積層された複数の基板のうちの特定の基板の位置を検出する検出方法であって、前記特定の基板のエッジの一部分を含む領域に照明を照射するステップと、前記領域を撮像した画像を取得するステップと、前記画像に現れる段差部の位置に基づいて前記特定の基板のエッジの位置を特定するステップとを備え、前記照明を照射するステップにおける前記領域に照明を照射する方向、および、前記画像を取得するステップにおける前記領域を撮像する方向の少なくともいずれか一方が、前記基板の面方向に対して斜めである検出方法。前記画像を取得するステップは、前記照明を照射するステップにおいて照射された照明の前記領域での正反射による画像を含む請求項1に記載の検出方法。前記照明を照射するステップにおいて、照明の入射光線と反射光線とが作る面が、前記基板が円形の場合における径方向と交差する請求項1または2に記載の検出方法。前記照明を照射するステップにおいて、前記特定の基板が円形の場合における径方向に延伸するパターンを持った照明を照射する請求項1から3のいずれか1項に記載の検出方法。前記特定の基板が円形の場合における径方向と交差する方向に、前記複数の基板を移動するステップをさらに備え、前記画像を取得するステップにおいて、前記基板の移動における前記基板の複数の位置のそれぞれにおいて、前記領域を、前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得し、前記基板の位置を特定するステップにおいて、前記基板の複数の位置における前記画像の前記段差部の位置に基づいて、前記エッジに含まれる特徴箇所の位置を検出する請求項1から4のいずれか1項に記載の検出方法。前記照明を照射するステップにおいて、前記径方向に交差する方向に前記照明を走査し、前記画像を取得するステップにおいて、前記照明の走査における前記照明の複数の位置のそれぞれにおいて、前記領域を、前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得し、前記基板の位置を特定するステップにおいて、前記照明の複数の位置における前記画像の前記段差部の位置に基づいて、前記エッジに含まれる特徴箇所の位置を特定する請求項4に記載の検出方法。前記画像を取得するステップは、前記特定の基板のエッジがノッチを有している場合に、前記特定の基板における前記ノッチを含む領域および他の領域を撮像した画像を取得するステップを含み、前記基板の位置を特定するステップは、前記他の領域を撮像した画像に基づいて、前記特定の基板の位置を特定するステップ、および、前記ノッチを含む領域を撮像した画像に基づいて、前記ノッチの回転方向を特定するステップを含む請求項1または2に記載の検出方法。前記画像を取得するステップは、前記他の領域として複数の異なる領域のそれぞれについて画像を取得する請求項7に記載の検出方法。前記照明を照射するステップにおいて、前記特定の基板が略円盤状の場合における径方向に延伸するパターンを持った照明を、前記ノッチを含む領域および前記他の領域に前記基板の面方向に対して斜めから照射する請求項7または8に記載の検出方法。前記複数の基板を、前記径方向に交差する方向に移動するステップをさらに備え、前記画像を取得するステップにおいて、前記基板の移動における前記基板の複数の位置のそれぞれにおいて、少なくとも前記ノッチを含む領域を、前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得し、前記エッジの位置を特定するステップにおいて、前記基板の複数の位置における前記画像の前記段差部の位置に基づいて、前記ノッチに含まれる特徴箇所の位置を検出する請求項9に記載の検出方法。前記画像を取得するステップにおいて、前記基板の移動における複数の位置のそれぞれにおいて、前記他の領域を、前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得し、前記他の領域の前記複数の位置に対応する画像間におけるエッジの位置の変位に基づいて、前記ノッチの特徴箇所の位置を補正するステップをさらに備える請求項10に記載の検出方法。前記照明を照射するステップにおいて、前記径方向に交差する方向に前記照明を走査し、前記画像を取得するステップにおいて、前記照明の複数の位置のそれぞれにおいて、前記ノッチを含む領域を、前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得し、前記基板の位置を特定するステップにおいて、前記照明の複数の位置に対応する複数の画像の前記段差部の位置に基づいて、前記ノッチに含まれる特徴箇所の位置を特定する請求項9に記載の検出方法。