"陽極酸化処理により、金属製基材の表面に孔を形成する孔形成工程と、孔形成工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する拡径工程と、を備え、前記孔形成工程は、前記金属製基材の前記表面に複数の孔を形成する第1工程と、前記第1工程の後に実施される工程であって、前記複数の孔のうちの一部の孔の深さを深くする第2工程と、を有する、型の製造方法。前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、結晶性を有しており、前記孔形成工程の前記第1工程において形成される前記複数の孔は、結晶粒界上だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上にも形成され、前記孔形成工程の前記第2工程において深さが深くなる前記一部の孔には、前記結晶粒界上に位置する孔だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上に位置する孔も含まれている、請求項1に記載の型の製造方法。前記第1工程における陽極酸化処理の電圧は、前記第2工程における陽極酸化処理の電圧より低い、請求項1または2に記載の型の製造方法。前記孔形成工程の前記第1工程において形成される前記複数の孔のうち、前記孔形成工程の前記第2工程において深さが深くなる前記一部の孔以外の孔が形成されている領域は、除去される、請求項1~3のいずれか一項に記載の型の製造方法。前記拡径工程の後に実施される工程であって、陽極酸化処理により、前記一部の孔の深さをさらに深くする工程と、前記孔の深さをさらに深くする工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する工程と、をさらに備え、前記孔の深さをさらに深くする工程およびエッチングによって前記孔を拡径する工程は、一回ずつ、或いは、複数回交互に繰り返して実施される、請求項1~4のいずれか一項に記載の型の製造方法。陽極酸化処理により、金属製基材の表面に孔を形成する孔形成工程と、孔形成工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する拡径工程と、を備え、前記孔形成工程は、第1電圧で陽極酸化処理を行う第1工程と、前記第1電圧よりも高い第2の電圧で陽極酸化処理を行う第2工程と、を有する、型の製造方法。前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、結晶性を有しており、前記孔形成工程において形成される前記孔は、結晶粒界上だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上にも形成される、請求項6に記載の型の製造方法。前記拡径工程の後に実施される工程であって、陽極酸化処理によって孔の深さをさらに深くする工程と、前記孔の深さをさらに深くする工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する工程と、をさらに備え、前記孔の深さをさらに深くする工程およびエッチングによって前記孔を拡径する工程は、一回ずつ、或いは、複数回交互に繰り返して実施される、請求項6または7に記載の型の製造方法。前記孔の深さをさらに深くする工程において、陽極酸化処理は、前記第2電圧で実施される、請求項8に記載の型の製造方法。前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、減圧状態で成膜された層である、請求項1~9のいずれか一項に記載の型の製造方法。型面を有し反射防止フィルムの作製に用いられる型であって、複数の凹部を有した陽極酸化層と、前記陽極酸化層に隣接する結晶性を有した基層と、を備え、前記陽極酸化層に形成された前記複数の凹部のうちの少なくとも一部の凹部の最深部は、前記型面への法線方向に沿って、前記基層における前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上に位置している、型。前記凹部の平均ピッチは、前記基層の結晶粒径の平均値よりも小さい、請求項11に記載の型。ところが、特許文献1にも開示されているように、陽極酸化処理の初期に形成される孔の配列は、ムラが生じて不均一となってしまう。陽極酸化処理を長時間行うことにより、孔の最深部については、配列のムラが緩和されてくるが、その一方で、孔の開口部においては、隣り合う二つ孔が繋がってしまう。隣り合う孔が繋がると、その部分のピッチが大きくなる。そして、多数の孔が繋がると全体として孔のピッチが大きくなったことになり、反射防止フィルムに白味が生じてしまい、さらには、反射防止フィルムの反射防止機能が局所的又は全体的に低下してしまう可能性もある。特許文献1や特許文献2に開示された方法では、まず、孔の最深部が或る程度規則的に分布するまで金属製基材に陽極酸化処理を行い、その後、形成された陽極酸化層を除去する。以上の処理により、金属製基材の表面には、規則的に配列された孔の最深部に対応する窪みが、規則的に配列されるようになる。次に、再度、金属製基材に陽極酸化処理を再び行うと、規則的な窪みの配列に起因して、規則的な配列で孔が形成されるようになる。しかしながら、このような方法を用いた場合、余分な陽極酸化処理を行って除去されるべき陽極酸化層を金属製基材に形成することになり、生産性やコストの面で好ましくない。