入力端子と、上記入力端子に印加された電圧を分圧する、複数の抵抗から成る分圧用抵抗と、一端が上記入力端子に接続されていると共に他端が接地されており、かつ、上記分圧用抵抗に流れる電流を所定値以下に抑制するための、1または複数のダイオードから成るダイオード群とを備えた半導体集積回路に接続される、上記ダイオード群を保護するダイオード保護回路であって、上記入力端子に接続される抵抗である保護抵抗を備え、上記保護抵抗は、上記ダイオード群を流れる電流に応じて、上記ダイオード群を構成するダイオードのいずれかが破壊される電圧未満にまで、上記保護抵抗に印加される電圧を降下させることによって、上記入力端子に印加される電圧を降下させることを特徴とするダイオード保護回路。上記保護抵抗の抵抗値は、上記分圧用抵抗を構成する抵抗の合成抵抗の値の0.2未満であることを特徴とする請求項1に記載のダイオード保護回路。上記保護抵抗は、上記半導体集積回路の主電源電圧より大きい電圧、または上記半導体集積回路の定格電圧より大きい電圧が印加される、上記入力端子に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載のダイオード保護回路。請求項1~3のいずれか1項に記載のダイオード保護回路と、上記半導体集積回路とを備えたLNBLowNoiseBlockdownconverter。上記半導体集積回路は、PLLPhaseLockedLoop回路と、無線周波数を有する信号と、上記PLL回路の出力信号とを混合することで、中間周波信号に変換する混合回路と、上記中間周波信号を増幅する中間周波増幅器とを備えることを特徴とする請求項4に記載のLNB。請求項4または5に記載のLNBを備えたアンテナシステム。図11および13に示した回路120においては、端子CNT_INに発生するESDへの対策のために、MOP-IC101の内部にPN接合のダイオードダイオードD3およびD4を形成する必要がある。このようなダイオードD3およびD4はいずれも、耐圧がそれほど高くなく、26.5V以上の電圧過電圧が印加されると、破壊されてしまうことが懸念される。MOP-IC101が使用されるユニバーサルLNBであるLNB100は、その仕様上、端子CNT_INに印加される電圧の最大値が19Vと規定されているため、ダイオードD3およびD4が破壊されてしまう虞がないと考えられてきた。しかしながら、図14に示すように、出力電圧Voutが11.5~19Vである安定化電源131をオン状態として、ケーブル132により、LNB100の出力端子91に接続した瞬間、安定化電源131から出力された電圧に、オーバーシュート現象が発生することが分かった。なお、この現象は、安定化電源131の出力インピーダンスの急激な変化が原因で発生すると考えられる。図15は、LNB100の出力端子91に、オン状態の安定化電源131を接続した前後における、時間横軸と、LNB100への入力電圧VINならびに端子CNT_INに印加される電圧VCNT_INのレベル縦軸との関係を示すグラフである。なお、図15中のTCが、該接続の直後に、オーバーシュートに起因して、電圧のレベルが最大となる瞬間を示している。また、本願明細書におけるLNBへの入力電圧VINは、LNBの出力端子91に入力される電圧であるとする。図15の実測結果より、LNB100への入力電圧VINを19Vにしようとした場合、上述した安定化電源131の出力電圧Voutのオーバーシュート現象に起因して、LNB100への入力電圧VINは、瞬間的に30.4Vにまで上昇した。また、図15の実測結果より、MOP-IC101の端子CNT_INの電位VCNT_INは、瞬間的に28.0Vにまで上昇した。これにより、LNB100では、ダイオードD3およびD4がショートモードで破壊されてしまい、MOP-IC101が正常動作しないという事態の発生が確認された。この現象は、生産工場での組立および検査工程、ならびにユーザでのインストール作業中に起こりうることであることから、上記安定化電源131から出力された電圧のオーバーシュート現象に対する対策が必須事項となった。