"基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、X方向、Y方向及びZ方向にそれぞれ配設される少なくとも3本の管体を備え、前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されていることを特徴とする免震配管。前記免震配管は、平行に配設された一対の前記管体を2組以上備えることを特徴とする請求項1に記載の免震配管。基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、複数本の管体と、前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されていることを特徴とする免震配管。前記継手の少なくとも1つは、Oリングを備えていることを特徴とする請求項3に記載の免震配管。しかしながら、基板処理に用いられ、ガス供給管や排気管を通過する処理ガスや排ガス等のガスは、特殊なガスであったり、加熱された高温のガスである場合がある。このため、ガス供給管又は排気管として樹脂等で形成された管が用いられた場合、地震等の揺れを吸収し、ガス供給管又は排気管の破損を防止できるものの、樹脂が溶けて有害物質が発生する場合がある。また、配管強度が低い場合がある。また、ガス供給管又は排気管として、ベローズ部を備える管が用いられた場合、地震等の揺れを吸収し、ガス供給管又は排気管の破損は低減できるものの、処理ガスや排ガス等のガスが通過すると、ベローズ部にガスの反応生成物が堆積し、ガス供給管又は排気管の寿命が短くなる場合があった。また、ベローズ部に堆積した反応生成物に起因するパーティクルが発生する場合があった。また、基板処理工程で加圧したり減圧することで、ベローズ部が伸縮するためガス供給管や排気管の耐久性が低下し、強度が低くなる場合があった。本発明は、基板処理装置に設けられた配管の地震等の振動による破損を低減でき、配管内へのガスの反応生成物の堆積を低減できる免震配管を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、X方向、Y方向及びZ方向にそれぞれ配設される少なくとも3本の管体を備え、前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されている免震配管が提供される。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、複数本の管体と、前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されている免震配管が提供される。本発明に係る免震配管によれば、基板処理装置に設けられた配管の地震等の振動による破損を低減でき、配管内へのガスの反応生成物の堆積を低減できる。<本発明の一実施形態>本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。1基板処理装置の構成まず、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置について、図1~図6を用いて説明する。図1は、本実施形態にかかる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、aは処理炉部分の縦断面図であり、bはaのA-A線断面図である。図2は、本実施形態にかかるガス供給系の部分構成図である。図3は、本実施形態にかかるガス供給系に配設された免震配管の斜視図である。図4は、本実施形態にかかる排気管に配設された免震配管の概略構成図である。図5は、本実施形態にかかる排気管の部分拡大図であり、aは免震配管部分の縦断面図であり、bは免震配管部分の横断面図である。図6は、本実施形態にかかる排気管の継手部分の縦断面図である。処理室図1に示されているように、処理炉202は反応管203を備えている。反応管203は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には処理室201が形成され、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばSUS等の金属材料により構成されている。マニホールド209は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の内径は、ウエハ200を装填したボート217の最大外径よりも大きくなるように形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合している。マニホールド209は、反応管203を支持するように設けられている。なお、マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209が図示しないヒータベースに支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となっている。主に、反応管203と、マニホールド209とにより反応容器が形成されている。マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円板状に形成されている。