表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、前記表面処理層がAu、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上を含み、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の元素、及び、酸素の深さ方向の濃度分布を測定したとき、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Xnm、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ynmが、Y≦Xを満たす積層体。Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が表層から最初に5に達する表層からの距離Znm、及び、前記Ynmが、Y≦Zを満たす請求項1に記載の積層体。絶縁基板、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている請求項1又は2に記載の積層体。絶縁基板、圧延銅箔、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている請求項1又は2に記載の積層体。銅基材、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている請求項1又は2に記載の積層体。前記表面処理層におけるAuの被覆量が1000μg/dm2以下、Pdの被覆量が600μg/dm2以下、Ptの被覆量が1050μg/dm2以下、Moの被覆量が1000μg/dm2以下である請求項1~5のいずれかに記載の積層体。前記表面処理層におけるAuの被覆量が50~1000μg/dm2、Pdの被覆量が30~600μg/dm2、Ptの被覆量が50~1050μg/dm2、Moの被覆量が30~1000μg/dm2である請求項6に記載の積層体。前記表面処理層は、更にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む請求項1~7のいずれかに記載の積層体。前記表面処理層の表面または前記メッキ銅層との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備えた請求項1~8のいずれかに記載の積層体。前記表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体を準備する工程と、前記表面処理層の表面にレジストで回路パターンを形成する工程と、前記回路パターンを形成した積層体の表面処理層の表面を、塩化第二鉄系又は塩化第二銅系のエッチング液を用いてエッチングする工程と、を含む請求項1~9のいずれかに記載の積層体の加工方法。請求項1~9のいずれかに記載の積層体を材料としたプリント配線板。フレキシブルプリント配線板である請求項11に記載のプリント配線板。近年、回路の微細化、高密度化がさらに進行し、より急峻に傾斜する側面を有する回路が求められている。しかしながら、特許文献1に記載される技術ではこれらには対応できない。また、特許文献1に記載される表面処理層はソフトエッチングにより除去する必要がある。さらに、樹脂との非接着面表面処理銅箔は、積層体に加工される工程で、樹脂の貼付け等の高温処理が施される。これは表面処理層の酸化を引き起こし、結果として銅箔のエッチング性は劣化する。前者については、エッチング除去の時間をなるべく短縮し、きれいに除去するためには、表面処理層の厚さを極力薄くすることが必要であること、また後者の場合には、熱を受けるために、下地の銅層が酸化され変色するので、通称ヤケと言われている。、レジストの塗布性均一性、密着性の不良やエッチング時の界面酸化物の過剰エッチングなどにより、パターンエッチングでのエッチング性、ショート、回路パターン幅の制御性等の不良が発生するという問題があるので、改良が必要か又は他の材料に置換することが要求されている。そこで、本発明は、回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、メッキ銅層を含む積層体において、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上を含み、さらに表層からの前記元素及び酸素の深さ方向の原子濃度がそれぞれ最大となる距離が所定の関係を満たすように制御された表面処理層を形成することで、当該積層体に回路パターンを良好なファインピッチで形成し得ることを見出した。以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、前記表面処理層がAu、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上を含み、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の元素、及び、酸素の深さ方向の濃度分布を測定したとき、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Xnm、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ynmが、Y≦Xを満たす積層体である。本発明に係る積層体の一実施形態においては、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が表層から最初に5に達する表層からの距離Znm、及び、前記Ynmが、Y≦Zを満たす。