"第1の発光体と、該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第2の発光体とを備え、該第2の発光体として、第1の蛍光体と第2の蛍光体とを備える発光装置であって、該発光装置の発光スペクトルの色度座標がCIE座標のxは0.285以下、yは0.300以下であり、該第1の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上25μm以下のβ型サイアロン蛍光体を備え、該第2の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上15μm以下であり、かつ、500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体を備え、該第1の蛍光体の質量メジアン径D50が、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50と等しい、あるいは、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50よりも大きいことを特徴とする発光装置。前記β型サイアロン蛍光体が、β型Si3N4構造を有し、Euを必須元素として含む蛍光体であって、Eu濃度が0.4質量以上0.8質量以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記第2の蛍光体が、600nm以上660nm以下の波長範囲に発光ピーク波長を有することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。前記第2の蛍光体の波長400~480nmにおける最大励起強度に対する波長510~560nmにおける励起強度の比が0.4以上0.9以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の発光装置。前記第1の蛍光体が、下記式[A]で表される組成を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の発光装置。M1aM2bM3cOdNe[A]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M3は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.008≦a≦0.020、bcde=14、0.72≦bc/de≦0.78の範囲の値である。前記第1の蛍光体が、β型サイアロンの組成比に調整された蛍光体原料を、SiO2存在下で焼成することにより得られたものであることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の発光装置。前記第2の蛍光体が、下記式[B]で表される組成を有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[B]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.00001≦a≦0.15、ab=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、2.5≦e≦3.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。前記第2の蛍光体が、下記式[C]で表される組成を有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[C]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.0001≦a≦0.2、ab=2、0≦c≦0.5、4.5≦d≦5.5、7.5≦e≦8.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。のいずれか一項に記載の発光装置。前記第2の蛍光体が、下記式[D]で表される組成を有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[D]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.00001≦a≦0.10、ab=1、0.5≦c≦1.5、3.5≦d≦4.5、6.5≦e≦7.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。請求項1~9のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする画像表示装置。しかしながら、特許文献1および特許文献2には、サイアロン蛍光体と、他種の蛍光体とを組み合わせる場合における、サイアロン蛍光体の粒径に関する記載はない。蛍光体を発光装置に用いる場合は、他種の蛍光体と組み合わせることが非常に多く、発光装置の用途に応じて、好ましい発光色や粒径が変わってくる。特に、発光装置を画像表示装置のバックライトとして用いる場合は、赤色成分を弱くして、色温度を高くする必要があるが、特許文献3に記載の発光装置では、バックライト用途としては、色温度が低すぎる。そこで、本発明は、特に画像表示装置のバックライト用発光装置であって、色度座標が特定の範囲にあり、かつ、発光効率の高い発光装置を提供することを目的とする。本発明者等は、β型サイアロン蛍光体の粒径と、組み合わせる蛍光体の粒径を種々検討した結果、特定の色度範囲において、特定の粒径の蛍光体を組み合わせることにより、発光装置としての効率が向上することを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明の要旨は、次の1~10のとおりである。1第1の発光体と、該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第2の発光体とを備え、該第2の発光体として、第1の蛍光体と第2の蛍光体とを備える発光装置であって、該発光装置の発光スペクトルの色度座標がCIE座標のxは0.285以下、yは0.300以下であり、該第1の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上25μm以下のβ型サイアロン蛍光体を備え、該第2の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上15μm以下であり、かつ、500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体を備え、該第1の蛍光体の質量メジアン径D50が、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50と等しい、あるいは、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50よりも大きいことを特徴とする発光装置。2前記β型サイアロン蛍光体が、β型Si3N4構造を有し、Euを必須元素として含む蛍光体であって、Eu濃度が0.4質量以上0.8質量以下であることを特徴とする1に記載の発光装置。3前記第2の蛍光体が、600nm以上660nm以下の波長範囲に発光ピーク波長を有することを特徴とする1または2に記載の発光装置。4前記第2の蛍光体の波長400~480nmにおける最大励起強度に対する波長510~560nmにおける励起強度の比が0.4以上0.9以下であることを特徴とする1~3のいずれかに記載の発光装置。5前記第1の蛍光体が、下記式[A]で表される組成を有することを特徴とする1~4のいずれかに記載の発光装置。M1aM2bM3cOdNe[A]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M3は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.008≦a≦0.020、bcde=14、0.72≦bc/de≦0.78の範囲の値である。6前記第1の蛍光体が、β型サイアロンの組成比に調整された蛍光体原料を、SiO2存在下で焼成することにより得られたものであることを特徴とする1~5のいずれかに記載の発光装置。