"A下記一般式A1で表される基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、Bカチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、及び、D溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A1において、R3は酸素原子又は硫黄原子を表す。R4及びR6は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シアノ基又は-CO2R5で表される基を表す。R5は、ヘテロ原子を含んでもよい、1価の炭化水素基を表す。前記樹脂Aが、下記一般式I-aで表される酸分解性繰り返し単位を含有する請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式I-aにおいて、Xa1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。Xp1は、酸素原子又はメチレン基を表す。Rxp1は、アルキル基を表す。Rxp2~Rxp5は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Rxp2~Rxp5の2つ以上が互いに結合して環構造を形成しても良い。更に、Eフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。更に、C前記オニウム塩化合物Bとは異なる、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を含有する請求項1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記オニウム塩化合物Bがスルホニウム塩化合物である、請求項1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記オニウム塩化合物Bにおけるカチオン部が、窒素原子を含んだ塩基性部位を備えている、請求項1~5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記窒素原子を含んだ塩基性部位が、下記一般式N-Iで表される部分構造である、請求項6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、RA及びRBは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。Xは、単結合又は連結基を表す。RA、RB及びXの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。前記オニウム塩化合物Bが、下記一般式N-IIで表される化合物である、請求項1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、A1は、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、水素原子又は有機基を表し、R1が複数存在する場合、複数のR1は同じであっても異なっていても良い。Rは、有機基を表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。Xは、単結合又は連結基を表し、Xが複数存在する場合、複数のXは同じであっても異なっていても良い。ANは、窒素原子を含んだ塩基性部位を表し、ANが複数存在する場合、複数のANは同じであっても異なっていても良い。前記A1が硫黄原子である場合、pは、1~3の整数であり、mは、mp=3なる関係を満たす整数である。前記A1がヨウ素原子である場合、pは、1又は2の整数であり、mは、mp=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。R1、X、R、ANの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。前記化合物Cが下記一般式ZI-3又はZI-4で表される化合物である、請求項4~8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。Zc-は、非求核性アニオンを表す。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Zc-は、非求核性アニオンを表す。請求項1~9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。請求項10に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。前記露光が液浸露光である、請求項11に記載のパターン形成方法。本発明の目的は、ラインウィズスラフネスLWR性能、及び、コーナープロキシミティConerproximity性能に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供することにある。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。1A下記一般式A1で表される基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、Bカチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、及び、D溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A1において、R3は酸素原子又は硫黄原子を表す。R4及びR6は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シアノ基又は-CO2R5で表される基を表す。R5は、ヘテロ原子を含んでもよい、1価の炭化水素基を表す。2前記樹脂Aが、下記一般式I-aで表される酸分解性繰り返し単位を含有する上記1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式I-aにおいて、Xa1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。Xp1は、酸素原子又はメチレン基を表す。Rxp1は、アルキル基を表す。Rxp2~Rxp5は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Rxp2~Rxp5の2つ以上が互いに結合して環構造を形成しても良い。3更に、Eフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有する、上記1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。4更に、C前記オニウム塩化合物Bとは異なる、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物を含有する上記1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。5前記オニウム塩化合物Bがスルホニウム塩化合物である、上記1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。6前記オニウム塩化合物Bにおけるカチオン部が、窒素原子を含んだ塩基性部位を備えている、上記1~5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。7前記窒素原子を含んだ塩基性部位が、下記一般式N-Iで表される部分構造である、上記6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、RA及びRBは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。Xは、単結合又は連結基を表す。RA、RB及びXの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。8前記オニウム塩化合物Bが、下記一般式N-IIで表される化合物である、上記1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、A1は、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、水素原子又は有機基を表し、R1が複数存在する場合、複数のR1は同じであっても異なっていても良い。Rは、有機基を表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。Xは、単結合又は連結基を表し、Xが複数存在する場合、複数のXは同じであっても異なっていても良い。ANは、窒素原子を含んだ塩基性部位を表し、ANが複数存在する場合、複数のANは同じであっても異なっていても良い。前記A1が硫黄原子である場合、pは、1~3の整数であり、mは、mp=3なる関係を満たす整数である。前記A1がヨウ素原子である場合、pは、1又は2の整数であり、mは、mp=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。R1、X、R、ANの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。9前記化合物Cが下記一般式ZI-3又はZI-4で表される化合物である、上記4~8のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良い。Zc-は、非求核性アニオンを表す。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Zc-は、非求核性アニオンを表す。10上記1~9のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。11上記10に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。12前記露光が液浸露光である、上記11に記載のパターン形成方法。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。13上記一般式N-IIにおいて、少なくとも1つのRが芳香環基であり、前記芳香環基に結合する-X-ANで表される基の少なくとも1つにおいて、Xが、前記芳香環との結合部が炭素原子とされた連結基である、上記8に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。14更に、F前記オニウム塩化合物Bとは異なる、塩基性化合物を含有する上記1~9、13のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。15前記塩基性化合物Fが、エーテル結合及びエステル結合のいずれか少なくとも一方を有する含窒素塩基性化合物である、上記14に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。本発明によれば、ラインウィズスラフネスLWR性能、及び、コーナープロキシミティConerproximity性能に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、A下記一般式A1で表される基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、Bカチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、及び、D溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A1において、R3は酸素原子又は硫黄原子を表す。R4及びR6は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シアノ基又は-CO2R5で表される基を表す。R5は、ヘテロ原子を含んでもよい、1価の炭化水素基を表す。このような本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によれば、ラインウィズスラフネスLWR性能、及び、コーナープロキシミティConerproximity性能に優れたパターンを形成できる。一般に、樹脂に含まれるラクトン構造を有する基は、アルカリ現像液との接触によって、ラクトン環が開環してカルボキシル基を発生し、これにより、露光部におけるレジスト膜のアルカリ現像液に対する親和性を向上させるものである。しかしながら、アルカリ現像液によって露光部が確実に除去されないと、LWR性能の低下につながる。また、特に、パターンのコーナーにおいて所望の形状のパターンが得られない問題も発生しやすいいわゆるコーナープロキシミティの問題。しかしながら、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の樹脂Aが有する上記一般式A1で表される基は、R3は酸素原子又は硫黄原子であるため、例えばR3がアルキレン基である場合と比較して、一般式A1で表される基の極性は高く、アルカリ現像液を呼び込みやすい構造になっているものと考えられる。換言すれば、本発明における樹脂Aにおける一般式A1で表される基は、レジスト膜のアルカリ現像液に対する親和性をより向上させる作用を有しているものと推察される。