"複数の発光素子と、前記複数の発光素子を覆うガスバリア層と、を有する素子基板に対して、前記ガスバリア層上にブラックマトリクスの前駆体を形成する第一工程と、前記ブラックマトリクスの前駆体に前記発光素子に対応した開口部を形成する第二工程と、前記開口部に着色層を形成する第三工程と、外部接続用端子が露出するように前記ブラックマトリクスの一部を除去する第四工程と、を備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。前記第三工程は、スピンコート法を用いて前記素子基板に着色層形成材料を塗布することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。前記第四工程は、平面的に前記ブラックマトリクスと重なるように透明保護基板を前記素子基板に装着する工程と、前記透明保護基板をマスクとして、前記透明保護基板からはみ出した前記ブラックマトリクスを除去する工程とを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。前記第四工程の後に、前記透明保護基板をマスクとして、前記透明保護基板よりはみ出した前記ガスバリア層を除去する第五の工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。前記第四工程と、前記第五工程とを連続して行うことを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。上記特許文献1および2の有機EL装置のように精細な発光素子に対応して着色層を形成する方法として、色レジスト塗布、マスク露光、現像、ポストベーク焼成の各工程を有するフォトリソグラフィー法が挙げられる。色レジストの塗布方法としては、例えばスピンコート法が挙げられる。次に図9、図10を参照して、スピンコート法による着色層の形成における課題を説明する。図9は従来の有機EL装置の素子側の基板の構造を模式的に示す断面図、図10は従来の有機EL装置を模式的に示す平面図である。図9に示すように、従来の有機EL装置500において、発光素子21を覆うようにガス透過性が低い無機材料からなるガスバリア層19を設ける場合、発光素子21に起因する被覆表面の段差によって、ガスバリア層19が破れることを防止する必要がある。それゆえに、まず、発光素子21を有機緩衝層18で覆ってからその上にガスバリア層19を設ける。有機緩衝層18は、上記段差を埋めた後の表面が平坦となるように、1μm以上の厚さで形成される。有機緩衝層18の端部は有機EL装置500の外周付近に位置しているので、当該外周付近に1μm以上の厚さの段差が生じることになる。また、ブラックマトリクス層32aは、厚さ1μmから2μm程度で形成され、同じく有機EL装置500の外周付近で1μmから2μm程度の段差を生じることになる。したがって、有機EL装置500の外周付近では、有機緩衝層18の段差およびブラックマトリクス層32aの段差が略重複するため、2μm以上の段差が生じる。スピンコート法による色レジスト膜の形成では、2μm程度の段差が存在すると、その段差をきっかけとして、塗布ムラが生じる。色レジスト膜の形成時に生じた塗布ムラは、着色層32r,32g,32bの膜厚ムラとなり、例えば図10に示すように、有機緩衝層18が形成された領域の外縁部から内側に侵入した表示ムラとして認識され、表示品質を著しく低下させてしまうという課題があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子を覆うガスバリア層と、を有する素子基板に対して、前記ガスバリア層上にブラックマトリクスの前駆体を形成する第一工程と、前記ブラックマトリクスの前駆体に前記発光素子に対応した開口部を形成する第二工程と、前記開口部に着色層を形成する第三工程と、外部接続用端子が露出するように前記ブラックマトリクスの一部を除去する第四工程と、を備えたことを特徴とする。本適用例によれば、着色層を形成する第三工程において、着色層形成部以外のブラックマトリクスを除去しておく必要が無いため、素子基板の外周近傍のブラックマトリクスによる段差が存在しない、これによって、第三工程における着色層形成時の該段差に起因する塗布ムラを低減することができる。[適用例2]上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第三工程は、スピンコート法を用いて前記素子基板に着色層形成材料を塗布することを特徴とする。本適用例によれば、着色層を形成する第三工程において、スピンコート法を用いることにより、均一に着色層形成材料を塗布することができる、これによって、塗布ムラの少ない着色層を形成することができる。[適用例3]上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第四工程は、平面的に前記ブラックマトリクスと重なるように透明保護基板を前記素子基板に装着する工程と、前記透明保護基板をマスクとして、前記透明保護基板からはみ出した前記ブラックマトリクスを除去する工程とを含むことを特徴とする。本適用例によれば、素子基板の発光素子を保護する透明保護基板をエッチングマスクとして使用することにより、不要なブラックマトリクスを除去するためのマスクを用意しなくても所望の形状を有するブラックマトリクスを形成することができる。これによって、フォトリソグラフィー法によるブラックマトリクスの除去と比較して、工程が短縮でき、製造コストを低減させることが可能となる。