一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ4色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、該一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、該4色以上の副画素は、少なくとも1色の副画素で面積が異なり、面積の大きい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳することを特徴とする表示パネル。前記信号線は、面積の小さい副画素を駆動するために用いられる信号線を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示パネル。前記表示パネルは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しないことを特徴とする請求項1又は2に記載の表示パネル。前記一対の基板の一方は、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、該一対の基板の他方は、対向電極を備え、前記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、前記面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きいことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の表示パネル。一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ4色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、該一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、該4色以上の副画素は、少なくとも1色の副画素の明度が異なり、明度の小さい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳することを特徴とする表示パネル。前記信号線は、明度の大きい副画素を駆動するために用いられる信号線を含むことを特徴とする請求項5に記載の表示パネル。前記表示パネルは、明度の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しないことを特徴とする請求項5又は6に記載の表示パネル。前記複数の信号線は、2本であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の表示パネル。前記2本の信号線は、その信号が互いに逆極性であることを特徴とする請求項8に記載の表示パネル。前記表示パネルは、1つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることを特徴とする請求項9に記載の表示パネル。前記複数の信号線と重畳する副画素電極をもつ副画素において、副画素電極の最長部の長さよりも該複数の信号線と画素電極との重なり長さの方が短いことを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の表示パネル。前記表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルであることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載の表示パネル。請求項1~12のいずれかに記載の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置。上述した特許文献1~5に記載の従来設計の表示パネルにおいては、RGB等の3色の液晶パネルをRGBWWは白色、RGBYYは黄色等の4色にする等、多原色化したうえで、色によって開口率表示面積を変えること図11、望ましくは相対的に視感度の低い色R、Bの面積を大きくして単色の輝度低下をなるべく避け視認しにくくし、白輝度を向上させることで、輝度と広色再現範囲の両方を満たすパネルを得ることができる。しかしながら、このような従来設計の表示パネルにおいて多原色化、特に高精細なパネルにおいて多原色化すると、製造工程での局所的なアライメントずれ及び/又はパターンの線幅変化などの仕上がりばらつきが起こった場合の影響が大きくなる。その結果、いわゆるブロック分かれなどの輝度ムラが視認される。その原因としては、以下が考えられる。パネルの精細度が高く副画素絵素が小さい場合、4色以上の多原色とし、かつ色によって開口率を変えることにより、小さい副画素の面積が大幅に低下するため、総容量が大幅に低下する。一方で、副画素電極-信号線ソースバスライン間容量Csdはほぼ一定であり、局所的なアライメントずれがおきた場合の容量変化ΔCsdも一定であるため、総容量に占める容量変化率がRGB3色の場合と比べて大きくなる。更に、小さい方の副画素はG、Y、Wなどの比較的視感度の高い副画素にすることで、高輝度高色再現性のパネルを得ることができるが、上記容量変化率の大きい副画素が相対的に視感度の高い副画素となるため、輝度ムラがますます視認されやすくなる。すなわち、小さい方の副画素の副画素容量が小さいことから、Csd変化の影響をうけやすくなり、小さい方の副画素の視感度が高いことから、更にCsd変化に起因する輝度変化の影響が顕著に視認される。