"基板を処理する基板処理装置であって、主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記主面上に処理液を供給する処理液供給部と、イオンを含む液体または純水を前記処理液よりも比抵抗が大きい除電液として前記基板の前記主面上に供給する除電液供給部と、前記除電液の目標比抵抗を設定する比抵抗設定部と、前記処理液供給部および前記除電液供給部を制御することにより、前記除電液におけるイオン濃度を制御して前記除電液の比抵抗を前記目標比抵抗に維持しつつ、前記除電液を前記基板の前記主面上に供給して前記基板の前記主面全体を前記除電液にてパドルした後、前記処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置であって、前記比抵抗設定部において、前記基板上に予め形成されているデバイスのサイズが小さいほど、大きな目標比抵抗が設定されることを特徴とする基板処理装置。請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記処理液が、加熱された硫酸と過酸化水素水とを混合したSPM液であり、前記所定の処理がSPM処理であることを特徴とする基板処理装置。請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記イオンを含む液体が、純水に二酸化炭素を溶解させたものであることを特徴とする基板処理装置。基板を処理する基板処理方法であって、aイオンを含む液体または純水である除電液の目標比抵抗を設定する工程と、b前記除電液のイオン濃度を制御して前記除電液の比抵抗を前記目標比抵抗とする工程と、c前記b工程よりも後に、主面を上側に向けた状態で保持される基板の前記主面上に前記除電液を供給して前記基板の前記主面全体を前記除電液にてパドルする工程と、d前記c工程よりも後に、前記除電液よりも比抵抗が小さい処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。ところで、基板処理装置にて処理される基板には、基板処理装置に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマCVDChemicalVaporDeposition等のドライ工程が行われている。このようなドライ工程では、デバイス内に電荷が発生して帯電するため、基板は、帯電した状態で基板処理装置に搬入されるいわゆる、持ち込み帯電。そして、基板処理装置において、SPM液のような比抵抗が小さい薬液が基板上に供給されると、デバイス内の電荷が、デバイスから薬液へと急激に移動しすなわち、薬液中へと放電し、当該移動に伴う発熱によりデバイスにダメージが生じるおそれがある。そこで、薬液を基板に供給する前に、イオナイザにより基板を除電することが考えられるが、基板の帯電量が大きい場合、効率的に除電することは困難である。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止することを目的としている。請求項1に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記主面上に処理液を供給する処理液供給部と、イオンを含む液体または純水を前記処理液よりも比抵抗が大きい除電液として前記基板の前記主面上に供給する除電液供給部と、前記除電液の目標比抵抗を設定する比抵抗設定部と、前記処理液供給部および前記除電液供給部を制御することにより、前記除電液におけるイオン濃度を制御して前記除電液の比抵抗を前記目標比抵抗に維持しつつ、前記除電液を前記基板の前記主面上に供給して前記基板の前記主面全体を前記除電液にてパドルした後、前記処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う制御部とを備える。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記比抵抗設定部において、前記基板上に予め形成されているデバイスのサイズが小さいほど、大きな目標比抵抗が設定される。請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記処理液が、加熱された硫酸と過酸化水素水とを混合したSPM液であり、前記所定の処理がSPM処理である。請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記イオンを含む液体が、純水に二酸化炭素を溶解させたものである。