7前記第2の蛍光体が、下記式[B]で表される組成を有することを特徴とする1~6のいずれかに記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[B]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.00001≦a≦0.15、ab=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、2.5≦e≦3.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。8前記第2の蛍光体が、下記式[C]で表される組成を有することを特徴とする1~6のいずれかに記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[C]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.0001≦a≦0.2、ab=2、0≦c≦0.5、4.5≦d≦5.5、7.5≦e≦8.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。9前記第2の蛍光体が、下記式[D]で表される組成を有することを特徴とする1~6のいずれかに記載の発光装置。M1aM2bM3cM4dNeOf[D]但し、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.00001≦a≦0.10、ab=1、0.5≦c≦1.5、3.5≦d≦4.5、6.5≦e≦7.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。101~9のいずれかに記載の発光装置を備えることを特徴とする画像表示装置。本発明によれば、発光装置を高輝度化することができる。また、本発明の発光装置は、例えば、液晶用バックライトなどの画像表示装置の光源として特に好適に用いることができる。以下、本発明をより詳しく説明するが、本発明は以下の実施形態や例示物等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変更して実施することができる。本発明の発光装置は、上記のとおり、第1の発光体と、該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第2の発光体とを備え、該第2の発光体として、第1の蛍光体と第2の蛍光体とを備える発光装置であって、該発光装置の発光スペクトルの色度座標がCIE座標のxは0.285以下、yは0.300以下であり、該第1の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上25μm以下のβ型サイアロン蛍光体を備え、該第2の蛍光体として、質量メジアン径D50が8μm以上15μm以下であり、かつ、500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体を備え、該第1の蛍光体の質量メジアン径D50が、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50と等しい、あるいは、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50よりも大きいことに特徴を有するものである。以下、先ず、本発明で用いる第1の蛍光体、第2の蛍光体について説明し、次いで、発光装置の構成等について説明する。<第1の蛍光体>本発明で用いる第1の蛍光体は、緑色発光するβ型サイアロン蛍光体であり、200nm~530nmの光により励起され、その発光ピーク波長が、通常500nm以上、好ましくは520nm以上であり、また、通常560nm以下、好ましくは550nm以下である。上記β型サイアロン蛍光体は、その内部量子効率が高いほど好ましい。その値は、通常60以上、好ましくは70以上である。また、その吸収効率が高いほど好ましい。その値は通常60以上、好ましくは65以上である。吸収効率が低いと発光効率が低下する傾向にある。さらに、その外部量子効率が高いほど好ましい。その値は、通常40以上、好ましくは45以上である。外部量子効率が低いと発光効率が低下する傾向にある。なお、内部量子効率、外部量子効率、及び吸収効率などは、例えば、特開2008-285658号公報の段落[0064]~[0076]、[0265]~[0276]に記載の方法で測定することができる。また、上記β型サイアロン蛍光体は、波長770nmにおける反射率が、通常90以上、好ましくは94以上、より好ましくは95以上であり、また、通常99以下、好ましくは97以下、より好ましくは96以下である。反射率が低くすぎる場合は、蛍光体中に、発光に寄与せず蛍光体からの発光や励起光を吸収する成分が残存しているので、蛍光体からの発光が弱くなる傾向がある。一方、反射率が高すぎる場合は、蛍光体中に、細かい微細な粒子が多く含まれ、励起光に対する吸収が不足し、蛍光体からの発光が弱くなる傾向がある。さらに、微細粒子による発光装置中の光散乱が増え、発光装置からの光を取り出す効率が下がる傾向がある。なお、反射率は後述する実施例で示す方法反射スペクトルの測定方法により測定することができる。本発明において、第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体の質量メジアン径D50は8μm以上25μm以下である。ここで、質量メジアン径D50とは、レーザー回折散乱法により粒度分布を測定して得られる、質量基準粒度分布曲線から求められる値である。具体的には、例えば、後述する実施例のおいて示すとおり、分散剤を含む水溶液中に蛍光体を分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置堀場製作所社製LA-300により、粒径範囲0.1μm以上600μm以下にて測定して得られる。この質量基準粒度分布曲線において、積算値が50のときの粒径値が質量メジアン径D50である。第1の蛍光体の質量メジアン径D50の下限は、通常8μm以上であるが、好ましくは10μm以上、より好ましくは12μm以上、さらに好ましくは14μm以上である。また、上限は、通常25μm以下であるが、好ましくは22μm以下、より好ましくは20μm以下、さらに好ましくは18μm以下である。第1の蛍光体をこの範囲の粒径として、後述する特定粒径の第2の蛍光体と組合せて発光装置に用いることにより、発光効率を向上させ、発光装置を高輝度化させることができる。粒径が小さすぎると、発光装置の上部に細かい粒子が分布し、光散乱を起こすので、発光の取り出し効率が下がり、発光装置の変換効率が下がる傾向がある。一方、大きすぎると、発光装置の下部に沈み、第1の蛍光体からの発光が第2の蛍光体に吸収されて赤色に変換される過程が増加して、発光装置の変換効率が下がる傾向がある。さらに、上記第1の蛍光体の質量メジアン径D50は、後述する第2の蛍光体の質量メジアン径D50と等しい、あるいは、該第2の蛍光体の質量メジアン径D50よりも大きい値である。第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体は、一次粒子の太さ短径が4μm以上の粒子が、全体の、通常35個数以上であること、即ち、太さを測定した一次粒子全体例えば、80個のうち、通常35個数以上が4μm以上の太さを有する一次粒子であることが好ましい。ここで、一次粒子とは、粒子間の界面が明瞭に観察することができる粒子のことであり、複数の一次粒子が凝集した粒子は除かれる。また、太さ短径とは、長径一次粒子における最大の長さに対し垂直の長さであり、短径として最長になる長さを採用するものとする。また、一次粒子の太さ短径が4μm以上の粒子が、全体の、好ましくは40個数以上、より好ましくは50個数以上を占める。理想的には、この一次粒子の太さが4μm以上である粒子が100個数であることが好ましい。一次粒子の太さが大きい粒子は蛍光体中の光路長が長くなるため励起光に対する吸収効率が高く、輝度が明るくなる傾向がある。一次粒子の太さの上限に特に制限はないが、取り扱い性を考慮して、通常50μm以下、好ましくは25μm以下である。さらに、一次粒子の太さ短径が5μm以上の粒子が、全体の、通常10個数以上、好ましくは20個数以上、より好ましくは30個数以を占める。理想的には、この一次粒子の太さが5μm以上である粒子が100個数であることが好ましい。