"スルホン酸銅水溶液であって、銅濃度が90g/L以上で、金属不純物の含有量が金属換算でいずれも10mg/L未満であり、塩素の含有量が10mg/L未満であり、スルホン酸が下記一般式で表されるスルホン酸であることを特徴とするスルホン酸銅水溶液。R-SO3Hn式中、Rは低級アルキル基、低級アルキリデン基、低級アルキレン基、又はヒドロキシアルキル基を表し、nは1又は2を表す。前記金属不純物の金属が、鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、ナトリウム、カリウム、ヒ素、アンチモン、カドミウム、金、インジウム、マンガン、タリウム、スズ、及びチタンであることを特徴とする請求項1記載のスルホン酸銅水溶液。前記鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、カドミウム、金、マンガン、スズ、及びチタンの含有量がいずれも1mg/L未満であることを特徴とする請求項1又は2記載のスルホン酸銅水溶液。pHが2以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液。金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることにより作製したことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液。金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液の製造方法。本発明は、高純度のスルホン酸銅水溶液、及びそれを簡易な方法で作製する方法を提供することを目的とする。本発明者らは、簡単な方法で高純度のスルホン酸銅水溶液を得ることについて鋭意検討を行った結果、金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることにより高純度のスルホン酸銅水溶液を得ることができることを見出し、本発明に至った。即ち、本発明は以下の通りである。1スルホン酸銅水溶液であって、銅濃度が90g/L以上で、金属不純物の含有量が金属換算でいずれも10mg/L未満であり、塩素の含有量が10mg/L未満であり、スルホン酸が下記一般式で表されるスルホン酸であることを特徴とするスルホン酸銅水溶液。R-SO3Hn式中、Rは低級アルキル基、低級アルキリデン基、低級アルキレン基、又はヒドロキシアルキル基を表し、nは1又は2を表す。2前記金属不純物の金属が、鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、ナトリウム、カリウム、ヒ素、アンチモン、カドミウム、金、インジウム、マンガン、タリウム、スズ、及びチタンであることを特徴とする前記1記載のスルホン酸銅水溶液。3前記鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、カドミウム、金、マンガン、スズ、及びチタンの含有量がいずれも1mg/L未満であることを特徴とする前記1又は2記載のスルホン酸銅水溶液。4pHが2以上であることを特徴とする前記1~3のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液。5金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることにより作製したことを特徴とする前記1~4のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液。6金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることを特徴とする前記1~4のいずれかに記載のスルホン酸銅水溶液の製造方法。本発明のスルホン酸銅水溶液は、銅濃度が高く、金属不純物の含有量が金属換算でいずれも10mg/L未満、塩素濃度が10mg/L未満であり、不純物が少ない。従って本発明のスルホン酸銅水溶液は、貫通シリコンビア埋め込みめっき等、半導体用途で、高電流密度でのめっきが可能で、電析量の多い銅めっきを行う際の電気銅めっき液に有効に用いることができる。また本発明のスルホン酸銅水溶液は、pHを2以上と高くすることができるので、銅めっき液とした場合もpH2以上の高純度のめっき液とすることができ、銅シード層溶解等の被めっき基板への影響を緩和することができ、高純度のめっき膜が得られる。スルホン酸銅水溶液を作製するには、金属銅、酸化銅、水酸化銅、又は炭酸銅をスルホン酸溶液に溶解させればよいが、銅濃度が90g/L以上の高純度品を作製する場合は金属銅を使用し、高純度のスルホン酸溶液に酸化溶解させることが好ましい。金属銅が電解析出により作製されるため不純物が少ないのに比べ、酸化銅等のその他のものは金属銅又は銅塩から何らかの反応を経て作製されるため、一般的に金属不純物含有量が多く、銅原料として好ましくない。例えば炭酸銅、水酸化銅をスルホン酸溶液に溶解させた場合は、金属不純物として、ナトリウムが多く含有されやすい。また、酸化銅をスルホン酸溶液に溶解させた場合は、銅濃度を90g/L以上まで高くすることができず、さらに一部金属銅の溶解残が発生する。これは亜酸化銅と酸化銅が混ざっている影響で、一部で不均化反応が起こってしまうことが原因と考えられる。