"遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンにオゾンを過剰供給して前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする多階調フォトマスクの製造方法。前記第2レジストパターンを形成する工程では、オゾン水を前記第1レジストパターンに供給することを特徴とする請求項1に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記第2レジストパターンを形成する工程では、オゾンガスを前記第1レジストパターンに供給することを特徴とする請求項1に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記第2レジストパターンを形成する工程では、前記第1レジストパターンの表面近傍において、前記オゾンを発生させることを特徴とする、請求項1又は3に記載の多階調フォトマスクの製造方法。前記第2レジストパターンを形成する工程では、酸素又はオゾンが存在する雰囲気中、前記第1レジストパターンに光照射することを特徴とする、請求項1、3又は4に記載の多階調フォトマスクの製造方法。請求項1から5のいずれかに記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン転写方法。上述の多階調フォトマスクにおいて、例えば、遮光部は、透明基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなるものとすることができる。なお、ここでこの順にとは、エッチングを妨げないものであれば、膜間に他の膜が介在していてもよい。このような多階調フォトマスクは、半透光膜と遮光膜とにそれぞれ所定のパターニングを施す必要があることから、描画及び現像を少なくとも2回ずつ行うことで製造されてきた。具体的には、例えば、まず、半透光膜、遮光膜、及び第1レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、一回目の描画および現像を第1レジスト膜に施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆う第1レジストパターンを形成し、第1レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第1レジストパターンを除去して第2レジスト膜を形成し、2回目の描画および現像を第2レジスト膜に施して遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する。さらに、第2レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、第2レジストパターンを除去する。しかしながら、例えばFPD用のTFT基板の製造等に用いられるフォトマスクは、半導体製造用のフォトマスクに比べて大型であり、例えば一辺が500mm以上の方形、更には1辺が1000mmを超える方形のものも最近は少なくないため、描画に長時間を要する。一方で、こうしたFPD製品の生産効率を向上させて、価格を下げようとする要請も強い。このため、描画及び現像を少なくとも2回ずつ行う上述の方法に対して、生産性を向上させる要望があることに発明者は着目した。また、上述の方法では、1回目の描画と2回目の描画との間で、現像、パターニングエッチング工程が行われるため、描画機からとり外し、上記工程にて処理されたフォトマスク中間体を、再度描画機にセットする必要がある。このような場合、1回目と2回目に描画されたパターン間のズレをなくして描画するには、描画機にてマスク上に形成されたアライメントマークを読み込み、そのアライメントマーク位置を基準とし描画機による適切な補正を施して描画を行うこれをアライメント描画というがそれでも位置ズレを完全に防止することは困難である。こうしたアライメント描画の際に生じる位置ズレは、例えば、発明者の検討によると0.1μm~0.5μm程度生じることがあり、この場合、転写パターンの形成精度が低下する。例えば、こうした多階調フォトマスクで液晶表示装置用のTFTを作製しようとするとき、設計値としては本来同一の線幅をもつ遮光パターンが、上記位置ズレに起因して異なる線幅となり、面内では、上記位置ズレ量の生じた分、線幅に分布が生じてしまう。更に、発明者の知見によれば、位置によってレジスト残膜値の異なるレジストパターンを形成し、かつ、このレジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減することが可能である。具体的には、まず、半透光膜、遮光膜、及び第1レジスト膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する。そして、第1レジスト膜に描画および現像を施し、遮光部の形成領域及び半透光部の形成領域を覆い、半透光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さが遮光部の形成領域におけるレジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する。この第1レジストパターンをマスクとして遮光膜及び半透光膜をエッチングする。次に、第1レジストパターンを減膜して半透光部の形成領域における第一レジストパターンを除去することにより遮光膜を露出させ、遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する。さらに、第2レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、その後、第2レジストパターンを除去する。このような方法を用いれば、透光部、半透光部、遮光部を有するつまり3階調の多階調フォトマスクを製造するに際して、描画工程を1回のみとすることができる。しかし、これを現実の生産工程に適用するには、いくつかの困難が存在する。その一つは、大型フォトマスクブランクへの描画工程において、位置によって露光量を変化させる技術に関するものである。フォトマスク用の描画露光装置は、一般的には中間調を含んだパターンを描画する必要がないため、描画のためのビーム走査を行いつつ露光量を変化させることは容易ではない。上記に対する解決方法としては、以下のものがある。