"表面研磨された第1研磨平面を有する第1基板と、前記第1基板に対向し、前記第1研磨平面に対向する表面研磨された第2研磨平面を有する第2基板と、前記第1研磨平面に設けられ入射した光を反射する第1反射膜と、前記第1研磨平面に設けられ前記第1反射膜を覆う保護膜と、前記第2研磨平面に設けられ、前記第1反射膜に対向し入射した光を反射する第2反射膜と、前記第1反射膜および前記第2反射膜の間に反射膜間ギャップを形成するギャップ形成膜と、前記ギャップ形成膜と前記第2基板との間に形成され前記ギャップ形成膜と前記第2基板とを接合する接合膜と、を具備したことを特徴とする光フィルター。請求項1に記載の光フィルターにおいて、前記第1基板は、前記第2基板に対向する面に凹状に形成された電極溝と、前記電極溝の溝底面に設けられる第1電極と、を備え、前記第2基板は、前記第1電極に対向する第2電極を備えることを特徴とする光フィルター。請求項1または請求項2に記載の光フィルターにおいて、前記第1基板および前記第2基板は、ガラス基板であることを特徴とする光フィルター。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の光フィルターと、前記光フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする光モジュール。請求項4に記載の光モジュールと、前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、を備えたことを特徴とする分析装置。しかしながら、上記特許文献1のように、基板に、エッチング加工を施す場合、エッチングされた面が傾斜したり、表面が荒れて凹凸が生じたりする場合がある。この場合、一対の対向するミラーも傾斜してミラー間の寸法がばらつくことや、ミラー面に凹凸が生じて光が散乱するなど、光フィルターの分解能が低下するという問題がある。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる光フィルターは、表面研磨された第1研磨平面を有する第1基板と、前記第1基板に対向し、前記第1研磨平面に対向する表面研磨された第2研磨平面を有する第2基板と、前記第1研磨平面に設けられ入射した光を反射する第1反射膜と、前記第1研磨平面に設けられ前記第1反射膜を覆う保護膜と、前記第2研磨平面に設けられ、前記第1反射膜に対向し入射した光を反射する第2反射膜と、前記第1反射膜および前記第2反射膜の間に反射膜間ギャップを形成するギャップ形成膜と、前記ギャップ形成膜と前記第2基板との間に形成され前記ギャップ形成膜と前記第2基板とを接合する接合膜と、を具備したことを特徴とする。この構成によれば、第1基板に第1研磨平面が設けられ、第2基板に第2研磨平面が設けられて、これらの第1研磨平面および第2研磨平面が対向配置されている。そして、第1研磨平面および第2研磨平面に、第1反射膜および第2反射膜が互いに対向して設けられている。このような、第1研磨平面、第2研磨平面では、エッチング処理により形成される面に比べて、表面に傾斜や凹凸が形成されないため、第1研磨平面や第2研磨平面に設けられる第1反射膜および第2反射膜の表面にも傾斜や凹凸が形成されない。このように、第1研磨平面および第2研磨平面に傾斜や凹凸がないため、第1反射膜および第2反射膜の表面も平滑面とすることができる。したがって、第1反射膜および第2反射膜の間の反射膜間ギャップの寸法が一様となり、また第1反射膜および第2反射膜のミラー面に凹凸が生じて光が散乱することが無く、高分解能の光フィルターを実現できる。[適用例2]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1基板は、前記第2基板に対向する面に凹状に形成された電極溝と、前記電極溝の溝底面に設けられる第1電極と、を備え、前記第2基板は、前記第1電極に対向する第2電極を備えることが望ましい。この構成によれば、第1電極および第2電極の間に電圧を印加して、静電引力により、第1基板および第2基板のうち少なくともいずれか一方を撓ませて反射膜間ギャップの寸法を調整することができる。したがって、例えば測定対象光を構成する各波長の光の光量を測定する場合などにおいて、第1電極および第2電極に印加する電圧を順次切り替えることで、容易に、光フィルターから取り出す光の波長を切り替えることができる。[適用例3]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1基板および前記第2基板は、ガラス基板であることが望ましい。上記適用例では第1基板および第2基板の材料は可視光を透過する材料であればよいが、第1基板および第2基板としてガラス基板を用いるのが好ましい。ガラス基板では、鏡面研磨加工により平滑な平面を容易に得ることができる。また、ガラス基板は可視光を良好に透過することができ、可視光内の所望波長の光を、吸収などすることなく良好に取り出すことができる。[適用例4]本適用例にかかる光モジュールは、上記記載の光フィルターと、前記光フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、を備えたことを特徴とする。上述したように、光フィルターは、第1反射膜および第2反射膜を、高精度に平行に維持することができるため、高分解能を実現できる。