"温度を計測する計測セルを含む温度センサーであって、前記計測セルは、第一計測用薄膜トランジスターと、第一容量素子と、第二計測用薄膜トランジスターと、第二容量素子と、を少なくとも備え、前記第一容量素子は前記第一計測用薄膜トランジスターに接続され、前記第二容量素子は前記第二計測用薄膜トランジスターに接続され、前記第一計測用薄膜トランジスターの幅と前記第二計測用薄膜トランジスターの幅とが異なるか、又は、前記第一容量素子の容量と前記第二容量素子の容量とが異なる事を特徴とする温度センサー。前記第一計測用薄膜トランジスターの幅をW01とし、前記第一容量素子の容量をC1とし、前記第二計測用薄膜トランジスターの幅をW02とし、前記第二容量素子の容量をC2とした際に、C1/W01の値がC2/W02の値の8倍から50倍の範囲にある事を特徴とする請求項1に記載の温度センサー。更に、前記計測セルは、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とを少なくとも備え、前記第三容量素子は前記第三計測用薄膜トランジスターに接続し、前記第三計測用薄膜トランジスターの幅は、前記第一計測用薄膜トランジスターの幅とも、前記第二計測用薄膜トランジスターの幅とも、異なっている事を特徴とする請求項1に記載の温度センサー。更に、前記計測セルは、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とを少なくとも備え、前記第三容量素子は前記第三計測用薄膜トランジスターに接続し、前記第三容量素子の容量は、前記第一容量素子の容量とも、前記第二容量素子の容量とも、異なっている事を特徴とする請求項1又は3に記載の温度センサー。前記第一計測用薄膜トランジスターの幅をW01とし、前記第一容量素子の容量をC1とし、前記第二計測用薄膜トランジスターの幅をW02とし、前記第二容量素子の容量をC2とし、前記第三計測用薄膜トランジスターの幅をW03とし、前記第三容量素子の容量をC3とした際に、C1/W01の値がC2/W02の値の8倍から50倍の範囲にあり、C2/W02の値がC3/W03の値の8倍から50倍の範囲にある事を特徴とする請求項3又は4に記載の温度センサー。更に、第一の方向に沿って配置され、前記計測セルを選択する第一選択回路を備え、前記計測セルは前記第一の方向に沿って複数個配置される事を特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の温度センサー。更に、前記第一の方向と交差する第二の方向に沿って配置され、前記計測セルを選択する第二選択回路を備え、前記計測セルは前記第二の方向に沿って複数個配置される事を特徴とする請求項6に記載の温度センサー。更に、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとを備え、前記第一薄膜トランジスターと前記第二薄膜トランジスターとは差動トランジスター対をなし、前記第一薄膜トランジスターのゲートは前記第一計測用薄膜トランジスターのソース又はドレインの一方に接続される事を特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の温度センサー。しかしながら、従来の面状温度センサーは、計測それ自体が温度変動を招き、計測結果に信頼感を抱けないという課題があった。即ち、電気抵抗を測定する抵抗体と薄膜トランジスターとが直接結ばれており、しかも薄膜トランジスターをオン状態として計測する為に、薄膜トランジスターの自己発熱が抵抗体の温度を上げ、正確な温度計測の妨げとなっていた。加えて、電気抵抗の温度依存性が弱い為に、従来の面状温度センサーは僅かな温度変化の計測を行いがたいという課題があった。この様に、従来の面状温度センサーは、計測結果に信頼感を抱けず、計測分解能も低いという課題があった。換言すれば、高性能で実用的な面状温度センサーが存在しない、という課題があった。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。適用例1本適用例に係わる温度センサーは、温度を計測する計測セルを含む温度センサーであって、計測セルは、第一計測用薄膜トランジスターと、第一容量素子と、第二計測用薄膜トランジスターと、第二容量素子と、を少なくとも備え、第一容量素子は第一計測用薄膜トランジスターに接続され、第二容量素子は第二計測用薄膜トランジスターに接続され、第一計測用薄膜トランジスターの幅と第二計測用薄膜トランジスターの幅とが異なるか、又は、第一容量素子の容量と第二容量素子の容量とが異なる事を特徴とする。薄膜トランジスターはマイクロメーター単位で形成できる為、この構成によれば、空間分解能が数マイクロメーターと極めて高い温度センサーを実現できる。加えて、温度の計測期間に薄膜トランジスターは自己発熱しないので、正確な温度計測を実現できる。更に、第一計測用薄膜トランジスターと第二計測用薄膜トランジスターとが異なった温度範囲を対象として温度を計測するか、或いは第一容量素子と第二容量素子とが異なった温度範囲を対象として温度を計測するので、広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。換言すれば、信頼性が高く、精密測定が可能で、広い温度範囲を計測する、実用的な面状温度センサーを実現できる。適用例2上記適用例に係わる温度センサーにおいて、第一計測用薄膜トランジスターの幅をW01とし、第一容量素子の容量をC1とし、第二計測用薄膜トランジスターの幅をW02とし、第二容量素子の容量をC2とした際に、C1/W01の値がC2/W02の値の8倍から50倍の範囲にある事が好ましい。この構成によれば、第一計測用薄膜トランジスターと第一容量素子とで比較的高い温度範囲を対象として温度計測をし、第二計測用薄膜トランジスターと第二容量素子とで比較的低い温度範囲を対象として温度計測をするので、広い温度範囲に渡って正確な温度計測を行う事ができる。適用例3上記適用例に係わる温度センサーにおいて、更に、計測セルは、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とを少なくとも備え、第三容量素子は第三計測用薄膜トランジスターに接続し、第三計測用薄膜トランジスターの幅は、第一計測用薄膜トランジスターの幅とも、第二計測用薄膜トランジスターの幅とも、異なっている事が好ましい。この構成によれば、第一計測用薄膜トランジスターと第二計測用薄膜トランジスターと第三計測用薄膜トランジスターとが、それぞれ異なった温度範囲を対象として温度を計測するので、極めて広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。適用例4上記適用例に係わる温度センサーにおいて、更に、計測セルは、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とを少なくとも備え、第三容量素子は第三計測用薄膜トランジスターに接続し、第三容量素子の容量は、第一容量素子の容量とも、第二容量素子の容量とも、異なっている事が好ましい。この構成によれば、第一容量素子と第二容量素子と第三容量素子とが、それぞれ異なった温度範囲を対象として温度を計測するので、極めて広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。適用例5上記適用例に係わる温度センサーにおいて、第一計測用薄膜トランジスターの幅をW01とし、第一容量素子の容量をC1とし、第二計測用薄膜トランジスターの幅をW02とし、第二容量素子の容量をC2とし、第三計測用薄膜トランジスターの幅をW03とし、第三容量素子の容量をC3とした際に、C1/W01の値がC2/W02の値の8倍から50倍の範囲にあり、C2/W02の値がC3/W03の値の8倍から50倍の範囲にある事が好ましい。この構成によれば、第一計測用薄膜トランジスターと第一容量素子とで比較的高い温度範囲を対象として温度計測をし、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とで比較的低い温度範囲を対象として温度計測をし、第二計測用薄膜トランジスターと第二容量素子とでこれらの中間の温度範囲を対象として温度計測をするので、著しく広い温度範囲に渡って正確な温度計測を行う事ができる。適用例6上記適用例に係わる温度センサーにおいて、更に、第一の方向に沿って配置され、計測セルを選択する第一選択回路を備え、計測セルは第一の方向に沿って複数個配置される事が好ましい。