"下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。但し、一般式G1中、R1は炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、または、下記一般式G1-1で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R2は、水素、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、または、下記一般式G1-2で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、α3は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Ar3は、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。請求項1において、前記一般式G1中のR1は、下記構造式S-1乃至S-5、または、下記一般式G1-1で表される構造のいずれか一であるカルバゾール化合物。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。請求項1または2において、前記一般式G1中のR2は、下記構造式S-11乃至S-16、または、下記一般式G1-2で表される構造のいずれか一であるカルバゾール化合物。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。請求項1乃至3のいずれか一において、前記一般式G1中のα3、前記一般式G1-1中のα1、及び前記一般式G1-2中のα2はそれぞれ独立に、下記構造式α-1乃至α-7で表される構造のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項1乃至4のいずれか一において、前記一般式G1-1中のAr1及び前記一般式G1-2中のAr2はそれぞれ独立に、下記構造式Ar-1乃至Ar-10で表される構造のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項1乃至5のいずれか一において、前記一般式G1中のAr3は、下記構造式Ar-11乃至Ar-15で表される構造のいずれか一であるカルバゾール化合物。請求項1乃至6のいずれか一に記載のカルバゾール化合物を用いた発光素子。請求項7に記載の発光素子を用いた発光装置。請求項8に記載の発光装置を用いた照明装置。請求項8に記載の発光装置を用いた電子機器。下記一般式I1で表されるフェナントレン化合物。但し、一般式I1中、Xは、塩素、臭素又はヨウ素を表す。下記一般式I2で表されるカルバゾール化合物。但し、一般式I2中、Xは、塩素、臭素又はヨウ素を表す。特許文献2に記載の化合物を燐光発光物質を用いる素子に適用する場合、当該化合物に含まれるアントラセン骨格のT1準位三重項励起エネルギーが十分でないために、燐光発光物質の励起エネルギーをクエンチしてしまい、高い発光効率が得にくい場合がある。また、青色の蛍光発光物質を用いる素子に適用する場合、高い発光効率が得られるものの、さらなる高効率化が望まれる。上記課題を鑑みて、本発明の一態様は、発光素子の長寿命化と発光効率の向上を達成することが可能な新規物質を提供することを課題の一とする。より具体的には、発光素子に適用することが可能な新規カルバゾール化合物を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。但し、一般式G1中、R1は炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、または、下記一般式G1-1で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R2は、水素、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、または、下記一般式G1-2で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、α3は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Ar3は、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、上記一般式G1中のR1は、下記構造式S-1乃至S-5、または、下記一般式G1-1で表される構造のいずれか一であってもよい。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。また、上記一般式G1中のR2は、下記構造式S-11乃至S-16、または、下記一般式G1-2で表される構造のいずれか一であってもよい。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、上記一般式G1中のα3、一般式G1-1中のα1、及び一般式G1-2中のα2はそれぞれ独立に、下記構造式α-1乃至α-7で表される構造のいずれか一であってもよい。また、上記一般式G1-1中のAr1及び一般式G1-2中のAr2はそれぞれ独立に、下記構造式Ar-1乃至Ar-10で表される構造のいずれか一であってもよい。また、上記一般式G1中のAr3は、下記構造式Ar-11乃至Ar-15で表される構造のいずれか一であってもよい。また、本発明の別の一態様は、上記のカルバゾール化合物を用いた発光素子である。また、本発明の別の一態様は、上記の発光素子を用いた発光装置である。また、本発明の別の一態様は、上記の発光装置を用いた照明装置である。また、本発明の別の一態様は、上記の発光装置を用いた電子機器である。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、光源を含む。また、パネルにコネクター、例えばFPCFlexiblePrintedCircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。本発明の一態様によって、新規カルバゾール化合物を提供することができる。該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有し、発光素子の材料として有用である。また、該カルバゾール化合物は、高いT1準位を有し、発光素子の材料として有用である。さらに、該カルバゾール化合物は、高いキャリア輸送性を有し、発光素子の材料として有用である。また、本発明の一態様によって、発光効率が高く、長寿命の発光素子を提供することができる。また、本発明の一態様によって、該発光素子を適用した信頼性の高い発光装置、照明装置、及び電子機器を提供することができる。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物について説明する。本発明の一態様に係るカルバゾール化合物は、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。但し、一般式G1中、R1は炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、または、下記一般式G1-1で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、R2は、水素、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、または、下記一般式G1-2で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、α3は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1中、Ar3は、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。なお、一般式G1における置換基具体的には、R1、R2、Ar3、及びα3にはいずれも、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位が深い絶対値が大きい置換基を用いるものとする。具体的には、一般式G1に結合する置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位を-5.5eV以下とするのが好ましい。これによって、一般式G1で表される本実施の形態のカルバゾール化合物を、HOMO準位の深い化合物とすることができる。また、一般式G1における置換基具体的には、R1、R2、Ar3、及びα3にはいずれも、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップBgが広く、T1準位が高い置換基を用いるものとする。具体的には、一般式G1における置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップは2.7eV以上蛍光の青のエネルギー以上、より好ましくは3.0eV以上、T1準位は1.8eV以上燐光の赤のエネルギー以上とするのが好ましい。これによって、一般式G1で表される本実施の形態のカルバゾール化合物を、広いバンドギャップ及び高いT1準位を有する化合物とすることができる。したがって、本実施の形態のカルバゾール化合物を発光層に隣接する層や発光層のホスト材料として用いた場合、高い励起エネルギーを持った発光物質から励起エネルギーを奪うことなく、より効率良く発光素子を光らせることができると考えられる。また本実施の形態のカルバゾール化合物を発光物質として用いる場合、短波長青紫~青色の光を得ることができる。また広いバンドギャップを有していれば、HOMO準位が深い材料であっても、浅いLUMO準位を維持することができる。そのため、本実施の形態のカルバゾール化合物を発光素子のホール輸送層に適用した場合、隣接する発光層からの電子の抜けを抑制し、発光層におけるキャリアの再結合を効率よく行うことができると考えられる。そのため、一般式G1に結合する置換基具体的には、R1、R2、Ar3、及びα3にはいずれも、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のLUMO準位が浅い絶対値が小さい置換基を用いるものとする。具体的には、一般式G1に結合する置換基の結合手を水素で置換した化合物のLUMO準位は、-2.5eV以上とするのが好ましい。上記R1、R2、α3、及びAr3がさらに置換基を有する場合もHOMO準位、LUMO準位、バンドギャップを考慮すると、その置換基はそれぞれ独立して、炭素数1~12のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、またはトリフェニレニル基のいずれかが好ましい。また特に、カルバゾール骨格の3位及び6位に結合している置換基の一部であるAr3及びAr2は、ナフチル基、フェナントリル基、またはトリフェニレニル基の様に、縮合環とするのが好ましい。これら縮合環は、キャリア輸送性に優れているためであり、特にナフチル基、フェナントリル基とするのが好ましい。また、分子量が高く熱物性が向上する点ではフェナントリル基またはトリフェニレニル基とするのが好ましい。なお、ナフタレンは2環の縮合環で共役が小さいため、バンドギャップが広くT1準位が高い。フェナントレンやトリフェニレンは3環以上の縮合環であるが、同じ3環の縮合環のアントラセンや4環のテトラセンと比べて、ポリアセン構造縮合環が直線状でなく、ヘリセン構造ヘリセン構造の組み合わせの構成曲がった縮合環であるため、バンドギャップが広くT1準位が高い。また、カルバゾール骨格とAr3及びAr2との間にα3及びα2で表されるアリーレンを挟むことで、カルバゾール骨格からAr3及びAr2まで共役が広がりづらい構造となるため好ましい。特にメタ位やオルト位例えばフェニレンの場合1位と3位、1位と2位でアリーレンが結合している場合、より共役が広がりづらく、バンドギャップが広がると考えられるため好ましい。また、パラ位に結合している場合は、熱物性に優れTgが高い、キャリア輸送性に優れると考えられる。またα3及びα2は、それ自体が共役を大きくする要因にならないように、フェニル骨格やビフェニル骨格を用いるなど、共役が小さいアリーレン基とする。一般式G1における置換基Ar1、Ar2及びAr3にそれぞれ結合している置換基をアルキル基とすると、溶媒に溶けやすくなるため好ましい。特に、メチル基やtert-ブチル基は溶解性が優れていると考えられるため好ましい。また、一般式G1に結合する置換基Ar1、Ar2及びAr3がアルキル基やアリール基などの置換基を有する場合、本実施の形態のカルバゾール化合物の構造がより立体的になる。そのため、より結晶化しにくく、分子同士のスタックによる濃度消光などを抑制することが出来ると考えられ、好ましい。また、一般式G1に結合する置換基R2が水素以外の場合、置換基R2と置換基α3-Ar3が同じであると、合成がより簡便となるため好ましい。また、置換基R2と置換基α3-Ar3が同じであると分子量が増加するために、熱物性も向上し、好ましい。なお、置換基R2が水素であると、水素以外の場合と比較してよりバンドギャップが広くT1準位が高くなるため、好ましい。適用する置換基の具体例を以下に示す。一般式G1において、R1で表される置換基として、具体的には、例えば、下記構造式S-1乃至S-5、または、下記一般式G1-1等が挙げられる。但し、一般式G1-1中、Ar1は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、α1は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-1中、nは0または1である。また、一般式G1において、R2で表される置換基として、具体的には、例えば、下記構造式S-11乃至S-16、または、下記一般式G1-2等が挙げられる。但し、一般式G1-2中、Ar2は、炭素数1~12のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式G1-2中、α2は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式G1中のα3、一般式G1-1中のα1、または、一般式G1-2中のα2で表される置換基として、具体的には、下記構造式α-1乃至α-7等が挙げられる。また、一般式G1-1中のAr1、または、一般式G1-2中のAr2で表される置換基として、具体的には、下記構造式Ar-1乃至Ar-10等が挙げられる。また、一般式G1中のAr3で表される置換基として、具体的には、下記構造式Ar-11乃至Ar-15等が挙げられる。一般式G1で表されるカルバゾール化合物の具体例としては、構造式100~構造式131、構造式140~構造式151、構造式160~構造式183、及び構造式190~構造式197で表されるカルバゾール化合物を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。本実施の形態のカルバゾール化合物の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の合成法1乃至合成法3に示す合成反応を行うことによって合成することができる。なお、以下に示す反応スキームにおいて、特に説明の無い符号R1、R2、α3、Ar3に関しては先の一般式G1に関する説明を参酌することができる。合成法1まず、反応スキームA-1に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a1とアリールホウ素化合物a2とをカップリングさせることで、カルバゾール化合物a3を合成する。なお、X1は、ハロゲンを表す。X1は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。B1はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。なお、反応スキームA-1のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。反応スキームA-1において、鈴木宮浦反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。また、パラジウム錯体としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられる。また配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。また塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、当該反応は溶液中で行うことが好ましく、用いる事ができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また反応スキームA-1において、アリールホウ素化合物a2の代わりに、アリールアルミニウム、アリールジルコニウム、アリール亜鉛、またはアリールスズ化合物等を用いても良い。また反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、反応スキームA-1では、化合物a1のハロゲン基X1と、化合物a2のホウ素化合物基B1とを反応させる場合を示したが、化合物a1をホウ素化合物、化合物a2をハロゲン化物として反応基X1とB1とを逆にしてカップリングさせても、上記カルバゾール化合物a3を得ることができる。次に反応スキームA-2に示すように、カルバゾール化合物a3をハロゲン化することで、ハロゲン化カルバゾール化合物a4を合成する。なお、X2は、ハロゲンを表す。X2は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。反応スキームA-2におけるハロゲン化反応には、様々な反応条件があるが、例えば極性溶媒下でハロゲン化剤を用いた反応を用いることができる。ハロゲン化剤としては、N-ブロモコハク酸イミドNBS、N-ヨードコハク酸イミドNIS、臭素、ヨウ素、ヨウ化カリウム等を用いることができる。ハロゲン化剤として臭化物を用いると、より安価に合成できるため好ましい。また、ハロゲン化剤としてヨウ化物を用いると、生じた化合物ヨウ化物において、ヨウ素置換された部分は活性が高い。従って、生じた化合物ヨウ化物を原料とした反応を行う場合、より反応が容易に進むため好ましい。次に、反応スキームA-3に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a4を金属触媒と反応させることで活性化させた化合物と、ホウ素化合物と、を反応させることで、カルバゾリルホウ素化合物a5を合成する。なお、X2は、ハロゲンを表す。X2は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。また、B2は、ボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。反応スキームA-3において、ハロゲン化カルバゾール化合物a4の活性化の一例としては、アルキルリチウム試薬でリチオ化する反応を用いることができる。アルキルリチウム試薬としてはn-ブチルリチウムや、tert-ブチルリチウム、メチルリチウム等が挙げられる。酸としては塩酸などを用いる事ができる。溶媒としてはジエチルエーテルなどのエーテル類やテトラヒドロフランTHFを用いることができ、脱水溶媒を用いる。用いることのできるホウ素化合物としては、ホウ酸トリメチルやホウ酸トリエチル等が挙げられる。次いで、反応スキームA-4に示すように、カルバゾリルホウ素化合物a5とジハロゲン化アリール化合物a6とをカップリングさせることで、ハロゲン化カルバゾール化合物a7が得られる。なお、X3、及びX4は、ハロゲンを表す。X3及びX4は反応性の高さから、それぞれ、好ましくは臭素を表し、より好ましくはヨウ素を表す。B2とX3とを特異的に反応させたい場合は、X3はX4よりもより反応性の高いハロゲンを用いることが好ましい。なお、ハロゲンにおいては、塩素よりも臭素の反応性が高く、臭素よりもヨウ素の反応性が高い。B2はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。反応スキームA-4のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。具体的には、反応スキームA-1と同様に行うことができ、先の記載を参酌することが可能である。また、反応スキームA-4では、化合物a6のハロゲン基X3と、化合物a5のホウ素化合物基B2とを反応させる場合を示したが、化合物a5をホウ素化合物、化合物a6をハロゲン化物として反応基X3とB2とを逆にしてカップリングさせても、上記カルバゾール化合物a7が得られる。なお、この場合には、化合物a6同士の反応を防止するために、ハロゲン基X3にハロゲン基X4よりも反応性の高いハロゲン基を適用する必要がある。次に、反応スキームA-5に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a7とアリールホウ素化合物a8とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を得ることができる。なお、X4は、ハロゲンを表す。X4は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。また、B3はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。なお、反応スキームA-5のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。具体的には、反応スキームA-1と同様に行うことができ、先の記載を参酌することが可能である。また、反応スキームA-5では、化合物a7のハロゲン基X4と、化合物a8のホウ素化合物基B3とを反応させる場合を示したが、化合物a7をホウ素化合物、化合物a8をハロゲン化物として反応基X4とB3とを逆にしてカップリングさせても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を得ることができる。また、上述した反応スキームA-1~A-5では、置換基-R2をカルバゾール骨格の3位に化合させた後に、置換基-α3-Ar3をそのカルバゾール骨格の6位に化合させる例を示す。