"上側部分と下側部分とを有する一体化された金属本体であって、前記一体化された金属本体を貫通して設けられる開口を有する一体化された金属本体を備えるプロセスキットシールドであって、前記上側部分は、物理蒸着チャンバのターゲットの周りに配置され、そこから離間して配置されるように構成される開口対向面を有し、前記開口対向面は、前記物理蒸着チャンバの前記ターゲットからのターゲット材料のスパッタリング時に、前記一体化された金属本体の前記上側部分の上面への粒子堆積を制限するように構成される、プロセスキットシールド。前記一体化された金属本体は、前記一体化された金属本体の前記下側部分の下側縁部から前記開口部内に内向きに延びる下面と、前記下面の内側縁部の周りに配置され、前記下面の内側縁部から前記一体化された金属本体の前記上側部分に向かって上方に延びるリップと、を更に備える、請求項1に記載のプロセスキットシールド。前記プロセスキットシールドの前記リップの頂部に配置されるカバーリングに接触する場合に、前記プロセスキットシールドを位置調整するために、前記リップの内向き対向面の周りに配置される複数の位置調整デバイスを更に備える、請求項2に記載のプロセスキットシールド。前記上側部分の前記開口対向面は、起伏のある表面を有する、請求項1から請求項3のいずれか1つに記載のプロセスキットシールド。前記起伏のある表面は、前記ターゲットの同様に起伏のある表面に対応するように構成される、請求項4に記載のプロセスキットシールド。前記起伏のある表面の中心部分は、前記起伏のある表面の残部に対して内向きに延びるか、又は前記起伏のある表面の中心部分は、前記起伏のある表面の残部に対して外向きに延びる、請求項4に記載のプロセスキットシールド。基板を処理するための装置であって、処理容積と非処理容積とを有するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバ内に配置される基板支持体と、前記プロセスチャンバ内で前記基板支持体に対向して配置されるターゲットと、前記プロセスチャンバ内に配置され、前記処理容積を前記非処理容積から分離するプロセスキットシールドと、を備え、前記プロセスキットシールドは、上側部分と下側部分とを有する一体化された金属本体を備え、前記基板支持体と前記ターゲットとの間の前記一体化された金属本体の内側容積部内に形成される処理容積を有し、前記上側部分は、前記ターゲットの周りに配置され、そこから離隔して配置されるように構成される処理容積対向面を有し、前記処理容積対向面は、前記ターゲットからのターゲット材料のスパッタリング時に、前記一体化された金属本体の前記上側部分の上面への粒子堆積を制限するように構成される、装置。前記プロセスキットシールドの前記一体化された金属本体は、前記一体化された金属本体の前記下側部分の下側縁部から前記開口部内に内向きに延びる下面と、前記下面の内側縁部の周りに配置され、前記下面の内側縁部から前記一体化された金属本体の前記上側部分に向かって上方に延びるリップと、を備え、本装置は、前記基板支持体の頂部に移動可能に配置されるカバーリングを更に備え、前記カバーリングは、前記一体化された金属本体の前記下面に向かって延びる第2のリップを有し、前記第2のリップは、前記一体化された金属本体の前記リップの回りに配置され、前記一体化された金属本体の前記リップの外面に沿って選択的に移動可能である、請求項7に記載の装置。前記プロセスキットシールドを前記カバーリングの前記第2のリップと位置調整して、前記プロセスキットシールドの前記リップと前記カバーリングの前記第2のリップとの間の隙間を規定するために、前記リップの内向き対向面と前記第2のリップとの間に配置される複数の位置調整デバイスを更に備える請求項8に記載の装置。前記間隙の厚さは実質的に均一である、請求項9に記載の装置。前記プロセスチャンバは側壁を更に備え、前記プロセスキットシールドは、前記チャンバ内で前記側壁によって支持され、前記側壁は接地された導電材料である、請求項7から10のいずれかに記載の装置。前記プロセスチャンバは、側壁と、処理時に前記プロセスキットシールドの温度を制御するために、前記プロセスキットシールドに隣接して前記側壁内に配置される1つ又はそれ以上の熱伝達チャネルと、を更に備え、前記プロセスキットシールドは前記チャンバ内で前記側壁によって支持される、請求項7から10のいずれかに記載の装置。前記上側部分の前記処理容積対向面は、起伏のある表面を有する、請求項7から10のいずれかに記載の装置。前記起伏のある面は、前記ターゲットの同様に起伏のある表面に対応するように構成される、請求項13に記載の装置。