"金属塩と第一アミドと水を主体とする溶媒とを含むことを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。前記第一アミドの含有量が、前記金属塩に対して0.1~100質量であることを特徴とする請求項1に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。前記第一アミドが、下記一般式Iで表される化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。式I中、R1は水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基、水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した酸素原子、又は、水素原子、酸素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した窒素原子を表す。前記金属塩の金属が、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。前記金属塩が無機酸塩であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。前記無機酸塩が、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、ホウ酸塩、塩酸塩及びフッ化水素酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項5に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。酸性であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。pHが1~3であることを特徴とする請求項7に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物。請求項1~8のいずれか一項に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を塗布して形成される前駆体薄膜を150°C以上300°C未満で焼成することを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法。請求項9に記載のアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法により製造されたものであることを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層。請求項10に記載のアモルファス金属酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体デバイス。本発明は、大気圧下で塗布法により緻密なアモルファス金属酸化物半導体層を低温で形成できるアモルファス金属酸化物半導体層前駆体組成物、アモルファス金属酸化物半導体層及びその製造方法並びに半導体デバイスを提供することにある。本発明は第1観点として、金属塩と第一アミドと水を主体とする溶媒とを含むアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第2観点として、前記第一アミドの含有量が、前記金属塩に対して0.1~100質量である第1観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第3観点として、前記第一アミドが、下記一般式Iで表される化合物である第1観点又は第2観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、式I中、R1は水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基、水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した酸素原子、又は、水素原子、酸素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した窒素原子を表す。第4観点として、前記金属塩の金属が、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種である第1観点~第3観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第5観点として、前記金属塩が無機酸塩である第1観点~第4観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第6観点として、前記無機酸塩が、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、ホウ酸塩、塩酸塩及びフッ化水素酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である第5観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第7観点として、酸性である第1観点~第6観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第8観点として、pHが1~3である第7観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物、第9観点として、第1観点~第8観点のいずれか一つに記載のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を塗布して形成される前駆体薄膜を150°C以上300°C未満で焼成することを特徴とするアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法、第10観点として、第9観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層の製造方法により製造されるアモルファス金属酸化物半導体層、第11観点として、第10観点に記載のアモルファス金属酸化物半導体層を有する半導体デバイス、である。本発明によれば、金属塩と第一アミドと水を主体とする溶媒とを含む組成物とすることにより、大気圧下で塗布法により緻密なアモルファス金属酸化物半導体層を低温で形成できるアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物となる。そして、このアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を用いれば、低温での焼成で緻密なアモルファス金属酸化物半導体層を得ることができ、アモルファス金属酸化物半導体層を含む半導体デバイスを得ることができる。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物以下、前駆体組成物とも記載する。は、金属塩と第一アミドと水を主体とする溶媒とを含む組成物である。前記第一アミドの含有量は、前記金属塩に対して0.1~100質量であり、好ましくは5~50質量である。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物が含有する第一アミドとしては、下記一般式Iで表される化合物が挙げられる。なお、水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した酸素原子とは、-OH又は-OR2R2は炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基である。