半導体発光素子を作製する方法であって、発光層におけるピエゾ分極の向きを見積もるために、III族窒化物半導体からなる基板主面のための一又は複数の傾斜角を選択する工程と、前記選択された傾斜角を有しIII族窒化物半導体からなる基板主面の基板を準備する工程と、前記選択された傾斜角で前記発光層のための量子井戸構造並びにp型及びn型窒化ガリウム系半導体層を成長して、基板生産物を準備する工程と、前記基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を前記基板生産物にバイアスを印加しながら行って、前記基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る工程と、前記測定されたバイアス依存性から、前記基板主面の前記選択された傾斜角の各々において前記発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う工程と、前記基板主面に対応する傾斜角及び前記基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を前記見積りに基づき判断して、前記半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する工程と、前記半導体発光素子のための半導体積層を前記成長基板の主面上に形成する工程とを備え、前記成長基板の前記主面は前記III族窒化物半導体からなり、前記傾斜角は、前記基板主面と前記III族窒化物半導体の0001面との成す角度によって規定され、前記半導体積層は、第1のIII族窒化物半導体領域、発光層及び第2のIII族窒化物半導体領域を含み、前記発光層は、前記第1のIII族窒化物半導体領域と前記第2のIII族窒化物半導体領域との間に設けられ、前記発光層は井戸層及び障壁層を含み、前記井戸層及び前記障壁層の各々は、前記III族窒化物半導体のc軸に延びる基準軸に直交する面から傾斜した基準平面に沿って延びており、前記井戸層は第1の窒化ガリウム系半導体からなり、前記障壁層は前記第1の窒化ガリウム系半導体と異なる第2の窒化ガリウム系半導体からなり、前記井戸層は歪みを内包し、前記第1のIII族窒化物半導体領域は一又は複数のn型III族窒化物半導体層を含み、前記第2のIII族窒化物半導体領域は一又は複数のp型III族窒化物半導体層を含む、ことを特徴とする方法。前記ピエゾ分極の向きの見積もりから、前記ピエゾ分極の正負の符号に応じて前記複数の傾斜角を含む角度範囲の区分けを行う工程を更に備え、前記判断は、前記区分けに基づき行われる、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。前記基板生産物はIII族窒化物基板を用いて作製される、ことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか一項に記載された方法。前記発光層の発光波長が460nm以上550nm以下である、ことを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか一項に記載された方法。前記複数の傾斜角を選択する前記工程では、2つ以上の面方位を示す角度が選択される、ことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の前記面方位は、前記傾斜角が40度以上140度以下である角度範囲に含まれる、ことを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された方法。前記井戸層はInGaNからなり、前記障壁層はInGaN又はGaNからなり、前記井戸層の圧縮歪みは前記障壁層からの応力によるものであり、前記基板生産物はGaN基板を用いて作製される、ことを特徴とする請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の主面は、前記井戸層におけるピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向くように選択される、ことを特徴とする請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された方法。前記発光層は多重量子井戸構造を有し、前記障壁層のバンドギャップエネルギと前記井戸層のバンドギャップエネルギとの差は0.7eV以上である、ことを特徴とする請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された方法。前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを前記見積もりが示すとき、前記正方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1~請求項9のいずれか一項に記載された方法。前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを前記見積もりが示すとき、前記負方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1~請求項10のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の面方位は、40度以上50度以下及び90度より大きく130度以下の角度範囲にあり前記基板生産物はGaN基板を用いて作製される、ことを特徴とする請求項1~請求項11のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の面方位は、{10-12}面、{11-2-2}面、{10-1-1}面、及び{20-2-1}面のいずれかである、ことを特徴とする請求項10~請求項12のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の主面は、前記井戸層におけるピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向くように選択される、ことを特徴とする請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された方法。前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを前記見積もりが示すとき、前記正方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1~請求項7及び請求項14のいずれか一項に記載された方法。前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを前記見積もりが示すとき、前記負方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項1~請求項7、請求項14及び請求項15のいずれか一項に記載された方法。前記第2のIII族窒化物半導体領域は、前記障壁層のバンドギャップよりも大きな窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第2のIII族窒化物半導体領域の前記窒化ガリウム系半導体層は、前記発光層に隣接しており、前記窒化ガリウム系半導体層は電子ブロック層を含み、前記成長基板の主面は、63度以上80度以下の角度範囲であり、前記基板生産物はGaN基板を用いて作製される、ことを特徴とする請求項1~請求項7及び請求項14~請求項16のいずれか一項に記載された方法。前記成長基板の面方位は、{20-21}面である、ことを特徴とする請求項17に記載された方法。