"基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該複数の繊維状柱状構造体の片端が該基板の表面に密着しており、該複数の繊維状柱状構造体と該基板の表面との密着力が25°Cにおいて25N/cm2以上である、繊維状柱状構造体集合体。前記基板の表面粗さRaが50nm~2000nmである、請求項1に記載の繊維状柱状構造体集合体。前記基板の材料の融点が500°C以上である、請求項1または2に記載の繊維状柱状構造体集合体。前記複数の繊維状柱状構造体を成長させるための成長基板がそのまま前記基板として用いられている、請求項1から3までのいずれかに記載の繊維状柱状構造体集合体。前記繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである、請求項1から4までのいずれかに記載の繊維状柱状構造体集合体。請求項1から5までのいずれかに記載の繊維状柱状構造体集合体を含む、粘着部材。本発明の目的は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該基板と該繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を提供することにある。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該複数の繊維状柱状構造体の片端が該基板の表面に密着しており、該複数の繊維状柱状構造体と該基板の表面との密着力が25°Cにおいて25N/cm2以上である。好ましい実施形態においては、上記基板の表面粗さRaが50nm~2000nmである。好ましい実施形態においては、上記基板の材料の融点が500°C以上である。好ましい実施形態においては、上記複数の繊維状柱状構造体を成長させるための成長基板がそのまま上記基板として用いられている。好ましい実施形態においては、上記繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである。本発明の別の実施形態においては、粘着部材を提供する。本発明の粘着部材は、本発明の繊維状柱状構造体集合体を含む。本発明によれば、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該基板と該繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を提供することができる。≪≪繊維状柱状構造体集合体≫≫図1は、本発明の好ましい実施形態における繊維状柱状構造体集合体の概略断面図各構成部分を明示するために縮尺は正確に記載されていないを示す。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備える。図1においては、繊維状柱状構造体集合体10は、基板1と、繊維状柱状構造体2を備える。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、複数の繊維状柱状構造体の片端が基板の表面に密着している。図1においては、繊維状柱状構造体の片端2aは、基板1に固定されている。繊維状柱状構造体2は、長さ方向Lに配向している。繊維状柱状構造体2は、好ましくは、基板1に対して略垂直方向に配向している。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、複数の繊維状柱状構造体と基板の表面との密着力が、25°Cにおいて、25N/cm2以上であり、好ましくは30N/cm2以上であり、より好ましくは35N/cm2以上であり、さらに好ましくは40N/cm2以上であり、特に好ましくは45N/cm2以上であり、最も好ましくは50N/cm2以上である。上記密着力の上限は、高ければ高いほど良いが、現実的には、25°Cにおいて、好ましくは10000N/cm2以下であり、より好ましくは5000N/cm2以下であり、さらに好ましくは1000N/cm2以下であり、特に好ましくは500N/cm2以下であり、最も好ましくは300N/cm2以下である。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、複数の繊維状柱状構造体と基板の表面との密着力が上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体とすることができ、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。本発明の繊維状柱状構造体集合体が発現し得る25°Cにおいて25N/cm2以上という密着力は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備える繊維状柱状構造体集合体の従来品においては実現が困難であった非常に高い密着力である。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、好ましくは、複数の繊維状柱状構造体を成長させるための成長基板がそのまま基板として用いられる。従来の繊維状柱状構造体集合体においては、成長基板と繊維状柱状構造体との密着性が低いため、製造された繊維状柱状構造体集合体を粘着部材等に用いる場合には、成長基板上に形成された複数の繊維状柱状構造体を該成長基板より剥がして別の基板に固定する必要がある。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、成長基板と繊維状柱状構造体との密着性が高いため、繊維状柱状構造体集合体を粘着部材等に用いる場合に、成長基板上に形成された複数の繊維状柱状構造体を該成長基板より剥がして別の基板に固定する必要がない。成長基板上に複数の繊維状柱状構造体が設けられた繊維状柱状構造体集合体は、そのまま本発明の繊維状柱状構造体集合体として、粘着部材等に用いることが可能である。繊維状柱状構造体繊維状柱状構造体の材料としては、任意の適切な材料を採用し得る。繊維状柱状構造体の材料としては、例えば、アルミ、鉄などの金属;シリコンなどの無機材料;カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブなどのカーボン材料;エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチックなどの高モジュラスの樹脂;などが挙げられる。樹脂の具体例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリアミドなどが挙げられる。樹脂の分子量などの諸物性は、本発明の目的を達成しうる範囲において、任意の適切な物性を採用し得る。繊維状柱状構造体の形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、n角形nは3以上の整数等が挙げられる。また、上記繊維状柱状構造体は、中空であっても良いし、充填材料であっても良い。繊維状柱状構造体の長さは、任意の適切な長さに設定され得る。この繊維状柱状構造体の長さは、好ましくは50μm以上、より好ましくは50μm~10000μm、さらに好ましくは100μm~1000μm、特に好ましくは200μm~800μmである。本発明において、繊維状柱状構造体の長さが上記範囲内にあることにより、該繊維状柱状構造体は優れた機械的特性を発現でき、該繊維状柱状構造体は優れた粘着特性を示す繊維状柱状構造体集合体となり得る。繊維状柱状構造体の横断面が略円形の場合、その直径は、任意の適切な長さに設定され得る。