"セラミック基板のうちの一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造方法であって、セラミック基板の表裏両面に金属層を形成し、その後、回路用の金属層ではない方の金属層の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位を、金属材料の吹き付けによる形成法によって所定の厚みに肉盛加工し、その後、該金属部位に、切り起こし法によってフィンを形成するフィン形成工程を含むことを特徴とする、放熱用フィン付き回路基板の製造方法。前記金属材料の吹き付けによる金属部位の形成法がコールドスプレーであることを特徴とする、請求項1に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法。前記金属材料の吹き付けによる金属部位の形成法が溶射であることを特徴とする、請求項1に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法。前記金属部位と前記金属層とが同一金属からなることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法。前記放熱用フィン形成用の金属部位の形成後、前記フィン形成工程に入る前に、回路用の金属層を、湿式エッチングにより所定の回路パターンに形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法。前記金属層が、アルニウム若しくは銅、又はこれらいずれかを主成分とする合金からなる金属板であり、前記セラミック基板の表裏両面にロウ付けされて形成されていることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法。上記の製法のうち、フィンを有するアルミニウム製の放熱部材を、セラミック基板にアルミ合金系のロウ材によりロウ付けするためには、両者の接合面間に一定の面圧例えば、0.2MPaをかける必要がある。このため、このようなロウ付け法ではフィンの先端に対して大きな荷重外力が作用する。一方、切り起こし法によって形成されるフィンは、放熱部材素材に刃物で切り込むことで、その面を所定の厚さで切り起こして塑性変形させることで形成されるものである。したがって、このようなフィンは、面に垂直に起立する形とはならず、通常、若干傾斜し、或いは若干カールした状態で立ち上がる状態で形成される。したがって、このような切り起こし法で薄く形成されたフィンを有する放熱部材をロウ付けする場合には、特に、フィンの高さが高く薄いほど、座屈等の変形を生じがちとなる。すなわち、切り起こし法によって、一方の面にフィンを形成してなる放熱部材をそのフィンの根元側のベース部基部の表面他方の面を、セラミック基板に接触させるようにし、その接合面間に面圧がかかるようにしてロウ付けする場合には、フィンの厚さの微小化や、その高さの高寸法化には自ずと限界がある。したがって、薄く高いフィンの付いた放熱部材をロウ付けしてなる放熱用フィン付き回路基板の製造には限界がある。また、このようにしてフィンを形成した放熱部材をセラミック基板にロウ付けする場合には、そのフィンがある分、放熱部材自体のかさ体積が大きいものとなる。したがって、接合炉ロウ付け炉は、その内部空間の大きいものが必要となるため、そのロウ付けにおける生産性ないし製造効率が悪くなり、コストアップを招いてしまうという問題もある。さらに、溶湯法により、セラミック基板に溶融したアルミニウムを接触させて、その冷却、固化後にフィン付きの放熱部材を同時に一体形成する技術では、薄くかつ面積の広いフィンや、高さ寸法の大きいフィンを微小ピッチで形成することは困難である。というのは、湯回り性溶融金属の流動性の問題や、形成したフィンを鋳型から抜くために付与すべき型抜き勾配等、鋳造法に起因する制約があるためである。しかも、溶湯法によってセラミック基板にフィン付き放熱部材を形成する場合、フィンが形成された面と反対側の面に、同時に回路用金属層部位を形成し、この金属層部位を、後でエッチングにより所定パターンの回路に形成するということは事実上困難である。そのエッチングのためには、鋳造されたフィンにもエッチングレジストを塗布する必要があるが、多数の凹凸であるフィンにレジストを塗布し、その後、除去することは極めて非効率的である。