"1感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、2前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、3有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像すること、とを含んだパターン形成方法であって、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、A電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位Rを有する樹脂と、B溶剤とを含有しているパターン形成方法。前記樹脂Aが、更に、極性基を有する繰り返し単位を有する、請求項1に記載のパターン形成方法。前記極性基が、ヒドロキシル基、シアノ基、ラクトン基、カルボン酸基、スルホン酸基、アミド基、スルホンアミド基、アンモニウム基、スルホニウム基及びこれらの2つ以上を組み合わせてなる基より選択される、請求項2に記載のパターン形成方法。前記樹脂Aが、更に、酸性基を有する繰り返し単位を有する、請求項1に記載のパターン形成方法。前記酸性基が、フェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、又は、トリスアルキルスルホニルメチレン基のいずれかである、請求項4に記載のパターン形成方法。前記繰り返し単位Rにおける前記構造部位が、電子線又は極紫外線の照射により前記樹脂Aの側鎖に酸基を発生する構造である、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記繰り返し単位Rにおける前記構造部位が非イオン性の構造である、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記非イオン性の構造がオキシム構造である、請求項7に記載のパターン形成方法。前記樹脂Aは、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシル基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に有する、請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物が、疎水性樹脂を更に含有する、請求項1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。有機溶剤を含んだリンス液を用いて前記現像された膜を洗浄することを更に含んだ、請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を供せられる感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物。請求項12に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。請求項1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項14に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、電子線あるいは極紫外線EUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性高解像力など、高ラインウィズスラフネスLWR性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することにある。上記課題は、以下の構成により達成されることを見出した。11感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、2前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、3有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像すること、とを含んだパターン形成方法であって、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、A電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位Rを有する樹脂と、B溶剤とを含有しているパターン形成方法。2前記樹脂Aが、更に、極性基を有する繰り返し単位を有する、上記1に記載のパターン形成方法。3前記極性基が、ヒドロキシル基、シアノ基、ラクトン基、カルボン酸基、スルホン酸基、アミド基、スルホンアミド基、アンモニウム基、スルホニウム基及びこれらの2つ以上を組み合わせてなる基より選択される、上記2に記載のパターン形成方法。4前記樹脂Aが、更に、酸性基を有する繰り返し単位を有する、上記1に記載のパターン形成方法。5前記酸性基が、フェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、又は、トリスアルキルスルホニルメチレン基のいずれかである、上記4に記載のパターン形成方法。6前記繰り返し単位Rにおける前記構造部位が、電子線又は極紫外線の照射により前記樹脂Aの側鎖に酸基を発生する構造である、上記1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。7前記繰り返し単位Rにおける前記構造部位が非イオン性の構造である、上記1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。8前記非イオン性の構造がオキシム構造である、上記7に記載のパターン形成方法。9前記樹脂Aは、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシル基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に有する、上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。10前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物が、疎水性樹脂を更に含有する、上記1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。11有機溶剤を含んだリンス液を用いて前記現像された膜を洗浄することを更に含んだ、上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。12上記1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を供せられる感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物。13上記12に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。14上記1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。15上記14に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明によれば、高感度、高解像性高解像力など、高ラインウィズスラフネスLWR性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書において光とは、極紫外線EUV光のみならず、電子線も含む。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、極紫外線EUV光による露光のみならず、電子線による描画も露光に含める。[パターン形成方法]まず、本発明のパターン形成方法を説明する。本発明のパターン形成方法は、1感電子線性又は感極紫外線性樹脂を用いて膜を形成することと、2前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、3有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像すること、とを有している。そして、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、A電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位Rを有する樹脂と、B溶剤とを含有している。上記の本発明のパターン形成方法によれば、高感度、高解像性、高ラインウィズスラフネスLWR性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。その理由は定かではないが、以下のように推定される。先ず、上記繰り返し単位Rを有する樹脂を含有するレジスト膜に対して、電子線又は極紫外線により露光を行うパターン形成方法においては、光すなわち、電子線又は極紫外線が、レジスト膜中に存在する、二次電子を発生可能な部位典型的には、極性度又は酸性度が他の部位よりも高い部位に照射される。次いで、上記部位から発生した二次電子が、上記繰り返し単位Rにおける構造部位を分解して酸を発生させることにより、露光部において、酸と樹脂との反応が行われる。ここで、上記のレジスト膜を露光後、アルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成する場合においては、二次電子を発生可能な部位上記したように、典型的には、極性度や酸性度が高い部位をレジスト膜中に高い含有率で存在させると、露光部における酸と樹脂との反応効率は高くても、元々のレジスト膜の極性度や酸性度が高くなるため、未露光部までもがアルカリ現像液に溶けやすくなり、パターンの解像性等に悪影響を及ぼす傾向となる。そのため、アルカリ現像液によるポジ型のパターンを形成する場合においては、レジスト組成物において、二次電子を発生可能な部位の含有率を抑制するような処方とする必要があるものと考えられる。しかしながら、本発明者らは、電子線又は極紫外線により露光を行い、有機溶剤を含む現像液以下、有機系現像液とも言うによりネガ型のパターンを形成する系が、感度を向上させるために、レジスト膜中の二次電子を発生可能な部位の含有率を高くしても、未露光部の有機系現像液に対する溶解速度が充分に高く、良好な解像性が得られる系であることを見出した。これは、元々のレジスト膜は、樹脂を主成分としており、有機系現像液との親和性が高く、上記の二次電子を発生可能な部位の含有率の大小は、未露光部の有機系現像液に対する溶けやすさに大きな影響を与えないためと推測される。また、電子線又は極紫外線により露光を行うパターン形成方法は、極めて微細なパターン例えば、50nm以下の線幅を有するパターンを良好に形成できるものとして期待されている。しかしながら、例えば、線幅が50nm以下であり、かつ、線幅とスペース幅との比が1:1のラインアンドスペースパターンを形成する場合においては、現像時に形成された微細なスペース空間内には、より強い毛管力キャピラリーフォースが発生しやすく、上記スペース空間から現像液が排出される際には、この毛管力が、微細な線幅を有するパターンの側壁に掛かる。そして、アルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成する場合には、樹脂を主成分とするパターンとアルカリ現像液との親和性は低い傾向となるため、パターンの側壁に掛かる毛管力が大きく、パターンの倒れが発生しやすい。一方、本発明のように、有機系現像液によりネガ型のパターンを形成する場合、樹脂を主成分とするパターンと有機系現像液との親和性は高い傾向となるため、パターンの側壁に掛かる毛管力が小さく、パターンの倒れが発生しにくい。これにより、本発明によれば、高解像度を達成できる限界解像力に優れるものと考えられる。また、上記毛管力が小さいことが、ラインウィズスラフネスLWR性能の向上にも寄与したものと考えられる。更に、上記した本発明のパターン形成方法においては、樹脂Aが電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位Rを有しており、酸を発生する構造部位が樹脂に固定されているため、酸拡散長を抑制でき未露光部に酸が過度に拡散することを抑制でき、結果、解像性の向上に寄与したものと考えられる。また、上記繰り返し単位Rを有する樹脂を用いると、露光部における低分子量の酸の量を減らすことができる。よって、有機系現像液を用いた場合に、露光部の現像液に対する溶解性を低下させやすく、繰り返し単位Rを含んだ樹脂を用いた場合、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストが特に向上し、これは、解像度の向上に寄与するものと考えられる。一方、アルカリ現像液を用いた場合には、露光部が溶解するため、このような機構による溶解コントラストの向上は生じない。また、酸発生剤として、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する低分子化合物のみを使用する場合は、組成物及び組成物膜中において、酸発生剤の凝集が生じる可能性がある。これに対して、上記繰り返し単位Rを有する樹脂を用いると、このような凝集を抑止することができる。すなわち、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を、レジスト膜中において、比較的均一に分布させることができ、これが、LWR性能の向上に寄与したものと考えられる。すなわち、上記したように、有機系現像液を用いたネガ型のパターン形成方法を使用することによる感度の向上に加え、上記毛管力の低減と、上記繰り返し単位Rの機能との相乗効果によってもたらされたものと考えられる解像性及びLWR性能の更なる向上により、本発明は、高感度、高解像性、高LWR性能を極めて高次元で同時に満足したものと考えられる。<感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物>以下、本発明で使用し得る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物について説明する。本発明に係る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、ネガ型の現像露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像に用いられる。即ち、本発明に係る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる有機溶剤現像用の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。このように、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法に供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物にも関する。本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ネガ型のレジスト組成物即ち、有機溶剤現像用のレジスト組成物であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。本発明で使用する組成物は、[A]樹脂と、[B]溶剤とを含んでいる。この組成物は、[C]活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいう、[D]塩基性化合物、[E]疎水性樹脂、[F]界面活性剤、及び[G]その他の添加剤の少なくとも1つを更に含んでいてもよい。以下、これら各成分について、順に説明する。[A]樹脂本発明に係る組成物は、樹脂を含有している。この樹脂は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位以下、繰り返し単位Rともいうを含んでいる。1繰り返し単位R繰り返し単位Rは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えていれば、いかなる構造を有していてもよい。繰り返し単位Rは、下記一般式III~VIIの何れかにより表されることが好ましく、下記一般式III、VI及びVIIの何れかにより表されることがより好ましく、下記一般式IIIにより表されることが更に好ましい。式中、R04、R05及びR07~R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R06は、シアノ基、カルボキシ基、-CO-OR25又は-CO-NR26R27を表す。R06が-CO-NR26R27を表す場合、R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。X1~X3は、各々独立に、単結合、又は、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR33-若しくはこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26、R27及びR33は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Wは、-O-、-S-又はメチレン基を表す。lは、0又は1を表す。Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を表す。R04、R05及びR07~R09は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R04、R05及びR07~R09の各々は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。R04、R05及びR07~R09のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、20以下であることが好ましく、8以下であることがより好ましい。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基が挙げられる。R04、R05及びR07~R09のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、3~8であることが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が挙げられる。R04、R05及びR07~R09のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。これらのうち、フッ素原子が特に好ましい。R04、R05及びR07~R09のアルコキシカルボニル基のアルキル基部分としては、R04、R05及びR07~R09のアルキル基として先に挙げたのと同様のものが好ましい。R06は、シアノ基、カルボキシ基、-CO-OR25又は-CO-NR26R27を表す。R06は、カルボキシ基又は-CO-OR25であることが好ましい。X1~X3は、各々独立に、単結合、又は、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR33-若しくはこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。X1~X3の各々は、-COO-又はアリーレン基を含んでいることが好ましく、-COO-を含んでいることがより好ましい。X1~X3の2価の連結基が含み得るアリーレン基は、炭素数が6~14であることが好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基及びナフチレン基が挙げられる。X1~X3の2価の連結基が含み得るアルキレン基は、炭素数が1~8であることが好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、及びオクチレン基が挙げられる。X1~X3の2価の連結基が含み得るシクロアルキレン基は、炭素数が5~8であることが好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。R25は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R25は、アルキル基であることが好ましい。R26、R27及びR33は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキル基を表す。R26、R27及びR33の各々は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。R25~R27及びR33のアルキル基としては、例えば、R04、R05及びR07~R09のアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。