ボロンを含有する金属シリコン粉末を還元性雰囲気下、1300°C以上で熱処理することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法。前記金属シリコン粉末は、ボロンを含有する金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより調製される請求項1に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。前記金属シリコン粉末は、表面が1300°C以上で酸化された金属シリコン粉末である請求項1に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。前記還元性雰囲気での熱処理温度が1414°C以下である請求項1~3のいずれかに記載の金属シリコンからのボロン除去方法。金属シリコンを酸化性雰囲気下でアトマイズすることによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製する請求項3に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。金属シリコン粉末を酸素含有雰囲気で熱処理することによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製する請求項3に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。金属シリコンを酸化性又は非酸化性雰囲気下でアトマイズし、次いで酸素含有雰囲気で熱処理することによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製する請求項3に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。酸素含有雰囲気での熱処理温度の最高到達温度が1414°C以上である請求項6又は7に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。前記金属シリコン粉末の最大粒径が3mm以下である請求項1~8のいずれかに記載の金属シリコンからのボロン除去方法。前記還元性雰囲気での熱処理を移動炉床炉で行う請求項1~9のいずれかに記載の金属シリコンからのボロン除去方法。非酸化性雰囲気は、不活性ガスである請求項2に記載の金属シリコンからのボロン除去方法。前記還元性雰囲気は、不活性ガスと1~10体積の水素との混合ガスである請求項1~11のいずれかに記載の金属シリコンからのボロン除去方法。請求項1~12のいずれかに記載の方法によりボロンを除去した金属シリコン。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は金属シリコンからボロンを除去する方法を提供することにある。上記課題を達成した本発明は、ボロンを含有する金属シリコン粉末を還元性雰囲気下、1300°C以上で熱処理することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン粉末は、例えばaボロンを含有する金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより調製されるか、又はb表面が1300°C以上で酸化された金属シリコン粉末であることが好ましい。また、前記還元性雰囲気での熱処理温度が1414°C以下であることが好ましい。前記aの場合において、非酸化性雰囲気は、不活性ガスであることが好ましい。上記bの場合において、b-1金属シリコンを酸化性雰囲気下でアトマイズすることによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製すること、b-2金属シリコン粉末を酸素含有雰囲気で熱処理することによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製すること、又はb-3金属シリコンを酸化性又は非酸化性雰囲気下でアトマイズし、次いで酸素含有雰囲気で熱処理することによって、前記表面が酸化された金属シリコン粉末を調製すること、などが好ましい。上記b-2又はb-3の場合において、酸素含有雰囲気での熱処理温度の最高到達温度が1414°C以上であることが好ましい。