"第1及び第2磁気シールド層と、前記第1及び第2磁気シールド層間に配置される磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子のエアーベアリング面とは反対側において前記第1及び第2磁気シールド層間に配置されるハードバイアス層とを具備し、前記磁気抵抗素子は、可変の磁化を有する第1及び第2磁気フリー層と、これらの間の非磁性層とを備え、前記第1及び第2磁気フリー層の磁化方向は、外部磁界が零のときに前記ハードバイアス層からの磁界により概略垂直状態にあり、前記ハードバイアス層は、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金を備え、前記ハードバイアス層のアスペクト比は、2以上、但し、hは、前記ハードバイアス層の高さ、wは、前記ハードバイアス層の厚さであり、ハードバイアス層の厚さwは、前記第1及び第2磁気シールド層間のギャップGよりも小さい磁気ヘッド。前記第1及び第2磁気シールド層は、電極として機能し、前記第1及び第2磁気シールド層間に電流を流すことにより、前記外部磁界により前記概略垂直状態から平行又は反平行方向に変化した前記磁気抵抗素子の抵抗値を読み取る請求項1に記載の磁気ヘッド。前記ハードバイアス層及び前記第1磁気シールド層間、前記ハードバイアス層及び前記第2磁気シールド層間、又は、それらの両方に、前記ハードバイアス層の磁化を固着する反強磁性層をさらに具備し、前記ハードバイアス層と前記反強磁性層の合計の厚さtaddは、前記第1及び第2磁気シールド層間のギャップGよりも小さい請求項1に記載の磁気ヘッド。前記ハードバイアス層の高さhが20nm以上となるとき、前記ハードバイアス層の前記磁気抵抗素子側の端から20nm以上の第1エリア内における前記ハードバイアス層の厚さと前記反強磁性層の合計の厚さtaddは、前記ハードバイアス層の前記磁気抵抗素子側の端から20nm未満の第2エリア内における前記ハードバイアス層の厚さと前記反強磁性層の合計の厚さtaddよりも大きく、前記第1エリア内における前記ハードバイアス層の厚さと前記反強磁性層の合計の厚さtaddは、前記第1及び第2磁気シールド層間のギャップGよりも小さい請求項1に記載の磁気ヘッド。前記第1エリア内における前記ハードバイアス層の飽和磁化Msと厚さtとの積は、前記第1磁気フリー層の飽和磁化Msと厚さtとの積の3倍以上であり、かつ、前記第2磁気フリー層の飽和磁化Msと厚さtとの積の3倍以上である請求項1に記載の磁気ヘッド。実施形態は、CPPTrilayer型磁気ヘッドを小サイズで実現する技術を提案する。実施形態によれば、磁気ヘッドは、第1及び第2磁気シールド層と、前記第1及び第2磁気シールド層間に配置される磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子のエアーベアリング面とは反対側において前記第1及び第2磁気シールド層間に配置されるハードバイアス層とを備え、前記磁気抵抗素子は、可変の磁化を有する第1及び第2磁気フリー層と、これらの間の非磁性層とを備え、前記第1及び第2磁気フリー層の磁化方向は、外部磁界が零のときに前記ハードバイアス層からの磁界により垂直状態にあり、前記ハードバイアス層は、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金を備え、前記ハードバイアス層のアスペクト比は、2以上、但し、hは、前記ハードバイアス層の高さ、wは、前記ハードバイアス層の厚さである。また、前記ハードバイアス層の厚さwは、前記第1及び第2磁気シールド層間のギャップGよりも小さい。以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。図1は、CPPTrilayer型磁気ヘッドの主要部を示している。磁気記録媒体例えば、磁気ディスクからの外部磁界が零の場合において、磁化方向が可変である2つの磁気フリー層FL1,FL2の相対的磁化方向は、ハードバイアス層HBにより概略垂直状態となるように設定される。また、2つの磁気フリー層FL1,FL2の相対的磁化方向は、磁気記録媒体からの外部磁界に応じて、概略垂直状態から平行方向又は反平行方向へ状態が変化する。