"銅と、鉄とを含む廃電子基板粉末を酸性液に加えて、温度が100°C以上、酸素分圧が1MPa~4MPaの条件下で、金属を浸出させることを特徴とする廃電子基板からの金属の浸出方法。廃電子基板粉末が、廃電子基板の粉砕粉、廃電子基板の焼却灰、及び電子部品の粉砕粉から選択される少なくともいずれかである請求項1に記載の金属の浸出方法。廃電子基板粉末が、廃電子基板をそのまま粉砕したものであり、貴金属、及び鉛の少なくとも1種を更に含む請求項1から2のいずれかに記載の金属の浸出方法。酸性液の酸濃度が、0.5mol/L~3mol/Lである請求項1から3のいずれかに記載の金属の浸出方法。酸性液が、硫酸水溶液である請求項1から4のいずれかに記載の金属の浸出方法。浸出残渣中に、Au及びAgの少なくともいずれかが含まれる請求項1から5のいずれかに記載の金属の浸出方法。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、廃電子基板に含有される銅、亜鉛等の金属成分を効率良く回収することができ、レアメタル、金、銀等の貴金属も回収可能な廃電子基板からの金属の浸出方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を行った結果、銅と、鉄とを含む廃電子基板粉末を酸性液に加えて、温度が100°C以上、酸素分圧が1MPa~4MPaの条件下で浸出処理することにより、ガラス、樹脂等の非金属成分も混在する産業廃棄物である廃電子基板から、銅、亜鉛等の金属成分を効率良く回収することができ、レアメタル、金、銀等も回収可能であることを知見した。本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>銅と、鉄とを含む廃電子基板粉末を酸性液に加えて、温度が100°C以上、酸素分圧が1MPa~4MPaの条件下で、金属を浸出させることを特徴とする廃電子基板からの金属の浸出方法である。<2>廃電子基板粉末が、廃電子基板の粉砕粉、廃電子基板の焼却灰、及び電子部品の粉砕粉から選択される少なくともいずれかである前記<1>に記載の金属の浸出方法である。<3>廃電子基板粉末が、廃電子基板をそのまま粉砕したものであり、貴金属、及び鉛の少なくとも1種を更に含む前記<1>から<2>のいずれかに記載の金属の浸出方法である。<4>酸性液の酸濃度が、0.5mol/L~3mol/Lである前記<1>から<3>のいずれかに記載の金属の浸出方法である。<5>酸性液が、硫酸水溶液である前記<1>から<4>のいずれかに記載の金属の浸出方法である。<6>浸出残渣中に、Au及びAgの少なくともいずれかが含まれる前記<1>から<5>のいずれかに記載の金属の浸出方法である。<7>浸出させる元素が、Cu、Zn、Ni、Mn、Cr、Al、Fe、As、B、Co、Ga、In、及びBrから選択される少なくともいずれかを含む前記<1>から<6>のいずれかに記載の金属の浸出方法である。本発明によると、前記従来における諸問題を解決することができ、前記目的を達成することができ、廃電子基板に含有される銅、亜鉛等の金属成分を効率良く回収することができ、レアメタル、金、銀等の貴金属も回収可能な廃電子基板からの金属の浸出方法を提供することができる。本発明の廃電子基板からの金属の浸出方法は、銅と、鉄とを含む廃電子基板粉末を酸性液に加えて、温度が100°C以上、酸素分圧が1MPa~4MPaの条件下で、金属を浸出させることを特徴とする。前記金属の浸出方法は、金属浸出工程を少なくとも含み、更に必要に応じて前処理工程、金属回収工程等のその他の工程を含んでなる。<前処理工程>前処理工程は、廃電子基板から廃電子基板粉末を作製する工程である。-廃電子基板-前記廃電子基板としては、特に制限はなく、一般の電気製品であるパーソナルコンピュータPC、TV、洗濯機、電子レンジ、冷蔵庫、産業機器の制御等において用いられ廃棄処分となった電子基板などが挙げられる。前記電子基板は、例えば、ICチップ、抵抗、コンデンサー、各種センサー、積層基板等の部品から構成されている。このため、前記廃電子基板に含まれる金属成分は、その部品に応じて構成比は異なるが、例えば、銅、鉄が含まれ、他に、金、銀、鉛、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、コバルト、ガリウム、インジウム、マンガンなどが含まれる。