"被検体の撮像領域に静磁場を発生する円筒状の静磁場磁石と、前記円筒状の静磁場磁石の内側に配設され、前記静磁場に重畳する傾斜磁場を印加電流によって発生する傾斜磁場コイルと、前記円筒状の静磁場磁石の内側に位置と数が変更可能に配置され、前記静磁場の空間的均一性を調整する複数の金属シムと、を備え、前記複数の金属シムは、複数の制約条件の下で目的関数を最小化する最適化計算によって予め決定された位置と数によって配置され、前記複数の制約条件の中の1つは、温度変化による磁気共鳴信号の中心周波数のシフト量を所定の閾値以下にするというシフト制約条件であり、前記シフト制約条件の中において、前記中心周波数のシフト量と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。前記目的関数は前記金属シムの総枚数であり、前記複数の制約条件の中の他の1つは、前記金属シムが無い状態で測定された調整前の静磁場強度の不均一性を所定値以下にするという均一性制約条件であり、前記均一性制約条件の中において、前記静磁場の不均一性と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。前記複数の制約条件の他の1つは、前記金属シムの総枚数が所定値以下であるという総枚数制約条件であり、前記目的関数は前記金属シムが無い状態で測定された調整前の静磁場強度の不均一性であり、前記目的関数の中において、前記静磁場の不均一性と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。前記シフト制約条件の中における、前記中心周波数のシフト量と前記金属シムの位置及び数との関連付けは、単位量の金属シムの磁化率が温度変化によって所定量だけ変化したとき、どの程度前記中心周波数をシフトさせるかを金属シムの位置ごとに予め求めた位置依存性シフト量データを使用して行う、ことを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング装置。前記静磁場磁石の内側の周方向に沿って略均等間隔に配置される複数のシムトレイであって、それぞれが前記静磁場方向であるその長手方向に複数のポケットを有するシムトレイをさらに備え、前記複数の金属シムは、前記最適化計算によって決定された位置の前記ポケットに、決定された数だけ配置される、請求項1乃至4の何れかに記載の磁気共鳴イメージング装置。前記位置依存性シフト量データは、前記ポケットに位置ごとに求められたデータである、ことを特徴とする請求項5に記載の磁気共鳴イメージング装置。前記位置依存性シフト量データは、前記シムトレイの中央近傍にあるポケットに前記単位量の金属シムを置いたときには前記中心周波数は正方向にシフトし、前記シムトレイの両端近傍にあるポケットに前記単位量の金属シムを置いたときには前記中心周波数が負方向にシフトすることを示すデータである、ことを特徴とする請求項6に記載の磁気共鳴イメージング装置。被検体の撮像領域に静磁場を発生する円筒状の静磁場磁石と、前記円筒状の静磁場磁石の内側に配設され、前記静磁場に重畳する傾斜磁場を印加電流によって発生する傾斜磁場コイルと、前記円筒状の静磁場磁石の内側に位置と数が変更可能に配置され、前記静磁場の空間的均一性を調整する複数の金属シムと、を備える磁気共鳴イメージング装置の製造方法において、前記複数の金属シムを、複数の制約条件の下で目的関数を最小化する最適化計算によって予め決定された位置と数によって配置し、前記複数の制約条件の中の1つは、温度変化による磁気共鳴信号の中心周波数のシフト量を所定の閾値以下にするというシフト制約条件であり、前記シフト制約条件の中において、前記中心周波数のシフト量と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記目的関数は前記金属シムの総枚数であり、前記複数の制約条件の中の他の1つは、前記金属シムが無い状態で測定された調整前の静磁場強度の不均一性を所定値以下にするという均一性制約条件であり、前記均一性制約条件の中において、前記静磁場の不均一性と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする請求項8に記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記複数の制約条件の他の1つは、前記金属シムの総枚数が所定値以下であるという総枚数制約条件であり、前記目的関数は前記金属シムが無い状態で測定された調整前の静磁場強度の不均一性であり、前記目的関数の中において、前記静磁場の不均一性と