"A酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、B電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程1、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程2、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程4をこの順番で有する、パターン形成方法。前記低分子化合物Bの含有率が、前記組成物の全固形分を基準として21~70質量である、請求項1に記載のパターン形成方法。前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下である、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記低分子化合物Bが、酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを有する、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xが下記一般式I-1~I-6のいずれかにより表される、請求項4に記載のパターン形成方法。一般式I-1中、R1は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2は、1価の有機基を表す。R1の一方とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-2中、R3は、各々独立に、1価の有機基を表す。2つのR3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-3中、R4は、水素原子又は1価の有機基を表す。R5は、各々独立に、1価の有機基を表す。R5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、R5の一方とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-4中、R6は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。2つのR6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R6のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R6のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。一般式I-5中、R7は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R7は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-6中、R8は、それぞれ独立に、1価の有機基を表す。2つのR8が結合して、環を形成してもよい。一般式I-1~I-6中、は結合手を表す。前記低分子化合物Bが、カチオン部に、酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを有するイオン性化合物である、請求項4又は5に記載のパターン形成方法。前記低分子化合物Bが下記一般式II-1~II-3のいずれかにより表される、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式II-1中、R1dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Q1は、単結合又は2価の連結基を表す。B1は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB1-Q1で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l1は、各々独立に、0~5の整数を表す。m1は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、複数のm1及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。一般式II-2中、R2dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR2dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R15dは、各々独立に、アルキル基を表す。2つのR15dは、互いに結合して、環を形成していても良い。Q2は、単結合又は2価の連結基を表す。B2は酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB2-Q2で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。nは0又は1を表す。l2は、各々独立に、0~5の整数を表す。m2は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m2及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。一般式II-3中、R3dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR3dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R6d、R7dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6d、R7dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rdx、Rdyは、各々独立に、アルキル基を表す。Rdx、Rdyは、互いに結合して、環を形成していても良い。Q3は、単結合又は2価の連結基を表す。B3は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB3-Q3で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l3は、各々独立に、0~5の整数を表す。m3は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m3及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。前記部位Xが、酸の作用により分解しアルコール性ヒドロキシル基を生じる部位X’である、請求項4~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記低分子化合物Bが下記一般式II-4又はII-5で表される化合物である、請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。上記一般式中、Xは、それぞれ独立に、対カチオンを表す。Rfは、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基を表す。Xf1、Xf2は、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R11、R12、R21、R22は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表し、複数存在する場合のR11、R12、R21、R22は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1、L2は、それぞれ独立に、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1、L2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Cy1、Cy2は、それぞれ独立に、環状の有機基を表す。ただし、Xf1、R11、R12、L1及びCy1の少なくともいずれかは、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有する基により置換されている。Xf2、R21、R22、L2、Cy2及びRfの少なくともいずれかは、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有する基により置換されている。x1、x2は、それぞれ独立に、1~20の整数を表す。y1、y2は、それぞれ独立に、0~10の整数を表す。z1、z2は、それぞれ独立に、0~10の整数を表す。前記低分子化合物Bが下記一般式IIIで表される化合物である、請求項1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。式中、A-は有機酸アニオンを表す。Yは2価の連結基を表す。Xは、対カチオンを表す。Bは酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位を表す。前記樹脂Aが、更に、極性基を有する繰り返し単位を有する、請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。半導体微細回路作成用である、請求項1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物。請求項13に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。請求項1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項15に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、電子線あるいは極紫外線EUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供することにある。すなわち本発明は以下の通りである。1A酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、B電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程1、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程2、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程4をこの順番で有する、パターン形成方法。2前記低分子化合物Bの含有率が、前記組成物の全固形分を基準として21~70質量である、上記1に記載のパターン形成方法。3前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下である、上記1又は2に記載のパターン形成方法。4前記低分子化合物Bが、酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを有する、上記1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。5前記酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xが下記一般式I-1~I-6のいずれかにより表される、上記4に記載のパターン形成方法。一般式I-1中、R1は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2は、1価の有機基を表す。R1の一方とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-2中、R3は、各々独立に、1価の有機基を表す。2つのR3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-3中、R4は、水素原子又は1価の有機基を表す。R5は、各々独立に、1価の有機基を表す。R5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、R5の一方とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-4中、R6は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。2つのR6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R6のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R6のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。一般式I-5中、R7は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R7は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-6中、R8は、それぞれ独立に、1価の有機基を表す。2つのR8が結合して、環を形成してもよい。一般式I-1~I-6中、は結合手を表す。6前記低分子化合物Bが、カチオン部に、酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを有するイオン性化合物である、上記4又は5に記載のパターン形成方法。7前記低分子化合物Bが下記一般式II-1~II-3のいずれかにより表される、上記1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。一般式II-1中、R1dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Q1は、単結合又は2価の連結基を表す。B1は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB1-Q1で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l1は、各々独立に、0~5の整数を表す。m1は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、複数のm1及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。一般式II-2中、R2dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR2dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R15dは、各々独立に、アルキル基を表す。2つのR15dは、互いに結合して、環を形成していても良い。Q2は、単結合又は2価の連結基を表す。B2は酸の作用により分解してヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB2-Q2で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。nは0又は1を表す。l2は、各々独立に、0~5の整数を表す。m2は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m2及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。一般式II-3中、R3dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR3dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R6d、R7dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6d、R7dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rdx、Rdyは、各々独立に、アルキル基を表す。Rdx、Rdyは、互いに結合して、環を形成していても良い。Q3は、単結合又は2価の連結基を表す。B3は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB3-Q3で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l3は、各々独立に、0~5の整数を表す。m3は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m3及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。8前記部位Xが、酸の作用により分解しアルコール性ヒドロキシル基を生じる部位X’である、上記4~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。9前記低分子化合物Bが下記一般式II-4又はII-5で表される化合物である、上記1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。上記一般式中、Xは、それぞれ独立に、対カチオンを表す。Rfは、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基を表す。Xf1、Xf2は、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R11、R12、R21、R22は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表し、複数存在する場合のR11、R12、R21、R22は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1、L2は、それぞれ独立に、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1、L2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Cy1、Cy2は、それぞれ独立に、環状の有機基を表す。ただし、Xf1、R11、R12、L1及びCy1の少なくともいずれかは、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有する基により置換されている。Xf2、R21、R22、L2、Cy2及びRfの少なくともいずれかは、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有する基により置換されている。x1、x2は、それぞれ独立に、1~20の整数を表す。y1、y2は、それぞれ独立に、0~10の整数を表す。z1、z2は、それぞれ独立に、0~10の整数を表す。10前記低分子化合物Bが下記一般式IIIで表される化合物である、上記1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。式中、A-は有機酸アニオンを表す。Yは2価の連結基を表す。Xは、対カチオンを表す。Bは酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位を表す。11前記樹脂Aが、更に、極性基を有する繰り返し単位を有する、上記1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。12半導体微細回路作成用である、上記1~11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。13上記1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物。14上記13に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。15上記1~12のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。16上記15に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明によれば、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書において光とは、極紫外線EUV光のみならず、電子線も含む。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、極紫外線EUV光による露光のみならず、電子線による描画も露光に含める。[パターン形成方法]まず、本発明のパターン形成方法を説明する。本発明のパターン形成方法は、A酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、B電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程1、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程2、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程4をこの順番で有する。上記の本発明のパターン形成方法によれば、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。その理由は定かではないが、以下のように推定される。先ず、酸分解性繰り返し単位を有する樹脂を含有するレジスト膜に対して、電子線又は極紫外線により露光を行うパターン形成方法においては、光すなわち、電子線又は極紫外線が、レジスト膜中に存在する、二次電子を発生可能な部位典型的には、極性度又は酸性度が他の部位よりも高い部位に照射される。次いで、上記部位から発生した二次電子が酸発生剤を分解して酸を発生させることにより、露光部において、酸と樹脂との反応が行われる。ここで、上記のレジスト膜を露光後、アルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成する場合においては、二次電子を発生可能な部位上記したように、典型的には、極性度や酸性度が高い部位をレジスト膜中に高い含有率で存在させると、露光部における酸と樹脂との反応効率は高くても、元々のレジスト膜の極性度や酸性度が高くなるため、未露光部までもがアルカリ現像液に溶けやすくなり、パターンの解像性等に悪影響を及ぼす傾向となる。そのため、アルカリ現像液によるポジ型のパターンを形成する場合においては、レジスト組成物において、二次電子を発生可能な部位の含有率を抑制するような処方とする必要があるものと考えられる。しかしながら、本発明者らは、電子線又は極紫外線により露光を行い、有機溶剤を含む現像液以下、有機系現像液とも言うによりネガ型のパターンを形成する系が、感度を向上させるために、レジスト膜中の二次電子を発生可能な部位の含有率を高くしても、未露光部の有機系現像液に対する溶解速度が充分に高く、良好な解像性が得られる系であることを見出した。これは、元々のレジスト膜は、樹脂を主成分としており、有機系現像液との親和性が高くすなわち、レジスト膜と有機系現像液との極性が近く、かつ有機系現像液の表面張力が小さいことから、レジスト膜に有機系現像液が浸透しやすく、上記の二次電子を発生可能な部位の含有率の大小は、未露光部の有機系現像液に対する溶けやすさに大きな影響を与えないためと推測される。