"電源制御用のスイッチング素子のオンパルス幅を可変制御するための制御入力端子を備え、前記制御入力端子の電圧が特定の電圧域ではスイッチング素子のオンオフ動作を停止させる間欠動作機能を備えるスイッチング電源制御用集積回路において、間欠動作機能の許可/禁止を外部信号により選択する2値入力端子を付加したことを特徴とする間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路。前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出入力端子を備え、前記制御入力端子の電圧により前記スイッチング素子に流れる電流のピーク値を制御することにより前記スイッチング素子のオンパルス幅を制御することを特徴とする請求項1記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路。請求項1または2記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路を備える電源装置であって、負荷電流が基準電流より大きいときは前記2値入力端子に間欠動作禁止信号を入力する電流比較器を備えることを特徴とする電源装置。請求項1または2記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路を備える電源装置であって、負荷電圧が基準電圧より大きいときは前記2値入力端子に間欠動作禁止信号を入力する電圧比較器を備えることを特徴とする電源装置。請求項3または4記載の電源装置の負荷は半導体発光素子であることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置。請求項5記載の半導体発光素子の点灯装置を備える照明器具。上述のような間欠動作機能付きのスイッチング電源制御用集積回路を用いて、LED発光ダイオードの調光点灯装置を構成すると、調光操作により負荷電流を調光下限付近まで絞ったときに、スイッチング電源が間欠動作となることがある。LEDが実質的に消灯したとみなせる領域で間欠動作に入れば、調光操作だけで実質的な消灯操作が可能であり、間欠動作により待機電力の削減も可能となる。ところが、LEDの特性上、かなり微弱な負荷電流であっても効率良く発光してしまうという特長がある。この特長を有するが故に、間欠動作の周波数によっては光出力の点滅がちらつきとしてユーザーに視認されてしまうという問題が起きる。間欠動作の周波数が人間の目にちらつきとして認識できない周波数となるように回路定数を設計すれば良さそうに思われるが、原理的に、負荷電流が少なくなればなるほど、間欠動作の周波数も低くなるという特有の性質があるので、調光範囲を広く設計した場合には、調光下限付近で間欠動作の周波数が人間の目にちらつきとして認識できる周波数に入ってしまうという問題がある。間欠動作の振幅が人間の目にちらつきとして認識できない振幅となるように回路定数を設計すれば良さそうに思われるが、後述の図3の波形図で説明するように、間欠動作時の制御入力端子の電圧振幅をわざと大きく振るように設計することにより、間欠的なオンオフ動作時に最小オンパルス幅よりも幾分長めのオンパルス幅となるように仕組むことで、スイッチング回数を大幅に減らし、それにより待機時のスイッチング損失を削減しているという原理的な制約がある。かといって、間欠動作機能の無いスイッチング電源制御用集積回路例えば、富士電機製のFA5531やFA5573を用いると、ユーザーが調光操作だけで実質的な消灯操作をした場合に、待機電力の削減が不十分となる。本発明は、上述のような点に鑑みてなされたものであり、待機電力削減のための間欠動作機能を備えるスイッチング電源制御用集積回路を半導体発光素子の点灯装置の調光制御に用いた場合に、調光下限に達する前に間欠動作が開始してしまうことによる光出力のちらつきを確実に防止し、なおかつ、調光操作だけで実質的な消灯操作がされた場合でも間欠動作により待機電力を大幅に削減可能とすることを課題とする。請求項1の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路は、上記の課題を解決するために、図1~図3に示すように、電源制御用のスイッチング素子Q1のオンパルス幅を可変制御するための制御入力端子FBを備え、前記制御入力端子FBの電圧が特定の電圧域ではスイッチング素子Q1のオンオフ動作を停止させる間欠動作機能を備えるスイッチング電源制御用集積回路IC1において、間欠動作機能の許可/禁止を外部信号により選択する2値入力端子MASKを付加したことを特徴とするものである。