第1のIII族窒化物体と第2のIII族窒化物体との間に形成され、二次元電子ガスを有する伝導チャネルと、この伝導チャネルに中断領域を生ぜしめるために電荷を内部に閉じ込めた少なくとも1つのゲート誘電体層と、前記伝導チャネルの前記中断領域を復元するように作用しうるゲート電極とを具えるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、このIII族窒化物トランジスタがエンハンスメントモードのトランジスタであるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記少なくとも1つのゲート誘電体層がシリコン窒化物層であるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記少なくとも1つのゲート誘電体層がシリコン酸化物層であるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記少なくとも1つのゲート誘電体層に前記電荷がイオン注入されているIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記少なくとも1つのゲート誘電体層が前記電荷とともに成長されているIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記第1のIII族窒化物体がAlGaNを有しているIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記第2のIII族窒化物体がGaNを有しているIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記少なくとも1つのゲート誘電体層が前記第1のIII族窒化物体上で前記ゲート電極の下側にあるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記電荷が負電荷であるIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記電荷が前記少なくとも1つのゲート誘電体層の全体に亘って分散されているIII族窒化物トランジスタ。請求項1に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、このIII族窒化物トランジスタが電力トランジスタであるIII族窒化物トランジスタ。第1のIII族窒化物体と第2のIII族窒化物体との間に形成され、二次元電子ガスを有する伝導チャネルと、この伝導チャネルに中断領域を生ぜしめるために電荷を内部に閉じ込めた単一のゲート誘電体層と、前記伝導チャネルの前記中断領域を復元するように作用しうるゲート電極とを具えるIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、このIII族窒化物トランジスタがエンハンスメントモードのトランジスタであるIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記単一のゲート誘電体層がシリコン窒化物層であるIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記単一のゲート誘電体層がシリコン酸化物層であるIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記単一のゲート誘電体層に前記電荷がイオン注入されているIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記単一のゲート誘電体層が前記電荷とともに成長されているIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記電荷が負電荷であるIII族窒化物トランジスタ。請求項13に記載のIII族窒化物トランジスタにおいて、前記電荷が前記単一のゲート誘電体層の全体に亘って分散されているIII族窒化物トランジスタ。III族窒化物ヘテロ接合トランジスタは、比較的降伏電圧を高くし、電流密度を高くし、オン抵抗を低くするための電力分野にとって望ましいものである。しかし、従来のIII族窒化物ヘテロ接合トランジスタのノーマリーオン特性は、電力分野に用いた場合に問題を生じるおそれがある。例えば、電力分野では、制御回路が完全に電力供給状態及び動作状態になる前に、電流がIII族窒化物ヘテロ接合トランジスタを流れるのを回避することが望ましい。従って、例えば、起動及びその他の回路状態中に電流が流れる問題を回避するために、ノーマリーオフの、すなわち、エンハンスメントモードのトランジスタであるIII族窒化物ヘテロ接合トランジスタを提供することが望ましい。従って、エンハンスメントモードの、すなわち、ノーマリーオフのトランジスタとして構成した有効なIII族窒化物トランジスタが当該技術分野で必要となる。