直線偏光であるTEモードの出力レーザ光を出力する半導体レーザと、前記出力レーザ光の光軸上に設けられ、入射光の偏光方向を45°回転させるファラデー回転子と、前記ファラデー回転子の光ファイバ側に設けられ、透過軸方向が前記ファラデー回転子を通過した後の前記出力レーザ光の偏光方向と一致する偏光子とを備え、前記ファラデー回転子の前記半導体レーザ側には、特定の偏光方向のレーザ光だけを選択的に透過させる選択素子が設けられていない半導体レーザモジュール。請求項1に記載の半導体レーザモジュールであって、前記選択素子は、偏光子あるいは波長選択フィルタである半導体レーザモジュール。入射光の偏光方向を45°回転させるファラデー回転子と、前記ファラデー回転子の光ファイバ側に設けられた偏光子とを備え、前記ファラデー回転子の半導体レーザ側には、特定の偏光方向のレーザ光だけを選択的に透過させる選択素子が設けられていない光アイソレータ。図2で示されたように、従来の光アイソレータでは、2枚の偏光子が用いられていた。しかしながら、光ファイバ通信で一般に使用される近赤外光用の偏光子は、高価な部品の一つである。光アイソレータにおいて2枚の偏光子を用いることは、コストの増大を招く。本発明の1つの観点において、半導体レーザモジュールが提供される。その半導体レーザモジュールは、半導体レーザと、ファラデー回転子と、偏光子とを備える。半導体レーザは、直線偏光であるTEモードの出力レーザ光を出力する。ファラデー回転子は、出力レーザ光の光軸上に設けられ、入射光の偏光方向を45°回転させる。偏光子は、ファラデー回転子の光ファイバ側に設けられており、その偏光子の透過軸方向は、ファラデー回転子を通過した後の出力レーザ光の偏光方向と一致する。本発明によれば、ファラデー回転子の半導体レーザ側には、特定の偏光方向のレーザ光だけを選択的に透過させる選択素子が設けられていない。本発明の他の観点において、光アイソレータが提供される。その光アイソレータは、入射光の偏光方向を45°回転させるファラデー回転子と、ファラデー回転子の光ファイバ側に設けられた偏光子と、を備える。ファラデー回転子の半導体レーザ側には、特定の偏光方向のレーザ光だけを選択的に透過させる選択素子が設けられていない。本発明によれば、従来の光アイソレータに比べ、偏光子が1枚省略される。従って、コストが削減される。添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図3は、本発明の実施の形態に係る半導体レーザモジュール100の構成を示す概略図である。半導体レーザモジュール100は、光ファイバ通信に使用される。図3に示されるように、半導体レーザモジュール100は、半導体レーザ10、レンズ20、光アイソレータ30及び光ファイバ40を備えている。図3に示される例では、レーザ光の光軸OAに沿って、半導体レーザ10、レンズ20、光アイソレータ30及び光ファイバ40がこの順序で配置されている。本実施の形態において、半導体レーザ10は、直線偏光であり且つTEモードのレーザ光を出力する。言い換えれば、半導体レーザ10の出力レーザ光は、単一のTE偏光面を有する。典型的には、半導体レーザ10は、優れた単色性を有する量子井戸レーザである。例えば、半導体レーザ10は、InGaAsPやAlGaInAs等の材料の圧縮歪量子井戸活性層を有する多重量子井戸MQWレーザである。そのような量子井戸レーザは、発光端面でのTE及びTM偏光の反射率の違いや、活性層のTEモードとTMモードの利得差により、一般にTEモードで発振する。光アイソレータ30は、ファラデー回転子31、偏光子32及び磁石33を備えている。ファラデー回転子31及び偏光子32は、レーザ光の光軸OA上に設けられている。磁石33は、ファラデー回転子31の周囲に配置されている。この磁石33からの磁界が印加されることにより、ファラデー回転子31はファラデー効果を発現する。より詳細には、ファラデー回転子2は、入射光の偏光方向偏光面を一定方向に45°回転させるように形成されている。図3に示されるように、偏光子32は、ファラデー回転子31の光ファイバ40側に設けられている。偏光子32は、ファラデー回転子31の光ファイバ40側の端部に固着されていてもよいし、当該端部に近接して配置されていてもよい。その一方で、ファラデー回転子31の半導体レーザ10側には、偏光子は設けられていない。この構造は、図1や図2で示された典型的な光アイソレータから半導体レーザ側の偏光子1aが省かれたものに相当する。この場合、半導体レーザ10から出力された出力レーザ光は、偏光子を介することなく、そのままファラデー回転子31に入射されることになる。