"少なくとも、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極を区画するよう前記基板上に形成された隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、有機発光層を含む発光媒体層と、前記基板上に形成された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、前記取り出し用基板配線はキャリア注入層及び前記第二電極が積層されるコンタクトエリアを有し、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面には複数の凸状パターンが形成され、前記キャリア注入層は少なくとも、前記発光媒体層と、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面と、前記隔壁と、を覆うように形成され、前記第二電極は前記キャリア注入層上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。前記凸状パターンの斜面の傾斜角が60°以上90°以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。前記凸状パターンの高低差が0.1μm以上0.5μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。前記、キャリア注入層が電子注入層及び/又は電子輸送層からなることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。前記、取り出し用基板配線材料がITO、Cr、Al、Cu、Ni、Mo、Ta、Ti、W、Fe、Zn、Ag、Pt、PdおよびAg-Mgからなる群から選択される1種以上の金属であることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。基板上に、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、少なくとも有機発光層と、キャリア注入層、を含む発光媒体層と、前記第ニ電極とコンタクトエリアで電気的に接続された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線に凸状パターンを形成する工程と、前記第一電極上に形成された前記キャリア注入層上に前記有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工することよって有機発光層をパターン形成する工程と、前記第一電極と前記取り出し用基板配線の前記コンタクトエリアと、前記第一電極と前記コンタクトエリアの間を覆うように前記キャリア注入層を形成する工程と、前記キャリア注入層上に前記キャリア注入層と同じパターンで第二電極を形成する工程と、を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル製造方法。前記キャリア注入層を形成する工程が、ドライプロセスであることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。前記有機発光層をパターン形成する工程が印刷法、インクジェット法、ノズルプリント法のいずれかであることを特徴とする請求項6又は7に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。本発明は上記の課題を解決するもので、有機ELパネルの取り出し用電極と第二電極とを低抵抗なコンタクト特性とすることで、高効率、長寿命、高輝度な有機ELパネルを簡便で安価に提供する事を課題とした。上記課題を解決するために為された製造方法に係る第1の発明は、少なくとも、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極を区画するよう前記基板上に形成された隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、有機発光層を含む発光媒体層と、前記基板上に形成された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、前記取り出し用基板配線はキャリア注入層及び前記第二電極が積層されるコンタクトエリアを有し、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面には複数の凸状パターンが形成され、前記キャリア注入層は少なくとも、前記発光媒体層と、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面と、前記隔壁と、を覆うように形成され、前記第二電極は前記キャリア注入層上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルである。また第2の発明は、前記凸状パターンの斜面の傾斜角が60°以上90°以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である。また第3の発明は、前記凸状パターンの高低差が0.1μm以上3μm以下であることを特徴とするを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、である。また第4の発明は、前記キャリア注入層が電子注入層およびまたは電子輸送層からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、であるまた第5の発明は、取り出し用基板配線材料がITO、Cr、Al、Cu、Ni、Mo、Ta、Ti、W、Fe、Zn、Ag、Pt、PdおよびAg-Mgからなる群から選択される1種以上の金属であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル、であるさらに第6の発明は、基板上に、第一電極と、前記第一電極に対向する第二電極と、前記第一電極を区画する隔壁と、前記第一電極及び前記第二電極の間に挟持され、少なくとも有機発光層と、キャリア注入層、を含む発光媒体層と、前記第ニ電極とコンタクトエリアで電気的に接続された取り出し用基板配線と、を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、前記コンタクトエリアの取り出し用基板配線に凸状パターンを形成する工程と、前記第一電極上に形成された前記キャリア注入層上に前記有機発光材料を溶媒に溶解または分散させた有機発光インキを塗工することよって有機発光層をパターン形成する工程と、前記第一電極と前記取り出し用基板配線の前記コンタクトエリアと、前記第一電極と前記コンタクトエリアの間を覆うように前記キャリア注入層を形成する工程と、前記キャリア注入層上に前記キャリア注入層と同じパターンで第二電極を形成する工程と、を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル製造方法、である。