この構成によれば、計測セルを第一の方向に複数個配置して、個別に選択するので、第一の方向に関する温度の空間分布を計測できる。従って、温度が第一の方向に沿って異なっていても、温度を場所の関数として定量的に正確に計測できる。適用例7上記適用例に係わる温度センサーにおいて、更に、第一の方向と交差する第二の方向に沿って配置され、計測セルを選択する第二選択回路を備え、計測セルは第二の方向に沿って複数個配置される事が好ましい。この構成によれば、計測セルを第二の方向に複数個配置して、個別に選択するので、第二の方向に関する温度の空間分布を計測できる。従って、温度が第二の方向に沿って異なっていても、温度を場所の関数として定量的に正確に計測できる。適用例8上記適用例に係わる温度センサーにおいて、更に、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとを備え、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとは差動トランジスター対をなし、第一薄膜トランジスターのゲートは第一計測用薄膜トランジスターのソース又はドレインの一方に接続される事が好ましい。この構成によれば、各計測セルに差動トランジスター対が設けられている為に、面状の温度センサーが大面積となっても、高精細になっても、高精度に温度を計測する事ができる。又、温度の計測期間と計測結果の出力期間とを分ける事ができるので、計測時に薄膜トランジスターが自己発熱することなく、正確な温度測定が実現する。以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。尚、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする為、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。実施形態1温度センサーの概要図1は、本実施形態に係わる温度センサーを模式的に示す斜視外観図である。以下、図1を用いて、まず温度センサーの概要を説明する。本実施形態に係わる温度センサー1は、柔軟なプラスチックフィルムなどの可撓性を有する基板2に形成される。基板2には計測セルi,jが行列状に複数個配置され、計測回路3をなしている。各計測セルには、第一計測用薄膜トランジスターT01以降単にT01と略称すると、第一容量素子Cp1以降単にCp1と略称すると、第二計測用薄膜トランジスターT02以降単にT02と略称すると、第二容量素子Cp2以降単にCp2と略称すると、が備えられている図3参照。Cp1はT01のソース電極又はドレイン電極の一方に接続され、Cp2はT02のソース電極又はドレイン電極の一方に接続されている。トランジスターのソース電極とドレイン電極とは電位に応じて入れ替わるが、以降は説明の便宜上、Cp1やCp2が接続している電極を、各トランジスターのドレイン電極とする。T01のチャンネル形成領域の幅をW01とし以降この幅を単に幅W01と略称する、Cp1の容量をC1とし以降この容量を単に容量C1と略称する、T02のチャンネル形成領域の幅をW02とし以降この幅を単に幅W02と略称する、Cp2の容量をC2とした場合以降この容量を単に容量C2と略称する、幅W01に対する容量C1の比C1/W01と幅W02に対する容量C2の比C2/W02とが異なった値となっている。具体的にこれを実現するには、幅W01と幅W02とを異ならしても良いし、容量C1と容量C2とを異ならしても良いし、或いは幅幅W01と幅W02も容量容量C1と容量C2も同時に異ならしても良い。ここでは、幅W01と幅W02とが異なると共に、容量C1と容量C2とが異なっている。温度は、最初に容量容量C1や容量C2に充電した電荷が、計測用薄膜トランジスターT01やT02のオフ電流により増減する現象を利用して、計測される。主には容量に充電した電荷がオフ電流で減少する現象を利用して温度が計測されるが、これとは反対に、空の容量にオフ電流で充電する現象を利用して温度計測を行っても良い。図1に戻って説明を続ける。基板2には、計測回路3の他に、出力回路4と、第一選択回路51と、第一処理回路52と、第二選択回路61と、第二処理回路62と、が設けられている。計測回路3に配置された複数の計測セルは、計測回路3の外周部に配置された第一選択回路51と第二選択回路61とにより、順次選択される。基板2の一辺を第一の方向x軸に平行な方向で、行方向とするとし、第一の方向と交差するほぼ直交する別の方向を第二の方向y軸に平行な方向で、列方向とするとすると、第一選択回路51と第一処理回路52とは、計測回路3の外側で第一の方向に沿って形成され、第二選択回路61と第二処理回路62とは、計測回路3の外側で第二の方向に沿って形成される。計測セルは第一の方向に沿って複数個形成されると共に、第一選択回路51によって、第一の方向で選択される。同様に、計測セルは第二の方向に沿って複数個形成されると共に、第二選択回路61によって、第二の方向で選択される。選択された計測セルは出力回路4と接続され、温度計測がなされる。こうして行列状に配置された計測セルにて順次温度が測定され、温度に関する面分布が得られる。計測原理図2は、本実施形態に係わる温度センサーの計測原理を説明する図である。以下、図2を参照して、温度を計測する原理を説明する。図2は、N型薄膜トランジスターの伝達特性が温度依存性を有する様子を示している。トランジスターの伝達特性は、一般にオン領域図2の場合、ゲート電圧が閾値電圧の1.5V程度以上とオフ領域図2の場合、ゲート電圧が0V程度以下と閾値下領域図2の場合、ゲート電圧が0V程度から1.5V程度の間とに分類される。それぞれの領域はいずれも温度依存性を有するが、オフ領域に於ける温度依存性が一番強い。これはオフ電流値がフェルミ関数の広がりに対して最も敏感に変化する為である。オフ電流は、電子-正孔対の熱生成や、プールフレンケル効果を伴うフォノンアシステッドトネリング、バンド間トネリングなどの機構に起因する。フェルミ関数は、僅かな温度変化でも指数関数的に変化して、これらの機構取り分け、電子-正孔対の熱生成やプールフレンケル効果を伴うフォノンアシステッドトネリングに強く影響する。その為にオフ電流値の温度依存性は極めて強くなる。実際に図2から、200°Cのオフ電流は50°Cのオフ電流の数千倍になっている事が判る。これに対して、同じ温度変化の際にオン電流は数倍しか増えていない。即ち、オフ電流は温度に対してオン電流よりも1000倍敏感で有る事になる。大雑把に云って、温度が50°C上昇する毎にオフ電流は10倍になる。言い換えれば、温度が5°C上昇しただけでも、オフ電流は26も増加する事になる。要するにほんの僅かの温度変化であっても、オフ電流値は計測可能な大きな変化を示すので、高精度な温度計測が実現する事になる。この様に、計測用薄膜トランジスターのオフ電流は温度に応じて激しく変化するので、容量容量C1や容量C2に蓄積された電荷量も温度に応じて変化する。この電荷量の変化又は容量電位の変化を計量する事で温度が計測される。回路図3は、本実施形態に係わる温度センサーの回路を説明する図である。以下、図3を参照して、温度センサーの回路を説明する。尚、N型薄膜トランジスターのソースドレインは、両者を比較して電位の高い方がドレインになり、電位の低い方がソースとなる。参考の為に、図3には各薄膜トランジスターのソースドレインをそれぞれsとdとで記載してある。まず図1を用いて説明する。温度センサー1は計測回路3と出力回路4、第一選択回路51、第一処理回路52、第二選択回路61、第二処理回路62とを有する。計測回路3には計測セルi,jがM行N列の行列状に配置されている。MとNは1以上の整数である1≦i≦M、1≦j≦N。第一選択回路51は第一の方向に関してM行の行線Riから特定の一本の行線を選択する。従って、第一選択回路51は行選択回路でもある。第一選択回路51にはシフトレジスターやデコーダーが使用される。第一処理回路52は第一選択回路51からの選択信号を計測に適する様に加工する。具体的には選択電位を変換するレベルシフターや、高速で安定的に行線を選択する様にバッファーを備える。第二選択回路61は第二の方向に関してN列の列線CLjから特定の一本の列線を選択する。従って、第二選択回路61は列選択回路でもある。第二選択回路61にはシフトレジスターやデコーダーが使用される。第二処理回路62は第二選択回路61からの選択信号を計測に適する様に加工する。具体的には選択電位を変換するレベルシフターや、高速で安定的に列線を選択する様にバッファーを備える。