本発明において、前記金属シリコン粉末の最大粒径が3mm以下であることや、前記還元性雰囲気での熱処理を移動炉床炉で行うことや、又は前記還元性雰囲気が、不活性ガスと1~10体積の水素との混合ガスであることも好ましい。本発明は、上記のいずれかの方法によりボロンを除去した金属シリコンも包含する。本発明によれば、安価で、効率的に、且つ安全に金属シリコンからボロンを除去することができる。本発明の方法は、ボロンを含有する金属シリコン粉末を還元性雰囲気下、1300°C以上で熱処理する点に特徴を有している。粉末状の金属シリコン粉末を用いることによって表面積が向上でき、更に熱処理雰囲気を還元性雰囲気することによって、金属シリコン中のボロンを効率よく除去できる。前記したボロンを含有する金属シリコン粉末は、例えばaボロンを含有する金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより調製されても良いし、b表面が1300°C以上で酸化された金属シリコン粉末を用いても良い。以下、前記a、bについてそれぞれ説明する。a金属シリコンを、非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより金属シリコン粉末を調製する場合金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることによって、金属シリコンを粉末化できるとともに、金属シリコン中の非酸化ボロンを表面に拡散させ、その後の還元処理でのボロンの除去効率を上げることができる。非酸化性雰囲気は、窒素、希ガスアルゴンなどなどの不活性ガスが好ましい。不活性ガスを用いることによって、アトマイズ時の金属シリコンへの意図せぬ不純物の混入を防ぐことが容易になる。また、アトマイズの際に金属シリコンを完全に溶融させるため、例えば金属シリコンを1500~1700°C程度で保持することが好ましい。次に前記アトマイズで得られた金属シリコン粉末を、還元性雰囲気で熱処理する。このようにすることによって、金属シリコン粉末中のボロンが酸化物及び/又は水酸化物となってシリコン表面から蒸発し、ボロンを除去できると考えられる。b金属シリコン粉末が、表面が1300°C以上で酸化された金属シリコン粉末である場合金属シリコン粉末として、高温環境下、すなわち1300°C以上で表面が酸化した金属シリコン粉末を用いると、金属シリコン粉末の酸化によって形成された酸化膜にボロンがトラップされ、ボロンを内包した状態で酸化膜が形成される。その後、後述する還元処理によってシリコン酸化物がシリコンに還元される際に、内包されるボロンがシリコン表面から酸化物又は水酸化物として蒸発し、金属シリコンからボロンを除去できると考えられる。金属シリコンは、高温で酸化するほど、シリコンよりもボロンの方が優先的に酸化以下、ボロンの優先酸化と呼ぶ。され、その後の還元によってボロンを効率よく除去することができる。従って酸化温度は高いほど好ましく、例えば、1300°C以上、好ましくは1350°C以上、より好ましくは1400°C以上である。なお1350°Cはエリンガム図において、Bの酸化を表す直線と、Siの酸化を表す直線が交差する点の温度であり、この温度以上でボロンが優先的に酸化、揮発する。金属シリコンを酸化させる時間は、例えば1秒~10時間である。金属シリコンの表面を酸化して、ボロンを優先酸化させる方法としては、例えば、1溶融した金属シリコンを酸化性雰囲気下でアトマイズする方法、2金属シリコン粉末を酸素含有雰囲気で熱処理する方法、などが挙げられる。1酸化性雰囲気下でアトマイズする方法について金属シリコンの融点は、およそ1414°Cであり、これを溶融してアトマイズすると、シリコンの粉末化とボロンの優先酸化の両方を達成できる。アトマイズ雰囲気は、溶融金属に噴霧するガスや液体などの流体によって形成され、酸化性雰囲気を形成可能な流体としては、例えば酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスや、水などが挙げられる。また、アトマイズすることによって、酸化された金属シリコン粉末を調製する場合は、酸化温度すなわちアトマイズ温度は1500°C以上が好ましく、1600°C以上がより好ましい。酸化性ガスとしては、水蒸気、二酸化炭素、酸素などが挙げられる。不活性ガスとしてはアルゴン、窒素などが挙げられる。混合ガス中の酸化性ガスの割合は、例えば1~10体積である。特に好ましい流体は、水すなわち、水アトマイズである。