自己整合デバイスを形成する方法であって、結晶性誘電体基板の上にカーボンナノチューブCNTを蒸着するステップと、前記CNTの場所を包含する前記結晶性誘電体基板の部分を分離するステップと、前記CNTの構造的完全性を維持しながら前記CNTの上にゲート誘電体およびゲート電極用ゲートスタックを形成するステップと、前記ゲート誘電体およびゲート電極用ゲートスタックから露出されている前記結晶性誘電体基板上の前記CNTの部分と接触するエピタキシャルソースおよびドレイン領域を形成するステップとを含む、方法。前記CNTの蒸着は前記CNTを平行に蒸着するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記分離するステップは、前記結晶性誘電体基板の前記部分の囲いとしてフィールドマスクを形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記ゲート誘電体および前記ゲート電極用ゲートスタックを形成するステップは、絶縁ゲートスタックを平行に、かつ前記CNTに対して垂直に形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記ゲート誘電体および前記ゲート電極用ゲートスタックを形成するステップは、時間を決められた反応性イオンエッチングRIEを含む、請求項1に記載の方法。前記ゲート誘電体および前記ゲート電極用ゲートスタックを形成するステップは、時間を決められた異方性エッチングに続くウエット等方性エッチングを含む、請求項1に記載の方法。前記エピタキシャルソースおよびドレイン領域を形成するステップは、ドープされないエピタキシャル成長を含む、請求項1に記載の方法。前記エピタキシャルソースおよびドレイン領域を形成するステップは、その場ドープされたエピタキシャル成長を含む、請求項1に記載の方法。前記エピタキシャルソースおよびドレイン領域を形成するステップはアニーリングを含む、請求項1に記載の方法。前記分離するステップは、ハードマスクによってフィールド領域をマスキングするステップを含み、前記ゲートスタックを形成するステップは、前記CNTの頂部のハードマスクによってゲートスタックをパターン形成するステップと、前記ゲートスタックをスペーサによって封入するステップとを含み、前記ソースおよびドレイン領域を形成するステップは、前記スペーサに隣接するソース/ドレイン領域をエピタキシャルに成長させて自己整合ソース/ドレインを提供するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記マスキングするステップは、前記CNTが蒸着されている前記結晶性誘電体下層の部分の囲いを形成するステップを含む、請求項10に記載の方法。前記パターン形成するステップは、複数のゲートスタックを平行に、かつ前記CNTに対して垂直にパターン形成するステップを含む、請求項10に記載の方法。前記パターン形成するステップは、前記ゲートスタックの時間を決められた反応性イオンエッチングRIEを含む、請求項10に記載の方法。前記封入するステップは、前記スペーサの時間を決められた異方性エッチングに続く前記スペーサのウエット等方性エッチングを含む、請求項10に記載の方法。前記エピタキシャルに成長させるステップは、ドープされないエピタキシャル成長を含む、請求項10に記載の方法。前記エピタキシャルに成長させるステップは、その場ドープされたエピタキシャル成長を含む、請求項10に記載の方法。前記ソース/ドレイン領域におけるアニーリングをさらに含む、請求項10に記載の方法。自己整合デバイスであって、結晶性誘電体基板の上に配された複数のカーボンナノチューブCNTと、前記CNTの矩形平面の囲いとして前記結晶性誘電体基板の上に配されたフィールドマスクと、前記CNTの構造的完全性を維持しながら前記CNTの上に形成された複数の絶縁ゲートスタックと、前記絶縁ゲートスタックから露出されている前記CNTの部分と接触して提供されるエピタキシャルソースおよびドレイン領域とを含む、自己整合デバイス。前記CNTは互いに実質的に平行に配され、前記ゲートスタックは前記CNTに対して実質的に垂直に配される、請求項18に記載の自己整合デバイス。前記結晶性誘電体基板はランタンイットリウム酸化物LaYOを含む、請求項18に記載の自己整合デバイス。前記フィールドマスクは二酸化ケイ素SiO2を含む、請求項18に記載の自己整合デバイス。前記ゲートスタックはゲート誘電体と、ゲートスタック材料と、絶縁材料とを含む、請求項18に記載の自己整合デバイス。前記ゲート誘電体はニ酸化ハフニウムHfO2を含み、前記ゲートスタック材料は窒化チタンTiNまたはタングステンWを含み、前記絶縁材料は窒化ケイ素SiNを含む、請求項22に記載の自己整合デバイス。CNTFETに基づく技術が克服しなければならない多くの付加的課題の1つは、伝統的なシリコンCMOS技術が現在支持している高レイアウト密度との適合性である。