"陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、前記発光層が発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含み、短波長側ピークの発光材料の濃度Aに対する長波長側ピークの発光材料の濃度Bの濃度比率B/A×100が、前記陰極に近づくにつれて漸増しており、前記濃度比率B/A×100が10以下であることを特徴とする有機電界発光素子。長波長側ピークの発光材料の濃度が一定であり、短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて減少する請求項1に記載の有機電界発光素子。長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの発光材料の濃度が一定である請求項1に記載の有機電界発光素子。長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて減少する請求項1に記載の有機電界発光素子。短波長側ピークの発光材料の濃度に対する長波長側ピークの発光材料の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たす請求項1から4のいずれかに記載の有機電界発光素子。陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、前記発光層が発光材料を含み、該発光材料が単量体と会合体で異なる発光波長ピークを有し、前記単量体の濃度に対する前記会合体の濃度の濃度比率会合体の濃度/単量体の濃度が、前記陰極に近づくにつれて漸増しており、前記単量体の積分スペクトル強度Cに対する前記会合体の積分スペクトル強度Dの強度比率D/C×100が、20以上であることを特徴とする有機電界発光素子。長波長側ピークの会合体の濃度が一定であり、短波長側ピークの単量体の濃度が陰極に近づくにつれて減少する請求項6に記載の有機電界発光素子。長波長側ピークの会合体の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの単量体の濃度が一定である請求項6に記載の有機電界発光素子。長波長側ピークの会合体の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの単量体の濃度が陰極に近づくにつれて減少する請求項6に記載の有機電界発光素子。短波長側ピークの単量体の濃度に対する長波長側ピークの会合体の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たす請求項6から9のいずれかに記載の有機電界発光素子。発光層の厚みが20nm以上である請求項1から10のいずれかに記載の有機電界発光素子。陰極が反射電極であり、陽極が透明電極である請求項1から11のいずれかに記載の有機電界発光素子。陰極が反射電極であり、陽極が半透過電極である請求項1から11のいずれかに記載の有機電界発光素子。発光材料が燐光発光材料である請求項1から13のいずれかに記載の有機電界発光素子。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、電流密度変化時の色度変化を抑制できると共に、発光効率及び耐久性が向上した有機電界発光素子を提供することを目的とする。前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、発光スペクトルの異なる二つの濃度比率、即ち、発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含み、短波長側ピークの発光材料の濃度Aに対する長波長側ピークの発光材料の濃度Bの濃度比率、又は単量体に対する前記会合体の濃度比率を発光層内で変化させることにより、光学干渉による発光スペクトル変化を抑制することができ、電流密度変化時の色度変化を抑制できると共に、発光効率及び耐久性が向上した有機電界発光素子が得られることを知見した。本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、前記発光層が発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含み、短波長側ピークの発光材料の濃度Aに対する長波長側ピークの発光材料の濃度Bの濃度比率B/A×100が、前記陰極に近づくにつれて漸増しており、前記濃度比率B/A×100が10以下であることを特徴とする有機電界発光素子である。<2>長波長側ピークの発光材料の濃度が一定であり、短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて減少する前記<1>に記載の有機電界発光素子である。<3>長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの発光材料の濃度が一定である前記<1>に記載の有機電界発光素子である。<4>長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極に近づくにつれて減少する前記<1>に記載の有機電界発光素子である。<5>短波長側ピークの発光材料の濃度に対する長波長側ピークの発光材料の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たす前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。<6>陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を含む有機電界発光素子であって、前記発光層が発光材料を含み、該発光材料が単量体と会合体で異なる発光波長ピークを有し、前記単量体の濃度に対する前記会合体の濃度の濃度比率会合体の濃度/単量体の濃度が、前記陰極に近づくにつれて漸増しており、前記単量体の積分スペクトル強度Cに対する前記会合体の積分スペクトル強度Dの強度比率D/C×100が、20以上であることを特徴とする有機電界発光素子である。<7>長波長側ピークの会合体の濃度が一定であり、短波長側ピークの単量体の濃度が陰極に近づくにつれて減少する前記<6>に記載の有機電界発光素子である。<8>長波長側ピークの会合体の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの単量体の濃度が一定である前記<6>に記載の有機電界発光素子である。<9>長波長側ピークの会合体の濃度が陰極に近づくにつれて増加し、短波長側ピークの単量体の濃度が陰極に近づくにつれて減少する前記<6>に記載の有機電界発光素子である。<10>短波長側ピークの単量体の濃度に対する長波長側ピークの会合体の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たす前記<6>から<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。<11>発光層の厚みが20nm以上である前記<1>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。<12>陰極が反射電極であり、陽極が透明電極である前記<1>から<11>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。<13>陰極が反射電極であり、陽極が半透過電極である前記<1>から<11>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。<14>発光材料が燐光発光材料である前記<1>から<13>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。本発明によると、従来における問題を解決することができ、電流密度変化時の色度変化を抑制できると共に、発光効率及び耐久性が向上した有機電界発光素子を提供することを目的とする。