また、特許文献2の図1の場合、電源を誤って逆接続したときの過電流によるダイオードの破壊を防止するために、抵抗を挿入してダイオードに流れる電流を抑制することを目的としているに過ぎない。また、特許文献3の図1の場合、抵抗は、コンデンサのサージによる充電電荷を放電するための抵抗であって、コンデンサとセットで効果のあるものである。また、特許文献3の図1の場合、抵抗によりダイオードの降伏電流を制限して保護回路全体の破壊を防止しているに過ぎない。また、特許文献4の図3の場合、ICまたはモジュール内の最大電圧を制限しているのはダイオードであり、ダイオードのブレークダウン電圧に制限され、抵抗はモジュール内を流れる電流を制限するものに過ぎない。また、特許文献5の図6の場合、抵抗はダイオードの保護を目的としたものとは言えない。特許文献1に係る技術では、ダイオードを特に保護していない。以上の、特許文献1~5に開示された各技術は、以下に説明する本発明の特徴点との関連が薄い。本発明は、上記の問題に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体集積回路に設けられた端子に発生するESDへの対策を施すために同半導体集積回路に設けられた、ダイオードが破壊されることを防止する、ダイオード保護回路、LNB、およびアンテナシステムを提供することにある。本発明のダイオード保護回路は、上記の問題を解決するために、入力端子と、上記入力端子に印加された電圧を分圧する、複数の抵抗から成る分圧用抵抗と、一端が上記入力端子に接続されていると共に他端が接地されており、かつ、上記分圧用抵抗に流れる電流を所定値以下に抑制するための、1または複数のダイオードから成るダイオード群とを備えた半導体集積回路に接続される、上記ダイオード群を保護するダイオード保護回路であって、上記入力端子に接続される抵抗である保護抵抗を備え、上記保護抵抗は、上記ダイオード群を流れる電流に応じて、上記ダイオード群を構成するダイオードのいずれかが破壊される電圧未満にまで、上記保護抵抗に印加される電圧を降下させることによって、上記入力端子に印加される電圧を降下させることを特徴としている。上記の構成によれば、入力端子に過電圧が発生したときに、ダイオード群を構成する各ダイオードのブレークダウンによって、電流がダイオード群を流れるが、保護抵抗は、このダイオード群を流れる電流によって、自身に印加された電圧を降下させる。換言すれば、保護抵抗に印加された電圧は、保護抵抗の抵抗値、およびダイオード群を流れる電流の電流値に応じて電圧降下され、その後、保護抵抗が接続されている入力端子に印加される。ここで、具体的に保護抵抗は、上記の電圧降下により、自身に印加された電圧を、ダイオードのいずれかが破壊される電圧未満にまで降下させる。換言すれば、保護抵抗は、ダイオード群を流れる電流に応じた、自身に印加された電圧の降下によって、該印加された電圧を、各ダイオードが破壊しない電圧にまで降下させるような抵抗値となっている。上記の構成によれば、ダイオード群を構成する各ダイオードのブレークダウン時において、入力端子から半導体集積回路に過電圧が印加される虞がなくなるので、同半導体集積回路に設けられた、ESD対策用のダイオードが破壊されることを防止することができる。また、保護抵抗は、半導体集積回路の入力端子に接続されているが、半導体集積回路に接続されている。つまり、保護抵抗は、半導体集積回路の外部に設けられている。この理由は、以下にある。半導体集積回路に内蔵された分圧用抵抗の、入力端子に発生するESDに対する耐性が低いことは上述した。半導体集積回路は、このような分圧用抵抗が、上記ESDに起因して破壊されてしまうことを防止するために、ダイオード群を内蔵している。そして、仮に保護抵抗を半導体集積回路に内蔵した場合、保護抵抗は、上述した分圧用抵抗の場合と同様に、入力端子に発生するESDに起因して、破壊されてしまう虞がある。一方、保護抵抗を半導体集積回路の外部に設けた場合、保護抵抗は、炭素被膜抵抗または金属皮膜抵抗といった、一般的な電気回路において使用されている抵抗を用いて構成することが可能となる。