第1の案内溝と、第2の案内溝と、前記第1の案内溝と前記第2の案内溝の間に形成され、空孔マーク列が多層に形成される記録層とを備える情報記録媒体。前記第1の案内溝の外側に形成されたカバー層と、前記第2の案内溝の外側に形成された基材とをさらに備え、前記カバー層の厚さが、前記基材の厚さよりも小さい請求項1記載の情報記録媒体。前記基材の厚さが、200μm~1500μmである請求項2記載の情報記録媒体。第1の案内溝と、第2の案内溝と、前記第1の案内溝と前記第2の案内溝の間に形成され、空孔マーク列が多層に形成される記録層とを備える情報記録媒体に対し、前記第1の案内溝側及び/又は前記第2の案内溝側から再生光を照射し、前記記録層からの戻り光を検出する情報記録媒体の再生方法。前記第1の案内溝側からの前記記録層の読み出し層数は、前記第2の案内溝側からの前記記録層の読み出し層数よりも多い請求項4記載の情報記録媒体の再生方法。前述したボイド方式において、記録容量を増加させる方法の一つとして層数の増加が挙げられる。しかし、レーザ光が通過する層数が増加するのに従い、光量が累乗的に減衰し、下層における戻り光量が小さくなる。この結果、記録容量を増加させることが困難となる。本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、記録容量を増加させることができる情報記録媒体及びその再生方法を提供する。本発明に係る情報記録媒体は、第1の案内溝と、第2の案内溝と、前記第1の案内溝と前記第2の案内溝の間に形成され、空孔マーク列が多層に形成される記録層とを備えることを特徴とする。また、本発明に係る情報記録媒体の再生方法は、第1の案内溝と、第2の案内溝と、前記第1の案内溝と前記第2の案内溝の間に形成され、空孔マーク列が多層に形成される記録層とを備える情報記録媒体に対し、前記第1の案内溝側及び/又は前記第2の案内溝側から再生光を照射し、前記記録層からの戻り光を検出することを特徴とする。本発明は、記録層の上層側と下層側の両方に案内溝が形成されているため、記録層の両側から記録層の情報を読み出すことができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。1.ボイド方式2.情報記録媒体3.記録再生方法4.実施例<1.ボイド方式>図1は、ボイド方式における再生方法を模式的に示す部分断面図である。図1に示す光記録媒体は、円盤状の情報記録媒体とされ、上層側から順にカバー層101と、サーボ光を反射し、記録再生光を透過する選択反射膜102と、記録層としてのバルク層103とを備える。なお、本明細書において、光記録媒体とは、光の照射により記録情報の再生が行われる記録媒体を云う。また、上層側とは、後述する記録時のレーザ光が入射する面を上面としたときの上層側を云う。また、後述する深さ方向とは、上記上層側の定義に従った上下方向と一致する方向すなわち記録時のレーザ光の入射方向に平行な方向を云う。ボイド記録方式では、記録層としてのバルク層103に対してマーク記録又はマーク再生を行うための記録再生光以下、第1レーザ光とも称する。とは別に、選択反射膜102で形成された案内溝に基づきトラッキングやフォーカスのエラー信号を得るためのサーボ光以下、第2レーザ光とも称する。を照射する。そして、ボイド記録方式は、バルク層103に対して、比較的高いパワーでレーザ光を照射し、バルク層103内に空孔ボイドを記録する。このように形成された空孔部分は、バルク層103内における他の部分と屈折率が異なり、それらの境界部分で光の反射率が高められることになる。したがって、空孔部分は記録マークとして機能し、これによってバルク層103内には、複数のマーク形成層情報記録層L1~Lnが形成される。情報記録層の数n1は、層間隔を狭くするほど、多数の情報記録層を形成することができるが、各層を透過する光が減少するため、再生時における再生光のボイドからの戻り光量が小さくなる。また、各層のボイド数を増加するほど、情報量を増加させることができるが、下層における再生光のボイドからの戻り光量が小さくなる。このように、従来の光記録媒体では、記録容量を増加させることが困難である。<2.