"互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、前記各放射線検出素子から画像データを読み出す読み出し処理の際に、前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各走査線に接続された前記各スイッチ手段にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、前記画像データの読み出し処理の際に、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせて、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得するとともに、読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加し、前記各スイッチ手段をオフ状態として電荷蓄積モードに移行し、放射線の照射が終了した後、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させ、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、前記各放射線検出素子から本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせ、さらに、当該画像データの読み出し処理の後に、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとにオフセットデータとして取得し、前記オフセットデータおよび前記暗画像データに基づいて前記各放射線検出素子ごとに算出されるラグによるオフセット分に基づいて、当該放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データ、または、当該放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする放射線画像撮影装置。前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる代わりに、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理と、前記走査線にオフ電圧を印加した状態で前記各放射線検出素子から前記スイッチ手段を介して前記各信号線にリークする電荷をリークデータに変換して読み出させる前記リークデータの読み出し処理とを行わせて、読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するするとともに、放射線画像撮影前に、適宜のタイミングで、放射線が照射されない状態で前記画像データの読み出し処理を行わせて、読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記オフセットデータから前記暗画像データを減算して算出される前記ラグによるオフセット分に基づいて、本画像としての前記画像データに含まれるラグによるオフセット分を算出し、本画像としての前記画像データから、前記暗画像データを減算し、さらに、算出した本画像としての前記画像データに含まれるラグによるオフセット分を減算することで、本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする請求の範囲第1項または第2項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正する場合には、前記後の放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データから先の前記放射線画像撮影で生じたラグによるオフセット分を減算した値から、前記後の放射線画像撮影で取得された前記オフセットデータから前記先の放射線画像撮影で生じたラグによるオフセット分を減算した値を減算することで、前記後の放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする請求の範囲第1項から第3項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、本画像としての前記画像データの読み出し処理および前記オフセットデータの取得処理において、放射線画像撮影前の前記暗画像データの取得処理と同じタイミングで前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させるとともに、放射線の照射が開始されたことを検出した時点またはその直前にオン電圧が印加された前記走査線の次にオン電圧を印加すべき前記走査線からオン電圧を順次印加させて、本画像としての前記画像データの読み出し処理および前記オフセットデータの取得処理を行うことを特徴とする請求の範囲第1項から第4項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。放射線画像撮影前に前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記検出部上に配列された前記各放射線検出素子から前記各画像データを読み出す期間または前記各放射線検出素子のリセット処理を行う期間を1フレームとするとき、前記制御手段は、放射線画像撮影前に前記放射線検出素子からの前記暗画像データの取得処理を行う際、前記暗画像データの取得処理を行う前記フレームとその直前のフレームとの間で、前記走査駆動手段から前記各走査線に対して、前記電荷蓄積モードに要する時間と同じ時間だけオフ電圧を印加させることを特徴とする請求の範囲第1項から第5項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、前記各放射線検出素子から画像データを読み出す読み出し処理の際に、前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各走査線に接続された前記各スイッチ手段にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、前記画像データの読み出し処理の際に、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、外部装置との間で情報を送受信するための通信手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行って、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得するとともに、読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加し、前記各スイッチ手段をオフ状態として電荷蓄積モードに移行し、放射線の照射が終了した後、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させ、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、前記各放射線検出素子から本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせ、さらに、当該画像データの読み出し処理の後に、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとにオフセットデータとして取得する放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置から送信されてきた前記オフセットデータおよび前記暗画像データに基づいて前記各放射線検出素子ごとに算出されるラグによるオフセット分に基づいて、当該放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データ、または、当該放射線画像撮影装置を用いて当該放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正するコンソールと、を備えることを特徴とする放射線画像撮影システム。前記放射線画像撮影装置の前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる代わりに、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記各放射線検出素子から電荷を放出させる前記各放射線検出素子のリセット処理と、前記走査線にオフ電圧を印加した状態で前記各放射線検出素子から前記スイッチ手段を介して前記各信号線にリークする電荷をリークデータに変換して読み出させる前記リークデータの読み出し処理とを行わせて、読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するとともに、放射線画像撮影前に、適宜のタイミングで、放射線が照射されない状態で前記画像データの読み出し処理を行わせて、読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得することを特徴とする請求の範囲第7項に記載の放射線画像撮影システム。前記コンソールは、前記オフセットデータから前記暗画像データを減算して算出される前記ラグによるオフセット分に基づいて、本画像としての前記画像データに含まれるラグによるオフセット分を算出し、本画像としての前記画像データから、前記暗画像データを減算し、さらに、算出した本画像としての前記画像データに含まれるラグによるオフセット分を減算することで、本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする請求の範囲第7項または第8項に記載の放射線画像撮影システム。前記コンソールは、前記放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正する場合には、前記後の放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データから先の前記放射線画像撮影で生じたラグによるオフセット分を減算した値から、前記後の放射線画像撮影で取得された前記オフセットデータから前記先の放射線画像撮影で生じたラグによるオフセット分を減算した値を減算することで、前記後の放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする請求の範囲第7項から第9項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影システム。しかしながら、本発明者らの研究によれば、放射線画像撮影装置に対して強い放射線が照射されたような場合には特に発生し易いのであるが、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷による、いわゆるラグlagが発生することが分かっている。そして、前述した暗電荷は、仮に本画像としての画像データDの読み出し処理の際に読み出されずに各放射線検出素子7内に残ったとしても、その後、各放射線検出素子のリセット処理を繰り返すことによって各放射線検出素子7から除去されるが、上記のラグは、リセット処理を繰り返し行っても容易には消えないことも分かっている。このようにラグが容易に消えない理由は、放射線の照射により放射線検出素子7内で発生した電子や正孔の一部が、一種の準安定なエネルギーレベルmetastablestateに遷移して、放射線検出素子内での移動性を失った状態が比較的長時間保たれるためと考えられている。そして、この準安定なエネルギー状態の電子や正孔は、いつまでも準安定なエネルギーレベルにあるわけではなく、熱エネルギーによって、ある確率で少しずつこの準安定なエネルギーよりも高いと考えられるエネルギーレベルの伝導帯に遷移して移動性が復活する。しかし、その割合が必ずしも大きくないため、各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返し行っても容易に消えないと考えられている。しかし、このラグの発生や持続のメカニズムについては、まだ不明な点も多い。このように、放射線の照射により各放射線検出素子7でラグが発生すると、放射線画像撮影後に行われる取得処理で取得されるオフセットデータOには、上記のような暗電荷に起因するオフセットデータO以下、この暗電荷に起因するオフセットデータをオフセットデータOdarkという。だけでなく、ラグによるオフセット分Olagも含まれることになる。すなわち、放射線画像撮影後に取得されるオフセットデータOは、下記3式に示すように、暗電荷に起因するオフセットデータOdarkと、ラグによるオフセット分Olagとの和となる。O=OdarkOlag...3また、このラグによるオフセット分Olagは、その後に行われる放射線画像撮影の際にも各放射線検出素子7内に残存し、後の放射線画像撮影後に読み出される本画像としての画像データDにもいわゆる残像として重畳されるようになる。そして、本発明者らの研究によれば、上記のように放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間でインターフェースを構築せずに、放射線発生装置との間でいわゆる非連携の状態で、放射線画像撮影装置自体で放射線の照射を検出するように構成する場合には、このラグによるオフセット分Olagの影響が残存するため、読み出された本画像としての画像データDから上記2式に従ってオフセットデータOを減算処理しても、適切な真の画像データDを得ることができない場合があることが分かってきた。なお、その原因等については後で詳しく説明する。そこで、放射線画像撮影装置や、放射線画像撮影装置から送信されてきた画像データD等に基づいて画像処理を行うコンソールには、本画像としての画像データDに対する画像処理の際に、ラグによるオフセット分Olagの影響を的確に除去して適切な真の画像データDを得ることができること、および、放射線画像撮影装置には、そのような適切な真の画像データDを得ることができるように必要な各種データを取得することが可能であることが望まれる。本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、本画像としての画像データからラグによるオフセット分を的確に排除することを可能とする放射線画像撮影装置およびそれを用いた放射線画像撮影システムを提供することを目的とする。前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、前記各放射線検出素子から画像データを読み出す読み出し処理の際に、前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各走査線に接続された前記各スイッチ手段にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、前記画像データの読み出し処理の際に、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせて、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得するとともに、読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加し、前記各スイッチ手段をオフ状態として電荷蓄積モードに移行し、放射線の照射が終了した後、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させ、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、前記各放射線検出素子から本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせ、さらに、当該画像データの読み出し処理の後に、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとにオフセットデータとして取得し、前記オフセットデータおよび前記暗画像データに基づいて前記各放射線検出素子ごとに算出されるラグによるオフセット分に基づいて、当該放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データ、または、当該放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正することを特徴とする。また、本発明の放射線画像撮影システムは、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、前記各放射線検出素子から画像データを読み出す読み出し処理の際に、前記各走査線にオン電圧を順次印加して、前記各走査線に接続された前記各スイッチ手段にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、前記画像データの読み出し処理の際に、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、外部装置との間で情報を送受信するための通信手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行って、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとに暗画像データとして取得するとともに、読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加し、前記各スイッチ手段をオフ状態として電荷蓄積モードに移行し、放射線の照射が終了した後、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させ、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、前記各放射線検出素子から本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせ、さらに、当該画像データの読み出し処理の後に、放射線が照射されない状態で読み出される前記画像データを前記各放射線検出素子ごとにオフセットデータとして取得する放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置から送信されてきた前記オフセットデータおよび前記暗画像データに基づいて前記各放射線検出素子ごとに算出されるラグによるオフセット分に基づいて、当該放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データ、または、当該放射線画像撮影装置を用いて当該放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての前記画像データを修正するコンソールと、を備えることを特徴とする。