"端子パッドを形成した実装基板に表面が平坦な表面実装用の実装端子が形成された表面実装型の電子デバイスを実装する表面実装型電子デバイスの実装方法であって、前記小孔を設けた前記端子パッドの上層を覆って、前記電子デバイスの実装端子をリフローにより接合するための半田膜を形成し、前記電子デバイスの実装端子を前記実装基板の前記端子パッドに位置付けた状態で前記半田膜を加熱し、リフローすることにより、前記半田膜の溶融で発生する気泡が前記端子パッドの小孔に滞留させ、前記半田膜を固化することで、前記気泡に起因するボイドを前記小孔の部分に形成することを特徴とする表面実装型電子デバイスの実装方法。請求項1において、前記端子パッドの小孔の部分に形成される前記ボイドと前記電子デバイスの実装端子の間に当該実装端子に接合した半田膜を形成することを特徴とする表面実装型電子デバイスの実装方法。表面実装型の電子デバイスを実装する端子パッドを形成した表面実装型の電子デバイスを搭載する実装基板であって、前記端子パッドは、前記実装する電子デバイスの表面実装型の実装端子に対応した配置に形成されており、前記端子パッドの各中心部で、かつ当該端子パッドの表面から前記実装基板の表面に貫通した小孔を有することを特徴とする表面実装型の電子デバイスを搭載する実装基板。請求項3において、前記小孔は各端子パッドに一個形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイスを搭載する実装基板。請求項3において、前記小孔は各端子パッドに複数個形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイスを搭載する実装基板。請求項5において、前記複数の小孔の一つは各端子パッドの中央に形成されていることを特徴とする表面実装型の電子デバイスを搭載する実装基板。実装基板に設ける端子パッドは、表面実装型の電子デバイスの実装端子と当該端子パッドとの両者間に溶着した半田膜を介して接合される。この接合の強度は、半田膜の溶着強度が等しければ、端子パッドと実装端子の接合面の面積が広いほど大きい。したがって、前記した従来技術のように両端あるいは一端が外部に開放した溝を設けると、上記した接合面の面積は少なくなって、その分の接合強度は低下する場合がある。また、上記のような溝が端子パッドに存在すると、実装基板あるいは搭載部品に対して外力の印加や温度ストレスにより、上記の溝部に応力が集中して接合力の分布が不均衡になり、接合部分の分離や接合部にクラックが発生して固着部の破壊や、電子デバイスや実装基板にダメージをもたらす虞がある。本発明の目的は、このような従来技術における課題を解決することにあり、実装基板の端子パッドと電子デバイスの実装端子の接合面の面積を極力低減させることなく、溶融半田に発生する気泡に起因するボイドによる半田接合強度の低下を抑制して、接合部分の強度を接合面の全域でバランスよく維持できる表面実装型電子デバイスの実装方法とその実装基板を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明は、表面実装型の電子デバイスを搭載実装する実装基板に設ける複数の端子パッドの各中心部に気泡を捕獲する小孔を設け、電子デバイスの実装端子外部端子側の表面は平坦のままとして半田リフロー工程で両者を接合することを特徴とする。すなわち、実装基板に設ける複数の端子パッドにのみ設ける小孔は、端子パッドを貫通して基板面に達する。その底部には実装基板の表面が露出している。実装基板はガラスエポキシ板、セラミックス板などの絶縁材料で構成される。端子パッドと実装端子の接合面を共にフラット、すなわち、上記したような溝などを形成しないものでは、半田の溶融で当該半田膜内に発生する気泡は溶融半田膜の中央部分に集まる傾向があることが経験的に分かっている。前記従来技術の技術思想は、発生する気泡を当該端子パッドに形成した溝等を通して外部に放出することで、硬化した半田膜にボイドが形成されることを防止するものである。これに対し、本発明では、リフロー半田の溶融により発生する気泡は、実装基板に設ける複数の端子パッドの中心部に設けた小孔に捕獲される。気泡を捕獲する小孔を実装基板に設ける端子パッド側にのみ設けたことで、溶融した半田は当該小孔の上方にある連続して平坦な実装端子を濡れ流れて当該実装端子の全面に行き渡る。気泡の量がある程度多い場合でも、気泡は半田が存在する実装端子側よりも半田が濡れ難い実装基板の表面側小孔の底に寄る傾向となる。そのため、両者の接合面積は、端子パッドに設けた小孔部分に限定され、接合面積の低減は最小限に抑制される。以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明による表面実装型電子デバイスの一例としての水晶振動子の実装方法その実装基板の実施例1の説明図である。図1aは実装基板に水晶振動子を実装した状態を示す要部断面図、同図bは実装基板に形成された端子パッドランドまたはランドパターンの平面図、同図cは同図aのA部分を拡大して示す模式図である。図1aにおいて、表面実装型の電子デバイスである水晶振動子100は実装基板200に搭載される。水晶振動子100の腹面実装面には複数の実装端子5が設けられており、実装基板200の主面実装面には、実装端子と対応する複数のランドパターン、すなわち端子パッド9が形成されている。実装端子5の全表面全外面は平坦面となっている。一方、実装基板200側の端子パッド9には、図1bに拡大して示したように、その中心部に小孔10が形成されている。小孔10は端子パッド9を基板方向に貫通して当該基板の表面に達し、開口している。本実施例では、図1bに破線で示した水晶振動子100の端子パッド5は、実線で示す端子パッド9より小さいのが一般的であるが、これに限らず、端子パッド9の方が実装端子5よりも小さい場合もある。