多孔質性支持体、及び、前記多孔質支持体上に形成された水素透過膜を備え、前記水素透過膜はCu、Pd及びAlで構成される水素透過性銅合金で形成され、前記合金が、Cu、Pd及びAlの原子濃度atをそれぞれ[Cu]、[Pd]及び[Al]とすると、[Pd]/[Cu][Pd]=41~50、[Al]/[Cu][Pd]=0.05~4.0であって、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9の関係を満たす水素透過モジュール。前記水素透過膜を形成する水素透過性銅合金が、[Pd]/[Cu][Pd]=44~47、[Al]/[Cu][Pd]=0.5~1.5の関係を満たす請求項1に記載の水素透過モジュール。前記水素透過膜の厚みが0.5~10μmである請求項1又は2に記載の水素透過モジュール。水素含有ガスが請求項1~3のいずれかに記載の水素透過モジュールを通過する工程を含む水素含有ガスからの水素分離方法。水素含有ガスが前記水素透過モジュールを550~650°Cの温度で通過する工程を含む請求項4に記載の水素含有ガスからの水素分離方法。上記先行技術文献に記載されているように、Pd-Cu合金は水素透過膜用の材料として有望であるが、Pd-Cu合金は高温下における水素透過性が極端に低下するという問題がある。すなわち、Pd-Cu合金は500°C程度までは水素透過性に大きな変化は見られないが、600°C近くまで加熱すると一桁近くも水素透過係数が減少する。上述したように、水素製造のための改質反応は高温で行う必要があることから、高温下における水素透過率は特に優れていることが望ましい。特に600°C付近というのはメンブレンリフォーマー技術の実用化を進める上でも重要であることから、この温度付近における水素透過率を高める必要性が存在する。そこで、本発明は高温下での水素透過率に優れた水素透過モジュールを提供することを課題の一つとする。また、本発明はそのような水素透過モジュールを利用した水素含有ガスからの水素分離方法を提供することを別の課題の一つとする。本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねたところ、多孔質性支持体、及び、前記多孔質支持体上に形成された水素透過膜を備えた水素透過モジュールを形成し、該水素透過膜を構成する合金を、所定の組成をもつCu-Pd合金に対してアルミニウムを所定量含有させて形成することで、高温特性が有意に改善することを見出した。上記知見を基礎として完成した本発明は一側面において、多孔質性支持体、及び、前記多孔質支持体上に形成された水素透過膜を備え、前記水素透過膜はCu、Pd及びAlで構成される水素透過性銅合金で形成され、前記合金が、Cu、Pd及びAlの原子濃度atをそれぞれ[Cu]、[Pd]及び[Al]とすると、[Pd]/[Cu][Pd]=41~50、[Al]/[Cu][Pd]=0.05~4.0であって、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9の関係を満たす水素透過モジュールである。本発明に係る水素透過モジュールは一実施形態において、前記水素透過膜を形成する水素透過性銅合金が、[Pd]/[Cu][Pd]=44~47、[Al]/[Cu][Pd]=0.5~1.5の関係を満たす。本発明に係る水素透過モジュールは別の一実施形態において、前記水素透過膜の厚みが0.5~10μmである。本発明は別の一側面において、水素含有ガスが本発明に係る水素透過モジュールを通過する工程を含む水素含有ガスからの水素分離方法である。本発明に係る水素分離方法は一実施形態において、水素含有ガスが前記水素透過モジュールを550~650°Cの温度で通過する工程を含む。本発明によれば、とりわけ600°C付近における高温特性に優れた水素透過モジュールを得ることができる。また、Pdは貴金属であり高価であるところ、本発明に係る水素透過モジュールの水素透過膜の組成に占めるPdの割合は原子比でCu以下であることから、従来に比べて安価に製造できるようになる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明に係る水素透過モジュールは、水素及び副生成物を含む混合ガスから水素を分離精製するための水素分離装置の水素分離部に設けられる。水素透過モジュールは、多孔質性支持体、及び、多孔質支持体上に形成された水素透過膜を備えている。多孔質性支持体は、気体が通過することのできる気体透過性、水素透過膜を支持することのできる膜支持性を有している材料で形成されており、例えば、酸化アルミニウム、シリカ、シリカ-アルミナ、ムライト、コージェライト、ジルコニア、安定化ジルコニア、多孔質ガラス、SUSメッシュ等で形成することができる。これらの材料は、それぞれ単独で用いることもでき、また、混合又は複合して用いることもできる。