"絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けられたろう材層と、該ろう材層によって前記絶縁基板の前記上面に接合されており、電子部品が搭載される金属板と、平面視において該金属板を囲んで、接合材によって前記金属板の側面に接合されており、前記金属板よりも小さい熱膨張係数を有する枠体とを備えていることを特徴とする回路基板。前記枠体は平面視において前記ろう材層によって前記絶縁基板の前記上面に接合されている金属回路板および前記ろう材層によって前記絶縁基板の下面に接合されている放熱板を囲んでいることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。前記枠体は平面視において前記金属回路板もしくは前記放熱板を複数の島状に囲んでいることを特徴とする請求項2に記載の回路基板。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された回路基板と、該回路基板の前記金属板に搭載された電子部品とを備えたことを特徴とする電子装置。パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の電子装置は、規定電流の増大化に関する開発が求められている。規定電流を増大させるためには、金属回路板および金属板を厚くする必要がある。電子部品が搭載される金属板を厚くする場合、熱による金属板の膨張または収縮の影響が大きくなり、電子装置における電子部品の実装に関する信頼性の低下につながる可能性がある。本発明の一つの態様は、回路基板は、絶縁基板と、絶縁基板の上面に設けられたろう材層と、ろう材層によって絶縁基板の上面に接合されており電子部品が搭載される金属板と、接合材によって金属板の側面に接合された枠体とを備えており、枠体は、平面視において金属板を囲んでおり、金属板よりも小さい熱膨張係数を有していることを特徴とするものである。本発明の他の態様は、上記構成の回路基板は、枠体は平面視においてろう材層によって絶縁基板の上面に接合されている金属回路板およびろう材層によって絶縁基板の下面に接合されている放熱板を囲んでいることを特徴とするものである。本発明の他の態様は、上記構成の回路基板は、枠体は平面視において金属回路板もしくは放熱板を複数の島状に囲んでいることを特徴とするものである。本発明の他の態様は、電子装置は、上記構成の回路基板と、回路基板の金属板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とするものである。本発明の一つの態様によれば、回路基板は、平面視において金属板を囲んで、接合材によって金属板の側面に接合されており、金属板よりも小さい熱膨張係数を有する枠体を備えていることによって、例えば銅またはアルミニウム等の比較的熱膨張係数の高い材料から成る金属板を用いた場合においても、金属板における熱的要因による膨張および収縮が制限され、金属板上に搭載される電子部品に対する影響に関して低減されている。本発明の他の態様によれば、上記構成の回路基板は、枠体は平面視においてろう材層によって絶縁基板の上面に接合されている金属回路板およびろう材層によって絶縁基板の下面に接合されている放熱板を平面視で囲んでいることで、金属回路板および放熱板が熱応力によって絶縁基板から剥がれてしまう可能性が低減され、あるいは絶縁基板に加わる応力が小さくなり絶縁基板が破壊され難くなるので回路基板の温度サイクル信頼性が向上する。本発明の他の態様によれば、上記構成の回路基板は、枠体は平面視において金属回路板もしくは放熱板を複数の島状に囲んでいることで、絶縁基板と金属回路板もしくは放熱板との接合長さが短くなって、絶縁基板と金属回路板もしくは放熱板との間に発生する熱応力を小さく抑えることができるようになり、金属回路板および放熱板が熱応力によって絶縁基板から剥がれてしまう可能性が低減され、あるいは絶縁基板が破壊され難くなるので回路基板の温度サイクル信頼性が向上する。本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の回路基板と、回路基板の金属板に搭載された電子部品とを備えていることによって、金属板に搭載された電子部品における影響に関して低減されており信頼性に関して向上されている。以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。本発明の実施形態における電子装置は、回路基板10と、回路基板10に実装された電子部品20とを備えている。