温水が貯留される給湯タンク41と、該給湯タンク41に連通する水流路12と、該水流路12の水を浄化する水浄化ユニット60とを備えた給湯システムであって、上記水浄化ユニット60は、上記水流路12に接続される水浄化流路61と、該水浄化流路61の水中で放電を生起する電極対6464a64b6565a65bと、該電極対6464a64b6565a65bに電圧を印加する電源7070a70b70cと、超音波発生部94とを有し、上記水浄化ユニット60は、上記放電によって上記水浄化流路61の水中に水酸ラジカルを生成するように構成され、上記超音波発生部94は、超音波を水中に照射することにより、該水中に生成した水酸ラジカルが変化して生成する過酸化水素を水酸ラジカルに変換し、上記水浄化流路61に流入する水を加熱する加熱部42bと、上記加熱部42bが水を加熱する動作を開始した後に上記水浄化ユニット60が放電を開始するように、上記加熱部42b及び水浄化ユニット60を制御する第1制御部85とを備えていることを特徴とする給湯システム。請求項1において、上記水浄化流路61に流入する水の温度を検出する水温検出部56を備え、上記第1制御部85は、上記加熱部42bが水を加熱する動作を開始した後、上記水温検出部56で検出した水温が所定温度に達すると、上記水浄化ユニット60の放電を開始させることを特徴とする給湯システム。請求項1又は2において、上記水流路12は、上記水浄化流路61が接続されて水が循環する循環流路131416を含み、上記加熱部42bは、上記循環流路131416の水を加熱するように配設されていることを特徴とする給湯システム。請求項3において、上記循環流路131416は、浴槽U1の水が循環する浴槽循環流路16であることを特徴とする給湯システム。請求項1乃至4のいずれか1つにおいて、上記水浄化流路61に銅イオン又は鉄イオンを供給するイオン供給部201を備えていることを特徴とする給湯システム。請求項5において、上記イオン供給部201は、上記水浄化流路61の流入側に接続される銅製又は鉄製の配管201であることを特徴とする給湯システム。請求項1乃至6のいずれか1つにおいて、上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフを制御する第2制御部51と、上記超音波発生部94の動作を制御する第3制御部55とをさらに備え、上記第2制御部51及び上記第3制御部55は、上記水浄化流路61の上記水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えないように、上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフ及び上記超音波発生部94の動作をそれぞれ制御することを特徴とする給湯システム。請求項7において、上記水浄化流路61の上記水中に含まれる過酸化水素の濃度をモニタするセンサ57をさらに備え、上記第2制御部55は、上記センサ57によるモニタ結果に応じて上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフを制御し、上記第3制御部55は、上記センサ57によるモニタ結果に応じて上記超音波発生部94の動作を制御することを特徴とする給湯システム。請求項8において、少なくとも上記水中の過酸化水素の濃度が上記上限値を越えた場合には、上記第2制御部51が上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧をオフにして上記放電を停止させると共に、上記第3制御部55が上記超音波発生部94を動作させることを特徴とする給湯システム。請求項7乃至9のいずれか1つにおいて、上記第3制御部55は、上記水浄化流路61の上記水中に含まれる過酸化水素の濃度が上記上限値よりも低い所定の下限値を超える期間に、上記超音波発生部94をオン状態にすることを特徴とする給湯システム。請求項1乃至6のいずれか1つにおいて、上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフの制御、及び上記超音波発生部94の動作の制御を行う第2制御部をさらに備え、上記第2制御部は、上記水浄化流路61の上記水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えないように、上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフ、及び上記超音波発生部94の動作を制御することを特徴とする給湯システム。請求項11において、上記第2制御部は、上記水浄化流路61の上記水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えた場合には、上記電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧をオフにして上記放電を停止させる一方、上記水中に含まれる過酸化水素の濃度が上記上限値よりも低い所定の下限値を超える期間に、上記超音波発生部94をオン状態にすることを特徴とする給湯システム。請求項1乃至12のいずれか1つにおいて、上記水浄化流路61の水中に泡を吐出する吐出手段119と、上記吐出手段119に気体を送る送出手段99とをさらに備え、上記電極対6465は、板状であって、互いに対向するように配置されており、上記電源70bは、上記電極対6465にパルス電圧を印加し、上記吐出手段119は、上記電極対6465の間であって、上記水浄化流路61の底部に配置されていることを特徴とする給湯システム。上述の次亜塩素酸は、水温の上昇に伴い分解され易いという特性を有する。具体的に、次亜塩素酸は、水温が約40°Cを越えると、急激に分解され、塩素又はトリハロメタン等が生成される虞もある。一方、浴槽等に温水を供給する給湯システムにおいては、水流路を流れる水温が比較的に高くなる。従って、このような給湯システムでは、次亜塩素酸の分解が促進されて、充分な殺菌及び浄化性能を得ることができないという問題が生じる。本発明は、かかる問題に鑑み、その目的は、水流路の水が比較的に高温であっても、水流路の水を充分に殺菌及び浄化できるようにすることにある。第1の発明は、温水が貯留される給湯タンク41と、該給湯タンク41に連通する水流路12と、該水流路12の水を浄化する水浄化ユニット60とを備えた給湯システムを対象とし、水浄化ユニット60は、水流路12と接続される水浄化流路61と、該水浄化流路61の水中で放電を生起する電極対6464a64b6565a65bと、該電極対6464a64b6565a65bに電圧を印加する電源70と、超音波発生部94とを有し、水浄化ユニット60は、放電によって水浄化流路61の水中に水酸ラジカルを生成するように構成され、超音波発生部94は、超音波を水中に照射することにより、該水中に生成した水酸ラジカルが変化して生成する過酸化水素を水酸ラジカルに変換し、水浄化流路61に流入する水を加熱する加熱部42bと、該加熱部42bが水を加熱する動作を開始した後に水浄化ユニット60が放電を開始するように、加熱部42b及び水浄化ユニット60を制御する第1制御部85とを備えている。第1の発明によると、加熱部42bが、第1制御部85によって制御され、加熱部42bによる水の加熱動作が行われる。加熱部42bで加熱された水は、水浄化流路61に流入する。加熱部42bの加熱動作の開始の後には、水浄化ユニット60が第1制御部85によって制御され、電源70から電極対6464a64b6565a65bに電圧が印加される。これにより、水浄化流路61の水中では、放電が生起する。この放電に伴って水浄化流路61の水中では、水酸ラジカル及び該水酸ラジカルが変化した過酸化水素が生成される。このような水浄化流路61の水は、加熱部42bによって加熱されて高温となっている。これにより、熱による水の殺菌効果が向上する。また、過酸化水素は、比較的に高温の条件下においても、水中に残留し易い。具体的に、過酸化水素は、水温が約40°C以上の条件下で約1時間経過したとしても、約4程度の濃度しか分解されない。しかも、水温が高温となることにより、過酸化水素の活性が高まり、過酸化水素による殺菌効果も向上する。従って、本発明の給湯システムによると、水流路12を流れる水を充分に殺菌することができる。