磁気書き込みヘッドであって、エアベアリング面で終端する磁極先端部と、第1および第2の側面と、前記第1の側面から前記第2の側面に延びるトレーリングエッジと、を備える磁気書き込み磁極と、第1および第2のサイドシールド部を備える回り込みトレーリング磁気シールドと、前記回り込みトレーリング磁気シールドの前記第1および第2のサイドシールド部を前記磁気書き込み磁極の前記第1および第2の側面から隔てる第1および第2の非磁性サイドギャップ層であって、前記エアベアリング面から離れるに従ってそれぞれ厚さが増える第1および第2の非磁性サイドギャップ層と、を有する磁気書き込みヘッド。前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層のそれぞれの少なくとも一部分の幅が実質的に一定の率で広くなり、前記回り込みトレーリング磁気シールドの前記第1および第2のサイドシールド部が前記磁気書き込み磁極から離れる方向に次第に細くなる、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記回り込みトレーリング磁気シールドの前記第1および第2のサイドシールド部のそれぞれの少なくとも一部分が、前記エアベアリング面から遠ざかるに従って、前記磁気書き込み磁極から離れる方向に次第に細くなる、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記磁気書き込み磁極は、磁極先端部とフレア部とを備え、前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層の幅は、前記磁極先端部に対応する部分では実質的に一定の幅となり、前記フレア部に対応する部分では前記エアベアリング面から離れるに従って広くなる変動幅となる、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層のそれぞれが、非磁性材料の内層と非磁性材料の外層とを含む、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層のそれぞれは、厚さが実質的に一定である非磁性材料の内層と、厚さが変わる非磁性材料の外層と、を含む、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層のそれぞれは、厚さが実質的に一定であるアルミナの内層と、厚さが変わるアルミナの外層と、を含む、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記第1および第2の非磁性サイドギャップ層のそれぞれは、厚さが実質的に一定であるアルミナの内層と、前記エアベアリング面から離れる方向に厚くなるアルミナの外層と、前記内層および前記外層に挟まれた非磁性金属の層と、を有する、請求項1に記載の磁気書き込みヘッド。前記非磁性金属がRuを有する、請求項8に記載の磁気書き込みヘッド。前記非磁性金属がRhを有する、請求項8に記載の磁気書き込みヘッド。前記非磁性金属がRuまたはRhを含むと共に、前記磁気書き込み磁極の前記トレーリングエッジと前記回り込みトレーリング磁気シールドとの間に、非磁性トレーリングギャップとして前記非磁性金属が前記磁気書き込み磁極の前記トレーリングエッジ上に延びる、請求項8に記載の磁気書き込みヘッド。磁気書き込みヘッドを製造するための方法であって、少なくともエアベアリング面まで延びる磁極先端部を備える書き込み磁極を形成するステップと、非磁性材料の第1の層を前記書き込み磁極上に蒸着するステップと、イオンミリングを実行して前記非磁性材料の第1の層の一部分を除去して、第1および第2の内側非磁性側壁を残すステップと、非磁性材料の第2の層を蒸着するステップと、前記書き込み磁極と前記第1および第2の内側非磁性側壁に非磁性金属を蒸着するステップと、第2のイオンミリングを実行して前記非磁性材料の第2の層の一部分を除去して、第1および第2の外側非磁性側壁を残すステップと、前記書き込み磁極、前記第1および第2の内側非磁性側壁、および前記第1および第2の外側非磁性側壁の一部分にわたってマスクを形成するステップであって、前記マスクは、前記エアベアリング面に近くなるに従い前記第1および第2の外側非磁性側壁の露出を広くし、前記エアベアリング面から遠くなるに従い前記第1および第2の外側非磁性側壁の露出を狭くするステップと、反応性イオンエッチングを実行して前記第1および第2の外側非磁性側壁の露出部分を除去するステップと、を含む方法。