"発光素子を実装するための発光素子実装用基体であって、セラミック焼結体からなる基体本体と、銀を含有する金属部とを有し、前記基体本体の前記金属部に対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域が存在することを特徴とする発光素子実装用基体。前記金属部が、前記発光素子と電気的に接続される第1の電極および前記第1の電極と電気的に接続されていない反射層の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基体。前記基体本体が、表面に発光素子を実装するための実装部が設けられる実装用部材と、前記実装部を取り囲むように配置された反射部材とを有し、該反射部材は、内周面に銀を含有する前記金属部が前記接合部を介して接合されており、前記金属部に対し前記接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子実装用基体。前記基体本体がマグネシウムを含有しており、前記金属部が主成分としての銀と、副成分としてのマグネシウムおよびビスマスとを含有し、前記領域は、銀,マグネシウムおよびビスマスを含有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発光素子実装用基体。前記領域は、前記金属部側の第1の領域と、該第1の領域に隣接する第2の領域とを有し、前記第1の領域は前記第2の領域よりマグネシウムを多く含むとともに、前記第2の領域は前記第1の領域よりビスマスを多く含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子実装用基体。前記金属部は、マグネシウムおよびビスマスの合計の含有量が05質量以上、30質量以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の発光素子実装用基体。前記基体本体は、主成分として酸化アルミニウムAl2O3を94質量以上、97質量以下の量で含有するとともに、副成分として酸化珪素SiO2および酸化マグネシウムMgOを含有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の発光素子実装用基体。前記基体本体の発光素子が実装される表面側における酸化アルミニウム粒子の平均結晶粒径が2.0μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の発光素子実装用基体。前記基体本体が、前記実装部側の表面側において、前記酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相を有しており、該粒界相の平均幅が2nm以下であることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の発光素子実装用基体。請求項1乃至9のいずれかに記載の発光素子実装用基体に発光素子が実装されてなることを特徴とする発光装置。しかしながら、特許文献1に開示された発光素子実装用の基板は、基板本体と金属部との接合強度が低く、金属部が剥離しやすいという課題があった。本発明は、上記課題を解決するために案出されたものであり、反射層の接合強度が高い発光素子実装用基体およびこれを用いた発光装置を提供するものである。本発明の発光素子実装用基体は、発光素子を実装するための発光素子実装用基体であって、セラミック焼結体からなる基体本体と、銀を含有する金属部とを有し、前記基体本体の前記金属部に対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域が存在することを特徴とするものである。また、本発明の発光装置は、上記の発光素子実装用基体に発光素子が実装されてなることを特徴とするものである。本発明の発光素子実装用基体は、発光素子を実装するための発光素子実装用基体であって、セラミック焼結体からなる基体本体と、銀を含有する金属部とを有し、前記基体本体の前記金属部に対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域が存在することから、基体本体と金属部との接合強度が高くなる。本発明の発光装置は、前記発光素子実装用基体に発光素子が実装されてなるので、信頼性の高い発光装置を提供することができる。本実施形態の発光素子実装用基体は、発光素子を実装するための発光素子実装用基体であって、セラミック焼結体からなる基体本体と、銀を含有する金属部とを有し、この基体本体の金属部に対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域が存在することが重要である。このように、基体本体が、セラミック焼結体からなることから、機械的強度および電気的な絶縁性に優れる。そして、基体本体の金属部に対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域が存在することから、基体本体と金属部との接合強度が高くなる傾向にある。以下、本発明の発光素子実装用基体の実施の形態の例として、銀を含有する金属部の形態について図を用いて説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態の発光素子実装用基体を示す断面図である。図1において、第1の実施形態の発光素子実装用基体1は、セラミック焼結体からなる基体本体20と、第1の主面1aに発光素子を実装するための実装部5とを備えている。実装部5は、銀を含有する第1の電極2a,2bと、第1の電極2a,2b上に設けられた電極パッド8a,8b以下、単に電極パット8と言うときがある。とを備えており、電極パッド8a上に発光素子を実装するようになっている。なお、第1の実施形態の発光素子実装用基体1において、第1の電極2a,2bが金属部2に該当する。また、第1の電極2a,2bは、基体本体20の内部を貫通する貫通孔に設けられたスルーホール電極7a,7bを介して、第1の主面1aと対向する第2の主面1bに被着された第2の電極6a,6bと電気的に導通する。なお、第1の実施形態では、第1の電極2a,2bは、基体本体20の内部を貫通する貫通孔に設けられたスルーホール電極7a,7bを介して、第1の主面1aと対向する第2の主面1bに被着された第2の電極6a,6bと電気的に導通する構成としているが、基体本体20の端面を利用して電気的に導通する構成であっても何ら構わない。そして、発光素子実装用基体1においては、基体本体20の第1の電極に対し接合部基体本体20と、第1の電極2a,2bとの界面を介して対向する部位に銀を含有する領域4が存在する。基体本体20の第1の電極2a,2bに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在することで、第1の電極2a,2bと基体本体20との接合強度を向上することができ、第1の電極2a,2bが基体本体20から剥離することを抑制できる。また、基体本体20の第1の電極2a,2bに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在することで、第1の電極2a,2bの酸化や硫化を抑制できると考えられ、反射率を高く維持することができる。なお、第1の主面1aに第1の電極2a,2bが直接形成されていることが好ましい。第1の主面1a側に第1の電極2a,2bが直接形成されることで、領域4を容易に形成することができる。そして、第1の電極2a,2bを基体本体20に直接形成することで製造工程を少なくでき、製造コストを低くすることができる。ここで、領域4を確認するには、基体本体20の、金属部2である第1の電極2a,2bに対して対向する部位をレーザ等により切断し、その断面を鏡面加工し、表面を蒸着後、SEM走査型電子顕微鏡を用い倍率1000~2000倍程度で観察すればよい。