図3に戻って説明を続ける。第二処理回路62は、上述の回路の他に、列選択トランジスターT3CとT4Cとを含む。列選択トランジスターT3CとT4Cとは、列毎にペアとなって設けられる。出力回路4はLDOUT及びXLDOUTとして計測結果を出力する。これらの回路の内で、計測回路3と出力回路4、第二処理回路62の内の列選択トランジスターT3CとT4Cとが薄膜トランジスターで形成される。本実施形態では、これらの他に第一選択回路51と第一処理回路52、第二選択回路61、もCMOS構成のN型及びP型の薄膜トランジスターで形成されたが、第一選択回路51と第一処理回路52、第二選択回路61、第二処理回路62の内の列選択トランジスターT3CとT4C以外の回路は、外付けのシリコンICチップにて形成されても良い。計測セルi,jはi行j列に位置し、その内部にT01と、Cp1と、T02と、Cp2と、を有している。Cp1やCp2は誘電体膜を第一電極と第二電極とで挟持している。T01のドレイン電極はCp1の第一電極に接続し、ソース電極は充電用列線CCに接続し、ゲート電極は充電用行線RCに接続している。Cp1の第二電極は第二電源この場合、負電源Vssに接続している。同様に、T02のドレイン電極はCp2の第一電極に接続し、ソース電極は充電用列線CCに接続し、ゲート電極は充電用行線RCに接続している。Cp2の第二電極は第二電源に接続している。T01とT02とではチャンネル形成領域幅が異なっており、幅W01は1μmで、幅W02は10μmである。又、Cp1とCp2とでは容量が異なっている。Cp1は、第一電極と第二電極のサイズが200μm×200μmで、誘電体膜好適例としてSiO2の厚みが69nmで有るので、容量C1は20pFである。一方、Cp2は、第一電極と第二電極のサイズが200μm×100μmで、誘電体膜の厚みは同じく69nmで有るので、容量C2は10pFである。この結果、C1/W01の値は20pF/μmとなり、C2/W02の値は1pF/μmとなるので、C1/W01の値はC2/W02の値の20倍となっている。温度は、T01やT02と云った計測用薄膜トランジスターのドレイン電位即ちCp1やCp2と云った容量素子の第一電極電位に関する情報を出力する事で、計測される。以下、T01とT02を区別する必要がない場合、計測用薄膜トランジスターの総称としてT0と略す。同様に、Cp1とCp2とを区別する必要がない場合、容量素子の総称としてCpと略す。温度計測を正確に行うべく、計測用薄膜トランジスターT0は差動増幅回路の一部分を備えている。差動増幅回路の一部とは差動トランジスター対と行選択トランジスター対である。差動トランジスター対は、第一薄膜トランジスターT1と第二薄膜トランジスターT2とからなる。行選択トランジスター対は行選択トランジスターT3RとT4Rとである。第一薄膜トランジスターT1のゲートは、計測用薄膜トランジスターT0のドレインに接続されている。従って、第一薄膜トランジスターT1のゲート電位は温度に応じて変化する。一方、第二薄膜トランジスターT2のゲートには基準信号Vrefが供給され、第二薄膜トランジスターT2は基準トランジスターとして動作する。こうして第一薄膜トランジスターT1の電気特性と第二薄膜トランジスターT2の電気特性とが比較され、計測セルに於ける温度が計測される。言い換えると、第一薄膜トランジスターT1のゲート電位と第二薄膜トランジスターのゲート電位との相違が差動増幅され、計測セルに於ける温度が電圧値又は電流値として出力される。第一薄膜トランジスターT1と第二薄膜トランジスターT2とは差動トランジスター対を為しているので、互いに対称に配置されている。即ち、両トランジスターのドレインが第一電源に接続され、電源に対して両トランジスターは並列に配置されている。第一電源は正電源Vddである。尚、計測誤差を小さくする為に、第一薄膜トランジスターT1のゲート容量は、容量素子Cpの容量よりも著しく小さくされている。著しく小さいとは、具体的には10分の1以下である。実際に、第一薄膜トランジスターT1のゲート容量は、0.005pF例えば、ゲート面積10μm2、ゲート絶縁膜SiO2、ゲート絶縁膜厚69nm程度から0.05pF例えば、ゲート面積100μm2、ゲート絶縁膜SiO2、ゲート絶縁膜厚69nm程度の範囲にあるが、容量素子Cpの容量は1pF以上なので、第一薄膜トランジスターT1のゲート容量は、容量素子Cpの容量の20分の1以下となっている。行選択トランジスターT3Rのドレインは第一薄膜トランジスターT1のソースに接続し、ソースはj列目の奇数列線COjを介してj列目の列選択トランジスターT3Cのドレインに接続している。同様に、行選択トランジスターT4Rのドレインは第二薄膜トランジスターT2のソースに接続し、ソースはj列目の偶数列線CEjを介してj列目の列選択トランジスターT4Cのドレインに接続している。T01に付属する行選択トランジスターT3RとT4Rとのゲートは2i-1行目の行線R2i-1に接続する。又、T02に付属する行選択トランジスターT3RとT4Rとのゲートは2i行目の行線R2iに接続する。こうして、列選択トランジスターT3Cと行選択トランジスターT3Rとで第三薄膜トランジスターT3をなし、列選択トランジスターT4Cと行選択トランジスターT4Rとで第四薄膜トランジスターT4をなす。温度センサー1は、更に第五薄膜トランジスターT5と第六薄膜トランジスターT6とを出力回路4に備え、第五薄膜トランジスターT5と第六薄膜トランジスターT6とはカレントミラー対をなしている。カレントミラー対とは、両トランジスターのソースが共通に接続され、ゲートに同電位を印加する事で、飽和動作時Vds>Vgs-Vth>0に、両トランジスターのドレイン電位が多少異なっていても、同じ電流を通すトランジスター対である。ここでは両薄膜トランジスターのゲートは第五薄膜トランジスターのドレインに接続している。更に、第五薄膜トランジスターT5のドレインは列選択トランジスターT3Cのソースに接続し、第六薄膜トランジスターT6のドレインは列選択トランジスターT4Cのソースに接続する。温度センサー1は、更に第七薄膜トランジスターT7を出力回路4に備える。第七薄膜トランジスターT7は電流源トランジスターである。電流源トランジスターとは、飽和動作し、ドレイン電位が多少変動しても常に一定電流を供給するトランジスターである。第五薄膜トランジスターT5のソースと第六薄膜トランジスターT6のソースとは、第七薄膜トランジスターT7のドレインに接続し、第七薄膜トランジスターT7のソースは第二電源に接続する。第二電源は負電源Vssである。第七薄膜トランジスターT7のゲートには第一制御信号Cnt1が供給される。第五薄膜トランジスターT5と第六薄膜トランジスターT6とが常に等しい電流を通し、第七薄膜トランジスターT7が一定電流を供給するので、第五薄膜トランジスターT5も第六薄膜トランジスターT6も常に同一電流第七薄膜トランジスターT7を通る電流の半分を通す。第三薄膜トランジスターT3は、列選択や行選択がなされる毎に列選択トランジスターや行選択トランジスターを変えながらも、常に第一薄膜トランジスターT1と第五薄膜トランジスターT5との間に配置され、第一薄膜トランジスターT1と第五薄膜トランジスターT5とを電気的に接続可能としている。同様に、第四薄膜トランジスターT4は、列選択や行選択がなされる毎に列選択トランジスターや行選択トランジスターを変えながらも、常に第二薄膜トランジスターT2と第六薄膜トランジスターT6との間に配置され、第二薄膜トランジスターT2と第六薄膜トランジスターT6とを電気的に接続可能としている。即ち、2i-1行目の行線R2i-1に選択信号高電位信号が供給されると、2i-1行目の計測セルに配置された第一薄膜トランジスターT1は奇数列線COに電気的に接続され、第二薄膜トランジスターT2は偶数列線CEに電気的に接続される。反対に行線R2i-1に非選択信号低電位信号が入ると、第一薄膜トランジスターT1と奇数列線COとは電気的に絶縁され、第二薄膜トランジスターT2と偶数列線CEとは電気的に絶縁される。行線R2i-1に選択信号が供給されている状態で、j列目の列線CLjに選択信号高電位信号が入ると、j列目の列選択トランジスターT3Cがオン状態となるので、j列目の奇数列線COと第五薄膜トランジスターT5とが接続される。その結果、i行j列の計測セルi,jに位置しT01に付属する第一薄膜トランジスターT1と第五薄膜トランジスターT5とは電気的に接続される。