"式Iで表される化合物。[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、互いに独立に、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換されていてもよく、R2及びR3は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい。]請求項1記載の化合物に由来する構造単位を有する重合体。請求項2記載の重合体と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。さらに塩基性化合物を含む請求項3記載のレジスト組成物。1請求項3又は4記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来の化合物では、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物を用いて、得られるパターンのマスクエラーエンハンスメントファクターMEEFが必ずしも満足できるものではない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される化合物。[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、互いに独立に、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換されていてもよく、R2及びR3は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい。]2上記1記載の化合物に由来する構造単位を有する重合体。3上記2記載の重合体と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。4さらに塩基性化合物を含む3記載のレジスト組成物。513又は4記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の化合物によれば、該化合物に由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物から、優れたマスクエラーエンハンスメントファクターMEEFを有するパターンを得することができる。<式Iで表される化合物>[式I中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。R2及びR3は、互いに独立に、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換されていてもよく、R2及びR3は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい。]炭素数1~20の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせが挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基R2-1、エチル基R2-2、n-プロピル基R2-3、n-ブチル基R2-4、n-ペンチル基R2-5、n-ヘキシル基R2-6、n-ヘプチル基R2-7、n-オクチル基R2-8、n-ノニル基R2-9、デシル基R2-10、ウンデシル基R2-11、ドデシル基R2-12などの直鎖状アルキル基等が挙げられる。また、イソプロピル基R2-13、sec-ブチル基R2-14、tert-ブチル基R2-15や以下の基等の分岐状アルキル基等が挙げられ、好ましくはR2-13、R2-14、R2-15である。飽和環状炭化水素基としては、以下の基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基R2-51、ビフェニル基R2-52、フルオレニル基R2-53、ナフチル基R2-54、アントリル基R2-55などのアリール基が挙げられる。R2及びR3における炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又はヒドロキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。なかでも、フッ素原子が好ましい。R2及びR3における置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、以下の基が挙げられる。R2及びR3における置換基を有してもよい飽和環状炭化水素基又は脂肪族炭化水素と組み合わせられた飽和環状炭化水素基としては、例えば、以下の基が挙げられる。R2及びR3における置換基を有してもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、以下の基が挙げられる。R2及びR3が互いに結合して環を形成した場合、例えば、=CR2R3基としては、以下の基が挙げられる。式Iで表される化合物の具体例を以下の表に示す。<式Iで表される化合物に由来する構造単位を有する重合体以下重合体Dという場合がある>重合体Dは、例えば、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロエタン等の不活性溶媒中にて、式Iで表される化合物に、開始剤を添加して反応させることによって、式Iで表される化合物に由来する構造単位からなる重合体Dを含む混合物として得ることができる。重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、過酸化ベンゾイルなどが挙げられる。反応温度は、通常室温~100°Cであり、好ましくは60~80°Cである。式Iで表されるモノマーからなる構造単位からなる重合体Dは、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位からなる重合体Dを含む混合物を、例えば、水、メタノール等の極性溶媒又はヘキサン、ヘプタン等の非極性溶液中に添加し、析出した固体を取り出すことによって得ることができる。式Iで表される化合物に由来する構造単位を有する重合体Dは、式Iで表される化合物とは異なる他のモノマーに由来する構造単位を有していてもよい。重合体Dが他のモノマーに由来する構造単位を有する場合、式Iで表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体の全単位100モルに対して、通常99~1モルであり、好ましくは99~10モルであり、より好ましくは99~20モルである。他のモノマーに由来する構造単位の含有量は、重合体の全単位100モルに対して、通常1~99モルであり、好ましくは1~90モルであり、より好ましくは1~80モルである。<他のモノマー>式Iで表される化合物とは異なる他のモノマーとしては、式IIで表されるモノマーが挙げられる。[式II中、R4は、水素原子又はメチル基を表す。R5及びR6は、互いに独立に、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換されていてもよく、R5及びR6は互いに結合して、これらが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい。A2は、単結合又は-CH2m-CO-O-を表す。mは、1~6の整数を表す。は、Nとの結合手を表す。]R4、R5及びR6は、それぞれ、R1、R2及びR3で説明した基と同じである。A2としては、下記の基が挙げられる。単結合A2-1式IIで表されるモノマーの具体例を表に示す。<樹脂>本発明のレジスト組成物に含まれる樹脂は、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂以下樹脂Aという場合があるである。酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものである。よって、樹脂Aが酸と接触することにより、当該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。保護基により保護されている親水性基を酸不安定基という。このような親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられる。なかでも、カルボキシ基が好ましい。樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を重合することによって製造できる。重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>親水性基がカルボキシ基である酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基は、好ましくは、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該環に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。は結合手を表す。脂環式炭化水素基は、飽和及び不飽和、単環式及び多環式のいずれでもよい。なかでも飽和炭化水素基が好ましい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が好ましい。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基並びに下記に示す基などが挙げられる。