また、水中では、放電の発生に伴い、水酸ラジカル等の活性種も生成される。このため、水中に含まれる有害物質例えば硫黄系化合物は、活性種によって酸化分解されて除去される。その上、水中に超音波を照射することにより、水酸ラジカルが変化して生成された過酸化水素を水酸ラジカルに変換するため、殺菌能力がさらに向上する。第2の発明は、第1の発明において、水浄化流路61に流入する水の温度を検出する水温検出部56を備え、第1制御部85は、加熱部42bが水を加熱する動作を開始した後、水温検出部56で検出した水温が所定温度に達すると、水浄化ユニット60の放電を開始させる。第2の発明によると、水浄化流路61に流入する水の温度が、水温検出部56によって検出される。加熱部42bの加熱動作が開始された後、水温検出部56に検出された水温が所定温度に達すると、水浄化ユニット60で放電が行われる。この際、水浄化流路61の水温は、所定の温度にまで上昇しているため、熱による殺菌効果及び過酸化水素による殺菌効果を確実に向上できる。第3の発明は、第1又は2において、水流路12は、水浄化流路61が接続されて水が循環する循環流路131416を含み、加熱部42bは、循環流路131416の水を加熱するように配設されている。第3の発明によると、水が循環する循環流路131416に水浄化流路61が接続される。循環流路131416においては、所定の水が適宜循環するため、水中で菌が増殖し易く、有害物質等も生成され易い。しかしながら、本発明では、循環流路131416を流れる水が加熱部42bによって加熱され、さらに水浄化ユニット60から水中に過酸化水素が付与される。従って、循環流路131416においては、高温の水温条件下において過酸化水素が存在する状態となる。その結果、循環流路131416での水の殺菌性能及び水の浄化効率が向上する。第4の発明は、第3の発明において、循環流路131416は、浴槽U1の水が循環する浴槽循環流路16である。第4の発明によると、浴槽U1から吸い込まれた水が加熱部42bによって加熱され、さらに水浄化流路61を経由して、浴槽U1へ供給される。このため、浴槽U1へは、過酸化水素を含む高温の水が適宜供給される。従って、この水を浴槽U1の内壁等の殺菌や浄化にも利用できる。第5の発明は、第1乃至第4のいずれか1つにおいて、水浄化流路61に銅イオン又は鉄イオンを供給するイオン供給部201を備えている。第5の発明によると、イオン供給部201から銅イオン又は鉄イオンが水浄化流路61に供給される。過酸化水素を含む水中において、銅イオン又は鉄イオンが共存する条件下では、いわゆるフェントン反応により、銅イオン又は鉄イオンが触媒的に作用して、水酸ラジカルが生成される。従って、水浄化流路61の水中では、水酸ラジカルの生成量が増大して、有害物質の分解効率が向上する。第6の発明は、第5の発明において、イオン供給部201は、水浄化流路61の流入側に接続される銅製又は鉄製の配管201である。第6の発明によると、水浄化流路61の流入側に銅製又は鉄製の配管201を設けることにより、該配管201がイオン供給部として機能する。即ち、銅製の配管201に水が流れると、配管201の内壁から徐々に銅イオンが溶出する。また、鉄製の配管201に水が流れると、配管201の内壁から徐々に鉄イオンが溶出する。従って、水浄化流路61には、銅イオン又は鉄イオンが適宜供給され、上述のフェントン反応により、水酸ラジカルの生成量が増大する。第7の発明は、第1乃至第6のいずれか1つにおいて、電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフを制御する第2制御部51と、超音波発生部94の動作を制御する第3制御部55とをさらに備え、第2制御部51及び上記第3制御部55は、水浄化流路61の水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えないように、電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフ及び超音波発生部94の動作をそれぞれ制御する。第8の発明は、第7の発明において、水浄化流路61の水中に含まれる過酸化水素の濃度をモニタするセンサ57をさらに備え、第2制御部51は、センサ57によるモニタ結果に応じて電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフを制御し、第3制御部55は、センサ57によるモニタ結果に応じて超音波発生部94の動作を制御する。第9の発明は、第8の発明において、少なくとも水中の過酸化水素の濃度が上限値を越えた場合には、第2制御部51が電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧をオフにして放電を停止させると共に、第3制御部55が超音波発生部94を動作させる。第10の発明は、第7乃至第9のいずれか1つにおいて、第3制御部55は、水浄化流路61の水中に含まれる過酸化水素の濃度が上限値よりも低い所定の下限値を超える期間に、超音波発生部94をオン状態にする。第11の発明は、第1乃至第6のいずれか1つにおいて、電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフの制御、及び超音波発生部94の動作の制御を行う第2制御部をさらに備え、第2制御部は、水浄化流路61の水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えないように、電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧のオン又はオフ、及び超音波発生部94の動作を制御する。第12の発明は、第11の発明において、第2制御部は、水浄化流路61の水中に含まれる過酸化水素の濃度が所定の上限値を超えた場合には、電極対6464a64b6565a65bに印加する電圧をオフにして放電を停止させる一方、水中に含まれる過酸化水素の濃度が上限値よりも低い所定の下限値を超える期間に、超音波発生部94をオン状態にする。第13の発明は、第1乃至12のいずれか1つにおいて、水浄化流路61の水中に泡を吐出する吐出手段119と、吐出手段119に気体を送る送出手段99とをさらに備え、電極対6465は、板状であって、互いに対向するように配置されており、電源70bは、電極対6465にパルス電圧を印加し、吐出手段119は、電極対6465の間であって、水浄化流路61の底部に配置されている。本発明に係る給湯システムによると、加熱部42bで水を加熱する動作を開始した後、加熱された水中において水浄化ユニット60で放電を行っている。これにより、放電に伴って生成された水酸ラジカル及び該水酸ラジカルが変化して生成された過酸化水素を含む水を確実に昇温でき、水酸ラジカル及び過酸化水素水による殺菌効果を高めることができる。また、過酸化水素は、次亜塩素酸と比較して、水温が上昇しても分解されにくい。このため、水流路12に過酸化水素を充分に供給することができる。さらに、水酸ラジカルが変化して生成された過酸化水素が超音波の照射により、水酸ラジカルに変換されるため、過酸化水素よりも殺菌力が高い水酸ラジカルによって、水中の有害物質をより効率的に除去することができる。第2の発明によれば、水温検出部56で検出した水の温度が所定の温度に達してから、放電を行うようにしている。このため、水温が確実に昇温されてから過酸化水素を生成することができる。従って、過酸化水素による殺菌効果を確実に高めることができる。第3の発明によれば、水が循環する循環流路131416に加熱部42bと水浄化流路61とを設けているため、循環流路131416に過酸化水素を含む高温の水を循環させることができる。従って、循環流路131416を循環する水を確実に浄化できる。第4の発明によれば、過酸化水素を含む高温の水により、浴槽U1の内壁の殺菌及び洗浄をも行うことができる。第5の発明によれば、過酸化水素の存在下に鉄イオン又は銅イオンを供給することにより、フェントン反応を利用して多量の水酸ラジカルを発生できる。従って、水酸ラジカルを用いて水中の有害物質等を効果的に除去できる。特に第6の発明によれば、水浄化流路61の流入側を銅製又は鉄製の配管51とすることにより、比較的に簡素な構成で、水浄化流路61に銅イオン又は鉄イオンを供給できる。