"支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01~100,000Pas以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度をa、該接着フィルムの5重量加熱減量温度をbと定義した時、下記の式1を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。b-a≧100°C1A熱硬化性樹脂と、B硬化剤と、Cフラックス機能を有する化合物と、D成膜性樹脂と、を含む請求項1に記載の接着フィルム。前記A熱硬化性樹脂と、前記Cフラックス機能を有する化合物の配合比A/Cが、0.5~20.0である、請求項2に記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記A熱硬化性樹脂の含有量が5~80重量である、請求項2または3に記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記A熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求項2ないし4のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記Cフラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、請求項2ないし5のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記Cフラックス機能を有する化合物が、1分子中に2個のフェノール性水酸基と、少なくとも1個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、請求項2ないし6のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記Cフラックス機能を有する化合物が、下記一般式2で示される化合物を含む、請求項2ないし7に記載のダイシングテープ一体型接着シート。HOOC-CH2n-COOH2式2中、nは、1~20の整数である。前記Cフラックス機能を有する化合物が、下記一般式3及び/又は4で示される化合物を含む、請求項2ないし8のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。[式中、R1~R5は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R1~R5の少なくとも一つは水酸基である。][式中、R6~R20は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R6~R20の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。]前記接着フィルムが、さらに充填材を含む請求項1ないし9のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。前記充填材の含有量が、0.1重量以上80重量未満である請求項10に記載のダイシングテープ一体型接着シート。請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。請求項1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。本発明の目的は、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することにある。また、別の目的は、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することにある。このような目的は、下記1~14により達成される。1支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01~100,000Pas以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度をa、該接着フィルムの5重量加熱減量温度をbと定義した時、下記の式1を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。b-a≧100°C12A熱硬化性樹脂と、B硬化剤と、Cフラックス機能を有する化合物と、D成膜性樹脂と、を含む上記1に記載の接着フィルム。3前記A熱硬化性樹脂と、前記Cフラックス機能を有する化合物の配合比A/Cが、0.5~20.0である、上記2に記載のダイシングテープ一体型接着シート。4前記A熱硬化性樹脂の含有量が5~80重量である、上記2または3に記載のダイシングテープ一体型接着シート。5前記A熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、上記2ないし4のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。6前記Cフラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、上記2ないし5のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。7前記Cフラックス機能を有する化合物が、1分子中に2個のフェノール性水酸基と、少なくとも1個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、上記2ないし6のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。8前記Cフラックス機能を有する化合物が、下記一般式2で示される化合物を含む、上記2ないし7に記載のダイシングテープ一体型接着シート。HOOC-CH2n-COOH2式2中、nは、1~20の整数である。9前記Cフラックス機能を有する化合物が、下記一般式3及び/又は4で示される化合物を含む、上記2ないし8のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。[式中、R1~R5は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R1~R5の少なくとも一つは水酸基である。][式中、R6~R20は、それぞれ独立して、1価の有機基であり、R6~R20の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。]10前記接着フィルムが、さらに充填材を含む上記1ないし9のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。11前記充填材の含有量が、0.1重量以上80重量未満である上記10に記載のダイシングテープ一体型接着シート。12上記1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。13上記1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。14上記1ないし11のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することができる。また、本発明によれば、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することができる。以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置に関して説明する。本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01~100,000Pas以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度をa、該接着フィルムの5重量加熱減量温度をbと定義した時、下記の式1を満たすことを特徴とする。b-a≧100°C1また、本発明の多層回路基板、電子部品及び半導体装置は、第一の端子を有する支持体と、第二の端子を有する被着体とを、上記接着フィルムを用いて、電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着したものである。以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置について詳細に説明する。本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。ダイシングテープ一体型接着シートの各部の構成について、順次詳述する。ダイシングテープダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。具体的には、ダイシングテープとして、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることが出来る。アクリル系粘着剤としては、例えばメタアクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、メタアクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を2種類以上混合してもよい。