処理室と、前記処理室内で被処理基板を載置する第1電極と、前記処理室内で前記第1電極と平行に向かい合う第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を前記第2電極に供給する電源と、を備え、前記第1電極は、前記被処理基板を載置する側の面において、前記被処理基板を載置するための載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部を備えること、を特徴とするプラズマプロセス装置。前記第1電極は、前記被処理基板を載置する側の面において、前記載置領域を除いた領域の全てに前記掘り込み部を備えること、を特徴とする請求項1に記載のプラズマプロセス装置。前記掘り込み部の表面の表面粗さが、前記第1電極における他の表面の表面粗さよりも大きいこと、を特徴とする請求項1または2に記載のプラズマプロセス装置。前記第1電極は、複数の構成部品を組み合わせて構成されていること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマプロセス装置。しかしながら、上記従来の技術によれば、処理装置内部への膜の形成量に変化はないため、結局は装置内部の内壁等に形成された膜の剥がれが発生し、この膜の剥がれに起因した不良が発生していた。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるプラズマプロセス装置は、処理室と、前記処理室内で被処理基板を載置する第1電極と、前記処理室内で前記第1電極と平行に向かい合う第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を前記第2電極に供給する電源と、を備え、前記第1電極は、前記被処理基板を載置する側の面において、前記被処理基板を載置するための載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部を備えること、を特徴とする。本発明によれば、第1電極の被処理基板を載置する側の面において、被処理基板を載置するための載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部を備えることにより、載置領域を除いた領域への成膜レートを低減して膜の形成量を減らすことができる。これにより、第1電極の被処理基板を載置する側の面に形成された膜の膜剥がれの発生を遅らせることができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかるプラズマプロセス装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかるプラズマプロセス装置であるプラズマCVD装置100の概略構成を説明するための模式図である。図1に示すように、処理室1の内部には、複数の被処理基板3を載置する基板ステージ4が設置されている。基板ステージ4は、接地されている。基板ステージ4上には、被成膜面が水平且つ上向きとなるように被処理基板3が保持される。また、処理室1内の底部には搬送ローラー5が設けられ、被処理基板3が保持された基板ステージ4が該搬送ローラー5により処理室1内に搬送される。また、処理室1内には平行平板型電極が構成されている。平行平板型電極は、第1電極と第2電極とにより構成される。第1電極は、被処理基板3を載置する基板ステージ4が兼ねている。また、第2電極としては、基板ステージ4に相対して配置される電極2を有する。電極2は、処理ガスである原料ガスを基板ステージ4の上部領域に分散供給するための処理ガス供給手段としてガス導入口8を備えている。また、基板ステージ4は図示しない加熱ヒータを内蔵している。ガス導入口8は、電極2の下面基板ステージ4と対向する側の主面のほぼ全面にわたって設けられている。ガス導入口8には、該ガス導入口8に原料ガスを送り込むための図示しないガス供給用配管を介してたとえばガスボンベ等のガス供給源に接続されている。そして、該ガス導入口8から原料ガスを噴出することにより、原料ガスを分散供給することができる。また、処理室1は、排気部図示せずにより処理室1内のガス圧を調整可能とされている。また、電極2には、整合器6を介して電源7が接続されている。電源7から電極2に高周波電圧を印加することにより、電極2と基板ステージ4との間に高周波電力が印加されて被処理基板3と電極2との間にプラズマが生成される。ガス導入口8から分散された原料ガスはプラズマで分解解離されて成膜前駆体が生成され、これが被処理基板3上に堆積して被処理基板3上での反応を経て薄膜が形成される。