また、特許文献1では、モールドを利用して、金属製基材の表面に予め窪みを形成しておく方法も開示されている。ただし、窪みの配列は極めて微細であることから、使用されるモールドも繊細で且つ高価となってしまう。好ましくは、陽極酸化処理における自己組織能を利用して、孔の配列のムラを解消することが好ましい。本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、反射防止フィルムの凸部を形成するための凹部を有する型の製造方法であって、凹部の配列のムラを緩和することができる型の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、反射防止フィルムの凸部を形成するための凹部を有する型であって、凹部の配列のムラが緩和された型を提供することを目的とする。本件発明者らは、鋭意研究を重ねた結果として、従来の型の製造方法における陽極酸化処理の初期に、孔配列にムラが生じてしまう原因の一つとして、以下のことが挙げられることを見出した。まず、陽極酸化処理を施される金属製基材の表面には、例えば、その製造方法に起因して微細な凹凸が生じ得る。典型的には、陽極酸化処理を施されるべき表面層が、減圧下または真空下での成膜、例えば、いわゆるスパッタリングや蒸着で形成される場合には、当該表面層は結晶性を持つようになり、結晶粒の縁部に沿った窪みが表面に形成される。金属製基材の表面に形成された凹凸のピッチが、陽極酸化処理にて形成されるべき孔のピッチと大きく異なっていない場合には、孔が凹部上に偏って形成されるようになる。すなわち、陽極酸化処理では電圧に応じたピッチで分散して孔が形成されると考えられているが、金属製基材の表面性状と形成されるべき孔ピッチとの組み合わせ如何によっては、陽極酸化処理の電圧に応じたピッチで孔が分散されるといった現象が十分に生じず、孔が偏って形成される。本発明は、このような本件発明らの知見に基づくものであり、陽極酸化処理の方法を改善することによって、以上の原因に起因して孔が偏ってしまうことを効果的に防止し、孔の配列のムラを緩和しようとするものである。本発明による第1の型の製造方法は、陽極酸化処理により、金属製基材の表面に孔を形成する孔形成工程と、孔形成工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する拡径工程と、を備え、前記孔形成工程は、前記金属製基材の前記表面に複数の孔を形成する第1工程と、前記第1工程の後に実施される工程であって、前記複数の孔のうちの一部の孔の深さを深くする第2工程と、を有する。本発明による第1の型の製造方法において、前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、結晶性を有しており、前記孔形成工程の前記第1工程において形成される前記複数の孔は、結晶粒界上だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上にも形成され、前記孔形成工程の前記第2工程において深さが深くなる前記一部の孔には、前記結晶粒界上に位置する孔だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上に位置する孔も含まれていてもよい。本発明による第1の型の製造方法において、前記第1工程における陽極酸化処理の電圧は、前記第2工程における陽極酸化処理の電圧より低くなっていてもよい。本発明による第1の型の製造方法において、前記孔形成工程の前記第1工程において形成される前記複数の孔のうち、前記孔形成工程の前記第2工程において深さが深くなる前記一部の孔以外の孔が形成されている領域は、除去されるようにしてもよい。本発明による第1の型の製造方法が、前記拡径工程の後に実施される工程であって、陽極酸化処理により、前記一部の孔の深さをさらに深くする工程と、前記孔の深さをさらに深くする工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する工程と、をさらに備え、前記孔の深さをさらに深くする工程およびエッチングによって前記孔を拡径する工程は、一回ずつ、或いは、複数回交互に繰り返して実施されるようにしてもよい。本発明による第2の型の製造方法は、陽極酸化処理により、金属製基材の表面に孔を形成する孔形成工程と、孔形成工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する拡径工程と、を備え、前記孔形成工程は、第1電圧で陽極酸化処理を行う第1工程と、前記第1電圧よりも高い第2の電圧で陽極酸化処理を行う第2工程と、を有する。本発明による第2の型の製造方法において、前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、結晶性を有しており、前記孔形成工程において形成される前記孔は、結晶粒界上だけでなく、前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上にも形成されるようにしてもよい。本発明による第2の型の製造方法が、前記拡径工程の後に実施される工程であって、陽極酸化処理によって孔の深さをさらに深くする工程と、前記孔の深さをさらに深くする工程の後に実施される工程であって、エッチングによって前記孔を拡径する工程と、をさらに備え、前記孔の深さをさらに深くする工程およびエッチングによって前記孔を拡径する工程は、一回ずつ、或いは、複数回交互に繰り返して実施されるようにしてもよい。