"可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザにおいて、レーザ共振器と、前記レーザ共振器内に配置された、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶と、5d-4f遷移を使用することによって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を、前記結晶に照射することによって前記結晶を励起するための励起光源と、を有する、レーザ。前記結晶及び前記励起光源は、生成されたレーザ光が緑色波長範囲内にあるように適応される、請求項1記載のレーザ。前記結晶は、特定の屈折率楕円体軸を有し、希土類ドープ元素の5d-4f遷移の際の可視波長範囲の誘導放出の前記特定の屈折率楕円体軸に対する断面積と、当該可視波長範囲の励起状態吸収の当該特定の屈折率楕円体軸に対する断面積との合計値は、正の値であり、前記誘導放出の断面積には正の符号が付され、前記励起状態吸収の断面積には負の符号が付される、請求項1記載のレーザ。前記レーザ共振器は、共振器軸を有し、前記特定の屈折率楕円体軸は、前記共振器軸に対して平行でない、請求項3記載のレーザ。前記特定の屈折率楕円体軸は、前記共振器軸に対して直交する、請求項4記載のレーザ。前記結晶は、斜方晶系構造を有する、請求項1記載のレーザ。前記結晶は、CaFe2O4構造型の結晶構造を持つ、請求項1記載のレーザ。前記結晶は、セリウムをドープされている、請求項1記載のレーザ。ドーピング元素は、二価の部位で前記結晶に組み込まれる、請求項1記載のレーザ。前記結晶内に組み込まれるドーピング元素は、三価である、請求項1記載のレーザ。前記結晶は、CaSc2O4である、請求項1記載のレーザ。前記結晶は、45~75モル百分率のCaO、25~55モル百分率のSc2O3、及び、0~40モル百分率のドーピング元素を有する融液を使用することによって作り出される、請求項11記載のレーザ。請求項1で規定されるレーザを有する照明デバイス。前記照明デバイスは、前記レーザ光とは異なる他の光を生成するための少なくとも1つの他の光源を有し、混合光を生成するために前記レーザ光と前記他の光とを混合する、請求項13記載の照明デバイス。可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザ方法において、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶をレーザ共振器内に供給するステップと、前記5d-4f遷移を使用することによって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を、前記結晶に照射することによって前記結晶を励起するステップと、を有する、レーザ方法。励起光源は、一般的に、このような高い波長精度では製造され得ない。このため、大量の励起光源が製造された後、これらの励起光源のうち、どの励起光源が、Pr:YLFの上記狭吸収帯の範囲内の青色励起光を提供するのか検査される必要があり、その後、これらの励起光源がレーザを組み立てるために選ばれる。従って、比較的少量の製造された励起光源が、レーザを組み立てるために使用され得る。本発明の目的は、励起光の波長精度についての必要条件が緩和された、可視スペクトル範囲のレーザ光を放出するためのレーザを提供することである。本発明の他の目的は、対応するレーザ方法及び照明デバイス、特に、当該レーザを有するレーザプロジェクタを提供することである。本発明の第1の態様では、可視スペクトル範囲のレーザ光を放出するためのレーザが示される。ここで、当該レーザは、レーザ共振器と、レーザ共振器内に配置され、5d-4f遷移を持つ希土類ドープ異方性結晶と、5d-4f遷移を使用することによって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を、結晶に照射することによって結晶を励起するための励起光源とを有する。希土類ドープ異方性結晶の5d-4f遷移は、数nmに及ぶ吸収帯を有する。このため、比較的広い波長範囲を有する波長を持つ励起光が使用され得る。これは、励起光源の波長精度に関する必要条件を緩和する。例えば、約10nmの精度で規定される波長を有する青色レーザダイオードが、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶を励起するために使用されてもよい。希土類ドープ異方性結晶の吸収帯は、好ましくは、5nm以上の幅を持ち、より好ましくは10nm以上の幅を持ち、さらに好ましくは30nm以上の幅を持ち、50nm以上の幅を持っていてもよい。