"インバータ回路を構成する複数個のパワー半導体を冷媒の循環によって冷却する冷却装置であって、頂面に金属製の熱伝達プレートを備え、この熱伝達プレートの複数の冷却領域の外表面にそれぞれ上記パワー半導体が取り付けられる箱状のハウジングと、このハウジングの底壁と上記熱伝達プレートとの間にこれらと平行に配置され、該ハウジング内部を、上記底壁側の第1冷媒室と上記熱伝達プレート側の第2冷媒室とに仕切るとともに、上記冷却領域にそれぞれ対応して複数の連通孔が開口形成されてなる中間プレートと、上記ハウジングの一方の端部に配置され、かつ上記第1冷媒室に接続された冷媒入口と、上記ハウジングの他方の端部に配置され、かつ上記第2冷媒室に接続された冷媒出口と、を備えており、上記連通孔は、各冷却領域について複数個の連通孔を含み、さらに、各冷却領域毎の連通孔の開口面積の総和が、上記冷媒入口から上記冷媒出口へと向かう流れの上流側に位置する冷却領域では、流れの下流側に位置する冷却領域に比べて、小さいことを特徴とするインバータ回路の冷却装置。上記熱伝達プレートの上記第2冷媒室に露出した内側面において、各冷却領域に、複数のピン状の突起が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のインバータ回路の冷却装置。上記第2冷媒室内に、該第2冷媒室内の空間を各冷却領域に区画する仕切り壁を有し、かつこの仕切り壁の外側に、上記ハウジングの上記一方の端部から上記他方の端部へと向かう冷媒の流れを許容する通路部が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のインバータ回路の冷却装置。上記の特許文献1の冷却装置においては、6個のパワー半導体が2×3の形で配列され、装置全体としてはパワー半導体が3個並んだ列の方向に沿って冷却水が流れていくが、6個の噴出口の口径はいずれも等しく設定されているため、装置の冷却水入口に近い上流側に位置するパワー半導体に比べて、装置の冷却水入口から遠い下流側に位置するパワー半導体に対する冷却性が相対的に低くなる。つまり、6個の噴出口から冷却水が噴流となって各パワー半導体裏面へと向かうが、下流側ほど、噴流の流速が低くなる。しかも、上流側のパワー半導体で熱交換して温度上昇した冷却水が、下流に位置するパワー半導体の付近を流れて冷却水出口へと向かうので、下流側のパワー半導体は上流側のパワー半導体の熱の影響を受ける。従って、6個のパワー半導体の温度を均一に維持することができず、下流側のパワー半導体が相対的に高温となる問題がある。この発明は、インバータ回路を構成する複数個のパワー半導体を冷媒の循環によって冷却する冷却装置であって、頂面に金属製の熱伝達プレートを備え、この熱伝達プレートの複数の冷却領域の外表面にそれぞれ上記パワー半導体が取り付けられる箱状のハウジングと、このハウジングの底壁と上記熱伝達プレートとの間にこれらと平行に配置され、該ハウジング内部を、上記底壁側の第1冷媒室と上記熱伝達プレート側の第2冷媒室とに仕切るとともに、上記冷却領域にそれぞれ対応して複数の連通孔が開口形成されてなる中間プレートと、上記ハウジングの一方の端部に配置され、かつ上記第1冷媒室に接続された冷媒入口と、上記ハウジングの他方の端部に配置され、かつ上記第2冷媒室に接続された冷媒出口と、を備えている。そして、上記連通孔は、各冷却領域について複数個の連通孔を含み、さらに、各冷却領域毎の連通孔の開口面積の総和が、上記冷媒入口から上記冷媒出口へと向かう流れの上流側に位置する冷却領域では、流れの下流側に位置する冷却領域に比べて、小さい。上記の冷却装置においては、冷媒入口から流入した冷媒は第1冷媒室を通って各冷却領域の連通孔へと向かい、この複数の連通孔を通して第2冷媒室側へ流れ込み、熱伝達プレートにおける各々の冷却領域に衝突する。