"半導体ウェハ上に集積回路を作製の際に、前記ウェハ上のパターニングされた回路の封鎖領域の中でフォトレジスト厚さのばらつきを低減する方法であって、a.半導体ウェハの第1の特定領域の周りに、前記第1の特定領域内にフォトレジストを保持するのに十分な高さまで第1の平担化ガードリングを形成する工程と、b.前記第1の平坦化ガードリングの上且つ前記第1の特定領域内にフォトレジストを塗布する工程とを含み、前記フォトレジストは前記特定領域内の空き容積を満たし、さらに、c.前記フォトレジスト用いて前記第1の特定領域に1つ以上のデバイスを作製する工程を含む、方法。前記ガードリングの内側に2つ以上のデバイスを共通重心パターンで作製する工程を追加的に含む、請求項1に記載の方法。前記第1の特定領域のフォトレジストの厚さの均一性に対する周りの構造の高さの影響を低下させるのに十分な高さに前記第1の平担化ガードリングを形成する、請求項1に記載の方法。少なくとも1つの追加の特定領域の周りに少なくとも1つの追加の平担化ガードリングを形成する工程と、2つ以上のデバイスのアレイを前記少なくとも1つの追加の特定領域に作製する工程とを追加的に含む、請求項1に記載の方法。当業者はチップの不規則なトポグラフィ全体にわたる流れに起因するフォトレジストの厚さのばらつきの問題解決に取り組んできた。相対的に小さい空間寸法にわたる段階的なフォトレジスト厚さおよびその他の因子の変化の影響を低減もしくは除去するための通例の手法はデバイスを共通重心レイアウトで、特にダミーとの交互嵌合指片を伴なって配列することである。重心は概して質量の中心として定義される。2つのデバイスの共通重心配列は、例えば、デバイスが同じ質量中心を有するようにそれぞれのデバイスの特徴構造が配列されるときに生じる。しばしばチップの設計に、多数の同様の区分すなわち指片のアレイが1つのデバイスを有し、これが、両方のデバイスが同じ重心すなわち共通重心を有するパターンで第2の同様に含まれるデバイスと特定のパターンに配列される。共通重心のレイアウトは一次元的または二次元的であることが可能である。一次元的共通重心レイアウトはそれらそれぞれの区分の対称パターンを形成するように配列された同一の一致したデバイスを与え、それにより、そのように配列されたデバイスは共通の対称軸を共有する。例えば、図1aは区分ABBAで配列された一致したデバイスAとBを描いており、2つのB区分の間に対称の共通軸10が存在する。これらのデバイスはまた、対称の共通軸10の中心でXで指定される中央の重心も共有する。通常では、2つのA区分は外側にあるので、平担化区分は、各々の区分が同様の配列の幾何学構造の隣りとなるそれにより、等しく入れ子になった偏向をアドレス指定するように各々の区分の順序で追加される。他の一次元的共通重心パターンがABABABとして描かれる。1つのAおよび1つのBが末端の区分を有する。二次元的共通重心レイアウトはその交互嵌合パターンからその軸の両方を導き出す。範例は図1bおよび1cに描かれている。しかしながら、共通重心レイアウトのデバイスはそれでもなお、フォトレジストの厚さばらつきによって引き起こされる線幅のばらつきを被る。そのような厚さばらつきは、フォトレジスト層の下地となる局所的特徴構造すなわち下地の特徴構造から由来する不均等な流れおよびその他の影響に起因する変動によって引き起こされる可能性が高い。さらに、全体的一致性、すなわち集積回路上で互いから間隔を置かれた複数のデバイスまたはデバイスのアレイの性能同等性に伴なう問題は、例えば一致した性能を有するように設計される2つの比較的離れたデバイスまたはデバイスのアレイ付近で異なる局所的トポグラフィ高度が存在するときに結果的に生じる。受容可能な性能を与えるための一致したデバイスの対称性および精度の重要性は、限定はされないが抵抗器、キャパシタ、およびトランジスタといった多くのデバイスのタイプについて認められる。一致したデバイスのために後になって使用される領域でのフォトレジストの厚さに影響を及ぼす可能性の高い多数の相対的に近接した特徴構造の存在に関しては、この設計は結果としてそのような近接した下地特徴構造の無秩序で複雑な影響につながる。どのようにしてフォトレジストが塗布されるかを考慮するとこれはさらによく理解される。通常では、フォトレジストは例えば毎分1,000回転と8,000回転の間で回転しているウェハ上に塗布される。