"下記式Aで表わされる重合体。式中、Pは下記式Pで表わされる化合物に由来する基である。Lは連結基である。aは、2~5の整数であり、Paは、Pがa個連続して結合していることを表わす。a個のPはそれぞれ独立であり、また、P同士の結合位置は限定されない。bは、0~5の整数であり、bが2以上である場合、Lbは、Lがb個連続して結合していることを表わす。この場合、b個のLはそれぞれ独立であり、L同士が結合する位置は限定されない。また、bが0の場合、Lは単結合を表わす。式Aにおいて、PとLのそれぞれの結合位置は限定されない。mは、繰り返し単位である。Y1及びY2は、それぞれ独立に、架橋性基である。式中、Aはそれぞれ独立に、窒素原子又は-CR-である。Xは、単結合、-O-、-S-、-CR2-、又は-NR-である。Rは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。Pが置換もしくは無置換のカルバゾール残基である請求項1に記載の重合体。Paが、a個連続して結合している置換もしくは無置換のカルバゾール残基であって、隣接するカルバゾール残基が、それぞれ3位-3’位、3位-2’位、又は2位-2’位で互いに結合している請求項1又は2に記載の重合体。Paが、a個連続して結合している置換もしくは無置換のカルバゾール残基であって、Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の9位、3位又は2位で結合する請求項1~3のいずれかに記載の重合体。前記aが2又は3である請求項1~4のいずれかに記載の重合体。下記式1~7のいずれかで表わされる請求項1~5のいずれかに記載の重合体。式中、R1~R19は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。lは、0又は1の整数である。Y1、Y2、L及びmは、式Aと同様である。前記式1~7において、R1及びR2の少なくとも1つ、R3~R5の少なくとも1つ、R6及びR7の少なくとも1つ、R8~R10の少なくとも1つ、R11~R13の少なくとも1つ、R14~R16の少なくとも1つ、並びにR17~R19の少なくとも1つが下記式8~12で表わされる基から選択される基である請求項6に記載の重合体。式中、R20~R32は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7~40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。a、c、d、f、g、及びiは、それぞれ独立に、0~4の整数である。b、e及びhは、それぞれ独立に、0~3の整数である。T1~T5は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素環基又は環形成原子数3~30の芳香族複素環基である。Y1及びY2が、それぞれ下記式13~24で表わされる基から選択される基である請求項1~7のいずれかに記載の重合体。請求項1~8のいずれかに記載の重合体及び溶媒を含む塗布液。前記溶媒の少なくとも1種が有機溶媒である請求項9に記載の塗布液。請求項9又は10に記載の塗布液を用いて湿式成膜する電子素子の製造方法。前記電子素子が、電界発光素子、光電変換素子又はトランジスタである請求項11に記載の電子素子の製造方法。前記電子素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項11又は12に記載の電子素子の製造方法。陽極と陰極と、前記陽極と陰極の間に、発光層を含む1層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が請求項1~8のいずれかに記載の重合体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機薄膜層の少なくとも1層が正孔注入層又は正孔輸送層である請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記正孔注入層又は正孔輸送層が発光層と接している請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記発光層が湿式成膜法により成膜された請求項14~16のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の目的は、塗布法による薄膜の形成に適し、有機エレクトロニクス用材料として好適な架橋型重合体を提供することである。本発明によれば、以下の架橋型重合体等が提供される。1.下記式Aで表わされる重合体。式中、Pは下記式Pで表わされる化合物に由来する基である。Lは連結基である。aは、2~5の整数であり、Paは、Pがa個連続して結合していることを表わす。a個のPはそれぞれ独立であり、また、P同士の結合位置は限定されない。bは、0~5の整数であり、bが2以上である場合、Lbは、Lがb個連続して結合していることを表わす。この場合、b個のLはそれぞれ独立であり、L同士が結合する位置は限定されない。また、bが0の場合、Lは単結合を表わす。式Aにおいて、PとLのそれぞれの結合位置は限定されない。mは、繰り返し単位である。Y1及びY2は、それぞれ独立に、架橋性基である。式中、Aはそれぞれ独立に、窒素原子又は-CR-である。Xは、単結合、-O-、-S-、-CR2-、又は-NR-である。Rは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。2.Pが置換もしくは無置換のカルバゾール残基である1に記載の重合体。3.Paが、a個連続して結合している置換もしくは無置換のカルバゾール残基であって、隣接するカルバゾール残基が、それぞれ3位-3’位、3位-2’位、又は2位-2’位で互いに結合している1又は2に記載の重合体。4.Paが、a個連続して結合している置換もしくは無置換のカルバゾール残基であって、Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の9位、3位又は2位で結合する1~3のいずれかに記載の重合体。5.前記aが2又は3である1~4のいずれかに記載の重合体。6.下記式1~7のいずれかで表わされる1~5のいずれかに記載の重合体。式中、R1~R19は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。lは、0又は1の整数である。Y1、Y2、L及びmは、式Aと同様である。7.前記式1~7において、R1及びR2の少なくとも1つ、R3~R5の少なくとも1つ、R6及びR7の少なくとも1つ、R8~R10の少なくとも1つ、R11~R13の少なくとも1つ、R14~R16の少なくとも1つ、並びにR17~R19の少なくとも1つが下記式8~12で表わされる基から選択される基である6に記載の重合体。式中、R20~R32は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7~40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。a、c、d、f、g、及びiは、それぞれ独立に、0~4の整数である。b、e及びhは、それぞれ独立に、0~3の整数である。T1~T5は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素環基又は環形成原子数3~30の芳香族複素環基である。8.Y1及びY2が、それぞれ下記式13~24で表わされる基から選択される基である1~7のいずれかに記載の重合体。9.1~8のいずれかに記載の重合体及び溶媒を含む塗布液。10.前記溶媒の少なくとも1種が有機溶媒である9に記載の塗布液。11.9又は10に記載の塗布液を用いて湿式成膜する電子素子の製造方法。12.前記電子素子が、電界発光素子、光電変換素子又はトランジスタである11に記載の電子素子の製造方法。13.前記電子素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子である11又は12に記載の電子素子の製造方法。14.陽極と陰極と、前記陽極と陰極の間に、発光層を含む1層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が1~8のいずれかに記載の重合体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。15.前記有機薄膜層の少なくとも1層が正孔注入層又は正孔輸送層である14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。16.前記正孔注入層又は正孔輸送層が発光層と接している15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。17.前記発光層が湿式成膜法により成膜された14~16のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明によれば、塗布法による薄膜の形成に適し、有機エレクトロニクス用材料として好適な架橋型重合体が提供できる。[架橋型重合体]本発明の重合体は、下記式Aで表わされる重合体である。式中、Pは下記式Pで表わされる化合物に由来する基である。