発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され前記発光素子の電極に金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法であって、複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が設けられた金属プレートの第1の主面の上に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面側から前記金属プレートと前記第1の樹脂とを分断し、前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を形成する工程と、前記第1の主面側から前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備えた半導体発光装置の製造方法。前記金属プレートの分断された前記第2主面側をシートに貼着し、前記金属プレートの前記第1主面側を上にして前記シートに移載する工程と、前記第1主面側から、前記第1の樹脂および前記溝を覆う前記第2の樹脂を成形する工程と、前記第2の樹脂を前記溝の中に残し、前記第1の樹脂の表面上に形成された前記第2の樹脂を除去する工程と、を備えた請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1のフレームおよび前記第2のフレームの少なくともいずれかに、前記発光素子よりも高温で固着された部品を有する請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第2の樹脂は、前記発光素子が放射する光を反射する反射材を含む請求項1~3のいずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の樹脂および前記第2の樹脂は、同じ材料を含む請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。第1のフレームと、前記第1のフレームに固着された発光素子と、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極に金属ワイヤを介して電気的に接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂と、前記第1の樹脂の外縁を覆い前記発光素子が放出する光を反射する第2の樹脂と、を含む樹脂パッケージと、を備え、前記第1のフレームの表面に対して平行な切断面における前記第1の樹脂の断面積は、前記第1のフレームの表面から前記第1の樹脂の前記第1フレームとは反対の表面の方向に向けて拡大し、前記第1のフレームの前記発光素子が固着された表面の反対側の裏面と、前記第2のフレームの前記金属ワイヤが接続された表面の反対側の裏面と、は、前記樹脂パッケージの一つの面に露出し、前記一つの面に平行な平面視において、前記第1のフレームおよび前記第2のフレームは、前記樹脂パッケージの外縁の内側に位置する半導体発光装置。実施形態は、樹脂製パッケージの熱変性を回避し低コストで製造できる半導体発光装置、および、その製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極に金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する。そして、その製造方法は、複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が設けられた金属プレートの第1の主面の上に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面側から前記金属プレートと前記第1の樹脂とを分断し、前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を形成する工程と、前記第1の主面側から前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。また、本明細書では、便宜上、各図中に示すXYZ直交座標系に基づいて、半導体発光装置の構成を説明する場合がある。[第1実施形態]図1は、第1実施形態に係る半導体発光装置100を模式的に例示する斜視図である。半導体発光装置100は、発光素子14と、その周辺部品16と、それらを収容する樹脂パッケージ18を備える。発光素子14は、例えば、LEDであり、周辺部品16は、例えば、ツェナーダイオードZDである。ZD16は、LED14を保護するために設けられる。LED14およびZD16は、第1のフレームであるリードフレーム11と、第2のフレームであるリードフレーム12と、にそれぞれ実装され、リードフレーム11および12を覆う樹脂パッケージ18の内部に封止される。なお、本明細書において、覆うとは、覆うものが覆われるものに接触している場合と接触していない場合の双方を含む概念である。例えば、LED14、ZD16およびリードフレーム11、12と、それらを覆う第1の樹脂19aと、の間に、他の材料が介在しても良い。図1に示すように、リードフレーム12とリードフレーム11とは、X方向に離間して配置さる。リードフレーム11の表面には、LED14が固着され、リードフレーム12の表面には、ZD16が固着される。