情報記録媒体>本実施の形態における情報記録媒体は、第1の案内溝と、第2の案内溝と、第1の案内溝と第2の案内溝の間に形成され、空孔マーク列が形成される記録層とを備え、第1の案内溝及び第2の案内溝により両側から記録層の空孔マーク列を読み取り可能となっている。図2は、本実施の形態における情報記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図である。図2に示す情報記録媒体は、円盤状の光記録媒体とされ、上層側から順にカバー層11と、サーボ光と同一の波長帯の光を反射し、それ以外の波長の光を透過する第1の案内溝としての選択反射膜12と、記録層としてのバルク層13と、第2の案内溝としての選択反射膜14と、基材15とを備える。カバー層11は、例えば、ポリカーボネート、アクリルなどの樹脂で構成され、その下面側には、記録/再生位置を案内するための案内溝の形成に伴う凹凸の断面形状を有する。このカバー層11の厚さは、対物レンズのワーキングディスタンス以下、WDとも称する。よりも十分に小さい、20μm~200μmであることが好ましい。選択反射膜12は、凹凸の断面形状が形成されたカバー層11の下面側に成膜され、第1の案内溝を構成する。案内溝は、ディスク平面上に連続溝グルーブ、又はピット列でスパイラル状に形成される。例えば、案内溝がグルーブとされる場合は、グルーブを周期的に蛇行させて形成することにより、蛇行の周期情報により位置情報絶対位置情報:例えば回転角度情報や半径位置情報などを得ることができる。選択反射膜12は、バルク層13に対してマーク記録又はマーク再生を行うための記録再生光を透過し、トラッキングやフォーカスのエラー信号を得るためのサーボ光を反射するという選択性を有する。ボイド記録方式では、記録光とサーボ光とはそれぞれ波長の異なるレーザ光が用いられ、選択反射膜12としては、サーボ光と同一の波長帯の光を反射し、それ以外の波長による光を透過する波長選択性を有する選択反射膜が用いられる。本実施の形態では、第1レーザ光の波長がおよそ405nm程度いわゆる青紫色レーザ光とされ、第2レーザ光の波長がおよそ660nm程度いわゆる赤色レーザ光とされ、選択反射膜12は、第1レーザ光を透過し、第2レーザ光を反射する。バルク層13は、ボイド記録方式に適切な記録材料から構成され、その記録材料は、およそ200μm程度の厚さにおける透過率が80以上であることが好ましい。このような記録材料として、例えばベンゼン環の多い骨格を有する熱硬化性のエポキシ樹脂と硬化剤とが重合された硬化物を用いることができる。ベンゼン環の多い骨格としては、モノマーの分子内にベンゼン環を2つ以上有する、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、アントラセン骨格、ビスフェノールA骨格、ビフェニル骨格などが挙げられる。また、エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型2官能エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、硬化剤は、特に制限はなく、アミン化合物、スルホン酸塩、ヨードニウム塩、イミダゾール類、酸無水物類フタル酸、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸を用いることができる。このようなエポキシ樹脂と硬化剤とが重合された硬化物は、モノマーの分子内にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ樹脂により形成されているため、高密度に3次元架橋される。このバルク層13は、単一層であり、その厚さは特に制限されないが、100μm~300μmであることが好ましい。選択反射膜14は、上層側の選択反射膜12と同様であり、凹凸の断面形状が形成された基材15の上面側に成膜され、第2の案内溝を構成する。また、選択反射膜14は、サーボ光と同一の波長帯の光を反射し、それ以外の波長による光を透過する波長選択性を有する。基材15は、例えば、ガラス、ポリカーボネートなどで構成され、その上面側には、記録/再生位置を案内するための案内溝の形成に伴う凹凸の断面形状を有する。基材15の厚さは、対物レンズのワーキングディスタンスよりも小さいことが好ましく、ディスクの機械的強度の観点から、200μm~1500μmであることが好ましい。