本発明に係る積層体の別の実施形態においては、絶縁基板、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、絶縁基板、圧延銅箔、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、銅基材、前記メッキ銅層及び前記表面処理層がこの順で形成されている。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、前記表面処理層におけるAuの被覆量が1000μg/dm2以下、Pdの被覆量が600μg/dm2以下、Ptの被覆量が1050μg/dm2以下、Moの被覆量が1000μg/dm2以下である。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、前記表面処理層におけるAuの被覆量が50~1000μg/dm2、Pdの被覆量が30~600μg/dm2、Ptの被覆量が50~1050μg/dm2、Moの被覆量が30~1000μg/dm2である。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、前記表面処理層が、更にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む。本発明に係る積層体の更に別の実施形態においては、前記表面処理層の表面または前記メッキ銅層との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を備える。本発明は別の一側面において、前記表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体を準備する工程と、前記表面処理層の表面にレジストで回路パターンを形成する工程と、前記回路パターンを形成した積層体の表面処理層の表面を、塩化第二鉄系又は塩化第二銅系のエッチング液を用いてエッチングする工程とを含む本発明の積層体の加工方法である。本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を材料としたプリント配線板である。本発明に係るプリント配線板の一実施形態においては、フレキシブルプリント配線板である。本発明によれば、回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供することができる。積層体の構成本発明に係る積層体は、表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む。積層体の構成は、例えば以下の1~3の形態が挙げられる。1絶縁基板、メッキ銅層及び表面処理層がこの順で形成された積層体2絶縁基板、圧延銅箔、メッキ銅層及び表面処理層がこの順で形成された積層体3銅基材、メッキ銅層及び表面処理層がこの順で形成された積層体ここで、メッキ銅層は、電解メッキ銅層、無電解メッキ銅層及び電解銅箔を含む。電解メッキ銅層は、銅イオンを含む電解溶液中で、被メッキ材を陰極として直流電解を行い、銅金属を陰極被メッキ材の表面に析出させて形成される層である。無電解メッキ銅層は、例えば、銅化合物と錯化剤とを含むアルカリ溶液に還元剤を加えて被メッキ材表面に銅金属を析出させて形成される層である。電解銅箔は、電解メッキ銅層の一形態であり、例えば、硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造される。圧延銅箔は、圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。圧延銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅等の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金の箔であってもよい。銅基材は、銅を主な材料とするもの全般が含まれ、具体的には、銅箔や銅層単独、或いはこれらを主な材料とする複合材料を示す。なお、本明細書において用語銅層及び銅箔を単独で用いたときには銅合金層及び銅合金箔も含むものとする。絶縁基板は、プリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。上記1の形態の具体例としては、特に限定されないが、例えば、絶縁基板の両表面に銅層を形成又は銅箔を貼り合わせた後、プレスで貫通孔を形成し、続いて両表面の銅層又は銅箔の導通を確保するために、貫通孔壁面及び両表面の銅層又は銅箔に湿式メッキスルーホールメッキを施した積層体等が挙げられる。上記2の形態の具体例としては、特に限定されないが、例えば、絶縁基板に圧延銅箔を貼り合わせた後、圧延銅箔をソフトエッチング等で減肉し、この上に電気メッキ又は無電解メッキでメッキ銅層を形成した後、表面処理層を形成した積層体等が挙げられる。上記3の形態の具体例としては、特に限定されないが、例えば、圧延銅箔をソフトエッチング等で減肉し、この上に電気メッキ又は無電解メッキでメッキ銅層を形成した後、表面処理層を形成した積層体等が挙げられる。本発明に用いることのできるメッキ銅層の厚さについては特に制限はなく、例えば、プリント配線板用に適した厚さに適宜調節すればよい。例えば、5~100μm程度とすることができる。但し、ファインパターン形成を目的とする場合には30μm以下、好ましくは20μm以下であり、典型的には5~20μm程度である。本発明に使用するメッキ銅層は、特に限定されないが、例えば、粗化処理をしないものを用いても良い。従来は特殊めっきで表面にμmオーダーの凹凸を付けて表面粗化処理を施し、物理的なアンカー効果によって樹脂との接着性を持たせるケースが一般的であるが、一方でファインピッチや高周波電気特性は平滑な箔が良いとされ、粗化層では不利な方向に働くことがある。