"シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記拡散層を形成する前にシリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。第一導電型のシリコン基板の裏面側の少なくとも一部に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成後、前記拡散層に電気的に接続する裏面電極を備える太陽電池の製造方法において、上記拡散層を形成する前にシリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記酸化膜が、熱酸化法により形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。前記酸化膜の膜厚が10nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。請求項1~4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、パッシベーション膜の形成による優れたパッシベーション効果を与え、フィンガー電極とシリコン基板とのコンタクト性能が良好な太陽電池の製造方法、及びその方法により製造されることによる高変換効率の太陽電池を提供する。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、SiO2からなる酸化膜をシリコン基板表面に形成後、ドーパントとなる拡散剤を酸化膜上に塗布し、その後熱処理によりドーパントが酸化膜及び酸化膜を通って酸化膜下側のシリコン基板に拡散し、拡散層を形成すると共に、その際、酸化膜上にシリサイドガラスが形成され、その後ガラスエッチングにより、シリサイドガラスと共に酸化膜が除去され、これにより従来フッ酸によるガラスエッチングでは除去しきれなかったシリサイドの除去が容易となり、シリコン基板上に酸化膜を形成することにより既に達成されたシリコン基板表面のパッシベーション効果も酸化膜の除去によって全く失われることなく、シリコン基板表面の高いパッシベーション効果が付与され、更にフィンガー電極とシリコン基板とのコンタクト性能が向上することを知見し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、下記の太陽電池及びその製造方法を提供する。請求項1:シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記拡散層を形成する前にシリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項2:第一導電型のシリコン基板の裏面側の少なくとも一部に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成後、前記拡散層に電気的に接続する裏面電極を備える太陽電池の製造方法において、上記拡散層を形成する前にシリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項3:前記酸化膜が、熱酸化法により形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。請求項4:前記酸化膜の膜厚が10nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。請求項5:請求項1~4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。本発明によれば、パッシベーション膜の形成によるパッシベーション効果に優れ、シリコン基板とフィンガー電極とのコンタクト抵抗を低くすることが可能となり、その結果、高変換効率の太陽電池を提供することができる。本発明の太陽電池の製造方法は、第一導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面側に形成された第一導電型と反対の導電型拡散層と、前記拡散層上に電極とのコンタクト部を除いて窒化珪素よりなる誘電体膜が形成され、前記拡散層に電気的に接続する受光面電極とを備える太陽電池、及び前記シリコン基板の裏面側の少なくとも一部に形成された第一導電型と同じ導電型の拡散層と、前記拡散層上に電極とのコンタクト部を除いて窒化珪素よりなる誘電体膜が形成され、前記拡散層に電気的に接続する裏面電極とを備える太陽電池の製造方法に関して、前記拡散層を形成する前に、シリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成することを特徴とする。本発明によれば、シリコン基板表面に酸化膜形成後、拡散層を形成することで、拡散層形成後酸化膜上にシリサイドが形成され、従来ガラスエッチングでのフッ酸により除去されなかったシリサイドの除去が可能となり、パッシベーション膜によるパッシベーション効果が向上する。また、シリコン基板界面とのコンタクト抵抗を低減することが可能となり、変換効率ηが良好な太陽電池を製造することが可能となる。以下、本発明の太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。