炭素被膜抵抗および金属皮膜抵抗は、半導体集積回路に内蔵した抵抗と比較して、ESDに対する耐性を高くすることができる。従って、保護抵抗を半導体集積回路の外部に設けることにより、保護抵抗におけるESDへの耐性を向上させることが可能となる。また、本発明のダイオード保護回路の、上記保護抵抗の抵抗値は、上記分圧用抵抗を構成する抵抗の合成抵抗の値の0.2未満であるのが好ましい。分圧用抵抗の合成抵抗の値にとって無視できない程度に、保護抵抗の抵抗値が大きいと、合成抵抗の分圧比の、相対的なばらつきが大きくなってしまい、入力端子に印加される電圧のレベルが大きくばらつく要因となってしまう。これにより、入力端子に印加された電圧のレベルに応じた処理を行う必要がある半導体集積回路において、該処理を正常に行うことが困難となる虞がある。保護抵抗は、分圧用抵抗の合成抵抗に対して、相対的なばらつきを発生させる要因となる。従って、保護抵抗の抵抗値は、できるだけ小さいことが望ましい。上記の構成によれば、保護抵抗の抵抗値は、分圧用抵抗の合成抵抗の値の0.2未満と、非常に小さい。従って、保護抵抗を設けることに起因して、入力端子に印加される電圧のレベルが大きくばらつくことを抑制し、半導体集積回路における上記の処理を正常に行うことができる。また、本発明のダイオード保護回路の、上記保護抵抗は、上記半導体集積回路の主電源電圧より大きい電圧、または上記半導体集積回路の定格電圧より大きい電圧が印加される、上記入力端子に接続されているのが好ましい。上記の構成によれば、半導体集積回路に設けられた入力端子であって、該半導体集積回路の主電源電圧または定格電圧よりも大きなレベルの電圧を扱う入力端子に発生するESDへの対策を施す、ダイオード群の破壊を防止することができる。また、本発明のLNBは、本発明のダイオード保護回路と、上記半導体集積回路とを備えたものであるのが好ましい。上記の構成によれば、本発明のダイオード保護回路と同様の効果を、LNBにおいて得ることができる。また、本発明のLNBの、上記半導体集積回路は、PLL回路と、無線周波数を有する信号と、上記PLL回路の出力信号とを混合することで、中間周波信号に変換する混合回路と、上記中間周波信号を増幅する中間周波増幅器とを備えるのが好ましい。上記の構成によれば、半導体集積回路は、PLL回路を備えているため、動作が安定した局部発振器を実現することができる。また、上記の構成によれば、LNBは、混合回路の機能と、中間周波増幅器の機能とを収めた、半導体集積回路を備えている。この半導体集積回路を使用したこのLNBは、局部発振器PLL回路を備えた局部発振回路の動作の安定化、ならびに部品数の大幅な削減をもたらす。また、本発明のアンテナシステムは、本発明のLNBを備えたものであるのが好ましい。上記の構成によれば、本発明のLNB、ひいては本発明のダイオード保護回路と同様の効果を、アンテナシステムにおいて得ることができる。以上のとおり、本発明のダイオード保護回路は、入力端子と、上記入力端子に印加された電圧を分圧する、複数の抵抗から成る分圧用抵抗と、一端が上記入力端子に接続されていると共に他端が接地されており、かつ、上記分圧用抵抗に流れる電流を所定値以下に抑制するための、1または複数のダイオードから成るダイオード群とを備えた半導体集積回路に接続される、上記ダイオード群を保護するダイオード保護回路であって、上記入力端子に接続される抵抗である保護抵抗を備え、上記保護抵抗は、上記ダイオード群を流れる電流に応じて、上記ダイオード群を構成するダイオードのいずれかが破壊される電圧未満にまで、上記保護抵抗に印加される電圧を降下させることによって、上記入力端子に印加される電圧を降下させる構成である。従って、本発明は、半導体集積回路に設けられた端子に発生するESDへの対策を施すために同半導体集積回路に設けられた、ダイオードが破壊されることを防止するという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。ダイオード保護回路の構成図1は、本実施の形態に係るダイオード保護回路の構成を示す回路図である。