窒化物緩衝層を含むテンプレートにおいて、基板;及び前記基板上側に形成され、複数個の列に積層配置される多数個の空隙を含む窒化物緩衝層;を含むテンプレート。窒化物緩衝層を含むテンプレートの製造方法において、基板上に第1の窒化物層を成長させること;クロライド系列のエッチングガスを供給して前記の第1の窒化物層の上面をエッチングすること;前記の第1の窒化物層の上面に第2の窒化物層を成長させて多数個の第1の空隙を形成すること;前記エッチングガスを供給して前記第2の窒化物層の上面をエッチングすること;及び前記の第2の窒化物層の上面に第3の窒化物層を成長させて多数個の第2の空隙を形成すること;を含むテンプレートの製造方法。前記の第1の窒化物層及び前記第3の窒化物層は、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition装置で成長することを特徴とする請求項2に記載のテンプレートの製造方法。前記の第2の窒化物層は、HVPEhyridevaporphaseepitaxy装置で成長することを特徴とする請求項3に記載のテンプレートの製造方法。前記多数個の第2の空隙は、前記多数個の第1の空隙の上側に積層された形態に形成されることを特徴とする請求項2に記載のテンプレートの製造方法。前記の第2の窒化物層のエッチングは、前記の第2の窒化物層の厚さより薄くエッチングすることを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。前記多数個の第1の空隙は、前記の第1の窒化物層及び前記の第2の窒化物層の境界面に隣接して形成され、前記多数個の第2の空隙は前記の第2の窒化物層及び前記の第3の窒化物層の境界面に隣接して形成されることを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。前記の第2の窒化物層のエッチングは、前記の第2の窒化物層の上面から前記の第1の空隙と連通するように前記の第2の窒化物層をエッチングすることを特徴とする請求項2に記載のテンプレートの製造方法。前記の第2の空隙は、前記の第1の空隙より大きく形成されることを特徴とする請求項8に記載のテンプレートの製造方法。窒化物緩衝層を含むテンプレートを利用して垂直型窒化物半導体発光素子を製造する方法において、成長基板上に窒化物層成長工程及びエッチング工程を2回以上繰り返して、多数個の空隙が備えられた窒化物緩衝層を成長させること;前記窒化物緩衝層上側にn型窒化物層、活性層及びp型窒化物層を成長させること;前記p型窒化物層上側に導電性基板を設けること;前記多数個の空隙が形成された部分を切断面にして前記成長基板を除去すること;及び前記切断面を加工して電極パッドを形成すること;を含む垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記窒化物緩衝層の成長は、前記成長基板上に第1の窒化物層を成長させること;エッチングガスを供給して前記の第1の窒化物層の上面をエッチングすること;前記の第1の窒化物層の上面に第2の窒化物層を成長させて多数個の第1の空隙を形成すること;前記エッチングガスを供給して前記の第2の窒化物層の上面をエッチングすること;及び前記の第2の窒化物層の上面に第3の窒化物層を成長させて多数個の第2の空隙を形成することを含むことを特徴とする請求項10に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記の第1の窒化物層及び前記の第3の窒化物層は、MOCVD装置で成長し、前記第2の窒化物層は、HVPE装置で成長することを特徴とする請求項11に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記窒化物緩衝層は、前記多数個の空隙が少なくとも2つ以上の列を形成して積層された形態に配列されることを特徴とする請求項10に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成長基板の除去は、前記多数個の空隙が形成された部分にレーザーを照射して前記成長基板を除去することを特徴とする請求項10に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。