温度センサアレイ回路のためのアレイ素子であって、スイッチトランジスタと、温度に応じて変動するインピーダンスを有する温度センサ素子とを含み、上記温度センサ素子は、上記スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されている、アレイ素子。上記温度センサ素子は、少なくとも1つのダイオードを含む、請求項1に記載のアレイ素子。上記温度センサ素子は、直列接続された複数のダイオードを含む、請求項2に記載のアレイ素子。第2のスイッチトランジスタに直列接続された、温度に応じて変動するインピーダンスを有する第2の温度センサ素子をさらに含み、直列接続された上記第2の温度センサ素子および上記第2のスイッチトランジスタは、上記スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されている、請求項1~3のいずれか1項に記載のアレイ素子。出力回路と結合されており、上記スイッチトランジスタがオフにされるとき、上記出力回路は、上記温度センサ素子を通してバイアス電流を吸い込み、結果として生じる電圧を測定し、上記スイッチトランジスタがオンにされるとき、上記バイアス電流は、上記温度センサ素子の周囲で短絡される、請求項1~4のいずれか1項に記載のアレイ素子。温度センサアレイ回路であって、M行およびN列に配置されたアレイ素子のM×N個のアレイを含み、各アレイ素子は、スイッチトランジスタと、温度に応じて変動するインピーダンスを有する温度センサ素子とを含み、上記温度センサ素子は、上記スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されており、各列内の上記アレイ素子について、複数の上記温度センサ素子は、第1の行内のアレイ素子に属する上記温度センサ素子と直列接続されており、第1の行内のアレイ素子に属する温度センサ素子は、上記温度センサアレイ回路内に含まれる列出力回路に接続されており、M番目の行内のアレイ素子に属する温度センサ素子は、電源電圧に接続されており、各行内の上記アレイ素子のための上記スイッチトランジスタのゲートは、同一の行選択線に接続されている、温度センサアレイ回路。上記行選択線のそれぞれに、対応する行選択信号を選択的に供給するための行ドライバを備え、所定の行内の所定のアレイ素子によって得られる温度を測定するために、上記行ドライバは、上記所定の行の上記行選択線に行選択信号を供給して、上記所定の行内の上記各アレイ素子に含まれる上記スイッチトランジスタをオフにすると共に、上記所定の行以外の行内の上記アレイ素子の上記スイッチトランジスタをオンにするように構成されており、上記所定のアレイ素子と同一の列の上記第1の行内に含まれる上記アレイ素子に接続された上記列出力回路は、上記所定の温度センサ素子を通してバイアス電流を吸い込み、結果として生じる電圧を測定するように構成されている、請求項6に記載の温度センサアレイ回路。上記列出力回路は、上記M×N個のアレイ内の異なる列のための異なる列出力回路を含む、請求項6または7に記載の温度センサアレイ回路。上記列出力回路は、上記M×N個のアレイ内の異なる列によって共有される同一の列出力回路を含む、請求項6または7に記載の温度センサアレイ回路。上記各アレイ素子内の上記温度センサ素子は、少なくとも1つのダイオードを含む、請求項6~9のいずれか1項に記載の温度センサアレイ回路。上記各アレイ素子内の上記温度センサ素子は、直列接続された複数のダイオードを含む、請求項6~10のいずれか1項に記載の温度センサアレイ回路。各アレイ素子は、直列接続された、温度に応じて変動するインピーダンスを有する第2の温度センサ素子と、第2のスイッチトランジスタとをさらに含み、直列接続された上記第2の温度センサ素子および上記第2のスイッチトランジスタは、上記スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されている、請求項6~11のいずれか1項に記載の温度センサアレイ回路。アクティブマトリクス型の誘電体エレクトロウェッティングAM-EWOD装置であって、その上に置かれた小滴を操作するためのアクティブマトリクスアレイと、請求項6に記載の温度センサアレイ回路とを含み、上記温度センサアレイ回路は、上記アクティブマトリクスアレイ上の温度を測定するように構成されている、AM-EWOD装置。アクティブマトリクスアレイ制御電子部品および温度センサアレイ回路電子部品が、同一の基板上に配置されている、請求項13に記載のAM-EWOD装置。[発明の効果]本発明の温度センサアレイ回路は、より小さな配置面積によって具現化可能な簡略化された回路トポロジーを提供する。従って、アレイ素子は、より小型に形成され、温度センサアレイの解像度が向上される。本発明は、製造歩留まりを改善し、これによってコストを低減するという利点を提供する。図1は、従来技術を示し、誘電体エレクトロウェッティングを実施するための構成を示すものである。図2は、従来技術を示し、上部基板および底部基板を用いて誘電体エレクトロウェッティングを実施するための改善された構成を示す図である。図3は、従来技術を示し、パッシブマトリクス型のEWOD装置を示す図である。図4は、従来技術を示し、EWOD装置における小滴の横方向の運動を示す図である。図5は、従来技術を示し、標準的なディスプレイ画素回路を示す図である。図6は、従来技術を示し、アクティブマトリクス型のEWOD装置を示す図である。図7は、従来技術を示し、AM-EWODドライバ回路構成の一例を示す図である。図8は、従来技術を示し、フィードバック制御のための温度測定によって、大量の液体を加熱するための構成を示す図である。図9は、従来技術を示し、アノード接続点およびカソード接続点を示すダイオードの回路図を示す図である。図10は、従来技術を示し、薄膜プロセスにおいて製造されたダイオード装置の予想され得る構造を示す図である。