また第7の発明は、前記キャリア注入層を形成する工程が、ドライプロセスであることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法である。また第8の発明は、前記有機発光層をパターン形成する工程が印刷法、インクジェット法、ノズルプリント法のいずれかであることを特徴とする請求項6から7に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、である。取り出し用基板配線と第二電極が電気的に接続するコンタクトエリアにおいて、取り出し用基板配線上に凸状パターンを形成することで、取り出し用基板配線のコンタクトエリア上にキャリア注入層を形成しても低抵抗なコンタクト特性が得られ、キャリア注入層と第二電極を同じパターンで形成することができ、高効率、長寿命、高輝度な有機ELディスプレイパネルを簡便で安価に製造することが出来る。以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には全ての図面を通じて同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。まず、本発明の有機ELディスプレイパネルの詳細な説明をするための例として、図1を参照して第一電極102を陽極、第二電極106を陰極としたパッシブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルについて述べる。なお、本発明はこれに限るものではなく、第一電極102を陰極、第二電極106を陽極としても良い。図1に本発明の1様態としてパッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルの平面模式図、また図3には図1に記載されているAA’の断面模式図を示した。本発明の有機ELディスプレイパネルは、基板101上に形成された第一電極102を陽極、これと対向するように形成された第二電極106を陰極とし、これに挟持された層発光媒体層110を有する。第一電極は画素ごとに隔壁103で区画された画素領域aにストライプ状の画素電極として形成されている。なお、図1では第一電極102、隔壁103を示すために第二電極106と電子注入層114の一部を省略して示している。また、第一電極102と電子注入層114との間には、発光媒体層110、正孔注入層111、インターレイヤー又は正孔輸送層112が形成されているが、図1では省略して示している。図1アクティブマトリック駆動型の有機ELディスプレイパネルを示したが、本発明の別の様態ではパッシブマトリクス駆動型としても良く、その場合には第一電極は画素ごとに隔壁103で区画された画素領域aに画素電極として形成され、第二電極は各電極がそれぞれ直交するストライプパターン状の対向電極となる。発光媒体層には、少なくとも発光に寄与する有機発光層113と、正孔を注入するキャリア注入層として正孔注入層111と、正孔を輸送するキャリア輸送層として正孔輸送層112、電子を注入するキャリア注入層として電子注入層114を含んでいる。また、発光媒体層110としては、陰極と発光層の間に電子輸送層や正孔ブロック層インターレイヤー、陽極と発光層の間に電子ブロック層インターレイヤー等のキャリア注入層を必要に応じて適宜積層することができる。さらに画素領域aの外側には、外部駆動回路と接続するための取り出し用基板配線104を有し、取り出し用基板配線104と第二電極106が電気的に接続するコンタクトエリア105において、取り出し用基板配線は、表面に凸状パターンを有する。図4及び図5に図1に記載されているコンタクトエリア105のBB’断面模式図を示した。正孔注入層111は画素領域aに隣接する隔壁上全面を覆っている。全面を覆う事で、画素領域での膜形状が平坦になり、画素ごとの膜厚を均一にすることが可能となる。正孔輸送層112は正孔注入層111上の画祖領域aにのみパターン形成しているが、正孔注入層111と同様に、画素領域aに隣接する隔壁上全面を覆っても良い。有機発光層113は隔壁103の形状によって画素領域にのみ混色することなく形成することができる。このように、有機EL素子を画素サブピクセルとして配列する事で、有機ELディスプレイパネルとすることができる。即ち各画素を構成する有機発光層113を混色することなく例えばRGBの3色に塗り分けることで、フルカラーの有機ELディスプレイパネルを作製することができる。電子注入層114は、第一電極上102上にある有機発光層113上の画素領域aと取り出し用基板配線104上のコンタクトエリア105と、各有機発光層113とコンタクトエリアの間とを覆うように形成されている。第二電極106は、電子注入層114と同様のパターンを有し、一部電子注入層114を介して電気的に取り出し用基板配線と接続される。このとき、本発明の取り出し用基板配線はコンタクトエリアの表面に複数の凸状パターンを有するため、第二電極と取り出し用基板配線の接触表面積は、凸状パターン側面の分、増加する。これによって、電子注入層114を介しても十分低抵抗なコンタクト特性を得る事ができる。凸状パターンの数は任意だが、低抵抗なコンタクト特性が得られる様最適化することが好ましい。パターンの斜面の傾斜角は任意であるが、側面に対する電子注入層膜厚が小さく、凸状パターン強度が大きくなるよう、60°以上、90°以下であることが好ましい。また、凸状パターンの形状は円筒、円錐、四角錐、四角形などとする事ができ、コンタクトエリアの表面積を大きくすることができればどのような形状であっても良い。凸状パターンの高低差は大きいほど側面の表面積が大きくなるが、大きすぎると凸状パターン強度が小さくなることや、電子注入層材料の付着確率が小さくなりすぎるため高低差は50nm以上、200nm以下であることが好ましい。