同様に、j列目の列線CLjに選択信号高電位信号が入ると、j列目の列選択トランジスターT4Cがオン状態となるので、j列目の偶数列線CEと第六薄膜トランジスターT6とが接続される。その結果、i行j列の計測セルi,jに位置しT01に付属する第二薄膜トランジスターT2と第六薄膜トランジスターT6とは電気的に接続される。反対に、j列目の列線CLjに非選択信号低電位信号が入ると、j列目の列選択トランジスターT3CとT4Cとがオフ状態となるので、出力回路4とj列目の奇数列線CO及びj列目の偶数列線CEとは電気的に絶縁される。この様に複数の計測セルの内で、行線と列線とで選択された計測セル内の差動トランジスター対が出力回路4と接続する。出力回路4からの計測結果は、第六薄膜トランジスターT6のドレイン電位V6がLDOUTとして出力され、第五薄膜トランジスターT5のドレイン電位V5がXLDOUTとして出力される。列線CLに供給される選択信号乃至は非選択信号は、第二選択回路61からの出力を必要に応じてレベルシフトし、レベルシフターからの出力はバッファーで補強されている。即ち、列選択トランジスターT3CとT4Cとは第二選択回路61にて制御される。又、行線Rに供給される選択信号乃至は非選択信号は、第一選択回路51からの出力を必要に応じてレベルシフトし、レベルシフターからの出力はバッファーで補強されている。即ち、行選択トランジスターT3RとT4Rとは第一選択回路51にて制御される。尚、ここでは行選択がなされた状態で列選択を行ったが、列選択がなされた状態で行選択を行っても良い。又、ここでの奇数列線とは単なる名称で、奇数番号のトランジスター列T1やT3に設けられた列線を意味し、偶数列線も同様に単なる名称で、偶数番号のトランジスター列T2やT4に設けられた列線を意味する。尚、本実施形態では計測セル内に2個の計測用薄膜トランジスターT01とT02と2個の容量素子Cp1とCp2とが設けられているが、本実施形態はこの例に限られない。kを2以上の整数として、一つの計測セル内にk個の計測用薄膜トランジスターT01とT02、、、T0kとk個の容量素子Cp1とCp2、、、Cpkとを設けても良い。この場合、qを1以上でk以下の整数として、第q計測用薄膜トランジスターT0qと第q容量素子Cpqとが接続され、k個のCq/W0qの値は皆異なっている。更に、一つの計測セルに対して、k本の行線が配備される。具体的には、T01に付属する行選択トランジスターT3RとT4Rとのゲートはki-k-1行目の行線Rki-k1に接続し、T0qに付属する行選択トランジスターT3RとT4Rとのゲートはki-k-q行目の行線Rki-kqに接続する。次に、幅W0qと容量Cqとの関係を説明する。以降、チャンネル形成領域幅に対する容量の比を幅容量比と称す。計測用薄膜トランジスターのオフ電流値はチャンネル形成領域幅に比例する。その為に、幅容量比は、容量に充電された電荷の放電のしにくさを定量的に表現している事になる。例えばCpqを時刻0に正電源電位Vddに充電し、時間tだけT0qのオフ電流で電荷を漏らした場合、時刻tに於けるCpqの第一電極電位Vqtは、Vqt=Vddexp-t/τqと記載される。ここでτqは時定数であり、比例係数Aを用いて、τq=ACq/W0qと表現される。又、比例係数AはsmF1の単位次元を持ち、A=A0expε/kBTにて表現される。ここでTは絶対温度で表現した温度であり、kBはボルツマン定数でkB=8.61×105eV/Kである。本実施形態では、プレイクスポネンシャルファクターはA0=1.595×108msμm/pFで、活性化エネルギーはε=0.517eVであった。オフ電流の発生機構の主体がプールフレンケル効果を伴うフォノンアシステッドトネリングである為に、価電子帯からシリコンバンドギャップの中心付近への電子励起エネルギーが活性化エネルギーに相当している。但し、これらの値取り分けプレイクスポネンシャルファクターA0は薄膜トランジスター固有の値で、薄膜トランジスターの構造や製造方法に応じて異なって来る。第一電極電位の変化Vq/Vddが精密に計測され得るのは、概ね、その値が5から95の範囲に入る時である。即ち、0.05≦Vq/Vdd≦0.95の際に、正確な温度計測が可能になる。この事は、後に図4を用いて説明する計測期間MPがtMPの場合、0.3338≦ACq/tMPW0q≦19.50を意味する。従って、この式を満たす様に計測期間MPの長さtMPと幅容量比とを定める。前述の如く、q個目の幅容量比Cq/W0qは、T0qのオフ電流に依るCpqの第一電極電位降下の時定数に比例する。この為、k個の幅容量比が皆異なっていれば、単一の計測期間で異なった温度範囲にて温度を計測できる事になる。即ち、幅広い温度範囲にて温度を計測できる。k個の幅容量比Cq/W0qを大きい順にC1/W01>C2/W02>>Ck/W0kと並べた時に、或る幅容量比がそれよりも一つ小さい値の幅容量比のほぼ20倍となっているのが理想的である。図2に示される様に、オフ電流値の対数が温度に概ね比例するので、ほぼ20倍2×10倍とは10のベキで考えられねばならず、その値は大凡2×10068倍から2×101450倍となる。即ち、8×Cq1/W0q1≦Cq/W0q≦50×Cq1/W0q1を満たす様に各幅容量比を定める。但しここでのqは1以上のk-1以下の整数である。q個目の幅容量比Cq/W0qをq1個目の幅容量比Cq1/W0q1の20倍とすると、Cpqの第一電極での電位降下の時定数は、Cpq1の第一電極での電位降下の時定数の20倍となる。その結果、T01とCp1とで高い温度範囲を計測し、T02とCp2とでそれよりも低い温度範囲を計測出来る事になる。同時にそれぞれの計測温度範囲が僅かに重なり、両者の間で計測されない温度範囲は無くなる。即ち、T01とCp1とで計測する温度範囲の下限がT02とCp2とで計測する温度範囲の上限よりも低くなり、広い温度範囲を漏れなく温度計測できる事になる。計測方法は後に詳述するが、例えば計測期間MPを2.5ミリ秒とし、3個の幅容量比を用いた場合の計測範囲を表1に示す。表1で白抜きのセルが計測に適する温度範囲Vq/Vddの値が5から95の範囲に入る場合で、網掛けのセルがこの温度範囲を外れる場合である。表1の第3列から第5列は時定数τqを表し、第6列から第8列は時定数τqを計測期間MPの長さtMPにて割った値を示す。表1の第3列と第6列から分かる様に、T01とCp1とではq=1、50°Cから130°Cの範囲で温度を精密に計測できる。一方、第4列と第7列からは、T02とCp2とではq=2、10°Cから60°Cの範囲で温度を精密に計測できる事が分かる。又、第5列と第8列からは、T03とCp3とではq=3、-30°Cから10°Cの範囲で温度を精密に計測できる事が分かる。こうして、一つの計測セルに計測用薄膜トランジスターT0とそれに接続する容量素子Cpとの組を3組設ける事で、-30°Cから130°C迄の広い温度範囲を、短時間で正確に計測できる訳である。計測方法図4は、本実施形態に係わる温度センサーにて温度を計測する際に、回路を駆動させるタイミングチャートを説明する図である。以下、図4を参照して、温度センサーを用いた計測方法を説明する。温度計測は準備期間PPと計測期間MPと出力期間OPとを含む。準備期間PPには計測用薄膜トランジスターT0をオン状態として、容量素子Cpを所定の電位に充電する。計測期間MPには計測用薄膜トランジスターT0をオフ状態として、第一薄膜トランジスターT1と容量素子Cpから先に充電された電荷を漏らす。漏れ電荷量は温度依存性を示すので、温度に応じて第一薄膜トランジスターT1のゲート電位は低下する。出力期間OPには低下したゲート電位に応じた出力を各計測セルから取り出す。これが温度計測の基本サイクルである。実際の温度計測の際には、まず、温度計測に先立ち、計測時に供給する基準信号Vrefの電位値を定める。上述の如く、温度センサー1は、基準トランジスターである第二薄膜トランジスターT2の電気特性と、温度に応じてゲート電位が変化する第一薄膜トランジスターT1の電気特性とが比較される。一方で、薄膜トランジスターはトランジスター毎に電気特性が僅かに異なるのが一般である。これを補正する為に、計測セル毎に基準温度に対応する基準信号Vrefの値を定める。以下に基準信号Vrefの値を定める具体的な手法を記す。1温度センサー1を基準温度のヒートリザーヴォアーに設置し、総ての計測セルが基準温度となる様にする。基準温度は測定対象温度範囲内で適宜設定される。基準温度は大凡その範囲の下限値とするのが望ましい。例えば測定対象温度範囲が寒冷地の冬の温度で、-20°Cから30°Cの範囲にあると予想される場合、基準温度は-20°C程度に設定する。