電極2と被処理基板3との間隔は成膜レートや膜質のばらつき、放電の安定性を考慮して適宜、最適化される。つぎに、本実施の形態にかかるプラズマCVD装置100による成膜処理について説明する。成膜処理を行うには、まず排気部により処理室1内の排気を行い、処理室1内を真空状態にする。つぎに、ガス供給源からガス供給用配管およびガス導入口8を介して原料ガスを基板ステージ4の上部領域に分散供給し、排気とのバランスで処理室1内のガス圧を所望の圧力に調整する。そして、上記のような状態において電源7により電極2に高周波電圧を印加して電極2と基板ステージ4との間に電界を発生させると、プラズマ発生領域、すなわち被処理基板3と電極2とが対向する領域において原料ガスが励起されてプラズマが発生し、原料ガスはプラズマにより分解解離される。これにより成膜前駆体が生成され、この成膜前駆体が被処理基板3上に堆積して被処理基板3上での反応を経て薄膜が形成される。ここで、成膜時においては、成膜前駆体は被処理基板3上だけではなく、処理室1内の内壁や電極2、基板ステージ4へも堆積して膜が形成される。このような膜が剥がれてパーティクルとなって処理前の被処理基板3上へ落下すると、該パーティクルは成膜時にマスクとなる。そして、この状態で成膜が行われると、被処理基板3においてパーティクルによりマスクされている部分には成膜が行われず、部分的に未成膜部分が形成される。そこで、実施の形態1にかかるプラズマCVD装置100では、基板ステージ4の上面への膜の形成を抑制し、上述した被処理基板3における未成膜部分の発生を抑制可能としている。発明者は、基板ステージ4への膜形成のメカニズムを鋭意検討し、基板ステージ-電極間距離と基板ステージへの成膜レートとの関係に注目した。実施の形態1にかかる基板ステージ4は、たとえば板状のカーボン材を加工して作製されている。そして、実施の形態1にかかる基板ステージ4は、被処理基板3の載置側の面において、被処理基板3を載置するための載置領域を除いた領域以下、未配置部と呼ぶ場合があるの全部または一部に掘り込み部を設けている。すなわち、基板ステージ4は、基板ステージ4の上面に被処理基板3を載置した際に被処理基板3で覆われない部分の全部または一部に掘り込み部4aを設けている。したがって、電極2と被処理基板3との間隔よりも、電極2と基板ステージ4の掘り込み部4aの底部との間隔が大きくされている。このような構造によれば、掘り込み部4aに対応するプラズマ発生領域では成膜前駆体の生成レートが被処理基板3に対応するプラズマ発生領域よりも低下する。これにより、掘り込み部4aにおける成膜レートを被処理基板3における成膜レートよりも低くすることができ、掘り込み部4aへの成膜量を減らすことができる。その結果、基板ステージ4に形成された膜の膜剥がれの発生を遅らせることができる、という効果が得られる。たとえば基板ステージ4の上面から1.5mmの深さの掘り込み部4aがある部分では成膜レートは5程度低下する。これにより、基板ステージ4からの膜剥がれが発生するまでの成膜処理回数を5増やすことができる。そして、掘り込み部4aの深さをより深くすることで更なる成膜レート低減効果が得られる。図2は、実施の形態1にかかる基板ステージ4の上面図である。図2では、被処理基板3が配置された基板ステージ4を上から見た状態を示している。図2に示されるように実施の形態1にかかる基板ステージ4は、上面において被処理基板3が配置されない未配置部には全て掘り込み部4aが設けられた構造を有する。なお、図2では、被処理基板3の未配置部の全てに掘り込み部4aを形成している場合を示しているが、被処理基板3の未配置部の少なくとも一部に掘り込み部4aがあれば、上述した効果が得られる。但し、十分な効果を得るためには、被処理基板3の未配置部における掘り込み部4aの形成領域を広くすることが好ましい。図3は、実施の形態1にかかる基板ステージ4における掘り込み部4aの他の構成例を示す断面図である。図3は、基板ステージ4の掘り込み部4aの断面形状が四角形状ではない場合を示しており、図3aは、基板ステージ4の掘り込み部4aの断面が三角形状である場合、図3bは、基板ステージ4の掘り込み部4aの底部断面形状が略半円形状である場合を示している。掘り込み部4aの断面をこのような形状とすることにより、掘り込み部4aへの応力集中による強度低下を抑制することが可能である。図4は、基板ステージ4における掘り込み部4aの掘り込み範囲を説明する要部断面図である。