ビア電極が形成されたセラミック基板を設ける段階と、前記セラミック基板とビア電極の間に発生したボイドに熱硬化性樹脂を含む充填物質を充填する段階と、前記充填物質を硬化させる段階と、を含むプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質はスクリーン印刷または走査方法により充填される、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質を硬化させた後、前記セラミック基板の表面を研磨する段階をさらに含む、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記ビア電極はAgまたはCuを含む導電性物質からなる、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記熱硬化性樹脂はポリイミドである、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質はAgまたはCuパウダーを含む、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質はセラミックパウダーを含む、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質は300乃至400°Cで硬化される、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。前記充填物質は前記セラミック基板の表面に形成されたボイドに充填される、請求項1に記載のプローブカード用セラミック基板の製造方法。ガラスが含まれたセラミックからなるセラミック基板と、導電性物質で充填され、前記セラミック基板と前記導電性物質との間に形成されたボイドに熱硬化性樹脂を含む充填物質が充填されたビア電極と、を含むプローブカード用セラミック基板。前記熱硬化性樹脂はポリイミドである、請求項10に記載のプローブカード用セラミック基板。前記充填物質はAgパウダー及びCuパウダーの少なくとも1つを含む、請求項10に記載のプローブカード用セラミック基板。前記充填物質はセラミックパウダーを含む、請求項10に記載のプローブカード用セラミック基板。前記充填物質はセラミック基板の表面のボイドに充填される、請求項10に記載のプローブカード用セラミック基板。本発明は上記のような問題点を解決するためのもので、本発明の目的はセラミック基板の内部のボイドを除去し、プローブチップとセラミック基板の固着強度を向上させることであり、特に、信頼度の高いプローブカード用セラミック基板を提供することである。上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態はビア電極が形成されたセラミック基板を設ける段階と、セラミック基板とビア電極の間に発生したボイドに熱硬化性樹脂を含む充填物質を充填する段階と、充填物質を硬化させる段階とを含むプローブカード用セラミック基板の製造方法を提供する。上記充填物質は、スクリーン印刷または走査方法により充填されることができる。上記充填物質を硬化させた後、上記セラミック基板の表面を研磨する段階をさらに含むことができる。上記導電性物質はAgまたはCuであることができる。また、上記熱硬化性樹脂はポリイミドであることができる。上記充填物質はAgまたはCuパウダーを含むことができる。また、上記充填物質はセラミックパウダーを含むことができ、300乃至400°Cで硬化されることができる。上記充填物質は、上記セラミック基板の表面に形成されたボイドにも充填されることができる。上記の目的を達成するために、本発明の他の実施形態は、ガラスが含まれたセラミック組成物からなるセラミック基板と、導電性物質で充填され、上記セラミック基板との間に形成されたボイドに熱硬化性樹脂を含む充填物質で充填されたビア電極を含むプローブカード用セラミック基板を提供する。上記熱硬化性樹脂はポリイミドであることができ、上記充填物質はAgパウダーまたはCuパウダーを含むことができる。また、上記充填物質はセラミックパウダーを含むことができる。また、上記充填物質はセラミック基板の表面に形成されたボイドに充填されることができる。本発明の一実施形態によると、セラミック基板の内部のボイドが除去され、プローブチップとセラミック基板の固着強度が向上し、基板が平坦化され、特に、信頼度の高いプローブカード用セラミック基板及びその製造方法を提供することができる。