"透光性を有する基板上に、少なくとも、透光性を有する第1電極層、半導体層および第2電極層を順次積層して形成される光起電力素子の前記半導体層における欠陥を修復する欠陥修復方法であって、前記第2電極層を積層する前に、前記半導体層における欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された前記欠陥の存在位置に対して、インクジェットヘッドを用いて絶縁材料を吐出する材料塗布工程とを含むことを特徴とする欠陥修復方法。前記欠陥検出工程では、前記基板の前記第1電極層が積層される側とは反対側から光を当てて、前記基板を透過する光を用いて前記半導体層における欠陥を検出することを特徴とする請求項1に記載の欠陥修復方法。前記半導体層は、複数の異なる半導体層を有し、前記欠陥検出工程では、前記基板を透過する光の検出値と予め定める閾値とを比較して、前記半導体層における欠陥を検出することを特徴とする請求項2に記載の欠陥修復方法。前記材料塗布工程では、前記インクジェットヘッドを走査させて絶縁材料を吐出することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の欠陥修復方法。前記インクジェットヘッドから吐出される前記絶縁材料は、紫外線硬化樹脂であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の欠陥修復方法。前記材料塗布工程後、前記第2電極層を積層する前に、前記半導体層をレーザスクライブ処理する工程を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の欠陥修復方法。前記第2電極層が積層される前の処理対象の基板を、予め定める送り量だけ搬送する搬送工程をさらに含み、前記搬送工程と、前記基板において前記搬送工程で搬送された送り量に相当する領域に対する前記欠陥検出工程および前記材料塗布工程とを繰り返し行った後、前記レーザスクライブ処理を行うことを特徴とする請求項6に記載の欠陥修復方法。透光性を有する基板上に、少なくとも透光性を有する第1電極層、半導体層および第2電極層を順次積層して形成される光起電力素子の前記半導体層における欠陥を修復する欠陥修復装置であって、前記第2電極層が積層される前の基板を搬送する搬送手段と、前記半導体層における欠陥を検出する検出手段と、前記半導体層における欠陥に対し、非接触で絶縁材料を吐出する吐出手段と、前記検出手段によって検出された欠陥の存在位置に絶縁材料が吐出されるように前記吐出手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする欠陥修復装置。前記検出手段は、前記基板の前記第1電極層が積層される側とは反対側に設けられ、該基板に光を照射する発光手段と、前記基板の前記第1電極層が積層される側に設けられ、前記発光手段からの光を受光する受光手段とを備えることを特徴とする請求項8に記載の欠陥修復装置。前記受光手段が受光する輝度に基づいて、欠陥の種類を判別する判別手段をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の欠陥修復装置。上記特許文献1に開示される方法は、安価でかつ簡単に実施することができるという利点はあるものの、逆バイアス電圧の印加時間や印加方法、電圧値などの条件によっては、短絡欠陥部やその近傍において必ずしも絶縁状態にならないという問題がある。たとえば、短絡欠陥部の絶縁面積が大きい場合には、単位面積当たりのジュール熱の発生量が小さくなってしまい、短絡欠陥部の材料が飛散しないことがある。また、逆バイアス電圧を印加していく過程においても、半導体層の耐電圧以上の電圧を印加してしまうことにより、光起電力素子そのものを破壊してしまったり、あるいはジュール熱が短絡欠陥部の半導体層に集中しすぎて、その半導体のみに飛散が偏って、第1電極と第2電極との間で直接的な短絡部を一層広げてしまったりすることがある。さらには、短絡欠陥部が光起電力素子内で密集して分布している場合、各短絡欠陥部に電流が分散して流れるため、短絡欠陥部の材料を飛散させるために十分な電流を流すことができず、短絡状態が解消されないこともある。また上記特許文献2に開示される方法は、裏面電極層を形成する前に、レジスト現像工程やレジスト除去工程などのウェット工程を含むので、レジスト材料に含まれる有機物の残留物質が原因となって、半導体層と裏面電極層との間に良好な導通状態を形成しにくいという問題がある。また、ウェット工程や乾燥工程において、半導体層に内部応力が発生して膜剥れが発生するおそれがあるという問題もある。また上記特許文献3に開示される方法は、ピンホールの径が小さくなると、ピンホールへのエッチングなどの侵入が困難となり、さらには複雑な処理工程を必要とし、そのための装置は大掛かりなものになったりして、製造される光起電力素子はコスト高になってしまうことがあるという問題がある。また上記特許文献4に開示される方法は、複雑な処理工程を必要とし、荷電微粒子を基板全面に塗布する必要があり、製造される光起電力素子はコスト高になってしまうという問題がある。