また、これらの中でもメタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチルヘキシルおよびメタアクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、メタアクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープ2が粘着する相手被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。また、第一樹脂組成物には、粘着性接着性を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。このようなダイシングテープの平均厚さは、特に限定されないが、1~100μm程度であるのが好ましく、特に3~20μm程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの平均厚さが前記範囲内であれば、ダイシングテープの形状追従性が確保され、接着フィルムの半導体ウエハーに対する密着性をより高めることができる。介在層について後述するが、ダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープと接着フィルムの間に介在層を有する場合、ダイシングテープは、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面すなわち介在層と接着フィルムとの界面で剥離を生じさせることができる。また、ダイシングテープの粘着性を高めることにより、後述する半導体装置の製造の第2の工程においては、半導体ウエハーをダイシングして個片化する際に、ダイシングテープとウエハーリングとの間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハーの位置ずれが確実に防止され、半導体素子の寸法精度を高めることができる。接着フィルム本発明の接着フィルムは、該接着フィルムの最低溶融粘度が0.01~100,000Pasであり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度をa、該接着フィルムの5重量加熱減量温度をbと定義した時、下記の式1を満たすことを特徴とする。b-a≧100°C1前記接着フィルムの最低溶融粘度を0.01~100,000Pasとすることで、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に良好な接続信頼性を確保することが可能となる。前記最低溶融粘度を0.01Pas以上とすることで、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを防止することができる。また、前記溶融粘度を100,000Pas以下とすることで、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを防止することができる。前記最低溶融粘度は、好ましくは、0.02Pas以上、特に0.05Pas以上とすることが好ましい。これにより、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを、より効果的に防止することができる。また、前記最低溶融粘度は、好ましくは、70,000Pas以下、特に30,000Pas以下とすることが好ましい。これにより、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを、より効果的に防止することができる。ここで、前記接着フィルムの最低溶融粘度は、粘弾性測定装置HAAKE社製RheoStressRS150を用いて、パラレルプレート20mmφ、ギャップ0.05mm、周波数0.1Hz、昇温速度は、10°C/分の条件で測定することができる。また、接着フィルムの発熱ピーク温度をa、該接着フィルムの5重量加熱減量温度をbと定義した時、下記の式1を満たすことにより、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に気泡が発生することを防止することができるため、作製した多層回路基板、電子部品、半導体装置の信頼性を向上することができる。b-a≧100°C1前記接着フィルムの5重量加熱減量温度bと発熱ピーク温度aの差が大きいほど、接着フィルムを加熱することによりアウトガスが発生し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。さらに、アウトガスが発生した場合においても、接着フィルムの硬化反応よりも遅れてアウトガスが発生し、三次元化した接着フィルム中をアウトガスが移動しにくいため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。前記接着フィルムの5重量加熱減量温度bと発熱ピーク温度aの差は、好ましくは120°C以上、特に150°C以上とすることが好ましい。これにより、接着フィルムのアウトガスの発生をより効果的に防止することができる。また、仮にアウトガスが発生した場合でも、接着フィルム中をアウトガスが移動し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生をより効果的に防止することができる。ここで、前記接着フィルムの発熱ピーク温度bは、示差走査熱量計セイコーインスツルメンツ株製、DSC-6200を用いて、昇温速度10°C/分で測定することができる。また、前記接着フィルムの5重量加熱減量温度aは、熱重量/示差熱同時測定装置セイコーインスツルメンツ株製、TG/DTA6200を用いて、昇温速度10°C/分で測定することができる。前記接着フィルムの5重量加熱減量温度bと発熱ピーク温度aの差を上記範囲とする方法としては、特に限定されるわけではないが、A熱硬化性樹脂、B硬化剤、Cフラックス機能を有する化合物中の軟化点や含有量、さらに、低分子成分の含有量を適宜調整することにより行うことができる。前記接着フィルムは、A熱硬化性樹脂、B硬化剤、Cフラックス機能を有する化合物、D成膜性樹脂を含むことが好ましい。A熱硬化性樹脂、B硬化剤、、シクロヘキサノン、DAAジアセトンアルコール等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、NMPN-メチル-2-ピロリドン、THFテトラヒドロフラン、DMFジメチルホルムアミド、DBEニ塩基酸エステル、EEP3-エトキシプロピオン酸エチル、DMCジメチルカーボネート等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が10~60重量となる範囲であることが好ましい。得られた接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、1~300μmであることが好ましく、特に5~200μmであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。このようにして得られた接着フィルムは、フラックス活性を有しているものである。したがって、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、半導体チップと基板、基板と基板、半導体チップと半導体チップ、半導体チップと半導体ウエハ、半導体ウエハと半導体ウエハ等の半田接続を必要とされる部材の接続において好適に用いることができるものである。また、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、1つ以上の介在層を設けていてもよい。また、ダイシングテープ一体型接着シートの一方の面又は両面に1つ以上の外層を設けてもよい。介在層や外層としては、以下のような支持フィルムや粘着層等の基材が挙げられる。支持フィルム支持フィルムとは、以上のようなダイシングテープおよび接着フィルムを支持する機能を有する支持体である。また、ダイシングテープ一体型接着シートの外層として設ける場合、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。このような支持フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレンメタアクリル酸共重合体、エチレンメタアクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上の混合物が挙げられる。支持フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、30~150μm程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲することで、第一の端子を有する支持体との密着性を高めることができる。粘着層粘着層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されている。