さらにまた、一次粒子の太さ短径が6μm以上の粒子が、全体の、好ましくは10個数以上、より好ましくは20個数以上、さらに好ましくは30個数以を占める。理想的には、この一次粒子の太さが6μm以上である粒子が100個数であることが好ましい。なお、一次粒子の太さが4μm以上の粒子の比率は、走査型電子顕微鏡写真倍率は、例えば、1000倍とする。の5視野中の粒子80個を無作為に選び、それらの粒子の太さ短径を測定し、一次粒子の太さが4μm以上の粒子の比率を算出することにより求める。第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体は、アスペクト比が2.0以上の一次粒子が、全体の、通常75個数以上、好ましくは80個数以上、より好ましくは85個数以上、さらに好ましくは90個数以上を占める。アスペクト比の値が2.0以上の針状の粒子を多く含む蛍光体は、液体媒体と混合した蛍光体含有組成物を塗布する際に、蛍光体を粒子の長手方向に配向性良く塗布することができる。また、アスペクト比が2.5以上の一次粒子が、全体の、60個数以上を占めることが好ましく、アスペクト比が3以上の一次粒子が、全体の、40個数以上を占めることが好ましく、60個数以上を占めることがより好ましく、また、アスペクト比が2.5以上の一次粒子が、全体の、50個数以上を占めることが好ましい。なお、第1の蛍光体の一次粒子のアスペクト比の上限は通常12.5以下である。さらに、第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体は、太さが4μm以上、長さが50μm以下であり、かつ、アスペクト比が2.0以上の一次粒子が、全体の、通常26個数以上、好ましくは30個数以上、さらに好ましくは50個数以上、より好ましくは75個数以上を占める。また、太さが4μm以上、長さが50μm以下であり、かつ、アスペクト比が3.0以上の一次粒子が、全体の、通常10個数以上、好ましくは30個数以上、より好ましくは40個数以上、さらに好ましくは50個数以上を占める。太さが4μm以上であり、かつ、アスペクト比の値が2.0以上の針状の一次粒子を多く含む蛍光体は、実用上求められる輝度を提供することができ、さらに、液体媒体と混合した蛍光体含有組成物を塗布する際に、蛍光体を粒子の長手方向に配向性良く塗布することができる。しかし、一次粒子の長さが長すぎると、ディスペンサーの目詰まりになる傾向があるので、一次粒子の長さは通常50μm以下、好ましくは40μm以下である。なお、上述したような比率は、顕微鏡写真の5視野中の粒子80個を無作為に選び、それらの一次粒子の長径と短径を測定し、短径を太さとし、長径を長さとし、長径/短径の値をアスペクト比として算出し、各々の条件を満たす一次粒子の割合を計算することにより求めることができる。第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体の組成は特に限定されないが、下記式[A]で表されるものが好ましい。M1aM2bM3cOdNe[A]式[A]中、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M3は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.008≦a≦0.030、bcde=14、0.72≦bc/de≦0.78の範囲の値である。上記式[A]において、aは、Euを必須とするM1元素のモル比を示し、通常0.001以上、好ましくは0.005以上、より好ましくは0.0075以上、さらに好ましくは0.01以上であり、また、通常0.03以下、好ましくは0.025以下、より好ましくは0.02以下、さらに好ましくは0.015以下である。aの値が大きすぎると濃度消光が起こり、輝度が低下する傾向にあり、小さすぎると吸収効率が低下する傾向にあり、それに伴い、輝度が低下する傾向にある。上記式[A]に記載の各構成元素は、本発明の効果に影響を与えない範囲内で、Ge、Ti、Zr、Hf、B、Ga、In、Cl、F等の他の元素によって置換されていてもよい。また、Si、Al、O、N、Euの各構成元素の他に、本発明の効果に影響を与えない範囲内で不可避的に混入してしまう不純物元素を含んでいてもよい。また、上記式[A]において、M1はEu単独が好ましい。M2全量に対するAlの割合は、好ましくは85モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。M3全量に対するSiの割合は、好ましくは90モル以上、より好ましくは95モル以上である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.005≦a≦0.025、bcde=14、0.725≦bc/de≦0.775の条件を満たす値が好ましく、0.0075≦a≦0.020、bcde=14、0.730≦bc/de≦0.770の条件を満たす値がより好ましく、0.010≦a≦0.015、bcde=14、0.740≦bc/de≦0.760の条件を満たす値がさらに好ましい。さらに、第1の蛍光体であるβ型サイアロン蛍光体は、好ましくはβ型Si3N4構造を有し、上記のとおりEuを必須元素として含むものである。ここで、Euの含有量濃度は、通常0.4質量以上、好ましくは0.5質量以上、好ましくは0.55質量以上であり、また通常0.8質量以下、好ましくは0.7質量以下、より好ましくは0.65質量以下である。Eu濃度をこれらの範囲とすることにより、緑色の発光輝度を向上させることができる。上記第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体としては、如何なる方法で製造されたものも用いることができるが、例えば特願2011-118061号明細書に記載されている方法、具体的には、元素組成が上記式[A]を満たすように調整された蛍光体原料を、SiO2存在下で焼成することにより得られるものが特に好ましい。以下、この製造方法について、さらに詳細に説明する。蛍光体原料としては、通常は金属化合物を用いる。すなわち、金属化合物を所定の組成となるように秤量し、混合した後に焼成することにより製造する。例えば、上記式[A]で表わされる蛍光体を製造する場合、Euを必須とするM1元素の原料以下適宜Eu源という、Alを必須とするM2元素の原料以下適宜Al源という、Siを必須とするM3元素の原料以下適宜Si源というから必要な組み合わせを混合し混合工程、得られた混合物を焼成し焼成工程、必要に応じて得られた焼成物を洗浄する洗浄工程ことにより製造する。この製造方法は、特に、前記焼成工程において、蛍光体原料混合物をSiO2存在下で焼成することを特徴とするものである。使用される蛍光体原料としては、公知のものを用いることができ、例えば、窒化ケイ素Si3N4と窒化アルミニウムAlNと酸化ケイ素SiO2及び/又は酸化アルミニウムAl2O3と、更にはEuの金属、酸化物、炭酸塩、塩化物、フッ化物、窒化物又は酸窒化物から選ばれるEu化合物を用いることができる。なお、前記式[A]におけるO酸素やN窒素は、Si源、Al源、Eu源から供給されてもよいし、N窒素は、焼成雰囲気から供給されてもよい。また、各原料には、不可避的不純物が含まれていてもよい。本発明の製造方法においては、通常、目的組成が得られるように蛍光体原料を秤量し、ボールミル等を用いて充分に混合し、蛍光体原料混合物を得る混合工程。上記混合手法としては、特に限定はされないが、具体的には、下記a及びbの手法が挙げられる。a例えばハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機、又は、乳鉢と乳棒等を用いる粉砕と、例えばリボンブレンダー、V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等の混合機、又は、乳鉢と乳棒を用いる混合とを組み合わせ、前述の蛍光体原料を粉砕混合する乾式混合法。b前述の蛍光体原料に水等の溶媒又は分散媒を加え、例えば粉砕機、乳鉢と乳棒、又は蒸発皿と撹拌棒等を用いて混合し、溶液又はスラリーの状態とした上で、噴霧乾燥、加熱乾燥、又は自然乾燥等により乾燥させる湿式混合法。蛍光体原料の混合は、上記湿式混合法又は乾式混合法のいずれでもよいが、水分による蛍光体原料の汚染を避けるために、乾式混合法や非水溶性溶媒を使った湿式混合法がより好ましい。混合工程で得られた原料の混合物を焼成する焼成工程。