"半導性構造体5が、その上面が入射面3を形成する無電磁減衰領域5aと電磁減衰領域5bとにより形成されており、前記領域の両方が、材料特性が変化する仮想境界6によって規定され、少なくとも1つの2次元3次元共振器4が、半導性構造体5内に配置され、前記共振器の2次元部分が、入射面3内に配置され、前記共振器の3次元部分が、誘電体10内に囲まれ、相対電極11が、電磁減衰領域5bに接することを特徴とする、半導性構造体5上に配置された共振器を備える光起電要素。2次元3次元共振器4が2つの部分により形成され、前記共振器の第1の2次元部分が、入射面3上に配置され且つ結合導体の形態の一組の電極で構成される、変換要素8により構成され、第2の3次元部分が、誘電体10及び反射体7により構成され、無電磁減衰領域5a及び電磁減衰領域5bの両方の中に配置されており、変換要素8が、誘電体10上に更に配置され、反射体7が、前記誘電体と整合することを特徴とする、請求項1に記載の、共振器を備える光起電要素。反射体7が、誘電体10に対して、入射面3に向かって直交するように配置されることを特徴とする、請求項2に記載の、共振器を備える光起電要素。電磁減衰領域5bは、無電磁減衰領域5aとは対照的に、ガマ導電率[S/m]が、相対電極11の方向に増大することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の、共振器を備える光起電要素。本発明は、共振器が半導性構造体上に配置される光起電要素の新たな構造を提案することを目的とする。使用される構築技術に基づいて、本要素は、共鳴し、従来の半導体に基づく周知の技術を用いて利用可能であり、処理され得るような高い値の電磁界成分を生成する。上記の欠点は、半導性構造体が、その上面が入射面を形成する無電磁減衰領域と電磁減衰領域とにより形成されており、それら両方の領域が、材料特性が変化する仮想の仮定の境界によって規定され、少なくとも1つの2次元3次元共振器が、誘電体によって囲まれ、半導性構造体内に配置され、電磁波伝搬方向で、電磁減衰領域が、相対電極に接することを特徴とする半導性構造体を含む共振器を備える光起電要素によって解消される。2次元3次元共振器が2つの部分で構成され、その共振器の部分の第1の2次元部分が、入射面上に配置され且つ結合導体の形態の一組の電極で構成される、変換要素により構成され、第2の3次元部分が、誘電体及び反射体により構成され、無電磁減衰領域と電磁減衰領域の両方の中に配置され、前記変換要素が、誘電体上に更に配置され、反射体が、その誘電体上に、直交するように配置される場合に、高い値の電磁界成分を有利に生成することができる。本発明は、電磁波の電力流れ密度powerflowdensityW/m2が高い太陽光放射のスペクトルを利用する。本発明の範囲内で、半導性構造体上に配置される共振器の形態の光起電要素は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する効率が高いことを特徴とする。新規に構成された半導性構造体を備えた光起電要素の主な利点は、半導性構造体の一部であるその部品で構成される、つまり、平面的且つ空間的な共振器2次元3次元共振器で構成される。この構造体は、太陽等の光源により発される衝突電磁波の方向に伝搬する後方性電磁波を生成しない。2次元3次元共振器は、半導性構造体を通過する電磁波が、反射され、前記構造体中に作製された2次元3次元共振器に戻るのを防ぐように設計される。従って、共振器は、目的の周波数スペクトルにインピーダンス整合された理想的な部品のように振る舞う。2次元3次元共振器がその上部に配置される半導性構造体は、2つの部分、つまり、材料特性が変化する平面によって規定される無電磁減衰領域及び電磁減衰領域から構成される。電磁減衰領域は、反射波を抑制する機能を有する。少なくとも1つの2次元3次元共振器が、この場合、材料特性が変化する平面と同一である入射面上に配置される。これらの部分は、電磁波の最適な処理を確保する。その処理は、2次元3次元共振器に向かう反射波の発生が防止されるように実現される。材料特性が変化する平面で終わる電磁減衰領域の後段、配置された相対電極が設けられている。重要な点として、共振器が半導性構造体上に配置される光起電要素は、電荷を確実に生成するのに構造体とその特性とを用いないが、電磁波を衝突させ、その電磁波を電磁界の定常形に変換するのに適切な条件を設定するのに、これらの態様の両方を用いる。別の利点は、ドナー材料により、半導性構造体材料中のガマ導電率[S/m]が増加することを有する。この構造体は、その導電率が電磁減衰領域内の相対電極方向で増大するように設定される。従って、半導性構造体上に配置される光起電要素部品は、幅の広い共鳴曲線図10を生成するように振る舞う。