"半導体装置を構成する2つの金属板がはんだ層を介して接続されている半導体装置において、2つの金属板のうち、一方の金属板は他方の金属板に比して平面積が小さくなっており、双方の金属板ともに上面と下面、上面および下面を繋ぐ側面を有していて、一方の金属板の上面もしくは下面と他方の金属板の下面もしくは上面がはんだ層を介して接続されており、少なくとも前記一方の金属板の側面には、そのはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられている半導体装置。前記一方の金属板の側面に加えて、前記他方の金属板におけるはんだ層と接する上面もしくは下面のはんだ層周りにもはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられている請求項1に記載の半導体装置。前記表面処理部が研磨処理によるものである請求項1または2に記載の半導体装置。前記表面処理部がめっき処理によるものである請求項1または2に記載の半導体装置。前記表面処理部が酸化被膜を形成するものである請求項1または2に記載の半導体装置。前記2つの金属板の一方が基板とリードフレームの間の高さを確保するための上部電極であり、金属板の他方がリードフレームである請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。前記2つの金属板の一方が基板とリードフレームの間の高さを確保するための上部電極であり、金属板の他方が基板である請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、半導体装置を構成する2つの金属板がはんだ層を介して接続されている半導体装置において、はんだの流出抑制効果の高い半導体装置を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置は、半導体装置を構成する2つの金属板がはんだ層を介して接続されている半導体装置において、2つの金属板のうち、一方の金属板は他方の金属板に比して平面積が小さくなっており、双方の金属板ともに上面と下面、上面および下面を繋ぐ側面を有していて、一方の金属板の上面もしくは下面と他方の金属板の下面もしくは上面がはんだ層を介して接続されており、少なくとも前記一方の金属板の側面には、そのはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられているものである。本発明の半導体装置は、はんだ層を介して接続される2つの金属板のうち、一方の金属板が他方の金属板に比して平面積が小さくなっている関係を前提とし、この場合に、平面積の相対的に小さな一方の金属板の側面に少なくともはんだ濡れ性を低下させる表面処理部を設けたものである。このことにより、たとえば相対的に広い平面積の他方の金属板のはんだ層周りに表面処理部を形成するだけの十分なスペースが存在しない場合や、はんだ付けの際に位置ずれが生じた場合に、一方の金属板の側面の表面処理部によってはんだ層の流出を効果的に抑制することができる。ここで、2つの金属板はいずれも、上面と下面、上面および下面を繋ぐ側面を有している。たとえば金属板が直方体の場合には、上面と下面と4つの側面を有することになるし、金属板が円柱体の場合には、上面と下面と無端の周側面を有することになる。本発明では、相対的に平面積の小さな金属板の側面に少なくとも表面処理部を有するものである。平面積が相対的に小さな金属板と相対的に大きな金属板をはんだ層で接続する場合、このはんだ層の側面は垂直面とはならず、相対的に小さな平面積の金属板の表面から他方の金属板の表面に向かってはんだ層がその断面を広げるようにして形成されるのが一般的であり、この傾斜角フィレット角ともいうは20~40度程度の範囲になるのが一般的である。そして、一方の金属板の側面たとえば垂直面にある表面処理部ではんだの流出が抑制されると、このフィレット角を有するようにしてはんだ層が形成されることから、相対的に大きな他方の金属板の表面に表面処理部が存在しない場合であってもこの表面上をたとえば水平にはんだが流出することが抑制される。本発明が対象とする半導体装置の構成は、基板、リードフレーム、半導体素子のほか、基板とリードフレームの間に所望の高さを確保するために設けられる上部電極、ダイパットやヒートシンクなどが存在し、これらはいずれも上記する金属板に包含されるものである。