しかし本実施の形態は、上記の反応に限られず、置換基-α3-Ar3を化合させた後に置換基-R2を化合させても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、置換基-R2と置換基-α3-Ar3とが同一骨格の場合、それぞれをカルバゾール骨格の3、6位に同時に化合させる反応は、より簡便となるため好ましい。また合成法1と異なる本実施の形態のカルバゾール化合物の合成法について以下に合成法2を示す。合成法2反応スキームB-1に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a4とアリールホウ素化合物a9とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、X2は、ハロゲンを表す。X2は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。B4はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。反応スキームB-1のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。具体的には、反応スキームA-1と同様に行うことができ、先の記載を参酌することが可能である。また、反応スキームB-1では、化合物a4のハロゲン基X2と、化合物a9のホウ素化合物基B4とを反応させる場合を示したが、化合物a4をホウ素化合物、化合物a9をハロゲン化物として反応基X2とB4とを逆にしてカップリングさせても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。また、反応スキームB-1では、置換基-R2をカルバゾール骨格の3位に化合させた後に、置換基-α3-Ar3をそのカルバゾール骨格の6位に化合させる例を示す。しかし本実施の形態は、上記の反応に限られず、置換基-α3-Ar3を化合させた後に置換基-R2を化合させても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。また、置換基-R2と置換基-α3-Ar3とが同一骨格の場合、それぞれをカルバゾール骨格の3、6位に同時に化合させる反応は、より簡便となるため好ましい。また合成法1及び合成法2と異なる本実施の形態のカルバゾール化合物の合成法について以下に合成法3を示す。合成法3反応スキームC-1に示すように、カルバゾール化合物a10とハロゲン化アリール化合物a11とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、X5は、ハロゲンを表す。X5は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。反応スキームC-1において、ハロゲン基を有するアリール化合物と、カルバゾールの9位とのカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。反応スキームC-1において、ブッフバルトハートウィッグ反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。パラジウム錯体としては、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII等が挙げられる。また配位子としては、トリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセン略称:DPPF等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。なお、この反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、反応スキームC-1において、ウルマン反応を用いる場合について示す。金属触媒としては銅触媒を用いることができ、ヨウ化銅I、又は酢酸銅IIが挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21HピリミジノンDMPU、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。またこの反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。なお、ウルマン反応では、反応温度が100°C以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、DMPU、キシレンなど沸点の高い溶媒を用いることが好ましい。また、反応温度は150°C以上より高い温度が更に好ましいため、より好ましくはDMPUを用いる。なお、置換基-R2と、置換基-α3-Ar3をカルバゾール骨格の3、6位に化合させる反応は、上記反応スキームA-1~A-5、または反応スキームB-1の反応と同様に行うことができ、詳細は、先の記載を参酌することができる。以上のようにして、本実施の形態のカルバゾール化合物を合成することができる。本実施の形態のカルバゾール化合物は、深い絶対値の大きいHOMO準位を有するため、発光層への正孔注入性に優れている。また、本実施の形態のカルバゾール化合物は酸化に対して電気化学的に安定である。よって、本実施の形態のカルバゾール化合物は、発光素子の正孔輸送層の材料として好適に用いることができる。また、本実施の形態のカルバゾール化合物電子供与体と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を発光素子の正孔注入層として用いることができる。なお、電子受容体や電子供与体は、少なくとも電界のアシストにより電子を授受するものであればよい。さらに、本実施の形態のカルバゾール化合物は、浅い絶対値の小さいLUMO準位を有するため、発光素子の正孔輸送層の材料として用いることで、陽極への電子の移動をブロックするすなわち、電子ブロック材料として機能することができる。よって、本実施の形態のカルバゾール化合物を用いた発光素子の高効率化を図ることができる。また、本実施の形態のカルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有するため、発光層と隣接する正孔輸送層に適用した場合であっても、発光層からのエネルギー移動を抑制することができる。よって、本実施の形態のカルバゾール化合物を用いた発光素子の高効率化を図ると共に、発光素子を長寿命化させることができる。また、本実施の形態で示すカルバゾール化合物は、蛍光性を示すため、短波長の発光が可能である。よって、本実施の形態のカルバゾール化合物を発光材料として用いることで、青紫~青色発光を得ることができる。また、本実施の形態のカルバゾール化合物は、発光素子における発光層のホスト材料としても好適である。すなわち、本実施の形態のカルバゾール化合物で構成される層中に、該カルバゾール化合物よりも小さなバンドギャップを有する発光物質以下、ドーパントとも記すを添加し、ドーパントからの発光を得ることができる。このとき、本実施の形態のカルバゾール化合物は広いバンドギャップを有するため、青色など比較的短波長に発光を有する蛍光性のドーパントを用いても、ドーパントからの発光を効率よく得ることができる。言い換えると、可視域の蛍光性化合物のホスト材料として用いることができる。また、ドーパントが燐光性化合物の場合、そのホスト材料はそのドーパントよりもT1準位が高い物質を用いることが好ましい。本実施の形態のカルバゾール化合物はT1準位が高い物質であるため、少なくとも緑色から長波長の可視域の燐光性化合物のホスト材料として用いることができる。また本実施の形態で示すカルバゾール化合物は可視域約380~750nmの吸収が少ないため、薄膜を形成したときに可視光の透過率が高い。そのため、発光素子に用いても発光エネルギーを吸収しづらく、外部量子収率の高い素子を得ることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様として、実施の形態1で説明したカルバゾール化合物を用いた発光素子について図1を用いて説明する。本実施の形態の発光素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を有するEL層を挟持して形成される。EL層は、発光層の他に複数の層を有してもよい。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。当該複数の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層など有していても良い。図1Aに示す本実施の形態の発光素子において、第1の電極101及び第2の電極103の一対の電極間に、EL層102が設けられている。また、EL層102は、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。なお、本実施の形態に示す発光素子において、基板100上に設けられた第1の電極101は陽極として機能し、第2の電極103は陰極として機能する。基板100は発光素子の支持体として用いられる。基板100としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができるフレキシブル基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルムポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル等からなる、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。第1の電極101としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又は金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。但し、EL層102のうち、第1の電極101に接して形成される層が、後述する有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いて形成される場合には、第1の電極101に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金例えば、Al-Si等も用いることもできる。第1の電極101上に形成されるEL層102において、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113の少なくともいずれかの層は、本発明の一態様であるカルバゾール化合物を含んで形成される。EL層102の一部には公知の物質を用いることもでき、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、EL層102を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。また、正孔注入層111として、有機化合物と電子受容体アクセプターとを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子受容体によって有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。この場合、有機化合物は、発生した正孔の輸送に優れた材料正孔輸送性の高い物質であることが好ましい。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。本発明の一態様のカルバゾール化合物は、正孔輸送性の高い有機化合物であるため、複合材料に好適に用いることができる。そのほか、複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB又はα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層111に用いてもよい。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。本発明の一態様のカルバゾール化合物は、正孔輸送性の高い物質であり、正孔輸送層112の材料としても好適に用いることができる。発光層113は、発光物質を含む層である。発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。本発明の一態様のカルバゾール化合物は青紫~青色の蛍光を呈する材料のため、発光物質として用いることも可能である。その他に、発光層113に用いることができる蛍光性物質としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光層113に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス{2-[3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、トリスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIII略称:Irbzq3などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス{2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト}イリジウムIII略称:Irdmmoppr2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-iPr2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、ジピバロイルメタナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2dpm、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移であるため、燐光性化合物として用いることができる。また、発光物質として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル略称:PFO、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,5-ジメトキシベンゼン-1,4-ジイル]略称:PF-DMOP、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-[N,N’-ジ-p-ブチルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]}略称:TAB-PFHなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリp-フェニレンビニレン略称:PPV、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-co-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,7-ジイル]略称:PFBT、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニレン-alt-co-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレン]などが挙げられる。また、橙色~赤色系の発光材料として、ポリ[2-メトキシ-5-2’-エチルヘキソキシ-1,4-フェニレンビニレン]略称:MEH-PPV、ポリ3-ブチルチオフェン-2,5-ジイル略称:R4-PAT、ポリ{[9,9-ジヘキシル-2,7-ビス1-シアノビニレンフルオレニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}、ポリ{[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-ビス1-シアノビニレンフェニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}略称:CN-PPV-DPDなどが挙げられる。なお、発光層113としては、上述した発光物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光物質よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。本発明の一態様のカルバゾール化合物は、バンドギャップが広いS1準位が高い物質であるため、発光層113のホスト材料としても好適に用いることができる。また発光物質が燐光性化合物の場合、そのホスト材料はその発光物質よりもT1準位が高い物質を用いることが好ましい。本発明の一態様のカルバゾール化合物は、T1準位が高い物質であるため、燐光発光物質のホスト材料としても好適に用いることができる。その他に適用可能なホスト材料としては、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物や、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、NPB又はα-NPD、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層113の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層115には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層114を構成する物質を用いることもできる。あるいは、電子注入層115に、有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層114を構成する物質金属錯体や複素芳香族化合物等を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン略称:TTF等の有機化合物を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。第2の電極103は、第2の電極103が陰極として機能する際は仕事関数の小さい好ましくは3.8eV以下金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金例えば、Mg-Ag、Al-Li、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属及びこれらを含む合金の他、アルミニウムや銀などを用いることができる。但し、EL層102のうち、第2の電極103に接して形成される層が、上述する有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料を用いる場合には、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を用いることができる。なお、第2の電極103を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。上述した発光素子は、第1の電極101と第2の電極103との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層102において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第1の電極101又は第2の電極103のいずれか一方又は両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極101又は第2の電極103のいずれか一方、又は両方が可視光に対する透光性を有する電極となる。なお、第1の電極101と第2の電極103との間に設けられる層の構成は、上記のものに限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極101及び第2の電極103から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質、又は正孔ブロック材料等から成る層を、発光層と自由に組み合わせて構成すればよい。図1Bに示す発光素子は、基板100上において、第1の電極101及び第2の電極103の一対の電極間に、EL層102が設けられている。EL層102は、正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。図1Bにおける発光素子は、基板100上に、陰極として機能する第2の電極103と、第2の電極103上に順に積層した電子注入層115、電子輸送層114、発光層113、正孔輸送層112、正孔注入層111と、さらにその上に設けられた陽極として機能する第1の電極101から構成されている。また本発明の一態様のカルバゾール化合物はHOMO準位が深く、LUMO準位が浅い。またバンドギャップが広い。そのため、発光層に隣接するキャリア輸送層正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層などとして好適に用いることができる。そのことで、高効率な素子を得ることができる。以下、具体的な発光素子の形成方法を示す。本実施の形態の発光素子は一対の電極間にEL層が挟持される構造となっている。電極第1の電極及び第2の電極、及びEL層は液滴吐出法インクジェット法、スピンコート法、印刷法などの湿式法を用いて形成してもよく、真空蒸着法、CVD法、スパッタリング法などの乾式法を用いて形成してもよい。湿式法を用いれば、大気圧下で形成することができるため、簡易な装置及び工程で形成することができ、工程が簡略化し、生産性が向上するという効果がある。一方乾式法は、材料を溶解させる必要がないために溶液に難溶の材料も用いることができ、材料の選択の幅が広い。発光素子を構成する薄膜のすべての形成を湿式法で行ってもよい。この場合、湿式法で必要な設備のみで発光素子を作製することができる。また、発光層を形成するまでの積層を湿式法で行い、発光層上に積層する機能層や第1の電極などを乾式法により形成してもよい。さらに、発光層を形成する前の第2の電極や機能層を乾式法により形成し、発光層、及び発光層上に積層する機能層や第1の電極を湿式法によって形成してもよい。もちろん、本実施の形態はこれに限定されず、用いる材料や必要とされる膜厚、界面状態によって適宜湿式法と乾式法を選択し、組み合わせて発光素子を作製することができる。