"真空容器と、前記真空容器内に配置され、表面に凸部を有しており、ウェハを吸着する吸着口を有しており、かつ加熱手段を有するステージと、を有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記ステージを加熱した状態において、前記ステージ上にウェハを載置し、前記真空容器内の圧力を第1の圧力に設定した上で、第1の時間保持する初期工程と、前記初期工程の後、前記ステージを加熱した状態において、前記真空容器内の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力に上げて前記ウェハを加熱する加熱工程と、を備える半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記初期工程において、前記第1の圧力を、前記ウェハを前記ステージ上に載置してから5秒後までの前記ウェハの平均の昇温速度が0.2°C/秒以下となるように設定する半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、前記初期工程において、前記真空容器内の圧力と、前記吸着口内の圧力の圧力差を、前記ウェハが前記凸部上でスライドしない最小値となる値にする半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、予め、前記半導体製造装置における前記ウェハの処理条件において、前記ウェハを前記ステージに載置したときに当該ウェハが前記凸部上でスライドするか否かを、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を変化させて調べ、この調べた結果に基づいて、前記圧力差の設定値を決めておき、その後、前記初期工程及び前記加熱工程を、複数の前記ウェハに対して繰り返し行い、前記初期工程において、前記圧力差を前記設定値に設定する半導体装置の製造方法。請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、前記初期工程において、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を、400Pa以上665Pa以下にする半導体装置の製造方法。請求項3~5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記加熱工程において、前記真空容器内の圧力と前記吸着口内の圧力の圧力差を、前記初期工程における値の100以上120以下の値にする半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、前記加熱工程における前記圧力差を、前記初期工程における値に等しくする半導体装置の製造方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記初期工程において、前記ステージを300°C以上にする半導体装置の製造方法。請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の時間は、2秒以上15秒以下である半導体装置の製造方法。請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記加熱工程の後に、前記ウェハ上に成膜処理を行う半導体装置の製造方法。請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記加熱工程の後に、前記ウェハ上にドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法。本発明者は、吸着口及び凸部を有するステージを有する半導体製造装置でウェハを処理した場合、ウェハに割れが生じる場合があることに気がついた。そして本発明者は、その原因を検討した結果、ウェハの裏面に、ステージの凸部に起因した傷が発生し、その傷を起点としてウェハが割れると考えた。そこで本発明者は、半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生しないようにすることを検討した。本発明によれば、真空容器と、前記真空容器内に配置され、表面に凸部を有しており、ウェハを吸着する吸着口を有しており、かつ加熱手段を有するステージと、を有する半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記ステージを加熱した状態において、前記ステージ上にウェハを載置し、前記真空容器内の圧力を第1の圧力に設定した上で、第1の時間保持する初期工程と、前記初期工程の後、前記ステージを加熱した状態において、前記真空容器内の圧力を、前記第1の圧力よりも高い第2の圧力に上げて前記ウェハを加熱する加熱工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、過熱されたステージ上にウェハを載置した後に、真空容器内の圧力を第1の圧力に設定する。そして加熱工程では、真空容器内の圧力を、第1の圧力よりも高い第2の圧力に設定する。このため、第1の圧力を低くすることにより、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制できる。また、加熱工程では、真空容器内の圧力を高くすることにより、ウェハの全体を短い時間で加熱することができる。このため、半導体装置の生産性が低下することを抑制できる。本発明によれば、半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この図に示す方法は、絶縁膜20上に導体膜30を形成する方法である。まず、半導体ウェハ10を半導体製造装置の真空容器内に導入し、ステージ上に載置する。