入力信号に応じて光信号を発生させる発光素子と、前記発光素子からの光信号を受光する受光素子と、ドレイン端子が定電圧源に接続され、ソース端子が出力端子に接続されたエンハンスメント型の第1MOSFETと、ソース端子が接地に接続され、ドレイン端子が出力端子に接続されたデプレッション型の第2MOSFETと、前記第1MOSFETのゲート端子と前記第2MOSFETのゲート端子に接続され、出力電圧を制御する制御回路と、前記制御回路へ定電圧を供給する定電圧回路と、前記発光素子から入力される光信号を受光するダイオード群を有し、この光信号に応じて前記定電圧回路のオンオフを切り替える定電圧切断回路と、を有することを特徴とする光結合装置。前記定電圧切断回路は、ソース端子が前記定電圧回路に接続され、ドレイン端子が定電圧源に接続され、ゲート端子が前記ダイオード群のアノードに接続された第3MOSFETを有することを特徴とする請求項1記載の光結合装置。従来の光結合装置では、受光側の装置を駆動させる電源回路が組み込まれている場合が多い。このため、従来の光結合装置では、発光素子からの光信号の有無に関らず、受光側の電源回路が常に動作し、電源電流が不要に消費されていた。そこで、本発明の実施形態は、発光素子から入力される光信号の有無に応じて、電源回路をも動作させることを可能とする。実施形態によれば、この光結合装置は発光部と受光部とを有する。発光部は、入力信号に応答して光信号を発生させる発光素子を有する。受光部は、前記発光素子からの光信号を受光する受光素子と、受光素子が受信した光信号を加工する増幅回路と、ドレイン端子が定電圧源に接続され、ソース端子が出力端子に接続されたエンハンスメント型の第1MOSFETと、ソース端子が接地に接続され、ドレイン端子が出力端子に接続されたデプレッション型の第2MOSFETと、前記第1MOSFETのゲート端子と前記第2MOSFETのゲート端子に接続され、出力を制御する制御回路と、前記増幅回路と前記制御回路への電力を供給し、かつ動作を安定させる定電圧回路と、発光素子からの光信号に応じて前記定電圧回路のオンオフを切り替える定電圧切断回路とを有する。定電圧切断回路は、前記発光素子11から入力される光信号を受光するダイオード群を有する。以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。第1の実施形態まず、図1ないし図3を参照して第1の実施形態を説明する。図1は、第1の実施形態の光結合装置100の一例の回路図である。図2は、第1の実施形態の光結合装置100が有する増幅回路23の一例の回路図である。図3は、第1の実施形態の光結合装置100が有する定電圧切断回路25の一例の回路図である。光結合装置100について、図1に示すような回路図を例にとって説明する。図1に示すように、本実施形態にかかる光結合装置100の回路図は、入力信号に応答して光信号を発生させる発光部10と、発光部10の出力を受けて起電圧を発生させる受光部50とを含む。発光部10は、たとえば、一方が定電圧端子であるVCC1端子に電流制限抵抗12が接続され、他方が接地であるGND1端子に接続された発光素子11を備えている。この発光素子11は、VCC1端子の電圧信号が変換されたデジタル信号のHigh/Lowに応じて、光信号を発生させる。また、この発光素子11はLEDLightEmittingDiodeであってもよく、あるいはLDLaserDiodeであっても構わない。電流制限抵抗12の抵抗値は、たとえば、100Ω程度であってよい。受光部20は、発光素子からの光信号を受光して電流信号を出力する受光素子21と、受光素子21から出力された電流信号をデジタル信号に変換し、増幅させる等、信号の加工を行う増幅回路22、後続のMOSFETを駆動させる制御回路23、上記、増幅回路22および制御回路23への電力を供給する定電圧回路24、そして、定電圧VCC2に接続され、この定電圧回路24の電源のON/OFFを制御する定電圧切断回路25と、一方が制御回路23に接続され、他方が接地GND2に接続された第1抵抗26、一方が制御回路23に接続され、他方が接地GND2に接続された第2抵抗27、ドレイン端子が定電圧切断回路25に接続され、ソース端子が出力電圧Voutに接続され、ゲート端子が制御回路23と第1抵抗26の一方と共通接続されたエンハンスメント型の第1MOSFET28、ソース端子が接地GND2に接続され、ドレイン端子が出力電圧Voutに接続され、ゲート端子が制御回路23と第2抵抗27の一方と共通接続されたデプレッション型の第2MOSFET29、とを有する。受光素子21は、発光素子11から入力される光を受けて起電圧を生ずるフォトダイオードであり、複数のフォトダイオードからなる直列アレイから構成されていてもよい。増幅回路22は、受光素子21で生ずる起電圧を増幅等する。図2に示すように、増幅回路22は、たとえば、受光素子21から出力された光電流信号を電圧信号に変換する変換器31、この電圧信号を増幅する増幅器32、増幅器32からの出力を1ビットのデジタル信号に変換する比較器33とを有していてもよい。制御回路23は、増幅回路22で増幅等された電圧信号に応じて、後続の第1MOSFET28と第2MOSFET29のドレインソース間インピーダンスを高低に切り替える。