"炭化水素類の酸化がスート再生に十分な熱を生じせしめる有効PGM充填量を有する酸化触媒を含み、上記有効PGM量が約10g/ft3よりも多い第一層と;上記第一層に隣接し、NOxを選択的に還元する還元触媒を含む第二層とを含んでなる触媒。上記有効PGM量が約15g/ft3より多い請求項1に記載の触媒。上記有効PGM量が約15g/ft3から約70g/ft3である請求項2に記載の触媒。上記有効PGM量が約20g/ft3以上である請求項3に記載の触媒。上記PGMが、Pt及びPd及びそれらの組合せからなる群から選択される請求項1に記載の触媒。上記PGMが、PtとPdの組合せである請求項5に記載の触媒。上記触媒が、12のO2、200ppmのNH3、200ppmのCO、1000ppmのC10H22、4.5のH2O、4.5のCO2及び残りがN2の雰囲気中において350°C未満のHC活性化温度を有する請求項1に記載の触媒。上記HC活性化温度が約325°C以下である請求項7に記載の触媒。上記SCR触媒が、遷移金属充填のモレキュラーシーブである請求項1に記載の触媒。上記遷移金属が、Cu、Fe及びそれらの組合せから選択される請求項9に記載の触媒。上記モレキュラーシーブが、SAPO、CHA又はベータゼオライトである請求項10に記載の触媒。上記第一層が形成されている担体を更に含む請求項1に記載の触媒。上記第二層が上記第一層を覆う請求項12に記載の触媒。上記第一層が上記第二層の上流にある請求項12に記載の触媒。排気システムにおいてスート除去のための熱を生成しNH3スリップを低減させる方法であって、NOxを有する排気流中に窒素含有還元剤を噴射し、SCR触媒の存在下で上記窒素含有還元剤を使用して上記NOxを還元し、スリップ窒素含有還元剤を少なくとも間欠的に含むNOx還元ガス流を生じせしめ;上記NOx還元ガス流中にHCを噴射してHC富化ガス流を生じせしめ;上記HC富化ガス流を組合せ触媒と接触させて加熱ガス流を形成し、上記組合せ触媒が、上記加熱ガス流を加熱するために上記HCの少なくとも一部を酸化する酸化触媒を有する第一層と、上記加熱ガス流中のNOxの少なくとも一部を還元するSCR触媒を有する第二層を含む方法。上記加熱ガス流が少なくとも400°Cに加熱される請求項15に記載の方法。上記HC富化ガス流が350°C未満である請求項15に記載の方法。上記第一層に約15g/ft3を越えるPGMが充填される請求項15に記載の方法。上記加熱ガス流をスートフィルターに接触させて上記フィルターでスートを再生することを更に含む請求項15に記載の方法。エンジンからのNOx含有排気ガスを大気に移送する管路と、上記排気ガス中に窒素含有還元剤を噴射するインジェクターと、上記排気ガスに接触し、上記窒素含有還元剤を使用して上記NOxを還元して、スリップ窒素含有還元剤を少なくとも間欠的に含むNOx還元ガス流を生じせしめるように配置されたSCR触媒と、上記NOx還元ガス流中にHCを噴射してHC富化ガス流を生じせしめるHCインジェクターと、上記HC富化ガス流に接触して加熱ガス流を生じせしめるように位置させられた組合せ触媒であって、上記加熱ガス流を加熱するために上記スリップ窒素含有還元剤と上記HCを酸化する酸化触媒を有する第一層と、上記加熱ガス流中のNOxを還元するSCR触媒を有する第二層を含む組合せ触媒と、上記加熱ガス流に接触して配設されて上記フィルターに含まれるスートを再生するフィルターとを具備する排気処理システム。図3に本発明の排気システム300を模式的に示す。示されるように、システム300はエンジン307からの排ガスを大気に移送するための管路301を具備する。かかる排気流はNOxを含んでいることが知られている。エンジン307の下流は窒素含有還元剤を排気流中に噴射するインジェクター302である。インジェクター302の後は選択的触媒還元SCR触媒303である。これは、排ガスに接触し、窒素含有還元剤を使用してNOxを還元してN2を形成し、NOx低減ガス流が生じるように位置せしめられている。排ガス中のNOxの量は例えばエンジンの加速/減速、運転温度、周囲温度等に応じて相当変動する傾向があるので、窒素含有還元剤とNOxとの間の正確な化学量論バランスを維持することは困難である。従って、豊富な窒素含有還元剤が排気流中に注入され、その一部がSCRを通過してNOx低減ガス流に入ることになる。これはスリップ窒素含有還元剤又はより特定的にはスリップアンモニアと称される。SCRの下流は、HCをNOx低減ガス流に噴射してHC富化流を生じせしめる炭化水素HCインジェクター304である。