また、少なくとも前記一方の金属板の側面には、そのはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられているとは、平面積の相対的に小さな一方の金属板の側面のみに表面処理部が設けられた形態のほかに、これに加えて、他方の金属板におけるはんだ層と接する上面もしくは下面のはんだ層周りにもはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられた形態をも包含する意味である。後者の形態では、相対的に平面積の大きな他方の金属板のはんだ層周りに表面処理部を形成できる十分なスペースがある場合に適用できる。上記する一方の金属板と他方の金属板としては、以下の具体的な半導体装置の構成要素の組み合わせがある。すなわち、相対的に平面積の小さな一方の金属板が上部電極であって他方の金属板が基板である形態、一方の金属板が上部電極であって他方の金属板がリードフレームである形態、一方の金属板が基板であって他方の金属板がヒートシンクである形態、一方の金属板が上部電極であって他方の金属板が半導体素子である形態などである。また、表面処理部には多様な形態が存在するが、はんだに対して金属板の素材よりも濡れ性が低いものであればその処理方法は特に限定されるものでない。表面処理部の具体的な形態としては、たとえば金属板がCu素材の場合にはCuよりも濡れ性の低いNiめっき処理やNi被膜を蒸着にて形成する方法、カーボンコーティングによる方法、金属酸化物被膜を形成する方法などが挙げられる。さらには、ブラスト処理や局部的な熱処理によって金属板の所望箇所に酸化被膜を形成する方法などであってもよい。以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置によれば、半導体装置を構成する2つの金属板のうち、相対的に平面積の小さな一方の金属板の側面に少なくともはんだ濡れ性を低下させる表面処理部が設けられていることにより、半導体装置の小型化が図られている場合や、はんだ付けの際に位置ずれが生じた場合であっても、その構成要素である2つの金属板を接続するはんだ層のはんだの流出を効果的に抑制することができる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置とこの半導体装置を構成する2つの金属板の接続構造の実施の形態を説明する。なお、半導体装置の構成は図示例に何等限定されるものではなく、半導体装置を構成し、相互にはんだ層を介して接続される2つの金属板のうち、平面積の小さな一方の金属板の側面に少なくとも表面処理部が形成されているものであればよく、半導体装置の構成要素やその積層形態は多様である。半導体装置の実施の形態図1は、本発明の半導体装置の一実施の形態を説明した模式図である。同図で示す半導体装置100は、Cu素材の基板1金属板と、ICチップやトランジスタ、ダイオードなどの半導体素子2金属板がはんだ層5Aを介して接続され、この半導体素子2とCu素材の上部電極3金属板がはんだ層5Bを介して接続され、さらにこの上部電極3とCu素材のリードフレーム4金属板がはんだ層5Cを介して接続されてその全体が構成されている。そして、はんだ層を介して接続される2つの金属板は、その一方の金属板の平面積が相対的に小さい関係を有している。すなわち、基板1に比して半導体素子2は相対的に平面積が小さくなっており、半導体素子2に比して上部電極3は相対的に平面積が小さくなっており、リードフレーム4に比して上部電極3は相対的に平面積が小さくなっている。したがって、図示する半導体装置100は、その構成要素によって平面積の異なる2つの金属板がはんだ層を介して接続された複数の接続構造を有している。この2つの金属板の接続構造に関し、図1のII部に相当する上部電極3とリードフレーム4の接続構造に関し、以下2つの実施の形態を説明する。2つの金属板の接続構造の実施の形態1図2aは、図1のII部を抜き出して反転させた上部電極3とリードフレーム4の接続構造の実施の形態1を模擬した図であり、図2bは、図2aのb矢視図斜視図である。図示するように、上部電極3は直方体を呈し、上面3aとはんだ層5Cと密着する下面3b、これらを繋ぐ4つの側面3cから構成されており、同様に、リードフレーム4は、はんだ層5Cとその一部で密着する上面4aと下面4b、これらを繋ぐ4つの側面4cから構成されている。はんだ層5Cは、相対的に小さな平面積の上部電極3の下面3bからリードフレーム4の上面4aに向かってその断面が広がるように形成され、この傾斜角θフィレット角は20~40度程度の範囲にある。