さらにこの領域の成分を確認するには、WDS波長分散型X線分光器を搭載したEPMA電子マイクロアナライザを用いてWDS分析すればよい。以下、領域4の確認方法については、他の実施形態においても同様である。なお、領域4の詳細な説明については、図4を用いて後述する。第2の実施形態図2は第2の実施形態の発光素子実装用基体の構成を示し、セラミック焼結体からなる基体本体の第1の主面上に、発光素子と電気的に接続されていない反射層が設けられている例の断面図である。図2に示すように、第2の実施形態の発光素子実装用基体100は、セラミック焼結体からなる基体本体20と、第1の主面1aに設けられた発光素子を実装するための実装部5と、発光素子と電気的に接続されない反射層2cとを備えている。第2の実施形態において、反射層2cが金属部2に該当する。また、反射層2cと実装部5とは、絶縁性を保つため隙間10をあけて配置されており、その他の構成は、第1の実施形態と同様であることから説明は省略する。そして、第2の発光素子実装用基体100においては、基体本体20の反射層2cに対し接合部基体本体20と、反射層2cとの界面を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在する。基体本体20の反射層2cに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在することで、反射層2cと基体本体20との接合強度を向上することができ、反射層2cが基体本体20から剥離することを抑制できる。また、基体本体20の反射層2cに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在することで、反射層2cの酸化や硫化を抑制できると考えられ、反射率を高く維持することができる。なお、第2の実施形態において、基体本体20の第1の電極2a,2bに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在していてもよい。この場合、金属部2は、第1の電極2a,2bと反射層2cとを含むこととなる。第3の実施形態図3は第3の実施形態の発光素子実装用基体の構成を示し、基体本体の第1の主面上に、実装部を取り囲むように配置されたセラミック焼結体の内周面に、銀を含有する反射層が設けられている例の断面図である。図3に示すように、第3の実施形態の発光素子実装用基体200は、基体本体20が、セラミック焼結体からなり、表面に発光素子を実装するための実装部5が設けられる実装用基体20’と、実装部5を取り囲むように配置されたセラミック焼結体からなる反射部材11とを有しており、この反射部材11の内周面に反射層2dを有している。第3の実施形態において、反射層2dが金属部2に該当する。なお、その他の構成は、第1の実施形態または第2の実施形態と同様であることから説明は省略する。第3の実施形態の発光素子実装用基体200においては、実装部5を取り囲むように配置され、内周面に反射層2dを有する反射部材11を備えることで、発光素子を実装し光を放出させたとき、反射層2dの表面に照射された光の一部が、反射部材11の開口方向に反射される。ここで、反射層2dは銀を含有してなることで、高い反射率が得られる。また、図3に示すように、反射部材11は開口する方向に向かって幅広となる傾斜面を有する形状としているが、発光素子実装用基体200の実装部5の面に対して略垂直な面を有する形状であってもよい。さらに、開口方向側から平面視したときの反射部材11の外形は、円形状、四角形状またはコーナーに面取りを行なった四角形状でもよく、多角形状であっても構わない。さらに、反射部材11は、実装用基体20’と一体成形されたもの、あるいは、実装用基体20’に反射部材11を接合したもののいずれであってもよい。そして、第3の発光素子実装用基体200においては、実装部5を取り囲むように配置されたセラミック焼結体からなる反射部材11において、内周面に設けられた反射層2dに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在する。反射部材11の反射層2dに対し接合部3を介して対向する部位に銀を含有する領域4が存在することで、反射層2dと反射部材11との接合強度を向上することができ、反射層2dが反射部材11から剥離することを抑制できる。また、反射部材11の反射層2dに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在することで、反射層2dの酸化や硫化を抑制できると考えられ、反射率を高く維持することができる。なお、第3の実施形態において、基体本体20実装用基体20’の第1の電極2a,2bに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在していてもよい。また図3には示していないが、実装用基体20’の表面に、図2で示した反射層2cを設けることもできる。この場合、金属部2は、第1の電極2a,2bと反射層2cと反射層2dとを含むこととなる。なお、本実施形態において、銀を含有する領域とは、基体本体20が銀を含有する領域を有していれば良く、例えば、金属部2から銀が拡散して銀を含有する領域が形成されても良いほか、銀を含有する材料を用いて基体本体20を作製しても良い。以下、上記第1~3の実施形態における各構成について説明する。第1~3の実施形態における基体本体20は、マグネシウムを含有しており、金属部2は、主成分としての銀と、副成分としてのマグネシウムおよびビスマスとを含有し、領域4は、銀,マグネシウムおよびビスマスを含有することが好ましい。本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の金属部2は、主成分として銀を含有することから、発光素子を実装し光を放出させたとき、光の一部が金属部2の表面に照射され反射される。ここで金属部2は銀を主成分とするものであるからより高い反射率を得ることができる。なお、本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の金属部2の主成分とは、金属部2の全成分100質量に対して90質量以上を占める成分のことをいう。また、金属部2と領域4とは、同じ成分である銀,マグネシウムおよびビスマスを含有することから強固に接合される。そして、基体本体20および金属部2はマグネシウムを含有することによって、領域4において基体本体20のマグネシウムと金属部2のマグネシウムとが、接合部3付近で凝集しやすく、接合強度がより高くなりやすい。また、第1~3の実施形態における領域は、金属部2側の第1の領域と、第1の領域に隣接する第2の領域からなり、第1の領域は第2の領域よりマグネシウムを多く含むとともに、第2の領域は、第1の領域よりビスマスを多く含むことが好ましい。図4は、本実施形態の発光素子実装用基体と金属部との接合部の一部を部分拡大した一例を示す断面図である。図4に示す本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の領域4は、金属部2側の第1の領域と、第1の領域に隣接する第2の領域からなり、第1の領域は第2の領域より、マグネシウムを多く含むとともに、第2の領域は、第1の領域4aとよりビスマスを多く含む第2の領域4bとからなる。なお、基体本体1,100,200の表面1aに存在するピンホールなどの気孔を、凹部1dとして示してある。本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の領域4が、金属部2側の、第2の領域よりマグネシウムを多く含む第1の領域4aを有することによって、基体本体20とマグネシウムを含む金属部2とが強固に接合される。