"歪点が735°C以上であって、50~350°Cでの平均熱膨張係数が30×107~40×107/°Cであって、ガラス粘度が102dPasとなる温度T2が1710°C以下であって、ガラス粘度が104dPasとなる温度T4が1340°C以下であって、失透温度が1330°C以下であって、酸化物基準のモル表示でSiO266~69、Al2O312~15、B2O30~1.5、MgO6~9.5、CaO7~9、SrO0.5~3、BaO0~1、ZrO20~2、からなり、MgOCaOSrOBaOが16~18.2であり、MgO/MgOCaOSrOBaOが0.35以上であり、MgO/MgOCaOが0.40以上0.52未満であり、MgO/MgOSrOが0.45以上である無アルカリガラス。歪点が735°C以上であって、T4-ガラス失透温度≧0°Cであって、ヤング率が84GPa以上であって、酸化物基準のモル表示でSiO267~69、Al2O313.5~14.5、B2O30~1、MgO7~8.5、CaO7.5~8.5、SrO1~3、BaO0~1、からなり、ZrO2を実質的に含有しない請求項1に記載の無アルカリガラス。SiO2の珪素源として、メディアン粒径D50が20μm~27μm、粒径2μm以下の粒子の割合が0.3体積以下、かつ粒径100μm以上の粒子の割合が2.5体積以下の珪砂を用いる、請求項1または2に記載の無アルカリガラスの製造方法。MgO、CaO、SrOおよびBaOのアルカリ土類金属源として、アルカリ土類金属の水酸化物を、アルカリ土類金属源100モルMO換算。但しMはアルカリ土類金属元素である。以下同じ。のうち、15~100モルMO換算含有するものを用いる、請求項1または2に記載の無アルカリガラスの製造方法。SiO2の珪素源として、メディアン粒径D50が20μm~27μm、粒径2μm以下の粒子の割合が0.3体積以下、かつ粒径100μm以上の粒子の割合が2.5体積以下の珪砂を用い、MgO、CaO、SrOおよびBaOのアルカリ土類金属源として、アルカリ土類金属の水酸化物を、アルカリ土類金属源100モルMO換算。但しMはアルカリ土類金属元素である。以下同じ。のうち、15~100モルMO換算含有するものを用いる、請求項1または2に記載の無アルカリガラスの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のガラスは、CaOを11モル以上含有するため失透温度が高く、またCaOの原料である石灰石中の不純物リンを多く含有し、ガラス基板上に作製するトランジスタにリーク電流を生じさせるおそれがある。また、特許文献2に記載のガラスは、SrOを15モル以上含有するため、50~300°Cでの平均熱膨張係数が50×107/°Cを超える。また、特許文献3に記載のガラスは、SiO2を55~67重量含有し、かつ、Al2O3を6~14重量含有するガラスa群とSiO2を49~58重量含有し、かつ、Al2O3を16~23重量含有するガラスb群とに分けられるが、a群はSiO2の含有量が多いため、SiO2原料であるケイ砂が融液中に熔けきらず未融ケイ砂として熔け残る問題があり、b群はAl2O3の含有量が多いため失透温度が著しく高くなる問題がある。特許文献1~3に記載のガラスにおける問題点を解決するため、特許文献4に記載の無アルカリガラスが提案されている。特許文献4に記載の無アルカリガラスは、歪点が高く、フロート法による成形ができ、ディスプレイ用基板、フォトマスク用基板等の用途に好適であるとされている。しかしながら、高品質のp-SiTFTの製造方法として固相結晶化法があるが、これを実施するためには、歪点をさらに高くすることが求められる。また、ガラス製造プロセス、特に溶解、成形における要請から、ガラスの粘性がさらに低く、低失透性を有することが求められている。本発明の目的は、上記欠点を解決し、歪点が高く、低粘性、かつ、低失透性を有し、フロート成形が容易な無アルカリガラスを提供することにある。