基板を支持する基板支持装置であって、前記基板支持装置は、サセプタと、前記サセプタ上に配置され前記基板の一部を支持するスペーサと、前記サセプタ及び前記スペーサ上に配置され、前記基板を収容する貫通孔を備えるサセプタカバーと、を有し、前記サセプタカバーは、前記貫通孔の所定位置に、前記スペーサを位置決めする位置決め部を備えることを特徴とする基板支持装置。前記位置決め部は、前記スペーサの一部を覆い前記スペーサの少なくとも1方向への移動を制限することを特徴とする請求項1に記載の基板支持装置。前記サセプタカバーは、複数の前記位置決め部を備え、複数の前記スペーサを位置決めすることを特徴とする請求項2に記載の基板支持装置。前記サセプタカバーは、前記貫通孔に内接する正多角形の頂点に位置するように複数の前記位置決め部を備えることを特徴とする請求項3に記載の基板支持装置。前記サセプタカバーは、複数の前記貫通孔を備え、複数の前記貫通孔は、同心円周上に前記位置決め部を備えることを特徴とする請求項4に記載の基板支持装置。前記スペーサは、前記基板と前記サセプタの間に間隙を設けるための孔を備えることを特徴とする請求項2に記載の基板支持装置。基板を支持する基板支持装置であって、前記基板支持装置は、サセプタと、前記サセプタ上に配置され前記基板の一部を支持する複数のスペーサと、前記サセプタ上に配置され前記基板を収容する貫通孔を備えるサセプタカバーと、前記サセプタ上に配置され前記貫通孔に収容される固定部材と、を有し、前記固定部材は、所定位置に複数の前記スペーサを位置決めする位置決め部を備えることを特徴とする基板支持装置。前記位置決め部は、前記スペーサの一部を囲み前記スペーサの水平方向への移動を制限することを特徴とする請求項7に記載の基板支持装置。前記固定部材は、前記貫通孔の同心円に内接する正多角形の頂点に位置するように複数の前記位置決め部を備えることを特徴とする請求項8に記載の基板支持装置。前記固定部材は、切り欠きを備えることを特徴とする請求項9に記載の基板支持装置。前記サセプタカバーは、前記固定部材を位置決めすることを特徴とする請求項10に記載の基板支持装置。前記サセプタカバーは、複数の前記貫通孔を備え、複数の前記スペーサが同心円周上に位置するように、複数の前記貫通孔に収容される前記固定部材を位置決めすることを特徴とする請求項11に記載の基板支持装置。請求項1から12の何れか1つに記載の基板支持装置を備えることを特徴とする気相成長装置。図15は、従来技術の課題を説明するための説明図であり、図14に示したIV-IV ́線に沿った断面を表している。ヒータ図示せずによって加熱された基板19上へ化合物半導体結晶の薄膜を生成するとき、化合物半導体結晶の格子定数が基板19よりも小さいと、基板19と化合物半導体結晶の熱膨張差によって基板19は下向きに凸状に反る。このとき、特許文献1のようにスペーサ65によって基板19の下面全面を支持していると、基板19とスペーサ65の接触度合いが変化してしまう。即ち、基板19が反ると、基板19の中心部はスペーサ65に接触するが、基板19の外周部はスペーサ65に接しないことから、基板19の中心部と外周部で基板温度が異なることになる。このように基板19の中心部と外周部で温度分布に差が発生すると、中心部の局所加熱によって基板割れが発生する恐れが有り、基板割れが発生しない場合でも、温度分布に差が発生した状態で化合物半導体結晶を成長させると成長中の条件が相違することになるため化合物半導体結晶の結晶性や厚さが不均一となり、品質が低下する問題が生じる。半導体発光素子を形成する場合は、基板19の中心部に形成される半導体発光素子と基板19の外周部に形成される半導体発光素子で発光波長や発光強度にバラツキが生じてしまう。図16は、基板支持装置の改良案を説明するための説明図である。サセプタカバー18の貫通孔18aに支持部18bを設け、基板19の下面全面を支持するのではなく、基板19の一部を支持して基板19とサセプタ63の間に間隙を設ける構造とする。基板19とサセプタ63の間の間隙によって、基板19が下向きに凸状に反っても基板19の中央部がサセプタ63と接触しないようする。基板19と支持部18bの接触面積を小さくすることで、接触部分からの熱の伝達を抑制し、サセプタ63からの放射熱によって基板19を加熱することで、基板19を接触度合いによらずに均一に加熱することができる。図17は、図16に示した基板支持装置の改良案の課題を説明するための説明図である。化合物半導体結晶を成膜するとき、化合物半導体結晶はサセプタカバー18にも生成されるため、サセプタカバー18と化合物半導体結晶の熱膨張差によってサセプタカバー18に反りが発生する。