被処理体を搬送する搬送機構において、屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に設けられて前記被処理体を保持するピック部と、前記ピック部に設けられて前記被処理体の周縁部と当接して前記被処理体の自重により揺動して前記周縁部を保持する複数の保持部材と、を備えたことを特徴とする搬送機構。前記保持部材は、前記ピック部に設けられた収容部内に、その一部が収容されて揺動可能に支持された揺動コマと、前記揺動コマの一部に設けられて前記被処理体の周縁部と当接して受けるために所定の開き角度になされた受け部とを有することを特徴とする請求項1記載の搬送機構。前記被処理体を保持して揺動する前記揺動コマの回転を停止させるストッパ部材を有することを特徴とする請求項2記載の搬送機構。前記揺動コマは、支持軸により前記ピック部に揺動可能に支持されていることを特徴とする請求項2又は3記載の搬送機構。前記支持軸は、前記ピック部の上面に起立させて設けた支持突起により支持されていることを特徴とする請求項4記載の搬送機構。前記揺動コマの周辺部には、前記揺動コマの飛び出しを防止するために環状になされた飛び出し防止リングが設けられていることを特徴とする請求項2又は3記載の搬送機構。前記受け部の開き角度は、前記被処理体を保持した時に前記被処理体の下面が前記ピック部の上面に接しないように90~150度の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか一項に記載の搬送機構。前記揺動コマは、前記被処理体が前記揺動コマから離れた時に前記揺動コマが揺動して初期の状態に戻るようにその重心の位置が設定されていることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか一項に記載の搬送機構。前記揺動コマは、前記受け部の部分を含めて球形状又は円柱状に成形されていることを特徴とする請求項2乃至8のいずれか一項に記載の搬送機構。ところで、半導体デバイスの微細化及び動作の高速化の要請に伴ってスループットの更なる向上が求められており、このため、半導体ウエハの搬送時における動作速度を更に向上してプロセス時間全体の短縮化が要請されている。しかしながら、図10に示したような従来の搬送機構にあっては、ウエハWに対する保持力が弱いことから、ウエハWの旋回速度や搬送速度を大きくすると、ウエハWに対する加速度が大きくなって支持ピン4、6に対してウエハWが滑って位置ずれを生じたり、或いはピック部2から脱落してしまう、という問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、被処理体の自重により被処理体を保持して搬送することが可能な搬送機構である。請求項1に係る発明は、被処理体を搬送する搬送機構において、屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に設けられて前記被処理体を保持するピック部と、前記ピック部に設けられて前記被処理体の周縁部と当接して前記被処理体の自重により揺動して前記周縁部を保持する複数の保持部材と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。上記構成により、被処理体を搬送する搬送機構において、ピック部に設けた複数の保持部材に被処理体を載置することにより、前記保持部材が被処理体の自重により揺動して被処理体の周縁部を保持することが可能となる。本発明に係る搬送機構によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。被処理体を搬送する搬送機構において、ピック部に設けた複数の保持部材に被処理体を載置することにより、前記保持部材が被処理体の自重により揺動して被処理体の周縁部を保持することができる。従って、前記被処理体を自重により保持しているので、被処理体を高速で搬送することができ、その分、スループットを向上させることができる。以下に、本発明に係る搬送機構の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る搬送機構を備えた一般的な処理システムの一例を示す概略平面図、図2は図1に示す処理システムを示す概略断面図、図3は搬送機構のピック部を示す平面図、図4はピック部に設けた保持部材の動きを示す拡大断面図、図5は保持部材の揺動コマを示す図であり、図5Aは斜視図、図5Bは断面図である。尚、図2中において、4つの処理装置14A~14Dを代表して処理装置14Aを示しており、この中に載置台22Aが設けられている。