図11は、従来技術を示し、ダイオードを温度センサ素子として用いて温度を測定するための回路構成を示す図である。図12は、従来技術を示し、大きな値を有する抵抗素子に相当する性能を有する回路素子を具現化するためのスイッチキャパシタ構成を示す図である。図13は、従来技術を示し、ダイオードを温度センサ素子として用いていると共に、較正手段を使用している、温度を測定するための回路構成を示す図である。図14は、従来技術を示し、アレイベースの温度センサのための画素回路を示す図である。図15は、従来技術を示し、温度センサアレイ用の回路構成を示す図である。図16は、従来技術を示し、温度センサアレイ用のさらなる回路構成を示す図である。図17は、従来技術を示し、加熱素子用のアレイ素子回路を示す図である。図18は、本発明の第1の実施形態のアレイ素子回路を示す図である。図19は、第1の実施形態の一形態例を示す図である。図20は、本発明の第2の実施形態のアレイ素子回路を示す図である。図21は、本発明の第3の実施形態の一形態例を示す図である。ここでは、列出力回路は、多数の列間で共有されていてよい。図22は、本発明の第5の実施形態を示す図である。本発明の第1の実施形態は、図18に示されている。本実施形態は、温度センサアレイ回路用のアレイ素子164のための回路である。アレイ素子164は、スイッチトランジスタ172および温度センサ素子110を含む。温度センサ素子110は、図示されるようにダイオードであってよい。他の一実施形態では、温度センサ素子110は、本発明の範囲から逸脱することのない、他の任意の種類の公知の温度センサ素子であってよいことは、当業者に明らかであろう。例えば、温度センサ素子110は、温度に応じて変動するインピーダンスを有する公知の任意の種類の温度センサ素子であってよい。アレイ素子164の接続は次のとおりである。温度センサ素子110は、スイッチトランジスタ172のドレインと、該トランジスタ172のソースとの間に接続されている。スイッチトランジスタ172のゲートは、170において行選択線RWSに接続されている。この行選択線RWSは、アレイの同一行内の各アレイ素子に共通の線である。アレイ素子は、RWS、A、およびCで表される3つの接続点を有している。RWS、A、およびCは、それぞれ、行選択線、温度センサ素子110のアノード、および、温度センサ素子110のカソードに対応している。多数のアレイ素子164を一緒に接続させて、図19に示される温度センサアレイ回路が形成される。この特定の実施例では、温度センサアレイ回路は、2×2個のアレイであるが、実際には、アレイが任意の寸法のアレイであってよいことは、当業者には明らかであろう。アレイの第2の行図19の最も上の行の各温度センサ素子110のアノード接続点は、電源電圧VDD156用のレールに接続されている。この第2の行内の各温度センサ素子110のカソード接続点は、隣接する第1の行図19の最も下の行の同一列内の対応する温度センサ素子110のアノード接続点に接続されている。第1の行内の温度センサ素子110のカソード接続点は、列出力回路131の入力部に接続されている。列出力回路131は、例えば、従来技術の箇所において説明したような標準的な手段によって構成され得る。本実施形態では、アレイの各列のために、別々の列出力回路131が設けられている。温度センサアレイ回路の動作は次のとおりである。各温度が測定される所定の行内のアレイ素子では、当該行のためのRWS信号行選択信号は低くなり、その結果、当該行内の全てのアレイ素子のスイッチトランジスタ172がオフになり、当該アレイ内の行素子および温度センサ素子110が選択される。当該アレイ内の他の全ての行素子では、RWS信号は、高レベルで維持されるので、これら他の行内の全てのアレイ素子内のスイッチトランジスタ172は、オン状態であり、その結果、これらのアレイ内の行素子および温度センサ素子110は選択されない。選択されなかった行では、スイッチトランジスタ172は、これらの行内の対応する温度センサ素子110を短絡させるように機能する。従って、実際には、選択された行の温度センサ素子110のアノードは、電源電圧VDD156用のレールに接続されており、選択された行内の温度センサ素子110のカソードは、列出力回路131の入力部に接続されている。その後、回路は、従来技術において既に説明したように機能する。各列の列出力回路131は、選択された行の当該列内の温度センサ素子110を流れるバイアス電流を吸い込むと共に、このように選択された温度センサ素子110のカソードにおいて結果として生じる電圧を測定するように機能する。温度センサ素子110が図示されるようにダイオードである場合、電流の符号は、ダイオードが順方向バイアスにあるように選択され得る。この電圧は、電源電圧VDDから温度センサ素子110の接続点AとCとの間の電位差を減算したものと等しい。この量が、従来技術に関連して説明したように、温度依存性である。所定の列増幅器160の出力部162をサンプリングすることによって、選択された行およびサンプリングされた列の位置内の温度センサ素子110の温度を示す量が測定される。本構造が、任意のM×N個の寸法のアレイに容易に生成可能であることは、当業者には明らかであろう。この場合、第1の行内のセンサ素子110のカソードは、対応する列の列出力回路131に接続されており、M番目の行内のセンサ素子110のアノードは、電源電圧VDDに接続されており、k番目の行内の温度センサ素子110のアノードは、同一列のk1番目の行内のセンサ素子のカソードに接続されている。ここでは、kの全ての値は、1とM-1との間である。結果として、各列内の温度センサ素子110は、直列接続されている。その後、温度センサアレイ回路の動作は、実質的には、上述の2×2個のアレイの場合と同じである。温度センサアレイ回路を正常に動作させるには、列出力回路131によって吸い込まれたバイアス電流Iが正確に選択されることが重要である。