本発明のような方式の放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムによれば、放射線画像撮影装置の制御手段やコンソールは、オフセットデータから暗画像データを減算してオフセットデータ中に含まれるラグによるオフセット分を各放射線検出素子ごとに算出する。そして、算出したラグによるオフセット分に基づいて本画像としての画像データ中に含まれるラグによるオフセット分を推定し、当該放射線画像撮影で読み出された本画像データや、当該放射線画像撮影の後に行われた放射線画像撮影で読み出された本画像としての画像データから、ラグによるオフセット分等を減算することで、本画像としての画像データを修正する。そのため、本画像としての画像データから、データ中に含まれるラグによるオフセット分を的確に排除することが可能となる。そして、ラグの影響が的確に排除された本画像データ等に基づいて最終的な放射線画像を生成することが可能となる。そのため、最終的な放射線画像中からもラグの影響を的確に排除することが可能となり、最終的な放射線画像の画質を向上させることが可能となる。以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置すなわちいわゆる専用機に対して適用することも可能である。[第1の実施の形態]図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のX-X線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4等が収納されて構成されている。筐体2は、少なくとも放射線入射面Rが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフロント板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、バッテリ41後述する図7参照の交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、後述するコンソール58後述する図12参照等の外部装置との間で必要な情報を無線方式で送受信するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。なお、アンテナ装置39の設置位置は蓋部材38の側面部に限らず、放射線画像撮影装置1の任意の位置にアンテナ装置39を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置39は1個に限らず、複数設けることも可能である。さらに、画像データd等を外部装置との間でケーブル等の有線方式で送受信するように構成することも可能であり、その場合は、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置1の側面部等に設けられる。図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに対向する状態で配置されるようになっている。シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300~800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15により、接続された走査線5にオン電圧が印加され、走査線5を介してゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5にオフ電圧が印加され、走査線5を介してゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、電荷を放射線検出素子7内に保持して蓄積させるようになっている。ここで、本実施形態における放射線検出素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるY-Y線に沿う断面図である。基板4の面4a上に、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコンSiNx等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコンa-Si等からなる半導体層82を介して、放射線検出素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコンSiNx等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。また、放射線検出素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。なお、補助電極72は必ずしも設けられなくてもよい。第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。そして、放射線画像撮影時に、放射線画像撮影装置1に対して照射された放射線が筐体2の放射線入射面Rから入射し、シンチレータ3で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波が放射線検出素子7のi層76に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子7は、このようにして、シンチレータ3から照射された電磁波を電荷電子正孔対に変換するようになっている。また、p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された電磁波がi層76等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子7が形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子7として、上記のようにp層77、i層76、n層75の順に積層されて形成されたいわゆるpin型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。放射線検出素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して放射線検出素子7にバイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、放射線検出素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち放射線検出素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコンSiNx等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子パッドともいう11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bを構成するゲートIC12a等のチップがフィルム上に組み込まれたCOFChipOnFilm12が異方性導電接着フィルムAnisotropicConductiveFilmや異方性導電ペーストAnisotropicConductivePaste等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図であり、図8は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極78にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極78にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22により、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。図7や図8に示すように、本実施形態では、放射線検出素子7のp層77側図5参照に第2電極78を介してバイアス線9が接続されていることからも分かるように、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極78にバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極74側にかかる電圧以下の電圧すなわちいわゆる逆バイアス電圧が印加されるようになっている。各放射線検出素子7の第1電極74はTFT8のソース電極8s図7、図8中ではSと表記されている。に接続されており、各TFT8のゲート電極8g図7、図8中ではGと表記されている。は、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1~Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d図7、図8中ではDと表記されている。は各信号線6にそれぞれ接続されている。走査駆動手段15は、配線15cを介してゲートドライバ15bにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各TFT8のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ15bとを備えている。本実施形態では、後述するように、走査駆動手段15は、後述する制御手段22からの指示に従って、走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加したり、或いは、走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加した状態を維持したりするようになっている。また、スイッチ手段であるTFT8は、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5を介してそのゲート電極8gにオン電圧が印加されると、放射線検出素子7に蓄積された電荷を信号線6に放出させ、ゲート電極8gにオフ電圧が印加されると、放射線検出素子7からの電荷の放出を停止させて、発生した電荷を放射線検出素子7内に蓄積させるようになっている。図7や図8に示すように、各信号線6は、各読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、読み出しIC16に、1本の信号線6につき1個ずつ読み出し回路17が設けられている。読み出し回路17は、増幅回路18と相関二重サンプリング回路19等で構成されている。読み出しIC16内には、さらに、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図7や図8中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図8中では、アナログマルチプレクサ21は省略されている。本実施形態では、増幅回路18はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサ18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続されて構成されている。また、増幅回路18には、増幅回路18に電力を供給するための電源供給部18dが接続されている。また、オペアンプ18aと相関二重サンプリング回路19との間には、電荷リセット用スイッチ18cと連動して開閉するスイッチ18eが設けられている。増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には基準電位V0が印加されるようになっている。なお、基準電位V0は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば0[V]が印加されるようになっている。また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、制御手段22に接続されており、制御手段22によりオン/オフが制御されるようになっており、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされるとスイッチ18eがそれと連動してオフ状態となり、電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態とされるとスイッチ18eがそれと連動してオン状態となるようになっている。そして、各放射線検出素子7のリセット処理の際には、図9に示すように、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態およびスイッチ18eがオフ状態とされた状態で、各TFT8がオン状態とされると、オン状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から蓄積されていた電荷が信号線6に放出され、電荷が信号線6を流れて、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを通過する。そして、電荷リセット用スイッチ18cを通過した電荷がオペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出すことで、各放射線検出素子7内に残存する電荷が放出され、各放射線検出素子7のリセット処理が行われるようになっている。なお、図9や後述する図10等では、電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフしか記載されておらず、スイッチ18e図8参照のオン/オフについては記載されていないが、前述したように、スイッチ18eは電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフと連動してオフ/オン動作する。また、以下の説明においても、電荷リセット用スイッチ18cの動作等のみについて述べる場合があるが、その場合も同様である。一方、画像データdの読み出し処理の際には、増幅回路18では、図10に示すように、電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態およびスイッチ18eがオン状態の状態で、オン状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から蓄積されていた電荷が信号線6に放出され、電荷が信号線6を流れて、増幅回路18のコンデンサ18bに流入して蓄積される。なお、その際、当該放射線検出素子7からの電荷だけでなく、同じ信号線6に接続されている他の放射線検出素子7からTFT8を介してリークする電荷もコンデンサ18bに流入することは、図45で示した通りである。そして、増幅回路18では、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。増幅回路18は、このようにして、各放射線検出素子7から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換するようになっている。なお、増幅回路18を、放射線検出素子7から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。また、増幅回路18をリセットする際には、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされ、それに連動してスイッチ18eがオフ状態となると、増幅回路18の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ18bに蓄積された電荷が放電される。そして、放電された電荷がオペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出すことで、増幅回路18がリセットされるようになっている。増幅回路18の出力側には、相関二重サンプリング回路CDS19が接続されている。相関二重サンプリング回路19は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路19におけるサンプルホールド機能は、制御手段22から送信されるパルス信号によりそのオン/オフが制御されるようになっている。すなわち、例えば画像データdの読み出し処理の際には、図10に示すように、まず、各読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを制御してオフ状態とされる。その際、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間に、いわゆるkTCノイズが発生し、増幅回路18のコンデンサ18bにkTCノイズに起因する電荷が溜まる。そのため、図11に示すように、増幅回路18から出力される電圧値が、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間図11では18coffと表示に、前述した基準電位V0からkTCノイズに起因する電荷の分だけ変化して電圧値Vinに変わる。制御手段22は、この段階で、図10に示すように、相関二重サンプリング回路19に1回目のパルス信号Sp1を送信して、その時点図11ではCDS保持左側と表示で増幅回路18から出力されている電圧値Vinを保持させる。続いて、図10に示したように、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから1本の走査線5例えば走査線5のラインLnにオン電圧を印加してその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオン状態とすると図10参照。図11ではTFTonと表示、これらのTFT8が接続されている各放射線検出素子7から蓄積された電荷が各信号線6を介して増幅回路18のコンデンサ18bに流れ込んで蓄積され、図11に示すように、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じて増幅回路18から出力される電圧値が上昇する。そして、制御手段22は、所定時間が経過した後、図10に示すように、ゲートドライバ15bから当該走査線5に印加しているオン電圧をオフ電圧に切り替えてその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオフ状態とし図11ではTFToffと表示、この段階で各相関二重サンプリング回路19に2回目のパルス信号Sp2を送信して、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vfiを保持させる図11ではCDS保持右側と表示。