電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理する管理部を備え、前記管理部は、前記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、物理ブロックに対応する仮想ブロックを有する仮想領域と、前記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちの不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、前記物理ブロックの管理、前記仮想ブロックの管理、および前記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちのユーザデータを一時的に保持する物理ブロックである拡張ブロックの管理の3段階の管理単位で前記不揮発性メモリを管理し、前記物理ブロックの管理に用いる第1管理情報と、前記仮想ブロックの管理に用いる第2管理情報と、前記拡張ブロックの管理に用いる第3管理情報とを、前記不揮発性メモリに書き込む、管理装置。前記管理部は、前記仮想領域の一の物理ブロックに不良が生じている場合には、前記不良が生じている物理ブロックである不良ブロックと対応する仮想ブロックと、前記代替領域の一の代替ブロックとを対応付け、前記仮想ブロックと前記代替ブロックとの対応関係を示す情報を、前記第1管理情報として前記不揮発性メモリに書き込み、前記第1管理情報を用いて前記物理ブロックの管理を行う、請求項1に記載の管理装置。前記代替領域は、前記代替ブロックと、前記第1管理情報が記憶される物理ブロックである第1管理ブロックとに分類され、前記管理部は、前記第1管理ブロックへの前記第1管理情報の書き込みが完了した場合には、前記第1管理情報の書き込みが完了したことを示す第1完了情報を、前記第1管理ブロックに設定する、請求項2に記載の管理装置。前記管理部は、前記第1管理情報として、使用された代替ブロックのアドレスと前記代替ブロックと対応する前記仮想ブロックのアドレスとを対応付けた情報と、次に不良ブロックが発生した場合において割り当てる前記代替ブロックのアドレスと、代替された前記不良ブロックのアドレスとを書き込む、請求項2に記載の管理装置。複数の前記仮想ブロックから構成される前記仮想領域は、ユーザデータを記憶する物理ブロックであるユーザデータブロックと、前記拡張ブロックと、消去がされた物理ブロックである空きブロックと、前記第2管理情報が記憶される物理ブロックである第2管理ブロックとに分類され、前記管理部は、ユーザデータを、前記ユーザデータのアドレス空間を前記仮想ブロックのサイズ単位に分割した論理ブロックで管理し、前記論理ブロックと前記仮想ブロックとの対応関係を示す第1変換情報と、前記拡張ブロックを示す情報とを、前記第2管理情報として前記第2管理ブロックに書き込み、前記第2管理情報を用いて前記仮想ブロックの管理を行う、請求項1~4のいずれか1項に記載の管理装置。前記管理部は、前記第2管理情報として、前記第1変換情報と、前記拡張ブロックを示す情報としての前記拡張ブロックに割り当てられた仮想ブロックアドレスと、前記空きブロックのアドレスと、次に書き込みを行う仮想ブロックのアドレスと、消去を行う仮想ブロックのアドレスとを書き込み、前記第2管理ブロックへの前記第2管理情報の書き込みが完了した場合には、前記第2管理情報の書き込みが完了したことを示す第2完了情報を、前記第2管理ブロックに設定し、前記第2管理情報における前記消去を行う仮想ブロックのアドレスに基づいて、対応する仮想ブロックを消去する、請求項5に記載の管理装置。前記管理部は、前記第2管理ブロックに前記第2管理情報が記憶されているときに、前記第2管理情報を書き込む場合には、記憶されている第2管理情報と新たに書き込む第2管理情報との差分を示す差分情報を、前記第2管理ブロックに書き込む、請求項5に記載の管理装置。前記拡張ブロックは、前記ユーザデータを前記ユーザデータブロックに記憶させる前に一時的に記憶する物理ブロックであるキャッシュブロックと、前記キャッシュブロックに記憶した前記ユーザデータを前記ユーザデータブロックに書き込む処理であるライトバック処理の途中の物理ブロックである第1途中ブロックと、静的ウェアレベリング処理の途中の物理ブロックである第2途中ブロックと、前記第3管理情報が記憶される物理ブロックである第3管理ブロックとに分類され、前記管理部は、前記論理ブロックと前記キャッシュブロックとの対応関係を示す第2変換情報と、前記キャッシュブロック、前記第1途中ブロック、および前記第2途中ブロックそれぞれを示す情報とを、前記第3管理情報として前記第3管理ブロックに書き込み、前記第3管理情報を用いて前記拡張ブロックの管理を行う、請求項5に記載の管理装置。前記管理部は、前記論理ブロックおよび前記キャッシュブロックそれぞれを、前記不揮発性メモリの最小書き込みサイズ以上、かつ前記仮想ブロックのサイズ未満のトランスレーションユニット単位に分割し、前記第3管理情報として、前記論理ブロックのトランスレーションユニットと前記キャッシュブロックのトランスレーションユニットとの対応関係を示す第3変換情報をさらに前記不揮発性メモリに書き込む、請求項8に記載の管理装置。前記管理部は、前記第3管理ブロックへの前記第3管理情報の書き込みが完了した場合には、前記第3管理情報の書き込みが完了したことを示す第3完了情報を、前記第3管理ブロックに設定し、前記第3管理情報の前記第2変換情報に基づいて、使用されている前記キャッシュブロックの数が所定の数に達したかを判定し、所定の数に達したと判定した場合には、更新頻度が低い論理ブロックに対応するキャッシュブロック内のユーザデータに対するライトバック処理を行う、請求項8に記載の管理装置。前記管理部は、LRULeastRecentlyUsed制御を用いて前記ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックを選択する、または、書き込みを行うユーザデータを論理ブロック単位に分割して、前記論理ブロック単位の書き込み回数を保持し、前記論理ブロック単位の書き込み回数が最小の論理ブロックに対応するキャッシュブロックを、前記ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックとして選択する、請求項10に記載の管理装置。前記管理部は、前記拡張ブロックへとデータを書き込むときにエラーが発生した場合には、エラーが発生した前記拡張ブロックに書き込んだデータを保持し、前記第2管理情報に記録された、次に書き込みを行う仮想ブロックのアドレスの情報に基づいて、対応する仮想ブロックに継続してデータを書き込み、エラーが発生した前記拡張ブロックに書き込んだデータと、継続して書き込んだ前記仮想ブロックのデータとを用いて、前記ライトバック処理を行う、請求項8に記載の管理装置。前記仮想領域では、前記ユーザデータブロックを構成する物理ブロックの数よりも、前記拡張ブロックを構成する物理ブロックの数の方が大きい、請求項5に記載の管理装置。前記管理部は、前記拡張ブロックに書き込むユーザデータを、連続した論理アドレス順に書き込む、請求項8に記載の管理装置。前記管理部は、前記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、複数の前記仮想領域と前記仮想領域に対応する複数の代替領域とに分けて管理し、前記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、特定の仮想領域に記憶された前記第2管理情報を読み出し、読み出された前記第2管理情報に記録されている、他の仮想領域それぞれに対応する前記第2管理情報が記憶される場所の情報に基づいて、前記他の仮想領域それぞれに対応する前記第2管理情報を読み出す、請求項5に記載の管理装置。前記管理部は、前記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、前記不揮発性メモリから前記第1管理情報、前記第2管理情報、および前記第3管理情報を読み出し、読み出した前記第1管理情報に基づく書き込みエラーの判定と、読み出した前記第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定と、読み出した前記第3管理情報および前記拡張ブロックにおける最終書き込み済みのページアドレスとに基づく書き込みエラーの判定と、をそれぞれ行うことによって、書き込みエラーを判定し、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、前記不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる、請求項8に記載の管理装置。前記管理部は、1つの不揮発性メモリを管理する場合には、1つの仮想ブロックを複数の物理ブロックに対応付け、複数の同種の不揮発性メモリを管理する場合には、1つの仮想ブロックを、複数の不揮発性メモリそれぞれの対応する物理ブロックに対応付ける、請求項1~4のいずれか1項に記載の管理装置。前記不揮発性メモリよりもデータの書き込み、読み出しをより高速に行うことが可能な記録媒体をさらに備え、前記管理部は、前記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、前記不揮発性メモリに記憶された前記管理情報を前記不揮発性メモリから読み出して、読み出した前記管理情報を前記記録媒体に記録し、前記記録媒体に記録した前記管理情報に基づいて、前記不揮発性メモリを管理する、請求項1~4のいずれか1項に記載の管理装置。前記不揮発性メモリをさらに備える、請求項1~4のいずれか1項に記載の管理装置。電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理するステップを有し、前記管理するステップは、前記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、物理ブロックに対応する仮想ブロックを有する仮想領域と、前記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちの不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、前記物理ブロックの管理、前記仮想ブロックの管理、および前記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちのユーザデータを一時的に保持する物理ブロックである拡張ブロックの管理の3段階の管理単位で前記不揮発性メモリを管理し、前記物理ブロックの管理に用いる第1管理情報と、前記仮想ブロックの管理に用いる第2管理情報と、前記拡張ブロックの管理に用いる第3管理情報とを、前記不揮発性メモリに書き込む、管理方法。例えば特許文献1に示すような不揮発性メモリにおけるデータの書き換えの効率化を図るための従来の技術以下、単に従来の技術と示す。は、ブロックサイズの整数分の1かつページサイズの整数倍のトランスレーションユニット単位で不揮発性メモリを管理する。また、従来の技術は、不揮発性メモリの拡張領域に、対応する論理トランスレーションユニット番号、およびブロックの書き込み順序をあらわすシーケンシャル番号を含む管理情報を書き込み、当該管理情報に基づいて論理アドレス-物理アドレス変換テーブルを構築して管理を行う。ここで、従来の技術を用いる場合には、例えば不揮発性メモリにおけるブロックサイズが増加した場合や、不揮発性メモリの記憶容量が増加した場合には、管理情報も肥大化する。NANDフラッシュメモリのような不揮発性メモリにはデータの書き換え回数に上限があるため、管理情報の肥大化により管理情報の書き込み量が増加した場合には、不揮発性メモリの寿命に影響を及ぼす恐れがある。よって、従来の技術を用いたとしても、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができるとは限らない。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することが可能な、新規かつ改良された管理装置、および管理方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1の観点によれば、電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理する管理部を備え、上記管理部は、上記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、物理ブロックに対応する仮想ブロックを有する仮想領域と、上記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちの不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、上記物理ブロックの管理、上記仮想ブロックの管理、および上記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちのユーザデータを一時的に保持する物理ブロックである拡張ブロックの管理の3段階の管理単位で上記不揮発性メモリを管理し、上記物理ブロックの管理に用いる第1管理情報と、上記仮想ブロックの管理に用いる第2管理情報と、上記拡張ブロックの管理に用いる第3管理情報とを、上記不揮発性メモリに書き込む、管理装置が提供される。