また、銅イオンにより、菌の繁殖、ひいてはいわゆるスライムの生成を未然に防止することができる。第7の発明によれば、給湯システムから外部へと供給される水中の過酸化水素の濃度が上限値以下に抑えられるため、過酸化水素を除去するための処理が容易となる。第8の発明によれば、第2制御部51及び第3制御部55が、給湯タンク41の水中の過酸化水素濃度に応じて放電の制御及び超音波照射の制御をそれぞれ行うため、水中の過酸化水素濃度が所望の範囲内になるよう制御しながら、浄化処理を行うことができる。第9の発明によれば、水中の過酸化水素の濃度が上限値を超えた場合に、放電を停止させて過酸化水素の生成を停止させる。このため、水中の過酸化水素濃度を上限値以下にすることができるので、水中からの過酸化水素の除去が容易となる。第10の発明によれば、水中の過酸化水素濃度を下限値以上に制御することができるため、超音波を照射した場合に水酸ラジカルを効率良く発生させることが可能となる。第11の発明によれば、水中の過酸化水素の濃度が上限値を超えないように制御部によって制御されるため、過酸化水素を除去するための処理が容易となる。第12の発明によれば、水中の過酸化水素濃度を下限値以上に制御することができるため、超音波を照射した場合に水酸ラジカルを効率良く発生させることが可能となる。第13の発明によれば、電極対6465にパルス電圧を印加する場合であっても放電を生起させることができるので、水中で水酸ラジカルを効率的に発生させ、超音波照射と組み合わせることにより、浄化効果をより一層高めることができる。本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本願発明者らは、水中での放電による細菌の繁殖の抑制効果をさらに検討した結果、水中での放電によって該水中の過酸化水素の濃度が増加すること、及びその際の過酸化水素の濃度は水を電気分解する場合と比べて条件によっては100倍程度にもなることを実験的に確認した。これは、放電によって生じた水酸ラジカル及び酸素ラジカルが最終的に過酸化水素になったためと考えられる。さらに、殺菌能力は、過酸素水素よりも水酸ラジカルの方が高いため、水に超音波を照射して、過酸化水素から水酸ラジカルに戻すことにより、水の浄化能力がより高まることを突き止めた。本願発明者らは、これらのことを考え合わせ、放電と超音波照射とを組み合わせることにより、水酸ラジカルによる効果的且つ継続的に水を浄化することができると共に、水の過酸化水素濃度を所定の範囲に制御することができることに想到した。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物又はその用途の範囲を制限することを意図しない。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。《発明の実施形態1》本発明の実施形態1に係る給湯システム10の全体構成について、図1を参照しながら説明する。給湯システム10は、浴槽U1及びシャワーU2に温水を供給するシステムである。給湯システム10は、いわゆるヒートポンプ式の給湯器であり、熱源ユニット30と給湯ユニット40とを備えている。熱源ユニット30は、圧縮機31と加熱熱交換器32と膨張弁33と室外熱交換器34とを有している。熱源ユニット30は、圧縮機31、加熱熱交換器32、膨張弁33及び室外熱交換器34が冷媒配管を介して順次接続され、閉回路となる冷媒回路11が構成されている。冷媒回路11には、冷媒として二酸化炭素が充填されている。加熱熱交換器32は、一次側伝熱部32aと二次側伝熱部32bとを有している。一次側伝熱部32aは、圧縮機31と膨張弁33との間の高圧ラインと接続されている。二次側伝熱部32bは、給湯ユニット40側の第1循環流路13と接続されている。加熱熱交換器32においては、一次側伝熱部32aを流れる冷媒と、二次側伝熱部32bを流れる水とが熱交換する。室外熱交換器34の近傍には、ファン35が設けられている。室外熱交換器34においては、その内部を流れる冷媒と、ファン35が送風する室外空気とが熱交換する。冷媒回路11においては、圧縮機31が運転されて冷媒が循環することにより、蒸気圧縮式の冷凍サイクルが実行される。即ち、冷媒回路11では、圧縮機31により圧縮された冷媒が、一次側伝熱部32aで放熱し、膨張弁33により減圧される。減圧された冷媒は、室外熱交換器34で蒸発し、圧縮機31に吸入される。この冷凍サイクルは、冷媒としての二酸化炭素を臨界圧力以上にまで圧縮する、いわゆる超臨界サイクルである。給湯ユニット40は、給湯タンク41と内部熱交換器42とを有している。給湯タンク41は、縦長の円筒状の密閉容器によって構成されている。給湯タンク41は、円筒形の周壁部41aと、該周壁部41aの上側を閉塞する頂壁部41bと、周壁部41aの下側を閉塞する底壁部41cとから構成されている。給湯タンク41には、第1循環流路13と第2循環流路14と供給流路15とが接続されている。給湯タンク41には、該給湯タンク41に水道水を適宜補給する給水路20も接続されている。これらの流路13141520は、給湯タンク41と連通する水流路12を構成している。第1循環流路13の始端は、給湯タンク41の周壁部41aの下部と接続され、給湯タンク41内の底壁部41c寄りに開口している。第1循環流路13の終端は、給湯タンク41の周壁部41aの上部と接続され、給湯タンク41内の頂壁部41b寄りに開口している。第1循環流路13には、第1ポンプ43が設けられている。第1ポンプ43は、第1循環流路13の始端側から終端側の方向図1の矢印で示す方向に水を搬送する搬送機構である。第1循環流路13には、第1ポンプ43の下流側に二次側伝熱部32bが接続されている。第2循環流路14の始端は、給湯タンク41の周壁部41aの下部と接続され、給湯タンク41内の底壁部41c寄りに開口している。第2循環流路14の終端は、給湯タンク41の頂壁部41bと接続され、給湯タンク41内の頂壁部41b寄りに開口している。第2循環流路14には、第2ポンプ44が設けられている。第2ポンプ44は、第2循環流路14の始端側から終端側の方向図1の矢印で示す方向に水を搬送する搬送機構である。第2循環流路14には、第2ポンプ44の下流側に内部熱交換器42の第1伝熱管42aが接続されている。内部熱交換器42は、第1伝熱管42aと第2伝熱管42bとを有している。第1伝熱管42aは、第2循環流路14と接続されている。第2伝熱管42bは、供給流路15の第3循環流路16と接続されている。供給流路15は、主供給路17、第1分岐路18、第2分岐路19及び第3循環流路16を含んでいる。主供給路17の始端は、給湯タンク41の頂壁部41bと接続され、給湯タンク41内の頂壁部41b寄りに開口している。主供給路17の終端側は、第1分岐路18と第2分岐路19とに分岐している。主供給路17には、第3ポンプ45が設けられている。第3ポンプ45は、主供給路17の始端側から終端側の方向図1の矢印で示す方向に水を搬送する搬送機構である。第1分岐路18の終端は、第3循環流路16を介して浴槽U1と連通している。即ち、第1分岐路18は、浴槽U1側へ温水を供給するための浴槽側供給路を構成している。第1分岐路18には、第1開閉弁46が設けられている。第2分岐路19の終端は、シャワーU2と接続されている。即ち、第2分岐路19は、シャワーU2に温水を供給するシャワー側供給路を構成している。第2分岐路19には、第2開閉弁47が設けられている。第3循環流路16は、浴槽U1の水を循環させる浴槽循環流路を構成している。第3循環流路16は、供給循環路16aと返送循環路16bとを有している。供給循環路16aの流出端は、浴槽U1の内部における上方寄りに開口している。返送循環路16bの流入端は、浴槽U1の内部における下方寄りに開口している。供給循環路16aには、第4ポンプ48が設けられている。第4ポンプ48は、主供給路17側の水、又は返送循環路16b側の水を浴槽U1に供給する搬送機構である。返送循環路16bには、内部熱交換器42の第2伝熱管42bが接続され、該第2伝熱管42bの下流側に第3開閉弁49が設けられている。内部熱交換器42においては、第1伝熱管42aを流れる水と、第2伝熱管42bを流れる水とが熱交換する。