回路基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に設けられたろう材層2と、ろう材層2によって絶縁基板1の上面に接合された金属板3と、ろう材層2によって絶縁基板1の上面に接合された複数の金属回路板4と、平面視において金属板3を囲んでいる枠体5とを備えている。回路基板10は、ろう材層2によって絶縁基板1の下面に接合された放熱板9をさらに備えている。絶縁基板1は、例えば実質的にセラミック材料からなる。セラミック材料は、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス,ムライト質セラミックス,炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックス等である。これらセラミック材料の中では放熱性に影響する熱伝導性の点に関して、炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点に関して、窒化ケイ素質セラミックスまたは炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。絶縁基板1が窒化ケイ素質セラミックスのように比較的強度の高いセラミック材料からなる場合、より厚みの大きい金属板3、金属回路板4および放熱板9を用いたとしても絶縁基板1にクラックが入る可能性が低減されるので、小型化を図りつつより大きな電流を流すことができる回路基板10を実現することができる。絶縁基板1の厚みがより小さい方が、熱伝導性が向上される。絶縁基板1の厚みは、回路基板10の大きさまたは用いられる材料の熱伝導率または強度に応じて選択される。例示的な厚みは、01mm~1mm程度である。絶縁基板1は、例えば窒化ケイ素質セラミックスから成る場合であれば、窒化ケイ素,酸化アルミニウム,酸化マグネシウム,および酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー,可塑剤,および溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシートセラミック生シートを形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600~2000°Cの温度で焼成することによって製作される。ろう材層2に用いられるろう材ペーストは、例えば金属板3、金属回路板4および放熱板9が銅から成る場合、銀および銅粉末,銀-銅合金粉末,またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材例えば、銀:72質量-銅:28質量粉末に、チタン,ハフニウム,ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して2~5質量添加混合し、適当なバインダーと有機溶剤および溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。接合温度またはろう材の硬度を低下させる目的でインジウムInまたはスズSnを1~10質量程度添加しても良い。ろう材層2に用いられるろう材ペーストは、例えば金属板3、金属回路板4および放熱板9がアルミニウムから成る場合は、銀ろう材に替えてアルミニウムろう材例えば、アルミニウム:88質量-シリコン:12質量を用いればよい。この場合も同様にして活性金属入りろう材ペーストを作製して、同様にして接合すればよい。アルミニウムろう材を使用した場合には、銅より低温の約600°Cで接合することができる。金属板3、金属回路板4および放熱板9は、銅またはアルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット塊に圧延加工法または打ち抜き加工法等の機械的加工、またはエッチング等の化学的加工のような金属加工法を施すことによって、例えば厚さが005~1mmの平板状で所定パターンに形成される。金属板3、金属回路板4および放熱板9は、絶縁基板1と同程度の大きさおよび形状の金属部材を絶縁基板1に接合した後にエッチングで所定パターン形状に加工すると、高精度で精細なパターンを形成できるようになる。金属板3、金属回路板4および放熱板9が銅から成る場合は、無酸素銅によって形成されていることが好ましい。無酸素銅によって形成されていると、金属板3、金属回路板4または放熱板9と絶縁基板1との接合を行なう際に、銅の表面が銅中に存在する酸素によって酸化されることが低減され、ろう材層2との濡れ性が良好となるので、金属板3、金属回路板4または放熱板9と絶縁基板1との接合強度が向上される。