"コレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160を含むシリコンカーバイドのバイポーラ接合トランジスタ100の製造方法であって、前記ベース領域及び前記エミッタ領域によって形成されたベースエミッタ接合と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーン145との間に配置された半導体材料の中間領域180を設けるステップを含み、前記中間領域のドーピングレベルを増加し、それにより、真性ベース領域からコンタクトゾーンへの少数キャリアの拡散電流の減少を引き起させて、前記コレクタ領域における伝導度変調の程度が増加され、前記中間領域のドーピングレベルが少なくとも1×1018cm3であることを特徴とする方法。前記中間領域は前記ベース領域の受動部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記中間領域がベースエミッタ接合のエッジ162と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。少数キャリアの拡散電流に影響を与える別のパラメータは中間領域の大きさWであり、前記大きさは、前記ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離に相当することを特徴とする請求項1~3いずれか1に記載の方法。前記中間領域は、前記ベース領域の受動部に位置するベース領域の少なくとも一部を除去するステップと、前記バイポーラ接合トランジスタの最上に半導体材料の層を設けるステップと、エミッタ領域の最上に設けられた半導体材料の層を除去するステップと、の処理ステップに応じて形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1に記載の方法。前記中間領域は、前記コレクタ領域の最上に半導体材料の層を設けるステップと、前記半導体材料ベースとエミッタ領域に対応する位置での半導体材料の層を除去するステップと、の処理ステップに応じて形成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1に記載の方法。コレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160を含むシリコンカーバイドのバイポーラ接合トランジスタ100であって、前記ベース領域及び前記エミッタ領域によって形成されたベースエミッタ接合と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーン145との間に配置された半導体材料の中間領域180を含み、前記中間領域のドーピングレベルを増加させることは、真性ベース領域からコンタクトゾーンへの少数キャリアの拡散電流を減少を引き起させ、前記中間領域のドーピングレベルは少なくとも1×1018cm3であることを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。前記中間領域は、ベース領域の受動部に設けられていることを特徴とする請求項7に記載のバイポーラ接合トランジスタ。前記中間領域は、ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間に配置されていることを特徴とする請求項7又は8に記載のバイポーラ接合トランジスタ。コレクタ領域における伝導度変調の程度を決定する別のパラメータは中間領域の大きさWであり、前記大きさは、前記ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離に相当することを特徴とする請求項7~9いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。前記ベースエミッタ接合のエッジとベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離は、少なくとも5マイクロメートルであることを特徴とする請求項10記載のバイポーラ接合トランジスタ。前記中間領域の半導体材料のドーピングレベルは5×1018~1×1020cm3の範囲内、好ましくは約1×1019cm3であることを特徴とする請求項7~11いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。垂直型BJTであり、伝導度変調の程度を決定するパラメータは中間領域の横幅であることを特徴とする請求項7~12いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。本発明は、上記の考慮事項に関するものを克服するためになされている。更に、発明者は、SiCBJTのほとんどの動作が伝導損失及びスイッチング電力損失間のトレードオフを要し、SiCBJTにおける伝導度変調の程度が有利に制御することがで得るであろうことを認識している。したがって、本発明の目的は、SiCBJTの伝導度変調の程度を制御することができる方法及び装置を提供することである。具体的に本発明の目的は、電気伝導及びスイッチングに伴う電力損失が低減されるようなSiCBJTとそのSiCBJTの製造方法を提供することである。本発明のこの目的及び他の目的は、独立請求項で定義された機能を有する方法及び装置によって達成される。本発明の好ましい実施形態は、従属請求項によって特徴付けられる。