"電源が投入されたことを検出する電圧レベル検出部と、温度を測定する温度検出部と、電源投入回数を示す回数情報が記憶されるフラグ記憶部と、基準電圧情報を記憶する基本情報記憶部と、前記電圧レベル検出部が電源投入を検出した際、前記回数情報が予め設定された設定投入回数で無い場合、前記基準電圧情報を前記基本情報記憶部から読み込み、前記基準電圧情報と、前記温度検出部の出力する温度検出情報とから、前記温度検出部が出力する温度検出情報を補正する補正値を求め、当該補正値を内部記憶部に書き込んで記憶させるトリミング制御部とを備え、前記温度検出部が前記補正値に基づいて、前記温度検出情報を補正して出力することを特徴とする温度検出回路。前記基準電圧情報が、前記補正値を求める際に前記温度検出回路に印加される、予め定められた温度に対応して設定されていることを特徴とする請求項1に記載の温度検出回路。前記トリミング制御部が、前記補正値を求める処理を終了すると、前記回数情報を前記設定投入回数に書き直すことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の温度検出回路。温度検出情報記憶部をさらに有し、前記設定投入回数と同一数であり、各々異なる電圧に対応する前記基準電圧情報が前記基本情報記憶部に記憶されており、前記トリミング制御部が、電源投入する毎に、前記温度検出部の出力する前記温度検出情報を、順次前記温度検出情報記憶部に書き込んで記憶させ、前記回数情報の前記投入回数を1つずつ増加させる書き換え処理を行い、前記投入回数が前記設定投入回数となった場合、前記温度検出情報記憶部に記憶されている前記温度検出情報の各々を読み出し、また前記基本情報記憶部から前記基準電圧情報の各々を読み出し、読み出した前記温度検出情報及び前記基準電圧情報から前記補正値を求めることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の温度検出回路。前記基準電圧情報の各々が、前記異なる温度が前記温度検出回路に印加される順番に、前記基本情報記憶部に書き込んで記憶されており、前記トリミング制御部が、前記異なる温度が印加された状態で電源の投入された場合、前記温度検出情報を前記温度検出情報記憶部に書き込んで記憶することを特徴とする請求項4に記載の温度検出回路。電圧レベル検出部が、電源の投入されたことを検出する電圧レベル検出過程と、温度検出部が、温度を測定する温度検出過程と、トリミング制御部が、電源投入回数を示す回数情報をフラグ記憶部に記憶するフラグ記憶過程と、トリミング制御部が、前記電圧レベル検出部が電源投入を検出した際、前記回数情報が予め設定された設定投入回数で無い場合、基準電圧情報を基本情報記憶部から読み込み、前記基準電圧情報と、前記温度検出部の出力する温度検出情報とから、前記温度検出部が出力する温度検出情報を補正する補正値を求め、当該補正値を内部記憶部に書き込んで記憶させるトリミング制御過程と、前記温度検出部が、前記補正値に基づいて、前記温度検出情報を補正して出力する温度情報出力過程とを含むことを特徴とする検出温度校正方法。しかしながら、特許文献2においては、すでに述べたように、半導体試験装置を用いた補正情報の生成及び内部ROMへの書き込みの処理を、半導体装置毎に行う必要がある。このため、半導体試験装置による半導体装置の試験時間の増加に伴い、半導体装置の製造コストが増加してしまう。また、検出温度情報の示す温度の精度、すなわち実際の温度との誤差を減少させるためには、恒温槽により複数の温度の各々を順番に半導体装置に印加し、上述した半導体試験装置における補正情報の検出及びROMへの書き込み処理を行うことになる。このため、さらに半導体装置の製造コストが増加することになる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、半導体装置の出荷前に行われる処理として、半導体装置の出力する検出温度情報の示す温度を補正する補正情報の生成及び半導体装置内への書き込みを、半導体試験装置の試験の工数を増加させずに行う温度検出回路及び検出温度校正方法を提供することを目的とする。本発明の温度検出回路は、電源が投入されたことを検出する電圧レベル検出部と、温度を測定する温度検出部と、電源投入回数を示す回数情報が記憶されるフラグ記憶部と、基準電圧情報を記憶する基本情報記憶部と、前記電圧レベル検出部が電源投入を検出した際、前記回数情報が予め設定された設定投入回数で無い場合、前記基準電圧情報を前記基本情報記憶部から読み込み、前記基準電圧情報と、前記温度検出回路の出力する温度検出情報とから、前記温度検出部が出力する温度検出情報を補正する補正値を求め、当該補正値を内部記憶部に書き込んで記憶させるトリミング制御部とを備え、前記温度検出部が前記補正値に基づいて、前記温度検出情報を補正して出力することを特徴とする。