"リソグラフシステムまたはそのコンポーネントを評価するための方法200であって、リソグラフシステムにおけるリソグラフ処理用の第1波長または波長範囲の電磁放射とは異なる第2波長または波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けて、該リソグラフ光学要素から反射した電磁放射の少なくとも一部を、感光層を備えた基板において検出すること204と、その後、検出した電磁放射を評価すること205と、露光した感光層の評価から、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定すること206と、を含む方法200。感光層を備えた基板を得ること201と、リソグラフ光学要素を得ること202と、リソグラフ処理システムまたはリソグラフ計測システムにおいて第2波長または波長範囲の電磁放射を放射するためのエネルギー源を得ること203と、を含む請求項1記載の方法200。リソグラフシステムは、EUVリソグラフシステムである請求項1または2記載の方法200。リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第1波長または波長範囲の電磁放射は、EUV電磁放射であり、リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第2波長または波長範囲の電磁放射は、DUV電磁放射である請求項3記載の方法200。第2波長または波長範囲の電磁放射と同時に、第1波長または波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けて、第1波長または波長範囲の電磁放射の少なくとも一部がリソグラフ光学要素の中で吸収されるようにした請求項4記載の方法200。第1波長または波長範囲の電磁放射は、第2波長または波長範囲の電磁放射とは異なる放射源によって導入される請求項1~5のいずれかに記載の方法200。検出した電磁放射を評価することは、感光層を備えた基板を光学的に評価することを含む請求項1~6のいずれかに記載の方法200。光学的に評価することは、その場で光学的に評価することを含む請求項7記載の方法200。評価することは、露光した感光層において、高さの差またはフリンジのいずれかを評価することを含む請求項1~8のいずれかに記載の方法200。凹凸形状パラメータを決定した後、決定した凹凸形状パラメータを考慮して、リソグラフ光学要素またはそのホルダーを補正することを含む請求項1~9のいずれかに記載の方法200。リソグラフ光学要素は、第1ホルダーの上に位置決めされており、該方法は、第2リソグラフ処理システムにおいてリソグラフ光学要素および同じ特性を有する照射源を用いて、前記照射および評価ステップを繰り返すことをさらに含み、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定することは、第1および第2リソグラフ処理システムのコンポーネント間の凹凸形状の差を決定すること含み、これによりリソグラフ処理システムのツール間の評価が可能になるようにした請求項1~10のいずれかに記載の方法200。マスクまたはマスクブランクを保持するための手段430と、基板のリソグラフ処理用の第1照射ビームを発生するための第1照射源410と、第1照射源とは異なり、第2照射ビームを発生するための第2照射源490とを備え、前記第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長く、マスクまたはマスクブランクの凹凸形状を評価するためのものであり、さらに、第2照射ビームの少なくとも一部を検出するための感光層を備えた基板を保持するための手段450と、第1照射源および第2照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して感光層に向けて案内するための照射光学系420とを備えるリソグラフ処理システム400。リソグラフ処理システム400は、極端紫外リソグラフ処理システムであり、第1照射源は、基板の極端紫外リソグラフ処理用の照射源であり、第2照射源は、深紫外照射源である、請求項12記載のリソグラフ処理システム400。リソグラフ処理システム400は、第1照射ビームの少なくとも一部が感光層に入射するのを一時的に選択的に防止するためのEUVフィルタを備える、請求項12または13記載のリソグラフ処理システム400。検出した第2照射ビームを評価し、リソグラフ処理システムにおけるマスクもしくはマスクブランクまたはそのホルダーの凹凸形状パラメータを誘導するためにプログラムされた処理手段をさらに備える請求項12~14のいずれかに記載のリソグラフ処理システム400。本発明の目的は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度を監視するための良好な方法およびシステムを提供することである。本発明に係る実施形態の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度が、その場で、即ち、リソグラフ処理システム内で監視できることである。本発明は、リソグラフシステムまたはそのコンポーネントを評価するための方法に関するものであり、該方法は、リソグラフシステムにおけるリソグラフ処理用の第1波長の電磁放射とは異なる第2波長の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けて、該リソグラフ光学要素から反射した電磁放射の少なくとも一部を、感光層を備えた基板において検出することと、その後、検出した電磁放射を評価することと、露光した感光層の評価から、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定することと、を含む。本発明に係る実施形態の利点は、ユーザに使い易い計測システムおよび半導体製造環境において一般的に利用可能なツールセットを用いて、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度の特徴付けが可能であることである。本発明に係る実施形態の利点は、チャック固定の再現性を監視できることである。該方法はまた、感光層を備えた基板を得ることと、リソグラフ光学要素を得ることと、リソグラフ処理システムまたはリソグラフ計測システムにおいて第2波長の電磁放射を放射するためのエネルギー源を得ることとを含んでもよい。リソグラフシステムは、極端紫外EUVリソグラフシステムであってもよい。リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第1波長の電磁放射は、極端紫外EUV電磁放射でもよく、リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第2波長の電磁放射は、深紫外線DUV電磁放射でもよい。第2波長範囲の電磁放射と同時に、第1波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けてもよいが、第1波長範囲の電磁放射の少なくとも一部がリソグラフ光学要素の中で吸収してもよい。本発明に係る実施形態の利点は、リソグラフツールの光源、即ち、半導体基板のリソグラフ処理に使用する同じ光源を用いて、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度を監視できることである。第1波長範囲の電磁放射は、第2波長範囲の電磁放射とは異なる放射源によって導入してもよい。検出した電磁放射を評価することは、感光層を備えた基板を光学的に評価することを含んでもよい。光学的に評価することは、その場で光学的に評価することを含んでもよい。評価することは、露光した感光層において、高さの差またはフリンジのいずれかを評価することを含んでもよい。該方法は、凹凸形状パラメータを決定した後、決定した凹凸形状パラメータを考慮して、リソグラフ光学要素またはそのホルダーを補正することを含んでもよい。