"無機絶縁材料からなり、発光素子が搭載される搭載部を含む搭載面と当該搭載面の反対側の面に非搭載面を有する基板本体と、前記基板本体内に、前記搭載面から前記非搭載面にかけて、一方の端部が前記搭載部に達するように設けられた放熱体を有し、前記放熱体は、前記非搭載面からの厚さ方向の距離が前記基板本体の厚さの60以下となる位置に、前記放熱体の断面全体を覆うように面方向に配置された無機材料からなる絶縁層を有し、かつ前記放熱体の本体である前記絶縁層以外の部分は導体により構成されていることを特徴とする発光素子用基板。前記絶縁層は、その上面が前記非搭載面からの厚さ方向の距離が前記基板本体の厚さの40以下となる位置に配設されている、請求項1に記載の発光素子用基板。前記放熱体の前記基板本体の厚さ方向に直交する方向の断面積は、前記発光素子が搭載される搭載部の面積の0.2~16倍である、請求項1または2に記載の発光素子用基板。前記絶縁層の厚さは、10~200μmである請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記絶縁層の厚さは、10~100μmである請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記絶縁層は、ガラスを主体とする材料からなる請求項1~5のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記絶縁層は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる請求項1~6のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記基板本体は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる請求項1~7のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記放熱体の本体を構成する導体は、Cu、Ag、Auのうちの少なくとも1種を主成分とする請求項1~8のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記基板本体の搭載面に、前記発光素子を収容するための枠体を有する請求項1~9のいずれか1項に記載の発光素子用基板。請求項1~10のいずれか1項に記載の発光素子用基板と、前記発光素子用基板の前記搭載部に搭載された発光素子とを備えることを特徴とする発光装置。前記発光素子の一方の電極は、前記発光素子用基板の前記搭載部に形成された第1の配線導体層に導電性の接着材料により接続され、他方の電極は、前記発光素子用基板の前記搭載面に前記第1の配線導体層と絶縁されて形成された第2の配線導体層にワイヤボンディングにより接続されている請求項11に記載の発光装置。しかしながら、ハイパワー型の発光装置では、その寿命を確保する観点から、より熱拡散性の高い発光素子用基板が求められている。ハイパワー型の発光装置の場合、発光素子が高温になりやすいことから、輝度の低下等の特性劣化が生じやすく、また発光素子を覆うモールド樹脂やその内部に含有される蛍光体が劣化しやすい。また、発光装置では、発光素子が搭載される主面とは反対の裏面側において、一対の外部電極端子間の距離等が問題となることがある。例えば、上部と下部とに一対の素子電極を有する1ワイヤタイプの発光素子を貫通金属体上に搭載し、貫通金属体を放熱経路としてだけでなく導電経路として利用した構造では、裏面側に設けられる一対の外部電極端子間の距離が十分にとれない場合があった。特に、ハイパワー型の発光装置のように入力電力が大きい場合や、熱拡散性を確保するために貫通金属体の断面積を大きくした場合には、外部電極端子間の距離が十分にとれず、それらの間の電気的絶縁性が不十分になりやすい。また、外部回路を放熱に利用する従来の構成では十分な放熱が得られないため、電気回路と放熱構造を電気的に絶縁して、十分な放熱性が得られる放熱フィンを設ける必要性が高まってきた。このため、高い熱拡散性を確保しつつ、裏面側の電気的絶縁性も十分に確保できる発光素子用基板が求められている。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、放熱体を有する発光素子用基板において、熱拡散性の低下を抑制しつつ、裏面側の電気的絶縁性を確保したものを提供することを目的としている。また、本発明は、このような発光素子用基板を用いた熱拡散性と電気的信頼性に優れた発光装置を提供することを目的としている。本発明の発光素子用基板は、無機絶縁材料からなり、発光素子が搭載される搭載部を含む搭載面と当該搭載面の反対側の面に非搭載面を有する基板本体と、前記基板本体内に、前記搭載面から前記非搭載面にかけて、一方の端部が前記搭載部に達するように設けられた放熱体を有し、前記放熱体は、前記非搭載面からの厚さ方向の距離が前記基板本体の厚さの60以下となる位置に、前記放熱体の断面全体を覆うように面方向に配置された無機材料からなる絶縁層を有し、かつ前記放熱体の本体である前記絶縁層以外の部分は導体により構成されていることを特徴とする。本発明の発光素子用基板において、前記絶縁層は、その上面が、基板本体の非搭載面からの厚さ方向の距離が前記基板本体の厚さの40以下となる位置に配設されていることが好ましい。また、前記放熱体の前記基板本体の厚さ方向に直交する方向の断面積は、前記発光素子の搭載部の面積の0.2~16倍であることが好ましい。そして、前記絶縁層の厚さは、10~200μmが好ましく、特に10~100μmが好ましい。上記した数値範囲を示す~とは、特段の定めがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用され、以下本明細書において~は、同様の意味をもって使用される。前記絶縁層は、ガラスを主体とする材料から構成することができる。また、前記絶縁層は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体から構成することができる。前記基板本体は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体から構成することが好ましい。さらに、前記放熱体の本体を構成する導体は、Cu、Ag、Auのうちの少なくとも1種を主成分とすることが好ましい。またさらに、前記基板本体の搭載面側の周縁部に、発光素子を収容するための枠体を有することができる。