フレーム、フレームに具備された接着剤、基板、基板の上面に形成されて第1導電性を有する第1化合物半導体層、第1導電性と異なる第2導電性を有する第2化合物半導体層、そして第1化合物半導体層と第2化合物半導体層の間に位置して電子と正孔の再結合を用いて光を生成する活性層を含み、接着剤によってフレームに位置固定される発光部、そして発光部とフレームの間に位置して、フレームと発光部の間に間隔を形成するスペーサーspacerとを含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。スペーサーは接着剤に付着して、フレームと基板の下面との間の間隔は、フレームから接着剤の高さ以上であることを特徴とする、請求項1に記載の化合物半導体発光素子。スペーサーが、メッキ層を含むことを特徴とする、請求項2に記載の化合物半導体発光素子。スペーサーが、20μm以上80μm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項3に記載の化合物半導体発光素子。発光部とスペーサーの間に位置して光を反射する光反射層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の化合物半導体発光素子。光反射層が基板の下面に形成され、基板の下面と光反射層の間に形成された誘電物質層と、第2化合物半導体層及び活性層が蝕刻されて露出した第1化合物半導体層に形成されたn側電極と、第2化合物半導体層に形成された透光性の電流拡散電極、そして電流拡散電極に形成されたp側パッド電極をさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の化合物半導体発光素子。基板はサファイア基板で、スペーサーは光反射層の下面に形成されたメッキ層を含み、第1化合物半導体層はn型III族チッ化物半導体層を含み、第2化合物半導体層はp型III族チッ化物半導体層を含むことを特徴とする、請求項6に記載の化合物半導体発光素子。光反射層は基板の下面に形成されたn側電極を含み、スペーサーは光反射層の下面に形成されたメッキ層を含むことを特徴とする、請求項5に記載の化合物半導体発光素子。第2化合物半導体層はスペーサーと活性層の間に位置して、スペーサーと第2化合物半導体層の間に位置する光反射性の電流拡散電極、そして第1化合物半導体層に電気的に連結したn側電極をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の化合物半導体発光素子。基板の下面から第1化合物半導体層まで続くホールが形成され、n側電極は第2化合物半導体層及び活性層が蝕刻されて露出した第1化合物半導体層に形成され、ホールを通じて基板の下面に延長されたことを特徴とする、請求項9に記載の化合物半導体発光素子。これに対しては、発明を実施のための形態の後段に記述する。ここでは、本開示の全体的な要約を提供するが、これが本開示の外縁を制限すると理解されてはならない。本開示による一態様によると、フレームフレームに具備された接着剤基板、基板の上面に形成され第1導電性を有する第1化合物半導体層、第1導電性と異なる第2導電性を有する第2化合物半導体層、そして第1化合物半導体層と第2化合物半導体層の間に位置して電子と正孔の再結合を用いて光を生成する活性層を含み接着剤によってフレームに位置が固定される発光部そして発光部とフレームの間に位置してフレームと発光部の間に間隔を形成するスペーサーspacerとを含むことを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。これに対しては、発明を実施のための形態の後段に記述する。以下、本開示を添付した図を参照して詳しく説明する。本開示による化合物半導体発光素子は、フレーム、接着剤、発光部及びスペーサーを含む。フレーム、接着剤及びスペーサーは後述にして、先に発光部を説明する。図3は、本開示によるスペーサーが形成された発光部の一例を示す図である。図3に図示された発光部201は、基板210、第1化合物半導体層、第2化合物半導体層そして活性層240を含む。基板210の上面211に第1化合物半導体層、活性層240そして第2化合物半導体層が形成される。基板210の例として絶縁性基板であるサファイアAl2O3基板を挙げることができる。第1化合物半導体層そして第2化合物半導体層は、III族チッ化物半導体層を含むことができ、第1化合物半導体層はn型III族チッ化物半導体層230を、第2化合物半導体層はp型III族チッ化物半導体層250を含むことができる。n型III族チッ化物半導体層230の形成に先立ち、バッファー層220を形成することが好ましい。次に、蝕刻工程を通じて、n型III族チッ化物半導体層230、活性層240そしてp型III族チッ化物半導体層250の一部が除去される。蝕刻は、RIE、RIBE、ICPなどの乾式蝕刻を通じて行なうことができる。化合物半導体発光素子は、n側電極280、電流拡散電極260そしてp側パッド電極270をさらに含む。