フォトレジストの特定の組成と粘度、回転スピード、および温度、およびその他の要因の合計の効果に基づいて、ウェハ表面全体にわたるフォトレジスト層の厚さは特定の固定された値になる傾向がある。フォトレジスト塗布の領域および点の間に近接した盛り上がりが存在しない厚いポリシリコンの区画といったウェハの比較的一様な領域を横切ると、フォトレジストの厚さはこの固定の値に向かう傾向がある。これは平坦ウェハの平衡厚さであると考えられることが可能である。ICウェハに塗布されるフォトレジスト層の通常の厚さが比較的薄く、約1.0ミクロンの程度の位数であることに留意すべきである。フォトレジストのこの薄さでの表面張力、電荷の影響と相互作用、および一般的な流動学的特性といった物理学的/化学的効果が、相対的にさらに厚い層の挙動に基づくと予期されない方式の挙動をフォトレジストの厚さに示させることは理解される。この特定の環境を考慮に入れると、本発明は当該技術に進展を提供する。さらに特定すると、本明細書で説明され、権利主張されるような平担化ガードリング技術は向上した局所的および/または全体的一致性をさらによく確実化するためにトポグラフィ高度およびデバイスのレイアウトの改善の必要性に対処する。特徴形状のサイズの要求条件が次第に小型になるにつれて、および1つまたは複数の比較的近接した下地特徴構造がフォトレジスト層の厚さを重大に歪める可能性が高い様々な設計配列を前提とすると、これはますます重要になる。本発明のいくつかの独立して別々の目的の中で、半導体製造工程を簡素化すること、製品歩留まりを上げること、さらに優れた正確性および/または精度の必要性を解決すること、共通重心パターンに配列される一致デバイスのように1つまたは複数のデバイスが配列される領域を取り囲むガードリング構造を有するトポグラフィ高度を設計し、実行することによって処理の正確性および/または精度を上げることが確認され得る。本発明の一実施形態では、共通重心のレイアウトでデバイスのアレイが作製される領域の周りに平担化ガードリングが形成される。別の実施形態では、中に作製される1つまたは複数のデバイスが共通重心レイアウト以外のレイアウトで配列される領域の周りに平担化ガードリングが形成される。本発明の他の実施形態では、2つ以上の平担化ガードリングが半導体チップ上で間隔を置かれ、各々が共通重心レイアウトでデバイスのアレイを有する。そのような間隔を置かれた1つのガードリングの中のデバイスはそのような間隔を置かれた他のガードリングの中の1つまたは複数のデバイスに機能的に一致させられる。ガードリングがそれらそれぞれの内部配置されたデバイスアレイに提供するフォトレジストの厚さの相対的均一性の向上を前提とすると、さらに優れた性能の均一性、または一致性がこれらの一致デバイスについて達成される。さらに一般的に述べると、本発明は内部の領域を規定するガードリング構造のための適切な場所を決定する工程、およびガードリング構造を形成する工程に関する。単層で形成されてもまたは複数層で形成されても、本発明のガードリングは後に塗布されるフォトレジストの流れに影響を与えるために充分な高さを有し、したがって後に塗布されるフォトレジストはこの内部領域全体にわたってさらに均一な高さを有する。フォトレジストが塗布されるとその後、フォトリソグラフィ法は一層均一な厚さのフォトレジストを備えたこの内部領域にデバイスの特徴構造を形成または完成する。その結果、そのような一層均一なフォトレジスト内に形成されるトレンチの線幅およびその他の特徴構造は一層均一である。また、或る実施形態ではこの内部領域内の一致デバイスは共通重心配列で配置され、それにより、発生し得るフォトレジスト厚さおよびその他の要因の不均一性はすべてのそのような一致デバイスに相対的に均等に配分される。さらに、或る実施形態では一致デバイスのそれぞれのアレイを封入する1つまたは複数のガードリングがチップの表面全体にわたって配列され、互いに局部的にならないように間隔を置かれる。ガードリング各々の均等化効果に基づくと、内部領域に配列されるそれぞれのデバイスは遠く間隔を置かれたガードリング内の同等デバイスに一層均一に一致させられる。このようにして、局所的および全体的一致性の両方が本発明の方法とシステムを実践することによって達成される。