"ウェハを加熱するヒータと、前記ウェハの温度を検出する温度検出部と、前記ウェハの反りを検出するウェハ反り検出部と、前記ヒータを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記温度検出部の検出結果に基づいて前記ヒータの制御を行う前に、前記ウェハ反り検出部の検出結果に基づいて前記ヒータの制御を行うことを特徴とする加熱装置。前記制御部は、前記ウェハ反り検出部によって検出される前記ウェハの反り方向および/または前記ウェハの反り量に応じて、前記ウェハの中央部に対する加熱量と前記ウェハの外周部に対する加熱量との比を変更するように前記ヒータを制御することを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。前記ウェハを回転する回転部を備え、前記制御部は、前記ウェハ反り検出部により検出された前記ウェハの反りが所定状態になると、少なくとも前記回転部の制御を停止することを特徴とする請求項1又2に記載の加熱装置。前記制御部によって実行された前記ヒータに対する制御履歴を記憶する記憶部を備え、前記制御部は、前記記憶部に記憶した前記制御履歴に基づいて、前記ヒータを制御することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の加熱装置。ウェハの反りを検出するウェハ反り検出工程と、前記ウェハの温度を検出する温度検出工程と、所定条件を満たすまでの間、前記ウェハ反り検出工程において検出された前記ウェハの反りに応じて前記ウェハの加熱を行う第1加熱工程と、前記所定条件を満たした後、前記温度検出工程において検出された前記ウェハの温度に応じて前記ウェハの加熱を行う第2加熱工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、ウェハの反りを抑制することができる加熱装置および半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態によれば、加熱装置が提供される。前記加熱装置は、ヒータと、温度検出部と、ウェハ反り検出部と、制御部とを備える。前記ヒータは、前記ウェハを加熱する。前記温度検出部は、前記ウェハの温度を検出する。前記ウェハ反り検出部は、前記ウェハの反りを検出する。前記制御部は、前記温度検出部の検出結果に基づいて前記ヒータの制御を行う前に、前記ウェハ反り検出部の検出結果に基づいて前記ヒータの制御を行う。以下に添付図面を参照して、本発明の実施形態にかかる加熱装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。図1は、実施形態にかかる加熱装置による熱処理の説明図である。実施形態にかかる加熱装置は、半導体装置の製造工程に用いられるものであり、例えば、シリコンなどの半導体からなるウェハに注入された不純物を活性化するための熱処理に用いられる。図1aに示すように、実施形態にかかる加熱装置は、支持部によって支持されたウェハを加熱するヒータを備える。かかるヒータとして、例えば、ハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等を備えるランプヒータが用いられる。また、加熱装置には、ウェハの面内温度を検出する温度検出部が配置される。かかる温度検出部は、例えば、放射温度計を含み、ウェハの面内温度分布を検出する。加熱装置の制御部は、温度検出部によって検出されたウェハの面内温度分布に基づいて、ウェハ面内での温度が均一になるように、ヒータに対するフィードバック制御を実行する。かかる温度検出部の検出可能な温度が高い場合、ヒータによるウェハの加熱を開始してから温度検出部の検出可能な温度になるまでは、ウェハの面内温度を測定することができない。しかし、温度検出部の検出可能な温度になるまでヒータに対するフィードバック制御が実行されないと、ウェハ面内の温度が不均一になり、ウェハに反りが発生する虞がある。しかも、ウェハを回転させながら加熱する場合、ウェハの反りが大きくなると、支持部からウェハが脱落する虞がある。そこで、実施形態にかかる加熱装置では、少なくとも温度検出部の検出可能な温度になるまでは、図1bに示すように、ウェハ反り検出部によってウェハの反りが検出され、かかる検出結果に基づいてヒータに対するフィードバック制御が行われる。