本発明による第2の型の製造方法の前記孔の深さをさらに深くする工程において、陽極酸化処理は、前記第2電圧で実施されるようにしてもよい。本発明による第1または第2の型の製造方法において、前記金属製基材のうちの少なくとも前記孔が形成される表面層は、減圧状態で成膜された層であってもよい。本発明による型は、型面を有し反射防止フィルムの作製に用いられる型であって、複数の凹部を有した陽極酸化層と、前記陽極酸化層に隣接する結晶性を有した基層と、を備え、前記陽極酸化層に形成された前記複数の凹部のうちの少なくとも一部の凹部の最深部は、前記型面への法線方向に沿って、前記基層における前記結晶粒界によって取り囲まれた結晶粒上に位置している。本発明による型において、前記凹部の平均ピッチは、前記基層の結晶粒径の平均値よりも小さくなっていてもよい。本発明によれば、金属製基材の表面性状によらず、陽極酸化処理によって当該金属製基材に孔を、その配列にムラが生じることを効果的に防止しながら、分散させて形成することができる。これにより、得られた型は、期待された反射防止機能を安定して発現することができる。以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図1~図12および図15においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。一方、図13および図14は、顕微鏡写真である。まず、ここで説明する型20を用いることによって製造され得る反射防止フィルム10について、主として図12を参照しながら、説明する。図12に示すように、反射防止フィルム10は、モスアイ構造11として形成された微細凹凸面を有しており、この凹凸面に入射する光の反射を防止する機能を発揮する。モスアイ構造11は、微細ピッチで基準平面SP上に配置された多数の凸部15を有している。図12に示すように、凸部15は、基準平面SP上に二次元配列されている。多数の凸部15は、基準平面SP上に規則的な配列で設けられていてもよいし、基準平面SP上に不規則的な配列で設けられていてもよいが、反射防止機能を有効に発揮する観点から、多数の凸部15は、基準平面SP上にムラ無く、言い換えると偏り無く、分散していることが好ましい。反射防止フィルム15の反射防止機能は、凸部15が微小ピッチで配列されていることに起因して発揮される。隣り合う二つの凸部15の配列ピッチPaは、反射防止フィルム10によって反射を防止されることを意図された光の最短波長の値の半分未満となっている。より好ましくは、隣り合う二つの凸部15の配列ピッチPaは、反射を防止されることを意図された光の最短波長の値の1/4以下となっている。また、凸部15の高さHaは、少なくとも反射防止フィルム10によって反射を防止されることを意図された光の最長波長の半分以上となっていることが好ましい。なお、本明細書で用いられる波長とは、特別の事情が存在しない場合には空気中での光の波長の長さのことを指している。一般的には、光の反射は、屈折率が異なる媒質間での界面で生じる。一方、モスアイ構造11をなす微細凹凸面と、これに対面する空間通常は、空気層と、の間では、厳密には、屈折率の空間的三次元的な分布が生じる。しかしながら、屈折率の空間的な分布のうち、基準平面SPと平行な面内での屈折率の分布は、凸部15の配列ピッチPaよりも長い波長を有した光に対して、屈折、反射、散乱といった光学作用を及ぼすことはない。その一方で、モスアイ構造11を形成する凸部15の高さHaが上述した長さを有する場合、モスアイ構造11は、基準平面SPと平行な断面における凸部15の断面積の変化にともなって屈折率が基準平面SPへの法線方向に変化する層として機能する。このため、基準平面SPへの法線方向に沿って凸部15の断面積が、その基端部基準平面SPへの接続位置15bから先端部基準平面SPから最も離間した位置頂部15aへ向けて、急激に変化することなく、しだいに減少してく場合、光は、急激に屈折率が変化する界面を通過することなく、モスアイ構造11を介して異なる屈折率を有した媒質間を移動することができる。以上のことから、モスアイ構造11が反射防止機能を発揮することができる。したがって、反射防止フィルム10に反射防止機能を付与する目的において、凸部15の配列ピッチPaおよび凸部15の高さHaだけでなく、モスアイ構造11を形成する多数の凸部15の、基準平面SPと平行面内における、占有割合占有率が、基準平面SPへの法線方向に沿って基準平面SPから離間するに連れて、100から0へとしだいに変化していくこと、も重要である。つまり、図12に示すように、基準平面SPへの法線方向に沿った断面において、基準平面SP上に二次元配列された凸部15の幅基準平面SPに沿った長さWaは、凸部15の基端部15bから先端部15aへ向けてしだいに狭くなっていくことが好ましい。さらに、モスアイ構造11を形成する多数の凸部15が、基準平面SP上に、一様に分散していることも重要である。凸部15が基準平面SP上に偏って配置されていると、反射防止フィルム10のフィルム面内において、発現される反射防止機能の程度にバラツキが生じ、反射防止フィルム10の色合いが変化して観察されることにもなる。したがって、多数の凸部15は、規則的な配列および不規則的な配列のいずれでも良いが、ムラ無く分散して配列されていることが好ましい。