尚、特許文献3特開2008-176279号公報に記載されている波長選択フィルタも、偏光子と同様の役割を果たしている。本実施の形態では、そのような波長選択フィルタも、ファラデー回転子31の半導体レーザ10側には設けられない。より一般化すると、偏光子や波長選択フィルタは、特定の偏光方向のレーザ光だけを選択的に透過させる選択素子であると言える。本実施の形態によれば、そのような選択素子が、ファラデー回転子31の半導体レーザ10側には設けられない。図4は、本実施の形態に係る半導体レーザモジュール100の原理を説明するための概念図である。図4において、光軸OAに沿った方向は、z方向である。まず、半導体レーザ10は、直線偏光でTEモードの出力レーザ光LOを出力する。その出力レーザ光LOの偏光方向は、z方向に直交するs方向である。半導体レーザ10から出力された出力レーザ光LOは、上記の選択素子を介することなく、そのままファラデー回転子31に入射される。その出力レーザ光LOがファラデー回転子31を通過すると、その偏光方向がs方向からt方向へ45°回転する。t方向は、z方向に直交し、且つ、s方向と45°の角度をなす方向である。光ファイバ40側の偏光子32は、その透過軸方向がt方向となるように配置されている。言い換えれば、偏光子32の透過軸方向は、ファラデー回転子31を通過した後の出力レーザ光LOの偏光方向t方向と一致する。従って、偏光方向がt方向となった出力レーザ光LOは、偏光子32を通過し、光ファイバ40に入射される。光ファイバ40に出力レーザ光LOが入射されると、レイリー散乱や光コネクタ等の反射点における反射により、ランダムな偏光を有する戻り光LRが発生する。その戻り光LRは、光ファイバ40側から偏光子32に入射する。偏光子32を通過した後の戻り光LRの偏光方向は、t方向である。そして、戻り光LRがファラデー回転子31を通過すると、その偏光方向がt方向からu方向へ45°回転する。u方向は、z方向とs方向の双方に直交する方向である。ファラデー回転子31から出射された戻り光LRは、上記の選択素子を介することなく、半導体レーザ10の活性層に入射される。ここで、半導体レーザ10の活性層に入射される戻り光LRの偏光方向u方向は、半導体レーザ10の活性層から出射される出力レーザ光LOの偏光方向s方向と直交している。本願発明者は、この条件が満たされる場合には戻り光LRが半導体レーザ10の発振特性に影響を与えない、ということを見出した。TEモードの出力レーザ光LOと同じ偏光方向を有する戻り光LRが活性層に入射されるとTEモードの発振特性は乱れるが、出力レーザ光LOと戻り光LRの偏光方向が直交している場合はTEモードの発振特性はほとんど影響を受けないのである。そのことを実証するデータが図5に示されている。図5は、本実施の形態に係る半導体レーザモジュール100に関する相対雑音強度RIN:RelativeIntensityNoiseの測定値を示している。ここでは、半導体レーザモジュール100として、本実施の形態に係る構造を採用した2.5Gbps伝送用1.31μmDFB-LDモジュールが使用された。また、実験において、半導体レーザモジュール100への戻り光量を、-34~-11dBの範囲で変化させた。また、温度を、-40~85°Cの範囲で変化させた。図5から、評価した全範囲において相対雑音強度が約-132dB/Hzで安定していることが分かる。すなわち、戻り光量が変化しても、半導体レーザ10の発振特性は影響を受けておらず、相対雑音強度は低いレベルで安定している。このように、本実施の形態によれば、光ファイバ40からの戻り光LRの一部が半導体レーザ10の活性層に入射されるが、それによって半導体レーザ10の発振特性は影響を受けない。それは、半導体レーザ10の活性層に入射される戻り光LRの偏光方向u方向が、半導体レーザ10の活性層から出射される出力レーザ光LOの偏光方向s方向と直交しているからである。この条件が満たされる限り、ファラデー回転子31の半導体レーザ10側の偏光子は不要である。つまり、図1や図2で示された典型的な光アイソレータと比較して、偏光子を1枚省略することが可能である。偏光子は高価な部品の一つであるため、コストが有意に削減される。本実施の形態によれば、コストを削減しながら、相対雑音強度が抑制された安定した通信を実現することが可能であると言える。図6は、本実施の形態の変形例を示している。本変形例では、光アイソレータ30と光ファイバ40との間にレンズ50が挿入されている。その他の構造及び動作は、上記の実施の形態と同様である。以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。