更に、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、Bカチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物を含有している。この化合物Bは、窒素原子を含んでいるため、酸を捕捉する機能を有している。よって、未露光部において、化合物Bは、露光部から進入し得る酸を捕捉することができるため、酸の作用によって樹脂のアルカリ現像液に対する溶解度を増大させる反応が未露光部についても起こってしまう問題を抑制できる。一方、露光部においては、酸による樹脂の上記反応を確実に実施できることが好ましい。ここで、化合物Bは、上記したように、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物である。よって、露光部において、化合物Bは酸を発生し、その酸が化合物Bにおける窒素原子と相互作用をすることにより、前記窒素原子の酸捕捉機能を失活又は低減させることができる。これにより、露光部において必要とされる、酸による樹脂の上記反応が、化合物Bによって阻害されにくくなる。以上により、化合物Bは、露光部及び未露光部のアルカリ現像液に対する溶解コントラストを向上させる作用を有しているものと推察される。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって、ラインウィズスラフネスLWR性能、及び、コーナープロキシミティConerproximity性能に優れたパターンを形成できる理由は完全には明らかではないが、一般式A1で表される基からもたらされる、レジスト膜のアルカリ現像液に対する親和性の向上と化合物Bからもたらされる、露光部及び未露光部のアルカリ現像液に対する溶解コントラストの向上とが共に為されることによって、上述の効果が得られるものと推察される。本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。以下、この組成物の構成を説明する。[1]A一般式A1で表される基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、一般式A1で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂Aを含有する。酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖かつ/又は側鎖に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する。樹脂Aは、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~70モルが好ましく、より好ましくは25~65モルである。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式II-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。式I及びII中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。また、樹脂Aは、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式I-aで表される酸分解性繰り返し単位を含有することが好ましい。一般式I-aにおいて、Xa1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。Xp1は、酸素原子又はメチレン基を表す。Rxp1は、アルキル基を表す。Rxp2~Rxp5は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Rxp2~Rxp5の2つ以上が互いに結合して環構造を形成しても良い。前記一般式I-aに於ける、Xa1は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を表す。Xa1が表すアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。該アルキル基は置換されていてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子を挙げることができる。Xa1は、好ましくは、水素原子又はメチル基である。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。好ましい2価の連結基は、-COO-とアルキレン基とが連結した-COO-アルキレン基-である。-COO-アルキレン基-に於けるアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基などのアルキレン基、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタンなどの脂環炭化水素基から水素原子が2つ取れて2価の連結基となったものなど、が挙げられ、直鎖、分岐のアルキレン基であることが好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基など、炭素数3以下のアルキレンで基あることが好ましい。Xp1は、酸素原子又はメチレン基を表す。メチレン基は置換基を有してよい。Xp1として好ましくは、メチレン基が挙げられる。Rxp1は、アルキル基を表す。Rxp1として好ましくは、炭素数1~8のアルキル基が挙げられ、これらの中でも炭素数3以下のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基が更に好ましい。Rxp2~Rxp5は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、好ましくは水素原子あるいは炭素数1~15のアルキル基であり、Rxp2~Rxp5が互いに結合して環構造を形成しても良い。Rxp2~Rxp5のアルキル基は置換基を有していてもよく、また水素原子がハロゲン原子好ましくはフッ素原子で置換されていていてもよい。Rxp2~Rxp5のアルキル基としては、炭素数1~15の直鎖若しくは分岐状アルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、n-オクチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、等が挙げられる。好ましくは炭素数1~6の無置換のアルキル基である。Rxp2~Rxp5が互いに結合して環を形成する場合、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、テトラシクロドデカン環を形成することができ、好ましくは、シクロヘキサン環、ノルボルナン環である。以下、一般式I-aで示される繰り返し単位の好ましい具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。以下の具体例において、Xa1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表す。一般式IIで表される繰り返し単位は、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、それぞれ、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又は、これらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。樹脂Aは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Aの酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。また、樹脂Aは、上記したように、一般式A1で表される基を有する。一般式A1において、R3は酸素原子又は硫黄原子を表す。R4及びR6は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シアノ基又は-CO2R5で表される基を表す。R5は、ヘテロ原子を含んでもよい、1価の炭化水素基を表す。R4及びR6としてのアルキル基は、炭素数1~5であることが好ましく、炭素数1~3であることがより好ましい。R4及びR6としてのアルキル基は、置換基を有しても良く、そのような置換基としては、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R4及びR6により表されるCO2R5としてのR5は、各々独立して、ヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を表し、その炭素数は、1~20であることが好ましい。ヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっても良く、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、nブチル基、secブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基、及びこれらの基の任意の炭素炭素結合間に-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-C=O-、-C=OO-、-C=ONH-等のヘテロ原子団が挿入された基や、任意の水素原子が-OH、-NH2、-CHO、-CO2H等の官能基に置換された基を例示することができる。R4は、水素原子、又は-CO2R5で表される基であることが好ましい。R6は、水素原子、アルキル基、又は-CO2R5で表される基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。一般式A1で表される基におけるノルボルナンラクトン環構造は、更に、アルキル基好ましくは炭素数1~3等の置換基を更に有していても良い。樹脂Aは、下記一般式A1で表されるラクトン構造を含む基を有する、下記一般式A2で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。一般式A2において、R2は複数個ある場合にはそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい鎖状又は環状アルキレン基を表す。R3、R4及びR6は、一般式A1におけるR3、R4及びR6と同義である。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。nは、繰り返し数を表し、0~5の整数を表し、好ましい一実施形態において、nは、1~3の整数を表す。R2により表される鎖状アルキレン基としては、炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましい環状アルキレンとしては、炭素数3~20の環状アルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましい。樹脂Aは、上記一般式A2で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含む、下記一般式A3で表される繰り返し単位を含有し得る。一般式A3において、R1は、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を示す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していても良く、このような置換基としては、フッ素原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基等が挙げられる。R2、R3、R4、R6、Z及びnは、前述の一般式A2における各々と同義である。樹脂Aは、一般式A1で表される基を有する繰り返し単位を2種以上で有していてもよい。一般式A1で表される基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、20モル~70モルであることが好ましく、25モル~60モルであることがより好ましく、30モル~55モルであることが更に好ましい。一般式A1で表される基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、一般式A1で表される基とは異なる、ラクトン構造を有する基以下、その他のラクトン構造を有する基とも言うを備えた繰り返し単位を含有していても良い。このようなその他のラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していれば、一般式A1で表される基に相当しない限り、いずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。樹脂Aが、その他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位を含有する場合、下記一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することが好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。