種結晶の接着状態の検査方法であって、前記種結晶と、前記種結晶を接着している接着層と、前記接着層によって前記種結晶が接着されている支持部とを有する被検査物を準備する工程と、前記種結晶および前記支持部のいずれかを透過して前記接着層に至るように、前記被検査物の被検査面へ超音波を照射する工程と、前記被検査面における、前記超音波の反射波の減衰定数の分布を算出する工程とを備える、種結晶の接着状態の検査方法。前記被検査面において、前記減衰定数が所定の閾値の範囲内となる部分の割合を算出する工程をさらに備える、請求項1に記載の種結晶の接着状態の検査方法。前記種結晶は炭化珪素から作られている、請求項1または2に記載の種結晶の接着状態の検査方法。前記接着層は、C系またはSiC系接着剤を用いて作られた層を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の種結晶の接着状態の検査方法。前記超音波の周波数は10MHz以上100MHz以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の種結晶の接着状態の検査方法。種結晶を接着している接着層の不良として最も重大なのはボイドの存在である。よって種結晶の接着状態の検査においては、ボイドを精度よく検知することが求められる。しかしながら上記公報の技術のように種結晶の接着状態が反射光の明暗に基づいて判別される場合、反射光の明暗がボイド以外の要因に大きく左右されることから、ボイドの検知の精度が十分に高くなかった。よって種結晶の接着状態を精度よく検査することができなかった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、種結晶の接着状態の、精度の高い検査方法を提供することである。本発明の種結晶の接着状態の検査方法は、種結晶の接着状態の検査方法であって、次の工程を有する。種結晶と、種結晶を接着している接着層と、接着層によって種結晶が接着されている支持部とを有する被検査物が準備される。種結晶および支持部のいずれかを透過して接着層に至るように、被検査物の被検査面へ超音波が照射される。被検査面における、超音波の反射波の減衰定数の分布が算出される。この検査方法によれば、超音波の反射波の減衰定数が接着層中のボイドに起因して減少することを検知することにより、ボイドの存在を精度よく把握することができる。よって種結晶の接着状態を精度よく検査することができる。好ましくは上記の検査方法において、被検査面において、減衰定数が所定の閾値の範囲内となる部分の割合が算出される。これにより、検査結果を定量化することができる。好ましくは種結晶は炭化珪素から作られている。炭化珪素から作られた種結晶は接着層中のボイドの影響を特に受けやすいことから、本発明の検査方法が特に適している。好ましくは接着層は、C系またはSiC系接着剤を用いて作られた層を含む。これらの接着剤を用いた場合にはボイドが特に発生しやすい。よってボイドを精度よく把握することができる本発明の検査方法により、高い精度での検査が可能である。好ましくは超音波の周波数は10MHz以上100MHz以下である。周波数が低過ぎると、被検査物の被検査面から侵入した超音波が反対面にまで到達する割合が高くなり、この反対面からの反射波の影響に起因して、検査精度が低下する。よって周波数は10MHz以上であることが好ましい。周波数が高過ぎると、被検査物中での超音波の減衰が大きくなり過ぎることで、接着層からの反射波の強度が過度に小さくなってしまう。このため検査精度が低下する。よって周波数は100MHz以下が好ましい。上述したように本発明によれば、種結晶の接着状態を精度よく検査することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお結晶学的な記載に関して、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。被検査物の準備はじめに、本実施の形態における検査方法によって検査される被検査物IS図3を準備する方法について説明する。被検査物ISは、詳しくは後述するが、種結晶11と、種結晶11を接着している接着層30と、接着層30によって種結晶11が接着されている支持部41とを有するものである。