本発明に係る実施形態の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度についての結果を、いずれか可能性のある補正のために、リソグラフ処理に対してフィードバックとして直接に提供できることである。本発明に係る実施形態の利点は、露光したウエハまたは基板でのオーバーレイ誤差が最小化できることである。リソグラフ光学要素は、第1ホルダーの上に位置決めしてもよく、該方法は、第2リソグラフ処理システムにおいてリソグラフ光学要素および同じ特性を有する照射源を用いて、前記照射および評価ステップを繰り返すことをさらに含んでもよく、リソグラフ光学要素及び/又はそのホルダーの凹凸形状パラメータを決定することは、第1および第2リソグラフ処理システムのコンポーネント間の凹凸形状の差を決定すること含み、これによりリソグラフ処理システムのツール間の評価が可能になる。第1および第2リソグラフ処理システムのコンポーネント間の凹凸形状の差は、第1リソグラフ光学要素および第2リソグラフ光学要素のホルダー間の差であってもよい。本発明に係る実施形態の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度を評価する場合、リソグラフ処理システムのツール間の変動を容易に考慮できることである。本発明はまた、リソグラフ処理システムに関するものであり、該システムは、マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、基板のリソグラフ処理用の第1照射ビームを発生するための第1照射源と、第1照射源とは異なり、第2照射ビームを発生するための第2照射源とを備え、前記第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長く、マスクまたはマスクブランクの凹凸形状を評価するためのものであり、さらに、第2照射ビームの少なくとも一部を検出するための感光層を備えた基板を保持するための手段と、第1照射源および第2照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して感光層に向けて案内するための照射光学系とを備える。リソグラフ処理システムは、極端紫外リソグラフ処理システムでもよく、第1照射源は、基板の極端紫外リソグラフ処理用の照射源であり、第2照射源は、深紫外照射源である。リソグラフ処理システムは、第1照射ビームの少なくとも一部が感光層に入射するのを一時的に選択的に防止するためのEUVフィルタを備えてもよい。こうしたフィルタは、リソグラフ要素の上にある吸収層、例えば、マスクまたはマスクブランクの上にある吸収層でもよい。該システムは、検出した第2照射ビームを評価するためにプログラムされた処理手段、及び/又は、リソグラフ処理システムにおけるマスクもしくはマスクブランクまたはそのホルダーの凹凸形状パラメータを誘導するためにプログラムされた処理手段を備えてもよい。本発明は、一態様において、リソグラフ光学要素の凹凸形状を評価するための方法に関するものであり、該方法は、感光層を備えた基板を得る、例えば、用意するステップと、リソグラフ光学要素を得る、例えば、用意するステップと、ある波長範囲の電磁放射を放射するエネルギー源を得る、例えば、用意するステップと、基板に電磁放射を向けて、感光層を露光するステップと、を含み、電磁放射を向けることは、リソグラフ光学要素に電磁放射を向けることを含み、電磁放射の少なくとも一部は、リソグラフ光学要素から基板の感光層に向けて反射する。該方法は、その後、露光した感光層を評価することと、露光した感光層の評価からリソグラフ光学要素の凹凸形状を決定することとを含んでもよい。一実施形態によれば、基板を用意すること、リソグラフ光学要素を用意すること、およびエネルギー源を用意することは、リソグラフ処理システム及び/又はリソグラフ計測システムにおいて、基板を用意すること、リソグラフ光学要素を用意すること、およびエネルギー源を用意することを含む。本発明はまた、リソグラフ光学要素の凹凸形状を評価するための方法に関するものであり、該方法は、感光層を備えた基板を得る、例えば、用意するステップと、リソグラフ光学要素を得る、例えば、用意するステップとを含み、リソグラフ光学要素は、マスクブランクであり、さらに、電磁放射を放射し、該電磁放射を基板に向けて、感光層を露光するEUV光源を得る、例えば、用意するステップとを含み、前記電磁放射を向けることは、マスクブランクに電磁放射を向けることを含み、電磁放射の少なくとも一部は、マスクブランクに吸収され、電磁放射の少なくとも他の部分は、マスクブランクから反射して、基板の感光層に向かう。該方法はまた、その後、露光した感光層を評価することと、露光した感光層の評価からマスクブランクの凹凸形状を決定することとを含んでもよい。電磁放射の一部は、好ましくは、EUVの部分でもよい。電磁放射の他の部分は、好ましくは、DUVの部分でもよい。本発明はさらに、リソグラフ光学要素の凹凸形状を評価するための方法に関するものであり、該方法は、感光層を備えた基板を得る、例えば、用意するステップと、リソグラフ光学要素を得る、例えば、用意するステップとを含み、リソグラフ光学要素はマスクを含み、さらに、ある波長範囲の電磁放射を放射するDUV光源を得る、例えば、用意するステップと、基板に電磁放射を向けて、感光層を露光するステップとを含み、電磁放射を向けることは、マスクに電磁放射を向けることを含み、電磁放射は、マスクから基板の感光層に向けて反射する。該方法は、その後、露光した感光層を評価することと、露光した感光層の評価からマスクの凹凸形状を決定することとを含んでもよい。一態様において、本発明はまた、リソグラフ処理システムに関するものであり、該システムは、照射ビームを発生するための照射源と、マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、基板および、照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して基板に向けて案内するための照射光学系を保持するための手段と、マスクまたはマスクブランクを評価するための第2照射源とを備える。本発明はまた、リソグラフツール間の検査のための方法に関する。該方法は、第1および第2リソグラフ処理システムを用意するステップを含み、第1リソグラフ処理システムは、第1感光層を備えた第1基板と、第1リソグラフ光学要素と、第1エネルギー源とを備え、第2リソグラフ処理システムは、第2感光層を備えた第2基板と、第2リソグラフ光学要素と、第2エネルギー源とを備え、第1および第2エネルギー源および第1および第2リソグラフ光学要素についての特性がそれぞれ同じである。該方法はまた、第1および第2エネルギー源からの第1単一波長を中心とした波長範囲を含む電磁放射を、第1および第2基板にそれぞれ向けて、第1および第2基板の感光層を露光することを含み、この電磁放射を向けることは、電磁放射を第1および第2リソグラフ光学要素にそれぞれ向けることを含み、電磁放射は、第1および第2リソグラフ光学要素から第1および第2基板の感光層にそれぞれ向けて反射する。該方法はまた、その後、第1および第2基板の露光した感光層を評価することと、第1および第2基板の露光した感光層の評価を比較することによって、第1および第2リソグラフ光学システムの間の凹凸形状の変動を決定することとを含む。第1および第2リソグラフ光学システムの間の凹凸形状の変動を決定することは、具体的には、リソグラフ光学要素が搭載されたチャックの凹凸形状の差であってもよい。本発明はまた、リソグラフ処理システムのツール間の評価の方法に関するものであり、該方法は、リソグラフ処理ツールを得る、例えば、用意することと、感光層を備えた基板を得る、例えば、用意することと、チャックの上にリソグラフ光学要素を得る、例えば、用意することと、電磁放射を放射するエネルギー源を得る、例えば、用意することと、リソグラフ処理ツール内で電磁放射を基板に向けて、感光層を露光することとを含み、電磁放射を向けることは、リソグラフ光学要素に電磁放射を向けることを含み、電磁放射は、リソグラフ光学要素から基板の感光層に向けて反射する。