交流をP、C及びNの3レベル電位の直流に変換する3レベルコンバータと、その直流を交流に変換する3レベルインバータを具備すると共に、前記3レベルコンバータの1相分の圧接型半導体素子と前記3レベルインバータの1相分の圧接型半導体素子を有する電力変換ユニット3台から構成される3レベル電力変換装置であって、前記電力変換ユニットは、主回路スイッチング素子で構成される第1の串型スタックと、フライホイールダイオードで構成される第2の串型スタックと、クランプダイオードとスナバダイオードで構成される第3の串型スタックとを具備し、前記第1の串型スタック及び第2の串型スタックは、中央部に共通のN電位極、両端部に各々P電位極を配置し、中央部と両端部の中間の電極の一方が前記3レベルコンバータの1相分の交流入力、他方が前記3レベルインバータの1相分の交流出力になるようにしたことを特徴とする3レベル電力変換装置。交流をP、C及びNの3レベル電位の直流に変換する3レベルコンバータと、その直流を交流に変換する3レベルインバータを具備すると共に、前記3レベルコンバータの1相分の圧接型半導体素子と前記3レベルインバータの1相分の圧接型半導体素子を有する電力変換ユニット3台から構成される3レベル電力変換装置であって、前記電力変換ユニットは、主回路スイッチング素子で構成される第1の串型スタックと、フライホイールダイオードで構成される第2の串型スタックと、クランプダイオードとスナバダイオードで構成される第3の串型スタックとを具備し、前記第1の串型スタック及び第2の串型スタックは、中央部に共通のP電位極、両端部に各々N電位極を配置し、中央部と両端部の中間の電極の一方が前記3レベルコンバータの1相分の交流入力、他方が前記3レベルインバータの1相分の交流出力になるようにしたことを特徴とする3レベル電力変換装置。前記第3の串型スタッックは、中央部に共通のN電位極、両端部に各々P電位極を配置し、中央部の電極に隣接する一方の部位及びこれと同じ側にある一方の端部に夫々前記3レベルコンバータ用の第1及び第2のスナバダイオードを、中央部の電極に隣接する他方の部位及びこれと同じ側にある他方の端部に夫々前記3レベルインバータ用の第3及び第4のスナバダイオードを配置し、前記第1及び第2のスナバダイオードの中間部に夫々絶縁物を介して前記3レベルコンバータ用の第1及び第2のクランプダイオードを、前記第3及び第4のスナバダイオードの中間部に夫々絶縁物を介して前記3レベルインバータ用の第3及び第4のクランプダイオードを配置し、前記第1及び第2のクランプダイオードが接続される電極並びに前記第3及び第4のクランプダイオードが接続される電極をC電位極としたことを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換装置。前記第3の串型スタッックは、中央部に共通のP電位極、両端部に各々N電位極を配置し、中央部の電極に隣接する一方の部位及びこれと同じ側にある一方の端部に夫々前記3レベルコンバータ用の第1及び第2のスナバダイオードを、中央部の電極に隣接する他方の部位及びこれと同じ側にある他方の端部に夫々前記3レベルインバータ用の第3及び第4のスナバダイオードを配置し、前記第1及び第2のスナバダイオードの中間部に夫々絶縁物を介して前記3レベルコンバータ用の第1及び第2のクランプダイオードを、前記第3及び第4のスナバダイオードの中間部に夫々絶縁物を介して前記3レベルインバータ用の第3及び第4のクランプダイオードを配置し、前記第1及び第2のクランプダイオードが接続される電極並びに前記第3及び第4のクランプダイオードが接続される電極をC電位極としたことを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換装置。特許文献1には2レベルの電力変換装置において、コンバータ側の1相分の電力変換ユニットと、インバータ側の1相分の電力変換ユニットを一体化して電力変換ユニットを構成し、素子短絡故障検出を各相でバランスさせる技術について開示されているが、3レベル電力変換装置については記載されていない。また各々の電力変換ユニットの内部の素子配列構成についての開示もない。昨今の装置の大型化に伴い、コンパクト化、低コスト化を目指して3レベル電力変換装置の電力変換ユニットの内部の素子配列構成を工夫することは重要な課題である。