表示装置用Cu合金膜であって、前記Cu合金膜は、Cu-Mn-B合金で構成されており、前記Cu合金膜の基板側の界面Iから、前記Cu合金膜の最表面に向って50nmIIまでの深さ方向のMn量原子およびB量原子をそれぞれ、Mn量MnI-IIおよびB量BI-IIとすると共に、前記Cu合金膜の深さ50nmIIから、前記Cu合金膜最表面IIIまでの深さ方向のMn量およびB量をそれぞれ、Mn量MnII-IIIおよびB量BII-IIIとし、前記Mn量のMnI-IIとMnII-IIIとの関係が、2.0≦MnI-II/MnII-IIIであると共に、前記B量のBI-IIとBII-IIIとの関係が、1.5≦BI-II/BII-IIIであることを特徴とする表示装置用Cu合金膜。前記Cu合金膜におけるMnの合計量が0.1~2.0原子である請求項1に記載のCu合金膜。前記Cu合金膜におけるBの合計量は0.1~1.0原子である請求項1または2に記載のCu合金膜。前記Cu合金膜の膜厚は200~800nmである請求項1~3のいずれかに記載のCu合金膜。請求項1~4のいずれかに記載のCu合金膜を備えた表示装置。請求項1~4のいずれかに記載のCu合金膜を備えた電子装置。しかしながら、特許文献8に記載の配線材料では、熱処理後の電気抵抗率が充分に低下せず、この配線材料を用いた液晶表示装置は、発熱や消費電力が高いという問題を抱えている。特に、液晶表示装置などは、その製造過程で約250°C以上の熱履歴に曝されており例えば、SiO2膜などの絶縁膜成膜時や成膜後の熱処理など、上記の熱履歴熱処理後も電気抵抗率の低い配線材料が強く切望されている。また、特許文献9の記載の配線材料は、特に加熱後の電気抵抗の低減化を目的としてなされたものであるが、更なる低減化が求められている。一般的に配線抵抗を低く抑えるには、配線自身の電気抵抗率を低く抑える、もしくは配線の膜厚を厚くする方法があるが、配線の膜厚を厚くすると、配線膜自身の膜応力が大きくなるため基板との密着性が低下することが知られている。また、上記特許文献9は、バリアメタルの省略を意図したものはなく、基板及び/又は絶縁膜との密着性向上の観点からアプローチされたものではない。本発明は上記事情に着目してなされたものであって、その目的は、基板若しくは基板上に形成されている絶縁膜などCu合金膜が形成される膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理の後も低い電気抵抗率を有する新規なCu合金膜を提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の表示装置用Cu合金膜とは、表示装置用Cu合金膜であって、前記Cu合金膜は、Cu-Mn-B合金で構成されており、前記Cu合金膜の基板側の界面Iから、前記Cu合金膜の最表面に向って50nmIIまでの深さ方向のMn量およびB量をそれぞれ、Mn量MnI-IIおよびB量BI-IIとすると共に、前記Cu合金膜の深さ50nmIIから、前記Cu合金膜最表面IIIまでの深さ方向のMn量およびB量をそれぞれ、Mn量MnII-IIIおよびB量BII-IIIとし、前記Mn量のMnI-IIとMnII-IIIとの関係が、2.0≦MnI-II/MnII-IIIであると共に、前記B量のBI-IIとBII-IIIとの関係が、1.5≦BI-II/BII-IIIであることに要旨を有する。また前記Cu合金膜におけるMnの合計量が0.1~2.0原子であることも望ましい実施態様であり、更に前記Cu合金膜におけるBの合計量は0.1~1.0原子であることも好ましい実施態様である。更に本発明では前記Cu合金膜の膜厚は200~800nmであることも好ましい実施態様である。また本発明は上記Cu合金膜を備えた表示装置、或いは上記Cu合金膜を備えた電子装置も好ましい実施態様である。本発明によれば、基板及び/又は絶縁膜などの上に形成しても、これらとの密着性に優れた表示装置用または電子装置用のCu合金膜を提供することができた。更に本発明によれば、特別な雰囲気下での熱処理を施さなくても、Cu系材料の特徴である低い電気抵抗率を、表示装置や電子装置などの製造過程における熱履歴後も維持することが可能なCu合金膜を提供することができた。