第1の基板と、前記第1の基板上に設けられた第1の導電材料を有する第1のパターンと、前記第1のパターン上に設けられた第1の異方性導電材料と、前記第1の異方性導電材料上に設けられた第2の導電材料を有する第2のパターンと、前記第2のパターン上に設けられた第2の基板と、前記第2の基板に設けられた第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールと、前記第1のコンタクトホール内及び前記第2の基板上に設けられ前記第2のパターンと電気的に接続する第1の電極と、前記第2のコンタクトホール内及び前記第2の基板上に設けられ前記第2のパターンと電気的に接続する第2の電極と、前記第1の電極上及び前記第2の電極上に設けられ半導体集積回路と、を有し、前記第1のパターン及び前記第2のパターンはアンテナとして機能し、前記半導体集積回路の有する第3の電極は前記第1の電極と電気的に接続され、前記半導体集積回路の有する第4の電極は前記第2の電極と電気的に接続され、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールは、前記第2の基板及び前記第2のパターンを貫通していることを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記第1のパターン及び前記第2のパターンはコイル状であることを特徴とする半導体装置。請求項2において、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールの周辺部分の前記第1のパターン及び前記第2のパターンの間隔は、前記周辺部分以外の前記第1のパターン及び前記第2のパターンの間隔よりも狭くなっていることを特徴とする半導体装置。請求項2又は請求項3において、前記異方性導電材料は、導電性の粒子を有し、前記コイル状において隣接する配線の間隔は、前記導電性の粒子の粒径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1の電極は前記第3の電極と第2の異方性導電材料を介して電気的に接続され、前記第2の電極は前記第4の電極と前記第2の異方性導電材料を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。第1の導電材料を有する第1のパターンが設けられた第1の基板を形成する工程と、第2の導電材料を有する第2のパターンが設けられた第2の基板を形成する工程と、前記第2の基板及び前記第2のパターンを貫通する第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールを形成する工程と、第1の異方性導電材料を用いて前記第1のパターンと前記第2のパターンとを電気的に接続する工程と、前記第1のコンタクトホール内及び前記第2の基板上に設けられ前記第2のパターンと電気的に接続する第1の電極と、前記第2のコンタクトホール内及び前記第2の基板上に設けられ前記第2のパターンと電気的に接続する第2の電極と、を形成する工程と、第2の異方性導電材料を用いて、半導体集積回路の有する第3の電極と前記第1の電極とを電気的に接続し、且つ、前記半導体集積回路の有する第4の電極と前記第1の電極とを電気的に接続する工程と、を有し、前記第1のパターン及び前記第2のパターンはアンテナとして機能し、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールの形成は、前記第1のパターンと前記第2のパターンとの電気的な接続の前に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6において、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールの形成は、カッター又はナイフを用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。スクリーン印刷法で形成したアンテナは、膜厚を厚くすることが困難であり、抵抗を低くすることが難しい。また、歩留まりを高めることが難しい。なお、アンテナ表面をメッキする方法では、工程が増えるためコストがかかる。また、メッキ法によって膜厚を厚くするのにも限界がある。複数の基板のコイル状のアンテナを互いに重なるように配置し、且つ電気的に直列に接続する構成では、アンテナの抵抗値を低減することは困難である。それは、巻き数の多いコイル状のアンテナは得られるが、アンテナを構成する配線の断面積を大きくする構成ではないためである。また、複数のコイル状のアンテナの1つでも断線している場合にはアンテナとして正常に機能しない。このように、従来のアンテナは、低抵抗とすること、及び歩留まりを高めることが難しかった。そのため、当該アンテナを用い、無線通信によりデータの入力、出力を行う従来の半導体装置は、通信距離を長くすること、コストを低くすること、及び信頼性を高めることが難しかった。上記の実情に鑑み、低抵抗で、歩留まりの高いアンテナ及びその作製方法を提供することを課題とする。更に、当該アンテナを用いて、通信距離が長く、信頼性が高い半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。本発明のアンテナは、第1の基板と、第1のパターンと、第2の基板と、第2のパターンと、異方性導電材料とを有する。第1の基板は絶縁表面を有する。第1のパターンは第1の基板の絶縁表面以下、第1の絶縁表面ともいう上に形成されており、導電材料でなる。第2の基板は、第1の基板の第1のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面以下、第2の絶縁表面ともいうを有する。第2のパターンは、第2の基板において、第1の基板と対向する絶縁表面第2の絶縁表面に形成されており、導電材料でなる。異方性導電材料は第1のパターンと第2のパターンの間に設けられ、第1のパターンと第2のパターンを電気的に接続する。第1のパターンと第2のパターンは、第1のパターンと第2のパターンの一方が断線した場合一部が欠けた場合も含むに、他方及び異方性導電材料が当該断線した部分を電気的に接続するように配置される。例えば、第1のパターンと第2のパターンは、半導体集積回路等と接続するための電極以外の任意の2点において、異方性導電材料を介して電気的に接続される。また例えば、第1のパターンと第2のパターンは、同じ形であって、重なって配置されている。また例えば、第1のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第2のパターンと重なる。なお、第2のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第1のパターンと重なっていてもよい。更に、異方性導電材料は、第1の絶縁表面の全体または第2の絶縁表面の全体を覆うように配置されていてもよい。また、本発明はアンテナに限定されず、任意の形状の配線に適用することもできる。本発明は、上記構成のアンテナと、前記アンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置であってもよい。なお、当該半導体集積回路は、第1の基板を貫通し第1のパターンに達するコンタクトホール、または第2の基板を貫通し第2のパターンに達するコンタクトホールにおいて、アンテナと電気的に接続されていてもよい。本発明は、当該半導体装置、及び半導体装置とデータの入力、出力を行うリーダ/ライタを有する無線通信システムであってもよい。本発明のアンテナの作製方法は、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面上に導電材料でなる第1のパターンを形成する。第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に導電材料でなる第2のパターンを形成する。第1のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第1のパターンと第2のパターンが電気的に接続され、且つ、第1のパターン上の全ての領域が第2のパターンと重なるように、第1の基板と第2の基板とを貼りあわせる。なお、第2のパターンは、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと線対称となるように、第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に形成してもよい。即ち、第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと、第2の絶縁表面に垂直な方向からみた第2のパターンとが、線対称となるように、第2のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第1のパターンの全体を覆い、且つ第1の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、本発明はアンテナの作製方法に限定されず、任意の形状の配線の作製方法に適用することもできる。本発明の半導体装置の作製方法は、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面上に導電材料でなる第1のパターンを形成する。第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に導電材料でなる第2のパターンを形成する。第1のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第1のパターンと第2のパターンが電気的に接続され、且つ、第1のパターン上の全ての領域が第2のパターンと重なるように、第1の基板と第2の基板とを貼りあわせる。第1のパターンまたは第2のパターンと電気的に接続されるように、半導体集積回路を設ける。なお、第2のパターンは、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと線対称となるように、第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に形成してもよい。即ち、第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと、第2の絶縁表面に垂直な方向からみた第2のパターンとが、線対称となるように、第2のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第1のパターンの全体を覆い、且つ第1の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明の半導体装置の作製方法は、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面上に導電材料でなる第1のパターンを形成する。