なお、ウェハ反り検出部は、例えば、レーザ変位計を含み、かかるレーザ変位計によってウェハの複数の箇所の変位を検出することでウェハの反りを検出する。図1cは、ウェハの反りの検出結果に基づくフィードバック制御の説明図である。図1cにおいて、横軸はウェハに対するヒータの加熱時間を示し、縦軸はウェハの温度を示す。図1cに示すように、加熱装置の制御部は、ヒータによるウェハの加熱を開始してから、まず、ウェハ反り検出部によって検出されたウェハの反りに基づいて、ウェハの反りを補正するようにヒータに対するフィードバック制御を行う。そして、温度検出部によってウェハの面内温度を測定可能な状態まで、ウェハの温度が上昇した場合に、加熱装置の制御部は、温度検出部の検出結果に基づくフィードバック制御へ移行する。なお、図1cに示す例では、温度検出部が測定できる下限温度Tbよりも高い温度Taまでウェハの面内温度が上昇したことを条件として、温度検出部の検出結果に基づくフィードバック制御へ移行するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、温度検出部が測定できる下限温度Tbまでウェハの面内温度が上昇したことを条件として、温度検出部の検出結果に基づくフィードバック制御へ移行するようにしてもよい。また、ウェハの面内温度に基づいて、温度検出部の検出結果に基づくフィードバック制御へ移行するのではなく、ウェハの加熱を開始してから予め設定された時間を経過したことを条件に、温度検出部の検出結果に基づくフィードバック制御へ移行することもできる。この場合、例えば、ウェハの面内温度が温度Tbに確実に達する時間が予め設定される。このように、実施形態にかかる加熱装置は、温度検出部の検出結果に基づいてヒータに対する制御を行う前に、ウェハ反り検出部の検出結果に基づいてヒータに対する制御を行う。これにより、温度検出部の検出可能な温度になるまでの間であっても、ヒータを制御してウェハの反りを抑制することができる。以下、実施形態にかかる加熱装置について、さらに具体的に説明する。図2は、実施形態にかかる加熱装置の構成を示す図である。図2に示すように、加熱装置1は、ヒータ部10と、処理部20と、制御部30と、記憶部31とを備える。かかる加熱装置1は、半導体装置の製造工程において、例えば、ウェハ40に注入された不純物の活性化熱処理を高温で行う熱処理装置である。ここでは、加熱装置1として、片面加熱式かつ枚葉式のRTARapidThermalAnneal装置を一例に挙げて説明するが、これに限定されるものではない。また、ここでは、温度検出部として放射温度計を一例に挙げて説明するが、温度検出部は、これに限定されるものではなく、ウェハ40の面内温度分布を検出できるものであれば温度検出部とすることができる。また、ウェハ反り検出部としてレーザ変位計を一例に挙げて説明するが、ウェハ反り検出部はこれに限定されるものではなく、ウェハ40の反りを検出できるものであればウェハ反り検出部とすることができる。ヒータ部10は、複数のランプ12がX方向およびY方向に2次元状に配列されたランプヒータ11を備え、各ランプ12からウェハ40に向けて照射光が射出される。ランプ12は、例えば、ハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等のランプである。なお、ランプ12として、希ガス、水銀、水素などを用いたランプや、キセノンアーク放電ランプを用いてもよい。ランプヒータ11は、上述したように、複数のランプ12が2次元状に配置されており、各ランプ12へ供給される電力量をランプ12の位置に応じて変更することで、ウェハ40の面内位置に応じて加熱量が変わる。図2に示すランプヒータ11は、複数のランプ12を2次元状に配置したものであるが、例えば、円形のランプを同心円状に配置したランプヒータを用いてもよい。かかる構成によっても、ウェハ40の面内位置に応じて加熱量を変えることができる。なお、ランプヒータ11に代えて、各種のパルス光を射出するパルス発光型のレーザを用いてもよい。この場合、例えば、レーザから射出されるレーザ光をウェハ40上に走査する走査部が設けられ、実質的にウェハ40の全体に光を照射させる。このようなレーザとして、例えばエキシマレーザ、YAGレーザ、一酸化炭素ガスレーザ、二酸化炭素ガスレーザが挙げられる。