また、領域4が第1の領域よりビスマスを多く含む第2の領域4bを有することによって、ビスマスは銀とともにセラミック焼結体である基体本体20の内部1cに侵入しやすく、基体本体20と金属部2との接合強度がより高くなりやすい。また、図4に示すように、金属部2に含まれる銀によって、基体本体20の表面1aの凹部1dが埋められるので、基体本体20と金属部2との接合強度がさらに高くなりやすい。ところで、一般的に発光素子実装用基体1,100,200の製造工程において、第1の電極2a,2bにメッキ処理を行なうとき、その前処理として、第1の電極2a,2bが形成された基板本体20の酸洗浄を行なう。ここで、本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200においては、凹部1dが銀によって埋められているため、基体本体20を含む基体1の酸洗浄工程において、酸洗浄による酸が凹部1dに残留するのを抑制でき、凹部1dが腐食の起点となって金属部2の腐食が進行することを抑制できる。その結果、金属部2の反射率を高く維持できる傾向がある。また、領域4においてマグネシウムまたはビスマスを多く含むとは、EPMAを用いて領域4をWDS分析した画像において、元素のマッピングの色強度の設定条件から、他の部分と比較して対象とする部分の色強度が高い場合に、その元素が多いと判断する。例えば、対象とする元素の存在箇所が、その他の箇所に比較して元素の検出レベルが13倍以上であるものを多く含むと判断すればよい。さらに金属部2および領域4に含まれる銀や、凹部1dに銀が埋まっているかを確認するには、領域4を、WDS波長分散型X線分光器を搭載したEPMA電子マイクロアナライザを用いてWDS分析すればよい。また、第1~3の本実施形態における領域は、厚みtが5μm以上15μm以下であることが好ましい。基体本体20の領域4の厚みtが5μm以上であれば、基体本体20と金属部2とを領域4を介して接合させることで十分な接合強度を確保できる。また、領域4の厚みtが15μm以下のであれば、金属部2を形成するための焼成温度が高いために、金属部2が溶け出すことによる、金属部2の端部の滲みを抑制できる。このように金属部2の端部の滲みを抑制できると、例えば図2および3に示すように、金属部2である反射層2cおよび第1の電極2a,2bの間の間隙10により第1の電極2a,2bの電気的な絶縁性を容易に確保することができる。なお、領域4は、例えば、金属部2が存在する基体本体20の部分を厚み方向に切断し、その断面を、EPMAを用いてWDS分析して作成した元素のマッピングの画像の写真で、銀の点在レベルが5以上20以下で検出される部分を領域4とすればよい。また、第1の領域4aの厚みは、マグネシウムの点在レベルが5以上20以下で、マグネシムが凝集している部分を測定すればよい。なお、測定する領域4aおよび4bの厚みは、任意の複数箇所、例えば5箇所の厚みを測定して、それらの値の平均値とすればよい。なお、第2の領域4bの厚みは、領域4の厚みから第1の領域4aの厚みを差し引くことにより算出できる。ここで、金属部2は、銀を主成分とするものであり、副成分として、少なくとも、マグネシウムおよびビスマスを含有することが好ましいが、他に、パラジウム,銅,ニッケル,ストロンチウム,カルシウム,ジルコニウム,チタン,モリブデン,スズ,亜鉛およびアルミニウムのうち少なくともひとつの金属を含有してもよい。ただし、金属部2の反射率を高くするためには、銀の含有率は、97質量以上、995質量以下であることが好ましい。また、第1~3の実施形態における金属部は、マグネシウムおよびビスマスの合計の含有量が05~30質量であることが好ましい。金属部2は、マグネシウムおよびビスマスの合計の含有量が、05~30質量であると、領域4の厚みtが、上述した範囲である5μm以上15μm以下となる傾向にでき、基体本体20と金属部2とが領域4を介して接合させることで十分な接合強度を確保できるとともに、金属部2を形成するための焼成温度が高いために、金属部2が溶け出すことによる、金属部2の端部の滲みを抑制できる。第1~3の実施形態における基体本体20に用いるセラミック焼結体は、酸化アルミニウム質焼結体,酸化ジルコニウム質焼結体またはムライト質焼結体等のセラミック焼結体であればよく、また、これらのセラミック焼結体は、副成分として酸化珪素SiO2,酸化マグネシウムMgOを含有することが好ましい。なお、反射率や強度などの観点から、酸化アルミニウム質焼結体が特に好ましく、主成分が酸化アルミニウムAl2O3で、副成分として、酸化珪素および酸化マグネシウムを含有することが好ましい。また、副成分としてカルシウム,ジルコニウムおよびバリウムの酸化物を含有しても構わない。また、第1~3の実施形態における基体本体は、主成分として酸化アルミニウムAl2O3を94質量以上、97質量以下の量で含有するとともに、副成分として酸化珪素SiO2および酸化マグネシウムMgOを含有することが好ましい。基体本体20は、主成分として酸化アルミニウムを94質量以上、97質量以下の量で含有するとともに、副成分として酸化珪素および酸化マグネシウムを含有する場合には、材料コストの高いバリウムやジルコニウムなどの元素の使用量を低減でき、さらに、酸化珪素は焼結性を高める働きがあり、また、酸化マグネシウムは酸化アルミニウム粒子の粒成長を抑え異常に大きな粒子の発生を抑制できることから、通常の焼成温度よりも低い温度である1420~1540°Cの温度で焼成しても焼結性が十分高められ、機械的強度も高く、かつ、基体本体20の低コスト化がしやすくなる。また、後述する図6に示すように、酸化アルミニウム粒子12同士の間には酸化珪素等からなるガラス相粒界相13が形成されているために、基体本体20に金属部2を形成するための厚膜ペーストを塗布して厚膜焼成した場合に、ペーストに含まれる金属成分が主面からガラス相13を伝わって、基体本体20の内部1cに拡散するために、金属部2と基体本体20との接合強度を高めやすくなる。また、第1~3の実施形態における基体本体20の発光素子が実装される表面側における酸化アルミニウム粒子の平均結晶粒径が、20μm以下であることが好ましい。基体本体20の発光素子が実装される表面側における酸化アルミニウム粒子の平均結晶粒径が20μm以下であれば、後述する図6に示すガラス相13において、界面14aも多く存在するようになることから、ガラス相13を伝わって銀およびビスマスが基体本体20の内部1cに侵入しやすくなり金属部2と基体本体20との接合強度がより高くなりやすい。なおここで言う表層側とは、基体本体20を厚み方向を均等に三等分した際の、実装部5側の部位を言う。なお、結晶粒径の測定は、基体1の表面を鏡面加工し、基体本体20の焼成温度から50~100°C低い温度の範囲でファイヤーエッチングをし、走査型電子顕微鏡例えば日本電子製のJSM7001Fで1000~3000倍の倍率で撮影して画像のデータを作成し、画像解析装置例えば三谷商事製のWinROOFを用いて各セラミック粒子の粒径を求め、その粒径の平均値を算出し求めればよい。なお、セラミック粒子が酸化アルミニウム粒子であるか否かは、EDSエネルギー分散型X線分光法による元素分析をして確認すればよい。また、本実施形態の発光素子実装用基体は、基体本体の第1の主面と対向する第2の主面に、第1の主面に形成された第1の電極2a,2bとスルーホール電極によって導通する銀を含有する第2の電極6a,6bを備えており、基体本体と第2の電極6a,6bとの間に形成される領域図示しないは1μm未満とすることが好ましい。図5は本実施形態の発光素子実装用基体の第1の主面側への入射光が散乱する状態を示す概念図である。