"式[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。R3及びR4は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R3中の炭素原子とR4中の炭素原子とが結合し、5員環又は6員環を形成してもよい。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0または1の整数を表す。]で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、該第1の官能基が、電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物Aを含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、さらに式[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0または1の整数を表し、bは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]で表される繰り返し単位を有する請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式3[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R5及びR6は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項3に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式4[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7~R9は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項3に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、さらに、活性水素を1個有する構造単位を2個以上、又は、活性水素を2個以上有する構造単位を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。さらに、分子内に活性水素を2個以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び分子内に活性水素を2個以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の活性水素化合物を含有する請求項1~6のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。請求項1~7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;及び該塗布層に熱を印加する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。前記電磁波が紫外線である請求項8又は9に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項11に記載の有機薄膜トランジスタ。請求項11又は12記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。請求項13に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子有機EL素子のような発光素子の実用化を考慮すると、有機薄膜トランジスタの動作精度をより向上する必要があり、上記従来のゲート絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスが大きい。本発明の目的は、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することである。以上の事に鑑み、種々検討を行った結果、架橋構造を形成しうる特定の樹脂組成物を用いてゲート絶縁層を形成することにより有機薄膜トランジスタの閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスを小さくできることを見出し、本発明に至った。即ち、本発明は、式[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。R3及びR4は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R3中の炭素原子とR4中の炭素原子とが結合し、5員環又は6員環を形成してもよい。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表す。]で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、該第1の官能基が、電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物Aを含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供するものである。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、さらに式[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表し、bは、1~5の整数を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Rfが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]で表される繰り返し単位を有する。ある一形態においては、前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式3[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R5及びR6は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式4[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R7~R9は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、さらに、活性水素を1個有する構造単位を2個以上、又は、活性水素を2個以上有する構造単位を含む。また、本発明は、さらに、分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の活性水素化合物を含有する上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供するものである。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;及び該塗布層に熱を印加する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法を提供する。ある一形態においては、前記電磁波が紫外線である。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。ある一形態においては、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である。また、本発明は、上記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタは、閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい。本明細書において、高分子化合物とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。一方、低分子化合物とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。<高分子化合物A>本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は高分子化合物を含み、該高分子化合物は、電磁波のエネルギーもしくは電子線のエネルギーを吸収して二量化反応を起こす官能基を複数個有し、電磁波もしくは熱が作用した場合に、活性水素と反応する第2の官能基を生成する第1の官能基を複数個有する。電磁波のエネルギー又は電子線のエネルギーを吸収して二量化反応を起こす前記官能基を、本明細書では光二量化反応基という。光二量化反応基は、ある一形態では、光エネルギー又は電子線のエネルギーを吸収した場合に協奏反応しうる官能基である。協奏反応しうる官能基は相互に付加環化することにより二量化して、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。光二量化反応基が吸収する電磁波は、あまり低エネルギーであると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を光重合法によって形成する際に光二量化反応基も反応してしまう場合があるため、高エネルギーの光が好ましい。光二量化反応基が吸収するのに好ましい電磁波は、紫外線、例えば波長が400nm以下、好ましくは150~380nmの光である。ここでいう二量化とは、有機化合物の分子2個が化学的に結合することをいう。