真空チャンバ内に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することにより該ターゲット物質を励起させてプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を集光ミラーにより集光して出力するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、前記真空チャンバ内に配置され、プラズマから発生したイオンを検出して、そのイオン量を表す検出信号を出力するイオン検出器と、前記イオン検出器から出力された検出信号に基づいて、イオン量を積算して積算値を算出する計算部と、前記計算部によって算出された積算値が所定の基準値に至った場合に、前記集光ミラーの交換時期又は修理時期を表す判定信号を出力する判定部と、を具備する極端紫外光源装置。前記集光ミラーの反射面に形成されている多層膜の膜厚又は該多層膜におけるスパッタ量とプラズマから発生したイオンの量の積算値との相関であって、予め計測を行うことによって取得された前記相関を記憶する記憶部をさらに具備し、前記判定部が、前記集光ミラーの反射面に形成されている多層膜の初期状態における厚さと前記集光ミラーにおいて所定の値以上の反射率を確保できる多層膜の厚さとの差に相当するイオン量の積算値を、前記記憶部に記憶されている前記相関に基づいて取得し、取得された積算値を前記基準値として設定する、請求項1記載の極端紫外光源装置。前記イオン検出器が、ファラデーカップを含む、請求項1又は2記載の極端紫外光源装置。前記計算部が、前記イオン検出器から出力された検出信号に基づいて、イオン量を積算することにより、前記集光ミラーの反射面に形成されている多層膜の膜厚又は該多層膜におけるスパッタ量と相関を有する積算値を算出する、請求項1~3のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。しかしながら、特許文献1に開示されているように、EUV光の発光カウント数や、EUV光の強度検出値のみに基づいてEUVコレクタミラーの交換時期を推測するのは困難と考えられる。その理由は次の通りである。図11は、非特許文献1から引用したグラフであり、EUVコレクタミラーの反射面に形成されているMo/Si多層膜の層数と、EUVコレクタミラーの反射率との関係を示している。図11に示すように、多層膜の層数横軸が20層以下になると、反射率縦軸が大きく低下するようになる。このことから、デブリのスパッタリングによる多層膜の消失が、EUVコレクタミラーの寿命に大きな影響を及ぼすと言える。また、図12は、プラズマから発生した高速イオンや中性粒子による金Auのエロージョンレートerosionrate、或いは、1Mパルスあたりのスパッタ量、及び、プラズマから発生した1Mパルスあたりのイオン量と、13.5nmを中心波長とする2の帯域幅におけるEUV光のパルスエネルギーEUVパルスエネルギーとの関係を示している。これらの関係は、本願発明者が実測により得たものである。この計測において、スパッタリング量の評価には、QCMquartzcrystalmicrobalance:水晶振動子質量計を用いた。QCMとは、水晶振動子の共振周波数の変化に基づいて、センサ表面に形成されたサンプル膜金の膜厚を、オングストロームÅ以下の精度でリアルタイムに計測できる検出器のことである。このQCMを用いることにより、プラズマからから飛散したイオンによる金膜におけるスパッタ量をリアルタイムに算出した。また、イオン量の検出には、ファラデーカップを用いた。ファラデーカップとは、イオン等の荷電粒子を金属製のカップに入射させて電流値を計測することによりイオン量を検出する装置のことである。図12に示すように、エロージョンレートは、EUVパルスエネルギーの増加に伴い、ほぼ線形に増加している。また、イオン量についても同様の傾向が見られる。これより、1ショットあたりのEUVパルスエネルギーが増加に伴ってイオン量も増加するので、スパッタ量も同様の傾向で増加するものと考えられる。そのため、単純に発光数のみをカウントすることによってミラー交換時期を判断する場合には、そのような1ショットあたりのEUVパルスエネルギー又はイオン量の変化に伴うスパッタ量の変化に対応することができない。また、EUVコレクタミラーによって集光されたEUVパルスエネルギーは、EUVコレクタミラーの劣化だけでなく、それ以外の様々な要因によっても低下する。