"互いに対向する第1主面及び第2主面を有するフェライトと、前記フェライトの第1主面に配置され、共振することのない主線路と、前記主線路から分岐して第2主面に回り込んだ副線路と、前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、を備え、前記主線路の一端は前記フェライトに設けた第1のスルーホール導体を介して第2主面に設けた第1の導体の一端に接続され、該第1の導体の他端が第1開口とされ、前記主線路の他端は前記フェライトに設けた第2のスルーホール導体を介して第2主面に設けた第2の導体の一端に接続され、該第2の導体の他端が第2開口とされ、前記副線路の端部が第3開口とされ、前記第3開口にリアクタンス素子を接続し、該リアクタンス素子はグランドに接続されること、を特徴とする磁気共鳴型アイソレータ。前記副線路は前記フェライトに設けた第3のスルーホール導体を介して第2主面に回り込み、かつ、前記主線路と直交する方向に延在された端部が第3開口とされていること、を特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴型アイソレータ。前記第1開口が入力ポート、前記第2開口が出力ポートであること、を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁気共鳴型アイソレータ。前記フェライトは第1主面及び第2主面にそれぞれ対向する一対の永久磁石によって挟まれていること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の磁気共鳴型アイソレータ。本発明の目的は、さらなる低損失化及び/又は高アイソレーション特性とすることのできる磁気共鳴型アイソレータを提供することにある。本発明の一形態である磁気共鳴型アイソレータは、互いに対向する第1主面及び第2主面を有するフェライトと、前記フェライトの第1主面に配置され、共振することのない主線路と、前記主線路から分岐して第2主面に回り込んだ副線路と、前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、を備え、前記主線路の一端は前記フェライトに設けた第1のスルーホール導体を介して第2主面に設けた第1の導体の一端に接続され、該第1の導体の他端が第1開口とされ、前記主線路の他端は前記フェライトに設けた第2のスルーホール導体を介して第2主面に設けた第2の導体の一端に接続され、該第2の導体の他端が第2開口とされ、前記副線路の端部が第3開口とされ、前記第3開口にリアクタンス素子を接続し、該リアクタンス素子はグランドに接続されること、を特徴とする。前記磁気共鳴型アイソレータにおいて、リアクタンス素子が接続されている副線路からの反射波が第1及び第2開口からの入射波に対して主線路と副線路の交点で90度位相がずれるように調整されている。これにより、交点に正又は負の円偏波が発生する。正又は負の円偏波が発生することによる信号の吸収、通過は従来と同様である。主線路が共振することはないので、主線路を1/4波長以下に短くすることができ、かつ、3開口タイプであるためにリアクタンス素子は一つでよい。これにて、小型で低インピーダンスの磁気共鳴型アイソレータとすることができる。さらに、前記磁気共鳴型アイソレータにおいて、主線路の一端はフェライトに設けた第1のスルーホール導体を介して、他端はフェライトに設けた第2のスルーホール導体を介して、それぞれ、第1の導体及び第2の導体の一端に接続され、第1及び第2の導体の他端が第1開口及び第2開口とされているため、主線路のフェライトに対する巻回が増大しフェライト内の円偏波形成に寄与する磁界が強化され、その結果、アイソレーション特性が向上する。また、第3開口に接続されるリアクタンス素子の値を調整することによってアイソレーション特性や挿入損失特性の向上を図ることができる。本発明によれば、さらなる低損失化及び/又は高アイソレーション特性とすることのできる磁気共鳴型アイソレータを得ることができる。以下、本発明に係る磁気共鳴型アイソレータの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部品、部分には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において斜線を付した部分は導電体であることを示している。磁気共鳴型アイソレータ1は、図1~図3に示すように、フェライト10と、フェライト10の第1主面11に配置された主線路15と、該主線路15から分岐して第2主面12に回り込んだ副線路20と、フェライト10に直流磁界を印加する一対の永久磁石29と、リアクタンス素子としてのコンデンサCと、実装用基板30と、を備えている。主線路15の一端はフェライト10の左側面部図3A参照に設けたスルーホール導体16aを介して第2主面12に設けた導体17a図3B参照の一端に接続され、該導体17aの他端はフェライト10に設けたスルーホール導体18aに接続されている。主線路15の他端はフェライト10の右側面部に設けたスルーホール導体16bを介して第2主面12に設けた導体17bの一端に接続され、該導体17bの他端はフェライト10に設けたスルーホール導体18bに接続されている。即ち、主線路15は、その両端がスルーホール導体16a,16bを介して導体17a,17bに延長され、フェライト10に巻回された状態とされている。導体17aの他端が第1開口P1とされ、導体17bの他端が第2開口P2とされている。