その直径は、好ましくは0.1nm~2000nm、より好ましくは1nm~10000nm、さらに好ましくは1nm~500nm、特に好ましくは2nm~100nmである。本発明において、繊維状柱状構造体の横断面が略円形の場合、その直径が上記範囲内にあることにより、該繊維状柱状構造体は優れた機械的特性を発現でき、該繊維状柱状構造体は優れた粘着特性を示す繊維状柱状構造体集合体となり得る。繊維状柱状構造体は、好ましくは、金属材料、無機材料であり、より好ましくは、カーボンナノチューブである。繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブは、単層であっても多層であってもよい。また、上記繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブの直径、比表面積、密度は、任意の適切な値に設定され得る。繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブの形状としては、その横断面が任意の適切な形状を有していれば良い。例えば、その横断面が、略円形、楕円形、n角形nは3以上の整数等が挙げられる。繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブの長さは、任意の適切な長さに設定され得る。このカーボンナノチューブの長さは、好ましくは50μm以上、より好ましくは50μm~10000μm、さらに好ましくは100μm~1000μm、特に好ましくは200μm~800μmである。本発明において、繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブの長さが上記範囲内にあることにより、該カーボンナノチューブは優れた機械的特性を発現でき、該カーボンナノチューブは優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体となり得る。基板基板の材料としては、任意の適切な材料を採用し得る。基板の材料としては、例えば、石英ガラス、シリコンシリコンウェハなど、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチックなどが挙げられる。エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチックの具体例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリアミドが挙げられる。基板の表面粗さRaは、好ましくは50nm~2000nmであり、より好ましくは70nm~2000nmであり、さらに好ましくは100nm~1500nmであり、特に好ましくは150nm~1000nmである。基板の表面粗さRaが上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を容易に提供することが可能となり、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。基板の表面粗さRaを上記範囲内とするための手段としては、任意の適切な手段を採用し得る。例えば、金属の圧延、電解膜の生成壁面による凹凸コントロール、サンドブラスト、エッチング例えば、フォトリソパターンによるものなどが挙げられる。基板の材料の融点は、好ましくは500°C以上であり、より好ましくは600°C以上であり、さらに好ましくは700°C以上である。基板の材料の融点の上限は、高ければ高いほど良いが、現実的には、好ましくは2000°C以下であり、より好ましくは1800°C以下であり、さらに好ましくは1500°C以下である。基板の材料の融点が上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を容易に提供することが可能となり、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。基板の厚みとしては、任意の適切な厚みを採用し得る。基板の厚みとしては、好ましくは1μm~1000μmであり、より好ましくは5μm~500μmであり、さらに好ましくは10μm~200μmである。基板の厚みが上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を容易に提供することが可能となり、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。≪≪繊維状柱状構造体集合体の製造方法≫≫本発明の繊維状柱状構造体集合体は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体とすることができ、該複数の繊維状柱状構造体の片端が該基板の表面に密着しているようにできれば、任意の適切な方法で製造することができる。本発明の繊維状柱状構造体集合体の製造方法の好ましい実施形態の例として、繊維状柱状構造体がカーボンナノチューブである場合の製造方法を説明する。本発明の繊維状柱状構造体集合体は、例えば、平滑な基板の表面に蒸着によりAl2O3膜を形成し、該Al2O3膜上に触媒層を形成し、該触媒層上にカーボンナノチューブを成長させて得られ得る。この際、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition:CVD法が好ましく用いられる。このような方法によって、基板からほぼ垂直に複数のカーボンナノチューブが配向して成長形成した繊維状柱状構造体集合体を製造し得る。本発明の繊維状柱状構造体集合体を製造するための装置としては、任意の適切な装置を採用し得る。例えば、熱CVD装置が挙げられ、図2に示すような、筒型の反応容器を抵抗加熱式の電気管状炉で囲んで構成されたホットウォール型などが挙げられる。その場合、反応容器としては、例えば、耐熱性の石英管などが好ましく用いられる。Al2O3膜の膜厚は、好ましくは50nm以下、より好ましくは0.01nm~30nm、さらに好ましくは0.1nm~20nm、特に好ましくは1nm~15nm、最も好ましくは1nm~10nmである。上記Al2O3膜の膜厚が上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を容易に提供することが可能となり、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。触媒層を形成する方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、金属触媒をEB電子ビーム、スパッタなどにより蒸着する方法、金属触媒微粒子の懸濁液を基板上に塗布する方法などが挙げられる。触媒層を形成するために用いる触媒触媒層の材料としては、任意の適切な触媒を用い得る。例えば、鉄、コバルト、ニッケル、金、白金、銀、銅などの金属触媒が挙げられる。触媒層の厚みは、好ましくは0.01nm~20nm、より好ましくは0.1nm~10nm、さらに好ましくは0.1nm~5nm、特に好ましくは0.1nm~3nmである。触媒層の厚みが上記範囲内にあることにより、基板と繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を容易に提供することが可能となり、そのまま、粘着部材等に用いることが可能となる。カーボンナノチューブの原料となる炭素源としては、任意の適切な炭素源を用い得る。