前記起伏のある表面の中心部分は、前記起伏のある表面の残部に対して内向きに延びるか、又は前記起伏のある表面の中心部分は、前記起伏のある表面の残部に対して外向きに延びる、請求項13に記載の装置。従って、本発明者らは、プロセスキットシールドからの粒子汚染に関連する問題を解決するために、本明細書に開示するプロセスキットシールドを提供する。本明細書では、改善された粒子低減のための装置を提供する。幾つかの実施形態では、本装置は、上側部分と下側部分とを有する一体化された金属本体であって、該一体化された金属本体を貫通して設けられる開口を有する一体化された金属本体を備え、上側部分は、物理蒸着チャンバのターゲットの周りに配置され、そこから離間して配置されるように構成される開口対向面を有し、開口対向面は、物理蒸着チャンバのターゲットからのターゲット材料のスパッタリング時に、一体化された金属本体の前記上側部分の上面への粒子堆積を制限するように構成されるプロセスキットシールドを含むことができる。幾つかの実施形態では、本装置は、処理容積と非処理容積とを有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバ内に配置される基板支持体と、プロセスチャンバ内で基板支持体に対向して配置されるターゲットと、プロセスチャンバ内に配置され、処理容積を非処理容積から分離するプロセスキットシールドとを備え、プロセスキットシールドは、上側部分と下側部分とを有する一体化された金属本体を備え、基板支持体と前記ターゲットとの間の前記一体化された金属本体の内側容積部内に形成される処理容積を有し、上側部分は、ターゲットの周りに配置され、そこから離隔して配置されるように構成される処理容積対向面を有し、処理容積対向面は、ターゲットからのターゲット材料のスパッタリング時に、一体化された金属本体の上側部分の上面への粒子堆積を制限するように構成される。以下に本発明の他の更なる実施形態を説明する。前記に簡単に要約し、以下に詳細に説明する本発明の実施形態は、添付図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することで理解できる。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを例示するので、本発明は、他の同等に有効な実施形態を受け入れることができることから、これらの図面が本発明の範囲を限定すると考えるべきではないことに留意されたい。本明細書では、プロセスチャンバ内での粒子低減を改善するための装置を提供する。本発明のプロセスキットシールドは、RF-PVD処理中のプロセスキットシールドの表面上の粒子形成を好都合に低減することができ、一方でプロセスキットシールドとターゲットとの間のアーク放電を制限することができる。図1は、本発明の幾つかの実施形態による物理蒸着チャンバプロセスチャンバ100の概略断面図を示す。適切なPVDチャンバの例としては、両者とも米国カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能なALPS登録商標PlusPVDプロセスチャンバ及びSIPENCORE登録商標PVDプロセスチャンバを挙げることができる。また、AppliedMaterials,Inc.又は他の製造業者からの他のプロセスチャンバは、本明細書に開示する本発明の装置からの恩恵を受けるもとができる。プロセスチャンバ100は、基板104を受け取るための基板支持ペデスタル102及びターゲット106等のスパッタソースを含む。基板支持ペデスタル102は、チャンバ壁図示のような又は接地シールド接地シールド140は、ターゲット106上方のチャンバ100の少なくとも一部を覆うように示される。幾つかの実施形態では、接地シールド140は、ペデスタル102を取り囲むようにターゲットの下方に延ばすこともできるとすることができる、接地エンクロージャ壁108内に配置できる。プロセスチャンバは、RFエネルギー及びDCエネルギーをターゲット106に結合するための管状フィード構造110を含む。フィード構造は、RFエネルギー及びDCエネルギーをターゲット、又は例えば本明細書に説明するターゲットを含む組立体に結合するための装置である。本明細書で用いる場合、管状は、円形断面だけではなく、任意の断面を有する中空部材を一般に呼ぶ。フィード構造110は、第1の端部114及び第1の端部114とは反対側の第2の端部116を有する本体112を含む。また、本体112は、第1の端部114から第2の端部116へ本体112を貫通して設けられる中央開口部115を含む。フィード構造110の第1の端部114は、ターゲット106にそれぞれRFエネルギー及びDCエネルギーを提供するために利用できるRF電源118及びDC電源120に結合することができる。