ダイオード保護回路の説明に先立って、本実施の形態に係るMOP-IC半導体集積回路101は、図11に示すMOP-IC101と同様の構成である。すなわち、図1に示すとおり、MOP-IC101は、端子入力端子CNT_IN、および端子CNT_INに発生するESDへの対策用の回路である回路120を備えている。なお、端子CNT_INは、MOP-IC101の主電源電圧3.3Vよりも大きなレベルの電圧最大19V程度が印加される端子である。また、端子CNT_INは、MOP-IC101の定格電圧5V以下よりも大きなレベルの電圧最大19V程度が印加される端子であるとも言える。回路120は、ダイオードD1~D4、分圧用抵抗R1およびR2、安定化容量C1、ならびに電圧検出回路121を備えている。分圧用抵抗R1の抵抗値は、420kΩとした。分圧用抵抗R2の抵抗値は、80kΩとした。また、分圧用抵抗R1およびR2が互いに直列に接続されているため、分圧用抵抗R1およびR2の抵抗値の合計合成抵抗は、500kΩである。そして、ダイオード群を構成するダイオードD3およびD4は、以下の動作により、分圧用抵抗R1およびR2の破壊を防ぐ機能を有する。すなわち、ESDに起因して、端子CNT_INからMOP-IC101に入力された電圧において、過度な電位上昇が発生した場合、ダイオードD3およびD4は、逆方向バイアスが与えられることによって、ブレークダウンを起こす。これにより、アナログ回路用のグランドへと電流ΔICNT_INが流れ、分圧用抵抗R1およびR2には過度の電流が流れないので、分圧用抵抗R1およびR2の破壊を防ぐことが可能である。また、ESDに起因して、端子CNT_INからMOP-IC101に入力された電圧が、負電圧へと電圧降下する場合、ダイオードD3およびD4は、順方向バイアスが与えられる。これにより、電流ΔICNT_INは、アナログ回路用のグランドから、ダイオードD3およびD4を介して、端子CNT_INへと流れる図13参照。これにより、分圧用抵抗R1およびR2には過度の電流が流れないので、分圧用抵抗R1およびR2の破壊を防ぐことが可能である。ここで、端子CNT_INには、ダイオード保護回路として、保護抵抗RCNT_INが接続されている。保護抵抗RCNT_INは、一端が端子CNT_INに接続されており、他端がローパスフィルタ94に接続されている。保護抵抗RCNT_INには、LNB100 ́への入力電圧VIN以下、単に入力電圧VINと称するが、ローパスフィルタ94を通過して得られた電圧が印加される後述の図7参照。また、保護抵抗RCNT_INは、MOP-IC101の外部に設けられている、すなわち、MOP-IC101に外付けされている。ESDに対する耐性を高くするために、保護抵抗RCNT_INは例えば、一般的な電気回路において使用される、炭素被膜抵抗または金属皮膜抵抗であるのが好ましい。さらに、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、ダイオードD3およびD4を流れる電流に応じて、ダイオードD3および/またはD4がショートモードで破壊される電圧未満にまで、保護抵抗RCNT_INに印加された電圧を降下させるような値である。保護抵抗RCNT_INの抵抗値の具体例については、後述する。端子CNT_INにおけるESDの発生等に起因して、端子CNT_INに過電圧が発生したときに、ダイオードD3およびD4は、ブレークダウンを起こし、これによって、電流ΔICNT_INがダイオードD3およびD4を流れる。保護抵抗RCNT_INは、電流ΔICNT_INによって、保護抵抗RCNT_INに印加された電圧を降下させる。また、保護抵抗RCNT_INは、この降下させた電圧を、保護抵抗RCNT_INに接続された端子CNT_INに印加する。換言すれば、保護抵抗RCNT_INに印加された電圧は、保護抵抗RCNT_INの抵抗値、および電流ΔICNT_INの電流値に応じて電圧降下され、その後、端子CNT_INに印加される。図1には、電流ΔICNT_INがアナログ回路用のグランドへと流れる様子を図示しているが、このとき、保護抵抗RCNT_INには、電流ICNT_INが、端子CNT_INを通じて流れる供給される。