また、本発明においては、レジスト膜中に電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物Bが存在する。後述するように、低分子化合物Bは典型的には酸分解性基を有する化合物であり、低分子化合物Bの酸分解性基は極性が高い部位である。そのため、低分子化合物Bの酸分解性基は、上述の二次電子を発生可能な部位典型的には、極性度又は酸性度が他の部位よりも高い部位に相当し得るため、酸分解性基を有さない酸発生剤と比べ、酸分解性基を有する低分子化合物Bは高感度化に寄与するものと推定される。また、電子線又は極紫外線により露光を行うパターン形成方法は、極めて微細なパターン例えば、50nm以下の線幅を有するパターンを良好に形成できるものとして期待されている。しかしながら、例えば、線幅が50nm以下であり、かつ、線幅とスペース幅との比が1:1のラインアンドスペースパターンを形成する場合においては、現像時に形成された微細なスペース空間内には、より強い毛管力キャピラリーフォースが発生しやすく、上記スペース空間から現像液が排出される際には、この毛管力が、微細な線幅を有するパターンの側壁に掛かる。そして、アルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成する場合には、樹脂を主成分とするパターンとアルカリ現像液との親和性は低い傾向となるため、パターンの側壁に掛かる毛管力が大きく、パターンの倒れが発生しやすい。一方、本発明のように、有機系現像液によりネガ型のパターンを形成する場合、樹脂を主成分とするパターンと有機系現像液との親和性は高い傾向となるため、パターンの側壁に掛かる毛管力が小さく、パターンの倒れが発生しにくい。また、上記のように、レジスト膜は、樹脂を主成分としており、有機系現像液との親和性が高いことから、アルカリ現像液と比べて、レジスト膜に速やかに有機系現像液が浸透し、より速く現像が行われ得ることも、高感度化に寄与するものと推定される。更に、本発明においては、露光部において低分子化合物Bが酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少するため、パターンすなわち、露光部への有機系現像液の浸透が抑止され、パターンの強度が上がり、パターンの倒れがより発生しにくくなると考えられる。一方で、アルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成する場合には、系中に低分子化合物Bを含んでいたとしても、露光部はアルカリ現像液により除去されるため、低分子化合物Bを含むことの効果は無いだけでなく、パターンとなる未露光部に存在する低分子化合物Bの一部が、露光部から拡散してきた酸によって分解し、親水的になり、パターンすなわち、未露光部へのアルカリ現像液の浸透を促進し、パターンが膨潤することで、パターンの倒れがより発生しやすくなる。これにより、本発明によれば、パターン倒れを抑止することができるすなわち、パターン倒れ性能に優れるものと考えられる。また有機系現像液によりネガ型のパターンを形成する際に、露光光源としてArF露光装置を用いると、レジスト組成物へのArF光の吸収率が高いことから、パターンの底部への光照射量が不充分となる。従って、パターンの底部では光照射による反応すなわち、酸分解反応の進行が不充分となり、パターンの底部は有機系現像液に対し溶解し易いままとなる。結果、このような状態で有機系現像液による現像を行うと、パターンの底部が有機系現像液に対し溶解し易いことから、パターンはアンダーカット形状になるという問題があった。一方で、本発明においては、露光光源として電子線又は極紫外線EUV光露光装置を使用するものである。電子線及び極紫外線EUV光は、ArF光と比べて、同様のレジスト組成物へ露光した際のレジスト組成物への吸収率が低いことから、パターンの底部へも充分な量の光が照射される。これにより、本発明によれば、上述のようなアンダーカット形状になるという問題を改善できるものと考えられる。1製膜本発明のレジスト膜は、上記した感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物により形成される膜である。より具体的には、レジスト膜の形成は、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の後述する各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体基板に塗布して行うことができる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン、二酸化シリコン被覆上にスピンコーター等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。乾燥の段階では加熱プリベークを行うことが好ましい。膜厚には特に制限はないが、好ましくは10~500nmの範囲に、より好ましくは10~200nmの範囲に、更により好ましくは10~80nmの範囲に調整する。スピナーにより感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を塗布する場合、その回転速度は、通常500~3000rpm、好ましくは800~2000rpm、より好ましくは1000~1500rpmである。加熱プリベークの温度は60~200°Cで行うことが好ましく、80~150°Cで行うことがより好ましく、90~140°Cで行うことが更に好ましい。加熱プリベークの時間は、特に制限はないが、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更に感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。2露光露光は、極紫外線EUV光又は電子線EBにより行う。極紫外線EUV光を露光源とする場合、形成した該膜に、所定のマスクを通してEUV光13nm付近を照射することが好ましい。電子ビームEBの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。露光は、極紫外線を使用することが好ましい。3ベーク露光後、現像を行う前にベーク加熱を行うことが好ましい。加熱温度は60~150°Cで行うことが好ましく、80~150°Cで行うことがより好ましく、90~140°Cで行うことが更に好ましい。加熱時間は特に限定されないが、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。加熱温度及び加熱時間は上述の通りである。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。4現像本発明においては、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う。現像液現像液の蒸気圧混合溶媒である場合は全体としての蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機溶剤の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。現像液に用いられる有機溶剤としては、種々の有機溶剤が広く使用されるが、たとえば、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤等の溶剤を用いることができる。本発明において、エステル系溶剤とは分子内にエステル基を有する溶剤のことであり、ケトン系溶剤とは分子内にケトン基を有する溶剤のことであり、アルコール系溶剤とは分子内にアルコール性水酸基を有する溶剤のことであり、アミド系溶剤とは分子内にアミド基を有する溶剤のことであり、エーテル系溶剤とは分子内にエーテル結合を有する溶剤のことである。これらの中には、1分子内に上記官能基を複数種類有する溶剤も存在するが、その場合は、その溶剤の有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中の、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤いずれにも該当するものとする。また、炭化水素系溶剤とは置換基を有さない炭化水素溶剤のことである。特に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液であることが好ましい。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-エチル-3-メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2-エトキシブチルアセテート、4-エトキシブチルアセテート、4-プロポキシブチルアセテート、2-メトキシペンチルアセテート、3-メトキシペンチルアセテート、4-メトキシペンチルアセテート、2-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、4-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピオネート、プロピル-3-メトキシプロピオネート等を挙げることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ-ブチロラクトン等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、2-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール、3-メトキシ-1-ブタノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;別名1-メトキシ-2-プロパノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等の水酸基を含有するグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。これらの中でもグリコールエーテル系溶剤を用いることが好ましい。エーテル系溶剤としては、例えば、上記水酸基を含有するグリコールエーテル系溶剤の他、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の水酸基を含有しないグリコールエーテル系溶剤、アニソール、フェネトール等の芳香族エーテル溶剤、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、パーフルオロ-2-ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等が挙げられる。好ましくは、グリコールエーテル系溶剤、又はアニソールなどの芳香族エーテル溶剤を用いる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、2,2,4-トリメチルペンタン、2,2,3-トリメチルヘキサン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶剤、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、1-メチルプロピルベンゼン、2-メチルプロピルベンゼン、ジメチルベンゼン、ジエチルベンゼン、エチルメチルベンゼン、トリメチルベンゼン、エチルジメチルベンゼン、ジプロピルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。現像液における有機溶剤複数混合の場合は合計の濃度含有量は、現像液の全量に対して、好ましくは50質量以上100質量以下、より好ましくは70質量以上100質量以下、更に好ましくは90質量以上100質量以下である。特に好ましくは、実質的に有機溶剤のみからなる場合である。なお、実質的に有機溶剤のみからなる場合とは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤などを含有する場合を含むものとする。上記溶剤のうち、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びアニソールの群から選ばれる1種以上を含有することがより好ましい。現像液として用いる有機溶剤としては、エステル系溶剤を好適に挙げることができる。エステル系溶剤としては、後述する一般式S1で表される溶剤又は後述する一般式S2で表される溶剤を用いることがより好ましく、一般式S1で表される溶剤を用いることが更により好ましく、酢酸アルキルを用いることが特に好ましく、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチルを用いることが最も好ましい。R-C=O-O-R’一般式S1一般式S1に於いて、R及びR’は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。R及びR’は、互いに結合して環を形成してもよい。R及びR’についてのアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基の炭素数は、1~15の範囲であることが好ましく、シクロアルキル基の炭素数は、3~15であることが好ましい。R及びR’としては水素原子又はアルキル基が好ましく、R及びR’についてのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、及びRとR’とが互いに結合して形成する環は、水酸基、カルボニル基を含む基例えば、アシル基、アルデヒド基、アルコキシカルボニル等、シアノ基などで置換されていても良い。一般式S1で表される溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。これらの中でも、R及びR’が無置換のアルキル基であることが好ましい。一般式S1で表される溶剤としては、酢酸アルキルであることが好ましく、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチルであることがより好ましい。一般式S1で表される溶剤は他の有機溶剤1種以上と併用して用いても良い。この場合の併用溶剤としては、一般式S1で表される溶剤に分離することなく混合できれば特に制限は無く、一般式S1で表される溶剤同士を併用して用いても良いし、一般式S1で表される溶剤を他のエステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤から選択される溶剤に混合して用いても良い。併用溶剤は1種以上用いることができるが、安定した性能を得る上では、1種であることが好ましい。併用溶剤1種を混合して用いる場合の、一般式S1で表される溶剤と併用溶剤の混合比は、質量比で通常20:80~99:1、好ましくは50:50~97:3、より好ましくは60:40~95:5、最も好ましくは60:40~90:10である。R’’-C=O-O-R’’’-O-R’’’’一般式S2一般式S2に於いて、R’’及びR’’’’は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。R’’及びR’’’’は、互いに結合して環を形成してもよい。R’’及びR’’’’は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。R’’及びR’’’’についてのアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基の炭素数は、1~15の範囲であることが好ましく、シクロアルキル基の炭素数は、3~15であることが好ましい。R’’’は、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。R’’’は、アルキレン基であることが好ましい。R’’’についてのアルキレン基の炭素数は、1~10の範囲であることが好ましい。R’’’についてのシクロアルキレン基の炭素数は、3~10の範囲であることが好ましい。R’’及びR’’’’についてのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、R’’’についてのアルキレン基、シクロアルキレン基、及びR’’とR’’’’とが互いに結合して形成する環は、水酸基、カルボニル基を含む基例えば、アシル基、アルデヒド基、アルコキシカルボニル等、シアノ基などで置換されていても良い。一般式S2に於ける、R’’’についてのアルキレン基は、アルキレン鎖中にエーテル結合を有していてもよい。一般式S2で表される溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、メチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピオネート、プロピル-3-メトキシプロピオネート、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-エチル-3-メトキシブチルアセテート、2-エトキシブチルアセテート、4-エトキシブチルアセテート、4-プロポキシブチルアセテート、2-メトキシペンチルアセテート、3-メトキシペンチルアセテート、4-メトキシペンチルアセテート、2-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、4-メチル-4-メトキシペンチルアセテート等が挙げられ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることが好ましい。これらの中でも、R’’及びR’’’’が無置換のアルキル基であり、R’’’が無置換のアルキレン基であることが好ましく、R’’及びR’’’’がメチル基及びエチル基のいずれかであることがより好ましく、R’’及びR’’’’がメチル基であることが更により好ましい。一般式S2で表される溶剤は他の有機溶剤1種以上と併用して用いても良い。この場合の併用溶剤としては、一般式S2で表される溶剤に分離することなく混合できれば特に制限は無く、一般式S2で表される溶剤同士を併用して用いても良いし、一般式S2で表される溶剤を他のエステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤及び炭化水素系溶剤から選択される溶剤に混合して用いても良い。併用溶剤は1種以上用いることができるが、安定した性能を得る上では、1種であることが好ましい。併用溶剤1種を混合して用いる場合の、一般式S2で表される溶剤と併用溶剤の混合比は、質量比で通常20:80~99:1、好ましくは50:50~97:3、より好ましくは60:40~95:5、最も好ましくは60:40~90:10である。また、現像液として用いる有機溶剤としては、エーテル系溶剤も好適に挙げることができる。用いることができるエーテル系溶剤としては、前述のエーテル系溶剤が挙げられ、このなかでも芳香環を一つ以上含むエーテル系溶剤が好まく、下記一般式S3で表される溶剤がより好ましく、最も好ましくはアニソールである。一般式S3に於いて、RSは、アルキル基を表す。アルキル基としては炭素数1~4が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基であることが最も好ましい。本発明において、現像液の含水率は、通常10質量以下であり、5質量以下であることが好ましく、1質量以下であることがより好ましく、実質的に水分を含有しないことが最も好ましい。界面活性剤有機溶剤を含む現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量含有させることができる。界面活性剤としては、後述する、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、通常は10秒~300秒であり。好ましくは、20秒~120秒である。現像液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。5リンス本発明のパターン形成方法では、現像工程4の後に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程5を含んでいてもよい。リンス液現像後に用いるリンス液の蒸気圧混合溶媒である場合は全体としての蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。前記リンス液としては、種々の有機溶剤が用いられるが、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤又は水を含有するリンス液を用いることが好ましい。より好ましくは、現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤又は炭化水素系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。更により好ましくは、現像の後に、アルコール系溶剤又は炭化水素系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。特に好ましくは、一価のアルコール及び炭化水素系溶剤の群から選ばれる少なくとも1種以上を含有するリンス液を用いる。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、4-メチル-2-ヘキサノール、4,5-ジチル-2-ヘキサール、6-メチル-2-ヘプタノール、7-メチル-2-オクタノール、8-メチル-2-ノナール、9-メチル-2-デカノールなどを用いることができ、好ましくは、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノールであり、最も好ましくは、1-ヘキサノール又は4-メチル-2-ペンタノールである。炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。前記リンス液は、1-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、デカンの群から選ばれる1種以上を含有することがより好ましい。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。上記溶剤は水と混合しても良いが、リンス液中の含水率は通常60質量以下であり、好ましくは30質量以下、更に好ましくは10質量以下、最も好ましくは5質量以下である。含水率を60質量以下にすることで、良好なリンス特性を得ることができる。リンス液には、界面活性剤を適当量含有させて使用することもできる。界面活性剤としては、後述する、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができ、その使用量はリンス液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。