図4aに示すように、基板ステージ4の面方向において、隣り合う被処理基板3間の未配置部からさらに外方、すなわち被処理基板3の領域にまで掘り込めば、未配置部の全ての領域に掘り込み部4aを設けることができる。また、被処理基板3の配置ずれを考慮する場合は、図4bに示すように基板ステージ4の面方向において被処理基板3の外周にある程度の領域を残して、隣り合う被処理基板3間の未配置部を掘り込んでもよい。ただし、この場合は掘り込み部4aを形成していない未配置部には膜が形成される。図5は、基板ステージ4の他の構成例を示す要部斜視図である。図5に示す基板ステージ4では、被処理基板3の配置ずれを防止して被処理基板3を所定の位置に位置決めするための位置決め部材10が被処理基板3を囲むように掘り込み部4aに設けられている。これにより、搬送時等における被処理基板3の配置ずれを防止することができる。なお、位置決め部材10の上面にも成膜時に膜が形成されるため、位置決め部材10の高さは極力低い方が好ましい。上述したように、実施の形態1にかかるプラズマCVD装置100では、基板ステージ4の上面において被処理基板3の未配置部に掘り込み部4aを設けることにより該未配置部への成膜レートを低減し、該未配置部への膜の形成量を減らすことができる。これにより、基板ステージ4の上面に形成された膜の膜剥がれの発生を遅らせることができる、という効果を得ることができる。実施の形態2.実施の形態2では、基板ステージ4の掘り込み部4aの表面形状について説明する。図6は、実施の形態2にかかる基板ステージ41の掘り込み部41aの表面形状を説明するための断面図である。実施の形態2にかかる基板ステージ41では、図6に示すように掘り込み部41aの表面の表面粗さが、基板ステージ41の他の表面の表面粗さよりも大きくされている。実施の形態2ではこのように掘り込み部41aの表面が粗く加工された構造を有することにより、掘り込み部41aの表面積を増加させることができる。これにより、掘り込み部41aに成膜される単位面積あたりの成膜厚さをより低減し、基板ステージ41の掘り込み部41aからの膜の膜剥がれの発生をより遅らせることができる。実施の形態3.実施の形態3では、基板ステージの構造の変形例について説明する。図7は、実施の形態3にかかる基板ステージ42の構造を説明するための上面図である。実施の形態3にかかる基板ステージ42は、図7に示すように2つの基板ステージ構成部品11が組み合わされて構成されている。大量の被処理基板3に対して一度の成膜処理で成膜する場合には、基板ステージのサイズがたとえば1m角以上となり、1つの部材で基板ステージを構成することが困難な場合が生じる。この場合には、たとえば図7に示すように連結部材12を用いて2つの基板ステージ構成部品11を連結して基板ステージ42を構成する。掘り込み部42aを形成する加工は、2つの基板ステージ構成部品11を連結する前に行ってもよく、連結した後に行ってもよい。これにより、たとえば1m角以上の大きなサイズの基板ステージ42を得ることができる。このように、基板ステージ構成部品を組み合わせることにより基板ステージを作製した場合でも、1つの部材で基板ステージを作製した場合と同様、実施の形態1、2と同様の効果を得ることができる。なお、ここでは2つの基板ステージ構成部品11を組み合わせて基板ステージ42を構成する場合について説明したが、基板ステージ構成部品の数量は2つに限定されるものではない。すなわち、3つ以上の基板ステージ構成部品を用いて基板ステージを構成してもよい。上記の実施の形態においてはプラズマCVD装置を例に本発明にかかるプラズマプロセス装置を説明したが、本発明はプラズマエッチング装置やプラズマアッシング装置にも適用可能である。プラズマエッチング装置やプラズマアッシング装置では、上記の構造と異なる構造を取る場合もあるが、2つの電極間にプラズマを発生させることにより該プラズマにより処理ガスが活性化され、被処理基板上に処理が施されるという原理はプラズマCVD装置と同じである。したがって、プラズマエッチング装置やプラズマアッシング装置の場合も、被処理基板上に処理を施すことにより、処理室内部の内壁や電極、基板ステージへエッチングが行なわれる。そして、これらのエッチングによるパーティクルの発生に起因して不良が発生する。そこで、上記の実施の形態と同様に基板ステージに掘り込み部を設けることにより、上述したプラズマCVD装置の場合と同様に被処理基板の未配置部へのエッチングレートを低減し、該未配置部へのエッチング量を減らすことができる。これにより、基板ステージの上面でのエッチングによるパーティクルの発生量を低減することができる、という効果を得ることができる。