"一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に設置される冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板であって、少なくとも、半導体チップの搭載エリアに対応する部位に高熱伝導絶縁粒子を有する絶縁樹脂基板と、当該絶縁樹脂基板の表裏面に積層された薄膜導体層と、当該薄膜導体層を介して積層された厚導体層とを有し、且つ、当該半導体チップの搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板の表面と、当該半導体チップの搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板の表面から露出した高熱伝導絶縁粒子の表面とが面一に形成されているとともに、当該半導体チップの非搭載エリアに位置する当該絶縁樹脂基板の厚さが、当該半導体チップの搭載エリアに位置する当該絶縁樹脂基板の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該半導体チップの非搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板と薄膜導体層との間に、当該半導体チップの搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板の表面と面一の表面を有する金属箔を備えていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該高熱伝導絶縁粒子が、少なくとも絶縁樹脂基板からの露出面に鉤状の凹部を備えており、当該薄膜導体層の一部が、当該鉤状の凹部に噛み合わせ状に食い込んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板が、当該高熱伝導絶縁粒子と同質材料で、且つ、当該高熱伝導絶縁粒子よりも径の小さいフィラーを含有していることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該薄膜導体層が、無電解Niめっきからなることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板が、横方向の線膨張係数よりも縦方向の線膨張係数が小さい異方性線膨張樹脂からなることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。当該絶縁樹脂基板が、内部に補強用の長繊維を含んでいることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板。一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に設置される冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法であって、少なくとも、半硬化状態の絶縁接着剤層における当該半導体チップの搭載エリアに対応する部位に抜き部を設ける第一の工程と、当該抜き部を備えた絶縁接着剤層の一方の面に第一の金属箔を配置する第二の工程と、当該絶縁接着剤層に設けられた抜き部内に、当該絶縁接着剤層よりも厚みのある高熱伝導絶縁粒子を充填する第三の工程と、当該絶縁接着剤層の他方の面に第二の金属箔を配置する第四の工程と、当該絶縁接着剤層に設けられた抜き部に対応する部分に開口部を備えたスペーサー治具を当該第一の金属箔及び第二の金属箔の上に配置した後、加熱加圧処理を行う第五の工程と、当該加熱加圧処理により盛り上がった突出部を、当該スペーサー治具の開口部から外れた部分に位置する金属箔の露出側表面と面一となるように研磨する第六の工程と、当該突出部が研磨された中間積層体の表裏面に薄膜導体層と厚導体層とを順次積層する第七の工程とを有することを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第二、第四の工程で配置される金属箔が、半導体チップの搭載エリアに対応する部位に開口部を有するものであり、且つ、第五の工程で行われる加熱加圧処理が、第一、第二の金属箔とスペーサー治具との間に離型性を有するクッション材を介して行なわれることを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。