通常、上述の蛍光体原料混合物を、必要に応じて乾燥後、少なくとも当該原料が接する面が窒化ホウ素からなる坩堝等の容器内に充填し、焼成炉、加圧炉等を用いて焼成を行なう。ここで、この焼成工程では、SiO2の存在下で焼成を1回以上行なうことが必要である。例えば、SiO2の存在下で焼成を行なった後に、SiO2が存在しない条件下で焼成を行なってもよい。蛍光体原料を焼成する際に、SiO2が存在すればよく、前記混合工程において蛍光体原料と共にSiO2を混合してもよいし、焼成工程においてSiO2を添加してもよい。この製造方法で用いるSiO2の種類としては、特に制限はないが、例えば、球状微粒子シリカを使用することができる。また、不純物の少ないSiO2を用いることが好ましく、例えば、Fe含有量が10ppm以下のものを用いることが好ましい。SiO2の粒径としては、通常200nm以上、好ましくは500nm以上、より好ましくは1μm以上であり、また、通常10μm以下、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。粒径が大きすぎると、粒子成長を促す効果が全体へ行き届かず、粒子のばらつきが大きく、輝度が低下する傾向にある。p小さすぎると、SiO2同士が凝集してしまい、作業性が低下する傾向にあり、さらに、粒子成長を促進する効果が全体へ行き届かず、粒子の大きさのばらつきが大きく、輝度が低下する傾向にある。また、SiO2の添加量は、焼成物全体蛍光体原料と、SiO2との合計に対し、通常0.01質量以上、好ましくは0.1質量以上、より好ましくは0.2質量以上であり、また、通常2.8質量以下、好ましくは2質量以下、より好ましくは1.2質量以下、さらに好ましくは0.8質量以下、最も好ましくは0.4質量以下である。添加量が多すぎると、焼結が進みすぎて溶融したり、蛍光体の凝集が激しくなったりする傾向にあり、LED用の蛍光体粉体として使いにくくなる可能性があり、少なすぎると粒子成長を促す効果が全体へ行き届かず、粒子の大きさのばらつきが大きくなり、輝度が低下する傾向にある。このようにSiO2の存在下で焼成を行なうと、焼成工程における蛍光体の各構成元素の移動が円滑となり、蛍光体の粒子成長が促進され、蛍光体の一次粒子の太さが太くなる傾向にあり、これにより、蛍光体の吸収効率が向上し、輝度が向上するものと考えられる。さらに、焼成工程において、特に付活元素であるEuの移動が円滑となるので、付活元素が蛍光体粒子内に均質に分散することを促し、付活元素の偏析による濃度消光を抑え、蛍光体の内部量子効率を向上することによって輝度を向上させることができるものと考えられる。このように焼成工程における蛍光体の構成元素の移動が円滑となることから、より低温、より短時間で同等以上の特性の蛍光体を製造することができる。この製造方法は、産業的利便性が高い上に、環境負荷を軽減しながら高輝度の蛍光体を提供することができる。焼成温度については、所望する蛍光体の組成により異なるので、一概に規定できないが、一般的には1800°C以上2200°C以下の温度範囲で、安定して蛍光体が得られる。加熱温度が1800°C以上であればEuがβ型サイアロン結晶中に入り込むことができ、充分な輝度を有する蛍光体が得られる。また、加熱温度が2200°C以下であれば、非常に高い窒素圧力をかけてβ型サイアロンの分解を抑制する必要がなく、その為に特殊な装置を必要とすることもないので工業的に好ましい。焼成温度としては、1820°C以上が好ましく、1900°C以上がより好ましく、また、2150°C以下が好ましく、2100°C以下がより好ましい。焼成工程における焼成雰囲気は、本発明の蛍光体が得られる限り任意であるが、通常は、窒素含有雰囲気である。具体的には、窒素雰囲気、水素含有窒素雰囲気が挙げられ、中でも窒素雰囲気が好ましい。なお、焼成雰囲気の酸素含有量は、通常10ppm以下、好ましくは5ppm以下にするとよい。また、昇温速度は、通常2°C/分以上、好ましくは3°C/分以上、また、通常10°C/分以下、好ましくは5°C/分以下である。昇温速度がこの範囲を下回ると、焼成時間が長くなる可能性がある。また、昇温速度がこの範囲を上回ると、焼成装置、容器等が破損する場合がある。焼成時間は、焼成時の温度や圧力等によっても異なるが、通常10分間以上、好ましくは1時間以上、また、通常24時間以下、好ましくは16時間以下、さらに好ましくは12時間以下である。焼成時の圧力は、焼成温度等によっても異なるが、通常0.1MPa絶対圧、以下同様以上、好ましくは0.5MPa以上であり、また、上限としては、通常2MPa以下、好ましくは1.5MPa以下である。このうち、工業的には0.6MPa~1.2MPa程度がコスト及び手間の点で簡便であり好ましい。得られる焼成物は、粒状又は塊状となる。これを解砕、粉砕及び/又は分級操作を組み合わせて所定のサイズの粉末にする。ここでは、質量メジアン径D50が約30μm以下、好ましくは28μm以下になる様に処理すればよい。具体的な処理の例としては、合成物を目開き45μm程度の篩分級処理し、篩を通過した粉末を次工程に回す方法、或いは合成物をボールミルや振動ミル、ジェットミル等の一般的な粉砕機を使用して所定の粒度に粉砕する方法が挙げられる。後者の方法において、過度の粉砕は、光を散乱しやすい微粒子を生成するだけでなく、粒子表面に結晶欠陥を生成し、発光効率の低下を引き起こす可能性がある。焼成工程で得られた蛍光体を、さらに焼成温度より低い温度で熱処理することが好ましい熱処理工程。これにより酸窒化物の不純物相を熱分解させることができる。適切な熱処理温度は、雰囲気等によっても異なるが、1200°C以上1550°C以下の温度範囲が好ましい。1200°C以上で不純物相の分解が進行する傾向にあり、1550°C以下でβ型サイアロンの急激な分解が抑制できる。熱処理の雰囲気としては、窒素雰囲気、水素含有窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、水素含有アルゴン雰囲気、真空雰囲気等が挙げられ、アルゴン雰囲気が好ましい。熱処理時の圧力は、熱処理温度等によっても異なるが、通常0.05MPa以上、好ましくは0.09MPa以上であり、また、上限としては、通常1MPa以下、好ましくは0.5MPa以下である。このうち、工業的には0.09MPa~0.2MPa程度がコスト及び手間の点で簡便であり好ましい。熱処理時間は、熱処理時の温度や圧力等によっても異なるが、通常10分間以上、好ましくは1時間以上、また、通常24時間以下、好ましくは12時間以下である。尚、焼成工程と熱処理工程とは、上述の焼成工程における加熱後の冷却時に連続して行っても構わないが、焼成物を所定の粒度まで調整した後に、熱処理を行った方が効果的である。これは、焼成時に形成させる結晶欠陥だけではなく、解砕や粉砕時に形成させる結晶欠陥も取り除くことができるからである。一般的に、β型サイアロン蛍光体は、焼成工程や熱処理工程において、熱分解により蛍光体表面にSi金属が生成する傾向にある。蛍光体の特性向上のためには、このSi金属をできる限り除去する必要がある。本発明においては、不純物を除去することができれば洗浄方法に特に制限はない。例えば、フッ化水素酸と硝酸とを用いて洗浄することができるが、安全性、環境負荷等を考慮する場合は、i20°Cにおいて固体であり、かつ、20°Cにおける溶解度が0.01g/水100ml以上、400g/水100ml以下であるフッ化物の水溶液Aと、ii硝酸、硫酸、塩酸、シュウ酸、及びリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む水溶液Bとを用いて洗浄するとよい洗浄工程。即ち、洗浄工程に用いる混酸の成分として、従来、フッ化水素酸と硝酸が使用されていたが、本発明においては、急性毒性物質であるフッ化水素酸の使用量を減らすため、例えば、フッ化ナトリウム融点が993°Cの安定な固体である。の水溶液と硝酸とを用いることが好ましい。これにより、前記Si金属を含む不純物を安全に、かつ、効率よく除去することができ、さらに、洗浄工程における歩留まりも向上させることができるので産業的利便性が向上する。本発明で用いる水溶液Aは、フッ化水素酸に比べ、人体に対して安全であり環境に対する負担が小さく、保管運搬などの作業工程においても取扱が容易である。前記水溶液Aに用いられるフッ化物の20°Cにおける溶解度は、通常0.01g/水100ml以上、好ましくは0.1g/水100ml以上であり、より好ましくは0.5g/水100ml以上であり、また、通常400g/水100ml以下、好ましくは100g/水100ml以下である。