サセプタカバー18の反りによって、支持部18bによる基板19を支持する高さが変わるため、サセプタ63と基板19の距離が変わり、サセプタ63からの放射熱で加熱される基板19の表面温度にバラツキが生じる。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の表面温度のバラツキを抑制して、基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる基板支持装置、及び気相成長装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の基板支持装置は、基板を支持する基板支持装置であって、サセプタと、前記サセプタ上に配置され前記基板の一部を支持するスペーサと、前記サセプタ及び前記スペーサ上に配置され、前記基板を収容する貫通孔を備えるサセプタカバーと、を有し、前記サセプタカバーは、前記貫通孔の所定位置に、前記スペーサを位置決めする位置決め部を備えることを特徴としている。前記位置決め部は、前記スペーサの一部を覆い前記スペーサの少なくとも1方向への移動を制限することが好ましい。前記サセプタカバーは、複数の前記位置決め部を備え、複数の前記スペーサを位置決めすることが好ましい。前記サセプタカバーは、前記貫通孔に内接する正多角形の頂点に位置するように複数の前記位置決め部を備えることが好ましい。前記サセプタカバーは、複数の前記貫通孔を備え、複数の前記貫通孔は、同心円周上に前記位置決め部を備えることが好ましい。前記スペーサは、前記基板と前記サセプタの間に間隙を設けるための孔を備えることが好ましい。また、本発明の基板支持装置は、基板を支持する基板支持装置であって、サセプタと、前記サセプタ上に配置され前記基板の一部を支持する複数のスペーサと、前記サセプタ上に配置され前記基板を収容する貫通孔を備えるサセプタカバーと、前記サセプタ上に配置され前記貫通孔に収容される固定部材と、を有し、前記固定部材は、所定位置に複数の前記スペーサを位置決めする位置決め部を備えることを特徴としている。前記位置決め部は、前記スペーサの一部を囲み前記スペーサの水平方向への移動を制限することが好ましい。前記固定部材は、前記貫通孔の同心円に内接する正多角形の頂点に位置するように複数の前記位置決め部を備えることが好ましい。前記固定部材は、切り欠きを備えることが好ましい。前記サセプタカバーは、前記固定部材を位置決めすることが好ましい。前記サセプタカバーは、複数の前記貫通孔を備え、複数の前記スペーサが同心円周上に位置するように、複数の前記貫通孔に収容される前記固定部材を位置決めすることが好ましい。上記構成によれば、スペーサによって基板の一部を支持し基板とサセプタの間に間隙を設けることで、基板に反りが発生しても基板とスペーサの接触度合いが一定の条件で基板を支持することができる。また、サセプタ、サセプタカバー、及びスペーサをそれぞれ別体で構成しているため、サセプタカバーに反りが発生したとしても、スペーサによって基板の高さを一定の条件で基板を支持することができる。さらに、スペーサは位置決めされるため、処理の終えた基板を次の基板と交換したときにも毎回同じ条件で基板を支持することができる。本発明によれば、位置決めされるスペーサにより基板を一定の条件で支持し、基板の表面温度のバラツキを抑えることで、基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜するための基板支持装置及び気相成長装置を提供することができる。以下、本発明の実施例1について図1から図5に基づいて説明する。図1は、本実施例の基板支持装置100の斜視図である。基板支持装置100は、サセプタ101と、サセプタ101上に配置されるサセプタカバー102及びスペーサ103103a、103b、103cを有する。サセプタカバー102は、貫通孔104を備える。基板105は、貫通孔104に僅かなクリアランスを持って収容され、スペーサ103に支持されて配置される。化合物半導体結晶は基板105の上面に生成される。ここでは3つのスペーサ103103a、103b、103cを記載しているが、スペーサ103の数に制限はなく、安定して基板105を支持することができる場合は2つでもよく、4つ以上でもよい。ただし、スペーサ103は、基板105との接触面からの熱伝導による基板105の部分加熱を抑えるため、非常に小さな形状例えば、幅1~3mm、長さ3~5mm、厚み0.1~0.5mmとすることが好ましく、非常に小さな形状のスペーサ103で基板105を安定して支持するために、スペーサ103は3個以上であることが好ましい。