"基材と、前記基材に設けられた第1リード電極及び第2リード電極と、前記第1リード電極と前記第2リード電極との間の前記基材上に設けられたサブマウントと、前記サブマウントの上にフリップチップ実装された発光素子と、を備え、前記第1リード電極及び前記第2リード電極の互いに対向する側面が、前記基材から露出しており、前記サブマウントは、前記第1リード電極及び前記第2リード電極の互いに対向する側面とそれぞれ導電性接着剤を介して接続されていることを特徴とする発光装置。前記サブマウントと前記第1リード電極及び前記第2リード電極との間に、導電性接着剤が充填されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記サブマウントの上面は、前記第1リード電極及び前記第2リード電極の上面と同一の高さであることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の発光装置。前記サブマウントの上面に配線を有し、前記配線は、前記発光素子の正電極及び負電極が載置される第1素子載置部及び第2素子載置部と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極と前記導電性接着剤を介して接続される第1端子部及び第2端子部と、前記第1素子載置部及び前記第2素子載置部と前記第1端子部及び前記第2端子部を繋ぐ第1結線部及び第2結線部とを有し、前記第1結線部及び第2結線部は、前記第1端子部及び前記第2端子部よりも幅が細いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。前記第1結線部及び前記第2結線部の一端が、前記第1素子載置部及び前記第2素子載置部の外縁において、前記第1端子部及び前記第2端子部と対向する外縁とは異なる外縁に対して接続されていることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。前記第2結線部の一端が、前記第1結線部の一端が接続される前記第1素子載置部の外縁と対向する側の前記第2素子載置部の外縁に接続されていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。しかしながら、パッケージのリード電極上にサブマウントを配置する場合、発光素子を囲むパッケージの壁部を高くする必要があるため、発光装置の薄型化には不向きである。また、上面及び下面に電極を備えるサブマウントは、電極形成工程が複雑になり、製造コストが上昇してしまう。本発明は、前記した問題点に鑑み創案されたものであり、薄型化が可能で、信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。本発明に係る発光装置は、基材と、前記基材に設けられた第1リード電極及び第2リード電極と、前記第1リード電極と前記第2リード電極との間の前記基材上に設けられたサブマウントと、前記サブマウントの上にフリップチップ実装された発光素子と、を備え、前記第1リード電極及び前記第2リード電極の互いに対向する側面が、前記基材から露出しており、前記サブマウントは、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とそれぞれ導電性接着剤を介して接続されている。前記サブマウントと前記第1リード電極及び前記第2リード電極との間に、導電性接着剤が充填されていることが好ましい。前記サブマウントの上面は、前記第1リード電極及び前記第2リード電極の上面と同一の高さであることが好ましい。前記サブマウントの上面に配線を有し、前記配線は、前記発光素子の正電極及び負電極が載置される第1素子載置部及び第2素子載置部と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極と前記導電性接着剤を介して接続される第1端子部及び第2端子部と、前記第1素子載置部及び前記第2素子載置部と前記第1端子部及び前記第2端子部を繋ぐ第1結線部及び第2結線部とを有し、前記第1結線部及び第2結線部は、前記第1端子部及び前記第2端子部よりも幅が細いことが好ましい。前記第1結線部及び前記第2結線部の一端が、前記第1素子載置部及び前記第2素子載置部の外縁において、前記第1端子部及び前記第2端子部と対向する外縁とは異なる外縁に対して接続されていることが好ましい。前記第2結線部の一端が、前記第1結線部の一端が接続される前記第1素子載置部の外縁と対向する側の前記第2素子載置部の外縁に接続されていることが好ましい。本発明により、薄型化が可能で、信頼性の高い発光装置を得ることができる。以下に示す形態は本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。<第1実施形態>図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の一例を示す概略図であり、図2のI-I’線における端面図である。図2は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の一例を示す概略平面図である。本実施形態に係る発光装置は、基材2と、基材2に固定される第1リード電極31及び第2リード電極32とを含んで構成される。基材は、発光素子1が配置される凹部20を有している。第1リード電極31及び第2リード電極32は、発光素子1の正電極及び負電極に対応している。各リード電極の一端側第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aは、後述するサブマウント4を介して互いに対向する側面を有している。各リード電極は、少なくとも互いに対向する側面が、基材2から露出している。また、各リード電極の他端側第1アウターリード部31b及び第2アウターリード部32bは、基材2の外部に露出し、外部と電気的に接続する端子として機能する。