"水性研磨組成物であって、Aセリアを含有する、またはそれから成る少なくとも1つのタイプの研磨粒子、およびB一般式I:R[B1m/B2nY]pI、式中、指数および変数は、以下の意味を有する:mは、≧1の整数である、nは、≧1の整数である、pは、≧1の整数である、Rは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価もしくは多価有機残基である、B1は、実質的にオキシエチレンモノマー単位から成るブロックである、B2は、実質的に少なくとも1つのタイプの置換オキシアルキレンモノマー単位から成るブロックであって、前記置換基は、少なくとも2つのメチル基、少なくとも2個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択されるブロックである、およびYは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価有機残基である、ただし、Bが1つより多いブロックB1またはB2を含有する場合、同一タイプの2つのブロックは相互から他のタイプのブロックによって分離されていることを前提とするの水溶性および水分散性であって直鎖および分枝鎖ポリオキシアルキレンブロックコポリマーから成る群から選択される少なくとも1つの両親媒性非イオン性界面活性剤を含む水性研磨組成物。前記ブロックB2のオキシアルキレンモノマー単位は置換オキシランに由来するが、このとき前記置換基は、少なくとも2つのメチル基および少なくとも2個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の水性研磨組成物。前記置換基は、少なくとも2つのメチル基、2~10個の炭素原子を有するアルキル基、スピロ環式、環外および/またはアニール化構造にある5~10個の炭素原子を有するシクロアルキル基、6~10個の炭素原子を有するアリール基、6~20個の炭素原子を有するアルキル-シクロアルキル基、7~20個の炭素原子を有するアルキル-アリール基、11~20個の炭素原子を有するシクロアルキル-アリール基および12~30個の炭素原子を有するアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択されることを特徴とする、請求項2に記載の水性研磨組成物。前記置換オキシランは、2-エチル、2,3-ジメチルおよび2,2-ジメチルオキシランから成る群から選択されることを特徴とする、請求項3に記載の水性研磨組成物。前記両親媒性非イオン性界面活性剤BのHLB親水性-親油性平衡値が3~20であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。相互から独立して、前記ブロックB1およびB2の平均重合度は5~100であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。前記両親媒性非イオン性界面活性剤Bの重量平均分子量は1,000~10,000ダルトンであることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。前記両親媒性非イオン性界面活性剤Bの濃度は0.001~5重量であることを特徴とし、このとき該重量は前記組成物の完全重量に基づく、請求項1~7のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。前記水性研磨組成物が該研磨組成物の完全重量に基づいて0.005~10重量の研磨粒子Aを含有することを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。構成成分A、BおよびCとは相違する少なくとも1つの官能性構成成分Dを含有することを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の水性研磨組成物。前記官能性構成成分Dは、前記粒子Aとは異なる有機、無機およびハイブリッド有機-無機研磨粒子、LCST下限臨界共溶温度もしくはUCST上限臨界共溶温度を有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤chargereversalagent、水性媒体中では分離できない少なくとも2つのヒドロキシ基を有する有機ポリオール、水性媒体中では分離できない少なくとも2つのヒドロキシ基を有する少なくとも1つのモノマーから形成されたオリゴマーおよびポリマー、錯化剤もしくはキレート剤、摩擦剤、安定剤、レオロジー剤、界面活性剤、金属カチオン、抗菌剤および有機溶媒から成る群から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の水性研磨組成物。前記官能性構成成分Dは、CMP化学的機械的研磨の分野において慣習的に使用される電荷反転剤であることを特徴とする、請求項10に記載の水性研磨組成物。前記官能性構成成分Dは、カルボン酸塩、スルフィン酸塩、硫酸塩、ホスホン酸塩およびリン酸塩から成る群から選択される少なくとも1つのアニオン性基を含有するモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物から成る群から選択される電荷反転剤であることを特徴とする、請求項10に記載の水性研磨組成物。前記官能性構成成分Dは、水溶性縮合リン酸塩である電荷反転剤であることを特徴とする、請求項10に記載の水性研磨組成物。電気、機械および光学装置のための基板を研磨するための、前記基板を少なくとも1回水性研磨組成物と接触させる工程および前記基板材料を所望の平坦性が達成されるまで研磨する工程による方法であって、請求項1~14のいずれか一項に記載の前記水性研磨組成物が使用されることを特徴とする方法。前記基板は、少なくとも1つの酸化ケイ素誘電体材料を含有する、もしくはそれから成る少なくとも1つの膜およびポリシリコンを含有する、もしくはそれから成る少なくとも1つの膜を含むことを特徴とする、請求項15に記載の方法。前記基板材料は、窒化ケイ素を含有する、もしくはそれから成る少なくとも1つの膜を追加して含むことを特徴とする、請求項16に記載の方法。前記電気装置は、集積回路装置、液晶パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル、プリント回路基板、微小機械、DNAチップ、マイクロプラントおよび磁気ヘッドである;前記機械装置は精密機械装置である;および前記光学装置は、フォトマスク、レンズおよびプリズム等の光学ガラス、ITOインジウムスズ酸化物等の無機導電性膜、光学集積回路、光学スイッチング素子、光導波路、光ファイバーおよびシンチレータの端面等の光学単結晶、固体レーザー単結晶、青色レーザーLEDのためのサファイア基板、半導体単結晶、ならびに磁気ディスク用のガラス基板であることを特徴とする、請求項15~17のいずれか一項に記載の方法。