"CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を前記基材に曝す工程を備え、前記蒸気を基材に曝す工程は、Ga/InGa比を時間的に変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記光電変換層の形成工程は、500~650°Cの温度範囲でなされる請求項1に記載の光電変換素子の製造方法。CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、CuIn,GaSe2:CuxSeからなるCu含量の多い、相分離された化合物混合物を前記基材上に形成する第1の工程と、前記相分離された化合混合物中のCuxSeをIn,GaおよびSeの蒸気に曝すことによって、またはIn,GaySezの蒸気に曝すことによって、CuxSeをCuwIn,GaySezに転化する第2の工程と備え、前記第2の工程は、Ga/InGa比を時間的に変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記Ga/InGa比を前記光電変換層の形成初期段階における前記Ga/InGa比から下げる請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記Ga/InGa比を前記光電変換層の形成初期段階における前記Ga/InGa比から下げた後、上げる請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、500~650°Cの温度範囲でなされる請求項3~5のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第2の工程は、500~650°Cの温度範囲でなされる請求項3~6のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第2の工程は、前記CuxSeをCuIn,GaSe2に転化する工程を含む請求項3~7のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記CuxSeは、xが1≦x≦2である請求項3~8のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。CuIn,GaSe2:CuxSeの比は、1:2である請求項3~9のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記CuIn,GaSe2:CuxSeからなる化合混合物は、Cuの含有量が40~50原子である請求項3~10のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第2の工程は、前記CuxSeをInySezに曝す工程を含む請求項3~11のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第2の工程は、前記CuxSeをIn2Se3に曝す工程を含む請求項12に記載の光電変換素子の製造方法。前記第2の工程は、前記CuxSeをIn蒸気およびSe蒸気に曝す工程を含む請求項3~13のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項3~14のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に同時に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項15に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に順次析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項15に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項3~14のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを順次析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項18に記載の光電変換素子の製造方法。前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを同時に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含む請求項18に記載の光電変換素子の製造方法。前記CuxSeは、xが1≦x≦2であり、前記InySezは、yがy=2であり、かつzがz=3である請求項18~20のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記基材は、ガラス板、モリブデンがコーティングされたガラス板、陽極酸化処理されたアルミニウム板、またはモリブデンがコーティングされた陽極酸化処理されたアルミニウム板を有する請求項1~21のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記基材は、ポリイミド、またはモリブデンがコーティングされたポリイミドからなる請求項1、3~5、8~21のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。