアルデプレションが適用されていない従来のHEMTとの電場特性を示している。図4で横軸は、ゲートから測定された距離を示し、縦軸は、電場を示す。図4で第1グラフG1は、従来のHEMTの電場特性を示す。第2グラフG2は、図3に例示した第1物質層20、第2物質層22及び第3物質層24を含むHEMTの電場特性を示している。図4の第1グラフG1及び第2グラフG2を参照すれば、従来のHEMTの場合、ゲートに近づきつつ、電場がブレークダウン電場Eb.d.以上になる。しかし、図3のHEMTの場合、いずれの距離でも、電場がブレークダウン電場Eb.d.より低く、距離に対して、電場の分布も一定であり、ゲートに近づいても、電場がゲートに集中する結果は示されない。図5は、図1ないし図3を参照して説明した基本概念を適用した、本発明の一実施形態によるHEMTを示している。図5を参照すれば、第1物質層20上に、第2物質層22が存在する。第1物質層20及び第2物質層22は、図1ないし図3で説明したところと同様である。第1物質層20は、基板図示せず上に形成されたものでありうる。このとき、前記基板と第1物質層20との間には、バッファ層図示せずがさらに備わりうる。前記基板は、例えば、シリコン基板、シリコンカーバイド基板またはサファイア基板でありうる。第2物質層22上に、第4物質層26が存在する。第4物質層26は、図2及び図3で説明した第3物質層24と同一でありうる。従って、第4物質層26は、第2物質層22との界面に2DHGを有し、pチャネルの役割を行える。第4物質層26は、第2物質層22の一部領域上にのみ備わっている。第4物質層26上に、ソース電極28とゲート電極30とが離隔されて備わっている。ドレイン電極32は、第4物質層26と離隔され、第2物質層22上に存在する。一方、図6に図示されているように、第2物質層22上で、第4物質層26とドレイン電極32は、接触することも可能である。次に、図5を参照すれば、ソース電極28とドレイン電極32は、同じ物質または異なった物質から形成されうる。例えば、ソース電極28とドレイン電極32との材質は、Ti、Al、W、WSiなどを使用できる。ソース電極28は、第4物質層26とオーミック接触し、ドレイン電極32は、第2物質層22とオーミック接触する。従って、第2物質層22及び第4物質層26とオーミック接触をなすことができる伝導性物質であるならば、ソース電極28とドレイン電極32との材料として使われうる。ゲート電極30は、第4物質層26とショットキー接触をなす。ゲート電極30は、例えば、Ni、Ptから形成された電極でありうる。ゲート電極30、ソース電極28及びドレイン電極32は、単層または複層でありうる。図7は、図5のHEMTに、デュアルデプレション領域を形成する過程を示している。図7を参照すれば、ソース電極28とゲート電極30とに第1電源S1を、ドレイン電極32に第2電源S2を、図面に図示されているように印加する。これによって、ドレイン電極32を介して、第1物質層20のゲート電極30とドレイン電極32との間の2DEGが除去される。そして、ソース電極28を介して、第4物質層26のゲート電極30とドレイン電極32との間の2DHGが除去される。このようにして、ゲート電極30とドレイン電極32との間の第1物質層20、及び第2物質層22と第4物質層26とを含む空間に、実効電荷が0であるデュアルデプレション領域A2が作られる。図8は、図5のソース電極28及びドレイン電極32を変形した例を示している。図8を参照すれば、第1物質層20は、脇に拡張された第1部分20a及び第2部分20bを有している。ソース電極29は、第1ソース電極29a及び第2ソース電極29bを含む。第1ソース電極29aは、第2ソース電極29b上に備わりうる。第1ソース電極29aは、第4物質層26の上部面及び側面と接触し、第2物質層22の側面の一部と接触する。第1ソース電極29aは、第4物質層26とオーミック接触する。第2ソース電極29bは、第1物質層20の拡張された第2部分20b上に形成されており、第2物質層22の側面一部と接触する。第2ソース電極29bは、第1物質層20とオーミック接触する。第1ソース電極29a及び第2ソース電極29bのそれぞれの形状と、結合された様子は、図8に図示されたところに限定されるものではない。