"基板と、前記基板の表面に同心円状または螺旋状に複数形成され、円錐,角錐,または釣鐘型の形状を有すると共に、可視光の波長以下の高さを有する第1の微細構造物と、前記基板の外周部に互いに離間して複数形成され、前記第1の微細構造物よりも大きく、かつ、可視光の波長よりも大きい直径の底面又は高さを有する円柱形状または円錐形状の第2の微細構造物と、を備え、前記第1の微細構造物及び前記第2の微細構造物は、前記基板の表面に対して凸状または凹状に形成されていることを特徴とする微細構造物成型スタンパ。前記第1の微細構造物は円錐形状であり、前記円錐形状は、底辺に対する高さのアスペクト比が0.8以上であることを特徴とする請求項1に記載の微細構造物成型スタンパ。前記第1の微細構造物の高さは、400nm以下であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の微細構造物成型スタンパ。前記基板は多角形形状を有し、前記第2の微細構造物は前記多角形形状の各角部にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の微細構造物成型スタンパ。請求項4記載の微細構造物成型スタンパが互いに繋ぎ合わされており、前記微細構造物成型スタンパ同士は各微細構造物成型スタンパに形成されている前記第2の微細構造物を基準にして互いに位置合わせされていることを特徴とする微細構造物成型スタンパ。請求項1~5のいずれか1項に記載の微細構造物成型スタンパを用いて成型され、前記第1の微細構造物及び前記第2の微細構造物の凹凸がそれぞれ反転して転写された第3の微細構造物及び第4の微細構造物を有することを特徴とする微細構造物成型基板。円盤状の原盤基板の表面に感光性のレジスト膜を形成するステップと、前記原盤基板を前記原盤基板の中心を回転中心として回転させると共に、前記レジスト膜に光を制御しながら照射しつつ、前記原盤基板の中心から外周に向かって半径方向に移動させて、前記レジスト膜の表面に、円錐,角錐,または釣鐘型の形状を有すると共に可視光の波長以下の高さを有する第1の微細潜像部を同心円状または螺旋状に複数形成すると共に、前記原盤基板の外周部における前記レジスト膜の表面に、前記第1の微細潜像部よりも大きく、かつ、可視光の波長よりも大きい直径の底面を有する円柱形状または円錐形状の第2の微細潜像部を互いに離間して複数形成するステップと、前記第1の微細潜像部及び前記第2の微細潜像部を現像して除去するステップと、前記原盤基板を前記レジスト膜側からエッチングして、前記原盤基板の表面に、前記第1の微細潜像部及び前記第2の微細潜像部にそれぞれ対応する第1の微細ピット及び第2の微細ピットを形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記第1の微細ピット及び前記第2の微細ピットが形成された前記原盤基板の表面に金属膜を形成するステップと、前記金属膜を前記原盤基板から離型して、前記金属膜の表面に前記第1の微細ピット及び前記第2の微細ピットの凹凸がそれぞれ反転して転写された第1の微細構造物及び第2の微細構造物を有する微細構造物成型スタンパを作製するステップと、前記微細構造物成型スタンパを、前記第2の微細構造物を基準にして切断し、所定の外形形状とするステップと、前記所定の外形形状とされた微細構造物成型スタンパを、各微細構造物成型スタンパに形成されている前記第2の微細構造物同士を基準にして位置合わせして繋ぎ合わせ、大判の微細構造物成型スタンパを作製するステップと、を含むことを特徴とする微細構造物成型スタンパの製造方法。ここで、太陽電池用基板や太陽光発電装置用パネルの表面に微細構造物を形成する場合には、微細構造物を形成する面積を広くすることが必要である。そのためには、広い面積を有するスタンパを作製することが必要となるが、一回の露光で広大な太陽電池基板や太陽光発電装置用パネル等に使用可能な微細構造物形成用の大判のスタンパを作製することは難しい。また、微細構造物が表面に形成された小型のスタンパを複数作製し、これらスタンパを繋ぎ合わせて大判のスタンパを構成することも考えられるが、スタンパ間の継ぎ目で微細構造物のピッチがずれると光透過率が悪化するため、その改善が望まれる。