本発明の他の態様、利点、および目的は添付の図面を考慮に入れながら以下の説明の中で与えられる。新規的であると考えられる本発明の特徴は添付の特許請求項で特定して述べられる。しかしながら、本発明自体はその構造および操作の方法の両方で、以下の説明および添付の図面を参照することによって最もよく理解されることが可能である。本発明の平担化ガードリング技術は、ガードリングの平担化効果がさらに均一なフォトレジスト厚さを与える領域を取り囲むガードリングの形成を提供する。本発明のガードリングは、通常、ウェハのチップ上で他の特徴構造を形成中に形成される。ガードリングは1層もしくは2層だけで形成されることが可能であるが、多層で形成されることもやはり可能である。IC製造で普通に使用される加工技術のいずれかが平担化ガードリングを形成するために使用されることが可能であるが、一般的な技術が気付かれる。すなわち、層形成に続いてエッチングが為され、それにより、チップ表面上にガードリングおよびその他の特徴構造を含めた所望の特徴構造を本質的に一様な高さで残す。本発明のガードリングは平担化ガードリングと称されることが可能である。本明細書全体を通じて使用されるとき、平担化ガードリングはガードリングまたは本発明のガードリングとも称される。本発明は、本発明のガードリングによって規定される領域内でフォトレジストの厚さに与える或る一定のウェハのトポグラフィ高度の望ましくない影響を低減または除外する。或る実施形態では、後になってデバイスのアレイが共通重心レイアウトで作製される領域の周りに本発明のガードリングが形成される。そのように形成されたガードリングは、ガードリングの内側のフォトレジストの厚さが制御され、かつ関心対象の領域その領域はガードリングの内側である付近のその多様な密度および/または形状のせいでその領域内のフォトレジスト厚さに望ましくないばらつきを与えると予期される多くの局所的下地特徴構造の影響と比較してさらに一様にされるようにフォトレジストの流れの対称性を強化する。ここで使用されるさらに均一なフォトレジスト厚さは、平担化ガードリングの壁付近で変わる厚さの移行ゾーンが存在し得ることを考慮に入れている。すなわち、上流のガードリングの壁すなわちスピンコーティング中のフォトレジスト供給源に最も近接した壁に隣接してかつ内側で、フォトレジストの高さは本明細書で規定されるような平坦ウェハ平衡厚さよりも厚いと予期される。この領域内部のさらに内側方向で、フォトレジストの厚さは平坦ウェハ平衡厚さに向かって徐々に傾斜する可能性が高い。或る実施形態では、これはガードリングの壁に比較的近接したガードリング内側の特徴構造を位置決めするための設計判定基準につながる。これらの比較的近接した特徴構造は、ガードリングによってさらに影響されると予想されるフォトレジスト厚さに晒される。例えば、図2aは加工中の半導体ウェハ表面220上のその上流の特徴構造210とフォトレジストの流れに対する関係で近接関係にある計画された特徴構造205を封鎖する本発明のガードリング200の平面図を与えている。図2bはガードリングの存在下および不在下でのフォトレジスト層230の相対的高さおよび最上面のグラフ比較を与えている。ガードリングを備えたフォトレジストの最上面232は実線で示され、ガードリングが存在しないときに予期されるフォトレジストの最上面234は点線で示されている。図2cは図2aの軸A-A’に沿ってとった断面図を与えており、本発明のガードリング200およびその上流の特徴構造210の断面プロファイルを描いている。図2aでガードリング200の中に描かれる計画された特徴構造205が設計されているがまだ作製されておらず、したがって図2cに示されていないことが気付かれる。図2cは既にある特徴構造210およびガードリングの上流壁214および下流壁216の上でパターニングされる第2の層212を示している。図2bの比較に示されるように、ガードリング200のせいでフォトレジストの最上面232はもしガードリング200が無かった場合234と比べると、ガードリングの上流壁214とガードリングの下流壁216の間でさらに高くかつさらに均一である。ガードリング200内側のこの結果的に234に比べてさらに均一なフォトレジスト厚さは図2cに示されるようにすなわち第2の層212に関してフォトレジスト230を使用するフォトリソグラフィ工程中にガードリング200の中に作られる特徴構造の向上した一致性に結び付く。