さらに、本発明は、上記本発明の発光素子用基板と、前記発光素子用基板の前記搭載部に搭載された発光素子を備えることを特徴とする発光装置を提供する。本発明の発光装置において、前記発光素子の一方の電極は、前記発光素子用基板の前記搭載部に形成された第1の配線導体層に導電性の接着材料により接続され、他方の電極は、前記発光素子用基板の前記搭載面に前記第1の配線導体層と絶縁されて形成された第2の配線導体層にワイヤボンディングにより接続されていることが好ましい。本発明の発光素子用基板は、基板本体の搭載面から非搭載面にかけて設けられた放熱体が、導体からなる放熱体の本体以下、放熱本体と示す。の厚さ方向の中間部あるいは非搭載面側の端部に、無機材料からなる絶縁層が介挿、あるいは配置された構造を有するので、裏面側の電極端子間の絶縁性が確保される。そのうえ、この絶縁層の、基板本体の非搭載面からの厚さ方向の距離以下、非搭載面からの距離と示す。が基板本体の厚さの60以下となっており、放熱体の一部をなす絶縁層が搭載面に近い側には配置されていないため、絶縁層の介在による熱抵抗の上昇は抑制され、十分に低い熱抵抗を有し、良好な放熱性を有する発光素子用基板が得られる。また、このように熱拡散性の高い発光素子用基板を使用することで、発光素子の輝度劣化が少なく、発光輝度の高い発光装置が得られる。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の発光素子用基板は、発光素子が搭載される搭載部を含む搭載面と当該搭載面の反対側の面に非搭載面を有する無機絶縁材料からなる基板本体と、この基板本体内に、発光素子の搭載面から前記非搭載面にかけて厚さ方向に、かつ一方の端部が搭載部に達するように設けられた放熱体を有する。そして、この放熱体は、基板本体の非搭載面からの距離が、基板本体の厚さの60以下となる位置に、前記放熱体の断面全体に亘って基板本体の面方向に配置された絶縁層を有しており、この絶縁層以外の残りの部分が導体により構成された放熱本体となっている。すなわち、導体からなる放熱本体と前記所定の位置に配置された絶縁層とにより、放熱体が構成されている。なお、放熱体の断面は、基板本体の厚さ方向に垂直な断面をいい、基板本体の面方向は、厚さ方向と垂直な方向をいう。絶縁層における基板本体の非搭載面からの距離の基準は、例えば絶縁層の下面とするが、絶縁層の上面とすることもできる。絶縁層の上面の位置は、端部が搭載部に接する放熱本体以下、搭載面側放熱本体という。の下面の位置ともいえるので、搭載面側放熱本体の下面の非搭載面からの距離が、基板本体の厚さの60以下となるように、前記放熱本体の長さおよびこの放熱本体の下面に接する絶縁層の厚さを調整する。絶縁層における基板本体の非搭載面からの距離の基準を絶縁層の下面とした場合、前記60以下の値には0も含まれる。その場合、絶縁層の下面は、非搭載面に露出することになる。この位置も含めて、また前記したように、非搭載面からの距離の基準を絶縁層の上面とした場合も含めて、非搭載面からの距離が基板本体の厚さの60以下となる絶縁層の位置を、厚さ方向の中間部等と示すことがある。本発明において、絶縁層の、基板本体の非搭載面からの厚さ方向の距離とは、上記したように、絶縁層の下面を基準としてもよいし、また絶縁層の上面としてもよく、いずれの場合も含むものである。本発明の発光素子用基板においては、導体からなる放熱本体は、熱伝導率が導体よりも低い無機材料からなる絶縁層により分断されているが、この絶縁層は、基板本体の非搭載面からの距離が基板本体の厚さ全体の60以下になるような位置に配置されているので、絶縁層の介在による熱抵抗の上昇は抑制され、放熱本体と絶縁層により構成される放熱体は十分に低い熱抵抗を有し、良好な放熱性を有する発光素子用基板が得られる。熱抵抗は熱の伝わる放熱経路の長さに比例し、断面積および熱伝導率に反比例する。温度上昇は、熱抵抗に集中する熱流束の大きさに比例して大きくなるため、半導体素子の温度上昇を避ける、すなわち基板を含む系全体の熱抵抗を下げるためには、高い熱抵抗を有す部分に熱流束を集中させないことが必要となる。本発明の想定する構造においては、熱伝導率が低く放熱経路として熱抵抗が高い絶縁体層に、熱流束を集中させないことが必要となり、熱伝導による拡散が不十分で熱流束が集中するような半導体素子直下の領域から、絶縁層をより離して配置することは、熱抵抗を抑えるという点で有意であると考えられる。本発明においては、放熱本体とともに放熱体の一部をなす絶縁層が、基板本体の非搭載面からの距離が基板本体の厚さ全体の60以下となる位置に配置されているので、発光素子からの熱は、まず搭載部に接するように配置された導体からなる放熱本体に伝導され、一定の長さより具体的には、基板本体の厚さの40以上の放熱本体を伝導して絶縁層に達する。そして、このような位置に絶縁層を配置した構造では、放熱本体中を熱が伝搬していく過程で厚さ方向だけでなく横方向面方向にも熱が伝導されるので、熱伝導率が低い絶縁層に集中する熱流束を減らすことができ、絶縁層を配置したことによる熱抵抗の上昇を十分に抑えることができる。以下、本発明の発光素子用基板の一実施形態を図面に基づいて説明する。この実施形態は、1ワイヤタイプの発光素子を搭載するために適用される発光素子用基板の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。図1は、本発明の発光素子用基板の断面図である。この発光素子用基板10は、略平板状の基板本体1を有している。なお、本明細書において、略平板状とは、目視レベルで平板状との意味である。基板本体1は無機絶縁材料からなり、上面の周縁部に枠体2が形成されている。そして、この枠体2によりキャビティが形成されており、キャビティの底面は発光素子の搭載される搭載面1aとなっており、前記基板本体1の搭載面1aの反対側の面は非搭載面1bとなっている。基板本体1を構成する無機絶縁材料としては、酸化アルミニウム質焼結体アルミナセラミックスや窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCC:LowTemperatureCo-firedCeramics等が挙げられる。本発明においては、高反射性、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点から、LTCCが好ましい。本発明において、基板本体1の形状、厚さ、大きさ等は特に制限されず、搭載する発光素子の個数や配置の方法等、発光装置の設計に合わせて変更できる。また、基板本体1を構成するLTCCの原料組成、焼結条件等については、後述する発光素子用基板10の製造方法において説明する。