また、ヒータ部10には、ランプヒータ11の各ランプ12へ電力を供給する電源13が接続される。なお、電源13は、制御部30に含まれてもよい。処理部20は、処理室21と、窓部22と、ウェハ支持部23とを備える。処理室21は、内部にウェハ40を収容可能とされる。処理室21には、内部に収容されたウェハ40とヒータ部10との間を遮る部分に開口21aが形成される。かかる開口21aは、窓部22によって塞がれ、処理室21の内部は気密にされる。また、処理室21には、必要に応じて内部にガスを供給できるように、ガス導入口21bとガス排出口21cとが設けられる。窓部22は、光を透過させる透光性の板部材で構成される。ヒータ部10から射出された照射光が窓部22を透過することで、ウェハ40の表面第1面40aに照射光が照射される。窓部22は照射光の照射などにより高温になるため、窓部22には石英などの耐熱性の高い材料が用いられる。ウェハ支持部23は、回転部25と、ベースユニット26とを備える。回転部25は、エッジリング51と、支持部52とを備える。エッジリング51は、断面L字状の円環状部材であり、ウェハ40のエッジを内周側で保持可能としている。また、エッジリング51は、その下部が支持部52によって支持される。支持部52は、ベースユニット26に形成された円環状の溝内を移動可能に構成されており、これにより、ウェハ40を支持する回転部25がウェハ40の中心を通る軸Aを中心として、回転可能となっている。ベースユニット26の上面には反射板61が配置され、また、ベースユニット26内には、複数の放射温度計62と、2つのレーザ変位計63a,63bとが収納される。複数の放射温度計62は、ウェハ40の裏面40b第2面上の異なる点の温度を検出するためにそれぞれ異なる位置に配置され、入力される光に基づいて、ウェハ40の面内温度分布を検出する。なお、反射板61には、各放射温度計62へ光が入射することができるように、各放射温度計62の先端に対応する位置に開口が形成される。レーザ変位計63aは、ウェハ40の中央部の位置を検出するために、ウェハ40の裏面40bの中央部と対向する位置に配置される。また、レーザ変位計63bは、ウェハ40の外周部の位置を検出するために、ウェハ40の裏面40bの外周部と対向する位置に配置される。なお、反射板61には、レーザ光が通過することができるように、各レーザ変位計63a,63bに対応する位置に開口が形成される。制御部30は、ヒータ部10および処理部20を制御する。例えば、制御部30は、回転部25を制御し、軸Aを中心軸としてウェハ40を回転させる。また、制御部30は、放射温度計62によるフィードバック制御時には、放射温度計62によって検出されたウェハ40の面内温度分布に基づいて、ヒータ部10を制御する。具体的には、ウェハ40の面内温度分布に基づいて、ランプヒータ11内の各ランプ12への電力供給量を制御する。これによって、各ランプ12から射出される光の強度以下、ランプパワーと記載するが調整され、ウェハ40の面内の温度が均一に上昇する。また、制御部30は、レーザ変位計63a,63bによるフィードバック制御時には、レーザ変位計63a,63bによって検出されたウェハ40の反りに基づいて、ヒータ部10を制御する。ここで、レーザ変位計63a,63bによるフィードバック制御について、図3および図4を参照して具体的に説明する。図3および図4はウェハ40の反りとウェハ40の加熱量制御との関係を示す図である。まず、ウェハ40の反りが凸状の反りである場合について説明する。凸状の反りとは、図3aに示すように、ウェハ40において中央部が外周部よりもランプヒータ11に近くなる状態である。ウェハ40の反りが凸状の反りである場合、ウェハ40の面内温度分布は、図3bに示す状態となっている。すなわち、ウェハ40において、中央部の温度が外周部の温度よりも高い状態である。そこで、制御部30は、ウェハ40の反りが凸状の反りである場合、ウェハ40の外周部の加熱量をウェハ40の中央部の加熱量よりも大きくする。ウェハ40の外周部の加熱量は、ウェハ40の外周部に対向する複数のランプ12への電力供給量に応じて変化する。また、ウェハ40の中央部の加熱量は、ウェハ40の中央部に対向する複数のランプ12への電力供給量に応じて変化する。