基板を加熱する発熱体を含み、撓み性を有する加熱板と、前記加熱板に設けられ、前記基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板と前記加熱板との間の空間を減圧する減圧部とを備える基板加熱装置。前記加熱板に貫通孔が設けられ、前記減圧部が前記貫通孔を通して前記空間を減圧する、請求項1に記載の基板加熱装置。円筒形状を有し、前記加熱板の周辺部を支持する枠体を更に有し、前記減圧部が前記加熱板と前記枠体との間の空間を減圧することにより、前記貫通孔を通して前記空間が減圧される、請求項2に記載の基板加熱装置。前記加熱板に対して気体を供給する気体供給部を更に備える、請求項1から3に記載の基板加熱装置。前記枠体を貫通し、前記加熱板に対して気体を供給する気体供給部を更に備える、請求項3に記載の基板加熱装置。前記枠体が底部に開口を有し、前記気体供給部から前記加熱板に対して供給される前記気体が前記開口から排気される、請求項5に記載の基板加熱装置。基板にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト塗布ユニットと、前記フォトレジスト膜を加熱する、請求項1から6のいずれか一項に記載される基板加熱装置と、露光装置において所定のフォトマスクを介して露光された前記フォトレジスト膜を現像する現像ユニットとを備える塗布現像装置。基板を加熱するための発熱体を含み、撓み性を有する加熱板に、前記加熱板に設けられる基板支持部材を介して前記基板を載置するステップと、前記基板支持部材により支持される前記基板と前記加熱板との間の空間を減圧するステップとを含む基板加熱方法。前記減圧するステップにおいて、前記加熱板に設けられる貫通孔を通して前記空間が減圧される、請求項8に記載の基板加熱方法。前記減圧するステップにおいて、円筒形状を有し、前記加熱板の周辺部を支持する枠体と、前記加熱板との間の空間を減圧することにより、前記貫通孔を通して前記空間が減圧される、請求項9に記載の基板加熱方法。前記加熱板に対して気体を供給するステップを更に含む、請求項8から10に記載の基板加熱方法。前記気体を供給するステップにおいて、前記枠体を貫通し、前記加熱板に対して気体を供給する気体供給部から前記加熱板に対して前記気体が供給される、請求項10に記載の基板加熱方法。前記気体を供給するステップにおいて、前記枠体の底部に設けられた開口から、前記気体供給部から前記加熱板に対して供給される前記気体が前記開口から排気される、請求項12に記載の基板加熱方法。ところで、例えば一つのロット内の複数のウエハを処理している途中で、使用するフォトレジスト膜を変更しなければならない場合がある。フォトレジスト膜の変更に伴い、フォトレジスト膜の例えばプリベーク温度も変更する必要が生じる。このような変更は、例えば、製造する半導体デバイスの回路パターンが変わる場合に必要となり、これに応じて露光装置ではフォトレジスト膜の露光に使用するフォトマスクもまた交換される。すなわち、回路パターンの変更に伴って、使用するフォトレジスト液の変更、プリベーク温度の変更、及びフォトマスクの交換が行われる。近年の露光装置の改良によりフォトマスクの交換を短時間で行うことができるようになってきたため、プリベーク温度の変更が、フォトレジスト膜の露光処理を律速するようになりつつある。露光装置のランニングコスト等を考慮すると、露光装置を待機状態に維持することは好ましくない。このため、プリベーク温度を速やかに変更することに対する要請が高まっている。加熱装置内の熱板の温度を変更する場合においては、温度を高くすることは比較的容易であるが、温度を下げるときに時間がかかる傾向にある。温度を急速に低下させるためには、熱板を薄くして熱容量を下げること有効である。ところが、熱板を薄くすると、熱板が撓み易くなり、その結果、熱板と基板との間の間隔が不均一となる場合がある。そうすると、基板の加熱温度に不均一が生じる可能性がある。本発明は、上記の事情に鑑みて為され、温度の速やかな変更のために厚さが薄くされた加熱板を用いる場合であっても、基板を均一に加熱することができる基板加熱装置、これを備える塗布現像装置、及び基板加熱方法を提供する。本発明の第1の態様は、基板を加熱する発熱体を含み、撓み性を有する加熱板と、前記加熱板に設けられ、前記基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板と前記加熱板との間の空間を減圧する減圧部とを備える基板加熱装置を提供する。本発明の第2の態様は、基板を加熱するための発熱体を含み、撓み性を有する加熱板に、前記加熱板に設けられる基板支持部材を介して前記基板を載置するステップと、前記基板支持部材により支持される前記基板と前記加熱板との間の空間を減圧するステップとを含む基板加熱方法を提供する。