本発明では、廃棄された電子基板を主に原料としているが、電子基板は廃棄された状態であるか否かは問わず、廃棄処分となった電子基板以外にも未廃棄使用中、未使用などの電子基板を使用することもできる。主成分が同様であるからである。-廃電子基板粉末-前記廃電子基板粉末は、銅と、鉄とを含み、廃電子基板の粉砕粉、廃電子基板の焼却灰、及び電子部品の粉砕粉から選択される少なくともいずれかであるか、廃電子基板の粉砕粉との混合粉であることが好ましい。前記廃電子基板粉末は、前記廃電子基板を粉砕し、粉末状にしたものである。粉砕により粉末は、単体の金属からなる金属粉末、プラスチック、ハロゲンなどが付着した金属粉末などが含まれる。粉砕だけでは、粉末もほとんど酸化されておらず、大気中での酸化程度にしか酸化されていない。このため、この粉末は単体金属のようにそのままでは、室温、常圧下では、そのまま酸に浸漬しても殆ど溶解しないものである。前記廃電子基板の粉砕方法としては、特に制限はなく、公知の粉砕機を用いて行うことができる。前記粉砕機としては、例えば、コーヒーミル、ジョークラッシャー、ボールミル、ハンマーミル、多軸回転破砕機、ヘンシェル、竪型粉砕機などが挙げられる。前記廃電子基板粉末は、粉末状であれば特に制限はない。前記廃電子基板をそのまま粉砕し、粉砕したままの廃電子基板粉末が好ましい。処理工程が簡略でき、処理コストをより抑制できるからである。一方、前記廃電子基板を数センチ角に破砕した後に、焼却し粉砕した焼却粉末も原料として使用できるため、産業上で発生する電子廃棄物に広く対応できる。これらの少なくともいずれかまたは、混合によっても浸出が可能である。なお、廃電子基板以外の種々の金属粉末が混在していてもよく、例えば、金属ペースト灰などを用いることもできる。前記廃電子基板粉末は、オートクレーブ等の浸出装置へ収納できる程度に粉砕されていればよいが、反応速度を上げる点から細かい方がよく、質量平均粒径D50としては、1μm~2mmが好ましい。前記廃電子基板粉末の質量平均粒径D50の測定方法としては、例えば、マイクロトラック粒度測定装置などを用いることができる。前記質量平均粒径の精度に10μm程度の誤差があっても影響が少ないため、前記マイクロトラック粒度測定装置以外の測定装置や、ふるい分けによる質量加重平均であってもよい。前記廃電子基板粉末には、鉄が含まれている。鉄は、浸出中において、液中に鉄濃度で30mg/L以上含まれていることが好ましく、50mg/L以上含まれていることがより好ましく、浸出時間をより短時間にする点から、1g/L以上含まれていることが更に好ましい。なお、浸出中における鉄は前記廃電子基板からの浸出された鉄であることが好ましい。鉄が銅の浸出を促進し、更に他の成分への浸出の促進、又は他の成分同士の相互作用のキッカケになると思われるからである。<金属浸出工程>前記金属浸出工程は、前記廃電子基板粉末に酸性液を加えて、金属を浸出させる工程である。-酸性液-前記酸性液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、硫酸H2SO4水溶液、塩酸水溶液、硝酸水溶液などが挙げられる。これらの中でも、金属の浸出率が高い点で硫酸水溶液が特に好ましい。その理由としては、材質が鉄系のオートクレーブ、又は材質がハステロイ系のオートクレーブを用いて浸出が行えることである。更に、浸出残渣には、金、銀、白金等の貴金属に加え、アンチモン、スズの酸化物、シリカなどが存在し、既存の製錬工程と貴金属回収工程の処理を経ることで、浸出残渣中に存在するそれぞれの金属は、個別に回収ができるからである。前記酸性液における酸濃度としては、浸出対象である廃電子基板粉末中の可溶解金属の含有量にかなう添加量が必要になるものの、100g/L程度のスラリー濃度にて浸出を行うとなれば、廃電子基板粉末中に含有される金属のうち、浸出される金属、及び硫酸化する鉛の含有量に見合うだけのモル数に相当する硫酸量が必要であり、後述する実施例の結果から、0.5mol/L程度の硫酸濃度が最低限の濃度であるため、前記酸性液の酸濃度硫酸濃度は、0.5mol/L~3mol/Lが好ましく、1mol/L程度がより好ましい。