図5に示す発光素子実装用基体1,100,200のように、基体本体20または実装用部材20’の第1の主面1aと対向する第2の主面1bに、第1の主面に形成された第1の電極2a,2bとスルーホール電極7によって導通する銀を含有する第2の電極6a,6bを備えており、基体本体20と第2の電極6a,6bとの接合部3に、銀を含有する領域図示しないが1μm未満の厚みで存在すると、透過光16が、この領域中の銀の粒子によって、第1の主面1a側に反射されやすく、第1の主面1aの表面から出ていく拡散反射光18aを増加させ、発光素子実装用基体1,100,200の反射率がより高くなりやすい。しかしながら、第2の電極6a,6bは、領域よりも銀を多く含み、反射率が高いことから基体本体20と第2の電極6a,6bとの間に形成される領域図示しないは1μm未満とすることが好ましい。なお、さらに好ましくは、基体本体20と第2の電極6a,6bとの間に領域が形成されていない方がよい。なお、基体本体20の第2の電極6a,6bとの接合部9側に存在する領域の厚みは、上述した基体本体20の第1の電極2a,2bに対し接合部3を介して対向する部位に存在する領域4と同じ様に測定して判定すればよい。ここで、第2の電極6a,6bの組成は、主成分が銀であって、パラジウム,白金,ジルコニウム,アルミニウムまたは亜鉛のうち少なくとも1種が副成分であることが好ましい。このような副成分を含有することで、基体本体20と第2の電極6a,6bとの接合部側に存在する銀を含有する領域の厚みを1μm未満とすることができる。図6は、本実施形態の発光素子実装用基体の光が散乱する状態を示す概念図である。図6に示すように、本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200を構成する基体本体20は、断面を結晶のサイズのレベルで見たとき、酸化アルミニウム粒子12と、酸化珪素等からなるガラス相粒界相13と、気孔14とを有している。なお、図6において、これらの酸化アルミニウム粒子12とガラス相13との間を界面12a、気孔14とガラス相13との間を界面14aとしている。本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の第1の主面1aに照射された照射光15は、基体本体1,100,200によって反射された正反射光17aと、基体本体20の内部1cを入射光16として進行し、第1の主面1aとは反対側の第2の主面1bを透過して透過光21として出てくる。また、照射光15は、その一部が第1の主面1aで入射角度に対し同じ角度で逆方向に反射される正反射光17aと、第1の主面1aで不特定な方向へ反射される拡散反射光18となるが、残りは基体本体20の内部1cに入り、酸化アルミニウム粒子12,気孔14およびガラス相13の少なくともいずれかを透過する入射光16となる。そして、この入射光16は、基体内で、その一部が酸化アルミニウム粒子12とガラス相13との間の界面12aで一部は拡散反射光18dとなり、また、気孔14とガラス相13との界面14aで拡散反射光18eとなり、残りの光は、さらに基体本体20の内部1cを進行していき、酸化アルミニウム粒子12とガラス相13との間の界面13aと、気孔14とガラス相13との界面14aとでの拡散反射光18eを生み出し第1の主面1aからの反射光となる。そして、一部の光は、第2の主面1bを透過する透過光21となる。また、光の反射率を向上させるには、基体本体20の第1の主面1aに照射された照射光15が、第1の主面1aで正反射光17aおよび拡散反射光18aとなるのがもっとも好ましく、第1の主面1a側に存在する気孔14の数を従来の発光素子実装用基体1に比較し大幅に増やし、さらに、厚み方向における中央部側に向かうほど、気孔14の存在数を増やすことにより、気孔14とガラス相13との界面14aで入射光16が拡散反射光18eとなる機会が増え、第1の主面1aからの拡散反射光18を増加することができ反射率が向上しやすくなる。さらに、これらのセラミック焼結体からなる基体本体20は、第1の主面1aの領域4が存在していない部位における9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔14について見たときに、気孔率が25以上45以下であり、気孔数が9000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が75以上であることが好ましい。このようなセラミック焼結体からなる基体本体20は、気孔14が上述の条件で存在することによって、セラミック焼結体に照射された照射光が気孔14によって効率よく反射され、セラミック焼結体の反射率が高くなりやすい。また、気孔14が上述の条件で存在することによって、セラミック焼結体の機械的強度を高く維持できる傾向がある。なお、本実施形態の基体本体20の第1の主面1aの領域4が存在していない部位における9074×105μm2の表面積の部分における気孔14の気孔率,気孔数および円相当径08μm以上の気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数は、基体本体20の表面を表面から10μmの深さまで鏡面研磨加工し、倍率が100倍の金属顕微鏡の画像をCCDカメラによって取り込み、画像解析装置を用いて数値化すればよい。例えば、金属顕微鏡に株式会社キーエンス製のマイクロスコープ型名:VHX-500を用い、CCDカメラに株式会社ニコン製のデジタルSIGHT型名:DS-2Mvを用い、また画像解析のソフトウェアには株式会社三谷商事製型名:WinROOFを使用して、9074×105μm2の表面積に対して、円相当径08μmを閾値として各測定値を算出すればよい。そして、第1~3の実施形態における基体本体が、実装部5側の表面側において、酸化アルミニウム粒子の結晶粒子間に形成される粒界相を有しており、粒界相の平均幅が2nm以下であることが好ましい。第1~3の実施形態における基体本体20が、実装部5側の表面側において、酸化アルミニウム粒子12の結晶粒子間に形成される粒界相13aを有しており、粒界相13aの平均幅が2nm以下であることから、基体本体20の内部1cの粒界相13aに入射光16が入った場合、界面12bと界面12cの間で光の反射を繰り返し拡散反射光18eが増加し、反射率が増加しやすくなる。図7は、本実施形態の発光素子実装用基体における基体本体20の実装部5側の表面側における、粒界相間で拡散反射光が散乱する状態を示す概念図である。なお図6と共通する部分および気孔14に関する部分については省略して説明する。図7に示すように、基体本体20の実装部5側の表面側から進行する入射光16は、基体本体20の表面側における内部1cで酸化アルミニウム粒子12と粒界相13aとの間の界面で一部は正反射光17bと拡散反射光18dとになり、また、残りの入射光16は、さらに基体本体20の表面側における内部1cを進行していき隣接する次の結晶粒子と粒界相13aとの間の界面12cで進行してきた残りの入射光16の入射角度に対して同じ角度で逆方向に反射される正反射光17cと拡散反射光18eとが生じる。この拡散反射光18eは、界面12bと界面12cとの間の粒界相13aで反射を繰り返し基板の一方の表面から拡散反射光18eとして出るようになっている。そして、本実施形態の発光素子実装用基体1は、酸化アルミニウムの結晶粒子間に粒界相13aを有しており、この粒界相13aの平均幅が2nm以下であることが好ましい。本実施形態の発光素子実装用基体1において、基体本体20が、酸化アルミニウムの結晶粒子間に粒界相13aを有しており、この粒界相13aの平均幅が2nm以下0nmを含まずであるならば、例えば図7の場合では、隣り合う酸化アルミニウム粒子12d,12eの界面と界面との間に粒界相13aが存在することによって、その粒界相13aに入射光16が入った場合、界面12bと界面12cとの間で光の反射を繰り返し拡散反射光18が増加し、反射率が増加しやすくなる。