例えば、DC電源120は、負電圧又はバイアスをターゲット106に印加するために利用できる。幾つかの実施形態では、RF電源118によって供給されるRFエネルギーは、約2MHzから約60MHzの周波数の範囲とすることができ、又は2MHz、13.56MHz、27.12MHz、又は60MHz等の非限定的な周波数を用いることができる。幾つかの実施形態では、前記の複数の周波数でRFエネルギーを供給するために、複数のつまり、2つ又はそれ以上のRF電源を設けることができる。フィード構造110は、RF電源118及びDC電源120からのRFエネルギー及びDCエネルギーを導通させる適切な導電材料から製作できる。フィード構造110は、フィード構造110の外周の周りでそれぞれのRFエネルギー及びDCエネルギーの実質的に均一な分布を助長する適切な長さとすることができる。例えば、幾つかの実施形態では、フィード構造110は、約1インチから約12インチの長さ、又は4インチの長さとすることができる。幾つかの実施形態では、本体は、少なくとも約1:1の内径に対する長さの比を有することができる。少なくとも1:1又はそれ以上の比を与えることによって、フィード構造110からの一層均一なRF送出が可能になるすなわち、RFエネルギーは、フィード構造の周りに一層均一に分布して、RF結合はフィード構造110の真の中心点に近づく。フィード構造110の内径すなわち中央開口部115の直径は、可能な限り小さくすることができ、例えば、約1インチから約6インチ、又は約4インチの直径とすることができる。小さな内径を与えることによって、フィード構造110を長くすることなく、IDに対する長さの比の改善が容易になる。本体112の第2の端部116は、ソース分散プレート122に結合される。ソース分散プレートは、ソース分散プレート122を貫通して配置され、本体112の中央開口部と位置合わせされた孔124を含む。ソース分散プレート122は、フィード構造110からRFエネルギー及びDCエネルギーを導通させる適切な導電材料から製作することができる。ソース分散プレート122は、導電部材125を介してターゲット106に結合することができる。導電部材125は、ソース分散プレート122の周縁部に隣接したソース分散プレート122のターゲット対向面128に結合された第1の端部126を有する管状部材とすることができる。更に、導電部材125は、ターゲット106の周縁縁部に隣接したターゲット106のソース分散プレート対向面132又はターゲット106のバックプレート146に結合された第2の端部130を含む。キャビティ134は、導電部材125の内側対向壁、ソース分散プレート122のターゲット対向面128、及びターゲット106のソース分散プレート対向面132によって形成できる。キャビティ134は、ソース分散プレート122の孔124を介して本体112の中央開口部115に流体結合される。図1に例示して以下に説明するように、キャビティ134及び本体112の中央開口部115は、回転可能マグネトロン組立体136の1つ又はそれ以上の部分を少なくとも部分的に収容するために利用できる。幾つかの実施形態において、キャビティの少なくとも一部は、水H2O等の冷却流体で満たすことができる。プロセスチャンバ100のリッド外面を覆うために、接地シールド140を設けることができる。接地シールド140は、例えば、チャンバ本体の接地接続を介して接地に結合することができる。接地シールド140は、フィード構造110が、接地シールド140を貫通してソース分散プレート122に結合することを可能にする中央開口部を有する。接地シールド140は、アルミニウム、銅等の任意の適切な導電材料を含むことができる。接地シールド140と、分散プレート122の外面、導電部材125、及びターゲット106及び/又はバックプレート146との間には、RFエネルギー及びDCエネルギーが接地に直接送られることを防止する絶縁間隙139が設けられる。絶縁間隙には、空気、又はセラミック、プラスチック等の任意の他の適切な誘電体材料を満たすことができる。幾つかの実施形態では、フィード構造110の本体112及び下側部分204の周りに接地カラー141を配置することができる。接地カラー141は、接地シールド140に結合され、接地シールド140の一体部分とすること、又はフィード構造110の接地をもたらすために接地シールドに結合される別体部分とすることができる。接地カラー141は、アルミニウム又は銅等の適切な導電材料から作ることができる。幾つかの実施形態では、接地カラー141の内径とフィード構造110の本体112の外径との間に設けられる間隙は、最小限に保つことができ、電気絶縁を与えるのに十分なものとすることができる。