[適用例4]上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第四工程の後に、前記透明保護基板をマスクとして、前記透明保護基板よりはみ出した前記ガスバリア層を除去する第五の工程を含むことを特徴とする。本適用例によれば、着色層を形成する第三工程において、着色層形成部以外のガスバリア層を除去しておく必要が無いため、素子基板の外周近傍のガスバリア層による段差が存在しない、これによって、第三工程における着色層形成時の該段差に起因する塗布ムラをさらに低減することができる。[適用例5]上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記第四工程と、前記第五工程とを連続して行うことを特徴とする。本適用例によれば、第四工程と第五工程を連続して行うため、エッチングの工程を1工程短縮することが可能となり、これによって、製造コストを低減させることができる。[適用例6]本適用例に係る電子機器は、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。本適用例によれば、第三工程における着色層の塗布ムラを低減できるため、表示ムラとして認識されなくなり、これによって、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。[第1実施形態]<有機EL装置>以下、図1~図6を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る有機EL装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。図1は有機EL装置の構成を示す概略平面図である。図1に示すように本実施形態の有機EL装置100は、R赤、G緑、B青、3色の発光が得られる複数の画素Pがマトリクス状に配列した表示領域Eを有する素子基板20Aと透明保護基板31とを重ね合わせたものである。画素Pには、それぞれR,G,Bに対応した発光が得られる発光素子21が設けられている。素子基板20Aは透明保護基板31よりも一回り大きく、透明保護基板31の一辺部側にはみ出た端子部40には、画素Pを駆動する外部駆動回路との接続を図る複数の外部接続用端子41が設けられている。なお、図1では、画素Pは視認可能な程度に拡大表示されており、実際には、目視で異なる色の画素Pを識別するのが困難な程度の大きさである。図2は図1のA-A’線で切った有機EL装置の構造を模式的に示す断面図である。本実施形態における有機EL装置100は、いわゆるトップエミッション方式の有機EL装置である。トップエミッション方式は、光を発光素子21が配置された素子基板20A側ではなく対向する透明保護基板31側から取り出すため、発光面積が素子基板20Aに配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子21の寿命を長く維持することができる。図2に示すように、有機EL装置100は、基板本体20上に複数の発光素子21が配置された素子基板20Aと、透明保護基板31と、を備えている。素子基板20Aには、複数の発光素子21を覆って積層して形成される電極保護層17と有機緩衝層18とガスバリア層19の各層が積層した薄膜封止層封止層Fが設けられている。素子基板20Aと透明保護基板31とは、充填層34を介して貼り合わされている。素子基板素子基板20Aが備える基板本体20は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルムプラスチックフィルムなどが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子樹脂、またはこれらの複合材料など光透過性を備えた材料が挙げられる。基板本体20の上には、駆動用TFTThinFilmTransistor等の駆動素子や、走査線、共通線等の配線、及びこれらを電気的に絶縁する無機物または有機物の絶縁膜などを備えた素子層14が形成されている。各種配線や駆動素子はフォトリソグラフィー法によりパターニングした後エッチングすることにより、また、絶縁膜は蒸着法やスパッタ法など通常知られた方法により適宜形成することができる。素子層14の絶縁膜は、例えば酸窒化シリコンで構成されている。素子層14上には、素子層14が備える配線やTFT素子等に由来する表面の凹凸を緩和するための平坦化層16と、平坦化層16上に配置される発光素子21からの射出光を透明保護基板31側に反射する金属反射板15と、が形成されている。平坦化層16は、絶縁性の樹脂材料、もしくは、窒素を含むケイ素化合物などで形成されている。また、形成方法はフォトリソグラフィー法を用い、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂、もしくは、窒化シリコンや酸窒化シリコンなどが用いられている。金属反射板15は、例えばアルミニウムや銅などの金属で形成されており、光を反射する性質を備えている。本実施形態ではアルミニウムで形成されている。金属反射板15は、後述する発光素子21と基板本体20との間で発光素子21に平面的に重なるように配置されている。平坦化層16上であって、金属反射板15と平面的に重なる領域には、発光素子21が配置されており、隣り合う発光素子21の間および発光素子21と基板本体20の端部との間には隔壁13が形成されている。言い換えると、発光素子21は隔壁によって区画されている。隔壁13は平坦化層16と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィーを用いて形成され、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂、もしくは、窒化シリコンや酸窒化シリコンなどが用いられている。