結合する分子同士は同種でも異種でもよい。二量化する2個の分子中の二量化に関与する官能基同士の化学構造も同一であっても異なっていてもよい。但し、当該官能基は、触媒及び開始剤等の反応助剤が用いられなくても光二量化反応を生じる構造、及び組合せであることが好ましい。反応助剤の残基に接触すると周辺の有機材料が劣化する可能性があるからである。前記高分子化合物に含まれる第1の官能基は活性水素と反応しないが、第1の官能基に電磁波又は熱が作用すると第2の官能基が生成し、これが活性水素と反応する。つまり、上記第1の官能基は電磁波又は熱により脱保護されて、活性水素と反応する第2の官能基を生成するものである。第2の官能基は活性水素化合物Eの活性水素含有基と反応してこれと結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。第2の官能基は、ゲート絶縁層の形成工程において電磁波又は熱が加えられるまで保護ブロックされて、第1の官能基として有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に存在する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。例えば、光二量化反応基を有する繰り返し単位と、上記第1の官能基を有する繰り返し単位とを含有する高分子化合物は、前記高分子化合物に該当する。光二量化反応基を有する繰り返し単位は、上記式1で表される繰り返し単位であることが好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる高分子化合物は、式1で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有する高分子化合物高分子化合物Aが好ましい。式1中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R2はメチル基である。式1中、R3及びR4は、それぞれ独立に、炭素数1~20の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられる。炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基が挙げられる。炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。R3中の炭素原子とR4中の炭素原子とが結合し、5員環又は6員環を形成してもよい。5員環としては、シクロペンテン環が挙げられる。6員環としては、シクロへキセン環が挙げられる。ある一形態ではR3及びR4は、同一又は相異なり、メチル基及びエチル基からなる群から選択される基である。式1中、Rbbは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。cは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、cは1である。前記炭素数1~20の二価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピルレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基、エチルアンスリレン基が挙げられる。光二量化反応基の好ましい例は、マレイミド基の3位の水素原子及び4位の水素原子がそれぞれアルキル基又はアリール基で置換された基、式5で表される基である。式5中、R’は、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基が好ましい。5式5中、R’はアルカンジイル基を表す。光二量化反応基が、マレイミド基の3位の水素原子及び4位の水素原子がそれぞれアルキル基若しくはアリール基で置換された基又は式5で表される基の場合、紫外線又は電子線を照射すると22環化反応が生じ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋される。また、上記第1の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又は前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基又はイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後でも、170°C以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ-ル系化合物、フェノ-ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられる。これらのブロック化剤は、単独使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物、ピラゾール系化合物が挙げられる。以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ-ル系化合物の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2-エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物の例としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物の例としては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物の例としては、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物の例としては、アセトアニリド、酢酸アミド、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、γ-ブチロラクタムが挙げられ、酸イミド系化合物の例としては、コハク酸イミド、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物の例としては、イミダゾール、2-メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物の例としては、尿素、チオ尿素、エチレン尿素が挙げられる。アミン系化合物の例としては、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物の例としては、エチレンイミン、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩の例としては、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物の例としては、2-ヒドロキシピリジン、2-ヒドロキシキノリンが挙げられる。オキシム系化合物の例としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。ピラゾール系化合物の例としては、3,5-ジメチルピラゾール、3,5-ジエチルピラゾールが挙げられる。本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はイソチアシアナト基としては、上記式3で表される基又は上記式4で表される基が好ましい。式3及び式4中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R5~R9は、同一又は相異なり、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。一価の有機基の定義、具体例等は、前述の一価の有機基の定義、具体例等と同様である。ある一形態では、R5~R9は水素原子である。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルカルボニルアミノ基が挙げられる。ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルチオカルボニルアミノ基が挙げられる。第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。高分子化合物Aは、例えば、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、第1の官能基を含有する重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、N-3’-メタクリロイルオキシプロピル-3,4-ジメチルマレイミド、N-3’-メタクリロイルオキシプロピル-1-シクロヘキセン-1,2-ジカルボキシミドが挙げられる。第1の官能基を含有する重合性モノマーの例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物の例としては、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物の例としては、2-アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。重合性モノマーに含まれるブロック化剤としては、前記のブロック化剤を好適に用いることが出来る。