半導体基板を研磨するための研磨パッドであって、研磨表面および裏面表面を備えている鋳造された均質研磨体と、前記鋳造された均質研磨体内に配置され、前記鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域とを備え、前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体と異なる材料を備え、前記終点検出領域の少なくとも一部は、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、研磨パッド。前記終点検出領域の少なくとも一部は、前記鋳造された均質研磨体の前記研磨表面に対して後退させられている、請求項1に記載の研磨パッド。前記終点検出領域は、局所的透明LAT領域である、請求項1に記載の軟質研磨パッド。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より高い、請求項3に記載の研磨パッド。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である、請求項1に記載の研磨パッド。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より高い、請求項5に記載の研磨パッド。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より低い、請求項5に記載の研磨パッド。前記終点検出領域全体が、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項1に記載の研磨パッド。前記終点検出領域の内側部分のみ、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項1に記載の研磨パッド。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項1に記載の研磨パッド。前記研磨表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンを備えている、請求項1に記載の研磨パッド。半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、研磨表面および裏面表面を備えている鋳造された均質研磨体を形成することと、前記鋳造された均質研磨体内に配置され、前記鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を形成することとを含み、前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体と異なる材料を備え、前記終点検出領域の少なくとも一部は、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、方法。前記終点検出領域は、局所的透明LAT領域である、請求項12に記載の方法。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より高い、請求項13に記載の方法。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である、請求項12に記載の方法。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より高い、請求項15に記載の方法。前記終点検出領域の硬度は、前記鋳造された均質研磨体の硬度より低い、請求項15に記載の方法。前記終点検出領域全体が、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項12に記載の方法。前記終点検出領域の内側部分のみ、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項12に記載の方法。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項12に記載の方法。前記研磨表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンを備えている、請求項12に記載の方法。半導体基板を研磨するための研磨パッドであって、研磨表面および裏面表面を備えている鋳造された均質研磨体と、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンであって、前記溝のパターンは、底部深度を有する、溝のパターンと、前記鋳造された均質研磨体内に形成されている終点検出領域とを備え、前記終点検出領域は、前記研磨表面に対して配向される第1の表面と、前記裏面表面に対して配向される第2の表面とを有し、前記第1の表面の少なくとも一部は、前記溝のパターンの前記底部深度と同一平面であり、前記溝のパターンを中断し、前記第2の表面は、前記裏面表面に対して前記鋳造された均質研磨体中に後退させられている、研磨パッド。前記終点検出領域の前記第1の表面全体は、前記溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面である、請求項22に記載の研磨パッド。前記終点検出領域の前記第1の表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面の深度を有する第2の溝のパターンを備えている、請求項22に記載の研磨パッド。前記溝のパターンおよび前記第2の溝のパターンの両方の個々の溝は、ある幅だけ離間され、前記第2の溝のパターンは、前記幅より大きい距離だけ、前記溝のパターンからオフセットされている、請求項24に記載の研磨パッド。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項22に記載の研磨パッド。前記終点検出領域を含む前記鋳造された均質研磨体は、不透明である、請求項22に記載の研磨パッド。半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、研磨パッド前駆体混合物を形成鋳型内に形成することと、前記形成鋳型の蓋を前記研磨パッド前駆体混合物中に位置付けることであって、前記蓋は、前記蓋上に配置されている溝のパターンを有し、前記溝のパターンは、中断領域を有する、ことと、前記研磨パッド前駆体混合物を硬化することにより、研磨表面および裏面表面を備えている鋳造された均質研磨体を提供することであって、前記蓋からの前記溝のパターンは、前記研磨表面内に配置され、前記溝のパターンは、底部深度を有する、ことと、終点検出領域を前記鋳造された均質研磨体内に提供することとを含み、前記終点検出領域は、前記研磨表面に対して配向される第1の表面および前記裏面表面に対して配向される第2の表面を有し、前記第1の表面の少なくとも一部は、前記溝のパターンの前記底部深度と同一平面であり、前記溝のパターンの中断領域を含み、前記第2の表面は、前記裏面表面に対して前記鋳造された均質研磨体中に後退させられている、方法。前記終点検出領域を提供することは、前記鋳造された均質研磨体の一部を掘り出すことによって行われる、請求項28に記載の方法。前記終点検出領域を提供することは、前記鋳造された均質研磨体内に埋設された犠牲層を除去することによって行われる、請求項28に記載の方法。前記終点検出領域の前記第1の表面全体は、前記溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面である、請求項28に記載の方法。前記終点検出領域の前記第1の表面は、前記鋳造された均質研磨体の前記研磨表面内に配置される前記溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面である深度を有する第2の溝のパターンを備えている、請求項28に記載の方法。前記溝のパターンおよび前記第2の溝のパターンの両方の個々の溝は、ある幅だけ離間され、前記第2の溝のパターンは、前記幅より大きい距離だけ、前記第1の溝のパターンからオフセットされている、請求項32に記載の方法。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項32に記載の方法。前記終点検出領域を含む前記鋳造された均質研磨体は、不透明である、請求項28に記載の方法。半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、前記方法は、鋳造プロセスによって、研磨パッドを形成することを含み、前記研磨パッドは、研磨表面および裏面表面を有する均質研磨体と、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンであって、前記溝のパターンは、底部深度を有する、溝のパターンと、前記鋳造された均質研磨体内に形成されている終点検出領域とを備え、前記終点検出領域は、前記研磨表面に対して配向される第1の表面と、前記裏面表面に対して配向される第2の表面とを有し、前記第1の表面の少なくとも一部は、前記溝のパターンの前記底部深度と同一平面であり、前記溝のパターンを中断し、前記第2の表面は、前記裏面表面に対して前記鋳造された均質研磨体中に後退させられている、方法。前記終点検出領域の前記第1の表面全体は、前記溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面である、請求項36に記載の方法。前記終点検出領域の前記第1の表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンの前記底部深度と本質的に同一平面の深度を有する第2の溝のパターンを備えている、請求項36に記載の方法。前記溝のパターンおよび前記第2の溝のパターンの両方の個々の溝は、ある幅だけ離間され、前記第2の溝のパターンは、前記幅より大きい距離だけ、前記溝のパターンからオフセットされている、請求項38に記載の方法。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項36に記載の方法。前記終点検出領域を含む前記鋳造された均質研磨体は、不透明である、請求項36に記載の方法。