一方、回路用金属層部位の表面のみにエッチングレジストを塗布してパターン形成し、その面のみをエッチング溶液に晒すことも困難である。これらがその理由である。本発明は、放熱用フィン付き回路基板の製造方法における上記したような問題点に鑑みてなされたもので、ロウ付け時の圧力によるフィンの座屈等による変形や、製造効率の低下を招くことなく、薄く、高く、しかも、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、放熱用フィン付きセラミック回路基板を効率的に製造することのできる方法を提供することをその目的とする。上記の課題を解決するために請求項1に記載の発明は、セラミック基板のうちの一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造方法であって、セラミック基板の表裏両面に金属層を形成し、その後、回路用の金属層ではない方の金属層の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位を、金属材料の吹き付けによる形成法によって所定の厚みに肉盛加工し、その後、該金属部位に、切り起こし法によってフィンを形成するフィン形成工程を含むことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、前記金属材料の吹き付けによる金属部位の形成法がコールドスプレーであることを特徴とする、請求項1に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法である。請求項3に記載の発明は、前記金属材料の吹き付けによる金属部位の形成法が溶射であることを特徴とする、請求項1に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法である。請求項4に記載の発明は、前記金属部位と前記金属層とが同一金属からなることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法である。請求項5に記載の発明は、前記放熱用フィン形成用の金属部位の形成後、前記フィン形成工程に入る前に、回路用の金属層を、湿式エッチングにより所定の回路パターンに形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法である。請求項6に記載の発明は、前記金属層が、アルニウム若しくは銅、又はこれらいずれかを主成分とする合金からなる金属板であり、前記セラミック基板の表裏両面にロウ付けされて形成されていることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の放熱用フィン付き回路基板の製造方法である。本発明においては、セラミック基板に一体的に、コールドスプレー等の吹き付け法により形成された金属部位皮膜に、切り起こし法によりフィンを形成するものである。したがって、切り起こし可能な範囲で、薄く、高さのある多数のフィンフィン群を、微小ピッチで形成できるため、高い放熱性を確保できる。しかも、前記金属部位は、セラミック基板に形成されている金属層に、接合接着材を介することなく、吹き付け法により追加的に肉盛加工金属皮膜が形成されたものである。したがって、このような金属部位を切起こして形成したフィンは、それが形成されていた金属層との間で熱伝導性も高く保持される。これにより、本発明では熱伝導性及び放熱性に優れた放熱用フィン付き回路基板を効率的に得ることができる。すなわち、本発明によれば、従来のように事前に、別途、形成製造された、放熱用フィン付き部材多数のフィンが形成された放熱部材を、後で、ロウ付け等によりセラミック基板に接合するものでない。このため、ロウ付けにおける面圧をフィンで受けることによる座屈等の変形を考慮する必要がないから、薄く背の高い放熱性に優れたフィンを有する放熱用フィン付き回路基板を効率的に得ることができる。しかも、前記金属部位の厚みは、金属材料の吹き付けによるため任意の厚みに形成できる。そして、これに切起こし法を加えることで、フィンを形成するものであるため、溶湯法におけるような制約もなく、所望とする微小ピッチ、薄さ、高さ寸法のフィンを得ることができる。本発明において、金属材料の吹き付けによる金属部位皮膜の形成法は、コールドスプレー法、又は溶射が好ましいものとして挙げられる。