本発明の温度検出回路は、前記基準電圧情報が、前記補正値を求める際に前記温度検出回路に印加される、予め定められた温度に対応して設定されていることを特徴とする。本発明の温度検出回路は、前記トリミング制御部が、前記補正値を求める処理を終了すると、前記回数情報を前記設定投入回数に書き直すことを特徴とする。本発明の温度検出回路は、温度検出情報記憶部をさらに有し、前記設定投入回数と同一数であり、各々異なる電圧に対応する前記基準電圧情報が前記基本情報記憶部に記憶されており、前記トリミング制御部が、電源投入する毎に、前記温度検出部の出力する前記温度検出情報を、順次前記温度検出情報記憶部に書き込んで記憶させ、前記回数情報の前記投入回数を1つずつ増加させる書き換え処理を行い、前記投入回数が前記設定投入回数となった場合、前記温度検出情報記憶部に記憶されている前記温度検出情報の各々を読み出し、また前記基本情報記憶部から前記基準電圧情報の各々を読み出し、読み出した前記温度検出情報及び前記基準電圧情報から前記補正値を求めることを特徴とする。本発明の温度検出回路は、前記基準電圧情報の各々が、前記異なる温度が前記温度検出回路に印加される順番に、前記基本情報記憶部に書き込んで記憶されており、前記トリミング制御部が、前記異なる温度が印加された状態で電源の投入された場合、前記温度検出情報を前記温度検出情報記憶部に書き込んで記憶することを特徴とする。本発明の検出温度校正方法は、電圧レベル検出部が、電源の投入されたことを検出する電圧レベル検出過程と、温度検出部が、温度を測定する温度検出過程と、トリミング制御部が、電源投入回数を示す回数情報をフラグ記憶部に記憶するフラグ記憶過程と、トリミング制御部が、前記電圧レベル検出部が電源投入を検出した際、前記回数情報が予め設定された設定投入回数で無い場合、基準電圧情報を基本情報記憶部から読み込み、前記基準電圧情報と、前記温度検出部の出力する温度検出情報とから、前記温度検出部が出力する温度検出情報を補正する補正値を求め、当該補正値を内部記憶部に書き込んで記憶させるトリミング制御過程と、前記温度検出部が、前記補正値に基づいて、前記温度検出情報を補正して出力する温度情報出力過程とを含むことを特徴とする。この発明によれば、半導体装置の出荷前に行われる処理として、半導体装置から出力される検出温度情報が示す温度を補正する補正情報の生成及び半導体装置内への書き込みを、半導体試験装置の試験の工数を増加させずに行うことができる。<第1の実施形態>以下、図面を参照して、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、この発明の一実施形態による温度検出回路を搭載した半導体装置の構成例を示す概略ブロック図である。図1において、半導体装置は、例えば、温度検出回路1、内部電圧発生回路2及び内部回路群3を備えている。温度検出回路1は、半導体装置のチップの温度を検出し、当該温度を示す温度検出情報を出力する。内部電圧発生回路2は、温度検出回路1から出力される温度検出情報に対応した電圧を発生して出力する。これは一例であり、温度検出に発振回路を用いる場合、発振周波数を温度検出情報に対応して変更するように構成されている。内部回路群3は、半導体装置の主たる機能構成であり、例えば、半導体装置がメモリである場合、メモリセルアレイ、ページバッファ、デコーダなどを有する回路である。温度検出回路1は、電圧レベル検出部11、トリミング制御部12、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14、補正値記憶部15、温度検出部16、A/Dコンバータアナログ/デジタル変換器17を備えている。ここで、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14及び補正値記憶部15は、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ例えば、EEPROMElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemoryなどで構成されている。電圧レベル検出部11は、外部端子である電源電圧端子に対して電源電圧が印加された際、供給される電圧値が予め設定されている閾値電圧値を越えると、電源が投入されたことを示す制御信号PONを出力する。温度検出部16は、自身に印加される温度を検出し、この温度を示すアナログ値の温度検出情報を出力する。A/Dコンバータ17は、温度検出部16が出力するアナログ値の温度検出情報を、デジタル値の温度検出情報Vtemp1に変換して出力する。トリミング制御部12は、基本情報記憶部13から第1基準電圧情報VTemp1Targetを読み出し、この第1基準電圧情報VTemp1Targetと、A/Dコンバータ17から供給される温度検出情報Vtemp1とを比較する。