半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、第1の形成鋳型内に、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を形成することと、前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を第2の形成鋳型の蓋の受け取り領域上に位置付けることと、研磨パッド前駆体混合物を前記第2の形成鋳型内に提供することと、前記第2の形成鋳型の前記蓋と基部とを合わせることによって、前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を前記研磨パッド前駆体混合物中に移動させることと、前記研磨パッド前駆体混合物および前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を加熱することにより、硬化された終点検出領域前駆体と共有結合されている鋳造された均質研磨体を提供することであって、前記鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有する、ことと、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して、前記硬化された終点検出領域前駆体を後退させることにより、前記鋳造された均質研磨体内に配置され、前記鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を提供することとを含む、方法。前記後退させることは、前記硬化された終点検出領域前駆体の一部を掘り出すことによって行われる、請求項42に記載の方法。前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、犠牲層を含み、前記後退させることは、前記犠牲層を除去することによって行われる、請求項42に記載の方法。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体と異なる材料を備えている、請求項42に記載の方法。前記終点検出領域は、局所的透明LAT領域である、請求項45に記載の方法。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である、請求項45に記載の方法。前記終点検出領域全体が、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項42に記載の方法。前記終点検出領域の内側部分のみ、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項42に記載の方法。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項42に記載の方法。前記研磨表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンを備え、前記溝のパターンは、前記第2の形成鋳型の蓋から形成される、請求項42に記載の方法。半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、支持構造を第1の形成鋳型内に設置することと、前記支持構造上方において、検出領域前駆体混合物を前記第1の形成鋳型内に提供することと、前記第1の形成鋳型内の前記検出領域前駆体混合物を加熱することによって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を形成することであって、前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、前記支持構造に連結されている、ことと、前記支持構造を第2の形成鋳型の蓋の後退させられた受け取り領域に連結することによって、前記第2の形成鋳型の前記蓋の前記後退させられた受け取り領域上に前記支持構造および前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を位置付けることと、研磨パッド前駆体混合物を前記第2の形成鋳型内に提供することと、前記第2の形成鋳型の前記蓋と基部とを合わせることによって、前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を前記研磨パッド前駆体混合物中に移動させることと、前記研磨パッド前駆体混合物および前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体を加熱することにより、硬化された終点検出領域前駆体と共有結合されている鋳造された均質研磨体を提供することであって、前記鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有し、前記終点検出領域は、前記支持構造に連結されている、ことと、前記支持構造を前記終点検出領域から除去することとを含む、方法。前記加熱することに続いて、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して、前記硬化された終点検出領域前駆体を後退させることにより、前記鋳造された均質研磨体内に配置され、前記鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を提供することをさらに含む、請求項52に記載の方法。前記支持構造は、硬質エポキシ板を備えている、請求項52に記載の方法。前記検出領域前駆体混合物を前記第1の形成鋳型内に提供することは、前記検出領域前駆体混合物を前記支持構造に接着されたポリマー膜上に提供することを含む、請求項54に記載の方法。前記支持構造を前記蓋の前記後退させられた受け取り領域に連結することは、一片の両面テープによって、前記支持構造を前記後退させられた受け取り領域に接着することを含む、請求項55に記載の方法。前記後退させることは、前記硬化された終点検出領域前駆体の一部を掘り出すことによって行われる、請求項53に記載の方法。前記部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、犠牲層を含み、前記後退させることは、前記犠牲層を除去することによって行われる、請求項53に記載の方法。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体と異なる材料を備えている、請求項52に記載の方法。前記終点検出領域は、局所的透明LAT領域である、請求項59に記載の方法。前記終点検出領域は、前記鋳造された均質研磨体の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である、請求項59に記載の方法。前記終点検出領域全体が、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項53に記載の方法。前記終点検出領域の内側部分のみ、前記鋳造された均質研磨体の前記裏面表面に対して後退させられている、請求項53に記載の方法。前記鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料を備えている、請求項52に記載の方法。前記研磨表面は、前記研磨表面内に配置されている溝のパターンを備え、前記溝のパターンは、前記第2の形成鋳型の蓋から形成される、請求項52に記載の方法。本発明の実施形態は、渦電流終点検出のための研磨パッドを含む。ある実施形態では、半導体基板を研磨するための研磨パッドは、鋳造された均質研磨体を含む。鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有する。研磨パッドはまた、鋳造された均質研磨体内に配置され、鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を含む。終点検出領域は、鋳造された均質研磨体と異なる材料から成り、終点検出領域の少なくとも一部は、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して後退させられる。別の実施形態では、半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法は、鋳造された均質研磨体を形成することを含む。鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有する。方法はまた、鋳造された均質研磨体内に配置され、鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を形成することを含む。終点検出領域は、鋳造された均質研磨体と異なる材料から成り、終点検出領域の少なくとも一部は、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して後退させられる。ある実施形態では、半導体基板を研磨するための研磨パッドは、研磨表面および裏面表面を有する、鋳造された均質研磨体を含む。溝のパターンが、研磨表面内に配置され、溝のパターンは、底部深度を有する。研磨パッドはまた、鋳造された均質研磨体内に形成される、終点検出領域を含む。終点検出領域は、研磨表面に対して配向される第1の表面および裏面表面に対して配向される第2の表面を有する。第1の表面の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度と同一平面であって、溝のパターンを中断する。第2の表面は、裏面表面に対して、鋳造された均質研磨体中に後退させられる。別の実施形態では、研磨パッドを製造する方法は、研磨パッド前駆体混合物を形成鋳型内に形成することを含む。形成鋳型の蓋は、研磨パッド前駆体混合物中に位置付けられる。蓋は、その上に配置されている溝のパターンを有し、溝のパターンは、中断領域を有する。研磨パッド前駆体混合物は、硬化され、研磨表面および裏面表面を有する、鋳造された均質研磨体を提供する。蓋からの溝のパターンは、研磨表面内に配置され、溝のパターンは、底部深度を有する。終点検出領域は、鋳造された均質研磨体内に提供され、終点検出領域は、研磨表面に対して配向される第1の表面および裏面表面に対して配向される第2の表面を有する。第1の表面の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度と同一平面であって、溝のパターンの中断領域を含む。一方、第2の表面は、裏面表面に対して、鋳造された均質研磨体中に後退させられる。ある実施形態では、半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法は、鋳造プロセスにおいて、研磨表面および裏面表面を有する、鋳造された均質研磨体を備えている、研磨パッドを形成することを含む。溝のパターンは、研磨表面内に配置され、溝のパターンは、底部深度を有する。研磨パッドはまた、鋳造された均質研磨体内に形成される、終点検出領域を含む。終点検出領域は、研磨表面に対して配向される第1の表面および裏面表面に対して配向される第2の表面を有する。