図1を参照して、種結晶11が準備される。種結晶11は、その上に単結晶が成長することになる面である表面図中、下面と、支持部41図1において図示せずに取り付けられることになる面である裏面図中、上面とを有する。種結晶11は、単結晶構造を有する炭化珪素SiCからなる。種結晶11の厚さ図中、縦方向の寸法は、たとえば0.5mm以上10mm以下である。また種結晶11の平面形状は、直径100mmの円を包含していることが好ましい。また種結晶の面方位の{0001}面からのオフ角度傾き、すなわち0001面または000-1面からのオフ角度は、15°以下が好ましく、5°以下がより好ましい。好ましくは、種結晶11の裏面の表面粗さをより大きくする加工が行われる。この加工は、十分に大きな粒径を有する砥粒を用いて裏面を研磨することによって行われ得る。砥粒の粒度分布は、好ましくは16μm以上の成分を有する。砥粒の平均粒径は、好ましくは5μm以上50μm以下であり、より好ましくは10μm以上30μm以下であり、さらに好ましくは12~25μmである。より好ましくは、上記の砥粒はダイヤモンドから作られている。また好ましくは、上記の砥粒はスラリー中に分散されて用いられる。よって上記の研磨は、たとえば、ダイヤモンドスラリーを用いて行われ得る。なお種結晶11の裏面の表面粗さをより大きくする工程を行う代わりに、最初から十分に大きな表面粗さを有する裏面を形成し、この裏面を研磨することなく用いてもよい。具体的には、ワイヤソーによるスライスによって形成された種結晶11の裏面を、研磨することなく用いてもよい。すなわち裏面として、スライスによって形成されかつその後に研磨されていない面であるアズスライス面を用いてもよい。好ましくはワイヤソーによるスライスにおいて、上述した砥粒が用いられる。次に種結晶11の裏面上に、炭素を含有する被覆膜21、言い換えれば、炭素原子を含む被覆膜21が形成される。好ましくは、被覆膜21の表面粗さは、被覆膜21が形成される種結晶11の裏面の表面粗さに比して小さくされる。好ましくは、この形成は液体材料の塗布によって行われ、より好ましくは、この液体材料は微粒子のような固体物を含有しない。これにより薄い被覆膜21を容易かつ均一に形成することができる。被覆膜21は、本実施の形態においては有機膜である。この有機膜は、好ましくは有機樹脂から形成される。有機樹脂としては、たとえば、アクリル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂などの各種樹脂を用いることができ、また光の作用で架橋または分解される感光性樹脂として組成されたものを用いることもできる。この感光性樹脂としては、半導体装置の製造用に用いられているポジ型またはネガ型フォトレジストを用いることができ、これらについてはスピンコート法による塗布技術が確立されているので、被覆膜21の厚さを容易に制御することができる。スピンコート法は、たとえば、以下のように行われる。まず種結晶11がホルダーに吸着される。このホルダーが所定の回転速度で回転することで、種結晶11が回転させられる。回転している種結晶11上にフォトレジストが滴下された後、所定時間回転が継続されることで、薄く均一にフォトレジストが塗布される。種結晶11全面に渡る均一性を確保するためには、たとえば、回転速度は1000~10000回転/分、時間は10~100秒、塗布厚は0.1μm以上とされる。次に塗布されたフォトレジストが乾燥されることで固化される。乾燥温度および時間は、フォトレジストの材料および塗布厚によって適宜選択され得る。好ましくは、乾燥温度は100°C以上400°C以下であり、乾燥時間は5分以上60分以下である。たとえば乾燥温度が120°Cの場合、揮発に要する時間は、たとえば、厚さ5μmで15分間、厚さ2μmで8分間、厚さ1μmで3分間である。なお、上記の塗布および乾燥からなる工程を1回行えば被覆膜21を形成することができるが、この工程が繰り返されることで、より厚い被覆膜21が形成されてもよい。繰り返しの回数が多すぎるとこの工程に必要以上に時間を要してしまう点で好ましくなく、通常、2~3回程度の繰り返しに留めることが好ましい。