さらに、欠陥部分以外の正常な部分の表面に付着している荷電微粒子を除去する際に、半導体層膜の内部応力や透明電極との密着性の悪さによって、新たにピンホールが発生する可能性が高くなるという問題もある。本発明は上記問題を解決するためになされたもので、薄膜太陽電池の製造工程において、ピンホールのサイズ、個数および分布によらずに、ピンホールによる欠陥が原因となって短絡されうる箇所を予め絶縁して、電気的短絡を防止することにより、製造歩留まりを向上させ、生産効率の上げることができる欠陥修復方法および欠陥修復装置を提供することを目的とする。本発明は、透光性を有する基板上に、少なくとも、透光性を有する第1電極層、半導体層および第2電極層を順次積層して形成される光起電力素子の前記半導体層における欠陥を修復する欠陥修復方法であって、前記第2電極層を積層する前に、前記半導体層における欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された前記欠陥の存在位置に対して、インクジェットヘッドを用いて絶縁材料を吐出する材料塗布工程とを含むことを特徴とする欠陥修復方法である。また本発明は、前記欠陥検出工程では、前記基板の前記第1電極層が積層される側とは反対側から光を当てて、前記基板を透過する光を用いて前記半導体層における欠陥を検出することを特徴とする。また本発明は、前記半導体層は、複数の異なる半導体層を有し、前記欠陥検出工程では、前記基板を透過する光の検出値と予め定める閾値とを比較して、前記半導体層における欠陥を検出することを特徴とする。また本発明は、前記材料塗布工程では、前記インクジェットヘッドを走査させて絶縁材料を吐出することを特徴とする。また本発明は、前記インクジェットヘッドから吐出される前記絶縁材料は、紫外線硬化樹脂であることを特徴とする。また本発明は、前記材料塗布工程後、前記第2電極層を積層する前に、前記半導体層をレーザスクライブ処理する工程を含むことを特徴とする。また本発明は、前記第2電極層が積層される前の処理対象の基板を、予め定める送り量だけ搬送する搬送工程をさらに含み、前記搬送工程と、前記基板において前記搬送工程で搬送された送り量に相当する領域に対する前記欠陥検出工程および前記材料塗布工程とを繰り返し行った後、前記レーザスクライブ処理を行うことを特徴とする。また本発明は、透光性を有する基板上に、少なくとも透光性を有する第1電極層、半導体層および第2電極層を順次積層して形成される光起電力素子の前記半導体層における欠陥を修復する欠陥修復装置であって、前記第2電極層が積層される前の基板を搬送する搬送手段と、前記半導体層における欠陥を検出する検出手段と、前記半導体層における欠陥に対し、非接触で絶縁材料を吐出する吐出手段と、前記検出手段によって検出された欠陥の存在位置に絶縁材料が吐出されるように前記吐出手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする欠陥修復装置である。また本発明は、前記検出手段は、前記基板の前記第1電極層が積層される側とは反対側に設けられ、該基板に光を照射する発光手段と、前記基板の前記第1電極層が積層される側に設けられ、前記発光手段からの光を受光する受光手段とを備えることを特徴とする。また本発明は、前記受光手段が受光する輝度に基づいて、欠陥の種類を判別する判別手段をさらに備えることを特徴とする。本発明によれば、第2電極層を積層する前に、半導体層におけるピンホールなどの欠陥の存在位置に、半導体層の膜面から非接触で絶縁材料を必要な量だけ吐出することにより、欠陥のサイズや欠陥数に関わらず、欠陥を修復することができる。これにより、欠陥部における電気的短絡を防止し、製造される光起電力素子の変換効率の低下を抑制することができる。また、欠陥を修復するために要する絶縁材料を、従来に比べて低減することができ、製造にかかる材料コストを抑制することができる。また本発明によれば、基板の第1電極層が積層される側とは反対側から照射される光が、短絡欠陥箇所となるピンホールを通過して、基板の第1電極層が積層される側で検出される。これにより、容易に欠陥の存在位置を検出することができる。また本発明によれば、光起電力素子が吸収波長の異なる半導体層を有するタンデム型構造である場合、ピンホール箇所を透過する光の検出値に対して所定の閾値を設けることにより、いずれの半導体層が剥離しているのか、あるいは全ての半導体層が剥離しているのかを容易に判別することができる。また本発明によれば、半導体層に生じている欠陥の個数に関わらず、ほぼ同様の処理時間で欠陥を修復することができる。また本発明によれば、光起電力素子自体にほとんど熱を与えることなく絶縁材料を硬化することができるので、欠陥修復処理において光起電力素子が損傷してしまうことを防止することができる。また本発明によれば、欠陥検出工程の前に半導体層にレーザスクライブ処理すると、欠陥検出工程において、半導体層をレーザスクライブしたときのスクライブラインが、ピンホールと同様に検出されてしまうため、材料塗布工程において、スクライブライン上に絶縁材料を吐出しないようにインクジェットヘッドを制御する必要が生じるという問題、さらには、欠陥検出工程において、スクライブライン近傍のピンホールが検出しにくいという問題を解消することができる。