平板状のアルミナ基板と、前記アルミナ基板上に実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子の上面及び側面を覆うように設けられたシリコーン樹脂層と、前記シリコーン樹脂層中に分散され、前記半導体発光素子から出射された光により励起されて可視光を発光する蛍光体とを備える蛍光体層とを具備し、前記アルミナ基板は5以上60以下の吸水率を有し、かつ前記アルミナ基板と前記シリコーン樹脂層との密着強度が1N以上であることを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記蛍光体層の全表面から前記可視光が取り出されることを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記半導体発光素子はピーク波長が360nm以上440nm以下の範囲の前記光を出射することを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記半導体発光素子はピーク波長が360nm以上410nm以下の範囲の前記光を出射することを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記半導体発光素子は発光ダイオード又はレーザダイオードであることを特徴とする発光装置。請求項3記載の発光装置において、前記蛍光体層は青色蛍光体、緑色蛍光体、及び赤色蛍光体を備え、前記半導体発光素子から出射された前記光により励起されて白色光を発光することを特徴とする発光装置。請求項1項記載の発光装置において、前記シリコーン樹脂層の前記半導体発光素子の前記上面上における厚さが0.1mm以上2mm以下の範囲であることを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記シリコーン樹脂層は、前記半導体発光素子全体を覆うように、前記アルミナ基板上に半球状、円柱状、又はオーバル柱状に設けられていることを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、前記アルミナ基板上には、複数の前記半導体発光素子が実装されていることを特徴とする発光装置。請求項1記載の発光装置において、さらに、前記半導体発光素子と前記蛍光体層との間に介在され、前記蛍光体を含有しない透明なシリコーン樹脂層を具備することを特徴とする発光装置。請求項10記載の発光装置において、前記アルミナ基板と前記透明なシリコーン樹脂層との密着強度が1N以上であることを特徴とする発光装置。請求項10項記載の発光装置において、前記透明なシリコーン樹脂層の前記半導体発光素子の前記上面上における厚さが0.5mm以上5mm以下の範囲であることを特徴とする発光装置。以下、実施形態の発光装置について、図面を参照して説明する。図1は実施形態による発光装置の構成を示す断面図である。同図に示す発光装置1は、平板状のアルミナ基板2と、アルミナ基板2上に実装された半導体発光素子3と、半導体発光素子3から出射された光を可視光に変換して発光する蛍光体層4とを具備している。半導体発光素子3としては、LEDチップやレーザダイオードLDチップ等が用いられる。半導体発光素子3の具体例としては、紫外発光のLEDチップ、紫色発光のLEDチップ、青紫色発光のLEDチップ、青色発光のLEDチップ、同様な発光色を有するLDチップ等が挙げられる。LEDチップにはInGaN系、GaN系、AlGaN系等の発光ダイオードが用いられる。アルミナ基板2はその表面さらに必要に応じて内部に配線網図示せずが設けられており、これらによって配線基板を構成している。アルミナ基板2の表面には、図示を省略した第1及び第2の電極が設けられている。半導体発光素子3は、例えばその下部電極が第1の電極と電気的に接続されるように、アルミナ基板2上に実装されている。半導体発光素子3の上部電極は、アルミナ基板2の第2の電極図示せずとボンディングワイヤ図示せずを介して電気的に接続される。半導体発光素子3の電極は、それぞれボンディングワイヤを介してアルミナ基板2の第1及び第2の電極と電気的に接続するようにしてもよい。このような電気的接続構造によって、半導体発光素子3には直流電圧が印加される。半導体発光素子3は、アルミナ基板2上に複数実装されていてもよい。アルミナ基板2上に実装された半導体発光素子3は、蛍光体層4で覆われている。蛍光体層4は、半導体発光素子3の上面及び側面を覆うように設けられたシリコーン樹脂層5と、シリコーン樹脂層5中に分散された蛍光体6とを備えている。