有機電界発光素子陽極と陰極の間に、少なくとも発光層を有してなり、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層を有することが好ましく、更に必要に応じてその他の構成を有していてもよい。本発明の有機電界発光素子は、第1の形態では、前記発光層が発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含み、短波長側ピークの発光材料の濃度Aに対する長波長側ピークの発光材料の濃度Bの濃度比率B/A×100が、前記陰極反射電極に近づくにつれて漸増しており、前記濃度比率B/A×100が10以下である。前記発光層は発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含む。これにより、発光スペクトルの異なる2種以上の発光材料の濃度比率を発光層内で変化させることにより、光学干渉による発光スペクトル変化を抑制することができる。前記発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料としては、複数色の発光材料を混合することにより白色となるものが好ましく、赤色R、緑色G、及び青色Bの3色の発光材料を用いることがより好ましい。前記短波長側ピークの発光材料の濃度Aに対する長波長側ピークの発光材料の濃度Bの濃度比率B/A×100は、前記陰極反射電極に近づくにつれて漸増している。これにより、光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる。前記濃度比率B/A×100を前記陰極に近づくにつれて漸増させる方法としては、例えば各成分の蒸着速度比を、陰極に近づけるにつれて変化させる方法などが挙げられる。前記濃度比率B/A×100は、10以下であり、0.1~2が好ましい。前記濃度比率B/A×100が10を超えると、長波長ピーク成分のみの発光となることがある。ここで、前記短波長側ピークの発光材料の濃度A及び前記長波長側ピークの発光材料の濃度Bは、例えばホスト材料の蒸着速度に対する各材料の蒸着速度により測定することができる。前記長波長側ピークの発光材料の濃度が一定であり、前記短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて減少することが、特に短波長側ピークの材料のみの濃度の変調により光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて増加し、前記短波長側ピークの発光材料の濃度が一定であることが、特に長波長側ピークの発光材料のみの濃度の変調により光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記長波長側ピークの発光材料の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて増加し、前記短波長側ピークの発光材料の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて減少することが、より精密に光学干渉の影響の位置依存性を軽減することができ、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記短波長側ピークの発光材料の濃度に対する前記長波長側ピークの発光材料の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たすことが、電流密度変化時の色度変化を有効に抑制できる点で好ましい。前記比a/bは1.1~2.0がより好ましい。本発明の有機電界発光素子は、第2の形態では、前記発光層が発光材料を含み、該発光材料が単量体と会合体で異なる発光波長ピークを有し、前記単量体の濃度に対する前記会合体の濃度の濃度比率会合体の濃度/単量体の濃度が、前記陰極反射電極に近づくにつれて漸増しており、前記単量体の積分スペクトル強度Cに対する前記会合体の積分スペクトル強度Dの強度比率D/C×100は、20以上である。前記発光層が発光材料を含み、該発光材料が単量体と会合体で異なる発光波長ピークを有する。これにより、発光スペクトルの異なる1種の発光材料の濃度比率を発光層内で変化させることにより、光学干渉による発光スペクトル変化を抑制することができる。前記発光材料としては、会合発光を示し1種で白色発光する燐光発光材料などが好適である。前記第2の形態では、会合体は単量体よりもエネルギー的に安定であるため、単量体からの発光波長ピークは短波長側ピークとなり、会合体からの発光波長ピークは長波長側ピークとなる。前記単量体の濃度に対する前記会合体の濃度の濃度比率会合体の濃度/単量体の濃度は、前記陰極反射電極に近づくにつれて漸増している。これにより、光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる。前記濃度比率会合体の濃度/単量体の濃度を前記陰極に近づくにつれて漸増させる方法としては、例えばホスト材料に対する発光材料の蒸着速度を、陰極に近づけるにつれて大きくする方法、などが挙げられる。前記長波長側ピークの会合体の濃度が一定であり、前記短波長側ピークの単量体の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて減少することが、特に短波長側ピークの単量体のみの濃度の変調により光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記長波長側ピークの会合体の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて増加し、前記短波長側ピークの単量体の濃度が一定であることが、特に長波長側ピークの会合体のみの濃度の変調により光学干渉の影響の位置依存性が軽減され、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記長波長側ピークの会合体の濃度が陰極反射電極に近づくにつれて増加し、前記短波長側ピークの単量体の濃度が陰極に近づくにつれて減少することが、より精密に光学干渉の影響の位置依存性を軽減することができ、電流密度変化時の色度変化を抑制することができる点で好ましい。前記短波長側ピークの単量体の濃度に対する前記長波長側ピークの会合体の濃度の比率を、発光層の陰極側でaとし、発光層の陽極側でbとすると、次式、a/b>1.05を満たすことが、電流密度変化時の色度変化を有効に抑制できる点で好ましい。前記比a/bは1.1~2.0がより好ましい。前記単量体の積分スペクトル強度Cに対する前記会合体の積分スペクトル強度Dの強度比率D/C×100は、20以上であり、、25~400が好ましく、50~200がより好ましい。前記強度比率D/C×100が、20未満であると、会合体の発光が観測されないことがある。ここで、前記単量体の積分スペクトル強度及び前記会合体の積分スペクトル強度は、例えばEL発光スペクトルを測定後、フィッティングにより前記単量体と前記会合体のスペクトルの分離を行い、各成分の積分強度を求めることにより測定することができる。<発光層>前記発光層は、発光材料と、ホスト材料とを含み、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。前記発光層は、以下の2つの態様のいずれかが好ましい。1発光層が1種の発光材料を含み、該発光材料が単量体と会合体で異なる発光波長ピークを有する態様会合発光を示し1種で白色発光する材料2発光層が発光波長ピークの異なる2種以上の発光材料を含む態様少なくとも2種の発光材料を含み、該少なくとも2種の発光材料が異なる色で発光する材料<<発光材料>>前記発光材料としては、燐光発光材料及び蛍光発光材料のいずれも用いることができるが、発光効率が大きいという点から燐光発光材料が特に好ましい。-1会合発光を示し1種で白色発光する材料-前記会合発光を示し1種で白金発光する材料としては、燐光発光材料が好ましく、白金錯体がより好ましい。