また、粗化処理をしないものであると、粗化処理工程が省略されるので、経済性生産性向上の効果がある。表面処理層の構成メッキ銅層の絶縁基板との接着面の反対側回路形成予定面側の表面の少なくとも一部には、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上を微量で含む表面処理層が形成されている。このように、微量の貴金属を積層体の回路形成予定面に付着させると、形成された回路の裾引きが小さくなる。これにより、銅箔の厚みが薄くなくても裾引きが小さい回路を形成することが可能となるため、高密度実装基板の形成が可能となる。また、原料コストの観点から、更にCo、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む合金や、これらの金属又は合金と貴金属との複層としてもよい。また、表面処理層の表面またはメッキ銅層との間に、Ni、Cr、Sn、V及びZnのいずれか1種以上を含む層を形成してもよい。このような層は、Cuが表面に拡散することによるメッキ銅層表面の酸化変色を防止する防錆層としての効果と、Cuが表面に拡散することを防止し、エッチング途中のレジスト剥離によるエッチング不良を防止するための下地層としての効果を有する。付着量表面処理層がAuで構成されている場合は、Auの付着量が1000μg/dm2以下であるのが好ましく、50~1000μg/dm2であるのがより好ましい。表面処理層がPdで構成されている場合は、Pdの付着量が600μg/dm2以下であるのが好ましく、30~600μg/dm2であるのがより好ましい。表面処理層がPtで構成されている場合は、Ptの付着量が1050μg/dm2以下であるのが好ましく、50~1050μg/dm2であるのがより好ましい。表面処理層がMoで構成されている場合は、Moの付着量が1000μg/dm2以下であるのが好ましく、30~1000μg/dm2であるのがより好ましい。表面処理層のAuの付着量が1000μg/dm2、表面処理層のPdの付着量が600μg/dm2、表面処理層のPtの付着量が1050μg/dm2、及び、表面処理層のMoの付着量が1000μg/dm2を超えると、それぞれ初期エッチング性に悪影響を及ぼす。表面処理層のAuの付着量が50μg/dm2未満、表面処理層のPdの付着量が30μg/dm2未満、表面処理層のPtの付着量が50μg/dm2未満、及び、表面処理層のMoの付着量が30μg/dm2未満であると、それぞれ効果が十分でない可能性がある。原子濃度の表層からの距離本発明に係る積層体の表面処理層は、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の元素、及び、酸素の深さ方向の濃度分布を測定したとき、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Xnm、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ynmが、Y≦Xを満たす。このようにY≦Xを満たす場合、表面処理層と銅基材との界面に酸素が存在しない、すなわち表面処理層と銅基材との界面に酸化物が存在しない。このような構成によれば、スパッタリングで銅基材に表面処理層を形成する際、スパッタ粒子が銅基材到達後、表面拡散しやすくなるため、良好な層状の表面処理層が形成され、回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる。また、Au、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が表層から最初に5に達する表層からの距離Znm、及び、前記Ynmが、Y≦Zを満たすのが好ましい。このようにY≦Zを満たす場合、Au、Pd、Pt及びMoの濃度プロファイル上に凸の放物線の中に酸素濃度プロファイルの一部又は全てが含まれない。このような構成によれば、直接サイドエッチ抑制効果がある上記表面処理層の表層側が酸化しておらず、より回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる。なお、このような構成を実現するためには、Au、Pd、Pt及びMoとは別の所定の金属を用いて適量の異相を形成してこれらの貴金属で形成された層を覆うことが有効である。積層体の製造方法本発明に係る積層体は、スパッタリング法により形成することができる。すなわち、スパッタリング法によってメッキ銅層の表面の少なくとも一部を、表面処理層により被覆する。具体的には、スパッタリング法によって、メッキ銅層のエッチング面側に銅よりもエッチングレートの低い単体金属又は合金からなる表面処理層を形成する。表面処理層は、スパッタリング法に限らず、例えば、電気めっき、無電解めっき等の湿式めっき法で形成してもよい。プリント配線板の製造方法本発明に係るプリント配線板PWBを常法に従って製造することができる。以下に、プリント配線板の製造方法の例を示す。プリント配線板は、絶縁基板、積層体メッキ銅層及び表面処理層がこの順で形成されてなるが、形成順序は限定されない。すなわち、例えば、メッキ銅層上に表面処理層を形成して積層体を形成した後、この積層体を絶縁基板上に形成してもよい。また、絶縁基板上にメッキ銅層を形成した後、メッキ銅層上に表面処理層を形成してもよい。さらに、圧延銅箔を間に設ける形態では、絶縁基板上に圧延銅箔を形成した後、圧延銅箔上にメッキ銅層及び表面処理層を形成してもよく、圧延銅箔上にメッキ銅層及び表面処理層を形成したものを絶縁基板上に形成してもよい。より具体的な、上記積層体を絶縁基板に貼り合わせる方法としては、リジッドPWB用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。