表面に凹凸Aを形成した透明基板と、この透明基板の凹凸面上に成膜され酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜とを備え、この透明導電膜が表面に前記凹凸Aより小さな凹凸Bを有することを特徴とする太陽電池用透明導電性基板。前記凹凸Aの形状は波状であり、かつ前記凹凸Bの形状は多角錐状である請求項1に記載の太陽電池用透明導電性基板。前記透明基板が、ガラス基板または樹脂基板である請求項1または2に記載の太陽電池用透明導電性基板。前記透明導電膜は、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して2超10以下であり、かつチタン源として、一般式:TiO2-XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンを含む酸化亜鉛を主成分とする酸化物焼結体を用いて形成されることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池用透明導電性基板。前記低原子価酸化チタンは、酸化チタンTiOおよび酸化チタンTi2O3から選ばれる請求項4に記載の太陽電池用透明導電性基板。レーザー加工法により透明基板の表面に凹凸Aを作製し、次に、前記透明基板の凹凸面上に、酸化亜鉛を主成分とし前記凹凸Aより小さな凹凸Bを表面に有する透明導電膜を成膜することを特徴とする太陽電池用透明導電性基板の製造方法。前記レーザー加工法に用いられるパルスレーザーは、アルゴンフロライドArFエキシマレーザーである請求項6に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。前記透明導電膜が、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法により形成される、請求項6または7に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。請求項8に記載の透明導電膜の成膜に用いられるターゲットであって、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して2超10以下であり、かつチタン源として、一般式:TiO2-XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンを含む酸化亜鉛を主成分とする酸化物焼結体を加工してなることを特徴とするターゲット。上記のように、これまでに開示された技術を用いた太陽電池は、光取り込み効果、光拡散効果及び光閉じ込め効果は十分ではなく、高い光電変換効率を得ることはできない。そこで、本発明の課題は、上記問題に鑑みなされたものであり、高い光電変換効率を得るためのダブルテクスチャー構造を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を用いた太陽電池用透明導電性基板、その製造方法、およびこれに用いるターゲットを提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決すべく種々検討した結果、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜の表面に対して、光取り込み効果、光拡散効果及び光閉じ込め効果を向上させるような2種類の凹凸のあるダブルテクスチャー構造を形成することにより、高い光電変換効率を得ることができるという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本願発明の要旨は以下のとおりである。1表面に凹凸Aを形成した透明基板と、この透明基板の凹凸上に成膜され酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜とを備え、この透明導電膜が表面に前記凹凸Aより小さな凹凸Bを有することを特徴とする太陽電池用透明導電性基板。2前記凹凸Aの形状は波状であり、かつ前記凹凸Bの形状は多角錐状である前記1に記載の太陽電池用透明導電性基板。3前記透明基板が、ガラス基板または透明樹脂基板である前記1または2に記載の太陽電池用透明導電性基板。4前記透明導電膜は、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して2超10以下であり、かつチタン源として、一般式:TiO2-XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンを含む酸化亜鉛を主成分とする酸化物焼結体を用いて形成されることを特徴とする前記1~3のいずれかに記載の太陽電池用透明導電性基板。5前記低原子価酸化チタンは、酸化チタンTiOおよび酸化チタンTi2O3から選ばれる前記4に記載の太陽電池用透明導電性基板。6レーザー加工法により透明基板の表面に凹凸Aを作製し、次に、その透明基板の凹凸面上に、酸化亜鉛を主成分とし、前記凹凸Aより小さな凹凸Bを表面に有する透明導電膜を成膜することを特徴とする太陽電池用透明導電性基板の製造方法。7前記レーザー加工法に用いられるパルスレーザーは、アルゴンフロライドArFエキシマレーザーである前記6に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。8前記透明導電膜が、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法により形成される、前記6または7に記載の太陽電池用透明導電性基板の製造方法。9前記8に記載の透明導電膜の成膜に用いられるターゲットであって、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して2超10以下であり、かつチタン源として、一般式:TiO2-XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンを含む酸化亜鉛を主成分とする酸化物焼結体を加工してなることを特徴とするターゲット。本発明の太陽電池用透明導電性基板は、表面が大きな波状の凹凸である透明基板と、この透明基板上に表面が該凹凸よりも小さなピラミッド状の凹凸を有する透明導電膜とを有する、すなわち周期の異なる大小2種類の凹凸からなるダブルテクスチャー構造を形成することで、光取り込み効果、光拡散効果、光閉じ込め効果が高く、かつ被覆性が良好な凹凸形状を作成できる高光電変換効率の薄膜太陽電池を製造できる。