ここで、酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相13aの平均幅を求める方法は下記の通りである。図8は本実施形態の発光素子実装用基体1の酸化アルミニウム粒子12d,12eおよび酸化アルミニウム粒子12間に形成される粒界相13aを示す概念図である。先ず、基体本体をレーザ等により切断し、その断面を鏡面加工し、その表面をTEM観察により、酸化アルミニウム粒子12を観察できる倍率として、40000倍から60000倍まで拡大し、結晶粒子12d,12e間に形成される粒界相の範囲内図8においては横方向19の範囲内において、粒界相13aの縦方向の幅19’において任意の平均的な部分を測定する。そして、同様の測定を10ヶ所実施してその平均を粒界相13aの平均幅とすればよい。次に、本実施形態の発光素子実装用基体1,100,200の製造方法の一例を説明する。まず、基体本体20となるセラミック焼結体について説明する。例えば、セラミック焼結体が、酸化アルミニウムを主成分とする場合は、平均粒径が14~18μmの酸化アルミニウムAl2O3と、酸化珪素SiO2と、酸化マグネシウムMgOとの粉末を準備し、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水とともに回転ミルに投入して、高純度のアルミナボールを用いて混合する。また、必要に応じて酸化カルシウムCaOを混合してもよい。なお、焼結助剤の秤量を調整することによって、酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相13の平均幅を調整することができる。ここで、セラミック焼結体が、酸化ジルコニウムを主成分とする場合は、焼結助剤として、酸化マグネシウムと酸化アルミニウムを、また、ムライトを主成分とするならば、焼結助剤として、酸化マグネシウムと、酸化珪素、酸化カルシウムおよび酸化イットリウムのうち少なくとも1種を選択し、主成分を90質量以上、焼結助剤を残部となるように秤量すれば良い。次に、これにポリビニルアルコール,ポリエチレングリコール,アクリル樹脂またはブチラール樹脂等の中から少なくとも一種のバインダを、各粉末の合計含有量100質量に対して4~8質量程度を添加し、高純度のアルミナボールを用いて、回転ミルで混合してスラリーを得る。なお、バインダの添加量は4~8質量の範囲内であれば、成形体の強度および可撓性がよく、また、焼成時にバインダの脱脂が十分にできる。次に、このスラリーを用いて、公知のドクターブレード法でシートを成形するか、スプレードライヤを用いて作製した造粒体を使用してロールコンパクション法によってセラミックスのシートを形成する。次に、このシートを用いて製品形状とするための金型による加工もしくはレーザ加工によって未焼成の成形体を作製する。このとき成形体は、最終的に発光素子が実装される基体本体の単品でもよいが、量産性を考慮すれば多数個取りの成形体とするのがより好ましい。なお、基体本体20が反射部材11を備える構成においては、セラミックスのシートを作製して積層することによって反射部材11を有する発光素子実装用基体200となる成形体を製造する方法のほか、粉末プレス成型により反射部材11と基体本体20とを一体成型する方法を採用することができる。例えば、セラミックスのシートを作製して積層することによって反射部材11を形成するにあたっては、セラミックスのシートは、金型もしくはレーザ加工により未焼成の成形体を作製し、前述したスラリーと同じものを密着液として用いシートを貼り合わせることにより反射部材11を有する発光素子実装用基体200となる成形体を作製することができる。そして、得られた成形体を、大気酸化雰囲気の焼成炉例えば、ローラー式トンネル炉,バッチ式雰囲気炉およびプッシャー式トンネル炉を用いて、最高温度が主成分が酸化アルミニウムの場合は1420~1540°C、主成分が酸化ジルコニウムの場合は1350~1550°C、主成分がムライト場合は1450~1650°Cとなるように設定して焼成することによって焼結体を作製することができる。また、焼成の最高温度は主成分の質量によって適宜調整すれば良い。なお、成形体の主成分が酸化アルミニウム場合は、さらに焼成時間を調整することによっても結晶粒径および粒界相13aの平均幅を調整することもできる。次に、基体本体20に第1の電極2a,2bや反射層2c,2dとなる金属部2を形成する方法の一例を説明する。金属部2を形成するためのペースト状の材料以下、厚膜ペーストとよぶは、銀を主成分とし、マグネシウムとビスマスとを含有する金属粉末をもちいて、銀の含有量が97~995質量で、マグネシウムとビスマスとの合計含有量が05~30質量であることが好ましい。また、その他の成分として、銅酸化第2銅CuOを含むものであってもよい。また、これらの金属粉末の平均粒径が03~08μm程度であればよい。また、バインダとしては、例えば、エチルセルロースを使用し、溶剤としては、例えば、エステルアルコールを使用できる。なお、エステルアルコールは金属粉末の合計含有量を100質量としたときに、15~25質量程度添加すればよい。また、ここで、厚膜ペーストのマグネシウムおよびビスマスの含有量は、それぞれ005~02質量,045~28質量であることが好ましい。厚膜ペーストのマグネシウムおよびビスマスの含有量がそれぞれ005~02質量,045~28質量であれば、領域4の厚みを5μm以上15μm以下とすることができる。金属部2を形成するための、基体本体20への厚膜ペーストの被着は、公知のスクリーン印刷法やディスペンサー方式より行なうことができる。なお、基体本体200において、反射部材11の内周面のみ厚膜ペーストを被着させるにあたっては、ナイロン製のスクリーンを用いるとよい。また、厚膜ペーストの厚みは、厚膜焼成後の厚みが10~50μm程度になるように被着させるとよい。次に、厚膜ペーストを被着させたあと、温度が80~100°Cで時間が1時間程度で乾燥処理を行ない、その後、最高温度が800~900°Cで焼成時間が03~13時間で焼成を行なうことによって形成することができる。領域の厚みtは、マグネシウムおよびビスマスの含有量でも制御できるが、これらの含有量が多すぎると反射率や強度に影響するため、この合計含有量および各含有量は前述した範囲内にとどめ、焼成温度の加減の組み合わせで領域4の厚みtを所望の値にすることが望ましい。焼成温度の最高温度が800°C未満であると領域4の厚みtが5μm未満となり、領域4の及ぼす効果が少なくなる。また、最高温度が900°Cを超えると、金属部2の主成分である銀が溶けだす可能性がある。それゆえ、焼成の最高温度は800~900°Cが好ましい。そして、前記焼成条件にて焼成を行なうことで、それぞれの金属の比重および融点の関係からマグネシウムが第2の領域より多い第1の領域4aと、ビスマスを第1の領域より多く含む第2の領域4bとができると考えられる。次に、金属部2を作製した後に後述する電極パッド8a,8bにメッキを形成するための前処理として、酸洗浄を行なう。これは、メッキが基体本体1に強固に被着されるように、脱脂または酸化被膜除去のため行なうものである。なお、酸洗浄の前に苛性ソーダ希釈液等によるアルカリ洗浄を行なうこともできる。酸洗浄をメッキ前に行なうのは、メッキ液が酸性であるからである。酸洗浄は、塩酸、硝酸または硫酸等を用い、濃度が1~20溶液に常温で約1分間程度浸漬する。酸の濃度を1~20とすると、脱脂や表面の酸化物の除去がしやすく、銀などが腐食されにくい。次に、酸を除去するために、純水あるいは水道水により水洗もしくは超音波洗浄を行ない、乾燥処理する。