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーの製造においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーの例としては、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーの例としては、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノエチル-メタクリレート、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、4-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチルo-ベンゾイルベンゾエート、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-ベンゾイルオキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、360nm以上、好ましくは360~450nmである。前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、1、1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロパン、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジン2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキシド、o-メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p-クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4-トリメチルペンチル-2-ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert-ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、tert-ブチルクミルパーオキシド、ジ-tert-ブチルパーオキシド、トリスtert-ブチルパーオキシトリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1-ジ-tert-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ジtert-ブチルパーオキシブタン等のパーオキシケタール類、tert-ブチルパーオキシピバレート、tert-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-tert-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ-tert-ブチルパーオキシアゼレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-tert-ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物Aは、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体等が挙げられる。追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物Aに可塑性を付与するモノマーが選択される。アクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のアクリレートや、使用量に制約は出てくるが多官能のアクリレートをも使用することができ、このような単官能のアクリレートや多官能のアクリレートとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸-sec-ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルアクリレート、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリンを挙げることができる。メタアクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能のメタアクリレートや、使用量に制約は出てくるが多官能のメタアクリレートをも使用することができ、このような単官能のメタアクリレートや多官能のメタアクリレートとしては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-アクリロイルモルフォリンを挙げることができる。スチレン及びその誘導体の例としては、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、4-アミノスチレンが挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体の例としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニルが挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体の例としては、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリルが挙げられる。フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル、フマル酸ジベンジルが挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジルが挙げられる。イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体の例としては、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジルが挙げられる。有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体の例としては、N-メチル-N-ビニルアセトアミドが挙げられる。末端不飽和炭化水素及びその誘導体の例としては、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルアルコールが挙げられる。不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体の例としては、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。これらのうちでは、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。分子内に不飽和二重結合とブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基とをもつモノマーの仕込みモル比は、重合に関与する全てのモノマー中、好ましくは5モル以上50モル以下であり、より好ましくは5モル以上40モル以下である。上記モノマーの仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。高分子化合物Aは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。高分子化合物Aとしては、例えば、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。<高分子化合物B>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる高分子化合物の好ましい他の態様は、光二量化反応基を複数個有し、フッ素原子を有し、上記第1の官能基を複数個有する高分子化合物である。該高分子化合物の中でも、式1で表される繰り返し単位と、式2で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有する高分子化合物高分子化合物Bが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料にフッ素が導入されていることにより、該材料から形成される絶縁層は極性が低く、絶縁層の分極が抑制される。また、絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子構造の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えばゲート絶縁層として用いた場合に有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基ペンダント基の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体のような他の有機材料に対する親和性が低下せず、該有機材料を含む層の形成において、有機材料が絶縁層の露出面に接し、層を形成し易くなる。例えば、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応基を有する繰り返し単位と、上記第1の官能基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物は、高分子化合物Bに該当する。フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応基の好ましい例は、前述と同じ基が挙げられる。フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位は、上記式2で表される繰り返し単位であることが好ましい。式2中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R1は水素原子である。式2中、Rfは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基を表す。ある一形態では、Rfはフッ素原子である。bは、1~5の整数を表す。ある一形態では、bは5である。Rfがフッ素原子を有する炭素数1~20の有機基である場合、フッ素原子を有する炭素数1~20の一価の有機基としは、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、2-パーフルオロブチルエチル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。式2中、Rは、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。Rが炭素数1~20の一価の有機基である場合、該一価の有機基はフッ素原子を有さない。Rで表される炭素数1~20の一価の有機基としては、R3で表される炭素数1~20の一価の有機基の具体例のうちフッ素原子を有さない基が挙げられる。式2中、Raaは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。連結部分の具体例には、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合等が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、aは1である。前記炭素数1~20の二価の有機基としては、前記のRbbで表される炭素数1~20の二価の有機基の具体例と同じ基が挙げられる。高分子化合物Bは、例えば、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、第1の官能基を含有する重合性モノマーとを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、2-トリフルオロメチルスチレン、3-トリフルオロメチルスチレン、4-トリフルオロメチルスチレン、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン、4-フルオロスチレンが挙げられる。本発明に用いることができる高分子化合物Bは、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、高分子化合物Bに導入されるフッ素原子の量が適量になるように調節される。高分子化合物Bに導入されるフッ素原子の量は、高分子化合物Bの質量に対して、好ましくは1~80質量、より好ましくは5~70質量、さらに好ましくは10~60質量である。フッ素原紙の量が1質量未満であると電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスを低下させる効果が不十分となることがあり、80質量を超えると有機半導体材料との親和性が悪化して活性層をその上に積層することが困難になることがある。分子内に不飽和二重結合とブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基とをもつモノマーの仕込みモル比は、重合に関与する全てのモノマー中、好ましくは5モル以上50モル以下であり、より好ましくは5モル以上40モル以下である。上記モノマーの仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。高分子化合物Bを用いた有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値を小さくする観点からは、高分子化合物Bが有する繰り返し単位の数を100とした場合、高分子化合物Bが有する式2で表される繰り返し単位の量は、30~80が好ましい。高分子化合物Bは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。高分子化合物Bとしては、例えば、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-4-トリフルオロメチルスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-4-トリフルオロメチルスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。<高分子化合物C>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる高分子化合物の好ましい他の態様は、光二量化反応基を複数個有し、上記第1の官能基を複数個有し、かつ、分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物高分子化合物Cである。活性水素は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素は、高分子化合物を構成する各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。高分子化合物Cの具体例としては、式1で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、活性水素を1個有する構造単位を2個以上有する高分子化合物、式1で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、活性水素を2個以上有する構造単位を有する高分子化合物が挙げられる。高分子化合物Cは、例えば、活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマーを、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー及び第1の官能基を含有する重合性モノマーと共重合させることで製造することができる。なお、活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマー、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。なお、重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、上述したものと同様のものを適用できる。活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーとしては、例えば、アミノスチレン、ヒドロキシスチレン、ビニルベンジルアルコール、アミノエチルメタクリレート、エチレングリコールモノビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルアクリレートが挙げられる。高分子化合物Cは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。高分子化合物Cを製造する際に用いる第1の官能基を含有する重合性モノマーと活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーとのモル比は、好ましくは60/100~150/100であり、より好ましくは70/100~120/100であり、さらに好ましくは90/100~110/100である。該モル比が、60/100未満であると活性水素が過剰になりヒステリシスの低下効果が小さくなることがあり、150/100を超えると活性水素と反応する官能基が過剰になり閾値電圧の絶対値が大きくなることがある。高分子化合物Cとしては、例えば、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリアミノスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリアミノスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。<高分子化合物D>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる高分子化合物の好ましい他の態様は、光二量化反応基を複数個有し、フッ素原子を有し、上記第1の官能基を複数個有し、かつ、分子内に活性水素を含有する繰り返し単位を2つ以上含有する高分子化合物高分子化合物Dである。活性水素は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素は、高分子化合物を構成する各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。高分子化合物Dの具体例としては、式1で表される繰り返し単位と、式2で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、活性水素を1個有する構造単位を2個以上有する高分子化合物、式1で表される繰り返し単位と、式2で表される繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、活性水素を2個以上有する構造単位を有する高分子化合物が挙げられる。