この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、コンパクト化、低コスト化を実現する素子配列構成を備えた電力変換ユニットを用いた3レベル電力変換装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明3レベル電力変換装置は、交流をP、C及びNの3レベル電位の直流に変換する3レベルコンバータと、その直流を交流に変換する3レベルインバータを具備すると共に、前記3レベルコンバータの1相分の圧接型半導体素子と前記3レベルインバータの1相分の圧接型半導体素子を有する電力変換ユニット3台から構成される3レベル電力変換装置であって、前記電力変換ユニットは、主回路スイッチング素子で構成される第1の串型スタックと、フライホイールダイオードで構成される第2の串型スタックと、クランプダイオードとスナバダイオードで構成される第3の串型スタックとを具備し、前記第1の串型スタック及び第2の串型スタックは、中央部に共通のN電位極、両端部に各々P電位極を配置し、中央部と両端部の中間の電極の一方が前記3レベルコンバータの1相分の交流入力、他方が前記3レベルインバータの1相分の交流出力になるようにしたことを特徴としている。この発明によれば、コンパクト化、低コスト化を実現する素子配列構成を備えた電力変換ユニットを用いた3レベル電力変換装置を提供することが可能になる。以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。以下、本発明の実施例1に係る3レベル電力変換装置を図1乃至図3を参照して説明する。図1は本発明の対象となる3レベル電力変換装置の回路構成図である。図1において、図示しない電力系統から変圧器11を介して3レベルコンバータ12に交流電圧が供給されている。3レベルコンバータ12で交流電圧を3レベルの直流電圧に変換して3レベルインバータ13に供給する。そして3レベルインバータ13は3相の交流電圧を出力し、交流電動機14を駆動する。尚、ここで直流電圧を平滑するコンデンサを3レベルコンバータ12内及び3レベルインバータ14内に分散して配置しているが、これらは直流リンク部に集中して配置しても良い。以下、3レベルコンバータ12及び3レベルインバータ13の内部構成を説明する。3レベルコンバータ12はR相、S相及びT相の3相の各々を構成するスイッチングレグの並列回路から成っている。各々のスイッチングレグの構成は同一であるので、R相のスイッチングレグの構成について以下説明する。R相スイッチングレグの基本となる回路はスイッチング素子1R1、1R2、1R3及び1R4で構成される直列回路である。各々のスイッチング素子1R1、1R2、1R3及び1R4には夫々逆並列にフライホイールダイオード2R1、2R2、2R3及び2R4が接続されている。スイッチング素子1R1、1R2は正側アームを構成し、スイッチング素子1R3、1R4は負側アームを構成している。そして2つのアームの中間点即ちスイッチング素子1R2と1R3の接続点に変圧器11のR相の2次出力が交流入力として接続されている。スイッチング素子1R1の正極はヒューズ6R1を介して直流コンデンサ7R1の正極に接続されている。スイッチング素子1R4の負極はヒューズ6R2を介して直流コンデンサ7R2の負極に接続されている。直流コンデンサ7R1と直流コンデンサ7R2は直列接続され、互いの接続点は中性点を形成している。そしてこの中性点から正側アームの中点即ちスイッチング素子1R1と1R2の接続点に向けて、正側のクランプダイオード3R1が接続されている。同様に負側アームの中点即ちスイッチング素子1R3と1R4の接続点から中性点に向けて、負側のクランプダイオード3R2が接続されている。また、スイッチング素子1R1の正極と負極間には、サージ電圧吸収用の正側のスナバダイオード4R1とスナバコンデンサ5R1が接続されており、スイッチング素子1R4の負極と正極間には、サージ電圧吸収用の負側のスナバダイオード4R2とスナバコンデンサ5R2が接続されている。これらはスナバ回路を形成しているが、S相及びT相についてはその図示を省略している。次に3レベルインバータ13の主回路構成を説明する。3レベルインバータ13U相、V相及びW相の3相を各々を構成するスイッチングレグの並列回路から成っている。各々のスイッチングレグの構成は同一であるので、U相のスイッチングレグの構成について以下説明する。U相スイッチングレグの基本となる回路はスイッチング素子1U1、1U2、1U3及び1U4で構成される直列回路である。各々のスイッチング素子1U1、1U2、1U3及び1U4には夫々逆並列にフライホイールダイオード2U1、2U2、2U3及び2U4が接続されている。スイッチング素子1U1、1U2は正側アームを構成し、スイッチング素子1U3、1U4は負側アームを構成している。そして2つのアームの中間点即ちスイッチング素子1U2と1U3の接続点からU相の交流出力が得られ交流電動機15のU相端子に接続されている。スイッチング素子1U1の正極はヒューズ6U1を介して直流コンデンサ7U1の正極に接続されている。スイッチング素子1U4の負極はヒューズ6U2を介して直流コンデンサ7U2の負極に接続されている。直流コンデンサ7U1と直流コンデンサ7U2は直列接続され、互いの接続点は中性点を形成している。