また、硫酸銅、塩化銅、硝酸銅等の銅塩についても、硫酸イオン、塩素イオン、硝酸イオン等の陰イオンが溶解時大量に液中に残り、さらにこれらの陰イオンの影響で液中銅濃度も90g/L以上に高くすることができず、やはり好ましくない。金属銅をスルホン酸溶液に酸化溶解させることにより銅濃度を90g/L以上とすることができる。銅濃度は、スルホン酸溶液に対する飽和濃度まで高くすることができる。尚、前記銅濃度は常温での濃度を示す。本発明において、スルホン酸溶液のスルホン酸としては、下記一般式で表されるものであり、ハロゲンを含有しない。R-SO3Hn式中、Rは低級アルキル基、低級アルキリデン基、低級アルキレン基、又はヒドロキシアルキル基を表し、nは1又は2を表す。前記低級アルキル基、低級アルキリデン基、低級アルキレン基、ヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のものが好ましく、Rが低級アルキル基であるスルホン酸としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸が挙げられる。またRが低級アルキリデン基であるスルホン酸としては、メタンジスルホン酸、1,1-エタンジスルホン酸、1,1-プロパンジスルホン酸が挙げられ、Rが低級アルキレン基であるスルホン酸としては、1,2-エチレンジスルホン酸、1,3-プロピレンジスルホン酸などが挙げられる。また、Rがヒドロキシアルキル基であるスルホン酸としては、ヒドロキシメタンスルホン酸、2-ヒドロキシエタンスルホン酸、3-ヒドロキシプロパンスルホン酸、4-ヒドロキシ-2-ブタンスルホン酸、4-ヒドロキシ-1-ブタンスルホン酸などが挙げられる。上記スルホン酸としてはRが低級アルキル基であるスルホン酸が好ましく、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸がより好ましく、メタンスルホン酸が特に好ましい。銅を溶解させるスルホン酸溶液は、高純度であることが好ましく、不純物となる金属成分及び塩素濃度がいずれも10mg/L未満であることが好ましい。また、スルホン酸溶液は、上記スルホン酸の水溶液であり、スルホン酸溶液におけるスルホン酸濃度は150~360g/Lが好ましい。金属銅を上記スルホン酸溶液に溶解させるには、一旦銅を酸化させる必要があり、本発明のスルホン酸銅水溶液は、金属銅をスルホン酸溶液中で酸化溶解させることにより作製することができる。金属銅を酸化させる方法として、加熱した上記スルホン酸水溶液中に空気または酸素ガスを適量吹き込むことで溶存酸素濃度を上げる、過酸化水素水等の酸化剤を加えるなどが挙げられる。金属銅は表面積が大きいほど酸化溶解しやすいので、銅粉銅線等を原料として使用するのが好ましい。例えば銅粉、銅線等をスルホン酸水溶液に投入し、60°C以上100°C未満、好ましくは80°C以上90°C以下に加熱し、空気又は酸素ガスを液量1Lに対して0.01~5L/minの流速で吹き込みながら酸化溶解させることで本発明のスルホン酸銅水溶液を得ることができる。また、銅粉、銅線等をスルホン酸水溶液に投入し、60°C以上100°C未満、好ましくは80°C以上90°C以下に加熱し、過酸化水素水等の酸化剤を徐々に添加して酸化溶解させて本発明のスルホン酸銅水溶液を得ることができる。本発明のスルホン酸銅水溶液は、金属不純物の濃度が金属換算でいずれも10mg/L以下であり、さらに塩素濃度が10mg/L以下である。スルホン酸銅水溶液中の金属不純物の濃度が金属換算でいずれも10mg/Lを超えると、電気銅めっき時に析出した銅膜中に共析し、半導体の配線用途で使用された場合、最終的にデバイス化された際のエラーの原因となる。また、塩素濃度が10mg/Lを超えると、電気銅めっき時に添加する数十mg/Lの塩素濃度の管理が困難となる。スルホン酸銅水溶液中の金属不純物の金属としては、鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、ナトリウム、カリウム、ヒ素、アンチモン、カドミウム、金、インジウム、マンガン、タリウム、スズ、及びチタン等が挙げられ、特に、鉄、ニッケル、銀、鉛、マグネシウム、アルミニウム、クロム、コバルト、亜鉛、カドミウム、金、マンガン、スズ、及びチタンの含有量がいずれも1mg/L未満であることがより好ましい。金属不純物の金属換算の含有量は、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって測定可能である。また、塩素の含有量は、イオンクロマト分析によって測定可能である。また、本発明のスルホン酸銅水溶液は、pHを2以上とすることができる。pHを2以上とすることで、めっき液調整の際の原液として使用した際、得られるめっき液のpHを2以上に高くすることができ、銅シード層溶解等の被めっき基板への影響を緩和することができる。なお、めっき液調製の際には塩素イオン源として塩酸を添加するが、添加量は極微量であり、めっき液のpHの影響はほとんどない。本発明のスルホン酸銅水溶液のより好ましいpHの範囲は2.2~3.0であり、該スルホン酸銅水溶液を用いて得られるめっき液のpHも2.2~3.0であることが好ましい。