積層体を表面処理層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。フレキシブルプリント配線板FPC用の場合、ポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムと積層体とをエポキシ系やアクリル系の接着剤を使って接着することができる3層構造。また、接着剤を使用しない方法2層構造としては、ポリイミドの前駆体であるポリイミドワニスポリアミック酸ワニスを積層体に塗布し、加熱することでイミド化するキャスティング法や、ポリイミドフィルム上に熱可塑性のポリイミドを塗布し、その上に積層体を重ね合わせ、加熱加圧するラミネート法が挙げられる。キャスティング法においては、ポリイミドワニスを塗布する前に熱可塑性ポリイミド等のアンカーコート材を予め塗布しておくことも有効である。本発明に係る積層体は各種のプリント配線板PWBに使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面PWB、両面PWB、多層PWB3層以上に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドPWB、フレキシブルPWBFPC、リジッドフレックスPWBに適用可能である。また、上述のような上記積層体を絶縁基板に貼り合わせる方法以外では、絶縁基板上にスパッタリング、めっきでメッキ銅層を形成し、このメッキ銅層上に表面処理層を形成してメタライジング材を作製することができる。メッキ銅層上に表面処理層を設けて積層体を形成する際には、メッキ銅層の表面処理層形成側表面に逆スパッタ等で適宜必要な前処理を行う。この前処理の程度は、その後に形成する回路パターンのファインピッチ化に影響を与える。すなわち、逆スパッタ装置の出力や逆スパッタ時間等を調整することで逆スパッタ強度を上げて、メッキ銅層表面の酸化銅を十分に除去することで、良好な層状の表面処理層を形成することができ、これによって回路パターンの良好なファインピッチ化が可能となる。続いて、積層体の加工方法について説明する。まず、積層体の表面処理層表面にレジストを塗布し、マスクによりパターンを露光し、現像することによりレジストパターンを形成する。続いて、パターンを形成した積層体の表面処理層の表面を、塩化第二鉄系又は塩化第二銅系のエッチング液を用いてエッチングする。このエッチングでは、積層体にエッチング液を噴霧、またはエッチング液に浸漬して行うことができる。このとき、自然電位が高い腐食されにくい表面処理層側より、腐食されやすい回路の底部が優先的にエッチングされ、回路の上部トップ部の幅が表面処理を施さない場合よりも広く残り、エッチングファクターが高い回路を形成することができる。これにより銅の不必要部分が除去されて、次いでエッチングレジストを剥離除去して回路パターンを露出することができる。積層体に回路パターンを形成するために用いるエッチング液に対しては、表面処理層のエッチング速度は、銅よりも十分に小さいためエッチングファクターを改善する効果を有する。エッチング液は、塩化第二鉄系又は塩化第二銅系のエッチング液等を用いることができる。また、表面処理層を形成する前に、あらかじめ銅箔基材表面に耐熱層を形成しておいてもよい。上述のように表面処理層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の積層体表面の回路は、レジスト及び積層体の界面近傍のサイドエッチングが抑制されて、良好なファインピッチ回路に形成することができ、好ましくは、30μmピッチ以下でエッチングファクターが4以上の回路とすることができる。以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。例1:実施例1~25メッキ銅層への表面処理層の形成実施例1~25のメッキ銅層として、厚さ8μmのメタライズドフィルムJX日鉱日石金属製マキナス、銅層側Ra0.01μm、タイコート層の金属付着量Ni1780μgdm2、Cr360μgdm2。フィルムはポリイミドを用意した。メッキ銅層の表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Au、Pd、Pt、Co、Ni、Cr、Sn、V、Zn又はこれらの合金のターゲットを以下の装置及び条件でスパッタリングすることにより、メッキ銅層表面に表面処理層を形成した。スパッタリングに使用した各種金属の単体は純度が3Nのものを用いた。また、NiVVは7質量、NiZnZnは20質量、NiSnSnは20質量等を具体的な合金ターゲットとして用いた。成膜順はAu、Pd、Pt及びMoのいずれかの層を形成した上に、Co、Ni、Cr、Sn、V、Znのいずれか1種以上からなる層とした。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ電力:50W逆スパッタ時間:以下の条件1~3のいずれか条件115秒条件260秒条件3300秒スパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Pa逆スパッタ強度:電力Wと時間秒との積を前処理強度逆スパッタ強度とした。また、25W×10秒=250W秒を逆スパッタ強度1とした。例えば、逆スパッタを50Wで60秒行った場合は、50W×60秒=3000W秒となり、逆スパッタ強度は3000/250=12となる。スパッタリング電力:50W成膜速度:各ターゲットについて一定時間約0.2μm成膜し、3次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。<付着量の測定>表面処理層のAu、Pd、Pt付着量測定は、王水で銅層の半分程度を溶解させ、その溶解液を希釈し、原子吸光分析法で行った。