請求項9に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法において、加熱加圧処理が、スペーサー治具を介さないで行なわれることを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第六、第七の工程の間に、金属箔を除去する工程を追加することを特徴とする請求項8~10の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第六、第七の工程の間に、当該第六の工程の研磨により露出した高熱伝導絶縁粒子の露出面に鉤状の凹部を形成する工程を追加することを特徴とする請求項8~11の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第三の工程で充填する高熱伝導粒子が、表面に鉤状の凹部を備えていることを特徴とする請求項8~12の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該絶縁接着剤層が、当該高熱伝導絶縁粒子と同質材料で、且つ、当該高熱伝導絶縁粒子より径の小さいフィラーを含有しているものを用いることを特徴とする請求項8~13の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第七の工程により積層される薄膜導体層が、無電解ニッケルめっき処理により析出されたニッケル膜からなることを特徴とする請求項8~14の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該絶縁接着剤層が、横方向の線膨張係数よりも縦方向の線膨張係数が小さい異方性線膨張樹脂からなることを特徴とする請求項8~15の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該絶縁接着剤層が、内部に補強用の長繊維を含んだものであることを特徴とする請求項8~16の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法。当該第三、第四の工程の間に、高熱伝導絶縁粒子が充填された絶縁接着剤層の抜き部に、細かく粉砕した未硬化の熱硬化性樹脂からなる樹脂粉を入れる工程を追加することを特徴とする請求項8~17の何れか1項に記載のパワーモジュール用絶縁放熱基板製造方法。本発明は、パワーモジュール用絶縁放熱基板の絶縁基板として絶縁樹脂基板を用いた場合においても、金属層回路層や熱拡散層等として使用される金属層と高熱伝導絶縁粒子との間の接触熱抵抗の増大を抑制できるパワーモジュール用絶縁放熱基板を提供することを課題とする。本発明は、一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に設置される冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板であって、少なくとも、半導体チップの搭載エリアに対応する部位に高熱伝導絶縁粒子を有する絶縁樹脂基板と、当該絶縁樹脂基板の表裏面に積層された薄膜導体層と、当該薄膜導体層を介して積層された厚導体層とを有し、且つ、当該半導体チップの搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板の表面と、当該半導体チップの搭載エリアに位置する絶縁樹脂基板の表面から露出した高熱伝導絶縁粒子の表面とが面一に形成されているとともに、当該半導体チップの非搭載エリアに位置する当該絶縁樹脂基板の厚さが、当該半導体チップの搭載エリアに位置する当該絶縁樹脂基板の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板により上記課題を解決したものである。また本発明は、一方の面側に搭載される半導体チップからの発熱を、他方の面側に設置される冷却器へと伝熱させるパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法であって、少なくとも、半硬化状態の絶縁接着剤層における当該半導体チップの搭載エリアに対応する部位に抜き部を設ける第一の工程と、当該抜き部を備えた絶縁接着剤層の一方の面に第一の金属箔を配置する第二の工程と、当該絶縁接着剤層に設けられた抜き部内に、当該絶縁接着剤層よりも厚みのある高熱伝導絶縁粒子を充填する第三の工程と、当該絶縁接着剤層の他方の面に第二の金属箔を配置する第四の工程と、当該絶縁接着剤層に設けられた抜き部に対応する部分に開口部を備えたスペーサー治具を当該第一の金属箔及び第二の金属箔の上に配置した後、加熱加圧処理を行う第五の工程と、当該加熱加圧処理により盛り上がった突出部を、当該スペーサー治具の開口部から外れた部分に位置する金属箔の露出側表面と面一となるように研磨する第六の工程と、当該突出部が研磨された中間積層体の表裏面に薄膜導体層と厚導体層とを順次積層する第七の工程とを有することを特徴とするパワーモジュール用絶縁放熱基板の製造方法により上記課題を解決したものである。