前記画像を取得するステップにおいて、前記他の領域は前記基板が円形の場合における前記ノッチに対して90度回転した位置を含む請求項7から12のいずれか1項に記載の検出方法。前記画像を取得するステップにおいて、前記他の領域は前記基板が円形の場合における前記ノッチに対して180度回転した位置を含む請求項7から12のいずれか1項に記載の検出方法。前記画像を取得するステップにおいて、アオリ光学系を用いる請求項1から14のいずれか1項に記載の検出方法。積層された複数の基板のうちの特定の基板の位置を検出する検出装置であって、前記特定の基板のエッジの一部分を含む領域に照明を照射する照明部と、前記領域を前記基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得する画像取得部と、前記画像に現れる段差部の位置に基づいて前記特定の基板のエッジの位置を特定する位置特定部とを備え、前記照明部における前記領域に照明を照射する方向、および、前記画像取得部における前記領域を撮像する方向の少なくともいずれか一方が、前記基板の面方向に対して斜めである検出装置。前記照明部において、照明の入射光線と反射光線とが作る面が、前記基板が円形の場合における径方向と交差する請求項16に記載の検出装置。前記基板の複数の領域のそれぞれを照射すべく複数の前記照明部が設けられると共に、前記複数の照明部に対応した複数の前記画像取得部が設けられた請求項16または17に記載の検出装置。複数の基板を積層する場合に、位置決めに各基板の外形が基準とされることがある。この場合には、外形が透過型の光学系により検出される。しかしながら、検出対象の基板がすでに複数の基板を積層した積層基板であり、特に上段の基板が下段の基板よりも外形が小さい場合に、当該上段の基板の外形を正確に検出することが困難である。本発明の第1の態様においては、積層された複数の基板のうちの特定の基板の位置を検出する検出方法であって、特定の基板のエッジの一部分を含む領域に照明を照射するステップと、領域を撮像した画像を取得するステップと、画像に現れる段差部の位置に基づいて特定の基板のエッジの位置を特定するステップとを備え、照明を照射するステップにおける領域に照明を照射する方向、および、画像を取得するステップにおける領域を撮像する方向の少なくともいずれか一方が、基板の面方向に対して斜めである検出方法が提供される。本発明の第2の態様においては、積層された複数の基板のうちの特定の基板の位置を検出する検出装置であって、特定の基板のエッジの一部分を含む領域に照明を照射する照明部と、領域を基板の面方向に対して斜めから撮像した画像を取得する画像取得部と、画像に現れる段差部の位置に基づいて特定の基板のエッジの位置を特定する位置特定部とを備え、照明部における領域に照明を照射する方向、および、画像取得部における領域を撮像する方向の少なくともいずれか一方が、基板の面方向に対して斜めである検出装置が提供される。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、一実施形態である検出装置100の構造を模式的に示す斜視図である。検出装置100は、積層された下部基板102および上部基板104のうち上部基板104の位置を検出する。検出装置100は、ステージ101と、照明部108と、画像取得部110と、位置特定部120とを備える。下部基板102および上部基板104は、基板貼り合わせ装置等により厚み方向に重ね合わされている。上部基板104の外形は下部基板102の外形より小さい。よって、上部基板104のエッジにおいて、上部基板104の上面と下部基板102の上面との間には段差が形成される。ステージ101は、検出対象である下部基板102および上部基板104を載置する。ステージ101は、X軸、Y軸およびZ軸に対して平行移動する。当該ステージ101は、上部基板104等にさらに他の基板を貼り合わせる装置のステージであってもよい。その場合にステージ101は、X軸、Y軸およびZ軸まわりに回転してもよい。ステージ101の上面に基準マーク103が設けられる。図1を含む斜視図において、ステージ101の上面内の左右方向をX軸、手前奥方向をY軸とする。これらX軸、Y軸に直交して上向きにZ軸をとる。基準マーク103は、照明部108及び画像取得部110の調整等に用いられる。例えば、基板位置の検出作業前に、基準マーク103にスリット像114を照射して、撮像部105にシャープな基準マーク103の像が結像できるように、光学系の焦点を合わせる基準として用いられる。