従って、本発明の第1の態様によれば、SiCBJTを製造する方法が提供される。SiCBJTは、コレクタ領域、ベース領域及びエミッタ領域を備えている。この方法は、ベースエミッタ接合とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンとの間に配置された半導体材料の中間領域を設けるステップを含む。ベースエミッタ接合はベース領域とエミッタ領域によって形成される。この方法では、コレクタ領域における伝導度変調の程度は、中間領域内の少数キャリアの拡散電流に影響を与える中間領域の少なくとも1つのパラメータを調整することによって、決定される。第2の発明によれば、SiCBJTが提供されている。SiCBJTは、コレクタ領域、ベース領域及びエミッタ領域を備えている。SiCBJTは、更にベースエミッタ接合とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンとの間に配置された半導体材料の中間領域を含む。ベースエミッタ接合はベース領域とエミッタ領域によって形成される。このBJTでは、中間領域内の少数キャリアの拡散電流に影響を与える中間領域の少なくとも1つのパラメータは、コレクタ領域における伝導度変調の程度を決定するように構成される。本発明は、ベースエミッタ接合とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンまた、以下においてベースコンタクトと呼ばれるとの間に半導体材料の中間領域を設けることと、ベースエミッタ接合部からベースコンタクトへの少数キャリアの拡散に影響を及ぼす中間領域の少なくとも1つのパラメータを調整すること、によって、SiCBJTのコレクタ領域における伝導度変調の程度が決定できることの知見を利用している。ベースエミッタ接合を形成するために使用されるベース領域の一部すなわち、エミッタ領域に界面で接するベース領域の一部すなわち、BJTの基本又はメイン動作に関与するベース領域の一部は、ベース領域の活性部又は真性部分とも呼ばれ、ベース領域の残りの部分は受動部又は非真性部分として呼ばれる。本発明においては、中間領域がベース領域の受動部に配置され、すなわち、領域がベースエミッタ接合のエッジとベースコンタクトのエッジとの間に位置する。本発明によれば、ベース領域の活性部からベースコンタクトへの少数キャリアの拡散電流が制御され、それによって、順方向バイアス状態下のコレクタ領域におけるキャリアの注入とコレクタ領域における伝導度変調の程度を決定するようにして、中間領域の少なくとも1つのパラメータは、調整、設定されている。例えば、コレクタとエミッタ領域がn型SiCで作られベース領域がp型SiCで構成されているNPNBJTを参照すると、中間領域は、ベース領域の活性部からベースコンタクトへの電子の抽出を低減し、それによって、エミッタ領域からコレクタ領域へ電子注入を増やし、コレクタ領域における伝導度変調の量を増加させ又はその逆になるように構成される。実際、ベースコンタクト例えば、オーミック接触で又はベースコンタクト下に配置された層内でのキャリアの再結合は、ベースコンタクト界面における少数キャリアの密度がその平衡値に達するほど高い可能性があり、これは中間領域の少数キャリア密度と比較して無視すなわちゼロで近似できると仮定することができる。ベース領域の活性部からベースコンタクトへの少数キャリアの抽出及びこのような伝導度変調の程度の原因は、中間領域の少数キャリア密度ベースエミッタ接合部からベースコンタクトへの方向の傾きのためである。中間領域内の少数キャリアの拡散電流は、中間領域の物理パラメータを調整することによって制御することができる。本発明は、伝導度変調の程度がSiCBJT内で決定制御され得るという点で有利である。特に、本発明は、コレクタ領域内の強化された伝導度変調を有することによって通常の動作条件下での順方向電圧降下のVCESATを減少させたSiCBJTを製造する方法を提供するという点で有利である。更に、本発明は、伝導度変調の程度がSiCBJT内で決定される方法を確立されるという点で有利である。より具体的には、本発明は、SiCBJTの設計においてどの領域が伝導度変調の程度を決定するかを確立する。また、本発明は、高コレクタ電流における伝導電力損失を低減する可能性を提供するという点で有利である。本発明は、過電流状態の限られた期間中の電力消費を低減することにより最大デバイス温度を低減し、装置の堅牢性を向上させるために特に有用であり得る。更に、本発明は、SiCBJTの製造する方法と伝導損失及びスイッチング電力損失間の改善されたトレードオフが得られるSiCBJTとを提供するという点で有利である。より具体的には、本発明は伝導度変調の制御可能な程度を有するSiCBJTを提供するので、BJTの伝導度変調が増加した場合、順方向状態下での伝導に関する電力損失が低減されつつスイッチングに関連したものが増加し、またその逆も成り立つ。実施形態によると、中間領域の少数キャリアの拡散電流に影響を与える物理的なパラメータは中間領域の大きさでもよく、その大きさは、ベースエミッタ接合のエッジとベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離に相当する。本実施形態は、中間領域の特定のパラメータがBJTのコレクタ領域における伝導度変調の程度を決定することができることを確定するという点で有利である。特に、中間領域の少数キャリア密度の勾配及びこのような少数キャリアの拡散電流がエミッタエッジとベースコンタクトの間の距離に比例している表面再結合又はバルク再結合が拡散長を大幅に削減するのに十分な大きさではないと仮定して、ことが認識されている。