リンス方法リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転吐出法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転吐出方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。リンス時間には特に制限はないが、通常は10秒~300秒であり。好ましくは10秒~180秒であり、最も好ましくは20秒~120秒である。リンス液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。更に、現像処理又はリンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する溶剤を除去するために加熱処理を行うことができる。加熱温度は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常40°C~160°Cである。加熱温度は50°C以上150°C以下が好ましく、50°C以上110°C以下が最も好ましい。加熱時間に関しては良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されないが、通常15秒~300秒であり、好ましくは、15~180秒である。アルカリ現像本発明のパターン形成方法は、更に、アルカリ水溶液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する工程アルカリ現像工程を含むことができる。これにより、より微細なパターンを形成することができる。本発明において、有機溶剤現像工程4によって露光強度の弱い部分が除去されるが、更にアルカリ現像工程を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる特開2008-292975[0077]と同様のメカニズム。アルカリ現像は、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程4の前後どちらでも行うことが出来るが、有機溶剤現像工程4の前に行うことがより好ましい。アルカリ現像に使用しうるアルカリ水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液が挙げられる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量の水溶液が望ましい。アルカリ現像時間は特に制限はなく、通常は10秒~300秒であり。好ましくは、20秒~120秒である。アルカリ現像液の温度は0°C~50°Cが好ましく、15°C~35°Cが更に好ましい。アルカリ水溶液による現像の後、リンス処理を行うことができる。リンス処理におけるリンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。更に、現像処理又はリンス処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行うこともできる。また、加熱により、残存している現像液又はリンス液を除去する処理を行うことができる。加熱温度は、良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されるものではなく、通常40°C~160°Cである。加熱温度は50°C以上150°C以下が好ましく、50°C以上110°C以下が最も好ましい。加熱時間に関しては良好なレジストパターンが得られる限り特に限定されないが、通常15秒~300秒であり、好ましくは、15~180秒である。本発明に係るレジスト組成物から形成された膜について、電子線又は極紫外線の照射時に、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、更に屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、組成物膜上層部への塗布適性、液浸液難溶性である。トップコートは、組成物膜と混合せず、更に組成物膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、有機溶媒を含んだ現像液で剥離できることが好ましい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。液浸液として水を用いる場合には、トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。1感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物以下、本発明で使用し得る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物について説明する。本発明に係る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、ネガ型の現像露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像に用いられる。即ち、本発明に係る感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる有機溶剤現像用の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。このように、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法に供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物にも関する。本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、典型的にはレジスト組成物であり、ネガ型のレジスト組成物即ち、有機溶剤現像用のレジスト組成物であることが、特に高い効果を得ることができることから好ましい。また本発明に係る組成物は、典型的には化学増幅型のレジスト組成物である。本発明で使用する組成物は、酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂Aと、電子線又は極紫外線照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物Bとを含有する。以下、樹脂Aについて説明する。[1]A樹脂a酸分解性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂であり、酸分解性繰り返し単位を有している。酸分解性繰り返し単位とは、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解する基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位である。分解して生じる基は極性基であることが、有機溶剤を含む現像液との親和性が低くなり、不溶化又は難溶化ネガ化を進行するため好ましい。また、極性基は酸性基であることがより好ましい。極性基の定義は後述する繰り返し単位bの項で説明する定義と同義であるが、酸分解性基が分解して生じる極性基の例としては、アルコール性水酸基、アミノ基、酸性基などが挙げられる。酸分解性基が分解して生じる極性基は、酸性基であることが好ましい。酸性基としては、有機溶剤を含む現像液中で不溶化する基であれば特に限定されないが、好ましくは、フェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基であり、より好ましくは、カルボン酸基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、フェノール性ヒドロキシル基、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。繰り返し単位aとしては、下記一般式Vで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式V中、R51、R52、及びR53は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。R52はL5と結合して環を形成していてもよく、その場合のR52はアルキレン基を表す。L5は、単結合又は2価の連結基を表し、R52と環を形成する場合には3価の連結基を表す。R54はアルキル基を表し、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアラルキル基を表す。R55及びR56は互いに結合して環を形成してもよい。但し、R55とR56とが同時に水素原子であることはない。一般式Vについて、更に詳細に説明する。一般式VにおけるR51~R53のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R51~R53におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。またR52がアルキレン基でありL5と環を形成する場合、アルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1~4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~2のアルキレン基が特に好ましい。R52とL5とが結合して形成する環は、5又は6員環であることが特に好ましい。式VにおけるR51及びR53としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基-CF3、ヒドロキシメチル基-CH2-OH、クロロメチル基-CH2-Cl、フッ素原子-Fが特に好ましい。R52としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルキレン基L5と環を形成がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基-CF3、ヒドロキシメチル基-CH2-OH、クロロメチル基-CH2-Cl、フッ素原子-F、メチレン基L5と環を形成、エチレン基L5と環を形成が特に好ましい。L5で表される2価の連結基としては、アルキレン基、2価の芳香環基、-COO-L1-、-O-L1-、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、L1はアルキレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、アルキレン基と2価の芳香環基を組み合わせた基を表す。L5は、単結合、-COO-L1-で表される基又は2価の芳香環基が好ましい。L1は炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、メチレン、プロピレン基がより好ましい。2価の芳香環基としては、1,4-フェニレン基、1,3-フェニレン基、1,2-フェニレン基、1,4-ナフチレン基が好ましく、1,4-フェニレン基がより好ましい。L5がR52と結合して環を形成する場合における、L5で表される3価の連結基としては、L5で表される2価の連結基の上記した具体例から1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。R54~R56のアルキル基としては炭素数1~20のものが好ましく、より好ましくは炭素数1~10のものであり、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが特に好ましい。R55及びR56で表されるシクロアルキル基としては、炭素数3~20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。また、R55及びR56が互いに結合して形成される環としては、炭素数3~20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。R55及びR56が互いに結合して環を形成する場合、R54は炭素数1~3のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。R55及びR56で表される1価の芳香環基としては、炭素数6~20のものが好ましく、単環でも多環でもよく、置換基を有しても良い。例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メチルフェニル基、4―メトキシフェニル基等が挙げられる。R55及びR56のどちらか一方が水素原子の場合、他方は1価の芳香環基であることが好ましい。R55及びR56で表されるアラルキル基としては、単環でも多環でもよく、置換基を有しても良い。好ましくは炭素数7~21であり、ベンジル基、1-ナフチルメチル基等が挙げられる。一般式Vで表される繰り返し単位に相当するモノマーの合成方法としては、一般的な重合性基含有エステルの合成法を適用することが可能であり、特に限定されることはない。以下に、一般式Vで表される繰り返し単位aの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbは、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数6~18のアリール基、又は、炭素数7~19のアラルキル基を表す。Zは、置換基を表す。pは0又は正の整数を表し、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。Zが複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。Zとしては、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストを増大させる観点から、水素原子及び炭素原子のみからなる基が好適に挙げられ、例えば、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが好ましい。また、樹脂Aは、繰り返し単位aとして、下記一般式VIで表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式VI中、R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。X6は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L6は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar6は、n1価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表す。一般式VIについて更に詳細に説明する。一般式VIにおけるR61~R63のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R61~R63におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよく、好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個の単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。R62がアルキレン基を表す場合、アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。X6により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X6としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L6におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。R62とL6とが結合して形成する環は、5又は6員環であることが特に好ましい。Ar6は、n1価の芳香環基を表す。nが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが2以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、n-1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。n1価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、上述した一般式VにおけるR51~R53により表わされる各基が有し得る置換基と同様の具体例が挙げられる。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。n個のY2は、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、n個中の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。酸の作用により脱離する基Y2としては、例えば、-CR36R37R38、-C=O-O-CR36R37R38、-CR01R02OR39、-CR01R02-C=O-O-CR36R37R38、-CHR36Ar等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。Arは、1価の芳香環基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02及びArの1価の芳香環基は、炭素数6~10の1価の芳香環基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基としては、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが、互いに結合して形成する環は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等を挙げることができる。なお、シクロアルキル構造中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02、及びArとしての上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。酸の作用により脱離する基Y2としては、下記一般式VI-Aで表される構造がより好ましい。ここで、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基を表す。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環好ましくは、5員若しくは6員環を形成してもよい。L1及びL2としてのアルキル基は、例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。L1及びL2としてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3~15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としての1価の芳香環基は、例えば炭素数6~15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としてのアルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基は、例えば、炭素数6~20であって、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基が挙げられる。Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など、シクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など、アルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など、2価の芳香環基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など、-S-、-O-、-CO-、-SO2-、-NR0-、及びこれらの複数を組み合わせた2価の連結基である。R0は、水素原子又はアルキル基例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基などである。Qとしてのアルキル基は、上述のL1及びL2としての各基と同様である。Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基及びヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基に於ける、ヘテロ原子を含まない肪族炭化水素環基及びへテロ原子を含まない1価の芳香環基としては、上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、及び1価の芳香環基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3~15である。ヘテロ原子を含むシクロアルキル基及びヘテロ原子を含む1価の芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環であれば、これらに限定されない。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して形成してもよい環としては、Q、M、L1の少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員又は6員環を形成する場合が挙げられる。一般式VI-AにおけるL1、L2、M、Qで表される各基は、置換基を有していてもよく、例えば、前述のR36~R39、R01、R02、及びArが有してもよい置換基として説明したものが挙げられ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。-M-Qで表される基として、炭素数1~30個で構成される基が好ましく、炭素数5~20個で構成される基がより好ましい。以下に繰り返し単位aの好ましい具体例として、一般式VIで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。一般式VIで表される繰り返し単位は、酸分解性基が分解することによりフェノール性の水酸基を生成する繰り返し単位であるが、この場合、露光部における樹脂の有機溶剤による溶解性が十分低くなりにくい傾向があり、解像度の点ではあまり加えない方が好ましい場合がある。この傾向は、ヒドロキシスチレン類に由来する繰り返し単位すなわち、一般式VIにおいて、X6とL6とがいずれも単結合である場合により強く表れ、その原因は定かではないが、例えば主鎖の近傍にフェノール性水酸基が存在するためと推測される。そこで、本発明においては、酸分解性基が分解することによりフェノール性水酸基を生じる繰り返し単位例えば、上記一般式VIで表される繰り返し単位であり、好ましくは、一般式VIで表される繰り返し単位であって、X6とL6とがいずれも単結合であるものの含有量は、樹脂Aの全繰り返し単位に対して、4モル以下であることが好ましく、2モル以下であることがより好ましく、0モルであるすなわち、含有されないことが最も好ましい。