前記成長基板の除去は、前記窒化物緩衝層を冷却して前記多数個の空隙が形成された部分の亀裂を誘導することを特徴とする請求項10に記載の垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法。本発明は、前記のような問題点を解決するために、多孔性構造の窒化物緩衝層を備え、基板の格子定数の差により発生する応力を低減し、転位を解消できるテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法を提供するためのものである。前記の本発明の目的は、基板上に第1の窒化物層を成長させること、クロライド系列のエッチングガスを供給して前記の第1の窒化物層の上面をエッチングすること、前記の第1の窒化物層の上面に第2の窒化物層を成長させて多数個の第1の空隙を形成すること、前記エッチングガスを供給して前記の第2の窒化物層の上面をエッチングすること、そして前記の第2の窒化物層の上面に第3の窒化物層を成長させて多数個の第2の空隙を形成することを含むテンプレートの製造方法によって達成できる。一方、前記の本発明の目的は、成長基板上に窒化物層成長工程及びエッチング工程を2回以上繰り返して多数個の空隙が備えられた窒化物バッファ層を成長させること、前記窒化物バッファ層上側にn型窒化物層、活性層及びp型窒化物層を成長させて内部に多数個の空隙が形成された窒化物多重層を形成すること、前記窒化物多重層上側に導電性基板を設けること、前記多数個の空隙が形成された部分を切断面にして前記成長基板を除去すること、そして前記切断面を加工して電極パッドを形成することを含む垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法によっても達成できる。本発明によると、アンドーピング窒化物層に形成される多数個の空隙によって格子間応力が緩和され、転位欠陥が減少してテンプレート上にさらに成長する窒化物層の品質を改善させることができる。さらに、本発明のテンプレートを用いて発光素子を製造すると、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善することができる。以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を具体的に説明する。但し、下記の実施例では、発光素子の製造に用いられるテンプレートを中心に説明するが、本発明がこれに限定されるのではなく、これ以外にも窒化物の成長に用いられる多様なテンプレートに適用できる。図1は、本発明の好ましい実施例にかかるテンプレート10の断面を図示した断面図である。図1に示されたように、本実施例にかかるテンプレート10は、基板100及び基板100上に成長する窒化物緩衝層200を含んで構成される。そして、窒化物緩衝層200は多数個の空隙213、223が形成された多孔性構造で構成され、窒化物緩衝層200上側に他の窒化物層を積層成長することもできる。基板100は、窒化物層の成長が始まる基礎面を形成し、窒化物層の格子成長に適した材質からなる。本実施例では、高温で安定した特性を有し、六方晶系構造を成すサファイアAl2O3基板を用いる。但し、これ以外にもスピネルMgAlO4、シリコンカーバイドSiC、シリコンSi、酸化亜鉛ZnO、砒化ガリウムAsGa、窒化ガリウムGaN等の材質で構成された基板を用いることができる。そして、サファイア基板100上面には窒化物緩衝層200が形成される。本実施例では、サファイア基板100のように六方晶系格子構造を有する窒化ガリウムGaN:galliumnitride層を用いて窒化物緩衝層200を構成し、これ以外の3族窒化物層を用いて窒化物緩衝層200を構成することもできる。一方、窒化物緩衝層200は、GaN材質で構成された多数個の窒化物層が積層された構造を形成する。このとき、窒化物緩衝層200はいずれかの窒化物層を成長させた状態で上面をエッチングする工程を行い、他の窒化物層を成長する方式で形成される。よって、窒化物緩衝層200は、それぞれの窒化物層の境界面と隣接した部位に形成される多数個の空隙213、223を備える。本実施例の窒化物緩衝層200は、第1の窒化物層210、第2の窒化物層220及び第3の窒化物層230で構成される。