中央領域に開口部が形成されているベース再配線層16と、前記ベース再配線層16の一方の面に塗布され且つ接着材料が塗布されていない窓部26が形成された接着剤層24と、前記接着剤層24を介して前記ベース再配線層16に固着された前面52を有し、且つ前記前面52の周囲部のみが前記接着剤層24と接触するように前記接着剤層24に形成された前記窓部26と位置合わせが行われたダイ12と、前記ベース再配線層16を前記ダイ12に電気接続するために前記ベース再配線層16に形成された複数のビア38及び複数の金属配線部40と、前記ベース再配線層16と前記接着剤層24との間に配置され、周囲部のみが前記接着剤層24に装着されるように前記ベース再配線層16に形成された前記開口部及び前記接着剤層24の前記窓部26とほぼ位置合わせされ、且つエアギャップ36により前記ダイ12から分離されるシールド要素20とを備えるチップパッケージ10であって、前記シールド要素20は、前記ダイ12の前記前面52を露出させるように前記接着剤層24から選択的に除去できるように構成される、チップパッケージ10。前記接着剤層24に形成されたベントポート28をさらに備えていて、前記ベントポート28は前記エアギャップ36から前記ダイ12の前記周囲部を超えて延在する、請求項1記載のチップパッケージ10。前記ベントポート28が、前記エアギャップ36を周囲環境と流体連通させるように構成される、請求項2記載のチップパッケージ10。前記ベントポート28の形成を可能にするために前記ベントポート28の下方に配置された金属ベントベース21をさらに備える、請求項2記載のチップパッケージ10。前記ベース再配線層16の前記ダイ12とは反対側の面に接着された少なくとも1つの追加再配線層42と、前記追加再配線層42の各々に形成された複数のビア38及び複数の金属配線部40とをさらに備える、請求項1記載のチップパッケージ10。一番上の追加再配線層42の上に配置されたはんだマスク46をさらに備える、請求項5記載のチップパッケージ10。前記シールド要素20はパターニングされた金属シールドを備える、請求項1記載のチップパッケージ10。前記ダイ12が、画像感知領域を形成するように構成されたカメラダイである、請求項1記載のチップパッケージ10。前記シールド要素20が前記ダイ12の面積より狭い面積を有する、請求項1記載のチップパッケージ10。前記ダイ12が、前記ダイ12の周囲に沿って形成された複数のダイパッド32をさらに備えていて、前記複数のダイパッド32は、前記シールド要素20により被覆されている前記ダイ12の領域の外側に配置される、請求項9記載のチップパッケージ10。従って、ビルドアップ処理中にダイを汚染から保護するチップパッケージ製造方法が必要とされる。さらに、組み立て処理に容易に組み込むことができ、レーザードリリングに適合し、スケーラブル且つ組み立てに要する費用が安価な製造方法が必要とされる。本発明の実施形態は、ダイを覆うように配置され且つエアポケットによりダイから分離される除去可能なシールド要素を使用してチップパッケージを製造するチップ製造方法を提供することにより上記の欠点を克服する。シールド要素はビルドアップ処理中にダイの汚染を防止し、ビルドアップ処理終了後、ダイの清浄な前面を露出させるためにダイからシールド要素を除去できる。本発明の1つの態様によれば、チップパッケージは、中央領域に開口部が形成されているベース再配線層と、ベース再配線層の一方の面に塗布され且つ接着材料が塗布されていない窓部が形成された接着剤層と、接着剤層を介してベース再配線層に固着された前面を有するダイとを含み、ダイの前面の周囲部のみが接着剤層と接触するように、ダイは接着剤層に形成された窓部と位置合わせされる。チップパッケージは、ベース再配線層をダイに電気接続するためにベース再配線層に形成された複数のビア及び複数の金属配線部と、ベース再配線層と接着剤層との間に配置されたシールド要素とをさらに含み、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素はベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされ、シールド要素はエアギャップによりダイから分離される。シールド要素は、ダイの前面を露出させるように接着剤層から選択的に除去できるように構成される。本発明の別の態様によれば、チップパッケージを形成する方法は、初期ポリマー積層構造を提供することと、初期ポリマー積層構造の一方の面の一部分のみを覆うように初期ポリマー積層構造のその面に金属シールド要素を堆積させることと、金属シールド要素を覆うように初期ポリマー積層構造に接着剤層を塗布することとを含み、金属シールド要素の表面積とほぼ等しい面積を有し且つ金属シールド要素と位置合わせが行われた窓部を接着剤層に形成するために接着剤層の一部分が除去される。