フォトリゾグラフィ工程を経て、電流拡散電極260、p側パッド電極270そしてn側電極280を形成する。電流拡散電極260は、ITOのような物質からなる透光性電極として機能することができる。p側パッド電極270及びn側電極280は、Cr、Ti、Al、Pt、Au、TiW、Ni、Cuのような物質またはこれらの組み合わせからなり得る。化合物半導体発光素子は、少なくとも一つの誘電物質層291そして光反射層292をさらに含むことができる。誘電物質層291そして光反射層292は、基板210の下面213に形成されて化合物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させる。少なくとも一つの誘電物質層291は、例えば、基板210の下面213に順に積層された第1SiO2層293、TiO2層295そして第2SiO2層297を含むことができる。第1SiO2層293、TiO2層295そして第2SiO2層297は、電子ビーム蒸着機E-beamevaporatorで蒸着することができる。複数の誘電物質層291の個数そして厚さを変更させることによって、光反射層292に対する光の入射角による反射効率及び光の波長による反射効率をより向上させることができる。光反射層292は、誘電物質層291の表面に形成されて誘電物質層291を透過した光を反射する。光反射層292は、アルミニウムのように反射率が優れた金属からなることができる。光反射層292は、メッキまたは蒸着方法で形成することができる。スペーサー203は、光反射層292の表面に形成される。光反射層292の酸化を防止するために、スペーサー203と光反射層292との間に保護層未図示をさらに形成することができる。化合物半導体発光素子を個別チップに分離する工程例;スクライビング及びブレーキング工程がより容易になるように、スペーサー203は基板210に全面的に形成するよりは個別チップに対応する領域にのみ形成することが好ましい。そのために、光反射層292の下面に個別チップに対応する領域がオープンされたフォトレジスト層未図示を形成することができる。したがって、フォトレジスト層をマスクにして個別チップに対応する領域にのみスペーサー203を形成することができる。スペーサー203を形成した後、フォトレジスト層を除去するかそのまま放置することもできる。スペーサー203が導電物質で形成される場合に、スペーサー203は単一のメッキ層または複数のメッキ層を含むことができる。メッキ物質としては、Cu、Ni、Au、Ag、Alなどを挙げることができ、メッキ物質は光反射層292の特性、接着剤の特性そしてメッキ工程の条件などを考慮して決定することができる。メッキ方法としては、電解メッキ、非電解メッキのような方法を用いることができる。スペーサー203は、接着剤が基板210の側面を上っていくことを防止するために、光反射層292に比べてずっと厚い厚さに形成することができ、スペーサー203は20μm以上80μm以下の厚さを有することが好ましい。スペーサー203の厚さが20μm以下の場合、接着剤が基板210の側面を上っていくことを防止する効果が弱くなり得、スペーサー203の厚さが80μm以上の場合、発光部201が接着剤によって、後述のフレームに固定される固定力が弱くなり得る。図4は、図3に示されたスペーサーが形成された発光部を有する化合物半導体発光素子の一例を示す図である。図4を参照すると、スペーサー203は、フレーム205に具備された接着剤209に接着されて、発光部201がフレーム205に位置が固定される。フレーム205は、金属材質からなり得る。フレーム205は、発光部201に駆動電流を印加するリード電極を有することができる。例えば、図4でフレーム205は、接着剤209を具備してn側電極280と第1ワイヤ285によって電気的に連結される第1リード電極208と、p側パッド電極270と第2ワイヤ275によって電気的に連結される第2リード電極207を含む。これとは異なり、フレーム205は、印刷回路基板であり得る。複数の発光部201が、印刷回路基板表面に実装され得る。印刷回路基板には、発光部201と電気的に連結する接続部が形成される。接着剤209は、導電性ペーストであり得る。例えば、導電性ペーストは、銀ペーストAgpasteを含む。これとは異なり接着剤209は、エポキシまたはアクリルなど光硬化性樹脂であり得る。接着剤209の種類は、スペーサー203の材質、フレーム205の材質、発光部201のタイプ、電気的導通の必要性などを考慮して決定することができる。発光部201は、フレーム205に具備された接着剤209上に整列し、発光部201が加圧されてスペーサー203が硬化していない接着剤209に付着する。以後、接着剤209を硬化させるとスペーサー203の位置が固定される。スペーサー203は、図4に示されたように、少なくとも一部が接着剤209に掛かる。フレーム205から基板210の下面213までの高さH1は、硬化した接着剤209の厚さT1以上であることが好ましい。