例えば、少数キャリアの拡散電流がベースエミッタ接合とベースコンタクトの間の距離を大きくすることすなわち中間領域の大きさを増やすことで低減され得ることよって、ベース領域の活性部からベースコンタクトへの少数キャリアの抽出を減らし、こうして、伝導度変調の量を増やすことが想定される。有利には、ベースエミッタ接合とベース領域を電気的に接触させるコンタクトゾーンとの間の距離は、BJTのコレクタ領域内の一部の伝導度変調を設けるそしてまだ効率的なスイッチング特性を維持する目的のために、少なくとも5マイクロメートルとしてもよい。意図する動作、特に目標とする電気伝導及びスイッチングに伴う電力損失間のトレードオフに応じて、伝導度変調の十分な範囲を得るために、ベースエミッタ接合及びコンタクトゾーンの間に5マイクロメートルを超える例えば、6~20マイクロメートルの範囲、好ましくは、8~15マイクロメートルの範囲の距離を提供する中間領域を有するSiCBJTを設計することが想定されている。別の実施形態によると、少数キャリアの拡散電流に影響を与える物理的なパラメータは中間領域の半導体材料のドーピングレベルでもよく、これは、中間領域ベース領域の非真性部分の増加されたドーピングレベル又はドーピング濃度がベース領域のこの部分での少数キャリアの密度少数キャリアの密度は多数キャリアの局所密度で割った真性キャリア密度の二乗に比例しているを減少させ、それにより少数キャリアの拡散電流を減らすこと、及びその逆のことができるという点で有利である。特に、中間領域の半導体材料のドーピングレベルは、少なくとも1×1018cm3であり得る。意図する動作に応じ、特に目標とする電気伝導及びスイッチングに伴う電力損失間のトレードオフに応じて、中間領域でのドーピングレベルが1×1018cm3より大きく、例えば5×1018cm3から1×1020cm3の範囲であり、好ましくは約1×1019cm3であるSiCBJTを設計することが想定される。BJTにおける伝導度変調の程度の制御又は測定は、中間領域の大きさそして、それによるベースエミッタ接合とベースコンタクト間の距離を調整することによって、又は、中間領域のドーピングレベルを調整するよって、なされると別々に上記したが、それはまた、伝導度変調の程度は両方のパラメータを調整することによって決定することができることが想定される。言い換えると、2つの詳細な設計概念が伝導度変調の程度を決定するために説明されているものの、これら2つの設計概念の組み合わせも想定される。2つの設計概念の組み合わせは有利で有り得る、なぜならば中間領域ベースエミッタ接合とベースコンタクト間の距離の大きさの調整増加などがいわゆるSiCBJTのセルピッチ、すなわちSiCBJTセルの密度距離の増加に対して減少するに影響を与えるからである。したがって、2つの設計概念は、伝導度変調の程度とSiCBJTのセルピッチ間の所望のトレードオフ好適な最適トレードオフを取得するために組み合わせることができる。本発明の第1の態様に応じたSiCBJTを製造する方法に特に参照すると、中間領域は次の処理手順に従って形成され得る。ベース領域の受動部に位置するベース領域の少なくとも一部は削除され、そして、半導体材料の層これ中間領域が作られることになっているがBJTの上部に設けられる。その後、エミッタ領域の上部に設けられた半導体材料の層が除去される。その結果、ベース領域の受動部が新たに設けられた半導体層、すなわち中間領域、で置き換えられる。ドーピングレベルと中間領域の大きさは、SiCBJTの意図された動作に適合させることができる。あるいは、中間領域は、コレクタ領域の上に半導体材料の層を設け、ベース領域とエミッタ領域の活性部に対応する位置の半導体材料の層を除去することにより形成することができる。これらの2つの選択肢についての更なる詳細は、以下の説明において説明する。SiCBJTにおいて、中間領域はベース層の受動領域の一部を置換するように配置されている。中間領域はベース層の表面からコレクタ領域に向かって垂直に延在している。こうして、例えば、少なくとも1×1018cm3への中間領域のドーピングレベルの調整に基づいた実施形態において、ベース層の受動領域の表面に半導体材料のドーピングレベルは少なくとも1×1018cm3であるすなわちエミッタベース接合のレベルで。一般的に、本出願において、本発明の第2の態様及びその実施形態により画定されているようなSiCBJTに関する効果及び特徴は、本発明の第1の態様に係る方法に関して説明されているものとほぼ類似している。したがって、本明細書中に記載以外の実施例を作成するために、本発明の第1の態様に記載の方法を参照して説明した実施形態では、任意の特徴は、本発明の第2の態様によるSiCBJTと組み合わせることができ、その逆とすることが理解されるであろう。本発明の更なる特徴、目標及び利点は、以下の詳細な開示、図面及び添付の特許請求の範囲を検討することで、明らかになるであろう。本発明の別の特徴は、以下に記載したもの以外の実施形態を作成するために組み合わせることができることが理解されるであろう。[図面の簡単な説明]本発明の上記と同様に追加の本発明の目的、特徴及び利点は、本発明のより良い好ましい実施形態の以下の例示的かつ非限定的な詳細な説明によって添付図面を参照しながら理解されるであろう。すべて図は概略であり一定の縮尺ではなく、一般的に、本発明を解明するために必要な部分のみ表示し、他の部分が省略されている場合があり、又は単に提案されるものである。