バイアス電流Iは、次の基準が満たされる程度に十分に低いように選択される必要がある。選択されなかった行内の直列結合されたM-1個のスイッチトランジスタ172を横断するバイアス降下が、選択された行内の温度センサ素子110を横断するバイアス降下と比べて小さいこと。この基準は、所望の全ての温度範囲内において順守されている必要がある。温度を検知するために必要な範囲内の全ての温度に対して、列出力回路131の増幅回路160の入力電圧が、その設計動作範囲内で維持される必要があること。温度センサ素子110自身の抵抗による自己発熱が最小でなければならない。さらに、バイアス電流Iはまた、次の基準が満たされる程度に十分に高いように選択される必要がある。必要とされるVDDの値は、大きすぎず、回路を製造するために用いられる加工技術のための典型的な電源バイアスの範囲を超えていないこと。一般に、バイアス電流Iの値が大きければ大きいほど、高い電源電圧VDDが必要とされる。温度を検知するために必要な範囲内の全ての温度に対して、列出力回路131の増幅回路160の入力電圧が、その設計動作範囲内で維持される必要があること。選択された行内の温度センサ素子110を流れるバイアス電流Iは、選択されていない行内の温度センサ素子110を流れる任意の逆リーク電流よりも大幅に大きいこと。実用的な設計において用いられるバイアス電流Iの最適な値は、温度センサアレイが動作することが求められる温度範囲、アレイの寸法、アレイを製造するために用いられるプロセス技術に依存している。概して、バイアス電流Iの値は、比較的小さいこと典型的には、センサアレイを製造するために用いられるプロセス技術に応じて、ピコアンプからマイクロアンプの範囲内が都合がよい。上述の基準を満たすように選択されたバイアス電流Iの値で動作することの利点は、典型的には、次のとおりである。温度センサ素子110が、従来技術に記載されているように薄膜ダイオードであるならば、その動作は、温度に対する感度が最大で、且つリニアな範囲内において、行われ得る。この場合には、バイアス電流Iの値は、温度センサ素子110を横断するバイアス降下が、PN接合の作用により優勢になるように、および、ダイオードの自己抵抗による電圧降下が比較的小さくなるように、十分に小さい値である必要がある。アレイ素子部品内の抵抗損失による回路電力消散が最小である。温度センサ素子110内の電力消散による自己発熱が最小である。温度を測定する動作がその温度自体の影響を好適に受けないので、自己発熱は回避される。回路は、広範囲の温度値にわたってリニアな出力特性を提供するように設計されていてよい。VDDの最適化された値は、典型的には、回路を製造するために用いられるプロセス技術において使用されるバイアス電圧の典型的な範囲よりも大きい必要はない、または、該範囲以外である必要はない。本実施形態において用いることが可能であると共に、この動作モードに極めて適している列出力回路131を具現化するために適した技術については、既に、従来技術の箇所において記載されている。本実施形態の利点は、次のとおりである。温度センサアレイ回路を、従来技術に記載された温度センサアレイ回路よりも小さい配置面積で具現化することが可能である点。この場合、アレイ素子が小型に形成されるので、温度センサアレイ回路の解像度が向上する。接続点および回路素子の数を低減することが、製造歩留まりを改善し、これによってコストを低減することにとって有効である点。アレイ素子内のスイッチトランジスタ172は、用いられる製造プロセスに応じて、例えばMOS、TFT、バイポーラなどの多数のトランジスタ技術のうちの任意の1つの技術によって具現化可能であり、上記スイッチトランジスタ172が、n型装置であってもよいし、またはp型装置であってもよいことは、当業者には明らかであろう。本発明に係るアレイ素子の第2の実施形態は、図20に示されている。本実施形態は、従来技術に記載されているように、温度センサ素子110が、直列接続された複数のダイオードを含む第1の実施形態と同様である。このため、本実施形態の動作は、第1の実施形態について記載されたものと同様である。この第2の実施形態の利点は、多数のダイオードの使用によって、所定の温度変動の場合の出力電圧の変動が増大され、アレイ素子回路の感度が向上する点である。このことにより、温度測定の精度が増大され得る。本発明の第3の実施形態は、図21に示されている。本実施形態では、列出力回路131は、温度センサアレイ回路内の多数の列間で共有されている。図21は、3×4個のアレイの場合を示すものである。ここでは、さらなる列選択トランジスタ174の使用によって、アレイ内のそれぞれ4つの列が、単一の列出力回路131を共有している。温度センサアレイ回路は、次のように接続されており、すなわち、アレイ素子回路は、第1の実施形態図19に記載された回路と同様に配置および接続されている。各列内の第1の行アレイ素子のカソード接続点は、列選択トランジスタ174に接続されている。各列選択トランジスタ174のゲートは、列選択線176に接続されている。各列内の列選択トランジスタ176のソースは、まとめて接続され、列出力回路131の入力部に接続されている。第3の実施形態の温度センサアレイ回路の動作は、第1の実施形態の場合に説明した動作と同様である。アレイ素子は、アレイ素子の位置に適した行選択線RWSおよび列選択CSELにロジックハイ信号を印加することによって、選択される。列選択スイッチトランジスタを付加することは、アレイ内の幾つかの列が、同一の列出力回路131を共有することが可能であることを意味している。このため、選択された列素子は、適切な列選択トランジスタ174によって、回路に切替えられる。本実施形態の一利点は、列出力回路131を共有することによって、構成部品の総数をさらに低減することが可能な点である。これは、基本的寸法を低減すると共に製造歩留まりを改善することに役立つ。