なお、モスアイ構造11は、反射防止フィルム10の両方の面に形成されていてもよいし、反射防止フィルム10の一方の面のみに形成されていてもよい。モスアイ構造11が反射防止フィルム10の一方の面のみに形成されている場合、反射防止フィルム10の他方の面は、種々の形態で構成され得る。例えば、反射防止フィルム10の他方の面が、薄膜干渉を利用した反射防止層、マット面からなる防眩機能を有した層、或いは、プリズムやレンズを有した光学機能層として構成され得る。次に、主として、図1~図8を参照しながら、反射防止フィルム10の製造に用いられる型20およびその製造方法について説明する。図1に示すように、型20は、反射防止フィルム10の凸部15を賦型するための凹部25を形成された面、すなわち型面20aを有している。凹部25は、凸部15と相補的な構成を有していることが好ましい。例えば、隣り合う二つの凹部25の型面20aに沿った配列ピッチPb図1参照は、作製対象となる反射防止フィルム10によって反射を防止されることを意図された光の最短波長の値の半分未満とすることができ、とりわけ、反射を防止されることを意図された光の最短波長の値の1/4以下となっていることが好ましい。また、当該型を用いた賦型時の材料収縮を無視すると、型面20aへの法線方向に沿った凹部25の深さHb図1参照は、作製対象となる反射防止フィルム10によって反射を防止されることを意図された光の最長波長の半分以上となっていることが好ましい。さらに、図1に示すように、型面20aへの法線方向に沿った断面において、すなわち、凹部25の深さ方向に沿った断面において、凹部25の幅型面20aに沿った凹部25の長さWbは、凹部25の最深部25aから開口部25bへ向けてしだいに太くなっていき、開口部25bにおいて隣り合う他の凹部25と接続されていることが好ましい。そして、多数の凹部25は、規則的な配列および不規則的な配列のいずれでも良いが、型面20a内にムラ無く分散して配列されていることが好ましい。ここで型面に沿った配列ピッチPbおよび型面に沿った幅Wbとは、型面20aをマクロ的または全体的に観察した場合の型面20aと一致する平面または曲面に沿った方向における配列ピッチまたは幅のことであり、後述する型の製造方法を採用した場合には、型の原材料となる陽極酸化処理を施される前における金属製基材の表面に沿った方向における配列ピッチまたは幅のことになる。また、型面への法線方向に沿った凹部の深さとは、型面20aをマクロ的または全体的に観察した場合の型面と一致する平面または曲面への法線方向、すなわち、型20の厚さ方向における深さのことであり、後述する型の製造方法を採用した場合には、型の原材料となる陽極酸化処理を施される前における金属製基材30の表面への法線方向に沿った深さのことになる。図1に示すように、型20は、陽極酸化層35と、陽極酸化層35に隣接する基層40と、を有している。陽極酸化層35は、型20の表層部を形成しており、陽極酸化層35の表面35aによって、型20の型面20aが形成されている。陽極酸化層35には、規則的または不規則的な配列により二次元配列された多数の孔36が形成されており、この孔36が型面20aの凹部25を画成している。したがって、作製される反射防止フィルム10の光学機能を考慮すると、多数の孔36は、規則的な配列および不規則的な配列のいずれでも良いが、表面35a内にムラ無く分散して配列されていることが好ましい。孔36がムラ無く型面20aに分散されていると、孔36の径のバラツキも小さくなる。したがって、この型20を用いて形成された反射防止フィルム10は、その平面方向においてムラのない反射防止機能を発揮することができ、また、この反射防止フィルム10が白化して観察されることを防止することができる。陽極酸化層35は、金属製基材30のうちの陽極酸化されることによって生成された層である。一方、基層40は、金属製基材30のうちの陽極酸化されなかった層である。すなわち、基層40は、金属製基材30のうちの陽極酸化されることなくそのまま残留した部分に相当する。図1に示すように、基層40は、結晶性を有した層として形成されている。したがって、基層40は多数の結晶粒結晶粒塊45を含んでおり、結晶粒45の間には、型20の厚さ方向に延びる結晶粒界42が形成されている。このような基層40金属製基材30は、例えば、減圧状態真空状態を含む概念で成膜された層、例えば、減圧下でのスパッタリングによって成膜された層や真空蒸着によって成膜された層とすることができる。図1に示すように、陽極酸化層35に形成された複数の孔36のうちの少なくとも一部の孔36aの最深部38は、型面20aへの法線方向すなわち、型20の厚さ方向に沿って、基層40における結晶粒界42によって取り囲まれた結晶粒45上に位置している。図1に示された型は、理想的な型であって、凹部25をなす孔36がムラ無く分散し、結果として、概ね均一なピッチで配置されている。そして、本実施の形態において、孔36からなる凹部25の平均ピッチは、基層40の結晶粒45の平均粒径よりも小さくなっている。なおここで、凹部25孔36のピッチは、隣り合う二つの凹部25孔36の最深部25a最深部38の型面20aに沿った間隔とする。凹部25孔36の平均ピッチは、厳密には、型20に含まれるすべての凹部25孔36についてのピッチを調べて、その平均値を算出することになる。しかしながら、凹部25孔36の大きさ等を考慮して、型20内での凹部25孔36のピッチの全体的な傾向を表し得ると期待される数量のピッチを調べて、その平均値を凹部25孔36の平均ピッチとしてもよい。