請求項1~23のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法により製造されたことを特徴とする光電変換素子。請求項24に記載の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池。ここで、CIGS層の成膜時間が十分に長い場合には、CIGS層内におけるGaの拡散がInに比べ遅いため、曝す蒸気のGaに対するInGaの割合、すなわち、Ga/InGa比を変化させなくても、CIGS層の厚さ方向に自然とGa/InGa比が変化したCIGS層が形成される。しかしながら、成膜時間が40分未満では、InおよびGaが十分に拡散できず、CIGS層は、厚さ方向においてGa/InGa比が一定のものが形成されてしまう。図4に示すように、成膜時間が40分を境に変換効率が減少する。図5bに示すように、成膜時間を40分として作製したCIGS層をSIMS2次イオン質量分析計で分析すると、Gaのイオンカウントの最大値に対する最小値の割合以下、Gaの割合ともいうが85であった。一方、成膜時間が90分のCIGS層は、図5cに示すように、SIMS分析の結果、Gaの割合が60である。なお、成膜時間が10分のCIGS層は、図5aに示すように、SIMS分析の結果、Gaの割合が90であり、Gaの分布は略フラットである。上述のように、成膜時間が長いもの、例えば、90分では、Gaが十分拡散できるので、Gaの割合が60と他のものよりも大きくなる。これに対して、成膜時間が短い場合、図5b、図5aに示すように、上述のGaの割合が小さくなり、Gaの分布は略フラットになる。上述の特許文献1、2は、CIGS層の成膜時にGa/InGa比を変えていないため、特に、成膜時間が40分未満の場合、Ga/InGa比が厚さ方向で一定のCIGS層が形成される。このため、特許文献1、2においては、CIGS層の厚さ方向のバンドギャップEgを変化させて変換効率を向上させることができないという問題点がある。このように、成膜時間が40分と短い場合、変換効率が高い光電変換層を形成することができないのが現状である。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、光電変換層の成膜時間が短い場合でも、その厚さ方向のバンドギャップEgを変化させることができ、光電変換効率が優れた光電変換層が得られる光電変換素子の製造方法、この製造方法で製造された光電変換素子および、この光電変換素子を有する薄膜太陽電池を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を前記基材に曝す工程を備え、前記蒸気を基材に曝す工程は、Ga/InGa比を時間的に変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法を提供するものである。この場合、前記光電変換層の形成工程は、500~650°Cの温度範囲でなされることが好ましい。本発明の第2の態様は、CIGS系半導体化合物からなる光電変換層が基材上に形成された光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程は、40分未満でなされるものであり、CuIn,GaSe2:CuxSeからなるCu含量の多い、相分離された化合物混合物を前記基材上に形成する第1の工程と、前記相分離された化合混合物中のCuxSeをIn,GaおよびSeの蒸気に曝すことによって、またはIn,GaySezの蒸気に曝すことによって、CuxSeをCuwIn,GaySezに転化する第2の工程と備え、前記第2の工程は、Ga/InGa比を時間的に変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法を提供するものである。この場合、前記Ga/InGa比を前記光電変換層の形成初期段階における前記Ga/InGa比から下げることが好ましい。また、前記Ga/InGa比を前記光電変換層の形成初期段階における前記Ga/InGa比から下げた後、上げることが好ましい。また、前記第1の工程は、500~650°Cの温度範囲でなされることが好ましく、前記第2の工程は、500~650°Cの温度範囲でなされることが好ましい。前記第2の工程は、前記CuxSeをCuIn,GaSe2に転化する工程を含むことが好ましい。また、前記CuxSeは、xが1≦x≦2であることが好ましい。また、CuIn,GaSe2:CuxSeの比は、1:2であることが好ましい。また、前記CuIn,GaSe2:CuxSeからなる化合混合物は、Cuの含有量が40~50原子であることが好ましい。また、前記第2の工程は、前記CuxSeをInySezに曝す工程を含むことが好ましい。また、前記第2の工程は、前記CuxSeをIn2Se3に曝す工程を含むことが好ましい。また、前記第2の工程は、前記CuxSeをIn蒸気およびSe蒸気に曝す工程を含むことが好ましい。また、前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。また、前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に同時に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。また、前記第1の工程は、前記CuIn,GaSe2および前記CuxSeを前記基材上に順次析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。