方法は、接着剤層を介して初期ポリマー積層構造にダイを接着させることをさらに含み、ダイの周囲部が接着剤層と接触し且つダイの中央部分とシールド要素との間にエアポケットが形成されるように、ダイは窓部を覆うように位置決めされる。方法は、初期ポリマー積層構造をダイに電気接続するために複数のビア及び複数の金属配線部を含むように初期ポリマー積層構造をパターニングすることと、接着剤層の窓部に対応する初期ポリマー積層構造の部分を規定することと、ダイの前面を露出させるように、初期ポリマー積層構造のその部分及び金属シールド要素を接着剤層から除去することとをさらに含む。本発明のさらに別の態様によれば、チップモジュールを製造する方法は、ベース再配線層を提供することと、ベース再配線層の一方の面の一部分を覆うようにベース再配線層のその面にシールド要素を堆積させることと、シールド要素を覆うようにベース再配線層に接着剤層を塗布することと、少なくともシールド要素の大部分を露出させるようにシールド要素に隣接する領域で接着剤層の一部分をアブレーションによって除去することと、ダイがシールド要素と位置合わせが行われるようにダイの前面を接着剤層に接着させることとを含み、ダイの周囲部は接着剤層と接触し且つダイとシールド要素との間に形成されるエアギャップによってダイの中央部分はシールド要素から分離される。方法は、ベース再配線層をダイに電気接続するために複数のビア及び複数の金属配線部を形成する後続のベース再配線層のパターニング中にシールド要素を所定の場所に維持することと、シールド要素に隣接するベース再配線層の部分に対してアブレーションを実行することと、ダイの前面を露出させるようにシールド要素及びベース再配線層のその部分を除去することとをさらに含む。上記の利点及び特徴並びに他の利点及び特徴は、添付の図面と関連させた以下の本発明の好適な実施形態の詳細な説明からさらに容易に理解されるだろう。本発明の実施形態は、チップパッケージを形成する方法を提供する。チップパッケージの積層再配線層のビルドアップ中及びパターニング中にダイの表面を保護するために、チップパッケージはシールド要素又は保護層を使用して製造される。図1を参照すると、製造後の複数のチップパッケージ10又はチップモジュールが示される。各チップパッケージ10は、複数の再配線層14すなわち積層構造と接続されたダイ12を含む。各ダイ12は、単結晶シリコンインゴット又は多結晶シリコンインゴットから形成され且つ表面上に集積回路ICレイアウトが形成されるように準備される。本発明の一実施形態では、ダイ12は、ウルトラカメラ、携帯電話カメラ又はそれに類似する感知装置などの撮影装置において使用されるように構成される。従って、ダイ12は、画像感知のための撮像領域を形成するカメラダイとして構成される。チップパッケージ10の複数の再配線層14に関して説明すると、各再配線層14は、ダイ12に対して位置決め可能なプレフォーム積層シート又は積層膜の形態である。再配線層14は、Kapton登録商標、Ultem登録商標、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、あるいは液晶ポリマーLCPなどの別のポリマー膜又は他のポリイミド材料から形成されてもよい。図1に示されるように、隣接するチップパッケージ10の間の領域で再配線層14を貫通してダイシングを実行することにより、各チップパッケージ10は形成される。図2~図9を参照して、本発明の一実施形態に係る複数のチップパッケージ10を製造する技術すなわちチップビルドアップのステップを説明する。図2~図9には、ビルドアップ処理の種々の段階におけるチップパッケージ10の側面横断面図及び平面図が示される。図2を参照すると、初期再配線層又はベース再配線層16のフレームが完全に形成されており、それを基礎としてさらに製造ステップを実行できるように、初期再配線層16はフレーム18に実装される。前述のように、初期再配線層16は、Kapton登録商標、Ultem登録商標、ポリテトラフルオロエチレンPTFEその他のポリマー/ポリイミド膜などの可撓性ポリマー積層構造の形態であり且つそこから複数のチップパッケージ10を製造できるような大きさである。1つのチップパッケージ10のビルドアップを例示するように、初期再配線層16の完全フレームの一部、並びにそれに追加される追加層及び要素が図3~図9に示される。図3に示されるように、初期再配線層16が提供される。