また、結晶粒45の粒径とは、例えば図5のような平面視における当該結晶粒45の大きさ、言い換えると、型面20aへの法線方向と平行な方向から基層40を観察した場合に観察される当該結晶粒45の大きさと同面積の円の直径とする。結晶粒45の平均粒径は、厳密には、基層40に含まれるすべての結晶粒45について粒径を調べて、その平均値を算出することになる。しかしながら、結晶粒45の大きさ等を考慮して、型20内での結晶粒45の粒径の全体的な傾向を表し得ると期待される数量の結晶粒45の粒径を調べて、その平均値を結晶粒45の平均粒径としてもよい。次に、主として図2~図8を参照して、型20の製造方法について、説明する。まず、図2に示すように、金属製基材30を準備する。なお、この金属製基材30の少なくとも一つの面30a上に、凹部25が微細ピッチPbで配列された凹凸面型面20aが形成される。以下に説明する製造方法においては、この金属製基材30に陽極酸化処理を施して多数の孔36が形成されるため、金属製基材30をなす金属としては、自己組織化能を有した金属、アルミニウム、アルミニウム合金、タンタル等が好適に用いられ得る。また、図2に示す例において、金属製基材30は、結晶性を有している。すなわち、金属製基材30は、多数の結晶粒45を含んでおり、結晶粒45の境界には、金属製基材30の厚さ方向に延びる結晶粒界42が形成されている。このような金属製基材30は、例えば、酸化珪素からなる支持材上に減圧状態真空状態を含む概念で成膜された金属層として構成されている。また、具体的な成膜方法としては、減圧下でのスパッタリングや真空蒸着が用いられる。次に、図3および図4に示すように、金属製基材30に陽極酸化処理を施して、多数の孔36を含んだ多孔質酸化層35を金属製基材30の表層部に形成する。ここで説明する陽極酸化処理工程では、陽極酸化処理における化成電圧が互いに異なる図3に示された第1工程および図4に示された第2工程の二つが実施される。先に実施される陽極酸化処理の第1工程での化成電圧は第1電圧に設定され、後に実施される陽極酸化処理の第2工程での化成電圧は、第1電圧よりも高い第2電圧に設定される。陽極酸化処理の第1工程および第2工程では、電解液として、例えば、シュウ酸や硫酸を用いることができる。なお、図3および図4に示すように、陽極酸化処理によって形成される孔36の径は非常に微小となる。その一方で、孔36の深さは、陽極酸化処理の程度に大きく影響を受けるため、陽極酸化処理の程度を調節することによって、所望の長さの孔36を形成することができる。一方、一般的に、陽極酸化処理によって形成される孔36の分布密度、言い換えると、陽極酸化処理によって形成される孔36の間隔は、陽極酸化処理時の化成電圧によって制御される。より具体的には、陽極酸化処理における電圧が高いと、形成される孔の間隔が広がり、陽極酸化処理における電圧が低いと、形成される孔の間隔が狭くなる。したがって、陽極酸化処理における電圧が比較的に低い第1工程では、図1に示すように、陽極酸化層35の形成にともない、孔37が短ピッチで形成されていく。なお、陽極酸化層35の形成にともない、金属製基材40が、陽極酸化層35と基層40とに区分けされる。次に、陽極酸化処理における電圧が比較的に高い第2工程では、第1工程よりも長ピッチで配列された孔36の形成が進められる。ただし、本件発明者らが鋭意研究を重ねたところ、第2工程で形成される孔36は、金属製基材30の表面30aに新たな孔が形成されていくのではなく、図4に示すように、陽極酸化層35の厚みが増していくのにともなって、第1工程で形成された孔37の一部を起点として、当該孔37の深さを更に深くすることによって形成される。すなわち、第2工程では、第1工程で形成された多数の孔37のうちの一部の孔36の深さが深くなっていく。そして、このときに深さが深くなっている孔36は、第2電圧に対応した間隔で金属製基材30の表面30aに分散している。ここで、図5は、第2工程が終了した後の孔36の位置を模式的に示す図であって、金属製基材30をその表面30aの側から模式的に示す平面図である。図5には、金属製基材30の結晶粒45および結晶粒界42とともに、第2工程で深さが深くなった孔36の位置が○で示されるとともに、第1工程で形成された孔37であって第2工程において深さの変化が大きく生じなかった孔37の位置が△で示されている。図2~図4、並びに、後述する図6~図8は、図5におけるA-A線に沿った断面を示している。一方、図15は、図5と同一の金属製基材130に対して、すなわち、図5と同一の結晶粒145のパターンを持つ金属製基材130に対して、第1工程を行うこと無く、最初から第2電圧での陽極酸化処理を行った後の孔137の位置を模式的に示す図であって、当該金属製基材130をその表面130aの側から模式的に示す平面図である。本件発明者らが確認したところ、陽極酸化処理で形成される孔の分布密度は、陽極酸化処理における電圧によって或る程度の調節が可能であった。しかしながら、陽極酸化処理の対象となる金属製基材の表面性状に拠っては、形成される多数の孔が、ムラ無く分散せず、偏って配列されるようになることが知見された。金属製基材の表面が平滑でない場合には、孔の配列が、金属製基材の表面の凹凸に関連して偏ってしまう。より具体的には、凹凸の凹部の位置に、孔が形成されやすくなる。