太陽電池の被照面の反対側にエミッタ層を有する裏面接合型の太陽電池であって、p型エミッタ層と、前記p型エミッタ層との間の界面においてp-n接合を形成するように前記p型エミッタ層を覆うn型ベース層と、前記n型ベース層を覆うn型表面電界層であって、1つ以上の第1のドープ領域と、1つ以上の第2のドープ領域であって、選択表面電界を形成するように前記第1のドープ領域よりも高濃度にドープされる第2のドープ領域と、を有するn型表面電界層とを備える太陽電池。請求項1に記載の太陽電池であって、前記太陽電池は、チョクラルスキ法により成長された単結晶シリコン基板で形成され、前記n型ベース層と、前記n型表面電界層の1つ以上の第1及び第2のドープ領域とには、リンがドープされる太陽電池。請求項1又は請求項2に記載の太陽電池であって、前記p型エミッタ層はアルミニウムを含み、前記p型エミッタ層は液相エピタキシャル再成長によって形成される太陽電池。請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、さらに、前記n型表面電界層を覆う不動態化酸化物層を備える太陽電池。請求項4に記載の太陽電池であって、さらに、前記不動態化酸化物層を覆う反射防止層を備え、前記反射防止層は非晶質窒化シリコン層を有する太陽電池。請求項5に記載の太陽電池であって、さらに、前記反射防止層の上に形成される1つ以上のスクリーン印刷されたコンタクトを備え、前記1つ以上のスクリーン印刷されたコンタクトは、前記反射防止層及び前記不動態化酸化物層を通じて前記n型表面電界層の前記より高濃度にドープされた1つ以上の第2の領域と電気的に連絡している太陽電池。請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の太陽電池であって、前記n型表面電界層の前記1つ以上の第1のドープ領域及び前記1つ以上の第2のドープ領域は、注入されたドーパントを含む太陽電池。請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池であって、さらに、アルミニウムペーストで形成されるスクリーン印刷された自己整合アルミニウムコンタクトを備え、前記エミッタ層及び前記アルミニウムコンタクトは、ともに、前記アルミニウムペーストで形成され、前記エミッタ層は、前記アルミニウムコンタクトを覆う太陽電池。裏面接合型の太陽電池を形成する方法であって、n型ベース層を作製するステップと、前記n型ベース層に覆われるようにp型エミッタ層を作製するステップであって、さらに、前記ベース層の片面にコンタクト層を施すステップと、前記コンタクト層を前記ベース層の少なくとも一部分によって合金化するステップと、を含むステップと、前記n型ベース層を覆うn型表面電界層を形成するように1つ以上の第1のドープ領域及び1つ以上の第2のドープ領域をドープするステップであって、前記第2のドープ領域は、選択表面電界を形成するように前記第1のドープ領域よりも高濃度にドープされるステップを有する方法。請求項9に記載の方法であって、さらに、前記n型表面電界層の上に不動態化酸化物層を形成するステップを有する方法。請求項10に記載の方法であって、前記不動態化酸化物層及び前記n型表面電界層は、単一のアニールサイクルで形成される方法。請求項10又は請求項11に記載の方法であって、さらに、前記不動態化酸化物層の上に非晶質窒化シリコン層を蒸着させることで、反射防止コーティングを形成するステップを有する方法。請求項12に記載の方法であって、さらに、前記n型表面電界層の前記より高濃度にドープされた1つ以上の第2のドープ領域と位置合わせして、前記非晶質窒化シリコン層上に1つ以上の前面コンタクトをスクリーン印刷するステップを有する方法。請求項13に記載の方法であって、さらに、前記1つ以上の前面コンタクトを焼成することで、前記1つ以上の前面コンタクトを前記非晶質窒化シリコン層及び前記不動態化酸化物層を通じて前記n型表面電界層に電気的に接続するステップを有する方法。請求項9から請求項14のいずれか1項に記載の方法であって、前記p型エミッタ層を作製するステップは、さらに、前記p型エミッタ層の表面に、前記p型エミッタ層に覆われるようにコンタクトを形成するステップを含み、前記p型エミッタ層は、液相エピタキシャル再成長によって形成されるp型エミッタ層を含み、前記コンタクトは、前記p型エミッタ層に電気的に接続される方法。請求項9から請求項15のいずれか1項に記載の方法であって、前記1つ以上の第1及び第2のドープ領域は、イオン注入によってドーパントを導入するステップによって形成される方法。請求項16に記載の方法であって、前記1つ以上の第1のドープ領域にドーパントを導入するステップは、前記1つ以上の第1及び第2のドープ領域に均一にドーパントを導入するステップを含み、前記1つ以上の第2のドープ領域にドーパントを導入するステップは、マスクを通して前記1つ以上の第2のドープ領域に追加のドーパントを導入するステップを含む方法。請求項16に記載の方法であって、前記1つ以上の第1及び第2のドープ領域にドーパントを導入するステップは、単一のイオン注入工程中に行われる方法。請求項16から請求項18のいずれか1項に記載の方法であって、前記n型ベース層にはリンがドープされ、前記1つ以上の第1及び第2のドープ領域にドーパントを導入するステップは、リンドーパントを導入するステップを含む方法。裏面接合型太陽電池であって、第1のn型領域と、第2のn型領域と、第3のn型領域であって、前記第2及び第3のn型領域は、前記第1のn型領域を覆う、第3のn型領域と、前記第2及び第3のn型領域とは反対側の前記第1のn型領域の表面上に形成されるp型エミッタ層であって、前記p型エミッタ層と前記第1のn型領域との界面がp-n接合を形成する、p型エミッタ層とを備える裏面接合型太陽電池。