陽極10は、平坦化層16上に形成され、素子基板20Aが備える駆動用TFTに接続されている。また陽極10には、仕事関数が5eV以上の正孔注入効果の高い材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばITOIndiumThinOxide;インジウム錫酸化物等の金属酸化物を挙げることができる。本実施形態では陽極10としてITOを用いている。なお、陽極10は必ずしも光透過性を有する必要は無く、アルミニウム等の光を透さない金属電極としてもよい。その場合には、陽極10が光を反射し先述の金属反射板15の機能を兼ね備えるため、金属反射板15は設けなくても良い。発光層12は、白色に発光する白色発光層を採用している。本実施形態では、この白色発光層は低分子系の発光材料を用いて真空蒸着法を用いて形成されている。白色の発光材料としては、スリチルアミン系発光層にアントラセン系のドーパントをドーピングした層青色と、スリチルアミン系発光層にルブレン系のドーパントをドーピングした層黄色と、を同時に発光させて白色発光を実現している発光材料を挙げることができる。ここでは低分子系の発光材料を用いているが、高分子系の発光材料を用いて発光層を形成することとしても良い。また、各層の構成を変化させ、赤色、緑色、青色の3色を同時に発光させて白色発光を取り出す3層構造とすることも可能である。また発光層12としては、赤色に発光する赤色発光層、緑色に発光する緑色発光層、青色に発光する青色発光層を有するようにすることも可能である。なお、陽極10と発光層12との間に、トリアリールアミン多量体ATP層正孔注入層、トリフェニルジアミン系誘導体TPD層正孔輸送層、発光層12と陰極11との間にアルミニウムキノリノールAlq3層電子注入層、LiF電子注入バッファー層をそれぞれ成膜し、各電極からの電子および正孔の注入を容易にさせる構成とすることが好ましい。陰極11は、発光層12と隔壁13との表面を覆って、少なくとも最も外側素子基板20Aの外周部に近い側に配置された隔壁13の頭頂部に至るまで延在して形成されている。陰極11の形成材料には、電子注入効果の大きい仕事関数が4eV以下材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。これらの材料を用いる場合には、金属材料は真空蒸着法、金属化合物はECRプラズマスパッタ法やイオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法を用いて陰極11を形成することができる。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しない場合は、発光部分を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ITOや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層と組み合わせて積層体として用いたりしてもよい。なお、本実施形態では、マグネシウム-銀合金MgAgを透明性が得られる20nm以下の膜厚に調整して用いている。陰極11の膜厚は約10nmである。また、素子基板20A上であって、素子基板20Aの外周部近傍の平坦化層16が形成されていない領域には陰極配線22Aが形成され、陰極配線22Aと陰極11とは電気的に接続され導通している。陰極配線22Aは、陰極11を不図示の電源まで通電させることを目的として形成されており、主に素子基板20Aの外周部付近に設けられる。陰極配線22Aの形成材料には、アルミニウム-シリコン合金や、チタン、タングステン、タンタルなどの金属が用いられ、これらの材料を単層もしくは多層に積層して形成したものが用いられる。また、陰極配線22Aの最表層には、陽極10と同じ材料であるITOが形成されている。陽極10の形成時と同時に、陰極配線22Aの最表層にもITOを形成しておくことで、製造工程におけるフォトリソグラフィー工程での陰極配線22Aの腐食を防ぐことができる。薄膜封止層素子基板20A上には、発光素子21を覆い全面に複数の保護層が積層した薄膜封止層Fが形成されている。この薄膜封止層Fとして、本実施形態の有機EL装置100は、電極保護層17と有機緩衝層18とガスバリア層19とを備えている。素子基板20A上には、陰極配線22Aの端面を覆い、陰極配線22A、陰極11の表面を覆って全面に、電極保護層17が形成されている。この電極保護層17により、20nm以下と非常に薄い陰極11や、その下の発光層12の破損を抑制することができる。また、発光素子21への水分の浸入を防ぐガスバリア層としての機能も兼ね備える。電極保護層17はECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。電極保護層17は、透明性や密着性、耐水性、絶縁性、更にはガスバリア性を考慮して、酸窒化シリコンや窒化シリコンなどのケイ素化合物で構成することが望ましい。中でも、酸窒化シリコンは、含まれる酸素と窒素の比率を変えることで所望の透湿性を備えた無色透明な膜とすることが可能であるため好ましい。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いて電極保護層17を形成している。また、電極保護層17の膜厚は100nm以上が好ましく、隔壁13を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は200nm以下に設定することが好ましい。