特に、高レイアウト密度でレイアウトするためには、各CNTの周りに構築されるスイッチングデバイスに対するソース/ドレインおよびゲートコンタクトがすべて正確に配置される必要がある。本発明の態様に従うと、自己整合デバイスを形成する方法が提供される。この方法は結晶性誘電体基板の上にカーボンナノチューブCNTを蒸着するステップと、CNTの場所を包含する結晶性誘電体基板の部分を分離するステップと、CNTの構造的完全性を維持しながらその上にゲート誘電体およびゲート電極用ゲートスタックを形成するステップと、ゲート誘電体およびゲート電極用ゲートスタックから露出されている結晶性誘電体基板上のCNTの部分と接触するエピタキシャルソースおよびドレイン領域を形成するステップとを含む。本発明の別の態様に従うと、自己整合エピタキシャルソース/ドレインコンタクトを形成するプロセスが提供される。このプロセスは結晶性誘電体下層の上にカーボンナノチューブCNTを蒸着するステップと、ハードマスクによってフィールド領域をマスクオフするステップと、CNTの頂部のハードマスクによってゲートスタックをパターン形成するステップと、ゲートスタックをスペーサによって封入するステップと、スペーサに隣接するソース/ドレイン領域をエピタキシャルに成長させて自己整合ソース/ドレインを提供するステップとを含む。本発明の態様に従うと、自己整合デバイスが提供され、このデバイスは結晶性誘電体基板の上に配された複数のカーボンナノチューブCNTと、CNTの矩形平面の囲いとして結晶性誘電体基板の上に配されたフィールドマスクと、CNTの構造的完全性を維持しながらその上に形成された複数の絶縁ゲートスタックと、絶縁ゲートスタックから露出するCNTの部分と接触して提供されるエピタキシャルソースおよびドレイン領域とを含む。本発明とみなされる主題は、本明細書の終わりの請求項において特定的に示され、明確に請求されている。本発明の前述およびその他の態様、特徴および利点は、添付の図面とともに提供される以下の詳細な説明に示されている。本明細書において開示される自己整合エピタキシャルソース/ドレインコンタクトプロセスは、たとえばカーボンナノチューブまたは半導体ナノワイヤなどの蒸着ナノ構造から自己整合デバイスを構築するためのプラットフォームを提供する。ナノ構造は、たとえばランタンイットリウム酸化物LaYOなどの絶縁結晶性下層の上にすでに蒸着されているものとする。ハードマスクによってフィールド領域がマスクオフされ、ナノ構造の頂部にハードマスクとともにゲートスタックがパターン形成され、次いでゲートスタックがスペーサによって封入される。次いで、ソース/ドレイン領域にシリコンなどの非絶縁材料がエピタキシャルに成長させられることにより、自己整合ソース/ドレインが提供される。図1を参照すると、シリコン基板10が提供され、その頂面に結晶性誘電体20の層が配されている。結晶性誘電体20は、LaYOまたは何らかの他の類似の結晶性誘電体を含んでもよく、その上にシリコンエピタキシを種付けseededできて、シリコンのエピタキシャル成長が可能である。ここで、LaYOを結晶性誘電体20として特定的に用いることによってシリコンエピタキシの成長が可能になるのは、シリコンエピタキシの結晶構造がLaYOの結晶構造と実質的に類似であるために、たとえシリコンまたはシリコン-ゲルマニウム下部構造が存在しなくてもシリコンのエピタキシャル成長が可能であることが見出されたという事実によるものである。結晶性誘電体20のたとえば頂面などの表面21上に、たとえばカーボンナノチューブCNT30またはナノワイヤなどの複数のナノ構造が蒸着される。CNT30は互いに実質的に整列して、互いに実質的に平行に蒸着されているが、これは必須ではない。CNT30の蒸着はさまざまな公知の方法に従って達成されてもよいため、その説明は省略する。次に図2を参照すると、CNT30の場所を包含する結晶性誘電体20の部分を分離するために、二酸化ケイ素SiO2または何らかの他の類似の材料を含むフィールドマスク40が、CNT30の実質的に矩形の平面の囲いとして結晶性誘電体20の上に配置される。このように、フィールドマスクはCNT30の周辺部を形成する端縁41を含んでもよい。むろん、CNT30が所与の適用に対して必要に応じて分離されている限り、フィールドマスク40はさまざまな形およびサイズで形成されてもよいこと、ならびに図2に示される矩形の形状は単なる例示であることが理解される。フィールドマスク40を使用する代わりに、CNT30の周囲の結晶性誘電体20をエッチングして溝を形成することによって、CNT30の場所を包含する結晶性誘電体20の部分の分離が達成されてもよい。その溝もしくは基板10またはその両方の露出された表面は、次いで酸化される。図3および図4を参照すると、CNT30、結晶性誘電体20およびフィールドマスク40の上に、ゲート誘電体およびゲート電極用ゲートスタック50がパターン形成される。ゲートスタック50は互いに実質的に平行であり、CNT30の向きに対して実質的に垂直であるが、これは必須ではない。