そこで、ウェハ40の反りが凸状の反りである場合、制御部30は、図3cに示すように、ウェハ40の外周部の加熱量をウェハ40の中央部の加熱量よりも大きくする。ウェハ40の加熱量をこのような状態にするために、制御部30は、ウェハ40の外周部に対向する複数のランプ12への電力供給量を所定量増加させる処理を行うか、ウェハ40の中央部に対向する複数のランプ12への電力供給量を所定量減少させる処理を行うか、または、その両方の処理を同時に行う。このように、ウェハ40の外周部の加熱量をウェハ40の中央部の加熱量よりも大きくすることにより、ウェハ40において、外周部の温度上昇率が中央部の温度上昇率よりも高くなる。そのため、ウェハ40の面内温度分布が均一に近づいていく。次に、ウェハ40の反りが凹状の反りである場合について説明する。凹状の反りとは、図4aに示すように、ウェハ40において外周部が中央部よりもランプヒータ11に近くなる状態である。ウェハ40の反りが凹状の反りである場合、ウェハ40の面内温度分布は、図4bに示す状態となっている。すなわち、ウェハ40において、外周部の温度が中央部の温度よりも高い状態である。そこで、制御部30は、ウェハ40の反りが凹状の反りである場合、図4cに示すように、ウェハ40の中央部の加熱量をウェハ40の外周部の加熱量よりも大きくする。ウェハ40の加熱量をこのような状態にするために、制御部30は、ウェハ40の中央部に対向する複数のランプ12への電力供給量を所定量増加させる処理を行うか、ウェハ40の外周部に対向する複数のランプ12への電力供給量を所定量減少させる処理を行うか、または、その両方の処理を同時に行う。このように、ウェハ40の中央部の加熱量をウェハ40の外周部の加熱量よりも大きくすることにより、ウェハ40において、中央部の温度上昇率が外周部の温度上昇率よりも高くなる。そのため、ウェハ40の面内温度分布が均一に近づいていく。次に、レーザ変位計63a,63bによるウェハ40の反り検出について説明する。図5は、ウェハ40の裏面40bとレーザ変位計63a,63bとの位置関係を示す図である。図5に示すように、レーザ変位計63aは、基準位置Pからウェハ40の裏面40bの中央部までの距離Daを計測する。また、レーザ変位計63bは、基準位置Pからウェハ40の裏面40bの外周部までの距離Dbを計測する。ウェハ40が平坦である場合、距離Daと距離Dbとが同一になる。一方、ウェハ40に凸状の反りが発生した場合、距離Daが距離Dbよりも長くなり、ウェハ40に凹状の反りが発生した場合、距離Dbが距離Daよりも長くなる。そこで、本実施形態にかかる加熱装置1の制御部30は、距離Daと距離Dbとに基づいて、ウェハ40の反りが発生したこと、および、その反りが凸状の反りであるか凹状の反りであるかを検出する。ところで、ウェハ40の反りの状態によっては、回転部25によって回転されるウェハ40がその回転力によって回転部25から脱落する恐れがある。回転部25からウェハ40が脱落した場合、ウェハ40が遠心力で飛び出し、処理室21内、回転部25、ベースユニット26などを破損する恐れがある。そのため、制御部30は、ウェハ40に凹状の反りがある場合に、距離Dbの振幅に基づいて、ウェハ40の回転部25からの脱落の可能性を判断するようにしている。図6および図7は、ウェハ40の反りとエッジリング51との関係を示す図、図8は、距離Dbと時間との関係の一例を示す図、図9は、エッジリング51においてウェハ40を係止する段差の説明図である。図6aに示すように、ウェハ40の反りが凹状の反りであり、かつその反りが均一である場合、例えば、図6bに示すように、ウェハ40の外周部はエッジリング51で係止される。そのため、このような場合には、回転部25からウェハ40が脱落する可能性が少ない。一方、図7aに示すように、ウェハ40の反りが凹状の反りであり、かつその反りが不均一である場合、回転部25からウェハ40が脱落する恐れがある。例えば、図8に示すように、ウェハ40が1回転するまでの間に、距離DbがDbmaxからDbminまでの範囲でばらつくこととする。このような場合、DbmaxとDbminとの差Wb以下、外周差Wbと記載するがエッジリング51の段差H1図9参照を超えることがある。外周差Wb=Dbmax-Dbminがエッジリング51の段差H1を超える場合、例えば、図7bに示すような状態となる。