"平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域中央にセンサー機能を有する半導体チップにおいて、前記有効領域内であって少なくとも2つの頂角の内側のそれぞれに電極パッドが設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、前記頂角の頂点と、前記仮想電極パッドにおける前記頂点から最も離れた位置との距離をLsとし、前記頂角の角度を2θとするとき、前記電極パッドの少なくとも1つが、前記頂点を基準とした前記距離Lより小さい距離の範囲に、半径Rの円を内包する形状に形成されており、前記半径Rは、R>0.86Ls/11/sinθであることを特徴とする半導体チップ。前記多角形状は菱形状であり、前記電極パッドは、2つあり、菱形における鋭角の頂角のそれぞれに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。前記菱形における前記鋭角の角度が69.6度以上71.6度以下の範囲内の角度であることを特徴とする請求項2に記載の半導体チップ。前記多角形状は正方形状であり、前記電極パッドは、2つあり、正方形における対角のそれぞれに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。前記電極パッドは、円形状をすると共に、前記有効領域とスクライブライン領域との境界に接する状態で形成されていることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の半導体チップ。前記距離Lsが400μmよりも小さいことを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の半導体チップ。前記電極パッドの形状が、直径50μm以上の円形状、もしくは直径50μm以上の円形状を内包する多角形状であることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の半導体チップ。半導体チップは、中央部に貫通孔を有し、当該貫通孔上にダイアフラムを有するセンサーチップであることを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載の半導体チップ。請求項1~8の何れか1項に記載の半導体チップを搭載してなることを特徴とするセンサーモジュール。請求項9に記載するセンサーモジュールを搭載してなることを特徴とする携帯用電子機器。しかしながら、従来のダイアフラム構造と電極パッド形状を持つ半導体チップにおいては、そのサイズをさらに縮小する要望がある。また、昨今、コスト削減の強い要請に反して、センサーとしての高性能を求める動きが非常に強くなっている。このため、性能確保のためにダイアフラムの面積を縮小せず、その他の構成要素の縮小が求められている。一方で、電極パッドの大きさは、ワイヤーボンダのボンディング位置精度に応じてその大きさを確保する必要があるため、サイズの縮小は困難である。前記に鑑み、本発明は、感度というセンサーとしての性能を損なうことの無いよう、ダイアフラムの面積を確保しつつ、ボンディングにおける必要精度を高めることなく電極パッドの占有領域を削減して、半導体チップを小型化する技術を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために本発明は、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域中央にセンサー機能を有する半導体チップにおいて、前記有効領域内であって少なくとも2つの頂角の内側のそれぞれに電極パッドが設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、前記頂角の頂点と、前記仮想電極パッドにおける前記頂点から最も離れた位置との距離をLsとし、前記頂角の角度を2θとするとき、前記電極パッドの少なくとも1つが、前記頂点を基準とした前記距離Lsより小さい距離の範囲に、半径Rの円を内包する形状に形成されており、前記半径Rは、R>0.86Ls/11/sinθであることを特徴としている。本発明では、上記構成を有するため、電極パッドを従来の正方形状の電極パッドよりも小さくできる。