本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、微細構造物が表面に形成された小型のスタンパが繋ぎ合わされて、かつ、スタンパ間の継ぎ目における微細構造物のピッチずれを抑制可能とする大判の微細構造物成型スタンパ及びそれを用いた微細構造物成型シートを提供することにある。上記目的を達成するため、本願請求項1に記載の微細構造物成型スタンパは、基板と、前記基板の表面に同心円状または螺旋状に複数形成され、円錐,角錐,または釣鐘型の形状を有すると共に、可視光の波長以下の高さを有する第1の微細構造物と、前記基板の外周部に互いに離間して複数形成され、前記第1の微細構造物よりも大きく、かつ、可視光の波長よりも大きい直径の底面又は高さを有する円柱形状または円錐形状の第2の微細構造物と、を備え、前記第1の微細構造物及び前記第2の微細構造物は、前記基板の表面に対して凸状または凹状に形成されていることを特徴とする。請求項2に記載の発明は、前記第1の微細構造物は円錐形状であり、前記円錐形状は、底辺に対する高さのアスペクト比が0.8以上であることを特徴とする。請求項3に記載の発明は、前記第1の微細構造物の高さは、400nm以下であることを特徴とする。請求項4に記載の発明は、前記基板は多角形形状を有し、前記第2の微細構造物は前記多角形形状の各角部にそれぞれ形成されていることを特徴とする。請求項5に記載の発明は、請求項4記載の微細構造物成型スタンパが互いに繋ぎ合わされており、前記微細構造物成型スタンパ同士は各微細構造物成型スタンパに形成されている前記第2の微細構造物を基準にして互いに位置合わせされていることを特徴とする。請求項6に記載の微細構造物成型基板は、請求項1~5のいずれか1項に記載の微細構造物成型スタンパを用いて成型され、前記第1の微細構造物及び前記第2の微細構造物の凹凸がそれぞれ反転して転写された第3の微細構造物及び第4の微細構造物を有することを特徴とする。請求項7に記載の微細構造物成型スタンパの製造方法は、円盤状の原盤基板の表面に感光性のレジスト膜を形成するステップと、前記原盤基板を前記原盤基板の中心を回転中心として回転させると共に、前記レジスト膜に光を制御しながら照射しつつ、前記原盤基板の中心から外周に向かって半径方向に移動させて、前記レジスト膜の表面に、円錐,角錐,または釣鐘型の形状を有すると共に可視光の波長以下の高さを有する第1の微細潜像部を同心円状または螺旋状に複数形成すると共に、前記原盤基板の外周部における前記レジスト膜の表面に、前記第1の微細潜像部よりも大きく、かつ、可視光の波長よりも大きい直径の底面を有する円柱形状または円錐形状の第2の微細潜像部を互いに離間して複数形成するステップと、前記第1の微細潜像部及び前記第2の微細潜像部を現像して除去するステップと、前記原盤基板を前記レジスト膜側からエッチングして、前記原盤基板の表面に、前記第1の微細潜像部及び前記第2の微細潜像部にそれぞれ対応する第1の微細ピット及び第2の微細ピットを形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記第1の微細ピット及び前記第2の微細ピットが形成された前記原盤基板の表面に金属膜を形成するステップと、前記金属膜を前記原盤基板から離型して、前記金属膜の表面に前記第1の微細ピット及び前記第2の微細ピットの凹凸がそれぞれ反転して転写された第1の微細構造物及び第2の微細構造物を有する微細構造物成型スタンパを作製するステップと、前記微細構造物成型スタンパを、前記第2の微細構造物を基準にして切断し、所定の外形形状とするステップと、前記所定の外形形状とされた微細構造物成型スタンパを、各微細構造物成型スタンパに形成されている前記第2の微細構造物同士を基準にして位置合わせして繋ぎ合わせ、大判の微細構造物成型スタンパを作製するステップと、含むことを特徴とする。