蛍光体層4は、半導体発光素子3から出射される光により励起されて所望の可視光を発光する蛍光体6を有している。発光装置1に印加された電気エネルギーは、半導体発光素子3で所望の波長の光に変換され、さらに蛍光体6でより長波長の光に変換されて外部に放出される。半導体発光素子3から発光される光が青色光等の可視光である場合には、半導体発光素子3からの発光と蛍光体6からの発光が混色されて放出されることによって、総計として所望の色の可視光例えば白色光が得られる。半導体発光素子3から発光される光が紫外光や紫色光等の短波長の光である場合には、複数種の蛍光体粒子で構成される蛍光体6から発光される光が混色されて放出されることによって、総計として所望の色の可視光例えば白色光が得られる。アルミナ基板2の表面にはリフレクタ等を設けておらず、半導体発光素子3と蛍光体層4のみが配置されている。従って、この実施形態の発光装置1においては、蛍光体層4の全表面から所望の可視光が取り出される。蛍光体層4の形状は、その全表面から可視光を取り出すことが可能なものであればよく、特に限定されるものではない。図1は半球状の蛍光体層4蛍光体6が分散されたシリコーン樹脂層5を示している。蛍光体層4の形状は、図2に示すような円柱状、あるいはオーバル柱状であってもよい。さらに、蛍光体層4の平面形状は四角形や多角形であってもよいが、発光装置1から発光される可視光を均一に分散させる上で、球状や楕円状全体形状としては半球状、円柱状、オーバル柱状等であることが好ましい。蛍光体層4の厚さ半導体発光素子3の上面上における厚さT1は0.1~2mmの範囲であることが好ましい。蛍光体層4の厚さT1が0.1mm未満であると、紫外光等が蛍光体層を透過しやすくなる。一方、蛍光体層4の厚さT1が2mmを超えると、蛍光体6の発光が蛍光体膜4の内部で多重散乱して発光効率が低下しやすい。発光装置1の発光色は、半導体発光素子3の発光波長と蛍光体6との組合せにより決定される。半導体発光素子3の発光ピーク波長は特に限定されるものではない。蛍光体層4と組合せて白色光等の各色の光を得る上で、紫外光から青色光までの各種の発光波長を有する半導体発光素子3を用いることができる。半導体発光素子3の発光のピーク波長は350~480nmの範囲であることが好ましい。特に、発光ピーク波長が360~440nmの範囲の紫外乃至紫色発光の半導体発光素子以下では、紫外発光の半導体発光素子と総称する3を用いることが好ましく、さらに発光ピーク波長が360~410nmの範囲の半導体発光素子3を用いることがより好ましい。蛍光体層4は所望の発光色を得るための蛍光体6を有している。目的とする発光色を得るために、青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体等の各色の蛍光体を使用することができる。白色発光の発光装置1を実現するためには、例えば青色発光の半導体発光素子3と黄色蛍光体YAG等との組合せ、あるいは紫外発光の半導体発光素子3と青色蛍光体、緑色蛍光体、及び赤色蛍光体の混合蛍光体BGR蛍光体との組合せが適用される。この実施形態は白色発光タイプの発光装置1に適用することが好ましく、特に紫外発光の半導体発光素子3とBGR蛍光体とを組合せた発光装置1に好適である。紫外発光の半導体発光素子3とBGR蛍光体とを組合せた発光装置1において、蛍光体6は半導体発光素子3から出射された光例えば紫外光や紫色光を吸収し、青色光を発光する青色B蛍光体、緑色光を発光する緑色G蛍光体、及び赤色光を発光する赤色R蛍光体の混合蛍光体で構成される。BGR蛍光体は同じ色の蛍光体を2種類以上含んでいてもよいし、また青、緑、赤以外の発光色を有する蛍光体例えば黄色蛍光体、橙色蛍光体、深赤色蛍光体等を補助的に含んでいてもよい。緑色蛍光体に代えて黄色Y蛍光体を使用してもよい。蛍光体6としては、BGR又はBYR蛍光体を使用することが好ましい。BGR又はBYR蛍光体のような混合蛍光体は、予め各蛍光体を結合剤で結合した状態でシリコーン樹脂層5中に分散させてもよい。BGR蛍光体を構成する各蛍光体の一例を以下に示すが、蛍光体層4を構成する蛍光体6は下記の蛍光体に限定されるものではない。青色蛍光体としては、発光のピーク波長が430~460nmの範囲の蛍光体が用いられ、例えば式1で表される組成を有するユーロピウム付活クロロ燐酸塩蛍光体が挙げられる。