直流コンデンサ7U1には3レベルコンバータ回路13からの正側直流出力が、また直流コンデンサ7U2には3レベルコンバータ回路13からの負側直流出力が供給される。そしてこの中性点から正側アームの中点即ちスイッチング素子1U1と1U2の接続点に向けて、正側のクランプダイオード3U1が接続されている。同様に負側アームの中点即ちスイッチング素子1U3と1U4の接続点から中性点に向けて、負側のクランプダイオード3U2が接続されている。また、スイッチング素子1U1の正極と負極間には、サージ電圧吸収用の正側のスナバダイオード4U1とスナバコンデンサ5U1が接続されており、スイッチング素子1U4の負極と正極間には、サージ電圧吸収用の負側のスナバダイオード4U2とスナバコンデンサ5U2が接続されている。これらはスナバ回路を形成しているが、V相及びW相についてはその図示を省略している。以上説明した3レベルコンバータ12及び3レベルインバータ13のスイッチング素子には夫々図示しないコンバータ制御回路及びインバータ制御回路から適切なゲートパルスが供給される。通常の力行運転モードにおいては、3レベルコンバータ12は所望のP、C及びNの3レベルの電位の直流出力を得るように制御され、また3レベルインバータ13は、3レベルの直流入力を所望の3レベルの3相交流出力に変換して交流電動機14を駆動するように制御される。尚、回生運転モードでは上記と逆の制御になる。図2は本発明の実施例1に係る3レベル電力変換装置に用いられる電力変換ユニットの構成図である。この電力変換ユニット8PUは、図1におけるコンバータ12のR相のスイッチングレグの半導体素子部分12Rとインバータ13のU相のスイッチングレグの半導体素子部分12Uとで構成されている。尚、何れの半導体素子も圧接型半導体素子とする。図2に示すように電力変換ユニット8PUは、串型スタック8RU1、8RU2及び8RU3の3本より構成されている。中段に図示した第1の串型スタック8RU1は、R相のスイッチングレグの半導体素子部分12Rのうち、スイッチング素子1R1、1R2、1R3及び1R4を左端から中央部に向けて順に配列している。そして、U相のスイッチングレグの半導体素子部分12Uのうち、スイッチング素子1U1、1U2、1U3及び1U4を右端から中央部に向けて順に配列している。このように第1の串型スタック8RU1は8個のスイッチング素子で構成され、左端部の電極は、スイッチング素子1R1のアノードすなわちP電位の電極となる。同様に、右端部の電極も、スイッチング素子1U1のアノードすなわちP電位の電極となる。そして中央部の電極は、スイッチング素子1R4のカソード及びスイッチング素子1U4のカソードとなるので、共通のN電位の電極となる。上段に図示した第2の串型スタック8RU2は、R相のスイッチングレグの半導体素子部分12Rのうち、フライホイールダイオード2R1、2R2、2R3及び2R4を左端から中央部に向けて順に配列している。そして、U相のスイッチングレグの半導体素子部分12Uのうち、フライホイールダイオード2U1、2U2、2U3及び2U4を右端から中央部に向けて順に配列している。このように第2の串型スタック8RU2は8個のフライホイールダイオードで構成され、左端部の電極は、フライホイールダイオード2R1のアノードすなわちP電位の電極となる。同様に、右端部の電極も、フライホイールダイオード2U1のアノードすなわちP電位の電極となる。そして中央部の電極は、フライホイールダイオード2R4のカソード及びフライホイールダイオード2U4のカソードとなるので、共通のN電位の電極となる。このように配列することによって、第2の串型スタック8RU2の電極の配列は第1の串型スタック8RU1の電極の配列と全く同一となるので、図示したように互いに隣り合う電極同士を導体によって容易に接続することが可能となる。下段に図示した第3の串型スタック8RU3は、R相のスイッチングレグの半導体素子部分12Rのうち、スナバダイオード4R1、クランプダイオード3R1、3R2及びスナバダイオード4R2を左端から中央部に向けて順に配列している。そして、U相のスイッチングレグの半導体素子部分12Uのうち、スナバダイオード4U1、クランプダイオード3U1、3U2及びスナバダイオード4U2右端から中央部に向けて順に配列している。このように第3の串型スタック8RU3は4個のクランプダイオードと4個のスナバダイオードで構成される。左端部の電極は、スナバダイオード4R1のアノードすなわちP電位の電極となるので、図示したように第1の串型スタック8RU1の左端のP電極と接続する。スナバダイオード4R1のカソード電極にはスナバコンデンサ5R1が接続されるが、この第3の串型スタック8RU3はスナバコンデンサを含まないので絶縁物91によってカソード電極は浮かせておく。同様に、右端部の電極も、スナバダイオード4U1のアノードすなわちP電位の電極となるので、図示したように第1の串型スタック8RU1の右端のP電極と接続する。