また、上述した特許文献6に記載の能動素子基板は、隣接した副画素の信号線は、いずれか一方の副画素電極かつ該副画素電極のエッジよりも内側に集約して配置されている。しかしながら、この能動素子基板は各色の合計面積が等しいものであり図12、色ごとに副画素容量が相違することにもとづく上述した課題がそもそも存在しないものであった。また上述した特許文献7には、上記課題を充分に解消するための工夫の余地があった。本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、輝度ムラを充分に抑制し、CPA、MVA、IPS等の種々の表示モードに適用することができるものである。また、本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、色ごとに副画素面積を変えることで白輝度及び/又は色再現範囲が充分に向上されたうえで、輝度ムラが充分に抑制され、線幅変化の開口率に与える影響を小さくした表示パネル及び表示装置を提供することを目的とするものである。本発明者らは、輝度ムラが充分に抑制された表示パネル及び表示装置について種々検討したところ、4色以上の多原色とし、かつ色によって開口率を変えた表示パネル及び表示装置において、局所的なアライメントずれ及び/又はパターンの線幅変化などの仕上がりばらつきがおきた場合の総容量に占める容量変化率を小さく留めること、及び/又は、それによる輝度への影響を小さく留めることに着目した。そして、総容量の小さい容量変化率の大きい副画素、及び/又は、明度の大きい副画素において、選択的に副画素電極-信号線間容量Csdを削減することにより、輝度ムラを充分に防止できるとともに線幅変化の開口率に与える影響を小さくできることを見いだすとともに、面積の大きい副画素、及び/又は、明度の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳すること例えば、図13により、上記作用効果を発揮できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。すなわち、本発明は、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ4色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、上記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、上記4色以上の副画素は、少なくとも1色の副画素で面積が異なり、面積の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳する表示パネルである第1の本発明ともいう。。このような形態とすることにより、面積が小さい副画素副画素容量が小さい副画素において、容量変化による輝度ムラが生じることを充分に防止することができる。また、製造工程で信号線の微小な線幅変化が起きた場合に、面積が大きい副画素に信号線が配置されていると、線幅変化の開口率に与える影響を小さくすることができる。上記4色以上の副画素から画素が構成されるとは、4色以上の副画素がパネル平面上に並んで1つの画素として表示に供されることをいう。4色以上の副画素の配列形態は、ストライプ状であってもよく、田の字状であってもよいし、いわゆるデルタ配列のように列方向にずれたものであってもよい。上記4色以上の副画素が、少なくとも1色の副画素で面積が異なるとは、色によっては面積が同一の副画素があってもよく、少なくとも一色において副画素の面積が他の色における副画素の面積と異なるものであればよい。例えば、RGBYの4色であれば、開口面積の大きいものから順に、R、B、G、Yである形態、R及びB、G、Yである形態、R、B、G及びYである形態、R及びB、G及びYである形態、R、B、Y、Gである形態、R、G、B、Yである形態、R、B、Y及びGである形態、B、R、G、Yである形態、B、R、Y、Gである形態、B、G、R、Yである形態、B及びG、R、Yである形態等が挙げられる。なお、例えば開口面積の大きいものから順に、B及びG、R、Yであるとは、青及び緑のサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最大であり、黄のサブ画素の開口面積が最小であり、赤のサブ画素の開口面積がそれらの間であることを意味する。通常は、輝度を向上させるために相対的に視感度明度の低い副画素の面積を相対的に大きくすることになり、R及びBの副画素の面積をG及びYよりも大きくする例が挙げられる。例えば、R及びB、G及びYである形態、すなわち、R及びBのサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最大であり、G及びYのサブ画素の開口面積が互いに同一かつ最小である形態が好適な形態の一つとして挙げられる。なお、上記Yの代わりに、Wを用いてもよい。本明細書中、面積の大きい副画素とは、一つの画素内の副画素を相対的に面積の大きなものと相対的に面積の小さなものとに分けた場合に、より面積が大きい副画素を意味する。面積の小さい副画素についても同様である。上記複数の信号線と重畳するとは、信号線の主線主信号線ともいう。と重畳する形態が好適である。