前記非磁性材料の第1の層を蒸着する前記ステップと、前記非磁性材料の第2の層を蒸着する前記ステップと、がそれぞれアルミナを蒸着することを含む、請求項12に記載の方法。前記非磁性材料の第1の層を蒸着する前記ステップと、前記非磁性材料の第2の層を蒸着する前記ステップとがそれぞれ原子層蒸着によってアルミナを蒸着することを含む、請求項12に記載の方法。前記非磁性材料を蒸着する前記ステップが、RuまたはRhを蒸着することを含む、請求項12に記載の方法。前記非磁性金属を蒸着する前記ステップが、原子蒸気蒸着によってRuを蒸着することを含む、請求項12に記載の方法。前記非磁性材料の第1の層を蒸着する前記ステップが、原子蒸気蒸着によってアルミナを40~90nmの厚さに蒸着することを含むと共に、前記非磁性材料の第2の層を蒸着する前記ステップが、原子層蒸着によってアルミナを100~150nmの厚さに蒸着することを含む、請求項12に記載の方法。前記書き込み磁極は、フレア部と、前記フレア部から前記エアベアリング面に延びる実質的に一定幅の磁極先端部と、を備え、前記フレア部における前記マスクの第1および第2の外縁は、前記エアベアリング面から遠ざかるに従って前記マスクの第1および第2の外縁と前記書き込み磁極との間の距離が広がるように、前記書き込み磁極から離れる方向に次第に細くなる、請求項12に記載の方法。前記マスクの前縁が、前記エアベアリング面の手前で終端する、請求項18に記載の方法。前記書き込み磁極の前記フレア部と、前記書き込み磁極の磁極先端部とがフレア点で交わり、前記マスクの前縁が前記フレア点の近くで終端する、請求項18に記載の方法。本発明は、磁気書き込み磁極を含む磁気書き込みヘッドを提供し、当該磁気書き込み磁極は、エアベアリング面で終端する磁極先端部と、第1および第2の横方向対向側面と、第1の側面から第2の側面に延びるトレーリングエッジとを備える。書き込みヘッドはまた、第1および第2のサイドシールド部を備える回り込みトレーリング磁気シールドと、回り込みトレーリング磁気シールドの第1および第2の側部を書き込み磁極の第1および第2の側面から隔てる第1および第2の非磁性サイドギャップ層とを含む。第1および第2の非磁性サイドギャップ部は、エアベアリング面から離れるに従って厚さが増える。書き込みヘッドは、書き込みヘッドを形成するステップと、アルミナ等の非磁性磁気材料を蒸着するステップと、第1のイオンミリングを実行して第1および第2の内壁を実行するステップとを含む。RuまたはRh等の非磁性材料の層が蒸着され、アルミナ等の第2の非磁性層が蒸着される。第2のイオンミリングを実行して、第1および第2の外壁を形成することができる。マスクは、ABSに近くなるに従い外壁部分の露出を大きくし、ABSから遠くなるに従い外壁部分の露出を小さくすることができる。反応性イオンミリングを実行して第1および第2の非磁性外壁の露出部分を除去することができる。本発明は、有利には、書き込み磁極とシールドとの間のサイドギャップ間隔を大きくして、シールドからの書き込み磁極の損失を最小限に抑え、ABSおよびABSの近くでのサイドギャップ間隔を最小限に抑えて隣接トラック干渉を防止する。一貫して類似の参照符号によって類似の構成要素を示されている図面とあわせた好ましい実施形態についての以下の詳細な説明を読むことによって、本発明のこれらのおよびその他の特徴および利点が明らかになる。本発明の性質および利点ならびに好ましい使用形態を更に完全に理解するために、添付の図面とあわせた以下の詳細な説明を参照することが望ましい。以下の説明は、現時点で考えられる発明実施の最適な実施形態についての説明である。この説明は、本発明の原則を例示する目的でなされており、本明細書に記載の発明概念を限定することは意図していない。図1を参照すると、本発明を具現化したディスクドライブ100が示されている。図1に示されるように、少なくとも1つの回転可能磁気ディスク112が、スピンドル114に支えられ、ディスク駆動モータ118によって回転される。