また、樹脂Aは、繰り返し単位aとして、下記一般式BZで表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式BZ中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6~20のものが好ましく、炭素数6~15のものがより好ましい。ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。ARとしてのアリール基は、それぞれ、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1~5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。また、一般式BZにより表される繰り返し単位aは、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。また、一般式BZにより表される繰り返し単位aにおいて、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1~5のものが好ましく、炭素数1~3のものがより好ましい。Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3~15のものが挙げられる。Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6~14のものが好ましい。Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。R1は、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。R1のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。R1が置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいR1としては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。R1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。R1のアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にR1のアルキル基として挙げた構成を採用することができる。RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、一般式BZにより表される繰り返し単位aの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。また、上記で例示された繰り返し単位とは異なる酸分解性基を有する繰り返し単位の態様として、アルコール性水酸基を生じる繰り返し単位の態様であってもよい。この場合、下記一般式I-1~I-10のいずれかにより表されることが好ましい。この繰り返し単位は、下記一般式I-1~I-3のいずれかにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1により表されることが更に好ましい。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。なお、一般式I-2、I-3又はI-8においてR2が単結合を表す場合、nは1である。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。Raは、水素原子又は炭素数が1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Wは、メチレン基又は酸素原子であることが好ましい。R1は、n1価の有機基を表す。R1は、好ましくは、非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R1は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1は、より好ましくは、脂環状炭化水素基である。R2は、単結合又はn1価の有機基を表す。R2は、好ましくは、単結合又は非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R2は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1及び/又はR2が鎖状炭化水素基である場合、この鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数は、1~8であることが好ましい。例えば、R1及び/又はR2がアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基又はsec-ブチレン基であることが好ましい。R1及び/又はR2が脂環状炭化水素基である場合、この脂環状炭化水素基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂環状炭化水素基は、例えば、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えている。この脂環状炭化水素基の炭素数は、通常は5以上であり、6~30であることが好ましく、7~25であることがより好ましい。この脂環状炭化水素基としては、例えば、以下に列挙する部分構造を備えたものが挙げられる。これら部分構造の各々は、置換基を有していてもよい。また、これら部分構造の各々において、メチレン基-CH2-は、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、カルボニル基-C=O-、スルホニル基-S=O2-、スルフィニル基-S=O-、又はイミノ基-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基によって置換されていてもよい。例えば、R1及び/又はR2がシクロアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、アダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカヒドロナフチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、又はシクロドデカニレン基であることが好ましく、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、テトラシクロドデカニレン基又はトリシクロデカニレン基であることがより好ましい。R1及び/又はR2の非芳香族性の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~4のアルコキシ基、カルボキシ基、及び炭素数2~6のアルコキシカルボニル基が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシ基が挙げられる。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。L1は、好ましくは-COO-、-CONH-又は-Ar-により表される連結基であり、より好ましくは-COO-又は-CONH-により表される連結基である。Rは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。Rは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。R0は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキニル基、及びアルケニル基が挙げられる。R0は、好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは、水素原子又はメチル基である。L3は、m2価の連結基を表す。即ち、L3は、3価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、n1価の連結基を表す。即ち、RLは、2価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基及び後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、互いに結合して又は下記RSと結合して、環構造を形成していてもよい。RSは、置換基を表す。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。nは、1以上の整数である。nは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。また、nを2以上とすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることが可能となる。従って、こうすると、限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。mは、1以上の整数である。mは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。lは、0以上の整数である。lは、0又は1であることが好ましい。pは、0~3の整数である。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ra及びOPは、一般式I-1~I-3における各々と同義である。また、複数のOPが互いに結合して環を形成している場合、対応する環構造は、便宜上O-P-Oと表記している。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-1~II-4のいずれかにより表されることが好ましい。式中、Rx3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。Rx3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rx4は、各々独立に、1価の有機基を表す。Rx4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rx3とRx4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rx5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのRx5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記Rx5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記Rx5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-5~II-9のいずれかつにより表されることも好ましい。式中、Rx4は、一般式II-1~II-3におけるものと同義である。Rx6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。Rx6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、一般式II-1~II-3のいずれかにより表されることがより好ましく、一般式II-1又はII-3により表されることが更に好ましく、一般式II-1により表されることが特に好ましい。Rx3は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。Rx3は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。Rx3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。Rx3のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~3であることがより好ましい。Rx3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、及びn-ブチル基が挙げられる。Rx3のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。Rx3のシクロアルキル基の炭素数は、3~10であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。Rx3のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。また、一般式II-1において、Rx3の少なくとも一方は、1価の有機基であることが好ましい。このような構成を採用すると、特に高い感度を達成することができる。Rx4は、1価の有機基を表す。Rx4は、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。これらアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rx4のアルキル基は、置換基を有していないか、又は、1つ以上のアリール基及び/又は1つ以上のシリル基を置換基として有していることが好ましい。無置換アルキル基の炭素数は、1~20であることが好ましい。1つ以上のアリール基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~25であることが好ましい。1つ以上のシリル基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~30であることが好ましい。また、Rx4のシクロアルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、3~20であることが好ましい。Rx5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。但し、3つのRx5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りのRx5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。Rx5は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。アルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが好ましい。Rx6は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。Rx6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、水素原子又は置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。Rx6は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~10でありかつ置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。なお、Rx4、Rx5及びRx6のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRx3について説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基の具体例を示す。以下に酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。上記酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。樹脂Aにおける酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、前記樹脂A中の全繰り返し単位に対して5モル以上80モル以下であることが好ましく、5モル以上75モル以下であることがより好ましく、10モル以上65モル以下であることが更に好ましい。b極性基を有する繰り返し単位樹脂Aは極性基を有する繰り返し単位bを含むことが好ましい。繰り返し単位bを含むことにより、例えば、樹脂を含んだ組成物の感度を向上させることができる。繰り返し単位bは、非酸分解性の繰り返し単位であることすなわち、酸分解性基を有さないことが好ましい。繰り返し単位bが含み得る極性基としては、例えば、以下の1~4が挙げられる。なお、以下において、電気陰性度とは、Paulingによる値を意味している。1酸素原子と、酸素原子との電気陰性度の差が1.1以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、ヒドロキシ基などのO-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。2窒素原子と、窒素原子との電気陰性度の差が0.6以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、アミノ基などのN-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。3電気陰性度が0.5以上異なる2つの原子が二重結合又は三重結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、C≡N、C=O、N=O、S=O又はC=Nにより表される構造を含んだ基が挙げられる。4イオン性部位を有する官能基このような極性基としては、例えば、N又はSにより表される部位を有する基が挙げられる。以下に、極性基が含み得る部分構造の具体例を挙げる。以下の具体例において、X-は対アニオンを表す。繰り返し単位bが含み得る極性基は、例えば、Iヒドロキシ基、IIシアノ基、IIIラクトン基、IVカルボン酸基又はスルホン酸基、Vアミド基、スルホンアミド基又はこれらの誘導体に対応した基、VIアンモニウム基又はスルホニウム基、及び、これらの2以上を組み合わせてなる基からなる群より選択される少なくとも1つであることが好ましい。この極性基は、ヒドロキシル基、シアノ基、ラクトン基、カルボン酸基、スルホン酸基、アミド基、スルホンアミド基、アンモニウム基、スルホニウム基及びこれらの2つ以上を組み合わせてなる基より選択されることが好ましく、アルコール性ヒドロキシ基、シアノ基、ラクトン基、又は、シアノラクトン構造を含んだ基であることが特に好ましい。樹脂にアルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂を含んだ組成物の露光ラチチュードELを更に向上させることができる。樹脂にシアノ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。樹脂にラクトン基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂を含んだ組成物のドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。樹脂にシアノ基を有するラクトン構造を含んだ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、樹脂を含んだ組成物の感度、ドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。加えて、こうすると、シアノ基及びラクトン基のそれぞれに起因した機能を単一の繰り返し単位に担わせることが可能となり、樹脂の設計の自由度を更に増大させることも可能となる。繰り返し単位bが有する極性基がアルコール性ヒドロキシ基である場合、下記一般式I-1H~I-10Hのいずれかにより表されることが好ましい。特には、下記一般式I-1H~I-3Hのいずれかにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1Hにより表されることが更に好ましい。式中、Ra、R1、R2、W、n、m、l、L1、R、R0、L3、RL、RS及びpは、一般式I-1~I-10における各々と同義である。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位と、上記一般式I-1H~I-10Hのいずれかにより表される繰り返し単位とを併用すると、例えば、アルコール性ヒドロキシ基による酸拡散の抑制と、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基による感度の増大とにより、他の性能を劣化させることなしに、露光ラチチュードELを改良することが可能となる。アルコール性ヒドロキシ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~60molが好ましく、より好ましくは3~50mol、更に好ましくは5~40molである。以下に、一般式I-1H~I-10Hの何れかにより表される繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Raは、一般式I-1H~I-10Hにおけるものと同義である。繰り返し単位bが有する極性基がアルコール性ヒドロキシ基又はシアノ基である場合、好ましい繰り返し単位の一つの態様として、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが挙げられる。このとき、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIcで表される部分構造が好ましい。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子又は水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIcで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIcで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIcに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。樹脂Aは水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~60モルが好ましく、より好ましくは3~50モル、更に好ましくは5~40モルである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。繰り返し単位bは、極性基としてラクトン構造を有する繰り返し単位であってもよい。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-8、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Aはラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂A中の前記繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、1~70モルの範囲が好ましく、より好ましくは3~65モルの範囲であり、更に好ましくは5~60モルの範囲である。