取り出し用基板配線上のコンタクトエリアに形成されるキャリア注入層を電子注入層114としているが、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層インターレイヤー、正孔ブロック層インターレイヤー、などから任意に選択できる。<基板>本発明のパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルの基板バックプレーンは、有機ELディスプレイパネルの画素電極と、外部駆動回路と接続するための取り出し用基板配線104が設けられている。これら画素電極と取り出し用基板配線と、その上方に構成されるパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルは支持体で支持される。支持体としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた支持体であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体は、有機ELディスプレイパネル内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層への水分の侵入を避けるために、支持体における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。<画素電極>基板の上に画素電極102を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。本発明で、画素電極は隔壁によって区画され、各画素領域に対応した画素電極となる。画素電極の材料としては、ITOインジウムスズ複合酸化物やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。画素電極を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。画素電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。<取り出し用基板配線>基板の上に取り出し用基板配線104を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。図では、取り出し用基板配線のコンタクト部周囲に隔壁は形成されてないが、外部駆動用配線と電気的に接続する部分とトコンタクトエリアを区画するように隔壁を形成してもよく、この場合隔壁の開口部がコンタクトエリアとなる。取り出し用基板配線に用いられる材料は、導電性が低く、パターニングが容易であることが好ましく、ITOインジウムスズ複合酸化物やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、Cr、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ni、Mo、Ta、Ti、W、C、Fe、In、Ag-Mg、Anなどの金属質導電材料で形成されることが好ましい。また、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、CuやAlなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。取り出し用基板配線の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。取り出し用基板配線のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。取り出し用基板配線を形成後、本発明では取り出し基板配線のコンタクトエリアに、凸状パターンを形成する。凸状パターンの形成方法は材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができるが、より高精細なパターンを形成するためにはフォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法が好ましい。特に、凸状パターンの斜面の傾斜角が60°以上90°以下に形成するためにはドライエッチング法を用いる事が好ましい。<隔壁>本発明の隔壁103は画素に対応した画素領域aを区画するように形成する。画素電極102の端部を覆うように形成するのが好ましい。本発明のパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルの隔壁用感光性組成物を構成する成分およびその組成について説明する。本発明の隔壁用感光性組成物以下、単に感光性組成物という場合があるは、少なくとも、A成分;エチレン性不飽和化合物、B成分;光重合開始剤、およびC成分;アルカリ可溶性バインダー、を含有する。通常は、さらに界面活性剤などを含有することが好ましく、溶剤も含有する。隔壁の形成方法としては、従来と同様、基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。さらに、隔壁103は多段状としてもよく、その場合には、画素を区切るように格子状に形成される一段目の隔壁と、一段目の隔壁上に形成される2段目の隔壁からなり、1段目の材料と2段目の材料では異なる材料を用いても良い。例えば、1段目の材料にはSiO2やSiNx等の無機材料を用い、2段目には感光性樹脂等の有機材料を用いることができ、これらは上記と同様にフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが出来る。隔壁の好ましい高さは0.1μm~10μmであり、より好ましくは0.5μm~2μm程度である。高すぎると対向電極の形成及び封止を妨げ、低すぎると画素電極の端部を覆い切れない、あるいは発光媒体層形成時に隣接する画素と混色してしまうからである。次に、第一電極102上に形成される正孔注入層111、インターレイヤーまたは正孔輸送層112、有機発光層113、電子注入層114からなる発光媒体層110を説明する。<正孔注入層>正孔注入層111の材料は任意であるが、画素間の短絡を妨げるため抵抗率は104Ωcm以上であることが好ましい。また、隔壁の形状に段差を設けること正孔注入層の膜厚に変化をつけ画素間の短絡を抑制しても良い。