"第1の方向に延びる光導波軸線を含む第1の光導波層を有する第1のストライプメサ構造、該第1のストライプメサ構造上に設けられた第1の電極、及び、該第1の電極と電気的に接続された第1のボンディングパッドを有する第1の光半導体素子部と、前記光導波軸線を含む第2の光導波層を有する第2のストライプメサ構造、該第2のストライプメサ構造上に設けられた第2の電極、及び、該第2の電極と電気的に接続された第2のボンディングパッドを有し、前記第1の光半導体素子部に対して前記第1の方向に並んで設けられた第2の光半導体素子部とを基板の主面上に備えており、前記基板の裏面を基準とする前記第1のボンディングパッドの高さが前記第2のボンディングパッドの高さより低い半導体光集積素子を製造する方法であって、前記基板となるウエハ上に、前記第1の方向及び該第1の方向と交差する第2の方向に並ぶ複数の前記半導体光集積素子を形成する素子形成工程と、前記ウエハを前記第2の方向に沿って切断することにより、二以上の半導体光集積素子をそれぞれ含む棒状の複数の半導体光集積素子アレイを形成する切断工程と、前記複数の半導体光集積素子アレイと複数のスペーサーとを前記ウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する積層工程と、前記半導体光集積素子アレイの端面上に反射膜又は反射防止膜を形成する膜形成工程とを備え、前記複数のスペーサーにおける前記第1のボンディングパッドと対向する部分が、前記第1のボンディングパッドに向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されていることを特徴とする、半導体光集積素子の製造方法。前記複数のスペーサーの前記部分が前記突出方向に沿って弾性的に変位可能であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体光集積素子の製造方法。前記複数のスペーサーの前記部分の前記第2の方向の長さが、該第2の方向における前記半導体光集積素子アレイの一端に位置する前記半導体光集積素子の前記第1のボンディングパッドの該方向外側の側面から、該第2の方向における前記半導体光集積素子アレイの他端に位置する前記半導体光集積素子の前記第1のボンディングパッドの該方向外側の側面までの距離よりも長いことを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体光集積素子の製造方法。半導体光集積素子は、例えば半導体レーザ素子といった第1の光半導体素子部と、例えば光変調器といった第2の光半導体素子部とが、共通の基板上にモノリシックに集積された構成を備える。各光半導体素子部は、光導波層を含むストライプメサ構造をそれぞれ有しており、これらのストライプメサ構造は、いわゆるバットジョイント法によって形成され、相互に結合している。多くの場合、これらのストライプメサ構造は、例えば半絶縁性半導体や樹脂等によって埋め込まれる。また、これらのストライプメサ構造上にはそれぞれ電極が形成され、更に、これらの電極に電力を供給するためのワイヤがボンディングされるボンディングパッドが、これらの電極の近傍にそれぞれ形成される。そして、これらのボンディングパッドとその下方の半導体部分との間には、浮遊容量を低減するために樹脂層が設けられることが望ましい。このような構成を備える半導体光集積素子の端面に反射膜や反射防止膜を形成する際には、複数の半導体光集積素子と複数のスペーサーとを基板の厚さ方向に交互に積層して固定したのち、端面に膜を形成する。しかしながら、半導体光集積素子の構造によっては、基板の主面からのボンディングパッドの高さが、各光半導体素子部毎に異なる場合がある。そのような場合、複数の半導体光集積素子と複数のスペーサーとを交互に積層すると、高さが低いボンディングパッドとスペーサーとの間に隙間が生じるので、複数の半導体光集積素子を安定して固定することが難しい。また、このような隙間によってボンディングパッド上に膜材料が回り込み、ボンディングパッドの表面が膜材料に覆われてしまうと、適切なワイヤボンディングが困難になるという問題もある。