Lは連結基であり、好ましくはそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基、、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30の芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアリールアミン残基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である;又は、これらの基を2以上連結した基である。この場合、各基は同一でも異なっていてもよい。aは、2~5の整数であり、Paは、Pがa個連続して結合していることを表わす。a個のPはそれぞれ独立であり、また、P同士の結合位置は限定されない。bは、0~5の整数であり、Lbは、bが2以上である場合、Lがb個連続して結合していることを表わす。この場合、b個のLはそれぞれ独立であり、L同士が結合する位置は限定されない。また、bが0の場合、Lは単結合を表わす。式Aにおいて、PとLのそれぞれの結合位置は限定されない。mは、繰り返し単位である。Y1及びY2は、それぞれ独立に、架橋性基である。式中、Aはそれぞれ独立に、窒素原子又は-CR-である。Xは、単結合、-O-、-S-、-CR2-、又は-NR-である。Rは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。本発明の重合体は、主鎖に含窒素環を含み、当該含窒素環への置換基導入数及び置換位置の選択性が広い重合体である。一方で、重合体自体は、分子量が数万レベルであるため、容易に硬化し、架橋基が材料物性低下へ影響を与えない。また、その選択性の広さから得られる硬化膜の平坦性、密着性、及び電子物性を容易に調節可能で、重合体自身の正孔注入性を向上させることができる。式Aにおいて、Pは好ましくは置換若しくは無置換カルバゾール残基であり、より好ましくは、Paが、a個連続して結合している置換もしくは無置換のカルバゾール残基であって、隣接するカルバゾール残基が、それぞれ3位-3’位、3位-2’位、又は2位-2’位で互いに結合している;及び/又は、Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の9位、3位又は2位で結合している。上記において、隣接するカルバゾール残基が、3位-3’位で結合するとは以下の場合であり;隣接するカルバゾール残基が、3位-2’位で結合するとは以下の場合であり;隣接するカルバゾール残基が、2位-2’位で結合するとは以下の場合である:同様に、上記において、Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の9位で結合しているとは以下の場合であり;上記において、LとNの間のRは水素原子であって、Lがカルバゾール残基の9位で結合することによって、Rは単結合となっている。Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の3位で結合しているとは以下の場合であり;Lと結合するカルバゾール残基が、Lとカルバゾール残基の2位で結合しているとは以下の場合である:式Aにおいて、aは好ましくは2又は3である。本発明の重合体は好ましくは下記式1~7のいずれかで表わされる重合体である。式中、R1~R19は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアリールアミノ基、又は置換もしくは無置換のアリールシリル基である。lは、0又は1の整数である。Y1、Y2、L及びmは、式Aと同様である。上記式1~7で表わされる重合体は、好ましくはR1及びR2の少なくとも1つ、R3~R5の少なくとも1つ、R6及びR7の少なくとも1つ、R8~R10の少なくとも1つ、R11~R13の少なくとも1つ、R14~R16の少なくとも1つ、並びにR17~R19の少なくとも1つが下記式8~12で表わされる基から選択される基である。カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格等を含む置換基は、本発明の重合体からなる層と隣接層との膜密着性を向上させることができる。式中、R20~R32は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7~40のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシル基である。a、c、d、f、g、及びiは、それぞれ独立に、0~4の整数である。b、e及びhは、それぞれ独立に、0~3の整数である。R26は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~20のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基である。T1~T5は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50の芳香族炭化水素環基又は環形成原子数3~30の芳香族複素環基である。本発明の重合体のY1及びY2は架橋性基である。本発明の架橋性基は、公知の不飽和二重結合やエポキシ基、オキタセン等の熱、光、酸、電子線等により架橋性能を有する部分を有する基を広く含み、例えば以下の101~115が挙げられる。式中、nは0~10の整数である。RXは、それぞれ水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。アルキル基としては、炭素数1~20のアルキル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基である。RYは、それぞれ水素原子、アルキル基、アミノ基、アリール基、ハロゲン原子、アミド基又はカルボニル基である。アルキル基としては、炭素数1~20のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数1~4のアルキル基である。Y1及びY2は、好ましくはそれぞれ下記式13~24で表わされる架橋性基である。以下、本発明の重合体の各置換基について説明する。尚、本願の水素原子は、重水素原子及び三重水素原子も含む。また、環形成炭素とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味し、環形成原子とはヘテロ環飽和環、不飽和環、及び芳香環を含むを構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。置換又は無置換の炭素数1~20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基、n-ウンデカニル基、n-ドデカニル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシイソブチル基、1,2-ジヒドロキシエチル基、1,3-ジヒドロキシイソプロピル基、2,3-ジヒドロキシ-t-ブチル基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基が挙げられる。アルキレン基アルカン残基としては、上述のアルキル基に対応する残基が挙げられる。置換又は無置換の環形成炭素数3~10のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、4-フルオロシクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、1-ノルボルニル基、2-ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。シクロアルキレン基シクロアルカン残基としては、上述のシクロアルキル基に対応する残基が挙げられる。置換又は無置換の環形成炭素数6~50好ましくは6~30のアリール基1価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、ビフェニル-2-イル基、ビフェニル-3-イル基、ビフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、p-2-フェニルプロピルフェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェニル-4-イル基、4-t-ブチル-p-ターフェニル-4-イル基、フルオレン-1-イル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基、フルオレン-4-イル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、ビフェニル-2-イル基、ビフェニル-3-イル基、ビフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基であり、より好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、m-トリル基、p-トリル基、フルオレン-2-イル基、フルオレン-3-イル基である。芳香族炭化水素環基の2価以上の基としては、上述したアリール基から水素原子を除くことにより導かれる基が挙げられる。