酸化性雰囲気下でアトマイズした金属シリコンは、必要に応じて酸素含有雰囲気で熱処理してもよい。酸素含有雰囲気は、例えば、酸素と不活性ガス窒素、アルゴンなどとの混合ガス雰囲気であり、混合ガス中の酸素の割合は、例えば1~25体積好ましくは5~20体積である。酸素含有雰囲気は、大気が最も好ましい。熱処理温度は特に限定されないが、高いほど、ボロンを優先酸化しやすくなる。従って熱処理温度は、例えば、1000~1500°C程度、好ましくは1200~1400°C程度である。熱処理時間は、例えば1秒~10時間程度である。2酸素含有雰囲気で熱処理する方法について金属シリコン粉末を酸素含有雰囲気で熱処理する場合、酸素含有雰囲気は、前記1と同様の雰囲気が利用できる。2の方法において、酸素含有雰囲気での熱処理温度は、上記金属シリコンの酸化温度と同様であるすなわち、例えば、1300°C以上、好ましくは1350°C以上、より好ましくは1400°C以上。また金属シリコン粉末を熱処理する2の方法の場合には、前記熱処理温度は、シリコンの融点約1414°C以上であることも好ましい。シリコンの融点以上で熱処理すると、金属シリコン粉末が液滴となり、金属シリコン中のボロンの拡散係数が上がり、ボロン酸化物の生成効率が向上する。酸素含有雰囲気での熱処理時間は、例えば1~10時間であり、好ましくは3~8時間である。熱処理に用いる炉として、ロータリーキルン炉などの通常のアニール炉や、タワーキルン炉と称される落下式急速焼成炉などの雰囲気ガス中での自由落下を利用したアニール炉が挙げられる。前者の通常のアニール炉を用いて酸化された金属シリコン粉末を調整する場合は、酸素含有雰囲気での熱処理温度はシリコンの融点未満1414°C未満としても良い。また、特に後者の自由落下を利用したアニール炉など、金属シリコン粉末が炉内の面に触れることなく熱処理できる場合は、金属シリコン粉末を液滴としてボロンの拡散を促進するため、最高到達温度をシリコンの融点以上1414°C以上とすることが好ましい。2の方法において金属シリコン粉末は、例えば、金属シリコンを粉砕及び分級すること;溶液から電解析出させること;ガスから急速に反応、凝集させる気相法で製造すること;噴霧法により形成させること;金属シリコンをアトマイズすること;などによって調製できる。アトマイズ時の雰囲気は酸化性雰囲気であっても良いし、非酸化性雰囲気であっても良い。酸化性雰囲気は、前記第一の方法と同じものが例示でき、アトマイズ時の雰囲気を酸化性雰囲気とすれば、アトマイズ時にもボロンの酸化物を生成することができる。非酸化性雰囲気としては、例えばアルゴン、窒素などの不活性ガスが挙げられ、不活性ガスを用いることによってアトマイズによる金属シリコンへの意図せぬ不純物の混入を抑制することが容易になる。還元性雰囲気での熱処理温度は1300°C以上である。1300°C以上とすることによって、金属シリコン中のボロンが表面まで拡散しやすく、ボロンを効率的に除去することができる。還元性雰囲気での熱処理温度は、好ましくは1350°C以上であり、より好ましくは1370°C以上である。特に、熱処理温度が1350°C以上であると、還元性雰囲気に少量の酸素が含まれていても、シリコンは酸化することなくボロンが優先的に酸化し、揮発性の高いボロン酸化物、又はボロン水酸化物が形成する。一方、該熱処理温度が高くなりすぎると、金属シリコン粉末が粗大化するため好ましくない。そこで、該熱処理温度はシリコンの融点約1414°C以下であることが好ましく、より好ましくは1400°C以下特に1380°C以下である。本発明では、粒径の小さな粉末を還元性雰囲気での熱処理に用いることが好ましい。還元性雰囲気での熱処理に用いる金属シリコン粉末の最大粒径は例えば3mm以下である。このようにすることによって、金属シリコン粉末中のボロンが短時間例えば10時間未満で粉末表面にまで拡散し、除去される。該金属シリコン粉末の最大粒径は、好ましくは1mm以下、より好ましくは150μm以下、さらに100μm以下が好ましく、特に50μm以下が好ましい。該金属シリコン粉末の最小粒径は、通常1μm程度であり、より好ましくは5μm特に10μmである。粉末の粒径は、アトマイズ条件アトマイズ圧力など、電解析出条件電流、電圧条件、原料とキャリアガスの混合比、反応温度、雰囲気圧力、噴出圧力などを調整することや、また得られた粉末を分級することなどによって制御できる。還元性雰囲気は、水素又は一酸化炭素と、不活性ガスアルゴンなどの希ガス、窒素などとの混合ガスであることが好ましい。