"真空容器と,該真空容器内の真空度を保持する排気系と,被成膜基板を置くための接地電極と,該被成膜基板を加熱するための加熱機構と,原料ガスを供給可能な放電電極と,該原料ガスにプラズマを発生させるために該放電電極に高周波電力を印加する高周波電源と,を備えた平行平板型プラズマCVD装置において,該放電電極には凹部が設けられており,該放電電極と接地電極との間には,アースカバーが設けられ,このアースカバーには放電電極に設けられている凹部に相対向するように,アースカバー貫通孔が設けられているプラズマCVD装置。前記アースカバーが接地されている請求項1に記載のプラズマCVD装置。前記放電電極に設けられた凹部の直径をDmm,深さをHmmとしたとき,2mm≦D≦45mm,かつ,D≦Hである請求項1または2に記載のプラズマCVD装置。前記アースカバーに設けられているアースカバー貫通孔の孔径が,前記放電電極に設けられた凹部の直径の0.5倍から1.5倍である請求項1から3のいずれかに記載のプラズマCVD装置。前記アースカバーと接地電極との間に,電位制御可能な電位制御板が設けられ,この電位制御板にはアースカバーに設けられたアースカバー貫通孔とに相対し,これらを遮らないような電位制御板貫通孔が設けられている請求項1から4のいずれかに記載のプラズマCVD装置。前記放電電極に設けられている該凹部の壁面には原料ガスを凹部内に供給するための原料ガス供給孔が設けられており,該原料ガス供給孔は原料ガスを該凹部内に凹部の壁面に向けて放出するように形成されている請求項1から5のいずれかに記載プラズマCVD装置。前記アースカバーが加熱機構を有する請求項1から6のいずれかに記載のプラズマCVD装置。真空容器を減圧下に保持し、真空容器内に該放電電極に設けられている該凹部の壁面より少なくとも珪素を含む原料ガスを凹部内に供給し、該放電電極に高周波電力を印加して、該凹部中において該原料ガスをプラズマ化し、該凹部中にプラズマを局在化させ,該プラズマ化した原料ガス中に含まれるSiH3ラジカルを被成膜基板上に到達させるシリコン系薄膜の製造方法。薄膜シリコン太陽電池の光劣化を抑えるため,アモルファスシリコン薄膜に高次シランの混入を低減させ,膜中SiH2結合濃度を可能な限り低くする試みがなされてきたが,成膜速度が非常に遅かったり,成膜温度が高く太陽電池セル作製には用いることのできない条件であった。また,上記のようにガス加熱を行ったとしても、シャワーヘッド内から真空チャンバ内にガスを導入しようとすると流速は数m/s以上となり、ガス加熱を行おうとしても加熱機構の能力が現実的ではないという問題がある。また被成膜基板として一般的に用いられるガラスは熱伝導度の低い材料である。そのため設置する電極を加熱し、ガラス裏面より加熱しても、表面がガスにより冷やされた場合、ガラス表層の温度が下がってしまうことは十分考えられる。すなわち、実用的には成膜速度と,低い膜中SiH2結合濃度を両立させた成膜方法はいまだ見出されていない。本発明は上記課題を解決するものであり,本発明のプラズマCVD装置は以下の構成をとる。すなわち,真空容器と,該真空容器内の真空度を保持する排気系と,被成膜基板を置くための接地電極と,該被成膜基板を加熱するための加熱機構と,原料ガスを供給可能な放電電極と,該原料ガスにプラズマを発生させるために該放電電極に高周波電力を印加する高周波電源と,を備えた平行平板型プラズマCVD装置において,該放電電極には凹部が設けられており,該放電電極と接地電極との間には,アースカバーが設けられ,このアースカバーには放電電極に設けられている凹部に相対向するように,貫通孔が設けられているプラズマCVD装置である。前記アースカバーが接地されている記載のプラズマCVD装置である。前記放電電極に設けられた凹部の直径をDmm,深さをHmmとしたとき,2mm≦D≦45mm,かつ,D≦Hであるまたはに記載のプラズマCVD装置である。前記アースカバーに設けられている貫通孔の孔径が,前記放電電極に設けられた凹部の直径の0.5倍から1.5倍であるからのいずれかに記載のプラズマCVD装置である。前記アースカバーと接地電極との間に,電位制御可能な電位制御板が設けられ,この電位制御板にはアースカバーに設けられた貫通孔とに相対し,これらを遮らないような貫通孔が設けられているからののいずれか記載のプラズマCVD装置である。