以下、本発明の太陽電池用透明導電性基板の一実施形態について、詳細に説明する。本発明の太陽電池用透明導電性基板は、表面に凹凸Aを形成した透明基板と、この透明基板の凹凸上に成膜され酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜とを備え、この透明導電膜が表面に前記凹凸Aより小さな凹凸Bを有するダブルテクスチャー構造を形成したものである。このようなダブルテクスチャー構造を有する本発明の太陽電池用透明導電性基板は、周期の異なる大小2種類の凹凸を有することにより、短波長300m程度側から長波長1400m程度側までi光取り込み効果、ii光拡散効果、およびiii光閉じ込め効果を有する。<透明基板>透明基板は、表面に凹凸Aを有する。凹凸Aの形状は、特に限定されず、例えば、半円球状などであってもよいが、光拡散効果の観点から半円球状であるのが好ましく、透明基板の表面は周期的に半円球状凹凸が複数形成された波状であるのが好ましい。凹凸Aが大きさは、例えば、凹凸Aの形状が波状である場合、波底部から波頂部の高さは、通常0.3~2μmであり、好ましくは0.5~1.5μmであるのがよく、波幅は、通常0.5~5μmであり、好ましくは0.8~3μmであるのがよい。凹凸Aの大きさが、上記範囲内であれば、光取り込み効果、光拡散効果、および特に長波長側の光に対する光閉じ込め効果に優れた太陽電池用透明導電性基板とすることができる。透明基板の材質は、前記した短波長から長波長を吸収しない基板であるのが好ましく、ガラス基板、または透明樹脂基板であるのが好ましい。ガラス基板としては、例えば、無アルカリガラス、アルカリガラス等が挙げられる。透明樹脂基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET基板、ポリエチレンナフタレートPEN基板、ポリカーボネートPC基板、ポリイミド基板等の公知の樹脂基板などが挙げられる。<透明導電膜>透明導電膜は、透明基板の凹凸面上に成膜され、表面に凹凸Aより小さな微細凹凸Bを有する。この微細凹凸Bは、後述するように、スパッタリング法等で透明導電膜を透明基板上に成膜する際に、酸化亜鉛の柱状結晶を成膜面に対して垂直方向に成長させることにより形成されるものである。従って、凹凸Bは、上記のように結晶成長によって形成されるため、その形状は特に特定されないが、例えば、四角錐などの多角錐状などである。凹凸Bの大きさは、凹凸Aよりも小さければ特に限定されず、底部から頂部の高さは、通常0.05~0.2μmであり、好ましくは0.07~0.15μmであるのがよく、幅は、通常0.1~0.5μmであり、好ましくは0.2~0.4μmであるのがよい。凹凸Bの大きさが、上記範囲内であれば、光取り込み効果、光拡散効果、および特に短波長側の光に対する光閉じ込め効果に優れた太陽電池用透明導電性基板とすることができる。透明導電膜は、酸化亜鉛を主成分とした酸化亜鉛系透明導電膜であり、チタンをドープした酸化亜鉛系透明導電膜であるのが好ましい。これは、チタンドープ酸化亜鉛系透明導電膜は、10-4Ωcm前半オーダーの低抵抗を示し、化学的耐久性耐熱性、耐湿性に優れ、好適な近赤外領域の透過性に優れるという特長を有しているためである。<太陽電池用透明導電性基板の製造方法>本発明の太陽電池用透明導電性基板の製造方法は、レーザー加工法により透明基板の表面に凹凸Aを作製し、次に、その透明基板の凹凸面上に、酸化亜鉛を主成分とし、前記凹凸Aより小さな凹凸Bを表面に有する透明導電膜を成膜するものである。本発明では、パルスレーザーを用いたレーザー加工法により、透明基板に大きな波状の凹凸Aを形成する。レーザー加工法は、透明基板に、集光レンズで絞ったレーザー光を照射し、透明基板材料の表面を直接加工する。レーザー加工法を用いれば、透明基板の表面に周期的に凹凸Aを形成することができ、例えばサンドブラスト法等を用いて波状の凹凸Aを形成する場合のように、不均一な凹凸になってしまうようなことがない。さらに、一般的な酸又はアルカリ溶液でのエッチングに比べて、前述した凹凸Aの形状や大きさなどを高精度に制御することができる。レーザー加工法に使用するレーザーとしては、透明基板が吸収する波長であれば特に限定されず、例えば、アルゴンフロライドArF;波長193nmエキシマレーザー、クリプトンフロライドKrF;波長233nmエキシマレーザー、フッ素F2;波長157nmレーザー、I線、g線などが挙げられ、透明基板がPET基板またはガラス基板である場合にはArFエキシマレーザーが好ましい。レーザー加工法の具体例として、エネルギー密度を0.5~5J/cm2としたArF波長193nmエキシマーレーザーを集光レンズで絞ったレーザーを、透明基板上に照射することで、基板表面にサブミクロンから数ミクロンオーダーの半円球状の凹凸を形成することができる。透明導電膜の作製方法本発明では、チタンドープ酸化亜鉛透明導電膜を上記の周期的に大きな波状の凹凸Aを形成した透明基板上に形成する。形成方法は、後述する酸化物焼結体またはターゲットを用いてスパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザー堆積PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法等の真空成膜法で形成されることが好ましい。このようにして形成される透明導電膜の表面には、酸化亜鉛の柱状結晶が成長するため、凹凸基板の上にスパッタ成膜すると自然と微細凹凸Bが形成される。形成される凹凸Bの寸法を制御するには、例えば、スパッタ条件を最適化すればよい。また、微細凹凸Bが形成された透明導電膜の上部に、例えば、p型、i型、およびn型のアモルファスシリコン層がCVDにより成膜されても、p型シリコン層の被覆性は良好である。ターゲット本発明のターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことをタブレットと称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含めターゲットと称することとする。本発明のターゲットは、後述する酸化物焼結体を加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化物焼結体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。