シールキャップ219とマニホールド209との間には、シール部材としてのOリング220bが設けられている。基板保持具シールキャップ219上には、例えば石英キャップから成る断熱体218を介して基板保持具としてのボート217が立設されている。ボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、上述したように複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて管軸方向に多段に保持されるように構成されている。断熱体218は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、断熱体218は、後述するヒータ207からの熱を反応管203側に伝えにくくするように構成されている。このように、断熱体218は、断熱部材として機能すると共にボート217を保持する保持体としても機能する。なお、断熱体218は、図示するような石英キャップに限らず、例えば円板形状に形成された断熱板が水平姿勢で多段に複数枚配置されたものであってもよい。シールキャップ219の処理室201と反対側にはボート217を回転させる回転機構267が設けられている。回転機構267の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、ボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は反応管203の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ215によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。加熱部反応管203の外側には、反応管203の側壁面を囲う同心円状に、処理室201内を加熱する加熱手段加熱機構としてのヒータ207が設けられている。ヒータ207は、円筒形状に形成されている。ヒータ207は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。反応管203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ207及び温度センサ263には、後述するコントローラ280が電気的に接続されている。コントローラ280は、処理室201内の温度が所定の温度分布となるように、温度センサ263により検出された温度情報に基づいてヒータ207への供給電力を所定のタイミングにてそれぞれ制御するように構成されている。ガス供給系マニホールド209には、第1ガス導入部としての第1ノズル233aと、第2ガス導入部としての第2ノズル233bとが、マニホールド209を貫通するように設けられている。第1ノズル233aには、第1ガス供給管232aが接続され、第2ノズル233bには、第2ガス供給管232bが接続されている。このようにマニホールド209には、2本のノズル233a及び233bと、2本のガス供給管232a及び232bとが接続されており、処理室201内に複数種類、ここでは少なくとも2種類の処理ガスを供給できるように構成されている。第1ノズル233a及び第2ノズル233bは、それぞれ水平部と垂直部とを有するL字型のロングノズルとして構成されている。水平部がマニホールド209の側壁を貫通するようにそれぞれ接続され、垂直部が反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第1ノズル233a、第2ノズル233bの垂直部側面には、ガスを供給する供給孔である第1ガス供給孔248a、第2ガス供給孔248bがそれぞれ設けられている。この第1ガス供給孔248a、第2ガス供給孔248bは、ウエハ200が積層される方向鉛直方向に沿って、それぞれ複数個ずつ、ウエハ200の中心に向けて開口されている。第1ガス供給孔248a及び第2ガス供給孔248bはそれぞれ、同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。なお、第1ガス供給孔248a及び第2ガス供給孔248bの開口径は、反応管203内のガスの流量分布や速度分布を適正化するように、下部から上部にわたって徐々に大きくする等してもよい。第1ガス供給管232aには、上流側から順に、第1ガス供給源240a、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241a、開閉弁であるバルブ243aが設けられている。第1ガス供給管232aのバルブ243aよりも下流側には、第1不活性ガス供給管232cが接続されている。第1不活性ガス供給管232cには、上流側から順に、第1不活性ガス供給源240c、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241c、開閉弁であるバルブ243cが設けられている。第1ガス供給管232aの下流端には、上述の第1ノズル233aの上流端が接続されている。第2ガス供給管232bには、上流側から順に、第2ガス供給源240b、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241b、開閉弁であるバルブ243bが設けられている。