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする請求項8に記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記シフト制約条件の中における、前記中心周波数のシフト量と前記金属シムの位置及び数との関連付けは、単位量の金属シムの磁化率が温度変化によって所定量だけ変化したとき、どの程度前記中心周波数をシフトさせるかを金属シムの位置ごとに予め求めた位置依存性シフト量データを使用して行う、ことを特徴とする請求項8に記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記磁気共鳴イメージング装置は、前記静磁場磁石の内側の周方向に沿って略均等間隔に配置される複数のシムトレイであって、それぞれが前記静磁場方向であるその長手方向に複数のポケットを有するシムトレイをさらに備え、前記複数の金属シムは、前記最適化計算によって決定された位置の前記ポケットに、決定された数だけ配置される、請求項8乃至11の何れかに記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記位置依存性シフト量データは、前記ポケットに位置ごとに求められたデータである、ことを特徴とする請求項12に記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。前記位置依存性シフト量データは、前記シムトレイの中央近傍にあるポケットに前記単位量の金属シムを置いたときには前記中心周波数は正方向にシフトし、前記シムトレイの両端近傍にあるポケットに前記単位量の金属シムを置いたときには前記中心周波数が負方向にシフトすることを示すデータである、ことを特徴とする請求項13に記載の磁気共鳴イメージング装置の製造方法。金属シムは静磁場磁石の内側に配置されるが、静磁場磁石の内側には傾斜磁場コイルも配設される。つまり、金属シムは傾斜磁場コイルに隣接して配置されている。撮像が開始されると、傾斜磁場を発生させるためのパルス状の大電流が傾斜磁場コイルに印加され、傾斜磁場コイルの温度が上昇する。この温度上昇に伴って金属シムの磁化率が変化し、この結果静磁場の強度も変化する。静磁場強度の変化は磁気共鳴信号の中心周波数F0の変化となる。上述したシミング調整は通常常温で行われるため、傾斜磁場コイルの温度上昇による中心周波数F0の変化は、調整時の中心周波数からのシフトとなり、この現象をF0シフトと呼んでいる。温度上昇に伴うF0シフトを抑制するため、温度変化に対する磁化率の変化の少ない材料を金属シムの材料とすることが考えられる。例えば、鉄とコバルトの比率が1対1のパーメンジュールpermendurと呼ばれる合金を金属シムの材料とすることが考えられる。しかしながら、金属シムの材料として通常用いられているケイ素鋼板に比べると、パーメンジュールは高価であり、パーメンジュールを金属シムの材料として使用すると装置全体のコストアップとなる。一方、傾斜磁場コイルの温度が規定値以上に異常上昇するのを防止するために従来から冷却装置が用いられているが、この冷却装置の冷却性能を向上させて傾斜磁場コイルの温度上昇をさらに狭い範囲に抑制する手法も考えられる。しかしながら、この手法も冷却装置の規模の増大やコストアップを伴うものである。そこで、装置の規模増大やコストアップなしに、傾斜磁場コイルの温度上昇に伴うF0シフトを抑制することができる磁気共鳴イメージング装置が要望されている。実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、被検体の撮像領域に静磁場を発生する円筒状の静磁場磁石と、前記円筒状の静磁場磁石の内側に配設され、前記静磁場に重畳する傾斜磁場を印加電流によって発生する傾斜磁場コイルと、前記円筒状の静磁場磁石の内側に位置と数が変更可能に配置され、前記静磁場の空間的均一性を調整する複数の金属シムと、を備え、前記複数の金属シムは、複数の制約条件の下で目的関数を最小化する最適化計算によって予め決定された位置と数によって配置され、前記複数の制約条件の中の1つは、温度変化による磁気共鳴信号の中心周波数のシフト量を所定の閾値以下にするというシフト制約条件であり、前記シフト制約条件の中において、前記中心周波数のシフト量と前記金属シムの位置及び数とは互いに関連付けられている、ことを特徴とする。磁気共鳴イメージング装置の実施の形態について添付図面を参照して説明する。1全体構成図1は、本実施形態における磁気共鳴イメージング装置1の全体構成を示すブロック図である。