間隙はプラスチック又はセラミック等の絶縁材料で満たすこと、又は空隙とすることができる。接地カラー141は、RFフィードと本体112との間のクロストークを防止するので、プラズマ、及び処理の均一性が改善される。RFエネルギー及びDCエネルギーが接地に直接送られるのを防止するために、ソース分散プレート122と接地シールド140との間に絶縁プレート138を配置することができる。絶縁プレート138は、フィード構造110が絶縁プレート138を貫通してソース分散プレート122に結合することを可能にする中央開口部を有する。絶縁プレート138は、セラミック、プラスチック等の適切な誘電体材料を含むことができる。もしくは、絶縁プレート138の代わりに空隙を設けることができる。絶縁プレートの代わりに空隙を設ける実施形態では、接地シールド140は、接地シールド140上に配置される何らかの構成要素を支持するのに構造的に十分しっかりしたものとすることができる。ターゲット106は、チャンバの接地された導電性側壁幾つかの実施形態ではアダプタ142と呼ぶ上に誘電体絶縁体144を介して支持できる。幾つかの実施形態では、チャンバの接地された導電性側壁又はアダプタ142は、アルミニウムから製作することができる。ターゲット106は、スパッタリング時に基板104上に堆積する金属又は酸化金属等の材料を含む。幾つかの実施形態では、バックプレート146は、ターゲット106のソース分散プレート対向面132に結合することができる。バックプレート146は、RF電力及びDC電力を、バックプレート146を介してターゲット106に結合することができるように、銅-亜鉛、銅-クロム等の導電材料、又はターゲットと同じ材料を含むことができる。もしくは、バックプレート146は非導電性とすることができ、ターゲット106のソース分散プレート対向面132を導電部材125の第2の端部130に結合するための電気的フィードスルー部等の導電要素図示せずを含むことができる。バックプレート146は、例えば、ターゲット106の構造的な安定性を改善するために設けることができる。基板支持ペデスタル102は、ターゲット106の主面に対向する材料受け取り面を有し、スパッタ被覆することになる基板104を、ターゲット106の主面に対向する平面位置に支持する。基板支持ペデスタル102は、基板104をプロセスチャンバ100の中心領域148で支持する。中心領域148は、処理時の基板支持ペデスタル102の上方領域例えば、処理位置にある場合のターゲット106と基板支持ペデスタル102との間として規定される。幾つかの実施形態では、基板支持ペデスタル102は、底部チャンバ壁152に結合された蛇腹150によって垂直に移動可能であり、基板104を、チャンバ100を処理する下側部分のロードロックバルブ図示せずを介して基板支持ペデスタル102上に移送した後に堆積位置又は処理位置まで上昇させることができる。ガス供給源154から質量流量コントローラ156を経由してチャンバ100の下側部分に、1つ又はそれ以上の処理ガスを供給することができる。プロセスチャンバの内部を排気してプロセスチャンバ100内を所望の圧力に維持することを容易にするために、排気口158を設けること及び弁160を介してポンプ図示せずに接続することができる。基板支持ペデスタル102にRFバイアス電源162を結合して基板104上に負のDCバイアスを生じさせることができる。更に、幾つかの実施形態では、処理時に基板104上に負のDC自己バイアスを形成することができる。例えば、RFバイアス電源162によって供給されるRF電力は、約2MHzから約60MHzの周波数の範囲とすることができ、例えば、2MHz、13.56MHz、又は60MHz等の非限定的周波数を用いることができる。他の用途において、基板支持ペデスタル102は、接地すること又は電気的浮遊状態のままとすることができる。例えば、RFバイアス電力が望ましくない用途において、基板104上の電圧を調節するために、基板支持ペデスタルに静電容量調整器164を結合することができる。ターゲット106の背面例えば、ソース分散プレート対向面132に隣接して回転可能マグネトロン組立体136を配置することができる。回転可能マグネトロン組立体136は、ベースプレート168で支持される複数の磁石166を含む。ベースプレート168は、チャンバ100及び基板104の中心軸と一致する回転シャフト170に連結される。マグネトロン組立体136を回転駆動するために、回転シャフト170の上端部にモータ172を結合することができる。