これにより、必要なダイアフラムの面積を確保しつつチップ全体を小型化することができる。また、電極パッドの少なくとも1つが、R>0.86Ls/11/sinθの半径の円を内包する形状に形成されているため、電極パッドに必要な面積を確保することができる。また、前記多角形状は菱形状であり、前記電極パッドは、2つあり、菱形における鋭角の頂角のそれぞれに形成されていることを特徴とし、この場合、さらに、前記菱形における前記鋭角の角度が69.6度以上71.6度以下の範囲内の角度であることを特徴とし、あるいは、前記多角形状は正方形状であり、前記電極パッドは、2つあり、正方形における対角のそれぞれに形成されていることを特徴としている。また、前記電極パッドは、円形状をすると共に、前記有効領域とスクライブライン領域との境界に接する状態で形成されていることを特徴とし、あるいは、前記距離Lが400μmよりも小さいことを特徴とし、さらに、前記電極パッドの形状が直径50μm以上の円形状、もしくは直径50μm以上の円形状を内包する多角形であることを特徴とし、半導体チップは、中央部に貫通孔を有し、当該貫通孔上にダイアフラムを有するセンサーチップであることを特徴としている。さらに、本発明に係るセンサーモジュールは、上記構成の半導体チップを搭載してなることを特徴とし、あるいは、本発明に係る携帯用電子機器は、上記構成のセンサーモジュールを搭載してなることを特徴としている。なお、ここでいう、携帯用電子機器とは、携帯電話、録音機能付きオーディオプレーヤ、録音機能付きデジタルカメラ、デジタルビデオ等を含む概念である。実施形態で説明している形状、材料、数値等の形態は好ましい例を示しているだけであり、本発明はこの形態に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能であり、他の実施形態や変形例等の組み合わせは、矛盾が生じない範囲で可能である。<第1の実施形態>以下、本発明の第1の実施形態に係るダイアフラム構造各種センサーに用いられるダイアフラム構造を有する半導体チップについて、図面を参照しながら説明する。図1は第1の実施形態に係るセンサー用のダイアフラムを有する半導体チップの概略図であり、aは半導体チップの平面図であり、bはaにおけるA-A’線の断面図である。1.全体構成図1に示すように、半導体チップ1は、半導体基板3と、当該半導体基板3の上面に設けられた多層膜5とを備える。半導体基板3は、その中央を厚み方向に貫通する貫通孔7を有する。多層膜5は、同図のbの拡大図に示すように、半導体基板3側から振動膜9と固定膜11とを所定間隔をおいて有し、振動膜9における貫通孔7上に位置する部分によってダイアフラム13が構成されている。つまり、半導体チップ1は、貫通孔7を有する半導体基板3上にダイアフラム13を形成した、所謂、ダイアフラム構造をしている。このダイアフラム13が音や加速度変動や圧力変動により振動し、この振動変位を電気的に検知することにより、各種センサーとして利用することができる。本実施形態における半導体チップ1は、音圧を電気信号に変換する音響センサーである。なお、言うまでもなく、他のセンサー、例えば加速度センサー等であっても良い。2.半導体基板半導体基板3は、図1のaに示すように、平面視における形状以下、単に平面視形状ともいう。が菱形状をしている。半導体基板3の外周部分が、半導体チップ1をウエハーから分割する際に必要となるスクライブライン領域15となっており、当該スクライブライン領域15の内側部分が要素を構成できる有効領域17となっている。ここで、半導体基板3の主面であって多層膜5が形成されている側の面を上面とし、反対面を底面とする。半導体基板3は、上面から底面まで貫通する貫通孔7を平面視において有効領域17の中央に有している。貫通孔7は、平面視において、多角形状、ここでは、六角形状をし、六角形状を構成する対向する2つの頂角が菱形状の半導体基板3の鈍角側の頂角に沿う状態で形成されている。これにより、平面視において、半導体基板3の上面における貫通孔7の占有比率半導体基板3の有効領域17の面積に対する貫通孔7の開口面積の比率である。を高めることができる。六角形状の貫通孔7は、半導体基板3としては110面方位のシリコン基板を使用することで実施できる。