pHが3を超えると、めっき液中の銅イオンが酸化物あるいは水酸化物となって、沈殿が発生する恐れがある。本発明のスルホン酸銅水溶液は金属不純物及び塩素の含有量が少なく高純度であるので、これを用いて作製した電気銅めっき液を用いて電気銅めっきを行うことにより高純度の銅めっき膜が得られる。また、本発明のスルホン酸銅水溶液はpHを2以上とすることができるので、これを用いて作製した電気銅めっき液のpHも高くすることができ、被めっき基板への影響を緩和することができる。銅めっき液としては、銅濃度が50~120g/Lであり、スルホン酸濃度が150~360g/Lであることが好ましい。従って本発明のスルホン酸銅水溶液を用いた電気銅めっき液は、本発明のスルホン酸銅水溶液を適当な濃度銅濃度が50~120g/L、スルホン酸濃度が150~360g/Lに調整し、さらに塩素塩酸を30~100mg/L、その他の微量添加剤ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等を数百mg/L以下添加することにより作製することができる。電気銅めっきは、室温20~25°Cでカソード電流密度0.1~20A/dm2の条件で実施可能である。硫酸銅などの他の銅塩を使用した場合と比較して、銅濃度を高くすることができるため、高電流密度でもめっきが可能である。以下実施例により本発明を詳細に説明する。実施例1銅粉100gをメタンスルホン酸300g入りの水溶液へ投入し、イオン交換水を加えて1Lとした後、90°Cに加熱した状態でガラスボールフィルターとエアーポンプを使用して空気を3L/minの流速で吹き込みながら、メタンスルホン酸銅水溶液を作製した。数十時間後、銅粉は全量溶解し、銅濃度100g/Lのメタンスルホン酸銅水溶液ができた。得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHは2.6であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、測定成分全てが定量下限値未満であった。例えば、表1において、Fe、Ni、Ag、Pb、Mg、Al、Cr、Co、Zn、Cd、Au、Mn、Ti、Snの欄の全成分<1mg/Lは、Fe、Ni、Ag、Pb、Mg、Al、Cr、Co、Zn、Cd、Au、Mn、Ti、Snのそれぞれの濃度がすべて1mg/L未満であることを示す。また、作製したメタンスルホン酸銅水溶液に添加剤塩素塩酸50mg/L、二硫化ビス3-スルホプロピル二ナトリウム10mg/L、ポリエチレングリコール200mg/L、ヤヌスグリーン1mg/Lを加えて電気銅めっき液を調整し、穴径20μm、深さ100μmのビアを有するスパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行った。めっき条件は浴温25°C、カソード電流密度5A/dm2、めっき時間10minとした。めっき後めっき膜中の不純物分析GDMS、及びビア埋め込み性評価を実施した。めっき膜中の不純物としては、メタンスルホン酸銅水溶液の金属不純物と同様の金属について分析した。また、ビア埋め込み性は、得られた銅めっき膜の劈開断面SEM観察により、ボイドの有無を判定した。100個のビアの断面を観察し、ビアの側壁部にボイドが全く観察されない場合をボイドなしとし、一部のビア側壁部にボイドの発生が観察された場合をボイド有りとした。結果を表2に示す。実施例2銅電線の廃材100gをメタンスルホン酸300g入りの水溶液へ投入し、イオン交換水を加えて1Lとした後、80°Cに加熱した状態でガラスボールフィルターと酸素ガスボンベを使用して酸素を1L/minの流速で吹き込みながら、メタンスルホン酸銅水溶液を作製した。数十時間後、銅電線は全量溶解し、銅濃度100g/Lのメタンスルホン酸銅水溶液ができた。得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHは2.7であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、測定成分全てが定量下限値未満であった。また、実施例1と同様に、作製したメタンスルホン酸銅水溶液に添加剤を加えて電気銅めっき液を調整し、スパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。実施例3銅電線の廃材100gをメタンスルホン酸300g入りの水溶液へ投入し、イオン交換水を加えて約0.7Lとした後、80°Cに加熱した状態で30過酸化水素水を10mlずつ、反応の様子を見ながら断続的に添加した。ある一定量以上加えると過酸化水素が分解し始めて酸素ガスが発生し、それによって銅が酸化されてメタンスルホン酸に徐々に溶解した。反応が収まった時点で過酸化水素水をさらに添加していき、数時間後、最終的に銅電線は全量溶解し、銅濃度100g/Lのメタンスルホン酸銅水溶液ができた。得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHは2.5であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、測定成分全てが定量下限値未満であった。