磁石166は、電子を捕捉して局所プラズマ密度を高め、結果的にスパッタリング率を高めるために、チャンバ100内にターゲット106面に対して略平行に隣接した磁場を生成する。磁石166は、チャンバ100の上部の周りに電磁場を生成し、磁石166は、処理プラズマ密度に影響を与える電磁場を回転させてターゲット106を一層均一にスパッタリングするために回転する。例えば、回転シャフト170は、毎分約0から約150回転することができる。幾つかの実施形態では、チャンバ100は、アダプタ142の突出部176に結合したプロセスキットシールド174を更に含むことができる。結果的に、アダプタ142は、アルミニウムのチャンバ側壁108にシールされて接地される。概して、プロセスキットシールド174は、アダプタ142の壁に沿って下向きに延び、チャンバ壁108に沿って基板支持ペデスタル102の上面の下方に下向きに延び、基板支持ペデスタル102の上面に達するまで上向きに戻る例えば、底部でU字形部184を形成する。もしくは、プロセスキットシールドの最底部はU字形である必要はなく、任意の適切な形状とすることができる。基板支持ペデスタル102が下方の載架位置にある場合、カバーリング186は、プロセスキットシールド174の上向きに延びるリップ上部に載るが、基板支持ペデスタル102をスパッタリング堆積から保護するために、基板支持ペデスタル102が上方の堆積位置にある場合、カバーリング186は、基板支持ペデスタル102の外周部に載る。追加の堆積リング図示せずを用いて基板104の外周部を堆積から保護することができる。プロセスキットシールド174の実施形態は、本発明に従って以下に説明する。幾つかの実施形態では、1つ又はそれ以上の熱伝達チャネル178をアダプタ142内に図示せず又はこれに隣接して設けて、アダプタ142に熱を伝達すること、及び/又はアダプタ142から熱を伝達することができる。1つ又はそれ以上の熱伝達チャネル178は、1つ又はそれ以上の熱伝達チャネル178を経由して熱伝達流体を循環させることができる熱伝達流体供給源180に結合することができる。幾つかの実施形態では、熱伝達流体は、水等の冷却剤又は他の適切な冷却剤とすることができる。熱伝達流体供給源180は、アダプタ142への熱伝達又はアダプタ142からの熱伝達を容易にするために、熱伝達流体を所望の温度又はほぼその温度に維持することができる。好都合には、アダプタ142の温度を制御することでプロセスキットシールド174の温度制御が容易になる。例えば、処理時にプロセスキットシールド174から熱を除去することで、チャンバの処理状態と休止状態又は停止状態との間でのプロセスキットシールド174の温度勾配が低くなるので、プロセスキットシールド174と、プロセスキットシールド174上に存在し得る何らかの堆積材料との熱膨張係数の不一致に起因して生じる場合がある粒子の発生が低減する。幾つかの実施形態では、基板支持ペデスタル102とターゲット106との間に磁場を選択的に与えるために、チャンバ100の周りに磁石190を配置することができる。例えば、図1に示すように、磁石190は、チャンバ壁108の外側の周りで、処理位置にある場合の基板支持ペデスタル102の僅か上方の領域に配置できる。幾つかの実施形態では、磁石190は、アダプタ142に隣接して配置する等、追加的に又は代替的に他の場所に配置できる。磁石190は電磁石とすることができ、電磁石によって発生する磁場の大きさを制御するために電源図示せずに接続できる。図2は、本発明の幾つかの実施形態によるプロセスキットシールド174の概略断面図を示す。プロセスキットシールド174は、上側部分204と下側部分206とを有する一体化された金属本体202を含む。プロセスキットシールド174は、例えば、複数の部品から形成されるプロセスキットシールド等の追加的な除外するために一体化された金属本体202を有することができる。残念ながら、プロセスキットシールドを一体化された金属本体202で形成することで、金属部分とターゲット106との間のアーク放電を防止するために、プロセスキットシールドの金属部分とターゲット106との間にプロセスキットシールドのセラミック部分を有するという選択肢をもはや利用できない。しかしながら、本発明者らは、プロセスキットシールド174の上側部分204とターゲット106との間のアーク放電は、上側部分204のターゲット対向面210、212の間に形成される間隙208の距離を大きくすることで制限できることを発見した。幾つかの実施形態では、間隙208の距離は、約0.25mmから約4mmの間、又は約2mmとすることができる。ターゲット106とターゲット対向面210、212との間に形成される間隙208は同じでもよく又は異なっていてもよい。