前記白金錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress社1987年発行、H.Yersin著,PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社1987年発行、山本明夫著有機金属化学-基礎と応用-裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。具体的な配位子としては、ハロゲン配位子好ましくは塩素配位子、芳香族炭素環配位子例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど、含窒素ヘテロ環配位子例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど、ジケトン配位子例えば、アセチルアセトンなど、カルボン酸配位子例えば、酢酸配位子など、アルコラト配位子例えば、フェノラト配位子など、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。これらの中でも、燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記白金錯体のドープ濃度は、前記ホスト材料に対して10質量~90質量が好ましく、20質量~60質量がより好ましく、30質量~50質量が更に好ましい。-2少なくとも2種の発光材料を含み、該少なくとも2種の発光材料が異なる色で発光する材料-前記2の発光材料としては、燐光発光材料及び蛍光発光材料のいずれも用いることができるが、燐光発光材料が特に好ましい。-燐光発光材料-前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウムが特に好ましい。前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress社1987年発行、H.Yersin著,PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社1987年発行、山本明夫著有機金属化学-基礎と応用-裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。具体的な配位子としては、ハロゲン配位子好ましくは塩素配位子、芳香族炭素環配位子例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど、含窒素ヘテロ環配位子例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど、ジケトン配位子例えば、アセチルアセトンなど、カルボン酸配位子例えば、酢酸配位子など、アルコラト配位子例えば、フェノラト配位子など、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。これらの中でも、燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記イリジウムを含む錯体である燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式1、2及び3のいずれかで表される化合物が好ましい。ただし、前記一般式1、2及び3中、nは、1~3の整数を表す。X-Yは、二座配位子を表す。環Aは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表す。R11は、置換基を表し、m1は、0~6の整数を表す。m1が2以上の場合には隣接するR11どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。R12は、置換基を表し、m2は、0~4の整数を表す。m2が2以上の場合には隣接するR12どうしが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。なお、R11とR12とが結合して窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環を形成してもよく、該環は更に置換基により置換されていてもよい。前記環Aは、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子のいずれかを含んでいてもよい環構造を表し、5員環、6員環などが好適に挙げられる。該環は置換基で置換されていてもよい。X-Yは、二座配位子を表し、二座のモノアニオン性配位子などが好適に挙げられる。前記二座のモノアニオン性配位子としては、例えば、ピコリナートpic、アセチルアセトナート、ジピバロイルメタナートt-ブチルacacなどが挙げられる。上記以外の配位子としては、例えば、Lamanskyらの国際公開第2002/15645号パンフレットの89頁~91頁に記載の配位子が挙げられる。前記R11及びR12における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、シクロアルキル基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリール基、窒素原子又は硫黄原子を含んでいてもよいアリールオキシ基を表し、これらは更に置換されていてもよい。前記R11及びR12は、互いに隣接するものどうしで結合して、窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい環を形成してもよく、5員環、6員環などが好適に挙げられる。該環は更に置換基で置換されていてもよい。前記一般式1、2及び3のいずれかで表される具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記燐光発光材料のその他の例としては、以下のような化合物が挙げられる。前記燐光発光材料の合計含有量は、発光層全量に対して、0.5質量~30質量が好ましく、0.5質量~20質量がより好ましく、3質量~10質量が更に好ましい。--蛍光発光材料--前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、ペンタセンなど、8-キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体、希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン又はこれらの誘導体、などが挙げられる。これらの中でも、前記蛍光発光材料の具体例としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記蛍光発光材料の合計含有量は、発光層全量に対して、0.1質量~30質量が好ましく、0.2質量~15質量がより好ましく、0.5質量~12質量が更に好ましい。<<ホスト材料>>前記ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト材料を用いることができる。-正孔輸送性ホスト材料-前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ピラゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾール、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、などが挙げられる。これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を有するものがより好ましく、カルバゾール骨格を有する化合物が特に好ましい。また、本発明においては、前記ホスト材料の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる特開2009-277790号公報、特表2004-515506号公報。このような正孔輸送性ホスト材料としての具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記正孔輸送性ホスト材料の含有量は、前記発光層全量に対して、10質量~99.9質量が好ましく、20質量~99.5質量がより好ましく、30質量~99質量が更に好ましい。