そして、第1の窒化物層210と第2の窒化物層220の境界面とが隣接した部分には多数個の第1の空隙213が形成され、第2の窒化物層220と第3の窒化物層230の境界面とが隣接した部分では多数個の第2の空隙223が形成される。よって、図1に示されたように、第1の空隙213の上側に第2の空隙223が形成されて2層構造で多数個の空隙が配列された構造を形成することができる。また、一部の位置では第2の空隙223形成時に既存に形成されていた第1の空隙213と抱合して大規模な空隙構造を形成することもできる。図2は図1のテンプレートを製造する段階を図示した順序図であり、図3は図2のテンプレートを製造する段階を概略的に図示したものである。以下では、図2及び図3を参照して窒化物緩衝層200を成長方させる方法について具体的に説明する。先ず、図3のaに示されたように、サファイア基板100上に0.2~10μmの厚さに第1の窒化物層210を成長させるS10。本工程は、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition装置、HVPEhydridevaporphaseepitaxy装置またはMBEmolecularbeamepitaxy装置で行うことができ、本実施例では窒化物層格子の良好な成長のためにMOCVD装置を用いる。本実施例では、MOCVD装置内部にサファイア基板100を安着させ、水素H2キャリアガスと一緒にトリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3を供給して、u-GaNundopped-GaN材質の第1の窒化物層210を成長させる。このとき、成長工程初期には500~700°Cの低温で約10分~30分、20nmのu-GaN層を成長させてバッファを形成した後、温度を1000~1200°Cまで上昇させて約2μmの厚さに更にu-GaN層を成長させて第1の窒化物層210を形成する。第1の窒化物層210が成長したら、基板100をMOCVD装置からHVPE装置に移動させ、HVPE装置の内部温度を800°C以上に上昇させる。そして、クロライドchloride系列のガスとアンモニアNH3ガスを供給して1次エッチング工程を行うS20。本実施例では、クロライドchloride系列ガスの一例として塩化水素HClを用いる。ここで、塩化水素HClだけを供給したり、アンモニアNH3ガスだけを供給する場合にも第1の窒化物層210をエッチングする効果が見られるが、この場合は、エッチングが行われない部分の窒化物層構造まで不安定になる恐れがある。よって、塩化水素HClガス及びアンモニアNH3ガスをそれぞれ0~1000sccmと100~2000sccmの範囲で組み合わせて供給することが好ましく、本実施例ではそれぞれ300sccm及び1000sccmで供給してエッチング工程を行う。図4は、前述の工程条件下で15分間1次エッチング工程を行った後、第1の窒化物層の断面をSEMで撮影したものである。図4に示されたように、1次エッチング工程により、第1の窒化物層210の上面は下向きに異方性エッチングが行われることにより、エッチングが多く行われた位置では下側に窪んだ形状の多数個の第1のバレー構造212が形成され、エッチングがあまり行われなかった位置では柱状の多数個の第1のナノ構造物nanostructure211が形成される。このとき、エッチング工程時に形成されるナノ構造物及びバレー構造の大きさ及びパターンは、塩化水素HClガス及びアンモニアNH3ガスの配合比、供給量及びエッチング工程を行う時間を調節して制御でき、このようなエッチング工程は、5~30分間行うことができる。前述の1次エッチング工程により、第1の窒化物層210上面に多数個の第1のナノ構造物211及び第1のバレー構造212が形成されたら、第1の窒化物層210上側に第2の窒化物層220を成長させるS30。このとき、第2の窒化物層220の成長は、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition装置、HVPEhydridevaporphaseepitaxy装置またはMBEmolecularbeamepitaxy装置等を用いて行うことができ、本実施例ではHVPE装置を用いて第2の窒化物層220を成長させる。この場合、第2の窒化物層220成長工程を行った1次エッチング工程、及び後述の2次エッチング工程と一緒にHVPE装置でインシチュin-situ方式で行い、工程を単純化させることができる。