水晶振動子100など、この種の電子デバイスの基板への実装は、当該基板200の端子パッド9に半田膜12を塗布しておき、この端子パッド9に水晶振動子100を実装端子5が当該端子パッドの位置と一致するよう位置づけした状態で加熱炉、あるいはホットプレートを用いてリフロー処理を施す。リフロー工程において、半田膜12が溶融して水晶振動子100の実装端子5の表面に濡れ広がり、端子パッド9との間に半田膜が満たされる。その後、半田膜が冷えて硬化固化することで水晶振動子100が基板200に実装される。この半田リフロー工程において、半田膜に含まれる溶剤が気化して当該半田膜中に気泡が発生する。この気泡は溶融した半田の中を実装端子5の中心方向に移動し、実装端子5に設けた小孔10に逗留する。リフロー工程の後段で半田膜12が冷えて硬化する過程で気泡8は縮小し、気泡のあった部分にボイドが形成される。図1cは同aのA部分を拡大して示す模式図である。前記したように、半田リフロー工程で溶融した半田は端子パッド9の表面の全域を覆うと共に、実装端子5の表面を小孔10を迂回するように流動して端子パッド9の表面と実装端子5の間を充填して流動する。小孔10の底面水晶振動子の容器本体の表面は溶融半田に対する濡れ性が低いため、小孔10の底面には半田は流れ込みにくい。そのため、気泡が端子パッド9の表面に接していても、この接した部分の気泡と端子パッド9の間を押し広げて流動する。その結果、気泡は小孔10の基板側に寄って留まる。半田の温度が低下し、半田膜12が冷えて硬化したとき、気泡が存在する部分にボイド空間80が形成される。ボイド80は実装基板側に形成される。図1cでは、ボイド80が端子パッド9の表面より高い位置にまで存在しているように図示されているが、このような状態でボイド80が形成されるものに限らず、端子パッド9の表面より低い位置に形成される場合もある。図2は、本発明における電子デバイスの一例である水晶振動子の説明図である。図2aは一部を断面で示す側面図、同図bは実装面である腹面を示す平面図である。この水晶振動子100は容器本体1の内部空間凹部、キャビティとも称するに水晶振動片2が設置されている。容器本体1は多層のセラミック基板からなり、実装面である背面に4個の実装端子55a、5b、5c、5dが設けられている。実装端子5は水晶振動子の外部端子とも称し、この水晶振動子が搭載される機器の実装基板に形成された端子パッド9に半田膜のリフロー処理で接合される。端子パッド9は実装基板に形成された配線回路パターンに接続するランドパターンとも称する部分である。容器本体1は底壁1a、枠壁1bの積層体であり、枠壁1bで囲まれた凹部1cの内底面に設けた水晶端子図示せずに導電性接着剤44a,4bで固定される。水晶片2を取り付けた凹部1cは金属板からなる蓋体7で密封される。なお、図2bで、実装端子5cにのみ向き識別部50を形成してある。この突起は、水晶振動子100の実装時の向きを識別する指標である。図3は、本発明における電子デバイスの一例である水晶振動子を構成する水晶振動片の構成例の説明図である。水晶片2は、略矩形の薄い水晶片の表裏に励振電極22a,2bを形成してある。励振電極22a,2bは引出電極33a,3bで水晶片2の一端に引き出されている。この端部で前記した導電性接着剤44a,4bを用いて凹部1cの内底面に設けた水晶端子に固定される。図4は、本発明の電子デバイスである水晶振動子を実装する実装基板に設けた端子パッドの一例の説明図で、同図aは平面図、同図bは同図aのX-X’線に沿った断面図である。端子パッド99a、9b、9c、9dは前記した水晶振動子の実装端子に対応させた配置と大きさで形成されている。そして、各端子パッド99a、9b、9c、9dの中心部分には小孔1010a、10b、10c、10dが形成されている。実施例1によれば、実装基板200に形成された端子パッド9と電子デバイスである水晶振動子100の実装端子5の間に介在して両者を接合する半田膜12は、端子パッド9に設けた小孔10の位置でも実装端子5の表面に存在する。したがって、小孔を形成しても、両者の接合面積の減少は少なく、接合強度に大幅な低下はない。これに加えて、小孔を端子パッドの中心部に形成したことで、外力印加や温度ストレスによる接続領域の接合強度のバランス崩れが抑制され、水晶振動子の接続不良や破壊などの発生が回避される。図5は、本発明による表面実装型電子デバイスの一例である水晶振動子の実装方法とその実装基板の実施例2の説明図である。ここには、a2つの例を示した。この実施例2では、実装基板200に形成する端子パッドに複数の小孔10を設けたものである。そして、図5aでは、小孔10が全体として端子パッド9の中央部分に集まるように形成される。また、図5bでは、小孔10が端子パッド9の領域内に均一に配置される。この小孔10の1個の構成は前記した実施例1と同様である。実施例2は、複数の小孔を設けたものであるが、これらの小孔は端子パッドの中心に対してバランスよく配置され、そのうちの一個は端子パッド9の中心部に設けるのが望ましい。また、中心部に設ける小孔を他のものより大きくしてもよい。実施例2のその他の工程及び構成は実施例1とほぼ同様なので、説明は省略する。実施例2によっても、実装基板200に形成された端子パッド9と水晶振動子100の実装端子5の間に介在して両者を接合する半田膜12は、端子パッド9に設けた各小孔10の位置でも実装端子5の表面に存在する。したがって、複数の小孔を形成しても、両者の接合面積の減少は比較的少なく、接合強度に大幅な低下はない。そのため、外力印加や温度ストレスによる説具領域の接合強度の低下が抑制され、水晶振動子の接続不良や破壊などの発生が回避される。"