第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に導電材料でなる第2のパターンを形成する。第1の基板を貫通し第1のパターンに達するコンタクトホール、または第2の基板を貫通し第2のパターンに達するコンタクトホールを形成する。第1のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第1のパターンと第2のパターンが電気的に接続され、且つ、第1のパターン上の全ての領域が第2のパターンと重なるように、第1の基板と第2の基板とを貼りあわせる。前記コンタクトホールにおいて第1のパターンまたは第2のパターンと電気的に接続されるように半導体集積回路を設ける。なお、第2のパターンは、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと線対称となるように、第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に形成してもよい。即ち、第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと、第2の絶縁表面に垂直な方向からみた第2のパターンとが、線対称となるように、第2のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第1のパターンの全体を覆い、且つ第1の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明のアンテナの作製方法及び本発明の半導体装置の作製方法では、第1のパターン及び第2のパターンは、液滴吐出法や印刷法によって形成してもよい。液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を示す。液滴吐出法は、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれる。印刷法とは、スクリーン印刷法やオフセット印刷法を示す。本発明のアンテナでは、第1のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第2のパターンと重なる。そのため、実質的に、第1のパターンの膜厚と第2のパターンの膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナの膜厚を厚くし、アンテナの抵抗を小さくすることができる。また、第1のパターンが断線しても、当該断線を第2のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率を低減することができる。そのため、アンテナの歩留まりを向上させることができる。また、第1のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第2のパターンと重なり、且つ第2のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第1のパターンと重なる構成とすることもできる。この構成では、同一形状のパターンが異方性導電材料を介して重なった構成となる。そのため、第1のパターンと第2のパターンの一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率をより低減することができる。こうして、アンテナの歩留まりをより向上させることができる。更に、異方性導電材料は、第1の絶縁表面の全体または第2の絶縁表面の全体を覆うように配置された構成とすることもできる。こうして、第1の基板と第2の基板と異方性導電材料とによって囲まれた領域にアンテナが設けられた構成とすることができる。そのため、アンテナは外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナが外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナの劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。本発明のアンテナは、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性を高くすることができる。そのため、当該アンテナと、アンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置に本発明を適用することによって、半導体装置の通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。また、半導体集積回路は、第1の基板を貫通し第1のパターンに達するコンタクトホール、または第2の基板を貫通し第2のパターンに達するコンタクトホールにおいて、アンテナと電気的に接続される構成とすることができる。こうして、アンテナの外部への露出を小さく抑えて、アンテナと半導体集積回路を電気的に接続することができる。よって、半導体装置の信頼性を更に高めることができる。本発明の半導体装置は、通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。そのため、当該半導体装置を用いた無線通信システムに本発明を適用することによって、無線通信システムの適用範囲を広げることができる。本発明のアンテナの作製方法において、異方性導電材料を介して第1のパターンと第2のパターンが電気的に接続され、且つ、第1のパターン上の全ての領域が第2のパターンと重なるように、第1の基板と第2の基板とを貼りあわせる。そのため、作製されたアンテナは、実質的に、第1のパターンの膜厚と第2のパターンの膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナの膜厚を厚くし、抵抗の小さいアンテナを作製することができる。また、第1のパターンが断線しても、当該断線を第2のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率を低減することができる。そのため、アンテナの歩留まりを向上させることができる。また、第2のパターンは、第1の基板の絶縁表面第1の絶縁表面に垂直な方向からみた第1のパターンと線対称となるように、第2の基板の絶縁表面第2の絶縁表面上に形成してもよい。こうして、同一形状のパターンが異方性導電材料を介して重なった構成のアンテナを形成することができる。そのため、第1のパターンと第2のパターンの一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率をより低減することができる。こうして、アンテナの歩留まりをより向上させることができる。更に、異方性導電材料は、第1のパターンの全体を覆い、且つ第1の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成してもよい。こうして、第1の基板と第2の基板と異方性導電材料とによって囲まれた領域にアンテナを設けることができる。そのため、アンテナは外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナが外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナの劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。特に、液滴吐出法や印刷法によって形成されたアンテナでは、膜厚を厚くして抵抗を低くすること、歩留まりを高めることが難しかった。本発明のアンテナの作製方法では、液滴吐出法や印刷法によって第1のパターン及び第2のパターンを形成した場合においても、第1のパターンと第2のパターンをあわせてアンテナとして用いるので、アンテナの抵抗を小さくすることができ、また、アンテナの歩留まりを向上させることができる。本発明のアンテナの作製方法は、抵抗の小さいアンテナを作製することができ、歩留まりを高くすることができ、且つ信頼性を高くすることができる。そのため、当該アンテナに半導体集積回路を電気的に接続して形成され、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置の作製方法に本発明を適用することによって、半導体装置の通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。また、半導体集積回路は、第1の基板を貫通し第1のパターンに達するコンタクトホール、または第2の基板を貫通し第2のパターンに達するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにおいて第1のパターンまたは第2のパターンと電気的に接続されるように設けることができる。こうして、アンテナの外部への露出を小さく抑えて、アンテナと半導体集積回路を電気的に接続することができる。よって、半導体装置の信頼性を更に高めることができる。本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。また、本発明において、接続されているとは電気的に接続されていることと同義である。したがって、間に別の素子などが配置されていてもよい。実施の形態1本発明のアンテナの構成について説明する。アンテナの構成を図1に示す。図1Aにアンテナの斜視図を示す。また、図1Bに図1Aにおけるa乃至a′の断面図を示す。図1Cは、図1B中の領域109の拡大図である。なお、図1A乃至図1Cにおいて同じ部分は同じ符号を用いて示す。アンテナ100は、第1の基板101と、第1のパターン102と、第2の基板103と、第2のパターン104と、異方性導電材料105とを有する。第1の基板101は第1の絶縁表面106を有する。第1のパターンは第1の絶縁表面106上に形成されており、導電材料でなる。第2の基板103は、第1の基板101の第1のパターン102が形成された面に対向して設けられており、第2の絶縁表面107を有する。第2のパターン104は、第2の絶縁表面107上に形成されており、導電材料でなる。異方性導電材料105は第1のパターン102と第2のパターン104を電気的に接続する。第1のパターン102上の全ての領域は異方性導電材料105を介して第2のパターン104と重なる。更に、第1の絶縁表面106及び第2の絶縁表面107に垂直な方向から観察した場合に、第2のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第1のパターンと重なる。