真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記真空槽内に露出する放出口からラジカルを放出するラジカル銃と、前記ターゲットの周囲の第一の雰囲気と、前記放出口の周囲の第二の雰囲気とを分離する分離部材と、前記第一、第二の雰囲気に露出する平坦な基板配置面を有し、前記基板配置面に基板が配置される基板配置部と、前記第一の雰囲気にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部と、前記第一、第二の雰囲気をそれぞれ真空排気する第一、第二の真空排気部と、を有し、前記基板配置部は、前記基板配置面に配置された基板を移動させて前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方に露出させるように構成され、前記基板が前記第一の雰囲気に露出したときに、前記基板表面に前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が到達し、前記基板が前記第二の雰囲気に露出したときに、前記基板表面に前記ラジカルが到達する成膜装置。前記基板配置部は、前記基板配置面に対して直角な回転軸線を中心に回転できるように構成され、前記基板配置部が前記回転軸線を中心に回転すると、前記基板配置面に配置された基板は前記回転軸線を中心に旋回移動して前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方の雰囲気に露出される請求項1記載の成膜装置。前記基板配置面と前記分離部材に設けられた開口の周囲との間には隙間が設けられ、前記隙間は20mm以下である請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の成膜装置。前記第一の雰囲気の体積は前記第二の雰囲気の体積より小さい請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の成膜装置。前記ターゲットはGaを含有し、前記ラジカルはNを含有する請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の成膜装置。真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記真空槽内に露出する放出口からラジカルを放出するラジカル銃と、前記ターゲットの周囲の第一の雰囲気と、前記放出口の周囲の第二の雰囲気とを分離する分離部材と、前記第一、第二の雰囲気に露出する平坦な基板配置面を有し、前記基板配置面に基板が配置される基板配置部と、前記第一の雰囲気にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部と、前記第一、第二の雰囲気をそれぞれ真空排気する第一、第二の真空排気部と、を有し、前記基板配置部は、前記基板配置面に配置された基板を移動させて前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方に露出させるように構成された成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板を前記第一の雰囲気に露出させ、前記基板表面に前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子を到達させ、前記基板を前記第二の雰囲気に露出させ、前記基板表面に前記ラジカルを到達させ、前記基板表面で前記スパッタ粒子を前記ラジカルと反応させる成膜方法。前記第一の雰囲気の圧力を前記第二の雰囲気の圧力より大きくする請求項6記載の成膜方法。前記基板を前記第一、第二の雰囲気に繰り返し露出させ、前記基板表面に薄膜を成長させる請求項6又は請求項7のいずれか1項記載の成膜方法。前記ターゲットはGaを含有し、前記ラジカルはNを含有する請求項6乃至請求項8のいずれか1項記載の成膜方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、同一の真空槽内で結晶構成元素の割合を制御して結晶性のよい半導体膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供することにある。本発明者らは、ラジカルを使用した窒化に注目し、ラジカル銃の動作圧力は102Pa台であるため、スパッタのプロセス圧力である101Pa台とは差があり、MBEのように同一プロセスでは実施できない代わりに、スパッタカソード雰囲気を作動排気することにより、ラジカル銃による窒化とGa成膜とを同一真空槽内で実施することが可能となり、上記目的を達成できることを見出した。