高分子化合物Dは、例えば、活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマーを、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー及び第1の官能基を含有する重合性モノマーと共重合させることで製造することができる。なお、活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマー、上記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、上記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第1の官能基を含有する重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。なお、重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、上述したものと同様のものを適用できる。活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーの具体例としては、上述したモノマーが挙げられる。高分子化合物Dは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましく、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。高分子化合物Dを製造する際に用いる第1の官能基の原料となる重合性モノマーと活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーとのモル比は、好ましくは60/100~150/100であり、より好ましくは70/100~120/100であり、さらに好ましくは90/100~110/100である。該該モル比が、60/100未満であると活性水素が過剰になりヒステリシスの低下効果が小さくなることがあり、150/100を超えると活性水素と反応する官能基が過剰になり閾値電圧の絶対値が大きくなることがある。高分子化合物Dとしては、例えば、ポリスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-3’,4’-ジメチルマレイミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート-コ-アリルトリメチルゲルマニウム、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリN-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-アミノスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリアミノスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリアミノスチレン-コ-ペンタフルオロスチレン-コ-N-3-メタクリロイルオキシプロピル-1’-シクロヘキセン-1’、2’-ジカルボキシミド-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート等が挙げられる。<活性水素化合物E>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、活性水素化合物Eを含有していてもよい。活性水素化合物Eは、分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物、又は分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物である。活性水素としては、典型的にはアミノ基、ヒドロキシ基又はメルカプト基に含まれる水素原子が挙げられる。活性水素としては、上述した反応性官能基、中でもイソシアナト基、イソチオシアナト基との反応を良好に生じることができるフェノール性ヒドロキシ基に含まれる水素、アルコール性ヒドロキシ基に含まれる水素、芳香族アミノ基に含まれる水素が好適である。分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物の具体例としては、2個以上の活性水素含有基が低分子単量体構造に結合した構造を有する化合物が挙げられる。この低分子構造としては、例えば、アルキル構造やベンゼン環構造が挙げられる。該低分子化合物の具体例としては、アミン系化合物、アルコール系化合物、フェノール系化合物及びチオール系化合物が挙げられる。アミン系化合物の例としては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’,-テトラアミノエチルエチレンジアミン、オルト-フェニレンジアミン、メタ-フェニレンジアミン、パラ-フェニレンジアミン、N,N’-ジフェニル-パラ-フェニレンジアミン、メラミン、2,4,6-トリアミノピリミジン、1,5,9-トリアザシクロドデカン、1,3-ビス3-アミノプロピルテトラメチルジシロキサン、1,4-ビス3-アミノプロピルジメチルシリルベンゼン、3-2-アミノエチルアミノプロピルトリストリメチルシロキシシランが挙げられる。アルコール系化合物の例としては、エチレングリコール、1,2-ジヒドロキシプロパン、グリセロール、1,4-ジメタノールベンゼンが挙げられる。フェノール系化合物の例としては、1,2-ジヒドロキシベンゼン、1,3-ジヒドロキシベンゼン、1,4-ジヒドロキシベンゼンヒドロキノン、1,2-ジヒドロキシナフタレン、レゾルシン、フルオログリセロール、2,3,4-トリヒドロキシベンズアルデハイド、3,4,5-トリヒドロキシベンズアミドが挙げられる。チオール系化合物の例としては、エチレンジチオール、パラ-フェニレンジチオールが挙げられる。分子内に活性水素を2つ以上含有する低分子化合物としては、アルコール系化合物、フェノール系化合物、芳香族アミン系化合物が好ましい。一方、前記分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物においては、活性水素は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素は、高分子化合物を構成する構造単位に含まれていてもよく、その場合は、各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物の具体例としては、2個以上の活性水素を含有する基が高分子重合体構造に結合した構造を有する化合物が挙げられる。かかる高分子化合物は活性水素を含有する基及び二重結合等の不飽和結合を分子内に有するモノマーを単独で重合させるか、該モノマーを上記式1で表される繰り返し単位、上記式2で表される繰り返し単位又は第1の官能基を含む繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと共重合させるか、該モノマーを他の共重合性化合物と共重合させて重合体を形成することによって得られる。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。なお、重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、上述したものと同様のものを適用できる。活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーの具体例としては、上述したモノマーが挙げられる。活性水素を含有する基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーの中でも、分子内にアミノ基を含有するモノマーが好ましい。また、分子内に活性水素を2つ以上含有する高分子化合物としては、フェノール化合物と、ホルムアルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることによって得られた、ノボラック樹脂も好適に用いられる。分子内に活性水素を含有する基を2個以上含有する高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、1000~1000000であることが好ましく、3000~500000であることがより好ましい。これにより、絶縁層の平坦性及び均一性が良好となるという効果が得られるようになる。ポリスチレン換算の重量平均分子量は、GPCにより測定される。<有機薄膜トランジスタ絶縁層材料>高分子化合物A~Dはいずれも光及び熱エネルギー架橋性であり、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料として使用することができる。高分子化合物A及びBは活性水素を有しない。しかし、加熱を大気中等の水分を含む雰囲気で行うことにより、第2の官能基は水と反応することができ、高分子化合物A及びBも熱架橋され得る。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の好ましい一態様は、高分子化合物A及び/又はBと活性水素化合物Eとを含む組成物である。該組成物の中でも、高分子化合物Bと活性水素化合物Eとを含む組成物がより好ましい。高分子化合物A及び/又はBと活性水素化合物Eとの混合割合は、高分子化合物A及び/又はBから生成しうる第2の官能基と、活性水素化合物E中の活性水素を含有する基のモル比が60/100~150/100となる割合が好ましい。