以上のように、本発明の一態様のカルバゾール化合物を用いて発光素子を作製することができる。本発明の一態様では、発光効率が高い発光素子を実現することができる。また、長寿命な発光素子を実現することができる。また、このようにして得られた本発明の一態様の発光素子を用いた発光装置画像表示デバイスは低消費電力を実現できる。なお、本実施の形態で示した発光素子を用いて、パッシブマトリクス型の発光装置や、薄膜トランジスタTFTによって発光素子の駆動が制御されたアクティブマトリクス型の発光装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本実施の形態は複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子というの態様について、図2を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に複数の発光ユニットを有する発光素子である。図2Aにおいて、第1の電極301と第2の電極303との間には、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312が積層されている。本実施の形態において、第1の電極301は陽極として機能する電極であり、第2の電極303は陰極として機能する電極である。第1の電極301と第2の電極303は実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312は同じ構成であっても異なる構成であっても良い。また、第1の発光ユニット311と、第2の発光ユニット312は、その構成として、実施の形態2と同様なものを適用しても良いし、いずれかが異なる構成であっても良い。また、第1の発光ユニット311と第2の発光ユニット312の間には、電荷発生層313が設けられている。電荷発生層313は、第1の電極301と第2の電極303に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第1の電極301に第2の電極303よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層313から第1の発光ユニット311に電子が注入され、第2の発光ユニット312に正孔が注入される。なお、電荷発生層313は、光の取り出し効率の点から、可視光に対する透光性を有することが好ましい。また、電荷発生層313は、第1の電極301や第2の電極303よりも低い導電率であっても機能する。電荷発生層313は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体アクセプターとを含む構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物と電子供与体ドナーとを含む構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、電子受容体や電子供与体は、少なくとも電界のアシストにより電子を授受するものであればよい。正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、本発明の一態様のカルバゾール化合物を用いることができる。そのほか、NPBやTPD、TDATA、MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Alq、Almq3、BeBq2、BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、ZnBOX2、ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、PBDやOXD-7、TAZ、BPhen、BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。また、電子供与体としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、又は元素周期表における第13族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩などを用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウム、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。なお、上述した材料を用いて電荷発生層313を形成することにより、EL層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、図2Bに示すように、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子も適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光する長寿命素子を実現できる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様の、発光素子を有する発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-B及びC-Dで切断した断面図である。図3Aにおいて、点線で示された401は駆動回路部ソース側駆動回路、402は画素部、403は駆動回路部ゲート側駆動回路である。また、404は封止基板、405はシール材であり、シール材405で囲まれた内側は、空間になっている。なお、引き回し配線408はソース側駆動回路401及びゲート側駆動回路403に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット409からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPC又はPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板410上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路401と、画素部402中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路401はnチャネル型TFT423とpチャネル型TFT424とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、TFTで形成される種々のCMOS回路、PMOS回路又はNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部402はスイッチング用TFT411と、電流制御用TFT412とそのドレインに電気的に接続された第1の電極413とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極413の端部を覆って絶縁物414が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物414の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物414の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物414の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物414として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極413上には、EL層416、及び第2の電極417がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極413に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、又は珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。また、EL層416は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法などの液滴吐出法、印刷法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層416は、実施の形態1で示したカルバゾール化合物を含んでいる。また、EL層416を構成する他の材料としては、低分子材料、オリゴマー、デンドリマー、又は高分子材料であっても良い。さらに、EL層416上に形成され、陰極として機能する第2の電極417に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、又はこれらの合金や化合物、Mg-Ag、Mg-In、Al-Li等を用いることが好ましい。なお、EL層416で生じた光が第2の電極417を透過するためには、第2の電極417として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化亜鉛等との積層を用いるのが良い。さらにシール材405で封止基板404を素子基板410と貼り合わせることにより、素子基板410、封止基板404、及びシール材405で囲まれた空間407に発光素子418が備えられた構造になっている。なお、空間407には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材405で充填される場合もある。なお、シール材405にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板404に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステル又はアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を有するアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。また、本発明の一態様の発光素子は、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置に用いることもできる。図4に本発明の一態様の発光素子を用いたパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図及び断面図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板501上の第1の電極502と第2の電極503との間にはEL層504が設けられている。第1の電極502の端部は絶縁層505で覆われている。そして、絶縁層505上には隔壁層506が設けられている。隔壁層506の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁層506の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層505と接する辺の方が上辺絶縁層505の面方向と同様の方向を向き、絶縁層505と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層506を設けることで、クロストーク等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。以上により、本発明の一態様の発光素子を有するパッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態で示した発光装置アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型は、いずれも本発明の一態様の発光素子を用いて形成されることから、消費電力の低い発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、本発明を適用した一態様である発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図5、図6を用いて説明する。発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図5に示す。図5Aは、テレビジョン装置7100を示している。テレビジョン装置7100は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。テレビジョン装置7100の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置7100は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者又は双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製される。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機7400は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。図5Dに示す携帯電話機7400は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機7400内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。図5Eは卓上照明器具であり、照明部7501、傘7502、可変アーム7503、支柱7504、台7505、電源7506を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部7501に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。図6は、発光装置を、室内の照明装置801として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照明装置802として用いることもできる。なお、図6に示すように、室内の照明装置801を備えた部屋で、図5Eで説明した卓上照明器具803を併用してもよい。以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態4に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。本実施例では、実施の形態1において構造式100で示す、3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNを製造する合成例1及び合成例2を示す。合成例1200mL三口フラスコにて、3-ブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾール5.0g15.5mmol、4-1-ナフチル-フェニルボロン酸4.2g17.1mmol、酢酸パラジウムII38.4mg0.2mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィン104mg0.3mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液30mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85°Cで9時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量6.24g、収率90で得た。上記合成例1の反応スキームを下記F1-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.42、3-ブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.58だった。上記合成例1で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.30-7.35m,1H,7.44-7.67m,14H,7.76dd,J=8.7Hz,1.8Hz,1H,7.84-7.95m,4H,8.04d,J=7.8,1H,8.23d,J=7.8,1H,8.46d,J=1.5,1H。また,1HNMRチャートを図7A、Bに示す。なお,図7Bは,図7Aにおける7.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から,目的物である3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNを得られたことを確認した。合成例2本合成例は、上記合成例1とは異なるPCPNの合成例を示す。[ステップ1:3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールの合成法]300mL三口フラスコにて、4-ブロモヨードベンゼン14g50mmol、9-フェニル-9H-カルバゾール-3-ボロン酸14g50mmol、酢酸パラジウムII110mg0.5mmol、トリo-トリルホスフィン300mg1.0mmol、トルエン50mL、エタノール10mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液25mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、80°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量15g、収率75で得た。上記ステップ1の反応スキームを下記F1-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.32、4-ブロモヨードベンゼンは0.74だった。上記ステップ1で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.24-7.32m,1H,7.40-7.64m,13H,8.17d,J=7.2Hz,1H,8.29s,1H。また、1HNMRチャートを図8A、Bに示す。なお、図8Bは、図8Aにおける7.0ppmから8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールが得られたことを確認した。上記化合物の分子量を、GC-MS検出器ThermoFisher製、ITQ1100イオントラップ型GCMSシステムにより測定した。チャートを図9に示す。分子量397.13モードはEIをメインとするピークを検出し、測定結果から、目的物である3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールが得られたことを確認した。[ステップ2:3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNの合成法]50mL三口フラスコへ3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.4g5.0mmol、ナフタレン-1-ボロン酸を1.1g5.5mmol、酢酸パラジウムIIを20mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを36mg0.1mmol、トルエン10mL、エタノール1.5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで14時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量2.3g、収率86で得た。上記ステップ2の反応スキームを下記F1-3に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.57、3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.65だった。また、核磁気共鳴法NMRによって、合成例2によって得られた化合物が目的物である3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNであることを確認した。また、PCPNのトルエン溶液の吸収スペクトルを図10Aに、発光スペクトルを図10Bに示す。また、PCPNの薄膜の吸収スペクトルを図11Aに、発光スペクトルを図11Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図10及び図11において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では300nm付近に吸収のピークが見られ、最大発光波長は384nm励起波長320nmであった。また、薄膜の場合では322nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は398nm励起波長324nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すPCPNは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。本実施例では、実施の形態1において構造式102で示す3-[4-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPPnを製造する例を示す。[ステップ1:4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルフェニルボロン酸の合成法]300mL三口フラスコに、上記反応スキームF1-2で得られた3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールを8.0g20mmol入れ、フラスコ内の雰囲気を窒素置換したのち、脱水テトラヒドロフラン略称:THF100mLを加えて-78°Cにした。この混合液に1.65mol/Lのn-ブチルリチウムヘキサン溶液15mL24mmolを滴下し、2時間撹拌した。この混合物にホウ酸トリメチル3.4mL30mmolを加え、-78°Cで2時間、室温で18時間撹拌した。反応後、この反応溶液に1M希塩酸を酸性になるまで加えて7時間撹拌した。これを酢酸エチルで抽出し、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した。