"基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、前記光電変換素子の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子の受光面上に開口が設けられた遮光膜とを備え、前記光電変換素子のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子に設けられる前記開口が該2つの光電変換素子で共通に1つの開口として設けられる固体撮像素子。請求項1に記載の固体撮像素子であって、前記位相差情報は、前記1つの開口のうち前記2つの光電変換素子の一方の受光面上の開口部分の重心位置と他方の受光面上の開口部分の重心位置とを前記2つの各光電変換素子の受光面中心位置に対して互いに反対方向にずらして設けることで検出される固体撮像素子。請求項1又は請求項2に記載の固体撮像素子であって、前記二次元アレイ状に配列形成された前記複数の光電変換素子は、奇数行に対して偶数行が1/2ピッチずつづらして配列形成されており、正方格子配列となる前記奇数行の前記光電変換素子に3原色のカラーフィルタがベイヤ配列され、正方格子配列となる前記偶数行の前記光電変換素子に3原色のカラーフィルタがベイヤ配列される固体撮像素子。請求項3に記載の固体撮像素子であって、前記光電変換素子の前記信号電荷の量に応じた撮像信号をMOSトランジスタ回路で読み出す固体撮像素子。請求項4に記載の固体撮像素子であって、前記固体撮像素子の前記MOSトランジスタ回路に接続される配線を、2つの光電変換素子行毎,2つの光電変換素子列毎に纏めて敷設した固体撮像素子。請求項5に記載の固体撮像素子であって、前記配線を前記遮光膜の代わりに使用すると共に、前記位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子の間に前記配線が存在しない部分には前記配線を延長して前記遮光膜代わりとする固体撮像素子。請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の固体撮像素子であって、前記1つの開口の一辺が少なくとも0.7μmある固体撮像素子。請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の固体撮像素子であって、前記1つの開口の形状が平行四辺形である固体撮像素子。請求項8に記載の固体撮像素子であって、前記平行四辺形の鋭角の頂点部分が削除された多角形状である固体撮像素子。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の固体撮像素子であって、前記1つの開口の形状が、前記位相差情報を検出しない前記光電変換素子に設けられる前記開口と同一形状である固体撮像素子。請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の固体撮像素子であって、前記基板上に形成される光電変換素子の全てを前記位相差情報を検出する光電変換素子とする固体撮像素子。請求項11に記載の固体撮像素子であって、前記1つの開口は前記2つの光電変換素子毎に設けられ、一方向に長手の第1の開口と、該一方向に対して垂直な方向に長手の第2の開口とが均等に混在して設けられる固体撮像素子。請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載の固体撮像素子を搭載した撮像装置。本発明の目的は、微細化を図った画素に位相差検出用の遮光膜開口を設ける場合でも遮光膜開口を小さくせずに且つ良好な位相差情報を取得可能な固体撮像素子及びこの固体撮像素子を搭載した撮像装置を提供することにある。本発明の固体撮像素子は、基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、前記光電変換素子の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子の受光面上に開口が設けられた遮光膜とを備え、前記光電変換素子のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子に設けられる前記開口が該2つの光電変換素子で共通に1つの開口として設けられることを特徴とする。本発明の撮像装置は、上記の固体撮像素子を搭載することを特徴とする。