"半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、前記半導体チップの主平面と前記封止樹脂との間に、前記半導体基板の熱膨張率と前記封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層を備え、前記応力調整用樹脂層は、前記応力調整用樹脂層が形成されていない場合の前記半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置されていることを特徴とする半導体装置。前記応力調整用樹脂層は、前記半導体チップの主平面の全面に配置されており、かつ、前記パッケージ応力が前記所定基準値以上の位置での前記応力調整用樹脂層の厚みは前記パッケージ応力が前記所定基準値未満の位置での厚みよりも大きくなっている請求項1に記載の半導体装置。前記パッケージ応力に対する前記所定基準値が複数設けられており、前記応力調整用樹脂層は前記パッケージ応力が大きい位置ほど厚く形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。前記素子はマッチングが必要とされる同一構造の複数の素子を含んでいる請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。マッチングが必要とされる前記素子は多出力カレントミラー回路を構成するトランジスタである請求項4に記載の半導体装置。複数の前記多出力カレントミラー回路を備え、それらの多出力カレントミラー回路は同一サイズのトランジスタで形成されている請求項5に記載の半導体装置。半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、前記半導体チップの主平面と前記封止樹脂との間に、前記半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、前記半導体チップの主平面の一部領域に配置されており、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、前記半導体チップの主平面と前記封止樹脂との間に、前記半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、全領域に配置されており、かつ前記半導体チップの主平面の領域によってその厚みが異なり、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域は前記応力調整用樹脂の厚みが最大となっていることを特徴とする半導体装置。半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置の製造方法において、製造目的の半導体装置と同一構造の半導体チップ及び封止樹脂構造をもつ応力測定用半導体装置を用いて前記半導体基板に加わるパッケージ応力の分布情報を得るパッケージ応力測定工程と、前記半導体チップの主平面の上に、前記半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して、前記半導体基板の熱膨張率と前記封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層を形成する応力調整用樹脂層形成工程と、前記応力調整用樹脂層が形成された前記半導体チップを封止樹脂を用いて封止する樹脂封止工程と、をその順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記応力調整用樹脂層形成工程は、前記応力調整用樹脂層を前記半導体チップの主平面の全面に形成し、かつ、前記パッケージ応力が前記所定基準値以上の位置での前記応力調整用樹脂層の厚みを前記パッケージ応力が前記所定基準値未満の位置での厚みよりも大きく形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記応力調整用樹脂層形成工程は、前記パッケージ応力に対する前記所定基準値を複数設け、前記パッケージ応力が大きい位置ほど前記応力調整用樹脂層を厚く形成する請求項9又は10に記載の半導体装置の製造方法。前記応力調整用樹脂層形成工程は、未硬化の前記応力調整用樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを所定の領域で前記液滴を噴出させながら走査して未硬化応力調整用樹脂層を形成し、前記未硬化応力調整用樹脂層を硬化させて応力調整用樹脂層を形成する請求項9から11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。パッケージ応力は、実際には、特許文献5の図3及びその説明に記載されているように、その応力の大きさは均一ではなく場所によってバラツキがある。そのため、複数の素子で構造が同じであっても、配置されている場所によって素子に加わる応力の大きさ互いに異なるので、素子の特性変動量も互いに異なり、いわゆる素子特性のミスマッチが生じる。この素子の特性変動量のバラツキに対しては、パッケージ全体の応力を多少緩和してもほとんど効果がない。従来の技術では、レイアウト上離れた位置にある素子同士の特性変動量のバラツキを低減する方法はなかった。本発明は、半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置において、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることを目的とする。