基板の上部にゲート電極と、前記ゲート電極に連結されるゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極及びゲート配線の上部に第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の上部にアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト物質層を形成する段階と、前記オーミックコンタクト物質層上部に窒化シリコン膜SiNxでなるバッファ層を形成する段階と、前記アクティブ層及びオーミックコンタクト物質層をパターニングして、前記ゲート電極の上部の前記ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、前記アイランドの上部に、透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層をパターニングして、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記オーミックコンタクトパターンをパターニングして、前記ソース電極及びドレイン電極の下部の前記アクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、前記基板の上部に第2絶縁膜を形成する段階と、前記第2絶縁膜と前記ドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記バッファ層を形成する段階は、前記オーミックコンタクト物質層をプラズマ処理する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記アクティブ層と前記オーミックコンタクト物質層をパターニングする段階は、前記バッファ層を前記ゲート電極の上部の前記ゲート電極の周辺によって定義される境界部内の前記アイランドの一部にパターニングする段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記アイランドの上部に、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階は、前記アクティブパターンと接触する少なくとも一つの透明導電層を提供する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記アイランドの上部に、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階は、前記オーミックコンタクト層と接触する少なくとも一つの透明導電層を提供する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記基板の上部に、前記ゲート電極と前記ゲート配線を形成する段階は、前記ゲート配線の一端にゲートパッドを提供する段階を含み、前記アイランドの上部に、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階は、前記ゲートパッドの上部に、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層を提供する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。前記透明導電物質層及び不透明導電物質層をパターニングする段階は、前記ドレイン電極から延長される画素パターンと、前記ソース電極から延長されるデータ配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。しかし、従来の4マスク工程で製造された薄膜トランジスタアレイ基板の構造は、データ配線の両側に半導体層が拡張された形態であるため、画面に波状ノイズが発生する問題があって、拡張された半導体層によって開口率が低下される。また、ドレイン電極と画素電極の接触のためのコンタクトホールを遮るブラックマトリックスによって開口率がさらに低下される。さらに、薄膜トランジスタのアクティブ層がゲート電極の上部のみ形成されず、データ配線の下部まで延長され形成されるので、下部のバックライトに露出される構造であり、その結果、光漏洩電流によって薄膜トランジスタの特性が低下される。本発明は、前述したような問題を解決するために提案されており、波状ノイズが発生しないので、高画質を実現する液晶パネルすなわち液晶表示装置用アレイ基板を製造することを第1目的として、開口領域を拡大して、高輝度を具現化することを第2目的とする。