第1ソース電極29a及び第2ソース電極29bは、分離されうるが、例えば、第1ソース電極29aは、第4物質層26の上部面にのみ、第2ソース電極29bは、第1物質層20の第2部分20b上にのみ形成されうる。ドレイン電極32aは、第2物質層22の側面と接触しつつ、第1物質層20の拡張された第1部分20a上に拡張されうる。図8の場合に、第4物質層26とドレイン電極32aは、接触しうる。図9は、図1ないし図3で説明した発明概念が適用された、本発明の他の実施形態によるHEMTを示している。以下、前述の説明とは異なる部分についてのみ説明し、前述の部材と同じ部材については、同じ符号を使用する。図9を参照すれば、第2物質層22上に、ソース電極28、ドレイン電極32、ゲート電極40及び第5物質層36が配されている。第5物質層36と第2物質層22のうち少なくとも一つとゲート電極40との間に、絶縁層図示せずが位置しうる。前記絶縁層は他の実施例によるHEMTにも適用されうる。第5物質層36は、役割及び材質が、前述の第4物質層26と同一でありうる。ドレイン電極32は、ソース電極28、ゲート電極40及び第5物質層36と離隔されている。ソース電極28とゲート電極40は、離隔されている。ゲート電極40の側面は、第5物質層36と接触している。ゲート電極40の側面は、第5物質層36とオーミック接触をなす。一方、ゲート電極40の下面は、第2物質層22とショットキー接触をなす。従って、第5物質層36の2DHGは、ゲート電極40を介して除去されうる。一方、図9に点線で示したように、ゲート電極40は、第5物質層36の上部面に拡張されもする。図10は、図9のHEMTのソース電極28、ドレイン電極32及びゲート電極40に、第1電源S1及び第2電源S2が印加されたところを示している。かような第1電源S1及び第2電源S2の印加によって、ゲート電極40とドレイン電極32との間の空間に、デュアルデプレション領域が形成されることは、前述の通りである。図11は、図9のHEMTで、ソース電極28及びドレイン電極32の変形例を示している。図11を参照すれば、第1物質層20は、脇に拡張された第1部分20a及び第2部分20bを有している。ソース電極28及びドレイン電極32は、図8のソース電極29及びドレイン電極32aと同一あるいは類似の形態に変形されうる。図8及び図11で、ソース電極及びドレイン電極のうち一部だけ変形されもする。ドレイン電極42は、第2物質層22の上部面から、第2物質層22の一方側面と接触しつつ、第1物質層20の第1部分20a上に拡張されている。ドレイン電極42は、図8のドレイン電極32aと同じ形態でありうる。ソース電極43は、第2物質層22の上部面から、第2物質層22の他方側面と接触しつつ、第1物質層20の第2部分20b上に拡張されている。図11の場合、ドレイン電極42は、第5物質層36と接触することもある。図12は、図9のゲート電極40の変形例を示している。図12を参照すれば、ゲート電極40は、第1ゲート電極40aと第2ゲート電極40bとを含む。第1ゲート電極40aは、第5物質層36の上部面上に備わりうる。第2ゲート電極40bは、第1ゲート電極40aの上部面から拡張され、第1ゲート電極40aの側面及び第5物質層36の側面と接触しうる。第2ゲート電極40bは、ソース電極28と接触することなしに下に拡張され、第2物質層22の上部面に拡張されうる。かような変形例で、第1ゲート電極40aは、第5物質層36とオーミック接触をなす。一方、第2ゲート電極40bは、第1ゲート電極40a及び第5物質層36とオーミック接触をなし、第2物質層22とはショットキー接触をなす。従って、結果的には、第1ゲート電極40a及び第2ゲート電極40bと、図9のゲート電極40は、同等な役割を行える。一方、図12のソース電極28とドレイン電極32は、それぞれ図11に図示されているような、ソース電極43及びドレイン電極42に変形されもする。図13は、図1ないし図3で説明した発明概念が適用された、本発明のさらに他の実施形態によるHEMTを示している。図13を参照すれば、第6物質層50、第7物質層52及び第8物質層54が順次に積層されている。