また、トリミング制御部12は、上記比較結果から温度検出部16の補正に用いる補正値VTempTRIMを生成し、生成した補正値VTemp1TRIMを補正値記憶部15に書き込んで記憶する。次に、図2は、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14、補正値記憶部15の各々に記憶される情報を示すテーブルである。この図2において、フラグ記憶部14にはフラグTSACFlag1ビットが記憶され、基本情報記憶部13には第1基準電圧情報VTemp1Targetnビット:nは自然数であり精度により異なるが記憶され、補正値記憶部15には補正値VTemp1TRIMmビット:nは自然数であり精度により異なるが記憶される。このフラグTSACFlagは、温度検出回路1の温度特性の補正動作時における、電源の投入回数を示す回数情報である。ここで、フラグTSACFlag1ビットは、例えば初期値として1が記憶され、処理が実行された後、0に書き換えられる。図1に戻り、本実施形態において、トリミング制御部12は、第1基準電圧情報VTemp1Targetから温度検出情報Vtemp1を減算し、この減算結果から補正値VTemp1TRIMを算出する。そして、トリミング制御部12は、内部記憶部に記憶されている補正制御テーブルから、補正値VTemp1TRIMに対応する補正制御信号CONを読み出し、この補正制御信号CONを温度検出部16に対して出力する。次に、図3は、温度検出部16が印加される温度Tempと、この温度を検出して出力する温度検出情報VTempとの対応を示すグラフである。この図3において、横軸が印加される温度Vtemp例えば、Vtemp1を示し、縦軸が横軸の温度に対応して出力する温度検出情報Vtemp例えば、VTemp1を示している。また、図3において、実線L1は設計値としての温度Tempと温度検出情報VTempとの対応を示し、一方、破線L2あるいはL3は印加された温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの対応を示している。図1の基本情報記憶部13には、この図3に示す温度Tmp1に対して温度検出部16が設計値として出力する温度検出情報VTempが記憶されている。ここで、温度検出部16が出力する温度を示す直線L1と、破線L2あるいはL3とが縦軸に対して平行にずれている場合、温度Temp1の一点における温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの差分を求めることにより、温度検出部16の出力する温度検出情報VTempを補正することができる。図1に戻り、トリミング制御部12は、上述したように、温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの差分として、補正値VTemp1TRIMを算出し、この補正値VTemp1TRIMの分がずれるように、温度検出部16の回路定数を変更するための補正制御情報CONを求めて、温度検出部16に出力する。そして、温度検出部16は、トリミング制御部12から供給される補正制御信号CONにより内部回路の定数が変更され、温度Temp1に対して温度検出情報VTemp1として、第1基準電圧情報VTemp1Targetが出力されることになる。この温度検出部16は、温度Tempに対応して温度検出情報VTemp1を出力する回路の素子の定数が、破線L2またはL3直線から平行移動可能なように、例えば補正制御信号CONによりオンオフするスイッチにより切り換えられる構成となっている。すなわち、回路の素子であるトランジスタ、コンデンサ及び抵抗などがそれぞれ複数有り、補正制御信号CONにより実線L1直線の特性となるように、対応する素子が選択されるようになっている。したがって、例えば、温度検出部16が破線L2として、温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの対応関係を有していた場合、補正値VTemp1TRIMにより、温度検出部16の出力特性が、直線L1の温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの対応に補正されることになる。この補正制御情報CONが供給される結果として、温度検出部16は、印加される温度Tempに対し、設計値に対応した温度検出情報VTempを出力する直線L1の特性ことになる。これにより、内部電圧発生回路2は、補正された温度検出情報VTempがA/Dコンバータ17により変換され、設計値に対応した温度制御を行い、内部回路群3に対して、印加されている温度Tempに対応した電圧を供給することになる。