本発明によれば、微細構造物が表面に形成され、かつ、微細構造物のピッチずれが抑制された、大判の微細構造物成型スタンパ及びそれを用いた大判の微細構造物成型シートの作製が可能になる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る微細構造物成型スタンパ71の構成を示す斜視図、図2は、微細構造物成型スタンパ71を切断して得られる矩形状スタンパ72が複数個図2では4個平面的に接続された大判の微細構造物成型スタンパ73の構成を示す説明図である。なお、本実施形態では、薄膜太陽電池及び太陽光発電装置等に用いる基板シートを作製するための微細構造物成型スタンパを例に挙げて説明する。図1に示すように、本実施形態に係る微細構造物成型スタンパ71は、例えば直径が12cmの円盤状の基板11の上に、円錐形状の小型微細構造物第1突起部12が多数突起して設けられている。各小型微細構造物12は、基板11の中心点を中心として、同心円状、或いは螺旋スパイラル状に設けられている。また、基板11の四隅には、中心から等距離となる位置に円柱形状の大型微細構造物第2突起部13が設けられている。即ち、各大型微細構造物13は矩形長方形または正方形の4つの隅部にそれぞれ設けられることになる図1では正方形の例を示しているが、長方形としても良い。この際、円錐形状を成す小型微細構造物12の、底辺に対する高さのアスペクト比を0.8以上としている。アスペクト比を0.8以上とすることにより、微細構造物成型スタンパ7172,73を用いて作製した太陽電池用基板及び太陽光発電装置用パネルに入射した光をその内部の光電変換部に効率良く導入させることができる。また、小型微細構造物12の高さは、光の波長よりも短く設定されている。例えば、最も短い光の波長が400nmである場合には、400nm以下となるように設定されている。また、円柱形状を成す大型微細構造物13は、高さ又は底面の直径が可視光の波長よりも大きくなるように設定されている。また、大型微細構造物13の高さ又は底面の直径は、小型微細構造物12の高さ又は底面の直径よりも大きくなるように設定されている。なお、小型微細構造物12は4つの大型微細構造物13を通る円内に密に存在するが、図1では一部を省略して記載している。また、複数の小型微細構造物12、及び4つの大型微細構造物13は、ナノメートルのオーダー、及びマイクロメートルのオーダーとなる微細な構造物であるが、図1、図2では理解を促進するため、大きさを誇張して記載している。また、図1に示すハロゲンランプ21、及びCCDカメラ22は、微細構造物成型スタンパ7172を観察するために設けられる。また、図2では、小型微細構造物12が同心円状に設けられている例を示しているが、螺旋状でも良い。また、小型微細構造物12は、円錐形状以外にも、角錐形状、釣鐘型とすることも可能である。更に、大型微細構造物13は、円柱形状以外にも、円錐形状とすることも可能である。そして、図1に示す微細構造物成型スタンパ71基板11を、4つの大型微細構造物13に沿って切断することにより、矩形状スタンパ72を作製し、更に、図2に示すように、複数の矩形状スタンパ72を平面的に接続して大判の微細構造物成型スタンパ73を形成する。このように、本実施形態に係る微細構造物成型スタンパでは、円盤状の基板11の表面に多数の小型微細構造物12を形成すると共に、該基板11の小型微細構造物12が形成された領域の外周部の四隅に大型微細構造物13を形成し、この大型微細構造物13を基準として、基板11を切断して矩形状スタンパ72としている。従って、基板11の切断の精度を向上させることができる。また、矩形状スタンパ72を複数個接続した場合に、互いに隣接する矩形状スタンパ72に形成された小型微細構造物12どうしの間隔を高精度に設定することができるので、接続部の光学的特性の劣化の少ない位置決めが可能となる。次に、図1に示した微細構造物成型スタンパ71を作製するためのマスター原盤について説明する。図3~図5は、微細構造物成型スタンパ71を作製するためのマスター原盤を作製する手順を示す説明図である。なお、図3~図5は断面図を示しており、ピット等は大きさを誇張して示している。微細凹凸構造上述した小型微細構造物12、及び大型微細構造物13を形成するための凹凸を備えるスタンパ71を作製するためのマスター原盤を作製するためには、電子ビーム露光、ステッパー露光、レーザビーム露光等の手法を用いることができる。