常温で固体であるがゆえに、取り扱い性、作業性が良好であり、安全に製造作業を行うことができる。また、このようなフッ化物を含む水溶液Aは、Si、SiO2などの不純物について腐食性を示すので、単独でもこれらの化合物を除去することができるが、Si、SiO2などの不純物が、酸窒化物の不純物相で皮膜されている場合には、前記の水溶液A単独では除去することが難しい傾向にあるため、硝酸、硫酸、塩酸、シュウ酸、及びリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む水溶液Bを併用することで、酸窒化物の不純物相を除去し、Si、SiO2などの不純物も効率よく除去することができる。上記フッ化物を具体的に例示すれば、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、NH4F、NaHF2、KHF2、RbHF2、NH5F2、AlF3、ZnF24H2O、ZrF4、Na2TiF6、K2TiF6、NH42TiF6、Na2SiF6、K2SiF6、ZnSiF66H2O、MgSiF66H2O、Na2ZrF6、K2ZrF6、NH42ZrF6、KBF4、NH4BF4、MgBF426H2O、KPF6、K3AlF6、Na3AlF6、SrF2等が挙げられる。例示した中でも、溶解度が適度高く、潮解性が低いことから、NaFが好ましい。また、前記水溶液Bとして用いることができる酸としては、フッ化水素酸以外の無機酸であり、具体的には、硝酸、硫酸、塩酸、シュウ酸、およびリン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種以下、これらの酸を水溶液Bの無機酸と称する。である。中でも、酸化力が高いことから、硝酸が好ましい。水溶液Bの無機酸の濃度としては、水溶液Aと水溶液Bとの合計量に対し、合計で通常10質量以上、好ましくは15質量以上、より好ましくは20質量以上であり、通常70質量以下である。水溶液Aと水溶液Bとの合計量に対する、水溶液Bの無機酸の濃度が前記範囲となれば、水溶液Bにおける水溶液Bの無機酸の濃度に特に制限はなく、例えば、希硝酸でも濃硝酸でも用いることができる。水溶液Aと水溶液Bとの組み合わせとしては、NaFと硝酸との組み合わせが好ましい。これらの混合水溶液による溶解処理は、速やかにSiを除去して蛍光体の特性を向上することができるとともに、環境負担を減らしながら、作業性、産業的利便性が向上させることができる。洗浄工程においては、焼成工程で得られた蛍光体を、水溶液Aと水溶液Bとの混合液に浸漬することにより行われる。この際、水溶液Aと水溶液Bとを合わせることができればその混合方法に特に制限はなく、水溶液Aに水溶液Bを加えても、水溶液Bに水溶液Aを加えてもよい。ここで、浸漬している間、静置することにしても構わないが、作業効率の観点から、洗浄時間を短縮することができる程度に攪拌することが好ましい。また、通常、室温で作業を行うが、必要に応じて水溶液を加熱してもよい。蛍光体を、水溶液Aと水溶液Bとの混合液に浸漬する時間は、攪拌条件等によっても異なるが、通常1時間以上、好ましくは2時間以上であり、また、通常24時間以下、好ましくは12時間以下である。上記のとおり、水溶液A及び水溶液Bを用いる洗浄工程を設けることにより、蛍光体製造時の安全性を向上させることができる。そのため、上記方法により得られる蛍光体には、水溶液Aに用いたフッ化物が含有する金属元素例えば、Na等のアルカリ金属元素を1ppm以上含有することがある。また、上記方法により得られる蛍光体は、フッ素を含有していてもよく、具体的なフッ素含有量は、通常1ppm以上、好ましくは5ppm以上、また、通常10ppm以下である。洗浄工程において、水溶液Aと水溶液Bとの混合液に蛍光体を浸漬する作業を行った後、一般的な水洗、ろ過を行うことが好ましい。水洗における洗浄媒としては、通常、室温25°C程度の水を用いるが、必要に応じて加熱してもよい。上述した蛍光体の水洗は、例えば、当該蛍光体の10質量倍の水中で所定時間、例えば10分間撹拌して分散させた後、1時間静置することにより、水よりも比重の重い蛍光体粒子を自然沈降させることにより行えばよい。このときの上澄み液の電気伝導度を測定し、その電気伝導度が通常100μS/cm以下、好ましくは50μS/cm以下、最も好ましくは10μS/cm以下となるまで、必要に応じて上述の洗浄操作を繰り返す。この蛍光体の水分散試験に用いられる水としては、特に制限はないが、洗浄媒の水と同様に脱塩水又は蒸留水が好ましく、特に電気伝導度は、通常0.01μS/cm以上、好ましくは0.1μS/m以上、また、通常10μS/cm以下、好ましくは1μS/cm以下である。また、上記蛍光体の水分散試験に用いられる水の温度は、通常、室温25°C程度である。このような洗浄を行うことにより得られる蛍光体は、これを質量比で10倍の水に分散後、1時間静置して得られる上澄み液の電気伝導度が通常10μS/cm以下である。なお、上記蛍光体の水分散試験における上澄み液の電気伝導度の測定は、株式会社堀場製作所社製、電気伝導度計ES-12等を用いて行うことができる。また、上記洗浄工程後は、蛍光体を付着水分がなくなるまで乾燥させて、使用に供する。また、さらに、必要に応じて、凝集をほぐすために分散分級処理を行ってもよい。かくして得られる蛍光体について、さらに必要に応じて、分散分級処理により行うことにより、所望の質量メジアン径D50をもつ第1の蛍光体を得ることができる。分散分級処理は、それ自体既知の通常用いられる方法で行えばよい。例えば、蛍光体原粉を、適当な容量の容器に入れ、水を加えた後に、蛍光体原粉が液中で分散するまで分散剤を添加し、よく攪拌してから、室温にて、所定時間静置して上澄み液を廃棄し微細な粒子を除去し、この操作を繰り返す。静置時間を変えることにより、質量メジアン径の異なる蛍光体を得ることができる。また、分散剤は、分散分級処理に通常用いられるものを用いればよい。<第2の蛍光体>第2の蛍光体は、質量メジアン径D50が8μm以上15μm以下であり、かつ、500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有する蛍光体である。第2の蛍光体の質量メジアン径D50の下限は、通常8μm以上であるが、好ましくは9μm以上、より好ましくは10μm以上、さらに好ましくは11μm以上である。また、上限は、通常15μm以下であるが、好ましくは14μm以下、より好ましくは13μm以下、さらに好ましくは12μm以下である。第2の蛍光体をこの範囲の粒径として、上記した質量メジアン径D50をもつ第1の蛍光体と組合せて発光装置に用いることにより、発光効率を向上させ、発光装置を高輝度化させることができる。粒径が小さすぎると、発光装置の上部に細かい粒子が分布し、光散乱を起こすので、発光の取り出し効率が下がり、発光装置の変換効率が下がる傾向がある。一方、大きすぎると、発光装置の下部に沈み、青色半導体発光素子からの光を吸収しなくなるので、十分な光変換を行うために第2蛍光体の使用量を増やさなければならなくなる傾向がある。また、第2の蛍光体は、500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有するものであり、好ましくは600nm以上660nm以下の波長範囲に発光ピーク波長を有するもの、すなわち橙~赤色に発光する蛍光体である。さらに、第2の蛍光体は、好ましくは波長400~480nmにおける最大励起強度に対する波長510~560nmにおける励起強度の比が0.4以上0.9以下であるものである。波長400~480nmにおける最大励起強度に対する波長510~560nmにおける励起強度の比が0.9以上のときは、第1の蛍光体からの発光を吸収して赤色に変換される量が大きく、発光装置の変換効率が下がる傾向がある。一方、0.4以下のときは、発光装置の下部に沈殿し、半導体発光素子からの青色を直接吸収できず、第1の蛍光体からの発光を吸収して赤色に変換する第2の蛍光体からの赤色が減少し、色度を合わせるために、赤色の蛍光体の使用量が増える傾向がある。第2の蛍光体は、上記した特定の粒径と励起帯をもつものであれば、その組成は特に限定されないが、下記式[B]、[C]または[D]で表される組成を有するものが好ましい。