例えば、Cu2O,Cr2O3,Mn2O3,FeOx,NiO,CoO,Pr2O3,Ag2O,MoO2,Bi2O3、ZnO,TiO2,SnO2,ThO2,V2O5,Nb2O5,Ta2O5,MoO3,WO3,MnO2等の遷移金属酸化物およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物や、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾールPVK誘導体、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ピロール誘導体、芳香族アミン、トリフェニルアミンダイマー誘導体TPD、α-ナフチルジフェニルアミンダイマーα-NPD、[トリフェニルアミンダイマー]スピロダイマーSpiro-TAD等のトリアリールアミン類、4,4’,4’’-トリス[3-メチルフェニルフェニルアミノ]トリフェニルアミンm-MTDATA、4,4’,4’’-トリス[1-ナフチルフェニルアミノ]トリフェニルアミン1-TNATA等のスターバーストアミン類および5,5’-α-ビス-{4-[ビス4-メチルフェニルアミノ]フェニル}-2,2’:5’,2’-α-ターチオフェンBMA-3T等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。正孔注入層111の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。正孔注入層111の膜厚は、20nm以上、100nm以下であることが好ましい。20nmより小さくなると、ショート欠陥が生じやすくなり、100nm以上になると高抵抗化により低電流化してしまう。無機材料は耐熱性および電気化学的安定性に優れている材料が多いため好ましい。これらは単層もしくは複数の層の積層構造、又は混合層として形成することができる。<インターレイヤーまたは正孔輸送層>正孔注入層を形成後、正孔輸送層を形成することができる。本件では全面に形成した正孔注入層上にライン状に正孔輸送層をパターン形成したが正孔注入層上に正孔輸送層を全面形成してもよい。正孔輸送層は電子から正孔注入層を保護し、発光層の塗布形成のための下地層となるインターレイヤー層としても用いることが出来る。正孔輸送層に用いられる材料としてポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾールPVK誘導体、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ピロール誘導体、芳香族アミン、トリフェニルアミンダイマー誘導体TPD、α-ナフチルジフェニルアミンダイマーα-NPD、[トリフェニルアミンダイマー]スピロダイマーSpiro-TAD等のトリアリールアミン類、4,4’,4’’-トリス[3-メチルフェニルフェニルアミノ]トリフェニルアミンm-MTDATA、4,4’,4’’-トリス[1-ナフチルフェニルアミノ]トリフェニルアミン1-TNATA等のスターバーストアミン類および5,5’-α-ビス-{4-[ビス4-メチルフェニルアミノ]フェニル}-2,2’:5’,2’-α-ターチオフェンBMA-3T等のオリゴチオフェン類、芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。正孔輸送層112の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。<有機発光層>インターレイヤー形成後、有機発光層113を形成する。有機発光層は正孔と電子を再結合させることで発光する層であり、有機発光層113から放出される表示光が単色の場合、インターレイヤ105を被覆するように形成するが、多色の表示光を得るには必要に応じてパターニングを行うことにより好適に用いることができる。有機発光層113を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’-ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’-ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。上述した高分子材料に加え、9,10-ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4-テトラフェニルブタジエン、トリス8-キノラートアルミニウム錯体、トリス4-メチル-8-キノラートアルミニウム錯体、ビス8-キノラート亜鉛錯体、トリス4-メチル-5-トリフルオロメチル-8-キノラートアルミニウム錯体、トリス4-メチル-5-シアノ-8-キノラートアルミニウム錯体、ビス2-メチル-5-トリフルオロメチル-8-キノリノラート[4-4-シアノフェニルフェノラート]アルミニウム錯体、ビス2-メチル-5-シアノ-8-キノリノラート[4-4-シアノフェニルフェノラート]アルミニウム錯体、トリス8-キノリノラートスカンジウム錯体、ビス[8-パラ-トシルアミノキノリン]亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ-2,5-ジヘプチルオキシ-パラ-フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。有機発光層113の形成法としては、材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができ、本発明ではこれらに限定されるわけではないが、特に有機発光材料を溶媒に溶解または安定に分散させた有機発光インキを用いて発光層を各発光色に塗り分ける場合には、隔壁間にインキを転写してパターニングできるインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法が好適である。<発光媒体層の形成方法>発光媒体層を凸版印刷法で形成する場合を下記に示す。図7に有機発光材料からなる有機発光インキを、画素電極、正孔注入層、正孔輸送層が形成された被印刷基板602上にパターン印刷する際の凸版印刷装置600の概略図を示した。本製造装置はインクタンク603とインキ供給手段であるインキチャンバー604とアニロックスロール605とドクター装置606凸版が設けられた版607がマウントされた版銅608を有している。