"オプトエレクトロニクス半導体チップ10であって、放射を生成する目的で設けられる活性層2aと、放射放出面21とを有する半導体積層体2と、前記半導体積層体2の前記放射放出面21に配置されている変換層3と、を備えており、前記変換層3が、前記活性層2aによって放出される放射の少なくとも一部分を異なる波長の放射に変換するのに適しており、前記半導体積層体2の前記放射放出面21が第1のナノ構造化部4を有し、前記変換層3が前記第1のナノ構造化部4に配置されている、オプトエレクトロニクス半導体チップ10。前記半導体積層体2の前記活性層2aが前記第1のナノ構造化部4の領域に形成されており、前記第1のナノ構造化部4が複数のナノロッドおよび複数の凹部からなり、前記活性層2aが前記第1のナノ構造化部4に沿って形成されており、したがって、前記活性層2aそれぞれが、前記凹部の側面および底面に沿って形成されており、それぞれ1つの独立した要素として前記凹部を囲んでいる、請求項1に記載の半導体チップ10。前記第1のナノ構造化部4が複数のナノロッドとして形成されている、請求項1または請求項2のいずれかに記載の半導体チップ10。前記変換層3が、平面状表面が形成されるように、前記第1のナノ構造化部4を完全に満たしている、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体チップ10。前記変換層3が、複数のナノロッドを備えた第2のナノ構造化部5として形成されている、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体チップ10。前記第1のナノ構造化部4と前記第2のナノ構造化部5が、互いに係合するように、互いに配置されている、もしくは、前記第1のナノ構造化部4と前記第2のナノ構造化部5が櫛状に形成されている、またはその両方である、請求項5に記載の半導体チップ10。前記第1のナノ構造化部4と前記第2のナノ構造化部5が、一連の層を備えることによって、横方向R1に複数の第1の層3aと複数の第2の層4aとを形成しているように、互いに隣接している、請求項4から請求項6のいずれかに記載の半導体チップ10。前記変換層3が前記第1のナノ構造化部4の上にも配置されている、請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体チップ10。前記第1のナノ構造化部4もしくは前記第2のナノ構造化部5またはその両方が、それぞれ、100nm~1μmの範囲内両端値を含むの高さを有する、請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体チップ10。前記半導体積層体2の前記活性層2aが、部分的に、前記第1のナノ構造化部4の領域に形成されている、請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体チップ10。前記変換層3および前記半導体積層体2が、光学的および熱的に結合されている、請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体チップ10。前記半導体チップ10が薄膜チップである、請求項1から請求項11のいずれかに記載の半導体チップ10。半導体チップ10を製造する方法であって、成長基板1を形成するステップと、活性層2aおよび放射放出面21を備える半導体積層体2を、前記成長基板1の上に成長させるステップと、前記放射放出面21に第1のナノ構造化部4を形成するステップと、前記第1のナノ構造化部4に変換層3を導入するステップと、を含んでいる、方法。前記半導体積層体2を成長させる前記ステップと、前記第1のナノ構造化部4を形成する前記ステップとが、前記成長基板1の表面全体の上に、前記半導体積層体2の第1の層2bを成長させるステップと、前記半導体積層体2の、構造化された第2の層2cを、マスク層によって成長させるステップと、を含んでいる、請求項13に記載の方法。前記変換層3を導入するステップが、前記第1のナノ構造化部4に変換要素3bを導入し、次いで、前記第1のナノ構造化部4にマトリックス材料3cを加えるステップ、または、前記変換層3をレーザ蒸着手順によって形成するステップ、を含んでいる、請求項13または請求項14に記載の方法。本出願の目的は、半導体チップであって、変換層が、光学的および熱的に改善された状態で半導体チップに結合されていると同時に、半導体チップの放射取り出し効率が増大する、半導体チップ、を提供することである。さらに、本出願の目的は、このような半導体チップの製造方法を提供することである。これらの目的は、特に、請求項1の特徴を有する半導体チップと、このような半導体チップを製造するための、請求項13の特徴を有する方法とによって、達成される。本半導体チップおよびその製造方法の有利な発展形態は、従属請求項に記載されている。