"金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とするセラミックス前駆体薄膜の製造方法。前記アモルファス粉末は前記希釈溶液に対して5体積以上20体積以下含有される請求項1に記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法。前記アモルファス粉末の平均粒子径は、0.2μm以上3μm以下である請求項1または2に記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法。前記ゲル膜成膜工程は、前記前駆体溶液を水性媒体層と接触させ、前記前駆体溶液と前記水性媒体層との界面で加水分解条件下で重縮合反応をさせる請求項1から請求項3の何れか1つに記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法。前記ゲル膜成膜工程は、前記前駆体溶液をスピンコート法を用いて成膜する請求項1から請求項3の何れか1つに記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法。金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液と、アモルファス粉末と、を含むことを特徴とするセラミックス前駆体溶液。請求項1から請求項5の何れか1つに記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いて得られたゲル膜を熱処理して圧電セラミックス薄膜を作製することを特徴とする圧電素子の製造方法。しかしながら、特許文献1、2のように従来の界面重合法を用いた方法では、基板上に形成されたセラミックス薄膜を構成する結晶粒子群は、各々ランダムな結晶方向を向いている割合が多いため、圧電素子としての機能が十分発揮されない、という問題があった。すなわち、圧電セラミックス薄膜を形成する場合、結晶の方位が一方向に揃っている状態であることが圧電セラミックス薄膜の圧電特性を発揮させるために重要である。特に結晶の分極方向と結晶の成長方向が一致した場合、電気的特性をより効率よく発揮させることができるが、従来の特許文献1、2のように従来の界面重合法を用いた方法では、結晶方向を一方向に揃えたセラミックス薄膜を得ることは困難であった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができるセラミックス前駆体薄膜の製造方法および前駆体溶液を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。前駆体溶液として、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液にアモルファス粉末を混合した溶液を用いることで、得られるゲル膜は、ゲル化時、乾燥時、焼成時の各過程において縮率が小さく、膜質が良好であって結晶の配向性の高いセラミックス薄膜を形成することができる。本発明においては、前記アモルファス粉末は前記希釈溶液に対して5体積以上20体積以下以下、volと示す含有されることが好ましい。アモルファス粉末の含有量を上記範囲内とすることで、前駆体溶液の流動性を良好とすることができ、前駆体溶液を水など極性溶媒と接触させたときに形成される前駆体溶液と極性溶媒との界面に前駆体溶液を均一に分散させることができる。本発明においては、前記アモルファス粉末の平均粒子径は、0.2μm以上3μm以下であることが好ましい。アモルファス粉末の平均粒子径を上記範囲内とすることで、アモルファス粉末を希釈溶液中に安定して分散させることができ、ゲル膜に安定して充填することができる。本発明においては、前前記ゲル膜成膜工程は、前記前駆体溶液を水性媒体層と接触させ、前記前駆体溶液と前記水性媒体層との界面で加水分解条件下で重縮合反応をさせることが好ましい。前駆体溶液と水性媒体層との界面で加水分解条件下で重縮合反応させ、ゲル膜を成膜することで、金属アルコキシド溶液に含まれる金属アルコキシドがゲル化する際に重合によりゲル膜が収縮することで発生する亀裂や、ゲル膜の乾燥時や焼成時に基板との界面応力で発生する亀裂などを抑制することができる。これにより、良質なセラミックス薄膜を得ることができる。本発明においては、前記ゲル膜成膜工程は、前記前駆体溶液をスピンコート法を用いて成膜することも可能である。スピンコート法により平滑な圧電セラミック薄膜を得られるため、薄膜アクチュエータ、センサ、高周波共振子等の電子素子を製造する場合は好ましい。