本発明によれば、半導体チップからの発熱が絶縁放熱基板に流入した場合においても、高熱伝導絶縁粒子と導体層との間の接触熱抵抗を常温時とほぼ同じ状態に維持することができ、以て、半導体チップから発せられた熱を素早く冷却器側へ逃がすことができる。本発明の第一の実施の形態を図1を用いて説明する。尚、従来技術と同じ部位には同じ符号を付すようにした。図1は、本発明パワーモジュール用絶縁放熱基板以降これを単に絶縁放熱基板と表記するPの概略断面図を示したもので、当該絶縁放熱基板Pは、半導体チップの搭載エリア即ち、図1中、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に相当。以下、半導体チップの搭載エリアを説明の便宜上、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9として説明する。に対応する部位に高熱伝導絶縁粒子4を有するとともに、半導体チップの非搭載エリア即ち、図1中、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に相当。以下、半導体チップの非搭載エリアを説明の便宜上、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10として説明する。に対応する表裏面に金属箔3を有する絶縁樹脂基板1と、当該絶縁樹脂基板1の表裏面に順次積層された薄膜導体層7及び厚導体層8とからなる回路層11及び熱拡散層12とを有し、且つ、当該絶縁樹脂基板1の表面1dと、当該絶縁樹脂基板1の表面1dから露出した金属箔3の表面3cと、当該絶縁樹脂基板1の表面1dから露出した高熱伝導絶縁粒子4の表面4eとが面一に形成されている図2f参照とともに、当該高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に位置する金属層3,3間における絶縁樹脂基板1の厚さT2が、当該高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に位置する薄膜導体層7,7間における絶縁樹脂基板1の厚さT1よりも薄く形成されて構成されている。続いて、図1に示した絶縁放熱基板Pの製造方法を図2を用いて説明する。まず、図2aに示したように、ガラス繊維などの補強基材2にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた半硬化状態の絶縁接着剤層1a例えばプリプレグを用意し、次いで、打抜き加工やルーター加工等により高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9図1参照に対応する部位即ち、半導体チップ搭載エリアに対応する部位に抜き部2aを形成する図2b参照。ここで、絶縁接着剤層1aとして、補強基材2入りのものを用いて説明したが、パワーモジュールが大型でなく、反りの懸念が無い場合には、補強基材2が入っていない絶縁接着剤層1aを用いることも可能であり、例えば、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレン、液晶ポリマー、アクリル、ポリカーボネート、シリコーン等の樹脂をフィルム状にしたものを用いることもできる中でも、耐熱性、応力緩和性に優れる液晶ポリマーを用いるのが好ましい。尚、図には示していないが、絶縁接着剤層1a中に、高熱伝導絶縁粒子4と同質材料で、且つ、当該高熱伝導絶縁粒子4よりも径が小さいフィラーを、絶縁樹脂基板1当該絶縁接着剤層1aが硬化された状態のものの応力緩和性に影響が出ない範囲で充填するのが、高熱伝導絶縁粒子4を含む絶縁樹脂基板1の全熱抵抗を下げる即ち、熱伝導率を上げる上で好ましい。次に、図2cに示したように、抜き部2aが形成された絶縁接着剤層1aの一方の側に金属箔3例えば銅箔を配置した後、当該抜き部2a内に高熱伝導絶縁粒子4を充填し、次いで、図2dに示したように、絶縁接着剤層1aの他方の側に金属箔3を配置した後、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に対応する部分に開口部5aを備えたスペーサー治具5を介して加熱加圧処理以降これを積層プレスと表記するを施すことによって、絶縁接着剤層1aから流れ出した樹脂1b図中の矢印参照で高熱伝導絶縁粒子4を埋め込むとともに当該樹脂1bを含む絶縁接着剤層1aを硬化して絶縁樹脂基板1とする図2e参照。尚、上記図2c~図2eの工程は、図5a、bに示したように、積層される金属箔3として、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に対応する部位に開口部3aを有するものを配置し、当該金属箔3上に離型性を有するクッション材13とスペーサー治具5を介して積層プレスを行うようにしてもよい。