LED14のp電極14aとリードフレーム12との間、および、LED14のn電極14bとリードフレーム11との間は、それぞれ金属ワイヤ17aおよび17bにより接続される。一方、ZD16の電極16sとリードフレーム11との間は、金属ワイヤ17cにより接続される。リードフレーム11および12は、例えば、同一平面に並列配置された平板であり、同じ導電性材料からなる。リードフレーム11および12は、例えば、銅板であり、その表面および裏面に銀めっきが施される。これにより、LED14の放射する光を反射する。樹脂パッケージ18は、LED14、ZD16、リードフレーム11およびリードフレーム12を覆う第1の樹脂19aと、第1の樹脂19aの外縁を覆う第2の樹脂19bと、を含む。第1の樹脂19aは、LED14の放射する光を透過する。一方、第1の樹脂19aの外縁を囲む第2の樹脂19bは、LED14の光を反射する反射材を含み、X方向およびY方向に放射されるLED14の光を反射する。このように、LED14は、その放射する光を反射するリードフレーム11および12と、外囲器として機能する第2の樹脂19bと、に囲まれた状態に配置される。これにより、LED14の光はZ方向に放射され、半導体発光装置100の指向性および光出力を向上させる。例えば、第2の樹脂に含まれる反射材の量を制御することにより、反射率を変化させ指向性を制御することが可能である。また、X方向、Y方向における第2の樹脂19bの厚さを変えて、指向性を制御しても良い。本実施形態に用いるLED14は、例えば、サファイア基板上に積層された窒化ガリウムGaN等を含む半導体層を材料とする。そのチップ形状は、例えば、直方体であり、その上面にp電極14aおよびn電極14bが設けられる。LED14は、p電極14aとn電極14bとの間に駆動電流を流すことにより、例えば、青色の光を放射する。LED14は、リードフレーム11の表面に被着されたダイマウント材13を介して固着される。本実施形態に係るLED14では、活性領域発光部と、LEDチップの裏面と、の間が、絶縁性基板サファイア基板により電気的に分離される。したがって、ダイマウント材13は、導電性であっても絶縁性であっても良い。ダイマウント材13には、例えば、銀ペースト、または、透明樹脂ペーストからなる接着剤を用いる。一方、ZD16の固着には、例えば、チップ裏面のシリコン面と、フレーム表面と、の間にシリサイドを形成して結合させる共晶マウントを用いる。このため、ダイボンディングの温度が高温となり、例えば、外囲器が予め形成されているフレームを用いた場合に、外囲器を構成する樹脂が変成して反射率が低下し、光出力が低下することがある。これに対し、本実施形態では、リードフレーム11および12にLED14およびZD16を固着させてから外囲器を形成する。これにより、ZD16を高温でリードフレーム12に固着させることができる。また、銀ペーストまたは接着剤に代えて、ハンダもしくは共晶ハンダを用いて発光素子14を固着させることもできる。さらに、ZD16に代えて、他の周辺部品を用いる場合にも、高温のボンディングが可能となる。すなわち、リードフレーム11およびリードフレーム12の少なくともいずれかに、LED14よりも高温で固着される部品を用いることができる。次に、図2~図4、図9、図10を参照して、半導体発光装置100の製造方法について説明する。図2a~図4bは、半導体発光装置100の製造過程を模式的に例示する断面図である。図9は、半導体発光装置100のリードフレームを例示する模式図である。図4a~cは、真空成形の過程を模式的に例示する断面図である。まず、図2aに示すように、リードフレーム11の表面にLED14、リードフレーム12表面にZD16を固着する。そして、それぞれの電極とリードフレーム11および12との間に金属ワイヤ17をボンディングする。図2~図4および図9では、簡単のために、ZD16、および、LED14とリードフレーム11とを接続する金属ワイヤ17bを省略している。リードフレーム11および12は、例えば、銅製の金属プレート23に形成される。図9aに示すように、金属プレート23には、例えば、3つのブロックBが設定される。各ブロックBには、例えば、1000個程度のペアフレームPリードフレーム11および12が形成される。図9bに示すように、ペアフレームPは、各ブロックBにおいて、マトリクス状に配列される。隣り合うペアフレームPの間は、格子状のダイシング領域Dとなる。このようなフレームパターンは、例えば、金属プレート23を選択エッチングすることにより製作される。また、プレス加工を用いて形成することもできる。各ペアフレームPは、相互に離隔したリードフレーム11および12を含む。そして、複数のリードフレーム11と、複数のリードフレーム12とが、X方向に交互に配置される。ダイシング領域Dでは、隣り合うペアフレームPが、連結部吊ピン23a~23eにより接続されている。例えば、図9bの中央に位置する1つのペアフレームPに着目すれば、リードフレーム11は、そのペアフレームPから見て-X方向に位置する隣のペアフレームPのリードフレーム12に、連結部23aおよび23bを介してつながっている。一方、Y方向では、隣り合うペアフレームPに含まれるリードフレーム11が、連結部23cおよび23dを介してつながっている。同様に、Y方向において、隣り合うペアフレームPに含まれるリードフレーム12は、連結部23eを介してつながっている。