第6物質層50及び第8物質層54は、前述の第2物質層22と同一でありうる。すなわち、第6物質層50及び第8物質層54は、内部に分極を有するものであり、主要成分がIII-V族に属する化合物半導体層、例えば、AlGaN層でありうる。第7物質層52は、前述の第1物質層20と同一でありうる。すなわち、第7物質層52は、主要成分がIII-V族に属する化合物半導体層、例えば、GaN層またはInGaN層でありうる。これによって、第7物質層52の第6物質層50と接触する界面に、2DHGチャネル、すなわち、pチャネルが形成される。また、第7物質層52の第8物質層54と接触する界面に、2DEGチャネル、すなわち、nチャネルが形成される。第8物質層54上に、ゲート電極60とドレイン電極62とが離隔された状態で存在する。ゲート電極60は、第8物質層54とショットキー接触をなす。ドレイン電極62は、第8物質層54とオーミック接触をなす。ソース電極58は、第7物質層52の2DHGチャネル上に存在し、2DHGチャネルと直接接触しうる。かようなソース電極58は、第7物質層52の2DEGチャネル及び第8物質層54の側面とも接触している。ソース電極58は、第8物質層54の上部面より高く突出している。ソース電極58は、第7物質層52とオーミック接触をなす。ドレイン電極62が第7物質層52の2DEGチャネルと直接接触するように備わってもよい。このために、第8物質層54は、第7物質層52の一部領域上にのみ備わりうる。次に、図14に図示されているように、図13のHEMTのソース電極58及びゲート電極60に、第1電源S1を印加し、ドレイン電極62に第2電源S2を印加すれば、ゲート電極60とドレイン電極62との間の第7物質層52で、2DEGはドレイン電極62を介して、2DHGはソース電極58を介して、それぞれ除去される。この結果、ゲート電極60とドレイン電極62との間の空間に、デュアルデプレション領域が作られる。一方、図13のソース電極58は、図15のソース電極68のように、第8物質層54上に備わりうる。次に、前述の本発明の実施形態によるHEMTの製造方法について、図16ないし図29を参照しつつ説明する。下記製造方法に関しては、各図面に電荷を表示していない。また、構造について説明する過程で、説明した部材に係わる説明は省略する。まず、図16ないし図19を参照して、本発明の一実施形態によるHEMTの製造方法について説明する。図16を参照すれば、第1物質層20上に、第2物質層22及び第4物質層26を順次に積層する。図17を参照すれば、第4物質層26の一部をエッチングし、第2物質層22の一部を露出させる。次に、一般的なフォトリソグラフィ工程を利用し、図18に図示されているように、第2物質層22の露出された領域上にドレイン電極32、第4物質層26上にソース電極28を形成する。ソース電極28とゲート電極30は、第4物質層24の同一面上に形成されるので、ソース電極28の位置は、後続工程で形成されるゲート電極30の位置によって決まりうる。ソース電極28とドレイン電極32を形成した後、オーミックコンタクトを形成するために、その結果物を熱処理できる。次に、図19を参照すれば、第4物質層26上に、ゲート電極30を形成する。ゲート電極30は、ソース電極28と離隔されて形成する。次に、本発明の他の実施形態によるHEMTの製造方法について、図20ないし図24を参照しつつ説明する。図20を参照すれば、第2物質層22の一部領域上に、第5物質層36を形成する。次に、図21に図示されているように、第2物質層22上に、ソース電極28とドレイン電極32とを形成する。ソース電極28とドレイン電極32は、第5物質層36を中心に対向するように形成することができる。ソース電極28、ドレイン電極32及び第5物質層36は、互いに離隔されて形成する。次に、図22を参照すれば、第2物質層22上に、ゲート電極40を形成する。ゲート電極40は、第5物質層36と接触するように形成する。このとき、ゲート電極40の側面と第5物質層36の側面は、オーミック接触されるように形成する。そして、ゲート電極40の下面は、第2物質層22とショットキー接触するように形成する。ゲート電極40は、ソース電極28及びドレイン電極32と離隔されて形成する。