なお、本実施形態においては、電極保護層17を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで電極保護層17を構成してもよい。電極保護層17の上には、電極保護層17の内側に有機緩衝層18が形成されている。有機緩衝層18は、隔壁13の形状の影響により凹凸状に形成された電極保護層17の凹凸部分を埋め、起伏を緩和するように配置される。この有機緩衝層18は、素子基板20Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、隔壁13からの電極保護層17の剥離を防止する機能を有する。また、有機緩衝層18の上面では、電極保護層17表面の起伏が緩和されているので、後述するガスバリア層19に応力が集中する部位がなくなり、クラックの発生を防止することができる。有機緩衝層18の形成材料としては、流動性に優れ且つ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料であることが好ましく、その様な形成材料としてエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーを好適に用いることができる。ここでは、分子量1000未満の原料をモノマー、分子量1000以上3000以下の原料をオリゴマーとする。例えば、ビスフェノールA型エポキシオリゴマーやビスフェノールF型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3,4-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。また、有機緩衝層18の形成材料には、エポキシモノマー/オリゴマーと反応する硬化剤が含まれる。このような硬化剤としては、電気絶縁性や接着性に優れ、かつ硬度が高く強靭で耐熱性に優れる硬化被膜を形成するものが好適に用いられ、透明性に優れ且つ硬化のばらつきの少ない付加重合型が好ましい。例えば、3-メチル-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸、メチル-3,6-エンドメチレン-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3,4,4-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。これらの硬化剤を加えた有機緩衝層18の形成材料は優れた熱硬化性樹脂として振る舞う。さらに、酸無水物の反応開環を促進する反応促進剤として1,6-ヘキサンジオールなど分子量が大きく揮発しにくいアルコール類やアミノフェノールなどのアミン化合物を微量添加することで低温硬化しやすくなる。これらの硬化は60°C~100°Cの範囲で加熱することで行われ、その硬化被膜はエステル結合を持つ高分子となる。また、硬化時間を短縮するためよく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用いてもよいが、硬化収縮が急激に進まないよう反応の遅いものが良く、また、塗布後の加熱による粘度低下で平坦化を進めるように最終的には熱硬化を用いて硬化物を形成するものが好ましい。更には、陰極11やガスバリア層19との密着性を向上させるシランカップリング剤や、イソシアネート化合物等の捕水剤が混入されていても良い。これらの原料ごとの粘度は、1000mPas室温:25°C以上が好ましい。塗布直後に発光層12へ浸透して、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を発生させないためである。また、これらの原料を混合した緩衝層形成材料の粘度としては、500mPas~20000mPas、特に2000mPas以上10000mPas以下室温が好ましい。また、含水量は1000ppm以下に調整された材料であることが好ましい。また、有機緩衝層18の最適な膜厚としては、1μm以上5μm以下が好ましい。有機緩衝層18の膜厚が厚いほうが異物混入した場合等にガスバリア層19の破損を防ぎやすいが、有機緩衝層18を合わせた層厚が5μmを超えると、後述する着色層32r,32g,32bと発光層12の距離が広がって側面に逃げる光が増え、光を取り出す効率が低下するためである。また、有機緩衝層18の端部を含め全面を被覆し、且つ透明保護基板31と略同形状であるガスバリア層19が形成されている。ガスバリア層19の形状は、マスク成膜や、フォトリソグラフィー法により形成される。ガスバリア層19は、発光素子21に酸素や水分が浸入するのを防止する機能を備えており、これにより酸素や水分による発光素子21の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層19は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含むケイ素化合物、すなわち窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを用いて形成される。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いてガスバリア層19を形成している。ガスバリア層19は、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、形成面の酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。また、ガスバリア層19の膜厚は、ガスバリア層19の破損を防ぎガスバリア性を担保するために100nm以上であることが好ましい。