この脂環式炭化水素基は、好ましくは、炭素数が1~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、以下の基が挙げられる。式1では、このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2という。が挙げられる。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表す。Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。前記環及び炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーであり、なかでも好ましくは、酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は、より好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、なかでも好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素を部分構造とするものが好ましい。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、樹脂Aを含むレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素を部分構造とする酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、オキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環にあるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する式a1-2のシクロアルカン環についても同様。La1及びLa2は、好ましくは、オキシ基又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表すで表される基あり、より好ましくはオキシ基である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、例えば、アルキル基が挙げられる。Ra6又はRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0又は1、より好ましくは1である。は、アダマンタン環又はシクロアルカン環との結合手を表す。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。なかでも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。なかでも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aを、モノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位100モルに対して、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このような範囲とすることにより、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定モノマー>樹脂Aは、酸安定基を有するモノマーに加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であることが好ましい。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めることが適している。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものである。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、樹脂Aを含むレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間で優れた密着性を発現し易くなり、良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、樹脂Aを含むレジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を選択することができる。すなわち、レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー例えば、ヒドロキシスチレン類等を用いることが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmに用いる場合は、酸安定モノマーa2として、後述の式a2-1で表される酸安定モノマーを用いることが好ましい。酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみ又は2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いて樹脂Aを製造してもよい。酸安定モノマーa2-1としては、式a2-1で示されるモノマー以下、酸安定モノマーa2-1というが挙げられる。式a2-1中、La3は、オキシ基又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、オキシ基、-O-CH2f1-CO-O-ここでf1は、1~4の整数であるであり、より好ましくはオキシ基である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。なかでも、3-ヒドロキシダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルが好ましく、5~35モルがより好ましく、5~30モルがさらに好ましい。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、それぞれ独立である。式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。酸安定モノマーa3-2としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のモノマーが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチル等のメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~50モルが好ましく、10~40モルがより好ましく、15~40モルがさらに好ましい。その他のモノマーa4樹脂Aは上述した構造単位のほかに公知のモノマーに由来する構造単位を含んでいてもよい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及びその他のモノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。なお、本発明のレジスト組成物には、樹脂Aのほかに、酸安定モノマーに由来する構造単位を含む共重合体を添加してもよい。本発明のレジスト組成物において、重合体Dと樹脂Aとの含有質量比は、0.1:99.9~30:70が挙げられ、好ましくは0.1:99.9~20:80、より好ましくは0.5:99.5~5:95である。<酸発生剤以下、酸発生剤Bということがある>酸発生剤Bは、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば、2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えば、ジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が挙げられる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。酸発生剤Bとしては、例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩である。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がさらに好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1を、本発明に係るレジスト組成物に用いることにより、より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、直鎖状アルカンジイル基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状のアルカンジイル基;エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基シレン基、シクロオクタン-1,5-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等が挙げられる。また、これらの基の2種以上を組み合わせたものでもよい。Lb1の2価の飽和炭化水素基に含まれる-CH2-が-O-又は-CO-で置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。Yのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基がさらに好ましい。