このうち、レーザビーム露光法はそのスループットの速さが群を抜いており、生産性を考えると非常に優位性が高い。レーザビーム露光は、レジストが成膜された原盤基板を高速で回転させながらレンズで集光されたレーザ光を照射して微細な凹凸構造を形成する。具体的には、まず、図3に示すように、石英やシリコンSiで形成された円盤状の原盤基板マスター原盤用基板42の上面に無機レジスト膜41を形成する。原盤基板42に使用される材料は、微細構造物を形成するためにフルオロカーボン系ガスを用いてリアクティブイオンエッチング法によりエッチング可能な材料である必要がある。更に、この上に形成する無機レジスト膜41と比べてエッチングレートが大きい選択比が高い材料であることが望ましい。無機レジスト膜41は、微細構造物を形成するために集光されたレーザ光が照射された部分が、レーザ光が照射されなかった未感光の部分と比較してアルカリ溶液に対する溶解性が大幅に大きくなる材料で形成されている。このような材料としては、遷移金属の酸化物の感光性アモルファス無機材料が好ましい。例えば、酸化タングステンWOやタングステンとモリブデンの合金酸化物WMoO等が挙げられる。また、ゲルマニウム-アンチモン-テルル合金GeSbTe系の相変化材料を用いても良い。中でも、タングステンとモリブデンの合金酸化物WMoOが最も好適な例として挙げることができる。このタングステンとモリブデンの合金酸化物WMoOを形成する方法としては、特に限定はないが、高真空にした真空チャンバー中に適度な流量の酸素ガスO2を流し込みながら、タングステンW-モリブデンMo合金ターゲットをスパッタリングする、いわゆる反応性スパッタリング法にて成膜する手段が好適である。また、この無機レジスト膜41の厚さは、特に限定は無いが、基板に形成する微細構造物の深さと、フルオロカーボン系ガスを用いてリアクティブイオンエッチングを行う際の、原盤基板42と無機レジスト膜41のエッチングレート、即ち、選択比を考慮して、所望の深さの微細構造物が形成できる膜厚以上にすることが必要である。具体的には、石英基板SiO2に250nmの高さの微細構造物を形成する場合は、酸化タングステンWOとの選択比は、おおよそ1:5~1:6程度であるため、酸化タングステンWO層の厚さは40~50nm程度必要である。一方、比較的大きな構造物、例えば、底面径1μm、高さ1μmの構造物を形成するには無機レジスト膜厚として200~170nm程度が必要である。底面径や高さの高い構造物を形成させる部分では、レーザ光の出力を高めて、広い面積及び、深い部分まで感光させることにより対応することができる。本実施形態では、同一の原盤基板の表面に、微細凹凸構造物である円錐状ピット44と可視光波長より大きな構造物である円柱状ピット43とを共存させなければならない。この場合、レジスト膜厚として大きな構造物円柱状ピット43の必要膜厚で成膜しておく。そして、円錐状ピット44の作製には、レーザ光の出力をコントロールして、表面から40~50nm程度の深さまで感光するように、いわゆるハーフカットすることで対応する。このような段違いの露光を行うことによって、現像後のRIE工程で大きさの異なる構造物即ち、円錐状ピット44と円柱状ピット43を同一の原盤基板の表面に形成することができる。そして、図3に示すように、円盤状の原盤基板表面に無機レジスト膜41を形成した基板42を回転させながら無機レジスト膜41の上面側からレーザ光31を照射することにより、無機レジスト膜41表面の、複数の円錐状ピット44、及び4つの円柱状ピット43が形成される部分を部分感光させる。即ち、無機レジスト膜41を形成した原盤基板42にレーザ光31を集光させ、レンズ32で集光してレーザ光33とし、集光したレーザ光33を照射して無機レジスト膜41を所定の配列ピッチで微細構造物状に感光させる。配列ピッチはレーザ発光の制御により可能であるが、コンピュータ等で予め発光パターンをプログラムしておけば、数nmの精度で位置を制御できる。従って、切断ライン付近での円錐状ピット44の位置を、周期性が乱れないように制御する、例えば一定の配列ピッチに制御することが可能になる。