図2を参照して、種結晶11が取り付けられることになる取付面を有する支持部41が準備される。この取付面は、好ましくは炭素からなる面を含み、より好ましくは黒鉛からなる面を含む。このために、支持部41は黒鉛によって形成され得る。好ましくは取付面の平坦性を向上させるために取付面が研磨される。次に支持部41および被覆膜21の少なくともいずれかの上に接着剤22が塗布される。接着剤22の塗布量は、好ましくは、10mg/cm2以上100mg/cm2以下である。また接着剤の厚さは、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは50μm以下である。接着剤22として、本実施の形態においてはC炭素系接着剤が用いられる。C系接着剤とは、硬化後の組成が主にCとなるものである。C系接着剤は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、溶媒とを含んでもよい。またこの接着剤にはさらにフィラーが添加されていてもよい。また炭水化物が添加されていてもよい。また界面活性剤および安定剤などが添加されていてもよい。加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂としては、たとえば、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、またはフルフリルアルコール樹脂がある。ここで難黒鉛化炭素とは、不活性ガス中で加熱された場合に黒鉛構造が発達することが抑制さるような不規則な構造を有する炭素である。溶媒としては、上記の樹脂および炭水化物を溶解分散させることができるものが適宜選択される。またこの溶媒は、単一の種類の液体からなるものに限られず、複数の種類の液体の混合液であってもよい。たとえば、炭水化物を溶解させるアルコールと、樹脂を溶解させるセロソルブアセテートとを含む溶媒が用いられてもよい。フィラーとしては、黒鉛微粒子、ダイヤモンド微粒子、またはこれら微粒子の混合物を用いることができる。黒鉛またはダイヤモンドの微粒子の量は、炭素原子のモル数を基準として、樹脂の量よりも少なくされることが好ましい。微粒子の粒径は、たとえば0.1~10μmである。炭水化物としては、糖類またはその誘導体を用いることができる。この糖類は、グルコースのような単糖類であっても、セルロースのような多糖類であってもよい。次に接着剤22を挟んで被覆膜21と支持部41とが互いに接触させられる。好ましくはこの接触は、50°C以上120°C以下の温度で、また0.01Pa以上1MPa以下の圧力で両者が互いを押し付け合うように行われる。また接着剤22が種結晶11および支持部41に挟まれた領域からはみ出さないにようにされると、後述する、種結晶11を用いた単結晶の成長工程において、接着剤22による悪影響を抑制することができる。なお上記接触後、接着剤22のプリベークが行われてもよい。プリベークの温度は、好ましくは150°C以上である。さらに図3を参照して、被覆膜21および接着剤22図2が加熱される。この加熱によって炭化されることで被覆膜21は炭素膜31となる。すなわち種結晶11上に炭素膜31が設けられる。またこの加熱によって、炭素膜31および支持部41の間において接着剤22が硬化されることで固定層32となる。接着剤22を硬化するための加熱の温度は、好ましくは1000°C以上であり、より好ましくは2000°C以上である。またこの加熱は、不活性ガス中で行われることが好ましい。以上により、種結晶11の裏面が、炭素膜31および固定層32を有する接着層30によって、支持部41に固定される。すなわち、種結晶11と、種結晶11を接着している接着層30と、接着層30によって種結晶11が接着されている支持部41とを有する被検査物ISが準備される。理想的には接着層30はボイドを有しないことが望ましいが、実際には、ある程度のボイドVD図3が形成されることが多い。接着剤の変形例上記におけるC系接着剤の代わりに他の種類の接着剤が用いられてもよく、たとえばSiC系接着剤が用いられてもよい。SiC系接着剤とは、硬化後の主な組成がSiCとなるものである。