したがって、フォトレジスト厚さのいくつかのばらつきが本発明のガードリング内側の領域の範囲内にまだ存在し得るけれども、ガードリングの壁の内側でのばらつきは、フォトレジストの下にある多様な密度および間隔の数多くの局所的特徴構造ではなくガードリングの均一化効果によって制御および改善される。特に、或る実施形態では、上流の壁は対向する下流の壁に対して、これらの壁の間の距離が緩和距離すなわちフォトレジストの平坦ウェハ平衡厚さに到達する距離よりも小さくなるように近接している。例えば、緩和距離が約50マイクロメートルであるときに壁-壁-壁の壁距離が約15マイクロメートルであることが可能であり、あるいは場合によっては最大で約25マイクロメートルであることも可能である。さらに、たとえフォトレジスト厚さがガードリングの内側で変化していても、距離にわたるフォトレジスト厚さのプロファイルは対称的であり、この厚さばらつきによって与えられる偏差は或る実施形態では共通重心設計、特に交互嵌合レイアウトを伴うそれの使用によって相殺される。このようにして、本発明の平担化ガードリングの使用は共通重心レイアウト単独の使用の欠点を克服するが、その理由はガードリングレイアウトがガードリングの外側のトポグラフィ高度に実質的に左右されないすなわちガードリング揺動部が局所的特徴構造の個々のばらついた揺動よりも優位に立つからである。さらに特定すると、本発明のガードリングは、ガードリングの設置がガードリング内のフォトレジスト厚さの均一性に与える周囲の特徴構造の高度による影響を低減または除去するような周囲の特徴構造に相対した高さ、および占有面積と形状を有する。気付かれるように、このガードリングの高さは1層、2層、またはさらに多数の層でガードリングを形成することによって達成されることが可能である。特定の理論を待つまでもなく、フォトレジストがガードリングを越えてすなわちガードリングの一方の壁を越えて流れ込み、ガードリング構造によってすなわち対向する壁で保持されるせいで局所的な隣り合う不均等な下地特徴構造の影響が低減または除去されるとき、さらに均一なフォトレジスト厚さが達成される。本明細書で使用されるとき、高度のある特徴形状から由来する局所的影響は200ミクロンを意味すると見なされ、その一方で200ミクロン以上離して配置されるガードリングは互いの影響と無関係である、すなわち局所性ではないがその代わりに関連する全体性であると考えられる。したがって、本発明のガードリングの使用は後工程のフォトリソグラフィの間のさらに高精度でさらに正確な結果を提供するように意図されている。フォトリソグラフィが半導体製造で遂行されるいくつかの重大な処理工程のうちの1つであることは理解される。半導体材料がこれらの処理を通じて計画的に処理されるとき、フォトリソグラフィを正確に遂行することが必須であり、なぜならばそれが品質、歩留まり、および製造コストに直接影響を及ぼすデバイス寸法を決定するからである。フォトリソグラフィはまた、露光/処理工程を連続して繰り返されることで絶縁体、導電体、および半導体材料のいくつかの重なり合った層を形成するので重大な処理である。フォトリソグラフィ処理はバッチで加工される複数のウェハもしくはウェハのロットで最も頻繁に生じる。代表的なフォトリソグラフィ処理は次の工程を含む。各々のウェハが例えばスピンコーティングによって表面に塗布されたフォトレジスト材料を有する。ウェハがマスクを備えて紫外光のようなエネルギー源に暴露され、フォトレジストを露光してフォトレジスト上に所望のパターンを作り出す。現像液を加えることによってフォトレジストが現像される。適切なリソグラフィまたは固定化方法によってパターンすなわち画像が定着処理される。各々のウェハがエッチングされる。後になって残ったフォトレジストが除去される。フォトレジスト材料はポジまたはネガのフォトレジスト化学薬剤から選択されることが可能である。これら広範な部類の光学タイプのレジストはPeterVanZantによるMicrochipFabrication、第3版、1997年、McGrawHillZant関連に述べられている。これらの教示および上記で要約したフォトリソグラフィ工程を含めた本明細書に関連する特定の加工工程に関するその他の教示は特に参照で組み入れられる。