電極と圧電体との間に半導体の層を形成することで圧電体キャパシタとダイオードとを直列接続したことを特徴とする電荷発生素子。前記半導体として酸化物半導体を用いたことを特徴とする請求項1記載の電荷発生素子。圧力による変形から電力を発生させる電力発生装置であって、請求項1記載の電荷発生素子を用いたことを特徴とする電力発生装置。使用者のタッチを検出するタッチセンサであって、請求項1記載の電荷発生素子を用いたことを特徴とするタッチセンサ。前記タッチを検出した後、上部電極と下部電極の間に電圧を印可し、タッチ面を振動させることを特徴とする請求項4記載のタッチセンサ。しかし、図10bに示すように、ダイオード200をそれぞれの圧電体キャパシタ100に取り付けると、外付けの素子が増えることになる。そのため、多数の圧電体キャパシタ100を配置することができず、大面積化することが困難であった。本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、容易に大面積化することのできる電荷発生素子、電力発生装置、及びタッチセンサを提供することである。前記課題を解決するために、本発明の実施形態に係る電荷発生素子は、電極と圧電体との間に半導体の層を形成することで圧電体キャパシタとダイオードとを直列接続したことを特徴とする。前記課題を解決するために、本発明の実施形態に係る電力発生装置は、圧力による変形から電力を発生させる電力発生装置であって、前記電荷発生素子を用いたことを特徴とする。前記課題を解決するために、本発明の実施形態に係るタッチセンサは、使用者のタッチを検出するタッチセンサであって、前記電荷発生素子を用いたことを特徴とする。本発明によれば、電極と圧電体との間に半導体の層を形成することで圧電体キャパシタとダイオードとを直列接続しているため、容易に大面積化することのできる電荷発生素子、電力発生装置、及びタッチセンサを提供することが可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態における電荷発生素子の構成図である。この図に示すように、基板15の上に下部電極14を形成し、その下部電極14の上に圧電体13を形成する。更に、その上に半導体12と上部電極11を形成する。このように、上部電極11と圧電体13との間に膜の状態で半導体12を積層することで、圧電体キャパシタ2とダイオード1をセットで形成するようにしている。図2は、本発明の第1の実施形態における電荷発生素子の製造方法を示すフローチャートである。以下、この電荷発生素子の製造方法を図2に従って説明する。ここでは、上部電極11にPt、半導体12にITOn型、圧電体13にPZT、下部電極14にPt、基板15にステンレスを用いた場合を例示する。まず、ステンレスの基板15上に密着層としてTiを20nmスパッタし、その上にPtを200nmスパッタするステップS1。次いで、ゾルゲル法により、PZTを1um程度成膜するステップS2。このステップS2ではゾルゲル法でなくスパッタなどの他の方法を用いてもよい。次いで、ダメージ緩和層としてIrO2を10um程度スパッタし、n型半導体としてITOを200nm程度スパッタするステップS3。次いで、上部電極11としてPtを100nmスパッタするステップS4。次いで、リソグラフィにてレジストをパターニングするステップS5。次いで、上部電極11と半導体12をドライエッチングし、レジストを除去するステップS6。最後に、上部電極11に銅箔を接着するなどして配線するステップS7。図3は、本発明の第1の実施形態における電荷発生素子の材料を示す図である。この図に示すように、電荷発生素子の材料としては様々な組み合わせが考えられる。例えば、組み合わせ1では、上部電極11にPt、半導体12にITOn型、圧電体13にPZT、下部電極14にPt、基板15にステンレス又はSiを用いる。この組み合わせ1には、最小膜数であることや、Pt上にPZTを形成しているため圧電性が高いなどの特徴効果がある。ダイオード1は、半導体と金属が接合されたショットキーバリアダイオードになる。組み合わせ2は、半導体12以外は組み合わせ1と同じである。すなわち、上部電極11にPt、半導体12にZnOn型、圧電体13にPZT、下部電極14にPt、基板15にステンレス又はSiを用いる。半導体12としては、ZnOn型に代えて、CdOn型、SnO2n型、NiOp型、Cu2Op型、CuAlO2p型などを用いてもよい。いずれの場合も組み合わせ1と同様の効果を得ることができる。