2総ての第二薄膜トランジスターT2に対して、基準信号Vrefの選択電位として、数式1で表される仮の基準高電位Hrを設定する。ここでVddは正電源電位、Vthは薄膜トランジスターの閾値電圧の平均値、δは0.05Vから0.3V程度の小さい電圧値である。仮の基準高電位は、例えばHr=4.05Vである。3後述する方法で温度を計測し、総ての差動トランジスター対からの出力結果V5-V6の平均値がほぼゼロになる様に計測期間MPの時間を定める。即ち、数式2となる様に計測期間MPの長さを定める。ほぼゼロとは、出力結果の平均値が概ね-0.4Vから0.4Vの範囲に入る事を意味する。4こうして定められた計測期間MPの時間を用いて、再度ヒートリザーヴォアーの温度計測を行う。その際に、LDOUT出力とXLDOUT出力とが等しくなる様にV5=V6となる様に差動トランジスター対毎に提供するVrefの基準高電位値を定め、これを外部コントローラーに設けられている記憶装置に記憶させる。その後に温度センサー1を計測対象に配置し、計測を開始する。次に温度の計測方法を説明する。温度計測に際しては、外部コントローラーが第一選択回路51や第一処理回路52、第二選択回路61、第二処理回路62などに適当な信号や電源を供給し、その結果、各行線や列線、出力回路4等には図4に示す、以下の様な信号が供給される。準備期間PPには、まず充電用列線CCを正電源電位Vddとする。次いで充電用行線RCを第二高電位H2とし、次いで負電源電位Vssに戻す。次に充電用列線CCの電位を負電源電位Vssに戻す。これに依り総ての計測セルで、総ての容量素子Cpの第一電極が正電源電位Vddへと充電される。尚、負電源電位Vssとは正電源電位Vddよりも低い電位で、例えばVss=0V接地電位である。又、正電源電位は、例えばVdd=4.8Vで、第二高電位は、例えばH2=7.3Vである。計測期間MPには、充電用列線CCを負電源電位Vssとする。充電用行線RCも負電源電位Vssとする。この結果、計測用薄膜トランジスターT0はオフ状態となり、温度に応じたオフ電流を充電用列線CCに漏らす。こうして計測期間MPの終了時には第一薄膜トランジスターT1のゲート電位は第一高電位H1となる。計測期間MPが終了した後に出力期間OPに移る。出力期間OPに入ると、第一制御信号Cnt1に第三高電位H3を供給する。この値は、例えばH3=1.6Vである。出力期間OPでは、まず、行線R1からRkMが一本ずつ交替に選択される。通常は1行目の行線R1から最終行のkM行目の行線RkMへと順番に選択されて行く。行線には、選択持に選択信号電位第二高電位H2供給され、非選択時には非選択信号電位負電源電位Vssが供給される。一本の行線が選択されている期間に、列線CL1からCLNが一本ずつ交替に選択される。通常は1列目の列線CL1から最終列のN列目の列線CLNへと順番に選択されて行く。列線には、選択持に選択信号電位第二高電位H2が供給され、非選択時には非選択信号電位負電源電位Vssが供給される。この様にしてk×M×N個の計測用薄膜トランジスターT0と容量素子Cpとの組からから特定の一組が選択される。この選択された組に対応する基準高電位を外部コントローラーの記憶装置より読み出して、Vrefとする。第二薄膜トランジスターT2のゲートに供給される基準高電位は、その組の計測用薄膜トランジスターT0が基準温度に等しければ、出力電圧がV5=V6となる様に設定されているので、V5乃至はV6の値を読むと、選択された組の温度が分かる。例えば、選択された組が基準温度よりも低温であると、漏れ電流は少ないので、第一高電位第一薄膜トランジスターT1のゲート電位は基準高電位第二薄膜トランジスターT2のゲート電位よりも高くなる。その結果、LDOUTV6の電位は低くなり、XLDOUTV5の電位は高くなるので、V5-V6の値は正になる。反対に、選択された組が基準温度よりも高温であると、LDOUTV6の電位は高くなり、XLDOUTV5の電位は低くなるので、V5-V6の値は負になる。この計測方法では、出力期間を通じて、容量素子Cpに残留する電荷が維持される。即ち非破壊にて測定が測定対象物に影響することなく、即ち、電荷量を変動させることなく温度計測が行われ、それ故に温度センサーが大面積になっても高精細になっても、正確な計測が行われる事になる。使用方法温度センサーを使用する際には、低頻度測定モードと高頻度測定モードとを設けても良い。低頻度測定モードとは高頻度測定モードに備えて低頻度で計測を繰り返している期間で有る。高頻度測定モードでは、温度センサーは高頻度で計測を繰り返している。例えば、温度センサーを水道の凍結防止帯に内蔵させて使用する場合、暖かな日中は低頻度測定モードとし、気温が低下し始めて凍結しそうな期間を高頻度測定モードとする。或いは、温度の時間変化が緩やかな場合に低頻度測定モードとし、温度の時間変化が緩やかな場合には高頻度測定モードとする。低頻度測定モードにも高頻度測定モードにも、上述の計測方法の章に記載した方法で温度センサーは計測動作を行っているが、その計測頻度が異なる。低頻度測定モードでは単位時間内に行われる計測回数が少なく、高頻度測定モードではこれが多い。M行N列に配置された計測セルの総てを選択して計測する期間をフレーム期間とし、一つのフレーム期間から次のフレーム期間までの時間をスタンバイ期間とすると、計測頻度はフレーム期間とスタンバイ期間との和の逆数1/フレーム期間スタンバイ期間となる。即ち、高頻度測定モードに於ける計測頻度を、低頻度測定モードに於ける計測頻度よりも大きくする。一例としては、高頻度測定モードではスタンバイ期間をゼロとし、フレーム周波数フレーム期間の逆数と計測頻度とを一致させる。一方で、低頻度測定モードに於けるスタンバイ期間は数ミリ秒以上の比較的長時間とし例えば1秒、低頻度測定モードに於ける計測頻度をスタンバイ期間の逆数にほぼ一致させる。この様な低頻度測定モードと高頻度測定モードとを設ける事に依り、低頻度測定モードに於いては消費電力を低減でき、高頻度測定モードに於いては時間分解能を最大にする事ができる。尚、ここでは低頻度測定モードでも高頻度測定モードでもフレーム期間を同一とし、スタンバイ期間を変えたが、これに限らず、フレーム期間を低頻度測定モードと高頻度測定モードとで変えても構わない。即ち、高頻度測定モードに於けるクロック周波数の方を低頻度測定モードのクロック周波数よりも高くして、高頻度測定モードに於ける計測頻度を高くしても良い。トランジスターサイズ及び駆動条件図5は、本実施形態に係わる温度センサーにて温度を計測する際の等価回路図である。次に、図5を参照して、高感度で高性能な計測を実現する為の条件を示す。以下、第一薄膜トランジスターT1をT1と略称する。第二薄膜トランジスターT2から第七薄膜トランジスターT7も同様に略す。尚、T3のドレイン電位をV3で表し、T4のドレイン電位をV4、T7のドレイン電位をV7、で表す。T1とT2とは差動入力対であるので、飽和動作などの非線型動作が望ましい。T3とT4は選択トランジスターで、出力電位範囲を広くする視点から、線型動作が望ましい。従って、T3とT4とに関しては、ソースドレイン電圧Vdsは出来る限り小さく、V3=V5やV4=V6となるのが望ましい。T5とT6とはカレントミラー対で飽和動作でなければならない。又、T7は電流源トランジスターなので、矢張り飽和動作でなければならない。まず、トランジスターの電流式を表現するのに数式3の記号を用いる。ここでWはトランジスターチャンネル形成領域の幅、Lはトランジスターチャンネル形成領域の長さ、Coxは単位面積当たりのゲート絶縁膜容量、μは移動度である。すると、飽和特性の近似式は数式4で表される。又、線型特性の近似式は数式5で表される。本実施形態では薄膜トランジスターの閾値電圧をVthで表し、薄膜トランジスター間のVth変動は僅かであると近似する。即ち、T1からT7のVthは総て等しいと近似する。又、Vthは正であるとし、全体の電流T7の電流を2Iとする。まず、T1からT7のZをZ1からZ7で表し、これらを数式6の関係とする。数式6が満たされていると、T1のゲート電位H1とT2のゲート電位Hrとの差は線型増幅されて出力される。以下、各トランジスターに求められる駆動条件を検討する。1T1は飽和動作が望ましい。従って、数式7と数式8で表される飽和条件が満たされるのが望ましい。その結果、T1のドレイン電流は次式となる。2T2は飽和動作が望ましい。従って、数式10と数式11とで表される飽和条件が満たされるのが望ましい。その結果、T2のドレイン電流は次式となる。3T3は線型動作が好ましい。