上部電極3の側面3cの周囲には、そのはんだ濡れ性を低下させる表面処理部6が形成されており、この表面処理部6ではんだ付け時のはんだの流出が抑制されるようになっており、このフィレット角θを有するようにしてはんだ層5Cが形成されることから、相対的に平面積の大きなリードフレーム4の上面4aに表面処理部が存在しない場合であっても、この上面4a上をたとえば水平にはんだが流出することが抑制される。このようにして、はんだの流出が抑制された2つの金属板の接続構造10が形成される。ここで、表面処理部6の形成方法としては、Cu素材の上部電極3やリードフレーム4よりも濡れ性の低いNiめっき処理やNi被膜を蒸着にて形成する方法、カーボンコーティングによる方法、金属酸化物被膜を形成する方法などがある。また、その他の方法としては、ブラスト処理アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、ガラスビーズなどを使用や局部的な熱処理によって上部電極3の側面3cに酸化被膜を形成する方法などもある。この接続構造10によれば、半導体装置100の小型化が図られ、したがって接続構造10を構成するリードフレーム4の上面4aのうち、はんだ層5Cの周囲の領域が狭い場合したがって、この上面4aのはんだ層5Cの周囲に表面処理部を形成できない場合でも、はんだ付け時のはんだの流出を効果的に抑制することができ、初期のはんだ厚さを保証することができる。2つの金属板の接続構造の実施の形態2図3は、図2bに対応する図であって、2つの金属板の接続構造の実施の形態2を模擬した図である。同図で示す接続構造20では、上部電極3の側面3cの周囲に表面処理部6が形成されていることに加えて、リードフレーム4の上面4aのうち、はんだ層5Cの周囲の領域にも別途の表面処理部7が形成されているものである。図示する接続構造20は、リードフレーム4の上面4aのうち、はんだ層5Cの周囲の領域に表面処理部7を形成できるスペースが存在する場合に構成されるものである。表面処理部の形成有無によってはんだ流出が抑制されることを検証した実験とその結果本発明者等は、図2で示すように平面積の小さな金属板の側面にのみ表面処理部を形成した試験片実施例23と、図3で示すようにさらに平面積の大きな金属板の表面のはんだ層周囲の一定領域にも表面処理部を形成した試験片実施例1を試作し、さらに、表面処理部を具備しない試験片比較例も試作して、それらのはんだ流出距離の最大値とはんだ流出面積率を算出する実験をおこなった。図4は実施例1の試験片を模擬した図であり、図4aは試験片Mの正面図、図4bは図4aのb矢視図であって試験片Mの平面図である。試験片Mの構成要素は、Cu素材の基板M140mm×22mm×3mm厚さと、Cu素材の上部電極M210mm×9mm×3mm厚さの各接続面を過硫酸ナトリウムで洗浄して脱脂と酸化被膜の除去をおこなった後、Sn-Cu系板はんだ厚さが015mmをこれらの間に介層し、リフロー炉で加熱してはんだ付けをおこない300°Cで160秒保持、試験片Mを形成した。実施例1は、図4a,bで示す上部電極M2の側面M2aの周囲と基板M1の上面のはんだ層M3の周囲領域M1aに対し、SiC研磨紙で研磨をおこなって表面処理部を形成したものである。一方、実施例2は、上部電極M2の側面M2aの周囲にのみ、SiC研磨紙で研磨をおこなって表面処理部を形成したものである。さらに、実施例3は、上部電極M2の側面M2aの周囲にのみ、Niめっき処理をおこなって表面処理部を形成したものである。はんだ流出距離の最大値は、各試験片を上からCCDカメラで撮像してコンピュータに取り込み、コンピュータ内の画像解析ソフトを使用して、上部電極M2の端辺からはんだ流出の距離が最も長い点までの距離を算出する方法でおこなった。一方、はんだ流出面積率の算定は、コンピュータ内で平面的に見た際のはんだ流出面積を自動算出し、これを上部電極M2の平面積で除して算出した。なお、この算出方法は、はんだの濡れ広がりを定量的に測定する際に一般に用いられる方法である。はんだ流出距離の最大値の結果を図5に示しており、はんだ流出面積率の結果を図6に示している。図5,6より、比較例に比して実施例1~3はいずれも、はんだの流出量が大幅に抑制されていることが実証されている。そして、上部電極M2の側面M2aの周囲と基板M1の上面のはんだ層M3の周囲領域M1aの双方をSiC研磨紙で研磨処理して表面処理部を形成した実施例1よりも、上部電極M2の側面M2aの周囲のみにNiめっき処理にて表面処理部を形成した実施例3の方がはんだ流出抑制効果が高いことが実証されている。このことから、表面処理部の形成方法により、その効果が大きく異なることも実証されている。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。"