各相関二重サンプリング回路19は、2回目のパルス信号Sp2で電圧値Vfiを保持すると、電圧値の差分Vfi-Vinを算出し、算出した差分Vfi-Vinをアナログ値の画像データdとして下流側に出力するようになっている。相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データdは、アナログマルチプレクサ21に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信される。そして、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データdに変換されて記憶手段40に出力されて順次保存されるようになっている。制御手段22は、図示しないCPUCentralProcessingUnitやROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、FPGAFieldProgrammableGateArray等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図7等に示すように、制御手段22には、DRAMDynamicRAM等で構成される記憶手段40が接続されている。また、本実施形態では、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段40、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリ41が接続されている。また、バッテリ41には、図示しない充電装置からバッテリ41に電力を供給してバッテリ41を充電する際の接続端子42が取り付けられている。前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作を制御するようになっている。また、本発明では、制御手段22は、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて行われる放射線画像撮影前に、暗画像データOdの取得処理を行い、放射線画像撮影後に本画像としての画像データDの読み出し処理を行い、その後で、オフセットデータOの取得処理を行うようになっているが、これらの処理等については、放射線画像撮影システム50の構成を説明した後で説明する。[放射線画像撮影システム]図12は、本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。放射線画像撮影システム50は、図12に示すように、例えば、放射線を照射して図示しない患者の身体の一部である被写体患者の撮影対象部位の撮影を行う撮影室R1と、放射線技師等の操作者が被写体に照射する放射線開始の制御等の種々の操作を行う前室R2、およびそれらの外部等に配置される。撮影室R1には、前述した放射線画像撮影装置1を装填可能なブッキー装置51や、被写体に照射する放射線を発生させる図示しないX線管球を備える放射線源52やそれをコントロールする放射線発生装置55、放射線発生装置55とコンソール58とが通信する際や放射線画像撮影装置1とコンソール58とが無線通信する際にこれらの通信を中継する無線アンテナ53を備えた中継器54等が設けられている。なお、図12では、可搬型の放射線画像撮影装置1をブッキー装置51のカセッテ保持部51aに装填して用いる場合が示されているが、前述したように、放射線画像撮影装置1はブッキー装置51や支持台等と一体的に形成されたものであってもよい。また、前述したように、放射線画像撮影装置1は、必要な情報をアンテナ装置39図1や図7参照や中継器54を介してコンソール58との間で無線方式で送受信するようになっているが、例えば、中継器54と各ブッキー装置51との間にケーブルを設け、ケーブルを放射線画像撮影装置1に接続して有線方式で送受信するように構成することも可能である。中継器54は、放射線発生装置55やコンソール58と接続されており、中継器54には、中継器54とコンソール58等との間で情報を送信する際のLAN通信用の信号等を、放射線発生装置55との間で情報を送信する際の信号に変換し、その逆の変換も行う図示しない変換器が内蔵されている。前室R2には、本実施形態では、放射線発生装置55の操作卓57が設けられており、操作卓57には、放射線技師等の操作者が操作して放射線発生装置55に対して放射線の照射開始等を指示するための曝射スイッチ56が設けられている。放射線発生装置55は、ブッキー装置51に装填された放射線画像撮影装置1に対して放射線を適切に照射できるように放射線源52を所定の位置に移動させたり、その放射方向を調整したり、放射線画像撮影装置1の所定の領域内に放射線が照射されるように図示しない絞りを調整したり、或いは、適切な線量の放射線が照射されるように放射線源52を調整する等の種々の制御を放射線源52に対して行うようになっている。放射線画像撮影装置1の構成等については前述した通りであるが、本実施形態では、放射線画像撮影装置1は、上記のようにブッキー装置51に装填されて用いられる場合もあるが、ブッキー装置51には装填されず、いわば単独の状態で用いることもできるようになっている。すなわち、放射線画像撮影装置1を単独の状態で例えば撮影室R1内に設けられたベッドや図12に示すように臥位撮影用のブッキー装置51B等に上面側に配置してその放射線入射面R図1参照上に被写体である患者の手等を載置したり、或いは、例えばベッドの上に横臥した患者の腰や足等とベッドとの間に差し込んだりして用いることもできるようになっている。この場合、例えばポータブルの放射線源52B等から、被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線を照射して放射線画像撮影が行われる。本実施形態では、放射線画像撮影装置1から送信されてきた画像データ等に基づいて画像データに対して画像処理を行い、最終的な放射線画像を生成することが可能なコンピュータ等で構成されたコンソール58が、撮影室R1や前室R2の外側に設けられている。なお、コンソール58を例えば前室R2等に設けるように構成することも可能である。本実施形態では、コンソール58は、CRTCathodeRayTubeやLCDLiquidCrystalDisplay等で構成された表示手段58aを備えており、また、コンソール58には、HDDHardDiskDrive等で構成された記憶手段59が接続、或いは内蔵されている。なお、例えば、コンソール58に、放射線画像撮影で取得された画像データに基づくプレビュー画像を表示させたり、放射線画像撮影装置1の状態を覚醒wakeup状態とスリープsleep状態との間で遷移させる機能を持たせたり、或いは、放射線技師等の操作者が撮影室R1で行う放射線画像撮影の内容を表す撮影オーダ情報を作成したり選択したりすることを可能とする機能を持たせたりするように構成することも可能であり、適宜に構成される。[放射線画像撮影装置1自体による放射線の照射開始の検出について]ここで、前述したように、放射線画像撮影装置1と放射線発生装置55との間のインターフェースを構築していない場合や構築できない場合において、放射線画像撮影装置1自体で放射線の照射が開始されたことを検出するためのいくつかの手法について説明する。[手法1]例えば、前述した図41に示したように、放射線画像撮影前に、各フレームごとに、ゲートドライバ15bから走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加しながら画像データdの読み出し処理を行うように構成する。そして、走査線5のラインLnにオン電圧を印加して読み出された画像データdが、それ以前に読み出された画像データdよりも大きく上昇して、例えば予め設定された閾値を越えた場合に、その時点で放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されたと判断して、放射線の照射開始を検出するように構成することが可能である。この場合、走査線5のラインLnにオン電圧を印加して読み出された画像データdに基づいて放射線の照射開始を検出すると、図13に示すように、その時点で、画像データdの読み出し処理、すなわちラインLn1以降の各走査線5へのオン電圧の印加を停止し、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して、各放射線検出素子7内に電荷を蓄積させる電荷蓄積モードに移行する。なお、この放射線の照射開始を検出した時点での各走査線5へのオン電圧の印加の停止、オフ電圧への切り替え、および電荷蓄積モードへの移行は、以下の各手法等の場合においても同様であり、説明を省略する。また、図13では、実効蓄積時間Tが示されているが、これについては後で説明する。[手法2]また、上記のように、放射線画像撮影前から画像データdの読み出し処理を行い、読み出された画像データdの値に基づいて放射線の照射開始を検出する代わりに、各放射線検出素子7からTFT8を介して信号線6にリークする電荷を読み出し回路17でリークデータdleakとして読み出させるように構成し、読み出したリークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出するように構成することも可能である。具体的には、放射線画像撮影前に、走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加した状態で、図14に示すように各読み出し回路17を動作させる。すなわち、画像データdの読み出し処理の場合と同様に、読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18c図8参照をオフ状態として、コンデンサ18bに電荷が蓄積される状態として、制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2を送信してサンプリングを行わせるが、その間、各TFT8のオン/オフ動作は行わない。このように各読み出し回路17を動作させると、図15に示すように、オフ状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした各電荷qが、増幅回路18のコンデンサ18bに蓄積される。そのため、増幅回路18からはこの蓄積された電荷、すなわち各放射線検出素子7からリークした電荷qの合計値に相当する電圧値が出力され、図15では図示を省略した相関二重サンプリング回路19でサンプリングされて、リークデータdleakが読み出される。このように構成すると、前述した図45を用いて説明した場合と同様に、放射線画像撮影装置1に放射線が照射される以前では、各TFT8を介して各放射線検出素子7iからリークする電荷qは僅かであり、それらの合計値も小さい値であるため、リークデータdleakも小さい値であるが、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークする電荷qが大きくなり、それらの合計値が大きくなる。そのため、読み出されるリークデータdleakの値が上昇する。そのため、リークデータdleakを定期的に読み出すように構成し、読み出したリークデータdleakがそれ以前に読み出されたリークデータdleakよりも大きく上昇して、例えば予め設定された閾値を越えた場合に、その時点で放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されたと判断して、放射線の照射開始を検出するように構成することが可能である。なお、この場合、リークデータdleakの読み出し処理は、上記のように、走査線5の各ラインL1~Lxにオフ電圧を印加し、各TFT8をオフ状態とした状態で行われる。そして、このように走査線5の各ラインL1~Lxにオフ電圧を印加したままであると、各放射線検出素子7内に暗電荷が蓄積されてしまう状態になる。そのため、例えば図16に示すように、上記のようなリークデータdleakの読み出し処理と、走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子7のリセット処理とを、例えば交互に行うように構成することが可能である。また、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成する代わりに、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理とを交互に行うように構成することも可能である。なお、そのように構成する場合、読み出された画像データdを、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の検出に用いないように構成することも可能であり、読み出されたリークデータdleakと画像データdの両方を用いて、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の検出を行うように構成することも可能である。[手法3]また、前述したように、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷の一部がバイアス線9に流出したり、各放射線検出素子7内で電子正孔対が発生することにより各放射線検出素子7の第1電極74と第2電極78図7等参照との間の電位差が変化すること等によって、放射線画像撮影装置1内の配線中を電流が流れることが分かっている。そこで、例えば図17に示すように、各放射線検出素子7とバイアス電源14とを結ぶバイアス線9やそれらを結束した結線10に、それらを流れる電流値を検出する電流検出手段43を設けたり、或いは、各走査線5や、走査駆動手段15の電源回路15aとゲートドライバ15bとを結ぶ配線15c図7参照等に電流検出手段を設けておき、結線10や走査線5、配線15c等を流れる電流の値を監視するように構成することが可能である。この場合、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されないうちは、各放射線検出素子7内では暗電荷のみが発生し、放射線の照射に起因する電荷は発生しないため、電流の値は小さいが、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、上記のように流れる電流の値が上昇する。そこで、電流検出手段43等で検出される電流の値が、例えば予め設定された閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。なお、放射線画像撮影装置1自体で放射線の照射が開始されたことを検出するための手法は、上記の手法1から手法3に限定されず、例えば、放射線画像撮影装置1に放射線センサを設けて放射線の照射開始を検出するように構成することも可能であり、適宜の手法を採用することが可能である。また、以下では、図13に示した、放射線画像撮影前からフレームごとに画像データdの読み出し処理を行う場合、すなわち手法1を採用した場合について説明するが、他の手法等を採用する場合も同様に説明される。[本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理について]次に、放射線画像撮影後の本画像としての画像データDの読み出し処理と、その後のオフセットデータの取得処理について説明する。なお、以下では、放射線画像撮影後に読み出される本画像としての画像データDを、本画像データDという。本実施形態では、図13に示したように、走査線5のラインLnにオン電圧を印加して読み出された画像データdに基づいて放射線の照射開始を検出した時点で、画像データdの読み出し処理を停止し、走査線5の全ラインL1~Lxにオフ電圧を印加して電荷蓄積モードに移行する。そして、図18に示すように、電荷蓄積モードに移行してから予め設定された所定時間τが経過した後、本画像データDの読み出し処理を行うようになっている。なお、この所定時間τの間に、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が終了する。その際、本実施形態では、本画像データDの読み出し処理を、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理で、放射線の照射が開始されたことを検出した時点またはその直前にオン電圧が印加された走査線5図18の場合は走査線5のラインLnの次にオン電圧を印加すべき走査線5図18の場合は走査線5のラインLn1からオン電圧の印加を開始し、各走査線5にオン電圧を順次印加させて、本画像データDの読み出し処理を行うようになっている。また、本実施形態では、本画像データDの読み出し処理では、図13や図18に示すように、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理と同じタイミング、すなわちある走査線5にオン電圧を印加してから次の走査線5にオン電圧を印加するまでのタイミングと同じタイミングで、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5の各ラインLn1~Lx、L1~Lnにオン電圧を順次印加させるようになっている。本実施形態では、このようにして走査線5のラインLnまでオン電圧を順次印加して本画像データDの読み出し処理を終了すると、続いて、図19に示すように1フレーム分の各放射線検出素子7のリセット処理を行う。なお、各放射線検出素子7のリセット処理を所定回数のフレーム分だけ行うように構成することも可能である。そして、各放射線検出素子7のリセット処理を行った後、所定時間τだけ各走査線5にオフ電圧を印加してから、本画像データDの場合と同じタイミングで走査線5の各ラインLn1~Lx、L1~Lnにオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7からオフセットデータOを読み出して取得するようになっているオフセットデータOの取得処理。なお、前述したように、本画像データDの読み出し処理の前の電荷蓄積モード図18参照では、放射線源52図12参照から放射線画像撮影装置1に放射線が照射されるが、オフセットデータOの所得処理前の電荷蓄積モード図19参照では、放射線画像撮影装置1には放射線は照射されない。また、図18や図19では、実効蓄積時間Tが示されているが、これについては後で説明する。