置換又は無置換の環形成原子数3~30のヘテロアリール基1価の芳香族複素環基としては、1-ピロリル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、ピラジニル基、2-ピリジニル基、3-ピリジニル基、4-ピリジニル基、1-インドリル基、2-インドリル基、3-インドリル基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-インドリル基、7-インドリル基、1-イソインドリル基、2-イソインドリル基、3-イソインドリル基、4-イソインドリル基、5-イソインドリル基、6-イソインドリル基、7-イソインドリル基、2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフラニル基、3-ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラニル基、5-ベンゾフラニル基、6-ベンゾフラニル基、7-ベンゾフラニル基、1-イソベンゾフラニル基、3-イソベンゾフラニル基、4-イソベンゾフラニル基、5-イソベンゾフラニル基、6-イソベンゾフラニル基、7-イソベンゾフラニル基、2-ジベンゾフラニル基、4-ジベンゾフラニル基、キノリル基、3-キノリル基、4-キノリル基、5-キノリル基、6-キノリル基、7-キノリル基、8-キノリル基、1-イソキノリル基、3-イソキノリル基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、6-イソキノリル基、7-イソキノリル基、8-イソキノリル基、2-キノキサリニル基、5-キノキサリニル基、6-キノキサリニル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、1-フェナントリジニル基、2-フェナントリジニル基、3-フェナントリジニル基、4-フェナントリジニル基、6-フェナントリジニル基、7-フェナントリジニル基、8-フェナントリジニル基、9-フェナントリジニル基、10-フェナントリジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリジニル基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル基、9-アクリジニル基、1,7-フェナントロリン-2-イル基、1,7-フェナントロリン-3-イル基、1,7-フェナントロリン-4-イル基、1,7-フェナントロリン-5-イル基、1,7-フェナントロリン-6-イル基、1,7-フェナントロリン-8-イル基、1,7-フェナントロリン-9-イル基、1,7-フェナントロリン-10-イル基、1,8-フェナントロリン-2-イル基、1,8-フェナントロリン-3-イル基、1,8-フェナントロリン-4-イル基、1,8-フェナントロリン-5-イル基、1,8-フェナントロリン-6-イル基、1,8-フェナントロリン-7-イル基、1,8-フェナントロリン-9-イル基、1,8-フェナントロリン-10-イル基、1,9-フェナントロリン-2-イル基、1,9-フェナントロリン-3-イル基、1,9-フェナントロリン-4-イル基、1,9-フェナントロリン-5-イル基、1,9-フェナントロリン-6-イル基、1,9-フェナントロリン-7-イル基、1,9-フェナントロリン-8-イル基、1,9-フェナントロリン-10-イル基、1,10-フェナントロリン-2-イル基、1,10-フェナントロリン-3-イル基、1,10-フェナントロリン-4-イル基、1,10-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-1-イル基、2,9-フェナントロリン-3-イル基、2,9-フェナントロリン-4-イル基、2,9-フェナントロリン-5-イル基、2,9-フェナントロリン-6-イル基、2,9-フェナントロリン-7-イル基、2,9-フェナントロリン-8-イル基、2,9-フェナントロリン-10-イル基、2,8-フェナントロリン-1-イル基、2,8-フェナントロリン-3-イル基、2,8-フェナントロリン-4-イル基、2,8-フェナントロリン-5-イル基、2,8-フェナントロリン-6-イル基、2,8-フェナントロリン-7-イル基、2,8-フェナントロリン-9-イル基、2,8-フェナントロリン-10-イル基、2,7-フェナントロリン-1-イル基、2,7-フェナントロリン-3-イル基、2,7-フェナントロリン-4-イル基、2,7-フェナントロリン-5-イル基、2,7-フェナントロリン-6-イル基、2,7-フェナントロリン-8-イル基、2,7-フェナントロリン-9-イル基、2,7-フェナントロリン-10-イル基、1-フェナジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノチアジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジニル基、4-フェノチアジニル基、10-フェノチアジニル基、1-フェノキサジニル基、2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル基、4-フェノキサジニル基、10-フェノキサジニル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オキサゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オキサジアゾリル基、3-フラザニル基、2-チエニル基、3-チエニル基、2-メチルピロール-1-イル基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチルピロール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基、3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピロール-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-メチルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール-4-イル基、3-2-フェニルプロピルピロール-1-イル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1-インドリル基、2-メチル-3-インドリル基、4-メチル-3-インドリル基、2-t-ブチル-1-インドリル基、4-t-ブチル-1-インドリル基、2-t-ブチル-3-インドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基、2-チエニル気、3-チエニル基、2-ベンゾチオフェニル基、3-チオフェニル基、4-チオフェニル基、5-チオフェニル基、6-チオフェニル基、7-チオフェニル基、1-イソチオフェニル基、3-イソチオフェニル基、4-イソチオフェニル基、5-イソチオフェニル基、6-イソチオフェニル基、7-イソチオフェニル基、2-ジベンゾチオフェニル基、4-ジベンゾチオフェニル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは1-ピロリル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、2-ジベンゾフラニル基、4-ジベンゾフラニル基、2-ジベンゾチオフェニル基、4-ジベンゾチオフェニル基である。芳香族複素環基の2価以上の基としては、上述したヘテロアリール基から水素原子を除くことにより導かれる基が挙げられる。置換アミノ基としては、置換もしくは無置換のモノもしくはジアルキルアミノ基、又は置換もしくは無置換のモノもしくはジアリールアミノ基が挙げられる。アルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が上述したアルキル基であるものが挙げられる。アリールアミノ基としては、ジアリールアミノ基及びアルキルアリールアミノ基が挙げられる。窒素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。また、アリールアミン残基としては、トリアリールアミン残基及びアルキルアリールアミン残基が挙げられる。窒素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。置換シリル基としては、アルキル及び/又はアリールで置換されたシリル基が挙げられる。ケイ素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。尚、シリル基に置換しているアルキル基は、同一でも異なっていてもよい。同様に、シリル基に置換しているアリール基は、同一でも異なっていてもよい。具体的に、トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。アリールシリル基として、好ましくはトリアリールシリル基である。当該トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基等が挙げられる。好ましくはトリフェニルシリル基である。アルキルアリールシリル基としては、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基等が挙げられる。好ましくはジフェニルメチルシリル基、エチルジフェニルシリル基である。炭素数1~20のアルコキシ基は、-OYと表され、Yの例として上記のアルキル基の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。環形成炭素数3~10のシクロアルコキシ基は、-OYと表され、Yの例として上記のシクロアルキル基の例が挙げられる。シクロアルコキシ基は、例えばシクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。