因みに、この構成の場合には、後に行なわれる突出部を除去する研磨工程の際に、予め当該突出部に位置する金属箔が除去されているため、図2c~図2eの工程で製造するよりも、研磨処理を容易に行うことができる。而して、この構成の場合、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に対応する部位には金属箔3が存在しない構成となるが図5b参照、当該金属箔3を積層するそもそもの理由が、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に位置する絶縁樹脂基板1の厚さを薄くする、あるいは後に行なわれる研磨工程の切削停止ラインの指標とするために積層するものなので、当該高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に形成されていれば、その機能的役割を十分に果たすことができる。ここで、当該高熱伝導絶縁粒子4の材料としては、絶縁性と比較的高い熱伝導率を兼ね備えたセラミックス、例えば、Al2O3熱伝導率:20W/mk、SiC、SiN熱伝導率:70W/mk、AlN熱伝導率:170W/mk等が挙げられ、適宜必要とする放熱性能に応じて選択使用することができる。また、当該高熱伝導絶縁粒子4のサイズとしては、当該高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10図1参照に位置する金属箔3の表面から突出した部分を、図2eに示される研磨ライン6に沿って研磨した際に露出する程度の大きさであれば特に限定する必要はないが、積層プレスの際に樹脂のボイド充填された高熱伝導絶縁粒子4間に発生する樹脂の未充填部を発生させることなく、研磨後の高熱伝導絶縁粒子4の露出面積を稼げる例えば、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に対して50以上の露出面積という点で、当該絶縁接着剤層1aの厚さの2倍程度の厚さのものを充填するのが好ましい。次に、図2eに示した研磨ライン6よりも外側に位置する突出部に対して研磨処理例えば、バフ研磨等を行うことによって、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9図1参照に位置する絶縁樹脂基板1の表面1dと、当該絶縁樹脂基板1の表面1dから露出した高熱伝導絶縁粒子4の表面4eと、当該絶縁樹脂基板1の表面1dから露出した金属箔3の表面3cとを面一にし図2fに示した中間積層体SP参照、次いで、デスミア処理で当該中間積層体SPの表裏面をクリーニングした後、無電解めっき処理やスパッタリングなどにより析出した薄膜導体層7例えば、厚さ0.5~1.0μm程度の銅薄膜を介して厚導体層8例えば、厚さ150~300μm程度の電解銅めっき膜、或いは当該厚さの厚銅板を金属結合したものなどを積層する図2g参照。ここで、上記説明においては、薄膜導体層7として銅薄膜を析出する例を示したが、当該銅薄膜よりも結晶粒径が小さいニッケル薄膜を析出すれば、当該銅箔膜よりも緻密な膜を析出できるため、初期接触熱抵抗をより小さくすることができる即ち、半導体チップから発せられた熱をより素早く冷却器側へ逃がすことができる。。尚、当該ニッケル薄膜を無電解めっき処理で析出させる場合、ニッケル-リンめっき、ニッケル-ホウ素めっき等、何れのニッケルめっきを析出させても構わないが、中でも熱伝導率が最も高いニッケル-ホウ素めっきを選択するのがより初期接触熱抵抗を小さくできる点で好ましい。また、高熱伝導絶縁粒子4と薄膜導体層7との接続構造として、バフ研磨等の研磨面に無電解めっき等を析出させる構成を説明したがもちろん、この状態においても両者間の接続強度はある程度確保されている、当該薄膜導体層7を析出させる前に即ち、デスミア処理を行なった後、高熱伝導絶縁粒子4の露出面4eに、図3cに示したような鉤状の凹部4aを設けておくのが両者間の接続強度をより強固にする即ち、両者間の接触熱抵抗の上昇を抑制する上で好ましい。即ち、当該鉤状の凹部4aに、薄膜導体層7が噛み合わせ状に食い込む形で接続されるため、半導体チップからの熱により、絶縁樹脂基板1が膨張した場合においても両者間の接続状態を強固に維持することができる当該鉤状の凹部4aに薄膜導体層7が食い込む状態を示した図4a、bの要部拡大断面図参照。因みに、上記図2cの工程の段階で、予め高熱伝導絶縁粒子4図3aに示した未処理の高熱伝導絶縁粒子4参照の表面に、図3bに示したような鉤状の凹部4aが形成されたものを充填すれば、絶縁樹脂基板1との密着性も併せて向上させることができる図4a、b参照。