インクタンク603には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー604にはインクタンクより有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール605はインキチャンバー604のインキ供給部に接して回転可能に指示されている。ドクター装置はアニロックスロール上の余剰インキをかきとってアニロックスロール上のインキ膜を均一にする。なお、アニロックスロール605へのインキ供給手段はインキチャンバーに限られず、ダイコーター、スリットコーター等のインキを吐出するものであっても良い。また、ドクター装置は、板状のドクターブレード、ローラー状のドクターロール、圧縮空気を用いるエアナイフ等を用いることができ、これらを併用しても良い。アニロックスロール605の回転に伴い、ドクター装置によりアニロックスロール表面に供給された有機発光インキのインキ層609は均一な膜厚に形成される。このインキ層のインキはアニロックスロールに近接して回転駆動される版胴608にマウントされた版607の凸部に転移する。ステージ601には、被印刷基板602が設置され、版607の凸部にあるインキが被印刷基板602に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て被印刷基板上に有機発光層が形成される。他の発光媒体層をインキ化して塗工する場合についても同様に上記形成法を用いて形成することができる。<電子注入層>有機発光層113を形成した後、電子注入層114を形成することができる。電子注入層に用いる材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料、フッ化リチウムや酸化リチウム、フッ化ナトリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の塩や酸化物等を用いて真空蒸着法による成膜が可能である。<対向電極>次に、対向電極106を形成する。対向電極を陰極とする場合には、発光層113への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはMg,Al,Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体層と接する界面にLiや酸化Li,LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性導電性の高いAlやCuを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi,Mg,Ca,Sr,La,Ce,Er,Eu,Sc,Y,Yb等の金属1種以上と、安定なAg,Al,Cu等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはMgAg,AlLi,CuLi等の合金が使用できる。電子注入層と対向電極の形成に使用するメタルマスクはコンタクトエリアと画素領域とその間に開口があるマスクを用いて成膜する。パッシブマトリクス駆動型の場合には、図1のように第一電極102と直交するストライプ状の開口部を有するマスクを用いる。取り出し用基板配線上のコンタクトエリアも成膜することで、図4のように取り出し用基板配線の凸状パターン表面に電子注入層が形成される。また、電子注入層を形成する際に斜方蒸着法を用いる事で、図5のように電子注入層は取り出し用基板配線の表面に形成されている凸状パターンの一部にのみ形成することもできる。対向電極は取り出し用基板配線の凸状パターン全面を覆う事で、対向電極が取り出し用基板配線に直接コンタクトし、さらに低抵抗なコンタクト特性を得ることができる。<封止体>有機ELディスプレイパネルとしては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にSiOxをCVD法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、10-6g/m2/day以下であることが好ましい。樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレートEEAポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテートEVA等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ELディスプレイパネルの大きさや形状により任意に決定されるが、5~500μm程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ELディスプレイパネル側に形成することもできる。最後に、有機ELディスプレイパネルと封止体との貼り合わせを封止室で行う。封止体を、封止材と樹脂層の2層構造とし、樹脂層に熱可塑性樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着のみ行うことが好ましい。熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱したロールで圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールで圧着した後、さらに光を照射することで硬化を行うことができる。次に、本発明の有機ELディスプレイパネルの詳細な説明をするための例として、図2を参照して第一電極102を陽極、第二電極106を陰極としたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルについて述べる。なお、本発明はこれに限るものではなく、第一電極102を陰極、第二電極106を陽極としても良い。図2に本発明の別の様態としてアクティブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルの平面模式図、また図3には図2に記載されているAA’の断面模式図を示した。本発明の有機ELディスプレイパネルは、基板101上に形成された第一電極102を陽極、これと対向するように形成された第二電極106を陰極とし、これに挟持された層発光媒体層110を有する。第一電極102は画素ごとに隔壁103により互いに区画絶縁された画素領域aに画素電極として形成されている。なお、図2では第一電極102、隔壁103を示すために一部を省略して示している。