より好ましくは70/100~120/100となる割合であり、さらに好ましくは90/100~110/100となる割合である。該モル比が60/100未満となる割合で混合すると活性水素が過剰になりヒステリシスの低下効果が小さくなることがあり、150/100を超える割合で混合すると活性水素と反応する官能基が過剰になり閾値電圧の絶対値が大きくなることがある。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の好ましい他の態様は、高分子化合物Cである。高分子化合物Cの中でも高分子化合物Dがより好ましい。高分子化合物Cならびに高分子化合物Dは、分子内に第1の官能基と活性水素を含有する基とを有しているため、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に単独で用いることができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、高分子化合物A~Eに結合した有機基及び官能基が含まれる。これら有機基及び官能基の含有量は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要求される性能を考慮して、有機基及び官能基を有する繰り返し単位の量を調節することにより適宜決定される。好ましい一態様では、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含まれる高分子化合物が有する繰り返し単位の合計を基準にして、光二量化反応基を含有する繰り返し単位のモル分率が、0.01~0.7、好ましくは0.05~0.6、より好ましくは0.1~0.5である。光二量化反応基を含有する繰り返し単位のモル分率が0.01未満であると硬化が不十分になる場合があり、0.7を超えるとトランジスタ特性に悪影響を及ぼす場合がある。第1の官能基を含有する繰り返し単位のモル分率は、0.01~0.7、好ましくは0.05~0.6、より好ましくは0.1~0.5である。第1の官能基を含有する繰り返し単位のモル分率が0.01未満であると硬化が不十分になる場合があり、0.7を超えるとトランジスタ特性に悪影響を及ぼす場合がある。活性水素の量は第1の官能基と過不足無く反応する量を基準にして決定される。高分子化合物に導入されるフッ素の量は、高分子化合物全体の質量に対して、好ましくは50質量以下、好ましくは1~40質量、より好ましくは5~35質量である。フッ素の量が50質量を超えると有機半導体材料との親和性が悪化して層をその上に積層することが困難になることがある。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、混合や粘度調節のための溶媒や、高分子化合物A~Dを架橋させるために用いる架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤などを含有させてよい。使用される溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる組成物である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層組成物、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物であることが好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料であることがより好ましい。<有機薄膜トランジスタ>図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。図2は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6上に形成された有機半導体層4と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に要すれば溶媒などを添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、ゲート絶縁層又はオーバーコート層の下に位置する層の表面に塗布し、乾燥し、硬化させることにより行う。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が100°C~200°Cの有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、2-ヘプタノン沸点151°C、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート沸点146°Cが挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層組成物として、ゲート絶縁層の形成に用いることもできる。該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が架橋することを意味する。トランジスタ絶縁層材料の架橋は、例えば、塗布層に電磁波の照射又は熱を印加することにより行われる。そうすると、高分子化合物A又はBの第1の官能基から第2の官能基が生成して、該第2の官能基が活性水素化合物Eの活性水素含有基と反応するからである。又は、高分子化合物C又はDの第1の官能基から第2の官能基が生成して、該第2の官能基が分子内の活性水素含有基と反応するからである。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋は、塗布層に電磁波又は電子線を照射することによっても行われる。塗布層に電磁波又は電子線を照射すると、高分子化合物A~Dの光二量化反応基の環化反応により、二量化するからである。高分子化合物A~Dに含まれる第1の官能基が、電磁波の照射により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;を包含する形成方法で形成することが好ましい。高分子化合物A~Dに含まれる第1の官能基が、熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である場合、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;及び該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;を包含する形成方法で形成することが好ましく、有機薄膜トランジスタ絶縁層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;該塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程;及び該塗布層に熱を印加する工程;を包含する形成方法で形成することがより好ましい。塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程と、塗布層に電磁波又は電子線を照射する工程の両方行うことで、絶縁層の架橋密度が向上するからである。特に、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料をゲート絶縁層に使用する場合には、有機薄膜トランジスタの閾値電圧Vthの絶対値及びヒステリシスが小さくなる。絶縁層の架橋密度が向上することで電圧印加時の分極がより抑制され、有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さくなると考えられる。塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を約80~250°C、好ましくは約100~230°Cの温度に加熱して約5~120分、好ましくは約10~60分維持する。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。塗布層に電磁波を照射する場合、絶縁層の架橋及び損傷の度合いを考慮して、照射条件を調節する。マイクロ波を印加して加熱する場合は、絶縁層の架橋が及び損傷の度合いを考慮して印加条件を調節する。照射する電磁波の波長は450nm以下が好ましく、より好ましくは150~410nmである。照射する電磁波の波長が450nmを越えると有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の架橋が不十分になる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やUV硬化性樹脂を硬化させるために使用されているUVランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。その他の照射条件及び加熱条件は、光二量化反応基の種類及び量等に応じて適宜決定される。ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1~10重量溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。有機半導体層4を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリP-フェニレンビニレン類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートと、2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンとの縮合物、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネートと、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェンとの縮合物等があげられる。