また、水素原子、酸素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した窒素原子とは、例えば、-NH2、-NHR3や、-NR4R5R3、R4及びR5はそれぞれ独立に炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基であるである。式I中、R1は水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基、水素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した酸素原子、又は、水素原子、酸素原子、炭素原子数1~6の分岐若しくは直鎖のアルキル基が結合した窒素原子を表す。第一アミドの具体例としては、アセトアミド、アセチル尿素、アクリルアミド、アジポアミド、アセトアルデヒドセミカルバゾン、アゾジカルボンアミド、4-アミノ-2,3,5,6-テトラフルオロベンズアミド、β-アラニンアミド塩酸塩、L-アラニンアミド塩酸塩、ベンズアミド、ベンジル尿素、ビ尿素、ビュウレット、ブチルアミド、3-ブロモプロピオンアミド、ブチル尿素、3,5-ビストリフルオロメチルベンズアミド、カルバミン酸tert-ブチル、ヘキサンアミド、カルバミン酸アンモニウム、カルバミン酸エチル、2-クロロアセトアミド、2-クロロエチル尿素、クロトンアミド、2-シアノアセトアミド、カルバミン酸ブチル、カルバミン酸イソプロピル、カルバミン酸メチル、シアノアセチル尿素、シクロプロパンカルボキサミド、シクロヘキシル尿素、2,2-ジクロロアセトアミド、リン酸ジシアンジアミジン、グアニル尿素硫酸塩、1,1-ジメチル尿素、2,2-ジメトキシプロピオンアミド、エチル尿素、フルオロアセトアミド、ホルムアミド、フマルアミド、グリシンアミド塩酸塩、ヒドロキシ尿素、ヒダントイン酸、2-ヒドロキシエチル尿素、ヘプタフルオロブチルアミド、2-ヒドロキシイソブチルアミド、イソ酪酸アミド、乳酸アミド、マレアミド、マロンアミド、1-メチル尿素、ニトロ尿素、オキサミン酸、オキサミン酸エチル、オキサミド、オキサミン酸ヒドラジド、オキサミン酸ブチル、フェニル尿素、フタルアミド、プロピオン酸アミド、ピバル酸アミド、ペンタフルオロベンズアミド、ペンタフルオロプロピオンアミド、セミカルバジド塩酸塩、こはく酸アミド、トリクロロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、硝酸尿素、尿素、バレルアミド等が挙げられる。中でもホルムアミド、尿素、カルバミン酸アンモニウムが好ましい。これらは1種を用いても、2種以上を組み合わせて用いても良い。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物が含有する金属塩の金属は、例えば、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種である。上記に挙げた金属の中でインジウムIn、錫Sn、亜鉛Znのいずれかを含むことが好ましく、更にガリウムGaまたはアルミニウムAlを含んでもよい。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物により得られるアモルファス金属酸化物半導体としては、酸化インジウムガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム、酸化インジウムスズ亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、例えば、InGaZnOx、InGaOx、InSnZnOx、GaZnOx、InSnOx、InZnOx、SnZnOxいずれもx>0、ZnO、SnO2等が挙げられる。また、用いられる金属塩は無機酸塩であることが好ましい。無機酸塩としては、例えば、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、ホウ酸塩、塩酸塩及びフッ化水素酸塩からなる群から選ばれる少なくとも1種を用いることができる。また、塗布後の加熱処理焼成をより低温で行うためには、無機酸塩としては塩酸塩、硝酸塩が好ましい。なお、本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物が複数種の金属を含有する場合、各金属の割合組成比は所望のアモルファス金属酸化物半導体層を形成することができれば特に限定されないが、例えば、Inや、Snの金属塩から選ばれる塩に含有される金属金属Aと、Znの金属塩から選ばれる塩に含有される金属金属Bと、Gaや、Alの金属塩に含有される金属金属Cとのモル比率が、金属A:金属B:金属C=1:0.05~1:0~1を満たすことが好ましい。例えば、金属塩としては硝酸塩が最も好ましいので、モル比率が金属A:金属B:金属C=1:0.05~1:0~1を満たすように、各金属の硝酸塩を、詳しくは後述する水を主成分とした溶媒に溶解し、さらに上記一般式I等の第一アミドが含まれる水溶液とすればよい。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物の溶媒は、水を主体とするものである。すなわち、主溶媒、つまり溶媒の50質量以上が水という意味である。水を主体としていればよく、水のみを溶媒として用いても、水と有機溶媒との混合溶媒を用いてもよい。水以外に含まれる有機溶媒の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、N-メチルピロリドン、ホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-2-ピロリドン、N-メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、2-ブタノール、tert-ブタノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、n-ヘキサノール、シクロヘキサノール、2-メチル-2-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2,2-ジメチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-3-ペンタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、4,4-ジメチル-2-ペンタノール、3-エチル-3-ペンタノール、1-ヘプタノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、2-メチル-2-ヘキサノール、2-メチル-3-ヘキサノール、5-メチル-1-ヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、2-エチル-1-ヘキサノール、4-メチル-3-ヘプタノール、6-メチル-2-ヘプタノール、1-オクタノール、2-オクタノール、3-オクタノール、2-プロピル-1-ペンタノール、2,4,4-トリメチル-1-ペンタノール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、3-エチル-2,2-ジメチル-ペンタノール、1-ノナノール、2-ノナノール、3,5,5-トリメチル-1-ヘキサノール、1-デカノール、2-デカノール、4-デカノール、3,7-ジメチル-1-オクタノール、3,7-ジメチル-3-オクタノール等が挙げられる。これらの有機溶媒は2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物中の固形分濃度は0.1質量以上であり、好ましくは0.3質量以上であり、より好ましくは0.5質量以上である。また、本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物中の固形分濃度は30.0質量以下であり、好ましくは20.0質量以下であり、より好ましくは15.0質量以下である。