複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけて照射し、該分割予定ラインの内部に該ウェーハの表面側から裏面側に至る改質層を形成する改質層形成工程と、ウェーハをエッチングするエッチングガスまたはエッチング液を該ウェーハに供給し、該改質層を侵食させて該ウェーハを個々のデバイスに分割するエッチング工程と、から少なくとも構成されるウェーハの分割方法。前記改質層形成工程の前に前記ウェーハの表面に保護部材を貼着し、耐エッチングマスクを該ウェーハの裏面に被覆し前記分割予定ラインに沿って該耐エッチングマスクを除去する耐エッチングマスク形成工程が含まれ、該改質層形成工程は、ウェーハの裏面側からのレーザー光線の照射によって行われる請求項1に記載のウェーハの分割方法。前記改質層形成工程の前に前記ウェーハの裏面に保護部材を貼着し、耐エッチングマスクを該ウェーハの表面に被覆し前記分割予定ラインに沿って該耐エッチングマスクを除去する耐エッチングマスク形成工程が含まれ、該改質層形成工程は、ウェーハの表面側からのレーザー光線の照射によって行われる請求項1に記載のウェーハの分割方法。しかし、ウェーハに外力を加えて個々のデバイスに分割すると、改質層が粉砕されるため、微粉末がデバイスの表面に付着し、デバイスの品質を低下させるという問題がある。また、ウェーハの分割後は改質層がデバイスの側面に残存するため、残存した改質層がデバイスの抗折強度を低下させるという問題がある。本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、レーザー光線の照射によりウェーハの内部に改質層を形成し、改質層を起点としてウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、デバイスの品質および抗折強度を低下させないようにすることを課題とする。本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけて照射し、分割予定ラインの内部にウェーハの表面側から裏面側に至る改質層を形成する改質層形成工程と、ウェーハをエッチングするエッチングガスまたはエッチング液をウェーハに供給し、改質層を侵食させてウェーハを個々のデバイスに分割するエッチング工程と、から少なくとも構成される。上記ウェーハの分割方法において、改質層形成工程の前にウェーハの表面に保護部材を貼着し、耐エッチングマスクを該ウェーハの裏面に被覆し分割予定ラインに沿って耐エッチングマスクを除去する耐エッチングマスク形成工程が含まれる場合は、改質層形成工程は、ウェーハの裏面側からのレーザー光線の照射によって行われる。一方、上記ウェーハの分割方法において、改質層形成工程の前にウェーハの裏面に保護部材を貼着し、耐エッチングマスクをウェーハの表面に被覆し分割予定ラインに沿って耐エッチングマスクを除去する耐エッチングマスク形成工程が含まれる場合は、改質層形成工程は、ウェーハの表面側からのレーザー光線の照射によって行われる。本発明では、エッチング工程においてエッチングガスまたはエッチング液によって改質層を侵食させるようにしたことで、改質層が粉砕されないため、微粉末を発生させずにデバイスに分割することができる。したがって、微粉末がデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることがない。また、エッチングによって改質層が除去されるため、改質層の残存に起因するデバイスの抗折強度の低下を防止することができる。1第1の実施形態図1に示すウェーハWにおいては、表面W1に、縦横に分割予定ラインLが形成されている。そして、分割予定ラインLによって区画された領域には、デバイスDが複数形成されている。1保護部材貼着工程このウェーハWを裏返し、図2に示すように、表面W1を粘着テープ等からなる保護部材Pに貼着する。保護部材Pの周縁部にはリング状に形成されたフレームFが貼着されており、ウェーハWは、保護部材Pを介してフレームFに支持される。このとき、ウェーハWの裏面W2が露出した状態となる。2改質層形成工程次に、このウェーハWに対してレーザー光線を照射し、分割予定ラインLに沿って、その内部に改質層を形成する。改質層の形成には、例えば図3に示すレーザー加工装置1を使用することができる。このレーザー加工装置1は、被加工物を保持するチャックテーブル2と、チャックテーブル2に保持された被加工物に対してレーザー光線を照射するレーザー照射手段3とを備えている。保持手段2は、ウェーハWを吸引保持する保持面20と、フレームFを固定する固定部21とから構成されている。固定部21は、フレームFを上方から押圧する押さえ部210を備えている。