球状の半導体及びその表面を被覆する半導体層からなり、前記半導体層が前記半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記半導体の露出部に電極が形成された複数の球状光電変換素子と、前記複数の球状光電変換素子を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部を有し、前記凹部が前記半導体層の開口部より大きい孔を底部に有し、前記半導体層と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する支持体とを備えた光電変換装置の前記半導体の露出部を前記孔と対向させた状態で前記球状光電変換素子を前記孔の縁部に固着するとともに前記半導体層と前記導電体層とを電気的に接続するための導電性ペーストにおいて、前記ペーストがAg粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むことを特徴とする導電性ペースト。熱可塑性樹脂がアクリル系樹脂である請求項1記載の導電性ペースト。ペースト中に含まれるAg粉末の含有割合が50~90質量、ガラスフリットの含有割合が1~10質量、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部である請求項1又は2記載の導電性ペースト。前記複数の球状光電変換素子と前記支持体との固着及び電気的接続に請求項1ないし3いずれか1項に記載の導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1ないし3いずれか1項に記載の導電性ペーストを用いて製造された太陽電池。球状の光電変換素子と支持体とを固定した後は、支持体の凹部に樹脂などの封止材を導入することで、固着した球状光電変換素子は封止されるが、上記特許文献1に示されたエポキシ系接着剤を使用した導電性接着剤を用いた場合、得られた光電変換装置を実地に設置して使用していると、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込み、この水分が存在することによって固定箇所のエポキシ系接着剤が劣化し、導電性が低下したり、固定強度が低下するといった問題が生じる。また、支持体に導電性接着剤を塗布し、球状の光電変換素子を塗布面に接触させた状態、即ち、加熱処理前は、従来の導電性接着剤に混合しているエポキシ系接着剤は接着性に劣るため、球状の光電変換素子が支持体から外れてしまうおそれがあった。本発明の目的は、焼成前の密着性に優れ、かつ、焼成後の導電性及び密着性に優れ、耐候性が良好な、導電性ペースト及び該ペーストを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池を提供することにある。本発明者は上記従来の導電性ペーストの有する問題点を解決するために鋭意検討し、熱可塑性樹脂を配合することで焼成前の密着性を向上させ、また、熱硬化性樹脂に代えてガラスフリットとすることで耐候性を向上させることで上記問題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。本発明の第1の観点は、図3に示すように、球状の半導体11及びその表面を被覆する半導体層12からなり、上記半導体層12が半導体11の一部を露出させる開口部13を有し、この半導体11の露出部14に電極16が形成された複数の球状光電変換素子10と、複数の球状光電変換素子10を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部21を有し、上記凹部21が半導体層12の開口部13より大きい孔22を底部に有し、上記半導体層12と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する支持体20とを備えた光電変換装置30の半導体11の露出部14を孔22と対向させた状態で球状光電変換素子10を孔22の縁部に固着するとともに半導体層12と導電体層とを電気的に接続するための導電性ペースト23において、上記ペースト23がAg粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むことを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に上記熱可塑性樹脂がアクリル系樹脂であることを特徴とする。本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更に上記ペースト中に含まれるAg粉末の含有割合が50~90質量、ガラスフリットの含有割合が1~10質量、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部であることを特徴とする。本発明の第4の観点は、複数の球状光電変換素子と支持体との固着及び電気的接続に第1ないし第3の観点に基づく導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池の製造方法である。本発明の第5の観点は、第1ないし第3の観点に基づく導電性ペーストを用いて製造された太陽電池である。本発明の導電性ペーストは、光電変換装置の球状光電変換素子と支持体とを固着するとともに、球状光電変換素子の半導体層と支持体の導電体層とを電気的に接続するための導電性ペーストであり、上記ペースト中にAg粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むので、熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子が支持体から外れることがなく、また、ガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。