さらに一般的に述べると、本明細書に引用されたすべての特許、特許出願、特許公開公報、およびすべての他の出版物は、まるで各々の個別公開公報または特許出願がその全文で特にかつ個別に述べられたかのように同じ量で参照で組み入れられる。上記で検討したように、フォトリソグラフィ処理中に様々な原因から由来する不本意な偏差が導入される可能性が高く、それはパターニングされた回路の一部を形成するためにチップ表面に転写されるフォトマスク画像を歪める。すなわち、パターニングされた回路を形成するための画像がフォトマスク画像の本来の寸法と形状から逸脱する。これらの逸脱のうちのいくつかはフォトレジストの厚さの違いの結果である。検討したように、そのようなフォトレジストの厚さの違いの原因は一層高密度の高くなった特徴構造の領域から高くなった特徴構造の存在しない、または低密度の領域へと流れる結果であるフォトレジスト表面の傾斜である。一致デバイスが作製される領域の特に上流にすなわち塗布中のその領域とフォトレジスト供給源の間に高密度および/または多数の高くなった特徴構造が存在するとき、これらの特徴構造はフォトレジストの流れ、および最終的には厚さに揺動を与える可能性が高く、それが一致デバイスのための領域全域で存続する。フォトレジスト厚さのこの不均一化効果は結果として不均一なデバイス特徴構造につながり、それがこの領域のデバイスの乏しい一致性につながる可能性が高い。図2dはウェハ表面上のフォトレジスト厚さの偏差の範例を与えている。図2dは加工中のウェハの断面250の走査型電子顕微鏡断面写真である。領域Aではポリシリコンすなわち多結晶シリコンの特徴構造252は近隣の領域B、および抵抗器層253を有する局所領域Cよりもさらに高くなっている。フォトレジスト206は特徴構造252の上に塗布されたのでフォトレジスト256は特徴構造252の上で上方へと揺動を受けた。フォトレジスト256の表面258は図2dのその他の場所ではそれよりも低く、図2dの右に向かって移動すると特徴構造252の上の領域から徐々に全高の減少が存在する。フォトレジスト256のマスク処理およびパターニングにとって重要であるが、フォトレジスト256の厚さは特徴構造252の上の領域からの距離と共に変化する。例えば、領域B内の或る地点でフォトレジストの厚さは1.22マイクロメートルと測定され、領域C内の或る地点でフォトレジストの厚さは1.17マイクロメートルと測定され、以前の高くなった特徴構造202から最も遠い測定点である領域D内の或る地点でフォトレジストの厚さは1.15マイクロメートルと測定される。そのような厚さのばらつきは、領域Cのような領域に作製される抵抗器のようなパターニングされたデバイスで線幅のばらつきおよび/または他の逸脱を生じさせる。特許請求項を含めてここで使用されるとき、ガードリングによって意味されることは、少なくとも1つの特定の層を形成中にガードリングが形成され、ガードリングで囲まれた領域の中でフォトレジスト層をさらに均一に分布させる目的で配置および加工されることである。本発明のガードリングの占有面積、高さ、および全体的形状は、その後に塗布されるフォトレジスト層がガードリング内の領域でさらに均一な厚さを得るようにされる。ガードリングの高さがフォトレジスト層の最終厚さよりも大幅に小さいときでさえこれは事実である。例えば、限定はしないが、フォトレジストの平均高さの約30パーセントのガードリングの高さは、境界線の内側でさらに均一なフォトレジスト厚さを供給することに有効である可能性が高い。この高さは、パターニングされた回路上のフォトレジスト流揺動部品すなわち、そうしなければフォトレジストの流れを個別方式および変動方式で揺動させるであろう隣接する下地特徴構造の高さにそれが実質的に等しいときに所望の効果を有する。さらに一般的に述べると、前段の工程で加工され、均一性が望まれる関心対象領域の近辺にある特徴構造がその領域に影響を及ぼすこと、および本発明のガードリングがこの望ましくない影響を克服することが可能であることは理解される。例えば、前段の工程で酸化層の上に第1のポリシリコン層が堆積させられる。その後、この第1のポリシリコン層がパターニングされ、回路設計に従った特徴構造を残す。これらの特徴構造は特に、引き続いて塗布されるフォトレジスト層のフォトレジスト厚さに影響を与える。