本発明の実施形態によれば、温度の速やかな変更のために厚さが薄くされた加熱板を用いる場合であっても、基板を均一に加熱することができる基板加熱装置、これを備える塗布現像装置、及び基板加熱方法が提供される。以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし当業者により決定されるべきものである。第1の実施形態先ず、図1から図4までを参照しながら、本発明の第1の実施形態による塗布現像装置を説明する。図1及び図2に示すように、塗布現像装置100には、キャリアステーションS1、処理ステーションS2、及びインターフェイスステーションS3がこの順に並んで設けられている。また、塗布現像装置100のインターフェイスステーションS3側には露光装置S4が結合されている。キャリアステーションS1は載置台21及び搬送機構Cを有する。載置台21上には、所定の枚数例えば25枚の半導体ウエハ以下、ウエハWが収容されるキャリア20が載置される。本実施形態では、載置台21には4つのキャリア20を並べて載置することができる。以下の説明では、図1に示すように、キャリア20が並ぶ方向をX方向とし、これと直交する方向をY方向とする。搬送機構Cは、キャリア20からウエハWを取り出し、処理ステーションS2に搬送するとともに、処理ステーションS2において処理された処理済みのウエハWを受け取り、キャリア20に収容する。処理ステーションS2は、図1及び図2に示すように棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロックDEV層B1、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4を有している。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、及びTRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1のX方向側には、昇降自在な搬送機構Dが設けられ、棚ユニットU1の各モジュール間では搬送機構DによりウエハWが搬送される。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、及びCPL12を有する。なお、受け渡しモジュールのうち、参照符号CPL数字が付されている受け渡しモジュールには、ウエハWを加熱する加熱モジュールを兼ねるものがあり、ウエハWを冷却して所定の温度例えば23°Cに維持する冷却モジュールを兼ねるものがある。参照符号BF数字が付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。また、受け渡しモジュールTRS、CPL、BF等には、ウエハWが載置される載置部が設けられている。次に、図4を参照しながら、処理ステーションS2の第3のブロックB3について説明する。図4に示すように、第3のブロックB3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3、及び搬送機構A3を有している。塗布モジュール23には、ウエハW上にフォトレジスト液を供給し、ウエハWを回転することによりフォトレジスト膜を形成する塗布ユニット図示せずが配置されている。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列され、熱処理モジュールTMを有している。熱処理モジュールTMには、塗布モジュール23においてフォトレジスト膜を形成する前の前処理を行う前処理ユニット、形成されたフォトレジスト膜を加熱するプリベークユニット、露光されたフォトレジスト膜を加熱するポストベークユニットなどであって良く、後述する、本発明の実施形態による加熱装置も熱処理モジュールとして、棚ユニットU3に配置されている。搬送機構A3は、2枚のフォーク3A、3B、基台31、回転機構32、及び昇降台34を有している。昇降台34は、上下方向図4中Z軸方向に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体35により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体35は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動するように構成されている。このような構成により、搬送機構A3は、各熱処理モジュールTMの間、及び各熱処理モジュールTMと塗布モジュール23との間にウエハWが搬入出される。再び図1及び図3を参照すると、第1のブロックB1には、現像モジュール22、搬送機構A1、及びシャトルアームEが設けられている。詳しくは、第1のブロックB1内には2つの現像モジュール22があり、これらは上下に積層されている。