また本発明によれば、基板を所定量ずつ搬送しながら、欠陥検出工程と材料塗布工程とが行われるので、インライン型の装置を用いて欠陥修復処理を実行することができる。また本発明によれば、半導体層におけるピンホールなどの欠陥を容易に検出し、欠陥の存在位置に半導体層の膜面から非接触で絶縁材料を吐出することができる。また本発明によれば、半導体層における欠陥の存在位置を、半導体層を透過する光から容易に特定することができる。また本発明によれば、光起電力素子が吸収波長の異なる半導体層を有するタンデム型構造である場合、ピンホール箇所を透過する光の検出値に対して所定の閾値を設けることにより、いずれの半導体層が剥離しているのか、あるいは全ての半導体層が剥離しているのかを容易に判別することができる。図1は、本発明の一実施形態に係る欠陥修復装置50による処理対象の光起電力素子10の正常箇所における断面図である。ここで、光起電力素子10における正常箇所とは、ピンホールなどの欠陥が生じていない箇所のことである。図1に示される光起電力素子10は、たとえばアモルファスシリコン太陽電池であり、具体的には、透光性を有する絶縁基板11の厚み方向一方の表面上に、透光性を有する第1電極層12、第1半導体層13、第2半導体層14および第2電極層15を順次積層し、最後に絶縁樹脂16で封止することによって構成されている。絶縁基板11としては、以降の膜形成プロセスにおける耐熱性および透光性を有するガラス基板、ポリイミドなどの樹脂基板などが使用可能である。また、第1電極層12は、透光性を有する導電性酸化物層からなり、好ましくは、ZnOまたはSnO2を含む材料からなる導電性酸化物層からなる。SnO2を含む材料は、SnO2自体であってもよく、SnO2と別の酸化物の混合物たとえば、SnO2とIn2O3の混合物であるITOであってもよい。このような導電性酸化物層は、スパッタ法、蒸着法およびCVD法などにより形成される。また、第1電極層12の表面には、外部から入射した光を第1および第2半導体層13,14内へ閉じ込めるために微細なテクスチャ構造が施されていてもよい。これにより、光起電力素子10の光電変換効率を向上させることができる。この第1電極層12の形成後に、図1に示すように、YAGレーザなどを用いて第1電極層12をレーザスクライブ処理することにより、第1スクライブライン17が形成され、これにより、第1電極層12が絶縁基板11の面方向に分割される。図1に示すように、光起電力素子10における半導体層は、第1半導体層13および第2半導体層14が順次積層されて成る。すなわち、光起電力素子10は、タンデム型構造を有している。第1および第2半導体層13,14は、それぞれ光の吸収波長領域が異なるように構成され、たとえば、第1半導体層13は、第2半導体層14に比べて短波長領域の光成分を吸収しやすいように構成される。第1半導体層13は、たとえば第1電極層12側から順に、p型、i型およびn型のアモルファスシリコン系半導体層が順次積層されて成り、第2半導体層14は、たとえば第1電極層12側から順に、p型、i型およびn型の微結晶シリコン系半導体層が順次積層されて成る。p型半導体層には、ボロン、アルミニウムなどのp型不純物原子がドープされており、n型半導体層には、リンなどのn型不純物原子がドープされている。i型半導体層は、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱p型または弱n型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。これら、第1および第2半導体層13,14は、プラズマCVD法などにより形成することができる。図1に示す光起電力素子10は、2層の半導体層13,14を積層することによって構成されているが、半導体層が1層あるいは3層以上で実現されているような光起電力素子であっても、本実施形態に係る欠陥修復装置50による処理対象とすることができる。第1電極層12上に、第1および第2半導体層13,14が形成されると、YAGレーザなどを用いて第1および第2半導体層13,14をレーザスクライブ処理することにより、第2スクライブライン18が形成され、これにより、第1および第2半導体層13,14が絶縁基板11の面方向に分割される。第2電極層15は、第2半導体層14上に積層され、たとえば透明導電膜と金属膜とが積層した積層構造を有する。透明導電膜は、たとえばZnO、ITOおよびSnO2などからなる。金属膜は、たとえば銀およびアルミニウムなどの金属からなる。この第2電極層15の形成後に、図1に示すように、YAGレーザなどを用いて第3スクライブライン19が形成される。光起電力素子10では、第1および第2半導体層13,14がCVD装置などにより断続的もしくは連続的に成膜されるが、これらは非常に薄く成膜されるため、ピンホールなどの欠陥が発生し易い。このような欠陥が発生してしまうと、第1および第2半導体層13,14を挟む第1電極層12と第2電極層15との間で電気的に短絡を起こし、光起電力素子10のセル全体として発電効率を下げることになってしまう。図2は、光起電力素子10の製造プロセスを示す断面図であり、ピンホール20が発生する様子を模式的に示している。