請求項2の発明は、請求項1記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路において、前記スイッチング素子Q1に流れる電流を検出する電流検出入力端子ISを備え、前記制御入力端子FBの電圧により前記スイッチング素子Q1に流れる電流のピーク値を制御することにより前記スイッチング素子Q1のオンパルス幅を制御することを特徴とする。請求項3の電源装置は、請求項1または2記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路を備える電源装置であって、負荷電流が基準電流より大きいときは前記2値入力端子に間欠動作禁止信号を入力する電流比較器24を備えることを特徴とする図2。請求項4の電源装置は、請求項1または2記載の間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路を備える電源装置であって、負荷電圧が基準電圧より大きいときは前記2値入力端子に間欠動作禁止信号を入力する電圧比較器を備えることを特徴とする。請求項5の発明は、請求項3または4記載の電源装置の負荷は半導体発光素子30であることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置である図2。請求項6の発明は、請求項5記載の半導体発光素子の点灯装置を備える照明器具である図4。請求項1、2の発明によれば、スイッチング素子のオンパルス幅を可変制御するための制御入力端子の電圧が特定の電圧域ではスイッチング素子のオンオフ動作を停止させる間欠動作機能を備えるスイッチング電源制御用集積回路において、間欠動作機能の許可/禁止を外部信号により選択する2値入力端子を付加したので、間欠動作が不都合となる状況下で間欠動作が開始されることを防止できると共に、待機電力の削減が必要となる状況下では間欠動作による大幅な電力損失削減が可能となる。請求項3、4の発明によれば、間欠動作に入ったことがユーザーに認識されない負荷電流または負荷電圧のレベルを設計者が自由に設定可能となる。請求項5、6の発明によれば、調光下限に達する前に間欠動作による光のちらつきがユーザーに視認される恐れがなく、なおかつ、ユーザーが調光操作だけで実質的な消灯操作をした場合でも、間欠動作により待機電力を大幅に削減できる。実施形態1図1は本発明の実施形態1に係る間欠動作可否設定端子付きスイッチング電源制御用集積回路IC1の概略的な内部構成を示すブロック回路図である。この集積回路IC1を用いた半導体発光素子の点灯装置の回路図を図2に示す。図2の点灯装置は、直流電源となる平滑コンデンサC1の直流電圧Vdcを電圧変換して、負荷となる半導体発光素子30に直流電流を供給するコンバータ回路20を備えている。コンバータ回路20は、絶縁型の高周波トランスT1と、その1次側巻線n1に直列接続されたスイッチング素子Q1と、2次側巻線n2に直列接続されたダイオードD2と、ダイオードD2を介して充電される平滑コンデンサC2よりなるフライバック型のDC-DCコンバータ回路である。スイッチング素子Q1は制御回路21により数十kHzの高周波でオンオフ制御される。スイッチング素子Q1がオンすると、平滑コンデンサC1の正極→トランスT1の1次側巻線n1→スイッチング素子Q1→電流検出抵抗R1→平滑コンデンサC1の負極の経路で漸増電流が流れて、トランスT1に電磁エネルギーが蓄積される。スイッチング素子Q1に流れる電流が所定値に達すると、スイッチング素子Q1はオフされる。スイッチング素子Q1がオフすると、トランスT1の巻線電圧は反転し、トランスT1の2次側巻線n2からダイオードD2を介して平滑コンデンサC2に電流が流れる。トランスT1から2次側への電流の供給が終わり、ダイオードD2の電流がゼロになると、トランスT1のインダクタンス成分とスイッチング素子Q1のドレインソース間容量の共振により、スイッチング素子Q1の両端電圧は急速に低下する。同時に、トランスT1に設けた補助巻線n3の電圧も急速に低下する。この電圧低下を制御回路21により検出し、スイッチング素子Q1の両端電圧が最も低下したタイミングでスイッチング素子Q1を再びオンさせる。コンバータ回路20の直流電源となる平滑コンデンサC1は、例えば商用交流電源を全波整流器図示せずにより全波整流した直流電圧を充電されているものとする。