具体的には、半導体基板3の底面側に例えば菱形状のマスク膜をパターン形成し、例えばKOH等のエッチング溶液を用いてアルカリエッチングを行うと、110面と比較してエッチングレートが50~100倍程度遅い111面を露出させながら110面がエッチングされる。ここで、菱形状マスクパターンとしては、例えば、対向する2つの頂角対角線のうち長軸側の頂角である。の内角を70.6±1度の範囲内に設定し且つ残り2つの頂角対角線のうち短軸側の頂角である。の内角を109.4±1度の範囲内に設定したものを使用する。なお、菱形状マスクパターンの頂角の内角の角度は、シリコン基板製造時の結晶面誤差を考慮した上で設定される。このように、半導体チップ1半導体基板3の平面視形状を菱形状とすることにより、チップ面積に対するダイアフラム13貫通孔7の有効面積率をさらに向上させることができる。特に、半導体基板3の平面視形状を前述の菱形状マスクパターンの相似形とした場合、つまり、半導体基板3の平面視形状である菱形の頂角のうち互いに対向する2つの頂角の内角を70.6±1度の範囲内に設定し且つその他の2つの頂角の内角を109.4±1度の範囲内に設定した場合には、ダイアフラム13の有効面積率をより一層向上させることが可能となっている。3.多層膜多層膜5は、上述のように、振動膜9、固定膜11等が積層された構造であり、平面視形状が半導体基板3の有効領域17の平面視形状と同じ菱形状をしている。振動膜9は、例えば、エレクトレットである絶縁膜と、下部電極とも呼ばれる導電膜とを備え、例えば導電膜上に金属パッド21が形成されている。なお、振動膜は、絶縁膜導電膜に保護膜が必要な場合は保護膜も備えても良く、他の構成で合っても良い。固定膜11は、例えば、絶縁膜と、上部電極とも呼ばれる導電膜とを備え、導電膜上に金属パッド23が形成されている。固定膜11には、ダイアフラム13に音圧が作用するように、音孔25が多数形成されている。なお、固定膜は、絶縁膜導電膜に保護膜が必要な場合は保護膜も備えても良く、他の構成であっても良い。振動膜9と固定膜11とは、エアギャップ27を介して対向配置され、コンデンサとして機能することにより、振動膜9における貫通孔7上に位置するダイアフラム13が、固定膜11の音孔25を通じて作用する音圧により振動する。この振動は、コンデンサの静電容量の変化として電極パッド21,23から電気信号として取り出される。なお、振動膜9のうち、コンデンサの静電容量の変化に寄与する領域を機能領域ともいう。エアギャップ27は、振動膜9と固定膜11との間に配されているスペーサ29により形成されている。4.電極パッドについて1形状位置大きさ図2は、平面視におけるダイアフラムおよび電極パッドの位置関係を示す図である。ダイアフラム13機能領域である。は、有効領域17内であって、半導体基板3の中央に円形状に形成されている。つまり、ダイアフラム13は円形状をし、当該円の中心が、菱形状の有効領域17の対角線の交点41と一致する。電極パッド21,23は、有効領域17内であって最も広い面積が確保できる領域に設けられている。具体的には、菱形状をした有効領域17の鋭角側の頂角の内側であって、可能な限りスクライブライン領域15に接近して設けられている。電極パッド21,23は、本実施形態においては、図2に示すように、円形状をしている。電極パッド21,23の位置について説明するが、両電極パッド21,23は、菱形状の有効領域17における当該電極パッド21,23が近接する頂角を基準にしており、ここでは、電極パッド23側について説明するが、電極パッド21について当該電極パッド21に近接する鋭角の頂角に対して電極パッド23と同じ位置関係にある。電極パッド23は、有効領域17内のパッド形成領域に形成されている。パッド形成領域は、鋭角な頂角の頂点31と、当該頂点31から対角線33上を他の鋭角な頂角側に距離L移動した位置35との間の領域である。この距離Lは、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッド図12における959,961である。を鋭角な頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点31と、前記仮想電極パッドにおける前記頂点31から最も離れた位置との距離Ls図4参照よりも短い。