本発明にかかる半導体装置は、半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置であって、上記半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、上記半導体基板の熱膨張率と上記封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層を備えている。上記応力調整用樹脂層は、上記応力調整用樹脂層が形成されていない場合の上記半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置されている。本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板に素子が形成されている半導体チップが樹脂封止によって封止された半導体装置の製造方法であって、パッケージ応力測定工程と、応力調整用樹脂層形成工程と、樹脂封止工程と、をその順に含む。上記パッケージ応力測定工程は、製造目的の半導体装置と同一構造の半導体チップ及び封止樹脂構造をもつ応力測定用半導体装置を用いて上記半導体基板に加わるパッケージ応力の分布情報を得る。上記応力調整用樹脂層形成工程は、上記半導体チップの主平面の上に、上記半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して、上記半導体基板の熱膨張率と上記封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層を形成する。上記樹脂封止工程は、上記応力調整用樹脂層が形成された上記半導体チップを封止樹脂を用いて樹脂封止する。本発明の半導体装置及び製造方法において、半導体チップの主平面とは、半導体基板の素子形成面の上に形成された層間絶縁膜や配線層の上にさらに形成された保護絶縁膜の上面半導体チップの上面、又は半導体基板の素子形成面とは反対側の面半導体チップの裏面を意味する。応力調整用樹脂層は、半導体チップがワイヤボンディング実装されているときは半導体チップの保護絶縁膜の上面に形成される。また、半導体チップがフリップチップ実装されているときは、応力調整用樹脂層は半導体チップの裏面に形成される。また、本発明の半導体装置及び製造方法において、応力調整用樹脂層は、パッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応する位置の全領域に形成されていてもよいし、その一部の領域に形成されていてもよい。応力調整用樹脂層が半導体チップの主平面の全面に形成されている場合、応力調整用樹脂層が厚く形成されている位置は、パッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応する位置の全領域であってもよいし、その一部の領域であってもよい。ここで、半導体チップの主平面の全面には、該主平面の全領域のほか、該主平面の周縁から所定範囲の領域や電極パッドが形成されている領域、電極パッドから所定範囲の領域などを除いた該主平面の領域も含まれる。また、本発明の半導体装置の製造方法において、同一構造とは、材料、形状及び寸法が同一であることを意味する。なお、パッケージ応力の分布情報を得るのに用いられる応力測定用半導体装置における半導体チップと同一構造の半導体チップには、応力測定用半導体装置における半導体チップ上に作成された応力測定用の素子や配線など、パッケージ応力を測定することだけを目的として半導体チップ上に形成された構造は含まれない。つまり、製造目的の半導体装置と応力測定用半導体装置とで、半導体チップに形成される素子は互いに異なる。また、本発明の半導体装置の製造方法において、応力調整用樹脂層形成工程は、樹脂封止工程の前であればどの時期で行なわれてもよい。例えば、応力調整用樹脂層形成工程は、半導体チップをウエハから切り出す前に行なわれてもよいし、半導体チップをウエハから切り出して個片化した後に行なわれてもよい。また、応力調整用樹脂層形成工程は、半導体チップがワイヤボンディング実装されるときは半導体チップがダイパッド上に搭載された後に行なわれてもよいし、半導体チップがフリップチップ実装されるときは半導体チップが配線基板上にフリップチップ実装された後に行なわれてもよい。本発明の半導体装置及び製造方法で用いるパッケージ応力の分布情報は、例えば特許文献5の記載のようにして、あるパッケージ構造の応力を測定及び評価することで得られる。パッケージ応力の分布及び均一度の程度は、パッケージの大きさや縦横の長さの比、厚み、樹脂材料、封止時の封止樹脂の移動方向などによって変化するので、パッケージ形状ごとの測定及び評価が必要である。本発明の半導体装置及び製造方法では、半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、半導体基板の熱膨張率と封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層が形成される。さらに、応力調整用樹脂層は、応力調整用樹脂層が形成されていない場合の半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置される。これにより、応力調整用樹脂層の配置位置でのパッケージ応力は応力調整用樹脂層がない場合に比べて低減される。