オペレーティングシステムにより第1のメモリ容量毎に管理される複数の管理領域を備える第1メモリと、前記第1のメモリ容量よりも大きな第2のメモリ容量毎にデータが書き込まれる第2メモリと、前記第1メモリの複数の管理領域のうち1つの管理領域を選択する選択手段と、前記選択された管理領域のデータと当該選択された管理領域とは異なる管理領域のデータとを含む、前記第2のメモリ容量に応じた数の管理領域のデータを前記第2メモリに書き込む書込手段とを備え、前記書込手段は、前記選択手段により選択された第1管理領域のデータと、当該第1管理領域とは異なる管理領域のデータとを前記第2メモリに書き込んだ後、前記異なる管理領域のうち何れか1の第2管理領域が前記選択手段により選択された場合、当該第2管理領域のデータを前記第2メモリに書き込まない、情報処理装置。前記選択手段は、前記複数の管理領域のうち、前記書き込み手段により前記第2メモリにデータが書き込まれている管理領域を優先的に選択する、請求項1記載の情報処理装置。前記第1メモリは、前記第2のメモリ容量に応じた数の管理領域を含む管理ブロック毎に前記オペレーティングシステムにより管理され、前記第2メモリは、前記第2のメモリ容量の書き込みブロック毎にデータが書き込まれ、前記書込手段は、前記選択された管理領域が含まれる前記管理ブロックに、前記第2メモリにデータを書込済みの管理領域と未書込の管理領域とが含まれる場合、当該書込済のデータと未書込のデータとを、当該書込済のデータが書き込まれている前記書込ブロックとは異なる書込ブロックに書き込む、請求項1記載の情報処理装置。前記書込手段は、前記第2メモリに書き込まれている前記書込済みのデータと前記未書込のデータとを、前記異なる書込ブロックに書き込む、請求項3記載の情報処理装置。前記書込手段は、前記第1メモリに格納されている前記書込済みのデータと前記未書込のデータとを、前記異なる書込ブロックに書き込む、請求項3記載の情報処理装置。オペレーティングシステムにより第1のメモリ容量毎に管理される複数の管理領域を備える第1メモリと、前記第1のメモリ容量よりも大きな第2のメモリ容量毎にデータが書き込まれる第2メモリとを備える装置における書き込み制御方法であって、前記第1メモリの複数の管理領域のうち1つの管理領域を選択することと、前記選択された管理領域のデータと当該選択された管理領域とは異なる管理領域のデータとを含む、前記第2のメモリ容量に応じた数の管理領域のデータを前記第2メモリに書き込むことと、前記選択手段により選択された第1管理領域のデータと、当該第1管理領域とは異なる管理領域のデータとを前記第2メモリに書き込まれた後、前記異なる管理領域のうち何れか1の第2管理領域が選択された場合、当該第2管理領域のデータを前記第2メモリに書き込まないこととを備える書き込み制御方法。ここで、NANDやNORFlash等のフラッシュデバイスは、当該デバイスに対するデータ書込の限度回数が例えば数十万回程度に制限されている場合がある。このため、フラッシュデバイスに対するデータ書込回数を抑制できることが好ましい。そこで本発明の実施形態は、フラッシュデバイスをスワップデバイスとして使用した場合に、フラッシュデバイスに対するデータ書込回数を抑制できる情報処理装置及び書き込み制御方法の提供を目的とする。上記の課題を解決するために、本実施形態の情報処理装置は、オペレーティングシステムにより第1のメモリ容量毎に管理される複数の管理領域を備える第1メモリと、第1のメモリ容量よりも大きな第2のメモリ容量毎にデータが書き込まれる第2メモリと、第1メモリの複数の管理領域のうち1つの管理領域を選択する選択手段と、選択された管理領域のデータと当該選択された管理領域とは異なる管理領域のデータとを含む、第2のメモリ容量に応じた数の管理領域のデータを第2メモリに書き込む書込手段とを備え、書込手段は、選択手段により選択された第1管理領域のデータと、当該第1管理領域とは異なる管理領域のデータとを第2メモリに書き込んだ後、異なる管理領域のうち何れか1の第2管理領域が選択手段により選択された場合、当該第2管理領域のデータを第2メモリに書き込まない。以下、図面を参照して実施形態を説明する。図1は本実施形態に係る情報処理装置のシステム構成例を示す図である。実施形態に係る情報処理装置100は、例えばパーソナルコンピュータ、チューナ装置及びデジタルTV等に適用される。ここで情報処理装置100は、CPU等で構成される制御モジュール110、RAM等の揮発性メモリにより構成されるワークメモリ120、NANDやNORFlash等により構成されるフラッシュデバイス130等を備え、制御モジュール110、ワークメモリ120、フラッシュデバイス130は、バス140を介して接続されている。ワークメモリ120は物理メモリ空間を含み、物理メモリ空間は複数の物理ページ複数の物理メモリ領域により構成され、複数の物理ページは複数の物理アドレスと対応する。