特許文献1には、フォトマスクブランクに対し、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、また半透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程が記載されている。また、特許文献2には、半透光部を形成する部分に対しては、電子線描画機又はレーザ描画機を用いて、前記描画機の解像限界以下のパターンの描画データを利用して描画することを含むレジスト膜露光工程が記載されている。しかしながら、発明者の検討によると、描画工程のみでなく、描画、現像によって形成されるレジストパターンの減膜を行う工程にも困難があり、技術課題が存在することが見出された。例えば、レジスト膜を減膜する工程では、フォトマスクブランクのレジスト膜が形成された面内全体に均一な減膜が行われなければならない。面内位置によって不均一な減膜が生じると、レジストの残膜量が不均一となり、次工程のエッチングによって形成される遮光部、又は半透光部の線幅が、設計値に対して変動してしまう。第一に、大型マスクは大面積であるから、面内における減膜の均一性を維持することは容易ではない。つまり減膜に関与する反応物質が面内均一に供給されることが肝要である。減膜の面内均一性を阻害する要因の他のひとつとしては、減膜の面内均一性に影響を与える、レジストの減膜量が転写用パターンの形状に依存するということが挙げられる。具体的には、得ようとする転写用パターンには、最終製品であるデバイスに応じて、遮光部と半透光部の疎密の分布があり、又は、遮光部と半透光部の面積比率に分布があることが多い。係る場合、例えば、第1レジストパターンの疎らな領域単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域では減膜速度が比較的増大し、第1レジストパターンの密な領域単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域では減膜速度が比較的減少する場合がある。その結果、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、転写パターンの形成精度が低下してしまう場合がある。特に、FPD用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が現れやすい傾向がある。そこで本発明は、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることを目的とする。本発明の第1の態様は、遮光部、半透光部、及び透光部を含む所定の転写パターンを透明基板上に形成する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜、遮光膜、及びレジスト膜が前記透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記レジスト膜に描画および現像を施し、前記遮光部の形成領域及び前記半透光部の形成領域を覆い、前記半透光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さが前記遮光部の形成領域における前記レジスト膜の厚さよりも薄い第1レジストパターンを形成する工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして前記遮光膜及び前記半透光膜をエッチングして前記透明基板を一部露出させる第1エッチング工程と、前記第1レジストパターンにオゾンを過剰供給して前記第1レジストパターンを減膜し、前記半透光部の形成領域における前記遮光膜を露出させ、前記遮光部の形成領域を覆う第2レジストパターンを形成する工程と、前記第2レジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして前記半透光膜を一部露出させる第2エッチング工程と、前記第2レジストパターンを除去する工程と、を有する多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第2の態様は、前記第2レジストパターンを形成する工程では、オゾン水を前記第1レジストパターンに供給する第1の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第3の態様は、前記第2レジストパターンを形成する工程では、オゾンガスを前記第1レジストパターンに供給する第1の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第4の態様は、前記第2レジストパターンを形成する工程では、前記第1レジストパターンの表面近傍において、前記オゾンを発生させる第1の態様又は第3の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第5の態様は、前記第2レジストパターンを形成する工程では、酸素又はオゾンが存在する雰囲気中、前記第1レジストパターンに光照射する第1の態様、第3の態様又は第4の態様に記載の多階調フォトマスクの製造方法である。本発明の第6の態様は、第1の態様から第5の態様のいずれかに記載の製造方法による多階調フォトマスクを介し、被転写体上に形成されている被転写レジスト膜に前記露光光を照射することにより、前記被転写レジスト膜に前記転写パターンを転写する工程を有するパターン転写方法である。本発明によれば、レジストパターンの減膜を利用することで描画及び現像の回数を削減させつつ、レジストパターンの減膜速度の面内均一性を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることが可能となる。先述のように、多階調フォトマスクの製法方法においては、例えば、3階調透光部、遮光部、半透光部を実現するために、透明基板上に形成した2つの膜にパターニングを施す必要があり、従来の製造方法では少なくとも2回の描画及び現像工程が必要である。更に、4階調以上の多階調フォトマスクにおいては、少なくとも2回、或いはそれより多い回数の描画現像工程が必要となる。従って、生産効率、製造コストの改良が望まれていた。更に、複数回の描画によるパターンの相互の位置ズレによって転写パターンの形成精度の低下を招いていた。そこで発明者は、上述の課題を解決すべく描画及び現像工程の回数の削減に取り組んだ。