組合せ触媒305は、HC富化流に接触して十分な温度例えば400°Cの加熱ガス流を生じせしめ、触媒スートフィルターCSF306に含まれるスートを再生するように位置せしめられている。スート再生に必要とされる温度は適用条件に応じて変わりうる。例えば、典型的には加熱されたガス流は550-650°Cでなければならないが、ガス流に添加剤を加えて、必要とされる温度を約450°Cかおそらくはそれ以下に低減させてもよい。図7に組合せ触媒700の一実施態様の概略を示す。組合せ触媒700は、酸化触媒を有する第一層702が形成堆積された担体基材701を具備している。酸化触媒はHC富化流中のスリップ窒素含有還元剤と噴射されたHCを酸化する。酸化触媒は、酸化反応を、加熱されたガス流を適切な再生温度例えば400-550°Cまで加熱するのに十分に発熱性にするために有効な量のPGM例えば、10g/ft3より多いを有している。触媒700はまたこの実施態様では第一層702を覆う第二層703を有している。該第二層は富化流中の又は第一層702におけるHC及び窒素含有還元剤の酸化から生じたNOxを低減させるためのSCR触媒を有している。システム、組合せ触媒、及びその用途を、ある非限定的な実施態様を用いて以下に更に詳細に説明する。図3に戻ると、エンジン307は、例えばジーゼルエンジン、リーンバーンガソリンエンジン又は液化石油ガスもしくは天然ガスによって駆動されるエンジンを含む任意のリーンバーンタイプのエンジンでありうる。図3に示される実施態様では、システム300はまたジーゼル酸化触媒DOC308を有している。DOC308は化学プロセスを使用して排気流中の汚染物質を害の少ない成分に分解するよく知られた装置である。より詳細には、DOCは典型的には単純な酸化によってジーゼル排気ガスのパティキュレートマターPM,粒子状物質、炭化水素系の可溶性有機画分SOF、及び一酸化炭素含有量を低減させるために貴金属触媒を利用する。典型的なDOCは、ハニカム様の構造又は担体を含むキャニスターを具備する流通式フロースルー装置である。担体は活性な触媒層がコートされた大きな表面積を有している。この活性層はよく分散せしめられた少量の貴金属を含んでいる。排気ガスが触媒を越える際に、一酸化炭素、ガス状炭化水素及び液体炭化水素粒子未燃焼燃料及び油が酸化され、有害な排出物を低減させる。DOC308の下流は窒素含有還元剤インジェクター302であり、これもまたよく知られている。これは排気システムに流入する窒素含有還元剤の適切量を測定する作用をなす。数種の還元剤がSCR用途に使用され、アンモニアそのもの、ヒドラジン、無水アンモニア、水性アンモニア、あるいは尿素2CO、炭酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム及びギ酸アンモニウムからなる群から選択されるアンモニア前駆体を含む。純粋な無水アンモニアは毒性があり、安全に保存するのが難しいが、更なる転換を要することなくSCR触媒と反応する。水性アンモニアは使用するためには加水分解されなければならないが、無水アンモニアよりも保存と輸送が安全にできる。尿素は最も安全に保存できるが、効果的な還元剤として使用するには熱分解を通してアンモニアに転換させることが必要である。示されているように、インジェクター302は、多くのエンジン及び排気パラメーターをモニターし、窒素含有還元剤の適切な噴射量を決定するコントローラー図示せずによって制御される。そのようなパラメーターは、例えば排ガスNOx濃度、排ガス温度、触媒床温度、アクセル開度、システム中の排ガスの質量流量、マニホールド真空度、点火タイミング、エンジン速度、排ガスのラムダ値、エンジンに噴射された燃料の量及び排ガス再循環EGRバルブ、よってEGRの量及び過給圧を含む。SCR触媒もまたよく知られており、典型的には一種又は複数種の遷移金属を含む細孔性材料を含む。SCR触媒は酸化チタンのような担体として使用される様々なセラミック材料から製造され、活性な触媒成分は通常は卑金属例えばバナジウム及びタングステンの酸化物、モレキュラーシーブ、例えばゼオライト、及び様々な貴金属である。使用されるSCR触媒幾何構造の二つの最も一般的な設計はハニカムと板状体プレートである。通常、ハニカム形態は、セラミックキャリア担体全体に均一に適用された又は担体基材にコートされた押出セラミックである。板状触媒はより低い圧力損失を有しており、ハニカム状よりも詰まりや汚れを受けにくいが、プレート形状は大きくなり費用が嵩む。