磁気共鳴イメージング装置1は、静磁場磁石22、シムトレイユニット80、傾斜磁場コイル26、RFコイル28、寝台32、制御ユニット30等を備えて構成される。また、制御ユニット30は、静磁場電源40、傾斜磁場電源44X軸用44x、Y軸用44y、Z軸用44z、RF送信器46、RF受信器48、シーケンスコントローラ56、及びコンピュータ58を備えている。さらに、コンピュータ58は、演算装置60、入力装置62、表示装置64、及び記憶装置66を有する。静磁場磁石22は、概略円筒形状をなしており、被検体Pの撮像領域であるボア静磁場磁石22の円筒内部の空間内に静磁場を発生させる。静磁場磁石22は超伝導コイルを内蔵し、静磁場電源40から供給される電流を超伝導コイルに印加することで静磁場を発生する。傾斜磁場コイル26も概略円筒形状をなし、静磁場磁石22の内側に固定されている。この傾斜磁場コイル26は、傾斜磁場電源44x、44y、44zから供給される電流によりX軸,Y軸,Z軸の方向に傾斜磁場を印加するメインコイル26aと、メインコイル22aの漏洩磁場をキャンセルするシールドコイル26bとを有している。メインコイル26aとシールドコイル26bとの間にはシムトレイユニット80が配設されている。シムトレイユニット80には、シムトレイ81が挿入されるスロットが形成されている。シムトレイにはボア内の磁場不均一を補正するための金属シム82が収納されている。シムトレイユニット80やシムトレイ81の構造、及び金属シムについては後述する。RFコイル28は、傾斜磁場コイル26の内側に、被検体Pを挟んで対向するように固定されている。このRFコイル28は、RF送信器46から送信されるRFパルスを被検体Pに照射し、また、水素原子核の励起によって被検体Pから放出される磁気共鳴信号を受信する。寝台32は水平方向に移動可能に構成されており、撮影時には被検体Pを載せてボア内に移動する。RF送信器46は、シーケンスコントローラ56からの指示に基づいて、RFコイル28にRFパルスを送信する。一方、RF受信器48は、RFコイル28によって受信された磁気共鳴信号を検出し、検出した磁気共鳴信号をデジタル化して得られる生データをシーケンスコントローラ56に対して送信する。シーケンスコントローラ56は、コンピュータ58による制御のもと、傾斜磁場電源44、RF送信器46およびRF受信器48をそれぞれ駆動することによって被検体Pのスキャンを行う。そして、シーケンスコントローラ56は、スキャンを行った結果、RF受信器48から生データが送信されると、その生データをコンピュータ58に送信する。コンピュータ58は、磁気共鳴イメージング装置1全体を制御する。具体的には、入力装置62によって操作者から各種入力を受け付ける。そして、演算装置60は、入力された撮像条件に基づいてシーケンスコントローラ56にスキャンを実行させる一方、シーケンスコントローラ56から送信された生データに基づいて画像を再構成する。再構成された画像は表示装置64に表示され、或いは記憶装置66に保存される。2シムトレイユニットの構成図2は、シムトレイユニット80の概略構成を示す図である。前述したように、シムトレイユニット80は、概略円筒状の傾斜磁場コイル26のメインコイル26aとシールドコイル26bの間に挟まれており、シムトレイユニット80自体も概略円筒形状をなす。シムトレイユニット80の周方向には、略均等な間隔で複数のスロット83が形成されている。スロット83の数は特に限定するものではないが、以下では、スロット83の数が24の実施例を説明する。スロット83は、シムトレイユニット80の両端面に開口を形成し、シムトレイユニット80の長手方向長軸方向に全長にわたって形成された貫通穴である。各スロット83には、それぞれシムトレイ81が挿入されており、各シムトレイ81は、シムトレイユニット80の概ね中央部傾斜磁場コイル26の中央部でもあるに固定されている。シムトレイ81は、非磁性かつ非電導性材料である樹脂にて形成され、概略棒状を成す。図3は、シムトレイ81の細部構成例を示す図である。シムトレイ81の長手方向には、連続して形成された複数のポケット81aが形成されている。ポケット81aの数は特に限定するものではないが、以下ではポケット81aの数が15の実施例を説明する。各ポケット81aには、ボア内の撮像領域中間部の静磁場を均一化する目的で、必要な箇所に必要な枚数の金属シム82が収納されている。各金属シム82は、名刺サイズ程度の薄い金属板であり、典型的には、厚さ0.05mm~0.35mm程度のケイ素鋼板である。前述したように、温度変化によるF0シフトを抑制するためには、磁化率の温度変化の少ない材料を金属シム82として使用する方法も考えられる。