また、前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。この場合、前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを順次析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。この場合、前記第1の工程は、前記CuxSeおよびInySezを同時に析出させることによって前記化合物混合物を生成する工程を含むことが好ましい。なお、前記CuxSeは、xが1≦x≦2であり、前記InySezは、yがy=2であり、かつzがz=3であることが好ましい。また、前記基材は、ガラス板、モリブデンがコーティングされたガラス板、陽極酸化処理されたアルミニウム板、もしくはモリブデンがコーティングされた陽極酸化処理されたアルミニウム板、またはポリイミド、もしくはモリブデンがコーティングされたポリイミドからなることが好ましい。本発明の第3の態様は、本発明の第1の光電変換素子の製造方法または本発明の第2の光電変換素子の製造方法で製造されたことを特徴とする光電変換素子を提供するものである。本発明の第4の態様は、本発明の第3の態様の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池を提供するものである。本発明によれば、光電変換層であるCIGS層の形成工程において、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を基材に曝す際に、Ga/InGa比を時間的に変化させることにより、光電変換層の形成工程が40分未満と短い場合でも、光電変換層の厚さ方向のバンドギャップEgを変化させて光電変換効率を向上させることができる。これにより、成膜時間が短いため生産性が高く、しかも、低コストで、光電変換効率が優れた光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることができる。以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の光電変換素子の製造方法、光電変換素子および薄膜太陽電池を詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る光電変換素子を示す模式的断面図である。図1に示す本実施形態の光電変換素子10は、後述する光電変換素子の製造方法により製造される光電変換素子の一例である。このため、本発明の光電変換素子の製造方法により製造される光電変換素子の構成は、図1に示すものに限定されるものではない。光電変換素子10は、絶縁性基板12以下、単に基板12というと、この基板12の表面12aに形成された裏面電極14と、この裏面電極14の表面14aに形成された光電変換層16と、この光電変換層16上に形成されたバッファ層18と、このバッファ層18上に形成された透明電極20と、この透明電極20上に形成された集電電極22とを有する。本実施形態の基板12は、光電変換素子10を製造する際に、光電変換層16の形成時に400°Cを超えるような高温に曝されることがあり、この高温に曝されても所定の強度を保持するものが用いられる。基板12には、例えば、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、または無アルカリガラス等のガラス板が用いられる。また、前述の各種のガラス板にモリブデンがコーティングされたものも基板12に用いることができる。基板12には、陽極酸化処理されたアルミニウム板を用いることもできる。さらには、陽極酸化処理されたアルミニウム板の陽極酸化膜にモリブデンがコーティングされたものを基板12に用いることができる。この他、基板12には、ポリイミドを用いることもできる。また、基板12に、ポリイミド基材にモリブデンがコーティングされたものを用いることもできる。なお、上述のようにモリブデンがコーティングされた基板を用いる場合、コーティングされたモリブデンが裏面電極となる。さらには、基板12には、後に詳述する金属基板の表面に電気絶縁層が形成された絶縁層付基板を用いることもできる。この絶縁層付基板としては、後に詳述するが、例えば、厚さが300μmのJIS1N99材純度99.99質量を陽極酸化処理して、厚さが5μmのポーラス構造の陽極酸化膜が形成されたものを用いることができる。陽極酸化処理としては、例えば、電解浴として、濃度が1mol/L、温度55°Cのシュウ酸水溶液を用い、電解浴中で、電圧40Vの定電圧条件で5分間電解処理がなされる。なお、陽極酸化処理中、電流密度は、特に制御しなかったが陽極酸化処理中の平均値で約10A/dm2であった。なお、陽極酸化処理には、例えば、冷却装置として、NeoCoolBD36ヤマト科学社製、撹拌加温装置として、ペアスターラーPS-100EYELA社製、電源として、GP0650-2R高砂製作所社製を用いることができる。本実施形態の基板12は、例えば、平板状であり、その形状および大きさ等は適用される光電変換素子10の大きさ等に応じて適宜決定されるものである。裏面電極14は、例えば、Mo、Cr、またはW、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極14は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。裏面電極14は、Moで構成することが好ましい。