該方法はまた、その後、他のリソグラフ処理ツールを用意することを含む。該方法は、他の感光層を備えた他の基板を得る、例えば、用意することと、他のチャックの上にリソグラフ光学要素を得る、例えば、用意することと、電磁放射を放射する他のエネルギー源を得る、例えば、用意することと、他のリソグラフ処理ツール内で電磁放射を他の基板に向けて、感光層を露光することとをさらに含み、電磁放射を向けることは、リソグラフ光学要素に電磁放射を向けることを含み、電磁放射は、他のリソグラフ光学要素から他の基板の感光層に向けて反射する。該方法は、その後、基板および他の基板の露光した感光層を評価することと、基板および他の基板の露光した感光層の評価からチャックと他のチャックとの間の凹凸形状の差を決定することとをさらに含む。エネルギー源および他のエネルギー源は、好ましくは、同じ特性を有してもよい。感光層を備えた基板および感光層を備えた他の基板は、好ましくは、同じ特性を有してもよい。エネルギー源は、EUV光源でもよい。リソグラフ光学要素は、EUVマスクブランクでもよい。EUVマスクブランクは、電磁放射の一部、即ち、EUV部分を吸収できる吸収層を備えてもよい。この場合、電磁放射のDUV部分のみが感光層に向けて反射する。本発明の一態様は、EUVリソグラフ処理システムに関するもので、該システムは、少なくとも第1および第2照射源を備え、第1照射源は、基板のEUVリソグラフ処理用であり、第2照射源は、マスクまたはマスクブランクの評価用である。本発明の実施形態によれば、第1照射源は、約13.5nmの波長を含む電磁放射を放射するEUV光源でもよい。EUV光源は、基板のリソグラフ処理用、即ち、典型的にはレジスト層を含む基板を露光するために使用できる。次のステップにおいて、当業者に知られているように、基板をさらにパターン形成するために現像およびエッチングステップを実施してもよい。実施形態によれば、第2照射源は、約193nmを中心とし、または約248nmを中心とした狭い波長範囲で電磁放射を放射するDUV光源でもよい。実施形態によれば、マスクまたはマスクブランクを評価することは、マスクまたはマスクブランクの凹凸形状を評価することを含んでもよい。実施形態によれば、マスクまたはマスクブランクを評価することは、マスクを保持するための手段の凹凸形状を評価することを含んでもよい。マスクまたはマスクブランクを保持するための手段は、チャックでもよい。本発明はまた、リソグラフ処理システムに関するものであり、該システムは、照射ビームを発生するための照射源と、マスクまたはマスクブランクを保持するための手段と、照射源からの第1照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して基板に向けて案内するための照射光学系と、マスクまたはマスクブランクを評価するため、またはマスクホルダーをを評価するための第2照射ビームを発生するための第2照射源とを備える。幾つかの実施形態において、第2照射ビームの波長または波長範囲は、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長くてもよい。本発明の特定および好ましい態様を添付した独立請求項および従属請求項に記述している。従属請求項の特徴は、独立請求項の特徴および他の従属請求項の特徴と組み合わせてもよく、適切なものとして、請求項で明示的に記載しただけではない。本発明および先行技術に比べて達成される利点を要約するために、ここでは本発明の一定の目的および利点を記載している。当然ながら、本発明のいずれか特定の実施形態に従って、こうした目的または利点の全てを必ずしも達成できないと理解すべきである。例えば、当業者は、ここで教示したような1つの利点または一群の利点を達成または最適化する方法で、ここで教示または示唆しているような他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本開示が具体化または実施できることは認識するであろう。本発明は、特定の実施形態および一定の図面を参照して説明しているが、本発明はこれに限定されず、請求項によってのみ限定される。記載した図面は、概略的に過ぎず、非限定的である。図面において、幾つかの要素のサイズは、説明目的のために誇張したり、縮尺どおり描写していないことがある。寸法および相対寸法は、本発明の実際の具体化に必ずしも対応していない。当業者は、本発明の範囲で包囲される数多くの変形および変更を認識できる。従って、好ましい実施形態の説明は、本請求項の範囲を限定するものとみなすべきでない。さらに、説明および請求項での用語上、下、の上に、の下に等は、説明目的で使用しており、必ずしも相対的な位置を記述するためのものでない。こうして用いた用語は、適切な状況下で交換可能であって、ここで説明した実施形態がここで説明または図示した以外の他の向きで動作可能である。用語備える、含むは、それ以降に列挙された手段に限定されるものと解釈すべきでなく、他の要素またはステップを除外していない。それは、記載した特徴、整数、ステップまたは構成要素の存在を参照したように特定しているものと解釈する必要があるが、1つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップまたは構成要素、あるいはそのグループの存在または追加を排除していない。そして手段A,Bを備えるデバイスという表現の範囲は、構成要素A,Bだけからなるデバイスに限定すべきでない。本開示に関して、デバイスの関連した構成要素だけがA,Bであることを意味する。本明細書を通じて一実施形態または実施形態との言及は、その実施形態に関連して説明した特定の特徴、構造または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。こうして本明細書を通じて各所にある一実施形態においてまたは実施形態においての表記は、必ずしも同じ実施形態を参照していないが、そういうこともある。さらに、特定の特徴、構造または特性は、本開示から当業者に明白なように、1つ又はそれ以上の実施形態において、いずれか適当な方法で組み合わせてもよい。さらに、ここで説明した幾つかの実施形態は、他の実施形態に含まれる他の特徴をいくつか含むとともに、異なる実施形態の特徴の組合せは、当業者に理解されるように、本発明の範囲内にあり、異なる実施形態を形成することを意味する。さらに、幾つかの実施形態は、コンピュータシステムのプロセッサまたはその機能を実行する他の手段によって実施可能な方法または方法の要素の組合せとして、ここで説明している。こうして、こうした方法または方法の要素を実行するための必要な命令を備えたプロセッサは、該方法または方法の要素を実行するための手段を形成する。さらに、装置の実施形態のここで説明した要素が、本発明を実施する目的で要素によって実施される機能を実行するための手段の一例である。下記の用語は、本発明の理解を支援するためだけに提供される。用語X線放射は、典型的には10nm~0.01nmの波長範囲での電磁放射を含む。用語極端紫外放射EUV放射は、10~20nmの波長範囲での電磁放射を含み、しはしば軟X線領域または真空紫外領域とも称される。EUV放射は、約13.5nm±0.3nmの波長、即ち、EUVリソグラフツールで現在用いられている波長を持つ電磁放射を含む。用語深紫外放射DUV放射は、121nm~300nmの波長範囲での電磁放射を含む。電磁放射に関する用語単色は、極めて狭い波長範囲で、ある波長を有する電磁放射を参照する。理論的には、単色電磁放射は、単一の波長を有する電磁放射を参照する。これは、実際には事実ではないことは当業者に知られている。また、用語準単色を使用することがある。本願で参照される用語リソグラフ処理システムは、例えば、EUVリソグラフ露光ツールなど、リソグラフ露光ツールを定義するために使用される。本願で参照される用語リソグラフ計測システムは、典型的には、リソグラフ処理またはリソグラフ処理システムでのパラメータの特徴付け及び/又は最適化のために使用される。