異方性導電材料105は、第1の絶縁表面106の全体及び第2の絶縁表面107の全体を覆うように配置される。第1のパターン102を構成する導電材料と第2のパターン104を構成する導電材料とは同じであってもよいし異なっていてもよい。第1のパターン102や第2のパターン104の導電材料としては、Ag、Au、Al、Cu、Zn、Sn、Ni、Cr、Fe、Co又はTiを含む材料を用いることができる。第1の基板101及び第2の基板103は可撓性を有していてもよい。第1の基板101及び第2の基板103はプラスチックからなっていてもよい。第1の基板101と第2の基板103とは同じ材料からなっていてもよいし異なる材料からなっていてもよい。第1の基板101や第2の基板103は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリブチレンテレフタレート、又はポリイミドからなっていてもよい。異方性導電材料105は、第1の絶縁表面106及び第2の絶縁表面107に垂直な方向に対しては導電性をもち、平行な方向に対しては絶縁性をもっている。異方性導電材料105としては、異方性導電ペーストACP:AnisotropicConductivePasteを熱硬化させたものや異方性導電膜ACF:AnisotropicConductiveFilmを熱硬化させたものを用いることができる。異方性導電ペーストは、バインダ層と呼ばれる主成分が接着剤である層中に、導電性の表面を有する粒子以下、導電性の粒子というが分散した構造を有している。異方性導電膜は、熱硬化または熱可塑性の樹脂フィルムの中に導電性の表面を有する粒子以下、導電性の粒子というが分散した構造を有している。図1において、異方性導電材料105に含まれる導電性の粒子108を示した。したがって、異方性導電ペーストや異方性導電膜を用いることにより第1のパターン102と第2のパターン104との導通を確保すると同時に、第1の基板101と第2の基板103とを接着することができる。異方性導電材料105として異方性導電ペーストや異方性導電膜を用いる場合には、異方性導電材料105中の導電性の粒子108の粒径と、第1のパターン102及び第2のパターン104の形状とは所定の関係を満たすように定めることができる。例えば、第1のパターン102及び第2のパターン104がコイル状である場合を考える。第1のパターン102が短絡しないように、導電性の粒子108の粒径と第1のパターン102の配線の間隔を定める必要がある。更に、第2のパターン104が短絡しないように、導電性の粒子108の粒径と第2のパターン104の配線の間隔を定める必要がある。少なくとも、第1のパターン102の配線の間隔及び第2のパターンの配線の間隔よりも導電性の粒子108の粒径が小さくなるように、導電性の粒子108の粒径と各パターンを構成する配線の間隔を定める必要がある。図1では、第1の絶縁表面106と第2の絶縁表面107とは、同じ形状の例を示したがこれに限定されない。第1の絶縁表面106と第2の絶縁表面107は、一方が他方よりも大きくてもよい。異方性導電材料105は、第1の絶縁表面106の全体及び第2の絶縁表面107の全体を覆うように配置された例を示したがこれに限定されない。異方性導電材料105は、第1の絶縁表面106の全体または第2の絶縁表面107の全体を覆うように配置されていてもよい。また、図1では、第1のパターン102及び第2のパターン104を巻き数が3で方形のコイル状とした例を示したがこれに限定されない。第1のパターン102及び第2のパターン104は様々な形状とすることができる。第1のパターン102及び第2のパターン104は、巻き数が1のコイル状とすることもできるし、任意の巻き数のコイル状とすることもできる。また、第1のパターン102及び第2のパターン104は、三角形のコイル状、円形のコイル状、多角形のコイル状であってもよい。更に、図1Aでは、コイル状の第1のパターン102及び第2のパターン104の角部全てが約90°となる構成を示したがこれに限定されない。三角形のコイル状、方形のコイル状または多角形のコイル状において、角部は丸みを帯びた形状であっても良いし、面取りした形状であっても良い。また、第1のパターン102及び第2のパターン104は、コイル状に限定されず、線状としてもよい。例えば、第1のパターン102及び第2のパターン104各々を、一対の線状のパターンとすることによって、アンテナ100をダイポール状のアンテナとしてもよい。アンテナ100をダイポール状のアンテナとした例を図14に示す。なお、図1と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。本発明のアンテナ100は、第1のパターン102上の全ての領域が異方性導電材料105を介して第2のパターン104と重なる。そのため、アンテナ100は、実質的に、第1のパターン102の膜厚と第2のパターン104の膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナ100の膜厚を厚くし、アンテナ100の抵抗を小さくすることができる。また、第1のパターン102上の全ての領域は異方性導電材料105を介して第2のパターン104と重なり、且つ第2のパターン104上の全ての領域は異方性導電材料を介して第1のパターン102と重なる構成となっている。即ち、第1のパターン102と第2のパターン104は同一形状のパターンであり、異方性導電材料105を介して互いに重なっている。そのため、第1のパターン102と第2のパターン104の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナ100全体が断線する確率を低減することができる。こうして、アンテナ100の歩留まりを向上させることができる。異方性導電材料105は、第1のパターン102の全体を覆い、且つ第1の基板101の第1の絶縁表面106の全体を覆うように形成している。こうして、第1の基板101と第2の基板103と異方性導電材料105とによって囲まれた領域にアンテナ100を設けることができる。アンテナ100は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナ100を保護することができる。また、アンテナ100が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ100の劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られる。実施の形態2本発明のアンテナの作製方法について説明する。説明には図2を用いる。なお、図1と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図2Aに示すように、第1の基板101の第1の絶縁表面106上に導電材料でなる第1のパターン102を形成する。第1のパターン102は、液滴吐出法や印刷法によって形成することができる。なお、第1のパターン102は、フォトリソグラフィーなどを用いて導電膜をエッチング加工することによって形成してもよい。次いで、第1のパターン102の全体を覆うように異方性導電材料105を形成する。図2Aにおいて、異方性導電材料105中の導電性の粒子108は図示していない。図2Aでは、第1の絶縁表面106の全体を覆うように異方性導電材料105を形成する例を示した。なお、図2Aにおいて、a乃至a′の断面図を図2Cに示す。図2Bに示すように、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に導電材料でなる第2のパターン104を形成する。なお、図2Bにおいて、b乃至b′の断面図を図2Dに示す。第2のパターン104は、第1の基板101の第1の絶縁表面106に垂直な方向からみた第1のパターン102と線対称となるように、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に形成する。つまり、図2中c乃至c′の線を第1の絶縁表面106に平行な方向に延びた直線であるとし、図2に示した形状の第1のパターン102と第2のパターン104はc乃至c′の線に対して対称な形状となっている。第2のパターン104は、液滴吐出法や印刷法によって形成することができる。なお、第2のパターン104は、フォトリソグラフィーなどを用いて導電膜をエッチング加工することによって形成してもよい。その後、第1の絶縁表面106と第2の絶縁表面107が向かい合い、且つ、第1のパターン102上の全ての領域が第2のパターン104と重なるように、第1の基板101と第2の基板103とを重ね合わせる。そして、熱圧着することによって、異方性導電材料105を介して第1のパターン102と第2のパターン104を電気的に接続すると同時に、第1の基板101と第2の基板103とを貼りあわせる。こうして、図1Aに示したようなアンテナ100を作製することができる。本発明のアンテナの作製方法では、第1のパターン102上の全ての領域は異方性導電材料105を介して第2のパターン104と重なる。そのため、アンテナ100は、実質的に、第1のパターン102の膜厚と第2のパターン104の膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナ100の膜厚を厚くし、アンテナ100の抵抗を小さくすることができる。また、第2のパターン104は、第1の絶縁表面106に垂直な方向からみた第1のパターン102と線対称となるように、第2の絶縁表面107上に形成する。そのため、同一形状のパターンが異方性導電材料105を介して重なった構成のアンテナ100が得られる。よって、第1のパターン102と第2のパターン104の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナ100全体が断線する確率を低減することができる。こうして、アンテナ100の歩留まりを向上させることができる。更に、異方性導電材料105は、第1のパターン102の全体を覆い、且つ第1の絶縁表面106の全体を覆うように形成する。こうして、第1の基板101と第2の基板103と異方性導電材料105とによって囲まれた領域にアンテナ100を設けることができる。そのため、アンテナ100は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナ100が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ100の劣化を低減し、アンテナ100の信頼性を高めることができる。特に、液滴吐出法や印刷法によって形成されたアンテナでは、膜厚を厚くして抵抗を低くすること、歩留まりを高めることが難しかった。