請求項5に記載の発明は、基板を処理する基板処理方法であって、aイオンを含む液体または純水である除電液の目標比抵抗を設定する工程と、b前記除電液のイオン濃度を制御して前記除電液の比抵抗を前記目標比抵抗とする工程と、c前記b工程よりも後に、主面を上側に向けた状態で保持される基板の前記主面上に前記除電液を供給して前記基板の前記主面全体を前記除電液にてパドルする工程と、d前記c工程よりも後に、前記除電液よりも比抵抗が小さい処理液を前記基板の前記主面上に供給して所定の処理を行う工程とを備える。本発明では、処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止することができる。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置1の構成を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、半導体基板9以下、単に基板9という。を1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1では、基板9にSPMsulfuricacidhydrogenperoxidemixture液が供給されてSPM処理、すなわち、基板9上のレジスト膜の除去処理が行われる。基板処理装置1は、基板9の一方の主面91以下、上面91という。を上側に向けた状態で基板9を保持する基板保持部2、基板9の上面91に向けてSPM液等の液体を吐出する処理液供給部3、基板9および基板保持部2の周囲を囲むカップ部4、基板9を基板保持部2と共に水平に回転する基板回転機構5、基板9の上面91上に除電液を供給する除電液供給部6、除電液の目標比抵抗を設定する比抵抗設定部81、並びに、これらの機構を制御する制御部8を備える。基板9は、基板回転機構5により、基板9の中心を通るとともに基板9の上面91に垂直な回転軸を中心として基板保持部2と共に回転する。また、比抵抗設定部81は制御部8に接続される。基板処理装置1では、基板保持部2、カップ部4、基板回転機構5等が、図示省略のチャンバ内に収容される。処理液供給部3は、硫酸を供給する硫酸供給部31、過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給部32、硫酸供給部31および過酸化水素水供給部32に接続される混合液生成部33、基板9の上方に配置されて基板9に向けて液体を吐出する処理液ノズル34、並びに、処理液ノズル34を回転軸351を中心として水平に回動する処理液ノズル回動機構35を備える。処理液ノズル回動機構35は、回転軸351から水平方向に延びるとともに処理液ノズル34が取り付けられるアーム352を備える。硫酸供給部31は、硫酸を貯溜する硫酸貯溜部311、硫酸貯溜部311および混合液生成部33に接続される硫酸配管312、硫酸貯溜部311から硫酸配管312を介して混合液生成部33へと硫酸を供給する硫酸ポンプ313、硫酸配管312上に設けられる硫酸バルブ314、並びに、硫酸ポンプ313と硫酸バルブ314との間で硫酸配管312上に設けられて硫酸を加熱する硫酸加熱部315を備える。硫酸配管312は硫酸加熱部315と硫酸バルブ314との間で分岐して硫酸貯溜部311へと接続されており、硫酸バルブ314が閉じられている状態では、硫酸加熱部315により加熱された硫酸は、硫酸貯溜部311と硫酸加熱部315とを循環する。過酸化水素水供給部32は、過酸化水素水を貯溜する過酸化水素水貯溜部321、過酸化水素水貯溜部321および混合液生成部33に接続される過酸化水素水配管322、過酸化水素水貯溜部321から過酸化水素水配管322を介して混合液生成部33へと過酸化水素水を供給する過酸化水素水ポンプ323、並びに、過酸化水素水配管322上に設けられる過酸化水素水バルブ324を備える。なお、硫酸貯溜部311および過酸化水素水貯溜部321は、基板処理装置1の外部に設けられ、硫酸供給部31および過酸化水素水供給部32がそれぞれ接続されてもよい。混合液生成部33は、硫酸配管312および過酸化水素水配管322が接続されるミキシングバルブ331、ミキシングバルブ331および処理液ノズル34に接続される吐出用配管332、並びに、吐出用配管332上に設けられる攪拌流通管333を備える。混合液生成部33では、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と、過酸化水素水供給部32からの常温すなわち、室温と同程度の温度の過酸化水素水とが、ミキシングバルブ331において混合されて混合液であるSPM液硫酸過水が生成される。SPM液は攪拌流通管333および吐出用配管332を通過して処理液ノズル34へと送られる。