環形成炭素数6~30のアリールオキシ基は、-OYと表され、Yの例として上記の芳香族炭化水素環の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。炭素数7~40のアラルキル基は、-Y-Zと表され、Yの例として上記のアルキル基の例に対応するアルキレン基の例が挙げられ、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アラルキル基のアリール部分は、炭素数が6~30が好ましい。アルキル部分は炭素数1~10が好ましく、特に好ましくは1~6である。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、2-フェニルプロパン-2-イル基である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。上記各基の置換基としては、それぞれ独立に、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~20のアルキル基を有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基を有するトリアリールシリル基、炭素数1~20のアルキル基と環形成炭素数6~24のアリール基とを有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数6~24のアリール基、環形成原子数5~24のヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。具体的には、上記のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基が挙げられる。さらにこれらの置換基が同様の置換基を有していてもよい。アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。本発明の重合体の分子量は特に制限はなく、2量体以上のオリゴマーから超高分子体まで含まれる。重合体は、数平均分子量Mnで好ましくは103~108、より好ましくは5×103~106である。また、重合体は、重量平均分子量Mwで好ましくは103~108、より好ましくは5×103~106である。また、Mw/Mnで表される分子量分布は、特に制限はないが、10以下が好ましく、3以下がさらに好ましい。重合体の分子量が大きすぎると、ゲル化により素子作製において均質な製膜ができなくなる。一方、分子量が小さすぎると溶解性の制御が困難になる場合がある。尚、数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズ排除クロマトグラフィーSECを用い、標準ポリスチレンで検量して求めることができる。本発明の重合体は、構造単位P、構造単位L及び熱架橋性基にそれぞれ対応する化合物重を重合することにより得られる。特に本発明の重合体は、主鎖の含窒素環と当該含窒素環へ結合する連結基との2元系であるので、容易に合成することができる。また、通常、重合体末端は、末端ハロゲン、ボロン酸、ボロン酸エステル、アミノ基となっており、フェニル基やビフェニルアミノ基等で置換処理が行われるが、本発明の重合体では、末端が架橋基で置き換えられるので、架橋基の導入量を少なく済ませることができる。重合方法は特に限定されないが、上記各基に対応するジハライド誘導体と、ジボロン酸誘導体若しくはボロン酸エステル類誘導体をパラジウム触媒でカップリングさせる鈴木重合法が望ましい。ジハライド誘導体のハロゲンは、ClよりもBr又はIがより好ましい。ジハライド誘導体のカップリング相手は、ボロン酸よりもボロン酸エステル類誘導体がより好ましい。特に、ボロン酸エステル類誘導体、ジピナコールエステル誘導体、ジ-1,3-プロパンジオール誘導体が好ましい。本発明の重合体の具体例を示す前に、後述する具体例のカルバゾリル基の置換基H-1~H-18、カルバゾリル基に置換される架橋基H-29及びH-30を以下に示す。本発明の重合体の具体例を以下に示すが、本発明の重合体は、下記の具体例に限定されない。尚、表中の表記において、R1とR2が異なる場合、どちらがR1で、どちらがR2でもよい。本発明の重合体は、塗布法によって薄膜が形成できる。塗布法としては、湿式成膜法が好適に用いられ、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。特に微細なパターニングを要する場合、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布等が好ましい。また、転写前駆基板へ本重合体を前記の湿式成膜法により成膜した後、レーザー光や熱プレスなどで対象とする電極を有する配線基板上へ転写する方法を用いることもできる。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができ、その詳細は省略する。塗布法に使用する塗布液は、本発明の重合体と溶媒を含む。塗布液中の重合体は、溶媒に溶解していても、分散していてもよい。溶媒は好ましくは有機溶媒であり、当該有機溶媒としては、例えばクロロホルム、クロロベンゼン、クロロトルエン、クロロキシレン、クロロアニソール、ジクロロメタン、ジクロロベンゼン、ジクロロトルエン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロベンゼン、トリクロロメチルベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、ブロモアニソール等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、オキサゾール、メチルベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、フラン、フラザン、ベンゾフラン、ジヒドロベンゾフラン等のエーテル系溶媒、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメトキシベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、ジブチルベンゼン、アミルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ドデシルベンゼン、ベンゾニトリル、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、トルイル酸エチルエステル、トルエン、エチルトルエン、メトキシトルエン、ジメトキシトルエン、トリメトキシトルエン、イソプロピルトルエン、キシレン、ブチルキシレン、イソプロピルキシレン、アニソール、エチルアニソール、ジメチルアニソール、トリメチルアニソール、プロピルアニソール、イソプロピルアニソール、ブチルアニソール、メチルエチルアニソール、アネトールアニシルアルコール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルエチルエーテル、メチレンジオキシベンゼン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アニリン、メチルアニリン、エチルアニリン、ブチルアニリン、ビフェニル、メチルビフェニル、イソプロピルビフェニル等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、n-ペンタン、n-へキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、テトラデカン、デカリン、イソプロピルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2-へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。上記の溶媒のうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、少なくともトルエン、キシレン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、アニソール、4-メトキシトルエン、2-メトキシトルエン、1,2-ジメトキシベンゼン、メシチレン、テトラヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、2,3-ジヒドロベンゾフラン、シクロへキサノン、メチルシクロヘキサノンのいずれか1種以上を含むことが好ましい。また、成膜用の塗布液には、必要に応じて粘度の調整剤、表面張力の調整材、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒を添加することもできる。尚、粘度の調整剤、表面張力の調整剤、架橋反応の開始剤、架橋反応の触媒は、膜中に残留しても素子特性に影響を与えないものを選択するか、成膜工程で膜中から除去できるものが望ましい。成膜後、真空や加熱により乾燥し、溶媒を除去することにより、重合体の薄膜が形成できる。この薄膜を、光照射や加熱例えば250°C程度し、重合体を架橋させるにより、得られる膜を完全に不溶化することができる。薄膜形成時には、リン系酸化防止剤等、有機EL素子の性能に影響しない酸化防止剤や重合開始剤等の反応開始剤等を配合してもよい。また、用途に合わせて他の化合物例えば、後述するアクセプター材料等を配合してもよい。上記重合方法は特に限定されないが、例えば、ラジカル重合法、イオン重合法、リビング重合法、ラジカルリビング重合法、配位重合等が挙げらる。