本発明によれば、遮光膜開口を小さくせずに且つ良好な位相差情報を取得することが可能となる。以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子を搭載したデジタルカメラ撮像装置の機能ブロック構成図である。このデジタルカメラ10は、撮影レンズ21aや絞り21b等を備える撮影光学系21、この撮影光学系21の後段に配置された撮像チップ22とを備える。撮像素子チップ22は、信号読出手段がCCD型やCMOS型等のカラー画像撮像用単板式の固体撮像素子22aと、固体撮像素子22aから出力されるアナログの画像データを自動利得調整AGCや相関二重サンプリング処理等のアナログ処理するアナログ信号処理部AFE22bと、アナログ信号処理部22bから出力されるアナログ画像データをデジタル画像データに変換するアナログデジタル変換部A/D22cとを備える。本実施形態では、固体撮像素子22aとしてCMOS型を例に説明する。このデジタルカメラ10は更に、後述のシステム制御部CPU29からの指示によって,固体撮像素子22a,アナログ信号処理部22b,A/D22cの駆動制御を行う駆動部タイミングジェネレータTGを含む23と、CPU29からの指示によって発光するフラッシュ25とを備える。駆動部23を撮像素子チップ22内に一緒に搭載する場合もある。本実施形態のデジタルカメラ10は更に、A/D22cから出力されるデジタル画像データを取り込み補間処理やホワイトバランス補正,RGB/YC変換処理等の周知の画像処理を行うデジタル信号処理部26と、画像データをJPEG形式などの画像データに圧縮したり逆に伸長したりする圧縮/伸長処理部27と、メニューなどを表示したりスルー画像や撮像画像を表示する表示部28と、デジタルカメラ全体を統括制御するシステム制御部CPU29と、フレームメモリ等の内部メモリ30と、JPEG画像データ等を格納する記録メディア32との間のインタフェース処理を行うメディアインタフェースI/F部31と、これらを相互に接続するバス34とを備え、また、システム制御部29には、ユーザからの指示入力を行う操作部33が接続されている。図2は、図1に示す固体撮像素子22aの表面模式図であり、画素配列,カラーフィルタ配列を示している。図示する実施形態では、奇数行の画素行45度傾けた正方形枠が各画素を示し、各画素上のR赤G緑B青がカラーフィルタの色を表している。に対して偶数行の画素行を1/2画素ピッチづつずらして配置した、所謂ハニカム画素配列となっている。そして、奇数行の各画素だけみると画素配列は正方格子配列となり、これに三原色カラーフィルタRGBがベイヤ配列されている。また、偶数行の各画素だけみても画素配列は正方格子配列となり、これに三原色カラーフィルタrgbがベイヤ配列されている。R=r,G=g,B=bであり、斜めに隣接する同色画素がペア画素を形成する。各画素の上カラーフィルタの上には、全画素で同一形状のマイクロレンズが搭載される図示は省略する。図3は、図2の中央部分の点線枠で囲った6画素分の遮光膜開口を例示する図である。各ペア画素のうち位相差検出画素を構成するペア画素として、緑色G,gのカラーフィルタを搭載した画素が採用される。赤色,青色のカラーフィルタを搭載した画素より多く存在するためである。位相差検出画素以外の通常画素5の遮光膜開口6は、各画素5上に個別に設けられ、各画素5の面積より若干狭められた開口6となっている。これに対し、本実施形態の位相差検出画素の遮光膜開口7は、ペア画素5G,5gで共通に1つの開口とし、面積を広くしている。図示する例の遮光膜開口7は、平行四辺形となっており、画素5G上に来る開口部分と画素5g上に来る開口部分との面積を同一面積としている。また、夫々の開口部分の重心位置が、夫々の画素の中心位置に対して互いに反対方向に偏心した位置となるように設けられているため、位相差情報を取ることができる。図3の場合、画素5Gの中心位置に対して開口7の画素5G上の開口部分の重心位置が左にズレ、画素5gの中心位置に対して開口7の画素5g上の開口部分の重心位置が右にズレているため、左右の位相差情報をとることができる。図10に示す従来の位相差検出画素は、ペア画素が水平方向に隣接しているが、位相差検出画素は水平方向,垂直方向に隣接しなければならない訳ではなく、本実施形態の様に斜め方向に隣接していても良い。この遮光膜開口7の形状によっては、位相差検出画素5G,5g間の位相差は、左右方向成分の他、上下方向の成分も持つ場合もある。