したがって、接着剤209は、基板210の側面に上っていくことができなくて、光反射層292の下に位置するかまたは光反射層292に接することもできる。活性層240から発生した光の一部は、直ちに透光性の電流拡散電極260を透過して出て行く。光の他の一部は、基板210に流入して基板210の側面に出るか、光反射層292で反射して基板210の側面または電流拡散電極260に出る。接着剤209が基板210の側面に上っていかないので接着剤209が光を吸収することが防止される。したがって、化合物半導体発光素子200から出る光の量が増加して光取り出し効率が向上する。また、スペーサー203と接着剤209の接触面積が広い。したがって、発光部201で発生した熱がスペーサー203、接着剤209及びフレーム205を通じてより速やかに多量に放出され得る。したがって、化合物半導体発光素子200の発光効率が向上する。図5及び図6は、本開示によるスペーサーが形成された発光部の他の例を示した図である。図5で発光部401は、基板410、バッファー層420、n型III族チッ化物半導体層430、活性層440そしてp型III族チッ化物半導体層450を含む。p型III族チッ化物半導体層450及び活性層440の一部が蝕刻されて、n型III族チッ化物半導体層430が部分的に露出する。基板410に、ホール417が形成される。ホール417は、基板410の下面からn型III族チッ化物半導体層430まで貫いて形成される。ホール417は、レーザー加工を通じて形成することができ、使用するレーザーは、ダイオード励起レーザーdiode-pumpedUVlaserを使用することができる。図6を参照すると、化合物半導体発光素子は、電流拡散電極460、n側電極480そして絶縁層483をさらに含む。電流拡散電極460は、p型III族チッ化物半導体層450上に形成される。電流拡散電極460は、電流拡散とともに光反射層としても機能する。電流拡散電極460は、Cr、Ti、Al、Pt、Au、TiW、Ni、Cuのような物質またはこれらの組み合わせからなり得る。n側電極480は、蝕刻されて露出したn型III族チッ化物半導体層430に、Cr、Ti、Al、Pt、Au、TiW、Ni、Cuのような物質またはこれらの組み合わせで形成することができる。n側電極480は、Cuを使用したメッキ工程を通じてホール417につながることができ、Alを使用して基板410の下面に延長することができる。基板410の下面に延長されたn側電極480に電流を印加することができる。絶縁層483は、露出したn型III族チッ化物半導体層430に形成されて、n側電極480及びn型III族チッ化物半導体層430を絶縁する。絶縁層483は、例えば、SiO2またはフォトレジストからなり得る。続いて、電流拡散電極460側にスペーサー403を形成する。図6に示したスペーサー403は、導電性物質で形成されて、単一または複数のメッキ層を含むことができる。スペーサー403の材質、形状及び形成方法に対しては、図3及び図4で説明したのと実質的に同一である。したがって、詳細な説明は省略する。図7は、図6に示されたスペーサーが形成された発光部を有する化合物半導体発光素子の他の例を示す図である。図7を参照すると、スペーサー403は、フレーム405に具備された接着剤409に接着され、発光部401がフレーム405に位置が固定される。したがって、発光部401は引っ繰り返すようにして配置され、活性層440で発生した光の一部は電流拡散電極460で反射して基板410を透過して出て行く。絶縁層483によってn側電極480が接着剤409から絶縁されている。フレーム405は、接着剤409を具備して電流拡散電極460と電気的に導通する第1リード電極408、そしてn側電極480とワイヤ485によって電気的に連結される第2リード電極407を含む。スペーサー403は、図7に示されたように、全体が接着剤409に埋められ得る。スペーサー403がフレーム405と発光部401の間に間隔を形成するので、接着剤409が発光部401の側面を上っていくことが防止される。したがって、発光部401の側面に出る光が接着剤409によって吸収されることが防止されるので、発光素子400から出る光の量が増加する。またスペーサー403によって、発光素子400の放熱効率が向上する。図8は、本開示による化合物半導体発光素子のまた他の例を示す図である。図8を参照すると、化合物半導体発光素子600は、フレーム605、接着剤609、発光部601及びスペーサー603を含む。発光部601は、基板610、バッファー層620、n型III族チッ化物半導体層630、活性層640、そしてp型III族チッ化物半導体層650を含む。基板610は、サファイア、シリコンカーバイドSiC、亜鉛酸化物ZnO、シリコンSi、ガリウム砒素GaAsなどからなり得る。化合物半導体発光素子600は、電流拡散電極660、p側パッド電極670そしてn側電極680をさらに含む。電流拡散電極660は、p型III族チッ化物半導体層650上に光透過性を有するように形成される。p側パッド電極670は、電流拡散電極660上に形成される。n側電極680は、基板610の下面に形成されて反射板として機能する。