また2つのロードロック装置20A、20Bを代表してロードロック装置20Aを示している。まず、本発明に係る搬送機構を備えた処理システムの一例について説明する。図1及び図2に示すように、この処理システム12は、真空引き可能になされた4つの処理装置14A、14B、14C、14Dを有している。これらの処理装置14A~14Dとしては、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気下で行われる全ての処理装置が適用される。これらの処理装置14A~14Dは、真空引き可能になされた六角形状のトランスファチャンバ16の周囲にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。また、この処理システム12は、上記トランスファチャンバ16内に対して、この真空を破ることなく被処理体としての半導体ウエハWを搬送するためのロードロック装置20A、20Bを有しており、両ロードロック装置20A、20Bは上記トランスファチャンバ16にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。そして、上記各処理装置14A~14D内には、半導体ウエハWを載置するための載置台22A~22Dがそれぞれ設けられている。また、上記トランスファチャンバ16内には、半導体ウエハWを搬送するために屈伸及び旋回可能になされた本発明に係る第1の搬送機構24が設けられ、各処理装置14A~14D間及びこれらと各ロードロック装置20A、20Bとの間で半導体ウエハWを移載できるようになっている。具体的には、この第1の搬送機構24は、上述のように屈伸及び旋回が可能になされた一対のアーム部26、28と、各アーム部26、28の先端に設けられたピック部30、32と、これらのピック部30、32に設けられた本発明の特徴とする保持部材34とにより主に構成されている。これらのピック部30、32上に半導体ウエハWを保持して、上述のように搬送できるようになっている。上記各アーム部26、28は、それぞれ第1アーム26A、28A、第2アーム26B、28B及び第3アーム26C、28Cを直列的に屈伸自在に連結しており、各第3アーム26C、28Cの先端に上記各ピック部30、32を連結している。各アーム部26、28の基端部は、共通の回転台36に取り付けられて、旋回可能になされている。従って、上記各アーム部26、28を屈伸させることにより、全体が前進及び後退可能になされている。上記トランスファチャンバ16内は、不活性ガス、例えば窒素ガスの減圧雰囲気になされている。上記保持部材34については後述する。また各ロードロック装置20A、20B内には、半導体ウエハWを一時的に保持するための保持台38A、38Bがそれぞれ設けられている。上記2つのロードロック装置20A、20Bは全く同様に構成されているで、ここでは一方のロードロック装置20Aの構成について説明する。まず、このロードロック装置20Aは、例えばアルミニウム合金等により箱状に成形されたロードロック用容器39を有している。このロードロック用容器39内に設けられる上記保持台38Aは、容器底部より起立された支柱40の上端に取り付けられている。ここでは上記保持台38Aは、半導体ウエハWのサイズよりも少し大きな厚肉の円板状に形成されている。また、この保持台38Aには、半導体ウエハWの搬出入時にこの半導体ウエハWを昇降させるリフタ機構42が設けられる。具体的には、このリフタ機構42は、3本図示例では2本のみ記すの昇降ピン44を有しており、各昇降ピン44の下端部は円弧状になされた昇降板46により共通に支持されている。そして、この昇降板46は、容器底部を貫通させて設けた昇降ロッド48の上端で支持されると共に、この昇降ロッド48は、アクチュエータ50により昇降可能になされている。また上記昇降ロッド48の貫通部には、上記ロードロック用容器39内の気密性を維持しつつこの昇降ロッド48の昇降を許容するために伸縮可能になされた金属性のベローズ52が設けられる。そして、上記保持台38Aには、上記昇降ピン44を挿通させるためのピン挿通孔54が設けられており、半導体ウエハWの搬出入時に上記昇降ピン44を昇降させて、このピン挿通孔54より出没させることができるようになっている。またロードロック用容器39の底部には、ガス導入口56が設けられている。このガス導入口56からは、必要に応じて不活性ガスとして例えばN2ガスを供給できるようになっている。また容器底部には排気口58が設けられており、この排気口58を介してロードロック用容器39内の雰囲気を真空引きできるようになっている。