絶縁基板11上に、第1電極層12が成膜された後図2a、第1スクライブライン17を形成するためのレーザスクライブ処理を経て、CVD装置などによって第1および第2半導体層13,14が順次積層される図2b。このとき、異物21が混入してしまうことにより、絶縁基板11上に第1および第2半導体層13,14が成膜されない箇所、あるいは、第1および第2半導体層13,14が異物21上に成膜された後、異物21の離脱とともに第1および第2半導体層13,14が剥離してしまった箇所が、ピンホール20として顕在化する。ピンホール20の原因となる異物21は、絶縁基板11に元々付着していた埃、絶縁基板11の表面に形成された微小な突起や傷、あるいは光起電力素子10を製造するための製造装置の内部空間に浮遊している数μm程度の微粒子などが挙げられる。特に、第1半導体層13を成膜しているときに浮遊する数μmの微粒子が、第2半導体層14の成膜後に離脱することで、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20が生じてしまい、電気的短絡を引き起こす箇所となってしまう。これに対し、第1半導体層13の成膜後に異物21が離脱し、第1半導体層13を貫通するピンホールとなった箇所に第2半導体層14が成膜された場合には、第1電極層12と第2電極層15との間に第2半導体層14が介在するため、電気的な短絡を生ずることがなく、それほど問題とならない。第2半導体層14が積層された後、第2スクライブライン18を形成するためのレーザスクライブ処理を経て、第2電極層15がスパッタ装置などで積層され図2c、第3スクライブライン19を形成するためのレーザスクライブ処理を経て、絶縁樹脂16が封止される図2d。図2cに示すように、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20が形成された箇所では、第1電極層12と第2電極層15とが短絡してしまう。このような短絡箇所22を取り除くことができなければ、リーク電流を抑制することができず、光起電力素子10として、シャント抵抗Rsh曲線因子FFが悪くなってしまうと同時に、光によって発生した電流が短絡部に流れ込み、開放電圧Vocが低下してしまうため、光電変換効率が低下してしまう。光起電力素子10の製造が大面積化すればするほど、ピンホール20の発生頻度が高くなり、製造歩留まりを落とす原因となっている。以下、上記のような短絡箇所22が形成されないように半導体層を修復する、本発明の実施形態に係る欠陥修復方法について説明する。図3は、本実施形態に係る欠陥修復方法を含んだ光起電力素子10の製造プロセスを示す断面図であり、図3のa,bは、図2のa,bで上述したように、異物21によりピンホール20が発生したことを示している。本実施形態に係る欠陥修復方法では、第1電極層12上に第1および第2半導体層13,14が積層された後、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20を検出するための欠陥検出工程が、欠陥修復処理に用いられる後述の欠陥修復装置50に備えられている照明光源30と図示しない光検出部とを用いて実施される図3c。具体的には、絶縁基板11における第1電極層12が積層される側とは反対側に照明光源30を設け、絶縁基板11を介して照明光源30とは反対側に光検出部が設けられる。かかる構成により、照明光源30により絶縁基板11に対して光が照射されると、絶縁基板11および第1電極層12が前述するように透光性を有しているため、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20の存在箇所では、照明光源30から出射された光が、絶縁基板11および第1電極層12を透過後、ピンホール20を通過して、欠陥検出光31として、第2半導体層14の上面から出射される。この欠陥検出光31を、光検出部を用いて検出することにより、ピンホール20の存在箇所を特定することができる。ピンホール20の存在箇所が特定されると、後述の欠陥修復装置50に備えられているインクジェットヘッド40を絶縁基板11の面方向に走査させることにより、特定された存在箇所に、第2半導体層14に対して非接触で絶縁材料41を吐出し、絶縁材料41をピンホール20に塗布する材料塗布工程が実施される図3d。この材料塗布工程で用いられる絶縁材料41としては、硬化させるために高熱を加える必要がある熱硬化性樹脂を使用すると、光起電力素子10における半導体素子が機能しなくなってしまうので、本実施形態では、紫外線を照射することにより硬化する紫外線硬化樹脂が使用される。材料塗布工程の後、紫外線照射によって絶縁材料41が硬化されると、第2スクライブライン18を形成するためのレーザスクライブ処理を経て、第2電極層15がスパッタ装置などで積層され図3e、第3スクライブライン19を形成するためのレーザスクライブ処理を経て、絶縁樹脂16が封止される図3f。このように、第2電極層15を積層する前に、ピンホール20を絶縁材料41によって閉塞しているので、図2に示すような短絡箇所22の発生を防止することができる。