本発明の半導体装置において、上記応力調整用樹脂層は、上記半導体チップの主平面の全面に配置されており、かつ、上記パッケージ応力が上記所定基準値以上の位置での上記応力調整用樹脂層の厚みは上記パッケージ応力が上記所定基準値未満の位置での厚みよりも大きくなっているようにしてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、上記応力調整用樹脂層形成工程は、上記応力調整用樹脂層を上記半導体チップの主平面の全面に形成し、かつ、上記パッケージ応力が上記所定基準値以上の位置での上記応力調整用樹脂層の厚みを上記パッケージ応力が上記所定基準値未満の位置での厚みよりも大きく形成するようにしてもよい。この半導体装置の態様及び製造方法の局面において、応力調整用樹脂層が厚く形成された位置でのパッケージ応力は他の位置に比べて低減される。本発明の半導体装置において、上記パッケージ応力に対する上記所定基準値が複数設けられており、上記応力調整用樹脂層は上記パッケージ応力が大きい位置ほど厚く形成されているようにしてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、上記応力調整用樹脂層形成工程は、上記パッケージ応力に対する上記所定基準値を複数設け、上記パッケージ応力が大きい位置ほど上記応力調整用樹脂層を厚く形成するようにしてもよい。この半導体装置の態様及び製造方法の局面において、応力調整用樹脂層がより厚く形成された位置でのパッケージ応力は他の位置に比べてより低減される。本発明の半導体装置において、上記素子はマッチングが必要とされる同一構造の複数の素子を含んでいる例を挙げることができる。ここでマッチングとは、同一構造の複数の素子について電気的特性が同一であることを意味する。なお、本発明の半導体装置において、マッチングが必要とされる同一構造の素子とは別の素子が形成されていてもよい。マッチングが必要とされる上記素子の一例は多出力カレントミラー回路を構成するトランジスタである。ここで、トランジスタはMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorであってもよいし、バイポーラトランジスタであってもよい。多出力カレントミラー回路は、同一構造の多数のトランジスタのゲート又はベースが互いに接続され、それらのゲート又はベースが基準となるトランジスタのドレイン又はコレクタに接続ダイオード接続されたものである。ただし、本発明において、マッチングが必要とされる素子は多出力カレントミラー回路を構成するトランジスタに限定されない。また、複数の上記多出力カレントミラー回路を備え、それらの多出力カレントミラー回路は同一サイズのトランジスタで形成されているようにしてもよい。本発明の半導体装置の製造方法において、上記応力調整用樹脂層形成工程は、未硬化の上記応力調整用樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを所定の領域で上記液滴を噴出させながら走査して未硬化応力調整用樹脂層を形成し、上記未硬化応力調整用樹脂層を硬化させて応力調整用樹脂層を形成する例を挙げることができる。ただし、応力調整用樹脂層形成工程における応力調整用樹脂層形成方法は、これに限定されるものではなく、応力調整用樹脂層の形成方法は、例えばフィルム状の応力調整用樹脂を半導体チップの主平面に貼り付けて応力調整用樹脂層を形成するなど、どのような方法であってもよい。また、本発明にかかる半導体装置は、上記半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、上記半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、上記半導体チップの主平面の一部領域に配置されており、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域に配置されているものである。また、本発明にかかる半導体装置は、上記半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、上記半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、全領域に配置されており、かつ上記半導体チップの主平面の領域によってその厚みが異なり、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域は上記応力調整用樹脂の厚みが最大となっているものである。本発明の半導体装置及び製造方法では、半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、半導体基板の熱膨張率と封止樹脂の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ応力調整用樹脂層が形成され、応力調整用樹脂層は、応力調整用樹脂層が形成されていない場合の半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して配置され、応力調整用樹脂層の配置位置でのパッケージ応力は応力調整用樹脂層がない場合に比べて低減されるので、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる。なお、本発明の半導体装置及び製造方法がパッケージ応力の分布の均一度を向上させる対象とするチップ範囲は、半導体チップの全範囲であってもよいし、所望の範囲のみであってもよい。