ビルドアップ処理によれば、図4A及び図4Bに示されるように、次に初期再配線層16の一方の面に金属層18が堆積される。この金属層18は、その後に塗布される接着剤と適切に接合する材料例えばTi/Cu/Ti、クロムなどから形成される。金属層18は初期再配線層16上にスパッタリングにより形成されてもよいが、電気めっきなどの他の任意の適切な方法により追加されてもよい。一実施形態では、以下に詳細に説明されるように後にチップパッケージ10に追加されるダイ12図1の面積とほぼ等しい面積を有する保護シールド要素20が形成されるように、金属層18はパターニングされる。あるいは、ダイ12図1の面積よりかなり小さい面積を有するように保護シールド要素20が形成されてもよいことは認められる。さらに図4A及び図4Bに示されるように、シールド要素20から後に追加されるダイ12図1の領域を超えて延在するベントベース21を形成するように、金属層18はさらにパターニングされる。一実施形態では、初期再配線層16上に複数のベース金属配線部22を形成するように金属層18はさらにパターニングされてもよい。次に図5を参照すると、チップパッケージ10のビルドアップ処理の次のステップにおいて、金属層18を覆うように初期再配線層16に接着剤層24が塗布される。接着剤層24は、アブレーションにより除去可能なエポキシをスピンコーティングで塗布することによって初期再配線層16に塗布されてもよいが、初期再配線層16上に塗布される接着剤膜の形態であってもよい。接着剤層24は部分的に硬化又は焼成される。部分硬化後、図6A及び図6Bに示されるような窓部26を形成するように、紫外線UVレーザーなどの方法によって接着剤層24に対してアブレーションが実行される。さらに詳細には、シールド要素20を露出させる窓部26を形成するように、先にシールド要素20に塗布されていた接着剤層24はレーザーアブレーションによって除去される。さらに、ダイ領域の外側に小さなベント28すなわち窓部26から外へ延在するベントをさらに形成するように、ベントベース21に塗布されていた接着剤層24はレーザーアブレーションによって除去される。窓部26及びベント28を形成するための接着剤層24のレーザーアブレーション中、シールド要素20及びベントベース21は、レーザーが初期再配線層16まで透過するのを防止する背面ストッパとして作用することが認められる。チップパッケージ10をビルドアップするための製造方法の別の実施形態において、予め窓部が切り取られている積層膜を初期再配線層16に接着させてもよいことは認められる。すなわち、図5及び図6A/図6Bに示されるようにスピンコーティングによって連続する接着剤層24を塗布し、その後に窓部26を形成するためにレーザーアブレーションにより接着剤層24を除去するのではなく、予め窓部が形成されている接着剤膜を初期再配線層16に接着させてもよい。従って、接着剤層のレーザーアブレーションは不要である。接着剤層24のレーザーアブレーションの終了後、除去された領域すなわち、窓部26を取り囲む接着剤層24の部分30はUV光に暴露される。UV光に暴露することにより部分30の一部は硬化するので、アブレーション後の窓部26の中に接着剤層24が侵入する事態は防止される。次に図7A及び図7Bを参照すると、チップパッケージ10のビルドアップの続くステップにおいて、接着剤層24を介して初期再配線層16上にダイ12すなわち、ICが位置合わせされ且つ配置される。ダイ12は窓部26の中心と位置合わせされ且つダイ12は接着剤層24に押し付けられる。この時点で、ダイ12を初期再配線層16に固着するために、真空ラミネーション及び圧力焼成硬化処理などによって接着剤層24は完全に硬化される。図7A及び図7Bに示されるように、ダイ12の大きさは、ダイ12がシールド要素20を超えて延在するように規定される。従って、ダイ12の周囲に沿って形成されたダイパッド32への電気的接続を後のステップで可能にするために、ダイパッド32はシールド要素20により覆われているダイ12の領域の外側に位置決めされるという利点が得られる。さらにダイ12は、シールド要素20を超えて延在しているので、接着剤層24の上に載っており、ダイ12とシールド要素20との間にエアポケット36を形成する。このエアギャップ36は、シールド要素20と関連して、ダイ12の上面への汚染物質の付着を防止するように作用する。先に図5に関して説明したように、アブレーションによって接着剤層24にベントポート28が形成されており、ベントポート28は、エアポケット36からダイ12により覆われている領域の外側にあるチップパッケージ10の領域まで外側へ延在する。