さらに、当該基準マーク103は、当該基準マーク103を介してステージ101上の位置と撮像部105に撮像される画像上の位置とを対応付ける基準として用いられる。照明部108は、基板位置検出用のスリット像114を提供する。照明部108は、光源119と、レンズ118と、スリット116と、レンズ115とをこの順に有する。光源119は、撮像部105が検知できる波長の光、例えば撮像部105が可視光を撮像できる場合には可視光を発する。レンズ118は、光源119からの光を集束する。スリット116は、上部基板104の位置を検出するときの照明の範囲を定める。レンズ115は、スリット116を通過した光を集束して、下部基板102および上部基板104の上面にスリット像114を結像する。照明部108は、下部基板102および上部基板104の面方向に対して斜めから、図1では左上から、下部基板102および上部基板104を照射する。照明部108による下部基板102および上部基板104上のスリット像114は、円盤状の下部基板102および上部基板104の径方向に延伸する細長い形状を有し、その照射範囲は上部基板104のエッジの一部分を含む。照明部108は、積層基板がステージ101の所定位置に正しく載置された場合にエッジが来るべき位置を予め記憶しておき、当該位置に照明を照射する。このエッジは、下部基板102等が円盤状の場合には円周となる。エッジはノッチなどの特徴箇所を含んでいてもよい。画像取得部110は、撮像部105と、レンズ112とを含む。画像取得部110は、上部基板104のエッジの一部分を含む領域を、上部基板104等の面方向に対して斜めから、図1では右上から撮像する。この場合にも、画像取得部110は、積層基板がステージ101の所定位置に正しく載置された場合にエッジが来るべき位置を予め記憶しておき、当該位置を含む領域を撮像する。レンズ112は、下部基板102および上部基板104の上面から反射した光を撮像部105に結像する。撮像部105の一例は、画素が二次元的に配列されたCCD、CMOS等である。撮像部105は撮像面に結像された像の光信号を画素ごとに電気信号に変換することにより、画像106を取得する。位置特定部120は、画像106を分析して、画像106に現れる段差部の位置に基づいて上部基板104のエッジの位置を特定する。図1に示す構造は、照明部108及び画像取得部110の光学系を限定するものではない。例えば、レンズ118、115、112は、光学系を概略的に示したものであり、1枚のレンズに限られない。また、画像取得部110の光学系は、非アオリ光学系であってもよく、アオリ光学系であってもよい。アオリ光学系は、撮像部105を傾けることにより、主光線に対して斜めになっている上部基板104及び下部基板102の表面に対して広範囲に焦点を合わせることができる。以下、図1に示す検出装置100を用いて上部基板104の位置を検出する検出方法を説明する。本検出方法は、画像を取得するステップと、位置を特定するステップとを備える。画像を取得するステップは、照明部108により上部基板104のエッジの一部分を含む領域に、左上から照明を照射してスリット像114を形成するステップと、下部基板102および上部基板104の上面で反射したスリット像114を下部基板102および上部基板104の面方向に対して斜めから撮像部105により撮像して、画像106を取得するステップとを有する。図2は、画像取得部110が取得した基板エッジ部の画像106の概念図である。画像106における上部基板反射像132は、スリット像114のうち上部基板104で反射した部分の画像である。一方、下部基板反射像134は、スリット像114のうち下部基板102で反射した部分の画像である。位置を特定するステップは、画像106を撮像部105から位置特定部120に転送するステップと、位置特定部120の画像分析により上部基板反射像132と下部基板反射像134との間に現れる段差部Eの位置に基づいて上部基板104のエッジの位置を特定するステップとを有する。画像106上の段差部Eの位置は、上部基板104のエッジの位置に対応する。図1において、スリット像114が照射する領域内の上部基板104のエッジが紙面に対して奥の方向に移動すると、画像106における段差部Eの位置が左に移動し、上部基板104のエッジが紙面に対して手前の方向に移動すると、画像106における段差部Eの位置が右に移動する。よって、段差部Eの位置を分析することにより、上部基板104のエッジの位置を特定することができる。