一体化された金属本体202は、チタンTi堆積処理、窒化チタンTiN堆積処理、タングステンW堆積処理、窒化タングステンWN堆積処理、銅Cu堆積処理、又はアルミニウムAl堆積処理等のRF-PVD処理と相性のよい任意の適切な金属で形成できる。例えば、一体化された金属本体202は、ステンレス鋼、アルミニウム、チタン、アルミニウムシリコン、銅、又はこれらの組み合わせを含むことができる。更に、例えば、処理時に表面上に形成され得る薄膜が表面に良好に付着してプロセスチャンバ内の基板処理時に剥離しないように、一体化された金属本体202の表面を被覆体で被覆できる。例えば、被覆体は、アルミニウム又はチタンのアークスプレー法、又は任意の適切な方法で形成できる。更に、被覆体の表面粗さは、処理時に被覆体上に形成される何らかの薄膜が、剥離して処理中の基板を汚染する可能性が僅かであるように、約700マイクロインチから約1500マイクロインチの平均粗度Raの範囲とすることができる。例えば、従来のプロセスキットシールドのセラミック部に取って代わる上側部分204は、ターゲット106の表面と上側部分204のターゲット対向面210、212との間でアーク放電が制限されるように、間隙208によってターゲット106の表面から離間される。しかしながら、本発明者らは、間隙208の距離がターゲット106とターゲット対向面210、212との間のアーク放電を制限又は解消するのに十分である場合には、間隙208の距離は、ターゲット材料の粒子がターゲット対向面212例えば、上側部分204の上面等の水平面に集積するのに十分であることを発見した。従って、幾つかの実施形態では、間隙208の距離は、ターゲット106の表面とプロセスキットシールドの上側部分204のターゲット対向面210、212との間のアーク放電をバランスさせるように最適化できる。もしくは、図3A-3Bに示すように、ターゲット対向面の1つ又はそれ以上は、アーク放電を制限するのに適した間隙距離を維持しながら粒子形成を制限するように構成することができる。例えば、図3A-3Bに示すように、ターゲット対向面210は、起伏のあるターゲット対向面302に置換できる。起伏のあるターゲット対向面302は、粒子がターゲット対向面212上へ集積することを制限するために又はターゲット対向面212上への材料の低エネルギー堆積を制限するために、任意の適切に成形された起伏のある表面をもつことができる。起伏のあるターゲット対向面302は、直接的な見通し線を制限するか又は曲がりくねった経路を作り出すことができるので、ターゲット材料の粒子又はターゲット材料の低エネルギー堆積は、プロセスキットシールド174の上側部分の水平ターゲット対向面212に到達しないであろう。例えば、幾つかの実施形態では、図3Aに示すように、起伏のあるターゲット対向面302は、略内向きに、例えばターゲット106に向かって延びることができる。もしくは、幾つかの実施形態では、図3Bに示すように、起伏のあるターゲット対向面302は、略外向きに、例えばターゲット106から離れるように延びることができる。起伏のあるターゲット対向面302には他の幾何学的形状を使用できる。更に、幾つかの実施形態では、図3A-3Bに示すように、起伏のあるターゲット対向面302に隣接するターゲットの表面304は、起伏のあるターゲット対向面302の起伏のある形状と略一致するように成形することができる。もしくは、図3Cに示すように、起伏のあるターゲット対向面302に隣接するターゲット106の表面は、起伏のあるターゲット対向面302の起伏のある形状と一致するように起伏を付ける必要はない。図2に戻ると、一体化された本体202の下側部分206は、カバーリング186と接触するリップ組立体214を含む。例えば、リップ組立体214は、一体化された金属本体202の下側部分206の下側縁部218から内向きに延びる下面216を含むことができる。前述のように、下面216は、図1に例示したU字形部分184等の任意の適切な形状とすることができる。リップ組立体214は、下面216の内側縁部222の周囲に配置され、下面の内側縁部から、一体化された金属本体202の上側部分204に向かって上方に延びるリップ220を含む。幾つかの実施形態では、リップ220は、カバーリング186に隣接して下向きに延びる内側リップ224と外側リップ226との間で上方に延びることができる。カバーリング186の内側及び外側のリップ224、226の長さ、並びにリップ220の長さは、プロセスチャンバ100で行われる処理の種類に応じて様々である。例えば、約1mTorrから約500mTorrの範囲の圧力での高圧処理では、基板支持体の移動が制限を受ける場合がある。従って、高圧処理では、リップ220の長さは約1インチとすることができる。