図1A~G、及び図2A~Fは、本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略断面図である。以下、各工程について詳細に説明する。1シリコン基板1はn型でもp型でもよいが、本発明の実施例1においてはn型基板を、実施例2においてはp型基板を使用する。シリコン基板は単結晶であることが好ましく、このシリコン単結晶基板はチョクラルスキーCZ法及びフロートゾーンFZ法のいずれの方法によって作製されていてもよい。シリコン基板1の比抵抗は、高性能の太陽電池を作る点から、0.1~10Ωcmが好ましく、0.5~2.0Ωcmがより好ましい。シリコン基板としては、リンドープn型単結晶シリコン基板が好ましい。リンドープのドーパント濃度は1×1015cm3~5×1016cm3が好ましい[図1A、図2A]。2ダメージエッチング/テクスチャ形成例えば、シリコン基板1を水酸化ナトリウム水溶液に浸し、ダメージ層をエッチングで取り除く。この基板のダメージ除去は、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いてもよく、フッ硝酸等の酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。ダメージエッチングを行った基板1にランダムテクスチャを形成する。太陽電池は通常、表面に凹凸形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り2回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。これら一つ一つの山のサイズは1~20μm程度が好ましい。代表的な表面凹凸構造としては、V溝、U溝が挙げられる。これらは、研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凹凸構造を作るには、水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してウェットエッチングや、他には、酸エッチングやリアクティブイオンエッチング等を用いることができる。なお、図中では両面に形成したテクスチャ構造は微細なため省略する。3酸化シリコン膜形成引き続き、図1B及び図2Bに示すように、加熱炉によりシリコン基板1の表面にSiO2からなる酸化膜2を形成する。この膜厚は10nm以上100nm以下が好ましい。膜厚が10nm未満ではフッ酸によるガラスエッチングでシリサイドが完全に除去されない可能性があり、また、100nmを超えると、酸化膜がドーパントの拡散を阻害してしまい、拡散層が形成されない可能性がある。より好ましくは30nm~50nmの厚さである。上記、酸化膜の形成方法として、熱酸化法、ケミカル酸化法、プラズマCVD法等があるが、形成される酸化膜の膜質の観点から、熱酸化法によって形成するのが好適である[図1B、図2B]。4n型拡散層形成シリコン基板1がn型の場合は、裏面にドーパントを含む塗布剤を酸化膜2上に塗布した後に熱処理を行うことでn型拡散層3を裏面に形成し、シリコン基板がp型の場合は受光面にドーパントを含む塗布剤を酸化膜上に塗布した後に熱処理を行うことでn型拡散層3を受光面に形成する[図1C、図2C]。ドーパントはリンが好ましい。n型拡散層3の表面ドーパント濃度は、1×1018cm3~5×1020cm3が好ましく、5×1018cm3~1×1020cm3がより好ましい。5p型拡散層形成同様の処理を受光面で行い、p型拡散層5を受光面全体に形成する[図1D]。受光面にドーパントを含む塗布剤を酸化膜上に塗布して熱処理を行い、p型拡散層5を形成する。ドーパントはボロンが好ましく、また、p型拡散層5の表面ドーパント濃度は、1×1018cm3~5×1020cm3が好ましく、更には5×1018cm3~1×1020cm3がより好ましい。この場合、シリコーン基板1についたガラス成分4は、ガラスエッチング剤を用いて除去するが、ガラス成分の除去は、上記4工程、5工程のそれぞれの工程後ごとに行ってもよく、また5工程後に一度に行ってもよく、ガラス成分を除去する際、同時にその下の酸化膜2も除去する。ガラスエッチング剤としては、従来から用いられているいずれのものでもよく、例えばフッ酸、フッ化水素アンモニウム、フッ硝酸等が挙げられるが、本発明においては高濃度フッ酸系であることが好ましく、HFフッ化水素を好適に用いることができる。6pn接合分離/ガラスエッチングプラズマエッチャーを用い、pn接合分離を行う。このプロセスではプラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、サンプルをスタックし、その状態で端面を数ミクロン削る。引き続き、酸化膜2上に付いたガラス成分4をフッ酸によるガラスエッチング等により除去する[図1E、図2D]。7誘電体膜形成次に、図1F及び図2Eに示すように、CVD装置を用い、n型拡散層3及びp型拡散層5上に誘電体膜6である窒化珪素膜を堆積する。この膜厚は70~100nmが好ましい。他の反射防止膜として二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、フッ化マグネシウム膜、酸化アルミニウム膜等があり、代替が可能である。また、形成方法も上記以外にリモートプラズマCVD法、コーティング法、真空蒸着法等があるが、経済的な観点から、上記窒化珪素膜をプラズマCVD法によって形成するのが好適である。