さらなる利点は、列出力回路131による消費電力が低減される点である。本発明の他の一実施形態では、温度センサアレイ回路は、多数の列出力回路131を含み、これらの各列出力回路131が、アレイ内の多数の列によって共有されることは、理解されよう。従って、ここでも、温度センサアレイ回路内では、列の数よりも少ない列出力回路131が必要とされる。第4の実施形態は、上述の実施形態のうち、列出力回路が、図13に示されると共に従来技術において説明された構成141から構成されている場合の実施形態のいずれか1つと同様である。列出力回路141は、列出力回路141の入力部において生じた電圧の2つの測定を行うと共に、これらの結果を減算するように構成されている。これは、第1の測定として、バイアス電流I1が温度センサ素子110を通って吸い込まれた時に、列出力回路141の入力部における電圧を測定するように、列出力回路141を構成することによって行われる。第2の測定として、列出力回路141は、別の値のバイアス電流I2を吸い込み、この場合の電圧を測定するように構成されている。測定されたこれら2つの電圧を減算することによって、特定のプロセス依存パラメータに無関係な温度の測定が行われる。この特定のプロセス依存パラメータは、従来技術の箇所において既に説明したとおりであり、数式7に示されている。本実施形態の一利点は、プロセス依存パラメータに対する依存を排除することによって、絶対温度のより正確な測定が、実現され得る点である。第5の実施形態は、上述の実施形態のうち、回路が図22に示される構成からなる場合の実施形態のいずれか1つと同様である。本実施形態によれば、アレイ素子回路の一変形例が、実施される。アレイ素子は、次のように接続されている。温度センサ素子110のアノードは、アレイ素子のアノード端子166、スイッチトランジスタ172のドレイン、および、第2のスイッチトランジスタ180のドレインに接続されている。温度センサ素子110のカソードは、アレイ素子のカソード端子168、スイッチトランジスタ172のソース、および、第2の温度センサ素子178のカソードに接続されている。スイッチトランジスタ180のソースは、温度センサ素子178のアノードに接続されている。170における第1の行選択線RWSは、スイッチトランジスタ172のゲートに接続されている。182における第2の行選択線RWS2は、スイッチトランジスタ180のゲートに接続されている。図22に示されるタイプのアレイ素子を含む温度センサアレイ回路の動作は、第4の実施形態について説明した動作と同様である。回路は、既に説明したように、アレイ素子のアノード端子166とカソード端子168との間のバイアス電流Iを吸い込むように構成されていてよい。その後、列出力回路141の入力部において生成された電圧の2つの別個の測定が行われる。より詳細には、第1の測定では、選択された行のアレイ素子のスイッチトランジスタ172はオフにされて、スイッチ素子180がオフになる。この場合、測定された電圧は、温度センサ素子110を横断して降下した電圧と等しい。第2の測定では、スイッチトランジスタ172がオフにされ、スイッチトランジスタ180がオンにされる。この場合、温度センサ素子110および178は、並列接続されており、異なる出力電圧が測定される。この状態は、従来技術の箇所において説明した、温度センサ素子の幅が、2つの測定の場合において異なる状態と同様である。測定されたこれら2つの電圧を減算することによって、絶対温度を示す量が得られる。数式10および従来技術において提示された意見によれば、測定されたこの量は、特定のプロセス依存パラメータとは無関係である。本実施形態の一利点は、プロセス依存パラメータに対する依存性を排除することによって、絶対温度をより正確に測定することが可能な点である。本実施形態によれば、アレイ素子が選択されていない場合には、スイッチトランジスタ172がオンにされて、温度センサ素子110および178を短絡させる。スイッチトランジスタ180は、オンにされてもよいし、または、オフにされてもよい。これについては、理解されよう。本実施形態を最適に実施するために、温度センサ素子110および178は、同様の電気特性を有しているように設計されている必要があり、このため、単位当たりほぼ同一の電流が、各装置を流れる。上述の実施形態のうちのいずれかを、従来技術に記載されたAM-EWODのアクティブマトリクスアレイ装置において実施してもよいことは、当業者には明らかであろう。従来技術に記載されたAM-EWODのアクティブマトリクスアレイ装置では、AM-EWOD制御電子部品および温度センサアレイ電子部品は、同一の基板上に配置されている。例えば、本発明に係るAM-EWOD装置は、図18~22に関連して説明したような、対応するアレイ素子を有する温度センサアレイ回路を用いている。AM-EWOD装置の基本的構造は、例えば、図7および8に関連して説明した構造である。しかしながら、本発明によれば、温度センサ素子90および温度測定回路98は、当該部分において、温度センサ素子110、スイッチトランジスタ172、列出力回路131などのアレイと置き換えられる。集積された行ドライバ76および列ドライバ78は、対応する行選択線RWS信号を所望のタイミングで供給して、AM-EWODの各画素における温度を測定し、所望の機能、例えば、温度フィードバックなどを提供するように構成されている。従って、装置全体は、固有のアレイベースの温度センサ能力の機能をさらに備える標準的なAM-EWODとして機能し得る。温度センサ能力が含まれていることによって、装置が、次の機能のうちの幾つかまたは全てを実行することが、助長され得る。AM-EWODアレイ内の個々の小滴の温度を測定する機能。小滴の間に生じる吸熱反応または発熱反応の存在を検出する機能。アレイ内の個々の小滴の温度を制御する機能。例えば、従来技術の説明の箇所に記載された技術を用いてフィードバックを実施することによって、加熱素子の動作を制御する機能。