受光面となるべき第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有する半導体基板の前記第2の主面を覆う電極を印刷する印刷工程と、前記第1の主面に垂直な方向から透視した場合に前記電極に重なるように、前記第1の主面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝を略中心軸として回転させるように前記半導体基板を折り曲げることにより、前記半導体基板を複数の光起電力装置へ分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。前記溝形成工程では、切削ブレード又はレーザー光により前記第1の主面に溝を形成することを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置の製造方法。前記分割工程では、前記半導体基板を折り曲げる際の回転角度が15度以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光起電力装置の製造方法。一方、シリコン結晶系の光起電力装置太陽電池は、受光面の反対側の裏面ほぼ全面に電極を有する。この電極として代表的なものは、アルミ粉を溶剤に拡散させたアルミペーストを、スクリーン印刷により塗付し、焼成したものである。裏面に電極アルミニウムが塗布された半導体基板を複数の光起電力装置へ分割する場合、半導体基板の本体部分シリコンは容易に分割できるが電極アルミニウムを分割することが難しい。このような半導体基板を複数の光起電力装置へ分割する際、特許文献1に記載の分割方法を用いた場合、電極印刷の位置精度が低いと、分割容易化のため設けられたストリートに誤って電極が塗布されてしまうことがあり、工程歩留まりが低下する可能性がある。また、特許文献2に記載の分割方法を用いると、個片化された半導体デバイスを伸縮性のある粘着テープから取り外すことが難しく、半導体デバイスの割れ欠けが発生して歩留まりが悪化する可能性がある。半導体デバイスの割れ欠けを防止するためには、個々の半導体デバイスを粘着テープから時間をかけて取り外す必要があり、光起電力装置のように1枚の基板から切り出されるデバイス数が10個に満たない場合には、デバイス1個当たりの製造タクトが長過ぎる傾向にある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易な工程で半導体基板を複数の光起電力装置へ分割できる光起電力装置の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の1つの側面にかかる光起電力装置の製造方法は、受光面となるべき第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有する半導体基板の前記第2の主面を覆う電極を印刷する印刷工程と、前記第1の主面に垂直な方向から透視した場合に前記電極に重なるように、前記第1の主面に溝を形成する溝形成工程と、前記溝を略中心軸として回転させるように前記半導体基板を折り曲げることにより、前記半導体基板を複数の光起電力装置へ分割する分割工程とを備えたことを特徴とする。本発明によれば、半導体基板を折り曲げることにより半導体基板を複数の光起電力装置へ分割するので、伸縮性のある粘着テープを用いる必要がなく、分割した光起電力装置を粘着テープから取り外す工程も不要になる。これにより、簡易な工程で半導体基板を複数の光起電力装置へ分割できる。以下に、本発明にかかる光起電力装置の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.実施の形態1にかかる光起電力装置の製造方法について図1~図3を用いて説明する。図1に示す工程では、半導体基板103を準備する。半導体基板103は、例えば、結晶シリコン例えば、単結晶シリコン又は多結晶シリコンで形成されている。半導体基板103は、第1の主面103a及び第2の主面103bを有する。第1の主面103aは、各光起電力装置PPD1~PPD4図3b参照の受光面となるべき面である。第2の主面103bは、第1の主面103aと反対側の主面である。半導体基板103の第1の主面103aに所定の表面処理を施してテクスチャー凹凸パターンを形成する。