本発明の半導体装置及び製造方法において、応力調整用樹脂層は、半導体チップの主平面の全面に配置されて、かつ、パッケージ応力が所定基準値以上の位置での応力調整用樹脂層の厚みはパッケージ応力が上記所定基準値未満の位置での厚みよりも大きくされるようにすれば、応力調整用樹脂層が厚く形成された位置でのパッケージ応力は他の位置に比べて低減されるので、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる。さらに、応力調整用樹脂層が半導体チップの主平面の全面に配置されることにより、パッケージ応力の分布の均一度がさらに向上される。本発明の半導体装置及び製造方法において、パッケージ応力に対する所定基準値が複数設けられ、応力調整用樹脂層はパッケージ応力が大きい位置ほど厚く形成されるようにすれば、応力調整用樹脂層がより厚く形成された位置でのパッケージ応力は他の位置に比べてより低減されるので、パッケージ応力の分布の均一度がさらに向上される。本発明の半導体装置は、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができるので、マッチングが必要とされる同一構造の複数の素子を含んでいる半導体チップを備えた半導体装置、例えばアナログ回路を備えた半導体装置に特に有効である。例えば、マッチングが必要とされる素子が多出力カレントミラー回路を構成する複数のトランジスタである場合、それらのトランジスタが配置されている位置でのパッケージ応力の分布の均一度を向上させることにより、パッケージ応力に起因するトランジスタの特性変動量の均一度が向上される。これにより、多出力カレントミラー回路で基準となるトランジスタの電流量が所望の電流量に正確に増幅される。多出力カレントミラー回路がドライバトランジスタとして用いられる場合や、同一サイズの多出力カンレントミラー回路が複数配置されている場合には、それらを構成するトランジスタの配置範囲は半導体基板上で大きな面積を占めることになるので、このような素子を備えた半導体装置に対して、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる本発明の半導体装置は特に有効である。本発明の半導体装置の製造方法において、上記応力調整用樹脂層形成工程は、未硬化の上記応力調整用樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを所定の領域で上記液滴を噴出させながら走査して未硬化応力調整用樹脂層を形成し、上記未硬化応力調整用樹脂層を硬化させて応力調整用樹脂層を形成するようにすれば、応力調整用樹脂層を所定の領域に形成できる。この製造方法の局面は、吐出ノズルを用いて未硬化応力調整用樹脂の形成位置、すなわち応力調整用樹脂層の形成位置を画定するので、応力調整用樹脂層の形成位置を正確かつ微細な範囲に形成できる。さらに、この製造方法の局面は、吐出ノズルから未硬化の応力調整用樹脂を噴出される位置を変更することにより、応力調整用樹脂層の形成位置を容易に変更することができるので、例えば半導体チップの主平面にシール状の応力調整用樹脂を貼り付けて応力調整用樹脂層を形成する場合に比べて、応力調整用樹脂層の形成位置に対して自由度が増す。また、本発明にかかる半導体装置は、半導体チップの主平面と封止樹脂との間に、半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、半導体チップの主平面の一部領域に配置されており、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域に配置されているものであるので、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる。また、本発明にかかる半導体装置は、上記半導体チップの主平面と上記封止樹脂との間に、上記半導体基板に対するパッケージ応力を緩和するための応力調整用樹脂が、全領域に配置されており、かつ上記半導体チップの主平面の領域によってその厚みが異なり、少なくともパッケージ応力の最も大きい領域は上記応力調整用樹脂の厚みが最大となっているものであるので、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる。さらに、応力調整用樹脂層が半導体チップの主平面の全面に配置されることにより、パッケージ応力の分布の均一度がさらに向上される。図1は、半導体装置の一実施例を説明するための概略的な平面図及び断面図である。2つの断面図は平面図のA-A位置、B-B位置での断面である。図1の平面図で、封止樹脂は仮想線二点鎖線で表示されている。半導体装置1の内部で、ダイパッド3上に半導体チップ5が搭載されている。半導体チップ5の上面主平面に電極パッド7が設けられている。半導体チップ5は半導体チップ5の裏面がダイパッド3側になるようにしてダイパッド3上に搭載されている。半導体チップ5の上面の上に応力調整用樹脂層9が形成されている。応力調整用樹脂層9は、応力調整用樹脂層9が形成されていない場合の半導体チップ5の半導体基板に対するパッケージ応力図3を参照。が所定基準値以上の位置に対応して配置されている。この実施例では、応力調整用樹脂層9は、電極パッド7の形成位置及び電極パッド7の周縁から所定範囲の位置には形成されていない。ただし、応力調整用樹脂層9は電極パッド7の形成位置の周縁に隣接していてもよい。電極パッド7はボンディングワイヤー11を介してリード13と電気的に接続されている。