太陽電池のエミッタ領域の製造方法であって、炉内で基板の表面にトンネル酸化物層を形成する工程と、前記炉から前記基板を取り出すことなく、前記トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程と、N型ドーパントを含む第1の領域及びP型ドーパントを含む第2の領域を設けるべく、前記アモルファス層をドーピングする段階と、前記ドーピングする段階の後に、N型ドープ領域とP型ドープ領域とを有する多結晶層を設けるべく、前記アモルファス層を加熱する工程とを備える太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記基板はシリコンを含み、前記トンネル酸化物層は二酸化シリコンを含み、前記アモルファス層はシリコンを含み、前記N型ドーパントはリンを含み、前記P型ドーパントがホウ素を含む請求項1に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記基板を前記炉内で約900°Cの温度で加熱する工程を有する請求項1に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記基板を前記炉内で約900°Cの温度で加熱する工程は、約1.5ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約500mTorr0.067kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約3分間加熱する工程を含む請求項3に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記基板を前記炉内で600°C未満の温度で加熱する工程を含む請求項1に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記基板を前記炉内で600°C未満の温度で加熱する工程は、約1.5ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約300Torr39.9kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約565°Cの温度で約60分間加熱する工程を含む請求項5に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記アモルファス層を形成する工程は、前記炉内で前記アモルファス層を575°C未満の温度で堆積させる工程を含む請求項1に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記炉内で前記アモルファス層を575°C未満の温度で堆積させる工程は、約200~300ナノメートルの範囲の厚さを有する前記アモルファス層を設けるべく、約350mTorr0.047kPaの圧力のシランSiH4の雰囲気中で、約565°Cの温度で加熱する工程を含む請求項7に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。前記トンネル酸化物層及び前記アモルファス層は、約565°Cの温度で形成され、前記多結晶層を設けるべく前記アモルファス層を加熱する工程は、約980°Cの温度で加熱する工程を含む請求項1に記載の太陽電池のエミッタ領域の製造方法。太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法であって、背中合わせに配置された2枚のウェハをそれぞれ収容する1以上のウェハ収容スロットに複数のウェハを有するウェハキャリアを炉内に搬入する工程と、前記炉内で、前記複数のウェハのぞれぞれの全ての面にトンネル酸化物層を形成する工程と、前記炉から前記複数のウェハを取り出すことなく、前記トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程とを備え、前記アモルファス層は、前記背中合わせに配置された2枚のウェハの接触部分以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に形成される方法。前記背中合わせに配置された2枚のウェハについて、それぞれのウェハの裏面に前記アモルファス層のリングパターンが形成される、請求項10に記載の方法。前記アモルファス層を形成する工程の後に、前記ウェハそれぞれの前記裏面に、酸化剤を含む洗浄液を塗布する工程と、前記洗浄液を塗布する工程の後に、前記ウェハそれぞれの前記裏面に、水酸化物を含むテクスチャ加工溶液を塗布する工程とを更に備える請求項11に記載の方法。前記酸化剤は、オゾン及び過酸化水素H2O2からなる一群から選択され、前記水酸化物は、水酸化カリウムKOH及び水酸化ナトリウムNaOHからなる一群から選択される請求項12に記載の方法。前記複数のウェハはそれぞれシリコンを含み、前記トンネル酸化物層は二酸化シリコンを含み、前記アモルファス層はシリコンを含む請求項10に記載の方法。前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で約900°Cの温度で加熱する工程を有する請求項10に記載の方法。