従って、ウェハ40の外縁の一部がエッジリング51に係止されない状態となり、ウェハ40が回転部25から脱落する恐れがある。そこで、制御部30は、外周差Wbが所定値以上になった場合に、回転部25によるウェハ40の回転、および、ヒータ部10によるウェハ40の加熱処理などを停止する。これにより、回転部25からウェハ40が脱落して処理室21内等を破損することを防止する。なお、図6aに示すように、ウェハ40の反りが凹状の均一の反りであり、外周差Wbが小さい場合であっても、例えば、DaとDbmaxとの差が予め設定された値以上の差である場合、制御部30は、ウェハ40の回転および加熱処理を停止することができる。次に、実施形態にかかる加熱装置1の制御部30が実行する処理手順について図10を参照して具体的に説明する。図10は、実施形態にかかる加熱装置1の制御部30によって実行される制御手順を示すフローチャートである。図10に示すように、制御部30は、まず、回転部25の回転制御を開始し、回転部25に支持されたウェハ40を回転軸Aを中心として回転させるステップS10。次に、制御部30は、記憶部31に初期値の設定があるか否かを判定するステップS11。設定値の設定があると判定するとステップS11;Yes、制御部30は、記憶部31から設定値を読み出し、かかる設定値に基づいてヒータ部10を制御するステップS12。設定値は、ヒータ部10に対する過去の制御値であり、これにより、各ランプ12を過去に調整したランプパワーで動作させることができる。かかる設定値は、後述するステップS22において記憶部31に記憶される値である。一方、設定値の設定がないと判定するとステップS11;No、制御部30は、記憶部31から初期値を読み出し、かかる初期値に基づいてヒータ部10を制御するステップS13。初期値は、各ランプ12に同じ電力量を供給させるための制御値であり、これにより、各ランプ12を同じランプパワーで動作させることができる。なお、初期値はこのような制御値に限定されるものではなく、ランプ12の位置に応じて異なる電力を供給するものであってもよい。ステップS12又はステップS13の処理が終了した後、制御部30は、ウェハ反り検出部の一例であるレーザ変位計63a,63bを制御し、レーザ変位計63a,63bによってウェハ40の反りを測定させるステップS14。すなわち、制御部30は、レーザ変位計63aによって、基準位置Pからウェハ40の中央部までの距離Da図5参照を検出させ、レーザ変位計63bによって、基準位置Pからウェハ40の外周部までの距離Db図5参照を検出させる。次に、制御部30は、下記式1を満たすか否かを判定するステップS15。すなわち、制御部30は、ウェハ40に凹状の反り図4a参照があり、その凹状の反り量がD1以上であるか否かを判定する。Db-Da≧D11ステップS15において、上記式1を満たすと判定した場合ステップS15;Yes、制御部30は、ステップS16に処理を移行する。一方、上記式1を満たさないと判定した場合ステップS15;No、制御部30は、ステップS19に処理を移行する。ステップS16において、制御部30は、レーザ変位計63bから出力される距離Dbの情報に基づいて、ウェハ40の外周差Wbを検出する。制御部30は、かかる外周差Wbが下記式2を満たすか否かを判定する。すなわち、制御部30は、外周差Wbがエッジリング51の段差H1の0.8倍以上であるか否かを判定する。Wb≧H1×0.82外周差Wbが上記式2を満たすと判定した場合ステップS16;Yes、制御部30は、異常停止を行う。具体的には、制御部30は、ヒータ部10および処理部20の動作を停止させるステップS17。これにより、回転部25からウェハ40が脱落して処理室21内等を破損することを防止する。なお、上記式2は一例である。すなわち、ウェハ40が脱落しなければよく、上記式2は適宜変更可能である。一方、外周差Wbが上記式2を満たさないと判定した場合ステップS16;No、制御部30は、ヒータ部10を制御し、ウェハ40の外周部の加熱量を所定量低減させる一方、ウェハ40の中央部の加熱量を所定量増加させるステップS18。また、ステップS19において、制御部30は、下記式3を満たすか否かを判定するステップS19。すなわち、制御部30は、ウェハ40に凸状の反り図3a参照があり、その反り量がD1以上であるか否かを判定する。