-電子輸送性ホスト材料-前記電子輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体他の環と縮合環を形成してもよい、8-キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。前記電子輸送性ホスト材料としては、例えば金属錯体、アゾール誘導体ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等、アジン誘導体ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等などが挙げられる。これらの中でも、本発明においては、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましい。前記金属錯体化合物は、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。前記金属錯体中の金属イオンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、パラジウムイオンなどが挙げられる。これらの中でも、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、又はパラジウムイオンが好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、又はパラジウムイオンがより好ましい。前記金属錯体中に含まれる配位子としては、特に制限はなく、種々の公知の配位子が有るが、例えば、PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompounds、Springer-Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、有機金属化学-基礎と応用-、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。前記配位子としては、例えば含窒素ヘテロ環配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数3~15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であってもよい。好ましくは2座以上6座以下の配位子である。また、2座以上6座以下の配位子と単座の混合配位子も好ましい。前記配位子としては、例えばアジン配位子例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる、ヒドロキシフェニルアゾール配位子例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる、アルコキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる、アリールオキシ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシ、2,4,6-トリメチルフェニルオキシ、4-ビフェニルオキシなどが挙げられる、ヘテロアリールオキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる、アルキルチオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる、アリールチオ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる、ヘテロアリールチオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、及び2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる、シロキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数3~25、特に好ましくは炭素数6~20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、及びトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。、芳香族炭化水素アニオン配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~25、特に好ましくは炭素数6~20であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられる、芳香族ヘテロ環アニオン配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数2~25、特に好ましくは炭素数2~20であり、例えばピロールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、又はシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、又は芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。前記金属錯体電子輸送性ホスト材料としては、例えば特開2002-235076号公報、特開2004-214179号公報、特開2004-221062号公報、特開2004-221065号公報、特開2004-221068号公報、特開2004-327313号公報などに記載の化合物が挙げられる。このような電子輸送性ホスト材料としては、具体的には、以下の材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。前記電子輸送性ホスト材料の含有量は、前記発光層全量に対して、10質量~99.9質量が好ましく、20質量~99.5質量がより好ましく、30質量~99質量が更に好ましい。前記発光層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば抵抗加熱蒸着法、真空蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、コーティング法スピンコート法、キャスト法、ディップコート法などなどの方法が挙げられる。これらの中でも、真空蒸着法が特に好ましい。前記発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、20nm以上が好ましく、25nm~100nmがより好ましい。前記厚みが20nm未満であると、電荷の漏れが生じ、発光効率の低下につながることがある。<電子注入層、電子輸送層>前記電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。前記電子輸送層としては、前記電子輸送性ホスト材料、前記電子供与性ドーパント等の材料を含み形成される。前記電子注入層、電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、駆動電圧を下げるという観点から、各々500nm以下が好ましい。前記電子輸送層の厚みとしては、1nm~500nmが好ましく、5nm~200nmがより好ましく、10nm~100nmが更に好ましい。前記電子注入層の厚みとしては、0.1nm~200nmが好ましく、0.2nm~100nmがより好ましく、0.5nm~50nmが更に好ましい。前記電子注入層、電子輸送層は、1種又は2種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。<正孔注入層、正孔輸送層>前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。これらの層に用いられる正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。