ここで、本明細書において、概略垂直状態とは、2つの磁気フリー層FL1,FL2の磁化方向のなす角度θが、60°<θ<120°の範囲内にあることを意味するものとする。また、平行方向とは、2つの磁気フリー層FL1,FL2の磁化方向のなす角度θが、概略垂直状態から小さくなる方向を意味するものとする。また、反平行方向とは2つの磁気フリー層FL1,FL2の磁化方向のなす角度θが、概略垂直状態から大きくなる方向を意味するものとする。尚、角度0°とは、2つの磁気フリー層FL1,FL2の磁化方向が完全に同じ方向を向いている状態である。また、180°とは、2つの磁気フリー層FL1,FL2の磁化方向が完全に逆方向を向いている状態である。図2は、図1の磁気ヘッドの断面図を示している。磁気シールド層11上には、シード層12が形成される。シード層12上には、磁気フリー層FL1が形成される。磁気フリー層FL1上には、非磁性層13が形成される。非磁性層13上には、磁気フリー層FL2が形成される。磁気フリー層FL2上には、キャップ層14が形成される。キャップ層14上には、磁気シールド層15が形成される。シード層12は、磁気フリー層FL1,FL2及び非磁性層13の結晶配向性などを制御するために設けられる。また、キャップ層14は、磁気フリー層FL2を保護し、他の物質との直接接触をさけるために使用する。読み出し回路16は、2つの磁気シールド層11,15間に接続される。即ち、本例では、2つの磁気シールド層11,15は、電極としても機能する。そして、読み出し回路16は、2つの磁気シールド層11,15間に電流を流すことにより、外部磁界によりその磁化が概略垂直状態から平行又は反平行方向に変化した磁気抵抗素子磁気フリー層FL1,FL2及び非磁性層13の抵抗値を読み取る。尚、本例では、2つの磁気シールド層11,15は、電極として用いるが、2つの磁気シールド層11,15とは別に、データ読み出しのための電極を設けてもよい。また、同図において、ABSは、磁気ヘッド磁気抵抗素子のエアーベアリング面を表している。エアーベアリング面とは、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体からデータを読み出すときに、磁気記録媒体が配置される側の磁気抵抗素子の面を意味する。このような磁気ヘッドにおいて、高記録密度の磁気記録媒体からデータを読み出すに当たっては、磁気抵抗素子のサイズを小さくする、即ち、2つの磁気シールド層11,15間のギャップGを狭くすることが必要不可欠である。例えば、HDDの平方インチあたりの記録密度3Tビットで、このギャップGは、15nm以下にすることが要望されている。この場合、ハードバイアス層HBの厚さwは、2つの磁気シールド層11,15とのマージン、特に、ハードバイアス層HBの下地としてのシード層およびシード層との絶縁を確保する絶縁層の厚さを考慮すると、12nm以下にしなければならない。しかし、ハードバイアス層HBの厚さwは、磁気記録媒体からの外部磁界が零の場合における2つの磁気フリー層FL1,FL2の相対的磁化方向に影響を与える。これについて、以下、説明する。図3は、外部磁界と磁気フリー層FL1,FL2の相対的磁化方向との関係を、ハードバイアス層の飽和磁化をMsとし、ハードバイアス層の厚さwをtとしたときの両者の積をパラメータに示したものである。ハードバイアス層HBとしては、CoPtを使用するものとする。また、ハードバイアス層HBと磁気フリー層FL1,FL2との距離d1は、3nmとし、磁気フリー層FL1,FL2のサイズd2は、16~28nmとする。同図によれば、ハードバイアス層の飽和磁化Msと厚さtとの積が約15nmTのときに、外部磁界が零における2つの磁気フリー層FL1,FL2の相対的磁化方向がほぼ垂直になることが分かる。しかし、ハードバイアス層HBとしてのCoPtの飽和磁化Msは、1~12Tである。即ち、Ms×tを約15nmTにするためには、ハードバイアス層HBの厚さwは、125~15nmの範囲内の値にしなければならない。このハードバイアス層HBの厚さwは、上述の要求である厚さの上限12nmを超えている。