一般式:Sr1xyzBaxCayEuz5PO43Cl...1式中、x、y、及びzは0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005<z<0.1を満足する数である緑色蛍光体としては、発光のピーク波長が490~575nmの範囲の蛍光体が用いられ、例えば式2で表される組成を有するユーロピウム及びマンガン付活アルミン酸塩蛍光体や式3で表される組成を有するユーロピウム及びマンガン付活珪酸塩蛍光体が挙げられる。一般式:Ba1xyzSrxCayEuzMg1uMnuAl10O17...2式中、x、y、z、及びuは0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5を満足する数である一般式:Sr1xyzuBaxMgyEuzMnu2SiO4...3式中、x、y、z、及びuは0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02を満足する数である赤色蛍光体としては、発光のピーク波長が620~780nmの範囲の蛍光体が用いられ、例えば式4で表される組成を有するユーロピウム付活酸硫化物蛍光体や式5で表される組成を有するユーロピウム付活窒化物蛍光体が挙げられる。一般式:La1xyEuxMy2O2S...4式中、MはSb、Sm、Ga、及びSnから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、x及びyは0.01<x<0.15、0≦y<0.03を満足する数である一般式:Ca1xySrxEuySiAlN3...5式中、x及びyは0≦x<0.4、0<y<0.5を満足する数である半導体発光素子3と蛍光体層4の間には、図3に示すように、蛍光体を含有しない透明なシリコーン樹脂層7を介在させてもよい。この場合、半導体発光素子3は透明なシリコーン樹脂層7で覆われている。蛍光体層4は透明なシリコーン樹脂層7上に配置されている。半導体発光素子3と蛍光体層4との間に透明なシリコーン樹脂層7を介在させることによって、半導体発光素子3の発光効率が向上する。すなわち、透明なシリコーン樹脂層7を介在させた場合、半導体発光素子3から出射された光が蛍光体層4で反射したとしても、半導体発光素子3に吸収されて損失する確率が小さくなり、これにより光の利用効率、言い換えると発光装置1の発光効率を高めることが可能となる。透明なシリコーン樹脂層7の厚さ半導体発光素子3の上面上における厚さT2は、例えば0.5~5mmの範囲とすることが好ましい。透明なシリコーン樹脂層7の厚さT2が0.5mm未満であると、その配置効果を十分に得ることができないおそれがある。透明なシリコーン樹脂層7の厚さT2が5mmを超えると光の吸収が生じるおそれがある。発光装置1自体の大きさを考慮しても、透明なシリコーン樹脂層7の厚さT2は5mm以下とすることが好ましい。この際の蛍光体層4の厚さT1は、上述したように半導体発光素子3の上面上で0.1~2mmの範囲であることが好ましい。ところで、紫外発光の半導体発光素子3とBGR蛍光体とを組合せた発光装置1では、紫外光が漏れ出すことを抑制するために、蛍光体層4の厚さT1を例えば0.1~2mmというように厚くしている。これは発光装置1の発光効率を低下させる要因となる。さらに、BGR蛍光体を含有する蛍光体層4は、単色の蛍光体を用いた場合に比べた蛍光体粒子の分散量が増加し、蛍光体粒子自体が光を散乱させる要因となるため、発光装置1の光の取出し効率発光効率が低下しやすい。このような点に対して、紫外発光の半導体発光素子3とBGR蛍光体とを組合せた発光装置1では、図1や図2に示したような装置構造リフレクタを排除した構造が発光効率の点から有利である。蛍光体層4に関しては、紫外光や熱に対する耐劣化性に優れるシリコーン樹脂層5で構成することが好ましい。ただし、シリコーン樹脂層5は紫外光や熱に対する耐劣化性に優れる反面、アルミナ基板2との接着性が低いという難点を有している。シリコーン樹脂層5に剥離が生じると、ワイヤーの断線等による不点灯不良を招くことになる。これは発光装置1の取扱い性を低下させる要因となる。そこで、この実施形態の発光装置1においては、吸水率が5~60の範囲のアルミナ基板2を用いている。このような適度な吸水率を有するアルミナ基板2を用いることによって、シリコーン樹脂層5の密着強度が向上する。具体的には、アルミナ基板2とシリコーン樹脂層5との密着強度を1N100gf以上とすることが可能となる。アルミナ基板2の吸水率は、EMAS-9101に開示される吸水率評価手法により測定した値を示すものとする。