副線路20の上端はフェライト10の上面に設けたスルーホール導体21を介して第2主面12に設けた導体22図3B参照に接続され、該導体22の端部はフェライト10の下面に設けたスルーホール導体23に接続されている。副線路20はスルーホール導体21を介して導体22にまで延長され、導体22の端部が第3開口P3とされている。主線路15、副線路20及び導体17a,17b,22は、導電性金属による蒸着などで形成された薄膜あるいは導電性ペーストの塗布焼付けにて形成された厚膜である。また、それぞれのスルーホール導体16a,16b,18a,18b,21,23は、図4に示すように、フェライト10の4辺に形成された凹部25に導電材を充填することにより形成されている。フェライト10は、図5に示すように、焼成された1枚のマザー基板10’に所定の間隔で凹部25をマトリクス状に形成し、これらの凹部25に導電材を充填、固化させた後に直線Eでカットし、1単位のフェライト10を得る。マザー基板10’に凹部25を形成するのは、サンドブラスト法、レーザー照射法などによる。ところで、第1開口P1と第2開口P2との間に配置された主線路15導体17a,17bを含むは1/4波長以下の共振しない線路長とされている。また、副線路20の端部である第3開口P3にはコンデンサCの一端が接続される。実装用基板30には、入力端子電極31、出力端子電極32、中継端子電極33、グランド端子電極34がそれぞれ形成されている。一対の永久磁石29はフェライト10の第1及び第2主面11,12に貼着されて3者が一体化されており、一体化された状態で実装用基板30上に搭載される。このとき、第1開口P1は入力端子電極31に接続され、第2開口P2は出力端子電極32に接続され、第3開口P3は中継端子電極33に接続される。コンデンサCは一端が中継端子電極33に接続され、他端がグランド端子電極34に接続される。以上の構成からなる磁気共鳴型アイソレータ1において、コンデンサCが接続されている副線路20からの反射波が第1開口P1又は第2開口P2からの入射波に対して主線路15との交点で90度位相がずれるように調整されている。詳しくは、第1開口P1からの入射波は、副線路20からの反射波によって交点に負の円偏波が生じるので磁気共鳴が発生することはなく、入射波は第2開口P2に伝送される。一方、第2開口P2からの入射波は、副線路20からの反射波によって交点に正の円偏波が生じるので磁気共鳴して吸収される。以下に、前記磁気共鳴型アイソレータ1の特性を比較例の特性と併せて説明する。なお、比較例は、図9に示すように、主線路15をフェライト10の第1主面11のみに形成したもので、他の構成は図1~図3に示したアイソレータ1と同じである。本発明例及び比較例において、フェライト10の厚みTは0.15mm、一対の永久磁石29を含めた幅寸法W1は0.89mm、幅寸法W2は0.73mm、高さHは0.53mmである。また、コンデンサCの容量は比較例において1.7pFである。本発明例では容量1.7pFを基準として、2.0pFと1.6pFに変更した特性をも示す。本発明例において、コンデンサCの容量を2.0pFにした場合、挿入損失特性は図6Aの曲線Xに示すとおりであり、容量が1.7pFの比較例での挿入損失特性図6Aの曲線Y参照と比較すると、1920~1980MHzにおいてほぼ同等である。本発明例の同じ容量値2.0pFでのアイソレーション特性を図6Bの曲線Xに示す。図6Bの曲線Yは容量が1.7pFの比較例でのアイソレーション特性を示しており、1920~1980MHzにおいて両者を比較すると、本発明例はアイソレーション特性において向上している。本発明例において、コンデンサCの容量を1.7pFにした場合、挿入損失特性は図7Aの曲線Xに示すとおりであり、容量が1.7pFの比較例での挿入損失特性図7Aの曲線Y参照よりも向上している。本発明例の同じ容量値1.7pFでのアイソレーション特性を図7Bの曲線Xに示す。図7Bの曲線Yは容量が1.7pFの比較例でのアイソレーション特性を示しており、1920~1980MHzにおいて本発明のほうがアイソレーション特性においても向上している。本発明例において、コンデンサCの容量を1.6pFにした場合、挿入損失特性は図8Aの曲線Xに示すとおりであり、容量が1.7pFの比較例での挿入損失特性図8Aの曲線Y参照よりも向上している。本発明例の同じ容量値1.6pFでのアイソレーション特性を図8Bの曲線Xに示す。図8Bの曲線Yは容量が1.7pFの比較例でのアイソレーション特性を示しており、1920~1980MHzにおいて本発明のほうがアイソレーション特性においても向上している。前記磁気共鳴型アイソレータ1は、例えば、移動体通信機器の送信回路モジュールに組み込まれる。実装用基板30は送信回路モジュールにおけるパワーアンプを搭載するためのプリント配線基板であってもよい。この場合、主線路15、副線路20を備えかつ永久磁石29を貼着したフェライト10が送信モジュールの組立て工程に供給されることになる。なお、本発明に係る磁気共鳴型アイソレータは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できる。特に、フェライト10の形状、主線路15や副線路20の細部は任意であり、主線路15と副線路20の交点が90度より若干大きいあるいは小さい角度を有していてもよい。また、実装用基板30にあってはその大きさ、形状、構造などは任意である。さらに、第3開口P3に接続されるリアクタンス素子としてはコンデンサCのほかインダクタであってもよい。また、副線路20をフェライト10の第2主面12に回り込ませるのに、必ずしもスルーホール導体21を介在させる必要はなく、フェライト10の上面に形成した導体膜を介在させてもよい。"