酸化物焼結体またはターゲットを用いて形成された透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などとを兼ね備えたものであるので、太陽電池の光電変換素子の窓電極だけでなく、例えば、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、酸化物焼結体またはターゲットを用いて形成された透明導電膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。酸化物焼結体本発明において使用される酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなるチタンドープ酸化亜鉛の焼結体である。ここで、実質的とは、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタンおよび酸素からなることを意味する。酸化物焼結体においては、チタンが原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下となるよう含有されていることが重要である。このTi/ZnTiの値が0.02以下となるチタン含有量であると、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不充分となり、しかも、酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物が形成されにくくなるため焼結体の強度が低下し、ターゲットへの加工が困難になる。一方、Ti/ZnTiの値が0.1を超えるチタン含有量であると、後述するように酸化物焼結体中に含まれないことが望まれる酸化チタン結晶相の形成が避けられなくなり、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が低下する。好ましくは、チタンの含有量は、原子数比でTi/ZnTi=0.03~0.09となる量であり、より好ましくは、原子数比でTi/ZnTi=0.04~0.08となる量である。酸化物焼結体は、酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成されるか、または、チタン酸亜鉛化合物相から構成されるのが好ましい。このように酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物相が含まれていると、焼結体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件高電力などで成膜してもクラックを生じることがない。ここで、チタン酸亜鉛化合物相とは、具体的には、ZnTiO3、Zn2TiO4のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Zn/Ti比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。また、酸化亜鉛相とは、具体的には、ZnOのほか、これにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。酸化物焼結体は、実質的に酸化チタンの結晶相を含有しないことが好ましい。酸化物焼結体に酸化チタンの結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗などの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがある。酸化物焼結体は、上述したTi/ZnTiの値が0.1以下であるので、通常、チタンが酸化亜鉛に完全に反応し、酸化物焼結体中に酸化チタン結晶相は生成されにくい。なお、酸化チタンの結晶相とは、具体的には、TiO2、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化物焼結体は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素以下、これらを添加元素と称することもあるをも含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、この酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗に加え、酸化物焼結体自体の比抵抗も低下させることができる。例えば、直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存し、酸化物焼結体自体の比抵抗を下げることにより、成膜時の生産性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。前記添加元素は、酸化物の形態で酸化物焼結体中に存在していてもよいし、前記酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよいし、前記チタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび/または亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよい。酸化物焼結体は、必須元素である亜鉛およびチタンや、前記添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.5以下であることが好ましい。酸化物焼結体の比抵抗は、5kΩcm以下であることが好ましい。例えば、直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存するので、酸化物焼結体の比抵抗が5kΩcmを超えると、直流スパッタで安定的な成膜を行えないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、酸化物焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には100Ωcm以下であるのがよい。以上のような酸化物焼結体は、後述する酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。例えば、チタン金属と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタン粉と亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末として得られたものであってもよい。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。