上述したように、本実施形態は、温度検出部16が搭載される半導体装置においてトリミング制御部12が温度検出部16が設計値の特性になるように補正するため、従来のように半導体試験装置により、印加される温度Tempに対して温度検出部16が出力する温度検出情報VTemp温度との対応を、設計値となるように調整する必要が無くなる。したがって、本実施形態によれば、半導体装置の出力する検出温度情報の示す温度を補正する補正情報の生成及び半導体装置内への書き込みを、半導体試験装置の試験の工数を増加させずに行うことができ、半導体装置の製造コストを低減させることが可能となる。次に、図1及び図4を参照して、本実施形態による半導体装置における温度検出部16の補正処理を説明する。図4は、本実施形態による半導体装置における温度検出部16の補正処理の動作例を示すフローチャートである。ステップS1:出荷時に、テストを行うため、作業者は、恒温槽に半導体装置を入れ、恒温槽の設定温度を、予め定めた第1基準電圧情報VTemp1Targetに対応する温度とする。そして、作業者は、恒温槽の温度が予め設定した第1基準電圧情報VTemp1Targetに対応する温度Tempとなった時点において、半導体装置に対して電源を投入する。ステップS2:次に、電圧レベル検出部11は、電源投入により供給される電源電圧を検出し、供給される電源電圧の電圧値が予め設定した閾値電圧を超えると、制御信号PONをトリミング制御部12に対して出力し、処理をステップS3へ進める。ステップS3:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から制御信号PONが供給されると、フラグ記憶部14からフラグTSACFlagを読み込み、処理をステップS4へ進める。ステップS4:そして、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14から読み込んだフラグTSACFlagが0あるいは1のいずれであるかの判定を行う。ここで、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが1である場合、初めての電源投入がされたため、処理をステップS5へ進める。一方、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが0である場合、初めての電源投入ではないため、処理を終了する。ここで、フラグTSACFlagが0となると、電源を投入した回数である電源投入回数が予め設定された設定投入回数1が終了したことになる。ステップS5:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から温度検出情報VTemp1を読み込み、処理をステップS6へ進める。ステップS6:そして、トリミング制御部12は、基本情報記憶部13から第1基準電圧情報VTemp1Targetを読み込み、処理をステップS7へ進める。ステップS7:次に、トリミング制御部12は、温度検出情報VTemp1と、第1基準電圧情報VTemp1Targetとから、補正値VTemp1TRIMを求め、処理をステップS8へ進める。ここで、本実施形態の場合、トリミング制御部12は、例えば、第1基準電圧情報VTemp1Targetとから温度検出情報VTemp1を減算し、減算結果の差分を補正値VTemp1TRIMとして求める。ステップS8:次に、トリミング制御部12は、求めた補正値VTemp1TRIMを、補正値記憶部15に対して書き込んで記憶させ、処理をステップS9へ進める。以後、半導体装置に電源が投入される毎に、トリミング制御部12は、補正値記憶部15から補正値VTemp1TRIMを読み込み、内部記憶部からこの補正値VTemp1TRIMに対応する補正制御情報CONを読み出すことで求める。そして、トリミング制御部12は、求めた補正制御情報CONを、温度検出部16に対して出力する。これにより、温度検出部16は、供給された補正制御情報CONにより、内部の回路定数が変更され、すでに説明したように、温度Tempと検出温度情報VTempとの対応関係が、が第1基準電圧情報VTemp1Targetを含む直線L1の特性図3参照に補正される。ステップS9:次に、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14のフラグTSACFlagを1から0に書き換え、処理を終了する。これにより、次に電源投入した際、ステップS5からステップS9までの温度検出部16の特性を変更する処理は行われない。すなわち、温度検出部16は、補正制御情報CONにより制御された直線L1の特性により、温度Tempに対応した温度検出情報VTempを内部電圧発生回路2に出力する。これにより、内部電圧発生回路2は、補正された温度検出部16から温度に対応し、設計値通りの温度検出情報VTempが得られ、内部回路群3に対して適切な電圧を供給する。