前記放電電極に設けられている該凹部の壁面には原料ガスを凹部内に供給するための原料ガス供給孔が設けられており,該原料ガス供給孔は原料ガスを該凹部内に凹部の壁面に向けて放出するように形成されているからのいずれかに記載のプラズマCVD装置である。前記アースカバーが加熱機構を有するからのいずれかに記載のプラズマCVD装置である。真空容器を減圧下に保持し、真空容器内に該放電電極に設けられている該凹部の壁面より少なくとも珪素を含む原料ガスを凹部内に供給し、該放電電極に高周波電力を印加して、該凹部中において該原料ガスをプラズマ化し、該凹部中にプラズマを局在化させ,該プラズマ化した原料ガス中に含まれるSiH3ラジカルを被成膜基板上に到達させるシリコン系薄膜の製造方法である。本発明によれば、原料ガスが放電電極の凹部内に凹部の壁面に向けて放出されることにより、原料ガス流が直接被成膜基板に到達しないため、原料ガス流が被成膜基板から熱を奪うことを防ぎ、被成膜基板表面温度の低下を防ぐことができる。さらにアースカバーを加熱し,プラズマ近傍を加熱することで,三体反応を抑えることが可能であり,これにより短寿命ラジカルによる挿入反応を抑えることが出来る。また,アースカバーを用いることで,凹部中にプラズマを局在化させ,アースカバーと被成膜基板の間にプラズマが存在しないため,成膜に寄与させたくない短寿命種は被成膜基板到達前に親分子であるSiH4と反応し無害化されることによって、低欠陥密度で,劣化の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を得ることができる。[第一実施の形態]図1は本発明の第一実施の形態によるプラズマCVD装置の構成を示す概略図である。本発明のプラズマCVD装置1には、真空度を保持する排気系を備えた真空容器2と、真空容器2内には放電電極3と、被成膜基板12が置かれる接地電極10が設置されている。放電電極3の表面には円筒状の穴が配置され、凹部7を形成している。この凹部7の直径はあまり小さすぎるとプラズマが入り込まなったり、電極の加工が難しくなったりするため好ましくなく、また、大きすぎると局在化せずに被成膜基板側へとプラズマが漏れてしまう。そのため、好ましい範囲としては2mm以上100mm以下であり、さらに好ましくは5mm以上50mm以下である。この凹部7は放電電極表面4上で均一に配置されていることが好ましい。さらに,放電電極3と接地電極10の間に,放電電極より一定の間隔をとりアースカバー8が設置されている。放電電極3と,アースカバー8の間隔は放電電極とアースカバーの間に放電が発生しないような間隔が好ましく,05mmから10mmが好ましく、さらに好ましくは05mmから5mmの範囲である。アースカバー8にはアースカバー貫通孔9が設けてあり,放電電極に設けられている凹部7と相対向しこれらを遮らないような構造となっている。アースカバー貫通孔9は,放電電極凹部径より大きすぎるとプラズマが漏れる原因となり,狭すぎるとプラズマからの活性種の拡散が抑えられ成膜速度が低下してしまうので,好ましくは放電電極に設けられた凹部径の05倍から15倍の範囲である。アースカバー貫通孔9の形状はテーパー状等の形状となっていてもかまわない。原料ガスは放電電極3内部へと絶縁物を介しガス供給管5により供給され、放電電極3の内部を通じ電極表面の凹部壁面から同じ凹部7内の別の場所の壁面へ向けて放出され、凹部7内つまり真空容器内に導入される。このようにして、原料ガスを放電電極3の凹部7へと導入し、排気系により一定の圧力に保持した後、放電電極3に接続されている高周波電源14により高周波電力を印加してプラズマを発生させ、被成膜基板表面に薄膜を形成する。放電電極3にはマッチングボックス13を介して、高周波電源14が接続されている。この高周波電源14の周波数は任意に選択が可能で、生産性および均一性の観点から、好ましくは100kHz以上100MHz以下、さらに好ましくは10MHz以上60MHz以下がよい。被成膜基板12は接地電極10上に動かないように置かれていればよく、例えば接地電極10に座繰りを設けて被成膜基板12をその中に置いたり、別の治具で被成膜基板12を接地電極10に押し付けてもよい。また接地電極10の内部には被成膜基板12を加熱するための基板加熱機構11が内蔵されている。また,プラズマを放電電極凹部7と,アースカバー貫通孔9内部に閉じ込めることにより,アースカバー8と被成膜基板12間のプラズマが弱められ,アースカバーと被成膜基板の間では新たな活性種の発生はほとんどなくなることになる。