第1の表面の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度と同一平面であって、溝のパターンを中断する。第2の表面は、裏面表面に対して、鋳造された均質研磨体中に後退させられる。ある実施形態では、研磨パッドを製造する方法は、第1の形成鋳型内に、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を形成することを含む。部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、第2の形成鋳型の蓋の受け取り領域上に位置付けられる。研磨パッド前駆体混合物は、第2の形成鋳型内に提供される。第2の形成鋳型の蓋と基部とを合わせることによって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、研磨パッド前駆体混合物中に移動される。研磨パッド前駆体混合物および部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、次いで、加熱され、硬化された終点検出領域前駆体と共有結合されている鋳造された均質研磨体を提供し、鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有する。硬化された終点検出領域前駆体は、次いで、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して、後退させられ、鋳造された均質研磨体内に配置され、鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を提供する。別の実施形態では、研磨パッドを製造する方法は、支持構造を第1の形成鋳型内に設置することを含む。検出領域前駆体混合物は、支持構造の上方において、第1の形成鋳型内に提供される。部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、第1の形成鋳型内の検出領域前駆体混合物を加熱することによって形成され、部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、支持構造に連結される。支持構造および部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、支持構造を蓋の後退させられた受け取り領域に連結することによって、第2の形成鋳型の蓋の後退させられた受け取り領域上に位置付けられる。研磨パッド前駆体混合物が、第2の形成鋳型内に提供される。第2の形成鋳型の蓋と基部とを合わせることによって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、研磨パッド前駆体混合物中に移動される。研磨パッド前駆体混合物および部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、加熱され、硬化された終点検出領域前駆体と共有結合されている鋳造された均質研磨体を提供し、鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有し、終点検出領域は、支持構造に連結される。支持構造が、終点検出領域から除去される。渦電流終点検出を使用して、半導体基板を研磨するための研磨パッドが、本明細書に説明される。以下の説明では、本発明の実施形態の徹底的理解を提供するために、具体的研磨パッド組成および設計等、多数の具体的詳細が、記載される。本発明の実施形態は、これらの具体的詳細を伴わずに実践され得ることは、当業者に明白となるであろう。他の事例では、半導体基板のCMPを行なうためのスラリーと研磨パッドの組み合わせ等、周知の処理技法は、本発明の実施形態を不必要に曖昧にしないように、詳細に説明されない。さらに、図に示される種々の実施形態は、例証的表現であって、必ずしも、正確な縮尺で描かれていないことを理解されたい。研磨パッドは、化学機械的研磨装置の取付盤の中に組み込まれる渦電流検出プローブを収容するように設計される、領域を含むように形成され得る。例えば、本発明のある実施形態では、個別の材料領域が、研磨パッドの鋳造中、研磨パッドに含まれる。個別の材料領域は、取付盤から突出する渦電流プローブを収容するような形状およびサイズを有する。さらに、領域は、渦電流プローブを含む取付盤上に、研磨パッドを整列させることを補助をするために、少なくとも幾分、透明に作製することができる。本発明の別の実施形態では、研磨パッドは、全体的に、研磨体の裏側の領域内に形成される陥凹を伴う鋳造された均質研磨体である。陥凹も、取付盤から突出する渦電流プローブを収容するような形状およびサイズを有し得る。一実施形態では、単一陥凹は、取付盤の上方に突出する、渦電流検出器の全部分を収容するようなサイズを有する。加えて、鋳造された均質研磨体が、不透明である場合、パターンが、研磨パッドの研磨表面内に形成され得、パターンは、研磨パッドの裏側上の陥凹の場所を示すか、またはそこへの手掛かりとなる。手掛かりを使用して、渦電流プローブを含む取付盤上への研磨パッドの整列を補助し得る。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための研磨パッドは、センサ等の装置が、CMPツールの取付盤の上方に延びることを可能にするように提供される。例えば、一実施形態では、研磨パッドは、渦電流終点検出システムを取り付けられる研磨ツール上、および、渦電流終点検出を利用するCMPプロセスにおけるその使用を促進する設計特徴を含む。研磨パッド設計特徴は、概して、研磨プロセスが進行中、CMPツールの渦電流センサが、CMPツール取付盤の平面上方に隆起し、研磨パッドの背面の中に延びることを可能にし得る。ある実施形態では、設計特徴は、研磨パッドの全体的研磨性能に影響を及ぼすことなく、これが生じることを可能にする。設計特徴はまた、渦電流センサが、干渉せずに、取付盤の平面上方に隆起するように、正確な配向において、取付盤上への研磨パッドの設置を可能にし得る。ある実施形態では、設計特徴は、渦電流センサと整列するための適切なサイズ、形状を有し、位置付けられる、研磨パッドの背面内の陥凹を含む。ある実施形態では、別の設計特徴は、渦電流センサ等のセンサの場所と整列するように、取付盤上に研磨パッドを視覚的に配向する手段を含む。一実施形態では、研磨パッドは、透明部分を有する。別の実施形態では、研磨パッドは、全体的に、不透明であるが、対応する背面陥凹の場所を示すその研磨表面上の中断パターン等の可視信号または手掛かりを含む。本発明のある側面では、渦電流検出と使用するための研磨パッドは、研磨パッドの残りと異なる材料から成る終点検出領域を含む。例えば、図1Aは、本発明のある実施形態による、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドの断面図を例証する。図1Bは、本発明のある実施形態による、図1Aの研磨パッドの上面図を例証する。図1Aおよび1Bを参照すると、研磨パッド100は、鋳造された均質研磨体102を含む。鋳造された均質研磨体102は、研磨表面104および裏面表面106を有する裏面表面106は、図1Aのみに描写されることに留意されたい。研磨表面104は、図1に描写されるように、複数の溝150を含み得る。終点検出領域108は、鋳造された均質研磨体102内に配置される。終点検出領域108は、鋳造された均質研磨体102と異なる材料110から成る。材料110は、鋳造された均質研磨体102の材料と共有結合112される。ある実施形態では、終点検出領域108は、図1Aに描写されるように、溝の有無を問わず、研磨パッドの大部分より薄い。例えば、一実施形態では、終点検出領域108の材料110の厚さT3は、鋳造された均質研磨体102の厚さT1より薄い。また、特に、T3は、研磨表面104の溝150を除いた鋳造された均質研磨体102の部分の厚さT2より薄い。具体的実施形態では、T1は、研磨パッド100の最も薄い部分である。再び、図1Aを参照すると、終点検出領域108の材料110の少なくとも一部は、鋳造された均質研磨体102の裏面表面106に対して後退させられる。例えば、ある実施形態では、終点検出領域108の材料110は、全体的に、鋳造された均質研磨体102の裏面表面106に対して後退させられる。特に、終点検出領域108の材料110は、第1の表面114および第2の表面116を有する。第2の表面116は、裏面表面106に対して、量Dだけ後退させられる。ある実施形態では、第2の表面116は、化学機械的研磨装置の取付盤から突出する渦電流プローブを収容するために十分な量Dだけ後退させられる。具体的実施形態では、後退深度Dは、表面106の下方に約70ミル1インチの千分の1である。図1Bを参照すると、ある実施形態では、鋳造された均質研磨体102の研磨表面104は、その中に配置されている溝のパターン、すなわち、図1Aに示される溝150から形成されるパターンを有する。一実施形態では、溝のパターンは、図1Bに描写されるように、複数の半径方向線120を伴う複数の同心多角形118を含む。ある実施形態では、用語共有結合されるは、終点検出領域108の材料110からの原子が、鋳造された均質研磨体102からの原子と架橋結合されるか、またはそれを共有し、実際の化学結合をもたらす配列を指す。そのような共有結合は、研磨パッドの一部が、切除され、窓挿入部等の挿入領域と置換される場合にもたらされ得る静電相互作用とは区別される。共有結合はまた、ネジ、釘、糊、または他の接着剤を通した結合等の機械的結合とも区別される。以下に詳述されるように、共有結合は、研磨体と後に追加される挿入部との別個の形成を介することとは対照的に、その中に既に配置されている終点検出領域前駆体を伴う研磨体前駆体を硬化させることによって達成され得る。別の実施形態では、終点検出領域の材料は、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して、全体が後退させられない。図2Aは、本発明のある実施形態による、別の研磨パッドの断面図を例証する。図2Bは、本発明のある実施形態による、図2Aの研磨パッドの上面図を例証する。図2Aおよび2Bを参照すると、研磨パッド200は、鋳造された均質研磨体202を含む。鋳造された均質研磨体202は、研磨表面204および裏面表面206を有する裏面表面206は、図2Aのみに描写されることに留意されたい。終点検出領域208は、鋳造された均質研磨体202内に配置される。終点検出領域208は、鋳造された均質研磨体202と異なる材料210から成る。材料210は、鋳造された均質研磨体202の材料と共有結合212される。ある実施形態では、終点検出領域208の材料210の一部のみ、鋳造された均質研磨体202の裏面表面206に対して後退させられる。