前記正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記正孔注入層及び正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属;五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物、などが挙げられる。前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物;キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。前記電子受容性ドーパントの使用量は、特に制限はなく、材料の種類によって異なるが、正孔輸送材料又は正孔注入材料に対して0.01質量~50質量が好ましく、0.05質量~30質量がより好ましく、0.1質量~30質量が更に好ましい。前記正孔注入層及び正孔輸送層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みは、1nm~500nmが好ましく、5nm~250nmがより好ましく、10nm~200nmが更に好ましい。<正孔ブロック層、電子ブロック層>前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えばBAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、などが挙げられる。前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。前記電子ブロック層及び正孔ブロック層は、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の厚みは、1nm~200nmが好ましく、1nm~50nmがより好ましく、3nm~10nmが更に好ましい。また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。<電極>本発明の有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明が好ましく、陽極が透明電極又は半透明電極であり、陰極が反射電極がより好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。-陽極-前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫ATO、FTO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からはITOが特に好ましい。-陰極-前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属例えばLi、Na、K、Cs等、アルカリ土類金属例えばMg、Ca等、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料がより好ましい。前記アルミニウムを主体とする材料としては、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量~10質量のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物例えば、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金などが挙げられる。前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば印刷方式、コーティング方式等の湿式方式;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式;CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着、スパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法、印刷法によって行ってもよい。<基板>本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニアYSZ、ガラス無アルカリガラス、ソーダライムガラス等等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の有機材料、などが挙げられる。前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状が好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層ガスバリア層を設けることができる。前記透湿防止層ガスバリア層の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。前記透湿防止層ガスバリア層は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。-その他の構成-前記その他の構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、保護層、封止容器、樹脂封止層、封止接着剤などを挙げることができる。前記保護層、前記封止容器、前記樹脂封止層、前記封止接着剤などの内容としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開2009-152572号公報等に記載の事項を適用することができる。図1は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機電界発光素子10は、ガラス基板1上に形成された陽極2例えばITO電極と、正孔注入層3と、正孔輸送層4と、発光層5と、第一電子輸送層6と、第二電子輸送層7と、電子注入層不図示、陰極8例えばAl-Li電極とをこの順に積層してなる層構成を有する。なお、陽極2例えばITO電極と陰極8例えばAl-Li電極とは電源を介して互いに接続されている。-駆動-本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流必要に応じて交流成分を含んでもよい電圧通常2ボルト~15ボルト、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の有機電界発光素子は、薄膜トランジスタTFTによりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等を適用することができる。本発明の有機電界発光素子は、例えば国際公開2005/088726号パンフレット、特開2006-165529号公報、米国特許出願公開2008/0237598号明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する例えば微細な凹凸パターンを形成する、基板、ITO層、有機層の屈折率を制御する、基板、ITO層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、第1の態様では、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。第2の態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長を得るのに最適な値となるよう調整される。前記第1の態様の場合の計算式は、特開平9-180883号公報に記載されている。前記第2の態様の場合の計算式は、特開2004-127795号公報に記載されている。-用途-本発明の有機電界発光素子は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。前記有機電界発光ディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば月刊ディスプレイ、2000年9月号、33~37ページに記載されているように、色の3原色青色B、緑色G、赤色Rに対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色R及び緑色Gに変換する色変換法、などが知られている。