前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で約900°Cの温度で加熱する工程は、約1.5ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約500mTorr0.067kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約3分間加熱する工程を含む請求項15に記載の方法。前記トンネル酸化物層を形成する工程は、前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で600°C未満の温度で加熱する工程を含む、請求項10に記載の方法。前記複数のウェハのそれぞれを前記炉内で600°C未満の温度で加熱する工程は、約1.5ナノメートルの厚さを有する前記トンネル酸化物層を設けるべく、約300Torr39.9kPの圧力の酸素の雰囲気中で約565°Cの温度で約60分間加熱する工程を含む請求項17に記載の方法。前記アモルファス層を形成する工程は、前記炉内で前記アモルファス層を575°C未満の温度で堆積させる工程を含む請求項10に記載の方法。前記炉内で前記アモルファス層を575°C未満の温度で堆積させる工程は、約200~300ナノメートルの範囲の厚さを有するアモルファス層を設けるべく、約350mTorr0.047kPaの圧力のシランSiH4の雰囲気中で、約565°Cの温度に加熱する工程を含む、請求項19に記載の方法。シリコンウェハの全ての表面に堆積された二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層と、前記トンネル酸化物層上に堆積された多結晶層であって、前記多結晶層のリングパターンを含む前記シリコンウェハの裏面以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に堆積された多結晶層とを備える太陽電池基板。シリコンウェハの全ての表面に堆積された二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層と、前記トンネル酸化物層上に堆積されたアモルファス層であって、前記アモルファス層のリングパターンを含む前記シリコンウェハの裏面以外の前記トンネル酸化物層の全ての部分に堆積されたアモルファス層とを備える太陽電池基板。本明細書では、太陽電池のエミッタ領域の製造方法について述べる。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するために、特定のプロセスフロー操作などの数多くの特定の詳細が記載される。これらの特定の詳細なしに、本発明の実施形態を実施することができる点が、当業者には明らであろう。他の例では、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないように、リソグラフィ技術やエッチング技術などの周知の製造技術については詳細に説明されない。更に、図に示された様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも原寸に比例して描写されるものではないことを理解されるべきである。本明細書では、太陽電池のエミッタ領域の製造方法が開示される。一実施形態では、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、炉内で、基板の表面上にトンネル酸化物層を形成する工程を含む。炉から基板を取り出すことなく、トンネル酸化物層上にアモルファス層が形成される。アモルファス層は、N型ドーパントを含む第1の領域と、P型ドーパントを含む第2の領域とを設けるようにドープされる。次に、アモルファス層が加熱されて、N型ドープ領域とP型ドープ領域とを有する多結晶層が提供される。一実施形態では、太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法は、炉内に、複数のウェハを有するウェハキャリアを搬入する工程を含み、ウェハキャリアは、背中合わせに配置された2枚のウェハをそれぞれ収容する1以上のウェハ収容スロットを有する。炉内で、複数のウェハのそれぞれの全ての面にトンネル酸化物層が形成される。炉から基板を取り出すことなく、トンネル酸化物層上にアモルファス層が形成され、アモルファス層は、背中合わせに配置された2枚のウェハの接触部分以外のトンネル酸化物層の全ての部分上に形成される。本明細書では、太陽電池も開示される。そのような実施形態では、太陽電池は、基板又はウェハを含む。一実施形態では、シリコンウェハの全ての表面に、二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層が設けられる。トンネル酸化物層上には多結晶層が堆積され、多結晶層のリングパターンを有するシリコンウェハの裏面以外のトンネル酸化物層の全ての部分に多結晶層が堆積される。一実施形態では、シリコンウェハの全ての表面に二酸化シリコンを含むトンネル酸化物層が配置される。トンネル酸化物層上にはアモルファス層が堆積され、アモルファス層のリングパターンを有するシリコンウェハの裏面以外のトンネル酸化物層の全ての部分にアモルファス層が堆積される。