"半導体基板の裏面に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する固体撮像装置であって、前記半導体基板中に設けられ、前記光電変換により生じた信号電荷を受ける受光部と、前記半導体基板中の前記受光部が設けられた領域と前記裏面との間に設けられ、前記信号電荷の拡散を遮る遮断膜と、を備えることを特徴とする固体撮像装置。請求項1に記載の固体撮像装置において、所定の間隔を空けて設けられた複数の前記受光部を備え、前記遮断膜は、平面視で、当該複数の受光部間の前記間隔に位置する固体撮像装置。請求項1または2に記載の固体撮像装置において、前記遮断膜は、絶縁膜である固体撮像装置。請求項1乃至3いずれかに記載の固体撮像装置において、前記遮断膜は、前記裏面から前記半導体基板の内部に向かって延在している固体撮像装置。請求項1乃至4いずれかに記載の固体撮像装置において、前記遮断膜は、前記半導体基板の前記裏面と反対側の面である上面から当該半導体基板の内部に向かって延在している固体撮像装置。請求項4または5に記載の固体撮像装置において、前記遮断膜は、前記半導体基板を貫通している固体撮像装置。しかしながら、上述の固体撮像装置においては、ある受光部に到達すべき信号電荷が、別の受光部特に隣接する受光部に到達してしまうことがある。このことは、MTFModulationTransferFunctionの劣化につながる。本発明による固体撮像装置は、半導体基板の裏面に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する固体撮像装置であって、上記半導体基板中に設けられ、上記光電変換により生じた信号電荷を受ける受光部と、上記半導体基板中の上記受光部が設けられた領域と上記裏面との間に設けられ、上記信号電荷の拡散を遮る遮断膜と、を備えることを特徴とする。この固体撮像装置においては、半導体基板中に信号電荷の拡散を遮る遮断膜が設けられている。これにより、ある受光部に到達すべき信号電荷が別の受光部に到達する確率を低減させることができる。したがって、MTFの向上を図ることができる。本発明によれば、高いMTFを有する固体撮像装置が実現される。以下、図面を参照しつつ、本発明による固体撮像装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。第1実施形態図1は、本発明による固体撮像装置の第1実施形態を示す断面図である。固体撮像装置1は、半導体基板10、受光部20、および遮断膜30を備えている。本実施形態において半導体基板10は、P型シリコン基板である。この固体撮像装置1は、裏面入射型であり、半導体基板10の裏面S1に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する。半導体基板10中には、複数の受光部20が所定の間隔を空けて設けられている。具体的には、受光部20は、半導体基板10の上面裏面S1と反対側の面側の表層中に設けられている。これらの受光部20は、上記光電変換により生じた信号電荷を受ける。本実施形態において受光部20は、N型不純物拡散層である。各受光部20は、隣接する半導体基板10と共にフォトダイオードを構成している。半導体基板10中の受光部20が設けられた領域D1と裏面S1との間には、遮断膜30が設けられている。具体的には、遮断膜30は、平面視で、上記複数の受光部20間の間隔に位置している。この遮断膜30は、上記信号電荷の拡散を遮る。本実施形態において遮断膜30は、シリコン酸化膜等の絶縁膜である。半導体基板10には、MOSFET40も形成されている。すなわち、固体撮像装置1には、受光部20等により構成されるMOSイメージセンサ部と、MOSFET40等により構成されるロジック回路部とが混載されている。MOSFET40は、ソースドレイン領域として機能するN型不純物拡散層42、ゲート絶縁膜43およびゲート電極44を含んでいる。半導体基板10の上面上には、配線層50が設けられている。この配線層50中には、配線52が形成されている。