例えば、終点検出領域208の材料210は、第1の表面214、第2の表面216、および第3の表面218を有する。第2の表面は、終点検出領域208の内側部分のみ含み、鋳造された均質研磨体202の裏面表面206および終点検出領域208の第3の表面218に対して、量Dだけ後退させられる。したがって、終点検出領域208の側壁220は、終点検出領域208および鋳造された均質研磨体202が合致する界面222に沿ったままである。一実施形態では、側壁220を保持することによって、終点検出領域208と鋳造された均質研磨体202との間に大きい範囲の共有結合が達成され、研磨パッド200の完全性が増加する。ある実施形態では、第2の表面216は、化学機械的研磨装置の取付盤から突出する渦電流プローブを収容するために十分な量Dだけ後退させられる。具体的実施形態では、後退深度Dは、表面206の下方に約70ミル1インチの千分の1である。本発明のある実施形態による、図1A、1B、2A、および2Bを参照すると、終点検出領域例えば、領域108または208は、局所的透明LAT領域である。ある実施形態では、鋳造された均質研磨体は、不透明である一方、LAT領域は、不透明ではない。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、後述されるように、少なくとも部分的に、その製造において使用される材料内の無機物質の含有のため、不透明である。この実施形態では、LAT領域は、無機物質を除外して製造され、実質的に、完全にではないにしても、例えば、可視光、紫外線光、赤外線光、またはそれらの組み合わせに対して、透明である。具体的実施形態では、鋳造された均質研磨体内に含まれる無機物質は、乳白化潤滑剤である一方、LAT領域は、任意の無機物質を含有せず、本質的に、乳白化潤滑剤を含有しない。ある実施形態では、LAT領域は、例えば、研磨パッドを取付盤上に位置付けるため、または終点検出のために、研磨パッドを通して、光の透過を可能にするために、効果的には、透明理想的には、完全に透明である。しかしながら、LAT領域が、完全に透明であるように製造できないか、または製造される必要がないが、依然として、LAT領域が、研磨パッドを取付盤上に位置付けるため、または終点検出のための光の透過に効果的であり得る場合があり得る。例えば、一実施形態では、LAT領域は、700-710ナノメートル範囲内において、80未満の入射光であるが、依然として、研磨パッド内の窓として作用するために好適である。ある実施形態では、前述のLAT領域は、化学機械的研磨動作において使用されるスラリーに対して、不浸透性である。ある実施形態では、再び、図1Bおよび2Bを参照すると、終点検出領域108および208はそれぞれ、LAT領域であって、上からの視点において、視覚的に透明である。一実施形態では、この視覚的透明性は、渦電流検出プローブを装備した取付盤上に研磨パッドを搭載することを補助する。図2Bでは、側壁220は、破線長方形形状によって描写されるように、この視点から可視である。しかしながら、別の実施形態では、終点検出領域の材料は、不透明であって、したがって、局所的透明領域を提供するように作用しない。例えば、図3Aおよび3Bは、本発明の別の実施形態による、他の研磨パッドの断面図を例証する。図3Aおよび3Bを参照すると、研磨パッド300または、300’は、鋳造された均質研磨体302を含む。鋳造された均質研磨体302は、研磨表面304および裏面表面306を有する。終点検出領域308または、308’は、鋳造された均質研磨体302内に配置される。終点検出領域308または、308’は、鋳造された均質研磨体302と異なる不透明材料310から成る。材料310は、鋳造された均質研磨体302の材料と共有結合312される。ある実施形態では、図3Aを参照すると、終点検出領域308の材料310は、全体的が鋳造された均質研磨体302の裏面表面306に対して後退させられる。別の実施形態では、図3Bを参照すると、終点検出領域308’の材料310の一部のみが、鋳造された均質研磨体302の裏面表面306に対して、後退させられ、側壁320を残す。ある実施形態では、終点検出領域308または、308’は、鋳造された均質研磨体302の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である。具体的実施形態では、終点検出領域308または、308’の硬度は、鋳造された均質研磨体302の硬度より高い。しかしながら、代替実施形態では、終点検出領域308または、308’の硬度は、鋳造された均質研磨体302の硬度より低い。ある実施形態では、終点検出領域308または、308’は、化学機械的研磨動作において使用されるスラリーに対して、不浸透性である。終点検出領域308または、308’は、不透明材料310から成るが、領域は、依然として、それぞれ、渦電流プローブを装備する取付盤上に研磨パッド300または300’を視覚的に搭載するために使用され得る。例えば、一実施形態では、終点検出領域308または、308’の第1の表面304上に溝付きパターンがないことは、終点検出領域308または、308’の場所の視覚的指示または手掛かりを提供する。本発明の別の側面では、渦電流検出と使用するための研磨パッドは、研磨パッドの残りと同一材料から成り、かつ均質である終点検出領域を含む。図4Aは、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための、かつ、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドの断面図を例証する。図4Bは、本発明のある実施形態による、図4Aの研磨パッドの上面図を例証する。図4Aおよび4Bを参照すると、研磨パッド400は、鋳造された均質研磨体402を含む。鋳造された均質研磨体402は、研磨表面404および裏面表面406を有する。溝408のパターンは、研磨表面404内に配置される。溝のパターンの各溝は、底部深度410を有する。研磨パッド400はまた、鋳造された均質研磨体402内に形成されている終点検出領域412を含む。終点検出領域は、研磨表面404に対して配向される第1の表面414および裏面表面406に対して配向される第2の表面416を有する。第1の表面414の少なくとも一部は、例えば、深度D1だけ、溝のパターンの底部深度410と同一平面である。第2の表面416は、量D2だけ、裏面表面406に対して、鋳造された均質研磨体402中に後退させられる。ある実施形態では、第2の表面416は、化学機械的研磨装置の取付盤から突出する渦電流プローブを収容するために十分な量D2だけ後退させられる。具体的実施形態では、後退深度D2は、表面406の下方に約70ミル1インチの千分の1である。ある実施形態では、第1の表面414の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度410と同一平面であるため、第1の表面414は、ウエハの研磨中、スラリー移動に干渉しない。ある実施形態では、第1の表面414の少なくとも一部は、研磨表面404の溝のパターン408を中断する。例えば、一実施形態では、図4Aを参照すると、終点検出領域412の第1の表面414全体が、本質的に、溝408のパターンの底部深度410と同一平面である。したがって、溝408のパターンは、本質的に、単一の大きな溝が、終点検出領域412の第1の表面414上に形成されるため、終点検出領域412において中断される。再び、図4Bを参照すると、鋳造された均質研磨体402の研磨表面404は、その中に配置されている溝のパターンを有する。一実施形態では、溝のパターンは、複数の半径方向線420を伴う複数の同心多角形418を含む。しかしながら、終点検出領域412では、パターンは、溝がないことにより中断される。故に、終点検出領域412が、鋳造された均質研磨体402と同一材料から成る場合でも、終点検出領域412の場所の視覚的インジケータが提供される。具体的実施形態では、終点検出領域408を含む、鋳造された均質研磨体402は、不透明であるが、溝のパターン内の中断は、渦電流検出システムを装備する取付盤上に搭載するために、終点検出領域408の場所の視覚的決定のために使用される。別の実施形態では、終点検出領域は、本質的に、研磨パッドの研磨表面内に配置されている溝のパターンの底部深度と同一平面の深度を有する第2の溝のパターンを有する。例えば、図5Aは、本発明のある実施形態による、別の研磨パッドの断面図を例証する。図5Bは、本発明のある実施形態による、図5Aの研磨パッドの上面図を例証する。図5Aおよび5Bを参照すると、研磨パッド500は、鋳造された均質研磨体502を含む。鋳造された均質研磨体502は、研磨表面504および裏面表面506を有する。溝のパターン508は、研磨表面504内に配置される。溝のパターンの各溝は、底部深度510を有する。研磨パッド500はまた、鋳造された均質研磨体502内に形成されている終点検出領域512を含む。終点検出領域は、研磨表面504に対して配向される第1の表面514および裏面表面506に対して配向される第2の表面516を有する。第1の表面514の少なくとも一部は、例えば、深度D1だけ、溝のパターンの底部深度510と同一平面である。第2の表面516は、量D2だけ、裏面表面506に対して、鋳造された均質研磨体502中に後退させられる。ある実施形態では、第2の表面516は、化学機械的研磨装置の取付盤から突出する渦電流プローブを収容するために十分な量D2だけ後退させられる。具体的実施形態では、後退深度D2は、表面506の下方に約70ミル1インチの千分の1である。ある実施形態では、第1の表面514の少なくとも一部は、研磨表面504の溝508のパターンを中断する。例えば、一実施形態では、図5Aを参照すると、終点検出領域512の第1の表面514は、本質的に、研磨表面504内に配置されている溝508のパターンの底部深度例えば、深度D1までと同一平面の深度を伴う第2の溝518のパターンを有する。しかしながら、研磨表面504の溝508のパターンおよび終点検出領域512の第2の溝518のパターンは、間隔520における変化によって中断される。例えば、溝508のパターンおよび第2の溝518のパターン両方の個々の溝は、ある幅W1だけ離間され、第2の溝518のパターンは、幅W1を上回る距離W2だけ、第1の溝508のパターンからオフセットされる。再び、図5Bを参照すると、鋳造された均質研磨体502の研磨表面504は、その中に配置されている溝のパターンを有する。一実施形態では、溝のパターンは、複数の半径方向線524を伴う複数の同心多角形522を含む。しかしながら、終点検出領域512では、パターンは、第2の溝518のパターンの周囲において中断される。