"導電性陽極基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が順次に積層された構造を含むドープ型有機電界発光素子であって、前記電子阻止層の材質は、セシウム塩ドープ正孔輸送材であり、前記セシウム塩の、前記電子阻止層に対する質量百分率は2~15であることを特徴とする、ドープ型有機電界発光素子。前記セシウム塩は、アジドセシウム、炭酸セシウム、フッ化セシウム、または酸化セシウムであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記正孔輸送材は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサン、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記電子阻止層の厚さは、1nm~10nmであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記正孔注入層の材質は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、または五酸化二バナジウムであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記正孔輸送層の材質は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサン、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンであることを特徴とする、請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記発光層の材質は、4-ジシアノメチレン-2-イソプロピル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウム、ビス2-メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウム、及びトリ2-フェニルピリジンイリジウムから選ばれる少なくとも一種であり、または、前記発光層の材質は、4-ジシアノメチレン-2-イソプロピル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-ビニル-4H-ピラン、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウム、ビス2メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウム、或いはトリ2-フェニルピリジンイリジウムをゲスト材とし、かつ、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサン、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、及びN-アリールベンゾイミダゾールから選ばれる1種または2種をホスト材として組み合わせたドープ型混合材であり、その中で、ゲスト材のドープ量は質量百分率で1~20であることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記電子輸送層の材質は、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、またはN-アリールベンゾイミダゾールであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。前記電子注入層の材質は、炭酸リチウム、塩化リチウム、またはフッ化リチウムであることを特徴とする請求項1に記載のドープ型有機電界発光素子。導電性陽極基板に対して前処理を行う工程と、前記導電性陽極基板の上に、正孔注入層、及び正孔輸送層を順次に蒸着して形成する工程と、前記の正孔輸送層の上に、セシウム塩ドープ正孔輸送材を蒸着して、電子阻止層を形成する工程と、前記電子阻止層の上に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を順次に蒸着積層して形成し、最後に、陰極を蒸着して前記ドープ型有機電界発光素子を得る工程と、を備えることを特徴とするドープ型有機電界発光素子の製造方法。このようなドープ型有機電界発光素子の電子阻止層の材質は、セシウム塩ドープ正孔輸送材であり、セシウム塩の仕事関数が約-2.0eVと低く、効果的に電子を阻止することができる。低い仕事関数のセシウム塩を正孔輸送材にドープして電子阻止層とすることにより、正孔輸送材のLUMOエネルギー準位を大幅に向上させ、電子阻止層と発光層との間のポテンシャルバリヤを増大させて、電子の正孔輸送層側への遷移が困難になり、電子阻止効果がよいため、電子をできるだけ発光層内に閉じ込めて正孔との再結合を行うことができる。図1に示すように、1つの実施形態におけるドープ型有機電界発光素子100は、導電性陽極基板10、正孔注入層20、正孔輸送層30、電子阻止層40、発光層50、電子輸送層60、電子注入層70、及び陰極80が順次に積層された構造を含む。導電性陽極基板10の材質は、酸化インジウムスズガラスITO、フッ素ドープ酸化スズガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、またはインジウムドープ酸化亜鉛IZOであってもよい。正孔注入層20の材質は、三酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、または五酸化二バナジウムV2O5であってもよく、厚さは、20nm~80nmであってもよい。好ましくは、正孔注入層20の材質はMoO3であり、厚さは40nmである。正孔輸送層30の材質は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよく、その厚さは、20~60nmであってもよい。好ましくは、正孔輸送層30の材質はNPBであり、厚さは40nmである。電子阻止層40の材質は、セシウム塩ドープ正孔輸送材である。セシウム塩のドープ量は、質量百分率で電子阻止層40の2~15である。セシウム塩は、アジドセシウム、炭酸セシウム、フッ化セシウム、または酸化セシウムであってもよい。正孔輸送材は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよい。電子阻止層40の厚さは1nm~10nmである。発光層50の材質は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルービニル-4H-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウムFIrpic、ビス2-メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウムIrMDQ2acac、及びトリ2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3から選ばれる少なくとも一種である。または、発光層50の材質は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルービニル-4H-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウムFIrpic、ビス2-メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトンイリジウムIrMDQ2acac、或いはトリ2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3をゲスト材とし、かつ、正孔輸送材或いは電子輸送材から選ばれる1種または2種をホスト材として組み合わせたドープ型混合材であり、ゲスト材のドープ量は質量百分率で1~20である。その中で、正孔輸送材は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD,4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、或いはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよく、電子輸送材は、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBpHen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、或いはN-アリールベンゾイミダゾールTPBIであってもよい。発光層50の厚さは、2nm~50nmである。好ましくは、発光層50の材質はAlq3であり、厚さは30nmである。電子輸送層60の材質は、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、またはN-アリールベンゾイミダゾールTPBiであってもよく、厚さは、40nm~80nmである。好ましくは、電子輸送層60の材質はTPBiであり、厚さは60nmである。電子注入層70の材質は、炭酸リチウムLi2CO3、塩化リチウムLiCl、またはフッ化リチウムLiFであり、厚さは、0.5nm~5nmである。好ましくは、電子注入層70の材質はLiFであり、厚さは0.7nmである。陰極80の材質は、銀Ag、アルミAl、白金Pt、または金Auであり、厚さは、80nm~250nmである。好ましくは、陰極80の材質はAgであり、厚さは100nmである。このようなドープ型有機電界発光素子100の電子阻止層40の材質は、セシウム塩ドープ正孔輸送材であり、セシウム塩の仕事関数が約-2.0eVと低く、効果的に電子を阻止することができる。低い仕事関数のセシウム塩を正孔輸送材にドープして電子阻止層40とすることにより、正孔輸送材のLUMOエネルギー準位を大幅に向上させ、電子阻止層40と発光層50との間のポテンシャルバリヤを増大させて、電子の正孔輸送層30側への遷移が困難になり、電子阻止効果がよいため、電子をできるだけ発光層50内に閉じ込めて正孔との再結合を行うことができる。同時に、電子阻止層40における正孔輸送材は、正孔の輸送速度をさらに向上させることができ、最終的に励起子の再結合確率を向上して、発光効率をさらに向上させる。また、このようなドープ型材質からなる電子阻止層40は、その製造方法が簡単であり、ドープ型有機電界発光素子100の製造効率を大幅に向上させることができる。図2に示すように、上記のドープ型有機電界発光素子100の製造方法は、下記の工程を備える。工程S10:導電性陽極基板10に対して前処理を行う。導電性陽極基板10の材質は、酸化インジウムスズガラスITO、フッ素ドープ酸化スズガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛AZO、またはインジウムドープ酸化亜鉛IZOであってもよい。前処理工程は、導電性陽極基板10を洗浄し、その後導電性陽極基板10に対して酸素プラズマ処理を行う工程である。具体的に、先ず、導電性陽極基板10を、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間の超音波処理を行い、導電性陽極基板10の表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理時間は、2分~15分であり、出力は10W~50Wである。好ましくは、処理時間が5分であり、出力が35Wである。工程S20:導電性陽極基板10の上に、正孔注入層20、及び正孔輸送層30を順次に蒸着して形成する。導電性陽極基板10の上に真空熱蒸着して、正孔注入層20、及び正孔輸送層30を順次に形成する。正孔注入層20の材質は、三酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、または五酸化二バナジウムV2O5であってもよく、厚さは、20nm~80nmであってもよい。好ましくのは、正孔注入層20の材質はMoO3であり、厚さは40nmである。正孔輸送層30の材質は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよく、厚さは20~60nmであってもよい。好ましくは、正孔輸送層30の材質はNPBであり、厚さは40nmである。工程S30:正孔輸送層30の上に、セシウム塩ドープ正孔輸送材を蒸着して、電子阻止層40を形成する。電子阻止層40の材質は、セシウム塩ドープ正孔輸送材である。セシウム塩の電子阻止層40に対する質量百分率は2~15である。セシウム塩は、アジドセシウム、炭酸セシウム、フッ化セシウム、または酸化セシウムであってもよい。正孔輸送材は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、またはN,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよい。電子阻止層40の厚さは1nm~10nmである。工程S40:電子阻止層40の上に、順次に、発光層50、電子輸送層60、及び電子注入層70を蒸着積層して形成し、最後に、陰極80を蒸着してドープ型有機電界発光素子100を得る。発光層50の材質は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルービニル-4H-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウムFIrpic、ビス2-メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウムIrMDQ2acac、及びトリ2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3から選ばれる少なくとも一種である。または、発光層50の材質は、4-ジシアノメチレン-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルービニル-4H-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2ピコリナトイリジウムFIrpic、ビス2-メチル-ジベンゾ[f,h]キノキサリンアセチルアセトナトイリジウムIrMDQ2acac、或いはトリ2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3をゲスト材とし、かつ、正孔輸送材或いは電子輸送材から選ばれる1種または2種をホスト材として組み合わせたドープ型混合材であり、ゲスト材のドープ量は質量百分率で1~20である。その中で、正孔輸送材は、1,1-ビス[4-[N,N’-ジp-トリルアミノ]フェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジ3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD,4,4’,4’’-トリカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、或いはN,N’1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBであってもよく、電子輸送材は、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBpHen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、或いはN-アリールベンゾイミダゾールTPBIであってもよい。発光層50の厚さは、2nm~50nmである。好ましくは、発光層50の材質はAlq3であり、厚さは30nmである。電子輸送層60の材質は、2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリン-アルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、またはN-アリールベンゾイミダゾールTPBiであってもよく、厚さは、40nm~80nmである。好ましくは、電子輸送層60の材質はTPBiであり、厚さは60nmである。電子注入層70の材質は、炭酸リチウムLi2CO3、塩化リチウムLiCl、またはフッ化リチウムLiFであり、厚さは、0.5nm~5nmである。好ましくは、電子注入層70の材質は、LiFであり、厚さは0.7nmである。陰極80の材質は、銀Ag、アルミAl、白金Pt、または金Auであり、厚さは、80nm~250nmである。好ましくは、陰極80の材質はAgであり、厚さは100nmである。以下、図面及び具体的な実施例を挙げて、ドープ型有機電界発光素子及びその製造方についてより詳しく説明する。下記の実施例において、製造及び測定に用いられる装置は、次の通りである。即ち、高真空蒸着装置瀋陽科学儀器研制中心有限公司、圧力<1×10-3Pa、電流-電圧測定計米国Keithly社、型番:2602、電界発光分光測定装置米国photoresearch社、型番:PR650、及びスクリーン輝度計北京師範大学、型番:ST-86LA。実施例1本実施例で製造されたドープ型有機電界発光素子は、ITO/MoO3/NPB/TCTA:CsN3/Alq3/TPBi/LiF/Agの構造を有するものである。上記のドープ型有機電界発光素子の製造プロセスは、次の通りである。先ず、ITOを、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間超音波処理して、ガラス表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行った。次に、ITOの上に、順次に正孔注入層、及び正孔輸送層を蒸着した。正孔注入層の材質は、MoO3であり、厚さは、40nmである。正孔輸送層の材質は、NPBであり、厚さは40nmである。その後、電子阻止層を蒸着し、その材質は、CsN3ドープTCTAであり、ドープ量は質量百分率で5であり、電子阻止層の厚さは5nmである。次に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を蒸着した。ここで、発光層の材質はAlq3であり、厚さは30nmである。電子輸送層の材質はTPBiであり、厚さは60nmである。電子注入層の材質はLiFであり、厚さは0.7nmである。最後に、陰極を蒸着し、陰極の材質はAgであり、厚さは100nmである。上記のようにして、所望のドープ型有機電界発光素子を得た。図3は、実施例1で製造されたドープ型有機電界発光素子、及び従来のドープ型有機電界発光素子その構造は、ITO/MoO3/NPB/TCTA/Alq3/TPBi/LiF/Agであるのエネルギー効率と電流密度との関係を模式的に示す図である。図3から分かるように、異なる電流密度の下で、実施例1により製造されたドープ型有機電界発光素子のエネルギー効率は、いずれも、従来のドープ型有機電界発光素子のエネルギー効率より高い。実施例1で製造されたドープ型有機電界発光素子のエネルギー効率の最高値は、15.8lm/Wであるが、従来のドープ型有機電界発光素子のエネルギー効率の最高値は、12.6lm/Wである。