[放射線画像撮影前の暗画像データOdの取得処理について]一方、本実施形態では、図13や図41に示したように、放射線画像撮影前、すなわち放射線画像撮影装置1に放射線が照射される前に、走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加して放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行うようになっている。この場合の画像データdは、放射線画像撮影装置1に放射線が照射される前に読み出されるデータであるから、画像データdには、前述した真の画像データD、すなわち放射線画像撮影装置1に放射線が照射されたことにより各放射線検出素子7内で発生した電荷に起因する画像データは、当然含まれない。また、放射線画像撮影装置1にはまだ放射線は照射されていないため、この画像データdには、前述した、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷による、いわゆるラグlagに起因するオフセット分Olagも当然含まれておらず、各放射線検出素子7内で発生する暗電荷のみに起因するデータである。すなわち、放射線画像撮影前に読み出される画像データdは、あるフレームで走査線5に印加されたオン電圧がオフ電圧に切り替えられてTFT8がオフ状態とされてから、次のフレームで当該走査線5に印加されたオン電圧がオフ電圧に切り替えられるまでの間以下、この間の時間を実効蓄積時間という。例えば図13の実効蓄積時間T参照。に各放射線検出素子7内で発生した暗電荷のみに起因するデータとなる。そのため、この画像データdを、前述したオフセットデータOdark、すなわち読み出された本画像データD中に含まれる、暗電荷に起因するオフセットデータOdarkとして用いることが可能である。なお、この画像データdは放射線画像撮影前に読み出されるものであり、放射線画像撮影後に読み出される本画像データD中に含まれるオフセットデータOdarkそのものではないという意味で、本発明では、この放射線画像撮影前に取得される画像データdを、暗画像データOdという。しかし、上記の実効蓄積時間が異なると、暗画像データOdが異なる値になるが、本発明者らの研究では、特に実効蓄積時間が短い場合には、暗画像データOdは必ずしも実効蓄積時間に比例してその値が変化するとは限らないことが分かっている。そして、放射線画像撮影前の暗画像データOdの取得処理画像データdの読み出し処理では、実効蓄積時間T図13参照が、本画像データDの読み出し処理図18参照やその後のオフセットデータOの取得処理図19参照の場合の実効蓄積時間Tよりも電荷蓄積モードに要する時間τすなわち上記の所定時間τの分だけ短い。そのため、このままでは放射線画像撮影前に取得された暗画像データOdをオフセットデータOdarkとして用いることができない。そこで、この問題を解消する手法としては、例えば、実効蓄積時間Tの場合に取得される暗画像データOdを、実効蓄積時間Tで読み出されるオフセットデータOdarkに換算する換算率を予め実験的に求めておく。そして、実際の放射線画像撮影の際に、放射線画像撮影前にフレームごとに画像データdすなわち暗画像データOdを読み出して記憶しておき、それに換算率を乗算して、本画像データD中に含まれるオフセットデータOdarkを算出して推定するように構成することが可能である。また、他の手法としては、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理の際に、例えば図20に示すように、暗画像データOdの取得処理を行うフレームとその直前のフレームとの間で、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから各走査線5に対して、電荷蓄積モードに要する時間τと同じ時間だけオフ電圧を印加させる期間を設けるように構成することも可能である。このように構成すれば、放射線画像撮影前の暗画像データOdの取得処理における実効蓄積時間Tを、本画像データDの読み出し処理図18参照やその後のオフセットデータOの取得処理図19参照の場合の実効蓄積時間Tと同じ時間とすることが可能となる。そのため、放射線画像撮影前に取得された暗画像データOdを、そのまま本画像データD中に含まれるオフセットデータOdarkと同じ値として用いることが可能となる。ただし、上記のように各走査線5にオフ電圧を印加している時間τの間は画像データdの読み出し処理或いは暗画像データOdの取得処理が行われないため、その間に放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されても画像データd或いは暗画像データOdに基づく放射線の照射開始の検出処理を行うことができず、放射線の照射開始の検出が遅れてしまう。そこで、上記のように、フレーム間を所定時間τだけあけて暗画像データOdを取得する処理は、例えば10回のフレームごとの画像データdの読み出し処理の間に1回行う等の所定の割合で行うように構成することが好ましい。また、上記の手法2で放射線画像撮影前にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行う場合や、上記の手法3で電流検出手段43を設けて放射線の照射開始を検出するように構成する際に放射線画像撮影前に各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返し行うように構成した場合のように、放射線画像撮影前に各放射線検出素子7のリセット処理を行う場合には、各放射線検出素子7から放出された電荷は画像データとしては読み出されずに、上記のように増幅回路18のオペアンプ18aを通って非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出す。そのため、そのままでは暗画像データOdを取得することができない。そこで、例えば、上記と同様に、例えば10回のフレームごとの各放射線検出素子7のリセット処理の間に1回等の割合で行うなど放射線画像撮影前の適宜のタイミングで、あるフレームでの各放射線検出素子7のリセット処理を終了した後、上記の所定時間τだけ各走査線5にオフ電圧を印加させてから画像データdすなわち暗画像データOdを読み出すように構成することが可能である。この場合、それ以外のフレームでは読み出し処理を行わず、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる。[本画像データDの修正処理について]次に、コンソール58では、上記のようにして得られた本画像データD等に基づいて算出された真の画像データDに対して画像処理を行って、最終的な放射線画像が生成されるが、前述したように、取得されたオフセットデータOには暗電荷に起因するオフセットデータOdarkのほかに、ラグによるオフセット分Olagが含まれている。そのため、このラグによるオフセット分Olagを適切に処理しないと、上記2式に従って本画像データDからオフセットデータOを減算しても、適切な真の画像データDを得ることができず、適切な放射線画像を生成することもできない。そこで、画像処理により最終的な放射線画像を生成するための前処理すなわち適切な真の画像データDを算出するための前処理として、以下、本発明に特有の前処理、すなわち上記の暗画像データOdとオフセットデータOとを用いて本画像データDからラグによるオフセット分Olagを的確に排除して本画像データDを修正する処理について説明する。また、以下、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1や放射線画像撮影システム50の作用についてもあわせて説明する。この修正処理は、放射線画像撮影装置1の制御手段22が行うように構成してもよく、コンソール58で行うように構成することも可能である。修正処理をコンソール58で行うように構成する場合には、本画像データDやオフセットデータO、暗画像データOd等の必要な情報が放射線画像撮影装置1からコンソール58に送信される。上記のように、取得されたオフセットデータOを本画像データDから減算処理しても適切な真の画像データDを得ることができない理由は、以下のように考えられている。前述したように、本画像データDの読み出し処理後に取得されるオフセットデータOには、本画像データDの読み出し処理後の実効蓄積時間T図19参照の間に各放射線検出素子7内で発生し蓄積された暗電荷に起因するオフセットデータOdarkのほかに、放射線画像撮影の際に放射線画像撮影装置1に照射された放射線により発生したラグlagによるオフセット分Olagが含まれる。すなわち、上記3式に示したように、O=OlagOdark...4が成り立つ。そして、暗電荷に起因するオフセットデータOdarkは、前述した暗画像データOdの場合と同様に、必ずしも実効蓄積時間Tに比例して増加する値として読み出されないが、以下では、説明を単純にするために、図21Aのαに示すように、暗電荷が単位時間あたりに一定の割合で発生するものとする。オフセットデータOdarkや暗画像データOdは、単位時間あたりに一定の割合で発生する暗電荷の、実効蓄積時間Tの積分値で算出される。また、前述したように、ラグlagの発生や持続のメカニズムについては未だ不明な点が多いが、以下では、図21Aのβに示すように、ラグは放射線の照射時から発生し、単位時間あたりの発生割合が、放射線の照射開始からの経過時間tに対して指数関数的に減衰していくものとする。ラグによるオフセット分Olagは、その単位時間あたりの発生割合の積分値で算出される。このように仮定した場合、暗画像データOdと、本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagおよび暗電荷に起因するオフセットデータOdと、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagおよび暗電荷に起因するオフセットデータOdarkとの関係は、図21Bのイメージ図に示すような関係になる。なお、図21Bでは、各走査線5にオン電圧が印加されるタイミングがそれぞれ矢印で示されている。また、図21Bでは本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理の間に行われる各放射線検出素子7のリセット処理図19参照の図示が省略されている。さらに、図21A、図21Bでは、放射線の照射により発生した電荷に起因する真の画像データDの図示が省略されている。なお、真の画像データDは、通常、暗電荷やラグに比べて格段に大きな値になる。また、本画像データD中には、図示しない真の画像データDとオフセット分Olagと暗電荷に起因するオフセットデータOdとが含まれるため、D=DOlagOd...5が成り立つ。この場合、上記のように、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理の際に行われる暗画像データOdの取得処理での実効蓄積時間T図20参照と、本画像データDの読み出し処理図18参照やオフセットデータOの取得処理図19参照の場合の実効蓄積時間Tとが等しくなるように構成すれば、図21Bに示す暗画像データOdと、本画像データD中に含まれる暗電荷に起因するオフセットデータOdと、オフセットデータO中に含まれる暗電荷に起因するオフセットデータOdarkは、全ての放射線検出素子7について等しくなる。すなわち、Od=Od=Odark...6が成り立ち、上記4式や5式中のOdarkやOdとして、暗画像データOdの取得処理で取得された暗画像データOdを用いることができる。しかし、例えば、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始が検出された際にオン電圧が印加されていた走査線5のラインLnに接続されている各放射線検出素子7では、図21Bの矢印の下側に示したイメージ図に示すように、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理が、走査線5の各ラインL1~Lxの中で最後に行われるため、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagが小さい値になる。それに対し、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理が走査線5の各ラインL1~Lxの中で最初に行われる走査線5のラインLn1に接続されている各放射線検出素子7では、オフセットデータO中に含まれるオフセット分Olagが大きい値になる。そのため、従来のように、上記2式に従って、取得されたオフセットデータOを本画像データDから減算処理してもすなわちD=D-Oを演算しても、適切な真の画像データDを得ることができないと考えられている。実際、例えば、放射線画像撮影装置1に被写体を介さない状態で強い放射線を一様に、すなわち放射線入射面R図1等参照の全面に同じ線量の強い放射線を照射した場合を考えると、この場合、各放射線検出素子7ごとの真の画像データD、すなわち放射線の照射により発生した電荷に起因する真の画像データDは、全ての放射線検出素子7で同じ値になるはずである。しかし、上記のように、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された後の、走査線5の各ラインL1~LxでオフセットデータOの取得処理が行われるタイミングが早いか遅いかによって、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagが大きな値になったり小さな値になったりする。そして、図21Bに示したように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始が検出された走査線5のラインLnでラグによるオフセット分Olagが最も小さく、走査線5の次のラインLn1でラグによるオフセット分Olagが最も大きくなる。そのため、本画像データDから単純にオフセットデータOを減算する処理を行うと、算出される真の画像データDは、図22に示すように、走査線5の最初のラインL1からラインLnに向けて次第に大きくなっていき、その次の走査線5のラインLn1で値が急激に小さくなって真の画像データDに段差が生じた後、走査線5の最終ラインLxに向けて大きくなっていく状態になる。なお、図22では、真の画像データDの走査線5ごとの違いが非常に強調して表現されている。このように、従来の上記2式に従った真の画像データDの算出処理を採用すると、放射線画像撮影装置1に放射線を一様に照射した場合であるにもかかわらず、走査線5ごとに各放射線検出素子7ごとの真の画像データDの大きさが変化し、放射線の照射開始を検出した走査線5のラインLnとその次のラインLn1との間で、真の画像データDに段差が生じてしまう場合があった。そこで、本実施形態では、真の画像データDが、上記6式から導かれるD=D-Olag-Od...7に従って算出できることを利用して、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagから本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを推定して本画像データDを修正して、真の画像データDを算出するようになっている。具体的には、例えば、ラグの単位時間あたりの発生割合が上記のように放射線の照射開始からの経過時間tに対して指数関数的に減衰していくものとすると、a、bを所定の定数とした場合、ラグの単位時間あたりの発生割合をbexp-atとおくことができる。そして、ある走査線5に接続されている各放射線検出素子7について、本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagは、放射線の照射開始から当該走査線5にオン電圧が印加されて本画像データDの読み出し処理が行われるまでの経過時間をtpとすると、下記8式に従って算出することができる。なお、経過時間tpは走査線5ごとに異なる。また、当該走査線5に接続されている各放射線検出素子7について、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagは、当該走査線5にオン電圧が印加されて本画像データDの読み出し処理が行われてからオフセットデータOの取得処理が行われるまでの時間が前述した実効蓄積時間Tであるから、下記9式に従って算出することができる。なお、本実施形態では、上記のように、実効蓄積時間Tは各走査線5で同じ時間である。そして、上記8、9式から、の関係が成り立つため、本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagは、上記10式を変形した下記11式に従って、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagに基づいて算出して推定することができる。ここで、上記のように実効蓄積時間Tは予め決められた一定値であるが、tpは各走査線5ごとに異なる時間であり、放射線の照射開始時刻や放射線の照射時間から算出可能な放射線の照射終了時刻からの経過時間である。また、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagは、上記4式を変形した式に上記6式を代入して得られる下記12式に従って、オフセットデータOから暗画像データOdを減算して算出することができる。Olag=O-Odark∴Olag=O-Od...12そのため、本実施形態では、上記7式に上記6式を代入すると、D=D-Olag-Od...13が成り立つから、走査線5の各ラインL1~Lxに接続されている各放射線検出素子7について、それぞれ、上記12式に従ってオフセットデータOと暗画像データOdから算出されるラグによるオフセット分Olagや経過時間tp等を上記11式に代入して本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを算出し、算出したラグによるオフセット分Olagと、本画像データDと、暗画像データOdとを上記13式に代入する。本実施形態では、このようにして、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagから本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを推定して本画像データDを修正し、本画像データDからラグによるオフセット分Olagを的確に排除して真の画像データDを算出するようになっている。なお、上記の前処理、すなわち適切な真の画像データDを算出するための処理を、放射線画像撮影装置1で行った場合には、このようにして算出した各放射線検出素子7ごとの真の画像データDに対して画像処理を行って最終的な放射線画像を生成するために、算出された真の画像データD等の必要な情報が、放射線画像撮影装置1からコンソール58に送信される。