<第2の実施形態>以下、図面を参照して、本発明の第2の実施形態について説明する。図5は、この発明の一実施形態による温度検出回路を搭載した半導体装置の構成例を示す概略ブロック図である。図5において、半導体装置は、第1の実施形態と同様に、温度検出回路1、内部電圧発生回路2及び内部回路群3を備えている。以下、第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点を説明し、同様の点については説明を省略する。また、温度検出回路1は、電圧レベル検出部11、トリミング制御部12、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14、補正値記憶部15、温度検出部16、A/Dコンバータ17と、本実施形態で新たに付加した温度検出情報記憶部18とを備えている。ここで、温度検出情報記憶部18は、電気的に書き込みが可能なワンタイムプログラムROM、あるいは電気的に書き換え可能な不揮発メモリ例えば、EEPROMなどで構成されている。次に、図6は、温度検出部16が印加される温度Tempと、この温度を検出して出力する温度検出情報VTempとの対応を示すグラフである。この図6において、横軸が印加される温度を示し、縦軸が横軸の温度に対応して出力する温度検出情報VTempを示している。また、図6において、実線L1は設計値としての温度Tempと温度検出情報VTempとの対応を示し、一方、破線L2あるいはL3は印加された温度Tempと実際に温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの対応を示している。ここで、第1の実施形態は設計における温度検出部16の特性を示す直線L1に対し、実際に温度検出部16が出力する特性が破線L2またはL3に線形に変化する場合に対応した構成であった。しかしながら、第2の実施形態は、実際に印加された温度Tempと、温度検出部16が出力する温度検出情報VTempとの対応の特性を示す破線L2またはL3が、設計値の特性を示す直線L1に対して傾きを含めて変化する場合の補正を行う場合の構成である。次に、図1に戻り、基本情報記憶部13には、第1の実施形態と異なり、複数の温度Temp1からTempqに対応した第1基準電圧情報VTemp1Targetから第q基準電圧情報VTempqTargetが予め書き込まれて記憶されている。フラグ記憶部14には、恒温槽において、順番に、例えば低い温度Temp1からより高い温度Tempqを印加したことの履歴を記憶させるため、数qまでを示すビット数のフラグTSACFlagが設定できる構成となっている。また、第1温度検出情報VTemp1から第q温度検出情報VTempqのq個の温度検出情報が揃った際に、補正情報VTemp_TRIMが求られるため、温度検出情報記憶部18には、第1温度検出情報VTemp1から第q-1温度検出情報VTempq1までの温度検出情報VTempを格納するq-1個のデータバッファが設けられている。次に、図7は、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14、補正値記憶部15の各々に記憶される情報を示すテーブルである。この図7において示すように、本実施形態において、基本情報記憶部13には第1基準電圧情報VTemp1Targetnビット:nは自然数であり精度により異なる及び第2基準電圧情報VTemp2Targetnビット:nは自然数であり精度により異なるが記憶されている。このため、フラグ記憶部14には、2つの電圧検出情報を取得するため、フラグTSACFlag2ビットが記憶され、補正値記憶部15には補正値VTempTRIMmビット:nは自然数であり精度により異なるが記憶される。また、温度検出情報記憶部18には、第1温度検出情報VTemp1を、第1温度モニタ情報VTemp1Monitormビットとして格納するバッファが設けられている。次に、図8は、フラグ記憶部14に記憶されるフラグTSACFlagの2ビットの状態と、この状態の示す制御内容を示すテーブルである。フラグTSACFlagの2ビットの値として、このフラグTSACFlag{1,1}の場合、温度Temp1を測定し、第1温度検出情報VTemp1を検出するための状態であることを示している。すなわち、フラグ記憶部14は、電源の投入回数を示し、いずれの電圧基準情報と比較する温度検出情報を検出するかの情報としてのフラグTSACFlagが記憶されることになる。また、フラグTSACFlagの2ビットの値として、このフラグTSACFlag{1,0}の場合、温度Temp2を測定し、第2温度検出情報VTemp2を検出するための状態で、温度検出情報記憶部18に、第1温度モニタ情報VTemp1Monitorが、記憶されている状態であることを示している。