この場合は、前駆体溶液を基板にスピンコートしてゲル化を行うが、この場合も上述の効果と同様にアモルファス粉添加の効果により、ゲル膜の乾燥時や焼成時に基板との界面応力で発生する亀裂などを抑制することができる。また、基板上に結晶方向の揃った配向膜を少ない成膜回数ながら厚み2μm以上で形成することが可能となる。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る前駆体溶液は、アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液と、アモルファス粉末と、を含むことを特徴とする。希釈溶液にアモルファス粉末を含めることで、水との界面で界面重合反応が生じて成膜されるゲル膜を生成する際、得られるゲル膜は、縮率が小さく、膜質が良好であって結晶の配向性の高いセラミックス薄膜を得ることができる。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る圧電素子の製造方法は、上記の何れか1つに記載のセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いて得られたゲル膜を熱処理して圧電セラミックス薄膜を作製することを特徴とする。この圧電セラミックス薄膜を用いることで、圧電特性が良好な圧電素子を作製することができる。本発明によれば、単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができる。以下、本発明の実施の形態以下、実施形態という及び実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための実施形態及び実施例により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態及び実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。<セラミックス前駆体薄膜の製造方法>本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、有機金属を含む金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含む。本実施形態で用いられる前駆体溶液は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液と、アモルファス粉末とを含むものである。この希釈溶液にアモルファス粉末を含めることで、後述するように、水との界面で界面重合反応が生じて成膜されるゲル膜は、縮率が小さく、膜質が良好であって結晶の配向性の高いセラミックス薄膜を形成することができる。前駆体溶液作製工程金属アルコキシド溶液を希釈剤を用いて希釈して希釈溶液を準備する。金属アルコキシド溶液としては、ジルコニウム酸チタン酸鉛PbZr、TiO3:PZT、チタン酸鉛ランタンPb、LaTiO3、ジルコニウム酸鉛ランタンPb、LaZrO3、ジルコニウム酸チタン酸鉛ランタンPb、LaZr、TiO3:PLZTまたはマグネシウムニオブ酸ジルコニウム酸チタン酸鉛PbMg、NbZr、TiO3:PMN-PZT、NbO3やK、Na、LiNbO3などで代表されるようなものを主成分とするニオブ酸アルカリ金属系化合物、22m=1~5を主成分とするビスマス層状構造強誘電体により構成される群から選ばれる少なくとも一種の圧電セラミックス薄膜の出発原料となる有機金属を含む溶液を用いる。圧電セラミックス薄膜の材料として用いる観点から、本実施形態では、PZTが特に好ましい。希釈剤は、使用される金属アルコキシド系化合物は溶解し得るが、水など水性媒体とは混り合わない溶媒である。希釈剤としては、例えば、金属アルコキシド系化合物の種類によって異なるが、例えば、ヘキサン類、ヘプタン類、オクタン類、デカン類等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロドデカン等の脂環式炭化水素、1-ブタノ‐ル、エタノールなどのアルコール系、アセチルアセトンなどのジケトン系、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等などが挙げられる。希釈剤はこれら各成分を2種類以上含んでもよい。希釈剤は、特にこれに限定されるものではなく、金属アルコキシド溶液は溶解するが、水など水性媒体とは混り合わない溶媒であって、水性媒体よりも軽い液体が好ましい。