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、高さが互いに異なる少なくとも2つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定でき、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減できる半導体光集積素子の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明による半導体光集積素子の製造方法は、第1の方向に延びる光導波軸線を含む第1の光導波層を有する第1のストライプメサ構造、該第1のストライプメサ構造上に設けられた第1の電極、及び、該第1の電極と電気的に接続された第1のボンディングパッドを有する第1の光半導体素子部と、光導波軸線を含む第2の光導波層を有する第2のストライプメサ構造、該第2のストライプメサ構造上に設けられた第2の電極、及び、該第2の電極と電気的に接続された第2のボンディングパッドを有し、第1の光半導体素子部に対して第1の方向に並んで設けられた第2の光半導体素子部とを基板の主面上に備えており、基板の裏面を基準とする第1のボンディングパッドの高さが第2のボンディングパッドの高さより低い半導体光集積素子を製造する方法であって、1基板となるウエハ上に、第1の方向及び該第1の方向と交差する第2の方向に並ぶ複数の半導体光集積素子を形成する素子形成工程と、2ウエハを第2の方向に沿って切断することにより、二以上の半導体光集積素子をそれぞれ含む棒状の複数の半導体光集積素子アレイを形成する切断工程と、3複数の半導体光集積素子アレイと複数のスペーサーとをウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する積層工程と、4半導体光集積素子アレイの端面上に反射膜又は反射防止膜を形成する膜形成工程とを備え、複数のスペーサーにおける第1のボンディングパッドと対向する部分が、第1のボンディングパッドに向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されていることを特徴とする。この半導体光集積素子の製造方法では、基板の裏面を基準とする第1のボンディングパッドの高さが、第2のボンディングパッドの高さより低くなっている。このような半導体光集積素子アレイを通常のスペーサーを用いて固定すると、前述したように第1のボンディングパッドとスペーサーとの間に隙間が生じるので、半導体光集積素子アレイを安定して固定することが難しくなる。また、第1のボンディングパッド上に膜材料が回り込み、第1のボンディングパッドの表面が膜材料に覆われてしまうおそれがある。これに対し、上述した半導体光集積素子の製造方法では、複数のスペーサーにおいて第1のボンディングパッドと対向する部分が、第1のボンディングパッドに向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されている。これにより、積層工程において複数の半導体光集積素子アレイと複数のスペーサーとを交互に積層したときに、当該部分が第1のボンディングパッドと必ず接触することができ、第1のボンディングパッドとスペーサーとの間に隙間が生じることを防止できる。したがって、上述した半導体光集積素子の製造方法によれば、半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定することができ、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減することができる。また、上述した半導体光集積素子の製造方法は、複数のスペーサーの上記部分が突出方向に沿って弾性的に変位可能であることを特徴としてもよい。このような構成によって、上記部分の突出の度合いを容易に調整することができ、第1のボンディングパッドとスペーサーとの間に隙間が生じることを好適に防止できる。また、上述した半導体光集積素子の製造方法は、複数のスペーサーの上記部分の第2の方向の長さが、該第2の方向における半導体光集積素子アレイの一端に位置する半導体光集積素子の第1のボンディングパッドの該方向外側の側面から、該第2の方向における半導体光集積素子アレイの他端に位置する半導体光集積素子の第1のボンディングパッドの該方向外側の側面までの距離よりも長いことを特徴としてもよい。これにより、スペーサーの上記部分と第1のボンディングパッドとの第2の方向における相対位置の許容誤差を確保することができる。本発明による半導体光集積素子の製造方法によれば、高さが互いに異なる少なくとも2つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定でき、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減できる。