ラジカル重合法の開始剤としては、例えばアゾ化合物、過酸化物が挙げられ、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、アゾビスイソブチル酸ジエステル誘導体、過酸化ジベンゾイルBPOが好ましい。カチオン重合の開始剤としては、各種強酸p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等、ルイス酸が好ましい。上記の他、光照射及び/又は熱処理にて、重合することも可能である。[有機EL素子]本発明の重合体は、塗布法によって薄膜が形成でき、得られる膜は正孔輸送性を有する。従って、有機エレクトロニクス用材料として有用である。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、なかでも陽極と発光層間である正孔輸送領域で使用する材料正孔輸送層、正孔注入層等として好適である。本発明の有機EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む1以上の有機薄膜層が挟持されている。そして、有機薄膜層の少なくとも1層が、本発明の重合体を含有する。本発明では、陽極と発光層間に有機薄膜層を有し、この層が、本発明の重合体を含む有機薄膜層であることが好ましい。正孔輸送領域に形成される層としては、正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。本発明では、上記重合体が正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層の主成分として含有されていることがより好ましい。具体的には、正孔輸送層又は正孔注入層においては、本発明の重合体の含有量は、好ましくは51~100重量である。正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも1層が、アクセプター材料を含有することが好ましい。特に、陽極に接する層が含有することが好ましい。アクセプター材料を含有させることにより、正孔注入輸送層中の正孔密度を増加したり、正孔移動度が高まるので、得られる有機EL素子の駆動電圧を低下させたり、キャリアバランスが向上して長寿命化する。上記アクセプター材料は、好ましくは電子吸引性の置換基又は電子欠乏環を有する有機化合物である。電子吸引性の置換基として、例えば、ハロゲン、CN-、カルボニル基、アリールホウ素基等が挙げられる。電子欠乏環として、例えば、2-ピリジル、3-ピリジル、4-ピリジル、2-キノリル、3-キノリル、4-キノリル、2-イミダゾール、4-イミダゾール、3-ピラゾール、4-ピラゾール、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、3-1,2,4-N-トリアゾリル、5-1,2,4-N-トリアゾリル、5-テトラゾリル、4-1-O,3-N-オキサゾール、5-1-O,3-N-オキサゾール、4-1-S,3-N-チアゾール、5-1-S,3-N-チアゾール、2-ベンゾキサゾール、2-ベンゾチアゾール、4-1,2,3-N-ベンゾトリアゾール、及びベンズイミダゾールからなる群から選択される化合物等が挙げられるが、必ずしもこれらに限定されるわけではない。本発明の有機EL素子の代表的な素子構成としては、下記1~13等の構造を挙げることができ、通常8の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。1陽極/発光層/陰極2陽極/正孔注入層/発光層/陰極3陽極/発光層/電子注入層/陰極4陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極5陽極/有機半導体層/発光層/陰極6陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極7陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極8陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極9陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極10陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極11陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極12陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極13陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極本発明の有機EL素子において、本発明の重合体を含有する有機薄膜層以外の構成部材は、公知のものを使用できる。例えば、発光層はスチリルアミン化合物、アリールアミン化合物又はフルオランテン系化合物を含有することが好ましい。本発明の重合体を含有する有機薄膜層以外の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等のコーティング法、印刷法等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm~10μmの範囲が適しているが、10nm~0.2μmの範囲がさらに好ましい。本発明の重合体の不溶化後にさらに上層に積層する場合も上記と同様に乾式成膜法、湿式成膜法のいずれを用いることもできるが、特に湿式成膜法を好適に用いることができる。この上層を積層する手段としては、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、孔版印刷法、及び、それらとオフセット印刷法を組み合わせた印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー塗布スピンコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、キャップコート法、グラビアロールコート法、メニスカスコート法等が適用できる。各種材料及び層形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入輸送層、及び必要に応じて電子注入輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。[重合体の製造]実施例1下記合成スキームにより、ポリマーP-1を合成した。1中間体M-1-1の合成窒素雰囲気下、冷却管付き500mL三口フラスコ中に、カルバゾール10.0g59.8mmolに、DMF100mLを入れ、氷水浴にて0°Cまで冷却した。冷却後、N-ブロモスクシンイミド10.6g59.8mmolをDMF100mLに溶かした溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、氷水浴を外し、室温に戻し、8時間撹拌した。反応液を水に落として固体を析出させ、ろ取により析出物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィートルエンで精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ12.2g収率83の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとフィールドディソープションマススペクトル以下、FD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1-1と同定した。2中間体M-1-2の合成窒素雰囲気下、冷却管付き300mL三口フラスコ中M-1-1を6.0g24.3mmol、ヨードベンゼン5.4g26.7mmol、CuIを1.4g7.29mmol、trans-cyclohexanediamine0.8g7.29mmol、りん酸カリウム10.3g48.6mmolにジオキサン120mLを加え、8時間還流させながら加熱した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン100mL及び水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層にMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィートルエン:ヘキサン=1:10で精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、6.7g収率85の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1-2と同定した。3中間体M-1-3の合成窒素雰囲気下、冷却管付き300mL三口フラスコ中に、M-1-2を4.0g12.5mmol、ほう酸トリイソプロピル2.8g15.0mmol、脱水THF60mLを加えて撹拌し、メタノール/ドライアイスバスにて-78°Cまで冷却した。冷却後、n-ブチルリチウム1.61M38mL60.9mmolをゆっくり滴下し、滴下後1時間冷却したまま撹拌した。次に室温まで戻して7時間撹拌した。反応終了後、メタノール10mLを滴下し、さらに1NのHCl水溶液30mLを滴下した。塩化メチレン、水を加え、目的物を抽出し、有機層を取り出した。