具体的な要因としては、例えば、ターゲットの不具合位置、サイズ、速度変化等、レーザの不具合出力低下、ビーム品位の悪化等、レーザ光伝播光学系の不具合光学素子の劣化、位置制御機構の不具合等、レーザ光の集光光学系の不具合光学素子の劣化、位置制御機構の不具合等、EUVパルスエネルギー計測系の不具合が挙げられる。そのため、特許文献1の第6頁に開示されているように、集光されたEUVパルス集光EUVパルスのエネルギー強度を検出し、その検出値がEUVコレクタミラーの交換直後に比較して10低下したとしても、その原因がEUVコレクタミラーの劣化によるものかどうかを判断することは困難である。即ち、集光EUVパルスエネルギーを検出するだけでは、EUVコレクタミラーの劣化を理由とするミラー交換時期を推測又は判断することはできない。さらに、集光EUVパルスを損失なしに計測することは困難なので、露光機において露光光として用いられる集光EUVパルスを常時計測することは不適切である。また、一般に、EUVコレクタミラーは数十~数百層例えば、300層からなる多層膜によって形成されるので、スパッタにより多層膜が徐々に消失し、層数が十分な反射率が得られる数を下回った時点で、突然反射率が大きく低下する場合がある例えば、図11においては20層以下。そのため、EUVパルスエネルギーとスパッタ量との関係を考慮することなく、発光カウント数や集光EUVパルスエネルギーの強度低下のみを基準としてEUVコレクタミラーの交換時期を推測又は判断することは実用的でない。そこで、上記の問題点に鑑み、本発明は、LPP式EUV光源装置において、EUVコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにすることを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る極端紫外光源装置は、真空チャンバ内に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することにより該ターゲットを励起させてプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を集光ミラーにより集光して出力するレーザ励起プラズマ方式の極端紫外光源装置であって、真空チャンバ内に配置され、プラズマから発生したイオンを検出して、そのイオン量を表す検出信号を出力するイオン検出器と、該イオン検出器から出力された検出信号に基づいて、イオン量を積算して積算値を算出する計算部と、該計算部によって算出された積算値が所定の基準値に至った場合に、集光ミラーの交換時期又は修理時期を表す判定信号を出力する判定部とを具備する。本発明によれば、EUVコレクタミラーのスパッタ量と相関のある、プラズマから発生したイオンの量の積算値に基づいてミラー交換時期を算出するので、種々の条件により1パルスあたりのEUVエネルギーが変化した場合においても、正確にミラー交換又は修理時期を推測又は判断することが可能となる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。図1は、本発明の一実施形態に係る極端紫外EUV光源装置を示す模式図である。このEUV光源装置は、LPPレーザ励起プラズマ方式を採用しており、露光機用の光源として用いられる。図1に示すように、本実施形態に係るEUV光源装置は、EUV光の生成が行われる真空チャンバEUV光生成チャンバ10と、ターゲット生成装置11と、噴射ノズル12と、レーザ発振器13と、集光光学系14と、EUVコレクタミラー集光ミラー15と、ターゲット回収装置16と、EUV光検出部20と、イオン検出器21と、スパッタ量検出器22と、制御装置30とを含んでいる。真空チャンバ10には、ターゲット標的1を励起してプラズマ2を発生させるためのレーザ光励起用レーザ光3を導入する窓17と、生成されたEUV光4の露光機への導出ポート18とが設けられている。なお、EUV光4の出力先である露光機も、真空チャンバ10内と同様の真空又は減圧下に設置されている。ターゲット生成装置11は、ターゲット物質を所望の状態にして噴射ノズル12に供給する。例えば、液体キセノンXeをターゲットとして用いる場合には、キセノンガスを冷却することにより液化されたキセノンが、噴射ノズル12に供給される。また、錫をターゲット物質として用いる場合には、固体の錫を加熱することにより液化された錫や、錫の微粒子を含む水溶液等が、噴射ノズル12に供給される。