仮に、遮光膜開口7を、位相差検出画素5G,5g間の境界部分で、図10の様に2つの開口2a,2bに分離した場合、境界部分に入射する光は境界部分の遮光膜で蹴られて入射量が大幅に減ってしまう。しかし、本実施形態の様に、ペア画素を組む2つの位相差検出画素で共通の1つの広い遮光膜開口7を設けることで、入射光量を増やすことができ、位相差情報が取り易くなる。境界部分にはフォトダイオードは存在しないが、境界部分に入射した光によって半導体基板内に発生した光電荷は、半導体基板内部のポテンシャル勾配に応じて最近接のフォトダイオード画素へと移動するため、この光電荷も位相差情報として取り出すことが可能となる。上述した様に、位相差検出画素を構成する隣接するペア画素で共通の1つの開口を設けるには、ペア画素間の境界部分に、配線や他の回路信号読出回路等が存在しない構成とするのが好ましい。図4は、位相差検出画素を構成するペア画素間の境界部分に配線や信号読出回路等を設ける必要のないCMOS型固体撮像素子の配線敷設方法を示す図である。図3に示す画素配列の固体撮像素子において、従来は、各画素行へのリセット信号線,読出信号線,ドレイン線等の水平配線は、各画素行毎に設けるのが普通であり、例えば各画素行の上辺に沿って設けられる。また、各画素列への電源線や信号出力線等の垂直配線は、各画素列毎に設けるのが普通であり、例えば各画素列の右辺に沿って設けられる。これに対し、本実施形態では、図4に示す様に、画素配列がハニカム配列のため蛇行して設けられる水平配線41実線で図示は、2行の画素行偶数行の画素行とこれに隣接する奇数行の画素行毎に纏め、この2行の画素行の境界線上に水平配線41上行用の水平配線と下行用の水平配線を通し、蛇行して設けられる垂直配線42破線で図示も、2列の画素列毎に纏め、この2列の画素列の境界線上に垂直配線42右列用の垂直配線と左列用の垂直配線を通す構成としている。各画素に設ける信号読出回路リセットトランジスタ,出力トランジスタ,行選択トランジスタ等44は、これらに接続する対応の水平配線41の敷設位置,垂直配線42の敷設位置に設けるのが好ましく、更にこれに合わせて、各画素フォトダイオードの読出ゲート図中、三角形で示す45を配置する。この配線構造により、同色のペア画素R,r、G,g、B,bの全ての各ペア画素間の境界線部分に配線や信号回路が存在しない構造が実現可能となる。そして、各ペア画素のうち、任意の例えば周期的位置にある同色G,gが好ましい。のペア画素を位相差検出画素として、2つの位相差検出画素に共通の1つの広い、少なくとも1辺が0.7μmの遮光膜開口7を設ける。これにより、画素が微細化された状態でも位相差検出画素の感度が向上して、良好な位相差情報を取得することが可能となる。なお、上述した実施形態は、画素配列がハニカム画素配列のCMOS型固体撮像素子で説明したが、CCD型固体撮像素子でも同様に実現可能である。この場合、画素列2列毎に1本の垂直電荷転送路VCCDを共用する構成とすることで、左右のペア画素間の境界部分に垂直電荷転送路が来ない構造とすることができる。図5aは、図4のA―A’線位置の断面模式図である。p型半導体基板51の表面部には夫々がフォトダイオードを構成する複数のn領域5252a,52bを含むが形成されている。半導体基板51の表面上層には、絶縁層を介して水平配線41と垂直配線42とが積層され、その上に、遮光膜53が積層される。本実施形態では、画素行1行置きに水平配線41を設け、画素列1列置きに垂直配線42を設けた配線構造のため、同色カラーフィルタ図2参照が積層された斜め隣接画素n領域間には、図5aに示される様に、配線41,42は敷設されない構成となる。遮光膜53には、夫々の通常画素の上部に開口する図3の遮光膜開口6が設けられると共に、2つの位相差検出画素52a,52bの上部には、図3に例示する共通の1つの遮光膜開口7が設けられる。位相差検出画素52a,52bの境界部には、配線も信号読出回路も存在せずに、遮光膜開口7を通して入射してきた光は、半導体基板51内で光電荷を発生させる。この光電荷は、n領域52a,52bのいずれかにポテンシャル勾配に従って流れ込むことになる。図5aの実施形態では、遮光膜53を配線41,42とは別に設けたが、図5bに示す様に、水平配線41,垂直配線42を本来の配線として使用する部分とは別にこれを画素境界部分に延長し、遮光膜として利用する構成とすることも可能である。