交差する複数の切断予定ラインが表面に設定された被加工物にレーザビームを照射して被加工物を該切断予定ラインに沿って切断して個々のチップに分割する被加工物の切断方法であって、被加工物の該切断予定ラインの下方に所定の空間を設けた状態で被加工物を保持手段で保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、被加工物の該切断予定ラインに沿って液体を噴出して液柱を形成するとともに、該液柱中にレーザビームを導光することで該切断予定ラインに沿って該レーザビームを被加工物に照射し、被加工物を該切断予定ラインに沿って切断して複数のチップを形成する切断ステップと、を具備したことを特徴とする被加工物の切断方法。交差する複数の切断予定ラインが表面に設定された被加工物を該切断予定ラインに沿って切断するレーザ加工装置であって、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、を具備し、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段と、を有する加工ヘッドと、を含み、該保持手段は、被加工物の該切断予定ラインにそれぞれ対応し複数のチップ保持領域を区画する液柱逃げ溝と、該チップ保持領域にそれぞれ形成された吸引孔と、該吸引孔に連通して吸引源に接続される吸引路と、を有することを特徴とするレーザ加工装置。一方、被加工物にレーザビームを照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリと呼ばれる加工屑が発生する。発生したデブリの一部は液柱を形成した液体に取り込まれる。しかし、加工点に衝突した液柱が被加工物表面に飛散するのに伴って、液柱を形成する液体中に含まれる加工で発生したデブリが被加工物表面に付着するという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物表面にデブリが付着することを防止可能な被加工物の切断方法及び該切断方法を実施するのに適したレーザ加工装置を提供することである。請求項1記載の発明によると、交差する複数の切断予定ラインが表面に設定された被加工物にレーザビームを照射して被加工物を該切断予定ラインに沿って切断して個々のチップに分割する被加工物の切断方法であって、被加工物の該切断予定ラインの下方に所定の空間を設けた状態で被加工物を保持手段で保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、被加工物の該切断予定ラインに沿って液体を噴出して液柱を形成するとともに、該液柱中にレーザビームを導光することで該切断予定ラインに沿って該レーザビームを被加工物に照射し、被加工物を該切断予定ラインに沿って切断して複数のチップを形成する切断ステップと、を具備したことを特徴とする被加工物の切断方法が提供される。請求項2記載の発明によると、交差する複数の切断予定ラインが表面に設定された被加工物を該切断予定ラインに沿って切断するレーザ加工装置であって、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、を具備し、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段と、を有する加工ヘッドと、を含み、該保持手段は、被加工物の該切断予定ラインにそれぞれ対応し複数のチップ保持領域を区画する液柱逃げ溝と、該チップ保持領域にそれぞれ形成された吸引孔と、該吸引孔に連通して吸引源に接続される吸引路と、を有することを特徴とするレーザ加工装置が提供される。本発明の切断方法では、切断予定ラインの下方に所定の空間を設けた状態で被加工物を保持する。その後、切断予定ラインに沿って液体を噴出し液柱を形成するとともに液柱中に導光されたレーザビームを被加工物に照射する。液柱を形成した液体はレーザビームにより切断された被加工物の切断溝を介して被加工物の下方の空間に流出する。従って、液柱を形成した液体が被加工物表面に散乱することがないため、液体に取り込まれたデブリが被加工物表面に付着することが防止される。更に、液柱を形成した液体が被加工物の下方の空間に流出することでデブリが被加工物の切断側面に付着する所謂リキャストの発生を防止できるため、より厚い被加工物でも切断が可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態のレーザ加工装置の外観斜視図が示されている。レーザ加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り機構12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。即ち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り機構22により一対のガイドレール24に沿って割り出し送り方向、即ちY軸方向に移動される。第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り機構12及び割り出し送り機構22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能であるとともに、円筒支持部材26中に収容されたモータにより回転される。チャックテーブル28の表面には、図4及び図5に示すように、複数の吸引溝23及び液柱逃げ溝25が形成されている。32はウォーターカバーであり、図示を省略した蛇腹がウォーターカバー32に連結されて加工送り機構12及び割り出し送り機構22を水等の液体から保護する。静止基台4にはコラム34が立設されており、このコラム34にレーザビーム照射機構レーザビーム照射手段36が取り付けられている。レーザビーム照射機構36は、ケーシング40中に収容されたレーザビーム発生ユニット38と、ケーシング40の先端に取り付けられた加工ヘッド42とから構成される。ケーシング40の先端には加工ヘッド42とX軸方向に整列して撮像ユニット52が取り付けられている。