なお、固形分濃度とは、金属塩と第一アミドの合計の濃度である。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物は酸性であることが好ましい。また、アモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物のpHは1~3であることが好ましい。pHを酸性にするために、硝酸、硫酸、リン酸、炭酸、ホウ酸、塩酸及びフッ化水素酸からなる群から選ばれる少なくとも1種を用いることができる。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物の製造方法は特に限定されず、例えば、金属塩と第一アミドを水を主体とする溶媒に混合すればよい。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を基板に塗布して前駆体薄膜を形成させた後、低温、例えば、150°C以上300°C未満で焼成することにより緻密なアモルファス金属酸化物半導体層を製造することができる。なお、焼成工程の前に、残存溶媒を予め除去するために、50°C以上150°C未満で前処理として乾燥工程を行うことが好ましい。アモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物の塗布方法は、公知の方法を適用することができ、例えばスピンコート、ディップコート、スクリーン印刷法、ロールコート、インクジェットコート、ダイコート法、転写印刷法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられる。前記前駆体組成物を各種の塗布方法により塗布して得られる前駆体薄膜の厚さは1nm~1μmであり、好ましくは10~100nmである。なお、一回の塗布焼成処理により所望の厚さが得られない場合には、塗布焼成処理の工程を所望の膜厚となるまで繰り返せばよい。アモルファス金属酸化物半導体層の形成には前記の塗布された前駆体薄膜の焼成が必要であるが、本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物は、従来300°C以上必要とされていた焼成温度より低い温度でも緻密なアモルファス金属酸化物半導体層を形成することが可能である。この前駆体薄膜の焼成は、金属塩の酸化反応のための工程である。この焼成温度は、150°C以上300°C未満が好ましく、より好ましくは、150°C以上275°C以下である。勿論、300°C以上例えば500°C以下で焼成しても、アモルファス金属酸化物半導体層を製造することができる。焼成時間は特に限定されないが、例えば、3分~24時間である。このように焼成することにより、アモルファス金属酸化物半導体層を形成することができる。アモルファス金属酸化物半導体層の厚さは特に限定されないが、例えば5~100nmである。ここで、特許文献1等には、大気圧プラズマ装置やマイクロ波加熱装置を用いて300°C未満の焼成アニール温度で焼成し、半導体層を得る手段が開示されている。しかしこれらの装置は汎用性が低く、高価であることから、ホットプレート、IR炉、オーブンなどの汎用性が高く、安価な装置を用いて300°C未満の焼成温度で焼成し半導体層を得る技術が求められている。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を用いることで、ホットプレート、IR炉、オーブンなどの汎用性が高く安価な加熱装置を用いて300°C未満の焼成温度で品質の高いアモルファス金属酸化物半導体層を得ることができる。具体的には、この焼成は、ホットプレート、オーブン、IR炉等を用いることが可能である。また、前記前駆体薄膜の焼成を行う雰囲気は、空気中、酸素等の酸化雰囲気だけでなく、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス中で行うこともできる。前記前駆体薄膜を形成させる基板は特には限定されず、例えばシリコン基板、金属基板、ガリウム基板、透明電極基板、有機薄膜基板、プラスチック基板、ガラス基板等が挙げられる。より具体的には、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのプラスチックフィルム、ステンレス箔、ガラスが挙げられる。また、配線層やトランジスタ等の回路素子が形成された半導体基板等であってもよい。本発明の半導体デバイスは、本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を塗布して基板に前駆体薄膜を形成させた後、低温で焼成することにより得られるアモルファス金属酸化物半導体層を含む半導体デバイスである。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層を含む半導体デバイスは、電子キャリア濃度の下限値が1012/cm3であり、アモルファス金属酸化物の組成構成元素、組成比、製造条件等を制御することにより、電子キャリア濃度を調整することができる。電子キャリア濃度の下限値は1012/cm3以上であり、好ましくは1013/cm3以上である。また、電子キャリア濃度の上限値は1018/cm3以下である。本発明のアモルファス金属酸化物半導体層を含む半導体デバイスである薄膜トランジスタは、前出のアモルファス金属酸化物半導体層を用いたものであればその構成は特に制限されない。一例として、図1~図3に本発明のアモルファス金属酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタの構成例を示す。図1及び図2の例では、本発明の薄膜トランジスタは、基板1上にゲート電極2が形成されており、ゲート電極2は、ゲート絶縁膜3で覆われている。そして、図1の例では、ゲート絶縁膜3の上にソース電極4とドレイン電極5とが設置されており、これらを覆うように本発明のアモルファス金属酸化物半導体層6が形成されている。一方、図2の例では、ゲート絶縁膜3の上にアモルファス金属酸化物半導体層6が形成され、その上にソース電極4とドレイン電極5とが設置されている。また、図3の例では、基板1上にアモルファス金属酸化物半導体層6が形成されており、このアモルファス金属酸化物半導体層6と基板1の双方を覆うようにソース電極4とドレイン電極5が設置されている。そしてゲート絶縁膜3はアモルファス金属酸化物半導体層6とソース電極4とドレイン電極5の上に形成され、その上にゲート電極2が設置された構成となっている。薄膜トランジスタに用いられる電極材料ゲート電極2、ソース電極4や、ドレイン電極5の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、モリブデン、チタンなどの金属や、ITO、IZO、カーボンブラック、フラーレン類、カーボンナノチューブなどの無機材料、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフルオレンおよびこれらの誘導体などの有機π共役ポリマーなどが挙げられる。これらの電極材料は1種類で用いてもよいが、薄膜トランジスタの電界効果移動、オン/オフ比の向上を目的として、もしくは閾値電圧の制御を目的として、複数の材料を組み合わせて用いてもよい。又、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のそれぞれにおいて異なる電極材料を用いてもよい。また、ゲート絶縁膜3としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどの無機絶縁膜、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどの有機絶縁膜が挙げられる。