本願で参照される用語リソグラフ光学要素は、典型的にはリソグラフ処理システムで使用される光学要素を定義するために使用される。リソグラフ光学要素は、反射性または非反射性でもよい。リソグラフ処理で使用される電磁放射の波長に依存して、異なる波長が使用される。例えば、EUVリソグラフ処理システムでは、約13.5nmの波長が真空中で用いられるため、光学要素は、現在は反射性である必要がある。EUVリソグラフ露光のため、典型的には少なくとも4つの光学部品、即ち、照射源から可能な限り多くの放射線を捕捉するコレクタ、マスク上の使用フィールドを均一に照射する照射システム、ウエハ基板に転写すべきパターンを含むマスク自体、その構造をマスクからウエハへ縮小する結像光学系が使用される。EUVリソグラフィでは、これらの光学系全てが、現在はミラーなどの反射要素からなる。また、マスクは、しばしばレチクルとも称され、リソグラフ光学要素、具体的には反射ミラーである。EUVミラーが、湾曲し、原子的に円滑な表面として製造され、そこに特殊な多層コーティングが施される。コーティングは、ただ1つの波長のEUV光即ち、約13.5nmについてピーク反射率を与えるように調整される。代替として、リソグラフ光学要素は、例えば、深紫外線DUVリソグラフィで使用されるようなレンズであってもよい。DUVリソグラフィは、EUVリソグラフィ例えば、13.5nmと比べてより長い波長例えば、248nm,193nm,157nm,...を使用する。これらのより長い波長では、光は従来のレンズを透過できる。用語マスク基板は、ベースのガラスまたはセラミック材料を参照し、その上に膜が堆積してマスクブランクまたはマスクを製作する。用語EUVマスク基板は、その上に堆積された裏面導電層静電チャックのためと、多層膜スタックEUV放射の高い反射を提供するためと、吸収体膜スタック所望のエリアで光の反射を阻止するためとを有する基板である。マスクパターンを書き込むためのレジスト層が最上層である。このレジスト層は、パターン形成したマスクの上にはもはや存在していない。用語マスクは、用語レチクルと交換可能に使用できる。レチクルは、典型的には、典型的には縮小光学系を用いたステッパまたはスキャナに使用される一種のマスクであり、レチクル上の画像は拡大される。マスク/レチクルは、ウエハ上でパターンを作成するための使用される、透明エリアと不透明エリアのパターンを持つプレートである。用語EUVマスクは、EUVリソグラフィで使用される、EUVマスクブランクをパターン形成した最終結果を参照する。EUVリソグラフィでは、マスク/レチクルは、EUVミラーとして出発し、そのパターンは、吸収層として上表面に付与される。用語平坦度誤差は、平坦度データへの最小二乗フィットによって定義される面から、問題となる表面の偏差として定義される。例えば、基板曲がりが、裏面および上面に堆積した膜から生じ得る基板の曲率であり、平坦度誤差に関与することになる。図4は、基板402の表面の平坦度に関連したいろいろな用語の概略図を示す。表面は、裏面または表面であってもよい。基板402の真の湾曲または非平坦表面は、ライン403で与えられる。ライン401は、基板402の表面の最小二乗フィット面を定義する。真の表面のピーク間距離404は、平坦度誤差である。また、局所傾斜角405は、局所的傾斜と基板402の表面の最小二乗フィット面401との間のなす角度として定義できる。発明態様の実施形態は、レチクル特徴部厚さと同程度か、これより小さい波長を持つ電磁放射を用いたリソグラフシステムおよび方法に適している。後者は、典型的には極端紫外放射EUVを含む。本開示は、リソグラフ光学要素の平坦度、凹凸形状、高さ、等高線または標高プロファイルを評価するための方法およびシステムに関する。本開示はまた、リソグラフ光学要素の平坦度、凹凸形状、高さ、等高線または標高プロファイルを補正するための方法およびシステムに関する。本開示はまた、マスク検査、具体的にはEUVマスク検査のための方法およびシステムに関する。本開示はまた、リソグラフ処理システムに関する。本発明の実施形態は、典型的にはリソグラフ処理システムに関するものでもよい。リソグラフ処理は、典型的には、しばしばリソグラフ露光ツールと称されるリソグラフ処理システムにおいて実施される。本発明の実施形態はまた、リソグラフ計測システムに関するものでもよい。本発明の実施形態に係る方法およびシステムについて、特定の実施形態を参照しながら詳細に説明する。本発明は、これに限定されるものでなく、請求項によってのみ限定される。本発明はまた、リソグラフィを実施するためのリソグラフ処理システムに関する。本発明の実施形態は、特に極端紫外放射EUVリソグラフシステムに関するものであるが、これには限定されない。該システムは、マスクホルダーとも称される、マスクもしくはマスクブランクを保持するための手段を備える。該システムは、基板のリソグラフ処理用の第1照射ビームを発生するための第1照射源と、第1照射源とは異なり、第2照射ビームを発生するための第2照射源とをさらに備える。第2照射ビームの波長または波長範囲は、典型的には、第1照射ビームの波長または波長範囲よりかなり長い。第2照射ビームは、マスクまたはマスクブランクまたはそのホルダーの凹凸形状を評価するために用意される。該システムはまた、第2照射ビームの少なくとも一部を検出するための感光層を備えた基板を保持するための手段と、第1照射源および第2照射源からの照射ビームをマスクまたはマスクブランクを介して感光層に向けて案内するための照射光学系とを備える。幾つかの実施形態において、リソグラフシステムは、EUVリソグラフ処理システムであり、該システムは、少なくとも第1および第2照射源を備え、第1照射源は、基板のEUVリソグラフ処理用であり、第2照射源は、マスクまたはマスクブランクまたはそれを保持するシステム部品を評価するため、例えば、マスクまたはマスクブランクまたはそれを保持するシステム部品の凹凸形状を評価するためのものである。こうした部品は、チャックでもよい。実施形態によれば、第1照射源は、約13.5nmの波長を含む電磁放射を放射するEUV光源である。EUV光源は、基板のリソグラフ処理用、即ち、典型的にレジスト層を備えた基板を露光するために使用される。次のステップにおいて、当業者に知られているように、基板をさらにパターン形成するために現像およびエッチングステップが実施される。実施形態によれば、第2照射源は、約193nmを中心とし、または約248nmを中心とした狭い波長範囲で電磁放射を放射するDUV光源である。本発明の実施形態は、典型的には、マスクまたはマスクブランクまたは、リソグラフシステムでこうしたマスクまたはマスクブランクを支持するための部品の凹凸形状を評価するために使用してもよい。本発明の実施形態は、EUVマスクまたはマスクブランクを用いた使用に特に適しているが、本発明の実施形態はこれに限定されない。EUVマスク310図3bまたはEUVマスクブランク300図3aが、典型的には、その上に裏面導電層301、多層膜303、吸収体膜スタック304を堆積したEUV基板302を備える。EUVマスクブランク300はまた、マスクパターンの書込み用のレジスト層305を最上層に備える。吸収体膜スタック304は、電磁放射の反射を阻止するために、多層膜スタック303の上部に堆積した層スタックを備える。吸収体膜スタック304はまた、吸収体修復作業での使用のための任意のバッファ層不図示を備えてもよい。裏面導電層301は、基板302の裏面に堆積した導電膜を備え、多層スタック及び/又は吸収体膜スタックの堆積の際、及び/又はEUVスキャナ露光の際、基板の静電チャックを可能にする。多層膜スタック303は、高いEUV反射率を提供するために、基板に堆積した層スタックを備える。それは、キャップ層不図示及び/又は吸収体エッチング停止層不図示を含んでもよい。リソグラフシステムにおいて、マスクまたはレチクルが、典型的にはチャックの上に搭載され、リソグラフ処理の際にマスクをしっかりと保持する。マスクと直接接触するチャック表面は、マウント面として定義される。典型的には、マスクの裏面は、パターン形成されないが、マウント面と直接接触する。