洗浄後、有機層に硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、ヘキサンを加え超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的の白色粉末を収量6.4g、収率88で得た。上記ステップ1の反応スキームを下記F2-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0原点であり、3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.53だった。また、展開溶媒に酢酸エチルを用いたシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値は、目的物は0.72で、3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.93だった。[ステップ2:3-[4-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPPnの合成法]200mL三口フラスコへ9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニル-4-ボロン酸を1.5g5.0mmol、9-ブロモフェナントレンを3.2g11mmol、酢酸パラジウムIIを11mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン30mL、エタノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量2.2g、収率75で得た。ステップ2の反応スキームを下記F2-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.33、9-ブロモフェナントレンは0.70だった。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.30-7.35m,1H,7.43-7.78m,16H,7.86-7.93m,3H,8.01dd,J=0.9Hz,7.8Hz,1H,8.23d,J=7.8Hz,1H,8.47d,J=1.5Hz,1H,8.74d,J=8.1Hz,1H,8.80d,J=7.8Hz,1H。また,1HNMRチャートを図12A、Bに示す。なお,図12Bは,図12Aにおける7.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるPCPPn略称が得られたことを確認した。また、PCPPnのトルエン溶液の吸収スペクトルを図13Aに、発光スペクトルを図13Bに示す。また、PCPPnの薄膜の吸収スペクトルを図14Aに、発光スペクトルを図14Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図13及び図14において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では300nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は383nm励起波長300nmであった。また、薄膜の場合では321nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は410nm励起波長331nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すPCPPnは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、ガラス転移温度Tgについて、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は114°Cであった。このように、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかった。また、結晶化を表すピークは検出されず、結晶化し難い物質であることが分かった。本実施例では、実施の形態1において構造式105で示す、9-フェニル-3-[4-トリフェニレン-2-イル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPTpを製造する例を示す。100mL三口フラスコにて、2-ブロモトリフェニレン0.5g2.0mmol、4-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル-フェニルボロン酸3.3g9.2mmol、酢酸パラジウムII20mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィン60mg0.2mmol、トルエン20mL、エタノール2mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85°Cで16時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンを用いた。得られたフラクションを濃縮し、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を得た。上記合成法の反応スキームを下記F3-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.21、2-ブロモトリフェニレンは0.46だった。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.31-7.36m,1H,7.45-7.53m,4H,7.61-7.78m,9H,7.89-8.01m,5H,8.24d,J=7.5Hz,1H,8.46d,J=1.5Hz,1H,8.67-8.82m,5H,8.95d,J=2.1Hz,1H。また、1HNMRチャートを図15A、Bに示す。なお、図15Bは、図15Aにおける7.0ppmから9.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるPCzPTpが得られたことを確認した。また、PCzPTpのトルエン溶液の吸収スペクトルを図16Aに、発光スペクトルを図16Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れて測定を行った。吸収スペクトルは、石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示す。図16において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では325nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は385nm励起波長347nmであった。吸収スペクトルから、本実例で示すPCzPTpは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。本実施例では、実施の形態1において構造式108で示す、3-[3-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mPCPPnを製造する例を示す。[ステップ1:3-3-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールの合成法]500mL三口フラスコにて、3-ブロモヨードベンゼン31g110mmol、9-フェニル-9H-カルバゾール-3-ボロン酸29g100mmol、酢酸パラジウムII22mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィン60mg1.2mmol、トルエン100mL、エタノール10mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液50mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、80°Cで2.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、トルエン、メタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量22g、収率54で得た。上記ステップ1の反応スキームを下記F4-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.29、3-ブロモヨードベンゼンは0.67だった。[ステップ2:3-[3-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mPCPPnの合成法]200mL三口フラスコにて、3-3-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール3.0g7.5mmol、フェナントレン-9-ボロン酸1.8g8.29mmol、酢酸パラジウムII19mg0.1mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィン76mg0.2mmol、トルエン70mL、エタノール7mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液20mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、100°Cで5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=2:3を用いた。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量2.76g、収率74で得た。上記ステップ2の反応スキームを下記F4-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.25、3-3-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.58だった。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.28-7.32m,1H,7.42-7.76m,15H,7.81-7.84m,2H,7.92-7.95m,2H,8.06d,J=8.1Hz,1H,8.18d,J=7.8Hz,1H,8.44d,J=1.5Hz,1H,8.76d,J=8.1Hz,1H,8.81d,J=8.7Hz,1H。また、1HNMRチャートを図17A、Bに示す。なお、図17Bは、図17Aにおける6.5ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるmPCPPnが得られたことを確認した。また、mPCPPnのトルエン溶液の吸収スペクトルを図18Aに、発光スペクトルを図18Bに示す。また、mPCPPnの薄膜の吸収スペクトルを図19Aに、発光スペクトルを図19Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図18及び図19において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では298nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は363nm励起波長311nmであった。また、薄膜の場合では350nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は389nm励起波長353nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すmPCPPnは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、ガラス転移温度Tgについて、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は109°Cであった。このように、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかった。また、結晶化を表すピークは検出されず、結晶化し難い物質であることが分かった。本実施例では、実施の形態1において構造式111で示す9-フェニル-3-[3-トリフェニレン-2-イル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:mPCzPTpを製造する例を示す。50mL三口フラスコにて3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールを0.7g1.8mmol、トリフェニレン-2-ボロン酸を0.5g1.8mmol、酢酸パラジウムIIを4.1mg18μmol、トリo-トリルホスフィンを28mg92μmol、トルエン6.9mL、エタノール2.3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液1.9mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、80°Cで3時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この得られた懸濁液の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と先の懸濁液の有機層とを合わせ、飽和食塩水で洗浄後、得られた溶液に硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラムクロマトグラフィーはまずトルエン:ヘキサン=1:9を展開溶媒とし、次いでトルエン:ヘキサン=1:6を展開溶媒として用いることにより行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物にトルエンとヘキサンを加えて再結晶したところ、目的物である白色固体を収量0.9g、収率90で得た。上記合成法の反応スキームを下記F5-1に示す。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.30-7.54m,5H,7.60-7.80m,12H,8.01dd,J=8.4Hz,1.5Hz,1H,8.14s,1H,8.23d,J=7.8Hz,1H,8.47d,J=2.1Hz,1H,8.67-8.80m,5H,8.95d,J=1.5Hz,1H。また、1HNMRチャートを図20A、Bに示す。なお、図20Bは、図20Aにおける7.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるmPCzPTpが得られたことを確認した。また、mPCzPTpのトルエン溶液の吸収スペクトルを図21Aに、発光スペクトルを図21Bに示す。また、mPCzPTpの薄膜の吸収スペクトルを図22Aに、発光スペクトルを図22Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図21及び図22において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では290nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は381nm励起波長290nmであった。また、薄膜の場合では277nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は397nm励起波長306nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すmPCzPTpは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。本実施例では、実施の形態1において構造式120で示す9-1-ナフチル-3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:NCPNを製造する例を示す。[ステップ1:3-ブロモ-9-1-ナフチル-9H-カルバゾールの合成法]200mL三角フラスコにて、9-1-ナフチル-9H-カルバゾールを5.9g20mmol、トルエン50mL、酢酸エチル70mLの混合溶媒に溶かした後、ここにN-ブロモコハク酸イミド略称;NBS3.6g20mmolを加えて36時間室温にて撹拌した。反応終了後、この混合液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、回収した。目的物の白色粉末を収量7.4g、収率99で得た。上記ステップ1の反応スキームを下記F6-1に示す。[ステップ2:9-1-ナフチル-3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:NCPNの合成法]200mL三口フラスコにて、3-ブロモ-9-1-ナフチル-9H-カルバゾール5.0g13mmol、4-1-ナフチルフェニルボロン酸3.7g15mmol、酢酸パラジウムII34mg0.2mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィン91mg0.3mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液30mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、100°Cで1時間加熱撹拌し、反応させた。さらに、4-1-ナフチルフェニルボロン酸334mg1.35mmol、酢酸パラジウムII15.0mg0.07mmol、トリス2-メチルフェニルホスフィン45mg0.15mmolを加え、窒素雰囲気下、100°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量5.4g、収率82で得た。上記ステップ2の反応スキームを下記F6-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.25、3-ブロモ-9-1-ナフチル-9H-カルバゾールは0.53だった。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.04dd,J=6.3Hz,1.5Hz,1H,7.11d,J=8.4Hz,1H,7.30-7.70m,14H,7.83-7.94m,4H,8.02-8.07m,3H8.28dd,J=6.3Hz,2.4Hz,1H,8.52d,J=1.5Hz,1H。また、1HNMRチャートを図23A、Bに示す。なお、図23Bは、図23Aにおける6.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるNCPNが得られたことを確認した。また、NCPNのトルエン溶液の吸収スペクトルを図24Aに、発光スペクトルを図24Bに示す。また、NCPNの薄膜の吸収スペクトルを図25Aに、発光スペクトルを図25Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図24及び図25において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では300nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は388nm励起波長300nmであった。また、薄膜の場合では322nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は397nm励起波長328nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すNCPNは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。本実施例では、実施の形態1において構造式112で示す3,6-ビス-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:NP2PCを製造する例を示す。200mL三口フラスコにて、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾール2.0g5.0mmol、4-1-ナフチルフェニルボロン酸2.7g11mmol、酢酸パラジウムII100mg0.5mmol、トリo-トリルホスフィン41mg0.1mmol、トルエン20mL、エタノール2mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液30mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85°Cで13時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン150mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量2.2g、収率69で得た。上記合成法の反応スキームを下記F7-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.25、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.58だった。また、得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.45-7.68m,19H,8.02dd,J=2.1Hz,9.0Hz,2H,7.87-7.95m,8H,8.05d,J=7.8Hz,2H8.55d,J=1.5Hz,2H。また、1HNMRチャートを図26A、Bに示す。なお、図26Bは、図26Aにおける7.0ppmから9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物であるNP2PCが得られたことを確認した。また、NP2PCのトルエン溶液の吸収スペクトルを図27Aに、発光スペクトルを図27Bに示す。また、NP2PCの薄膜の吸収スペクトルを図28Aに、発光スペクトルを図28Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図27及び図28において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では314nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は392nm励起波長310nmであった。