第2ガス供給管232bのバルブ243bよりも下流側には、第2不活性ガス供給管232dが接続されている。第2不活性ガス供給管232dには、上流側から順に、第2不活性ガス供給源240d、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241d、開閉弁であるバルブ243dが設けられている。第2ガス供給管232bの下流端には、上述の第2ノズル233bの上流端が接続されている。マスフローコントローラ241a~241d及びバルブ243a~243dには、後述するコントローラ280が電気的に接続されている。コントローラ280は、処理室201内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、マスフローコントローラ241a~241dを制御するように構成されている。主に、第1ガス供給管232a、第1ガス供給源240a、マスフローコントローラ241a、バルブ243a及び第1ノズル233aにより、第1ガス供給系が構成される。また、主に、第2ガス供給管232b、第2ガス供給源240b、マスフローコントローラ241b、バルブ243b及び第2ノズル233bにより、第2ガス供給系が構成される。主に、第1不活性ガス供給管232c、第1不活性ガス供給源240c、マスフローコントローラ241c及びバルブ243cにより、第1不活性ガス供給系が構成される。なお、第1ガスノズル233aを第1不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に第2不活性ガス供給管232d、第2不活性ガス供給源240d、マスフローコントローラ241d及びバルブ243dにより、第2不活性ガス供給系が構成される。なお、第2ガスノズル233bを第2不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。第1ガス供給系、第2ガス供給系、第1不活性ガス供給系及び第2不活性ガス供給系により、本実施形態にかかるガス供給系が構成される。第1ガス供給管232aからは、原料ガスとして、例えばシリコン元素Siを含むガスシリコン含有ガスが、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル232aを介して処理室201内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシランSiH2Cl2、略称:DCSガスを用いることができる。第2ガス供給管232bからは、反応ガスとして、例えば窒素元素Nを含むガス窒素含有ガスが、マスフローコントローラ241c、バルブ243c、第2ノズル233bを介して処理室201内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニアNH3ガスを用いることができる。第1不活性ガス供給管232c及び第2不活性ガス供給管232dからは、不活性ガスが、それぞれマスフローコントローラ241c及び241d、バルブ243c及び243d、第1ガス供給管232a、第2ガス供給管232b、第1ノズル233a、第2ノズル233bを介して処理室201内に供給される。不活性ガスとしては、例えばHeガス、Neガス、Arガス等の18族元素や、N2ガスを用いることができる。ガス供給系の免震配管図1に示すように、ガス供給系には免震配管部236が設けられている。すなわち、図2及び図3に示すように、第1ガス供給管232a、第2ガス供給管232b、第1不活性ガス供給管232c及び第2不活性ガス供給管232dはそれぞれ、処理炉202に固定された配管234a~234dと、処理炉202外に設けられたガス供給源240a~240dに固定された配管235a~235dと、の間に免震配管236a~236dを備えて構成されている。配管234a~234dには、マスフローコントローラ241a~241d及びバルブ243a~243dが設けられている。免震配管部236は、免震配管236a~236dにより構成されている。配管235aの上流端は、処理炉202外に設けられた第1ガス供給源240aに接続されて固定されている。配管235aの下流端は、免震配管236aの上流端に接続され、免震配管236aの下流端は、配管234aの上流端に接続されている。配管234aの下流端は、マニホールド209に貫通して設けられた第1ガスノズル233aに接続されて、処理炉202に固定されている。図3に、免震配管部236を構成する免震配管236aの概略図を示す。免震配管236aは、例えば処理炉202の左右方向をX方向とし、前後方向をY方向とし、上下方向をZ方向とした場合、X方向に配設される2本の管体237a,237bと、Y方向に配設される2本の管体238a,238bと、Z方向に配設される1本の管体239と、の5本の管体を備えている。X方向に配設される管体237a,237bと、Y方向に配設される管体238a,238bと、Z方向に配設される管体239とは、それぞれの軸が互いに直交する。そして、X方向の管体237a,237bと、Y方向の管体238a,238bと、Z方向の管体239とが、一連となるようにそれぞれ接続されて、免震配管236aが構成されている。