以下に、樹脂A中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。また、繰り返し単位bが有しうる極性基が酸性基であることも特に好ましい態様の一つである。好ましい酸性基としてはフェノール性ヒドロキシル基、カルボン酸基、スルホン酸基、フッ素化アルコール基例えばヘキサフロロイソプロパノール基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。なかでも繰り返し単位bはカルボキシル基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。酸性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。酸性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸性基が結合している繰り返し単位、更には酸性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入のいずれも好ましい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。繰り返し単位bが有しうる酸性基は、芳香環を含んでいてもいなくてもよいが、芳香環を有する場合はフェノール性水酸基以外の酸性基から選ばれることが好ましい。繰り返し単位bが酸性基を有する場合、酸性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、30モル以下であることが好ましく、20モル以下であることがより好ましい。樹脂Aが酸性基を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂Aにおける酸性基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、1モル以上である。酸性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH、CH3、CH2OH又はCF3を表す。本発明の樹脂Aは、フェノール性水酸基を有する、非酸分解の繰り返し単位bを有することができる。この場合の繰り返し単位bとしては、下記一般式Iで表される構造がより好ましい。式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。但し、R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表し、R42と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。nは、1~4の整数を表す。式IにおけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、上記一般式VにおけるR51、R52、及びR53により表される各基について説明した具体例と同様である。Ar4は、n1価の芳香環基を表す。nが1である場合における2価の芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが2以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、n-1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。n1価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、一般式VにおけるR51~R53で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。X4により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X4としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L4におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。Ar4としては、置換基を有していても良い炭素数6~18の芳香環基がより好ましく、ベンゼン環基、ナフタレン環基、ビフェニレン環基が特に好ましい。繰り返し単位bは、ヒドロキシスチレン構造を備えていることが好ましい。即ち、Ar4は、ベンゼン環基であることが好ましい。以下に、一般式Iで表される繰り返し単位bの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは1又は2の整数を表す。樹脂Aは、一般式Iで表される繰り返し単位を2種類以上含んでいてもよい。一般式Iで表される繰り返し単位bのように、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、樹脂Aの有機溶剤による溶解性を高くする傾向があり、解像度の点ではあまり加えない方が好ましい場合がある。この傾向は、ヒドロキシスチレン類に由来する繰り返し単位すなわち、上記一般式Iにおいて、X4とL4とがいずれも単結合である場合により強く表れ、その原因は定かではないが、例えば主鎖の近傍にフェノール性水酸基が存在するためと推測される。そこで、本発明においては、一般式Iで表される繰り返し単位好ましくは、一般式Iで表される繰り返し単位であって、X4とL4とがいずれも単結合であるものの含有量が、樹脂Aの全繰り返し単位に対して4モル以下であることが好ましく、2モル以下であることが好ましく、0モルであるすなわち、含有されないことが最も好ましい。c複数の芳香環を有する繰り返し単位樹脂Aは下記一般式c1で表される複数の芳香環を有する繰り返し単位cを有していても良い。一般式c1中、R3は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を表し;Yは、単結合又は2価の連結基を表し;Zは、単結合又は2価の連結基を表し;Arは、芳香環基を表し;pは1以上の整数を表す。R3としてのアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基、i-ブチル基があげられ、更に置換基を有していても良く、好ましい置換基としては、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基等があげられ、中でも置換基を有するアルキル基としては、CF3基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基等が好ましい。R3としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。Yは、単結合又は2価の連結基を表し、2価の連結基としては、例えば、エーテル基酸素原子、チオエーテル基硫黄原子、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルフィド基、スルホン基、-COO-、-CONH-、-SO2NH-、-CF2-、-CF2CF2-、-OCF2O-、-CF2OCF2-、-SS-、-CH2SO2CH2-、-CH2COCH2-、-COCF2CO-、-COCO-、-OCOO-、-OSO2O-、アミノ基窒素原子、アシル基、アルキルスルホニル基、-CH=CH-、-C≡C-、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基、若しくはこれらの組み合わせからなる基があげられる。Yは、炭素数15以下が好ましく、炭素数10以下がより好ましい。Yは、好ましくは単結合、-COO-基、-COS-基、-CONH-基、より好ましくは-COO-基、-CONH-基であり、特に好ましくは-COO-基である。Zは、単結合又は2価の連結基を表し、2価の連結基としては、例えば、エーテル基酸素原子、チオエーテル基硫黄原子、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルフィド基、スルホン基、-COO-、-CONH-、-SO2NH-、アミノ基窒素原子、アシル基、アルキルスルホニル基、-CH=CH-、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基、若しくはこれらの組み合わせからなる基があげられる。Zは、好ましくは単結合、エーテル基、カルボニル基、-COO-であり、更に好ましくは単結合、エーテル基であり、特に好ましくは単結合である。Arは、芳香環基を表し、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、キノリニル基、フラニル基、チオフェニル基、フルオレニル-9-オン-イル基、アントラキノニル基、フェナントラキノニル基、ピロール基等が挙げられ、フェニル基であることが好ましい。これらの芳香環基は更に置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、フェニル基等のアリール基、アリールオキシ基、アリールカルボニル基、ヘテロ環残基などが挙げられ、これらの中でも、フェニル基が、アウトバンド光に起因した露光ラチチュードやパターン形状の悪化を抑制する観点から好ましい。pは、1以上の整数であり、1~3の整数であることが好ましい。繰り返し単位cとして更に好ましいのは以下の式c2で表される繰り返し単位である。一般式c2中、R3は、水素原子又はアルキル基を表す。R3としてのアルキル基として好ましいものは、一般式c1と同様である。ここで、極紫外線EUV光露光に関しては、波長100~400nmの紫外線領域に発生する漏れ光アウトオブバンド光が表面ラフネスを悪化させ、結果、パターン間におけるブリッジや、パターンの断線によって、解像性及びLWR性能が低下する傾向となる。しかしながら、繰り返し単位cにおける芳香環は、上記アウトオブバンド光を吸収可能な内部フィルターとして機能する。よって、高解像及び低LWRの観点から、樹脂Aは、繰り返し単位cを含有することが好ましい。ここで、繰り返し単位cは、高解像性を得る観点から、フェノール性水酸基芳香環上に直接結合した水酸基を有さないことが好ましい。繰り返し単位cの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。樹脂Aは、繰り返し単位cを含有してもしなくても良いが、含有する場合、繰り返し単位cの含有率は、樹脂A全繰り返し単位に対して、1~30モルの範囲であることが好ましく、より好ましくは1~20モルの範囲であり、更に好ましくは1~15モルの範囲である。樹脂Aに含まれる繰り返し単位cは2種類以上を組み合わせて含んでもよい。本発明における樹脂Aは、前記繰り返し単位a~c以外の繰り返し単位を適宜有していてもよい。そのような繰り返し単位の一例として、更に極性基例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも1つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3~12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~20モルが好ましく、より好ましくは5~15モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。また、樹脂Aは、Tgの向上やドライエッジング耐性の向上、先述のアウトオブバンド光の内部フィルター等の効果を鑑み、下記のモノマー成分を含んでも良い。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の樹脂Aの形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂Aは、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。例えば、一般的合成方法としては、不飽和モノマー及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤に不飽和モノマーと重合開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。重合に使用される溶媒としては、例えば、後述の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤等を挙げることができ、より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。必要に応じて連鎖移動剤例えば、アルキルメルカプタンなどの存在下で重合を行ってもよい。反応の濃度は5~70質量であり、好ましくは10~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは40~100°Cである。反応時間は、通常1~48時間であり、好ましくは1~24時間、更に好ましくは1~12時間である。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。本発明に係わる樹脂Aの分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が1000~100000の範囲であることが好ましく、1500~60000の範囲であることがより好ましく、2000~30000の範囲であることが特に好ましい。重量平均分子量を1000~100000の範囲とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:THFあるいはN-メチル-2-ピロリドンNMPによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。また分散度Mw/Mnは、好ましくは1.00~5.00、より好ましくは1.03~3.50であり、更に好ましくは、1.05~2.50である。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の樹脂Aは、1種類単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂Aの含有率は、本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物中の全固形分を基準にして、20~99質量が好ましく、30~89質量がより好ましく、40~79質量が特に好ましい。[2]B電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、酸発生剤として、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物B低分子化合物B又は化合物Bともいうを含有する。本願において低分子化合物とは、モノマーを重合して得られる繰り返し単位を有する重合物ではない単分子の化合物を意味する。低分子化合物Bの分子量は一般的に4000以下であり、好ましくは2000以下であり、より好ましくは1000以下である。また低分子化合物Bの分子量は一般的に100以上であり、好ましくは200以上である。前記化合物Bは極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造酸分解性樹脂Aについて前述したものと同様に、以下、酸分解性基ともいうを有する化合物である。極性基の具体例及び好ましい例としては酸分解性樹脂Aについて前述した極性基の具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。酸分解性基の具体例及び好ましい例としては酸分解性樹脂Aについて前述した極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造の具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。本発明に係る化合物Bにおいて、前記酸分解性基は、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度をより減少させる観点から、酸の作用により分解しヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xであることが好ましく、酸の作用により分解しヒドロキシル基を生じる部位であることがより好ましく、酸の作用により分解しアルコール性ヒドロキシル基を生じる部位X’であることが更に好ましい。酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xとして、下記一般式I-1~I-6のいずれかにより表される構造であることが好ましく、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度をより減少させる観点から、下記一般式I-1~I-5のいずれかにより表される構造であることが好ましい。一般式I-1中、R1は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2は、1価の有機基を表す。R1の一方とR2とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-2中、R3は、各々独立に、1価の有機基を表す。2つのR3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-3中、R4は、水素原子又は1価の有機基を表す。R5は、各々独立に、1価の有機基を表す。R5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。また、R5の一方とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-4中、R6は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。2つのR6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R6のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R6のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。一般式I-5中、R7は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R7は、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式I-6中、R8は、それぞれ独立に、1価の有機基を表す。2つのR8が結合して、環を形成してもよい。一般式I-1~I-6中、は結合手を表す。R1についての具体例、好ましい例としては、一般式II-1のRx3について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R2についての具体例、好ましい例としては、一般式II-1のRx4について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R3についての具体例、好ましい例としては、一般式II-2のRx4について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R4についての具体例、好ましい例としては、一般式II-3のRx3について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R5についての具体例、好ましい例としては、一般式II-3のRx4について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R6についての具体例、好ましい例としては、一般式II-4のRx5について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R7についての具体例、好ましい例としては、一般式II-5のRx6について前述した具体例、好ましい例と同様のものが挙げられる。R8としての1価の有機基は、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。R8のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R8のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数3~20の単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの炭素数4~20の多環のシクロアルキル基が好ましい。2つのR8が結合して形成される環としては、シクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。1つのR8がメチル基又はエチル基であり、他の2つのR8が結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。R8は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6、アリール基炭素数6~10などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物Bとして、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。R201、R202、R203及びZ-の少なくとも1つは酸分解性基を有する。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。酸分解性基をカチオン部に有すると電子線又は極紫外線によって分解する際に、分解物がより疎水的になるカチオン部に酸分解基を有することで、より均一に溶解コントラストを付与することができる観点から、R201、R202及びR203の少なくとも1つが酸分解性基を有することが好ましい。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐、フッ素化硼素、フッ素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。Z-としての非求核性アニオンとしては、下記式Iで表される酸を生じるアニオンであることも好ましい。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Cyは、環状の有機基を表す。Aは、HO3S-又はRf-SO2-NH-SO2-を表す。Rfは、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基を表す。シクロアルキルとアリールの置換は、フッ素原子でなく-CF3などフッ化アルキルによる置換でもよい。Rfとしての少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基の具体例としては、Xfの後述の具体例と同様であり、Rfとしての少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基の具体例としては、パーフルオロシクロペンチル、パーフルオロシクロヘキシル等が挙げられ、Rfとしての少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基の具体例としては、パーフルオロフェニル等が挙げられ、これらの各基は、それぞれ、フッ素原子を含有しない置換基で置換されていてもよい。