R25~R27及びR33のシクロアルキル基としては、例えば、R04、R05及びR07~R09のシクロアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。R25~R27及びR33のアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2~6であることが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、及びヘキセニル基が挙げられる。R25~R27及びR33のシクロアルケニル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルケニル基の炭素数は、3~6であることが好ましい。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基が挙げられる。R25~R27及びR33のアリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基は、炭素数が6~14の芳香族基であることが好ましい。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基、及びナフチル基が挙げられる。なお、アリール基同士が互いに結合して、複環を形成していてもよい。R25~R27及びR33のアラルキル基は、炭素数が7~15であることが好ましい。このようなアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びクミル基が挙げられる。上述した通り、R26とR27とは、互いに結合して、窒素原子と共に環を形成していてもよい。この環は、5~8員環であることが好ましい。このような環としては、例えば、ピロリジン環、ピペリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。Wは、-O-、-S-又はメチレン基を表す。Wは、メチレン基であることが好ましい。lは、0又は1を表す。lは0であることが好ましい。上述した各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基;ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;例えばR04~R09、R25~R27及びR33について先に挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。置換基の炭素数は、8以下であることが好ましい。Aは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生じる構造部位を表す。この構造単位については、以下で詳しく説明する。繰り返し単位Rが備えている活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生じる構造部位例えば、上記Aにより表される構造部位としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、及びマイクロレジスト等に使用されている、光により酸を発生する化合物が有する構造部位が挙げられる。上記構造部位は、活性光線又は放射線の照射により樹脂の側鎖に酸基を発生する構造を有していることが好ましい。このような構造を採用すると、発生した酸の拡散が更に抑制され、解像度、露光ラチチュードEL及びパターン形状を更に改善することが可能となる。この構造部位は、イオン性の構造を有していてもよく、非イオン性の構造を有していてもよい。上記構造部位としては、非イオン性の構造部位を採用することが好ましい。こうすると、上記構造部位としてイオン性の構造部位を採用した場合と比較して、ラフネス特性を更に向上させることができる。その理由は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、以下のように推測している。即ち、有機溶剤を含んだ現像液を用いた場合、非イオン性の構造を採用することに起因して、非露光部の現像液への溶解性が更に向上する。そのため、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストが更に向上する。また、アルカリ現像液を用いた場合にも、非露光部が非イオン性の構造を有していることにより、膜減りが更に生じ難くなる。その結果として、パターン形状を更に良化することができる。非イオン性の構造部位上述した通り、繰り返し単位Rは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生じる非イオン性の構造部位を備えていることが好ましい。このような非イオン性の構造部位の好ましい例としては、オキシム構造を備えた構造部位が挙げられる。非イオン性の構造部位としては、例えば、下記一般式N1により表される構造部位が挙げられる。この構造部位は、オキシムスルホネート構造を有している。式中、R1及びR2は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。ここで、アリール基及びアラルキル基における芳香環は、芳香族複素環であってもよい。X1及びX2は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。X1及びX2は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R1及びR2のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、30以下であることが好ましく、18以下であることがより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、及びドデシル基が挙げられる。R1及びR2のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、3~30であることが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が挙げられる。R1及びR2のアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2~30であることが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、及びヘキセニル基が挙げられる。R1及びR2のシクロアルケニル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルケニル基の炭素数は、3~30であることが好ましい。このようなシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基が挙げられる。R1及びR2のアリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基は、炭素数が6~30の芳香族基であることが好ましい。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、及びターフェニル基が挙げられる。なお、アリール基同士が互いに結合して、複環を形成していてもよい。R1及びR2のアラルキル基は、炭素数が7~15であることが好ましい。このようなアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びクミル基が挙げられる。なお、上述した通り、アリール基及びアラルキル基における芳香環は、芳香族複素環であってもよい。即ち、これら基は、酸素原子、窒素原子、及び硫黄原子などのヘテロ原子を含んだ複素環構造を有していてもよい。上記の各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基;ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;例えばR1及びR2について先に挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。置換基の炭素数は、8以下であることが好ましい。X1及びX2の2価の連結基としては、例えば、以下に挙げる基、又は、これら構造単位の少なくとも2つを組み合わせてなる基を挙げることができる。これら連結基は、置換基を有していてもよい。X1又はX2としての2価の連結基の原子数は、40以下であることが好ましい。上記2価の連結基が有していてもよい置換基としては、例えば、先にR1及びR2について説明したのと同様のものが挙げられる。上述した通り、X1及びX2は、互いに結合して、環を形成していてもよい。この環は、5~7員環であることが好ましい。また、この環は、硫黄原子又は不飽和結合を含んでいてもよい。上記一般式N1により表される構造部位は、下記一般式N1-I及びN1-IIの何れかにより表されることがより好ましい。式中、R1aは、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~18、鎖中に2価の連結基を有していてもよい。、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、環内に2価の連結基を有していてもよい、単環若しくは多環のアリール基好ましくは炭素数6~30、複数のアリール基が単結合、エーテル基又はチオエーテル基を介して結合してもよい、ヘテロアリール基好ましくは炭素数6~30、アルケニル基好ましくは炭素数2~12、シクロアルケニル基好ましくは炭素数4~30、アラルキル基好ましくは炭素数7~15、ヘテロ原子を有していてもよい、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~6又はフェノキシカルボニル基を表す。R2aは、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~18、鎖中に2価の連結基を有していてもよい。、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、環内に2価の連結基を有していてもよい、単環若しくは多環のアリール基好ましくは炭素数6~30、複数のアリール基が単結合、エーテル基、又はチオエーテル基を介して結合してもよい、ヘテロアリール基好ましくは炭素数6~30、アルケニル基好ましくは炭素数2~12、シクロアルケニル基好ましくは炭素数4~30、アラルキル基好ましくは炭素数7~15、ヘテロ原子を有していてもよい、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~6、フェノキシカルボニル基、アルカノイル基好ましくは炭素数2~18、ベンゾイル基、ニトロ基、-SOp-アルキル基好ましくは炭素数1~18、式中pは1又は2を表す、-SOp-アリール基好ましくは炭素数6~12、式中pは1又は2を表す、-SO2O-アルキル基好ましくは炭素数1~18又は-SO2O-アリール基好ましくは炭素数6~12を表す。R1a及びR2aは、互いに結合して、環好ましくは5~7員環を形成していてもよい。mは、0又は1を表す。R3a及びR4aは、各々独立に、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~18、鎖中に2価の連結基を有していてもよい。、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、環内に2価の連結基を有していてもよい、単環若しくは多環のアリール基好ましくは炭素数6~30、複数のアリール基が単結合、エーテル基、チオエーテル基を介して結合してもよい、ヘテロアリール基好ましくは炭素数6~30、アルケニル基好ましくは炭素数2~12、シクロアルケニル基好ましくは炭素数4~30、シアノ基、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~6、フェノキシカルボニル基、アルカノイル基好ましくは炭素数2~18、ベンゾイル基、ニトロ基、シアノ基、-SOp-アルキル基好ましくは炭素数1~18、式中pは1又は2を表す、-SOp-アリール基好ましくは炭素数6~12、式中pは1又は2を表す、-SO2O-アルキル基好ましくは炭素数1~18又は-SO2O-アリール基好ましくは炭素数6~12を表す。R3a及びR4aは、互いに結合して、環好ましくは5~7員環を形成していてもよい。R5a及びR6aは、各々独立に、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~18、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~30、環内に2価の連結基を有していてもよい、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アリール基好ましくは炭素数6~30又はヘテロアリール基好ましくは炭素数6~30を表す。R1a~R6a中の2価の連結基としては、前記一般式N1におけるX1およびX2と同様の2価の連結基が挙げられ、エーテル基又はチオエーテル基がより好ましい。Gは、エーテル基又はチオエーテル基を表す。上述した各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基;ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子;ニトロ基;シアノ基;アミド基;スルホンアミド基;例えば一般式N1のR1及びR2について先に挙げたアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、及びブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基;アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。置換基の炭素数は、8以下であることが好ましい。以下に、一般式N1-I又はN1-IIにより表される基の具体例を挙げる。或いは、非イオン性の構造部位として、下記一般式N2~N9の何れかにより表される構造部位も挙げられる。非イオン性の構造部位としては、一般式N1~N4の何れかにより表される構造部位がより好ましく、一般式N1により表される構造部位が更に好ましい。式中、Ar6及びAr7は、各々独立に、アリール基を表す。このアリール基としては、例えば、先にR25~R27及びR33について説明したのと同様のものが挙げられる。R04は、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。このアルケニレン基は、炭素数が2~6であることが好ましい。このようなアルケニレン基としては、例えば、エテニレン基、プロペニレン基及びブテニレン基が挙げられる。このアルケニレン基は、置換基を有していてもよい。R04のアリーレン基及びアルキレン基並びにR04により表される基が有していてもよい置換基としては、例えば、先に一般式III~VIIにおけるX1~X3の2価の連結基について説明したのと同様のものが挙げられる。R05~R09、R013及びR015は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基が挙げられる。これら基としては、例えば、先にR25~R27及びR33について説明したのと同様のものが挙げられる。なお、R05~R09、R013及びR015のアルキル基が置換基を有している場合、このアルキル基は、ハロアルキル基であることが好ましい。R011及びR014は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子、先に好ましい置換基として示したアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアシロキシ基を表す。R012は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、又は、過フルオロアルキル基を表す。この過フルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基及びペンタフルオロエチル基が挙げられる。非イオン性の構造部位の具体例としては、後述する繰り返し単位Rの具体例における対応した部位を挙げることができる。イオン性の構造部位上述した通り、繰り返し単位Rは、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生じるイオン性の構造部位を備えていてもよい。イオン性の構造部位としては、例えば、オニウム塩を含んだ構造部位が挙げられる。このような構造単位としては、例えば、下記一般式ZI及びZIIの何れかにより表される構造単位が挙げられる。下記一般式ZI及びZIIにより表される構造単位は、それぞれ、スルホニウム塩及びヨードニウム塩を含んでいる。まず、一般式ZIにより表される構造単位について説明する。一般式ZI中、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを示し、非求核性アニオンが好ましい。非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン-SO3-、カルボン酸アニオン-CO2-、イミド酸アニオン、及びメチド酸アニオンが挙げられる。このイミド酸アニオンは、下記一般式AN-1により表されることが好ましい。また、メチド酸アニオンは、下記一般式AN-2により表されることが好ましい。式中、XA、XB1及びXB2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。RA、RB1及びRB2は、各々独立に、アルキル基を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、フッ素原子が特に好ましい。なお、RB1とRB2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、RA、RB1及びRB2の各々は、繰り返し単位Rの側鎖を構成している任意の原子と結合して、環を形成していてもよい。この場合、RA、RB1及びRB2の各々は、例えば、単結合又はアルキレン基を表す。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより樹脂の経時安定性が向上し、組成物の経時安定性も向上する。上記一般式ZIにおけるR201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する構造単位ZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。構造単位ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である構造単位である。即ち、構造単位ZI-1は、アリールスルホニウムをカチオンとする構造単位である。この構造単位では、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。構造単位ZI-1としては、例えば、トリアリールスルホニウム、ジアリールアルキルスルホニウム、アリールジアルキルスルホニウム、ジアリールシクロアルキルスルホニウム、アリールジシクロアルキルスルホニウムに相当する構造単位を挙げることができる。アリールスルホニウムにおけるアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等の構造を挙げることができる。アリールスルホニウムが2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウムが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、構造単位ZI-2について説明する。構造単位ZI-2は、一般式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す構造単位である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。構造単位ZI-3とは、下記一般式ZI-3により表される構造単位である。この構造単位は、フェナシルスルフォニウム塩構造を有している。式中、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はフェニルチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。Zc-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを表し、好ましくは、非求核性アニオンを表す。このアニオンとしては、一般式ZIに於けるZ-と同様のものを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐もしくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。