係る知見に基づいて成された本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記真空槽内に露出する放出口からラジカルを放出するラジカル銃と、前記ターゲットの周囲の第一の雰囲気と、前記放出口の周囲の第二の雰囲気とを分離する分離部材と、前記第一、第二の雰囲気に露出する平坦な基板配置面を有し、前記基板配置面に基板が配置される基板配置部と、前記第一の雰囲気にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部と、前記第一、第二の雰囲気をそれぞれ真空排気する第一、第二の真空排気部と、を有し、前記基板配置部は、前記基板配置面に配置された基板を移動させて前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方に露出させるように構成され、前記基板が前記第一の雰囲気に露出したときに、前記基板表面に前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子が到達し、前記基板が前記第二の雰囲気に露出したときに、前記基板表面に前記ラジカルが到達する成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記基板配置部は、前記基板配置面に対して直角な回転軸線を中心に回転できるように構成され、前記基板配置部が前記回転軸線を中心に回転すると、前記基板配置面に配置された基板は前記回転軸線を中心に旋回移動して前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方の雰囲気に露出される成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記基板配置面と前記分離部材に設けられた開口の周囲との間には隙間が設けられ、前記隙間は20mm以下である成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記第一の雰囲気の体積は前記第二の雰囲気の体積より小さい成膜装置である。本発明は成膜装置であって、前記ターゲットはGaを含有し、前記ラジカルはNを含有する成膜装置である。本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記真空槽内に露出する放出口からラジカルを放出するラジカル銃と、前記ターゲットの周囲の第一の雰囲気と、前記放出口の周囲の第二の雰囲気とを分離する分離部材と、前記第一、第二の雰囲気に露出する平坦な基板配置面を有し、前記基板配置面に基板が配置される基板配置部と、前記第一の雰囲気にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部と、前記第一、第二の雰囲気をそれぞれ真空排気する第一、第二の真空排気部と、を有し、前記基板配置部は、前記基板配置面に配置された基板を移動させて前記第一の雰囲気又は前記第二の雰囲気のいずれか一方に露出させるように構成された成膜装置を用いた成膜方法であって、前記基板を前記第一の雰囲気に露出させ、前記基板表面に前記ターゲットから放出されたスパッタ粒子を到達させ、前記基板を前記第二の雰囲気に露出させ、前記基板表面に前記ラジカルを到達させ、前記基板表面で前記スパッタ粒子を前記ラジカルと反応させる成膜方法である。本発明は成膜方法であって、前記第一の雰囲気の圧力を前記第二の雰囲気の圧力より大きくする成膜方法である。本発明は成膜方法であって、前記基板を前記第一、第二の雰囲気に順に繰り返し露出させ、前記基板表面に薄膜を成長させる成膜方法である。本発明は成膜方法であって、前記ターゲットはGaを含有し、前記ラジカルはNを含有する成膜方法である。スパッタ雰囲気である第一の雰囲気とラジカル雰囲気である第二の雰囲気とが分離され、スパッタ雰囲気中に反応ガスが流入しづらいため、薄膜中の結晶構成元素の割合例えばN/Gaの比を正確に制御でき、結晶性のよい半導体膜を得ることができる。<成膜装置の構造>本発明の成膜装置の構造を説明する。図1は本発明の成膜装置10の内部構成図である。本発明の成膜装置10は、真空槽11と、真空槽11内に配置されたターゲット21と、真空槽11内に露出する放出口32からラジカルを放出するラジカル銃31と、ターゲット21の周囲の第一の雰囲気20と、放出口32の周囲の第二の雰囲気30とを分離する分離部材12と、第一、第二の雰囲気20、30に露出する平坦な基板配置面15を有し、基板配置面15に基板が配置される基板配置部14と、第一の雰囲気20にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部26と、第一、第二の雰囲気20、30をそれぞれ真空排気する第一、第二の真空排気部25、35とを有している。