磁化率の温度変化が少ないという観点からはパーメンジュールのような材料鉄とコバルトの合金の方がケイ素鋼板より有利である。しかしながら、パーメンジュールはケイ素鋼板に比べると高価であり、装置全体のコスト増となる。本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置1は、以下に説明するように、安価なケイ素鋼板を金属シム82として使用しつつも、温度変化によるF0シフトを抑制する手法を提供するものである。3F0シフト抑制が考慮された金属シムの最適配置金属シム82の本来の目的は、各シムトレイ81の各ポケットに収納する金属シム82の枚数を調整し、ボア内の所定の領域において静磁場を均一にすることにある。この調整をシミング調整、或いは単にシミングと呼ぶ。静磁場磁石22は、ボア内の静磁場が可能な限り均一になるように設計製造されるが、現実には、磁石製造誤差やボア周囲の構造物の影響を受けるため、何らかの調整なしに完全な磁場均一性を確保することは難しい。また、静磁場の不均一性は、装置固体間によっても異なり、磁気共鳴イメージング装置1の設置場所の周囲環境によっても異なる。このため、通常、装置の据え付けごとに各磁石特有のシミング調整を行う。従来のシミング調整は概略以下の手順で行われる。まず、シムトレイ81が空の状態でつまり、金属シム82が全く無い状態でボア中央部の多数点の静磁場を測定する。シミング調整前なので測定された磁場は通常均一性は担保されていない。次に、磁場の測定値に基づいて最適化計算を実行する。後述するように、この最適化計算によって、各シムトレイ81の位置、各ポケットの位置毎以下、単に、位置毎と呼ぶ場合があるに、収納すべき金属シム82の枚数が決定される。ここでの最適化計算とは、パラメータxxは通常多変数の関数として目的関数fxと制約条件gxを設定し、制約条件gxを満たしつつ目的関数fxが最小或いは最大となるようなパラメータxを決定する手法のことである。制約条件gxは複数あってもよい。パラメータxを位置毎の金属シム82の枚数とする。そして、制約条件gxとして、磁場の不均一性を表す指標が所定の基準値以下空間的な変動成分が所定の基準値以下であるという不等式を設定する。また、目的関数fxとして金属シム82の総枚数を設定する。この設定で最適化計算を実行することにより、磁場の不均一性が所定値以下に抑制された状態で金属シム82の総枚数が最小となるような位置毎の金属シム82枚数が決定される。上記に換えて、磁場の不均一性を表す指標を目的関数fxとし、金属シム82の総枚数が所定値以下であるという不等式を制約条件gxとして設定してもよい。この場合、最適化計算の結果として、金属シム82の総枚数が所定値以下に抑制された状態で磁場の不均一性が最小となるような位置毎の金属シム82の枚数が得られる。本実施形態の特徴は、温度変化によるF0シフト量が所定の閾値以下となるという制約条件を上記の最適化計算における制約条件の1つとして追加する点にある。制約条件とするためには、温度変化によるF0シフト量を、位置毎の金属シム枚数の関数として記述する必要がある。以下、これも含めて、本実施形態における最適化計算のより具体的な実施例を説明する。前述したように、以下の実施例の説明では、スロット数シムトレイ81の数が24、各シムトレイ81のポケット数が15とする。図4は、位置ごとの金属シム82の枚数を配列した図である。スロット番号ii=1~24、ポケット番号jj=1~15の位置における金属シム82の枚数をsijと表記しているsijは、上記のパラメータxに相当する。図5は、本実施形態に係る最適化計算の処理例を示すフローチャートである。まず、ステップST1で、ボア内の所定の空間の磁場を測定する。測定は適宜の磁場測定器を用いて行う。図6は測定対象領域の概念を示す図である。測定対象領域は、ボア中心部近傍に所定の直径の球例えば、直径50cmの球を設定し、この球を含む領域の磁場BZ_barerθφを図6に示す球座標系で測定する。次に、ステップST2において、目的関数fsijを以下のように設定する。ステップST3では、磁場均一化のための制約条件を設定する。図7は、磁場均一化のための制約条件の一例として、VRMSVolumeRootMeanSquareを求める手順を概念的に示す図である。一般に、ボア内の磁場球座標の理論式は、ルジャンドル関数展開を用いた以下の式で与えられる。ここで、Pnmは、次数m,n0≦m≦nのルジャンドル陪関数である。また、Anm、Bnmは、次数m,nのハーモニクスと呼ばれる値であり、フーリエ級数展開におけるフーリエ係数に類似する量である。