これにより、各冷却領域ひいては外表面上の各パワー半導体が冷却される。ここで、上流側に位置する冷却領域に対応する連通孔は、その開口面積の総和が比較的小さく、下流側に位置する冷却領域に対応する連通孔は、その開口面積の総和が比較的大きい。従って、第1冷媒室内での上流側と下流側との圧力差や第2冷媒室内での冷媒温度の温度勾配などの影響が相殺され、複数のパワー半導体が均等に冷却される。本発明の好ましい一つの態様では、上記熱伝達プレートの上記第2冷媒室に露出した内側面において、各冷却領域に、複数のピン状の突起が設けられている。このように複数のピン状の突起を設けることによって冷媒との熱交換が促進され、より効果的にパワー半導体が冷却される。また、他の一つの態様では、上記第2冷媒室内に、該第2冷媒室内の空間を各冷却領域に区画する仕切り壁を有し、かつこの仕切り壁の外側に、上記ハウジングの上記一方の端部から上記他方の端部へと向かう冷媒の流れを許容する通路部が設けられている。このような構成では、上流側の冷却領域を流れて温度上昇した冷媒は、これよりも下流の冷却領域付近を流れることがなく、通路部を通って冷媒出口へと流れる。そのため、下流側に位置するパワー半導体の冷却性がより確実に改善される。この発明に係るインバータ回路の冷却装置によれば、複数のパワー半導体をより均等に冷却することができ、一部のパワー半導体の過度の温度上昇を回避することができる。以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。図1および図2は、この発明に係るインバータ回路の冷却装置の一実施例を示している。この実施例は、例えば、ハイブリッド車両や電気自動車の車両駆動用モータジェネレータを駆動制御するためのインバータ回路に用いられるものであって、このインバータ回路は、三相交流としてモータジェネレータを制御するために、計6個のパワー半導体1を備えている。これらのパワー半導体1は、それぞれ正方向に近い略矩形の偏平なパッケージを有している。6個のパワー半導体1を冷却する本発明の冷却装置は、細長くかつ偏平な箱状をなす合成樹脂製のハウジング2を備え、このハウジング2の頂面が、アルミニウム等の熱伝達率に優れた金属からなる熱伝達プレート3によって構成されている。6個のパワー半導体1は、2×3の形に配列され、かつ熱伝達プレート3外表面3aに接着等の適宜な手段で取り付けられている。合成樹脂製ハウジング2は、大きな開口部4を有することによって周縁部のみが枠状に残った頂部壁2aと、底壁2bと、長手方向に沿った一対の側壁2c,2cと、入口側端部壁2dと、出口側端部壁2eと、からなる6面によって箱状に構成されている。上記熱伝達プレート3は、その裏面3bが冷媒に直接に露出するように、上記開口部4を覆っており、開口部4周囲の合成樹脂製の頂部壁2aに、接着剤や加熱溶着等の適宜な接合手段でもって接合されている。上記ハウジング2の上記底壁2bと上記熱伝達プレート3との間には、これらと平行に中間プレート6が設けられており、この中間プレート6によって、ハウジング2内部の空間が、底壁2b側の第1冷媒室7と、熱伝達プレート3側の第2冷媒室8と、に仕切られている。上記中間プレート6は、合成樹脂製ハウジング2の一部として、やはり合成樹脂にて成形されている。なお、この中間プレート6を含む合成樹脂製ハウジング2は、図2からも明らかなように、射出成形やブロー成形等によって全体を一部材として成形することは困難であるので、いくつかに分割して成形され、かつ接着ないし溶着等によって一体化されている。上記中間プレート6には、パワー半導体1が各々配置される熱伝達プレート3の6箇所の冷却領域に対応して、6箇所の領域にそれぞれ複数個の連通孔10が開口形成されている。なお、図示例では、熱伝達プレート3において矩形のパワー半導体1がそれぞれ占有している矩形の領域が、それぞれ冷却領域に相当する。