攪拌流通管333では、SPM液が攪拌されることにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応が促進される。処理液であるSPM液は、処理液ノズル34の先端の吐出口から基板9の上面91に向けて吐出される。本実施の形態では、硫酸加熱部315により約130°C~150°Cに加熱された硫酸が硫酸供給部31から混合液生成部33へと供給される。なお、硫酸供給部31から供給される硫酸の温度は適宜変更されてよい。除電液供給部6は、イオンを含む液体または純水DIW:deionizedwaterを、処理液であるSPM液よりも比抵抗が大きい除電液として基板9の上面91上に供給する。本実施の形態では、イオンを含む液体として、純水に二酸化炭素CO2を溶解させたものが利用される。除電液供給部6は、図示省略の純水供給部に接続される純水配管61、純水配管61に接続される二酸化炭素溶解ユニット62、純水配管61上に設けられて純水の流量を測定する流量計63、二酸化炭素溶解ユニット62に接続される除電液配管64、除電液配管64の先端に設けられる除電液ノズル65、除電液配管64上に設けられる除電液バルブ66、除電液バルブ66と除電液ノズル65との間にて除電液配管64上に設けられる比抵抗計67、および、除電液ノズル65を回転軸681を中心として水平に回動する除電液ノズル回動機構68を備える。除電液ノズル回動機構68は、回転軸681から水平方向に延びるとともに除電液ノズル65が取り付けられるアーム682を備える。除電液ノズル65の先端の吐出口は、基板9の上面91の中心部上方に位置する。比抵抗計67は、除電液配管64を流れる除電液の比抵抗を測定する。比抵抗計67からの出力は制御部8へと送られる。また、制御部8には、比抵抗設定部81により設定された除電液の目標比抵抗、すなわち、後述の除電処理における除電液の好ましい比抵抗が送られ、予め記憶されている。比抵抗設定部81には、基板9上に予め形成されているデバイスのサイズと除電液の目標比抵抗との関係を示すテーブルが記憶されており、比抵抗設定部81にデバイスのサイズが入力されると、当該サイズと上記テーブルとに基づいて目標比抵抗が設定される。比抵抗設定部81では、基板9上に予め形成されているデバイスのサイズが小さいほどすなわち、デバイスの配線の最小幅が小さいほど、大きな目標比抵抗が設定される。本実施の形態では、目標比抵抗は、0.05~18MΩcmの範囲で設定される。目標比抵抗が18MΩcmである場合、二酸化炭素溶解ユニット62では、純水配管61からの純水に対する二酸化炭素の溶解は行われず、当該純水が除電液として除電液ノズル65から基板9上に供給される。基板処理装置1では、比抵抗計67からの出力すなわち、除電液配管64内の除電液の比抵抗の測定値、および、上述の目標比抵抗に基づいて、制御部8により除電液供給部6の二酸化炭素溶解ユニット62がフィードバック制御されることにより、純水配管61からの純水に溶解する二酸化炭素の量が制御される。換言すれば、二酸化炭素溶解ユニット62から除電液配管64へと送られる除電液におけるイオン濃度が制御される。これにより、除電液の比抵抗が目標比抵抗に維持される。詳細には、上記フィードバック制御により、除電液の比抵抗が、実質的に目標比抵抗に等しいといえる狭い比抵抗の範囲もちろん、目標比抵抗を含む。内に維持される。図2は、基板処理装置1における基板9の処理の流れを示す図である。基板処理装置1では、まず、基板9が搬入されて基板保持部2により保持される。基板9は、基板処理装置1に搬入される前に、ドライエッチングやプラズマCVDChemicalVaporDeposition等のドライ工程を経ており、基板9は帯電した状態となっている。続いて、予め入力された基板9上のデバイスのサイズに基づいて、比抵抗設定部81により除電液の目標比抵抗が設定されて制御部8に記憶されるステップS11。除電液供給部6では、除電液ノズル65が基板9よりも外側の待機位置に位置した状態で、制御部8により除電液バルブ66が開かれ、除電液ノズル65から除電液の吐出が開始される。そして、比抵抗計67からの出力、および、目標比抵抗に基づいてフィードバック制御が行われ、除電液のイオン濃度が制御されて除電液の比抵抗が目標比抵抗とされるステップS12。次に、除電液ノズル回動機構68により除電液ノズル65が待機位置から移動し、図1に示すように、除電液ノズル65の先端の吐出口が、基板9の上面91の中心部を向く。このとき、基板回転機構5は停止、または、小さい回転数で回転するように制御部8により制御されており、基板9は回転していない状態、または、小さい回転数例えば、10~200rpmで回転している状態である。