次数mn=00が完全に均一な磁場に対応し、次数m≠0n≠0のハーモニクスAnm、Bnmの大きさにより、磁場の不均一性空間的な変動成分が表現される。ステップST1で測定した実測磁場BZ_barerθφと式2で表される磁場の理論式とから、測定値に基づく、金属シム82のない状態調整前の状態でのハーモニクスAnm_bare、Bnm_bare以下、調整前ハーモニクスと呼ぶを求めることができる図7の中段。例えば、測定値を理論式にフィティングすることで調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareを求めることができる。調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareの値が大きい程、その時点調整前での磁場の不均一性が大きいことを意味している。シミング調整は、金属シム82を適正に配置することにより、つまり、適正な位置に適正な枚数だけの金属シム82を配置することにより、磁化率の空間的な分布を補正し、調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareの値を可能な限り小さくすることで磁場の均一性を向上させる手法である。そのためには、位置毎の金属シム82の枚数と補正量調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareをキャンセルする量とを規定し、その上で調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareと、調整後補正後のハーモニクスAnm_shim、Bnm_shimとを関連付けておく必要がある。次の式3及び式4はこの関連付けを示す式である。式3及び式4では、位置毎の金属シム82の枚数sijによるハーモニクスの補正量を次の1次式で規定している。ここで、各1次式の係数αnmijと定数βnmijとは、ハーモニクスの次数mn毎、及び金属シム82の位置ij毎に、予めシミュレーション等によって求められている値であり、最適化計算の過程においては固定の値である。式3及び式4は、それぞれの右辺第2項以降の総和を調整することによって即ち、位置毎の金属シム82の枚数sijを最適化することにより、調整前ハーモニクスAnm_bare、Bnm_bareをキャンセルし減算し、調整後補正後のハーモニクスAnm_shim、Bnm_shimをゼロに近づけることができる、ということを意味している。式3及び式4は、次数mn毎に調整後ハーモニクスの大きさを示す式であるが、調整後の磁場均一性を判断する指標としては、より総合的な指標を用いた方が便利である。そこで、ボア中心部における所定の直径の球表面上におけるrms値VRMS:VolumeRootMeanSquareを磁場均一性の指標とする。VRMSは、次の式6で表される。ここで、ρは球の半径を標準球直径500mmの球の半径で正規化した値である。例えば、半径100mmの球を対象とする時は、ρ=100/500/2=0.4となる。式6、式3、式4から判るように、VRMSは、位置毎の金属シム82の枚数sijの関数となっている。したがって、VRMSが所定の基準値以下となるような不等式を制約条件とし、目的関数金属シム82の総枚数を最小化することにより、位置毎の金属シム82の枚数sijの最適値を求めることができる。制約条件は、例えば、[数6]VRMS≦2ppmpartspermillion式7と設定される図5のステップST3。図5のステップST4では、温度変化によるF0シフト抑制のための制約条件を設定する。前述したように、従来のシミング調整は、磁場の均一性を図ることを目的とするものであり、温度変化によるF0シフト抑制という観点は考慮されていなかった。本実施形態では、温度変化によるF0シフト抑制のための制約条件を、磁場均一のための最適化計算の制約条件に加えることにより、磁場均一性の確保とF0シフト抑制とを同時に実現しており、この点に本実施形態の特徴がある。以下、F0シフト抑制のための制約条件について説明する。本発明者は、同じ枚数の金属シム82であっても、シムトレイ81のポケットの位置によってF0シフトに与える影響が異なってくるという知見をシミュレーション等から得た。図8の上段は、ポケットの位置毎のF0シフト影響を示すグラフである。グラフの横軸はポケットの位置を示すポケット番号である。また、グラフの縦軸は、単位枚数のFOシフト量MHz/枚数をポケット中央ポケット番号8のFOシフト量で正規化した値以下、F0シフト影響係数Kjと呼ぶである。FOシフト量MHz/枚数は、ボア中心図6に示す球の中心における磁場の温度変化をシミュレーション計算により求め、F0シフト量に換算したものである。