頂点31から、対角線33上を距離Lだけ移動した位置35までの領域を、円形状の電極パッドのパッド形成領域といい、当該パッド形成領域の長さをLとする。また、頂点31から、対角線33上を距離Lsだけ移動した位置までの領域を、仮想電極パッドのパッド形成領域もしくは正方形状の電極パッドのパッド形成領域とし、当該パッド形成領域の長さをLsとする。電極パッド23は、鋭角な頂角の頂点31から対角線33上を他の鋭角側に距離L2移動した点37を中心した半径R2の円形状をしている。なお、距離Lは、上記距離L2と半径R2との和である。ここで、半径R2は、対角線33と当該対角線33と交差する辺43との間の角度鋭角な頂角の角度の半分である。をθとし、円形状の電極パッド23のパッド形成領域の長さをLとすると、R2=L/11/sinθで表すことができる。そして、この半径R2は、仮想電極パッドのパッド形成領域の長さLsを用いると、0.86Ls/11/sinθ<R2<Ls/11/sinθとなる。ここでの電極パッド21,23は有効領域17における当該電極パッド21,23に近い頂角を挟む2辺43,45に接する円形状をしている。電極パッド21,23を、上述のように、仮想電極パッドのパッド形成領域の長さLsより短い長さの領域で半径R2の円形状に形成することで、電極パッドの有効距離を確保して小さくできれば、パッド形成領域の長さを短くでき、結果的に、半導体チップ1を小型化できる。5.円形状の電極パッドの優位性1電極パッドの有効距離図3は、電極パッドのワイヤーボンドにおける必要な位置精度とパッド形状の有効距離の関係を示す斜視図である。同図の51に示す正方形状は、従来の正方形状の電極パッドを示している。この電極パッド51にワイヤーボンディングする際のツールとなるキャピラリ53は、その機械的な精度ばらつきにより、電極パッド51の平面内の全方位に均等な位置ずれを発生する可能性がある。従ってボンディングされるポイントは、電極パッド51の中心位置55から精度ばらつきの大きさに相当する半径57を持つ円形状の内側の範囲に分布する。このことから半径57の円形状をした電極パッド59は、正方形状をした電極パッド51の正方形に内接する円形状であり、パッド面積は正方形状の電極パッド51よりも小さくなるが、ボンディング精度に関する要求は正方形状の電極パッド51と等価となる。このように、ボンディング精度に関する要求が、正方形状の電極パッド51と等価となる円形状の電極パッド59の半径57を、電極パッドの有効距離とする。なお、電極パッドの形状は円形状以外の他の形状をしている場合、他の形状の電極パッド内に形成される円のうち、最大となる円の半径を有効距離とする。2パッド形状が円形状の場合電極パッドが円形状をしている場合の有効距離は、円形状の電極パッドのパッド形成領域を正方形状の仮想電極パッドのパッド形成領域と同じとした場合パッド形成領域の長さをLsとした場合である。、パッド形成領域内で最も大きく描ける円の半径Rである。なお、円形状の電極パッド59の有効距離をDcとすると、Dc=R=Ls/11/sinθ式1となる。3パッド形状が正方形状の場合図4は、正方形状の電極パッド61の有効距離を説明する図である。Ls、S、R1、L1は、図2と同じである。つまり、Lsは正方形状の電極パッドのパッド形成領域の長さであり、Sはダイアフラム13とパッド形成領域との間に設けるべきマージンの長さである。R1は、ダイアフラム13の半径R1であり、L1は、菱形の中心対角線33,39との交点である。41と電極パッド61に近い頂角の頂点31との距離である。ここで、正方形状の電極パッド61の一辺の長さをL3とすると、L3=2Ls/21/tanθと表される。この場合の有効距離は、電極パッド61の外周縁形状である正方形に内接する円の半径となり、正方形の一辺の長さL3の半分となり、正方形状の電極パッド61の有効距離をDsとすると、Ds=L3/2=Ls/21/tanθ式2となる。4有効距離の比較パッド形状が円形状の場合と正方形状の場合の有効距離Dc,Dsについて比較する。図5は、円形状の電極パッドに対する正方形状の電極パッドの有効距離の比を示す図である。図5は、式1及び式2で表された有効距離の比を、パッド形成領域を同じパッド形成領域の長さがLsである。