有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50°C~200°Cの溶媒である。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。合成例1化合物1の合成水分トラップ、攪拌子を入れた500mlのナスフラスコに、1-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物東京化成製を25g、3-アミノプロパノールを12g、トルエンを200ml入れ、オイルバス中で140°Cで4時間反応させた。反応終了後、反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮し、ジエチルエーテル和光純薬製を100ml加えた。得られたジエチルエーテル溶液を分液ロートに移し、炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、水層が中性になるまで水洗し、分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、固形物をろ別し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮し、黄褐色の粘稠な液体である化合物1を得た。化合物1化合物2の合成三方コックを取り付けた1Lの三口フラスコに、化合物1を26.18g、メタクリル酸を11.31g、N,N’-ジシクロヘキシルカルボジイミド和光純薬製を27.10g、4-ジメチルアミノピリジン和光純薬製を触媒量、1,4-ジオキサンを400ml入れ、窒素雰囲気下で24時間攪拌して反応させた。反応終了後、析出物をろ別し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮し、ジエチルエーテル和光純薬製を100ml加えた。得られたジエチルエーテル溶液を分液ロートに移し、炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、水層が中性になるまで水洗し、分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、固形物をろ別し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮し、黄褐色の粘稠な液体である化合物2を得た。化合物2高分子化合物3の合成50ml耐圧容器エース製に、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製を2.00g、アミノスチレン東京化成製を0.82g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを1.65g、化合物2を2.86g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.04g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート和光純薬製を17.17g入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。60°Cのオイルバス中で20時間重合させ、高分子化合物3が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物3は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物3得られた高分子化合物3の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、50000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例2高分子化合物4の合成2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートを1.88g、及び2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンを3.81g含むトルエン80mL中に、窒素下において、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムを0.75g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライドAldrich製、商品名Aliquat336登録商標を1.0g、及び2Mの炭酸ナトリウム水溶液を24mL加えた。この混合物を激しく攪拌し、加熱して24時間還流した。粘稠な反応混合物をアセトン500mLに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過によって集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて60°Cで一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物4とよぶ。高分子化合物4は、下記繰り返し単位を有している。nは繰り返し単位の数を示している。高分子化合物4高分子化合物4の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、32000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。実施例1有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び電界効果型有機薄膜トランジスタの製造10mlのサンプル瓶に、合成例1で得た高分子化合物3のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を2.00g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを2.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液1を調製した。得られた塗布溶液を孔径0.2μmのメンブレンフィルターを用いてろ過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で100°Cで1分間焼成した。その後、アライナーCanon製;PLA-521を用いて1600mJ/cm2のUV光波長365nmを照射し後、窒素中、ホットプレート上で200°Cで30分間焼成してゲート絶縁層を得た。次に、高分子化合物4を溶媒であるキシレンに溶解して、濃度が0.5重量である溶液有機半導体組成物を作製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を調製した。得られた塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約30nmの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、チャネル長20μm、チャネル幅2mmのソース電極及びドレイン電極活性層側から、酸化モリブデン、金の順番で積層構造を有するを形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。<トランジスタ特性の評価>こうして作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Vgを20~-40V、ソースドレイン間電圧Vsdを0~-40Vに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ-バBCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronicEquipmentsServiceCoLTD製を用いて測定した。結果を表1に示す。電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソースドレイン間電圧Vsdが-40Vで、ゲート電圧Vgを20V→-40Vに変化させた際の閾値電圧Vth1とゲート電圧Vgを-40V→20Vに変化させた際の閾値電圧Vth2との電圧差異で表した。比較例1電界効果型有機薄膜トランジスタの製造10mlのサンプル瓶に、ポリビニルフェノール-コ-ポリメチルメタクリレートアルドリッチ製、Mn=6700を1.00g、N,N,N’,N’,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン住友化学製を0.163g、熱酸発生剤みどり化学製、商品名:TAZ108を0.113g、2-ヘプタノンを7.00g入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液2を調製した。塗布溶液1に代えて塗布溶液2を用い、ゲート絶縁層の形成時にUV照射を行わない以外は実施例1と同様にして電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。トランジスタ特性を測定し、評価したところ、ゲート電圧Vgが20V~―40Vの領域ではトランジスタとして動作しなかった。"