まず、図5aに例示するように、透明基板100’上に半透光膜101’、遮光膜102’がこの順に形成され、最上層にレジスト膜103’が形成されたフォトマスクブランク10b’を用意する。そして、図5bの103p’に実線で例示するように、フォトマスクブランク10b’が有するレジスト膜103’に対して露光現像を施し、例えば2段階の厚さを有する第1レジストパターン103p’を形成する。これは、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、また半透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量で、レジスト膜を露光することによって行うことができる。この結果、図5bに示される第1レジストパターン103p’は、遮光部110’の形成領域及び半透光部115’の形成領域を覆い、半透光部115’の形成領域におけるレジスト膜103’の厚さが、遮光部110’の形成領域におけるレジスト膜103’の厚さよりも薄くなるように形成されている。なお、上記から明かなとおり、遮光部110’や半透光部115’の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスクにおいて、遮光部110’や半透光部115’を形成しようとする領域をいう。そして、第1レジストパターン103p’をマスクとして遮光膜102’及び半透光膜101’をエッチングする。次に、図5bの104p’に点線と一部実線で例示するように、第1レジストパターン103p’を減膜し、遮光部110’の形成領域を覆う第2レジストパターン104p’を形成する。そして、図5cには、第2レジストパターン104p’をマスクとして半透光膜101’をエッチングした後、第2レジストパターン104p’を除去し終えたときの態様を例示する。この方法によれば、描画及び現像工程の回数をそれぞれ1回に削減でき、上述の課題を解決できる。ここで減膜とは、例えば、レジスト膜103p’の露出している上部表面から垂直方向に所望量のレジスト膜103p’を消失させ、膜厚を減少させることをいう。上記において、第1レジストパターン103p’の減膜は、例えば、プラズマアッシング装置を用いて、プラズマにより発生させた活性物質、例えば活性酸素を第1レジストパターン103p’に供給し、レジスト膜103’を構成する有機物を分解して灰化アッシングすることで行うことができる。しかしながら、発明者の検討によれば、係る方法では不十分な点があった。例えば、灰化によって生じた異物が系内に残留し、マスクパターンの欠陥を生じさせるリスクがあった。更に、第1レジストパターン103p’の減膜速度の面内均一性が十分ではないことが分かった。その結果、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、例えば、図5cの符号125に示すように、一部の転写パターンの寸法が予定領域より小さく形成される場合があることが分かった。そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を低下させる理由について鋭意検討を行った。以下に、図を参照してその理由を説明する。まず第1に、フォトマスクに求められるパターン線幅の均一性例えば面内ばらつきの許容値が0.2μm以下であるといった仕様を満足させるためには、減膜のための反応物質を面内に不足なく供給する必要がある。更に、パターンの面内不均一に依存して生じる消費の不均一が生じても、これが減膜量の不均一の原因とならないような供給が必要であると考えられる。図4は、第1レジストパターン103p’の減膜メカニズムを例示する断面図である。図4のb1は減膜前の第1レジストパターン103p’の構成を、b2は活性酸素により第1レジストパターン103p’が減膜される様子を、b3は減膜により得られた第2レジストパターン104p’をマスクとして遮光膜をエッチングし、転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図4のb1に示すように、第1レジストパターン103p’は、疎らな領域例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が大きい領域と密な領域例えば、単位面積あたりの開口面積の割合が小さい領域と、を有している。具体的には、例えば透光部120’図5c参照の形成領域は疎らな領域に相当し、遮光部110’図5c参照や半透光部115’図5c参照の形成領域が密な領域に相当する。ここで、疎らな領域では、減膜対象となるレジスト材料第1レジストパターン103p’が比較的少ないため、活性酸素の消費はそれほど多くない。したがって、疎らな領域においては、第1レジストパターン103p’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第1レジストパターン103p’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多い状態になり易い。すなわち、活性酸素の不足が生じにくく、活性酸素の量によって減膜速度の制限を受け難い。これに対し、密な領域では、減膜対象となるレジスト材料第1レジストパターン103p’が比較的豊富に存在するため、活性酸素の消費量は多くなる。したがって、密な領域においては、第1レジストパターン103p’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第1レジストパターン103p’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも不十分な状態になり易い。すなわち、活性酸素の不足が生じ易く、活性酸素の量によって分解反応が律速され、減膜速度が局所的に低下し易い。減膜時間を増加させると、上記疎らな領域ではレジストの線幅が減少してしまう。このように、減膜対象となる第1レジストパターン103p’の形状に影響を受け、減膜速度の面内均一性が低下する場合があることが分かった。この場合、減膜速度の面内均一性が低下することによって、減膜による形状制御を正確に行うことが困難となり、図4b3に例示するように転写パターンの形成精度が低下してしまう。特に、FPD用フォトマスクではレジストパターンの疎密差が比較的大きいことから、減膜速度の不均一性が顕著に現れやすい傾向がある。