本発明のアンテナの作製方法では、液滴吐出法や印刷法によって第1のパターン102及び第2のパターン104を形成した場合においても、第1のパターン102と第2のパターン104を組み合わせてアンテナ100として用いるので、アンテナ100の抵抗を小さくすることができ、また、アンテナの歩留まりを向上させることができる。以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られる。本実施の形態は、実施の形態1と自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本発明の半導体装置の構成について説明する。説明には図3を用いる。なお、図1及び図2と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図3Aに半導体装置の斜視図を示す。また、図3B及び図3Cに図3Aにおけるa乃至a′の断面図を示す。なお、図1A乃至図1Cにおいて同じ部分は同じ符号を用いて示す。半導体装置300は、アンテナ100とアンテナ100に電気的に接続された半導体集積回路133とを有する。半導体装置300は、アンテナ100によって無線信号を送信、受信し、データの入力、出力を行う。図3Bのように、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104に達する一対のコンタクトホール130を設ける。図3Bの構成では、コンタクトホール130は第2のパターン104を貫通しない。コンタクトホール130において、第2のパターン104と接続するように電極131を設ける。電極131上に設けられた異方性導電材料132によって、半導体集積回路133の一対の電極134と電極131は電気的に接続される。図3において、異方性導電材料132に含まれる導電性の粒子135を示した。こうして、半導体集積回路133の一対の電極134の一方はアンテナ100の一端と電気的に接続され、半導体集積回路133の一対の電極134の他方はアンテナ100の他端と電気的に接続される。なお、半導体集積回路133の一対の電極134と電極131とは、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤によって電気的に接続されていてもよいし、半田によって電気的に接続されていてもよい。なお、図3Cのように、一対のコンタクトホール130は、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104を貫通してもよい。また、一対のコンタクトホール130は、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104の一部を除去するように形成されていてもよい。図3Bのように、コンタクトホール130が第2のパターン104まで形成されている構成第2のパターン104を貫通しない構成では、コンタクトホール130が形成された部分においても第2のパターン104が存在する。そのため、コンタクトホール130が形成された部分において、第1のパターン102と第2のパターン104をより確実に電気的に接続することができる。一方、図3Cのように、コンタクトホール130が第2のパターン104を貫通する形状では、第2のパターン104と電極131との密着性を高めることができる。そのため、電極131と第2のパターン104をより確実に電気的に接続することができる。なお、図3では、第2の基板103にコンタクトホール130を形成する構成を示したがこれに限定されない。コンタクトホール130は、第1の基板101を貫通し第1のパターン102に達する構成であってもよい。本発明の半導体装置300は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。更に、半導体集積回路133は、第1の基板101を貫通し第1のパターン102に達するコンタクトホール130、または第2の基板103を貫通し第2のパターン104に達するコンタクトホール130において形成された電極131によって、アンテナ100と電気的に接続される。こうして、アンテナ100の外部への露出を小さく抑えて、アンテナ100と半導体集積回路133を電気的に接続することができる。よって、半導体装置300の信頼性を更に高めることができる。以上によって、通信距離が長く、低コストで、信頼性の高い半導体装置が得られる。本実施の形態は、実施の形態1や実施の形態2と自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本発明の半導体装置の作製方法について説明する。説明には図4及び図5を用いる。なお、図1乃至図3と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図4Aに示すように、第1の基板101の第1の絶縁表面106上に導電材料でなる第1のパターン102を形成する。更に、第1のパターン102の全体を覆うように異方性導電材料105を形成する。図4Aにおいて、異方性導電材料105中の導電性の粒子108は図示していない。なお、図4Aにおいて、a乃至a′の断面図を図4Cに示す。図4Bに示すように、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に導電材料でなる第2のパターン104を形成する。なお、図4Bにおいて、b乃至b′の断面図を図4Dに示す。第2のパターン104は、第1の基板101の第1の絶縁表面106に垂直な方向からみた第1のパターン102と線対称となるように、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に形成する。つまり、第1のパターン102とと第2のパターン104は、図4中c乃至c′の線に対して対称な形状となっている。図4Dに示すように、第2の基板103を貫通し第2のパターン104に達する一対のコンタクトホール130を形成する。コンタクトホール130の周辺部分401の拡大図を図4Eに示す。図4Eでは、コンタクトホール130は、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104まで達するように形成した。しかし、図4Fのように、コンタクトホール130は、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104を貫通するように形成してもよいし、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104の一部を除去するように形成してもよい。コンタクトホール130はカッターやナイフ等を用いて機械的に形成してもよいし、レーザーを用いてもよい。第2の基板103を貫通し、第2のパターン104を貫通するようにコンタクトホール130を形成する場合、カッターやナイフ等を用いることができる。第2の基板103を貫通し、第2のパターン104まで、または、第2の基板103を貫通し、第2のパターン104の一部を除去するようにコンタクトホール130を形成する場合、レーザーを用いることができる。図5Aに示すように、第1の絶縁表面106と第2の絶縁表面107が向かい合い、且つ、第1のパターン102上の全ての領域が第2のパターン104と重なるように、第1の基板101と第2の基板103とを重ね合わせる。次いで、図5Bに示すように、熱圧着することによって、異方性導電材料105を介して第1のパターン102と第2のパターン104を電気的に接続すると同時に、第1の基板101と第2の基板103とを貼りあわせる。次いで、コンタクトホール130において第2のパターン104と接続するように一対の電極131を設ける。次いで、図5Cに示すように、半導体集積回路133が有する一対の電極134上に異方性導電材料132を設ける。なお、異方性導電材料132は電極131上に設けてもよい。次いで、図5Dに示すように、半導体集積回路133の一対の電極134と電極131とが異方性導電材料132を介して重なるように配置する。その後、図5Eに示すように、熱圧着することによって、半導体集積回路133の一対の電極134と電極131を電気的に接続する。こうして、半導体集積回路133の一対の電極134の一方はアンテナ100の一端と電気的に接続され、半導体集積回路133の一対の電極134の他方はアンテナ100の他端と電気的に接続される。なお、半導体集積回路133の一対の電極134と電極131とは、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤によって電気的に接続さしてもよいし、半田によって電気的に接続してもよい。こうして、本発明の半導体装置300が完成する。本発明の半導体装置の作製方法は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ100が得られるので、半導体装置の通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。更に、半導体集積回路133は、第2の基板103を貫通し第2のパターン104に達するコンタクトホール130において形成された電極131によって、アンテナ100と電気的に接続される。こうして、アンテナ100の外部への露出を小さく抑えて、アンテナ100と半導体集積回路133を電気的に接続することができる。よって、半導体装置300の信頼性を更に高めることができる。以上によって、通信距離が長く、低コストで、信頼性の高い半導体装置が得られる。本実施の形態は、実施の形態1乃至実施の形態3と自由に組み合わせて実施することが可能である。本発明のアンテナを実際に作製した例について説明する。説明には図6を用いる。なお、図1乃至図5と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。図6Aに示すように、第1の基板101の第1の絶縁表面106上に導電材料でなる第1のパターン102を形成した。また、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に導電材料でなる第2のパターン104を形成した。第2のパターン104は、第1の基板101の第1の絶縁表面106に垂直な方向からみた第1のパターン102と線対称となるように、第2の基板103の第2の絶縁表面107上に形成した。つまり、図6中c乃至c′の線に対して対称な形状となっている。第1の基板101及び第2の基板103としてポリエチレンナフタレートからなる厚さ50μmのフィルムを用いた。第1のパターン102及び第2のパターン104はスクリーン印刷法によって形成した。第1のパターン102及び第2のパターン104は、約76mm外周×約45mm外周約61mm内周×約29mm内周の方形のコイル状とした。配線の幅を約800μm、配線の間隔を約300μmアンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール周辺以外の部分での間隔、巻き数を7とした。