発展形態においては、本オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射を生成する目的で設けられた活性層と、放射放出面とを有する半導体積層体、を有する。さらに、本半導体チップは、半導体積層体の放射放出面に配置されている変換層を有し、この変換層は、活性層によって放出される放射の少なくとも一部分を、異なる波長の放射に変換するのに適している。半導体積層体の放射放出面は、第1のナノ構造化部を有する。変換層は、第1のナノ構造化部に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップとは、特に、電子的に生成されたデータまたはエネルギを光の放射に変換する、またはこの逆に変換することのできる半導体チップである。例えば、本オプトエレクトロニクス半導体チップは、放射放出半導体チップである。ナノ構造化部とは、特に、3次元の構造すなわち空間的に形成される構造である。例えば、ナノ構造化部は、層または積層体における切取り部または溝である。特に、ナノ構造化部は、放射放出面の単なる粗面化部ではないものと理解されたい。したがって、本出願におけるナノ構造化部は、放射放出面の単なる粗面化部よりも、平面からの空間的な変形が大きい。この場合、変換層は、第1のナノ構造化部に配置されている。このことは、変換層が放射放出面のすぐ下流に配置されていることを意味し、すなわち、活性層によって生成されて放出される放射は、半導体チップを出るとき、変換層を通過する、または、変換層において異なる波長の放射に変換される。したがって、半導体積層体の放射放出面は、空間的構造を有し、ナノ構造化部によって形成されている切取り部、凹部、または溝が、少なくとも部分的に変換層によって満たされている。第1のナノ構造化部の凹部、切取り部、または溝は、変換層の材料によって完全に満たされていることが好ましい。半導体積層体の第1のナノ構造化部によって、変換層と半導体積層体との間に大規模な接触面が形成される。これによって、変換層と半導体積層体との間の大きな相互作用面が可能となり、したがって、変換層と半導体積層体の、改善された光学的および熱的な結合が形成され、これは有利である。したがって、変換層は、大きな領域にわたり、半導体積層体特に、放射放出面に直接接触している。この大きな面接触によって、変換効率を高めることができ、これは有利である。これと同時に、変換の程度の制御性を向上させることが可能である。このタイプの半導体チップの利点として、変換時の散乱損失が減少し、活性層によって放出される放射のさまざまな入射角度における色の均一性が良好であり、変換層と半導体積層体との熱接合が良好であり、完全な変換を達成することが可能である。完全な変換とは、特に、活性層によって放出される放射のほぼすべてが変換層において異なる波長の放射に変換される、放射の変換であるものと理解されたい。さらに、変換要素が組み込まれているこのタイプの半導体チップでは、変換を行うことを目的とする充填材またはパッケージなしで部品を形成することができる。したがって、このような半導体チップは、例えばプリント基板上に直接はんだ付けすることができる。これにより、コストが減少する一方で、それと同時に、最適な放射効率が維持される。変換層と半導体積層体との熱的および光学的な結合は、高い光束密度が要求される用途例えば、投影装置用途、ヘッドライト用途、スポットライト用途などにおいて特に有利である。半導体積層体、特に活性層は、少なくとも1種類のIII-V族半導体材料、例えば、InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yN、またはInxGayAl1-x-yAs材料系いずれの場合も0≦x、y≦1、xy≦1の材料を含んでいる。III-V族半導体材料は、紫外スペクトル領域InxGayAl1-x-yNから、可視スペクトル領域特に青色~緑色の放射の場合にはInxGayAl1-x-yN、特に黄色~赤色の放射の場合にはInxGayAl1-x-yP、さらには赤外スペクトル領域InxGayAl1-x-yAsの放射を生成するのに特に適している。変換層は、例えば、マトリックス材料と、その中に埋め込まれており、活性層によって放出される放射の少なくとも一部分を異なる波長の放射に変換するのに適している変換要素と、を有する層である。適切な変換要素は当業者に公知であり、したがってここでは詳しく説明しない。マトリックス材料は、例えばシリコーンまたは樹脂を含んでいる。変換要素は、マトリックス材料の中に好ましくは均一に導入され、すなわち、さまざまな取り出し角度にわたる放射の均一な取り出しと、放射の均一な変換とが可能である。発展形態においては、第1のナノ構造化部は、複数のナノロッドとして設計されている。ナノロッドとは、特に、横方向の範囲よりも大きい高さを有する棒状または柱状の構造として定義される。いわゆるナノロッドは、当業者にはナノワイヤとしても公知である。