組み合わせ3は、PN接合ダイオードを形成する場合を示している。すなわち、圧電体13の上にn型の半導体12とp型の半導体12aを形成する。n型の半導体12にはITOn型、p型の半導体12aにはNiOp型を用いることができる。その他は組み合わせ1と同じである。この組み合わせ3には整流性が良いなどの特徴がある。組み合わせ4では、基板15にSTOSrTiO3を用いる。このSTOに代えて、MgO、サファイアなどを用いてもよい。その他は組み合わせ1と同じである。この組み合わせ4には、組み合わせ1などと比べて圧電性がより高いという特徴がある。組み合わせ5では、上部電極11と下部電極14にLSCOLa0.5Sr0.5CoO3、基板15にガラスを用いる。その他は組み合わせ1と同じである。この組み合わせ5には透明であるなどの特徴がある。組み合わせ6では、圧電体13にAIN、下部電極14にNiを用いる。このAINに代えて、水晶クォーツなどを用いてもよい。その他は組み合わせ1と同じである。この組み合わせ6ように、PZT以外の圧電体13を用いることも可能である。組み合わせ7では、半導体12にNiOp型を用いる。そのため、ダイオード1の向きは組み合わせ1~6と反対になる。その他は組み合わせ1と同じである。このように、電荷発生素子の材料としては様々な組み合わせがあり、その効果も様々である。その中でも、半導体12としては、圧電体13と相性の良い酸化物半導体ITOやZnOなどを用いるのが好ましい。これにより、電荷発生素子の製造をより容易にすることができる。ここでは、上部電極11と圧電体13との間に半導体12を積層することとしているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、以下に説明するように、上下反対の構造を採用することも可能である。図4は、本発明の第1の実施形態における他の電荷発生素子の構成図である。この図に示すように、基板15の上に下部電極14を形成し、その下部電極14の上に半導体12を形成する。更に、その上に圧電体13と上部電極11を形成する。このように、下部電極14と圧電体13との間に半導体12を積層することによっても、圧電体キャパシタ2とダイオード1をセットで形成することができる。このような上下反対構造の電荷発生素子の材料を図5に示す。例えば、組み合わせ11では、上部電極11にPt、圧電体13にPZT、半導体12にITOn型、下部電極14にPt、基板15にステンレス又はSiを用いる。上下反対構造である点を除けば、先に説明した組み合わせ1と同じである。組み合わせ12では、圧電体13にPVDFポリフッ化ビニリデン、半導体12にa-Sin型、下部電極14にAu、基板15にPEポリエチレンを用いる。その他は組み合わせ11と同じである。この組み合わせ12は曲げられる点が特徴である。以上のように、本発明の第1の実施形態における電荷発生素子によれば、上部電極11又は下部電極14と圧電体13との間に半導体12の層を形成することで圧電体キャパシタ2とダイオード1とを直列接続しているため、容易に大面積化することができる。また、本発明の第1の実施形態によれば、電荷発生素子の材料としては様々な組み合わせを採用することができる。その中でも、半導体12として酸化物半導体を用いた場合は、電荷発生素子の製造をより容易にすることができるという効果がある。なお、図5では、上下反対構造の電荷発生素子の材料として組み合わせ11と組み合わせ12を例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、上下反対構造の電荷発生素子においても、図3で示したような様々な組み合わせを採用することが可能である。第2の実施形態ここでは、第1の実施形態における電荷発生素子の応用例について説明する。図6は、本発明の第2実施形態における電力発生装置の構成図であり、aは上面図、bは断面図である。この電力発生装置は、圧力による変形から電力を発生させる装置であって、第1の実施形態における電荷発生素子を用いている。具体的には、この図に示すように、一つ基板15の上に下部電極14と圧電体13を形成している。更に、その上に複数ここでは4×5の半導体12と上部電極11を形成し、それぞれを配線Lで接続している。このような電力発生装置が足21などで踏まれると、圧力による変形から電力が発生し、この電力を配線Lから取り出せる構造となっている。従来の電力発生装置は、ダイオードをそれぞれの圧電体キャパシタに取り付ける必要がある。