全波整流器の交流入力側には高周波成分を除去するためのフィルタ回路を設けることが一般的である。また、全波整流器の直流出力側と平滑コンデンサC1の間に、昇圧チョッパ回路等を用いた力率改善回路を介在させても良い。平滑コンデンサC2は、前記スイッチング素子Q1のオンオフによる脈動成分を平滑化して半導体発光素子30に平滑化された直流電流が流れるように容量を設定されている。半導体発光素子30は複数個のLEDを直列または並列または直並列接続したLEDモジュールであっても良い。制御回路21はスイッチング電源制御用集積回路IC1とその周辺回路よりなる。図1は本実施形態に用いるスイッチング電源制御用集積回路IC1の内部構成を簡略化して示しており、富士電機製のFA5541を一部改変したものを用いている。改変箇所は図1の点線10で囲まれた部分であり、その他の構成は現状のFA5541と同じで良い。1番ピンZCDはゼロ電流検出入力端子、2番ピンFBはフィードバック入力端子、3番ピンISは電流センス入力端子、4番ピンGNDはグランド端子、5番ピンOUTは出力端子、6番ピンVccは電源端子、7番ピンMASKはマスク端子、8番ピンVHは高電圧端子である。なお、現状のFA5541では、7番ピンは高電圧端子に隣接しているという理由で、使用されていない。点線10で囲まれた部分は、新たに追加する間欠動作可否設定回路であり、マスク端子MASK7番ピンがLowレベルに設定されると、コンパレータCP2の出力がワンショット回路12のクリア入力端子にそのまま入力されるので、現状通りの間欠動作が許可される。一方、マスク端子MASK7番ピンがHighレベルに設定されると、コンパレータCP2の出力にかかわらず、ワンショット回路12のクリア入力端子はHighレベルに固定されるので、間欠動作は禁止される。つまり、コンパレータCP2の判定出力がマスクされることになる。本実施形態の間欠動作可否設定回路10に用いるオア回路OR1は、例えば2個のダイオード図示せずのカソードを共通接続し、一方のダイオードのアノードをマスク端子MASK7番ピンに接続し、他方のダイオードのアノードをコンパレータCP2の出力に接続し、各ダイオードのカソードをワンショット回路12のクリア入力端子に接続したような構成であっても良く、僅かな回路パターンの変更により実施可能である。これにより、間欠動作機能の許可/禁止を外部信号により選択する2値入力端子を付加することができる。以下、図2の周辺回路と共に、図1の集積回路IC1の動作を説明する。直流電源となる平滑コンデンサC1から限流抵抗R18を介して高電圧端子VH8番ピンに電源電圧が供給されると、起動回路14を介して電源端子Vcc6番ピンとグランド端子GND4番ピンの間に外付け接続された平滑コンデンサC3に制御電源電圧が充電される。平滑コンデンサC3に所定電圧以上の制御電源電圧が充電されると、集積回路内部の各回路が動作可能となる。谷検出回路11はゼロ電流検出入力端子ZCD1番ピンから抵抗R11を介してトランスT1の補助巻線n3の電圧を監視しており、トランスT1の電流がゼロに戻っていると判定すると、ワンショット回路12によりフリップフロップFFのセット入力端子Sにワンショットのトリガーパルスを与える。これにより、フリップフロップFFがセットされて、そのQ出力がHighレベルとなり、ドライブ回路15を介して出力端子OUT5番ピンの電圧がHighレベルとなる。これにより抵抗R15、R16を介してオン駆動電流が流れて、抵抗R16の両端電圧がスイッチング素子Q1のゲートソース間のスレショルド電圧よりも高くなることで、スイッチング素子Q1がオン状態となる。スイッチング素子Q1がオン状態となると、上述のように、トランスT1の1次側巻線n1を介してスイッチング素子Q1に漸増電流が流れるので、そのソース電極に接続された電流検出抵抗R1の両端電圧は略直線的に上昇して行く。電流検出抵抗R1の両端電圧は、抵抗R13とコンデンサC13よりなるノイズフィルタ回路を介して、電流センス入力端子IS3番ピンに入力されて、IC1内部のコンパレータCP1の入力端子に入力される。コンパレータCP1の-入力端子には、基準電圧として、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧をレベルシフト回路13により1/2倍に逓減した電圧が入力される。コンパレータCP1の入力端子の検出電圧が-入力端子の基準電圧よりも高くなると、コンパレータCP1の出力がHighレベルとなり、フリップフロップFFのリセット入力端子Rにリセット信号を与える。