以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に、本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ図面符号で表示される要素は同じ要素である。図1は、本発明の一実施形態によるプローブカードを示す断面図である。本発明の一実施形態によるとプローブカードはビア電極が形成されたプローブ基板13と、上記プローブ基板13に結合されるプローブチップ15で構成される。プローブカードのテスターで発生した信号はパフォーマンスボードを通じてプローブ基板の外部電極パッドに伝達され、該伝達された信号は基板の内部で複数のビア電極11と内部電極パターンを通過し、プローブチップ15によりチップパッドに伝達される。また、チップパッドから出力される信号はプローブチップ15、プローブ基板の外部及び内部電極パターン、ビア電極を通過してパフォーマンスボードにより再びテスターに伝達される。これにより、半導体テスト装置はこのような信号の入出力によってウェーハに製造されたチップの良否を選別する。最近では、半導体チップの高集積化に伴い半導体チップパッドが微細化するだけでなく、これらの間の間隔も減少している。これによりプローブカードのプローブチップ15は半導体MEMSMicroElectroMechanicalSystem技術を利用し、微細プローブの形成技術が適用されるMEMS工程によりプローブチップが製作される。MEMS工程により製作されたプローブチップは、電極パッド12が付着されたビア電極11に付着される。しかし、半導体チップパッドが微細化するにつれ、プローブ基板13に形成されたビア電極も小さくなり、ビア電極とプローブ基板13の間には、ビア電極を充填している導電性物質とプローブ基板を形成するセラミック素材の間の収縮率の差によりボイドvoidが形成される。上記ビア電極11の周辺に形成されたボイドは、プローブチップ15と電極パッド12の間が十分に結合できないようにする。ここで、本発明は上記ビア電極11の周辺に形成されたボイドを充填物質で充填し、プローブチップ15と電極パッド12の固着強度を強化させ、ビア電極11の周辺が陷沒するという現象を防止することができる。図2a乃至図2cは、本発明の一実施形態により誘電物質からなるセラミック基板のボイドを除去する工程を示す工程の流れ図である。図2aを参照すると、プローブカード用セラミック基板100に複数のビア電極110が形成され、上記複数のビア電極110にはボイドVが発生したビア電極110’がある。上記ビアホールに導電性物質を充填して複数のビア電極110を形成する。上記導電性物質は、電気伝導性に優れた銀Ag、銅Cuなどの物質からなることができる。本発明の一実施形態によると、上記ビア電極110が形成されたセラミック基板100は、その後、焼成及び研磨などの過程を経て平坦化される。上記のような方法により製造されたセラミック基板100には、焼成過程中にビア電極110に充填された導電性物質とセラミック基板100の間の収縮率の差によりボイドvoidが発生する。ボイドVは上記ビア電極110とセラミック基板100の境界面に生じた間隙などを指し示すもので、ボイドが形成されると、その後のビア電極とプローブチップの間の結合強度を低下させ、ビア電極の周辺部が陷沒し、基板の不良を引き起こす。図2bを参照すると、セラミック基板100に形成されたボイドVを充填して上記セラミック基板100の屈曲を除去するために、充填物質130を充填する。上記充填物質130は、研磨が完了した基板の表面に形成されたボイドVに、スクリーン印刷または走査方法により充填されることができるが、これに制限されない。微細に形成された上記ボイドVにスクリーン印刷または直接走査する方式で充填物質130を充填するため、基板上にボイドVが不規則に形成されても、それぞれのボイドVの位置及びサイズに応じて正確に充填物質130を充填することができる。上記充填物質130は熱硬化性樹脂を含む物質で、その後の硬化過程を通じて基板に固着される。上記充填物質130はポリイミドを含む熱硬化性樹脂であって、耐熱性及び耐化学性に優れた物質を用いることが好ましく、耐熱性及び耐化学性に優れた物質が基板に充填されるため、基板の信頼度を向上させることができる。一方、上記充填物質130に金属パウダーまたはセラミックパウダーのような物質を含ませることで、充填物質130の充填密度を高めることもできる。