とし、鋭角な頂角の角度を2θとした場合のθを変化させて計算したものである。同図に示すように、パッド形成領域の長さをLsで同じとする場合、正方形状の電極パッドの有効距離Dsは、円形状の電極パッドの有効距離Dcよりも小さい。半導体チップ1の外形形状として、θが30度頂角の角度が60度である。を下回る鋭角を有する菱形状の構造が難しい。一方、θが45度の場合は半導体チップ1の形状は正方形状である。従って、半導体チップ1の構造が菱形状の場合、θが30度~45度の範囲となる。この範囲においては、正方形状の電極パッドは、円形状の電極パッドの80程度しか有効距離を確保できないことを示している。なお、上述したように半導体基板3の鋭角な頂角の角度が70.6度の場合、つまり、θが35.3度の場合、正方形状の電極パッドの有効距離Dsは、円形状の電極パッドの有効距離Dcに対し最も短くなり、有効距離Dcの80程度しか確保できないことを示している。図6は、同じ有効距離の円形状の電極パッドと正方形状の電極パッドとを比較するための説明図である。円形状の電極パッド23の有効距離Dcと正方形状の電極パッド61の有効距離Dsとを同じにし、両電極パッド23,61を鋭角な頂角の頂点31になるべく近づけて形成した場合を図6に示す。同図に示すように、有効距離Dc,Dsが同じである場合、円形状の電極パッド23の方が正方形状の電極パッド61よりも頂点31側に近い領域に形成することができる。つまり、円形状の電極パッド23のパッド形成領域の長さLの方が、正方形状の電極パッド61のパッド形成領域の長さLsよりも短くできる。これにより、半導体基板3の有効領域が同じ形状同じ大きさの場合、円形状をした電極パッドの方が正方形状をした電極パッドより鋭角側に近づくことになり、この近づいた分だけダイアフラムを大きくでき、半導体基板3におけるダイアフラムの占有面積を大きくできる。逆に、電極パッドをダイアフラム側に近づけると、半導体基板の鋭角側の頂角を結ぶ対角線が短くなり、同じダイアフラムの大きさを確保しつつ、半導体基板3の全長を短くできる。円形状の電極パッド23は、パッド形成領域の長さLを正方形状の電極パッドのパッド形成領域の長さLsと同じにした場合、円形状の電極パッドの有効距離Dcは正方形状の電極パッドの有効距離Dsよりも大きくなる。なお、正方形状の電極パッドのパッド形成領域の長さがLsにおける正方形状の電極パッドの有効距離Dsと同じ有効距離Dcを有する円形状の電極パッド23の半径R2は、R2=0.86Ls/11/sinθとなる。<第2の実施形態>第1の実施形態では、半導体チップ1は、平面視形状が菱形状をしていたが、他の形状であっても良い。以下、半導体チップの平面視形状が正方形状をした形態を第2の実施形態として説明する。1.構成図7は、平面視における、第2の実施形態に係るダイアフラムおよび電極パッドの位置関係を示す図である。第2の実施形態に係る半導体チップ101は、半導体基板103と多層膜105を備える。半導体基板103は、平面視形状が正方形状であり、その中央に貫通孔107を有する。なお、ここでの貫通孔107は、八角形状をしているが、他の形状、例えば円形状、六角形状等の多角形状であっても良い。多層膜105は、平面視形状が半導体基板103の有効領域109の平面視形状と同じ正方形状をしている。多層膜105は、第1の実施形態と同様に、振動膜、固定膜等が積層され、円形状の電極パッド113,115を備える。なお、本形態でも、振動膜と固定膜とは、エアギャップを介して対向配置され、コンデンサとして機能する。また、振動膜における貫通孔107上に位置する膜部分がダイアフラム117となる。電極パッド113,115は、ここでも、平面視円形状をしている。電極パッド113,115は、有効領域における1本の対角線121上に位置し、有効領域における対角線121上に存する頂角に接する状態で形成されている。つまり、円形状をした電極パッド113,115の中心が対角線121上に位置する。電極パッド113,115が形成されるパッド形成領域は、正方形状の有効領域であって対角線と交差する頂角の頂点123と、当該頂点123から対角線上を他の頂角側に長さLだけ移った点125との間の領域であり、頂角の頂点123と点125との長さLを、第1の実施形態と同様に、パッド形成領域の長さLともする。