このうち、コールドスプレーは、温度が室温以上、金属材料粉末の融点以下又は軟化温度以下である超音速の作動ガスにより、材料粉末の粒子を固相状態のまま基材に高速で衝突させて被膜を形成する被膜形成手段である。本発明では、この皮膜を所定厚さの金属部位となるまで、前記金属層の上に追加的に肉盛積層するものである。また、溶射は、周知のように、材料をなす金属粉末等の金属材料を瞬時に溶融して吹き付け、皮膜を形成する被膜形成法であり、本発明では、この皮膜形成法においても、所定厚さの金属部位となるまで、前記金属層の上に追加的に肉盛積層するものである。ここに、溶射溶射による皮膜の形成法には、フレーム溶射、高速フレーム溶射HVOF、電気式溶射アーク溶射やプラズマ溶射減圧プラズマ溶射LPPS大気プラズマ溶射のいずれでもよい。なお、このコールドスプレーは、前記したように、作動ガスを超音速流例示的には、400~1000m/sとし、この作動ガス中に搬送ガスによって搬送された原料粉末粒子径が0.5~100μmの原料粉末を投入してノズル先端より噴出させ、固相状態のまま基材に衝突させて皮膜を形成するものである。すなわち、コールドスプレー法は、微小な粒径の金属粉体粉末を超音速流で、熱溶融することなく固相状態のまま、吹き付け対象物であるセラミック基板上の前記金属層に吹き付けることで、皮膜を密着させ、金属部位を肉盛加工形成するものである。したがって、酸化や熱的影響を最小限に抑えることができる。また、緻密な金属部位皮膜の形成ができる。したがって、その後、フィンを切起こし形成する際においても、被削性における問題もなく、所望とする精度のフィンを容易に形成できるという効果が得られる。なお、前記金属部位と前記金属層とが同一金属からなるものとした場合には、前記金属部位が形成されている側では、金属層とであたかも1つの金属部位をなすようになる。さらに請求項5に記載の製造方法では、金属部位にエッチングレジストを塗布、形成する上での問題もない。このため、所定のパターンの回路用の金属層を湿式エッチングにより問題なく形成できる。すなわち、本製法によれば、半導体装置等の発熱体をセラミック基板の回路用の金属層に搭載する構成のパワーモジュール用の放熱モジュールを問題なく、効率的に製造できる。なお、この場合には、そのエッチングの後で、フィン形成側の金属部位におけるレジストを除去してから、その金属部位の面に、切り起こし法にてフィンを形成すればよい。すなわち、本発明によれば、半導体搭載用の放熱用フィン付き回路基板を問題なく効率よく製造できる。なお、セラミック基板は、絶縁性と熱伝導性に優れたものが好ましいといえ、したがって、その材質は、窒化アルミAlN、窒化珪素Si3N4、アルミナAl2O3が例示される。そして、前記金属層は、導電性、熱伝導性において、また、前記金属部位をなす金属は熱伝導性、放熱性、さらには被加工性被切削性において、それぞれ優れた材質のものを選択すればよい。これらを考慮すると、前記金属層及び前記金属部位は、アルミニウム、銅、又はこれらを主成分とする合金が好ましい材質といえる。また、本発明において、セラミック基板に形成する金属層は、金属板又は金属箔を接合することで形成するものに限定されるものではない。これら以外にもDBCや溶湯接合法など、公知のいずれの方法を用いて形成してもよい。ただし、金属板を接合するものでは、セラミック基板にメタライズを形成することなく、ロウ付けすることによるものが熱伝導性の点から好ましいといえる。以下、本発明の製法を具体化した実施の形態例実施例1について、図1~図4を参照しながら詳細に説明する。ただし、本例では、図1に示したような、多数の放熱用フィン41付きセラミック回路基板101を製造する場合で、そのフィン41の形成前の金属部位の吹き付けによる形成がコールドスプレーによる場合で説明する。本例では、図2-Aに示したように、セラミック基板10の表裏図示上下各面に、同一のアルミニウム板4Nのアルミニウム製の平板21,21を、例えば、ロウ付けにより接合する。これにより図2-Bに示したように、表裏両面にアルミニウム板21からなる金属層が形成されたセラミック基板セラミック回路基板仕掛品100bを得る。次に、一方図示上のアルミニウム板21の表面図示上面に、図2-Cに破線矢印で示したように、コールドスプレー法により、金属材料例えばアルミニウム粉末を常温にて超音速で、所定時間吹きつけ、その吹き付けられて潰された粉末を積層させる。これによって、図2-Dに示したように、アルミニウムからなる一定厚さ層状の金属部位皮膜40を、金属層であるアルミニウム板21の上に、追加的に肉盛、形成してなる回路基板仕掛品100dを得る。