これにより、半導性材料が図9での上記のように変更される場合の事例と比べて、複雑な設計された構造体内の調整型半導性構造体の著しく低い数の変数を利用して、衝突電磁波の所望の周波数スペクトルを含むことができる。本発明に基づいて、記載された解決策により、その結果得られる構造体中の個別の光起電要素を、それらの要素が用いられる位置に存在するような衝突電磁放射の密度条件に適合させることができる。この特性の結果、入射電磁放射の最大エネルギーを利用し、例えば、電気エネルギー源又は発生器として前記放射をこの先で利用される要求されたエネルギー形態に変えることから利益を得ることができる。共振器を含む設計された光起電要素は、相互接続される際に太陽電池場を形成するパネル内に埋め込まれる。本発明の原理は、図面を用いて明らかになる。以下に示す例により、半導性構造体上に配置される共振器を用いて光起電要素を構成する原理が明らかにされるが、これらの例に限定されない。図1に、半導性構造体上に配置される2次元3次元共振器の基本的形態が与えられる。この光起電要素の形態は、2つの部分で構成される半導性構造体5を含む。これらの2つの部分は、無電磁減衰領域5aと、電磁減衰領域5bとを構成し、これらの領域の両方が、材料特性が変化する仮想の仮定の境界によって規定される。更に、半導性構造体5は、この場合、材料特性が変化する境界6と同一である入射面3上に配置される少なくとも1つの2次元3次元共振器4を含む。材料特性が変化する境界6により両方向から閉じられる電磁減衰領域5bの後段に、配置された相対電極11が設けられている。図4、図6a及び図6bには、2次元3次元共振器4が図示される。この形態の2次元3次元共振器は、変換部品8と反射体7とで構成され、それらの間には、誘電体10絶縁体等が配置され、変換部品8は、誘電体10によって囲まれる結合導体の形態の一組の電極により構成される。更に、変換部品8は、誘電体10上に配置され、その誘電体の上には、反射体7が直交するように配置される。図5は、半導性構造体内の誘電体10の配置を示す。2次元3次元共振器4は、非線形部品15を用いて接続部品16に導かれる電流又は電圧を生成する。この状況は、図7a及び図7bに見られ得る。非線形部品15の偏向の両方の種類が、図示されている。図8は、光起電要素の電気的交流図を表す。関連する変動物は、原理上、1方向又は2方向整流器、整形器、又は、信号フィルタである。これらの接続の種類は、広く知られている。電磁波からの誘導により生じる交流電流又は交流電圧の電源19は、第1蓄電器18及び誘導器14と並列に接続されており、それらは、接続状態で、コンデンサ及びコイルにより構成される。これらの部品は、次に、調整型交流回路衝突電磁波の特性及びパラメータに調整され、共鳴する回路を生成する。非線形要素15は、共振回路上で信号を形作る。次に、この信号は、この先で利用され得る形にフィルタされる。次の工程では、第2蓄電器17への接続が実現される。この接続では、蓄電器が、コンデンサにより構成される。更に、この接続では、部品16の接続が示される。これらの部品16は、電圧U、-Uを示す。選択された、インピーダンスZの形態の電気負荷13は、接続部品16クランプ等に接続され、共鳴回路内で変化が生じ、共振器が、適切な共鳴モードにないような程度で、その特性を変化させる。従って、装置12は、電気負荷13の前に挿入される。この装置は、その出力で、電気インピーダンスZによるあらゆる負荷を用いて、その出力で、1つの及び同じ値のインピーダンスZiにより非線形部品15と第2蓄電器17とを有する共振器に負荷をかける時に、この状況を生じさせることになる。半導性構造体5上に配置される2次元3次元共振器4を含む光起電要素の機能操作は、以下である:100nm~100000nmの波長範囲内の電磁波1は、波入射2で、設計された光起電要素の入射面3に衝突する。2次元3次元共振器4は、図1及び図2に記載されるように周期的に繰り返される。光起電要素入射面3では、少なくとも1つの2次元3次元共振器4の形式が配置される。この共振器は、個別に動作し得るその機能を実行し得る。代わりに、共振器間に相互接続を実現し、従って、光起電要素の場を生成することができる。入射面3では、これらの要素は、並列に接続される、又は、直列に接続される。1つの光起電要素上の少なくとも1つの2次元3次元共振器4の形式は、有利な解決策と考えられる。これらの共振器は、接続要素9を用いて相互に接続される。電磁波1は、入射点2で、入射面3に衝突する。故に、電磁波1の電磁成分は、分解され、電磁界強度の最大値を形成する。このプロセスは、反射体7の設計された形により実現され、その形は、薄層、直方体、ピラミッド、円錐、円環、又は、それらの組み合わせの球、部品、貫通であり得る。