なお、X方向の管体237a,237b、Y方向の管体238a,238b及びZ方向の管体239を配設する順番は、特に限定されるものではない。このように、第1ガス供給管232aが免震配管236aを備えることで、例えば地震等の振動による第1ガス供給管232aの破損を低減できる。すなわち、5本の管体237a,237b,238a,238b及び239はそれぞれ、例えばSUS等の金属材料で構成されており、管体自体が撓む性質を有する。このため、X方向に配設された管体237a,237bと、Y方向に配設された管体238a,238bと、が撓むことで、Z方向の揺れを吸収し、Y方向に配設された管体238a,238bと、Z方向に配設された管体239と、が撓むことで、X方向の揺れを吸収し、X方向に配設された管体237a,237bと、Z方向に配設された管体239と、が撓むことで、Y方向の揺れを吸収する。この結果、免震配管236aがX方向、Y方向及びZ方向の3方向の揺れを吸収することができるため、地震等により、配管234aと配管235aとの間に生じた相対変位に追従でき、第1ガス供給管232aが折れて破損すること等を低減できる。免震配管236aは、平行に配設された一対の管体を2組以上備える。すなわち、免震配管236aは、X方向に平行に配設された管体237a及び237bと、Y方向に平行に配設された管体238a及び238bと、の2組を備える。これにより、免震配管236aの上流端と下流端との軸を同軸に配置できる。従って、処理炉202に固定された配管234aと、ガス供給源240aに固定された配管235aとを同軸にでき、既存の設備にわずかな改良を加えるだけで免震配管部236を設置することができる。なお、ガス供給系を構成する第2ガス供給管232b、第1不活性ガス供給管232c及び第2不活性ガス供給管232dが備える免震配管236b~236dについても、上述した第1ガス供給管232aが備える免震配管236aと同様に構成されている。排気系図1に示すように、マニホールド209の側壁には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、上流側から順に、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245、圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ242、及び排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。圧力センサ245及びAPCバルブ242には、後述するコントローラ280が電気的に接続されている。コントローラ280は、圧力センサ245により検知した圧力情報に基づいて、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるように、APCバルブ242を制御するように構成されている。主に、排気管231、APCバルブ242、真空ポンプ246、及び圧力センサ245により排気系が構成される。排気系の免震配管図4及び図5に示すように、排気管231は、処理炉202に固定された配管250と、処理炉202外に設けられた真空ポンプ246に固定された配管251と、の間に免震配管252を備えて構成されている。配管251には、APCバルブ242が設けられている。配管250の上流端は、マニホールド209に貫通して接続され、処理炉202に固定されている。配管250の下流端は、免震配管252の上流端に接続され、免震配管252の下流端は、配管251の上流端に接続されている。配管251の下流端は、真空ポンプ246に接続されて固定されている。免震配管252は、複数本本実施形態では2本の管体253,254と、継手256a~256cと、を備えている。管体253,254は、屈曲部と直線部とを備えるL字形状に形成されている。継手256aは、下流側に位置する管体254の上流端に設けられ、継手256bは、管体253の上流端に設けられ、継手256cは、配管251の上流端に設けられている。継手256aは、管体253と管体254とを一連となるように接続する。継手256bは、配管250と免震配管252管体253とを一連となるように接続する。継手256cは、配管251と免震配管管体254とを一連となるように接続する。上流側に位置する管体253の外径は、下流側に位置する管体254の内径よりも小さくなるように形成されている。このとき、免震配管252を構成する管体のうち、最上流に位置する管体本実施形態では管体253の上流端の内径が、配管250の下流端の外径よりも大きくなるように形成するとよい。また、免震配管252を構成する管体のうち、最下流に位置する管体本実施形態では管体254の下流端の外径が、配管251の上流端の内径よりも小さくなるように形成するとよい。これにより、排気管231内を通過する排ガス等の抵抗を小さくでき、排気管231の圧損を低減できる。また、排気管231内、特に継手256a~256c部分に反応生成物等が滞留することを低減できる。図6に示すように、継手256a~256cはそれぞれ、2重Oリング構造を備えている。すなわち、継手256a~256cはそれぞれ、2つのOリング257a,257bと、2つのOリング257a,257b間の空間の排気を行う真空引きを行うための排気ポートバキュームポート258と、Oリング257a,257b及び排気ポート258を固定する樹脂チューブ259と、を備えて構成されている。