なお、減膜速度の面内均一性の低下は、レジストパターンの疎密差が大きい場合のみでなく、レジストパターンの開口面積自体の差が大きい場合にも顕著に現れる。プラズマアッシング法を使用した方法では、減圧下でプラズマを発生させるため、レジストを減膜させるための反応種活性酸素を含むの量を自在に増やすことはできない。そのため、レジストパターンの粗密や開口率の差によって上記反応物質の供給不足になる場合が避けられないと考えられる。特に、フォトマスクに許容される面内の線幅分布仕様を満足することは困難であった。そこで発明者は、減膜速度の面内均一性を向上させる方法について、更に鋭意研究を行った。その結果、減膜処理工程中において、第1レジストパターン103p’に供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量が、第1レジストパターン103p’を減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くなるようにすること、すなわち、オゾンの過剰供給により、活性酸素を過剰に生成させることで、減膜速度の面内均一性を向上できるとの知見を得るに至った。レジストパターンの減膜を、このような活性酸素オゾンを含むの過剰供給によっておこなう場合、例えば活性酸素発生装置などで生成させ一定濃度に管理された活性酸素例えば溶液やガスとしてを移送し、所定量を連続してレジストパターンに供給することができる。このようにすることで、一定濃度の活性酸素を活性酸素の消費箇所に供給し続けることができるため、活性酸素を過剰供給とすることができ、レジストパターンの粗密の違いによって、活性酸素の消費量に対して供給量が不足する部分が生じることを妨げる。また、酸素又はオゾンガスの少なくとも一つが含まれる雰囲気中でレジストパターンに光照射を行うことで、活性酸素を発生させる場合においても、上記雰囲気を連続して光照射部分に供給し、同様の作用を生じさせることができる。また、上記雰囲気の代わりに酸素又はオゾンの少なくとも一つが含まれた液体例えば純水などを供給することもできる。また、前述のプラズマアッシングと異なり、オゾンを用いたアッシングは、濃度と供給量を独立に調整できるのでレジストパターンの減膜方法として有利であり、供給量を流量の調整などで加減し活性酸素の過剰状態を作り易い。さらには、活性酸素濃度を下げ、レジストの減膜速度を低下させることも可能である。この場合、レジストの減膜量を精密に調整することが可能となる。例えば活性酸素濃度を下げ、レジストパターンの減膜速度を低くすることで、減膜量を精密に調整しようとする場合でも、供給量を調整することで常に一定の濃度のオゾンを供給することができるため、活性酸素の過剰供給が可能となる。すなわち、供給される活性酸素が消費される活性酸素より少なくなることがないので、パターンの粗密差による減膜量の面内不均一を生じない。例えば、オゾン水濃度は2ppm~150ppmの範囲で調整することができ、減膜量の調整が可能となる。より、減膜量を精密に制御するためには2ppm~50ppmの範囲とすることが望ましく、さらには2ppm~30ppmであることが望ましい。このときのオゾン水供給量を、フォトマスクの単位面積当たりに換算すると、20.0ml/cm2min~0.10ml/cm2min程度となる。より好適には、20.0ml/cm2min~0.50ml/cm2minとすることができる。これの範囲の供給量であれば、オゾン濃度が低い場合でも、活性酸素の供給量を過剰な状態とすることができ好適である。またこの供給量は、例えば供給されるオゾン水量を、処理を行うフォトマスクブランクス基板の面積で除して求めることができる。また、オゾン濃度はオゾン吸光度などを利用した公知の測定装置で測定することができ、レジストパターンに供給される直前の濃度を測定することができる。このようなオゾンを使用したアッシング方法では、単位時間あたりに所望する量であり、かつ所望濃度のオゾンを供給することができ有利である。一方、プラズマアッシングでは、反応種である活性酸素などの濃度とその供給量を独立に制御することが難しく、レジストパターンの粗密差によるレジスト減膜量の面内均一性を解消することが難しい。オゾンの供給は、オゾン発生装置によって生成されたオゾンガスを、液体や気体を媒質として、レジストパターンに供給することができる。または、酸素又はオゾンのうち少なくともひとつを含んだ媒質中又は媒質をレジストパターンに供給しつつ、供給部分に紫外線を照射することによって、レジストパターンの表面近傍で活性酸素を発生させることができる。このとき、レジストパターン表面近傍で発生された活性酸素は、寿命で失活する前にレジストの減膜に消費されるため好適である。このとき、活性酸素の生成が不足しないよう、酸素又はオゾンのうち少なくともひとつを含んだ媒質を、上記光照射部分に連続的に供給することが好適である。発明者の検討によれば、このような方法を採用することで、多階調フォトマスクに形成される、半透光部と遮光部のパターン線幅すなわち、半透光膜パターンと遮光膜パターンの線幅を、マスクの設計データで与えられる設計値に近づけることができる。また、設計値と実際の線幅とに所定の差異が生じても、その生じた差異を面内で均一にすることができる。本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。<本発明の第1実施形態>以下に、本発明の第1実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造工程のフロー図である。図2は、多階調フォトマスク10を用いたパターン転写方法を示す断面図である。1多階調フォトマスクの製造方法フォトマスクブランク準備工程まず、図1aに例示するように、透明基板100上に半透光膜101、遮光膜102がこの順に形成され、最上層にレジスト膜103が形成されたフォトマスクブランク10bを準備する。透明基板100は、例えば石英SiO2ガラスや、SiO2,Al2O3,B2O3,RORはアルカリ土類金属,R2OR2はアルカリ金属等を含む低膨張ガラス等からなる平板として構成されている。透明基板100の主面表面及び裏面は、研磨されるなどして平坦且つ平滑に構成されている。透明基板100は、例えば一辺が2000mm~2400mm程度の方形とすることができる。透明基板100の厚さは例えば3mm~20mm程度とすることができる。