ナノロッドは、円形、楕円形、または長方形の断面を有することができる。ナノロッドは、均一な分布を有することが好ましい。個々のナノロッドの間には、それぞれが好ましくはほぼ等しい大きさである中間領域特に空間が設けられている。ナノロッドは、特に、半導体積層体に形成されており、すなわち、ナノロッドは、半導体積層体の材料を含んでいる。ナノロッドは、半導体チップの上面視において行列状に配置されていることが有利である。発展形態においては、変換層は、平面状表面が形成されるように、第1のナノ構造化部を満たしている。この場合、変換層は、半導体積層体の第1のナノ構造化部の凹部、中間空間、切取り部、または溝を完全に満たしており、すなわち、変換層と半導体積層体の組み合わせは、平面状に形成されている。特に、半導体積層体とは反対側の変換層の面と、半導体積層体の放射放出面は、互いにシームレスに結合されている。発展形態においては、変換層は、複数のナノロッドを備えた第2のナノ構造化部として形成されている。第1のナノ構造化部のナノロッドと、第2のナノ構造化部のナノロッドは、横方向に隣り合って配置されていることが好ましい。したがって、第2のナノ構造化部のナノロッドは、第1の構造化部のナノロッドの中間空間に配置されている。第1のナノ構造化部と第2のナノ構造化部との間には空間が存在しない、すなわち、これらのナノ構造化部は互いに直接隣接していることが好ましい。発展形態においては、第1のナノ構造化部と第2のナノ構造化部は、互いに係合するように、互いに配置されている。第1のナノ構造化部および第2のナノ構造化部がナノロッドとしてこのように形成されている場合、第1のナノ構造化部のナノロッドと第2のナノ構造化部のナノロッドは、互いに対してオフセットしており、すなわち、第1のナノ構造化部のナノロッドは第2のナノ構造化部のナノロッドの中間空間に配置されており、第2のナノ構造化部のナノロッドは第1のナノ構造化部のナノロッドの中間空間に配置されている。発展形態においては、第1のナノ構造化部および第2のナノ構造化部は、互いに櫛くし状に形成されている。特に、第1のナノ構造化部と第2のナノ構造化部は、櫛状に互いに係合している。発展形態においては、第1のナノ構造化部と第2のナノ構造化部は、一連の層を有することによって、横方向に複数の第1の層と複数の第2の層とを形成しているように、互いに隣接している。横方向にとは、特に、半導体チップの主放射方向に垂直な方向を意味する。半導体チップは、特に、主放射方向が半導体積層体の層の横方向の延在面に対して垂直な向きにある面発光半導体チップであることが好ましい。この場合、横方向には、半導体積層体の層の延在面に対して水平な方向を意味する。特に、横方向には、半導体積層体の層の成長方向に垂直な方向を意味する。発展形態においては、変換層は、第1のナノ構造化部の上にも配置されている。したがってこの場合、変換層は、第1のナノ構造化部の凹部、切取り部、または溝の中に配置されてこれらを完全に満たしているのみならず、第1のナノ構造化部のこれらの凹部よりも突き出している。この場合、変換層は、例えば2つの異なる領域に分けることができる。変換層は、第1の領域においては、構造化された状態に、好ましくはナノロッドとして、形成されている。しかしながら、第2の領域においては、変換層は、半導体積層体の表面全体にわたり形成されている。したがって、第2の領域には構造化部が存在しない。発展形態においては、第1のナノ構造化部もしくは第2のナノ構造化部またはその両方は、それぞれ、100nm~1μmの範囲内両端値を含むの高さを有する。第1のナノ構造化部および第2のナノ構造化部のナノロッドの高さは、ほぼ同じであることが好ましい。特に好ましい構造においては、第1のナノ構造化部の高さが第2のナノ構造化部の高さに一致しており、したがって変換層と半導体積層体との間のシームレスな遷移seamlesstransitionが可能となる。したがって、ナノロッドの高さは、活性層によって放出される放射が変換層内に侵入する深さ侵入深さの大きさのオーダーである。侵入深さとは、特に、光波が別の特に、屈折率がより小さい材料内に侵入する長さであるものと理解されたいただし光のビームは実際には全反射される。したがって、侵入深さは、変換層と半導体積層体との間の境界面への放射の入射角に依存する。発展形態においては、半導体積層体の活性層は、少なくとも一部分が、第1のナノ構造化部の領域に形成されている。これに代えて、半導体積層体のうち第1のナノ構造化部を備えていない領域に、活性層を形成することができる。活性層が第1のナノ構造化部の領域に配置される場合、活性層は、例えば、個々のナノ構造化部に沿って形成される。したがって、第1のナノ構造化部が複数のナノロッドおよび複数の凹部からなる場合、活性層それぞれは、例えば凹部の側面および底面に沿って形成されており、それぞれ1つの独立した要素として凹部を囲んでいる。例えば、活性層は、ナノロッドを包んでいる。