また、希釈剤は、加水分解、縮重合反応と希釈剤の蒸発速度のバランスと安定した良好なゲル膜を形成する観点から、沸点が69°C以上175°C以下の範囲の炭化水素であることが好ましく、より好ましくは69°C以上126°C以下の範囲であることが好ましい。希釈剤の沸点が上記範囲内の場合は、ゲル膜化速度も良好で、亀裂等の無い良好な膜が得られ、配向度も良好であった。なお、ゲル膜化速度とは、希釈溶液を水性媒体と接触させ、希釈溶液に含まれる金属アルコキシド系化合物の加水分解、縮重合反応して、ゲル膜が安定するまでの速度であり、1時間以内が好ましい。沸点が69°C以上175°C以下の範囲の炭化水素として、例えば、ヘキサン類、ヘプタン類、オクタン類、デカン類等の脂肪族飽和炭化水素アルカンが特に好ましい。金属アルコキシド溶液への希釈剤の添加量としては、好ましくは80vol以上95vol以下であり、より好ましくは85vol以上94vol以下であり、更に好ましくは87.5vol以上90vol以下である。金属アルコキシド溶液への希釈剤の添加量を上記範囲内とすることで、収縮速度を適度な範囲とすることができ、金属アルコキシド系化合物の加水分解、縮重合反応の低下が抑えられるため、亀裂の無い良好な膜が得られると共に配向度を良好にすることができる。上記のように準備した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する。前駆体溶液に含まれる金属アルコキシド含有濃度は、15質量以上30質量以下であることが好ましい。アモルファス粉末としては、例えば、ジルコニウム酸チタン酸鉛PbZr、TiO3:LeadZirconateTitanate:PZT、チタン酸鉛ランタンPb,LaTiO3、ジルコニウム酸鉛ランタンPb、LaZrO3、ジルコニウム酸チタン酸鉛ランタンPb、LaZr、TiO3:PLZTまたはマグネシウムニオブ酸ジルコニウム酸チタン酸鉛PbMg、NbZr、TiO3:PMN-PZT、NbO3やK、Na、LiNbO3などで代表されるようなものを主成分とする二オブ酸アルカリ金属系化合物、22m=1~5を主成分とするビスマス層状構造強誘電体により構成される群から選ばれる少なくとも一種の圧電セラミックス薄膜の出発原料となる有機金属などが挙げられる。圧電セラミックス薄膜の材料として用いる観点から、本実施形態では、PZTが特に好ましい。本実施形態では、アモルファス粉末は金属アルコキシド溶液に混合されるため、アモルファス粉末は前駆体溶液を熱処理したときに同一の組成となるアモルファス粉末であることが好ましい。アモルファス粉末は、例えば、MOD法やゾルゲル法などを用いて作製することができる。金属アルコキシド溶液を十分乾燥させた後、熱処理して粉砕することで得られる。また、他の製造方法として、金属アルコキシド溶液を乾燥前に水との界面で縮重合反応させて得られたゲル膜を熱処理後、粉砕することで得られる。このアモルファス化熱処理温度は、適宜任意に決定するようにしてもよいが、含有する溶剤が十分揮発して結晶化が進行する前で留める必要がある。得られた粉末がアモルファス状態か否かについてX線回折装置を用いてX線回折X‐raydiffraction:XRDを行って測定される。得られたX線回折パターンから2θが25°付近を中心とするブロードなピークが見られる。このX線回折パターンから得られた粉末がアモルファス状態であることを確認することができる。アモルファス粉末の含有量は、希釈溶液に対して3vol以上25vol以下であることが好ましく、より好ましくは5vol以上20vol以下であり、更に好ましくは5vol以上10vol以下である。アモルファス粉末の含有量を上記範囲内とすることで、後述するように、前駆体溶液の流動性が良好となり、前駆体溶液を水など極性溶媒と接触させたときに形成される前駆体溶液と極性溶媒との界面に前駆体溶液を均一に分散させることができる。アモルファス粉末の平均粒子径は、0.1μm以上3μm以下であることが好ましく、より好ましくは0.2μm以上21μm以下であり、更に好ましくは0.4μm以上11μm以下である。アモルファス粉末の平均粒子径を上記範囲内とすることで、アモルファス粉末を希釈溶液中に安定して分散させることができ、ゲル膜に安定して充填することができる。アモルファス粉末の平均粒子径の測定方法としては、例えばレーザー回折散乱法による測定方法が挙げられる。レーザー回折散乱法による測定する場合、レーザー光回折散乱式粒度分析計MicrotrackHRAMODEL9320-X100Microtrack社製が挙げられ、粒度分布は、使用する芯粒子とのレーザー光回折散乱式粒度分析計で測定したメディアン径D50を代表値する。