本発明は、少なくとも1つの図面に関しほぼ図示してある又は説明した或いは図示及び説明した、より完全には特許請求の範囲に記載した、単一ゲートの誘電体構造を有するエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタを提供する。本発明は、単一ゲートの誘電体構造を有するエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタを提供する。以下の説明には、本発明の実施に関連する特定の情報が含まれるものである。当業者にとって明らかなように、本発明は本明細書に具体的に説明したのとは異なる方法で実施しうるものである。更に、本発明を不明瞭にしないように、本発明の特定の細部の幾つかの説明を省略した。本発明の図面及びそれに付随する詳細な説明は、単に本発明の代表的な実施例に向けられたものにすぎないものである。簡潔さを維持するために、本発明の他の実施例を具体的に説明せずしかも図示していない。図1を参照するに、この図1には本発明の一実施例によるトランジスタ100の断面図が示されている。本例では、トランジスタ100はエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタである。このトランジスタ100はIII族窒化物ヘテロ接合高電子移動度トランジスタHEMTを具えており、このトランジスタは、基板106と、遷移体108と、III族窒化物体110と、III族窒化物体112と、通電電極116及び118と、ゲート構造体120とを有している。図1に示すように、III族窒化物体110は、例えばAlNを有する遷移体108上に形成でき、この遷移体自体は基板106上に形成する。遷移体108は、GaN、AlGaN、AlN及びInGaAlNを種々の順序で有する一連の層を具えることができ、ヘテロエピタキシャル層と基板106との間の不整合による歪みを軽減させることができる。基板106は、炭化珪素、シリコン、サファイアのような材料や、その他の適切な基板材料を有しうる。基板106は、III族窒化物体110と適合しうるIII族窒化物のバルク材料例えば、GaNバルク材料を有するようにでき、この場合、遷移体108を省略しうる。図1では、トランジスタ100のIII族窒化物体110はGaNのようなIII族窒化物材料を有し、III族窒化物体112はAlGaNのようなIII族窒化物材料を有する。図1に示すように、III族窒化物体110は基板106の上方に配置されており、III族窒化物体112はIII族窒化物体110上に配置され、二次元電子ガス2DEG114を有する界面に伝導チャネルを形成している。例えば、III族窒化物体110のIII族窒化物材料は、III族窒化物体112のIII族窒化物材料とは異なる面内格子定数を有し、2DEG114を含む伝導チャネルを形成しうるようにすることができる。トランジスタ100を形成するのに、他のIII族窒化物材料を用い、このIII族窒化物材料の界面が導電用の2DEG114を有する伝導チャネルを形成するようにすることができること明らかである。トランジスタ100の動作中、電流は、電極116この電極はIII族窒化物体112にオーム結合させるのが好ましいと、電極118この電極もIII族窒化物体112にオーム結合させるのが好ましいとの間で、2DEG114を有する伝導チャネルを介して流れることができる。ある実施例では、トランジスタ100が電力トランジスタを有し、電極116及び118が電源電極を有する。ゲート構造体120は電極116及び電極118間に配置され、2DEG114を有する伝導チャネルにおける電流の流れを制御する。従来のHEMTは代表的に、例えば、起動時に導電電極間で伝導チャネルを介して電流が自由に流れうるデプレションモードのトランジスタである。しかし、多くの適用分野では、エンハンスメントモードのトランジスタを得ることが望まれている。本例では、トランジスタ100が有するゲート構造体120により、2DEG114を有する伝導チャネルの中断分断領域を生ぜしめ、これによりトランジスタ100をエンハンスメントモードのトランジスタとする。図1に示すように、ゲート構造体120は導電材料を有しうるゲート電極123を具えており、このゲート電極123をゲート誘電体層125によりIII族窒化物体112から電気絶縁させ、従って、このIII族窒化物体112に容量結合させることができる。トランジスタ100では、ゲート構造体120はその下側に単一のゲート誘電体層125、例えば、シリコン酸化物層又はシリコン窒化物層を有する。図1に示すように、ゲート誘電体層125はIII族窒化物体112上及びゲート電極123上に存在する。本例では、ゲート構造体120は、2DEG114を有する伝導チャネルの中断領域を生ぜしめるのにゲート誘電体層125を具えている。