アルミナ基板2とシリコーン樹脂層5との密着強度は、シリコーン樹脂層5蛍光体層4を側面からテンションゲージで押し、シリコーン樹脂層5蛍光体層4が剥離した際の押力を示すものとする。吸水率が5以上のアルミナ基板2によれば、シリコーン樹脂が適度に浸み込むため、シリコーン樹脂層5の密着強度を高めることができる。アルミナ基板2の吸水率が5未満の場合には、シリコーン樹脂の浸み込みが弱く、十分な密着強度を得ることができない。ただし、アルミナ基板2の吸水率が60を超えるとシリコーン樹脂が浸み込みすぎて、シリコーン樹脂層5蛍光体層4を所定形状に成形することが困難となる。アルミナ基板2の吸水率は20~50の範囲であることがより好ましい。アルミナ基板2の吸水率は、例えば基板焼成時の焼成温度を変化させることにより調整することができる。具体的には、アルミナ基板2の形成材料等に応じて、基板焼成時の温度を1100~1500°Cの範囲で適宜に調整することによって、適度な吸水率5~60の範囲を有するアルミナ基板2を得ることができる。上述したアルミナ基板2を使用することによって、発光装置1のアルミナ基板2とシリコーン樹脂層5との密着強度を1N以上とすることができる。半導体発光素子3と蛍光体層4との間に透明なシリコーン樹脂層7を介在させる場合も同様であり、アルミナ基板2と透明なシリコーン樹脂層7との密着強度を1N以上とすることができる。このように、アルミナ基板2とシリコーン樹脂層5や透明なシリコーン樹脂層7との密着強度を1N以上とすることによって、発光装置1の取扱い性が向上する。すなわち、取扱い時におけるシリコーン樹脂層5、7の剥離が抑制される。従って、シリコーン樹脂層5、7の剥離による不点灯や装置破壊を再現性よく抑制することが可能となる。さらに、発光装置1はその構造アルミナ基板2上に半導体発光素子3と蛍光体層4のみを配置した構造に基づいて良好な発光効率を有している。よって、信頼性と発光効率に優れる発光装置1を提供することが可能となる。この実施形態の構成は、発光ピーク波長が360~440nmの範囲の半導体発光素子3とBGR又はBYR蛍光体とを組合せた発光装置1に好適である。その理由は上述した通りである。ただし、このような発光装置1に限定されるものではない。この実施形態の構成は、アルミナ基板2とシリコーン樹脂層5とを用いた各種の発光装置1に適用可能であり、そのような場合にも発光装置1の信頼性を高めることができる。この実施形態の発光装置1は、例えば以下のようにして作製される。まず、蛍光体粉末を含む蛍光体スラリーを調製する。蛍光体スラリーは、例えば蛍光体粉末を液状のシリコーン樹脂と混合して調製される。蛍光体とシリコーン樹脂との混合比は、蛍光体の種類や粒径により適宜に選択されるが、例えば蛍光体を100質量部としたとき、シリコーン樹脂量は5~100質量部の範囲とすることが好ましい。蛍光体の種類や混合比等は目的とする発光色に応じて任意に設定される。次に、半導体発光素子3上に蛍光体スラリーを塗布し、蛍光体スラリー中のシリコーン樹脂を硬化させて蛍光体層4を形成する。透明なシリコーン樹脂層7を適用する場合には、まず半導体発光素子3に液状のシリコーン樹脂を塗布し、これを硬化させて透明なシリコーン樹脂層7を形成する。その上から蛍光体スラリーを塗布し、蛍光体スラリー中のシリコーン樹脂を硬化させて蛍光体層4を形成する。このようにして発光装置1を作製する。液状のシリコーン樹脂や蛍光体スラリーの塗布方法としては、ディスペンサを用いた塗布法、あるいは印刷法や射出成型法等を使用することができる。次に、実施例及びその評価結果について述べる。実施例1まず、青色蛍光体として平均粒径が12μmのEu付活クロロ燐酸塩Sr059Ba039Ca001Eu0015PO43Cl蛍光体、緑色蛍光体として平均粒径が15μmのEu及びMn付活珪酸塩Sr07Ba015Mg00975Eu005Mn000252SiO4蛍光体、赤色蛍光体として平均粒径が12μmのEu付活酸硫化ランタンLa0938Eu006Sm00022O2S蛍光体を用意した。これら蛍光体をそれぞれシリコーン樹脂に60質量の割合で混合して蛍光体スラリーを調製した。これら蛍光体スラリーを発光色温度が4200~4300Kの範囲となるように、青色蛍光体スラリーを52質量、緑色蛍光体スラリーを3質量、赤色蛍光体スラリーを45質量の割合で混合した。次に、吸水率が5.5のアルミナ基板形状:8×3×0.38mmを用意した。このアルミナ基板は基板焼成時の温度を1480°Cとすることにより吸水率を5.5に調整したものである。Agペーストを使用してアルミナ基板の表面にダイパッドと配線パターンを形成した後、発光ピーク波長が405nmのLEDチップを3個実装した。