M1aM2bM3cM4dNeOf[B]式[B]中、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.00001≦a≦0.15、ab=1、0.5≦c≦1.5、0.5≦d≦1.5、2.5≦e≦3.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。上記式[B]において、M1はEu単独が好ましい。M2はCa及びSrを必須元素として含むものが好ましく、M2全量に対するCa及びSrの割合は、Ca及びSrの合計量として、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。また、M2全量に対するSrの割合は、好ましくは50モル以上、より好ましくは60モル以上、さらに好ましくは70モル以上である。M3全量に対するはAlの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。M4全量に対するSiの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.002≦a≦0.13、ab=1、0.6≦c≦1.4、0.6≦d≦1.4、2.6≦e≦3.4、0≦f≦0.4の範囲の好ましく、0.004≦a≦0.12、ab=1、0.7≦c≦1.3、0.7≦d≦1.3、2.7≦e≦3.3、0≦f≦0.3の範囲の値がより好ましく、0.006≦a≦0.10、ab=1、0.8≦c≦1.2、0.8≦d≦1.2、2.8≦e≦3.2、0≦f≦0.2の範囲の値がさらに好ましい。上記式[B]で表される組成を有する蛍光体は、例えば、特許第3837588号公報等に記載されている500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有するそれ自体既知の蛍光体である。M1aM2bM3cM4dNeOf[C]式[C]中、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.0001≦a≦0.2、ab=2、0≦c≦0.5、4.5≦d≦5.5、7.5≦e≦8.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。上記式[C]において、M1はEu単独が好ましい。M2はCa及びSrを必須元素として含むものが好ましく、M2全量に対するCa及びSrの割合は、Ca及びSrの合計量として、好ましくは80モル以上、より好ましくは85モル以上、さらに好ましくは90モル以上である。また、M2全量に対するSrの割合は、好ましくは50モル以上、より好ましくは60モル以上、さらに好ましくは70モル以上である。M3全量に対するはAlの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。M4全量に対するSiの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.002≦a≦0.18、ab=2、0≦c≦0.4、4.6≦d≦5.4、7.6≦e≦8.4、0≦f≦0.4の範囲の好ましく、0.004≦a≦0.16、ab=2、0≦c≦0.3、4.7≦d≦5.3、7.7≦e≦8.3、0≦f≦0.3の範囲の値がより好ましく、0.006≦a≦0.14、ab=2、0≦c≦0.2、4.8≦d≦5.2、7.8≦e≦8.2、0≦f≦0.2の範囲の値がさらに好ましい。上記式[C]で表される組成を有する蛍光体は、例えば、国際公開第2004-055910号パンフレット、特許第467348号公報、JournalofAlloysandCompounds4172006273~279等に記載されている500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有するそれ自体既知の蛍光体である。M1aM2bM3cM4dNeOf[D]式[D]中、M1は、Euを必須とするCr、Mn、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbよりなる群から選ばれる1種以上の元素であり、M2は、Ca及び/又はSrを必須とする2価の金属元素であり、M3は、Alを必須とする3価の金属元素であり、M4は、Siを必須とする4価の金属元素である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.0001≦a≦0.15、ab=1、0.5≦c≦1.5、3.5≦d≦4.5、6.5≦e≦7.5、0≦f≦0.5の範囲の値である。上記式[D]において、M1はEu単独が好ましい。M2はCa及びSrを必須元素として含むものが好ましく、M2全量に対するCa及びSrの割合は、Ca及びSrの合計量として、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。また、M2全量に対するSrの割合は、好ましくは50モル以上、より好ましくは60モル以上、さらに好ましくは70モル以上である。M3全量に対するはAlの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。M4全量に対するSiの割合は、好ましくは80モル以上、より好ましくは90モル以上、さらに好ましくは95モル以上である。a、b、c、d、e、fは、それぞれ、0.002≦a≦0.13、ab=1、0.6≦c≦1.4、3.6≦d≦4.4、6.6≦e≦7.4、0≦f≦0.4の範囲の好ましく、0.004≦a≦0.12、ab=1、0.7≦c≦1.3、3.7≦d≦4.3、6.7≦e≦7.3、0≦f≦0.3の範囲の値がより好ましく、0.006≦a≦0.10、ab=1、0.8≦c≦1.2、3.8≦d≦4.2、6.8≦e≦7.2、0≦f≦0.2の範囲の値がさらに好ましい。上記式[D]で表される組成を有する蛍光体は、例えば、国際公開第2008-096300号パンフレット等に記載されている500nm以上560nm以下の波長範囲に励起帯を有するそれ自体既知の蛍光体である。上記第2の蛍光体は、何れか一種を単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、本発明において、上記第1の蛍光体及び第2の蛍光体以外の他の蛍光体を、本発明の効果を損なわない範囲で併用することもできる。また、第2の蛍光体の質量メジアン径D50は、第1の蛍光体における方法と同様の方法で調整することができる。<発光装置およびその用途>本発明の発光装置は、第1の発光体と、該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する第2の発光体とを備え、該第2の発光体として、上記した第1の蛍光体と第2の蛍光体とを備えるものである。ここで、第1の発光体は励起光源である。本発明の発光装置おける他の構成は特に制限されず、公知の装置構成を任意にとることができる。この発光装置の発光スペクトルの色度座標がCIE座標のxは0.230以上0.285以下、yは0.200以上0.300以下である。本発明の発光装置における第1の発光体は、第2の発光体を励起する光を発光するものである。第1の発光体の発光ピーク波長は、第2の発光体の吸収波長と重複するものであれば、特に制限されず、幅広い発光波長領域の発光体を使用することができる。通常は、紫外領域から青色領域までの発光波長を有する発光体が使用される。第1の発光体の発光ピーク波長の具体的数値としては、通常200nm以上が望ましい。このうち、青色光を励起光として用いる場合には、通常420nm以上、好ましくは430nm以上、より好ましくは440nm以上、また、通常480nm以下、好ましくは470nm以下、より好ましくは460nm以下の発光ピーク波長を有する発光体を使用することが望ましい。一方、近紫外光を励起光として用いる場合には、通常300nm以上、好ましくは330nm以上、より好ましくは360nm以上、また、通常420nm以下、好ましくは410nm以下、より好ましくは400nm以下の発光ピーク波長を有する発光体を使用することが望ましい。第1の発光体としては、一般的には半導体発光素子が用いられ、具体的には発光ダイオードLEDやレーザーダイオードLD等が使用できる。その他、第1の発光体として使用できる発光体としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス発光素子、無機エレクトロルミネッセンス発光素子等が挙げられる。