前述した目的を達成するための本発明による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板の上部にゲート電極と、前記ゲート電極に連結されるゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極及びゲート配線の上部に第1絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の上部にアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト物質層を形成する段階と、前記オーミックコンタクト物質層上部に窒化シリコン膜SiNxでなるバッファ層を形成する段階と、前記アクティブ層及びオーミックコンタクト物質層をパターニングして、前記ゲート電極の上部の前記ゲート電極の周辺によって定義される境界部内にアクティブパターンとオーミックコンタクトパターンで構成されるアイランドを形成する段階と、前記アイランドの上部に、透明導電物質層及び不透明導電物質層を形成する段階と、前記透明導電物質層及び不透明導電物質層をパターニングして、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記オーミックコンタクトパターンをパターニングして、前記ソース電極及びドレイン電極の下部の前記アクティブ層パターンの両端に別々に隣接したオーミックコンタクト層を形成する段階と、前記基板の上部に第2絶縁膜を形成する段階と、前記第2絶縁膜と前記ドレイン電極の不透明導電物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。本発明による液晶表示装置用アレイ基板の構成は、配線の下部にアクティブ層が存在しない、すなわち、ゲート電極の上部にアイランド状のアクティブ層のみが存在する構造であるので、波状ノイズ現象が発生せず、下部のバックライトによる光漏洩電流が防げて、薄膜トランジスタの特性を改善して高画質の液晶パネルを製造する。また、データ配線の外部に、アクティブ層が延長された構造ではないので、開口率がさらに確保され輝度を改善して、画素電極がドレイン電極から延長して形成されるので、別途のコンタクトホールが不要であって、それによる別途のブラックマトリックスも不要であるので、開口率がさらに改善される。さらに、画素領域の画素電極の上部の保護層である第2絶縁膜が除去されるので、液晶表示装置の透過率が改善されて、データ配線と画素電極が一つのマスク工程によって形成されるので、データ配線と画素電極間の離隔距離が一定に維持される。従って、他の基板で、データ配線と画素電極間の寄生容量の変動を防いで製造された液晶表示装置の特性が均一になる。以下、添付した図面を参照して、本発明による望ましい実施の形態を説明する。本発明は、アクティブ層のゲート電極の内側の上部にアイランド状で構成され、データ配線とソース電極及びドレイン電極の外部に非晶質シリコン層が露出されない構造のアレイ基板を新しい4マスク工程で製造することを特徴とする。図7は、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した平面図である。図7に示したように、絶縁基板100上に一方向に延長されて、一端にゲートパッド106を含むゲート配線104と、ゲート配線104と交差して画素領域Pを定義し、一端にデータパッド148を含むデータ配線146が形成される。この時、ゲートパッド106は、上部には、透明なゲートパッド電極142が形成される。ゲート配線104とデータ配線146の交差地点に、ゲート電極102とアクティブ層122及びオーミックコンタクト層と、オーミックコンタクト層と接触するバッファ層126と、バッファ層126と接触するソース電極136とドレイン電極138とを含む薄膜トランジスタTを形成する。画素領域Pには、ドレイン電極138に連結された透明な画素電極140を構成する。一方、画素領域Pを定義する部分のゲート配線104の上部には、これを第1ストレージ電極として、ゲート配線104の上部に延長された画素電極140の一部を第2ストレージ電極とするストレージキャパシターCstを構成する。前述した構成は、新しい4マスク工程で製造されており、特に、アクティブ層が電極102の内側の上部にアイランド状に形成されるのみで、データ配線146の下部に存在しないことを特徴とする。これによって、薄膜トランジスタのアクティブ層が下部のバックライトに露出されず、バックライトによる光漏洩電流が防げる。また、データ配線の下部には、さらに広い幅の非晶質シリコン層が存在しないので、波状ノイズのような不良が発生せず、これを防ぐためのブラックマトリックスを拡大する必要がない。その結果、開口率が改善される。さらに、画素電極がドレイン電極から延長して形成されるので、別途のコンタクトホールを介した接触が不要であって、コンタクトホールを通した入射光を防ぐための追加的なブラックマトリックスを形成する必要がない。その結果、開口率は、さらに改善される。以下、図8Aと図8Bと図8Cを参照して、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の薄膜トランジスタアレイ基板の断面構成を説明する。図8Aと図8Bと図8Cは、各々図7のIXIX’線、XX’線、XIXI’線に沿った断面図である。各々は、スイッチング領域及び画素領域の断面図であって、ゲート配線及びゲートパッドを切断した断面図とデータ配線及びデータパッドを切断した断面図である。図8Aと図8Bと図8Cに示したように、基板100を、映像を表示する多数の画素領域Pと、多数の画素領域Pの周辺のゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPで定義すると同時に、ゲート配線が形成されるゲート配線領域GLの一部にストレージ領域Cを定義して、画素領域Pごと、これに近接してスイッチング領域Sを定義する。