また、薄膜の場合では314nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は404nm励起波長315nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すNP2PCは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、熱物性について、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、融点は269°Cであった。また、ガラス転移、結晶化を表すピークは検出されず、結晶化し難い物質であることが分かった。本実施例では、実施例1及び実施例2、並びに、実施例4乃至実施例7において合成した本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のそれぞれについて、薄膜状態における最高被占有軌道準位HOMO準位、最低空軌道準位LUMO準位及びバンドギャップBgを測定した結果を示す。なお、本実施例において、測定は以下のように行った。HOMO準位の値は、大気中の光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定したイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算することにより得た。また、LUMO準位の値は、上記実施例でそれぞれ示した薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、直接遷移を仮定したTaucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとしてHOMO準位の値に加算することにより得た。測定によって得られたPCPN、PCPPn、mPCPPn、mPCzPTp、NCPN、及びNP2PCのHOMO準位及びLUMO準位を以下の表1に示す。表1より、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物である、PCPN、PCPPn、mPCPPn、mPCzPTp、NCPN、及びNP2PCは、比較的深いHOMO準位と、浅いLUMO準位を有し、広いバンドギャップを有することが確認された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子1、発光素子2および比較発光素子1の作製方法を、図29を用いて説明する。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。発光素子1まず、ガラス基板1100上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSOをスパッタリング法にて成膜し、第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。本実施例において、第1の電極1101は、陽極として用いた。次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、実施例1にて合成した3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、50nmとし、PCPNと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPN:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、正孔注入層1111上に、PCPNを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。さらに、9-[4-N-カルバゾリルフェニル]-10-フェニルアントラセン略称:CzPA、及びN,N’-ビス[4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnを共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、CzPA及び1,6FLPAPrnの重量比は、1:0.05=CzPA:1,6FLPAPrnとなるように調節した。また、発光層1113の膜厚は30nmとした。次に、発光層1113上に、CzPAを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚15nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。さらに、第2の電子輸送層1114b上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で蒸着し、電子注入層1115を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子1を作製した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。発光素子2発光素子2は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、上述の発光素子1と同様に形成した。発光素子2において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例2にて合成した3-[4-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPPnと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCPPnと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPPn:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCPPnを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。比較発光素子1比較発光素子1は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、上述の発光素子1と同様に形成した。比較発光素子1において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、9-[4-9―フェニルカルバゾール-3-イルフェニル]-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCzPAと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCzPA:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCzPAを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。以上により得られた発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1の素子構造を表2に示す。発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子1及び発光素子2及び比較発光素子1は、同一基板上に形成した。また、上記3つの発光素子において、正孔注入層と正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表3に示す。発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1の発光スペクトルを、図30に示す。図30において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1の電圧-輝度特性を図31、輝度-電流効率特性を図32、輝度-パワー効率特性を図33にそれぞれ示す。図31では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図32では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図33では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図30より、発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表3のCIE色度座標からも、発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図31乃至図33、及び表3より、発光素子1及び発光素子2は、比較発光素子1と同等に低電圧で駆動可能であり、且つ、比較発光素子1よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子1に用いたPCzPAのバンドギャップは、2.92eVであり、発光層に接する正孔輸送層として用いた場合に発光層からのエネルギー移動発光層で生成した励起子の移動が生じうるのに対し、本実施例の発光素子1及び発光素子2の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したPCPN、及びPCPPnは、それぞれバンドギャップが3.48eV、3.53eVと広いため、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。また、PCzPAのLUMO準位は-2.77eVであり、発光層からの電子のもれによるキャリアの損失が生じうるのに対し、PCPN及びPCPPnは、それぞれLUMO準位が-2.29eV、-2.25eVと浅いため、発光層からの電子のもれが生じにくい。よって、発光素子1及び発光素子2では高い効率が得られたと考えられる。また、PCzPAのHOMO準位は-5.69eVであり、隣接する発光層のホスト材料であるCzPAのHOMO準位の-5.70eVと同等であり、ホール注入性が良好である。PCPN及びPCPPnも、それぞれHOMO準位が-5.77eV、-5.78eVと深いため、同様にホール注入性が良好である。また、いずれの素子も同等に低駆動電圧であるため、いずれの素子もキャリアの移動が良好であることがわかった。なお、PCzPAはホール輸送性に優れた、長寿命な材料の一つである。また、作製した発光素子1、発光素子2及び比較発光素子1の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図34に示す。図34において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図34より、発光素子1、発光素子2、及び比較発光素子1は同等に時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子1、発光素子2及び比較発光素子は、210時間の駆動後でも初期輝度の52の輝度を保っていた。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑制されたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子3、発光素子4および比較発光素子2の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物は、実施例9と同様であるため、記載を省略する。発光素子3発光素子3は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例9の発光素子1と同様に形成した。発光素子3において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、酸化モリブデンVIを10nmの膜厚で蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。次に、正孔注入層1111上に、実施例1で合成したPCPNを30nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光素子4発光素子4は、正孔輸送層1112以外は、発光素子3と同様に形成した。発光素子4において、正孔輸送層1112は、実施例2で合成したPCPPnを30nmの膜厚となるように成膜した。比較発光素子2比較発光素子2は、正孔輸送層1112以外は、発光素子3と同様に形成した。比較発光素子2において、正孔輸送層1112は、PCzPAを30nmの膜厚となるように成膜した。以上により得られた発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2の素子構造を表4に示す。発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2は、同一基板上に形成した。また、上記3つの発光素子において、正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表5に示す。発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2の発光スペクトルを、図35に示す。図35において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2の電圧-輝度特性を図36、輝度-電流効率特性を図37、輝度-パワー効率特性を図38にそれぞれ示す。図36では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図37では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図38では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図35より、発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表5のCIE色度座標からも、発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図36乃至図38、及び表5より、発光素子3及び発光素子4は、比較発光素子2よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子2に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子3及び発光素子4の正孔輸送層に適用したPCPN、及びPCPPnのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。またPCPN及びPCPPnのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、作製した発光素子3、発光素子4及び比較発光素子2の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図39に示す。図39において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図39より、発光素子3、発光素子4、及び比較発光素子2は同等に時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子3は、150時間の駆動後でも初期輝度の60の輝度を保ち、発光素子4は、150時間の駆動後でも初期輝度の56の輝度を保ち、比較発光素子2は、150時間の駆動後でも初期輝度の54の輝度を保っていた。本実施例は、正孔注入層として酸化モリブデンの単膜を用いており、本発明の一態様のカルバゾール化合物と酸化モリブデンとの混合材料を正孔注入層として用いた実施例9と比較して、全体として駆動電圧が若干上昇した。このことから、本発明の一態様のカルバゾール化合物と酸化モリブデンとの混合材料を正孔注入層として用いると、より正孔注入性の良好な素子が得られることが示唆された。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。また、正孔注入層をモリブデン酸化物の単層とした発光素子においても、良好な特性が得られることが示された。なお、正孔注入層を複合材料によって形成することで、陽極の膜質起因による発光素子の短絡を防止することができるため、より好ましい。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子5および比較発光素子3の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物は、実施例9と同様であるため、記載を省略する。発光素子5発光素子5は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例9の発光素子1と同様に形成した。発光素子5において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例6にて合成した9-1-ナフチル-3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:NCPNと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、NCPNと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=NCPN:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、NCPNを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。比較発光素子3本実施例における比較発光素子3は、実施例9における比較発光素子1と同様の構成とした。以上により得られた発光素子5及び比較発光素子3の素子構造を表6に示す。発光素子5及び比較発光素子3を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子5及び比較発光素子3は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子5及び比較発光素子3において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表7に示す。発光素子5及び比較発光素子3の発光スペクトルを、図40に示す。図40において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子5及び比較発光素子3の電圧-輝度特性を図41、輝度-電流効率特性を図42、輝度-パワー効率特性を図43にそれぞれ示す。図41では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図42では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図43では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図40より、発光素子5及び比較発光素子3の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表7のCIE色度座標からも、発光素子5及び比較発光素子3は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図41乃至図43、及び表7より、発光素子5は、比較発光素子3よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子3に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子5の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したNCPNのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。また、NCPNのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けが抑制されたためと考えられる。また、図41乃至図43、及び表7より、発光素子5及び比較発光素子3は、低電圧で駆動可能であることがわかった。また、作製した発光素子5及び比較発光素子3の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図44に示す。図44において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図44より、発光素子5及び比較発光素子3は時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子5は、130時間の駆動後でも初期輝度の62の輝度を保ち、比較発光素子3は、130時間の駆動後でも初期輝度の57の輝度を保っていた。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子6および比較発光素子4の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物は、実施例9と同様であるため、記載を省略する。発光素子6発光素子6は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例9の発光素子1と同様に形成した。発光素子6において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例7にて合成した3,6-ビス-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:NP2PCと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、NP2PCと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=NP2PC:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、NP2PCを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。比較発光素子4本実施例における比較発光素子4は、実施例9における比較発光素子1と同様の構成とした。