但し、第1の発光体として使用できるものは本明細書に例示されるものに限られない。中でも、第1の発光体としては、GaN系化合物半導体を使用したGaN系LEDやLDが好ましい。なぜなら、GaN系LEDやLDは、この領域の光を発するSiC系LED等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、20mAの電流負荷に対し、通常GaN系LEDやLDはSiC系の100倍以上の発光強度を有する。GaN系LEDやLDとしては、AlXGaYN発光層、GaN発光層又はInXGaYN発光層を有しているものが好ましい。中でも、発光強度が非常に高いことから、GaN系LEDとしては、InXGaYN発光層を有するものが特に好ましく、InXGaYN層とGaN層との多重量子井戸構造のものがさらに好ましい。なお、上記においてXYの値は通常0.8~1.2の範囲の値である。GaN系LEDにおいて、これら発光層にZnやSiをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。GaN系LEDはこれら発光層、p層、n層、電極、及び基板を基本構成要素としたものであり、発光層をn型とp型のAlXGaYN層、GaN層、又はInXGaYN層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが、発光効率が高くて好ましく、更にヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが、発光効率が更に高いため、より好ましい。なお、第1の発光体は、1個のみを用いてもよく、2個以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。本発明の発光装置における第2の発光体は、第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する発光体であり、少なくとも上述した第1の蛍光体β型サイアロン蛍光体と第2の蛍光体橙~赤色蛍光体を含有する。また、第2の発光体は、例えば、第1及び第2の蛍光体を封止材料中に分散させて構成される。封止材料や分散方法は、それ自体既知であり、例えば、国際公開第2009-099211号パンフレットに記載されている。本発明の発光装置の一例として、第1の発光体励起光源と、第1と第2の蛍光体を有する蛍光体含有部として構成された第2の発光体との位置関係を示す模式的斜視図を図1に示す。図1中の符号1は蛍光体含有部第2の発光体、符号2は励起光源第1の発光体としての面発光型GaN系LD、符号3は基板を表す。相互に接触した状態をつくるために、LD2と蛍光体含有部第2の発光体1とそれぞれ別個に作製し、それらの面同士を接着剤やその他の手段によって接触させてもよいし、LD2の発光面上に蛍光体含有部第2の発光体を製膜成型させてもよい。これらの結果、LD2と蛍光体含有部第2の発光体1とを接触した状態とすることができる。このような装置構成をとった場合には、励起光源第1の発光体からの光が蛍光体含有部第2の発光体の膜面で反射されて外にしみ出るという光量損失を避けることができるので、装置全体の発光効率を良くすることができる。図2aは、一般的に砲弾型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光源第1の発光体と蛍光体含有部第2の発光体とを有する発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。該発光装置4において、符号5はマウントリード、符号6はインナーリード、符号7は励起光源第1の発光体、符号8は蛍光体含有部、符号9は導電性ワイヤ、符号10はモールド部材をそれぞれ指す。また、図2bは、表面実装型と言われる形態の発光装置の代表例であり、励起光源第1の発光体と蛍光体含有部第2の発光体とを有する発光装置の一実施例を示す模式的断面図である。図中、符号22は励起光源第1の発光体、符号23は蛍光体含有部第2の発光体、符号24はフレーム、符号25は導電性ワイヤ、符号26及び符号27は電極をそれぞれ指す。本発明の発光装置の用途は特に制限されず、通常の発光装置が用いられる各種の分野に使用することが可能であるが、演色性が高い、及び色再現範囲が広いことから、中でも照明装置や画像表示装置の光源として、とりわけ好適に用いられる。本発明の発光装置を照明装置に適用する場合には、前述のような発光装置を公知の照明装置に適宜組み込んで用いればよい。例えば、図3に示されるような、前述の発光装置4図2aを組み込んだ面発光照明装置11を挙げることができる。図3は、照明装置の一実施形態を模式的に示す断面図である。この図3に示すように、該面発光照明装置は、内面を白色の平滑面等の光不透過性とした方形の保持ケース12の底面に、多数の発光装置13前述の発光装置4に相当を、その外側に発光装置13の駆動のための電源及び回路等図示せず。を設けて配置し、保持ケース12の蓋部に相当する箇所に、乳白色としたアクリル板等の拡散板14を発光の均一化のために固定してなる。そして、面発光照明装置11を駆動して、発光装置13の励起光源第1の発光体に電圧を印加することにより光を発光させ、その発光の一部を、蛍光体含有部第2の発光体としての蛍光体含有樹脂部における前記蛍光体が吸収し、可視光を発光し、一方、蛍光体に吸収されなかった青色光等との混色により演色性の高い発光が得られ、この光が拡散板14を透過して、図面上方に出射され、保持ケース12の拡散板14面内において均一な明るさの照明光が得られることとなる。本発明の発光装置を画像表示装置の光源特に液晶用バックライトなどとして用いる場合には、その画像表示装置の具体的構成に制限は無いが、カラーフィルターとともに用いることが好ましい。例えば、画像表示装置として、カラー液晶表示素子を利用したカラー画像表示装置とする場合は、上記発光装置をバックライトとし、液晶を利用した光シャッターと赤、緑、青の画素を有するカラーフィルターとを組み合わせることにより画像表示装置を形成することができる。このように、半導体発光素子と蛍光体を組み合わせた本発明の発光装置をカラーフィルターとともに用いて、画像表示装置にすることによって、小型で、消費電力が低く、高輝度で広い範囲の色再現性が得られる。以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例における諸種の製造条件や評価結果の値は、本発明の実施態様における上限または下限の好ましい値としての意味をもつものであり、好ましい範囲は前記した上限または下限の値と下記実施例の値または実施例同士の値との組合せで規定される範囲であってもよい。[測定方法]後述する実施例、比較例における蛍光体や発光装置の測定、評価は以下の手法により行った。<蛍光体の測定方法>発光スペクトル蛍光体の発光スペクトルは、室温25°Cにおいて、日立製作所社製蛍光分光光度計F-4500を用いて測定した。より具体的には、波長455nmの励起光を蛍光体に照射し、480nm以上800nm以下の波長範囲内の発光スペクトルを得た。図6に、発光装置の実施例、比較例に使用した第2蛍光体である赤色蛍光体の発光スペクトルを、図8に、製造例3の第1の蛍光体である緑色蛍光体の発光スペクトルを示す。励起スペクトル蛍光体の励起スペクトルは、室温25°Cにおいて、日立製作所社製蛍光分光光度計F-4500を用いて測定した。より具体的には、製造例で使用した第1の蛍光体と第2の蛍光体のそれぞれの発光波長に対して、300nm以上600nm以下の波長範囲内の励起光を蛍光体に照射し励起スペクトルを得た。図5に、発光装置の実施例、比較例に使用した第2の蛍光体である赤色蛍光体SrCaAlSiN3:Euの励起スペクトルを、図7に、製造例3の第1の蛍光体である緑色蛍光体の励起スペクトルを示す。また、表1に、前記赤色蛍光体の400~480nmにおける最大励起強度に対する510~560nmにおける励起強度を示す。表1より第2の蛍光体赤色蛍光体は第1の蛍光体緑色蛍光体の発光する波長範囲における励起強度が強く、第1の蛍光体緑色蛍光体からの発光が第2蛍光体赤色蛍光体に吸収されやすいことがわかる。相対輝度相対輝度は、上述の方法で得られた可視領域における発光スペクトルから励起波長域を除いた範囲で、JISZ8724に準拠して算出したXYZ表色系における刺激値Yから、同様に波長455nmの励起光で蛍光体を励起して得られた発光スペクトルから励起波長を除いた範囲で同様に求めた刺激値Yの値を算出し、製造例1で得られた蛍光体の値を100としたときの相対値以下、単に輝度と称する場合がある。