また、スペーサ103は、基板105をムラが無く加熱するため、全て同一の形状とし、中心O1から対称的な配置とする。ここで、中心O1は、サセプタ101の上面と貫通孔104の中心軸との交点である。即ち、スペーサ103は、中心O1を中心とする中心角がそれぞれ等しくなるように配置する。例えば、貫通孔104に内接する正多角形の頂点の位置に配置され、ここでは、貫通孔104に内接する正三角形の頂点の位置に配置されている。スペーサ103は、中心O1を対称点とした点対称な位置に配置してもよい。スペーサ103を小さな形状とすると、成膜処理の終えた基板を新しい基板と交換するときスペーサ103が移動してしまう場合があるが、スペーサ103を再度配置するとき、前回成膜処理を行ったときと異なる位置に配置すると、新しい基板を支持する条件が変わり、成膜時の基板の表面温度が変わってしまう場合がある。そこで本実施例は、基板の交換を行っても毎回同じ条件で基板を支持するために、サセプタカバー102によってスペーサ103を位置決めする。図2は、図1のI-O1-I ́線に沿った基板支持装置100の断面図である。サセプタカバー102は、一部がスペーサ103の上にも配置される。即ち、サセプタカバー102は、貫通孔104の所定位置に、スペーサ103103a、103b、103cを位置決めするための位置決め部106106a、106b、106c図示せずを備え、位置決め部106はスペーサ103の一部を覆う。位置決め部106に覆われたスペーサ103は、径方向外側中心O1の同心円の半径に沿って中心O1から遠ざかる方向及び周方向中心O1の同心円の円周に沿った方向への移動を制限される。サセプタカバー102は、スペーサ103を上述したような位置に配置するために、中心O1から対称的な位置に位置決め部106を備える。ここでは、貫通孔104に内接する正三角形の頂点に位置するように位置決め部106を備える。基板105は、スペーサ103の位置決め部106に覆われていない部分に配置される。スペーサ103は、基板105の中央部とサセプタ101の間に間隙を設けるように基板105の外周部を支持する。スペーサ103の高さは、基板105が下向きに凸状に反っても基板105とサセプタ101が接触しないような高さとし、例えば基板105に最大150μmの反りが発生する場合、スペーサ103の高さは200μmとする。また、サセプタカバー102の高さは、反応ガスの流れを乱さずに成膜できるようにスペーサ103に支持された基板105の高さに合わせる。位置決め部106とスペーサ103は、完全に接触していなくてもよく僅かにクリアランスを有してもよい。スペーサ103を配置するときは、サセプタ101上にサセプタカバー102を配置し、スペーサ103を径方向外側へ動かして位置決め部106へ挿入する。図3は、本実施例の位置決め部106を説明するための説明図であり、図2の位置決め部106aの周辺部分とスペーサ103aを表している。図3Aは、サセプタカバー102の位置決め部106aの周辺部分及びスペーサ103aの断面を説明するための説明図であり、図3Bは、サセプタカバー102の位置決め部106aの周辺部分及びスペーサ103aの底面サセプタ101側の面を説明する説明図である。位置決め部106aは、スペーサ103aの形状に合わせて形成され、位置決め部106aの断面ABCは、スペーサ103aの断面DEFに合わせて形成される。即ち、位置決め部106aの奥行きABの間隔は、スペーサ103aの長さEDの間隔よりも小さく形成される。位置決め部106aにスペーサ103aを挿入したとき、スペーサ103aは位置決め部106aの奥BCに当接し径方向外側への移動が制限されるが、一部が位置決め部106aに覆われない状態となり、基板105はスペーサ103aの位置決め部106aに覆われていない部分へ配置される。また、位置決め部106aの高さBCの間隔はスペーサ103aの高さEFの間隔よりも僅かに大きくなるように形成される。同様に、位置決め部106aの底面GHIJは、スペーサ103aの底面KLMNに合わせて形成される。即ち、位置決め部106aの幅HI及びGJはスペーサ103aの幅LM及びKNよりも僅かに大きくなるように形成され、スペーサ103aは位置決め部106aにクリアランスを持って覆われる。スペーサ103b、103c及び位置決め部106b、106cも同様である。図4は、サセプタカバー102に反りが発生したときの状態を説明するための説明図である。基板105に化合物半導体結晶の薄膜を生成するとき、化合物半導体結晶はサセプタカバー102にも生成される。