本発明は、歪点が735°C以上であって、50~350°Cでの平均熱膨張係数が30×107~40×107/°Cであって、ガラス粘度が102dPasとなる温度T2が1710°C以下であって、ガラス粘度が104dPasとなる温度T4が1340°C以下であって、失透温度が1330°C以下であって、酸化物基準のモル表示でSiO266~69、Al2O312~15、B2O30~1.5、MgO6~9.5、CaO7~9、SrO0.5~3、BaO0~1、ZrO20~2、からなり、MgOCaOSrOBaOが16~18.2であり、MgO/MgOCaOSrOBaOが0.35以上であり、MgO/MgOCaOが0.40以上0.52未満であり、MgO/MgOSrOが0.45以上である無アルカリガラスを提供する。本発明の無アルカリガラスは、特に高歪点用途のディスプレイ用基板、フォトマスク用基板等に好適であり、また、フロート成形が容易なガラスである。次に各成分の組成範囲について説明する。SiO2は66モル、以下特記しないかぎり同じ未満では、歪点が充分に上がらず、かつ、熱膨張係数が増大し、密度が上昇する。好ましくは67以上である。しかし、69超では、溶解性が低下し、失透温度が上昇する。Al2O3はガラスの分相性を抑制し、熱膨脹係数を下げ、歪点を上げるが、12未満ではこの効果があらわれず、また、ほかの膨張を上げる成分を増加させることになるため、結果的に熱膨張が大きくなる。好ましくは13.5以上である。しかし、15超ではガラスの溶解性が悪くなったり、失透温度を上昇させるおそれがある。好ましくは14.5以下である。B2O3は、ガラスの溶解反応性をよくし、また、失透温度を低下させるため1.5まで添加できる。しかし、多すぎると歪点が低くなる。したがって1以下が好ましい。また、環境負荷を考慮すると実質的に含有しないことすなわち、不純物として不可避的に混入するものを除き含有しないこと。以下同様が好ましい。MgOは、アルカリ土類の中では膨張を高くせず、かつ歪点を過大には低下させないという特徴を有し、溶解性も向上させるが、6未満ではこの効果が十分あらわれない。好ましくは7以上である。しかし、9.5を超えると、失透温度が上昇するおそれがある。好ましくは8.5以下である。CaOは、MgOに次いでアルカリ土類中では膨張を高くせず、かつMgOよりも歪点を過大には低下させないという特徴を有し、さらに溶解性も向上させるが、7未満ではこの効果が十分あらわれない。好ましくは7.5以上である。しかし、9を超えると、失透温度が上昇したりCaO原料である石灰石CaCO3中の不純物であるリンが、多く混入するおそれがある。好ましくは8.5以下である。SrOは、ガラスの失透温度を上昇させず溶解性を向上させるが、0.5未満ではこの効果が十分あらわれない。好ましくは1以上である。しかしながら、MgOおよびCaOに比べると膨張係数を増加させる傾向があり、3を超えると膨脹係数が増大するおそれがある。BaOは必須ではないが溶解性向上のために含有できる。しかしながら、MgOおよびCaOに比べると膨張係数を増加させる傾向があり、多すぎるとガラスの膨張と密度を過大に増加させるので1以下とする。実質的に含有しないことが好ましい。ZrO2は、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼成時の結晶析出を促進するために、2まで含有してもよい。2超ではガラスが不安定になる、またはガラスの比誘電率εが大きくなる。好ましくは1.5以下であり、実質的に含有しないことがより好ましい。MgO、CaO、SrO、BaOは合量で16よりも少ないと、溶解性に乏しい。好ましくは17以上である。しかし、18.2よりも多いと、熱膨張係数を小さくできないという難点が生じるおそれがある。好ましくは18以下である。下記3条件を満たすことにより、失透温度を上昇させることなしに、歪点を上昇させ、さらにガラスの粘性を下げることができる。MgO/MgOCaOSrOBaOが0.35以上であり、好ましくは0.37以上である。MgO/MgOCaOが0.40以上0.52未満であり、好ましくは0.45以上0.52未満である。