25°Cにおける第一段の酸解離指数が3以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、pHが2~4であるアルミニウム膜研磨用研磨液。前記多価カルボン酸が、しゅう酸、マロン酸、酒石酸から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。前記コロイダルシリカの二次粒子の平均粒径が5~100nmである請求項1記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。さらに、酸化剤を含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。前記酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれた少なくとも1種である請求項4記載のアルミニウム膜研磨用研磨液。アルミニウム膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、請求項1~5のいずれか一項に記載のアルミニウム膜研磨用研磨液をアルミニウム膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かしてアルミニウム膜を研磨することを特徴とするアルミニウム膜の研磨方法。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液は、25°Cにおける第一段の酸解離指数が3以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、pHが2~4であることを特徴とする。本発明で用いる多価カルボン酸は、一分子内にカルボキシル基を二つ以上有するカルボン酸であり、好ましくはジカルボン酸である。該多価カルボン酸の25°Cにおける第一段の酸解離指数pKa1は3以下であり、好ましくは2.95以下、さらに好ましくは2.90以下である。25°Cにおける第一段の酸解離指数pKa1が3を越える多価カルボン酸では、研磨速度が遅くなってしまい本発明の目的を達成することができない。かかる多価カルボン酸としては、しゅう酸、マロン酸、酒石酸、マレイン酸、クエン酸、これらのアンモニウム塩等が挙げられ、これらは水和物であってもよい。これらの中でも、実用的な研磨速度が得られるという点でしゅう酸、マロン酸、酒石酸が好ましく、しゅう酸が特に好ましい。これら多価カルボン酸は1種類で、または2種類以上で用いることができる。なお、本発明における酸解離指数pKaとは、酸解離定数の逆数の対数値で、例えば化学便覧基礎編改定4版平成5年9月30日発行、丸善株式会社、II-317~321頁に詳細な記載がある。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液における前記多価カルボン酸の配合量は、研磨液全重量100gに対して、0.0001~0.05molであることが好ましく、0.001~0.01molであることがより好ましい。この配合量が0.05molを超えると研磨後のアルミニウム膜の平滑性が悪化する傾向にあり、0.0001mol未満では十分なアルミニウム膜の研磨速度が得られない傾向にある。CMPによる研磨速度を速めるには、酸化剤によりアルミニウム膜の表面を酸化した後、酸化金属溶解剤を添加することが有効であると考えられている。これは、砥粒によって削り取られたアルミニウム膜表面の酸化物を研磨液に溶解させることで、砥粒による削り取りの効果が増すためであると解釈できる。かかる酸化金属溶解剤としては、アルミニウムに対してキレート能を有する物質が有用であり、一般的に有機酸や無機酸が用いられている。本発明者らはこれら有機酸や無機酸について鋭意検討した結果、25°Cにおける第一段の酸解離指数が3以下である多価カルボン酸がアルミニウム膜に対する研磨速度を向上させる効果が高いことを見出した。本発明で用いる酸化剤は、過酸化水素;過酢酸、過安息香酸、tert-ブチルハイドロパーオキサイド、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、硝酸、硝酸鉄、過塩素酸、次亜塩素酸、フェリシアン化カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン水などが挙げられ、これらの中でも、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水が好ましく、過酸化水素が特に好ましい。これらの酸化剤は、1種類で、または2種以上で用いることができる。基板が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。また、適用対象の基板が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。アルミニウム膜研磨用研磨液における酸化剤の配合量は、研磨液全重量に対して0.1~50重量であることが好ましく、0.3~40重量の範囲であることがより好ましい。この配合量が0.1重量未満ではアルミニウム膜に対し充分な研磨速度が得られない傾向にあり、50重量を超えて加えても研磨速度の向上が見られない傾向にある。本発明では砥粒としてコロイダルシリカを用いる。コロイダルシリカはアルミニウム膜表面の平滑化に優れているため、それを含んでなる研磨液は本発明の目的を達成することができる。かかるコロイダルシリカの二次粒子の平均粒径は、5~100nmの範囲が好ましく、10~90nmの範囲がより好ましい。二次粒子の平均粒径が5nm未満である場合はアルミニウム膜に対し充分な研磨速度が得られない傾向にあり、二次粒子の平均粒径が100nmを超えると研磨後のアルミニウム膜表面に対して十分な平滑性が得られない傾向にある。なお、二次粒子の平均粒径は研磨液を回転数8000min-1の条件で10分間遠心分離し、その上澄み液をマルバーン社製のゼータ電位粒子径測定装置ゼータサイザー3000HSにより測定することができる。コロイダルシリカとしては、例えば、塩化ケイ素などを気相中で酸素および水素と反応させるヒュームド法、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランから加水分解縮合して合成するゾルゲル法、精製により不純物を除去した無機コロイド法などにより合成されたコロイダルシリカを用いることができる。特に、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランから加水分解縮合して合成するゾルゲル法により合成されたコロイダルシリカを用いることが好ましい。また、コロイダルシリカは、アルミニウム面の汚染を避けるため高純度であることが好ましい。具体的には、含有ナトリウム量として好ましくは10ppm以下、さらに好ましくは8ppm以下、とくに好ましくは5ppm以下であるコロイダルシリカが好ましい。ナトリウム含量が10ppmを越えると、CMPスラリーとして用いる際に、ナトリウムによるアルミニウム面の汚染が発生する場合がある。アルミニウム膜研磨用研磨液におけるコロイダルシリカの配合量は、研磨液全重量に対して0.01~10重量であることが好ましく、0.05~5重量の範囲であることがより好ましい。