以上により得られた発光素子6及び比較発光素子4の素子構造を表8に示す。発光素子6及び比較発光素子4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子6及び比較発光素子4は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子6及び比較発光素子4において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表9に示す。発光素子6及び比較発光素子4の発光スペクトルを、図45に示す。図45において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子6及び比較発光素子4の電圧-輝度特性を図46、輝度-電流効率特性を図47、輝度-パワー効率特性を図48にそれぞれ示す。図46では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図47では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図48では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図45より、発光素子6及び比較発光素子4の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表9のCIE色度座標からも、発光素子6及び比較発光素子4は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図46乃至図48、及び表9より、発光素子6は、比較発光素子4よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子4に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子6の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したNP2PCのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。またNP2PCのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、図46乃至図48、及び表9より、発光素子6及び比較発光素子4は、低電圧で駆動可能であることがわかった。また、作製した発光素子6及び比較発光素子4の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図49に示す。図49において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図49より、発光素子6及び比較発光素子4は時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子6は、130時間の駆動後でも初期輝度の63の輝度を保ち、比較発光素子4は、130時間の駆動後でも初期輝度の57の輝度を保っていた。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子7及び比較発光素子5の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物は、実施例9と同様であるため、記載を省略する。発光素子7発光素子7は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、実施例9の発光素子1と同様に形成した。発光素子7において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例4にて合成した3-[3-9-フェナントリル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mPCPPnと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、mPCPPnと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=mPCPPn:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、mPCPPnを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。比較発光素子5本実施例における比較発光素子5は、実施例9における比較発光素子1と同様の構成とした。以上により得られた発光素子7及び比較発光素子5の素子構造を表10に示す。発光素子7及び比較発光素子5を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子7及び比較発光素子5は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子7及び比較発光素子5において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表11に示す。発光素子7及び比較発光素子5の発光スペクトルを、図50に示す。図50において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子7及び比較発光素子5の電圧-輝度特性を図51、輝度-電流効率特性を図52、輝度-パワー効率特性を図53にそれぞれ示す。図51では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図52では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図53では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図50より、発光素子7及び比較発光素子5の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表11のCIE色度座標からも、発光素子7及び比較発光素子5は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図51乃至図53、及び表11より、発光素子7は、比較発光素子5よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子5に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子7の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したmPCPPnのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。また、mPCPPnのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、図51乃至図53、及び表11より、発光素子7及び比較発光素子5は、低電圧で駆動可能であることがわかった。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子8及び比較発光素子6の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。なお、既に構造式を示した有機化合物については記載を省略する。発光素子8発光素子8は、第1の電子輸送層1114a以外は、実施例13の発光素子7と同様に作製した。発光素子8においては、発光層1113上に、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alqを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aとした。比較発光素子6本実施例における比較発光素子6は、第1の電子輸送層1114a以外は、実施例9における比較発光素子1と同様の構成とした。比較発光素子6においては、発光層1113上に、Alqを膜厚10nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aとした。以上により得られた発光素子8及び比較発光素子6の素子構造を表12に示す。発光素子8及び比較発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子8及び比較発光素子6は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子8及び比較発光素子6において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表13に示す。発光素子8及び比較発光素子6の発光スペクトルを、図54に示す。図54において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子8及び比較発光素子6の電圧-輝度特性を図55、輝度-電流効率特性を図56、輝度-パワー効率特性を図57にそれぞれ示す。図55では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図56では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図57では縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図54より、発光素子8及び比較発光素子6の発光スペクトルは、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表13のCIE色度座標からも、発光素子8及び比較発光素子6は、1,6FLPAPrnに由来する青色発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図55乃至図57、及び表13より、発光素子8は、比較発光素子6よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子6に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子8の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したmPCPPnのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。またmPCPPnのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、図55乃至図57、及び表13より、発光素子8及び比較発光素子6は、低電圧で駆動可能であることがわかった。また、作製した発光素子8及び比較発光素子6の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図58に示す。図58において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図58より、発光素子8及び比較発光素子6は時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子8は、70時間の駆動後でも初期輝度の83の輝度を保ち、比較発光素子6は、70時間の駆動後でも初期輝度の81の輝度を保っていた。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子9及び比較発光素子7の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。なお、既に構造式を示した有機化合物については記載を省略する。発光素子9発光素子9は、正孔注入層1111、正孔輸送層1112、発光層1113、第1の電子輸送層1114a以外は、実施例9の発光素子1と同様に作製した。発光素子9において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例5にて合成した9-フェニル-3-[3-トリフェニレン-2-イル-フェニル]-9H-カルバゾール略称:mPCzPTpと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、mPCzPTpと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=mPCzPTp:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、mPCzPTpを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。さらに、4-[3-トリフェニレン-2-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPTp-II、及びトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層1113を形成した。ここで、mDBTPTp-II及びIrppy3の重量比は、1:0.06=mDBTPTp-II:Irppy3となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。次に、発光層1113上に、Alqを膜厚15nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。比較発光素子7本実施例における比較発光素子7は、発光層1113及び第1の電子輸送層1114a以外は、実施例9における比較発光素子1と同様の構成とした。比較発光素子7において、発光層1113及び第1の電子輸送層1114aは、上述の発光素子9と同様の構成とした。以上により得られた発光素子9及び比較発光素子7の素子構造を表14に示す。発光素子9及び比較発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子9及び比較発光素子7は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子9及び比較発光素子7において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表15に示す。発光素子9及び比較発光素子7の発光スペクトルを、図59に示す。図59において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子9及び比較発光素子7の電圧-輝度特性を図60、輝度-電流効率特性を図61にそれぞれ示す。図60では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図61では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。図59より、発光素子9及び比較発光素子7の発光スペクトルは、いずれも520nm付近にピークを有している。また、表15のCIE色度座標からも、発光素子9及び比較発光素子7は、Irppy3に由来する緑色の燐光発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、図60、図61及び表15より、発光素子9は、比較発光素子7よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子7に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子9の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したmPCzPTpのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。また、mPCzPTpのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、図60、図61及び表15より、発光素子9及び比較発光素子7は、低電圧で駆動可能であることがわかった。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を、比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子10及び比較発光素子8の作製方法を説明する。また、本実施例で作製する発光素子の素子構造を、図62に示す。なお、本実施例で用いた有機化合物は、先の実施例と同様であるため、記載を省略する。発光素子10発光素子10は、発光層1113以外は、実施例15の発光素子9と同様に作製した。発光素子10において、発光層1113は、第1の電極1101側から、第1の発光層1113aと第2の発光層1113bを積層して形成した。第1の発光層1113aは、実施例5で合成したmPCzPTpとトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着して形成した。ここで、mPCzPTp及びIrppy3の重量比は、1:0.06=mPCzPTp:Irppy3となるように調節した。また、第1の発光層1113aの膜厚は20nmとした。次いで、4-[3-トリフェニレン-2-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPTp-II、及びIrppy3を共蒸着して、第1の発光層1113a上に第2の発光層1113bを形成した。ここで、mDBTPTp-II及びIrppy3の重量比は、1:0.06=mDBTPTp-II:Irppy3となるように調節した。また、第2の発光層1113bの膜厚は20nmとした。比較発光素子8本実施例における比較発光素子8は、発光層1113以外は、実施例15における比較発光素子7と同様の構成とした。比較発光素子8において、発光層1113は、上述の発光素子10と同様の構成とした。以上により得られた発光素子10及び比較発光素子8の素子構造を表16に示す。発光素子10及び比較発光素子8を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子10及び比較発光素子8は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、正孔注入層及び正孔輸送層以外は同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子10及び比較発光素子8において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表17に示す。発光素子10及び比較発光素子8の発光スペクトルを、図63に示す。図63において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子10及び比較発光素子8の電圧-輝度特性を図64、輝度-電流効率特性を図65にそれぞれ示す。図64では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図65では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。図63より、発光素子10及び比較発光素子8の発光スペクトルは、いずれも515nm付近にピークを有している。また、表17のCIE色度座標からも、発光素子10及び比較発光素子8は、Irppy3に由来する緑色の燐光発光が観測され、いずれの素子もキャリアバランスが良好であることがわかった。また、本実施例の発光素子10及び比較発光素子8は、緑色の燐光性化合物のホスト材料として、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用しており、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のT1準位が十分に高い少なくとも緑色の燐光性化合物よりも高いT1準位であることが確認された。また、図64、図65及び表17より、発光素子10は、比較発光素子8よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、比較発光素子8に用いたPCzPAのバンドギャップよりも、本実施例の発光素子10の正孔注入層及び正孔輸送層に適用したmPCzPTpのバンドギャップが広く、発光層からのエネルギー移動を生じにくいためと考えられる。またmPCzPTpのLUMO準位が十分に浅く、電子の抜けを抑えられたためと考えられる。また、図64、図65及び表17より、発光素子10及び比較発光素子8は、低電圧で駆動可能であることがわかった。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、発光効率の高い素子を実現できることが示された。これは本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位が十分浅く、発光層からの電子の抜けが抑制されているためと考えられる。また、HOMO準位が十分深く、発光層への正孔の注入性が良好であるためと考えられる。またバンドギャップが十分に広く、励起子のエネルギー移動による効率低下が抑えられたためと考えられる。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層および発光層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有するため、燐光発光材料のホスト材料として好適であることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を示す。以下に、本実施例の発光素子11の作製方法を説明する。また、本実施例で作製する発光素子の素子構造を、図29に示す。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。なお、先の実施例で示した構造式については、記載を省略する。発光素子11発光素子11において、第1の電極1101、電子注入層1115、及び第2の電極1103は、実施例9の発光素子1と同様に作製した。