反射体7の表面は、誘電材料、金属、又は、両方の組み合わせ及び形状多様性の層により生成され得る部品は、2次元3次元共振器4の一部である。2つの周期的に繰り返される2次元3次元共振器4の接続を実現させる際に、強度の上記最大値が、演算的に加算積算させるために、これらの共振器は、図2に図示されるように接続要素9を用いて接続される。この図は、2次元3次元共振器4を有し、半導性構造体5上に配置される、提案された光起電要素の例を示す。2つの2次元3次元共振器4は、入射面3の局所位置に配置される。これらの共振器は、他の半導性構造体5上で周期的に繰り返される。その上、2次元3次元共振器4は、接続要素9を用いて相互に接続される。図3には、2次元3次元共振器4を含み、半導性構造体5上に配置された、光起電要素の模範的実施形態が図示される。この形態の2次元3次元共振器4は、半導性構造体5上に配置される。この構造体は、2つの部分、つまり、無電磁減衰領域5aと電磁減衰領域5bとで構成される。これらの部分は、材料特性が変化する仮想境界6によって規定される。図4には、光起電要素の個別部分の相互配置構成が示される。2次元3次元共振器4は、変換要素8結合導体の形態の一組の電極で構成される、反射体7、及び誘電体10で構成される。2次元3次元共振器4は、半導性構造体5内に更に埋め込まれる。幾何学形状は、衝突電磁波の波長に応じて、つまり、半導性構造体5の厚さが、最小で、入射電磁放射の最小周波数の波長の1/4になるように設計される。提案された幾何学形状設計は、その結果得られる、図10による共振特性を確保することになる。入射面3に衝突した後、電磁波は、半導性構造体5に浸透する。半導性構造体5の表面上に、入射面3の局所位置で、共振器4の2次元部分が変更され、3次元部分は、図3及び図4に示されるように半導性構造体5と干渉する。半導性構造体5は、電磁成分を電磁波入射面3内で最大にする条件を設定するのに役立つ。これに関して、半導性構造体5は、無電磁減衰領域5aにより形成され、前記領域の機能により、半導性構造体5上の進行性電磁波は、繋がり、入射面3内に最大共鳴の共鳴領域を生成することができる。電磁減衰用域5bは、進行性電磁波を緩やかに減衰させるのに役立つ。その進行性電磁波は、入射面3から半導性構造体5の内部構造への方向に進行し、電極11から半導性構造体5a及び5bに戻る進行波の反射を最小限にする条件を生じさせる。電磁減衰領域5bの主な機能は、半導性構造体5の末端での電磁波が跳ね返り、定常電磁波を生成させるのを防止することである。無電磁減衰領域5a並びに電磁減衰領域5bの寸法は、最小で、衝突電磁波1の波長の4分の1以上であるように選択される例えば、両方の層の厚さは、10μmであり得る。共鳴状態を得ることを通じて、光起電要素内で、最初の衝突電磁波の振幅の多重増加が生じる。半導性構造体5の入射面3に衝突する電磁波1の仮定された波長に対して、性能とエネルギー採取のために設計された周期構造体のモードとを管理する電子回路12によるこの先の処理に用いられ得る電圧を得ることができる。高質の導体が、入射面3内に形成される導電経路材料として用いられ、その入射面上に、共振器4の2次元部分が配置される。同じ高質の導体が、接続導電性要素9及び非線形要素15の材料にも用いられる。無電磁減衰領域5aは、誘電体10と導電性材料及び/又は半導性材料との組み合わせにより形成される。電磁減衰領域5bは、導電率を変化させる材料により形成される。その導電率は、電磁波1から入射面3への方向に増加する。SI系単位S/mの導電率は、電磁減衰領域5b内で、定常波の係数が、<0,1>の間隔から0.5未満であるように設定される。光起電要素の設計された半導性構造体5は、共鳴状態で動作する。それにより、共振器4上で、衝突電磁波1の電気成分の複数2~1000値の振幅を有利に得ることができる。提案された周期配置により、周波数fに対して周波数変化Δfで、共鳴モードの動作が可能になる。Δf/fを、0.5~1.5の間隔で得ることができる。アンテナ及び標準の共鳴回路を利用する従来の解決策では、通常、0.9~1.1の間隔でのΔf/f比のみを得ることができる。本文書で提案される解決策では、電磁減衰領域5bの吸収特性と波長に対する寸法とにより、上記のΔf/f比を得ることができる。この条件は、最適な半導性構造体5を設計し、要素に衝突する電磁波1の、発生電圧への変換に関連して、100の採取率の理想状態に近づけるのに有利に利用され得る。電気エネルギー源として基本要素を極めて最小限に用いるための必須条件は、外部電子回路12を接続することを含む。それにより、回路12の出力のあらゆる負荷負荷インピーダンスは、0~∞オームの間隔の値と仮定するで、回路12の入力での電気負荷Ziの変化は、際立ったものではない。従って、基本部品又は部品群は、共鳴状態のままであることになる。"