したがって、このような光フィルターを備えた光モジュールでは、高い分解能で取り出された所望の光を検出部で受光させることができ、所望波長の光の光量を正確に検出することができる。[適用例5]本適用例にかかる分析装置は、上記記載の光モジュールと、前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、を備えたことを特徴とする。分析装置としては、上記のような光モジュールにより検出された光の光量に基づいて、光フィルターに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。上述したように、光モジュールにより、所望波長の光の正確な光量を検出することができるため、分析装置では、このような正確なデータに基づいて、正確な分析処理を実施できる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。1.測色装置の全体構成図1は、本発明に係る実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。この測色装置1は、本実施形態の分析装置であり、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された光を測色センサーにて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。2.光源装置の構成光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ記載を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。3.測色センサーの構成測色センサー3は、図1に示すように、本発明の光フィルターを構成するエタロン5と、エタロン5を透過する光を受光する検出部31と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部6と、を備えている。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部31にて受光する。検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。3-1.エタロンの構成図2は、本発明の光フィルターを構成するエタロン5の概略構成を示す平面図であり、図3は、図2のA-A断線に沿う断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象からの光が図中下側から入射しているが、図3では、検査対象の光が図中上側から入射するものとする。エタロン5は、図2に示すように、例えば一辺が10mm程度に形成される平面正方形状の板状の光学部材である。このエタロン5は、図3に示すように、第1基板51、および第2基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、可視光を透過する母材であればよく、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶、石英などにより形成されている。これらの中でも、各基板51,52の構成材料としては、例えばナトリウムNaやカリウムKなどのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより各基板51,52を形成することで、後述する反射膜56,57や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。また、ガラスは、可視光の透過特性が良好であるため、本実施形態のように、検査対象Aの色を測定する場合では、基板51,52での光の吸収を抑えることができ、測色処理に適している。そして、これらの2つの基板51,52は、外周縁に沿って形成される接合膜としての金属膜60第1金属膜60a、第2金属膜60bにより接合されることで、一体に構成されている。また、第1基板51と、第2基板52との間には、第1反射膜56および第2反射膜57が設けられる。ここで、第1反射膜56は、第1基板51の第2基板52に対向する面に固定され、第2反射膜57は、第2基板52の第1基板51に対向する面に固定されている。また、これらの第1反射膜56および第2反射膜57は、反射膜間ギャップを介して対向配置されている。さらに、第1基板51と第2基板52との間には、第1反射膜56および第2反射膜57の間の反射膜間ギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。なお、本実施形態では、上述したように、平面視正方形状のエタロン5を例示するが、これに限定されるものではなく、例えば、平面視円形状、平面視多角形状に形成されていてもよい。3-1-1.第1基板の構成図2、図3に示すように、第1基板51は、厚みが例えば500μmに形成される略正方形状のガラス基板により形成される。この第1基板51には、第2基板52に対向する対向面に、電極溝511、およびこの電極溝511から外周の四隅に向かって延出形成される配線溝が、エッチングにより形成されている。具体的には、電極溝511は、エタロン平面視基板厚み方向から第1基板51を見る平面視において、平面中心点を中心とするリング形状に形成されている。