スクリーン印刷法では、所望のパターンの開口を有する版をマスクとして金属粒子を含むペーストを所望の表面上に配置し、その後、熱焼成を行うことで所望のパターンを形成する。本実施例では、Agの金属粒子を含むペーストを用いたスクリーン印刷法によって第1のパターン102を形成した。この際、Agの金属粒子を含むペーストとして、住友電気工業株式会社製のAGEP201Xを用いた。また、熱焼成は160°Cで30分行った。次いで、図6Bに示すように、第1のパターン102の全体を覆い、且つ第1の絶縁表面106の全体を覆うように異方性導電材料105として異方性導電ペーストを形成した。異方性導電ペーストとしては、株式会社スリーボンド製の3373Cを用いた。なお、本実施例では、第1の基板101と第2の基板103を重ねる前に、アンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール130を形成した。図6Bにおいて、コンタクトホールの周辺部分160の拡大図を図6Cに示す。アンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール130は、第2の基板103を貫通し第2のパターン104も貫通するように形成した。コンタクトホール130はカッターを用いて機械的に開けた。図6において、コンタクトホール周辺部分160では、コイル状の第1のパターン102及び第2のパターン104の配線の間隔が狭くなっている。これは、半導体集積回路の一対の電極図5中、電極134に相当の間隔に対して、アンテナ100の一対の電極図5中、電極131に相当の間隔をあわせるためである。半導体集積回路の一対の電極とアンテナ100の一対の電極とを異方性導電材料によって電気的に接続する場合には、このように各電極の位置をあわせる必要がある。なお、コンタクトホール周辺部分160において、コイル状の第1のパターン102及び第2のパターン104の配線の間隔を狭くせず、半導体集積回路の一対の電極に電気的に接続される配線を設け、当該配線を引き回して、半導体集積回路の一対の電極とアンテナ100の一対の電極とを電気的に接続してもよい。その後、第1の絶縁表面106と第2の絶縁表面107が向かい合い、且つ、第1のパターン102上の全ての領域が第2のパターン104と重なるように、第1の基板101と第2の基板103とを重ね合わせた。そして、異方性導電ペーストが160°Cになるような状態で160MPaの圧力を20秒間加えた。こうして、異方性導電材料105を介して第1のパターン102と第2のパターン104を電気的に接続すると同時に、第1の基板101と第2の基板103とを貼りあわせた。以上の工程によって、図6Dに示したようなアンテナ100を作製した。作製したアンテナ100の抵抗を測定し結果、約8.2Ωであった。一方、第1のパターン102の抵抗を測定した結果、約21Ωであり、第2のパターン104の抵抗を測定した結果、約17Ωであった。以上の結果から、アンテナ100の抵抗を小さくすることができた。アンテナ100は、同一形状のパターンが異方性導電材料105を介して重なった構成となっているので、第1のパターン102と第2のパターン104の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができる。こうして、アンテナ100全体が断線する確率をより低減し、アンテナ100の歩留まりをより向上させることができる。異方性導電材料105は、第1のパターン102の全体を覆い且つ第1の絶縁表面106の全体を覆うように形成されているので、第1の基板101と第2の基板103と異方性導電材料105とによって囲まれた領域にアンテナ100を設けることができる。そのため、アンテナ100は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナ100が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ100の劣化を低減し、アンテナ100の信頼性を高めることができる。以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られた。本実施例は、実施の形態1乃至実施の形態4と自由に組み合わせて実施することが可能である。本発明の半導体装置が有する半導体集積回路133の具体的構成の一例及びその作製方法について説明する。説明には図7及び図9を用いる。なお、図1乃至図6と同じ部分は同じ符号を用いて示す。半導体集積回路133は、複数の薄膜トランジスタを有する素子群601を有する。図では、素子群601としてNチャネル型トランジスタとPチャネル型トランジスタとを代表で示す。基板600としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の合成樹脂からなる可撓性を有する基板を用いても良い。基板の表面を、CMPChemicalMechanicalPolishing法などの研磨により平坦化しておいても良い。また、ガラス基板、石英基板や、半導体基板を研磨して薄くした基板を用いてもよい。例えば、単結晶シリコンの結晶軸100または110近傍に垂直な表面を有する単結晶シリコン基板において、当該基板の厚さを0.1μmより厚く20μm以下、代表的には1μm以上5μm以下の厚さに研磨したものを用いることができる。基板600上に設けられている下地層661としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層661によって、基板600に含まれるNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層662に拡散し薄膜トランジスタの特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図7では、下地層661を単層の構造としているが、2層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層661を必ずしも設ける必要はない。なお、高密度プラズマによって基板600の表面を直接処理してもよい。高密度プラズマは、高周波、例えば2.45GHzを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が1011~1013/cm3かつ電子温度が2eV以下、イオンエネルギーが5eV以下であるものを用いる。このように低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低いため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない膜を形成することができる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いた高周波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。高周波を発生するアンテナから基板600までの距離を20~80mm好ましくは20~60mmとする。窒化性雰囲気、例えば、窒素Nと希ガスHe、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む雰囲気下、または窒素と水素Hと希ガス雰囲気下、またはアンモニアNH3と希ガス雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行うことによって、基板600表面を窒化することができる。基板600としてガラスや石英、シリコンウエハ等を用いた場合、基板600の表面に形成された窒化物層は窒化珪素を主成分とするので、基板600側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマCVD法で形成して下地層661としても良い。また、酸化珪素や酸窒化珪素などからなる下地層661の表面に対し同様な高密度プラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から1~10nmの深さを窒化処理をすることができる。このきわめて薄い窒化珪素の層は、ブロッキング層として機能し、且つその上に形成する半導体層662へ与える応力の影響が少ないので好ましい。下地層661上に半導体層662を形成する。半導体層662としては、島状の結晶性半導体膜や非晶質半導体膜を用いることができる。また、有機半導体膜を用いてもよい。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、RTARapidThermalAnneal又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層662は、チャネル形成領域662aと、導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域662bとを有する。なお、チャネル形成領域662aと一対の不純物領域662bとの間に、不純物領域662bよりも低濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域662cを有する構成を示したがこれに限定されない。低濃度不純物領域662cを設けない構成であってもよい。また、一対の不純物領域662bの上面の一部特に、配線666と接する部分または全面にシリサイドが形成された構造としてもよい。なお、半導体層662と同時に形成される配線は、基板600の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。上記配線の引き回し方法について図9に模式的に示す。半導体層と同時に形成される配線を配線3011で示す。図9Aは従来の配線の引き回し方法である。図9Bは本発明の配線の引き回し方法である。従来の角部1201aに対して角部1202aは丸くなっている。角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。薄膜トランジスタのチャネル形成領域662aにおいて、導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。こうして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。半導体層662上に第1の絶縁層663を形成する。第1の絶縁層663としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、第1の絶縁層663の表面を酸化雰囲気又は窒化雰囲気で高密度プラズマによって処理し、酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。