各ポケット位置におけるF0シフト影響係数Kjは、該当する1つのポケットのみに単位枚数例えば1枚の金属シム82を設置し、他のポケットは空の状態での値を示す。つまり、F0シフト影響係数Kjは、同じ単位枚数の金属シム82に同じ温度変化温度上昇を与えたときのF0シフトを、ポケット位置ごとに求めたものである。図8のグラフからわかるように、シムトレイ81の中央部ポケット番号5~11に配置された金属シム82は、温度上昇時にF0を上昇させるプラス方向にシフトさせる傾向を示す。一方、シムトレイ81の両端部ポケット番号1~4、及び12~15に配置された金属シム82は、温度上昇時にF0を下降させるマイナス方向にシフトさせる傾向を示す。また、シムトレイ81の中央部におけるF0上昇の大きさ絶対値は、両端部におけるF0下降の大きさ絶対値よりも大きいことも図8のグラフからわかる。このことは、全てのポケットポケット番号1~15に同じ枚数の金属シム82を配置すると、全体としてF0を上昇させる温度上昇時ことを意味している。通常、磁場均一性確保のために配置される金属シム82の枚数は、中央部の方が両端部よりも多くなる傾向がある。このため、温度上昇時のF0上昇はより一層大きくなることになる。図8のグラフはボア中心におけるFOシフト量から求めており、また各ポケット位置とボア中心の位置関係はスロット位置に関わらず同じである。したがって、図8のF0シフト影響係数Kjはスロット位置に依存しない。したがって、全ての金属シム82によるF0シフトの総合的な指標として、次の式8に示すF0シフト総影響度Eを定義することができる。Kjは、図8のグラフに示すF0シフト影響係数Kjであり、ポケット番号J=1~4、及びJ=12~15では負の小さな値を示し、J=5~11では正の大きな値を示す。Kjは、前述のようにシミュレーションによって予め求めても良いし、磁場の温度変化の実測値から求めてもよい。式8におけるsijは、式1、式3、式4の中のsijと同じものであり、スロット位置i、ポケット位置j毎の金属シム82の枚数である。F0シフト抑制の観点のみからは、シムトレイ81の中央部の金属シム82の枚数を少なくし、両端部の枚数を多くした方が有利である。しかしながら、金属シム82の本来の目的は磁場均一化である。そこで、本実施形態では、磁場均一化のための制約条件式7は残したまま、次の式9で示す制約条件を追加する手法をとっている。式9の制約条件を追加した上で、目的関数を最小化する最適化計算を行って、F0シフト抑制と磁場均一化の双方の条件を満たす最適な位置毎の金属シム82の枚数sijを最適化計算によって決定するものとしている。図5に戻り、ステップST5では、必要に応じて他の制約条件を設定する。例えば、枚数sijは非負である、との制約条件や、ポケットの深さの制限から、各ポケットにおける枚数sijは所定の枚数以下例えば150枚以下である、との制約条件を設定する。そして、ステップST6において、設定した制約条件の下で目的関数を最小化する最適化計算を実行する。図9は最適化計算の過程を模式的に示す図である。図9の破線枠で囲んだ部分は、ここまでに説明してきた目的関数の設定ステップST2と、制約条件の設定ステップST3~ステップST5を要約したものである。最適化計算の具体的なアルゴリズムは特に限定するものではないが、例えば、目的関数をfx、上述した4つの制約条件をguxu=1~4とし、関数Uを次の式10で規定する。ここで、xは、変数siji=1~24、j=1~15を簡略表記したものである。そして、次の漸化式式11で繰り返し計算を行い、制約条件guxの下で目的関数fxを最小とする位置毎の金属シム82の枚数siji=1~24、j=1~15を求める。式11において、Xは、siji=1~24、j=1~15を要素とするベクトルであり、kは繰り返し計算の繰り返し数を示す。また、∇Uは関数Uの勾配ベクトルであり、∇2は関数Uのラプラシアンである。Xk1とXkとの差のノルムが所定の値より小さくなったとき収束したと判定し、そのときのsiji=1~24、j=1~15を位置毎の金属シム82の最適枚数として決定する。以上説明してきたように、本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置1及びその製造方法によれば、磁場均一化のための制約条件とF0シフトを抑制するための制約条件の下で位置毎の金属シム82の枚数の最適化が行われるため、磁場装置の規模増大やコストアップなしに、傾斜磁場コイルの温度上昇に伴うF0シフトを抑制することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。"