"被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係を有する、ことを特徴とする研磨パッド。前記特定の関係が、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの14倍~130倍である、請求項1に記載の研磨パッド。前記同心円状の溝の溝ピッチが、1mm~5mmである、請求項1または2に記載の研磨パッド。前記格子状の溝の溝ピッチが、70mm~130mmである、請求項1ないし3のいずれかに記載の研磨パッド。半導体製造においては、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて、半導体ウェハの研磨面の高い面内均一性が要求されると共に、生産性を向上させるために、高い研磨レートが要求される。しかしながら、高い面内均一性と高い研磨レートを同時に満たすことは難しい。上記特許文献2には、研磨パッドの表面に同心円状のパターンと格子状のパターンとを組合せた溝を形成してもよいことが示唆されているが、前記両パターンをどのように組合せるか、あるいは、その組合せによってどのような作用効果が奏されるかについての具体的な開示は、全くない。本発明は、高い研磨レートと高い面内均一性とを同時に満足する研磨パッドを提供することを目的とする。本発明の研磨パッドは、被研磨物を研磨する研磨面に溝が形成された研磨パッドであって、前記研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係を有する。前記特定の関係は、前記格子状の溝の溝ピッチが、前記同心円状の溝の溝ピッチの14倍~130倍であるのが好ましい。また、前記同心円状の溝の溝ピッチが、1mm~5mmであるのが好ましい。更に、前記格子状の溝の溝ピッチが、70mm~130mmであるのが好ましい。本発明の研磨パッドによると、研磨面に、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、格子状の溝の溝ピッチが、同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、格子状の溝の溝ピッチが、同心円状の溝の溝ピッチの14倍~130倍としたので、同心円状の溝によって高い研磨レートを維持しつつ、格子状の溝によって高い面内均一性を確保することができる。特に、同心円状の溝の溝ピッチを1mm~5mmとし、格子状の溝の溝ピッチを、70mm~130mmとすることによって、同心円状の溝と格子状の溝との組合せを最適化して、高研磨レートと高い面内均一性とを両立させることができる。本発明によれば、研磨面には、同心円状の溝と格子状の溝とが形成されると共に、格子状の溝の溝ピッチが、同心円状の溝の溝ピッチに対して特定の関係、好ましくは、格子状の溝の溝ピッチが、同心円状の溝の溝ピッチの14倍~130倍としたので、高い研磨レートを維持しつつ、高い面内均一性を確保することができる。以下、図面によって本発明の実施形態について、詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る研磨パッドが使用されるCMP研磨装置の概略構成図である。このCMP研磨装置では、定盤1の表面に、本発明の一実施形態に係る研磨パッド2が取付けられ、被研磨物としての半導体ウェハ5は、研磨ヘッド6に、バッキングフィルム7を介して保持される。研磨パッド2上には、研磨用のスラリー3がスラリー供給装置4から供給され、研磨パッド2上を広がって半導体ウェハ5に到達する。研磨ヘッド6に荷重が加えられることによって、半導体ウェハ5は、研磨パッド2に押し付けられ、定盤1と研磨ヘッド6とが、矢符Aで示すように同方向に回転して相対的に移動し、研磨パッド2と半導体ウェハ5との間にスラリー3が浸入して研磨が行われる。なお、8は研磨パッド2の表面を目立てするためのドレッサーである。図2は、図1の研磨パッド2の平面図である。この実施の形態の研磨パッド2は、円盤状であって、例えば、無発泡あるいは発泡ポリウレタン等の樹脂からなる。この実施の形態では、高い研磨レートと高い面内均一性とを実現するために、研磨パッド2の表面である研磨面には、同心円状の溝10と格子上の溝11とを、その溝ピッチに関して特定の関係となるように組合せた組合せ溝9が形成されている。図3は、上記研磨パッド2の同心円状の溝10と同じ同心円状の溝が形成された研磨パッド12及び研磨パッド2の格子状の溝11と同じ格子状の溝が形成された研磨パッド13の平面図である。研磨パッド2に形成されている同心円状の溝10は、図3aに示されるように、研磨パッドの中心を中心とし、半径方向に等間隔に形成された複数の同心円状の溝である。また、研磨パッド2に形成されている格子状の溝11は、図3bに示されるように、正方形の格子状の溝である。