各現像モジュール22には、露光されたフォトレジスト膜を有するウエハWに対して現像液を供給し、当該フォトレジスト膜を現像する現像ユニットが設けられている。第2のブロックB2及び第4のブロックB4は、第3のブロックB3と同様の構成を有している。ただし、第2のブロックB2では、フォトレジスト液の代わりに反射防止膜用の薬液がウエハWに供給され、フォトレジスト膜の下地層となる下部反射防止膜が形成される。また、第4のブロックB4においても反射防止膜用の薬液がウエハWに供給され、フォトレジスト膜の上に上部反射防止膜が形成される。なお、図3に示すように、第2のブロックB2の搬送機構に参照符号A2を付し、第4のブロックB4の搬送機構に参照符号A4を付す。また、インターフェイスステーションS3には、図1及び図3に示すように、インターフェイスアームFが設けられている。インターフェイスアームFは、処理ステーションS2の棚ユニットU2のY方向側に配置されている。棚ユニットU2の各モジュール間、及び各モジュールと露光装置S4との間においては、インターフェイスアームFによりウエハWが搬送される。上記の構成を有する塗布現像装置100においては、以下のようにウエハWが各モジュールに搬送されて、フォトレジスト膜が形成され、露光されたフォトレジスト膜が現像される。まず、キャリアステーションS1の搬送機構Cによって載置台21上のキャリア20からウエハWが取り出され、処理ステーションS2の棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL2へ搬送される図3参照。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウエハWは、第2のブロックB2の搬送機構A2により、第2のブロックB2の熱処理モジュール及び塗布モジュールに順次搬送され、ウエハW上に下部反射防止膜が形成される。下部反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送機構A2により棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2へ搬送され、搬送機構D図1により棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3へ搬送される。次に、ウエハWは、第3のブロックB3の搬送機構A3により受け取られ、第3のブロックB3の熱処理モジュールTM及び塗布モジュール23図3に順次搬送され、下部反射防止膜上にフォトレジスト膜が形成される。フォトレジスト膜が形成されたウエハWは、搬送機構A3により、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に搬送される。なお、フォトレジスト膜が形成されたウエハWは、第4のブロックB4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロックB4の搬送機構A4に受け取られ、第4のブロックB4の熱処理モジュール及び塗布モジュールに順次搬送され、フォトレジスト膜上に上部反射防止膜が形成される。この後、ウエハWは、搬送機構A4により、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。フォトレジスト膜又は、その上に更に上部反射防止膜が形成されたウエハWは、搬送機構Dにより、受け渡しモジュールBF3又は受け渡しモジュールTRS4から受け渡しモジュールCPL11へ搬送される。受け渡しモジュールCPL11に搬送されたウエハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に搬送された後、インターフェイスステーションS3のインターフェイスアームFに受け取られる。この後、ウエハWはインターフェイスアームFにより露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。露光処理が行われたウエハWは、インターフェイスアームFにより、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に搬送され、処理ステーションS2に戻される。処理ステーションS2に戻されたウエハWは、第1のブロックB1へ搬送され、ここで現像処理が行われる。現像処理が行われたウエハWは、搬送機構A1により棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュールへ搬送され、搬送機構Cによりキャリア20に戻される。第2の実施形態次に、図5から図6までを参照しながら、本発明の第2の実施形態による加熱装置について説明する。この加熱装置は、上述の塗布現像装置100において、第3のブロックB3の熱処理モジュールTM図4として用いられる。図5は、この加熱装置50の要部を示す模式図である。