Yの脂環式炭化水素基としては、飽和脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数3~12の飽和脂環式炭化水素基がさらに好ましい。飽和脂環式炭化水素基は単環式であっても、多環式であってもよい。アルキル基及び脂環式炭化水素基は任意に置換基を有する。ここで、置換基を有する脂肪族炭化水素基とは、該脂肪族炭化水素基にある水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。一方、置換基を有する脂環式炭化水素基とは、該脂環式炭化水素基にある水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。ここでいう置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16のアルキル基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す等が挙げられる。また、Yは、飽和脂環式炭化水素環を構成する炭素原子にアルキル基が結合してなる基でもよい。この場合の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて18以下であり、12以下が好ましい。ここで、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。この置換基である脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基を有していてもよい。また、アルキル基に任意に有する置換基としては、炭素数3~16の脂環式炭化水素基でもよい。Yのアルキル基又は脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-が、-O-、-SO2-又は-CO-で置き換わったものとしては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-の1つ又は2つが-O-に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-の1つ又は2つが-CO-に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-のうち隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-及び-SO2-に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-のうち隣り合う2つの-CH2-が、それぞれ、-O-及び-CO-に置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26のいずれかで表される基が挙げられる。ここで、式Y12~式Y26で表される基が、脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-基の1~3個がそれぞれ、-O-、-SO2-又は-CO-に置き換わった基に該当する。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1に結合している結合手を表す。Yとしては、これらのなかでも、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がさらに好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がより好ましい。Yとしては、例えば、以下の基が挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基が好ましく、アダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基がより好ましい。スルホン酸アニオンとしては、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb2、Q1及びQ2は、上記と同義である。Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yのアルキル基又脂環式炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。酸発生剤に含まれるカチオンは、例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。酸発生剤B1中の有機カチオンZとしては、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb9及びRb10は、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の環を形成していてもよく、該環に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb12は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb11及びRb12は、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の環を形成していてもよく、該環に含まれる-CH2-は、-O-、-S-又は-CO-で置き換わっていてもよい。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13はそれぞれ独立であり、p2が2以上であるとき、複数のRb14は同一でも異なってもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なってもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb9~Rb12のアルキル基は、好ましくは、炭素数は1~12であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基等である。Rb9~Rb12の脂環式炭化水素基は、好ましくは、炭素数は3~18であり、より好ましくは、炭素数4~12である。具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。Rb12の芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等である。Rb9とRb10とが一緒になって形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環等が挙げられる。Rb11とRb12とが一緒になって形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1というがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12が好ましく、炭素数1~12のアルキル基がより好ましい。さらに、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。また、脂環式炭化水素基の炭素数は4~18が好ましく、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19はそれぞれ独立であり、w2が2以上のとき、複数のRb20はそれぞれ独立であり、x2が2以上のとき、複数のRb21はそれぞれ独立である。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。上述したアニオン及びカチオンは、任意に組合せることができる。特に、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1とを組合せた酸発生剤B1並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3とを組合せた酸発生剤B1が好ましい。さらに好ましい酸発生剤B1は、以下の式B1-1~式B1-17のいずれかで表されるものである。なかでもトリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味し、当該技術分野ではクエンチャーといわれている。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとしては、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよい。Rc7は、アルキル基好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基を表し、前記アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は同一でも異なってもよい。式C2で表される芳香族アミンは、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物を用いてもよい。式中、Rc8、Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28は前記Rc7と同義のものである。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc17、Rc18、Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、前記のRc5及びRc6と同義のものである。