本例では、その後、図示下の回路用の金属層導電性金属層形成用のアルミニウム板21に、回路パターンを湿式エッチングにより形成する。その後、図2-Fに示したように、コールドスプレーによって形成したこの金属部位アルミニウム40の表面に、切り起こし法でフィン41を形成する。こうすることで、図1に示した放熱用フィン付き回路基板101を得る。次に、本例におけるこれらの工程の詳細についてより具体的に説明する。本例では、図2-Aに示したように、□30mm角正方形で、厚み、0.635mmのセラミック窒化アルミ基板10を、2枚のアルミニウム板□30mm角正方形で、厚さ、0.6mm21,21で挟んで、1枚の□30mm角の3層構造の積層板となるように重ねる。ただし、セラミック基板10と、各アルミニウム板21,21の間には、アルミニウム系のロウ材Al-Si系のロウ材箔。図示せずを介在させる。そして、これら3者の厚み方向に所定の面圧0.2MPaがかかるように治具ジグ等により加圧し、炉中でロウ付け温度630°Cに所定時間加熱して各面間をロウ付けする。これにより、図2-Bに示したように、セラミック基板10の各面に、0.6mm厚のアルミニウム板21からなる金属層が形成されたセラミック金属接合体3層構造の回路基板仕掛品100bが得られる。ここで、金属層は、表裏で同じ厚さのため、反りの発生が防止される。また、回路用の金属層の厚みが薄いと、搭載する半導体の発熱抵抗が大きくなるし、厚すぎるとエッチングの処理時間費用の問題がある。本例ではこれらを考慮してその厚みを0.6mmに設定している。とくに、後の湿式エッチングによる回路パターンの形成を考慮すると、金属層は、0.2~0.8mmの厚みとするのが好ましい。次に、必要な前処理を行った後、図2-Cに示したように、図示上のアルミニウム板21の表面に、コールドスプレーを所定時間施す。これにより、図2-Dに示したように、フィン形成用の金属部位アルミニウム皮膜40を所定厚さ例えば、2.0mm厚となるよう積層し、肉盛加工する。この結果、この仕掛品100dは、厚さが略3.835mm厚の4層構造のものとなる。ただし、本例では、アルミニウムをアルミニウム板21に吹きつけにより肉盛加工することで金属部位40を形成するものであるから、この金属部位40はアルミニウム板21とで、実質的には、2.6mm厚の1つのアルミニウム層となる。なお、本例では、図示上のアルミニウム板21の表面の全体に金属部位アルミニウム皮膜40を形成しているが、例えば、外周縁より一回り内側において金属部位を形成する場合には、それに応じたマスクを用いるなどして、不要箇所に金属部位が形成されないようにすればよい。なお、前処理としては、脱脂、表面皮膜形成面のブラスト処理、粗面化荒面化等である。また、形成された金属部位40の表面状態によっては、要すれば、その表面を機械加工仕上げ等により、所望とする表面粗度平坦度に仕上げておくと、後のよいフィンの切起こし加工が精度よくできる。次に、このようにして形成された仕掛品100dに対し、本例では、回路用の金属層形成用のアルミニウム板21側における、その各辺4辺の外縁端に沿って、所定幅例えば2mmで、アルミニウム板21の外周面が露出するようにエッチングレジストを塗布し、湿式エッチング処理をした図2-E参照。これにより、図2-Eに示したように、図示下のアルミニウム板21の各辺に沿って、幅2mmのセラミック部位絶縁部位12を露出させた。結果、そのアルミニウム板21が□26mm角の回路用の金属層回路用のパターンとなるようにした。これにより、その後、レジストを除去して回路用金属層を有する仕掛品100eを得た。次に、この回路用金属層を有する仕掛品100eにおける、フィン形成用の金属部位アルミニウム40に、図2-Fに示したようにフィン41を形成する。すなわち、この仕掛品100eを、フィンの切り起こし用の加工工程に回す。そこで、加工機切削機械により、コールドスプレーで形成したフィン形成用の2.0mm厚の金属部位アルミニウム40におけるその表面に、1辺に沿う形で、図3に示したように、刃物切削工具の切れ刃800を斜めに切り込ませ、切り起こし法により、順次、肉厚の薄いフィン41を微小ピッチで多数形成して、図1に示したような放熱用フィン付きセラミック回路基板101を得た。