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体光集積素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。まず、本実施形態に係る半導体光集積素子の製造方法によって製造される半導体光集積素子の構成について説明する。この半導体光集積素子は、主に光ファイバ通信システムに使用されるモノリシック集積型の半導体光導波路素子である。図1は、この半導体光集積素子10の構成を示す平面図である。図2は、図1に示された半導体光集積素子10のII-II線に沿った断面図である。図3aは、図1に示された半導体光集積素子10のIIIa-IIIa線に沿った断面図である。図3bは、図1に示された半導体光集積素子10のIIIb-IIIb線に沿った断面図である。なお、図1~図3には、理解の容易のためにXYZ直交座標系が併せて示されている。図1に示されるように、半導体光集積素子10は、基板20と、例えば半導体レーザ素子といった第1の光半導体素子部30と、例えば半導体光変調素子といった第2の光半導体素子部50とを備えている。基板20は、例えばn型InPといった導電性の半導体からなり、主面20a及び裏面20bを有している。第1の光半導体素子部30は半導体レーザ素子としての構造を有しており、第2の光半導体素子部50は光変調素子としての構造を有している。第1及び第2の光半導体素子部30,50は、X軸方向第1の方向に並んで基板20の主面20a上に設けられている。図3aに示されるように、第1の光半導体素子部30は、基板20の主面20a上に結晶成長したn型半導体領域31と、n型半導体領域31上に結晶成長した活性層第1の光導波層32と、活性層32上に結晶成長したp型半導体領域33とを有している。n型半導体領域31は、例えばn型InPを主に含んで構成され、活性層32を導波する光に対して下部クラッドとして機能する。p型半導体領域33は、例えばp型InPを主に含んで構成され、活性層32を導波する光に対して上部クラッドとして機能する。また、p型半導体領域33には、後述する電極40とのオーミック接触を行うためのp型コンタクト層が含まれている。p型コンタクト層は、例えば高濃度のp型InGaAsからなる。活性層32は、レーザ光となる光を発生するとともに、この光を導波する層である。活性層32は、例えばバンドギャップ波長1.33μmの単一InGaAsP層から成ってもよい。或いは、活性層32は、バンドギャップ波長1.54μmのInGaAsP井戸層と、バンドギャップ波長1.25μmのInGaAsPバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造MQWから成ってもよい。n型半導体領域31、活性層32、及びp型半導体領域33は、図3aに示されるように、光導波路となる部分を残して他の部分が除去されたストライプメサ構造34第1のストライプメサ構造を構成している。このストライプメサ構造34は、X軸方向に延びる一対の側面34a及び34bを有している。ストライプメサ構造34に含まれる活性層32は、X軸方向に延びる光導波軸線L図1を参照の一部を包含する。主面20a上において、このストライプメサ構造34の両側には埋込半導体領域35,36が形成されている。埋込半導体領域35,36は、例えば主面20a上に結晶成長したFeドープInPといった半絶縁性半導体によって構成されており、ストライプメサ構造34の側面34a,34bをそれぞれ埋め込んでいる。なお、埋込半導体領域35,36上からその外側の主面20a上にわたって、絶縁保護膜37が形成されている。絶縁保護膜37は、例えばSiO2、SiON、或いはSiNといったシリコン化合物によって構成されている。更に、埋込半導体領域35,36それぞれの外側ストライプメサ構造34に接する側の反対側における主面20a上には、樹脂層38が設けられている。樹脂層38は、例えばベンゾシクロブテンBCB、ポリイミド、或いはALポリマー旭硝子株式会社製等のポリマーによって構成されている。樹脂層38の厚さは、埋込半導体領域35,36と絶縁保護膜37との合計厚さにほぼ等しく、埋込半導体領域35,36上の絶縁保護膜37表面から樹脂層38の表面にかけて、ほぼ平坦となっている。なお、一実施例では、樹脂層38の厚さは2μm~3μmである。ストライプメサ構造34上には絶縁保護膜37の開口が形成されており、該開口を覆うように電極40第1の電極が形成されている。電極40は、p型半導体領域33のp型コンタクト層とオーミック接触を成しており、例えば、Au/Zn/Auといった積層構造やPtから成る単一層によって構成される下層と、TiW/AuやTi/Pt/Auといった積層構造によって構成される上層とを含む。