リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。前記ろ過工程において、前記フィルターを前記容器内に設置した後、該容器内を洗浄液で洗浄し、その後容器内を減圧下に保持することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。前記リソグラフィー用レジスト組成物として、レジスト保護膜形成用組成物、フォトレジスト組成物、EUV用レジスト組成物、EB用レジスト組成物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及び有機レジスト下層膜形成用組成物のいずれかを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。しかし、従来のこのような方法によっても、気泡が起因と予想される欠陥を、十分には減少させることができないことがわかった。本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法を提供する。このような製造方法によれば、ろ過工程において溶存ガスを除去することができ、塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供することができる。また、前記ろ過工程において、前記フィルターを前記容器内に設置した後、該容器内を洗浄液で洗浄し、その後容器内を減圧下に保持することが好ましい。このように洗浄を行うことで、フィルター容器内等に存在する微粒子を洗い流すことにより、得られるリソグラフィー用レジスト組成物の品質をより一層向上させることができる。また、前記リソグラフィー用レジスト組成物として、レジスト保護膜形成用組成物、フォトレジスト組成物、EUV用レジスト組成物、EB用レジスト組成物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及び有機レジスト下層膜形成用組成物のいずれかを用いることができる。このように、本発明は、種々公知のレジスト組成物を製造する際に適用することができ、有用である。以上説明したように、本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法によれば、フィルター内に存在するガスがろ過工程中に組成物に溶解することを防ぐことができるので、本発明により製造される組成物を用いれば、塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることができる。特に、除粒子径が50nm以下のフィルターでは、被処理液体をフィルターに通液するだけではフィルター中に存在する全ての微細孔に液を満たすことができないため、残留したガスが組成物に同伴してフィルターから抜け出し、そのまま基板上に塗布され泡状の塗布欠陥として観測されるが、本発明によればこれを防ぐことができる。更に、本発明におけるろ過工程を、製品充填の直前に行うことで、製造工程中のガスの溶け込みを最小限にすることが可能であり、この製造方法で得られる組成物を塗布して形成された塗布膜は、気泡由来の欠陥の発生を確実に抑制することが可能である。そのため、製造プロセスの歩留まりも向上する。以下に本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上述のように、リソグラフィープロセスに使用されるレジスト組成物の薄膜化、多層化が進むにつれ、プロセスの歩留まりに対して欠陥が与える影響も次第に大きくなっている。しかし、従来の方法によっては、組成物中の気泡が起因と予想される欠陥を、十分には低減できていないことがわかった。そこで本発明者らが、組成物に気体ガスが溶け込む要因について検討したところ、ろ過工程において、フィルター内に存在する微細孔のうち、出口のない閉鎖孔に残存しているガスがろ過中に組成物に溶解し、このガスがレジスト塗布膜形成時に組成物から分離し微小な気泡となって塗布膜中に残存し、その結果としてパターン異常が発生し、製造プロセスの歩留まり低下を発生することが新たに判明した。上記知見をもとに、更に鋭意研究を行った結果、リソグラフィー用レジスト組成物にガス溶け込みを防止するため、ろ過工程で使用されるフィルターを設置する容器フィルター容器を減圧下大気圧より低い圧力に一旦保持することで、気泡を含まない塗布膜を得る方法を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。以下に、本発明について更に詳しく説明する。本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法は、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とする。本発明の製造方法は、公知のいずれのレジスト組成物を製造する際にも適用することができ、このときのリソグラフィー用レジスト組成物としては、液浸露光プロセスで用いられるレジスト保護膜形成用組成物、UV光やエキシマレーザー、X線、電子ビーム等で露光を行う場合に使用される高エネルギー線感応型のレジスト膜形成用組成物フォトレジスト組成物、EUV用レジスト組成物、EB用レジスト組成物等、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、有機レジスト下層膜形成用組成物等を例示することができる。このとき使用されるフィルターは、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂、ポリアミド系樹脂等の材質のものが好ましく、プリーツタイプや中空糸タイプ等が例示される。