前駆体溶液は、希釈溶液とアモルファス粉末との他に、アモルファス粉末の分散性を向上させる観点から分散剤を含むことが好ましい。分散剤を含むことで、希釈溶液にアモルファス粉末を混合する時や水性媒体に滴下する際に、アモルファス粉末の沈降が発生するのを抑制することができる。分散剤は、特に限定されるものでないが、例えば、油中分散剤、陰イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤などが挙げられる。分散剤の含有量は、0.1vol以上1vol以下が好ましく、より好ましくは、0.2vol以上0.6vol以下の範囲である。分散剤の含有量を上記範囲内とすることで、分散性がよく、亀裂等の無い良好な膜が得られると共に、配向度も良好であった前駆体溶液は、超音波洗浄器などを用いて希釈溶液でアモルファス粉末、分散剤を分散させるようにする。超音波洗浄器での洗浄時間は特に限定されるものではなく、希釈溶液でアモルファス粉末、分散剤を分散させることができればよく、例えば、3分以上20分以下が好ましい。前駆体溶液の準備ができた後、前駆体溶液を水性媒体として水と混合する。図1は、セラミックス前駆体薄膜の製造方法の一工程を示す図であり、前駆体溶液を水と接触させる前の状態を示す図である。図1に示すように、反応容器11の底部に基板固定用ベース12を設置し、基板固定用ベース12の上に基板13を設置する。その後、基板固定用ベース12および基板13が完全に浸漬するまで反応容器11内に水14を注ぎ込む。また、反応容器11の底部には水14を抜き出すための排出管15が設けられている。本実施形態では、水性媒体として水を用いているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、極性を有し、希釈剤と不溶の媒体であればよい。本実施形態で使用される水性媒体としては、水の他に、例えば、加水分解触媒溶液を用いてもよい。加水分解触媒溶液としては、酸およびアルカリのいずれも使用できる。酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、炭酸、ホウ酸等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マレイン酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸等水溶性酸が使用できる。また、アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、エタノールアミン等が使用できる。このとき、酸の濃度およびアルカリの濃度は水に対して0モル/lリットルよりも大きく5モル/lリットル以下が好ましく、より好ましくは0モル/lリットルよりも大きく1モル/lリットル以下である。ゲル膜成膜工程次に、前駆体溶液を用いてゲル膜を作製する。ゲル膜成膜工程は、界面重合法を用いて金属アルコキシド系化合物溶液を水との界面で成膜することが好まししい。例えば、金属アルコキシド系化合物溶液である前駆体溶液を水と接触させ、水との界面で加水分解条件下で重縮合反応をさせ、ゲル膜を成膜することが好ましい。具体的には、図2に示すように、反応容器11内の水13の上面に、上述のように作製した前駆体溶液16を水面上に滴下すると、前駆体溶液16は水13との界面を形成する。前駆体溶液16は、例えば、ピペッターなどを用いて所定量滴下される。このような状態で所望の時間放置することで、図3に示すように、前駆体溶液16に含まれる金属アルコキシド系化合物が水16との界面において前駆体溶液16は、水16を触媒として、水13と加水分解重縮合反応する。これにより、室温例えば、25°Cで前駆体溶液16に含まれる希釈剤の蒸発が進行しつつ、前駆体溶液16と水13との界面に金属アルコキシド系化合物を含むゲルが薄膜として形成され、ウェット状のゲル膜17が形成される。次いで、図4に示すように、前駆体溶液16に含まれる希釈剤の蒸発が完全に終了すると、水13上にゲル膜17のみが残る。その後、図5に示すように、水13上に形成されたゲル膜17は収縮して反応容器11の壁面から剥離する。前駆体溶液16に含まれる希釈剤のような無極性溶媒は水13のような極性溶媒からの反発力により、希釈剤と水13との界面の表面積が最低になるように斥力を受ける。このため、水13上に形成されたゲル膜17は水13との接触面積が小さくなるように収縮し、反応容器11の壁面から剥離する。