半透光膜101は、モリブデンMoやタンタルTa等の金属材料とシリコンSiとを含む材料からなり、例えばMoSi、MoSi2、MoSiN、MoSiON、MoSiCON、TaSix等からなる。半透光膜101は、フッ素F系のエッチング液又はエッチングガスを用いてエッチング可能なように構成されている。また、半透光膜101は、硝酸第2セリウムアンモニウムNH42CeNO36及び過塩素酸HClO4を含む純水からなるクロム用エッチング液に対するエッチング耐性を有し、後述するようにクロム用エッチング液を用いて遮光膜102をエッチングする際のエッチングストッパ層として機能する。遮光膜102は、実質的にクロムCrからなる。なお、遮光膜102の表面にCr化合物CrO、CrC,CrN等を積層すれば図示せず、遮光膜102の表面に反射抑制機能を持たせることが出来る。遮光膜102は、上述のクロム用エッチング液を用いてエッチング可能なように構成されている。レジスト膜103は、ポジ型フォトレジスト材料或いはネガ型フォトレジスト材料により構成することが可能である。以下の説明では、レジスト膜103がポジ型フォトレジスト材料より形成されているものとする。レジスト膜103は、例えばスリットコータやスピンコータ等を用いて形成することができる。第1レジストパターン形成工程次に、フォトマスクブランク10bに対してレーザ描画機等により描画露光を行い、レジスト膜103を感光させ、レジスト膜103に現像液を供給して現像を施し、遮光部110の形成領域及び半透光部115の形成領域を覆う第1レジストパターン103pを形成する。第1レジストパターン103pが形成された状態を、図1bに例示する。図1bに示すように第1レジストパターン103pは、半透光部115の形成領域におけるレジスト膜103の厚さが遮光部110の形成領域におけるレジスト膜103の厚さよりも薄くなるよう形成されている。なお、遮光部110や半透光部115の形成領域とは、得ようとする多階調フォトマスク10において、遮光部110や半透光部115を形成しようとする領域をいう。このように厚さの異なる第1レジストパターン103pを形成するには、例えば以下の方法を用いることができる。以下の方法によれば、2つ以上の残膜量を有する第1レジストパターン103pを、1回の描画と1回の現像処理によって形成することができる。具体的には、上記のフォトマスクブランク10bを用意し、描画を行うとき、透光部120を形成する領域には、レジスト膜103を完全に感光させる露光量を適用し、また半透光部115を形成する領域には、レジスト膜103を完全に感光させるより少ない露光量を適用する。係る描画方法の詳細について、以下に2つの例を挙げて記述する。aハーフドーズ描画による方法遮光部110、透光部120及び半透光部115の全てのパターンデータを組み込んだ、マスクパターンの合成データが、図6aに示すように、遮光部データ110d、透光部データ120d、及び半透光部データ115dで構成された場合を例にとる。この場合、マスクパターンの合成データを、図6bに示す遮光部データ110d及び透光部データ120dと、図6cに示す半透光部データ115dとに分離する。ここで、上記データの分離時に遮光部データ110dは図6cの半透光部データ側に含むこともできる。ポジ型レジストを使用する場合、遮光部データ110dは描画が行われない部分であるので、どちらのデータ分離方法によっても以降の描画工程では同じ結果を示すため問題は生じない。そして、透光部120の形成領域をレジスト膜103が完全に除去できる露光量100で描画した後、半透光部115の形成領域をレジスト膜103が完全に感光される露光量の約半分の露光量で描画することにより図6aに示すパターンの描画を行うことができる。なお、透光部120の形成領域と半透光部115の形成領域との描画の順序については順不同であり、どちらが先でも構わない。上記図6aに示す描画パターンを、レジスト膜103上ポジレジストでの描画例に描画した際の露光量の分布は、図7に示すようになる。つまり、エリアC透光部120の形成領域の露光量は100、エリアA半透光部115の形成領域の露光量は50、エリアB遮光部110の形成領域の露光量は0露光されないとなる。半透光部の露光量は、上記の値に限定されず、例えば30以上70以下とすることができる。この範囲であれば、レジスト残膜量がエッチング時のマスクとして不具合が生じず、レジスト膜の厚い部分と薄い部分の境界を明確に保ったまま精度の高い減膜を行うことができる。続いて、図7のI-I断面図である図8のaに示すとおり、図7に示す露光分布で描画を行った場合、エリアBは未露光となり、エリアAは露光現像後の膜厚がエリアBの残膜値の約半分になるように描画の際の露光量を調節する。エリアCにはレジストパターニングしたとき、レジストが完全に除去されるのに不足しないだけの露光量を与える。この際の描画方法は、レーザ描画機で、露光量100の光量にてエリアCの描画を行った後、露光量50程度の光量で工リアAの描画を行なう。エリアA、Cの描画順序についてはどちらが先でも構わない。次に、図8bに示すように、膜厚差を有するようにレジスト膜103を現像する。この際、レジスト膜103の膜厚は、エリアAで工リアBの約半分程度となり、エリアCでは完全に除去された状態となる。なお、ここでは半透光部115の形成領域エリアAの露光量を50としたが、所望の残膜値に基づいて、例えば20~80程度の範囲で変更することが可能である。このように露光量を変更することで、エリアAを現像後に所望の残膜値になるよう形成することができる。本実施形態では、このように一工程で連続的に描画を行うことができる。b未解像パターン描画による方法次に、他のレジストパターン形成方法を説明する。この方法においても、上記のフォトマスクブランク10bを用い、レーザ描画機などを用いて描画を行う。描画パターンは、一例としては図10に示されるように、遮光部パターン110a、110bと、透光部パターン120pと、半透光部パターン115pとを有する。ここで、半透光部パターン115pは、使用する描画機の解像限界以下の微細パターンラインアンドスペースからなる遮光パターン115a、及び透過パターン115bを形成した領域である。例えば使用するレーザ描画機の解像限界が、2.0μmであれば、図10で半透光部パターン115pにおける透過パターン115bのスペース幅を2.0μm未満、遮光パターン115aのライン幅を描画機の解像限界以下の2.0μm未満とすることができる。