転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、傾斜した前記半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する前記転写部を配置する配置手段と、前記転写部が配置された前記半導体基板の表面近傍を流れるように、前記半導体基板の表面に前記溶液を供給する供給手段と、を備えることを特徴する半導体製造装置。前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する請求項1に記載の半導体製造装置。前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する請求項1乃至請求項3に記載の半導体製造装置。前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項4に記載の半導体製造装置。前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5に記載の半導体製造装置。前記半導体基板の表面近傍を流れた溶液を回収する回収手段をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の半導体製造装置。前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の半導体製造装置。前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項8に記載の半導体製造装置。前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項9に記載の半導体製造装置。前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項1乃至請求項10に記載の半導体製造装置。前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項1乃至請求項11に記載の半導体製造装置。転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、傾斜した前記半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する前記転写部を配置する配置工程と、前記転写部が配置された前記半導体基板の表面近傍を流れるように、前記半導体基板の表面に前記溶液を供給する供給工程と、を含むことを特徴する半導体製造方法。従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、傾斜した前記半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する前記転写部を配置する配置手段と、前記転写部が配置された前記半導体基板の表面近傍を流れるように、前記半導体基板の表面に前記溶液を供給する供給手段と、を備えることを特徴する。また、前記供給手段は、前記配置手段が前記転写部を配置したあとに供給することを特徴する。また、前記供給手段は、前記溶液を前記半導体基板毎に所定量供給することを特徴する。また、前記転写部は、前記半導体基板の表面と対向する平面を備えることを特徴する。また、前記対向する平面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。また、前記転写部の配置位置を制御する配置位置制御手段をさらに備えることを特徴とする。また、前記半導体基板の表面近傍を流れた溶液を回収する回収手段をさらに備えることを特徴とする。また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。図1を説明する。<第1の実施例>図1は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。図1は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。100は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。101は基板保持部である。転写処理中に基板保持部は同じ位置を保持する。基板保持部101の部材としては、基板100との相性からシリコンにしてもよい。これにより、転写処理により基板100が破損することを回避することができる。102は配置位置制御部であり、転写処理中でない時に基板100を保持した基板保持部と衝突しないように、転写部ユニット104転写部103、弾性部108、固定部110を含むを一体で持ち上げることができる。転写処理中の時には、図5に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置する。また図6に示すように転写部を半導体基板の表面に接触するために、転写部ユニット104転写部103、弾性部108、固定部110を含むを一体で降ろすことができる。配置位置制御部102は、図5に示すように傾斜している半導体基板100の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部103を配置することができる配置手段。配置位置制御部102は、転写部103を半導体基板毎に所定の時間例えば転写処理時間の間、所定の位置において停止配置することができる。配置位置制御部102は、転写部の配置位置基板との距離を所定の距離に制御することができる配置位置制御手段。103は転写部であり、転写処理において、基板100の表面近傍に配置または接触させるためのものである。少なくとも基板100に対向する表面には触媒白金がコーティングされており、転写部103が基板100の表面近傍または基板100の表面に接触するようにに配置されると、溶液404過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液中で過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図6に示すように基板100の表面がエッチングされる。転写部103は、図1及び図5に示すように転写部を半導体基板の表面近傍に配置した時に半導体基板100の表面と対向することが可能な、平面を備えている。転写部103は、半導体基板100の表面と対向する当該平面には白金である触媒201をさらに備えている。104は転写部ユニットであり、転写部103と弾性部108と固定部110が一体となって、構成される。105は傾斜台であり、転写処理する基板100の表面を角度θで傾斜させるために、傾斜した平面上に基板100を保持する基板保持部101を搭載する台である。107は回収槽であり、半導体基板100の表面と対向する平面に供給された半導体基板100の表面近傍または転写部が半導体基板の表面に接触する領域を流れた所定量の溶液を回収することができる回収手段。回収槽107は傾斜した半導体基板100の表面を溶液404が流れる位置の下部かつ低部に設置されている。さらに回収槽107で回収した溶液404を、供給制御部111と連結させる、図示しない、溶液404の循環制御部を構成することにより、転写部103の表面及び基板100の表面に供給される溶液404を再利用することも可能になる。108は弾性部であり、転写部ユニット104の一部である。また弾性部108の部材としては転写処理の際に、基板100への押下圧力や基板100自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。弾性部は溶液404に対する耐食性を備えることが望ましいので、耐食性を高めるに、弾性部の部材にテフロン登録商標を使用したり、弾性部の表面をテフロン加工するものとする。109は配置角度制御部であり、転写部ユニット104の接触面転写部の表面と基板100の表面とが平行になるように、転写部ユニット104の角度を制御補正する機構である。110は固定部であり、転写部103を弾性部108に固定接続するためのものである。111は供給制御部であり、転写処理回数例えば半導体基板毎単位で所定の量例えば50cc単位の溶液404を供給する。転写処理のために転写部が配置された半導体基板100の表面近傍または転写部が半導体基板の表面に接触する領域を流れるように、傾斜した角度を利用して半導体基板100の表面に溶液404を供給することができる供給手段。