樹脂チューブ259は、例えばSUS等のメタル材質により構成されている。このように、2重Oリング構造とすることで、管体253及び管体254と、配管250及び管体253と、管体254及び配管251との接続をそれぞれ気密にできる。また、排気ポート258で、Oリング257a,257b間の空間の排気を行い、樹脂チューブ259で排気後の空間を密封することで、上述の管体253,254、配管250及び配管251のそれぞれの接続をより気密にできる。この結果、排気管231内を通過する排ガス等が漏れ出ることを防止できる。そして、図5に示すように、上流側に位置する管体253の下流側が、下流側に位置する継手256a及び管体254に差込まれることで、管体253と継手256aとが接続される。これにより、管体253と管体254とが一連に接続されるとともに、管体253が、継手256aに対して摺動及び回転自在に構成される。そして、配管250の下流側が継手256bに差込まれることで、配管250と継手256bとが接続され、管体254の下流側が継手256cに差込まれることで、管体254と継手256cとが接続される。これにより、配管250と免震配管252と配管251とが一連となるように接続される。また、免震配管252管体253,254が、継手256cに対して摺動及び回転自在に構成される。このように、排気管231は、複数本の管体253、254と、これらの管体253,254及び配管250,251を一連となるように接続する継手256a~256cと、を備える免震配管252を備える。これにより、例えば地震等の振動による排気管231の破損を低減できる。すなわち、管体253、254すなわち免震配管252の摺動及び回転によって、免震配管252は、図5に示すように3方向に可動できる。この結果、排気管231が、地震等により生じた配管250と配管251との間の相対変位に追従でき、排気管231が折れて破損すること等を低減できる。このように、例えば、管体253及び254のように太く、短く、管体自体の撓みが少なくても、管体253,254が継手256a~256cに対して摺動及び回転することで揺れを吸収できる。制御部制御部制御手段であるコントローラ280は、マスフローコントローラ241a~241d、バルブ243a~243d、圧力センサ245、APCバルブ242、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、ボート回転機構267、ボートエレベータ215等に接続されている。コントローラ280により、マスフローコントローラ241a~241dによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a~243dの開閉動作、APCバルブ242の開閉及び圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動停止、ボート回転機構267の回転速度調節動作、ボートエレベータ215の昇降動作等の制御が行われる。2基板処理工程次に、上述の基板処理装置の処理炉202を用いて、半導体装置デバイスの製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に窒化シリコンSiN膜を成膜する工程例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。なお、本実施形態では、一例として、原料ガスとしてシリコンを含むDCSガスを、反応ガスとして窒素含有ガスであるNH3ガスを加熱された処理室201内に供給し、CVDChemicalVaporDeposition法によりウエハ200上にSiN膜を形成する。基板搬入工程まず、複数枚のウエハ200をボート217に装填ウエハチャージする。そして、図1に示すように、複数枚のウエハ200を保持したボート217を、ボートエレベータ215によって持ち上げて処理室201内に搬入ボートロードする。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。圧力温度調整工程処理室201内が所望の圧力真空度となるように、真空ポンプ246によって真空排気する。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ242の弁の開度をフィードバック制御する圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱する。この際、処理室201内が所望の温度分布、具体的には処理室201内でCVD反応が生じるような温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への供給電力をフィードバック制御する温度調整。続いて、ボート回転機構267によりボート217、すなわちウエハ200の回転を開始する。圧力調整、温度調整、ウエハ200の回転は、少なくとも後述する成膜工程の終了まで継続する。成膜工程続いて、まず、処理室201内に反応ガスであるNH3ガスを供給する。具体的には、第2ガス供給管232bに設けられたバルブ243bを開ける。