これらのゲート絶縁膜は1種類で用いてもよいが、薄膜トランジスタの電界効果移動、オン/オフ比の向上を目的として、もしくは閾値電圧の制御を目的として、複数の膜を組み合わせて用いてもよい。また、基板1としては、上述した前駆体薄膜を形成させる基板と同様の基板が挙げられる。ゲート電極2、ソース電極4や、ドレイン電極5の形成方法としては、真空蒸着、スパッタなどを用いるのが一般的であるが、製造方法の簡略化のため、スプレーコート法、印刷法、インクジェット法などの塗布法でもよい。また、ゲート絶縁膜3は、真空蒸着、スパッタなどを用いるのが一般的であるが、製造方法の簡略化のため、スプレーコート法、印刷法、インクジェット法などの塗布法でもよく、原料がシリコンの場合は熱による酸化によっても形成することができる。実施例1硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと尿素0.05g関東化学製、特級99.0とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-1とした。前駆体組成物-1のpHは2.0であった。前駆体組成物-1を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例2硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとホルムアミド0.05g東京化成工業製、98.5とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-2とした。前駆体組成物-2のpHは2.2であった。前駆体組成物-2を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例3硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと尿素0.05g関東化学製、特級99.0とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-3とした。前駆体組成物-3のpHは2.0であった。前駆体組成物-3を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例4硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸ガリウムIII8水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと尿素0.05g関東化学製、特級99.0とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-4とした。前駆体組成物-4のpHは2.2であった。前駆体組成物-4を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、290°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例5硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸ガリウムIII8水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと尿素0.05g関東化学製、特級99.0とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-5とした。前駆体組成物-5のpHは2.2であった。前駆体組成物-5を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例6硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとホルムアミド0.05g東京化成工業製、98.5とを超純水4.28gとエタノール0.23gとの混合溶液に添加し、溶液が完全に透明になるまで攪拌して水溶液としたものを前駆体組成物-6とした。前駆体組成物-6のpHは2.0であった。前駆体組成物-6を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例7硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸ガリウムIII8水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとホルムアミド0.05g東京化成工業製、98.5とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-7とした。前駆体組成物-7のpHは2.2であった。前駆体組成物-7を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。実施例8基板1を熱酸化膜SiO2、ゲート絶縁膜3が上部に形成されているp型過剰ドープシリコンウエハー抵抗値0.02Ωcm以下、熱酸化膜200nm、ケイエスティワールド株式会社製とし、1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。なお、この基板は、ゲート電極としても機能するものである。この基板1上に、前駆体組成物-1をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層6を形成した。そして、形成したアモルファス金属酸化物半導体層6上に、チャネル長さ90μm、チャネル幅2000μm、膜厚100nmになるようなシャドーマスクを介してアルミ電極を真空蒸着により作成し、その2点をソース電極4、ドレイン電極5とし、一方で基板1表面をダイヤモンドカッターで熱酸化膜までスクラッチした箇所をゲート電極として、薄膜トランジスタを作製した。この薄膜トランジスタの構造を図4の概略断面図で示す。実施例9実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例10実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例11実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例12実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-7をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例13実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275°Cで12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例14実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275°Cで12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例15実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-1をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例16実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-2をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。実施例17実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-6をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例1硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-R1とした。