MgO/MgOSrOが0.45以上であり、好ましくは0.5以上である。なお、本発明の無アルカリガラスは、パネル製造時にガラス表面に設ける金属ないし酸化物薄膜の特性劣化を生じさせないために、アルカリ金属酸化物を不純物レベルを超えてすなわち実質的に含有しない。また、同様の理由で、P2O5を実質的に含有しないことが好ましい。さらに、ガラスのリサイクルを容易にするため、PbO、As2O3、Sb2O3は実質的に含有しないことが好ましい。本発明の無アルカリガラスは上記成分以外にガラスの溶解性、清澄性、フロート成形性を改善するため、ZnO、Fe2O3、SO3、F、Cl、SnO2を総量で5以下添加できる。本発明の無アルカリガラスは、歪点が735°C以上、好ましくは737°C以上、より好ましくは740°C以上であり、パネル製造時の熱収縮を抑えられる。また、p-SiTFTの製造方法として固相結晶化法を適用することができる。なお、本発明の無アルカリガラスは、歪点が735°C以上であることから、高歪点用途例えば、有機EL用のディスプレイ用基板または照明用基板、あるいは板厚100μm以下の薄板のディスプレイ用基板または照明用基板に適している。板厚100μm以下の板ガラスの成形では、成形時の引き出し速度が速くなる傾向があるため、ガラスの仮想温度が上昇し、ガラスのコンパクションが増大しやすい。この場合、高歪点ガラスであると、コンパクションを抑制することができる。また本発明の無アルカリガラスは、ガラス転移点が好ましくは760°C以上であり、より好ましくは770°C以上であり、さらに好ましくは780°C以上である。また本発明の無アルカリガラスは、50~350°Cでの平均熱膨張係数が30×107~40×107/°Cであり、耐熱衝撃性が大きく、パネル製造時の生産性を高くできる。本発明の無アルカリガラスにおいて、50~350°Cでの平均熱膨張係数が35×107~40×107/°Cであることが好ましい。さらに、本発明の無アルカリガラスは、比重が好ましくは2.65以下であり、より好ましくは2.64以下であり、さらに好ましくは2.62以下である。また、本発明の無アルカリガラスは、粘度ηが102ポイズdPasとなる温度T2が1710°C以下であり、好ましくは1700°C以下、より好ましくは1690°C以下になっているため、溶解が比較的容易である。さらに、本発明の無アルカリガラスは粘度ηが104ポイズとなる温度T4が1340°C以下、好ましくは1335°C以下、より好ましくは1330°C以下であり、フロート成形に適している。また、本発明の無アルカリガラスは失透温度が、1330°C以下、好ましくは1300°C未満、より好ましくは1290°C以下であり、フロート法による成形が容易である。本明細書における失透温度は、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で17時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの表面及び内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。板ガラス成形時の失透防止を考慮すると、フロート法の場合はT4-失透温度≧0°C、さらにはT4-失透温度≧20°Cを満たすことが好ましい。また、本発明の無アルカリガラスは、ヤング率が84GPa以上、さらには86GPa以上、さらには88GPa以上、さらには90GPa以上が好ましい。また、本発明の無アルカリガラスは、光弾性定数が31nm/MPa/cm以下であることが好ましい。液晶ディスプレイパネル製造工程や液晶ディスプレイ装置使用時に発生した応力によってガラス基板が複屈折性を有することにより、黒の表示がグレーになり、液晶ディスプレイのコントラストが低下する現象が認められることがある。光弾性定数を31nm/MPa/cm以下とすることにより、この現象を小さく抑えることができる。好ましくは30nm/MPa/cm以下、より好ましくは29nm/MPa/cm以下、さらに好ましくは28.5nm/MPa/cm以下、特に好ましくは28nm/MPa/cm以下である。