また、裏面電極14の形成方法は、特に制限されるものではなく、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法により形成することができる。裏面電極14は、一般的に厚さが800nm程度であるが、裏面電極14は、厚さが400nm~1000nm1μmであることが好ましい。光電変換層16は、透明電極20を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層であり、光電変換機能を有する。光電変換層16については、後に詳細に説明する。バッファ層18は、透明電極20の形成時の光電変換層16を保護すること、透明電極20に入射した光を光電変換層16まで透過させるために形成されたものである。バッファ層18は、例えば、CdS、ZnO、S、OH、またはInS、OH等の少なくともIIb族元素およびVIb族元素を含む化合物により構成される。このバッファ層18は、光電変換層16とともにpn接合層を構成する。バッファ層18は、その厚さが、例えば、20~100nmである。また、このバッファ層18は、例えば、CBDケミカルバスデポジション法により形成される。透明電極20は、例えば、Al、B、Ga、In等がドープされたZnO、またはITOインジウム錫酸化物により構成される。この透明電極20は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極20の厚さは、特に制限されるものではなく、0.3~1μmが好ましい。また、透明電極20の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。集電電極22は、透明電極20の表面20aに、例えば、透明電極20に対して局所的に矩形状に形成されるものである。この集電電極22は、光電変換層16で発生した電流を透明電極20から取り出すための電極であり、例えば、矩形状に形成されている。また、集電電極22は、例えば、アルミニウムより構成されるものである。この集電電極22は、例えば、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。次に、光電変換層16について説明する。光電変換層16は、CIGS系半導体化合物により構成されるものであり、例えば、カルコパイライト結晶構造を有するCuIn,GaSe2により構成される。光電変換層16は、カルコパイライト結晶構造を有するものであるため、光吸収率が高く、光電変換効率が高い。しかも、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。光電変換層16においては、光電変換層16の厚さ方向にGa量の分布を持たせることにより、バンドギャップの幅/キャリアの移動度等を制御できる。これにより、光電変換層16について、シングルグレーデッドバンドギャップ構造、ダブルグレーデッドバンドギャップ構造にすることができる。光電変換層16は、40分未満で形成されるものである。この光電変換層16は、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を、基板12に形成された裏面電極14の表面14aに曝し、かつIn,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を裏面電極14の表面14aに曝す際に、Gaに対するInGaの割合、すなわち、Ga/InGa比を時間的に変化させて形成されるものである。光電変換層16は、より具体的には、CuIn,GaSe2:CuxSeからなるCu含量の多い、相分離された化合物混合物を裏面電極14の表面14aに形成する第1の工程と、この相分離された化合混合物中のCuxSe1≦x≦2をIn,GaおよびSeの蒸気に曝すことによって、またはIn,GaySezの蒸気に曝すことによって、CuxSeをCuwIn,GaySezに転化する第2の工程により形成されるものである。なお、CuIn,GaSe2:CuxSeの比は、1:2であることが好ましい。上述のように、光電変換層16の第1の工程では、Cu含量が非常に多い、三元系の相分離されたCuIn、GaSe:CuxSeの化合物混合物を、基板12の裏面電極14の表面14aに形成する。次の第2の工程で、CuxSeを再結晶させる。この第2の工程では、液体の多いCuxSe環境を維持するのに十分な高温度を保持し、InとSeの順次析出した析出物もしくは同時に析出した析出物、または二元InySeのようなInの多い物質を、Se蒸気の過圧環境中で析出させて、CuInxSey化合物を生成させる。上述の第1の工程においては、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気を、基板12に形成された裏面電極14の表面14aに曝し、基板12の上にCu含量の多いCuInSe2:CuxSeを析出させる。図示しない状態図によれば、In2Se3のモルが0~50の間の範囲にあり、かつ約790°C以下の温度の場合には、CuInSe2およびCuxSe相は分離される。従って、非常にCuリッチの、好ましくは約40~50原子のCuからなる混合物において、好ましくは約500~550°Cの温度とすることにより、Cu、InおよびSeが裏面電極14上に析出されるに伴い、CuInSe2結晶はCuxSe結晶とは別個に成長し、CuInSe2はCuxSeとは相分離される。ここで、CuxSeの融点はCuInSe2の融点よりもわずかに低い。