本発明者らは、TiやMoなどの高融点金属バリアメタル層を省略してCu合金膜を、基板及び/又は基板上に形成された絶縁膜等の膜であって、Cu合金膜が形成される膜と電気的に直接接続しても、これらとの密着性に優れており、しかも、膜自体の電気抵抗率も低く、且つ、表示装置などの製造過程における熱履歴の後も電気抵抗率が上昇せずに低い電気抵抗率を維持できる新規なCu合金膜を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、Cu-Mn-B合金を用いると共に、Cu合金膜の基板側界面近傍のMnとBの濃度分布を所定の比率に制御することで所期の目的が達成できることを見出し、本発明を完成した。なお、前述した特許文献9でも、本発明と重複する組成のCu-Mn-B合金を開示しているが、上記特許文献は、本発明のようにバリアメタル層の省略を意図していないため界面状態について全く留意していない。そのため、特許文献9に記載のCu-Mn-B合金膜を用いても、界面近傍の濃度分布状態が本発明の要件を満足しない場合は所望とする高い密着性が得られず、また加熱後の電気抵抗も所望する低レベルを実現できない場合がある。以下では説明の便宜上、Cu合金膜と基板および/または絶縁膜などCu合金膜が形成される膜との界面を、単に界面と呼ぶ場合がある。また、基板および/または絶縁膜などCu合金膜が形成される膜を基板などと呼ぶ場合がある。またCu合金膜の最表面側とは、Cu合金膜の基板側界面とは反対側の膜表面を意味する。Cu-Mn-B合金膜本発明のCu合金膜は、Cu-Mn-B合金から構成されている。すなわち、本発明のCu合金膜は、密着性向上元素であるMnと;Mnの熱処理による電気抵抗率低減作用を促進させる元素Bと、を両方含んでいる。本発明者らの実験結果によれば、電気抵抗率の低減にはCu中のMn固溶量を低減させることが有効であるものの、添加するMn量を低減させると密着性が低下してしまうことが分かった。よって、高い密着性と電気抵抗率の低減を兼備するため、電気抵抗率低下促進元素としてBを添加することにした。これにより、電気抵抗率の低減化に悪影響を及ぼすCu中のMn固溶量を低減させつつ、密着性向上に必要な元素量を確保することができた。これに対し、前述した特許文献8に記載のCu合金はBを含有していないため、酸素を極微量に制御しない真空雰囲気の熱処理条件では所望とする低い電気抵抗を得ることができない。そして前述した特許文献9との関係で言えば、本発明は上記Cu合金膜と基板などとの界面にMnとBが所定比で高濃度に分布しているところに特徴がある。前述のとおりBを界面に濃化させる必要があるものの、Bを高濃度に分布させすぎると密着性が低下してしまう。詳細には、基板などとの界面Iから、Cu合金膜の最表面に向って50nmIIまでの深さ方向のMn量原子およびB量原子をそれぞれ、Mn量MnI-IIおよびB量BI-IIとすると共に、Cu合金膜の深さ50nmIIから、Cu合金膜最表面IIIまでの深さ方向のMn量原子およびB量原子、以下同じをそれぞれ、Mn量MnII-IIIおよびB量BII-IIIとし、Cu合金膜に含まれるMn量のMnI-IIとMnII-IIIとの関係が、2.0≦MnI-II/MnII-IIIであると共に、Cu合金膜に含まれるB量のBI-IIとBII-IIIとの関係が、1.5≦BI-II/BII-IIIとすることによって、密着性と熱処理後の電気抵抗率に特に優れた特性を発現できる。またさらに好ましくはBI-II/BII-III<4.0とすることが望ましい。このように本発明のCu合金膜は、添加元素であるMnとBを界面Iから50nmIIまでの深さ以下、界面近傍と呼ぶ場合がある。に濃化させたまま、かつB添加によりCu膜中に固溶するMnを低減したところに最大の特徴がある。図2は、界面からCu合金膜最表面の深さ方向濃度プロファイルを測定した結果を示すグラフである図右側が膜表面、左側が基板界面。図2に示すように、Cu合金膜と基板などとの界面には、Cu合金膜の構成成分であるCu、Mn、Bが最も多く存在しており、Cu合金膜の最表面側に向うほど、これら成分の濃度は減少する傾向が見られる。また基板側のB量については一定濃度以下に制御されていることが分かる。以下、本発明の構成要件について詳しく説明する。上述したように本発明では基板などとの界面Iから50nmIIまでに含まれるCu合金膜中のMn量MnI-II、B量BI-IIと、Cu合金膜の深さ50nmIIから、Cu合金膜最表面IIIまで即ち、界面Iとは反対側方向に含まれるCu合金膜中のMn量MnII-III、B量BII-IIIとの関係が、Mn量については2.0≦MnI-II/MnII-IIIであると共に、B量については1.5≦BI-II/BII-IIIである関係を満たす必要がある。