"描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記位置依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記高さ方向分布補正部は、さらに、前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、補正後の基板の高さ方向分布に、さらに、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布をさらに補正し、前記位置ずれ量演算部は、さらに、前記時間依存高さ方向分布によって補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算し、前記偏向量演算部は、さらに、前記時間依存高さ方向分布を用いて補正された高さ方向分布による偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記位置依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する工程と、補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する工程と、補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。上述したように、パターンの微細化に伴って、従来の偏向位置補正だけでは、その寸法精度の要求に対して補正残差が残ってしまい、かかる寸法精度の要求に応えられないようになりつつある。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、位置依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。また、高さ方向分布補正部は、さらに、基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、補正後の基板の高さ方向分布に、さらに、時間依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布をさらに補正し、偏向ずれ量演算部は、さらに、時間依存高さ方向分布によって補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算し、偏向量演算部は、さらに、時間依存高さ方向分布を用いて補正された高さ方向分布による偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算すると好適である。本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、時間依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、位置依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する工程と、補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、時間依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する工程と、補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板の高さ方向分布だけでは残ってしまう補正残差をさらに補正できる。よって、従来よりもさらに偏向精度を向上させることができる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。また、描画室103には、試料101の上方から試料101面に向かって斜めにレーザを照射する照射部と試料101で反射したレーザ光を受光する受光部によって構成されるZセンサ210が配置される。制御部160は、制御計算機ユニット110、メモリ112、偏向制御回路120、アンプ212、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,146,147,148,149を有している。制御計算機ユニット110、メモリ112、偏向制御回路120、アンプ212、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142,146,147,148,149は、図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機ユニット110内には、Z測定部50、Zマップ作成部52、Zマップ補正部54、描画データ処理部56、描画制御部58、位置依存ずれ量演算部72、時間依存ずれ量演算部74、位置依存Zマップ演算部76、及び時間依存Zマップ演算部78が配置されている。Z測定部50、Zマップ作成部52、Zマップ補正部54、描画データ処理部56、描画制御部58、位置依存ずれ量演算部72、時間依存ずれ量演算部74、位置依存Zマップ演算部76、及び時間依存Zマップ演算部78といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。Z測定部50、Zマップ作成部52、Zマップ補正部54、描画データ処理部56、描画制御部58、位置依存ずれ量演算部72、時間依存ずれ量演算部74、位置依存Zマップ演算部76、及び時間依存Zマップ演算部78に入出力される情報および演算中の情報はメモリ112にその都度格納される。偏向制御回路120内には、Z補正部60、及び偏向量演算部62が配置されている。