このため、本発明の1つの課題は、もはや先行技術の研磨組成物の不利点および短所を示さない、新規な水性研磨組成物、特に新規なCMP組成物、詳細には新規なセリアベースのCMPスラリーを提供することである。特に、該新規な水性研磨組成物、特に新規なCMP組成物、詳細には新規なセリアベースのCMPスラリーは、有意に改良された酸化物対ポリシリコン選択性を示し、WIWNUおよびWTWNUによって例示される極めて優れた全体的および局所的平坦性を有する研磨ウェーハを提供するはずである。このため、50nm未満の寸法を備える構造を有するIC構造、特にLSIまたはVLSIを備えるICsを製造するために素晴らしく適合するはずである。最も詳細には、該新規なセリアベースのCMPスラリーは、有益な窒化物対ポリシリコン選択性および有益な酸化物対窒化物選択性も示すはずである。さらに、該新規な水性研磨組成物、特に新規なCMP組成物および詳細には該新規なセリアベースのCMPスラリーは、IC装置の分野において格別に有用であるはずだけではなく、さらにまた他の電気装置、例えば液晶パネル、有機エレクトロルミネッセントパネル、プリント回路基板、微小機械、DNAチップ、マイクロプラントおよび磁気ヘッド;ならびに精密機械装置および光学装置、特に光学ガラス、例えばフォトマスク、レンズおよびプリズム、無機導電性膜、例えばITO、光学集積回路、光学スイッチング素子、光導波路、光学単結晶、例えば光ファイバーおよびシンチレータの端面、固体レーザー単結晶、青色レーザーLEDのためのサファイア基板、半導体単結晶、および磁気ディスク用のガラス基板を製造する分野において最も効率的および有益にも有用であるはずである。本発明のまた別の課題は、機械、電気および光学装置のための基板であって、前記基板材料が酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有する、場合により窒化ケイ素膜を含有する基板を研磨するための新規な方法を提供することである。したがって、新規な水性研磨組成物であって、前記水性研磨組成物が、Aセリアを含有する、またはそれから成る、少なくとも1つのタイプの研磨粒子、およびB一般式I:R[B1m/B2nY]pI、式中、指数および変数は、以下の意味を有する:mは、≧1の整数である、nは、≧1の整数である、pは、≧1の整数である、Rは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価もしくは多価有機残基である、B1は、実質的にオキシエチレンモノマー単位から成るブロックである、B2は、実質的に少なくとも1つのタイプの置換オキシアルキレンモノマー単位から成るブロックであって、該置換基は、少なくとも2つのメチル基、少なくとも2個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択されるブロックである、Yは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価有機残基である、ただし、Bが1つより多いブロックB1またはB2を含有する場合、同一タイプの2つのブロックは相互から他のタイプのブロックによって分離されていることを前提とするの水溶性および水分散性の直鎖および分枝鎖ポリオキシアルキレンブロックコポリマーから成る群から選択される少なくとも1つの両親媒性非イオン性界面活性剤を含む水性研磨組成物が見いだされている。以下では、該新規な水性研磨組成物を本発明の組成物と呼ぶ。さらに、機械、電気および光学装置のための基板を研磨するための、該基板材料を少なくとも1回本発明の組成物と接触させる工程と、該望ましい平坦性が達成されるまで該基板材料を研磨する工程とによる新規な方法が見いだされている。以下では、機械、電気および光学装置のための基板材料を研磨するための新規な方法を本発明の方法と呼ぶ。本発明の利点先行技術を考慮すると、本発明の課題を本発明の組成物および本発明の方法によって解決できることは驚くべきことであり、当業者には予測できなかった。特に驚くべきことに、本発明の組成物は、有意に改良された酸化物対ポリシリコン選択性を示し、WIWNUおよびWTWNUによって例示される極めて優れた全体的および局所的平坦性を有する研磨ウェーハを提供する。このため、それらは、50nm未満の寸法を備える構造を有するIC構造、特にLSIまたはVLSIを備えるICsを製造するために素晴らしく適合した。最も詳細には、本発明の組成物は、有益な酸化物対窒化物選択性と結合された有益な窒化物対ポリシリコン選択性もまた示した。さらに、本発明の組成物は、長期間の輸送および保管中に安定性であり、この安定性はロジスティクスおよび工程管理を有意に改良した。さらに、本発明の組成物は、IC装置の分野において格別に有用であるだけではなく、さらにまた他の電気装置、例えば液晶パネル、有機エレクトロルミネッセントパネル、プリント回路基板、微小機械、DNAチップ、マイクロプラントおよび磁気ヘッド;ならびに精密機械装置および光学装置、特に光学ガラス、例えばフォトマスク、レンズおよびプリズム、無機導電性膜、例えばITO、光学集積回路、光学スイッチング素子、光導波路、光学単結晶、例えば光ファイバーおよびシンチレータの端面、固体レーザー単結晶、青色レーザーLEDのためのサファイア基板、半導体単結晶、ならびに磁気ディスク用のガラス基板を製造する分野において最も効率的および有益にも有用であった。このため、本発明の組成物は、本発明の方法のために最も特に有用であった。本発明の方法は、電気装置、例えば液晶パネル、有機エレクトロルミネッセントパネル、プリント回路基板、微小機械、DNAチップ、マイクロプラントおよび磁気ヘッド;ならびに精密機械装置および光学装置、特に光学ガラス、例えばフォトマスク、レンズおよびプリズム、無機導電性膜、例えばITO、光学集積回路、光学スイッチング素子、光導波路、光学単結晶、例えば光ファイバーおよびシンチレータの端面、固体レーザー単結晶、青色レーザーLEDのためのサファイア基板、半導体単結晶、ならびに磁気ディスク用のガラス基板のための基板材料を研磨する、特に化学的機械的研磨するために最も有益に使用することができよう。しかし最も詳細には、本発明の方法は、酸化ケイ素誘電体膜およびポリシリコン膜を含有し、場合により窒化ケイ素膜を含有する半導体ウェーハを研磨するために素晴らしく適合した。本発明の方法は、WIWNUおよびWTWNUによって例示されるようなディッシング、カッピングまたはホットスポットを伴わずに素晴らしい全体的および局所的平坦性および平衡を有する研磨ウェーハを生じさせた。このため、それらは、50nm未満の寸法を備える構造を有するIC構造、特にLSIまたはVLSIを備えるICsを製造するために素晴らしく適合した。本発明の組成物は、水性組成物である。これは、本発明の組成物が水、特に超純水を主溶媒および分散剤として含有することを意味する。それでも、本発明の組成物は、少なくとも1つの水混和性有機溶媒を、しかし本発明の組成物の水性の性質を変化させない微量でのみ含有することができる。