図1aに示すように、半導体ウェハ10には、予め絶縁膜20及び凹部22が形成されている。絶縁膜20は、複数の絶縁膜が積層された積層構造を有していても良い。そして凹部22の底面は、積層された絶縁膜の界面に位置していてもよい。なお、凹部22は、例えばトレンチ構造を有するキャパシタを形成するための凹部であってもよいし、ビアを埋め込むための凹部であってもよい。後者の場合、凹部22は、ビアが埋め込まれる配線層間絶縁膜においては貫通孔になる。また後者の場合、凹部22は、デュアルダマシン法における配線溝及びビアホールが一体に形成されたものであってもよい。次いで、凹部22の底面、側壁、及び絶縁膜20の上面上に、導体膜30を形成する。導体膜30は、CVD法により形成されても良いし、ALD法により形成されても良い。導体膜30は、例えばTiNなどの金属膜である。凹部22がキャパシタを形成するための凹部である場合、導体膜30は、キャパシタの下部電極である。また凹部22がビアを埋め込むための凹部である場合、導体膜30は、バリアメタル膜になる。その後、絶縁膜20の上面上に形成された導体膜30のうち、不要な部分を除去する。図2は、図1に示した工程で使用される半導体製造装置の構成を示す図である。この半導体製造装置は、真空容器100及びステージ140を有している。ステージ140は、真空容器100の内部に配置されている。ステージ140はヒータなどの加熱手段146を内蔵している。加熱手段146の出力は、ステージ140の温度が一定値になるように制御される。この制御は、後述する制御部400が行っても良い。またステージ140は、凸部141,142及び吸着口144を有している。半導体ウェハ10は、凸部141,142上に載置される。吸着口144は、半導体ウェハ10をステージ140に吸着するために設けられており、配管230を介して真空ポンプ300に接続している。配管230には、流量制御部232,234が設けられており、流量制御部232,234により、吸着口144からの排気量が制御される。また配管230のうち流量制御部232と流量制御部234の間には、流量制御部236を介して配管238が接続している。配管238は、流量制御部234を介して配管230に不活性ガス例えば希ガスを導入する。真空容器100の中には、ステージ140のほかに、シャワーヘッド120が設けられている。本明細書では、ガスを真空容器100内に導入する部材であって、ガス導入口が一つ又は複数設けられているものを総称したものをシャワーヘッドと呼ぶ。シャワーヘッド120は、半導体ウェハ10を処理するためのプロセスガスを真空容器100の内部に導入する。シャワーヘッド120は、配管210を介してプロセスガスが供給される。配管210には流量制御部212が設けられている。流量制御部212により、真空容器100内へのプロセスガスの供給量が制御される。また、真空容器100は、配管220を介して真空ポンプ300に接続している。配管220には、流量制御部222及びスロットルバルブ224が設けられている。流量制御部222及びスロットルバルブ224により、真空容器100からの排気量が制御される。なお、真空容器100内の圧力P1は圧力計102により測定され、吸着口144内の圧力P2は圧力計104により測定される。また、流量制御部212,222,232,234,236、及びスロットルバルブ224は、制御部400により制御されている。圧力計102,104の測定値は、制御部400に出力される。制御部400は、これらを制御することにより、真空容器100内の圧力P1、及び吸着口144内の圧力P2を所望の値に制御する。制御部400が圧力P1,P2をどのタイミングでどの値に制御するかは、フローチャート等を用いて後述する。図3は、ステージ140の凸部141,142のレイアウトの一例を示す平面図である。本図では、吸着口144を省略している。凸部141は、ステージ140の縁の全周に添って設けられている。また凸部142は、41の内側の領域の全面にわたって、複数互いに離間して設けられている。凸部141と凸部142の高さは、互いに等しい。言い換えると、ステージ140は、凸部141,142を除いて窪んでおり、この窪んでいる領域が吸着口144に繋がっている。次に、図4を用いて、図2に示した半導体製造装置を用いて導体膜30を形成する方法を説明する。ステージ140は、予め所定の温度に加熱されている。この所定の温度は、300°C以上、好ましくは340°C以上である。導体膜30としてTiN膜を形成する場合、ステージ140は、340°C以上400°C以下の間の所定の間の温度に維持される。ステージ140が加熱されている状態で、半導体ウェハ10は、ステージ140上に載置されるステップS10。半導体ウェハ10は、例えば直径が300mmのシリコンウェハである。ただし半導体ウェハ10は、直径が200mmのシリコンウェハであってもよいし、直径が6インチのシリコンウェハであってもよい。そして、制御部400は、真空容器100内の圧力P1を第1の圧力に設定し、吸着口144内の圧力P2を所定の圧力に設定する。これにより、真空容器100内の圧力P1と、吸着口144内の圧力P2との差圧P3は、設定値に制御されるステップS20。この設定値は、予め定められている。この設定値を決定する処理は、図4に示す処理とは別に行われるが、この詳細については後述する。半導体ウェハ10は、真空容器100内の圧力P1と、吸着口144内の圧力P2との差圧P3によって、ステージ140に押し付けられる。このとき、差圧P3が小さいほど、半導体ウェハ10の裏面には傷が付きにくいと考えられる。一方、差圧P3が小さすぎると、半導体ウェハ10を処理している途中で半導体ウェハ10が凸部141,142上でスライドする可能性が出てくる。本実施形態では、差圧P3を、半導体ウェハ10が凸部141,142上でスライドしない最小の値に設定される。