図1に示されるように、電極40は、第1の光半導体素子部30のストライプメサ構造34上においてX軸方向に延びた形状を有している。電極40は、基板20の裏面20b上に形成された電極41と協働して、活性層32に駆動電流を供給する。また、電極40の近傍には、ボンディングパッド42が設けられている。ボンディングパッド42は、樹脂層38上に形成されており、バリア金属層42aとAuメッキ層42bとを含む。バリア金属層42aは、例えばTiW/AuやTi/Pt/Auといった積層構造によって構成され、電極40の上層を形成する際に同時に形成される。なお、バリア金属層42aは、電極40に向けて延びる配線部分42cを含んでおり、該配線部分42cは電極40と接続されている。図2に示されるボンディングパッド42の高さH1すなわち、裏面20bからAuメッキ層42bの上面までの距離は、例えば100μm~200μmである。なお、電極40を挟んでボンディングパッド42とは反対側の樹脂層38上には、ダミーのパッド43が形成されている。パッド43は、ボンディングパッド42と同様にバリア金属層43aとAuメッキ層43bとを含んでおり、その平面形状や主面20aからの高さは、ボンディングパッド42と同じである。このようなパッド43が設けられることによって、光導波路部分ストライプメサ構造34よりも高い構造物が光導波路部分の左右に設けられることとなるので、後述する積層工程において、スペーサーが光導波路部分に接触することを避け、光導波路部分を好適に保護することができる。また、このように高さが揃った構造物パッド42,43が光導波路部分の左右に設けられることにより、後述する積層工程においてスペーサーを積層する際に、光導波路と交差する方向におけるスペーサーと半導体光集積素子アレイとの平行性を保つことができる。また、ボンディングパッド42に対し、光導波路部分に関して左右対称となる構造物であるパッド43が設けられることにより、半導体光集積素子10における機械的応力のバランスを取ることができる。基板20の裏面20b上の全面には、電極41が設けられている。電極41は、基板20とオーミック接触を成しており、例えばAuGe/Auや、AuGe/Ti/Pt/Auといった積層構造を有している。図3bに示されるように、第2の光半導体素子部50は、基板20の主面20a上に結晶成長したn型半導体領域51と、n型半導体領域51上に結晶成長したコア層第2の光導波層52と、コア層52上に結晶成長したp型半導体領域53とを有している。n型半導体領域51は、例えばn型InPを主に含んで構成され、コア層52を導波する光に対して下部クラッドとして機能する。p型半導体領域53は、例えばp型InPを主に含んで構成され、コア層52を導波する光に対して上部クラッドとして機能する。また、p型半導体領域53には、後述する電極60とのオーミック接触を行うためのp型コンタクト層が含まれている。p型コンタクト層は、例えば高濃度のp型InGaAsからなる。コア層52は、第1の光半導体素子部50において生成されたレーザ光を導波するとともに、このレーザ光を変調する層である。コア層52は、例えばバンドギャップ波長1.33μmの単一InGaAsP層から成ってもよい。或いは、コア層52は、バンドギャップ波長1.48μmのAlGaInAs井戸層と、AlInAsバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造MQWから成ってもよい。n型半導体領域51、コア層52、及びp型半導体領域53は、図3bに示されるように、光導波路となる部分を残して他の部分が除去されたストライプメサ構造54第2のストライプメサ構造を構成している。このストライプメサ構造54は、X軸方向に延びる一対の側面54a及び54bを有している。ストライプメサ構造54に含まれるコア層52は、X軸方向に延びる光導波軸線L図1を参照のうち、第1の光半導体素子部30に含まれる部分を除く部分を包含する。主面20a上において、このストライプメサ構造54の両側にはトレンチ溝55,56が形成されている。トレンチ55,56は、X軸方向に沿って延びており、そのY軸方向の幅は例えば1μm~5μmである。また、トレンチ55,56の深さは例えば2μm~4μmであり、一実施例では基板20の主面20aに達する。なお、トレンチ55,56の内壁面および底面からその外側のp型半導体領域53上にわたって、絶縁保護膜57が形成されている。