スイッチング領域Sには、ゲート電極102と、ゲート電極102の上部に第1絶縁膜108と、アクティブ層122と、離隔されたオーミックコンタクト層124と、オーミックコンタクト層124と各々接触するバッファ層126と、バッファ層126と接触するソース電極136及びドレイン電極138とで構成された薄膜トランジスタTが形成される。薄膜トランジスタTの上部には、第2絶縁膜150が形成されている。この時、ソース電極136及びドレイン電極138は、第1及び第2ソース金属層136a、136b及び第1及び第2ドレイン金属層138a、138bが積層された状態で構成されて、第1ソース金属層136a及び第1ドレイン金属層138aは、透明導電性物質で構成されて、第2ソース金属層136b及び第2ドレイン金属層138bは、金属物質で構成される。第1ソース金属層136a及び第1ドレイン金属層138aと下部のオーミックコンタクト層124の接触面で、高いコンタクト抵抗であったり、オーミックコンタクトではない整流コンタクトであったりする可能性が高いために、低いコンタクト抵抗であったり、オーミックコンタクトであったりするためのバッファ層126をさらに構成する。しかし、このようなバッファ層126は、主に金属物質で構成されるが、オーミックコンタクト層124と第1ソース金属層136a及び第1ドレイン金属層138aとの接触に問題がない場合、バッファ層126を省略したり、他の物質で形成したりすることができる。例えば、不純物がドーピングされたオーミックコンタクト層124の形成後、プラズマ処理によってオーミックコンタクト層124の表面に大変薄い窒化シリコン膜SiNxを形成して、その上部に第1ソース金属層136a及び第1ドレイン金属層138aを形成する場合、絶縁物質で構成されたバッファ層によって接触抵抗の問題が解決される。また、ソース電極136に連結されたデータ配線146を画素領域Pの一側に形成して、データ配線146も透明導電性物質の第1データ金属層146aと金属物質の第2データ金属層146bの積層構造で形成するが、データ配線146の一端であるデータパッド148は、透明な導電性物質の単一層で構成することを特徴とする。第2絶縁膜150は、データパッド148を露出するように形成される。さらに、ゲートパッド106の上部には、透明導電性物質で構成されたゲートパッド電極142を構成して、第2絶縁膜150は、ゲートパッド106を露出するように形成される。前述した構成で最も特徴的な構成は、アクティブ層とオーミックコンタクト層がゲート電極102の上部にアイランド状に構成されるのみで、純粋非晶質シリコンと不純物非晶質シリコンがデータ配線146の下部に存在しないことであり、このような構成によって従来の4マスク構造の代表的な問題として作用した波状ノイズ及び開口率の問題が解決され、下部のバックライトによる光漏洩電流が防げられて薄膜トランジスタの特性が改善される長所がある。前述した特徴的な構成は、本発明で提案した4マスク工程により作製される。以下、図面を参照して、本発明による新しい4マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製造する方法を詳しく説明する。図9A~図9L、図10A~図10L、図11A~図11Lは、各々図7のIXIX’線、XX’線、XIXI’線に沿った、本発明の工程順を示した工程断面図である。この時、図7のIXIX’線は、薄膜トランジスタ及び画素領域の切断線、XX’線は、ゲートパッド及びゲート配線の切断線、XIXI’線は、データパッド及びデータ配線の切断線である。図9Aと図10Aと図11Aは、第1マスク工程を示した工程断面図である。図9Aと図10Aと図11Aに示したように、基板100上に、スイッチング領域Sと画素領域Pとゲートパッド領域GPとデータパッド領域DPとストレージ領域Cとを定義する。この時、ストレージ領域Cをゲート配線領域GLの一部に定義する。多数の領域S、P、GP、DP、Cを定義した基板100上に、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、クロムCr、モリブデンMo、タングステンW、チタンTi、銅Cu、タンタルTaを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上を塗布して第1導電性金属層を形成して、第1導電性金属層を第1マスクを利用する工程によってパターニングし、スイッチング領域Sにゲート電極102を形成して、ゲートパッド領域GPに対応する一端にゲートパッド106を含むゲート配線104を形成する。以下、図9B~図9E、図10B~図10E、図11B~図11Eは、第2マスク工程を工程順に示した工程断面図である。図9Bと図10Bと図11Bに示したように、ゲート電極102とゲートパッド106及びゲート配線104が形成された基板100全面に、第1絶縁膜108と、非晶質シリコン層110と不純物非晶質シリコン層112と第2金属層114を積層して、第2金属層114の上部にフォトレジストを塗布して感光層116を形成する。この時、第1絶縁膜108は、窒化シリコンSiNxと酸化シリコンSiO2を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して形成し、第2金属層114は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、クロムCr、モリブデンMo、タングステンW、チタンTi、銅Cu、タンタルTaなどを含む導電性金属グループのうちから選択された一つで形成されて、望ましくは、乾式エッチングができるモリブデンMoである。