これにより、フリップフロップFFがリセットされて、そのQ出力がLowレベルとなり、ドライブ回路15を介して出力端子OUT5番ピンの電圧がLowレベルとなる。これによりダイオードD4、抵抗R14を介してスイッチング素子Q1のゲートソース間電荷が引き抜かれて、スイッチング素子Q1はオフ状態となる。スイッチング素子Q1は本実施形態ではNチャンネルのMOSFETであるが、他の半導体スイッチング素子であっても良い。スイッチング素子Q1がオフ状態となると、上述のように、トランスT1の巻線電圧が反転し、トランスT1の2次側巻線n2からダイオードD2を介して平滑コンデンサC2に充電電流が流れる。また、ダイオードD3、抵抗R3を介して平滑コンデンサC3にも充電電流が流れる。これにより、トランスT1の1次側の制御電源電圧Vccが得られるので、その後は、起動回路14を介する起動電流は遮断される。平滑コンデンサC3と並列に接続されたコンデンサC30は高周波バイパス用の小容量のコンデンサである。なお、スイッチング素子Q1がオフした瞬間に、トランスT1の1次側巻線n1にも逆起電圧が発生するが、この電圧は抵抗R19、ダイオードD1を介してコンデンサC10に吸収される。コンデンサC10の電荷は抵抗R10により放電される。これらのコンデンサC10、抵抗R10、R19、ダイオードD1はスナバ回路を構成している。トランスT1からの電流放出が継続している間は、トランスT1の補助巻線n3の誘起電圧が抵抗R11を介してゼロ電流検出入力端子ZCD1番ピンに入力されているので、スイッチング素子Q1のオフ状態が継続するが、トランスT1からの電流放出が終了すると、谷検出回路11によりトランスT1の電流がゼロに戻ったことが判定され、再びワンショット回路12によりフリップフロップFFがセットされる。以下、同じ動作を繰り返すことにより、スイッチング素子Q1は高周波でオンオフ駆動される。《1次側と2次側の絶縁について》本実施形態では、平滑コンデンサC1の負極である1次側グランドGNDと、平滑コンデンサC2の負極である2次側グランドGND2は、高周波的にはコンデンサC12を介して接続されているが、直流的には絶縁されている。このため、後述する電流フィードバック回路22から1次側の制御用集積回路IC1への電流フィードバック信号はフォトカプラPC1を介して伝送している。また、後述する電流比較器24から1次側の制御用集積回路IC1への間欠動作許可/禁止信号はフォトカプラPC2を介して伝送している。また、ダイオードD3、抵抗R3、コンデンサC3、C30よりなる1次側の制御電源回路とは別に、2次側にも制御電源回路を設けている。《2次側の制御電源回路について》抵抗R4と平滑コンデンサC4及びツェナーダイオードZD1は2次側の制御電源回路を構成している。トランスT1の2次側の平滑コンデンサC2には、半導体発光素子30の負荷電圧より少し高い電圧が充電され、電流検出抵抗R2と出力コネクタCN2を介して半導体発光素子30に負荷電流が流れる。例えば、半導体発光素子30が32個のLEDを直列接続して成るLEDモジュールである場合、その負荷電圧は一例として98V~80Vの範囲で変化し、負荷電流は一例として300mA~50μVの範囲で変化する。平滑コンデンサC2の電圧はトランスT1の2次側に配置される集積回路IC2~IC4の電源電圧に比べると高いので、降圧用の抵抗R4を介して平滑コンデンサC4に直流低電圧Vcc2を得ている。この直流低電圧Vcc2はツェナーダイオードZD1のツェナー電圧により規定される一定電圧となる。《電流フィードバック回路22について》次に、電流フィードバック回路22について説明する。電流フィードバック回路22は、オペアンプA1、A2と出力トランジスタQ2を内蔵したフィードバック制御用の集積回路IC2例えば、新日本無線のNJM2146Bとその周辺回路よりなる。オペアンプA1の入力端子3番ピンには、入力抵抗R21を介して電流検出抵抗R2による検出電圧が入力されており、-入力端子2番ピンには、調光回路23から出力される制御目標電圧が入力されている。出力端子1番ピンと入力端子3番ピンの間に接続された抵抗R22とコンデンサC22の直列回路は帰還インピーダンスである。他方のオペアンプA2は本実施形態では使用していないが、必要であれば、調光が深いときに負荷電圧を目標電圧に一定化する電圧フィードバック制御に用いても良い特開2009-232623号公報参照。