そして、除電液ノズル65から基板9の上面91上に除電液が所定の量だけ供給された後、除電液ノズル65からの除電液の供給が停止されるいわゆる、液盛りが行われる。。除電液ノズル65から供給された除電液は、基板9の中心部から上面91全体に拡がり、上面91上に除電液の薄い層例えば、厚さ約1mmの層が形成されて上面91全体が除電液にてパドルされる。これにより、基板9上の電荷が、除電液へと比較的緩やかに移動し、基板9の上面91全体の除電処理すなわち、除電液によるパドル処理が行われるステップS13。この除電液によるパドル処理は、基板回転機構5が停止、または、小さい回転数例えば、10~200rpmで回転した状態で、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされた状態を所定時間だけ維持することにより行われる。図3.Aおよび図3.Bは、除電処理前後の基板9の表面電位分布を示す図である。図3.Aは、基板9の1つの直径上における表面電位分布を示し、図3.Bは、図3.Aに対応する直径に直交する1つの直径上における表面電位分布を示す。図3.Aおよび図3.Bの横軸は基板9の直径上の位置を示し、縦軸は当該位置における電位を示す。破線901は、除電処理前の電位分布を示し、実線902は除電処理後の電位分布を示す。図3.Aおよび図3.Bに係る上記説明は、後述する図4.Aおよび図4.Bにおいても同様である。図3.Aおよび図3.Bは、基板9上のデバイスのサイズが非常に小さいため、除電液として純水が利用された場合の基板9の電位分布である。図3.Aおよび図3.Bに示すように、純水を除電液として利用した上述の除電処理により、基板9上の電荷が減少し、基板9の電位が全体的に低減される。図4.Aおよび図4.Bは、デバイスのサイズが比較的大きいすなわち、電荷の移動によるダメージに対する耐性が比較的高い基板に対する除電処理前後の基板の表面電位分布を示す図である。図4.Aおよび図4.Bに示す例では、比抵抗設定部81により設定された目標比抵抗となるように純水に二酸化炭素を溶解させたCO2水が除電液として利用される。図4.Aおよび図4.Bに示すように、CO2水を除電液として利用した上述の除電処理により、基板上の電荷が減少し、基板の電位が全体的に低減される。除電液として、純水よりも比抵抗が小さいCO2水が利用されることにより、除電処理に要する時間を短くすることができる。基板9の除電処理が終了すると、除電液ノズル回動機構68により除電液ノズル65が待機位置へと戻される。続いて、制御部8により基板回転機構5が制御されることにより、基板9の回転が開始されるステップS14。上述の除電処理が、基板9が小さい回転数で回転している状態で行われた場合は、基板9の回転数を増加させる。そして、基板9の回転により、基板9の上面91上の除電液が基板9のエッジに向かって移動し、基板9のエッジから外側へと飛散して基板9上から除去されるステップS15。基板9から飛散した除電液はカップ部4により受けられる。基板処理装置1では、基板回転機構5が、基板9を回転することにより上面91上の液体を除去する液体除去部として働く。除電液の除去が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転数が減少し、SPM処理時の回転数に変更される。また、処理液ノズル回動機構35による処理液ノズル34の回動が開始され、処理液ノズル34が基板9の中心部とエッジとの間で往復運動を繰り返す。次に、制御部8により処理液供給部3が制御されることにより、硫酸供給部31の硫酸バルブ314が開かれ、硫酸加熱部315により約130°C~150°Cに加熱された硫酸が、硫酸配管312を介して混合液生成部33へと供給される。また、制御部8により過酸化水素水バルブ324が開かれ、常温の過酸化水素水が、過酸化水素水貯溜部321から過酸化水素水配管322を介してミキシングバルブ331へと供給される。ミキシングバルブ331では、加熱された硫酸と常温の過酸化水素水とが混合されてSPM液が生成される。SPM液の温度は、硫酸と過酸化水素水との反応により、硫酸供給部31から供給される硫酸の温度よりも高く、例えば、約150°C~195°Cとなる。SPM液は、吐出用配管332および攪拌流通管333を通過し、処理液ノズル34から、基板9の上面91に対して供給される。換言すれば、処理液供給部3により、加熱された硫酸と過酸化水素水とが混合されつつ基板9の上面91に供給される。SPM液は、基板9の回転により、基板9の上面91の全面に拡がり、基板9のエッジから外側へと飛散してカップ部4により受けられる。