これにより成膜に寄与する高次シラン,SiH2ラジカルや,SiH3ラジカルをアースカバー貫通孔9より被成膜基板方向へ拡散したものに限ることができる。アースカバー8と被成膜基板12との間で起こる反応としては以下のようなものが考えられる。SimH2m1SiH4→SimH2m2SiH3式1SiH2SiH4→Si2H6式2SiH3SiH4→SiH4SiH3式3。被成膜基板方向へ拡散した高次シランラジカルは,被成膜基板方向へ拡散中に親分子であるSiH4と反応し不活性な高次シランになることにより成膜には関与せず排気される式1。SiH2ラジカルは拡散しながら高次シランへ成長していく過程で親分子であるSiH4と反応し不活性になることにより,成膜には関与せず排気される式2。一方で親分子との反応により変化しないSiH3ラジカル式3は被成膜基板へ到達し,選択的に成膜に寄与することにより,高品質な膜を得ることが可能になる。前述したとおり,式1,により生成した高次シランは余剰なエネルギーを第三体通常は親分子であるSiH4に吸収させることにより安定化を図る三体反応により得られるものである。そこで,本発明ではアースカバー8を加熱することにより,最も高次ラジカルが発生するものと考えられる放電電極に設けられた凹部7および,アースカバー貫通孔9の内部に局在化するプラズマを効果的に加熱することにより,三体反応の進行を抑えることが可能である。このような本発明のプラズマCVD装置は、プラズマの発生を電極とアースカバーの中へ局在化させ、アースカバーと被成膜基板12間のプラズマを弱くし,SiH2ラジカル等の短命種ラジカル親分子と反応させることを無害化することにより、選択的にSiH3ラジカルでの成膜を可能にする。また,原料ガスを被成膜基板に直接到達しないように凹部7へ導入し,被成膜基板の温度の低下を防ぎ,さらにアースカバーと被成膜基板の間を加熱することにより三体反応を抑え、高次シランの発生を抑制しすることにより、従来の平行平板型プラズマCVD装置で形成した膜と比べて高次シランの混入が少なく欠陥が低減された高品質な膜が得られるものである。[第二実施の形態]第二実施の形態によるプラズマCVD装置は,第一実施の形態のプラズマCVD装置のアースカバー8と接地電極10の間に,電位を一定に保つ電源を備えた電位制御板16を設置したもので装置の概要に変更は無い。放電電極,アースカバーおよび,電位制御板の形状は一例を示すものであって,これに限定されるものではない。アースカバーと接地電極10の間に接地された電位制御板16には放電電極凹部7,アースカバーに設けられたアースカバー貫通孔9に相対向し,これを遮らないような電位制御板貫通孔17が設けられており,さらに電位制御板16は直流電源15等を接続し電位を印加することが可能な構造となっている。また,電位制御板16に接続する電源は電位をかけられるものであればよく,周波数がkHzオーダー以上の交流電源であれば自己バイアスが発生し直流電位をかけることができるので,直流電源以外にも,KHz程度の交流電源やRF電源を用いてもよい。この電位制御板が無い場合,プラズマの凹部7中への閉じ込め制御はアースカバー8の厚みにより制御される。すなわち凹部中に局在するプラズマに十分な電子の供給ができるだけのアース面積が必要である。そのために孔の中へ閉じ込めようとすれば,孔の壁面を大きくするためにアースカバー8には厚みが必要となる。しかし,アースカバー8を厚くすればプラズマからの被成膜基板に対する開口率が減少し,孔から放出されるラジカルが少なくなるため,成膜速度が激減する。そこでこの電位制御板16をアースカバー8下部へ設置し,負電位を印加することにより,成膜速度を低下させることなくプラズマを閉じ込めることが可能となる。上記で説明した本発明のプラズマCVD装置を用いて、設置電極10上にガラス被成膜基板を設置して真空排気した後、少なくともシランを含む原料ガスをガス導入部6から導入して高周波電源14によりプラズマを発生させ、被成膜基板表面にアモルファスシリコン薄膜を形成させると、従来の平行平板型プラズマCVD装置で形成した膜と比べて高次シランの混入が少なく欠陥が低減された高品質な膜が得られるのである。また、この高品質なアモルファスシリコン薄膜を太陽電池に適用することで、光劣化が少ない高変換効率の太陽電池を作成することが可能となる。"