ダイパッド3、半導体チップ5、応力調整用樹脂層9、ワイヤー11、及びリード13のインナーリード部分は封止樹脂15によって樹脂封止されている。図2は、半導体装置の製造方法の一実施例を説明するためのフローチャートである。図3は、応力調整用樹脂層が形成されていない応力測定用半導体装置のパッケージ応力分布を示す図である。図4は、応力調整用樹脂層が形成されている半導体装置のパッケージ応力分布を示す図である。図3及び図4において、図中に示された応力数値は任意単位である。各数値は、半導体チップ5の紙面右側の辺の近傍に加わる応力の値を基準10としたときの比率を表わす。図5は、応力調整用樹脂層を形成するための装置の一例を概略的に示す図である。図1から図5を参照してこの実施例を説明する。ステップS1:製造目的の半導体装置1と同一構造の半導体チップ及び封止樹脂構造をもつ応力測定用半導体装置を用いてパッケージ応力の分布を予め評価しておく。例えば特許文献5に記載の方法でパッケージ応力を測定し、パッケージ応力の分布情報を得る。図3に示すパッケージ応力分布情報を得たとすると、半導体チップ5の紙面右側中央部の部分で等応力線の間隔が密になっている。また、半導体チップ5の紙面上側中央部の部分でも等応力線の間隔が密になっている。半導体チップ5において、特にこれらの部分でパッケージ応力の均一度が低いのがわかる。ステップS2:半導体チップ5の上面に、パッケージ応力が所定基準値以上の位置に対応して、応力調整用樹脂層を形成する。ここでは所定基準値を図3中の応力値14として応力調整用樹脂層9を形成した図1参照。。応力調整用樹脂層9は、半導体チップ5の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂15の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ材料で形成される。応力調整用樹脂層9の形成方法の一例を説明する。ここでは特許文献6に開示されている吐出ノズルを利用した方法を用い、未硬化の応力調整用樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを応力調整用樹脂層9の形成予定位置所定の領域で上記液滴を噴出させながら走査して未硬化応力調整用樹脂層を形成し、未硬化応力調整用樹脂層を硬化させて応力調整用樹脂層9を形成する。図5を参照して応力調整用樹脂層形成工程で用いる装置について説明する。半導体チップ5が個片に切り出される前の半導体ウエハ51を、その上面保護絶縁膜が形成されている面を上方側にして保持するための基板保持部52が設けられている。基板保持部52には半導体ウエハ51を保持する面に真空吸着用の小さな開口部図示は省略が設けられており、その開口部は吸引経路を介して排気装置図示は省略に接続されている。これにより、基板保持部52に半導体ウエハ51を吸着保持できるように構成されている。基板保持部52には、半導体ウエハ51を加熱するためのヒーター53と、基板保持部52の温度を測定するための温度センサー54が設けられている。基板保持部52を位置決めするためのステージ部55が設けられている。ステージ部55はモータなどの駆動部図示は省略により、基板保持部52を水平方向及び高さ方向に移動させ、水平面で回転させる機能を備えている。ステージ部55の上方に、未硬化の応力調整用樹脂を噴出するための吐出ヘッド56と、半導体ウエハ51の画像情報を取得するための画像情報カメラ57が設けられている。吐出ヘッド56及び画像情報カメラ57の位置は固定されている。ステージ部55及び吐出ヘッド56に電気的に接続され、それらの動作を制御するための制御部58が設けられている。ステージ部55の近傍に、ステージ部55の位置情報を取得するためのステージ位置検出器60が設けられている。制御部58は温度センサー54、画像情報カメラ57及びステージ位置検出器60にも電気的に接続されている。温度センサー54の温度情報、画像情報カメラ57の画像情報及びステージ位置検出器60のステージ位置情報は制御部58へ送られる。制御部58には設定情報などを表示するためのモニター59も電気的に接続されている。吐出ヘッド56から吐出される未硬化の応力調整用樹脂は、硬化後に半導体チップ5の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂15の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ材料で構成される。例えば、未硬化の応力調整用樹脂として、Aエポキシ樹脂樹脂封止材料としては公知技術、Bフェノール樹脂エポキシ樹脂の硬化剤としては公知技術、Cブタジエン系ゴム粒子樹脂封止材料の添加剤としては公知技術、Dシリコーンオイル樹脂封止材料の添加剤としては公知技術のうち、少なくとも上記ABC又はDを含むものを上げることができる。さらにこれにE無機充填材料を適宜加えてもよい。各構成材料の詳細な例を説明する。Aエポキシ樹脂は、ジシクロペンタジエン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノール型等の各種のエポキシ樹脂を単独又は混合したものである。Bフェノール樹脂は、上記Aエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものである。フェノール樹脂として、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が一般的に用いられる。