この差圧P3の最小値は、例えば3Torr以上5Torr以下、すなわち400Pa以上665Pa以下である。ただし、差圧P3は、この最小の値の1倍超1.5倍以下の値であっても良い。この状態で、半導体ウェハ10は第1の時間放置されるステップS30。これにより、半導体ウェハ10は加熱される初期工程。本発明者が検討した結果、半導体ウェハ10の裏面のうち傷が形成されうる部分は、凸部141,142が接する部分と一致していることが判明した。そして本発明者が検討した結果、後述するように、初期工程における真空容器100の圧力P1が高いと、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生し、圧力P1が低くなるにつれて、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生することが抑制されるようになることが判明した。この理由は定かではないが、以下のように推定することができる。本発明者が検討した結果、図7に示すように、半導体ウェハ10の昇温速度は、圧力P1が高いほど速くなる。このため、圧力P1が低くなるにつれて半導体ウェハ10の裏面に傷が発生することを抑制できるのは、半導体ウェハ10の昇温速度が低くなるためと考えられる。特に本実施形態では、ステージ140は予め定められた温度に加熱されている。このため、半導体ウェハ10をステージ140に載置した直後において、半導体ウェハ10のうち凸部141,142に接する部分は、局所的に他の部分よりも急速に熱膨張する。このため、初期工程において圧力P1を高くすると、半導体ウェハ10の裏面に傷が特に発生しやすくなると考えられる。そこで本実施形態では、圧力P1の設定値である第1の圧力を、ある程度低くする。例えば第1の圧力は、半導体ウェハ10をステージ140上に載置してから5秒後までの半導体ウェハ10の平均の昇温速度が0.2°C/秒以下となるように設定される。なお、第1の時間は、例えば1秒以上15秒以下である。初期工程の条件では半導体ウェハ10の昇温速度を遅くしているため、第1の時間を長くしすぎると、半導体ウェハ10の処理時間が長くなりすぎてしまう。この場合、半導体装置の製造コストが上昇する。また、第1の時間が短すぎると、初期工程を設定した効果が得られず、半導体ウェハ10の裏面における傷の発生を抑制できないと考えられる。第1の時間が経過した後、制御部400は、真空容器100内の圧力P1を、第1の圧力よりも高い第2の圧力に上げるステップS40。これにより、半導体ウェハ10の昇温速度は速くなる加熱工程。この状態で第2の時間経過させステップS50、半導体ウェハ10が所定の温度まで加熱される。その後、シャワーヘッド120から成膜用のプロセスガスが導入され、半導体ウェハ10に成膜処理が行われるステップS60。なお、ステップS20~ステップS50までの間は、加熱処理用のプロセスガスが、シャワーヘッド120から真空容器100内に導入されている。第2の圧力は、例えば5Torr以上15Torr以下、すなわち665Pa以上2000Pa以下である。また第二の圧力は、例えば第1の圧力の1倍超3.75倍以下であってもよい。なお、加熱工程において、真空容器100内の圧力P1とともに、吸着口144内の圧力P2も上げるのが好ましい。これにより、圧力P1と圧力P2の差圧P3が必要以上に上昇して半導体ウェハ10が凸部141,142に必要以上に強い力で押し付けられることを抑制できる。これにより、半導体ウェハ10の裏面に傷が付くことをさらに抑制できる。なお制御部400は、加熱工程における差圧P3を、例えば初期工程における差圧P3の100以上120以下、好ましくは初期工程における差圧P3と等しい値にする。図5は、図4の変形例を示すフローチャートである。本実施形態では、ステップS50の時間を図4よりも短くした上で、さらに真空容器100内の圧力P1を、第2の圧力よりも高い第3の圧力に上げるステップS52。これにより、半導体ウェハ10の昇温速度はさらに速くなる第2の加熱工程。この状態で第3の時間経過させるステップS54。このようにすると、半導体ウェハ10が所定の温度まで加熱されるまでの時間が短くなる。そして、半導体ウェハ10が所定の温度まで加熱された後、シャワーヘッド120から成膜用のプロセスガスが導入され、半導体ウェハ10に成膜処理が行われるステップS60。なお、ステップS20~ステップS54までの間は、加熱処理用のプロセスガスが、シャワーヘッド120から真空容器100内に導入されている。図6は、図4及び図5のステップS20における、真空容器100内の圧力P1と吸着口144内の圧力P2の差圧P3の設定値を決定する処理を示すフローチャートである。ステージ140上に半導体ウェハ10が載置される。そして制御部400は、真空容器100における各種の条件を図4のステップS60で適用される条件に設定する。そして、以下のステップS120~ステップS150に示す処理が行われる。まず制御部400は、差圧P3をある値に設定するステップS120。そしてしばらく放置した上で、半導体ウェハ10が凸部141,142上でスライドするか否かを判断するステップS130。ステップS130に示す処理は、例えば半導体製造装置が有するスライド検出用のセンサを用いて行われる。そして、調査対象となっている差圧P3の全範囲を調査するステップS140まで、差圧P3を変更しつつステップS150、ステップS120及びステップS130に示した処理を行う。その後、ステップS130で得られたデータに基づいて、差圧P3の設定値を決定するステップS160。この設定値は、例えば、上記したように、半導体ウェハ10が凸部141,142上でスライドしない最小値に設定される。ただし、差圧P3の設定値は、この最小値の1倍超1.5倍以下の値に設定されても良い。なお、図4又は図5に示した工程は、図6に示した工程が行われて差圧P3の設定値が決まった後、半導体ウェハ10を取り替えつつ複数回繰り返される。