特に、ゲート誘電体層125内に閉じ込められている負電荷が伝導チャネル内の2DEG114を妨害して中断領域を生ぜしめる。例えば、ある実施例では、ゲート誘電体層125内に閉じ込められている電荷を負電荷とし、2DEG114を形成する電子が伝導チャネルから反発されて伝導チャネルの中断領域を生ぜしめるようにしうる。他の実施例では、ゲート誘電体層125内に閉じ込められている正電荷が伝導チャネル内の2DEG114を妨害して中断領域を生ぜしめるようにしうる。他の実施例では、ゲート電極123の下側に、例えば、何れかに電荷が閉じ込められている又は閉じ込められていない複数の他のゲート誘電体層を設けることができる。しかし、単一のゲート誘電体層が好ましい。ゲート誘電体層125内に閉じ込められている電荷は、電子を伝導チャネルから反発させるか電子を伝導チャネルに引き付けることにより、伝導チャネル内の2DEG114を妨害してトランジスタ100のしきい値電圧を設定又はプログラミングする。本例では、例えば、特定量の電荷をゲート誘電体層125内に閉じ込め、電荷が存在しないとデプレションモードのトランジスタとなるようなトランジスタ100のしきい値電圧を設定し、これによりトランジスタ100をエンハンスメントモードのトランジスタとしうるようにする。他の実施例では、特定量の電荷をゲート誘電体層125内に閉じ込めて、既にエンハンスメントモードとなっているトランジスタ100のしきい値電圧を設定するようにしうる。更に他の実施例では、特定量の電荷をゲート誘電体層125内に閉じ込めて、既にデプレションモードとなっているトランジスタ100のしきい値電圧を設定するか、又はこのようにしないとエンハンスメントモードであるトランジスタをデプレションモードのトランジスタ100とする。従って、上述したように、電荷をゲート誘電体層125内に閉じ込めて、伝導チャネルの中断領域を生ぜしめることができる。本発明は電力トランジスタのようなトランジスタに向けられている為、トランジスタ100の全動作中、設定しきい値を維持するように電荷がゲート誘電体層125内に閉じ込められるようにする。更に、設定しきい値電圧が長期間に亘り、例えば、トランジスタ100の動作寿命に亘り維持されるように、電荷をゲート誘電体層125内に閉じ込める。一実施例では、本例で単一の誘電体層を有するゲート構造体層125を電荷とともに成長させて加熱させることができる。従って、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物より成る単一の誘電体層を負電荷とともに成長させることができる。ゲート構造体層125は、ドーパント、例えば、フッ素、臭素、ヨウ素、塩素等を、シリコン窒化物又はシリコン酸化物より成る単一の誘電体層内に注入させることにより形成することもできる。例えば、フッ素イオンをシリコン窒化物又はシリコン酸化物のゲート誘電体層125内に注入することができる。その後、ある実施例では、このゲート誘電体層に熱を加えて損傷回復及び電荷移動を達成するようにしうる。従って、電荷をゲート誘電体層125の全体に亘って分散させることができる。トランジスタ100では、適切な電圧をゲート電極123に印加することにより、ゲート構造体120の下側で中断領域を復元させることができる。本例では、特に、ゲート電極123により電子を伝導チャネルに引き付けて中断領域を復元させることができる。従って、適切な電圧をゲート電極123に印加すると、電流が、電極116この電極はIII族窒化物体112にオーム結合させることができると、電極118この電極もIII族窒化物体112にオーム結合させることができるとの間で、2DEG114を有する伝導チャネルを介して流れ得るようになる。本例自体によれば、適切な電圧をゲート電極123に印加することにより、ターンオンさせうるノーマリーオフすなわち、エンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタを得ることができる。従って、上述したようにゲート構造体層125を設けることにより、トランジスタ100の電流‐電圧特性を変更して、ノーマリーオンデバイスではなくノーマリーオフデバイスを得るようにしうる。従って、トランジスタ100をデプレションモードではなくエンハンスメントモードで動作させることができ、起動中で制御回路がパワーアップされている際に電流が流れるのを回避させるのを補償する必要のない高電力スイッチとしてトランジスタ100を使用しうるようになる。更に、トランジスタ100はエンハンスメントモードのデバイスを有しうる為、このトランジスタ100を、起動時の電力供給を制御するのにも同様に用いることができる。すなわち、トランジスタ100を、起動時及び回路の通常動作中に電力流を制御するための論理電力素子として用いることができる。