ここで、レーザ光を集光させ、所定の配列ピッチで微細構造物状に感光させる装置としては、従来のCD、DVD、ブルーレイディスク等のガラス原盤のカッティングで使用される装置を利用することができ、レーザについても、ガス、固体、半導体レーザ等、種々のものを使用することができる。次に、図4に示すように、図3に示した無機レジスト膜41の感光した部分をアルカリ現像液で現像して除去する。この際、感光した面積や深さに応じて、除去される部分の寸法が異なって形成される。この処理により、無機レジスト膜41に多数の円錐状ピット51、及び4つの円柱状ピット52が形成される。なお、現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカリ現像液を用いることができる。その後、図5に示すように、石英の原盤基板42にフルオロカーボン系ガスを用いてリアクティブイオンエッチングRIEを行う。この時使用するフルオロカーボン系ガスとしては、CF4、CHF3、C3F8、C4F8等が好ましい。この時、無機レジスト膜41の、未感光とされた領域は現像処理で除去されない。そして、この除去されずに残った部分は、マスクとしての役割を果たす。次いで、無機レジスト膜41を除去する。無機レジスト膜41は、例えば、無機レジスト膜41をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の強アルカリ溶液に一定時間含浸させることにより、除去することができる。こうして、原盤基板42上に円錐状ピット第1窪み部61、及び円柱状ピット第2窪み部62を形成することができる。こうして形成された円錐状ピット61は、螺旋状、或いは同心円状の列を成し、この円錐状ピット61が形成されるエリアは円形状となる。レーザビーム露光法により作製されるスタンパでは、微細凹凸構造物円錐状ピット61の大きさ及び周期は、レーザ発光パルスを制御することにより、所望の数値に設定することができる。即ち、レーザ露光を回転する原盤基板の最内周即ち中心から外周部へ向かってその半径方向に進行させることにより、図3に示す円錐状ピット44を形成する。そして、所望する寸法の四角形が内在できる微細凹凸構造物列が形成されたエリア円形まで、微細構造物の露光が完了した場合に、その最外周列のレーザ露光中の四角形の頂点部で、レーザ発光パワー、及び露光パルス幅を増大させることにより、円柱状ピット43を形成する。そして、円柱状ピット43を結んでできる四角形の外周ラインに架かる部分での、微細凹凸構造物円錐状ピット44は、レーザ露光のタイミングをコントロールすることで即ち、パルス発光のタイミングを精密制御して、露光により形成される微細構造物が外周ラインに到達した際に中断することなく、連続的に円柱状ピット43を形成することができる。このような制御を行うことにより、切断ライン図1の矩形状シート72の外周となるライン付近で微細凹凸構造物の周期性を乱すことのない微細構造物成型スタンパ71矩形状スタンパ72を作製可能なマスター原盤を作製することができる。次に、石英の原盤基板42マスター原盤の円錐状ピット61及び円柱状ピット62が形成された表面に、導電性の金属層を形成する。この金属層は導電性のあるものであれば、特に制限はないが、ニッケルNi、金Au、銀Agなどの金属が好ましい。この金属層の形成方法は、スッパッタリング法等の真空成膜でも、無電解メッキ法等の湿式法で形成しても良い。また、この導電層の厚さは、次の工程である電解メッキができる程度の厚みがあれば良く、特に制限はないが、20nm~100nm程度が好適な膜厚である。次に、導電金属層の上に金属保護層を形成する。この金属保護層に使われる金属としては、特に制限はないが、電解メッキ電鋳が可能な、Ni,Au、Agが好ましい。中でもコスト、硬度等を考慮するとNiが最も好ましい材料である。また、その膜厚も特に制限はないが、微細構造物を保護するためには数μm以上あることが好ましい。また、この金属保護層を形成する方法としては、特に制限はないが、厚膜の金属保護層を形成する量産の良い方法としては電解メッキ法が好適な方法である。