高密度プラズマは、前述と同様に、高周波、例えば2.45GHzを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が1011~1013/cm3かつ電子温度が2eV以下、イオンエネルギーが5eV以下であるものを用いる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いた高周波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。また、高密度プラズマを発生させる装置において、高周波を発生するアンテナから基板600までの距離を20~80mm好ましくは20~60mmとする。なお、第1の絶縁層663を成膜する前に、半導体層662の表面に対して上記高密度プラズマ処理を行って、半導体層の表面を酸化又は窒化処理してもよい。このとき、基板600の温度を300~450°Cとし、酸化雰囲気又は窒化雰囲気で処理することにより、その上に堆積する第1の絶縁層663と良好な界面を形成することができる。窒化雰囲気としては、窒素Nと希ガスHe、Ne、Ar、Kr、Xeの少なくとも一つを含む雰囲気下、または窒素と水素Hと希ガス雰囲気下、またはアンモニアNH3と希ガス雰囲気を用いることができる。酸化雰囲気としては、酸素Oと希ガス雰囲気下、または酸素と水素Hと希ガス雰囲気下、または一酸化二窒素N2Oと希ガス雰囲気を用いることができる。第1の絶縁層663上にゲート電極664を形成する。ゲート電極664としては、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金、若しくは該元素の化合物を用いることができる。またこれらの元素、合金、化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、2層構造のゲート電極664を示した。なお、ゲート電極664やゲート電極664と同時に形成される配線は、基板600の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。引き回しの方法は図9Bに示した方法と同様とすることができる。ゲート電極664やゲート電極664と同時に形成される配線を配線3012で示す。角部1201bに対して角部1202bの様に角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。薄膜トランジスタは、半導体層662と、ゲート電極664と、半導体層662とゲート電極664との間のゲート絶縁膜として機能する第1の絶縁層663とによって構成される。本実施例では、薄膜トランジスタをトップゲート型のトランジスタとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のトランジスタであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のトランジスタであっても良い。ゲート電極664の側面に接するように絶縁膜図7中、サイドウォール667aと表記が設けられている。サイドウォール667aを形成した後、半導体層662に対して導電型を付与する不純物元素を添加することによって、自己整合的に低濃度不純物領域662cを形成することができる。また、一対の不純物領域662bにシリサイドが形成された構造をサイドウォール667aを用いて自己整合的に形成してもよい。なお、サイドウォール667aを設ける構成を示したが、これに限定されず、サイドウォールを設けなくてもよい。ゲート電極664及びサイドウォール667a上に第2の絶縁層667を形成する。第2の絶縁層667は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。第2の絶縁層667は窒化珪素または酸窒化珪素で形成する。この第2の絶縁層667は、半導体層662の汚染を防ぐ保護膜としての機能を有している。第2の絶縁層667を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のような高密度プラズマ処理をすることで、第2の絶縁層667の水素化を行っても良い。または、アンモニアNH3ガスを導入して、第2の絶縁層667の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、一酸化二窒素N2Oガスなどと水素ガスを導入して、第2の絶縁層667の酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第2の絶縁層667の表面を緻密化することができる。こうして第2の絶縁層667の保護膜としての機能を強化することができる。第2の絶縁層667に導入された水素は、その後400~450°Cの熱処理をすることにより放出されて、半導体層662の水素化をすることができる。なお当該水素化処理は、第1の絶縁層663を用いた水素化処理と組み合わせてもよい。第2の絶縁層667上に第3の絶縁層665を形成する。第3の絶縁層665としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層構造を用いることができる。無機絶縁膜としては、CVD法により形成された酸化珪素膜や、SOGSpinOnGlass法により形成された酸化珪素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、BCBベンゾシクロブテン、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第3の絶縁層665として、珪素Siと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される材料を用いることもできる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。第3の絶縁層665上に配線666を形成する。配線666としては、Al、Ni、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金を用いることができる。またこれらの元素、合金からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、単層構造の例を示した。なお、配線666は、基板600の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。引き回しの方法は図9Bに示した方法と同様とすることができる。配線666を配線3013で示す。角部1201cに対して角部1202cの様に角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。配線3013は、コンタクトホール3014によって配線3011と接続される。図7A乃至図7Bに示した構成では、配線666は、薄膜トランジスタのソースやドレインと接続される配線となる。配線666上に第4の絶縁層669を形成する。第4の絶縁層669としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層構造を用いることができる。無機絶縁膜としては、CVD法により形成された酸化珪素膜や、SOGSpinOnGlass法により形成された酸化珪素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、BCBベンゾシクロブテン、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、第4の絶縁層669として、珪素Siと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される材料を用いることもできる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。第4の絶縁層669上に電極134を形成する。電極134としては、Al、Ni、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mnから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金を用いることができる。またこれらの元素、合金からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、単層構造の例を示した。図7で示した構成において、半導体集積回路133をフィルムで覆うことによって封止してもよい。該フイルムの表面は、二酸化珪素シリカの粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。つまり、耐湿性の機能を持たせることができる。また、該フイルムの表面に帯電防止の機能を持たせてもよい。また、該フイルムの表面は、炭素を主成分とする材料例えば、ダイヤモンドライクカーボンによりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、フィルムは、基材の材料例えば樹脂と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。また、界面活性剤をフィルムの表面に塗る、もしくは界面活性剤をフィルムに直接練り込むことで帯電防止の機能を持たせることができる。半導体集積回路133とアンテナ100とを電気的に接続する構成は、実施の形態3及び実施の形態4で示した構成と同様であるので、説明は省略する。上記構成の本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1と自由に組み合わせて実施することができる。本発明の半導体装置が有する半導体集積回路133の具体的構成の一例及びその作製方法について、実施例2で示し構成とは別の構成を説明する。実施例2において図7に示した構成の半導体装置では、素子群601は基板600上に形成されたものをそのまま使用した。しかし、基板600上に形成した素子群601を基板600から剥離し、当該素子群601をフレキシブル基板に貼り合わせてもよい。本実施例では、素子群601を基板600から剥離しフレキシブル基板上に設ける方法について、図8を用いて説明する。図8Aに示すように、基板600上に絶縁層711、剥離層712、絶縁層713を形成する。基板600としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の合成樹脂からなる可撓性を有する基板を用いても良い。基板の表面を、CMP法などの研磨により平坦化しておいても良い。