[詳細な説明]図1を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図1はSiCBJT100を示し、SiCBJT100は基板110上に配置されたコレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160とを備えており、ベース領域140がコレクタ領域120とエミッタ領域160の間に配置されている。具体的に、図1は垂直型NPNBJT100の概略断面図を示し、コレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160は互いの上に重ねられている。BJT100は、コレクタ領域120に電気的につながるコレクタコンタクト125と、ベース領域140に電気的につながるベースコンタクト145と、エミッタ領域160に電気的につながるエミッタコンタクト165と、を含む。垂直型BJTは2つのpn接合を有し、一方が本出願にてコレクタベース接合と呼ばれるコレクタ領域120とベース領域140との間の境界にあるものであり、他方が本出願にてベースエミッタ接合と呼ばれるベース領域140とエミッタ領域160との間の境界にあるものである。コレクタベース接合とベースエミッタ接合がBJTの2つの感応活性領域である。順方向状態下において、自由キャリアNPN型BJTの場合において電子がエミッタ領域からベース領域140に注入されるように、正の電圧がベースエミッタ接合に印加される。NPN型バイポーラトランジスタにおいて、正電荷キャリア又は正孔が多数キャリアであるp型にドープされた材料でベース140が作られているので、電子は少数キャリアと呼ばれている。BJTは低い順方向電圧降下VCESATを得るに十分で大量なベース電流でそのオン状態多くの場合、飽和とも呼ばれるで動作するので、コレクタベース接合は正孔がベース領域140からコレクタ領域120に注入されるように順方向にバイアスされる。また、ベースエミッタ接合が順方向にバイアスされ、そしてエミッタ領域160からベース領域に140へ注入される電子はベース領域140を通して拡散し、そしてコレクタ領域120に到達する。したがって、BJTの設計は電子と正孔の両方のコレクタ領域120への注入を可能なし、コレクタ領域120内のキャリアの蓄積を引き起こし、それによって伝導度変調をなす。本願において、用語垂直は一般的に、BJTの製造時におけるBJTを形成する層や領域の成長方向、コレクタ層120とベース層140とエミッタ層160が互いの上に、この順序で、成長されている方向を言う。コレクタ領域120内の伝導度変調の程度の制御を有効にするために、BJT100は、ベースエミッタ接合又は図示されるようなエミッタ領域160のエッジ162とベース領域140に電気的につながるコンタクトゾーン145との間に配置された半導体材料の中間領域180を有する。言い換えれば、中間領域180は、ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域140に電気的に接触するコンタクトゾーン145のエッジとの間、すなわち、ベース領域140の受動部すなわちベース領域の部分がエミッタ領域160とインターフェース連結しない内に配置されている。中間領域180がエミッタエッジ162に最も近いベースコンタクト145のエッジよりも長く延長しないように図1に示されているが、それは、図6e及び7dに更に示されるように中間領域がベースコンタクト145の下に延長することができることが想定されると、理解されるであろう。図1を参照すると、中間領域180の大きさ横方向はWとして示され、これはベースエミッタ接合のエッジ又は側面162とベースコンタクト145の間の距離に対応する。横方向の大きさは、基板110上の複数層の成長方向と略直交する方向になるように画定される。垂直方向にすなわちデバイスの層の成長方向に沿って、中間領域180は、BJTの表面エミッタ領域160によって覆われないベース層140の表面であり、この表面はベースエミッタ接合の垂直レベルに相当するからコレクタ領域120に向かって延長するように配置されている。更に、図6及び図7に記載されるように、中間領域180は、好ましくはベース層140を通して伸び、コレクタ領域120に到達している。言い換えれば、中間領域180は、ベース層140の受動領域の一部を構成している。本発明によれば、コレクタ領域120における伝導度変調の程度は、中間領域180内の少数キャリアの拡散電流に影響する中間領域180の少なくとも1つのパラメータを調整することにより決定される。NPNBJTの場合、中間領域180は、ベース領域140の真性部分からベースコンタクト145への電子の拡散電流を決定するように構成される。本出願において、中間領域180内の少数キャリアの拡散電流に影響する中間領域180のパラメータは、図2~図5を更に参照して記載されるように、一般的に、中間領域180の大きさや幅やドーピング濃度などの物理的なパラメータである。特に、中間領域180内の少数キャリアの拡散電流の低減がコレクタ領域120内の伝導度変調の増加をもたらすが、これは、エミッタ領域160からベース領域140に注入されたキャリアがベースコンタクト145での再結合過程に巻き込まれることが少ないからである。さらに図1を参照して説明される垂直型BJT100を参照すると、中間領域180内の少数キャリアの拡散電流の減少は、ベース領域140からベースコンタクト145への少数キャリアの横方向の抽出を低減させ、それによってキャリアの垂直注入とコレクタ領域120内の伝導度変調量を増やす。