好ましくは、本発明の組成物は、水を本発明の組成物の完全重量に基づいた重量で60~99.95重量、より好ましくは70~99.9重量、いっそうより好ましくは80~99.9重量、および最も好ましくは90~99.9重量の量で含有する。水溶性は、本発明の組成物の関連構成成分もしくは成分を分子レベルで水相内に溶解させることができることを意味する。水分散性は、本発明の組成物の関連構成成分もしくは成分が水相内に分散させることができ、安定性エマルジョンまたは懸濁液を形成することを意味する。本発明の組成物の第1必須成分は、セリアを含有する、またはそれから成る少なくとも1つ、好ましくは1つのタイプの研磨粒子Aである。該研磨粒子Aの平均粒径は広範囲に及んでよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて調整することができる。好ましくは、動的レーザー光散乱法によって決定される平均粒径は、1~2,000nm、好ましくは1~1,000nm、より好ましくは1~750、最も好ましくは1~500nm、詳細には10~250nm、例えば80~200nmの範囲内にある。該研磨粒子Aの粒径分布は、単峰性、二峰性または多峰性であってよい。好ましくは、該粒径分布は、該研磨粒子Aの容易に再現性の特性プロファイルおよび本発明の方法中の容易に再現性の条件を有するために単峰性である。さらに、該研磨粒子Aの粒径分布は、狭くても広くてもよい。好ましくは、該粒径分布は、該研磨粒子Aの容易に再現性の特性プロファイルおよび本発明の方法中の容易に再現性の条件を有するためにほんの少量の小粒子および大粒子だけを含んでいて狭い。該研磨粒子Aは、様々な形状を有していてよい。そこで、それらは1つの、または実質的に1つのタイプの形状であってよい。しかし、該研磨粒子Aが様々な形状を有することも可能である。詳細には、2つのタイプの異なる形状の研磨粒子Aが本発明の所定の組成物中に存在してよい。形状自体に関しては、それらは立方体、面取りした辺縁を備える立方体、八面体、二十面体、突出部もしくはくぼみを備える、または備えない小塊および球体であってよい。最も好ましくは、形状は、突出部もしくはくぼみを備えない、またはほんの少数しか備えない球形である。この形状が一般に好ましいが、それは通常は該研磨粒子AがCMP工程中に曝露させられる機械力に対する抵抗性を増加させるからである。セリアを含有する該研磨粒子Aは、微量の他の希土類金属酸化物を含有することができる。セリアから成る該研磨粒子Aは、六角形、立方体または面心立方結晶格子を有することができる。好ましくは、セリアを含有する該研磨粒子Aは、セリアとは相違する少なくとも1つの他の研磨粒子材料、特にアルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、およびそれらの混合物を含有する、またはそれらから成るコアを含む複合粒子Aである。そのような複合粒子Aは、例えば、国際公開第2005/035688号パンフレット、米国特許第6110396号明細書、同第6238469号明細書、同第6645265号明細書、K.S.Choietal.,Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,Vol.671,2001MaterialsResearchSociety,M5.8.1toM5.8.10、S.-H.Leeetal.,J.Mater.Res.,Vol.17,No.102002,pages2744to2749、A.Jindaletal.,JournaloftheElectrochemicalSociety,1505,G314-G3182003、Z.Lu,JournalofMaterialsResearch,Vol.18,No.10,October2003,MaterialsResearchSociety、またはS.Hedgeetal.,ElectrochemicalandSolid-StateLetters,712,G316-G3182004から公知である。最も好ましくは、該複合粒子Aは、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、およびそれらの混合物から成る群から選択される20~100nmのコアサイズを備えるコアであって、10nm未満の粒径を有するセリア粒子でコーティングされているコアを含むラズベリータイプの被覆粒子である。本発明の組成物中で使用される該研磨粒子Aの量は広範囲に及んでよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて調整することができる。好ましくは、本発明の組成物は、本発明の組成物の完全重量に基づいた重量で0.005~10重量、より好ましくは0.01~8重量、および最も好ましくは0.01~6重量の量で研磨粒子Aを含有する。本発明の所定の組成物の第2必須成分は、一般式I:R[B1m/B2nY]pの水溶性および水分散性、好ましくは水溶性の、直鎖および分枝鎖、好ましくは直鎖のポリオキシアルキレンブロックコポリマーから成る群から選択される少なくとも1つの、好ましくは1つの両親媒性非イオン性界面活性剤Bである。一般式Iでは、指数mおよびnは相互から独立して1以上の整数、好ましくは1~10、より好ましくは1~5、および最も好ましくは1~3の整数である。一般式Iの指数pは、1以上の整数、好ましくは1~100、より好ましくは1~50、いっそうより好ましくは1~25、および最も好ましくは1~10の整数である。変数Rは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価もしくは多価有機残基を表す。好ましくは、一価もしくは多価有機残基Rは、1~4個および21~30個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択される。より好ましくは、該一価もしくは多価有機残基Rは、モノヒドロキシおよびポリヒドロキシ化合物R’に由来する。適切なモノヒドロキシ化合物R’の例は、直鎖および分枝鎖ヘネイコサン、ドコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサンおよびトリアコンタン、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェノールおよびそれらの4位に4~16個の炭素原子のアルキル基を有するフェノールに由来するメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、n-、sec-およびtert-ブタノール、モノアルコールである。適切なジヒドロキシ化合物R’の例は、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ペンチレングリコール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレンプロピレングリコール、ジエチレンプロピレングリコール、エチレンジプロピレングリコール、1,2-、1,3-および1,4-ジヒドロキシシクロヘキサンおよびベンゼンならびにビスフェノールAおよびFである。