第1アウターリード部31b及び第2アウターリード部32bは、発光装置の基材の外面に沿って折り曲げられていてもよい。基材2の凹部20の底面20aは、各リード電極の第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの上面よりも下に配置されている。本実施形態に係る発光装置においては、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aは、凹部20の内壁面20bから凹部20内に突出するように設けられ、基材2の凹部20内において、上面及び側面が露出している。本明細書では、第1リード電極31及び第2リード電極32のうち、基材2の凹部20内に露出する部分、および、基材2の内部に埋設されている部分をインナーリード部と称し、基材2の外部に露出する部分をアウターリード部と称する。第1リード電極31のインナーリード部31aと第2リード電極32のインナーリード部32aとの間に露出する基材凹部20の底面20a上に、サブマウント4が配置される。サブマウント4は、上面に配線5を有している。サブマウント4の配線5上に発光素子1の電極が実装される。サブマウント4と各リード電極の第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aは離間して設けられており、サブマウント4の配線5と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの互いに対向する側面及び上面は、導電性接着剤8を介して接続される。サブマウント4は、その全体が、第1インナーリード部31aの側面と第2インナーリード部の側面との間に配置されており、発光装置の上下方向において、サブマウント4と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとは重ならないように配置されている。このような構成を採ることにより、発光装置の薄型化が可能である。以下、本実施形態の発光装置を構成する各構成部材について詳細に説明する。基材2基材2は、発光装置の外形を成す部材であり、発光素子1及びサブマウント4を配置する凹部20を備えている。基材2は、発光装置の発光面となる上面を有し、該上面に凹部20の開口部を有する。凹部20の内壁面20bは、凹部20の幅が凹部20の底面20aから開口部に向かって広がるように傾斜していることが好ましい。特に、開口部が一方向に長い場合、開口部の長手方向の両側内壁面を延長したときに、その2つの内壁面のなす角度θが90°以上であることが好ましい。このような基材を有する発光装置は、前記一方向に効率よく配光を広げることができることから、バックライト用光源として好適に用いることができる。基材2の凹部20の底面20aには、凹凸等を設けてもよい。例えば、サブマウント4を基材2に配置する前に、基材2の凹部20内にエッチングあるいはブラスト処理を施すことにより、基材2の凹部20内に凹凸を形成することができる。これにより、後述するサブマウント接合部材7との密着性を向上させることができる。また、金型を用いたトランスファモールド等によって基材を形成する場合、上下金型の締結状態、樹脂の粘度などの要因によって、キャビティから樹脂漏れが生じ、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aにおける導電性接着剤が接合する領域にまで極薄膜状の樹脂層又はバリ等が形成され、電気的接続に支障をきたすことがある。このような場合、エッチングあるいはブラスト処理を施すことにより、不要な樹脂層やバリ等を除去することができる。基材は、耐熱性及び適度な強度を有し、発光素子からの光が透過しにくい絶縁性の材料によって構成される。基材を構成する材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレートPBT等が挙げられる。特にポリフタルアミド樹脂のような高融点結晶を含有する半結晶性ポリマー樹脂は表面エネルギーが大きく、上記成形樹脂の開口部に充填する封止樹脂との密着性が良好であるので好適である。これにより封止樹脂を充填し硬化する工程において、樹脂の冷却過程の間に成形樹脂と封止樹脂との界面が剥離しにくくなる。また、基材が発光素子1からの光を効率良く反射できるように、基材を構成する樹脂中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合してもよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂を用いることができる。基材として上述した樹脂を用いる場合、リード電極の線膨張係数との差に起因して、発光装置の輸送、保管における温度変化、発光装置の駆動時の発熱等によって、リード電極が撓みやすい。本願発明は、サブマウントの上に発光素子を配置し、サブマウントとリード電極とを導電性接着剤を用いて接続する構成を採ることにより、リード電極の撓みによる発光素子や周辺部材の接合部分への負荷を大幅に軽減することができる。従って、本願発明は、基材として上述した樹脂を用いる場合に特に効果的である。第1リード電極31、第2リード電極32第1リード電極及び第2リード電極は、基材に設けられ、外部電極図示省略と発光素子1とを電気的に接続する正負一対の電極である。第1リード電極31及び第2リード電極32の大部分は、基材2に埋設されており、第1リード電極31及び第2リード電極32の一部分が、基材2から露出している。すなわち、第1リード電極及び第2リード電極の一部分が、発光装置の外部から観察される。第1リード電極及び第2リード電極の材料は、導電性であれば特に限定されないが、例えば鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等が好適である。さらに、第1リード電極及び第2リード電極の線膨張係数は、12.1ppm/°C以下であることが好ましい。