基板処理装置1では、基板9に対するSPM液の供給が所定時間だけ連続的に行われ、基板9に対するSPM処理、すなわち、SPM液に含まれるカロ酸の強酸化力による基板9上のレジスト膜の除去処理が行われるステップS16。なお、基板処理装置1では、基板9の中心部の上方にて停止した処理液ノズル34からSPM液等の供給が行われてもよい。SPM処理が終了すると、過酸化水素水バルブ324が開かれた状態で硫酸バルブ314が閉じられ、過酸化水素水が、ミキシングバルブ331、吐出用配管332および攪拌流通管333を通過し、処理液ノズル34から、レジスト膜が除去された基板9上に供給されるステップS17。当該過酸化水素水供給処理により、ミキシングバルブ331、吐出用配管332、攪拌流通管333および処理液ノズル34内に残っているSPM液が除去される。また、基板9上に供給された過酸化水素水は、基板9の回転により、基板9の上面91の全面に拡がり、基板9上に残っているSPM液を、基板9のエッジから外側へと押し出して除去する。過酸化水素水供給処理が終了すると、過酸化水素水バルブ324が閉じられて過酸化水素水の供給が停止され、処理液ノズル回動機構35により、処理液ノズル34が基板9の外側の待機位置へと移動される。次に、基板9の上面91にリンス液が供給されるリンス処理が行われるステップS18。リンス液としては、純水が利用される。リンス液は、図示省略のリンス液供給部から供給されてもよく、除電液供給部6により供給されてもよい。リンス液は、基板9の回転により、基板9の上面91の全面に拡がる。これにより、基板9上に残っている過酸化水素水が洗い流される。リンス処理が所定時間だけ連続的に行われると、リンス液の供給が停止される。そして、基板9の回転数を増大させ、基板9の回転により基板9上に残っているリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS19。その後、基板9の回転が停止されステップS20、基板9が基板処理装置1から搬出される。以上に説明したように、基板処理装置1では、ドライエッチングやプラズマCVD等の前処理により帯電している基板9に対し、SPM液によるSPM処理を行う前に、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が供給され、基板9の上面91全体が当該除電液によりパドルされる。これにより、基板9の上面91全体が比較的緩やかに除電される。除電の際には、基板9上の電荷が急激に除電液へと移動して発熱することがないため、基板9上のデバイスにダメージが生じることが防止される。そして、除電処理が行われた後の基板9にSPM液が供給されることにより、基板9が、除電液よりも比抵抗が小さいSPM液と接触しても、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することがないため、SPM液によるSPM処理の際にも、電荷の移動によるデバイスのダメージ、すなわち、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持するように除電液供給部6を制御することにより、基板9の損傷が生じない範囲で、基板9の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。基板処理装置1では、比抵抗設定部81において、基板9上のデバイスのサイズが小さいほど、大きな目標比抵抗が設定されることにより、SPM処理時の基板9の損傷防止と除電処理の所要時間の短縮との両立を、デバイスのサイズに合わせて適切に行うことができる。また、二酸化炭素溶解ユニット62において、純水に溶解させる二酸化炭素の量を制御することにより、除電液の比抵抗の制御を容易に実現することができる。上述のように、基板処理装置1では、除電液による除電処理が行われ、基板9の上面91上から除電液が除去された後に、基板9にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、除電液とSPM液との混合による悪影響を防止することができる。当該悪影響としては、例えば、除電液中の水とSPM液中の硫酸との反応熱による基板9の損傷いわゆる、ヒートショック、SPM液が除電液により希釈されることによるSPM処理の質の低下、および、SPM液の除電液との部分的な混合によりSPM液の濃度が不均一となり、基板9全体におけるSPM処理の均一性が低下することが挙げられる。基板処理装置1では、基板回転機構5により基板9を回転することにより、基板9上の除電液を容易に除去することができる。