金属板3、金属回路板4または放熱板9となる金属部材と絶縁基板1との接合は、金属部材および絶縁基板1の少なくとも一方における接合面にスクリーン印刷等でろう材ペーストを例えば30~50μmの厚さで所定パターンに印刷塗布して、所定の構造となるように金属部材によって絶縁基板1を挟んだ後、金属部材に5~10kPaの荷重をかけながら真空中または非酸化性雰囲気中で780°C~900°C、10~120分間加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤、溶媒、および分散剤を気体に変えて発散させるとともにろう材層2を溶融させることによって行なわれる。金属部材を絶縁基板1に接合した後に、金属部材をエッチングによって金属板3、金属回路板4および放熱板9の所定パターン形状に加工する場合は、例えば以下のようにする。絶縁基板1の上に接合された金属部材の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を用いて所定パターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、例えば金属部材が銅板である場合であれば、塩化第2鉄または塩化第2銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして金属板3、金属回路板4および放熱板9の所定パターン以外の部分を除去し、その後にレジスト膜を除去すればよい。金属部材がアルミニウムから成る場合、エッチング液の例は、リン酸、硝酸、酢酸および水を含む混酸である。金属板3は、絶縁基板1に接合した後に、その表面に導電性が高くかつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、金属板3に半導体素子等の電子部品20を半田等のダイボンド材7を介して強固に接着させることができるとともに、金属板3と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を8~15質量含有させてニッケル-燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルから成るめっき層の表面酸化を抑制してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が8質量以上15質量以下であると、ニッケル-燐のアモルファス合金を形成しやすくなってめっき層に対する半田の接着強度を向上させることができる。このニッケルから成るめっき層は、その厚みが15μm以上であると、金属板3の表面を被覆しやすく、金属板3の酸化腐蝕を抑制することができる。また、10μm以下であると、特に絶縁基板の厚さが300μm未満の薄いものになった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力を低減させることができ絶縁基板1に生じる反りまたは割れ等を抑制することができる。金属板3を枠体5と接合した後にニッケル金属層を形成することによって、接合材4および枠体5における酸化腐食を抑制することができる。金属回路板4または放熱板9にも同様のニッケル金属層を形成しておくと、例えば外部回路基板または冷却体への接合が良好になるのでよい。枠体5は、金属板3、金属回路板4および放熱板9より小さい熱膨張係数を有している。枠体5が金属材料から成る場合であれば、例えばニッケルNi,鉄Fe,モリブデンMo,タングステンW,クロムCr,チタンTi等が挙げられる。枠体5がセラミック材料から成る場合であれば、例えば酸化アルミニウム質セラミックス,ムライト質セラミックス,炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックス等である。これらセラミック材料の中では熱伝導性放熱性の点からは炭化ケイ素質セラミックス,窒化アルミニウム質セラミックス,または窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点からは窒化ケイ素質セラミックスまたは炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。枠体5が金属材料から成る場合、枠体5は、例えば枠体5の厚みの金属部材をプレスやエッチング等の従来周知の方法で加工することで形成される。