従って、ハードバイアス層HBを2つの磁気シールド層間のギャップGに収めることができない、という問題が発生する。また、これを無理に収めようとすると、ハードバイアス層HBを配置するエリアのギャップGを部分的に広げる必要がある。この場合、本来のギャップ部より広げた部分のハードバイアスから印加される磁場は、ほとんどシールドに吸収されるため、ハードバイアスとして機能しなくなる。また、部分的に広めたシールドは形状が複雑で磁化変化も複雑になり、再生信号のノイズを大幅に劣化させることになる。以上の考察から、実施形態のCPPTrilayer型磁気ヘッドでは、ハードバイアス層HBとして、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金軟磁性材料を採用する。例えば、ハードバイアス層HBをCoFeとした場合、CoFeの飽和磁化Msは、2T程度である。即ち、Ms×tを約15nmTにするためには、ハードバイアス層HBとしてのCoFeの厚さwは、75nm程度でよい。尚、ハードバイアス層HBの飽和磁化と厚さとの積は、磁気フリー層FL1の飽和磁化Msと厚さtとの積の3倍以上であり、かつ、磁気フリー層FL2の飽和磁化Msと厚さtとの積の3倍以上であるのが望ましい。このように、ハードバイアス層HBとして、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金を採用すれば、ハードバイアス層HBを2つの磁気シールド層間のギャップGに余裕をもって収めることができるため、CPPTrilayer型磁気ヘッドの小型化を実現できる。しかし、CPPTrilayer型磁気ヘッドにおいて、ハードバイアス層HBを狭ギャップG内に無事に収められたとしても、ハードバイアス層HBを、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金軟磁性材料としたことによる新たな問題を解決しなければ、真に、CPPTrilayer型磁気ヘッドの小型化を実現したことにはならない。以下、その問題について説明する。図4は、ハードバイアス層として軟磁性材料を用いたときのCPPTrilayer型磁気ヘッドのデバイス構造を示している。本例のデバイス構造が図2のデバイス構造と異なる点は、ハードバイアス層例えば、CoFeHBの磁化を安定させるために、ハードバイアス層HBの上下に、それぞれ、反強磁性層例えば、IrMnPtMnなど17,18を付加したことにある。その他の点については、図2のデバイス構造と同じであるため、図2と同じ符号を付すことにより、ここでの説明は省略する。同図から明らかなように、この構造によれば、ハードバイアス層HBが薄くなったにもかかわらず、新たに非常に厚い反強磁性層17,18が必要になるため、ハードバイアス層HBと反強磁性層17,18の合計の厚さtaddは、2つの磁気シールド層11,15間のギャップGよりも大きくなる。従って、本例のデバイス構造は、既に説明したように、ハードバイアス層HBを配置するエリアのギャップGを部分的に広げることを意味する。したがって、前述の再生信号の劣化の問題の解決にはならない。この再生信号の劣化問題をもう少し詳しく説明する。本例の構造を採用すると、ハードバイアス層HBと磁気抵抗素子との境界部分に磁気シールド層17,18の角Xが形成されるため、この角Xにより磁気シールド層17,18の磁区が不安定になる、という問題が発生する。この磁区の不安定化は、磁気ヘッドによるデータ読み出し時のノイズの原因となるため、SNR比を悪化させる。以上の考察から、反強磁性層を用いなくても、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金軟磁性材料を備えるハードバイアス層HBの磁化を安定化させることこそが、全ての問題を解決し、CPPTrilayer型磁気ヘッドの小型化を図ることができる、ということが分かる。そこで、以下では、そのための要件について検討する。図5及び図6は、ハードバイアス層HBの形状と磁化の安定性との関係について考察した結果を示している。まず、ハードバイアス層HBの形状をアスペクト比で定義する。ハードバイアス層HBのアスペクト比とは、ハードバイアス層HBの幅wと高さhとの比である。