また、保護抵抗RCNT_INは、電流ΔICNT_INに応じた、保護抵抗RCNT_INに印加された電圧の降下によって、該電圧を、ダイオードD3および/またはD4がショートモードで破壊しない電圧にまで降下させるような抵抗値となっている。従って、ダイオードD3およびD4のブレークダウン時において、端子CNT_INからMOP-IC101に過電圧が印加される虞がなくなる。結果、MOP-IC101に設けられた、ESD対策用のダイオードD3および/またはD4が破壊されることを防止することができる。また、保護抵抗RCNT_INが、MOP-IC101の外部に設けられている理由は、以下にある。分圧用抵抗R1およびR2の、端子CNT_INに発生するESDに対する耐性が低いことは上述した。MOP-IC101は、このような分圧用抵抗R1およびR2が、上記ESDに起因して破壊されてしまうことを防止するために、ダイオードD3およびD4を内蔵している。そして、仮に保護抵抗RCNT_INをMOP-IC101に内蔵した場合、保護抵抗RCNT_INは、上述した分圧用抵抗R1およびR2の場合と同様に、端子CNT_INに発生するESDに起因して、破壊されてしまう虞がある。一方、保護抵抗RCNT_INをMOP-IC101の外部に設けた場合、保護抵抗RCNT_INは、炭素被膜抵抗または金属皮膜抵抗といった、一般的な電気回路において使用されている抵抗を用いて構成することが可能となる。炭素被膜抵抗および金属皮膜抵抗は、MOP-IC101に内蔵した抵抗例えば、分圧用抵抗R1およびR2と比較して、ESDに対する耐性を高くすることができる。従って、保護抵抗RCNT_INをMOP-IC101の外部に設けることにより、保護抵抗RCNT_INにおけるESDへの耐性を向上させることが可能となる。ところで、MOP-IC101は、Verticalpath上のプリアンプHEMT85aにバイアスを供給するV偏波信号の受信時と、Horizontalpath上のプリアンプHEMT85bにバイアスを供給するH偏波信号の受信時とを切換える。以下、このV偏波信号の受信時とH偏波信号の受信時との切換を、偏波切換と称する。上記偏波切換は、上述したとおり、端子CNT_INに印加される電圧VCNT_INのレベル端子電圧に応じて行われる。具体的に、電圧VCNT_INは、分圧用抵抗R1およびR2によって分圧され、この分圧により生成された電圧は、電圧検出回路121に印加される。電圧検出回路121は、自身に印加された、分圧用抵抗R1およびR2により分圧された電圧のレベルを検出する。電圧検出回路121による電圧のレベルの検出結果に応じて、MOP-IC101は、上述したとおり、ユニバーサルLNBの仕様に準じて、HEMT制御回路105により、偏波切換を行う。ここで、分圧用抵抗R1およびR2の抵抗値の合計にとって無視できない程度に、保護抵抗RCNT_INの抵抗値が大きいと、分圧用抵抗R1と分圧用抵抗R2とによる分圧比の、相対的なばらつきが大きくなってしまう。このばらつきは、電圧VCNT_INのレベルが大きくばらつく要因となってしまう。これにより、MOP-IC101において、上記偏波切換を正常に行うことが困難となる虞がある。そこで、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、分圧用抵抗R1およびR2の抵抗値の合計ここでは、500kΩの0.2未満であるのが好ましい。これにより、保護抵抗RCNT_INは、保護抵抗RCNT_INを設けることに起因して、電圧VCNT_INのレベルのばらつきが大きくなることを抑制し、電圧VCNT_INが偏波切換電圧のスペック14V~16Vから逸脱することを抑制する。結果、MOP-IC101における上記偏波切換を正常に行うことができる。保護抵抗RCNT_INを追加することで、偏波切換電圧自体の値が高くなるが、この現象に対しては、MOP-IC101の設計前に認識できていれば、MOP-IC101の内部の回路を、保護抵抗RCNT_INの値に合わせて設計すれば、対応可能である。