"AlN層の製造方法において、c面Al2O3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000°C以上1200°C以下の成長温度にまで昇温する第1のステップと、前記第1のステップにより1000°C以上1200°C以下で加熱されている前記c面Al2O3基板上に、1000°C以上1200°C以下の成長温度でAlN層を成長する第2のステップと、前記第2のステップで形成したAlN層を、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で1000°C以上1250°C未満の温度でアニールする第3のステップと、前記第3のステップでアニールされたAlN層上に1000°C以上1250°C未満の成長温度でAlN層を成長する第4のステップとを有することを特徴とするAlN層の製造方法。請求項1に記載のAlN層の製造方法において、前記第1のステップは、前記c面Al2O3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000°C以上1200°C以下の成長温度にまで昇温する過程にて、前記c面Al2O3基板より部分的に酸素を脱離するようにしたことを特徴とするAlN層の製造方法。請求項1または2のいずれかに記載のAlN層の製造方法において、前記第2のステップは、Al極性面とN極性面との極性が混じった構造を備えたAlN層を成長することを特徴とするAlN層の製造方法。請求項1、2または3のいずれか1項に記載のAlN層の製造方法において、前記第3のステップは、アニールを少なくとも1分間おこなうことを特徴とするAlN層の製造方法。請求項3または4のいずれか1項に記載のAlN層の製造方法において、前記第3のステップは、前記N極性面の領域のみを蒸発させることを特徴とするAlN層の製造方法。請求項3、4または5のいずれか1項に記載のAlN層の製造方法において、前記第4のステップは、前記N極性面の領域が蒸発した結果残された前記Al極性面を初期構造として埋め込み成長をおこなうことを特徴とするAlN層の製造方法。1000°C以上1200°C以下で加熱されているc面Al2O3基板上に1000°C以上1200°C以下の成長温度で成長されたAlN層と、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で1000°C以上1250°C未満の温度でアニールした前記AlN層上に1000°C以上1250°C未満の成長温度で成長されたAlN層とを有することを特徴とするAlN層。本発明は、従来の技術に対する上記したような要望に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、概ね1250°C未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造することを可能にするAlN層の製造方法およびAlN層を提供しようとするものである。上記目的を達成するために、本発明は、AlN層の製造方法において、c面Al2O3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000°C以上1200°C以下の成長温度にまで昇温する第1のステップと、上記第1のステップにより1000°C以上1200°C以下で加熱されている上記c面Al2O3基板上に、1000°C以上1200°C以下の成長温度でAlN層を成長する第2のステップと、上記第2のステップで形成したAlN層を、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で1000°C以上1250°C未満の温度でアニールする第3のステップと、上記第3のステップでアニールされたAlN層上に1000°C以上1250°C未満の成長温度でAlN層を成長する第4のステップとを有するようにしたものである。また、本発明は、上記第1のステップにおいて、上記c面Al2O3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000°C以上1200°C以下の成長温度にまで昇温する過程にて、上記c面Al2O3基板より部分的に酸素を脱離するようにしたものである。また、本発明は、上記第2のステップにおいて、Al極性面とN極性面との極性が混じった構造を備えたAlN層を成長するようにしたものである。また、本発明は、上記第3のステップにおいて、アニールを少なくとも1分間おこなうようにしたものである。また、本発明は、上記第3のステップにおいて、上記N極性面の領域のみを蒸発させるようにしたものである。また、本発明は、上記第4のステップにおいて、上記N極性面の領域が蒸発した結果残された上記Al極性面を初期構造として埋め込み成長をおこなうようにしたものである。また、本発明は、1000°C以上1200°C以下で加熱されているc面Al2O3基板上に1000°C以上1200°C以下の成長温度で成長されたAlN層と、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で1000°C以上1250°C未満の温度でアニールした上記AlN層上に1000°C以上1250°C未満の成長温度で成長されたAlN層とを有するようにしたものである。本発明は、以上説明したように構成されているので、概ね1250°C未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造することを可能にするAlN層の製造方法およびAlN層を提供することができるようになるという優れた効果を奏する。以下、添付の図面を参照しながら、本発明によるAlN層の製造方法およびAlN層の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。この本発明によるAlN層の製造方法においては、MOCVD装置として、概ね1250°C未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置が用いられる。図2には、こうした一般に市販されているMOCVD装置のうち本発明で使用したMOCVD装置の概略構成説明図が示されている。このMOCVD装置10は、原料ガスを内部に導入するための導入口12aと内部に存在しているガスを排出するための排気口12bとを備えた結晶成長反応炉12と、結晶成長反応炉12の内部に配置されて表面にGaN、AlNあるいはAlGaNなどの単結晶を成膜させるAl2O3基板などの基板14を配置するためのサセプター16と、結晶成長反応炉12の外周に巻回されてサセプター16を誘導加熱する誘導加熱コイル18とを有して構成されている。以下に説明するAlN層の製造方法は、上記したMOCVD装置10により単結晶成長させることにより製造される。