このロードロック用容器39内は、ウエハの搬送に伴って真空雰囲気と大気圧雰囲気とが繰り返し実現される。また上記ロードロック装置20A、20Bの反対側には、それぞれゲートバルブGを介して横長のロードモジュール60が取り付けられ、このロードモジュール60の一側には、複数枚の半導体ウエハを収容できるカセット図示せずを載置するI/Oポート62が設けられている。そして、このロードモジュール60内には、屈伸及び旋回可能になされた第2の搬送機構64が設けられている。具体的には、この第2の搬送機構64は、先の第1の搬送機構24と同様に構成されており、屈伸及び旋回が可能になされた一対のアーム部66、68と、各アーム部66、68の先端に設けられたピック部70、72と、これらのピック部70、72に設けられた本発明の特徴とする保持部材34とにより主に構成されている。これらのピック部70、72上に半導体ウエハWを保持して、上述のように搬送できるようになっている。上記各アーム部66、68は、それぞれ第1アーム66A、68A、第2アーム66A、68B及び第3アーム66C、68Cを直列的に屈伸自在に連結しており、各第3アーム66C、68Cの先端に上記各ピック部70、72を連結している。各アーム部66、68の基端部は、共通の回転台74に取り付けられて、旋回可能になされている。従って、上記各アーム部66、68を屈伸させることにより、全体が前進及び後退可能になされている。また、この第2の搬送機構64は案内レール75に沿ってその長手方向へ移動可能になされている。そして、このロードモジュール60の一端には、半導体ウエハWの位置合わせ及び方向付けを行うオリエンタ76が設けられており、処理装置14A~14Dに半導体ウエハWを搬入する前に、ここで半導体ウエハWの位置合わせ及び方向付けを行うようになっている。このロードモジュール60内は、窒素ガスにより、或いは清浄空気によりほぼ大気圧雰囲気になされている。<処理装置>ここで図2を参照して各処理装置について説明する。この処理装置14Aは、例えばアルミニウム合金等により箱状に成形された処理容器80を有している。この処理容器80内に設けられる上記載置台22Aは、容器底部より起立された支柱82の上端に取り付けられている。この載置台22A内には、例えば抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段84が埋め込むようにして設けられており、載置台22A上に載置した半導体ウエハWを所定の温度に加熱し得るようになっている。また、この載置台22A上には、半導体ウエハWの搬出入時にこの半導体ウエハWを昇降させるリフタ機構86が設けられる。具体的には、このリフタ機構86は、3本図示例では2本のみ記すの昇降ピン88を有しており、各昇降ピン88の下端部は円弧状になされた昇降板90により共通に支持されている。そして、この昇降板90は、容器底部を貫通させて設けた昇降ロッド92の上端で支持されると共に、この昇降ロッド92は、アクチュエータ94により昇降可能になされている。また上記昇降ロッド92の貫通部には、上記処理容器80内の気密性を維持しつつこの昇降ロッド92の昇降を許容するために伸縮可能になされた金属性のベローズ96が設けられる。そして、上記載置台22Aには、上記昇降ピン88を挿通させるためのピン挿通孔98が設けられており、半導体ウエハWの搬出入時に上記昇降ピン88を昇降させて、このピン挿通孔98より出没させることができるようになっている。また処理容器80の天井部には、例えばシャワーヘッドよりなるガス供給手段100が設けられており、処理容器80内に必要なガスを供給するようになっている。このガス供給手段100は、シャワーヘッドに限定されないのは勿論である。また容器底部には排気口102が設けられており、この排気口102には、処理容器80内の雰囲気を排気するために圧力調整弁や真空ポンプを有する排気手段104が接続されており、処理容器80内の雰囲気を真空引きしつつ圧力調整できるようになっている。このように形成された処理装置14A内で、例えば成膜処理を行うようになっている。また、他の処理装置14B~14Dとしては、必要に応じて半導体ウエハWに対して施すべき種々の処理に対応した処理装置が用いられ、またプラズマ処理装置も用いることができる。また、上記各処理装置14A~14Dに連結されるトランスファチャンバ16は前述したように、例えばN2ガス等の不活性ガスが供給可能になされると共に、この内部雰囲気も真空引き可能になされているが、動作時には真空雰囲気に常時維持されている。