混合ガス中の水素又は一酸化炭素の割合の下限は、例えば1体積以上、好ましくは2体積以上、より好ましくは3体積以上である。水素又は一酸化炭素の割合の上限は例えば10体積以下であり、好ましくは7体積以下、より好ましくは5体積以下である。還元性雰囲気での熱処理に要する時間の下限は、例えば1時間以上であり、好ましくは3時間以上、より好ましくは5時間以上である。前記熱処理時間の上限は、例えば15時間以下であり、好ましくは13時間以下、より好ましくは10時間以下特に8時間以下である。還元性雰囲気での熱処理では、ロータリーキルン炉など炉床が移動回転などする移動炉床炉を用いることが好ましい。移動炉床炉を用いれば、シリコンの表面が活性化しても、金属シリコン粉末同士の付着を防止できる。本発明の方法によれば、処理前後の金属シリコン中のボロン濃度質量基準の減少率すなわち、処理前のボロン濃度に対する、処理前後のボロン濃度の差を5以上とすることができ、Bボロンの除去に効果的である。また、本発明は上記方法によってボロン濃度が低減されたシリコンも包含する。本発明の方法によって処理した後の金属シリコン中のボロン濃度は、処理前のボロン濃度にも影響されるが、1回の処理で例えばボロン濃度を5質量基準以上低減でき、複数回繰り返して行うことで例えば4ppm以下、より好ましくは0.4ppm以下まで低減可能である。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、前記、後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1図1に示す装置を用いて、カーボン製のルツボに金属シリコン金属シリコン中のB濃度は、質量基準で130ppm、45ppmの2種類を入れ、高周波加熱により金属シリコンを溶解した。融け始めの温度から約200°C高い温度約1650°Cで維持し、金属シリコンが完全に液体となったところで、ルツボ下方のノズルから溶融金属シリコンを排出し、アルゴンガスを49MPaの圧力で噴きつけて粉末化した。得られた金属シリコン粉末を分級し、粒径が75~106μmの粉末と、45μm以下の粉末を用意した。前記のように分級した2種類の粉末と、分級していない粉末最大粒径は0.3mm程度をそれぞれアルミナのボートに入れ、アニール炉にセットした。その後、アニール炉に、窒素と3体積の水素との混合ガスを充填して昇温し、1300°Cで1時間又は8時間保持した試料1-1~試料1-4。また、窒素と3体積の水素との混合ガスの代わりに大気を用いたこと以外は試料1-1~試料1-4と同様の実験を行った試料1-5~試料1-8。結果を表1に示す。表1によれば、本発明は、大気中で熱処理した場合と比べてボロン濃度を低減することができ、本発明の処理前後でボロン濃度を5以上低減させることができ、また単位時間当たりのボロン濃度減少率を2.5以上とできる試料1-1~試料1-4。また金属シリコン粉末の粒径を微細化することによって試料1-3、ボロン濃度をより一層低減できることが分かる。また、表1に示した試料以外に、還元性雰囲気での熱処理温度を1100°Cとしたこと以外は、試料1-1~試料1-3と同様の実験を行ったが、いずれも処理前後でB濃度が変化しなかった。実施例2図1に示す装置を用いて、カーボン製のルツボに金属シリコン金属シリコン中のB濃度は、質量基準で130ppm、87ppm、45ppmを入れ、高周波加熱により金属シリコンを溶解した。融け始めの温度から約200°C高い温度約1600°Cで維持し、金属シリコンが完全に液体となったところで、ルツボ下方のノズルから溶融金属シリコンを排出し、アルゴンガスを噴きつけて粉末化した。得られた金属シリコン粉末を分級し、粒径が45μm以下のものと、75~106μmのものを用意した。金属シリコン粉末をアルミナのボートに入れ、ロータリーキルン炉にセットした。まず、大気雰囲気で1300°Cまで加熱し、1300°Cで4時間保持した。次に、炉にアルゴンガスと3体積の水素との混合ガスを充填し、1300°Cで4時間保持した試料2-1~試料2-4。また、比較のため、大気雰囲気下、1300°Cで8時間保持したのみで、その後に還元処理しない実験も行った試料2-5~試料2-8。結果を表2に示す。本発明によれば、B濃度を処理前後で20以上低減させることができ、また金属シリコン粉末の粒径を微細化試料2-3することによって、B濃度をより一層低減させることができる。