基板本体1は、発光素子の搭載時やその後の使用時における損傷等を抑制する観点から、抗折強度が例えば250MPa以上であることが好ましい。基板本体1の搭載面1aには、発光素子と電気的に接続される配線導体層3が設けられている。配線導体層3は、発光素子の搭載部およびその近傍に連接して形成されたアノード側またはカソード側の第1の配線導体層3aと、搭載面1aの周辺部に配設された、第1の配線導体層3aと反対極側の第2の配線導体層3bを有する。本実施形態において、配線導体層3の構成材料は、通常の発光素子用基板に用いられる配線導体層と同様のものであれば特に制限されない。具体的には、後述する製造方法において説明する。配線導体層3の厚さすなわち、第1の配線導体層3aおよび第2の配線導体層3bのそれぞれの厚さは、5~50μmが好ましい。基板本体1の他方の面は、発光素子の搭載されない非搭載面1bとされており、この非搭載面1bには、アノード側およびカソード側の外部電極端子4が設けられている。この外部電極端子4は、第1の外部電極端子4aと第2の外部電極端子4bとを有する。これらの外部電極端子4は、それぞれ基板本体1の内部に形成された接続ビア5を介して、基板本体1の搭載面1aに形成された配線導体層3それぞれ対応する第1の配線導体層3aおよび第2の配線導体層3bと電気的に接続されている。外部電極端子4および接続ビア5の形状や構成材料としては、通常発光素子用基板に用いられるものと同様のものであれば特に制限なく使用できる。これらは、後述する基板の製造方法で具体的に説明する。また、本実施形態においては、基板本体1内に、搭載面1aから非搭載面1bにかけて厚さ方向に沿って放熱体6が設けられている。この放熱体6は、上端部が発光素子の搭載面に形成された第1の配線導体層3aに接し、かつ下端部が基板本体1の厚さ方向の中間部等の所定の位置に達するように配設された第1の放熱本体7aと、この第1の放熱本体7aの下端部にその断面全体を覆うように配置された絶縁層8と、この絶縁層8を間に挟んで前記第1の放熱本体7aの下方に連続するように同軸的に配設された第2の放熱本体7bとからなる。図1の実施形態においては、第2の放熱本体7bの下端部は、基板本体1の非搭載面1bに達している。以下、第1の放熱本体7aと第2の放熱本体7bとを併せて、放熱本体7とも称する。これら第1の放熱本体7aおよび第2の放熱本体7bの断面積は、いずれも、発光素子の搭載部の面積と比べて小さくても大きくても、あるいは等倍でもよいが、発光素子の搭載部の面積よりも大きいことが好ましい。これら放熱本体7a、7bの断面積が大きいほど、熱抵抗を抑制し放熱性を高める点で効果があるが、放熱本体7a、7bはAg、Cu、Auを含む貴金属を含有するため、断面積を大きくするとコストが増大するデメリットがある。要求される放熱性能とコストとのバランスを鑑み、発光素子の搭載部の面積に対して、放熱本体7a、7bの断面積を0.2~16倍とするのが好ましく、1.0~4.0倍がより好ましく、特に1.4~4.0倍が好ましい。なお、放熱本体7a、7bの断面積は、基板本体の厚さ方向に垂直な断面の面積をいう。また、発光素子が搭載される搭載部の面積は、発光素子の底面積搭載面に載置される発光素子の載置面の面積に相当する。また、放熱本体7の部位において、その断面積は厚み方向に関して同形状である場合例えば、円柱状や角柱状などには、放熱本体7の厚み方向のどの部位の断面積でもよい。しかし、平面視における水平方向で規定される放熱本体7の断面積が、基板厚み方向に関して変化するような場合例えば、円錐台状や角錐台状などには、放熱本体7の厚み方向で最小となる部位の断面積が対象となる。また、第1および第2の放熱本体7a、7bは同一の断面積を有することが好ましい。これらの放熱本体7a、7bの構成材料としては、通常発光素子用基板のサーマルビアに用いられるものと同様のものであれば、特に制限なく使用できる。後述する基板の製造方法で具体的に説明する。放熱体6の厚さ方向の中間部等に配設された絶縁層8は、その下面の基板本体1の非搭載面1bからの距離L2が、基板本体1の厚さL1の60以下となる位置に設けられている。より具体的には、基板本体1の厚さL1が500μmの場合、非搭載面1bからの距離L2が0~300μmとなる位置に下面が位置するように、絶縁層8が設けられている。絶縁層8下面の、基板本体の非搭載面1bからの距離L2が、基板本体1の厚さL1の60を超える場合には、放熱体6全体の熱抵抗が大きくなり十分な放熱性が得られにくくなる。また、第1の放熱本体7aの厚さL3が、基板本体1の厚さL1の少なくとも40を備えている場合には、より放熱性が高まり、十分な放熱性が得られる。なお、L2がL1の0である場合には、絶縁層8が第1の放熱本体7aの下端部に接して配置された構造となり、絶縁層8は非搭載面1bと面一になるので、第2の放熱本体7bは存在しないことになる。この場合も、本発明の一つの実施形態である。基板本体1の厚さL1は、特に制限はないが、通常200~500μm程度である。基板本体1は、実質的に均一な厚さであるのが好ましいが、不均一な厚さとなっていてもよい。絶縁層8の厚さは10~200μmであり、特に10~100μmの範囲が好ましい。厚さが10μm未満の場合には、絶縁層8を設けることによる絶縁性確保の効果が十分に得られない。厚さが100μmを超えると、放熱体6の熱抵抗が大きくなりすぎるため、十分な放熱性が得られにくくなる。絶縁層8は、実質的に均一な厚さであるのが好ましいが、不均一な厚さとなっていてもよい。この絶縁層8は、ガラスを主体とする材料以下、ガラス材料という。により構成することができる。また、絶縁層8は、基板本体1と同様に、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCCにより構成することもできる。絶縁層8を構成するLTCCの原料組成、焼結条件等については、後述する発光素子用基板の製造方法において説明する。絶縁層8を構成するガラス材料について、以下に説明する。絶縁層8を構成するガラス材料は、少なくともSiO2、B2O3、およびNa2OとK2Oから選ばれる少なくとも1種を構成成分とするガラスを含有するものである。またこのガラス材料は、セラミックス粉末を10質量以下の割合で含有することができる。セラミックス粉末の含有量は好ましくは3質量以上である。セラミックス粉末を含有することにより、絶縁層8の強度を高くできる場合がある。