集積回路IC2の電源端子8番ピンとグランド端子4番ピンの間には、平滑コンデンサC4から制御電源電圧Vcc2が供給されている。他の集積回路IC3、IC4についても同様である。集積回路IC2の電源端子8番ピンと出力端子1番ピンの間には、抵抗R23を介してフォトカプラPC1の発光素子が接続されている。電流検出抵抗R2により検出される負荷電流が調光回路23により設定される目標電流よりも高くなると、トランジスタQ2の抵抗値が下がって、フォトカプラPC1の発光素子に流れる電流が増加するから、フォトカプラPC1の受光素子の抵抗値が低下する。これにより、スイッチング素子Q1に流れる電流のピーク値が低下する方向に制御されるから、平滑コンデンサC2の電圧は低下し、電流検出抵抗R2により検出される負荷電流は減少する。電流検出抵抗R2により検出される負荷電流が調光回路23により設定される目標電流よりも低くなると、トランジスタQ2の抵抗値が高くなって、フォトカプラPC1の発光素子に流れる電流が減少するから、フォトカプラPC1の受光素子の抵抗値が増加する。これにより、スイッチング素子Q1に流れる電流のピーク値が増加する方向に制御されるから、平滑コンデンサC2の電圧は上昇し、電流検出抵抗R2により検出される負荷電流は増加する。結果的に、電流検出抵抗R2により検出される負荷電流は調光回路23により設定される目標電流に応じた一定値となるように制御される。《間欠動作について》本実施形態のスイッチング電源制御用集積回路IC1は、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧が低過ぎるときに、スイッチング素子Q1のオンオフ動作を停止させるためのコンパレータCP2を備えている。コンパレータCP2の入力端子には、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧が入力されており、-入力端子にはオンオフ動作を停止させるか否かを判定するための判定電圧Vref=0.34Vが入力されている。フィードバック入力端子FB2番ピンとIC1内部の基準電圧5Vの間には、ダイオードDxと抵抗Rxを直列接続して成るプルアップ回路が接続されており、フィードバック入力端子FB2番ピンとグランド端子GND4番ピンの間に外付け接続されるインピーダンス回路と共に分圧回路を構成することで、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧を規定している。図2の回路では、フォトカプラPC1の受光素子と抵抗R12の並列回路を前記インピーダンス回路として接続しており、フォトカプラPC1の受光素子の抵抗値が下がると、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧は低下する。従来の制御用集積回路例えば、富士電機製FA5541では、図1の点線10で囲まれた間欠動作可否設定回路が無く、コンパレータCP2の出力がワンショット回路12のクリア入力端子に直接入力されていた。このため、コンパレータCP2の出力がLowレベルになると、ワンショット回路12が動作禁止状態となり、オンオフ動作が停止するように構成されていた。これにより、図3a,bに示すように、軽負荷時には間欠動作、重負荷時には連続動作となるように制御されるものである。図3aはフィードバック入力端子FB2番ピンの電圧、図3bは出力端子OUT5番ピンの電圧を示している。図3aに示すように、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧が、停止判定電圧Vref=0.34Vよりも低くなると、図3bに示すように、出力信号は停止状態となり、これにより間欠動作となる。重負荷時には、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧に応じたオンパルス幅でスイッチング素子Q1がオンオフ動作を継続しているが、軽負荷時には、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧が停止判定電圧Vref=0.34Vを挟んでオーバーシュートとアンダーシュートを繰り返す動作となり、オーバーシュート時には、フィードバック入力端子FB2番ピンの電圧に応じたオンパルス幅でスイッチング素子Q1がオンオフ動作するが、アンダーシュート時にはスイッチング素子Q1はオフ状態に維持される。これにより、軽負荷時には間欠動作バーストスイッチングの状態となるのである。