輝度ムラを充分に防止する観点から、上記信号線は、面積の小さい副画素を駆動するために用いられる信号線を含む形態が好ましい。また、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない形態が好ましい。重畳しないとは、本発明の作用効果を発揮する限りにおいて、実質的に重畳しないものであればよい。より好ましくは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線信号線の主線及び副線と重畳しない形態である。中でも、上記面積の小さい副画素が、面積の最も小さい副画素であることが好適である。これにより、総容量の最も小さい副画素、すなわち容量変化率の最も大きい副画素において、選択的に副画素電極-信号線間容量Csdを削減することができ、輝度ムラを特に充分に防止することができるためである。本明細書中、主線とは、信号線を幹線と幹線から分岐した枝線とに分けた場合の幹線部分をいう。また、副線とは、当該枝線部分をいう。なお、信号線が枝線を有しない1本の配線から構成される場合は、該信号線自体を主線という。また面積の大きい副画素と面積の小さい副画素とが隣接して配置される形態が好ましい。そして、上記大きい副画素に自副画素の信号線と隣接副画素の信号線との2本を集約して配置する形態、特に、副画素面積開口部面積が小さい方の副画素には信号線を配置させず、上記大きい副画素に自副画素の信号線と隣接副画素の信号線との2本を集約して配置する形態が本発明の好適な形態である。例えば、信号線が2本配置された副画素と信号線が配置されてない副画素とが交互に配置される形態が好ましい。信号線が副画素に配置されるとは、パネル主面を平面視したときに、信号線が副画素と重畳することをいう。上記大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常は1.1~4であり、好ましくは1.2~2.2である。小さい副画素には相対的に視感度の高い副画素を配置する形態、言い換えれば、大きい副画素には相対的に視感度の低い副画素を配置する形態が、輝度及び広色再現範囲の点から好ましい。2本集約して配置された信号線の極性は、それぞれ逆極性にすることが好ましい。これにより、縦シャドーを回避することができる。さらに、いわゆるドット反転のように同一列方向にも極性を混在させると、空間周波数が高いことによる表示品位改善効果きれいに見えるも得られる。また1つの画素に含まれる同一行方向の副画素数1画素単位に含まれる同一行方向の絵素数が偶数の場合、当該絵素数の自然数倍で極性反転を行うことが好ましい。これにより、横シャドーを回避することができる。信号線が副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素の副画素電極の最長部よりも短い形態が好ましい。これにより、自副画素に対応する信号線と自副画素との間に形成される容量本明細書中、Csd自ともいう。、及び、自副画素に隣接する他副画素に対応する信号線と自副画素との間に形成される容量本明細書中、Csd他ともいう。の絶対値を削減することができ、輝度ムラを抑制する効果が大きなものとなる。なお、特に副画素が小さい中型クラスの機種では多原色化するにあたり田の字配列が利用しやすい点、田の字配列の副画素により上記形態としやすい点から、本発明においては副画素が田の字配列である形態が好ましい。本発明はまた、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された表示素子とを有し、かつ4色以上の副画素から構成される画素を有する表示パネルであって、上記一対の基板の一方は、走査線と、信号線と、副画素電極とを備え、上記4色以上の副画素は、少なくとも1色の副画素の明度が異なり、明度の小さい副画素は、パネル主面を平面視したときに、複数の信号線と重畳する表示パネルでもある第2の本発明ともいう。。このような形態とすることにより、容量変化による輝度ムラが視認されやすい明度の大きい副画素において、上記と同様のメカニズムにより選択的に容量変化を防止することができ、輝度ムラが生じることを充分に防止することができる。また、製造工程で信号線の微小な線幅変化が起きた場合に、明度の低い副画素に信号線が配置されていると、線幅変化の開口率に与える影響を視認されにくくすることができる。上記4色以上の副画素が、少なくとも1色の副画素で明度が異なるとは、色によっては明度が同一の副画素があってもよく、少なくとも一色において明度が他の色における明度と異なるものであればよい。通常は、輝度を向上させるために相対的に明度の低い副画素の面積を相対的に大きくすることになり、例えば、RGBYの4色であれば、R及びBの副画素の面積をG及びYよりも大きくし、RGBWの4色であれば、R及びBの副画素の面積をG及びWよりも大きくする例が挙げられる。本明細書中、明度の大きい副画素とは、一つの画素内の副画素を相対的に明度の大きなものと相対的に明度の小さなものとに分けた場合に、より明度が大きい副画素を意味する。明度の小さい副画素についても同様である。上記明度の小さい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルの好ましい形態は、上記面積の大きい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルの好ましい形態と同様である。