噴射ノズル12は、供給されたターゲット物質を真空チャンバ10内に噴射する。ターゲット1は、噴流ジェットの状態であっても良いし、図1に示すように、液滴ドロップレットの状態であっても良い。後者の場合には、噴射ノズル12を所定の周波数で振動させるための振動機構例えば、PZT振動子が設けられる。さらに、噴射されたターゲット1が励起用レーザ光3の照射位置を通過するように噴射ノズル12の位置を調節する位置調節機構を設けても良い。レーザ発振器13は、レーザ発振を行うことにより、ターゲット1を照射するための励起用のレーザ光3を射出する。集光光学系14は、レーザ発振器13から射出したレーザ光3を集光して、窓17を介してターゲット1に照射させる。EUVコレクタミラー15は、凹状の反射面を有しており、プラズマから発生した光の内の所定の波長成分例えば、13.5nm±0.135nmのEUV光を反射して、露光機の方向に集光する。そのために、EUVコレクタミラー15の反射面には、そのような波長成分を選択的に反射するための多層膜例えば、Mo/Si多層膜が形成されている。多層膜の層数は、一般的には数十~数百程度である。なお、EUVコレクタミラー15には、レーザ光3を通過させるための空孔が形成されている。ターゲット回収装置16は、噴射ノズル12から噴射されたにもかかわらず、レーザ光3が照射されずにプラズマ発生に寄与しなかったターゲットを回収する。それにより、真空チャンバ10内の真空度の低下圧力上昇、及び、EUVコレクタミラー15や窓17等の汚染を防止している。このようなEUV光源装置において、ターゲット1を形成すると共に、レーザ発振を行ってレーザ光3をターゲット1に照射させることにより、プラズマ2が発生する。このプラズマ2から放射された光には、様々な波長成分が様々なエネルギーレベルで含まれている。その内の所定の波長成分EUV光が、EUVコレクタミラー15によって露光機への導出ポート18の方向に集光反射される。このようにして生成されたEUV光が、露光機において露光光として利用される。EUV光検出部20は、EUVコレクタミラー15等の光学素子を介することなくプラズマ2の発光光を直接受光することにより、EUV光の発光量を検出するためのモニタである。EUV光検出部20は、多層膜ミラー20aと、ジルコニウムZrフィルタ20bと、フォトダイオード20cとを含んでいる。多層膜ミラー20aには、例えば、13.5nm近傍の波長に対して反射率が高いMo/Si多層膜が形成されている。また、ジルコニウムフィルタ20bは、波長が20nm以上の光に対してはほとんど透過率を有しないフィルタである。さらに、フォトダイオード20cは、入射した光の光量に応じた検出信号を出力する。フォトダイオード20cとしては、例えば、米国IRD社製のAXUVシリーズが用いられる。このシリーズは、EUV領域の波長に対する量子効率が保証されたフォトダイオードである。このようなEUV光検出部20は、EUVコレクタミラー15への入射光路及び反射光路を除く領域に配置されている。それにより、露光機に出力されるEUV光にエネルギー損失を与えることがなくなると共に、プラズマ2の発光点から放射されたEUV光を直接受光するので、EUVコレクタミラー15の特性変化の影響を受けることなく、プラズマ発光点におけるEUV光の光量を検出することができる。なお、本願において、プラズマ発光点における発光量又は光エネルギーとは、EUVコレクタミラー15を介することなく、プラズマから直接受光される光の発光量又はエネルギーのことをいう。EUV光が生成されている間には、プラズマ2から放射された光の一部がEUV光検出部20に入射する。この光が、Mo/Si多層膜ミラー20aによって反射され、ジルコニウムフィルタ20bを透過する。それにより、所望の波長成分波長が13.5nm±0.135nmの領域のEUV光がフォトダイオード20cに入射する。フォトダイオード20cは、入射したEUV光の光量に応じた検出信号を出力する。イオン検出器21は、プラズマ2から発生するイオンの量を検出するために設けられており、例えば、ファラデーカップを含んでいる。スパッタ量検出器22は、プラズマから発生したイオン等によるスパッタリング量を検出するために設けられており、例えば、QCMquartzcrystalmicrobalance:水晶振動子質量計を含んでいる。QCMは、センサ表面に形成された金Au等のサンプル膜の厚さを、水晶振動子の共振周波数の変化に基づいて、オングストロームÅ以下の精度でリアルタイムに計測する装置である。