SiC系接着剤としては、たとえば、ポリカルボシランまたはその誘導体を含有する流動体が用いられ得る。接着剤の溶剤としては、たとえばキシレンが用いられ得る。なお流動体は溶液に限定されず、たとえばゲル、ゾル、またはスラリーであってもよい。ここでポリカルボシランの誘導体とは、ポリカルボシランの原子および官能基の少なくともいずれかが置換された構造を有する高分子をいう。このような置換は、たとえば、ポリカルボシランの製造過程において意図せずして混入した不純物に起因して生じ得る。硬化のための熱処理に用いられる雰囲気は、酸化反応を防ぐために低い酸素分圧を有することが好ましく、たとえば不活性雰囲気または真空雰囲気である。雰囲気圧力は、大気圧またはそれ以下が好ましい。熱処理の温度は、好ましくは800°C以上であり、たとえば1000°C程度である。接着剤中に含まれる水素をより十分に除去することが望まれる場合は、熱処理温度は1300°C以上が好ましい。接着剤のより十分な結晶化が望まれる場合は、熱処理温度は1600°C以上が好ましい。また熱処理温度は、炭化珪素の昇華を抑えるために、2000°C以下とされ、好ましくは1800°C以下とされる。熱処理時間は、たとえば30分程度である。被検査物の検査次に、上記のように準備された被検査物IS図3における種結晶11の接着状態の検査方法について説明する。図4を参照して、ヘッドHDを有する超音波顕微鏡が準備される。ヘッドHDは、超音波ULの照射と、超音波ULの反射波RFの検出とを行うものである。好ましくは超音波ULの周波数は10MHz以上100MHz以下である。超音波顕微鏡の分解能は、たとえば1μm程度である。次に、被検査面SSとしての種結晶11の表面がヘッドHDと対向するように配置される。好ましくは被検査面SSとヘッドHDとの間は液体によって満たされる。この液体は、たとえば水である。次に、超音波顕微鏡による観察が行われる。すなわち、種結晶11を透過して接着層30に至るように被検査物ISの被検査面SSへ超音波ULが照射され、また超音波ULの反射波RFが検出される。この超音波ULの照射および反射波RFの検出は、被検査面SSの面内の異なる位置ごとに繰り返される。xy-面に平行な被検査面SSの面内の異なる位置を測定するためには、たとえば、ヘッドHDの位置がx方向図4の矢印xの方向およびy方向に移動されればよい。ヘッドHDを移動させる代わりに、被検査物ISが移動されてもよい。上記観察においては、被検査面SS上の各観察位置に対して、まず超音波ULのパルスが入射される。検査位置における接着層30にボイドVDがない場合、反射波RFは、主に被検査面SSからの反射波RFaである。ただし超音波ULの周波数が低いほど、被検査面SSの反対面からの反射波RFbも含まれる。超音波ULが透過する経路中にボイドVDがない場合、図5に示すように、ヘッドHDからの超音波ULのパルスが消失すると、図5に示すように、反射波RFの強度Iは時間tの経過とともに速やかに減衰する。これに対して、図6に示すように、超音波ULが透過する経路中にボイドVDがある場合、ヘッドHDからの超音波ULのパルスが消失後、図7に示すように、反射波RFの強度Iはより緩やかに減衰する。この理由は、ボイドVDからの反射波RFm図6がボイドVDにおける多重散乱に起因して減衰しにくいことによる。被検査面SS上の各観察位置に対して、反射波RFの減衰定数が求められる。ここで反射波RFの減衰定数とは、超音波ULのパルスの消失後に生じる反射波RFの減衰特性を表すパラメータである。本実施の形態においては、減衰定数として、対数減衰率δが用いられる。対数減衰率δとは、図5または図7のような減衰自由振動波形の隣り合う振幅の比の自然対数をとったものをいう。たとえば、図7に示すようにn番目の振幅anと、n1番目の振幅an1と、nm番目の振幅anmとが検出された場合に、対数減衰率δは、δ=1/mlnan/anmで定義される。図8に示すように、被検査面SSの観察位置がスキャンされることによって、被検査面SSにおける、超音波ULの反射波RFの対数減衰率δの分布が算出される。次に、被検査面SSのうち、対数減衰率δが所定の閾値THの範囲内となる部分が不良領域FLと認識され、対数減衰率δが所定の閾値THの範囲外となる部分が好適領域PSと認識される。