本願発明者はさらに、保護抵抗RCNT_INを追加することで、分圧用抵抗R1と分圧用抵抗R2とによる分圧比のばらつきも、併せて大きくなるという問題が発生することを見出した。MOP-IC101の設計に関しては、MOP-IC101が正常に動作するように設計可能な、分圧比のばらつきの限度というものが当然存在する。分圧用抵抗R1と分圧用抵抗R2とによる分圧比のばらつきを、そのばらつき内に収めるために、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、分圧用抵抗R1およびR2の抵抗値の合計の0.2以内とするのが好ましい。LNBおよびアンテナシステムの構成図7は、保護抵抗RCNT_INおよびMOP-IC101を備えたLNB100 ́の構成を示す回路ブロック図である。図7に示すとおり、LNB100 ́は、図10に示すLNB100の構成に、端子CNT_INに接続された保護抵抗RCNT_INを追加した構成である。周波数が10.7~12.75GHzであるLNB100 ́への到来信号は、各偏波H偏波およびV偏波用のアンテナプローブ82によって受信され、LNA83によって低雑音増幅が施され、BPF86を通過する。BPF86およびその前段に設けられた各部材の詳細な説明については、LNB80の回路ブロック図図9を参照して、既に説明したので、ここでは省略する。BPF86を通過した信号は、RF信号RFINとして、MOP-IC101に入力される。MOP-IC101に入力されたRF信号RFINは、RFアンプ102によって増幅される。RFアンプ102によって増幅された信号無線周波数を有する信号は、ミキサ混合回路103にて、VCO106から供給される9.75GHzまたは10.6GHzの局部発振成分と混合され、950MHz~2.15GHzの中間周波数にダウンコンバート周波数変換される。そして、該ダウンコンバートされた信号中間周波信号は、IFアンプ中間周波増幅器104によって増幅され、IF信号IFOUTとして、MOP-IC101から出力される。また、VCO106に加え、チャージポンプ107、位相比較器108、分周器109、プリスケーラ110、交流電圧源111、および水晶振動子112は、PLL回路を構成している。該PLL回路は、周知の技術により上記局部発振成分を生成する、周知の回路であるので、ここでは詳細な説明を省略する。保護抵抗RCNT_INは、上述したとおり、一端がMOP-IC101の端子CNT_INに接続されており、他端がローパスフィルタ94に接続されている。さらに、LNB100 ́を、図8に示す衛星放送受信システム70のLNB71として用いることにより、アンテナシステムを構成することが可能である。このとき、LNB100 ́は、入力導波管81をアウトドアユニット72に接続し、出力端子91を、同軸ケーブル75を通じてインドアユニット76に接続すればよい。保護抵抗の抵抗値と、保護抵抗によるダイオード群の保護効果との関係の検証本実施の形態では、図1に示すように、端子CNT_IN側にカソードを、グランド側にアノードを接続した2段接続ダイオードを、ESD対策回路として内蔵したMOP-IC101に対して、該端子CNT_INに保護抵抗RCNT_INを接続した。これにより、本実施の形態では、該2段接続ダイオードのブレークダウン領域での過電圧による、各ダイオードの破壊を防止することを実現している。図2は、端子CNT_INに印加される電圧VCNT_INのレベルと、ダイオードD3およびD4を流れる電流ΔICNT_INの電流値との関係を示すグラフから、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を決定するシミュレーションを示す図である。まず、図2に示すように、ダイオードD3およびD4のブレークダウン時における、電圧VCNT_INのレベルと、逆方向電流電流ΔICNT_INの電流値との実測値に基づいて、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、1V/23mA≒44Ωよりも若干高い、47Ωとした。