電極、反射層、反射部材および基体の表面に酸の残留があると、酸により侵されるため、水への浸漬洗浄は洗浄槽を換えて複数回行ない、その後に水洗することが望ましい。次に、電極パッド8a,8bにニッケル下地メッキ、金表面メッキ等を公知の方法で行なう。以上のような製造方法により、本実施形態の発光素子実装用基体1100200を作製することができる。なお、上述の製造方法においては、金属部2から銀が拡散して銀を含有する領域が形成される例を説明したが、例えば、金属部2となる部分と対向する領域を、銀を含有する材料を用いて作製し、それ以外の領域を、銀を含有しない材料を用いて作製し、それらを組み合わせて基体本体20を作製してもよい。図9は、本実施形態の発光素子実装用基体1の実装部5に発光素子31を実装した発光装置30の構成の一例を示す断面図である。図9に示す例の発光装置30は、本実施形態の発光素子実装用基体1である基体本体20に形成された電極パッド8a,8bと第1の電極2a,2bとを備える実装部5に発光素子31が実装されている。さらに、第1の電極2a,2bに対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域4を有している。そして、発光素子31の電極図示せずと電極パッド8bとがボンディングワイヤ32により電気的に接続されている。なお、ここでは、電極パッド8aと発光素子31は、直接、電気的に接続しているが、ボンディングワイヤ32による接合または半田バンプ図示せずによる接続であっても何ら構わない。そして、発光素子31,電極パッド8a,8bおよび第1の電極2a,2bが、樹脂等からなる封止部材33で被覆されている。この封止部材33は発光素子31の保護とレンズの機能を併せ持っている。なお、電極パッド8a,8bおよび第1の電極2a,2bの露出部分には、透明のオーバーコートガラス等を用いてなる保護層を設けても良い。このようにして、本実施形態の発光素子実装用基体1の実装部5に発光素子31を実装することで、発光装置30が得られる。図10は、本実施形態の発光素子実装用基体100に発光素子31を実装した別の発光装置の構成の一例を示す断面図である。以下、図9と共通する部分は省略して説明する。図10に示す例の発光装置40は、基体本体20に、発光素子31bと電気的に接続されていない反射層2cが設けられており、反射層2cに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4を有している。このようにして、本実施形態の発光素子実装用基体100の実装部5に発光素子31を実装することで、発光装置40が得られる。さらに、実装部5については、図9と同様の構成とすれば、反射率が高く、金属部2の接合強度の高い発光装置40とすることができる。図11は、本実施形態の発光素子実装用基体200に発光素子31を実装したさらに別の発光装置の構成の一例を示す断面図である。以下、図9と共通する部分は省略して説明する。図11に示す例の発光装置50は、表面に発光素子を実装するための実装部5が設けられる実装用基体20’と、実装部5を取り囲むように配置された反射部材11を有しており、この反射部材11の内周面には、銀を含有する反射層2dが接合されており、反射層2dに対し接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域4を有している。このようにして、本実施形態の発光素子実装用基体200の実装部5に発光素子31を実装することで、発光装置50が得られる。さらに、実装部5については、図9と同様の構成とすれば、反射率が高く、金属部2の接合強度の高い発光装置50とすることができる。以下、第1の実施形態の構成を用いて本発明の実施例を具体的に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の第2および第3の実施形態でも同様の効果が得られるものである。はじめに、基体本体20が、金属部2に対し接合部を介して対向する部位に領域4が存在する発光素子実装用基体としての効果の確認を行なった。まず、基体本体20となる焼結体を次の方法により作製した。酸化アルミニウムAl2O3として平均粒径が16μmの粉末と、酸化珪素SiO2と酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaOの粉末とを準備し、そして、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒とともに回転ミルに投入して混合した。次に、これにアクリル樹脂のバインダを添加し、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合してスラリーを得た。ここで、バインダの添加量は混合粉末100質量に対して6質量とした。次に、得られたスラリーを公知のドクターブレード法でシート状に成形し、このシートをレーザ加工により、焼成後の寸法値が長さ10mm,幅10mm,厚み0635mmとなる成形体を作製した。機械的強度を測定するために用いる試料として、焼成後の寸法が長さ30mm、幅10mm、厚み08mmとなる成形体も作製した。次に、この成形体を焼結させるために、プッシャー式トンネル炉を用い、大気中の酸化雰囲気にて、最高温度が1530°C、焼成時間は9時間で焼成した。また、安定化剤としてイットリアを3モル含むジルコニアの粉末を準備して、このセラミックスの原料に水を加えてボールミルで粉砕混合してスラリーを作製し、これらのスラリーにバインダとしてアクリル樹脂とポリエチレングリコールを添加し、スプレードライヤにより粉体を作製した。そして、この粉体を用いて粉末プレス成型により、焼結後の寸法が本実施形態と同一となる成形体を得た。次に、この成形体を乾燥機に入れて乾燥した後、焼成の最高温度を1450°Cで、その他の焼成条件おび焼成炉は本実施形態と同じとし、焼結体を得た。得られた焼結体は、酸化ジルコニウムZrO2の平均粒径が04μmで、組成は、酸化ジルコニウムZrO2が913質量、酸化イットリウムY2O3が55質量および酸化アルミニウムAl2O310質量で、その他不可避不純物として、酸化ハフニウムHfO2が20質量、酸化鉄Fe2O3が02であった。さらに、これらの基体本体20の第1の主面1aに金属部2を形成した。まず、金属部2を形成するための厚膜ペーストは、株式会社ノリタケカンパニー社製の厚膜ペースト品名:NP-4301Lを使用した。このペーストの成分の主要構成は、銀が99質量、マグネシウムが01質量、ビスマスが05質量および銅が03質量さらに、その他成分として01質量である。金属粉末の平均粒径は04μmである。また、バインダとして、エチルセルロースと混合溶剤を金属粉末の合計含有量を100質量としたときに、176質量添加した。以下、このペーストをペーストAとする。また、比較例となる試料は、基体本体20は、試料No.101と102とを用い、金属部2を形成するための厚膜ペーストとして、田中貴金属工業株式会社製の圧膜ペースト品名:MH-1063を用いた。この厚膜ペーストは、銀の含有量が98質量で、その他成分として、ホウ素、ジルコニウム、アルミニウムおよび亜鉛の金属を含むものである。金属粉末の平均粒径は04μmである。バインダは、エチルセルロースとエステルアルコール等の溶剤を、金属粉末の合計含有量を100質量としたときに、約15質量添加したものである。以下、このペーストをペーストBとする。そして、基体本体20の第1の主面1aに、ステンレス製のスクリーンを実装し、スキージを移動して厚膜ペーストを印刷して、焼成後の寸法が10mm角で平均厚みが105μmとなる金属膜を形成した。次に、金属膜を形成した基体を、温度80°Cで1時間の乾燥処理を行なった。