また、耐酸性のような耐薬品性の観点からは、前記ガラス材料はセラミックス粉末としてシリカ粉末またはアルミナ粉末を含有することが好ましい。前記ガラス材料に、シリカ粉末、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、チタニア粉末から選ばれる少なくとも1種を含有させることで、そしてその粉末として、平均粒径D50以下、単にD50と記載することもある。が2.5μm以下より好ましくは0.5μm以下の微粒子を用いることで、印刷性を高め、かつ絶縁層8端部を平坦化して、層表面のうねりを抑制できる。なお、D50は、レーザ回折散乱法による粒子径測定装置により得られる値をいう。ガラス材料中のセラミックス粉末の含有量は、粒径により設定できる。D50が1~2.5μmのときには、含有量を3~10質量とするのが好ましい。8質量以下が好ましく、5質量以下がより好ましい。D50が1μm未満のときには、その含有量は3~5質量とすることが好ましい。上記した上限を超えてセラミックス粉末を含有させると、ガラス材料の流動性が悪化して、絶縁層8の平坦性が悪くなるばかりでなく、焼結不足が生じやすくなる。絶縁層を構成するガラスは、酸化物基準のモル表示で、SiO2を62~84、B2O3を10~25、Al2O3を0~5、Na2OおよびK2Oから選ばれる少なくとも1種を合計で1~5含有し、SiO2とAl2O3の含有量の合計が62~84、MgOを0~10、CaO、SrO、BaOから選ばれる少なくとも1種を含有する場合にその含有量の合計が5以下であるホウケイ酸ガラス粉末を焼成してなるものが好ましい。このようなガラスの各成分について説明する。なお、以下では特に断らない限り、組成は酸化物基準のモル表示で単にと表記する。SiO2はガラスのネットワークフォーマであり、化学的耐久性、とくに耐酸性を高くする成分であり必須である。62未満では耐酸性が不十分となるおそれがある。84超ではガラス溶融温度が高くなる、またはガラス転移点Tgが高くなりすぎるおそれがある。B2O3はガラスのネットワークフォーマであり、必須である。10未満ではガラス溶融温度が高くなり、またガラスが不安定になるおそれがある。好ましくは12以上である。25超では、安定なガラスを得にくくなるばかりでなく、化学的耐久性が低下するおそれがある。Al2O3は必須ではないが、ガラスの安定性または化学的耐久性を高めるために5以下の範囲で含有してもよい。5超ではガラスの透明性が低下するおそれがある。SiO2とAl2O3の含有量の合計は62~84である。62未満であると化学的耐久性が不十分になるおそれがある。84超であるとガラス溶融温度が高くなる、またはTgが高くなりすぎる。Na2OおよびK2OはTgを低下させる成分であり、少なくとも一方は必須である。合計で5まで含有することができる。5超では化学的耐久性、特に耐酸性が悪化するおそれがある。また、焼結体の電気絶縁性が低下するおそれがある。Na2O、K2Oのいずれか1以上を含有し、Na2O、K2Oの含有量の合計は1以上であることが好ましい。MgOは必須ではないが、Tgを低下させる、またはガラスを安定化させるために、10まで含有してもよい。好ましくは8以下である。CaO、SrO、BaOはいずれも必須ではないが、ガラスの溶融温度を低下させる、またはガラスを安定化させるために、合計で5まで含有してもよい。5超であると耐酸性が低下するおそれがある。本発明の絶縁層を構成するガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。そのような成分を含有する場合、それら成分の含有量の合計は10以下が好ましい。ただし、鉛酸化物は含有しない。本発明の絶縁層8は、好ましくは、このような各成分からなるホウケイ酸ガラス粉末と必要に応じて前記セラミックス粉末とを混合してなる組成物を焼成してなるものであり、例えば、前記組成を有するホウケイ酸ガラス粉末と前記セラミックス粉末との混合粉末を、ペースト化してスクリーン印刷し、焼成して形成される。しかし、基板本体1内で非搭載面1bからの距離が所定の範囲の位置に所定の厚さの絶縁層8を形成できる方法であれば、特に限定されない。以上、本発明の発光素子用基板1の実施形態について一例を挙げて説明したが、本発明の発光素子用基板はこれに限定されるものではない。本発明の趣旨に反しない限りにおいて、また必要に応じてその構成を適宜変更できる。上記のように構成される本発明の発光素子用基板10の製造においては、発光素子搭載用のLTCC基板に通常用いられる材料および製造方法が適用できる。また、後述する本発明の発光装置についても、本発明の発光素子用基板10を用いる以外は、通常の部材を用いて通常の方法で製造できる。以下に、1ワイヤタイプの発光素子を搭載するための図1に示される基板のうちで、基板本体1がLTCCで構成され、放熱体6の一部を構成する絶縁層8がガラス材料から構成される基板を製造する方法を例にして、本発明の発光素子用基板10の製造方法を説明する。図1に示す発光素子用基板10は、以下のA~Eの各工程を含む製造方法により製造できる。より具体的には、以下のA~E工程をこの順に従って行い、本発明に係る発光素子用基板を製造するのが好ましい。なお、以下の説明では、その製造に用いる部材について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。例えば、放熱本体と放熱本体用の導体ペースト層とは、同じ7または7a、7bの符号をもって表記し、また、絶縁層と未焼成絶縁層とは、同じ8の符号をもって表記しており、他も同様である。A本体用グリーンシート作製工程ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物を用いて、発光素子用基板10の基板本体1を形成するための複数枚のグリーンシート以下、本体用グリーンシートとも称する。を作製する。なお、本体用グリーンシートは、上層用グリーンシート、内層用グリーンシート、および下層用グリーンシートを含む。この工程では、枠体を形成するために枠体用グリーンシートの作製も行う。B導体ペースト層形成工程各本体用グリーンシートの所定の位置に導体ペースト層を形成し、未焼成配線導体層3、未焼成外部電極端子4、未焼成接続ビア5、未焼成放熱本体7a、7b等をそれぞれ形成する。Cガラスペースト層形成工程内層用グリーンシートの所定の位置に、ガラス材料からなるガラスペースト層を形成し、未焼成絶縁層8を形成する。D積層工程本体用グリーンシートの表面または内部に導体ペースト層本例において、内層用グリーンシートにおいてはさらにガラスペースト層が形成されている。