図5においては、搬送口24を除き筐体は省略している。図示のとおり、加熱装置50は、ウエハWが載置され、載置されたウエハWを加熱する熱板51と、有底円筒形状を有し熱板51の周縁部を支持するケーシング52と、熱板51に形成された貫通孔51H及びケーシング52に形成された貫通孔52Hを通して上下動可能な3つのリフトピン53図5では2つのみを図示と、ケーシング52の側部を外側から内側へ貫通する複数のガスノズル54とを備える。熱板51は、周縁部において、ケーシング52に対して例えばシリコーンシートを介して気密に取り付けられており、これにより、熱板51とケーシング52とによりチャンバ50Cが形成される。熱板51には、熱板51の上方の空間とチャンバ50C内の空間とを連通する複数の吸気孔51Vが形成されている。また、熱板51の上面には、ウエハWを支持する複数のスペーサ51Sが設けられている。図6aを参照すると、本実施形態における熱板51は、基材51Bと、基材51Bの裏面に取り付けられるヒータ51HEと、フレキシブルプリント回路FPC基板51Fと、基材51B及びヒータ51HEとFPC基板51Fとを接合する絶縁樹脂51Rとから構成されている。基材51Bは、例えば100μmから500μmの厚さを有し、例えば310mmから350mmの直径を有する例えばシリコンカーバイトの円盤で作製される。基材51Bの上面を示す図6bを参照すると、基材51Bには、リフトピン53図5の上下動を許容する3つの貫通孔51Hが形成されている。また、上述の複数のスペーサ51Sは、基材51Bの中心、及び2つの同心円に沿って配置されている。ただし、複数のスペーサ51Sの数および配置は、図示の例に限定されない。複数のスペーサ51Sの数および配置は、ウエハWと基材51Bとの間をほぼ一定の幅に維持できる限りにおいて、適宜決定してよい。また、スペーサ51Sの高さは、後述するように、スペーサ51Sにより熱板51上に支持されるウエハWと熱板51との間に減圧可能な空間が維持される程度に決定され、例えば30μmから500μmであって良く、50μmから200μmまでであることが好ましい。スペーサ51Sは、例えば、基材51Bの上面に座繰りを形成し、この座繰りに例えばセラミックスなどで作製された球を載置することにより実現することができる。また、基材51Bを例えばシリコンカーバイトで作製する際に、所定のパターンで配列する複数の突起を形成し、これらをスペーサ51Sとして用いても良い。この場合の突起は、ピン形状、ドーム形状、円柱形状などを有することができる。なお、図示の例では、基材51Bには8つの吸気孔51Vが設けられているが、吸気孔51Vの数は適宜決定して良い。具体的には、吸気孔51Vは、スペーサ51Sにより熱板51上に支持されるウエハWと熱板51との間の空間を減圧できるように設けることが好ましい。また、図6cに示すように、基材51Bの裏面に取り付けるヒータ51HEは、ほぼ同心円状の2つの円の形状を有しており、これにより基材51Bを均一に加熱することができる。ヒータ51HEは、例えばポリイミドから作製することができる。すなわち、基材51Bの裏面にポリイミド膜を形成し、パターニングすることによりヒータ51HEを作製することができる。ただし、ヒータ51HEを白金で形成しても良い。この場合、基材51Bの裏面に例えばスパッタリングにより白金膜を堆積し、フォトリソグラフィにより白金膜をパターニングすることによりヒータ51Hを作製することができる。FPC基板51Fは、後述するバンプ51FBを含めて例えば50μmから200μmの厚さを有し、基材51Bの直径とほぼ等しい直径を有している。また、図6aに示すように、FPC基板51Fの上面には、ヒータ51HEのパターンに応じたバンプ51FBが形成されている。各バンプ51FBは、FPC基板51Fを貫通する貫通電極51FEにより、FPC基板51Fの裏面に形成されるパッド51FPと電気的に接続されている。また、FPC基板51Fは、バンプ51FBがヒータ51HEに圧接されるように、絶縁樹脂51Rによって基材51Bの裏面に取り付けられる。このような構成により、FPC基板51Fのパッド51FPに電源PSを接続し、電流を流すことにより、パッド51FP、貫通電極51FE、及びバンプ51FBを通してヒータ51HEに電流が流れ、ヒータ51HEが発熱する。これにより、基材51Bが加熱され、基材51Bの上にスペーサ51Sを介して載置されるウエハW図5が加熱される。その温度は、図示しない温度センサ例えば熱電対、白金抵抗体、放射温度計などにより測定され、測定された温度に基づいて電源PSの出力が制御され、ウエハW上のフォトレジスト膜に応じた加熱温度でウエハWが加熱される。上述のように構成される熱板51は、例えば320mmから350mmの直径を有する一方で、その厚さは、例えば300μmから1000μmと比較的薄く、しかも、その周辺部でケーシング52に取り付けられているため、通常時には自重により凹状に湾曲している。