5d-4f遷移は、好ましくは、4fn-15d1-4fn遷移である。結晶及び励起光源が、生成されたレーザ光が緑色波長範囲内にあるように適応される方が好ましい。緑色波長範囲でのレーザ放射は、幾つかのアプリケーションで使用され得る。例えば、デジタル投射目的などのために使用され得る、強力な青色及び赤色半導体レーザが知られている。生成されたレーザ光が緑色波長範囲内にあるように、結晶及び励起光源が適応された場合、レーザは、例えば、デジタル投射目的などのために使用され得る強力な青色及び赤色半導体レーザとともに、RGBレーザ光源を形成することができる。結晶は、特定の屈折率楕円体軸を有するように適応される方がより好ましい。ここで、希土類ドープ元素の5d-4f遷移の際の可視波長範囲の誘導放出の特定の屈折率楕円体軸に対する断面積と、当該可視波長範囲の励起状態吸収の当該屈折率楕円体軸に対する断面積との合計値は、正の値である。ここで、誘導放出の断面積には正の符号が付され、励起状態吸収の断面積には負の符号が付される。5d-4f遷移の誘導放出及び励起状態吸収の屈折率楕円体軸に対する断面積は、好ましくは、複数の断面積であり、ここで、誘導放出された光、及び/または、励起状態吸収された光の電場ベクトルは、上記屈折率楕円体軸と平行である。5d-4f遷移の断面積は、好ましくは、4fn-15d1-4fn遷移の放射断面積であり、励起状態吸収の断面積は、好ましくは、最低の5d帯、即ち、初期状態から、4fn基底状態以外の他の状態までの断面積である。レーザ共振器は、共振器軸を有する方がさらに好ましい。ここで、特定の屈折率楕円体軸は、共振器軸に対して平行でない。特に、屈折率楕円体軸は、共振器軸に対して直交していてもよい。屈折率楕円体軸が共振器軸に対して平行でないように、とりわけ直交するように、結晶を共振器軸に対して配置することによって、可視スペクトル範囲のレーザ光を生成する高効率のレーザが提供され得る。ある実施形態では、励起光は、共振器軸に対して平行でない、とりわけ直交する励起方向で、結晶に光を当てる。このため、レーザは横方向に励起され得る。しかしながら、他の実施形態では、レーザは縦方向に励起され得る。励起光は偏光され得る。偏光された励起光を使用することによって、レーザ効率は改善され得る。しかしながら、レーザは、偏光されていない励起光を使用することによっても作動され得る。結晶は、斜方晶系構造を有する方が好ましい。また、結晶は、シェーンフリース記号D2hによって表される結晶系を有する方がより好ましい。ある実施形態では、結晶は、空間群Pnma62の結晶構造を有する。結晶は、好ましくは、CaFe2O4構造型の結晶構造を持つ。これらの結晶構造は、異方性であり、結晶の少なくとも1つの特定の屈折率楕円体軸に沿って強い結晶場をもたらすことができる。強い結晶場は、好ましくは、断面積を修正する、特に、5d-4f遷移の断面積を増やす、及び/または、結晶の励起状態吸収の断面積を減らす。これは、レーザ効率を改善する。結晶は、セリウムをドープされる方がより好ましい。さらに、ドーピング元素は、二価の部位で結晶内に組み込まれ得る。また、結晶内に組み込まれたドーピング元素は、好ましくは、三価である。ドーピング元素、とりわけセリウムを二価の部位で組み入れることは、四価のセリウムを形成する確率及び電荷移動遷移の確率を低下させる。ドーピング元素、とりわけセリウムを三価元素として組み入れることによって、比較的有効な5d-4f遷移が、可視スペクトルのレーザ光を生成するために提供され得る。結晶は、CaSc2O4である方が好ましい。この結晶は、5d-4f遷移の断面積を増やすことが可能な、及び/または、結晶の屈折率楕円体軸の少なくとも1つに沿った励起状態吸収の断面積を減らすことが可能な、比較的強い結晶場を有する。これは、レーザの効率を更に増加させる。また、結晶は、45~75モル百分率のCaO、25~55モル百分率のSc2O3、及び、0~40モル百分率のドーピング元素を有する融液を使用することによって作り出される方が好ましい。ドーピング元素は、好ましくは、セリウムである。CaSc2O4結晶は、例えば、最大40モル百分率のセリウムなどでドープされてもよい。励起光源は、青色励起光を放射するように構成される方が好ましい。好ましくは、青色励起光は380~480nmの間の波長範囲内にある。青色励起光は、極めて効率的に4f-5d遷移を励起するのを可能とする。これにより、レーザ効率をさらに改善できる。