保持手段2は、加工送り手段4によって加工送り方向X軸方向に移動可能に支持されているとともに、割り出し送り手段5によってX軸方向に対して水平方向に直交する割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に支持されている。加工送り手段4及び割り出し送り手段5は、制御手段6によって制御される。加工送り手段4は、平板状の基台53上に配設され、X軸方向の軸心を有するボールネジ40と、ボールネジ40と平行に配設された一対のガイドレール41と、ボールネジ40の一端に連結されたモータ42と、図示しない内部のナットがボールネジ40に螺合すると共に下部がガイドレール41に摺接するスライド部43とから構成されている。この加工送り手段4は、制御手段6による制御の下でモータ42に駆動されてボールネジ40が回動するのに伴い、スライド部43がガイドレール41上をX軸方向に摺動して保持手段2をX軸方向に移動させる構成となっている。保持手段2及び加工送り手段4は、割り出し送り手段5によってY軸方向に移動可能に支持されている。割り出し送り手段5は、Y軸方向の軸心を有するボールネジ50と、ボールネジ50に平行に配設された一対のガイドレール51と、ボールネジ50の一端に連結されたモータ52と、図示しない内部のナットがボールネジ50に螺合すると共に下部がガイドレール51に摺接する基台53とから構成されている。この割り出し送り手段5は、制御手段6による制御の下でモータ52に駆動されてボールネジ50が回動するのに伴い、基台53がガイドレール51上をY軸方向に摺動して保持手段2及び加工送り手段4をY軸方向に移動させる構成となっている。レーザー照射手段3は、壁部10に固定された基台30と、基台30の先端部に固定された照射ヘッド31とを備えている。照射ヘッド31は、鉛直方向の光軸を有するレーザー光線を照射する機能を有しており、集光レンズを備えている。保持手段2においては、保護部材Pを介してウェーハWが保持面20に吸引保持され、フレームFが固定部21に固定される。そして、図示しないカメラによる撮像によってウェーハWの表面W1を撮像し、分割予定ラインLを検出する。なお、カメラがウェーハWの裏面W2側に位置する本発明の場合は、赤外線カメラを用いて裏面W2側から透過させて表面W1を撮像する。分割予定ラインLの検出後、その分割予定ラインLと照射ヘッド31のY軸方向の位置をあわせる。そして、図4に示すように、保持手段2に保持されたウェーハWをX軸方向に送りながら、ウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザー光線31aを照射ヘッド31から分割予定ラインLに沿って照射する。レーザー光線31aは、分割予定ラインLの内部の集光点に集光する。例えば以下の加工条件にてレーザー照射を行う。レーザー光線の波長:1064[nm]平均出力:0.3[W]繰り返し周波数:100[kHz]スポット径:1[μm]送り速度:100[mm/秒]このような加工条件の下で分割予定ラインLの内部にレーザー光線を集光すると、図5に示すように、分割予定ラインLに沿ってウェーハWの内部に表面W1側から裏面W2側に至る改質層R1が形成される。改質層R1の形成時は、必要に応じて集光点をウェーハWの厚さ方向に移動させることにより、改質層R1の深さを調整する。同様に、保持手段2のY軸方向の割り出し送りとともに、順次分割予定ラインLに沿ってレーザー照射を行い、さらに、保持手段2を90度回転させてから同様のレーザー照射を行うと、図6に示すように、すべての分割予定ラインLに沿って、その内部に改質層R1が形成される。3エッチング工程このようにしてすべての分割予定ラインLに沿って改質層R1が形成された後、図6に示すように、裏面W2側からエッチングガス7を供給して裏面W2側に対してドライエッチングを行う。図示していないが、エッチングガス7の供給は、密閉された真空室内で行う。エッチングガスとしては、例えばプラズマ化したSF6六フッ化硫黄を使用する。そうすると、図7及び図8に示すように、改質層R1に沿ってエッチングガスによる侵食が行われ、改質層R1が除去され、改質層R1が形成されていた部分に溝G1が形成され、溝G1によって個々のデバイスDに分割される。なお、エッチングガスによるドライエッチングに代えて、エッチング液によるウェットエッチングを用いることもできる。ウェットエッチングの場合は、ウェーハWをエッチング液、例えばKOH水酸化カリウムに浸漬する。なお、ウェーハWの裏面W2もエッチングされるが、改質層R1の方がエッチング速度が速いため、問題にはならない。2第2の実施形態1保護部材貼着工程図9aに示すように、ウェーハWの表面W1を粘着テープ等からなる保護部材Pに貼着する。