Da-Db≧D13上記式3を満たすと判定した場合ステップS19;Yes、制御部30は、ヒータ部10を制御し、ウェハ40の中央部の加熱量を所定量低減させる一方、ウェハ40の外周部の加熱量を所定量増加させるステップS20。ステップS18の処理、ステップS20の処理、およびステップS19において、上記式3を満たさないと判定した場合ステップS19;No、制御部30は、ステップS21に処理を移行する。ステップS21において、制御部30は、ウェハ40の温度が所定温度Ta以上であるか否かを判定する。所定温度Taは、放射温度計62によって検出可能な温度であり、例えば、600°Cである。なお、ウェハ40の温度は、放射温度計62によって検出することができるが、これに限定されるものではなく、他の温度計によって検出するようにしてもよい。ウェハ40の温度が所定温度Ta以上ではないと判定した場合ステップS21;No、制御部30は、ステップS14へ処理を戻す。一方、ウェハ40の温度が所定温度Ta以上であると判定した場合ステップS21;Yes、制御部30は、現時点のヒータ制御値を設定値として記憶部31へ記憶するステップS22。ここで、ヒータ制御値は、ウェハ40の中央部に対応するランプ12への電力供給量以下、中央部電力量と記載すると、ウェハ40の外周部に対応するランプ12への電力供給量以下、外周部電力量と記載するとを含む制御情報である。なお、中央部電力量と外周部電力量との比をヒータ制御値として記憶部31に記憶するようにしてもよい。その後、制御部30は、レーザ変位計63a,63bの検出結果に基づくヒータ部10へのフィードバック制御から、温度検出部の一例である放射温度計62の検出結果に基づくヒータ部10へのフィードバック制御へ切り替えるステップS23。すなわち、制御部30は、放射温度計62によるウェハ40の面内温度分布に応じて、ヒータ部10の各ランプ12への電力供給量を演算し、かかる演算結果に基づいて、ヒータ部10の各ランプ12へ電力を供給する。これにより、各ランプ12のランプパワーがウェハ40の面内温度分布に応じたランプパワーとなり、面内での温度が均一となるようにウェハ40が加熱される。以上説明したように、実施形態にかかる加熱装置1は、ウェハ40を加熱するヒータ部10と、ウェハ40の温度を検出する放射温度計62と、ヒータ部10を制御する制御部30とを備える。さらに、加熱装置1は、ウェハ40の反りを検出するレーザ変位計63a,63bを備える。そして、放射温度計62の検出結果に基づいてヒータ部10のフィードバック制御を行う前に、レーザ変位計63a,63bの検出結果に基づいてヒータ部10のフィードバック制御を行う。従って、ヒータ部10によってウェハ40の加熱を開始してから、ウェハ40の温度を放射温度計62で測定することができるまでの間でも、ヒータ部10のフィードバック制御を行うことができる。そのため、ウェハ40の反りを抑制することができる。また、制御部30は、レーザ変位計63a,63bによって検出されるウェハ40の反り方向に応じて、ウェハ40の中央部に対する加熱量と外周部に対する加熱量との比以下、加熱比と記載するを変更するようにヒータ部10を制御する。これにより、ウェハ40の面内温度のばらつきを抑えるようにヒータ部10を制御することができ、ウェハ40の反りを抑制することができる。なお、制御部30は、ウェハ40の反り方向だけでなく、ウェハ40の反り量に応じて、ウェハ40の中央部に対する加熱量と外周部に対する加熱量との比を変更することができる。これにより、ウェハ40の反りを精度よく抑制することができる。例えば、制御部30は、Db-Da>D1の場合、Db-DaからD1を減算した値が大きいほど、ウェハ40の中央部に対する加熱量が外周部に対する加熱量よりも高くなるように、加熱比を調整することができる。また、例えば、制御部30は、Da-Db>D1の場合、Da-DbからD1を減算した値が大きいほど、ウェハ40の外周部に対する加熱量が中央部に対する加熱量よりも高くなるように、加熱比を調整することができる。また、加熱装置1は、ウェハ40を回転する回転部25を備える。そして、制御部30は、ウェハ40の反りが所定状態となる場合に、回転部25の制御を停止して、ウェハ40の回転を停止する。そのため、回転部25からウェハ40が脱落して処理室21内等を破損することを防止することができる。