かかる構成により、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。また、上記管理部は、上記仮想領域の一の物理ブロックに不良が生じている場合には、上記不良が生じている物理ブロックである不良ブロックと対応する仮想ブロックと、上記代替領域の一の代替ブロックとを対応付け、上記仮想ブロックと上記代替ブロックとの対応関係を示す情報を、上記第1管理情報として上記不揮発性メモリに書き込み、上記第1管理情報を用いて上記物理ブロックの管理を行ってもよい。また、上記代替領域は、上記代替ブロックと、上記第1管理情報が記憶される物理ブロックである第1管理ブロックとに分類され、上記管理部は、上記第1管理ブロックへの上記第1管理情報の書き込みが完了した場合には、上記第1管理情報の書き込みが完了したことを示す第1完了情報を、上記第1管理ブロックに設定してもよい。また、上記管理部は、上記第1管理情報として、使用された代替ブロックのアドレスと上記代替ブロックと対応する上記仮想ブロックのアドレスとを対応付けた情報と、次に不良ブロックが発生した場合において割り当てる上記代替ブロックのアドレスと、代替された上記不良ブロックのアドレスとを書き込んでもよい。また、複数の上記仮想ブロックから構成される上記仮想領域は、ユーザデータを記憶する物理ブロックであるユーザデータブロックと、上記拡張ブロックと、消去がされた物理ブロックである空きブロックと、上記第2管理情報が記憶される物理ブロックである第2管理ブロックとに分類され、上記管理部は、ユーザデータを、上記ユーザデータのアドレス空間を上記仮想ブロックのサイズ単位に分割した論理ブロックで管理し、上記論理ブロックと上記仮想ブロックとの対応関係を示す第1変換情報と、上記拡張ブロックを示す情報とを、上記第2管理情報として上記第2管理ブロックに書き込み、上記第2管理情報を用いて上記仮想ブロックの管理を行ってもよい。また、上記管理部は、上記第2管理情報として、上記第1変換情報と、上記拡張ブロックを示す情報としての上記拡張ブロックに割り当てられた仮想ブロックアドレスと、上記空きブロックのアドレスと、次に書き込みを行う仮想ブロックのアドレスと、消去を行う仮想ブロックのアドレスとを書き込み、上記第2管理ブロックへの上記第2管理情報の書き込みが完了した場合には、上記第2管理情報の書き込みが完了したことを示す第2完了情報を、上記第2管理ブロックに設定し、上記第2管理情報における上記消去を行う仮想ブロックのアドレスに基づいて、対応する仮想ブロックを消去してもよい。また、上記管理部は、上記第2管理ブロックに上記第2管理情報が記憶されているときに、上記第2管理情報を書き込む場合には、記憶されている第2管理情報と新たに書き込む第2管理情報との差分を示す差分情報を、上記第2管理ブロックに書き込んでもよい。また、上記拡張ブロックは、上記ユーザデータを上記ユーザデータブロックに記憶させる前に一時的に記憶する物理ブロックであるキャッシュブロックと、上記キャッシュブロックに記憶した上記ユーザデータを上記ユーザデータブロックに書き込む処理であるライトバック処理の途中の物理ブロックである第1途中ブロックと、静的ウェアレベリング処理の途中の物理ブロックである第2途中ブロックと、上記第3管理情報が記憶される物理ブロックである第3管理ブロックとに分類され、上記管理部は、上記論理ブロックと上記キャッシュブロックとの対応関係を示す第2変換情報と、上記キャッシュブロック、上記第1途中ブロック、および上記第2途中ブロックそれぞれを示す情報とを、上記第3管理情報として上記第3管理ブロックに書き込み、上記第3管理情報を用いて上記拡張ブロックの管理を行ってもよい。また、上記管理部は、上記論理ブロックおよび上記キャッシュブロックそれぞれを、上記不揮発性メモリの最小書き込みサイズ以上、かつ上記仮想ブロックのサイズ未満のトランスレーションユニット単位に分割し、上記第3管理情報として、上記論理ブロックのトランスレーションユニットと上記キャッシュブロックのトランスレーションユニットとの対応関係を示す第3変換情報をさらに上記不揮発性メモリに書き込んでもよい。また、上記管理部は、上記第3管理ブロックへの上記第3管理情報の書き込みが完了した場合には、上記第3管理情報の書き込みが完了したことを示す第3完了情報を、上記第3管理ブロックに設定し、上記第3管理情報の上記第2変換情報に基づいて、使用されている上記キャッシュブロックの数が所定の数に達したかを判定し、所定の数に達したと判定した場合には、更新頻度が低い論理ブロックに対応するキャッシュブロック内のユーザデータに対するライトバック処理を行ってもよい。また、上記管理部は、LRULeastRecentlyUsed制御を用いて上記ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックを選択する、または、書き込みを行うユーザデータを論理ブロック単位に分割して、上記論理ブロック単位の書き込み回数を保持し、上記論理ブロック単位の書き込み回数が最小の論理ブロックに対応するキャッシュブロックを、上記ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックとして選択してもよい。また、上記管理部は、上記拡張ブロックへとデータを書き込むときにエラーが発生した場合には、エラーが発生した上記拡張ブロックに書き込んだデータを保持し、上記第2管理情報に記録された、次に書き込みを行う仮想ブロックのアドレスの情報に基づいて、対応する仮想ブロックに継続してデータを書き込み、エラーが発生した上記拡張ブロックに書き込んだデータと、継続して書き込んだ上記仮想ブロックのデータとを用いて、上記ライトバック処理を行ってもよい。また、上記仮想領域では、上記ユーザデータブロックを構成する物理ブロックの数よりも、上記拡張ブロックを構成する物理ブロックの数の方が大きくてもよい。また、上記管理部は、上記拡張ブロックに書き込むユーザデータを、連続した論理アドレス順に書き込んでもよい。また、上記管理部は、上記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、複数の上記仮想領域と上記仮想領域に対応する複数の代替領域とに分けて管理し、上記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、特定の仮想領域に記憶された上記第2管理情報を読み出し、読み出された上記第2管理情報に記録されている、他の仮想領域それぞれに対応する上記第2管理情報が記憶される場所の情報に基づいて、上記他の仮想領域それぞれに対応する上記第2管理情報を読み出してもよい。また、上記管理部は、上記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、上記不揮発性メモリから上記第1管理情報、上記第2管理情報、および上記第3管理情報を読み出し、読み出した上記第1管理情報に基づく書き込みエラーの判定と、読み出した上記第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定と、読み出した上記第3管理情報および上記拡張ブロックにおける最終書き込み済みのページアドレスとに基づく書き込みエラーの判定と、をそれぞれ行うことによって、書き込みエラーを判定し、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、上記不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させてもよい。また、上記管理部は、1つの不揮発性メモリを管理する場合には、1つの仮想ブロックを複数の物理ブロックに対応付け、複数の同種の不揮発性メモリを管理する場合には、1つの仮想ブロックを、複数の不揮発性メモリそれぞれの対応する物理ブロックに対応付けてもよい。また、上記不揮発性メモリよりもデータの書き込み、読み出しをより高速に行うことが可能な記録媒体をさらに備え、上記管理部は、上記不揮発性メモリの管理を開始する場合には、上記不揮発性メモリに記憶された上記管理情報を上記不揮発性メモリから読み出して、読み出した上記管理情報を上記記録媒体に記録し、上記記録媒体に記録した上記管理情報に基づいて、上記不揮発性メモリを管理してもよい。また、上記不揮発性メモリをさらに備えてもよい。上記目的を達成するために、本発明の第2の観点によれば、電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理するステップを有し、上記管理するステップは、上記不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、物理ブロックに対応する仮想ブロックを有する仮想領域と、上記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちの不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、上記物理ブロックの管理、上記仮想ブロックの管理、および上記仮想領域に含まれる物理ブロックのうちのユーザデータを一時的に保持する物理ブロックである拡張ブロックの管理の3段階の管理単位で上記不揮発性メモリを管理し、上記物理ブロックの管理に用いる第1管理情報と、上記仮想ブロックの管理に用いる第2管理情報と、上記拡張ブロックの管理に用いる第3管理情報とを、上記不揮発性メモリに書き込む、管理方法が提供される。かかる方法を用いることにより、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。本発明によれば、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、以下では、下記に示す順序で説明を行う。1.本発明の実施形態に係る管理方法2.本発明の実施形態に係る管理装置3.本発明の実施形態に係るプログラム本発明の実施形態に係る管理方法本発明の実施形態に係る管理装置以下、管理装置100と示す場合がある。の構成について説明する前に、本発明の実施形態に係る不揮発性メモリの管理方法について説明する。以下では、管理装置100が、本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を行うものとして説明する。また、以下では、本発明の実施形態に係る管理装置100の管理対象の不揮発性メモリが、NANDフラッシュメモリである場合を例に挙げて説明する。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100の管理対象の不揮発性メモリは、NAND型のフラッシュメモリに限られない。例えば、管理装置100は、電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しのサイズと、消去のサイズとが異なる、任意の不揮発性メモリを、管理対象の不揮発性メモリとすることが可能である。[本発明の実施形態に係る管理方法の概要]上述したように、従来の技術のように、不揮発性メモリの管理に用いる管理情報の肥大化により管理情報の書き込み量が増加した場合には、不揮発性メモリの寿命に影響を及ぼす恐れがある。また、管理情報の肥大化により管理情報の書き込み量が増加した場合には、管理情報を不揮発性メモリに書き込む際に要する時間が長くなることから、不揮発性メモリにおけるデータの読み出しやデータの書き込み、消去のパフォーマンスが低下する恐れがある。そこで、本発明の実施形態に係る管理装置100は、不揮発性メモリを複数段階で管理し、管理単位ごとの管理情報を不揮発性メモリに保存する。より具体的には、管理装置100は、例えば、物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理という3段階の管理単位で不揮発性メモリを管理する。そして、管理装置100は、物理ブロックの管理に用いる第1管理情報と、仮想ブロックの管理に用いる第2管理情報と、拡張ブロックの管理に用いる第3管理情報とを、不揮発性メモリに書き込むことによって、第1管理情報、第2管理情報、および第3管理情報以下、総称して管理情報と示す場合がある。それぞれを不揮発性メモリに保存する。上記のように、不揮発性メモリを複数段階で管理することによって、本発明の実施形態に係る各段階の管理に用いる管理単位ごとの管理情報それぞれのサイズは、従来の技術に係る管理情報のサイズよりもより小さくなる。よって、管理装置100は、管理単位ごとの管理情報を不揮発性メモリに保存することによって、従来の技術よりも不揮発性メモリに管理情報を保存する際の書き込み量を減らすことが可能となり、また、不揮発性メモリに保存された管理情報を用いて不揮発性メモリを管理することが可能となる。