絶縁保護膜57は、例えばSiO2、SiON、或いはSiNといったシリコン化合物によって構成されている。ストライプメサ構造54の側面54a及び54bは、樹脂層38によって埋め込まれている。具体的には、樹脂層38は、トレンチ55,56を満たしており、更に、トレンチ55,56の外側のp型半導体領域53上にわたって層状に形成されている。樹脂層38は、前述した第1の光半導体素子部30の樹脂層38と同じ樹脂材料によって構成されており、その厚さは、第1の光半導体素子部30の樹脂層38とほぼ同じである。但し、第2の光半導体素子部50では、第1の光半導体素子部30とは異なり樹脂層38がp型半導体領域53上に形成されているので、裏面20bを基準とする樹脂層38の表面の高さは、第1の光半導体素子部30における樹脂層38の表面の高さより高くなっている。ストライプメサ構造54上には、樹脂層38の開口38aが形成されており、該開口38aを覆うように電極60第2の電極が形成されている。電極60は、p型半導体領域53のp型コンタクト層とオーミック接触を成しており、第1の光半導体素子部30の電極40と同様の層構造を有している。図1に示されるように、電極60は、第2の光半導体素子部50のストライプメサ構造54上においてX軸方向に延びた形状を有している。電極60は、基板20の裏面20b上に形成された電極41と協働して、コア層52に変調電流を供給する。電極60の近傍には、ボンディングパッド62が設けられている。ボンディングパッド62は、樹脂層38上に形成されており、バリア金属層62a、Auメッキ層62b、及び配線部分62cを含む。なお、バリア金属層62a、Auメッキ層62b、及び配線部分62cの構成は、第1の光半導体素子部30のバリア金属層42a、Auメッキ層42b、及び配線部分42cの構成と同様である。また、ボンディングパッド62の厚さは、第1の光半導体素子部30のボンディングパッド42の厚さとほぼ等しい。但し、図2に示されるボンディングパッド62の高さH2裏面20bからAuメッキ層62bの上面までの距離は、第1の光半導体素子部30における高さH1より高い。なお、電極60を挟んでボンディングパッド62とは反対側の樹脂層38上には、ダミーのパッド63が形成されている。パッド63は、ボンディングパッド62と同様にバリア金属層63aとAuメッキ層63bとを含んでおり、その平面形状や主面20aからの高さは、ボンディングパッド62と同じである。光導波軸線Lと交差する第1の光半導体素子部30の端面30a上には、反射膜44が形成されている。また、光導波軸線Lと交差する第2の光半導体素子部50の端面50a上には、反射膜64が形成されている。反射膜44及び64は、例えばTiON/MgF2やTiO2/SiO2といった積層構造、或いは単一のSiN層によって好適に構成される。以上のような構成を備える半導体光集積素子10を製造する方法について説明する。図4は、半導体光集積素子10の製造方法の例を示すフローチャートである。まず、基板20となるウエハ上に、X軸方向第1の方向及びY軸方向第2の方向に並ぶ複数の半導体光集積素子構造を形成する素子形成工程S11。各半導体光集積素子構造の作製過程は以下の通りである。まず、基板20となるウエハの主面上に、第1の光半導体素子部30のn型半導体領域31、活性層32、及びp型半導体領域33を順に成長させる。次に、主面上のうち第2の光半導体素子部50となる領域上に形成されたn型半導体領域31、活性層32、及びp型半導体領域33を、エッチングにより除去する。そして、第2の光半導体素子部50のn型半導体領域51、コア層52、及びp型半導体領域53を、主面の該領域上に選択的に成長させるバットジョイント。続いて、第1の光半導体素子部30のn型半導体領域31、活性層32、及びp型半導体領域33をエッチングすることによりストライプメサ構造34を形成し、該エッチングによって露出したウエハの主面上に埋込半導体領域35,36を成長させる。このとき、埋込半導体領域35,36の成長の為に、ストライプメサ構造34の両側の比較的広い領域がエッチングされる。一方、第2の光半導体素子部50のn型半導体領域51、コア層52、及びp型半導体領域53をエッチングしてトレンチ55,56を形成することにより、ストライプメサ構造54を形成する。このように、比較的狭いトレンチ55,56によってストライプメサ構造54を形成するのは、この後の工程においてトレンチ55,56を埋め込む樹脂層38の熱処理時における収縮量を小さくし、更にその後に形成される電極60や配線部分62cの剥がれを回避する為である。