なお、ラインアンドスペースパターンの場合、ライン幅をどのくらいにするかによって、このパターンを介して露光したときの露光量を調節することが出来、最終的には半透光部115を形成する部分でのレジスト膜103の残膜値を制御することができる。例えば、ライン幅は、描画機の解像最小線幅の1/2未満、例えば1/8~1/3とすることができる。このような遮光部パターン110a、110bと、透光部パターン120pと、半透光部パターン115pとを有するパターンの描画データ図10のパターンの場合、例えば透光部パターン120pのデータと半透光部パターン115pのデータを合成した1種類のデータを利用するのが好適であるを用いて一度に描画を行う。この際の露光量は、透光部120を形成する領域のレジスト膜103が十分に感光される露光量とする。すると、透光部120を形成する領域図9に図示するCの領域では、レジスト膜103が十分に感光され、遮光部110を形成する領域図9に図示するBの領域では、レジスト膜103は未露光露光されない状態である。さらに、半透光部115を形成する領域図9に図示するAの領域では、前記遮光パターン115aを描画機では解像できないため、その線幅を描画できないが、全体として露光量が足りなくなる。すなわち、半透光部115の形成領域ではこの形成領域全体の露光量を減らしてレジスト膜103を露光したのと同じような効果が得られる。描画後、これを所定の現像液で現像すると、マスクブランク10b上に、遮光部110B領域と半透光部115A領域とでレジスト膜103の残膜値が異なるような第1レジストパターン103pが形成される図9b参照。半透光部115の形成領域ではレジスト膜103が完全に感光される露光量よりも実際の露光量が少ないため、レジスト膜103を現像すると完全には溶解せず、未露光の遮光部110のレジスト膜103よりも薄い膜厚で残存する。なお、透光部120ではレジスト膜103は完全に除去された状態となる。尚、2つ以上の残膜量を有するレジストパターンの形成方法は、上記に限定されない。描画機のビーム走査を行いつつ、その強度を変更する方法など、上記以外の手法により、レジスト膜103の位置によって異なる露光量の描画を施してもよい。第1エッチング工程次に、図1に示すように、形成した第1レジストパターン103pをマスクとして、遮光膜102をエッチングして遮光膜パターン102pを形成する。遮光膜102のエッチングは、上述のクロム用エッチング液を、スプレー方式等の手法により遮光膜102に供給してウェットエッチングすることが可能である。続いて、第1レジストパターン103pをマスクとして、半透光膜101をエッチングして半透光膜パターン101pを形成し、透明基板100を部分的に露出させる。半透光膜101のエッチングは、フッ素F系のエッチング液又はエッチングガスを半透光膜101に供給して行うことが可能である。このように、遮光膜パターン102p及び半透光膜パターン101pが形成された状態を、図1cに例示する。第2レジストパターン形成工程次に、第1レジストパターン103pを減膜し、半透光部115の形成領域における遮光膜102を露出させる。このとき、レジスト膜103の厚い遮光部110の形成領域ではレジスト膜103が残る。これにより、遮光部110の形成領域を覆う第2レジストパターン104pが形成される。その状態を図1dに例示する。第1レジストパターン103pの減膜は、第1レジストパターン103pにオゾンO3水を過剰供給して行うことができる。第1レジストパターン103pにオゾン水を過剰供給すると、オゾン水から発生する活性酸素がレジスト膜103と反応し、レジスト膜103を構成する材料が分解され、第1レジストパターン103pが減膜される。ここで活性酸素とは、オゾン自身のほか、オゾン水中でオゾンの一部が分解して生じるヒドロキシラジカルHOを含み、更に、オゾン水中に存在する、レジスト膜103と反応するのに充分な活性を持った酸素原子Oなどの活性種を指すものとする。この減膜工程には、真空装置を用いる必要はなく、大気中かつ大気圧中で行うことができる。また、この減膜工程において、オゾン水によるアッシングを行う際、レジストパターン表面にムラなくオゾン水の供給を十分に行うことが必要である。例えば、オゾン水の供給前に、紫外光波長200nm~380nmや真空紫外光波長10nm~200nmをレジストパターンに照射し表面の改質をすることができる。例えば前記照射の光源として低圧水銀灯、エキシマUVランプなどを使うことができる。このことによって、レジストパターン表面を改質でき、濡れ性を均一にし欠陥の発生を防ぎ、かつ改質によりレジストパターンの表面物性を揃えることで減膜の開始反応の状態を揃えることができるので、面内の減膜量の均一性をより高めることができ好適である。特に、本発明のように微細な凹凸を有するレジストパターン表面をオゾン水でアッシングする場合、上記紫外光真空紫外含むの照射によって、オゾン水を微細な凹み部分まで供給することが容易になり、より均一な減膜を行うことができ好適である。但し、上述したように、一般にプラズマアッシングにより第1レジストパターン103pを減膜する場合、第1レジストパターン103pの形状によっては、局所的に活性酸素の不足が生じてしまい、減膜速度の面内均一性が低下してしまう懸念がある。すなわち、密な領域において活性酸素の不足が生じ、活性酸素の量によって分解反応が律速され、減膜速度が局所的に低下してしまう場合がある。これに対し、本実施形態ではオゾン水を過剰供給することにより減膜を行うようにしている。過剰供給とは、レジストパターンの減膜に対して必要な活性酸素の量を超えて、活性酸素を発生させるオゾンを供給することである。例えば、基板を回転させながらオゾン水を供給することができる。これにより活性酸素の局所的な不足を防ぐことが出来る。図3は、本実施形態に係る第1レジストパターン103pの減膜メカニズムを示す断面図である。図3のb1は減膜前の第1レジストパターン103pの構成を、b2は活性酸素により第1レジストパターン103pが減膜される様子を、b3は減膜により得られた第2レジストパターン104pをマスクとして転写パターンを形成した様子をそれぞれ示している。図3に示すように、本実施形態によれば、疎らな領域及び密な領域のそれぞれに対し、第1レジストパターン103pに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量を、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くすることができる。