図5bにおいて、p型半導体基板51の表面部にはn領域5252a,52bを含むが形成され、半導体基板51の上方に、水平配線41,垂直配線42が絶縁層を介して積層される。上述した様に、同色斜め隣接のペア画素間には配線41,42は敷設されない構造となっている。このため、図示の例では配線41,42をペア画素間に延長して延長配線41a,42aとし、配線41,42,41a,42aを遮光膜として利用する。勿論、延長配線41a,42aが隣接する水平配線41,垂直配線42と電気的に接触しないようにするのは当然である。位相差検出画素を構成する画素52a,52b間においては、水平配線41の幅を拡大した配線41bとして、遮光膜開口7を構成する遮光膜として利用する。図6は、本発明の別実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。図4の実施形態と類似するが、位相差検出画素に設ける1つの遮光膜開口8の形状が図4と異なる。図4の実施形態では、遮光膜開口7は平行四辺形で頂点の角度が鋭角になっている。この形状を微細化技術で製造した場合、鋭角部分が鈍ってしまい、その製造誤差は大きくなり、製造安定性が阻害されることがある。そこで、図6の実施形態では、遮光膜開口8の鋭角部分を最初から設計で削除し、遮光膜開口8の平面形状を多角形状としている。これにより、製造安定性が向上する。図7は、本発明の更に別実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。図4の実施形態では、位相差検出画素の1つの遮光膜開口7を他の通常画素の遮光膜開口6図3参照と異なる形状の平行四辺形としたが、本実施形態では、位相差検出画素の共通の1つの遮光膜開口を、他の通常画素に設ける遮光膜開口6と同じ形状図示する例では正方形状6としている。開口レイアウトを全て同一形状とすることで、製造安定性が向上する。上述した実施形態では、位相差検出画素を、全画素のうち周期的な位置にある同色画素とした。この場合、位相差検出画素の検出信号を位相差情報としてだけ利用してこの位相差検出画素を欠陥画素と同様に取り扱い、周囲の通常画素の撮像画像信号を補間演算して欠陥画素位相差検出画素位置の撮像画像信号とし、被写体画像データを生成することが行われる。しかし、上述した実施形態では、位相差検出画素の遮光膜開口を1つの共通の大きな遮光膜開口としているため、位相差検出画素であっても明るい光を受光することができる。つまり、位相差検出画素の検出信号を、位相差情報を持った撮像画像信号として使うことが可能である。そこで、全画素を位相差検出画素として使用することができ、図2で説明したペア画素の全てを位相差検出画素のペア画素として使用することができる。ペア画素毎に設ける遮光膜開口を図3に示す遮光膜開口とすることで、左右方向に位相差情報を持った撮像画像信号を撮影することが可能となる。この場合、ペア画素の左側の画素への入射光による撮像画像は、撮影レンズで左右反転した入射光による画像となるため、右眼で被写体を見た画像となる。ペア画素の右側の画素への入射光による撮像画像は、撮影レンズで左右反転した入射光による画像となるため、左眼で被写体を見た画像となる。このため、右眼で見た撮像画像と左眼で見た撮像画像とを組み合わせることで、被写体の立体画像を再生することが可能となる。しかし、例えば図8に示す様に、遮光膜開口を、偶数列と奇数列とで縦長平行四辺形55,横長平行四辺形56とすることも可能である。偶数行と奇数行とで遮光膜開口の延びる方向を変えても良い。尚、開口55,56の形状は平行四辺形である必要はなく、一方向に長手の開口55と、この一方向に対して略直角な方向に長手の開口56とすれば良い。図8に示す縦長平行四辺形55の遮光膜開口を通すことで、ユーザが正立状態で被写体を見たときに得られる立体画像を撮像することができ、横長平行四辺形56の遮光膜開口を通すことで、ユーザが被写体を横になって見たときに得られる立体画像を撮像することができる。つまり、縦長と横長の長手の遮光膜開口を1つの撮像素子の受光面に均等に配列することで、両方の立体画像を撮像することが可能となる。図9は、本発明の別実施形態に係る固体撮像素子の表面模式図である。上述した各実施形態の固体撮像素子は、画素配列がハニカム画素配列の例であるが、本実施形態では、画素配列を正方格子配列としている。各画素が正方格子配列された固体撮像素子では、各画素行毎の水平配線41が2行の画素行間に纏めて敷設され、画素列毎の垂直配線42は、各画素列毎に敷設される。