前記傾斜角は、前記III族窒化物半導体のc軸をm軸の方向に傾斜させた角度として規定される、ことを特徴とする請求項1~請求項18のいずれか一項に記載された方法。前記傾斜角は、前記III族窒化物半導体のc軸をa軸の方向に傾斜させた角度として規定される、ことを特徴とする請求項1~請求項18のいずれか一項に記載された方法。非特許文献1及び非特許文献2に示されるように、GaN基板の半極性面上に窒化ガリウム系半導体発光素子が作製される。窒化ガリウム系半導体はピエゾ分極を示し、その影響が発光特性の様々な面に及ぶ。一方、c面上に作成される発光素子では、ピエゾ分極は、ブルーシフトに代表される発光波長のシフトを引き起こし、正孔の波動関数と電子の波動関数との空間分離を引き起こして発光効率を低下させる。しかしながら、発明者らの知見によれば、ピエゾ分極は一概にゼロであることが発光素子にとって好ましい訳ではなく、ピエゾ分極の利用により発光特性を改善できることもある。つまり、ピエゾ分極の影響は、発光特性において単一の側面だけではなくいくつかの側面に現れることもあり、このとき、いくつかの発光特性のうちのある特性を優れたものにすることが望まれることがあり、トレードオフの関係にあるいくつかの発光特性のそれぞれを好適なものに調整することが望まれることもある。ピエゾ分極は結晶に内包される歪みと関係している。発光素子の発光層における応力は、半導体発光素子のための基板主面の面方位や、その基板主面上に成長される半導体積層の構造に依存する。また、発光特性は、例えば発光層におけるピエゾ分極の向きに関連している。これ故に、ピエゾ分極の向きに関しては、発光素子に適用される実際の半導体積層において、ピエゾ分極の向きを実験的に見積もることは容易ではない。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供することにある。本発明の一側面は、半導体発光素子を作製する方法である。この方法は、a発光層におけるピエゾ分極の向きを見積もるために、III族窒化物半導体からなる基板主面のための一又は複数の傾斜角を選択する工程と、bIII族窒化物半導体からなり前記選択された傾斜角を有する基板主面を提供する基板を準備する工程と、c前記選択された傾斜角で前記発光層のための量子井戸構造並びにp型及びn型窒化ガリウム系半導体層を成長して、基板生産物を準備する工程と、d前記基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を前記基板生産物にバイアスを印加しながら行って、前記基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る工程と、e前記測定されたバイアス依存性から、前記基板主面の前記選択された傾斜角の各々において前記発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う工程と、f前記基板主面に対応する傾斜角及び前記基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を前記見積りに基づき判断して、前記半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する工程と、g前記半導体発光素子のための半導体積層を前記成長基板の主面上に形成する工程とを備える。前記成長基板の前記主面は前記III族窒化物半導体からなり、前記傾斜角は、前記基板主面と前記III族窒化物半導体の0001面との成す角度によって規定され、前記半導体積層は、第1のIII族窒化物半導体領域、発光層及び第2のIII族窒化物半導体領域を含み、前記発光層は、前記第1のIII族窒化物半導体領域と前記第2のIII族窒化物半導体領域との間に設けられ、前記発光層は井戸層及び障壁層を含み、前記井戸層及び前記障壁層の各々は、前記III族窒化物半導体のc軸に延びる基準軸に直交する面から傾斜した基準平面に沿って延びており、前記井戸層は第1の窒化ガリウム系半導体からなり、前記障壁層は前記第1の窒化ガリウム系半導体と異なる第2の窒化ガリウム系半導体からなり、前記井戸層は歪みを内包し、前記第1のIII族窒化物半導体領域は一又は複数のn型III族窒化物半導体層を含み、前記第2のIII族窒化物半導体領域は一又は複数のp型III族窒化物半導体層を含む。この方法によれば、基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行うので、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得ることができる。フォトルミネッセンスのバイアス依存性は、ピエゾ分極の向きに関する情報を含む。ピエゾ分極の向きの見積りに基づき、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を判断できる。この後に、半導体発光素子の作製のための成長基板の面方位を選択する。この成長基板の主面上に半導体発光素子のための半導体積層を形成するので、半導体発光素子の作製において、発光層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能になる。本発明に係る方法は、前記ピエゾ分極の向きの見積もりから、前記ピエゾ分極の正負の符号に応じて前記複数の傾斜角を含む角度範囲の区分けを行う工程を更に備えることができる。前記判断は、前記区分けに基づき行われる。この方法によれば、ピエゾ分極の向きの見積りでは、ピエゾ分極の正負の符号が明らかになる。この符号から、複数の傾斜角を含む角度範囲は、正のピエゾ分極を示す角度範囲及び/又は負のピエゾ分極を示す角度範囲に区分けされる。本発明に係る方法では、前記基板生産物はIII族窒化物基板を用いて作製されることができる。この方法によれば、III族窒化物基板と発光層との関係に係るピエゾ分極の符号を判別できる。本発明に係る方法では、前記発光層の発光波長が460nm以上550nm以下であることができる。この方法によれば、上記の波長範囲において、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能になる。本発明に係る方法では、前記複数の傾斜角を選択する前記工程において、2つ以上の面方位を示す角度が選択されることができる。2つの角度の各々におけるピエゾ分極の向きから、当該2つの角度の間の範囲におけるピエゾ分極の向きの符号を見積もることができる。或いは、本発明に係る方法では、前記複数の傾斜角を選択する前記工程において、3つ以上の面方位を示す角度が選択されることができる。3つの角度の各々におけるピエゾ分極の向きから、隣接する2つの角度の間の範囲の各々におけるピエゾ分極の向きの符号を見積もることができる。例えば、一方の角度範囲が正のピエゾ分極であり一方の角度範囲が負のピエゾ分極であること;両方の角度範囲は正のピエゾ分極であること;両方の角度範囲が負のピエゾ分極であること。本発明に係る方法では、前記成長基板の前記面方位は、前記傾斜角が40度以上140度以下である角度範囲に含まれることができる。この方法においては、極性面から離れた実用的な面方位を示す角度範囲において、ピエゾ分極の符号を判別できる。本発明に係る方法では、前記井戸層はInGaNからなり、前記障壁層はInGaN又はGaNからなり、前記井戸層の圧縮歪みは前記障壁層からの応力によるものであり、前記基板生産物はGaN基板を用いて作製されることができる。この方法によれば、活性層のための実用的な材料であるInGaN及びGaNの活性層において、ピエゾ分極の符号を判別できる。