また、フラグTSACFlagの2ビットの値として、このフラグTSACFlag{0,0}の場合、すでに補正値VTempTRIMが補正値記憶部15に対して書き込まれているため、補正値補正値VTempTRIMを求める処理をスキップする状態であることを示している。図1に戻り、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14のフラグTSACFlagを読み出し、フラグTSACFlagが{1,1}の場合、電圧レベル検出部11から温度検出情報VTempを読み出す。そして、トリミング制御部12は、温度検出情報記憶部18に対して、電圧レベル検出部11から読み出した温度検出情報VTempを、第1温度モニタ情報VTemp1Monitorとして書き込んで記憶させる。ここで、トリミング制御部12は、第1温度モニタ情報VTemp1Monitorを温度検出情報記憶部18に書き込んだ後、フラグ記憶部14におけるフラグTSACFlag{1,1}を、フラグTSACFlag{1,0}に書き換える。次に、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14のフラグTSACFlagを読み出し、フラグTSACFlagが{1,0}の場合、電圧レベル検出部11から温度検出情報VTempを読み出す。また、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から読み出した温度検出情報VTempを、第2温度検出情報VTemp2とする。そして、トリミング制御部12は、温度検出情報記憶部18から第1温度モニタ情報VTemp1Monitorを読み出す。次に、トリミング制御部12は、基本情報記憶部13から第1基準電圧情報VTemp1Target及び第2基準電圧情報VTemp2Targetを読み出す。そして、トリミング制御部12は、第1基準電圧情報VTemp1Targetと第1温度モニタ情報VTemp1Monitorとを比較し、かつ第2温度検出情報VTemp2と第2基準電圧情報VTemp2Targetとを比較し、補正値VTempTRIMを生成する。例えば、本実施形態においては、第1基準電圧情報VTemp1Targetから第1温度モニタ情報VTemp1Monitorを減算した第1差分と、第2基準電圧情報VTemp2Targetから第2温度モニタ情報VTemp2Monitorを減算した第2差分とからなる補正値VTempTRIMを生成する。そして、トリミング制御部12は、内部記憶部に記憶されている補正制御テーブルから、補正値VTempTRIMに対応する補正制御情報CONを読み出す求める。次に、トリミング制御部12は、求めた補正制御情報CONを、補正値記憶部15に書き込んで記憶させる。また、トリミング制御部12は、補正値記憶部15から補正値情報CONを読み出し、読み出した補正値情報CONを温度検出部16に対して出力する。温度検出部16は、トリミング制御部12から供給される補正制御信号CONにより内部回路の定数が変更され、温度Temp1に対して温度検出情報VTemp1が第1基準電圧情報VTemp1Targetとして、かつ温度Temp2に対して温度検出情報VTemp2が第2基準電圧情報VTemp2Targetして出力されることになる。この温度検出部16は、温度Temp1及びTemp2の各々に対応し、それぞれ第1温度検出情報VTemp1、第2温度検出情報VTemp2を出力する回路の素子の定数が、破線L2またはL3から直線の傾きを変更可能なように、例えば補正制御信号CONによりオンオフするスイッチにより切り換えられる構成となっている。すなわち、回路の素子であるトランジスタ、コンデンサ及び抵抗などがそれぞれ複数有り、補正制御信号CONにより直線L1の特性となるように、対応する素子が選択されるようになっている。したがって、例えば、温度検出部16が破線L2として、温度Tempと実際に温度検出部16が出力する第1温度検出情報VTemp1及び第2温度検出情報VTemp2との対応関係を有していた場合、補正値VTempTRIMにより、温度検出部16の出力特性が、実線L1の温度Temp1及びTemp2の各々と、実際に温度検出部16が出力する第1温度検出情報VTemp1、第2温度検出情報VTemp2との対応に補正されることになる。この補正制御情報CONが供給される結果として、温度検出部16は、印加される温度Temp1に対し、設計値に対応した第1温度検出情報VTemp1を出力し、印加される温度Temp2に対し、設計値に応じた第2温度検出情報VTemp2を出力する実線L1の特性ことになる。これにより、内部電圧発生回路2は、第1の実施形態と同様に、補正された温度検出情報VTempがA/Dコンバータ17により変換され、設計値に対応した温度制御を行い、内部回路群3に対して、印加されている温度Tempに対応した電圧を供給することになる。