この形態における、その他のラクトン構造の好ましい例としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-16であり、より好ましくはLC1-4又はLC1-5である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。その他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。好ましくは、単結合、又は、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、一般式A1で表される基とは異なる、ラクトン構造を有する基を表す。具体的には、例えば上記一般式LC1-1~LC1-16の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。その他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。樹脂Aは、2種以上のその他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位を有していても良い。樹脂Aは、その他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、その含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは3~30モル、更に好ましくは5~15モルである。なお、ラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位一般式A1で表される基を有する繰り返し単位、及び、その他のラクトン構造を有する基を備えた繰り返し単位は、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Aは、一般式AI及びIII以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~40モルが好ましく、より好ましくは5~30モル、更に好ましくは8~25モルである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有してもしなくてもよく、含有する場合、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~20モルが好ましく、より好ましくは3~15モル、更に好ましくは5~10モルである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは5~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的には芳香環を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。また、本発明の組成物が、後述する疎水性樹脂Eを含んでいる場合、樹脂Aは、樹脂Eとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50モル以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーも好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Aは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~12,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明において樹脂Aの組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。[2]Bカチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物本発明に係る組成物は、カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物以下、化合物Bとも言うを含有している。オニウム塩化合物として、例えば、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物が挙げられる。これらのうち、スルホニウム塩又はヨードニウム塩が好ましく、スルホニウム塩がより好ましい。このオニウム塩化合物は、典型的には、カチオン部に、窒素原子を含んだ塩基性部位を備えている。ここで塩基性部位とは、化合物Bのカチオン部位の共役酸のpKaが-3以上となるような部位を意味している。このpKaは、-3~15の範囲内にあることが好ましく、0~15の範囲内にあることがより好ましい。なお、このpKaは、ACD/ChemSketchACD/Labs8.00ReleaseProductVersion:8.08により求めた計算値を意味している。上記塩基性部位は、例えば、アミノ基アンモニア、アミン類1級アミン、2級アミンなどから水素原子を1つ除いた基;以下同様又は含窒素複素環基を含んでいる。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子吸引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。なお、上記塩基性部位は、アミノ基及び含窒素複素環基などの塩基性基を2つ以上備えていてもよい。化合物Bのカチオン部がアミノ基を含んでいる場合、このカチオン部は、下記一般式N-Iにより表される部分構造を備えていることが好ましい。式中、RA及びRBは、各々独立に、水素原子又は有機基を表す。Xは、単結合又は連結基を表す。RA、RB及びXの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。RA又はRBにより表される有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びラクトン構造を備えた基が挙げられる。RA又はRBにより表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、1~50であることが好ましく、1~30であることがより好ましく、1~20であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1-エチルペンチル基、及び、2-エチルヘキシル基が挙げられる。RA又はRBにより表されるシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数3~8の単環のシクロアルキル基が挙げられる。RA又はRBにより表されるアリール基としては、炭素数6~14のものが好ましい。このような基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。RA又はRBにより表されるラクトン構造を備えた基としては、例えば、先に樹脂Aにおいて例示したラクトン構造を備えた基が挙げられる。Xにより表される連結基としては、例えば、アルキレン基直鎖状であっても、分岐鎖状であっても良い、シクロアルキレン基、アリーレン基、-COO-、-CO-、及び、これらの2種以上の組み合わせが挙げられる。この連結基は、これら各基と、-O-、-S-、-OCO-、-S-、-S=O2-、-OS=O2-、及び-NR’-からなる群より選択される少なくとも1つとの組み合わせを含んでいてもよい。ここで、R’は、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Xは、より好ましくは、アルキレン基と、エーテル結合-O-又はエステル結合-COO-とが組み合わされてなる基を表す。Xにより表される連結基の原子数は20以下が好ましく、15以下がより好ましい。このXにより表される連結基が含み得るアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基の炭素数は、1~20であることが好ましく、1~10であることがより好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、及びブチレン基が挙げられる。Xにより表される連結基が含み得るシクロアルキレン基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキレン基の炭素数は、3~20であることが好ましく、3~10であることがより好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、1,4-シクロヘキシレン基が挙げられる。Xにより表される連結基が含み得るアリーレン基の炭素数は、6~20であることが好ましく、6~10であることがより好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基及びナフチレン基が挙げられる。連結基としてのXは、更に、置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数8以下のものが好ましく、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられる。RA、RB及びXの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。化合物Bのカチオン部が含窒素複素環基を含んでいる場合、この含窒素複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、この含窒素複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。含窒素複素環基としては、好ましくは、ピペリジン環、モルホリン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラジン環、ピロール環、又はピリミジン環を含んだ基が挙げられる。化合物Bのアニオン部の構成には、特に制限はない。化合物Bが含んでいるアニオンは、非求核性アニオンであることが好ましい。ここで、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより、本発明に係る組成物の経時安定性が向上する。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。また、ビスアルキルスルホニルイミドアニオンにおける2つのアルキル基が、互いに結合して環状構造を形成している態様も好ましい。この場合、形成される環状構造は5~7員環であることが好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐例えば、PF6-、弗素化硼素例えば、BF4-、弗素化アンチモン等例えば、SbF6-を挙げることができる。非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。また、非求核性アニオンは、例えば、下記一般式LD1により表されることが好ましい。式中、Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基からなる群より選択される基を表す。Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。Cyは、環状の有機基を表す。xは、1~20の整数を表す。yは、0~10の整数を表す。zは、0~10の整数を表す。Xfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Xfは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、又はCH2CH2C4F9であることが好ましく、フッ素原子又はCF3であることがより好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基である。このアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1及びR2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、例えば、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。Lは、2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CONH-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、及びアルケニレン基が挙げられる。これらの中でも、-CONH-、-CO-、又は-SO2-が好ましく、-CONH-又は-SO2-がより好ましい。Cyは、環状の有機基を表す。環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性の抑制及びMEEFMaskErrorEnhancementFactorの向上の観点から好ましい。アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。中でも、193nmにおける光吸光度が比較的低いナフチル基が好ましい。複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環構造を有する基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。