また、有機緩衝層18の端部や陰極配線22A等の凹凸部を被覆する際にクラックを防ぐために800nm以下であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ガスバリア層19を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。ガスバリア層19上には、カラーフィルター32が形成されている。カラーフィルター32は、赤R、緑G、青Bの着色層32r,32g,32bと、着色層32r,32g,32bを区画して、光漏れを防ぎ視認性を向上させるブラックマトリクスBMとしてのブラックマトリクス層32aと、を有している。ブラックマトリクス層32aは、低温成膜されたアルミニウムやクロム等の金属、もしくは、黒色に着色された樹脂で形成されている。着色層32r,32g,32bは、透過光を赤色R、緑色G、青色Bのいずれかの光に変調し、同一色の着色層が同一方向に配列するように形成されている。このような着色層32r,32g,32bの配列はストライプ方式と呼ばれている。なお、着色層32r,32g,32bの配列はこれに限定されるものではない。着色層32r,32g,32bは、アクリル樹脂などの感光性樹脂層に、赤色、緑色、青色を示す顔料または染料を含有した着色層形成材料色レジストにより形成されている。また、必要に応じてライトブルーやライトシアン、白などの着色層を備えることとしても良い。この着色層32r,32g,32bの各々は、白色の光を射出する発光素子21に対向して配置されている。これにより、発光素子21から射出された光は着色層32r,32g,32bの各々を透過して、赤色光、緑色光、青色光として観察者側に射出され、カラー表示を行うようになっている。着色層32r,32g,32bは、0.5μm以上2μm以下の範囲で各色に適した厚みに調整されている。また、ブラックマトリクス層32aは、着色層32r,32g,32bと同程度の厚みを有している。透明保護基板透明保護基板31は、発光素子21から射出される光を透過する光透過性と、薄膜封止層Fを保護する強度とを備えた基板であり、後述する有機EL装置の製造方法において、ガスバリア層19や、ブラックマトリクス層32aなどのエッチング時に形状を損なわない材質であり、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物を用いて形成することができる。また、光透過性を備えるならば、上記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。中でも、透明性の高さと透湿性の低さから、特にガラス基板が好適に用いられる。また、紫外線を遮断または吸収する層や、光反射防止膜、放熱層などの機能層が形成されていても良い。透明保護基板31は、図1に示す通り、素子基板20Aの端子部40を覆うことなく、陰極11が設けられた領域を少なくとも覆うことができる形状である。ただし、透明保護基板31については、素子基板20Aと貼り合わせる前から、上記形状である必要はなく、素子基板20Aと貼り合わせた後、スクライブ,ダイシング等の手法により上記形状としてもよい。透明保護基板31の素子基板20A側には、熱硬化性樹脂からなる充填層34が形成されている。充填層34は、硬化前の原料主成分としては、流動性に優れ、かつ溶媒のような揮発成分を持たない有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーが用いられるモノマーの定義:分子量1000以下、オリゴマーの定義:分子量1000~3000。例えば、ビスフェノールA型エポキシオリゴマーやビスフェノールF型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3,4-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε-カプロラクトン変性3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。また、エポキシモノマー/オリゴマーと反応する硬化剤としては、電気絶縁性に優れ、かつ強靭で耐熱性に優れる硬化皮膜を形成するものが良く、透明性に優れ、かつ硬化のばらつきの少ない付加重合型が良い。例えば、3-メチル-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸、メチル-3,6-エンドメチレン-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、またはそれらの重合物などの酸無水物系硬化剤が好ましい。これらの硬化は、60~100°Cの範囲で行われ、その硬化皮膜は珪素酸窒化物との密着性に優れるエステル結合を持つ高分子となる。さらに、酸無水の開環を促進する硬化促進剤として芳香族アミンやアルコール類、アミノフェノール等の比較的分子量の高いものを添加することで低温かつ短時間での硬化が可能となる。また、塗布時の粘度は、気泡を噛まずに充填性を上げるためにはより低粘度がよいが、あまり低粘度過ぎても所望のエリアから外部へ浸出する場合があるため、100mPas~2000mPas室温が好ましい。有機EL装置の製造方法次に、図3~図5を参照して本実施形態における有機EL装置100の製造方法を説明する。ここで、図3は有機EL装置の製造方法を示すフローチャート、図4a~dは有機EL装置の素子基板に着色層を形成する工程を示す概略断面図、図5aは透明保護基板上に充填層を形成する工程を示す概略断面図、図5b~cは素子基板と透明保護基板とを貼り合わせ、有機EL装置とするまでの工程を示す概略断面図である。