絶縁層711及び絶縁層713としては、気相成長法CVD法やスパッタリング法により形成した、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を用いることができる。剥離層712としては、スパッタリング法等により、W、Mo、Ti、Ta、Nb、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Si等から選ばれた元素または該元素を主成分とする合金若しくは化合物材料を含む層を、単層で又は積層して形成する。なお、珪素を含む層は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでも良い。剥離層712が単層構造の場合、好ましくは、W、Mo、WとMoの混合物、Wの酸化物、Wの酸化窒化物、Moの酸化物、Moの酸化窒化物、WとMoの混合物の酸化物、WとMoの混合物の酸化窒化物のいずれかを含む層を用いることができる。剥離層712が2層の積層構造の場合、好ましくは、1層目として、W、Mo、WとMoの混合物のいずれかを含む層を用い、2層目として、Wの酸化物、Wの酸化窒化物、Moの酸化物、Moの酸化窒化物、WとMoの混合物の酸化物、WとMoの混合物の酸化窒化物のいずれかを含む層を用いることができる。これらの酸化物や酸化窒化物は、1層目の表面を酸素プラズマ処理、またはN2Oプラズマ処理することによって形成することができる。次いで、図8Bに示すように、絶縁層713上に半導体層662を形成して素子群601を形成する。素子群601の形成方法については、図7を用いて説明した方法と同様であるので説明は省略する。素子群601を形成した後、素子群601を覆う絶縁層714を形成する。絶縁層714としては、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の樹脂を用いることができる。絶縁層714は第4の絶縁層669に相当する。図8Bでは示していないが、アンテナ100と素子群601の電気的接続をとるために、当該絶縁層714において配線666の一部が露呈するような開口部を設けておく。次に、図8Cに示すように、少なくとも剥離層712の一部が露呈するような開口部715を形成する。開口部715は、レーザービームを照射することによって形成することができる。レーザーは、紫外領域である150~380nmの波長の固体レーザーを用いることができる。次に、図8Dに示すように、接着層716によって絶縁層714上に基板717を貼り付ける。次に、図8Eに示すように、基板600から素子群601を剥離させる。基板600から素子群601を剥離させる方法は、A応力を加えることによって物理的に剥離する方法、B剥離層をエッチング剤により除去する方法、C剥離層をエッチング剤により部分的に除去し、その後物理的に剥離する方法のいずれを用いてもよい。図8Eでは、剥離層712と絶縁層713との界面で剥離されているが、これに限らず、剥離層712と絶縁層711との界面で剥離されても良いし、剥離層712自身が2つに分かれても良い。次いで、図8Fのように、さらにフレキシブル基板701を接着剤によって素子群601に貼り合わせる。フレキシブル基板701は、可撓性を有し、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック基板を用いることができる。また、剥離した素子群601のフレキシブル基板701への貼り付けは、市販の接着剤を用いればよく、例えば、エポキシ樹脂系接着剤を用いればよい。次いで、図8Gのように、素子群601をフレキシブル基板701に貼り付けた後、基板717を除去する。例えば、接着層716として加熱処理により接着力が低下する層を用い、加熱処理を行うことによって素子群601を基板717から剥離させることができる。こうしてフレキシブル基板701上に素子群601を設けることができる。こうして、素子群601をフレキシブル基板に設けることによって、厚さが薄く、軽く、落下しても割れにくい半導体装置が得られる。安価なフレキシブル基板を用いると、安価な半導体集積回路133を提供することができる。半導体集積回路133とアンテナ100とを電気的に接続する手法は、実施の形態3及び実施の形態4で示した手法と同様であるので、説明は省略する。図8Gで示した構成において、半導体集積回路133をフィルムで覆うことによって封止してもよい。該フイルムの表面は、二酸化珪素シリカの粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。つまり、耐湿性の機能を持たせることができる。また、該フイルムの表面に帯電防止の機能を持たせてもよい。また、該フイルムの表面は、炭素を主成分とする材料例えば、ダイヤモンドライクカーボンによりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、フィルムは、基材の材料例えば樹脂と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。また、フィルムに界面活性剤を表面に塗る、もしくは界面活性剤を直接練り込むことで帯電防止の機能を持たせることができる。本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1、実施例2と自由に組み合わせて実施することができる。本発明の半導体装置が有する半導体集積回路133の具体的構成の一例及びその作製方法について、実施例2や実施例3で示し構成とは別の構成を説明する。説明には図10を用いる。なお、図1乃至図8と同じ部分は同じ符号を用いて示す。実施例2や実施例3において、薄膜トランジスタを用いて素子群601を形成した構成を示した。本実施例は、シリコンウエハー等の半導体基板に形成されたトランジスタ単結晶トランジスタを用いて素子群601を形成した例である。図10Aは、図7Aに示した構成における薄膜トランジスタを単結晶トランジスタに置き換えた例である。図10Bは、図7Bに示した構成における薄膜トランジスタを単結晶トランジスタに置き換えた例である。半導体基板740に導電型を付与する不純物元素を添加することによって、チャネル形成領域662aと一対の不純物領域662bと、不純物領域662bよりも低濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域662cを形成する。また、絶縁層741を設けることによって複数の素子間を絶縁している。なお、図10では低濃度不純物領域662cを有する構成を示したがこれに限定されず低濃度不純物領域662cを設けない構成であってもよい。半導体基板740としては、例えば、単結晶シリコンの結晶軸100または110近傍と垂直な表面を有する単結晶シリコン基板において、当該基板の厚さを0.1μmより厚く20μm以下、代表的には1μm以上5μm以下の厚さに研磨したものを用いることができる。本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1乃至実施例3と自由に組み合わせて実施することができる。本実施例では、本発明のアンテナを用い、アンテナを介した無線通信によりデータが入出力される半導体装置以下、RFIDとも呼ぶについて説明する。また、RFIDを用いた無線通信システムについて説明する。図13Aに、RFID3000と、RFID3000と無線通信によってデータの交信を行うリーダ/ライタ図13中、R/W2201と表記とを有する無線通信システムの構成を示す。RFID3000は、アンテナ2202と、アンテナ2202と信号の入出力を行う回路部2203とを有する。アンテナ2202として本発明のアンテナ100を用いることができる。R/W2201は、アンテナ2206と、アンテナ2206と信号の入出力を行う回路部2207とを有する。RFID3000とR/W2201とは、アンテナ2202とアンテナ2206とによって、変調された搬送波無線信号ともいうを送受信することによりデータの入出力を行う。回路部2203は、アナログ部2204及びデジタル部2205を有する。アナログ部2204は、アンテナ2202と信号の入出力を行う。デジタル部2205は、アナログ部2204と信号の入出力を行う。図13Bに、アナログ部2204及びデジタル部2205の構成を示す。アナログ部2204は、共振容量2501と、帯域フィルタ2502と、電源回路2503と、復調回路2506と、変調回路2507とを有する。共振容量2501は、アンテナ2202が所定の周波数の信号を受信し易くするように設けられている。デジタル部2205は、コード抽出回路2301と、コード判定回路2302と、巡回冗長検査回路図13中、CRC回路2303と表記と、メモリ回路2305と、制御回路2304とを有する。RFID3000がデータを受信する場合について説明する。アンテナ2202から入力された変調された搬送波は、帯域フィルタ2502によってノイズを除去され、電源回路2503及び復調回路2506に入力される。電源回路2503は、整流回路及び保持容量を有する。帯域フィルタ2502を介して入力された変調された搬送波は、整流回路によって整流され、更に保持容量によって平滑化される。こうして、電源回路2503は直流電圧を生成する。電源回路2503において生成された直流電圧は電源電圧として、RFID3000が有する回路部2203内の各回路に供給される。なお、電源回路2503から出力される電源電圧は、定電圧回路レギュレータを介して回路部2203内の各回路に供給されてもよい。帯域フィルタ2502を介して入力された変調された搬送波は、復調回路2506によって復調され、復調された信号はデジタル部2205に入力される。アナログ部2204から入力された信号、即ち、変調された搬送波を復調回路2506によって復調した信号は、コード抽出回路2301に入力され、信号の有するコードが抽出される。コード抽出回路2301の出力は、コード判定回路2302に入力され、抽出されたコードが解析される。解析されたコードは、CRC回路2303に入力され、送信エラーを識別するための演算処理が行われる。こうして、CRC回路2303は受信データに誤りがあるか否かを制御回路2304に出力する。なお、復調回路2506の出力を用いて信号に同期した所定の周波数のクロックを生成する位相同期回路を有していてもよい。位相同期回路としては、フェーズロックドループ回路PhaseLockedLoop回路:PLL回路を用いることができる。次いで、RFID3000がデータを送信する場合について説明する。メモリ回路2305は、コード判定回路2302から入力される信号に応じて、記憶された固有識別子UIDを制御回路2304に出力する。メモリ回路は、メモリと、当該メモリからのデータの読み出しを制御するメモリコントローラとを有する。メモリとして、マスクROMを用いることができる。CRC回路2303は、送信データに対応するCRC符号を計算し、制御回路2304に出力する。