さらに、レーザがレーザプロジェクタに使用されるのに適している場合、青色励起光の第1の部分は、結晶を励起するのに使用されてもよく、青色励起光の第2の部分は、投射目的のために使用されてもよい。このため、青色励起光は、2つの機能、即ち、結晶を励起する機能及び投射野に情報を投射する機能を発揮する。本発明のある態様では、請求項1で規定されるようなレーザを有する照明デバイスが示される。照明デバイスは、好ましくは、レーザ光とは異なる他の光を生成するための少なくとも1つの他の光源を有する。ここで、照明デバイスは、混合光を生成するためにレーザ光と他の光とを混合するように構成される。照明デバイスは、好ましくは、レーザプロジェクタである。少なくとも1つの他の光源は、好ましくは、赤色光を放射するように構成される。混合光は、白色光であってもよい。ここで、白色光は、緑色レーザ光,赤色レーザ光及び青色レーザ光が混ざった光であってもよい。青色レーザ光は、励起光の一部であってもよいし、または、他の光源の光であってもよい。本発明の他の態様では、可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザ方法が示される。ここで、レーザ方法は、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶をレーザ共振器内に供給するステップと、5d-4f遷移を使用することによって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を、結晶に照射することによって結晶を励起するステップとを有する。請求項1のレーザ,請求項13の照明デバイス及び請求項15のレーザ方法が、同様の、及び/または、同一の好ましい実施形態、とりわけ従属項で規定されるような実施形態を持つことが理解されるべきである。本発明の好ましい実施形態が、従属項と各独立項との任意の組み合わせであってもよいことも理解されるべきである。本発明のこれらの態様及び他の態様が、後述される実施形態を参照して、明確且つ明瞭となるであろう。図1は、可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザの実施形態を概略的且つ模範的に示している。レーザ1は、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶2と、5d-4f遷移を使用することにより可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を結晶に照射することによって結晶を励起するための励起光源3とを有する。励起光は、励起光学系6を使用することによって結晶2に結合されるのに適していてもよい。励起光学系6は、一般的に結晶を励起するために使用される光学系であったり、例えば、励起光をコリメート、成形、及び/または、フォーカスする光学系であったりしてもよい。結晶2は、共振器軸21を持つ共振器を形成するために、共振器ミラー7と出力結合ミラー8との間に配置される。共振器ミラー7は、励起光に対しては高い透過性を示し、レーザ光に対しては高い反射性を示す。また、出力結合ミラー8は、レーザ光の一部が共振器を出ていくのを可能とするために、レーザ光4に対して部分的に反射性を示す。結晶2及び励起光源3は、生成されたレーザ光が可視波長範囲内にあるように、より好ましくは、緑色波長範囲内にあるように構成される。結晶2は、好ましくは、斜方晶系構造を持つ。結晶2が、シェーンフリース記号D2hによって表される結晶系を有する方がより好ましい。ある実施形態では、結晶2は、空間群Pnma62の結晶構造を有する。また、結晶2が、CaFe2O4の結晶構造を有する方が好ましい。本実施形態では、結晶2は、セリウムをドープされたCaSc2O4である。セリウムは、好ましくは、結晶2の二価の部位において、三価的に組み込まれる。結晶2は、特定の屈折率楕円体軸22を有するように適応される。ここで、セリウムの5d-4f遷移の際の誘導放出の特定の屈折率楕円体軸22に対する断面積と、励起状態吸収の当該屈折率楕円体軸22に対する断面積との合計値は、正の値である。誘導放出の断面積には正の符号が付され、励起状態吸収の断面積には負の符号が付される。結晶2は、特定の屈折率楕円体軸22が共振器軸21に対して平行でないように、共振器軸21に対して配置される。ある実施形態では、特定の屈折率楕円体軸22は、共振器軸21に対して直交する。励起光源3は、青色励起光、とりわけ380~480nmの間の波長範囲内にある青色励起光を放射するように構成される。本実施形態では、励起光源3は、479.5nmの励起波長を持つ、光励起された半導体レーザである。