保護部材Pの周縁部には、図2に示したようにリング状に形成されたフレームFが貼着されており、ウェーハWは、保護部材Pを介してフレームFに支持される。このとき、ウェーハWの裏面W2が露出した状態となる。保護部材貼着工程は、少なくとも後述する改質層形成工程の前に行うようにする。2耐エッチングマスク形成工程次に、図9aに示すように、ウェーハWの裏面W2に耐エッチングマスクM1を被覆する。耐エッチングマスクM1としては、例えば、レジスト膜、SiO2二酸化ケイ素膜等を使用することができる。耐エッチングマスクM1は、例えば、熱酸化法によって形成することができる。裏面W2全面に耐エッチングマスクM1を被覆した後、図9bに示すように、耐エッチングマスクM1のうち、分割予定ラインLの裏面側に対面する部分を除去し、溝G2を形成する。耐エッチングマスクM1がレジスト膜の場合は、例えばフォトマスクを使用し、耐エッチングマスクM1のうち、分割予定ラインLの上方に位置する部分を露光させて除去することができる。また、耐エッチングマスクM1がSiO2膜の場合は、ダイシングによって除去することができる。さらに、耐エッチングマスクM1に対してレーザー光線を照射することによっても溝G2を形成することができる。この場合の加工条件は、例えば以下のとおりである。レーザー光線の波長:355[nm]平均出力:1.0[W]繰り返し周波数:10[kHz]スポット径:20[μm]送り速度:100[mm/秒]3改質層形成工程次に、図9cに示すように、ウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザー光線31aを照射ヘッド31から照射し、ウェーハWの裏面W2側から溝G2の下方のウェーハWの内部に集光する。そうすると、溝G2は分割予定ラインLに対応してその上方に形成されているため、分割予定ラインLに沿って改質層R2が形成される。レーザー加工の条件は、上記第1の実施形態における改質層形成工程と同様である。4エッチング工程ウェーハWの内部に改質層R2が形成された後、第1の実施形態と同様に、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、改質層R2を侵食させる。そうすると、図9dに示すように、改質層R2が除去され、分割予定ラインLに沿って溝G3が形成され、個々のデバイスDに分割される。なお、保護部材貼着工程は、耐エッチングマスク形成工程の前、後のいずれに行うようにしてもよい3第3の実施形態1保護部材貼着工程図10に示すように、ウェーハWの裏面W2を粘着テープ等からなる保護部材Pに貼着する。保護部材Pの周縁部には、リング状に形成されたフレームFが貼着されており、ウェーハWは、保護部材Pを介してフレームFに支持される。このとき、ウェーハWの表面W1が露出した状態となる。表面W1においては、分割予定ラインLによって区画されて複数のデバイスDが形成されている。保護部材貼着工程は、少なくとも後述する改質層形成工程の前に行うようにする。2耐エッチングマスク形成工程図11aに示すように、表面W1に耐エッチングマスクM2を被覆する。上記第2の実施形態と同様に、耐エッチングマスクM2としては、例えば、レジスト膜等を使用することができる。次に、図11bに示すように、耐エッチングマスクM2のうち、分割予定ラインLに対面する部分を除去し、分割予定ラインLに沿って溝G4を形成する。溝G4の除去方法は、上記第2の実施形態における耐エッチングマスク形成工程と同様である。3改質層形成工程図11cに示すように、ウェーハWに対して透過性を有するレーザー光線31aを照射ヘッド31から照射し、ウェーハWの表面W1側から溝G4の下方のウェーハWの内部に集光する。そうすると、溝G4は分割予定ラインLの上方に形成されているため、分割予定ラインLに沿って改質層R3が形成される。レーザー加工の条件は、上記第1の実施形態と同様である。4エッチング工程ウェーハWの内部に改質層R3が形成された後、第1の実施形態と同様に、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、改質層R3を侵食させる。そうすると、図11d及び図12に示すように、改質層R3が除去され、分割予定ラインLに沿って溝G5が形成され、個々のデバイスDに分割される。以上のように、第1、第2、第3の実施形態のいずれにおいても、ウェーハWの分割予定ラインLに沿ってウェーハWの内部に改質層を形成した後、エッチングによって改質層を侵食させて除去するため、改質層から微粉末が発生することがない。したがって、微粉末がデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることがない。また、エッチングによって改質層が除去されるため、改質層の残存に起因するデバイスの抗折強度の低下を防止することができる。