適切なトリヒドロキシ化合物R’の例は、グリセロール、1,2,3-トリヒドロキシ-n-ブタン、トリメチロールプロパン、1,2,3-、1,2,4-および1,3,5-トリヒドロキシシクロヘキサンならびにベンゼンである。適切なポリヒドロキシ化合物R’の例は、ペンタエロトリトール、1,2,3,4-、1,2,3,5-および1,2,4,5-テトラヒドロキシシクロヘキサンおよびベンゼン、ポリビニルアルコール、ポリヒドロキシスチレンアルジトール、シクリトール、炭水化物ならびにグリセロール、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、アルジトールおよびシクリトールの二量体およびオリゴマーである。適切なアルジトールR’の例は、テトリトール、ペンチトール、ヘキシトール、ヘプチトール、およびオクチトール、特にエリトリトール、トレイトール、アラビニトール、リビトール、キシリトール、ガラクチトール、マンニトール、グルシトール、アリトール、アルトリトールおよびイジトールである。適切な二量体R’の例は、グリセロール、トリメチロールプロパン、エリトリトール、トレイトールおよびペンタエリトリトール、マルチトール、イソマルトおよびラクチトール、特に、トリ-、テトラ-、ペンタ-、ヘキサ-、ヘプタ-、オクタ-、ノナ-、デカ-、ウンデカ-およびドデカグリセロール、-トリメチロールプロパン、-エリトリトール、-トレイトールおよび-ペンタエリトリトールの二量体である。適切なシクリトールR’の例は、1,2,3,4,5-ペンタヒドロキシシクロヘキサンおよびイノシトール、特にミオ-、シロ-、ムコ-、カイロ-、ネオ-、アロ-、エピ-およびシス-イノシトールである。適切な炭水化物R’の例は、単糖類、二糖類、オリゴ糖類、多糖類、デソキシ糖類およびアミノ糖類、特に単糖類である。適切な単糖類R’の例は、アロース、アルトロース、グルコース、マンノース、イドース、ガラクトースおよびタロースである。水素原子以外の残基Rは、少なくとも1つの不活性置換基を有していてよい。不活性は、該置換基が、長期間の保管後および本発明の工程中にエチレンオキシドおよびアルキレンオキシドの重合ならびに望ましくない反応、例えば本発明の組成物の構成成分の分解および/または沈殿を開始しないことを意味する。適切な不活性置換基の例は、酸素もしくは硫黄原子、カルボキシ基、スルホキシ基、スルホ基、カルボン酸、スルホン酸およびホスホン酸エステル基もしくはウレタン基を介して残基Rと結合したハロゲン原子、特にフッ素および塩素原子、ニトロ基、ニトリル基およびアルキル、シクロアルキルおよびアリール基である。該不活性置換基は、それらが該界面活性剤BのHLB値に有害な影響を及ぼさないような量で使用される。好ましくは、該置換基は、そのような不活性置換基を有していない。最も好ましくは、残基Rは、水素原子である。一般式Iの両親媒性非イオン性界面活性剤Bは、少なくとも1つのブロックB1および少なくとも1つのブロックB2を含有するが、このときBが1つより多いブロックB1およびB2を含有する場合、同一タイプの2つのブロックが相互から他のタイプのブロックによって分離されていることを前提とする。このため、該両親媒性非イオン性界面活性剤Bは、様々な一般ブロック状構造、例えば-B1-B2、-B1-B2-B1、-B2-B1-B2、-B1-B2-B1-B2、-B1-B2-B1-B2-B1、-B2-B1-B2-B1-B2、-B1-B2-B1-B2-B1-B2、-B1-B2-B1-B2-B1-B2-B1、および-B2-B1-B2-B1-B2-B1-B2を含有することができる。2つ以上のブロックB1が存在する場合は、それらは同一または実質的に同一の組成、分子量およびHLB値を有することができる、またはそれらは相互に相違してもよい。これは、ブロックB2にも同等に当てはまる。好ましくは、該両親媒性非イオン性界面活性剤Bは、一般ブロック状構造B1-B2、B1-B2-B1またはB2-B1-B2を含有する。ブロックB1は、実質的にオキシエチレンモノマー単位から成る。実質的に~から成るは、ブロックB1が全体としてオキシエチレンモノマー単位から成る、または微量のオキシプロピレンモノマー単位および/またはオキシアルキレンモノマー単位、即ちブロックB2のモノマー単位を含有することを意味する。微量は、該オキシエチレンモノマー単位以外のモノマー単位の濃度が極めて低いので、該オキシエチレンモノマー単位によって誘導されるブロックB1の化学的および物理化学的特性、特に親水性の性質が有害な影響を受けず、有益には改質されることを意味する。ブロックB2の平均重合度とは無関係に、ブロックB1の平均重合度は広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて適応させることができる。好ましくは、平均重合度は、5~100、より好ましくは5~75、および最も好ましくは5~50の範囲内にある。該ブロックB2は、実質的に少なくとも1つの、好ましくは1つのタイプの置換オキシアルキレンモノマー単位から成り、該置換基は、少なくとも2つのメチル基、少なくとも2個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択される。実質的に~から成るは、ブロックB2が全体として前記オキシアルキレンモノマー単位から成る、または微量のオキシプロピレンモノマーおよび/またはオキシエチレンモノマー単位を含有することを意味する。微量は、該オキシエチレンモノマーおよび/またはオキシプロピレンモノマー単位の濃度が極めて低いので、該オキシアルキレンモノマー単位によって誘導されるブロックB2の化学的および物理化学的特性、特に親油性の性質が有害な影響を受けず、有益には改質されることを意味する。好ましくは、ブロックB2のオキシアルキレンモノマー単位は置換オキシランに由来するが、このとき該置換基は、少なくとも2つのメチル基および少なくとも2個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択される。より好ましくは、該置換基は、少なくとも2つのメチル基、2~10個の炭素原子を有するアルキル基、スピロ環式、環外および/またはアニール化構造にある5~10個の炭素原子を有するシクロアルキル基、6~10個の炭素原子を有するアリール基、6~20個の炭素原子を有するアルキル-シクロアルキル基、7~20個の炭素原子を有するアルキル-アリール基、11~20個の炭素原子を有するシクロアルキル-アリール基および12~30個の炭素原子を有するアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択される。