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式Iについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体例としては、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3xである。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。これらのなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、―SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-がより好ましく、-SO2-であることが特に好ましい。Cyの環状の有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含み、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環構造も含む。等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、単環でも多環でもよく、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環基としては、単環でも多環でもよく、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが好ましい。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれでも良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素は、カルボニル炭素であっても良い。上記一般式Iで表される酸を生じるアニオンが酸分解性基を有する場合、Xf、R1、R2、L、Cy、Rfのいずれの基が酸分解性基により置換されていても良いが、Cy又はRfが酸分解性基により置換されていることが好ましく、Cyが酸分解性基により置換されていることが特に好ましい。また、そのような酸分解性基としては前記一般式I-1、I-3又はI-6で表される構造を有するヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xであることが好ましく、前記一般式I-6で表される構造を有するカルボキシル基を生じる部位であることが特に好ましい。上記一般式Iで表される酸を生じるアニオンが酸分解性基を有する場合、2価の連結基を介して前記アニオンに結合していてもよく、例えば、Cyが2価の連結基を介して酸分解性基により置換されている態様が挙げられる。そのような2価の連結基としては特に制限はないが、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられる。上記一般式Iで表される酸を生じるアニオンが酸分解性基を有する場合、前記化合物Bが下記一般式II-4又はII-5で表される化合物であることが好ましい。上記一般式中、Xは、それぞれ独立に、対カチオンを表す。Rfは、前記一般式IのAにおけるRfと同義である。Xf1、Xf2は、それぞれ独立に、前記一般式IにおけるXfと同義である。R11、R12、R21、R22は、それぞれ独立に、前記一般式IにおけるR1、R2と同義である。L1、L2は、それぞれ独立に、前記一般式IにおけるLと同義である。Cy1、Cy2は、それぞれ独立に、前記一般式IにおけるCyと同義である。Xf1、R11、R12、L1及びCy1のいずれが、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有する基酸分解性基により置換されていてもよく、Xf2、R21、R22、L2、Cy2及びRfのいずれが、酸分解性基により置換されていてもよい。x1、x2は、それぞれ独立に、前記一般式Iにおけるxと同義である。y1、y2は、それぞれ独立に、前記一般式Iにおけるyと同義である。z1、z2は、それぞれ独立に、前記一般式Iにおけるzと同義である。Xについての対カチオンとしては、上記一般式ZIにおけるスルホニウムカチオン、上記一般式ZIIにおけるヨードニウムカチオンが挙げられる。以下、酸分解性基を有し、かつ前記一般式Iで表される酸を生じるアニオンの具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。酸分解性基が上記一般式ZI~ZIIIにおけるZ-に含まれる場合、化合物Bが下記一般式IIIで表される化合物である態様も好ましい。式中、A-は有機酸アニオンを表す。Yは2価の連結基を表す。Xは、対カチオンを表す。Bは酸分解性基を表す。A-の有機酸アニオンはスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、イミド酸アニオンなどが挙げられ、スルホン酸アニオン、及びイミド酸アニオンが好ましく、感度が向上する。Yとしての2価の連結基は、好ましくは、炭素数1~8の2価の有機基であり、例えば、アルキレン基、アリーレン基好ましくはフェニレン基などが挙げられる。Yとしての2価の連結基は、より好ましくはアルキレン基であり、好ましい炭素数は1~6、より好ましい炭素数は1~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを含む連結基を有していても良い。アルキレン基はフッ素原子が置換されていてもよく、その場合、A-と結合した炭素がフッ素原子を有することがより好ましい。Xについての対カチオンとしては、上記一般式ZIにおけるスルホニウムカチオン、上記一般式ZIIにおけるヨードニウムカチオンが挙げられる。Bは酸の作用により分解しヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xであることが好ましく、上記一般式I-1~I-6のいずれかで表される構造であることがより好ましく、上記一般式I-1~I-5のいずれかで表される構造であることが更に好ましい。また、Bは酸の作用により分解しアルコール性ヒドロキシル基を生じる部位であることも好ましく、この場合Yとしてはアルキレン基であることが好ましい。以下、一般式IIIにおける酸アニオンの具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201、R202及びR203の少なくとも1つが酸分解性基を有することが好ましい。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、酸分解性基以外にも、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201、R202及びR203の少なくとも1つが酸分解性基を有することが好ましい。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。R201~R203は、酸分解性基以外の、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyの少なくとも1つが酸分解性基を有することが好ましい。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。R1c~R7c、Rx及びRyは、酸分解性基以外にも更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~12個の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を挙げることができる。前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3~10個のシクロアルキル基を挙げることができる。前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の炭素数6~15のアリール基を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、n-ブタノイル基、i-ブタノイル基、n-ヘプタノイル基、2-メチルブタノイル基、1-メチルブタノイル基、t-ヘプタノイル基等の炭素原子数2~12の直鎖状若しくは分岐状のアシル基等を挙げることができる。前記アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基等の炭素数6~10個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アリールオキシアルキル基としては、例えば、フェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基等の炭素数7~12個のアリールオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アリールオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、フェニルオキシカルボニルオキシ基、ナフチルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数7~11個のアリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個の2価のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14、及びR15の少なくとも1つが酸分解性基を有することが好ましい。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。R13、R14及びR15が酸分解性基以外に有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。次に、一般式ZII、ZIIIについて説明する。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204、R205及びZ-の少なくとも1つは酸分解性基を有する。R206及びR207の少なくとも1つは酸分解性基を有する。酸分解性基の好ましい態様としては前述の通りである。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、酸分解性基以外の置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい酸分解性基以外の置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。Ar3及びAr4の少なくとも1つは酸分解性基を有する。一般式ZV中、R208は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。R208及びAの少なくとも1つは酸分解性基を有する。一般式ZVI中、R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R208、R209及びR210の少なくとも1つは酸分解性基を有する。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸の作用により分解し、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する部位が上記一般式ZIにおけるR201、R202若しくはR203に含まれる場合、化合物Bは下記一般式II-1~II-3のいずれかにより表される化合物であることが好ましい。一般式II-1中、R1dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR1dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。換言すれば、2つのR1dが互いに結合して単結合又は2価の連結基を形成していてもよい。2価の連結基としては炭素数4以下の連結基であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、エーテル結合、カルボニル基、エステル基等が挙げられる。Q1は、単結合又は2価の連結基を表す。B1は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB1-Q1で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l1は、各々独立に、0~5の整数を表す。m1は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、複数のm1及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。複数のm1のいずれかは1以上の整数であることが好ましい。一般式II-2中、R2dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR2dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R15dは、各々独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。2つのR15dは、互いに結合して、環を形成していても良い。2つのR15dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。-SR15dR15dで表される基、m個のB-Q及びl個のR4は、それぞれ、一般式II-2中の、いずれの芳香環の任意の位置で置換していてよい。Q2は、単結合又は2価の連結基を表す。B2は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB2-Q2で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。nは0又は1を表す。l2は、各々独立に、0~5の整数を表す。m2は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m2及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。m2は1~5の整数であることが好ましい。一般式II-3中、R3dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。2つのR3dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R6d、R7dは、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6d、R7dは、互いに結合して、環を形成していてもよい。Rdx、Rdyは、各々独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。Rdx、Rdyは、互いに結合して、環を形成していても良い。Q3は、単結合又は2価の連結基を表す。B3は酸の作用により分解し、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を生じる部位Xを表す。Zd-はX個のB3-Q3で表される基を有する非求核性の対アニオンを表す。l3は、各々独立に、0~5の整数を表す。m3は、各々独立に、0~5の整数を表す。Xは、0~3の整数を表す。ただし、m3及びXの少なくとも1つは1以上の整数を表す。m3は1~5の整数であることが好ましい。R1d、R2d、R3dとしての有機基としてはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。2つ以上のR4が結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。2つ以上のR4が結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R1d、R2d、R3dとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基としては、一般式ZI-3に於けるR1C~R5Cと同様のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基を挙げることができる。R15d、Rdx、Rdyについてのアルキル基としては直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。更に好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、2個のR15dが互いに結合して又はRdx、Rdyが互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R6d、R7dについての有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基が好ましい。R6d、R7dが結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R6d、R7dが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R6d、R7dにおけるアルキル基、シクロアルキル基としては、一般式ZI-3に於けるR6C~R7Cと同様のアルキル基、シクロアルキル基を挙げることができ、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。R6d、R7dは好ましくは水素原子、炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。Q1、Q2、Q3についての2価の連結基としては、好ましくは、炭素数1~8の2価の有機基であり、例えば、アルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、アリーレン基フェニレン基などが挙げられる。Q1、Q2、Q3としての2価の連結基は、より好ましくはアルキレン基であり、好ましい炭素数は1~6、より好ましい炭素数は1~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していても良い。B1、B2、B3は、それぞれ、上記一般式I-1~I-5で表される構造であることが好ましい。Zd-は、非求核性の対アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができ、上記一般式IIIにおける酸アニオンであってもよい。以下、化合物Bにおけるカチオンの具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。以下、酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物Bの具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物においては、上記化合物Bを、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができ、その含有量は、好ましくは感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の全固形分を基準として0.1~70質量であり、より好ましくは10~70質量、更に好ましくは21~70質量、特に好ましくは21~60質量、最も好ましくは31~50質量である。上記化合物B酸発生剤の含有率が、組成物の全固形分を基準として21~70質量となることは、酸発生剤の濃度が非常に高いことを意味する。これにより、二次電子と酸発生剤との反応効率が高く、高い感度が得られるものと考えられる。一方、組成物中の酸発生剤の濃度が高くなるということは、他の成分の濃度が低くなり得るため、他の性能に影響を与える可能性がある。例えば、酸の濃度が高くなった分、樹脂の濃度が低くなると、パターンの強度が低下するなどして、上記毛管力の影響が顕在化し、パターン倒れの発生が起こり易くなり得る。しかしながら、本発明は、前述のように、上記毛管力の影響が小さい、有機系現像液によりネガ型のパターンを形成する方法であるため、酸発生剤の濃度が高くなることによる上記不具合が起こりにくく、その結果、パターン倒れ性能や、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたまま、更なる高感度化ができるものと考えられる。[3]B’併用酸発生剤本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、化合物Bの外に、更に、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物B’以下、併用酸発生剤B’ともいうを含有してもよい。以下に、化合物B以外の併用酸発生剤B’について説明する。併用酸発生剤B’としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。併用酸発生剤の内で好ましい化合物として、公知のものであれば特に限定されないが、好ましくは下記一般式ZI’、ZII’、ZIII’で表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZI’、ZII’、ZIII’において、R’201~R’207は、それぞれ、上記一般式ZI、ZII、ZIIIのR201~R207と同義であり、具体例及び好ましい例も同様である。ただし、一般式ZI’、ZII’、ZIII’のR’201~R’207は、上記酸分解性基を有さない。また、上記一般式ZI’、ZII’において、Z-は、非求核性アニオン求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンを表し、それぞれ、上記一般式ZI、ZIIのZ-において説明したものと同様である。ただし、Z-は、上記酸分解性基を有さない。更に好ましいZI’成分として、以下に説明する化合物ZI’-1、ZI’-2、及びZI’-3及びZI’-4を挙げることができる。化合物ZI’-1は、上記一般式ZIのR’201~R’203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R’201~R’203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物の具体例及び好ましい例としては、上記酸分解性基を有さないこと以外は化合物ZI-1について前述したものと同様である。化合物ZI’-2は、式ZI’におけるR’201~R’203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。R’201~R’203としての芳香環を含有しない有機基としては、上記酸分解性基を有さないこと以外は化合物ZI-2について前述したものと同様のものが挙げられる。