として製造例1~5で得られた蛍光体の輝度を算出した。反射スペクトル反射スペクトルは、励起光源として150Wキセノンランプを、集光装置として積分球を、スペクトル測定装置として、大塚電子製MCPD7000マルチチャンネルスペクトル測定装置を使用した。まず、標準白板として、励起光に対してほぼ100の反射率Rを持つ物質、Labsphere製Spectralon波長450nmの励起光に対して99の反射率Rを持つ。に150Wキセノンランプを照射し、380nm以上780nm以下の波長範囲においてスペクトル測定装置を使用し、各波長の反射強度を測定し、パーソナルコンピューターによる感度補正等の信号処理を経て反射スペクトルを得た。次に、測定対象となる蛍光体試料を、測定精度が保たれるように、充分に表面を平滑にしてセルに詰め、同様の方法により各波長の反射強度を測定し、標準白板との反射強度の比率より試料の反射スペクトルを得た。得られた反射スペクトルから、770nmにおける反射率を求めた。質量メジアン径D50質量メジアン径D50を測定する前に、超音波分散器カイジョ社製を用いて周波数を19KHz、超音波の強さを25Wとし、120秒間、試料を超音波で分散させた。なお、分散液には、再凝集を防止するため界面活性剤を微量添加した。質量メジアン径D50は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置堀場製作所社製LA-300を使用して、質量基準粒度分布曲線を得たあと、積算値が50のときの粒径値として算出した。以下これを、D50と記載することがある。QD4分偏差QDは、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置で得た質量基準粒度分布曲線において、積算値が25の粒径値D25、及び75の時の粒径値D75を算出し、D75-D25/D75D25で表わされる値として算出した。<発光装置の測定方法>発光装置の青色半導体発光素子に20mAの電流を通電して発光させ、ファイバマルチチャンネル分光器オーシャンオプティクス社製USB2000積算波長範囲:200nm~1100nm、受光方式:積分球直径1.5インチを用いて、発光スペクトルを測定した。得られた発光スペクトルからCIE色度座標のxとy値と光束lmを求めた。前記白色発光装置の光束lmを、蛍光体含有液を入れる前の青色半導体発光素子に20mAの電流を通電した際の光出力Wで割ることによって発光装置の発光効率lm/Wを求めた。[蛍光体の製造例]蛍光体原料の混合宇部興産社製α型窒化ケイ素粉末SN-E10グレード、酸素含有量1.2質量、β相含有量4.5質量94.99質量、トクヤマ社製窒化アルミニウム粉末Eグレード、酸素含有量0.9質量3.6質量、信越化学工業社製酸化ユーロピウム粉末RUグレード1.06質量、アドマテック社製酸化ケイ素SO-E50.35質量を配合し、原料混合物1kgを得た。なお、アドマテック社製酸化ケイ素SO-E5の粒径は2.0μm、比表面積は2.2m2/g、Fe含有量は8ppmである。得られた原料混合物をよく混合し、目開き100μmのナイロン製篩に全通させ、蛍光体合成用の原料混合粉末を得た。蛍光体原粉の製造上述のようにして得られた原料混合粉末を直径10cm×高さ10cmの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器電気化学工業社製、N-1グレードに200g充填し、カーボンヒーターの電気炉で0.92MPaの加圧窒素雰囲気中、2000°Cで12時間の加熱処理を行った。その後、30分間かけて温度と圧力をそれぞれ1450°C、0.138MPaまで下げてから24時間保持した。大気圧になるまで自然冷却してから取り出した生成物は、緩く凝集した塊状であり、清浄なゴム手袋を着用した人手で軽くほぐして目開き48μmの篩を通した。これらの操作によって、180gの合成粉末を得た。得られた合成粉末60gを、直径60mm×高さ35mmの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器電気化学工業社製N-1グレードに充填し、管状炉で大気圧下、アルゴン雰囲気中、1450°Cで8時間の加熱処理を行った。得られた粉末は、焼結に伴う収縮はなく、加熱前とほとんど同じ性状であり、目開き48μmの篩を全て通過した。篩を通過した粉体58gに対して、フッ化ナトリウム14.5gを水522mlに溶解した水溶液と硝酸69質量232mlとの混合水溶液中で攪拌して、洗浄してから、汎用のろ紙を使ってろ過し、通常の水洗とろ過を繰り返してから150°Cで2時間乾燥して、蛍光体原粉を得た。なお、蛍光体原粉について粉末X線解析により、β型Si3N4構造を有するβ型サイアロンが得られていることを確認した。[製造例1]上述の蛍光体原粉を、水に分散させ、ジルコニアビーズと共にガラスポットに入れた。ガラスポットを、卓上型ボールミルV-1MLIrieShokai社製を用いて120rpmで8時間回転して、凝集をほぐした。次に、ジルコニアビーズを取り除いた。この工程で凝集をほぐした蛍光体原粉を、2000ml容量のポリビーカーに入れて底の面から水面まで5cmになるまで水を加えた後、蛍光体原粉が液中で分散するまで分散剤を添加した。よく攪拌してから、室温25°Cで54分間静置して上澄み液を廃棄し微細な粒子を除去した。さらに、この工程を2回繰り返すことによって、微細な粒子を除去した。その後、底の面から水面まで5cmに分散させた後、蛍光体粒子が液中で分散するまで分散剤を添加した。よく攪拌してから、室温25°Cで10分間静置して上澄み液をとり、ろ過を行った。さらに、この工程を2回繰り返すことによって、製造例1の蛍光体を4.1g得た。回収した蛍光体のD50は7μm、QDは0.29であった。[製造例2]製造例1に記載の操作を行った後、ビーカー内に残存している沈積蛍光体に水を加え、静置時間を4分30秒間にしたこと以外は、製造例1と同様にして製造例2の蛍光体を10.3g得た。回収した蛍光体のD50は9μm、QDは0.27であった。[製造例3]製造例2に記載の操作を行った後、ビーカー内に残存している沈積蛍光体に水を加え、静置時間を2分40秒間にしたこと以外は、製造例1と同様にして製造例3の蛍光体を8.0g得た。回収した蛍光体のD50は13μm、QDは0.27であった。[製造例4]製造例3に記載の操作を行った後、ビーカー内に残存している沈積蛍光体に水を加え、静置時間を30秒間にしたこと以外は、製造例3と同様にして製造例4の蛍光体を9.9g得た。回収した蛍光体のD50は19μm、QDは0.26であった。[製造例5]製造例4に記載の操作を行った後、ビーカー内に残存している沈積蛍光体をろ過して製造例4の蛍光体を2.5g得た。回収した蛍光体のD50は32μm、QDは0.32であった。製造例1~5で得られた蛍光体について、相対輝度、反射率、質量メジアン径D50および標準偏差QDを測定した結果を表2に示す。蛍光体の質量メジアン径D50が大きいほど輝度が高くなる傾向にあることがわかる。[発光装置の製造]青色半導体発光素子として、昭和電工社製の350μm角チップGU35R460Tをシリコーン樹脂ベースの透明ダイボンドペーストで、3528SMD型PPA樹脂パッケージの凹部の底の端子に接着した。第1の蛍光体として製造例1~5で製造した蛍光体を、第2の蛍光体として一般式SrCaAlSiN3:Euで表される三菱化学社製赤色蛍光体BR-102C発光波長630nm、質量メジアン径D509μm、封止材として信越化学工業社製SCR1011とを混合し、蛍光体含有液を製造した。各実施例および各比較例を製造する際に使用した第1の蛍光体、第2の蛍光体、封止材の含有量質量は、表3に示すとおりである。得られた蛍光体含有液を上述の青色半導体発光素子のPPA樹脂パッケージの凹部へ注液することによって、実施例1~3、および比較例1、2の白色発光装置を製造した。各実施例および各比較例の発光装置に、順電流20mAを通電させたときの白色発光装置の発光効率lm/wを測定した。比較例1の白色発光装置の発光効率lm/wを100としたときの各実施例および各比較例の白色発光装置の発光効率を表4に示す。なお、比較例1~2および実施例1~3の発光装置からの発光色は、CIE色度座標上のx,y値で、x=0.255±0.0025、y=0.215±0.0025の範囲内であった。"