このようなスパッタ量検出器22を用いることにより、EUVコレクタミラー15に形成されている多層膜の膜厚の変化を間接的に検出する事が可能である。以下に、その検出原理について説明する。スパッタ量検出器22のセンサ表面の膜とEUVコレクタミラー15の多層膜との大きな相違点は、膜の材質と設置位置との2点である。例えば、同一のエネルギーを有するイオンが衝突したとしても、スパッタ対象となる物質の種類に応じてスパッタ量は異なってくる。そこで、QCMを用いて多層膜のスパッタ量を求める場合には、センサ表面に形成される物質例えば、金、Mo、Si等と、EUVコレクタミラー15の反射面に形成される多層膜例えば、Mo/Si多層膜とのスパッタ比率を予め求めておく。例えば、アンダーソンAnderson等、積層コンデンサ光学におけるプラズマによる侵食の研究InvestigationofplasmainducederosionofmultilayercondenseropticsSPIE会報ProceedingofSPIE、第5751巻、第128-139頁の表1には、金とモリブデンとシリコンのスパッタ量エロージョンレートの比率Au:Mo:Si=1:0.26:0.19が示されている第133頁。一方、設置位置に関しては、スパッタの主な原因となるのはプラズマから発生する高速イオンであるが、そのイオンの分布は空間的に一様でない。従って、膜の設置位置に応じてスパッタ量が異なってくる。そこで、異なる位置に設置されるスパッタ量検出器22のセンサ表面の膜とEUVコレクタミラー15の多層膜との間におけるスパッタ比率を予め求めておく。なお、スパッタ比率を求める具体的な方法については後で説明する。そして、QCMスパッタ量検出器22から出力された検出信号が表すスパッタ量例えば、金の膜厚を示すを、表面物質の違いに基づくスパッタ比率と設置位置の違いに基づくスパッタ比率とを用いて換算することにより、EUVコレクタミラー15の多層膜のスパッタ量が求められる。制御装置30は、例えば、パーソナルコンピュータを含んでおり、EUV光検出部20や、イオン検出器21や、スパッタ量検出器22から出力された検出信号に基づいて、EUVコレクタミラー15の交換時期を推測又は判断するための演算処理を行う。この演算処理は、例えば、プログラムに従って動作するCPUによって制御される。なお、図1には、EUV光検出部20と、イオン検出器21と、スパッタ量検出器22とが示されているが、EUVコレクタミラー15の交換時期を判断する際には、それらのの内のいずれかが備えられていれば良い。このようなEUV光源装置は、プラズマ発光点におけるEUV光のエネルギー又はプラズマから発生したイオン量、又は、スパッタ量検出器を用いて取得されたスパッタ量に基づいて、EUVコレクタミラー15の交換時期を高い精度で推測又は判断することを特徴としている。そこで、それらの量に基づいてミラーの交換時期を判断できる原理について、図2~図5を参照しながら説明する。図2は、本願発明者によって行われた実験において用いられた装置の構成を示す模式図である。この装置は、真空チャンバ10窓17を含む~ターゲット回収装置16を含む一般的なEUV光源装置からEUVコレクタミラー15図1参照を取り外し、EUV光検出部20、イオン検出器21、及び、スパッタ量測定用QCM23を設けたものである。イオン検出器21及びスパッタ量測定用QCM23は、通常EUVコレクタミラー15が設置される位置に、プラズマについて対称となるように配置されている。本願発明者は、図2に示す装置を用いることにより、レーザ光3を1ショット射出する毎にほぼ同時に得られるEUVパルスエネルギープラズマから放射されたEUV光のエネルギー、イオン量、及び、スパッタ量測定用QCM23のセンサ表面におけるスパッタ量を計測した。図3~図5は、それらの実測値に基づいて得られた相関を示している。図3は、スパッタ量測定用QCM23のセンサ表面に形成された膜の厚さnmと、EUVパルスエネルギーの総量積分値との関係を示している。EUVパルスエネルギーは、0.3mJ、0.7mJ、及び、1.4mJの2種類について測定した。ここで、膜厚とスパッタ量とは係数がマイナス1の線形関係にあるので、図3は、スパッタ量とEUVパルスエネルギー総量との関係を間接的に表していると言える。図3に示すように、EUVパルスエネルギーの総量の増加に伴って膜厚がほぼ線形に減少していることから、スパッタ量は、エネルギー総量の増加に伴って増加することがわかる。