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。<有機電界発光素子の作製方法>酸化インジウム錫以下、ITOと略記するを100nmの厚みに蒸着した0.5mm厚み、2.5cm角のITO電極付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2-プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV-オゾン処理を行った。この透明陽極上に真空蒸着装置を用いて各例の有機層及び金属層を蒸着した。なお、以下の実施例及び比較例における真空蒸着法は、全て同条件で行い、蒸着速度は、特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。圧力は、1×10-4Paである。2種類以上の物質を共蒸着している層においては、濃度の小さい物質の蒸着速度を調整し、所望の濃度となるようにした。また、発光層内での濃度が変化している物質については、蒸着速度を線形に変化させて調整し、所望の濃度分布となる発光層を得た。実施例1-白色会合発光素子の作製-厚み0.5mm、2.5cm角のガラス基板を洗浄容器に入れ、中性洗剤中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、120°Cで120分間熱処理を行った。その後、30分間UV-オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下の各層を蒸着した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層の厚みは水晶振動子を用いて測定した。まず、ガラス基板上に、陽極としてITOIndiumTinOxideを厚み100nmにスパッタ蒸着した。次に、前記陽極ITO上に、下記構造式で表される4,4’,4-トリスN,N-2-ナフチル-フェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATAに、下記構造式で表されるF4-TCNQを1質量ドープした正孔注入層を厚みが45nmになるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔注入層上に、正孔輸送層としてα-NPDBisN--N-phenylbenzidineを厚みが7nmとなるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔輸送層上に、下記構造式で表される化合物1を真空蒸着して、厚み3nmの第二正孔輸送層を形成した。次に、前記第二正孔輸送層の上に、ホスト材料としてmCPbenzeneと、該mCPに対して40質量化合物1側から50質量Balq側へと連続的に変化させて燐光発光材料である下記構造式で表される化合物2をドープした発光層を30nmの厚みに真空蒸着した。次に、前記発光層上に、第一電子輸送層としてBalqBis-2-methyl-8-quinolinolato-4-phenyl-phenolate-aluminiumIIIを厚みが39nmとなるように真空蒸着した。次に、前記第一電子輸送層上に、第二電子輸送層としてBCP29dimethyl47diphenyl110phenanthrolineを厚みが1nmとなるように真空蒸着した。次に、前記第二電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを厚みが0.5nmとなるように真空蒸着した。次に、前記電子注入層上に、パターニングしたマスク発光領域が2mm×2mmとなるマスクを設置し、金属アルミニウムを厚みが100nmとなるように真空蒸着し、陰極とした。作製した積層体を、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製を用いて封止した。以上により、実施例1の有機電界発光素子を作製した。この実施例1の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPXX質量化合物230nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例1実施例1において、ホスト材料であるmCPに対して40質量の燐光発光材料である上記構造式で表される化合物2をドープした以外は、実施例1と同様にして、比較例1の有機電界発光素子を作製した。この比較例1の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCP40質量化合物230nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>次に、作製した実施例1及び比較例1について、以下のようにして、単量体の積分スペクトル強度C、会合体の積分スペクトル強度D、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。<単量体の積分スペクトル強度C及び会合体の積分スペクトル強度Dの測定>東陽テクニカ株式会社製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電流を各素子に通電し、発光させた。そのときの発光スペクトルを、トプコン社製分光放射輝度計SR-3を用いて測定した。得られた発光スペクトルを、単量体のスペクトルと会合体の発光スペクトルを用いて最小2乗法によるフィッティングを行い、単量体の積分スペクトル強度C及び会合体の積分スペクトル強度Dを算出した。0.25mA/cm2で通電時の実施例1の発光スペクトルを図2、比較例1の発光スペクトルを図3に示す。<外部量子効率>各有機電界発光素子の電流密度が0.25mA/cm2における外部量子効率を、波長ごとの強度換算法により算出した。<耐久性>各有機電界発光素子の耐久性は、定電流1,000cd/m2での輝度半減時間を測定し、対応する比較例1に対する相対的な輝度半減時間を導出して求めた。<色差の評価>東陽テクニカ株式会社製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電流を各素子に通電し、発光させた。そのときの発光スペクトルを、トプコン社製分光放射輝度計SR-3を用いて測定した。得られた発光スペクトルをもとに、有機電界発光素子の電流密度が0.25mA/cm2、及び25mA/cm2におけるCIE色度座標を、スペクトルを換算することで得た。更に、色度座標の変換により、Lab色立体における色差を得た。実施例2-白色単層発光素子の作製-実施例1において、mCPに対して15質量の下記構造式で表される化合物3と、mCPに対して0.13質量の下記構造式で表される化合物4と、mCPに対して0.13質量化合物1側から0.2質量Balq側へと連続的に変化させて下記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例1と同様にして、実施例2の有機電界発光素子を作製した。この実施例2の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPxx質量化合物3yy質量化合物4zz質量化合物530nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例2実施例1において、mCPに対して15質量の上記構造式で表される化合物3と、mCPに対して0.13質量の上記構造式で表される化合物4と、mCPに対して0.13質量の上記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例1と同様にして、比較例2の有機電界発光素子を作製した。