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、不揮発性メモリを管理することができる。また、管理装置100は、管理情報のサイズを従来の技術に係る管理情報のサイズよりも小さくすることが可能であるので、従来の技術を用いる場合において例えば管理情報を書き込むときに生じうる、パフォーマンスの低下を防止することができる。以下、より具体的に、本発明の実施形態に係る管理方法について説明する。以下では、管理装置100が、物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理という3段階の管理単位で不揮発性メモリを管理する場合を例に挙げて、本発明の実施形態に係る管理方法について説明する。なお、本発明の実施形態に係る管理方法は、3段階の管理単位で不揮発性メモリを管理することに限られない。例えば、管理装置100は、管理単位を2段階例えば、物理ブロックの管理と、拡張ブロックの管理を含む仮想ブロックの管理とを行う場合、または4段階以上例えば、さらに空きブロックVFBの管理を行う場合とすることも可能である。上記の場合であっても、管理装置100は、従来の技術よりも不揮発性メモリに管理情報を保存する際の書き込み量を減らすことができ、また、不揮発性メモリに保存された管理情報を用いて不揮発性メモリを管理することができる。図1、図2は、本発明の実施形態に係る管理装置100における不揮発性メモリの管理を説明するための説明図である。ここで、図1は、例えば、画像動画像/静止画像や音声音楽も含むなどを示すコンテンツデータや、テキストデータ、アプリケーションデータなどの不揮発性メモリに保存されるデータ以下、ユーザデータと示す。が不揮発性メモリに書き込まれているときにおける、不揮発性メモリの状態の一例を示している。また、図2は、不揮発性メモリにユーザデータが書き込まれていない、不揮発性メモリの初期状態を示している。図1に示すように、不揮発性メモリは、複数の物理ブロックPBから構成される。管理装置100は、不揮発性メモリを、仮想領域A1と、代替領域A2とに分ける。ここで、代替領域A2とは、仮想領域A1に含まれる物理ブロックのうちの不良が発生している物理ブロック以下、不良ブロックと示す。を代替する代替ブロックを有する領域である。本発明の実施形態に係る代替処理については、後述する。また、以下では、仮想領域A1に含まれる物理ブロックを仮想ブロックまたはVBと示す場合がある。なお、本発明の実施形態に係る仮想ブロックと、仮想領域A1を構成する物理ブロックPBとは、一対一に対応していてもよいし、一対多に対応していてもよい。つまり、本発明の実施形態に係る仮想ブロックのサイズは、物理ブロックPBのサイズと一致していてもよいし、物理ブロックPBのサイズの整数倍であってもよい。以下では、仮想ブロックと物理ブロックPBとが一対一に対応する場合を主に例に挙げて説明する。まず、仮想領域A1について説明する。仮想領域A1は、ユーザデータブロックVUBと、拡張ブロックEBと、空きブロックVFBと、第2管理ブロックVMBとに分類される。ここで、ユーザデータブロックVUBは、ユーザデータを記憶する物理ブロックであり、ユーザデータブロックVUBの総サイズは、例えばユーザがデータを書き込むことが可能な容量を示す。また、拡張ブロックEBは、ユーザデータを一時的に保持する物理ブロックである。また、空きブロックVFBは、データの消去がされた物理ブロックすなわち、データが書き込まれていない物理ブロックであり、第2管理ブロックVMBは、第2管理情報が記憶される物理ブロックである。なお、図1では、ユーザデータブロックVUBと拡張ブロックEBとが、複数の物理ブロックから構成されているように示しているが、図1に示すユーザデータブロックVUB、拡張ブロックEBを構成する物理ブロックそれぞれを、ユーザデータブロックVUB、拡張ブロックEBと捉えてもよい。また、図1に示す空きブロックVFBについても、図1に示すユーザデータブロックVUB、拡張ブロックEBと同様である。また、ユーザデータブロックVUBを構成する物理ブロックPBの数と、拡張ブロックEBを構成する物理ブロックPBの数とは、例えば管理装置100が設定する。ここで、管理装置100は、ユーザデータブロックVUBに係る物理ブロックPBの数と、拡張ブロックEBに係る物理ブロックPBの数とを、予め規定された数に設定するが、管理装置100における処理は、上記に限られない。例えば、管理装置100は、操作部後述するから伝達されるユーザ操作に応じた操作信号、または、リモートコントローラなどの外部操作デバイスから送信されたユーザ操作に応じた外部操作信号に基づいて、ユーザデータブロックVUBに係る物理ブロックPBの数と、拡張ブロックEBに係る物理ブロックPBの数とを設定または再設定することも可能である。ここで、例えば、ユーザデータブロックVUBを構成する物理ブロックPBの数よりも、拡張ブロックEBを構成する物理ブロックPBの数の方が大きく設定された場合には、管理装置100は、ライトバック処理が行われる頻度の低減と、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減とを図ることができる。よって、上記の場合には、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができるので、管理対象の不揮発性メモリが含まれるメモリシステムが使用可能な期間をより長くすることがきる。また、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減を図ることによって、管理装置100は、書き換え処理が行われることより生じうる速度低下などの不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。拡張ブロックEBは、キャッシュブロックECBと、ライトバックブロックEWBB第1途中ブロックと、ウェアレベリングブロックEWLB第2途中ブロックと、第3管理ブロックEMBとに分類される。ここで、キャッシュブロックECBは、ユーザデータをユーザデータブロックVUBに記憶させる前に一時的に記憶する物理ブロックである。また、ライトバックブロックEWBBは、キャッシュブロックECBに記憶したユーザデータをユーザデータブロックVUBに書き込む処理であるライトバック処理の途中の物理ブロックである。また、ウェアレベリングブロックEWLBは、静的ウェアレベリング処理の途中の物理ブロックであり、第3管理ブロックEMBは、第3管理情報が記憶される物理ブロックである。仮想領域A1は、例えば上記のような構成を有する。次に、代替領域A2について説明する。代替領域A2は、代替処理後述するに用いられる代替ブロックPABと、第1管理情報が記憶される物理ブロックである第1管理ブロックPMBとに分類される。管理装置100は、例えば図1に示す構成の物理ブロックPB、仮想ブロック、および拡張ブロックEBそれぞれを管理することによって、管理対象の不揮発性メモリを管理する。次に、管理装置100における不揮発性メモリの管理に係る処理の概要について説明する。図3は、本発明の実施形態に係る管理装置100における不揮発性メモリの管理に係る処理の概要を説明するための説明図である。ここで、図3は、不揮発性メモリの管理を制御するソフトウェアの構成の一例を示している。i書き込み処理例えば実行しているファイルシステムやアプリケーションなどから伝達される書き込み命令とデータとを、拡張ブロック管理レイヤ以下、EMBレイヤと示す。が受け取るS100。EMBレイヤは、第3管理情報以下、EBIと示す場合がある。を参照し、仮想ブロック管理レイヤ以下、VMBレイヤと示す。に書き込み命令を伝達する。書き込み命令が伝達されると、VMBレイヤは、第2管理情報以下、VBIと示す場合がある。を参照し、物理ブロック管理レイヤ以下、PMBレイヤと示す。に書き込み命令を伝達する。書き込み命令が伝達されると、PMBレイヤは、第1管理情報以下、PBIと示す場合がある。を参照し、不揮発性メモリの物理ブロックPBにデータを書き込むS102。書き込み処理に応じた応答が不揮発性メモリから伝達されるとS104、PMBレイヤは、VMBレイヤに応答を伝達する。また、VMBレイヤは、伝達された応答をEMBレイヤに伝達する。そして、EMBレイヤは、伝達された応答を、書き込み命令を伝達したファイルシステムやアプリケーションなどに伝達するS106。管理装置100では、例えば上記のような処理によって、書き込み命令に応じて不揮発性メモリにデータが書き込まれる。ii読み出し処理例えば実行しているファイルシステムやアプリケーションなどから伝達される読み出し命令を、EMBレイヤが受け取るS100。EMBレイヤは、第3管理情報を参照し、VMBレイヤに読み出し命令を伝達する。読み出し命令が伝達されると、VMBレイヤは、第2管理情報を参照し、PMBレイヤに書き込み命令を伝達する。読み出し命令が伝達されると、PMBレイヤは、第1管理情報を参照し、不揮発性メモリに読み出し命令を伝達するS102。読み出し終了の応答と読み出し命令に応じたデータとが不揮発性メモリから伝達されるとS104、PMBレイヤは、VMBレイヤに応答とデータとを伝達する。また、VMBレイヤは、伝達された応答とデータとをEMBレイヤに伝達する。そして、EMBレイヤは、伝達された応答とデータとを、読み出し命令を伝達したファイルシステムやアプリケーションなどに伝達するS106。管理装置100では、例えば上記のような処理によって、読み出し命令に応じて不揮発性メモリからデータが読み出される。管理装置100では、例えば図3に示すように、EMBレイヤ、VMBレイヤ、PMBレイヤの3段階のレイヤを介して、不揮発性メモリへのデータの書き込みや、不揮発性メモリからのデータの読み出しが行われる。次に、本発明の実施形態に係る物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理それぞれについて、より具体的に説明する。I物理ブロックの管理の一例管理装置100は、第1管理情報を用いて、仮想ブロックと対応付けられている物理ブロックPBが不良ブロックである場合には、当該不良ブロックを代替領域A2の代替ブロックに置き換える。また、管理装置100は、不良ブロックと対応する仮想ブロックと置き換えた代替ブロックとを対応付け、当該仮想ブロックと当該代替ブロックとの対応関係を示す情報を、第1管理情報として不揮発性メモリに書き込む。そして、管理装置100は、第1管理情報を用いて物理ブロックの管理を行う。ここで、上記不良ブロックは、例えば、不揮発性メモリの製造時に生じたものであってもよいし、事後的に不良ブロックとなったものであってもよい。図4は、本発明の実施形態に係る管理装置100における物理ブロックの管理の一例を説明するための説明図である。ここで、図4では、図4のBに示すように、仮想ブロックと物理ブロックとが一対一に対応する場合の例を示している。例えば図4に示す物理ブロックPB1と物理ブロックPB10とが不良ブロックである場合には、管理装置100は、物理ブロックPB1および物理ブロックPB10それぞれを、代替ブロック図4に示す例では、物理ブロックPB2007および物理ブロックPB2008に置き換える。そして、管理装置100は、不良ブロックと、当該不良ブロックを置き換えた代替ブロックとの対応関係を示す情報を、第1管理情報として第1管理ブロックPMBに書き込む。図5は、本発明の実施形態に係る管理装置100が管理する不揮発性メモリの第1管理ブロックPMBの一例を示す説明図である。また、図5では、本発明の実施形態に係る第1管理情報の一例を併せて示している。第1管理ブロックPMBには、例えば、第1管理情報と、第1管理情報の書き込みが完了したことを示す第1完了情報とが記憶される。ここで、図5では、第1完了情報の書き込みが完了したか否かを示すフラグである例を示しているが、本発明の実施形態に係る第1完了情報がフラグに限られないことは、言うまでもない。以下では、第1完了情報または、後述する第2完了フラグ、第3完了フラグの書き込みが完了したか否かを示すフラグを、書き込み完了フラグと示す場合がある。また、本発明の実施形態に係る第1管理情報は、例えば、仮想ブロックVBと代替ブロックPABとの変換情報と、次に不良ブロックが発生した場合において割り当てる代替ブロック以下、PATBと示す場合がある。の情報と、代替された不良ブロック以下、PPEBと示す場合がある。の情報とを有する。ここで、仮想ブロックVBと代替ブロックPABとの変換情報は、上記不良ブロックを置き換えた代替ブロックとの対応関係を示す情報に該当する。仮想ブロックVBと代替ブロックPABとの変換情報としては、例えば仮想ブロックVBと代替ブロックPABとが対応付けられたテーブルなど、使用された代替ブロックのアドレスと代替ブロックと対応する仮想ブロックのアドレスとを対応付けた情報が挙げられる。また、PATBとしては、例えば、次に不良ブロックが発生した場合において割り当てる代替ブロックのアドレスが挙げられ、PPEBとしては、例えば、代替された不良ブロックのアドレスが挙げられる。