したがって、第1のナノ構造化部の凹部と活性層との間に半導体積層体の材料をさらに配置することができる。言い換えれば、活性層は、ほぼ半円柱または半円錐台特に、円柱または円錐台の縦軸線に垂直に二分されているの周囲面の形での個々の領域によって、形成することができる。この活性層は、長方形の鋸歯パターンに類似する構造に形成することができる。この場合、個々の個別の領域によってではなく、連続的な層によって活性層を形成することも可能である。発展形態においては、変換層および半導体積層体は、光学的および熱的に互いに結合されている。このタイプの結合は、半導体積層体および変換層の材料を選択することによって可能になる。光学的結合は、例えば、材料の屈折率が近いかまたは同じであることによって達成される。例えば、変換層の材料の屈折率と、半導体積層体の材料の屈折率は、約2.4である。発展形態においては、半導体チップは薄膜チップである。薄膜チップとは、本出願の範囲内では、製造時に、上に半導体積層体をエピタキシャル成長させた成長基板が好ましくは完全に剥離された半導体チップであるものとする。したがって、薄膜チップは、半導体積層体の半導体層を機械的に安定させるため、例えばキャリア基板を有することができる。発展形態においては、半導体チップは、放射放出半導体チップ、特にLED、好ましくは薄膜LEDである。発展形態においては、変換層は、高屈折率の材料を含んでいる。このことは、特に、変換層の材料が、半導体積層体の材料の屈折率よりも高い屈折率を有することを意味するものと理解されたい。例えば、GaN系半導体積層体における変換層の屈折率は、2.4よりも高い。したがって、第2のナノ構造化部は、横方向の一連の層として、または高屈折率の材料に埋め込まれた変換粒子として、または埋め込まれた高屈折率の変換粒子として、形成することができる。GaN系半導体チップの場合、1つの可能な高屈折率材料として、例えば、約2.9の屈折率を有するTiO2を使用する。例えば、変換粒子の屈折率が1.8であるとき、変換層の材料の体積比を適切に選択することによって、変換層の平均屈折率としてほぼ2.4を達成することが可能である。高屈折率材料を含んだ構造化された変換層を有すると同時に、この領域における構造化部の大きさが、活性層によって放出される放射の波長よりも好ましくは小さい半導体チップの場合、活性層によって放出される光の、変換層内への侵入が改善される。オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法は、以下のステップ、すなわち、成長基板を形成するステップと、活性層および放射放出面を備える半導体積層体を、成長基板上に成長させるステップと、放射放出面に第1のナノ構造化部を形成するステップと、第1のナノ構造化部に変換層を導入するステップと、を含んでいる。オプトエレクトロニクス半導体チップに関して記載されている特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。本方法の場合、変換層は、半導体積層体をエピタキシャル成長させた後に形成される。これにより、変換の制御性を向上させることができる。半導体積層体のナノ構造化部に変換層を導入することによって、変換層と半導体積層体との間により大きな境界面が形成され、したがって、変換層と半導体積層体との間の相互作用面を大きくすることができる。第1のナノ構造化部は、特に、凹部、溝、切取り部などとして形成され、この中に変換層が導入される。したがって、変換層は、第1のナノ構造化部の切取り部または凹部などの高さと変換層の高さとが等しいように、半導体材料の第1のナノ構造化部に導入することができる。この場合、変換層は、第1のナノ構造化部の凹部を完全に満たしているが、これらの凹部よりも突き出していない。これに代えて、半導体積層体のナノ構造化部の上にも変換層を配置することができ、すなわち、変換層は半導体積層体のナノ構造化部よりも突き出している。この場合、変換層は、半導体積層体の第1のナノ構造化部の上に表面全体に形成される。半導体積層体に変換層を形成した後、半導体積層体から成長基板を分離する、または完全に除去することができる。特に、成長基板が配置されていた側の半導体積層体の面は、放射放出面とは反対側の半導体チップの面である。発展形態においては、半導体積層体を成長させるステップと、第1のナノ構造化部を形成するステップは、以下のステップ、すなわち、成長基板の表面全体の上に、半導体積層体の第1の層を成長させるステップと、半導体積層体の、構造化された第2の層を、マスク層によって成長させるステップと、を含んでいる。このように、半導体積層体の第1のナノ構造化部は、2つの異なる方法によって形成することができる。第1の方法として、成長基板の表面全体の上に半導体積層体を成長させ、次いで構造化することができる。