研磨パッド2では、同心円状の溝10と格子状の溝11とが組合された組合せ溝9が、研磨面の全面に亘って形成されている。格子状の溝11は、正方形の溝が、研磨パッド2の中心を囲むように形成されてもよいし、あるいは、前記中心を横切るように形成されてもよい。溝10,11の断面形状は、特に限定されず、例えば、矩形状、台形状、V字状、U字状などであってもよい。溝の形成方法も特に限定されず、従来公知の方法、例えば、研磨パッド表面を切削加工することにより溝を形成してもよいし、溝の形成された金型を使用しで形成してもよい。この実施形態では、格子状の溝11の、隣接する溝間の距離である溝ピッチは、同心円状の溝10の溝ピッチに対して特定の関係を有しており、好ましくは、格子状の溝11の溝ピッチは、同心円状の溝10の溝ピッチの14倍~130倍であり、より好ましくは、17倍~80倍であり、更に好ましくは、20倍~60倍である。同心円状の溝の溝ピッチは、1mm~5mmであるのが好ましく、1.5mm~4.5mmであるのがより好ましく、2.0mm~4.0mmであるのが更に好ましい。格子状の溝の溝ピッチは、70mm~130mmであるのが好ましく、80mm~120mmであるのがより好ましい。図3bに示される格子状の溝11が形成された研磨パッド13では、溝端部が研磨パッド13の周縁部で外部に開放しているために、排出されるスラリーが多くなり、研磨面にスラリーが供給されにくく、このため、研磨レートが低くなる。一方、図3aに示される多数の同心円状の溝10が形成された研磨パッド12では、各同心円状の溝10の末端が外部に開放しておらず、研磨面に潤沢にスラリーが供給される。しかし、スラリーの流れが遅いことから、スラリーによる冷却が期待できず、研磨面での温度上昇、特にウェハ中心部での温度上昇を解消することが出来ず、ウェハ中心部の研磨レートが高くなって、面内均一性が低下する。これに対して、図2に示される同心円状の溝10と格子状の溝11とが、溝ピッチに関して特定の関係を有するように組合された組合せ溝9を有する実施形態の研磨パッド2では、同心円状の溝10によってスラリーを保持して研磨レートを高く維持できる一方、格子状の溝11によってスラリーを適度に外部に排出してウェハ中心部における温度上昇を抑制して面内均一性を改善することができる。本発明では、上述のように、格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの14倍~130倍であるのが好ましい。格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの14倍を下回ると、同心円状の溝10の溝ピッチが広くなって、研磨後のウェハに同心円状の模様の転写が生じると共に、相対的に格子状の溝11によるスラリーの排出の寄与が大きくなって研磨レートが低下する。したがって、同心円状の模様の転写の影響を低減しつつ、研磨レートの低下を抑制するには、格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの14倍以上であるのが好ましく、研磨レートの低下を抑制して面内均一性を高めるためには、17倍以上であるのが好ましい。格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの前記130倍を上回ると、同心円状の溝10の溝ピッチが狭くなって、溝10の本数が増える結果、スラリーが多数の同心円状の溝10内に流れ込んで研磨レートが低下する。したがって、研磨レートの低下を抑制するには、格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの130倍以下であるのが好ましく、研磨レートの低下を抑制して面内均一性を高めるためには、80倍以下であるのが好ましい。更に、研磨レートを高めると共に、高い面内均一性を得るためには、格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの20倍~60倍であるのが好ましい。次に、同心円状の溝10と格子状の溝11とを組合せた組合せ溝9を有する実施形態の研磨パッド2と、図3aに示される同心円状の溝10のみの研磨パッド12と、図3bに示される格子状の溝11のみの研磨パッド13とをそれぞれ使用して200mmのWタングステンウェハの研磨試験を行って、単位時間あたりの研磨量である研磨レートRR:RemovalRateと、研磨されたウェハの面内非均一性NU:NonUniformityとを計測した。なお、面内非均一性は、ウェハの複数箇所、例えば、49箇所で研磨量を測定し、次式で算出した。NU=標準偏差/平均値×100研磨試験に使用した各研磨パッドは、直径22.5インチのニッタハース社製の発泡ポリウレタンパッドIC1000に、矩形断面の上記各溝9,10,11をそれぞれ形成したものである。