n側電極680が反射板として機能する場合、基板610とn側電極680の間にSiO2、TiO2、CaF、MgFなどの物質からなる層未図示を導入することで、化合物半導体発光素子600の光取り出し効率を高めることができる。基板610が電気伝導性を有して、n側電極680が基板610を通じてn型III族チッ化物半導体層630に電気的に連結され得る。これとは異なり、基板610が電気伝導性を有しない場合、基板610にホールを形成して、n側電極680がホールを通じてn型III族チッ化物半導体層630に電気的に接続することができる。スペーサー603は、n側電極680側に形成される。図8に示されたスペーサー603は、導電性物質で形成することができ、単一または複数のメッキ層を含むことができる。スペーサー603の材質、形状及び形成方法に対しては、図3及び図4で説明したのと実質的に同一である。したがって、詳細な説明は省略する。スペーサー603は、フレーム605に具備した接着剤609で接着され、発光部601がフレーム605に位置が固定される。活性層640で発生した光の一部は、n側電極680で反射して電流拡散電極660を透過して出て行く。接着剤609は、導電性ペーストを含むことができる。フレーム605は、接着剤609を具備してn側電極680と電気的に導通する第1リード電極608、そしてp側パッド電極670とワイヤ675によって電気的に連結される第2リード電極607を含む。スペーサー603が、フレーム605と発光部601の間に間隔を形成し、接着剤609が発光部601の側面を上っていくことが防止される。したがって、発光部601の側面に出る光が接着剤609によって吸収されることが防止されるので、化合物半導体発光素子600から出る光の量が増加する。また、スペーサー603によって化合物半導体発光素子600の放熱効率が向上する。以下、本開示の多様な実施形態に対して説明する。1スペーサーが接着剤に付着して、フレームと基板の下面との間の間隔は、フレームから接着剤の高さ以上であることを特徴とする化合物半導体発光素子。2スペーサーが、メッキ層を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。スペーサーは、前述のように金属からなり得る。これとは異なり、スペーサーは非伝導性物質からなることもできる。例えば、基板の下面に化合物半導体発光素子の個別チップに対応する領域にのみフォトレジスト層を形成することができる。この場合、スペーサー形成工程数を減少することができる。3スペーサーが、20μm以上80μm以下の厚さを有することを特徴とする化合物半導体発光素子。4発光部とスペーサーの間に位置して光を反射する光反射層をさらに含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。5光反射層が基板の下面に形成されて、基板の下面と光反射層の間に形成された誘電物質層と、2化合物半導体層及び活性層が蝕刻されて露出した第1化合物半導体層に形成されたn側電極と、第2化合物半導体層に形成された透光性の電流拡散電極、そして電流拡散電極に形成されたp側パッド電極をさらに含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。6基板はサファイア基板で、スペーサーは光反射層の下面に形成されたメッキ層を含み、第1化合物半導体層はn型III族チッ化物半導体層を含み、第2化合物半導体層はp型III族チッ化物半導体層を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。7光反射層が基板の下面に形成されたn側電極を含み、スペーサーは光反射層の下面に形成されたメッキ層を含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。図8で説明された化合物半導体発光素子とは異なり、基板を削除してn型III族チッ化物半導体層の下側にn側電極を反射板機能をするように形成することもできる。この場合、スペーサーの厚さを厚くするために、先にメッキでn側電極側に複数のメッキ層を形成して、メッキ層上にフォトレジスト層をさらに形成することもできる。8第2化合物半導体層は、スペーサーと活性層の間に位置して、スペーサーと第2化合物半導体層の間に位置する光反射性の電流拡散電極、そして第1化合物半導体層に電気的に連結されたn側電極をさらに含むことを特徴とする化合物半導体発光素子。9基板の下面から第1化合物半導体層まで続くホールが形成され、n側電極は第2化合物半導体層及び活性層が蝕刻されて露出した第1化合物半導体層に形成されてホールを通じて基板の下面に延長されたことを特徴とする化合物半導体発光素子。本開示による化合物半導体発光素子の一つによると、接着剤による光の吸収を防止して光取り出し効率が向上した化合物半導体発光素子を提供する。また、本開示による他の化合物半導体発光素子に表面積が大きいスペーサーを用いて、放熱効率が向上した化合物半導体発光素子を提供する。