この有機層にMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、カラムクロマトグラフィにより単離し、白色固体2.1g収率60を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1-3と同定した。4中間体M-1-4の合成窒素雰囲気下、冷却管付き300mL三口フラスコ中に、M-1-1を4g10.0mmol、M-1-3を3.7g10.0mmol、PdPPh340.2g0.2mol、炭酸ナトリウム2.1g20.0mmol、DME40mL、水20mLを加えた後、還流し、8時間加熱攪拌した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン100mL、水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、3.0g収率74の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1-4と同定した。5中間体M-1-5の合成窒素雰囲気下、M-1-4を2.5g6.1mmol、4-4-ブロモフェニル-ジベンゾフラン2.0g6.1mmol、CuIを0.4g1.8mmol、trans-cyclohexanediamine0.2g1.8mmol、りん酸カリウム2.6g12.2mmolにジオキサン30mLを加え、8時間還流させながら加熱した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。その後、ジクロロメタン100mL、水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、2.8g収率70の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1-5と同定した。6モノマーM-1の合成窒素雰囲気下、2.5gのM-1-53.8mmolに、DMF40mLを入れ、氷水浴にて0°Cまで冷却した。冷却後、N-ブロモスクシンイミド1.4g8.0mmolをDMF40mLに溶かした溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、氷水浴を外し、室温に戻し、8時間撹拌した。反応液を水に落として固体を析出させ、吸引ろ過により回収した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、2.5g収率80の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色固体を中間体M-1と同定した。7架橋基M-2の合成中間体M-1-2の代わりに4-ブロモベンゾシクロブテンを用いた他は中間体M-1-3の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量5.8g収率78で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた目的物をM-2と同定した。8ポリマーP-1の合成窒素雰囲気下、2,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジ-n-オクチルフルオレン4.1g6.2mmol、M-1を5.0g6.2mmol、PdOAc2を0.01g0.04mmol、Po-Tol3を0.06g0.2mmol、りん酸カリウム6.6g30.9mmolにジオキサン50mL、トルエン12mL、水11mLを加え、16時間還流させながら加熱した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。トルエン150mL、水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて濃縮し、この濃縮液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を減圧下にて濃縮し、メタノールへ滴下し、固体を析出させた。固体は、ろ取して減圧乾燥した。窒素雰囲気下、この粗生成物と、4-ブロモベンゾシクロブテンを0.3g1.7mmol、PdOAc2を0.03g0.04mmol、Pt-Bu3を0.01g0.05mmol、りん酸カリウム2.0g9.5mmol、トルエン50mLを加え、8時間還流させながら加熱した。次にM-2を0.3g1.9mmol加え、さらに8時間加熱した。反応終了後、水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。回収したろ液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を濃縮し、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで8時間撹拌した。冷却後、有機層を、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ポリマーP-1を4.4g得た。ポリマーP-1のポリスチレン換算数平均分子量は0.9×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.2×104であった。尚、ポリマーP-1のポリスチレン換算数平均分子量及びポリスチレン換算重量平均分子量は、サイズ排除クロマトグラフィーSECを用いて測定した。測定は、試料である10mgのポリマーP-1をTHFテトラヒドロフラン10mlに溶解させ、得られた溶液をSEC装置に100μl注入して行った。流速は毎分1mlとし、カラム温度を40°Cに設定した。上記SEC装置は東ソー製HLC-8220を用いた。検出器は示差屈折RI検出器または紫外可視UV検出器を用いた。カラムは、東ソー製TSKgelGMH-XL2本及びTSKgelG2000-XL1本使用し、標準試料のポリスチレンには、東ソー製TSK標準ポリスチレンを使用した。実施例2下記合成スキームにより、ポリマーP-2を合成した。1中間体M-3-1の合成NBSの代わりにをNISを用いた他は、中間体M-1-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量5.6g収率79で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-3-2と同定した。2中間体M-3-2の合成カルバゾールの代わりに中間体M-3-1を用いた他は、中間体M-1-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.7g収率82で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-3-2と同定した。3中間体M-3-3の合成中間体M-1-1の代わりに中間体M-1-3を用い、中間体M-1-3の代わりに中間体M-3-2を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量5.2g収率76で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-3-3と同定した。4モノマーM-3の合成中間体M-1-1の代わりに中間体M-3-3を用い、ヨードベンゼンの代わりに1-ブロモ-4-ヨードベンゼンを用いた他は、中間体M-1-2の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量4.9g収率66で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をモノマーM-3と同定した。5ポリマーP-2の合成モノマーM-1の代わりにモノマーM-3を用いた他は、ポリマーP-1の合成と同様の反応を実施して、ポリマーP-2を収量3.8gで得た。ポリマーP-2のポリスチレン換算数平均分子量は1.3×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.0×104であった。実施例3下記合成スキームによりポリマーP-3を合成した。1中間体M-4-1の合成中間体M-1-2の代わりに2-ブロモジベンゾフランを用いた他は、中間体M-1-3の合成と同様の反応を実施して、目的物を収量6.1g収率63で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-4-1と同定した。2中間体M-4-2の合成窒素気流下、9-H-カルバゾール10g59.8mmolを入れ、75mlのクロロホルムに溶解させた後、氷水浴にて0°Cまで冷却した。次にゆっくりと38.8g239.2mmolのFeCl3を60ml程度のクロロホルムに分散して得た溶液を滴下した。滴下後、室温に戻し、24時間撹拌した。反応液を多量のメタノールに滴下し、固体を析出させた。固体は、ろ取して回収した。その後、多量のメタノールと水で繰り返し洗浄し、ろ取して固体7.8g収率82を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた固体白色粉末をM-4-2と同定した。5中間体M-4-3の合成中間体M-1-5の代わりに中間体M-4-2を用いた他は、中間体M-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量4.1g収率56で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-4-3と同定した。