位置特定部120は、スリット116のサイズ、照明部108及び画像取得部110の光学倍率等に基づいて、上部基板反射像132の縦の幅Dを予め記憶する。位置特定部120は、スリット116のサイズ、照明部108及び画像取得部110の光学倍率等に基づいて、上部基板反射像132の横の幅Lに現われる最大値Lmaxを予め記憶する。画像106を分析するときに、まず選択ウィンドウ136により分析する画像の範囲を選定する。画像106における上部基板反射像132の上下の位置を特定する目的で、選択ウィンドウ136の縦の幅bは上記幅Dより広く、選択ウィンドウ136の横の幅aは上記幅Lmaxより狭いことが好ましい。上部基板反射像132の部分の輝度が周辺より高いので、位置特定部120は、選択ウィンドウ136で選択した画像の縦方向の輝度を分析することにより、上部基板反射像132の上下の位置および幅Dを取得することができる。図3は、段差部の位置を特定する説明図である。段差部Eの位置を特定する目的で、選択ウィンドウ136の横の幅aは上記幅Lmaxより広く、選択ウィンドウ136の縦の幅bは上記幅Dより狭いことが好ましい。位置特定部120、選択ウィンドウ136で選択した画像の横方向の輝度を分析することにより、段差部Eの位置を特定することができる。画像106における段差部Eの位置から、スリット像114が照射した領域における上部基板104のエッジの、ステージ101における位置を特定することができる。図4は、画像106に現れる上部基板反射像132の段差部Eにおける輝度の変化を概念的に示す曲線である。横軸は図2等の画像106における横方向の座標を示し、縦軸は輝度を示す。同図は上部基板反射像132の輝度の変化を見ているものとする。理想的には折れ線142のように、上部基板反射像132が段差部Eにおいてシャープな輝度変化を示すが、現実的には、光学系の収差等により曲線144のように、段差部Eにおいて上部基板反射像132の輝度が緩やかに変化する領域を有する。ここで、輝度が緩やかに変化する領域の半値幅Sxをボケ量と称する。撮像面上の回析によるボケ量Sxは、βλ/NAのオーダーである。ここで、βは光学系結像倍率であり、λは入射光の波長であり、NAはレンズ開口数である。段差部Eを正確に特定するには、ボケ量の範囲内に3点以上の計測点が含まれることが好ましい。例えば、撮像部105にCCDが用いられる場合に、CCDの画素サイズをuとすると、Sxの範囲に画素が3つ以上含まれる条件は、βλ/NA>3uである。すなわち、当該条件はNA<βλ/3uとなる。例えば、β=1、u=5μm、λ=0.67μmである場合には、NA<0.045となる。このNAの条件式は、上記β、uおよびλを用いる場合の、NAの好ましい上限値を示す。なお、アオリ光学系を用いる場合には、上記βをアオリ光学系の横倍率β′に置き換えればよい。図5は、他の条件を説明する説明図である。図4に示したボケ量Sxのほかに、上部基板反射像132および下部基板反射像134の縦方向にもボケ量Syが存在する。段差部Eが特定されるには、段差部Eの高さHがSymuより大きいことが好ましい。mは段差部Eを特定するための画素数であり、よって1以上の整数である。ボケ量Syもβλ/NAオーダーであることを考慮すると、次の上記式を満たすことが好ましい。H>βλ/NAmu1段差部Eの高さHは、下部基板102の上面と上部基板104の上面との間隔h、即ち上部基板104の厚さに対応し、Hの大きさは次の式により定められる。H=2hβsinθi2ここで、hは、下部基板102の上面と上部基板104の上面との間隔であり、θiは、入射光の入射角である。アオリ光学系を用いる場合には、βをアオリ光学系の横倍率β′に置き換える。θiが90°の場合に、sinθiが最大値の1を示す。よって、Hの最大値は次の式により現わすことができる。Hmax=2hβ3式3を式1に代入すると、次の式が得られる。2hβ>βλ/NAmu4例えば、β=1、u=5μm、λ=0.67μm、m=1である場合、30μmの間隔hを検出するには、NA>0.0012である。この条件式は、上記β、u、λおよびmを用いる場合の、NAの好ましい下限値を示す。上部基板104の形状をより正確に検出する目的で、入射光線と反射光線を含む入射平面が上部基板104のエッジに接することが好ましい。入射平面が基板の切線方向からずれると、検出結果に誤差が発生する。その誤差を許容範囲に抑える目的で、入射平面が上部基板104の切線方向となす角度が5°以内調整することが好ましい。図6は、上部基板104のエッジの位置を特定する他の実施形態を示す。