例えば、サセプタカバー102を石英で構成し、化合物半導体結晶として窒化ガリウムが生成されたとき、サセプタカバー102の線膨張係数は0.4×10-6/Kであり、化合物半導体結晶の線膨張係数は5.6×10-6/Kである。このようなサセプタカバー102と化合物半導体結晶の線膨張係数の差異によりサセプタカバー102に反りが発生する。図17に示したように、基板105を支持する支持部がサセプタカバー102に一体として構成されている場合、サセプタカバー102の反りと共に支持部も浮き上がり基板105を支持する高さが変化してしまうため、サセプタ101の放射熱によって加熱される基板105の表面温度が不均一になる。同様に、スペーサ103が位置決め部106に固定された構成であっても、サセプタカバー102の反りによって基板105を支持する高さが変化してしまう。本実施例のスペーサ103は、位置決め部106に覆われているがサセプタカバー102から独立しているため、サセプタカバー102に反りが発生しても、基板105を支持する高さが変わらず一定であり、基板105の表面温度のバラツキを抑制することができる。スペーサ103は、直方体として記載したが、これに限らずどのような形状でもよい。スペーサ103の形状に合わせ位置決め部106も変更可能であり、スペーサ103の位置を定めることができればどのように形状でもよい。また、スペーサ103は、径方向内側中心O1の同心円の半径に沿って中心O1に近づく方向へ移動可能であるが、成膜時に基板105を支持している状態では、スペーサ103はサセプタ101又は基板105との摩擦により移動しない。スペーサ103の径方向内側への移動を、スペーサ103と位置決め部106の形状によってスペーサ103の移動を制限してもよく、例えば図5のような形状にしてもよい。図5は、スペーサ103の別の例を説明するための説明図であり、サセプタカバー102とスペーサ103の底面を表す。スペーサ103aを三角柱状に形成し、このようなスペーサ103aに合わせて位置決め部106aPQRSを形成したとき、位置決め部106aの奥の部分QRの間隔を位置決め部106aの入り口の部分PSの間隔よりも大きくして、位置決め部103aが支持部材103aの径方向内側への移動を制限してもよい。このような構成の場合にサセプタカバー102とスペーサ103を設置するときは、サセプタ101上にスペーサ103を配置した後、スペーサ103が位置決め部106に挿入されるようにしてサセプタ101にサセプタカバー102を配置する。本実施例は、基板105の一部を支持して基板105とサセプタ101との間に間隙を設けることで、基板105の反りによって接触度合いが変わることを抑制し、一定の接触度合いで基板105を支持することができる。また、サセプタカバー102とスペーサ103は独立しており、サセプタカバー102に反りが発生してもスペーサ103の高さは変わらず、基板105を一定の高さで支持することができる。以上により、基板105の表面温度のバラツキを抑制することができ、品質の安定した化合物半導体結晶の薄膜を成膜することができる。本実施例は、サセプタカバー102がスペーサ103を位置決めするため、成膜処理の終えた基板を新しい基板と交換しても、同じ条件で新しい基板を支持することができるため、基板間のバラツキを抑制して成膜することができる。次に、本発明の実施例2について図6から図8に基づいて説明する。図6は、本実施例の基板支持装置200の斜視図である。基板支持装置200は、サセプタ201と、サセプタ201上に配置されるサセプタカバー202及びスペーサ203を有する。サセプタカバー202は、貫通孔204を備えスペーサ203を収容する。スペーサ203は、貫通孔204と同心円状に孔を有し、基板205の外周部を支持して基板205の中央部とサセプタ201の間に間隙を設ける。基板205は、僅かなクリアランスを持って貫通孔204に収容されスペーサ203に支持されて配置される。ここで、中心O2は、サセプタ201の上面と貫通孔204の中心軸との交点である。図7は、図6のII-II ́線に沿った基板支持装置200の断面図である。サセプタカバー202は、一部がスペーサ203の上にも配置される。即ち、サセプタカバー202は、貫通孔204の所定位置に位置決め部206を備え、位置決め部206はスペーサ203の一部を覆い、スペーサ203の水平方向の移動を制限する。位置決め部206とスペーサ203は、完全に接触していなくてもよく僅かにクリアランスを有してもよい。基板205は、スペーサ203の位置決め部206に覆われていない部分へ配置される。