更に、高圧処理時の基板支持体の移動範囲は、約15mm又はそれ以下とすることができる。内側及び外側のリップ224、226の長さは、リップ220との重複状態を維持しながら、基板支持体の移動範囲をカバーするのに十分な任意の適切な長さとすることができる。リップ220と少なくとも外側リップ226との間の最小重複代は約0.25インチとすることができる。幾つかの実施形態では、例えば、圧力が約1mTorrから約500mTorrの範囲の低圧処理時には、リップ220並びに内側及び外側のリップ224、226は、高圧処理時よりも短くすることができる。例えば、低圧処理では、リップ220の長さは、約0インチから約5インチの範囲とすること、又は2.2インチとすることができる。更に、幾つかの実施形態では、低圧処理時の基板支持体の移動範囲は、約40mm約1.57インチ又はそれ以下とすることができる。内側及び外側のリップ224、226の長さは、リップ220との重複状態を維持しながら、基板支持体の移動範囲をカバーするのに十分な任意の適切な長さとすることができる。リップ220と少なくとも外側リップ226との間の最小重複代は、約0インチから約5インチとすることができる。更に、図3Dに例示すように、プロセスキットシールド174は、リップ220の内側リップ対向面の周りに配置された複数の位置調整デバイス306図3Dには1つの位置調整デバイスのみを示すを含むことができる。例えば、位置調整デバイス306は、リップ220が、カバーリング186の外側リップ226と接触するように位置調整することができる。例えば、リップ220は、外側リップ226と接触するように好都合に位置調整して、リップ220と外側リップ226との間に良好なシールを形成して処理容積等の内部圧力を維持することができる。幾つかの実施形態では、カバーリング186とプロセスキットシールド174との間に均一な間隙を形成するために、位置調整デバイス306は、カバーリング186とプロセスキットシールド174との間に好都合に同心性をもたらすことができる。均一な間隙により、チャンバの下側部分から供給できる任意ガスのより均一な流動コンダクタンスがもたらされる。幾つかの実施形態では、位置調整デバイス306の各々は、本体308及びボール310を含むことができる。本体は、ステンレス鋼、アルミニウム等を含むことができる。本体308は、ボール310を保持するために利用でき、ボールは、カバーリング186の内側リップ224の表面と接触する。ボール310は、内側リップ224との接触時の剥離を防止するために、硬質材料、例えば、サファイア、ステンレス鋼、アルミナ等から形成できる。もしくは、ボール310は、カバーリング186の外側リップ226の表面に接触することができる。図2に戻ると、プロセスキットシールド174は、アダプタ142に係止することができる。例えば、アダプタ142は、上側部分142Aと下側部分142Bとを含むことができる上側アダプタ及び下側アダプタとも呼ぶ。一体化された金属本体202の上側部分204は、アダプタ142の上側部分142Aに載せることができる。上側部分204は、上側部分204の周りに配置される複数の孔228図2には1つの孔228だけを示すを含み、ねじ、ボルト等が貫通して、アダプタ142の上側部分142Aに対して一体化された金属本体202を固定するようになっている。同様に、アダプタ142の上側部分142Aは、孔228に隣接する複数の孔230を含み、ねじ、ボルト等が貫通する。例えば、孔とねじ、ボルト等の隣接するねじ山の間に捕捉されることになるガスに起因する、実質的な漏れの可能性を制限するために、孔228、230は、ねじ山がなくてもよい。更に、アダプタ142は、アダプタ142Aの上方からねじ、ボルト等を受け入れるために、一体化された本体202の周りに配置される各孔230の下に配置される、1つ又はそれ以上の係止デバイス143を含む。幾つかの実施形態では、1つの係止デバイスを設けること、及び環状プレートとすることができる。各係止デバイス143は、ねじ、ボルト等を受け入れるのに適したステンレス鋼又は他の硬質材料を含むことができる。各係止デバイス143は、ねじ、ボルト等を固定するためのねじ山部を含む。本明細書では、プロセスチャンバ内での粒子低減を改善するための装置を提供する。本発明のプロセスキットシールドは、プロセスキットシールドとターゲットとの間のアーク放電を制限しながら、RF-PVD処理時のプロセスキットシールド表面上での粒子形成を好都合に低減できる。前述は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の別の実施形態を考え出すことができる。"