フィルター設置後のフィルター容器内の圧力は、減圧下、好ましくは-50kPaG以下であり、-90kPaG以下に保持されることがより好ましい。更に好ましくは真空状態である。このようにフィルターが設置されているフィルター容器内を大気圧より低い状態とするには、特に限定されないが、例えば、真空ポンプをフィルター容器に設置し、これを用いて容器内を真空引きすればよい。次に、本発明の形態を、図面を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は、本発明の製造方法に用いられる装置の一例である。この装置は、タンク1、送液ポンプ2、フィルター容器3、真空ポンプ4、及びこれに付属する配管図示されていない配管を含む、バルブ弁図示されていないバルブを含む等から構成されている。まず、フィルター容器3内に、レジスト組成物のろ過に使用されるフィルターをセットした後、フィルター容器3の前後フィルター容器3とこれに付属する配管との間を遮断し、真空ポンプ4で排気してフィルター容器3内を真空にする。また、必要であれば、フィルター容器3からタンク1の間の配管等その他の箇所も、同様に大気圧より低い状態に保持してもよい。このとき、フィルター容器3内に存在する微粒子等を除去するため、フィルターをフィルター容器3内に設置した後、該容器内を洗浄液で洗浄し、その後フィルター容器3内を減圧下に保持してもよい。洗浄は、例えば、別途設けた洗浄液用のタンクから、あるいはタンク1に洗浄液を充填して、洗浄液を送液することにより行うことができ、循環洗浄としてもよい。洗浄液としては、純水や、リソグラフィー用レジスト組成物の主溶剤等が、好ましく用いられる。洗浄後の洗浄液は、フィルター容器3等の排出弁図示せず等により排出する。フィルター容器3内を減圧下に保持した後、タンク1にあるリソグラフィー用レジスト組成物を、送液ポンプ2を使ってフィルター容器3に通過させることにより、フィルター容器3の中にガスが存在しない状態フィルター内に残存しているガスを除去した状態でレジスト組成物をろ過することができる。このようにろ過したリソグラフィー用レジスト組成物は、その後すぐに製品容器5に充填してもよいが、リソグラフィー用レジスト組成物中の微粒子等をより確実に除去する等の目的により、図に示すように、フィルター容器3でのろ過後のろ液が、タンク1に戻るようにして配管内で循環ろ過を行うこともできる。循環ろ過を行う場合には、液中パーティクルカウンターで液中の微粒子数が一定数量以下微粒子数の変化がほぼ一定になったところで、弁を切り替えて製品容器5に製品リソグラフィー用レジスト組成物を充填すればよい。以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[実施例]図1に示される装置を使用した。まず、フィルター容器3に、ポリエチレン製公称除粒子径0.005マイクロメートル、ろ過面積2.2平方メートルカートリッジフィルターをセットし、フィルター容器3の前後フィルター容器3とこれに付属する配管との間を弁で遮断した後、真空ポンプ4でフィルター容器3内を-99kPaGにした。そのままの圧力で、真空ポンプ4とフィルター容器3を絶縁した。続いて、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物が仕込まれているタンク1の下部の弁を開放し、配管を組成物で満たした後、フィルター容器3の上流に位置する前弁を開放することにより、フィルター容器3をケイ素含有膜形成用組成物で完全に満たした。続いて、フィルター容器3の下流に位置する後弁及びタンク1の上部の弁を開放して、送液ポンプ2を起動し、ケイ素含有膜形成用組成物を配管内で循環ろ過を行った。液中パーティクルカウンターで液中の微粒子数が一定数量以下微粒子数の変化がほぼ一定になったところで、弁を切り替えて製品容器5に製品を充填した。この製品容器を東京エレクトロン社製クリーントラックACT12に接続し、直径300mmのシリコン基板上に塗布膜を形成した。この塗布膜をKLA-Tencor社製欠陥検査装置で検査し、塗布欠陥数を計測した。その結果、0.12マイクロメートル以上の大きさの欠陥数は30個で、ほぼ問題ないといえる程度であった。[比較例]真空ポンプ4によるフィルター容器3の真空脱気手順を省いた他は、全て実施例と同様の手順で製品容器5に製品ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を充填した。この製品容器を東京エレクトロン社製クリーントラックACT12に接続し、直径300mmのシリコン基板上に塗布膜を形成した。この塗布膜をKLA-Tencor社製欠陥検査装置で検査し、塗布欠陥数を計測した。その結果、0.12マイクロメートル以上の大きさの欠陥数は、1000個であった。これを、KLA-Tencor社製走査型電子顕微鏡で観察したところ、98が気泡が起因と予想される凹型の欠陥であった。上記実施例、比較例の結果から、本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法で得られる組成物を塗布して形成された塗布膜は、気泡由来の欠陥の発生を抑制することが可能であることが確認された。これにより、本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法によれば、製造工程中のガスの溶け込みを最小限にすることが可能であることが実証されたといえる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。