適切なアルキル基の例は、2つのメチル基およびエチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、n-ペンチル、2,2-ジメチルプロプ-1-イル、n-ヘキシル、2-、3-および4-メチルペント-1-イル、2,2-および3,3-ジメチルブト-1-イル、n-ヘプチル、2,3-ジメチルペント-1-イル、2,3,3-トリメチルブト-1-イル、n-オクチル、イソオクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、2-エチル-3,4-ジメチルペント-1-イル、およびn-デシル;好ましくは、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、n-ペンチル、およびn-ヘキシル基である。適切なシクロアルキル基の例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロペンタン-1,1-ジイル、シクロペンタン-1,2-ジイル、シクロヘキサン-1,1-ジイル、およびシクロヘキサン-1,2-ジイル基である。適切なアリール基の例は、フェニルならびに1-および2-ナフチル基である。適切なアルキル-シクロアルキル基の例は、シクロペンチル-およびシクロヘキシルメチル、2-シクロペンチル-および2-シクロヘキシルエチル-1-イル、3-シクロペンチル-および3-シクロヘキシルプロプ-1-イル、ならびに4-シクロペンチル-および4-シクロヘキシル-n-ブト-1-イル基である。適切なアルキル-アリール基の例は、フェニルメチル、2-フェニルエト-1-イル、3-フェニルプロプ-1-イル、および4-フェニル-n-ブト-1-イル基である。適切なシクロアルキル-アリール基の例は、4-フェニル-シクロヘキス-1-イル、4-シクロヘキシル-フェン-1-イル、および2,3-ジヒドロインデン-1,2-ジイル基である。適切なアルキル-シクロアルキル-アリール基の例は、シクロヘキシル-フェニル-メチルおよび2-シクロヘキシル-2-フェニル-エト-1-イル基である。特に好ましい置換オキシランの例は、エチル、2,2-および2,3-ジメチル、2,2,3-トリメチル、2,2,3,3-テトラメチル、2-メチル-3-エチル、2,2-および2,3-ジエチル、n-プロピル、2-メチル-3-n-プロピル、n-ブチル、n-ペンチル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、n-ノニル、n-デシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、およびナフチルオキシラン;1,2-エポキシ-シクロヘキサンおよび-シクロペンタン;1-オキサ-3-スピロ[3.4]-ヘプタンおよび1-オキサ-3-スピロ[3.5]-オクタン;ならびに1,2-エポキシ-2,3-ジヒドロインデンである。最も好ましくは、該置換オキシランは、2-エチル、2,3-ジメチルおよび2,2-ジメチルオキシラン、特に好ましくは、2-エチルオキシランおよび2,3-ジメチルオキシランから成る群から選択される。このため、特に好ましくは使用される該オキシアルキレンモノマー単位は、オキシブト-1,2-イレン、-CHC2H5-CH2-O-、およびオキシブト-2,3-イレン、-CHCH3-CHCH3-O-から選択される。ブロックB1の平均重合度とは無関係に、ブロックB2の平均重合度は広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて適応させることができる。好ましくは、平均重合度は、5~100、より好ましくは5~75、および最も好ましくは5~50の範囲内にある。変数Yは、水素原子、または5~20個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖アルキル基を除く一価有機残基を表す。好ましくは、該一価有機残基Yは、1~4個および21~30個の炭素原子を有するアルキル基ならびにシクロアルキル、アリール、アルキル-シクロアルキル、アルキル-アリール、シクロアルキル-アリールおよびアルキル-シクロアルキル-アリール基から成る群から選択される。より好ましくは、該一価残基Yは、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-、sec-およびtert-ブチル、直鎖および分枝鎖ヘネイコサニル、ドコサニル、トリコサニル、テトラコサニル、ペンタコサニル、ヘキサコサニル、ヘプタコサニル、オクタコサニル、ノナコサニルおよびトリアコンタニル、シクロヘキシル、ベンジルおよびフェニル基ならびにそれらの4位に4~16個の炭素原子を備えるアルキル基を有するフェニル基から成る群から選択される。好ましくは、該一価残基Yは、水素原子である。両親媒性非イオン性界面活性剤BのHLB値は広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に適応させることができる。好ましくは、HLB値は、3~20、最も好ましくは4~18の範囲内にある。該両親媒性非イオン性界面活性剤Bの表面張力もまた広範囲に及んでよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて適応させることができる。好ましくは、表面張力は、25°Cで20~60、より好ましくは25~55、および最も好ましくは25~50ダイン/cmの範囲内にある。該両親媒性非イオン性界面活性剤Bの重量平均分子量もまた広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に適応させることができる。好ましくは、重量平均分子量は、1,000~10,000、最も好ましくは1,100~8,000ダルトン、詳細には1,100~3,500ダルトンの範囲内にある。該両親媒性非イオン性界面活性剤Bの調製は、化学的および方法的特性を全く提供しないが、それらは、例えばスターター分子として上述したモノ-およびポリヒドロキシ化合物R’を使用して、またはそのようなスターター分子を使用せずに適切なオキシランのアニオン性開環重合または適切なエピクロロヒドリンの重縮合のような慣習的および公知の方法にしたがって実施できる。本発明の所定の組成物中の該両親媒性非イオン性界面活性剤Bの濃度は、広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて調整することができる。好ましくは、本発明の組成物は、該両親媒性非イオン性界面活性剤Bを0.001~5重量、より好ましくは0.005~2.5重量、いっそうより好ましくは0.0075~1重量、および最も好ましくは0.0075~0.5重量の量で含有する。本発明の組成物は、成分または構成成分A、BおよびCとは異なる少なくとも1つの官能性構成成分Dを含有することができる。好ましくは、該官能性構成成分Dは、セリアベースのCMPスラリーにおいて慣習的に使用される化合物の群から選択される。