このような構造を採用しない場合、チップパッケージ10のビルドアップ処理と関連する温度サイクルの間にエアポケット36の内部圧力が上昇することもあると考えられるが、ベントポート28はエアギャップ36とダイ12により覆われている領域の外側の周囲環境とを流体連通させるので、エアギャップ36内部の圧力を制御可能である。次に図8を参照すると、初期再配線層16にダイ12が固着された後、複数のビア38が形成されるように初期再配線層16はパターニングされる。ビア38は、初期再配線層16を形成するポリマー材料を貫通して形成される。例示的な一実施形態では、ビア38はレーザーアブレーション処理又はレーザードリリング処理によって形成され且つベース金属配線部22及びダイパッド32を露出させるようにベース金属配線部22及びダイパッド32に対応する位置に形成される。あるいは、プラズマエッチング、フォトデフィニション又は機械的穴あけ処理を含む他の方法によってビア38が形成されてもよいことはさらに認められる。さらに図8に示されるように、金属配線部40を形成するために、初期再配線層16のパターニングは、例えばスパッタリング処理又は電気めっき処理を実行することによって再配線層16に金属層/材料例えばシードメタル及び/又は銅を塗布することと、それに続いて堆積した金属層/材料をパターニング/エッチングすることとを含む。本発明の一実施形態では、初期再配線層16の上面からビア38を通って延在する金属配線部40が形成されるように金属層/材料はパターニングされ且つエッチングされる。従って、金属配線部40はベース金属配線部22及びダイパッド32との間に電気接続を形成する。次に図9を参照して説明する。製造技術の次のステップにおいて、ダイ12が塗布された面とは反対の側のチップパッケージ10の初期再配線層16の面に1つ以上の追加再配線層42が積層される。追加再配線層42は一連の積層ステップ及びパターニングステップによって初期再配線層16に塗布される。初期再配線層16とそれに塗布された追加再配線層42との間に接着剤層44が塗布される。追加再配線層42に複数のビア38が形成され、且つ各追加再配線層42を電気接続するためにビア38及び追加再配線層42を貫通するように金属配線部40は形成/パターニングされる。チップパッケージ10を形成するために1つの追加再配線層42のみが初期再配線層16に塗布されるものとして示されているが、所望の構成に基づいて2つ以上の再配線層が塗布されてもよいだろうということは認められる。図9に示されるように、ビルドアップ処理の後続するステップにおいて、最も外側に位置する追加再配線層42を保護するために、その追加再配線層42にはんだマスク46を塗布し、続いてパターニングすることができる。また、受動デバイス図示せずなどの追加素子をチップパッケージ10に追加してもよいと考えられ、そのような受動素子の実装中にダイ12が保護されるように、受動素子の実装は保護シールド要素20が所定の場所にある間に実行される。チップ製造方法の次のステップにおいて、図10に示されるように、初期再配線層16、追加再配線層42及び接着剤層44の一部を規定するか又は切り離すように、保護シールド要素20の周囲に対応する経路48に沿って初期再配線層16、追加再配線層42及び接着剤層44はレーザーアブレーションによって除去される。レーザーアブレーションは、初期再配線層16、追加再配線層42及び接着剤層44を貫通して保護シールド要素20に到達するまで実行され、レーザーは保護シールド要素20により阻止される。アブレーション終了後、レーザーアブレーションが周囲で実行された後に残っている保護シールド要素20の上方の初期再配線層16、追加再配線層42及び接着剤層44の部分50は、保護シールド要素20と共にチップパッケージ10から除去される。すなわち、保護シールド要素20は初期再配線層16に固着しており、接着剤層44から容易に剥離するので、1回の除去ステップで保護シールド要素20を部分50と共にチップパッケージ10から除去できる。本発明の実施形態では、真空ピックアップ又は水洗浄などのいくつかの技術のうち1つを使用して部分50及び保護シールド要素20を除去できる。図11に示されるように、部分50及び保護シールド要素20を除去することにより、完成したチップパッケージ10からダイ12の前面52すなわちダイの正面が露出する。ビルドアップ処理の継続中、ダイ前面52の上方に保護シールド要素20がエアポケット36により分離された状態で存在しているため、ダイ前面52に汚染物質が付着しないという利点が得られる。図2~図9に示される技術に従ったチップパッケージ10の構成は、ビルドアップ処理中にダイ12の汚染を防止するようなチップパッケージビルドアップを可能にするという利点を有する。