例えば、チャックとマスク裏面との間の静電力に基づいて付着したマスクを保持する静電チャックが使用できる。他の例として、マスクを保持するための機械的チャックでもよい。1つの特定の実施形態において、応用システムは、放射源からの放射をレチクルを介して、レジスト層が存在し、リソグラフ処理されるデバイスに案内するための複数のミラーを備えた極端紫外リソグラフシステムである。図1は、極端紫外リソグラフ処理システムの先行技術の例の概略図を示す。システム400は、照射源410と、照射源410からの照射ビームをレチクルステージ430へ案内するための照射光学系420とを備え、レチクルステージ430は、レチクル432を保持するように構成されている。レチクルステージ430は、例えば、レチクル432をしっかり保持する静電チャックを備えてもよい。システム400は、変調された照射ビームを、典型的にはレジスト層454を備えたデバイス452を保持するように構成された基板ステージ450に案内するための投影光学系440をさらに備える。照射源410は、リソグラフ処理を実施するのに適した波長の電磁放射、例えば、EUV光を供給するように構成されている。照射光学系は、例えば、レーザ点火プラズマ光源、放電光源、電子ビーム蓄積リングまたはシンクロトロンでのアンジュレータまたはウィグラーなどでもよい。照射光学系420は、典型的には、1つ又はそれ以上のフィルタ、ミラー、反射面、アジャスタなどを備え、照射ビームをレチクルステージ430に案内する。照射源410および照射光学系420は、典型的には、レチクルの軸外し照射が得られるようにする。典型的には、本発明の実施形態に係る、短波長を用いたリソグラフシステムは、反射モードで動作し、即ち、光学要素は、典型的には透過型要素ではなく、反射型要素である。レチクルステージ430は、レチクル432を保持するように構成できる。それは、典型的には、照射ビームを変調するために用いられるレチクルパターンによるレチクル構造を備え、デバイス452のレジスト層454にパターンを生成する。投影光学系440は、典型的には、1つ又はそれ以上のフィルタ、ミラー、反射面、アジャスタ、可能ならばレンズを備えてもよい。照射光学系420および投影光学系440での部品は、典型的な収差、例えば、球面収差、非点収差、コマ収差などを光学システムに導入することがある。レチクルステージ430及び/又は基板ステージ450は、レチクルおよび基板に移動を提供するように構成できる。本発明の実施形態において、ウエハステッパシステム、そしてステップアンドスキャンシステムが想定される。図10は、本発明のある実施形態に係る応用システムの概略図を示す。先行技術のEUVリソグラフ処理システムに存在する全ての光学系および特徴部は存在してもよい。さらに、他の照射源490がEUVリソグラフ処理システムに設けられる。動作の際、第1照射源を用いて基板ある所定のパターンに従ってパターン形成する必要ありを露光することによって、典型的なリソグラフ処理基板のパターン形成用を開始する前に、第2照射源を用いた露光を行う。基板がシステム内に供給され、マスク第1照射源を用いた露光ステップのためにも用いられるがシステム内に供給され、基板は、第2照射システムを用いてマスクを介して露光される。露光した基板を評価することによって、マスクもしくはマスクブランクまたはチャックの平坦度または凹凸形状に関するより多くの情報を取り出すことができる。必要ならば、マスクまたはチャックに対して補正を行ってもよく、その後、他の照射処理、即ち、実際のリソグラフ処理を第1照射源を用いて開始してもよく、これによりマスクまたは補正したマスクまたはマスクブランクまたはチャックによって、パターン形成すべき基板を露光する。発明態様が、リソグラフ光学要素またはそのホルダー、より一般にはリソグラフシステムの凹凸形状を評価するための方法に関する。こうした方法が、例えば、マスク、マスクブランクまたはそのホルダーの凹凸形状を評価するのに特に適しているが、本発明の実施形態はこれに限定されない。本発明の実施形態に係る方法は、リソグラフシステムでのリソグラフ処理用の第1波長または波長範囲の電磁放射とは異なる第2波長または波長範囲の電磁放射をリソグラフ光学要素に向けることと、該リソグラフ光学要素から反射した電磁放射の少なくとも一部を、感光層を備えた基板において検出することとを含む。その後、検出した電磁放射は評価され、露光した感光層の評価からリソグラフ光学要素の凹凸形状パラメータが決定される。例として、本発明の実施形態はこれに限定されないが、例示の方法を図2に示しており、評価方法200の任意かつ標準のステップを示している。実施形態によれば、基板を得ること、リソグラフ光学要素を得ること、およびエネルギー源を得ることは、基板を用意すること、リソグラフ光学要素を用意すること、およびリソグラフ処理システム及び/又はリソグラフ計測システムにエネルギー源を用意することを含んでもよい。リソグラフ処理システムは、好ましくはEUVリソグラフ処理システムである。これらのコンポーネントを得るステップは任意であってもよく、こうしたコンポーネントは事前に設置されていてもよい。これらのステップはより詳細に後述する。1つの任意のステップ201において、該方法は、感光層を備えた基板を得ることを含む。こうして得ることは、感光層を備えた市販の基板を用意すること、または、こうしたコーティングを備えた基板を用意し、システム内に設置することを含んでもよい。代替として、基板は、システム内に既に導入されたものでもよく、その場合、このステップは実施する必要がない。感光層を備えた基板が用意される。実施形態において、基板は、半導体基板、例えば、シリコン基板、ガリウム砒素GaAs基板、ガリウム砒素リンGaAsP基板、インジウムリンInP基板、ゲルマニウムGe基板、またはシリコンゲルマニウムSiGe基板を含んでもよい。基板は、例えば、半導体基板部分に加えて絶縁層、例えば、SiO2層またはSi3N4層を含んでもよい。こうして用語基板は、シリコンオンガラス基板、シリコンオンサファイア基板も含む。用語基板は、関心のある層または部分の下地となる層のための要素を一般に定義するように用いられる。また基板は、その上に層が形成される何れか他のベース、例えば、ガラスまたは金属層であってもよい。従って、基板は、ウエハ、例えば、膜付きウエハでもよく、あるいは他のベース材料に付与した層、例えば、下部層の上に成長したエピタキシャル層でもよい。基板は、好ましくはパターン形成されていない。基板は、ベア半導体ウエハでもよい。感光層を備えた基板は、リソグラフ光学システム及び/又はリソグラフ計測システム内に設けられる。感光層は、典型的にはフォトレジストレジストとも称するである。フォトレジストは、ポジ型でもネガ型でもよい。感光層は、少なくともエネルギー源で放射された電磁放射に対して感度を有する必要がある。感光層は、当業者に知られた手法、例えば、スピンコート法を用いて基板の上に設けてもよい。感光層を備えた基板は、リソグラフ光学要素の凹凸形状を決定する方法のための検出器として機能することになる。更なる任意のステップ202において、リソグラフ光学要素がリソグラフ光学システム及び/又はリソグラフ計測システムにおいて得られる。実施形態によれば、リソグラフ光学要素は、マスクまたはマスクブランクである。好ましくは、リソグラフ光学要素は、EUVマスクまたはEUVマスクブランクである。リソグラフ光学要素は、凹凸形状を持つ正面側を含む。凹凸形状は、リソグラフ光学要素の正面側の曲率であってもよい。曲率は、凸状でも凹状でもよい。EUVマスクまたはEUVマスクブランクでは、曲率は、多くの場合に凸状である。リソグラフ光学要素の曲率は、曲率半径Rで特徴付けられる。曲率が大きいほど、曲率半径Rは小さくなる。曲率が小さいほど、曲率半径Rは大きくなる。これは、図6aと図6bに概略的に示している。凸状曲率601a,601bを持つリソグラフ光学要素602a,602bを示す。リソグラフ光学要素602aからの曲率601aは、リソグラフ光学要素602bからの曲率601bより小さい。他の表面の曲率より小さい曲率を持つ表面とは、その表面が他の表面より平坦であることを意味する。