実施例1と同様に、スペーサ203の高さは、基板205が下向きに凸状に反っても基板205とサセプタ201が接触しないような高さとし、サセプタカバー202の高さは、反応ガスの流れを乱さないようにスペーサ203に支持された基板205の高さに合わせる。図8は、本実施例の位置決め部206を説明するための説明図であり、サセプタカバー202とスペーサ203をサセプタ101側から見た斜視図で表している。位置決め部206は、サセプタカバー202の貫通孔204に段差状に形成される。スペーサ203は、外周部を位置決め部206に覆われ、内側の部分で基板205を支持する。サセプタ201上にサセプタカバー202及びスペーサ203を配置するときは、サセプタ201上にスペーサ203を配置し、スペーサ203を収容するようにしてサセプタ201及びスペーサ203上にサセプタカバー202を配置する。本実施例は、スペーサ203を複数の部材で構成しないため、スペーサ203の加工や配置作業等の取り扱いを容易に行うことができる。次に、本発明の実施例3について図9から図11に基づいて説明する。図9は、本実施例の基板支持装置300の斜視図である。基板支持装置300は、サセプタ301と、サセプタ301上に配置されるサセプタカバー302、スペーサ303303a、303b、303c、及び固定部材304を有する。サセプタカバー302は、貫通孔305を備え固定部材304を収容する。固定部材304は、スペーサ303を、中心O3から対称的な位置に位置決めする。基板306は、僅かなクリアランスを持って貫通孔305に収容されスペーサ303に支持されて配置される。ここで、中心O3は、固定部材304の上面と貫通孔305の中心軸との交点である。図10は、本実施例のスペーサ303及び固定部材304を説明するための説明図である。固定部材304は、中心O3を中心として貫通孔305と略同一の半径を有する円盤状であり、外周部が貫通孔305に接して配置され、水平方向の移動を制限される。固定部材304は、位置決め部307307a、307b、307cを備える。位置決め部307は、スペーサ303の一部を囲みスペーサ303を位置決めする。位置決め部307は、固定部材304の上面と下面を貫通する孔として形成され、スペーサ303は、位置決め部307へ挿入されることで、水平方向への移動を制限される。固定部材304は、位置決め部307から外周部へ切り欠き308308a、308b、308cを備え、熱膨張による変形が低減される。サセプタカバー302と固定部材304は完全に接触していなくてもよく僅かにクリアランスを有してもよい。同様に、スペーサ303と固定部材304は完全に接触していなくてもよく僅かにクリアランスを有してもよい。3つのスペーサ303305a、305b、305cを記載しているが、スペーサ303の数に制限は無く、安定して基板306を支持することができる場合は2つでもよく、4つ以上でもよい。ただし実施例1と同様に、スペーサ303は、接触面からの熱伝導による基板306の部分加熱を抑えるため、小さな形状にすることが好ましく、スペーサ303の数は3個以上であることが好ましい。スペーサ303は全て同一の形状であればどのような形状でもよく、位置決め部307はスペーサ303の形状に合わせて形成される。固定部材304は、中心O3から対称的な位置に位置決め部307を備える。即ち、中心O3の円周上に、中心角がそれぞれ等しくなるように配置され、ここでは、中心O3の円周貫通孔305の同心円に内接する正三角形の頂点に位置するように位置決め部307を備える。図11は、図9のIII-III ́線に沿った基板支持装置300の断面図である。サセプタカバー302の高さは、スペーサ303に支持された基板306の高さに合わせ、反応ガスの流れを乱さずに成膜できるようにする。固定部材304の高さは、スペーサ303の高さよりも小さくし、基板306は固定部材304との間に間隙を設けるようにして支持される。即ち、スペーサ303及び固定部材304の高さは、基板306が凸状に反っても基板306と固定部材304が接触しないような高さとする。固定部材304の切り欠き308の部分はサセプタカバー302と接しないが、切り欠き308の周辺部分でサセプタカバー302に接するため、固定部材304は水平方向の移動が制限される。スペーサ303は、サセプタカバー302によって水平方向の移動を制限される固定部材304によって位置決めされ、水平方向への移動を制限される。固定部材304は、中心O3を通る鉛直線を中心軸として回転可能であるが、サセプタ301との摩擦により成膜時に回転することはない。