さらに、このビルドアップ技術は薄型のチップパッケージ10の製造を可能にし、チップパッケージの厚さはダイ12及び再配線層16、42に必要とされる最小限の厚さのみに限定される。そのような薄型チップパッケージ10は、ウルトラカメラ、携帯電話カメラ又はそれに類似する感知装置などの撮影装置で使用するのに適するように構成されてもよく、ビルドアップ処理はチップパッケージ10へのカメラレンズ図示せずの直接取り付けを可能にする。しかし、マイクロ波装置などの他の種類の装置又は先に説明した製造技術を採用すると有利だろうと考えられる他の装置において使用するように薄型チップパッケージ10を構成してもよい。限られた数の実施形態のみに関連して本発明を詳細に説明したが、開示された実施形態に本発明が限定されないことは容易に理解されるべきである。説明はされていないが、本発明の趣旨及び範囲に適合する任意の数の変形、変更、置き換え又は同等の構成を含むように本発明を変形することは可能である。さらに、本発明の種々の実施形態が説明されたが、説明された実施形態のうちいくつかの実施形態のみを本発明の態様が含んでもよいことは理解されるべきである。従って、本発明は以上の説明により限定されるとみなされてはならず、添付の特許請求の範囲の範囲によってのみ限定される。従って、本発明の一実施形態では、チップパッケージは、中央領域に開口部が形成されているベース再配線層と、ベース再配線層の一方の面に塗布され且つ接着材料が塗布されていない窓部が形成された接着剤層と、接着剤層を介してベース再配線層に固着された前面を有するダイとを含み、ダイの前面の周囲部のみが接着剤層と接触するように、ダイは接着剤層に形成された窓部と位置合わせされる。チップパッケージは、ベース再配線層をダイに電気接続するためにベース再配線層に形成された複数のビア及び複数の金属配線部と、ベース再配線層と接着剤層との間に配置されたシールド要素とをさらに含み、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素はベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされ、シールド要素はエアギャップによりダイから分離される。シールド要素は、ダイの前面を露出させるように接着剤層から選択的に除去できるように構成される。本発明の別の実施形態では、チップパッケージを形成する方法は、初期ポリマー積層構造を提供することと、初期ポリマー積層構造の一方の面の一部分のみを覆うように初期ポリマー積層構造のその面に金属シールド要素を堆積させることと、金属シールド要素を覆うように初期ポリマー積層構造に接着剤層を塗布することとを含み、金属シールド要素の表面積とほぼ等しい面積を有し且つ金属シールド要素と位置合わせが行われた窓部を接着剤層に形成するために接着剤層の一部分が除去される。方法は、接着剤層を介して初期ポリマー積層構造にダイを接着させることをさらに含み、ダイの周囲部が接着剤層と接触し且つダイの中央部分とシールド要素との間にエアポケットが形成されるように、ダイは窓部を覆うように位置決めされる。方法は、初期ポリマー積層構造をダイに電気接続するために複数のビア及び複数の金属配線部を含むように初期ポリマー積層構造をパターニングすることと、接着剤層の窓部に対応する初期ポリマー積層構造の部分を規定することと、ダイの前面を露出させるように、初期ポリマー積層構造のその部分及び金属シールド要素を接着剤層から除去することとをさらに含む。本発明のさらに別の実施形態では、チップモジュールを製造する方法は、ベース再配線層を提供することと、ベース再配線層の一方の面の一部分を覆うようにベース再配線層のその面にシールド要素を堆積させることと、シールド要素を覆うようにベース再配線層に接着剤層を塗布することと、少なくともシールド要素の大部分を露出させるようにシールド要素に隣接する領域で接着剤層の一部分をアブレーションによって除去することと、ダイがシールド要素と位置合わせが行われるようにダイの前面を接着剤層に接着させることとを含み、ダイの周囲部は接着剤層と接触し且つダイとシールド要素との間に形成されるエアギャップによってダイの中央部分はシールド要素から分離される。方法は、ベース再配線層をダイに電気接続するために複数のビア及び複数の金属配線部を形成する後続のベース再配線層のパターニング中にシールド要素を所定の場所に維持することと、シールド要素に隣接するベース再配線層の部分に対してアブレーションを実行することと、ダイの前面を露出させるようにシールド要素及びベース再配線層のその部分を除去することとをさらに含む。