尚、当該鉤状の凹部4aは、例えば高熱伝導絶縁粒子4の表面を水酸化ナトリウムや弗酸などで処理することによって形成され、その内部において開口部4bの開口エリアから外れた抉れ部4cを有している図3c参照。そして最後に、一般的なサブトラクティブ法により回路層11及び熱拡散層12を形成することによって、図1に示した絶縁放熱基板Pを得る。本実施の形態における注目すべき点は、高熱伝導絶縁粒子4と回路層11及び熱拡散層12の接続構造として、無電解めっき膜やスパッタ膜などの薄膜導体層7を介して接続する構造とするとともに、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に位置する絶縁樹脂基板1の厚さT2を、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に位置する絶縁樹脂基板1の厚さT1よりも薄くした点にある。これにより、高熱伝導絶縁粒子を回路層及び熱拡散層内に貫入させて接続する従来の接続構造と比較して、両者間の接触熱抵抗の上昇を抑制することができ、また、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に位置する絶縁樹脂基板1の厚さT2を、当該高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に位置する絶縁樹脂基板1の厚さT1よりも薄くしたため、半導体チップから発せられた熱が絶縁放熱基板に流入した際に発生する絶縁樹脂基板の熱膨張量を抑制でき即ち、高熱伝導絶縁粒子4と、回路層11及び熱拡散層12とを引き剥がす方向に働く応力を緩和できる、以て、両者の接触熱抵抗の上昇をより抑制することができる。更に、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に位置する絶縁樹脂基板1の表裏面に形成された金属箔3,3間の距離が短くなるため即ち、回路層11と熱拡散層12間の距離が短くなる、当該部分の絶縁樹脂基板1の厚さを高熱伝導絶縁粒子4の充填エリア9に位置する絶縁樹脂基板1と同じ厚さとした場合と比較して、放熱性の底上が可能となる半導体チップから発生する熱は、半導体チップの搭載直下だけでなくその周辺にも及ぶため、更なる放熱効果が期待できる。また、積層プレス工程図2d~eの工程の際に、高熱伝導絶縁粒子4の充填エリアに対応する部分に開口部5aを備えたスペーサー治具5を介して積層するようにしたことも注目すべき点である。即ち、上記でも説明したように、充填する高熱伝導絶縁粒子4のサイズとして、絶縁接着剤層1aの厚さの2倍程度の厚さのものを充填する場合、図13aに示したように、当該スペーサー治具5を介さずにクッション材13のみを用いて積層すると、図13bに示したように、充填された高熱伝導絶縁粒子4の隙間に金属箔3が追従して絶縁接着剤層1aから流出する樹脂が当該高熱伝導絶縁粒子4の周囲に回り込まなくなってしまい即ち、流出する樹脂を金属箔3が堰き止めてしまう、その結果、後に行なわれる研磨工程で除去できないほどの溝部26が形成されたり当該高熱伝導絶縁粒子4間にボイド27ここで云うボイドとは、樹脂の未充填部のことを云うが発生したりするなどの不具合があったのだが、スペーサ治具5を介して積層することで、このような不具合を容易に解消できるのである。尚、図13に示した金属箔3として、図5に示したものと同様の開口部3aを有するものを積層すれば、表面に凹凸が形成されるものの、絶縁接着剤層1aから流出する樹脂1bを完全に堰き止めてしまうことがないため、スペーサー治具5を介さないで積層することも可能である図6参照。この場合、通常の積層プレス工程には不要なスペーサー治具5を必要としないため、当該積層プレス工程を簡略化することができる。しかし、図13bに示したのと同様に、研磨では除去しきれないほどの溝部が完全に発生しないとはいいきれないため、やはり、スペーサー治具5を介して積層するのが品質的に好ましいといえる。次に、本発明の第二の実施の形態を図7dを用いて説明する。図7dに示した絶縁放熱基板PPは、高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に金属箔3が形成されていない以外は、図1に示した絶縁放熱基板Pと同じであり、また、その製造工程も、図2fの絶縁樹脂基板1図7aに相当の表面に形成されている金属箔3をエッチング除去する工程が追加された以外は、図2に示した製造工程と同じである図7a~図7dに示した概略断面製造工程図参照。従って、基本的な作用効果は第一の実施の形態と同じであるため、ここでは第一の実施の形態と比較した場合の特徴についてのみ説明する。