すなわち、活性酸素の過剰供給状態を作り出すことができる。その結果、減膜速度の面内均一性を向上させ、減膜によって形成される第2レジストパターン104pの形状制御を正確に行うことが出来る。なお、オゾン水濃度は、例えば20ppm~100ppm程度とすることができる。またオゾン水の温度を常温~50度程度に変化させてもよい。これらはレジストの種類による減膜速度の相違に対して、最適な条件を随時得るために有用である。第2エッチング工程続いて第2レジストパターン104pをマスクとして、遮光膜102をさらにエッチングして半透光膜101を露出させる。遮光膜102のエッチングは、先述のクロム用エッチング液を、遮光膜102に供給して行うことが可能である。このとき、下地の半透光膜101がエッチングストッパ層として機能する。第2エッチング工程が実施された状態を図1eに例示する。第2レジストパターン除去工程そして、第2レジストパターン104pを除去し、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造を完了する。第2レジストパターン104pは、第2レジストパターン104pに剥離液等を接触させることで除去できる。第2レジストパターン104pを除去した状態を図1fに例示する。以上により、図1fに例示するような多階調フォトマスク10の製造工程を終了する。図1fに示す多階調フォトマスク10は、例えばフラットパネルディスプレイFPD用の薄膜トランジスタTFT基板の製造等に用いられる。ただし図1fは多階調フォトマスクの積層構造を例示するものであり、実際のパターンはこれと同一とは限らない。多階調フォトマスク10が備える遮光部110、半透光部115、及び透光部120は、例えばi線~g線の範囲内の代表波長を有する露光光に対し、それぞれ所定の範囲内の透過率を有するように構成されている。すなわち、遮光部110は露光光を遮光光透過率が略0させ、透光部120は露光光を略100透過させるように構成されている。そして、半透光部115は、例えば露光光の透過率を20~80十分に広い透光部120の透過率を100としたとき。以下同様、好ましくは30~60程度に低減させるように構成されている。なお、i線365nm、h線405nm、g線486nmとは、水銀Hgの主な発光スペクトルであり、ここでいう代表波長とは、i線、h線、g線のうちいずれかの任意の波長のことである。なお、i線~g線のいずれの波長に対しても上記透過率であることがより好ましい。2被転写体へのパターン転写方法図2に、多階調フォトマスク10を用いたパターン転写工程によって被転写体30に形成されるレジストパターン302p実線部の部分断面図を例示する。レジストパターン302pは、被転写体30に形成された被転写レジスト膜としてのポジ型レジスト膜302点線部と一部実線部に多階調フォトマスク10を介して露光光を照射し、現像することにより形成される。被転写体30は、基板300と、基板300上に順に積層された金属薄膜や絶縁層、半導体層などの任意の被加工層301とを備えており、ポジ型レジスト膜302は被加工層301上に均一な厚さで予め形成されているものとする。なお、被加工層301を構成する各層は、各層の上層のエッチング液又はエッチングガスに対して耐性を有するように構成されていてもよい。多階調フォトマスク10を介してポジ型レジスト膜302に露光光を照射すると、遮光部110では露光光が透過せず、また、半透光部115、透光部120の順に露光光の光量が段階的に増加する。そしてポジ型レジスト膜302は、遮光部110、半透光部115のそれぞれに対応する領域で膜厚が順に薄くなり、透光部120に対応する領域で除去される。このようにして、被転写体30上に膜厚が段階的に異なるレジストパターン302pが形成される。レジストパターン302pが形成されたら、レジストパターン302pに覆われていない領域透光部120に対応する領域に露出している被加工層301を表面側から順次エッチングして除去する。そして、レジストパターン302pをアッシング減膜して膜厚が薄い領域半透光部115に対応する領域を除去し、新たに露出した被加工層301を順次エッチングして除去する。このように、膜厚が段階的に異なるレジストパターン302pを用いることで、従来のフォトマスク2枚分の工程を実施したこととなり、マスク枚数を削減でき、フォトリソグラフィ工程を簡略化できる。3本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。a本実施形態によれば、第1レジストパターン103pの減膜を利用することで、描画及び現像工程の回数を削減できる。これにより、多階調フォトマスク10の生産性を向上させ、製造コストを低減させることができる。また、3階調の転写パターンを形成するに際して、2種類遮光膜パターニングと半透光膜パターニングのパターンの位置ズレを防止できるので、転写パターンの形成精度の低下を抑制することができる。bまた本実施形態によれば、オゾン水を過剰供給することで第1レジストパターン103pを減膜している。オゾン水を利用することで、第1レジストパターン103pに供給される単位面積あたりの活性酸素の供給量を、第1レジストパターン103pを減膜することで消費される単位面積あたりの活性酸素の消費量よりも多くすることができる。すなわち、活性酸素の過剰供給状態を作り出すようにしている。これにより、減膜速度の面内均一性を向上させることができる。このため、パターンの疎密差要因や、レジスト開口率分布要因による、減膜量の面内不均一を防止し、第2レジストパターン104pの形成精度を向上させ、転写パターンの形成精度を向上させることができる。c本実施形態の方法によれば、パターン形状疎密差、周辺開口率によらずの面内均一性が得られ、上記aの効果と合わせて更にパターンの線幅制御が有効に行える。具体的には、パターン線幅が設計値からかい離しないとともに、設計値と実際の線幅の差異ゼロでない場合の面内偏差ができない。換言すれば、設計値に対して、プラス側にずれたりマイナス側にずれたりすることがなく、差異の傾向が面内で一定である。このため、TFT基板のパターンなど、対称性のあるパターン例えば、透光部、遮光部、半透光部、遮光部、透光部がこの順に一方向に配列し、半透光部に対して、両側にある遮光部の線幅が同一である場合などにおいて、従来の方法では2回の描画による位置ズレによってこの対称性が維持できなかったという問題を解消した。