以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1や放射線画像撮影システム50によれば、制御手段22やコンソール58は、オフセットデータOから暗画像データOdを減算して、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagを各放射線検出素子7ごとに算出する。そして、算出したラグによるオフセット分Olagに基づいて本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを推定し、当該放射線画像撮影で読み出された本画像データDからラグによるオフセット分Olag等を減算することで、本画像データDを修正する。そのため、本画像データDから、本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを的確に排除することが可能となる。そして、ラグの影響が的確に排除された本画像データDすなわち真の画像データD等に基づいて最終的な放射線画像を生成することが可能となる。そのため、最終的な放射線画像中からもラグの影響を的確に排除することが可能となり、最終的な放射線画像の画質を向上させることが可能となる。なお、上記の例では、ラグの単位時間あたりの発生割合が放射線の照射開始からの経過時間tに対して指数関数的に減衰していくと仮定した場合について説明した。しかし、ラグの単位時間あたりの発生割合が、必ずしも指数関数的に減衰していくとは限らない。そのため、例えば、ラグの単位時間あたりの発生割合等を予め実験的に求めておき、それを近似する近似式を設定して、上記と同様の算出処理を行うようにすることが可能である。また、ラグの単位時間あたりの発生割合の近似式を設定して、それを上記9式に示したように積分処理する代わりに、例えば、実験結果から上記9式の右辺に相当する、ラグによるオフセット分Olag自体の時間的変化を近似する近似式すなわちラグの単位時間あたりの発生割合の積分後の値の近似式を設定するように構成することも可能である。後述する第2の実施形態では、このラグによるオフセット分Olag自体の時間的変化を近似する近似式として、後述する14式に示すように、ラグによるオフセット分Olagを、放射線の照射開始からの経過時間tの累乗の形で近似する場合について説明するが、このような形の近似式を上記の第1の実施形態で用いることも可能である。また、指数関数や経過時間tの累乗以外の形の近似式を用いるように構成することも可能である。[第2の実施の形態]上記の第1の実施形態では、オフセットデータOの取得処理図19や図21B等参照で得られたオフセットデータO等に基づいて、当該オフセットデータOの取得処理の直前の読み出し処理図18や図21B等参照で読み出された本画像データDを修正する場合について説明した。すなわち、1回の放射線画像撮影で得られた本画像データDとオフセットデータOとが対象であった。一方、前述したように、当該放射線画像撮影に近接した時間内すなわち当該放射線画像で発生したラグの影響が残存する時間内に、再度、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて別の放射線画像撮影が行われた場合、前の放射線画像撮影で発生したラグによるオフセット分Olagが各放射線検出素子7内に残存し、後の放射線画像撮影後に読み出される本画像データDにいわゆる残像として重畳されることが知られている。すなわち、例えば、図23Aに示すように被験者の頭部を撮影した後、同じ放射線画像撮影装置1を用いて近接した時間内に被験者の腹部を撮影すると、図23Bに示すように、前の放射線画像撮影で撮影された被験者の頭部の残像が、後の被験者の腹部の画像中に写り込む場合がある。このような現象が生じると、後の放射線画像撮影で放射線画像が見づらくなり、例えば放射線画像を例えば診断用に用いる場合等には、放射線画像を見た医師等が患者の病変部を見誤ってしまう可能性がある。上記の第1の実施形態で説明した本発明の手法を採用すれば、このような後の撮影で読み出される本画像データD中に残存するラグによるオフセット分Olagの影響を的確に排除して、残像がない本画像データDを得ることが可能となる。以下、第2の実施形態では、このように先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの、後の撮影で読み出された本画像データDからの排除について説明する。この場合、先の撮影で生じたラグは、図24のβ1に示すように先の撮影後も発生し続け、図24に斜線を付して示すように、後の撮影後も引き続き発生する。そして、この引き続き発生するラグが、後の撮影で得られる本画像データDに重畳される残像となる。そこで、以下のようにして後の撮影で読み出された本画像データDから、先の撮影で生じたラグによる残像を排除される。まず、後の放射線画像撮影においても、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の検出は、上記の第1の実施形態の場合と同様に、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理や、リークデータdleakの読み出し処理図14~図16参照で読み出された画像データdやリークデータdleakの値の上昇を監視することで行うことができる。また、バイアス線9や結線10に電流検出手段43を設けたり図17参照、各走査線5や走査駆動手段15の配線15c図7参照等に電流検出手段を設けておき、結線10や走査線5、配線15c等を流れる電流の値を監視して放射線の照射開始を検出するように構成してもよいこと等は、第1の実施形態で説明した通りである。なお、放射線画像撮影前に行う暗画像データOdの取得処理図20参照は、すでに先の撮影の前に行われており、後の撮影前には行われない。後の撮影前に暗画像データOdの取得処理を行うと、各放射線検出素子7内で発生する暗電荷のみに起因する暗画像データOdだけでなく、それと、先の撮影で生じて残存しているラグによるオフセット分Olagとが加算された値が得られてしまうためである。そして、後の撮影で放射線画像撮影装置1に放射線が照射された後、第1の実施形態の場合と同様にして、本画像データDの読み出し処理図18参照とオフセットデータOの取得処理図19参照が行われる。後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagは、図25に示すように、後の撮影前の画像データdの読み出し処理で最後に走査線5にオン電圧が印加されてから、本画像データDの読み出し処理で当該走査線5にオン電圧が印加されて本画像データDが読み出されるまでの実効蓄積時間Tの間に生じたラグの単位時間あたりの発生割合の積分値として算出することができる。従って、上記の第1の実施形態において示した上記9式をそのまま用いて、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを算出することができる。また、前述したように、上記の9式をそのまま用いる代わりに、すなわちラグの単位時間あたりの発生割合を指数関数で近似してラグによるオフセット分Olagをその積分値として指数関数的に算出するように設定する代わりに、例えば、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olag自体を、例えば下記14式に従って、先の撮影における放射線の照射開始からの経過時間tの累乗の形で設定するように構成することも可能である。Olag=Olagpre×ytz...14ここで、上記14式中のOlagpreは、上記12式に従って、先の撮影におけるオフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOから暗画像データOdを減算して各放射線検出素子7ごとに算出される先の撮影のラグによるオフセット分Olagを表す。この場合、上記の14式中の定数yやzは、以下のようにして予め実験により割り出して定めておくことができる。すなわち、例えば図18に示したように、放射線画像撮影装置1に放射線を照射して本画像データDの読み出し処理を行った後、図19に示したような各放射線検出素子7のリセット処理や電荷蓄積モードへの移行、オフセットデータOの取得処理を続けて繰り返し行い、各オフセットデータOの取得処理で読み出された各オフセットデータOからそれぞれ暗画像データOdを減算して、オフセットデータOの取得処理ごとに、最初の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを算出する。そして、それぞれ算出した各オフセットデータOの取得処理ごとのラグによるオフセット分Olagを、例えば図26に示すように、放射線の照射開始から各オフセットデータOの取得処理が行われるまでの経過時間tごとにグラフ上にプロットし、各プロットを近似する近似式として、上記14式における定数yやzを割り出す。このようにして、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを経過時間tの累乗の形で予め設定することができる。なお、図26では、最初のオフセットデータOの取得処理で得られるラグによるオフセット分すなわち上記14式のOlagpreに対する、各オフセットデータOの取得処理ごとに取得される最初の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの相対的な比率、すなわち、簡単に言えば、上記14式のうちのytzの部分に相当する値がプロットされている。一方、上記の各場合において、上記14式におけるtや上記9式におけるtpは、前述したように、先の撮影における放射線の照射開始からの経過時間であり、経過時間t、tpは走査線5ごとに異なる時間になる。この経過時間t、tpを割り出すために、例えば、制御手段22でこの経過時間t、tpをカウントするように構成してもよく、また、制御手段22が、先の撮影から後の撮影までの間に行われた画像データdの読み出し処理のフレーム数や各放射線検出素子7のリセット処理が行われたフレーム数等に基づいて経過時間t、tpを算出するように構成してもよい。上記14式や上記9式に従って、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを算出する処理をコンソール58で行う場合には、制御手段22は、経過時間t、tp等の必要な情報をコンソール58に送信する。そして、制御手段22やコンソール58で、後の撮影で読み出された本画像データDに対する修正処理を行う際には、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagと本画像データDと暗画像データOdとを下記15式に代入して、後の撮影で得られた本画像データDを修正して、真の画像データDを算出する。D=D-Olag-Od...15本実施形態では、このようにして、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを的確に算出して推定し、それに基づいて後の撮影で得られた本画像データDを修正して、本画像データDから、少なくとも先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを的確に排除して真の画像データDを算出するようになっている。なお、上記15式を、上記14式や上記12式を用いて表すと、D=D-Olag-Od=D-Od-Olagpre×ytz∴D=D-Od-O-Od×ytz...16と表すことができる。なお、上記式中のO-OdにおけるオフセットデータOは、前述したように、先の撮影におけるオフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOを表す。また、上記14式の代わりに上記9式等を用いる場合も同様である。このように、上記の第2の実施形態では、後の撮影における本画像データDの読み出し処理後に行われるオフセットデータOの取得処理図25参照で得られるオフセットデータOを用いずに、事前に取得しておいた暗画像データOdと、先の撮影の際に得られたオフセットデータOとを用いて、後の撮影で得られた本画像データDを修正する場合について説明した。しかし、後の撮影においても、後の撮影で読み出された本画像データDを、当該後の撮影で取得されたオフセットデータOを用いて修正するように構成することも可能である。この場合は、例えば、オフセットデータOを用いて本画像データDを修正する際の原則を表す上記2式、すなわちD=D-O...2に従って、本画像データDが修正されて、真の画像データDが算出される。しかし、この場合、図25に示したように、後の撮影で読み出される本画像データDに先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagが重畳されるのと同様に、後の撮影で取得されるオフセットデータOにも、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagが重畳される。しかも、この場合、先の撮影における放射線の照射開始からの経過時間t、tpが、後の撮影における本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理とで異なる。そのため、当該後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagと、後の撮影で取得されたオフセットデータDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagとは、異なる値になる。先の撮影における放射線の照射開始から後の撮影における本画像データDの読み出し処理まで経過時間を例えばtと表し、先の撮影における放射線の照射開始から後の撮影におけるオフセットデータOの取得処理まで経過時間を例えばtと表すとすると、後の撮影で得られた本画像データDとオフセットデータOとにそれぞれ重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagは、例えば上記14式を用いて、Olag=Olagpre×ytz...17Olag=Olagpre×ytz...18と表すことができる。そして、これらのラグによるオフセット分Olagが後の撮影で得られた本画像データDとオフセットデータOとにそれぞれ重畳されているため、D-Olagpre×ytz...19O-Olagpre×ytz...20のように、後の撮影で得られた本画像データDやオフセットデータOから、上記17式や18式で表される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagをそれぞれ減算すれば、本画像データDやオフセットデータOから、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの影響を除去することができる。そして、下記21式に示すように、これらの19式や20式を上記2式のDやOに代入して真の画像データDを算出するように構成することが可能である。なお、上記14式を用いる代わりに、上記9式等を用いる場合も同様であることは言うまでもない。D=D-Olagpre×ytz-O-Olagpre×ytz...21このように構成すれば、後の撮影で得られた本画像データDやオフセットデータOから先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの影響を的確に排除した状態で、後の撮影で得られたオフセットデータOに基づいて当該後の撮影で得られた本画像データDを的確に修正することが可能となり、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagで影響されずに真の画像データDを算出することが可能となる。なお、上記のように、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagが後の撮影で得られた本画像データDとオフセットデータOとにそれぞれ重畳されていることを考慮し、後の撮影において取得された本画像データDとオフセットデータOに前述した第1の実施形態の手法を適用して、当該後の撮影で読み出された本画像データDを、当該後の撮影で取得されたオフセットデータO等を用いて修正するように構成することも可能である。ただし、この場合、後の撮影で得られた本画像データDやオフセットデータOとしては、上記19式や20式で示されたように、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagがそれぞれ減算された形とされたうえで第1の実施形態の手法が適用される。以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1や放射線画像撮影システム50によれば、制御手段22やコンソール58は、本画像データD中に含まれる、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを推定し、後の撮影で読み出された本画像データDから、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olag等を減算することで、本画像データDを修正する。そのため、本画像データDから、本画像データD中に含まれる、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを的確に排除することが可能となる。そして、ラグの影響が的確に排除された本画像データDすなわち真の画像データD等に基づいて最終的な放射線画像を生成することが可能となる。そのため、最終的な放射線画像中からもラグの影響を的確に排除することが可能となり、最終的な放射線画像の画質を向上させることが可能となる。なお、第2の実施形態においても、上記のように、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを先の撮影における放射線の照射開始からの経過時間tの累乗の形で設定したり、或いは、ラグの単位時間あたりの発生割合が放射線の照射開始から指数関数的に減衰していくと仮定した場合について説明した。しかし、上記14式や9式を用いる代わりに、ラグの単位時間あたりの発生割合を指数関数以外の形で近似する近似式を設定して近似式を積分処理したり、或いはラグによるオフセット分Olag自体の時間的変化等を経過時間tの累乗以外の形で近似する式に基づいて、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを算出するようにすることも可能である。