熱的制御の使用を必要とする、または、この熱的制御の使用によって支援される分析assayを行う機能。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイが、例えば、従来技術に記載されるように、加熱素子を含むシステムにおいて実施可能であることは、当業者には明らかであろう。フィードバックシステムにおいて、温度センサアレイを用いて、システム内の1つまたは複数の空間的位置における温度を制御することが可能である。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態に記載された温度センサアレイが、PCRによるDNA増幅を実行するためのシステムの一部を形成可能であることは、当業者には明らかであろう。本発明の温度センサアレイをPCRシステムに組み入れることによって、PCRを受ける液体試薬の温度を、正確に制御することが可能である。アレイベースの温度センサの利点は、温度を、多数の空間的位置において監視可能な点である。これは、システムの特定の領域に対して局所的に温度制御を行うことを容易にする。このことは、熱サイクルが必要とされるPCRシステムにおいて都合がよいことであり、効率を上げるため、反応時間を長くするため、処理能力を高くするためといった理由のために、システムの異なる領域を異なる温度で維持するために有用である。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイを、システム内の任意の空間的位置において生じる1つまたは複数の化学反応または生化学合成を検出するためのシステムにおいて実施してもよいことは、当業者には明らかであろう。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイが、従来技術に記載されるような標準的な技術を用いて、指紋の画像を走査、測定、または検出するためのシステムにおいて実施可能であることは、当業者には明らかであろう。既に指摘したように、温度センサ素子110が、本発明の範囲から逸脱することのない、他の種類の公知の温度センサ素子であってもよいことは、明らかであろう。例えば、本発明は、主に、温度に応じて変動する抵抗を有する少なくとも1つのダイオードを備える温度センサ素子に関連して記載されている。しかしながら、より一般的には、温度センサ素子は、温度に応じて変動するインピーダンスを有する、任意の種類の公知の温度センサ素子であってもよい。本発明を、特定の1つのまたは複数の実施形態を参照しながら図示すると共に説明したが、当業者は、本明細書および添付の図面を読解することによって、同等の代替例および変形例に想到可能であろう。特に、上述の素子構成部品、アセンブリ、装置、構造などによって実行される様々な機能に関して、このような素子を説明するために用いられる用語手段への言及を含むは、他に記載がない限り、開示される、本発明の典型的な1つまたは複数の実施形態における機能を実行する構成と、構造的に同等でなくても、当該特定の機能を実行する任意の素子すなわち、機能的に同等の素子に対応することが意図される。さらに、本発明の特定の特徴を、1つまたは複数の実施形態だけを参照して説明してきたが、このような特徴は、他の実施形態の1つまたは複数の他の特徴と、所望のように、および、所定のまたは特定の用途にとって都合がよいように、組み合わせてもよい。本発明の温度センサアレイ回路は、より小さい配置面積で具現化可能な簡略化された回路トポロジーを提供する。したがって、アレイ素子は、より小型になり、このため、温度センサアレイの解像度は向上する。本発明は、製造歩留まりを改善し、これによってコストを低減するという利点を提供する。本発明の第1の実施形態は、図18に示されている。本実施形態は、温度センサアレイ回路用のアレイ素子164のための回路である。アレイ素子164は、スイッチトランジスタ172および温度センサ素子110を含む。温度センサ素子110は、図示されるようにダイオードであってよい。他の一実施形態では、温度センサ素子110は、本発明の範囲から逸脱することのない、他の任意の種類の公知の温度センサ素子であってよいことは、当業者に明らかであろう。例えば、温度センサ素子110は、温度に応じて変動するインピーダンスを有する公知の任意の種類の温度センサ素子であってよい。アレイ素子164の接続は次のとおりである。温度センサ素子110は、スイッチトランジスタ172のドレインと、該トランジスタ172のソースとの間に接続されている。スイッチトランジスタ172のゲートは、170において行選択線RWSに接続されている。この行選択線RWSは、アレイの同一行内の各アレイ素子に共通の線である。アレイ素子は、RWS、A、およびCで表される3つの接続点を有している。RWS、A、およびCは、それぞれ、行選択線、温度センサ素子110のアノード、および、温度センサ素子110のカソードに対応している。多数のアレイ素子164を一緒に接続させて、図19に示される温度センサアレイ回路が形成される。この特定の実施例では、温度センサアレイ回路は、2×2個のアレイであるが、実際には、アレイが任意の寸法のアレイであってよいことは、当業者には明らかであろう。アレイの第2の行図19の最も上の行の各温度センサ素子110のアノード接続点は、電源電圧VDD156用のレールに接続されている。この第2の行内の各温度センサ素子110のカソード接続点は、隣接する第1の行図19の最も下の行の同一列内の対応する温度センサ素子110のアノード接続点に接続されている。第1の行内の温度センサ素子110のカソード接続点は、列出力回路131の入力部に接続されている。列出力回路131は、例えば、従来技術の箇所において説明したような標準的な手段によって構成され得る。本実施形態では、アレイの各列のために、別々の列出力回路131が設けられている。温度センサアレイ回路の動作は次のとおりである。