そのため、多数の圧電体キャパシタを配置することができず、大面積化することが困難であった。それに対して、本発明の第2の実施形態における電力発生装置では、圧電体キャパシタ2とダイオード1がセットで形成されているため、ダイオードをそれぞれの圧電体キャパシタに取り付ける必要がない。以上のように、本発明の第2の実施形態における電力発生装置では、第1の実施形態における電荷発生素子を用いている。そのため、ダイオードをそれぞれの圧電体キャパシタに取り付ける必要がなく、容易に大面積化することができる。なお、図6では、上部電極11と圧電体13との間に半導体12を積層した場合を例示している、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の第1の実施形態で説明した通り、上下反対の構造を採用することも可能である。また、電荷発生素子の材料として様々な組み合わせを採用することができることはいうまでもない。第3の実施形態ここでは、第1の実施形態における電荷発生素子の別の応用例について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態におけるタッチセンサの構成図であり、aは上面図、bは断面図である。このタッチセンサは、使用者のタッチを検出する装置であって、第1の実施形態における電荷発生素子を用いている。具体的には、この図に示すように、一つ基板15の上に下部電極14と圧電体13を形成している。更に、その上に複数ここでは4×5の半導体12を形成し、その上に一つの上部電極11を形成している。図8は、従来のタッチセンサの回路図である。この図に示すように、使用者の指22などがタッチ面に触れると、圧電体キャパシタ100aで電荷が発生する。従来は、このように圧電体キャパシタ100aで発生した電荷が他の圧電体キャパシタ100b~100dに流れ込み、検出電圧が小さくなるという問題があった。図9は、本発明の第3の実施形態におけるタッチセンサの回路図である。このタッチセンサによれば、図9に示すように、圧電体キャパシタ2aで発生した電荷がダイオード1b~1dの作用により他の圧電体キャパシタ2b~2dに流れ込むことを防ぐことができる。そのため、タッチセンサの感度を向上させることが可能となる。もちろん、ここでいうダイオード1b~1dは、圧電体キャパシタ2b~2dとセットで形成されたものである。また、本発明の第3の実施形態におけるタッチセンサでは、タッチを検出した後、上部電極11と下部電極14の間に電圧例えば交流電圧を印可し、タッチ面を振動させるようにしている。これにより、タッチしたことが分かるので使用者に安心感を与えることができる。音でタッチをフィードバックする方法が従来より知られているが、この方法は静かな場所では使えない。また、バイブレーションモータでフィードバックする方法もあるが、本発明はバイブレーションモータよりも反応が早く、また低消費電力で実現することが可能である。以上のように、本発明の第3の実施形態におけるタッチセンサでは、第1の実施形態における電荷発生素子を用いている。そのため、ダイオードをそれぞれの圧電体キャパシタに取り付ける必要がなく、容易に大面積化することができる。また、本発明の第3の実施形態におけるタッチセンサでは、タッチを検出した後、上部電極11と下部電極14の間に電圧を印可し、タッチ面を振動させるようにしている。これにより、タッチしたことが分かるので使用者に安心感を与えることができる。なお、図7では、上部電極11と圧電体13との間に半導体12を積層した場合を例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の第1の実施形態で説明した通り、上下反対の構造を採用することも可能である。また、電荷発生素子の材料として様々な組み合わせを採用することができることはいうまでもない。また、ここでは、第1の実施形態における電荷発生素子の応用例として電力発生装置とタッチセンサを例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、電荷発生素子を利用する各種装置に本発明を適用することが可能である。その他、本発明は、ここでは記載していない様々な実施形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は前記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。