図4は、本発明の一実施形態に係る欠陥修復装置50を概略化して示す正面図であり、図5は、本発明の一実施形態に係る欠陥修復装置50を概略化して示す側面図であり、図6は、本発明の一実施形態に係る欠陥修復装置50を概略化して示す上面図である。欠陥修復装置50は、前述する欠陥修復処理を実行するために用いられる装置である。欠陥修復装置50は、前述の光検出部に相当する検出カメラ51と、照明光源30と、インクジェットヘッド40と、インクジェットヘッド40へ絶縁材料41を安定的に供給するインクジェットユニット52と、インクジェットヘッド40の吐出性能を維持するためのメンテナンスユニット53と、処理対象の絶縁基板11を搬送方向Dに沿って搬送する搬送機構54と、インクジェットユニット52を幅方向Wに沿って移動させるためのモータ軸55と、欠陥修復装置50全体を制御する制御部56と、絶縁材料41を硬化するための紫外線を出射するUV照射部64とを含んで構成される。ここで、搬送方向Dと幅方向Wとは、欠陥修復装置50における絶縁基板11の搬送面において、互いに直交する2つの方向である。また、欠陥修復装置50において、搬送方向Dと幅方向Wのいずれにも直交する方向を高さ方向と称する。被処理体である、第1および第2半導体層13,14が積層された状態の絶縁基板11は、本実施形態では、矩形板状に形成されており、第2半導体層14が上方に臨むような姿勢で、搬送機構54上に載置される。検出カメラ51は、搬送機構54上に載置された絶縁基板11よりも上方の位置に設置され、たとえばラインセンサやエリアカメラなどによって実現される。検出カメラ51は、絶縁基板11の大きさおよび検出すべき最小の欠陥サイズの大きさにより、欠陥修復装置50に設置すべき個数および高さ方向における取付位置が決定される。本実施形態では、欠陥修復装置50のコストを抑制するために、1つの検出カメラ51が設置されている。照明光源30は、搬送機構54上に載置された絶縁基板11よりも下方の位置に設置され、検出カメラ51の仕様に合わせた光源を選択するのが好ましく、たとえば検出カメラ51がラインセンサによって実現される場合にはライン照明が選択され、検出カメラ51がエリアセンサによって実現される場合には面発光する照明が選択される。また、照明光源30としては、第1半導体層13および第2半導体層14によって殆ど吸収されるような光を出射するものが用いられ、前述するように第1半導体層13がアモルファスシリコン系半導体層であり、第2半導体層14が微結晶シリコン系半導体層である場合、照明光源30から出射される光は、これらの半導体層13,14によって可視光領域の短波長側でほとんど吸収され、わずかに長波長側の光だけが被処理体を透過する。一方、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20の存在箇所では、第1半導体層13と第2半導体層14とが存在しないので、照明光源30から出射された光が殆ど吸収されることなく被処理体を透過する。また、前述するように、第1半導体層13および第2半導体層14のうちのいずれか一方が存在するピンホールの存在箇所では、照明光源30から出射された光のうちの一部の光だけが、その存在する半導体層によって吸収される。したがって、このようなピンホールの存在箇所では、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20の存在箇所に比べて、被処理体を透過する光の輝度が低減する。そこで、このような現象を利用して、検出カメラ51によって検出される光の輝度に対して、ピンホール内における半導体層の有無を判別可能な閾値を、試験等により予め定めておくことにより、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20であるか、少なくとも1つの半導体層が存在するピンホールであるかを、検出カメラ51による検出結果に基づいて決定することができる。搬送機構54は、複数の搬送ローラを備え、被処理体を搬送方向Dに沿って搬送する。搬送機構54は、被処理体を搬送方向Dに沿って等速で搬送するように制御部56によって制御されてもよく、被処理体を搬送方向Dに沿って一定距離ずつステップ送りを繰り返しながら搬送するように制御部56によって制御されてもよい。前者の場合には、欠陥検出工程において、検出カメラ51によって区切りのない検出画像を容易に取ることができる。また、後者の場合には、絶縁基板11の搬入出方向が異なるインライン方式に適しており、一定距離ずつステップ送りすることによって、欠陥検出工程と材料塗布工程とを、被処理体における一定の領域ずつ実施することができる。インクジェットヘッド40は、照明光源30および検出カメラ51よりも搬送方向下流側であって、搬送機構54上に載置された絶縁基板11よりも上方の位置に、絶縁材料41を下方に向かって吐出可能な姿勢で設置され、また、幅方向Wに沿って移動可能に支持されている。インクジェットヘッド40は、本実施形態では、電圧を印加すると変形するピエゾ素子を用いたピエゾ方式を採用している。これは、インクを加熱してバブルによりインクを吐出させるバブルジェット登録商標方式に比べ、使用できる材料の選択の幅が広いためである。