アクリル系粘着剤としては、例えばメタアクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、メタアクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を2種類以上混合してもよい。また、これらの中でも、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチルヘキシルおよびメタアクリル酸ブチルからなる群から選ばれる1種以上と、メタアクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる1種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する相手被着体との密着性や粘着性の制御が容易になる。また、第二樹脂組成物には、粘着性接着性を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。さらに、第二樹脂組成物には、粘着層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-メチルチオ-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。このような粘着層の平均厚さは、特に限定されないが、1~100μm程度であるのが好ましく、特に3~50μm程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れた層が得られる。ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート10は、例えば以下のような方法で製造される。まず、図3aに示す基材4aを用意し、この基材4aの一方の面上に介在層1を成膜する。これにより、基材4aと介在層1との積層体61を得る。介在層1の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。また、積層体61と同様にして、図3aに示すように、用意した基材4bの一方の面上に接着フィルム3を成膜し、これにより、基材4bと接着フィルム3との積層体62を得る。さらに、各積層体61、62と同様にして、図3aに示すように、用意した支持フィルム4の一方の面上にダイシングテープ2を成膜し、これにより、支持フィルム4とダイシングテープ2との積層体63を得る。次いで、図3bに示すように、介在層1と接着フィルム3とが接するように積層体61と積層体62とを積層し、積層体64を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。次いで、図3cに示すように、積層体64から基材4aを剥離する。そして、図3dに示すように、前記基材4aを剥離した積層体64に対して、基材4bを残して、前記接着フィルム3および前記介在層1の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい領域を指す。次いで、図3eに示すように、介在層1の露出面にダイシングテープ2が接するように、基材4aを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体64と積層体63を積層する。その後、基材4bを剥離することにより、図3fに示すダイシングテープ一体型接着シート10が得られる。支持フィルムに直接ダイシングテープ2を成膜する方法について上述したが、ダイシングテープを、介在層1、接着フィルム3と同様に、基材上に成膜して、それを接着フィルム3、介在層1と積層してダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。なお、介在層1、ダイシングテープ2および接着フィルム3は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。まず、介在層1の接着フィルム3に対する密着力は、ダイシングテープ2の支持フィルム4に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第3の工程において、個片83をピックアップした際に、ダイシングテープ2との支持フィルム4との間は剥離することなく、接着フィルム3と介在層1との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング9により積層体8を確実に支持し続けることができる。次に、上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いた電子部品および半導体装置について説明する。[1]図1aに示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着シート10の接着フィルム3と、半導体ウエハー7とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着シート10と半導体ウエハー7とを積層する第1の工程。ここで、半導体ウエハー支持体7において、接着フィルム3と接着する面は、第一の端子を有するものである。なお、図1に示すダイシングテープ一体型接着シート10では、接着フィルム3の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー7の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング9の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー7の下面全体が接着フィルム3の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー7がダイシングテープ一体型接着シート10で支持されることとなる。この半導体ウエハー7の第1の端子を接着フィルム3で覆うように、ダイシングテープ一体型接着シート10をラミネートする図1b。ダイシングテープ一体型接着シート10を半導体ウエハー7に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハーラミネーター等が挙げられる。これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法真空ラミネーターが好ましい。また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には60~150°Cで1秒~120秒間加熱する条件が好ましく、特に80~120°Cで5~60秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。また、加圧条件も特に限定されないが、0.2~2.0MPaが好ましく、特に0.5~1.5MPaが好ましい。上記積層の結果、図1bに示すように、ダイシングテープ一体型接着シート10と半導体ウエハー7とが積層されてなる積層体8が得られる。[2][2-1]次に、ウエハーリング9を用意する。続いて、ダイシングテープ2の外周部21の上面とウエハーリング9の下面とが密着するように、積層体8とウエハーリング9とを積層する。これにより、積層体8の外周部がウエハーリング9により支持される。ウエハーリング9は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体8の変形を確実に防止することができる。[2-2]次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム4とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体8を載置する。続いて、図1cに示すように、ダイシングブレード82を用いて積層体8に複数の切り込み81を形成するダイシング。ダイシングブレード82は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体8の半導体ウエハー7側の面に押し当てることで切り込み81が形成される。そして、半導体ウエハー7に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード82を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー7が複数の半導体素子71に個片化される第2の工程。また、接着フィルム3も同様に、複数の接着フィルム31に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー7に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー7の下面がダイシングテープ一体型接着シート10で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー7における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。