これにより、マスフローコントローラ241bにより流量調整しつつ、ガス供給源242bから供給されたNH3ガスの第2ノズル231bを介した処理室201内への供給が開始される。同時に、第1不活性ガス供給管232cに設けられたバルブ243c又は第2不活性ガス供給管232dに設けられたバルブ243dの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるArガスを、処理室201内に供給してもよい。次に、NH3ガスで充満した処理室201内に、原料ガスであるDCSガスを供給する。具体的には、第1ガス供給管232aに設けられたバルブ243aを開けることで、第1ガス供給源242aから供給されたDCSガスの第1ノズル231aを介した処理室201内への供給が開始される。同時に、第1不活性ガス供給管232cに設けられたバルブ243c又は第2不活性ガス供給管232dに設けられたバルブ243dの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるArガスを、処理室201内に供給してもよい。NH3ガスで充満した処理室201内に供給されたDCSガスは、N2ガスにより希釈及び拡散されつつ、処理室201内を通過する際に加熱されたウエハ200の表面と接触する。その結果、ウエハ200上にSiN膜が堆積デポジションする。所定時間が経過して、SiN膜が所定の膜厚となったら、バルブ243aを閉じ、処理室201内へのDCSガスの供給を停止する。その後、バルブ243bを閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止する。パージ工程処理室201内へのDCSガス及びNH3ガスの供給を停止した後、バルブ243c又はバルブ243dの少なくともいずれかは開けたままとし、処理室201内へのArガスの供給を継続して行う。これにより、処理室201内をArガスによりパージし、処理室201内に残留している残留ガスや反応生成物を除去する。大気圧復帰基板搬出工程パージが完了したら、ヒータ207への電力供給を停止して処理室201内を降温させると共に、APCバルブ242の開度を調整して処理室201内の圧力を大気圧に復帰させる。そして、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順によりボート217を処理室201内から搬出ボートアンロードし、所定膜厚のSiN膜が成膜されたウエハ200をボート217から脱装ウエハディスチャージして、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。3本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。a本実施形態によれば、処理炉202に設けられたガス供給管232には、処理炉202に固定された配管234と、処理炉202外に設けられたガス供給源240に固定された配管235と、の間に免震配管部236が設けられている。そして、免震配管部236を構成する免震配管236a~236dはそれぞれ、X方向に配設される管体237a,237b、Y方向に配設される管体238a,238b、及びZ方向に配設される管体239を備えている。そして、管体237a,237b,238a,238b及び239が一連となるようにそれぞれ接続されている。これにより、例えば地震等の揺れでガス供給管242が大きく揺れた場合であっても、ガス供給管232の破損を低減できる。すなわち、樹脂等で構成されたフレキシブル管や、ベローズ部が設けられた配管をガス供給管232a~232dに用いることなく、地震等の揺れによるガス供給管232a~232dの破損を低減できる。すなわち、例えば地震等により振動が発生し、ガス供給管232が揺れた場合、X方向に配設された管体237a,237bと、Y方向に配設された管体238a,238bと、が撓むことで、Z方向の揺れを吸収できる。また、Y方向に配設された管体238a,238bと、Z方向に配設された管体239と、が撓むことで、X方向の揺れを吸収できる。そして、X方向に配設された管体237a,237bと、Z方向に配設された管体239と、が撓むことで、Y方向の揺れを吸収できる。この結果、免震配管236a~236dはそれぞれ、X方向、Y方向及びZ方向の全ての方向の揺れを吸収できる。これにより、免震配管236a~236dはそれぞれ、地震等の振動により、処理炉202に固定された配管234a~234dと、ガス供給源240a~240dに固定された配管235a~235dと、の間にそれぞれ生じた相対変位に追従できる。従って、ガス供給管232a~232dが折れて破損する等を低減できる。そして、ガス供給管232a~232d内を流れる処理ガス等のガスが外部に漏れ出ること等を防止できる。b本実施形態によれば、免震配管部236を構成する免震配管236a~236dはそれぞれ、平行に配設された一対の管体を2組以上備える。これにより、処理炉202に固定された配管234a~234dと、ガス供給源240a~240dに固定された配管235a~235dと、をそれぞれ同軸上に配置できる。従って、既存の設備にわずかな改良を加えるだけで免震配管部236を設置できる。