有機電界効果デバイスを製造する方法であって、a溶液から有機半導体層を堆積させ;そしてb溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み、ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までであり、前記有機半導体層から前記低誘電率絶縁材料層の他方の側に、少なくとも1層の高誘電率絶縁材料を堆積させることをさらに含み、ここで前記高誘電率絶縁材料は比誘電率が前記低誘電率絶縁材料よりも高い、上記の方法。前記少なくとも1層の高誘電率絶縁材料が溶液から堆積される、請求項1に記載の方法。前記層の1つまたは2つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積される、請求項1又は2に記載の方法。前記層の1つまたは2つ以上が溶液からスピンコーティングによって堆積される、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。全ての工程が約100°C以下において遂行される、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の方法によって製造された有機電界効果デバイス。前記低誘電率絶縁材料の誘電率が1.3~2.5の範囲内、好ましくは1.5~2.1の範囲内である、請求項6に記載の有機電界効果デバイス。前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する、請求項6または7に記載の有機電界効果デバイス。前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する、請求項6または7に記載の有機電界効果デバイス。前記高誘電率絶縁材料が3.5超、好ましくは10超、さらに好ましくは20超で、200までの誘電率を有する、請求項6~9のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。前記高誘電率絶縁材料がポリフッ化ビニリデン、シアノプルアン、ポリビニルアルコールまたは他の高極性有機重合体を含む、請求項6~10のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。前記高誘電率絶縁材料がTiO2、Ta2O5、SrTiO3、Bi4Ti3O12、BaMgF4、チタン酸バリウムジルコニウム、チタン酸バリウムストロンチウムまたは他の高極性無機材料を含む、請求項6~10のいずれか1項に記載のOFETデバイス。前記低誘電率絶縁材料層の厚さが5nm~1μmの範囲内であり、そして少なくとも1つの高誘電率絶縁材料層の厚さが50nm~10μmの範囲内である、請求項6~12のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む、請求項6~13のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む、請求項14に記載の有機電界効果デバイス。前記低誘電率絶縁材料層がポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリ4-メチル-1-ペンテン、ポリイソプレン、ポリビニルシクロヘキサン、またはこれら材料の少なくとも1種の単量体単位を含む共重合体を含む、請求項14に記載の有機電界効果デバイス。前記低誘電率絶縁材料層がテトラフルオロエチレンとジオキシド類との共重合体を含む、請求項14に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層が10-5cm2V-1s-1より大きい移動度を有する、請求項6~17のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がポリアリールアミンを含む請求項18に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がn≧2の複数の繰返単位を有する単分散アリールアミン化合物を含んでいる、請求項19に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がアリールアミンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項18に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項18に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がチオフェンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、請求項18に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層が少なくとも2種の有機半導体種の複合材料を含む、請求項18に記載の有機電界効果デバイス。前記有機半導体層がバインダー重合体を含んでいる、請求項18に記載の有機電界効果デバイス。実施例本発明を、次に、次の特定の実施例を参照して説明する。半導体の製造実施例1この物質をPCTGB01/05145号明細書に記載される手順を用いて製造して黄色粉末7.8gを生成させた。Mw=3700。実施例2この物質をPCTGB01/05145号明細書に記載される手順を用いて製造してMw=700~Mw=10000の範囲にわたる一連の13画分を生成させた。実施例3この物質をWO99/32537号明細書に記載される手順を用いて製造してオフホワイトの固体20.2gを生成させた。Mw=3100。実施例4この物質をPCTGB01/05145号明細書に記載される手順を用いて製造してMw=17300のオレンジ色の固体を生成させた。電界効果移動度の測定材料の電界効果移動度を、JApplPhys、第75巻、7954頁1994年においてHolland等によって説明されている技術を用いて試験した。次の実施例において、試験用電界効果トランジスタは、Pt/Pdソース電極および同ドレイン電極が標準技術、例えばシャドウマスキング法でパターン化されたMelinex基板を用いることによって製造された。半導体を、1部を99部の溶媒、例えばトルエンに溶解し、それを上記基板上に1000rpmで20秒間スピンコートして~100nmの膜を与えた。この試料を、完全な乾燥を確実に達成するために、オーブン中に100°Cにおいて20分間入れておいた。次に、絶縁体材料の溶液を上記半導体上にスピンコートし、典型的には0.5~1μmの範囲内の厚さを与えた。この試料をもう一度100°Cのオーブン中に入れてその絶縁体から溶媒を蒸発させた。金ゲートコンタクトを、シャドーマスクを通しての蒸発によって上記デバイスチャンネル域全面に画成した。絶縁体層の容量を求めるために、非パターン化Pt/Pdベース層、FETデバイスについてのものと同じ方法で製造された絶縁体層、および既知の幾何形状を持つトップ電極topelectrodeより成る複数のデバイスを作成した。絶縁体の両側の金属に接続されているハンドヘルドマルチメーターを用いて容量を測定した。トランジスタの他の定義用パラメーターは、互いに対面しているドレイン電極およびソース電極の長さW=25mmおよびそれらの相互間距離であるL=100μm。