前記酸濃度が、0.5mol/L未満であると、金属の浸出率が低下することがあり、3mol/Lを超えて添加しても、金属の浸出率の上昇効果は得られない。前記廃電子基板粉末を酸性液に投入し、混合するとスラリーパルプ状、泥状となる。このスラリーの状態を設定するためにスラリー濃度を指標に投入量を設定する。前記スラリー濃度パルプ濃度と称することもあるとしては、50g/L~150g/Lが好ましく、100g/L程度がより好ましい。前記好ましい数値範囲において、金属の浸出における酸性液の混合及び流動が良好である。-金属の浸出-前記金属の浸出は、高温高圧を必要とするため高温高圧リアクターを用いて行われる。前記高温高圧リアクターとしては、例えば、加圧浸出型オートクレーブなどが挙げられる。前記金属の浸出における温度及び圧力としては、装置の仕様、原料の溶解性などに応じて適宜設定することができるが、前記金属の浸出における温度は、100°C以上であり、120°C以上が好ましく、120°C~180°Cがより好ましい。前記金属の浸出における温度が、100°C未満であると、浸出速度が遅くなることがあり、180°Cを超えると、設備コストの増大を招来することがある。前記金属の浸出における圧力としては、酸素ガスの供給をしやすい圧力であればよく、酸素分圧で1MPa~4MPaであり、2MPa~3MPaが好ましい。前記酸素分圧が、1MPa未満であると、浸出速度が遅くなることがあり、4MPaを超えると、設備コストの増大を招来することがある。なお、スラリーを浸出中は撹拌することが好ましい。前記金属の浸出における浸出時間は、0.5時間以上が好ましく、0.5時間~3時間がより好ましく、0.5時間~1時間が更に好ましい。前記浸出時間が、0.5時間未満であると、金属の浸出が十分に得られないことがある。<金属回収工程>前記金属回収工程は、前記金属浸出工程で金属を浸出させた浸出液、及び浸出残渣から金属を回収する工程である。固液分離により浸出液と浸出残渣に分離することができる。前記固液分離の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ろ過、遠心分離、シックナーなどが挙げられる。ろ過により得た浸出液は、再度、浸出工程の浸出液として用いることも可能である。得られた浸出液と浸出残渣は、いずれも非鉄製錬の回収方法の原料となり、非鉄製錬の工程にて利用できる。前記廃電子基板粉末から酸性液により浸出させることのできる元素としては、例えば、Cu銅、Zn亜鉛、Niニッケル、Mnマンガン、Crクロム、Alアルミニウム、Fe鉄、As砒素、Bホウ素、Coコバルト、Gaガリウム、Inインジウム、及びBr臭素から選択される少なくともいずれかが挙げられる。前記製錬処理には、乾式製錬と湿式製錬があり、金属を単体として回収することができる。これらの中でも、湿式製錬が好ましく、公知の製錬方法を使用すれば、前記金属を浸出させた浸出液から、固体の金属として回収することができる。例えば、銅と亜鉛を分離し、銅製錬工程又は亜鉛精錬工程に用いればよい。前記浸出残渣には、Pb鉛、SiO2などが含まれ、Au金、Ag銀、Pt白金、Pdパラジウム等の貴金属、また、酸化物であるがSb、及びSnが含まれている。前記浸出残渣からAu、Ag等の貴金属を回収する方法としては、例えば、1硝酸溶液でAgを溶解して、濾過したAgイオンを含む液に塩酸を加えて、AgClとして沈殿させることによりAgを回収する方法、2王水でAu等を浸出後還元してAu等を回収する方法、3シアン化ナトリウム溶液によりAu、Ag、Pt、パラジウムPdなどを溶解して、それぞれの貴金属を回収する方法、などが挙げられる。ここで、図3は、本発明の廃電子基板からの金属の浸出方法の工程フローを示す。前記工程では、例えば、図4に示すようなオートクレーブを用い、廃電子基板粉末及び酸性液を容量200mLのテフロン登録商標容器に入れ、オートクレーブ内へ投入する。その後、加熱を行いながら撹拌し、所定の温度に達したところで酸素ガスを供給すると、浸出が開始する。浸出終了後は、冷却し、濾過することにより、浸出液と浸出残渣が得られる。そして、浸出液と浸出残渣から各種金属を効率よく回収することができる。