図1を参照して説明されるようなSiCBJT100の形成処理に移ると、例示であって非限定的実施例であるが、通常は3インチ又は4インチの低抵抗のn型ドープSiCのウェハ例えば4H-SiCが出発原料としてすなわち基板110として用いられてもよい。デバイスプロセスはエピタキシャル成長したNPN構造に基づくものであってもよく、コレクタ領域120はn型ドープ半導体材料で作られ、ベース領域140はp型ドープ半導体材料で作られ、エミッタ領域160はn型ドープ半導体材料から作られる。SiCBJTのそれぞれのドーピング濃度は、通常、約10~20μmの厚さのコレクタ領域120では1015cm3のオーダーで、約300nm~1μmの厚さを有するベース領域140では1017cm3のオーダーで、約500nm~2μmの厚さを有するエミッタ領域530では1019cm3のオーダーである。オーミック接触125及び165は、ニッケルの堆積後に続く800°Cから1100°Cの温度範囲内のアニールによって、それぞれ、n型ドープエミッタ領域及びコレクタ領域120及び160上に作成することができる。p型ベース領域140へのオーミック接触は、ニッケルコンタクトの形成のために使用されたものと同じ範囲内の温度で、アルミニウムAlから成る合金をアニーリングすることによって作成することができる。Alは、金属化における直列抵抗を低減し、チップの上面側にワイヤボンディングを可能にするために、それぞれ、ベースの上部とエミッタコンタクト145及び165上に堆積させることができる。ニッケル及び金からなる金属系は、従来のダイ連結技術と互換性を持たせるために、チップ裏面に堆積させることがでる。アルミニウムイオン注入の別のステップはまた、低抵抗ベースコンタクトを設けて、高電圧ブロッキング能力を持つ接合終端拡張JTEを形成するために使用することができる。JTEの注入量は、ブロッキング性能を得るために1013cm2のオーダーであることが好ましい。注入されたドーパント原子の活性化のためのアニールは、1600°C~1700°Cの温度範囲で行うことができる。デバイス100の表面パッシベーションもまた、SiCとSiO2表面パッシベーション層との界面に低欠陥密度を達成するための改良された条件の下でSiCの熱酸化により行うことができる。図2~図5に移ると、SiCBJTのコレクタ領域における伝導度変調の程度を制御するための2つを超える具体的な設計概念を説明する。図2を参照すると、本発明の実施形態による中間領域の大きさの変化や調整に基づく、伝導度変調の程度を制御するための設計概念が記載されている。図2は、SiCBJT200の模式的断面を示し、これは、中間領域280が図1に示す中間領域180より、ベースエミッタ接合とベースコンタクト145ベースとの間に更に大きな距離Wを設けた以外、図1を参照して説明したSiCバイポーラトランジスタ100と同一である。図2はまた、少数キャリアの密度、すなわち、中間領域280の横方向の大きさの関数としてのNPNトランジスタのための電子密度を示しているが、その大きさは、エミッタ160又はベースエミッタ接合とベースコンタクト145の間の最も近い距離Wに対応している。この点において、ベースコンタクト界面での、すなわち図2で示されるようなx=0での電子密度は、無視できるすなわちほとんどゼロで近似されると仮定されるその平衡値に達すると考えられ、それは、オーミック接触におけるキャリア再結合が非常に高いからである。更に、ベースエミッタ接合での、すなわち図2で示されるようなx=0でのエミッタエッジ又はエッジ162での電子密度は、次の式に従って決定され得る。ここで、n0は上記のようなx=0での電子密度であり、qは1.6×1019Cを有する電子の電荷の大きさであり、VBEはベース領域140とエミッタ領域160の間に印加された電圧であり、Kはボルツマン定数1.38×1023J.K1であり、Tは温度である。電子密度の勾配と電子の拡散電流とは直接比例しているので、電子の拡散電流は、x=0でのエミッタエッジとx=Wでのベースコンタクトとの間の距離に反比例するその表面再結合又はバルク再結合が著しく拡散長を低減するために十分な大きさではないと仮定した場合。次に図1を参照すると、中間領域180を通した電子密度は、すなわちエミッタエッジ162とベースコンタクト145との間の距離の関数としても表現される。この特定の設計概念によると、図1と図2を比較すると、中間領域180及び280における電流の電子拡散のそれぞれは、エミッタエッジ162とベースコンタクト145のエッジの間の距離Wに依存する。特に、図2に示される長い距離は電子の横方向の拡散電流を減らし、順に電子の抽出を減らし、それにより垂直方向の電子の注入及びコレクタ領域120内の伝導度変調の量を増大させる。意図された動作に応じて、デバイス内の伝導度変調の程度を決定するため、SiCBJTの電気伝導及びスイッチング特性に関する電力損失間のトレードオフを考慮して、中間領域の大きさは、BJTの製造中に調整され得る。更に中間領域の横方向の大きさ又は幅の効果を示すために、図3は、中間領域がベースエミッタ接合とベースコンタクトの間の距離Wそれぞれ2μm、4μm及び8μmマイクロメートルを備えることを除いて、同一のSiCBJTに対して10A/cm2のベース電流IBでもって温度150°CでシミュレートされたI-V特性A、B、Cの比較を示す。