化合物ZI’-3とは、以下の一般式ZI’-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI’-3に於いて、R1c’~R7c’、Rx’及びRy’は、各々独立に、一般式ZI-3について前述したR1c~R7c、Rx及びRyと同義である。ただし、R1c’~R7c’、Rx’及びRy’はいずれも上記酸分解性基を有さない。Zc’-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。ただし、上記酸分解性基を有さない。一般式ZI’-2又はZI’-3で表される化合物のカチオンとしては、以下の具体例が挙げられる。化合物ZI’-4は、下記一般式ZI’-4で表される。一般式ZI’-4中、R13’~R15’は、各々独立に、一般式ZI-4について前述したR13~R15と同義である。ただし、R13’~R15’はいずれも上記酸分解性基を有さない。l’及びr’は、それぞれ、一般式ZI-4について前述したl及びrと同義である。Z’-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。ただし、上記酸分解性基を有さない。一般式ZI’-4で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。また、併用酸発生剤B’としては、更に、下記一般式ZIV’、ZV’、ZVI’で表される化合物も挙げられる。一般式ZV’、ZVI’中、Ar’3及びAr’4は、それぞれ、上記一般式ZIVのAr3及びAr4と同義であり、具体例も同様である。ただし、一般式ZIV’のAr’3及びAr’4は、上記酸分解性基を有さない。一般式ZV’、ZVI’中、A’、R’208、R’209及びR’210は、それぞれ、上記一般式ZV、ZVIのA、R208、R209及びR210と同義であり、具体例も同様である。ただし、一般式ZV’、ZVI’のA’、R’208、R’209及びR’210は、上記酸分解性基を有さない。併用酸発生剤B’の内でより好ましくは、一般式ZI’~ZIII’で表される化合物である。また、併用酸発生剤B’として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。併用酸発生剤B’の具体例を以下に挙げる。併用酸発生剤B’は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。併用酸発生剤B’は、1種類又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。本発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、併用酸発生剤B’を含有しても、含有しなくてもよいが、含有する場合、併用酸発生剤B’の組成物中の含有量は、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.05~15質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量、更に好ましくは1~6質量である。[4]C溶剤塗布溶媒組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパンなど、アルキレングリコールモノアルキルエーテルプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノールなど、乳酸アルキルエステル乳酸エチル、乳酸メチルなど、環状ラクトンγ-ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4~10、鎖状又は環状のケトン2-ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネートエチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど、カルボン酸アルキル酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい、アルコキシ酢酸アルキルエトキシプロピオン酸エチルなどが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。[5]塩基性化合物本願発明の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の1~4に分類される化合物が好ましく用いられる。1下記一般式BS-1で表される化合物一般式BS-1中、Rbs1は、各々独立に、水素原子、アルキル基直鎖又は分岐、シクロアルキル基単環又は多環、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRbs1の全てが水素原子とはならない。Rbs1としてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1~20、好ましくは1~12である。Rbs1としてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3~20、好ましくは5~15である。Rbs1としてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6~20、好ましくは6~10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。Rbs1としてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7~20、好ましくは7~11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rbs1としてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。一般式BS-1で表される化合物は、3つのRbs1の1つのみが水素原子であることが好ましく、全てのRbs1が水素原子でないことが更に好ましい。一般式BS-1の化合物の具体例としては、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリンなどが挙げられる。また、一般式BS-1において、少なくとも1つのRbs1が、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。また、Rbs1としてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては-CH2CH2O-が好ましい。具体的例としては、トリスメトキシエトキシエチルアミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。2含窒素複素環構造を有する化合物複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾールなど、ピペリジン構造を有する化合物N-ヒドロキシエチルピペリジン、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケートなど、ピリジン構造を有する化合物4-ジメチルアミノピリジンなど、アンチピリン構造を有する化合物アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなどが挙げられる。また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンなどが挙げられる。3フェノキシ基を有するアミン化合物フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのアルキレンオキシ鎖を有する化合物である。1分子中のアルキレンオキシ鎖の数は、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。アルキレンオキシ鎖の中でも-CH2CH2O-が好ましい。具体例としては、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3などが挙げられる。4アンモニウム塩アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。これ以外にも上記1~3のアミンから誘導されるアンモニウム塩を使用可能である。その他使用可能な塩基性化合物としては、特開2011-85926号公報に記載の化合物、特開2002-363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007-298569号公報の段落0108に記載の化合物なども使用可能である。本発明に係る組成物は、塩基性化合物として、窒素原子を有しかつ酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物以下において、低分子化合物D又は化合物Dともいうを含んでいてもよい。酸の作用により脱離する基としては、特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基又はヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。化合物Dの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Dとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Dは、窒素原子上に、保護基を有するカルバメート基を有していてもよい。カルバメート基を構成する保護基は、例えば、下記一般式d-1で表すことができる。一般式d-1において、R’は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は相互に結合して環を形成していても良い。R’として好ましくは、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。より好ましくは、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はシクロアルキル基である。このような基の具体例を以下に示す。化合物Dは、上述した各種の塩基性化合物と一般式d-1で表される構造とを任意に組み合わせることで構成することも出来る。化合物Dは、下記一般式Fで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、化合物Dは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、上述した各種の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Fにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。少なくとも2つのRbが結合して、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Fにおいて、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい化合物Dを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Fで表される化合物は市販のアミンから、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis第四版等に記載の方法で簡便に合成できる。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対して二炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中Xはハロゲン原子を表す。また、Ra、Rbの定義及び具体例は、上記一般式Fで記載したものと同様である。また、光分解性塩基性化合物当初は塩基性窒素原子が塩基として作用して塩基性を示すが、活性光線あるいは放射線の照射により分解されて、塩基性窒素原子と有機酸部位とを有する両性イオン化合物を発生し、これらが分子内で中和することによって、塩基性が減少又は消失する化合物。例えば、特登3577743、特開2001-215689号、特開2001-166476、特開2008-102383に記載のオニウム塩、光塩基発生剤例えば、特開2010-243773に記載の化合物も適宜用いられる。塩基性化合物化合物Dを含むは、単独であるいは2種以上併用して用いられる。塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[6]界面活性剤本発明に係る組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301若しくはEF303新秋田化成株製;フロラードFC430、431若しくは4430住友スリーエム株製;メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120若しくはR08DIC株製;サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105若しくは106旭硝子株製;トロイゾルS-366トロイケミカル株製;GF-300若しくはGF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製;エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802若しくはEF601株ジェムコ製;PF636、PF656、PF6320若しくはPF6520OMNOVA社製;又は、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D若しくは222D株ネオス製を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる又はオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することができる。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。ポリオキシアルキレン基としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基及びポリオキシブチレン基が挙げられる。また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体及びポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。更に、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる3元系以上の共重合体であってもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476及びF-472DIC株製が挙げられる。更に、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。これら界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0~2質量、より好ましくは0.0001~2質量、更に好ましくは0.0005~1質量である。[7]疎水性樹脂本発明に係る組成物は、疎水性樹脂を更に含んでいてもよい。疎水性樹脂を含有させることにより、組成物膜表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体として水を使用した場合の液浸液に対する膜の後退接触角を向上させることが可能となる。これにより、膜の液浸液追随性を向上させることができる。ベーク後で露光前における膜の後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於ける膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能が感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物には求められる。疎水性樹脂HRは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましい。疎水性樹脂HRに於けるフッ素原子又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することで、膜表面の疎水性水追従性が向上し、現像残渣スカムが低減する。疎水性樹脂HRは、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57~R61、R62~R64及びR65~R68の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10、R11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができるを表す。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には上記一般式F2~F4で表される基が挙げられる。また、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として、下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができるを表す。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキル基を表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。疎水性樹脂HRは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下に、フッ素原子又は珪素原子を含んだ繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂HRは、下記x及びzから選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x極性基;z酸の作用により分解する基。x極性基としては、フェノール性ヒドロキシ基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい極性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。極性基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接極性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に極性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には極性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。極性基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。極性基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示す。具体例中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。疎水性樹脂HRに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、上記の酸分解性樹脂で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。疎水性樹脂HRに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。疎水性樹脂HRは、更に、下記一般式VIにより表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式VIに於いて、Rc31は、水素原子、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式VIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。疎水性樹脂HRは、一般式VIにより表される繰り返し単位として、下記一般式VII又はVIIIにより表される繰り返し単位を含んでいてもよい。一般式VII中、Rc5は少なくとも一つの環状構造を有し、ヒドロキシ基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。一般式VII及び一般式VIII中、Racは水素原子、フッ素原子で置換されていても良いアルキル基、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Racは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基である。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれる。架橋環式炭化水素環として、2環式炭化水素環、3環式炭化水素環、4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。一般式VIII中、Rc6はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Rc6のアルキル基は、炭素数1~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アルコキシカルボニル基は、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基が好ましい。アルキルカルボニルオキシ基は、炭素数2~20のアルキルカルボニルオキシ基が好ましい。nは0~5の整数を表す。nが2以上の場合、複数のRc6は同一でも異なっていても良い。Rc6は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましく、トリフルオロメチル基、t-ブチル基が特に好ましい。疎水性樹脂HRは、更に、下記一般式CII-ABにより表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。また、上記一般式CII-ABは、下記一般式CII-AB1又は一般式CII-AB2であることが更に好ましい。式CII-AB1及びCII-AB2中、Rc13’~Rc16’は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基あるいはシクロアルキル基を表す。また、Rcl3’~Rc16’のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。以下に一般式VI又はCII-ABにより表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。以下に疎水性樹脂HRの具体例を示す。