各温度が測定される所定の行内のアレイ素子では、当該行のためのRWS信号行選択信号は低くなり、その結果、当該行内の全てのアレイ素子のスイッチトランジスタ172がオフになり、当該アレイ内の行素子および温度センサ素子110が選択される。当該アレイ内の他の全ての行素子では、RWS信号は、高レベルで維持されるので、これら他の行内の全てのアレイ素子内のスイッチトランジスタ172は、オン状態であり、その結果、これらのアレイ内の行素子および温度センサ素子110は選択されない。選択されなかった行では、スイッチトランジスタ172は、これらの行内の対応する温度センサ素子110を短絡させるように機能する。従って、実際には、選択された行の温度センサ素子110のアノードは、電源電圧VDD156用のレールに接続されており、選択された行内の温度センサ素子110のカソードは、列出力回路131の入力部に接続されている。その後、回路は、従来技術において既に説明したように機能する。各列の列出力回路131は、選択された行の当該列内の温度センサ素子110を流れるバイアス電流を吸い込むと共に、このように選択された温度センサ素子110のカソードにおいて結果として生じる電圧を測定するように機能する。温度センサ素子110が図示されるようにダイオードである場合、電流の符号は、ダイオードが順方向バイアスにあるように選択され得る。この電圧は、電源電圧VDDから温度センサ素子110の接続点AとCとの間の電位差を減算したものと等しい。この量が、従来技術に関連して説明したように、温度依存性である。所定の列増幅器160の出力部162をサンプリングすることによって、選択された行およびサンプリングされた列の位置内の温度センサ素子110の温度を示す量が測定される。本構造が、任意のM×N個の寸法のアレイに容易に生成可能であることは、当業者には明らかであろう。この場合、第1の行内のセンサ素子110のカソードは、対応する列の列出力回路131に接続されており、M番目の行内のセンサ素子110のアノードは、電源電圧VDDに接続されており、k番目の行内の温度センサ素子110のアノードは、同一列のk1番目の行内のセンサ素子のカソードに接続されている。ここでは、kの全ての値は、1とM-1との間である。結果として、各列内の温度センサ素子110は、直列接続されている。その後、温度センサアレイ回路の動作は、実質的には、上述の2×2個のアレイの場合と同じである。温度センサアレイ回路を正常に動作させるには、列出力回路131によって吸い込まれたバイアス電流Iが正確に選択されることが重要である。バイアス電流Iは、次の基準が満たされる程度に十分に低いように選択される必要がある。選択されなかった行内の直列結合されたM-1個のスイッチトランジスタ172を横断するバイアス降下が、選択された行内の温度センサ素子110を横断するバイアス降下と比べて小さいこと。この基準は、所望の全ての温度範囲内において順守されている必要がある。温度を検知するために必要な範囲内の全ての温度に対して、列出力回路131の増幅回路160の入力電圧が、その設計動作範囲内で維持される必要があること。温度センサ素子110自身の抵抗による自己発熱が最小でなければならない。さらに、バイアス電流Iはまた、次の基準が満たされる程度に十分に高いように選択される必要がある。必要とされるVDDの値は、大きすぎず、回路を製造するために用いられる加工技術のための典型的な電源バイアスの範囲を超えていないこと。一般に、バイアス電流Iの値が大きければ大きいほど、高い電源電圧VDDが必要とされる。温度を検知するために必要な範囲内の全ての温度に対して、列出力回路131の増幅回路160の入力電圧が、その設計動作範囲内で維持される必要があること。選択された行内の温度センサ素子110を流れるバイアス電流Iは、選択されていない行内の温度センサ素子110を流れる任意の逆リーク電流よりも大幅に大きいこと。実用的な設計において用いられるバイアス電流Iの最適な値は、温度センサアレイが動作することが求められる温度範囲、アレイの寸法、アレイを製造するために用いられるプロセス技術に依存している。概して、バイアス電流Iの値は、比較的小さいこと典型的には、センサアレイを製造するために用いられるプロセス技術に応じて、ピコアンプからマイクロアンプの範囲内が都合がよい。上述の基準を満たすように選択されたバイアス電流Iの値で動作することの利点は、典型的には、次のとおりである。温度センサ素子110が、従来技術に記載されているように薄膜ダイオードであるならば、その動作は、温度に対する感度が最大で、且つリニアな範囲内において、行われ得る。この場合には、バイアス電流Iの値は、温度センサ素子110を横断するバイアス降下が、PN接合の作用により優勢になるように、および、ダイオードの自己抵抗による電圧降下が比較的小さくなるように、十分に小さい値である必要がある。アレイ素子部品内の抵抗損失による回路電力消散が最小である。温度センサ素子110内の電力消散による自己発熱が最小である。温度を測定する動作がその温度自体の影響を好適に受けないので、自己発熱は回避される。回路は、広範囲の温度値にわたってリニアな出力特性を提供するように設計されていてよい。VDDの最適化された値は、典型的には、回路を製造するために用いられるプロセス技術において使用されるバイアス電圧の典型的な範囲よりも大きい必要はない、または、該範囲以外である必要はない。本実施形態において用いることが可能であると共に、この動作モードに極めて適している列出力回路131を具現化するために適した技術については、既に、従来技術の箇所において記載されている。本実施形態の利点は、次のとおりである。温度センサアレイ回路を、従来技術に記載された温度センサアレイ回路よりも小さい配置面積で具現化することが可能である点。この場合、アレイ素子が小型に形成されるので、温度センサアレイ回路の解像度が向上する。