また、ラクトン環の例としては、上述した樹脂Aにおいて例示したラクトン構造が挙げられる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。また、非求核性アニオンは、例えば、下記一般式LD2により表されることも好ましい。一般式LD2中、Xf、R1、R2、L、Cy、x、y及びzは、一般式LD1における各々と同義である。Rfは、フッ素原子を含んだ基である。Rfによる表されるフッ素原子を含んだ基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、及び少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基が挙げられる。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子により置換されていてもよく、フッ素原子を含んだ他の置換基により置換されていてもよい。Rfが少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基である場合、フッ素原子を含んだ他の置換基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基が挙げられる。また、これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子を含んでいない置換基によって更に置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、先にCyについて説明したもののうち、フッ素原子を含んでいないものを挙げることができる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、Xfにより表される少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、例えば、パーフルオロフェニル基が挙げられる。化合物Bは、下記一般式N-IIにより表されることが好ましい。式中、A1は、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、水素原子又は有機基を表し、R1が複数存在する場合、複数のR1は同じであっても異なっていても良い。Rは、有機基を表し、Rが複数存在する場合、複数のRは同じであっても異なっていても良い。Xは、単結合又は連結基を表し、Xが複数存在する場合、複数のXは同じであっても異なっていても良い。ANは、窒素原子を含んだ塩基性部位を表し、ANが複数存在する場合、複数のANは同じであっても異なっていても良い。前記A1が硫黄原子である場合、pは、1~3の整数であり、mは、mp=3なる関係を満たす整数である。前記A1がヨウ素原子である場合、pは、1又は2の整数であり、mは、mp=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。R1、X、R、ANの少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rにより表される有機基としては、例えば、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭化水素基、及び、芳香環基などが挙げられるが、好ましくは芳香環基である。Rが芳香環基である場合、-X-ANで表される基は、RのLに対する結合位置に対してp-位1,4-位で結合しているものが好ましい。Rにより表される芳香環基は、芳香環として、複素環を含んでいてもよい。また、この芳香環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この芳香環基は、炭素数が6~14であることが好ましい。このような基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等のアリール基が挙げられる。芳香環基が複素環を含んでいる場合、この複素環としては、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、及びチアゾール環が挙げられる。Rにより表される芳香環基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。Rにより表される芳香環基は、-X-ANにより表される基以外に、置換基を更に備えていてもよい。この置換基としては、例えば、先にR1における置換基として列挙したものを用いることができる。Xにより表される連結基は、上述した一般式N-I中のXにより表される連結基と同義であり、同様の具体例が挙げられる。ANにより表される塩基性部位は、上述した化合物Bのカチオン部に含まれる塩基性部位と同義であり、例えば、アミノ基又は含窒素複素環基を含み得る。塩基性部位がアミノ基を含む場合、アミノ基としては、例えば、上掲の一般式N-I中の-NRARB基が挙げられる。R1により表される有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。R1が複数存在する場合m=2の場合、2つのR1が互いに結合して、環を形成していてもよい。これら基又は環は、置換基を更に備えていてもよい。R1により表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、1~50であることが好ましく、1~30であることがより好ましく、1~20であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1-エチルペンチル基、及び、2-エチルヘキシル基が挙げられる。R1により表されるアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2~50であることが好ましく、2~30であることがより好ましく、3~20であることが更に好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、及びスチリル基が挙げられる。R1により表される脂肪族環式基は、例えば、シクロアルキル基である。シクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂肪族環式基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数3~8の単環のシクロアルキル基が挙げられる。R1により表される芳香族炭化水素基としては、炭素数6~14のものが好ましい。このような基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基などのアリール基が挙げられる。R1により表される芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニル基である。R1により表される複素環式炭化水素基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この複素環式炭化水素基は、芳香族性を有していることが好ましい。上記の基に含まれる複素環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このような複素環としては、例えば、イミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、2H-ピロール環、3H-インドール環、1H-インダゾール、プリン環、イソキノリン環、4H-キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、ペリミジン環、トリアジン環、ベンズイソキノリン環、チアゾール環、チアジアジン環、アゼピン環、アゾシン環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、及びベンゾチアゾール環が挙げられる。複数のR1により形成される環は、4~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、5員環であることが特に好ましい。R1は、芳香族炭化水素基であるか、又は、2つのR1が結合して環を形成していることが好ましい。R1により表される基又は2つのR1が互いに結合して形成される環が置換基を更に備えている場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子-F、-Br、-Cl、又は-I、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基-SO3H及びその共役塩基基スルホナト基と称する、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、ホスホノ基-PO3H2及びその共役塩基基ホスホナト基と称する、ホスホノオキシ基-OPO3H2及びその共役塩基基ホスホナトオキシ基と称する、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基、並びに、アルキル基が挙げられる。これら置換基のうち、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シアノ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキル基等が好ましい。一般式N-IIにおいて、oは、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましく、1であることが更に好ましい。pは1であることが好ましい。Y-により表されるアニオンは、上述した化合物Bに含まれるアニオンと同義である。一般式N-IIにより表される化合物Bは、一態様において、式中の少なくとも1つのRが芳香環基であり、この芳香環に置換する少なくとも1つの-X-AN基におけるXは、該芳香環との結合部が炭素原子である連結基である化合物である。即ち、化合物Bの上記一態様では、ANにより表される塩基性部位が、Rにより表される芳香環基に直結した炭素原子を介して、上記芳香環基に結合している。また、化合物Bの上記一態様において、上記の芳香環Rに置換する少なくとも1つの-X-AN基におけるXとしての連結基は、Rにより表される芳香環基との結合部が炭素原子であれば、特に限定されず、上述した一般式N-I中のXにより表される連結基で説明したものと同様の例を挙げることができる。化合物Bの上記一態様において、芳香環に置換する少なくとも1つの-X-AN基におけるXは、下記一般式N-III又はN-IVにより表されることが好ましい。式中、R2及びR3は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。R2とR3とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2及びR3の少なくとも一方は、Eと互いに結合して、環を形成していてもよい。Eは、単結合、又は、連結基を表す。式中、Jは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。Eは、単結合、又は、連結基を表す。R2及びR3は、それぞれ、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、例えば、先にR1について説明した基と同様のものが挙げられる。R2とR3とが結合して形成し得る環、及び、R2及びR3の少なくとも一方がEと結合して形成し得る環は、4~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R2及びR3は、各々独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。Eにより表される連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、-COO-、-CO-、-O-、-S-、-OCO-、-S-、-S=O2-、-OS=O2-、-NR-、及び、これらの2種以上の組み合わせなどを挙げることができる。ここで、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Eにより表される連結基は、アルキレン結合、エステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合、アミド結合、及びスルホンアミド結合からなる群より選択される少なくとも1つであることが好ましい。Eにより表される連結基は、より好ましくは、アルキレン結合、エステル結合、又はエーテル結合である。なお、化合物Bは、窒素原子を含んだ部位を複数有する化合物であってもよい。例えば、化合物Bは、一般式N-IIにおけるR1の少なくとも一つが、一般式N-Iで表される構造を有する化合物であってもよい。一般式N-IIにより表される化合物Bは、一態様において、下記一般式N-Vにより表される。式中、R1、X、AN及びY-は、一般式N-IIにおける各基と同義である。R14、r及びlは、後述する酸発生剤Cの一態様を表す一般式ZI-4中の各基及び指数と同義である。以下に、化合物Bの具体例を挙げる。化合物Bは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい化合物Bの含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~10質量が好ましく、より好ましくは0.5~8質量、更に好ましくは1~6質量、特に好ましくは1.5~5.5質量である。