本発明によるAlN層の製造方法について、c面Al2O3基板上にAlN層を形成する場合を例に説明する。この本発明によるAlN層の製造方法は、以下に説明するステップ1乃至4の4段階のステップにより構成されている。1ステップ1ステップ1は、MOCVD装置10の結晶成長反応炉12内に配置したAlNの単結晶を成長させるc面Al2O3基板の温度を、c面Al2O3基板上におけるAlN成長に先んじて、AlN成長を行う際の成長温度である1000°C以上1200°C以下まで昇温する工程である。このステップ1においては、c面Al2O3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000°C以上1200°C以下の成長温度にまで昇温する過程にて、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガスを導入口12aから、200mbar以下に減圧された結晶成長反応炉12内に供給し、c面Al2O3基板より部分的にO原子を脱離させるものである。その結果、部分的に暴露されたAl原子のせいで活性な表面が形成される。2ステップ2ステップ2は、ステップ1により1000°C以上1200°C以下で加熱されているc面Al2O3基板上に、1000°C以上1200°C以下の成長温度でAlN層を成長する工程である。具体的には、MOCVD装置10の結晶成長反応炉12内に配置したAlNの単結晶を成長させるc面Al2O3基板をH2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス内で1000°C以上1200°C以下まで昇温することで部分的にO原子を脱離させAl原子が暴露した活性な表面が形成されている状態で、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムとNH3とをH2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガスとともに導入口12aから100mbar以下に減圧された結晶成長反応炉12内に供給し、AlN層を、例えば、200nmの厚さに成長させる。このステップ2で部分的にO原子を脱離させAl原子が暴露した活性な表面が形成されたc面Al2O3基板上に形成されるAlN層は、c面Al2O3基板表面のO原子が脱離しAl原子が暴露された部分が成長と同時に供給されるNH3と反応することで起こる急激な窒化のせいでN極性面図3bを参照する。領域となり、O原子未脱離部分がAl極性面図3aを参照する。領域となり、極性が混じった構造となる図3cを参照する。。つまり、ステップ2においては、Al極性面とN極性面との極性が混じった構造を備えたAlN層を成長させるものである。3ステップ3ステップ3は、ステップ2で成長させたAlN層を、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、またはそのキャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で1000°C以上1250°C未満の温度でアニールする工程である。具体的には、MOCVD装置10の結晶成長反応炉12内への原料ガスであるトリメチルアルミニウムの供給を停止し、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス、またはそのキャリアガスにNH3が混入されたプロセスガスを導入口12aから100mbar以下に減圧された結晶成長反応炉12内に供給する。そして、H2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガス中、またはそのキャリアガスにNH3が混入されたプロセスガス中で、ステップ2においてc面Al2O3基板上にAl極性面とN極性面との極性が混じった構造で形成したAlN層を、温度1000°C以上1250°C未満でアニールする。このステップ3の処理により、図4に示すように、Al極性面とN極性面との極性が混じったAlN層においてN極性面の領域だけ蒸発し、N極性面の部分に凹みができる。この凹みが生じる様子はノマルスキ光学顕微鏡でも明瞭に観察でき、図5aで示されるステップ2の終了時におけるAl極性面とN極性面とが混じった構造のAlN層表面が、ステップ3の処理により図5bで示されるような光学的にも荒れた表面へと変化する。その理由は、Y.Kumagaietal.,JournalofCrystalGrowth3052007366-371,ElsevierB.V.で示されるように、AlN層の熱分解速度が、Al極性面とN極性面とを比較すると、N極性面の分解のほうが速いからである。なお、ステップ3においては、上記したアニールを、少なくとも1分間行うものである。具体的には、アニールする温度に応じて1分間以上行うものであり、例えば、1分以上1時間以下の間で適宜に選択するが、1時間以上アニールしてもよい。4ステップ4ステップ4は、ステップ3でアニールされたAlN層上に1000°C以上1250°C未満の成長温度でAlN層を成長する工程である。具体的には、MOCVD装置10の結晶成長反応炉12内へ、再び原料ガスとしてトリメチルアルミニウムとNH3とをH2またはN2またはそれらが混入されたキャリアガスとして導入口12aから100mbar以下に減圧された結晶成長反応炉12内に供給し、N極性の部分に凹みができているAlN層上にMOCVD原料流量変調法M.Takeuchietal.,AppliedPhysicsExpress12008021102,2008TheJapanSocietyofAppliedPhysicsを参照する。で横方向成長速度を稼いで埋め込み成長を行い、AlN層を、例えば、600nm以上の厚さに成長させる。このステップ4の処理により、凹んでいるN極性面を備えたAlN層上に横方向成長速度エンハンスモードでAl極性面から発展したAlN層が成長すると、図6に示すように、Al極性面の横方向成長によりN極性面がふさがれて、N極性面が混じらないAl極性面による平坦なAlN層が形成される。つまり、ステップ4においては、N極性面の領域が蒸発した結果残されたAl極性面を初期構造として埋め込み成長をおこなうものである。こうして形成されたAlN層は、N極性面が混じらないAl極性面により構成され、かつ、横方向成長により貫通転移が対消滅することから貫通転移密度が効果的に減少されるものであって、品質の高い優れたものとなる。即ち、本発明によれば、概ね1250°C未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造することができる。なお、本発明によるAlN層は、図1に示したような構造を備えたLEDのAlN層として用いることができるのは勿論であるが、図1に示した構造とは異なる構造を備えたLEDのAlN層や、その他各種の半導体デバイスなどにおけるAlN層として用いることができる。"