本発明の廃電子基板からの金属の浸出方法によれば、廃電子基板に含有される銅、亜鉛等の金属成分を効率良く回収することができ、レアメタル、金、銀等の貴金属も回収することが可能である。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。<廃電子基板粉末の調製>廃電子基板粉末は、使用済み電子機器の基板を粉砕機により粒径106μmまで粉砕のみをしたものを使用した。廃電子基板粉末の組成を表1に示す。廃電子基板粉末の組成は、ICP発光分光分析法及び蛍光X線分析XRF法により測定した。表中のSiO2は、蛍光X線分析XRF分析結果を表す。表中のXg/tは、1トンの廃電子基板粉末中にXgの金属が含有していることを示す。表1の結果から、廃電子基板粉末には、Cuが15.48質量、Pbが2.09質量、Alが3.56質量含まれていた。また、蛍光X線分析XRF法の結果からSiO2が35.5質量含まれていることが確認できた。また、Ni、Cr、B、Mn、Co等のレアメタルも含まれており、Au、Agも含まれていることが分かった。次に、廃電子基板粉末のX線回折結果を図1に示す。図1の結果により廃電子基板粉末中の含有金属成分のうちCu、Al、Pb等は金属粒として存在していることが確認できた。また、廃電子基板粉末の粒度分布をマイクロトラック粒度測定装置日機装株式会社製、MT3000IIForDMS2を用いて解析した。結果を図2に示す。廃電子基板粉末の質量平均粒径D50は20μmであった。粒度分布のピーク幅が狭いことから、粒径が均一であることが確認できた。<オートクレーブを用いた実験>実施例で用いたオートクレーブであるオーエムラボテック株式会社製の高温マイクロリアクターMMJ-300の概略図を図4に示す。反応容器には容量200mLのテフロン登録商標製の容器を使用した。オートクレーブを用いた実験手順は、図3に示す工程フローに基づいて行った。まず、廃電子基板粉末及び酸性液としての硫酸を容量200mLのテフロン登録商標容器に入れ、オートクレーブ内へ投入した。その後、加熱を行いながら撹拌し、所定の温度に達したところで酸素ガスを供給して、浸出を開始した。浸出終了後は、冷却し、濾過することにより、浸出液と浸出残渣が得られた。次に、上記オートクレーブを用いた実験に基づき、H2SO4濃度、浸出時間、酸素分圧、浸出温度、及びスラリー濃度が浸出率に与える影響について、以下のようにして、実験を行った。なお、以下の実施例において、各金属の浸出率は、下記のようにして算出した。-各金属の浸出率の求め方-各金属の浸出率は、以下の<数式1>又は<数式2>に基づいて算出した。<数式1:浸出残渣の場合>浸出率=粉砕基板中の含有量質量又はg/t→含有量の計算値;g-残渣中の含有量含有量の計算値;g/粉砕基板中の含有量質量又はg/t→含有量の計算値;g×100<数式2:浸出液の場合>浸出率=浸出液中の金属量g/粉砕基板中の含有量質量又はg/t→含有量の計算値;g×100実施例1<H2SO4濃度による影響>H2SO4濃度による浸出率への影響を調査した。実験は、酸性液のH2SO4濃度を0mol/L~1.0mol/Lまで変化させ、浸出時間を1時間、浸出温度を180°C、酸素分圧2MPa、スラリー濃度100g/Lの条件で行った。結果を図5A、図5B、及び表2に示す。なお、表2の金属濃度は浸出液中の金属濃度mg/Lを表し、ICP発光分光分析法で測定した。図5A、図5B、及び表2の結果から、H2SO4濃度の上昇に伴って、浸出率が高くなる傾向が見られた。1.0mol/LのH2SO4を用いたとき、Cu、Zn、Al、Ni、Mn、Co、Bなどを90質量以上の浸出ができた。実施例2<浸出温度による影響>浸出温度による影響を調査した。浸出温度を100°C~180°Cまで変化させて、酸性液を1.0mol/LのH2SO4、スラリー濃度100g/L、浸出時間1時間、酸素分圧2MPaで行った。結果を図6A、図6B、及び表3に示す。なお、表3の金属濃度は浸出液中の金属濃度mg/Lを表し、ICP発光分光分析法で測定した。図6A、図6B、及び表3の結果から、浸出温度が高いほど各金属の浸出率は上昇し、120°CでCu、Zn、Al、Ni、Mn、及びCoは90質量以上浸出できた。また、浸出温度が120°C以上であると、浸出率はほぼ一定になることが分かった。