本発明の一実施形態によれば、太陽電池の不動態化されたエミッタを製造するために、薄いトンネル酸化物、並びに、n型及びp型の両方で高濃度にドープされたポリシリコンが使用される。そのような膜は、従来通り、炉内で個々に形成されていたが、このような膜の組み合わせは、太陽電池の製造にはこれまで適用されておらず、組み合わせで行う製造コストは、太陽電池市場にとっては高すぎる可能性がある。その代わりに、一実施形態では、酸化及びその後のシリコン蒸着が、単一工程オペレーションとして組み合わせることができる。一実施形態では、この手法を使用して、炉ボートの1スロット当たり2枚のウェハを収容することによって処理量を2倍にすることもできる。一実施形態では、シリコンは、最初に、非ドープのアモルファス層として堆積される。その実施形態では、シリコンは、後の処理操作でドープされ結晶化されてポリシリコン層が提供される。代替実施形態では、シリコン層は、単一処理操作でポリシリコン層として形成される。本発明の実施形態は、1酸化物厚さの制御と酸化物の品質、2酸化とポリ蒸着との間の汚染、3過度の予防保守要件、4スループット、又は、5n-ポリ及びp-ポリシート抵抗の制御などの従来の製造における問題及びその他の問題に対処することができる。本発明の一実施形態によれば、太陽電池の製造方法の幾つかの特徴が組み合わされ、即ち、酸化とポリ最初にアモルファスシリコンとして蒸着が単一処理に組み合わされる。一実施形態では、保守期間を長くするために炉内で炭化ケイ素SiC部品が使用される。一実施形態では、処理量を高めるためにスロット1つ当たり2枚のウェハが収容される。上記の実施形態は全て、太陽電池製造の実現可能性に寄与し得る。一実施形態では、アモルファス層としてシリコンを堆積させ、次に後の操作でその層をドープし結晶化させることにより、処理がより制御可能になり、不動態化が改善される。一実施形態では、スループットは、炉処理ボートのスロット1つ当たり2枚のウェハを収容することにより改善される。一実施形態では、寸法安定性のためにSiCボートが使用される。一実施形態では、シート抵抗の制御は、インサイチュでドープされたポリシリコンの代わりに、非ドープのアモルファスシリコンを堆積させることによって達成される。次に、n領域及びp領域が、選択的に形成され、後のより高い温度の操作で結晶化される。一実施形態では、本明細書に記載される手法のうちの1以上に従って、粒子サイズを最大にすることができ、シート抵抗を最小にすることができ、カウンタドープを回避することができる。膜を製造する炉は、従来の炉に限定されないことを理解されたい。一実施形態では、炉は、垂直炉チャンバ、水平炉チャンバ、プラズマチャンバなどがあるがこれらに限定されないウェハ処理用のチャンバである。また、本明細書において、アモルファス膜又は層という言葉が、アモルファスシリコン膜又は層に限定されないことを理解されたい。一実施形態では、アモルファス膜又は層は、アモルファスシリコン-ゲルマニウム膜又は層、アモルファス炭素ドープシリコン膜又は層などがあるがこれらに限定されない膜又は層である。太陽電池は、エミッタ領域を含むように製造されてもよい。例えば、図1は、本発明の一実施形態による太陽電池のエミッタ領域の製造方法における操作を表すフローチャート100を示す。図2A~図2Eは、本発明の一実施形態による、フローチャート100の操作に対応するエミッタ領域を含む太陽電池の製造における様々な段階の断面図を示す。図2Aに示すように、太陽電池を製造するための基板202が提供される。本発明の一実施形態によれば、基板202は、バルクシリコン基板からなる。一実施形態では、バルクシリコン基板は、N型ドーパントでドープされる。一実施形態では、図2Aには示されていないが、基板202は、テクスチャ化された面を有する。フローチャート100の操作102及び対応する図2Bに示すように、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、炉内で、基板202の表面にトンネル酸化物層204を形成する工程を含む。本発明の一実施形態によれば、トンネル酸化物層204を形成する工程は、炉内で基板202を約900°Cの温度で加熱する工程を含む。特定の実施形態では、炉内で基板202を約900°Cの温度で加熱する工程は、約500mTorr0.067kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約3分間加熱して、約1.5ナノメートルの厚さを有するトンネル酸化物層204を設ける工程を含む。本発明の別の実施形態によれば、トンネル酸化物層204を形成する工程は、基板202を炉内で600°C未満の温度で加熱する工程を含む。特定の実施形態では、基板202を炉内で600°C未満の温度で加熱する工程は、約300Torr39.9kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約565°Cの温度で約60分間加熱して、約1.5ナノメートルの厚さを有するトンネル酸化物層204を設ける工程を含む。代替の実施形態では、雰囲気は、N2Oを含む。