故に、終点検出領域512が、鋳造された均質研磨体502と同一材料から成る場合でも、終点検出領域512の場所の視覚的インジケータが、提供される。具体的実施形態では、終点検出領域508を含む鋳造された均質研磨体502は、不透明であるが、溝のパターンにおける中断が、渦電流検出システムを装備する取付盤上に搭載するために、終点検出領域508の場所の視覚的決定のために使用される。渦電流検出システムを装備する取付盤上に搭載するために、終点検出領域の場所の視覚的決定のための溝のパターンにおける中断の使用は、溝パターンにおけるオフセットが、前述のように、研磨パッドの裏側の終点検出領域の場所を示す実施形態に限定されない。別の実施形態では、追加の溝が、研磨パッドの裏側の検出領域の場所の輪郭をトレースするために、研磨表面上に含まれる。別の実施形態では、溝幅の変化が、研磨パッドの裏側の検出領域の場所を示すために、研磨表面上で使用される。別の実施形態では、溝ピッチの変化が、研磨パッドの裏側の検出領域の場所を示すために、研磨表面上で使用される。別の実施形態では、前述の特徴の2つ以上が、研磨パッドの裏側の検出領域の場所を示すために、研磨表面上に含まれる。本発明のある実施形態によると、前述の鋳造された均質研磨体は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る。ある実施形態では、用語均質は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料の組成物が、研磨体の組成物全体を通して一貫していることを示すために使用される。例えば、ある実施形態では、用語均質は、例えば、異なる材料の複数の層の含浸フェルトまたは組成物合成物から成る研磨パッドを除外する。ある実施形態では、用語熱硬化性は、不可逆的に硬化するポリマー材料、例えば、材料の前駆体が、硬化によって、不溶融性の不溶性ポリマー網目に不可逆的に変化するポリマー材料を示すために使用される。例えば、ある実施形態では、用語熱硬化性は、例えば、熱可塑性材料または熱可塑性物質から成る研磨パッドを除外するそれらの材料は、加熱されると、液体に戻り、十分に冷却されると、非常にガラス状の状態に凍結するポリマーから成る。熱硬化性材料から作製される研磨パッドは、典型的には、低分子量前駆体が反応し、化学反応においてポリマーを形成することから製造される一方、熱可塑性材料から作製されるパッドは、典型的には、既存のポリマーを加熱し、研磨パッドが、物理的プロセスにおいて形成されるように、位相変化させることによって、製造されることに留意されたい。ある実施形態では、用語鋳造されたは、鋳造された均質研磨体が、以下により詳細に説明されるように、形成鋳型内において、形成されることを示すために使用される。ある実施形態では、前述の研磨体は、不透明である。一実施形態では、用語不透明は、約10以下の可視光を透過させる材料を示すために使用される。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、大部分において、または全体的に、鋳造された均質研磨体の均質熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料全体を通した乳白化潤滑剤の含有例えば、その中の追加の成分としてによって、不透明である。具体的実施形態では、乳白化潤滑剤は、窒化ホウ素、フッ化セリウム、黒鉛、フッ化黒鉛、硫化モリブデン、硫化ニオブ、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflon等の材料であるが、それらに限定されない。ある実施形態では、鋳造された均質研磨体は、ポロゲンを含む。一実施形態では、用語ポロゲンは、中空中心を伴うマイクロまたはナノスケールの球状粒子を示すために使用される。中空中心は、固体材料で充填されておらず、むしろ、ガス状または液体コアを含み得る。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、ポロゲンとして、鋳造された均質研磨体の均質熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料全体を通して例えば、その中の追加の成分として、予備発泡されかつガスで充填されたEXPANCEL含む。具体的実施形態では、EXPANCELは、ペンタンで充填される。鋳造された均質研磨体のサイズは、用途に従って、変動し得る。それでもなお、ある一定のパラメータが、従来の処理機器または従来の化学機械的処理動作とも適合性がある、そのような鋳造された均質研磨体を含む研磨パッドを作製するために使用され得る。例えば、本発明のある実施形態によると、鋳造された均質研磨体は、約0.075インチから0.130インチの範囲の厚さ、例えば、約1.9-3.3ミリメートルの範囲を有する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体202は、約20インチから30.3インチの範囲の直径、例えば、約50-77センチメートルの範囲、可能性として、約10インチから42インチの範囲、例えば、約25-107センチメートルの範囲を有する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、約18-30総空隙容量の範囲の孔隙密度、可能性として、約15-35総空隙容量の範囲を有する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、ある孔隙率の独立気泡タイプを有する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、約40ミクロン直径の孔隙サイズを有するが、より小さい、例えば、約20ミクロン直径であり得る。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、約2.5の圧縮率を有する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、1立方センチメートルあたり約0.70-0.90グラムの範囲の密度、または1立方センチメートルあたり約0.95-1.05グラムの範囲を有する。渦電流検出のために、鋳造された均質研磨体を含む研磨パッドを使用する種々の膜の除去率は、研磨ツール、スラリー、条件付け、または使用される研磨方式に応じて、変動し得る。しかしながら、一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、約1分あたり30-900ナノメートルの範囲の銅除去率を呈する。一実施形態では、鋳造された均質研磨体は、本明細書に説明されるように、約1分あたり30-900ナノメートルの範囲の酸化物除去率を呈する。前述のように、渦電流検出のために適合される研磨パッドは、鋳造プロセスにおいて製造され得る。ある実施形態では、鋳造プロセスを使用して、研磨パッドの残りと異なる材料から成る終点検出領域を伴う研磨パッドを製造し得る。例えば、図6A-6Jは、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドの製造における種々のプロセス動作の断面図を例証する。図6A-6Dを参照すると、研磨パッドを製造する方法は、最初に、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を形成することを含む。例えば、図6Aおよび6Bを参照すると、第1の形成鋳型602は、前駆体混合物604で充填され、第1の形成鋳型602の蓋606は、混合物604の上部に設置される。ある実施形態では、蓋606が定位置にある状態において、混合物604が、圧力下、加熱され、部分的に硬化された本体608例えば、図6Cに描写されるように、混合物604全体を通して形成される、少なくともある程度の鎖延長および/または架橋結合を提供する。第1の形成鋳型602から部分的に硬化された本体608を除去すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608が、図6Dに描写されるように、提供される。ある実施形態では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合することによって形成される。一実施形態では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、最終的には、研磨パッド内の局所的透明LAT領域を提供する。LAT領域は、種々の終点検出技法と適合性があり、鋳造プロセスによって製造される研磨パッド内に含有するために好適な材料から成り得る。例えば、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、最初に、芳香族ウレタンプレポリマーを硬化剤と混合することによって形成される。別の実施形態では、不透明領域は、混合物内に乳白化剤を含めることによって形成される。いずれの場合も、結果として生じる混合物は、次いで、第1の形成鋳型内において、部分的に硬化され、鋳造されたゲルを形成する。図6Eを参照すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、第2の形成鋳型610の蓋612の受け取り領域614上に位置付けられる。研磨パッド前駆体混合物616は、第2の形成鋳型610内に形成される。本発明のある実施形態によると、研磨パッド前駆体混合物616は、ポリウレタンプレポリマーおよび硬化剤を含む。ある実施形態では、研磨パッド前駆体混合物616は、最終的には、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る鋳造された均質研磨体を形成するために使用される。一実施形態では、研磨パッド前駆体混合物616は、最終的には、硬質パッドを形成するために使用され、単一タイプの硬化剤のみ、使用される。別の実施形態では、研磨パッド前駆体混合物616は、最終的には、軟質パッドを形成するために使用され、一次および二次硬化剤の組み合わせが、使用される。例えば、具体的実施形態では、プレポリマーは、ポリウレタン前駆体を含み、一次硬化剤は、芳香族ジアミン化合物を含み、二次硬化剤は、エーテル結合を含む。特定の実施形態では、ポリウレタン前駆体は、イソシアネートであり、一次硬化剤は、芳香族ジアミンであり、二次硬化剤は、限定されないが、ポリオキシテトラメチレングリコール、アミノ官能化グリコール、またはアミノ官能化ポリオキシプロピレン等の硬化剤である。ある実施形態では、プレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤は、概算モル比100質量部のプレポリマー、85質量部の一次硬化剤、および15質量部の二次硬化剤を有する。