炭化珪素SiCからなる半導体層上にショットキー電極が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、前記ショットキー電極を構成する電極層を前記半導体層の上に形成した後に、前記ショットキー電極となる領域以外における電極層をエッチングにより除去する電極層エッチング工程と、前記ショットキー電極となる領域における電極層の周囲の前記半導体層の表面を前記電極層よりも低い位置に加工し、当該低い位置とされた前記半導体層の表面から前記ショットキー電極となる領域における電極層の端部との間に絶縁層を形成する埋め込み絶縁層形成工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記埋め込み絶縁層形成工程は、前記ショットキー電極となる領域以外における前記半導体層をエッチングすることにより掘り下げる半導体層エッチング工程と、前記電極層と、掘り下げられた前記半導体層の領域とを覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、掘り下げられた前記半導体層の領域を覆う前記絶縁層を残した状態で、前記電極層上の前記絶縁層をエッチングによって除去するエッチバック工程と、を少なくとも含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記電極層エッチング工程において、前記ショットキー電極を構成する領域を囲む環状の領域をエッチングし、前記半導体層エッチング工程において、前記環状の領域で前記半導体層が掘り下げられた溝構造を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体層エッチング工程において、前記半導体層をドライエッチングした後でウェットエッチング処理を行うことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。特許文献1図3aに記載のような、基板と反対導電型で構成されるガードリングp層をショットキー電極20バリアメタル21周囲に形成するという技術は、SiCに限らず、Siを用いた場合でも行われている。しかしながら、SiCに対してイオン注入を行った場合には、活性化のための熱処理に要求される温度は、Si等、他の半導体の場合と比べて高い。例えば、Siの場合にはこの温度は1000°C程度でもよいが、SiCの場合には、1800°C程度の高温が必要となる場合もある。こうした高温の熱処理によって、SiCn型SiC層12の表面には荒れが発生したり、局所的な応力分布等が発生することがある。これらは、ショットキーダイオードの特性に悪影響を及ぼし、かえって逆方向電流を増大させる場合もある。特許文献1に記載の技術においては、この影響を低減するために、犠牲酸化を行って最表面に犠牲酸化層を形成し、この犠牲酸化層を化学的に除去することによって最表面層の除去を行っている。しかしながら、この方法によってこの影響を充分に低減することは困難である。あるいは、この影響が充分に低減されるまで除去される犠牲酸化層表面層を厚くした場合には、形成されたイオン注入層が薄くなり、p層のガードリングとしての効果が小さくなった。一方、図3bのような埋め込み絶縁層90を用いる方法によれば、イオン注入を用いる場合のような高温の処理は要求されない。このため、表面荒れ等の問題は発生しない。しかしながら、局所的な電界集中を抑制するためには、埋め込み絶縁層90ガードリングとショットキー電極20の端部を平面視において高精度で合わせることが必要となる。この合わせ精度が悪い場合には、電界集中する箇所が発生し、逆方向特性が良好でないショットキーダイオードとなる。このため、歩留まりが低下した。このように、SiCを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得ることは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置の製造方法は、炭化珪素SiCからなる半導体層上にショットキー電極が形成された構成を具備する半導体装置の製造方法であって、前記ショットキー電極を構成する電極層を前記半導体層の上に形成した後に、前記ショットキー電極となる領域以外における電極層をエッチングにより除去する電極層エッチング工程と、前記ショットキー電極となる領域における電極層の周囲の前記半導体層の表面を前記電極層よりも低い位置に加工し、当該低い位置とされた前記半導体層の表面から前記ショットキー電極となる領域における電極層の端部との間に絶縁層を形成する埋め込み絶縁層形成工程と、を具備することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法において、前記埋め込み絶縁層形成工程は、前記ショットキー電極となる領域以外における前記半導体層をエッチングすることにより掘り下げる半導体層エッチング工程と、前記電極層と、掘り下げられた前記半導体層の領域とを覆うように絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