また、SPM処理の際に基板9の回転に使用される基板回転機構5により、ステップS15における除電液の基板9上からの除去を行うことができるため、基板処理装置1の構成を簡素化することができる。さらに、基板9に対する除電処理が、基板回転機構5が停止した状態、または、小さい回転数で回転している状態で行われることにより、基板9の除電を効率的に行うことができる。基板回転機構5が小さい回転数で回転している状態とは、例えば、基板回転機構5により基板9が10~200rpmにて回転しており、当該回転により、基板9上の除電液の層に実質的な影響が生じていない状態を意味する。次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図5は、第2の実施の形態に係る基板処理装置1aの構成を示す図である。基板処理装置1aでは、図1に示す基板処理装置1の構成に加えて、基板9の上面91上に液状のイソプロピルアルコール以下、IPAという。を供給するIPA供給部7を備える。その他の構成は、図1に示す基板処理装置1と同様であり、以下の説明では、対応する構成に同符号を付す。図5では、図示の都合上、処理液供給部3の図示を省略しているが、処理液供給部3の構成も図1に示す基板処理装置1と同様である。また、図5では、制御部8および比抵抗設定部81の図示も省略している。IPA供給部7は、図示省略のIPA貯溜部に接続されるIPA配管71、IPA配管71の先端に接続されるIPAノズル72、IPA配管71上に設けられるIPAバルブ73、および、IPAノズル72を回転軸741を中心として水平に回動するIPAノズル回動機構74を備える。IPAノズル回動機構74は、回転軸741から水平方向に延びるとともにIPAノズル72が取り付けられるアーム742を備える。図6は、基板処理装置1aにおける基板9の処理の流れの一部を示す図である。基板処理装置1aでは、図2に示すステップS11~S13と同様の工程が行われた後、図6中のステップS31~S33が行われ、その後、図2に示すステップS16~S20と同様の工程が行われる。具体的には、まず、比抵抗設定部81図1参照において、基板9上のデバイスのサイズ等に基づいて除電液の目標比抵抗が設定され、制御部8に記憶されるステップS11。除電液供給部6では、比抵抗計67からの出力、および、目標比抵抗に基づいて除電液のイオン濃度が制御され、除電液の比抵抗が目標比抵抗とされるステップS12。そして、基板9上に除電液が供給され、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされて除電処理が行われるステップS13。基板9の除電処理が終了すると、除電液ノズル回動機構68により除電液ノズル65が回動し、図5に示す位置から基板9の外側の待機位置へと戻される。また、IPAノズル回動機構74によりIPAノズル72が待機位置から移動し、図5に示すように、IPAノズル72の先端の吐出口が、基板9の上面91の中心部を向く。続いて、制御部8により、IPA供給部7のIPAバルブ73が開かれ、IPAが基板9上に供給される。基板9上では、上面91の中心部に供給されるIPAにより、除電液が基板9のエッジに向かって移動し、当該エッジから基板9の外側に押し出されて基板9の上面91上から除去されるステップS31。このように、IPA供給部7は、基板9上の除電液等の液体をIPAと置換することにより、基板9の上面91上から除去する液体除去部として機能する。除電液の除去が終了すると、IPAノズル72が待機位置へと戻され、制御部8により基板回転機構5が制御されることにより、基板9の回転が開始されるステップS32。そして、基板9の回転により、基板9の上面91上のIPAが基板9のエッジに向かって移動し、基板9のエッジから外側へと飛散して基板9上から除去されるステップS33。IPAの除去が終了すると、基板回転機構5による基板9の回転数が減少し、SPM処理時の回転数に変更される。また、図1に示す処理液ノズル回動機構35による処理液ノズル34の回動が開始され、処理液ノズル34が基板9の中心部とエッジとの間で往復運動を繰り返す。そして、処理液ノズル34から基板9の上面91上にSPM液が供給され、基板9に対するSPM処理が行われるステップS16。なお、基板9に対するSPM液の供給は、基板9上にIPAが残留している状態で開始されてもよい。SPM処理が終了すると、処理液ノズル34から基板9上へと過酸化水素水が供給され、基板9上のSPM液が除去されるステップS17。