多孔質性支持は、1次圧と2次圧の差圧に耐えられる強度が必要で、例えば、10μm~10mm厚に形成することができる。水素透過膜は、Cu、Pd及びAlで構成される水素透過性銅合金で形成されている。該Cu-Pd合金は、Cu、Pd及びAlの原子濃度atをそれぞれ[Cu]、[Pd]及び[Al]とすると、[Pd]/[Cu][Pd]=41~50、[Al]/[Cu][Pd]=0.05~4.0を満たす組成を有する。本発明においては、原子濃度は、一定の質量の銅合金に含まれるCuのモル数、Pdのモル数及びAlのモル数を求め、[Cu]=Cuのモル数/Cuのモル数Pdのモル数Alのモル数[Pd]=Pdのモル数/Cuのモル数Pdのモル数Alのモル数[Al]=Alのモル数/Cuのモル数Pdのモル数Alのモル数で計算される。Cu-Pd合金に対してアルミニウムAlを少量添加すると、600°C付近の高温下における水素透過率が向上するという効果があり、[Al]/[Cu][Pd]が0.05以上になるとその効果が有意に表れてくる。ただし、[Al]/[Cu][Pd]が4.0を超えると今度は水素透過率の向上効果がほとんどなくなり、逆に悪化するケースもある。そこで、本発明では[Al]/[Cu][Pd]は0.05~4.0と規定している。パラジウムPdは、アルミニウムAlが存在しない系においては、[Pd]/[Cu][Pd]が50以上となる濃度に設定したほうが600°C付近の高温下における水素透過率は向上する傾向にあるが、本発明者の検討結果によれば、アルミニウムを含む系においては、上記の41~50の範囲が600°C付近の高温下における高い水素透過率を得る観点で好ましく、50を超えると逆に水素透過率が低下していく傾向にある。パラジウムの濃度が高いときには600°C付近の高温下における最も高い水素透過率を得ることのできるアルミニウム濃度は高い方へシフトする傾向にある。逆に、パラジウムの濃度が低いときには600°C付近の高温下における最も高い水素透過率を得ることのできるアルミニウム濃度も低い方へシフトする傾向にある。そのため、[Pd]/[Cu][Pd]が47を超える範囲では[Al]/[Cu][Pd]は1.5を超えることが好ましく、[Pd]/[Cu][Pd]が47以下の範囲では[Al]/[Cu][Pd]は1.5以下とすることが好ましい。600°C付近で特に高い水素透過率を示すパラジウム濃度とアルミニウム濃度の組み合わせは、[Pd]/[Cu][Pd]が44~47、且つ、[Al]/[Cu][Pd]が0.5~1.5である。同様に、パラジウムの濃度が高いときには所望の効果を発揮する上で許容されるアルミニウム濃度も高くなる傾向にあり、パラジウムの濃度が低いときには許容されるアルミニウム濃度も低くなる傾向にある。本発明者の検討結果によれば、600°C付近の高温下において優れた水素透過率を得るためには、銅、パラジウム及びアルミニウムの原子比の関係として次式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たすことが必要である。本発明の水素透過膜を形成する銅合金は、Cu、Pd及びAlの三成分で構成されており、他の元素を積極的に含有させることはないが、製造過程で混入する不可避的不純物のように他の元素が極微量含有していても構わないため、そのような場合も本発明の範囲とする。他の元素の許容値は一概には決定できないが、600°C付近における水素透過係数に有意な悪影響を与えない程度の場合例:水素透過係数の低下率が5以下、例えばCu、Pd及びAlの合計に対してそれぞれ1at以下の濃度で混入している場合には有意な悪影響はないと考えられる。他の元素としては、限定的ではないが、水素透過膜への添加元素として公知であるGa、Pt、Rh、Ir、Ru、Ni、Co、Ti、Nb、Ta、Ag、B、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuが挙げられる。本発明に係る水素透過モジュールは、水素透過膜を形成する銅合金がこのようにAlを所定量添加したCu-Pd合金であり、600°C付近における水素透過率がAlを添加しない場合よりも有意に高い。このため、当該温度付近で水素含有ガスから水素を分離することが要求される場合に好適に使用できる。本発明の水素透過膜を有する水素透過モジュールは、限定されるものではないが、Cu、Pd及びAlが所定の原子比を満足する組成となるように成分調整したCu-Pd-Al合金をスパッタリングターゲットとして、アルミナ多孔質支持体上に所定の条件でスパッタリングを行うことで作製することができる。また、Pd-Cu合金ターゲットとAlターゲット、又は、Pd、Cu、Alのそれぞれのターゲットを同時にスパッタし、条件を調整することで所定の組成の膜を得ることも可能である。水素透過膜の水素透過量は、一般に膜厚に反比例するため、膜厚が薄いほど単位面積当たりの透過量は上昇する。