インクジェットヘッド40は、本実施形態では、装置コストを抑えるため、搬送機構54のピッチング、ヨーイングなどの装置精度を高精度化しないように、絶縁基板11の搬送面における検出カメラ51の中心と、インクジェットヘッド40のノズル中心との距離とが可及的に短くなるように設置するのが好ましい。本実施形態に係る欠陥修復装置50は、インクジェットヘッド40を1つだけ備えて構成されているが、複数個のインクジェットヘッド40を備えて構成されてもよい。インクジェットヘッド40を複数個備えれば、その分だけ幅方向Wへの1回の走査動作で絶縁材料41を吐出できる範囲が広がるので、装置の処理タクトを上げることができる。ただし、複数個にインクジェットヘッド40が増えれば、それに伴い装置コストが高くなってしまうので、処理タクトと装置コストの兼ね合いによってインクジェットヘッド40の個数は決定される。塗布する絶縁材料41としては、前述するように、紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化インクUVインクが使用される。UVインクの主成分は、光重合性樹脂、光重合開始剤、および助剤からなり、有機溶剤を含んでいないことが特徴である。UV照射部64は、インクジェットヘッド40よりも搬送方向下流側であって、搬送機構54上に載置された絶縁基板11よりも上方の位置に、下方に向かって紫外線を出射するように設置されている。UV照射部64は、本実施形態では、被処理体の上面全体に亘って紫外線を照射するように構成されている。しかしながら、出射される紫外線の照射強度が強ければ、塗布されたUVインクを短時間で硬化することができるので、ライン状のUV照射装置を用いて、被処理体を搬送しながら紫外線を照射するように構成してもよい。UV照射部64に用いられる光源としては、たとえば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、UVLEDおよびブラックライトなどが挙げられる。インクジェットユニット52は、絶縁材料41を図示しないタンクからインクジェットヘッド40に安定的に供給するように構成され、さらに、インクジェットユニット52におけるインク流路には、紫外線が照射されたとしてもUVインクが硬化しにくいように、UVカット素材などで覆われている。また、メンテナンスユニット53においても同様に、UVインクが通過する配管流路には、UVカット素材が使用されている。しかしながら、インクジェットヘッド40のノズル面は、欠陥修復装置50を稼動させると、多少なりとも紫外線が照射されてしまう。そこで、定期的にメンテナンスユニット53を用いて、インクジェットヘッド40をメンテナンスするのが好ましい。メンテナンスの方法としては、たとえばノズル内のインクを吸引して排出したり、欠陥修復処理とは関係なく、定期的にノズルからインクを吐出したりすることによって行われる。また、メンテナンスユニット53において、インクジェットヘッド40を使用しないときには、完全に外光を遮断できるようにキャッピングすることができる。上記説明する構成のほか、欠陥修復装置50には、さらには、吐出の状態を確認できる図示しない不吐出検査部、およびノズル面の液ダレを検知する図示しないノズル面検査部が備えられている。図7は、欠陥修復装置50のブロック図である。検出カメラ51より得られた検出画像は、制御部56のROM58および画像記録部57に保存され、CPU60により演算処理される。具体的には、検出カメラ51によって得られた検出画像では、被処理体の周縁部においてもピンホール20と同様の輝度を有する透過光が検出されるので、CPU60は、検出画像をトリミングしてその周縁部を削除する。さらに、トリミングした検出画像を、二値化することにより、被処理体における欠陥箇所の位置座標を取得する。欠陥判別部61では、検出カメラ51によって検出される光の輝度に対して予め定められた閾値に基づいて、CPU60によって取得された欠陥箇所のうち、絶縁材料41を塗布すべき欠陥箇所と、絶縁材料41の塗布が不要な欠陥箇所とを判別する。欠陥描画データ生成部62は、欠陥判別部61による判別結果に基づいて、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20による欠陥箇所に絶縁材料41を塗布することができるように描画データを作成するとともに、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20が存在するか否かによって、修復処理を行うかどうかを判定する。修復処理を行う場合には、制御部56は、インクジェットヘッド40の下方へ搬送された被処理体に対し、インクジェットヘッド40の幅方向Wにおける位置に関する情報を出力するエンコーダ63の出力値に基づいて、インクジェットヘッド40が欠陥箇所の上方に到達したときに、指定されたインクジェットヘッド40のノズルから絶縁材料41を吐出させる。このようにして絶縁材料41が塗布された被処理体は、搬送機構54によってUV照射部64へ搬送され、予め定める時間だけ紫外線が照射される。