給湯ユニット40では、返送循環路16bを流れる水と比較すると、第2循環流路14を流れる水の温度の方が高くなる。このため、内部熱交換器42においては、第1伝熱管42aを流れる水の熱が、第2伝熱管42bを流れる水に付与される。即ち、第2伝熱管42bは、第3循環流路16を流れる水を加熱する加熱部を構成する。第3循環流路16には、水の温度を検出する温度センサ56が設けられている。温度センサ56は、詳細を後述する水浄化ユニット60の水浄化タンク61に流入する水の温度を検出する水温検出部を構成している。本実施形態に係る温度センサ56は、返送循環路16bにおいて、浴槽U1と第2伝熱管42bとの間に設けられている。さらに、給湯システム10は、コントローラ制御部85を備えている。コントローラ85は、熱源ユニット30及び給湯ユニット40を制御する制御部を構成している。コントローラ85は、内部熱交換器42の第2伝熱管42bによって第3循環流路16の水を加熱する加熱動作を開始し、その後、水浄化ユニット60において放電が開始されるように、給湯システム10を制御する。具体的には、コントローラ85には、図示しない設定部が設けられ、該設定部に所定の設定温度Tset例えば、40°Cが設定可能となっている。本実施形態に係るコントローラ85は、内部熱交換器42において加熱動作が行われた後に、温度センサ56で検出された水温が設定温度Tsetに達すると、水浄化ユニット60において放電が開始されるように構成されている。水浄化ユニットの詳細構造図1に示すように、本実施形態に係る給湯システム10の給湯ユニット40は、水浄化ユニット60と、該水浄化ユニット60の動作を制御する水浄化制御部50とを有している。図2に示すように、水浄化ユニット60は、水浄化タンク61と、水中での放電によって水中に水酸ラジカル及び過酸化水素等の浄化成分を生成する放電ユニット放電部62と、生成された過酸化水素から、より殺菌力が高い水酸ラジカルを生成する超音波発生部94とを有している。-水浄化タンク-水浄化タンク61は、水流路12の水が流入する水浄化流路を構成している。本実施形態に係る水浄化タンク61は、密閉型の容器状に形成され、第3循環流路16と接続されている。具体的に、水浄化タンク61には、流入管201及び流出管202が接続され、これらの配管201202が供給循環路16aと繋がっている。即ち、水浄化タンク61は、第3循環流路16において、加熱部である第2伝熱管42bの下流側に配設されている。流入管201と流出管202とは、銅管により構成されている。流入管201は、その内壁から銅イオンを生成することにより、水浄化タンク61に銅イオンを供給するイオン供給部を構成している。-放電ユニット-図2に示すように、放電ユニット62は、電極A64及び電極B65とからなる電極対6465と、該電極対6465に電圧を印加する高電圧発生部電源部70と、放電電極64を内部に収容する絶縁ケーシング71とを有している。電極対6465は、水中で放電を生起するためのものである。電極A64は、絶縁ケーシング71の内部に配置されている。電極A64は、上下に扁平な板状に形成されている。電極A64は、高電圧発生部70と接続されている。電極B65は、絶縁ケーシング71の外部に、即ち上方に配置されている。電極B65は、板状で且つ上下方向に貫通する複数の貫通孔66を有するメッシュ状又はパンチングメタル状に構成されている。電極B65は、電極A64とほぼ平行に配設される。電極B65は、高電圧発生部70と接続されている。これらの電極6465は、耐腐食性が高い導電性材料により構成されている。高電圧発生部70は、例えば電極対6465に所定の電圧を印加する電源で構成されていてもよい。即ち、高電圧発生部70は、電極対6465に対して瞬時的に高電圧を繰り返し印加するようなパルス電源ではなく、電極対6465に対して常に数キロボルト程度の電圧を印加する電源であってもよい。また、高電圧発生部70には、電極対6465の放電電流を所定の値に制御する定電流制御部が設けられている図示せず。絶縁ケーシング71は、水浄化タンク61の底部上に設置されている。絶縁ケーシング71は、例えばセラミックス等の絶縁材料により構成される。絶縁ケーシング71は、一面上面が開放された容器状のケース本体72と、該ケース本体72の上方の開放部を閉塞する板状の蓋部73とを有している。ケース本体72は、角型筒状の側壁部72aと、該側壁部72aの底面を閉塞する底部72bとを有している。電極A64は、底部72bの上側に敷設されている。絶縁ケーシング71は、蓋部73と底部72bとの間の上下方向の距離が、電極A64の厚さよりも長くなっている。即ち、電極A64と蓋部73との間には、所定の間隔が確保されている。これにより、絶縁ケーシング71の内部では、電極A64とケース本体72と蓋部73との間に空間Sが形成される。図2及び図3に示すように、絶縁ケーシング71の蓋部73には、該蓋部73を厚さ方向に貫通する1つの開口部74が形成されている。この開口部74により、放電電極64と対向電極65との間の電界の形成が許容される。蓋部73の開口部74の内径は、0.02mm以上且つ0.5mm以下であることが好ましい。以上のような開口部74は、電極対6465の間の電流経路の電流密度を上昇させる電流密度集中部を構成する。以上のように、絶縁ケーシング71は、電極対6465のうちの一方の電極電極A64のみを内部に収容し、且つ電流密度集中部としての開口部74を有する絶縁部材を構成している。加えて、絶縁ケーシング71の開口部74内では、電流経路の電流密度が上昇することにより、水がジュール熱によって気化して気泡が形成される。即ち、絶縁ケーシング71の開口部74は、該開口部74に気相部としての気泡を形成する気相形成部として機能する。-超音波発生部-図2に示すように、超音波発生部94は、板状の圧電セラミックス95と、厚さ方向の両側から圧電セラミックス95を挟むように設けられた一対の金属板96a96bとから構成される。超音波発生部94を封入するケース97は密閉され、水浄化タンク61の底部に配置される。金属板96a96bには、増幅器49によって増幅された超音波波形発生部48の出力信号交流電圧が供給される。これにより、超音波発生部94は任意の周波数の超音波を水浄化タンク61の水に照射する。但し、過酸化水素を分解して水酸ラジカルを効率良く発生させるには、超音波の周波数が100kHz以上程度であれば特に好ましい。なお、超音波発生部94は、水浄化タンク61の水に超音波を照射できる範囲で任意の位置に設置されていてもよい。例えば、図4aに示すように、超音波発生部94が水浄化タンク61の底部外側に設置されていてもよい。超音波発生部94が水浄化タンク61の底部の外側に設置されている場合は、超音波は水浄化タンク61の底部及び壁面を介して水中に伝達される。また、超音波発生部94の構成は、図1に示す例に限られない。例えば、図4bに示すように、金属ケース97aの上部と金属板96とによって板状の圧電セラミックス95を挟み、両者の間に交流電圧を供給する構成であってもよい。制御部の詳細構造本実施形態に係る水浄化ユニット60の水浄化処理を制御する水浄化制御部50は、高電圧発生部70と接続された放電波形発生部53と、放電ユニット62の電極対6465に印加する電圧のオン又はオフを制御する制御部と、増幅器59を介して超音波発生部94に所定の周波数の交流電圧を供給する超音波波形発生部58と、該超音波波形発生部58を介して超音波発生部94の動作を制御する制御部55と、水浄化タンク61の水中の過酸化水素濃度をモニタするセンサ57とを有している。なお、制御部5155による放電ユニット62及び超音波発生部94に対する制御方法は、後述する。また、いわゆるフィードフォワード制御を行う場合は、センサ47は必ずしも設けられなくてもよい。-給湯システムの運転動作-給湯システム10の基本的な運転動作について図1を参照しながら説明する。本給湯システム10においては、浴槽内に温水を供給する給湯運転と、浴槽内の水を循環させながら加熱する追い焚き運転とが可能である。給湯運転給湯運転を行う際には、熱源ユニット30の圧縮機31が運転され、冷媒回路11で冷凍サイクルが実行される。給湯ユニット40では、第1ポンプ43及び第3ポンプ45が運転され、第2ポンプ44及び第4ポンプ48が停止状態となる。