Mn量MnI-II/MnII-IIIが2.0未満の場合、電気抵抗率や密着性に劣ることがある。またB量BI-II/BII-IIIが1.5未満、或いは4.0以上だと、電気抵抗率や密着性に劣ることがある。また界面近傍の上記Mn量界面Iから50nmIIまでに含まれるMn量の上限は5.0atであることが好ましく、より好ましくは3.0atである。なお、その下限は上記特性との関係からは限定されないが、密着性などを考慮すると、好ましくは1.0atである。また界面近傍の上記B量界面Iから50nmIIまでに含まれるB量の上限は0.6atであることが好ましく、より好ましくは0.4atである。なお、その下限は上記特性との関係からは限定されないが、電気抵抗率などを考慮すると、好ましくは0.15atである。本発明において上記界面近傍にMnとBを濃化させた理由は、上述したようにMnは基板などとの密着性向上に有効な元素であり、界面Iから50nmIIまでの深さでのMn濃度およびB濃度を極力高く制御することにより、界面近傍にMnおよびBが濃化していない場合と比べて、より優れた密着性が発揮されるからである。Bを適量添加し界面濃度を制御することによってMnの密着性向上効果が促進され、高い密着性が得られるようになるとともに、熱処理後の電気抵抗率の低減を図ることができる。B添加の有無による界面近傍の違いを図1Aおよび図1Bを用いて説明する。図1Aは、Cu-1.0原子Mn合金Bの添加なしを用い、後記実施例と同条件で熱処理した後の界面近傍のTEM断面写真であり、図1Bは、本発明に係るCu-1.2原子Mn-0.3原子B合金膜を用い、上記と同じ条件で熱処理した後の界面近傍のTEM断面写真である。図1Bより、Bを添加した本発明合金を用いたときは、界面近傍に粒径が大きく粗大なCu相とMnを含む析出物の複相組織となることが分かった。このようにMnを含む析出物を生成させると、Cu相中に固溶するMn量が減少し、その結果、熱処理後の電気抵抗率が低減した。また密着性向上に寄与するMnおよびBが界面近傍に濃化しているため、基板などとの密着性も向上した。一方、図1Aより、特許文献8のようにBを添加しないCu-Mn合金を用いた場合は、MnはCu中に固溶全率固溶してしまい、Mn析出物の形成は見られなかった。そのため、熱処理後の電気抵抗率を低減させることができなかった。本発明においてMnは密着性向上に寄与する元素であり、Cu合金膜全体におけるMnの好ましい含有量は0.1原子以上2.0原子以下である。Mnの含有量が0.1原子未満では、基板及び/又は絶縁膜との密着性が不十分で充分な特性が得られない。基板などとの密着性向上を考慮すれば、Mnの含有量は多いほど良いが、2.0原子を超えると、Cu合金膜に含まれる合金元素本発明では、MnとBの総量が多くなり、Cu合金膜配線膜自体の電気抵抗率が高くなる。Mnのより好ましい含有量は、0.5原子以上1.5原子以下であり、更に好ましくは、0.7原子以上1.2原子以下である。またBは、Mn添加による密着性向上作用を有効に発揮させつつ、しかも、Cu合金膜自体の電気抵抗率や熱処理後の電気抵抗率の低減化に大きく寄与する元素である。Cu合金膜全体におけるBの好ましい含有量は、0.1原子以上1.0原子以下である。Bの含有量が0.1原子未満では、B添加による上記電気抵抗率低減化作用特に、熱処理後の電気抵抗率低減効果が有効に発揮されない。ただし、Bの含有量が1.0原子を超えると、電気抵抗率特に、熱処理後の電気抵抗率が上昇すると共に密着性が低下するため、上記Bの含有量の好ましい上限は0.8原子とする。Bのより好ましい含有量は0.2原子以上0.5原子以下である。上記Cu合金膜における各合金元素の含有量は、例えばICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法とSIMS分析を併用することによって求めることができる。本発明に用いられるCu-Mn-B合金膜は、上記元素を含み、残部:Cuおよび不可避不純物である。本発明に係るCu-Mn-B合金膜の好ましい膜厚は200~800nmである。膜厚が薄すぎると、Cu合金膜自体の配線抵抗が上昇してしまう。