が形成されて得られた複数枚の未焼成本体部材以下、導体ペースト層付きグリーンシート、およびガラスペースト層付きグリーンシートというときがある。等を重ね合わせ、熱圧着により一体化して未焼成基板を得る。E焼成工程前記未焼成基板を800~930°Cで焼成する。以下、各工程についてさらに説明する。A本体用グリーンシート作製工程本体用グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物例えば、LTCC組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。また、こうして作製されたグリーンシートを、所定の形状に加工することにより、枠体用グリーンシートを作製する。本体用グリーンシートを作製するために用いられるガラスセラミックス組成物におけるガラス粉末以下、このガラス粉末を本体用ガラス粉末とも称するとしては、ガラス転移点Tgが550°C以上700°C以下のものが好ましい。Tgが550°C未満の場合には、脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。また、このガラス粉末は、800°C以上930°C以下で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものの場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。さらに、DTA示差熱分析により測定される結晶化ピーク温度Tcが880°C以下のものが好ましい。Tcが880°Cを超える場合、寸法精度が低下するおそれがある。このような本体用ガラス粉末としては、酸化物基準のモル表示で、SiO2を57~65、B2O3を13~18、CaOを9~23、Al2O3を3~8、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5~6含有するものが好ましい。このようなものを用いることで、基板本体1の表面平坦度を向上させることが容易となる。ここで、SiO2は、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。SiO2の含有量が57未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が65を超える場合には、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。SiO2の含有量は、好ましくは58以上、より好ましくは59以上、特に好ましくは60以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは64以下、より好ましくは63以下である。B2O3は、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。B2O3の含有量が13未満の場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。B2O3の含有量は、好ましくは14以上、より好ましくは15以上である。また、B2O3の含有量は、好ましくは17以下、より好ましくは16以下である。Al2O3は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Al2O3の含有量が3未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Al2O3の含有量が8を超える場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。Al2O3の含有量は、好ましくは4以上、より好ましくは5以上である。また、Al2O3の含有量は、好ましくは7以下、より好ましくは6以下である。CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めるとともに、ガラス溶融温度やTgを低下させるために添加される。CaOの含有量が9未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23を超える場合、ガラスが不安定になるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12以上、より好ましくは13以上、特に好ましくは14以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22以下、より好ましくは21以下、特に好ましくは20以下である。K2O、Na2Oは、Tgを低下させるために添加される。K2OおよびNa2Oの合計した含有量が0.5未満の場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。一方、K2OおよびNa2Oの合計した含有量が6を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。K2OおよびNa2Oの合計した含有量は、0.8以上5以下であることが好ましい。なお、本体用ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、Tg等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有することができる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10以下であることが好ましい。本体用ガラス粉末は、上記したような組成を有するガラスとなるように各ガラス原料を配合、混合し、溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕して得られる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水またはエチルアルコールを用いることが好ましい。粉砕機としては、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。本体用ガラス粉末の50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく取り扱いが困難になるばかりでなく、均一分散が困難になる。一方、ガラス粉末のD50が2μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径は、例えば粉砕後に必要に応じて分級して調整してもよい。