枠体5を金属板3、金属回路板4および放熱板9に接合するための接合材6に用いられる接合ペーストは、例えば金属板3が銅から成る場合、銀および銅粉末,銀-銅合金粉末,またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材例えば、銀:72質量-銅:28質量粉末に、適当なバインダーと有機溶剤および溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。接合温度を低下させる目的でインジウムInまたはスズSnを1~10質量程度添加しても良い。このペーストを金属板3の側面およびろう材層2の上面における金属板3より外側の領域にディスペンサーを用いて配置し、有機溶剤および溶媒を乾燥させ、枠体5を金属板3を取り囲むように配置し、接合材6が溶融する温度まで昇温させることによって接合する。接合材6の接合温度をろう材層2の溶融温度より50°C程度低くすると、枠体5を接合することによる金属板3の位置ずれが低減される。なお、接合材6の固化温度が高いほど、単に枠体5によって金属板3の熱的な膨張収縮が制限されることになるだけでなく、常温に冷却された状態で金属板3には引っ張り応力が残留した状態となるために、電子部品20の発熱によっての金属板3の上面の熱膨張を低下させることができる様になるので、より金属板3上に搭載される電子部品20が破壊されにくい回路基板10とすることができるようになる。また、枠体5を金属回路板4および放熱板9に接合する場合も同様に行われる。枠体5がセラミック材料から成る場合、枠体5は絶縁基板1と同様にして作成することができる。この場合に接合材6用のペーストは、銀ろう材にチタン,ハフニウム,ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して2~5質量添加すると、枠体5の金属板3の側面と対向する側面およびろう材2と接する面にメタライズ層を形成する必要が無く、工程を短縮できるので好ましい。例えば熱膨張係数の小さい充填材を加え熱膨張係数を低下させた熱硬化性エポキシ樹脂のように、接合材6として電子部品20の動作温度以下で硬化する接着剤を使用することもできる。この場合は、回路基板10が接合材6の硬化温度以上になった場合には金属板3が接合材6を介して枠体5を押し広げるように応力が加わるため、枠体5は金属のように引っ張り応力に対して強度の大きい材質を使用するのが好ましい。図2に示す例のように、接合材6によって金属板3の側面の全体に枠体5が接合されている構造の場合、金属板3の側面の全体に枠体5によって押す力または引く力が加わるため、金属板3の膨張または収縮を枠体5によって制御しやすくなる。接合材6は、ろう材層2用のろう材の一部が金属板3の側面および枠体5の内側側面を這い上がって金属板3の側面と枠体5の内側側面との間に設けられたものであってもよい。枠体5の外側に設けられた金属回路板4用の金属部材と枠体5との間にもろう材層2用のろう材の一部が這い上がろうとする場合があるが、この這い上がりを抑制するためには、例えばろう材の接合温度でろう材の侵入を抑えるレジストとして働くアルミナ粉末を有機溶媒と混練したセラミックペーストを、予め枠体5の外側に設けられた金属回路板4用の金属部材と枠体5との間に配置しておけば良い。金属板3用の金属部材と枠体5とを予め接合材6によって接合しておき、その後、互いに接合された金属部材と枠体5とをろう材層2によって絶縁基板1に接合して、その後、金属部材をエッチングすることによって回路基板10を形成してもよい。枠体5の外側にろう材層2が形成されている場合、ろう材層2が銀ろう等の比較的熱伝導率の高いものであると、回路基板10の熱伝導率が向上される。ろう材層2と接合材6が同じろう材から成る場合は、常温に冷却された状態で金属板3にはもっとも大きく引っ張り応力が残留した状態となるために、電子部品20の発熱によっての金属板3の上面の熱膨張を低下させることができる様になるので、より金属板3上に搭載される電子部品20が破壊されにくい回路基板10とすることができるようになる。電子部品20は、ダイボンド材7によって金属板3に固定されており、複数のボンディングワイヤ8によって金属回路板4に電気的に接続されている。ダイボンド材7は、例えば、金属接合材または導電性樹脂から成る。金属接合材は、例えば、半田、金-スズAu-Sn合金、またはスズ-銀-銅Sn-Ag-Cu合金等である。