また膜厚が厚すぎると生産性が低下し、コストアップに繋がる。より好ましい膜厚は、400~800nmである。これによりエッチング加工性も向上する。本発明のCu合金膜は、単層で構成されていても良いし、上記要件を満足する限り、その上に他の層が積層された多層構造を有していても良い。次に、MnとBを界面近傍に濃化させるための好ましい手段について説明する。本発明では、好ましくは、スパッタリング法詳細は後述する。によるCu合金成膜後、約250°C以上で5分間以上の加熱処理を行なう。加熱雰囲気は、真空雰囲気1.0×106Torr以下であることが好ましい。このよう加熱処理により、界面近傍に合金元素が拡散して濃化し易くなる。上記熱処理の条件は、温度が高いほど、また保持時間が長いほど、密着性向上に有効に作用する。しかし、熱処理温度はガラス基板や絶縁膜の耐熱温度以下にする必要があり、また、保持時間が過度に長いと、表示装置液晶ディスプレイ等の生産性の低下を招く。よって、上記熱処理の条件は、おおむね、温度:250~450°C、保持時間:30~120分間の範囲内とすることが好ましい。この熱処理は、Cu-Mn-B合金膜の電気抵抗率低減にも有効に作用するため、低電気抵抗率を実現させる観点からも好ましい。なお、前述した特許文献8の実施形態では、所定濃度の酸素雰囲気下で熱処理を行ってMnをMn酸化物MnOxとして析出させている。しかし本発明者らが確認したところ、酸素量が多くなるとMnの緻密な酸化被膜が形成されてしまい、Cu合金中のMnを十分に拡散させることができず、熱処理後の電気抵抗率を低減することができない。一方、酸素量が少なくなると、Mn酸化物を析出させることができず、やはり熱処理後の電気抵抗率を低減することができないことが分かった。このように特許文献8の技術を実行するに当たっては、厳密な酸素雰囲気制御を伴う熱処理が必要であり、工業的規模の生産においては現実的ではなく、また少しの酸素濃度の違いから配線の抵抗が大きく変化し、ばらつきが生じることが分かった。これに対し、本発明では、特許文献8に記載のCu-Mn合金ではなくBを添加したCu-Mn-B合金を使用しているため、特許文献8のような厳密な雰囲気管理を行わなくても、温度と時間が所定範囲を満足する加熱処理を行うだけで熱処理後の電気抵抗率の低減と高い密着性を確保できると考えられる。なお、上記の加熱処理は、所定の濃化状態の形成を目的に行うものであってもよいし、Cu合金膜形成後の熱履歴例えば、SiN膜などの保護膜を成膜する工程が、前記温度時間を満たすものであってもよい。本発明に用いられる上記Cu合金膜は、上述したように、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。スパッタリング法とは、真空中にAr等の不活性ガスを導入し、基板とスパッタリングターゲット以後、ターゲットという場合があるとの間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化したArを上記ターゲットに衝突させて、該ターゲットの原子をたたき出して基板上に堆積させて薄膜を作製する方法である。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成のCu合金膜を成膜できる。すなわち、イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法、真空蒸着法で形成された薄膜よりも、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成でき、かつas-deposited状態で合金元素が均一に固溶した薄膜を形成できるため、高温耐酸化性を効果的に発現できる。スパッタリング法としては、例えばDCスパッタリング法、RFスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法を採用してもよく、その形成条件は、適宜設定すればよい。上記スパッタリング法で、例えば、上記Cu-Mn-B合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、MnおよびB元素を所定量含有するCu合金からなるものであって、所望のCu-Mn-B合金膜と同一の組成のスパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレすることなく、所望の成分組成のCu-B合金膜を形成することができるのでよい。