また、第1開閉弁46及び第2開閉弁47が開放状態となり、第3開閉弁49は閉鎖状態となる。第1ポンプ43が運転されると、給湯タンク41の水が第1循環流路13に流出する。流出した水は、加熱熱交換器32の二次側伝熱部32bを流れる。加熱熱交換器32においては、一次側伝熱部32aを流れる冷媒の熱が、二次側伝熱部32bを流れる水に放出され、放出された水が所定温度まで加熱される。加熱された水は、第1循環流路13を経由して給湯タンク41に流入する。これにより、給湯タンク41には、所定の温度の温水が蓄えられる。第3ポンプ45が運転されると、給湯タンク41の水温水は、主供給路17に流出し、第1分岐路18と第2分岐路19とに分流する。第1分岐路18を流れた水は、第3循環流路16の供給循環路16aに流入する。流入した水は、水浄化タンク61を通過した後、浴槽U1に放出される。これにより、浴槽U1に所定の温度の温水が供給される。一方、第2分岐路19を流れた水は、シャワーU2側に供給される。追い焚き運転追い焚き運転を行う際には、熱源ユニット30を構成する圧縮機31が運転され、冷媒回路11において冷凍サイクルが実行される。給湯ユニット40では、第1ポンプ43、第2ポンプ44及び第4ポンプ48が運転される。また、第1開閉弁46が閉鎖状態となり、第2開閉弁47及び第3開閉弁49が開放状態となる。第1ポンプ43が運転されると、給湯タンク41の水が第1循環流路13を流れる。これにより、第1循環流路13の水は、加熱熱交換器32で加熱されて給湯タンク41に返送される。第2ポンプ44が運転されると、給湯タンク41の水は、第2循環流路14に流出する。流出した水は、内部熱交換器42の第1伝熱管42aを流れる。内部熱交換器42においては、第1伝熱管42aを流れる水の熱が、第2伝熱管42bを流れる水に放出される。第1伝熱管42aで放熱した水は、第2循環流路14を経由して給湯タンク41に流入する。第4ポンプ48が運転されると、浴槽U1の水は第3循環流路16の返送循環路16bに吸い込まれる。返送循環路16bを流れる水は、内部熱交換器42により加熱され、その後、水浄化タンク61を通過して浴槽U1に供給される。これにより、浴槽U1の水の温度が徐々に高くなっていく。-水浄化ユニットの運転動作-本実施形態に係る給湯システム10においては、水浄化ユニット60が運転されることにより、水流路12を流れる水が浄化される。このような水浄化ユニット60による水浄化運転について詳細に説明する。水浄化運転は、所定の時刻に自動的に実行される。即ち、給湯システム10には、タイマー及び制御部図示せずが設けられ、タイマーが所定の時刻を検出すると、コントローラ85が水浄化運転を自動的に実行させる。なお、この時刻は、例えばユーザーが入浴しない時刻を予め入力する設定時刻であってもよい。また、この時刻は、上述した給湯運転又は追い焚き運転が実行される時刻からユーザーが入浴しない時刻を推定する、いわゆる学習制御によって決定されてもよい。また、この水浄化運転は、ユーザーによる手動操作によっても実行可能である。本実施形態に係る水浄化運転は、浴槽U1に、ある程度の水が残った状態で実行される。水浄化運転が実行されると、熱源ユニット30を構成する圧縮機31が運転され、冷媒回路11において冷凍サイクルが実行される。給湯ユニット40においては、第1ポンプ43、第2ポンプ44及び第4ポンプ48が運転される。また、第1開閉弁46及び第2開閉弁47が閉鎖状態となり、第3開閉弁49が開放状態となる。これにより、第3循環流路16においては、浴槽U1の水が内部熱交換器42及び水浄化タンク61を順次流れて、再び浴槽U1に供給される。図5に示すように、第3循環流路16の水が加熱される加熱動作が開始されると、第3循環流路16を循環する水の温度が徐々に上がっていく。このようにして第3循環流路16の水が設定温度Tsetを越えると、コントローラ85は、水浄化ユニット60に運転指令を出力する。これにより、水浄化ユニット60が運転される。水浄化ユニット60の運転の開始時には、図2に示すように、絶縁ケーシング71の内の空間Sが浸水した状態となっている。高電圧発生部70から電極対6465に所定の電圧例えば1kVが印加されると、電極対6465の間に電界が形成される。放電電極64の周囲は、絶縁ケーシング71で覆われている。このため、電極対6465の間での漏れ電流が抑制されると共に、開口部74内の電流経路の電流密度が上昇した状態となる。開口部74内の電流密度が上昇すると、開口部74内のジュール熱が大きくなる。その結果、絶縁ケーシング71では、開口部74の近傍において、水の気化が促進されて気泡Bが形成される。形成された気泡は、開口部74のほぼ全域を覆う状態となり、対向電極65と導通する負極側の水と、正極側の放電電極64との間に気泡が介在するようになる。従って、この状態では、気泡が、放電電極64と対向電極65との間での水を介した導電を阻止する抵抗として機能する。これにより、放電電極64と対向電極65との間の漏れ電流が抑制され、電極対6465の間では、所望の電位差が保たれることになる。すると、気泡内では、絶縁破壊に伴って放電が発生する。以上のようにして、気泡内で放電が発生すると、水浄化タンク61の水中では、水酸ラジカル等の活性種又は過酸化水素等が生成される。水酸ラジカル等の活性種又は過酸化水素は、放電に伴う熱によって水浄化タンク61内を対流する。これにより、水中での活性種又は過酸化水素の拡散が促される。また、気泡内で放電が発生すると、発生した放電に伴って、気泡内でイオン風を生成し易くなる。これにより、水浄化タンク61内では、生成されたイオン風を利用して、活性種又は過酸化水素の拡散効果をさらに向上することができる。さらに、本実施形態においては、図6に示すように、水浄化ユニット60による運転動作を水浄化制御部50によって制御している。図6に示す水浄化ユニット60の運転動作の基本サイクルによると、水浄化タンク61に溜められた水は、上述したように、放電ユニット62を構成する電極対6465の間に生起される放電によって浄化される。この際に、放電によって水中に水酸ラジカル等の活性種が生成し、有機物等の分解及び殺菌等が行われる図6中のステップSt1、St2。水酸ラジカルは、短時間で過酸化水素に変化するステップSt3。次に、水浄化ユニット60を構成する超音波発生部94から水中に超音波を伝搬させ、水中の過酸化水素を分解して、水酸ラジカルに変化させるステップSt4。超音波の照射により発生した水酸ラジカルは、再度過酸化水素に変化する。但し、除菌等、水の浄化反応に使われた水酸ラジカルは水に変化するため、放電を停止して超音波照射のみを行った場合には、過酸化水素の濃度は低下して行くことになる。以下、放電と超音波処理とを組み合わせた給湯タンクの運転制御の具体例について説明する。図7aは、水中の過酸化水素の濃度を用いてフィードバック制御を行う場合の運転制御の一例を示すタイムチャートである。以下の方法では、水中の過酸化水素はセンサ57によって検知される。超音波発生部94は、水中の過酸化水素濃度が、あらかじめ設定された下限値よりも低い段階では、オフ状態にしておく。その後、水中の過酸化水素濃度が、あらかじめ設定された下限値を超えた場合は、制御部51は電極対6465への電圧の供給を継続させ、且つ、制御部は、超音波発生部94をオン状態として水中に超音波を照射させる。これにより、放電により生成された水酸ラジカルと、過酸化水素から生成された水酸ラジカルとによって水が浄化される。放電によって生成される過酸化水素の量は、超音波によって分解される過酸化水素の量よりも多いため、この期間にも水中の過酸化水素の濃度は上昇する。次に、水の過酸化水素濃度があらかじめ設定された上限値を超えた場合は、制御部51は電極対6465への電圧の供給を停止して、放電を停止させる。一方、制御部55は、引き続き超音波発生部94をオン状態として水中に超音波を照射させる。これにより、過酸化水素から生成された水酸ラジカルによって水が浄化される。この期間には、超音波によって過酸化水素が分解されるため、水中の過酸化水素の濃度は減少する。その後、水の過酸化水素濃度が上述の下限値を下回った時点で、制御部51は電極対6465への電圧の供給を再開する。これにより、水中の過酸化水素の濃度は再び上昇する。