これに代えて、半導体積層体の非構造化領域を表面全体の上に成長させ、次いで、半導体積層体の構造化領域を、例えばマスク層によって、直接構造化されるように成長させることができ、すなわち、後から構造化するステップが不要である。発展形態においては、第1のナノ構造化部に変換層の変換要素を導入し、次いで、第1のナノ構造化部に変換層のマトリックス材料を加える。したがって、最初に、第1のナノ構造化部の凹部の中に変換要素例えば変換粒子が導入され、これらの変換粒子の周囲に変換層のマトリックス材料が導入される。これに代えて、例えばレーザ蒸着法によって変換層を形成することができる。この場合、マトリックス材料と、その中に含まれる変換要素は、第1のナノ構造化部の凹部の中と第1のナノ構造化部の上とに、一緒に導入される。このような方法は、当業者には用語PLD法PLD:パルスレーザ堆積としても公知である。本方法の発展形態においては、第1のナノ構造化部の大きさは、活性層によって放出される放射が変換層の中への侵入深さとほぼ同程度であるように、形成される。結果として、できる限り大きい表面を介することで変換効率を最適化することができる。本発明のさらなる利点および有利な発展形態は、図1~図8を参照しながら以下に説明する例示的な実施形態から明らかになるであろう。図面において、類似する部分または同じ機能の部分には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図示した部分と、それらの互いのサイズの比率は、基本的に正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を明瞭にする、または理解を容易にする目的で、個々の部分例えば、層、構造、部品、領域を、誇張した厚さまたは大きさで示してある。図1A~図1Dは、本製造方法におけるさまざまな段階における半導体チップ10を示している。図1Aは、成長基板1の上に成長した半導体積層体2を示している。半導体積層体2は、成長基板1の上に配置されている。半導体積層体2は、成長基板1とは反対側に配置されている放射放出面21を有する。さらに、半導体積層体2は、半導体チップ10の動作時に電磁放射を生成するのに適している活性層2aを有する。活性層2aにおいて生成される電磁放射は、その大部分が放射放出面21を介して半導体チップから出る。半導体積層体2のうち活性層2aと成長基板1との間に配置されている層は、p型にドープされていることが好ましい。例えば、これらの層は、p-GaNを含んでいる。半導体積層体2のうち成長基板1とは反対側の活性層2aの面に配置されている層は、n型にドープされている例えばn-GaNことが好ましい。次の方法ステップにおいては、図1Bに示したように、半導体積層体2をn側から構造化する。特に、放射放出面21から活性層2aに向かう方向に、半導体積層体2に凹部6を形成する。このようにして、複数のナノロッドを備えた第1のナノ構造化部4が形成される。ナノロッド4は、凹部6によって互いに隔てられている。ナノロッド4は、実質的に同じ高さであることが好ましい。半導体積層体2のn側における凹部6は、活性層2aには達していないことが好ましい。したがって、半導体積層体2は、2つの領域2b,2cから構成される。第1の領域2bは、表面全体の上に配置されており活性層2aを有する半導体層を備えており、この場合、活性層2aは面全体の上に配置されている。第2の領域2cは、ナノ構造化部を有するすなわち構造化された状態に形成されている複数の半導体層を備えている。したがって、第2の領域2cには、ナノロッド4および凹部6を備えた一連の層が形成されており、1つのナノロッド4それぞれに1つの凹部6が隣接しており、したがってナノロッド4と凹部6は交互に並んでいる。したがって、一連の層は横方向Rlに配置されている。横方向Rlにとは、特に、成長基板1の延在方向に沿っている、したがって半導体積層体2の半導体層の延在方向に沿っていることを意味する。したがって、一連の層は、主放射方向に対して垂直に、または成長基板1上への半導体積層体2の層の成長方向に対して垂直に、配置されている。したがって、第1のナノ構造化部のナノロッド4は、その大きさについては、活性層2aによって放出される放射の波長と同程度であるかまたはそれより大きいようにする。凹部6も、同様にこのオーダーの大きさを有する。ナノロッド4は、例えば、10nm~200nmの範囲内の直径を有する、円形または長方形のGaN柱である。したがって、凹部6は、数10nm~200nmの直径を有する。この構造すなわちナノロッド4および凹部6の高さは、数100nm~数μmの範囲内である。第1のナノ構造化部は、半導体積層体2の半導体層を領域2bにおいて表面全体の上に成長させ、次いで、例えばレーザ構造化法によって構造化することによって、製造することができる。したがって、凹部6は、最初に表面全体の上に形成される半導体層に形成することができる。これに代えて、第1のナノ構造化部を形成するステップは、最初に、第1の領域2bにおいて、成長基板1の表面全体の上に層を成長させ、次いで、領域2cにおいて、直接構造化される層を成長させるステップを含んでいることができる。