スパッタリングターゲットの組成は、異なる組成のCu合金ターゲットを用いて調整しても良いし、あるいは、純Cuターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって調整しても良い。なおスパッタリング法では、成膜したCu合金膜の組成とスパッタリングターゲットの組成との間でわずかにズレが生じることがある。しかしそのズレは概ね数原子以内である。そこでスパッタリングターゲットの組成を最大でも±10原子の範囲内で制御すれば、所望の組成のCu合金膜を成膜できる。ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Cu基合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Cu基合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。以上、本発明を最も特徴付けるCu合金膜について説明した。本発明に用いられるCu合金膜は、基板などとの密着性に優れているため、これらと直接接触する配線膜および電極用の膜として好適に用いられる。上記Cu合金膜は、基板などと、直接接続されており、ゲート電極用配線膜として好ましく用いられる。上記のCu合金膜は、好ましくはソース電極ドレイン電極を構成する金属配線膜と電気的に接続させることができるし、また上記のCu合金膜は、好ましくは画素電極を構成する透明導電膜代表的にはITO、IZO、ZnOなどと直接接続させることもできる。あるいは、上記Cu合金膜は、外部への信号入出力のために使用されるTABタブ接続電極などにも適用することができる。また、本発明の要件を満足する限り、ゲート電極とソース電極ドレイン電極とは同一組成であっても良いし、異なる組成であっても良い。本発明は、上記Cu合金膜に特徴があり、その他の構成要件は特に限定されない。例えば半導体チャネル層は、代表的にはシリコンSiが用いられ、アモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコン、多結晶または微結晶シリコン、単結晶シリコンなどが挙げられる。また、画素電極を構成する透明導電膜としては、液晶表示装置などに通常用いられる酸化物導電膜が挙げられ、例えば、In、Ga、Zn、およびSnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む酸化物からなる導電膜が挙げられる。代表的には、アモルファスITOやpoly-ITO、IZO、ZnOなどが例示される。また、ゲート絶縁膜などの絶縁膜や半導体の上に形成される保護膜は特に限定されず、通常用いられるもの、例えば、SiO2、SiON、SiNなどが挙げられる。基板は、液晶表示装置などに用いられるものであれば特に限定されない。代表的には、ガラス基板などに代表される透明基板が挙げられる。ガラス基板の材料は表示装置に用いられるものであれば特に限定されず、例えば、無アルカリガラス、高歪点ガラス、ソーダライムガラスなどが挙げられる。あるいは、フレキシブル樹脂フィルム、金属ホイルなどを用いることもできる。上記配線構造を備えた表示装置を製造するにあたっては、本発明の規定を満たし、かつCu合金膜の熱処理熱履歴条件を上述した推奨される条件とすること以外は、特に限定されず、表示装置の一般的な工程を採用すればよい。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限されず、上記下記の趣旨に適合し得る範囲で適切に改変して実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1本実施例では、以下の方法によって作製した試料を用い、基板との密着性、および熱処理後の電気抵抗率を測定した。試料の作製まず、ガラス基板コーニング社製のEagle2000、サイズは直径50.8mm×厚さ0.7mm上に表1に示す種々のCu合金膜からなる試料全膜厚800nmで一定を、DCマグネトロンスパッタリング法で成膜した。比較のため、純Cuのみからなる試料も用意した。