また、同心円状の溝10の溝ピッチは、3.0mm、溝幅は0.25mm、溝深さは0.38mmとし、格子状の溝の溝ピッチは、100mm、溝幅は1.0mm、溝深さは0.8mmとした。研磨条件は、次の通りである。研磨条研磨装置荏原製作所製EPO222Dウェハ200mmWタングステンウェハスラリーキャボット社製SSW20002倍希釈プラテン/ヘッド回転速度100/103rpm研磨圧力35kPa裏面圧力BackSidePressure10kPa研磨時間60秒スラリー流量125ml/分上記研磨条件で研磨試験を行なって測定した研磨レートRRと面内非均一性NUの結果を、図4に示す。この図4に示されるように、同心円状の溝10のみの研磨パッド12同心円溝では、研磨レートは5316Å/minと高いものの、面内非均一性NUの値は、4.6と高く、面内均一性が悪い。また、格子状の溝11のみの研磨パッド13格子溝では、面内非均一性NUの値は、1.4と低く、面内均一性が良好であるが、研磨レートは、4381Å/minと低い。これに対して、同心円状の溝10と格子状との溝11とを、それらの溝ピッチが特定の関係、具体的には、格子状の溝11の溝ピッチが、同心円状の溝10の溝ピッチの33.3倍となるように組合せた組合せ溝9を有する実施例の研磨パッド2では、研磨レートは、5147Å/minであって、同心円状の溝10のみの研磨パッド12と同等の高い研磨レートを維持しつつ、面内非均一性NUの値は、同心円状の溝10のみの研磨パッド12の4.6に比べて、2.0と低く、面内均一性が改善されていることが分る。図5に、上記各研磨パッド2,12,13を用いて研磨されたウェハ面内での研磨レートのプロファイルを示す。横軸は、ウェハの中心0.0から半径方向±100への位置を示し、縦軸は、研磨レートを示している。この図5に示されるように、同心円状の溝10のみの研磨パッド12同心円溝を用いて研磨したウェハでは、その中央部と外周部との研磨レートの差が大きいのに対して、組合せ溝9を有する実施例の研磨パッド2を用いて研磨したウェハでは、その中央部と外周部との研磨レートの差は小さく、ウェハの面内均一性が改善されていることが分る。また、実施例の研磨パッド2は、格子状の溝11のみの研磨パッド13格子溝に比べて、研磨レートが高いことが分る。次に、同心円状の溝10と格子状の溝11とを組合せた組合せ溝9を有する研磨パッド2において、両溝10,11の溝ピッチの関係を異ならせた研磨パッドを複数のサンプルとし、各サンプルを用いて上記研磨条件で研磨をそれぞれ行ったときの研磨レートRRと面内非均一性NUとをそれぞれ測定した。各サンプルの前記両溝10,11の溝ピッチ、研磨レートRR、面内非均一性NU、溝ピッチの比率、および、同心円状の溝のウェハへの転写の有無を表1に示す。溝ピッチの比率とは、格子状の溝11の溝ピッチの同心円状の溝10の溝ピッチに対する比率を示し、格子状の溝11の溝ピッチが同心円状の溝10の溝ピッチの何倍であるか、すなわち、上述の特定の関係をしている。サンプル3~7では、研磨レートRRが5000Å/minを超える高い研磨レートを得ると共に、面内非均一性NUは、10未満という高い面内均一性を得ることができた。研磨レートRRが4664Å/minと比較的低いサンプル9では、同心円状の溝10の溝ピッチが広くなるために、研磨後のウェハに同心円状の模様の転写が認められた。この同心円状の模様の転写は、サンプル8でも認められたが、サンプル8は、研磨レートRRが5411Å/minと高かった。研磨レートRRが5000Å/minを超えると共に、面内非均一性NUは、10未満という高い面内均一性を得ることができるサンプル3~7は、いずれも上述の同心円状の溝10の溝ピッチが、1mm~5mmの範囲にあって、かつ、格子状の溝11の溝ピッチが、70mm~130mmの範囲にあり、したがって、格子状の溝11の溝ピッチは、同心円状の溝10の溝ピッチの14倍~130倍となっている。更に、これらサンプル3~7は、同心円状の溝10の溝ピッチが、好ましい範囲である1.5mm~4.5mmであって、かつ、格子状の溝11の溝ピッチが、好ましい範囲である80mm~120mmであり、したがって、格子状の溝11の溝ピッチは、同心円状の溝10の溝ピッチの17倍~80倍である。また、同心円状の溝10の溝ピッチが、より好ましい範囲である2.0mm~4.0mmであって、かつ、格子状の溝11の溝ピッチが、好ましい範囲である80mm~120mm、すなわち、格子状の溝11の溝ピッチが、同心円状の溝10の溝ピッチの20倍~60倍の範囲であるサンプル2は、研磨レートRRが5000Å/minを超えると共に、面内非均一性NUが、2.0と低く、高い面内均一性を示している。このように最適化した溝ピッチで同心円状の溝10と格子状の溝11とを組み合わせることによって、高研磨レートと高い面内均一性を両立させることができる。上述の実施形態では、単層構造の研磨パッドに適用して説明したけれども、クッション層等を有する積層構造の研磨パッドとしてもよい。"