スナバダイオード4U1のカソード電極にはスナバコンデンサ5U1が接続されるが、この第3の串型スタック8RU3はスナバコンデンサを含まないので絶縁物92によってカソード電極は浮かせておく。中央部の電極は第1及び第2の串型スタック8RU1、8RU2に合わせ、共通のN電位の電極とし、図示したように第1の串型スタック8RU1の中央部のN電位極と接続する。この第3の串型スタック8RU3の中央部のN電位極の左側にはスナバダイオード4R2を配置し、右側にはスナバダイオード4U2を配置する。何れもカソードが中央のN電極となるようにし、前述した理由により各々のアノード電極は夫々絶縁物93、94によって浮かせておく。串型スタック8RU3の左端から2番目、3番目の半導体素子としては夫々クランプダイオード3R1、3R2を配置する。クランプダイオード3R1のカソード電極は、第1の串型スタック8RU1の左端のスイッチング素子1R1のカソード電極に接続する。クランプダイオード3R1のアノード電極はクランプダイオード3R2のカソード電極と共用され、この電極はC電位の端子となる。クランプダイオード3R2のアノード電極は、第1の串型スタック8RU1の左端から3番目のスイッチング素子1R3のカソード電極に接続する。同様に、右端から2番目、3番目の半導体素子としては夫々クランプダイオード3U1、3U2を配置する。クランプダイオード3U1のカソード電極は、第1の串型スタック8RU1の右端のスイッチング素子1U1のカソード電極に接続する。クランプダイオード3U1のアノード電極はクランプダイオード3U2のカソード電極と共用され、この電極はC電位の端子となる。クランプダイオード3U2のアノード電極は、第1の串型スタック8RU1の右端から3番目のスイッチング素子1U3のカソード電極に接続する。以上の構成によって電力変換ユニット8PUは、半導体素子間の接続導体の配線距離を短縮し、絶縁物の個数を最小限に抑えた半導体素子の配置を実現している。そして、各々の串型スタックには長手方向に一括して圧力が加えられる。図3に示すのは、本発明の3レベル電力変換装置の概略構造図である。3レベル電力変換装置は基本的に3台の電力変換ユニット8PU、8SV及び8TWから構成され、電力変換ユニット8PU、8SV及び8TWのコンバータ12側のAC端子がAC入力となり、電力変換ユニット8PU、8SV及び8TWのインバータ13側のAC端子がAC出力となる。電力変換ユニット8PU8、SV及び8TWのお互いの配線、他の部品を含む配線は、図1に示した回路構成図に従って行われるが、図3においてはこれらの図示を省略している。尚、図3は、3レベル電力変換装置が3台の電力変換ユニット8PU、8SV及び8TWから構成される例を図示したが、電力変換ユニット2台を並列接続するなど、電力変換ユニット数を4台以上で構成するようにしても良い。図4は本発明の実施例2に係る3レベル電力変換装置に用いられる電力変換ユニットの構成図である。この実施例2の各部について、図2の本発明の実施例1に係る3レベル電力変換装置に用いられる電力変換ユニットの構成図の各部と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。この実施例2が実施例1と異なる点は、全ての串形スタックにおいて、P電位極とN電位極の配置を入れ替える構成とした点である。P電位極とN電位極の配置を入れ替える構成とは、例えば串型スタック8RU1の場合で言えば、串形状の左端をN電極とし、左端から中央部に向かってスイッチング素子1R4、1R3、1R2、1R1の順に配置すると共に、右端もN電極とし、右端から中央部に向かってスイッチング素子1U4、1U3、1U2、1U1の順に配置する。このとき、中央部の電極は共通のP電極となる。串型スタック8RU2及び串型スタック8RU3についても、左端から中央部、右端から中央部への半導体素子の配列の順序を実施例1の場合とは逆にする。以上の実施例2の構成によっても、電力変換ユニット8PUは、半導体素子間の接続導体の配線距離を短縮し、絶縁物Iの個数を最小限に抑えた半導体素子の配置を実現することができる。以上本発明の実施例を説明したが、これらの実施例は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、3レベル電力変換装置のスナバ回路は、図1で示した回路に限らず、スナバダイオードを更に多く用いる回路などが各種提案されている。この場合には第3の串型スタックをスナバ回路のスナバダイオードの構成に応じて適切に変更することによってコンパクトな電力変換ユニットを実現できる。また、図2、図4における電力変換ユニットは、半導体素子のみで構成したが、C電位端子の配線を含める構成としても良く、またスナバコンデンサ等の部品を一体に実装する構成としても良い。