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は同一でも異なってもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は同一でも異なってもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は同一でも異なってもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は同一でも異なってもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は同一でも異なってもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は同一でも異なってもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は同一でも異なってもよい。Rc15は、アルキル基好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価のアルカンジイル基好ましくは、炭素数1~6程度のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す、-S-、-S-S-又はこれらの組合せを表す。アルカンジイル基としては、上述した直鎖状又は分岐状のアルカンジイル基と同様のものが挙げられる。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。化合物C4としては例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジン等が挙げられる。塩基性化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等も用いることができる。塩基性化合物Cとしては、アンモニウムヒドロキシドであってもよい。具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cとしては、なかでも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤以下、溶剤Eという。>本発明のレジスト組成物には、溶剤Eが含有されていてもよい。溶剤Eは、レジスト組成物に含まれる各構成成分の種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上にレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選択することが好ましい。好適な溶剤Eの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Eは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述した成分以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等である。<レジスト組成物及びその調製方法>レジスト組成物は、各構成成分を混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度及び時間は、適切な温度範囲を適宜選ぶことができ、例えば10~40°C、0.5~24時間である。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。溶剤Eの含有量は、レジスト組成物総質量100質量部に対して90質量部以上であると好ましく、より好ましくは92質量部以上であり、さらに好ましくは94質量部以上である。該溶剤Eの含有量の上限は例えば、99.9質量部以下であり、好ましくは99質量部以下である。この溶剤Eの含有量は、レジスト組成物を調製する際の溶剤Eの使用量により制御可能であり、レジスト組成物を調製した後には、該レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。レジスト組成物に対する樹脂Aの含有量は、該レジスト組成物の固形分100質量部に対して、例えば、80質量部以上99質量以下が好ましい。ここで、レジスト組成物の固形分の総質量とは、レジスト組成物の総質量から溶剤Eの含有量を除いた量のことをいう。レジスト組成物に対する酸発生剤Bの含有質量は、レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、レジスト組成物の固形分100質量部に対して、塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量部程度であると好ましい。これら含有量及び固形分は、レジスト組成物を調製した後は、該レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることができる。なお、成分Fをレジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することができる。このように、各構成成分を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルタを用いてろ過等することにより、レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に、露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。工程1におけるレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚を調整することができる。適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。反射防止膜は、例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いて形成することができる。工程2においては、基板上に塗布されたレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて溶剤Eを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、レジスト組成物に含まれる溶剤Eの種類等に応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。塗布膜を乾燥させることにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、フォトマスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じるため、露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光後の組成物層に加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が採用される。なお、工程4におけるホットプレートを用いる加熱手段では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。当該加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。以上により基板上に製造されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。実施例及び比較例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。また、化合物の構造はNMRGX-270型又はEX-270型;日本電子製、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型又はLC/MSDTOF型で確認した。重合体及び樹脂の各構造単位のモル比は、ろ過後に得られた重合体のろ液の残存モノマー量をLC-IS法島津株式会社製LC-2010A、株式会社YMC社製YMC-PACC4カラム、溶媒:アセニト、水により測定し、それぞれのモノマーについて、始めに添加したモノマー量から引き算した値をモル比率で計算することによって算出した。実施例1:式I-62で表される化合物の合成式I-62-aで表される化合物20.0部とアセトニトリル100部との溶液に、2,6-ルチジン31.2部と、式I-62-bで表される化合物23.7部とを加え、1時間室温で攪拌を行った。反応混合溶液に5シュウ酸水溶液水166部を加えて、酢酸エチル270部によって抽出を行なった。得られた酢酸エチルを含む有機層をイオン交換水で洗浄後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒n-ヘプタン:酢酸エチル=5:1により精製し、式I-62で表される化合物20.3部を得た。1H-NMRDMSO-d6:δ=7.7-7.55H,m,7.21H,dd,J=16.3,10.1Hz,6.6-6.62H,m実施例2:式I-113で表される化合物の合成式I-113-aで表される化合物25.0部とアセトニトリル100部との溶液に、2,6-ルチジン35.6部と、式I-113-bで表される化合物27.1部とを加え、1時間室温で攪拌を行った。反応混合溶液に5シュウ酸水溶液水190部を加えて、酢酸エチル300部によって抽出を行なった。得られた酢酸エチルを含む有機層をイオン交換水で洗浄後、減圧濃縮を行った。