6モノマーM-4の合成中間体M-1-1の代わりに中間体M-4-1を用い、中間体M-1-3の代わりに中間体M-4-3を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.4g収率48で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をモノマーM-4と同定した。7ポリマーP-3の合成窒素雰囲気下、9,9-ジオクチル-2、7ジブロモフルオレン5.8g10.0mmol、M-4を7.0g10.5mmol、Pd2dba3を0.2g0.2mmol、PtBu3を0.06g0.3mmol、t-ブトキシナトリウム3.0g31.5mmol、にキシレン40mLを加え、20時間還流させながら加熱した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて濃縮し、この濃縮液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を減圧下にて濃縮し、メタノールへ滴下し、固体を析出させた。固体は、吸引ろ過により回収し、減圧乾燥した。窒素雰囲気下、この粗生成物と4-ブロモベンゾシクロブテン0.6g3.2mmol、PdOAc20.04g0.2mmol、Pt-Bu3を0.06g0.3mmol、りん酸カリウム1.1g5.2mmolにトルエン40mLを加え、8時間還流させながら加熱した。次にM-3を0.5g3.2mmol加え、更に8時間加熱した。反応終了後、水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。回収したろ液をシリカゲルに通してろ過した。回収した溶液を濃縮し、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80°Cで2時間撹拌した。冷却後、有機層を、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下し、ろ取することで沈殿物を得た。この沈殿物をトルエンに溶解させ、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ポリマーP-3を6.3g得た。ポリマーP-3のポリスチレン換算数平均分子量は1.2×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.1×104であった。実施例4下記合成スキームによりポリマーP-4を合成した。1中間体M-5-1の合成中間体M-1-5の代わりに9-フェニルカルバゾールを用いた他は、モノマーM-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量2.9g収率73で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5-1と同定した。2中間体M-5-2の合成中間体M-1-1の代わりにカルバゾールを用い、ヨードベンゼンの代わりに2-ブロモジベンゾフランを用いた他は、中間体M-1-2の合成と反応を実施し、目的物を収量4.0g収率68で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5-2と同定した。3中間体M-5-3の合成カルバゾールの代わりに中間体M-5-2を用いた他は、中間体M-1-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.2g収率59で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5-3と同定した。4中間体M-5-4の合成中間体M-1-2の代わりに中間体M-5-3の用いた他は、中間体M-1-3の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量5.4g収率66で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5-4と同定した。5中間体M-5-5の合成中間体M-1-1の代わりに中間体M-5-1を用い、中間体M-1-3の代わりに中間体M-5-4を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量2.7g収率61で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5-4と同定した。6モノマーM-5の合成中間体M-1-5の代わりに中間体M-5-5を用い他は、モノマーM-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.9g収率56で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-5と同定した。7ポリマーP-4の合成モノマーM-1の代わりにモノマーM-5を用いた他は、P-1の合成と同様の反応を実施し、ポリマーP-4を収量2.8gで得た。ポリマーP-4のポリスチレン換算数平均分子量は1.7×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.7×104であった。実施例5下記合成スキームによりポリマーP-5を合成した。1中間体M-6-1の合成中間体M-1-5の代わりに中間体M-5-2を用いた他は、中間体M-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量4.6g収率87で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-6-1と同定した。2中間体M-6-2の合成中間体M-1-2の代わりに中間体M-6-1を用いた他は、中間体M-1-3の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量1.9g収率43で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-9-2と同定した。3モノマーM-6の合成中間体M-1-3の代わりに中間体M-6-2を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.5g収率56で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-9と同定した。4ポリマーP-5の合成モノマーM-4の代わりにモノマーM-6を用いた他は、ポリマーP-3の合成と同様の反応を実施して、ポリマーP-5を収量5.1gで得た。ポリマーP-5のポリスチレン換算数平均分子量は1.6×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.9×104であった。実施例6下記合成スキームにより、ポリマーP-6を合成した。1中間体M-7-1の合成カルバゾールの代わりに中間体M-4-2を用いた他は、中間体M-1-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.5g収率66で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-7-1と同定した。2モノマーM-7の合成中間体M-1-1の代わりに中間体M-5-4を用い、中間体M-1-3の代わりに中間体M-7-1を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量4.9g収率72で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-7と同定した。3ポリマーP-6の合成モノマーM-4の代わりにモノマーM-7を用いた他は、ポリマーP-3の合成と同様の反応を実施し、ポリマーP-6を収量3.9gで得た。ポリマーP-6のポリスチレン換算数平均分子量は1.5×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.6×104であった。実施例7下記合成スキームに従い、ポリマーP-7を合成した。1中間体M-8-1の合成中間体M-1-1及び中間体M-1-3の代わりに中間体M-5-3及び中間体M-54を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.6g収率82で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-8-1と同定した。2中間体M-8-2の合成カルバゾールの代わりに中間体M-8-1を用いた他は、中間体M-1-1の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量3.5g収率66で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-8-2と同定した。3中間体M-8-3の合成中間体M-1-2の代わりに中間体M-8-2を用いた他は、中間体M-1-3の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量4.1g収率62で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-8-3と同定した。4中間体M-8-4の合成中間体M-1-1の代わりに3-ブロモ-6-ヨード-カルバゾールを用い、中間体M-1-3の代わりに中間体M-8-3を用いた他は、中間体M-1-4の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量1.8g収率76で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-8-4と同定した。