従って、数式13で表される線型条件が満たされるのが望ましい。その結果、T3のドレイン電流は次式となる。4T4は線型動作が好ましい。従って、数式15で表される線型条件が満たされるのが望ましい。その結果、T4のドレイン電流は次式となる。5T5は飽和動作するのが望ましい。従って、数式17で表される飽和条件が満たされるのが望ましい。その結果、T5のドレイン電流は次式となる。6T6は飽和動作するのが望ましい。従って、数式19と数式20とで表される飽和条件が満たされるのが望ましい。その結果、T6のドレイン電流は次式となる。7T7は飽和動作するのが望ましい従って、数式22で表される飽和条件が満たされるのが望ましい。その結果、T7のドレイン電流は次式となる。ここで、数式22を満たす為に、数式24とする。δは例えば0.1V程度で、容易に飽和条件を満たすには0.3V程度未満の正の値が理想である。次に数式13と数式15を満たす為に、数式25とする。これにより、少なくとも数式26と数式27とが満たされる様になる。T7に関する数式23と、T4に関する数式16とから、次式が得られる。この数式28に数式24と数式25とを適応すると、次の様になる。数式29の右辺に関しては、数式30を考慮する。ここで数式31とする。こうすれば、数式32が得られる。即ち、T4はゲート電圧がVth1V以上ならば、線型動作する。更に、T4での電位降下を確実に0.1V未満と小さくし、T4を線型動作させる為には、概ね次式が満たされれば良い。数式33は数式34と変形される。この場合、数式35の関係が得られる。即ち、明らかに線型条件数式15は満たされる。次に、総ての望ましい条件を満たす様に構成を定める。T7に関する数式23とT6に関する数式21に対して、数式36とする。こうすると、数式21と数式23とから数式37が得られる。次にT1に関する数式9とT5に関する数式18とに対して、数式38とする。こうすると、数式39が得られる。T7とT4の議論数式28から数式35までの議論により、数式40と数式41で表される関係になっている。数式39に数式41を代入し、数式37と連立させると、数式42と数式43の解が得られる。T2に関する数式12とT6に関する数式21とからは、数式44が得られる。数式44に数式37と数式40とを代入すると、数式45が得られる。以下、高感度で高性能な測定を実現する為に、満たされる事が望ましい各条件を如何に満たすかを示す。好適条件としての数式7:数式41と数式42とから数式7は数式46となる。好適条件としての数式10:数式40と数式44とから数式10は数式46となる。好適条件としての数式8:数式8は、Vthが正なので、数式47が成り立てば、確実に満たされる。好適条件としての数式11:数式11は、Vthが正なので、数式48が成り立てば、確実に満たされる。好適条件としての数式13と数式15:数式13と数式15とは、数式24と数式34とで満たされる。好適条件としての数式17:数式17は、数式42と数式43とから、数式46となる。好適条件としての数式19:数式19は、数式42と数式45とから、数式49となる。従って、計測温度が基準温度よりも高温の時の方が低温の時よりも高精度に温度計測がなされる。その意味では、基準温度は測定対象温度範囲の下限値に設定するのが好ましい。好適条件としての数式22:数式24から数式22は、数式50となる。これに数式43を適応すると、数式22は、数式51となる。数式24により、これは、数式52を意味する。数式47と数式52とから、H1に対する好適条件は数式53となる。数式53の右辺を満たすべく、T1のゲート電位は準備期間PPにVddへと充電され、計測期間MPに放電させる。第一高電位H1と基準高電位Hrとが等しい時に、出力V5-V6がゼロになるので、第一高電位H1の左辺を満たし易くする為に、仮の基準高電位を数式53の右辺と左辺との中間を取り、数式1の様に設定する。正電源電圧Vddを、数式54が示す様に、第三高電位H3の三倍以上に設定する事ができる。尚、数式54では数式24を配慮している。第一高電位H1は正電源電圧付近の値にあるので、こうすると、Vddが最も小さいH3の3倍の時でも、数式43と数式42とから、数式55が得られる。即ち、T1とT5、T7にはほぼ均等なドレイン電圧が印加され、これらのトランジスターは飽和動作する。同様にT2、T6、T7にもほぼ均等なドレイン電圧が掛かり、飽和動作する。Vddが3倍よりも大きくなると、T1やT5、T7に掛かるソースドレイン電圧は更に高くなるので、差動増幅範囲は更に広がる。纏めると、電位関係としては、Vddに関する数式54と、H3に関する数式24、H2に関する数式25、Hrに関する数式1とを満たす様にする。一例としては、Vth=1.5Vとして、δ=0.1V、γ=1Vとし、正電源電位Vdd=4.8V、第三高電位H3=1.6V、第二高電位H2=7.3V、仮の基準高電位Hr=4.05Vとする。トランジスターサイズに関しては、数式6と数式34、数式36、数式38から数式56とする。この様な電気関係とトランジスターサイズとを採用する事で、高感度で正確な計測が実現する。但し、T3とT4とは、実際には列選択トランジスターと行選択トランジスターとの直列接続なので、列選択トランジスターや行選択トランジスターのZはZ3やZ4の二倍とする。即ち、T3CやT3R、T4C、T4RのZをそれぞれZ3C、Z3R、Z4C、Z4Rにて表現した時に数式57とする。平面レイアウト図6は、本実施形態に係わる温度センサーで使用される各種回路の平面レイアウトを説明する図で、aは出力回路、bは列選択トランジスター、cは計測セルi,jである。以下、図6を参照して、これらの回路の平面レイアウトを説明する。薄膜トランジスターの製造方法は後に詳述するが、薄膜トランジスターは半導体層SLの他に、ゲート電極を構成するゲート配線金属層GMと、ソースドレイン電極に主として接続するソース配線金属層SMとを有する。これら三層の間には絶縁膜が設けられて、コンタクトホールで接続されぬ限り、電気的に分離されている。図6aに示す様に、カレントミラー対T5とT6とは平面的に隣接して形成される。即ち、T5の半導体層SLとT6の半導体層SLとは隣り合わせに配置される。両半導体層は、それらの間に別の半導体層が位置することはなく、デザインルールが許す限り、出来る限り近くに配置される。ゲート電極は無論共通で、T5のゲート電極とT6のゲート電極が直線になる様に、最短距離で配置される。また、両トランジスターのソースはゲート配線金属層GMにて接続され、T7のドレインに接続される。T5とT6との配置が近く、ゲート電極が最短距離で形成され、ソースコンタクトがゲート配線金属層GMにて接続される為、両トランジスターの温度はほぼ等しくなり、カレントミラー対は正確に動作する事になる。同様に、図6bに示す様に、列選択トランジスター対T3CとT4Cも両トランジスターの半導体層SLを隣接させ、ゲート電極が直線になる様に配置される。これにより、両トランジスターの温度がほぼ等しくなり、列選択トランジスター対に起因する増幅誤差を最小とできる。計測セルでは、図6cに示す様に、差動トランジスター対T1とT2とが隣接して配置され、両トランジスターのドレインがゲート配線金属層GMにてVddに接続される。これにより、両トランジスターの温度がほぼ等しくなり、正確な差動増幅がなされる。又、行選択トランジスター対T3RとT4Rも両トランジスターの半導体層SLを隣接させ、ゲート電極が直線になる様に配置される。これにより、両トランジスターの温度がほぼ等しくなり、行選択トランジスター対に起因する増幅誤差を最小とできる。温度センサーの製造方法温度センサー1では、柔軟性を有するプラスチックフィルムの基板2に薄膜回路を形成してあるが、ここでは温度センサー1の製造方法を述べる。具体的には、最初にガラス基板に形成された薄膜回路を剥離して、プラスチックフィルムに転写する方法で温度センサー1を製造する。第一工程として、製造元基板となるガラス基板上に剥離層を設ける。剥離層は厚みが50nm程の水素化非晶質シリコン膜である。この剥離層上に下地絶縁膜となる酸化硅素膜を成膜した後に、薄膜トランジスターなどからなる薄膜回路を製造する。薄膜回路は、公知の低温工程多結晶シリコン薄膜トランジスターの製造方法を適応する。具体的には、下地絶縁膜上にレーザー結晶化された多結晶シリコン半導体層を設け、その後に、酸化硅素膜を用いたゲート絶縁層と、アルミニウム又はアルミニウムに添加物を加えた金属を用いたゲート電極ゲート配線金属層GMとを作成する。