その結果、リソグラフ光学要素602aについての曲率半径603aは、リソグラフ光学要素602aについての曲率半径603bより大きい。曲率半径603a,603bは、曲率601a,601bに適合する円604a,604bからの半径によって定義される。凹凸形状は、リソグラフ光学要素の正面側の形状でもよく、その形状は、正面側の表面の種々の高さを含んでいる。その形状は、平坦度誤差図4、符号404に示すで定義してもよい。形状は、局所傾斜角図4、符号405に示すで定義してもよい。形状は、凹凸形状プロファイルで定義してもよく、これは、リソグラフ光学要素の前側表面の等高線、即ち、距離の関数である高さ図4、符号403に示すを反映している。凹凸形状プロファイルまたは標高プロファイルまたは等高線プロファイルまたは高さプロファイルは、2次元1つの方向での高さ対距離でも3次元2つの方向での高さ対距離でもよい。更なる任意のステップ203において、エネルギー源がリソグラフ光学システム及び/又はリソグラフ計測システムにおいて得られる。エネルギー源は、ある波長範囲の電磁放射を放射する。実施形態によれば、エネルギー源は、EUV光源である。EUVリソグラフ光源が、広範囲の波長を持つ電磁放射を放射してもよい。しかしながら、EUV光源の最適な動作のために、EUV光源のスペクトル純度が、DUV/EUV光130~400nmのDUV波長部分を有するの7未満であることが必要である。例えば、レーザ生成プラズマLPPEUV光源、例えば、SnベースのLPPEUV光源が使用でき、これは13.5nmで高い強度の発光ピークを有する。マスクまたはマスクブランクにおいて多層膜、例えば、モリブデン/シリコンMo/Si多層を使用することによって、約70の高い反射率を13.5nmの波長で2バンド幅で達成できる。1バンド幅を持つ光はバンド内放射と称される。しかしながら、マスクは、バンド外放射として知られる他の波長も反射する。バンド外放射は、一般に2つのバンドに分類され、第1バンドは130~400nmで、第2バンドは400nm~赤外および可視の放射である。リソグラフ要素の凹凸形状を決定するために、いわゆるEUV光源のバンド外放射、即ち、EUV光源のDUV波長部分が重要である。実施形態によれば、EUV光源を使用した場合、リソグラフ要素は、電磁放射のEUVおよびDUVの両方の波長部分に対して反射性である。実施形態によれば、EUV光源を使用した場合、リソグラフ要素は、電磁放射のDUV波長部分に対して反射性で、エネルギー源の波長範囲から他方の波長に対して非反射性、即ち、例えば、電磁放射のEUV波長部分に対して非反射性であってもよい。リソグラフ光学要素は、好ましくは、吸収体層を備えたマスクブランクであり、吸収体層は、EUV波長部分を吸収するが、DUV波長部分を反射する。EUV光源は、先行技術のEUVリソグラフ処理システムにおいて基板をリソグラフ処理するために用いられるEUVリソグラフ光源と同一であってもよい。実施形態によれば、エネルギー源は、DUV光源である。DUV光源は、好ましくは、単一波長を含む準単色波長範囲で電磁放射を放射する。DUV光源は、標準のリソグラフ処理に使用されるEUVリソグラフ光源とは別に、EUVリソグラフ処理システムに設けられた追加の光源であってもよい。実施形態によれば、追加の光またはエネルギー源490をリソグラフ光学システム400の中に設けてもよく、追加のエネルギー源490はDUV光源図10を含む。この場合、リソグラフ光学システムは、EUVリソグラフィとしても知られた、基板の標準のリソグラフ処理のために用いられるEUV光源410と、リソグラフ光学要素の凹凸形状を評価するために用いられるDUV光源409EUV光源とは異なるとを備える。実施形態によれば、電磁放射は、好ましくは、可能な限り狭いバンドで、130~400nmの範囲の波長バンドを含む。実施形態によれば、単一波長を中心とした狭い波長バンドが用いられる。実施形態によれば、約193nm±1nmを中心とした狭い波長バンドが用いられる。実施形態によれば、約248nm±1nmを中心とした狭い波長バンドが用いられる。実施形態によれば、単一波長は、好ましくは、リソグラフ光学要素の凹凸形状において最大高さ差の2倍より大きい。1つのステップにおいて、該方法は、エネルギー源または光源からの電磁放射を基板に向けて、感光層を露光することを含む204。実施形態によれば、電磁放射をリソグラフ光学要素に向けることは、リソグラフ光学要素の表面に垂直な面に関して約6度の角度に従う。好ましくは、電磁放射は、最初にリソグラフ光学要素に向けて、より詳細にはリソグラフ光学要素の正面側に向けて、そして、リソグラフ光学要素で反射し、より詳細にはリソグラフ光学要素の正面側で反射して、基板の感光層に向かう。電磁放射の少なくとも一部が、リソグラフ光学要素で反射して基板に向かう。別個のDUV光源を使用した場合、リソグラフ光学要素の正面側に向けられ、リソグラフ光学要素の正面側で反射し、基板の感光層に向かう電磁放射は、DUV波長範囲、より詳細には、約248nmを中心とし、または約193nmを中心とした単一波長を含むようになる。DUV光源は、好ましくは、可能な限り単色である。EUV光源を使用した場合、リソグラフ光学要素の正面側に向けられ、リソグラフ光学要素の正面側で反射し、基板の感光層に向かう電磁放射は、EUV波長範囲を含むとともに、DUV波長範囲も含むようになる。EUV光源のDUV波長部分が、リソグラフ光学要素の凹凸形状の評価を可能にする。代替として、リソグラフ光学要素は、EUV波長吸収体層を含んでもよく、その結果、DUV波長部分だけがリソグラフ光学要素で反射して基板の感光層に向かう。エネルギー源に応じて、電磁放射の一部だけがリソグラフ光学要素で反射して基板の感光層に向かうようにしてもよく、全ての電磁放射がリソグラフ光学要素で反射して基板の感光層に向かうようにしてもよい。その後、露光した感光層は、ステップ205に示すように、評価される。そして、リソグラフ光学要素またはそのホルダーの凹凸形状は、ステップ206に示すように、露光した感光層の評価に基づいて決定できる。実施形態によれば、露光した感光層を評価することは、露光した感光層を光学的に評価することを含む。光学的に評価することは、顕微鏡、例えば、原子間力顕微鏡AFM、光学顕微鏡、電子顕微鏡SEMまたはTEM、干渉計...を用いて、露光した感光層を評価することを含む。実施形態によれば、露光した感光層を評価することは、装置内部、即ち、リソグラフ処理システム内で、または装置外部で実施してもよい。実施形態によれば、露光した感光層を評価することは、露光した感光層における高さの差を識別することをさらに含む。実施形態によれば、露光した感光層を評価することは、露光した感光層におけるフリンジを識別することをさらに含む。実施形態によれば、露光した感光層を評価することは、2次元または3次元で評価することを含む。実施形態によれば、露光したレジスト層の評価から凹凸形状を決定することは、凹凸形状パラメータを決定することを含む。凹凸形状パラメータは、例えば、平坦度誤差または曲率または最大高さ差または二乗平均平方根rms凹凸形状値でもよい。実施形態によれば、該方法は、露光した感光層を評価した後、決定した凹凸形状パラメータに基づいてリソグラフ光学要素を補正することをさらに含む。リソグラフ光学要素を補正することは、決定した凹凸形状パラメータが所定の値より大きい場合に実施してもよい。所定の値は、例えば、平坦度誤差値、最大高さ差値、曲率値、rms値...でもよい。驚異には、DUV波長部分を含む電磁放射506とリソグラフ光学要素502の正面側501との相互作用に起因して、半導体基板508上に生じたパターン509は、リソグラフ光学要素502で反射した電磁放射507で露光されたものであり、一連のフリンジ510を含む。この一連のフリンジ510は、リソグラフ光学要素502の未知の凹凸形状501を定義付けている。換言すると、露光した感光層508の上にある一連のフリンジ510は、リソグラフ光学要素502の正面側の凹凸形状501に関する指紋である。