このため、基板12を500~550°Cの温度範囲に維持することが好ましい。この場合、CuInSe2が固体で存在し、CuxSeが液体で存在する。そして、析出プロセスが続くと、CuInSe2結晶は裏面電極14の表面14aで成長し、液体のCuxSeを外側へ排除するようになる。そして、CuInSe2結晶が裏面電極14の表面14aに付着し、その外表面に液体のCuxSeの層が形成される。CuInSe2とCuxSeが順次、またはより低温度で析出する場合、約500~550°Cの温度としておくことにより、固体CuxSeは液体CuxSeに転化され、CuxSe二元相の液体環境中で成長/再結晶が起こると思われる。また、第2の工程においては、基板12が約300~600°Cの温度に維持されると、第1の工程で発生した過剰なCuxSeは、In蒸気およびSe蒸気に曝されることにより、CuInySezに転化されるか、または、Cuを含有しないIn2Se3のようなInySezに転化される。また、CuxSeのCuInySezへの転化は、CuxSeが成長/再結晶されたものの上にInおよびSeを逐次析出させることによってもできる。基板12の温度が、約500~600°Cの範囲では、CuxSeは液体であり、CuInSe2は固体として残る。In蒸気はCuxSeの表面で液相に凝縮する。この液体InとSe蒸気が液体のCuxSeと接触し、その表面で過剰CuxSeと反応してCuInSe2を生成し、均質にCuInSe2結晶が成長する。液体のCuxSeが実質的に消費されて、CIGS層が形成される。なお、本発明においては、相分離された化合混合物中のCuxSeを、In,GaおよびSeの蒸気、またはIn,GaySezの蒸気に曝す際に、Ga/InGa比を時間的に変化させる。この時間的に変化させることは、具体的には、例えば、シャッタの開閉のタイミング、またはCu、In、Ga、Seの蒸着時の温度を調整することにより、Cu、In、Ga、Seの各蒸発量を変えてなされる。第1の工程においては、CuInSe2およびCuxSeは、同時に析出させてもよいし、順次析出させてもよい。順次析出させる場合、CuInSe2およびCuxSeの順序は、特に限定されるものではない。また、第1の工程は、CuxSeおよびInySezを析出させることによって化合物混合物を生成する工程を含んでいてもよい。この場合、CuxSeおよびInySezは、同時に析出させてもよいし、順次析出させてもよい。順次析出させる場合、CuxSeおよびInySezの順序は、特に限定されるものではない。さらには、第2の工程は、CuxSeをInySezに曝す工程を含んでもよい。この場合、InySezは、例えば、In2Se3である。また、光電変換層16を形成する場合、第1の工程および第2の工程のいずれにおいても、基板12の温度は、例えば、400°C以上であり、その上限値は650°Cである。好ましくは、基板12の温度は、500~650°Cである。本実施形態の光電変換素子10においては、光電変換素子10の光電変換層16で発生した電流は、裏面電極14および集電電極22から光電変換素子10の外部に取り出される。なお、裏面電極14が正極であり、集電電極22が負極である。また、裏面電極14と、集電電極22とは極性が逆であってもよく、光電変換層16の構成、光電変換素子10構成等に応じて適宜変わるものである。また、光電変換素子10の表面側に封止接着層図示せず、水蒸気バリア層図示せずおよび表面保護層図示せずを配置し、光電変換素子10の裏面側、すなわち、基板12の裏面側に封止接着層図示せずおよびバックシート図示せずを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化する。これにより、薄膜太陽電池を得ることができる。次に、本実施形態の光電変換素子10の製造方法について説明する。本実施形態の光電変換素子10の製造方法においては、まず、基板12として、例えば、所定の大きさのソーダライムガラス板を用意する。このソーダライムガラス板には、例えば、厚さが1mmのATOK製のものが用いられる。次に、基板12の表面12aに、例えば、成膜装置を用いてDCスパッタ法により、例えば、Mo膜を800nmの厚さに形成し、裏面電極14を形成する。次に、裏面電極14の表面14aに、光電変換層16を形成する。この光電変換層16の形成方法については後に詳述する。次に、光電変換層16上に、例えば、バッファ層18となるCdS層n型半導体層を、例えば、CBDケミカルバスデポジション法により形成する。これにより、光電変換層16とバッファ層18とでpn接合層が構成される。なお、バッファ層18としては、CdS層に限定されるものではなく、InS,OH、またはZnO,OH,Sなどの少なくともIIb族元素およびVIb族元素を含む化合物層を、例えば、CBD法により形成してもよい。次に、透明電極20となる、例えば、AlがドープされたZnO層またはITO層を、成膜装置を用いて、DCスパッタ法により、例えば、厚さ800nm形成する。これにより、透明電極20が形成される。次に、透明電極20の表面20aに、例えば、スパッタ法または蒸着法により、アルミニウムからなる集電電極22を形成する。これにより、図1に示す光電変換素子10を形成することができる。次に、光電変換層16の製造方法について説明する。この光電変換層16は、例えば、図2に示す成膜装置30により形成される。図2に示す成膜装置30は、分子線エピタキシー法MBEを用いた成膜装置であり、内部が所定の真空度に保たれるチャンバ32に配管35を介して真空排気部34が接続されている。