上述したように、本実施形態は、温度検出部16が搭載される半導体装置においてトリミング制御部12が温度検出部16が設計値の特性になるように補正するため、従来のように半導体試験装置により、印加される温度Tempに対して温度検出部16が出力する温度検出情報VTemp温度との対応を、設計値となるように調整する必要が無くなる。したがって、本実施形態によれば、半導体装置の出力する検出温度情報の示す温度を補正する補正情報の生成及び半導体装置内への書き込みを、半導体試験装置の試験の工数を増加させずに行うことができ、半導体装置の製造コストを低減させることが可能となる。また、本実施形態は、基本情報記憶部13に複数の基準電圧情報が記憶されているため、複数の異なる温度Tempを印加して、この温度Tempに対応して設定された基準電圧情報と、実際に温度Tempを印加した際に温度検出部16が出力する温度検出情報との比較を、それぞれの異なる温度Tempに対応した基準電圧情報毎に行う。このため、本実施形態によれば、設計値における温度Temp及び温度検出部16の出力する温度検出情報VTempとの対応を示す実線L1の特性が、図6に示すように、破線L2及びL3のように傾きが変化していても、温度検出部16の出力する温度検出情報VTempと温度Tempとの対応の特性を、精度良く実線L1となるように補正することが可能となる。次に、図5及び図9を参照して、本実施形態による半導体装置における温度検出部16の補正処理を説明する。図9は、本実施形態による半導体装置における温度検出部16の補正処理の動作例を示すフローチャートである。以下、基本情報記憶部13に対して第1基準電圧情報VTemp1Target温度Temp1に対応と第2基準電圧情報VTemp2Target温度Temp2に対応との2つを予め書き込んで記憶させている構成で説明する。すなわち、以下の説明において、温度Temp1及びTemp2各々を電源投入毎に半導体装置に対して印加し、それぞれの温度で検出された第1温度検出情報VTemp1と第2温度検出情報VTemp2と検出する。そして、第1温度検出情報VTemp1及び第2温度検出情報VTemp2の各々と、それぞれ第1基準電圧情報VTemp1Target、第2基準電圧情報VTemp2Targetと比較して、温度検出部16の補正に用いる補正値VTempTRIMを求める処理について説明する。ステップS11:出荷時に、テストを行うため、作業者は、第1回目の第1温度情報VTemp1の検出において、恒温槽の設定温度を、予め定めた第1基準電圧情報VTemp1Targetに対応する温度Temp1とする。そして、作業者は、恒温槽の温度が予め設定した第1基準電圧情報VTemp1Targetに対応する温度Temp1となった時点において、半導体装置に対して電源を投入する。また、作業者は、第2回目の第2温度情報VTemp2の検出において、恒温槽の設定温度を、予め定めた第2基準電圧情報VTemp2Targetに対応する温度Temp2とする。そして、作業者は、恒温槽により半導体装置に対して印加する温度が予め設定した第2基準電圧情報VTemp2Targetに対応する温度Temp2となった時点において、半導体装置に対して電源を投入する。ステップS12:次に、電圧レベル検出部11は、電源投入により供給される電源電圧を検出し、供給される電源電圧の電圧値が予め設定した閾値電圧を超えると、制御信号PONをトリミング制御部12に対して出力し、処理をステップS13へ進める。ステップS13:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から制御信号PONが供給されると、フラグ記憶部14からフラグTSACFlagを読み込み、処理をステップS14へ進める。ステップS14:そして、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14から読み込んだフラグTSACFlagが{0,0}であるか否かの判定を行う。ここで、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが{0,0}でない場合、初めての電源投入あるいは2回目の電源投入であるため、処理をステップS15へ進める。一方、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが{0,0}である場合、すでに補正値VTempTRIMを求める処理が終了しているため、処理を終了する。ここで、フラグTSACFlagが{0,0}となると、電源を投入した回数である電源投入回数が予め設定された設定投入回数2が終了したことになる。