また本発明の太陽電池は、上記導電性ペーストを用いて製造され、ペースト中に含まれるガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明の導電性ペーストは、球状の光電変換素子とこの素子を内部に配置する凹部を有する支持体とを備えた光電変換装置の球状光電変換素子と支持体とを固着するとともに、球状光電変換素子の半導体層と支持体の導電体層とを電気的に接続するために用いられる。本発明の特徴ある構成は、ペースト中に、Ag粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を少なくとも含むところにある。このように構成された導電性ペーストでは、熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子が支持体から外れることがなく、また、ガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。本発明の導電性ペーストに含有するAg粉末には、平均粒径が0.1~1.0μmの範囲内の粉末を使用することが好適である。また、熱可塑性樹脂としては、100°C以上の加熱により軟化することが可能な、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂及びポリアミド系樹脂を使用することができる。このうち、アクリル樹脂が熱分解性及び基板への密着性の理由により好ましい。また、ガラスフリットとしては、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化リン、酸化カルシウム及び酸化チタンからなる群より選ばれた1種又は2種以上の酸化物からなり、350~500°Cの軟化点を有する酸化物を使用することができる。ガラスフリットの平均粒子径については0.1~1.0μmであることが好ましい。なお、本発明で使用されるガラスフリット及びAg粉末の平均粒径は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置株式会社堀場製作所製LA-910を用い、JISR1629に従って測定した時の、体積基準の積算分率における50径の値D50をいう。更に、溶媒としては、熱可塑性樹脂を溶解できる有機溶剤であれば特に限定されるものではないが、具体的には、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、カルビトール系溶剤、炭化水素系溶剤、ジオール系溶剤、グリコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤などが挙げられ、更にこれらの溶剤を複数混合させた溶剤も使用することができる。本発明の導電性ペーストは、焼成前の密着性、焼成後の導電性及び密着性をそれぞれ考慮すると、Ag粉末の含有割合が50~90質量、ガラスフリットの含有割合が1~10質量、熱可塑性樹脂及び溶媒が残部とすることが好ましい。このうち、Ag粉末が83質量、アクリル系樹脂と溶媒の合計が15質量、ガラスフリットが2質量の割合が特に好ましい。本発明の導電性ペーストは、Ag粉末、熱可塑性樹脂、ガラスフリット及び溶媒を上記含有割合となるように加え、ミキサで混合し、更に三本ロールミルを用いて100~400Pas程度混練することにより得られる。次に本発明の導電性ペーストを用いた光電変換装置の製造方法を説明する。図2a及び図2bに示すように、複数の球状光電変換素子10と支持体20をそれぞれ用意する。図2aに示すように、球状光電変換素子10は、球状の半導体11及びその表面を被覆する半導体層12からなり、上記半導体層12が半導体11の一部を露出させる開口部13を有し、更に半導体の露出部14に電極16が形成された構成をとる。この球状光電変換素子10は、例えば、以下のようにして製造することができる。先ず、極微量のホウ素を含むp型多結晶Si塊を坩堝内に供給して不活性ガス雰囲気中で溶融させ、この融液を坩堝底部の微小なノズル孔から滴下させ、その液滴を自然落下中に冷却して固化させることにより、多結晶又は単結晶の球状のp型半導体を作製する。次に、球状のp型半導体の表面を研磨し、更にエッチングなどにより表面層の約50μmを除去した後、オキシ塩化リンを拡散源として800~950°Cで10~30分間熱処理する。これにより、p型半導体の表面にリンを拡散させた厚さが約0.5μm程度のn型半導体層を半導体層として形成する。なお、このn型半導体層は、p型半導体表面にフォスフィンを含むシランなどの混合ガスを用いたCVD法を施すことによっても形成することができる。上記のようにして直径0.8~1.2mm程度の球状の半導体11及びその表面を被覆する半導体層12からなる球状の素子を作製する。上記のように球状の半導体11の表面に半導体層12を形成した後、その一部を例えばグラインドなどの手法により研削して除去することにより、半導体層12に開口部13を形成し、半導体11の一部を露出させる。なお、開口部13は、球状素子の表面の一部を残してパラフィンなどでマスキングし、エッチング処理によりマスキング部分以外の半導体層12を除去する方法によっても形成することができる。なお、上記の実施形態では、半導体11がp型半導体であり、半導体層12がn型半導体層である球状素子を例示したが、半導体11がn型半導体であり、半導体層12がp型半導体層であっても良い。また、上記の実施形態では、結晶Si半導体からなる球状素子を例示したが、化合物半導体その他の材料から構成されてもよく、単結晶や多結晶に限らず、アモルファス材料から構成されてもよい。また、半導体11と半導体層12の界面にノンドープ層を形成したpin形構造としてもよく、更に、MIS形やショットキーバリヤ形、ホモ接合形、ヘテロ接合形などの構成を有していてもよい。続いて、半導体11の露出部14に電極16を形成する。電極16は、例えば、半導体11の露出部14に導電性ペーストを塗布し、熱処理することにより形成することができる。半導体11がp型半導体から構成される場合には、一般的に、Al粉若しくはこれにAg粉などを混合した導電材を分散させたガラスフリット型導電性ペーストが用いられる。電極16を形成する際の導電性ペーストの塗布方法は、ディスペンサー法に限らず、スクリーン印刷やオフセット印刷、インクジェット法で行うこともできる。