そのような化合物Dの例は、例えば、Y.N.Prasadetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,912,G337-G3392006、Hyun-GooKangetal.inJournalofMaterialResearch,volume22,No.3,2007,pages777to787、S.Kimetal.inJournalofColloidandInterfaceScience,3192008,pages48to52、S.V.Babuetal.inElectrochemicalandSolid-StateLetters,712,G327-G3302004、Jae-DongLeeetal.inJournaloftheElectrochemicalSociety,1498,G477-G481,2002、米国特許第5738800号明細書、同第6042741号明細書、同第6132637号明細書、同第6218305B号明細書、同第5759917号明細書、同第6689692号明細書、同第6984588号明細書、同第6299659号明細書、同第6626968号明細書、同第6436835号明細書、同第6491843号明細書、同第6544892号明細書、同第6627107号明細書、同第6616514号明細書、および同第7071105号明細書、米国特許出願公開第2002/0034875号明細書、同第2006/0144824号明細書、同第2006/0207188号明細書、同第2006/0216935号明細書、同第2007/0077865号明細書、同第2007/0175104号明細書、同第2007/0191244号明細書および同第2007/0218811号明細書、ならびに特開2005-336400号公報に開示されている。さらに、該官能性構成成分Dは、該粒子Dとは異なる有機、無機およびハイブリッド有機-無機研磨粒子、LCST下限臨界共溶温度もしくはUCST上限臨界共溶温度を有する材料、酸化剤、不動態化剤、電荷反転剤chargereversalagent、水性媒体中では分離できない少なくとも3つのヒドロキシド基を有する有機ポリオール、水性媒体中では分離できない少なくとも3つのヒドロキシド基を有する少なくとも1つのモノマーから形成されたオリゴマーおよびポリマー、錯化剤もしくはキレート剤、摩擦剤、安定剤、レオロジー剤、界面活性剤、金属カチオン、抗菌剤または殺生物剤および有機溶媒から成る群から選択される。適切な有機研磨粒子Dおよびそれらの有効量は,例えば、メラミンおよびメラミン誘導体、例えばアセトグアナミン、ベンゾグアナミンおよびジシアンジアミドから成る固体粒子が開示されている米国特許出願公開第2008/0254628号明細書、第4頁第0054段落または国際公開第2005/014753号パンフレットから公知である。適切な無機研磨粒子Dおよびそれらの有効量は、例えば、国際特許公開第2005/014753号パンフレット、第12頁第1~8行または米国特許第6068787号明細書第6段第41行~第7段第65行から公知である。適切なハイブリッド有機-無機研磨粒子Dおよびそれらの有効量は、例えば、米国特許出願公開第2008/0254628号明細書第4頁第0054段落または同第2009/0013609号明細書第3頁第0047段落~第6頁第0087段落から公知である。適切な酸化剤Dおよびそれらの有効量は、例えば、欧州出願公開第第1036836号明細書第8頁第0074~0075段落または米国特許第6068787号明細書第4段第40行~第7段第45行または米国特許第7300601号明細書第4段第18~34行から公知である。好ましくは、有機および無機過酸化物、より好ましくは無機過酸化物が使用される。特に、過酸化水素が使用される。適切な不動態化剤Dおよびそれらの有効量は、例えば、米国特許第7300601号明細書第3段第59行~第4段第9行または米国特許出願公開2008/0254628号明細書の第4~5頁にわたる第0058段落から公知である。時々は摩擦剤とも呼ばれる適切な錯化剤もしくはキレート剤D米国特許出願公開第2008/0254628号明細書第5頁第0061段落を参照またはエッチング剤もしくはエッチャント米国特許出願公開第2008/0254628号明細書第4頁第0054段落を参照およびそれらの有効量は、例えば米国特許第7300601号明細書第4段第35~48行から公知である。アミノ酸、特にグリシン、およびさらにその上、少なくとも1つ、好ましくは2つ、およびより好ましくは3つの第1級アミノ基を含有するジシアンジアミドおよびトリアジン、例えばメラミンおよび水溶性グアナミン、特にメラミン、ホルモグアナミン、アセトグアナミンおよび2,4-ジアミノ-6-エチル-1,3,5-トリアジンが最も特に好ましく使用される。適切な安定剤Dおよびそれらの有効量は、例えば、米国特許第6068787号明細書第8段第4~56行から公知である。適切なレオロジー剤Dおよびそれらの有効量は、例えば、米国特許出願公開第20080254628号明細書第5頁第0065段落~第6頁第0069段落から公知である。適切な界面活性剤Dおよびそれらの有効量は、例えば、国際特許公開第2005/014753号パンフレット第8頁第23行~第10頁第17行または米国特許第7300601号明細書第5段第4行~第6段第8行から公知である。好ましい界面活性剤Dは、直鎖および分枝鎖アルキレンオキシド、好ましくはエチレンオキシドおよびプロピレンオキシド、ホモポリマーおよびコポリマーから成る群から選択される非イオン性界面活性剤である。好ましいエチレンオキシド-プロピレンオキシドコポリマーDは、ランダムコポリマー、交互コポリマーまたはポリエチレンオキシドブロックおよびポリプロピレンオキシドブロックを含有するブロックコポリマーであってよい。好ましくは、エチレンオキシド-プロピレンオキシドブロックコポリマーDでは、該ポリエチレンオキシドブロックは、10~15のHLB値を有する。該ポリプロピレンオキシドブロックは、28~約32のHLB値を有していてよい。好ましい界面活性剤Dは慣習的および公知の市販で入手できる材料であり、欧州特許第1534795号明細書第3頁第0013段落~第4頁第0023段落、特開2001-240850号公報第0007~第0014段落と結び付けた請求項2、米国特許出願公開第2007/0077865号明細書第1頁第0008段落~第2頁第0010段落、米国特許出願公開第2006/0124594号明細書第3頁第0036および0037段落ならびに同第2008/0124913号明細書の請求項14と結び付けた第3頁第0031~0033段落に記載されている、またはそれらはBASFCorporation社の会社パンフレットPluronic商標Tetronic商標BlockCopolymerSurfactants,1996または米国特許出願公開第2006/0213780号明細書によって明らかにされているように、BASFCorporation社およびBASFSE社によって商標名Pluronic商標、Tetronic商標およびBasensol商標を付けて販売されている。最も好ましくは、ポリエチレングリコールPEGが非イオン性界面活性剤Dとして使用される。