つまり各物理ページは、各物理アドレスにより管理することができる。制御モジュール110は、OSと協同して、仮想メモリ空間150図1では不図示によりワークメモリ120へのデータの読み書きを制御する。仮想メモリ空間150は複数のページ複数の仮想メモリ領域により構成され、各ページは複数の仮想アドレスと対応する。つまり各ページは各仮想アドレスにより管理することができる。例えば、制御モジュール110は、複数の仮想アドレスと複数の物理アドレスとの対応関係を管理したアドレス管理テーブル160図1では不図示を生成し、この管理テーブル160に基づき、各仮想アドレスにより各物理アドレスに記憶されたデータへのアクセスを制御する。そして、ここで制御モジュール110は、ワークメモリ120へのデータアクセスをOSに応じた処理単位ページ単位で制御する。更に制御モジュール110は、各種処理の際にワークメモリ120の容量が所定の閾値以上になった場合等において、ワークメモリ120に書き込まれたデータをフラッシュデバイス130にスワップアウトする機能を有する。つまり制御モジュール110は、ワークメモリのメモリ容量が不足してきた場合に、例えばアクセス回数の少ないデータや最終アクセス時間が古いデータ等をワークメモリ120からフラッシュデバイス130のスワップファイルに書き出す。図2に、制御モジュール110が生成するアドレス管理テーブル160の構成例を示す。アドレス管理テーブル160では、各ページに対して、仮想アドレス範囲と物理アドレス範囲とデータ格納状態とが対応付けられる。つまり、ワークメモリ120のメモリ領域は、制御モジュール110により複数のページ管理領域毎に管理されており、夫々のページに対してデータ格納状態が対応付けられている。ここで、データ格納状態とは、ページに対応付けられた物理アドレス範囲のデータが、フラッシュデバイス130にスワップアウト済みか否か、ページに対応付けられた物理アドレス範囲のメモリが開放済みであるか否か等を示すものである。即ち、例えばEmptyはページに対応付けられた物理アドレスのメモリが開放されていることを示し、Cleanはページのデータがスワップアウトされてフラッシュデバイス130にデータが格納されていることを示し、Dirtyはページのデータがスワップアウトされていないことを示す。次に図3乃至図8を参照して、制御モジュール110によるスワップアウトに係る処理例を説明する。図3は、ワークメモリ120及びフラッシュデバイス130の初期状態における、仮想メモリ空間150とフラッシュデバイス130のデータ格納状態例を示す図である。制御モジュール110は、OSに従って、仮想メモリ空間150を例えば4Kバイト等の処理単位メモリ容量毎に管理し、当該仮想メモリ空間150にアドレスが対応付けられたワークメモリ120へのデータアクセスを制御する。そして仮想メモリ空間150は、例えばページP1乃至Pnにブロック化されており、各ページのデータ格納状態はDirtyとなっている。つまり各ページに対応するデータはフラッシュデバイス130に書き込まれていない。また制御モジュール110は、ワークメモリ120からフラッシュデバイス130へのスワップアウトを行う場合、一定数のページ毎の処理単位で書き込み処理を行う。ここでは当該一定数ページ毎の書き込み処理単位の夫々をSwapBlockB1乃至Bmと呼ぶ。そして図3においては、これらSwapBlockB1乃至Bm夫々のデータ格納状態もDirtyとなっている。なお、SwapBlockのデータ格納状態におけるDirtyは、SwapBlock内の何れかのページのデータが未スワップアウトであることを示し、Cleanは、SwapBlock内の全てのページのデータがスワップアウトされ、フラッシュデバイス130にデータが書き込まれている状態であることを示す。一方、フラッシュデバイス130において、当該フラッシュデバイス130の記憶領域を構成するEraseBlockE1乃至Emは、既にデータが消去されているfreeblockとなっており、新たなデータを書き込み可能な状態となっている。ここでEraseBlockとは、フラッシュデバイス内のデータを書き換える消去する場合の処理単位管理単位となるブロックであり、夫々のブロックは例えば16Kバイトや128Kバイト等のメモリ容量に設定されている。つまり、フラッシュデバイス130においては、制御モジュール110がワークメモリ120に対してアクセスする場合の処理単位ページ単位よりも大きな処理単位EraseBlock単位でデータの書き換えが行われる場合がある。このため制御モジュール110は、スワップアウトの際に、仮想メモリ空間150の夫々のページに対応付けられたワークメモリ120のデータを、フラッシュデバイス130の書換え処理単位に一致する容量となる複数ページSwapBlock毎に当該フラッシュデバイス130にスワップアウトする。