シミュレーションの結果は、通常の動作順方向電流密度250A/cm2での順方向電圧降下VCESATが8μmの距離曲線Cに対して0.52Vであり、これは2μmの距離曲線Aに対する順方向電圧降下VCESAT=0.87Vより40より小さいことを示している。したがって、中間領域の横方向の大きさの調整に基づく設計概念は、伝導度変調の程度を決定する上で、効率的である。この設計概念によると、伝導度変調の程度又は量は、エミッタエッジ162とベースコンタクト145の間の距離を増大させた中間領域を設けることによって増加され得る。図4を参照すると、本発明の別の実施形態による、中間領域のドーピングレベルの変動や調整に基づく伝導度変調の程度を制御するための設計概念が記載されている。図4は、中間領域480のドーピングレベルが図1に示す中間領域180がドーピングレベルよりもかなり高く、特に、ベースエミッタ接合を形成するためのエミッタ領域160に界面で接するベース層140の活性部のドーピングレベルよりも高いことを除いて、図1を参照して説明したSiCBJT100と同一であるSiCBJT400の断面を示している。図1及び図4を参照して説明したSiCBJT100及びSiCBJT400の両方において、それぞれ、エミッタ領域160に面するベース層140の部分におけるドーピングレベルは変わらないままで、5×1017cm3の範囲内であるが、これは、ベース領域のこの部分のドーピングレベルがSiCBJTの正常な動作に影響を与えるからであるすなわち伝導又は電流のブロッキングを取得ために必要なバイアス条件。その結果、中間領域480のドーピングレベルは、少なくとも1×1018cm3であってもよい。特に、中間領域480のドーピングレベルは、ベース層140の活性領域のドーピングレベルよりも高く、又、コレクタ領域120のドーピングレベルよりも高くなっている。図4は少数キャリアの密度をも示し、この場合、電子密度は中間領域480の横方向の大きさの関数としてその大きさはエミッタ領域160又はベースエミッタ接合とベースコンタクト145との間の最も近い距離に相当する。この説明において、ベースコンタクト界面における電子密度は、無視できると仮定されているすなわち、非常によくゼロで近似その平衡値に達するが、これは、オーミック接触145におけるキャリア再結合が非常に高いからである。さらに、ベースエミッタ接合のエッジ162又はエミッタエッジでの、すなわち図4に示されるx=0での電子密度は、次の式に従って決定することができる。式中、n0は上記のx=0での電子密度であり、niは真性キャリア密度であり、NAは局所アクセプタ密度であり、qは1.6×1019Cの値を有する電子の電荷の大きさであり、VBEはベース領域とエミッタ領域との間に印加される電圧であり、kはボルツマン定数1.38×1023J.K1であり、Tは温度である。中間領域180におけるドーピングレベルがベース領域140の活性部におけるのと同一又はほぼ同じである図1に表される電子密度と比較されるように、図4を参照して説明されたBJTにおける中間領域480のドーピング濃度の増加は、x=0で少数キャリア電子の密度を低下させる。その結果、電子密度の勾配図4のグラフに示す直線の傾き又は微分で表されるが減少する。中間領域内の増加したドーピング濃度は、中間領域でのドーピング濃度の相対的な増加に等しい係数で、この領域の電子密度を低下させる。図1と図4の比較によって示されるように、この特定の設計概念は、電子密度の勾配そして電子の拡散電流は、中間領域480内のドーピング濃度を調整することによって制御されるという点で効率的である。特に、図4に示すような高いドーピングレベルは横方向の電子の拡散電流を低減するが、これは、順に電子の横方向の抽出を減らし、それにより垂直電子注入及びコレクタ領域120内の伝導度変調の量を増加させる。更に、SiCBJT内の中間領域480のドーピング濃度の効果を詳しく説明するために、図5は、中間領域のドーピングレベルがエピタキシャル成長させたベース領域140の標準的なドーピングレベル5×1017cm3と5×1018cm3と5×1019cm3とそれぞれに等しいことを除いて、同一のSiCBJTに対し10A/cm2のベース電流IBでの温度150°CにおけるシミュレートされたI-Vの特性A、B、Cの比較を示している。図5の例において、シミュレートされた3つすべての例のうちの中間領域はエミッタ領域160のエッジ162とベースコンタクト145との間の4マイクロメートルの距離を有している。シミュレーションの結果、250A/cm2の通常動作電流密度での順方向電圧降下VCESATは中間領域480の5×1019cm3の外因ドーピング濃度に対し0.46Vであるが、これは、5×1017cm3の範囲内での標準のドーピング濃度の場合に対し順方向電圧降下VCESAT=0.74Vよりも38少ないことを示す。この設計概念によると、SiCBJT400の中間領域480内のドーピングレベルを増すことによって、伝導度変調の範囲や量を増加させることができる。意図された動作に応じて、デバイス内の伝導度変調の程度を決定するため、BJT400の電気伝導及びスイッチング特性に関する電力損失間のトレードオフを考慮して、中間領域480のドーピング濃度は、BJTの製造中に調整され得る。実施形態によれば、SiCBJTの伝導度変調の量を決定するため、SiCBJTの中間領域の大きさとそのドーピング濃度の両方を調節することができる。この点において、中間領域のドーピングレベルの調整に基づいて伝導度変調の程度を決定することは、BJTの合計大きさ又はいわゆるセルピッチのいかなる変更を必要としないという点で、中間領域の大きさの調整に基づく設計概念に比べて有利であることは注目に値する。