ステップS15:次に、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14から読み込んだフラグTSACFlagが{1,0}であるか否かの判定を行う。ここで、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが{1,0}でない場合、初めての電源投入であるため、処理をステップS16へ進める。一方、トリミング制御部12は、フラグTSACFlagが{1,0}である場合、すでに第1温度検出情報VTemp1の取得が終了しているため、処理をステップS19へ進める。ステップS16:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から温度検出情報を第1温度検出情報VTemp1として読み込み、処理をステップS17へ進める。ステップS17:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から読み込んだ第1温度検出情報VTemp1を、第1温度モニタ情報VTemp1Monitorとして温度検出情報記憶部18に書き込んで記憶させ、処理をステップS18へ進める。ステップS18:そして、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14のフラグTSACFlagを{1,1}から{1,0}に書き換え、処理を終了する。ステップS19:次に、トリミング制御部12は、電圧レベル検出部11から温度検出情報を第2温度検出情報VTemp2として読み込み、処理をステップS20へ進める。ステップS20:そして、トリミング制御部12は、基本情報記憶部13から第1基準電圧情報VTemp1Target及び第2基準電圧情報VTemp2Targetを読み出し、処理をステップS21へ進める。ステップS21:次に、トリミング制御部12は、温度検出情報記憶部18から第1温度モニタ情報VTemp1Monitorを読み出す。次に、トリミング制御部12は、第1温度モニタ情報VTemp1Monitorから第1基準電圧情報VTemp1Targetを減算して第1差分を算出する。また、トリミング制御部12は、第2温度検出情報VTemp2から第2基準電圧情報VTemp2Targetを減算して第2差分を算出する。そして、トリミング制御部12は、算出した第1差分及び第2差分の組からなる補正値VTempTRIMを生成する。トリミング制御部12は、生成した補正値VTempTRIMにより内部記憶部を検索し、この補正値VTempTRIMと対応して記憶されている補正制御情報CONを読み出すことで求め、処理をステップS22へ進める。ステップS22:次に、トリミング制御部12は、求めた補正値VTemp1TRIMを、補正値記憶部15に対して書き込んで記憶させ、処理をステップS23へ進める。ステップS23:次に、トリミング制御部12は、フラグ記憶部14のフラグTSACFlagを{1,0}から{0,0}に書き換え、処理を終了する。フラグTSACFlagが{0,0}となることで、3回目の電源投入から、上述したステップS15からステップS23までの温度検出部16の特性を変更する処理は行われない。すなわち、半導体装置に電源が投入される毎に、トリミング制御部12は、補正値記憶部15から補正値VTemp1TRIMを読み込み、内部記憶部からこの補正値VTemp1TRIMに対応する補正制御情報CONを読み出す。そして、トリミング制御部12は、求めた補正制御情報CONを、温度検出部16に対して出力する。この結果、温度検出部16は、補正制御情報CONにより、内部の回路定数が変更され、温度Tempと検出温度情報VTempとの対応関係が、第1基準電圧情報VTemp1Target及び第2基準電圧情報VTemp2Targetを含む実線L1の特性図6参照に補正され、温度Tempに対応した温度検出情報VTempを内部電圧発生回路2に出力することになる。これにより、内部電圧発生回路2は、補正された温度検出部16から温度に対応し、設計値通りの温度検出情報VTempが得られ、内部回路群3に対して適切な電圧を供給する。上述したように、温度Temp1を半導体装置に印加し、第1回初めての電源投入を行い、温度Temp2を半導体装置に印加し、第2回目の電源投入において補正値VTempTRIMを求める。また、測定温度として温度Tempの数を増加させた場合、温度Tempを変化させる毎に電源投入を行い、検出温度の数だけ図9に示すフローを繰り返して行うこと1になる。また、第1及び第2の実施形態において、内部回路群3が書き換え可能な不揮発性メモリ構成例えば、ファラッシュメモリである場合、基本情報記憶部13、フラグ記憶部14、補正値記憶部15、温度検出情報記憶部18を、このメモリ領域に形成しても良い。以上、この発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。"