本発明に係る方法では、前記成長基板の主面は、前記井戸層におけるピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向くように選択されることができる。この方法によれば、ピエゾ分極の向きの関する見積もりに基づき基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を調整して、所望のピエゾ分極を井戸層に提供できる。本発明に係る方法では、前記発光層は多重量子井戸構造を有し、前記障壁層のバンドギャップエネルギと前記井戸層のバンドギャップエネルギとの差は0.7eV以上であることができる。この方法によれば、上記バンドギャップエネルギ差が0.7eV以上である発光層においては、多重量子井戸構造の全体にわたって電子を供給できる。本発明に係る方法は、前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを前記見積もりが示すとき、前記正方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備えることができる。この方法によれば、所望のピエゾ分極が正方向であるとき、準備されるべき成長基板は、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面を有する。本発明に係る方法は、前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを前記見積もりが示すとき、前記負方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備えることができる。この方法によれば、所望のピエゾ分極が正方向であるとき、準備されるべき成長基板は、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面を有する。本発明に係る方法では、前記成長基板の面方位は、40度以上50度以下及び90度より大きく130度以下の角度範囲にあることができる。この方法によれば、正のピエゾ分極を利用して、多重量子井戸構造の全体にわたって電子を供給できる。また、本発明に係る方法では、前記成長基板の面方位は、例えば{10-12}面、{11-2-2}面、{10-1-1}面、及び{20-2-1}面のいずれかであることができる。本発明に係る方法では、前記成長基板の主面は、前記井戸層におけるピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向くように選択されることができる。この方法によれば、ピエゾ分極の向きの関する見積もりに基づき基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を調整して、所望のピエゾ分極を井戸層に提供できる。本発明に係る方法は、前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記n型III族窒化物半導体層から前記p型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを前記見積もりが示すとき、前記正方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備えることができる。この方法によれば、所望のピエゾ分極が負方向であるとき、準備されるべき成長基板は、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面を有する。本発明に係る方法は、前記複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部において前記ピエゾ分極の向きが前記p型III族窒化物半導体層から前記n型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを前記見積もりが示すとき、前記負方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を前記成長基板として準備する工程を更に備えることができる。この方法によれば、所望のピエゾ分極が負方向であるとき、準備されるべき成長基板は、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面を有する。本発明に係る方法では、前記第2のIII族窒化物半導体領域は、前記障壁層のバンドギャップよりも大きな窒化ガリウム系半導体層を含み、前記第2のIII族窒化物半導体領域の前記窒化ガリウム系半導体層は、前記発光層に隣接しており、前記窒化ガリウム系半導体層は電子ブロック層を含み、前記成長基板の主面は、63度以上80度以下の角度範囲であり、前記基板生産物はGaN基板を用いて作製されることができる。この方法によれば、窒化ガリウム系半導体層が発光層に隣接しているので、電子ブロック層は発光層に圧縮歪みを加えることができる。幅広い波長範囲における発光波長の選択を可能にすると共に、負のピエゾ分極を利用して発光層からの電子の漏れを低減できる。上記の角度範囲においては良好なインジウム取り込みを提供できる。また、本発明に係る方法では、前記半極性主面は、例えば{20-21}面であることができる。本発明に係る方法では、前記傾斜角は、前記III族窒化物半導体のc軸をm軸の方向に傾斜させた角度として規定されることができる。或いは、本発明に係る方法では、前記傾斜角は、前記III族窒化物半導体のc軸をa軸の方向に傾斜させた角度として規定されることができる。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、半導体発光素子を作製する方法が提供されることができ、この方法は、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能になる。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体発光素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1及び図2は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体発光素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能な、半導体発光素子を作製する方法を説明する。図1及び図2を参照すると、工程S101~工程S111には、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択する手順が示されており、工程S112には、III族窒化物半導体発光素子を形成する方法が示されている。まず、工程S112に示されたIII族窒化物半導体発光素子の形成を説明した後に、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択する手順を説明する。図3~図5は、本実施の形態に係る窒化物系半導体光素子を形成する方法及びエピタキシャルウエハを形成する方法における主要な工程を示す図面である。図3aに示されるように、工程S201では、窒化物系半導体光素及びエピタキシャルウエハを形成するための成長基板11を準備する。成長基板11は、例えば六方晶系半導体InSAlTGa1-S-TN0≦S≦1、0≦T≦1、0≦ST≦1からなることができ、例えばGaN、InGaN、AlGaN、InAlGaN等であることができる。成長基板11は主面11a及び裏面11bを有する。