各ディスク上における磁気記録は、磁気ディスク112上における同心円状のデータトラック不図示の環状パターンの形態をとる。少なくとも1つのスライダ113が、磁気ディスク112の近くに位置決めされ、各スライダ113は、1つまたは2つ以上の磁気ヘッドアセンブリ121を支える。磁気ディスクの回転とともに、スライダ113は、所望のデータを書き込まれた磁気ディスク上の異なるトラックに磁気ヘッドアセンブリ121がアクセスできるように、ディスク表面122の上方を径方向に行き来する。各スライダ113は、サスペンション115によってアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115は、スライダ113をディスク表面122に対して付勢する僅かなスプリング力を提供する。各アクチュエータアーム119は、アクチュエータ手段127に取り付けられる。図1に示されるようなアクチュエータ手段127は、ヴォイスコイルモータVCMであってよい。VCMは、固定磁界内を移動可能なコイルを含み、コイルの移動の方向および速度は、コントローラ129によって供給されるモータ電流信号によって制御される。ディスクストレージシステムの動作時において、磁気ディスク112の回転は、スライダに押し上げ力または持ち上げ力を及ぼすエアベアリングを、スライダ113とディスク表面122との間に生成する。エアベアリングは、したがって、通常動作時において、サスペンション115の僅かなスプリング力と打ち消しあい、実質一定の小間隔だけディスク表面から離れた僅か上方においてスライダ113を支える。ディスクストレージシステムの各種の構成要素は、動作時に、制御ユニット129によって生成されるアクセス制御信号および内部クロック信号などの制御信号によって制御される。通常、制御ユニット129は、論理制御回路、ストレージ手段、およびマイクロプロセッサを含む。制御ユニット129は、ライン123に載せる駆動モータ制御信号およびライン128に載せるヘッド位置決め及び探索制御信号などの、各種のシステム動作を制御するための制御信号を生成する。ライン128に載せる制御信号は、スライダ113をディスク112上の所望のデータトラックに最適に移動させて位置決めするための所望の電流プロフィールを提供する。書き込みヘッドおよび読み取りヘッド121との間では、記録チャネル125を通じて書き込み信号および読み取り信号がやり取りされる。図2を参照すると、スライダ113内の磁気ヘッド121の向きを詳細に確認することができる。図2はスライダ113のABSを示しており、誘導書き込みヘッドと読み取りヘッドを含む磁気ヘッドがスライダのトレーリングエッジに配置されているのが分かる。典型的な磁気ディスクストレージシステムに関する上記説明と添付した図1は、例示にすぎない。ディスクストレージシステムがディスクとアクチュエータを多数含むことができること、そして各アクチュエータが複数のスライダをサポートできることは明らかである。次に図3を参照すると、本発明は先細書き込み磁極と非磁性隆起部とを備える磁気ヘッド302で具現化することができる。磁気書き込みヘッド302は、磁気書き込み磁極304と磁気リターン磁極306を備える。磁気バックギャップ層308と磁気シェイピング層310は、エアベアリング面ABSから除去された場所で、書き込み磁極304とリターン磁極306とを磁気的に連結する。非磁性の導電書き込みコイル318は、書き込み磁極304とリターン磁極306の間を行き来し、書き込み磁極304の上を通ってもよい。書き込みコイル318は、非磁性電気絶縁材料322の上部に位置することができ、アルミナや堅焼きフォトレジストの非磁性電気絶縁材料320でも具現化される。動作中、コイル318を流れる電流が磁界を誘導し、その結果、書き込み磁極304の中を磁束が流れる。これにより、書き込み磁極304から、図1に示すような磁気媒体122等の磁気媒体に向かって磁界が放射される。この書き込み磁界は媒体を通ってリターン磁極306に戻る。リターン磁極306の断面は、書き込み磁極304で書き込まれた磁気ビットが消去されないよう十分な広さになっている。書き込み磁界の勾配を大きくするこれによりスイッチング速度が上がるために、書き込みヘッド302は磁気トレーリングシールド312も含む。