この間欠動作が半導体発光素子30の点滅を目視では殆ど認識できない条件下で起きれば、待機電力の削減が可能となるが、半導体発光素子30の点滅を目視で認識できる条件下で起きると、光出力のちらつきという不具合を生じる。そこで、本実施形態では、点線10で囲まれた間欠動作可否設定回路を設けて、マスク端子MASK7番ピンがHighレベルのときは間欠動作が禁止され、Lowレベルのときは間欠動作が許可されるように改変することで、深い調光時における光出力のちらつきを防止しながら、実質的な消灯状態における間欠動作は許可することで、待機電力の削減を可能としている。《調光回路23について》次に、調光回路23の構成及び動作について説明する。調光回路23は、低周波のPWM信号よりなる調光信号を受光するフォトカプラPC3と、その受光出力を波形整形するためのシュミットインバータIC3とその周辺回路よりなる。シュミットインバータIC3は、例えば、東芝製TC7SH14Fよりなり、入力電圧が上側しきい値よりも高くなると、出力電圧がLowレベルとなり、入力電圧が下側しきい値よりも低くなると、出力電圧がHighレベルとなる。上側しきい値と下側しきい値との間には、電源電圧Vcc2の20~30程度のヒステリシス特性を有しており、入力電圧の波形が鈍っていても出力電圧は波形整形された矩形波電圧となる。シュミットインバータIC3の入力端子は、プルアップ用の抵抗R34を介して2次側の制御電源電圧Vcc2のラインに接続されると共に、抵抗R35とトランジスタQ3の直列回路を介して2次側のグランドラインGND2に接続されている。抵抗R35とトランジスタQ3の直列回路に並列接続されたコンデンサC32はノイズ除去用の小容量のコンデンサであり、平滑作用は有していない。トランジスタQ3のベースエミッタ間には、抵抗R32とR33の抵抗分圧回路により2次側の制御電源電圧Vcc2を分圧したバイアス電圧が供給されている。抵抗R33にはコンデンサC31が並列接続されると共に、フォトカプラPC3の受光素子が抵抗R31を介して並列接続されている。コンデンサC31はノイズ除去用の小容量のコンデンサであり、平滑作用は有していない。フォトカプラPC3の発光素子には、低周波のPWM信号例えば、1kHz、10Vの矩形波電圧信号よりなる調光信号が抵抗図示せずを介して入力されている。この種の調光信号は、蛍光灯のインバータ点灯装置の分野において広く用いられている。調光信号がHighレベルのとき、フォトカプラPC3の発光素子の光信号によりフォトカプラPC3の受光素子がオンとなり、トランジスタQ3のベースバイアスがバイパスされるので、トランジスタQ3は高抵抗状態となる。これによりシュミットインバータIC3の入力電圧が上側しきい値よりも高くなると、シュミットインバータIC3の出力電圧はLowレベルとなる。調光信号がLowレベルのとき、フォトカプラPC3の発光素子の光信号が消失することによりフォトカプラPC3の受光素子はオフとなり、トランジスタQ3に抵抗R32を介してベースバイアスが供給されるので、トランジスタQ3は低抵抗状態となる。これによりシュミットインバータIC3の入力電圧が下側しきい値よりも低くなると、シュミットインバータIC3の出力電圧はHighレベルとなる。シュミットインバータIC3の出力電圧がHighレベルのとき、ダイオードD5、抵抗R5を介してコンデンサC5が充電され、コンデンサC5の電圧は上昇する。コンデンサC5には放電用の抵抗R6が並列接続されており、シュミットインバータIC3の出力電圧がLowレベルのとき、コンデンサC5の電圧は低下する。その充放電の時定数は調光信号の周期に比べると比較的大きく設定されており、コンデンサC5は実質的な平滑作用を有している。これにより、コンデンサC5の電圧はシュミットインバータIC3の出力電圧がHighレベルである期間に応じた電圧となり、調光信号がLowレベルである期間が長くなるほど高くなる。《電流比較器24について》次に、電流比較器24について説明する。電流比較器24は、負荷電流検出抵抗R2により検出される負荷電流が基準電流例えば、50μAよりも大きいか否かを判定し、負荷電流が基準電流よりも大きいと判定されたときには、フォトカプラPC2を介して制御用集積回路IC1のマスク端子MASK7番ピンにHighレベルのマスク信号を伝達するように動作する。負荷電流検出抵抗R2の両端電圧は、抵抗R44とコンデンサC44よりなるノイズフィルタ回路を介してコンパレータIC4の入力端子に入力されている。