更に、酸化硅素膜を用いた第一層間絶縁層、アルミニウム又はアルミニウムに添加物を加えた金属を用いたソースコンタクト及びドレインコンタクトソース配線金属層SM、ポリイミド系の樹脂を用いた第二層間絶縁層保護膜、インジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxideを用いた電極端子実装端子を作成する。次に第二工程として、仮接着剤を薄膜回路表面に塗布し、製造元基板を仮転写基板に貼り付ける。仮接着剤としては、アクリル系の樹脂に水溶性を与えるべくポリビニルピロリドン樹脂を混合したものを用いる。仮転写基板は平滑なガラス基板である。次に第三工程として、製造元基板を取り外し、薄膜回路を仮転写基板に移す。製造元基板を取り外す方法としては、製造元基板裏面からレーザー光を照射して剥離層の内部又は界面に於ける密着力を弱め、次いで製造元基板と仮転写基板とを引き剥がす。こうする事で薄膜回路は仮転写基板に移される。次に第四工程して、薄膜回路裏面に残る剥離層を除去し、例えばイオナイザーを用いて薄膜回路裏面に存在する電荷を除去する。此により剥離帯電や乾燥時の空気との摩擦帯電を或る程度除去できる。次に第五工程として、例えばアクリル系の樹脂からなる永久接着剤を用いてプラスチックフィルムの第一面側に薄膜回路裏面を貼り付ける。プラスチックフィルムとしては、ポリイミドなどの耐熱性の高いフィルムを用いることができる。プラスチックフィルムを貼り付けた後、第六工程として、プラスチックフィルム第二面側第一面側と反対の面に一時接着剤を用いて支持基板を接着する。この一時接着剤は熱や紫外光などの刺激で容易に接着性を喪失する材料で、且つ先の仮接着剤を溶解する溶媒には溶けない材質である。次に第七工程として、仮接着剤を溶解する溶媒この場合には水を用いて仮転写基板を外す。その後、仮接着剤を洗浄して除去する。次に第八工程として、実装作業を行う。まず、実装端子にテープ配線を実装する。この際には異方性導電ペーストや異方性導電フィルムを実装端子とテープ配線との間に配置して両者を接着する。その後、熱や紫外光などの刺激を一時接着剤に加えて、支持基板を取り外す。最後にテープ配線は温度センサー1の外に設けられた外部コントローラーに接続される。こうして、温度センサー1が完成する。尚、基板2は上述のプラスチックフィルムの他に、厚みが50マイクロメーターから500マイクロメーター程度の薄い金属箔や、厚みが10マイクロメーターから200マイクロメーター程度の薄いガラスであっても良い。これらの基板は可撓性を有するので、ロボットの皮膚と云った様なあらゆる形状に適応できるが、平面形状の用途に温度センサー1を使用する場合には、厚みが0.4mmから2mm程度のガラスを基板として使用しても良い。又、製造方法も厚いガラスに薄膜回路を形成した後にガラスを薄く削る方法や、プラスチックフィルムや金属箔に直接薄膜回路を形成する方法であっても良い。直接形成する場合には非晶質シリコン薄膜トランジスターや、亜鉛又は錫を含む酸化物を半導体層に利用した酸化物薄膜トランジスター等を利用することが出来る。上述した通り、本実施形態に係わる温度センサー1によれば、以下の効果を得る事ができる。薄膜トランジスターはマイクロメーター単位で形成できるため、空間分解能が数マイクロメーターと極めて高い温度センサーを実現できる。又、トランジスターの自己発熱の影響を受ける事なく、正確な温度計測が可能になる。更に、第一計測用薄膜トランジスターと第二計測用薄膜トランジスターとが異なった温度範囲を対象として温度を計測するので、広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。又、第一容量素子の容量と第二容量素子の容量とを変える事で、広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。又、C1/W01の値をC2/W02の値の8倍から50倍の範囲とする事で、第一計測用薄膜トランジスターと第一容量素子とで比較的高い温度範囲を対象として温度計測をし、第二計測用薄膜トランジスターと第二容量素子とで比較的低い温度範囲を対象として温度計測をするので、広い温度範囲に渡って正確な温度計測を行う事ができる。又、更に、計測セルが第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とを備えると、第一計測用薄膜トランジスターと第二計測用薄膜トランジスターと第三計測用薄膜トランジスターとが、それぞれ異なった温度範囲を対象として温度を計測するので、極めて広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。又、更に、第一容量素子の容量と、第二容量素子の容量と、第三容量素子の容量と、がそれぞれ異なっているので、それぞれが異なった温度範囲を対象として温度を計測する事が可能になり、極めて広い温度範囲に渡って正確な温度計測を実現できる。又、C1/W01の値をC2/W02の値の8倍から50倍の範囲とし、C2/W02の値をC3/W03の値のほぼ8倍から50倍の範囲できるので、第一計測用薄膜トランジスターと第一容量素子とで比較的高い温度範囲を対象として温度計測をし、第三計測用薄膜トランジスターと第三容量素子とで比較的低い温度範囲を対象として温度計測をし、第二計測用薄膜トランジスターと第二容量素子とで中間の温度範囲を対象として温度計測を行い、著しく広い温度範囲に渡って正確な温度計測を行う事ができる。又、計測セルを第一の方向に複数個配置して、個別に選択するので、第一の方向に関する温度の空間分布を計測できる。従って、温度が第一の方向に沿って異なっていても、正確に温度を計測できる。又、計測セルを第二の方向に複数個配置して、個別に選択するので、第二の方向に関する温度の空間分布を計測できる。従って、温度が第二の方向に沿って異なっていても、正確に温度を計測できる。又、各計測セルに差動トランジスター対が設けられているので、面状の温度センサーが大面積となっても、高精細になっても、高精度に温度を計測する事ができる。又、温度の計測期間と計測結果の出力期間とを分ける事ができるので、計測時に薄膜トランジスターが自己発熱することなく、正確な温度測定が実現する。実施形態2一つの差動入力対を複数の計測用薄膜トランジスターが兼用する形態図7は、実施形態2に係わる温度センサーの回路を説明する図である。以下、本実施形態に係わる温度センサーについて説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。本実施形態図7は実施形態1図3と比べて、計測セル内に設けられた差動入力対の数が異なっている。それに伴って、計測セル内の回路形態も変わっている。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。図7に示す様に、i行j列に位置する計測セルi,jの内部にT01と、Cp1と、T02と、Cp2と、T03と、Cp3と、が設けられている。T01とT02とT03のドレイン電極は、Cp1とCp2とCp3の第一電極にそれぞれ接続し、更にスイッチングトランジスターS1とS2とS3のソースドレイン電極の一方に接続している。ここでは、説明の便宜上、T01とT02とT03のドレイン電極が接続している電極を、スイッチングトランジスターS1とS2とS3のソース電極とする。T01とT02とT03のソース電極は充電用列線CCに接続し、ゲート電極は充電用行線RCに接続している。Cp1とCp2とCp3の第二電極は第二電源負電源Vssに接続している。スイッチングトランジスターS1とS2とS3のドレイン電極は第一薄膜トランジスターT1のゲート電極に接続している。又、スイッチングトランジスターS1とS2とS3のゲート電極は、それぞれスイッチング用行線RS3iとRS3i-1、RS3i-2とに接続している。第一薄膜トランジスターT1と第二薄膜トランジスターT2のドレイン電極は第一電源正電源Vddに接続し、ソース電極は行選択トランジスターT3RとT4Rのドレイン電極に接続している。行選択トランジスターT3RとT4Rのソース電極は、それぞれj列目の奇数列線COjと偶数列線CEjとに接続している。行選択トランジスターT3RとT4Rのゲート電極は、共にi行目の行線Riに接続している。T01とT02とT03とでは、いずれもチャンネル形成領域幅が異なっており、幅W01は1μmで、幅W02は10μmで、幅W03は100μmある。又、Cp1とCp2とCp3とでは、いずれも容量が異なっている。Cp1は、第一電極と第二電極のサイズが200μm×200μmで、誘電体膜好適例としてSiO2の厚みが69nmで有るので、容量C1は20pFである。