構造化される層を成長させるステップは、例えばマスク層によって達成することができる。電気的接触を形成する目的で、半導体積層体2のn側の大きな領域にn型接触部を配置する図示していない。したがって、p型接触部は、例えばいわゆるコア/シェル層によって、ナノロッド4を適切に構造変更することによって形成することができるコア/シェル層は当業者には公知であり、したがってここでは詳しく説明しない。これらのコア/シェル層によって、p型接触部の場合にも大きな表面が利用可能である。電流拡散に関して最適である構造は、特に、半導体積層体2のn型ドーピングとp型ドーピングが逆であるときに達成される。次いで、図1Cに示したように、凹部6の中に変換要素3bを導入する。変換要素3bは、活性層2aによって放出される放射の少なくとも一部分を異なる波長の放射に変換するのに適している例えば変換粒子である。したがって、変換要素3bは、個別に導入される。すなわち、変換要素3bは、マトリックス材料によって囲まれていない、またはマトリックス材料に埋め込まれていない。この例示的な実施形態においては、凹部6は活性層2aに達していないため、凹部6の中の変換要素3bは活性層2aまでは配置されていない。したがって、変換要素3bと活性層2aとの間には半導体積層体2の材料が配置されている。次の製造ステップにおいては、図1Dに示したように、凹部6の中にマトリックス材料3cを導入する。マトリックス材料3cは、高屈折率であることが好ましい例えば、Al2O3、TiO2。マトリックス材料3cは、放射に対して安定的かつ温度に対して安定的な透明材料であり、1.5より高い屈折率を有する。したがって、マトリックス材料3cは、半導体積層体2の凹部6を完全に満たすように、凹部6の中に導入する。したがって、マトリックス材料3cの端部は、半導体積層体2の放射放出面21と平面状に揃っており、したがって、特に、放射放出面21の平面を形成することができる。特に、半導体積層体2の放射放出面21の上には、マトリックス材料3cが配置されない。変換要素3bおよびマトリックス材料3cは、組み合わせとして変換層3を形成する。したがって、半導体積層体2の第1のナノ構造化部4の領域には、変換層3を備えた領域と、半導体積層体2の材料すなわちこの場合にはナノロッド4のみを備えた領域とが配置されている。変換層3が半導体積層体2の第1のナノ構造化部4の凹部6の中のみに導入されることによって、第2のナノ構造化部5として形成される変換層3が作製される。したがって、第2のナノ構造化部5は複数のナノロッドを備えている。したがって、第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5は、互いに係合している。特に、第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5は、櫛状に形成されている。このようにして、半導体積層体2の第2の領域には、互いに直接隣接している第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5を有する横方向の一連の層が形成される。この一連の層は、特に、第2のナノ構造化部5の複数の第1の層3aと、第1のナノ構造化部4の複数の第2の層4aとを有し、これらは横方向R1に形成されている。第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5は、それぞれ、特に100nm~1μmの範囲内両端値を含むの同じ高さを有することが好ましい。第1のナノ構造化部4によって、変換層3と半導体積層体2との間に、できる限り大きい接触面が形成される。したがって、変換層3と半導体積層体2との間に、できる限り大きい相互作用面を達成することができる。これにより、変換層3と半導体積層体2とが最適な状態で光学的および熱的に結合される。さらには、特に、変換の程度の制御性を向上させることができ、なぜなら、変換層3は、半導体積層体2を形成する工程の後に形成されるためである。したがって、変換層3の屈折率を、半導体積層体2の材料の屈折率に適合させることが好ましい。すなわち、これらの材料の屈折率は、できる限り近い、または同じである。例えば、これら2つの材料の屈折率は2.4である。図2A~図2Cの例示的な実施形態は、本発明による、半導体チップ10の代替製造方法を示している。したがって、図2Aは図1Aと実質的に対応し、図2Bは図1Bと実質的に対応する。これとは異なり、図2Cの例示的な実施形態においては、図1Cおよび図1Dの方法ステップが同時に行われる。特に、変換層3は、1回の方法ステップにおいて第1のナノ構造化部に導入される。すなわち、変換層3の変換要素およびマトリックス材料は、半導体積層体2に導入される前にすでに混合され、一緒に半導体積層体2に導入される。