"高分子樹脂と、前記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンと、を含む多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比は、1から20である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記酸化グラフェンの含量は、前記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記高分子樹脂は、前記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記高分子樹脂と前記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合する請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記高分子樹脂は、エポキシ樹脂である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。前記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子である請求項1に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。[式1]前記式において、R1及びR2は、CH3又はHであり、R1及びR2のうち少なくとも一つはCH3であり、Ar1は、エステルester、アミドamide、エステルアミドesteramide、エステルイミドesterimide、及びエーテルイミドetherimideからなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。前記Ar1は、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含む請求項8に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。[式2]前記式において、Ar2、Ar4、Ar5及びAr6は2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Ar3は4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、前記n、mは1から100の整数である。[式3][式4]前記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000である請求項8に記載の多層配線基板用絶縁樹脂組成物。複数の絶縁層が積層された基板本体と、前記絶縁層に形成された回路パターンとを含み、前記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、高分子樹脂及び前記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンを含む絶縁樹脂組成物からなる多層配線基板。前記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有する請求項11に記載の多層配線基板。前記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比は、1から20である請求項11に記載の多層配線基板。前記酸化グラフェンの含量は、前記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部である請求項11に記載の多層配線基板。前記高分子樹脂は、前記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有する請求項11に記載の多層配線基板。前記高分子樹脂と前記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合する請求項11に記載の多層配線基板。前記高分子樹脂は、エポキシ樹脂である請求項11に記載の多層配線基板。前記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子である請求項11に記載の多層配線基板。[式1]前記式において、R1及びR2はCH3又はHであり、R1及びR2のうち少なくとも一つはCH3であり、Ar1は、エステルester、アミドamide、エステルアミドesteramide、エステルイミドesterimide、及びエーテルイミドetherimideからなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。前記Ar1は、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含む請求項18に記載の多層配線基板。[式2]前記式において、Ar2、Ar4、Ar5及びAr6は2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Ar3は4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、前記n、mは1から100の整数である。[式3][式4]前記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000である請求項18に記載の多層配線基板。本発明は、機械的特性及び信頼性に優れた多層配線基板用絶縁樹脂組成物及びこれを含む多層配線基板を提供することを目的とする。本発明の一実施形態は、高分子樹脂と、上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンとを含む多層配線基板用絶縁樹脂組成物を提供する。上記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有することができる。上記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比炭素/酸素は、1から20であることができる。上記酸化グラフェンの含量は、上記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部であることができる。上記高分子樹脂は、上記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有することができる。上記高分子樹脂と上記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合することができる。上記高分子樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。上記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子であることができる。[式1]上記式において、R1及びR2はCH3又はHであり、R1及びR2のうち少なくとも一つはCH3であり、Ar1は、エステルester、アミドamide、エステルアミドesteramide、エステルイミドesterimide、及びエーテルイミドetherimideからなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。上記Ar1は、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含むことができる。[式2]上記式において、Ar2、Ar4、Ar5及びAr6は2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Ar3は4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、上記n、mは1から100の整数である。[式3][式4]上記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000であることができる。本発明の他の実施形態は、複数の絶縁層が積層された基板本体と、上記絶縁層に形成された回路パターンとを含み、上記複数の絶縁層のうち少なくとも一つの絶縁層は、高分子樹脂及び上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンを含む絶縁樹脂組成物で形成される多層配線基板を提供する。上記酸化グラフェンは、表面及び端部に、ヒドロキシル基、カルボキシル基及びエポキシ基のうち少なくとも一つの官能基を有することができる。上記酸化グラフェンの酸素数に対する炭素数の比炭素/酸素は、1から20であることができる。上記絶縁樹脂組成物内の酸化グラフェンの含量は、上記高分子樹脂100重量部に対して0.05から40重量部であることができる。上記高分子樹脂は、上記酸化グラフェンとの化学結合が可能な官能基を有することができる。上記高分子樹脂と上記酸化グラフェンは、硬化反応によって共有結合することができる。上記高分子樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。上記高分子樹脂は、下記式1で表される構造を有する熱硬化性液晶高分子であることができる。[式1]上記式において、R1及びR2はCH3又はHであり、R1及びR2のうち少なくとも一つはCH3であり、Ar1は、エステルester、アミドamide、エステルアミドesteramide、エステルイミドesterimide、及びエーテルイミドetherimideからなる群より選ばれた一つ以上の構造単位を含み、分子量5,000以下である2価の芳香族有機基である。上記Ar1は、下記式2で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含むことができる。[式2]上記式において、Ar2、Ar4、Ar5及びAr6は2価の芳香族有機基であって、下記式3で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、Ar3は4価の芳香族有機基であって、下記式4で表される群より選ばれる一つ以上の構造単位を含み、上記n、mは1から100の整数である。[式3][式4]上記熱硬化性液晶高分子の分子量は、300から5,000であることができる。本発明の一実施形態による多層配線基板用絶縁樹脂組成物は、高分子樹脂と、上記高分子樹脂の硬化物内に分散される酸化グラフェンとを含むものであって、熱膨張係数が小さく、機械的強度に優れた特徴を有する。本発明の一実施形態による絶縁樹脂組成物で形成される絶縁層を含む多層配線基板は、高分子樹脂と酸化グラフェンとの混合により熱膨張係数が低いという特性を有する。また、酸化グラフェンの添加により機械的強度が向上するという特徴を有する。また、本発明による絶縁層は、高分子樹脂の硬化物内に酸化グラフェンが分散されたり、高分子樹脂と酸化グラフェンが化学結合し、複合体を形成することができる。これによって、メッキによる回路パターンの形成、及びレーザー等によるビア孔の加工性が向上し、高密度パターンを形成することができる。また、酸化グラフェンがうまく分散され、多層配線基板内の誘電定数の値が均一になり、高速デバイスを具現することができる。"