これにより高温環境下で発光装置を使用した際に、リード電極の熱膨張によりサブマウント4との接続部が破壊されることを未然に防ぐことができる。このような第1リード電極及び第2リード電極は、具体的にはFe、Fe合金、または42アロイを主材料とする金属にて構成することができる。基材2の凹部20の底面20aは、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの上面よりも下に配置されている。基材2の凹部20内に露出する第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの厚み基材2の凹部20の底面20aから第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの上面までの高さを、サブマウント4の厚みと同程度とすることにより、サブマウント4の上面を第1リード電極31及び第2リード電極32の上面と同程度の高さに抑えることができるため、導電性接着剤8をサブマウント4及び第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aに対して安定性良く配置することができる。図1に示すように、基材2の凹部20内には、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aが露出している。また、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面はサブマウント4を介して対向して配置されている。基材2の凹部20内に露出する第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面の高さは、サブマウントの厚みと同程度とすることが好ましく、第1インナーリード部及び第2インナーリード部の上面とサブマウントの上面の高低差は、0.2mm以下とすることが好ましい。第1リード電極31の第1インナーリード部31a及び第2リード電極32の第2インナーリード部32aの間には、基材2の凹部20の底面20aが露出している。第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面同士の間隔は、サブマウント4の幅よりも10~300μm程度大きいことが好ましい。サブマウント4を第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aから離間して配置させることにより、サブマウント4と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとの間に導電性接着剤8の一部を配置させることができ、導電性接着剤8と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとの接合面積を確保することができる。発光素子1発光素子1としては、発光ダイオード等を用いることができる。発光素子の構造としては、同一面側に正電極と負電極が形成された構造の半導体素子を用いることができる。例えば、サファイア等の透光性基板の上に、第1導電型半導体層、発光層及び第2導電型半導体層がこの順に形成された半導体積層構造を備え、この半導体積層構造に電流を供給するための正電極及び負電極が設けられた半導体発光素子構造を有するものが挙げられる。なお、発光素子はこれらの構成に限定されるものではなく、他の半導体層構造を用いて構成してもよい。また、電気的短絡を防止するための保護層や光取り出し効率を向上させるための反射層などを適宜備えるように構成してもよい。本実施の形態において、発光素子1は、サブマウント4の配線5上にフリップチップ実装される。即ち、発光素子1の電極がサブマウント4の配線5に素子接合部材6を介して実装されており、電極が形成された面と対向する透光性基板側を光取り出し面として配置されている。これにより、発光素子にワイヤを接続しない構造とすることができ、発光装置の厚みを抑えることができる。発光装置を白色発光させる場合には、青色発光する発光素子の外側を、蛍光体若しくは蛍光体を含む樹脂等からなる蛍光体層で覆う構成としてもよい。例えば、青色発光する発光素子には、黄色発光するセリウムで賦活されたYAGイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体、又はSr,Ba2SiO4:Eu等のシリケート系蛍光体と組み合わせて白色発光の構造とすることができる。なお、発光素子の発光部は光を照射することができれば、その発光色、あるいは構造を特に限定されるものではない。サブマウント4サブマウント4は、基体の上に配線を有している。配線5は、発光素子1の正電極及び負電極に対応して2つ設けられており、発光素子1はサブマウント4の配線5の上に実装される。サブマウント4の基体は、例えば、Si、SiC、サファイア、PCB、AlN、Al2O3、または関連の用途で使用される何れかの既知の材料から形成することができ、保護素子としての機能を追加してもよい。サブマウントの基体が、絶縁性材料からなるものであると、取り扱いやすくなるため好ましい。配線は、導電性であれば特に限定されないが、例えばCu、Sn、Au、Pt、Rh、In、Ag、Al、Ti、W、Ni等が好適である。サブマウントの大きさは、発光素子や発光装置の基材に合わせて、適宜決定することができる。サブマウントの幅は、第1インナーリード部31aと第2インナーリード部32aとの間に配置することができ、発光素子の載置且つ導通、導電性接着剤の接着且つ導通が可能であれば、特に限定されない。サブマウントが略矩形から成る場合、短辺の長さが発光素子の対角線よりも長いものであると扱いやすく、また安定性良く基材上に配置することができる。