導電金属層と金属保護層とが一体化した構造体をマスター原盤から離型することにより、図1に示す、マスター原盤の表面に形成された円錐状ピット61及び円柱状ピット62図5参照が凹凸反転されて転写された小型微細構造物12及び大型微細構造物13を表面に有する円盤状の基板11である微細構造物成型スタンパ71を得る。作製された微細構造物成型スタンパ71に白色光や可視域波長のレーザ光を照射すると、可視光波長より大きな周期と高さをもつ比較的大きな凹凸構造物である大型微細構造物13は、表面で光の反射や散乱を起こす。これにより、低倍率の光学機器でも観察が可能になる。散乱、反射を起こす部分は、構造物の寸法とほぼ同一であるので大きさや位置における誤差は極小さいものとすることができる。自動機器に取り付けられるCCDカメラ22等でも容易に位置確認が行えるようになる。次に、4つの大型微細構造物13を基準にして、4つの大型微細構造物13を結ぶ外周線に沿って微細構造物成型スタンパ71を切断することにより、上述した矩形状スタンパ72を得る。大型微細構造物13は矩形状スタンパ72の四隅に精度良く配置されている。小型微細構造物12は矩形状スタンパ72の中心に対して同心円状または螺旋状スパイラルに例えば一定の配列ピッチで形成されている。小型微細構造物12は矩形状スタンパ72の中心部に対して外周部の方が曲率半径が極めて大きい。そのため、矩形状スタンパ72の外周部では小型微細構造物12は略直線状に配列されているものと見なすことができる。また、矩形状スタンパ72の外形は4つの大型微細構造物13で規定されている。また、大型微細構造物13円柱状ピット62と小型微細構造物12円錐状ピット61とは同じプロセスで一度に形成されているため、大型微細構造物13と小型微細構造物12との相対的な位置精度は極めて高い。そのため、図示しない大判の母材に複数の矩形状スタンパ72を繋ぎ合わせて固定する際、隣接する矩形状スタンパ72同士を互いに隣接する大型微細構造物13同士を基準にして位置合わせすることにより、互いに隣接する小型微細構造物12同士の配列ピッチを間接的に精度良く合わせることができるので、接続部の光学的特性の劣化の少ない位置決めが可能になる。図2に示す、矩形状スタンパ72が互いに位置合わせされて繋ぎ合わされた大判の微細構造物成型スタンパ73を用いて成型することにより、大判の微細構造物成型シート基板を作製することができる。なお、大判の微細構造物成型シートに形成される小型微細構造物12及び大型微細構造物13の凹凸を反転させたい場合は、上述した微細構造物成型スタンパ73の小型微細構造物12及び大型微細構造物13の凹凸が反転した反転スタンパを作製すればよい。微細構造物成型シート基板の材料としては射出成形する場合は、成形後太陽光波長領域で光透過率が十分確保できる材料が好ましく、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレートなどの絶縁性、耐熱性などの性質も太陽電池として使用する際に優れた性質が期待できるものが好ましい。また、フィルム状の非常に薄いシート基板を用いる場合は、熱負荷押圧を行う。その場合は、転写性や、太陽光に対する透明度が確保できる材料を用い、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルホン、ポリイミドなどが好ましい。[実施例]次に、実施例について説明する。直径が12cmの円盤状の石英の原盤基板42上に、WMoOをArガス、O2ガスを導入しながらDCスパッタリング法により160nm成膜した。このWMoO膜をレーザ露光用のレジスト膜とした。このレジスト膜が形成された原盤基板をレーザ露光装置に設置し、原盤基板を回転させながら露光した。レーザ露光装置には波長405nmのレーザ光源とレンズNA0.9の対物レンズが搭載されている。露光のためのレーザ光はコンピュータ制御されたパルス発生装置の信号に従って精密に制御される。露光は原盤基板中心から外周に向かって線速度5m/secの速度で行った。径260nmの円錐状ピット44図3参照はレーザ出力35mWで露光した。こうして回転しながらトラック送りピッチ280nmで露光させながら半径60mmまで連続しながら露光した円錐状ピット44。そして、半径60mmの最外周列に到達した時、記録レーザ光出力を100mWまで上げ、パルス幅もそれまでの3倍の長さにした露光を1点で行った。