本発明によるトランジスタ100は、既知の如何なる方法によっても、個別の電力トランジスタとして基板106の上方に例えば、基板106上に形成した遷移体108の上方に形成するか、又は集積回路の一部として共通基板上に他のトランジスタと一緒に形成しうることを理解すべきである。図2を参照するに、この図2は本発明の一実施例によるトランジスタ200を示す断面図である。このトランジスタ200は、図1の基板106と、遷移体108と、III族窒化物体110と、III族窒化物体112と、通電電極116及び118とにそれぞれ相当する基板206と、遷移体208と、III族窒化物体210と、III族窒化物体212と、通電電極216及び218とを具えている。トランジスタ200は更に、III族窒化物体212の一部分上のゲート誘電体層222と、このゲート誘電体層222上のゲート誘電体層224と、このゲート誘電体層224上のゲート電極226とを具えている。従って、単一のゲート誘電体層ゲート誘電体層125のみを有する前述した実施例と相違して、トランジスタ200は2つのゲート誘電体層を有する。フィールド及びパッシベーションの双方又は何れか一方の層227を図示のように設けることができる。一実施例によれば、ゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224を、これらの間に電荷トラップ部が形成されるように選択しうる。従って、ある実施例では、電荷を、ゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224の少なくとも一方の中に閉じ込めるのではなく、ゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224間の界面に捕捉することができる。ある実施例では、ゲート誘電体層222をシリコン窒化物とし、ゲート誘電体層224をシリコン酸化物としうる。他の実施例では、ゲート誘電体層222をシリコン酸化物とし、ゲート誘電体層224をシリコン窒化物としうる。他の構成も可能であること明らかである。前述したように、電荷をゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224の少なくとも一方の中に閉じ込めることができ、或いは電荷をゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224間の界面で捕捉するようにすることができる。電荷がゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224間の界面で捕捉される場合には、前述したトランジスタ100と同様に、ゲート電極226の下側に2DEGを有する伝導チャネルの中断領域を生ぜしめてトランジスタ200をエンハンスメントモードのトランジスタとするように捕捉電荷の量を選択することができる。適切な電圧をゲート電極226に印加することにより、中断領域を復元させ、トランジスタ200を前述したトランジスタ100と同様にオン状態にすることができる。従って、ノーマリーオフすなわち、エンハンスメントモードの切換可能なトランジスタを得ることができる。電荷は、前述したゲート誘電体層125と同様にゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224の少なくとも一方の中に閉じ込めることができる。電荷を捕捉するために、一実施例では、製造後に、ゲート電極226にバイアスを加えて負電荷を発生させるようにしうる。このようにすることにより、充分に高い電界を加えた際に電流がゲート誘電体層222を経て例えば、トンネリング機構を経て流れるようにしうる。この効果は、トランジスタ200が加熱されている間にバイアスを加えることにより、高めることができる。熱を加えることにより電荷を発生させ、この電荷をゲート誘電体層222及びゲート誘電体層224間に捕捉するようにしうる。温度、印加電圧及び時間は、発生させて捕捉する電荷の量を決定するように調整しうる。一実施例では、ゲート誘電体層222及び224の少なくとも一方を負電荷とともに成長させ、その後加熱して、電荷を侵入させるとともにこれらの2つのゲート誘電体層の間に捕捉させるようにすることができる。従って、この目的のために、例えば、シリコン窒化物を負電荷とともに成長させることができる。他の実施例では、フッ素、臭素、ヨウ素、塩素等の原子をゲート誘電体層222及び224の少なくとも一方の中に注入し、これに続き熱を加えて電荷をゲート誘電体層222及び224の界面まで侵入させるようにしうる。トランジスタ200は、エンハンスメントモードのトランジスタとする以外に、前述したトランジスタ100と同様に、種々の所望のしきい値電圧に設定されたしきい値電圧を有するようにしうる。すなわち、しきい値電圧は、ゲート誘電体層222及び224間に捕捉すべき又はゲート誘電体層222及び224内に閉じ込めるべき適切な電荷量を選択することにより設定しうる。