また、連結部23a~23eは、金属プレート23の裏面23B第2の主面の側からハーフエッチングすることにより、リードフレーム11および12よりも薄く形成される。例えば、リードフレーム11および12の半分の厚さに加工される。次に、図2bに示すように、金属プレート23の表面23A第1の主面の側に第1の樹脂19aを成形し、LED14およびZD16と、リードフレーム11と、リードフレーム12と、を覆う。図10a~cに、第1の樹脂19aの成形過程を示す。まず、図10aに示すように、金属プレート23の裏面に、ポリイミドからなる補強シート24を貼着し、補強シート24を介して上金型102の係合面下面に取り付ける。上金型102に対応する下金型101は、係合面上面に凹部101aを有する。そして、その凹部101aに、第1の樹脂19aとなる樹脂材料26を充填する。第1の樹脂19aには、例えば、シリコーンを主成分とする樹脂を用いる。また、樹脂材料26には、所定の蛍光体を分散させることができる。例えば、透明なシリコーン樹脂に蛍光体を混合し撹拌することにより、液状または半液状の蛍光体を含む樹脂材料26を調製する。蛍光体を透明なシリコーン樹脂に混合する場合、チキソトロープ剤を用いて均一に分散させる。そして、凹部101aに、ディスペンサを用いて蛍光体が分散された樹脂材料26を充填する。次に、図10bに示すように、上金型102と下金型101とを型締めする。これにより、金属プレート23の表面に樹脂材料26を付着させる。この際、LED14およびZD16、金属ワイヤ17、リードフレーム11および12を、樹脂材料26が隙間無く均一に覆うように、上金型102と下金型101との間は真空排気される。前述したように、隣り合うリードフレーム11およびリードフレーム12をつなぐ連結部23a~23eは、第1の樹脂19aが充填される側の表面23Aとは反対の裏面23Bにおいて、リードフレーム11および12の半分の厚さに加工される。このため、第1の樹脂19aが連結部23a~23eの裏面側に回り込んで成形され、リードフレーム11および12と、第1の樹脂19aとの間の接着強度を向上させる。次に、金型の温度を上昇させて樹脂材料26を硬化させた後、図10cに示すように、上金型102と、下金型101と、を開き、第1の樹脂19aを凹部101aから離型させる。続いて、金属プレート23を上金型102から外し、その裏面から補強シート24を引き剥がす。これにより、金属プレート23の表面23Aに第1の樹脂19aを成形することができる。次に、第1の樹脂19aの表面に、ダイシングシート34を貼着し、金属プレート23の裏面23B第2の主面から補強シート24を剥がす。続いて、図3aに示すように、金属プレート23の裏面側からダイシング領域Dに沿って、連結部23a~23eと、第1の樹脂19aと、を分断し、樹脂パッケージ18の外周に沿った溝25を形成する。これには、例えば、ダイシングブレード29を用いることができる。次に、図3bに示すように、金属プレート23の分断された裏面に別のダイシングシート35を貼着し、第1の樹脂19aの表面からダイシングシート34を剥がす。これにより、金属プレート23は、表面23A第1の主面の側を上に向けた状態に移載される。次に、図4aに示すように、金属プレート23の表面23Aの側から、第1の樹脂19aと溝25とを覆う第2の樹脂19bを形成する。これにより、溝25の内部に第2の樹脂19bが充填される。この場合も、図10に示す真空成形法を用いることができる。第2の樹脂19bには、例えば、反射材として酸化チタンを含む白色の樹脂を用いる。さらに、第1の樹脂19aと第2の樹脂19bとの間の密着度を高くするために、第1の樹脂19aと第2の樹脂19bとが同じ材料を含むことが好ましい。第2の樹脂19bには、例えば、第1の樹脂19aと同じシリコーン樹脂を用いることができる。そして、反射材として、例えば、酸化チタンの微粉末が分散される。次に、図4bに示すように、第2の樹脂19bを溝25の中に残し、第1の樹脂19aの上面に形成された第2の樹脂19bを除去する。例えば、第2の樹脂19bを研磨もしくは研削し、第1の樹脂19aの表面を露出させる。続いて、図4cに示すように、溝25の延在方向に沿って、第2の樹脂19bを切断する。この場合、図3aに示すダイシングブレード29よりも幅の狭いダイシングブレード36を用いる。これにより、第1の樹脂19aの外縁を第2の樹脂19bで覆った樹脂パッケージ18を形成することができる。また、上記の工程において、ダイシングシート35拡張し、溝25の幅を広げて第2の樹脂19bを充填しても良い。これにより、第2の樹脂19bの幅を広げることができる。図5は、上記の製造方法で製作された半導体発光装置100の構造の詳細を例示する模式図である。図5aは平面図であり、図5bは正面図、図5cは側面図、図5dは底面図である。図5a~図5cに示すように、LED14が固着されたリードフレーム11と、ZD16が固着されたリードフレーム12と、を第1の樹脂19aが覆い、その外縁を覆う第2の樹脂19bが設けられる。LED14の光は、リードフレーム11および12と、第2の樹脂19bにより反射され、樹脂パッケージ18の上面18aから放射される。リードフレーム11および12と、第2の樹脂19bと、の間には、複数の連結部23a~23eが延在し、その間に第1の樹脂19aが充填される。さらに、図5bおよび図5cに示すように、第1の樹脂19aは、連結部23a~23eの裏面にも回り込み、第1の樹脂19aと、リードフレーム11および12と、の間の接着強度を向上させる。