管理装置100は、例えば図4に示すような代替処理を行った後に第1管理情報を更新する場合または、第1管理情報を新規生成する場合には、第1管理情報を第1管理ブロックPMBへ書き込む。そして、管理装置100は、第1管理ブロックPMBへの第1管理情報の書き込みが完了した場合には、第1管理情報の書き込みが完了したことを示す第1完了情報を、第1管理ブロックPMBに設定する。例えば図5の例では、管理装置100は、第1管理ブロックPMBへの第1管理情報の書き込みが完了した場合には、フラグを書き込みが完了したことを示す値に設定する。管理装置100は、例えば上記のような処理を行うことによって、物理ブロックの管理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における物理ブロックの管理は、上記に限られない。例えば、図4では、仮想ブロックと物理ブロックとが一対一に対応する例を示したが、管理装置100は、仮想ブロックと物理ブロックとを一対多に対応付けて管理することも可能である。図6、図7は、本発明の実施形態に係る管理装置100の不揮発性メモリの管理における、仮想ブロックと物理ブロックとの対応関係の一例を示す説明図である。ここで、図6は、管理装置100が、1つの不揮発性メモリを管理する場合における、仮想ブロックと物理ブロックとの対応関係の一例を示している。また、図7は、管理装置100が、複数の不揮発性メモリを管理する場合における、仮想ブロックと物理ブロックとの対応関係の一例を示している。ここで、上記複数の不揮発性メモリとしては、例えば、同種の不揮発性メモリが挙げられる。図6に示すように、1つの不揮発性メモリを管理する場合には、管理装置100は、1つの仮想ブロックを複数の物理ブロックに対応付ける。より具体的には、管理装置100は、例えば、アドレスが連続する物理ブロックや、演算処理により一意に求められる複数の物理ブロックを、仮想ブロックと対応付ける。なお、図6では、1つの仮想ブロックと2つの物理ブロックとが対応付けられる例を示しているが、管理装置100が、1つの仮想ブロックと3以上の物理ブロックとを対応付けることが可能なことは、言うまでもない。また、図7に示すように、複数の不揮発性メモリを管理する場合には、管理装置100は、1つの仮想ブロックを、複数の不揮発性メモリそれぞれの対応する物理ブロックに対応付ける。つまり、管理装置100は、複数の不揮発性メモリを並列に管理する。図6、図7に示すように、仮想ブロックと物理ブロックとが一対多に対応付けられることによって、仮想ブロックのサイズブロックサイズは、仮想ブロックと物理ブロックとが一対一に対応付けられる場合よりもより大きくなる。また、仮想ブロックのサイズがより大きくなることによって、不揮発性メモリにおける拡張ブロックECBのサイズは、仮想ブロックと物理ブロックとが一対一に対応付けられる場合よりもより大きくなる。よって、管理装置100は、拡張ブロックECBに書き込むことが可能なデータ量をより増やすことが可能となるので、例えば、ライトバック処理が行われる頻度の低減と、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減とを図ることができる。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができるので、管理対象の不揮発性メモリが含まれるメモリシステムが使用可能な期間をより長くすることがきる。また、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減を図ることによって、管理装置100は、書き換え処理が行われることより生じうる速度低下などの不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。II仮想ブロックの管理の一例次に、本発明の実施形態に係る仮想ブロックの管理の一例について説明する。管理装置100は、ユーザデータを、例えば、ユーザデータのアドレス空間を仮想ブロックのサイズ単位に分割した論理ブロック以下、LBと示す場合がある。で管理する。また、管理装置100は、例えば、論理ブロックと仮想ブロックとの対応関係を示す第1変換情報と、拡張ブロックを示す情報とを、第2管理情報として不揮発性メモリに書き込む。そして、管理装置100は、第2管理情報を用いて仮想ブロックの管理を行う。図8は、本発明の実施形態に係る管理装置100における仮想ブロックの管理の一例を説明するための説明図である。管理装置100は、第2管理情報を用いることによって、例えば図8のDに示すように、論理ブロックと仮想ブロックとの対応関係、および、どの仮想ブロックが拡張ブロックであるかを管理する。図9は、本発明の実施形態に係る管理装置100が管理する不揮発性メモリの第2管理ブロックVMBの一例を示す説明図である。また、図9では、本発明の実施形態に係る第2管理情報の一例を併せて示している。第2管理ブロックVMBには、例えば、第2管理情報と、第2管理情報の書き込みが完了したことを示す第2完了情報とが記憶される。ここで、図9では、第2完了情報の書き込みが完了したか否かを示すフラグである例を示しているが、本発明の実施形態に係る第2完了情報がフラグに限られないことは、言うまでもない。また、本発明の実施形態に係る第2管理情報は、例えば、論理ブロックとユーザブロックとの変換情報と、拡張ブロックと仮想ブロックとの変換情報と、空きブロックVFBを示す情報と、次に書き込みを行う仮想ブロック以下、VWTBと示す場合がある。の情報と、消去を行う予定の仮想ブロック以下、VETBと示す場合がある。の情報とを有する。ここで、論理ブロックとユーザブロックとの変換情報は、上記第1変換情報に該当する。論理ブロックとユーザブロックとの変換情報としては、例えば論理ブロックとユーザブロックとが対応付けられたテーブルなど、論理ブロックのアドレスとユーザブロックのアドレスとを対応付けた情報が挙げられる。また、拡張ブロックと仮想ブロックとの変換情報は、上記拡張ブロックを示す情報に該当する。拡張ブロックと仮想ブロックとの変換情報としては、例えば、拡張ブロックとして割り当てられた仮想ブロックのアドレスが挙げられる。また、VWTBとしては、例えば、空きブロックのアドレスが挙げられ、VETBとしては、例えば、消去を行う仮想ブロックのアドレスが挙げられる。管理装置100は、例えば図9に示す構成の第2管理情報を用いることによって、論理ブロックによるユーザデータの管理、論理ブロックとユーザデータブロックとの対応関係の管理、拡張ブロックとして割り当てられた仮想ブロックの管理、空きブロック使用されていない仮想ブロックの管理、VWTBの管理、およびVETBの管理を行うことができる。なお、本発明の実施形態に係る第2管理情報が、図9に示す構成に限られないことは、言うまでもない。管理装置100は、ユーザデータの書き込み新規書き込み、または更新を行う場合には、例えば、第2管理情報のVWTBが示す仮想ブロックに書き込みを行い、第2管理情報を更新する。そして、管理装置100は、第2管理情報を第2管理ブロックVMBへ書き込む。また、管理装置100は、第2管理ブロックVMBへの第2管理情報の書き込みが完了した場合には、第2管理情報の書き込みが完了したことを示す第2完了情報を、第2管理ブロックVMBに設定する。例えば図9の例では、管理装置100は、第2管理ブロックVMBへの第2管理情報の書き込みが完了した場合には、フラグを書き込みが完了したことを示す値に設定する。また、第2管理情報にVETBが設定されている場合には、管理装置100は、第2管理情報のVETBが示す仮想ブロックを消去する。そして、管理装置100は、第2管理情報のVETBを更新する。なお、上記VETBが示す仮想ブロックの消去と、第2管理情報のVETBの更新とは、第2管理情報を第2管理ブロックVMBへ書き込む前に行うことも可能である。管理装置100は、例えば上記のような処理を行うことによって、仮想ブロックの管理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における仮想ブロックの管理は、上記に限られない。例えば、管理装置100は、第2管理ブロックVMBに第2管理情報が記憶されているときに、更新された第2管理情報を第2管理ブロックVMBに書き込む場合には、記憶されている第2管理情報と新たに書き込む第2管理情報との差分を示す差分情報を、第2管理ブロックVMBに書き込むことも可能である。図10は、本発明の実施形態に係る管理装置100における仮想ブロックの管理の他の例を説明するための説明図である。図10に示すように、管理装置100は、上記の場合において、例えば、記憶されている第2管理情報に対する変更分の情報差分情報と、当該情報の書き込みが完了したことを示すフラグ完了情報の一例とを、第2管理ブロックVMBに書き込む。例えば図10に示すように、第2管理情報を保存するときに、第2管理情報の全情報サイズを保存するのではなく、差分情報のみを第2管理ブロックVMBに保存することによって、第2管理情報の書き込みの際のサイズの低減と、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減とを図ることができる。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができるので、管理対象の不揮発性メモリが含まれるメモリシステムが使用可能な期間をより長くすることがきる。また、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減を図ることによって、管理装置100は、書き換え処理が行われることより生じうる速度低下などの不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。III拡張ブロックの管理の一例次に、本発明の実施形態に係る拡張ブロックの管理の一例について説明する。管理装置100は、論理ブロックLBとキャッシュブロックECBとの対応関係を示す第2変換情報と、キャッシュブロックECB、ライトバックブロックEWBB、およびウェアレベリングブロックEWLBそれぞれを示す情報とを、第3管理情報として第3管理ブロックEMBに書き込む。そして、管理装置100は、第3管理情報を用いて仮想ブロックの管理を行う。図11は、本発明の実施形態に係る管理装置100における拡張ブロックEBの管理の一例を説明するための説明図である。管理装置100は、第3管理情報を用いることによって、例えば図8のEに示すように、論理ブロックLBとキャッシュブロックECBとの対応関係を管理する。また、管理装置100は、第3管理情報を用いることによって、例えば図8のFに示すように、キャッシュブロックECB、ライトバックブロックEWBB、およびウェアレベリングブロックEWLBそれぞれが、どの拡張ブロックに対応するかを管理する。また、管理装置100は、例えば、論理ブロックLBおよびキャッシュブロックECBそれぞれをトランスレーションユニット単位に分割して、論理ブロックLBとキャッシュブロックECBとをトランスレーションユニットごとに対応付けて管理することも可能である。ここで、本発明の実施形態に係るトランスレーションユニットとは、不揮発性メモリの最小書き込みサイズ以上、かつ仮想ブロックのサイズ未満のユニットである。トランスレーションユニットとしては、例えば、ブロックサイズの整数分の1かつページサイズの整数倍のユニットが挙げられる。以下では、論理ブロックLBのトランスレーションユニットをLTUと示し、また、キャッシュブロックECBのトランスレーションユニットをECTUと示す場合がある。図12は、本発明の実施形態に係る論理ブロックLBのトランスレーションユニットと、キャッシュブロックECBのトランスレーションユニットとの対応付けの一例を示す説明図である。管理装置100は、例えば図12のGに示すように、論理ブロックLBに対応した拡張ブロックECB内では、LTUの番号に依存せずにLTUと任意のECTUとを対応付けることが可能である。また、管理装置100は、論理ブロックLB内の各LTUと、拡張ブロックECB、ECTUとの対応関係を示す第3変換情報を、第3管理情報として第3管理ブロックEMBに書き込む。上記によって、管理装置100は、論理ブロックLBとキャッシュブロックECBとをトランスレーションユニットごとに対応付けて管理することができる。図13は、本発明の実施形態に係る管理装置100が管理する不揮発性メモリの第3管理ブロックEMBの一例を示す説明図である。また、図13では、本発明の実施形態に係る第3管理情報の一例を併せて示している。第3管理ブロックEMBには、例えば、第3管理情報と、第3管理情報の書き込みが完了したことを示す第3完了情報とが記憶される。ここで、図13では、第3完了情報の書き込みが完了したか否かを示すフラグである例を示しているが、本発明の実施形態に係る第3完了情報がフラグに限られないことは、言うまでもない。