この電極パッド113,115の有効距離Dcは、Dc=R2=L/1√2となる。なお、ここでも距離Lは、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッド図12における959,961である。を鋭角な頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点123と、前記仮想電極パッドにおける前記頂点123から最も離れた位置との距離Lsよりも短い。2.実施例及び比較例実施例に係る電極パッド113,115は、長さLが60μmであるパッド形成領域に円形状に形成されている。このときの電極パッド113,115の半径、つまり、有効距離Dcは、25μmとなる。一方、電極パッドの形状が正方形状の場合図11のa参照、一辺の長さが42μmとなり、有効距離Dsは、21μmとなる。この結果から、同じ長さのパッド形成領域では、円形状の電極パッド113,115の有効距離Dcの方が、正方形状の電極パッドの有効距離Dsよりも大きくできる。現在のワイヤーボンドの技術では、有効距離が25μmを下回る電極パッドサイズに対応することは、一般的に相当の困難を伴う。しかしながら、図7に示すような円形状のパッド化によって、現在の技術でもワイヤーボンドでき、しかも限られた大きさの半導体チップ101の中に不都合なく電極パッド113,115を形成することができる。これに対し、従来から行われていた、図11のaに示す正方形状の電極パッド909,911では、パッド形成領域の長さLsが60μmでは、25μm以上の有効距離Dsを確保することが困難である。なお、パッド形成領域の長さが71μm以上では、正方形状の電極パッドでも、25μmの有効距離を確保することができる。この場合、半導体チップのサイズが円形状の電極パッドを利用した半導体チップ101よりも大型化してしまう。<第3の実施形態>第1の実施形態及び第2の実施形態では、電極パッドの平面視形状は円形状をしていたが、電極パッドは、円形状以外の形状であっても良い。以下、平面視形状が円形状以外の他の形状ここでは六角形状である。をした電極パッドの形態を第3の実施形態として説明する。図8は、第3の実施形態に係るセンサー用のダイアフラムを有する半導体チップの平面図である。第3の実施形態に係る半導体チップ201は、半導体基板203と多層膜205を備える。半導体基板203は、第1の実施形態で説明した半導体基板3と同じ構成である。多層膜105は、第1の実施形態の多層膜5とは、電極パッドの形状が異なる以外は同じ構成である。電極パッド207,209は、平面視が多角形状、具体的には六角形状をしている。この六角形状は、第1の実施形態で説明した電極パッド21,23の円形状を内接円として内包するような形状大きさをしている。六角形状の電極パッド207,209は、電極パッド207,209の1本の対角線211が、半導体基板203の鋭角同士を結ぶ対角線213と直交する状態で形成されている。また、電極パッド207,209の対角線211と平行な辺であって半導体基板203の中心側と反対側に位置する辺に隣接する2つの辺が、菱形状をした半導体基板203の有効領域の2辺と一致するように形成されている。このように電極パッド207,209の平面視形状を六角形状にしても、パッド形成領域の長さLは、第1の実施形態における円形状の電極パッド21,23と変わらず、また、同じ有効距離を確保できる。なお、一般的にはワイヤーボンダなどの設備によって認識を行う際には円形状の電極パッドの形状の方が好ましい場合が多い。<第4の実施形態>第1の実施形態~第3の実施形態では、半導体チップ1,101,201について説明したが、第4の実施形態では、半導体チップを備えるセンサーモジュールについて説明する。図9は、センサーモジュールの概略図であり、aはセンサーモジュールの平面図、はaのA-A’線での断面図である。センサーモジュールは、半導体チップのダイアフラムによるセンサー機能を利用したものであり、ここでは、音響音圧を検知する音響センサー機能を有する半導体チップ1を備える。センサーモジュール301は、半導体チップ1、配線基板303、増幅素子チップ305、カバー307を備える。半導体チップ1は、第1の実施形態で説明した半導体チップである。