図3は、LNB100 ́の出力端子91に、オン状態の安定化電源131図14参照を接続する前後における、経過時間横軸と、入力電圧VINならびに電圧VCNT_INのレベル縦軸との関係を示すグラフである。図3に示すグラフは、上述したとおり、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を47Ωとした場合の例である。なお、図3中のTCが、該接続の直後に、オーバーシュートに起因して、電圧のレベルが最大となる瞬間を示している。図3によれば、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を47Ωとした場合、オーバーシュートの発生時における、入力電圧VINの最大レベルは、31.3Vであった。そしてこの時、端子CNT_INに印加された電圧VCNT_INの最大レベルは、25.3Vに抑制され、ダイオードD3およびD4は、破壊されなかった。しかしながら、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を47Ωとした場合、1回きりの実験では、ダイオードD3およびD4が破壊されないという結果が出たものの、数回の接続実験を繰り返す中で、電圧VCNT_INが26.5V以上となったことがあった。そしてこの時、ダイオードD3および/またはD4は、破壊された。ダイオードD3および/またはD4の破壊時、オーバーシュートの発生による、入力電圧VINの最大レベルは、34Vであった。以上のことから、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を、図2のシミュレーションにより決定した47Ωとすると、ダイオードD3および/またはD4の破壊を確実に防止するまでには至らないということが分かった。そこで、続いては、オフ状態の安定化電源131を出力端子91に接続した後、安定化電源131の出力スイッチにより電源電圧を発生させることで、オーバーシュートがほとんど発生しないようにした。このとき、入力電圧VINは、オーバーシュートがほとんど発生していないため、定常状態となっている。図4は、保護抵抗RCNT_INの抵抗値に応じた、保護抵抗RCNT_INによる効果の検証結果を示す表およびグラフである。具体的に、図4の表は、定常状態にある入力電圧VINのレベルに対する、電圧VCNT_INのレベルならびに電流ΔICNT_INの電流値を、保護抵抗RCNT_INの抵抗値が100Ω、200Ω、300Ω、および1kΩである場合の各々について測定した結果である。また、図4のESDダイオードのブレークダウン領域の電流増加なるグラフは、図4の表から得られた、入力電圧VINのレベル横軸と、電流ΔICNT_INの電流値縦軸との関係を示したものである。また、図4のESDダイオード保護抵抗の効果なるグラフは、図4の表から得られた、入力電圧VINのレベル横軸と、電圧VCNT_INのレベル縦軸との関係を示したものである。ここでは、ダイオードD3および/またはD4が破壊される電圧VCNT_INのレベルとして、26.5Vを定めた。図4に示す測定結果によれば、保護抵抗RCNT_INの抵抗値が200Ω以上であれば、たとえオーバーシュートに起因して、入力電圧VINの最大レベルが40Vになったとしても、電圧VCNT_INの最大レベルは、26.5V未満に抑制されるという結果が得られた。また、端子CNT_INは、入力された電圧値に応じた偏波切換を行うために、分圧用抵抗R1およびR2による分圧後の電圧を検出する、電圧検出回路121に接続されている。ここで、保護抵抗RCNT_INの抵抗値が、各分圧用抵抗の抵抗値R1:420kΩ、R2:80kΩ、計:500kΩの比率に影響するほど大きいと、上記分圧後の電圧にばらつきが発生し、電圧検出回路121は、電圧の判定結果を誤ってしまう危険がある。より具体的に、電圧検出回路121は、入力される上記分圧後の電圧が、所定の閾値を超えるか超えないかで、偏波切換を行うか否かを判定している。MOP-IC101は、保護抵抗RCNT_IN無しの状態における閾値が、約15Vであるように設計されている。