セラミックス粉末としては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものが使用でき、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に使用できる。特に、アルミナ粉末とともに、アルミナよりも高い屈折率を有するセラミックスの粉末以下、高屈折率セラミックス粉末と示す。を使用することが好ましい。高屈折率セラミックス粉末は、焼結体である基板の反射率を向上させるための成分であり、例えばチタニア粉末、ジルコニア粉末、安定化ジルコニア粉末等が挙げられる。アルミナの屈折率が1.8程度であるのに対して、チタニアの屈折率は2.7程度、ジルコニアの屈折率は2.2程度であり、アルミナに比べて高い屈折率を有している。これらのセラミックスの粉末のD50は、0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。このようなガラス粉末とセラミックス粉末とを、例えばガラス粉末が30質量以上50質量以下、セラミックス粉末が50質量以上70質量以下となるように配合し、混合することにより、ガラスセラミックス組成物が得られる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーが得られる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。溶剤としては、トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノール等の有機溶剤を好適に使用できる。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて、複数枚の本体用グリーンシート上層用グリーンシート、下層用グリーンシートおよび内層用グリーンシートを作製する。また、同様にして製造されたグリーンシートを、所定の形状に加工することにより、枠体用グリーンシートを作製する。さらに、本体用グリーンシートの所定の位置に、孔空け機等を用いて接続ビア形成用の小径の貫通孔、ならびに放熱本体形成用の大径の貫通孔を形成する。B導体ペースト層形成工程前記工程で作製された本体用グリーンシート上の所定の位置に、配線導体層3や外部電極端子4を形成するための導体ペースト層を形成する。また、本体用グリーンシートに形成された接続ビア形成用の貫通孔、および放熱本体形成用の貫通孔の内部に導体ペーストを充填し、接続ビア5および放熱本体7a、7bを形成するための導体ペースト層を形成する。第1および第2の配線導体層用の導体ペースト層3a、3b、接続ビア用の導体ペースト層5、放熱本体用の導体ペースト層7a、7b、および外部電極端子用の導体ペースト層4の形成方法としては、導体ペーストをスクリーン印刷により塗布、充填する方法が挙げられる。第1および第2の配線導体層用の導体ペースト層3a、3bおよび外部電極端子用の導体ペースト層4の膜厚は、最終的に得られる膜厚が所定の膜厚となるように調整することが好ましい。導体ペーストとしては、例えば銅Cu、銀Ag、金Au等を主成分とする金属の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記金属粉末としては、銀粉末、銀と白金からなる金属粉末、または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。C絶縁層用ガラスペースト層形成工程内層用グリーンシートの放熱本体用の導体ペースト層7aおよび7bのいずれか一方、または双方の上に、この層を完全に覆うようにして、絶縁層用のガラスペースト層8をスクリーン印刷により形成する。絶縁層用ガラスペーストは、前記した絶縁層用のガラス粉末と、必要に応じて前記セラミックス粉末とを混合してなる組成物に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。形成される絶縁層用ガラスペースト層8の膜厚は、最終的に得られる絶縁層8の厚さが10~200μmとなるように、より好ましくは10~100μmとなるように調整される。D積層工程前記B工程で得られた導体ペースト層付きグリーンシートと、前記C工程で得られたガラスペースト層付きグリーンシートを所定の順で重ね合わせ、この上層用グリーンシートの上にさらに枠体用グリーンシートを重ねた後、熱圧着により一体化する。こうして、未焼成基板10が得られる。E焼成工程上記工程で得られた未焼成基板10について、必要に応じてバインダー等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子用基板10とする。脱脂は、例えば500°C以上600°C以下の温度で1時間以上10時間以下保持する条件で行う。脱脂温度が500°C未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600°C程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、バインダー等を十分に除去でき、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。焼成は、基体本体1の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800°C~930°Cの温度範囲で適宜時間を調整して行う。具体的には、850°C以上900°C以下の温度で20分以上60分以下保持することが好ましく、特に860°C以上880°C以下の温度が好ましい。焼成温度が800°C未満では、基体本体1が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は930°Cを超えると、基体本体1が変形するなど、生産性等が低下するおそれがある。また、上記導体ペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880°Cを超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。このようにして発光素子用基板10が得られるが、焼成後、必要に応じて基板本体1の搭載面1aに露出した配線導体層3a、3bの表面を被覆するように、Ni/金メッキNiメッキとAuメッキの2層構成のメッキ等の、通常発光素子用基板10において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することもできる。