この配合量が0.01重量未満ではコロイダルシリカを含まない研磨液を用いた場合の研磨速度と有意差が認められない傾向にあり、10重量を超えて加えても研磨速度の向上は見られない傾向にある。本発明の研磨液は、コロイダルシリカが水中にスラリー状に分散したものである。水の配合量は各種成分多価カルボン酸、酸化剤、コロイダルシリカ、その他任意の添加剤の合計量に対する残分となる。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液のpHは2~4、好ましくは2.1~3.8、より好ましくは2.2~3.7の範囲である。pHが2未満であると研磨装置の配管系にダメージを与えるため操作性に劣り、pHが4を超えると研磨後のアルミニウム膜表面の平滑性が低下したり、研磨液の保存安定性が損なわれたりする。研磨液のpHを上記範囲に調整する方法としては、前記多価カルボン酸の添加量により調整する方法、エチレンジアミン、エタノールアミン、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ成分の添加により調整する方法などが挙げられ、通常は、アンモニアなどの無機塩基の添加により調整する方法により行なわれる。本発明の研磨液には、上述した各種成分の他に、染料、顔料等の着色剤や、水と混合可能な溶媒、水溶性ポリマ、その他一般に研磨材に添加される添加剤を、研磨液の作用効果を損なわない範囲で添加しても良い。本発明のアルミニウム膜の研磨方法は、アルミニウム膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液をアルミニウム膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かしてアルミニウム膜を研磨することを特徴とする。本発明において研磨対象となるアルミニウム膜を形成した基板としては、半導体装置製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等などが挙げられる。本発明のアルミニウム膜の研磨方法において、使用できる研磨装置としては、基板を保持するホルダーと、研磨布パッドを貼り付けた定盤回転数が変更可能なモータ等を取り付けてあるを有する一般的な研磨装置でよく、特に限定されない。例えば、株式会社ナノファクター製研磨装置:FACT-200が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等が挙げられ、特に制限はないが、研磨布にアルミニウム膜研磨用研磨液がたまるような溝加工を施すことが好ましい。さらに、研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200min-1以下の低回転が好ましく、基板にかける圧力は研磨後に、基板のアルミニウム膜表面に傷が発生しないように1kg/cm298kPa以下にすることが好ましい。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を研磨装置に供給する方法は、研磨している間、研磨布に研磨液をポンプなどで連続的に供給できれば特に制限はない。この研磨液の供給量についても特に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。具体的には、研磨布面積1cm2当たり、0.001~1ミリリットル供給されることが好ましい。基板のアルミニウム膜を研磨布に押圧した状態で、基板と研磨定盤を動かすには、具体的には基板と研磨定盤との少なくとも一方を動かせば良い。研磨定盤を回転させる他に、ホルダーを回転や揺動させて研磨しても良い。また、研磨定盤を遊星回転させる研磨方法、ベルト状の研磨布を長尺方向の一方向に直線状に動かす研磨方法等が挙げられる。なお、ホルダーは固定、回転、揺動のいずれの状態でも良い。これらの研磨方法は、研磨装置などにより適宜選択できる。研磨終了後の基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤなどを用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を用いてアルミニウム膜を形成した基板を研磨することにより、アルミニウム膜の表面を平滑にかつ高速に研磨することが可能である。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液を用いて研磨することにより研磨速度25nm/min以上、かつ、平均表面粗さRa1nm以下の研磨が可能となる。本発明における平滑性の指標は研磨終了後のアルミニウム膜表面の平均表面粗さRaであり、アルミニウム膜表面を走査型プローブ顕微鏡セイコーインスツルメンツ株式会社製、SPI3800N/SPA500を用い、測定領域5ミクロン□で測定することにより求めた。また研磨速度は、研磨前後の基板のアルミニウム膜の膜厚差をシート抵抗値から換算して求め、研磨時間とから算出した。本発明のアルミニウム膜研磨用研磨液は、LSI用アルミニウム膜の研磨に特に好適であるが、他の用途のアルミニウム膜の研磨についても用いることができる。以下、実施例により本発明を詳しく説明する。なお、本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。実施例1シュウ酸2水和物0.47重量研磨液全量100gに対し0.00373モルを水を加えて溶解した後、二次粒子の平均粒径50nmの濃度20重量コロイダルシリカ5重量固形分として1重量を分散させ、30濃度の過酸化水素水10重量を加えた後、濃度25重量のアンモニア水によりpHを2.5に調整しアルミニウム膜研磨用研磨液Aを作製した。なお、コロイダルシリカは、常法に従いテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Aを定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す研磨条件でCMP処理を行い、下記に示す評価を行った。その評価結果を表1に示す。研磨条件研磨装置:株式会社ナノファクター製、FACT―200研磨パッド:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂研磨圧力:30kPa300gf/cm2研磨定盤の回転速度:50min-1研磨液の流量:11cc/min研磨時間:1分使用基板厚さ2.4μmのアルミニウム膜を形成したシリコン基板2cm角研磨前の平均表面粗さRa:3.1nm評価項目及び評価方法CMPによるアルミニウム膜に対する研磨速度:基板の研磨前後での膜厚差をシート抵抗値の変化から換算して求め、研磨時間とから算出した。平均表面粗さ:研磨後のアルミニウム膜平均表面粗さを走査型プローブ顕微鏡セイコーインスツルメンツ株式会社製、SPI3800N/SPA500を用い、測定領域5ミクロン□で測定することにより求めた。