また、ハードバイアス層HBの高さhとは、ハードバイアス層HBと磁気抵抗素子とが並ぶ方向におけるハードバイアス層HBのサイズである。そして、ハードバイアス層HBのアスペクト比を変化させたときの磁気ヘッドのSNR比への影響を検証する。ここで、磁気ヘッドのSNR比は、ハードバイアス層HBの磁化の安定性に依存する。即ち、ハードバイアス層HBの磁化が不安定であるとき、データ読み出し時のノイズが大きくなるため、SNR比が低下する。このノイズの劣化は、再生ヘッドに印加する外部磁場と再生ヘッドの抵抗の関係RH曲線に現れるキンク量と相関がある。充分な外部磁場を印加したとき、ヘッドの抵抗は2枚の磁化フリー層が平行の状態から反平行の状態まで変化するが、それはRH曲線では図7の右下の位置磁化が平行状態から左上位置磁化が反平行状態の変化に対応する。このRH曲線に現れるキンク量を図8により説明する。図8で通常のRH曲線からのずれを図中kinkで示す。ハードバイアスが不安定な場合はこのようにkinkがRH曲線に現れる。この量を抵抗の最大変化量図中FulldRで割った値をキンク量と定義する。このキンク量とハードバイアスのアスペクト比の関係を図9に示す。この例ではFeCo合金と反強磁性体IrMnとの厚みの合計は12nmである。アスペクト比が2以下ではIrMnの厚みが薄いためハードバイアス層の磁化が安定せずキンク量は大きくなる。しかしアスペクト量が2を超えるとキンク量は安定する。この結果、図6に示すようにハードバイアス層HBのアスペクト比が2である点を境界に、SNR比が顕著に変化する。尚、この結果は、CoFeの他、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金をハードバイアス層HBとして採用した場合において同じである。従って、ハードバイアス層HBのアスペクト比を2以上に設定すれば、反強磁性層が薄くても、Fe、又は、FeとCoを主成分とする合金軟磁性材料を備えるハードバイアス層HBの磁化を安定化させることができる。SNR比の劣化なしに、CPPTrilayer型磁気ヘッドの小型化を図ることができる。図10乃至図12は、CPPTrilayer型磁気ヘッドの実施例を示している。2つの磁気シールド層11,15間のギャップGは、磁気抵抗素子が配置されるエリアとハードバイアス層HBが配置されるエリアとで、同じである。磁気抵抗素子は、シード層12、磁気フリー層FL1、非磁性層13、磁気フリー層FL2及びキャップ層14を備える。一方、図10の例では、ハードバイアス層HBに反強磁性層17が付加される。図10の例では、反強磁性層17は、ハードバイアス層HBの下側に配置されるが、その上側に配置されてもよいし、その両側に配置されてもよい。図11の例では、ハードバイアス層HBに反強磁性層が付加されない。この例のように、軟磁性層だけのハードバイアス層であっても、アスペクト比が2以上であれば安定する。但し、この場合、低周波数のノイズが観測される場合があり、これは長い時間間隔でハードバイアスの方向が入れ替わっているものと思われる。この不具合は、例えば、図13のように、軟磁性層の奥ハイト方向に硬磁性層を設置することで解決する。この場合のハードバイアス層の定義は軟磁性層のみとし、アスペクト比も軟磁性層のhとwの比で安定性が議論できる。ハードバイアス層HBのアスペクト比は、2以上であり、ハードバイアス層HBの厚さwは、ギャップG例えば、15nmよりも小さい。また、ハードバイアス層HBとしてCoFeを採用した場合、Ms×t15nmT、Ms2Tのとき、t75nmである。例えば、wが30nmであるとき、hは60nm以上であればよい。t75の場合、ハードバイアス層HBに反強磁性層例えば、IrMnPtMnなど17を付加したとき、反強磁性層17の厚さは、45nmまで許容できる。この場合、ハードバイアス層HBと反強磁性層17の合計の厚さtaddは、12nmとなり、ギャップG例えば、15nmに収めることができる。尚、図12に示すように、ハードバイアス層HBの高さhが20nm以上となるとき、ハードバイアス層HBの磁気抵抗素子側の端から20nm以上のエリア内においては、ハードバイアス層HBの厚さを、磁気抵抗素子側の端から20nm未満のエリア内のハードバイアス層HBの厚さwよりも大きくしてもよい。