このチャンバ32には、図示しないが、圧力計等、一般的な,分子線エピタキシー法MBEによる成膜装置が具備するものが設けられている。成膜装置30は、成膜部40が設けられており、この成膜部40は、銅Cuの蒸着用るつぼ42a、インジウムInの蒸着用るつぼ42b、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cおよびセレンSeの蒸着用るつぼ42dを備える。各蒸着用るつぼ42a~42dは、例えば、Kセルと呼ばれるものが用いられ、開口部を有する。蒸着用るつぼ42a~42dの開口部から、それぞれ、Cu、In、Ga、Seの蒸気が放出される。各蒸着用るつぼ42a~42dは、チャンバ32内に設けられている。各蒸着用るつぼ42a~42dの上方には、シャッタ46a~46dが設けられている。各シャッタ46a~46dは、それぞれ、各蒸着用るつぼ42a~42dの開口部からの蒸気の基板12への到達を制御するものであり、開口部に対して、例えば、移動機構図示せずにより開閉自在に設けられている。各シャッタ46a~46dにより、各蒸着用るつぼ42a~42dの開口部が開放または閉塞される。また、各蒸着用るつぼ42a~42dには、チャンバ32外に設けられた電源部44a~44dが接続されている。この電源部44a~44dにより、各蒸着用るつぼ42a~42dが、それぞれ所定の温度に加熱保持されて、各蒸着用るつぼ42a~42dから銅Cu、インジウムIn、ガリウムGaおよびセレンSeの各蒸気が放出される。また、電源部44a~44dは、各蒸着用るつぼ42a~42dの温度を、例えば、単位時間毎に上昇または下降させる機能も有する。この単位時間毎の温度上昇または温度下降は、制御部36で設定されるとともに制御される。また、基板12を所定の温度、例えば、520°Cにする加熱部48がチャンバ32内に設けられている。この加熱部48には、一般的な分子線エピタキシー法MBEによる成膜装置に用いられる加熱装置が利用可能である。真空排気部34、電源部44a~44d、加熱部48および移動機構図示せずは、制御部36に接続されており、この制御部36により、真空排気部34、電源部44a~44d、加熱部48および移動機構図示せずは制御される。なお、成膜装置30として、例えば、エピクエスト社製のMBE装置を用いることもできる。この成膜装置30を用いて、光電変換層16を形成する場合、まず、真空排気部34により、チャンバ32内を所定の真空度にする。次に、加熱部48により、基板12を、例えば、520°Cにする。なお、基板12が、ポリイミド等の非金属で構成される場合には、加熱部48による基板12の温度は、例えば、400°Cである。次に、各電源部44a~44dにより、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1300°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、930°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1015°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにする。次に、各蒸着用るつぼ42a~42dが、Cu、In、Ga、Seの蒸気を発生可能な状態になった後、各シャッタ46a~46dを同時に開けて、例えば、1分間成膜する。次に、各シャッタ46a~46dを同時に開けて1分経過後、インジウムInの蒸着用るつぼ42bのシャッタ46bを閉じて4分間成膜する。次に、4分経過後、インジウムInの蒸着用るつぼ42bのシャッタ46bを開けて5分間成膜する。次に、5分経過後、銅Cuの蒸着用るつぼ42aのシャッタ46aを閉じて5分間成膜する。これにより、成膜時間は15分であるが、銅Cuの蒸着量およびインジウムInの蒸着量をシャッタの開閉により調節して、Ga/InGa比を、光電変換層の形成初期段階から下げて、Ga/InGa比が厚さ方向で異なるCIGS層を光電変換層16として形成することができる。このように、本実施形態においては、光電変換層16であるCIGS層の形成工程が40分未満と短い場合でも、Ga/InGa比が厚さ方向で異なるCIGS層を形成することができる。これにより、CIGS層の厚さ方向のバンドギャップEgを変化させて光電変換効率を向上させることができる。このため、光電変換効率が優れた光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることができる。しかも、光電変換層16の形成時間を短時間にできるため、加熱に要するエネルギー等のエネルギーコストを低減することができるとともに、生産効率も高くすることできる。また、基板12としては、厚さが300μmのJIS1N99材純度99.99質量の表面に厚さが5μmのポーラス構造の陽極酸化膜が形成された絶縁層付基板を用いることができ、この絶縁層付基板の表面に、例えば、厚さが800nmのMo膜を、裏面電極として形成した後、光電変換層16を形成してもよい。さらには、基板12としては、厚さが0.3mmのポリイミド基材を用いることもでき、このポリイミド基材に、例えば、厚さが800nmのMo膜を、裏面電極として形成した後、光電変換層16を形成してもよい。上述のように、基板12に絶縁層付基板、ポリイミド基材等の可撓性を有するものを用いた場合、ロールツーロール方式を用いて光電変換層16等を形成することができる。