図3aを参照すると、成長基板11の六方晶系半導体のc軸方向を示すベクトルVC2及び主面11aの法線ベクトルVNが記載されており、ベクトルVC2は{0001}面の向きを示している。この成長基板11によれば、成長用の主面が傾斜角オフ角βを有する半極性を提供できる。成長基板11の主面11aの傾斜角は、該六方晶系半導体の{0001}面を基準にして規定される。GaN基板を用いる実施例では、成長基板11の傾斜角βが40度以上140度以下である角度範囲に含まれるとき、極性面から離れた実用的な面方位を示す角度範囲において、所望のピエゾ分極符号を得ることができる。また、成長基板11の面方位が40度以上50度以下及び90度より大きく130度以下の角度範囲にあるとき、正のピエゾ分極を利用して、多重量子井戸構造の全体にわたって電子を供給できる。主面11aの面方位は、例えば{10-12}面、{11-2-2}面、{10-1-1}面、及び{20-2-1}面のいずれかであることができる。さらに、成長基板11の面方位が100度以上117度以下の角度範囲にあるとき、発光層において良好なインジウム取り込みを提供できる。さらに、成長基板11の主面11aが63度以上80度以下の角度範囲にあるとき、負のピエゾ分極を利用して発光層からの電子の漏れを低減できることに加え、良好なインジウム取り込みを提供できる。主面11aの面方位は、例えば{20-21}面であることができる。基板11のエッジ上に2点間の距離の最大値Diaは45mm以上であることができる。このような基板は例えばウエハと呼ばれている。基板11の裏面11bは、基板11と実質的に平行であることができる。また、基板11はGaNからなるとき、良好な結晶品質のエピタキシャル成長が可能である。引き続く工程では、井戸層に負のピエゾ分極を発生させるように選択されたオフ角を有する基板11の主面11a上に、半導体結晶がエピタキシャルに成長される。上記の傾斜角の主面11aの基板11は、活性層内に井戸層がc面から上記の角度範囲内で傾斜するように、エピタキシャル半導体領域を形成することを可能にする。また、基板11の主面11aの傾斜の方向に関しては、主面11aが基板11の六方晶系半導体のa軸方向に傾斜するとき、基板11上に作製されたエピタキシャル基板は、m面における劈開が可能になる。また、基板11の主面11aが基板11の六方晶系半導体のm軸方向に傾斜するとき、基板11上に作製されたエピタキシャル基板は、a面における劈開が可能になる。また、主面11aが基板11の六方晶系半導体のa軸方向に傾斜するときのm軸方向のオフ角は-3度以上3度以下の範囲にあることが好ましい。また、主面11aが基板11の六方晶系半導体のm軸方向に傾斜するときのa軸方向のオフ角は-3度以上3度以下の範囲にあることが好ましい。この範囲であれば、窒化物系半導体光素子LD1におけるレーザキャビティの端面傾斜による反射率低下が小さいので、発振しきい値を小さくすることができる。図3bに示されるように、基板11を成長炉10に配置する。工程S202では、成膜に先立って、成長炉10にガスG0を供給しながら基板11に熱処理を行って、改質された主面11cを形成する。この熱処理は、アンモニア及び水素を含むガスの雰囲気中で行われることができる。熱処理温度T0は、例えば摂氏800度以上1200度以下であることができる。熱処理時間は、例えば10分程度である。この工程によれば、主面11aの傾斜によって、半極性の主面にはc面主面とは異なる表面構造が形成される。成膜に先立つ熱処理を基板11の主面11aに施すことによって、c面主面では得られない半導体主面に改質が生じる。窒化ガリウム系半導体からなるエピタキシャル成長膜が、基板11の改質された主面11c上に堆積される。図3cに示されるように、工程S203では、熱処理の後に、第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13を基板11の表面11c上にエピタキシャルに成長する。この成長のために有機金属気相成長法が用いられる。成長用の原料ガスとしては、ガリウム源、インジウム源、アルミニウム源及び窒素源が使用される。ガリウム源、インジウム源及び窒素源は、それぞれ、例えばTMG、TMI、TMA及びNH3である。この成長のために、原料ガスG1を成長炉10に供給する。窒化ガリウム系半導体領域13の主面13aは、窒化ガリウム系半導体のc面からほぼ傾斜角βで傾斜している。第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13aは、一又は複数の窒化ガリウム系半導体層例えば窒化ガリウム系半導体層25、27、29を含むことができる。例えば、窒化ガリウム系半導体層25、27、29は、それぞれ、n型AlGaN層、n型GaN層およびn型InGaN層であることができる。窒化ガリウム系半導体層25、27、29は、基板11の主面11c上に順にエピタキシャルに成長される。n型AlGaN層25は例えば基板11の全表面を覆う中間層であり、例えば摂氏1100度で成長される。n型AlGaN層25の厚さは例えば50nmである。n型AlGaN層25上にn型GaN層27を摂氏950度で成長される。n型GaN層27は例えばn型キャリアを供給するための層であり、n型GaN層27の厚さは2000nmである。n型GaN層27上にn型InGaN層29が摂氏840度で成長される。n型InGaN層29は例えば活性層のための緩衝層であり、n型InGaN層29の厚さは100nmである。次の工程では、図4及び図5に示されるよう手順に従って、窒化物系半導体発光素子の活性層15を作製する。活性層15は、460nm以上550nm以下の波長領域にピーク波長を有する発光スペクトルを生成するように設けられる。上記の波長範囲において、活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択可能になる。工程S204では、図4aに示されるように、窒化ガリウム系半導体からなり活性層15の量子井戸構造のための障壁層17を形成する。成長炉10に原料ガスG2を供給して、障壁層17は緩衝層上に成長温度TBで成長される。この障壁層17はInYGa1-YNインジウム組成Y:0≦Y≦0.05、Yは歪み組成からなる。障壁層17の成長は、例えば摂氏700度以上摂氏1000度以下の温度範囲内の成長温度TBで行われる。本実施例では、ガリウム源及び窒素源を含む原料ガスG2を成長炉10に供給してアンドープGaNを成長温度TBで成長する。GaN障壁層の厚さは例えば15nmである。障壁層17は、主面13a上に成長されるので、障壁層17の表面は、主面13aの表面構造を引き継ぐ。障壁層17の成長終了後に、ガリウム原料の供給を停止して窒化ガリウム系半導体の堆積を停止させる。障壁層17を成長した後に、井戸層を成長する前に成長温度TBから成長温度TWに成長炉の温度を変更する。この変更期間中に、例えばアンモニアといった窒素源ガスを成長炉10に供給する。工程S205では、図4bに示されるように、成長炉10の温度を井戸層成長温度TWに保ちながら、障壁層17上に量子井戸構造のための井戸層19を成長する。井戸層19はInXGa1-XNインジウム組成X:0<X<1、Xは歪み組成といった、インジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる。井戸層19は、障壁層17のバンドギャップエネルギより小さいバンドギャップエネルギを有する。井戸層19の成長温度TWは、成長温度TB以下であることができ、或いは成長温度TBより低いことができる。本実施例では、ガリウム源、インジウム源及び窒素源を含む原料ガスG3を成長炉10に供給してアンドープInGaNを成長する。井戸層19の膜厚は、1nm以上10nm以下であることができる。