ウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面の少なくとも一部に複数の突起物を形成する突起物形成ステップと、該突起物が形成されたウエーハの表面に、基材と糊層とからなる表面保護テープを配設して該突起物を該糊層に埋設した状態にする表面保護テープ配設ステップと、該表面保護テープ配設ステップを実施した後、該表面保護テープを研削装置のチャックテーブルで保持しながらウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法。しかし、サファイアウエーハの表面に粘着テープからなる表面保護テープを貼着し、サファイアウエーハの裏面を研削してその厚みを100μm以下、更には50μm以下と薄く加工すると、サファイア基板に割れが生じるという問題がある。かかる問題は、炭化珪素基板SiC基板等の硬質脆性基板や、シリコンや化合物からなる半導体ウエーハ、ガラスやセラミック、樹脂基板等の研削においても同様に生じる。この原因について考察すると、研削中にウエーハが表面保護テープに対して横ずれを生じるためであると考えられる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの割れを低減可能なウエーハの研削方法を提供することである。本発明によると、ウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面の少なくとも一部に複数の突起物を形成する突起物形成ステップと、該突起物が形成されたウエーハの表面に、基材と糊層とからなる表面保護テープを配設して該突起物を該糊層に埋設した状態にする表面保護テープ配設ステップと、該表面保護テープ配設ステップを実施した後、該表面保護テープを研削装置のチャックテーブルで保持しながらウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。本発明によると、ウエーハに形成された突起物が表面保護テープに埋設された状態で表面保護テープが研削装置のチャックテーブルに吸引保持され、ウエーハの裏面の研削が遂行される。従って、研削中にウエーハが表面保護テープに対して横ずれすることがなく、硬質ウエーハ等のウエーハの研削時の割れを低減することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のウエーハの研削方法を実施するのに適した研削装置2の斜視図を示している。4は研削装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール一本のみ図示8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22図5参照と、スピンドル22を回転駆動するモータ24と、スピンドル22の先端に固定されたホイールマウント26と、ホイールマウント26に複数のねじ28により着脱可能に装着された研削ホイール30とを含んでいる。研削ホイール30は、環状の基台32と、基台32の下端外周部に固着された複数の研削砥石34とから構成される。研削ユニット10は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。ハウジング4の中間部分にはチャックテーブル38を有するチャックテーブル機構36が配設されており、チャックテーブル38は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。40はチャックテーブル機構36をカバーする蛇腹である。ハウジング4の前側部分には、第1のウエーハカセット42と、第2のウエーハカセット44と、ウエーハ搬送用ロボット46と、複数の位置決めピン50を有する位置決め機構48と、ウエーハ搬入機構ローディングアーム52と、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム54と、スピンナ洗浄ユニット56が配設されている。また、ハウジング4の概略中央部には、チャックテーブル38を洗浄する洗浄水噴射ノズル58が設けられている。この洗浄水噴射ノズル58は、チャックテーブル38が装置手前側のウエーハ搬入搬出領域に位置付けられた状態において、チャックテーブル38に向かって洗浄水を噴射する。60は研削水供給ノズルであり、先端の噴出口62から研削砥石34とチャックテーブル38に保持された被加工物に向かって研削水を噴出する。図2を参照すると、本発明のウエーハの研削方法の加工対象となるサファイアウエーハ光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。サファイアウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層17が積層されて構成されている。サファイア基板13はオリエンテーションフラット15を有している。