このトレーリングシールド312は、非磁性トレーリングギャップ層402によって書き込み磁極304から隔てられている。書き込み磁極312はまた、トレーリングリターン磁極316と連結され得る。このトレーリングリターン磁極316は、シェイピング層310の後部等、書き込みヘッド302の後部とトレーリングシールド312とを連結する。書き込みギャップ層402と書き込み磁極304との間に配置されABSから引っ込んでいる非磁性ステップ層408により、ABSから除去された場所での書き込み磁極304とトレーリングシールド312との間の磁気的間隔が拡大される。これは、トレーリングシールド312から失われる書き込み磁界の量を最小限に抑えるのに役立つ。書き込み磁極304とトレーリング磁気シールド312との間の磁気間隔プロファイルを更に改良するために、非磁性ステップ層の前縁に非磁性隆起部314を設けてもよい。このような構造408、314の構築については、以下に説明する書き込みヘッドの製造方法を読めばよく理解できよう。図4は、図3の線4-4の視点で見た、書き込みヘッド302部の拡大ABS図である。図4では、トレーリングシールド312が書き込み磁極304の両側に実際に回り込み、非磁性サイドギャップ層410、412によって書き込み磁極304の両側が側部404、406と隔てられているのが分かる。このため、シールド312は、回り込みトレーリング磁気シールド312と称することができる。書き込み磁極304のトレーリングエッジは、トレーリングギャップ層402によってトレーリングシールド312から隔てられている。図5は、図4の線5-5の視点で見たトップダウン断面図である。図に示すように書き込み磁極304がフレア点502を備えていることが分かる。このフレア点は、書き込み磁極304の幅が、一定断面の磁極先端部504からフレア部506へ遷移する点である。また、非磁性サイドギャップ層410、412は、ABSからの距離が遠くなるほど幅が徐々に広くなるように先細構造になっているのが分かる。より好ましくは、サイドギャップ層410の幅は、書き込み磁極304のフレア部506の領域で徐々に細くなり始め、書き込み磁極304の一定断面磁極先端部504の領域では実質的に一定の幅に維持されてよい。サイドギャップ層410は、大部分または全体をアルミナで構成することができ、実際に複数のアルミナ層を含んでもよい。本発明の一実施形態に係る書き込みヘッドの製造方法に関する以下の説明を読めば、サイドギャップ層410のより詳細な構造をより理解できよう。サイドギャップ層の先細構造は、隣接トラック干渉を最小限に抑えながら書き込み磁界の強度を最大限に高めることにより書き込みヘッドのパフォーマンスを最適化する。前述したように、書き込みヘッドのパフォーマンスは、競合ファクタの調和と関係している。隣接トラック干渉を最小限に抑えるには、ABSでサイドギャップ410、412の厚さをできる限り薄くすることが好ましい。他方で、書き込み磁界の強度を最大限に高めることも必要である。書き込み磁界の強度は、シールド312の側部410、412からの書き込み磁界の損失が原因で低下する恐れがある。側部404、406からの書き込み磁界のこの損失を最小限に抑えるには、サイドギャップの厚さを大きくする必要がある。図5から分かるように、先細ギャップ層410、412により、ABSでのサイドギャップの間隔が最小限に狭められている。隣接トラック干渉を防止する上でサイドシールドは必要であるが、この領域内のサイドシールド部404、406からの書き込み磁界の損失を最小限に抑えるためにABSから離れたところでサイドギャップを広げる必要がある。したがって、先細サイドギャップ層410、412は、隣接トラック干渉を最小限に抑えることと書き込み磁界の強度を最大限に高めることのバランスを最適に保っている。図6~29は、図3~5を参照して前述したような本発明の一実施形態に係る磁気書き込みヘッドの製造方法を示している。特に図6を参照すると、基板601が提供されている。この基板601は、非磁性充填層320の部分とシェイピング層310の部分と両方とも図3を参照して前述を含むことができる。磁気書き込み磁極材料602は、基板601上に蒸着され、非磁性材料の薄い層で隔てられたCoFe等の磁気モーメントの高い材料の層を実際に含むことができる。