供給制御部111は傾斜した半導体基板100の表面を溶液404が流れる位置の上部かつ高部に設置されている。また、供給制御部111は傾斜した半導体基板100の表面の全面に、所定量の溶液を均等に分散させてから供給するものとする。供給制御部111は、配置位置制御部102が転写部を半導体基板の表面近傍または転写部が半導体基板の表面に接触する領域に配置したあとに溶液の供給を開始する。つまり平面上の転写部103が既に基板表面上を覆っている場合には、溶液を供給できるのは半導体基板100の表面を溶液404が流れる位置の上部かつ高部である転写部103の側面からのみであり、傾斜を利用することで半導体基板100の全面に溶液404を供給することができるようになる。供給制御部111は、つまり溶液404を半導体基板100毎に所定量供給する。本願発明の溶液404は、フッ化水素酸水溶液HF濃度が5.4Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が7.2Mの混合溶液、または濃度が2.7Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が8.1Mの混合溶液を使用して転写処理を行った。本願発明の溶液404の温度は、室温放置温度例えば25°C、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度例えば60°Cに制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で60°Cになると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、60°Cに加熱保温しておくことが望ましい。図2を説明する。図2は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法処理ステップである。ステップS101では、配置手段により、傾斜した半導体基板100の表面近傍または半導体基板の表面に接触する領域に、溶液404の触媒として作用する転写部を配置する配置工程。その後所定の時間、当該配置された位置で保持する。転写部103を半導体基板100の表面近傍所定の位置を所定の位置に保持する時間は1秒~5秒程度であり、当該保持時間はステップS102の工程時間も含んだ時間である。ステップS102では、配置工程が終わると、ステップS101で転写部が配置された半導体基板100の表面近傍を流れるように、半導体基板100の表面に所定量の溶液404を供給する供給工程。ステップS103では、転写部103が、転写部103の形状を基板100の表面に転写する転写工程。転写処理を終了する。図3を説明する。図3は転写部103の半導体基板100の表面と対向することが可能な平面転写部の表面を上から見た図である。つまりこの平面表面が図5乃至図6の転写処理中に基板100の近傍に配置または接触可能な面である。201の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。202の領域は、転写部に開いた穴であり、転写部の表面半導体基板100の表面と対向することが可能な平面と裏面を貫通している。転写部に開いた穴は丸型でなくてもよく、どのような形状でもよく、例えば四角型、三角型、星型、アルファベット文字、直線、曲線、LSIの配線パターン等の形状でればよい。さらに穴の数は特に限定されるものではない。さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。また本願発明において、穴202が、転写部の表面と裏面を貫通していなくてもよいので、図3に示す全ての穴202100を転写部の表面半導体基板100の表面と対向することが可能な平面と裏面が貫通していないつまり穴のない、転写処理において転写部の表面の全面を、基板と白金との接触領域凸部、基板と白金との非接触領域凹部に分けた凹凸パターンに加工した転写部103も、本願発明の転写部103に該当とするものである。なお、転写部103の半導体基板100の表面と対向することが可能な平面転写部の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。なお、図3の転写部の表面にある円形の穴202の直径は20μm程度である。なお、図3の転写部の表面にある触媒201の最短のスペースは2μm程度である。図4を説明する。図4は図5乃至図6の転写処理加工が完了した後の、半導体基板100の表面を上から見た図である。つまりこの表面が図5乃至図6の転写処理中に転写部103が近傍に配置または接触可能な面である。301の領域は非転写部分の領域であり、202の穴凹部の領域エッチングされないに該当する領域である。302の領域は転写部分の領域であり、201の触媒凸部の領域エッチングされるに該当する領域である。なお、半導体基板100の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、単結晶シリコンウエハのような円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。図5を説明する。図5は図1を拡大した図である。図5は、配置位置制御部102が、溶液の触媒として作用する転写部103を半導体基板100の表面近傍に配置した場合を示す図である。図5は、供給制御部111が、溶液を基板100の表面よりも上部かつ高部から半導体基板100の表面近傍反応スペース403に供給した場合を示す図である。なお、半導体基板100の表面近傍とは、転写部103との距離が例えば数μm程度であり、触媒201転写部103と基板100が実際に接触していなくても、基板100がエッチング転写部の形状の転写される距離である。なお、図5に示しように触媒201は転写部103の全面を被覆する必要はなく、転写処理において基板100に対向する面にあればよい。また転写部103の部材すべてを触媒201で作成してもよい。なお、転写部103の断面図は円形であるが四角や三角でもよく、円形に特に限定されないが、反応スペース403への溶液404の拡散を考慮すると円形が望ましい。図6を説明する。図6は図1を拡大した図である。図6は、配置位置制御部102が、溶液が通過する穴202があり、溶液の触媒として作用する転写部103を半導体基板100の表面と接触するように配置した場合を示す図である。図5は、供給制御部111が、溶液を基板100の表面よりも上部かつ高部から、転写部103が半導体基板の表面に接触する領域反応スペース403に供給した場合を示す図である。図5の場合と比べて配置位置制御部102が、転写部103を基板表面により近く配置した場合である。<変形例>尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水H2O2、二クロム酸カリウム水溶液K2Cr2O7、マンガン酸カリウム水溶液KMnO4、硝酸HNO3、硫酸H2SO4、酸素O2又はオゾンO3を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも1種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金Pt、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、それらの内少なくとも1つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも1種であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、CVD法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えたデバイス、または大規模集積回路LSIを備えたデバイスであってもよい。尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素SiC、GaAs、InGaAsであってもよい。尚、基板の転写処理枚数を高めるスループットの向上ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット104を複数にして、複数の基板を同時に転写処理することもできる。