図3に示すように、本実施形態の有機EL装置100の製造方法は、素子基板側の工程である素子形成工程ステップS1と、電極保護層形成工程ステップS2と、有機緩衝層形成工程ステップS3と、ガスバリア層形成工程ステップS4と、BMブラックマトリクス形成工程ステップS5と、着色層形成工程ステップS6とを備えている。また、透明保護基板側の工程である充填層形成工程ステップS7と、両方の基板を貼り合わせる工程ステップS8と、素子基板上において透明保護基板31からはみ出た部分をエッチングするエッチング工程ステップS9とを備えている。まず、ステップS1の素子形成工程は、基板本体20上に素子層14、つまり、発光素子21を駆動するための駆動素子などを形成する。駆動用TFTなどの駆動素子や配線、各種電極などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。また、素子層14上に発光素子21を形成する方法は、前述した方法だけでなく、公知の方法も採用することができる。そして、ステップS2へ進む。ステップS2の電極保護層形成工程では、図4aに示すように、陰極11までが積層された素子基板20Aに電極保護層17を形成する。例えば、前述のように窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により成膜する。なお、透明無機材料としての酸化シリコンなどの無機酸化物やLiFやMgF等のアルカリハライドを、真空蒸着法や高密度プラズマ成膜法により積層して電極保護層17としてもよい。そして、ステップS3へ進む。ステップS3の有機緩衝層形成工程では、同じく図4aに示すように、有機緩衝層18を電極保護層17上に形成する。具体的には、まず減圧雰囲気下でスクリーン印刷法により有機緩衝層18の形成材料を配置する。減圧雰囲気下で有機緩衝層18の形成材料を配置することで、有機緩衝層18の形成材料やスクリーンメッシュに含まれる揮発性の不純物や水分を極力除去することができる。また、スクリーン印刷法ではスキージによる摩擦により配置した材料の表面が強制的に平坦化されるため、他の材料配置方法と比較して材料表面を平坦にすることが可能である。スクリーン印刷法による塗布のし易さと、成膜精度との兼ね合いにより、有機緩衝層18の形成材料の粘度は、3000mPas以上7000mPas以下室温であることが好ましい。本実施形態では有機緩衝層18の形成材料の粘度は5000mPasである。また、含水量をあらかじめ1000ppm以下に調整しておくと、減圧環境下での発泡が抑えられ作業が容易になるため好ましい。続いて、配置した有機緩衝層18の形成材料を60°C~100°Cの範囲で加熱して硬化させる。この加熱硬化は、大気圧での水分が10ppm以下に管理された窒素雰囲気下において行われる。この際、加熱直後から反応が開始されるまでの間は、一時的に有機緩衝層18の形成材料の粘度が低下するため、形成材料が電極保護層17や陰極11を透過して発光層12に浸透しダークスポットを発生させるおそれがある。そこで、ある程度硬化が進むまでは60°C~80°Cの低温で硬化し、ある程度反応が進んで高粘度化したところで80°C以上に温度を上げて完全硬化させることが好ましい。形成する有機緩衝層18については、平面形状として、陰極11の上を全て覆い、且つ、後の工程で貼り合わされる透明保護基板31の外形よりも内側のみに形成されていることが必要である。従って、有機緩衝層18の外形は、素子基板20Aの外周付近に存在することとなり、必然的に素子基板20Aの外周付近に1μm以上の段差が生じることとなる。そして、ステップS4へ進む。ステップS4のガスバリア層形成工程では、同じく図4aに示すように、ガスバリア層19を有機緩衝層18上に形成する。具体的には、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。ガスバリア層19の形状は、マスク成膜や、フォトリソグラフィー法により形成される。そして、ステップS5へ進む。ステップS5のBM形成工程では、図4bに示すように、少なくともガスバリア層19を覆う位置に、ブラックマトリクス層32aを形成する。ブラックマトリクス層32aは、低温成膜されたアルミニウムやクロム等の金属、もしくは、黒色に着色された樹脂で形成されているが、本実施例では、アルミニウムの場合について、説明する。アルミニウムを、蒸着もしくはスパッタリング法により、素子基板20A上全面に成膜する。次に、公知のフォトリソグラフィー法により、図4cに示すように、少なくとも着色層32r,32g,32bを形成する領域についてブラックマトリクス層32aを除去する。着色層32r,32g,32bを形成する領域については、ブラックマトリクス層32aを除去しなければならないが、その他の領域については、出来る限り除去しない。それにより、次に説明する着色層32r,32g,32b形成時に、素子基板20Aの外周近傍にブラックマトリクス層32aの段差が存在しないこととなる。そして、ステップS6へ進む。ステップS6の着色層形成工程では、図4dに示すように、着色層32r,32g,32bを形成する。まず、アクリル樹脂などの感光性樹脂層に、赤色、緑色、青色を示す顔料または染料を混合した着色層形成材料である色レジストをスピンコート法により塗布する。スピンコート法を用いて塗布することにより、均一な膜厚を有する色レジスト膜を形成することができる。また、ブラックマトリクス層32aの段差が素子基板20Aの外周近傍に存在しないため、スピンコート法を用いても色レジスト膜に塗布ムラが生じ難い。