適切な多価金属イオンDおよびそれらの有効量は、例えば、欧州特許出願公開第1036836号明細書第8頁第0076段落~第9頁第0078段落から公知である。適切な有機溶媒Dおよびそれらの有効量は、例えば、米国特許第7361603号明細書第7段第32~48行または米国特許出願公開2008/0254628号明細書第5頁第0059段落から公知である。適切な抗菌剤または殺生物剤は、N-置換ジアゼニウムジオキシドおよびN’-ヒドロキシ-ジアゼニウムオキシド塩であるLCSTもしくはUCSTを示す適切な材料Dは、例えばChemicalCommunication,2005,4872-4874におけるH.Mori,H.Iwaya,A.NagaiandT.Endoの論文、ControlledsynthesisofthermoresponsivepolymersderivedfromL-prolineviaRAFTpolymerization;もしくはD.Schmaljohannの論文、Thermo-andpH-responsivepolymersanddrugdelivery,AdvancedDrugDeliveryReviews,volume582006,1655-1670、または米国特許出願公開第2002/0198328号明細書、同第2004/0209095号明細書、同第2004/0217009号明細書、同第2006/0141254号明細書、同第2007/0029198号明細書、同第2007/0289875号明細書、同第2008/0249210号明細書、同第2008/0050435号明細書もしくは同第2009/0013609号明細書、米国特許第5057560号明細書、同第578882号明細書および同第6682642号明細書、国際特許出願公開第01/60926号パンフレット、同第2004/029160号パンフレット、同第2004/0521946号パンフレット、同第2006/093242号パンフレットまたは同第2007/012763号パンフレット、欧州特許出願公開第0583814号明細書、同第1197587号明細書および同第1942179号明細書もしくは独国特許出願第2610705号明細書に記載されている。原理上、CMPの分野において慣習的に使用される任意の公知の電荷反転剤Dを使用できる。好ましくは、該電荷反転剤Dは、カルボン酸塩、スルフィン酸塩、硫酸塩、ホスホン酸塩およびリン酸塩基から成る群から選択される少なくとも1つのアニオン性基を含有するモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物から成る群から選択される。好ましくは、アニオン性リン酸塩分散剤、特に水溶性縮合リン酸塩が電荷反転剤Dとして使用される。適切な水溶性縮合リン酸塩Dの例は、塩、特に一般式I:[MnPO3n]I;のメタリン酸塩のアンモニウム、ナトリウムおよびカリウム塩、ならびに一般式IIおよびIII:Mn2PnO3n1II;MnH2PnO3n1III;式中、Mは、アンモニウム、ナトリウムもしくはカリウムカチオンであり、指数nは2~10,000であるのポリリン酸塩である。特に適切な水溶性縮合リン酸塩Dの例は、グラハムGraham塩NaPO340-50、Calgon商標NaPO315-20、クロールKurrol塩NaPO3n式中、n=約5,000、ならびにヘキサメタリン酸アンモニウム、ナトリウムおよびカリウムである。本発明の組成物中の水溶性アニオン性リン酸塩分散剤Dの濃度は、極めて広範囲に変動してよく、このため、最も有益には本発明の所定の組成物および方法の特定の要件に合わせて調整することができる。好ましくは、該アニオン性リン酸塩分散剤Dは、10~2,000、およびより好ましくは20~1,000のセリアA対アニオン性リン酸塩分散剤Dの重量比が結果として生じるような量で使用される。存在する場合、該官能性構成成分Dを様々な量で含有することができる。好ましくは、Dの総量は、対応するCMP組成物の総重量に基づいて、10wt超wtは重量を意味する、より好ましくは2wt以下、最も好ましくは0.5wt以下、特に0.1wt以下、例えば0.01wt以下である。好ましくは、Dの総量は、対応する組成物の総重量に基づいて、少なくとも0.0001wt、より好ましくは少なくとも0.001wt、最も好ましくは少なくとも0.008wt、特に少なくとも0.05wt、例えば少なくとも0.3wtである。本発明の組成物は、物質的に構成成分A、BおよびCとは異なる少なくとも1つのpH調整剤もしくは緩衝剤Eを場合により含有することができる。適切なpH調整剤もしくは緩衝剤Eおよびそれらの有効量は、例えば、欧州特許出願公開第1036836号明細書第8頁第0080、0085および0086段落、国際公開第2005/014753号パンフレット第12頁第19~24行、米国特許出願公開第2008/0254628号明細書第6頁第0073段落または米国特許第7300601号明細書第5段第33~63行から公知である。pH調節剤または緩衝剤Eについての例は、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、硝酸、および硫酸である。存在する場合、該pH調整剤もしくは緩衝剤Eは、様々な量で含有できる。好ましくは、Eの総量は、対応するCMP組成物の総重量に基づいて、20wt以下、より好ましくは7wt以下、最も好ましくは2wt以下、特に0.5wt以下、例えば0.1wt以下である。好ましくは、Eの総量は、対応する組成物の総重量に基づいて、少なくとも0.001wt、より好ましくは少なくとも0.01wt、最も好ましくは少なくとも0.05wt、特に少なくとも0.1wt、例えば少なくとも0.5wtである。好ましくは、本発明の組成物のpHは、好ましくは上述したpH調整剤Eを使用して、3~10、より好ましくは3~8、いっそうより好ましくは3~7、および最も好ましくは5~7に設定される。本発明の組成物の調製は、何の特殊性も示さないが、上述した構成成分A、BおよびCならびに場合によりDおよび/またはEを水性媒体、特に脱イオン水中に溶解もしくは分散させる工程によって実施できる。このために、慣習的および標準的混合工程および混合装置、例えば攪拌槽、インライン溶解槽、高剪断インペラー、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズルまたは向流ミキサーを使用できる。好ましくは、このようにして得られた本発明の組成物は、粗粒子状粒子、例えば固体の微細に分散した研磨粒子Aの塊もしくは凝集体を除去するために、適切なメッシュ開口のフィルターを通してろ過することができる。本発明の組成物は、本発明の方法のために素晴らしく適合する。本発明の方法では、電気、機械および光学装置、特に電気装置、最も好ましくは、IC装置のための基板は、少なくとも1回、本発明の組成物と接触させられ、所望の平坦性が達成されるまで、研磨される、特に化学的および機械的に研磨される。