例えば、上記明度の小さい副画素が複数の信号線と重畳する表示パネルにおいても、上記信号線が明度の大きい副画素を駆動するために用いられる信号線を含む形態が好ましい。また、上記表示パネルは、明度の大きい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線の主線と重畳しない形態が好ましい。重畳しないとは、上述した通りである。より好ましくは、面積の小さい副画素が、パネル主面を平面視したときに、信号線信号線の主線及び副線と重畳しない形態である。中でも、上記明度の大きい副画素が、明度の最も大きい副画素であることが好適である。これにより、明度の最も大きい副画素、すなわち容量変化により輝度ムラが最も視認されやすい副画素において、選択的に副画素電極-信号線間容量Csdを削減することができ、輝度ムラを特に充分に防止することができる。本発明においては、上記第1の本発明と上記第2の本発明とのいずれかの構成又はこれらを組み合わせた構成とすることが好適である。以下に、上記第1の本発明及び上記第2の本発明の好ましい形態について詳述する。上記画素は、パネル主面を平面視したときに、表示領域内における上記副画素が配置されている領域以外の領域に、矩形状の遮光領域を有することが好ましい。矩形状とは、本発明の効果を発揮する限り、突起及び/又は窪みを有していてもよく、実質的に矩形状であればよい。言い換えれば、1つの画素を含んだ領域を複数の矩形領域に分けたときの矩形領域の長辺方向と平行な方向の長さが少なくとも一色の副画素で異なり、当該長さがより短い副画素において長さが短い分だけ生じたスペースに遮光領域を配置する形態が好ましい。例えば、上記遮光領域に、面積が小さい方の副画素のTFT素子やコンタクトホール等の非透過部のパターンに加えて、面積が大きい方の副画素のTFT素子やコンタクトホール等の非透過部のパターンを配置することで、開口率、特に大きい方の副画素の開口率を向上させることができる。上記遮光領域は、柱状スペーサが配置される形態が好適である。なかでも積層柱スペーサを用いる場合、面積の小さい方の副画素の副画素電極を配置していない部分に積層柱を配置する形態が好ましい。それにより上下リーク副画素電極-対向共通電極COM電極間リークを回避することができる。特に副画素が小さい場合、上記遮光領域に、柱状スペーサが配置される形態は特に好適なものとなる。上記複数の信号線は、2本であることが好ましい。また、該2本の信号線は、その信号が互いに逆極性であることが特に好ましい。更に、上記表示パネルは、1つの画素に含まれる同一行方向の副画素数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることが好ましい。特に、副画素電極が、1つの画素当たり4個以上の偶数個である形態において当該形態が特に好ましい。このように単色表示時に横方向に同一極性がならばないように対策を行うことにより、横シャドーを回避できる。上記形態は、駆動方法によるものであってもよく、設計によるものであってもよい。上記一対の基板の一方は、スイッチング素子及び補助容量配線を備え、上記一対の基板の他方は、対向電極を備え、上記副画素電極は、一つの副画素に対応して配置され、上記走査線と該副画素電極とは、ゲートドレイン容量Cgdを形成し、上記信号線と該副画素電極とは、ソースドレイン容量Csdを形成し、上記補助容量配線と該副画素電極とは、補助容量Ccsを形成し、上記副画素電極と該対向電極とは、液晶容量Clcを形成し、上記表示パネルの駆動時における走査線の電位差をVgp-pとしたとき、引き込み電圧ΔVd=Cgd/CgdCsdCcsClc×Vgp-p、白表示時と黒表示時のΔVd値の差Ω、及び、Ccs/Clcの少なくとも一つは、各色で同じであることが好ましい。具体的には、上記面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きいものとすることが好ましく、このようにすることで、ΔVd、Ω値及びCcs/Clcの少なくとも一つを全色略同等にすることができる。なお、上記面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさ及び補助容量の大きさの少なくとも一つが面積の小さい副画素のそれらよりも大きいとは、面積の大きい副画素は、そのスイッチング素子の大きさが面積の小さい副画素におけるスイッチング素子の大きさよりも大きいか、その補助容量の大きさが面積の小さい副画素における補助容量の大きさよりも大きいか、又は、これらの組み合わせをいう。それにより色によって最適対向電圧や補助容量の割合に差が出ないようにして、焼きつき等のない優れた表示品位のパネルを得ることができる。なお、走査線の電位差Vgp-pは、|Vgh-Vgl|によって表されるVghは、TFTをオンオフした際の、走査線における最も高い電圧を表し、Vglは、同様に走査線における最も低い電圧を表す。。また、白表示時と黒表示時のΔVdの差Ωは、液晶は白表示時と黒表示時で容量が異なることに伴い発生する、白表示時と黒表示時のΔVd値の差であり、以下の式で求められる:Ω=|ΔVd黒-ΔVd白|=|Cgd/CgdCsdCcsClc黒×Vgp-p-Cgd/CgdCsdCcsClc白×Vgp-p|。なお、Clc黒とは、黒表示時のClcを意味し、Clc白とは、白表示時のClcを意味する。上記形態にあっては、面積の小さい副画素の、遮光領域に副画素電極や補助容量を設ける形態が特に好適である。