また、本発明の実施形態に係る第3管理情報は、例えば、拡張ブロックECB、ライトバックブロックEWBB、およびウェアレベリングブロックEWLBそれぞれの最終書き込み済みページアドレス以下、LWPと示す場合がある。と、論理ブロックLBと拡張ブロックECBとの変換情報と、LTUとECTUとの変換情報と、ライトバックブロックEWBBの情報と、ウェアレベリングブロックEWLBの情報とを有する。ここで、論理ブロックLBと拡張ブロックECBとの変換情報は、上記第2変換情報に該当する。論理ブロックLBと拡張ブロックECBとの変換情報としては、例えば論理ブロックLBと拡張ブロックECBとが対応付けられテーブルなど、論理ブロックLBのアドレスと拡張ブロックECBのアドレスとを対応付けた情報が挙げられる。また、LTUとECTUの変換情報は、上記第3変換情報に該当する。LTUとECTUの変換情報としては、例えばLTUとECTUとが対応付けられたテーブル以下、LTU-ECTUテーブルと示す場合がある。など、各LTUのアドレスとECTUのアドレスとを対応付けた情報が挙げられる。また、ライトバックブロックEWBBの情報としては、例えば、ライトバックブロックEWBBとして割り当てられた仮想ブロックのアドレスが挙げられ、ウェアレベリングブロックEWLBの情報としては、ウェアレベリングブロックEWLBとして割り当てられた仮想ブロックのアドレスが挙げられる。管理装置100は、例えば図13に示す構成の第3管理情報を用いることによって、LWPの管理、論理ブロックLBと拡張ブロックECBとの対応関係の管理、LTUとECTUとの対応関係の管理、ライトバックブロックEWBBの管理、および、ウェアレベリングブロックEWLBの管理を行うことができる。なお、本発明の実施形態に係る第3管理情報は、図13に示す構成に限られない。例えば、管理装置100が、例えば図12に示すように論理ブロックLBとキャッシュブロックECBとをトランスレーションユニットごとに対応付けて管理する構成でない場合には、本発明の実施形態に係る第3管理情報は、第3変換情報を含んでいなくてもよい。管理装置100は、例えばユーザデータの書き込みなどに応じて、各拡張ブロックEBに書き込みを行った場合には、第3管理情報を更新する。そして、管理装置100は、第3管理情報を第3管理ブロックEMBへ書き込む。また、管理装置100は、第3管理ブロックEMBへの第3管理情報の書き込みが完了した場合には、第3管理情報の書き込みが完了したことを示す第3完了情報を、第3管理ブロックEMBに設定する。例えば図13の例では、管理装置100は、第3管理ブロックEMBへの第3管理情報の書き込みが完了した場合には、フラグを書き込みが完了したことを示す値に設定する。また、管理装置100は、上記第3完了情報の第3管理ブロックEMBへの設定が完了した場合には、例えば、第3管理情報の第2変換情報に基づいて、使用されているキャッシュブロックECBの数使用数が所定の数に達したかをさらに判定することも可能である。ここで、本発明の実施形態に係る所定の数に達したかの判定とは、例えば、キャッシュブロックECBの数が所定の数以上となったことの判定、または、キャッシュブロックECBの数が所定の数を超えたことの判定を意味する。そして、管理装置100は、所定の数に達したと判定した場合には、更新頻度が低い論理ブロックLBに対応するキャッシュブロックECB内のユーザデータに対するライトバック処理を行う。ここで、管理装置100が、使用されているキャッシュブロックECBの数が所定の数に達したかの判定に用いる所定の数は、例えば、予め設定されたものであってもよいし、または、ユーザ操作に応じた操作信号や外部操作信号に基づいて設定または再設定されたものであってもよい。また、管理装置100は、所定の数に達したと判定した場合には、例えば、LRU制御を用いて、更新頻度が低い論理ブロックLBに対応するキャッシュブロックECB、すなわち、ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックECBを選択する。なお、本発明の実施形態に係るライトバック処理の対象となるキャッシュブロックECBの選択方法は、LRU制御を用いる方法に限られない。例えば、管理装置100は、書き込みを行うユーザデータを論理ブロック単位に分割して、論理ブロック単位の書き込み回数を保持し、当該書き込み回数に基づいて、ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックECBを選択することも可能である。より具体的には、管理装置100は、例えば、論理ブロック単位の書き込み回数が最小の論理ブロックに対応するキャッシュブロックECBを、ライトバック処理の対象となるキャッシュブロックとして選択する。上記のようにライトバック処理を行うことによって、管理装置100は、拡張ブロックECBを効率的に使用することが可能となるので、例えば不揮発性メモリの書き換え頻度の低減を図ることができる。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができるので、管理対象の不揮発性メモリが含まれるメモリシステムが使用可能な期間をより長くすることがきる。また、不揮発性メモリの書き換え頻度の低減を図ることによって、管理装置100は、書き換え処理が行われることより生じうる速度低下などの不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。管理装置100は、例えば上記のような処理を行うことによって、拡張ブロックの管理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における管理ブロックの管理方法は、上記に限られない。[本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理の具体例]本発明の実施形態に係る管理装置100は、例えば上記I~IIIに示すように物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理という3段階で不揮発性メモリの管理を行う。次に、本発明の実施形態に係る不揮発性メモリの管理方法に係る処理の具体例について説明する。1管理開始時における処理例えば、不揮発性メモリのマウント時の処理管理装置100は、不揮発性メモリの管理を開始する場合には、不揮発性メモリに記憶された管理情報を不揮発性メモリから読み出して、読み出した管理情報を記録媒体に記録する。そして、管理装置100は、記録媒体に記録した管理情報に基づいて、不揮発性メモリを管理する。ここで、上記記録媒体としては、例えばRAMRandomAccessMemory。図示せずなどのように、不揮発性メモリよりもデータの書き込み、読み出しをより高速に行うことが可能な記録媒体が挙げられる。上記のように、管理開始時において、不揮発性メモリよりもデータの書き込み、読み出しをより高速に行うことが可能な記録媒体に管理情報を記録展開し、当該記録媒体に記録した管理情報を用いることによって、管理が開始されるまでの時間をより短縮することが可能となる。ここで、上記管理が開始されるまでの時間は、例えば、管理対象の不揮発性メモリが含まれるメモリシステムが起動されるまでの時間と捉えることもできる。また、管理装置100は、本発明の実施形態に係る管理情報のサイズを従来の技術に係る管理情報のサイズよりも小さくすることが可能であるので、上記記録媒体に管理情報を展開したとしても、管理情報の展開によって上記記録媒体を圧迫する可能性は低減される。以下では、上記不揮発性メモリが、RAMである場合を例に挙げて説明する。図14は、本発明の実施形態に係る管理装置100における不揮発性メモリの管理開始時における処理の一例を示す流れ図である。ここで、図14は、管理装置100における不揮発性メモリのマウント時における処理の一例を示している。管理装置100は、代替領域A2の第1管理領域PMBを検索するS200。また、管理装置100は、第1管理領域PMB内から最新の第1管理情報を検索し、書き込み完了フラグを確認して、書き込み完了フラグが書き込みが完了したことを示す場合に、第1管理情報をRAMに展開するS202。また、管理装置100は、第1管理情報からPATBを取得し、PATBが消去済みであるか否かを確認するS204。ここで、管理装置100におけるステップS200~S204の処理は、第1管理ブロックPMB内の最終書き込み済みページが第1完了情報であるか否か、および、第1管理情報内のPATBが消去済みであるか否かを判定する処理に相当する。また、上記判定は、読み出した第1管理情報に基づく書き込みエラーの判定に該当する。上記のように第1管理情報に基づく書き込みエラーの判定を行うことによって、管理装置100は、例えば電源断など何らかの不測の事態によって、書き込みが中断した場合や、消去が中断した場合であっても、書き込みエラーの発生を検出することができる。また、図14では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図14に示す処理を終了する。上記のように、例えば電源断など何らかの不測の事態によって、書き込みが中断したことまたは消去が中断したことを判定して、不揮発性メモリを処理前の状態へと復旧させることによって、管理装置100は、例えば、不測の事態発生時に書き込み中または消去中だった箇所のデータ化けの発生を防止することができる。ここで、上記不揮発性メモリを処理前の状態への復旧方法としては、例えば、管理情報内の、書き込みが完了していることを示す第1完了情報、第2完了情報、および第3完了情報に対応する最新の管理情報を用いて復旧を行うことが挙げられる。なお、上記不揮発性メモリを処理前の状態への復旧方法が、上記に限られないことは、言うまでもない。また、ステップS204の処理が行われると、管理装置100は、仮想領域A1の第2管理ブロックVMBを検索するS206。また、管理装置100は、第2管理ブロックVMB内から最新の第2管理情報を検索し、書き込み完了フラグを確認して、書き込み完了フラグが書き込みが完了したことを示す場合に、第2管理情報をRAMに展開するS208。また、管理装置100は、第2管理情報からVWTBを取得し、VWTBが消去済みであるか否かを確認するS210。ここで、管理装置100におけるステップS206~S210の処理は、第2管理ブロックVMB内の最終書き込み済みページが第2完了情報であるか否か、および、第2管理情報内のVWTBが消去済みであるか否かを判定する処理に相当する。また、上記判定は、読み出した第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定に該当する。上記のように第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定を行うことによって、管理装置100は、例えば電源断など何らかの不測の事態によって、書き込みが中断した場合や、消去が中断した場合であっても、書き込みエラーの発生を検出することができる。また、図14では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図14に示す処理を終了する。また、ステップS210の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報にVETBが設定されている場合には、設定されているVETBに対応する仮想ブロックを消去しS212、第2管理情報を参照して拡張ブロックEBを特定するS214。管理装置100は、特定した拡張ブロックEBの第3管理ブロックEMB内から最新の第3管理情報を検索し、書き込み完了フラグを確認して、書き込み完了フラグが書き込みが完了したことを示す場合に、第3管理情報をRAMに展開するS216。また、管理装置100は、拡張ブロックEBのLWPを検索し、拡張ブロックEBのLWPと第3管理情報のLWPとを比較して一致するか否かを確認するS218。ここで、管理装置100におけるステップS216、S218の処理は、第3管理ブロックEMB内の最終書き込み済みページが第3完了情報であるか否か、および、第3管理ブロックEMB内の最終書き込み済みページ内のLWPと、不揮発性メモリの拡張ブロックEBのLWPとの状態が一致するか否かを判定する処理に相当する。また、上記判定は、読み出した第3管理情報および拡張ブロックEBにおける最終書き込み済みのページアドレスとに基づく書き込みエラーの判定に該当する。上記のように第3管理情報および拡張ブロックEBにおける最終書き込み済みのページアドレスとに基づく書き込みエラーの判定を行うことによって、管理装置100は、例えば電源断など何らかの不測の事態によって、書き込みが中断した場合や、消去が中断した場合であっても、書き込みエラーの発生を検出することができる。また、図14では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図14に示す処理を終了する。管理装置100は、例えば図14に示す処理を、管理開始時における処理として行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における管理開始時における処理は、図14に示す処理に限られない。