反応性イオンエッチング即ち、RIE可能な材料によって除去可能な非磁性材料の層604は、磁気書き込み磁極材料602に蒸着される。この層604は、SiC等の材料を使用することができ、180~280nmまたは約230nmの厚さになるよう蒸着するのが好ましい。層SiC上には、より薄いRIEマスク層606が蒸着される。この層606はCr等の材料とすることができ、10~30nmまたは約20nmの厚さになるように蒸着され得る。最終的に、フォトレジスト層608はRIEマスク606上に蒸着される。図7を参照すると、フォトレジスト層608をフォトリソグラフィーによってパターン化および現像することで、意図されたABS平面からの所望の距離に配置される前縁702を有するマスクを形成する。次に、イオンミリングが実行されて、基礎RIEマスク層606にフォトレジストマスク608のイメージが転写され、図8に示すような構造が残る。次に、反応イオンエッチングが実行され、基礎を成す非磁性層604にRIEマスク606のイメージが転写され、図9に示すような構造が残る。次に図10を参照すると、イオンミリオンプロセスが実行され、非磁性材料層604で保護されていない磁気書き込み磁極材料602の一部分が除去されている。好ましくは、非磁性層604からのシャドーイングによりイオンミリングが磁気材料層602に第1の先細表面1002を形成するように、法線に対して1つまたは複数の角度でイオンミリングプロセスが実行される。図11は、図10の線11-11の視点で見たABS平面と平行な平面の断面図である。図11に示すように、一連のマスク層1102が蒸着されている。マスク層1102は様々な構成とすることができる。マスク層は好ましくは、硬質マスク1104と、イメージ転写層1106と、第2の硬質マスク1108と、底面反射防止膜BARC1110と、フォトレジスト層1112とを含む。硬質マスクは、アルミナ、ダイアモンド状炭素DLC、または他の何らかの材料とすることができる。イメージ転写層は、DURIMIDE登録商標等の可溶性ポリイミド材料の比較的厚い層とすることができる。第2の硬質マスク層1108は、SiO2等の材料とすることができる。BARC層1110は、DURIMIDE登録商標等の可溶性ポリイミドの薄い層とすることができる。図12を参照すると、フォトレジスト層1112がフォトリソグラフィーによってパターン化され、図3~5の書き込み磁極304等の書き込み磁極を形成するよう構成された形状となる。結果として得られたフォトレジストマスク1112のイメージは、図12に示すような基礎を成す層1110、1108、1106、1104に転写される。これは、1つまたは複数の反応性イオンエッチングおよび/またはイオンミリングプロセスによって実現可能である。図12は、マスク1102のトップダウン図であり、その書き込み磁極画定形状を示す。図13では、前述した非磁性ステップ層604は点線で示され、それがマスク1102の下に隠れていることを示す。1つまたは複数のイオンミリングプロセスを実行することで、マスク1104で保護されていない磁気書き込み磁極材料602の一部分を除去することができる。マスク層1102の大部分はこの時点で消費され、結果として図14に示すような構造が生じる。法線に対して1つまたは複数の角度でイオンミリングを実行することにより、図14に示すような先細の側壁を備えた書き込み磁極層602を形成することができる。次に、図15を参照すると、非磁性サイドギャップ材料1502の第1の層が蒸着される。この非磁性材料1502は、好ましくは、原子層蒸着ALD等の等角蒸着プロセスによって蒸着されたアルミナであり、好ましくは40~90nmの厚さに蒸着される。更に、別のイオンミリングを実行することでアルミナ層1502の水平に蒸着された部分を優先的に除去する。これにより、図16に示すような構造が残り、第1および第2の非磁性ギャップ側壁1502が書き込み磁極602のいずれかの側に形成された状態になる。このプロセスはまた、図17に示すように、非磁性ステップ層604の前縁に非磁性隆起部1802を形成する。図17は図16の線17-17の視点から見た断面図を示す。非磁性隆起部1802の要素番号は、図16の非磁性側壁1502の番号と異なっているが、隆起部1802は側壁1502と同じ材料および同じ処理ステップで形成されることに留意されたい。