よって、1次エッチング工程が終了したら、MOCVD装置の内部空間の温度を1000~1300°Cに上昇させた後、塩化ガリウムGaClガスとアンモニアNH3を工程空間に供給する。このとき、塩化ガリウムGaClガスは、塩化水素HClガスをガリウムgalliumソースが収容されているガリウムボートgalliumboat上側に通過させて塩化水素HClガスとガリウムgalliumの反応によって生成できる。本工程では、塩化ガリウムGaClガスとアンモニアNH3ガスが第1の窒化物層210の上側で反応してGaN材質の第2の窒化物層220を形成する。このとき、図3のcに示したように、第2の窒化物層220は第1のナノ構造物211の上側にルーフroof構造を形成しながら成長し、第1のバレー構造212及び第1のナノ構造物211と一緒に多数個の第1の空隙213を形成する。一方、第2の窒化物層220の成長が終了したら、第2の窒化物層220上側に2次エッチング工程を行うS40。前述のように、2次エッチング工程はHVPE装置でインシチュin-situ方式により行われ、1次エッチング工程と同様に、800°C以上の温度を維持した状態で、クロライド系列のガス本実施例では塩化水素を利用とアンモニアNH3ガスを供給する。これにより、異方性エッチングが行われることにより、第2の窒化物層220の上面に下側に窪んだ形状を有する多数個の第2のバレー構造222が形成され、エッチングが行われなかった部分では多数個の第2のナノ構造物221が形成される。図3のdに図示されたように、2次エッチング工程が相対的に弱く行われた位置C領域参照では、異方性エッチングが第1の空隙上側でルーフを形成する第2の窒化物層の厚さより浅く行われ、第2のバレー構造222及び第2のナノ構造物221が第1の空隙213の上層に形成され得る。また、2次エッチング工程が相対的に多く行われた位置B領域参照では、第1の空隙213上側でルーフを形成していた第2の窒化物層220がエッチングされることにより、形成済みの第1の空隙213が上向きに開口する。よって、このような位置では2次エッチング工程時に形成される第2バレー構造222が既存の第1の空隙213の領域を含みつつ相対的に広い幅と深さを有するように形成され得る。このように、2次エッチング工程は第1の空隙213が形成された状態で行われるため、エッチングがどれくらい行われるかによって相違する構造を形成することができる。よって、第2の窒化物層220の成長厚さ、2次エッチング工程の進行時間または2次エッチング工程時のエッチングガスの流量等を制御することにより、様々な形状の構造を形成することができる。2次エッチング工程が終了したら、基板100を所定時間冷却させる段階を行う。冷却段階は、HVPE装置により自然冷却方式で行われ、本工程により基板上に成長した窒化物層を安定化させることができる。本冷却段階は、15~60分間行うことができ、本実施例では30分間自然冷却を行う。その後、第3の窒化物層230を成長させるために基板100をHVPE装置からMOCVD装置に移動させる。このとき、MOCVD装置以外の他の装置で第3の窒化物層230を成長させることもできるが、本実施例では第3の窒化物層230が窒化物緩衝層200の上部構造を形成するため、良好な格子の成長を誘導できるようにMOCVD装置を用いる。先ず、基板100をMOCVD装置内部に搬入した後、第3の窒化物層230の成長環境を組成するためにヒーターを駆動して工程空間の温度を上昇させる。工程空間の温度を上昇させる間は、持続的にアンモニアNH3ガスを供給できる。このようにアンモニアNH3ガスを供給することにより、温度上昇中に成長済みの第1の窒化物層210及び第2の窒化物層220にクラックcrackが発生することを防止でき、基板100を移動させる過程で第2の窒化物層220上に形成され得る酸化膜を除去することができる。そして、MOCVD装置の温度が十分に上昇したら、水素H2キャリアガスと一緒にトリメチルガリウムTMGa及びアンモニアNH3を供給してGaN材質の第3の窒化物層230を成長させる。ここで、本工程初めには第2の窒化物層220の第2のナノ構造物221の上側で水平成長が行われるように、一般的なGaN成長環境に比べて低圧高温の環境を組成することが好ましい。