図8は、真空容器100内の圧力P1と、半導体ウェハ10の裏面に観察された傷ダメージ痕の数の関係を示している。ここで傷は、このグラフから明らかなように、圧力P1が30Torrの場合、傷の数は多い。一方、圧力P1が15Torrの場合、圧力P1が30Torrの場合と比較して傷の数は少なくなった。さらに、圧力P1が8Torr及び4Torrの場合、傷は発生していなかった。なお、吸着口144の圧力P2は、1Torrとした。図9は、半導体ウェハ10をステージ140の凸部141,142上に載置してから5秒後までの半導体ウェハ10の平均の昇温速度と、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。なお、ステージ140の温度は、上記した範囲のうちの一定の温度に設定されている。そして昇温速度は、図7に示したように真空容器100の圧力P1を変えることにより変更されている。この図から、初期工程における真空容器100の圧力P1が、半導体ウェハ10をステージ140に載置してから5秒後までの半導体ウェハ10の平均の昇温速度が0.2°C/秒以下の場合、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生しないか、発生していたとしても問題がない程度であることが判明した。図10は、初期工程における真空容器100の圧力P1と、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生したか否かの関係を示す図である。なお、真空容器100の圧力P1と吸着口144内の圧力P2の差圧P3は、いずれも3Torr以上5Torr以下であり、かつ同一の値になっている。この図から、真空容器100の圧力P1が15Torr未満の場合、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生することが抑制されることが判明した。さらにこの図から、真空容器100の圧力P1が8Torr以下の場合、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生しないか、発生していたとしても問題がない程度であることが判明した。なお図9及び図10において、○は、半導体ウェハ10の裏面に傷が確認できなかった場合を示しており、△は、半導体ウェハ10の裏面に傷は生じていたが問題がない程度であった場合を示しており、×は、半導体ウェハ10の裏面に傷が生じており問題がある場合を示している。また、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生するか否かは、初期工程が10秒以上の場合、初期工程の時間によらなかった。以上、本実施形態によれば、半導体ウェハ10をステージ140上に載置して昇温するときに、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生することを抑制できる。第2の実施形態図11は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この半導体装置の製造方法は、絶縁膜20に凹部24を形成する工程を含んでいる。まず図11aに示すように、半導体ウェハ10上に絶縁膜20を形成する。次いで絶縁膜20上に、マスクパターン40例えばレジストパターンを形成する。次いで図11bに示すように、マスクパターン40をマスクとして、絶縁膜20をドライエッチングする。これにより、凹部24が形成される。なお、凹部24は、例えば、配線溝、ビアホール、コンタクトホール、または容量素子を埋め込むためのトレンチである。図11に示した工程に用いられる半導体製造装置は、図2に示した半導体製造装置と同様の構成を有している。ただし、シャワーヘッド120及びステージ140は、プラズマを生成するための電極としても機能する。そして、半導体ウェハ10は、第1の実施形態と同様の方法を用いて、ステージ140によって所定の温度まで加熱される。本実施形態によっても、半導体ウェハ10をステージ140上に載置して昇温するときに、半導体ウェハ10の裏面に傷が発生することを抑制できる。実施例1図4のステップS20における真空容器100内の圧力P1を4Torrとして、吸着口144内の圧力P2を1Torrとした。ステップS30における第1の時間を10秒とした。ステップS40における昇圧後において、真空容器100内の圧力P1を10Torrとして、吸着口144内の圧力P2を7Torrとした。ステップS50における第2の時間を30秒とした。また、ステップS20~ステップS50の間のシャワーヘッド120から真空容器100に流すガスの流量を7000sccmとした。この条件では、図4のステップS60の処理を行った後でも、半導体ウェハ10に割れは生じなかった。実施例2図5のステップS20における真空容器100内の圧力P1を4Torrとして、吸着口144内の圧力P2を1Torrとした。ステップS30における第1の時間を10秒とした。ステップS40における昇圧後において、真空容器100内の圧力P1を10Torrとして、吸着口144内の圧力P2を7Torrとした。ステップS50における第2の時間を10秒とした。また、ステップS52における昇圧後において、真空容器100内の圧力P1を30Torrとして、吸着口144内の圧力P2を10Torrとした。ステップS54における第3の時間を8秒とした。また、ステップS20~ステップS54の間のシャワーヘッド120から真空容器100に流すガスの流量を7000sccmとした。この条件では、図5のステップS60の処理を行った後でも、半導体ウェハ10に割れは生じなかった。以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。"