化合物Bは、特開2007―230913号公報、及び、特開2009―122623号公報などに記載の方法に準じて、合成することができる。[3]C活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、化合物C又は酸発生剤Cともいうを含有することが好ましい。ここで、化合物Cは、上記オニウム塩化合物Bとは異なる。酸発生剤Cとしては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤Cとしては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。更に米国特許第3779778号明細書、欧州特許第126712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。酸発生剤Cの内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、化合物Bのアニオン部としての非求核性アニオンにおいて説明したものと同様のものを挙げることができる。一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1~ZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1~ZI-4を挙げることができ、よりLWR性能を優れたものにできる観点から、化合物ZI-3又はZI-4であることが好ましい。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基によって更に置換されていてもよい。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおける各基と同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式ZI-3中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~12個の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を挙げることができる。前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3~10個のシクロアルキル基を挙げることができる。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素数6~15のアリール基を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、n-ブタノイル基、i-ブタノイル基、n-ヘプタノイル基、2-メチルブタノイル基、1-メチルブタノイル基、t-ヘプタノイル基等の炭素原子数2~12の直鎖状若しくは分岐状のアシル基等を挙げることができる。前記アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基等の炭素数7~12個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、フェニルオキシカルボニルオキシ基、ナフチルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。一般式ZI-2又はZI-3で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。化合物ZI-4とは、以下の一般式ZI-4で表される化合物である。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基を有する基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基等が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ基、アミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記一般式N-IIにより表されるとともに、上記一般式N-IIにおいて、A1が硫黄原子、Rが芳香環基、R1が芳香族炭化水素基である化合物Bと、上記一般式ZI-3又はZI-4で表される化合物とを含有する形態が好ましく、これにより、LWR性能をより優れたものにできる。次に、上記一般式ZII及びZIIIについて説明する。一般式ZII及びZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基としては、例えば、ピロール残基ピロールから水素原子が1個失われることによって形成される基、フラン残基フランから水素原子が1個失われることによって形成される基、チオフェン残基チオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基、インドール残基インドールから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾフラン残基ベンゾフランから水素原子が1個失われることによって形成される基、ベンゾチオフェン残基ベンゾチオフェンから水素原子が1個失われることによって形成される基等を挙げることができる。ただし、R204及びR205としてのアリール基は、窒素原子を有さない。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤Cとして、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤Cの内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤Cとして、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤Cは、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤Cの中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤Cは、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤Cの含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは0.5~25質量、更に好ましくは3~20質量、特に好ましくは3~15質量である。また、酸発生剤Cが上記一般式ZI-3又はZI-4により表される場合には、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、5~20質量が好ましく、8~20質量がより好ましく、10~20質量が更に好ましく、10~15質量が特に好ましい。化合物Bと酸発生剤Cのモル比化合物B/酸発生剤Cは、通常99/1~20/80、好ましくは99/1~40/60、更に好ましくは99/1~50/50である。[4]D溶剤本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、溶剤を含有する。前記各成分を溶解させて感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[5]E疎水性樹脂本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂E又は単に樹脂Eともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に樹脂Eが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。樹脂Eは、界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。樹脂Eは、典型的には、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有している。樹脂Eに於けるフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかは、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。樹脂Eがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ及びR65~R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、樹脂Eは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。樹脂Eは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位はメタアクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。樹脂Eは、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bを有することが好ましい。xアルカリ可溶基yアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基以下、極性変換基ともいうz酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基繰り返し単位bとしては、以下の類型が挙げられる。1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位b’上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位b1つの側鎖上に上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位b樹脂Eは、繰り返し単位bとして繰り返し単位b’を有することがより好ましい。すなわち、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。なお、樹脂Eが、繰り返し単位bを有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位前記繰り返し単位b’、bとは異なる繰り返し単位とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位bにおける、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式K1のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。上記x~zからなる群から選ばれる基は、好ましくは、xアルカリ可溶基又はy極性変換基であり、y極性変換基であることがより好ましい。アルカリ可溶性基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。繰り返し単位bxが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bxにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bxにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの含有量は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。極性変換基yとしては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基-COO-、酸無水物基-COOCO-、酸イミド基-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基-COS-、炭酸エステル基-OCOO-、硫酸エステル基-OSO2O-、スルホン酸エステル基-SO2O-などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。極性変換基yは、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。極性変換基yを有する繰り返し単位byの具体例としては、後述の式KA-1-1~KA-1-17で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。更に、極性変換基yを有する繰り返し単位byは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位であるすなわち、前記繰り返し単位b’、bに相当することが好ましい。該繰り返し単位byを有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。繰り返し単位byとして、例えば、式K0で示される繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。一般式KA-1又はKB-1におけるXは、カルボン酸エステル基:-COO-、酸無水物基:-COOCO-、酸イミド基:-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基:-COS-、炭酸エステル基:-OCOO-、硫酸エステル基:-OSO2O-、スルホン酸エステル基:-SO2O-を表す。Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。なお、繰り返し単位byは、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式KA-1で表される部分構造、Y1及びY2が1価である場合のKB-1で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して樹脂Eの主鎖に連結している。一般式KA-1で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。一般式KA-1におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基即ち、KA-1としてラクトン環構造を形成する場合、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。一般式KA-1で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環環状エーテル環、ラクトン環などが挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。好ましくは0~8の整数、より好ましくは0~5の整数、更に好ましくは1~4の整数、最も好ましくは1~3の整数である。Zka1としての電子求引性基は、後述のY1及びY2としての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。Zka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。Zka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。Zka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1~30、更に好ましくは1~20であり、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~30、更に好ましくは3~20であり、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基、t-デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Zka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4等を挙げることができる。また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フエネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。一般式KA-1におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式KA-1が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5~7員環ラクトン環であることが好ましい。なお、下記KA-1-1~KA-1-17におけるように、一般式KA-1で表される部分構造としての5~7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。一般式KA-1で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記KA-1-1~KA-1-17におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。一般式KA-1が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記KA-1-1~KA-1-17のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、KA-1-1、KA-1-4、KA-1-5、KA-1-6、KA-1-13、KA-1-14、KA-1-17である。上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式KA-1が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。一般式KB-1のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基-COO-を挙げることができる。一般式KB-1におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。電子求引性基は、下記式EWで示す部分構造である。式EWにおけるはKA-1に直結している結合手、又はKB-1中のXに直結している結合手を表す。式EW中、newは-CRew1Rew2-で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、ハロアリール基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式EWで表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。Yew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して樹脂Eの主鎖に連結していてもよい。Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。Rf1~Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ハロシクロアルキル環、ハロアリール環等が挙げられる。Rf1~Rf3におけるハロアルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。Rf1~Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環におけるパーハロシクロアルキル基及びパーハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは-CnF2n-2Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、-CnFn-1で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5~13のものが好ましく、6がより好ましい。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式KA-1-1~KA-1-17で表される構造が挙げられる。なお、繰り返し単位by中に、一般式KA-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KB-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KA-1で表される部分構造と一般式KB-1で表される部分構造の両方を有していてもよい。なお、一般式KA-1の部分構造の一部又は全部が、一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式KA-1のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基として機能することもあり得る。また、繰り返し単位byが、上記繰り返し単位b又は繰り返し単位bに該当し、かつ、一般式KA-1で表される部分構造を有する場合、一般式KA-1で表される部分構造は、極性変換基が、一般式KA-1で示す構造における-COO-で表される部分構造であることがより好ましい。繰り返し単位byは、一般式KY-0で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。一般式KY-0に於いて、R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。R4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、置換基数であって、1~7の整数を表す。mは、置換基数であって、0~7の整数を表す。nは、繰り返し数を表し、0~5の整数を表す。-R2-Z-の構造として好ましくは、-CH2l-COO-で表される構造が好ましいlは1~5の整数を表す。R2としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式bbのZ2における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。R3としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐状の場合、好ましくは3~30、更に好ましくは3~20であり、環状の場合、6~20である。R3の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。R4及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。R4としてのアシル基としては、炭素数1~6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。R4としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、R2としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。また、繰り返し単位byの具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。一般式rf-1及びrf-2中、X ́は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。Aは、単結合又は-CRxRy-で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6で、フッ素原子等で置換されていてもよい、又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~12で、フッ素原子等で置換されていてもよいを表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY1及びY2としての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。なお、X ́がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。アルカリ現像後の樹脂組成物膜の水との後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。アルカリ現像後における膜の上記後退接触角は、以下に示す膜について、拡張収縮法により測定した場合の接触角である。すなわち、シリコンウエハ8インチ口径上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い形成された膜厚86nmの反射防止膜上に、本発明の組成物を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmの膜を形成する。この膜をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して得られる膜についての、拡張収縮法による接触角である。樹脂Eのアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。ここで樹脂Eのアルカリ現像液に対する加水分解速度は23°CのTMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量に対して、樹脂Eのみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。また、繰り返し単位byは、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。繰り返し単位byが少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式KY-1で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式KY-1で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KY-1において、Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部=Oを形成してもよい。Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky1、Rky4は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。一般式KY-1で表される構造としては、下記一般式KY-2で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式KY-2で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。