トランジスタに印加される電圧はソース電極の電位に比例する。p型ゲート材料の場合、ゲートに負電位が印加されるとゲート絶縁体の他方の側における半導体中に正電荷キャリア正孔が蓄積される。nチャンネルFETでは、正電圧が印加される。これは蓄積モードと呼ばれる。ゲート絶縁体の容量/面積Ciは、かくして誘発された電荷の量を決める。負電位VDSがドレインに印加されるときは、蓄積キャリアは、主として蓄積キャリアの密度、そしてとりわけソース-ドレインチャンネル中におけるそれらの移動度に依存するソース-ドレイン電流IDSを生じさせる。ドレインおよびソースの電極配置、大きさおよび距離のような幾何形状的因子もその電流に影響を及ぼす。典型的には、ある一定範囲のゲートおよびドレイン電圧がデバイスの研究中にスキャンされる。ソース-ドレイン電流は方程式1:で記述される;但し、上記の式においてV0はオフセット電圧であり、そしてIΩはゲート電圧と無関係のオーミック電流であって、材料の有限の導電率に起因する。他のパラメーターは上記で説明された。電気的測定のために、トランジスタ試料を試料ホルダー中に取り付けた。ゲート、ドレインおよびソースの各電極にKarlSussPH100ミニチュアプローブヘッドを用いてマイクロプローブを接続させた。これらをHewlettPachard4155Bパラメーターアナライザーにつないだ。ドレイン電圧を-20Vに設定し、そしてゲート電圧を20Vから-40Vまで1Vステップでスキャンした。|VG|>|VDS|のとき、ソース-ドレイン電流はVGと共に直線的に変化する。かくして、電界効果移動度は方程式2:によって与えられるIDS対VGの勾配から計算することができる。下記において引用される全ての電界効果移動度は、外に述べられなければこのレジメから計算された。次の実施例は、OFETで用いられる発明のおよび従来技術のゲート絶縁体により得られた結果を説明するものである。色々なデバイスの性能が表1で適切な絶縁体の誘電率と共に比較されている。デバイスの作製および試験法は先の節で説明されるもので、外に述べられなければ全実施例について同じであった。実施例28-33は多層デバイス、即ち追加の絶縁体層を有するデバイスを述べるもので、その結果は下記の表2にまとめて示される。実施例5-6OFETを式12実施例5および式13実施例6の有機半導体を使用して作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop107M旭硝子株式会社、Z1700E01を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒Acros123800100との1:1混合物からスピンコートされた。これらのデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度は、VGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。得られた移動度は、次の実施例で得られた全ての移動度と共に表1に示される。実施例7OFETを式13のOSCを用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflonAF1600Aldrich社、469610を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC40溶媒Acros123760100との25:1混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度は、VGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。実施例8OFETを式14のOSCを用いたことを除いて実施例5に記載されるように作成および試験した。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。加えて、移動度はVGがVDよりも負が大きいときに印加ゲートバイアスにより変化しなかった。実施例9比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリメチルメタクリレートAldrich社、182265を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトンとの12.5:1混合物からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。実施例10比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリ-4-ビニル-フェノールAldrich社、436224を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はメタノール中の10:1重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。実施例11比較例OFETを、PCTGB01/05145号明細書に記載される熱酸化シリコン基板上の前もって画成されたソース電極およびドレイン電極上に式14のOSCを用いて作成した。その200nmのSiO2層はゲート絶縁体として役立った。このようなSiO2絶縁体は従来技術において広く用いられている。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアスに対する強い依存性を示した。実施例12OFETをOSCがアニソールから堆積されたことを除いて実施例6に記載されるように作成および試験した。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例13比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリシアノプルランCYMMSinEtsu社を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトン中10重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に強いヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアスに対する有意の依存性を示した。-40V~20Vと比較して20V~-40Vの方向でゲートに掛かる電圧をスキャンする間のスレッショルド電圧の差はおよそ5Vであった。実施例14比較例OFETを、OSCが絶縁体を堆積させる前にアセトンで洗浄されたことを除いて実施例13に記載されるように作成および試験した。本発明者は、アセトンに溶ける可能性のある全ての半導体重合体分を洗浄除去することによって、OSC層とCYMM絶縁体層との間における混ざり合いを低下させることを目指したのである。しかし、これは移動度を実施例13に比較して改善しなかった。