5モノマーM-8の合成ヨードベンゼンの代わりに1-ブロモ-4-ヨードベンゼンを用い、中間体M-1-1の代わりに中間体M-8-4を用いた他は中間体M-1-2の合成と同様の反応を実施し、目的物を収量2.7g収率70で得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、目的物をM-8と同定した。6ポリマーP-7の合成モノマーM-1の代わりにモノマーM-8を用いた他は、ポリマーP-1の合成と同様の反応を実施して、ポリマーP-7を収量5.8gで得た。ポリマーP-7のポリスチレン換算数平均分子量は1.4×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.1×104であった。[有機EL素子の製造塗布蒸着と評価]実施例825mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板ジオマティック社製を、イソプロピルアルコール中で5分間超音波洗浄した後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSSの混合物を10nmの膜厚で成膜して、正孔注入層を形成した。ついで、実施例1で得られた重合体P-1のキシレン溶液1.0重量を、スピンコート法で25nmの膜厚で成膜した。次に、これを減圧下120°Cで1時間乾燥し、正孔輸送層を形成した。さらに、膜厚40nmの化合物EM1を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、スチリル基を有するアミン化合物D1を、EM1とD1の重量比が95:5になるように蒸着し、発光層を形成した。この膜上にAlqを蒸着により、膜厚10nmに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるLiLi源:サエスゲッター社製とAlqを二元蒸着させ、電子注入層陰極としてAlq:Li膜膜厚10nmを形成した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機EL素子を作製した。有機EL素子の作製に用いた化合物EM1、化合物D1及びAlqは、それぞれ下記に示す化合物である。得られた有機EL素子について、その発光効率及び発光寿命を評価した。結果を表1に示す。尚、発光寿命について、当該実施例8の素子の寿命を基準とした。実施例9発光層材料として、スチリル基を有するアミン化合物D1の代わりに下記アリールアミン化合物D2を用いた他は実施例8と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表1に示す。比較例1下記合成スキームに従ってポリマーP-8を合成した。P-8の合成中間体M-1の代わりに定法により得られる化合物M-9を用いた他は、ポリマーP-1の合成と同様の反応を実施して、ポリマーP-8を収量5.6gで得た。ポリマーP-8のポリスチレン換算数平均分子量は7.8×103であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.4×104であった。正孔輸送材料として、ポリマーP-1の代わりにポリマーP-8を用いた他は実施例8と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表1に示す。比較例2下記合成スキームに従ってポリマーP-9を合成した。1モノマーM-10の合成窒素雰囲気下、9,9-ジオクチル-2、7ジブロモフルオレン10.0g18.2mmol、アニリン1.7g18.2mmol、Pd2dba3を0.6g0.6mmol、rac-BINAP1.7g0.8mmol、t-ブトキシナトリウム5.0g72.8mmolにトルエン500mLを加え、16時間還流させながら加熱した。反応終了後、減圧除去にて溶媒を取り除いた。水100mLを加えて目的物を抽出し、有機層を取り出した。取り出した有機層へMgSO4を加えて乾燥し、ろ過によりMgSO4を除去した。溶媒を減圧下にて除去し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した。得られた固体を減圧乾燥したところ、6.8g収率65の白色固体を得た。1H-NMRスペクトルとFD-MS分析により、得られた白色粉末をモノマーM-10と同定した。2ポリマーP-9の合成2,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジ-n-オクチルフルオレンの代わりにモノマーM-10を用い、中間体M-1の代わりに4,4’-ジブロモビフェニルを用いた他は、ポリマーP-1の合成と同様の反応を実施して、ポリマーP-9を収量2.8gで得た。得られたポリマーP-9のポリスチレン換算数平均分子量は1.1×104であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は3.5×104であった。正孔輸送材料として、ポリマーP-1の代わりにポリマーP-9を用いた他は実施例8と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表1に示す。実施例8~9及び比較例1~2の結果から、本発明の重合体であるビスカルバゾールポリマーを用いた有機EL素子は、芳香族アミン誘導体である比較化合物を用いた有機EL素子と比べて、発光効率、寿命で優れていることが分かる。[有機EL素子の製造塗布のみと評価]実施例1025mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板ジオマティック社製を、イソプロピルアルコール中で5分間超音波洗浄した後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸PEDOT:PSSの混合物を10nmの膜厚で成膜して、正孔注入層を形成した。ついで、実施例1で得られた重合体P-1のキシレン溶液1.0重量を、スピンコート法で25nmの膜厚で成膜し、230°Cで30分間乾燥及び熱硬し、正孔輸送層を形成した。次に、化合物EM1ホストとスチリル基を有するアミン化合物D1ドーパントが固形分重量比95:5で混合しているキシレン溶液1.0重量を、スピンコート法で40nmの膜厚で成膜し、150°Cで30分間乾燥させ、発光層を形成した。この膜上にAlqを蒸着により、膜厚10nmに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるLiLi源:サエスゲッター社製とAlqを二元蒸着させ、電子注入層陰極としてAlq:Li膜膜厚10nmを形成した。このAlq:Li膜上に金属Alを蒸着させ金属陰極を形成し、窒素中でガラス封止して、有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子に電流を流して性能を評価した。評価した。結果は表2に示す。実施例11正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに実施例2で得られたポリマーP-2を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例12正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに実施例3で得られたポリマーP-3を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例13正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに実施例4で得られたポリマーP-4を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例14正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに実施例5で得られたポリマーP-5を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例15正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに実施例6で得られたポリマーP-6を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例16正孔輸送材料としてP-1の代わりに実施例7で得られた単量体P-7を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。実施例17発光層の材料として、スチリル基を有するアミン化合物D1の代わりにアリールアミン化合物D2を用いた他は実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表2に示す。比較例3正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに比較例1で得られたポリマーP-8を用いた他は、実施例10と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表1に示す。比較例4正孔輸送材料としてポリマーP-1の代わりに比較例2で得られたポリマーP-9を用いた他は実施例11と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果は表1に示す。"