これにより、面積の小さい副画素の実質開口部を大きくすることができ、高輝度な液晶表示装置を得ることができる。上記複数の信号線と重畳する副画素電極をもつ副画素において、副画素電極の最長部の長さよりも該複数の信号線と画素電極との重なり長さの方が短いことが好ましい。これにより、副画素におけるドレイン電位の変化分であるΔVdrの値を小さくすることができ、その結果、輝度ムラを低減することができるとともに、開口部に占める信号線の面積を小さくすることができるため、線幅変化の開口率に与える影響をより小さくできる。上記副画素は、複数の副画素電極を有し、上記副画素電極は、それぞれの面積が同一であり、副画素が有する副画素電極の数が少なくとも一色の副画素で異なることが好ましい。これにより、種々の液晶表示装置において配向状態をより均質にして副画素間の応答速度の特性差を充分に低減しつつ、副画素の面積を変えて輝度を充分に高いものとすることができる。上記面積が同一であるとは、本発明の作用効果を発揮できる限り実質的に同一であればよい。上記表示素子は、液晶層であることが好ましい。言い換えれば、本発明の表示パネルは、表示素子として液晶層を用いる液晶表示パネルであることが好ましい。一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有する液晶表示パネルに本発明を適用することにより、本発明の効果をより充分に発揮することができる。本発明の表示パネルは、CPAモード、MVAモードに適用できるとともに、TNTwistedNematicモード、TBATransverseBendAlignmentモード、FFSFringsFieldSwitchingモード等のIPSモード等にも好適に適用可能なものである。本発明はまた、本発明の表示パネルを備えることを特徴とする表示装置でもある。これにより、上述した本発明の表示パネルと同様の効果を発揮することができる。また、本発明の表示装置が備える表示パネルの好ましい形態は、上述した本発明の表示パネルの好ましい形態と同様である。本発明は、特に副画素が小さい機種において有用である。例えば、副画素の辺の長さが100μm以下であることが好ましく、80μm以下であることがより好ましい。副画素の辺の好ましい下限値は、30μm以上である。さらには、高輝度な表示パネルが得られるため、バッテリー駆動等のため低消費電力が特に求められる用途においても有用である。従って電子ブック、フォトフレーム、IA、PC用途等の中型クラス及び携帯用ゲーム機等の小型クラスの製品に適用することが好適である。本発明の表示パネル及び表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではなく、表示パネル及び表示装置に通常用いられるその他の構成を適宜適用することができる。上述した各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。本発明の表示パネル及び表示装置によれば、色ごとに表示面積を変えることで白輝度が充分に向上されたうえで、輝度ムラが充分に抑制されたものとすることができる。以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。なお、TFTが設けられた基板は、TFTアレイ基板ともいう。カラーフィルタCFが設けられた、TFTアレイ基板に対向する基板は、対向基板又はCF基板ともいう。また、以下の実施形態では、記載を簡単にするために、各色を表す副画素を単に画素ともいう。以下では、RGBYを用いた形態だけを説明するが、RGBYの代わりに、RGBW等の4色以上の原色例えば、緑G、黄Y白W、赤R、青B、マゼンタMからなる群より選択される少なくとも4色以上の色等を用いた形態を適宜適用することができる。また、視感度等が比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなるとは、例えば、より視感度の高い緑G、黄Y、白Wの開口面積が小さく、より視感度の低い赤R、青B、マゼンタMの開口面積が大きいことをいい、このような設計とすることは本発明の好ましい形態の一つである。副画素は、本明細書中、絵素ともいう。実施形態1実施形態1-1は、4色以上の偶数色の副画素がストライプ状に配置されて単位画素が構成された液晶表示パネルに係るものである。図1は、実施形態1-1の液晶表示パネルを示す平面模式図である。走査線示さず及び信号線データ線23p、23qは、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。複数の赤R、緑G、青B、黄Y又は例えば黄Yの代わりに白Wでもよいの画素領域には、副画素電極11R、11G、11B、11Yが配置されている。これらの4つの画素領域から単位画素27が構成されている。なお、それぞれの副画素副画素電極は、色ごとに有効開口部の面積が異なる。ここで、色の視感度明度の違いにより、視感度の比較的高い色と比較的低い色で面積が異なり、実施形態1では視感度が比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなる。具体的には、単位画素27は、4色以上の複数色を表示する副画素で構成され、RとBの開口面積が大きく、GとY又はWの開口面積が小さい。言い換えれば、副画素RGBYは、その面積がR、BとG、Yとで異なり、R、Bは面積が大きく面積大副画素、G、Y又はWは面積が小さい面積小副画素。