次に、公知の露光、現像技術により、色レジスト膜をパターニングして、必要な位置に着色層32r,32g,32bをそれぞれ形成する。もちろん、着色層32r,32g,32bは、色別に色レジストの塗布、露光、現像工程を繰り返して行う。着色層32r,32g,32bを形成する順番は任意である。一方、透明保護基板31側のステップS7の充填層形成工程では、図5aに示すように、透明保護基板31上に充填層34を形成する。充填層34は、素子基板20Aと貼り合わせる工程において、透明保護基板31からはみ出さないように塗布量を調整する。そして、ステップS8へ進む。ステップS8の貼り合わせ工程では、図5bに示すように、素子基板20Aと透明保護基板31の貼り合せを行う透明保護基板31の装着。貼り合せを行う方法は、1つの有機EL装置を単位として素子基板20Aと透明保護基板31とを貼り合わせてもよいし、複数の有機EL装置を単位として素子基板20Aが面付けされたマザー基板に対して透明保護基板31を貼り合わせてもよい。また、同様に、複数の有機EL装置を単位として透明保護基板31が面付けされたマザー基板と貼り合わせる形態であってもかまわない。ここでは、マザー基板に素子基板20Aが複数面付けされている形態、透明保護基板31については、1つの有機EL装置単位の形態であるものについて説明を行う。図5bに示すように、素子基板20Aの着色層32r,32g,32bが形成されている面と、透明保護基板31の充填層34が形成されている面とを向かい合わせて貼り合わせる。貼り合せ方法については、真空貼り合せ法により基板間に気泡が残らない形で実施することが望ましい。また、貼り合せ位置については、貼り合せ後の形状が図1の通り、透明保護基板31が素子基板20Aの端子部40を覆うことなく、陰極11の全面を覆うことができる位置になるように実施する。貼り合せ実施後、充填層34を硬化させる。硬化は、例えば、焼成温度60°C~100°Cの範囲で、焼成時間30分~4時間の範囲で焼成することにより実施する。そして、ステップS9へ進む。ステップS9のエッチング工程では、図5cに示すようにブラックマトリクス層32aのエッチングを行う。エッチングは、ブラックマトリクス層32aの材質が、アルミニウムの場合、塩素Cl2系ガスを用い、ドライエッチング法により実施する。この場合、エッチング前にフォトレジストでパターニングする必要は無く、透明保護基板31をマスクとして、少なくとも外部接続用端子41が露出するように素子基板20A上のブラックマトリクス層32aの一部ブラックマトリクス層32dを、エッチングする。また、ブラックマトリクス層32aの材質が、樹脂系材料の場合は、O2ガスによるアッシングにて、除去を行う。上記有機EL装置100の製造方法によれば、以下の効果が得られる。1BM形成工程において、素子基板20Aの外周近傍にブラックマトリクス層32aの段差が生じないようにブラックマトリクス層32aを残した状態でパターニングが行われる。そして、着色層形成工程において、スピンコート法を用いて色レジストを塗布するので、素子基板20Aの全面に亘って均一な色レジスト膜が形成される。この色レジスト膜をパターニングすることで、均一な膜厚を有する着色層32r,32g,32bを形成することができる。2エッチング工程において、透明保護基板31をマスクとして、平面的に透明保護基板31からはみ出た素子基板20Aのブラックマトリクス層32aをエッチングするので、フォトレジストを塗布する工程や、エッチング後にフォトレジストを除去する工程が削減でき、製造コストを削減することができる。すなわち、コストパフォーマンスに優れた有機EL装置100を製造することができる。[第2実施形態]次に、第2実施形態の有機EL装置とその製造方法について図6を参照して説明する。図6aおよびbは第2実施形態の有機EL装置の製造方法を示す概略断面図である。本実施形態の有機EL装置の製造方法は、第1実施形態と比べて、ガスバリア層形成工程と、エッチング工程とが異なっている。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。第2実施形態にかかる有機EL装置の製造方法ステップS1の素子形成工程からステップS3の有機緩衝層形成工程までは、第1実施形態と同様である。ステップS4のガスバリア層形成工程では、図6aに示すように、ガスバリア層19の成膜において、マスク成膜を行うことなく、ガスバリア層19を素子基板20A全面に亘って形成する。以降、BMブラックマトリクス形成から貼り合わせ工程までは、第1実施形態と同様に実施する。次に、エッチング工程では、図6bに示すように、透明保護基板31をマスクとして、ブラックマトリクス層32aとガスバリア層19とをエッチングする。つまり、透明保護基板31からはみ出たブラックマトリクス層32dとガスバリア層19aとを少なくとも外部接続用端子41が露出するようにエッチングして除去する。ここでは、ブラックマトリクス層32aがアルミニウムで形成され、ガスバリア層19が酸窒化シリコンで形成されている場合について説明する。エッチングチャンバー内で、まず、塩素Cl2系ガスを用い、ブラックマトリクス層32aのエッチングを行い、連続して、フッ素系のガスを用い、ガスバリア層19のエッチングを行う。上記第2実施形態の有機EL装置100の製造方法によれば、上記第1実施形態の効果1、2に加えて以下の効果が得られる。3ガスバリア層形成工程では、有機緩衝層18の端部を含め素子基板20Aの全面にガスバリア層19が形成される。ガスバリア層19が素子基板20Aの全面に亘って形成されていることにより、素子基板20Aの外周近傍にガスバリア層19による段差が存在しない。