また、株式会社ヤマザキ電機製の厚膜乾燥焼成炉型名:TEM-0608Sを用いて、最高温度が840°Cで大気雰囲気での厚膜焼成を行ない表1に示す試料を作製した。なお、IN-OUTの焼成時間は1時間とした。試料No.101および102の付番A,Bで、使用した厚膜ペーストを区分した。次に、発光素子実装用基体のメッキ処理前の酸処理と同様の方法で、上記の試料の酸洗浄を行なった。なお、試料数はいずれも25個である。まず、酸洗浄用の溶液は、高杉製薬株式会社製の製品名:希硝酸675とイオン交換水により、硝酸濃度1溶液を準備した。ここでは、既に銀を主成分とする金属部2が厚膜で接合されていることから、酸洗浄で金属部2が侵されることを最小限にするため硝酸濃度を1とした。次に、この準備した硝酸溶液に、常温にて約1分間試料を浸漬した。次に、試料に付着した酸を洗浄するために、1次洗浄槽、2次洗浄槽の順に試料を浸漬し、最後に、シャワー水洗を行ない、次に、この試料を約80°Cの温度で約30分間の乾燥処理を行なった。なお、各洗浄にはイオン交換水を使用した。次に、本実施形態および比較例の試料についての、分析,試験の方法を説明する。まず、基体本体20における光の反射率の測定は、測定器図示せずとして、株式会社島津製作所製の分光光度計型名:UV-315と積分球ユニット型名:ISR-3100とを用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200~1000nmとし、測定範囲は拡散反射率スリット20nm時7×9mmとしてフィルターおよびマスクは使用しないで、反射率の基準として硫酸バリウム粉体を用いて測定した。なお、測定試料数は基体本体20の厚みが0635mmのもの各10個について第1の主面1aの1箇所について測定し、波長500nmのときの平均値をデータとした。次に、金属部2が形成された試料の第1の主面1a側の断面について、領域4の状態を分析した。金属部2が形成された基体本体20の任意の箇所をレーザにより切断し、その断面を鏡面加工し、研磨面を金属顕微鏡1000倍で観察して、領域4,第1領域4aおよび第2領域4bの有無と厚みtを測定した。ここで、領域4の有無については、厚みtが01μm以上のものを有とし、01μm未満のものを実質的に領域4が存在しないとして無とした。また、日本電子株式会社製の走査電子顕微鏡型名:JXA-8100を用いWDS分析により、領域4a,4bについて、事前にカーボン蒸着により準備し、66μm角のエリアの成分分析を行ない、第1の領域4aはマグネシウムを多く含み、第2の領域4bはビスマスを多く含むことを確認した。なお、試料数は各10個で、その平均値をデータとした。次に、金属部2の反射率を測定した。測定方法は前述した基体本体20の反射率の測定方法と同じである。試料数は各10個で、その平均値をデータとした。次に、金属部2の接合強度の測定方法を説明する。図12は、本実施形態の基体本体20の表面へ被着させた導体34に対する接合強度の測定方法を示す断面図である。まず、接合強度を測定するための準備として、導体34金属部2の表面に、Sn-Pb6:4半田系で全体に対してAgを2質量とした半田34を用い、フラックスは、ロジン系合成樹脂にケトンとアルコール系溶剤とを混合したもので、タムラ化研株式会社製商品名:XA-100を用い、225±5°Cの温度で径が06mmのメッキ導線銅線にSnメッキ35を導体34に半田付けした。次に、このメッキ導線35を762mm/分の速度で引っ張り、導体34が基体本体20から剥離するときの強度を測定して基体本体20に対する導体の接合強度とした。この試験装置は、ANZATECH社製のダイシェアリングテスタ型番:520Dを使用した。また、測定数は各試料数10個について測定し、その平均値を求めた。なお、メッキ導線36が導体34から剥離した場合はデータから除外し、導体34が基体本体20から剥離したときのデータを導体34の接合強度とした。これらの導体34金属部2の接合強度の測定は、恒温高湿放置試験を行なう前と恒温高湿放置試験150,500および1000時間についても行なった。試料は、接合強度測定用の試料と同一の基体本体20で長さ、幅が10mm角で全面に接合強度測定時と同じ厚膜を形成したものを使用した。試験条件は、温度85°C,湿度85で大気雰囲気とし、電極へは通電しない無負荷試験とした。また、各放置時間後の測定試料は、反射率は同一の試料を繰り返し行なうが、接合着強度については破壊検査となるために同一群の試料により行なった。なお、いずれも各試料数10個の平均値をデータとした。得られた結果を表1に示す。表1より、第1の主面1aのうち金属部2との接合部3を介して、銀を含有する領域4が存在する試料No.101Aおよび試料No.102Aは、銀を含有する領域4が存在しない試料No.101Bおよび試料No.102Bと同一主成分の試料間で比べると、反射率をより高く維持できることがわかった。また、試料No.101Aおよび試料No.102Aは、試料No.101Bおよび試料No.102Bと同一主成分の試料間で比べると、接合強度がより高くまた、長時間にわたって接合強度を維持できることがわかった。金属部2が基体1の主面に形成されていない状態での光の反射率は、基体本体20が酸化アルミニウムからなる試料No.101Aは、波長500nmにおける反射率が92以上と酸化ジルコニウムからなる試料No.102Aと比べて比較的よい結果が得られた。次に、基体本体20の組成ならびに焼成温度を変化させて焼結体を作製し、得られた焼結体に金属部2を形成し、基体本体20の金属部2に対し接合部を介して対向する部位に領域4が存在する発光素子実装用基体の接合強度と反射率との効果について調査した。本実施形態の基体本体20となる焼結体は、実施例1と同じ方法により作製するが、酸化アルミニウムAl2O3の含有量を935~975質量の範囲として、酸化珪素SiO2、酸化マグネシウムMgOおよび酸化カルシウムCaOの量を各々変化させた。そして、最高温度が1400~1550°C、焼成時間を6~9時間とし、表2に示す試料No.1~10を作製した。なお、焼結体の寸法は実施例1と同じである。さらに、これらの基体本体20を用いて、金属部2を実施例1と同じ方法で形成した。厚膜印刷するペーストはペーストAを用いるが、厚膜焼成の最高温度を840°C、IN-OUTの時間を1時間として金属部2導体34を形成した。次に、本実施形態の試料についての、分析、試験の方法を説明する。各発光素子実装用基体の反射率の測定は、実施例1の測定方法と同じ方法で行なった。また、機械的強度の測定は、JISR1601に準拠して、予め作製した長さが30mm、幅が10mm、厚みが08mmの焼結体を用い、焼結体のスパンが20mmの中央部に、05mm/分の荷重を印加し、焼結体が破壊するまでの最大荷重を測定して、三点曲げ強度を算出した。なお、測定数は試料数10個について測定し、その平均値を求めた。次に、基体本体20の第1の主面1aに形成された第1の電極2a,2bに関する分析、試験方法について説明する。これらの試料は、前述の基体本体20に10mm角の導体34を形成したものを金属部2として用いる。また、金属部2が形成された試料の領域4の状態、接合強度、反射率のそれぞれの測定は実施例1と同じ方法で行なった。次に、これらの金属部2導体34の、反射率と接合強度の測定は、恒温高湿放置試験を行なう前の初期値と恒温高湿放置試験150,500,1000時間についても行なったが、恒温高湿放置試験ならびに、接合強度と反射率の測定方法は実施例1と同じ方法である。得られた結果を表2および表3に示す。表3によると、第1の主面1aの金属部2との接合部を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在する試料No.1A~試料No.10Aは、銀を含有する領域4が存在しない試料No.1B~No.10Bとそれぞれ比べると、基体1の反射率をより高く維持することができることがわかった。