サブマウントの厚みは、基材2の凹部20内に納まり、発光装置の指向性に影響を与えない範囲であれば特に限定されないが、基材上の第1リード電極31及び第2リード電極32の上面と同一の高さであることが好ましい。これにより、導電性接着剤8をサブマウント4及び第1リード電極31及び第2リード電極32に対して安定性良く配置することができる。図3は、サブマウントの配線の一例を示す概略平面図である。図3における破線部は、発光素子が配置される領域11を示している。図3に示すように、サブマウントの基体の上面に設けられる配線は、発光素子の正電極及び負電極と対向するように設けられる第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aと、導電性接着剤8を介してリード電極の第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとそれぞれ接続される第1端子部51b及び第2端子部52bと、第1素子載置部51aと第1端子部51b、及び第2素子載置部52aと第2端子部52bとをそれぞれ繋ぐ第1結線部51c及び第2結線部52cと、を有している。図3に示す例においては、第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aは、各リード電極の第1インナーリード部31a、第2インナーリード部32aの配列方向において、サブマウント4の基体の上面の略中央に配置され、発光素子の正電極及び負電極が接続可能なパターンを有している。第1端子部51b及び第2端子部52bは、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの配列方向において、第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aを挟むように配置されている。また、第1端子部51b及び第2端子部52bは、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aと対向するサブマウント4の外縁の近傍まで延在するように配置されている。第1結線部51c及び第2結線部52cは、第1素子載置部51aと第1端子部51bとの間、及び第2素子載置部52aと第2端子部52bとの間にそれぞれ配置されている。第1結線部51c及び第2結線部52cは、第1端子部51b及び第2端子部52bよりも幅が細い。第1結線部51c及び第2結線部52cの幅は、配線の抵抗に影響を及ぼさない範囲で細く設けることが好ましい。図3に示す例においては、第1結線部51c及び第2結線部52cは、第1素子載置部51aと第1端子部51b、及び第2素子載置部52aと第2端子部52bのそれぞれ対向する外縁の中央部に接続されている。このように、第1素子載置部51aと第1端子部51bとの間、及び第2素子載置部52aと第2端子部52bとの間に、これよりも幅が細い第1結線部51c、第2結線部52cを備えることにより、素子接合部材6や導電性接着剤8の過度な濡れ拡がりを抑え、発光素子の接続部の破壊や光取り出し効率の低下等の発生を防止することができる。図4は、サブマウントの配線の他の例を示す概略平面図である。図3に示す配線と比較して、第1結線部51c及び第2結線部52cの一端が、第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aの外縁において、第1端子部51b及び第2端子部52bと対向する外縁とは異なる外縁に対して接続されており、第1結線部51c及び第2結線部52cの他端が、第1端子部51b及び第2端子部52bの対向する外縁の端部にそれぞれ接続されている点が異なる。第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aから延びる結線部と第1端子部51b及び第2端子部52bから延びる結線部は交差しており、第1端子部51b及び第2端子部52bから延びる第1結線部51c及び第2結線部52cの延伸方向に第1素子載置部51a及び第2素子載置部52aが存在しない。これにより、素子接合部材6及び導電性接着剤8の過度な濡れ拡がりをより効果的に抑えることができる。図5は、サブマウントの配線の他の例を示す概略平面図である。図4に示す配線と比較して、第1結線部51cの一端が接続される第1素子載置部51aの外縁図5における上側と対向する側の第2素子載置部52aの外縁図5における下側に第2結線部52cの一端が接続されている点が異なる。これにより、第1結線部51c及び第2結線部52c同士の短絡を防止することができる。図1においては、サブマウント4は、基体の上面に配線5が設けられている。これにより、電極形成工程を簡略化することができ、製造コストを抑えることができる。一方、図6に示すように、サブマウント4は、基体の側面に配線5が設けられていてもよい。これにより、導電性接着剤8とサブマウントとの接合面積を確保することができる。また、サブマウント4と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aは、それぞれの側面のみにおいて導電性接着剤8に接合されていてもよい。これにより、サブマウントの上面の面積と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの上面の面積を縮小させることができるため、発光装置を小型化することができる。素子接合部材6素子接合部材としては、発光素子とサブマウントの配線とを物理的かつ電気的に接続することができる材料を用いる。例えば、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu、Au-Sn等のハンダ材料やAu等の金属バンプ、異方性導電ペースト等を用いることができる。サブマウント接合部材7サブマウント接合部材は、サブマウントを発光装置の基材に接合させるための部材である。