以下に、構造単位ZI-3のカチオン部分の具体例を挙げる。構造単位ZI-4は、下記一般式ZI-4により表される構造単位である。式中、R13は水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又は単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを表し、好ましくは、非求核性アニオンを表す。このアニオンとしては、一般式ZIに於けるZ-と同様のものを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14の単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基としては、例えば、単環もしくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環もしくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンタンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。例えば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル骨格を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンタンチルメトキシ基、アダマンタンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。以下に、構造単位ZI-4のカチオン部分の具体例を挙げる。次に、一般式ZIIにより表される構造単位について説明する。一般式ZII中、R204~R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基の具体例や好適な態様などは、前述の構造単位ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の構造単位ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。Z-は、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する酸アニオンを示し、非求核性アニオンが好ましく、一般式ZIに於けるZ-と同様のものを挙げることができる。イオン性の構造単位としては、下記一般式ZCI又はZCIIにより表される構造単位も好ましい。式中、R301、R302は、各々独立に、有機基を表す。R301、R302としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R301~R302が結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。R301、R302の有機基として具体的には、例えば前記一般式ZIにおけるR201~R203の例として挙げたアリール基、アルキル基、シクロアルキル基等を挙げることができる。Mは、プロトンが付与して酸を形成する原子団を表す。R303は有機基を表す。R303としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。R303の有機基として具体的には、例えば前記一般式ZIIにおけるR204、R205の具体例として挙げたアリール基、アルキル基、シクロアルキル基等を挙げることができる。以下に、イオン性の構造単位の具体例を挙げる。繰り返し単位Rとしては、下記一般式III-1~III-6、一般式IV-1~IV-4、及び一般式V-1~V-2の何れかにより表されるものも挙げることができる。上記一般式中、Ar1aは、先に一般式III~VIIにおけるX1~X3について説明したのと同様のアリーレン基を表す。Ar2a~Ar4aは、前記の一般式ZI及びZIIにおけるR201~R203及びR204~R205について説明したのと同様のアリール基を表す。R01は、水素原子、メチル基、クロロメチル基、トリフルオロメチル基、又はシアノ基を表す。R02及びR021は、先に一般式III~VIIにおけるX1~X3について説明したのと同様の、単結合、アリーレン基、アルキレン基、シクロアルキレン基、-O-、-SO2-、CO-、-NR33-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を表す。R03及びR019は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表す。これら基としては、例えば、先に一般式IVにおけるR25について説明したのと同様のものが挙げられる。繰り返し単位Rの好ましいものとして、更に、下記一般式I-7~I-34の何れかにより表されるものを挙げることができる。上記一般式中、Ar1及びAr5は、例えば先に一般式III~VIIにおけるX1~X3について説明したのと同様のアリーレン基を表す。Ar2~Ar3及びAr6~Ar7は、例えば先にR25~R27及びR33について説明したのと同様のアリール基を表す。R01は、先に一般式III-1~III-6、一般式IV-1~IV-4、及び一般式V-1~V-2について説明したものと同義である。R02は、例えば先にX1~X3について説明したのと同様の、アリーレン基、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。R03、R05~R010、R013及びR015は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。R04は、アリーレン基、アルキレン基、又はアルケニレン基を表す。このアルケニレン基としては、置換基を有していてもよい、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数2~6個のアルケニレン基が好ましい。R011及びR014は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、例えば先に好ましい更なる置換基として示したアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアシロキシ基を表す。R012は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、又は、トリフルオロメチル基及びペンタフルオロエチル基等の過フルオロアルキル基を表す。X-は、酸アニオンを表す。X-としては、例えば、アリールスルホン酸、ヘテロアリールスルホン酸、アルキルスルホン酸、シクロアルキルスルホン酸、及び過フルオロアルキルスルホン酸のアニオンが挙げられる。樹脂に占める繰り返し単位Rの含有量は、全繰り返し単位に対して、0.5~80モルの範囲内であることが好ましく、1~60モルの範囲内であることがより好ましく、3~40モルの範囲内であることが更に好ましく、5~35モルの範囲内であることが特に好ましく、10~30モルの範囲内であることが最も好ましい。繰り返し単位Rに相当するモノマーの合成方法としては、特に限定されないが、例えば、前記繰り返し単位に対応する重合性不飽和結合を有する酸アニオンと既知のオニウム塩のハライドを交換して合成する方法が挙げられる。より具体的には、前記繰り返し単位に対応する重合性不飽和結合を有する酸の金属イオン塩例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等あるいはアンモニウム塩アンモニウム、トリエチルアンモニウム塩等と、ハロゲンイオン塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等を有するオニウム塩を、水あるいはメタノールの存在下で攪拌し、アニオン交換反応を行い、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロキシフラン等の有機溶媒と水で分液洗浄操作をすることにより、目的とする繰り返し単位Rに相当するモノマーを合成することができる。また、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロキシフラン等の水との分離が可能な有機溶媒と水の存在下で攪拌してアニオン交換反応を行った後に、水で分液洗浄操作をすることによって合成することもできる。以下に、繰り返し単位Rの具体例を挙げる。2酸分解性基を備えた繰り返し単位樹脂Aは、典型的には、酸分解性基酸の作用により分解して極性基を生じる基を備えた繰り返し単位を更に含んでいる。この繰り返し単位は、酸分解性基を、主鎖及び側鎖の一方に備えていてもよく、これらの両方に備えていてもよい。酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基によって保護された構造を有していることが好ましい。この極性基としては、例えば、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコール性ヒドロキシ基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、及びトリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。好ましい極性基としては、例えば、カルボキシ基、アルコール性ヒドロキシ基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、及びスルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの極性基の水素原子を、酸の作用により脱離する基で置換した基である。酸の作用により脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、及び-CR01R02OR39が挙げられる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。好ましい酸分解性基としては、例えば、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基、及びアルコール性ヒドロキシ基が挙げられる。特に好ましい酸分解性基としては、例えば、第3級アルキルエステル基及びアルコール性ヒドロキシ基が挙げられる。酸分解性基を備えた好ましい繰り返し単位としては、例えば、後述する繰り返し単位R1、繰り返し単位R2及び繰り返し単位R3の少なくとも一つが挙げられる。<繰り返し単位R1>繰り返し単位R1は、酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を備えている。繰り返し単位R1は、例えば、下記一般式AIにより表される。式中、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、各々独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐、シクロアルキル基単環若しくは多環、アリール基、又はアラルキル基を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、環単環若しくは多環を形成していてもよい。上記一般式AIにより表される繰り返し単位は、酸の作用により分解して、下記一般式AI’により表される繰り返し単位へと変換される。式中、Xa1及びTは、一般式AIにおける各々と同義である。一般式AIにより表される繰り返し単位が一般式AI’により表される繰り返し単位へと変換されることにより、樹脂の溶解パラメータが変化する。この変化の大きさは、例えば、一般式AIにおける各基特にはRx1~Rx3により表される基の構成、及び、樹脂Aの全繰り返し単位に対する一般式AIにより表される繰り返し単位の含有量に依存する。一般式AIにおけるXa1及びTは、典型的には、酸の作用による分解の前後で変化しない。したがって、これら基は、一般式AIにより表される繰り返し単位に必要な性質に応じて適宜選択することができる。Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。このR9としては、例えば、アシル基又は炭素数5以下のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は、好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tの2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、-COO-Rt-基、及び-O-Rt-基が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基、シクロアルキレン基を表す。Tは、単結合、アリーレン基、又は-COO-Rt-基が好ましい。アリーレン基は、1,4-フェニレン基、1,3-フェニレン基、1,2-フェニレン基、又は1,4-ナフチレン基であることが好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、又は-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3のアリール基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メチルフェニル基及び4―メトキシフェニル基などを挙げることができる。Rx1~Rx3のアラルキル基としては、ベンジル基及び1-ナフチルメチル基などを挙げることができる。Rx1~Rx3の2つが結合して形成される環としては、シクロペンタン環及びシクロヘキサン環などの単環の脂肪族炭化水素環、又は、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環及びアダマンタン環などの多環の脂肪族炭化水素環が好ましい。これらのうち、炭素数5~6の単環の脂肪族炭化水素環が特に好ましい。特には、Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述の環を形成している態様が好ましい。上記各基及び環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。樹脂Aは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、下記一般式Iにより表される繰り返し単位及び下記一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んでいることがより好ましい。式IおよびII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5及びR6は、各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。Rは、R2が結合している炭素原子と共に脂環構造を形成するために必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるアリール基は単環でも多環でもよく、置換基を有してもよい。アリール基としては、好ましくは炭素数6~18であり、例えばフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メチルフェニル基、4―メトキシフェニル基、4-ビフェニル基が挙げられる。R2におけるアラルキル基は単環でも多環でもよく、置換基を有してもよい。アラルキル基は、好ましくは炭素数7~19であり、例えばベンジル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、α-メチルベンジル基が挙げられる。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5または6である。R3は好ましくは水素原子またはメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5及びR6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5及びR6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R4、R5及びR6におけるアリール基は単環でも多環でもよく、置換基を有してもよい。アリール基としては、好ましくは炭素数6~18であり、例えばフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メチルフェニル基、4―メトキシフェニル基、4-ビフェニル基が挙げられる。R4、R5及びR6におけるアラルキル基は単環でも多環でもよく、置換基を有してもよい。アラルキル基は、好ましくは炭素数7~19であり、例えばベンジル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、α-メチルベンジル基が挙げられる。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式1における各々と同義である。また、一般式IIにより表される繰り返し単位は、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、一般式IIにおけるものと同義である。樹脂Aは、繰り返し単位R1を2種類以上含んでいてもよい。例えば、樹脂Aは、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んでいてもよい。樹脂Aが繰り返し単位R1を含んでいる場合、その合計としての含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~90molであり、更に好ましくは30~80molである。繰り返し単位R1の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基、炭素数6~18のアリール基又は炭素数7~19のアラルキル基を表す。樹脂Aが複数の繰り返し単位R1を含んでいる場合、それらの組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。また、樹脂Aは、繰り返し単位R1として、下記一般式BZで表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式BZ中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6~20のものが好ましく、炭素数6~15のものがより好ましい。ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。ARとしてのアリール基は、それぞれ、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1~5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。また、一般式BZにより表される繰り返し単位は、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。また、一般式BZにより表される繰り返し単位において、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1~5のものが好ましく、炭素数1~3のものがより好ましい。Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3~15のものが挙げられる。Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6~14のものが好ましい。Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。R1は、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。R1のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。R1が置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいR1としては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。R1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。R1のアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にR1のアルキル基として挙げた構成を採用することができる。RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、一般式BZにより表される繰り返し単位の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。