比率の変動は、研磨パッドに、可変硬度値を提供するために、またはプレポリマーならびに第1および第2の硬化剤の具体的性質に基づいて、使用され得ることを理解されたい。ある実施形態では、混合はさらに、乳白化潤滑剤をプレポリマー、一次硬化剤、および二次硬化剤と混合することを含む。ある実施形態では、乳白化剤は、限定されないが、窒化ホウ素、フッ化セリウム、黒鉛、フッ化黒鉛、硫化モリブデン、硫化ニオブ、タルク、硫化タンタル、二硫化タングステン、またはTeflon等の材料である。具体的実施形態では、鋳造された均質研磨体は、aAIRTHANE60D:ポリテトラメチレングリコール-トルエンジイソシアネート等の芳香族ウレタンプレポリマー、bEXPANCELDE40:イソブテンまたはペンタン充填剤を伴うアクリロニトリル/アクリレートコポリマー等のポロゲン、c潤滑剤および漂白剤充填剤、dTerathane2000:ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリオール、およびeABCO1027等の触媒と、fCURENE107:チオエーテル芳香族ジアミン等の硬化剤、gIrgastabPUR68等の熱安定剤、およびg実質的に、均一な微小細胞独立気泡構造を有する、ほぼ不透明鈍黄色熱硬化性ポリウレタンを形成するためのTinuvin213等のUV吸収剤を反応させることによって製造される。一実施形態では、EXPANCELは、ガスで充填され、各EXPANSELユニットの平均孔隙サイズは、約20から40ミクロンの範囲である。図6Fを参照すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は第2の形成鋳型610の蓋612を降下させることによって、研磨パッド前駆体混合物616中に移動される。ある実施形態では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、図6Fに描写されるように、第2の形成鋳型610の一番底の表面に移動される。ある実施形態では、複数の溝が、形成鋳型612の蓋612内に形成される。複数の溝は、形成鋳型610内に形成される研磨パッドの研磨表面に溝のパターンを圧痕するために使用される。形成鋳型の蓋を降下させることによって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を研磨パッド前駆体混合物中に移動させることを説明する、本明細書に説明される実施形態は、形成鋳型の蓋および基部を一緒に合わせることを達成するためにのみ必要であることを理解されたい。これは、いくつかの実施形態では、形成鋳型の基部が、形成鋳型の蓋に向かって上昇される一方、他の実施形態では、形成鋳型の蓋が、同時に、基部が、蓋に向かって上昇されるのに伴って、形成鋳型の基部に向かって降下される。図6Gを参照すると、研磨パッド前駆体混合物616および部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、圧力下例えば、蓋612が定位置にある状態において、加熱され、硬化された終点検出領域前駆体622と共有結合される、鋳造された均質研磨体620を提供する。図6Hを参照すると、研磨パッドまたは、さらなる硬化が要求される場合、研磨パッド前駆体が、鋳型610から除去され、鋳造された均質研磨体620に、その中に配置される硬化された終点検出領域前駆体622を提供する。加熱を通したさらなる硬化が、望ましくあり得、研磨パッドを炉内に設置し、加熱することによって行われ得ることに留意されたい。いずれの方法でも、研磨パッドが、最終的には、提供され、研磨パッドの鋳造された均質研磨体620は、研磨表面図6Hの上部溝付き表面および裏面表面図6Hの底部平坦表面を有する。ある実施形態では、形成鋳型610内で加熱することは、約200-260°Fの範囲の温度および約1平方インチあたり2-12ポンドの範囲の圧力において、形成鋳型610内に混合物616を封入する、蓋612の存在下、事前に、部分的に硬化することを含む最後に、図6Iおよび6Jを参照すると、硬化された終点検出領域前駆体622は、鋳造された均質研磨体620の裏面表面に対して後退させられる。後退させることは、研磨パッドに、鋳造された均質研磨体620内に配置され、鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域624を提供する。例えば、前述の様式で得られ得る、研磨パッドは、図1Aおよび1B、2Aおよび2B、3Aおよび3Bと関連して説明された研磨パッドを含み得るが、それらに限定されない。本発明のある実施形態によると、硬化された終点検出領域前駆体622を後退させることは、硬化された終点検出領域前駆体622の一部を掘り出すことによって行われる。一実施形態では、終点検出領域全体624は、図6Iに描写され、図1A、1B、および3Aに関連して説明されたように、鋳造された均質研磨体620の裏面表面に対して後退させられる。別の実施形態では、しかしながら、終点検出領域624の内側部分のみ、図6Jに描写され、図2A、2B、および3Bに関連して説明されたように、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して後退させられる。別の側面では、鋳造プロセスを使用して、研磨パッドの残りと異なる材料から成る終点検出領域を伴う研磨パッドを製造し得る。しかしながら、終点検出領域のために使用される材料は、鋳造プロセスにおいて収容される必要がある別個の支持構造上において鋳造プロセスに導入され得る。例えば、図6K-6Tは、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための、渦電流終点検出のために適合される研磨パッドの製造における、種々のプロセス動作の断面図を例証する。図6K-6Oを参照すると、研磨パッドを製造する方法は、最初に、部分的に硬化された終点検出領域前駆体を支持構造上に形成することを含む。例えば、図6Kおよび6Lを参照すると、支持構造699は、第1の形成鋳型602の内側に設置される。本発明のある実施形態によると、支持構造699は、第1の形成鋳型602の底部と共形のサイズを有する。一実施形態では、支持構造699は、非可撓性材料、例えば、硬質エポキシ板等の脆性材料から成る。一実施形態では、支持構造699は、温度約300°Fに耐えるために好適な材料から成る。一実施形態では、支持構造699は、具体的実施形態では、支持構造699が、図6K-6Tに説明される鋳造プロセスにおける反復使用のためにリサイクルされるため、高熱収支に耐えるために好適な材料から成る。ある実施形態では、支持構造699は、鋳造プロセス中、支持構造699を通して、いかなる熱伝達も回避するために、熱絶縁材料から成る。ある実施形態では、支持構造699は、化学的不活性材料から成り、硬化プロセス中、ポリウレタン材料と共有結合しない。ある実施形態では、支持構造699は、加熱に応じて、殆どまたは全くガス放出を呈さない材料から成る。図6M-6Oを参照すると、第1の形成鋳型602は、支持構造699の上方において、前駆体混合物604によって充填され、第1の形成鋳型602の蓋606は、混合物604の上部に設置される。ある実施形態では、蓋606が定位置にある状態において、混合物604は、圧力下、加熱され、支持構造699上に配置される、部分的に硬化された本体608例えば、図6Nに描写されるように、混合物604全体を通して形成される、少なくともある程度の鎖延長および/または架橋結合を提供する。第1の形成鋳型602からの部分的に硬化された本体608および連結された支持構造699の除去に応じて、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608が、図6Oに描写されるように、支持構造699に連結されて提供される。ある実施形態では、ポリマー膜は、混合物604を第1の形成鋳型602に添加するのに先立って、一片の両面テープによって、支持構造699の上部表面に接着される。したがって、ある実施形態では、部分的に硬化された本体608は、ポリマー膜および一片の両面テープによって、支持構造699に連結される。図6Pおよび6Qを参照すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608および連結された支持構造699は、第2の形成鋳型610の蓋612’の受け取り領域614’内に位置付けられる。ある実施形態では、ポリマー膜は、例えば、第1の一片の両面テープによって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608と支持構造699との間に配置され、第2の一片の両面テープが、支持構造699を蓋612’の受け取り領域614’の表面に連結するために使用される。研磨パッド前駆体混合物616は、第2の形成鋳型610内に形成される。本発明のある実施形態によると、研磨パッド前駆体混合物616は、ポリウレタンプレポリマーおよび硬化剤を含む。図6Rを参照すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、支持構造699によって支持されながら、第2の形成鋳型610の蓋612’を降下させることによって、研磨パッド前駆体混合物616中に移動される。ある実施形態では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608は、第2の形成鋳型610の一番底の表面に移動される。研磨パッド前駆体混合物616および部分的に硬化された終点検出領域前駆体608、したがって、支持構造699は、圧力下例えば、蓋612’が定位置にある状態において、加熱され、終点検出領域前駆体622と架橋結合される、鋳造された均質研磨体620を提供する。図6Sを参照すると、研磨パッドまたは、さらなる硬化が要求される場合、研磨パッド前駆体が、鋳型610から除去され、その中に配置される硬化された終点検出領域前駆体622を伴う鋳造された均質研磨体620を提供する。しかしながら、ある実施形態では、支持構造699は、図6Sに描写されるように、形成鋳型610から除去後、硬化された終点検出領域前駆体622に連結されたままである。加熱を通したさらなる硬化が、要求され得、研磨パッドを炉内に設置し、加熱することによって行われ得ることに留意されたい。いずれの方法でも、研磨パッドが、最終的には、提供され、研磨パッドの鋳造された均質研磨体620は、研磨表面図6Sの上部溝付き表面および裏面表面図6Sの底部平坦表面、ならびに支持構造699を有する。