ゲート電極40は、点線で示したように、第5物質層36の上部面に拡張されるように形成することもできる。一方、ゲート電極40は、2つの部分に分けて形成することもできる。例えば、図23に図示されているように、第5物質層36の上部面上に、第1ゲート電極40aを形成する。このとき、第1ゲート電極40aは、第5物質層36とオーミック接触されるように形成することができる。次に、図24に図示されているように、第2ゲート電極40bを形成する。第2ゲート電極40bは、第1ゲート電極40aの上部面とその側面、及び第5物質層36の側面と接触しつつ、第2物質層22上に拡張されるように形成することができる。このとき、第2ゲート電極40bは、第2物質層22とショットキー接触するように形成する。次に、本発明のさらに他の実施形態によるHEMTの製造方法について、図25ないし図29を参照しつつ説明する。図25を参照すれば、第6物質層50上に、第7物質層52及び第8物質層54を順次に積層する。次に、図26に図示されているように、第8物質層54上に、ソース電極68とドレイン電極62とを形成する。ソース電極68とドレイン電極62は、離隔されて形成する。次に、図27に図示されているように、第8物質層54上に、ゲート電極60を形成する。ゲート電極60は、ソース電極68とドレイン電極62との間に形成し、互いに離隔されて形成する。ソース電極68は、他の位置に形成することもできる。例えば、図28に図示されているように、第8物質層54を形成した後、ソース電極58が形成される領域に該当する第8物質層54の一部をエッチングし、第7物質層52の一部を露出させる。その後、図29に図示されているように、前記エッチングによって露出された第7物質層52の領域上に、ソース電極58を形成する。このとき、ソース電極58は、前記エッチングで露出された第7物質層52の側面とも接触し、前記エッチングで露出された第8物質層54の側面とも接触する。ソース電極58は、第8物質層54の上部面より高く突出するように形成する。また、ソース電極58は、ゲート電極60と接触しない範囲で、第8物質層54の上部面に拡張されるように形成することもできる。一方、前述の構造及び製造方法の説明で、第1物質層20及び第6物質層50は、下部物質層であるといえる。そして、第2物質層22及び第7物質層52は、中間層または中間物質層であるといえる。また、第3物質層24、第4物質層26、第5物質層36及び第8物質層54は、上部物質層であるといえる。前述のさまざまな実施形態では、AlGaNとGaNとの成長方向がGa-faceである場合を例に挙げた。図1~3及び図5~12の場合、分極率の大きいAlGaNで中間層を形成し、中間層と接触する下部物質層の界面に2DEGが生成される場合である。図13~15の場合は、分極率の小さいGaNで中間層を形成し、中間層の上部界面に2DEGが生成される場合である。Ga-faceのGaN上に、分極率が相対的に大きいAlGaNを成長させれば、GaN/AlGaN界面に分極率の差による正の表面電荷が現れ、この電荷によって、バンドが曲がり、結局バンドギャップの小さいGaNの界面に、2DEGが生成されつつ空間電荷は相殺される。反対に、AlGaN上にGaNを成長させる場合は、分極による表面電荷の符号が変わり、GaNの界面に2DHGが生成される。AlGaNとGaNとの成長方向がN-faceであるとき、分極率または極性の方向が変わることになり、分極率または極性の大きいAlGaNで中間層を形成する場合、上部物質層の表面interfaceに2DEGが形成される。相対的にまたは実質的に、分極率または極性の小さいGaNで中間層を形成する場合、下部物質層に接触する中間層の表面に2DHGが形成される。前記上部物質層、中間物質層及び下部物質層は、それぞれ単一層に限定されずに、複層で形成され、各層の上部面から下面にまたは反対方向に順次の組成変化を有することができる。前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、望ましい実施形態の例示として解釈されるものである。よって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって定められるものである。"