Z補正部60、及び偏向量演算部62といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。Z補正部60、及び偏向量演算部62に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器208と副偏向器209の主副2段の多段偏向器を用いているが、3段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。図2は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図2において、実施の形態1における描画方法は、描画開始前の前処理と実描画処理とを実施する。まず、前処理として、Z測定工程S102と、Zマップ作成工程S104と、評価パターン描画工程S106と、回転、伸縮測定工程S108と、位置依存ずれ量演算工程S110と、時間依存ずれ量演算工程S112と、位置依存ΔZ分布演算工程S114と、時間依存ΔZ分布演算工程S116といった一連の工程を実施する。次に、実描画工程として、Z測定工程S202と、Zマップ作成工程S204と、Zマップ補正工程S206と、描画開始処理工程S208と、Zマップ補正工程S210と、描画再開処理工程S212といった一連の工程を実施する。図3は、実施の形態1における高さ方向の分布によって変化するパターンのずれを説明するための概念図である。電子ビーム描画において、磁場レンズ系での偏向領域のZ基板面と垂直な方向:高さ方向に対して、図3に示すように偏向ずれが生じることで偏向領域の位置がずれる。焦点高さ位置Z=0において、正確な位置に描画される場合に、Z値が変化するのに応じて、偏向領域が回転rotし、さらに、領域サイズの伸縮scale、或いはExp.と示すも生じる。例えば、図3の例では、Z値が負の方向レンズ系から遠くになる方向にずれるにしたがって、徐々に、左回りに回転していき、領域サイズが伸びていく。逆に、Z値が正の方向レンズ系に近づく方向にずれるにしたがって、徐々に、右回りに回転していき、領域サイズが縮小していく。例えば、XYステージ105に高さ位置の異なる複数のマークを配置しておき、かかる複数のマーク位置を電子ビームでスキャンすることでZ値に対する偏向ずれの変化率を求めることができる。図4は、実施の形態1における高さ方向の分布に対する偏向ずれを示すグラフと式の一例を示す図である。図3に示した偏向ずれの測定値から、図4に示すようなZ値に対する回転量と伸縮量とを求めることができる。かかる相対関係から偏向ずれ量dx,dyは、図4に示す式で求めることができる。よって、描画対象となる試料101の各位置でのZ値高さ位置をZセンサ210で測定することで高さ方向分布を測定し、マップ化することでかかる偏向ずれ量dx,dyを演算できる。実際に描画する際には、例えば、かかる偏向ずれ量dx,dyを、符号を反転させて設計上の描画位置x,yに加算した位置で偏向量を演算すればよい。しかしながら、上述したように、パターンの微細化に伴い、かかる補正による補正残差も無視できなくなってきている。補正残差には、描画位置に依存した位置依存の補正残差分と描画時間に応じて生じる時間依存の補正残差分が存在すると考えられる。そこで、実施の形態1では、かかる位置依存の補正残差分と時間依存の補正残差分を求めて、かかる補正残差も補正の対象とする。そのために、実描画前に前処理として、かかる補正残差分を求める。図5は、実施の形態1における評価基板と評価パターンの一例を示す図である。図5aに示すように、評価基板には、1順目1sのチップパターンと2順目2sのチップパターンとが隣接或いは近隣に描画される。評価パターンは、評価基板面内に格子状に配置される複数のチップパターンで構成される。各チップは、図5bに示すように、例えば正方形或いは長方形といった矩形の複数のコンタクトパターンが位置測定用に配列されるようにレイアウトされるとよい。1つのチップは、例えば、偏向領域サイズに設定されると好適である。かかる評価パターンを描画すべく、描画装置100のXYステージ105上に評価基板が載地される。評価パターンのパターンデータは記憶装置142に外部より入力され、格納されている。Z測定工程S102として、まず、評価基板面の高さ位置Z値を測定する。測定は、XYステージ105を移動させながらZセンサ210で各位置のZ値を測定する。Zセンサ210の出力はアンプ212を介してZ測定部50に出力される。Z測定部50は、かかる測定値を取得する。Z値を測定する位置は細分化した方がより精度が向上するが、例えば、上述したチップを配置する位置毎に測定してもよい。Zマップ作成工程S104として、Zマップ作成部52は、得られたZ値から高さ方向分布Zマップを作成する。Zマップは記憶装置149に格納されればよい。評価パターン描画工程S106として、まず、描画データ処理部56が記憶装置142から評価パターンのパターンデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。ショットデータは記憶装置146に一時的に格納される。描画制御部58の制御の下、偏向制御回路120がショットデータを入力し、Z補正部60によって、上述したZ値高さ位置に対する偏向ずれ量dx,dyを演算する。そして、偏向量演算部62が評価パターンのパターンデータ上の偏向位置x,yに演算された偏向ずれ量dx,dyを、符号を反転させて加算した位置への偏向量を演算する。以上のようにして、各位置へビームをショットする際の偏向量が演算される。