また、同じ面積でも膜厚が薄いと使用する材料も少なくなることから、膜厚を薄くすることは水素透過膜として使用する場合、非常に効果的である。ただし、あまり薄すぎると機械的強度が保てず、ピンホール等によって水素以外の不純物ガスが二次側に到達してしまうことから一定以上の膜厚があることが必要である。一方、膜厚があまり厚すぎると今度は二次側に到達する水素の量が少なくなり、生産性が悪くなる。そこで、本発明の水素透過モジュールにおいて、多孔質支持体上に形成された水素透過膜の膜厚は、0.5~10μmとするのが好ましく、1~5μmとするのがより好ましい。膜厚は、スパッタ電力及び時間を制御することで調節可能である。本発明に係る水素透過モジュールを利用して水素含有ガスから水素を分離する方法は、水素含有ガスが水素透過モジュールを通過する工程を含む。一般的には、水素透過モジュールの一方の面一次側に水素を含有する混合ガスを配置し、一次側の圧力を水素透過モジュールの他方の面二次側に対して高くする方法が採用される。本発明に係る水素透過モジュールは特に600°C付近での水素透過率に優れていることから、水素含有ガスは550~650°Cの温度として水素透過モジュールを通過することが好ましく、580~620°Cの温度として水素透過モジュールを通過することがより好ましい。水素透過モジュールを利用して水素含有ガスから水素を分離するシステム自体は公知であり、任意の公知のシステムを採用することができ、特に制限はない。一例を挙げると、本発明に係る水素透過モジュールを用いた水素分離システムは水素含有ガスを流すための一次側配管と、水素透過モジュールをガス通路に設置した加熱管と、水素透過モジュールを通過した後の水素ガスを流すための二次側配管とを備え、加熱管の入口を一次側配管に、出口を二次側配管に連結したシステムである。別の一例を挙げると、本発明に係る水素透過モジュールは水素分離型改質器であるメンブレンリフォーマーに組み込む水素透過モジュールとして使用することができる。以下に本発明を実施例でさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1.合金組成が与える影響>水素透過モジュールの水素透過膜を形成する銅合金の合金組成が水素透過モジュールの水素透過率に与える影響を検討するための試験を以下のように行った。まず、Cu、Pd及びAlで構成され、表1に記載の原子比を満足する組成となるように成分調整したCu-Pd-Al合金をスパッタリングターゲットとして、厚さ1mmのアルミナ多孔質支持体上に以下の条件でスパッタリングを行い、表1に記載した所定の膜厚の水素透過膜を形成した。スパッタリングに使用したターゲットは純度が3Nのものを用いた。装置:バッチ式スパッタリング装置アルバック社、型式MNS-6000到達真空度:1.0×105Paスパッタリング圧:0.2Paスパッタリング電力:DC100W次に、水素のガスボンベ図示せず、加熱炉11、一次側水素配管12、二次側水素配管13、管状炉内に配置され、一次側水素配管及び二次側水素配管を連結する固定治具にガスケットと共に固定された水素透過モジュール14水素透過部の直径10.0mm、二次側の水素配管に連結した水素測定器水素用マスフローコントローラ山武、MQV9050を備えた測定系を構築した図1参照。水素のガスボンベから配管を通じて供給される水素は固定治具一次側に入り、水素透過モジュール14を通過して、固定治具の二次側から出てくる。水素透過モジュール14を固定した固定治具が入っている管状炉は所定の温度に加熱可能となっており、水素固定部の温度を熱電対で測定している。測定試験は、一次側圧と二次側圧との差ΔPをそれぞれ表1に記載の通りとし、一次側の水素供給量を50sccmとして600°Cに水素を加熱しながら2時間供給し続けたときの水素透過量を測定し、以下の式により水素透過係数qを測定した。q=fMdS1P12-p121q:水素透過係数molm1sec1Pa12fM:二次側水素流量molsec1d:膜厚mS:膜面積m2P:一次側圧力Pap:二次側圧力Pa試験結果を表1に示す。図2は、横軸に[Pd]/[Cu][Pd]以下、Pd比ともいう、縦軸に[Al]/[Cu][Pd]以下、Al比ともいうをとり、試験したデータ範囲を示している。台形で囲った範囲が本発明の範囲である。得られた結果を幾つかの切り口で以下に検討する。1[Pd]/[Cu][Pd]:約41表1からPd比が41付近の例を抽出し、Al比の小さい順に並べたのが表2である。表2より、Al比が0のときNo.1は水素透過係数が最も低く、Al比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Al比が0.50のときNo.15に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にAl比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Al比が2.10まで増えるとNo.16、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。