第2の工程において、ダイシングブレード82の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み81の先端が支持フィルム4に到達することなく、介在層1内またはダイシングテープ2内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム4の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子71をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子71を被着体5にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置100の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置100を得ることができる。[3][3-1]次に、複数の切り込み81が形成された積層体8を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばすエキスパンド。これにより、図1dに示すように、積層体8に形成された切り込み81の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子71同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子71同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子71をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。[3-2]次に、ダイボンダー250により、個片化された半導体素子71のうちの1つを、ダイボンダーのコレットチップ吸着部260で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図2eに示すように、接着フィルム31と介在層1との界面が選択的に剥離し、半導体素子71と接着フィルム31とが積層されてなる個片83がピックアップされる第3の工程。なお、接着フィルム31と介在層1との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープ2の粘着性が介在層1の粘着性より高いため、支持フィルム4とダイシングテープ2との界面の密着力、および、ダイシングテープ2の介在層1との界面の粘着力は、介在層1と接着フィルム3との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子71を上方にピックアップした場合、これらの3箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層1と接着フィルム3との界面が選択的に剥離することとなる。また、個片83をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着シート10の下方から、突き上げ装置400により、ピックアップすべき個片83を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体8から個片83が突き上げられるため、前述した個片83のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片83の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着シート10を下方から突き上げる針状体ニードル等が用いられる図示せず。[4][4-1]次に、半導体素子チップ71を搭載マウントするための被着体5を用意する。この被着体5は、前記接着フィルム3と接着する面に第2の端子図示せずを有するものである。この被着体5としては、半導体素子71を搭載し、半導体素子71と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体素子等が挙げられる。なお、第一の端子と第二の端子としては、例えばパッド部、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。次いで、図2fに示すように、ピックアップされた個片83を、被着体5上に載置する。この際、半導体ウエハー支持体7の第一の端子と、被着体5の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム3を介して仮圧着する。[4-2]次に、被着体5と半導体素子71を半田接合する第4の工程。半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばSn-Agの場合、220~260°Cで5~500秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に230~240°Cで10~100秒間加熱することが好ましい。この半田接合は、半田が融解した後に、接着フィルム3が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田を融解させるが、接着フィルム3の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。次に、接着フィルム3を加熱して硬化させる第5の工程。硬化させる条件は、特に限定されないが、130~220°Cで30~500分間加熱する条件が好ましく、特に150~200°Cで60~180分間加熱する条件が好ましい。以上のような方法によれば、第3の工程において、半導体素子71に接着フィルム31が付着した状態、すなわち個片83の状態でピックアップされることから、第4の工程において、この接着フィルム31をそのまま被着体5との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、半導体素子支持体71と被着体5を半田を用いて電気的に接続した半導体装置100の製造効率をより高めることができる。なお、支持体7および被着体5としては、たとえば、チップ、基板回路基板、ウエハー等が挙げられる。支持体7および被着体5としてそれぞれ回路基板を用いる場合、接着フィルム2の硬化物で接合した多層回路基板を得ることができる。また、支持体7および被着体5としてそれぞれ半導体チップを用いる場合、接着フィルム2の硬化物で接着されている電子部品を得ることができる。以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1<粘着層の形成>アクリル酸2-エチルヘキシル30重量と酢酸ビニル70重量とを共重合して得られた重量平均分子量300,000の共重合体100重量部と、分子量が700の5官能アクリレートモノマー45重量部と、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン5重量部と、トリレンジイソシアネートコロネートT-100、日本ポリウレタン工業株製3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80°Cで5分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線500mJ/cm2を照射し、ポリエステルフィルム上に粘着層を成膜した。<ダイシングテープの形成>アクリル酸ブチル70重量とアクリル酸2-エチルヘキシル30重量とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体100重量部と、トリレンジイソシアネートコロネートT-100、日本ポリウレタン工業株製3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80°Cで5分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープを成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ100μmのポリエチレンシートをラミネートした。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-830LVP55.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-930530.8重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製3.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-7010.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.2重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した。<接着フィルムの製造>得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム東レ株式会社製、ルミラーに厚さ50μmとなるように塗布して、100°C、5分間乾燥して、厚さ25μmの接着フィルムを得た。<ダイシングテープ一体型接着シートの製造>粘着側のポリエステルフィルムを剥離して、粘着層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、粘着層と接着フィルムとが接するようにラミネート積層し、積層体を得た。