なお、所定状態として、上記式2を一例として説明したが、回転部25の制御を停止する条件はこれに限定されるものではなく、例えば、距離Dbが所定値以上の場合に、回転部25の制御を停止することもできる。また、制御部30によって実行されたヒータ部10に対する制御履歴を記憶する記憶部31を備える。そして、制御部30は、記憶部31に記憶した制御履歴に基づいて、ヒータ部10を制御することができる。同一の製品かつ同一プロセスであれば、同一ロット内のウェハ40やロットが異なるウェハ40であっても、同一の加熱処理を行えば、ウェハ40は同じような反りの状態となる。そのため、上述のようにウェハ40の反りを一定以下に抑えるようにヒータ部10を制御した過去のヒータ部10に対する制御履歴を用いることで、同一の製品かつ同一プロセスを行うウェハ40に対してヒータ部10の制御を適切に行うことができる。これにより、制御部30によるヒータ部10への制御回数を低減することができ、加熱処理を迅速に行うことができる。なお、制御履歴として、中央部電力量と外周部電力量を含むヒータ制御値を設定値として記憶部31に記憶させるようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、ヒータ部10によるウェハ40の加熱を開始してから所定温度Taになるまでの間の距離Daと距離Dbに基づいた情報を設定値として記憶部31に記憶するようにしてもよい。例えば、ウェハ40の加熱を開始してから所定温度Taになるまでの間の距離Daの平均値と距離Dbの平均値を演算し、これらの平均値を設定値として記憶部31に記憶する。このようにすることによっても、同一の製品かつ同一プロセスを行うウェハ40であれば、同一ロット内のウェハ40やロットが異なるウェハ40に対して適切にヒータ部10を制御することができる。なお、上述の例では、ウェハ40を中央部と外周部の2つの領域に分けてそれぞれ加熱量を制御するようにしたが、ウェハ40を3つ以上の領域に分けて加熱量を制御することもできる。また、上述の例では、ウェハ40の温度に基づいて、レーザ変位計63a,63bの検出結果に基づく制御から、放射温度計62の検出結果に基づく制御へ切り替えるようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、ヒータ部10によるウェハ40の加熱時間に基づいて、フィードバック制御の切り替えを行うようにしてもよい。例えば、制御部30は、ウェハ40の温度が所定温度Ta以上になると予測される時間taの情報を記憶部31に予め設定しておく。そして、制御部30は、ヒータ部10によるウェハ40の加熱を開始してから時間taを経過した場合に、フィードバック制御の切り替えを行う。また、上述の例では、距離Daと距離Dbとの差がD1以上になった場合に、ヒータ部10による加熱量の調整を行うようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、制御部30は、距離Daと距離Dbとの差の単位時間あたりの変化率を検出し、かかる変化率が小さくなるように、ヒータ部10による加熱量の調整を行うようにしてもよい。たとえば、制御部30は、変化率が相対的に大きい場合には、中央部電力量と外周部電力量との差を大きくし、変化率が相対的に小さい場合には、中央部電力量と外周部電力量との差を小さくする。また、上述の例では、エッジリング51によってウェハ40の外縁部を保持する加熱装置について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ウェハ40の裏面40b側を複数の支持ピンによって支持し、かかる支持ピンを回転させる加熱装置であってもよい。また、上述の例では、2つのレーザ変位計63a,63bによりウェハ40の反りを検出するようにしたが、3つ以上のレーザ変位計によってウェハ40の反りを検出するようにしてもよい。また、ウェハ40の中央部および外周部と1つのレーザ変位計63aとの間に切り替え可能な光学部材を設け、かかる光学部材により時分割で距離Daと距離Dbを検出するようにしてもよい。このようにすることで、一つのレーザ変位計63aで、距離Daと距離Dbを検出することができる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"