<繰り返し単位R2>繰り返し単位R2は、酸の作用により分解してフェノール性水酸基を生じる基を備えている。繰り返し単位R2は、例えば、下記一般式VIにより表される。一般式VI中、R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。X6は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L6は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar6は、n1価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表す。一般式VIについて更に詳細に説明する。一般式VIにおけるR61~R63のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R61~R63におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよく、好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個の単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。R62がアルキレン基を表す場合、アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。X6により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X6としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L6におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。R62とL6とが結合して形成する環は、5又は6員環であることが特に好ましい。Ar6は、n1価の芳香環基を表す。nが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが2以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、n-1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。n1価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、上述した一般式VにおけるR51~R53により表わされる各基が有し得る置換基と同様の具体例が挙げられる。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。n個のY2は、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、n個中の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。酸の作用により脱離する基Y2としては、例えば、-CR36R37R38、-C=O-O-CR36R37R38、-CR01R02OR39、-CR01R02-C=O-O-CR36R37R38、-CHR36Ar等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。Arは、1価の芳香環基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02及びArの1価の芳香環基は、炭素数6~10の1価の芳香環基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基としては、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが、互いに結合して形成する環は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等を挙げることができる。尚、シクロアルキル構造中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02、及びArとしての上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。酸の作用により脱離する基Y2としては、下記一般式VI-Aで表される構造がより好ましい。ここで、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基を表す。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環好ましくは、5員もしくは6員環を形成してもよい。L1及びL2としてのアルキル基は、例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。L1及びL2としてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3~15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としての1価の芳香環基は、例えば炭素数6~15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としてのアルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基は、例えば、炭素数6~20であって、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基が挙げられる。Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など、シクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など、アルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など、2価の芳香環基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など、-S-、-O-、-CO-、-SO2-、-NR0-、およびこれらの複数を組み合わせた2価の連結基である。R0は、水素原子またはアルキル基例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基などである。Qとしてのアルキル基は、上述のL1及びL2としての各基と同様である。Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基及びヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基に於ける、ヘテロ原子を含まない肪族炭化水素環基及びへテロ原子を含まない1価の芳香環基としては、上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、及び1価の芳香環基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3~15である。ヘテロ原子を含むシクロアルキル基及びヘテロ原子を含む1価の芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環であれば、これらに限定されない。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して形成してもよい環としては、Q、M、L1の少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員または6員環を形成する場合が挙げられる。一般式VI-AにおけるL1、L2、M、Qで表される各基は、置換基を有していてもよく、例えば、前述のR36~R39、R01、R02、及びArが有してもよい置換基として説明したものが挙げられ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。-M-Qで表される基として、炭素数1~30個で構成される基が好ましく、炭素数5~20個で構成される基がより好ましい。以下に繰り返し単位R2の好ましい具体例として、一般式VIで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。一般式VIで表される繰り返し単位は、酸分解性基が分解することによりフェノール性の水酸基を生成する繰り返し単位であるが、この場合、露光部における樹脂の有機溶剤による溶解性が十分低くなりにくい傾向があり、解像度の点ではあまり加えない方が好ましい場合がある。この傾向は、ヒドロキシスチレン類に由来する繰り返し単位すなわち、一般式VIにおいて、X6とL6とがいずれも単結合である場合により強く表れ、その原因は定かではないが、例えば主鎖の近傍にフェノール性水酸基が存在するためと推測される。そこで、本発明においては、酸分解性基が分解することによりフェノール性水酸基を生じる繰り返し単位例えば、上記一般式VIで表される繰り返し単位であり、好ましくは、一般式VIで表される繰り返し単位であって、X6とL6とがいずれも単結合であるものの含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、4モル以下であることが好ましく、2モル以下であることがより好ましく、0モルであるすなわち、含有されないことが最も好ましい。<繰り返し単位R3>繰り返し単位R3は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位である。樹脂Aがこのような繰り返し単位を含んでいる場合、酸分解性基の分解による樹脂Aの極性変化が大きくなり、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストが更に向上する。また、この場合、露光後加熱PEB時の膜厚の低下を更に抑制することができる。加えて、この場合、アルカリ現像液及び有機溶剤を含んだ現像液の何れを用いた場合でも、解像力を更に向上させることが可能となる。なお、上記の基が酸の作用により分解して生じ得るアルコール性ヒドロキシ基のpKaは、例えば12以上であり、典型的には12以上且つ20以下である。このpKaが過度に小さいと、樹脂Aを含んだ組成物の安定性が低下し、レジスト性能の経時変動が大きくなる場合がある。なお、ここでpKaとは、富士通株式会社製ACD/pKaDBを用いて、カスタマイズをしていない初期設定のもとで計算した値である。繰り返し単位R3は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を2つ以上備えていることが好ましい。こうすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。繰り返し単位R3は、下記一般式I-1乃至I-10からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。この繰り返し単位は、下記一般式I-1乃至I-3からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1により表されることが更に好ましい。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。なお、一般式I-2、I-3又はI-8においてR2が単結合を表す場合、nは1である。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。Raは、水素原子又は炭素数が1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Wは、メチレン基又は酸素原子であることが好ましい。R1は、n1価の有機基を表す。R1は、好ましくは、非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R1は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1は、より好ましくは、脂環状炭化水素基である。R2は、単結合又はn1価の有機基を表す。R2は、好ましくは、単結合又は非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R2は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1及び/又はR2が鎖状炭化水素基である場合、この鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数は、1~8であることが好ましい。例えば、R1及び/又はR2がアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基又はsec-ブチレン基であることが好ましい。R1及び/又はR2が脂環状炭化水素基である場合、この脂環状炭化水素基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂環状炭化水素基は、例えば、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えている。この脂環状炭化水素基の炭素数は、通常は5以上であり、6~30であることが好ましく、7~25であることがより好ましい。この脂環状炭化水素基としては、例えば、以下に列挙する部分構造を備えたものが挙げられる。これら部分構造の各々は、置換基を有していてもよい。また、これら部分構造の各々において、メチレン基-CH2-は、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、カルボニル基-C=O-、スルホニル基-S=O2-、スルフィニル基-S=O-、又はイミノ基-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基によって置換されていてもよい。例えば、R1及び/又はR2がシクロアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、アダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカヒドロナフチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、又はシクロドデカニレン基であることが好ましく、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、テトラシクロドデカニレン基又はトリシクロデカニレン基であることがより好ましい。R1及び/又はR2の非芳香族性の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~4のアルコキシ基、カルボキシ基、及び炭素数2~6のアルコキシカルボニル基が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシ基が挙げられる。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。L1は、好ましくは-COO-、-CONH-又は-Ar-により表される連結基であり、より好ましくは-COO-又は-CONH-により表される連結基である。Rは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。Rは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。R0は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキニル基、及びアルケニル基が挙げられる。R0は、好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは、水素原子又はメチル基である。L3は、m2価の連結基を表す。即ち、L3は、3価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、n1価の連結基を表す。即ち、RLは、2価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基及び後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、互いに結合して又は下記RSと結合して、環構造を形成していてもよい。RSは、置換基を表す。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。nは、1以上の整数である。nは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。また、nを2以上とすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることが可能となる。従って、こうすると、限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。mは、1以上の整数である。mは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。lは、0以上の整数である。lは、0又は1であることが好ましい。pは、0~3の整数である。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ra及びOPは、一般式I-1乃至I-3における各々と同義である。また、複数のOPが互いに結合して環を形成している場合、対応する環構造は、便宜上O-P-Oと表記している。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-1~II-4からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。式中、R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、各々独立に、1価の有機基を表す。R4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのR5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-5~II-9からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることも好ましい。式中、R4は、一般式II-1~II-3におけるものと同義である。R6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、一般式II-1乃至II-3から選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、一般式II-1又はII-3により表されることが更に好ましく、一般式II-1により表されることが特に好ましい。R3は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。R3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。R3のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~3であることがより好ましい。R3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、及びn-ブチル基が挙げられる。R3のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。R3のシクロアルキル基の炭素数は、3~10であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。R3のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。また、一般式II-1において、R3の少なくとも一方は、1価の有機基であることが好ましい。このような構成を採用すると、特に高い感度を達成することができる。R4は、1価の有機基を表す。R4は、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。これらアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R4のアルキル基は、置換基を有していないか、又は、1つ以上のアリール基及び/又は1つ以上のシリル基を置換基として有していることが好ましい。無置換アルキル基の炭素数は、1~20であることが好ましい。1つ以上のアリール基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~25であることが好ましい。1つ以上のシリル基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~30であることが好ましい。