フェノール樹脂についても、単独で用いても混合して用いてもよい。Cブタジエン系ゴム粒子は、例えば、三菱レイヨン株式会社製のメタブレンAメタブレンは登録商標などのコアシェル型である。この粒子径は1次粒子径の平均質量平均粒子径が005~10μmマイクロメートルであることが好ましく、005~02μmであることがより好ましい。Dシリコーンオイルは、一般に封止樹脂の材料に使用されているものであればよく、反応性の官能基を有していてもよく、エポキシ樹脂やフェノール樹脂への相溶性を高めるような官能基、側鎖を有していてもよい。E無機充填材:例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融シリカが好ましい。応力調整用樹脂層形成時の動作を説明する。半導体ウエハ51を、上面を上方側にして基板保持部52に配置する。基板保持部52は半導体ウエハ51を真空吸着して保持する。半導体ウエハ51としては、その上面に、未硬化の応力調整用樹脂に対する濡れ性を向上させるための処置が施されたものや、未硬化の応力調整用樹脂に対する適度な濡れ性を有する素材からなる薄膜が形成されたものを用いてもよい。例えば濡れ性を向上させる処理としては、オゾンガスやプラズマなどの活性種を表面に接触させる方法によるものを挙げることができる。ただし、このような表面処理は必ずしも必要なものではない。制御部58により、温度センサー54からの温度情報に基づいてヒーター53の加熱を制御して、吐出ヘッド56の内部の流路及び未硬化の応力調整用樹脂の温度を制御する。また、温度センサー54からの温度情報に基づいてヒーター53の加熱を制御して、半導体ウエハ51の上面の温度を制御する。制御部58の制御により、画像情報カメラ57からの画像情報に基づいてステージ部55を動作させて基板保持部52に保持された半導体ウエハ51の位置合わせを行なう。制御部58は、画像認識技術により、画像情報カメラ57からの半導体ウエハ51の画像情報に基づいて、未硬化の応力調整用樹脂の液滴を付着させるべき半導体ウエハ51の上面の領域を計算する。その後、ステージ位置検出器60からのステージ位置情報と照らし合わせ、ステージ部55及び吐出ヘッド56へ駆動信号を送り、半導体ウエハ51を吸着した基板保持部52を順次位置決めするとともに、吐出ヘッド56から未硬化の応力調整用樹脂の液滴を適宜噴出させて、半導体ウエハ51の上面の所望の領域に未硬化の応力調整用樹脂層を形成する。ここでは未硬化の応力調整用樹脂層を例えば20μm程度の膜厚に形成する。ここでは、半導体チップ5の半導体基板に対するパッケージ応力の値が14以上の位置図3を参照。に対応して未硬化の応力調整用樹脂層を形成する。吐出ヘッド56から噴出される未硬化の応力調整用樹脂の液滴の容積は例えば最小で5ナノリットル程度にまで精度よく制御できるので、液滴の樹脂量は例えば数μm程度の精度に対応できる液滴量に制御することができる。半導体ウエハ51の上面上の所望の位置に未硬化の応力調整用樹脂層を形成した後、半導体ウエハ51を基板保持部52から取り出す。取り出した半導体ウエハ51に対して、温度は120°C、時間は30分の条件で熱処理を施し、さらに温度は150°C、時間は120分の条件で熱処理を施して未硬化の応力調整用樹脂層を硬化させて、膜厚が約20μmの応力調整用樹脂層9を形成する図1。その後、半導体ウエハ51から半導体チップ5を切り出す。図2に戻って製造方法の実施例の説明を続ける。ステップS3:応力調整用樹脂層9が形成された半導体チップ5をダイパッド3に実装する。電極パッド7とリード13をボンディングワイヤー11によって電気的に接続する。その後、ダイパッド3、半導体チップ5、電極パッド7、ボンディングワイヤー11及びリード13の一部が樹脂封止される。このとき、半導体チップ5の半導体基板に加わるパッケージ応力は応力調整用樹脂層9が形成されている位置では緩和される。なお、リード部は樹脂封止工程の段階では通常アレイ状に連なっており、樹脂封止工程後にリード部が切断されて、個々の半導体装置1に小片化される。応力調整用樹脂層9の形成位置を含め、半導体装置1と同一構造の応力測定用半導体装置を用いてパッケージ応力の分布を評価した結果を図4に示す。半導体チップ5の上面への応力調整用樹脂層9の部分的な塗布により、図3に示したパッケージ応力の分布に比べて等応力線が密の部分が少なくなっており、パッケージ応力の均一度を向上させることができた。図1に参照して説明した実施例では、図3に示した応力測定用半導体装置の半導体基板に対するパッケージ応力が所定基準値14以上の位置に対応して応力調整用樹脂層9が形成されているが、所望基準値はいずれの値であってもよく、例えば15であってもよいし、13や12、11であってもよい。図1を参照して説明した実施例では、応力調整用樹脂層9の厚みは均一であるが、パッケージ応力に対する上記所定基準値を複数設け、応力調整用樹脂層はパッケージ応力が大きい位置ほど厚く形成されているようにしてもよい。例えば、図3に示した応力測定用半導体装置のパッケージ応力分布に対して、図中の応力値14を第1基準値、応力値15を第2基準値とし、パッケージ応力が第1基準値以上の位置に応力調整用樹脂層を形成し、第2基準値以上の位置では第1基準値以上かつ第2基準値未満の位置に比べて応力調整用樹脂層を厚く形成するようにしてもよい。図6を参照して複数の厚みをもつ応力調整用樹脂層を備えた実施例を説明する。図6は、半導体装置の他の実施例を説明するための概略的な平面図及び断面図である。