実施例3<浸出時間による影響>浸出時間による影響を調査した。浸出時間を0.5時間~3時間まで変化させて、酸性液を1.0mol/LのH2SO4、スラリー濃度100g/L、浸出温度120°C、酸素分圧2MPaで行った。結果を図7A、図7B、及び表4に示す。なお、表4の金属濃度は浸出液中の金属濃度mg/Lを表し、ICP発光分光分析法で測定した。図7A、図7B、及び表4の結果から、各種金属の浸出率は0.5時間が最も高く、Cu、Zn、Al、Ni、Mn、Coを95質量以上浸出できた。また、0.5時間以上浸出しても、浸出率に大きな変化は見られなかった。実施例4<酸素分圧による影響>オートクレーブ内に供給する酸素分圧による影響を調査した。酸素分圧を大気圧0.02MPa~4MPaまで変化させて、酸性液を1.0mol/LのH2SO4、浸出温度120°C、浸出時間0.5時間、スラリー濃度100g/Lで行った。結果を図8A、図8B、及び表5に示す。なお、表5の金属濃度は浸出液中の金属濃度mg/Lを表し、ICP発光分光分析法で測定した。図8A、図8B、及び表5の結果から、酸素の供給がない酸素分圧が0.02MPa大気圧場合にはCuの浸出率は低かったが、Zn、Al、Co、Ni、Mnなどは酸素分圧にかかわらず高い浸出率が得られた。また、酸素分圧を加えると、Cuの浸出率は上昇し、2MPaの酸素分圧で97質量のCuを浸出でき、2MPa以上の酸素分圧を加えても浸出率に変化が見られなかった。実施例5<スラリー濃度による影響>スラリー濃度による影響を調査した。スラリー濃度を50g/L~300g/Lまで変化させて、酸性液を1.0mol/LのH2SO4、浸出温度120°C、浸出時間0.5時間、酸素分圧2MPaで行った。結果を図9A、図9B、及び表6に示す。なお、表6中の金属濃度は浸出液中の金属濃度mg/Lを表し、ICP発光分光分析法で測定した。図9A、図9B、及び表6の結果から、スラリー濃度50g/L~100g/Lでは、Cu、Zn、Al、Ni、Mn、Coなどは高い浸出率を示したものの、スラリー濃度100g/L以上では減少する傾向が確認できた。これはスラリー濃度が高くなると、投入した金属量に対するH2SO4の量が少なくなるため、浸出率が減少したと考えられる。実施例6以上の結果から、H2SO4濃度、浸出時間、浸出温度、酸素分圧、及びスラリー濃度について、表7に示すような最適浸出条件が得られた。<浸出液>上記最適浸出条件下で浸出を行った結果を図10に示す。最適浸出条件下で浸出することで、廃電子基板粉末中に含まれるCu、Zn、Ni、Mn、及びCoを95質量以上浸出することができ、Alを90質量以上、Fe及びCrを80質量以上、Bを70質量浸出することができた。また、上記最適浸出条件下で廃電子基板粉末の浸出を行った浸出液中の金属濃度mg/LをICP発光分光分析法で測定した。結果を表8に示す。表8の結果から、浸出液中には、Cuが15,001mg/L含まれており、Fe、Al、Znが多く含まれていることが分かった。また、レアメタルとしては、Ni、B、Crが比較的多く含まれており、Mn、Coも微量含まれていることが分かった。<浸出残渣>浸出残渣のX線回折XRDによる定性分析の結果を図11に示す。図11の結果から、浸出残渣中にはSiO2とPbSO4を多く含むことが分かった。また、浸出残渣を王水で溶解し、ICP発光分光分析法及び蛍光X線分析XRFで測定した残渣中成分の品位を表9に示す。表中のSiO2は、蛍光X線分析XRF分析結果を表す。表中のXg/tは、1トンの廃電子基板粉末中にXgの金属が含有していることを示す。表9の結果から、浸出残渣中には、PbとSiO2を多く含むことが確認できた。また、浸出残渣中には、AuとAgが含まれており、Cu、Fe、Al、Zn、Ni、Cr、Bなどはほとんど含まれていなかった。また、Mn、Coは浸出残渣中に含まれていなかった。参考例1実施例1において、原料を純銅粉のみとした以外は、実施例1と同様にして浸出試験を行った。その結果、銅の酸性液への浸出率は30質量程度であった。次に、純銅粉に鉄粉を銅粉の10質量となるように添加したところ、銅の酸性液への浸出率は50質量程度に上昇した。この参考例1の結果から、原料中に鉄が含まれていると銅の浸出率が向上することが分かった。"