そのポイントから約18.8msec毎に同様な高出力パルスを照射させてレジストを感光させた円柱状ピット43。これらのポイント以外については、それまでの260nmの微細な凹凸構造円錐状ピット44ができるような露光を行った。露光が終了した後、アルカリ現像液を用い、原盤基板を回転させながら現像液を滴下して感光した部分を溶解させ現像した。現像の後、リアクティブイオンエッチングRIEを行った。この処理では、RIE装置に原盤基板をセットし、3×10-6torrまで真空にし、CHF3ガスを30mtorr導入してエッチングした。RIEの後、石英の原盤基板の表面に残留しているレジスト膜をアルカリ液に浸漬して完全に除去した。こうして、石英の原盤基板の表面に底面径260nm、高さ250nmの円錐状ピット44と、最外周に径2.0μm高さ2.0μmの円柱状ピット43を4つ形成した直径120mmの円形エリアを形成した。この石英の原盤基板の表面にスパッタリング法によってNiを100nm成膜し、導電性を持たせた上でNiメッキを施した。メッキ後、石英の原盤基板とNiを剥離し、微細構造物成型スタンパ71を得た。得られた微細構造物成型スタンパ71の表面は、通常のNiスタンパの表面とは異なり金属光沢が低減し、反射率が低下した状態であった。微細構造物成型スタンパ71の表面に150Wのハロゲンランプを照射すると、大きな凹凸構造物である大型微細構造物13のみが光を散乱反射させて、輝度が高く観察が可能であった。対物レンズ40倍のCCDカメラで観察すると位置や形状等が容易に明瞭に観察できた。そして、この微細構造物成型スタンパ71の表面にハロゲンランプを照射しながら大型微細構造物13を観察し、その位置決定を行い、それらを結ぶ外形線に沿ってレーザカッターを用いて矩形状スタンパ72を切り出した。切り出した矩形状シート72は84.8×84.8mmの正方形状のものとなった。同様の手順により、矩形状スタンパ72を4枚作製し、これらを接続して169.6×169.6mmの大判の微細構造物成型スタンパ73を形成した。各矩形状スタンパ72を接続する際においても、各矩形状スタンパ72の表面にハロゲンランプ21を照射しながら、CCDカメラ22で観察して、大型微細構造物13により位置決めを行い、精密に接続を行った。接続後の接続境界では、小型微細構造物12の周期性の乱れが最小限に抑えられており、反射率上昇などの特性劣化は見られなかった。このようにして、本実施形態に係る微細構造物成型スタンパは、原盤基板42の表面に多数の円錐状ピット61が形成され、更に、周囲の4つの隅部に円柱状ピット62が形成されたマスター原盤を作製し、このマスター原盤を用いて複数のスタンパを作製することにより、表面に小型微細構造物12が精度良く形成された微細構造物成型スタンパが得られる。そして、微細構造物成型スタンパの外周部の四隅に配置された4つの大型微細構造物13を基準にして円盤状の微細構造物成型スタンパを4つの大型微細構造物13を結ぶ外周線に沿って切断することにより、四隅に大型微細構造物13が精度良く配置された矩形状スタンパ72を得る。さらに、複数の矩形状スタンパ72を大型微細構造物13を基準にして互いに位置合わせして繋ぎ合わせることにより、大判の微細構造物成型スタンパ73が得られる。その結果、各矩形状スタンパ72の接続部付近での、小型微細構造物12の周期性を維持することができ、光学的な特性が劣化するエリアを最小限に抑えることができる。以上、本発明の微細構造物成型スタンパを図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。例えば実施例では4つの矩形状スタンパ72を繋ぎ合わせたが繋ぎ合わせる矩形状スタンパ72の個数はこれに限定されるものではなく、製造される太陽電池用基板や太陽光発電装置用パネルのサイズや形状に合わせて適宜設定されるものである。また、微細構造物成型スタンパを矩形状に切断したが、これに限定されるものではなく、三角形や六角形等の他の多角形形状に切断してもよい。三角形や六角形等の形状に切断する場合は各角部に大型微細構造物13を配置するようにすればよい。"