ゲル膜17の収縮割合は、水13との接触面積にもよるが、前駆体であるゲル膜17が収縮して体積変化に起因して生じる亀裂の発生を抑制する観点から、ゲル膜17の水13との接触面積全体に対して、3以上20以下が好ましく、より好ましくは5以上15以下である。また、前駆体溶液16は希釈剤から沈降して来るアモルファス粉末も充填化するように力を受けることになる。このため、ゲル膜17におけるアモルファス粉末の充填力はアモルファス粉末が沈降してくる状態が比較的自由度が高いことや、準平衡状態にて進行すること等により、アモルファス粉末の充填割合が高いゲル膜17を容易に製造することができる。次に、反応容器11の水13は排出管15から反応容器11の底部に抜き出し、水13上で収縮して得られたゲル膜17は、基板13上にあらかじめ反応容器11の底部に配置してある基板13に静置させる。この基板13上のゲル膜17を熱処理することにより、圧電セラミックス薄膜18が得られる。本実施形態においては、前駆体溶液16を水13に滴下しているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、塗布法、スピンコート法、バーコーター、アプリケーター、ドクターブレード、ロールコーター、ダイコーター、コンマコーター、ディップ法等の公知の塗工手段を用いて成膜するようにしてもよい。本実施形態においては、前駆体溶液16を水13と接触させる際、ゾルゲル法を用いているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、他の方法を用いて前駆体溶液16を水13と接触させるようにしてもよい。本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法のように、前駆体溶液16と水13との界面で加水分解条件下で重縮合反応させ、ゲル膜17を成膜することで、金属アルコキシド溶液に含まれる金属アルコキシドがゲル化する際に重合によりゲル膜17が収縮することで発生する亀裂や、ゲル膜17の乾燥時や焼成時に基板13との界面応力で発生する亀裂などを抑制することができる。これにより、良質なセラミックス膜18を得ることができるまた、前駆体溶液16を熱処理したときに同一の組成となるアモルファス粉末を含む前駆体溶液16を用いてゾルゲル法により得られるゲル膜17を熱処理することにより、安価に欠陥の少ない圧電セラミックス薄膜18を得ることができる。このように、本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いて得られた圧電セラミックス薄膜18は、単一配向に高い結晶配向性を有するものである。単一配向の結晶配向性とは、例えば、00l面などをいう。00l面とは、001面や002面等の等価な面の総称とする。例えば、圧電セラミックス薄膜18において001面の配向度は、下記式1のように001面と110面と111面との和に対する001面のピーク強度の割合で表される。また、結晶の各面の強度の測定は、X線回折装置を用いて測定することができる。配向度=[001面/001面110面111面]×1001圧電セラミックス薄膜を形成する場合には、結晶の方向が一方向に揃っている状態であることが圧電セラミックス薄膜が電気的特性を発揮させる上で重要である。特に、結晶の分極方向と結晶の成長方向が一致した場合、電気的特性を更により効率よく発揮させることが可能となる。しかし、従来の方法では、圧電セラミックス薄膜の結晶を特定方向に優先的に配向させることはできるが、異なる方向へ配向した結晶も混在し、特定方向に十分高く結晶を配向させることはできなかった。これに対し、本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いることで、単一配向に高い結晶配向性を有する圧電セラミックス薄膜18を得ることが可能となる。また、本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いて得られた圧電セラミックス薄膜18は、ゲル膜を成膜する際、流動性が高く、金属アルコキシド系化合物の加水分解、縮重合反応の低下が抑えられ、ゲル膜17の乾燥収縮時や乾燥時にセラミックス前駆体薄膜17に亀裂や変形が生じるのを低減できるため、亀裂の無い良好な膜が得られると共に配向度を良好にすることができる。また、本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は液相法を用いてセラミックス前駆体薄膜を作製しているため、安価な設備で圧電セラミックス薄膜18を作製することが可能である。