したがって、ある実施形態では、支持構造699は、例えば、支持構造699および接合している両面テープを硬化された終点検出領域前駆体622から除去することによって、研磨パッドを提供するために除去される必要がある。一実施形態では、支持構造699は、除去され、続いて、図6Iおよび6Jに関連して前述のように、硬化された終点検出領域前駆体622は、後退させられ、研磨パッドに、後退終点検出領域を提供する。図6Tを参照すると、別の実施形態では、支持構造699は、鋳型610からの研磨パッドの除去に応じて、蓋612’の受け取り領域614’に連結されたままである。すなわち、支持構造699は、蓋612’が、形成鋳型610から持ち上げられると、終点検出領域前駆体620から剥離する。ある実施形態では、支持構造699は、支持構造699を受け取り領域614’から引っ張ることによって、容易に除去される。しかしながら、別の実施形態では、支持構造699は、蓋612’から除去することが困難であることが判明し得る。したがって、一実施形態では、開口部または通気口690は、蓋612’内に提供される。形成鋳型610からの蓋612’の除去に応じて、空気または不活性ガスが、開口部690を通して押し込まれ、支持構造699を受け取り領域614’から排出し得る。具体的実施形態では、支持構造699は、次いで、後続鋳造プロセスにおいて、再使用される。別の側面では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体は、犠牲層を含み得、後退させることは、犠牲層を除去することによって行われる。例えば、図7A-7Cは、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するための、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドの製造における種々のプロセス動作の断面図を例証する。図7Aを参照すると、部分的に硬化された終点検出領域前駆体708は、その上に部分的に硬化された終点検出領域前駆体708を有する、形成鋳型610の蓋612を降下させることによって、研磨パッド前駆体混合物616中に挿入される。しかしながら、ある実施形態では、部分的に硬化された終点検出領域前駆体608と異なり、部分的に硬化された終点検出領域前駆体708は、その上に配置される犠牲層709を含む。したがって、部分的に硬化された終点検出領域前駆体708は、単独で、研磨パッド前駆体混合物616中に挿入され、次いで、形成鋳型610の底部表面に向かって移動されるわけではない。むしろ、形成鋳型610の蓋612上への終点検出領域前駆体708の設置に先立って、犠牲層709が、部分的に硬化された終点検出領域前駆体708に連結される。次いで、一緒に、部分的に硬化された終点検出領域前駆体708および犠牲層709は、図7Aに描写されるように、形成鋳型610の底部表面に向かって移動される。したがって、犠牲層709は、形成鋳型の底部と部分的に硬化された終点検出領域前駆体708との間に位置する。ある実施形態では、犠牲層709は、構成要素として、Mylar膜の層を含む、複合材料から成る。図7Bを参照すると、研磨パッド前駆体混合物616および部分的に硬化された終点検出領域前駆体708は、圧力下例えば、蓋612が定位置にある状態において、加熱され、終点検出領域722と共有結合される、鋳造された均質研磨体620を提供する。図7Cを参照すると、研磨パッドが、鋳型610から除去され、鋳造された均質研磨体620に、その中に配置される終点検出領域722および犠牲層709をを提供する。本発明のある実施形態によると、研磨パッドの渦電流検出領域を後退させることは、図7Dに描写されるように、犠牲層709を除去することによって達成される。一実施形態では、終点検出領域722全体が、したがって、また、図7Dに描写されるように、鋳造された均質研磨体620の裏面表面に対して後退させられる。本発明のある実施形態によると、終点検出領域例えば、図6Iの624または図7Dの722は、前述ならびに図1Aおよび1B、2Aおよび2B、3Aおよび3Bに関連して説明されるように、鋳造された均質研磨体と異なる材料から成る。例えば、一実施形態では、終点検出領域624または722は、図1A、1Bおよび2A、2Bに関連して説明されるように、局所的透明LAT領域である。一実施形態では、終点検出領域624または722は、図3Aおよび3Bに関連して説明されるように、鋳造された均質研磨体620の硬度と異なる硬度を有する不透明領域である。ある実施形態では、鋳造された均質研磨体620は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る。ある実施形態では、鋳造された均質研磨体の研磨表面620は、その中に配置され、第2の形成鋳型610の蓋から形成される溝のパターンを含む。簡単に前述されたように、ある実施形態では、終点検出領域624または、722および鋳造された均質研磨体620は、異なる硬度を有し得る。例えば、一実施形態では、鋳造された均質研磨体620は、終点検出領域624の硬度未満の硬度を有する。具体的実施形態では、鋳造された均質研磨体620は、ショアD約20-45範囲の硬度を有する一方、終点検出領域624は、ショアD約60の硬度を有する。硬度は、異なり得るが、終点検出領域624と鋳造された均質研磨体620との間の共有結合および/または架橋結合は、依然として、広範に及び得る。例えば、本発明のある実施形態によると、鋳造された均質研磨体620および終点検出領域624の硬度の差は、ShoreD10以上であるが、鋳造された均質研磨体620と終点検出領域624との間の共有結合および/または架橋結合の程度は、実質的である。研磨パッドおよびその中に配置される終点検出領域の寸法は、所望の用途に従って、変動し得る。例えば、一実施形態では、研磨パッドは、渦電流プローブを収容するように製造され、鋳造された均質研磨体620は、約75-78センチメートルの範囲の直径を伴う円形である一方、終点検出領域624は、鋳造された均質研磨体620の半径方向軸に沿う約4-6センチメートルの範囲の長さ、約1-2センチメートルの範囲の幅を有し、鋳造された均質研磨体620の中心から、約16-20センチメートルの範囲内に位置付けられる。垂直位置付けに関して、研磨体内の終点検出領域の場所は、特定の用途のために選択され得、また、形成プロセスの結果であり得る。例えば、鋳造プロセスを介して、研磨体内に終点検出領域を含むことによる位置付けおよび達成可能な正確性は、例えば、研磨パッドが、形成後に削成され、研磨パッドの形成後、窓挿入部が追加されるプロセスより大幅に調整され得る。ある実施形態では、前述のように、鋳造プロセスを使用することによって、終点検出領域624は、鋳造された均質研磨体620の溝付き表面の谷の底面と平面となるように、鋳造された均質研磨体620内に含まれる。具体的実施形態では、鋳造された均質研磨体の溝付き表面の谷の底面と平面になるように、終点検出領域624を含むことによって、終点検出領域624は、鋳造された均質研磨体620および終点検出領域624から製造される研磨パッドの寿命を通して、CMP処理動作に干渉しない。前述のように、渦電流検出のために適合された研磨パッドは、鋳造プロセスにおいて製造され得る。しかしながら、研磨パッドは、LATまたは他の別個のおよび異なる材料領域を含む必要はない。図8A-8Fは、本発明のある実施形態による、半導体基板を研磨するために、渦電流終点検出のために適合された研磨パッド研磨パッドの製造における、種々のプロセス動作の断面図を例証する。図8Aを参照すると、研磨パッドを製造する方法は、研磨パッド前駆体混合物616を形成鋳型610内に形成することを含む。図8Aおよび8Bを参照すると、形成鋳型610の蓋612は、研磨パッド前駆体混合物616中に位置付けられる。蓋612は、その上に配置されている溝618のパターンを含む。溝618のパターンは、中断領域614を有し、パターンは、以下により詳細に説明されるように、溝618の大部分と異なるか、または幾分分離される。図8Cを参照すると、研磨パッド前駆体混合物616は、加熱され、鋳造された均質研磨体620を提供する。図8Dを参照すると、鋳造された均質研磨体620は、形成鋳型610から除去され、研磨パッドまたは、さらなる加熱または硬化が、鋳造プロセス後に要求される場合、研磨パッドに対する前駆体を提供する。鋳造された均質研磨体620から成る、研磨パッドは、研磨表面822および裏面表面824を含む。本発明のある実施形態によると、形成鋳型610の蓋612からの、中断領域614を含む溝618のパターンは、図8Dに描写されるように、研磨表面822内に配置される。研磨表面822内に配置されている溝のパターンは、底部深度826を有する。ある実施形態では、鋳造された均質研磨体620は、熱硬化性独立気泡ポリウレタン材料から成る。図8Eおよび8Fを参照すると、終点検出領域830は、鋳造された均質研磨体620内に提供される。終点検出領域は、研磨表面822に対して配向される第1の表面832および鋳造された均質研磨体の裏面表面620に対して配向される第2の表面834を有する。第1の表面832の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度826と同一平面である。例えば、ある実施形態では、第1の表面832全体が、図8Eに描写されるように、溝のパターンの底部深度826と同一平面である。加えて、第2の表面834は、図8Eにも描写されるように、裏面表面824に対して、鋳造された均質研磨体620中に後退させられる。ある実施形態では、終点検出領域830を提供することは、鋳造された均質研磨体620の一部を掘り出すことによって行われる。ある実施形態では、終点検出領域830を含む、鋳造された均質研磨体620は、不透明である。本発明のある実施形態によると、前述のように、研磨表面822は、その溝のパターンの中断領域を含む。中断領域は、形成鋳型610の蓋612内の中断領域614に対応する。一実施形態では、図8Aおよび8Eに描写されるように、中断領域614は、全体的に、蓋612の底部に対して、平坦および平面である。したがって、終点検出領域830の第1の表面832全体は、図4Aおよび4Bの研磨パッドに関連して説明されるように、本質的に、研磨表面822内の溝のパターンの底部深度826と同一平面である。しかしながら、代替実施形態では、終点検出領域830の第1の表面は、本質的に、鋳造された均質研磨体820の研磨表面822内に配置されている溝のパターンの底部深度と同一平面である深度を有する、第2の溝850のパターンを含む。そのような代替実施形態は、図8Fに描写される。この実施形態に準拠する研磨パッドは、図5Aおよび5Bに関連して前述されている。