接続点および回路素子の数を低減することが、製造歩留まりを改善し、これによってコストを低減することにとって有効である点。アレイ素子内のスイッチトランジスタ172は、用いられる製造プロセスに応じて、例えばMOS、TFT、バイポーラなどの多数のトランジスタ技術のうちの任意の1つの技術によって具現化可能であり、上記スイッチトランジスタ172が、n型装置であってもよいし、またはp型装置であってもよいことは、当業者には明らかであろう。本発明に係るアレイ素子の第2の実施形態は、図20に示されている。本実施形態は、従来技術に記載されているように、温度センサ素子110が、直列接続された複数のダイオードを含む第1の実施形態と同様である。このため、本実施形態の動作は、第1の実施形態について記載されたものと同様である。この第2の実施形態の利点は、多数のダイオードの使用によって、所定の温度変動の場合の出力電圧の変動が増大され、アレイ素子回路の感度が向上する点である。このことにより、温度測定の精度が増大され得る。本発明の第3の実施形態は、図21に示されている。本実施形態では、列出力回路131は、温度センサアレイ回路内の多数の列間で共有されている。図21は、3×4個のアレイの場合を示すものである。ここでは、さらなる列選択トランジスタ174の使用によって、アレイ内のそれぞれ4つの列が、単一の列出力回路131を共有している。温度センサアレイ回路は、次のように接続されており、すなわち、アレイ素子回路は、第1の実施形態図19に記載された回路と同様に配置および接続されている。各列内の第1の行アレイ素子のカソード接続点は、列選択トランジスタ174に接続されている。各列選択トランジスタ174のゲートは、列選択線176に接続されている。各列内の列選択トランジスタ176のソースは、まとめて接続され、列出力回路131の入力部に接続されている。第3の実施形態の温度センサアレイ回路の動作は、第1の実施形態の場合に説明した動作と同様である。アレイ素子は、アレイ素子の位置に適した行選択線RWSおよび列選択CSELにロジックハイ信号を印加することによって、選択される。列選択スイッチトランジスタを付加することは、アレイ内の幾つかの列が、同一の列出力回路131を共有することが可能であることを意味している。このため、選択された列素子は、適切な列選択トランジスタ174によって、回路に切替えられる。本実施形態の一利点は、列出力回路131を共有することによって、構成部品の総数をさらに低減することが可能な点である。これは、基本的寸法を低減すると共に製造歩留まりを改善することに役立つ。さらなる利点は、列出力回路131による消費電力が低減される点である。本発明の他の一実施形態では、温度センサアレイ回路は、多数の列出力回路131を含み、これらの各列出力回路131が、アレイ内の多数の列によって共有されることは、理解されよう。従って、ここでも、温度センサアレイ回路内では、列の数よりも少ない列出力回路131が必要とされる。第4の実施形態は、上述の実施形態のうち、列出力回路が、図13に示されると共に従来技術において説明された構成141から構成されている場合の実施形態のいずれか1つと同様である。列出力回路141は、列出力回路141の入力部において生じた電圧の2つの測定を行うと共に、これらの結果を減算するように構成されている。これは、第1の測定として、バイアス電流I1が温度センサ素子110を通って吸い込まれた時に、列出力回路141の入力部における電圧を測定するように、列出力回路141を構成することによって行われる。第2の測定として、列出力回路141は、別の値のバイアス電流I2を吸い込み、この場合の電圧を測定するように構成されている。測定されたこれら2つの電圧を減算することによって、特定のプロセス依存パラメータに無関係な温度の測定が行われる。この特定のプロセス依存パラメータは、従来技術の箇所において既に説明したとおりであり、数式7に示されている。本実施形態の一利点は、プロセス依存パラメータに対する依存を排除することによって、絶対温度のより正確な測定が、実現され得る点である。第5の実施形態は、上述の実施形態のうち、回路が図22に示される構成からなる場合の実施形態のいずれか1つと同様である。本実施形態によれば、アレイ素子回路の一変形例が、実施される。アレイ素子は、次のように接続されている。温度センサ素子110のアノードは、アレイ素子のアノード端子166、スイッチトランジスタ172のドレイン、および、第2のスイッチトランジスタ180のドレインに接続されている。温度センサ素子110のカソードは、アレイ素子のカソード端子168、スイッチトランジスタ172のソース、および、第2の温度センサ素子178のカソードに接続されている。スイッチトランジスタ180のソースは、温度センサ素子178のアノードに接続されている。170における第1の行選択線RWSは、スイッチトランジスタ172のゲートに接続されている。182における第2の行選択線RWS2は、スイッチトランジスタ180のゲートに接続されている。図22に示されるタイプのアレイ素子を含む温度センサアレイ回路の動作は、第4の実施形態について説明した動作と同様である。回路は、既に説明したように、アレイ素子のアノード端子166とカソード端子168との間のバイアス電流Iを吸い込むように構成されていてよい。その後、列出力回路141の入力部において生成された電圧の2つの別個の測定が行われる。より詳細には、第1の測定では、選択された行のアレイ素子のスイッチトランジスタ172はオフにされて、スイッチ素子180がオフになる。この場合、測定された電圧は、温度センサ素子110を横断して降下した電圧と等しい。第2の測定では、スイッチトランジスタ172がオフにされ、スイッチトランジスタ180がオンにされる。この場合、温度センサ素子110および178は、並列接続されており、異なる出力電圧が測定される。この状態は、従来技術の箇所において説明した、温度センサ素子の幅が、2つの測定の場合において異なる状態と同様である。