以上、放熱体6の一部を構成する絶縁層8がガラス材料から構成される発光素子用基板10の製造方法について説明したが、前記絶縁層8がLTCCから構成される基板を製造する場合には、この絶縁層8を配置する位置に、孔のないLTCCからなるグリーンシートを使用し、前記と同様にD積層工程、次いでE焼成工程を行う。なお、以上の発光素子用基板10の製造方法において、枠体用グリーンシートは単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、枠体用グリーンシートを除いた本体用グリーンシートの枚数も限定されない。さらに、各部の形成順序等については、発光素子用基板10の製造が可能な限度において適宜変更できる。次に、本発明の発光素子用基板10を有する発光素子装置の好ましい実施形態を、図面に基づいて説明する。ただし、本発明の発光装置はこれに限定されるものではない。図2は、本発明の発光装置の一実施形態を示す断面図である。本発明の発光装置20は、上記した本発明の発光素子用基板10と、該発光素子用基板10の搭載部に搭載された1ワイヤタイプの発光素子例えば、LED素子11を備えている。発光素子11は、銀等の導電材料を含む導電性ダイボンド材12を用いて基板本体1の搭載部に固定されるとともに、この導電性ダイボンド材12を介して、発光素子11下面のアノード側またはカソード側の第1の電極11aが、第1の配線導体層3aに電気的に接続されている。また、発光素子11上面のカソード側またはアノード側の第2の電極11bは、第2の配線導体層3bにボンディングワイヤ13によって接続されている。さらに、これらの発光素子11やボンディングワイヤ13を覆うように、モールド樹脂からなる封止層14が設けられている。封止層14は蛍光体を含有することができる。本発明の発光装置20によれば、十分に低い熱抵抗を有し良好な放熱性を有する発光素子用基板10が用いられているので、発光素子11の輝度劣化が少なく、高い発光輝度が得られる。このような発光装置20は、例えば、携帯電話や大型液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に使用できる。次に、本発明の実施例を記載する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。図1に示す発光素子用基板10の搭載部に1ワイヤタイプのLED素子サイズ縦0.6mm、横0.6mm、厚さ0.1mmを搭載し、銀を含む導電性ダイボンド材12により第1の配線導体層3aに固定した評価モデルを想定し、この評価モデルの熱抵抗を数値解析により求めた。解析プログラムとしてはANSYSICEPAKVersion12.1.6を用い、入力電力は1.0Wとした。基板本体1は、LTCCにより構成された厚さ500μmのものとした。また、放熱体6の一部を構成する絶縁層8は、以下に示すガラス層またはLTCC層とし、絶縁層8の厚さdおよび絶縁層8の下面の基板本体1の非搭載面1bからの距離L2を、表1に示すように変えて解析を行った。解析結果を表1および表2に示す。また、表1に示す解析結果を図3のグラフで示す。表1および表2において、例1~9および例13,14は本発明の実施例に相当する評価モデルであり、例10~12および例15は比較例に相当する評価モデルである。相対熱抵抗値は、放熱体6に絶縁層8を設けず、導体層のみで構成したモデルについて、同様に解析して得られた熱抵抗値を基準1.00としたときの相対値である。相対熱抵抗値は、数値が小さいほど熱拡散性が良好であることを意味する。解析に用いた評価モデルの各構成要素の物性値熱伝導率を表3に示す。なお、表3に示す評価モデルの基板本体および絶縁層を構成するLTCC、および絶縁層を構成するガラスの熱伝導率は、以下に示すように作製された材料についての物性値である。<LTCCの熱伝導率の測定>基板本体1を作製するための本体用グリーンシートおよび絶縁層用のグリーンシートは、以下に示すようにして作製する。すなわち、酸化物基準のモル表示で、ガラス組成が、SiO2が60.4、B2O3が15.6、Al2O3が6、CaOが15、K2Oが1、Na2Oが2となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却する。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕してガラス粉末を製造する。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いる。次いで、このガラス粉末が38質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが38質量、ジルコニアフィラー第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY-3F-Jが24質量となるように配合し、混合することにより、基板本体用および絶縁層用のガラスセラミックス組成物LTCC組成物を製造する。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製する。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを焼成後の厚さが0.5mmになるように積層し、本体用グリーンシートを製造する。絶縁層用グリーンシートの場合には、焼成後の厚さが0.1mmになるように積層する。これらのグリーンシートを550°Cで5時間保持して脱脂し、さらに870°Cで30分間保持して焼成した後、焼結体基板本体、絶縁層の熱伝導率を測定する。こうして測定される値が、表3に示すLTCCの熱伝導率である。<ガラスの熱伝導率の測定>絶縁層形成用のガラス粉末を、以下に示すように調製する。まず、酸化物基準のモル表示で、ガラス組成として、SiO2を81.6、B2O3を16.6、K2Oを1.8となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより粉砕して絶縁層用ガラス粉末を製造する。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いる。このガラス粉末をプレス機にて固化させたものを焼成してガラスのバルク体を形成した後、その熱伝導率を測定する。こうして測定される値が、表3に示すガラスの熱伝導率である。