後の工程で、第2のポリシリコン層が堆積させられるとき、それは第1のポリシリコン層の特徴構造の上に堆積するであろう。これは結果として、第1の層のポリシリコン特徴構造の上および周囲の第2のポリシリコン層の不規則性すなわちさらに大きな高さにつながる。その後、第2のポリシリコン層がパターニングされるとき、この不規則性は第1の層のポリシリコン特徴構造の近辺でパターニングされる特徴構造の精度および正確性に悪影響を及ぼす可能性が高い。図3aは、共通の壁303を共有する隣り合った2つのガードリング301と302を有するガードリングのレイアウトスタイル300の一実施形態の二次元的な図を与えている。各ガードリング301と302の内側は内部化された領域304であり、そこにはパターニングされた回路の一致デバイス306および308の中央配置されたアレイ305が形成される。一致デバイス306および308の各々のセットもしくはアレイ305は共通重心レイアウトで配列される。特定の寸法および寸法関係に束縛されないが、図3に描かれた実施形態は幅5マイクロメートルのガードリング301と302の壁310、および10マイクロメートルのアレイ幅を有する。図3bは中に含まれた1つのデバイス327を備えた平担化ガードリング321を有する平担化ガードリングのレイアウトスタイル320の二次元的な図を与えている。描かれたデバイスは2つ以上のデバイスの交互嵌合構成ではなく単一デバイスである。例えば、この単一デバイスは特定の予め決められた電気部品特性に合致するように適切に構成されたいずれかの電気回路部品であることが可能である。図3cは中に並列に配置された2つのデバイス347を備えた平担化ガードリング341を有する平担化ガードリングのレイアウトスタイル340の二次元的な図を与えている。図3dは中に並列に配置された複数のデバイス367を備えた平担化ガードリング361を有する平担化ガードリングのレイアウトスタイル360の二次元的な図を与えている。図3eは、共通の壁383を有する3つの隣り合う平担化ガードリング封止体381を備えた平担化ガードリングのレイアウトスタイル380の二次元的な図を与えており、各々の平担化ガードリング封止体381がその境界線の内側に並列に配置された4つのデバイス387を有する。これらの図に描かれた各々のデバイスが単一デバイスではなく、場合によっては2つ以上のデバイスのアレイ、限定はされないが例えば図3aに示されたような交互嵌合パターンの2つのデバイスであることも可能であることは理解される。場合によっては、図3dおよび3eに描かれたような多数デバイスのアレイの各々は共通重心パターンに配列されたデバイスのアレイの構成要素であることも可能である。図3a~eに描かれたようなトポグラフィは概して以下で述べられるいくつかの基本的工程の結果である。これらの工程は当該技術でよく知られており、当該技術の現状を開示する処理工程の詳細に関して参照で特に組み入れられるZant関連資料の5~13章にさらに充分に述べられている。半導体ウェハ上での集積回路製造の一連の工程の中で、層形成操作は絶縁体、ポリシリコンのような半導体、または導体の層を供給する。そのような層形成は成長すなわち酸化、堆積すなわち化学的蒸着、蒸着、スパッタリング、または後になって開発されるいずれかの技術によって達成されることが可能である。層形成方法および材料に適切に基づくと、その後、パターニング操作が図3に示されたような所望の数のガードリングをパターニングする。検討したように、通常では工程のうちのそのようなパターニング手順中に、他の特徴構造もやはりチップ上にパターニングされる。その後、パターニング工程および通常ではエッチング工程が完了すると、各々のガードリングの構造はそれぞれの内側領域の周りにさらに一様なバリヤ、または揺動部を与える。その後、この処理の中の望ましい工程で、ガードリング内側のデバイスの形成が開始される。他の例では、これらのデバイスの構造の一部を形成する前段の段階が既に層形成されている。そのような例では、ガードリング内側でさらに均一なフォトレジスト層を伴なって製造が継続し、それが次段の製造操作のためにさらに均一な線幅厚さを提供する。例えば、限定はしないが、層形成操作の次に、2つの交互嵌合型の抵抗器デバイスのアレイを共通重心レイアウトで完成させるためのパターニングが続く。