そして、描画制御部58の制御の下、描画部150は、図5aに示すように、評価基板に満遍なく偏向領域を設定して、各偏向領域について、図5bに示す評価パターンを描画する。例えば、左下から順に、その段の右側へと描画を進めていく。そして、その段の描画が終了したら、上側に1つ段をずらして、ずらした段の描画を進めていく。このように、順に、描画を進め、評価基板全面について描画する。かかる動作を1順目1sと2順目2sといったように例えば2回繰り返す。2sでは、1sで描画した評価パターンに隣接した位置あるいは近隣の位置に同じパターンを描画するとよい。回転、伸縮測定工程S108として、各チップのコンタクトパターンの位置を測定して、各チップが配置された偏向領域における回転量と伸縮量を測定する。上述したようにして描画された評価パターンは、評価基板面の高さ位置での偏向ずれ補正が行なわれて描画されたパターンである。よって、評価パターンの位置を測定すれば、各偏向領域における回転量と伸縮量とがわかる。例えば、チップ毎に、x,yの2変数の1次関数でフィッティングすることで各位置での偏向領域の回転量rotと伸縮量scaleを演算できる。評価パターンの測定結果測定データは、記憶装置147に外部より入力され、格納される。位置依存ずれ量演算工程S110として、位置依存ずれ量演算部72は、評価パターンの測定データを読み出し、描画位置に依存したずれ量を演算する。ここでは、例えば、各位置で、1sでの測定結果と2sでの測定結果の平均値を求めることで、時間に依存しないで描画位置に依存したずれ量を求めることができる。時間依存ずれ量演算工程S112として、時間依存ずれ量演算部74は、評価パターンの測定データを読み出し、描画時間に依存したずれ量を演算する。ここでは、例えば、各位置で、1sでの測定結果から先に求めた位置依存ずれ量を差し引く。同様に、各位置で、2sでの測定結果から先に求めた位置依存ずれ量を差し引く。そして、描画時間順に、差分値を並べることで、位置に依存しない、時間に依存したずれ量を求めることができる。実施の形態1では、さらに、これらの位置依存ずれ量と時間依存ずれ量とをZ値に換算する。位置依存ΔZ分布演算工程S114として、位置依存Zマップ演算部76は、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差設計位置に対する位置ずれ量を高さ方向のZ値に換算した位置依存高さ方向分布Δzpos.を演算する。図4で示した式を用いて、各位置x,yにおける位置依存ずれ量dx,dyからz値Δzを逆算すればよい。以上のようにして、位置依存高さ方向分布Δzpos.或いはΔzpos.マップともいうを演算する。演算された位置依存高さ方向分布Δzpos.は、記憶装置148に格納される。時間依存ΔZ分布演算工程S116として、時間依存Zマップ演算部78は、基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差設計位置に対する位置ずれ量を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布Δztimeを演算する。図4で示した式を用いて、各位置x,yにおける時間依存ずれ量dx,dyからz値Δzを逆算すればよい。以上のようにして、時間依存高さ方向分布Δztime或いはΔztimeマップともいうを演算する。演算された時間依存高さ方向分布Δztimeは、記憶装置148に格納される。以上のようにして、位置依存高さ方向分布Δzpos.と時間依存高さ方向分布Δztimeとを取得する。上述した例では、描画装置100内で位置依存高さ方向分布Δzpos.と時間依存高さ方向分布Δztimeとを演算して求めているが、これに限るものではない。描画装置100の外部で求めてから記憶装置148に格納してもよい。そして、これらを用いて、描画対象基板となる試料101に対して実描画を行う。試料101に対して描画する描画データレイアウトデータは、記憶装置140に外部から入力され、格納される。Z測定工程S202として、Z測定部50は、描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する。言い換えれば、各位置において、描画対象基板となる試料101の描画面の高さ位置Z値を測定する。測定方法は、上述した内容と同様である。Zマップ作成工程S204として、Zマップ作成部52は、各位置で測定された高さ位置Z値を用いて、高さ方向分布Zマップを作成する。Zマップは、記憶装置149に格納される。Zマップ補正工程S206として、Zマップ補正部54は、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、位置依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する。Zマップ補正部54は、高さ方向分布補正部の一例である。具体的には、Zマップ補正部54は、記憶装置148から位置依存高さ方向分布Δzpos.を読み出し、作成されたZマップの各値に、位置依存高さ方向分布Δzpos.の対応位置の値を加算する。これにより、位置依存のずれ量が補正されたZマップにすることができる。補正後のZマップは、記憶装置149に格納され、先に格納されているZマップと置き換える。或いは上書きされてもよい。描画開始処理工程S208として、まず、描画データ処理部56は、記憶装置140から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに描画データに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そこで、描画データ処理部56は、描画データが示す図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量が定義される。