制御回路2304は送信データにCRC符号を付加する。また、制御回路2304は、送信データにCRC符号が付加されたデータを符号化する。更に、制御回路2304は、符号化された情報を、所定の変調方式に対応して搬送波を変調するための信号に変換する。制御回路2304の出力は、アナログ部2204の変調回路2507に入力される。変調回路2507は、入力された信号に応じて搬送波を負荷変調し、アンテナ2202に出力する。本実施の形態は、実施の形態、実施例1乃至実施例4と自由に組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、本発明の半導体装置の半導体集積回路133が有するメモリ図13中、メモリ回路2305の有するメモリに相当の作製方法について説明する。メモリとしてマスクROMを用いる例を説明する。マスクROMは複数のトランジスタで形成され、マスクROMを構成するトランジスタは、フォトリソグラフィを用いて形成される。その際、トランジスタ上に形成された層間絶縁膜において、トランジスタの例えばドレイン領域と接続する配線用のコンタクトホールを開口するか開口しないか選択する。こうして、異なるデータを書き込むことができる。例えば開口する場合は1、開口しない場合は0のデータを、メモリセルに書き込むことが可能である。フォトレジストを露光する工程において、ステッパなどの露光装置を用いてレチクルフォトマスクを通して露光する工程の前又は後に、上記コンタクトホールが開口される領域上のフォトレジストに電子ビーム又はレーザーを照射する。その後、通常どおり現像、エッチング、フォトレジストの剥離などの工程をおこなう。こうすることで、レチクルフォトマスクを交換せずに、電子ビーム又はレーザーの照射領域を選択するのみで、上記コンタクトホールを開口するパターンと開口しないパターンをつくり分けることができる。すなわち、レチクルフォトマスクを変えることなく、電子ビーム又はレーザーの照射領域を選択することで、半導体装置毎に異なるデータが書き込まれたマスクROMを作製することが可能となる。このようなマスクROMの作製方法を用いることによって、製造時に半導体装置毎に固有識別子UID:UniqueIdentifierを設定することが可能となる。異なるUIDを設定する場合においても、レチクルフォトマスクを変える必要がないので、より低コストで半導体装置を作製することが可能となる。なお、本発明の半導体装置の半導体集積回路133は、マスクROMのかわりに、追記が可能なメモリを有していてもよいし、書き換え可能なメモリを有していてもよい。また、マスクROMとこれらのメモリの両方を有していてもよい。本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1乃至実施例5と自由に組み合わせて実施することができる。本実施例では、無線通信によってデータが入出力される半導体装置RFIDにおける、無線通信の搬送波について説明する。搬送波の周波数は、サブミリ波である300GHz以上3THz以下、ミリ波である30GHz以上300GHz未満、マイクロ波である3GHz以上30GHz未満、極超短波である300MHz以上3GHz未満、超短波である30MHz以上300MHz未満、短波である3MHz以上30MHz未満、中波である300KHz以上3MHz未満、長波である30KHz以上300KHz未満、及び超長波である3KHz以上30KHz未満のいずれの周波数も用いることができる。例えば、13.56MHzの周波数の搬送波を用いてもよいし、2.45GHzの周波数の搬送波を用いてもよい。アンテナ100の形状、即ち、第1のパターン102及び第2のパターン104の形状は、搬送波の周波数に応じて変えることができる。また、アンテナ100の形状、即ち、第1のパターン102及び第2のパターン104の形状は、無線通信の伝送方式に応じて変えることができる。例えば、電磁誘導方式を用いる場合はコイル状とし、マイクロ波方式を用いる場合はダイポール状とすることができる。本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1乃至実施例6と自由に組み合わせて実施することができる。本実施例では、本発明の半導体装置の用途について図11を用いて説明する。本発明の半導体装置300は、アンテナ100を有し、アンテナ100を介した無線通信によってデータが入出力されることを特徴とする。半導体装置300は、例えば、紙幣、硬貨、有価証券、無記名債券類、証書類運転免許証や住民票等、図11A参照に設けて使用することができる。また、包装用容器類包装紙やボトル等、図11B参照に設けて使用することもできる。DVDソフトやCDやビデオテープ等の記録媒体図11C参照に設けて使用することもできる。車やバイクや自転車等の乗物類図11D参照に設けて使用することもできる。鞄や眼鏡等の身の回り品図11E参照、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することもできる。電子機器とは、液晶表示装置、ELエレクトロルミネッセンス表示装置、テレビジョン装置単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶおよび携帯電話機等を指す。半導体装置300は、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に半導体装置300を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に半導体装置300を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に半導体装置300を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に半導体装置300を埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。本発明の半導体装置300は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ100を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。よって、半導体装置300は多種多様なものに設けて使用することができる。。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1乃至実施例7と自由に組み合わせて実施することができる。本実施例では、本発明の半導体装置300を用いた無線通信システムの一形態について、図12を用いて説明する。表示部9521を含む端末9520には、アンテナ及び当該アンテナに接続されたリーダライタが設けられている。物品A9532には本発明の半導体装置300が設けられ、物品B9522にも本発明の半導体装置300が設けられている。図12Aでは、物品Aや物品Bの一例として内服薬を示した。物品A9532が含む半導体装置300に端末9520のアンテナをかざすと、表示部9521に物品A9532の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。物品B9522が含む半導体装置300に端末9520のアンテナをかざすと、表示部9521に物品B9522の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。図12Aに示すシステムを利用したビジネスモデルの一例を示す。説明には図12Bのフローチャートを用いる。端末9520において、アレルギーの情報を入力しておく第1のステップ4001。アレルギーの情報とは、所定の人物がアレルギー反応を起こす医薬品またはその成分等の情報である。端末9520に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品A9532である内服薬Aの情報を取得する第2のステップ4002。内服薬Aの情報には内服薬Aの成分等の情報が含まれる。アレルギーの情報と取得した内服薬Aの成分等の情報とを比較し、一致するか否かを判断する第3のステップ4003。一致する場合、所定の人物は内服薬Aに対してアレルギー反応を起こす危険性があるとし、端末9520の使用者に注意を呼びかける第4のステップ4004。一致しない場合、所定の人物は内服薬Aに対してアレルギー反応を起こす危険性が少ないとし、端末9520の使用者にその旨安全である旨を知らせる第5のステップ4005。第4のステップ4004や第5のステップ4005において、端末9520の使用者に情報を知らせる方法は、端末9520の表示部9521に表示を行う方法であっても良いし、端末9520のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。また、別のビジネスモデルの例を図12Cに示す。端末9520に、同時に服用すると危険な内服薬または同時に服用すると危険な内服薬の成分の組み合わせの情報以下、組み合わせの情報というを入力しておく第1のステップ4101。端末9520に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品A9532である内服薬Aの情報を取得する第2のステップ4102。内服薬Aの情報には内服薬Aの成分等の情報が含まれる。次いで、端末9520に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品B9522である内服薬Bの情報を取得する第3のステップ4103。内服薬Bの情報には内服薬Bの成分等の情報が含まれる。こうして、複数の内服薬の情報を取得する。組み合わせの情報と取得した複数の内服薬の情報とを比較し、一致するか否か、即ち、同時に使用すると危険な内服薬の成分の組み合わせが有るか否かを判断する第4のステップ4104。一致する場合、端末9520の使用者に注意を呼びかける第5のステップ4105。一致しない場合、端末9520の使用者にその旨安全である旨を知らせる第6のステップ4106。第5のステップ4105や第6のステップ4106において、端末9520の使用者に情報を知らせる方法は、端末9520の表示部9521に表示を行う方法であっても良いし、端末のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。本発明の半導体装置は、通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。そのため、当該半導体装置を用いた無線通信システムに本発明を適用することによって、無線通信システムの適用範囲を広げることができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例1乃至実施例8と自由に組み合わせて実施することができる。