これ以後、同様に超音波照射のみを行う期間と超音波照射と放電とを組み合わせる期間とを繰り返すことにより、水中の過酸化水素濃度を下限値以上、且つ上限値以下の範囲に制御しながら、水を浄化することができる。水浄化ユニット60で生成された過酸化水素又は活性種を含む水は、流出管52から第3循環流路16に供給される。これにより、第3循環流路16を流れる水中の殺菌及び有害物質等の除去がなされ、水が浄化される。加えて、第3循環流路16を流れる水は、浴槽U1にも供給される。これにより、浴槽U1の内壁及び底壁の汚れも除去される。このような水浄化運転では、第3循環流路16を循環する水が、加熱部42bによって加熱される。よって、熱による水中での殺菌効果が向上する。また、過酸化水素が活性化されるため、過酸化水素による水中での殺菌効果も向上する。また、上述したように、水浄化タンク61には、流入管201から溶出した銅イオンが供給される。過酸化水素及び銅イオンの存在下では、フェントン反応により、銅イオンが触媒的に作用して水酸ラジカルの生成が促進される。これにより、水酸ラジカルによる水の浄化効率が向上する。加えて、銅イオンは菌の繁殖を抑制する効果があるため、水中での殺菌作用も高くなる。以上の水浄化運転により、浴槽U1には過酸化水素を含む水が溜められることになる。このため、浴槽U1の水を洗濯機の洗濯水として利用することもできる。-実施形態1の効果-実施形態1においては、内部熱交換器42の加熱動作を開始した後に、加熱された水中において水浄化ユニット60で放電を行っている。これにより、放電に伴って生成された水酸ラジカル及び該水酸ラジカルが変化した過酸化水素を含む水を確実に昇温でき、過酸化水素水による殺菌効果を高めることができる。また、過酸化水素は、次亜塩素酸と比較して、水温が上昇しても分解されにくい。このため、水流路12に過酸化水素を充分に供給することができる。さらに、実施形態1においては、温度センサ56により検出された水の温度が所定の温度に達してから、放電を行うようにしている。このため、水温が確実に昇温した後に過酸化水素を生成することができる。従って、過酸化水素の殺菌効果を確実に高めることができる。また、実施形態1においては、超音波発生部94から水中に超音波を照射することにより、放電により生成され、その後変化した過酸化水素よりも殺菌力が高い水酸ラジカルに変換することができる。その上、水中での放電と水中への超音波照射とを組み合わせることにより、水中の過酸化水素濃度を上昇させることなく、浄化能力の向上を図ることが可能となる。実施形態1においては、水が循環する第3循環流路16に、加熱部としての第2伝熱管42bと水浄化タンク61とを設けている。このため、第3循環流路16に過酸化水素を含む高温の水を循環させることができる。その結果、第3循環流路16を循環する水を確実に浄化することができる。また、過酸化水素を含む高温の水により、浴槽U1の内壁の殺菌及び洗浄をも行うことができる。実施形態1においては、水浄化タンク61の流入側の流入管201を銅管としている。このため、流入管201から溶出した銅イオンを水浄化タンク61に適宜供給することができる。水浄化タンク61内において、過酸化水素と銅イオンとが併存した状態になると、フェントン反応により、水酸ラジカルの生成が促される。従って、生成された水酸ラジカルを用いて水中の有害物質を効果的に酸化分解することができる。実施形態1の運転動作の一変形例以下、実施形態1に係る給湯システムの運転動作の一変形例について説明する。図7bは、過酸化水素の濃度変化の測定値を用いてフィードフォワード制御を行う場合の運転制御の一例を示すタイムチャートである。フィードフォワード制御される給湯システムには、必ずしもセンサ57が設けられていなくてもよい。但し、放電のみを行った場合に水浄化タンク61の水中の過酸化水素の濃度が0から下限値に達するまでに要する時間T1、放電と超音波照射とを同時に行った場合に水中の過酸化水素の濃度が下限値から上限値になるまでに要する時間T2、及び超音波照射のみを行った場合に上限値から下限値に達するのに要する時間T3を、それぞれあらかじめ測定しておき、それらの測定データを制御部5155の内部又は外部に設けられたメモリ等図示せずに保持しておく。制御部5155は、測定データに基づいて以下の制御を行う。また、制御部5155の内部又は外部には、時間をカウントするタイマを設けておく。本変形例に係る制御方法において、まず、制御部51は、電極対の間に所定の電圧を印加させ、放電を生起させる。この際、超音波発生部94はオフ状態にしておく。これにより、水が浄化されると共に、水中の過酸化水素の濃度が上昇する。次に、運転開始から時間T1が経過した時点で、制御部51は電極対6465への電圧の供給を継続させ、制御部は、超音波発生部94をオン状態にして水中に超音波を照射させる。これにより、放電により生成された水酸ラジカルと、過酸化水素から生成された水酸ラジカルとによって水が浄化される。この期間も水中の過酸化水素の濃度は上昇する。次に、時間T2が経過した時点で、制御部51は電極対6465への電圧の供給を停止し、放電を停止させる。制御部55は、引き続き超音波発生部94をオン状態として水中に超音波を照射させる。これにより、過酸化水素から生成された水酸ラジカルによって水が浄化される。この期間に、水中の過酸化水素の濃度は減少する。次に、さらに時間T3が経過した時点で、制御部51は電極対6465への電圧の供給を再開し、この状態を時間T2の間だけ継続する。これにより、水中の過酸化水素の濃度は再び上昇する。これ以後、同様に超音波照射のみを行う期間時間T3と超音波照射と放電とを組み合わせる期間時間T2とを繰り返すことにより、水中の過酸化水素濃度を下限値以上且つ上限値以下の範囲に制御しつつ、水を浄化する。以上の制御方法によっても、水中の過酸化水素の濃度を下限値以上、且つ上限値以下の範囲に制御しながら、水を浄化することができる。尚、これは運転動作の一変形例であって、他の方法によっても水温水の浄化を行うことができる。実施形態1の構成の一変形例実施形態1においては、絶縁ケーシング71の蓋部73に1つの開口部74が形成されている。しかしながら、例えば図8及び図9に示すように、絶縁ケーシング71の蓋部73に複数の開口部74を設けてもよい。本変形例においては、絶縁ケーシング71の蓋部73がほぼ正方形の板状に形成され、該蓋部73に複数の開口部74が間隔をおいて碁盤目状に配列されている。一方、電極A64及び電極B65は、全ての開口部74に跨るような正方形の板状に形成されている。本変形例においても、各開口部74が、電流密度集中部及び気相形成部として機能する。これにより、高電圧発生部70から電極対6465に電圧が印加されると、各開口部74の電流密度が上昇して、各開口部74にそれぞれ気泡が形成される。その結果、各気泡においてそれぞれ放電が生起されて、水酸ラジカル等の活性種及び過酸化水素が生成される。《発明の実施形態2》実施形態2に係る給湯システム10は、上述した実施形態1と放電ユニット62の構成が異なる。以下には、実施形態1と異なる点を主として説明する。図10に示すように、実施形態2の放電ユニット62は、水浄化タンク61の外側から内部に向かって挿入されて固定される、いわゆるフランジユニット式に構成されている。また、実施形態2の放電ユニット62は、放電電極64と対向電極65と絶縁ケーシング71とが一体的に組立てられている。実施形態2の絶縁ケーシング71は、大略の外形が円筒状に形成されている。絶縁ケーシング71は、ケース本体72と蓋部73とを有している。実施形態2のケース本体72は、ガラス質又は樹脂製の絶縁材料によって構成されている。ケース本体72は、円筒状の基部76と、該基部76から水浄化タンク61側に向かって突出する筒状壁部77と、該筒状壁部77の外縁部からさらに水浄化タンク61側に向かって突出する環状凸部78とを有している。また、ケース本体72には、環状凸部78の先端側に先端筒部79が一体に形成されている。基部76の軸心部には、円柱状の挿入口76aが軸方向に延びて貫通形成されている。筒状壁部77の内側には、挿入口76aと同軸となり、且つ挿入口76aよりも大径となる円柱状の空間Sが形成されている。実施形態2の蓋部73は、ほぼ円板状に形成されて環状凸部78の内側に嵌合している。蓋部73は、セラミックス材料により構成されている。