また、R4のシクロアルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、3~20であることが好ましい。R5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。但し、3つのR5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りのR5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。R5は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。アルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが好ましい。R6は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、水素原子又は置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。R6は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~10であり且つ置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。なお、R4、R5及びR6のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にR3について説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基の具体例を示す。以下に酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。樹脂Aは、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位R3を2種類以上含んでいてもよい。このような構成を採用すると、反応性及び/又は現像性の微調整が可能となり、諸性能の最適化が容易となる。樹脂Aが繰り返し単位R3を含んでいる場合、その合計としての含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、好ましくは10mol~99molの範囲内とし、より好ましくは30mol~90molの範囲内とし、更に好ましくは50mol~80molの範囲内とする。その他、酸分解性基を備えた繰り返し単位の具体例としては、以下の繰り返し単位も挙げることができる。酸分解性基を備えた繰り返し単位の含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、好ましくは10mol~99molの範囲内とし、より好ましくは20mol~90molの範囲内とし、更に好ましくは30mol~80molの範囲内とする。3その他の繰り返し単位樹脂Aは、他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。このような繰り返し単位としては、例えば、下記繰り返し単位3A、3B及び3Cが挙げられる。3A極性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、極性基を有する繰り返し単位3Aを更に含んでいてもよい。こうすると、例えば、樹脂Aを含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。繰り返し単位3Aが含み得る極性基としては、例えば、以下の1~4が挙げられる。なお、以下において、電気陰性度とは、Paulingによる値を意味している。1酸素原子と、酸素原子との電気陰性度の差が1.1以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、ヒドロキシ基などのO-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。2窒素原子と、窒素原子との電気陰性度の差が0.6以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、アミノ基などのN-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。3電気陰性度が0.5以上異なる2つの原子が二重結合又は三重結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、C≡N、C=O、N=O、S=O又はC=Nにより表される構造を含んだ基が挙げられる。4イオン性部位を有する官能基このような極性基としては、例えば、N又はSにより表される部位を有する基が挙げられる。繰り返し単位3Aが含み得る極性基は、例えば、Iヒドロキシ基、IIシアノ基、IIIラクトン基、IVカルボン酸基又はスルホン酸基、Vアミド基、スルホンアミド基又はこれらの誘導体に対応した基、VIアンモニウム基又はスルホニウム基、及び、これらの2以上を組み合わせてなる基からなる群より選択される少なくとも1つである。この極性基は、アルコール性ヒドロキシ基、シアノ基、ラクトン基、又は、シアノラクトン構造を含んだ基であることが特に好ましい。樹脂Aにアルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂Aを含んだ組成物の露光ラチチュードELを更に向上させることができる。樹脂Aにシアノ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂Aを含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。樹脂Aにラクトン基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂Aを含んだ組成物のドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。樹脂Aにシアノ基を有するラクトン構造を含んだ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂Aを含んだ組成物の感度、ドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。加えて、こうすると、シアノ基及びラクトン基のそれぞれに起因した機能を単一の繰り返し単位に担わせることが可能となり、樹脂Aの設計の自由度を更に増大させることも可能となる。以下に、極性基が含み得る構造の具体例を挙げる。以下の具体例において、X-は対アニオンを表す。好ましい繰り返し単位3Aとしては、例えば、上記の繰り返し単位R2において、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換したものが挙げられる。このような繰り返し単位3Aは、上記一般式I-1乃至I-10の各々において、OPをOHに置換した構造を有していることが好ましい。即ち、この繰り返し単位は、下記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。特には、この繰り返し単位3Aは、下記一般式I-1H乃至I-3Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1Hにより表されることが更に好ましい。式中、Ra、R1、R2、W、n、m、l、L1、R、R0、L3、RL、RS及びpは、一般式I-1乃至I-10における各々と同義である。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位と、上記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表される繰り返し単位とを併用すると、例えば、アルコール性ヒドロキシ基による酸拡散の抑制と、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基による感度の増大とにより、他の性能を劣化させることなしに、露光ラチチュードELを改良することが可能となる。上記の繰り返し単位R2において、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換した繰り返し単位Aの含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~99molが好ましく、より好ましくは10~90mol、更に好ましくは20~80molである。以下に、一般式I-1H乃至I-10Hの何れかにより表される繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Raは、一般式I-1H乃至I-10Hにおけるものと同義である。他の好ましい繰り返し単位3Aとしては、例えば、ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位が挙げられる。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましいヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdにより表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~70molが好ましく、より好ましくは5~60mol、更に好ましくは10~50molである。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。他の好ましい繰り返し単位3Aとしては、例えば、ラクトン構造を備えた繰り返し単位が挙げられる。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-8、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Aはラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂A中の前記繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、1~70モルの範囲が好ましく、より好ましくは3~65モルの範囲であり、更に好ましくは5~60モルの範囲である。以下に、樹脂A中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。他の好ましい繰り返し単位3Aとしては、例えば、フェノール性水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基例えばヘキサフロロイソプロパノール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基などの酸性基を備えたものが挙げられる。この繰り返し単位3Aは、カルボキシ基を備えていることがより好ましく、例えば、メタクリル酸に由来の繰り返し単位、アクリル酸に由来の繰り返し単位、連結基を介してカルボキシ基を備える繰り返し単位、あるいは以下に示す繰り返し単位等を好適に挙げることができる。上記基を有する繰り返し単位を含有することにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。このような繰り返し単位3Aとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂Aの主鎖に直接上記基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂Aの主鎖に上記基が結合している繰り返し単位、さらには上記基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸又はメタクリル酸に由来の繰り返し単位である。上記基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。また、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、下記一般式Iで表される繰り返し単位を挙げることができる。式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表し、R42と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。nは、1~4の整数を表す。式IにおけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、上記一般式VにおけるR51、R52、及びR53により表される各基について説明した具体例と同様である。Ar4は、n1価の芳香環基を表す。nが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが2以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、n-1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。n1価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、一般式VにおけるR51~R53で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。X4により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X4としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L4におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。Ar4としては、置換基を有していても良い炭素数6~18の芳香環基がより好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、ビフェニレン環基が特に好ましい。繰り返し単位bは、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ar4は、ベンゼン環基であることが好ましい。以下に、一般式Iで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは1又は2を表す。樹脂Aは、繰り返し単位3Aを2種類以上含んでいてもよい。樹脂Aは、繰り返し単位3Aを含有してもしなくても良いが、含有する場合、繰り返し単位3Aの含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~70molが好ましく、より好ましくは3~60mol、更に好ましくは5~60molである。ただし、一般式Iで表される繰り返し単位のように、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、樹脂Aの有機溶剤による溶解性を高くする傾向があり、解像度の点ではあまり加えない方が好ましい場合がある。この傾向は、ヒドロキシスチレン類に由来する繰り返し単位すなわち、上記一般式Iにおいて、X4とL4とがいずれも単結合である場合により強く表れ、その原因は定かではないが、例えば主鎖の近傍にフェノール性水酸基が存在するためと推測される。そこで、本発明においては、一般式Iで表される繰り返し単位好ましくは、一般式Iで表される繰り返し単位であって、X4とL4とがいずれも単結合であるものの含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、4モル以下であることが好ましく、2モル以下であることが好ましく、0モルであるすなわち、含有されないことが最も好ましい。3B極性基を備えていない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位3Bを更に含んでいてもよい。繰り返し単位3Bとしては、例えば、一般式IVにより表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、トリシクロ[4.3.1.125]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、繰り返し単位3Bを含有してもしなくても良いが、含有する場合、繰り返し単位3Bの含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~40molが好ましく、より好ましくは1~20molである。繰り返し単位3Bの具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。3C他の繰り返し単位樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、EUV光のアウトオブバンド光波長100~400nmの紫外光領域に発生する漏れ光吸収による内部フィルタ特性以下、内部フィルタ特性とも言う、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物などに対応する繰り返し単位を挙げることができる。また、他の繰り返し単位3Cとしては、芳香環を有する繰り返し単位ただし、この繰り返し単位は、上記繰り返し単位R、上記酸分解性基を備えた繰り返し単位、及び、上記繰り返し単位3Aとは異なるを挙げることもできる。樹脂Aは、他の繰り返し単位3Cを含有してもしなくても良いが、含有する場合、繰り返し単位3Cの含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、10~50molが好ましく、より好ましくは1~40molである。以下に、他の繰り返し単位3Cの具体的を挙げるが、これらに限定されるものではない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂Aに要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3有機溶剤に対する現像性、4膜べり親疎水性、極性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、7内部フィルター特性、等の微調整が可能となる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。なお、樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、組成物のドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、パターン形状、内部フィルタ特性、解像力、耐熱性、及び感度等を調節するために適宜設定される。電子線あるいは極紫外線を使用する露光においては、露光部において、二次電子を充分に放出し、高感度とするために、樹脂Aは、芳香環を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。更に、EUV露光に関しては、上記したアウトオブバンド光が、レジスト膜の表面ラフネス性を悪化させ、その結果、ブリッジパターンやパターンの断線による解像性の低下やLWR性能の低下を引き起こしやすい。よって、アウトオブバンド光を吸収することで内部フィルターとして機能する芳香環を有する樹脂を用いることは、高解像及び高LWR性能の点で好ましい。この観点から、樹脂Aは、繰り返し単位R以外の全繰り返し単位に対して、繰り返し単位R以外の芳香環を有する繰り返し単位を、5~100モルで有することが好ましく、10~100モルで有することがより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明に係る組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明に係る組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。上記樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2の範囲のものが使用される。一般的に、分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状、及びラフネス特性に優れている。上記樹脂は、1種で使用してもよいし、複数種を併用してもよい。本発明の一態様において、樹脂の組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99.5質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した樹脂以外の他の樹脂を併用してもよい。例えば、繰り返し単位Rを含んだ樹脂と共に、繰り返し単位Rを含んでいない樹脂後述する疎水性樹脂を除くを併用してもよい。この場合、前者の合計量と後者の合計量との質量比は、好ましくは50/50以上とし、より好ましくは70/30以上とする。なお、この場合、繰り返し単位Rを含んでいない樹脂は、典型的には、上記の酸分解性基を備えた繰り返し単位を含んでいる。