発光素子11では、第1の電極1101上に、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、50nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=BPAFLP:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、正孔注入層1111上に、BPAFLPを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光層1113は、実施例5で合成したmPCzPTpとトリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3とを共蒸着して形成した。ここで、mPCzPTp及びIrppy3の重量比は、1:0.08=mPCzPTp:Irppy3となるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。次いで、mPCzPTpを蒸着して、発光層1113上に第1の電子輸送層1114aを形成した。第1の電子輸送層1114aの膜厚は10nmとした。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。以上により得られた発光素子11の素子構造を表18に示す。発光素子11を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子11において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表19に示す。発光素子11の発光スペクトルを、図66に示す。図66において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子11の電圧-輝度特性を図67、輝度-電流効率特性を図68にそれぞれ示す。図67では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図68では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。図66より、発光素子11は、515nm付近にピークを有している。また、表19のCIE色度座標からも、発光素子11は、Irppy3に由来する緑色の燐光発光が観測され、キャリアバランスが良好であることがわかった。また、本実施例の発光素子11は、緑色の燐光性化合物のホスト材料として、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用しており、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のT1準位が十分に高い少なくとも緑色の燐光性化合物よりも高いT1準位であることが確認された。また、本実施例の発光素子11は、電子輸送材料として、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用しており、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物は電子輸送性が良好な材料であることがわかった。また、図67、図68及び表19より、発光素子11は、高効率の発光素子であることがわかった。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を発光素子の材料として適用することで、該発光素子を高効率の発光素子とすることが可能であることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有するため、燐光発光材料のホスト材料として好適であることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を示す。以下に、本実施例の発光素子12及び発光素子13の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。なお、既に構造式を示した有機化合物については記載を省略する。発光素子12発光素子12は、第1の電極1101、電子注入層1115、及び第2の電極1103は、実施例9の発光素子1と同様に作製した。発光素子12では、第1の電極1101上に、実施例1にて合成した3-[4-1-ナフチル-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPNと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、40nmとし、PCPNと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPN:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、正孔注入層1111上に、PCPNを20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光層1113は、2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIとジピバロイルメタナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2dpmとを共蒸着して形成した。ここで、2mDBTPDBq-II及びIrmppr-Me2dpmの重量比は、1:0.05=2mDBTPDBq-II:Irmppr-Me2dpmとなるように調節した。また、発光層1113の膜厚は30nmとした。次いで、2mDBTPDBq-IIを蒸着して、発光層1113上に第1の電子輸送層1114aを形成した。第1の電子輸送層1114aの膜厚は10nmとした。その後、第1の電子輸送層1114a上にバソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。発光素子13発光素子13は、発光層1113以外は、上述の発光素子12と同様に作製した。発光素子13において、発光層1113は、2mDBTPDBq-IIと、PCPNと、Irmppr-Me2dpmとを共蒸着して形成した。ここで、2mDBTPDBq-II、PCPN、及びIrmppr-Me2dpmの重量比は、0.7:0.3:0.05=2mDBTPDBq-II:PCPN:Irmppr-Me2dpmとなるように調節した。また、発光層1113の膜厚は30nmとした。以上により得られた発光素子12及び発光素子13の素子構造を表20に示す。発光素子12及び発光素子13を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子12及び発光素子13は、同一基板上に形成した。また、上記2つの発光素子において、発光層1113以外は、同時に形成し、動作特性の測定は同時に操作を行っている。発光素子12及び発光素子13において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表21に示す。発光素子12及び発光素子13の発光スペクトルを、図69に示す。図69において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子12及び発光素子13の電圧-輝度特性を図70、輝度-電流効率特性を図71、輝度-パワー効率特性を図72にそれぞれ示す。図70では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図71では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図72では、縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図69より、発光素子12及び発光素子13は、580nm付近にピークを有している。また、表21のCIE色度座標からも、発光素子12及び発光素子13は、Irmppr-Me2dpmに由来するオレンジ色の燐光発光が観測され、キャリアバランスが良好であることがわかった。また、本実施例の発光素子13は、オレンジ色の燐光性化合物のホスト材料として、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用しており、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のT1準位が十分に高い少なくともオレンジ色の燐光性化合物よりも高いT1準位であることが確認された。またいずれの素子も同等に低駆動電圧であることがわかった。また、図70、図71、図72及び表21より、発光素子12及び発光素子13は、高効率の発光素子であることがわかった。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を発光素子の材料として適用することで、該発光素子を高効率の発光素子とすることが可能であることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物は、広いバンドギャップを有するため、燐光発光材料のホスト材料として好適であることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層および発光層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。参考例以下に、本実施例で使用した発光素子用材料の合成方法の一例を示す。2mDBTPDBq-IIの合成例2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIの合成方法について説明する。合成スキームをR-1に示す。2L三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン5.3g20mmol、3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸6.1g20mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0460mg0.4mmol、トルエン300mL、エタノール20mL、2Mの炭酸カリウム水溶液20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を窒素気流下、100°Cで7.5時間攪拌した。室温まで冷ました後、得られた混合物を濾過して白色の濾物を得た。得られた濾物を水、エタノールの順でよくすすいだ後、乾燥させた。得られた固体を約600mLの温トルエンに溶かし、セライト、フロリジールを通して吸引濾過し、無色透明の濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。クロマトグラフィーは、温度約40°Cのトルエンを展開溶媒に用いて行った。ここで得られた固体にアセトンエタノールを加えて超音波を照射した後、生じた懸濁物を濾取して乾燥させたところ、目的物の白色粉末を収量7.85g、収率80で得た。上記目的物は、温トルエンには比較的可溶であったが、冷めると析出しやすい材料であった。また、アセトン、エタノールなど他の有機溶剤には難溶であった。そのため、この溶解性の差を利用して、上記の様に、簡便な方法で収率よく合成することができた。具体的には、反応終了後、室温に戻して析出させた固体を濾取することで、大部分の不純物を簡便に除くことができた。また、温トルエンを展開溶媒とした、温カラムクロマトグラフィーにより、析出しやすい目的物も簡便に精製することができた。得られた白色粉末4.0gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力5.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を300°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を3.5g、収率88で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.45-7.52m,2H、7.59-7.65m,2H、7.71-7.91m,7H、8.20-8.25m,2H、8.41d,J=7.8Hz,1H、8.65d,J=7.5Hz,2H、8.77-8.78m,1H、9.23dd,J=7.2Hz,1.5Hz,1H、9.42dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H、9.48s,1H。Irmppr-Me2dpmの合成例ジピバロイルメタナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2dpmの合成方法について説明する。合成スキームをR-2に示す。20mLの2-エトキシエタノールと、1.55gの複核錯体ジ-μ-クロロ-ビス[ビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII]略称:[Irmppr-Me2Cl]2、0.8mlのジピバロイルメタン及び、1.38gの炭酸ナトリウムを混合し、アルゴンバブリング下にて30分間マイクロ波を照射し、反応させた。反応後、反応溶液を室温まで放冷し、水を加えた。この混合溶液を有機層と水層に分液し、水層をジクロロメタンにて抽出した。有機層と、抽出溶液を合わせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥後、自然ろ過して、ろ液を濃縮乾固した。この固体をジクロロメタンとエタノールの混合溶媒で再結晶することで、赤色粉末を収率67で得た。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置CEM社製Discoverを用いた。核磁気共鳴分光法NMRによって、この化合物が目的物である有機金属錯体[Irmppr-Me2dpm]であることを確認した。得られた1HNMRデータを以下に示す。1H-NMR.δCDCl3:0.90s,1H,2.59s,6H,3.04s,6H,5.49s,1H,6.32dd,2H,6.70dt,2H,6.88dt,2H,7.86d,2H,8.19s,2H。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を示す。以下に、本実施例の発光素子14乃至発光素子17の作製方法を説明するなお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図29と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。なお、既に構造式を示した有機化合物については記載を省略する。発光素子14発光素子14は、発光層1113以外は、実施例18の発光素子12と同様に作製した。発光素子14において、発光層1113は、2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIと、4、4’-ジ1-ナフチル-4’’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBNBBと、ジピバロイルメタナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2dpmとを共蒸着して形成した。ここで、2mDBTPDBq-II、PCBNBB及びIrmppr-Me2dpmの重量比は、0.8:0.2:0.05=2mDBTPDBq-II:PCBNBB:Irmppr-Me2dpmとなるように調節した。また、発光層1113の膜厚は40nmとした。発光素子15発光素子15は、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は、上述の発光素子14と同様に作製した。発光素子15において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例2にて合成した3-4-9-フェナントリル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPPnと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、40nmとし、PCPPnと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPPn:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCPPnを20nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光素子16発光素子16は、正孔注入層1111以外は、上述の発光素子14と同様に作製した。発光素子16において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、9-[4-9―フェニルカルバゾール-3-イルフェニル]-10-フェニルアントラセン略称:PCzPAと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、40nmとし、PCzPAと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCzPA:酸化モリブデンとなるように調節した。発光素子17発光素子17は、正孔注入層1111以外は、上述の発光素子15と同様に作製した。発光素子17の正孔注入層1111は、上述の発光素子16と同様に作製した。以上により得られた発光素子14乃至発光素子17の素子構造を表22に示す。発光素子14乃至発光素子17を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子14乃至発光素子17は、同一基板上に形成した。また、上記4つの発光素子において、正孔注入層1111及び正孔輸送層1112以外は同時に形成し、かつ、動作特性の測定は同時に行っている。発光素子14乃至発光素子17において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表23に示す。発光素子14乃至発光素子17の発光スペクトルを、図73に示す。図73において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子14乃至発光素子17の電圧-輝度特性を図74、輝度-電流効率特性を図75、輝度-パワー効率特性を図76にそれぞれ示す。図74では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図75では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図76では、縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図73より、発光素子14乃至発光素子17は、580nm付近にピークを有している。また、表23のCIE色度座標からも、発光素子14乃至発光素子17は、Irmppr-Me2dpmに由来するオレンジ色の燐光発光が観測され、キャリアバランスが良好であることがわかった。また、図74、図75、図76及び表23より、発光素子14乃至発光素子17は、高効率の発光素子であることがわかった。また、正孔注入層1111に、本発明の一態様のカルバゾール化合物を含む層を適用した発光素子14及び発光素子15は、発光素子16及び発光素子17と比較して高い効率を示すことが分かった。またいずれの素子も同等に低駆動電圧であることがわかった。また、作製した発光素子14及至発光素子17の信頼性試験を行った。信頼性試験は、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、或る時間が経過する毎に輝度を測定した。信頼性試験によって得られた結果を図77に示す。図77において、横軸は通電時間hour、縦軸はそれぞれの時間における初期輝度に対する輝度の割合、すなわち規格化輝度を表す。図77より、発光素子14及至発光素子17は時間経過による輝度の低下が起こりにくく、長寿命であることがわかる。発光素子14は、190時間の駆動後でも初期輝度の87の輝度を保ち、発光素子15は、190時間の駆動後でも初期輝度の83の輝度を保ち、発光素子16は、190時間の駆動後でも初期輝度の81の輝度を保ち、発光素子17は、190時間の駆動後でも初期輝度の79の輝度を保っていた。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を発光素子の材料として適用することで、該発光素子を高効率の発光素子とすることが可能であることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、低駆動電圧の発光素子を実現できることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物を正孔注入層及び正孔輸送層に用いることで、長寿命の発光素子を実現できることが示された。本実施例では、本発明の一態様の発光素子の作製方法および素子特性の測定結果を比較発光素子の測定結果と共に示す。以下に、本実施例の発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9の作製方法を説明する。なお、本実施例で作製する発光素子の素子構造は、図62と同様である。また、本実施例で用いた有機化合物は、既に構造式を示した有機化合物であるため記載を省略する。発光素子18発光素子18において、正孔注入層1111、正孔輸送層1112及び発光層1113以外は、実施例14の発光素子8と同様に作製した。発光素子18において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例1で合成したPCPNと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCPNと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPN:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCPNを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光素子18において、発光層1113は、第1の電極1101側から、第1の発光層1113aと第2の発光層1113bを積層して形成した。第1の発光層1113aは、PCPNと、1,6FLPAPrnとを共蒸着して形成した。ここで、PCPN及び1,6FLPAPrnの重量比は、1:0.05=PCPN:1,6FLPAPrnとなるように調節した。