電磁放射とリソグラフ光学要素502の正面側501との相互作用は、干渉をベースとしており、エネルギー源は、光源として機能し、感光層を備えた基板は、リソグラフ光学要素502の凹凸形状を検知するための検出器として機能する。リソグラフ光学要素502の正面側501の凹凸形状に起因して、入射した電磁放射は、これらの入射電磁放射波の経路差に依存して同相または位相ずれで反射する。入射した電磁放射波の反射が同相である場合、建設的干渉が生じて、露光した感光層において明るい信号またはフリンジが得られる。入射した電磁放射波の反射が位相ずれである場合、相殺的干渉が生じて、露光した感光層において暗い信号またはフリンジが得られる。反射した電磁放射に起因して感光層での明るいフリンジおよび暗いフリンジの発生は、電磁放射の波長に依存している。反射した電磁放射波の経路差が電磁放射の波長λの整数倍nである場合、建設的干渉が発生するようになる。経路差は、2d×sinαとして定義され、dは、面間の距離、即ち、電磁放射が入射する面と面の間の高さの差である。整数nを用いて2d×sinα=nλの場合、建設的干渉が発生する。整数nを用いて2d×sinα≠nλの場合、相殺的干渉が発生する。反射した電磁放射波の経路差が電磁放射の波長λの整数倍nでない場合、相殺的干渉が発生する。電磁放射、リソグラフ光学要素、感光層を備えた基板の間の干渉的相互作用を図9に概略的に示す。最大高さ差に対して敏感になるために、最大高さ差または経路差dは、λ/2より小さくすべきである。EUVリソグラフィに関連した実施形態では、SEMI規格は、35nm未満の平坦度誤差を要求し、使用する波長は70nmより大きくすべきである。少なくともDUV波長部分を含む光源を使用すると、電磁放射の波長は70nmより大きい。換言すると、電磁放射の波長が大きいほど、小さな高さ小さな経路差に対する感度が小さくなる。図8は、リソグラフ光学要素の平坦な凹凸形状で発生する干渉を概略的に示す。リソグラフ光学要素800には、かなり平坦な上面正面側801が設けられている。電磁放射が平坦な上面に向いて、即ち、別々の電磁波806a,806bが上面801に入射している。入射した電磁波806a,806bは、基板808に向けて同じ面で反射する上面が平坦なため。反射した電磁波807a,807bは同相であり、建設的干渉が発生するようになる。この状態で電磁波807a,807bの間の経路差dはゼロである。図9は、平坦でないリソグラフ光学要素900、即ち、ある凹凸形状901を有する表面を持つリソグラフ光学要素で発生する干渉を概略的に示す。リソグラフ光学要素900には、ある高さプロファイル901を持つ上面正面側が設けられている。入射した電磁波906a,906bは、基板908に向けて異なる面で反射する上面の高さの差に起因して。高さの差に依存して、反射した電磁波907a,907bは位相ずれになり、相殺的干渉が発生するようになる。電磁波907a,907bの間の経路差dがゼロとは異なる場合、そして電磁放射の波長の整数倍とも異なる場合、相殺的干渉が発生するようになる。電磁波907a,907bの間の経路差dが電磁放射の波長の整数倍である場合、建設的干渉が発生するようになる。電磁放射の波長が大きいほど、フリンジがより良好に見えるようになる。通常のEUVリソグラフィでは、電磁放射の波長は極めて小さいため約13.9nm、フリンジは見えない。より長い波長を持つ電磁放射、即ち、DUV放射を適用することによって、フリンジは見えるようになる。マスクの凹凸形状は、マスクまたはマスクブランクの高さの差を経由して進む光の位相シフトを含む。図7は、ある発明態様の実施形態に従って露光した半導体基板の一部の顕微鏡画像を示す。5つの部分画像が同じ基板について見えているが、下側の部分画像700aから上側の部分画像700eに行くにつれて露光量が増加している。これらの実験測定から、レチクルの凹凸形状を、露光した基板感光層有りへ転写するためには、露光量をバランスさせる必要があることが明らかである。露光は、EUV光源からのDUV波長部分を使用することによって実施した。この例では、プラズマ生成EUV光源を使用している。レチクルは、Ru上面を持つMoSi多層である。この場合、スペクトル特性は正確に知られている。EUVレチクルを経由した電磁放射を用いた露光の後、円形フリンジ510が、露光した半導体基板上で見えるようになる。観察されるフリンジのスケールは、ミリメータの範囲内である。フリンジの量および次のフリンジ間の距離は、詳細には、リソグラフ光学要素の曲率または凹凸形状に応じて決定できる。この決定は、当業者に周知である光物理の干渉をベースとしている。この現象は、2つの表面間での光の反射によって生ずる干渉パターンの発生を説明する。単色光を使用した場合、一連の同心状で交互に配列した明リングおよび暗リングフリンジが見えるようになる。明リングは、表面/面の両方で反射した光線同士の建設的干渉によって生じ、一方、暗リングは、相殺的干渉によって生ずる。また、外側リングは、内側リングより接近した間隔になる。上述のように、幾つかの実施形態では、リソグラフ光学要素またはそのホルダーの凹凸形状を評価するための電磁放射を発生する電磁放射源は、リソグラフ処理用に設けられた照射源とは異なる別個の光源であってもよい。一方、他の実施形態では、凹凸形状を評価するための電磁放射を発生する電磁放射源は、リソグラフ処理用の電磁放射も発生する。図11bは、波長250nmの電磁放射で一連の同心状で交互に配列した明リングと暗リングフリンジのシミュレーション結果を示す。図11aは、リソグラフ光学要素についてシミュレーションした手順を示す。図面は、高さの差をシミュレーションししており、詳細には約250nmの曲がりまたは曲率であって、高さの差が内側矩形から外側矩形へと増加している。図11bは、248nmの波長を持つ露光について基板上での露光シミュレーションを示す。このシミュレーションから、シミュレーションを行った図11aのリソグラフ光学要素で発生する相殺的干渉および建設的干渉に起因して、異なる暗フリンジおよび明フリンジを良好に認識できる。このデータを図7の実験結果にフィッティングさせた場合、極めて良好な定性的一致が見られる。他のレチクル平坦度計測ツールとの計算および比較から、このリソグラフ光学要素について約250nmの曲率が取り出される。本発明の実施形態に係る方法を適用、使用することによって、DUV波長範囲の電磁放射を放射する照射源を用いて、露光基板上でチャック状態のリソグラフ光学要素レチクルの凹凸形状の形跡が見られる。実施形態によれば、DUV光源は、EUVレチクルまたはマスクとの組合せで使用してもよい。DUV光源は、EUVツールの中に、半導体基板のリソグラフ処理用に用いられるEUV光源の隣に容易に組み込める。DUV光をレチクルまたはマスクに向けて放射した場合、このDUV光は半導体基板に向かって反射し、レチクルまたはマスクの曲率を反映した一連の同心リングを形成するようになる。このDUV露光から、EUVレチクルの凹凸形状が決定できる。チャックした状態のEUVレチクルの凹凸形状を決定するためのDUV露光の前または後で、EUV光源を半導体基板のリソグラフ処理パターン形成に適用してもよい。DUV露光からの露光基板の評価に基づいて、マスクの凹凸形状を補正したり、適応させたり、更なるリソグラフ処理の際に考慮したりできる。実施形態によれば、EUV光源は、EUVレチクルまたはマスクとの組合せで使用してもよい。EUV光源は、先行技術のEUVツールで既に利用されており、2つの機能、即ち、EUVリソグラフ処理用及び/又は、リソグラフ光学要素例えば、チャック状態のレチクルの凹凸形状を決定するために使用可能であろう。EUV光源EUV波長範囲およびDUV波長範囲を含むを使用した場合、重要なことは、EUV波長範囲は、リソグラフ光学要素から反射して基板に向かう電磁放射の一部でないことであり、半導体基板に入射しない。発生した同心フリンジの半径が小さすぎて検出できないためである。従って、EUV吸収層は、例えば、調査対象のレチクルまたはマスクの上部に設けてもよい。レチクルの上側面の曲率は、EUV吸収上部層の曲率にも反映されようになる。