ハニカム形状は板状よりも小さいが、圧力損失が大きく、更により簡単に詰まる。本発明での使用に適したSCR触媒は例えばモレキュラーシーブ/ゼオライト系触媒で開示される。一実施態様では、SCR触媒は遷移金属交換ゼオライトである。図3に示される実施態様では、SCR触媒は組合せ触媒305の上流である。かかる配置は、SCR303が直ぐに熱くなるので速やかにピーク効率に達するように間欠的に運転されるエンジンでは必ずしもではないが一般に好ましい。更に、この構造では、SCR触媒は、該触媒に対して有害でありうる加熱されたガス流に曝露されない。SCR触媒の下流で組合せ触媒305の前段では、HCインジェクターがHC典型的にはエンジンの燃料を低NOxガス流中に噴射し、HC富化ガス流を生成せしめる。窒素含有還元剤インジェクターと同様に、HCインジェクターは、所定の量のHCを流れ中に周期的に噴射せしめ、CSF306に捕捉されるスートを周期的に再生させるように構成されたコントローラー図示せずによって制御される。スートを再生する必要がある頻度、よってHCを噴射する必要がある頻度と量は、当業者によく知られているシステムの最適化である。本発明の重要な態様は組合せ触媒305である。それはASC201とDEC105の機能性を併せ持つ。上に述べたように、比較的多くのPGMを充填した酸化触媒はHC及び窒素含有還元剤の酸化を改善する一方、SCR触媒の被覆は意外にもNOxの生成を制限することができることが見出された。よって、本発明の触媒は、スリップしたアンモニアを選択的に酸化しながら、発熱酸化を通してスート再生に十分な熱を発生せしめることができる。組合せ触媒の多機能性はおそらくは組合せ触媒内での多くの反応及び相互作用による。何らかの特定の理論に拘束されるものではないが、第一に、酸化からのNOxと排気ガスからのスリップアンモニアが、SCR-活性コートである第二層に吸収され、選択的触媒反応で反応して、反応完了後に脱着する窒素と水を形成すると思われる。ここで、アンモニアは超化学量論量で存在する。第二に、SCR層に使用されず又は吸収されなかったスリップアンモニアとHC類は、第二層を通って第一層まで移動する。第二層は強力な酸化作用を有しており、スリップアンモニアから窒素及び窒素酸化物を生成し、HC類から水、二酸化炭素及び発熱の熱を生成した。生じた窒素は第二層を通って変わらないで拡散/通過し大気中に入る。第三に、窒素酸化物が第一層において生成されると、それらは第二層のSCR触媒を通って又はそのそばを通過し、そこでSCR反応における過去の保存/スリップアンモニアと反応しN2を生じる。よって、HC富化ガスが組合せ触媒を通過する際に生じるSCR/酸化/SCRプロセスが、酸化が促進されるが過剰酸化は制御される自己調節システムとなる。図7に触媒700の一実施態様を示す。該触媒は、本願において使用される任意の既知の担体材料、例えばアルミナを含みうる担体基材701を含む。あるいは、触媒は当該技術分野においてよく知られている押出触媒でありうる。更に、担体は、例えばハニカム又はモノリスを含む任意の既知の形状に構成されうる。特定の一実施態様では、担体はハニカムアルミナである。図7に示されるように、第一層702、第二層703は、第二層703が第一層702を覆うように構成されている。しかしながら、他の構成も本発明の範囲内であることが理解されなければならない。例えば、第一及び第二層は、第一層が第二層の上流になるように担体に沿って堆積されうる。あるいは、第一及び第二層が交互に連続したものを使用してもよい。更に他の構成もこの開示に照らして当業者には明らかであろう。上述のように、第一層は酸化触媒を含む。該触媒は、有意な発熱反応が達成される程度にHC類と窒素含有還元剤の酸化を可能にするように選択されなければならない。すなわち、発熱反応は、CSF306中のスートを再生することができる点まで加熱されたガス流を加熱するのに十分である必要がある。一般に、これは、少なくとも約400°Cまでガスを加熱することを必要とする。最適な再生は約550から約650°Cで起こる。これを達成するためには、触媒は、所望の発熱をもたらすように十分にPGMが充填された細孔性材料、例えばゼオライト又は非ゼオライト例えばアルミナ、セリア、ジルコニア、チタニア、又は類似材料の個々又は組合せを含んでいなければならない。一般に、PGM充填量が多くなればなるほど、触媒はより反応性になる。