測定されたこれら2つの電圧を減算することによって、絶対温度を示す量が得られる。数式10および従来技術において提示された意見によれば、測定されたこの量は、特定のプロセス依存パラメータとは無関係である。本実施形態の一利点は、プロセス依存パラメータに対する依存性を排除することによって、絶対温度をより正確に測定することが可能な点である。本実施形態によれば、アレイ素子が選択されていない場合には、スイッチトランジスタ172がオンにされて、温度センサ素子110および178を短絡させる。スイッチトランジスタ180は、オンにされてもよいし、または、オフにされてもよい。これについては、理解されよう。本実施形態を最適に実施するために、温度センサ素子110および178は、同様の電気特性を有しているように設計されている必要があり、このため、単位当たりほぼ同一の電流が、各装置を流れる。上述の実施形態のうちのいずれかを、従来技術に記載されたAM-EWODのアクティブマトリクスアレイ装置において実施してもよいことは、当業者には明らかであろう。従来技術に記載されたAM-EWODのアクティブマトリクスアレイ装置では、AM-EWOD制御電子部品および温度センサアレイ電子部品は、同一の基板上に配置されている。例えば、本発明に係るAM-EWOD装置は、図18~22に関連して説明したような、対応するアレイ素子を有する温度センサアレイ回路を用いている。AM-EWOD装置の基本的構造は、例えば、図7および8に関連して説明した構造である。しかしながら、本発明によれば、温度センサ素子90および温度測定回路98は、当該部分において、温度センサ素子110、スイッチトランジスタ172、列出力回路131などのアレイと置き換えられる。集積された行ドライバ76および列ドライバ78は、対応する行選択線RWS信号を所望のタイミングで供給して、AM-EWODの各画素における温度を測定し、所望の機能、例えば、温度フィードバックなどを提供するように構成されている。従って、装置全体は、固有のアレイベースの温度センサ能力の機能をさらに備える標準的なAM-EWODとして機能し得る。温度センサ能力が含まれていることによって、装置が、次の機能のうちの幾つかまたは全てを実行することが、助長され得る。AM-EWODアレイ内の個々の小滴の温度を測定する機能。小滴の間に生じる吸熱反応または発熱反応の存在を検出する機能。アレイ内の個々の小滴の温度を制御する機能。例えば、従来技術の説明の箇所に記載された技術を用いてフィードバックを実施することによって、加熱素子の動作を制御する機能。熱的制御の使用を必要とする、または、この熱的制御の使用によって支援される分析assayを行う機能。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイが、例えば、従来技術に記載されるように、加熱素子を含むシステムにおいて実施可能であることは、当業者には明らかであろう。フィードバックシステムにおいて、温度センサアレイを用いて、システム内の1つまたは複数の空間的位置における温度を制御することが可能である。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態に記載された温度センサアレイが、PCRによるDNA増幅を実行するためのシステムの一部を形成可能であることは、当業者には明らかであろう。本発明の温度センサアレイをPCRシステムに組み入れることによって、PCRを受ける液体試薬の温度を、正確に制御することが可能である。アレイベースの温度センサの利点は、温度を、多数の空間的位置において監視可能な点である。これは、システムの特定の領域に対して局所的に温度制御を行うことを容易にする。このことは、熱サイクルが必要とされるPCRシステムにおいて都合がよいことであり、効率を上げるため、反応時間を長くするため、処理能力を高くするためといった理由のために、システムの異なる領域を異なる温度で維持するために有用である。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイを、システム内の任意の空間的位置において生じる1つまたは複数の化学反応または生化学合成を検出するためのシステムにおいて実施してもよいことは、当業者には明らかであろう。また、記載した実施形態のうちの任意の実施形態の温度センサアレイが、従来技術に記載されるような標準的な技術を用いて、指紋の画像を走査、測定、または検出するためのシステムにおいて実施可能であることは、当業者には明らかであろう。既に指摘したように、温度センサ素子110が、本発明の範囲から逸脱することのない、他の種類の公知の温度センサ素子であってもよいことは、明らかであろう。例えば、本発明は、主に、温度に応じて変動する抵抗を有する少なくとも1つのダイオードを備える温度センサ素子に関連して記載されている。しかしながら、より一般的には、温度センサ素子は、温度に応じて変動するインピーダンスを有する、任意の種類の公知の温度センサ素子であってもよい。本発明を、特定の1つのまたは複数の実施形態を参照しながら図示すると共に説明したが、当業者は、本明細書および添付の図面を読解することによって、同等の代替例および変形例に想到可能であろう。特に、上述の素子構成部品、アセンブリ、装置、構造などによって実行される様々な機能に関して、このような素子を説明するために用いられる用語手段への言及を含むは、他に記載がない限り、開示される、本発明の典型的な1つまたは複数の実施形態における機能を実行する構成と、構造的に同等でなくても、当該特定の機能を実行する任意の素子すなわち、機能的に同等の素子に対応することが意図される。さらに、本発明の特定の特徴を、1つまたは複数の実施形態だけを参照して説明してきたが、このような特徴は、他の実施形態の1つまたは複数の他の特徴と、所望のように、および、所定のまたは特定の用途にとって都合がよいように、組み合わせてもよい。