このように構成されたサファイアウエーハ11は、エピタキシャル層17が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。エピタキシャル層17にLED等の複数の光デバイス21が格子状に形成された分割予定ラインストリート19によって区画されて形成されている。本実施形態のウエーハの研削方法では、まずサファイアウエーハ11の表面11aの外周部に複数のバンプ突起物23を形成する突起物形成ステップを実施する。バンプ23の形成方法は、例えば特開2001-53099号公報に記載されたインクジェット方法、特開平7-201869号公報に記載されたスクリーン印刷方法、或いは特開平8-139095号公報に記載されたマイクロプレス方法の何れの方法も採用可能である。突起物形成ステップを実施してから、図3に示すように、突起物23が形成されたサファイアウエーハ11の表面11aに、基材27と糊層29とからなる表面保護テープ25を配設する表面保護テープ配設ステップを実施する。表面保護テープ25は、例えばポリエチレン塩化ビニル、ポリオリフィン等の基材27の一面にアクリル系糊層29を配設したものが用いられる。この表面保護テープ配設ステップでは、表面保護テープ25の糊層29をサファイアウエーハ11の表面11aに貼着することにより、バンプ23を糊層29に埋設した状態にする。しかし、本発明のウエーハの研削方法では、バンプ23を糊層29内に完全に埋設する必要はなく、部分的に埋設するようにすればよい。図4を参照すると、本発明の研削方法の加工対象となる他の被加工物であるWaferLevel-ChipSizePackageWL-CSP31の斜視図が示されている。WL-CSP31は表面31aと、裏面31bとを有しており、表面31aは樹脂43により樹脂封止されている。WL-CSP31の表面31aには複数のストリート33が直交して形成されており、ストリート33によって区画された各領域35にそれぞれデバイスが形成されている。一般的なWL-CSPでは、裏面31bを研削後に表面に形成された封止樹脂43を貫通する金属ポスト上にバンプを形成するが、本発明実施形態の研削方法では、裏面31bを研削する前にバンプ37を形成する突起物形成ステップを実施する。即ち、この突起物形成ステップでは、図4の拡大図に示すように、各デバイスに形成されたパッドに再配線を介して接続するように封止樹脂43を貫通する金属ポストの上に突起状のバンプ37を形成する。バンプ37は封止樹脂43表面から突出している。このように各デバイスのパッドに接続するバンプ37を封止樹脂43上に形成したので、WL-CSP31はバンプ37が形成されているバンプ形成領域39と、バンプ形成領域39を囲繞する外周バンプ未形成領域41を有している。WL-CSP31に突起物形成ステップを実施して封止樹脂43上にバンプ37を形成した後、図3に示すのと同様な表面保護テープ25をWL-CSP31の表面に配設する表面保護テープ配設ステップを実施する。これにより、WL-CSP31に形成されたバンプ37は表面保護テープ25の糊層29に埋設された状態となる。本発明のウエーハの研削方法では、図3に示すようにサファイアウエーハ11の表面11aに表面保護テープ25を配設する表面保護テープ配設ステップを実施した後、ウエーハ11の裏面11bを研削砥石で研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図5に示すように、研削装置2のチャックテーブル38で表面保護テープ25側を吸引保持し、サファイアウエーハ11の裏面11bを露出させる。そして、チャックテーブル38を矢印a方向に例えば750rpmで回転しつつ、研削ホイール30を矢印b方向に例えば1300rpmで回転させながら、研削ユニット送り機構18を駆動して所定の研削送り速度例えば3μm/sで研削ホイール30を下方に研削送りしながら、研削砥石34でサファイアウエーハ11の裏面11bの研削を遂行する。サファイアウエーハ11の表面11aの外周部には複数のバンプ23が形成されており、表面保護テープ25がこれらのバンプ23を糊層27で埋め込むようにサファイアウエーハ11の表面11aに貼着されているため、研削中にサファイアウエーハ11が表面保護テープ25に対して横ずれすることなく研削が遂行される。その結果、サファイアウエーハ11の研削中の割れを低減することができる。図4に示すWL-CSP31の研削ステップでも、表面保護テープ25の糊層27がバンプ37を埋め込むように表面保護テープ25がWL-CSP31の封止樹脂43に貼着されて研削が実施されるため、研削中にWL-CSP31が表面保護テープ25に対して横ずれすることなく、研削中のWL-CSP31の割れを低減することができる。上述した実施形態によると、本発明をサファイアウエーハ11及びWL-CSP31の研削に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばSiCウエーハ等の他の硬質脆性材料についても同様に適用することができる。