コンパレータIC4の-入力端子には、2次側の制御電源電圧Vcc2を抵抗R41,R42により分圧した基準電圧が印加されている。なお、電流フィードバック回路22の集積回路IC2の7番ピンには2次側の制御電源電圧Vcc2から生成した高精度の基準電圧1.5V±1が出力されているので、この基準電圧を抵抗R41,R42により分圧してコンパレータIC4の基準電圧としても良い。コンパレータIC4は汎用のオペアンプよりなり、入力端子の検出電圧が-入力端子の基準電圧よりも高いときは出力端子がHighレベル制御電源電圧Vcc2と略同電位となり、入力端子の検出電圧が-入力端子の基準電圧以下のときは出力端子がLowレベル2次側のグランドGND2と略同電位となる。コンパレータIC4の出力端子がLowレベルのとき、抵抗R43を介してフォトカプラPC2の発光素子に電流が流れるので、その発光信号を受光してフォトカプラPC2の受光素子の抵抗値が下がり、制御用集積回路IC1のマスク端子MASK7番ピンはLowレベルに設定される。これにより、制御用集積回路IC1の間欠動作は許可される。コンパレータIC4の出力端子がHighレベルのとき、フォトカプラPC2の発光素子は消灯しているので、フォトカプラPC2の受光素子の抵抗値は高く、抵抗R17を介して制御用集積回路IC1のマスク端子MASK7番ピンにHighレベルのマスク信号が与えられる。これにより、制御用集積回路IC1の間欠動作は禁止される。なお、電源端子Vcc6番ピンとマスク端子MASK7番ピンの間に接続される外付け抵抗R17は、制御用集積回路IC1に内蔵しても良い。《間欠動作の禁止と許可の技術的意義について》次に、間欠動作の禁止と許可の技術的意義について説明する。コンバータ回路20の出力に接続された平滑コンデンサC2は、上述のように、スイッチング素子Q1のオンオフによる脈動成分を平滑化して半導体発光素子30に平滑化された直流電流が流れるように容量を大きく設定されている。このため、例えば、調光回路23により設定される目標電流が、定格電流付近から消灯状態に近い調光状態に急激に操作されると、電流フィードバック回路22の制御が一時的に追随できなくなり、負荷電流が目標電流よりも高過ぎる状態が出現する。このとき、電流フィードバック用のフォトカプラPC1の受光素子の抵抗値は最低値となるから、1次側の制御用集積回路IC1は間欠動作に陥る恐れがある。このような場合であっても、本実施形態の回路構成によれば、電流比較器24により負荷電流を監視しているので、実際に流れている負荷電流が基準電流例えば、50μAよりも大きいときには、1次側の制御用集積回路IC1は間欠動作に入らないように制御できる。この場合、スイッチング素子Q1は最低パルス幅でオンオフ動作を継続することになる。これにより、平滑コンデンサC2の電圧が低下して行き、やがて負荷電流が電流比較器24の基準電流以下になると、コンパレータIC4の出力がLowレベルとなり、この段階で1次側の制御用集積回路IC1の間欠動作が許可される。ところで、間欠動作を禁止して、スイッチング素子Q1を最小のオンパルス幅まで制御可能とすることにより、負荷電流を最終的に50μAまで安定して絞れるのであれば、最初から間欠動作機能を有していないスイッチング電源制御用集積回路例えば、富士電機製のFA5531やFA5573を用いれば良いと多くの当業者は考えるであろうが、その場合、最低出力時におけるスイッチング損失の削減が不十分となる。特に、調光操作だけで実質的な消灯操作がされた場合には、ユーザーは照明器具を消灯操作したと考えているので、スイッチング損失が多い状態に放置されているのは不都合である。そこで、調光操作により実質的に照明器具が消灯しているとユーザーが認識するようなレベルまで負荷電流が絞られた場合には、スイッチング電源制御用集積回路の間欠動作を許可して、本来制御可能な最小のオンパルス幅よりは少し長めのオンパルス信号を用いて間欠的にオンオフ動作を行わせる。このようにすれば、同じ負荷電流を供給し続けるにしても、スイッチング素子Q1のスイッチング回数が大幅に減少するので、スイッチング損失は大幅に減少する。また、この段階で間欠動作を開始するのであれば、ユーザーが光の点滅を認識することは困難であるので、光出力のちらつきという問題も生じない。《種々の変形例について》図1の実施形態では、制御用集積回路IC1の外部にスイッチング素子Q1を外付けしているが、制御用集積回路IC1の内部にスイッチング素子Q1を内蔵していても良い。その場合、スイッチング素子Q1のオン時の両端電圧によりスイッチング素子Q1に流れる電流を検出しても良い。