<ピック部の保持部材>ここで上記第1及び第2の搬送機構24、64の各ピック部30、32、70、72に設けた本発明の特徴とする保持部材34について図3乃至図5も参照して説明する。各保持部材34は同じ構造なので、ここではピック部の代表として第1の搬送機構24のアーム部26に設けたピック部30を例にとって説明する。上記アーム部26の第3アーム26Cの先端に取り付けられる2股状のピック部30の全体は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレススチール、石英、アルミナ等のセラミック材により形成されている。このピック部30の厚さは、2~6mm程度である。そして、このピック部30の上面側に上記保持部材34が複数個、ここでは例えば4つ設けられている。この保持部材34は、ピック部30に保持されるウエハWの周縁部に対応させて、分散させて配置されている。この保持部材34は、ウエハWの周縁部と当接して、このウエハWの自重により揺動してウエハの周縁部を保持するものである。具体的には、この保持部材34は、上記ピック部30に設けた収容部106図4参照内に、その一部が収容されて揺動可能に支持された揺動コマ108と、この揺動コマ108の一部に設けられてウエハWの周縁部と当接するための所定の開き角度θになされた受け部110とを有している。ここでは、図5にも示すように、上記揺動コマ108は、全体が円柱状に成形され、その円柱状の一部が断面扇状に切り欠かれており、ここに上記受け部110を形成している。この受け部110は、上述のように開き角度θになされた受け面110Aよりなっている。上記受け部110を含めて円柱状になされた揺動コマ108の両端には、支持軸112が突出させて設けられている。この支持軸112は、揺動コマ108の端面を円形と仮定した場合にその中心より突出させて設けている。そして、この支持軸112は、上記ピック部30の上面より起立させて設けた一対の支持突起114に回動自在に支持されている。これにより揺動コマ108は回転自在、或いは揺動自在に支持されることになる。ここで、上記収容部106は、断面円弧形状になるように凹部状に形成されており、上記揺動コマ108の下端部を非接触で収容するようになっている。この場合、図4に示すように上記揺動コマ108の重心G1は、支持軸112に対して受け部110の位置とは反対側に偏心した所に位置することになる。従って、揺動コマ108に何ら荷重が加えられていないフリーの状態では、図4Aに示すように支持軸112の直下に重心G1が位置し、受け部110は上方に向けて開いた状態で停止することになる。この状態が初期位置となる。そして、上記受け部110に対してウエハWが降下してくると、揺動コマ108はウエハWにより押されて図4Bに示すように所定の角度だけ回転揺動し、上記受け部110の受け面110AでウエハWの周縁部エッジ部を支持し自重により保持できるようになっている。この場合、上記受け部110の開き角度θは、ウエハWの下面がピック部30の上面に接しないようにし、且つウエハWの周縁部を確実に捉えるようにするために、例えば90~150度の範囲内が好ましく、120~140度の範囲内に設定するのが更に好ましい。また、ここでは上記ウエハWを保持して揺動する揺動コマ108の回転を停止させるストッパ部材116を設けている。このストッパ部材116は、上記揺動コマ108の外周に沿って形成されたストッパ溝116Aと、ピック部30の収容部106の上面から上記ストッパ溝116A内に向けて上方に突出させて設けたストッパ突起116Bとよりなっている。上記ストッパ溝116Aは揺動コマ108の揺動方向乃至回転方向に沿って所定の長さに設定されており、所定の角度だけ回転するとストッパ突起116Bがストッパ溝116Aの端部に当たって揺動コマ108の回転を停止するようになっている。この時、図4Bに示すように、ウエハWの下面は、ピック部30の上面よりも僅かに上方に位置する状態となっている。すなわち、ここでは上記ストッパ溝116Aの長さは、少なくとも上記揺動コマ108が図4Aに示す状態から図4Bに示す状態まで回転することができるような長さに設定されている。尚、上記ストッパ溝116Aを収容部106側に設け、ストッパ突起116Bを揺動コマ108側に設けるようにしてもよい。ここで上記揺動コマ108及び支持軸112の材料は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミナ等のセラミック、石英、テフロン登録商標やポリ塩化ビニルに代表される樹脂、ベスペル登録商標等を用いることができる。