また、図5および図15に示すように、結晶性を有した金属性基材30,130を用いた場合、金属製基材30,130の表面30a,130aに、結晶粒界42,142によって線状に延びる溝状の凹部が画成される。そして、陽極酸化処理によって形成される孔37,137は、結晶性を有した金属性基材30,130の結晶粒界42,142上に偏って配列される傾向が生じた。さらに、孔の平均ピッチが結晶粒の平均粒径よりも十分に大きくなっている場合には特に問題が無いが、孔の平均ピッチが結晶粒の平均粒径以下の場合であって、とりわけ図15に示すように、孔137の平均ピッチが結晶粒145の平均粒径と大きく異なっていない場合には、孔137が結晶粒界142上に偏ってしまった結果として、孔137の配列にムラが生じてしまう。すなわち、本件発明者らは、孔137の分散の均一性に、陽極酸化処理を施される金属製基材130の表面性状にも大きく依存し、陽極酸化の化成電圧だけでは十分に調整することができないことを、見出した。一方、本実施の形態では、第2電圧で陽極酸化処理を行う第1工程の前に、第2電圧よりも低い第1電圧で陽極酸化処理を行う第1工程が実施される。このためたとえ、最終的に要望される孔36の平均ピッチ、すなわち第2電圧の陽極酸化処理で形成される孔36の平均ピッチが、結晶粒45の平均粒径と概ね同一であったとしても、第1工程によって形成される孔37の平均ピッチを、結晶粒45の平均粒径よりも十分に小さくすることができる。この結果、図5に示すように、第1工程によって形成される孔37は、結晶粒界42上に或る程度偏ってしまうことがあるが、結晶粒界42上だけでなく、結晶粒界42に囲まれた結晶粒45上にも位置するようになる。次に、第2工程では、第2電圧に対応した分散密度で孔36が形成される。図4に示すように、孔36は、第1工程で形成された孔37の一部について、その深さを深くすることによって、形成される。図5に示すように、このとき深さが深くなる孔36は、第1工程で形成された孔37から、第2電圧に対応したピッチで分散した孔が選ばれる傾向が生じる。したがって、本実施の形態によれば、第2工程後に形成されるべき孔36の平均ピッチが結晶粒45の平均粒径と概ね同一であったとしても、金属製基材30の表面性状からの影響が少なくとも緩和され、第1電圧の設定によっては金属製基材30の表面性状からの影響が概ね完全に排除され、多数の孔36の配列は、陽極酸化処理の電圧、すなわち第2電圧に主として制御されるようになる。そして、本実施の形態では、結晶粒界42の影響が少なくとも緩和され、孔36は、結晶粒界42上に偏ることなく、結晶粒界42に取り囲まれた結晶粒45上にも位置するようになる。以上のようにして、孔36を陽極酸化する第1工程および第2工程が実施され、孔36がムラ無く分散して金属製基材30の表面層に形成される。次に、図6に示すように、エッチングにより、陽極酸化層35に形成された孔36の径を拡大させる。エッチングには、例えば、しゅう酸、リン酸や、リン酸/クロム酸混合液を用いることができる。エッチング処理によって、陽極酸化層35の孔36は、径方向および深さ方向の両方に拡大する。このとき、金属製基材30の表面層30aは、エッチングによって除去される。図6に示された例では、孔37の形跡が若干残る程度に金属製基材30がエッチングされているが、これに限られず、金属製基材30のうちの孔37が形成されている領域が除去されるよう、孔37の形跡が完全に消える程度にまで金属製基材30がエッチングされるようにしてもよいし、或いは、金属製基材30のエッチングの程度を図6に示されて程度よりも弱めてもよい。次に、必要に応じて、陽極酸化処理によって孔36の深さをさらに深くする工程と、その後にエッチングによって孔36を拡径する工程とが、一回ずつ、或いは、複数回交互に繰り返して実施される。図7に示すように、追加の陽極酸化処理によって孔36の深さをさらに深くする工程では、陽極酸化処理をさらに行うことによって、陽極酸化層35の厚さが増すとともに、孔36の深さがさらに深く延びる。この追加の陽極酸化処理時の化成電圧は、第2工程における電圧と同一である第2電圧とすることができる。この場合、陽極酸化層35の表面層35aに新たな孔が形成されることなく、それまでに形成された孔36の深さを深くすることができる。また、このとき深く延び出る部分の幅は、それまでにエッチングによって拡径された部分と比較して細い。このため、孔36は、最深部に向けて先細りする形状となる。図8に示すように、追加のエッチングによって孔36を拡径する工程では、陽極酸化層35の孔36が、径方向および深さ方向の両方にさらに拡大する。このとき、陽極酸化層35の表面層35aは、エッチングによってさらに浸食される。図8に示された例では、最初の陽極酸化処理の第1工程で形成された孔37の形跡が完全に消えている。すなわち、第1工程において形成される複数の孔37のうち、第2工程において深さが深くなる一部の孔36以外の孔図5における△で示された孔が形成されている領域厚み部分は、エッチングによって除去される。追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを行うことにより、孔36の断面積および孔36の幅が孔36の深さ方向に沿って急変する箇所の形状が修正される。これにより、図8に示すように孔36の断面積および孔36の幅の変化がなだらかになる。