このように本実施の形態における情報記録媒体は、上層側及び下層側の選択反射膜12、14によりカバー層11側及び基材側15の両側から記録層の空孔マーク列を読み取ることができる。これにより、上層側及び下層側から読み出し可能なバルク層13内の層数が増加し、多層化大容量化を実現することができる。また、このような情報記録媒体は、スタンパを用いた射出成形などにより案内溝凹凸形状が形成され、選択反射膜12が形成されたカバー層13としてのカバーガラスと、選択反射膜14が形成された基材15としての基材ガラスとの間に、例えばエポキシ樹脂と硬化剤とを所定の厚さに挟み込む。そして、エポキシ樹脂と硬化剤とをオーブン等で熱重合架橋硬化させることにより、バルク層13を有する情報記録媒体を製造することができる。<3.記録再生方法>次に、上述した情報記録媒体の記録再生方法について説明する。図3は、本実施の形態における情報記録媒体の記録方法を模式的に示す部分断面図である。前述のように光記録媒体に対しては、記録再生を行うためのレーザ光図中第1レーザ光と共に、これとは波長の異なるサーボ光としてのレーザ光図中第2レーザ光を照射する。これらの第1レーザ光及び第2レーザ光は、共通の対物レンズ20を介して光記録媒体に照射される。このように第1レーザ光及び第2レーザ光が共通の対物レンズ20を介して照射され、第2レーザ光のフォーカスサーボにより対物レンズ20が制御されることにより、第1レーザ光の合焦位置は、選択反射膜12上に追従するようになる。つまり、第2レーザ光の選択反射膜12からの反射光に基づく対物レンズ20のフォーカスサーボにより、第1レーザ光の合焦位置についての光記録媒体の面変動に対する追従機能が与えられる。第1レーザ光のフォーカスサーボに関しては、第1レーザ光の合焦位置のみを独立して変化させることのできる第1レーザ光用のフォーカス機構を設ける。そして、記録時には、選択反射膜12を基準としたオフセットに基づき、第1レーザ光用フォーカス機構を制御する。具体的には、第1レーザ光用フォーカス機構によって、第1レーザ光の合焦位置をオフセットの値の分だけオフセットさせ、バルク層13内の所要の深さ位置に第1レーザ光の合焦位置を追従させる。本実施の形態におけるボイドの形成は、記録光の照射方向に対して深い位置から浅い方へ順に行う。これにより、ボイドが形成された層を記録光が通過しないため、各層のレーザ照射条件Pw、線速などをほぼ一定にすることができる。記録方式としては、1-7PP変調方式などのマークエッジ記録、VFM変調方式などのマークポジション記録などを採用することができる。また、ボイドサイズや記録材料の屈折率についても、記録容量などを考慮して適宜採用することができる。表1に、変調方式、ボイド横径、ボイド縦径、トラックピッチ、記録材料の屈折率が異なる記録方法における記録容量及び各層の透過率を示す。ここで、ボイド横径、及びボイド縦径とは、それぞれ光軸方向レーザの入射方向に対して垂直な軸のボイドの横径、及び光軸方向に対して平行な軸のボイドの縦径を云う。なお、これらは、記録材料の吸光度をゼロと仮定して算出したものである。表1に示すように、1-7PP変調は、VFM変調と比較して、1層当たりの記録容量が増大するが、1層当たりの透過率は大きく下がる。ボイドの横径が小さいほど、記録容量も増大し、透過率も上がる。また、ボイド横径に対してボイド縦径が小さい、つまりボイド形状として光軸方向に長くない方が透過率は高くなる。また、記録材料の屈折率が高いほど、透過率は小さくなる。本実施の形態では、光ディスクの両面から記録マークを読み込むことにより、光ディスクの読み出し可能な層数を増加させることができるため、1-7PP変調を採用し、記録容量を増大させることができる。図4は、本実施の形態における情報記録媒体の再生方法を模式的に示す部分断面図である。本実施の形態における再生方法では、記録マークの読み出しにおいて、例えば2つの半導体レーザを用いて両面から読み出す。なお、光ディスクの両方向から同時に記録マークを読み出す必要はなく、上層側又は下層側の一方からの読み出しで構わない。つまり、光ディスクを反転させることにより、1つの半導体レーザで反対側の記録マークを読み出しても構わない。再生時では、バルク層13には情報ボイドが形成された状態であるため、バルク層13からの第1レーザ光の反射光を得ることができる。