この比較例2の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCP15質量化合物30.13質量化合物40.13質量化合物530nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>次に、実施例2及び比較例2について、以下のようにして、短波長ピークの発光材料の濃度A、長波長ピークの発光材料の濃度Bを測定した。また、実施例1及び比較例1と同様にして、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例2の発光スペクトルを図4、比較例2の発光スペクトルを図5に示す。<短波長ピークの発光材料の濃度A、及び長波長ピークの発光材料の濃度Bの測定>蒸着時の水晶振動子の値から、短波長ピークの発光材料の濃度A、及び長波長ピークの発光材料の濃度Bを測定した。実施例3-白色単層発光素子の作製-実施例1において、mCPに対して15質量化合物1側から13質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物3と、mCPに対して0.13質量の上記構造式で表される化合物4と、mCPに対して0.13質量の上記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例1と同様にして、実施例3の有機電界発光素子を作製した。この実施例3の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPxx質量化合物3yy質量化合物4zz質量化合物530nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例3比較例2と同じ有機電界発光素子を比較例3として用いた。次に、実施例3及び比較例3について、実施例2及び比較例2と同様にして、短波長ピークの発光材料の濃度A、長波長ピークの発光材料の濃度B、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例3の発光スペクトルを図6に示す。比較例3の発光スペクトルは図5と同じである。実施例4-白色単層発光素子の作製-実施例1において、mCPに対して15質量化合物1側から14質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物3と、mCPに対して0.13質量の上記構造式で表される化合物4と、mCPに対して0.13質量化合物1側から0.18質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例1と同様にして、実施例4の有機電界発光素子を作製した。この実施例4の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPxx質量化合物3yy質量化合物4zz質量化合物530nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例4比較例2と同じ有機電界発光素子を比較例4として用いた。次に、実施例4及び比較例4について、実施例2及び比較例2と同様にして、短波長ピークの発光材料の濃度A、長波長ピークの発光材料の濃度B、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例4の発光スペクトルを図7に示す。比較例4の発光スペクトルは図5と同じである。実施例5-イリジウム系単層発光素子の作製-厚み0.5mm、2.5cm角のガラス基板を洗浄容器に入れ、中性洗剤中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、120°Cで120分間熱処理を行った。その後、30分間UV-オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下の各層を蒸着した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層の厚みは水晶振動子を用いて測定した。まず、ガラス基板上に、陽極としてITOIndiumTinOxideを厚み100nmにスパッタ蒸着した。次に、前記陽極ITO上に、上記構造式で表される4,4’,4-トリスN,N-2-ナフチル-フェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATAに、上記構造式で表されるF4-TCNQを1質量ドープした正孔注入層を厚みが160nmになるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔注入層上に、正孔輸送層としてα-NPDBisN--N-phenylbenzidineを厚みが10nmとなるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔輸送層の上に、ホスト材料として下記構造式で表される化合物11に対して10質量の下記構造式で表される化合物6と、下記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の下記構造式で表される化合物7と、下記構造式で表される化合物11に対して0.10質量NPD側から0.16質量Balq側へと連続的に変化させて下記構造式で表される化合物8をドープした発光層を30nmの厚みに真空蒸着した。前記発光層上に、第一電子輸送層としてBalqを厚みが39nmとなるように真空蒸着した。次に、前記第一電子輸送層上に、第二電子輸送層としてBCP29dimethyl47diphenyl110phenanthrolineを厚みが1nmとなるように真空蒸着した。次に、前記第二電子輸送層上に、電子注入層としてLiFを厚みが1nmとなるように真空蒸着した。次に、前記電子注入層上に、パターニングしたマスク発光領域が2mm×2mmとなるマスクを設置し、金属アルミニウムを厚みが100nmとなるように真空蒸着し、陰極とした。作製した積層体を、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製を用いて封止した。以上により、実施例5の有機電界発光素子を作製した。この実施例5の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ160nm/NPD10nm/化合物11xx質量化合物6yy質量化合物7zz質量化合物830nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF1nm/Al100nm>比較例5実施例5において、ホスト材料として上記構造式で表される化合物11に対して10質量の上記構造式で表される化合物6と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の上記構造式で表される化合物7と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の上記構造式で表される化合物8をドープした以外は、実施例5と同様にして、比較例5の有機電界発光素子を作製した。この比較例5の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ160nm/NPD10nm/化合物1110質量化合物60.10質量化合物70.10質量化合物830nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF1nm/Al100nm>次に、実施例5及び比較例5について、実施例2及び比較例2と同様にして、短波長ピークの発光材料の濃度A、長波長ピークの発光材料の濃度B、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例5の発光スペクトルを図8、比較例5の発光スペクトルを図9に示す。