符号41は基板配置面15に配置された基板を示している。ターゲット21はここではGaを含有する物質であり、例えばGaと、GaNのうちいずれか一方の物質又は両方の物質である。またGa又はGaNに、In、Al、Mg、Si等の添加金属が添加された物質を用いても良い。真空槽11内にはカソード電極22が配置され、ターゲット21はカソード電極22上に配置されている。なお、ターゲット21がGaの場合には、溶けて液状ターゲットになるため、ターゲット21は皿状の容器不図示に入れられてカソード電極22上に配置されている。カソード電極22にはターゲット用電源23が電気的に接続されている。分離部材12はここでは中空の容器であり、真空槽11内に配置され、上方を向いた面には開口18が設けられている。ターゲット21は、表面を上方に向けた状態で、分離部材12の中空の部分に配置されている。スパッタガス供給部26は分離部材12の中空の部分に接続され、ターゲット21の周囲の第一の雰囲気20にスパッタガスを供給できるようになっている。スパッタガスは例えばArガスである。スパッタガス供給部26から第一の雰囲気20にスパッタガスが供給され、ターゲット用電源23からカソード電極22に電圧RF、AC又はDC電圧が印加されると、スパッタガスはプラズマ化され、プラズマ中のイオンがターゲット21の表面に入射して、ターゲット21の表面がスパッタされ、スパッタ粒子が放出されるようになっている。ラジカル銃31には、例えば、特開2003-068656号公報に記載されたプラズマ源が用られる。符号38はラジカル銃31に反応ガスを供給する反応ガス供給部を示している。反応ガスはここではNを含むガスであり、例えばN2ガスと、NH3ガスのうちいずれか一方のガス又は両方の混合ガスである。基板配置部14は平坦な基板配置面15を下方に向けた状態で分離部材12の上方に配置され、基板配置面15の少なくとも一部は分離部材12に設けられた開口18を覆って第一の雰囲気20に露出され、他の一部は第二の雰囲気30に露出されている。基板配置面15と分離部材12に設けられた開口18の周囲との間には隙間19が設けられ、隙間19の基板配置面15に対して直角な方向の長さは20mm以下である。すなわち、第一、第二の雰囲気20、30は基板配置面15に対して直角な方向の長さが20mm以下の通路で接続されている。20mmより大きいと、隙間19のコンダクタンスが大きく、放出口32から第二の雰囲気30に放出された反応ガスが隙間19を通って第一の雰囲気20に流入するという不都合がある。第一の真空排気部25は分離部材12の中空の部分に接続され、第二の真空排気部35は真空槽11に接続されており、第一、第二の真空排気部25、35は第一、第二の雰囲気20、30をそれぞれ個別に真空排気できるようにされている。第一、第二の真空排気部25、35を動作させて第一、第二の雰囲気20、30をそれぞれ個別に真空排気すると、基板配置面15と開口18の周囲との間の隙間19のコンダクタンスにより、第一、第二の雰囲気20、30にそれぞれ異なる圧力の真空雰囲気が形成できるようになっている。なお、図1の図面上では、第一、第二の真空排気部25、35は別々の真空ポンプで構成されているが、同一の真空ポンプで構成されていてもよい。本実施形態では、基板配置部14にはモーター16が接続されており、モーター16から動力を受けると、基板配置部14は、基板配置面15に対して直角な回転軸線17を中心に回転できるように構成されている。基板配置面15のうち回転軸線17から離間した位置に基板41が配置された状態で、基板配置部14が回転軸線17を中心に回転すると、基板41は回転軸線17を中心に旋回移動して第一の雰囲気20又は第二の雰囲気30のいずれか一方に露出されるようになっている。基板配置部14の回転軸線17は基板配置面15に対して直角に向けられており、基板配置部14を回転させても、基板配置面15と開口18の周囲との間の隙間19の基板配置面15に対して直角な方向の長さは変わらない。なお、基板配置部14は、基板配置面15に配置された基板41を移動させて第一、第二の雰囲気20、30のいずれか一方に露出させるように構成されているならば、上記構成に限定されず、例えば基板配置面15と平行な直線上を往復移動して、基板配置面15に配置された基板41表面が第一、第二の雰囲気20、30のいずれか一方に露出するように構成されていてもよい。なお、分離部材12は、第一、第二の雰囲気20、30を互いに分離し、かつ基板配置面15と開口18の周囲との間の隙間19のコンダクタンスが反応ガスの流入を妨げるほど小さいならば、上述のような容器状に限定されず、図2に示すように端部が真空槽11の壁面に密着された壁で構成され、すなわち分離部材12の壁と真空槽11の壁面とで中空の容器が構成されていてもよい。