実施例15OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチレンPIBAldrich社、181455を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はヘキサン中3重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例16OFETを式13のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチレンPIBAldrich社、181455を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はヘキサン中3重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例17OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率重合体であるポリイソブチルメタノールPIBMMAAldrich社、445762を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はイソプロパノール中10重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例18比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。極性重合体であるポリ4-ビニルフェノール-コ-メチルメタクリレートPVPMMAAldrich社、474576を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はエタノール中15重量/重量溶液からスピンコートされた。実施例19OFETを式14のOSCを用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflonAF2400Aldrich社、469629を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒との1.5重量/重量混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例20比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。重合体であるポリ塩化ビニルPVCAldrich社、189588を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は、ボトムゲート構造を形成するために、テトラクロロエタン中2.5重量/重量溶液からアルミニウム蒸着マイラー片上にスピンコートされた。式14のOSCは絶縁体の上面にスピンコートされ、そしてソース-ドレイン電極がシャドーマスクを通しての金の熱蒸発によって上記OSCの上面に堆積された。実施例21OFETをバインダー重合体であるポリα-メチルスチレンAldrich社、191841と3:1比重量:重量で混合された式14のOSCを使用して作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop809A旭硝子株式会社を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒との1:1混合物重量/重量からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例22比較例OFETを実施例20におけると同じ半導体/バインダー層によるが、従来技術のSiO2を絶縁体として用いて実施例10に記載されるように作成した。この半導体は実施例20におけるよりも低い移動度および強いヒストリシスをもたらした。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。実施例23OFETを式14のOSCを用いて実施例3に記載されるように作成および試験した。低誘電率フルオロポリマーであるCYTONIXPF2050CytonixCorpを用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75を溶媒として用いている14重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例24比較例OFETを式14のOSCを用いて作成した。高誘電率重合体であるポリビニルアルコールAldrich社、363612を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は水中4重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。実施例25OFETを式14のOSCを用いて実施例3に記載されるように作成および試験した。低誘電率重合体であるポリプロピレン-コ-1-ブテンAldrich社、431087を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体は重合体を溶解するために加温されたシクロヘキサン中の2重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例26OFETを式15の有機半導体を用いて作成した。低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop107M旭硝子株式会社、Z1700E01を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はFC75溶媒Acros123800100との1:1混合物からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例27比較例OFETを式15のOSCを用いて作成した。従来技術の極性重合体であるポリメチルメタクリレートAldrich社、182265を用いてゲート絶縁体を形成した。この絶縁体はアセトンとの12.5:1混合物からスピンコートされた。このデバイスはヒステリシス、および移動度の印加ゲートバイアス依存性を示した。実施例28OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop107M旭硝子株式会社、Z1700E01であった。これはFC75溶媒との1:1混合物からスピンコートされた。第二層のポリイソブチレンPIBAldrich社、181455はヘキサン中3重量/重量溶液からスピンコートされた。第三層のポリシアノプルランCYMMShinEtsu社はアセトン中5重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。この多層絶縁体の結果は表2にまとめて示される。実施例29OFETをアニソール中で式13のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は、ヘキサン中3重量/重量溶液からスピンされた低誘電率重合体のポリイソブチレンPIBAldrich社、181455であった。第二層のポリシアノプルランCYMMShinEtsu社はアセトン中10重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらしたが、PIB/CYMMスタックのより高い総容量に起因してPIB単独を用いるよりもはるかに高い電流を達成した。実施例30OFETを式13のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は、ヘキサン中1重量/重量溶液からスピンされた低誘電率重合体のポリプロピレンAldrich社、428183であった。