ピンホール20による欠陥を修復するためには、該ピンホール20が絶縁材料41により覆われて、かつ、電気的に第1電極層12と第2電極層15とが絶縁されるように、絶縁材料41の膜厚を確保する必要がある。また、絶縁材料41自体によっても絶縁特性が異なるので、これによっても必要な膜厚は変わることになる。さらに、半導体層における膜面に対する絶縁材料41の濡れ性によっても膜厚が変化するので、必要な吐出量も異なる。さらに、必要な膜厚は、欠陥修復装置50自体の精度絶縁材料41の着弾精度に関わるもの、欠陥の検出精度、および軸精度などにも依存する。そこで、欠陥修復装置50自体の精度に基づいて、ピンホール20に対する吐出エリアを決定し、絶縁材料41の絶縁特性と濡れ性とに基づいて、ピンホール20に対する必要な膜厚量を決定することによって、UVインクの吐出体積吐出量が決定される。図8は、本実施形態に係る欠陥修復装置50による欠陥修復処理の一例を示すフローチャートである。欠陥修復処理が開始され、欠陥修復装置50に被処理体が搬入されるとステップs1、被処理体が所定の姿勢で搬送機構54上に配置されるようにアライメント処理が行われるステップs2。アライメント処理の後、検査フローに進むと、ピンホール20を検出するために、被処理体の搬送を開始させるステップs3。本実施形態では、搬送機構54は、被処理体を所定の搬送速度で搬送方向Dに搬送するように制御され、欠陥検出工程では、照明光源30を作動させた状態で、被処理体の全面に亘って検出カメラ51でスキャンすることにより、被処理体全面の検出画像が取得されるステップs4。その後、欠陥描画データ生成部62が、検出画像を元に欠陥描画データを生成しステップs5、欠陥箇所を修復すべきかどうかを判定するステップs6。修復すべき欠陥箇所が存在する場合には、ステップs7に進み、存在しない場合には、ステップs9に進む。一方、検査フローに並行して行われるメンテナンスフローでは、インクジェットヘッド40がメンテナンスユニット53によってヘッドメンテナンスされステップs11、ノズルからUVインクが正常に吐出されているかが確認不吐検査されステップs12、さらにノズル面にインクが液ダレしていないかが確認ノズル面検査されるステップs13。ここでのヘッドメンテナンス方法としては、インクジェットヘッド40のノズル内のインクを吸引して排出したり、ノズル面をワイプブレードなどで清掃したり、吐出動作を行ったりする。不吐検査で正常に吐出できないノズルが存在すれば、再度ヘッドメンテナンスを行うなどして回復動作を行う。また、ノズル検査で液ダレなどが発見されれば、被処理体を汚染する原因となり得るので、再度ノズル面を清掃することにより、ノズル面を良好な状態に回復させる。検査フローおよびメンテナンスフローが終了すると、材料塗布工程が実行され、すなわちインクジェットヘッド40が被処理体の上方を幅方向Wにスキャン動作させながら欠陥箇所に絶縁材料41を吐出することにより、ピンホール20が絶縁材料41によって閉塞されるステップs7。かかる処理は、インクジェットヘッド40のスキャン動作を繰り返しながら、被処理体の全面に亘って行われる。材料塗布工程が終了すると、インクジェットヘッド40は待機位置メンテナンスユニット53上に戻り、一方、絶縁材料41が塗布された被処理体は、UV照射部64まで搬送される。そして、UV照射部64によって、被処理体に対し、予め定める時間だけ紫外線の照射が行われるステップs8。これにより、ピンホール20に塗布された絶縁材料41が硬化する。なお、ここでの紫外線照射時間は、UV照射部64に備えられる光源の紫外線強度により、絶縁材料41を硬化するのに必要な積算光量mJ/cm2から求めることができる。絶縁材料41の硬化が終了すれば、被処理体は搬出されステップs9、一連の欠陥修復処理が終了する。欠陥修復処理が終了すると、第2半導体層14上に第2電極層15を形成する前に、第1および第2半導体層13,14をレーザスクライブ処理することにより、第2スクライブライン18が形成される。図9は、本実施形態に係る欠陥修復装置50による欠陥修復処理の他の例を示すフローチャートである。図9に示す欠陥修復処理は、図8に示す欠陥修復処理とほぼ同様であり、検査フローにおいて、被処理体全面を一度に検査するか、被処理体を予め定める領域ごとに検査するかにおいて相違している。ここでの予め定める領域とは、インクジェットヘッド40の1回の走査幅方向Wの一方への走査によって絶縁材料41を吐出することのできる領域に相当し、インクジェットヘッド40における両端のノズル間距離に基づいて決定される。したがって、複数個のインクジェットヘッド40が備えられているならば、その領域は、インクジェットヘッド40の個数分だけ増大する。欠陥修復処理が開始され、欠陥修復装置50に被処理体が搬入されるとステップs21、被処理体が所定の姿勢で搬送機構54上に配置されるようにアライメント処理が行われるステップs22。アライメント処理の後、検査フローに進むと、制御部56は、被処理体における第1の領域が検出カメラ51の下方に配置されるように、搬送機構54を駆動させるステップs23。その後、欠陥検出工程では、照明光源30を作動させて、検出カメラ51により前記第1の領域の検出画像が取得されるステップs24。