前述したトランジスタ100でも同様であるが、本発明はトランジスタに関するものである為、電荷をゲート誘電体層222及び224内に閉じ込めるか又はゲート誘電体層222及び224間に捕捉し、トランジスタ200の全動作中、設定しきい値電圧が維持されるようにする。更に、電荷をゲート誘電体層222及び224内に閉じ込めるか又はゲート誘電体層222及び224間に捕捉し、設定しきい値電圧が長期間に亘り、例えば、トランジスタ200の動作寿命に亘り維持されるようにする。更に、所望のしきい値電圧を得るために、2つのみのゲート誘電体層ではなく、多重ゲート誘電体層のような他の層を積層させることができる。従って、トランジスタ200には、ゲート電極226の下側に、以下の何れか又は任意の組み合わせを設けることができる。シリコン酸化物/シリコン窒化物;シリコン酸化物/シリコン窒化物/シリコン酸化物;シリコン酸化物/シリコン窒化物/シリコン酸化物/シリコン窒化物;シリコン窒化物/シリコン酸化物;シリコン窒化物/シリコン酸化物/シリコン窒化物;シリコン窒化物/シリコン酸化物/シリコン窒化物/シリコン酸化物;これらの何れかの組み合わせ。図3を参照するに、この図3は本発明の一実施例によるトランジスタ300を示す断面図である。このトランジスタ300は、図2の基板206と、遷移体208と、III族窒化物体210と、III族窒化物体212と、通電電極216及び218と、ゲート電極226と、ゲート誘電体層222と、ゲート誘電体層224とにそれぞれ相当する基板306と、遷移体308と、III族窒化物体310と、III族窒化物体312と、通電電極316及び318と、ゲート電極326と、ゲート誘電体層322と、ゲート誘電体層324とを具えている。トランジスタ300は、トランジスタ200に類似しているが、トランジスタ300では、ゲート誘電体層322が凹所328を有し、ゲート誘電体層324がこの凹所328の少なくとも底面及び側面上に形成され、ゲート電極326がゲート誘電体層324上で少なくとも凹所328内に形成されている。トランジスタ300では、ゲート誘電体層322及びゲート誘電体層324間で、好ましくは凹所328の底面及び側面に沿うように電荷が捕捉されるようにしうる。その結果、ゲート構造体321が占める横方向面積を増大させることなしに、電荷捕捉に供せられる面積を増大させることができる。図4を参照するに、この図4は本発明の一実施例によるトランジスタ400を示す断面図であり、このトランジスタ400はトランジスタ300を高度化したものである。このトランジスタ400は、図3のIII族窒化物体310と、III族窒化物体312と、ゲート電極326と、ゲート誘電体層322と、ゲート誘電体層324とにそれぞれ相当するIII族窒化物体410と、III族窒化物体412と、ゲート電極426と、ゲート誘電体層422と、ゲート誘電体層424とを具えている。トランジスタ400では、1つのみの凹所例えば、図3の凹所328の代わりに、凹所430及び432のような互いに離間した複数の凹所がゲート誘電体層422内に形成され、ゲート誘電体層422とゲート誘電体層424との間の界面の面積を更に増大させ、これにより2つの誘電体層間の電荷捕捉容量を大きくしている。従って、上述したように、種々の実施例によれば、本発明により、電荷を有する少なくとも1つのゲート誘電体層を具えるトランジスタがその伝導チャネルの中断領域を生じるようにすることができる。ある実施例では、電荷をこの少なくとも1つのゲート誘電体層内に閉じ込めるか又はこの少なくとも1つのゲート誘電体層と他のゲート誘電体層との間に捕捉させ、伝導チャネルの中断領域を生ぜしめるようにしうる。トランジスタには更に、伝導チャネルの中断領域を復元させるように作用しうるゲート電極を有しうる。従って、本発明の実施例によれば、例えば、起動中で制御回路がパワーアップされている間に電流が流れるのを回避させるのを補償する必要のない電力分野における電力スイッチとして用いうるエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタを提供しうる。本発明の上述した説明から明らかなように、本発明の範囲を逸脱することなく、本発明の概念を実行するのに種々の技術を用いうる。更に、本発明をある特定の実施例につき説明したが、当業者にとって明らかなように、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明の形態及び細部において変更を行いうるものである。従って、上述した実施例はあらゆる点で例示的なものであり、本発明を限定するものではない。又、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、再配置、変更及び置換を行いうるものである。