この相関関係は、各EUVパルスエネルギーの大きさ0.3mJ、0.7mJ、及び、1.4mJには依存していない。従って、この相関関係を利用することにより、各EUVパルスエネルギーの大きさによらず、その総量のみから、EUVコレクタミラーのスパッタ量を求めることができる。ここで、EUVパルスエネルギーはユーザの要求や調整等の条件により変化してしまう場合があるが、EUVパルスエネルギーの総量さえ把握しておけば、スパッタ量が反映されたEUVコレクタミラーの交換時期を正確に判断することが可能となる。図4は、スパッタ量測定用QCM23のセンサ表面に形成された膜の厚さnmとイオン総量イオン量の積分値との関係を示している。イオン総量は、EUVパルスエネルギーの大きさが0.3mJ、0.7mJ、及び、1.4mJの3種類について測定した。ここで、膜厚とスパッタ量とは係数がマイナス1の線形関係にあるので、図4は、スパッタ量とイオン総量との関係を間接的に表していると言える。なお、イオン量は、1価のイオンを1個として計測されたものである。従って、例えば、2価のイオンが1個検出された場合には、イオン量=2として出力される。図4に示すように、スパッタ量は、EUVパルスエネルギーの大きさ0.3mJ、0.7mJ、及び、1.4mJの3種類に依存することなく、イオン総量の増加に伴ってほぼ線形に増加している図4においては、膜厚の減少によって示されている。従って、この相関関係を利用することにより、各EUVパルスエネルギーの大きさによらず、イオンの総量のみから、EUVコレクタミラーのスパッタ量を求めることができ、それに基づいて、コレクタミラーの交換時期を正確に判断することが可能となる。図5は、1パルスあたりのイオン量イオン数、縦軸とEUVパルスエネルギーmJ、横軸との関係を示している。図5に示すように、イオン量とEUVパルスエネルギーとは非常に良い相関を示しており、EUVパルスエネルギーの変化に伴い、1パルスあたりのイオン量がほぼ線形に変化することがわかる。これより、EUVパルスエネルギー及びイオン量のいずれを用いても、EUVコレクタミラーの交換時期を正確に判断することができることが裏付けられる図3及び図4参照。次に、このような関係図3~図5に基づいて、EUVコレクタミラーの交換時期を判断するために必要な情報を取得する方法について説明する。図1に示すEUV光源装置において、EUVコレクタミラー15のスパッタ量を計測するためには、次の3つの相関の内の少なくとも1つを実測により予め求めておく必要がある。1EUV光検出部20によって検出されるEUV光のエネルギー総量と、EUVコレクタミラー15のスパッタ量との関係EUVパルスエネルギー総量対スパッタ量2イオン検出器21によって検出されるイオンの総量と、EUVコレクタミラー15のスパッタ量との関係イオン総量対スパッタ量3スパッタ量検出器22によって検出されるセンサ表面の膜のスパッタ量と、EUVコレクタミラー15のスパッタ量との関係センサ対ミラーのスパッタ量図6は、上記3つの相関1~3を実測するための装置の構成を示す模式図である。この装置は、真空チャンバ10窓17を含む~ターゲット回収装置16を含む一般的なEUV光源装置からEUVコレクタミラー15図1参照を取り外し、それに替えて、EUVコレクタミラー15の設置範囲に複数のEUV多層膜サンプル40を配置したものである。EUV多層膜サンプル40には、EUVコレクタミラー15に形成されているものと同じ多層膜例えば、300層のMo/Si多層膜が形成されている。この多層膜の層数は、相関関係を計測できる程度の数で良い。このようなサンプルを用いるのは、サンプル量を実測するために、大型で高価なEUVコレクタミラーを使用する必要はないからである。図6に示す装置においてプラズマ2を発生させることによりEUV光を放射させ、その時のEUVパルスエネルギー、イオン量、及び、スパッタ量検出器22のセンサ表面のスパッタ量を検出し、それらの総量を算出する。また、一方で、複数のEUV多層膜サンプル40のスパッタ量を計測する。このスパッタ量については、プラズマ2の発生を停止した後でEUV多層膜サンプル40を真空チャンバ10から取り出して、AFM原子間力顕微鏡やSEM走査電子顕微鏡やTEM透過電子顕微鏡等を用いて計測しても良いし、EUV多層膜サンプル40を真空チャンバ10内に設置した状態のまま、レーザ干渉計等を用いて計測しても良い。或いは、それ以外の公知の計測方法を用いても良い。そのようにして実測された値に基づいて、上記相関1~3が得られる。