式KY-2中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rky5~Rky10は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。式KY-2で表される構造は、下記一般式KY-3で示す部分構造であることがより好ましい。式KY-3中、Zka1、nkaは各々前記一般式KA-1と同義である。Rky5は前記式KY-2と同義である。Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。式KY-2、KY-3で表される部分構造を有する繰り返し単位に対応する化合物は、US2010/0152400に記載の方法に準じて合成できる。繰り返し単位bは、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素-炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、スチレン系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。繰り返し単位byが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位byにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。樹脂Eに於ける、繰り返し単位byの含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~99mol、更に好ましくは30~97mol、最も好ましくは40~95molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂Aの繰り返し単位a3の具体例として挙げたものも、繰り返し単位byの具体例として挙げることができる。Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzは、樹脂Aで挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。繰り返し単位bzが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bzにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzの含有量は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。以上、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bについて説明したが、樹脂Eに於ける、繰り返し単位bの含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~98molが好ましく、より好ましくは3~98mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位b’の含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位bの含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~90molが好ましく、より好ましくは3~80mol、更に好ましくは5~70mol、最も好ましくは10~60molである。繰り返し単位bと共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~97mol、更に好ましくは30~95mol、最も好ましくは40~90molである。繰り返し単位bの含有率は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。樹脂Eは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基、又はフッ素で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。樹脂Eは、更に、下記一般式BII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式BII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。以下に一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。なお、RaがCF3である場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。樹脂Eは、樹脂Aと同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、更に好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。樹脂Eは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂Aで説明した内容と同様である。以下に樹脂Eの具体例を示す。また、後掲の表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の樹脂Eを含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に樹脂Eが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対する該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後でかつ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。樹脂Eは、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣スカム、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣スカム、BLO欠陥性能が改善される。樹脂Eがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、樹脂Eの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。樹脂Eが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂Eの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂Eの全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。樹脂Eの重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~50,000、更に好ましくは3,000~30,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:テトラヒドロフランTHFによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の樹脂Eの含有率は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01~20質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~15質量、更に好ましくは0.1~10質量であり、特に好ましくは0.5~8質量である。樹脂Eは1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。[6]F塩基性化合物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。ここで、塩基性化合物は、上記化合物Bとは異なる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式A及びE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。塩基性化合物としては、エーテル結合及びエステル結合のいずれか少なくとも一方を有する含窒素塩基性化合物が好ましく、オキシアルキレン基を有する含窒素塩基性化合物がより好ましい。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。また、別の好ましい塩基性化合物として、更に、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の好ましい具体例は、上記のエーテル結合及びエステル結合のいずれか少なくとも一方を有する含窒素塩基性化合物において説明したものと同様である。前記スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開第2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は塩基性化合物を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、塩基性化合物の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。これらの塩基性化合物は、下記G酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物に対し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物/塩基性化合物=100/0~10/90モル比で用いることが好ましく、100/0~30/70で用いることがより好ましく、100/0~50/50で用いることが特に好ましい。なお、ここでの塩基性化合物は、塩基性化合物でもある場合のF酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含まない。[7]G窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物以下において、低分子化合物G又は化合物Gともいうを含有することができる。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物Gの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Gとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Gは、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良く、下記一般式Aで表される化合物であることが好ましい。なお、化合物Gは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に結合して環を形成していても良い。Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。Rbとして好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。2つのRbが相互に結合して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Aにおいて、Raが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。前記Raのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいの具体例としては、Rbについて前記したものと同様の基が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい化合物Gを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Gで表される化合物は、特開2007-298569号公報、特開2009-199021号公報などに基づき合成することができる。本発明において、G窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、G窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物Gの含有量は、下記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~20質量、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5質量である。化合物B、酸発生剤C、化合物G及び塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤C/[化合物B化合物G塩基性化合物]モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤C/[化合物B化合物G塩基性化合物]モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[8]界面活性剤感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。