フローチャート100の操作104及び対応する図2Cに示すように、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、炉から基板202を取り出すことなく、トンネル酸化物層204上にアモルファス層206を形成する工程を更に含む。本発明の一実施形態によれば、アモルファス層206を形成する工程は、炉内でアモルファス層206を575°C未満の温度で堆積させる工程を含む。特定の実施形態では、炉内でアモルファス層206を575°C未満の温度で堆積させる工程は、約350mTorr46.7kPaの圧力のシランSiH4の雰囲気中で、約565°Cの温度に加熱して、約200~300ナノメートルの範囲の厚さを有するアモルファス層206を設ける工程を含む。フローチャート100の操作106及び対応する図2Dに示すように、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、アモルファス層206をドーパント208でドーピングして、N型ドーパントを含む第1の領域p-n接合212の左側とP型ドーパントを含む第2の領域p-n接合212の右側とを有するドープアモルファス層210を設ける工程を更に含む。一実施形態では、ドーパントは、固体状態のソースから導入される。別の実施形態では、ドーパントは、注入原子又はイオンとして導入される。フローチャート100の操作108及び対応する図2Eに示すように、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、次にドープアモルファス層210を加熱して、N型ドープ領域218とP型ドープ領域216とを有する多結晶層214を設ける工程を更に含む。本発明の一実施形態によれば、基板202は、シリコンからなり、トンネル酸化物層204は、二酸化シリコンからなり、アモルファス層206は、シリコンからなり、N型ドーパントは、リンドーパントであり、P型ドーパントは、ホウ素ドーパントである。一実施形態では、トンネル酸化物層204及びアモルファス層206は、約565°Cの温度で形成され、ドープアモルファス層210を加熱して多結晶層214を設ける工程は、約980°Cの温度で加熱する工程を含む。太陽電池の製造を促進する又は完了させるために、上記の方法は、多結晶層214の上に金属コンタクトを形成する工程を更に含んでもよい。一実施形態では、完成した太陽電池は、バックコンタクト型太陽電池である。その実施形態では、N型ドープ領域218及びP型ドープ領域216は、活性領域である。導電体接点が、活性領域に結合され、分離領域によって互いに分離されてもよく、分離領域は、誘電材料からなってもよい。一実施形態では、太陽電池は、バックコンタクト型太陽電池であり、太陽電池のランダムテクスチャ面などの受光面に配置された反射防止コーティング層を更に含む。本発明の別の態様では、太陽電池の基板上に複数の層を形成する通常とは異なる手法が提供される。例えば、図3は、本発明の一実施形態による太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法における操作を表すフローチャート300を示す。図4A~図4Cは、本発明の一実施形態による、フローチャート300の操作に対応する太陽電池の製造の様々な段階の断面図を示す。フローチャート300の操作302並びに対応する図4A及び図4Bに示すように、太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法は、炉内に、複数のウェハ404を有するウェハキャリア402を搬入する工程を含み、ウェハキャリア402は、ウェハ406及び408など、背中合わせに配置された2枚のウェハをそれぞれ収容する1以上のウェハ収容スロットを有する。本発明の一実施形態によれば、キャリア402の25個のスロットに50枚のウェハが収容される。フローチャート300の操作304及び対応する図4Cに示すように、太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法は、図4Cに示されるように、炉内で、複数のウェハ404のそれぞれの全ての面、例えばウェハ406及び408の全ての面にトンネル酸化物層410を形成する工程を更に含む。本発明の一実施形態によれば、トンネル酸化物層410を形成する工程は、炉内で、複数のウェハ404のそれぞれを約900°Cの温度で加熱する工程を含む。特定の実施形態では、複数のウェハ404のそれぞれを炉内で約900°Cの温度で加熱する工程は、約500mTorr0.067kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約3分間加熱して、約1.5ナノメートルの厚さを有するトンネル酸化物層410を設ける工程を含む。本発明の別の実施形態によれば、トンネル酸化物層410を形成する工程は、炉内で複数のウェハ404のそれぞれを600°C未満の温度で加熱する工程を含む。特定の実施形態では、複数のウェハ404のそれぞれを炉内で600°C未満の温度で加熱する工程は、約300Torr39.9kPaの圧力の酸素の雰囲気中で約565°Cの温度で約60分間加熱して、約1.5ナノメートルの厚さを有するトンネル酸化物層410を設ける工程を含む。代替の実施形態では、雰囲気は、N2Oを含む。