第二層のポリシアノプルランCYMMShinEtsu社はアセトン中10重量/重量溶液からスピンコートされた。実施例31OFETを式14のOSCを用いて作成した。2層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop107M旭硝子株式会社、Z1700E01であった。これはFC75溶媒中1重量/重量溶液からスピンコートされた。この試料を空気プラズマに5分間付してその表面をさらに親水性にした。第二層のポリシアノプルランCYMMShinEtsu社はアセトン中10重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例32OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は低誘電率ペルフルオロポリマーであるCytop107M旭硝子株式会社、Z1700E01であった。これはFC75溶媒との1:1混合物からスピンコートされた。第二層のポリプロピレンPPAldrich社、428183はトルエン中飽和溶液からスピンコートされた。第三層のポリフッ化ビニリデンPVDFAldrich社、427152はNMPN-メチルピロリドン中5重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。実施例33OFETを式14のOSCを用いて作成した。3層の誘電体層を用いてゲート絶縁体を形成した。第一層OSCに隣接は低誘電率ペルフルオロポリマーであるTeflonAF1600Aldrich社、469610であった。これはFC75溶媒中3重量/重量溶液からスピンコートされた。第二層のポリプロピレンPPAldrich社、428183はトルエン中飽和溶液からスピンコートされた。第三層のポリフッ化ビニリデンPVDFAldrich社、427152はNMP中5重量/重量溶液からスピンコートされた。このデバイスは非常に低いヒステリシスとスレッショルド電圧をもたらした。移動度対誘電率のグラフ図3に示されるグラフは誘電体の誘電率に対する移動度の依存性を示す。これは、半導体のすぐ隣の絶縁体について1.1~3.0の誘電率を有する誘電体を選択することの好ましさを際だたせる。図4は、実施例12のOFETの、2つのドレイン電圧、即ちVd=2VおよびVd=20Vにおける伝達特性を説明している。図5は、図4の伝達曲線から方程式2に従って計算された移動度を説明している。この移動度の計算はVgがVdよりはるかに大きいとき正確である。この状態について移動度はゲート電圧と全く無関係であることが分かる。発明の態様1有機電界効果デバイスを製造する方法であって、a溶液から有機半導体層を堆積させ;そしてb溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み、ここで上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までである上記の方法。2有機半導体層から低誘電率絶縁材料層の他方の側に、少なくとも1層の高誘電率絶縁材料を堆積させることをさらに含み、ここで上記高誘電率絶縁材料は比誘電率が低誘電率絶縁材料よりも高い、1に記載の方法。3少なくとも1層の高誘電率絶縁材料が溶液から堆積される、2に記載の方法。4層の1つまたは2つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積される、1~3のいずれか1項に記載の方法。5層の1つまたは2つ以上が溶液からスピンコーティングによって堆積される、1~4のいずれか1項に記載の方法。6全ての工程が約100°C以下において遂行される、1~5のいずれか1項に記載の方法。71~6のいずれか1項に記載の方法によって製造された有機電界効果デバイス。8低誘電率絶縁材料の誘電率が1.3~2.5の範囲内、好ましくは1.5~2.1の範囲内である、7に記載の有機電界効果デバイス。9デバイスがトップゲート配置を有する、7または8に記載の有機電界効果デバイス。10デバイスがボトムゲート配置を有する、7または8に記載の有機電界効果デバイス。11高誘電率絶縁材料が3.5超、好ましくは10超、さらに好ましくは20超で、200までの誘電率を有する、7~10のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。12高誘電率絶縁材料がポリフッ化ビニリデン、シアノプルアン、ポリビニルアルコールまたは他の高極性有機重合体を含む、7~11のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。13高誘電率絶縁材料がTiO2、Ta2O5、SrTiO3、Bi4Ti3O12、BaMgF4、チタン酸バリウムジルコニウム、チタン酸バリウムストロンチウムまたは他の高極性無機材料を含む、7~11のいずれか1項に記載のOFETデバイス。14低誘電率絶縁材料層の厚さが5nm~1μmの範囲内であり、そして少なくとも1つの高誘電率絶縁材料層の厚さが50nm~10μmの範囲内である、7~13のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。15ゲート絶縁体層が有機材料を含む、7~14のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。16低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む、15に記載の有機電界効果デバイス。17低誘電率絶縁材料層がポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリ4-メチル-1-ペンテン、ポリイソプレン、ポリビニルシクロヘキサン、またはこれら材料の少なくとも1種の単量体単位を含む共重合体を含む、15に記載の有機電界効果デバイス。18低誘電率絶縁材料層がテトラフルオロエチレンとジオキシド類との共重合体を含む、15に記載の有機電界効果デバイス。19有機半導体層が10-5cm2V-1s-1より大きい移動度を有する、7~18のいずれか1項に記載の有機電界効果デバイス。20有機半導体層がポリアリールアミンを含む19に記載の有機電界効果デバイス。21有機半導体層がn≧2の複数の繰返単位を有する単分散アリールアミン化合物を含んでいる、20に記載の有機電界効果デバイス。22有機半導体層がアリールアミンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、19に記載の有機電界効果デバイス。23有機半導体層がチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、19に記載の有機電界効果デバイス。24有機半導体層がチオフェンと共重合したフルオレンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む、19に記載の有機電界効果デバイス。25有機半導体層が少なくとも2種の有機半導体種の複合材料を含む、19に記載の有機電界効果デバイス。26有機半導体層がバインダー重合体を含んでいる、19に記載の有機電界効果デバイス。