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は65nm/min、平均表面粗さRaは0.4nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例2過酸化水素水を添加しないこと以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Bを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Bを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は63nm/min、平均表面粗さRaは0.4nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例330濃度の過酸化水素水を3重量用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Cを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Cを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は63nm/min、平均表面粗さRaは0.4nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例4シュウ酸2水和物0.47重量の代りに酒石酸0.56重量研磨液全量100gに対し0.00373モルを用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Dを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Dを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は32nm/min、平均表面粗さRaは0.6nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例5シュウ酸2水和物0.47重量の代りにマロン酸0.39重量研磨液全量100gに対し0.00375モルを用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Eを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Eを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は41nm/min、平均表面粗さRaは0.6nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例6二次粒子の平均粒径50nmの濃度20重量コロイダルシリカ5重量の代りに二次粒子の平均粒径80nmの濃度20wtコロイダルシリカ5重量固形分として1重量を用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Fを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Fを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度量は67nm/min、平均表面粗さRaは0.8nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例7過酸化水素水を添加しないこと以外は実施例6と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Gを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Gを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度量は70nm/min、平均表面粗さRaは0.8nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。実施例8実施例1と同様の成分を用いアンモニア水の添加量をコントロールしてpHを3.0に調整してアルミニウム膜研磨用研磨液Hを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Hを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は64nm/min、平均表面粗さRaは0.8nmであり、高速に研磨することができ、かつ良好な平滑性を示した。比較例1シュウ酸2水和物0.47重量の代りにリンゴ酸0.5重量研磨液全量100gに対し0.00373モルを用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Iを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Iを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は15nm/min、平均表面粗さRaは0.6nmであり、平滑性は良好であったが研磨速度は実施例1~8に比べ大きく低下した。比較例2実施例1と同様の成分を用いアンモニア水の添加量をコントロールしてpHを5.0に調整してアルミニウム膜研磨用研磨液Jを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Jを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は64nm/min、平均表面粗さRaは1.4nmであり、高速に研磨することができたが、アルミニウム膜表面の平滑性は実施例1~8に比べ悪化した。比較例3平均粒径50nmの濃度20重量コロイダルシリカ5重量の代りに平均粒径160nmの濃度20重量ヒュームドシリカ懸濁液5重量固形分として1重量を用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Kを作製した。なお、ヒュームドシリカ懸濁液はアエロジル200日本アエロジル株式会社社製を純水中に懸濁し超音波分散して作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Kを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は89nm/min、平均表面粗さRaは1.6nmであり、高速に研磨することができたが、アルミニウム表面の平滑性は実施例1~8に比べ悪化した。比較例4シュウ酸2水和物0.47重量の代りにブロモ酢酸0.52重量研磨液全量100gに対し0.00374モルを用いること以外は実施例1と同様に操作してアルミニウム膜研磨用研磨液Lを作製した。次に、上記で得たアルミニウム膜研磨用研磨液Lを使用して実施例1と同様の方法で研磨を行い、評価を行った。評価の結果、アルミニウム膜に対する研磨速度は18nm/min、平均表面粗さRaは0.8nmであり、平滑性は良好であったが研磨速度は実施例1~8に比べ大きく低下した。以上の実施例1~8及び比較例1~4に関する研磨液の組成及び研磨評価について表1及び表2にそれぞれ示す。なお、表1及び表2中の砥粒、有機酸及び酸化剤の濃度重量は研磨液全重量に対する各成分の濃度を示す。