、掘り下げられた前記半導体層の領域を覆う前記絶縁層を残した状態で、前記電極層上の前記絶縁層をエッチングによって除去するエッチバック工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、前記電極層エッチング工程において、前記ショットキー電極を構成する領域を囲む環状の領域をエッチングし、前記半導体層エッチング工程において、前記環状の領域で前記半導体層が掘り下げられた溝構造を形成することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体層エッチング工程において、前記半導体層をドライエッチングした後でウェットエッチング処理を行うことを特徴とする。本発明の半導体装置は、前記半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、SiCを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得ることができる。以下、本発明の実施の形態となる半導体装置の製造方法につき説明する。ここで用いられる半導体装置を構成する材料は炭化珪素SiCであり、この製造方法は、その表面にショットキー電極を形成する方法である。この構造は、SiCが用いられるSBDSchottkeyBarrierDiode、MESFETMEtalSemiconductorFieldEffectTransistor等に用いられる。図1a~hは、この半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。ここでは、nSiC基板11上にn型SiC層12が形成された半導体層ウェハ10が用いられる。また、この上のショットキー電極20は、n型SiC層12との間でショットキー接合を形成するバリアメタル電極層21と、表面電極22で構成される。まず、図1aに示されるように、半導体層10の全面にバリアメタル電極層21を形成する電極層形成工程。バリアメタル21は、n型SiC層12との間でショットキー接合を形成する材料として、ニッケルNi、モリブデンMo、チタンTi、アルミニウムAl、金Au、白金Pt等で形成され、蒸着電子線加熱蒸着やスパッタリング等、周知の成膜方法によって形成することができる。その厚さは、これを用いてショットキー接合が安定して形成できる程度であり、例えば100nm程度である。次に、図1bに示されるように、バリアメタル21を部分的にエッチングする電極層エッチング工程。ここでエッチングされる領域は、図1bでは2箇所となっているが、実際にはショットキー電極20端部の外側を囲む環状の領域となっており、図1bはその断面を示している。この工程は、例えばフォトレジストをマスクとしたドライエッチング等によって行うことができる。ドライエッチングに使用するガス種は、バリアメタル21の種類に応じて適宜選択することができるが、例えば塩素系ガスを使用することができる。このエッチングによって形成された環状の領域の内側のバリアメタル21はショットキー電極20を構成する。次に、電極層エッチング工程によってバリアメタル21がエッチングされた領域における半導体層10中に、埋め込み絶縁層を形成する埋め込み絶縁層形成工程。この埋め込み絶縁層は、図3bにおける埋め込み絶縁層90と同様の形態となる絶縁層である。図1に示される製造方法においては、この埋め込み絶縁層形成工程は、半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程からなる。まず、図1cに示されるように、半導体層10を引き続きエッチングしてトレンチ溝構造30を形成する半導体層エッチング工程。このエッチングは、電極層エッチング工程におけるバリアメタル21のエッチングに引き続いて行うことができる。この場合、電極層エッチング工程において用いられたフォトレジストをそのままマスクとして用いることもできる。この半導体層10がエッチングされて掘り下げられた領域トレンチ30は、平面視においては前記のバリアメタル21がエッチングされた領域と同じ形状をなす。半導体層10のドライエッチングに使用するガス種としては、例えばSF6等を用いることができる。なお、半導体層エッチング工程においては、半導体層10/バリアメタル21のエッチング速度比選択比を高くすることができる、すなわち、バリアメタル21がほとんどエッチングされない条件で半導体層10をエッチングすることができる。この場合には、前記のフォトレジストは半導体層エッチング工程において残存している必要はなく、バリアメタル21のみをマスクとして半導体層10のエッチングを行うことができる。また、半導体層10はn型SiC層12、nSiC基板11で構成されるが、トレンチ30の深さは、n型SiC層12を貫通してnSiC基板11は貫通しない程度とすることが、ガードリングとしての良好な特性を得る上では好ましい。この深さは、エッチング時間を調整することによって適宜設定することが可能である。このように、バリアメタル21と半導体層10を連続してエッチングすることにより、加工後のバリアメタル21の端部とトレンチ30の端部は一致する。