よって、図4及び図5を参照して説明した設計概念は、標準セルピッチ又は図1~図3を参照して説明した設計概念のものよりも小さい総セルピッチのいずれかとの更なる互換性がある。図6及び図7を参照すると、上記による中間領域を作製するための処理ステップの2つの別々の順序が記載されている。図6a~図6dは、本発明の例示的な実施形態に従ったSiCのBJTの中間領域の形成方法を示すプロセスフローを示している。図6aに示すように、SiCBJTの中間領域を作成するための最初の出発点は構造600であり、例えば基板610上にコレクタ領域620、ベース領域640及びエミッタ領域660がエピタキシャル成長により設けられている。エミッタ領域660は、ベース領域640上にエミッタ領域660に対応する領域を画定するために、フォトリソグラフィー技術光フォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィー、X線リソグラフィー、イオンビームリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、又は半導体技術のリソグラフィー技術の任意の種類を用いて、パターニングステップに続き、ベース層上にエミッタ層のエピタキシャル成長によって形成されている。その後、エッチングのステップが実行され、パターンによって保護されていないエミッタ層の一部、すなわち、ベースエミッタ接合を形成しようとするものではないエミッタ層の一部を除去する。図6bに示すように、次のステップは、ベースエミッタ接合を形成することを意図していないベース層の一部、すなわち、エミッタ領域660の直接下に位置していないベース層の一部を除去する例えば反応性イオンエッチングによって。このような除去ステップは、パターニング構造の表面やパターンによって保護されていない表面の一部をエッチングするサブステップを含んでもよい。また、図6cに示すように、中間領域680を形成することを意図とした半導体材料からなる層は、構造600全体の表面に設けられる。中間領域の材料はBJTの他の層に用いる材料と好ましくは同じであり、そして、ドーピングタイプすなわち、n型又はp型はエミッタ領域に界面で接するベース領域の一部のものと同じである。かかる層はエピタキシャル成長又は堆積され例えばCVDエピタキシー、そのドーピングレベルはBJT内の所望伝導度変調量に応じて適宜選択され得る。かかる層が半導体構造600の全面に堆積又は成長されているので、図6dに示す次のステップは、上述したようなパターニング及びエッチング技術のサブステップを使用して、エミッタ領域660の上部に堆積又は成長された層の部分を除去することである。それによって、ベース領域640の側面に接しかつコレクタ領域620の上に配置された中間領域680が設けられる。中間領域680とそのBJT600における伝導度変調の程度への影響とを更に画定するためには、ベースコンタクト645は、図6eに示されるように、ベースエミッタ接合部から特定の距離W離れて配置されるように設計形成される。図7a~図7dは本発明の別の例示的な実施形態に従ったSiCBJTの中間領域を形成する代替の方法を示すプロセスフローを示す。図7aに示すように、SiCBJTの中間領域を作成するための最初の出発点は構造700であり、例えばエピタキシャル成長により基板710上にコレクタ領域720が設けられる。次に、図7bに示すように、中間領域780を形成することを意図とした半導体材料で作られた層が、コレクタ領域の上部に設けられているすなわち構造700全体の表面上。この層780はエピタキシャル成長又は堆積され、そのドーピングレベルはBJT内の所望の伝導度変調量に応じて適宜選択され得る。かかる層が半導体構造の全面上に堆積されるので、図7cに示されている次のステップでは、ベース領域740とエミッタ領域760が配置されることが意図された場所に堆積又は成長された層の一部が除去される。層780の除去は、上述したようなパターニングとエッチング技術のサブステップを使用して行うことができる。その後、ベース領域740とエミッタ領域760は、エミッタ層のエピタキシャル成長が続くベース層をエピタキシャル成長させることによって形成され得る。ベース層及びエミッタ層が全面700の上部に設けられているので、これらの層の堆積又は成長前の中間構造780の保護又はこれらの層の堆積又は成長に続くパターニング及びエッチングステップの一連のどちらかは、中間領域780がベース領域及びエミッタ領域740,760に使用される材料が無いように行われ得る。得られた構造体700は図7dに示され、ここで、ベースエミッタ接合部から特定の距離W離れて配置されるように設計形成されたベースコンタクト745が表されている。距離Wは、前述したように、BJT700内での伝導度変調の程度への影響力を更に決定する。特定の実施形態を説明してきたが、当業者は、様々な修正及び変更は、添付の特許請求の範囲で定義されている範囲内で考えられることを理解するであろう。例えば、中間領域内の少数キャリアの拡散電流に影響するパラメータは中間領域の大きさ及びそのドーピングレベルであることが説明されているけれども、少数キャリアの拡散電流はSiC以外の別の材料で作られた中間領域を設けることにより、影響を受ける可能性があることが想定される。