また、例えば、放射線画像撮影装置1に放射線を3回照射して3回の放射線画像撮影が比較的短時間の間に連続して行われるような場合、3回目の放射線画像撮影で得られた本画像データDやその後のオフセットデータOの取得処理で取得されたオフセットデータOには、1回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagと2回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagの両方が重畳される。このように、比較的短時間の間に放射線画像撮影装置1に放射線を複数回照射して複数回の放射線画像撮影を連続的に行う場合、後の撮影で読み出される本画像データDやオフセットデータOには、それ以前の各撮影で発生したラグによるオフセット分Olagがすべて重畳される状態になる。そのため、放射線画像撮影を複数回連続して行うような場合には、本画像データDやオフセットデータOから、それ以前の各撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを全て減算する等して本画像データD等が修正される。なお、その際、上記の9式や14式等からも分かるように、撮影間の時間が長くなるほどすなわち上記の経過時間t、tpが長くなるほど、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagが小さくなっていく。そのため、例えば、所定時間以上に長い経過時間t、tpが経過したような先の撮影については、当該先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagの、後の撮影で読み出された本画像データD等に対する重畳分を無視し、当該ラグによるオフセット分Olagについては上記15式等の演算の対象としないように構成することも可能である。[第3の実施の形態]前述したように、放射線画像撮影装置1に対する放射線により発生するラグの発生や持続のメカニズムについては未だ不明な点も多い。また、ラグが発生する放射線検出素子7の構成や、ラグのリークに関与し得るTFT8の構成等、或いは、放射線検出素子7に印加するバイアス電圧やTFT8に印加するオフ電圧の値等を他の構成や値等に変更すると、ラグの発生や持続のメカニズムが変わる等して、ラグによるオフセット分Olagの経過時間t以下、上記9式等の場合の経過時間tpを含む。に対する近似式等の形が変わる可能性がある。そのため、放射線画像撮影装置1の型式等により、用いられる近似式の形等が異なるものになる可能性があり、放射線画像撮影装置1に応じた近似式が適宜設定される。以下、ラグによるオフセット分Olagの経過時間tに対する近似式や上記14式に適用する定数y、zの決定の仕方について、いくつかの方法を説明する。[決定法1]第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1では、最初の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの、放射線の照射開始からの経過時間tに対する変化すなわち減衰の傾向は、図26に示したような傾向になるが、このような結果を得るための実験は、前述したように、図18に示したように放射線画像撮影装置1に放射線を照射して本画像データDの読み出し処理を行い、その後、図19に示したような各放射線検出素子7のリセット処理や電荷蓄積モードへの移行、オフセットデータOの取得処理を続けて繰り返し行って得られたものである。そのため、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されたことが検出された時点でオン電圧が印加されていた走査線5図18の走査線5のラインLnが例えば走査線5の500番目のラインであった場合、本実施形態では、その次にオン電圧を印加すべき走査線5図18の場合は走査線5のラインLn1である走査線5の501番目のラインからオン電圧の印加を開始して本画像データDの読み出し処理が行われるが、その後繰り返される各オフセットデータOの取得処理の際に、取得処理が開始される走査線5は、いずれのオフセットデータOの取得処理においても上記と同じ走査線5の501番目のラインになる。従って、図26に示した結果を近似して割り出された上記の14式中の定数yやzは、あくまで走査線5の501番目のラインから本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した場合にしか適用できないものであり、他の走査線5から開始した場合には適用できない可能性がある。この点について、第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1を用いた実験では、図27に示すように、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した走査線5以下、開始走査線と略称する。が互いに異なるライン番号の走査線5であっても、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagの、放射線照射時のオフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率の、放射線の照射開始からの経過時間tに対する減衰傾向は、ほとんど同じ傾向になることが分かっている。なお、図27では、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5が、走査線5の453番目のラインである場合γ1と965番目のラインである場合γ2とが示されている。従って、少なくとも第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1では、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5がいずれのライン番号の走査線5であったとしても、全ての走査線5について、同じ定数yとzとを上記14式に適用した1つの近似式で、ラグによるオフセット分Olagを近似することが可能である。[決定法2]しかし、放射線画像撮影装置1によっては、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5がいずれの走査線5であるかによって、ラグによるオフセットOlag等を近似する上記14式に適用すべき定数y、zが変わる場合があり得る。すなわち、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5がいずれの走査線5であるかによって、ラグによるオフセットOlag等を近似する近似式の形が変わる場合があり得る。従って、そのような場合には、例えば、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5のライン番号と定数y、zとを対応付けるテーブル、或いは、上記の開始走査線5のライン番号と近似式とを対応付けるテーブルを予め用意しておく。そして、当該テーブルを参照して、先の撮影で本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5のライン番号に応じて定数y、zや近似式を割り出し、それに基づいて、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを算出するように構成することが可能である。[決定法3]一方、図27に示したように、第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1では、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5がいずれのライン番号の走査線5であっても、少なくとも開始走査線5については、上記のように、同じ定数yとzとを上記14式に適用した1つの近似式を用いることが可能であった。しかし、本画像データDの読み出し処理等で、開始走査線5のその次にオン電圧が印加されて読み出し処理が行われる走査線5や、さらにその次にオン電圧が印加されて読み出し処理が行われる走査線5についても、開始走査線5と同じ定数y、zや同じ近似式を用いることができるか否かは不明である。すなわち、図18や図19で走査線5のラインLn1として表されている開始走査線5が、図27に示した453番目のラインであってあってもγ1、965番目のラインであってもγ2、或いは走査線5の別のラインであっても、図27に示したように、それらの開始走査線5については、上記14式に適用する定数y、zとして同じ定数y、zを用いることが可能であった。しかし、開始走査線5が図18や図19で走査線5のラインLn1である場合に、その次にオン電圧が印加されてオフセットデータOが読み出された走査線5のラインLn2について、ラグによるオフセット分Olagの経過時間tに対する近似式を得るために、開始走査線5すなわち走査線5のラインLn1の場合の定数y、zと同じ定数y、zを上記14式に適用することが可能であるか否かは分からない。走査線5のラインLn3以降の各ラインについても、同様である。また、開始走査線5以外の走査線5についても同じ定数y、zや同じ近似式を用いることも可能であるが、ラグによるオフセット分Olagの算出近似の精度を向上させるためには、開始走査線5以外の走査線5について、上記14式にそれぞれ別々の定数y、zを適用したり、それぞれ別々の近似式を設定した方がよい場合もあり得る。例えば図28A、図28Bに示すグラフは、開始走査線5が走査線5の453番目のラインである場合に、走査線5の各ラインLmについて、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagの、放射線照射時のオフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率すなわち上記14式のytzの項を、放射線の照射開始からの経過時間tに対してプロットした曲線開始走査線5の場合の図27参照をytzの形で近似した場合の定数y、zを、走査線5のラインLmのライン番号mについてそれぞれプロットしたグラフである。なお、図28A、図28B中においてδで示される直線が、上記のように走査線5の各ラインLmごとの定数y、zを表す。また、図28A、図28B中においてεで示される一点鎖線は、上記の決定法1における定数y、zを表し、走査線5の各ラインLmについて一律に開始走査線5における定数y、zを適用する場合を表す。また、上記のように、走査線5の各ラインLmごとに求めた定数y、zを、走査線5のラインLmのライン番号mについてそれぞれプロットした場合、定数yや定数zは、図28A、図28Bのグラフ中でライン番号mごとに縦軸方向に多少ばらつく。図28Aでは、各定数yを、開始走査線5の前後でそれぞれ直線近似し、図28Bでは、各定数zを、開始走査線5の前後でそれぞれ直線近似した結果が示されている。さらに、図28A、図28Bでは、上記のように、開始走査線5が走査線5の453番目のラインである場合が示されているが、開始走査線5が走査線5の他のラインである場合も、同様の結果が得られることが分かっている。そして、上記のように、開始走査線5がいずれのライン番号の走査線5であっても、開始走査線5については、上記14式に同じ定数y、zを適用することが可能であったが、開始走査線5がいずれのライン番号の走査線5であっても、開始走査線5の次の走査線5すなわち2番目の走査線5についても、2番目の走査線5同士では上記14式に同じ定数y、zを適用することが可能であり、3番目以降の走査線5についても、同じ順番の走査線5同士では、上記14式に同じ定数y、zを適用することが可能であることが分かっている。そこで、このように、開始走査線5同士や、開始走査線5からの順番が同じ走査線5同士では、上記14式に同じ定数y、zを適用することが可能である場合には、例えば、以下のようにして、開始走査線5や他の走査線5にオン電圧を印加した場合に読み出される本画像データDに重畳されているラグによるオフセット分Olagを算出するための定数y、zや近似式を適用することが可能である。すなわち、例えば、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した走査線5すなわち開始走査線5の画像読出番号を1番とし、その次にオン電圧が印加されて読み出し処理が行われた2番目の走査線5の画像読出番号を2番とし、それ以降にオン電圧が印加されて読み出し処理が行われた3番目、4番目、...の走査線5の画像読出番号を3番、4番、...とするようにして、画像読出番号を定義する。このように画像読出番号を定義すると、画像読出番号は、1から、走査線5の全本数までの番号となる。なお、開始走査線5は各撮影ごとに変わるが、一旦、開始走査線5が決まれば、各走査線5と各画像読出番号とが1対1に定まる。そして、予め上記に示したような実験を行う等して、例えば図29に示すような画像読出番号と上記14式に適用する定数y、zとを対応付けるテーブルを予め用意する。そして、ラグによるオフセット分Olagの算出の際には、当該テーブルを参照して、先の撮影で本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を開始した開始走査線5に応じて各走査線5に割り当てられる画像読出番号に基づいて定数y、zや近似式を割り出し、それに基づいて、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを算出するように構成することが可能である。なお、図29に示したような画像読出番号と定数y、zとを対応付けるテーブルを用意する代わりに、図示を省略するが、画像読出番号と近似式とを対応付けるテーブルを用意するように構成することも可能である。また、上記の実験を複数回行うと、通常、各回の実験ごとに開始走査線5が変わる。そこで、これを利用して、上記の実験を複数回行い、画像読出番号に対応する定数y或いは定数zを画像読出番号ごとに複数回分得る。そして、画像読出番号ごとに各定数y或いは各定数zの平均値等を算出して、各画像読出番号と、定数y或いは定数zの平均値等とを対応付けるようにしてテーブルを作成することも可能である。このようにすれば、開始走査線5が異なる状態で得られた定数y、zに基づいて、上記14式に適用すべき定数y、zすなわち定数y、zの平均値等を的確に算出することが可能となる。さらに、図28A、図28Bに示したように、例えば、走査線5の各ラインLmごとに求めた定数y、z或いは定数y、zの平均値等を走査線5のラインLmのライン番号mについてそれぞれプロットし、その結果を、例えば、開始走査線5の前後でそれぞれ直線近似等により近似した結果に基づいて、画像読出番号と対応付ける定数y、zを決定するように構成することも可能である。[決定法4]一方、上記の決定法3で示したように図27参照、開始走査線5が異なる場合に、開始走査線5同士について、同じ定数y、zを上記14式に適用できる場合であっても、それ以降の走査線5すなわち上記の画像読出番号が2以降の各走査線5については、同じ番号の走査線5同士について、同じ定数y、zを上記14式に適用できない場合があり得る。また、そもそも、開始走査線5がいずれの走査線5であるかによって、ラグによるオフセットOlag等を近似する近似式が変わったり、上記14式に適用する定数y、zが変わってしまう場合もあり得る。そこで、そのような場合には、各走査線5について近似式や定数y、zを対応付けたテーブルを、開始走査線5が異なるごとに予め用意しておくように構成することが可能である。すなわち、この場合、例えば検出部P上に走査線5が1000本存在する場合には、例えば、1000本の各走査線5にそれぞれ近似式や定数y、zが対応付けられたテーブルが、開始走査線5となり得る走査線5の本数すなわち走査線5の全本数である1000個、予め用意される。以上の決定法1から決定法4に示したように構成すれば、第1、第2の実施形態で説明した放射線画像撮影装置1や放射線画像撮影システム50の効果が、より的確に発揮される。なお、最初の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの、放射線の照射開始からの経過時間tに対する減衰傾向を求めるために行う上記の実験、すなわち上記14式の定数y、z等を求めるための実験は、上記のように、図18に示したように放射線画像撮影装置1に放射線を照射して本画像データDの読み出し処理を行い、その後、図19に示したような各放射線検出素子7のリセット処理や電荷蓄積モードへの移行、オフセットデータOの取得処理を続けて繰り返し行うものである。そのため、上記のように、例えば放射線画像撮影装置1に放射線が照射されたことが検出された時点でオン電圧が印加されていた走査線5が500番目のラインであれば、その後の本画像データDの読み出し処理や各オフセットデータOの取得処理では、その次にオン電圧を印加すべき走査線5の501番目のラインからオン電圧の印加を開始して各処理が行われる。しかし、第2の実施形態のように、実際の放射線画像撮影において、先の撮影と後の撮影とでそれぞれ放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて放射線の照射が開始されたことが検出される場合には、先の撮影と後の撮影とでは、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されたことが検出された時点でオン電圧が印加されていた走査線5は、通常、異なる走査線5になる。従って、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理でオン電圧が印加されて各処理が開始される開始走査線5も、通常、異なる走査線5になる。そのため、本実施形態で説明した各手法を、例えば第2の実施形態で説明した場合に適用する場合には、以下のような注意が必要である。すなわち、例えば、放射線画像撮影装置1に放射線を3回照射して3回の撮影が比較的短時間の間に連続して行われるような場合、3回目の放射線画像撮影で得られた本画像データDやその後のオフセットデータOの取得処理で取得されたオフセットデータOには、1回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagと2回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagの両方が重畳される。その際、3回目の放射線画像撮影で得られた本画像データD等に重畳される、1回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagは、1回目の撮影の際に本画像データDの読み出し処理等が開始された開始走査線5のライン番号等に基づいて決まる定数y、zや近似式に従って算出される。