まず第一に、回路層11及び熱拡散層12をサブトラクティブ法で形成する場合に、予め高熱伝導絶縁粒子4の非充填エリア10に形成されている金属箔3を除去するため、当該部分に位置する回路層11及び熱拡散層12の表面に、当該金属箔3を除去した分の凹み部31が発生してしまうが図7c、d参照、エッチング処理後の回路層11及び熱拡散層12のエッチング界面に形成される抉れ部を小さくでき、以て、絶縁放熱基板PPを第一の実施の形態の絶縁放熱基板Pよりも小型化できるというメリットがある。即ち、第一の実施の形態の場合には、図8aに示したように、エッチングレジストパターン28から露出している部分をエッチング除去する際に、内部に残存する金属箔3も併せてエッチング除去しなければならないため、その分、エッチング処理時間を長くしなければならない。そのため、図8bに示したように、回路層11と熱拡散層12のエッチング界面に形成される抉れ部29が大きくなってしまうことから、当該回路層11と熱拡散層12の必須面積を確保するために、絶縁放熱基板のサイズを金属箔3のエッチング量を考慮して、少し大き目のサイズに設定する必要があるのだが、第二の実施の形態ではこのような考慮を必要としないため、第一の実施の形態のものよりも小型化が図れるのである。第二に、回路層11及び熱拡散層12をセミアディティブ法で形成できるため、絶縁放熱基板をより小型化することができる。即ち、第一の実施の形態の絶縁放熱基板Pをセミアディティブ法で形成しようとした場合、図9aに示したように、回路層11と熱拡散層12の主要部である厚導体層8の形成においては、めっきレジストパターン30の非形成部に電解めっき例えば電解銅めっきを析出させる構成となるため、所望とする寸法で形成することができる。しかし、図9bに示したように、めっきレジストパターン30を剥離した後、厚導体層8から露出する薄膜導体層7例えば厚さ0.5~1.0μmの銅薄膜と金属箔3例えば厚さ12~18μmの銅箔とをエッチング除去した際に、上記サブトラクティブ法の場合で説明したのと同様に、回路層11と熱拡散層12のエッチング界面に形成される抉れ部29aが大きくなってしまい、加えて、金属箔3をエッチング除去する分、厚導体層8の表面も厚めに除去されて薄くなってしまうため図9c参照、第一の実施の形態の絶縁放熱基板Pの構成においては、セミアディティブ法での製造方法が不可能であるのだが、第二の実施の形態の絶縁放熱基板PPの構成においては、電解めっきのシード層たる薄膜導体層7だけを除去する通常のセミアディティブ法による製造方法が可能であるため、第一の実施の形態の絶縁放熱基板Pよりも小型化できるのである。以上、第二の実施の形態の特徴について説明したが、第一の実施の形態においては、図4に示したように、アンカーパターン3bを有する金属箔3を介して薄膜導体層7が形成されるため、絶縁樹脂基板1に対する回路層11と熱拡散層12の密着強度を、薄膜導体層7を絶縁樹脂基板1に直接析出させる第二の実施の形態のものよりも高くすることができるので、半導体チップの発熱温度が高く、絶縁樹脂基板1と回路層11及び熱拡散層12との密着性を重視する場合には第一の実施の形態のものを選択する、あるいは、半導体チップからの発熱温度がそれほど高くなく、絶縁樹脂基板1と回路層11及び熱拡散層12との密着性を向上させるよりも回路層11及び熱拡散層12の寸法精度や絶縁放熱基板の小型化を重視したい場合には第二の実施の形態のものを選択するなど、用途に応じて選択すればよい。本発明を説明するに当たって、高熱伝導絶縁粒子と、回路層及び熱拡散層との間の接触熱抵抗の増大を抑制する手段として、高熱伝導絶縁粒子に無電解めっき処理やスパッタリング等により析出した薄膜導体層を介して厚導体層を積層するとともに、高熱伝導絶縁粒子の非充填エリアに位置する絶縁樹脂基板の厚さを高熱伝導絶縁粒子の充填エリアに位置する絶縁樹脂基板の厚さよりも薄くする例を説明してきたが、絶縁樹脂基板に用いる絶縁樹脂として、横方向の線膨張係数よりも縦方向の線膨張係数が小さい異方性線膨張樹脂を用いれば、絶縁放熱基板の放熱信頼性をより向上させることができる。また、高熱伝導絶縁粒子を埋め込む手段として、積層プレスの際に絶縁接着剤層から流れ出る樹脂のみで充填する例を挙げたが、予め即ち、積層プレス前、当該高熱伝導絶縁粒子の充填エリアに、細かく粉砕した未硬化の熱硬化性樹脂からなる樹脂粉を補助的に入れるようにすれば、樹脂不足によるボイドなどの不具合を確実になくすことができる。尚、高熱伝導絶縁粒子として、破砕品をイメージした多角形のものを用いて説明してきたが、当該高熱伝導絶縁粒子としては、一定の塊状のものであればどのような形状でもよく、例えば、球状や柱状など、予め成形されたものを用いることももちろん可能である。"