成膜処理の終えた基板を新しい基板に交換するときに固定部材304が回転すると、サセプタ301に対してスペーサ303の位置が変化してしまう場合があるため、貫通孔305が固定部材304を位置決めしてもよい。例えば、固定部材304の外周部に凸状の領域を設け、サセプタカバー302によって該凸状の領域を覆うことで、位置決めしてもよい。貫通孔305に印を設け、該印に切り欠き308を合わせるように、固定部材304を配置してもよい。本実施例は、サセプタ301をサセプタカバー302及び固定部材304で覆うため、サセプタ301に化合物半導体結晶が付着することを効果的に防ぐことができる。次に、本発明の実施例4について図12に基づいて説明する。図12は、本実施例の基板支持装置400の平面図である。基板支持装置400は、サセプタ401とサセプタ401上に配置されるサセプタカバー402及びスペーサ403を有し、サセプタカバー402は、複数の貫通孔404a、404b、、404hを備える。スペーサ403は、貫通孔404a、404b、、404hにそれぞれ配置される。各貫通孔404a、404b、、404hは、それぞれ基板を収容し、各基板は各貫通孔404a、404b、、404hに配置されたスペーサ403に支持される。1つの貫通孔の内側を見ると、実施例1から3の何れか1つと同様の構造をしており、例えば貫通孔404aの内側には、実施例1と同様のスペーサ403403a、403b、403cが配置されており、スペーサ403は、位置決め部405405a、405b、405cによって位置決めされている。貫通孔404b、404c、、404hの内側にも、貫通孔404aに配置されたスペーサ403と同じ構造のスペーサ403が、位置決め部405によって位置決めされている。同じ形状の基板を支持するために、貫通孔404a、404b、、404hはそれぞれ同じ形状をしている。各基板に成膜される薄膜の膜質を均一にするため、サセプタ401は中心O4を通る鉛直線を中心軸として回転し、サセプタ401の回転と共にサセプタカバー402及びスペーサ403も回転する。各基板を同じ条件で支持するために、サセプタカバー402は中心O4から等しい距離に貫通孔404a、404b、、404hを有する。貫通孔404a、404b、、404hは8個記載しているが、数に制限は無く何個でもよい。また、各基板を同じ条件で支持するためにスペーサ403も各貫通孔404a、404b、、404hの内側に同じように配置されることが好ましく、各貫通孔404a、404b、、404hに配置されたスペーサ403aは中心O4を中心とする円周上に配置され、各貫通孔404a、404b、、404hに配置されたスペーサ403b、403cも同様に中心O4を中心とする円周上に配置される。即ち、各貫通孔404a、404b、、404hは、中心O4を中心とする同心円周上に位置決め部405aを備える。そのため、サセプタカバー402は、各貫通孔404a、404b、、404hの中心O4に最も近い位置に、位置決め部405aを備え、各貫通孔404a、404b、、404hに内接する正三角形の頂点となる位置に、位置決め部405b、405cを備える。表1は、図12に示した基板支持装置400で、複数の基板に薄膜を生成した実施例における、各基板の薄膜の厚さの平均値膜厚と厚さの分布を示した表である。比較例は、基板支持装置400と同様の複数の貫通孔を備え、各貫通孔が図16に示したような支持部を備える基板支持装置で、複数の基板に薄膜を生成した例である。8個の貫通孔のうち1個にはダミー基板を配置し、残りの貫通孔に7個の基板を配置して各基板の膜厚と厚さの分布を測定した。基板支持装置400で基板を支持した場合は、P1からP7の基板の間で薄膜の厚さの平均値が均一になり、複数の基板間でバラツキが抑制されている。また、基板支持装置400で基板を支持した場合は、厚さの分布の値が小さくなり、1つの基板における厚さのバラツキも抑制されている。スペーサが実施例3のような構成であるときも、サセプタカバーはサセプタの回転の中心軸から等しい距離に複数の貫通孔を有し、各貫通孔は同じ形状のスペーサ及び固定部材を収容する。このとき、各貫通孔のスペーサは中心O4を中心とする同心円周上に配置されることが好ましい。そのため、サセプタカバーは、各貫通孔のスペーサが中心O4を中心とする同心円周上に位置するように、各貫通孔の固定部材を位置決めすることが好ましい。例えば、サセプタカバーは、各貫通孔の中心O4に最も近い位置に切り欠きの1つが位置するように、固定部材を位置決めしてもよい。また、スペーサが実施例2のような構成であっても、サセプタカバーはサセプタの回転の中心軸から等しい距離に複数の貫通孔を有し、各貫通孔は同じ形状のスペーサを収容する。