図7は、上記3つの相関1~3を実測するために用いられる装置の別の構成を示す模式図である。この装置においては、図6に示す装置における複数のEUV多層膜サンプル40の替わりに、複数の相関測定用QCM41が配置されている。このような装置においてプラズマ2を発生させることによりEUV光を放射させ、その時のEUVパルスエネルギー、イオン量、スパッタ量検出器22におけるスパッタ量、及び、相関測定用QCM41におけるスパッタ量を検出し、それらの総量を求める。さらに、相関測定用QCM41におけるスパッタ量を、センサ表面の膜材料AuとMo/Si多層膜とのスパッタリング比率上記アンダーソンらの文献の表1参照に基づいて、EUVコレクタミラー15におけるスパッタ量に換算する。それにより、上記相関1~3が得られる。ここで、図6及び図7に示すように、EUV多層膜サンプル40や相関測定用QCM41を複数個用いるのは、EUVコレクタミラー15におけるスパッタ量の空間的な分布を把握するためである。即ち、複数箇所におけるEUV多層膜サンプル40等の計測値と検出機器20~22の計測値との相関を予め求めておくことにより、検出機器20~22の計測値のみに基づいて、EUVコレクタミラー15の複数箇所におけるスパッタ量に関する情報を得ることが可能となる。それにより、例えば、EUVコレクタミラー15におけるスパッタ量の空間的分布が一様でない場合には、EUVコレクタミラー15全体を交換する前に、EUVコレクタミラー15のスパッタ量が多い箇所から優先的に補修したり、部分的に交換することも可能となる。ここで、このような相関の特性は、レーザ発振器13の種類やターゲット物質に応じて変化する。例えば、図8は、励起用レーザとしてNd:YAGレーザ及びCO2レーザを使用した場合におけるEUVパルスエネルギー総量とスパッタ量との関係を示している。従って、このような相関は、露光用のEUV光を生成する際に使用される機器やターゲット物質等の条件に応じて取得しておくことが望ましい。また、EUV光検出器20、イオン検出器21、及び、スパッタ量検出器22の配置は、図6及び図7に示す位置には限定されない。即ち、上記の相関を求めることができる計測値を得ることができれば、真空チャンバ10内のいずれの位置に配置しても良い。その際には、それらの検出機器20~22をEUVコレクタミラー15によって集光反射されるEUV光の光路入射光路及び反射光路以外に配置することが好ましい。それにより、露光光として利用されるEUV光への影響を抑えることができるので、エネルギー損失なく、常時計測することが可能となるからである。次に、本発明の一実施形態に係るEUV光源装置においてEUVコレクタミラー15の交換時期を判断するためのデータ処理について、図1及び図9を参照しながら説明する。このデータ処理は、図1に示す制御装置30において行われる。図9に示すように、制御装置30は、A/D変換器31と、計算部32と、判定部33と、記憶部34とを含んでいる。この内の記憶部34には、予め取得された上記の相関1及び/又は2及び/又は3即ち、EUVエネルギー総量対スパッタ量、及び/又は、イオン総量対スパッタ量、及び/又は、センサ膜対EUVコレクタミラー多層膜のスパッタ量と、初期状態におけるEUVコレクタミラー15の多層膜の層数LMAXに対応する多層膜の厚さnmと、EUVコレクタミラー15においてEUV光を集光反射するために必要な反射率を確保できる多層膜の層数LMINに対応する多層膜の厚さnmとが記憶されている。例えば、初期状態における多層膜の層数は300層であり、反射率を確保できる層数は、少なくとも20~30層である。実施例1EUVパルスエネルギーの検出信号に基づいてデータ処理を行う場合図1に示すEUV光源装置においてEUV光の生成を開始することにより、プラズマ2の発生タイミングに応じて、EUV光検出部20からEUVパルスエネルギーを表す検出信号が出力される。この検出信号がA/D変換器31においてディジタル信号に変換されることにより、EUVパルスエネルギーEP1、EP2、...EPi、...を表す検出データが順次生成されるiはプラズマ発生回数。これらの検出データは、計算部32に入力されて積算される。それにより、EUVパルスエネルギーの積算値総量値ETOTAL=EP1EP2...=ΣEPii=1、2、...が算出される。この総量値ETOTALは、検出データが入力される毎に算出されて、判定部33に出力される。