酸化物焼結体の製造方法酸化物焼結体の製造方法は、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉及び/またはチタン酸亜鉛化合物粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上述した酸化物焼結体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉、もしくはチタン酸亜鉛化合物粉を含むものであればよく、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉と、チタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。上述したように、例えば、チタン金属と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタン粉と亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末としても、酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまい、ターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。前記酸化チタン粉としては、4価のチタンからなる酸化チタンTiO2、3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3、2価のチタンからなる酸化チタンTiO等の低原子価酸化チタンの粉末を用いることができ、特にTi2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ti2O3の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。ここでいう低原子価酸化チタンとは、TiO、Ti2O3IIIのように、原子価が2価または3価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2-XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンをいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの1種を単独で用いてもよく、あるいは2種以上の混合物を用いてもよい。なお、前記低原子価酸化チタンの構造は、X線回折装置X-RayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析によって確認することができる。Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2-XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスまたは結晶構造のいずれであってもよい。前記チタン酸亜鉛化合物としては、ZnTiO3、Zn2TiO4等の粉末を用いることができ、特に、Zn2TiO4の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ5μm以下であることが好ましい。前記原料粉末として、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、もしくは酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉と、チタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるのであるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末は成形される前に、粉砕処理が施されてもよい。粉砕処理が施されることで、原料粉末は幅の狭い粒度分布に整えられ、後述する焼結において、均一に固相焼結させることができ、密度の高い酸化物焼結体を得ることができる。粉砕処理する方法としては、特に限定されず、例えば、メディアを使用する場合、ビーズミル、ボールミル、遊星ミル、サンドグラインダー、振動ミルまたはアトライター等の装置を備えた粉砕機による方法、メディアを使用しないジェットミル、ナノマイザー、スターバースト等の湿式超高圧微粒化装置による方法などが挙げられる。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。水系溶媒は、水を主成分とし、水単独であってもよいし、水とメタノール、エタノールなどのアルコールなどとの混合物であってもよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、大気雰囲気、不活性雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、600~1500°Cで行なう。そして、大気雰囲気または酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この大気雰囲気中または酸化雰囲気中で焼結した後に施す還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、1000°Cまでは5~10°C/分とし、1000°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等方圧加圧法HIP法、冷間等方圧加圧法CIP法、マイクロ波焼結法、ミリ波焼結法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成ZnとTiとの原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。透明導電性基板このようにして、透明基板とチタンドープ酸化亜鉛透明導電膜とのダブルテクスチャー構造を有する、光取り込み効果、光拡散効果および光閉じ込め効果に優れた透明導電性基板が得られ、太陽電池用透明導電性基板として極めて優れた性能を有する。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。<ヘイズ率>ヘイズ率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて直線透過率、拡散透過率を測定し、計算により求めた。