したがって、本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法を用いることで、単一配向への結晶配向性が高く、安価な設備でセラミックス前駆体薄膜を形成することが可能であり、ゲル膜の乾燥収縮時や乾燥時にセラミックス前駆体薄膜に亀裂や変形が生じるのを低減できるので、信頼性の高い圧電セラミックス薄膜を提供することが可能となる。圧電セラミックス薄膜18は、一層のゲル膜17を焼成して得られるものに限定されるものではなく、複数のゲル膜17を積層した後、焼成したものでもよい。また、圧電セラミックス薄膜18は、一層のゲル膜17を焼成した後、更にその上に別のゲル膜17を積層して焼成する操作を複数回繰り返して行うことで得られる膜でもよい。<圧電素子>上記のようにして得られた圧電セラミックス薄膜は、アクチュエータ、超音波モータ、高周波共振子、焦電センサ、不揮発性メモリ等の電子部品として好適に用いられる。また、圧電セラミックス薄膜は、膜を分極処理して圧電素子として用いてもよい。圧電セラミックス薄膜を上記のような電子部品に適用することで、高性能の電子部品を得ることができる。以下、本実施形態に係る発明を実施例および比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本実施形態に係る発明は以下の実施例に限定されるものではない。<実施例1>[圧電セラミックス薄膜の作製]実施例1-1熱処理することにより所定のPZT組成となるPZT前駆体アルコキシド溶液を準備した。このとき、PZT110/52/48PbとZrとTiとの各元素のモル比が110:52:48の濃度は約20質量であった。金属アルコキシド溶液としてPZT前駆体アルコキシド溶液を用い、PZT前駆体アルコキシド溶液を350°Cで15分昇降温速度20°C/分熱処理した後、粉砕してPZTアモルファス粉末以下、単にアモルファス粉末というを作製した。また、この得られたアモルファス粉末の平均粒子径は、1.1μm程度であった。このアモルファス粉末の作製に使用したPZT前駆体アルコキシド溶液100mlに対して希釈剤としてオクタンを87.5volとなるように混合し、混合溶液を作製した。この混合溶液に対してアモルファス粉末を5添加した。このとき、アモルファス粉末以外に分散剤としてファインセラミックス用油中分散剤商品名マリアリムAAB-0851、日本油脂社製を混合溶液に対して0.4vol添加した。混合溶液中のアモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを超音波洗浄器で10分間分散させた後、2mlをピペッターによりビーカーに入れた50mlの純水上に静かに滴下し、水との界面において25°C程度で加水分解し、縮重合させた。加水分解、縮重合反応の終了後、001配向のPt電極を形成したSi基板上に静置して、325°Cで十分に乾燥させた。これを電気炉中において700°Cで10分間昇降温速度3000°C/分焼成して圧電セラミックス薄膜を作製した。実施例1-2、1-3アモルファス粉末の添加量を変更したこと以外は実施例1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。比較例1-1アモルファス粉末、分散剤を添加しないこと以外は実施例1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。比較例1-2アモルファス粉末の添加量を変更したこと以外は実施例1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。比較例1-3アモルファス粉末を結晶質のPZT粉末に変更したこと以外は実施例1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。この結晶質のPZT粉末は、PZT前駆体アルコキシド溶液を700°Cまで熱処理して得た。結晶性の確認は、X線回折装置商品名RINT2000、リガク社製を用いてPZTとして特徴的な001面、110面、111面に相当する急峻なピークが観察されることを確認した。[圧電セラミックス薄膜の評価]得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、縮率、膜質、配向度を評価した。流動性アモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを含む混合溶液をピペッターで滴下するときの流動性を評価した。