図4は、制御モジュール110が、ページP2をスワップ対象ページとして指定した場合の処理例を示す図である。ここで制御モジュール110は、スワップ対象のページP2が含まれるSwapBlockB1に含まれるページP1乃至P4を、フラッシュデバイス130の領域E1に書き込む。そして制御モジュール110は、スワップ対象ページのページP2に対応するメモリ空間を開放して、当該ページP2の状態をEmptyに変更する。なお制御モジュール110は、メモリ領域を開放する場合、当該メモリ領域に新たなデータを書き込み可能であることをOSが認識可能な状態にすればよい。そしてこの場合に制御モジュール110は、当該開放するメモリ領域のデータを削除しても良いし、あるいは削除しなくとも良い。また、ページP2と共にスワップされたSwapBlockB1内の他のページP1、P3、P4は、スワップ済みを示すCleanの状態になる。更にSwapBlockB1の状態もDirtyからCleanに変更される。そして、フラッシュデバイス130の記憶領域において、EraseBlockE1には、SwapBlockB1のデータが書き込まれる。図5に、図4にてスワップアウトが完了した後に制御モジュール110がページP1をスワップアウトの対象ページとして指定した場合の処理例を示す。この場合、ページP1のデータは既にスワップアウトされている。このため制御モジュール110は、当該ページP1のデータを再度スワップアウトすることなくページP1に対応するメモリ領域を開放して、アドレス管理テーブル160のデータ格納状態をCleanからEmptyに変更する。なおここで制御モジュール110は、SwapBlockB1のデータがスワップアウト済みであるため、当該SwapBlockB1の状態をCleanから変更しない。図6は、図5の状態においてにおいてページP1の開放が完了した後に、制御モジュール110がページP4のメモリ領域をWrite対象の領域として指定した場合の処理例を示す。制御モジュール110は、ページP4にデータを書き込むと、当該ページP4のデータ格納状態を、未スワップであることを示すDirtyに変更する。なおここではページP4がWrite対象ページである場合を示しているが、ページP1乃至P3がWrite対象ページである場合、制御モジュール110は当該対象ページにデータを書き込み、当該対象ページのデータ格納状態をDirtyに変更する。そして制御モジュール110は、SwapBlockB1の状態をCleanからDirtyに変更する。なお、Write対象ページがDirtyである場合、制御モジュール110は、当該Write対象ページに対応付けられているメモリ領域にデータを書き込み、当該ページの状態をDirtyから変更しない。なお図5においては書き込み処理が発生した場合について例示しているが、例えば図5においてClean状態のページP4をRead対象のページとして指定した場合、制御モジュール110は、当該ページP4に対応するメモリ領域のデータを読み出し、当該ページP4の状態をCleanから変化させない。一方、図5においてメモリが開放されたEmpty状態のページP1又はP2に対するRead処理を行う場合、制御モジュール110は、OSに従った通常のスワップインの処理と同様に、リード対象ページのメモリ開放前に当該ページに格納されていたデータを、当該データがスワップアウトされているフラッシュデバイス130から読み込み、当該データをリード対象ページに書き込む。そして制御モジュール110は、当該ページの状態をEmptyからCleanに変更する。図7は、図6の状態においてページP4へのWrite処理が完了した後に、制御モジュール110がページP3をスワップアウト対象ページとして指定した場合の処理例を示す。ここで、ページP3が含まれるSwapBlockB1に含まれるページP4は、未だフラッシュデバイス130にスワップアウトされていない。このため制御モジュール110は、ページP4に対応するメモリ領域のデータをフラッシュデバイス130にスワップアウトする。ここで、状態がCleanであるページP1乃至P3に対応するデータは、フラッシュデバイス130のメモリ領域に格納されている。そこで制御モジュール110は、フラッシュデバイス130に格納されている、ページP1乃至P3に対応するデータと、ワークメモリ120に格納されているページP4に対応するデータとを、フラッシュデバイス130に書き込む。そしてこの場合に制御モジュール110は、当該データを、ページP1乃至P3が格納されているEraseBlockE1とは異なるEraseBlockに書き込む。