図2は、三価のセリウムCe3ドープ結晶2の項図を概略的且つ模範的に示している。項図は、セリウムイオンの4fエネルギー準位、エネルギー的に拡がった2つの最低の5dエネルギー準位、伝導帯CB、及び、価電子帯VBを示している。さらに、項図は、基底状態吸収GSA、可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するために使用される誘導放出SE、及び、励起状態吸収ESAを示している。励起光で結晶2を励起することによって、低い方の5d準位が占有される。結晶が、共振器軸21に対して平行でない特定の屈折率楕円体軸22を有するため、ESAの断面積は、SEの断面積よりも小さく、レーザ光は、効率的に生成される。図3は、結晶2の規格化された差スペクトル10,11,12を概略的且つ模範的に示している。スペクトル10,11,12は、5d-4f遷移における誘導放出正の値及び励起状態吸収負の値によって生じる。差スペクトル10,11,12は、結晶2が励起されていない間に測定されたスペクトルを、結晶2が励起されている間に測定されたスペクトルから差し引くことによって決定される。ここで、差スペクトル10,11,12は、結晶の異なる屈折率楕円体軸に関係する。結晶2は、479.5nmの波長を持つ光励起された半導体レーザを使用することによって、270mWの電力で励起される。このため、ある屈折率楕円体軸のための差スペクトルは、結晶2が光励起された半導体レーザによって励起されている間に測定された、ある屈折率楕円体軸に対して平行に偏光された光の第1のスペクトルと、結晶2が光励起された半導体レーザによって励起されていない間に測定された、ある屈折率楕円体軸に対して平行に偏光された光の第2のスペクトルとの間の差を算出することによって決定される。第1の励起状態からの、即ち、5d帯の最低エネルギー準位からの吸収を測定するために、総電力450Wを具備する広帯域発光キセノンランプの光が、光励起された半導体レーザの励起光及びキセノンランプの光が互いに反対方向から結晶2を照射するように、結晶2に向けられる。475nmより小さい波長を持つ光が除去される。なお、キセノンランプは、もちろん、スペクトル10,11,12を決定するためにのみ使用されるのであって、レーザ光を生成するためには使用されないことに留意すべきである。スペクトル10は、約490~580nmの波長範囲で正の値を持つ。このため、スペクトル10に対応する屈折率楕円体軸に対して平行に偏光されたレーザ光は、490~580nmの間の波長範囲で生成され得る。図1を参照して上述された実施形態では、結晶2は、長手方向に励起される。しかしながら、結晶は、他の方向に励起されてもよい。例えば、結晶は、図4に概略的且つ模範的に示されるように、横方向に励起されてもよい。図4に示されたレーザ201は、図1を参照して上述された結晶2と同様のものであってもよい、5d-4f遷移を持つ希土類ドープ異方性結晶202を有する。レーザ201は、5d-4f遷移を使用することにより可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光204を、励起方向224に沿って結晶202に照射することによって結晶202を励起するための励起光源203を有する。励起光源203は、図1を参照して上述された励起光源3と同様のものであってもよい。結晶202は、共振器軸221を持つ共振器を形成するために、共振器ミラー207と出力結合ミラー208との間に配置される。共振器ミラー207は、レーザ光に対しては高い反射性を示す。また、出力結合ミラー208は、レーザ光の一部が共振器を出ていくのを可能とするために、レーザ光に対して部分的に反射性を示す。また、本実施形態では、結晶202は、特定の屈折率楕円体軸222を有する。ここで、セリウムの5d-4f遷移の際の誘導放出の特定の屈折率楕円体軸222に対する断面積と、励起状態吸収の当該屈折率楕円体軸222に対する断面積との合計値は、正の値である。誘導放出の断面積には正の符号が付され、励起状態吸収の断面積には負の符号が付される。特定の屈折率楕円体軸222は、共振器軸221に対して平行でないが、共振器軸221に対して直交していてもよい。励起方向224は、共振器軸221に対して直交している。励起方向224は、共振器軸221に対して他の角度、例えば45度の角をなしていてもよい。レーザ201は、既知の手段で、例えば、励起光204のコリメート、成形、及び/または、フォーカスなどで、励起光204を調整するための励起光学系206をさらに有する。