前駆体組成物-R1のpHは1.9であった。前駆体組成物-R1を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。比較例2硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとを2-メトキシエタノール4.50g東京化成工業製、99.0に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して溶液としたものを前駆体組成物-R2とした。前駆体組成物-R2のpHは有機溶媒組成物であったため測定できなかった。前駆体組成物-R2を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。比較例3硝酸インジウムIII3水和物0.27gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.08gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとをエタノール4.50g関東化学、特級99.5に添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して溶液としたものを前駆体組成物-R3とした。前駆体組成物-R3のpHは有機溶媒組成物であったため測定できなかった。前駆体組成物-R3を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。比較例4硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと2-アミノエタノール0.05g東京化成工業製、99.0とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-R4とした。前駆体組成物-R4のpHは2.5であった。前駆体組成物-R4を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。比較例5硝酸インジウムIII3水和物0.36gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisと硝酸亜鉛6水和物0.10gAldrich社製、99.999tracemetalsbasisとグリシン0.05g東京化成工業製、99.0とを超純水4.50gに添加し、溶液が完全に透明になるまで撹拌して水溶液としたものを前駆体組成物-R5とした。前駆体組成物-R5のpHは2.1であった。前駆体組成物-R5を無アルカリガラス上にスピンコートで塗布し、その後、室温で30秒間静置してから大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで15分ホットプレート上にて焼成した。比較例6実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例7実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R4をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例8実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、300°Cで60分ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例9実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、275°Cで12時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例10実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R3をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例11実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R4をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。比較例12実施例8と同様の基板を1500mJ/cm2のUVオゾン発生装置で洗浄した。この基板上に、前駆体組成物-R5をスピンコートで焼成後の膜厚が10nmになるように塗布し、大気中150°Cで5分間ホットプレート上にて乾燥した後、250°Cで24時間ホットプレート上にて焼成して、アモルファス金属酸化物半導体層を形成した。その後は、実施例8と同様の操作を行って、薄膜トランジスタを作製した。走査電子顕微鏡観察実施例1~7及び比較例1~5で作製した無アルカリガラス基板上の金属酸化物半導体層の表面を、走査型電子顕微鏡株日立ハイテクノロジーズ製、S4800により25,000倍に拡大して観察した。結果の一例を、実施例1について図5に、比較例1について図6に、実施例4について図7に示す。この結果、実施例1~7で作製された金属酸化物半導体層は、全体が緻密で均一なアモルファス層であった。一方、比較例1及び2では凹凸があり、不均一で実施例1~7と比較して緻密性が顕著に劣る層が形成されていることが観察された。なお、実施例1~7で作成された膜がアモルファス層であることは、電子線回折ナノビーム電子線回折によってアモルファス由来のハローリングが観察されたことで確認した。また、比較例1及び比較例2は、アモルファスではなく結晶の金属酸化物半導体層であった。焼成下限温度の測定実施例1~7及び比較例1~5について、それぞれ金属酸化物半導体層が形成される温度を、TG-DTA分析により求めた。測定にはTG-DTA分析装置ブルカーエイエックスエ株製、TG-DTA/MS9610を用い、毎分5°Cで昇温させ、室温から450°CまでのTG-DTA曲線を得た。結果の一例として、実施例1について図8に示す。図8に示すように、DTA曲線の最後の吸熱ピーク温度図8においてD1と記載する。とTG曲線の重量減少の停止温度がほぼ一致しているため、D1°Cを焼成下限温度とした。なお、焼成下限温度は、前駆体組成物中の金属塩の酸化反応が開始され、金属酸化物半導体層が形成される温度である。この結果、実施例1~7及び比較例1の前駆体組成物においては、焼成下限温度は300°C未満、具体的には240°C以下であるのに対し、比較例2~5では、300°Cを超えていた。薄膜トランジスタの測定実施例8~17及び比較例6~12で作製した薄膜トランジスタについて、真空5×10-2Paのシールドケース中で半導体パラメータアナライザーHP4156Cアジレントテクノロジー株製を用い、電気特性評価を行った。ゲートバイアスは-20Vから20Vまで掃引Sweepし、ドレインバイアスは20Vとしたときのドレイン電流の増加伝達特性を観測した。測定されたデータより、移動度cm2/Vsと、ON/OFF比LOG値を算出した。なお、薄膜トランジスタの測定は、室温23±3°C、湿度40±10に調整された恒温室で行った。この結果、実施例8~17及び比較例10で作製した薄膜トランジスタは、ゲートバイアスをプラスポジティブ側に掃引した時に、n型のエンハンスメント動作を示し、n型半導体として動作していることを確認した。そして、通常ガリウムを含有するアモルファス金属酸化物半導体は移動度が小さくなるが、本発明のアモルファス金属酸化物半導体層形成用前駆体組成物を用いた実施例12においては、比較的移動度が高く薄膜トランジスタとして十分な値であった。一方、比較例6~9、11、12では、n型のエンハンスメント動作を示さず、n型半導体として動作しなかった。"