図示する例では、配線層の無い、上下に隣接する2つの画素のうち周期的な位置にある位相差検出画素間に共通の1つの遮光膜開口57を設けている。この構成でも、位相差検出画素が明るい光を受光でき、良好な位相差情報を取得することが可能となる。なお、図9の実施形態では、2つの位相差検出画素は同色である必要があるため、カラーフィルタ配列を横ストライプとするのが良い。あるいは、モノクロ画素撮像用の固体撮像素子や、3板式カラー画像撮像用の固体撮像素子に適用するのが良い。以上述べた実施形態の固体撮像素子は、基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、前記光電変換素子の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子の受光面上に開口が設けられた遮光膜とを備え、前記光電変換素子のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子に設けられる前記開口が該2つの光電変換素子で共通に1つの開口として設けられることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子の前記位相差情報は、前記1つの開口のうち前記2つの光電変換素子の一方の受光面上の開口部分の重心位置と他方の受光面上の開口部分の重心位置とを前記2つの各光電変換素子の受光面中心位置に対して互いに反対方向にずらして設けることで検出されることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子の前記二次元アレイ状に配列形成された前記複数の光電変換素子は、奇数行に対して偶数行が1/2ピッチずつづらして配列形成されており、正方格子配列となる前記奇数行の前記光電変換素子に3原色のカラーフィルタがベイヤ配列され、正方格子配列となる前記偶数行の前記光電変換素子に3原色のカラーフィルタがベイヤ配列されることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記光電変換素子の前記信号電荷の量に応じた撮像信号をMOSトランジスタ回路で読み出すことを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記固体撮像素子の前記CMOSトランジスタ回路に接続される配線が2つの光電変換素子行毎,2つの光電変換素子列毎に纏めて敷設したことを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記配線を前記遮光膜の代わりに使用すると共に、前記位相差情報を検出する隣接する2つの光電変換素子の間に前記配線が存在しない部分には前記配線を延長して前記遮光膜代わりとすることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記1つの開口の一辺が少なくとも0.7μmあることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記1つの開口の形状が平行四辺形であることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記平行四辺形の鋭角の頂点部分が削除された多角形状であることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記1つの開口の形状が、前記位相差情報を検出しない前記光電変換素子に設けられる前記開口と同一形状であることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記基板上に形成される光電変換素子の全てを前記位相差情報を検出する光電変換素子とすることを特徴とする。また、実施形態の固体撮像素子は、前記1つの開口は前記2つの光電変換素子毎に設けられ、一方向に長手の第1の開口と、該一方向に対して垂直な方向に長手の第2の開口とが均等に混在して設けられることを特徴とする。また、実施形態の撮像装置は、上記のいずれかに記載の固体撮像素子を搭載したことを特徴とする。以上述べた実施形態によれば、位相差情報を取得する2つの位相差検出画素に共通の1つの開口を設けたため、位相差検出画素の受光量が増え、良好な位相差情報を得ることが可能となる。"