生成されたショットデータは記憶装置146に順次一時的に格納される。そして、偏向ずれ量演算工程として、Z補正部60は、ショットデータを読み出し、ショットデータ毎に、補正されたZ’マップZマップΔzpos.を参照して、各位置x,yに対して描画されるパターンの偏向ずれ量dx,dyを演算する。Z補正部60は、偏向ずれ量演算部の一例である。補正演算は、図4で示した式を用いればよい。そして、偏向量演算工程として、偏向量演算部62は、得られた偏向ずれ量dx,dyが補正された位置x,yに電子ビーム200を偏向するための偏向量を演算する。具体的には、偏向量演算部62がショットデータ上の偏向位置x,yに演算された偏向ずれ量dx,dyを、符号を反転させて加算した位置への偏向量を演算する。以上のようにして、各位置へビームをショットする際の偏向量が演算される。そして、描画制御部58の制御の下、描画部150は、得られた偏向量で電子ビーム200を偏向して、試料101にパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。電子銃201放出部から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208で描画領域を仮想分割したサブフィールドSFの基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。ここで、描画を開始してから時間が経過することで、時間依存のずれ量が生じてくる。そこで、実施の形態1では、描画処理を開始した後、所定の時間が経過後、先に求めた時間依存のずれ量を補正する。描画処理は、描画領域を短冊状にストライプ領域に分割して、ストライプ領域毎に描画処理を進めていく。そして、電子ビーム描画では、時間の経過等によりビームドリフトが生じる。そのため、例えば、描画中に定期的或いは不定期で一時描画処理を中断し、ドリフト補正を行う。例えば、10分後、或いは20分後といった時間経過後に描画を一時中断して補正する。ドリフト補正は、ストライプ領域間で行うことが多い。そこで、実施の形態1では、かかるドリフト補正といった一旦描画処理を中断した際に、Zマップを補正する。Zマップ補正工程S210として、Zマップ補正部54は、さらに、時間依存高さ方向分布Δztimeを入力し、描画開始前に補正した基板の高さ方向分布に、さらに、時間依存高さ方向分布Δztimeを加算して、基板の高さ方向分布をさらに補正する。具体的には、一旦描画処理を中断した際に、Zマップ補正部54は、描画開始時点から中断した時点での描画時間を測定する。そして、Zマップ補正部54は、記憶装置148から時間依存高さ方向分布Δztimeを読み出し、かかる描画時間に応じた高さ位置ΔztimeをZマップの各位置の値に加算する。これにより、さらに、時間依存のずれ量が補正されたZマップにすることができる。補正後のZマップは、記憶装置149に格納され、先に格納されているZマップと置き換える。或いは上書きされてもよい。描画再開処理工程S212として、描画処理を再開する。具体的には、偏向ずれ量演算工程として、Z補正部60は、ショットデータを読み出し、ショットデータ毎に、さらに時間依存分も補正されたZマップZマップΔzpos.Δztimeを参照して、各位置x,yに対して描画されるパターンの偏向ずれ量dx,dyを演算する。Z補正部60は、偏向ずれ量演算部の一例である。補正演算は、図4で示した式を用いればよい。そして、偏向量演算工程として、偏向量演算部62は、得られた偏向ずれ量dx,dyが補正された位置x,yに電子ビーム200を偏向するための偏向量を演算する。具体的には、偏向量演算部62がショットデータ上の偏向位置x,yに演算された偏向ずれ量dx,dyを、符号を反転させて加算した位置への偏向量を演算する。以上のようにして、各位置へビームをショットする際の偏向量が演算される。そして、描画制御部58の制御の下、描画部150は、得られた偏向量で電子ビーム200を偏向して、試料101にパターンを描画する。そして、次の描画中断時に、再度、Zマップ補正工程S210から描画再開処理工程S212までを繰り返す。ここで、次のZマップ補正工程S210では、再開時から更なる中断時までの時間に相当する高さ位置Δzを時間依存高さ方向分布Δztimeから読み出して加算してもよい。或いは、先に加算した時間依存高さ方向分布Δztime値を差分し、その代わりに、当初の描画開始時から今回の中断時の時点までの時間に相当する高さ位置Δzを時間依存高さ方向分布Δztimeから読み出して加算してもよい。以上のように時間経過に応じて時間依存高さ方向分布Δztimeを補正していく。これにより、当初は位置依存分の補正残差が補正され、描画開始後は時間経過に応じて時間依存の補正残差を補正できる。ここで、上述した例では、位置依存分の補正残差と時間依存の補正残差の両方を補正しているが、これに限るものではない。精度は落ちるが、Zマップに対して時間依存の補正残差だけを補正するようにしても構わない。或いは、Zマップに対して位置依存の補正残差だけを補正するようにしても構わない。いずれにしても当初のZマップだけでは補正できなかった補正残差を補正できる。よって、基板の高さ方向分布だけでは残ってしまう補正残差をさらに補正できる。よって、偏向形状の残差を補正でき、従来よりもさらに偏向精度を向上させることができる。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"