色の視感度の違いにより、視感度の比較的高い色の副画素開口面積が小さい形態とすることが好適である。更に、信号線が2本配置された副画素と配置されていない副画素は交互に配置される。開口面積が大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常はRB:GYRB:GW=4:1~1:1の範囲である。より好ましくは、2.2:1~1.2:1の範囲である。2本集約して配置された信号線の極性は、それぞれ逆極性にする。更に望ましいのは、隣の副画素の組隣の単位画素との間で極性反転を行うことである極性反転は、1単位画素ごとでもよく、2単位画素以上ごとでもよい。。例えば、1単位画素ごとに極性反転される形態においては、信号線の極性は、、-、、-、-、、-、が繰り返し配列することになる。2単位画素ごとに極性反転される形態においては、信号線の極性は、、-、、-、、-、、-、-、、-、、-、、-、が繰り返し配列することになる。図1では、表示パネルは、複数の副画素RGBYが矩形状略長方形であるが、略楕円形状等であってもよい。中でも、矩形状であることが好ましい。緑Gの画素及び黄Y例えば、黄Yの代わりに白Wでもよいの画素面積小副画素には、信号線が配置されていない。一方、赤Rの画素及び青Bの画素面積大副画素には、信号線23p、23qが2本重畳するように配置されている。つまり、副画素開口面積が小さい方の副画素には信号線を配置させず、大きい方の副画素に隣接副画素の信号線を2本集約して配置する。対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域ごとに赤RのCF層、緑GのCF層、青BのCF層、及び、黄YのCF層が配置され、各CF層の間は、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光部BMで仕切られている。パネルはRGBYやRGBW等の4色で構成されており、RGBYの場合は、視感度が小さいR、Bを大きく、G、Yを小さくすると、透過率を向上させつつ色再現範囲を広げることができ、効果的である。面積の大小の比は、RB:GYRB:GW=4:1~1:1の範囲である。より好ましくは、2.2:1~1.2:1の範囲である。実施形態1-1の液晶表示パネルは、更に、以下の特徴を有する。同一行の同一色の極性が偏らないようにすること、すなわち、前記表示パネルは、画素の行方向で、1画素が含む同一行の信号線の数の自然数倍ごとに各色を示すための副画素電極の電位の極性を反転させることにより、横シャドークロストークを回避することができる。実施形態1-1の液晶表示パネルは、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、言い換えれば、第1の基板アレイ基板、第2の基板対向基板、及び、第1の基板と第2の基板とに挟持された液晶層を備える。該第1の基板は、複数の走査線/複数の信号線データ線23p、23q/スイッチング素子/層間絶縁膜/層間絶縁膜上の副画素電極/配向膜を基板側からこの順で有する。該第2の基板は、カラーフィルタ及び配向膜垂直配向膜を有する。また、該液晶層は、誘電異方性が負の液晶材料である。液晶表示モードCPA、MVA等は特に限定されるものではないが、上記したように本実施形態は垂直液晶モードを採用しており、これが好ましい形態である。実施形態1-1の液晶表示パネルは、面積の大きい副画素のスイッチング素子の大きさ又は補助容量の少なくともいずれかを、面積の大きい副画素の方が面積の小さい副画素よりも大きくなるようにする。なお、例えば、後述する図4には、面積の大きい副画素の方の補助容量を大きくし、面積の小さい副画素の方の補助容量を小さくした形態が示されている。また、後述する図7にも、面積の大きい副画素の方の補助容量を大きくし、面積の小さい副画素の方の補助容量を小さくした形態が示されている。これにより、走査線と副画素電極とが形成するゲートドレイン容量をCgdとし、信号線と副画素電極とが形成するソースドレイン容量をCsdとし、補助容量配線と副画素電極とが形成する補助容量をCcsとし、副画素電極と対向電極とが形成する液晶容量をClcとし、表示パネルの駆動時における走査線の電位差をVgp-pとしたとき、引き込み電圧ΔVd=Cgd/CgdCsdCcsClc×Vgp-p、白表示時と黒表示時のΔVd値の差Ω、及び、Ccs/Clcの少なくともいずれかが、各色で同じである。色によって最適対向電圧や補助容量の割合に差が出ないようにして、焼きつき等のない優れた表示品位のパネルを得ることができる。図2は、実施形態1-2の液晶表示パネルを示す平面模式図である。実施形態1-2は、4色以上の偶数色の副画素が田の字状に配置されて単位画素127を構成された液晶表示パネルに係るものである。それ以外の条件は、上述した実施形態1-1の条件と同じである。特に、副画素開口面積が小さい方の副画素には信号線を配置させず、大きい方の副画素に隣接副画素の信号線123p、123qを2本集約して配置すること、視感度の比較的低いR赤とB青の開口面積が大きく、視感度の比較的高いG緑とY黄又はW白の開口面積が小さいこと、開口面積が大きい副画素と小さい副画素の面積比は通常は1.1~4であり、1.2~2.2が望ましいこと、信号線が2本配置された副画素と配置されてない副画素は交互に配置されること、2本集約して配置された信号線の極性はそれぞれ逆極性にすること、隣の副画素の組隣の単位画素との間で極性反転を行うこと極性反転は、1単位画素ごとでもよく、2単位画素以上ごとでもよい。