電極16の形状は特に限定せず、円形以外に、楕円形、多角形、リング状或いは点の集合などであってもよい。図2bに示すように、支持体20は、前述した複数の球状光電変換素子10を個々に内部に配置して取り付けるための複数の凹部21を有し、上記凹部21が球状光電変換素子10の半導体層12の開口部13より大きい孔22を底部に有し、上記半導体層12と電気的に接続される導電体層を兼ねる構造を有する。この支持体20は、例えば、厚さ0.2mmのAl薄板をプレス加工して作製され、支持体20の凹部21は蜂の巣状に形成されその開口端は図2bに示される支持体20を下方より視たときに六角形をなす。各開口端は相互に隣接し、凹部21は底になるほど狭くなっている。凹部21の底部に形成された孔22は前述した球状光電変換素子10の半導体の露出部14よりやや大きい。孔22は円形であってもその他の形状であってもよいが、半導体の露出部14と相似形であることが好ましい。また、半導体層12と支持体20の凹部21の底部を接続させることにより、支持体20は導電体層として機能し、各球状光電変換素子10の半導体層12を電気的に並列に接続する役割を果たす。そのため、本発明における支持体20の少なくとも受光面側は導電性を有することを必要とする。支持体20に耐熱性が乏しい材料を用いると、球状光電変換素子を位置決めした後の熱処理工程などによって変形或いは変質し易いので、本発明では金属などの耐熱性を確保できる支持体用材料を使用することが好ましい。支持体の主材料としては、加工性、導電性、フレキシブル性及びコスト等を総合するとAlが好ましいが、Cu、ステンレス鋼及びNiなどの他の導電性材料であっても良い。導電性及び反射性に優れたAgなどのメッキ層を表面に形成することにより、導電体層或いは反射鏡としての機能を高めることもできる。そして、図3に示すように、支持体20の孔22の縁部に本発明の導電性ペースト23を塗布する。導電性ペーストの塗布方法は、特に限定されるものではないが、ディスペンス法や転写法などを使用することができる。次に、球状の光電変換素子10の半導体11の露出部14を支持体20の凹部21内の孔22と対向させ、この状態で球状光電変換素子10を孔22の縁部に接触させる。そして接触させた状態で、150°C、30分間保持することで、導電性ペースト23を乾燥させる。導電性ペースト23に含有する熱可塑性樹脂と溶媒が塗布乾燥後の密着性に寄与するため、焼成前であっても球状の光電変換素子10が支持体20から外れることがなく、優れた密着性を有する。次に、接触させた箇所を焼成する。この焼成により、球状光電変換素子10が支持体20の凹部21内の孔22の縁部に固着され、球状光電変換素子10の半導体層12と支持体20の導電体層とが電気的に接続される。導電性ペースト23に含有するガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れた光電変換装置が得られる。焼成にはレーザーを用い、接触させた箇所へのレーザー照射で局所的に焼成することが、光電変換素子や支持体の材質を痛めることがないため好ましい。また、焼成温度はガラスが軟化し、且つ、Agが焼結させる必要があるという理由から、400~1200°Cの範囲内が好ましい。焼成後は、図1に示すように、凹部21に封止材24を導入して、固着した球状光電変換素子10を封止することで、光電変換装置30が得られる。封止材としては、例えば、シリコーン樹脂やウレタン樹脂等を使用することができるが、これらに限らず、従来より知られている材料を採用することができる。上述のようにして得られた太陽電池は、上記導電性ペースト中に含まれるガラスフリットが焼成後の密着性に寄与するため、得られた光電変換装置を実地に設置して使用して、その熱履歴や湿度によって光電変換装置内部に水分が徐々に入り込んだとしても、従来のエポキシ系接着剤に比べると劣化が小さいため、導電性の低下や、固定強度の低下を抑制できるため、耐候性に優れる。次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。<実施例1>粒径0.2μmのAg粉末、アクリル系樹脂、ガラスフリット及び溶媒を、Ag粉末の含有割合が83質量、ガラスフリットの含有割合が2質量、アクリル系樹脂及び溶媒の合計が15質量となるように加え、ミキサで混合し、更に三本ロールミルを用いて混練したものを実施例1の導電性ペーストとした。なお、ガラスフリットにはPbO-SiO2-B2O3系ガラス粉末を、溶媒にはブチルカルビトールアセテートを使用した。<比較例1>エポキシ系接着剤に粒径1~10μmの球状及び鱗片状Ag粉末を導電材として混合したものを比較例1の導電性ペーストとした。配合割合はエポキシ系接着剤が15質量、Ag粉末が85質量とした。<比較試験及び評価1>実施例1及び比較例1の導電性ペーストを用い、図3に示すように、支持体20の孔22の縁部に導電性ペーストを塗布し、球状光電変換素子10の半導体11の露出部14を支持体20の凹部21内の孔22と対向させ、この状態で球状光電変換素子10を孔22の縁部に接触させ、そして接触させた状態で、150°C、30分間保持することで、乾燥させた。次に、実施例1では、接触させた箇所へレーザー照射して、1000°Cで焼成した。また、比較例1では、球状光電変換素子10を接触させた支持体20を200°Cに加熱した。そして、凹部21に封止材24を導入して、固着した球状光電変換素子10を封止することで、光電変換装置30を得た。得られた光電変換装置30の抵抗値を測定し、これを0日における抵抗値とした。次に光電変換装置30を高温高湿槽85°C、85に入れ、3日後、7日後の抵抗値をそれぞれ測定し、0日の抵抗値を100としたときの変化率を求め、これを光電変換装置の耐候性評価とした。その結果を次の表1に示す。表1から明らかなように、比較例1の導電性ペーストを用いて製造された光電変換装置では、3日後には150、7日後には200と、抵抗値の変化幅が大きく、耐候性に劣る結果となった。一方、実施例1の導電性ペーストを用いて製造された光電変換装置では、3日後では110、7日後では120と、抵抗値の変化幅が小さく、耐候性に優れることが確認された。