詳細には、スパッタリング装置として島津製作所製の商品名HSM-552を使用し、DCマグネトロンスパッタリング法[背圧:0.27×103Pa以下、雰囲気ガス:Ar、Arガス圧:2mTorr、Arガス流量:30sccm、スパッタパワー:DC260W、極間距離:50.4mm、基板温度:25°C室温]によって、基板上に種々のCu合金膜または純Cu膜を成膜し、配線膜の試料を得た。なお、純Cu膜の形成には、純Cuをスパッタリングターゲットに用いた。また、種々の合金成分のCu合金膜の形成には、真空溶解法で作成したスパッタリングターゲットを用いた。またNo.7はMnとB量が異なるターゲットを用いて2層のCu合金膜を成膜した平均組成は表1に記載の通り。上記のようにして成膜されたCu合金膜の組成は、ICP発光分光分析装置島津製作所製のICP発光分光分析装置ICP-8000型を用い、定量分析して確認した。また、膜厚方向のMnおよびB量の濃度分布はSIMSATOMIKA製のSecondaryIon-MicroprobeMassSpectromenter製品名SIMS4500を用い、測定分析して確認した。なお、得られたデプスプロファイルについて、ガラス中に含まれる酸素濃度を元に、酸素濃度がガラス中になると考えられる高濃度部分C1と低濃度であると考えられるCu合金膜中の濃度C2の中間[C1C2/2]となる濃度部分をCu合金とガラス基板の界面Iとした。Cu合金の膜厚については、触針型段差計にて計測した値を用いた。基板との密着性試験上記のようにして得られた各試料に対し、真空雰囲気下、330°Cで0.5時間の熱処理を行なった。熱処理後の各試料の密着性を、JIS規格のテープ剥離テストに基づき、テープによる剥離試験で評価した。詳細には、各試料の表面にフォトリソグラフィーを行い、1mm間隔の碁盤目状のサンプルを作製した5×5の升目。次いで、住友3M製黒色ポリエステルテープ製品番号8422Bを上記表面上にしっかりと貼り付け、上記テープの引き剥がし角度が60°になるように保持しつつ、上記テープを一挙に引き剥がして、上記テープにより剥離しなかった碁盤目の区画数をカウントし、全区画との比率膜剥離率を求めた。測定は3回行い、3回の平均値を各試料の膜剥離率とした。本実施例では、テープによる剥離率が0~20未満のものを○、20以上~40未満のものを△、40以上のものを×と判定した。熱処理後の電気抵抗率の測定上記のようにして得られた各試料に対し、フォトリソグラフィーおよびウェットエッチングを行ない、幅100μm、長さ10mm、パッド部10×10mmのストライプ状パターン電気抵抗率測定用パターンに加工し、その後、真空雰囲気中にて370°Cで60分間保持の熱処理を施した後、該パターンの電気抵抗率を、プローバーを使用した直流4探針法で室温にて測定した。本実施例では、電気抵抗率が4.0μΩcm未満のものを○、4.0μΩcm以上のもの×と判定した。これらの結果を表1にまとめて示す。表1より、以下のように考察することができる。まず、No.4、5はいずれも、本発明の要件を満足するCu-Mn-B合金膜の例であり、熱処理後の電気抵抗率が低く、且つ、基板との密着性にも優れている。これに対し、本発明の要件を満足しない下記の例は、以下の不具合を抱えている。まず、No.1は純Cuの従来例であるが、熱処理後の電気抵抗率は低いものの、基板との密着性に劣っている。No.2は、Bを添加せず、Mn量は本発明の好ましい量を超えるCu-Mn合金膜の例であり、熱処理後の電気抵抗率が上昇した。No.3は、界面近傍のMn量MnI-II/MnII-III及びB量BI-II/BII-IIIが本発明の規定を満たさず、且つ、Mn量が本発明の好ましい下限を下回る例であり、密着性が低下した。No.6は、B量が本発明の要件を満たさない例であり、密着性は満足しているが、電気抵抗率を低減できていない。No.7は、界面近傍のMn量が本発明の要件を満たさない例であり、密着性が劣っていた。これはNo.7がMnとB量の異なる2層のCu合金膜を成膜し、熱処理したためであると考えられる。No.8は、本発明で規定するBに代えてBiを添加した例である。本発明で規定する要件を満足しないため、電気抵抗率が上昇すると共に、密着性にも劣っている。上記の実施例では、基板との密着性を調べたが、基板の代わりにSiO2などの絶縁膜を用いた場合基板の上に絶縁膜を形成し、その上にCu合金膜を形成した場合にも上記と同様の傾向が見られ、本発明の要件を満足するCu合金膜を用いたときは、絶縁膜との密着性が高められたことを確認している。