電子部品20は、例えば、トランジスタ、CPUCentralProcessingUnit用のLSILargeScaleIntegratedcircuit、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor、またはMOS-FETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor等の半導体素子である。本実施形態における回路基板10は、平面視において金属板3を囲んでおり、接合材6によって金属板3の側面に接合されており、金属板3よりも小さい熱膨張係数を有する枠体5を備えていることによって、例えば銅またはアルミニウム等の比較的熱膨張係数の高い材料から成る金属板3を用いた場合においても、金属板3における熱的要因による膨張および収縮が制限され、金属板3上に搭載される電子部品に対する影響に関して低減されている。本実施形態における電子装置は、上記構成の回路基板10と、回路基板10の金属板3に搭載された電子部品20とを備えていることによって、金属板3に搭載された電子部品における影響に関して低減されており信頼性に関して向上されている。以下、本実施形態における金属板3および枠体5の形状に関する他の例について説明する。図3に示す例のように、金属板3が枠体5より薄く金属板3の上面が枠体5の上面よりも低い位置にある場合は、金属板3の側面の全面に枠体5から応力が加わることに加え、金属板3の上端部により強い応力が加わるようになると共に、熱膨張係数の小さな絶縁基板1の熱膨張係数の影響が金属板3の上面にも影響しやすくなるので、電子部品20の破壊に影響の大きい金属板3の上端部の膨張または収縮を小さくすることができる様になる。この場合には、回路基板10の裏面に対しての熱伝導を考えた場合、金属板3の厚みが薄いほど熱抵抗は小さくなるため、回路基板10の放熱性が改善される。図4に示す例のように、金属板3の側面が上方へ向かうほど金属板3の中心軸へ傾斜しているとともに枠体5の内側側面が上方へ向かうほど金属板3の中心軸へ傾斜している、すなわち、金属板3の横断面の面積が上方へ向かうほど小さくなるとともに枠体5の横断面の面積が上方へ向かうほど大きくなるように形成されている場合には、電子部品20の破壊に影響の大きい金属板3の上端部における応力の集中を低減させることができる。金属板3の横断面の面積が上方へ向かうほど小さくなるように形成するには、エッチング液やエッチング条件を調整することによって行うことができる。枠体5の横断面の面積が上方へ向かうほど大きくなるように形成するには、金属の場合は従来周知の金属加工を行なうことによって、セラミックスの場合は所定のプレス金型を用い成形を行ない焼成することによって形成することができる。図5に示す例のように、金属板3の側面における上部が下部よりも金属板3の中心軸に近くなるように形成されているとともに枠体5の内側側面における上部が下部よりも金属板3の中心軸に近くなるように形成されている、すなわち、金属板3の上部における横断面の面積が下部における横断面の面積よりも小さくなるに金属板3が階段状に形成されているとともに枠体5が金属板3の形状に対応するように形成されている場合には、金属板3と枠体5との接合面積が増大されるとともに金属板3の上部における応力の集中が低減される。金属板3の上部における横断面の面積が下部よりも小さくなるような階段状に形成するためには、一旦通常のレジストを形成してエッチングを行い、レジストを剥離し、その後に階段状にする部分以外の部分に再度レジストを形成し、再度金属部材の厚みの半分程度の深さまでエッチングすることによって行うことができる。枠体5を金属板3の形状に対応するように形成するためには、枠体5が金属から成る場合は、従来周知の金属加工を行ない、枠体5がセラミックスから成る場合は、所定のプレス金型を用い成形を行ない焼成する。図6に示す例のように、枠体5は平面視において金属回路板4および放熱板9を囲んでいるとともに、接合材6によって金属回路板4および放熱板9の側面に接合されており、金属回路板4および放熱板9よりも小さい熱膨張係数を有する枠体5を備えていることによって、例えば銅またはアルミニウム等の比較的熱膨張係数の高い材料から成る金属回路板4および放熱板9を用いた場合においても、金属回路板4および放熱板9が熱応力によって絶縁基板1から剥がれてしまう可能性が低減され、あるいは絶縁基板1に加わる応力が小さくなり絶縁基板1が破壊され難くなるので回路基板10の温度サイクル信頼性が向上する。なお、この場合の金属回路板4および放熱板9ならびに枠体5を絶縁基板1に形成する方法は、上記のような、金属板3ならびに枠体5を絶縁基板1に形成する方法と同様に行われる。