"それぞれに異なる第一及び第二の材料が形成された、表面14の隣接する第一及び第二の領域を製造する方法であって、前記方法が、前記第一の領域を覆い前記第一の材料が分散された溶媒を含む第一の液体ボリューム20を堆積する段階、前記第二の領域を覆い前記第二の材料が分散された溶媒を含む第二の液体ボリューム22を堆積する段階、及び前記溶媒を除去する段階を含み、前記第一及び第二のボリューム20,22の前記溶媒が、混合されず、前記第一のボリュームが前記第二の領域に到達する前に、前記第二のボリューム22が、前記第一のボリューム20の堆積と同時にまたは連続して堆積されることを特徴とする、方法。前記第一及び第二の液体ボリューム20,22が、インクジェットによって堆積されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記第一及び第二の液体ボリューム20,22が、同時に堆積されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。前記溶媒の一方が極性溶媒であり、前記溶媒の他方が無極性溶媒であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記無極性溶媒が、フッ化物溶媒であることを特徴とする、請求項4に記載の方法。前記極性溶媒が、アルコール、特にイソプロパノールであることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記極性溶媒が水であり、前記無極性溶媒がヘキサンまたはテトラリンであることを特徴とする、請求項4に記載の方法。前記極性溶媒がアルコール、特にメタノールであり、前記無極性溶媒がテトラリンまたはヘキサンであることを特徴とする、請求項4に記載の方法。前記第一及び第二の材料が、SAMを形成することを目的とすることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。前記第一及び第二の領域が、その上にSAMが形成される電極、特にCMOS回路のMOSトランジスタの電極を含むことを特徴とする、請求項9に記載の方法。前記第一の材料が、2,3,4,5,6-ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第二の材料が、4-メトキシチオフェノールであることを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記第一及び第二の材料が、半導体材料であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記第一の材料が、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPS-ペンタセンまたはフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化5,11-ビストリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンであり、前記第二の材料が、アセンジイミド型分子であることを特徴とする、請求項12に記載の方法。前記第一及び第二の領域が、それぞれPトランジスタの電極及びNトランジスタの電極を形成することを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。前記第一及び第二の領域が、ダイオードの電極またはLEFETトランジスタの電極を形成することを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。前記第一及び第二の材料が、絶縁性材料であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記第一及び第二の領域が、並列トランジスタのゲート酸化膜を形成することを特徴とする、請求項16に記載の方法。本発明は、単純で精度がよく、追加的な保護段階を用いることなく隣接する領域を互いに保護する製造方法を提供することを目的とする。これを達成するために、本発明の目的は、それぞれに異なる第一及び第二の材料が形成された、表面の隣接する第一及び第二の領域を製造する方法であって、前記方法が、前記第一の領域を覆い前記第一の材料が分散された溶媒を含む第一の液体ボリュームを堆積する段階、前記第二の領域を覆い前記第二の材料が分散された溶媒を含む第二の液体ボリュームを堆積する段階、及び前記溶媒を除去する段階を含む。本発明に従えば、前記第一及び第二のボリュームの前記溶媒が混合されず、前記第一のボリュームが前記第二の領域に到達する前に、前記第二のボリュームが、前記第一のボリュームの堆積と同時にまたは連続して堆積される。換言すれば、液体ボリュームの広がりは、混合しない他の液体の存在によって自然に遮断される。隣接した領域の製造に関して、そのため追加的なマスキング段階を提供する必要がなく、堆積それ自体が、意図される材料のみを受け入れるそれぞれの領域に必要なマスキングを提供する。このことは、単に多くの製造段階を避けるだけでなく、さらに、より短時間に隣接した領域を製造することができ、このことはさらに製造を加速する。溶媒は、本明細書においては材料を溶解し、または粒子もしくはナノ物質を分散することができる液体を指して用いられる。本発明の実施形態に従えば、前記第一及び第二のボリュームが、同時に堆積される。前記溶媒の一方が極性溶媒であり、前記溶媒の他方が無極性溶媒である。前記無極性溶媒がフッ化溶媒である。前記極性溶媒がアルコール、特にイソプロパノールである。前記極性溶媒が水であり、前記無極性溶媒がヘキサンまたはテトラリンである。前記極性溶媒がアルコール、特にメタノールであり、前記無極性溶媒がテトラリンまたはヘキサンである。前記第一及び第二の材料が、SAMを形成することを目的とする。前記第一及び第二の領域が、その上にSAMが形成される電極、特にCMOS回路のMOSトランジスタの電極を含む。前記第一の材料が、2,3,4,5,6-ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第二の材料が、4-メトキシチオフェノールである。前記第一及び第二の材料が、半導体材料である。前記第一の材料が、6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセンTIPS-ペンタセンまたはフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化5,11-ビストリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンであり、前記第二の材料が、アセンジイミド型分子である。