一方、判定部33は、予め記憶部34に記憶されている相関1EUVパルスエネルギー総量対スパッタ量に基づいて、層数LMAX-LMINに相当する厚さ即ち、スパッタ量に対応するエネルギー値ETHを取得する。このエネルギー値ETHが、交換時期の基準値として設定される。或いは、予めEUVコレクタミラー15のスパッタ量と反射率との関係が得られている場合には、判定部33は、必要な反射率が最低限確保されるときのスパッタ量に対応するエネルギー値を、交換時期基準値ETHとしても良い。このような交換時期基準値ETHは、EUVコレクタミラー15が新しいものに交換される毎に算出される。そして、判定部33は、計算部32から出力されたEUVパルスエネルギーの総量値ETOTALを交換時期基準値ETHと比較し、ETOTAL≧ETHとなったときにEUVコレクタミラー15の交換時期を表す判定信号を出力する。実施例2イオンの検出信号に基づいてデータ処理を行う場合図1に示すEUV光源装置においてEUV光の生成を開始することにより、プラズマ2の発生タイミングに応じて、イオン検出器21からイオン量を表す検出信号が出力される。この検出信号がA/D変換器31においてディジタル信号に変換されることにより、イオン量IP1、IP2、...、IPiを表す検出データが順次生成されるiはプラズマ発生回数。これらの検出データは、計算部32に入力されて積算される。それにより、イオンの積算値総量値ITOTAL=IP1IP2...=ΣIPii=1、2、...が算出される。この総量値ITOTALは、検出データが入力される毎に算出されて、判定部33に出力される。一方、判定部33は、予め記憶部34に記憶されている相関2イオン総量対スパッタ量に基づいて、層数LMAX-LMINに相当する厚さスパッタ量に対応するイオン量ITHを取得する。このイオン量ITHが、交換時期の基準値として設定される。或いは、予めEUVコレクタミラー15のスパッタ量と反射率との関係が得られている場合には、判定部33は、必要な反射率が最低限確保されるときのスパッタ量に対応するイオン量を、交換時期基準値ITHとしても良い。このような交換時期基準値ITHは、EUVコレクタミラー15が新しいものに交換される毎に算出される。そして、判定部33は、計算部32から出力されたイオンの総量値ITOTALを交換時期基準値ITHと比較し、ITOTAL≧ITHとなったときにEUVコレクタミラー15の交換時期を表す判定信号を出力する。実施例3スパッタ量の検出信号に基づいてデータ処理を行う場合図1に示すEUV光源装置においてEUV光の生成を開始することにより、プラズマ2の発生タイミングに応じて、スパッタ量検出器22からセンサ表面の膜厚を表す検出信号が定期的に出力される。この検出信号は、A/D変換器31においてディジタル信号に変換され、計算部32に入力される。計算部32においては、入力された検出データに基づいて、初期状態におけるセンサの膜厚に対する変化量である膜厚変化総量TTOTALが算出される。このセンサ膜厚変化総量TTOTALは、検出データが入力される毎に算出されて、判定部33に出力される。一方、判定部33は、予め記憶部34に記憶されている相関3センサ膜対EUVコレクタミラー多層膜のスパッタ量に基づいて、層数LMAX-LMINに相当する厚さ即ち、スパッタ量に対応するセンサ膜厚変化量TTHを取得する。このセンサ膜厚変化量TTHが、交換時期の基準値として設定される。或いは、予めEUVコレクタミラー多層膜のスパッタ量と反射率との関係が得られている場合には、判定部33は、必要な反射率が最低限確保されるときのスパッタ量に対応するセンサ膜厚変化量を、交換時期基準値TTHとしても良い。このような交換時期基準値TTHは、EUVコレクタミラー15が新しいものに交換される毎に算出される。そして、判定部33は、計算部32から出力されたセンサ膜厚変化総量TTOTALを交換時期基準値TTHと比較し、TTOTAL≧TTHとなったときにEUVコレクタミラー15の交換時期を表す判定信号を出力する。ここで、EUVコレクタミラー15におけるスパッタ量の空間的な分布が予め得られている場合には、判定部33は、EUVコレクタミラー15内の複数箇所について判定を行い、それらの箇所ごとに、修理時期を表す判定信号を出力するようにしても良い。以上説明した実施例1~3において、交換時期基準値ETH及びITH及びTTHは種々の条件によって異なってくるので、多層膜の種類やEUV光の利用目的露光機の種類等に応じて相関1~3を求めて、それらの基準値を適切に設定することが好ましい。