その他は50mm×50mmの銅層表面の皮膜をHNO32重量とHCl5重量を混合した溶液に溶解し、その溶液中の金属濃度をICP発光分光分析装置エスアイアイナノテクノロジー株式会社製、SFC-3100にて定量し、単位面積当たりの金属量μg/dm2を算出した。エッチングによる回路形状銅箔の表面処理層が形成された面に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の18μm幅の回路を印刷し、銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を以下の条件で実施した。<エッチング条件>エッチングは、下記の条件でスプレーエッチング装置を用いて行った。塩化第二銅水溶液2.0mol/L塩酸2.3mol/Lスプレー圧:0.2MPa液温:50°C30μmピッチ回路形成レジストL/S=18μm/12μm仕上がり回路ボトム底部幅:12μmエッチング時間:20~70秒エッチング終点の確認:時間を変えてエッチングを数水準行い、光学顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、これをエッチング時間とした。エッチング後、45°CのNaOH水溶液100g/Lに1分間浸漬させてレジストを剥離した。<エッチングファクターの測定条件>エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合ダレが発生した場合、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅層からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅層の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図1に、回路パターンの一部の表面写真と、当該部分における回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このaは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクターEF=b/aを算出した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。さらに、傾斜角θは上記手順で測定したa及び銅層の厚さbを用いてアークタンジェントを計算することにより算出した。これらの測定範囲は回路長600μmで、12点のエッチングファクター、その標準偏差及び傾斜角θの平均値を結果として採用した。<STEM分析>STEM走査透過型電子顕微鏡によって、表面処理層の断面TEM像を2000000倍で撮影した。さらにビーム径1nmの電子を試料に照射したときに発生する特性X線強度から得られる深さ方向の原子濃度プロファイルをEDSにより測定した。走査範囲1000nm中の5点の平均濃度プロファイルから表面処理層の構造を判定した。装置:日本電子製JEM-2100F加速電圧:200kV倍率:2000000倍2百万倍例2:比較例1比較例1ブランク材として、8μm厚のメタライズドフィルムJX日鉱日石金属製マキナス、銅層側Ra0.01μm、タイコート層の金属付着量Ni1780μgdm2、Cr360μgdm2。フィルムはポリイミドを準備した。次に、銅層に感光性レジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅層の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。例3:比較例2~6比較例2~6として、8μm厚のメタライズドフィルムJX日鉱日石金属製マキナス、銅層側Ra0.01μm、タイコート層の金属付着量Ni1780μgdm2、Cr360μgdm2。フィルムはポリイミドを準備し、例1と同じ手順で銅層表面に種々の金属で構成された表面処理層をスパッタリングで形成し、エッチングで回路を形成した。例1~3の各測定条件及び測定結果を表1及び2に示す。図3に実施例1に係る断面TEM像を示す。図4に実施例1に係る深さ方向の原子濃度プロファイルを示す。図5に比較例2に係る断面TEM像を示す。図6に比較例2に係る深さ方向の原子濃度プロファイルを示す。表2の表面処理金属濃度が立ち上がる位置が表層0nmとは、実施例において試料の分析を図3及び5に示すように5nm程度の直上から基材側へ向かって行っているため、表面に付着した汚れや防錆剤に由来する有機物の位置を表層と見なさないように、金属濃度が検出される位置を表層としたことを意味している。なお、回路の断面形状は、正確には斜辺が直線である台形ではない。表には実施例及び比較例の回路の傾斜角が記載されているが、これはあくまで図1に示した定義式によって算出した値である。評価実施例1~25は、いずれもAu、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Xnm、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ynmが、Y≦Xを満たしており、エッチングファクターが大きく、矩形方に近い断面の回路を形成することができた。比較例1は、表面処理が施されておらず、裾引きが大きい回路となった。比較例2~5は、いずれもAu、Pd、Pt及びMoのいずれか1種以上の原子濃度が最大となる表層からの距離Xnm、及び、酸素の原子濃度が最大となる表層からの距離Ynmが、Y≦Xを満たさず、エッチングファクターが小さく、矩形方に近い断面の回路を形成することができなかった。比較例6は、表面処理層にAu、Pd、Pt又はMoを用いておらず、Ni-Vで形成したものであり、裾引きが大きい回路となった。