また、エッチングによって分離された図1c中の中央部のバリアメタル21の外周部を取り囲むようにトレンチ30は形成される。また、図1cにおいては、バリアメタル21のエッチングされた側面とトレンチ30内壁の断面形状は鉛直方向に沿った形状としているが、ドライエッチング条件の設定により、これらの形状を鉛直方向から傾いた形状テーパー形状とすることもできる。また、このテーパー角度を、エッチングされたバリアメタル21側面とエッチングされた半導体層10で異ならせることも可能である。なお、トレンチ30をドライエッチングで形成した場合には、半導体層10におけるトレンチ30内壁表面には結晶欠陥層が形成される。この結晶欠陥層はSBDの動作における悪影響逆方向電流の増大等の原因となる場合があるため、この結晶欠陥層を例えばフッ酸によるウェットエッチング処理等によって除去することが好ましい。次に、図1dに示されるように、トレンチ30が形成された表面全面に絶縁層40を厚く形成する絶縁層形成工程。絶縁層40は、絶縁性の高い材料である例えばSiO2、Si3N4等で形成され、少なくともトレンチ30が絶縁層40で充填されるように形成される。絶縁層40の成膜方法としては、例えばCVDChemicalVaporDeposition法等、段差被覆性の高い成膜法を用いることができる。この成膜温度は例えば500°C以下である。なお、半導体層エッチング工程において形成されたトレンチ30内壁のテーパー角度は、絶縁層40でトレンチ30が充分充填できるように設定することが好ましい。次に、絶縁層40に対して異方性エッチングを行うことにより、図1eに示されるように、トレンチ30以外のバリアメタル21上における絶縁層40を除去するエッチバック工程。この異方性エッチングは、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いて行うことができる。なお、絶縁層形成工程における絶縁層40の厚さは、エッチバック工程によって図1eの形状が実現できるように設定される。また、トレンチ30表面における絶縁層40の表面は、n型SiC層12の表面よりも高くなるように、埋め込み絶縁層形成工程における絶縁層40の厚さ、エッチバック工程における異方性エッチング条件を設定することが好ましい。上記の半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程によって、図1eに示されるように、図3bの埋め込み絶縁層90と等価な構造の絶縁層40が得られる。ただし、この場合には、絶縁層40トレンチ30はバリアメタル12がエッチングされた領域にのみ形成される。次に、図1fに示されるように、ショットキー電極20を形成する以外の領域におけるバリアメタル21をエッチングして除去する電極層成形工程。ここでは、ショットキー電極20として不要な箇所のバリアメタル21が除去される。このエッチングは、前記の電極層エッチング工程におけるバリアメタル21と同様のドライエッチングによって行うことができる。あるいは、この工程においてエッチングされるバリアメタル21のパターンは電極層エッチング工程の場合と比べて大きいため、ウェットエッチングによってバリアメタル21を除去してもよい。次に、図1gに示されるように、層間絶縁層13を、ショットキー電極20が形成される以外の領域に形成する層間絶縁層形成工程。層間絶縁層13に対しては、前記の絶縁層40と同様の材料、成膜方法を適用することができる。ただし、絶縁層40ほどの段差被覆性は要求されない。ここでは、層間絶縁層13を全面に形成した後に、フォトレジストをマスクとしたドライエッチングを行い、ショットキー電極が形成されるべき領域における層間絶縁層13を除去する。なお、図1gに示されるように、層間絶縁層13がエッチングで除去された領域の底面端部においては、トレンチ30中に残された絶縁層40が露出する。このため、層間絶縁層13のエッチングにおいては、トレンチ30中に残された絶縁層40がエッチングされないようにエッチング時間を調整して行う。あるいは、絶縁層40と層間絶縁層13を異なる材料で構成し、層間絶縁層形成工程におけるエッチング条件を、層間絶縁層13/絶縁層40のエッチング速度比選択比が高くなる条件で行うことにより、このエッチングを制御性よく行うことができる。この場合、例えば絶縁層40をSi3N4、層間絶縁層13をSiO2で構成することができる。この場合、例えばガスとしてC2F6を用いれば、この選択比を高くし、絶縁層40のエッチング量を小さくして層間絶縁層13のエッチングを行うことができる。最後に、図1hに示されるように、バリアメタル21上に表面電極22を、半導体層10の裏面側のnSiC基板11表面に裏面電極50をそれぞれ形成する。表面電極22は、例えばアルミニウムAl等、電気抵抗率が低い材料で形成され、ショットキー電極20を構成する。表面電極22の成膜、パターニングはバリアメタル21と同様に行うことができる。ただし、半導体層10と接して実効的に電極として機能するのはバリアメタル21である。裏面電極50は、n型SiCとオーミック接触をする材料として、例えばNi、Ti、Pd、Ag、Au、Al、Crで構成される。