上記の連通孔10は、本実施例では、1つの冷却領域に対して6個ずつ設けられており、かつ6個の連通孔10が2×3の形で整列されているが、このような連通孔10の個数や配置は、任意であり、他の個数や他の配置であってもよい。また、図示例では、上記連通孔10は、中間プレート6の面に対し垂直な単純な円形の孔として形成されており、この連通孔10によって、第1冷媒室7と第2冷媒室8とが互いに連通している。また、上記ハウジング2の入口側端部壁2dには、上記第1冷媒室7に連通した冷媒入口11が設けられている。この冷媒入口11は、ハウジング2の長手方向に沿って冷媒を導入するように、その向きが設定されており、さらに、ハウジング2の幅方向の一方の側図1では右側に片寄って配置されている。また、上記ハウジング2の出口側端部壁2eには、上記第2冷媒室8に連通した冷媒出口12が設けられている。この冷媒出口12は、やはりハウジング2の長手方向に沿って冷媒を導出するように、その向きが設定されており、さらに、ハウジング2の幅方向の他方の側図1では左側に片寄って配置されている。上記冷媒入口11および上記冷媒出口12は、図示しない冷媒ポンプおよび放熱器を備えた冷媒循環系に接続される。なお、ハイブリッド車両のように内燃機関を備えている場合には、内燃機関の水冷式冷却系の一部として上記ハウジング2を組み込むことが可能である。従って、冷媒の基本的な流れとしては、放熱器を通して比較的低温となった冷媒が上記冷媒入口11を介して第1冷媒室7内に導入され、ここから多数の連通孔10を通して第2冷媒室8へと流れ、各パワー半導体1を冷却した後に、最終的に第2冷媒室8から冷媒出口12を介して導出される。上記連通孔10を通して第2冷媒室8へ流入した冷媒の流れは、連通孔10に沿った噴流となるため、熱伝達プレート3の各冷却領域に衝突し、各々のパワー半導体1を冷却する。図示例では、上記のように冷媒流が衝突する熱伝達プレート3の裏面3bに、各冷却領域に対応して、矩形の熱交換促進プレート14がそれぞれロー付けにて取り付けられている。この熱交換促進プレート14は、やはりアルミニウム等の熱伝達率に優れた金属からなり、第2冷媒室8内に突出する多数のピン状の突起15を備えている図4参照。上記の突起15は、例えばアルミニウム等の母材を金型内に入れかつ高圧で押し込むことにより、基板部分と一体に成形することができる。このように多数のピン状の突起15を備えることで、熱交換面積が拡大するとともに、冷媒の流れに微小な乱れが生成され、各冷却領域での熱交換効率が向上する。図3は、ハウジング2の内部、特に中間プレート6の構成を示すために、図2のA-A線に沿ってハウジング2を上下に分離して示した説明図であり、図示するように、6個の冷却領域にそれぞれ対応する各6個の連通孔10の大きさは、一定ではなく、冷却領域毎に異なっている。説明のために、6個のパワー半導体1のそれぞれに図3のように符号1A~1Fを付し、これに対応して、各領域の連通孔10を符号10A~10Fで区別するものとすると、2×3の配列であるため、パワー半導体1A,1Bが最も冷媒入口11寄りにあり、パワー半導体1E,1Fが最も冷媒出口12寄りにあり、パワー半導体1C,1Dが中間にある。従って、連通孔10の大きさ直径としては、冷媒入口11に近い2つの領域の連通孔10A,10Bが最も小さく、冷媒出口12に近い2つの領域の連通孔10E,10Fが最も大きく、中間位置にある2つの領域の連通孔10C,10Dが中間の大きさとなっている。従って、冷却性が悪化しやすい下流側のパワー半導体1E,1Fに対して冷媒がより積極的に導かれることになり、第1冷媒室7内での上流側と下流側との圧力差や第2冷媒室8内での冷媒温度の温度勾配などの影響が相殺されて、6個のパワー半導体1がより均等に冷却される。