この実施形態において、上部基板104のエッジの3つの領域にそれぞれスリット像114、172、174を形成して、各領域で反射した画像を取得して、上部基板104の位置を特定する。この場合に、スリット像114、スリット像172およびスリット像174のそれぞれに対応する検出装置100を備える。各検出装置100は、上述の検出方法により、対応する部位のエッジの位置を特定することができる。この実施形態において、上部基板104の形状が既知であれば、画像106における上部基板104の3箇所のエッジの位置を特定することにより、ステージ101上における上部基板104の位置をより正確に検出することができる。例えば、上部基板104が円盤状であれば、上部基板104の3箇所のエッジの位置を特定することにより、上部基板104の中心位置および半径を特定することができる。これにより、上部基板104の位置を正確に検出することができる。本実施形態によれば、検出の効率が高いだけでなく、基板を移動させて複数個所を検出する場合に生じる誤差を防ぐこともできる。図7および図8は、上部基板104のエッジの位置を特定するさらに他の実施形態を示す。これら図7および図8は、図6に続く動作を示す。この実施形態においては、上部基板104等と当該上部基板104等に照射される照明および撮像の領域とを相対的に移動しつつ、複数個所の画像を取得してノッチ等の特徴箇所を特定する。この場合に、図7に示すように、スリット像114は上部基板104のノッチを含む領域を照射し、スリット像172はノッチに対して90度回転した位置を照射し、スリット像174はノッチに対して180度回転した位置を照射する。スリット像114、スリット像172およびスリット像174は、それぞれの位置において、上部基板104の径方向に延伸する細長い照明を形成する。各検出装置100は、それぞれの領域の画像を取得して、対応する部位のエッジの位置を特定する。図7に示すように、上部基板104のノッチを特定することにより、上部基板104の回転を特定することができる。図6から図8において、スリット像114およびスリット像174の長手方向はY軸方向であり、スリット像172の長手方向はX軸方向である。この場合に、スリット像114又はスリット像174の入射平面は、Y軸に垂直な面である。スリット像172の入射平面は、X軸に垂直な面である。図7および図8において、図6に示す上部基板104等の位置からX方向、図中の右方向に、ステージ101が移動することにより上部基板104および下部基板102を移動し、エッジの複数の位置が検出される。この場合に、照明部108および画像取得部110が固定された状態で、ステージ101が一定の速度で移動しながら、画像取得部110が複数の画像106を撮像する。この場合に、ステージ101が間歇的に移動されて、ステージ101の一旦停止時に画像106が取得されてもよい。図9は、図6から図8に示す実施形態により得られるエッジの複数の位置の情報の一例を示す。図9において、図6から図8におけるスリット像114に対応する画像106の段差部の位置Y1、Y2、...、と、そのときのステージ101のX軸に沿った位置X1、X2、...、が示されている。これにより、ステージ101上におけるノッチのXY位置を特定することができる。上部基板104等を移動して、エッジの複数位置を特定する方法は、図6から図8に示すように、積層基板上に3つのスリット像を照射した場合、即ち、3つの検出装置100を用いて、積層基板上の3点を特定する場合に限られない。図1に示すように1点を特定する場合、および、3点未満、3点より多い複数の点を特定する場合にも用いることができる。1点を特定する場合でも、上部基板104等を移動しながら、複数位置のエッジを特定することにより、上部基板104の位置および形状を検出することができる。ここで、ステージ101の移動に伴う振動等により、移動中にステージ101と撮像部105との位置関係が変動し、位置の特定誤差が生じるおそれがある。これに対し図6から図8に示すように複数の箇所を特定する場合には、スリット像114およびスリット像174に対応する検出装置100から、Y軸の振動による変位を検出する。このY軸の振動変位値に基づいて、スリット像172から特定した位置情報におけるY軸の値を補正する。同様に、スリット像172に対応する検出装置100は、X軸の振動による変位を検出する。このX軸の振動変位値に基づいて、スリット像114およびスリット像174から特定した位置情報におけるX軸の値を補正する。この補正により、上部基板104の形状および位置をより正確に検出することができる。図10および図11は、照明を走査する実施形態を説明する正面図である。