なお、ストライプメサ構造34を形成するためのエッチング、及びストライプメサ構造54を形成するためのエッチングとしては、良好な光の伝搬特性を得る為に、垂直性の高い形状および平滑な表面が得られるドライエッチング例えば、誘導結合プラズマエッチングが好ましい。そして、絶縁保護膜37,57を形成したのち、ウエハ上の全面に樹脂層38を塗布する。その後、ストライプメサ構造34,54上の樹脂層38及び絶縁保護膜37,57に開口を形成し、電極40,60およびバリア金属層42a,62aを形成したのち、Auメッキ層42b,62bを形成する。樹脂層38に対する開口の形成は、例えばCF4ガスやO2ガス等を用いたプラズマエッチングにより好適に行われる。また、電極40,60およびバリア金属層42a,62aの形成は、例えばリスクオフ法により好適に行われる。続いて、ウエハをY軸方向に沿って切断することにより、二以上の半導体光集積素子をそれぞれ含む棒状の複数の半導体光集積素子アレイを形成する切断工程S12。なお、この工程において、X軸方向と交差する各半導体光集積素子アレイの端面図1及び図2に示された端面30a及び50aは、例えば劈開によって形成される。続いて、複数の半導体光集積素子アレイと複数のスペーサーとを、ウエハの厚さ方向すなわち図1~図3に示されたZ軸方向に交互に積層して固定する積層工程S13。複数のスペーサーは、例えばSiやセラミック等からなる棒状の部材であり、そのX軸方向の幅は半導体光集積素子アレイとほぼ等しく、Y軸方向の長さは半導体光集積素子アレイよりも長い。続いて、半導体光集積素子アレイの端面上に、図1及び図2に示された反射膜44及び64を形成する膜形成工程S14。反射膜44及び64は、例えば膜材料を蒸着することによって好適に形成される。以上の工程を経た後、半導体光集積素子アレイをチップ状に切断することにより、図1~図3に示された半導体光集積素子10が完成する。ここで、図5は、本実施形態の積層工程S13及び膜形成工程S14において、半導体光集積素子アレイ70及びスペーサー80が交互に積層された様子を示す断面図であり、光導波方向X軸方向に沿った側断面を示している。また、図6は、複数の半導体光集積素子アレイ70のうち、一つの半導体光集積素子アレイ70と、その半導体光集積素子アレイ70に隣接するスペーサー80とを拡大して示す断面図である。図5及び図6に示されるように、積層工程S13では、複数の半導体光集積素子アレイ70と複数のスペーサー80とが、ウエハ基板20の厚さ方向に交互に積層して固定される。そして、各スペーサー80の一方の側面80aは、該側面80aと対向する半導体光集積素子アレイ70の裏面上に設けられた電極41と接触する。また、他方の側面80bは、該側面80bと対向する半導体光集積素子アレイ70のボンディングパッド62及びパッド63図1を参照と接触する。ここで、本実施形態の複数のスペーサー80のそれぞれは、可動部81を有している。可動部81は、スペーサー80の側面80bにおいてボンディングパッド42及びパッド43と対向する部分であり、スペーサー80と同じ材料、例えばSiやセラミックからなる。可動部81は、スペーサー80の側面80bから突出しており、また、側面80bに形成された凹部80cに対し、スペーサー80の厚さ方向に変位摺動可能な状態で嵌合している。これにより、可動部81は、突出方向Z軸方向に沿って変位可能となっている。また、該凹部80c内には例えばバネといった弾性部材82が設けられており、可動部81は、突出方向Z軸方向に沿って弾性的に変位することができる。弾性部材82の一端は、スペーサー80の側面80a側に設けられた固定部83によってスペーサー80に固定されている。図5及び図6に示されるように、この可動部81は、複数の半導体光集積素子アレイ70と複数のスペーサー80とが交互に積層された状態において、対向する半導体光集積素子アレイ70のボンディングパッド42及びパッド43と接触する。なお、X軸方向における可動部81の外側の側面81aは、該方向におけるボンディングパッド42の外側の側面42d、及びパッド43の外側の側面不図示に対して面一となっていることが好ましい。図7は、一つの半導体光集積素子アレイ70の平面図であり、図1~図3に示された半導体光集積素子10に各々相当する複数の構造部分90が、Y軸方向に並んで配置されている。そして、図7には、スペーサー80の可動部81の位置及び大きさを示す仮想線が併せて示されている。同図に示されるように、可動部81はY軸方向すなわちスペーサ80の長手方向に延びており、複数の構造部分90のボンディングパッド42及びパッド43に対して一つの可動部81が接触する。