8電極形成スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀からなるペーストを、スクリーン印刷装置を用いてp型拡散層及びn型拡散層上に印刷し、櫛形電極パターン状に塗布して乾燥させる。シリコン基板にp型を使用する場合は、裏面側にAl粉末を有機バインダで混合したペーストをスクリーン印刷し乾燥させる。最後に、焼成炉において、500~900°Cで1~30分焼成を行い、前記p型拡散層及びn型拡散層と電気的に接続するフィンガー電極7、裏面電極8、及びバスバー電極9を形成する[図1G、図2F]。なお、図1Gではフィンガー電極7、裏面電極8が拡散層5,3と、図2Fではフィンガー電極7が拡散層3と接続されていないように示されているが、焼成によりファイヤースルーされ、実際は拡散層と接続されている。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例1]結晶面方位100、15.65cm角200μm厚、アズスライス比抵抗2Ωcmドーパント濃度7.2×1015cm3リンドープn型単結晶シリコン基板を、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板1を1,000°C、20分熱処理を行いシリコン基板表面に酸化膜を形成した。このときの酸化膜厚は40nmであった。引き続き、酸化膜を表面に形成したn型シリコン基板の裏面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、900°C,1時間熱処理を行い、n型拡散層3を裏面に形成した。引き続き受光面にボロンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、1,000°C,1時間熱処理を行い、p型拡散層5を受光面全体に形成した。上記拡散層3,5の形成により、酸化膜2上にガラス成分4が形成され、このガラス成分4及び酸化膜2を高濃度フッ酸溶液を用いてエッチング除去した。次に、プラズマエッチャーを用い、pn接合分離を行った。プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、対象をスタックした状態で端面を数ミクロン削った後、基板に付いたガラス成分4を高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。次に、平行平板型CVD装置を用い、成膜用ガスとしてモノシランとアンモニアと水素の混合ガスを使用して、受光面側p型拡散層、及び裏面n型拡散層上に誘電体膜6である窒化珪素膜を積層した。この膜厚は70nmであった。その後、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後800°Cで20分焼成を行い、フィンガー電極7、裏面電極8及びバスバー電極9を形成した。[実施例2]実施例1と同様に、シリコン基板にp型単結晶シリコン基板を使用し、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板1を1,000°C、20分熱処理を行いシリコン基板表面に酸化膜を形成した。このときの酸化膜厚は40nmであった。引き続き、酸化膜を表面に形成したp型シリコン基板の裏面同士を合わせてPOCl3による気相拡散を行い、n型拡散層3を受光面に形成した。熱処理後、基板に付いたガラス成分4及びその内側の酸化膜2は高濃度フッ酸溶液により除去後、洗浄した。次に、平行平板型CVD装置を用い、成膜用ガスとしてモノシランとアンモニアと水素の混合ガスを使用して、受光面側n型拡散層上に誘電体膜6であるシリコン窒化膜を積層した。この膜厚は90nmであった。その後、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペースト及びアルミニウムペーストを電極印刷し、乾燥後800°Cで20分焼成を行い、フィンガー電極7、裏面電極8及びバスバー電極9を形成した。[比較例1]ダメージエッチング/テクスチャ形成後、シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を省いた以外は、実施例1と同様な方法にて作製した。[比較例2]ダメージエッチング/テクスチャ形成後、シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程を省いた以外は、実施例2と同様な方法にて作製した。実施例及び比較例で得られた太陽電池を、25°Cの雰囲気の中、ソーラーシミュレーター光強度:1kW/m2,スペクトル:AM1.5グローバルの下で電流電圧特性を測定した。結果を表1に示す。なお、表中の数字は実施例及び比較例で試作したセル10枚の平均値である。上記のように、実施例による太陽電池は、SiO2からなる酸化膜をシリコン基板表面に形成後、ドーパントとなる拡散剤を酸化膜上に塗布し、その後熱処理により拡散層を形成し、次いで形成されたシリサイドガラス及び酸化膜を除去することで、従来フッ酸によるガラスエッチングでは除去しきれなかったシリサイドの除去が容易となり、シリコン基板表面のパッシベーション効果が向上すると共に、フィンガー電極とシリコン基板とのコンタクト性能が向上することで、高い変換効率の太陽電池が得られる。"