また上記揺動コマ108の直径は、5~10mm程度、長さは5~10mm程度である。尚、上記支持軸112を受ける支持突起114側に軸受けを設けて揺動コマ108の回転揺動を円滑にさせるようにしてもよい。<動作説明>次に、以上のように、構成された処理システム12における動作について説明する。まず、I/Oポート62に設置されたカセット容器図示せずからは、未処理の半導体ウエハWが第2の搬送機構64によりロードモジュール60内に取り込まれ、この取り込まれた半導体ウエハWはロードモジュール60の一端に設けたオリエンタ76へ搬送されて、ここで位置決め及び方向付けがなされる。上記半導体ウエハWは例えばシリコン基板よりなる。位置決め等がなされた半導体ウエハWは、上記第2の搬送機構62により再度搬送され、2つのロードロック装置20A、20Bの内のいずれか一方のロードロック装置内へ搬入される。このロードロック装置内が真空引きされた後に、予め真空引きされたトランスファチャンバ16内の第1の搬送機構24を用いて、上記ロードロック装置内の半導体ウエハWがトランスファチャンバ16内に取り込まれる。そして、このトランスファチャンバ16内へ取り込まれた未処理の半導体ウエハは、第1の搬送機構24によって各処理装置14A~14Dへ必要に応じて順次搬送され、各処理装置14A~14D内においてそれぞれ所定の処理が施されることになる。例えば半導体ウエハWに対して、成膜処理やエッチング処理や酸化拡散処理等が施されることになる。このようにして施すべき各種の処理が全て施されて処理済みとなった半導体ウエハWは、第1の搬送機構24により2つのロードロック装置20A、20Bの内のいずれか一方のロードロック装置内へ搬入される。この処理済みの半導体ウエハWを収容している真空状態のロードロック装置内を大気圧復帰した後に、このロードロック装置内の半導体ウエハWは第2の搬送機構64を用いてロードモジュール60内へ再度取り込まれ、更に、I/Oポート62の処理済み半導体ウエハ用のカセット容器図示せず内へ収容されることになる。上記各搬送機構24、64の各ピック部と載置台22A~22D又は保持台38A、38Bとの間のウエハWの受け渡しは、昇降ピン44、88の上下動によってウエハWを昇降させることによって行う。ここで、第1及び第2の搬送機構24、64を用いてウエハWを搬送する時の状況について説明する。前述したように、第1及び第2の搬送機構24、64の各ピック部30、32、70、72における各保持部材34の動作は同じなので、ここでは前述と同様に第1の搬送機構24の一方のアーム部26に設けたピック部30を例にとって説明する。まず、図4Aに示すように、ウエハWをピック部30に載置しないで、ウエハWがピック部30の上方に位置している場合には、保持部材34の揺動コマ108は、その受け部110が上方に向けて停止した初期位置の状態となっている。この場合、図4Aに示されるように支持軸112の下方に揺動コマ108の重心G1が位置する。従って、ウエハWの端部エッジ部の直下は、所定の角度θで開かれた受け部110の内側に対応するようになっている。さて、このような状態で昇降ピン88又は44を降下させて図4は図示せずウエハWを下げると、ウエハWの周辺部の下面が揺動コマ108の所定の開き角度θで開いている受け部110の先端に当接し、更にウエハWを降下させると、各揺動コマ108は、支持軸112を支点として図4B中の矢印120に示すように内側に向けて回転又は揺動して行く。そして、ストッパ部材116のストッパ突起116Bがストッパ溝116Aの一端に当接すると、揺動コマ108の回転が停止されて図4Bに示すような状態となる。このようにして、最終的に、図4Bに示すように、ウエハWの周辺部は、受け部110の受け面110Aで保持される。すなわち、ウエハWの自重により、ウエハWの周縁部が支持されることになる。この際、上述のようにストッパ部材116のストッパ突起116Bによって揺動コマ108の回転は停止されており、ウエハWの下面は、ピック部30の上面に達しておらず、これより僅かな隙間L1図4B参照だけ上方に位置している。このように、ウエハWの周辺部は、揺動コマ108の受け部110により保持されているので、このアーム部26を旋回させたり、屈伸させてウエハWを搬送する際、この動作を高速で行ってもウエハWがピック部30に対して位置ずれしたり、或いはこれより飛び出すことを防止することができる。従って、ウエハWの搬送速度を高くできる分だけスループットを向上させることが可能となる。換言すれば、揺動コマ108は、ウエハWの自重によりストッパ突起116Bに対して押し付けられて固定された状態となっているのでウエハWは上記揺動コマ108の受け部110に確実に保持された状態となっている。