例えば、管理装置100は、不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、複数の仮想領域A1と当該仮想領域A1に対応する複数の代替領域A2とに分け、複数の第2管理情報を用いて不揮発性メモリを管理することも可能である。図15は、本発明の実施形態に係る管理装置100における不揮発性メモリの管理開始時における処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図15は、管理装置100が、不揮発性メモリに2つの仮想領域A1および2つの代替領域A2を設け、それぞれの仮想領域A1に対応する第2管理情報を用いて管理する場合における、管理装置100における不揮発性メモリのマウント時における処理の一例を示している。以下では、第1の仮想領域A1に対応する第2管理情報を第1の第2管理情報と示し、第2の仮想領域A1に対応する第2管理情報を第2の第2管理情報と示す。管理装置100は、第1の仮想領域A1に対応する第1の代替領域A2、および第2の仮想領域A1に対応する第2の代替領域A2それぞれに対して、図14に示すステップS200~S204と同様の処理を行うS300~S304。なお、図15では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、例えば図14に示す処理と同様に、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図15に示す処理を終了する。また、ステップS304の処理が行われると、管理装置100は、第1の仮想領域A1の第2管理ブロックVMBを検索するS306。また、管理装置100は、第1の仮想領域A1の第2管理ブロックVMB内から最新の第1の第2管理情報を検索し、書き込み完了フラグを確認して、書き込み完了フラグが書き込みが完了したことを示す場合に、第1の第2管理情報をRAMに展開するS308。また、管理装置100は、第1の第2管理情報からVWTBを取得し、VWTBが消去済みであるか否かを確認するS310。ここで、管理装置100におけるステップS306~S310の処理は、図14のステップS206~S210の処理と同様に、読み出した第1の第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定に該当する。また、図15では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、例えば図14に示す処理と同様に、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図15に示す処理を終了する。また、ステップS310の処理が行われると、管理装置100は、第1の第2管理情報にVETBが設定されている場合には、設定されているVETBに対応する仮想ブロックを消去するS312。また、読み出された第1の第2管理情報に記録されている、第2の仮想領域A2に対応する第2の第2管理情報が記憶される場所の情報に基づいて、第2の第2管理情報に対応する第2管理ブロックVMBを特定するS314。管理装置100は、例えば上記のように、読み出された第1の第2管理情報に記録されている他の仮想領域A2それぞれに対応する第2管理情報が記憶される場所の情報に基づいて、他の仮想領域A2それぞれに対応する第2管理ブロックVMBを特定する。よって、管理装置100は、他の仮想領域A2それぞれに対応する第2管理情報を読み出すことによって、複数の管理情報を用いて管理を行うことができる。上記のように、管理の開始時において、代表する一の第2管理情報図15に示す例では、第1の第2管理情報のみを検索することによって、複数の第2管理情報をそれぞれ検索する場合よりも、より短時間に管理に用いる全ての第2管理情報をRAMに展開することが可能となる。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100が、管理の開始時において複数の第2管理情報をそれぞれ検索することが可能であることは、言うまでもない。ステップS314の処理が行われると、特定された第2の代替ブロックA2の第2管理ブロックVMB内から最新の第2の第2管理情報を検索し、書き込み完了フラグを確認して、書き込み完了フラグが書き込みが完了したことを示す場合に、第2の第2管理情報をRAMに展開するS316。また、管理装置100は、第2の第2管理情報からVWTBを取得し、VWTBが消去済みであるか否かを確認するS318。ここで、管理装置100におけるステップS316~S318の処理は、図14のステップS206~S210の処理と同様に、読み出した第2の第2管理情報に基づく書き込みエラーの判定に該当する。また、図15では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、例えば図14に示す処理と同様に、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図15に示す処理を終了する。また、ステップS318の処理が行われると、管理装置100は、第2の第2管理情報にVETBが設定されている場合には、設定されているVETBに対応する仮想ブロックを消去するS320。管理装置100は、第1の仮想領域A1、および第2の仮想領域A1それぞれに対して、図14に示すステップS214~S218と同様の処理を行うS322~S326。なお、図15では示していないが、書き込みエラーが発生したと判定した場合には、管理装置100は、例えば図14に示す処理と同様に、中断した書き込みまたは消去に対応する処理中のデータを無効なデータとし、不揮発性メモリを処理前の状態に復旧させる。そして、管理装置100は、図15に示す処理を終了する。管理装置100は、不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックPBを、複数の仮想領域A1と当該仮想領域A1に対応する複数の代替領域A2とに分け、複数の第2管理情報を用いて不揮発性メモリを管理する場合には、例えば図15に示す処理を、管理開始時における処理として行う。管理装置100は、例えば図14、図15に示す処理を、管理開始時における処理として行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における管理開始時における処理が、図14、図15に示す処理に限られないことは、言うまでもない。2書き込み処理次に、本発明の実施形態に係る管理装置100における書き込み処理の一例について説明する。図16は、本発明の実施形態に係る管理装置100における書き込み処理の一例を示す流れ図である。管理装置100は、第2管理情報からVWTBを取得しS400、VWTBが示す仮想ブロックにデータを書き込むS402。ステップS402の処理が行われると、管理装置100は、VWTBに対応する仮想ブロックを、キャッシュブロックECBとして第3管理情報に登録しS404、第3管理情報を更新するS406。また、管理装置100は、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存し、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS408。ステップS408の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を更新しS410、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存し、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS412。管理装置100は、書き込み処理として、例えば図16に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における書き込み処理は、図16に示す処理に限られない。図17は、本発明の実施形態に係る管理装置100における書き込み処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図17は、管理装置100におけるキャッシュブロックECBへの書き込みに係る処理の一例を示している。管理装置100は、第3管理情報を参照してキャッシュブロックECBに追記ができることを確認するS500。ステップS500において追記ができることが確認された場合には、管理装置100は、確認されたキャッシュブロックECBにデータを書き込みS502、第3管理情報を更新するS504。そして、管理装置100は、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存し、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS506。管理装置100は、キャッシュブロックECBへの書き込みに係る書き込み処理として、例えば図17に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100における書き込み処理が、図16、図17に示す処理に限られないことは、言うまでもない。3ライトバック処理次に、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理の一例について説明する。図18は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理の一例を示す流れ図である。ここで、図18は、EWBBの新規割り当てに係る処理の一例を示している。管理装置100は、キャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したか否かを判定するS600。ステップS600においてキャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したと判定されない場合には、管理装置100は、ライトバック処理を終了する。また、ステップS600においてキャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したと判定された場合には、管理装置100は、キャッシュブロックECBが割り当てられている使用頻度が低い論理ブロックLBを検索するS602。ここで、管理装置100は、例えばLRU制御を用いることによって、使用頻度が低い論理ブロックLBを選択してステップS602の処理を行うが、ステップS602における処理は、上記に限られない。また、管理装置100は、第2管理情報を参照してVWTBに対応する仮想ブロックを特定しS604、第3管理情報のLTU-ECTUテーブルLTUとECTUの変換情報の一例に基づいて、使用頻度が低い論理ブロックLBに対応する仮想ブロックとECTUとを特定するS606。ステップS606の処理が行われると、管理装置100は、特定された仮想ブロックのECTUからデータを読み出しS608、ステップS604において特定されたVWTBに、データを書き込むS610。ステップS610の処理が行われると、管理装置100は、特定されたVWTBをEWBBとしS612、第3管理情報を更新するS614。また、管理装置100は、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存し、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS616。ステップS616の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を更新しS618、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存し、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS620。管理装置100は、EWBBの割り当てに係る処理として、例えば図18に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理は、図18に示す処理に限られない。図19は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図19は、割り当てられているEWBBに対して追記を行う処理の一例を示している。管理装置100は、第3管理ブロックEMBから論理ブロックLB、EWBB、LWPを取得するS700。ステップS700の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報のLTU-ECTUテーブルLTUとECTUの変換情報の一例に基づいて、ステップS700において取得された論理ブロックLBに対応する仮想ブロックとECTUとを特定するS702。