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼンなどの炭化水素;メタノール、エタノールなどのアルコール;などが挙げられる。本発明の繊維状柱状構造体集合体を製造する際の製造温度としては、任意の適切な温度を採用し得る。好ましくは400~1000°C、より好ましくは500~900°C、さらに好ましくは600~800°Cである。≪≪粘着部材≫≫本発明の繊維状柱状構造体集合体を用いて粘着部材とすることができる。このような粘着部材は、好ましくは、本発明の繊維状柱状構造体集合体をそのまま用いるものであっても良いし、本発明の繊維状柱状構造体集合体が基材に固定されたものであっても良い。このような粘着部材としては、具体的には、例えば、粘着シート、粘着フィルムが挙げられる。このような粘着部材に用い得る基材としては、石英ガラス、シリコンシリコンウェハなど、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチックなどが挙げられる。エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチックの具体例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリアミドが挙げられる。このような粘着部材に用い得る基材の厚みは、目的に応じて、任意の適切な値に設定され得る。このような基材の厚みは、好ましくは1μm~10000μm、より好ましくは5μm~5000μm、さらに好ましくは10μm~1000μmである。このような粘着部材に用い得る基材の表面は、隣接する層との密着性,保持性などを高めるために、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的または物理的処理,下塗剤例えば、上記粘着性物質によるコーティング処理が施されていてもよい。このような粘着部材に用い得る基材は、単層であっても良いし、多層体であっても良い。本発明の繊維状柱状構造体集合体を基材に固定する場合、その方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。例えば、基材に接着層を設けて固定してもよい。また、基材が熱硬化性樹脂の場合は硬化処理を行って固定すれば良い。また、基材が熱可塑性樹脂や金属などの場合は、溶融した状態で圧着させた後に室温まで冷却して固定すれば良い。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例には限定されない。なお、特に明記しない限り、実施例における部およびは重量質量基準である。≪表面粗さRaの測定≫KEYENCE社製のカラー3Dレーザ顕微鏡VK-8700/9700形状解析アプリケーションVK-H1A1を用い、JISB0601-1994の算術平均粗さRaに従って測定した。≪複数の繊維状柱状構造体と基板の表面との密着力の測定≫繊維状柱状構造体集合体の繊維状柱状構造体の先端を粘着テープ日東電工株式会社製、31Bに5kgローラーで一往復圧着させて貼り合わせ、30分放置した後、引張り試験機InstronTensilTesterを用いて、引張り速度50mm/minで引っ張った。剥離面が基板と繊維状柱状構造体との界面であることを確認後、単位面積あたりのせん断力を求め、密着力とした。実施例1基板としてステンレス鋼SUS430、表面仕上げ:BA、厚み:40μm、表面粗さRa:138nm、JX日鉱日石金属製を用い、その上に、スパッタ装置ULVAC製、RFS-200によりAl2O3薄膜厚み:20nmを形成した。このAl2O3薄膜上にさらにスパッタ装置ULVAC製、RFS-200にて鉄薄膜厚み:1nmを蒸着した。その後、この基板を石英管内に設置し、水分600ppmに保ったヘリウム/水素90/50sccm混合気体を30分間、石英管に流して、管内を置換した。その後、電気管状炉を用いて765°Cにて安定させた。温度を保持したままで、ヘリウム/水素/エチレン85/50/5sccm、水分率:600ppmの混合ガスを管内に充填させ、60分間放置して、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは311μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例2基板として圧延銅箔HA、C1100、厚み:17μm、表面粗さRa:191nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは305μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例3基板として圧延銅箔HA、C1100、厚み:35μm、表面粗さRa:208nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは289μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例4基板としてステンレス鋼SUS304-HTA、厚み:30μm、表面粗さRa:262nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは275μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例5基板として電解銅箔JTCS、厚み:35μm、表面粗さRa:270nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは333μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例6基板としてステンレス鋼SUS304-HTA、厚み:70μm、表面粗さRa:780nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは342μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。実施例7基板として電解銅箔JTCS、厚み:70μm、M面、表面粗さRa:1319nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは360μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。比較例1基板としてシリコンウェハP型厚み:525μm、表面粗さRa:20nm、シリコンテクノロジー製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは458μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。比較例2基板として電解銅箔HLPLC、厚み:20μm、表面粗さRa:68nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは351μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。比較例3基板として電解銅箔JTCS、厚み:35μm、M面、表面粗さRa:2267nm、JX日鉱日石金属製を用いた以外は、実施例1と同様に行い、基板上にカーボンナノチューブを成長させた。得られたカーボンナノチューブは2~10層の多層ナノチューブであり、長さは325μmであった。得られた繊維状柱状構造体集合体について、複数のカーボンナノチューブと基板の表面との密着力の評価を行った。結果を表1に示した。"