本実施例は、複数の基板を同じ条件で支持することができるため、複数の基板を同時に処理しても、基板間の特性のばらつきを抑制することができる。以下、本発明の基板支持装置を備える気相成長装置について図13に基づいて説明する。図13は、本発明の気相成長装置510の概略を説明するための説明図である。気相成長装置510は、反応室511の内部に基板支持装置500を有している。基板支持装置500は、サセプタ501と、サセプタ501上に配置されるサセプタカバー502及びスペーサ503を有する。サセプタカバー502は基板505を収容する貫通孔504を備え、基板505は貫通孔504に収容されスペーサ503に支持される。スペーサ503は、サセプタカバー502の位置決め部506によって位置決めされる。基板支持装置500は、実施例1から4の何れか1つに記載した基板支持装置と同じ構成であるため、詳細な説明を省略する。反応室511は、内部に基板支持装置500が設置され、基板支持装置500を大気から隔離する。反応室511はガス供給管512が接続され、ガス供給源513はガス供給管512を介して反応ガスをキャリアガスと共に供給する。反応室511の上部にはシャワーヘッド514が設置され、供給された反応ガスは、シャワーヘッド514を介して反応室511全体へ均一に導入される。また、反応室511は、ガス排気管515を介して内部のガスの排気を行い、排気されたガスは排ガス処理装置516によって無害化される。基板支持装置500は、反応室511の内部にシャワーヘッド514と対向するように設置される。また、基板支持装置500は回転装置517に備え付けられ、回転装置517は基板支持装置500を回転させる。基板支持装置500の下部にはヒータ518を備え、ヒータ518の熱はサセプタ501を介して基板505へ供給される。気相成長装置510は、加熱された基板505に反応ガスを供給し、化合物半導体結晶の薄膜を生成する。反応ガスは、トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA等の有機金属ガスと、アンモニアNH3、ホスフィンPH3、アルシンAsH3等の水素化合物ガスの混合物であり、これらの反応ガスは、窒素N2等のキャリアガスと共に反応室511へ導入される。例えば、反応ガスとしてトリメチルガリウムTMGとアンモニアNH3を導入して気相成長させると、基板505に窒化ガリウムGaNの薄膜が生成される。サセプタ501は、ヒータ518からの熱を基板に供給するため、熱伝導率の高い材料であることが好ましい。また、熱伝導率が高いことに加えて、例えば、反応ガスへの耐食性、又は高温耐性熱耐性等も有する必要がある。このため、サセプタ501は、例えば、グラファイトカーボン、SiCコートを施したグラファイト、SiC、モリブデン、タングステン、タンタル等のメタル材料等で構成される。サセプタカバー502は、反応ガスへの耐食性を有する必要があり、例えば、石英、SiC、パイロリティックグラファイト等の材料で構成される。サセプタカバー502はサセプタ501を覆ってサセプタ501が成膜面側に露出することを防ぎ、サセプタ501の上面に化合物半導体結晶が生成されることを防止する。基板支持装置500が実施例3のような固定部材を有する場合は、固定部材もサセプタカバー502と同じ材料で構成される。スペーサ503は、接触部分から基板505への熱伝導を抑制するため、熱伝導率が低い材料で構成されることが好ましく、例えば石英で構成される。基板505は、半導体基板、ウエハ、ガラス基板、サファイア基板等が用いられる。基板505の形状は、円形でなくてもよい。貫通孔504も円形でなくてもよく、基板505の形状に合わせて変形可能である。サセプタカバー502は、1つの部材に1つ又は複数の貫通孔504が形成されてもよいが、複数の部材から形成されていてもよい。複数の部材を組み合わせることで貫通孔504を形成するような構成でもよい。サセプタ501の上面は、平面として記載しているが、サセプタカバー502を配置するときの位置決めのための凸部や凹部を有してもよい。以上説明したとおり、本発明の気相成長装置は、基板505を一定の条件で支持し、基板の表面温度のバラツキを抑えることができるため、基板505上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜することができる。本発明の基板支持装置及び気相成長装置は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。