例えば、ハードバイアス層HBの磁気抵抗素子側の端から20nm以上のエリア内におけるハードバイアス層HBの厚さを、ギャップGよりも大きくしてもよい。この例を図14及び図15で説明する。図14は、G15nm、t8nmでハードバイアス層HBの磁気抵抗素子側の端からoffset以上はなれたところにHBの上下にIrMnを45nm設置している。taddは18nmありGには収まらない。このoffsetの量とキンク量との関係を図15に示す。offsetが20nm以上でキンク量が一定値になっている。これは、ハードバイアス層HBの磁気抵抗素子側の端から20nm以上のエリア内においては、ハードバイアス層HBや磁気シールド層11,15の磁区の乱れが、磁気抵抗素子に与える影響を軽減できるからである。アスペクト比を規定するwとhの定義について説明する。例えば、図16にある幅w2を上述のwの定義に使用し、かつ、hw~2としても、ハードバイアスの安定性は確保されない。これは、図17に示すように、幅w2の部分では、磁化は安定しているが、磁気抵抗効果素子の近傍の幅w1の部分では、磁化が不安定になっているためである。従って、wとしては、磁気抵抗効果素子近傍のハードバイアス層の幅w1をwとして使用すべきと考えられる。具体的には、図18に示すように、磁気抵抗効果素子からの距離d1が20nm以下の幅の平均値をwとすればよい。また、hの定義としては、図19に示すように、磁気抵抗効果素子の幅d2の高さの平均値をhとすればよい。次に、上述のCPPTrilayer型磁気ヘッドが適用される磁気記録再生装置の例として、HDDについて説明する。図20は、トップカバーを外した状態のHDDの内部構造を示している。HDDの筐体は、箱状のベース11とトップカバー12とを備える。ベース11及びトップカバー12は、複数のねじ13により結合される。ベース11内には、磁気記録媒体としての磁気ディスク14及び磁気ディスク14を回転させる駆動部としてのスピンドルモータ15が配置される。また、ベース11内には、磁気ヘッド16、ヘッドスタックアッセンブリ以下、HSAと称する17、ボイスコイルモータ以下、VCMと称する18、ランプロード機構19及びラッチ機構20が配置される。磁気ヘッド16は、上述の実施例に係わるCPPTrilayer型磁気ヘッドが使用され、磁気ディスク14に対してデータの記録/再生を行う。HSA17は、磁気ヘッド16を支持し、VCM18は、HSA17の位置決めを行う。また、ランプロード機構19は、磁気ヘッド16が磁気ディスク14の最外周に移動したときのHSA17の位置決めを行う。さらに、ラッチ機構20は、HDDの筐体に衝撃が加わったときのHSA17の位置決めを行う。磁気ディスク14は、例えば、直径65mmの円形であり、その上面及び下面に磁気記録層を有する。磁気ディスク14は、スピンドルモータ15により、所定の速度、例えば、5400rpm、又は、7200rpmで回転される。図21は、図20のHSA17を示している。HSA17は、回転自在な軸受部21と、軸受部21から延びる2本のヘッドジンバルアッセンブリ以下、HGAと称する22とを備える。各HGA22は、軸受部21から延びるアーム23と、アーム23からさらに延びるサスペンション24と、サスペンション24の先端部に配置される磁気ヘッド16とを有する。図22は、図21の磁気ヘッド16を示している。磁気ヘッド16は、スライダ25と、スライダ25内に形成される記録ヘッド及び再生ヘッドを有する。上述の実施例に係わる磁気ヘッドのエアーベアリング面ABSは、同図におけるエアーベアリング面ABSに対応する。磁気ヘッド16と磁気記録媒体26の表面との間には、一定間隔の空気層が設けられる。以上のようなHDDの磁気ヘッドに、上述の実施例に係わる磁気ヘッドを適用すれば、製造コストの増加やSNR比の劣化なしに、高記録密度のHDDを実現することができる。実施形態によれば、CPPTrilayer型磁気ヘッドを小サイズで実現できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"