図1に示すように、サブマウント接合部材7は、サブマウント4の側面と、サブマウントと第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとの間に露出する基材2の凹部20の底面20aに接合されることが好ましい。これにより、サブマウント及びその上に実装される発光素子の高さを抑えることができる。また、サブマウント接合部材7は、サブマウント4の裏面と、サブマウントの裏面と対向する基材2の凹部20の底面20aに接合されてもよい。これにより、サブマウント4と基材2との接合強度を高めることができる。サブマウント接合部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。サブマウント接合部材は、導電性接着剤によって被覆されていることが好ましい。これにより、サブマウント接合部材の材料として、発光素子からの光取り出し効率を考慮することなく、接合信頼性を優先した材料の選択が可能となる。導電性接着剤8導電性接着剤は、サブマウント4の配線5と第1リード電極31及び第2リード電極32とを電気的に接続するための部材である。導電性接着剤としては、加熱溶融する導電性ペーストを用いることができる。サブマウントとリード電極の電気的接続には、例えば、導電性ペーストの供給時の加熱溶融によるブリッジ現象を利用することができる。このような導電性ペーストとしては、AuSn合金、SnAgCu合金、SnPb合金、InSn合金、Pt系合金、Ag、SnAgを用いることができる。リード電極の表面が銀で形成されている場合は、導電性接着剤としてAuSn合金、SnPb合金、InSn合金、Pt系合金等の材料を用いてリード電極のインナーリード部を被覆することにより、銀の劣化、特に硫化を抑制することができる。導電性接着剤は、発光装置の光取り出し効率を高めるために、基材よりも反射率の高い材料を含んでなることが好ましい。また、導電性接着剤は、サブマウントとリード電極のインナーリード部との間に充填されていることが好ましい。<第2実施形態>図7は、本発明の第2実施形態に係る発光装置の一例を示す概略端面図である。第1実施形態に係る発光装置と重複する構成については、説明を省略する。本実施形態に係る発光装置200は、発光素子1が配置される凹部20を有する基材2と、基材2に固定される第1リード電極31及び第2リード電極32とを含んで構成される。第1リード電極31及び第2リード電極32は、基材2の凹部20内における内壁面20bから第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの互いに対向する側面のみが露出している。また、第1アウターリード部31b及び第2アウターリード部32bが、基材2の外部に露出している。第1リード電極31と第2リード電極32との間に露出する基材2凹部20の底面20a上に、配線5を有するサブマウント4が配置される。サブマウント4の配線5上には発光素子1が実装される。サブマウント4と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aは離間しており、サブマウント4の配線5と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面は、導電性接着剤8を介して接続される。導電性接着剤8は、基材2の凹部20内において、サブマウント4と、基材2の凹部20の内壁面20bに露出する第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面との間に設けられており、第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aの側面を被覆している。本実施形態の発光装置においては、基材2の凹部20の底面20aは、サブマウント4を配置する領域と、サブマウント4と第1インナーリード部31a及び第2インナーリード部32aとを離間させるための領域とを確保すればよく、第1インナーリード部及び第2インナーリード部を配置する領域を確保する必要はない。そのため、発光装置を小型化することができる。<第3実施形態>図8は、本発明の第3実施形態に係る発光装置の一例を示す概略端面図である。第1実施形態に係る発光装置と重複する構成については、説明を省略する。本実施形態に係る発光装置300は、発光素子1が配置される凹部20を有する基材2と、基材2に固定される第1リード電極31及び第2リード電極32とを含んで構成される。第1リード電極31及び第2リード電極32の裏面は、基材2の外部に露出しており、発光装置の外表面の一部を形成している。第1リード電極31及び第2リード電極32の一端の少なくとも互いに対向する側面の一部が、基材2の凹部20内において露出している。第1リード電極31及び第2リード電極32の互いに対向する側面は、上側が基材2の凹部20内に露出しており、下側が基材2で覆われている。第1リード電極31と第2リード電極32との間に露出する基材2凹部20の底面20a上に、配線5を有するサブマウント4が配置される。サブマウント4の配線5上には発光素子1が実装される。サブマウント4と第1リード電極31及び第2リード電極32は離間しており、サブマウント4の配線5と第1リード電極31及び第2リード電極32の互いに対向する側面及び上面は、導電性接着剤8を介して接続される。本実施形態の発光装置は、第1実施形態に係る発酵装置と比較して、第1リード電極31及び第2リード電極32よりも下に基材2がない分、発光装置の薄型化を図ることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。例えば、第1リード電極31及び第2リード電極32は、基材の凹部内において露出する一端が傾斜面や湾曲面となっていてもよい。また、前記実施形態に係る発光装置は、基材に凹部が設けられているものとしたが、凹部を設けることなく、板状の基材の上面にサブマウント、第1リード電極及び第2リード電極を載置するようにしてもよい。"