次に、ロール状の金型を用いて、粘着層と接着フィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第2積層体を得た。さらに、ダイシングテープの一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第2積層体の粘着層とダイシングテープとが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート支持フィルム、ダイシングテープ、粘着層介在層、接着フィルムおよびポリエステルフィルムの5層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。<半導体装置の製造>半田バンプを有するシリコンウエハー直径8インチ、厚さ100μmを用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これを真空ロールラミネーターで、100°Cでラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソーDFD6360、株ディスコ製を用いて以下の条件でダイシング切断した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。<ダイシング条件>ダイシングサイズ:10mm×10mm角ダイシング速度:50mm/secスピンドル回転数:40,000rpmダイシング最大深さ:0.130mmシリコンウエハーの表面からの切り込み量ダイシングブレードの厚さ:15μm切り込みの横断面積:7.5×10-5mm2接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。次いで、半導体素子の1つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体素子をピックアップした。次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体素子を100°C、30秒間で仮圧着した。次に、235°C、30秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。そして、180°C、60分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体素子と、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。実施例2接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-840S50.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-930525.5重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製3.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-7020.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.5重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例3接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-7020.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂住友ベークライト社製、PR5561715.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製3.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-5060.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ1.0重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造の製造を行った。実施例4接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-7015.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂住友ベークライト社製、PR556178.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製6.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-5046.0重量部と、G充填材として球状シリカフィラーアドマテックス社製、SC1050-LC、平均粒径0.25μm23.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ1.0重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度40の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例5接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-7013.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂住友ベークライト社製、PR556176.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製5.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-5039.0重量部と、G充填材として球状シリカフィラーアドマテックス社製、SC1050-LC、平均粒径0.25μm36.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.5重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3030.5重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度30の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例6接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-709.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂住友ベークライト社製、PR556174.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製4.0重量部と、D成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂ナガセケムテックス社製、SG-P327.0重量部と、G充填材として球状シリカフィラーアドマテックス社製、SC1050-LC、平均粒径0.25μm55.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.5重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3030.5重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度20の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例7接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-830LVP55.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-930531.8重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製2.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-7010.0重量部と、E硬化促進剤として2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.2重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例8接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-7015.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-93055.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製60.