その後、欠陥描画データ生成部62が、第1の領域の検出画像を元に欠陥描画データを生成しステップs25、第1の領域における欠陥箇所を修復すべきかどうかを判定するステップs26。修復すべき欠陥箇所が存在する場合には、ステップs27に進み、存在しない場合には、ステップs23に戻る。ステップs23に戻った場合には、制御部56は、第1の領域に隣接する第2の領域が検出カメラ51の下方に配置されるように、搬送機構54を駆動させる。一方、検査フローに並行して行われるメンテナンスフローでは、図8に示す欠陥修復処理と同様に、インクジェットヘッド40がメンテナンスユニット53によってヘッドメンテナンスされステップs41、ノズルからUVインクが正常に吐出されているかが確認不吐検査されステップs42、さらにノズル面にインクが液ダレしていないかが確認ノズル面検査されるステップs43。検査フローおよびメンテナンスフローが終了すると、材料塗布工程が実行され、すなわちインクジェットヘッド40が被処理体の上方を、幅方向Wの一方から他方に向かってスキャン動作させながら欠陥箇所に絶縁材料41を吐出することにより、ピンホール20が絶縁材料41によって閉塞されるステップs27。このようにして、被処理体における第1の領域に対する欠陥検出工程と材料塗布工程とが終了すると、ステップs28に進み、制御部56は、第1の領域に隣接する第2の領域が検出カメラ51の下方に配置されるように、搬送機構54を駆動させる。そして、ステップs24~s26と同様に、ステップs29~s31において欠陥検出工程が実行され、ステップs31において、修復すべき欠陥箇所が存在する場合には、ステップs32に進み、存在しない場合には、ステップs28に戻る。ステップs32では、材料塗布工程が実行され、すなわちインクジェットヘッド40が被処理体の上方を、幅方向Wの他方から一方に向かってスキャン動作させながら欠陥箇所に絶縁材料41を吐出することにより、ピンホール20が絶縁材料41によって閉塞される。このようにして、予め定める領域ごとに欠陥検出工程と材料塗布工程とが繰り返し実行されることにより、被処理体の全面に亘って絶縁材料41の塗布が終了したと判断されるとステップs33、インクジェットヘッド40は待機位置メンテナンスユニット53上に戻り、一方、絶縁材料41が塗布された被処理体は、UV照射部64まで搬送される。そして、UV照射部64によって、被処理体に対し、予め定める時間だけ紫外線の照射が行われるステップs34。これにより、ピンホール20に塗布された絶縁材料41が硬化する。絶縁材料41の硬化が終了すれば、被処理体は搬出されステップs35、一連の欠陥修復処理が終了する。本発明において適用される光起電力素子10としては、単結晶、多結晶、非晶質シリコン、CIGS、CdTeなどの太陽電池があり、特に、比較的面積が大きい薄膜系太陽電池に生じたピンホール20などの欠陥を修復するために、好適に実施することができる。以上のように、本実施形態に係る欠陥修復方法によれば、第2電極層15を積層する前に、第1および第2半導体層13,14を貫通するピンホール20などの欠陥の存在位置に、第2半導体層14の膜面に対して非接触で絶縁材料41を必要な量だけ吐出することにより、欠陥のサイズや欠陥数に関わらず、欠陥を修復することができる。これにより、欠陥部における電気的短絡を防止し、製造される光起電力素子10の変換効率の低下を抑制することができる。また、欠陥を修復するために要する絶縁材料41を、従来に比べて低減することができ、製造にかかる材料コストを抑制することができる。また、被処理体における第1電極層12が積層される側とは反対側から照射される光が、前記ピンホール20を通過して、第1電極層12が積層される側で検出カメラ51により検出される。このように、容易に欠陥の存在位置を検出することができる。また、光起電力素子10が吸収波長の異なる第1および第2半導体層13,14を有するタンデム型構造である場合、ピンホール箇所を透過する透過光の輝度に対して所定の閾値を設けることにより、いずれの半導体層が剥離しているのか、あるいは全ての半導体層が剥離しているのかを容易に判別することができる。また、インクジェットヘッド40を用いて絶縁材料41が塗布されるので、半導体層に生じている欠陥の個数に関わらず、ほぼ同様の処理時間で欠陥を修復することができる。また、絶縁材料41としてUVインクを用いているので、光起電力素子自体にほとんど熱を与えることなく絶縁材料41を硬化することができ、欠陥修復処理において光起電力素子10が損傷してしまうことを防止することができる。また、第1および第2半導体層13,14をレーザスクライブする処理が、欠陥修復処理の後に実行されるので、第2スクライブライン18が、ピンホール20と同様に検出されてしまうという不具合を防止することができるとともに、材料塗布工程において、第2スクライブライン18に絶縁材料41を吐出しないようにインクジェットヘッド40を制御する必要性を排除することができる。また、欠陥検出工程において、第2スクライブライン18近傍のピンホール20が検出しにくいという問題の発生も防ぐことができる。また、被処理体を所定量ずつ搬送しながら、欠陥検出工程と材料塗布工程とが行われるので、インライン型の装置を用いて欠陥修復処理を実行することができる。"