前記第一及び第二の領域が、それぞれPトランジスタの電極及びNトランジスタの電極を形成する。前記第一及び第二の領域が、ダイオードの電極またはLEFETトランジスタの電極を形成する。前記第一及び第二の材料が、絶縁性材料である。前記第一及び第二の領域が、並列トランジスタのゲート酸化膜を形成する。前記液体ボリュームが、インクジェットによって堆積される。本発明の前述の特徴及び他の特徴並びに有利な点は、以下の、添付した図1から6に関連するCMOSベース構造の製造に関する、本発明に従う方法の非限定的な説明において、詳細に説明されるであろう。そこでは、同一の参照番号は、同一の要素を指す。図1から6は、本発明に従うCMOSベース構造の製造の段階を、断面図で示す。この構造は、Pトランジスタ及びNトランジスタを含む。まず、従来のように、Pトランジスタの金属ソース及びドレイン電極10並びにNトランジスタの金属ソース及びドレイン12が、プラスチック基板14、例えばポリエチレンナフタレートPEN上に形成される。例えば、電極10は、電極12から、およそ100から200マイクロメートルの範囲の距離だけ離隔される。次いで、第一の溶媒内に分散された第一のP型導入SAM半導体材料、例えば、2,3,4,5,6-ペンタフルオロベンゼンチオールを含む、第一の液体の一滴または数滴の液滴16が、インクジェット印刷デバイスノズル18によって電極12上に堆積される図1。そのようにして、第一の材料を含み、電極12を覆う液体の溶液のボリューム20が形成される図2。次いで、ボリューム20が電極10の近傍へ広がる時間を有する前に、ノズル18が移動して電極10の上に位置し、次いで第二の溶媒内に分散された第二のN型導入SAM半導体材料、例えば、4-メトキシチオフェノールを含む、第二の液体の一滴または数滴の液滴が電極10上へ堆積される。そのようにして、第二の材料を含み、電極10を覆う液体の溶液のボリューム22が形成される図2。それ自体公知である、SAMSelf-AssembledMonolayer,自己組織化単分子層は、グラフティングによって得られる層である。知られているように、SAMの製造は、電極10及び12上で自己組織化を行わせるために大きな体積の有機溶媒を必要とし、そのためそれはボリューム20及び22の寸法が顕著に大きくなることを意味し、従って、それらが意図される電極のすぐ近傍を超えて遠くまで広がる可能性があることを意味している。一般に、堆積される材料の10-5から10の範囲の濃度を有する溶液が用いられる。SAMは、電極を覆う半導体に対して電極の仕事関数を適合させることができる。それらは二つの型からなり、P電極の仕事関数を増大させ、それによって電子導入効率を向上させるP型SAM及び、N電極の仕事関数を増大させ、それによってホール導入効率を向上させるN型SAMである。変形例として、二つの異なるノズルが同時に用いられ、一方は電極12上のボリューム20の堆積に、他方は電極10上のボリューム22の堆積に用いられる。有利には、ボリューム20の溶媒及びボリューム22の溶媒は、混合しないようにまたは直交性であるように選択され、それによってボリューム20及び22は、互いに遮断し、それゆえそれらそれぞれの堆積領域を保護する。従って、例えば、ボリューム20はボリューム22を、その広がる間遮断し、それによってボリューム22が電極12及びそれらの近傍に到達することを防ぐ。次いで、本方法は、例えば、ボリューム20及び22の溶媒に従って適するように選択された温度で蒸発させることにより、溶媒の除去を実施する。これにより、P型SAM24が電極12上に形成され、N型SAM26が電極10上に形成される図3。次いで、本方法は、従来のように、電極12を覆うP型半導体材料、特にTIPS-ペンタセンとして知られる6,13-ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン、又はフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化5,11-ビストリエチルシリルエチニルアントラジチオフェンのボリューム28の形成、及び電極10を覆うN型半導体材料、特にアセンジイミド型分子のボリューム30の形成を実施してもよい。リソグラフィが例えば用いられる図4。前述した堆積技術もまた、ボリューム28及び30の形成に用いられうることに注意すべきである。次いで、誘電体層32がアセンブリー上に形成され図5、トランジスタのゲートのための金属電極が、誘電体32上に形成される図6。いくつかの異なる誘電体領域が存在する場合、そのような領域もまた、本明細書で上述されたのと同様に堆積されうる。本発明に従えば、第一の溶媒は無極性であり、第二の溶媒は極性である。より具体的には、無極性溶媒はフッ化物溶媒であり、極性溶媒はアルコール、特にイソプロパノールである。変形例として、極性溶媒は水であり、無極性溶媒はヘキサンまたはテトラリンである。他の変形例に従えば、極性溶媒はアルコール、特にメタノールであり、無極性溶媒はテトラリンまたはヘキサンである。無論、本発明は、堆積される任意のタイプの材料に、例えば、任意のタイプの導電性、半導体性、又は絶縁性材料にも、これらの材料をよく規定された領域に堆積することを望む場合すぐに適用される。従って、ダイオード電極またはLEFETトランジスタの形成と同様に、CMOS回路のMOSトランジスタの形成が言及されてもよい。同様に、前述されたCMOS構造の製造は、本発明の有利な実施形態の具体的な応用に対応することが理解されるべきである。より一般的には、本発明のこの実施形態は、これらそれぞれに意図される材料との親和性の原理を提供することにより、一つまたはいくつかのタイプの材料を、異なる隣接した領域に堆積することを含む。従って、溶液のボリュームが堆積され、用いられた溶媒の直交性によって互いに遮断しあうと、溶液に含まれる堆積される材料は、優先的に対応する目的の領域に堆積する。さらに、目的領域と意図される材料との間の親和性の原理によってもまた、材料は、その領域の周囲の表面よりもより強く目的の領域に結合する。次いで、例えば、それらのすすぎのようなアセンブリーの洗浄は、それぞれの目的の領域の周囲に堆積された材料を除去する結果となり、その一方目的の領域に堆積された材料は保持される。有利には、例えば、前述の応用に関して説明されたように、親和性の原理は、含まれる材料堆積される材料及び表面のまたは目的の領域を形成する材料が、表面または目的の領域を形成する材料とその上に堆積される材料との間のより強い結合、最も多くは金属型の結合を形成するように選択される、SAMの親和性の原理である。従って親和性の原理を有する混合しない直交性の溶液の組み合わせは、数十、または数百マイクロメートル程度の精度を有するインクジェット堆積によって数平方マイクロメートルの隣接する領域を、そして同時かつマスクを用いることなく形成することが可能になる。"