また、上述のとおり薄いため、熱板51の熱容量が小さく、したがって、熱板51の温度を速やかに変更することが可能である。換言すると、本実施形態においては、速やかな温度変更の観点から、熱板51は、自重により凹状に湾曲する程度に薄く作製されている。なお、図6aに示すように、熱板51に形成される貫通孔51H及び吸気孔51Vは、基材51B、FPC基板51F、及び絶縁樹脂51Rを貫通している。再び図5を参照すると、ケーシング52の底部のほぼ中央に排気管52Vが接続されている。排気管52Vは真空排気装置ポンプ60に接続され、ポンプ60を起動することにより、排気管52Vを通してチャンバ50Cの内部が排気される。ウエハWが熱板51のスペーサ51Sに載置されているときに、ポンプ60によりチャンバ50Cの内部を排気すると、熱板51の吸気孔51Vを通して熱板51とウエハWとの間の空間が排気される。そうすると、この空間が減圧されるため、熱板51とウエハWは互いに引っ張られることとなり、したがって、熱板51とウエハWとの間は、スペーサ51Sの高さにより決まる均一な間隔に維持される。また、図5に示すように、ケーシング52の側部を貫通するガスノズル54には、ガス供給系56が接続されている。ガス供給系56は、ガス供給源56aと、このガス供給源56aとガスノズル54とを接続する配管56bと、配管56bに設けられる開閉バルブ51c及び51dと、配管56bに設けられる流量制御器56eとを有している。ガス供給源56aは、例えば窒素ガスや清浄空気などの清浄気体を所定の圧力で貯留している。このような構成により、開閉バルブ51c及び51dを開くと、流量制御器56eで制御される流量にて清浄気体がガスノズル54を通してチャンバ50Cの内部に供給され、熱板51の裏面に清浄気体が吹き付けられる。この清浄気体により、熱板51の冷却が促進される。なお、図5においては、2本のガスノズル54を図示したが、ケーシング52の側部に所定の間隔で例えば3本以上のガスノズル54を設け、いずれからもほぼ等しい流量で清浄気体を供給することが好ましい。また、ガスノズル54の数は、例えば6本から8本であると好適である。また、図5に示すように、加熱装置50には、塗布現像装置100の第3のブロックB3に配置される搬送機構A3と加熱装置50の熱板51との間でウエハWを受け渡す搬送アームを兼ねる冷却プレートCPが設けられている。冷却プレートCPは、図示しない移動機構により、図中の矢印ARで示すように、搬送口24を臨む位置と、熱板51の上方の位置との間を移動することができる。冷却プレートCPは、図7aに示すように、その上にウエハWが載置され得るようウエハWの直径よりも僅かに大きい幅を有している。また、冷却プレートCPには、2つのスリットSLが設けられている。これらのスリットSLは、3つのリフトピン53が冷却プレートCPを通り抜けることができるように、リフトピン53に対応して形成されている。また、冷却プレートCPの内部には、冷却された媒体が流れる導管CPCが形成され、図示しない温調装置からの媒体が導管CPCを環流することによって冷却プレートCPが所定の温度に冷却される。このため、熱板51により加熱されたウエハWは、冷却プレートCPに受け取られると、冷却プレートCPにより直ちに冷却され始める。したがって、例えば加熱装置50から搬出された後に、所定の冷却モジュールによりウエハWを冷却する場合に比べ、冷却に要する時間を短縮することができる。上述の構成を有する加熱装置50により発揮される効果利点は、以下の説明からより明らかとなる。第3の実施形態次に、図8及び図9を参照しながら、本発明の第3の実施形態による基板加熱方法を、上述の加熱装置50を用いて実施する場合について説明する。以下では、一枚のウエハWを第1の温度に加熱した後、次のウエハWを第1の温度よりも低い第2の温度に加熱する場合を例として挙げる。まず、電源PS図6aにのみ図示から所定の電力が熱板51に供給され、熱板51が第1の温度に維持される。次に、図8aに示すように、冷却プレートCPによりウエハWが搬送されて熱板51の上方に維持される。次いで、図8bに示すように、図示しない昇降機構によりリフトピン53を上昇させて、冷却プレートCP上のウエハWを持ち上げるとともに、熱板51の上方の位置から冷却プレートCPを退出させる。この後、リフトピン53を降下させると、熱板51上のスペーサ51SによりウエハWが支持される。このとき、熱板51は自重により撓んで凹状に湾曲しており、ウエハWは、主として熱板51の周縁側に設けられたスペーサ51Sにより支持される。スペーサ51SによりウエハWが支持されると同時に又は僅かに遅れて、熱板51とケーシング52との間の空間チャンバ50C内の空間が、排気管52Vを通して排気装置60図5のみに図示により排気される。