実施例6実施例5において、ホスト材料として上記構造式で表される化合物11に対して10質量の下記構造式で表される化合物9と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の下記構造式で表される化合物10と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量NPD側から0.16質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例5と同様にして、実施例6の有機電界発光素子を作製した。比較例6実施例6において、ホスト材料として上記構造式で表される化合物11に対して10質量の上記構造式で表される化合物9と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の上記構造式で表される化合物10と、上記構造式で表される化合物11に対して0.10質量の上記構造式で表される化合物5をドープした以外は、実施例6と同様にして、比較例6の有機電界発光素子を作製した。次に、実施例6及び比較例6について、実施例2及び比較例2と同様にして、短波長ピークの発光材料の濃度A、長波長ピークの発光材料の濃度B、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例6の発光スペクトルを図10、比較例6の発光スペクトルを図11に示す。実施例7厚み0.5mm、2.5cm角のガラス基板を洗浄容器に入れ、中性洗剤中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、120°Cで120分間熱処理を行った。その後、30分間UV-オゾン処理を行った。このガラス基板上に真空蒸着法にて以下の各層を蒸着した。なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.2nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層の厚みは水晶振動子を用いて測定した。まず、ガラス基板上に、陽極としてITOIndiumTinOxideを厚み100nmにスパッタ蒸着した。次に、前記陽極ITO上に、上記構造式で表される4,4’,4-トリスN,N-2-ナフチル-フェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATAに、上記構造式で表されるF4-TCNQを1質量ドープした正孔注入層を厚みが45nmになるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔注入層上に、正孔輸送層としてα-NPDBisN--N-phenylbenzidineを厚みが7nmとなるように真空蒸着法にて形成した。次に、前記正孔輸送層上に、上記構造式で表される化合物1を真空蒸着して、厚み3nmの第二正孔輸送層を形成した。次に、前記第二正孔輸送層の上に、ホスト材料としてmCPbenzeneと、該mCPに対して40質量化合物1側から50質量Balq側へと連続的に変化させて燐光発光材料である上記構造式で表される化合物2をドープした発光層を30nmの厚みに真空蒸着した。前記発光層上に、第一電子輸送層としてBalqを厚みが10nmとなるように真空蒸着した。次に、前記第一電子輸送層上に、BCP29dimethyl47diphenyl110phenanthrolineに対し1質量のLiをドープした第二電子輸送層を厚みが230nmとなるように真空蒸着した。次に、前記電子注入層上に、パターニングしたマスク発光領域が2mm×2mmとなるマスクを設置し、金属アルミニウムを厚みが100nmとなるように真空蒸着し、陰極とした。作製した積層体を、窒素ガスで置換したグローブボックス内に入れ、ガラス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製を用いて封止した。以上により、実施例7の有機電界発光素子を作製した。この実施例7の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPXX質量化合物230nm/Balq10nm/BCP1質量Li230nm/Al100nm>比較例7実施例7において、mCPに対し上記構造式で表される化合物2を40質量ドープした以外は、実施例7と同様にして、比較例7の有機電界発光素子を作製した。この比較例7の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCP40質量化合物230nm/Balq10nm/BCP1質量Li230nm/Al100nm>次に、実施例7及び比較例7について、実施例1及び比較例1と同様にして、単量体の積分スペクトル強度C、会合体の積分スペクトル強度D、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例7の発光スペクトルを図12、比較例7の発光スペクトルを図13に示す。実施例8実施例1において、mCPに対して30質量化合物1側から50質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物2をドープした発光層を60nmの厚みに真空蒸着した以外は、実施例1と同様にして、実施例8の有機電界発光素子を作製した。この実施例8の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPXX質量化合物260nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例8実施例8において、ホスト材料としてのmCPに対して40質量に上記構造式で表される化合物2をドープした発光層を60nmの厚みに真空蒸着した以外は、実施例1と同様にして、比較例8の有機電界発光素子を作製した。この比較例8の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCP40質量化合物260nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>次に、実施例8及び比較例8について、実施例1及び比較例1と同様にして、単量体の積分スペクトル強度C、会合体の積分スペクトル強度D、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例8の発光スペクトルを図14、比較例8の発光スペクトルを図15に示す。実施例9実施例1において、mCPに対して40質量化合物1側から50質量Balq側へと連続的に変化させて上記構造式で表される化合物2をドープした発光層を15nmの厚みに真空蒸着した以外は、実施例1と同様にして、実施例9の有機電界発光素子を作製した。この実施例9の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCPXX質量化合物215nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>比較例9実施例9において、ホスト材料としてのmCPに対して40質量に上記構造式で表される化合物2をドープした発光層を15nmの厚みに真空蒸着した以外は、実施例9と同様にして、比較例9の有機電界発光素子を作製した。この比較例9の有機電界発光素子の層構成は、以下に示す通りである。内は厚みを表す。<ITO100nm/2-TNATA1質量F4-TCNQ45nm/NPD7nm/化合物13nm/mCP40質量化合物215nm/Balq39nm/BCP1nm/LiF0.5nm/Al100nm>次に、実施例9及び比較例9について、実施例1及び比較例1と同様にして、単量体の積分スペクトル強度C、会合体の積分スペクトル強度D、外部量子効率、耐久性相対輝度半減時間、CIEx、CIEy、及び色度変化を評価した。結果を表1に示す。実施例1及び比較例1と同様にして測定した実施例9の発光スペクトルを図16、比較例9の発光スペクトルを図17に示す。スペクトル強度は0.25mA/cm2で通電時の値である。濃度は発光層での陽極透明電極側での濃度である。表1の結果から、実施例1~9は、比較例1~9に比べて、電流変化時の色度変化ΔEが小さくなった。また、発光効率及び耐久性にも改善効果が認められた。"