図5dに示すように、LEDが固着されたリードフレーム11の表面の反対側の裏面と、金属ワイヤ17がボンディングされたリードフレーム12の表面の反対側の裏面と、が樹脂パッケージ18の一つの面である裏面18bに露出する。そして、裏面18bに平行な平面視において、連結部吊りピン23a~23eを含むリードフレーム11およびリードフレーム12は、樹脂パッケージ18の外縁の内側に位置する。本実施形態では、連結部吊りピン23a~23eの端面が樹脂パッケージ18の側面に露出することはない。したがって、半導体発光装置100が回路基板に実装された時に、パッケージ全体が絶縁性樹脂で覆われる状態となる。このため、ショート故障を抑制することができ、半導体発光装置100および回路部品の高密度実装が可能となる。本実施形態では、外囲器付きの樹脂パッケージ18を、例えば、2回の真空成形により簡便に製作することが可能である。これにより、製造コストを低減することができる。また、発光素子およびその周辺部品を実装した後に樹脂パッケージ18が成形されるため、発光素子および周辺部品の高温実装が可能となる。これにより、発光素子および周辺部品と、リードフレームと、の間の固着強度を高くし、さらに、コンタクト抵抗を低減することが可能となる。これにより、半導体発光装置100の信頼性を向上させることができる。前述したように、第1の樹脂19aに蛍光体を分散させ、LED14から放射される光の波長を変換することもできる。例えば、第1の樹脂19aにシリケート系の蛍光体を分散させることにより、LED14から放射される青色の光の一部を吸収させ、黄色の蛍光を放射させる。これにより、半導体発光装置100は、LED14が放射した青色の光と、蛍光体から放射された黄色の光と、を混合した白色光を出射する。また、黄色の蛍光を発するシリケート系の蛍光体の他に、例えば、黄緑色、黄色またはオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体、YAG系の蛍光体、サイアロン系の赤色蛍光体および緑色蛍光体などを用いることができる。[第2実施形態]図6は、第2実施形態に係る半導体発光装置200を例示する模式図である。図6aは平面図であり、図6bは正面図、図6cは側面図、図6dは底面図である。半導体発光装置200では、その樹脂パッケージ28において、リードフレーム11の表面に対して平行な切断面における第1の樹脂19aの断面積は、リードフレーム11の表面から第1の樹脂19aのリードフレーム11とは反対の表面の方向に向けて拡大している。すなわち、図6a~cに示すように、第1の樹脂19aの側の第2の樹脂19bの内面19cが傾斜するように設けられる。これにより、LED14から放射された光が、樹脂パッケージ28の上面28aの方向に反射され、半導体発光装置200の光出力を向上させる。また、図5dに示すように、本実施形態でも、LEDが固着されたリードフレーム11の裏面と、リードフレーム12の裏面と、が樹脂パッケージ28の裏面28bに露出する。そして、裏面28bに平行な平面視において、連結部吊りピン23a~23eを含むリードフレーム11およびリードフレーム12は、樹脂パッケージ28の外縁の内側に位置する。すなわち、樹脂パッケージ28の側面に連結部吊りピンの端面が露出することはない。次に、図7および図8を参照して、半導体発光装置200の製造過程を説明する。図7a~図8cは、各工程を模式的に例示する断面図である。なお、図7に示す工程の前は、図2に示す工程と同じである。本実施形態では、図7aに示すように、先端に向けて幅が狭くなるテーパ形状のダイシングブレード44を用いて、金属プレート23および第1の樹脂19aを分断する。これにより、金属プレート23からダイシングシート34の方向に、幅が狭まる溝45を形成することができる。溝45は、樹脂パッケージ28の外周に沿って形成される。次に、図7bに示すように、金属プレート23の裏面に別のダイシングシート35を貼着し、第1の樹脂19aの表面からダイシングシート34を剥がす。これにより、金属プレート23は、表面側第1の主面側を上に向けた状態に移載される。次に、図8aに示すように、金属プレート23の表面側から、第1の樹脂19aと溝25とを覆う第2の樹脂19bを形成する。この際、真空成形法を用いることにより、溝45の幅の狭まった側から、その内部に第2の樹脂19bを充填することができる。次に、図8bに示すように、第2の樹脂19bを溝25の中に残し、第1の樹脂19aの上面に形成された前記第2の樹脂を除去する。例えば、第2の樹脂19bを研磨もしくは研削し、第1の樹脂19aの表面を露出させる。続いて、図8cに示すように、溝25の延在方向に沿って、第2の樹脂19bを切断する。これにより、第1の樹脂19aの外縁を第2の樹脂19bで覆った樹脂パッケージ28を形成することができる。本実施形態においても、ダイシングシート35拡張し、溝45の幅を広げて第2の樹脂19bを充填しても良い。これにより、第2の樹脂19bの幅を広げることができる。以上、第1および第2実施形態に係る半導体発光装置およびその製造方法について説明したが、実施形態は上記の例に限定される訳ではなく、他の方法を用いることも可能である。例えば、樹脂パッケージの外周に設けられた溝に第2の樹脂を充填する際に、スクリーン印刷やディスペンサなどを用いることが可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。