これに伴い、図8c中に矢印Aで示すように、ウエハWと熱板51との間の空間が、熱板51の吸気孔51Vを通して排気され、この空間の圧力が大気圧よりも低くなる。そうすると、ウエハW及び熱板51が互いに変形しつつ近づき合い、スペーサ51SによりウエハWと熱板51との間の間隔がほぼ一定に維持される。したがって、熱板51からウエハWの全面に亘って熱が均一に伝わり、よって、ウエハWの全体が均一に加熱される。所定の期間、ウエハWを第1の温度で加熱した後、排気装置60による排気を停止し、リフトピン53を上昇させることにより、図9dに示すように、ウエハWを熱板51から持ち上げる。次に、冷却プレートCPをウエハWと熱板51との間に進入させ、リフトピン53を降下させると、ウエハWは冷却プレートCPに受け取られる。この後、冷却プレートCPが搬送口24側へ移動し、冷却プレートCPからインターフェイスアーム67へウエハWが受け渡されて加熱装置50から搬出される。一方、電源PSから熱板51へ供給される電力が調整されて、熱板51が第2の温度<第1の温度に変更される。熱板51は、上述のとおり、自重により撓んで凹状に湾曲するほどに薄いため、熱容量が小さく、したがって、その温度は速やかに第2の温度に変更される。このとき、ガスノズル54からチャンバ50Cの内部に清浄気体を供給することにより、熱板51の冷却を促進しても良い。続けて、次のウエハWが冷却プレートCPにより搬入され図8a参照、以降、図8bから図9eを参照しながら説明した手順と同様にして、そのウエハWが第2の温度で加熱され、加熱装置50から搬出される。以上のとおり、本実施形態の基板加熱方法においては、自重により撓んで凹状に湾曲するほど薄い熱板51の上にスペーサ51Sを介してウエハWが載置され、ウエハWと熱板51との間の空間が、熱板51の吸気口51Vを通して排気装置60により減圧されるため、ウエハWと熱板51とが互いに変形し合う。これにより、ウエハWと熱板51との間の間隔がスペーサ51Sによってほぼ一定に維持される。したがって、熱板51からの熱がウエハWに均一に伝搬し、よって、ウエハWが均一に加熱される。また、上述のように熱板51が薄く熱容量が小さいため、熱板51の温度を速やかに変更することができる。また、本実施形態による加熱装置50には、ケーシング52の側部を貫通してチャンバ50Cの内部に至り、熱板51に向けて清浄気体を供給するガスノズル54が設けられている。このため、熱板51の温度を下げる場合に、ガスノズル54から清浄気体により熱板51の冷却を促進することができる。したがって、本発明の実施形態による加熱装置50を備える塗布現像装置100とともに使用される露光装置S4において、フォトマスクレチクルを交換する間に、熱板51における温度変更を終了することができる。したがって、加熱装置50の熱板51の温度変更のために露光装置を待機させる必要がない。第4の実施形態次に図10及び図11を参照しながら、本発明の第4の実施形態による加熱装置について、図5に示した加熱装置50との相違点を中心に説明する。図10を参照すると、本実施形態の加熱装置501においては、ケーシング52の底面に載置される環状蓋部材57を有している。図11に示すように、環状蓋部材57には、環状蓋部剤57を貫通して固定される3つのリフトピン53が設けられている。リフトピン53は、図5に示す加熱装置50におけるリフトピン53と同様に、昇降機構図示しないによって昇降される。したがって、リフトピン53が持ち上げられて、冷却プレートCPからウエハWを受け取るとき、又はウエハWを受け渡すときには、図11bに示すように環状蓋部材57もまた持ち上げられ、ケーシング52との間に隙間が生じる。一方、ケーシング52には、環状蓋部材57の下方において、ほぼC字の形状を有し互いに向かい合う2つの開口52aが形成されている。開口52aは、環状蓋部材57がケーシング52の底面に載置されている場合は環状蓋部材57により閉じ、環状蓋部材57がリフトピン53とともに持ち上げられる場合は開く。再び図10を参照すると、ガス供給系56の配管56bから分岐管58が分岐しており、分岐管58は、ケーシング52の底部の排気管52Vと排気装置60とを接続する排気管60Lに開閉バルブ58aを介して合流している。また、この合流点よりも排気装置60側において、排気管60Lには開閉バルブ60aが設けられている。ここで、開閉バルブ58aを閉め、開閉バルブ60aを開くことにより、熱板51とケーシング52との間の空間チャンバ50C内の空間を排気装置60により排気することができる。逆に、開閉バルブ58aを開き、開閉バルブ60aを閉めると、排気管52Vからもガス供給系56からの清浄気体を熱板51に対して供給することができる。上述の構成を有する加熱装置501により発揮される効果利点は、以下の説明からより明らかとなる。第5の実施形態次に、上述の加熱装置501を用いて実施する、本発明の実施形態による基板加熱方法について図12及び図13を参照しながら説明する。