また、本発明の無アルカリガラスは、他の物性確保の容易性を考慮すると、光弾性定数が25nm/MPa/cm以下であることが好ましい、なお、光弾性定数は円盤圧縮法により測定できる。また、本発明の無アルカリガラスは、比誘電率が5.6以上であることが好ましい。特開2011-70092号公報に記載されているような、インセル型のタッチパネル液晶ディスプレイパネル内にタッチセンサを内蔵したものの場合、タッチセンサのセンシング感度の向上、駆動電圧の低下、省電力化の観点から、ガラス基板の比誘電率が高いほうがよい。比誘電率を5.6以上とすることにより、タッチセンサのセンシング感度が向上する。好ましくは5.8以上、より好ましくは6.0以上、さらに好ましくは6.2以上、特に好ましくは6.4以上である。なお、比誘電率はJISC-21411992年に記載の方法で測定できる。本発明の無アルカリガラスは、例えば次のような方法で製造できる。通常使用される各成分の原料を目標成分になるように調合し、これを溶解炉に連続的に投入し、1500~1800°Cに加熱して熔融する。この熔融ガラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後切断することによって板ガラスを得ることができる。本発明の無アルカリガラスは、比較的溶解性が低いため、各成分の原料として下記を用いることが好ましい。珪素源SiO2の珪素源としては珪砂を用いることができるが、メディアン粒径D50が20μm~27μm、粒径2μm以下の粒子の割合が0.3体積以下、かつ粒径100μm以上の粒子の割合が2.5体積以下の珪砂を用いることが、珪砂の凝集を抑えて溶融させることができるので、珪砂の溶融が容易になり、泡が少なく、均質性、平坦度が高い無アルカリガラスが得られることから好ましい。なお、本明細書における粒径とは珪砂の球相当径本発明では一次粒径の意であって、具体的にはレーザー回折/散乱法によって計測された粉体の粒度分布における粒径をいう。また、本明細書におけるメディアン粒径D50とは、レーザー回折法によって計測された粉体の粒度分布において、ある粒径より大きい粒子の体積頻度が、全粉体のそれの50を占める粒子径をいう。言い換えると、レーザー回折法によって計測された粉体の粒度分布において、累積頻度が50のときの粒子径をいう。また、本明細書における粒径2μm以下の粒子の割合及び粒径100μm以上の粒子の割合は、例えば、レーザー回折/散乱法によって粒度分布を計測することにより測定される。珪砂のメディアン粒径D50が25μm以下であれば、珪砂の溶融がより容易になるので、より好ましい。また、珪砂における粒径100μm以上の粒子の割合は、0であることが珪砂の溶融がより容易になるので特に好ましい。アルカリ土類金属源アルカリ土類金属源としては、アルカリ土類金属化合物を用いることができる。ここでアルカリ土類金属化合物の具体例としては、MgCO3、CaCO3、BaCO3、SrCO3、Mg,CaCO3ドロマイト等の炭酸塩や、MgO、CaO、BaO、SrO等の酸化物や、MgOH2、CaOH2、BaOH2、SrOH2等の水酸化物を例示できるが、アルカリ土類金属源の一部または全部にアルカリ土類金属の水酸化物を含有させることが、ガラス原料の融解時のSiO2成分の未融解量が低下するので好ましい。珪砂中に含まれるSiO2成分の未融解量が増大すると、この未融解のSiO2が、ガラス融液中に泡が発生した際にこの泡に取り込まれてガラス融液の表層近くに集まる。これにより、ガラス融液の表層と表層以外の部分との間においてSiO2の組成比に差が生じて、ガラスの均質性が低下するとともに平坦性も低下する。アルカリ土類金属の水酸化物の含有量は、アルカリ土類金属源100モルMO換算。但しMはアルカリ土類金属元素である。のうち、好ましくは15~100モルMO換算、より好ましくは30~100モルMO換算であり、さらに好ましくは60~100モルMO換算であることが、ガラス原料の融解時のSiO2成分の未融解量が低下するのでより好ましい。