よって、MOCVD装置内部環境を1150~1250°Cの高温と200mb以下の低圧環境に組成した状態で、第3の窒化物層230を第2のナノ構造物221の上側から水平方向に成長させてルーフ構造を形成する。そして、工程環境をそれぞれ1000~1200°Cの温度及び300mb以上の圧力に調節してGaN層を垂直方向に1~5μm程度成長させることにより、窒化物緩衝層200の上層構造を形成する。図3のeに示されたように、本工程によって第3の窒化物層230は第2のナノ構造物221及び第2バレー構造222と一緒に多数個の第2の空隙223を形成する。このとき、2次エッチング工程で生成された第2のバレー構造222によって、第2の空隙223は相違する形状に形成することができる。先ず、第2のバレー構造が第1の空隙213の上層部に形成される位置C領域参照では、第2の空隙223が第1の空隙213の上側に形成される。即ち、第1の空隙213は第1の窒化物層210と第2の窒化物層220の境界面に隣接して形成され、第2の空隙223は第2の窒化物層220と第3の窒化物層230の境界面に隣接して形成されることにより、二層に配列された空隙構造を形成する。これに比べて、第2のバレー構造222が既存の第1の空隙213が形成されていた空間まで拡張する位置B領域参照では、第2の空隙223が既存の第1の空隙213の領域を抱合するように形成される。よって、図3のeに示されたように、このような方式で形成された第2の空隙223は含まれない残りの第1の空隙213に比べて大規模に形成される。図5は、図2の方法によって製作された窒化物緩衝層の断面をSEM撮影したものである。図5に示されたように、本発明にかかる窒化物緩衝層200は、窒化物層成長工程及び窒化物層エッチング工程を複数回経て行うことにより、内部に様々な形態の空隙構造213、223を形成することができる。このような空隙構造は、窒化物層とサファイア基板間の格子定数及び熱膨張係数の差によって発生する応力stressを緩和させることができる。そして、基板100と隣接した窒化物層で発生する転位dislocationが空隙構造によって解消されると共に、窒化物層上側に行われることを遮断させることができる。特に、多数個の空隙が積層された形態に配列された構造の場合は、一部の転位が下側の空隙を通過しても上側の空隙でこれを解消することにより、二重に転位を遮断できるという効果を奏する。実際に、本実施例によって成長した窒化物緩衝層の転位密度を測定した結果、窒化物緩衝層の厚さが2~4μmの場合も106/cm2以下の転位密度が測定され、これは従来に比べて転位密度が1以下に減少された数値である。よって、本発明にかかるテンプレート10は、応力が緩和され、転位密度が減少した窒化物緩衝層200を備えるため、窒化物緩衝層の上面に良好な結晶品質を有する発光素子の窒化物層を成長させることができ、実験の結果、従来に比べて発光効率が30~40程度改善された発光素子を製造することができる。一方、前述の実施例では、一つの窒化物緩衝層が積層配列される空隙構造及び大型空隙構造を同時に含む構成を説明した。但し、これは説明の便宜のための一例であり、本発明がこれに限定されるのではない。これ以外にも、第2の窒化物層の成長厚さ、2次エッチング工程の工程時間またはエッチングガス流量等を制御することにより、様々な形態の空隙構造を形成することができる。また、本実施例ではエッチング工程を2回に亘り行ったが、3回以上に亘ってエッチング工程及び窒化物層成長工程を繰り返して行うこともできる。本発明にかかるテンプレートは、前述のように窒化物緩衝層上側に発光素子の窒化物層を成長させることができ、図6はこのような方式で製造された水平型窒化物半導体の断面を図示したものである。図6に示されたように、水平型窒化物半導体発光素子20は、テンプレート10の上側にn型窒化物層310、活性層320及びp型窒化物層330が順に積層される構造である。よって、MOCVD装置で窒化物緩衝層200の第3の窒化物層230を成長させた後、連続工程で発光素子の窒化物層を成長させることができる。本実施例のようにテンプレート10の第1、第2、第3の窒化物層210、220、230をアンドーピングGaN材質で成長させる場合は、第3の窒化物層230を成長させた後、温度と工程ガスを制御しながら、n型窒化物層310、活性層320及びp型窒化物層330を順に成長させる。