フローチャート300の操作304及び対応する図4Cに示すように、太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法は、炉から複数のウェハ404を取り出すことなく、トンネル酸化物層410上にアモルファス層412を形成する工程を更に含み、アモルファス層412は、例えば、図4Cにウェハ406及び408に関して示されるように、背中合わせに配置された2枚のウェハの接触部分以外のトンネル酸化物層410の全ての部分に形成される。本発明の一実施形態によれば、図5を参照して後でより詳細に述べるように、背中合わせに配置されたウェハについて、それぞれのウェハの裏面にアモルファス層のリングパターンが形成される。一実施形態では、複数のウェハ404はそれぞれ、シリコンからなり、トンネル酸化物層410は、二酸化シリコンからなり、アモルファス層412は、シリコンからなる。一実施形態では、アモルファス層412を形成する工程は、炉内でアモルファス層412を575°C未満の温度で堆積させる工程を含む。特定の実施形態では、炉内でアモルファス層412を575°C未満の温度で堆積させる工程は、約350mTorr0.047kPaの圧力のシランSiH4の雰囲気中で約565°Cの温度に加熱して、約200~300ナノメートルの範囲の厚さを有するアモルファス層412を設ける工程を含む。一実施形態では、温度は、形成された層の結晶化を防ぐためには575°C未満に維持されるが、大量生産に適した堆積速度を維持するためには実質的に575°C未満で維持されない。本発明の一実施形態によれば、太陽電池の基板上に複数の層を形成する方法は、アモルファス層412を形成した後で、それぞれのウェハの裏面に洗浄液を塗布する工程を更に含み、洗浄液は酸化剤を含む。続いて、それぞれのウェハの裏面に、テクスチャ加工溶液が塗布され、テクスチャ加工溶液は、水酸化物を含む。一実施形態では、酸化剤は、オゾン又は過酸化水素H2O2などであるがこれらに限定されない化学種であり、水酸化物は、水酸化カリウムKOH又は水酸化ナトリウムNaOHなどであるがこれらに限定されない化学種である。テクスチャ加工溶液は、製造された太陽電池の受光部分にランダムにテクスチャ加工rantexされた面を設けることができる。本発明の一実施形態によれば、テクスチャ加工溶液を導入する前に酸化剤を含む洗浄液を導入することによって、太陽電池のテクスチャ加工は、図5と関連して後で述べるように、太陽電池基板上に製造された層のリング部分が最初にあるにもかかわらず均一である。図4Cに関して述べたようなリング構造物は、太陽電池の基板上に保持されてもよく、後で除去されてもよい。それでもなお、太陽電池構造は、そのようなリング構造物を最終的に保持してもよく、少なくとも一時的に有してもよい。例えば、図5は、太陽電池の基板の断面図及び上面図の両方を示し、基板上には、本発明の一実施形態により形成された複数の層を有する。図5に示すように、本発明の一実施形態により、太陽電池の基板は、ウェハ502の全ての表面に配置されたトンネル酸化物層504を含む。トンネル酸化物層504上に多結晶層506が配置され、多結晶層506は、多結晶層506のリングパターンを含む、ウェハ502の裏面以外のトンネル酸化物層504の全ての部分に配置される。本発明の一実施形態によれば、リングパターンは、図4Cと関連して説明されるように、対にしたウェハを背中合わせで処理することにより得られる。一実施形態では、トンネル酸化物層504は、二酸化シリコンからなり、ウェハ502は、シリコンからなり、多結晶層506は、シリコンからなる。図5を再び参照すると、本発明の別の実施形態によれば、太陽電池の基板は、ウェハ502の全ての表面に配置されたトンネル酸化物層504を有する。トンネル酸化物層504上にアモルファス層506が配置され、アモルファス層506は、アモルファス層506のリングパターンを含む、ウェハ502の裏面以外のトンネル酸化物層504の全ての部分に配置される。本発明の一実施形態によれば、リングパターンは、図4Cと関連して述べるように、対にしたウェハを背中合わせで処理することにより得られる。一実施形態では、トンネル酸化物層504は、二酸化シリコンからなり、ウェハ502は、シリコンからなり、アモルファス層506は、シリコンからなる。このように、太陽電池のエミッタ領域の製造方法が開示された。本発明の一実施形態によれば、太陽電池のエミッタ領域の製造方法は、炉内で、基板の表面にトンネル酸化物層を形成する工程を含む。また、この方法は、炉から基板を取り出すことなく、トンネル酸化物層上にアモルファス層を形成する工程を含む。本方法は、また、アモルファス層をドープしてN型ドーパントを含む第1の領域とP型ドーパントを含む第2の領域とを設ける工程を含む。次に、アモルファス層を加熱して、N型ドープ領域とP型ドープ領域とを有する多結晶層を設ける。一実施形態では、基板は、シリコンからなり、トンネル酸化物層は、二酸化シリコンからなり、アモルファス層は、シリコンからなり、N型ドーパントは、リンであり、P型ドーパントは、ホウ素である。一実施形態では、トンネル酸化物層とアモルファス層は、約565°Cの温度で形成され、アモルファス層を加熱して多結晶層を設ける工程は、約980°Cの温度で加熱する工程を含む。