図1の実施形態では、スイッチング素子Q1に流れる電流のピーク値を可変制御することにより結果的にスイッチング素子Q1のオンパルス幅を可変制御しているが、制御用集積回路IC1の内部にパルス幅設定回路を内蔵し、スイッチング素子Q1のオンパルス幅を直接設定しても構わない。図1の実施形態では、ゼロ電流検出入力端子ZCD1番ピンによりトランスT1からの電流放出が完了したことを検出したタイミングでスイッチング素子Q1を再度オンさせているが、制御用集積回路IC1の内部に高周波発振器を内蔵し、その高周波発振出力のタイミングでスイッチング素子Q1を再度オンさせるように制御しても良い。あるいは、制御用集積回路IC1の内部にオフ時間タイマーを内蔵し、所定のオフ時間が経過すると、スイッチング素子Q1を再度オンさせるように制御しても良い。図2の実施形態では、間欠動作を許可するときに、フォトカプラPC2の光信号が発生しているが、間欠動作を禁止するときにフォトカプラPC2の光信号が発生するように構成しても良い。例えば、図2のフォトカプラPC2の受光素子と抵抗R17の配置を入れ替えると共に、コンパレータIC4の入力端子と-入力端子の接続を入れ替えるか、または、制御電源電圧Vcc2側に接続されたフォトカプラPC2の発光素子と抵抗R43の直列回路をコンパレータIC4の出力端子と2次側グランドGND2の間に接続するように改変すれば、間欠動作を禁止するときにフォトカプラPC2の光信号が発生する動作となる。図2の実施形態では、スイッチング電源装置としてフライバック型のDC-DCコンバータ回路を例示したが、これに限定されるものではなく、フォワード型のDC-DCコンバータ回路、降圧チョッパ回路、昇圧チョッパ回路、昇降圧チョッパ回路などの種々の回路を用いた場合にも、本発明を適用可能であることは言うまでも無い。実施形態2上述の実施形態1では、半導体発光素子30に流れる負荷電流が基準電流例えば、50μAよりも大きいときは制御用集積回路IC1の間欠動作を禁止し、負荷電流が基準電流以下になると、制御用集積回路IC1の間欠動作を許可するように制御しているが、電流比較器24に代えて、電圧比較器図示せずを設けて、半導体発光素子30に印加される負荷電圧が基準電圧よりも大きいときは制御用集積回路IC1の間欠動作を禁止し、負荷電圧が基準電圧以下になると、制御用集積回路IC1の間欠動作を許可するように制御しても良い。また、電流比較器24と電圧比較器を併用し、それらの出力の論理積もしくは論理和により制御用集積回路IC1の間欠動作の禁止/許可を制御するように構成しても構わない。実施形態3図4は本発明のLED点灯装置を用いた電源別置型LED照明器具の概略構成を示している。この電源別置型LED照明器具では、LEDモジュール300の筐体32とは別のケースに電源ユニットとしての点灯装置200を内蔵している。こうすることによってLEDモジュール300は薄型化することが可能となり、別置型の電源ユニットとしての点灯装置200は場所によらず設置可能となる。器具筐体32は、下端開放された金属製の円筒体よりなり、下端開放部は光拡散板33で覆われている。この光拡散板33に対向するように、LEDモジュール300が配置されている。31はLED実装基板であり、LEDモジュール300のLED3a,3b,3c,...を実装している。器具筐体32は天井100に埋め込まれており、天井裏に配置された電源ユニットとしての点灯装置200からリード線34とコネクタ35を介して配線されている。電源ユニットとしての点灯装置200の内部には、実施形態1、2で説明した回路が収納されている。LED3a,3b,3c,...の直列回路LEDモジュール300が上述の半導体発光素子30に対応している。本実施形態では、電源ユニットとしての点灯装置200がLEDモジュール300とは別の筐体に収納される電源別置型LED照明器具を例示したが、LEDモジュール300と同じ筐体に電源ユニットを収納した電源一体型LED照明器具に本発明の点灯装置を用いても構わない。また、本発明の点灯装置は、照明器具に限らず、各種の光源、例えば、液晶ディスプレイのバックライトや、複写機、スキャナ、プロジェクタなどの光源として利用しても構わない。上述の各実施形態の説明では、半導体発光素子30として発光ダイオードを例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、有機EL素子や半導体レーザー素子などであっても良い。"