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールA型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-5018.0重量部と、E硬化促進剤である2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ1.0重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例9接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-840S22.0重量部と、B硬化剤として4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸新日本理化社製、リカシットMH12.5重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製6.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-709.0重量部と、E硬化促進剤である2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.1重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3030.4重量部と、G充填材として球状シリカフィラーアドマテックス社製、SC1050-LC、平均粒径0.25μm50.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。実施例10接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてイソシアヌル酸エチレングリコール変性トリアクレート東亜合成社製、M-31516.5重量部と、B硬化剤としてt-ブチルパーオキシペンゾエート日油社製、パーチブルZ0.5重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製2.0重量部と、D成膜性樹脂としてポリビニルブチラール樹脂積水化学工業社製、BX-15.5重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3030.5重量部と、G充填材として球状シリカフィラーアドマテックス社製、SC1050-LC、平均粒径0.25μm75.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度20の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。比較例1接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-830LVP59.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-930534.9重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製3.0重量部と、D成膜性樹脂としてビスフェノールF型フェノキシ樹脂東都化成社製、YP-702.0重量部と、E硬化促進剤である2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.1重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。比較例2接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂日本化薬社製、EOCN-1020-7020.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂住友ベークライト社製、PR5516710.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン東京化成工業社製8.0重量部と、D成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂ナガセケムテックス社製、SG-P360.0重量部と、E硬化促進剤である2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ1.0重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-3031.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。比較例3接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例1と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。<接着フィルム用ワニスの調製>A熱硬化性樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂大日本インキ化学工業社製、EPICLON-830LVP42.0重量部と、B硬化剤としてフェノールノボラック樹脂三井化学社製、VR-930530.0重量部と、Cフラックス機能を有する化合物としてセバシン酸東京化成工業社製3.0重量部と、D成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂東都化成社製、SG-P315.0重量部と、E硬化促進剤である2―フェニルー4-メチルイミダゾール四国化成工業社製、2P4MZ0.01重量部と、Fシランカップリング剤としてβ-3,4エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン信越化学工業社製、KBM-30310.0重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度50の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に接着フィルムの製造を行った。また、各実施例および比較例で得られた接着フィルム、半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表1に示す。1.接着フィルムの最低溶融粘度各実施例および比較例で得られた接着フィルムを、粘弾性測定装置HAAKE社製RheoStressRS150を用いて、パラレルプレート20mmφ、ギャップ0.05mm、周波数0.1Hz、昇温速度は、10°C/分の条件で溶融粘度を測定し、最低となる溶融粘度を測定値とした。2.接着フィルムの5重量加熱減量温度b-発熱ピーク温度a各実施例および比較例で得られた接着フィルムの発熱ピーク温度aを、示差走査熱量計セイコーインスツルメンツ株製、DSC-6200を用い、昇温速度10°C/分で硬化発熱量を測定し、ピーク温度を測定値とした。次いで、各実施例および比較例で得られた接着フィルムの5重量加熱減量温度bを、熱重量/示差熱同時測定装置セイコーインスツルメンツ株製、TG/DTA6200を用い、昇温速度10°C/分で加熱減量を測定し、5重量減少する温度を測定値とした。得られたaおよびbから、b-aを算出した。3.半導体装置の空洞及びボイド各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個ずつについて、半導体チップの半田バンプと回路基板のパッド部の断面観察をSEM走査型電子顕微鏡により行い、空洞及びボイド気泡の評価を実施した。各符号は、以下の通りである。○:5μm以上の空洞及びボイドが全く観察されなかった。×:5μm以上の空洞及びボイドが観察された。4.半導体装置の導通接続性各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個ずつについて、半導体チップと回路基板間の接続抵抗値をそれぞれデジタルマルチメーターで10点測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。○:20個すべての測定点:20×10=200半導体装置の接続抵抗値が3Ω以下であった。△:導通しない点は無いが、10~20点の接続抵抗値が3Ω以上であった実用上は問題なし。×:20点以上の接続抵抗値が3Ω以上、または、オープン不良が1点以上あった実用上問題あり。5.半導体装置の絶縁信頼性各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ20個について、130°C、85RHの環境下で3Vの電圧を印加しながら、隣接バンプ間の絶縁抵抗値をそれぞれ3点連続測定200hrし、イオンマイグレーションを評価した。各符号は、以下の通りである。○:すべての測定点20×3=60において、絶縁破壊が発生しなかった。△:絶縁破壊が発生した点が3点未満であった。×:絶縁破壊が発生した点が3点以上であった。実施例1で得られたダイシングテープ一体型接着シートに用いた接着フィルムは、最低溶融粘度が0.02Pasであり、また、5重量加熱減量温度bと発熱ピーク温度aの差が168°Cであった。実施例1で得られた接着フィルムで半導体装置を製造し評価を行ったところ、空洞及びボイド、導通接続性、絶縁信頼性のいずれも表1の通り良好であった。また、各実施例2~10で得られた接着フィルムおよび半導体装置とも実施例1とほぼ同様の挙動を示した。"