そして制御モジュール110は、スワップアウト対象のページP3に対応するメモリ領域を開放して当該ページの状態をCleanからEmptyに変更し、また、スワップアウトしたSwapBlockB1内に含まれるページP4の状態をDirtyからCleanに変更する。また制御モジュール110は、SwapBlockB1の状態をDirtyからCleanに変更する。なお図7において制御モジュール110は、ページP1乃至P4に対応するデータをワークメモリ120から読み込んでフラッシュデバイス130のEraseBlockE2に書き込んでもよい。図8は、制御モジュール110によるスワップアウトに係る処理フロー例を示す図である。まず制御モジュール110は、例えばワークメモリ120における書き込み可能な状態のメモリ領域が所定値以下になるとS801のYes、スワップアウト対象ページを選択する。ここで制御モジュール110は、例えば夫々のページに対するアクセスの回数等に基づいてスワップアウト対象ページを選択できる。つまり、アクセス回数が他のページよりも少ないページや、最終アクセス時間が最も古いページ等をスワップアウト対象ページとして選択できる。あるいは制御モジュール110は、S802において、データ格納状態がCleanであるSwapBlockに含まれるページを優先的にスワップアウト対象ページとして選択してもよい。次に制御モジュール110は、アドレス管理テーブル160を参照して、スワップアウト対象として選択したページのデータ格納状態がDirtyであるか否か、即ち、選択したページに対応するワークメモリ120のメモリ領域のデータがフラッシュデバイス130に書き込まれているか否かを判別するS803。ここで、選択ページのデータがワークメモリ130に記憶されている場合S803のNo、つまりスワップアウト対象のページの状態がClean又はEmptyである場合、制御モジュール110は、当該ページに対応するメモリ領域を開放するS804。なお、スワップアウト対象ページの状態がEmptyである場合、当該ページは既に開放されているのでS804において再度開放しなくともよい。一方、S803において、スワップアウト対象ページの状態がDirtyである場合S803のYes、続いて制御モジュール110は当該スワップアウト対象ページが含まれるSwapBlockに含まれる全てのページの状態がDirtyであるか否かを判別するS805。ここで、当該SwapBlock内の何れかのページの状態がClean又はEmptyである場合S805のNo、つまり当該SwapBlock内の何れかのページのデータがフラッシュデバイス130に格納されている場合、制御モジュール110は、図7で説明した処理を実行するS806。即ち、スワップアウト対象ページが含まれるSwapBlock内の未スワップアウトのページのデータと、フラッシュデバイス130に記憶されている、当該SwapBlockの未スワップアウトページ以外のページのデータとを、フラッシュデバイス130に書き込む。そしてこの場合に制御モジュール110は、フラッシュデバイス130のEraseBlockのうち、未スワップアウトページ以外のページのデータが格納されていたブロックとは異なるブロックにデータを書き込む。一方、S805において、スワップアウト対象ページを含むSwapBlock内の全てのページの状態がDirtyである場合S805のYes、制御モジュール110は当該SwapBlock内のデータを、ワークメモリ120からフラッシュデバイス110にスワップアウトするS807。そして制御モジュール110は、当該SwapBlockの状態をCleanに変更するS808。そして制御モジュール110は、スワップアウト対象として選択したページに対応するメモリ領域を開放するとともに当該ページの状態をEmptyに変更しS809、また、SwapBlock内のスワップアウト対象以外のページの状態をCleanに変更しS810、再度S801の処理を実行する。続いて、S801においてワークメモリ120のスワップアウトが必要でない場合S801のNOについて説明する。制御モジュール110は、ワークメモリ120のメモリ領域へのデータのWrite処理を実行する場合S811のYes、書き込み対象ページを選択して当該ページに対応するメモリ領域にデータを書き込むS812。そして制御モジュール110は、書き込み対象ページの書き込み前の状態がCleanやEmptyであった場合S813のYes、例外処理割り込み処理を発生させて当該書き込み処理を検出する。次に制御モジュール110は、書き込み対象ページの状態をDirtyに変更しS815、再度S801の処理を実行する。一方、S813において書き込み対象ページの状態がDirtyであった場合S813のNo、制御モジュール110は、例外処理を発生させることなくS801の処理を実行する。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。