また、第一電極102と電子注入層114との間には、発光媒体層110、正孔輸送層111、インターレイヤー112が形成されているが、図2では省略して示している。アクティブマトリックス駆動型の場合には、第一電極102は画素ごとに隔壁103により互いに区画絶縁された画素領域aに画素電極として形成され、第二電極106及び電子注入層114は隔壁103及び画素領域aの全てを覆うように形成されている。第一電極は画素ごとに隔壁で区画された画素電極として形成され、第二電極は素子全面に形成した対向電極となる。また、キャリア注入層は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層となる。また第一電極側を陽極とした逆構造の有機EL素子としてもよい。この場合には第一電極上に形成するキャリア注入層は電子注入層となる。<基板>図6に本発明に用いることができる隔壁付きTFT基板の例を示した。本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルに用いる基板バックプレーン308は、薄膜トランジスタTFTと有機ELディスプレイパネルの下部電極画素電極が設けられており、かつ、TFTと下部電極とが電気接続している。TFTや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルは支持体で支持される。支持体としてはパッシブマトリックス駆動型の有機ELディスプレイパネルと同様の材料を使用することができる。支持体上に設ける薄膜トランジスタは、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、ボトムゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。活性層311は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法;SiH4ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法;Si2H6ガスを用いてLPCVD法により、また、SiH4ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法低温プロセス;減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000°C以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にnポリシリコンのゲート電極8を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法高温プロセス等が挙げられる。ゲート絶縁膜309としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2や、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等を用いることができる。ゲート電極314としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属;チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属;ポリシリコン;高融点金属のシリサイド;ポリサイド;等が挙げられる。薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。本発明の表示装置は薄膜トランジスタが有機ELディスプレイパネルのスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極310と有機ELディスプレイパネルの画素電極が電気的に接続されている。<画素電極>基板の上に画素電極102を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。本発明で、画素電極は隔壁によって区画絶縁され、各画素に対応した画素電極となる。画素電極の材料としては、ITOインジウムスズ複合酸化物やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。画素電極を陽極とする場合にはITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、画素電極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。画素電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板としてTFTを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。<隔壁>本発明の隔壁103は画素に対応した発光領域を区画するように形成する。画素電極102の端部を覆うように形成するのが好ましい。一般的にアクティブマトリクス駆動型の表示装置は各画素サブピクセルに対して画素電極102が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、画素電極の端部を覆うように形成される隔壁の最も好ましい形状は各画素電極を最短距離で区切る格子状を基本とする。また、隔壁203は多段状としてもよく、その場合には、画素を区切るように格子状に形成される一段目の隔壁と、一段目の隔壁上に形成される2段目の隔壁からなり、1段目の材料と2段目の材料では異なる材料を用いても良い。例えば、1段目の材料にはSiO2やSiNx等の無機材料を用い、2段目には感光性樹脂等の有機材料を用いることができ、これらは上記と同様にフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが出来る。有機発光媒体層はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルと同様の材料、条件、成膜方法で形成できる。<対向電極>次に、対向電極106を形成する。対向電極はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイと同様の材料、条件、成膜方法で形成できるが、アクティブマトリクス駆動型の場合には、図2のように隔壁103、画素部a、及びコンタクトエリア105の全面を覆うように対向電極が形成され、用いられるメタルマスクの開口部の形状は隔壁103、画素部a、及びコンタクトエリア105を覆うような幅広な四角形開口部となる。