これによって、スピンコート法による着色層32r,32g,32b形成時の塗布ムラをさらに低減することができる。4エッチング工程では、ブラックマトリクス層32aとガスバリア層19とを透明保護基板31をマスクとして、同一工程でエッチングするので、上記第1実施形態に比べて、ガスバリア層19をパターニング形成する必要がなく、製造工程を簡略化して、さらに製造コストを低減させることができる。[第3実施形態]次に、第3実施形態の有機EL装置とその製造方法について図7を参照して説明する。図7aおよびbは第3実施形態の有機EL装置の製造方法を示す概略断面図である。本実施形態の有機EL装置の製造方法は、第1実施形態と比べて、有機緩衝層形成工程と、ガスバリア層形成工程と、エッチング工程とが異なっている。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。第3実施形態にかかる有機EL装置の製造方法ステップS1の素子形成工程からステップS2の電極保護層形成工程までは、第1実施形態と同様である。ステップS3では、図7aに示すように、有機緩衝層18に代えて無機膜23を素子基板20Aの全面に亘って形成する。このような無機膜23の形成方法としては、ポリシラザンを含む溶液をスピンコート法やロールコート法、スリットコート法を用いて塗布し、乾燥焼成してSiO2からなる無機膜23を形成する方法が挙げられる。そして、ステップS4のガスバリア層形成工程では、同じく図7aに示すように、ガスバリア層19の成膜において、マスク成膜を行うことなく、ガスバリア層19を素子基板20Aの全面に亘って形成する。これにより、素子基板20Aの表面がほぼ平坦なり、以降の工程において平坦な表面にブラックマトリクス層32aや着色層32r,32g,32bを形成することが可能となる。以降、BMブラックマトリクス形成から貼り合わせ工程までは、第1実施形態と同様に実施する。次に、エッチング工程では、図7bに示すように、透明保護基板31をマスクとして、ブラックマトリクス層32aと、ガスバリア層19と、無機膜23とをエッチングする。つまり、透明保護基板31からはみ出た部分のブラックマトリクス層32aとガスバリア層19と無機膜23とを少なくとも外部接続用端子41が露出するようにエッチングして除去する。ここでは、ブラックマトリクス層32aがアルミニウムで形成され、ガスバリア層19が酸窒化シリコンで形成され、無機膜23が酸化シリコンで形成されている場合について説明する。なお、図7aおよびbでは、陰極11を覆うように電極保護層17が形成されているが、電極保護層17を透明保護基板31からはみ出させ、上記エッチング工程後に、外部接続用端子41が設けられた端子部40において露出するように形成してもよい。エッチングチャンバー内で、まず、塩素Cl2系ガスを用い、ブラックマトリクス層32aのエッチングを行い、連続して、フッ素系のガスを用い、ガスバリア層19と無機膜23のエッチングを行う。上記第3実施形態の有機EL装置100の製造方法によれば、上記第1実施形態の効果1、2に加えて以下の効果が得られる。5無機膜23とガスバリア層19とが素子基板20Aの全面に亘って形成されていることにより、素子基板20Aの外周近傍に無機膜23とガスバリア層19とによる段差が存在しない。これによって、スピンコート法による着色層32r,32g,32b形成時の塗布ムラをさらに低減することができる。6エッチング工程では、ブラックマトリクス層32aと、ガスバリア層19と、無機膜23とを透明保護基板31をマスクとして、同一工程でエッチングするので、上記第1実施形態に比べて、無機膜23やガスバリア層19をパターニング形成する必要がなく、製造工程を簡略化して、さらに製造コストを低減させることができる。なお、上記第3実施形態では、有機緩衝層18に代えて無機膜23を成膜したが、これに限定されず、有機緩衝層18をそのまま用いてもよい。エッチング工程において透明保護基板31からはみ出した有機緩衝層18をエッチングする方法としては、例えばO2を処理ガスとしたドライエッチング法を用いることができる。<電子機器>次に、本実施形態の電子機器について図8を参照して説明する。図8aはHMDHeadMountedDisplayを示す斜視図、同図bはデジタルカメラを示す概略平面図である。図8aに示すように、電子機器としてのHMD1000は、観察者の頭部に装着するための環状の支持部1001と、観察者の左右の眼に対して画像を表示する表示部1002とを有している。図8bに示すように、電子機器としてのデジタルカメラ2000は、撮像素子を含む光学系を備えた本体2001を有している。本体2001には、撮像中の被写体を目視可能な電子ビューファインダーEVF;ElectronicViewFinder2003と、撮像後の被写体の映像などを表示可能なモニター2002とが設けられている。上記実施形態の有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置100に対して、実装工程として、例えばドライバーICなどが実装されたFPCFlexiblePrintedCircuitsを図1の端子部40に接続する。その後、用途に応じた製品に組み込む。組み込む製品としては、図8aに示すHMD1000の表示部1002や、図8bに示すデジタルカメラ2000のモニター2002、EVF2003など文字や画像を表示する装置が上げられる。いずれの製品においても上記実施形態の有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置100を用いることにより、低コストで、表示ムラのない映像を提供することが出来る。"