また、実施例1と同様に、作製したメタンスルホン酸銅水溶液に添加剤を加えて電気銅めっき液を調整し、スパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。実施例4銅粉100gを2-ヒドロキシエタンスルホン酸200g入りの水溶液へ投入し、イオン交換水を加えて1Lとした後、90°Cに加熱した状態でガラスボールフィルターとエアーポンプを使用して空気を3L/minの流速で吹き込みながら、2-ヒドロキシエタンスルホン酸銅水溶液を作製した。数十時間後、銅粉は全量溶解し、銅濃度100g/Lの2-ヒドロキシエタンスルホン酸銅水溶液ができた。得られた2-ヒドロキシエタンスルホン酸銅水溶液のpHは2.7であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、測定成分全てが定量下限値未満であった。また、実施例1と同様に、作製した2-ヒドロキシエタンスルホン酸銅水溶液に添加剤を加えて電気銅めっき液を調整し、スパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。実施例5銅粉100gをメタンジスルホン酸300g入りの水溶液へ投入し、イオン交換水を加えて1Lとした後、90°Cに加熱した状態でガラスボールフィルターとエアーポンプを使用して空気を3L/minの流速で吹き込みながら、メタンジスルホン酸銅水溶液を作製した。数十時間後、銅粉は全量溶解し、銅濃度100g/Lのメタンジスルホン酸銅水溶液ができた。得られたメタンジスルホン酸銅水溶液のpHは2.6であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、測定成分全てが定量下限値未満であった。また、実施例1と同様に、作製したメタンジスルホン酸銅水溶液に添加剤を加えて電気銅めっき液を調整し、スパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。比較例1炭酸銅190gをイオン交換水約0.7Lへ投入し、液を攪拌してスラリー状にしてから少量ずつメタンスルホン酸を加えていくと、炭酸銅が炭酸ガスを発生しながら溶解し、最終的に全量溶解して銅濃度100g/Lのメタンスルホン酸銅水溶液ができた。得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHは2.9であった。その液中不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、Naが230mg/L、FeとMgが3mg/L検出された。その他の成分は定量下限値未満であった。また、実施例1と同様に、作製したメタンスルホン酸銅水溶液に添加剤を加えて電気銅めっき液を調整し、スパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。比較例2金属銅をアノードとし、不溶性電極のカソードを使用して、電解して銅をメタンスルホン酸溶液中に溶解して銅濃度100g/Lのメタンスルホン酸銅水溶液とした。電解の際には、アノード室とカソード室とを陰イオン交換膜セレミオンAMV、旭硝子株製で仕切った。得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHは1.7であった。その液中の不純物濃度について、ナトリウム、カリウムについてはフレーム原子吸光分析、それ以外の金属についてはICP-AES分析によって、また、塩素の含有量を、イオンクロマト分析によって分析した結果、表1に示すとおり、塩素が24mg/L検出された。その他の成分は定量下限値未満であった。また、作製したメタンスルホン酸銅水溶液に添加剤塩素塩酸26mg/L、二硫化ビス3-スルホプロピル二ナトリウム10mg/L、ポリエチレングリコール200mg/L、ヤヌスグリーン1mg/Lを加えて電気銅めっき液を調整し、実施例1と同様に穴径20μm、深さ100μmのビアを有するスパッタ銅シード層つきシリコンウェハのビア埋め込みめっきを行い、評価を実施した。結果を表2に示す。実施例1~5、比較例1~2においてはスルホン酸銅水溶液中では銀は定量下限値未満であったが、めっき膜中に金属不純物として銀が検出された。これは、銀は標準電極電位が銅より貴であり、めっき液中に存在すると、めっきの際に銅よりも優先的に析出するため、めっき液中の存在量が微量であってもめっき膜中に不純物として他の金属より多く含まれやすいからである。銀は銅よりも低抵抗であるため、他の金属不純物と異なり抵抗が上がる心配はないが、銀濃度が高くなるとマイグレーションを起こしやすくなる。めっき膜中の濃度が10ppm以下であれば問題ない。また、比較例1では炭酸銅を用いたのでスルホン酸銅水溶液にナトリウムが230mg/L含有され、その結果めっき膜中にナトリウムが3ppm含有されている。めっき膜中にナトリウム、カリウム等のアルカリ金属が含有されると、デバイス化された際に最もエラーの原因となり易く、例えば、めっき膜中に数ppm含有されると、デバイス化された際にエラーを起こす可能性が非常に高くなる。比較例2においては、得られたメタンスルホン酸銅水溶液のpHが2以下であり、そのメタンスルホン酸銅水溶液を用いて調整した電気銅めっき液のpHも2以下と低くなる。そのため、電気銅めっき開始時にカバレッジ不足で薄い銅シード層部分が溶解し、その結果ボイドが発生した。"