取り出し用基板配線上のコンタクトエリアも成膜することで、図4のように取り出し用基板配線の凸状パターン表面に電子注入層が形成される。また、電子注入層を形成する際に斜方蒸着法を用いる事で、図5のように電子注入層は取り出し用基板配線の表面に形成されている凸状パターンの一部にのみ形成することもできる。対向電極は取り出し用基板配線の凸状パターン全面を覆う事で、対向電極が取り出し用基板配線に直接コンタクトし、さらに低抵抗なコンタクト特性を得ることができる。封止体はパッシブマトリックス駆動型有機ELディスプレイパネルと同様の材料、条件、接着方法で形成できる。[実施例1]以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明はこれに限るものではない。基板として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板のサイズは200mm×200mmでその中に対角5インチ、画素数は320×240のディスプレイパネルが中央に配置され、端部に取出し用基板配線と縦0.5mm×横101.6mmのコンタクトエリアが形成されている。取り出し用基板配線材料はCrを用いた。この取り出し用基板配線のコンタクトエリアにフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて、表面に0.2mm×0.2mm、深さ0.1mmの凸状パターンを縦0.2mm、横0.2mm間隔で形成した。形成した凸状パターンの傾斜角は90°であった。この基板上に設けられている画素電極の端部を被覆し画素を区画するような形状で隔壁を形成した。隔壁の形成は、日本ゼオン社製ポジレジストZWD6216-6をスピンコーターにて基板全面に厚み2μmで形成した後、フォトリソグラフィーによって幅40μmの隔壁を形成した。これによりサブピクセル数960×240ドット、0.12mm×0.36mmピッチ画素領域が区画された。この基板をモリブデンターゲットが設置されているスパッタリング成膜装置の設置し、取り出し電極やコンタクト部に成膜されないように、表示領域上に正孔注入層をパターン成膜した。このときのスパッタ条件は圧力1Pa、電力1kWで酸素のアルゴンガスに対する流量比が30であった。膜厚を50nmとした。その後、厚み30nmの撥液剤が形成されたフィルムをロール温度120°C、押し圧0.6MPa、毎分150mmの速度でラミネートし、隔壁上に形成されている正孔注入層上に撥液層を10nmになるようパターン形成した。その後、インターレイヤー材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度0.5になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて凸版印刷法で印刷を行った。このとき300線/インチのアニロックスロールおよび感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤーの膜厚は20nmとなった。次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度1になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層を凸版印刷法で印刷を行った。このとき150線/インチのアニロックスロールおよびピクセルのピッチに対応する感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層の膜厚は80nmとなった。この工程を計3回繰り返し、R赤、G緑、B青の発光色に対応する有機発光層を各画素に形成した。その後、画素部とコンタクトエリアと両者の間を覆うように電子注入層として真空蒸着法とシャドウマスクを用いてBaを厚み4nm成膜した。その後、電子注入層を形成する際に用いたメタルマスクを用いて、対向電極としてアルミニウム膜150nmを電子注入層と同様のパターンで成膜した。Ba成膜後、Alを成膜開始までに要した時間は5sであった。その後、封止材としてガラス板を発光領域全てをカバーするように載せ、約90°Cで1時間接着剤を熱硬化して封止を行った。こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルのコンタクト特性はオーミックであり、1V印加時で5mA、即ち200Ωとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られた。また、これを駆動したところ、良好に駆動を行うことができた。[比較例1]実施例1の基板において、取り出し用基板配線のコンタクトエリアに凸状パターンを形成せずに、他は実施例1と同様にしてアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを作製した。こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、コンタクト特性はオーミックでなく、1V印加時で0.01mAとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られなかった。また、これを駆動したところコンタクトエリア付近が異常発熱し、正常な駆動ができなかった。[比較例2]実施例1の基板において、取り出し用基板配線のコンタクトエリアに凸状パターンを形成せずに、画素部のみを覆うように、電子注入層として、真空蒸着法とシャドウマスクを用いてBaを厚み4nm成膜した。その後、電子注入層を形成する際に用いたメタルマスクから対向電極用のメタルマスクに変更し、画素部とコンタクトエリアと両者の間を覆うように、対向電極としてアルミニウム膜150nmを成膜した。Ba成膜後、Alを成膜開始までに要した時間は60sであった。他は実施例1と同様にしてアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルを作製した。こうして得られたアクティブマトリクス駆動型有機ELディスプレイパネルのコンタクト特性はオーミックであり、1V印加時で5mA、即ち200Ωとなり、低抵抗なコンタクト特性が得られた。しかし、これを駆動したところ、発光効率、寿命が低下しており良好に駆動を行うことができなかった。"