過酸化水素水供給処理が終了すると、処理液ノズル34が基板9の外側の待機位置へと戻され、基板9の上面91にリンス液純水が供給されるリンス処理が行われることにより、基板9上から過酸化水素水が除去されるステップS18。そして、基板9の回転数を増大させ、基板9の回転により基板9上に残っているリンス液を除去する乾燥処理が行われるステップS19。その後、基板9の回転が停止されステップS20、基板9が基板処理装置1aから搬出される。基板処理装置1aでは、図1に示す基板処理装置1と同様に、ドライエッチングやプラズマCVD等の前処理により帯電している基板9に対し、SPM液によるSPM処理を行う前に、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が供給され、基板9の上面91全体が当該除電液によりパドルされる。これにより、基板9の上面91全体が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理が行われた後の基板9に対してSPM処理が行われることにより、電荷の移動によるデバイスのダメージ、すなわち、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持するように除電液供給部6を制御することにより、基板9の損傷が生じない範囲で、基板9の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。基板処理装置1aでは、除電処理に利用された除電液が基板9の上面91上から除去された後に、基板9にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、除電液とSPM液との混合によるヒートショックのような既述の悪影響を防止することができる。また、ステップS31において、基板9上にIPAを供給することにより、基板9を回転することなく除電液を除去することができる。ところで、基板9を回転させることにより除電液を除去しようとすると、基板9上のデバイスの配線パターンの幅が小さい場合、除電液の表面張力により配線パターンが倒壊する可能性がある。基板処理装置1aでは、上述のように、純水等に比べて表面張力が小さいIPAにより除電液を基板9上から除去した後、IPAを基板9の回転により除去するため、除電液の除去の際における配線パターンの倒壊等の基板の損傷を防止することができる。なお、基板処理装置1aは、基板回転機構5およびIPA供給部7を備えているため、基板9上のデバイスのサイズ等に合わせて、基板回転機構5およびIPA供給部7の一方を選択して液体除去部として利用してもよい。すなわち、基板処理装置1aでは、液体除去部が基板回転機構5およびIPA供給部7を備える。以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。例えば、ステップS13における除電処理は、基板9上における除電液の層が崩れずに維持されるのであれば、基板9が回転している状態にて行われてもよい。換言すれば、基板9の回転は、除電処理よりも前に開始されてもよい。また、除電液の目標比抵抗は、デバイスのサイズ以外の条件例えば、基板処理装置に搬入される前に基板に対して行われた処理の種類に基づいて設定されてもよい。基板処理装置1,1aでは、基板9の上面91に向けてシート状のエアを噴射し、基板9上の液体を飛散させて除去するエアナイフが、液体除去部として設けられてもよい。基板処理装置1,1aでは、ステップS16において、SPM液以外の処理液が基板9上に供給され、基板9に対する他の処理が行われてもよい。例えば、レジスト膜が形成された基板9上に処理液としてバッファードフッ酸BHFが供給され、基板9のエッチング処理が行われてもよい。基板処理装置1,1aでは、上述のように、帯電した基板9と処理液との接触による電荷の急激な移動に伴う基板9の損傷を防止することができるため、基板処理装置1の構造は、SPM液やバッファードフッ酸のように、比抵抗が非常に小さい処理液による処理が行われる装置に特に適している。除電液として利用されるイオンを含む液体は、純水に二酸化炭素を溶解させたものには限定されない。例えば、純水にアンモニアを溶解させたものや純水に微量の希塩酸を加えたものが除電液として利用されてもよく、また、他の様々なイオンを含む液体が除電液として利用されてもよい。除電液と処理液との混合による悪影響が生じないのであれば、除電液の除去ステップS15,S31は省略され、基板9の上面91上に除電液が存在する状態で処理液が供給されて基板9の処理が行われてもよい。上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。"