更に、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量溶剤を除く全量に対して、好ましくは0.0001~2質量、更に好ましくは0.0003~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[9]カルボン酸オニウム塩本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有しても良い。カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。アニオン部としては、炭素数1~30の直鎖、分岐、単環又は多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。更に好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。カルボン酸オニウム塩の組成物中の含量は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。[10]酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物以下、溶解阻止化合物ともいうとしては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE,2724,3551996に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、樹脂Aについて前述したものと同様のものが挙げられる。なお、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としてはフェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、更に好ましくは2~6個含有するものである。溶解阻止化合物の添加量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分に対し、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。[11]その他の添加剤本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基やα位が電子求引性基で置換されたアルコール性水酸基等の酸基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号公報、特開平2-28531号公報、米国特許第4,916,210号明細書、欧州特許第219294号公報等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。[12]パターン形成方法本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8.0質量、更に好ましくは1.0~6.0質量である。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002-62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、異種のフィルターを直列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、フィルター濾過に加え、脱気工程などを加えてもよい。例えば、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、レジスト膜を形成することができる。当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、EUV13nm、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV13nm、電子ビームが好ましい。レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。リンス工程においては、現像を行ったウェハをリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。また、現像工程又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体として好ましくは水である。水は屈折率の温度係数の小ささ、入手の容易さや取り扱いのしやすさの点でも好適である。また、屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、屈折率の向上等を目的とする添加剤を僅かな割合で添加しても良い。添加剤の例としてはシーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第12章に詳しい。一方、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物の存在は、膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等で精製した純水を用いてもよい。純水の電気抵抗は18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理されていることが望ましい。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。合成例1樹脂Aの合成樹脂A-1の合成窒素気流下、シクロヘキサノン40gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。下記繰り返し単位に対応するモノマーをそれぞれモル比50/10/40の割合でシクロヘキサノンに溶解し、22質量のモノマー溶液400gを調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し7.2molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン3600ml/酢酸エチル400mlに注ぎ、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂A-1が74g得られた。得られた樹脂A-1の重量平均分子量は、7500、分散度Mw/Mnは、1.55であった。合成例2疎水性樹脂1の合成US2010/0152400の実施例1に準じて合成した下記に示す樹脂1が有する繰り返し単位に対応するモノマーをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAに溶解し、固形分濃度15質量の溶液450gを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤V-60を1mol加え、これを窒素雰囲気下、6時間かけて、100°Cに加熱したPGMEA50gに滴下した。滴下終了後、反応液を2時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール5Lに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である疎水性樹脂1を回収した。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は9900、分散度1.51であった。各繰り返し単位に対応するモノマーを、所望の組成比モル比となるように使用した以外は、上記合成例1及び2と同様にして、樹脂A-2~A-9、疎水性樹脂2~6を合成した。以下、上記した樹脂A-1~A-9、疎水性樹脂1~6の構造を示す。また、樹脂A-1~A-9、疎水性樹脂1~6の組成比モル比、重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mnを、表2に示す。<レジスト組成物の調製>下記表3及び表4に示す成分を表3及び表4に示す溶剤に溶解させ、全固形分濃度4.0質量とし、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、実施例1~26、比較例1~8のレジスト組成物を調製した。表3及び表4における略号は、次の通りである。B-1~B-11:各々下記化合物を示す。N-1~N-5:各々下記化合物を示す。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEASL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMESL-3:シクロヘキサノンSL-4:γ-ブチロラクトンSL-5:プロピレンカーボネート調製したレジスト組成物を用い、下記2種類の露光の方法でレジストパターンを形成した。ドライ露光シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に、調製した実施例1~26及び比較例1~8の各レジスト組成物を塗布し、100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75、Dipole、アウターシグマ0.89、インナーシグマ0.65を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後105°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。液浸露光シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した実施例1~13及び比較例3~5の各レジスト組成物を塗布し、100°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後105°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して、線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。評価方法ラインウィズスラフネスLWR上記のようにして得られた1:1ラインアンドスペースドライ露光においては線幅75nm、液浸露光においては線幅48nmのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを使用して観察し、スペースパターンの長手方向2μmの範囲を等間隔で50点線幅を測定し、その標準偏差から3σを算出することで測定した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。コーナープロキシミティCornerproximity上記ドライ露光及び液浸露光の各々において使用したレジスト膜が形成されたシリコンウエハーに対して、それぞれ、上記ドライ露光及び液浸露光で使用したスキャナーを用いてパターン形成を行った。その際、ドライ露光においては、正方領域に線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンが形成された6ハーフトーンマスクを通して露光し、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。液浸露光においては、正方領域に線幅65nmの1:1ラインアンドスペースパターンが形成された6ハーフトーンマスクを通して露光し、線幅65nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。シリコンウエハー上の前記マスクの正方領域に対応する領域の中央部に形成されたラインに関し、任意の5点におけるライン幅を測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIにより観察して、測長し、その平均値を算出したこの、平均値を、中央部ライン幅とする。また、シリコンウエハー上の上記領域の角部コーナー部に形成されたラインに関し、任意の5点におけるライン幅を上記した測長走査型電子顕微鏡により観察して、測長し、その平均値を算出したこの、平均値を、コーナー部ライン幅とする。中央部ライン幅とコーナー部ライン幅との寸法差が3nm未満であるものを◎、3nm以上6nm未満のものを○、6nm以上のものを×とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。表5及び表6から、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によれば、一般式A1で表される基を有する樹脂を使用しない比較例1及び比較例2、並びに、カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物を使用しない比較例3~8と比較して、LWR性能とコーナープロキシミティ性能とに優れたパターンを形成することができることが分かった。また、一般式I-aで表される酸分解性繰り返し単位を有している樹脂を用いた実施例2、5、11、12、15、18、24及び25は、LWR性能がより優れることが分かった。また、上記一般式N-IIにより表されるとともに、上記一般式N-IIにおいて、A1が硫黄原子、Rが芳香環基、R1が芳香族炭化水素基である化合物Bと、上記一般式ZI-3又はZI-4で表される化合物とを併用した実施例2、3、5~7、11、13、15、16、18~20、24、26は、LWR性能がより優れることが分かった。"