また、InXGa1-XN井戸層19のインジウム組成Xは、0.10より大きいことができる。井戸層19のインジウム組成Xは0.5より小さいことができる。この範囲のインジウム組成のInGaNの成長が可能となり、波長440nm以上550nm以下の発光素子を得ることができる。井戸層19の成長は、例えば摂氏600度以上摂氏900度以下の温度範囲内の成長温度TWで行われる。InGaN井戸層の厚さは例えば3nmである。井戸層19の主面は、障壁層17の主面上にエピタキシャルに成長されるので、井戸層19の表面は、障壁層17の表面構造を引き継ぐ。また、障壁層17の主面の傾斜角に応じて、窒化ガリウム系半導体のc面から所定の範囲の角度で傾斜する。井戸層19の成長が完了した後に、障壁層を成長する前に成長温度TWから成長温度TBに成長炉10の温度を変更する。この変更期間中に、例えばアンモニアといった窒素源ガスを成長炉10に供給する。成長炉10の昇温が完了した後に、図4cに示されるように、工程S206では、成長炉10の温度を成長温度TBに保ち、原料ガスG4を成長炉10に供給しながら、窒化ガリウム系半導体からなる障壁層21を成長する。本実施例では、障壁層21は例えばGaNからなり、障壁層21の厚さは例えば15nmである。障壁層21の主面は、井戸層19の主面上にエピタキシャルに成長されるので、障壁層21の表面は、井戸層19の表面構造を引き継ぐ。井戸層19は障壁層21からの応力による歪みを内包し、この歪みは例えば圧縮的である。活性層15は交互に配列された井戸層19及び障壁層17、21を含むことができる。活性層15は単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を含み、或いはバルク半導体層からなることができる。工程S207で同様に繰り返し成長を行って、図5aに示されるように、量子井戸構造の活性層15を成長する。活性層15は3つの井戸層19と4つの障壁層17、21を含む。この後に、工程S208では、図5bに示されるように、原料ガスG5を供給して発光層23等の必要な半導体層を成長する。活性層15と第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31との間にある発光層23内の半導体層のバンドギャップは、第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31内にあり発光層23に隣接する窒化ガリウム系半導体層のバンドギャップより小さい。図5cに示されるように、工程S209では、発光層23上に、原料ガスG6を供給して第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31をエピタキシャルに成長する。この成長は、成長炉10を用いて行われる。第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31は、例えば電子ブロック層33、p型クラッド層35及びp型コンタクト層37を含むことができる。電子ブロック層は例えばAlGaNからなることができる。p型クラッド層はp型GaN、AlGaN、InAlGaNからなることができる。p型コンタクト層37はp型GaNからなることができる。本実施例では、電子ブロック層33、p型クラッド層35、p型コンタクト層37の成長温度は、例えば摂氏1100度である。第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31の形成の後に、図5cに示されるエピタキシャルウエハEが完成する。必要な場合には、半導体レーザの光ガイドのために一対の光ガイド層を成長することができる。一対の光ガイド層は活性層を挟む。これらの光ガイド層は、例えばInGaNまたはGaNからなることができる。エピタキシャルウエハEにおいて、第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13、発光層23、及び第2導電型窒化ガリウム系半導体領域31は、基板11の主面11aの法線軸の方向に配列されていることができる。該六方晶系半導体のc軸の方向は基板11の主面11aの法線軸の方向と異なる。次の工程では、エピタキシャウエハE上に電極を形成する。第1の電極例えば、アノード電極が上記のコンタクト層上に形成されると共に、第2の電極例えば、カソード電極が基板裏面11b上に形成される。電極の形成の後に、共振器面を形成するために加工を行うと共にレーザバーを形成することができる。共振器面を形成するために加工は、例えば劈開、ドライエッチング等によって形成された端面を共振器面とする半導体レーザの作製が可能となる。なお、基板11の主面11aの傾斜の方向が窒化ガリウム系半導体のa軸m軸の方向であれば、m面a軸を劈開面として使用できる。上記の発光素子形成に使用した面方位又は角度範囲は以下のように決定される。活性層におけるピエゾ分極の向きを適切な方向に選択する手順を説明する。工程S101では、発光層におけるピエゾ分極の向きを見積もるために、III族窒化物半導体からなる基板主面のための一又は複数の傾斜角を選択する。工程S102では、選択された傾斜角を有する基板主面を提供する基板を準備する。基板主面はIII族窒化物半導体からなる。工程S103では、選択された傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにp型及びn型窒化ガリウム系半導体層を成長して基板生産物を準備する。基板生産物の形成には、上記の発光素子形成に使用した装置及びプロセスを適用することができる。工程S104では、基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。具体的に説明すると、工程S104で、作製したデバイスにバイアスを印加しながらPLスペクトルを測定可能なPL測定装置を準備する。図6aは、PL測定装置の一構造例を示す図面である。PL測定装置は、デバイスDEVに励起光を照射する励起光源93、デバイスDEVからのフォトルミネッセンスを検出するPL検出器95、デバイスDEVに可変バイアスを印加する装置97を含む。基板生産物にバイアスを印加しながら、フォトルミネッセンスのバイアス依存性を測定した。バイアス依存性の測定結果は、例えば図6bに示されるグラフ上の特性線になる。ある程度の大きさの順方向のバイアス電圧が印加されると、デバイスDEVは、エレクトロルミネッセンスを発する。エレクトロルミネッセンスは、小さい順バイアス及び逆バイアスの電圧では生じない。ある範囲のオフ角を有する半極性面及びGaNウエハのc面上に作製されるデバイスは、発光層に正のピエゾ分極が生じる。このデバイスの特性は、図6bの特性線PLBによって表される。PL発光のピーク波長は、EL発光電圧まではバイアスが増加するにつれて長波長にシフトする。EL発光電圧を超えると、バイアスが増加するにつれて短波長にシフトする。GaNウエハの無極性面上に作製されるデバイスは、発光層のピエゾ分極はゼロである。このデバイスの特性は、図6bの特性線PLBNPによって表される。PL発光のピーク波長は、ゼロバイアス電圧までは、わずかであるがバイアスが増加するにつれて短波長にシフトする。正のバイアスでは、ピーク波長のシフトはほとんど生じない。本実施の形態に係る特定のオフ角範囲を有する半極性面上に作製されるデバイスは、発光層に負のピエゾ分極が生じる。このデバイスの特性は、図6bの特性線PLB-によって表される。PL発光のピーク波長は、EL発光電圧までは、バイアスが増加するにつれて僅かに短波長にシフトする。工程S105では、測定されたバイアス依存性から、基板主面における選択された傾斜角の各々において発光層におけるピエゾ分極の向きの見積もりを行う。