図10および図11の実施形態においては、ステージ101を移動することに代えて、照明の照射位置を移動しながら、エッジの複数位置を検出する。図10に示すように、照明部108は、レンズ115の像側、すなわち、積層基板との間に、平行平板ガラス182を有する。図10に示す状態において平行平板ガラス182の入射面が主光線に垂直に配されているので、当該平行平板ガラス182を通しても照明の照射位置は、レンズ中心から主光線の方向に延長した位置x1となる。図11に示すように、レンズからの主光線に対して平行平板ガラス182の角度を傾けると、積層基板への入射角度を保ちつつ、照射位置をx1からx2に移動することができる。これにより、平行平板ガラス182の角度を変更して照射位置を走査しながら、エッジの複数の位置を検出することができる。図12は、照明を走査する他の実施形態を説明する正面図である。図12において照明部108は、瞳位置にミラー184を有する。ミラー184の角度を変更することにより、スリット像114の照射位置を移動することができる。図10から図12の実施形態によれば、積層基板を載置したステージ101を移動しなくてよい。よって、検出装置100全体をよりコンパクトに設計することができる。上部基板104の形状をより正確に検出する目的で、入射光線及び反射光線を有する入射平面が上部基板104のエッジに接することが好ましい。ステージ101又は入射光線の移動範囲が大きければ、検出範囲内に入射平面と大きい角度をなすエッジも含み、そのような部分における検出精度が落ちる図6から図8を参照。よって、ステージ101又は入射光線を移動しながら計測する場合には、その移動範囲を限定することが好ましい。例えば、幅が0.065mmであるスリット116を用いて、約300mmの上部基板104のエッジを検出するときは、上部基板104のノッチを基板中心に対してY方向に向くようにプリアライメントをしてステージ101に配置して、ステージ101又は入射光線を5mm以内の範囲で移動しながら、上部基板104のエッジを正確に検出してよい。図13は、4点を特定する実施形態を示す。図6におけるスリット像114、スリット像172およびスリット像174のほかに、更にスリット像172に対して180度回転した位置を照射するスリット像188を設けることにより、同時に4つの領域におけるエッジの位置を特定することができる。この場合、4つのスリット像のうち、1つが上部基板104のノッチの位置を照射した場合でも、他の3つのスリット像により、上部基板104の中心位置を同時に検出することができる。図14は、異なるサイズの基板が3枚重ねられた場合に、図1に示す検出装置100により取得できる基板エッジ部の画像の概念図である。例えば、図1の下部基板102の下に更に下部基板102より大きい基板を重ね合わせたときに、3枚の基板は画像106において上からの順番でそれぞれ上部基板反射像132、下部基板反射像134および3層基板反射像192を形成する。この場合でも、最上位の上部基板104のエッジに対応して、上部基板反射像132に識別できる程度の段差部Eが現れれば、上述の方法により当該エッジの位置を検出することができる。以上、本実施形態によれば、複数の基板貼り合わせて積層半導体装置を製造する装置において、貼り合せるべき基板の外形、位置を正確に検出することができる。これにより、貼り合せ対象である基板同士との相対位置を正確に合わせることができる。なお、上記実施形態においては、照明部108による斜め照明の正反射による画像を取得すべく画像取得部110が位置している。しかしながら、照明部108および画像取得部110の配置はこれに限られない。他の例として、照明部108が基板の面方向に対して斜めであって、画像取得部110は、面の法線方向の画像を取得してもよい。さらに他の例として、照明部108が基板の面の法線方向から照明を照射して、画像取得部110は、面方向に対して斜めから画像を取得してもよい。さらに他の例として照明部108および画像取得部110はいずれも基板の面に対して斜めであって、互いに正反射からずれた位置にあってもよい。また、上記実施形態において照明としてスリット像114を用いた。しかしながら、照明の例はこれに限られない。他の例として、スリット像114とネガポジの関係、すなわち、スリット状の影を有してその周囲が明るい照明であってもよい。この場合に、基板が円形の場合における径方向に延伸するパターンを持った照明であることが好ましい。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。