ゲートスタック50は、たとえばゲート誘電体51例、酸化ハフニウム、HfO2の層、ゲートスタック材料52例、窒化チタン、TiN、またはタングステン、Wの層、およびゲートマスク材料53例、窒化ケイ素、SiNの二次層など、さまざまな材料でさまざまな配置で形成されることができる。パターン形成は、CNT30の構造的完全性を損なうことなく達成される。たとえばゲート誘電体51は、CNT30を損なわないことが期待される、特に原子層蒸着atomiclayerdeposition:ALDまたはスピンオン蒸着によって蒸着されてもよい。ゲートスタック50はゲートマスク材料53の二次層によって絶縁される。次いで、リソグラフィを用いてゲートが規定され、たとえばCNT30の近くで終了するように時間を決められた部分的な反応性イオンエッチングreactiveionetching:RIEなどを用いてパターン形成される。CNTを保護するためにいくらかのゲート誘電体51が残されてもよい。次いで、スペーサ材料の等角蒸着に続き、CNT30の損傷を避けるように行われる異方性エッチングプロセスを用いて、ゲートの側壁に沿ってスペーサ60を形成する。すなわち、スペーサ60の異方性エッチングは、残りのゲート誘電体51が露出されると停止するように終点を定められるか、またはエッチング液すなわちプラズマに基づくエッチング液がCNT30に到達しようとする時間の直前に終了するように時間を決められる。いずれの場合にも、エッチングプロセスが停止した後に、ソースおよびドレイン領域70図5参照からすべてのスペーサ60およびゲート誘電体51材料を実質的に完全に除去するための等方性ウエットエッチングが行われる。図4に示されるとおり、このプロセスの結果として、スペーサ60またはスペーサ60とゲート誘電体51とがCNT30に接触し、CNT30を軸方向および周囲方向に実質的に囲むことによって、以下に説明されるソースおよびドレイン領域70をゲートスタック50から分離することができる。特に、スペーサ60またはスペーサ60とゲート誘電体51とは、CNT30を結晶性誘電体20との接触から取り出すことなく、スペーサ60の厚さおよびCNT30のほぼすべての曲面すなわちCNT30の周囲ほぼ360°に及ぶ接触面に沿ってCNT30に接触する。図5および図6を参照すると、絶縁ゲートスタック50およびスペーサ60の形成後、絶縁ゲートスタック50から露出されたCNT30の部分と接触するように、ソースおよびドレイン領域70をエピタキシャルに成長させる。図6に示されるとおり、エピタキシャルソースおよびドレイン領域70とCNT30との間の接触はCNT30のほぼ全周にわたって延在しており、その結果として信頼性の高い接触面80が形成される。よって上述のとおり、ソースおよびドレイン領域70は、CNT30を結晶性誘電体20との接触から取り出すことなく、ソースおよびドレイン領域70の厚さおよびCNT30のほぼすべての曲面すなわちここでもCNT30の周囲ほぼ360°に及ぶ接触面に沿ってCNT30に接触する。上述のとおり、エピタキシャルシリコンと類似の結晶構造を有するために、シリコンの種付け後そのエピタキシャル成長を可能にする結晶性誘電体20の存在によって、ソースおよびドレイン領域70のエピタキシャル成長が促進される。その結果得られるエピタキシャルソース/ドレイン領域70は、両方の絶縁ゲート領域の規定のために1ステップのリソグラフィが用いられたという点で自己整合されている。ソースおよびドレイン領域70をエピタキシャルに成長させるプロセスは、後で完全または部分的なケイ素化を完了させることを伴うさまざまな公知の方法に従って達成されてもよい。たとえばソースおよびドレイン領域70は、その場in-situドープされたシリコンエピタキシを用いて、露出されたCNT30にホウ素またはリンをドープしたシリコンを加えることによって形成されてもよい。代替的には、ソースおよびドレイン領域70をドープせずに成長させてもよく、その後たとえばホウ素B、ヒ化物AsまたはリンPなどのイオン種を注入してから急速な熱アニーリングを行って、注入したドーパントを活性化してもよい。マイクロエレクトロニクスの分野で周知である自己整合ケイ化物プロセスを用いて、エピタキシャルソース/ドレイン領域を金属ケイ化物に転換してもよい。例示的実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな変更が行われてもよく、その構成要素が同等物に置換されてもよいことが当業者に理解されるだろう。加えて、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために多くの修正が行われてもよい。したがって、本発明を実施するために想定される最良のモードとして開示された特定の例示的実施形態に本発明が限定されることはなく、本発明は添付の請求項の範囲内にあるすべての実施形態を含むことが意図されている。