発光層におけるピエゾ分極の向きは、図6bにおける測定結果に基づいて判定される。工程S106では、ピエゾ分極の向きの見積もりから、複数の傾斜角を含む角度範囲の区分けをピエゾ分極の正負の符号に応じて行う。区分けに基づき、上記の判定が行われる。ピエゾ分極の向きの見積りでは、ピエゾ分極の正負の符号が明らかになる。この符号から、複数の傾斜角を含む角度範囲は、正のピエゾ分極を示す角度範囲及び/又は負のピエゾ分極を示す角度範囲に区分けされる。III族窒化物基板を用いて基板生産物を作製するとき、III族窒化物基板と発光層との関係に関連するピエゾ分極の符号を判別できる。工程S107では、基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を見積りに基づき判断して、半導体発光素子の作製のための成長基板11の面方位を選択する。例えば、井戸層のおけるピエゾ分極の向きがn型窒化物系半導体層からp型窒化物系半導体層へ向く正方向のピエゾ分極ように、成長基板11の主面11aを選択できる。この選択により、ピエゾ分極の向きの関する見積もり基づき基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を調整して、所望のピエゾ分極を井戸層に提供できる。工程S108では、複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部においてピエゾ分極の向きがn型III族窒化物半導体層からp型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを見積もりが示すとき、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を成長基板として準備する。所望のピエゾ分極が正方向であるとき、準備されるべき成長基板は、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面を有する。工程S109では、複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部においてピエゾ分極の向きがp型III族窒化物半導体層からn型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを見積もりが示すとき、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を成長基板として準備する。所望のピエゾ分極が正方向であるとき、準備されるべき成長基板は、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面を有する。また、例えば、井戸層のおけるピエゾ分極の向きがp型窒化物系半導体層からn型窒化物系半導体層へ向く負方向のピエゾ分極ように、成長基板11の主面11aを選択することができる。この選択により、ピエゾ分極の向きの関する見積もり基づき基板主面に対応する傾斜角及び基板主面の裏面に対応する傾斜角のいずれかの使用を調整して、所望のピエゾ分極を井戸層に提供できる。工程S110では、複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部においてピエゾ分極の向きがn型III族窒化物半導体層からp型III族窒化物半導体層へ向かう正方向であることを見積もりが示すとき、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面の基板を成長基板11として準備することができる。所望のピエゾ分極が負方向であるとき、準備されるべき成長基板は、正方向のピエゾ分極を示す傾斜角の面方位の裏面を提供する主面を有する。工程S111では、複数の傾斜角による角度範囲の一部若しくは全部においてピエゾ分極の向きがp型III族窒化物半導体層からn型III族窒化物半導体層へ向かう負方向であることを見積もりが示すとき、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面の基板を成長基板11として準備することができる。所望のピエゾ分極が負方向であるとき、準備されるべき成長基板は、負方向のピエゾ分極を示す傾斜角を提供する主面を有する。工程S112では、半導体発光素子のための半導体積層を成長基板11の主面11a上に形成する。実施例1発光ダイオードLEDを有するデバイス1~デバイス9を作製した。図7は、デバイス1~デバイス9のLED構造を示す図である。但し、デバイス2及び6は、例えば極性面および無極性面上に作製される。図7に示されるLED構造のために、デバイス1~デバイス9のための面方位をそれぞれ有する複数のGaN基板71を準備した。また、各GaN基板71の主面71aは、図8に示される面方位及びオフ角を有している。オフ角αは、c軸方向に延在する基準軸Cxに直交する基準平面Scと基板主面との成す角度として規定される。GaN基板71を成長炉に配置し、アンモニアNH3及び水素H2を成長炉に供給して、摂氏1050度の雰囲気にGaN基板71を10分間保持した。この前処理サーマルクリーニングの後に、原料ガスを成長炉に供給して以下のようにエピタキシャル積層構造を有機金属気相成長法で作製した。まず、厚さ2μmのn型GaN層72を摂氏1100度で成長した。厚さ100nmのn型InGaN歪み緩和層73を摂氏800度で成長した。緩和層73のインジウム組成は0.02であった。続いて、発光層74を成長した。発光層74は、15nmのGaNからなるバリア層と、3nmのInGaNからなる井戸層が交互に積層された量子井戸構造を有する。GaN基板71のオフ角によって、井戸層のInの取り込み易さは異なる。そのため、井戸層が所望の組成となり、所望の発光波長となるように、井戸層とバリア層の成長温度を調節した。井戸層とバリア層の成長を繰り返して、3層の井戸層を成長した。続いて、20nmのp型AlGaN電子ブロック層75を発光層74上に摂氏1000度で成長した。電子ブロック層75のアルミニウム組成は、0.18であった。次いで、50nmのp型GaNコンタクト層76を電子ブロック層75上に摂氏1000度で成長した。p型GaNコンタクト層76上には、Ni/Auからなるアノード電極77を形成すると共に、Ti/Alからなるカソード電極79をGaN基板71の裏面に形成した。また、アノード電極77上には、Ti/Auからなるパッド電極78を形成した。図8を参照すると、デバイス1~デバイス9のおける主面の面方位、オフ角角度α、及び発光波長が示されている。図8に示すように、デバイス1~デバイス9の面方位は、それぞれ10-12、0001、11-22、10-11、20-21、10-10、20-2-1、20-21、20-2-1である。また、デバイス1~デバイス9のオフ角は、m軸又はa軸の方向に、それぞれ43度m軸方向、0度、58度a軸方向、62度m軸方向、75度m軸方向、90度m軸方向。105度m軸方向、75度m軸方向、105度m軸方向であった。デバイス1~デバイス9の発光波長は、約500nm又は約400nmであった。次に、デバイス1~デバイス9について、バイアス印加しながら、各LEDに対してアノード電極77の上から励起光を照射し、PLフォトルミネッセンスのバイアス依存性を測定することにより、それぞれの井戸層のピエゾ分極の向きを決定した。このようなバイアス印加におけるバンドダイアグラムの変化を図9及び図10を参照しながら説明する。図9及び図10は、井戸層及び障壁層におけるバンドダイアグラムを示している。