レーザビーム発生ユニット38は、図2に示すように、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器44と、繰り返し周波数設定手段46と、パルス幅調整手段48と、パワー調整手段50とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器44はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器44から出射されるレーザビームは直線偏光のレーザビームである。図3を参照すると、被加工物の一種である半導体ウエーハ以下単にウエーハと略称することがある11の表面側斜視図が示されている。ウエーハ11は例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート切断予定ライン13が格子状に形成されているとともに、複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平担部に備えている。半導体ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。21はシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチである。ウエーハ11を切断予定ライン13に沿って切断するには、図4に示すように、レーザ加工装置2のチャックテーブル28でウエーハ11を吸引保持する。チャックテーブル28は、ウエーハ11のデバイス15に対応した複数のチップ保持領域28aを有しており、各チップ保持領域28aには吸引孔23が形成されている。これらの吸引孔23は吸引路27を介して負圧吸引源54に選択的に接続される。チャックテーブル28は更に、ウエーハ11の切断予定ライン13に対応し複数のチップ保持領域28aを区画する液柱逃げ溝25を有している。ウエーハ11の下方に設けた所定の空間である液柱逃げ溝25の深さは3mm以上であるのが好ましい。本発明の切断方法では、ウエーハ11をチャックテーブル28上に搭載するのにあたり、各切断予定ライン13が液柱逃げ溝25に対応するように位置決めして搭載する。この位置決めには、例えばチャックテーブル28に設けられた位置決めピン等を使用する。次に、図5を参照して、加工ヘッド42の詳細構造及びウエーハ11の切断方法について説明する。レーザビーム発生ユニット38のパワー調整手段50により所定パワーに調整されたパルスレーザビーム55は、図5に示すように、加工ヘッド42のハウジング56に形成されたビーム導入口58から加工ヘッド42内に導入される。ハウジング56内には、レーザビームを反射するミラー60と、レーザビームを集光する集光レンズ62が配設されている。ハウジング56と一体的に液体噴射手段64の液体室66を画成する液体室ハウジング68が形成されている。液体室ハウジング68は、円筒状側壁70と、該側壁70の上面及び下面をそれぞれ閉塞する上壁72及び下壁74とから構成される。液体室ハウジング68を構成する上壁72には透明窓78が配設されている。液体室ハウジング68を構成する下壁74の中心部には、噴射ノズル80が形成されている。尚、噴射ノズル80の下端である噴射口80aに、集光レンズ62によって集光されるレーザビーム55の集光点が位置づけられる。円筒状側壁72は液体室66に連通する液体導入口76が形成されており、液体導入口76はポンプ82を介して液体供給源84に接続されている。液体供給源84には純水等の液体が収容されており、ポンプ82により所定圧力に加圧された液体が液体導入口76を介して液体室66内に供給される。液体室66内に高圧液体が供給されると、この高圧液体は噴射ノズル80の噴射口80aから噴射されて液柱86を形成する。液体室ハウジング68の下端部には、ブロック88が装着されている。ブロック88の中心部には貫通穴89が形成されており、この貫通穴89中にパイプ90が圧入されている。パイプ90と噴射ノズル80とは整列しており、噴射ノズル80から噴射されて形成された液柱86がパイプ90を通過するように位置付けられている。以下、このように構成されたレーザ加工装置の作用について説明する。レーザビーム発生ユニット38のパワー調整手段50で所定パワーに調整されたレーザビーム55は、加工ヘッド42のビーム導入口58から加工ヘッド42内に導入され、ミラー60で反射されて集光レンズ62で液体噴射手段64の液体室ハウジング68に形成された噴射ノズル80の噴射口80aに集光される。一方、ポンプ82で高圧に加圧された純水等の高圧液体が、液体噴射手段64の液体室ハウジング68に形成された液体導入口76から液体室66内に供給され、液体室ハウジング68の下壁74に形成された噴射ノズル80から噴射されて液柱86を形成し、液柱86がレーザビーム55を導光する。この液柱86は、ブロック88の貫通穴89に圧入されたパイプ90内を通過してウエーハ11の加工点に衝突して飛散する。集光レンズ62で集光されたレーザビーム55はパイプ90内を通過する液柱86に導光案内されて、そのビーム径が広がらずに加工点に照射されてウエーハ11を貫通するレーザ加工溝29を形成する。液柱86を形成した液体はウエーハ11を貫通するレーザ加工溝29を通してウエーハ11の下方の空間である液柱逃げ溝25内に流出する。レーザ加工に伴いデブリ加工屑が発生するが、発生したデブリ85は液柱86を形成する液体87中に取り込まれ、液柱逃げ溝25中に流出される。本実施形態によると、液柱86を形成した液体87がウエーハ11の表面11a上に散乱することがないため、液体87中に含まれるデブリ85がウエーハ11の表面11aに付着することが防止される。更に、液柱86を形成した液体87がウエーハ11の下方の空間である液柱逃げ溝25中に流出することで、デブリ85がウエーハ11の切断側面に付着する所謂リキャストの発生が防止できるため、より厚い被加工物でも切断が可能となる。尚、本実施形態の切断方法で使用したレーザ加工条件は例えば以下の通りである。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:532nmYVO4レーザの第2高調波平均出力:6.6W繰り返し周波数:40kHz液圧:20MPa上述した実施形態では、被加工物として半導体ウエーハの切断方法について説明したが、被加工物は半導体ウエーハに限定されるものではなく、サファイア基板、SiC基板等を有する光デバイスウエーハやセラミックス基板、樹脂基板等にも本発明の切断方法は同様に適用することができる。