ステップS702の処理が行われると、管理装置100は、特定された仮想ブロック内のECTUからデータを読み出しS704、ステップS704において特定されたVWTBに、データを書き込むS706。ステップS706の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報を更新しS708、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS710。管理装置100は、割り当てられているEWBBに対して追記を行う処理として、例えば図19に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理は、図18、図19に示す処理に限られない。図20は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図20は、ライトバック処理の完了に係る処理の一例を示している。管理装置100は、第3管理ブロックEMBからEWBBとEWBBのLWPとを取得しS800、また、第3管理ブロックEMBから論理ブロックLBに対応するキャッシュブロックECBを取得するS802。ここで、ステップS800、S802の処理は、例えば図13に示す第3管理情報に基づいて行われる。ステップS802の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を参照して、論理ブロックLBに対応するユーザデータブロックVUBを特定するS804。ステップS804の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報を更新しS806、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS808。ステップS808の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を更新しS810、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS812。管理装置100は、ライトバック処理の完了に係る処理として、例えば図20に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係るライトバック処理は、図18、図19、図20に示す処理に限られない。例えば、管理装置100は、図12のGに示すように、論理ブロックLBに対応した拡張ブロックECB内においてLTUの番号に依存せずにLTUと任意のECTUとを対応付けるのではなく、拡張ブロックEBに書き込むユーザデータを、連続した論理アドレス順に書き込むことも可能である。また、上記の場合には、管理装置100は、例えば図18、図19、図20に示す処理と異なる処理を、ライトバック処理として行うことができる。図21は、本発明の実施形態に係る論理ブロックLBのトランスレーションユニットと、キャッシュブロックECBのトランスレーションユニットとの対応付けの他の例を示す説明図である。図21のHに示すように、拡張ブロックEBに書き込むユーザデータを、連続した論理アドレス順に書き込むことによって、管理装置100は、ライトバック処理の際のデータコピーを行わずに、ライトバック処理を行うことが可能となる。したがって、管理装置100は、データコピーを行わずにライトバック処理を行うことによって、例えば速度低下などのライトバック処理による不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。図22は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるライトバック処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図22は、例えば図21に示すように拡張ブロックEBに書き込むユーザデータが連続した論理アドレス順に書き込まれている場合における、ライトバック処理の一例を示している。管理装置100は、キャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したか否かを判定するS900。ステップS900においてキャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したと判定されない場合には、管理装置100は、ライトバック処理を終了する。また、ステップS900においてキャッシュブロックECBの使用数が所定の数に達したと判定された場合には、管理装置100は、キャッシュブロックECB内のデータ格納状態がユーザデータブロックVUBと同一のキャッシュブロックECBを、検索するS902。ここで、管理装置100は、一の論理ブロックLBに割り当てられているキャッシュブロックECBが複数存在する場合には、例えば、より直近に書き込まれたキャッシュブロックECBを、検索対象とする。また、図22では図示していないが、ステップS1102において、データ格納状態がユーザデータブロックVUBと同一のキャッシュブロックECBが検出されない場合には、管理装置100は、例えば、図18に示すステップS602からの処理を行う。また、ステップS902において、データ格納状態がユーザデータブロックVUBと同一のキャッシュブロックECBが検出された場合には、管理装置100は、第2管理情報を参照して論理ブロックLBに対応するユーザデータブロックVUBを特定するS904。また、ステップS904の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報を更新しS908、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS908。また、管理装置100は、第2管理情報を更新しS910、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS912。ステップS912の処理が行われると、管理装置100は、ステップS904において特定されたユーザデータブロックVUBのデータを消去するS914。管理装置100は、例えば図21に示すように拡張ブロックEBに書き込むユーザデータが連続した論理アドレス順に書き込まれている場合におけるライトバック処理として、例えば図22に示す処理を行う。4静的ウェアレベリング処理管理装置100は、例えば上記3に示すライトバック処理と同様の処理を行うことによって、静的ウェアレベリングを実現することができる。なお、本発明の実施形態に係る静的ウェアレベリング処理が、上記3に示すライトバック処理と同様の処理に限られないことは、言うまでもない。5エラー回復処理次に、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるエラー回復処理の一例について説明する。ここで、本発明の実施形態に係るエラー回復処理とは、例えば拡張ブロックEBへとデータを書き込むときにエラーが発生した場合においてエラーの回復を図る処理である。管理装置100は、拡張ブロックEBへとデータを書き込むときにエラーが発生した場合には、エラーが発生した拡張ブロックEBに書き込んだデータを保持する。また、管理装置100は、第2管理情報に記録されたVWTBに基づいて、対応する仮想ブロックに継続してデータを書き込む。そして、管理装置100は、エラーが発生した拡張ブロックEBに書き込んだデータと、継続して書き込んだ仮想ブロックのデータとを用いて、ライトバック処理を行う。つまり、管理装置100は、代替処理を用いてライトバック処理を行う。上記のように代替処理を用いてライトバック処理を行うことによって、管理装置100は、例えばプログラムエラーなどのエラーが発生した場合における、速度低下などの不揮発性メモリのパフォーマンス低下を抑制することができる。図23は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるエラー回復処理の一例を示す流れ図である。ここで、図23は、書き込み時においてエラーが発生した場合におけるエラー回復処理の一例を示している。管理装置100は、第3管理情報を参照してキャッシュブロックECBに追記ができることを確認するS1000。ステップS1000においてキャッシュブロックECBに追記ができることが確認されると、管理装置100は、第1管理情報を参照してキャッシュブロックECBに対応する物理ブロックPBを特定するS1002。そして、管理装置100は、特定された物理ブロックPBにデータを書き込むS1004。ステップS1004においてデータの書き込みが開始されると、管理装置100は、ステップS1004におけるデータの書き込みにおいてエラーが発生したか否かを判定するS1006。ステップS1006においてエラーが発生したと判定されない場合には、管理装置100は、エラー回復処理を終了する。また、ステップS1006においてエラーが発生したと判定された場合には、管理装置100は、エラーが発生した物理ブロックPBをPPEBとして第1管理情報に登録するS1008。また、管理装置100は、更新した第1管理情報を第1管理ブロックPMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第1完了情報を設定するS1010。ステップS1010の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を参照してVWTBを特定するS1012。また、管理装置100は、第1管理情報を参照して、ステップS1012に対応する物理ブロックPBを特定するS1014。そして、管理装置100は、ステップS1014において特定した物理ブロックPBにデータを書き込むS1016。ステップS1016の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報を更新しS1018、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS1020。また、管理装置100は、第2管理情報を更新しS1022、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS1024。管理装置100は、書き込み時においてエラーが発生した場合におけるエラー回復処理として、例えば図23に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるエラー回復処理は、図23に示す処理に限られない。図24は、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるエラー回復処理の他の例を示す流れ図である。ここで、図24は、図20に示すライトバック処理時においてエラーが発生した場合におけるエラー回復処理の一例を示している。管理装置100は、第3管理ブロックEMBからEWBB、EWBBのLWPを取得しS1100、また、第3管理ブロックEMBから論理ブロックLBに対応するキャッシュブロックECBを取得するS1102。ここで、ステップS1100、S1102の処理は、例えば図13に示す第3管理情報に基づいて行われる。ステップS1102の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を参照して、論理ブロックLBに対応するユーザデータブロックVUBを特定するS1104。ステップS1104の処理が行われると、管理装置100は、第3管理情報を更新しS1106、更新した第3管理情報を第3管理ブロックEMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第3完了情報を設定するS1108。ステップS1108の処理が行われると、管理装置100は、第2管理情報を更新しS1110、更新した第2管理情報を第2管理ブロックVMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第2完了情報を設定するS1112。ステップS1112の処理が行われると、管理装置100は、第1管理情報を参照して、キャッシュブロックECB、ユーザデータブロックVUBに対応する物理ブロックPBを特定するS1114。そして、管理装置100は、ステップS1114において特定された物理ブロックPBを消去するS1116。ステップS1116の処理が行われると、管理装置100は、第1管理情報を参照してPPEBを特定し、PPEBがステップS1116において消去した物理ブロックPBと一致することを確認するS1118。また、ステップS1118において一致することが確認されると、管理装置100は、ステップS1116において消去した物理ブロックPBに、エラーが生じた物理ブロックPBであることを示すBadMarkを設定するS1120。ステップS1120の処理が行われると、管理装置100は、第1管理情報を更新しS1122、更新した第1管理情報を第1管理ブロックPMBに保存して、書き込みが完了したことを示す完了フラグ第1完了情報を設定するS1124。管理装置100は、図20に示すライトバック処理時においてエラーが発生した場合におけるエラー回復処理として、例えば図24に示す処理を行う。