ヘイズ率=100×拡散透過率-直線透過率/拡散透過率<耐湿性>透明導電性基板を、温度60°C、相対湿度90の雰囲気中に1000時間保持する耐湿試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐湿試験後の表面抵抗が、耐湿試験前の表面抵抗の2倍以下であると、耐湿性に優れると言える。<耐熱性>透明導電性基板を、温度200°Cの大気中に5時間保持する耐熱試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐熱試験後の表面抵抗が、耐熱試験前の表面抵抗の1.5倍以下であると、耐熱性に優れると言える。<耐アルカリ性>透明導電性基板を、3のNaOH水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。<耐酸性>透明導電性基板を、3のHCl水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。実施例1エネルギー密度を1.2J/cm2としたArFエキシマレーザー波長:193nmを用い、集光レンズで絞ったレーザー光をPET基板厚さ:300μmに直接照射することによって、PET基板の表面に波状の凹凸Aを作製した。このレーザー加工をする前のPET基板の表面、およびこのレーザー加工をした後のPET基板の表面を電界放射型走査型電子顕微鏡FE-SEMにより観察し、FE-SEMによる電子顕微鏡写真をそれぞれ図1、図2に示す。凹凸Aを形成したPET基板の表面に以下のスパッタ法によりチタンドープ酸化亜鉛透明導電膜を成膜した。透明導電膜の成膜方法は以下の通りである。<酸化物焼結体の製造>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。得られた円盤状の成形体をAr不活性雰囲気中にて5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体1を得た。得られた酸化物焼結体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3であったTi/ZnTi=0.03。この酸化物焼結体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンの結晶相は全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体1を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により、PET基板上に透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび表面に凹凸を形成したPET基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度130°CPET基板の耐熱性が低いための条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。透明導電膜の表面に、酸化亜鉛の柱状結晶によるピラミッド状の微細凹凸Bが形成されていることを電子顕微鏡により確認した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.8×10-4Ωcmであり、表面抵抗は11.6Ω/□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.5倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.4倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。ダブルテクスチャー構造の確認を電界放射型走査型電子顕微鏡FE-SEMにより行った。FE-SEMによる電子顕微鏡写真を図3、図4、図5に示す。この図3~5から、透明導電膜はPET基板に形成された凹凸Aの面に対して垂直方向に成長いわゆるC軸成長しているのがわかる。凹凸のピッチ幅について、波状の大きい凹凸Aのピッチ幅は約1μm程の間隔にあり、高さが約0.5μmであった。また、ピラミッド状の小さい凹凸Bの幅は約0.1μm程の幅で膜全体に形成されており、高さが約0.05μmであった。これらの二段階の工程により、レーザー加工したPET基板による波状の大きいピッチの凹凸Aと、チタンドープ酸化亜鉛透明導電膜の結晶成長によるピラミッド状の小さいピッチの凹凸Bを有するダブルテクスチャー構造が形成されていることが確認された。次に、拡散透過率、直線透過率300~1500nmを測定した結果を図6示す。さらにこれら結果から、以下の式により、ヘイズ率を計算した結果を図7に示す。ヘイズ率=100×拡散透過率-直線透過率/拡散透過率図6に示すように、500~1500nm程度の近赤外領域において80ぐらいの透過性を示しており、高透過性であることがわかる。図7に示すように、ヘイズ率は長波長にいくに従い低下しているが、太陽光スペクトルの有効波長である400~900nmにおける平均は80と大きな値であることがわかった。これら結果から、光取り込み効果、光拡散効果及び光閉じ込め効果に極めて有効であることがわかった。以上、透明基板と透明導電膜からなるダブルテクスチャー構造の本発明の透明導電性基板は、低抵抗かつ、化学的耐久性耐湿性、耐熱性に優れ、近赤外領域まで透過性が優れ、光拡散効果及び光閉じ込め効果に優れていることがわかった。比較例1凹凸を形成していないPET基板上にスパッタ法によりチタンドープ酸化亜鉛透明導電膜を成膜した他は、実施例1と同様にして透明導電性基板を得た。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.8×10-4Ωcmであり、表面抵抗は11.6Ω/□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.5倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.4倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。以上、比較例1で得られた透明導電膜は、低抵抗かつ、化学的耐久性耐湿性、耐熱性に優れ、近赤外領域まで透過性が優れていたが、PET基材に凹凸構造がないので、透明導電膜表面は平滑のままであった。そのため、比較例1で得られた透明導電性基板は、直線透過率と拡散透過率は同一なので、ヘイズはなく、光拡散効果及び光閉じ込め効果は認められなかった。