c本実施形態によれば、処理炉202に設けられた排気管231には、処理炉202に固定された配管250と、処理炉202外に設けられた真空ポンプ246に固定された配管251と、の間に免震配管252が設けられている。免震配管252は、複数本本実施形態では2本の管体253,254と、これらの管体253,254を一連となるように接続する継手256a~256cと、を備えている。継手256aは、下流側に位置する管体254の上流端に設けられ、継手256bは、管体253の上流端に設けられ、継手256cは、配管251の上流端に設けられている。管体253が継手256aに差込まれることで、管体253と継手256aとが接続され、管体253が継手256aに対して摺動及び回転自在に構成されている。配管250が継手256bに差込まれることで、配管250と継手256bとが接続され、管体254が継手256cに差込まれることで、管体254と継手256cとが接続されて、免震配管252が、継手256b及び256cに対して摺動及び回転自在に構成されている。これにより、例えば地震等の揺れにより、排気管231が大きく揺れた場合であっても、排気管231の破損を低減できる。すなわち、地震等により振動が発生した場合、管体253が継手256aに対して摺動及び回転し、免震配管252管体253,254が、継手256b,256cに対してそれぞれ摺動及び回転することによって、免震配管252が、地震等により生じた配管250と配管251との間の相対変位に追従できる。これにより、排気管231が折れて破損すること等を低減できる。また、例えばSUS等の金属材料で構成された管体253及び254の撓みによっても地震等の揺れを吸収でき、排気管231の破損をより低減できる。d本実施形態によれば、管体253,254は、屈曲部と直線部とを備えるL字形状に形成されている。これにより、X方向、Y方向及びZ方向の3方向の揺れをより吸収でき、排気管231の破損をより低減できる。e本実施形態によれば、上流側に位置する前記管体253の外径が、下流側に位置する管体254の内径よりも小さくなるように形成され、上流側の管体253が、下流側の継手に差込まれる。これにより、排気管231内を通過する排ガス等の抵抗を小さくでき、排気管231の圧損を低減できる。また、排気管231内、特に継手256a部分に反応生成物等が滞留することを低減できる。f本実施形態によれば、継手256a~236cがOリングを備えている。これにより、免震配管252を回転自在に構成でき、また、免震配管252が回転した場合であっても、外気へのガス漏れを防止できる。また、継手256a~256cを2重Oリング構造としている。これにより、管体253及び管体254と、配管250及び管体253と、管体254及び配管251との接続をそれぞれ気密にできる。また、排気ポート258で、Oリング257a,257b間の空間の排気を行い、例えばSUS等のメタル材質により構成された樹脂チューブ259で排気後の空間を密封することで、上述の管体253,254、配管250及び配管251のそれぞれの接続をさらに気密にできる。この結果、排気管231内を通過する排ガス等が漏れ出ることを防止できる。以下、参考までに、従来のガス供給管及び排気管について、図8及び図9を用いて説明する。基板処理装置に設けられた従来のガス供給管232eは、図8に示すように、処理炉に固定された配管234と、処理炉外に設けられてガス供給源に固定された配管235と、の間に、固定された直管244を設けて構成されていた。このように、ガス供給管232eは、固定された配管であった。従って、例えば、地震等で基板処理装置が揺れて、ガス供給管232eが揺れた場合、ガス供給管232eが折れて破損したり、配管234と直管244との間の接続部や、直管244と配管235との間の接続部が緩む場合があった。この結果、ガス供給管232e内を通過する処理ガス等のガスが漏れ出てしまう場合があった。また、図9に示すように、基板処理装置に設けられた従来の排気管261は、処理炉202に固定され、ベローズ部262を備える配管263と、処理炉202外に設けられた排気装置としての真空ポンプ246に固定され、ベローズ部264を備える配管265とが接続されて構成されていた。このように排気管261は、ベローズ部262,264を備える構成であったため、処理ガスの反応生成物等がベローズ部262,264に堆積する場合があった。また、ベローズ部262,264が伸縮するため、排気管261の耐久性が低く、強度が低い場合もあった。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。上述した実施形態では、排気管231を構成する免震配管252の継手252a~252cがそれぞれ、管体253,254及び配管251の上流端に設けられる場合について説明したが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、免震配管252を構成する管体253の両端に継手256a,256bを設ける構成としてもよい。以下、このような構成を備える免震配管252について説明する。図7は、本実施形態にかかる基板処理装置に設けられた排気管231が備える免震配管の縦断面図である。図7に示すように、本実施形態にかかる免震配管260は、2本の管体253,254と、継手256a~256cと、を備え、管体253の両端に継手256a及び256bを設け、管体253と隣接する管体254の上流端及び配管250の下流端には継手を設けない点が、上述した実施形態と異なる。