上記表1および表2の解析結果から、絶縁層8の下面の、基板本体の非搭載面からの距離L2が基板本体1の厚さL1500μmの60以下300μm以下となっている例1~9および例13、14実施例の評価モデルにおいては、前記距離L2が60を超える搭載面1aに近い位置に絶縁層8が配置された、例10~12および例15比較例の評価モデルに比べて、熱抵抗が低く抑えられており、良好な放熱性を有することがわかる。上述のような解析プログラムを用いた数値シミュレーションによる熱抵抗値の算定に加えて、実際に発光素子用基板10を製造し、その搭載部に発光素子を実装して放熱効果を検証した。実測用のサンプル基板は、前記した発光素子用基板の製造方法にしたがって製造した。サンプル基板は2種類例16,17用意し、各例のサンプル基板の構成は、それぞれ例13および例15と同様にした。なお、例16は実施例であり、例17は比較例である。具体的には、図1に示す構造を有するサンプル基板を用意した。基板本体1は、5mm×5mmサイズのLTCC基板で、基板本体1の厚さL1は500μmであり、放熱体6の厚さ方向の中間部等に配設される絶縁層8をLTCC層とし、絶縁層8の下面の、基板本体の非搭載面からの距離L2をそれぞれ0μm、400μmとし、絶縁層8の厚さdをいずれも100μmとした。また、発光素子として、Epistar社製のLED素子ES-CEBLV451.14mm×1.14mmを用い、入力電力は1Wとした。実測された熱抵抗値を表4に示す。表4においては、例16において測定された熱抵抗値を1.00とした場合の相対熱抵抗値を示す。表2に示された例13と例15の相対熱抵抗値を比較すると、例15の相対熱抵抗値と例13の相対熱抵抗値との比例15の相対熱抵抗値/例13の相対熱抵抗値は1.451.60/1.10であったのに対し、実測された例17の相対熱抵抗値と例16の相対熱抵抗値との比は1.41である。したがって、数値シミュレーションによる予測値とサンプル基板での実測値が良好に一致することが確認できる。また、実測した熱抵抗値が表3と同様の傾向を示していることから、絶縁層8をより基板本体1の非搭載面1bに近い位置に配置することで、優れた放熱性が得られることが実証されていることが確認できる。次に、図4に示すように、上端部が基板本体1の搭載面1aに接するように配設された放熱本体7aの下側に、絶縁層8をその下面が、基板本体1の非搭載面1bに達するように配置した構造を有し、放熱本体7aの下面と基板本体1の非搭載面1bとの距離絶縁層8の厚さdを変えた発光素子用基板10を想定した。そして、そのような発光素子用基板10の搭載部に、1ワイヤタイプのLED素子サイズ縦0.6mm、横0.6mm、厚さ0.1mmを搭載した評価モデルを想定し、それらの評価モデルの熱抵抗を数値解析により求めた。解析プログラムとしては、前記した解析と同様にANSYSICEPAKVersion12.1.6を使用し、入力電力は1.0Wとした。基板本体1は、LTCCにより構成された厚さL1が500μmのものとした。また、絶縁層8は、基板本体1と同様にLTCCにより構成されたものとした。さらに、放熱本体7aは、基板の厚さ方向に垂直な断面が、一辺の長さが1.2mmの正方形である角柱状のものを想定し、表3に示す各構成要素の物性値熱伝導率を使用して解析を行った。解析結果を表5に示す。また、表5に示す解析結果を図5のグラフで示す。表5において、例19~26は本発明の実施例に相当する評価モデルであり、例27~33は比較例に相当する評価モデルである。表5における基板本体1の厚さに対する絶縁層8の下面の非搭載面からの距離の割合とは、図4における、放熱本体7aの下面または絶縁層8の上面と基板本体1の非搭載面1bとの距離dを、基板本体1の厚さL1で除した値の百分率を表す。また、相対熱抵抗値は、放熱本体7aの下側に絶縁層8を設けず、導体層のみで放熱体を構成した例18のモデルについて、同様に解析して得られた熱抵抗値を基準1.00としたときの相対値である。表5および図5の解析結果から、基板本体1の厚さに対する絶縁層8の下面の、基板本体1の非搭載面1bからの距離の割合d/L1が60以下である場合に、十分に低い熱抵抗が得られ、40以下である場合にさらに熱抵抗が低くなることがわかる。すなわち、放熱本体7aが、その下面の、基板本体1の非搭載面1bからの距離dが基板本体の厚さL1の60以下、好ましくは40以下となるような、十分な長さを持つ場合に、熱抵抗がそれほど上昇せず、良好な放熱性を示すことがわかる。さらに、例20の評価モデルにおいて、放熱本体7aの断面積を変えた場合の熱抵抗値の変化も解析した。すなわち、基板本体1および絶縁層8がLTCCから構成される、図4に示す構造を有する発光素子用基板10において、基板本体1の厚さL1を500μm、放熱本体7aの下面と基板本体1の非搭載面1bとの距離dを100μmとする評価モデルにおいて、放熱本体7aの基板の厚さ方向に垂直な断面の断面積を変えた例34~41の評価モデルについて、前記解析プログラムを用いて熱抵抗値を解析した。LED素子は、縦0.6mm、横0.6mmの正方形の底面を有し、厚さ0.1mmの1ワイヤタイプのものとする。解析結果を表6に示す。また、表6に示す解析結果を図6のグラフで示す。表6において、発光素子の底面積に対する放熱本体7aの大きさの割合とは、放熱本体7aの断面積を発光素子の底面積で除した値を表す。相対熱抵抗値は、放熱本体7aの断面積が、上記した縦0.6mm、横0.6mmのサイズの発光素子と同じ正方形の底面積を有する例36の評価モデルについて、解析して得られた熱抵抗値を基準1.00としたときの相対値である。なお、前記例20の評価モデルにおいて、放熱本体7aの断面は一辺の長さが1.2mmの正方形を呈し、発光素子の底面積に対する放熱本体7aの大きさの割合は4.00倍400となる。したがって、例37の評価モデルは例20の評価モデルでもある。表6の解析結果から、発光素子の底面積に対する放熱本体7aの断面積の割合が大きいほど、熱抵抗が低く、良好な放熱性を有することがわかる。しかし、前記放熱本体7aの断面積が大きくなると、放熱本体7aを構成する貴金属等の材料コストが増大するデメリットがあることから、放熱本体7aの断面積が発光素子の底面積の0.2倍~16倍の範囲とすれば、材料コストの増大を抑え、かつ十分な放熱性能が得られることがわかる。さらに、材料コストと放熱性能のバランスの観点から、放熱本体7aの断面積の割合のより好ましい範囲は、発光素子の底面積の1.0倍~4.0倍である。発光素子の底面積に対する放熱本体7bの断面積の割合が大きいほど、熱抵抗が低く、良好な放熱性を有することも、放熱本体7aの場合と同様である。"