図示された例では、図8に示された状態から、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングをさらに一回以上行うことにより、孔36が凹部25を画成して、図1に示された型20が得られる。図1に示された型において、隣り合う二つの凹部25は、開口部25bに向けてしだいに接近し、最終的に接続する。また、凹部25の断面積および凹部25の幅Wbが、当該凹部25の開口部25bから最深部25aに向けてしだいに減少していき、凹部25の断面積および凹部25の幅Wbが急激に変化する箇所が存在しないようにすることができる。加えて、型の凹部25を画成するようになる孔36は、第1電圧で陽極酸化処理を行う第1工程と第1電圧よりも高い第2電圧で陽極酸化処理を行う第2工程との両方を行うことによって、陽極酸化層35に表面35aにムラ無く分散して形成されている。この結果、孔36によって画成される凹部25は、型面20aにムラ無く分散して配置されるようになる。さらに、孔36の平均ピッチが結晶粒45の平均粒径よりも小さいため、凹部25の平均ピッチが基層40の結晶粒45の平均粒径よりも小さくなる。次に、以上に説明した型20を用いて、反射防止フィルム10を作製する方法の一例について説明する。以下に説明する例では、型20を用いて電離放射線硬化型樹脂を賦型することによって、反射防止フィルム10を製造する方法について説明する。まず、図9に示すように、型20の型面20aに対向する位置に、透明フィルム材53が供給されるとともに、透明フィルム材53と型20の型面20aとの間に、流動性を有した電離放射線樹脂材料52が供給される。なお、流動性を有するとは、型20の型面20aへ供給された樹脂材料52が、型面20aの凹部25内に入り込み得る程度の流動性を有することを意味している。供給される樹脂材料52としては、成型に用いれ得る種々の既知な材料、例えば、多官能ウレタンアクリレートオリゴマーとジペンタエリスリトールヘキサアクリレート系モノマーとの組成物からなる電離放射線硬化型樹脂材料を用いることができる。電離放射線硬化型樹脂としては、例えば、紫外線UVを照射されることにより硬化するUV硬化型樹脂や、電子線EBを照射されることによって硬化するEB硬化型樹脂を選択することができる。その後、図10に示すように、電離放射線を、透明フィルム材53を介して電離放射線樹脂材料52に照射する。この結果、型面20の凹部25内に充填されていた電離放射線硬化型樹脂材料52が固化硬化して、電離放射線硬化型樹脂材料52の固化物硬化物からなるモスアイ構造11をなす凸部15が形成されるようになる。これにより、固化した電離放射線硬化型樹脂材料52および透明フィルム材53からなる反射防止フィルム10が作製される。その後、図11に示すように、透明フィルム材53が型20から離間し、これにともなって、型面20aの凹部25内に成型された凸部15が透明フィルム材53とともに型20から引き離される。このようにして、反射防止フィルム10が得られる。なお、上述した方法において、透明フィルム材53の表面は型20の表面型面20aに接触していないことが好ましい。この場合、図11に示すように、硬化した樹脂材料52からなるシート状のランド部54が一定の厚みの層として透明フィルム材53上に形成され、当該ランド部54上に、モスアイ構造11をなす凸部15が形成されるようになる。また、ランド部54によって、凸部15を支持する基準平面SPが形成されるようになる。このような方法によれば、成型された凸部15が、離型時に、型20内に部分的に残留してしまうことを効果的に防止することができる。なお、反射防止物品10の一部分をなすようになる透明フィルム材53としては、透光性を有した樹脂製シートを用いることができる。樹脂製シートとしては、特に限定されることなく種々のシートを用いることができ、一例として、無色透明の二軸延伸ポリエチレンテレフタレート製シート、トリアセチルセルロース製シート、アクリル製シート等を用いることができる。また、上述の作製方法を用いる場合、樹脂製シートの厚みを40μm以上500μm以下とすることができる。図1に示すように、隣り合う二つの凹部25は、開口部25bに向けてしだいに接近し、最終的に接続する。このような型20を用いて作製された反射防止フィルム10においては、隣り合う二つの凸部15が、基端部15b基準平面SPに向けてしだいに接近し、最終的に、基準平面SP上において接続する。したがって、反射防止フィルム10の屈折率が、基準平面SPへの法線方向に沿って基準平面SPの位置で、急激に変化してしまうことはない。このため、型20を用いて作製された反射防止フィルム10は、極めて優れた反射防止機能を発揮することができる。加えて、ここで説明した型20においては、凹部25が、型面25aにムラ無く分散している。このような型20を用いて作製された反射防止フィルム10においては、凸部15が、基準平面SP上にムラ無く分散する。したがって、反射防止フィルム10の優れた反射防止機能が、フィルム面に沿って均一に発揮されるようになり、また、反射防止フィルム10に白味が生じることを効果的に防止することができる。以上のような本実施の形態によれば、複数の凸部15を有し光の反射を防止し得る反射防止フィルム10の作製に用いられる型20の凹部25を、型面20a内にムラ無く分散して形成することができる。これにより、優れた光反射防止性能を呈し得る反射防止フィルム10を作製することができる。また、一旦形成された陽極酸化膜を廃棄していた従来の方法と比較すると、生産効率を大幅に改善することができ、且つ、廃棄されるべき元材が不必要となる。