また、ウエハWをピック部30の揺動コマ108に接触させて保持させる際に、揺動コマ108が揺動するので両者間に擦れが生じることがなく、この結果、パーティクルの発生を抑制することができる。ここではピック部30について説明したが、前述したように他のピック部32、70、72においても同様にウエハWは保持部材34によりウエハWの自重で保持されることになる。また、ウエハWを目的地まで搬送して、ウエハWを昇降ピン44又は88で上方へ持ち上げると、上記揺動コマ108は、図4B中の矢印120とは反対方向へ自重で揺動又は回転し、図4Aに示すような初期位置に戻ることになる。このように、本発明によれば、被処理体、例えば半導体ウエハWを搬送する搬送機構において、ピック部30、32、70、72に設けた複数の保持部材34に被処理体を載置することにより、上記保持部材34が被処理体の自重により揺動して被処理体の周縁部を保持することができる。従って、上記被処理体を自重により保持しているので、被処理体を高速で搬送することができ、その分、スループットを向上させることができる。尚、上記実施例では、支持軸112を、揺動コマ108の端面において、受け部110を含めて円形の中心に位置させたが、これに限定されず、重心G1側へシフトさせた位置に偏心させて支持軸112を設けるようにしてもよい。また、上記実施例では、支持軸112を、ピック部30の上面より起立させた支持突起114図5B参照で支持させるようにしたが、これに限定されず、図6に示す揺動コマの第1変形実施例に示すようにピック部30の収容部106を深く凹部状に削り取って、この収容部106を区画するピック部30の側壁に回動揺動自在に支持させるようにしてもよい。また、上記実施例では、揺動コマ108は、受け部110を含めて円柱状に成形したが、これに限定されず、図7に示す揺動コマの第2変形実施例のように受け部110を含めて球形状に成形してもよい。すなわち、この場合には、球体の一部に、所定の開き角度θの受け部110を形成することにより、受け面110Aを設ける。そして、上記受け部110に沿って球体の例えば直径方向に向けて支持軸112を突出させるようにして設けるようにする。また、上記各実施例では、各支持軸112は、揺動コマ108から外側へ突出させるようにして設けたが、これに限定されず、この支持軸112を支持突起114側、或いはピック部30側から突出させて設け、揺動コマ108に支持突起114の先端を挿入して揺動自在に支持する凹部を設けるようにしてもよい。また、図8に示す揺動コマの第3変形実施例に示すように構成してもよい。図8Aでは円柱状の揺動コマを示し、図8Bでは球形状の揺動コマを示す。この場合には、各揺動コマ108に、上記支持軸112を設ける部分に対応させて反対側に抜ける貫通孔124を設け、この貫通孔124に反対側に突き抜ける長さの長尺な支持軸112を挿通させるようにして、揺動コマ108を揺動、或いは回転自在に支持する。そして、この場合には、この支持軸112の両端を支持突起114やピック部30側に固定する。この場合にも、先の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また上記各実施例では、揺動コマ108に支持軸112を設けたが、揺動コマ108が円柱状の場合には、図9に示す揺動コマの第4変形実施例に示すように、支持軸を設けないようにしてもよい。すなわち、この場合には、円柱状の揺動コマ108の断面方向の半分以上が収容部106内に収まるように収容部106を少し深く形成する。そして、揺動コマ108の周辺部には、上記揺動コマ108の飛び出しを防止するために環状になされた飛び出し防止リング122を設けている。この飛び出し防止リング122は、収容部106を区画するピック部30側に固定される。また飛び出し防止リング122の内径は、揺動コマ108の直径よりも僅かに小さく設定されており、上述のように揺動コマ108の飛び出しを防止する。この場合には、収容部106の底部は、揺動コマ108の円形よりも大きな円弧形状に成形されており、揺動コマ108は、受け部110を上方に向けた状態でこの円弧形状の底部上を揺動、或いは回動することになる。また上記各実施例では、搬送機構24、64のアーム部としては、アームを複数個屈伸可能に連結した構造を例にとって説明したが、これに限定されず、アームをスライド可能にした構造のアーム部にも本発明を適用できるのは勿論である。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。