これにより、再生時における第1レーザ光のフォーカスサーボは、第1レーザ光自身の反射光を利用することができる。なお、再生時における第1レーザ光のトラッキングサーボは、記録時と同様、第2レーザ光の反射光に基づく対物レンズ20のトラッキングサーボを行うことによって実現される。前述したように、バルク層13内に十分な数のボイドが形成された層が増加した場合、RF信号強度戻り光量:1層当たりの透過率層数×2×ボイドからの反射率が累乗的に減少し、光ディスクの片面からの読み出し可能な層数が減少する。しかし、本実施の形態のように両面から読み出すことにより、バルク層13内の読み出し可能な層数が増加するため、記録容量を増加させることができる。ここで、表面側カバー層11側からの読み出し層数は、裏面基材15側からの読み出し層数よりも多いことが好ましい。具体的には、表面側カバー層11側からの読み出し層数は、バルク層13内のすべての層数の50~90であることが好ましい。これにより、光記録媒体の基材15の厚さをカバー層11の厚さよりも大きくすることができ、光ディスクの機械的強度を保つことができる。なお、裏面基材15側からの読み出し層数は、光ディスクの機械的強度が保てる範囲で基材15の厚みを減らすことにより増やしても構わない。また、表面側カバー層11側からの読み出しと、裏面基材15側からの読み出しとで、NA開口数が異なり、ワーキングディスタンスが異なる対物レンズを用いても構わない。このように光ディスクの両面から記録マークを読み出すことにより、光ディスクの大容量化を実現することができる。また、読み出す層数を増加させるために再生光のパワーを増加させる必要がないため、バルク層13の記録材料へのダメージを減少させ、記録材料の黄変を防止することができる。また、通常のディテクターの検出限界の光量1μWの1/4の光量0.25μWまで読み出せるホモダイン検出などの特別なディテクターを用いる必要がない。<4.実施例>以下、本発明の実施例について説明する。ここでは、層数を20とした情報記録媒体における信号強度戻り光量について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。図5は、本実施例の情報記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図である。この情報記録媒体において、選択反射膜12が形成されたカバー層13としてのカバーガラスの厚さを50μm、選択反射膜14が形成された基材15としての基材ガラスの厚さを1000μm、バルク層14としての記録層を240μmとした。レーザ波長405nm、NA0.85の対物レンズワーキングディスタンス:1.1mmを用いて、トラックピッチを0.32μmとし、記録方式を1-7pp変調方式として、記録層にボイドボイド横径:75nm、ボイド縦径:32nmを記録した。ボイドは、記録光の照射方向に対して深い位置基材ガラスから浅い方カバーガラスへ順に、層間距離を12μmとして20層形成した。そして、下記1式を用い、ボイドを記録した層を通過したときのRF信号の振幅の減衰率により透過率を見積もった。n層目のRF信号強度=1層を通過したときの透過率n-1×1層目のRF信号強度1この条件における1層当たりの透過率は0.9であり、また、1層当たりの記憶容量は25GBであった。表2に、ボイドの反射率を0.001としたときの戻り光量を示す。また、カバーガラス側から1層目の再生光のパワーを15mW元パワー150mW、基材ガラス側から1層目の再生光のパワーを10mW元パワー100mWとしたときの光量を示す。なお、ボイド以外の光量のロスカバー層11、バルク層13の吸光度、界面反射などをゼロと仮定して算出した。表2から分かるように、通常のディテクターによる読み出し限界の光量を1μWとすると、表面からの光照射では13層までしか読み出すことができず、記憶容量は300GB程度になってしまう。一方、ワーキングディスタンスが1.1mmの対物レンズNA0.85を用いて裏面から光照射した場合、8層目まで読み出すことができるため、表面からの読み出しを12層とすることができる。これにより、記録層内の20層のすべてを読み出すことができ、500GBもの記憶容量を実現することができる。