本発明の一実施形態によると、上記充填物質130はAgパウダーまたはCuパウダーを含むことができる。AgパウダーまたはCuパウダーのようなビア電極110を構成する伝導性物質が含まれるため、充填物質130がボイドに充填された場合は、ビア電極110に付着してビア電極の一部を構成することができる。本発明の他の実施形態によると、上記充填物質130はセラミックパウダーを含むことができる。セラミックパウダーのようなセラミック基板を構成する物質を含む充填物質130がボイドに充填された場合は、セラミック基板の一部を構成する役割をすることができる。また、上記充填物質130はビア電極110の周辺に形成されたボイドVだけでなく、セラミック基板の表面に形成されたボイドに充填され、基板の表面を滑らかにする役割をすることもできる。上記充填物質130を充填した後、上記充填物質130を硬化させる。好ましくは、ポリイミドで構成された熱硬化性樹脂をオーブンで、約300°C乃至400°Cの温度で、約1時間硬化させる。上記充填物質130はパウダーを含む液体状態で充填されるため、300乃至400°Cで硬化されることができる。上記充填物質130はパウダーを含むため、低い温度で硬化されることができ、低い温度で硬化されるため、セラミック基板に熱工程により及ぼす効果を最小化することができる。好ましくは、上記充填物質130を硬化させた後、上記セラミック基板100の表面を研磨する段階をさらに含むことができる。本発明の一実施形態によると、不規則に形成されたボイドVを充填するためにそれぞれのボイドVの位置及びサイズに合わせてスクリーン印刷または走査方法で充填物質130を充填する。上記充填物質130が上記セラミック基板100の表面に突出して形成されると、上記セラミック基板100に屈曲が形成され、後にプローブチップを付着する際、固着強度を低下させることができる。従って、上記セラミック基板100を平らにするために、上記セラミック基板100の表面を研磨する工程をさらに行う。このような研磨工程を通じて上記セラミック基板100の表面は平らになる。上記のような方法により硬化が完了すると、MEMS工程を通じてビア電極にプローブチップを付着し、プローブカードを完成する。本発明の一実施形態により製造されたプローブカードは、上記ビア電極と上記プローブチップの固着強度を強化させ、ビア電極の周辺にボイドが形成されることを防止し、ビア電極の周辺が陷沒して基板の不良が発生することを防止することができる。図3は、本発明の一実施形態によるセラミック基板のボイドを除去する方法を示すフローチャートである。本発明の一実施形態によると、複数のビアホールに導電性物質を充填して焼成し、複数のビア電極が形成されたセラミック基板を用意するS10。上記ビアホールに充填される導電性物質はAgまたはCuのような電気伝導性の良い物質からなることができる。焼成過程中に、ビア電極とセラミック基板の間にボイドが形成されると、上記ボイドは充填物質で充填されるS20。上記ボイドには、スクリーン印刷または走査方法を通じてそれぞれのボイドの位置及びサイズに合わせて適当な量の充填物質を充填することができる。上記充填物質はポリイミドのような熱硬化性樹脂であってもよく、上記充填物質にはAgパウダーまたはCuパウダーが混合されてボイドに充填され、ビア電極を補助する役割をすることができる。また、上記充填物質にはセラミックパウダーが混合されてボイドに充填され、セラミック基板と上記ビア電極を充填したり、基板の表面に形成されたボイドを充填して基板の表面を平らにする役割をすることができる。その後、上記充填物質が充填されたボイドは硬化段階を経るS30。また、更なる研磨などの工程を通じてセラミック基板の表面を平坦化する工程を行った後、MEMS工程を通じてプローブチップを付着し、プローブカードを完成する。本発明の一実施形態によると、ボイドが充填物質で充填されるため、ビア電極の周辺にボイドにより発生していた基板の不良を無くすことができ、MEMSプローブピンを形成するための表面積を高め、プローブピンとビア電極の間の固着強度を高めることができる。また、上記充填物質はポリイミドのような接合力に優れ、耐化学性に強い物質であるため、基板の信頼度を向上させることができる。また、充填物質はビア電極を補助するように形成されるため、ビア電極で連結されるパターンの電気的抵抗を減らすことができ、プローブカード用多層電子部品の製作時にインピーダンスマッチングにおいて、有利な製作及び設計が可能となる。