一方、Cp2は、第一電極と第二電極のサイズが200μm×100μmで、誘電体膜の厚みは同じく69nmで有るので、容量C2は10pFである。Cp3は、第一電極と第二電極のサイズが100μm×100μmで、誘電体膜の厚みは同じく69nmで有るので、容量C3は5pFである。この結果、C1/W01の値は20pF/μmとなり、C2/W02の値は1pF/μmとなるので、C1/W01の値はC2/W02の値の20倍となっている。又、C3/W03の値は0.05pF/μmとなるので、C2/W02の値はC3/W03の値の20倍となっている。従って、実施形態1の表1に記載されている様に、計測期間MPの長さが2.5ミリ秒の場合、T01とCp1との組が50°Cから130°Cの温度範囲を計測でき、T02とCp2との組が10°Cから60°Cの温度範囲を計測でき、T03とCp3との組が-30°Cから10°Cの温度範囲を計測できる。尚、スイッチングトランジスターS1とS2とS3のチャンネル形成領域幅Wsは計測用薄膜トランジスターT0の最小幅の10分の1以下が好ましい。計測用薄膜トランジスターT0で一番幅が狭いのはT01で有るので、具体的にはWs≦W01/10とするのが好ましい。こうすると計測期間MPにスイッチングトランジスターS1とS2とS3とを介して第一薄膜トランジスターT1のゲート電極への漏れ電流が少なくなり、計測精度が高められるからである。温度は以下に記す手順で計測される。まず、実施形態1で詳述した様に、ヒートリザーヴォアーの温度計測を行った際に、LDOUT出力とXLDOUT出力とが等しくなる様にV5=V6となる様に差動トランジスター対毎に提供するVrefの基準高電位値を定め、これを外部コントローラーに設けられている記憶装置に記憶させる。その後に温度センサー1を計測対象に配置し、計測を開始する。次に、準備期間PPに先立ち、第一薄膜トランジスターのゲート電極をリセットする。これは、充電用列線CCを負電源電位Vssとした状態で、総ての計測用薄膜トランジスターT0と総てのスイッチングトランジスターSとを一時的にオン状態とする。このリセット動作後に総てのスイッチングトランジスターSをオフ状態として、容量素子Cpを充電する。これは充電用列線CCを正電源電位Vddとした状態で、総ての計測用薄膜トランジスターT0を一時的にオン状態とする事で達せられる。次に、計測期間MPに移る。これは充電用列線CCを負電源電位Vssとした状態で、総ての計測用薄膜トランジスターT0をオフ状態とする。次に、出力期間OPに移る。温度の計測結果は、計測セルを順次選択して出力する。計測セルi,jは、i行目の行線Riとj列目の列線CLjとに選択信号第二高電位H2を供給する事で、選択される。計測セルi,jが選択されている状態で、幅容量比Cq/W0qが小さい順にスイッチングトランジスターSを選択して行く。本実施形態では最初にT03とCp3とを選択しRS3i-2に第二高電位H2を供給し、次いでT02とCp2を選択しRS3i-1に第二高電位H2を供給し、最後にT01とCp1を選択するRS3iに第二高電位H2を供給する。即ち、各計測セルで測定対象温度範囲が低いT0qとCpqとの組から順に選択して行く。容量素子の第一電極電位の低い順に計測する事で広い範囲の温度を正確に計測する事ができる。これは次の例から分かる。例えば温度が-10°Cで有ったとする。この際に、Cp1の第一電極電位は0.999Vddとなり、Cp2の第一電極電位は0.981Vddとなり、Cp3の第一電極電位は0.687Vddとなる。従って、Cp3から測定して行けば、正確な測定が為される。これに対して、もしCp3に先だってCp1又はCp2の測定がなされると、その測定によって第一薄膜トランジスターT1のゲート電極が充電されるので、Cp3の測定時にそれが誤差として載って仕舞う。又、例えば温度が100°Cで有ったとする。この際に、Cp1の第一電極電位は0.454Vddとなり、Cp2の第一電極電位は0Vとなり、Cp3の第一電極電位も0Vである。従って、Cp3からCp2、Cp1へと測定しても、Cp3やCp2の測定がCp1の測定に影響することなく、正確な測定が為される。この様に一つの計測セル内にk個の容量素子Cpqが設けられている場合、幅容量比Cq/W0qの小さい順にスイッチングトランジスターSをオン状態にして行き、測定対象温度範囲が低い順に各計測セルでの温度計測結果を出力する。上述した通り、本実施形態に係わる温度センサー1によれば、実施形態1での効果に加え、以下の効果を得る事ができる。各計測セルで一つの差動トランジスター対を使用するので、少なくとも計測セル内では差動トランジスター対に起因する計測誤差を完全に回避できる。その結果、より正確な計測が実現される。又、各計測セルが有するトランジスター数が減るので、計測セルの面積を狭くし得る。その結果、計測セルを高密度に配置する事ができ、温度計測に於ける空間分解能を高める事が可能となる。尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加える事が可能である。変形例を以下に述べる。変形例1回路がPMOSにて形成されている形態図8は、変形例1に係わる温度センサーの回路を説明する図である。以下、本変形例に係わる温度センサーについて説明する。尚、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。本変形例図8は実施形態1図3と比べて、温度センサー1の回路を構成する薄膜トランジスターの伝導型が異なっている。それ以外の構成は、実施形態1とほぼ同様である。実施形態1ではN型の薄膜トランジスターを用いて温度センサー1の回路計測回路3と出力回路4、及び第二処理回路62の列選択トランジスターを構成していたが、本変形例ではP型の薄膜トランジスターT1からT7を用いてこれらの回路を構成する。この場合、第一電源が負電源Vssとなり、第二電源が正電源Vddとなる。又、P型薄膜トランジスターのソースドレインは電位の高い方がソースとなり、電位の低い方がドレインになる。図8には参考の為にソースとドレインとをsとdとで示してある。P型薄膜トランジスターとしては、半導体層にポリ9,9-ジオクチルフルオレン-コージチオフェンF8T2や、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ[5,5’-ビス3-ドデシル-2チニル-2,2’-ビチオフェン]PQT-12、PBTTT、ペンタセン等の有機物を使用した有機物薄膜トランジスターを使用することができる。トランジスターサイズに関しては、実施形態1と同じである。駆動方法は実施形態1の図4と同じだが、非選択期間の電位をVddとし、選択期間の各種高電位H2やH3、HrをVddに対して負の絶対値が大きくなる様に変える。尚、P型薄膜トランジスターの閾値電圧VthPは負である。具体的には、Vddに関する数式54は数式58へと変えられる。又、H3に関する数式24は数式59へと変えられる。又、H2に関する数式25は数式60へと変えられる。又、Hrに関する数式1は数式61へと変えられる。従って、例えば、VthP=-1.5Vとして、δP=-0.1V、γP=-1V、Vss=0Vとし、Vdd=4.8V、H3=3.2V、H2=-2.5V、Hr=0.75Vとする。ここでのH2様に、負電圧を準備するのが困難な場合、総ての電位が正になる様にVddとVssを一定量ずらしても良い。例えば、Vddに関する数式58を数式62へと変える。これに応じて、Vssを数式63へと変える。上記例では全体が2.5Vずれて、Vdd=7.3V、Vss=2.5V、H3=5.7V、H2=0V、Hr=3.25Vとなる。上述した通り、本変形例に係わる温度センサー1によれば、N型の薄膜トランジスターを使用せずに、P型の薄膜トランジスターで温度センサー1を実現できる。尚、上記の例では計測回路3と出力回路4、及び第二処理回路62の列選択トランジスターを総てP型の薄膜トランジスターで形成したが、これ以外にもこれらの回路の一部をP型とし、他の部分をN型としても良い。例えば出力回路4をP型薄膜トランジスターで形成し、計測回路3をN型薄膜トランジスターで形成しても良い。更には、差動トランジスター対T1とT2との対や、行選択トランジスター対T3RとT4Rとの対、列選択トランジスター対T3CとT4Cとの対、カレントミラー対T5とT6との対と云った各対の内部で対をなす薄膜トランジスターが同一伝導型で有れば、対間では薄膜トランジスターの伝導型が異なっていても構わない。"