管理装置100は、エラー回復処理として、例えば図23、図24に示す処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100におけるエラー回復処理が、図23、図24に示す処理に限られないことは、言うまでもない。本発明の実施形態に係る管理装置次に、上述した本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を行うことが可能な、本発明の実施形態に係る管理装置100の構成の一例について説明する。図25は、本発明の実施形態に係る管理装置100の構成の一例を示すブロック図である。管理装置100は、例えば、不揮発性メモリ102と、制御部104とを備える。また、管理装置100は、例えば、ROMReadOnlyMemory。図示せずや、RAM図示せず、ユーザが操作可能な操作部図示せず、様々な画面を表示画面に表示する表示部図示せず、外部装置と通信を行うための通信部図示せずなどを備えていてもよい。管理装置100は、例えば、データの伝送路としてのバスbusにより上記各構成要素間を接続する。ROM図示せずは、制御部104が使用するプログラムや演算パラメータなどの制御用データを記憶する。RAM図示せずは、制御部104により実行されるプログラムや、管理情報などを一時的に記憶する。操作部図示せずとしては、例えば後述する操作デバイスが挙げられ、表示部図示せずとしては、例えば後述する表示デバイスが挙げられる。また、通信部図示せずとしては、例えば後述する通信インタフェースが挙げられる。管理装置100のハードウェア構成例図26は、本発明の実施形態に係る管理装置100のハードウェア構成の一例を示す説明図である。図26を参照すると、管理装置100は、例えば、MPU150と、ROM152と、RAM154と、記録媒体156と、入出力インタフェース158と、操作入力デバイス160と、表示デバイス162と、通信インタフェース164とを備える。また、管理装置100は、例えば、データの伝送路としてのバス166で各構成要素間を接続する。MPU150は、MPUMicroProcessingUnitや、制御機能などの各種機能を実現するための各種回路が集積された集積回路などで構成され、管理装置100全体を制御する制御部104として機能する。また、MPU150は、管理装置100において、後述する管理部110としての役目を果たすこともできる。ROM152は、例えばMPU150が使用するプログラムや演算パラメータなどの制御用データを記憶し、また、RAM154は、例えばMPU150により実行されるプログラムや、制御情報などを一時的に記憶する。ここで、RAM154は、例えば、不揮発性メモリ102よりもデータの書き込み、読み出しをより高速に行うことが可能な記録媒体に該当する。記録媒体156は、管理装置100における記憶手段であり、不揮発性メモリ102として機能する。記録媒体156には、例えば、アプリケーションや様々なデータなどが記憶される。ここで、記録媒体156としては、例えば、フラッシュメモリなどが挙げられる。また、記録媒体156は、管理装置100から着脱可能であってもよい。入出力インタフェース158は、例えば、操作入力デバイス160や、表示デバイス162を接続する。操作入力デバイス160は、操作部図示せずとして機能し、また、表示デバイス162は、表示部図示せずとして機能する。ここで、入出力インタフェース160としては、例えば、USBUniversalSerialBus端子や、DVIDigitalVisualInterface端子、HDMIHighDefinitionMultimediaInterface端子、各種処理回路などが挙げられる。また、操作入力デバイス160は、例えば、管理装置100上に備えられ、管理装置100の内部で入出力インタフェース158と接続される。操作入力デバイス160としては、例えば、ボタン、方向キー、ジョグダイヤルなどの回転型セレクター、あるいは、これらの組み合わせなどが挙げられる。また、表示デバイス162は、例えば、管理装置100上に備えられ、管理装置100の内部で入出力インタフェース158と接続される。表示デバイス162としては、例えば、液晶ディスプレイLiquidCrystalDisplay;LCDや有機ELディスプレイorganicElectroLuminescencedisplay。または、OLEDディスプレイOrganicLightEmittingDiodedisplayともよばれる。などが挙げられる。なお、入出力インタフェース158が、管理装置100の外部装置としての操作入力デバイス例えば、キーボードやマウスなどや表示デバイス例えば、外部ディスプレイなどと接続することも可能であることは、言うまでもない。また、表示デバイス162は、例えばタッチスクリーンなどのように、表示とユーザ操作とが可能なデバイスであってもよい。通信インタフェース164は、管理装置100が備える通信手段であり、ネットワークを介してあるいは、直接的に外部装置と無線/有線で通信を行うための通信部図示せずとして機能する。ここで、通信インタフェース164としては、例えば、通信アンテナおよびRFRadioFrequency回路無線通信や、LAN端子および送受信回路有線通信などが挙げられる。なお、本発明の実施形態に係る通信インタフェース164は、上記に限られず、例えば、ネットワークに対応する構成をとることができる。管理装置100は、例えば図26に示す構成によって、上述した本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を行う。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100のハードウェア構成は、図26に示す構成に限られない。例えば、管理装置100は、本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を行う機能例えば、後述する管理部110が有する機能を実現するためのICIntegratedCircuitであってもよい。上記の構成の場合には、管理装置100は、例えば外部不揮発性メモリを、制御対象としての不揮発性メモリとして制御することとなる。再度図25を参照して、管理装置100の構成の一例について説明する。不揮発性メモリ102は、管理装置100が備える記憶手段である。ここで、不揮発性メモリ102としては、例えば、フラッシュメモリなどが挙げられる。不揮発性メモリ102は、制御部104より具体的には、後述する管理部110によって、データの書き込み、読み出し、消去などが管理される。制御部104は、例えば、MPUなどで構成され、管理装置100全体を制御する役目を果たす。また、制御部104は、管理部110を備え、本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を主導的に行う役目を果たす。管理部110は、例えば、上述したIに示す物理ブロックの管理に係る処理、IIに示す仮想ブロックの管理に係る処理、およびIIIに示す拡張ブロックの管理に係る処理などの本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を主導的に行う役目を果たす。なお、管理部110は、物理ブロックの管理を主導的に行う第1管理部図示せずと、仮想ブロックの管理を主導的に行う第2管理部図示せずと、拡張ブロックの管理を主導的に行う第3管理部図示せずとを有していてもよい。制御部104は、例えば管理部110を備えることによって、上述した本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を実現することができる。よって、制御部104を備えることによって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。管理装置100は、例えば図25に示す構成によって、上述した本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を行う。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。なお、本発明の実施形態に係る管理装置100の構成は、図25に示す構成に限られない。例えば、本発明の実施形態に係る管理装置100は、不揮発性メモリ102を備えず、有線/無線で接続された外部装置が備える不揮発性メモリにおけるデータの書き込み、読み出し、消去などを管理する構成であってもよい。上記の構成の場合であっても、本発明の実施形態に係る管理装置100は、外部装置が備える不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ当該不揮発性メモリを管理することができる。また、管理装置100は、複数の不揮発性メモリを管理することも可能である。また、管理装置100は、複数の不揮発性メモリを管理する場合には、例えば、1または2以上の不揮発性メモリをキャッシュブロックECBとして用い、また、1または2以上の不揮発性メモリをユーザデータブロックVUBとして用いてもよい。ここで、キャッシュブロックECBの方が、ユーザデータブロックVUBよりも書き換えられる頻度が高いことが想定される。そのため、上記の場合、キャッシュブロックECBとして用いられる不揮発性メモリとしては、例えば、ユーザデータブロックVUBとして用いられる不揮発性メモリと比較して、書き込み速度が同等以上であり、書き換え回数も同等以上である不揮発性メモリを用いることが挙げられる。つまり、上記の場合においてキャッシュブロックECBとして用いられる不揮発性メモリは、例えば、ユーザデータブロックVUBとして用いられる不揮発性メモリと同種の不揮発性メモリであってもよいし、異種の不揮発性メモリであってもよい。以上のように、本発明の実施形態に係る管理装置100は、例えば物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理という3段階の管理単位など、不揮発性メモリを複数段階で管理し、管理単位ごとの管理情報を不揮発性メモリに保存する。上記のように不揮発性メモリを複数段階で管理することによって、本発明の実施形態に係る各段階の管理に用いる管理単位ごとの管理情報それぞれのサイズは、従来の技術に係る管理情報のサイズよりもより小さくなる。よって、管理装置100は、管理単位ごとの管理情報を不揮発性メモリに保存することによって、従来の技術よりも不揮発性メモリに管理情報を保存する際の書き込み量を減らすことが可能となり、また、不揮発性メモリに保存された管理情報を用いて不揮発性メモリを管理することが可能となる。したがって、管理装置100は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、不揮発性メモリを管理することができる。また、管理装置100は、管理情報のサイズを従来の技術に係る管理情報のサイズよりも小さくすることが可能であるので、従来の技術を用いる場合において管理情報を書き込むときに生じうる、パフォーマンスの低下を防止することができる。また、管理装置100は、例えば物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、および拡張ブロックの管理という3段階の管理単位など、不揮発性メモリを複数段階で管理するので、消去を効率的に行うことが可能である。したがって、管理装置100は、消去サイズ単位に比例して生じうる、例えば、書き換え時の速度低下や、書き込みエラーの復旧時の速度低下などによる不揮発性メモリのパフォーマンスの低下を、防止することができる。以上、本発明の実施形態として管理装置100を挙げて説明したが、本発明の実施形態は、かかる形態に限られない。本発明の実施形態は、例えば、不揮発性メモリを用いる記憶装置、PCPersonalComputerやサーバなどのコンピュータ、テレビ受像機などの表示装置、携帯電話などの携帯型通信装置、映像/音楽再生装置または映像/音楽記録再生装置、ゲーム機など、様々な機器に適用することができる。また、本発明の実施形態は、例えば、上記のような様々な機器に組み込まれる記録媒体の制御ICに適用することもできる。本発明の実施形態に係るプログラムコンピュータを、本発明の実施形態に係る管理装置として機能させるためのプログラム例えば、本発明の実施形態に係る管理方法に係る処理を実現するためのプログラムや、図3に示す不揮発性メモリの管理を制御するソフトウェアに係るプログラムによって、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記では、コンピュータを、本発明の実施形態に係る管理装置として機能させるためのプログラムコンピュータプログラムが提供されることを示したが、本発明の実施形態は、さらに、上記プログラムをそれぞれ記憶させた記録媒体も併せて提供することができる。上述した構成は、本発明の実施形態の一例を示すものであり、当然に、本発明の技術的範囲に属するものである。