このような導入は、例えば変換層3を直接堆積させることによって例えばパルスレーザ堆積PLDによって行うことができる。図2Cの例示的な実施形態においては、第1のナノ構造化部4の領域、特に半導体積層体2の凹部に、変換層3が導入される。さらに、変換層3は、半導体積層体2の放射放出面21の上にも配置される。したがって、変換層3は2つの領域に分けることができる。第1の領域においては、変換層3は第2のナノ構造化部5として形成され、したがって、第1のナノ構造化部のナノロッド4の間の中間空間にのみ配置される。第2の領域においては、変換層3は、半導体積層体2の表面全体に形成される。したがって、第2の領域においては、変換層3は、半導体積層体2のナノロッド4の表面全体と、変換層3のナノロッド5に形成される。残りの部分については、図2Cの例示的な実施形態は、図1Dの例示的な実施形態に対応する。図3A~図3Dは、本発明による、半導体チップ10の製造のさらなる例示的な実施形態を示している。図3Aに示したように、成長基板1の表面全体の上に、半導体積層体の層2bをエピタキシャル成長させる。これらの層は、半導体積層体の第1の領域2bを形成している。この領域2bは、特に、半導体積層体の活性層を備えていない。次いで、図3Bに示したように、表面全体に形成された領域2bに半導体積層体の第2の領域2cを形成し、構造化する。ナノ構造化部を形成した後特に、ナノロッド4が形成されるように凹部6を形成した後、活性層2aを成長させ、この活性層2aは、凹部6の側面すべてと底面を覆う例えばInGaN多重量子井戸MQWを含んでいる。次いで、この活性層2aの上に、1層または複数のp型ドープ層を、活性層2aがこの層の材料によって完全に覆われるように、堆積させる。次いで、半導体積層体のp型層における電流拡散を改善する目的で、オプションとして、透明酸化物例えばITOまたはZnOなどを側面に堆積させることができる図示していない。したがって、活性層2aは、第2の領域2cに位置しており、成長基板1の長手方向のみに配置されているのではなく、凹部6の側面に沿って主放射方向にも延在している。次いで、図3Cに示したように、第1のナノ構造化部の中間空間に変換要素3bを導入する。この方法ステップは、図1Cの例示的な実施形態の方法ステップに実質的に対応する。次いで、図3Dに示したように、第1のナノ構造化部の凹部にマトリックス材料3cを導入する。特に、この方法ステップは、図1Dの例示的な実施形態の方法ステップに実質的に対応する。半導体チップ10の電気的接触を形成するため、上からすなわち放射放出面21から、p型接触部およびn型接触部を形成することができる図示していない。図4Aは、本発明による半導体チップの例示的な実施形態の断面図を示している。半導体積層体の第1の領域2bと、半導体積層体の第2の領域2cは、例えば銀を含んでいるミラー層の上に配置されている。第2の領域2cに第1のナノ構造化部4が形成されている。第1のナノ構造化部4の中間空間は、変換層3によって満たされている。半導体チップの放射放出面の下流に、カバー層8例:シリコーン層を配置することができる。残りの部分については、図4Aの例示的な実施形態は、図1Dの例示的な実施形態に対応する。図4Bは、このように形成された半導体チップの上面図を示している。第1のナノ構造化部のナノロッド4は、行列状に配置されている。ナノロッド4の間の中間空間は、平面状表面が形成されるように変換層3によって満たされている。この例示的な実施形態においては、ナノロッド4には、変換層3の材料が含まれていない。ナノロッド4の最適な大きさは、活性層によって放出される放射の波長と同程度またはそれより大きいように調整する。第1のナノ構造化部、特にナノロッド4には、侵入深さのオーダーで変換層3が侵入している。このようにすることで、変換層3と半導体積層体との最適な熱的および光学的結合を達成することが可能である。したがって、変換の程度の制御性も向上する。図5Aにおいては、図4Aの例示的な実施形態とは異なり、第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5が、異なる大きさのオーダーで形成されている。特に、第1のナノ構造化部4および第2のナノ構造化部5は、図4Aの例示的な実施形態よりも大きい断面を有する。残りの部分については、図5Aの例示的な実施形態は、図4Aの例示的な実施形態に対応する。図5Bは、図5Aの例示的な実施形態による半導体チップの上面図を示している。第1のナノ構造化部のナノロッド4は、互いの間により大きな空間を有する。したがって、変換層3は、ナノロッド4の間のより大きい空間を満たしている。したがって、全体としてより多くの変換層材料3が半導体積層体の上に配置されている。残りの部分については、図5Bの例示的な実施形態は、図4Bの例示的な実施形態に対応する。図6A~図6Cは、それぞれ、半導体チップの一実施形態のさらなる例示的な実施形態を上面から示している。