ただし、第一の雰囲気20の体積が第二の雰囲気30の体積より小さい方が、第一の雰囲気20に露出する壁面にスパッタ粒子が付着しても第二の雰囲気30に露出する壁面より表面積が小さくて洗浄が容易なために好ましい。<成膜方法>上述の成膜装置10を用いた成膜方法を説明する。準備工程まず、第一、第二の真空排気部25、35により、第一、第二の雰囲気20、30をそれぞれ真空排気して真空雰囲気を形成する。以後、第一、第二の雰囲気20、30の真空排気を継続して、真空雰囲気を維持する。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽11内に基板41を搬入し、基板配置面15のうち回転軸線17から離間した位置に配置する。基板41はここではサファイア基板である。基板配置部14には不図示のヒーターが設けられている。ヒーターを発熱させて基板41をここでは500°C以上1000°C以下に加熱する。以後、基板41の加熱を継続する。成長工程基板配置部14を回転軸線17を中心に回転させて、基板41を連続して旋回移動させ、基板41表面を第一の雰囲気20と第二の雰囲気30に順に繰り返し露出させる。以後、基板41の旋回移動を継続する。第一の雰囲気20にスパッタガスをここでは20sccmの流量で供給し、プラズマを生成して、ターゲット21表面をスパッタする。また、ラジカル銃31にNを含む反応ガスをここでは2sccmの流量で供給し、プラズマを生成して、放出口32から第二の雰囲気30にNを含むラジカルを放出させる。ここでは、第二の雰囲気30の圧力を第一の雰囲気20の圧力より小さくしておく。例えば第二の雰囲気30の圧力を0.05Paにし、第一の雰囲気の圧力を0.1Paにする。基板41表面が第一の雰囲気20に露出するときには、ターゲット21表面から放出されたスパッタ粒子は、分離部材12の開口18を通過して、基板41表面に到達する。一方、基板41表面が第二の雰囲気30に露出するときには、放出口32から放出されたラジカルが基板41表面に到達する。第二の雰囲気30の圧力は第一の雰囲気20の圧力より小さく、放出されたラジカルは不純物ガスと衝突して消失することなく効率よく基板41表面に到達し、基板41の表面でスパッタ粒子はラジカルと反応して窒化され、GaN結晶の薄膜が生成される。本発明ではNを含むラジカルにより窒化するため、Nを含むイオンにより窒化する方法とは異なり、イオンの侵入により結晶がダメージを受けることはなく、結晶性のよい薄膜が得られる。ここでは基板41表面が第一の雰囲気20に一回露出している間に基板41表面に堆積するスパッタ粒子の膜厚を1原子層未満から数原子層9原子層以下でコントロールでき、薄膜中の各原子はそれぞれ第二の雰囲気30に露出してラジカルと容易に反応することができる。そのため、薄膜中のN/Gaの比を容易に制御できる。本発明では第一、第二の雰囲気20、30は分離部材12により分離され、開口18の周囲と基板配置面15との間の隙間19のコンダクタンスは反応ガスの流入を妨げるように設計されており、放出口32から第二の雰囲気30に放出された反応ガスが隙間19を通って第一の雰囲気20に流入することが少ない。さらに、第一の雰囲気20の圧力は第二の雰囲気30の圧力より大きくされており、第二の雰囲気30の反応ガスは、より第一の雰囲気20に流入しづらくなっている。従って、ターゲット21のスパッタ中にターゲット21の表面又は基板41に反応ガスが到達することが少なく、N/Gaの比を正確に制御でき、結晶性のよい薄膜が得られる。Ga成膜とラジカル窒素による窒化とを連続して複数回繰り返して、所望の膜厚に成長させた後、ターゲット21とラジカル銃31の放電を停止して、GaN結晶の成長を終了する。真空槽11内の真空雰囲気を維持しながら、基板41を真空槽11の外側に搬出する。なお、上述の説明では基板41を中心軸線17を中心に連続して旋回移動させたが、成膜レートによっては、基板41が第一、第二の雰囲気20、30に露出する都度旋回移動を一時停止させてもよい。<実施例>上述の成膜方法によりGaN結晶の薄膜を形成した。ただし、ターゲットにはGaを使用し、反応ガスにはN2ガスを使用し、スパッタガスにはArガスを使用した。図3は形成した薄膜の電子顕微鏡写真である。結晶性のよいGaNが得られたことが分かる。<比較例>真空槽内にGaターゲットを配置し、N2ガスとArガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタしてGaN結晶の薄膜を形成した。図4は形成した薄膜の電子顕微鏡写真である。結晶性のよいGaNが得られなかったことが分かる。