"電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも2本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、前記高周波電気信号用相互作用部と前記DCバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記リッジ部の高さと前記DCバイアス用相互作用部における前記リッジ部の高さとが異ならしめて形成され、前記DCバイアス用相互作用部における前記リッジ部の高さが、前記高周波電気信号用相互作用部における前記リッジ部の高さよりも低く成ることを特徴とする光変調器。前記DCバイアス用相互作用部における前記2本の光導波路の間隔が、前記高周波電気信号用相互作用部における前記2本の光導波路の間隔よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記高周波電気信号用相互作用部の前記リッジの高さが、前記高周波電気信号の電圧値が略最小となるような所定高さで形成され、前記DCバイアス用相互作用部の前記リッジの高さが、前記バイアス電圧値が略最小となるような所定高さで形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記基板がz-カットLN基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器。以上のように、従来技術では高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さとを同じに設定していたので、高周波電気信号の電圧とDCバイアス電圧とを同時に充分に低減することはできなかった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、高周波電気信号の電圧とDCバイアス電圧とを同時に充分に低減した光変調器を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも2本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、前記高周波電気信号用相互作用部と前記DCバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記リッジ部の高さと前記DCバイアス用相互作用部における前記リッジ部の高さとが異ならしめて形成され、前記DCバイアス用相互作用部における前記リッジ部の高さが、前記高周波電気信号用相互作用部における前記リッジ部の高さよりも低く成ることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器は、請求項1に記載の光変調器において、前記DCバイアス用相互作用部における前記2本の光導波路の間隔が、前記高周波電気信号用相互作用部における前記2本の光導波路の間隔よりも狭く形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部の前記リッジの高さが、前記高周波電気信号の電圧値が略最小となるような所定高さで形成され、前記DCバイアス用相互作用部の前記リッジの高さが、前記バイアス電圧値が略最小となるような所定高さで形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光変調器は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器において、前記基板がz-カットLN基板であることを特徴としている。本発明に係る光変調器では、高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さとを異ならしめることにより、高周波電気信号の電圧RFVπを充分低くした場合においても、同時にDCバイアス電圧DCVπを充分に低減することが可能となるという優れた利点がある。以下、本発明の実施形態について説明するが、図6から図11に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。第1の実施形態図1は本発明における第1の実施形態の上面図である。図1のB-B ́線とD-D ́線における断面図を各々図2aとbに示す。第2の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部IとDCバイアス用相互作用部IIIとを備えるバイアス分離型の光変調器である。高周波電気信号用相互作用部Iに対応する図2aからわかるように、第1の従来技術や第2の従来技術と同様に、中心導体4a ́と接地導体4b ́、4c ́とからなる進行波電極を伝搬する高周波電気信号の実効屈折率が高周波電気信号用相互作用光導波路3bを伝搬する光の等価屈折率に近くなるように、リッジ部8a、8bの高さHiは従来技術と同じく高く設定されている。一方、図2bからわかるように、DCバイアス用相互作用部IIIにおけるリッジ部8a ́、8b ́の高さHBは高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiよりも低く設定されている。つまり、Hi>HB2としている。次に、本発明の原理について説明する。図3には、図2におけるリッジ部8a ́、8b ́の高さHBを変数とした際のDCVπを左縦軸に、またリッジ部8a、8bの高さHiを変数とした際のRFVπを右縦軸にとったグラフを示す。図に示すように、DCVπが最小となるリッジ部8a ́、8b ́の高さHB,optとRFVπが最小となるリッジ部8a、8bの高さHi,optとは値が異なり、2式が成り立っていることがわかる。第2の実施形態図4は本発明における第2の実施形態の概略上面図である。第1の実施形態とは、DCバイアス用相互作用部の構成が異なっている。図4のB-B ́線とE-E ́線における断面図を各々図5aとbに示す。図5に示すように、本実施形態ではE-E ́線における断面においてDCバイアス用相互作用部IVにおける光導波路間3a、3bのギャップが、高周波電気信号相互作用部Iにおける光導波路間3a、3bのギャップよりも狭くなっている。このように光導波路間3a、3bのギャップを狭く構成すると、DCVπが最小となるリッジ部8a ́、8b ́の高さHB,optの値はより小さくなる。光導波路間3a、3bのギャップが狭くなるとDCVπが低くなるとともに、HB,optの値が小さいので製作にかかる時間も短くなり、さらにリッジ部8a ́や8b ́の側壁12に起因する光の挿入損失を低減できるという利点が生じる。各実施形態以上の説明では、分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもない。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。また、本発明はDCバイアス用相互作用部の電極構造に依存せず、CPW構造や非対称コプレーナストリップACPS構造、あるいは対称コプレーナストリップCPS構造など、各種の電極構造について成り立つことはいうまでもない。また、図1~5においては、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部のギャップとDCバイアス用相互作用部におけるリッジ部のギャップとを等しく図示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。"