具体的実施形態では、研磨表面822の溝のパターンおよび中断領域の第2の溝のパターン両方の個々の溝は、また、図5Aおよび5Bに関連して前述のものと関連して説明されるように、ある幅だけ離間され、および第2の溝のパターンは、その幅より大きい距離だけ、第1の溝のパターンからオフセットされる。本発明の別の側面では、鋳造された均質研磨体内の終点検出領域は、犠牲層を除去することによって形成される。例えば、図9A-9Fは、本発明のある実施形態による、鋳造された均質研磨体内に埋設された犠牲層を除去することによって、その中に提供される終点検出領域を伴う研磨パッドの製造における、種々のプロセス動作の断面図を例証する。図9Aを参照すると、犠牲層709は、形成鋳型610の底部に配置される。例えば、一実施形態では、犠牲層709は、鋳型への研磨パッド成分の添加に先立って、形成鋳型中に挿入される。具体的実施形態では、犠牲層709は、Mylar膜の層から成る。図9Bを参照すると、研磨パッド前駆体混合物は、犠牲層709を覆って、形成鋳型610中に分注される。図9Cを参照すると、蓋612が、形成鋳型610内の定位置にある状態において、研磨パッド前駆体混合物616は、加熱され、図8Cに関連して説明されるように、鋳造された均質研磨体620を提供する。しかしながら、形成鋳型610の底部に配置される犠牲層709は、620の鋳造中、残る。図9Dを参照すると、鋳造された均質研磨体620は、形成鋳型から除去され、その中に配置される犠牲層709を伴う研磨パッドまたは、鋳造プロセス後、さらなる加熱または硬化が要求される場合、研磨パッドに対する前駆体を提供する。図9Eおよび9Fを参照すると、終点検出領域924が、犠牲層709の除去に応じて、鋳造された均質研磨体620内に提供される。したがって、本発明のある実施形態によると、研磨パッドの渦電流検出領域を後退させることは、研磨パッドの裏面に対して同一平面の犠牲層709を除去することによって達成される。一実施形態では、次いで、終点検出領域全体924は、図9Eおよび9Fに描写されるように、鋳造された均質研磨体620の裏面表面に対して後退させられる。一実施形態では、終点検出領域924の上部表面950全体が、図9Eに描写されるように、後退させられ、平坦である。しかしながら、別の実施形態では、620の研磨表面の溝から中断される、第2のセットの溝952が、図9Fに描写されるように、終点検出領域924の上部表面上に配置される。さらに別の実施形態では、研磨パッドのための後退領域は、研磨パッドを形成するために使用される鋳型の底部に、隆起特徴を設置または組み込むことによって製造され得る。例えば、再び、図9A-9Cを参照すると、犠牲層709の代わりに、黒化領域は、形成鋳型610内に埋め込まれた恒久的または半恒久的特徴であり得る。すなわち、特徴は、製造された研磨パッドとともに、鋳型から移転される犠牲層709と対照的に、製造された研磨パッドとともに移転しない例えば、図9Dに関連して説明されたように。そのような場合、一実施形態では、図9Eおよび9Fに示されるもの等の均質研磨体620から成る研磨パッドは、犠牲層の中間除去図9Dに関連して別様に説明されるようにを必要とせずに、直接、形成鋳型内に形成される。別の実施形態では、形成鋳型内に埋め込まれた恒久的または半恒久的特徴は、図1A、2A、3A、および3Bに関連して説明されたもの等の研磨パッドを製造するため等の二重材料パッド製造とともに使用される。本明細書に説明される研磨パッドは、渦電流終点検出システムを装備する、化学機械的研磨装置を使用するために好適であり得る。例えば、図10は、本発明のある実施形態による、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドと適合性がある、研磨装置の等角側面図を例証する。図10を参照すると、研磨装置1000は、取付盤1004を含む。取付盤1004の上部表面1002は、渦電流終点検出のための研磨パッドを支持するために使用され得る。取付盤1004は、スピンドル回転1006およびスライダ振動1008を提供するように構成され得る。試料担体1010は、研磨パッドによる半導体ウエハの研磨中、例えば、半導体ウエハ1011を定位置に保持するために使用される。試料担体1010はさらに、懸架機構1012によって支持される。スラリーフィード1014は、半導体ウエハの研磨に先立って、かつその研磨中、スラリーを研磨パッドの表面に提供するために含まれる。本発明のある側面では、渦電流終点検出のために適合された研磨パッドは、研磨装置1000に類似する、研磨装置と使用するために提供される。例えば、図11は、本発明のある実施形態による、渦電流終点検出システムおよび渦電流終点検出システムと適合性がある研磨パッドを伴う研磨装置の断面図を例証する。図11を参照すると、研磨ステーション1000は、回転可能取付盤1004を含み、その上に、研磨パッド1118が設置される。研磨パッド1118は、研磨表面1124を提供する。研磨表面1124の少なくとも一部は、スラリーを保持するための溝1128を有することができる。研磨ステーション1000は、研磨パッド調整装置も含み、基板を効果的に研磨するように、研磨パッドの状態を維持することができる。研磨動作中、化学機械的研磨スラリー1130は、スラリー供給ポートまたは組み合わせられたスラリー/リンスアーム1014によって、研磨パッド1118の表面に供給される。基板1011は、担体ヘッド1010によって、研磨パッド1118に対して保持される。担体ヘッド1010は、回転盤等の支持構造から懸架され、担体ヘッドが、軸1138を中心として回転し得るように、担体駆動シャフト1136によって、担体ヘッド回転モータに接続される。陥凹1140は、取付盤1004内に形成され、原位置監視モジュール1142が、陥凹1140中に納まっている。原位置監視モジュール1142は、陥凹1140内に位置付けられ、取付盤1004とともに回転する、コア1144を伴う原位置渦電流監視システムを含むことができる。駆動および感知コイル1146は、コア1144に巻かれ、コントローラ1150に接続される。動作において、振動子が、駆動コイルを励起し、コア1144の本体を通して延在する振動磁場1148を発生させる。磁場1148の少なくとも一部は、研磨パッド1118を通して、基板1011に向かって延在する。金属層が、基板1011上に存在する場合、振動磁場1148は、渦電流を発生させるであろう。渦電流は、誘導電場と反対方向に磁束を生成し、この磁束は、駆動電流と反対方向において、一次または感知コイル内に逆電流を誘発させる。結果として生じる電流変化は、コイルのインピーダンス変化として測定することができる。金属層の厚さの変化に伴って、金属層の抵抗は、変化する。したがって、渦電流および渦電流によって誘発される磁束の強度もまた、変化し、一次コイルのインピーダンスの変化をもたらす。これらの変化を監視することによって、例えば、コイル電流の振幅を測定することによって、または駆動コイル電流の位相に対するコイル電流の位相を測定することによって、渦電流センサモニタは、金属層の厚さの変化を監視することができる。再び、本発明のある実施形態による、図11を参照すると、研磨パッド1118が、取付盤1004に固定されると、薄い区画は、板内の陥凹1140および取付盤1004の上部表面の平面を越えて突出する、コアおよび/またはコイルの一部を覆って嵌まる。コア1142を基板1112により近接して位置付けることによって、磁場の拡散が少なく、空間分解能を改善することができる。研磨パッド1011が、光学終点監視システムと使用されないと仮定すると、一実施形態では、陥凹を覆う部分を含む、研磨層全体が、不透明であることができる。しかしながら、別の実施形態では、陥凹を覆う部分は、透明であり、取付盤上への研磨パッドの位置付けを補助する。本発明のある実施形態によると、本明細書で対処される問題として、センサが、ウエハ表面から最適距離にもたらされ得るように、約0.070インチだけ、取付盤の平面の上方に隆起するセンサを、渦電流終点検出ハードウェアが含む状況が挙げられる。しかしながら、この状況は、研磨パッドの設計および性能にいくつかの問題を生じさせ得、それに対して、本発明の実施形態は、有利な解決策を提供し得る。一実施形態では、研磨パッドは、典型的には、研磨パッドの背面に形成された陥凹によって、渦電流センサを収容するように設計される。具体的実施形態では、研磨パッド内約0.080インチ深度の陥凹が、この目的のために使用される。本発明のある側面では、前述の種々の実施形態に説明される研磨パッド等の渦電流終点検出システムを収容するように設計される研磨パッドは、接着表面によって、取付盤1004に接着される。例えば、ある実施形態では、担体膜すなわち、転写接着剤を伴わない接着剤を使用して、研磨パッドを取付盤1004に接着連結する。そのような場合、恒久的担体膜は、パッドとともに、取付盤に移転されないので、取付盤への移転に先立って、研磨パッドから除去される一時的または犠牲剥離ライナーに開口部を削成する必要はない。一実施形態では、一時的または犠牲剥離ライナーは、研磨パッドから除去され、接着剤膜を残す。研磨パッド内の陥凹渦電流検出システムを収容するように形成された陥凹等を横断する膜の任意の部分は、剥離ライナーとともに留まるか、または陥凹の開口部を横断する膜として残るであろう。後者の場合、膜のその部分は、取付盤上へ研磨パッドを搭載する前に、陥凹の開口部から除去される必要があり得る。ある実施形態では、研磨パッド上に残る犠牲剥離ライナーまたは接着剤膜のいずれも、両面テープではない。上述のように、渦電流終点検出を使用して、半導体基板を研磨するための研磨パッドが、開示された。本発明のある実施形態によると、半導体基板を研磨するための研磨パッドは、鋳造された均質研磨体を含む。鋳造された均質研磨体は、研磨表面および裏面表面を有する。研磨パッドはまた、鋳造された均質研磨体内に配置され、鋳造された均質研磨体と共有結合されている終点検出領域を含む。終点検出領域は、鋳造された均質研磨体と異なる材料から成り、終点検出領域の少なくとも一部は、鋳造された均質研磨体の裏面表面に対して後退させられる。本発明の別の実施形態によると、半導体基板を研磨するための研磨パッドは、研磨表面および裏面表面を有する、鋳造された均質研磨体を含む。溝のパターンは、研磨表面内に配置され、溝のパターンは、底部深度を有する。研磨パッドはまた、鋳造された均質研磨体内に形成される、終点検出領域を含む。終点検出領域は、研磨表面に対して配向される第1の表面および裏面表面に対して配向される第2の表面を有する。第1の表面の少なくとも一部は、溝のパターンの底部深度と同一平面であり、溝のパターンを中断する。第2の表面は、裏面表面に対して、鋳造された均質研磨体中に後退させられる。