なお、このような切り起こし後のフィン41は、図3に示したようにカール形状を呈しており、例示すると、その肉厚T1は略0.2mmで、ピッチP1が0.6mm、そして高さH1が6mmである。そして、フィン41の根元セラミック基板10側から、セラミック基板までのアルミニウムの厚み平均厚さT2が0.8mm確保されるように加工した。すなわち、本例では、コールドスプレーによって形成された金属部位アルミニウム皮膜層40のうち、それが0.2mm厚残存するようにし、その0.2mm厚分、その基板面に沿う方向への熱伝達性を、元のアルミニウム板21の厚み0.6mmにおける場合より高めている。なお、フィン41は、2.0mm厚のフィン形成用の金属部位アルミニウム40の表面の全域に形成してもよいが、本例では、図4に示したように、アルミニウム板21における各辺4辺とも、外縁端に沿って所定幅幅2mmで、四角枠状の四角枠部35として残存させ、その枠の内側において、幅26mmのフィン41を多数形成した。このようにして製造された放熱用フィン付きセラミック回路基板101は、微小な肉厚T10.2mm、微小なピッチP10.6mm、しかも高さ寸法H1が6mmと、背の高い多数のフィン41を有する放熱効果に優れたものをなしている。なお、フィン41は、肉厚T1が、0.5mm以下、ピッチP1は、1.5mm以下で、高さ寸法H1が、3mm以上となるように切り起こすのが、放熱効果も高く好ましい。図1では、フィン41を直線状で斜めに立ち上がっている状態に簡略化して示している。上記したように本例では、フィン41を形成すべき部位をなす金属部位40を、セラミック基板10の片面に形成されたアルミニウム板21である金属層の上に、コールドスプレーで、追加的に積層、形成した後で、フィン41の切り起こし形成を行うものである。このため、従来のように、別途に、フィン付き放熱部材として形成、製造した放熱部材別部品を、セラミック基板にロウ付けするような場合のように、そのロウ付けにおける加圧過程で発生する、フィンの座屈の問題は全くない。したがって、薄く、背の高い放熱効果に優れたフィンを有する放熱用フィン付きセラミック回路基板101を問題なく得ることができる。また、フィン41を形成すべき部位をなす金属部位40は、セラミック基板10の両面に形成した金属層アルミニウム板21のうちの一方に、その金属層の形成後にコールドスプレーで形成している。また、セラミック基板10の両面に形成すべき金属層アルミニウム板の厚みは、ロウ付けによる場合、その接合後の熱応力によるセラミック基板10のそりの発生を抑制するため、両面と同じ厚みとすることが好ましい。一方、本発明では、セラミック基板10の両面の金属層の上に、後で、吹き付け法により金属部位を形成するものであるから、両面の金属層の形成段階においては、その両面の金属層の厚みを同一のものとして形成することに全く問題はない。このため、各面にアルミニウム板21をロウ付けで接合するとしても、各面における熱応力のアンバランスを招くことを防止できるため、基板に反りやクラックを発生させることも防止できる。なお本例では、上記もしたように、この周囲の各辺の外縁に沿って幅2mmのアルミニウム板部位からなる四角枠部35が残存している。これは、この四角枠部35を、冷媒流路に対する取り付け部として有効に利用することができるようにしたものである。例えば、このようなフィン41を水冷とする場合には、その水の流路における取り付け部位に対し、この四角枠部35を取り付け面とし、ここにリング状パッキンを介在させるなどして取り付けることで、高いシール性を保持することもできる。さらに、本例では、放熱用フィン付きセラミック回路基板101において、セラミック基板10の各面側におけるアルミニウムの実質的な厚みを上記したように、0.6mmと、0.8mmと略均一化している。このため、半導体を搭載した後の発熱に基づくヒートサイクルによるセラミック基板10の反りやクラックの発生防止も略図られている。したがって、パワーモジュールに好適な放熱モジュールとなすことができる。上記例では、アルミニウムで金属部位40を形成する場合を説明したが、吹き付け金属材料はアルミニウムに代えて銅を用いてもよい。この場合、基材をなす金属層は上記例におけるのと同様、アルミニウム板でもよいが、銅であってもよい。また、吹き付け金属材料は、アルミニウムや銅これらの合金を含む以外にも、ニッケル、鉄、タングステン、モリブデンなど、放熱用のフィンとしての熱伝達性、放熱性、さらにはその切起こし被加工性の観点から、適宜の材質のもので具体化できる。