さらに、ガードリング内側の抵抗器デバイスとガードリング外側の他の特徴構造との間に例えば、限定はされないがトレンチによって導電接続を作るためにこれらおよび/または他の工程が使用されることが可能である。場合によっては、いずれかの相互接続のために、ガードリングが貫かれるすなわち貫通エッチングされることが可能であり、あるいはさらなる典型例では、トレンチもしくは他の接続体はガードリングの頂上よりも上の段にあることが可能である。場合によっては、ガードリングよりも下でドープされた接合部が使用されることも可能である。さらに一般的に述べると、本発明のガードリングは最終的に伝導に役割を有することが可能であるが、しかし本発明の方法の中でガードリングの主な目的はバリヤを設けることでフォトレジストの流れに下地構造付近の変化および多様性と比べてさらに均一な揺動を与えることであり、結果としてガードリング内側のさらに均一なフォトレジスト厚さにつながる。他の実施形態では、本発明のガードリングはトランジスタ、抵抗器、キャパシタ、およびダイオードのようなデバイスのアレイで形成され、或る領域を囲んで所定の間隔で隙間を設けられることが可能であり、それにより、このアレイの部材の占有面積、隙間、および高さに基づいてフォトレジストの厚さへの平担化効果を発揮する。そのような実施形態では、ガードリングを形成するデバイスのアレイの間のいずれの隙間もフォトレジスト厚さに対して実質的な影響を有さない。上述のようなガードリングを形成する工程の代替選択肢として、ガードリングは蒸着およびスパッタリングのような堆積法によって金属のような導電層で形成されることが可能である。また、長方形および正方形が概して利用されるガードリングの形状であるけれども、他の形状が使用されることが可能であり、本発明の範囲内である。したがって、概して本発明の方法は次の工程によって要約されることが可能である。a.第1の特定の領域の周囲に平担化ガードリングを形成する工程。これは通常、特定の加工工程中にウェハ表面全体にわたって他のデバイスに特徴構造を形成する間に為され、一度に多数の平担化ガードリングを形成する処理を含むことが可能である。例えば、限定はしないがこの形成は当該技術で実践されるような堆積およびそれに関連する工程によって達成されることが可能である。気付かれるように、ガードリングは複数の層で形成されることが可能である。b.ウェハの上にフォトレジストを塗布する工程。スピンコーティングがフォトレジストを塗布する通常の方式であるが、しかし現在または今後に当業者に知られるいずれの手段も使用されることが可能である。さらに、或る実施形態に関して追加的な工程はそのように形成された1つまたは複数の平担化ガードリングによって形成される複数の領域の内側に塗布されるフォトレジストを使用し、各々が共通重心パターンの2つ以上のデバイスを含む複数のアレイについて1つまたは複数のそのような領域に特徴構造または接続体を形成する。また、チップ上で1つまたは複数のガードリングのための適切な場所を判定する工程を含めた準備の工程が本方法に含まれることが可能である。すなわち、或る実施形態では1つの工程は1つまたは複数の特定の領域内の一致した隣り合う特徴構造を含めた特徴構造の配列を設計する工程である。各々の特定の領域計画された平担化ガードリング内側のウェハ表面の領域が意味されるについて、配列の設計は2つ以上の一致特徴構造の共通重心パターンでの配列にとって充分な空間を設計する工程を含む。さらに、或る実施形態ではガードリングの場所は、ガードリングが行くべき場所の局所の特徴構造の実在するかまたは算出された上昇部の分析に基づいて決定される。例えば、限定はしないが、もしも特定された領域に近い特徴構造の配列がフォトレジスト厚さに影響を及ぼす多数の揺動を作り出し易いと考えられた場合、ガードリングの壁の幅または高さはさらに良好にこれを隠すように設計されることが可能であり、かつ/またはガードリングおよびその中身がそのような特徴構造からさらに離して位置決めされることが可能である。図4はフォトレジストの厚さが増すときに線幅に関して動揺する関係を示す揺動曲線を示すグラフである。データは様々なフォトレジスト厚さを伴なった完全に平坦なウェハ全体スピンコーティングし、その後、同じ公称線幅で線を印刷する工程から引き出されている。このデータはフォトレジスト厚さのばらつきに対する悪影響の1つを例証するために提供されている。