ピペッターを使用するのは一度に多くの量を滴下されて膜質への影響ムラなどがでることを少なくする必要があるためである。流動性の評価は以下の通りである。○:流動性に問題なく滴下できる場合△:流動性が多少悪いが、滴下には問題ない場合×:流動性に問題があり、滴下に支障がある場合縮率アモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを含む混合溶液を水に滴下した直後の直径と混合溶液を水に滴下して水との界面で加水分解、縮重合が終了した時の膜の直径との比から収縮率を計算した。膜質得られた圧電セラミックス薄膜の状態亀裂や変形の発生などを目視により確認し、以下の通り評価した。○:ワレ、カケ、色ムラのない場合△:ワレ、カケ、色ムラがわずかにある場合×:ワレ、カケ、色ムラが多い場合配向度焼成して得られた圧電セラミックス薄膜についてX線回折測定XRayDiffraction:XRDを行い、得られたXRDの回折パターンから圧電セラミックス薄膜の001面の配向度[]を求めた。圧電セラミックス薄膜の001面の配向度は、001面と110面と111面との回折強度の和に対する001面の回折強度の割合と定義した。圧電セラミックス薄膜の001面の配向度は、X線ピーク強度から下記式1を用いて求めた。圧電セラミックス薄膜の001面の配向度が90以上の場合には、圧電セラミックス薄膜として配向度は良好であると評価した。配硬度=[001面/001面110面111面]×1001各実施例および各比較例において得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、縮率、膜質状態、配向度、総合評価を表1に示す。表1に示すように、実施例1-1~1-3では、流動性はよく、縮率も小さく、うねりなどの変形や亀裂はほとんどない膜が得られ、配向度は良好であった。特に、実施例1-1、1-2では、混合溶液の滴下時の流動性はよく、良好な膜質となった。一方、比較例1-1では、縮率が大きく、亀裂の発生も見られた。これは、アモルファス粉末を添加しなかったために、縮率が大きくなり、亀裂が発生し易くなったためといえる。また、比較例1-2では、混合溶液の流動性は悪く、滴下がうまくできなかった。アモルファス粉末の添加量が30以上では、混合溶液の流動性が悪いためといえる。また、比較例1-3では、縮率も小さく、膜質も良好であったが、配向度は悪かった。これは、結晶質の粉末添加によりランダムな方向に向いた結晶を核にして粒成長したためと考えられる。すなわち、結晶質の粉体粒子はこの粉体粒子を核として結晶成長粒成長が起こると、粉体粒子の結晶方位がランダムな方向に向いているため、粒成長はランダムな方向に起こり、結果的にランダムに結晶方位を向いた膜となるためと考えられる。本実施形態本実施形態に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法のように、アモルファス粉末の添加で高い配向度が得られた理由は、アモルファス粒子が結晶化する前に、既に一方向の高い結晶方位を有する基板結晶を核として膜の結晶成長粒成長が行われるためであると考えられる。すなわち、加熱処理により物質輸送が促進されて結晶成長粒成長が起こるが、これは結晶質の表面であれば、非晶質の表面に比べてより少ないエネルギーで可能である。このため、結晶質の表面の方が非晶質の表面より結晶成長が早く始まると共に、成長速度も速くなるためであると考えられる。よって、アモルファス粉末を5vol以上20vol以下の範囲で添加することで、縮率も小さく、亀裂やうねりなどの変形がほとんどなく、配向度も良好な膜をえることができるといえる。また、アモルファス粉末を5vol以上10vol以下の範囲で添加すると、さらに混合溶液の滴下時の流動性はよく、良好な膜質の圧電セラミックス薄膜を得ることができることが判明した。<実施例2>[圧電セラミックス薄膜の作製]実施例2-1~2-5、比較例2-1アモルファス粉末の添加量および平均粒子径を変更したこと以外は実施例1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。各実施例および各比較例において得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、分散性、膜質状態、配向度、総合評価を表2に示す。[圧電セラミックス薄膜の評価]得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、分散性、膜質状態、配向度を評価した。