配線基板303は、半導体チップ1および増幅素子チップ305を搭載する。配線基板303は、半導体チップ1の搭載位置にあわせて、貫通孔309を有している。つまり、平面視において、半導体チップ1の半導体基板3を貫通している貫通孔7と重なる貫通孔309が配線基板303には形成されている。半導体チップ1の電極パッド21,23は、金線311,313を介して増幅素子チップ305に接続されている。増幅素子チップ305は、配線基板303の貫通孔309、半導体チップ1の貫通孔7を通った音圧により発生したダイアフラム13の振動の電気信号を増幅するものである。なお、図9には示していないが、配線基板301の露出している部分カバー307により覆われていない部分には、増幅素子チップ305で増幅された電気信号を外部に取り出すための端子が形成されており、当該端子を介して電気信号を外部に取り出して音響センサー即ちマイクとして実用に供される。なお、半導体チップ1及び増幅素子チップ305は、同図に示すように、カバー307により覆われている。本実施形態に係るセンサーモジュール301は、上述した小型の半導体チップ1を用いているため、マイクモジュール301を小型化することができる。さらに、そのセンサーモジュール301を搭載する携帯用電子機器も小型化することができる。<変形例>1.貫通孔半導体基板の貫通孔は、第1の実施形態では六角形であり、第2の実施形態では八角形図7参照である。しかしながら、半導体基板の貫通孔は、多角形に限定するものではなく、他の形状、例えば円形状であっても良い。2.電極パッド図10は、変形例に係る電極パッドを示す図である。1位置第2の実施形態では、2つの電極パッド113,115が1本の対角線上121に存していたが、半導体チップの平面視形状が正方形状の場合、正方形を構成する1辺の両側に存する頂角の内側に電極パッドを形成しても良い。また、電極パッド23aは、図10のaに示すように、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッド61を頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点31と、仮想電極パッド61における頂点31から最も離れた位置との距離をLsとし、頂角の角度を2θとするときに、頂点31から、距離Lsより小さい距離の範囲に、半径Rの円を内包する形状に形成されていれば良い。なお、ここでの半径Rは、R>0.86Ls/11/sinθである。また、電極パッド23aは、頂点31から、距離Lsより小さい距離の範囲に、半径Rの円を内包する形状に形成されていれば良く、有効領域とスクライブライン領域との間の境界線と接していなくても良い。2形状電極パッドは、有効距離を半径とする仮想円を内包できる大きさ形状であれば良く、円形状以外の形状であっても良い。例えば、図10のbに示すように、円23を内接円とする三角形状の電極パッド23bであっても良い。さらには、円23を内接円とする、菱形の有効領域における鋭角な頂角を挟む2つの辺を有する平行四辺形であっても良い。但し、電極パッドの成形コスト等を考慮すると、電極パッドは円形状とするのが最も好ましい。3個数各実施形態では、電極パッドは2個であったが、例えば、平面視形状が正方形状の場合、各頂角の内側に電極パッドを形成しても良い。さらに、振動膜側の電極パッドを2個、固定膜側の電極パッドを1個としても良く、逆に、振動膜側の電極パッドを1個、固定膜側の電極パッドを2個としても良い。また、本発明に係る電極パッドは、半導体チップにおける少なくとも2つの電極パッドのうち、少なくとも一つだけに適用すれば、当該一つの電極パッド側だけ小型化の効果が得られる。3.チップのサイズ上記第1~第3の実施形態で説明した半導体チップの電極パッドは、特に、チップサイズが比較的小さい場合に有効である。これは、パッドサイズはワイヤーボンダによって決まる位置精度による必要量を越えて大型化する必要が無いためである。必要となるパッドサイズは一般的には円形状の電極パッドの直径にして120μm程度あれば十分なため、電極パッド形成領域の長さLsが概ね400μm以下の半導体チップに有効となる。4.センサー機能実施形態におけるセンサー機能はダイアフラム構造のものであったが、他の構造、例えば片持ち梁構造のものであっても良い。"