したがって、ドープされた電子阻止層を用いる場合、正孔輸送材のLUMOエネルギー準位を大幅に向上させ、かつ、正孔の輸送速度をさらに向上させることができ、最終的には、励起子の再結合確率を向上することが確認された。実施例2本実施例で製造されたドープ型有機電界発光素子は、IZO/V2O5/TCTA/TAPC:Cs2O/TPBi:Irppy3/TPBi/LiF/Alの構造を有するものである。上記のドープ型有機電界発光素子の製造プロセスは、次の通りである。先ず、IZOを、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間超音波処理して、ガラスの表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行った。次に、IZOの上に、順次に正孔注入層、及び正孔輸送層を蒸着した。ここで、正孔注入層の材質はV2O5であり、厚さは20nmである。正孔輸送層の材質はTCTAであり、厚さは60nmである。その後、電子阻止層を蒸着し、その材質は、Cs2OドープTAPCであり、ドープ量は質量百分率で15であり、電子阻止層の厚さは10nmである。次に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を蒸着した。発光層の材質は、Irppy3ドープTPBiであり、ドープ量は質量百分率で15であり、厚さは15nmである。電子輸送層の材質はTPBiであり、厚さは80nmである。電子注入層の材質はLiFであり、厚さは0.5nmである。最後に、陰極を蒸着し、その材質はAlであり、厚さは80nmである。このようにして、所望のドープ型有機電界発光素子を得た。実施例3本実施例で製造されたドープ型有機電界発光素子は、AZO/WO3/TPD/TPD:Cs2CO3/NPB:IrMDQ2acac/Bphen/Li2CO3/Auの構造を有するものである。上記のドープ型有機電界発光素子の製造プロセスは、次の通りである。先ず、AZOを、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間超音波処理して、ガラスの表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行った。次に、AZOの上に、順次に正孔注入層、及び正孔輸送層を蒸着した。ここで、正孔注入層の材質はWO3であり、厚さは80nmである。正孔輸送層の材質はTPDであり、厚さは20nmである。その後、電子阻止層を蒸着し、その材質は、Cs2CO3ドープTPDであり、ドープ量は質量百分率で2であり、厚さは1nmである。次に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を蒸着した。発光層の材質は、IrMDQ2acacドープNPBであり、ドープ量は質量百分率で1であり、厚さは2nmである。電子輸送層の材質はBphenであり、厚さは20nmである。電子注入層の材質はLi2CO3であり、厚さは5nmである。最後に、陰極を蒸着し、その材質はAuであり、厚さは250nmである。このようにして、所望のドープ型有機電界発光素子を得た。実施例4本実施例で製造されたドープ型有機電界発光素子は、ITO/MoO3/TAPC/TPD:CsF/TAZ:Firpic/TAZ/LiCl/Ptの構造を有する。上記のドープ型有機電界発光素子の製造プロセスは、次の通りである。先ず、ITOを、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間超音波処理して、ガラス表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行った。次に、ITOの上に、順次に正孔注入層、及び正孔輸送層を蒸着した。ここで、正孔注入層の材質はMoO3であり、厚さは50nmである。正孔輸送層の材質はTAPCであり、厚さは30nmである。その後、電子阻止層を蒸着し、その材質は、CsFドープTPDであり、ドープ量は質量百分率で7であり、厚さは8nmである。次に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を蒸着した。発光層の材質は、FirpicドープTAZであり、ドープ量は質量百分率で20であり、厚さは20nmである。電子輸送層の材質はTAZであり、厚さは75nmである。電子注入層の材質はLiClであり、厚さは0.5nmである。最後に、陰極を蒸着し、その材質はPtであり、厚さは150nmである。このようにして、所望のドープ型有機電界発光素子を得た。実施例5本実施例で製造されたドープ型有機電界発光素子は、FTO/V2O5/NPB/NPB:Cs2O/DCJTB/PBD/LiF/Alの構造を有するものである。上記のドープ型有機電界発光素子の製造プロセスは、次の通りである。先ず、FTOを、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ15分間超音波処理して、ガラス表面の有機汚染物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を行った。次に、FTOの上に、順次に正孔注入層、及び正孔輸送層を蒸着した。ここで、正孔注入層の材質はV2O5であり、厚さは55nmである。正孔輸送層の材質はNPBであり、厚さは60nmである。その後、電子阻止層を蒸着し、その材質は、Cs2OドープNPBであり、そのドープ量は質量百分率で5であり、厚さは2nmである。次に、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を蒸着した。発光層の材質はDCJTBであり、厚さは50nmである。電子輸送層の材質はPBDであり、厚さは30nmである。電子注入層の材質はLiFであり、厚さは1nmである。最後に、陰極を蒸着し、その材質はAlであり、厚さは200nmである。このようにして、所望のドープ型有機電界発光素子を得た。以上の実施例は、本発明のいくつかの実施形態のみを示し、具体的に且つ詳細に説明しているが、本発明の特許請求の範囲は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。当業者にとって、本発明の要旨を逸脱しない範囲内においてさまざまな変更及び改善を行い得る。かかる変更及び改善はすべて本発明の保護範囲に属することは、自明なことである。従って、本発明の特許請求の範囲は、添付する請求項を基準としなければならない。"