流動性、膜質状態、配向度については、実施例1と同様に測定した。分散性アモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを混合溶液に添加し、超音波洗浄器で10分間混合して3時間後のアモルファス粉末の沈殿の状態を目視により観察し、以下の通り、評価した。○:超音波洗浄器で混合した後、3時間後でも混合溶液中にアモルファス粉末が沈殿していないもの△:混合溶液中にアモルファス粉末がわずかに沈殿しているもの×:混合溶液中にアモルファス粉末が沈殿しているもの各実施例および各比較例において得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、縮率、膜質状態、配向度、総合評価を表2に示す。表2に示すように、実施例2-1~2-5では、流動性はよく、分散性も高く、うねりなどの変形や亀裂はほとんどない膜が得られ、配向度は良好であった。特に、実施例2-1~2-4では、さらに分散性が高く、膜質は良好となった。一方、比較例2-1では、アモルファス粉末の分散性は悪く、圧電セラミックス薄膜に色ムラが見られ、均一な膜とならなかった。よって、アモルファス粉末の平均粒子径を30μm以下とすることで、混合溶液の流動性、分散性はよく、良好な膜質であって配向度の高い圧電セラミックス薄膜を得ることができるといえる。また、アモルファス粉末の平均粒子径を21μm以下とすることで、混合溶液の分散性は更に高くなり、良好な膜質の圧電セラミックス薄膜を得ることができることが判明した。なお、アモルファス粉末の平均粒子径が0.1μm以下では、うねりが多い圧電セラミックス薄膜しか作製できなかったため、評価はできなかった。<実施例3>[圧電セラミックス薄膜の作製]実施例3-1PZT110/52/48なる組成比で30濃度のPZT前駆体アルコキシド溶液を希釈剤としてエタノールを用いてエタノール濃度が87.5volとなるように希釈し、これに実施例1と同様にして作製されたアモルファス粉末を8vol添加した。混合溶液中のアモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを超音波洗浄器で10分間分散させた。その後、スピンコーター塗布装置商品名MIKASASPINNER1H-D2、MIKASA社製を用いて、混合溶液23をスピンコート法を用いてステージ上に塗布し、成膜した。図7は、成膜の様子の一例を示す説明図である。図7に示すように、ステージ21にベース基板Si基板22を設置して、ステージ21を4000rpmで回転させ、アモルファス粉末とファインセラミックス用油中分散剤とを分散させた混合溶液23を、ピペット24を用いて回転しているステージ21上のSi基板22に滴下してスピンコートを行い、ベースSi基板22に混合溶液23を塗布して成膜した。また、Si基板22上には001配向のPt電極を予め形成しておいた。Si基板22上に混合溶液23をスピンコートして塗布して成膜した後、325°C程度で十分乾燥させた。その後、混合溶液23が成膜された状態のままSi基板22を電気炉中において700°Cで10分間昇降温速度3000°C/分焼成して圧電セラミックス薄膜を作製した。比較例3-1アモルファス粉末を添加しなかったこと以外は実施例3-1と同様にして、圧電セラミックス薄膜を作製した。[圧電セラミックス薄膜の評価]実施例3-1および比較例3-1において得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、膜厚が2.8μmになるまでに行った成膜の回数、膜質状態、配向度、総合評価を評価した。流動性、膜質状態、配向度については、実施例1と同様に測定した。実施例および比較例において得られた圧電セラミックス薄膜の流動性、厚みが2.8μmになるまでに行った成膜の回数、膜質状態、配向度、総合評価を表3に示す。表3に示すように、実施例3-1では、混合溶液の流動性はよく、厚みが2.8μmになるまでに行った成膜の回数は1回で済み、うねりなどの変形や亀裂はほとんどない膜が得られ、配向度は良好であった。一方、比較例3-1では、厚みが2.8μmになるまでに行った成膜おいて、スピンコートしてからの乾燥を30回繰り返す必要があった。これを30回に分けて厚みを増やしたのは一度に厚い膜を乾燥すると、収縮の大きさで膜に亀裂などが発生するためである。よって、アモルファス粉末を入れた前駆体溶液を用いることで、少ない成膜回数で所定の膜厚とすることができると共に、良好な膜質であって配向度の高い圧電セラミックス薄膜を得ることができることが判明した。"