一方、感光層116を形成した後、感光層116が形成された基板100の離隔された上部に、透過部B1と遮断部B2と半透過部B3で構成された第2マスクM2を位置させる。スイッチング領域Sに対応して遮断部B2を位置させ、ゲートパッド106に対応して透過部B1を位置させて、データパッド領域DPには、半透過部B3を位置させる。この時、スイッチング領域Sの遮断部B2の面積は、ゲート電極102の面積を越えない範囲内に限定する。以後、第2マスクM2の上部に光を照射して下部の感光層116を露光する工程と、現像工程を行う。図9Cと図10Cと図11Cに示したように、スイッチング領域Sに元々の厚さt1でパターニングされて、ゲートパッド106に対応して完全に除去され下部の第2金属層114を露出して、残りの領域は、薄い厚さt2でパターニングされた第1感光パターン118が残る。ゲートパッド106に対応して上部の露出された第2金属層114とその下部の不純物非晶質シリコン層112と純粋非晶質シリコン層110と第1絶縁膜108を除去して、感光パターン118のうち、スイッチング領域Sを除いた領域に対応して、高さが低い状態で現像された部分をアッシングして完全に除去する工程を行う。すなわち、第1感光パターン118のうち、第1厚さt1を有する部分が第2厚さt2に当たる厚さ程度除去され、ほぼ第1及び第2厚さの差に当たる厚さを有する第2感光パターン120が形成される。図9Dと図10Dと図11Dに示したように、第1絶縁膜108にゲートパッド106を露出するゲートパッドコンタクトホールCH1が形成された状態になって、スイッチング領域Sには、高さが低くパターニングされた第2感光パターン120が残り、データパッド領域DPには、第1絶縁膜108と不純物非晶質シリコン層112と純粋非晶質シリコン層110と第2金属層114が積層された状態になる。以後、残された感光パターン120の周辺に露出された第2金属層114とその下部の不純物非晶質シリコン層112と純粋非晶質シリコン層110を除去する工程を行う。図9Eと図10Eと図11Eに示したように、スイッチング領域Sに対応してゲート電極102と第1絶縁膜108とアクティブ層122とオーミックコンタクトパターン124aとバッファパターン126aが積層された形態になって、それ以外の領域は、ゲートパッドコンタクトホールCH1を通じてゲートパッドを106露出する第1絶縁膜108が残された状態になる。図9F~図9H、図10F~図10H、図11F~図11Hは、第3マスク工程を工程順に示した工程断面図である。図9Fと図10Fと図11Fに示したように、基板100全面に、透明金属層128と不透明金属層130を積層して、不透明金属層130の上部に、フォトレジストを塗布して第2感光層132を形成する工程を行う。透明金属層128は、インジウム-スズ-オキサイドITOとインジウム-ジンク-オキサイドIZOを含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つで形成して、不透明金属層130は、アルミニウムAl、アルミニウム合金AlNd、クロムCr、モリブデンMo、タングステンW、チタンTi、銅Cu、タンタルTaなどを含む導電性金属グループのうちから選択された一つで形成する。第2感光層132の離隔された上部に、透過部B1と遮断部B2で構成された第3マスクM3を位置させる。スイッチング領域Sは、透過部B1を中心に両側に遮断部B2を位置させ、ゲートパッド106とデータパッド領域DPに、遮断部B2を位置させて、それ以外の領域は、透過部B1を位置させる。以後、第3マスクM3の上部に光を照射して下部の第2感光層132を露光した後、現像する工程を行う。図9Gと図10Gと図11Gに示したように、スイッチング領域Sに離隔された第3感光パターン134aと、画素領域Pに第4感光パターン134bと、ゲートパッド106に対応した第5感光パターン134cと、データパッド領域DPに対応して第6感光パターン134dが形成される。以後、第3~第6感光パターン134a、134b、134c、134d間に露出された不透明な金属層130と下部の透明金属層128を除去して、残された第3~第6感光パターン134a、134b、134c、134dを除去する工程を行う。図9Hと図10Hと図11Hに示したように、スイッチング領域Sに対応して離隔されたソース電極136とドレイン電極138が形成されて、画素領域Pには、画素パターン139が形成され、ゲートパッド領域GPには、ゲートパッド106と接触するゲートパッド電極パターン141が形成されて、データパッド領域DPには、一端にデータパッドパターン147を含むデータ配線146が形成される。この時、ソース電極136とドレイン電極138と画素パターン139とゲートパッド電極パターン141とデータ配線146及びデータパッドパターン147は、透明金属層128と不透明金属層130が積層された状態でパターニングされる。ソース電極136及びドレイン電極138の離隔された間に露出された下部のバッファパターン126aとその下部のオーミックコンタクトパターン124aを除去する工程を行って、離隔されたバッファ層126とオーミックコンタクト層124を形成する。