3個のLEDチップは直列に接続した。これらLEDチップ上に上記した蛍光体スラリーを、図2に示したようにオーバル柱状に塗布し、これを140°Cの温度で熱処理してシリコーン樹脂を硬化させることによって、長径が6.4mm、短径が2.5mm、厚さT1が2mmの蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例2~3吸水率が11のアルミナ基板実施例2と吸水率が52のアルミナ基板実施例3とを使用する以外は、それぞれ実施例1と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例4吸水率が11のアルミナ基板形状:8×6.5×0.38mmを用意した。Agペーストを使用してアルミナ基板の表面にダイパッドと配線パターンを形成した後、発光ピーク波長が405nmのLEDチップを6個実装した。6個のLEDチップは直並列に接続した。これらLEDチップ上に実施例1で調製した蛍光体スラリーを、図1に示したように半球状に塗布し、これを140°Cの温度で熱処理してシリコーン樹脂を硬化させることによって、直径が6.0mm、厚さT1が3mmの蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例5~6吸水率が41のアルミナ基板実施例5と吸水率が58のアルミナ基板実施例6とを使用する以外は、それぞれ実施例4と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例7吸水率が11のアルミナ基板に6個のLEDチップを実装した後、蛍光体を含まないシリコーン樹脂を塗布した。次いで、実施例4と同様に、実施例1で調製した蛍光体スラリーを塗布した。これを140°Cの温度で熱処理してシリコーン樹脂を硬化させることによって、透明なシリコーン樹脂層と蛍光体層との二層構造を有する発光装置を作製した。透明なシリコーン樹脂層の厚さT2は3mm、蛍光体層の厚さT1は0.5mmとした。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例8~9吸水率が41のアルミナ基板実施例8と吸水率が58のアルミナ基板実施例9とを使用する以外は、それぞれ実施例7と同様にして透明なシリコーン樹脂層と蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。比較例1吸水率が実質的に0のアルミナ基板を使用する以外は、実施例1と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。比較例2吸水率が実質的に0の窒化アルミニウム基板を使用する以外は、実施例1と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。なお、窒化アルミニウム基板の表面には、Ag薄膜を蒸着して配線パターンを形成し、さらにAuSn半田を蒸着してダイパッドを形成した。比較例3吸水率が実質的に0のアルミナ基板を使用する以外は、実施例4と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。比較例4吸水率が実質的に0の窒化アルミニウム基板を使用する以外は、実施例4と同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。なお、窒化アルミニウム基板の表面には、Ag薄膜を蒸着して配線パターンを形成し、さらにAuSn半田を蒸着してダイパッドを形成した。比較例5吸水率が2のアルミナ基板を使用する以外は、実施例1同様にして蛍光体層を形成した。このようにして得た発光装置を後述する特性評価に供した。実施例1~9及び比較例1~5の白色発光装置に電流を流して点灯させ、各白色発光装置の発光効率、色温度、平均演色評価数Raを測定した。蛍光体層が円柱状の装置には20mAの電流を流し、蛍光体層が半球状の装置には120mAの電流を流して評価した。前述した方法にしたがってシリコーン樹脂層蛍光体層の密着強度を測定した。実施例7~9については、透明なシリコーン樹脂層と蛍光体層との積層膜の密着強度を測定した。これらの測定評価結果を表1に示す。表1から明らかなように、実施例1~9による白色発光装置は比較例1~5に比べて基板とシリコーン樹脂層との密着強度が高い。さらに、実施例1~9による白色発光装置は発光効率に優れ、色温度や平均演色評価数Raにも優れることが分かる。