また、パターン疎密差起因や開口率起因による面内の線幅変動の偏差も抑制することができる。dまた、本実施形態の方法においては、例えば、レジスト現像と、第1レジストパターンをマスクとした遮光膜および半透過膜のそれぞれのエッチングと、第1レジストパターンを減膜して第2レジストパターンとするオゾン水によるアッシングと、第2レジストパターンをマスクとした遮光膜のエッチングと、剥離液による第2レジストパターンの除去というように、これら工程全てに対して、液体を用いたウエット処理を行うことができる。したがって、これらの処理を1装置内で連続して行うことができるため、処理途中のフォトマスク中間体を処理途中に装置間で移動させる必要もなくなり、パーティクル付着等による欠陥発生のリスクが減少する。また、これらの処理を連続して行えることで、工程間に生じる無駄な待機時間や移動時間を削減でき、総処理時間の大幅な短縮化が可能となる。<本発明の第2実施形態>続いて、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態では、オゾン水の替わりに、酸素またはオゾンガスを用い、その存在雰囲気下にて光照射し、気体のオゾン又はオゾンを含む活性酸素の過剰供給の状態をつくることができる。このように、活性酸素の生成を促進し、これによって第1レジストパターン103pを減膜する点が、上記の実施形態とは異なる。以下、図1を参照して上記の実施形態と異なる点について詳述する。本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造方法も上述の実施形態と同様、図1に例示する製造工程を経るが、本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造方法では、図1dに例示する第1レジストパターン103pの減膜を、オゾンガスの供給と共に光照射により行う。ここで光照射に使用される光は、酸素O2、またはオゾンO3の存在する雰囲気で、レジスト膜103を減膜させるための活性酸素の発生を促すためのエネルギー光であり、例えば、紫外光波長200nm~380nmや真空紫外光波長10nm~200nmを用いることができる。なお、酸素が存在する雰囲気中とは、大気中でも良い。すなわち、紫外光UV又は真空紫外光VUVを照射することにより、雰囲気中にある酸素、またはオゾンを励起し、分解や結合などを経てて活性酸素を生じさせる。尚、この光照射は、雰囲気の酸素からオゾン、最終的には活性酸素を生成するのみでなく、レジスト膜103を形成する有機物の結合を切る働きもあるため、レジスト膜103のアッシングが効率的に進行する。この過程で、第1レジストパターン103pの表面近傍において、効率的にオゾンを発生させることができ、オゾンが第1レジストパターン103pに過剰に供給される。これにより、第1レジストパターン103pの減膜による第2レジストパターン104pの形状制御を正確に行なうことができる。この減膜工程も、真空装置を用いる必要はなく、大気圧と同じもしくはほぼ大気圧中で行うことができる。なお、UVやVUVは公知の照射装置、例えば、低圧水銀灯やエキシマUVランプ等により、照射することができる。また、酸素の光反応によりオゾンが生成するのに効率の良い波長と、オゾンがさらに光反応により他の活性酸素が生成するのに効率の良い波長は異なる。したがって、例えば低圧水銀灯とエキシマUVランプの二種類の光源による光照射を行うことで、オゾンとその他の活性酸素の各生成効率を向上することができる。本実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造方法においても、上述の実施形態に係る多階調フォトマスク10の製造方法と同様の効果を奏する。すなわち、本実施形態においても、パターン形状疎密差、周辺開口率によらず、極めて面内均一性の高い減膜挙動が得られた。上記第1、第2の実施態様から明らかなとおり、本発明によれば、多階調フォトマスクを製造する工程の大幅な効率化が実現できると同時に、大型フォトマスク基板の、描画機へのセットが一度であるという利点を享受することができる。同一の基板を、位置ズレなしに、描画機の同一位置に再載置することに要する、時間と負荷が軽減できる。また、この再載置により発生する位置ズレのリスクを回避できるのである。尚、本実施形態では、オゾンの過剰供給によるレジストパターンの減膜を利用している。この方法によれば、大気中、又は、大気に酸素やオゾンを添加した雰囲気で減膜処理が可能であるため、極めて有利である。一方、レジストのアッシング方法としては、プラズマを用いたアッシングを適用することも可能であるが、この場合には、液晶表示用の大型マスクのために、大型の真空装置を用意する必要がある上、系内の圧やプラズマ濃度の均一性を保つことが難しく、面内の減膜量均一化は容易でない。これは、活性酸素の不足を補うために、過剰な酸素を真空装置に導入すると、プラズマ生成影響が出る懸念があるためである。また、例えばプラズマアッシング法においては、プラズマ放電によって、フォトマスク上に電荷の分布が生じ、放電によるパターンの破壊プラズマアッシング中に生じる異物によるフォトマスクの欠陥などのリスクがあったが、本発明の方法は、これらの不都合を生じさせない。本発明においては、このような不都合がなく、さらに、パターンの形状によらず、面内の減膜速度の均一性も高められる点で有利である。<本発明の他の実施形態>尚、多階調フォトマスクの製法には、透明基板100上に、半透光膜101及び遮光膜102をこの順に積層したフォトマスクブランク10bを用いて行う上述の方法の他に、異なる方法を用いることもできる。すなわち、透明基板上に形成した遮光膜をパターニングしたのちに、半透光膜を成膜し、パターニングするという工程を経て、透光部、半透光部、遮光部を形成する方法である。但し、前者の製造法、つまり上述の第1、第2実施形態等に係る方法は、本発明を適用するのに適しており、換言すれば、前者の方法は、本発明を有効に適用できる点で、生産効率上、特に優れているといえる。以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。また、上記において、透光部、遮光部、半透光部を有する3階調の多階調フォトマスクについて説明したが、透過率の異なる半透光部を複数有する、4階調以上の多階調フォトマスクにおいても、本発明が適用できることは言うまでもない。"