[B]溶剤本発明に係る組成物は、溶剤を含んでいる。この溶剤は、S1プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートと、S2プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも1つとの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。なお、この溶剤は、成分S1及びS2以外の成分を更に含んでいてもよい。本発明者らは、このような溶剤と上述した樹脂とを組み合わせて用いると、組成物の塗布性が向上すると共に、現像欠陥数の少ないパターンが形成可能となることを見出している。その理由は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、これら溶剤は、上述した樹脂の溶解性、沸点、及び粘度のバランスが良いため、組成物膜の膜厚のムラやスピンコート中の析出物の発生などを抑制できることに起因していると考えている。成分S1としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、及び、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる群より選択される少なくとも1つが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが特に好ましい。成分S2としては、以下のものが好ましい。プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル又はプロピレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。乳酸エステルとしては、乳酸エチル、乳酸ブチル、又は乳酸プロピルが好ましい。酢酸エステルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸イソアミル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、又は酢酸3-メトキシブチルが好ましい。アルコキシプロピオン酸エステルとしては、3-メトキシプロピオン酸メチルMMP、又は、3-エトキシプロピオン酸エチルEEPが好ましい。鎖状ケトンとしては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、又はメチルアミルケトンが好ましい。環状ケトンとしては、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、又はシクロヘキサノンが好ましい。ラクトンとしては、γブチロラクトンが好ましい。アルキレンカーボネートとしては、プロピレンカーボネートが好ましい。成分S2としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、γブチロラクトン又はプロピレンカーボネートがより好ましい。成分S2としては、引火点以下、fpともいうが37°C以上であるものを用いることが好ましい。このような成分S2としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルfp:47°C、乳酸エチルfp:53°C、3-エトキシプロピオン酸エチルfp:49°C、メチルアミルケトンfp:42°C、シクロヘキサノンfp:44°C、酢酸ペンチルfp:45°C、γブチロラクトンfp:101°C又はプロピレンカーボネートfp:132°Cが好ましい。これらのうち、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ペンチル、又はシクロヘキサノンが更に好ましく、プロピレングリコールモノエチルエーテル又は乳酸エチルが特に好ましい。なお、ここで引火点とは、東京化成工業株式会社又はシグマアルドリッチ社の試薬カタログに記載されている値を意味している。溶剤は、成分S1を含んでいることが好ましい。溶剤は、実質的に成分S1のみからなるか、又は、成分S1と他の成分との混合溶剤であることがより好ましい。後者の場合、溶剤は、成分S1と成分S2との双方を含んでいることが更に好ましい。成分S1と成分S2との質量比は、100:0乃至15:85の範囲内にあることが好ましく、100:0乃至40:60の範囲内にあることがより好ましく、100:0乃至60:40の範囲内にあることが更に好ましい。即ち、溶剤は、成分S1のみからなるか、又は、成分S1と成分S2との双方を含んでおり且つそれらの質量比が以下の通りであることが好ましい。即ち、後者の場合、成分S2に対する成分S1の質量比は、15/85以上であることが好ましく、40/60以上であることよりが好ましく、60/40以上であることが更に好ましい。このような構成を採用すると、現像欠陥数を更に減少させることが可能となる。なお、溶剤が成分S1と成分S2との双方を含んでいる場合、成分S2に対する成分S1の質量比は、例えば、99/1以下とする。上述した通り、溶剤は、成分S1及びS2以外の成分を更に含んでいてもよい。この場合、成分S1及びS2以外の成分の含有量は、溶剤の全量に対して、5質量乃至30質量の範囲内にあることが好ましい。組成物に占める溶剤の含有量は、全成分の固形分濃度が2~30質量となるように定めることが好ましく、3~20質量となるように定めることがより好ましい。こうすると、組成物の塗布性を更に向上させることができる。[C]酸発生剤本発明に係る組成物は、上記樹脂以外に、酸発生剤を更に含有していてもよい。この酸発生剤としては、特に限定されないが、好ましくは、下記一般式ZI’、ZII’、又はZIII’で表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZI’において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Zとしては、例えば、スルホン酸アニオン脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど、カルボン酸アニオン脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオン等を挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基が挙げられる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他のZ-としては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Zとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン更に好ましくは炭素数4~8、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸強度の観点からは、発生酸のpKaが-1以下であることが、感度向上のために好ましい。R201、R202及びR203の有機基としては、アリール基炭素数6~15が好ましい、直鎖又は分岐のアルキル基炭素数1~10が好ましい、シクロアルキル基炭素数3~15が好ましいなどが挙げられる。R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。これらアリール基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、R201、R202及びR203から選ばれる2つが、単結合又は連結基を介して結合していてもよい。連結基としてはアルキレン基炭素数1~3が好ましい、-O-,-S-,-CO-,-SO2-などがあげられるが、これらに限定されるものではない。R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基でない場合の好ましい構造としては、特開2004-233661号公報の段落0047,0048、特開2003-35948号公報の段落0040~0046、US2003/0224288A1号明細書に式I-1~I-70として例示されている化合物、US2003/0077540A1号明細書に式IA-1~IA-54、式IB-1~IB-24として例示されている化合物等のカチオン構造を挙げることができる。一般式ZII’、ZIII’中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZI’におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZI’におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZI’に於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV’、ZV’、ZVI’で表される化合物も挙げられる。一般式ZIV’~ZVI’中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。本発明で使用される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、酸発生剤を含有してもしなくても良いが、含有する場合、酸発生剤の組成物中の含有率は、組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。[D]塩基性化合物本発明に係る組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eにより表される構造を有する化合物が挙げられる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、各々独立に、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、又はアリール基炭素数6~20を表す。R201とR202とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R203、R204、R205及びR206は、各々独立に、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これらアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい塩基性化合物としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン及びピペリジンが挙げられる。更に好ましい塩基性化合物としては、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、ヒドロキシ基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、並びにヒドロキシ基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体が挙げられる。イミダゾール構造を有する化合物としては、例えば、イミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール及び2-フェニルベンゾイミダゾールが挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、例えば、1,4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン及び1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エンが挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、例えば、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド及び2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシドが挙げられる。より具体的には、トリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド及び2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドが挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、例えば、アニオンとしてカルボキシレートを備えたオニウムヒドロキシド構造を有する化合物が挙げられる。このカルボキシレートとしては、例えば、アセテート、アダマンタン-1-カルボキシレート及びパーフルオロアルキルカルボキシレートが挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、例えば、トリn-ブチルアミン及びトリn-オクチルアミンが挙げられる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、及びN,N-ジヘキシルアニリンが挙げられる。ヒドロキシ基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、及びトリスメトキシエトキシエチルアミンが挙げられる。ヒドロキシ基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、例えば、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリンが挙げられる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物が挙げられる。これら化合物では、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、このアルキル基の鎖中に酸素原子が含まれ、オキシアルキレン基が形成されていることがより好ましい。このオキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上であることが好ましく、3~9個であることがより好ましく、4~6個であることが更に好ましい。これらオキシアルキレン基のうち、-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-又は-CH2CH2CH2O-により表される基が特に好ましい。これら化合物の具体例としては、例えば、US2007/0224539Aの[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられる。本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、窒素原子を有し且つ酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物以下において、低分子化合物D又は化合物Dともいうを含んでいてもよい。酸の作用により脱離する基としては、特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基又はヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。化合物Dの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Dとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Dは、窒素原子上に、保護基を有するカルバメート基を有していてもよい。カルバメート基を構成する保護基は、例えば、下記一般式d-1で表すことができる。一般式d-1において、R’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。R’として好ましくは、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。より好ましくは、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はシクロアルキル基である。このような基の具体例を以下に示す。化合物Dは、上述した各種の塩基性化合物と一般式d-1で表される構造とを任意に組み合わせることで構成することも出来る。化合物Dは、下記一般式Fで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、化合物Dは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、上述した各種の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Fにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。少なくとも2つのRbが結合して、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Fにおいて、RaおよびRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい化合物Dを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Aで表される化合物は市販のアミンから、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis第四版等に記載の方法で簡便に合成できる。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対してニ炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中Xはハロゲン原子を表す。また、Ra、Rbの定義及び具体例は、上記一般式Fで記載したものと同様である。上述した塩基性化合物化合物Dを含むは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。塩基性化合物の合計量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.001~20質量であり、より好ましくは0.001~10質量であり、更に好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤の合計量の塩基性化合物の合計量に対するモル比は、好ましくは2.5~300であり、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。このモル比を過度に小さくすると、感度及び/又は解像度が低下する可能性がある。このモル比を過度に大きくすると、露光と加熱ポストベークとの間において、パターンの太りが生ずる場合がある。[E]疎水性樹脂本発明に係る組成物は、疎水性樹脂を更に含んでいてもよい。疎水性樹脂を含有させることにより、組成物膜表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体として水を使用した場合の液浸液に対する膜の後退接触角を向上させることが可能となる。これにより、膜の液浸液追随性を向上させることができる。ベーク後で露光前における膜の後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物には求められる。疎水性樹脂HRは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。疎水性樹脂HRに於けるフッ素原子又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することで、膜表面の疎水性水追従性が向上し、現像残渣スカムが低減する。疎水性樹脂HRは、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、さらに他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57~R61、R62~R64及びR65~R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10、R11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができるを表す。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には上記一般式F2~F4で表される基が挙げられる。また、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として、下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができるを表す。