また、下記表1~表3に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有率は、樹脂HRの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂HR中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。樹脂HRが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂HRの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂HRの全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。樹脂HRの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。組成物中の樹脂HRの含有率は、組成物膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、組成物の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~9質量であり、更に好ましくは0.5~8質量である。樹脂HRは、酸分解性樹脂と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。また、解像度、パターン形状、パターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、更に好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。樹脂HRは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には上述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。反応の濃度は、通常5~50質量であり、好ましくは30~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外濾過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明に係るレジスト組成物から形成された膜について、活性光線又は放射線の照射時に、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、更に屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、組成物膜上層部への塗布適性、液浸液難溶性である。トップコートは、組成物膜と混合せず、更に組成物膜上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、有機溶媒を含んだ現像液で剥離できることが好ましい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。液浸液として水を用いる場合には、トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。また、疎水性樹脂は液浸露光を行わない場合にも用いることができる。この場合にもたらされる効果としては、疎水性樹脂は、レジスト膜の表面に偏在でき、レジスト膜の露光部及び未露光部を問わず、レジスト膜が有機系現像液に溶解することを促進し、その結果、極めて微細なパターンを形成する場合においても、パターン表面における荒れ特にEUV露光の場合、T-top形状、逆テーパ形状及びブリッジ部の発生を抑制するという機能を期待することができる。[8]その他の添加剤本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、0.01~10質量が好ましく、より好ましくは0.01~5質量、更に好ましくは0.01~3質量である。本発明における感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚10~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚20~200nmで使用されることが好ましく、更に好ましくは30~100nmで使用されることが好ましい。組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明における感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常1.0~10.0質量であり、好ましくは、1.0~5.7質量、更に好ましくは1.0~3.0質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインウィズスラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。本発明における感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体基板上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002-62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。[用途]本発明のパターン形成方法は、超LSIや高容量マイクロチップの製造などの半導体微細回路作成に好適に用いられる。なお、半導体微細回路作成時には、パターンを形成されたレジスト膜は回路形成やエッチングに供された後、残ったレジスト膜部は、最終的には溶剤等で除去されるため、プリント基板等に用いられるいわゆる永久レジストとは異なり、マイクロチップ等の最終製品には、本発明に記載の感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物に由来するレジスト膜は残存しない。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。合成例1樹脂A1-1-1の合成窒素気流下、シクロヘキサノン20gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した溶剤1。これに、下記、M-1、M-2、M-3、M-4をモル比40/10/40/10の割合でシクロヘキサノンに溶解し、22質量のモノマー溶液200gを調製した。更に、開始剤V-601和光純薬工業製をモノマーに対し6molを加え、溶解させた溶液を、溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン1400ml/酢酸エチル600mlの混合溶液に注ぎ、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂A1-1-1が37g得られた。得られた樹脂A1-1-1のGPCから求めた重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算は10000、分散度Mw/Mnは、1.60であった。以下、同様の方法を用いて、樹脂A1-2~A1-15を合成した。合成したポリマー構造、重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを以下に記す。また、下記ポリマー構造の各繰り返し単位の組成比をモル比で示した。合成例2樹脂A2-1の合成1-メトキシ-2-プロパノール4.66質量部を窒素気流下、80°Cに加熱した。この液を攪拌しながら、4-ヒドロキシスチレン5.05質量部、モノマーM-54.95質量部すなわち、4-ヒドロキシスチレンとモノマーM-5のモル比は7:3、1-メトキシ-2-プロパノール18.6質量部、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601、和光純薬工業株製1.36質量部の混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、80°Cで更に4時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチルで再沈殿真空乾燥を行うことで、本発明の樹脂A2-1を5.9質量部得た。GPCから求めた重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算は、Mw=15100、分散度Mw/Mnは、1.40であった。以下、同様の方法を用いて、樹脂A2-2~A2-4を合成した。合成したポリマー構造、重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを以下に記す。また、下記ポリマー構造の各繰り返し単位の組成比をモル比で示した。酸発生剤の合成例合成例3:[4-2-シクロヘキシロキシメトキシエチルフェニル]ジフェニルスルホニウム1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロ-3-ピペリジン-1-スルホニル-プロパン-1-スルホネートb-1の合成ジフェニルスルホキシド5.12g25.3mmolを酢酸2-フェニルエチル25.0g152mmolに溶解し、0~5°Cでトリフルオロ酢酸無水物10.63g50.6mmolを滴下した後、0~5°Cで30分間攪拌した。次いでトリフルオロメタンスルホン酸3.8g25.3mmolを0~5°Cで滴下し、0~20°Cで3時間攪拌させた。反応後、n-ヘキサン200mlを注入し、デカンテーションを行った後、減圧濃縮した。得られたオイルにメタノール30mlと水酸化ナトリウム3.0g76mmolを水30mlに溶解させたものを加え、室温で2時間攪拌した。反応後、メタノールを留去し、1規定の塩酸をpHが2になるまで加えた。得られた水層をクロロホルム40mlで抽出し、水洗した後、減圧濃縮して4-ヒドロキシエチルベンゼンジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを8.40g73収率得た。1H-NMR400MHzinCD32CO:δppm=2.8-3.0Br,1H,2.96t,2H,3.85t,H,7.4-7.8m,14H得られた[2-ヒドロキシエチルフェニル]ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート7.4g16.2mmolとジイソプロピルエチルアミン2.93g22.7mmolをテトラヒドロフラン50mlに溶解し、クロロメトキシシクロヘキサンを2.88g19.4mmol加えた。40°Cで3時間攪拌後、反応液を室温まで冷却し、水200mlを加えた後、クロロホルム200mlで抽出した。水洗、減圧濃縮後、カラムクロマトグラフィー酢酸エチル/メタノール=20/1で精製し、[4-2-シクロヘキシロキシメトキシエチルフェニル]ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート8.2g89収率を得た。得られた[4-2-シクロヘキシロキシメトキシエチルフェニル]ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート5.69g10mmolをメタノール水溶液に溶解させ、活性化させた陰イオン交換樹脂アンバーライトIRA410CLアルドリッチ製中を通した。得られた溶出液に1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロ-3-ピペリジン-1-スルホニル-プロパン-1-スルホン酸ナトリウム4.41g10mmolを添加し、室温で1時間攪拌させた。反応後、溶媒留去し、残渣を塩化メチレン50mlに溶解させ、水洗を4回行った後、減圧濃縮後、カラムクロマトグラフィー酢酸エチル/メタノール=20/1で精製し、[4-2-シクロヘキシロキシメトキシエチルフェニル]ジフェニルスルホニウム1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロ-3-ピペリジン-1-スルホニル-プロパン-1-スルホネート6.2g78収率を得た。1H-NMR400MHzinCD32CO:δppm=1.0-1.9m,16H,2.8-3.9m,9H,4.69s,2H,7.5-7.8m,14H他の酸発生剤も同様にして合成した。感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物の塗液調製下記表4に示す成分を下記表4に示す溶媒に溶解させ、固形分濃度2.8質量の溶液を調整し、これを0.05μm孔径のポリエチレンフィルターでろ過して感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物レジスト組成物Ra1~Ra23、並びに、Rb1及びRb2を調製した。なお界面活性剤の使用量は、組成物中の溶媒に対する値である。表中略号は、上記具体例のもの、及び、下記のものを表す。<塩基性化合物>D-1:テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシドD-2:1、8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセンD-3:2,4,5-トリフェニルイミダゾールD-4:トリ-n-ドデシルアミン<界面活性剤>W-1:メガファックF176DIC株製フッ素系W-2:メガファックR08DIC株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:PF6320OMNOVA株製フッ素系<塗布溶剤>S-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAS-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMES-3:シクロヘキサノン実施例1~23、比較例1極紫外線EUV露光、有機溶剤現像ヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコンウェハ基板上に、東京エレクトロン製スピンコーターACT-12を用いて、表5に記載の組成物を塗布し、ホットプレート上で100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚80nmの膜レジスト膜を形成した。このレジスト膜の塗布されたウェハをEUV露光装置Exitech社製MicroExposureTool、NA0.3、Quadrupole、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を使用して、パターン露光を行った。照射後、ホットプレート上で、110°Cで60秒間加熱した後、表5に記載の有機溶剤系現像液をパドルして30秒間現像し、表5に記載のリンス液を用いてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを得た。なお表5にリンス液の記載が無いものについては、リンスを行わなかったことを意味する。また複数種類の有機溶剤を現像液として使用した場合には、その質量比と共に示した。比較例2極紫外線EUV露光、アルカリ現像下記表5に示すように組成物を変更し、有機溶剤系現像液に代えて、アルカリ水溶液TMAH;2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像を行い、リンス液を水とした以外は、実施例1と同様にしてパターン形成を行った。レジストパターンの評価/EUVレジストパターンの性能評価は走査型電子顕微鏡を用いて行った。EUV露光を用いて形成したパターンに対しては、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9380IIを用いて性能評価を行った。<感度>線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度Eopとした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。結果を表5に示した。<パターン倒れ>前記Eopから露光量を減らしてライン線幅を細くした際に、パターンが倒れずに解像する最小の線幅を限界パターン倒れ線幅とし、パターン倒れ性能の指標とした。値が小さいほど、より細いパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れ性能が良好であることを表す。結果を表5に示した。なお比較例2はポジ型の現像であるため、前記Eopから露光量を増やしてライン線幅を細くした際に、パターンが倒れずに解像する最小の線幅を限界パターン倒れ線幅とし、パターン倒れ性能の指標とした。<パターン形状パターン下部の食い込み形状の評価>前記Eopに於いて、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡日立社製S4800を使用して観察し、レジストパターン下部に食い込みが見られず、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅に対して101以下~99以上の線幅であった場合を◎、レジストパターン下部に食い込みが僅かに見られるものの、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅の99未満~90以上の線幅の範囲であった場合を○、レジストパターン下部に食い込みが見られ、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅の90未満であった場合を×、で表した。結果を表5に示した。なおパターン下部の線幅とは、基板表面からのレジストパターンの高さレジストパターンの高さが均一ではない場合には、基板表面からのレジストパターンの最大の高さをTとした際に、基板表面から0.1×Tとなる高さにおけるレジストパターンの線幅を意味する。またパターン上部の線幅とは、基板表面から0.9×Tとなる高さにおけるレジストパターンの線幅を意味する。上記表から分かるように、実施例1~23は、本願の低分子化合物Bを使用しない比較例1及びアルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成した比較例2と比べて、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れていた。すなわち本発明によれば、上記性能に優れると共に、EUV露光において高精度な微細パターンを安定的に形成できることは明らかである。また、組成物の全固形分に対する酸発生剤の含有率が21質量以上の実施例1~21では、感度がより高い結果となった。実施例101~123、比較例101電子線EB露光、有機溶剤現像ヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した6インチシリコンウェハ基板上に、東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて、表6に記載の組成物を塗布し、ホットプレート上で100°Cで60秒間ベークを行い、膜厚80nmの膜レジスト膜を形成した。このレジスト膜の塗布されたウェハを電子線描画装置株日立製作所製HL750、加速電圧50keVを用いて、パターン照射を行った。この際、1:1のラインアンドスペースパターンが形成されるように描画を行なった。電子線描画後、ホットプレート上で、110°Cで60秒間加熱した後、表6に記載の有機溶剤系現像液をパドルして30秒間現像し、表6に記載のリンス液を用いてリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、90°Cで60秒間ベークを行なうことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを得た。なお表6にリンス液の記載が無いものについては、リンスを行わなかったことを意味する。また複数種類の有機溶剤を現像液として使用した場合には、その質量比と共に示した。比較例102電子線EB露光、アルカリ現像下記表6に示すように組成物を変更し、有機溶剤系現像液に代えて、アルカリ水溶液TMAH;2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像を行い、リンス液を水とした以外は、実施例101と同様にしてパターン形成を行った。レジスト評価/EBレジストパターンの性能評価は走査型電子顕微鏡を用いて行った。EB露光を用いて形成したパターンに対しては、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて性能評価を行った。<感度>線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを解像する時の照射エネルギーを感度Eopとした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。結果を表6に示した。<パターン倒れ>前記Eopから露光量を減らしてライン線幅を細くした際に、パターンが倒れずに解像する最小の線幅を限界パターン倒れ線幅とし、パターン倒れ性能の指標とした。値が小さいほど、より細いパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れ性能が良好であることを表す。結果を表6に示した。なお比較例102はポジ型の現像であるため、前記Eopから露光量を増やしてライン線幅を細くした際に、パターンが倒れずに解像する最小の線幅を限界パターン倒れ線幅とし、パターン倒れ性能の指標とした。<パターン形状パターン下部の食い込み形状の評価>前記Eopに於いて、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡日立社製S4800を使用して観察し、レジストパターン下部に食い込みが見られず、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅に対して101以下~99以上の線幅であった場合を◎、レジストパターン下部に食い込みが僅かに見られるものの、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅の99未満~90以上の線幅の範囲であった場合を○、レジストパターン下部に食い込みが見られ、パターン下部の線幅がパターン上部の線幅の90未満であった場合を×、で表した。結果を表6に示した。なおパターン下部の線幅とは、基板表面からのレジストパターンの高さレジストパターンの高さが均一ではない場合には、基板表面からのレジストパターンの最大の高さをTとした際に、基板表面から0.1×Tとなる高さにおけるレジストパターンの線幅を意味する。またパターン上部の線幅とは、基板表面から0.9×Tとなる高さにおけるレジストパターンの線幅を意味する。上記表から分かるように、実施例101~123は、本願の低分子化合物Bを使用しない比較例101及びアルカリ現像液によりポジ型のパターンを形成した比較例102と比べて、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れていた。すなわち本発明によれば、上記性能に優れると共に、EB露光において高精度な微細パターンを安定的に形成できることは明らかである。また、組成物の全固形分に対する酸発生剤の含有率が21質量以上の実施例101~121では、感度がより高い結果となった。"