図2を参照しつつ、固体撮像装置1の動作の一例を説明する。同図においては、裏面S1に、被撮像体である指90を接触させている。蛍光灯やLED等の光源からの光L1を指90に入射させると、その透過光L2が裏面S1に入射する。このとき、透過光L2は、指90の指紋92の形状についての情報を含んだものとなる。すると、透過光L2は、半導体基板10の内部で光電変換される。その光電変換により発生した信号電荷を受光部20が受けることにより、指紋92の像が撮像される。なお、光L1は、可視光、近赤外光または赤外光の何れであってもよい。本実施形態の効果を説明する。固体撮像装置1においては、半導体基板10中に信号電荷の拡散を遮る遮断膜30が設けられている。これにより、ある受光部20に到達すべき信号電荷が別の受光部20に到達する確率を低減させることができる。したがって、MTFの向上、ひいては解像度の向上を図ることができる。遮断膜30が、平面視で複数の受光部20間の間隔に位置している。これにより、ある受光部20に到達すべき信号電荷がその受光部20に到達するのを妨げることなく、別の受光部20に到達するのを妨げることができる。遮断膜30として絶縁膜が用いられている。これにより、遮断膜30が設けられた半導体基板10を容易に得ることができる。例えば、部分SOI構造を有する基板を半導体基板10として用いてもよい。固体撮像装置1は、裏面入射型である。このため、固体撮像装置1の表面側配線層50側に被撮像体を接触させる必要がない。これにより、固体撮像装置1の破損、特性劣化および静電破壊等の発生を抑えることができる。このことは、固体撮像装置1の信頼性の向上に寄与する。例えば、被撮像体が指である場合、帯電した指とは反対側に配線が位置することになるため、指による過大な静電気が半導体基板10中に設けられた素子受光部20やMOSFET40等に印加されるのを防ぐことができる。光L1図2参照として近赤外光または赤外光を用いた場合、可視光を用いた場合よりも、裏面S1から深い位置まで透過光L2を到達させることができる。それにより、透過光L2が光電変換されて生じた信号電荷が、受光部20に達し易くなる。ところで、特許文献3には、シリコン基板の裏面上に遮光膜が設けられた固体撮像装置が開示されている。この遮光膜は、文字通り、光すなわち上記裏面への入射光を遮るものである。したがって、この遮光膜は、光電変換により生じた電子の拡散を遮る遮断膜30とは異なる。第2実施形態図3は、本発明による固体撮像装置の第2実施形態を示す断面図である。固体撮像装置2は、半導体基板10、受光部20、および遮断膜30を備えている。固体撮像装置2においては、遮断膜30の構成が図1の固体撮像装置1と相違する。固体撮像装置2のその他の構成は、固体撮像装置1と同様である。本実施形態において遮断膜30は、半導体基板10の裏面S1から当該半導体基板10の内部に向かって延在している。すなわち、遮断膜30の一端が裏面S1に露出しており、他端が半導体基板10の内部に止まっている。ここで固体撮像装置1と固体撮像装置2とを比較すると、固体撮像装置1においては、ある受光部20に到達すべき信号電荷が遮断膜30の上部遮断膜30と裏面S1との間の領域を通って別の受光部20に到達してしまう可能性がある。一方、固体撮像装置2においては、遮断膜30が半導体基板10の裏面S1に達しているため、遮断膜30の上部の信号電荷の経路が断たれている。このため、固体撮像装置2によれば、ある受光部20に到達すべき信号電荷が別の受光部20に到達する確率を、固体撮像装置1よりも低減させることができる。固体撮像装置2のその他の効果は、固体撮像装置1と同様である。なお、本実施形態のように半導体基板10の裏面S1に露出する遮断膜30を形成するには、例えば、内部に遮断膜30が埋め込まれた半導体基板10図1の半導体基板10参照を準備した後、その半導体基板10の裏面S1を遮断膜30が露出するまで研削すればよい。あるいは、半導体基板10の裏面S1に溝を形成し、その溝を絶縁膜で埋め込むことにより、遮断膜30を形成してもよい。第3実施形態図4は、本発明による固体撮像装置の第3実施形態を示す断面図である。