2つの断面図は平面図のA-A位置、B-B位置での断面である。図6の平面図で、封止樹脂は仮想線二点鎖線で表示されている。図1と同じ部分には同じ符号を付し、それらの部分についての説明は省略する。この実施例では、図1を参照して説明した実施例と比較して、応力調整用樹脂層9に替えて応力調整用樹脂層9a,9bが形成されている。図3も参照して説明すると、応力調整用樹脂層9aはパッケージ応力が第1基準値14以上で第2基準値15未満の位置に対応して配置されている。応力調整用樹脂層9bはパッケージ応力が第2基準値15以上の位置に対応して配置されている。応力調整用樹脂層9bは、応力調整用樹脂層9aよりも大きい厚みで形成されている。パッケージ応力の最も大きい領域図3の応力値15以上の領域に応力調整用樹脂層9a,9bのうち厚みが最大の応力調整用樹脂層9bが配置されている。このように、パッケージ応力に対する所定基準値を複数設け、パッケージ応力が大きい位置ほど応力調整用樹脂層を厚く形成するようにすれば、半導体チップ5におけるパッケージ応力の均一性をより向上できる。なお、応力調整用樹脂層を部分的に厚く形成する方法は、例えば特許文献6に開示された吐出ノズルを用いた方法で、未硬化の応力調整用樹脂を塗布する際に所望の位置で塗布量を多くすることにより、応力調整用樹脂層を部分的に厚く形成することができる。未硬化の応力調整用樹脂の粘度の関係で、未硬化の応力調整用樹脂を部分的に厚く形成できない場合は、所定の厚みの未硬化応力調整用樹脂層を形成し、その未硬化応力調整用樹脂層を半硬化状態プリベーク又は硬化させた後、所望の位置に未硬化の応力調整用樹脂を塗布して、硬化後の応力調整用樹脂層の厚みを異ならせればよい。また、図1、図6を参照して説明した各実施例では、応力調整用樹脂層9,9a,9bは各配置範囲内で全面に形成ベタ塗りされているが、応力調整用樹脂層はその配置範囲内で全面に形成されていなくてもよい。例えば、図7に示すように、応力調整用樹脂層9cは島状に形成されていてもよい。また、図8に示すように、互いに平面サイズが異なる島状の応力調整用樹脂層9c,9dが配置されていてもよい。応力調整用樹脂層9cは図3の応力値14の範囲に対応して配置され、応力調整用樹脂層9dは図3の応力値15の範囲に対応して配置されている。応力調整用樹脂層9dは、応力調整用樹脂層9cよりも平面サイズが大きい。応力調整用樹脂層9dが配置されている範囲では、応力調整用樹脂層9dが配置されている範囲に比べて、応力調整用樹脂層が占める面積比率が高い。これにより、応力調整用樹脂層9dが配置されている範囲では、応力調整用樹脂層9dが配置されている範囲に比べて、よりパッケージ応力が緩和される。また、応力調整用樹脂層9c,9dの厚みは同じであってもよいし、応力調整用樹脂層9dの厚みを応力調整用樹脂層9cの厚みに比べて大きくして応力調整用樹脂層9dの配置範囲でよりパッケージ応力が緩和されるようにしてもよい。このように、応力調整用樹脂層は、配置範囲内でパッケージ応力を緩和できる面積比率で形成されていれば、ベタ塗り、島状、格子状、縞状又はそれらの混載など、どのような平面形状で形成されていてもよい。図9は、半導体装置のさらに他の実施例を説明するための概略的な平面図及び断面図である。2つの断面図は平面図のA-A位置、B-B位置での断面である。図9の平面図で、封止樹脂は仮想線二点鎖線で表示されている。図1と同じ部分には同じ符号を付し、それらの部分についての説明は省略する。この実施例では、図1を参照して説明した実施例と比較して、半導体チップ5の上面の全面に応力調整用樹脂層9eが形成されており、図3の応力値14以上の位置に対応する位置に、応力調整用樹脂層9eよりも大きい厚みで応力調整用樹脂層9fが形成されている。なお、応力調整用樹脂層9eは、電極パッド7の形成位置及び電極パッド7の周縁から所定範囲の位置には形成されていない。また、応力調整用樹脂層9eは、半導体チップ5の周縁から所定範囲の位置には形成されていないようにしてもよい。この実施例は、厚みが大きい応力調整用樹脂層9fが形成された位置でのパッケージ応力は他の位置に比べて低減されるので、パッケージ応力の分布の均一度を向上させることができる。さらに、応力調整用樹脂層9eが半導体チップ5の上面の全面に配置されることにより、パッケージ応力の分布の均一度はさらに向上される。また、応力調整用樹脂層は半導体チップの上面の全面に配置されるとともに、図6を参照して説明した実施例と同様に、パッケージ応力に対する所定基準値を複数設け、応力調整用樹脂層はパッケージ応力が大きい位置ほど厚く形成されているようにしてもよい。上記で説明した実施例では、ダイパッド3が封止樹脂15の内部に配置されているが、本発明が適用される半導体装置はこれに限定されるものではない。例えば、ダイパッドの裏面半導体チップ搭載面とは反対側の面が封止樹脂で覆われておらずに露出している構成など、封止樹脂で半導体チップが封止されている半導体装置であれば、本発明を適用できる。また、上記で説明した実施例は、半導体チップ5がワイヤボンディング実装されている半導体装置であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップがプリント基板にフリップチップ実装されている半導体装置にも適用できる。図10を参照して、半導体チップがプリント基板にフリップチップ実装されている半導体装置の実施例について説明する。図10は、半導体装置のさらに実施例を説明するための概略的な平面図及び断面図である。