但し、これ以外にも、2次エッチング工程を行った後、第3の窒化物層230としてn型窒化物層を成長させ、n型窒化物層上にさらに活性層及びp型窒化物層を成長させることもできる。このように、本発明による水平型窒化物半導体発光素子20は、基板100と隣接した窒化物層に多数個の空隙が形成されるため、窒化物層の応力及び転位密度が減少して内部量子効率が改善され、分極現象を改善することができる。また、このような空隙は、隣接する窒化物層と相違する屈折率を有する。よって、基板方向に進行する光が多数個の空隙を経ながら散乱または屈折して経路が転換されるため、発光素子の光抽出効率を改善することができる。一方、本発明は垂直型窒化物半導体発光素子を製造する工程にも利用することができ、図7では、本発明を利用した垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法を概略的に図示している。先ず、前述のテンプレートを製造する方法と同様に、窒化物層成長基板100に窒化物層成長工程とエッチング工程を繰り返し行い多孔性構造を有する窒化物緩衝層200を成長させる。そして、エッチング工程によって形成されるナノ構造物の上側に直接n型窒化物層410、活性層420及びp型窒化物層430を順に成長させる。このとき、窒化物緩衝層は3次窒化物層としてn型窒化物層を成長させることができ、この場合、アンドーピング窒化物層とn型窒化物層の境界部に多数個の空隙が配置される図7のa参照。窒化物多重層の成長が完了したら、p型窒化物層上側に導電性接着層440を形成してから導電性基板450を付着する。ここで、導電性基板450は外部回路と電気的に連結されp側電極を形成する。そして、窒化物層から成長基板100を除去する段階を行う図7のb参照。ここで、成長基板100に成長した窒化物層中、多数個の空隙213、223が形成された位置は、窒化物層がナノ構造物nanostructure形態で存在するため、他の位置の窒化物層に比べて相対的に弱い構造を有する。よって、本発明では多数個の空隙213、223が形成された位置を除去面にして成長基板100を容易に分離させることができる。特に、前述のテンプレートの製造方法で説明したように、複数回のエッチング工程により大規模な空隙が形成される場合、除去面の構造がより脆弱になるため、成長基板の分離がより容易であり得る。このとき、成長基板100と隣接する位置の窒化物層にレーザーを照射して基板を除去するレーザーリフトオフLLO:laserliftoff方式を利用することができる。但し、従来は窒化物層が堅固な格子構造を形成していたためレーザー照射時に窒化物層が激しく毀損して収率が低調になるという問題があったが、本発明によると、多数個の空隙213、223によって相対的に弱い構造を有する位置にレーザーを照射することにより、窒化物層の毀損を最少化させることができる。前述のLLO方式以外にも、窒化物層と成長基板100の温度を制御して成長基板を分離させることもできる。一般的に、サファイア材質の成長基板と窒化物層は、熱膨張係数の差が大きいため、成長基板上に窒化物層が成長した高温の環境から冷却が行われると、熱変形によって窒化物層に大きな応力が発生することになる。実験の結果、成長基板を冷却することにより多数個の空隙が形成される部分に沿って亀裂が発生し、この部分に少量のエネルギーをさらに提供することにより成長基板を分離させることができる。このように、本発明は多数個の空隙が形成された位置を基準に成長基板を容易に分離できる。そして、成長基板分離時に窒化物層に加えられる応力の変化もまた相対的に少なく発生するため、従来と比べて良好な品質の自立膜freestandinglayerを形成することができる。また、成長基板100が分離されると、電極パッド360を設けるために、n型窒化物層410が露出されるように除去面を加工する段階を行う。従来の場合は、除去面加工時にはn型窒化物層410が露出されたかを見計らいながら本段階を行わなければらないという困難があったが、本発明によると、アンドーピング窒化物層120とn型窒化物層410の境界で除去面が形成されるため、本段階をより容易に行うことができる。このように、本発明は良好な品質の窒化物層の形成に寄与するだけでなく、発光素子製造時に作業性が改善され、発光効率及び耐久性に優れた発光素子を提供することができる。