この場合、図2に示す成膜装置30に変えて、ロールツーロール方式の成膜装置を用いることができる。ロールツーロール方式の成膜装置を用いる場合には、例えば、蒸着量の異なる銅Cuの蒸着用るつぼ、インジウムInの蒸着用るつぼ、ガリウムGaの蒸着用るつぼ、セレンSeの蒸着用るつぼを配置して、Ga/InGa比が時間的に変化するようにすることができる。光電変換層16の形成方法は、上述の製造方法に限定されるものではない。例えば、各蒸着用るつぼ42a~42dの温度を変えて、Cu、In、Gaの蒸着量を変えることにより、光電変換層16を形成することもできる。この場合、各電源部44a~44dにより、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1300°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、870°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1015°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにする。なお、成膜開始から、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度について、例えば、下降温度設定を10°C/分とし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度について、例えば、上昇温度設定を6°C/分とし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度について、例えば、下降温度設定を3°C/分とし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度については一定とする。次に、各蒸着用るつぼ42a~42dから、それぞれ、Cu、In、Ga、Seの蒸気が発生可能な状態になった後、各シャッタ46a~46dを同時に開けて、例えば、15分間成膜する。このような製造方法においても、Ga/InGa比が光電変換層の形成初期段階よりも低くなっており、Ga/InGa比が厚さ方向で異なるCIGS層を光電変換層16として形成することができる。この場合においても、光電変換効率が優れた光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることができ、しかも、エネルギーコストを低く、かつ高い生産効率で、光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることできる。更には、上述のシャッタ46a~46dの開閉と、各蒸着用るつぼ42a~42dの温度の変更を組み合わせてもよい。この場合、各電源部44a~44dにより、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1300°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、870°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1015°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにする。なお、成膜開始から、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度およびセレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度について一定とする。これ以外のインジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度について、例えば、上昇温度設定を6°C/分とし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度について、例えば、下降温度設定を3°C/分とする。次に、各蒸着用るつぼ42a~42dから、それぞれ、Cu、In、Ga、Seの蒸気が発生可能な状態になった後、各シャッタ46a~46dを同時に開けて、例えば、10分間成膜する。次に、各シャッタ46a~46dを同時に開けて10分経過後、銅Cuの蒸着用るつぼ42aのシャッタ46aを閉じて5分間成膜する。この光電変換層16の製造方法でも、Ga/InGa比を光電変換層の形成初期段階よりも下げており、Ga/InGa比が厚さ方向で異なるCIGS層を、光電変換層16として形成することができる。これにより、光電変換効率が優れた光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることができ、しかも、エネルギーコストを低く、かつ高い生産効率で、光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることできる。以上の3つの方法によって形成されるCIGS層はシングルグレーテッド構造である。なお、Gaの分布がCIGS層の厚さ方向で下がった後、下がった状態よりも上がった分布を有する光電変換層16、すなわち、ダブルグレーテッド構造のCIGS層を、以下のようにして製造することもできる。