そして、熱拡散法などにより、半導体基板103の第1の主面103a及び第2の主面103bに、それぞれ、p-層104及びp層102を形成する。次に、半導体基板103の第2の主面103b上の例えば略全面に電極101を印刷し、その後、乾燥する。電極101の印刷は、例えばスクリーン印刷法により、印刷マスクを介してアルミペーストを半導体基板103の第2の主面103bに塗布して行う。引き続いて、半導体基板103を上下反転し、半導体基板103の第1の主面103a上に例えば受光面電極105を印刷し、その後、乾燥し、焼成する。受光面電極105の印刷は、例えばスクリーン印刷法により、印刷マスクを介して銀ペーストを半導体基板103の半導体基板103の第1の主面103aに塗布して行う。これにより、半導体基板103、電極101、及び受光面電極105を含む半導体基板100が得られる。以下では、半導体基板103を本体部分103と呼ぶことにする。図2に示す工程では、半導体基板100の第1の主面103aにスクライブ溝106-1、106-2を形成する。このとき、スクライブ溝106-1、106-2は、半導体基板100の第1の主面103aに垂直な方向から透視した場合に電極101に重なるように形成される。すなわち、第1の主面103aに垂直な方向から見た場合に、半導体基板100におけるスクライブ溝106-1、106-2により区切られた例えば4つの部分は、4つの光起電力装置PPD1~PPD4となるべき部分である。半導体基板100の第2の主面103bをレーザー加工ステージ図示せずで吸着し、固定されたレーザー照射位置を一定速度で通過させることで、スクライブ溝106-1、106-2を設ける。例えば、ポリゴンミラーもしくはガルバノミラーによりレーザー光を第1の主面103a上で破線に沿って走査することで設ける。レーザー光としてはYAGレーザーの基本波波長1064nm、第2高調波波長532nmなどが好適である。スクライブ溝106-1、106-2の深さは、大まかに、半導体基板103の厚みの3分の1程度が好ましい。図3aに示す工程では、折り曲げアーム107に付属した吸着機構108で半導体基板100の第2の主面103bを吸着し、半導体基板100を突き上げ治具109付近まで移動させる。このとき、突き上げ治具109の稜線部分109aの位置を、例えば撮像装置120により取得し所定の記憶装置図示せずに記憶しておく。そして、半導体基板100の位置を撮像装置120により取得しながら、例えばスクライブ溝106-2が、記憶装置に記憶された突き上げ治具109の稜線部分109aの上方に位置するようにアライメントを行う。図3bに示す工程では、吸着機構108による吸着を開放して、折り曲げアーム107を下降させることなどにより半導体基板100を突き上げ治具109に押し付ける。この際、半導体基板100の第1の主面103a側の端部は、折り曲げアーム107の円柱部分110によって支持される。突き上げ治具109には、2つの傾斜面109b、109cが設けられている。このため、半導体基板100を突き上げ治具109に押し付けると、2つの傾斜面109b、109cがなす稜線部分109aがスクライブ溝106-2を押し広げるように突き上げる。すなわち、スクライブ溝106-2を略中心軸として回転させるように半導体基板100を折り曲げる。また、スクライブ溝106-1についても、図3a、bに示す工程の処理を行う。これにより、半導体基板100を複数の光起電力装置PDD1~PDD4へ分割する。なお、稜線部分109aには曲率が設けられており、スクライブ溝106-2と突き上げ治具109の位置が変動しても、突き上げ治具109で半導体基板100を傷つけにくい構造になっている。ここで、半導体基板100の回転角度θが5度になるまで折り曲げられた時点で、半導体基板100の本体部分103結晶シリコンが分割される。しかしまだ電極101アルミニウムは分割できていない。電極101アルミニウムを分割できるのは折り曲げの回転角度θが15度以上になってからである。この回転角度θは、アルミ電極の材料の配合比、厚み、焼成温度などによって変動するが、我々が実験した範囲では15~35度が好適であった。仮に、回転角度θが15度より小さいと電極101アルミニウムが分割できない傾向にある。回転角度θが35度より大きいと分割後の光起電力装置の割れ欠けが発生して歩留まりが悪化する傾向にある。