第1MOSFET28と第2MOSFET29は、既述の通り、一方がエンハンスメント型、もう一方がデプレッション型のMOSFETであり、第1MOSFET28のゲート端子は第1抵抗26を介して、第2MOSFET29のゲート端子は第2抵抗27を介して制御回路23と接続されている。第1抵抗26と第2抵抗27は、各ゲート端子へ入力される電圧を緩衝させ、たとえば、20~50kΩ程度の抵抗値であってよい。定電圧回路24は、定電圧VCC2から一定の電圧を作り、その電圧で増幅回路22と制御回路23とを駆動させる。具体的には、定電圧回路22で発生する電圧が5Vである場合、定電圧VCC2で10~30Vまで変化したとしても、5Vのまま変化しない。定電圧切断回路25は、定電圧回路24の電源のON/OFFを制御する。図3に示すように、この定電圧切断回路25は、エンハンスメント型の第3MOSFET41とダイオード群42を有する。第3MOSFETのソース端子は定電圧回路24に接続され、ドレイン端子は定電圧源に接続され、ゲート端子はダイオード群42のアノードに接続され、カソードは接地GND2に接続されている。ここで、ダイオード群42は、発光素子11から入力される光電流信号に従って、ON/OFFし、光信号に変換する。たとえば、発光素子11から光電流信号の入力がない場合、定電圧切断回路25に光電流信号が入力されず、第3MOSFETのゲート端子はGND2に接続されるため接地電位となる。よって、定電圧回路24には定電圧VCC2が入力されない。反対に、発光素子11からの入力がある場合、定電圧切断回路25に光電流信号が入力され、ダイオード群42に光電流信号が入力され、第3MOSFET41がオンとなる。よって、定電圧回路24に定電圧VCC2が入力される。以上のように、受光部20においては、光信号を受光素子21により電流信号に変換し、増幅回路22、制御回路23に基づき、受光素子21で受光された信号が加工され、出力電圧Voutが出力される。図1、図2、図3を用いて、本願の回路動作について説明する。まず、入力部10が無信号時、すなわち発光素子11が発光していない場合、定電圧切断回路25のダイオード群42に電圧が発生しないため、第3のMOSFET41がオフになる。このため、定電圧VCC2からの電源電流は定電圧回路24に入力されず、消費される電力はわずかである。定電圧回路24から増幅回路22、制御回路23への定電圧が出力されない場合、受光素子21に光電流が入力されたとしても、増幅回路22と制御回路23は動作せず、第1MOSFETと第2MOSFETのゲート端子には電圧信号が入力されない。ここで、第2MOSFETはデプレッション型のMOSFETであるから、第2接地電位GND2に接続され、Lowレベルの出力電圧Voutを出力することになる。一方、発光素子11から光電流信号が入力された場合、受光素子21の定電圧切断回路25のダイオード群42に電圧信号が発生し、第3MOSFET41がONする。これにより、定電圧回路24に定電圧VCC2が入力され、増幅回路23と制御回路24が動作する。これにより、エンハンスメント型の第1MOSFETはオン、デプレッション型の第2MOSFETはオフになり、出力電圧Voutは、Highレベルを出力する。以上のように、第1の実施形態にかかる光結合装置100においては、発光部10からの入力される光電流信号のON/OFFと連動して、受光部20の定電圧回路24が駆動するため、増幅回路22や制御回路23において電源電流が常時消費されることがない。このため、本実施形態によれば、発光部10の無信号時の消費電力を大幅に削減することが可能となる。また、定電圧切断回路25にダイオード群42を使用することで定電圧切断回路25を駆動させる電流が不要である。さらに、定電圧切断回路25の設置により消費電流が増加することも無い。このように、本実施形態にかかる光結合装置100は、簡易な回路構造で、発光部10の無信号字の消費電力を大幅に削減することが可能となる。第2の実施形態図4を参照して第2の実施形態を説明する。図4は、第2の実施形態の光結合装置200の一例の回路図である。図4に示すように、本実施形態にかかる光結合装置200は、第1の実施形態と同様、入力信号に応答して光信号を発生させる発光部10と、発光部10の出力を受けて起電圧を発生させる受光部50とを含む。以下、第1の実施形態と異なる点について主に説明する。本実施形態では、受光部50に設けられた定電圧切断回路25が制御回路23と定電圧回路24との間に接続される。また、定電圧VCC2と接地GND2との間に接続された第5MOSFET51と第6MOSFET52は、エンハンスメント型、あるいはデプレッション型に統一される。本実施形態にかかる回路構成にすることで、制御回路23を定電圧VCC2で駆動させることが可能となり、第5MOSFET51と第6MOSFET52に入力されるゲート電圧を制御回路23で調整することが可能となる。特に、制御回路23に論理回路を用いた場合、論理回路で消費する電流はわずかであるから、第1の実施形態にかかる光結合装置100の消費電力と比較しても大差はない。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。