残渣をシリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒n-ヘプタン:酢酸エチル=5:1により精製し、式I-113で表される化合物20.3部を得た。1H-NMRDMSO-d6:δ=3.4-3.31H,m,2.7-2.61H,m,2.2-1.512H,m7.21H,dd,J=16.3,10.1Hz,6.6-6.62H,m合成例1:式II-61で表される化合物の合成式II-61-aで表される化合物50.0部とテトラヒドロフラン250部との溶液に、N-メチルピロリドン29.4部と式II-61-bで表される化合物48.9部とを加えて、室温で3時間攪拌した。反応混合溶液に5塩酸水溶液を63部とイオン交換水200部とを加えて、酢酸エチル500部によって抽出を行なった。得られた酢酸エチルを含む有機層に10炭酸カリウム水溶液146部を加え、終夜攪拌し、水層を排出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、減圧濃縮し、式II-61で表される化合物66.2部を得た。1H-NMRDMSO-d6:δ=7.66-7.525H,m,5.85-5.821H,m,5.80-5.761H,m,1.81-1.763H,mMSESISpectrum:MNa280.1C12H10F3NO2=257.1実施例3:重合体D-1の合成冷却管、攪拌装置、温度計を備えた四つ口フラスコに1,4-ジオキサン2.5部を仕込み72°Cに保温した。それに、式I-62で表される化合物8.4部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.10部、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.45部を14-ジオキサン10.1部に溶解した溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、72°Cに保温したまま5時間攪拌した。その後、1,4-ジオキサン9.2部で希釈し、n-ヘプタン109部に投入した。析出した重合体をプロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解し濃縮することで固形分濃度30.5の重合体溶液15部を得た。重量平均分子量1.0×103、Mw/Mn1.2実施例4:重合体D-2の合成冷却管、攪拌装置、温度計を備えた四つ口フラスコに1,4-ジオキサン2.6部を仕込み72°Cに保温した。それに、式I-62で表される化合物4.5部、式II-61で表される化合物4.2部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.11部、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.48部を14-ジオキサン10.5部に溶解した溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、72°Cに保温したまま5時間攪拌した。その後、n-ヘプタン113部に投入した。析出した重合体をプロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解し、濃縮することで固形分濃度43.6の重合体溶液15部を得た。重量平均分子量4.2×103、Mw/Mn2.1、モル比I-62:II-61=30:70実施例5:重合体D-3の合成冷却管、攪拌装置、温度計を備えた四つ口フラスコに1,4-ジオキサン2.6部を仕込み72°Cに保温した。それに、式I-113で表される化合物4.2部、式II-61で表される化合物4.2部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.11部、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.48部を14-ジオキサン10.5部に溶解した溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、72°Cに保温したまま5時間攪拌した。その後、n-ヘプタン110部に投入した。析出した重合体をプロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解し、濃縮することで固形分濃度40.3の重合体溶液15部を得た。重量平均分子量4.1×103、Mw/Mn2.1、モル比I-113:II-61=30:70重合体2:H1の合成冷却管、攪拌器及び温度計を備えた四つ口フラスコに、1,4-ジオキサン7.4部を仕込み77°Cに保温した。式VIII-1で表されるモノマー4.5部、式a1-2-1で表されるモノマー4.1部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.05部及び2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.22部を1,4-ジオキサン4.6部に溶解して溶解液を得た。得られた溶解液を、上記の77°Cに保温した1,4-ジオキサン中に2時間かけて滴下した。得られた溶液を77°Cに保ち5時間保温した。前記溶液を室温まで冷却した後、水21.5部とメタノール85.9部との混合溶液に注ぎ、沈殿した樹脂を濾別した。得られた樹脂をメタノールで洗浄後、減圧乾燥を行い、重合体H1を得た。重合体は下記の構造単位を有する。得られた重合体H1において、その重量平均分子量Mwは6,800であり、分散度Mw/Mnは1.7、モル比VIII-1:a1-2-1=70:30であった。合成例2:樹脂A1の合成温度計、還流管を装着した4つ口フラスコに1,4-ジオキサン72.77部を加え、窒素ガスで30分間バブリングを行い、窒素シール下で75°Cに温調した。そこへ、モノマーa1-1-176.30部、モノマーa1-2-111.42部、モノマーa2-1-111.74部、モノマーa3-2-152.16部、アゾビスイソブチロニトリル0.96部、アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル4.33部、及び1,4-ジオキサン109.16部を混合した溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、反応混合物を75°Cに保温し、5時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、1,4-ジオキサン212.26部を加えた。反応混合物を536部のメタノールと394部の水との混合溶媒に加え、析出物を濾取した。濾物を985部のメタノールに注いで沈殿させる操作を3回行って精製した後、減圧乾燥を行い112部の樹脂A1を得た。樹脂A1の合成データを以下に示す。樹脂A1の合成データ組成比a1-1-1:a1-2-1:a2-1-1:a3-2-1=40:10:10:40モル比収率:74Mw:7400、Mw/Mn:1.83実施例及び比較例1レジスト組成物の調製以下の表に示す各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂A1<酸発生剤>酸発生剤B1<塩基性化合物:クエンチャー>塩基性化合物C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤1>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート250.0部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル10.0部γ-ブチロラクトン3.5部2マスクエラーエンハンスメントファクターMEEFの評価シリコンウェハに有機反射防止膜用組成物ARC-29SR;日産化学工業株製を塗布し、205°C、60秒ベークすることによって、厚さ93nmの有機反射防止膜を形成した。次いでこの上に、上記のレジスト組成物をプリベーク後の膜厚が100nmとなるようにスピンコートした。得られたレジスト膜を、ダイレクトホットプレートにて表23に示すPB温度にて60秒間プリベークした。プリベーク後のレジスト膜に、ArFエキシマステッパー株ASML製のXT:1900Giを用い、フォトマスクを介して、露光量を段階的に変化させて露光した。露光機の照明条件は、NA=1.35、3/4Annular、σOUTER=0.9、σINNER=0.675をとし、フォトマスクは、ピッチが100nm、ホール径が68~72nm1nm毎のコンタクトホールパターンを形成するためのマスクを用いた。以下、ホールサイズが70nmであるホールパターンを形成するためのマスクをマスクサイズ70nmのマスクといい、マスクサイズ70nmのマスクを用いて形成されたパターンをマスクサイズ70nmのパターンという。露光後、表23に示すPEB温度にて60秒間ポストエクスポジャーベークを行い、さらに2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。得られたレジストパターンについて、マスクサイズ70nmのパターンのホール径が70nmとなる露光量において、ピッチが100nm、マスクサイズ68~72nm1nm毎のパターンのホール径を走査型電子顕微鏡で測定し、マスクサイズ1nm当たりのパターンのホール径nmの変化量をMEEFとして求めた。MEEFの値が3.40未満の場合を○、3.40を超える場合を×とした。これらの結果を表24に示す。なお、カッコ内の数値は、MEEFの実測値を表す。"