蓋部73の軸心には、実施形態1と同様に、蓋部73を上下に貫通する円形状の1つの開口部74が形成されている。放電電極64は、軸直角断面が円形状となる縦長の棒状電極により構成されている。放電電極64は、基部76の挿入口76aと嵌合している。これにより、放電電極64は、絶縁ケーシング71の内部に収容される。実施形態2においては、放電電極64のうち水浄化タンク61とは反対側の端部が、水浄化タンク61の外部に露出する状態となる。このため、水浄化タンク61の外部に配置される放電用の電源部70と放電電極64とを電気配線によって容易に接続することができる。放電電極64のうち水浄化タンク61側の端部64cは、絶縁ケーシング71の内部の空間Sに臨んでいる。なお、図10に示す例では、放電電極64の端部64cが、挿入口76aの開口面よりも上側水浄化タンク61側に突出しているが、該端部64cの先端面を挿入口76aの開口面とほぼ面一としてもよく、また、該端部64cを挿入口76aの開口面よりも下側に陥没させてもよい。また、放電電極64は、実施形態1と同様に、開口部74を有する蓋部73との間に所定の間隔が確保されている。対向電極65は、円筒状の電極本体65cと、該電極本体65cから径方向外方へ突出する鍔部65dとを有している。電極本体65cは、絶縁ケーシング71のケース本体72に外嵌している。鍔部65dは、水浄化タンク61の壁部に固定されて放電ユニット62を保持する固定部を構成している。放電ユニット62が水浄化タンク61に固定された状態では、対向電極65の電極本体65cの一部が浸水された状態となる。対向電極65は、電極本体65cよりも小径の内側筒部65eと、該内側筒部65eと電極本体65cとの間に亘って形成される連接部65fとを有している。内側筒部65e及び連接部65fは、水浄化タンク61の水中に浸漬している。内側筒部65eは、その内部に円柱空間67を形成している。内側筒部65eの軸方向の一端は、蓋部73と当接して該蓋部73を保持する保持部を構成している。また、電極本体65cと内側筒部65eと連接部65fの間には、ケース本体72の先端筒部79が内嵌している。内側筒部65eの軸方向の他端側には、円柱空間67を覆うようにメッシュ状の漏電防止材68が設けられている。この漏電防止材68は、対向電極65と接触することにより、実質的にアースされている。これにより、漏電防止材68は、水浄化タンク61の内部の空間水中のうち、円柱空間67の内側から外側への漏電を防止している。対向電極65は、電極本体65cの一部が水浄化タンク61の外部に露出する。このため、放電用の電源部70と対向電極65とを電気配線によって容易に接続することができる。なお、本実施形態においては、電源部70に直流電源を用いたが、これに限られず、交流電源又はパルス電源を用いることができる。-水浄化ユニットの運転動作-実施形態2に係る給湯システム10においても、水浄化ユニット60が運転されることにより、水流路12を流れる水が浄化される。水浄化ユニット60の運転の開始時には、図10に示すように、絶縁ケーシング71の内の空間Sが浸水した状態となっている。電源部70から電極対6465に所定の直流電圧例えば1kVが印加されると、開口部74の内部の電流密度が上昇していく。図10に示す状態から、電極対6465へさらに直流電圧が継続して印加されると、開口部74内の水が気化されて気泡Bが形成される図11を参照。。この状態では、気泡Bが開口部74のほぼ全域を覆う状態となり、円柱空間67内の負極側の水と放電電極64との間に気泡Bによる抵抗が付与される。これにより、放電電極64と対向電極65との間の電位差が保たれ、気泡B内で放電が発生する。その後、超音波発生部94から、水中に超音波を適宜照射することにより、水中では、水酸ラジカル及び該水酸ラジカルが変化した過酸化水素が生成され、これらの成分が水の浄化に利用される。実施形態2の一変形例実施形態2では、円板状の蓋部73の軸心に1つの開口部74を設けているが、該蓋部73に複数の開口部74を設けてもよい。図12に示す例では、蓋部73の軸心を中心とする仮想ピッチ円上に、5つの開口部74が等間隔で配列されている。このように、蓋部73に複数の開口部74を形成することにより、各開口部74の近傍で、それぞれ放電を生起させることができる。《発明の実施形態3》実施形態3に係る給湯システム10は、上述した実施形態1と放電ユニット62の構成が異なる。以下には、実施形態1と異なる点を主として説明する。図13は、本発明の実施形態3に係る水浄化ユニット60の概略構成を示している。図13においては、実施形態1に係る水浄化ユニット60と同等の構成については、図2と同一の符号を付している。また、水浄化制御部50は、図13においては図示を省略しているが、実際には実施形態3に係る水浄化ユニット60に設けられている。以下では、主に実施形態1に係る水浄化ユニット60と異なる点について説明する。実施形態3に係る水浄化ユニット60は、水浄化タンク61の底部寄りの壁面上に配置された電極対64a65aと、該電極対64a65aと接続された高電圧発生部電源部70aと、水浄化タンク61の底部に設置された超音波発生部94とを有している。電極64aは絶縁ケーシング71aの内部に収納され、電極65aは絶縁ケーシング71bの内部に収納されている。電極64a及び電極65aは、それぞれ板状に形成されている。また、電極64a及び電極65aは、耐腐食性が高い導電性材料により構成されている。高電圧発生部70aは、数キロボルト程度の電圧を電極対64a65aに供給する。絶縁ケーシング71a71bは、例えばセラミックス等の絶縁材料により構成されており、図1に示す絶縁ケーシング71と同等の構成を有している。すなわち、絶縁ケーシング71aは、一面図13では右側の面が開放された容器状のケース本体180aと、該ケース本体180aの開放部を閉塞する板状の蓋部73aとを有している。また、絶縁ケーシング71bは、一面図13では左側の面が開放された容器状のケース本体180bと、該ケース本体180bの開放部を閉塞する板状の蓋部73bとを有している。絶縁ケーシング71aの蓋部73aには、該蓋部73aを厚さ方向に貫通する1つの開口部74aが形成されている。絶縁ケーシング71bの蓋部73bにも、該蓋部73bを厚さ方向に貫通する1つの開口部74bが形成されている。これらの開口部74a74bにより、電極64aと電極65aとの間の電界の形成が許容されている。開口部74a74bの内径は、0.02mm以上且つ0.5mm以下であることが好ましい。以上のような開口部74a74bは、電極対64a65aの間の電流経路の電流密度を上昇させる電流密度集中部を構成する。絶縁ケーシング71a71bは、水浄化タンク61内に、蓋部73a73b同士が対向するように設置されている。言い換えれば、一の電極64aと他の電極65aとは互いに対向するよう配置されている。絶縁ケーシング71a71bの開口部74a74b内では、電流経路の電流密度が上昇することで、水がジュール熱によって気化して気泡が形成される。つまり、絶縁ケーシング71a71bの開口部74a74bは、該開口部74a74bに気相部としての気泡を形成する気相形成部として機能する。この構成により、電圧が電極対64a65aに供給された場合に電極対64a65aの間の気泡内に放電を生起させることができる。なお、超音波発生部94の具体的な構成は実施形態1に係る水浄化ユニット60と同等である。-実施形態3の効果-このように、実施形態3に係る給湯システムを、図5及び図7a、又は図5及び図7bに示す制御方法によって運転することにより、水中の過酸化水素の濃度を所定の範囲内に保持しながら、水浄化タンク61の水、即ち水流路12を流れる水温水を効果的に浄化することができる。《発明の実施形態4》実施形態4に係る給湯システム10は、上述した実施形態1と放電ユニット62の構成が異なる。以下には、実施形態1と異なる点を主として説明する。図14は、本発明の実施形態4に係る水浄化ユニット60の概略構成を示している。図14においては、実施形態1に係る水浄化ユニット60と同等の構成については、図2と同一の符号を付している。また、水浄化制御部50は、図14においては図示を省略しているが、実際には実施形態4に係る水浄化ユニット60に設けられている。