等が実施形態1-1と同様であり、これらが本発明の好適な形態である。上述した実施形態1-1、1-2は、副画素開口面積の大きい副画素と小さい副画素が縦方向信号線方向に同じものが並ぶ構成である。一般的な形態において、S信号線-D副画素電極間容量をCsdとする。また、ΔVdr=Csd1/CpixΔVs1-Csd2/CpixΔVs2式1とする。ここで、Csd1は、自副画素電極を駆動する信号線と自副画素電極とによって形成される容量、Csd2は自副画素電極と隣接する他副画素電極を駆動する信号線と自副画素電極とによって形成される容量である。また、ΔVs1は、自副画素電極を駆動する信号線の変化後の電位から変化前の電位を引いた電圧変化の値、ΔVs2は自副画素電極と隣接する他副画素電極を駆動する信号線の変化後の電位から変化前の電位を引いた電圧変化の値を表している。さらに、自副画素を駆動する信号線と他副画素を駆動する信号線の信号が逆極性例えばいわゆるドット反転駆動の場合、ΔVs1=ΔVs2=ΔVsグレー表示のとき、ΔVdr={Csd1-Csd2/Cpix}ΔVs式2となる。製造工程にて信号線ソースレイヤと副画素電極副画素電極レイヤとでアライメントずれが発生すると、式2のCsd1-Csd2の値が変化するため、グレー表示でムラとして視認される。ここで、アラインメントずれが発生したときのΔVdrの変化をΔΔVdrとする。ΔΔVdr=|ΔVdrずれなし部-ΔVdrずれ部|式3である。従来技術Cpix≒CcsClcであり、Ccs/Clc=const.定数であることを前提として、RGBパネル3色の液晶容量をClc、副画素容量をCpixとし、RGBパネルをRGBY化4色化したときの液晶容量をClc′、副画素容量をCpix′とする。ここでRB:GY=1:1の場合、RGBよりも副画素サイズが3/4となり、Clc′=3/4Clc、Cpix′=3/4Cpixである。一方Csd1、Csd2の値は不変のため、ΔΔVdrは1.3倍となりムラが視認されやすくなる。更に、RB:GY=1.5:1の場合、アライメントずれが発生したときのΔVdrは、RB:1.1倍、GY:1.7倍となり、RGBYそれぞれの視感度と面積の違いを考慮すると、単位画素あたりのΔΔVdrは約1.5倍となり、更に顕著となる。実施形態1-1信号線を大きい方の副画素の副画素電極の内側に2本配置し、かつ逆極性の信号を与えることにより、縦シャドーの発生を防止することができるとともに、ΔΔVdrはほぼ無視できる値となる。したがって、プロセスマージンを充分確保することができ、ムラのない高品位な液晶表示装置を得ることができる。実施形態1-2Cpixは実施形態1-1とほぼ同等であるが、副画素を田の字配列にしたことで、1副画素中の信号線の長さが短くなる。したがって、ΔVdrは実施形態1-1の略1/2となる。更に、信号線を大きい方の副画素に2本配置し、かつ逆極性の信号を与えることにより、縦シャドーの発生を防止することができるとともに、ΔΔVdrはほぼ無視できる値となる。したがって、プロセスマージンを充分確保することができ、ムラのない高品位な液晶表示装置を得ることができる。プロセスマージンとは、パターン形成のための露光や現像時において欠陥とはならない許容範囲特に、アラインメントずれに対する該許容範囲が充分に大きいことを意味する。実施形態2図3は、実施形態2-1a及び実施形態2-1bの液晶表示パネルを示す平面模式図である。図3において、aの点線で囲まれた部分は、実施形態2-1aの単位画素を示す。また、図3において、bの点線で囲まれた部分は、実施形態2-1bの単位画素を示す。図4は、実施形態2-1bの副画素イメージを示す図である。図5は、実施形態2-2aの液晶表示パネルを示す平面模式図である。図6は、実施形態2-2bの液晶表示パネルを示す平面模式図である。図7は、実施形態2-2bの副画素イメージを示す図であり、CPAモードの液晶表示パネルにおける副画素の田の字配列を例示している。実施形態2-1及び実施形態2-2においては、開口面積が大きい副画素と小さい副画素は、図面に向かって見たときに、横方向だけでなく縦方向にも交互に配置されている。言い換えれば、実施形態2-1及び実施形態2-2は、副画素開口面積の大きい副画素と小さい副画素が縦方向Sバスライン方向に交互に並ぶ構成である。更に、実施形態2-2においては、図5、図6に示されるように、信号線323p、323q、又は、423p、423qが副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素aの副画素電極の最長部よりも短い。このような形態は、副画素におけるCsdを削減することができるため好適である。言い換えれば、信号線が副画素電極と重畳する面積を小さいものとすることができ、その分だけ信号線は副画素電極が配置されていない領域を通ることができ、このためCsd等を削減して輝度ムラを低減させることができる。更に、実施形態2-2においては、図示していないが、面積の小さい方の副画素の副画素電極を配置していない部分に積層柱を配置する。これにより、上下リーク副画素電極-対向COM電極間リークを回避することができる。また、図7に示されるように、積層柱以外の自副画素のTFT、隣接副画素のTFT等を適宜配置したり、自副画素と他副画素のコンタクトホール、CS容量等を適宜配置したりすることができ、これにより開口率を充分に高めることができる。