結晶2は、チョクラルスキー法を使用することによって、且つ、0.5モル百分率の二価のカルシウムイオンが融液中でセリウムイオンによって交換されたCaO,Sc2O3及びセリウムを有する融液を使用することによって、成長された。図5は、レーザ1を有する照明デバイスの実施形態を概略的且つ模範的に示している。照明デバイス20は、青色光を放射するための第1のレーザ13と、図1を参照して上述されたレーザである、緑色光を放射するための第2のレーザ1と、赤色光を放射するための第3のレーザ14とを有するレーザプロジェクタである。照明デバイス20は、青色光に対しては高い透過性を示す一方、緑色光及び赤色光に対しては高い反射性を示す第1のミラー15と、赤色光に対しては高い透過性を示す一方、緑色光に対しては高い反射性を示す第2のミラー16と、赤色光に対して高い反射性を示す第3のミラー17とをさらに有する。ミラー15,16,17は、レーザ13,1,14によって放出された青色光,緑色光及び赤色光を混合するために使用される。混合光は、投射レーザ光19を生成するための調整可能な投射ヘッド18に向けられる。投射レーザ光19は、例えば、部屋の壁などの投射野に投射されるべきである情報を有する。ここで、投射レーザ光19は、情報を示すために投射野に向けられる。照明デバイス20は、第1のレーザ13,第2のレーザ1,第3のレーザ14及び調整可能な投射ヘッド18を制御するための制御ユニット23と、投射野に投射すべきである情報をユーザが入力できるようにするための入力ユニット30とをさらに有する。入力ユニット30は、例えば、ビデオを有するデータ記憶媒体が挿入され得るDVDプレイヤのようなビデオ入力ユニットである。コントローラ23は、ビデオを、3つのレーザ13,1,14の強度を変調するための制御信号であって、投射野に情報を投射するために投射レーザ光19をを投射野に移動させるように投射レーザ光19を動かすための制御信号に変換する。調整可能な投射ヘッドは、好ましくは、情報が投射野に示されるように、投射レーザ光19を動かすためのミラーを有する。照明デバイス20は、従って、好ましくは、フライングスポット技術を使用する。しかしながら、他のレーザ投射技術も、投射野に情報を投射するために使用され得る。例えば、DMD,LCDまたはLCoS素子を使用するレーザ投射技術が用いられ得る。さらに、図4を参照して上述されたレーザのような横方向に励起されたレーザが、例えば、照明デバイス20の緑色レーザとして使用されてもよい。レーザ13,1,14は、好ましくは、青色430~450nm,緑色510~550nm及び赤色610~650nmのスペクトル領域で発光する。青色光を放射する第1のレーザ13及び赤色光を放射する第3のレーザ14は、好ましくは、半導体レーザである。第1のレーザ,第2のレーザ及び/または第3のレーザのレーザ放射強度は、外部の変調器によって、または、レーザの出力パワーを直接変調することによって、変調されてもよい。図6は、可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザ方法の実施形態を模範的に示すフローチャートを示している。ステップ101では、5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶2が与えられ、ステップ102では、結晶2が、5d-4f遷移を使用することによって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するための励起光を、結晶2に照射することによって励起される。レーザ1は、好ましくは、励起光源である青色発光レーザダイオードの線形周波数変換の原理に基づいている。第二次高調波発生またはアップコンバージョンの使用による緑色レーザ光の生成と比較して、これは、かなり単純な手法である。なぜなら、線吸収及び放射プロセスのみが周波数変換に寄与するからである。上述されたARichterらによる論文は、青色光を波長523nmの緑色レーザ光に変換するための線形変換材料としてPr:YLFを有するレーザを開示している。しかしながら、Pr:YLFは、既に上述されたように、比較的小さい吸収帯、比較的小さい吸収係数、比較的小さい発光帯、及び、比較的大きい設定時間を持つ。対照的に、図1及び図4を参照して上述されたレーザによって使用される結晶は、好ましくは、より大きい吸収帯、より大きい吸収係数、より大きい発光帯、及び、より小さい設定時間を有する。Pr:YLFレーザにおけるレーザ遷移は、パリティ禁制4fバンド内遷移である。設定時間を減らす、より大きい断面積を得るために、レーザ1,201は、好ましくは、結晶のドーピング元素の周囲に非対称に分布される酸素イオンによって引き起こされた強い結晶場内のパリティ許容5d-4f遷移を使用する。