2[Pd]/[Cu][Pd]:約46表1からPd比が46付近の例を抽出し、Al比の小さい順に並べたのが表3である。表3より、Al比が0のときNo.4は水素透過係数が最も低く、Al比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Al比が1.03のときNo.17に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にAl比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Al比が3.27まで増えるとNo.11、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。3[Pd]/[Cu][Pd]:約50表1からPd比が50付近の例を抽出し、Al比の小さい順に並べたのが表4である。表4より、Al比が0.05No.8から3.99No.10までは、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たしており、優れた水素透過係数が得られた。また、Al比が4.25No.12のときは、上記式を満たさなくなったため、優れた水素透過係数は得られなくなった。4[Al]/[Cu][Pd]:約0.05表1からAl比が0.05付近の例を抽出し、Pd比の小さい順に並べたのが表5である。表5より、Pd比が41.2No.2から増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Pd比が46.9のときNo.18に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にPd比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Pd比が52まで増えるとNo.19、優れた水素透過係数は得られなくなった。5[Al]/[Cu][Pd]:約2.0表1からAl比が2.0付近の例を抽出し、Pd比の小さい順に並べたのが表6である。表6より、Pd比が39.4のときNo.13は水素透過係数が最も低く、Pd比が増加するにつれて水素透過係数が徐々に上昇し、Pd比が45.9のときNo.6に最大の水素透過係数が得られた。その後、更にPd比を増加させていくと今度は徐々に水素透過率が減少していき、Pd比が52.4まで増えるとNo.14、優れた水素透過係数は得られなくなった。また、Pd比41.4でAl比2.10のときNo.16は、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たさなくなったため、水素透過係数が低かった。6[Al]/[Cu][Pd]:約4.0表1からAl比が4.0付近の例を抽出し、Pd比の小さい順に並べたのが表7である。表7より、Pd比が40.1のときNo.20は、式:[Al]/[Cu][Pd]≦2/9×[Pd]/[Cu][Pd]-64/9を満たさず水素透過係数が最も低いが、Pd比が50のときNo.10は式をみたすため高い水素透過係数が得られた。Pd比が50.3でAl比4.25のときNo.12、式を満たさず水素透過係数は低い。Pd比が51.6まで増えるとNo.21、優れた水素透過係数は得られなくなった。7膜厚0.5μmと0.4μm表1から水素透過膜の膜厚が0.5μm及び0.4μmの例を抽出したのが表8である。これらは、水素透過係数が小さいが、膜厚が薄いため、水素透過量は多くなっている。<実施例2.加熱温度の影響>水素ガスの加熱温度が水素透過モジュールの水素透過率に与える影響を検討するための試験を以下のように行った。まず、Cu、Pd及びAlで構成され、表9に記載の原子比を満足する組成となるように成分調整したCu-Pd-Al合金をスパッタリングターゲットとして、厚さ1mmのアルミナ多孔質支持体上に実施例1と同様の条件でスパッタリングを行い、膜厚5μmの水素透過膜を形成した。このようにして得られたそれぞれの水素透過モジュールに対して、実施例1と同様の手順で水素透過係数を測定した。ただし、水素ガスの加熱温度を300°C、400°C、500°C、及び600°Cに変動させることで、水素透過係数の変化を調べた。試験結果を、温度°Cを横軸に、水素透過係数を縦軸にしてプロットして示したのが図3である。これらから、Cu-Pd合金に対してAlを所定量添加した場合、水素透過係数は、低温領域ではAlを添加しない場合よりも低いにもかかわらず、高温条件下とりわけ600°C付近では逆転し、Alを添加しない場合よりも高いことが分かる。