図9は、正の強いピエゾ分極を示す井戸層のエネルギーバンドを表しており、図10は、正の弱いピエゾ分極又は負のピエゾ分極を示す井戸層のエネルギーバンドを表す。これらの図における横軸の正の向きは、n型窒化物系半導体層からp型窒化物系半導体層に向かう方向と一致する。図9a及び図10aは、バイアスが印加されていない発光層におけるバンドダイアグラムを示しており、図9b及び図10bは、順バイアスが印加された発光層におけるバンドダイアグラムを示している。図9に示されるように強い正のピエゾ分極を示す井戸層では、順バイアス印加によって、井戸層の伝導帯Ecと価電子帯Evの傾きの方向が変化する。これ故に、順バイアス印加によって、井戸層の伝導帯Ec内の最低エネルギレベルと価電子帯Ev内の最高エネルギーレベルとの差Gwが小さくなる。その結果、順バイアス印加によって、PL波長のバイアス依存性はレッドシフトを示すことになる。一方、図10に示されるように、非常に小さいピエゾ分極及び負のピエゾ分極を示す井戸層では、順バイアス印加によって、井戸層の伝導帯Ecと価電子帯Evの傾きの方向は同じであるけれども、伝導帯Ec及び価電子帯Evの傾きの大きさが小さくなる。これにより、順バイアス印加によって、井戸層の伝導帯Ecの最低エネルギーレベルと価電子帯Ev内の最高エネルギーレベルの差Gwが大きくなる。その結果、順バイアス印加によって、PL波長のバイアス依存性はブルーシフトを示すことになる。同様の測定PL/ELスペクトルのバイアス依存性の測定をデバイス1~デバイス9について絶対温度100Kで行った。図11a、図11b及び図11cは、代表的なPLスペクトルのバイアス依存性測定結果を示す図であり、具体的にはそれぞれデバイス2、デバイス1及びデバイス5のPL/ELスペクトルのバイアス依存性測定結果を示す図である。図11において、横軸は、スペクトルピーク例えばPLスペクトルの波長を示し、縦軸は規格化したPL強度とEL強度を示している。印加バイアスが負値からゼロそしてわずかな正値の範囲では、EL発光は生じていない。この電圧範囲において、デバイス2ではPLピーク波長はレッドシフトを示し、デバイス1ではPLピーク波長はほとんど変化しなかった。この結果は、デバイス2及びデバイス1において井戸層のピエゾ分極の符号は正であることを示す。また、上記の電圧範囲において、デバイス5では、PLピーク波長はブルーシフトを示した。この結果は、デバイス5においては井戸層のピエゾ分極の符号は負であることを示す。図12は、PLピーク波長のシフト量とオフ角との関係を示す図面である。基板主面のオフ角に対する波長シフト量の依存性は、デバイス1~デバイス9におけるバイアス印加PL測定結果から見積もられた。PLピークの波長のシフト量は、バイアス印加無し又はバイアス印加ゼロボルトにおける測定のPLピーク波長と、EL発光開始直後のPLピークの波長との差として規定される。図12において、デバイス5面方位10-10、オフ角90度m軸方向の主面がm面であるので、デバイス5の井戸層における内部電界がゼロとなる。これ故に、図12の結果から理解されるように、デバイス5の波長シフト量よりも大きな波長シフト量を示す他のデバイスは、正のピエゾ分極を有し、デバイス5の波長シフト量よりも小さい波長シフト量の他のデバイスは、負のピエゾ分極を有する。図12に示されるように、デバイス1及びデバイス2におけるピエゾ分極の向きが正であり、デバイス3~5における井戸層のピエゾ分極の向きが負である。なお、図12には、デバイス10及びデバイス11のPLピーク波長のシフト量に対応するプロットを示している。デバイス10はデバイス3と同一の条件で作製され、またデバイス11はデバイス5と同一の条件で作製された。基板面方位の選択では、1つ以上の面方位を示す角度が選択されることができる。1つの面方位におけるピエゾ分極の向きから、該面方位に対応する角度及びこの角度近傍におけるピエゾ分極の向きの符号を見積もることができる。また、基板面方位の選択では、2つ以上の面方位を示す角度が選択されることができる。2つの角度の各々におけるピエゾ分極の向きから、当該2つの角度の間の範囲におけるピエゾ分極の向きの符号を見積もることができる。さらに、基板面方位の選択では、3つ以上の面方位を示す角度が選択されることができる。3つの角度の各々におけるピエゾ分極の向きから、隣接する2つの角度の間の範囲の各々におけるピエゾ分極の向きの符号を見積もることができる。例えば、一方の角度範囲が正のピエゾ分極であり一方の角度範囲が負のピエゾ分極であること;両方の角度範囲は正のピエゾ分極であること;両方の角度範囲が負のピエゾ分極であること。図12に示されたデバイス1~6のためのピエゾ分極の向きの見積もりデータの全部又は一部を用いて、ピエゾ分極の正負の符号に応じて角度範囲の区分けを行うことができる。基板の選択のための判断は上記の区分けに基づき行われる。角度範囲の区分けによれば、例えば、デバイス3~5の井戸層は負のピエゾ分極を示す。負のピエゾ分極を利用した効果を得るときは、デバイス3~5の面方位に対応する角度範囲の基板主面を用いる。一方、正のピエゾ分極を利用した効果を得るときは、デバイス3~5の面方位に対応する角度範囲の裏面に対応する基板を用いる。角度範囲の区分けによれば、例えば、デバイス1の井戸層は正のピエゾ分極を示す。正のピエゾ分極を利用した効果を得るときは、デバイス1の面方位に対応する角度の近傍に対応する基板主面を用いる。一方、負のピエゾ分極を利用した効果を得るときは、デバイス1の面方位に対応する角度近傍の裏面に対応する基板を用いる。GaN基板の表面及び裏面を使い分けて同様のLEDを作製した場合、井戸層のピエゾ分極として設計通りの符号を得ることができる。したがって、11-2-2面デバイス3のGaN基板の裏面に相当、10-1-1面デバイス4のGaN基板の裏面に相当、及び、20-2-1面デバイス5のGaN基板の裏面に相当、デバイス7のGaN基板の主面を主面とするGaN基板を用いて同様のLEDを作製するとき、井戸層のピエゾ分極の符号を正にできる。正のピエゾ分極を有する井戸層の利用による技術的な寄与の一つは、発光素子の駆動電圧の低減である。次に、デバイス7の電圧-電流特性をデバイス5の電圧-電流特性と比較した。デバイス5のGaN基板の裏面は、デバイス7のGaN基板の主面に相当する。既に説明したように、デバイス7における井戸層のピエゾ分極の向きは正方向であり、デバイス5の井戸層のピエゾ分極の向きは負方向である。図13は、デバイス7及びデバイス5の電圧-電流特性の測定結果を示す図面である。図13に示されるように、デバイス7の駆動電圧は、デバイス5の駆動電圧より低くなった。これは、井戸層のピエゾ分極の符号が正であるとき、駆動電圧の低減が可能になることを示す。同様に、デバイス9における電圧-電流特性をデバイス8における電圧-電流特性と比較するとき、デバイス8のGaN基板の裏面は、デバイス9のGaN基板の主面に相当する。上述のように、デバイス9の井戸層のピエゾ分極の向きは正方向であり、デバイス8の井戸層のピエゾ分極の向きは負方向である。図14は、デバイス9及びデバイス8の電圧-電流特性の測定結果を示す図面である。図14に示されるように、デバイス9の駆動電圧が、デバイス8の駆動電圧より低くなった。これは、井戸層のピエゾ分極の符号が正であるとき、駆動電圧の低減が可能になることを示す。図14における400nm波長帯の発光ダイオードにおける駆動電圧の低減の大きさは、図13に示された500nm波長帯における発光ダイオードにおける駆動電圧の低減の大きさに比べて小さい。駆動電圧の低減の手程度が小さい理由:デバイス8及び9における井戸層の伝導帯のポテンシャルが浅いので、井戸層のピエゾ分極の向きが負方向であるデバイス8においても、電子が井戸層から隣接する井戸層に比較的容易に移動できると考えられる。