レチクルまたはマスクは、EUV波長範囲の電磁放射を吸収すべきであるが、DUV波長範囲の電磁放射を反射する必要がある。電磁放射のこのDUV波長範囲部分は、半導体基板に向かって反射し、それ自体、レチクルの凹凸形状プロファイルを反映する凹凸形状プロファイルを基板上に生成する。本発明の実施形態に係る、リソグラフ光学要素の凹凸形状を評価するためのリソグラフ露光は、好ましくは合焦状態で行われる。しかしながら、デフォーカス露光からも、リソグラフ光学要素の凹凸形状の追加の情報が収集できる。特定の実施形態では、該方法は、ツール間検査を実施することによって、リソグラフツールの評価が可能になる。例えば、第1リソグラフシステムで上述した方法を用いて得られる感光層を、第2リソグラフシステムで上述した方法を用いて得られる感光層と比較すると、システムの特定のコンポーネント、例えば、リソグラフ光学要素またはそのホルダーの評価が可能になる。後者は、典型的には、両方のシステムで上述した方法を実施することによって行われ、これにより両方のシステム間で評価する必要がある要素を除いて、両方のシステムで類似の特性を持つ要素が選択される。上述のように、レチクルが、レチクル裏面とともに、リソグラフ光学システム内のチャックに装着される。レチクルの凹凸形状だけが重要でなく、チャックの凹凸形状もあり得る。重要なことは、ツール間で変動し得るチャックの非平坦度を考慮するである。第1リソグラフ光学システムと第2リソグラフ光学システムを比較する場合、DUV電磁放射をチャック状態のレチクルに適用し、露光した基板を評価することによって、両方のシステムについてチャックを評価、比較できる。この場合、基板は、チャックの凹凸形状を決定するための検出器として機能する。同じまたは同一のリソグラフ光学要素、エネルギー源および、感光層を備えた基板を使用することによって、ツール間のチャック状態の差異が決定でき、必要に応じて補正できる。また、詳細に前述したように、フリンジが、チャックの凹凸形状に起因して第1基板および第2基板上で見えるようになる。第1チャックおよび第2チャックが凹凸形状で相違する場合、これは、露光した第1基板および第2基板上で異なるフリンジフィールドにおいて見えるようになる。両方を比較することによって、ツール間のチャックについて差異を抽出できる。本発明はまた、処理手段上で実行した場合、上述したような、凹凸形状を決定する方法を実施するためのコンピュータプログラム製品に関する。本発明はまた、こうしたコンピュータプログラム製品を保存する機械読み取り可能なデータストレージ装置、または、ローカルエリア通信ネットワークやワイドエリア通信ネットワークを経由したその伝送に関する。リソグラフシステムを評価するための上述した方法の実施形態は、処理システムにおいて少なくとも部分的に実施してもよい。また上述したようなシステムは、処理システムとして実施してもよく、その一部であってもよく、またはこうしたシステムを含んでもよい。処理システムの一構成において、少なくとも1つのメモリ形態、例えば、RAM,ROMなどを含む、メモリサブシステムと接続した少なくとも1つのプログラム可能なプロセッサが存在している。プロセッサまたは複数のプロセッサは、汎用のもの、または専用のプロセッサでもよく、あるデバイス、例えば、他の機能を実行する他のコンポーネントを有するチップの中への組み込み用であってもよいことに留意すべきである。処理を分散処理の手法で実行してもよく、単一のプロセッサで実行してもよい。こうして本発明の1つ又はそれ以上の態様は、デジタル電子回路、あるいはコンピュータハードウエア、ファームウエア、ソフトウエアまたはこれらの組合せで実施できる。いろいろなステップは、コンピュータで実行されるステップでもよい。処理システムは、少なくとも1つのディスクドライブ及び/又はCD-ROMドライブ及び/又はDVDドライブを有するストレージサブシステムを含んでもよい。幾つかの例では、ディスプレイシステム、キーボード、およびポインティングデバイスが、ユーザに情報の手動入力を提供するユーザインタフェースサブシステムの一部として含まれていてもよい。データを入力および出力するためのポートが含まれていてもよい。種々のデバイスとのネットワーク接続、インタフェースなど多くの要素が含まれていてもよい。メモリサブシステムのメモリは、処理システム上で実行した場合、ここで説明した実施形態の方法のステップを実施する命令セットの一部または全てをある時点で保持してもよい。コンポーネントを接続するためのバスを設けてもよい。こうしてシステムが、リソグラフツールまたはリソグラフ光学要素を評価するための方法の態様を実施する命令を含むように記載される。本発明は、コンピュータデバイス上で実行した場合、本発明に係る方法のいずれかの機能性を提供するコンピュータプログラム製品も含む。こうしたコンピュータプログラム製品は、プログラム可能なプロセッサによる実行のための機械読み取り可能なコードを運ぶキャリア媒体に有形的に埋め込むことも可能である。本発明は、コンピュータ手段上で実行した場合、ここで説明したような方法のいずれかを実行するための命令を提供するコンピュータプログラム製品を運ぶキャリア媒体に関する。用語キャリア媒体は、実行のためにプロセッサに命令を提供するのに関与するいずれかの媒体を参照する。こうした媒体は、以下に限定されないが、不揮発性媒体、伝送媒体など、多くの形態を取りうる。不揮発性媒体は、例えば、マスストレージの一部であるストレージデバイスなどの光学ディスクまたは磁気ディスクを含む。コンピュータ読み取り可能な媒体の一般的な形態は、CD-ROM、DVD、フレキシブルディスクまたはフロッピー登録商標ディスク、テープ、メモリチップ、またはカートリッジ、あるいはコンピュータが読み取り可能な他の何れかの媒体形態を含む。コンピュータ読み取り可能な媒体の種々の形態は、実行のためのプロセッサに1つ又はそれ以上の命令の1つ又はそれ以上のシーケンスを運ぶのに関与してもよい。コンピュータプログラム製品は、LAN、WANまたはインターネットなどのネットワークでキャリア波を介して伝送することもできる。伝送媒体は、ラジオ波および赤外データ通信において生成されるような、音響または光の波の形態を取ってもよい。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、ファイバ光学系、コンピュータ内のバスを含むワイヤなどを含む。本発明の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度が、その場で、即ち、リソグラフ処理システム内で監視できることである。本発明の利点は、リソグラフツールの光源、即ち、半導体基板のリソグラフ処理に使用する同じ光源を用いて、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度を監視できることである。本発明の利点は、チャック固定の再現性を監視できることである。本発明の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度を評価する場合、リソグラフツール間の変動を容易に考慮できることである。本発明の利点は、ユーザに使い易い計測システムおよび半導体製造環境において一般的に利用可能なツールセットを用いて、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度の特徴付けが可能であることである。本発明の利点は、露光したウエハまたは基板でのオーバーレイ誤差が最小化できることである。本発明の利点は、リソグラフ光学要素の平坦度または非平坦度についての結果を、いずれか可能性のある補正のために、リソグラフ処理に対してフィードバックとして直接に提供できることである。本発明に係るデバイスについて、好ましい実施形態、特定の構造、構成および材料をここでは説明したが、本発明の範囲および精神から逸脱することなく、形態および詳細において種々の変化または変更が可能であることは理解されよう。機能性を追加したり、ブロック図から削除してもよく、機能ブロック間で動作を交換してもよい。本発明の範囲で記載した方法に対してステップを追加したり、削除してもよい。"