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5もしくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキル基を表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。疎水性樹脂HRは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下に、フッ素原子又は珪素原子を含んだ繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂HRは、下記x及びzから選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x極性基;z酸の作用により分解する基。x極性基としては、フェノール性ヒドロキシ基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい極性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。極性基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接極性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に極性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、さらには極性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。極性基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。極性基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示す。具体例中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。疎水性樹脂HRに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、上記の酸分解性樹脂で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。疎水性樹脂HRに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。疎水性樹脂HRは、更に、下記一般式VIにより表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式VIに於いて、Rc31は、水素原子、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式VIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。疎水性樹脂HRは、一般式VIにより表される繰り返し単位として、下記一般式VII又はVIIIにより表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式VII中、Rc5は少なくとも一つの環状構造を有し、ヒドロキシ基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。一般式VII及び一般式VIII中、Racは水素原子、フッ素原子で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Racは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基である。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素環として、2環式炭化水素環、3環式炭化水素環、4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。一般式VIII中、Rc6はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子で置換されていても良い。Rc6のアルキル基は、炭素数1~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アルコキシカルボニル基は、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基が好ましい。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数2~20のアルキルカルボニルオキシ基が好ましい。nは0~5の整数を表す。nが2以上の場合、複数のRc6は同一でも異なっていても良い。Rc6は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基、t-ブチル基が特に好ましい。疎水性樹脂HRは、更に、下記一般式CII-ABにより表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。また、上記一般式CII-ABは、下記一般式CII-AB1又は一般式CII-AB2であることが更に好ましい。式CII-AB1及びCII-AB2中、Rc13’~Rc16’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。また、Rcl3’~Rc16’のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。以下に一般式VI又はCII-ABにより表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。以下に疎水性樹脂HRの具体例を示す。また、下記表1~表3に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、樹脂HRの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂HR中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。樹脂HRが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂HRの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂HRの全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。樹脂HRの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100000で、より好ましくは1,000~50000、更により好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。組成物中の樹脂HRの含有率は、組成物膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、組成物の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~9質量であり、さらに好ましくは0.5~8質量である。樹脂HRは、酸分解性樹脂と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。また、解像度、パターン形状、パターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、さらに好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。樹脂HRは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには上述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。反応の濃度は、通常5~50質量であり、好ましくは30~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外濾過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、さらに好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。尚、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明に係るレジスト組成物から形成された膜について、活性光線又は放射線の照射時に、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、組成物膜上層部への塗布適正、液浸液難溶性である。トップコートは、組成物膜と混合せず、さらに組成物膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、有機溶媒を含んだ現像液で剥離できることが好ましい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。液浸液として水を用いる場合には、トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。さらに、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。また、疎水性樹脂は液浸露光を行わない場合にも用いることができる。この場合にもたらされる効果としては、疎水性樹脂は、レジスト膜の表面に偏在でき、レジスト膜の露光部及び未露光部を問わず、レジスト膜が有機系現像液に溶解することを促進し、その結果、極めて微細なパターンを形成する場合においても、パターン表面における荒れ特にEUV露光の場合、T-top形状、逆テーパ形状及びブリッジ部の発生を抑制するという機能を期待することができる。[F]界面活性剤本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301若しくはEF303製;フロラードFC430、431若しくは4430製;メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120若しくはR08DIC株製;サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105若しくは106旭硝子株製;トロイゾルS-366トロイケミカル株製;GF-300若しくはGF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製;エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802若しくはEF601株ジェムコ製;PF636、PF656、PF6320若しくはPF6520OMNOVA社製;又は、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D若しくは222D株ネオス製を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる又はオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することができる。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。ポリオキシアルキレン基としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基及びポリオキシブチレン基が挙げられる。また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体及びポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる3元系以上の共重合体であってもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476及びF-472DIC株製が挙げられる。さらに、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。これら界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0~2質量、より好ましくは0.0001~2質量、更に好ましくは0.0005~1質量である。[G]その他の添加剤本発明に係る組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物を更に含んでいてもよい。本発明に係る組成物は、溶解阻止化合物を更に含んでいてもよい。ここで溶解阻止化合物とは、酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液中での溶解度が減少する、分子量3000以下の化合物である。この溶解阻止化合物としては、波長が220nm以下の光に対する透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE,2724,3551996に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体等の、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。この酸分解性基及び脂環構造としては、例えば、先に説明したのと同様のものが挙げられる。なお、本発明に係るレジスト組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか又は電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としては、フェノール化合物のフェノール性ヒドロキシ基を酸分解基で置換した構造を含んだ化合物が好ましい。フェノール化合物としては、フェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、2~6個含有するものが更に好ましい。本発明に係る組成物が溶解阻止化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に、溶解阻止化合物の具体例を挙げる。分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210号、及び欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、容易に合成することができる。カルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物としては、例えば、コール酸、デオキシコール酸及びリトコール酸等のステロイド構造を含んだカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、並びにシクロヘキサンジカルボン酸が挙げられる。<パターン形成方法>本発明に係るパターン形成方法は、A上で説明した組成物を用いて膜レジスト膜を形成することと、Bこの膜を露光することと、C有機溶剤を含んだ現像液を用いて露光された膜を現像することとを含んでいる。この方法は、Dリンス液を用いて、現像された膜をリンスすることを更に含んでいてもよい。製膜後、露光工程の前に、前加熱PB;Prebake工程を含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱PEB;PostExposureBake工程を含むことも好ましい。加熱温度は、PB工程及びPEB工程共に、40~130°Cで行うことが好ましく、50~120°Cで行うことがより好ましく、60~110°Cで行うことが更に好ましい。特に、PEB工程を60~90°Cの低温で行った場合、露光ラチチュードEL及び解像力を顕著に向上させることができる。また、加熱時間は、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。本発明に係るパターン形成方法において、組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、加熱工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。上記の露光に用いられる光源は、極紫外線EUV光又は電子線EBである。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を更に向上させることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、上述した疎水性樹脂を組成物に予め添加しておいてもよく、上記したように、膜を形成した後、その上にトップコートを設けてもよい。なお、トップコートに求められる性能及びその使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板には、特に制限はない。この基板としては、IC等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造工程、並びにその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。このような基板としては、例えば、シリコン、SiN及びSiO2等の無機基板、並びに、SOG等の塗布系無機基板が挙げられる。更に、必要に応じて、膜と基板との間に、有機反射防止膜を形成させてもよい。有機溶剤を含んだ現像液としては、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤等の極性溶剤、並びに、炭化水素系溶剤を含んだ現像液が挙げられる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネートが挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸n-ペンチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、プロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチルMMP、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチルEEP、及び、プロピオン酸プロピルが挙げられる。特には、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル及び酢酸アミル等の酢酸アルキルエステル又はプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、及びプロピオン酸プロピルなどのプロピオン酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール;並びに、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテルが挙げられる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記のグリコールエーテルの他、ジオキサン及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及び1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン及びアニソール等の芳香族炭化水素系溶剤、並びに、ペンタン、ヘキサン、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、2種類以上を混合して用いてもよい。また、十分な性能を発揮できる範囲内で、上記以外の溶剤及び/又は水と混合して用いてもよい。但し、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、現像液が実質的に水分を含有しないことがより好ましい。即ち、この現像液は、実質的に有機溶剤のみからなる現像液であることが好ましい。なお、この場合であっても、現像液は、後述する界面活性剤を含み得る。また、この場合、現像液は、雰囲気由来の不可避的不純物を含んでいてもよい。現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、80質量以上100質量以下であることが好ましく、90質量以上100質量以下であることがより好ましく、95質量以上100質量以下であることが更に好ましい。特に、現像液が含んでいる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1つであることが好ましい。有機溶剤を含んだ現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下であることが好ましく、3kPa以下であることが更に好ましく、2kPa以下であることが特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、基板上又は現像カップ内での現像液の蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果として、ウェハ面内の寸法均一性が向上する。5kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン及びメチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。2kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン及びフェニルアセトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤;キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液には、必要に応じて、界面活性剤を適当量添加することができる。この界面活性剤に特に制限はないが、例えば、イオン性又は非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができる。この界面活性剤は、非イオン性であることが好ましい。非イオン性の界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。なお、界面活性剤の使用量は、現像液の全量に対して、通常は0.001~5質量であり、好ましくは0.005~2質量であり、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、及び、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法が挙げられる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は、好ましくは2mL/sec/mm2以下であり、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下であり、さらに好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると、0.2mL/sec/mm2以上であることが好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、組成物膜及び/又はパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法、及び、加圧タンクからの供給で圧力を調整することでを変える方法が挙げられる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。本発明に係るパターン形成方法は、上記の現像工程の後に、リンス工程有機溶剤を含んだリンス液を用いて膜を洗浄する工程を更に含んでいることが好ましい。リンス工程に用いるリンス液としては、現像後のパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含んだ溶液を使用することができる。リンス液としては、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものが挙げられる。このリンス液は、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものであり、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含んだものである。このリンス液は、1価アルコールを含んでいることがより好ましく、炭素数5以上の1価アルコールを含んでいることが更に好ましい。これら1価アルコールは、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。これら1価アルコールとしては、例えば、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、及び4-オクタノールが挙げられる。炭素数5以上の1価アルコールとしては、例えば、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、及び3-メチル-1-ブタノールが挙げられる。上記の各成分は、2種類以上を混合して使用してもよく、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。リンス液の含水率は、10質量未満であることが好ましく、5質量未満であることが好ましく、3質量未満であることが更に好ましい。即ち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが特に好ましい。リンス液の含水率を10質量未満にすることにより、更に良好な現像特性を達成し得る。リンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて、0.05kPa以上且つ5kPa以下であることが好ましく、0.1kPa以上且つ5kPa以下であることがより好ましく、0.12kPa以上且つ3kPa以下であることが更に好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上且つ5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上すると共に、リンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。なお、リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。リンス工程においては、現像を行ったウェハを、上記のリンス液を用いて洗浄する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、及び、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法が挙げられる。この中でも、回転塗布法で洗浄処理を行った後、基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。本発明に係るパターン形成方法は、有機溶剤を含んだ現像液による現像工程に加えて、アルカリ現像液を用いた現像工程ポジ型パターンの形成工程を含んでいてもよい。アルカリ現像液を用いた現像工程と、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像工程との順序に特に制限はないが、アルカリ現像液を用いた現像を有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像の前に行うことがより好ましい。また、各現像工程の前に、加熱工程を伴うことが好ましい。アルカリ現像液の種類は特に限定されないが、通常は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられる。アルカリ現像液には、アルコール類及び/又は界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量水溶液を用いることが特に好ましい。アルカリ現像液を用いた現像の後にリンス処理を行う場合、リンス液としては、典型的には純水を使用する。このリンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。<樹脂>下記樹脂A-1~A-24、RA-1、RA-2を、以下に示すようにして合成した。樹脂の重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを以下に記す。また、樹脂の各繰り返し単位の組成比をモル比で示す。合成例1:樹脂A-1窒素気流下、シクロヘキサノン160gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。次に、下記monomer-A113.58g、monomer-123.11g、monomer-212.48g、及びmonomer-331.35gを、シクロヘキサノン297gに溶解し、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し6.4mol加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘプタン3000g/酢酸エチル750gの混合溶媒に滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂A-1が62g得られた。得られた樹脂A-1の重量平均分子量は10500であり、分散度Mw/Mnは1.77であった。13C-NMRにより求めた組成比は、5/37/15/43であった。なお、以上の全ての作業は、黄色灯下にて行った。その他の樹脂についても、同様にして合成した。<酸発生剤>酸発生剤として、下記化合物PAG-1及びPAG-2を準備した。<塩基性化合物>塩基性化合物として、下記化合物N-1~N-9を準備した。<界面活性剤>界面活性剤として、以下のものを準備した。W-1:メガファックF176DIC株製;フッ素系W-2:メガファックR08DIC株製;フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系W-4:トロイゾルS-366トロイケミカル株製W-5:KH-20旭化成株製W-6:PolyFox登録商標PF6320OMNOVAsolutioninc製;フッ素系<溶剤>溶剤として、以下のものを準備した。a群SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートSL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートSL-3:2-ヘプタノンb群SL-4:乳酸エチルSL-5:プロピレングリコールモノメチルエーテルSL-6:シクロヘキサノン実施例1~24、比較例1,2電子線EB露光1感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の塗液調製及び塗設下表に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物レジスト組成物溶液を得た。この感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物溶液を、予めヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した6インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100°C、60秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚50nmのレジスト膜を得た。2EB露光及び現像上記1で得られたレジスト膜が塗布されたウェハを、電子線描画装置株日立製作所製HL750、加速電圧50KeVを用いて、パターン照射を行った。この際、1:1のラインアンドスペースが形成されるように描画を行った。電子線描画後、ホットプレート上で、110°Cで60秒間加熱した後、有機系現像液としての酢酸ブチルをパドルして30秒間現像し、リンス液としての4-メチル-2-ペンタノールを用いてリンスをした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、90°Cで60秒間加熱を行うことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。比較例3~6電子線EB露光下表に示すように組成を変更し、有機系現像液に代えて、アルカリ水溶液TMAH;2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像を行い、リンス液を水とした以外は、実施例1と同様にして感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の調製、パターン形成を行った。3レジストパターンの評価走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて、得られたレジストパターンを下記の方法で、感度、解像力、LWRについて評価した。結果を下表に示す。3-1感度線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度Eopとした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。ただし、比較例3~5については、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像することができなかったため、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度Eopとした。3-2解像力前記Eopに於いて、分離している1:1のラインアンドスペースパターンの最小線幅を解像力とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。3-3ラインウィズスラフネスLWRラインウィズスラフネスは、前記Eopに於いて、線幅50nmのラインアンドスペースパターンただし、比較例3~5については、線幅100nmの1:1ラインアンドスペースパターンの長手方向0.5μmの任意の50点について、線幅を計測し、その標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。上記表から分かるように、実施例1~24は、高感度、高解像性、高ラインウィズスラフネスLWR性能を極めて高次元で同時に満足することができた。特に、実施例4、6、11、15と、これらの実施例と同じレジスト組成物を用いてアルカリ現像液によりポジ型現像を行った比較例3、4、5、6との比較から分かるように、有機系現像液を用いた本発明のパターン形成方法を用いることで、高解像性、高感度かつ高LWR性能にてパターンを形成できた。これは、上記したように、アルカリ現像液を用いる場合と比較して、有機系現像液を使用する場合は、パターンの側壁に掛かるキャピラリーフォースが低下し、その結果、パターン倒れが防止できるためと考えられる。また、比較例1、2特開2010-217884号公報に記載の実施例1、17に対応と比較して、前記繰り返し単位Rを有する樹脂を使用した実施例は、高解像性かつ高LWR性能にてパターンを形成できた。これは、樹脂が繰り返し単位Rを有することで、すなわち、電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位が樹脂に結合されることで、i発生する酸の拡散長を減らせることができたこと、ii露光部の有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解性が低下し、現像液に対する溶解コントラストが向上したこと、及び、iii活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位がレジスト膜中で均一に分布されたこと、などの要因が考えられる。また、樹脂は、繰り返し単位R以外にも芳香環を有する繰り返し単位を有していることが、感度の向上の観点から、より好ましいことも分かった。これは芳香環を有することで、電子線照射による2次電子の発生効率が増し、その結果、発生酸が増えて高感度化したものと考えられる。なお、酢酸ブチル以外の現像液、あるいは、4-メチル2-ペンタノール以外のリンス液を用いた場合も、上記実施例と同様の優れた効果が得られるものである。実施例101~124、比較例101,102極紫外線EUV露光4感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の塗液調製及び塗設下表に示した組成を有する塗液組成物を0.05μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物レジスト組成物溶液を得た。この感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物溶液を、予めヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターACT-12を用いて塗布し、100°C、60秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚50nmのレジスト膜を得た。5EUV露光及び現像上記4で得られたレジスト膜の塗布されたウェハを、EUV露光装置Exitech社製MicroExposureTool、NA0.3、Quadrupole、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。照射後、ホットプレート上で、110°Cで60秒間加熱した後、有機系現像液としての酢酸ブチルをパドルして30秒間現像し、リンス液としての4-メチル-2-ペンタノールを用いてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。比較例103~106極紫外線EUV露光下表に示すように組成を変更し、有機系現像液に代えて、アルカリ水溶液TMAH;2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像を行い、リンス液を水とした以外は、実施例101と同様にして感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の調製、パターン形成を行った。6レジストパターンの評価走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9380IIを用いて、得られたレジストパターンを下記の方法で、感度、解像力、LWRについて評価した。結果を下表に示す。6-1感度線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度Eopとした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。6-2解像力前記Eopに於いて、分離している1:1のラインアンドスペースパターンの最小線幅を解像力とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。6-3ラインウィズスラフネスLWRラインウィズスラフネスは、前記Eopに於いて、線幅50nmのラインアンドスペースパターンの長手方向0.5μmの任意の50点について、線幅を計測し、その標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。上記表から分かるように、実施例101~124は、高感度、高解像性、高ラインウィズスラフネスLWR性能を極めて高次元で同時に満足することができた。特に、実施例104,106,111,115と、これらの実施例と同じレジスト組成物を用いてアルカリ現像液によりポジ型現像を行った比較例103,104,105,106との比較から分かるように、有機系現像液を用いた本発明のパターン形成方法を用いることで、高解像性、高感度かつ高LWR性能にてパターンを形成できた。これは、上記したように、アルカリ現像液を用いる場合と比較して、有機系現像液を使用する場合は、パターンの側壁に掛かるキャピラリーフォースが低下し、その結果、パターン倒れが防止できるためと考えられる。また、比較例101、102特開2010-217884号公報に記載の実施例1、17に対応と比較して、前記繰り返し単位Rを有する樹脂を使用した実施例は、高解像性かつ高LWR性能にてパターンを形成できた。これは、樹脂が繰り返し単位Rを有することで、すなわち、電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位が樹脂に結合されることで、i発生する酸の拡散長を減らせることができたこと、ii露光部の有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解性が低下し、現像液に対する溶解コントラストが向上したこと、及び、iii活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位がレジスト膜中で均一に分布されたこと、などの要因が考えられる。また、樹脂は、繰り返し単位R以外にも芳香環を有する繰り返し単位を有していることが、感度の向上の観点から、より好ましいことも分かった。これは芳香環を有することで、電子線照射による2次電子の発生効率が増し、その結果、発生酸が増えて高感度化したものと考えられる。さらに、樹脂が、繰り返し単位R以外にも芳香環を有する繰り返し単位を有すると、EUV露光においては、解像性、及び、LWR性能がより優れた。これはEUVにおけるアウトオブバンド光紫外領域に発生する漏れ光を吸収し、それによる弊害表面パターン荒れ等がより抑制されたためと推測される。なお、酢酸ブチル以外の現像液、あるいは、4-メチル-2-ペンタノール以外のリンス液を用いた場合も、上記実施例と同様の優れた効果が得られるものである。"