これにより、図9に示すように、被検査面SSにおいて、不良領域FLと好適領域PSとの分布が作成される。次に、被検査面SSにおける不良領域FLの割合不良割合が算出される。すなわち、被検査面SSにおいて、対数減衰率δが所定の閾値THの範囲内となる部分の割合が算出される。所定の値以下の不良割合を有する被検査物ISが規格を満たすものと判定され、所定の値を超える不良割合を有する被検査物ISが規格を満たさないものと判定される。たとえば不良割合が20未満のものが規格を満たすものと判定される。単結晶の作製上述した、規格を満たすものと判定された被検査物IS図3が準備される。図10を参照して、坩堝42内に、原料51が収められる。炭化珪素の単結晶が成長させられる場合、たとえば、炭化珪素粉末が黒鉛製坩堝に収められる。次に坩堝42の内部へ種結晶11が面するように、支持部41が取り付けられる。なお図10に示すように、支持部41が坩堝42の蓋として機能してもよい。次に、種結晶11上に単結晶52が成長させられる。炭化珪素の種結晶11を用いて炭化珪素の単結晶52が製造される場合、この形成方法として昇華再結晶法を用いることができる。すなわち、図中矢印で示すように原料51を昇華させることで種結晶11上に昇華物を堆積させることで、単結晶52を成長させることができる。この昇華再結晶法における温度は、たとえば、2100°C以上2500°C以下とされる。またこの昇華再結晶法における圧力は、好ましくは1.3kPa以上大気圧以下とされ、より好ましくは、成長速度を高めるために13kPa以下とされる。作用効果本実施の形態によれば、超音波ULの反射波RFの対数減衰率δが接着層30中のボイドVD図4に起因して減少することを検知することにより図8、ボイドVDの存在を精度よく把握することができる。よって種結晶11の接着状態を精度よく検査することができる。また被検査面SSにおいて、対数減衰率δが所定の閾値THの範囲内となる部分の割合が算出される図9。これにより、検査結果を定量化することができる。また種結晶11は炭化珪素から作られている。炭化珪素から作られた種結晶11は接着層30中のボイドVDの影響を特に受けやすいことから、本検査方法が特に適している。好ましくは接着層30は、C系またはSiC系接着剤を用いて作られた層を含む。これらの接着剤を用いた場合にはボイドVDが特に発生しやすい。よってボイドVDを精度よく把握することができる本検査方法により、高い精度での検査が可能である。また好ましくは超音波ULの周波数は10MHz以上100MHz以下とされる。周波数が低過ぎると、被検査物ISの被検査面SSから侵入した超音波ULが反対面にまで到達する割合が高くなり、この反対面からの反射波RFbの影響に起因して、検査精度が低下する。よって周波数は10MHz以上であることが好ましい。周波数が高過ぎると、被検査物IS中での超音波の減衰が大きくなり過ぎることで、接着層30からの反射波RFmの強度が過度に小さくなってしまう。このため検査精度が低下する。よって周波数は100MHz以下が好ましい。付記なお上記実施の形態においては種結晶11を透過して接着層30に至るように、被検査物ISの被検査面SSへ超音波ULが照射されるが図4、その代わりに、支持部41を透過して接着層30に至るように、被検査物ISの被検査面へ超音波ULが照射されてもよい。また種結晶11としてSiCから形成されたものを例示したが、他の材料から形成されたものが用いられてもよい。この材料としては、たとえば、GaN、ZnSe、ZnS、CdS、CdTe、AlN、またはBNを用いることができる。また上記実施の形態においては接着剤22が硬化される際に被覆膜21が炭化されるが図2、接着剤22が形成される前に被覆膜21が炭化されてもよい。また被覆膜21の形成が省略されてもよい。この場合、炭素膜31図3が形成されないので、固定層32は炭素膜31ではなく種結晶11に接する。また単結晶52図10を用いて基板が製造されてもよい。このような基板は、たとえば、単結晶52をスライスすることによって得られる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。