本発明は、単に垂直型NPNBJTを参照して説明したが、本発明の基礎となる概念は垂直型PNPのBJTにも同様に適用可能であり、そこで、ベースエミッタ接合とベースコンタクトとの間に配置され、中間領域内の正電荷キャリア正孔の拡散電流に影響を及ぼすパラメータの少なくとも1つは、PNPのBJTのコレクタ領域における伝導度変調の程度を決定するために調整され得る。PNPのBJTのために、ベース領域内の少数キャリアは正電荷キャリア正孔であり、中間領域はドナーがドープされている。[実施形態の項目別リスト][項目1]コレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160を含むシリコンカーバイドのバイポーラ接合トランジスタ100BJTの製造方法であって、ベースエミッタ接合と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーン145との間に配置された半導体材料の中間領域180を設けるステップを含み、前記ベースエミッタ接合は前記ベース領域及び前記エミッタ領域によって形成され、前記コレクタ領域における伝導度変調の程度は、中間領域内の少数キャリアの拡散電流に影響を与える中間領域の少なくとも1つのパラメータを調整することによって決定されることを特徴とする方法。[項目2]前記中間領域は前記ベース領域の受動部に配置されていることを特徴とする項目1に記載の方法。[項目3]前記中間領域がベースエミッタ接合のエッジ162と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間に配置されることを特徴とする項目1又は2に記載の方法。[項目4]前記少数キャリアの拡散電流に影響を与えるパラメータは中間領域の大きさWであり、前記大きさは、前記ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離に相当することを特徴とする項目1~3いずれか1に記載の方法。[項目5]前記少数キャリアの拡散電流に影響を与えるパラメータは中間領域の半導体材料のドーピングレベルであることを特徴とする項目1~4いずれか1に記載の方法。[項目6]前記中間領域は、前記ベース領域の受動部に位置するベース領域の少なくとも一部を除去するステップと、前記BJTの最上に半導体材料の層を設けるステップと、エミッタ領域の最上に設けられた半導体材料の層を除去するステップと、の処理ステップに応じて形成されることを特徴とする項目1~5のいずれか1に記載の方法。[項目7]前記中間領域は、前記コレクタ領域の最上に半導体材料の層を設けるステップと、前記半導体材料ベースとエミッタ領域に対応する位置での半導体材料の層を除去するステップと、の処理ステップに応じて形成されることを特徴とする項目1~5のいずれか1に記載の方法。[項目8]前記コレクタ領域120とベース領域140とエミッタ領域160を含むシリコンカーバイドのバイポーラ接合トランジスタ100BJTであって、ベースエミッタ接合と前記ベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーン145との間に配置された半導体材料の中間領域180を含み、前記ベースエミッタ接合は前記ベース領域及び前記エミッタ領域によって形成され、前記ベース中間領域内の少数キャリアの拡散電流に影響を与える中間領域の少なくとも1つのパラメータは、コレクタ領域における伝導度変調の程度を決定するように構成されたことを特徴とするバイポーラ接合トランジスタ。[項目9]前記中間領域は、ベース領域の受動部に設けられていることを特徴とする項目8に記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目10]前記中間領域は、ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間に配置されていることを特徴とする項目8又は9に記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目11]前記コレクタ領域における伝導度変調の程度を決定する別のパラメータは中間領域の大きさWであり、前記大きさは、前記ベースエミッタ接合のエッジ162とベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離に相当することを特徴とする項目8~10いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目12]前記コレクタ領域の伝導度変調の程度を決定するためのパラメータは中間領域の半導体材料のドーピングレベルであることを特徴とする項目8~11いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目13]前記ベースエミッタ接合のエッジとベース領域に電気的に接触するコンタクトゾーンのエッジとの間の距離は、少なくとも5マイクロメートルであることを特徴とする項目11記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目14]前記中間領域の半導体材料のドーピングレベルは5×1018~1×1020cm3の範囲内、好ましくは約1×1018cm3であることを特徴とする項目8~13いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。[項目15]垂直型BJTであり、伝導度変調の程度を決定するパラメータは中間領域の横幅であることを特徴とする項目8~14いずれか1に記載のバイポーラ接合トランジスタ。"