以下においても、一枚のウエハWを第1の温度に加熱した後、次のウエハWを第1の温度よりも低い第2の温度に加熱する場合を例として挙げる。始めに熱板51が第1の温度に維持され、冷却プレートCPによりウエハWが搬送されて熱板51の上方に維持される図12a。次いで、昇降機構図示せずによりリフトピン53を上昇させて、冷却プレートCP上のウエハWを持ち上げるとともに、熱板51の上方の位置から冷却プレートCPを退出させる図12b。この後、リフトピン53を降下させると、熱板51上のスペーサ51SによりウエハWが支持される。この場合においても熱板51は自重により撓んで凹状に湾曲しており、ウエハWと熱板51との間隔は各々の中央部で広くなっている。スペーサ51SによりウエハWが支持されると同時に又は僅かに遅れて、開閉バルブ58aを閉じたまま開閉バルブ60aを開くことにより、チャンバ50C内の空間が排気装置60図10により排気される。これに伴い、図12c中に矢印Aで示すように、ウエハWと熱板51との間の空間が、熱板51の吸気孔51Vを通して排気され、この空間の圧力が大気圧よりも低くなる。これにより、ウエハW及び熱板51が互いに変形しつつ近づき合い、スペーサ51SによりウエハWと熱板51との間の間隔がほぼ一定に維持され、ウエハWの全体が均一に加熱される。所定の期間、ウエハWを第1の温度で加熱した後、排気装置60による排気を停止し、リフトピン53を上昇させることにより、ウエハWを熱板51から持ち上げる図13d。次に、冷却プレートCPをウエハWと熱板51との間に進入させ、リフトピン53を降下させると、ウエハWは冷却プレートCPに受け取られる図13e。この後、冷却プレートCPが搬送口24側へ移動し、冷却プレートCPからインターフェイスアーム67へウエハWが受け渡されて加熱装置50から搬出される。次いで、電源PSから熱板51へ供給される電力が調整されるとともに、リフトピン53及び環状蓋部材57が再び持ち上げられる図13f。これにより、チャンバ50C内の空間が、ケーシング52の底部に形成された開口52aを通してケーシング52の下方の空間と連通することとなる。ここで、ガスノズル54からチャンバ50内の空間へ清浄気体を供給するとともに、開閉バルブ60aを閉めて開閉バルブ58aを開けることにより、排気管52Vからもチャンバ50内の空間へ清浄気体を供給する。ガスノズル54及び排気管52Vから供給される清浄気体は、熱板51に吹き付けられて熱板51の熱を奪い、開口52aを通して排気される。これにより、チャンバ50内の空間が効率よく換気され、熱板51の冷却が促進され、熱板51の温度が速やかに第2の温度に変更される。続けて、次のウエハWが冷却プレートCPにより搬入され図12a参照、以降、図12bから図12eを参照しながら説明した手順と同様にして、そのウエハWが第2の温度で加熱され、加熱装置50から搬出される。以上のとおり、第5の実施形態による基板加熱方法においても、自重により撓んで凹状に湾曲するほど薄い熱板51の上にスペーサ51Sを介してウエハWが載置され、ウエハWと熱板51との間の空間が、熱板51の吸気口51Vを通して排気装置60により減圧されるため、第3の実施形態による基板加熱方法と同様の効果利点が発揮される。これに加えて、第5の実施形態による基板加熱方法においては、リフトピン53及び環状蓋部材57を持ち上げ、ガスノズル54及び排気管52Vから清浄気体を供給し、ケーシング52の開口52aから排気しているので、熱板51の温度を更に速やかに変更することができる。実験例次に、スペーサ51Sを介して熱板51に載置されるウエハWと熱板51との間の空間を減圧することにより、ウエハWと熱板51とがどのように変形するかについて検討した実験の結果を説明する。この実験では、300mmの直径と775μmの厚さとを有するシリコンウエハをウエハWとして使用した。また、実験で使用した熱板51のサイズは以下のとおりである。直径:約340mm厚さ:約500μm吸気口51Vの内径:約1.1mmスペーサ51Sの熱板51の表面からの高さ:約100μmまた、ウエハWと熱板51との間の間隔は、レーザ変位計により測定した。測定結果を図14に示す。ここで、図14aは、スペーサ51Sを介してウエハWが熱板51に載置されたときのウエハWと熱板51との間の間隔を示している。このグラフから、ウエハWは凸状に湾曲しており、最上点は最下点よりも約250μm高くなっていることがわかる。一方、熱板51は一様な凹状ではなく、一部分においてウエハWと同様に凸状に湾曲している。これは、熱板51にウエハWを載置した際に、両者の間に働く静電気等の影響により、ウエハWの形状を反映した結果と考えられる。ここで、ウエハWと熱板51との間の間隔は、ウエハWの周縁においてはほぼゼロであるけれども、広い範囲で約100μmであることが分かる。