ここで、ソース電極136及びドレイン電極138、画素パターン139、ゲートパッド電極パターン141、データ配線146、データパッドパターン147は、エッチングされずにバッファパターン126aとオーミックコンタクトパターン124aのみエッチングされる条件で工程を行う。図9I~図9Lと図10I~図10Lと図11I~図11Lは、第4マスク工程を工程順に示した工程断面図である。図9Iと図10Iと図11Iに示したように、前述した工程によって、ソース電極136及びドレイン電極138の下部に、離隔されたバッファ層126とオーミックコンタクト層124が形成されて、両電極136、138の離隔領域間に下部のアクティブ層122が露出された形態になる。この時、バッファ層126は、透明金属層128とオーミックコンタクト層124間が低い抵抗になったり、オーミックコンタクトになったりする役割をして、金属物質で構成される。しかし、他の例では、プラズマ処理などによって形成された薄い窒化シリコン膜SiNxをバッファ層126として使用したり、バッファ層を省略したりして、透明金属層128とオーミックコンタクト層間がオーミックコンタクトになったり、低い接触抵抗になったりさせるようにすることもできる。ソース電極136及びドレイン電極138と画素パターン139とゲートパッド電極パターン142とデータ配線146及びデータパッドパターン147が形成された基板100全面に、窒化シリコンSiNxと酸化シリコンSiO2を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたは一つ以上を蒸着して第2絶縁膜150を形成する。第2絶縁膜150の上部に、フォトレジストを塗布して第3感光層152を形成し、第3感光層152の離隔された上部に、透過部B1と遮断部B2で構成された第4マスクM4を位置させる。この時、スイッチング領域Sに対応して遮断部B2を位置させて、ゲートパッド106及びデータパッドパターン147と画素領域Pの画素パターン139に対応して透過部B1を位置させる。以後、第4マスクM4の上部に光を照射して下部の第3感光層152を露光した後、現像工程を行う。図9Jと図10Jと図11Jに示したように、画素領域Pとゲートパッド106及びデータパッド148に対応した部分が除去され下部の第2絶縁膜150を露出する第7感光パターン154が残される。露出された第2絶縁膜150を除去して、画素パターン139とゲートパッド電極パターン141とデータパッドパターン147を構成する上部の不透明金属層130を除去する工程を行う。この時、第2絶縁膜150は、乾式エッチングを利用して除去し、不透明金属層130は、湿式エッチングを利用して除去することができる。図9Kと図10Kと図11Kに示したように、画素領域Pには、透明金属層128のみで構成された画素電極140が形成されて、ゲートパッド領域GP及びデータパッド領域DPには、各々透明金属層128のみで構成されたゲートパッド電極142とデータパッド148が形成される。以後、残された第7感光パターン154を除去する工程を行う。図9Lと図10Lと図11Lに示したように、最終的に、スイッチング領域Sは、ゲート電極102と、第1絶縁膜108と、アクティブ層122と、離隔されたオーミックコンタクト層124と、離隔されたバッファ層126と、バッファ層126と各々接触して透明金属層128と不透明金属層130で構成されたソース電極136及びドレイン電極138とを含む薄膜トランジスタTを形成して、画素領域Pには、透明な画素電極140を形成し、ゲートパッド領域GPに対応する一端にゲートパッド106を含むゲート配線104を形成して、ゲートパッド106と接触するゲートパッド電極142を形成し、データパッド領域DPに対応する一端に透明なデータパッド148を含むデータ配線146を形成することができる。この時、画素電極140をゲート配線104の上部から延長された形態で構成して、ゲート配線104を第1電極とし、画素電極140を第2電極として、第1及び第2電極間に介された第1絶縁膜108を誘電体にするストレージキャパシターCstを形成することができる。前述した工程により、本発明による新しい4マスク工程で、配線の下部にアクティブ層が存在しない形状の液晶表示装置用アレイ基板を製造することができる。以下、本発明による工程を簡単に説明する。第1マスク工程:ゲート電極102とゲート配線104及びゲートパッド142を形成する。第2マスク工程:ゲート電極102と、ゲート電極の上部に、第1絶縁膜108とアクティブ層122とオーミックコンタクトパターン124とバッファパターン126を形成して、第1絶縁膜の下部に前記ゲートパッド106を露出する。第3マスク工程:透明金属層128と不透明な金属層130で積層されたソース電極136とドレイン電極138と画素パターン139と、前記ゲートパッド106と接触するゲートパッド電極パターン141と、前記データ配線146及びデータパッドパターン147を形成して、露出されたバッファパターン126aとオーミックコンタクトパターン124aを除去してバッファ層126とオーミックコンタクト層124を形成する。第4マスク工程:第2絶縁膜150を形成した後、前記画素パターン139とゲートパッド電極パターン141とデータパッドパターン147の不透明金属層130を除去して、下部の透明金属層128のみで構成された画素電極140、ゲートパッド電極142、データパッド148を形成する。以上の工程によって本発明による液晶表示装置用アレイ基板を製造することができる。