アルカリ土類金属源中の水酸化物のモル比が増加するにつれて、ガラス原料の融解時のSiO2成分の未融解量が低下するので、上記水酸化物のモル比は高ければ高いほどよい。アルカリ土類金属源として、具体的には、アルカリ土類金属の水酸化物と炭酸塩との混合物、アルカリ土類金属の水酸化物単独、などを用いることができる。炭酸塩としては、MgCO3、CaCO3及びMg,CaCO32ドロマイトのいずれか1種以上を用いることが好ましい。またアルカリ土類金属の水酸化物としては、MgOH2またはCaOH2の少なくとも一方を用いることが好ましく、特にMgOH2を用いることが好ましい。ホウ素源無アルカリガラスがB2O3を含有する場合、B2O3のホウ素源としては、ホウ素化合物を用いることができる。ここでホウ素化合物の具体例としては、オルトホウ酸H3BO3、メタホウ酸HBO2、四ホウ酸H2B4O7、無水ホウ酸B2O3等が挙げられる。通常の無アルカリガラスの製造においては、安価で、入手しやすい点から、オルトホウ酸が用いられる。本発明においては、ホウ素源として、無水ホウ酸を、ホウ素源100質量B2O3換算のうち、10~100質量B2O3換算含有するものを用いることが好ましい。無水ホウ酸を10質量以上とすることにより、ガラス原料の凝集が抑えられ、泡の低減効果、均質性、平坦度の向上効果が得られる。無水ホウ酸は、20~100質量がより好ましく、40~100質量がさらに好ましい。無水ホウ酸以外のホウ素化合物としては、安価で、入手しやすい点から、オルトホウ酸が好ましい。各成分の原料を目標組成になるように調合し、白金坩堝を用いて1500~1600°Cの温度で溶解した。溶解にあたっては、白金スターラを用い撹拌しガラスの均質化を行った。次いで溶解ガラスを流し出し、板状に成形後徐冷した。表1には、ガラス組成単位:モルと、ガラスのβOH値ガラス中の水分含有量の指標として下記手順で測定、単位:mm1、50~350°Cでの熱膨脹係数単位:×107/°C、歪点単位:°C、ガラス転移点単位:°C、比重、ヤング率GPa超音波法により測定、高温粘性値として、溶解性の目安となる温度T2ガラス粘度ηが102ポイズとなる温度、単位:°C、とフロート成形性の目安となる温度T4ガラス粘度ηが104ポイズとなる温度、単位:°C、失透温度単位:°C、光弾性定数単位:nm/MPa/cm円盤圧縮法により測定、および、比誘電率JISC-2141に記載の方法により測定を示す。[βOH値の測定方法]ガラス試料について波長2.75~2.95μm光に対する吸光度を測定し、その最大値βmaxを該試料の厚さmmで割ることでガラス中のβOH値を求める。なお、表1中、括弧書で示した値は計算値である。表から明らかなように、実施例のガラスはいずれも、熱膨脹係数は30×107~40×107/°Cと低く、歪点も735°C以上と高く、高温での熱処理に充分耐えうることがわかる。また、歪点が735°C以上であることから、高歪点用途例えば、有機EL用のディスプレイ用基板または照明用基板、もしくは板厚100μm以下の薄板のディスプレイ用基板または照明用基板に適している。溶解性の目安となる温度T2も1710°C以下と比較的低く溶解が容易であり、成形性の目安となる温度T4が1340°C以下であり、かつ、失透温度が1330°C以下、好ましくは1330°C未満であり、フロート成形時に失透が生成するなどのトラブルがないと考えられる。光弾性定数が31nm/MPa/cm以下であり、液晶ディスプレイのガラス基板として使用した場合にコントラストの低下を抑制することができる。また、比誘電率が5.6以上であり、インセル型のタッチパネルのガラス基板として使用した場合にタッチセンサのセンシング感度が向上する。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年12月27日出願の日本特許出願2010-289425に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。"