したがって、2種以上の金属、例えば銅モリブデン、銅タングステン等の金属複合材料2層構造等の複数構造の金属部位としてもよい。さらに、上記例ではセラミック基板10は、窒化アルミAlN製としたが、これは、窒化珪素、アルミナ等のセラミックを用いてもよいことなど、その材質に限定されないことは上記した通りである。なお、上記例では、コールドスプレー法によって皮膜である金属部位を、金属層の上に追加的に肉盛、形成し、その後、この金属部位においてフィンを切起こし法で形成する場合を説明したが、本発明では、この金属部位は、金属材料の吹き付けにより形成法であればよい。したがって、その形成は、コールドスプレーに代えて、溶射としてもよいし、その他の吹き付け形成法でもよく、例えば、エアロゾルデポジッションを用いることもできる。なお、溶射の場合には、金属材料溶射材が溶融した溶射粒子が、基板表面の金属層に衝突して凝固し密着することで皮膜が形成される。溶射法ではコールドスプレー法とは異なり溶融金属の吹きつけとなるが、溶射粒子が運ぶ熱量は小さいため、基板表面の金属層への入熱は小さい。したがって、溶湯法や溶接により、その金属層の上に金属部位を肉盛加工する場合に比べれば、熱的影響も比較的少ないし、その形成自体も容易である。ここで、コールドスプレー法について、その内容、特徴についてさらに説明する。コールドスプレー法は、溶射技術の1つとしても考えられるが、上記もしたように、吹き付け金属材料の融点または軟化温度よりも低い温度のガスを、超音速流にして、その流れの中に金属材料粒子微粉末を投入して、固相状態のまま基材に高速で衝突させて皮膜を積層、形成する技術である。すなわち、その特徴は、従来のプラズマ溶射法、フレーム溶射法、高速フレーム溶射法などに比べて、金属材料粒子を加熱、加速する作動ガスの温度は著しく低い。プラズマ溶射などは、10000°Cに近い高温の作動ガスが必要であるが、コールドスプレーの場合、常温~600°C程度の作動ガスでよい。このようにコールドスプレーでは、吹き付ける金属材料を溶射におけるような高温ではなく固相状態のまま基材へ高速で衝突させ、その衝突エネルギにより金属材料粒子を塑性変形させ、これを積層、堆積させて皮膜を形成するものである。そのため、他の溶射方法と違い、溶射材料の熱による酸化や変質を最小限にすることができる。前記したように、コールドスプレー法によって皮膜である前記金属部位を形成する場合には、溶射におけるような材料特性を変化させる問題もない上、緻密、高密度で、皮膜である前記金属部位を形成できるため、熱伝導率も高められる。しかも、積層、肉盛加工肉盛形成された後の金属部位は、靭性や剛性も高いものとなる。したがって、その形成後にフィンを切起こし形成する際にも、被削性加工性がよく、むしられなども発生させにくいことから、微細ピッチで、薄く背の高いフィンが高精度に形成できるという大きなメリットが得られる。なお、材料の酸化の影響をなくすため、作動ガスはアルゴン、ヘリウム、窒素等の不活性ガスを使用することが望ましい。本発明においてセラミック基板に金属層を形成する手段として、金属板をロウ付けする場合は、セラミック基板の表面にメタライズ層を形成してロウ付けしてもよいし、活性ロウによりロウ付けすることとしてもよい。セラミック基板がアルミナで、金属層をなす金属板がアルミニウム又はこれを主成分とする合金である場合には、アルミ系合金Al-Si合金ロウを用いて加圧下で直接ロウ付けしてもよい。また、セラミック基板が窒化珪素で、金属板が銅又はこれを主成分とする合金である場合には、活性ロウ例えば、Ag-Cu-Ti系合金を用いればよい。さらに、セラミックが窒化珪素又はアルミナで、金属が銅であれば、Ag-Cu-In-Ti,Ag-Cu-Ti,Cu-Sn-Tiなどの活性ロウを用いることもできる。また、セラミック基板がアルミナ製で、その表面に、金属層として、モリブデン、マンガン等のメタライズ層が同時焼成で形成されているものでは、銅製の金属板を銀ロウを用いて接合して、金属層を複数の層として形成してもよい。さらに、セラミック基板が窒化珪素製のものでは、金属層として、活性金属層をCVDやスパッタリングで形成しておいてもよい。すなわち、セラミック基板に形成する金属層が、金属板をロウ付けにより接合するものである場合には、セラミック基板と、その金属板との材質に応じ、ロウ付けに適するロウを用い、要すればメタライズ層をセラミック基板の表面に形成しておけばよい。"