なお、Y軸方向における可動部81の長さL1は、図中の距離L2よりも長いことが好ましい。ここで、距離L2は、Y軸方向における半導体光集積素子アレイ70の一端に位置する半導体光集積素子構造部分90のボンディングパッド42のY軸方向外側の側面から、Y軸方向における半導体光集積素子アレイ70の他端に位置する半導体光集積素子構造部分90のボンディングパッド42のY軸方向外側の側面までの距離である。再び図5及び図6を参照すると、膜形成工程S14において、反射膜44は、半導体光集積素子アレイ70の端面30a上、ボンディングパッド42の側面42d上、及び可動部81の側面81a上にわたって形成される。また、反射膜64は、半導体光集積素子アレイ70の端面50a上、及びボンディングパッド62の側面62d上にわたって形成される。以上に説明したように、本実施形態による半導体光集積素子の製造方法では、基板20の裏面20bを基準とするボンディングパッド42の高さH1が、ボンディングパッド62の高さH2より低くなっている。これは、ストライプメサ構造34及び54それぞれの両側のエッチング面積が互いに大きく異なるので、樹脂層38を均一に平坦化することが難しいことに起因する。そして、図8に示されるように、このような半導体光集積素子アレイ70を通常のスペーサー100を用いて固定すると、ボンディングパッド42とスペーサー100との間に隙間Aが生じるので、半導体光集積素子アレイ70を安定して固定することが難しくなる。また、ボンディングパッド42上に膜材料が回り込み、ボンディングパッド42の表面が反射膜44によって覆われてしまうおそれがある。このようにボンディングパッド42の表面が反射膜44によって覆われると、ボンディングパッド42へのワイヤボンディングが困難となる。これに対し、本実施形態の製造方法では、複数のスペーサー80においてボンディングパッド42と対向する可動部81が、ボンディングパッド42に向けて突出しており、且つ突出方向Z軸方向に変位可能となっている。これにより、積層工程S13において複数の半導体光集積素子アレイ70と複数のスペーサー80とを交互に積層したときに、当該可動部81がボンディングパッド42に向けて突出してボンディングパッド42と接触することができ、ボンディングパッド42とスペーサー80との間に隙間が生じることを防止できる。特に、可動部81が突出方向Z軸方向に変位可能であることによって、可動部81の突出の度合いを調整することができ、可動部81がボンディングパッド42に届かない、或いは可動部81が突出し過ぎてスペーサー80が半導体光集積素子アレイ70に対して傾いてしまうといった不都合を防ぐことができる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、半導体光集積素子アレイ70の端面30aに反射膜44及び64を形成する際に、半導体光集積素子アレイ70を安定して固定することができ、且つボンディングパッド42上への膜材料の回り込みを低減することができる。また、本実施形態のように、複数のスペーサー80の可動部81は、ボンディングパッド42に向けて弾性的に突出可能であることが好ましい。このような構成によって、可動部81の突出の度合いを容易に調整することができ、ボンディングパッド42とスペーサー80との間に隙間が生じることを好適に防止できる。また、本実施形態のように、可動部81のY軸方向の長さL1は、図7に示された長さL2よりも長いことが好ましい。これにより、Y軸方向における可動部81とボンディングパッド42との相対位置の許容誤差すなわち、スペーサー80の長手方向におけるズレの許容量を確保することができる。本発明による半導体光集積素子の製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、第1の光半導体素子部として半導体レーザ素子を例示し、第2の光半導体素子部として半導体光変調素子を例示したが、本発明の第1及び第2の光半導体素子部としては、これらに限らず光導波路構造を有する種々の半導体光素子を適用できる。また、上述した実施形態では、可動部81は弾性的に変位可能なように構成されているが、可動部81の突き出し量は、例えばスペーサー80の側面80a側に螺合された抑えネジによって調節されてもよい。また、上述した実施形態では、半導体光集積素子アレイ70の端面30a,50a上に反射膜44,64を成膜しているが、本発明は、半導体光集積素子アレイの端面上に反射防止膜を成膜する場合にも適用可能である。"