従って、保護抵抗RCNT_INの追加に起因して、閾値と比較されるべき、上記分圧後の電圧が降下することで、相対的に、該閾値は高くなってしまう。該閾値が高くなると、電圧検出回路121は、誤判定を生じる可能性がある。具体的には、電圧VCNT_IN=16Vの時に、V偏波の受信時からH偏波の受信時へと切り替わらないというケースもあり得る。そこで、保護抵抗RCNT_INの抵抗値に対する、V偏波信号の受信時からH偏波信号の受信時へと偏波を切換るための偏波切換電圧の変動、ならびに、H偏波信号の受信時からV偏波信号の受信時へと偏波を切換るための偏波切換電圧の変動を確認した。この確認の結果を、図5に示した。図5は、保護抵抗RCNT_INの抵抗値と、MOP-IC101における偏波切換電圧のレベルとの関係を示す表およびグラフである。具体的に、図5の表は、保護抵抗RCNT_INの抵抗値ESDダイオード保護抵抗RCNT_INオーバーシュート発生時における電圧VCNT_INの最大レベルVCNT_INのオーバーシュート電圧偏波切換電圧のレベル偏波切換電圧偏波切換電圧のレベルの変動値保護抵抗RCNT_IN無しの状態に対する、偏波切換電圧の変動値を示している。さらに、偏波切換電圧のレベル、および偏波切換電圧のレベルの変動値については、H偏波信号の受信時からV偏波信号の受信時への偏波切換時H-Pol⇒V-PolV偏波信号の受信時からH偏波信号の受信時への偏波切換時V-Pol⇒H-Pol両偏波切換時における各変動値の平均Ave:偏波切換電圧のレベルの変動値のみを示している。図5のグラフは、図5の表における、保護抵抗RCNT_INの抵抗値横軸と、両偏波切換時における各変動値の平均縦軸との関係を示したグラフである。図5によれば、両偏波切換時における各変動値の平均で見ると、偏波切換電圧は、保護抵抗RCNT_INの抵抗値が1kΩ以上になると急激に高くなることがわかった。従って、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、1kΩ未満であるのが好ましいと考えられる。抵抗値1kΩ未満とは、すなわち、分圧用抵抗R1およびR2の抵抗値の合計500kΩの0.2未満に相当する。通常、仮にMOP―ICの外付けに分圧抵抗を設けた場合には、設計上、分圧用抵抗としてD公差の抵抗を使用する必要がある。D公差の抵抗は、公差0.5であることからも、1kΩ未満という保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、妥当な値であると考えられる。実施例以上の図2~図5に示す検証結果に基づいて、保護抵抗RCNT_INの抵抗値は、300Ωとした。なおこのとき、両偏波切換時における各変動値の平均は、保護抵抗RCNT_INを設けない場合と比較して、約0.04V高くなるにとどまっている。図6は、LNB100 ́の出力端子91に、オン状態の安定化電源131を接続する前後における、経過時間横軸と、入力電圧VINならびに電圧VCNT_INのレベル縦軸との関係を示すグラフである。図6に示すグラフは、上述したとおり、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を300Ωとした場合の例である。なお、図6中のTCが、該接続の直後に、オーバーシュートに起因して、電圧のレベルが最大となる瞬間を示している。図6によれば、保護抵抗RCNT_INの抵抗値を300Ωとした場合、オーバーシュートの発生時における、入力電圧VINの最大レベルは、31.9Vであった。そしてこの時、端子CNT_INに印加された電圧VCNT_INの最大レベルは、23.9Vに抑制され、ダイオードD3および/またはD4は、破壊されなかった。この接続実験は、100台のLNB100 ́に対して、それぞれ20回繰り返した。結果、100台のLNB100 ́の全てにおいて、ダイオードD3および/またはD4の破壊は見られず、ブレークダウン領域での過電圧によるダイオードD3および/またはD4の破壊を防止することが実現できた。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。