上記のように十分な再生温度を確保するために十分なPGM充填量を有することに加えて、PGM充填量は、HCからの熱の発熱発生の活性化温度ライトオフ温度が約350°C未満であるように十分でなければならない。一般に、低い活性化温度が望ましい。活性化温度が約350°Cよりも高い場合、上流の排気ガスを加熱するために補助系が必要とされうる。かかる系は排気システムの複雑さを増加させ、燃料効率を低減させ、よって一般に望ましくない。本出願人は、DECに達する排気ガスの温度は一般に必ずしもではない350°C未満であることを見出した。よって、一実施態様では、本発明の触媒は、触媒活性化温度が350°C未満となり、更に特定の実施態様では325°C未満となるようなPGMタイプ及び十分な充填量を有している。この所望の性能をもたらすための酸化層の調製法はこの開示に照らせば当業者には分かるであろう。高い再生温度と比較的低い活性化温度が必要であるので、必要とされるPGM充填量は、10g/ft3未満となる傾向にある従来のASC触媒において使用されるものよりも典型的に多いASC触媒における充填量はスリップアンモニアの過剰酸化とNOxの生成を避けるために典型的には相対的に低く維持される。。従って、一実施態様では、PGM充填量は従来のASC触媒のものよりも多い。一実施態様では、充填量は約10g/ft3よりも多い。他の実施態様では、充填量は約10g/ft3よりも多く、約100g/ft3よりも少ない。他の実施態様では、充填量は約15g/ft3から約70g/ft3である。更に他の実施態様では、充填量は約20g/ft3である。一実施態様では、PGMはパラジウムPd及び/又は白金Ptを含む。他の実施態様では、PGMはPdとPtの組合せを含む。一般に、Pdは発熱酸化を促進し、PtはNH3からNOxを生成する傾向がある。従って、PdとPtの混合物中の相対濃度は、所望される酸化対NOx生成の量に依存する傾向がある。Ptに対するPdの相対充填量は1:10から10:1の比で変わりうる。特定の一実施態様では、PGMは約15-70g/ft3の全充填量に対して本質的に等分のPt及びPdの組合せを含む。第二層はSCR触媒を含む。かかる触媒はよく知られており、SCR触媒303について上述した。一般に、SCR触媒は、少なくともi細孔性結晶性モレキュラーシーブと、モレキュラーシーブ中に含浸された遷移金属を含むSCR触媒を含む。モレキュラーシーブは、出典明示によりここに援用される米国特許第4913799号によって定義されるようなゼオライト及び非ゼオライトシーブを含む触媒としての使用に適した任意の既知の又は後に開発される細孔性構造でありうる。一実施態様では、モレキュラーシーブは、少なくともケイ素、アルミニウム及びリンを含み、8員環細孔開口構造を有する。一実施態様では、モレキュラーシーブは、シリコアルミノリン酸塩SAPOモレキュラーシーブである。一実施態様では、SAPOモレキュラーシーブは、国際ゼオライト学会構造委員会によって定義された次の骨格構造フレームワークタイプの一又は複数を有する:AEI、AFX、CHA、LEV、LTA。一実施態様では、骨格構造はCHA、又は例えばAEI-CHA連晶intergrowthsのような一又は複数の異なった骨格構造と組み合わせたCHAである。適切なCHASAPO類の例は、SAPO-34とKYT-6を含む。特定の一実施態様では、モレキュラーシーブはSAPO-34である。他の実施態様では、触媒は、AEI、AFX、CHA、LEV、及びLTAからなる群から選択される二以上のSAPOモレキュラーシーブを含む。一実施態様では、ゼオライトはAEI、AFX、CHA、LEV、LTA、BEA、MFI、FER、MOR及びKFIから選択される骨格構造を有する。適切なBEAゼオライトの一例はベータゼオライトである。モレキュラーシーブに加えて、SCR触媒は、シーブに組み込まれた遷移金属を含む。適切な遷移金属は、例えば、Cr、Mn、Fe、Co、Ce、Ni、Cu、Zn、Ga、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Re、Ir、Au、Pr、Nd、W、Bi、Os、及びPtを含む。一実施態様では、遷移金属はCu又はFe又はその組合せである。一実施態様では、遷移金属充填量は触媒の約0.3wtから約10wtである。遷移金属の種類と濃度はシーブと用途に応じて変わりうる。例えば、適切な結果は、約2wtのCuが充填されたSAPO-34と、約3wtのFeが充填されたベータゼオライトで達成された。シーブ、遷移金属及び充填濃度の更に他の組合せはこの開示に照らせば当業者には明らかであろう。