図7に示す例のように、枠体5は平面視において金属回路板4もしくは放熱板9を複数の島状に囲んでいるとともに、接合材6によって金属回路板4および放熱板9の複数の島状部の側面にそれぞれ接合されており、絶縁基板1と金属回路板4もしくは放熱板9との間に発生する熱応力を小さく抑えることができるようになり、金属回路板4および放熱板9が熱応力によって絶縁基板1から剥がれてしまう可能性が低減され、あるいは絶縁基板1が破壊され難くなるので回路基板10の温度サイクル信頼性が向上する。ここで、島状の金属回路板4もしくは放熱板9とは、金属回路板4もしくは放熱板9を複数に分割したものである。このように金属回路板4もしくは放熱板9を複数に分割して、絶縁基板1と金属回路板4もしくは放熱板9との接合長さを短いものとすることで、絶縁基板1と金属回路板4もしくは放熱板9との間に発生する熱応力を小さく抑えることができる。このとき、金属回路板4のうち大電流が流れる金属回路板4a例えば、図7aの右上および左下の金属回路板4は、電気抵抗が大きくならないようにするために島状にしない方が好ましい。金属回路板4の分割は、図7aに示す例のように金属回路板4を長手方向に分割すればよい。また、放熱板9は絶縁基板1の下面のほぼ全面にわたる大きい四角形状のものであるので、長手方向すなわち長辺方向の一方向だけでなく、短辺方向にも分割して接合長さを両方向で短くするのが好ましい。そして、図7cに示す例のように、放熱板9の長辺方向では多く分割することによって、長辺方向においても短辺方向と同程度の接合長さとすることができる。また、図7に示す例では、分割された複数の島状の金属回路板4もしくは島状の放熱板9を囲む枠体5は、複数の枠体5が連なって一体化された形状であるが、図8aもしくは図8cに示す例のように、分割された複数の島状の金属回路板4もしくは島状の放熱板9のそれぞれを囲む複数の枠体5であってもよい。枠体5が一体化された形状の場合には、隣接する島状の金属回路板4の間および隣接する島状の放熱板9の間には枠体5および接合材6によって隙間ができないので、電気抵抗の増加や放熱性の低下が抑えられ、また、製造工程において枠体5を複数配置する手間が省ける。一方、枠体5が島状の金属回路板4もしくは放熱板9のそれぞれに対応した複数個からなる場合には、枠体5と絶縁基板1との接合長さも短いものとなるので枠体5と絶縁基板1との間の熱応力を低減することができる。この場合には、隣接する枠体5の間に接合材を充填して電気抵抗を低減させてもよい。絶縁基板1に島状の金属回路板4もしくは放熱板9を形成するには、上記に記載されているように、金属回路板4もしくは放熱板9を絶縁基板1に接合した後に、金属回路板4もしくは放熱板9をエッチングによって金属回路板4および放熱板9を島状となるよう所定パターン形状に加工してもよいし、所定のパターン形状に加工された金属回路板4および放熱板9を絶縁基板1の所定の位置に配置して、接合して形成してもよい。図9に示す例のように、上述の構成は、絶縁基板1に形成されたメタライズ層11を有する電子装置においても適用が可能である。具体的には、本実施形態の他の例における電子装置は、絶縁基板1の上面および下面に形成された複数のメタライズ層11をさらに備えている。メタライズ層11は、焼成によって絶縁基板1と一体的に形成されている。金属板3および複数の金属回路板4のそれぞれは、絶縁基板1の上面に形成されたメタライズ層11にろう材層2によって接合されている。ろう材層2が絶縁基板1の上面に設けられている構造とは、図6に示す例のように、ろう材層2がメタライズ層11を介して絶縁基板1の上面に設けられている構造を含むものである。回路基板10がメタライズ層11を有する場合、ろう材層2は活性金属を含まないものであってもよい。放熱板9は、絶縁基板1の下面に形成されたメタライズ層11にろう材層2によって接合されている。ろう材層2が絶縁基板1の下面に設けられている構造とは、図6に示されているように、ろう材層2がメタライズ層11を介して絶縁基板1の下面に設けられている構造を含むものである。電子装置は、図1に示されている例と同様に、電子部品20が搭載された金属板3と、平面視において金属板3を囲んでおり、接合材4によって金属板3の側面に接合されており、金属板3よりも小さい熱膨張係数を有する枠体5とを備えていることによって、例えば銅またはアルミニウム等の比較的熱膨張係数の高い材料から成る金属板3を用いた場合においても、金属板3における熱的要因による膨張および収縮が制限され、金属板3上に搭載された電子部品に対する影響に関して低減されている。"