本発明の方法は、少なくとも1つ、好ましくは1つの酸化ケイ素誘電体材料、およびポリシリコンから成る少なくとも1つの膜から成る少なくとも1つの誘電体分離膜を有するシリコン半導体ウェーハのCMPにおいてその特定の利点を示す。好ましくは、酸化ケイ素誘電体材料は、二酸化ケイ素および低kおよび超低k酸化ケイ素材料から成る群から選択される。場合により、該シリコン半導体ウェーハは、少なくとも1つの窒化ケイ素膜を有する。適切な二酸化ケイ素材料は、米国特許出願公開第2007/0175104号明細書第7頁第0092段落に記載されたように、低圧および高圧プラズマ化学蒸着法LDPまたはHDPCVDによって、モノシラン-酸素もしくはテトラエチルオルトシリケートTEOS-酸素プラズマを用いて予備調製することができる。適切な低kもしくは超低k材料および該断熱誘電体膜を調製する適切な方法は、例えば、米国特許出願公開第2005/0176259号明細書第2頁第0025~0027段落、同第2005/0014667号明細書第1頁第0003段落、同第2005/0266683号明細書第1頁第0003段落および第2頁第0024段落もしくは同第2008/0280452号明細書第0024~0026段落または米国特許第7250391号明細書第1段第49~54行もしくは欧州特許出願公開第1306415号明細書第4頁第0031段落に記載されている。本発明の方法は、パターン化されたウェーハ基板上のポリシリコンの上方の誘電体酸化ケイ素材料の選択的除去を必要とするSTIのために特に適合する。この方法では、エッチングされたトレンチには誘電体酸化ケイ素材料、例えば二酸化ケイ素が過充填され、これがバリアまたは阻止膜としてのポリシリコン膜を用いて研磨される。この好ましい実施形態では、本発明の方法は、露出したポリシリコンおよびトレンチ二酸化ケイ素の除去を最小限に抑えながら該二酸化ケイ素を該バリア膜から除去する工程で終了する。さらに、本発明の方法は、さらにSTIのために特に適切であるが、このとき窒化ケイ素膜もまた存在するがそれは本発明の組成物が高い酸化物対ポリシリコン選択性だけではなく有益な窒化物対-ポリシリコン選択性および有益な酸化物対窒化物選択性もまた示すからである。本発明の方法は、特殊性を示さないが、ICsを備える半導体ウェーハの製造におけるCMPのために慣習的に使用される方法および装置を用いて実施することができる。当分野において公知であるように、CMPのための典型的装置は、研磨パッドを用いて被覆されている回転プラテンから成る。該ウェーハは、それとその上側の裏側が該研磨パッドに面しているキャリアまたはチャック上に載せられる。該キャリアは、該ウェーハを水平位置に固定する。研磨および保持装置のこの特定配列は、硬質プラテン設計としても公知である。該キャリアは、該キャリアの保持表面と研磨されていない該ウェーハの表面との間にあるキャリアパッドを保持することができる。このパッドは、該ウェーハのためのクッションとして機能できる。該キャリアの下方には、より大きな径のプラテンが同様に概して水平に配置され、研磨される該ウェーハの表面に平行の表面を提示している。その研磨パッドは、平坦化工程中に該ウェーハ表面に接触する。本発明のCMP工程中、本発明の組成物は、連続流として、または滴下法で該研磨パッド上に適用される。該キャリアおよびプラテンはどちらも、該キャリアおよびプラテンから垂直に伸びるそれらの各軸の周囲を回転させられる。該回転するキャリア軸は該回転するプラテンに対して位置が固定されたままとなってよい、または該プラテンに対して水平方向に振動してよい。該キャリアの回転方向は、必ずではないが、該プラテンの回転方向と同一である。該キャリアおよびプラテンの回転速度は、概して、必ずではないが、異なる数値に設定される。慣習的には、該プラテンの温度は、10~70°Cの温度に設定される。さらなる詳細は、国際公開第2004/063301号パンフレットの特に第16頁第0036段落から第18頁第0040段落を図1と結び付けて参照されたい。本発明の方法によって、素晴らしい平坦性を有する、パターン化されたポリシリコンおよび誘電体酸化ケイ素膜、特に二酸化ケイ素膜を含むICsを備える半導体ウェーハを得ることができる。このため、素晴らしい平坦性、および完成したICでは素晴らしい電気的機能性をさらに有する銅ダマシンパターンを入手することができる。実施例および比較実験両親媒性非イオン性界面活性剤Bを含有している水性研磨組成物1~9および両親媒性非イオン性界面活性剤Bを含有していない水性研磨組成物10の調製水性研磨組成物1~10を調製するために、セリア動的レーザー光散乱法によって決定した平均粒径d50:120~180nmおよびヘキサメタリン酸ナトリウムPP;セリア対PPの重量比=200:1、以下ではPP200と指定するを超純水中に分散または溶解させた。水性研磨組成物1~9を調製するためには、表1に列挙した両親媒性非イオン性界面活性剤Bを追加して加えた。水性研磨組成物10の調製のためには、両親媒性非イオン性界面活性剤Bを加えなかった。該水性研磨組成物の成分の量は、表2にまとめられている。aポリエチレンオキシド-ポリ-1,2-ブチレンオキシド-ポリエチレンオキシドブロックコポリマー;bポリエチレンオキシド-ポリ-2,3-ブチレンオキシドブロックコポリマー;c方法B:100gの5重量塩化ナトリウム水溶液中の1gの界面活性剤;方法E:25gの25重量ブチルジグリコール水溶液中の5gの界面活性剤;d表面張力:25°Cで45.3ダイン/cm実施例2~9および比較実験C1シリコン半導体ウェーハ上の二酸化ケイ素、窒化ケイ素膜およびポリシリコン膜のCMP実施例2~9のためには実施例1の水性研磨組成物1~9を使用した。比較実験C1のためには実施例1の水性研磨組成物10を使用した。HDP二酸化ケイ素膜を有する200mmブランケットシリコンウェーハ、LPCVD窒化ケイ素膜を有する200mmブランケットシリコンウェーハおよび非晶質ポリシリコン膜を有する200mmブランケットシリコンウェーハを、以下の条件下で水性研磨組成物1~10を用いて化学的機械的に研磨した。-研磨装置:AMATMirra回転型;-プラテンの速度:93rpm;-キャリアの速度:87rpm;-研磨パッド:IC1010-k溝付きパッド;-パッドのコンディショニング:現場で;-コンディショナー:3MA166;-コンディショニングダウンフォース:5lbf22.24N;-スラリー流量:160mL/分;-研磨ダウンフォース:3.5psi205mbar;-研磨時間:60秒間MRRは、半導体基板上のHDP二酸化ケイ素、窒化ケイ素膜およびポリシリコン膜のCMP前後の厚さをThermawaveOptiprobe2600を使用して測定することによって決定した。MRRおよび計算酸化物対ポリシリコン、窒化物対ポリシリコンおよび酸化物対窒化物選択性は、表3にまとめられている。表3の結果は、実施例1の水性研磨組成物1~9内の両親媒性非イオン性界面活性剤Bが素晴らしいポリシリコン抑制剤として機能し、さらに、窒化物対-ポリシリコン選択性に有害な影響を及ぼさなかったことを明白にしている。"