非磁性隆起部1802は、第1の先細部1002を覆うように延在しているのが分かる。次に図18を参照すると、別のイオンミリングプロセスを実行することで、隆起部1802の前縁からABS平面を越えた個所まで延びる追加の先細部1804を形成することができる。図19を参照すると、非磁性トレーリングギャップ材料層1702が蒸着される。非磁性ギャップ層1702は、図3および図4のギャップ402のようなトレーリングギャップを形成するために選択される厚さに蒸着されるのが好ましい。層1702はまた、反応性イオンエッチング1702に耐性を示すのが好ましい。層1702は等角蒸着プロセスによって蒸着されたRuまたはRh等の金属とすることができ、原子蒸気蒸着AVDによって蒸着されたRuの層とするのが好ましい。図20は、図19の線20-20による断面で見えるトレーリングギャップ層1702を備えた構造を示す。図21を参照すると、非磁性サイドギャップ材料1902の別の層が蒸着される。この層1902はまた、好ましくはアルミナで構成され、原子層蒸着ALDで蒸着され、好ましくは100~150nmの厚さに蒸着される。別のイオンミリングが材料1902の一部分を除去するために実行され、このイオンミリングはトレーリングギャップ層1702に達したときに終了する。図22に示すような構造が残る。二次イオン質量分析法等の端点検出方式を使用して層1702にいつ到達したかを特定することができる。図23は図20の線23-23から見た断面図を示す。図23から分かるように、層1902の蒸着および次いで行われるイオンミリングによって第1の隆起部1802の前方に第2の非磁性隆起部2302が形成される。繰り返しになるが、この隆起部2302は図22に示すサイドギャップ層1902と同じ材料および同じプロセスによって形成される。図24は図22の線24-24から見たトップダウン断面図を示す。この図から分かるように、上記プロセスは内側の非磁性サイドギャップ1502と外側の非磁性サイドギャップ1902を形成し、内側と外側のギャップは金属層1702によって互いに隔てられている。次に図25を参照すると、側部先細画定マスク2502が、図示のように書き込み磁極602とサイドギャップ層1502、1902の上に形成されている。図から分かるように、マスク2502は、外側ギャップ層1902の露出量を変化させる先細画定外縁2504を備える。前方では外縁2504は、サイドギャップ層1902の大部分または全てを露出させており、後方では、外縁はサイドギャップ層1902の大部分または全てを覆っている。マスク2502は、書き込み磁極602のフレア点の近くでまたは若干前で終了する前縁2506を備えてもよい。次に、反応性イオンエッチングを実行して、マスク2502によって保護されていない外側ギャップ層1902の部分を除去することで、図26に示すような構造を残すことができる。マスク2502を除去することで、図27に示すような構造を残すことができる。図28を参照すると、例えばフォトリソグラフィーによってパターン化されたフォトレジスト等から、電気メッキフレームマスク2802が形成されている。マスク2802は、トレーリング回り込み磁気シールドの形状を形成するよう構成される開口部2804と一緒に形成される。図28の線29-29の視点から見た断面図を示す図29を参照すると、回り込みトレーリング磁気シールドを形成するためにマスク2802内の開口部に磁性体を電気メッキすることができる。マスク2802は持ち上げることができる。前述した構造および方法では、非磁性ステップ層604、非磁性隆起部1802、2302、および先細部1002、1702を備えた書き込み磁極の構築について説明したが、これらはオプションであり、先細の非磁性サイドギャップを備えた書き込みヘッドの形成に必須でないことに留意されたい。各種の実施形態が上述されてきたが、これらは、限定のためではなく例として示されたものにすぎない。当業者にならば、発明の範囲内に入るその他の実施形態も明らかになるであろう。したがって、発明の広さおよび範囲は、上述されたいかなる例示的実施形態によっても限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの均等物にしたがって定められるべきである。