また、配線溝は、電極溝511の外輪縁511Bから第1基板51の4頂点に向かって延出し、電極溝511と同一深さ寸法に形成されている。電極溝511の内輪縁511Aおよび外輪縁511Bの間の溝底面には、静電アクチュエーター54を構成するリング状の第1電極541が形成されている。また、4つの配線溝のうち、平面中心点に対して点対称となる一対の配線溝には、第1電極541に接続される第1電極線541Aが形成されている。これらの第1電極線541Aの先端には、それぞれ第1電極パッド541Bが形成され、これらの第1電極パッド541Bが電圧制御部6に接続されている。ここで、静電アクチュエーター54を駆動させる際には、電圧制御部6により、一対の第1電極パッド541Bのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第1電極パッド541Bは、第1電極541の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。なお、本実施形態では、一対の第1電極パッド541Bのうちの一方に電圧を印加する構成を例示するが、一対の第1電極パッド541Bの双方に電圧印加する構成としてもよい。また、4つの配線溝のうちの1つにのみ、第1電極線541Aおよび第1電極パッド541Bが形成される構成などとしてもよい。そして、第1基板51の表面領域のうち、電極溝511および配線溝の形成領域以外の基板表面は、鏡面研磨加工により平面に形成されている。これにより、電極溝511の内輪縁511Aの径内側は、鏡面研磨加工された平面となり、第1反射膜形成面513本実施形態の第1研磨平面が形成される。この第1反射膜形成面513には、例えば直径が約3mmの円形状に形成される第1反射膜56が固定されている。この第1反射膜56は、例えばSiO2、TiO2、Agの各層を順に積層することにより形成される反射膜であり、スパッタリングなどの手法により第1反射膜形成面513に形成される。なお、第1反射膜56を構成する各層の積層順としては、エタロン5により分光する光の波長域や、所望する分解能により適宜設定されるものであり、上記の積層順には限定されない。また、本実施形態では、第1反射膜56として、SiO2、TiO2、Agの各層を適宜組み合わせて積層することで構成される例を示したが、例えばSiO2、TiO2を順に積層した誘電多層膜としてもよく、その他、例えばAgC単層膜などの単層膜を反射膜として形成してもよい。そして、第1基板51の電極溝511の外方には、第1接合面514が形成されている。この第1接合面514には、上述したように、第1基板51および第2基板52を接合する接合膜としての第1金属膜60aが形成されている。この第1金属膜60aとしては、例えば、クロムCr膜を下地とする金Au膜が採用される。また、他の接合膜としてプラズマ重合膜を利用できる。プラズマ重合膜の主原料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンが挙げられ、このような主原料により形成されたプラズマ重合膜では、第1基板51および第2基板52の接合時に紫外線照射により迅速に硬化させることが可能である。さらに、第1反射膜56を覆う保護膜としてのSiN膜58が形成されている。このSiN膜58は第1反射膜56の最表面に形成されるAg膜、Ag合金膜の保護膜として作用し、厚みが50nm程度に成膜されている。3-1-2.第2基板の構成第2基板52は、例えば厚み寸法が200μmに形成されるガラス基板をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、第2基板52には、図2に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する連結保持部522と、を備えている。この連結保持部522の外周径寸法は、第1基板51の電極溝511の外周径寸法と同一寸法に形成されている。可動部521は、連結保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、図3に示すように、第2基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。連結保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成されている。この連結保持部522の第1基板51に対向する面には、第1電極541と、約1μmのギャップを介して対向する、リング状の第2電極542が形成されている。ここで、この第2電極542および前述した第1電極541により、静電アクチュエーター54が構成される。また、第2電極542の外周縁の一部からは、一対の第2電極線542Aが外周方向に向かって形成されている。具体的には、図2に示すように、第2電極線542Aは、エタロン平面視において、第1電極線541Aが形成される一方の対角線方向とは異なる、他方の対角線方向に沿って形成されている。したがって、第1基板51および第2基板52を接合した際に、第1電極線541Aおよび第2電極線542Aはエタロン平面視において重ならない。そして、これらの第2電極線542Aの先端には、それぞれ第2電極パッド542Bが形成され、これらの第2電極パッド542Bが電圧制御部6に接続される。