しかし、3回目の放射線画像撮影で得られた本画像データD等に重畳される、2回目の撮影における放射線の照射で発生したラグによるオフセット分Olagは、2回目の撮影の際に本画像データDの読み出し処理等が開始された開始走査線5のライン番号等に基づいて決まる定数y、zや近似式に従って算出される。このように、本実施形態で説明した各手法を適用する場合には、各回の放射線画像撮影で開始走査線5が異なるため、各回の撮影の開始走査線5に基づいて定数y、zや近似式を的確に使い分けることが必要となる。ところで、放射線画像撮影装置1によっては、例えば図30に示すように、走査駆動手段15のゲートドライバ15bやそれを構成するゲートIC15c以下、まとめてゲートドライバ15bという。に、走査線5が接続されていない、いわゆる非接続の端子pが存在する場合がある。そして、このようなゲートドライバ15bを用いる場合、上記の画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理、或いは放射線画像撮影前の暗画像データOdの取得処理等においてゲートドライバ15bから走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加する際には、例えばゲートドライバ15bの走査線5の最初のラインL1が接続されている端子から順にオン電圧が順次印加され、走査線5の最終ラインLxが接続されている端子にオン電圧が印加された後は、走査線5が接続されていない非接続の端子pにオン電圧が順次印加される状態になる。そのため、画像データDの読み出し処理や暗画像データOdの取得処理等においても同様であるが、例えば、オフセットデータOの取得処理においては、図31に示すように、例えば走査線5のラインLn1から順にオン電圧が順次印加されてオフセットデータOの読み出し動作が開始された後、一旦、非接続の各端子pにオン電圧が順次印加された後、走査線5の最初のラインL1に戻って走査線5のラインL1~Lnにオン電圧が順次印加される状態になる。このように、ゲートドライバ15bに非接続の端子pが存在する場合には、ゲートドライバ15b側では、非接続の端子pを含む各端子にオン電圧を順次印加していく処理が行われるが、各走査線5側から見た場合、図31に示したように、非接続の端子pにオン電圧が印加されている際には、いずれの走査線5にもオン電圧が印加されない状態になる。そのため、例えば、上記の決定法3等において、図29に示したような画像読出番号と定数y、zとを対応付けるテーブル画像読出番号と近似式とを対応付けるテーブルを用意する場合も同様。を用意する場合には、以下のような注意が必要である。なお、以下では、仮に走査線5の本数を1000本とし、非接続の端子pを50個とした場合、すなわち非接続の端子pを含めてゲートドライバ15bに1050個の端子が存在する場合を例に挙げて説明する。この場合、例えば、放射線画像撮影装置1に放射線を照射して本画像データDの読み出し処理を行った場合の開始走査線5図18の走査線5のラインLn1に対応が、走査線5の301番目のラインであったとすると、上記の実験では、その後繰り返して行われるオフセットデータOの取得処理図19参照では、開始走査線5は、本画像データDの読み出し処理の場合と同じ走査線5の301番目のラインになる。そして、各オフセットデータOの取得処理では、開始走査線5すなわち走査線5の301番目のラインから1000番目のラインすなわち走査線5の最終ラインLxまでオン電圧が順次印加されてオフセットデータOがそれぞれ読み出された後、非接続の各端子pにオン電圧が順次印加され、その後、走査線5の1番目のラインすなわち走査線5の最初のラインL1から300番目のラインまでオン電圧が順次印加されてオフセットデータOがそれぞれ読み出される。そして、この処理が、各オフセットデータOの取得処理ごとに繰り返される。なお、非接続の各端子pにオン電圧が印加されている間は、オフセットデータOは読み出されない。そして、各オフセットデータOの取得処理で取得された各オフセットデータOからそれぞれラグによるオフセット分Olagを算出して、各走査線5ごとに、上記の定数y、zを算出する。また、上記の場合、画像読出番号は、走査線5の301~1000番目のラインがそれぞれ1~700となり、非接続の各端子pが701~750となり、走査線5の1~300番目のラインがそれぞれ751~1050となるため、算出した各定数y、zをそれぞれ画像読出番号に対応付けてテーブルを作成すると、テーブルは、図32に示すような形になる。すなわち、上記のようにゲートドライバ15bに非接続の端子pが存在する場合に、画像読出番号に算出した定数y、zをそれぞれ対応付けていくと、非接続の端子pに対応する画像読出番号の部分には、定数y、zが対応付けられない状態になる。そのため、このようにして作成したテーブルを、開始走査線5が例えばたまたま走査線5の最初のラインL1であったような場合に適用しようとすると、不都合が生じる。すなわち、開始走査線5が、走査線5の最初のラインL1であった場合、画像読出番号は、走査線5の1~1000番目のラインがそれぞれ1~1000となり、非接続の各端子pが1001~1050となる。しかし、テーブルには、画像読出番号が700~750である走査線5の700~750番目のラインには定数y、zが割り当てられていないため、これらの走査線5に接続されている各放射線検出素子7については、上記14式に基づいてラグによるオフセット分Olagを算出することができなくなる。そのため、このようにゲートドライバ15bに非接続の端子pが存在する場合には、例えば、前述したように、開始走査線5が種々の走査線5に変えて上記の実験を複数回行い、各画像読出番号ごとの定数yや定数zの平均値を算出する等して、各画像読出番号と、定数y、zの平均値等とを対応付けたテーブルを作成することが可能である。なお、この場合も、定数y、zの平均値等を、例えば開始走査線5の前後でそれぞれ直線近似等により近似した結果に基づいて、画像読出番号と対応付ける定数y、zを決定するように構成することも可能である。また、1回の実験で、例えば図32に示したように得られた各画像読出番号ごとの定数yや定数zを、図28A、図28Bに示したようにそれぞれ走査線5のライン番号mごとにプロットして例えば開始走査線5の前後でそれぞれ直線近似し、その直線近似を延長するようにして、非接続の端子pの部分図32では画像読出番号が701~750の部分の定数y、zを推定するように構成することも可能である。すなわち、図30に示したように、非接続の端子pが、走査線5の最終ラインLxの外側に存在する場合には、図28A、図28Bに示した開始走査線5図28A、図28B中ではライン番号mが453のラインより右側すなわちライン番号が大きい側の直線近似を走査線5の最終ラインLxよりもさらに右側に延長して、非接続の端子pの部分の定数y、zを推定する。また、図示を省略するが、非接続の端子pが、走査線5の最初のラインL1の外側に存在する場合には、図28A、図28Bに示した開始走査線5すなわちライン番号mが453のラインより左側すなわちライン番号が小さい側の直線近似を走査線5の最初のL1よりもさらに左側に延長して、非接続の端子pの部分の定数y、zを推定する。このようにしてテーブルを作成することによっても、各画像読出番号と定数y、zとが的確に対応付けられたテーブルを作成することが可能となる。[第4の実施の形態]一方、上記の各実施形態では、ラグによるオフセット分Olagを近似する近似式が、そもそも例えば上記の14式等に示したように、照射された放射線の線量に依存する項すなわちOlagpreの項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項すなわちytzの項に分離された形の近似式になることが前提とされていた。また、ラグによるオフセット分Olagの近似式として、上記9式に示された近似式を用いる場合でも、近似式は、照射された放射線の線量に依存する項すなわちb/a1-e-aTの項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項すなわちe-atpの項に分離されることが前提とされていた。なお、上記9式では、照射された放射線の線量は上記の項中の定数bに反映されている。しかし、ここで、ラグによるオフセット分Olag、特に、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを近似する近似式は、上記14式や9式に示したように、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項とに分離することができるのかといった問題が生じ得る。この問題に関する本発明者らの研究では、図19に示したように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で、各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成した場合には、上記14式や9式に示したように、ラグによるオフセット分Olagを近似する近似式を、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項とに分離し得ることが分かっている。なお、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で、各放射線検出素子7のリセット処理を行う代わりに、各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行うように構成しても、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagを近似する近似式を、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項とに分離することができるも分かった。従って、上記の各実施形態において、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間に行う各放射線検出素子7のリセット処理を、各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理に置き換えるように構成することも可能である。なお、この本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間に行われる読み出し処理で読み出される画像データdを、その直前に読み出された本画像データDの修正等に用いるように構成することも可能である。本発明者らが行った上記の研究において、第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1を用い、図19に示したように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理以下、各放射線検出素子7のリセット処理等という。を行うように構成するとともに、放射線画像撮影装置1に照射する放射線の線量を種々変化させて、図26の場合と同様の実験を行った。そして、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOから算出されるラグによるオフセット分Olagの、放射線照射時のオフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率上記14式のytzの項に相当を経過時間tに対してプロットしたところ、図33に示すような結果が得られた。図33の結果から分かるように、図19に示したように本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行うように構成すると、ラグによるオフセット分OlagのOlagpreに対する相対的な比率は、照射された放射線の線量には依存せず、同一の減衰傾向と言ってよいほど同じように減衰していくことが分かった。このように、少なくとも第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1において、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行うように構成した場合には、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを近似する近似式は、上記14式や上記9式に示したように、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項すなわち上記の相対的な比率に関する項とに分離可能で、それらの積の形として表すことができることが分かった。しかし、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行うように構成しても、全ての放射線画像撮影装置について、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを近似する近似式が、上記のような形に表すことができるとは限らない。また、本発明者らが行った研究においても、第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1を用いた場合でも、例えば図34に示すように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行わず、本画像データDの読み出し処理後、すぐに電荷蓄積モードに移行してオフセットデータOの取得処理を行うように構成した場合には、必ずしも上記のように、近似式を、単純に、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項とに分離することができないことが分かっている。つまり、第1の実施形態等で説明した構成の放射線画像撮影装置1で、図34に示したように本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの取得処理を行うように構成した場合、図33の場合と同様に、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOから算出されるラグによるオフセット分Olagの、放射線照射時のオフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率を経過時間tに対してプロットすると、例えば図35に示すような結果が得られることが分かっている。そして、この場合、ラグによるオフセット分OlagのOlagpreに対する相対的な比率は、図33に示したようにほぼ同一の減衰傾向を示さず、相対的な比率に関する項すなわち上記の経過時間tに依存する項も放射線の線量に依存して減衰傾向が変化するようになる。図34に示したように本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行わないように構成した場合に、上記の相対的な比率の減衰傾向が、照射された放射線の線量に依存するようになる理由は、以下のように考えられている。本画像データDの読み出し処理で、各放射線検出素子7から、放射線の照射により発生した電荷に起因する画像データすなわち前述した真の画像データDを読み出す際の読み出し効率は、通常、100ではなく、ある程度の割合で真の画像データDの読み残しが生じる。その際、図19に示したように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行うように構成すれば、本画像データDの読み出し処理で読み出されなかった真の画像データDの読み残し分は、リセット処理等により、各放射線検出素子7内から除去される。そのため、その直後に行われるオフセットデータOの取得処理で読み出されたオフセットデータOには、真の画像データDの読み残し分は含まれず、上記12式に従ってオフセットデータOから暗画像データOdが減算されて算出されるラグによるオフセット分Olagpreも、真の画像データDの読み残し分が含まれず、純粋にラグのみに起因する値になる。また、その後繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOにも真の画像データDの読み残し分は含まれないため、これらのオフセットデータOから算出されるラグによるオフセット分Olagも、純粋にラグのみに起因する値になる。このように考察した場合、図33に示した結果は、真の画像データDの読み残し分を含まず、純粋にラグのみに起因するラグによるオフセット分Olagpre、Olag同士の相対的な比率と、経過時間tとの減衰傾向の関係が、照射された放射線の線量に依存しない関係になることを表していると考えられる。それに対し、図34に示したように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行わないように構成した場合には、本画像データDの読み出し処理で読み出されなかった真の画像データDの読み残し分が、その直後に行われるオフセットデータOの取得処理で読み出されたオフセットデータOに含まれてしまう。そのため、上記12式に従ってオフセットデータOから暗画像データOdが減算されて算出されるラグによるオフセット分Olagpreに、真の画像データDの読み残し分が含まれた状態になり、ラグによるオフセット分Olagpreは、純粋にラグのみに起因する値と真の画像データDの読み残し分とを合わせた値になる。真の画像データDの読み残し分は、上記のように、通常、各放射線検出素子7内で生じた真の画像データDに所定の割合を乗じた値になり、各放射線検出素子7内で生じる真の画像データDは、各放射線検出素子7に照射された放射線の線量に依存して変化する。すなわち、各放射線検出素子7に照射された放射線の線量が大きくなるほど、各放射線検出素子7内で生じる真の画像データDが大きくなる。そのため、照射された放射線の線量が大きくなるほど、真の画像データDの読み残し分が大きくなり、ラグによるオフセット分Olagpreも、真の画像データDの読み残し分が大きくなる分だけ大きな値になる。しかし、その一方で、上記のように、その後繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたオフセットデータOには、真の画像データDの読み残し分は含まれないため、これらのオフセットデータOから算出されるラグによるオフセット分Olagは純粋にラグのみに起因する値になる。