SCR触媒は、菫青石コーディエライト、ムライト、シリカ、アルミナ、チタニア、又はその組合せのようなセラミック材料から製造される担体基材を含みうる。あるいは、担体は金属製でありうる。二種の最も一般的な担体設計はモノリス又はプレート板状体とハニカムである。板状触媒はより低い圧力損失を有しており、ハニカム状よりも詰まりや汚れを受けにくいが、プレート形状は大きくなり費用が嵩む。ハニカム形状は板状よりも小さいが、圧力損失が大きく、更により簡単に詰まる。あるいは、触媒は担体を伴うか伴わない押出体でありうる。後者の実施態様では、触媒は個別の離散した担体を持たない。更に他の実施態様では、触媒は全く支持されておらず、バルクで提供される。組合せ触媒305は既知の技術を使用して調製することができる。例えば、出典明示によりここに援用するカナダ特許出願第2652837号PCT公開第2007/137675号に基づくは、本発明の酸化層のPGM充填量はその文献に開示されたものよりも多い必要があるが、適切な調製手順を開示している。加熱されたガスは組合せ触媒305を離れ、CSF306に接触し、その時点でスートが再生される。このようなプロセスはよく知られており、ここでは詳細には検討しない。次の非限定的な実施例は、以下の表1に記載したように一般的なDEC触媒サンプル1及び一般的なASCサンプル7に対して本発明の組合せ触媒の5つの実施態様サンプル2-6を比較するものである。これらのサンプルにおいて、酸化層は、標示濃度の標示PGMを充填してアルミナの湿潤スラリーを調製し、ついでそのスラリーを用いて標準的なセラミックハニカム基材をウオッシュコーティングすることにより、調製した。SCR層は、イオン交換を通してCu又はFeの標示量を充填した標示微細孔材料SAPO-34又はベータゼオライトの何れかの混合物を調製し、混合物にバインダーを加え、ついで混合物を用いて酸化層をウオッシュコーティングすることにより、調製した。活性化ライトオフ温度図4は、フィルターを浄化するための発熱を生じせしめるためにDECでは典型的な高HC濃度での活性化試験HC酸化の結果を示している。これは、12のO2、200ppmのNH3、200ppmのCO、1000ppmのC10H22、4.5のH2O、4.5のCO2及び残りがN2の雰囲気中での定常状態活性化試験であった。サンプル1、つまり一般的なDECは、最も低い活性化温度<200°Cを有していたが、サンプル2、つまりPt/Pd組合せ触媒と、サンプル3-5、つまり20-35wtのPtを含むPt組合せ触媒もまた適切な活性化温度つまり、<350°Cを示した。サンプル6、つまり10g/ft3のPtを組合せた触媒は約350°Cの活性化温度を有しており、これは一般に必ずしもではないが高すぎる。同様に、サンプル7、つまり低PGM充填の標準的なNH3スリップ触媒1g/ft3のPtはまた約350°Cの活性化温度を有していた。よって、これらの結果は、適切な活性化温度の組合せ触媒が、10g/ft3を越えるPGM濃度を有する酸化層で達成されることを示している。NH3転換図5は、12のO2、200ppmのNH3、200ppmのCO、100ppmのC3H6、4.5のH2O、4.5のCO2及び残りがN2の雰囲気中での低炭化水素濃度の標準的なジーゼル運転条件下でのNH3転換率を示している。ここで、サンプルの全てが、許容可能なNH3転換率、つまり約325°Cでほぼ100のNH3転換率を示している。選択性図6は、NH3をN2に選択的に転換させる各サンプルの性能を示している。この実験は、図5のNH3転換率の場合と同じ雰囲気条件下での定常状態活性化試験であった。サンプル1の標準的なDECは相対的に低い温度で最も低い選択性を有しており、より高温では10未満に減少した。サンプル2-6の組合せ触媒は、一般的な運転温度範囲である約325から425°Cの間で約55-70のピークを持つ有意に良好な選択性を有していた。サンプル4及び5の35g/ft3及び20g/ft3のPtの組合せ触媒は325から425°Cの間で約70の特に高い選択性を示している。このような選択性はサンプル7の従来のASCに匹敵する。よって、これらの実施例は、本発明の組合せ触媒が、発熱生成のためにHC酸化が改善された酸化触媒中の多いPGM充填量ででさえ維持することができる、窒素含有還元剤スリップ制御に対しての良好な選択性の効果を奏することを示している。Ptを含むより低い層にPdを加えると、N2に対するNH3選択性をまた改善しながら、触媒のHC酸化能をまた改善する。"