ここで、静電アクチュエーター54を駆動させる際には、第1電極541と同様、電圧制御部6により、一対の第2電極パッド542Bのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第2電極パッド542Bは、第2電極542の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。また、第2基板52の、連結保持部522の形成領域以外の基板表面は鏡面研磨加工により平面に加工されている。したがって、可動部521の第1基板51に対向する面も、鏡面研磨加工された平面となり、第1反射膜形成面513に対向する第2反射膜形成面523本実施形態の第2研磨平面を構成する。この第2反射膜形成面523には、第1反射膜56と同一構成の第2反射膜57が形成されており、第1反射膜56と反射膜間ギャップを介して平行に保持されている。なお、第2反射膜57の構成は、第1反射膜56と同一であるため、ここでの説明は省略する。3-2.電圧制御部の構成図1に戻って、電圧制御部6は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54の第1電極541および第2電極542に印加する電圧を制御する。4.制御装置の構成制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および測色処理部43本実施形態の処理部などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5の反射膜間ギャップを変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、検出部31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検出対象Aにより反射された光の色度を算出する。5.エタロンの製造方法次に、上記エタロン5の製造方法について、図面に基づいて説明する。5-1.第1基板の製造図4、図5は、エタロン5の第1基板51の製造工程を示す図である。第1基板51を製造するために、まず、図4aに示すように、第1基板51の製造素材である母材ガラス基板を準備し、切削工程、研磨工程を経て、平均表面粗さRaが例えば1nm以下となる表面に加工する。これにより、第1基板51の厚み寸法を均一にでき、基板表面を鏡面状の平滑面にすることができる。次に、図4bに示すように、第1基板51の表面第1反射膜形成面513に第1反射膜56を形成する。第1反射膜56はスパッタリング、真空蒸着などの手法により成膜し、リフトオフにてパターニングして形成する。続いて、図4cに示すように、第1基板51の表面から第1反射膜56を覆うSiN膜シリコン窒化膜58を成膜する。SiN膜58は、第1反射膜56の光学特性を損なわないように50nm程度の厚みに、CVDChemicalVaporDepositionなどの手法により形成する。そして、図4dに示すように、SiN膜58の上にギャップ形成膜としてのSiO2膜酸化シリコン膜53を成膜する。SiO2膜53は、反射膜間の初期ギャップ寸法を確保するために、およそ1μmの厚みに形成される。次に、図5aに示すように、第1基板51の中央部のSiO2膜53をエッチングして除去する。具体的には、第1基板51の一面に、フォトリソグラフィ法を用いて、SiO2膜53を残す部分にレジストパターンを形成し、フッ酸系のエッチャントを用いてウェットエッチングが行なわれる。このとき、SiN膜58はフッ酸系のエッチャントではエッチングされず、SiN膜58がエッチングストッパー膜として作用する。このため、エッチング工程が容易になる。続いて、図5bに示すように、電極溝511をエッチングにて形成する。具体的には、第1基板51の一面に、フォトリソグラフィ法を用いて、レジストをパターニングし、ドライエッチングにてSiN膜58および第1基板51をエッチングする。次に、図5cに示すように、電極溝511に第1電極541第1電極線541A、および第1電極パッド541Bを含むを形成する。また、同時にSiO2膜53の上に第1金属膜60aを形成する。第1電極541および第1金属膜60aはスパッタリング、真空蒸着などの手法により成膜し、リフトオフにてパターニングして形成する。第1電極541および第1金属膜60aはクロムCr膜を下地とする金Au膜にて形成されるため、同一の工程で両者を形成することが可能である。なお、上記の工程を分けて、第1電極541としてITOを用い、接合膜としての第1金属膜60aをCr/Auなどの金属膜として形成しても良い。5-2.第2基板の製造次に、第2基板52の製造方法について説明する。図6は、第2基板の製造工程の概略を示す断面図である。第2基板52の形成では、まず、図6aに示すように、第2基板52の形成素材である母材ガラス基板を用意し、切削等により、例えば厚み寸法を200μmの均一厚みに形成する。そして、母材の表面を鏡面研磨加工することで、平均表面粗さRaが1nm以下の平滑面にする。この後、図6bに示すように、第2基板52の一面側をエッチングすることで、可動部521および連結保持部522を形成する。この際、電極溝511の形成と同様に、第2基板52の一面に、フォトリソグラフィ法を用いて、連結保持部522を形成するためのレジストパターンを形成し、ウェットエッチングにより加工する。