以下では、主に実施形態1に係る水浄化ユニット60と異なる点について説明する。実施形態4に係る水浄化ユニット60は、水浄化タンク61の底部寄りの壁面上に配置された電極対6465と、該電極対6465と接続された高電圧発生部電源部70bと、水浄化タンク61の底部に設置された超音波発生部94とを有している。実施形態4に係る水浄化ユニット60においては、電極A64及び電極B65が高電圧発生部70bの正極側及び負極側にそれぞれ接続され、高電圧発生部70bから電極対6465に高電圧のパルス電圧が供給される。また、電極A64には、該電極A64を囲む絶縁ケーシングは設けられない。電極A64及び電極B65は共に板状であり、水浄化タンク61内の壁面上に、互いに対向するように設置される。但し、エアポンプ99によって水浄化タンク61に外部から気体を供給してもよい。さらに、水浄化ユニット60には、例えば水浄化タンク61の底部等の、少なくとも電極対6465の間であって、該電極対6465よりも低い位置に設けられたノズル吐出手段119と、該ノズル119に空気等の気体を送るエアポンプ送出手段99とが設けられている。エアポンプ99によって水浄化タンク61内の気体は、ノズル119を介して循環される。超音波発生部94の構成は、実施形態1に係る水浄化ユニット60と同等である。超音波発生部94は、水浄化タンク61の底部に設置されていてもよい。なお、水浄化タンク61の水に超音波を照射できる限りは、任意の位置に設置可能である。ノズル119からは、少なくとも放電処理を行う期間に、水中へ泡が吐出される。水中に泡が存在する状態で、電極対6465にパルス電圧を供給することにより、泡の内部で放電が生起されて、水酸ラジカルが生成する。実施形態4に係る給湯システムは、実施形態1に係る給湯システムと基本的に同一の制御方法、すなわち、図6a又は図6bに示す制御方法により、放電と超音波照射とを組み合わせた水温水の浄化が行われる。但し、図6a及び図6bに示す放電処理の期間には、高電圧発生部70bから電極対6465へとパルス電圧が間欠的に供給され、電極対6465の間には放電が間欠的に生起される。-実施形態4の効果-実施形態4に係る水浄化ユニット60を有する給湯システムの構成及び制御方法によれば、電極対6465の間にパルス放電を発生させる場合でも効率良く水酸ラジカルを発生させることができるので、超音波照射と組み合わせることにより、過酸化水素の濃度を上昇させることなく、高い浄化能力を発揮することができる。《発明の実施形態5》実施形態5に係る給湯システム10は、上述した実施形態1と放電ユニット62の構成が異なる。以下には、実施形態1と異なる点を主として説明する。図15は、本発明の実施形態5に係る水浄化ユニット60の概略構成を示している。図15においては、実施形態1に係る水浄化ユニット60と同等の構成については、図2と同一の符号を付している。また、水浄化制御部50は、図15においては図示を省略しているが、実際には実施形態5に係る水浄化ユニット60に設けられている。以下では、主に実施形態1に係る水浄化ユニット60と異なる点について説明する。実施形態5に係る水浄化ユニット60は、水浄化タンク61の底部寄りの壁面上に配置された電極対64b65bと、該電極対64b65bと接続された高電圧発生部電源部70cと、水浄化タンク61の底部に設置された超音波発生部94とを有している。一の電極64bと他の電極65bとは、それぞれ水浄化タンク61の底部寄りの壁面上に互いに対向するように設置されている。電極64bは、少なくとも1つの導電部164と、該導電部164を囲む絶縁部165とを有している。同様に、電極65bは、少なくとも1つの導電部166と、該導電部166を囲む絶縁部167とを有している。以上のように、電極64bにおける導電部164の露出面、及び電極65bにおける導電部166の露出面の面積は共に小さいため、電圧を電極対64b65bに供給した場合には、導電部164166の表面で電流密度の集中部が形成される。このため、導電部164166の各表面では水がジュール熱によって気化して泡が形成される。この泡によって、導電部164166の各露出面が覆われた状態で高電圧発生部70cからの電圧供給を継続することにより、泡の内部で放電が生起される。なお、超音波発生部94の具体的な構成は実施形態1に係る給湯システム10と同等である。-実施形態5の効果-実施形態5に係る給湯システムは、図5及び図7a、又は図5及び図7bに示す制御方法によって運転することにより、水中の過酸化水素の濃度を所定の範囲内に保持しながら、水浄化タンク61の水温水を効果的に浄化することができる。以上の構成によっても、電極対64b65bの間での放電と超音波照射と組み合わせることにより、過酸化水素の濃度を上昇させることなく、高い浄化能力を発揮することができる。《他の実施形態》上記の各実施形態においては、以下のような構成としてもよい。放電動作の制御各実施形態に係る給湯システム10においては、加熱動作を開始した後に、温度センサ56により検出された温度が設定温度Tsetに達すると、水浄化ユニット60で放電動作を開始させるようにしている図5を参照。。しかしながら、例えば図16に示すように、加熱動作を開始した時点t1からタイマーを動作させ、時点t1から所定の設定時間Δtsetが経過する時点t2から、放電動作を開始するようにしてもよい。この場合にも、水流路12の水を確実に昇温させた状態で過酸化水素を生成できるため、水の殺菌効果を向上することができる。給湯システムの構成各実施形態に係る給湯システム10を図11に示すような、他の方式としてもよい。具体的に、図17に示す例の給湯システム10は、加熱熱交換器32と第1ポンプ43とが、熱源ユニット30及び給湯ユニット40と異なる他のユニットハイドロボックス30aに収容されている。また、この例では、給湯タンク41の内部に、コイル型熱交換器13aが収容されている。コイル型熱交換器13aは、給湯タンク41の底壁部41c寄りに配設されている。コイル型熱交換器13aでは、熱媒体としての水が流れる伝熱管が、給湯タンク41の周壁部41aに沿うように螺旋状に形成されている。コイル型熱交換器13aは、一端が第1循環流路13の始端と接続され、他端が第1循環流路13の終端と接続されている。図17に示す給湯システム10においては、加熱熱交換器32により加熱された水が、コイル型熱交換器13aを流れる。これにより、コイル型熱交換器13aの伝熱管を流れる水の熱が、伝熱管の外部に放出される。その結果、給湯タンク41に貯留された水が加熱されて、温水が生成される。放電ユニットの構成上述した各実施形態の電源部70には、放電の放電電力を所定の値に制御する定電力制御部を用いている。しかしながら、定電力制御部に代えて、放電時の放電電流を所定の値に制御する定電流制御部を設けることもできる。この定電流制御を行うと、水の導電率によらず放電が安定するため、スパークの発生をも未然に回避することができる。また、上述した各実施形態においては、高電圧発生部70が直流電源の場合に、正極に放電電極又は電極A64を接続し、負極に対向電極又は電極B65を接続している。しかしながら、直流電源の負極に放電電極64を接続し、正極に対向電極65を接続することにより、電極対6465の間で、いわゆるマイナス放電を行うようにしてもよい。イオン供給部の構成上述した各実施形態においては、水浄化タンク61の流入管201を銅管とすることにより、流入管201を銅イオンを水中に供給するイオン供給部としている。しかしながら、イオン供給部としては、例えば鉄イオンを生成する鉄製の配管を用いることもできる。鉄イオンも銅イオンと同様に、過酸化水素の存在下でフェントン反応を促進させるため、水酸ラジカルの生成量を増大することができる。銅管又は鉄管は、水浄化タンク61と連通する水流路12であれば、他の箇所に設けることもできる。具体的に、実施形態1~5においては、例えば内部熱交換器42の少なくとも第2伝熱管42bを銅管で構成することができる。また、例えば銅片又は鉄片を水浄化タンク61内に浸漬することにより、これらの部材をイオン供給部とすることもできる。水浄化タンクの配置上記の実施形態1~5と異なる位置に水浄化タンク61を接続してもよい。具体的には、第1循環流路13、第2循環流路14、供給流路15又は給水路20等に水浄化タンク61を接続してもよい。