その他は、上述した実施形態と同様である。これによっても、管体254を継手256aに対して摺動及び回転可能に構成できるとともに、免震配管260を配管250,251に対してそれぞれ摺動及び回転可能に構成できる。この結果、免震配管260が、地震等により生じた配管250と配管251との間の相対変位に追従でき、上述した実施形態と同様に、排気管231が折れて破損すること等を低減できる。また、上流端及び下流端に継手256a,256bがそれぞれ設けられた管体253は、上流端の内径が、下流端の内径よりも小さくなるように形成してもよい。これにより、排気管231内を通過する排ガス等のガス等の抵抗を小さくし、排気管231の圧損を低減できる。<本発明の更に他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態で図2及び図3に示すガス供給管232a~232dに設けた免震配管236a~236dの構成を、排気管231に設けられる免震配管に適用してもよく、図4~図7に示す排気管231に設けた免震配管252又は免震配管260の構成を、ガス供給系に設けられる免震配管に適用してもよい。また、これらの免震配管236a~236d、252、260の構成を適宜組み合わせてもよい。また、例えば、上述の実施形態では、X方向、Y方向、Z方向にそれぞれ配設される管体237a,237b,238a,238b,239の長さをそれぞれ同じ長さとしたが、異なる長さとしてもよい。このとき、平行に配設される管体237a及び237b、238a及び238bの長さは、それぞれ同じ長さとするのがよい。また、例えば、上述の実施形態では、免震配管236aが、X方向に配設される2本の管体237a,237b、Y方向に配設される2本の管体238a,238b、及びZ方向に配設される管体239の、5本の管体からなる場合について説明したが、これに限定されない。すなわち、免震配管236a~236dはそれぞれ、X方向、Y方向及びZ方向にそれぞれ配設される少なくとも3本の管体を備えていればよい。また、例えば、上述の実施形態では、X方向、Y方向、Z方向にそれぞれ配設される管体237a,237b,238a,238b,239は、直管としたが、屈曲部と直線部とを有するL字形状としてもよい。また、例えば、上述の実施形態では、管体253,254はそれぞれ、屈曲部と直線部とを備えるL字形状としたが、直管としてもよい。また、例えば、上述の実施形態では、継手256a~256cを2重Oリング構造としたが、1重Oリング構造、あるいは3重以上のOリング構造としてもよい。また継手256a~256cの全てを2重Oリング構造とする場合に限らず、少なくとも1つが2重Oリング構造であってもよい。また、例えば、上述した縦型処理炉を備える基板処理装置に限らず、枚葉式、HotWall型、ColdWall型の処理炉を有する基板処理装置や、例えばMMT装置等の処理ガスを励起させてウエハ200を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。<本発明の好ましい態様>以下に、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、X方向、Y方向及びZ方向にそれぞれ配設される少なくとも3本の管体を備え、前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されている免震配管が提供される。好ましくは、前記免震配管は、平行に配設された一対の前記管体を2組以上備える。また好ましくは、前記処理炉に固定された前記配管と、前記ガス供給源又は前記排気装置に固定された前記配管とが同軸上にある。また好ましくは、前記管体はそれぞれ、同じ長さの直管である。本発明の他の態様によれば、基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、前記免震配管は、複数本の管体と、前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されている。好ましくは、前記継手の少なくとも1つは、Oリングを備えている。また好ましくは、前記継手は、前記管体の上流端に設けられている。また好ましくは、上流側に位置する前記管体の外径が、下流側に位置する前記管体の内径よりも小さくなるように形成され、上流側に位置する前記管体が、下流側に位置する前記管体に差込まれる。好ましくは、前記継手は、少なくとも一本の前記管体の上流端及び下流端に設けられ、前記継手が設けられた前記管体に隣接する前記管体には、継手が設けられていない。また好ましくは、上流端及び下流端に前記継手が設けられた前記管体は、上流端の内径が下流端の内径よりも小さい。また好ましくは、前記管体の少なくとも一つは、屈曲部と直線部とを備える。また好ましくは、前記配管と前記免震配管とが前記継手を介して接続され、前記免震配管が、前記配管に対して摺動及び回転自在に構成されている。また好ましくは、前記継手の少なくとも1つは、2つのOリングと、2つの前記Oリング間の空間の排気を行うための排気ポートと、前記Oリング及び前記排気ポートを固定する樹脂チューブと、を備える。"