固体撮像装置3は、半導体基板10、受光部20、および遮断膜30を備えている。固体撮像装置3においては、遮断膜30の構成が図1の固体撮像装置1と相違する。固体撮像装置3のその他の構成は、固体撮像装置1と同様である。本実施形態において遮断膜30は、半導体基板10の上面から当該半導体基板10の内部に向かって延在している。すなわち、遮断膜30の一端が上面に露出しており、他端が半導体基板10の内部に止まっている。ここで固体撮像装置1と固体撮像装置3とを比較すると、固体撮像装置1においては、ある受光部20に到達すべき信号電荷が遮断膜30の下部遮断膜30と半導体基板10の上面との間の領域を通って別の受光部20に到達してしまう可能性がある。一方、固体撮像装置3においては、遮断膜30が半導体基板10の上面に達しているため、遮断膜30の下部の信号電荷の経路が断たれている。このため、固体撮像装置3によれば、ある受光部20に到達すべき信号電荷が別の受光部20に到達する確率を、固体撮像装置1よりも低減させることができる。固体撮像装置3のその他の効果は、固体撮像装置1と同様である。第4実施形態図5は、本発明による固体撮像装置の第4実施形態を示す断面図である。固体撮像装置4は、半導体基板10、受光部20、および遮断膜30を備えている。固体撮像装置4においては、遮断膜30の構成が図1の固体撮像装置1と相違する。固体撮像装置4のその他の構成は、固体撮像装置1と同様である。本実施形態において遮断膜30は、半導体基板10を貫通している。すなわち、遮断膜30の一端が裏面S1に露出しており、他端が半導体基板10の上面に露出している。固体撮像装置4においては、遮断膜30の上部および下部の信号電荷の経路が共に断たれている。その理由は、第2および第3実施形態で説明したとおりである。このため、固体撮像装置4によれば、ある受光部20に到達すべき信号電荷が別の受光部20に到達する確率を、固体撮像装置2,3よりも更に低減させることができる。固体撮像装置4のその他の効果は、固体撮像装置1と同様である。本発明による固体撮像装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態においてはNチャネルMOSFET図1等のMOSFET40が設けられた例を示したが、さらにPチャネルMOSFETが設けられていてもよい。また、P型の半導体基板およびN型の受光部を例示したが、N型の半導体基板およびP型の受光部であってもよい。さらに、本発明は、CCDChargeCoupledDevice型の固体撮像装置に適用してもよい。また、上記実施形態においては、半導体基板10の裏面S1が露出した例を示した。しかし、図6に示すように、半導体基板10の裏面S1上に保護膜60が設けられていてもよい。このように保護膜60を設けることにより、指に付着した不純物等が半導体基板10を拡散し、反対側に形成された受光部20やMOSFET40に悪影響を及ぼすのを効果的に抑制することができる。保護膜60としては、SiO膜、SiN膜またはSiON膜等を用いることができる。保護膜60の厚さは、例えば0.3μm程度である。保護膜60の厚さが0.3μm程度と入射光の波長に比べて薄い場合、撮像への影響を非常に小さく抑えることができる。また、上記実施形態においては、絶縁膜を遮断膜として用いる例を示した。しかし、遮断膜としては、信号電荷の拡散を遮ることができれば、絶縁膜以外のものを用いてもよい。例えば、P型不純物拡散層を遮断膜として用いることもできる。その場合、例えば、P型シリコン基板12の表層の所定の領域にボロン等を注入することによりP型不純物拡散層32を形成し図7a、そのP型シリコン基板12上にP型エピタキシャル層14を形成すればよい図7b。それにより、P型不純物拡散層32が設けられた半導体基板10aが得られる。さらに、受光部20およびN型不純物拡散層42をP型エピタキシャル層14内に形成し、P型エピタキシャル層14上にゲート絶縁膜43、ゲート電極44、配線52を含む配線層50を形成して、図7cの構造を得る。このP型不純物拡散層32は、信号電荷と再結合することにより、当該信号電荷の拡散を遮る。"