結果として、型20の製造コスト、これにともなって反射防止フィルム10の製造コストを大幅に低減することができる。なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。例えば、上述した実施の形態において、陽極酸化処理図3~図5参照およびエッチング図6参照の後に、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを2回ずつ行う例を示したが、これに限られない。追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを一回ずつ行うようにしてもよいし、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを三回以上ずつ行うようにしてもよいし、或いは、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを行わなくても良い。また、上述した実施の形態において、具体的に言及しなかったが、型20は、円筒状の型面を有したロール型として構成されてもよいし、平板状の型として構成されていてもよい。さらに、上述した実施の形態において、電離放射線硬化型樹脂を用いて反射防止フィルム10を製造する例を示したが、熱硬化性樹脂を用いて反射防止フィルム10を製造してもよい。さらに、上述した実施の形態において、型20を用いて、直接、反射防止フィルム10を作製する例を示したがこれに限られない。上述してきた型20を用いて、量産用型を作製し、この量産用型を用いて反射防止フィルム10を作製するようにしてもよい。この態様において、上述してきた型20は、間接的に、反射防止フィルム10の作製に用いられることになる。このような場合でも、本件明細書においては、この型20を、反射防止フィルムの作製に用いられる型として取り扱う。このような態様の一具体例では、上述してきた型20を用いて、まず、ネガ型を作製する。このネガ型は、例えば樹脂材料から、上述した実施の形態における反射防止フィルム10と同様にして、作製され得る。次に、例えばメッキ法等によってネガ型に金属等を充填し、型20の型面20aと同様の凹凸面を有した量産用型を作製する。得られた量産型を用いることによって、反射防止フィルム10を作製することができる。なお、この例において、一つの型20から、複数のネガ型を形成するようにしてもよい。以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。実施例次のようにして、実施例に係る型作製した。まず、酸化珪素からなる支持材上に、減圧下でのスパッタリングによって、アルミニウムを1μm膜厚で成膜して金属製基材を作成した。得られた金属製基材において、結晶粒の平均粒径は140nmとなっていた。この金属製基材に対して、上述の実施の形態で説明したように、第1工程および第2工程からなる陽極酸化処理と、エッチングとを行った。陽極酸化処理の第1工程では、化成電圧を15V第1電圧とし、第2工程では、化成電圧を35V第2電圧とした。その後、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを1回ずつ行って、実施例に係る型を得た。追加の陽極酸化処理での化成電圧は、35Vとした。実施例に係る型の型面を示す電子顕微鏡写真を図13に示す。図13からも理解されるように、孔によって画成される型の凹部は、型面内に、ムラ無く分散していた。また、孔が局所的に集まり、隣り合う孔が繋がって、結果として、開口径が大型化した凹部は存在しなかった。図13に示された写真から、100個の凹部について径同一面積の円に置き換えた時の当該円の直径を測定した。測定された100個の凹部の径の標準偏差σを、100個の凹部の径の平均値Daveで割った値σ/Daveは、16となった。また、実施例に係る型を用いて、上述の実施の形態で説明した方法により、反射防止フィルムを作製した。得られた反射防止フィルムは無色透明であり、優れた反射防止機能がムラ無く発揮された。比較例次のようにして、比較例に係る型作製した。まず、実施例と同様の金属製基材を準備した。この金属製基材に対して、化成電圧を35Vとした陽極酸化処理と、エッチングとを行った。その後、追加の陽極酸化処理および追加のエッチングを1回ずつ行って、実施例に係る型を得た。追加の陽極酸化処理での化成電圧は、35Vとした。以上の方法で、実施例に係る型を作製した。比較例に係る型の型面を示す電子顕微鏡写真を図14に示す。図14からも理解されるように、孔によって画成される型の凹部は、全体的に線状に並ぶように配列されており、また、凹部が局所的に集中して配置されている箇所も存在した。結果として、隣り合う二つの孔が繋がって、開口径が大型化した一つの凹部が形成されていた。図13に示された写真から、100個の凹部について径同一面積の円に置き換えた時の当該円の直径を測定した。測定された100個の凹部の径の標準偏差σを、100個の凹部の径の平均値Daveで割った値σ/Daveは、35となった。この数値から、比較例に係る型の凹部の径は、実施例に係る型の凹部の径と比較して、大きくばらついていることがわかる。また、この型を用いて、上述の実施の形態で説明した方法により、反射防止フィルムを作製した。得られた反射防止フィルムは白味がかっており、反射防止機能もフィルム面内でばらついた。"