また、試料No.1A~試料No.10Aは、試料No.1B~試料No.10Bの試料とそれぞれ比べると、接合強度がより高くまた、基体1の反射率をより高く維持できることがわかった。さらに、焼成温度および焼成時間が同じである試料No.1,4,8~10を比較すると、主成分である酸化アルミニウムAl2O3が94質量以上97質量以下である試料No.4,8,10は、主成分である酸化アルミニウムAl2O3が94質量以上97質量以下ではない試料No.1,9と比較して曲げ強度が高いので、通常の焼成温度よりも低い温度で焼成したとしても機械的強度が十分に高いことがわかった。次に、領域4の好ましい厚みtの範囲について調査した。実施例2の試料No.4Aと同じ基体本体20および厚膜ペーストを使用して、厚膜焼成温度を780~920°Cまで変化させて基体本体20の主面1aに金属部2を形成した。厚膜焼成時間は1時間とし、焼成後の金属部2の厚みは105μmとした。領域4の厚みと、金属部の接合強度の測定方法は実施例1,2に同じである。なお、試料数は各10個で、その平均値をデータとした。また、参考までに、パターン図示せずの直線性についても測定した。10mm角の金属部2を形成した試料について、工具顕微鏡を用いて200倍でパターンの任意の直線部分8mmの直線度を測定し、各試料10個の平均値をデータとした。調査結果を表4に示す。表4からわかるように、領域4の厚みtが5μm以上15μm以下である試料No.4Aおよび4A-2~4A-4は、金属部2の接合強度が10MPa以上となり、より高い値を示した。また、金属部2のパターンの直線度が10μm以下であるから、絶縁性を高く維持できることがわかった。また、試料No.4A-5は、本実施形態の2および3のように、反射層2cと実装部5とは、絶縁性を保つため隙間10を開けて形成する場合に、金属部の直線度の数値が高くなり電気的な絶縁性を維持しにくくなりやすい。また、表4には記載していないが、第2の領域4bの領域には、マグネシウムの成分の検出が少なく、このことから考えると、金属部2に含有されるマグネシウムと基体本体20に含有されるマグネシウムが相互に関連し界面4c付近にマグネシウムを多く含む第1の領域4aを形成しているとみられる。一方、第2の領域4bに含有されるビスマスは金属部2に含有されるビスマスによって形成されているものと考えられる。次に、基体本体20に第2の電極6a,6bとの接合部を介して、銀を含有する領域が1μm未満の厚みで存在する場合について調査した。焼結体は厚みが0635mmの試料No.4と同等のものを使用し、第1の主面1aへの第1の電極2a,2bは形成せずに、第2の主面1bへのみ第2の電極6a,6bを形成した。第2の電極6a,6bは、厚膜焼成後の寸法が10mm角で厚みを105μmとなるように厚膜ペーストAとBを用いて厚膜印刷を行ない、最高温度840°CでIN-OUT時間1時間の厚膜焼成を行なった。なお、第2の電極6a,6bが形成された主面1bの表層部に銀を含む領域の存在の有無も調査した。この調査方法は実施例1に記載した方法と同じである。反射率の測定は、第2の電極6a,6bが形成された第2の主面1bの反対面である第1の主面1a側に光を当てて、その反射光正反射光17、拡散反射光18を測定した。反射光の測定方法は実施例1の方法と同じである。また、測定した試料数は各10個で、その平均値をデータとした。表5に示す試料No.11Aは、第2電極6a,6bが形成された主面1bの接合部を介して銀を含む領域の存在が確認できたものであるが、主面1a側での反射率は928であったのに対して、領域が実質的に存在しない試料No.11Bは、反射率が937と比較的に高かった。焼結体は実施例2で用いた試料No.4と同一であり、電極を形成していないときの反射率は924であるから、光の照射側の反対面第2の主面1bの電極による主面1a側への反射率は約04以上反射率が高くなり、領域4が実質的に存在しない場合においては、約13程度の反射率が高くなることがわかる。次に、金属部2に含まれるマグネシウムおよびビスマスの含有量を変化させることによって、領域4の厚みが変化することの確認を行なった。実施例2の試料No.4Aと同じ基体本体20を用いて、表6に示したマグネシウムおよびビスマスの含有量となるように調整した厚膜ペーストを使用して、厚膜焼成温度を840°Cとし基体本体20の第1の主面1aに金属部2を形成した。厚膜焼成時間は1時間とし、焼成後の金属部2の厚みは105μmとした。金属部2におけるマグネシウムおよびビスマスの含有量は、金属部2の表面を蛍光X線分析法XRFによって、各成分の質量を求めた。なお、試料数は各10個で、その平均値をデータとした。また、直線度の測定は、実施例3と同一である。得られた調査結果を表6に示す。表6からわかるように、マグネシウムの含有量が005~02質量、ビスマスの合計量の含有量が045~28質量であって、その合計量が05質量以上30質量以下である試料No.13~16は、領域4の厚みtが5μm以上15μm以下であって、金属部2の接合強度が10MPa以上となり、より高い値を示すとともに、金属部2のパターンの直線度が10μm以下と電気的な絶縁性を容易に確保し易くなることが分かった。基体本体20の粒界相の平均幅および平均結晶粒径が、接合強度と反射率とに及ぼす影響について調査した。主成分として酸化アルミニウムAl2O3を用いて成形体を作製するまでは、実施例1~5と同じ工程を用いた。次に、この成形体を焼結させるために、プッシャー式トンネル炉を用い、大気中の酸化雰囲気で1420~1540°C、焼成時間を36~15時間に調整し、平均結晶粒径および粒界相の幅が表2に示す値となるように焼成を行ない、試料No.18~24となる基体本体20を得た。さらに、これらの基体本体20を用いて、金属部2を実施例1と同じ方法で形成した。厚膜印刷するペーストはペーストAを用い、厚膜焼成の最高温度を840°C、IN-OUTの時間を1時間として金属部2導体34を形成した。また、基体本体20の酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相の平均幅を求める方法は、基体本体20の任意の断面をTEM観察により、任意の点において50000倍まで拡大し測定し、粒界相の幅を測定する作業を、計10点の視野において行ない、測定した粒界相の幅を平均することで求めた。また、酸化アルミニウムの結晶の平均結晶粒径を求める方法は、基板の表面を鏡面加工し、各試料の焼成温度に対し80°C低い温度でファイヤーエッチングをし、EDSエネルギー分散型X線分光法による元素分析をして酸化アルミニウムの結晶を特定した後、走査型電子顕微鏡日本電子製のJSM7001Fで2500倍の倍率で撮影して画像のデータを作成し、画像解析装置三谷商事製のWinROOFを用いて各結晶粒の面積を求め、その面積から各結晶の円相当径を算出して平均結晶粒径を求めた。また、金属部の接合強度の測定方法は実施例1~3、基体の反射率の測定方法は実施例1,2,4と同じである。なお、試料数は各10個で、その平均値をデータとした。得られた結果を表7に示す。表7に示す結果から分かるように、試料No.19~23は、酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相13aの平均幅が20nm以下であることから、粒界相13aにおける拡散反射光が多くなるので、反射率がより高くなることがわかる。また、試料No.20~23は、平均結晶粒径が20μm以下であることから、粒界相13が多く界面14aも多く存在するようになることから、金属部2に含有される銀,ビスマスおよびマグネシウムが粒界相13に拡散しやすくなり、基体本体20と金属部2との接合強度が向上することが分かる。"