また、第1の発光層1113aの膜厚は10nmとした。また、第2の発光層1113bは、CzPAと、1,6FLPAPrnとを共蒸着して形成した。ここで、CzPA及び1,6FLPAPrnの重量比は、1:0.05=CzPA:1,6FLPAPrnとなるように調整した。また、第2の発光層1113bの膜厚は、25nmとした。発光素子19発光素子19において、正孔注入層1111、正孔輸送層1112、及び第1の発光層1113a以外は、上述の発光素子18と同様に作製した。発光素子19において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、実施例2で合成したPCPPnと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCPPnと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCPPn:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCPPnを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。発光素子19において、第1の発光層1113aは、PCPPnと1,6FLPAPrnとを共蒸着して形成した。ここで、PCPPn及び1,6FLPAPrnの重量比は1:0.05=PCPPn:1,6FLPAPrnとなるように調整した。また、第1の発光層1113aの膜厚は10nmとした。比較発光素子9比較発光素子9において、正孔注入層1111、正孔輸送層1112、及び第1の発光層1113a以外は、上述の発光素子18と同様に作製した。比較発光素子9において、正孔注入層1111は、第1の電極1101上に、PCzPAと酸化モリブデンVIを共蒸着することで形成した。その膜厚は、50nmとし、PCzPAと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で4:2=PCzPA:酸化モリブデンとなるように調節した。次に、正孔注入層1111上に、PCzPAを10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層1112を形成した。比較発光素子9において、第1の発光層1113aは、PCzPAと1,6FLPAPrnとを共蒸着して形成した。ここで、PCzPA及び1,6FLPAPrnの重量比は1:0.05=PCzPA:1,6FLPAPrnとなるように調整した。また、第1の発光層1113aの膜厚は10nmとした。以上により得られた発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9の素子構造を表24に示す。発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、それぞれの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。なお、発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9は、同一基板上に形成した。また、上記3つの発光素子において、正孔注入層1111、正孔輸送層1112及び第1の発光層1113a以外は、同時に形成し、かつ、動作特性の測定は同時に行っている。発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9において、輝度1000cd/m2付近の時の電圧V、電流密度mA/cm2、CIE色度座標x、y、輝度、cd/m2、電流効率cd/A、パワー効率lm/W、外部量子効率を表25に示す。発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9の発光スペクトルを、図78に示す。図78において、横軸は波長nm、縦軸は発光強度任意単位を表す。また、発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9の電圧-輝度特性を図79、輝度-電流効率特性を図80、輝度-パワー効率特性を図81にそれぞれ示す。図79では縦軸に輝度cd/m2、横軸に電圧Vを示し、図80では、縦軸に電流効率cd/A、横軸に輝度cd/m2を示す。また、図81では、縦軸にパワー効率lm/W、横軸に輝度cd/m2を示す。図78より、発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9は、いずれも470nm付近にピークを有している。また、表25のCIE色度座標からも、発光素子18、発光素子19及び比較発光素子9は、1,6FLPAPrnに由来する青色の発光が観測され、キャリアバランスが良好であることがわかった。また、本実施例の発光素子18及び発光素子19は、青色の蛍光性化合物のホスト材料として、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用しており、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のS1準位が十分に高い少なくとも青色の蛍光性化合物よりも高いS1準位であることが確認された。特に、第1の発光層1113aに本発明の一態様に係るカルバゾール化合物を適用した、発光素子18および発光素子19は、比較発光素子9と比較して高い効率が得られている。これは、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のS1準位が十分に高いことを示している。また、図79乃至図81、及び表25より、発光素子18及び発光素子19は、比較発光素子9と同等に低電圧で駆動可能であり、且つ、比較発光素子9よりも高効率の発光素子であることがわかった。これは、本実施例の発光素子18及び発光素子19に適用した本発明の一態様のカルバゾール化合物のバンドギャップは、比較発光素子9に用いたPCzPAのバンドギャップよりも広いため、発光層と接する正孔輸送層の材料として用いた場合に、発光層からのエネルギー移動を効果的に抑制できるためと考えられる。また、本実施例の発光素子18及び発光素子19に適用した本発明の一態様のカルバゾール化合物のLUMO準位は、比較発光素子9に用いたPCzPAのLUMO準位よりも浅い絶対値が小さいため、発光層からの電子のもれによるキャリアの損失を抑制することができる。さらに、本実施例の発光素子18及び発光素子19に適用した本発明の一態様のカルバゾール化合物のHOMO準位は、比較発光素子9に用いたPCzPAのHOMO準位よりも深い絶対値が大きいため、発光層へ効果的にホール注入を行うことが可能である。また、いずれの素子も同等に低駆動電圧であるため、いずれの素子もキャリアの移動が良好であることがわかった。これは、本発明の一態様に係るカルバゾール化合物のキャリア輸送性が優れていることを示している。以上より、本発明の一態様のカルバゾール化合物を発光素子の材料として適用することで、該発光素子を高効率の発光素子とすることが可能であることが示された。また、本発明の一態様のカルバゾール化合物は、青色蛍光材料のホスト材料として適用可能であることが示された。本実施例では、一般式G1において、R1をフェニル基とし、R2を水素とし、α3をフェナントレニル基を置換基として有するビフェニルジイル基とし、Ar3をフェナントレニル基とした本発明の一態様のカルバゾール化合物である9-フェニル-9H-3-{4-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]フェニル}カルバゾール略称:Pn2BPPCを製造する例を示す。[ステップ1:9-[3-クロロ-5-フェナントレン-9-イルフェニル]フェナントレン略称:Cl-PPn2の合成法]200ml三口フラスコにて、1,3-ジブロモ-5-クロロベンゼン2.90g10.7mmol、9-フェナントレンボロン酸5.0g22.5mmol、酢酸パラジウムII50.6mg0.23mmol、トリo-トリルホスフィン207mg0.68mmol、トルエン70mL、エタノール7mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液20mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、85°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。更に、酢酸パラジウムII50.6mg0.23mmol、トリo-トリルホスフィン207mg0.68mmolを混合物へ加え、窒素雰囲気下、85°Cで7.5時間加熱撹拌し、その後、110°Cで7.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン300mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:5を用いた。得られたフラクションを濃縮し、トルエンとヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量3.11g、収率63で得た。上記合成法の反応スキームを下記F8-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.25だった。上記ステップ1で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.59-7.73m,11H、7.79s,2H、7.92d,J=7.81Hz,2H、8.06d,J=8.30Hz,2H、8.73d,J=8.30Hz,2H、8.79d,J=8.30Hz,2H。また、1HNMRチャートを図82A、Bに示す。なお、図82Bは、図82Aにおける7.00ppmから9.00ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である9-[3-クロロ-5-フェナントレン-9-イルフェニル]フェナントレン略称:Cl-PPn2が得られたことを確認した。[ステップ2:9-フェニル-9H-3-{4-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]フェニル]カルバゾール略称:Pn2BPPCの合成法]200mL三口フラスコにて、9-[3-クロロ-5-フェナントレン-9-イルフェニル]フェナントレン1.04g2.87mmol、3-9-フェニル-9H-カルバゾールフェニル-4-ボロン酸2.00g4.31mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム049.5mg0.09mmol、2’-ジシクロヘキシルホスフィノアセトフェノンエチレンケタール91.8mg0.24mmol、フッ化セシウムI1.31g8.61mmol、キシレン30mlの混合物を窒素雰囲気下、150°Cで12時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mlを加え、この混合液をアルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:5を用いた。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量1.9g、収率89で得た。上記合成法の反応スキームを下記F8-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.29だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.43d,J=3.4Hz,2H、7.46-7.50m,2H、7.60-7.99m,25H、8.19-8.23m,3H、8.41d,J=0.98Hz,1H、8.76d,J=8.30Hz,2H、8.82d,J=7.32Hz,2H。また、1HNMRチャートを図83A、Bに示す。なお、図83Bは、図83Aにおける7.00ppmから9.00ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である9-フェニル-9H-3-{4-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]フェニル}カルバゾール略称:Pn2BPPCが得られたことを確認した。なお、本実施例においては、反応基として塩素を有するフェナントレン化合物をカルバゾール化合物とカップリングさせる例を示したが、これに限られず、反応基としてヨウ素または臭素を有するフェナントレン化合物を用いてもよい。上記ステップ2に適用可能なフェナントレン化合物は、例えば、下記一般式I1で表すことができる。なお、下記一般式I1で表されるフェナントレン化合物は、反応基として臭素又はヨウ素を有する場合は、上記ステップ2と同様の反応でPn2BPPC略称を合成することができる。また、ステップ1中、フェナントレン-9-ボロン酸をトリハロゲン化ベンゼンに対して2:1で特異的に反応させたい場合は、これらボロン酸と反応するハロゲンの方がXのハロゲンよりも反応性が高いことが好ましい。そのため、ベンゼンのXが塩素の場合は、3位、5位のハロゲンは臭素またはヨウ素であることが好ましい。同じくベンゼンのXが臭素の場合は、3位、5位のハロゲンはヨウ素であることが好ましい。但し、一般式I1において、Xは、塩素、臭素またはヨウ素を表す。合成したPn2BPPCのトルエン溶液の吸収スペクトルを図84Aに、発光スペクトルを図84Bに示す。また、Pn2BPPCの薄膜の吸収スペクトルを図85Aに、発光スペクトルを図85Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図84及び図85において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では303nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は388nm励起波長340nmであった。また、薄膜の場合では306nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は417nm励起波長306nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すPn2BPPCは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。本実施例では、一般式G1のPn2BPPC略称において、α3のビフェニル基がカルバゾールの3位に対してパラ位で結合している4-ビフェニルトリイル基ため、信頼性が良好となり、好ましい。本実施例では、実施の形態1において構造式197で示す9-フェニル-9H-3-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]カルバゾール略称:Pn2PPCを製造する合成例を示す。[ステップ1:3-3,5-ジクロロフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPCl2の合成法]200ml三口フラスコにて、3-9-フェニル-9H-カルバゾールボロン酸5.0g22.1mmol、1-ブロモ-3,5-ジクロロベンゼン7.63g26.6mmol、酢酸パラジウムII58.4mg0.26mmol、トリo-トリルホスフィン237mg0.78mmol、トルエン98mL、エタノール10mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液32mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、80°Cで7時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応溶液にトルエン500mlを加え、この混合溶液の有機層をフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムトグラフィーによる精製を行った。このときクロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:10を用いた。得られたフラクションを濃縮し、ヘキサンを加えて超音波をかけた後、再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量9.09、収率100で得た。上記合成法の反応スキームを下記F9-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.43だった。上記ステップ1で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.26-7.34m,2H、7.40-7.53m,4H、7.57-7.67m,7H、8.20d,J=7.81Hz,1H、8.31d,J=0.98Hz,1H。また、1HNMRチャートを図86A、Bに示す。なお、図86Bは、図86Aにおける7.00ppmから8.50ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である3-3,5-ジクロロフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:PCPCl2が得られたことを確認した。[ステップ2:9-フェニル-9H-3-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]カルバゾール略称:Pn2PPCの合成法]200mL三口フラスコにて、9-フェナントレンボロン酸4.29g19.3mmol、3-3,5-ジクロロフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール3.0g7.73mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム086.3mg0.15mmol、2’-ジシクロヘキシルホスフィノアセトフェノンエチレンケタール166mg0.46mmol、フッ化セシウムI6.98g46mmol、キシレン30mlの混合物を窒素雰囲気下、120°Cで10時間加熱撹拌し、反応させた。また、更に9-フェナントレンボロン酸858mg3.87mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム086.3mg0.15mmol、2’-ジシクロヘキシルホスフィノアセトフェノンエチレンケタール166mg0.46mmolを加え、120°Cで8時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン500mLを加え、この混合液の有機層をアルミナ、セライトを通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。このとき、クロマトグラフィーの展開溶媒として、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:5を用いた。得られたフラクションを濃縮したところ、目的物の白色粉末を収量0.93g、収率18で得た。上記合成法の反応スキームを下記F9-2に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、目的物は0.18だった。上記ステップ2で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.41-7.643d,J=3.4Hz,2H、7.48-7.51d,J=8.30Hz,2H、7.60-8.05m,20H,8.15-8.18d,J=9.3Hz,2H、8.41d,J=0.98Hz,1H、8.79dd,J=8.3Hz,18.6Hz,4H。また、1HNMRチャートを図87A、Bに示す。なお、図87Bは、図87Aにおける7.00ppmから9.00ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である9-フェニル-9H-3-[3,5-ジフェナントレン-9-イルフェニル]カルバゾール略称:Pn2PPCが得られたことを確認した。なお、本実施例においては、反応基として塩素を有するカルバゾール化合物をフェナントレン化合物とカップリングさせる例を示したが、これに限られず、反応基としてヨウ素または臭素を有するカルバゾール化合物を用いてもよい。上記ステップ2に適用可能なカルバゾール化合物は、例えば、下記一般式I2で表すことができる。なお、下記一般式I2で表されるカルバゾール化合物は、反応基として臭素又はヨウ素を有する場合、上記ステップ2と同様の反応でPn2PPCを合成することができる。また、ステップ1中、9-フェニル-9H-カルバゾール-3-ボロン酸をトリハロゲン化ベンゼンに対して1:1で特異的に反応させたい場合は、これらボロン酸と反応するハロゲンの方がXのハロゲンよりも反応性が高いことが好ましい。そのため、1位と3位のベンゼンのXが塩素の場合は、5位のハロゲンは臭素またはヨウ素であることが好ましい。同じくベンゼンのXが臭素の場合は、5位のハロゲンはヨウ素であることが好ましい。但し、一般式I2において、Xは、塩素、臭素またはヨウ素を表す。合成したPn2PPCのトルエン溶液の吸収スペクトルを図88Aに、発光スペクトルを図88Bに示す。また、Pn2PPCの薄膜の吸収スペクトルを図89Aに、発光スペクトルを図89Bに示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルの測定には蛍光光度計株浜松ホトニクス製FS920を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルは、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを、薄膜については石英基板のスペクトルをそれぞれ差し引いた吸収スペクトルを示す。図88及び図89において横軸は波長nm、縦軸は強度任意単位を表す。トルエン溶液の場合では298nm付近に吸収のピークが見られ、最大発光波長は381nm励起波長311nmであった。また、薄膜の場合では303nm付近に吸収のピークがみられ、最大発光波長は409nm励起波長304nmであった。吸収スペクトルから、本実施例で示すPn2PPCは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。"