具体的には、各電源部44a~44dにより、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1300°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、870°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1015°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにする。なお、成膜開始から、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度について、例えば、下降温度設定を10°C/分とし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度について、例えば、上昇温度設定を6°C/分とし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度について、例えば、下降温度設定を3°C/分とし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度については一定とする。次に、各蒸着用るつぼ42a~42dから、それぞれ、Cu、In、Ga、Seの蒸気が発生可能な状態になった後、各シャッタ46a~46dを同時に開けて、例えば、7分30秒間成膜する。次に、7分30秒間成膜後、各電源部44a~44dにより、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1250°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、900°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1000°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにする。7分30秒間成膜後においては、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度について、例えば、下降温度設定を10°C/分とし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度について、例えば、下降温度設定を6°C/分とし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度について、例えば、上昇温度設定を3°C/分とし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度については一定とする。このような条件で、例えば、7分30秒間成膜する。以上の光電変換層16の製造方法により、Ga/InGa比を、光電変換層16の形成初期段階よりも下がった後、下がった状態よりも上げており、そのようなGa分布を有する光電変換層16、すなわち、ダブルグレーテッド構造のCIGS層を形成することができる。この光電変換層の製造方法においても、光電変換効率が優れた光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることができ、しかも、エネルギーコストを低く、かつ高い生産効率で、光電変換素子および薄膜太陽電池を得ることできる。上述の光電変換層の製造方法を用いて形成されたダブルグレーテッド構造のCIGS層を有する光電変換素子以下、本発明の光電変換素子というに対して、CIGS層についてSIMS2次イオン質量分析計による分析を行い、銅、ガリウム、セレン、インジウムおよびモリブデンの2次イオン強度を求めた。その結果を図3aに示す。また、比較のために、銅Cuの蒸着用るつぼ42aの温度を、例えば、1300°Cにし、インジウムInの蒸着用るつぼ42bの温度を、例えば、870°Cにし、ガリウムGaの蒸着用るつぼ42cの温度を、例えば、1015°Cにし、セレンSeの蒸着用るつぼ42dの温度を、例えば、270°Cにし、各蒸着用るつぼ42a~42dから、蒸発量を変えることなく、CIGS層を形成した。このCIGS層を備える光電変換素子以下、従来の光電変換素子というを作製した。この従来の光電変換素子に対しても、CIGS層についてSIMS2次イオン質量分析計による分析を行い、銅、ガリウム、セレン、インジウムおよびモリブデンの2次イオン強度を求めた。その結果を、図3bに示す。なお、図3a、bにおいて、CIGS層の厚さ方向の深さが0μmの位置は、CIGS層の表面を示す。図3aに示すように、本発明の光電変換素子のCIGS層は、Gaの2次イオン強度が領域αのように、下がった後、上昇している。なお、本発明の光電変換素子では、Gaのイオンカウントの最大値に対する最小値の割合は60である。一方、図3bに示すように、従来の光電変換素子のCIGS層は、Gaの2次イオン強度が略フラットであった。なお、従来の光電変換素子では、Gaのイオンカウントの最大値に対する最小値の割合は85である。更に、本発明の光電変換素子および従来の光電変換素子について、それぞれAirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を用いて、変換効率η、曲線因子FF、開放電圧Voc、および短絡電流密度Jscを測定した。その結果を下記表1に示す。下記表1に示すように、本発明の光電変換素子は、従来の光電変換素子に比して変換効率が高い。本発明は、基本的に以上のようなものである。以上、本発明の光電変換素子の製造方法、光電変換素子および薄膜太陽電池について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。"