フォトレジスト厚さがx軸沿いにプロットされ、線幅がy軸沿いにオングストロームでプロットされる。概して、フォトレジスト厚さが増すにつれてフォトリソグラフィ中に形成されるトレンチの幅もやはり大きくなる。この上昇傾向は打ち消しと強化すなわち支持といったフォトリソグラフィ中の複雑な光波の現象に起因して動揺する。この偏差の原因を考慮に入れると、フォトレジスト厚さが増すときの線幅の最悪のケースの増大は、この範例では65ナノメートルの厚さ変化を上回る約100ナノメートルの線幅変化である。したがって、フォトレジストがスピンコーティングによって塗布されるときに近くの下地特徴構造のさらに近くのフォトレジスト厚さプロファイルに及ぼす影響と組み合わさって生じる可能性の高い距離の長い厚さばらつきは線幅厚さの大幅なばらつきにつながる可能性が高い。これは今度は他方でデバイスの不一致につながる。たとえ反射防止膜の使用によって動揺が鈍らされても、上昇の傾向はまだ存在するのでこれは生じる。これは厚いレジストでの露光線量の希釈に関連している。本発明の方法は、本発明のガードリングの境界線内側に形成されるデバイスに関して線幅厚さのばらつきおよび他の逸脱を低減する。これは、特定の領域の周りにガードリングの形で境界線を与えることでその領域の内側のデバイスアレイの特徴構造に関してフォトレジスト厚さに関係する逸脱を低減または除去することによって部分的に成し遂げられる。最少で、これは各ガードリング内側のデバイスに関して局所レベルで達成される。チップ全域に広がる複数のガードリングを考慮するとき、ガードリングの与えられたフォトレジスト流の均等化から由来するフォトレジスト厚さのさらに小さいばらつきに起因して、或る実施形態ではガードリング内側の共通重心配列に起因して、これらの内側のデバイスもやはりさらに均一である。これは全体的一致性を向上させる。図5はシリコンチップ600の複数のガードリングの場所を図式的に描いている。この図は縮尺通りではなく、かつ単純化するためにチップの他の特徴構造は図示されず、これらのガードリングの内部にあるデバイスを有する。平担化ガードリングの様々な構成が描かれており、いくつかは共通の壁すなわちガードリングで囲まれた2つの隣り合う領域の間の壁を備えている。3つの孤立したガードリング602は各々、これら孤立ガードリングの他の1つに影響を与える局所的特徴構造によって影響されないように充分に遠く離して間隔を置かれる。3つのガードリングアセンブリ604の各々は3つの共通壁603を共有する4つのガードリング605で構成される。対照的に、ガードリング606は互いに近く、かつどのような共通壁も共有しない。本発明がチップの全体表面にわたって使用されるとき、局所的トポグラフィ高度の影響に起因するといったフォトレジストの高さに起因する各々の局所的偏差はガードリング内側でアレイにされたそれぞれのデバイスに関して低減される。これらのデバイスが他の近くないガードリング領域内のデバイスと一致させられると、共通重心レイアウトと組み合わされたさらに均一なフォトレジスト厚さのせいで向上した特徴構造均一性に基づいて性能の格差が小さくされる。その結果、上記で検討したように向上した全体的一致性が達成される。本明細書に述べられた実施形態は共通重心レイアウトで配列されるガードリング内側の一致デバイスを有するが、本発明の他の実施形態は共通重心で配列されない1つまたは複数のデバイスが内側に配列されるガードリングを有する。本発明はフォトリソグラフィ中に形成される特徴構造の線幅の正確性、精度、および予測可能性を高める。本明細書に開示されるようなガードリングを用いないと、局所的密度および/または高くなった下地特徴構造から由来する影響の組み合わせのせいでフォトレジスト厚さのばらつきは予測不可能である。本発明の好ましい実施形態が現在の背景で示され、かつ述べられてきたが、そのような実施形態は単に範例の方式で提供されるだけであって限定ではない。数多くの変形例、変更例、および置き換え例が本発明から逸脱することなく当業者に生じるであろう。例えば、他の用途が本発明の教示から同等に恩典を受けることが可能であるので、本発明は本明細書に開示された最適のモードに限定される必要はない。したがって、本発明が添付の特許請求項の精神と範囲によってのみ制限されることが意図される。"