これより、駆動電圧を低下させる効果は井戸層のピエゾ分極の向きを正方向にすることによって得られるが、井戸層の伝導帯のポテンシャルが深いときにより顕著に発揮されると考えられる。この井戸層の深さは、見積もりによれば、0.7エレクトロンボルト以上である。井戸層のピエゾ分極の向きが正方向であるとき、図15に示されるように、井戸層とバリア層のバンドギャップエネルギ差が0.7eV以上である発光層においても、多重量子井戸構造の全体にわたって電子を供給できる。図16は、歪みを内包する発光層におけるピエゾ電界の向きを説明する図面である。図16a~図16cは、極性面c面上に形成された発光層におけるピエゾ電界を説明する図面である。図16d~図16eは、無極性面a面、m面上に形成された発光層におけるピエゾ電界を説明する図面である。図16f~図16gは、半極性面上に形成された発光層におけるピエゾ電界を説明する図面である。図16aを参照すると、発光層Pは、極性面c面上に形成された障壁層B1、B2及び井戸層W1を含む。井戸層W1は障壁層B1、B2に挟まれている。井戸層W1におけるピエゾ電界EPZの向きは、p層からn層への方向を向いている。井戸層では、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底がn層からp層への方向に下がっている。記号EC0は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示している。図16bを参照すると、発光層Pに小さな順方向電圧が印加されている。この発光層Pでは、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底の傾斜が電圧印加により大きくなっている。記号EC1は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示しており、エネルギ差EC0は、エネルギ差EC1よりも大きい。図16cを参照すると、発光層Pに大きな順方向電圧が印加されている。この発光層Pでは、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底の傾斜が、スクリーニングにより小さくなっている。記号EC2は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示しており、エネルギ差EC2は、エネルギ差EC0よりも大きい。印加電圧により引き起こされるエネルギ差の変化が、ブルーシフトの原因である。図16dを参照すると、発光層NPは、無極性面a面、m面上に形成された障壁層B3、B4及び井戸層W2を含む。井戸層W2は障壁層B3、B4に挟まれている。井戸層W2が無極性面上に形成されているので、ピエゾ電界EPZはゼロである。井戸層W2では、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底がp層からn層への方向に下がっている。記号ENP0は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示している。図16eを参照すると、発光層NPに順方向電圧が印加されている。この発光層NPでは、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底の傾斜が電圧印加によりほとんどなくなっている。記号ENP1は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示しており、エネルギ差ENP0はエネルギ差ENP1よりも小さい。発光層NPにはピエゾ電界がゼロであるので、井戸層のキャリア量が増加しても、スクリーニングが生じることもない。故に、印加電圧により引き起こされるエネルギ差の変化が無いので、ブルーシフトが観測されない。図16fを参照すると、発光層SP-は、特定のオフ角で傾斜した半極性面上に形成された障壁層B5、B6及び井戸層W3を含む。井戸層W3は障壁層B5、B6に挟まれている。井戸層W3が半極性面上に形成されているので、ピエゾ電界EPZは極性面上における値よりも小さい。井戸層W3では、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底がp層からn層への方向に下がっている。記号ESP0は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示している。図16gを参照すると、発光層SP-に順方向電圧が印加されている。この発光層SP-では、伝導帯のバンド底及び価電子のバンド底の傾斜が電圧印加により小さくなっている。記号ENP1は、伝導帯のバンド底と価電子のバンド底との間のエネルギ差を示しており、エネルギ差ESP0はエネルギ差ESP1よりも小さい。発光層SP-のピエゾ電界はp層からn層への方向と逆方向の成分を有し、その値は極性面上の値よりも小さいので、スクリーニングの度合いも小さい。故に、印加電圧により引き起こされるエネルギ差の変化が小さいので、ブルーシフトが非常に小さい。本実施の形態に係る傾斜角の面方位を有する井戸層発光層SP-は、図16f及び図16gに示されるように振る舞う。一方、本実施の形態に係る傾斜角の面方位と異なる半極性面上の井戸層発光層SPは、図16a~図16cに示されるように振る舞う。次いで、半極性面上に形成された発光層について更に説明する。図17は、歪みを内包する発光層におけるピエゾ分極の向きを説明する図面である。図17a及び図17bは正のピエゾ分極を有する発光層SPを示している。発光層SPは、障壁層B7、B8及び井戸層W4を含む。井戸層W4は障壁層B7、B8に挟まれている。発光層SPに隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Pが示されている。窒化ガリウム系半導体層Pは、例えばp型電子ブロック層またはp型クラッド層であることができる。井戸層W4におけるピエゾ電界の向きはp層からn層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Pにおけるピエゾ電界の向きはn層からp層への方向である。このため、発光層SPと窒化ガリウム系半導体層Pとの界面には、伝導帯にディップDIP1が形成される。故に、ディップDIP1により、窒化ガリウム系半導体層Pの電子障壁が低くなる。ディップDIP1の大きさは、例えば0.2eV程度である。一方、図17c及び図17dは負のピエゾ分極を有する発光層SP-を示している。発光層SP-に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Pが示されている。井戸層W3におけるピエゾ電界の向きはn層からp層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Pにおけるピエゾ電界の向きはp層からn層への方向である。このため、発光層SP-と窒化ガリウム系半導体層Pとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。故に、発光層からの電子に対する障壁が伝導帯のディップDIP2により低くなることなく、窒化ガリウム系半導体層Pは、発光層からの電子を十分に阻止できる。ディップDIP2の大きさは例えば0.1eV程度である。III族窒化物光素子においてピエゾ分極に係る特性の利用は有用であることが示された。上記の説明におけるピエゾ分極の寄与は例示であり、これらに限定されるものではない。好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。