図6Aの例示的な実施形態においては、第1のナノ構造化部のナノロッド4の直径が、図5Bの例示的な実施形態と比較して、より大きく形成されている。これにより、半導体チップの表面のうち変換層3が配置されている表面の大きさが減少している。図6Bの例示的な実施形態においては、図5Bの例示的な実施形態と比較して、ナノロッド4が、円形ではなく長方形に形成されている。ナノロッド4の行列状の配置はそのままである。残りの部分については、図6Bの例示的な実施形態は、図5Bの例示的な実施形態に対応する。図6Cの例示的な実施形態においては、ナノロッド4の直径が、図6Bの例示的な実施形態と比較して、より大きい。したがって、図6Aの例示的な実施形態と同様に、半導体積層体の表面のうち変換層3が配置されている表面の大きさが減少している。ナノロッド4の大きさ、したがって変換層材料3によって覆われる半導体積層体の表面の大きさは、変換の所望の程度に応じて調整することができる。図7Aは、従来技術による、放射を生成する活性層を備えた半導体チップ10の例示的な実施形態を示しており、この実施形態では、半導体積層体2に変換層3が形成されている。半導体積層体2および変換層3は、いずれもナノ構造化部を備えていないすなわち平面状の層が形成されている。図7Aには、活性層によって放出される放射の、生じうるビーム経路S1,S2,S3を、矢印で示してある。このように形成される半導体チップの場合、半導体積層体と変換層との間の境界面における全反射は、ビーム経路S2およびS3によって示したように、光の大部分が変換層の中に侵入することができない、または半導体チップから取り出すことができないことを意味する。このタイプの影響は、構造化された変換層図示していないにおいても、構造化部の大きさが活性層によって放出される放射の波長と同程度またはそれより小さい場合には起こることがあり、なぜなら、この場合には光波の構造化structuringoftheopticalwaveを解消することができず、したがって構造化された層は、平均屈折率の層のように振る舞うためである当業者にはメタマテリアルとしても公知である。図7Bは、本発明による、放射を生成する活性層を備えた半導体チップ10の例示的な実施形態を示している。図7Bにおいても、活性層によって放出される放射の、生じうるビーム経路S1,S2,S3を矢印で示してある。半導体チップ10は、例えば図2Aの例示的な実施形態に従って形成される半導体積層体2を有する。この半導体積層体2の上に、構造化部としての横方向の一連の層を有する変換層3が配置されている。特に、変換層3の領域として、高屈折率材料例えばTiO2などを含んでおり変換粒子が存在しない領域と、変換粒子を備えており高屈折率材料を必ずしも含んでいない領域とが、横方向に交互に並んでいる。ビーム経路S1,S2,S3によって示したように、活性層によって放出される放射の、より大きな割合が、変換層の中に侵入することができる。特に、より高い屈折率を有する変換層の材料を部分的に使用することによって、変換層の平均屈折率を、この値が半導体材料の平均屈折率にほぼ一致するすなわち放射が実質的に妨げられることなく変換層の中に侵入することができるように、調整することができる。図8Aの例示的な実施形態は、図1Dの例示的な実施形態と異なる点として、半導体積層体とは反対側の変換層の面が、さらなる構造化部特に粗面化部を有する。結果として、変換層と周囲領域との間の境界面において全反射される放射の割合を減少させることができ、すなわち放射取り出し効率をさらに高めることができ、これは有利である。このことは、特に、図8Aに示したビーム経路S1,S2,S3によって示してある。図8Bの例示的な実施形態は、図7Bの例示的な実施形態と異なる点として、半導体積層体とは反対側の変換層の面が、さらなる構造化部特に粗面化部を有する。結果として、変換層と周囲領域との間の境界面において全反射される放射の割合をさらに減少させることができ、すなわち放射取り出し効率をさらに高めることができ、これは有利である。図8Cの例示的な実施形態は、図8Bの例示的な実施形態と異なる点として、変換層が、横方向の一連の層の代わりに縦方向の一連の層を有する。特に、高屈折率材料を有する層と、変換粒子を有する層とが、交互に並ぶように互いに上下に堆積されている、または積層されている。図8Dの例示的な実施形態は、図7Bの例示的な実施形態と異なる点として、変換層3が、高屈折率材料の中に、構造化部として埋め込まれている変換粒子を有する。図8Eの例示的な実施形態の変換層3は、必ずしも屈折率の高くない材料に高屈折率の変換粒子が埋め込まれた形の構造化部を有する。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010051286.9号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"