さらに、異方性は、可視スペクトル範囲における5d-4f遷移でのレーザ増幅をもたらす。ここで、ドーピング元素、特にセリウムイオンのESAは、レーザ光の偏光に依存し、緑色スペクトル領域の光子は、結晶軸の少なくとも1つに沿って増幅される。幾つかの結晶では、セリウムは、紫外スペクトル領域で発光する。しかしながら、比較的強い結晶場を持つ結晶を使用することによって、可視スペクトル範囲の発光が得られる。このような強い結晶場を有する異方性セリウムドープ結晶の例としては、Ce3CaSc2O4が適した材料である。結晶の比較的大きい吸収のため、結晶は、励起光源の励起光によって横方向に励起され得る。さらに、広い発光帯のため、レーザは、レーザの発光波長が可変となるよう適合される。これは、分光アプリケーションにおいて有用であろう。四価のセリウムを形成するのを防止し、且つ、電荷移動遷移の可能性を減らすために、セリウムイオンは二価の部位で組み込まれるのが好ましい。しかしながら、セリウムは、三価の部位で異方性結晶に組み込まれてもよい。上述された実施形態では、ドープ結晶は、CaSc2O4であるが、他の実施形態では、ドーピング元素をドープされた他の異方性結晶が、5d-4f遷移を使用することにって可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するために、用いられてもよい。例えば、他のドープ酸化物が、ドープ異方性結晶として用いられてもよい。ここで、ドープ酸化物は、セリウムまたは他のドーピング元素でドープされてもよい。酸素イオンは、例えば、フッ素または塩素に比して、相対的に高い分極率及び共有原子価を持つ。この相対的に高い分極率及び共有原子価のため、異方性結晶内に存在する5d帯の重心変位は、5d-4f遷移を、紫外スペクトル領域から可視スペクトル領域へ移動させる。異方性結晶は、ドーピング元素の周囲、特にセリウムイオンの周囲に非対称に分布された酸素イオンを有することが更に好ましい。即ち、非対称格子サイトがドーピング元素にとって好ましい。酸素イオンの非対称分布は、5d帯を拡げるのに十分強い結晶場を生成し得る。これは、紫外スペクトル領域から可視スペクトル領域への5d-4f遷移の移動ももたらし得る。例えば、酸素イオンの非対称分布は、レーザが可視スペクトル領域のレーザ光を生成することを可能とする結晶場を生成するために、変形立方体または四面体を形成することができる。CaSc2O4結晶を使用する代わりに、他の異方性ドープ結晶が、可視スペクトル領域のレーザ光を生成するために使用され得る。例えば、CaY1Sc1O4のようなCaFe2O4構造を持つ他のドープ異方性結晶が使用され得る。上述された実施形態では、479.5nmの波長を有する光励起された半導体レーザが励起光源として用いられてきたが、他の実施形態では、他の励起光源、例えば、405nmまたは450nmなどの波長で発光する半導体レーザダイオードが用いられてもよい。図5を参照して上述された実施形態では、レーザはレーザプロジェクタ内で使用されるが、レーザは、光照明ユニット,スポットライトなどの他の照明デバイス内で用いられてもよい。開示された実施形態に対する他の変形が、本発明の実施に際し、図面、開示及び添付の請求項から、当該技術における当業者によって、理解され、もたらされる。請求項では、有するなる文言は、他の要素や他のステップを除外せず、不定冠詞aまたはanは、複数を除外しない。単一のユニットまたはデバイスが請求項で規定された幾つかの項目の機能を満たしてもよい。特定の手段が相互に異なる従属項で言及されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に用いられないということを示すものではない。請求項中の任意の参照符号は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。本発明は、可視スペクトル範囲のレーザ光を放射するためのレーザに関する。5d-4f遷移を有する希土類ドープ異方性結晶がレーザ共振器内に配置され、励起光源が、5d-4f遷移を使用することにより可視スペクトル範囲のレーザ光を生成するために、結晶を励起する。希土類ドープ異方性結晶の5d-4f遷移は、数nmに及ぶ吸収帯を有する。このため、比較的広い波長範囲の波長を持つ励起光が用いられ得る。これは、励起光源の波長精度についての必要条件を緩和し、このため、大量に製造された励起光源のうち、より多くの励起光源がレーザを組み立てるために使用されることができ、従って、不良品の量を減らすことができる。"