これにより、この構造は、表面電極22と裏面電極50を2つの電極としたショットキーダイオードとして動作する。図1hでは裏面電極50は裏面全面に形成しているが、このパターンは、ショットキーダイオードとして動作できる限りにおいて、任意である。この製造方法によって、ショットキー電極20周囲に絶縁層からなるガードリングが設けられた図3bと同様の構造を製造することができる。この際、トレンチ30及びこの中に充填された絶縁層40を、バリアメタル電極層21の形状と自己整合させて得ることができる。すなわち、絶縁層40で形成されたガードリングと、ショットキー電極20との間の位置精度を自動的に高めることができる。これにより、逆方向特性の良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得ることができる。また、図1の例においては、電極層21をマスクとしたドライエッチングによって半導体層10中にトレンチ30を形成し半導体層エッチング工程、このトレンチ30内に絶縁層40を形成した絶縁層形成工程、エッチバック工程。しかしながら、図1eに示される形態で半導体層10中に絶縁層40が形成されれば、同様の効果を奏することは明らかである。例えば、半導体層10に対してイオン注入を行い、イオン注入された領域の電気抵抗率を高めることができる場合には、電極層エッチング工程で形成されたバリアメタル21中の開口部を通してイオン注入を行えば、図1eにおける絶縁層40と同様の形態で高抵抗層を形成することができる。この場合においては、前記の半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程を行う代わりに、このイオン注入を行う工程を電極層エッチング工程後に行い、埋め込み絶縁層形成工程とすることができる。ショットキー電極20周囲の構造は、その周囲における半導体層10が掘り下げられ、この表面とバリアメタル21との間に絶縁層が形成される限りにおいて任意である。図2は、図1の構成において用いられたようなトレンチを用いずに同様の効果を奏する素子の製造方法を示す工程断面図の一例である。この製造方法においては、図2aに示される電極層エッチング工程において、バリアメタル電極層21がエッチングされる領域の形状が、図1の場合とは異なる。図1の場合には、ショットキー電極20を囲む環状の領域がエッチングされたのに対し、ここでは、ショットキー電極20の外側の図示される中での全ての領域がエッチングされている。その後、引き続いて半導体層10がエッチングされること半導体層エッチング工程は同様であるが、バリアメタル21がエッチングされた形態が異なるために、図2bに示されるように、これにより、ショットキー電極20が形成される外側の領域全体の半導体層10が一様に掘り下げられる。ここでは、図1の場合とは異なり、トレンチ内の狭い領域ではなく、ショットキー電極20外の全体の広い領域が掘り下げられる。この場合においても、同様のエッチング条件を用いることができる。次に、図2cに示されるように、層間絶縁層13をバリアメタル21端部と、掘り下げられた半導体層10上を含む周囲に形成する。その後、図2dに示されるように、図1の場合と同様に表面電極22、裏面電極50をそれぞれ形成する。この構成においては、層間絶縁層13が、図1の場合における絶縁層40も兼ねる。すなわち、図1の場合における絶縁層形成工程と層間絶縁層形成工程とが同時に行われ、層間絶縁層13が図3bにおける埋め込み絶縁層90としても機能する。また、バリアメタル21のエッチングは1回のみ行われ、このエッチングにより、半導体層10がエッチングされる領域とバリアメタル21ショットキー電極20の形状が定まる。すなわち、図1における電極層エッチング工程と、電極層成形工程とが同時に行われる。また、図1におけるエッチバック工程に対応する工程は、層間絶縁層13を図2cの形状にエッチングする工程となるが、この工程は図1の例においても行われる図1g。このため、この例では図1の製造方法と比べて製造工程が単純化される。この構造においても、バリアメタル電極層21の周囲における半導体層10が掘り下げられ、その表面がバリアメタル21よりも低い位置に加工される。また、この表面とバリアメタル21との間に層間絶縁層13が形成される。この構成の層間絶縁層13は、実質的に図1におけるトレンチ30内の絶縁層40と同様の効果、すなわち、ガードリングとしての効果を奏する。すなわち、図2に示された製造方法によっても、逆方向特性の良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得ることができる。また、このショットキーダイオードをより単純な製造工程で得ることができる。なお、上記の例では、半導体層をn基板とn型層からなる構成としたが、ショットキーダイオードとして使用できる限りにおいて、その構成は任意である。また、半導体層がp型であっても同様の効果を奏することは明らかである。また、ショットキー電極はバリアメタルと表面電極の2層構造であるとしたが、この構成についても、任意である。