なお、図示例では、左右の配置については差がなく、例えばパワー半導体1Aに対応する連通孔10Aとパワー半導体1Bに対応する連通孔10Bとは等しい大きさのものとなっているが、冷媒入口11がパワー半導体1A寄りに片寄っていることを考慮して、パワー半導体1A側の連通孔10Aをパワー半導体1B側の連通孔10Bよりも小さく設定するようにしてもよい。連通孔10C,10Dや連通孔10E,10Fについても同様である。また上記実施例では、個々の連通孔10の大きさを異ならせることで各領域についての連通孔10の開口面積の総和を調節しているが、同じ大きさの連通孔10の個数を異ならせることで開口面積の総和を変化させることも可能である。勿論、大きさの変化と個数の変化とを適宜に組み合わせることも可能である。次に、図5~図7に基づいて、本発明の冷却装置の第2の実施例を説明する。なお、以下では、前述した実施例と異なる部分のみを説明する。この実施例では、ハウジング2の第2冷媒室8内に仕切り壁21が設けられており、該第2冷媒室8内の空間を6個の冷却領域の各々に区画してある。上記仕切り壁21は、ハウジング2の長手方向に沿った中央の縦方向仕切り壁21aと、これと直交する方向に延びた一対の横方向仕切り壁21b,21cと、からなり、図7に示すように、中間プレート6から熱伝達プレート3へと達している。上記縦方向仕切り壁21aの前後両端は、ハウジング2の入口側端部壁2dおよび出口側端部壁2eから離れており、図6の左右方向での冷媒の通流が可能となっている。また、ハウジング2の第2冷媒室8部分での両側の側壁2fは、第1冷媒室7部分での側壁2cよりも外側へそれぞれ張り出しており、この部分の内部に、ハウジング2の長手方向に沿った通路部22がそれぞれ構成されている。つまり、横方向仕切り壁21b,21cの左右両端は上記の側壁2fから離れており、この間が通路部22となって、ハウジング2の長手方向に沿った冷媒の通流が可能となっている。従って、この実施例では、第1冷媒室7から各冷却領域に対応した複数の連通孔10を通して第2冷媒室8へと流入した冷媒は、個々に独立した形で各パワー半導体1を冷却する。そして、各冷却領域から側方へ流れ、両側の通路部22を通して冷媒出口12へと向かう。そのため、上流側のパワー半導体1との熱交換によって温度上昇した冷媒が下流側のパワー半導体1の冷却性に悪影響を与えることが少なくなり、6個のパワー半導体1を均一に冷却することができる。なお、連通孔10の構成は、前述した実施例と基本的に変わりがなく、冷媒入口11に近い側にあるかどうかに応じて、連通孔10の大きさないし個数が調節されている。図8は、さらに連通孔10を外側へ向けて傾斜させた変形例を示している。すなわち、第1冷媒室7から第2冷媒室8へと連通孔10を通して流入する冷媒の流れが、外側の通路部22へ向かう速度成分を有するように、各連通孔10が傾斜している。このような構成によれば、各冷却領域においてパワー半導体1と熱交換した冷媒が円滑に通路部22へと流れ、仕切り壁21によって区画された各領域内で淀むことがない。なお、図示例では、連通孔10の傾斜により外側へ向かう流れがパワー半導体1裏面側の熱交換促進プレート14にちょうど衝突するように、図7の例に比べて、各連通孔10が中央寄りつまり縦方向仕切り壁21a寄りに配置されている。以上、この発明の一実施例を説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、パワー半導体1の個数は6個に限られず、その配置も上述した配置に限定されない。また、上記ハウジング2は必ずしも合成樹脂製のものに限られず、その一部ないし全部を金属製材料にて形成するようにしてもよい。さらに、本発明は、車両に搭載されるモータジェネレータ用以外のインバータ回路についても広く適用することができる。"