2つの断面図は平面図のA-A位置、B-B位置での断面である。図10の平面図で、プリント基板の図示は省略され、封止樹脂は仮想線二点鎖線で表示されている。半導体装置21において、プリント基板23の上に、はんだ25を介して半導体チップ27が実装されている。半導体チップ27の電極パッド29は、はんだ25によってプリント基板23の内部電極23aと電気的に接続されている。プリント基板23の内部電極23aの電位は、プリント基板23の半導体チップ実装面とは反対側の面に設けられた外部電極23bから半導体装置21の外部に取り出される。半導体チップ27の裏面電極パッド29の形成面とは反対側の面の上に応力調整用樹脂層31が形成されている。この実施例では、半導体チップ27の裏面は、半導体基板の裏面素子形成面とは反対側の面であり、本発明における半導体チップの主平面を構成する。応力調整用樹脂層31は、応力調整用樹脂層31が形成されていない場合の半導体チップ27の半導体基板に対するパッケージ応力図3を参照。が所定基準値以上の位置に対応して配置されている。プリント基板23の上に、半導体チップ27及び応力調整用樹脂層31を覆う封止樹脂33が形成されている。これによって半導体チップ27が樹脂封止されている。応力調整用樹脂層31は半導体チップ27の半導体基板の熱膨張率と封止樹脂33の熱膨張率の間の熱膨張率をもつ材料で形成されている。応力調整用樹脂層31の形成は、例えば図2を参照して説明した上記方法と同様の方法によって行なわれる。応力調整用樹脂層31は図3中の応力値14所定基準値以上の位置に対応する位置に形成されている。パッケージ応力の最も大きい領域図3の応力値15以上の領域にも応力調整用樹脂層31が配置されている。この実施例で、応力調整用樹脂層31が形成された位置でパッケージ応力が低減されるので、図1を参照して説明した実施例と同様に、半導体チップ27におけるパッケージ応力の分布の均一性を向上させることができる。なお、半導体チップがフリップチップ実装されている半導体装置に対しても、図5~図9を参照して説明した各実施例における応力調整用樹脂層の構成を適用できることは言うまでもない。次に、本発明の半導体装置において半導体チップに形成される素子の例について説明する。図11は、4つのドライバトランジスタを備えた半導体装置の概略的なレイアウト図である。図12は、ドライバトランジスタを構成するMOSトランジスタの概略的なレイアウト図である。図13は、図12のドライバトランジスタの等価回路である。半導体チップ41に4つのドライバトランジスタ43a,43b,43c,43dが設けられている。図12及び図13に示すように、ドライバトランジスタ43aは同一サイズの多数のMOSトランジスタM11~Mmnからなる多出力カレントミラー回路で構成されている。MOSトランジスタM11~Mmnのゲートは互いに接続されており、それらのゲートは基準となるMOSトランジスタM11のドレインに接続されている。ドライバトランジスタ43b,43c,43dもドライバトランジスタ43aと同様にMOSトランジスタM11~Mmnからなる多出力カレントミラー回路で構成されている。例えばドライバトランジスタ43a~43dがそれぞれ1000個のMOSトランジスタで形成されている場合、基準MOSトランジスタM11を流れる電流と同量の電流がMOSトランジスタM12~Mmnに流れ、基準MOSトランジスタM11を流れる電流が1000倍にされる。基準MOSトランジスタM11を流れる電流を正確に1000倍するには、MOSトランジスタM11~Mmnの電気的特性が同一であること、いわゆるマッチングが要求される。また、例えばドライバトランジスタ43a~43dが、同一の輝度が求められる多数のLEDLightEmittingDiodeを発行させるLEDドライバに適用される場合、ドライバトランジスタ43a~43d自体にもマッチングが要求される。図14は、半導体チップ41を搭載及び樹脂封止した半導体装置に対応する、応力調整用樹脂層が形成されていない応力測定用半導体装置のパッケージ応力分布の一例を示す図である。図15は、半導体チップ41を搭載及び樹脂封止した半導体装置に対応する、応力調整用樹脂層が形成されている半導体装置のパッケージ応力分布の一例を示す図である。ドライバトランジスタ43a~43dを構成するMOSトランジスタにパッケージ応力が加わると、MOSトランジスタの電気的特性は加わったパッケージ応力の大きさに応じて変動する。例えば図14に示すように、ドライバトランジスタ43a~43dの配置位置で、パッケージ応力の均一度が低く、パッケージ応力の等応力線が密になっている場合、ドライバトランジスタ43a~43dを構成するMOSトランジスタの電気的特性のバラツキが大きくなる。そこで、少なくともドライバトランジスタ43a~43dの配置位置でパッケージ応力の均一度が向上するように、例えば応力値12以上の範囲に対して半導体チップ上に応力調整用樹脂層を形成すれば、図15に示すように、ドライバトランジスタ43a~43dを構成するMOSトランジスタの電気的特性のバラツキを小さくすることができ、ドライバトランジスタ43a~43d間のマッチング性及び各ドライバトランジスタ43a~43d内のMOSトランジスタのマッチング性を向上させることができる。以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、形状、材料、配置、個数などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。"