上記したように、デッドスペース副画素電極が配置されていない領域及び/又は矩形状の遮光領域を信号線が通っている形態にはCsd等を削減して輝度ムラを低減したり、TFT等の遮光材料をコンパクトに纏めて開口率を高めたりするといったメリットがある。また実施形態2-2においては、隣の副画素の組との間で極性反転を行う極性反転は、1組ごとでもよく、2以上の自然数の組ごとでもよい。。このように単色表示時に横方向に同一極性がならばないように対策を行うことにより、横シャドーを回避できる。上述した実施形態2-1a、実施形態2-1b、実施形態2-2a及び実施形態2-2bのその他の形態は、実施形態1の形態と同様である。実施形態2-1実施形態2-1は、効果は実施形態1-2と同等である。更に、視感度の高い色が縦方向横方向に混在することで、縞模様として視認されにくくなり、均一な表示画面が得られる視感度の高い色が固まって配置されていると、明副画素部と暗副画素部が縞模様のように視認されることがある。。実施形態2-2実施形態2-2は、実施形態2-1よりも更にCsd1、Csd2を削減することができる例えば、図5及び図6の場合は、実施形態2-2における1副画素中の信号線323p、323q又は423p、423qの長さは、実施形態2-1における1副画素中の信号線223p、223qの長さの約1/2になるため、実施形態2-1の約1/2のCsd1、Csd2を削減することができる。。また、視感度の高い色と低い色を混在させる効果は実施形態2-1と同等である。更に、副画素電極のない部分に積層PSを配置させることができ、低コストで歩留りの高い液晶表示装置を得ることができる。実施形態3実施形態3は、MVAモードの液晶表示パネルにおいて副画素を田の字状に配置した形態に係るものである。図8は、実施形態3の液晶表示パネルを示す平面模式図である。図9は、図8において副画素の副画素電極及び対向電極に設けられた配向分割手段だけを示した図である。図10は、図8において副画素の副画素電極及び信号線だけを示した図である。走査線521及び信号線データ線523p、523qは、ガラス基板の主面上に格子状に配置される。複数の画素領域には、赤Rの画素領域に副画素電極531R、緑Gの画素領域に副画素電極531G、青Bの画素領域に副画素電極531B、黄Yの画素領域に副画素電極531Yが配置されている。副画素電極の面積は、色によって変える。その結果、色ごとに有効開口部539R、539G、539B、539Yの面積が異なる。ここで、色の視感度等の違いにより、視感度等の比較的高い色と比較的低い色で面積が異なり、通常は視感度等の比較的高い色の面積が小さくなり、比較的低い色の面積が大きくなる。また、実施形態3では、表示パネルは、複数の副画素RGBYが多角形状である。実施形態3では、図8に示すように、2本の信号線523p副画素GBを駆動する信号線、523q副画素RYを駆動する信号線が、それぞれ副画素の面積の大きいR、Bと重畳するように配置され、これらの2本の信号線は、副画素の面積の小さいG、Yとは重畳しない。更に、実施形態3では、信号線523p、523qが副画素電極と重なる部分の長さは、当該副画素の副画素電極の最長部よりも短い。言い換えれば、信号線523p、523qは、副画素電極が配置されていない領域及び/又は矩形状の遮光領域を通っている。これにより、副画素RBそれぞれにおけるCsdを削減することができ、輝度ムラを防止する効果を充分に発揮することができる。このような形態によっても、副画素におけるCsdを削減することができ好適である。対向基板は、ガラス基板の主面上に、画素領域ごとに赤RのCF層、緑GのCF層、青BのCF層、及び、黄YのCF層が配置され、各CF層の間は、ブラックマトリクスと呼ばれる遮光部BMで仕切られている。また、図8における副画素電極を置かない領域にもBMが配置されている太線で囲んだ部分539G、539Yが面積の小さい副画素のBM開口部を表し、太線で囲んだ部分539R、539Bが面積の大きい副画素のBM開口部を表す。。そして、図8に示されるように、これらのBM下に副画素G、R、B、YのTFT525G、525R、525B、525Yを配置することができる。また、フォトスペーサ528も配置されている。また、対向基板には、配向規制手段であるリブ533Y、533R、533G、533Bが設けられている。表示パネルは、複数の副画素YRGBがリブ533Y、533R、533G、533Bをそれぞれ有する副画素電極531Y、531R、531G、531Bによって構成され、表示パネルにおける画素を平面視した場合に、リブ533Y、533R、533G、533Bと副画素電極531Y、531R、531G、531Bのエッジとの距離d1、d3、d4、d6及びリブ533R、533Bとスリット535R、535Bとの距離d2、d5は、全て略同一である。図9における赤Rの画素及び青Bの画素における突出部の縦方向の長さa2は、赤Rの画素及び青Bの画素における縦方向の長さ副画素電極の最長部の長さa1の略0.7倍である。上述した実施形態3のその他の形態は、実施形態1の形態と同様であり、当該同様の形態にもとづいて実施形態1と同様の作用効果を発揮することができる。上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。なお、本願は、2010年6月28日に出願された日本国特許出願2010-146826号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。