図14bは、ウエハWと熱板51との間の空間を、大気圧に対して約2kPa低くなるように減圧した場合におけるウエハWと熱板51との間の間隔を示している。このグラフから、ウエハWと熱板51との間の空間を減圧することにより、ウエハW及び熱板51が互いに変形し合い、両者の間隔が近くなったことが分かる。特に、両者の間隔は、ウエハWの広い範囲でほぼ一定になっていることが分かる。これより、本発明の実施形態による基板加熱方法の効果が理解される。なお、上述の実験結果からも分かるように、ウエハWが凸状に湾曲している場合であっても、ウエハWと熱板51との間の間隔をほぼ一定にすることができる。変形例次に、上述の加熱装置50及び501の変形例について説明する。図15aを参照すると、熱板51の吸気口51Vに対して排気管51pが接続され、排気管51pは他端において排気装置図示せずに接続されている。これによれば、ウエハWと熱板51との間の空間は排気管51pを通して排気され、減圧される。したがって、この変形例による加熱装置によっても、第2及び第4の実施形態と同様の効果利点が発揮される。また、図15bを参照すると、この変形例による加熱装置は、ケーシング52の底部の裏面に対し脱離可能に設けられる環状蓋部材57Aを有している。この環状蓋部材57Aは、上述の環状蓋部材57とは異なり、リフトピン53とは別個に設けられている。すなわち、環状蓋部材57Aには3つのリフトピン53に対応する貫通孔が形成され、これらの貫通孔を通して、リフトピン53が独立に昇降する。また、環状蓋部材57Aは、図示しない昇降機構により、リフトピン53と独立に昇降可能である。この構成によれば、熱板51の温度を第1の温度から第2の温度<第1の温度に変更する際には、環状蓋部材57Aのみを降下させ、ガスノズル54及び排気管52Vからチャンバ50C内の空間へ供給された清浄気体を、ケーシング52の底部の開口52aから排気することができる。したがって、第4及び第5の実施形態と同様の効果利点が発揮される。また、この変形例においては、排気装置60図10参照により排気管52Vを通してチャンバ50内の空間を排気するときに、環状蓋部材57Aがケーシング52の底部の裏面に対して押圧されるため、チャンバ50内の空間を減圧に維持し易い点で好ましい。なお、第4の実施形態による加熱装置501において、環状蓋部材57をリフトピン53と別個に設け、環状蓋部材57及びリフトピン53を独立に昇降しても良い。以上、幾つかの実施形態及び変形例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は記述の実施形態及び変形例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲の記載に照らし、更になる変更又は変形が可能である。例えば、第3の実施形態においては、第1の温度でウエハWを加熱し、熱板51からウエハWを持ち上げ、ウエハWを受け取った冷却プレートCPが退出した後に、熱板51の温度を第1の温度から第2の温度<第1の温度に変更した。しかし、第1の温度でウエハWを加熱し、熱板51からウエハWを持ち上げるのと同時に又は僅かに遅れて熱板51の温度を変更し始めて良い。これにより、第1の温度から第2の温度への変更を早期に完了することができる。また、温度変更を早く始める場合においては、ガスノズル54からの清浄気体の供給も早く開始して良いことは勿論である。また、第3の実施形態にて、熱板51の温度を第1の温度から第2の温度に変更する場合において図9f参照、ガスノズル54から清浄気体を供給するときは、排気装置60図5を用いてチャンバ50C内を排気しても良い。このようにすれば、チャンバ50内の空間を効率よく換気することができ、よって、熱板51の冷却を促進することができる。この場合において、排気管52Vに流量制御器を設け、ガスノズル54からチャンバ50内に供給される清浄気体の総供給量に合わせて排気量を調整しても良い。さらに、第5の実施形態においては、ウエハWを受け取った冷却プレートCPが退出し、リフトピン53及び環状蓋部材57を再び持ち上げた後、ガスノズル54及び排気管52Vから清浄気体を供給した図13f参照。しかし、リフトピン53及び環状蓋部材57を一旦下げてから持ち上げる必要はない。すなわち、冷却プレートCPにウエハWを受け渡した後に、環状蓋部材57がケーシング52の底面に接しないようにリフトピン53及び環状蓋部材57を下げた後に、熱板51の温度変更を開始するとともに、ガスノズル54及び排気管52Vから清浄気体を供給して良い。また、排気管52Vは、ケーシング52の底部のほぼ中央部に限らず、ケーシング52の底部の中央からずれた位置に接続されても良く、また、ケーシング52の側部に接続されても良い。また、本発明の実施形態による基板加熱装置及び基板加熱方法は、半導体ウエハだけでなく、FPD用ガラス基板に対しても適用することができる。