以上のように、実施の形態1では、半導体基板100に所定の深さを有するスクライブ溝106-1、106-2を形成し、スクライブ溝106-1、106-2を略中心軸として回転させるように半導体基板100を折り曲げることにより、半導体基板100を複数の光起電力装置PDD1~PDD4へ分割する。このため、伸縮性のある粘着テープを用いる必要がなく、分割した光起電力装置PDD1~PDD4を粘着テープから取り外す工程も不要になる。したがって、簡易な工程で半導体基板100を複数の光起電力装置PDD1~PDD4へ分割できる。また、分割した光起電力装置PDD1~PDD4を粘着テープから取り外す工程が不要であるため、その取り外し工程にかかっていたタクトを短縮することができるうえ、粘着テープのコストを低減できる。また、粘着テープから光起電力装置PDD1~PDD4を取り外す際に生じていた割れ欠けを無くして歩留まりを向上できるという利点がある。さらにストリートを設ける必要がないので、電極印刷の位置精度により歩留まりが低下することもない。また、実施の形態1では、スクライブ溝106-1、106-2をレーザー光により形成する。これにより、スクライブ溝106-1、106-2を容易に形成できる。さらに、実施の形態1では、半導体基板100を折り曲げる際の回転角度が15度以上である。これにより、半導体基板100よりも延性の高い材料の電極101を容易に分割することができる。なお、スクライブ溝106-1、106-2を切削ブレードにより形成しても良い。この場合でも、スクライブ溝106-1、106-2を容易に形成できる。実施の形態2.実施の形態2にかかる光起電力装置の製造方法について説明する。以下では、実施の形態1と異なる部分を中心に説明する。図4aに示す工程では、半導体基板100の第2の主面103bがレーザー加工ステージ図示せずで吸着し固定された状態図2に示す工程における吸着固定された状態を維持しながら、折り曲げプレート111で半導体基板100の第1の主面103a側を吸着する。その後、レーザー加工ステージによる吸着を開放する。折り曲げプレート111は、第1のプレート111a及び第2のプレート111bの2枚1組で構成されており、2枚両方もしくは片方が回転軸112を中心に回転する構造になっている。回転軸112は、半導体基板100上に形成されたスクライブ溝106-2とほぼ一致するように、装置が組み立てられている。すなわち、折り曲げプレート111の回転軸112の位置を、例えば撮像装置120により取得し所定の記憶装置図示せずに記憶しておく。そして、半導体基板100の位置を撮像装置120により取得しながら、例えばスクライブ溝106-2が、記憶装置に記憶された折り曲げプレート111の回転軸112の上方に位置するようにアライメントを行う。このアライメントは、例えば図2に示す工程において行われていてもよい。図4bに示す工程では、折り曲げプレート111を回転させることにより、スクライブ溝106-2を起点として半導体基板100の本体部分103内にクラックを進展させ、回転角度θが5度になった時点で本体部分103シリコンが破断する。その後、回転角度θが15度以上になるまで折り曲げることにより、電極101アルミニウムも破断することができる。電極101アルミニウムが破断する曲げの回転角度θは、電極の種類、塗布厚み、焼成条件によって異なるが、我々が実験した範囲では15~30度が好適であった。ここで、電極101アルミニウム付きの半導体基板100を分割すると、電極101アルミニウムが半導体基板100から剥がれ落ちて粉塵として飛散する、もしくは剥がれ落ちずにバリとして半導体基板100に残存するといった不都合が発生する可能性がある。粉塵、バリの発生量はスクライブ溝106-1、106-2と折り曲げの回転中心の位置関係に依存する。それに対して、実施の形態2では、レーザー加工によりスクライブ溝106-1、106-2を設けた半導体基板100の位置を変更することなく、レーザー加工ステージから折り曲げプレート111へと半導体基板100を受け渡すため、スクライブ溝106-1、106-2と回転軸112とのアライメント位置精度を高く保つことができ、粉塵、バリの発生を抑制できる。また、分割に必要な折り曲げの回転角度は、電極の厚みや焼成条件により変動するが、本実施の形態に基づく装置であれば容易に折り曲げの回転角度を増すことができる利点がある。