ウェットエッチングでは、エッチング剤として、BHFHF:NH4F=1:6やHFHF:H2O=1:10等のフッ素酸水溶液を用いる。次に、図6cに示すように、第2基板52の他面側第1基板51に対向する面に、第2反射膜57を形成する。この第2反射膜57は、第1反射膜56と同様に、リフトオフプロセスにより成膜する。すなわち、フォトリソグラフィ法により、第2基板52上に第2反射膜形成部分以外にレジストリフトオフパターンを成膜し、第2反射膜57を形成する各層SiO2,TiO2,Agを積層して成膜する。そして、リフトオフにより、第2反射膜形成面523以外の反射膜を除去して、第2反射膜57を形成する。この後、図6dに示すように、第2電極542第2電極線542A、第2電極パッド542B含むを形成する。また、同時に接合膜としての第2金属膜60bを形成する。第2電極542および第2金属膜60bはスパッタリング、真空蒸着などの手法により成膜し、リフトオフにてパターニングして形成する。第2電極542および第2金属膜60bはクロムCr膜を下地とする金Au膜にて形成されるため、同一の工程で両者を形成することが可能である。なお、上記の工程を分けて、第2電極542としてITOを用い、接合膜としての第2金属膜60bをCr/Auなどの金属膜として形成しても良い。5-3.第1基板および第2基板の接合第1基板51および第2基板52の接合では、第1基板51に形成された第1金属膜60aと、第2基板52に形成された第2金属膜60bとを重ね合わせて接合する接合工程を実施する。図7は、第1基板および第2基板の接合させる接合工程の一部を示す図である。まず、基台71に載置した第1基板51に、第2基板52を重ね合わせる。このとき、第1基板51の第1金属膜60aと、第2基板52の第2金属膜60bとが重なるように位置決めする。そして、第2基板52の上面を、押圧部材72で押圧する。また、基台71および押圧部材72にはヒーターなどの加熱手段が組み込まれ、基台71および押圧部材72を一定温度に保持可能となっている。このように、温度と圧力が加わった第1金属膜60aと、第2金属膜60bとの間で金属間接合が行なわれる。本実施形態では、金膜と金膜とが接触し、金属間接合が行なわれる。なお、第1基板51に形成される第1金属膜60aに代えて、プラズマ重合膜を形成し、第2基板52の第2金属膜60bを形成せずに、プラズマ重合膜と第2基板52とを接合することも可能である。プラズマ重合膜の形成では、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。具体的には、まず、プラズマ重合膜および第2基板52を活性化させる表面活性化工程を実施する。ここで、この活性化とは、プラズマ重合膜や第2基板52の表面及び内部の分子結合が切断されて終端化されていない結合手が生じた状態や、その切断された結合手にOH基が結合した状態、又は、これらの状態が混在した状態をいう。この表面活性化工程では、プラズマ重合膜や第2基板52の表面を効率よく活性化させるためにプラズマを照射する方法が好ましい。この方法では、プラズマ重合膜や第2基板52の分子構造を必要以上に切断することなく、プラズマ重合膜の特性の低下を避けることが可能となる。そして、プラズマ重合膜および第2基板52を活性化した後、プラズマ重合膜と第2基板52とを重ね合わせ、押圧して加圧接合させる。6.本実施形態の作用効果上述したように、本実施形態の測色装置1の測色センサー3に設けられたエタロン5では、第1基板51および第2基板52の鏡面研磨加工された母材表面である第1反射膜形成面513および第2反射膜形成面523に、第1反射膜56および第2反射膜57が形成されている。そして、これらの第1基板51および第2基板52は、金属膜60により接合され、SiO2膜53の厚み寸法により、第1反射膜56および第2反射膜57の反射膜間ギャップの寸法が規定されている。このような構成のエタロン5では、第1反射膜56および第2反射膜57が鏡面研磨加工された第1反射膜形成面513および第2反射膜形成面523に形成されているため、凹凸が発生しない。以上により、第1反射膜56および第2反射膜57が平行に維持され、高分解能のエタロン5を提供することができる。さらに、このような高分解能で所望の波長の光を透過させることができるエタロン5を備えた測色センサー3では、検出部31に、測定対象となる所望波長の光がより多く受光され、測定対象外の波長の光の光量が小さくなる。したがって、所望波長の光の光量をより正確に検出することができる。さらには、このような測色センサー3を備えた測色装置1においても、各波長の光に対する光量を正確に検出することができるため、これらの各波長の光の光量に基づいて、正確な分析処理を実施することができ、検査対象Aのより正確な色度を測定することができる。また、エタロン5を構成する第1基板51および第2基板52は、ガラス基板により形成されている。このようなガラス基板では、鏡面研磨加工により、容易に平滑な平面である第1反射膜形成面513、および第2反射膜形成面523を形成することができ、このような第1反射膜形成面513、および第2反射膜形成面523に第1反射膜56および第2反射膜57を形成することで、反射膜表面に凹凸や傾斜が生じず、高分解能を容易に実現できる。"