そのため、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られたラグによるオフセット分Olagの、最初のラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率が、図35に示したように、照射された放射線の線量が大きいほど小さくなり、相対的な比率の経過時間tに対する減衰傾向が、照射された放射線の線量に依存するようになると考えられている。以上のような理由から、上記の各実施形態のように図19参照、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で、各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行うように構成すれば、上記14式や9式に示したように、ラグによるオフセット分Olagを近似する近似式を、照射された放射線の線量に依存する項と、放射線の線量に依存せず経過時間tに依存する項とに分離することが可能となる。そして、このような単純な形の近似式を用いることが可能となるため、上記の各実施形態で説明したような手法を用いて、1つの近似式、或いは図29に示したような単純なテーブル等を用いて、容易かつ的確にラグによるオフセット分Olagを算出することが可能となり、本画像データDを的確に修正することが可能となる。一方、図34に示したように、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行わないように構成する場合には、上記のように、繰り返し行われる各オフセットデータOの取得処理で得られるラグによるオフセット分Olagすなわち後の撮影で本画像データDに重畳されるラグによるオフセット分Olagの、最初のすなわち先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagpreに対する相対的な比率が、照射された放射線の線量に依存するようになる。そして、その理由は、放射線が照射された直後に行われたオフセットデータOの取得処理で得られるラグによるオフセット分Olagpreに、真の画像データDの読み残し分が含まれるためであった。そして、真の画像データDの読み残し分は、通常、各放射線検出素子7内で生じた真の画像データDに所定の割合を乗じた値として算出することができる。この所定の割合は、放射線検出素子7やTFT8等の構成や、TFT8に印加するオン電圧の値すなわち走査駆動手段15の構成、読み出し回路17における各放射線検出素子7からのデータの読み出し効率等に依存して決まる値になり、通常、放射線画像撮影装置1の型式等によって異なる値になる。しかし、放射線画像撮影装置1ごとに見た場合には、上記の割合は、各撮影ごとに変化するものではなく、通常、一定の値になる。そのため、図35に示したラグによるオフセット分OlagのOlagpreに対する相対的な比率の、経過時間tに対する減衰傾向も、各撮影ごとに同じ傾向になるものと考えられる。そこで、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの取得処理との間で各放射線検出素子7のリセット処理等を行わないように構成する場合には、予め、放射線画像撮影装置1に対して照射する放射線の線量を種々変化させた実験を行って、定数y、zを放射線の線量の関数として設定する。また、定数y、zと放射線の線量とを対応付けたテーブルを作成してもよい。この場合、テーブル中に存在しない線量の放射線が照射された場合には、例えば、テーブル中の放射線の線量の定数y、zとの関係に基づいて、例えば線形補間等の方法によって、照射された放射線の線量に対応する定数y、zを算出するように構成する。或いは、予め、放射線画像撮影装置1に対して照射する放射線の線量を種々変化させた実験を行って、ラグによるオフセット分OlagのOlagpreに対する相対的な比率を表す近似式を、線量ごとに割り当てるように構成することも可能である。この場合、照射された線量に対応する近似式が存在しない場合には、例えば、その近傍の、近似式が割り当てられた線量の放射線を照射した場合の近似式を用いて相対的な比率を算出し、例えば線形補間等の方法によって、照射された放射線の線量に対応する相対的な比率を算出するように構成する。このようにして相対的な比率を算出して、それを,放射線が照射された直後に行われたオフセットデータOの取得処理で得られるラグによるオフセット分Olagpreに乗算することで、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagを的確に算出することが可能となる。また、そのため、本画像データDを的確に修正することが可能となる。以上のように構成することで、上記の各実施形態で説明した放射線画像撮影装置1や放射線画像撮影システム50の効果を、より的確に発揮することが可能となる。[第5の実施の形態]上記の各実施形態では、図18~図20等に示したように、放射線画像撮影前の暗画像データOdの取得処理と、本画像データDの読み出し処理と、オフセットデータOの取得処理において、ある走査線5にオン電圧を印加してから次の走査線5にオン電圧を印加するまでのタイミングと同じタイミングで走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加させることが前提とされていた。また、本画像データDの読み出し処理を、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理で、放射線の照射が開始されたことを検出した時点またはその直前にオン電圧が印加された走査線5図18の場合は走査線5のラインLnの次にオン電圧を印加すべき走査線5図18の場合は走査線5のラインLn1からオン電圧の印加を開始し、各走査線5にオン電圧を順次印加させて、本画像データDの読み出し処理を行うことが前提とされていた。そして、このように構成すると、実効蓄積時間Tが走査線5の各ラインL1~Lxで同じ時間になる。そのため、暗画像データOdから、本画像データD中に含まれる暗電荷に起因するオフセットデータOdやオフセットデータO中に含まれる暗電荷に起因するオフセットデータOdarkを換算して算出する必要がなくなる。そして、上記6式に示したように、オフセットデータOd、Odarkを暗画像データOdで置き換えて処理することが可能となり、演算処理を容易に行うことが可能となるといった利点があった。しかし、放射線画像撮影装置1によってはハードウエア上或いはソフトウエア上の問題で上記のように構成できない場合もある。また、本画像データDの読み出し処理をより高速に行いたい等の要請がある場合には、上記のような構成を採用することができない。そこで、第5の実施形態では、図36に示すように、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理は上記の各実施形態の場合と同様に行うが、本画像データDの読み出し処理では、走査線5の最初のラインL1からオン電圧の印加を開始し、しかも、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理におけるタイミングとは異なるタイミングで走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加して本画像データDの読み出し処理を行う場合について説明する。この場合も、本画像データDの読み出し処理を行った後、図37に示すように所定時間τだけ各走査線5にオフ電圧を印加した後、或いは、図示を省略するが所定回のフレーム分の各放射線検出素子7のリセット処理を行った後で所定時間τだけ各走査線5にオフ電圧を印加した後に、本画像データDの場合と同じタイミングで走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加して、オフセットデータOの取得処理を行う。また、この場合、本実施形態では、図36に示すように、特に、本画像データDの読み出し処理時の実効蓄積時間Tが、すなわち放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理で各走査線5ごとに最後にオン電圧が印加されてから本画像データDの読み出し処理でオン電圧が印加されるまでの時間Tが、走査線5ごとに異なる時間になる。また、各走査線5ごとに実効蓄積時間Tを見た場合、ある走査線5の実効蓄積時間Tは、各放射線画像撮影ごとに一定の時間になるわけではなく、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始を検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線5が各放射線画像撮影ごとに変わるため、当該走査線5における実効蓄積時間Tも放射線画像撮影ごとに変化することになる。従って、本画像データDに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Od図21B参照も、放射線画像撮影ごとに変化する。そこで、上記の各実施形態で説明したように図20参照、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理の際に暗画像データOdの取得処理を行って暗画像データOdを各放射線検出素子7ごとに得ておき、暗画像データOdの取得処理における実効蓄積時間Tで得られた暗画像データOdを、上記の各走査線5ごとの本画像データDの読み出し処理時の実効蓄積時間Tで換算して、本画像データDに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Odを演算により算出するように構成することが可能である。また、上記の9式や14式等を用いてオフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olag等を算出する際に、各式に適用する経過時間t、tpが走査線5ごとに異なる値になることは上記の各実施形態の場合と同様である。しかし、その際、特に9式を用いてラグによるオフセット分Olag等を算出する場合、上記の各実施形態では各走査線5で実効蓄積時間Tが同じであったために、9式中の1-exp-aTの項は定数として扱うことができたが、本実施形態では、上記のように実効蓄積時間Tが各走査線5ごとに変わるため、走査線5ごとに実効蓄積時間Tを割り出し、それを上記の項に代入して演算を行うことが必要となる。また、上記のような演算処理を行うと多数の演算処理を行うことが必要となるため、上記のような演算処理を行う代わりに、例えば図38に示すように、予め実験的に、ある走査線5にオン電圧が印加された際に放射線の照射の開始が検出された場合の各放射線検出素子m,nごとの暗電荷に起因するオフセット分Odm,nを取得して、テーブルTaを作成し、このテーブルTaに基づいて各放射線検出素子m,nごとの暗電荷に起因するオフセット分Odm,nを割り出すように構成することも可能である。この場合、上記のように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始を検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線5が各放射線画像撮影ごとに変わるため、図39に示すように、テーブルTaは、放射線の照射開始を検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線5ごと、すなわち走査線5の各ラインL1~Lxについてそれぞれ作成される。そして、制御手段22やコンソール58は、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始を検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線5の情報に基づいて、参照するテーブルTaを決め、そのテーブルTaに基づいて、各放射線検出素子m,nごとの暗電荷に起因するオフセット分Odm,nを取得するように構成される。これらの一群のテーブルTaは、放射線画像撮影装置1の記憶手段40図7等参照やコンソール58の記憶手段59に予め記憶される。なお、図37に示したように、オフセットデータOの取得処理を、本画像データDの読み出し処理における各走査線5へのオン電圧の印加のタイミングと同じタイミングで行う場合には、オフセットデータOの取得処理時における実効蓄積時間は各走査線5ごとに同じ時間になる。そのため、少なくともオフセットデータOに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Odark図21B参照については、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理の際に行われる暗画像データOdの取得処理で得られた暗画像データOdを用いるように構成することが可能である。また、上記と同様に、オフセットデータOに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Odarkの各放射線検出素子m,nごとのテーブルを予め作成し、それを参照するように構成することも可能である。このように、本画像データD中に含まれる暗電荷に起因するオフセット分OdおよびオフセットデータO中に含まれる暗電荷に起因するオフセット分Odarkをテーブルを参照して割り出す場合にはこのオフセット分Odarkを、上記の換算による演算処理によって或いは上記のテーブルTaを参照して割り出すことを除けば、上記の各実施形態の場合と同様にして、本画像データDを修正するように構成することができる。すなわち、第1の実施形態を本実施形態に適用する場合、オフセットデータO中に含まれる暗電荷に起因するオフセット分Odarkを、暗画像データOdとし、或いは、テーブルを参照して割り出されたオフセット分Odarkとして求め、オフセットデータOから、オフセットデータOに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Odarkを減算して、オフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagを算出する。そして、算出したオフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagに基づいて、本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagを推定し、本画像データDから、上記のように推定した本画像データD中に含まれるラグによるオフセット分Olagと、上記のテーブルTaを参照して割り出した本画像データD中に含まれる暗電荷に起因するオフセット分Odとを減算して、真の画像データDを算出する。このようにして、本画像データDを修正するように構成することができる。また、第2の実施形態等を本実施形態に適用する場合、予め、上記のテーブルTaを参照して、オフセットデータOから、オフセットデータOに重畳される暗電荷に起因するオフセット分Odarkを減算してオフセットデータO中に含まれるオフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagを算出する実験を繰り返す。そして、算出されたオフセットデータO中に含まれるラグによるオフセット分Olagの結果から、ラグの単位時間あたりの発生割合を近似する近似式や、ラグによるオフセット分Olag自体の時間的変化を近似する近似式を設定する。そして、それに基づいて、後の撮影で得られた本画像データD中に含まれる、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを推定し、また、上記のテーブルTaを参照して本画像データD中に含まれる暗電荷に起因するオフセット分Odを割り出して、後の撮影で得られた本画像データDから、先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagと暗電荷に起因するオフセット分Odとを減算して、真の画像データDを算出する。このようにして、後の撮影で得られた本画像データDを修正するように構成することができる。このように、上記の各実施形態を本実施形態に適用することで、上記のようにして修正された本画像データDから、本画像データD中に含まれる、当該撮影で発生したラグによるオフセット分Olagや先の撮影で発生したラグによるオフセット分Olagを的確に排除することが可能となる。そして、ラグの影響が的確に排除された本画像データDすなわち真の画像データD等に基づいて最終的な放射線画像を生成することが可能となる。そのため、最終的な放射線画像中からもラグの影響を的確に排除することが可能となり、最終的な放射線画像の画質を向上させることが可能となる。なお、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olag図25参照は、先の撮影から後の撮影までの時間が長くなるほど小さくなっていく。そして、先の撮影からの経過時間がある程度長くなると、後の撮影で読み出される本画像データDに重畳される、先の撮影で生じたラグによるオフセット分Olagの、後の撮影で読み出された本画像データDへの寄与分は、事実上、無視できるほど小さくなる。そして、そのような状態においても、上記のような修正処理を行うことは、実際上、あまり意味がない。そこで、先の放射線画像撮影の際に放射線の照射が開始されたことが検出されてから、例えば予め比較的長い時間に設定された所定の時間以上に時間が経過した後で、後の放射線画像撮影が行われた場合には、当該後の放射線画像撮影で読み出された本画像データDに対しては、当該先の放射線画像撮影で生じたラグによるオフセット分Olagに基づく修正を行わないように構成することが可能となる。このように構成すれば、上記のように実際上行う必要がない処理を行わなくて済み、処理が軽くなるとともに、本画像データD等から真の画像データDを算出する上記の前処理を、より速やかに行うことが可能となる。なお、上記の各実施形態におけるラグによるオフセット分Olagを近似する近似式が、放射線画像撮影装置1の検出部P図2、図3等参照等の温度に依存して変化することもあり得る。すなわち、例えば上記9式における定数a、bや、上記14式等における定数y、z等が検出部Pの温度に依存して変化する場合があり得る。そこで、そのような場合には、例えば、予め定数a、bや定数y、zを温度の関数や温度ごとのテーブルの形で求める等しておき、例えば放射線画像撮影装置1に温度センサを設けたり、或いは放射線画像撮影前等に読み出された画像データdやリークデータdleakの値に基づいて検出部Pの温度を検出、推定する等して、検出、推定した温度に対応する定数a、bや定数y、zを割り出して近似式を定めるように構成することも可能である。"