所定の磁極ピッチでN極とS極とが交互に並ぶ直線状の磁気スケールの相対移動を検出するための磁気センサにおいて、基板表面が前記磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行なセンサ基板と、前記基板表面に形成されている基本波検出用磁気抵抗パターンと、前記基本波検出用磁気抵抗パターンからの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を取り除くために、前記基板表面において前記基本波検出用磁気抵抗パターンから前記相対移動方向に前記磁極ピッチの1/8よりも短い所定距離だけ離れた位置に形成されて当該基本波検出用磁気抵抗パターンに直列に接続されている高調波成分除去用磁気抵抗パターンとを有することを特徴とする磁気センサ。請求項1において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンおよび前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは同一形状であり、前記所定距離は、前記磁極ピッチを1としたときに、以下の範囲にあることを特徴とする磁気センサ。0.086<D<0.098D:所定距離請求項2において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンは、前記磁極面と直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第1帯状部および前記相対移動方向に延びて当該一対の第1帯状部の前記磁極面側の端を連結している第1連結部からなる第1折り返しパターンを備えており、前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは、前記磁極面と直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第2帯状部および前記相対移動方向に延びて当該一対の第2帯状部の前記磁極面側の端を連結している第2連結部からなる第2折り返しパターンを備えていることを特徴とする磁気センサ。請求項3において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンは、前記第1折り返しパターンを複数備えており、前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは、前記第2折り返しパターンを前記第1折り返しパターンと同数備えており、複数の前記第1折り返しパターンは、直列に接続されており、複数の前記第2折り返しパターンは、直列に接続されていることを特徴とする磁気センサ。請求項1ないし4のうちのいずれかの項において、互いに90°の位相差で磁気スケールの移動検出を行うA相とB相を検出するために前記基板表面に形成されたA相用磁気抵抗パターンおよびB相用磁気抵抗パターンを有しており、前記A相用磁気抵抗パターンとして、180°の位相差をもって磁気スケールの移動検出を行うa相用磁気抵抗パターンおよび-a相用磁気抵抗パターンとを備えており、前記B相用磁気抵抗パターンとして、180°の位相差をもって磁気スケールの移動検出を行うb相用磁気抵抗パターンおよび-b相用磁気抵抗パターンとを備えており、前記a相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2a相用磁気抵抗パターンを備え、前記-a相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2-a相用磁気抵抗パターンを備え、前記b相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2b相用磁気抵抗パターンを備え、前記-b相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2-b相用磁気抵抗パターンを備え、前記第1、第2a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2-a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2b相用磁気抵抗パターン、および、前記第1、第2-b相用磁気抵抗パターンのそれぞれは、前記基本波検出用磁気抵抗パターンおよび高調波成分除去用磁気抵抗パターンを備えており、前記第1、第2a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2-a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2b相用磁気抵抗パターン、および、前記第1、第2-b相用磁気抵抗パターンは、フルブリッジ回路を構成していることを特徴とする磁気センサ。請求項1ないし5のうちのいずれかの項に記載の磁気センサと、前記磁極ピッチでN極とS極とが交互に並ぶ直線状の磁気スケールとを有することを特徴とするリニアエンコーダ。ここで、センサ基板を、基板表面が磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行な状態に配置すれば、基板表面に形成されている磁気抵抗パターンの垂直方向の長さ分の範囲で磁気スケールの磁極面の前方の磁界を検出できるので、基板表面を磁気スケールの磁極面に対向させた状態に配置する場合と比較して、センサ基板と磁気スケールの間のギャップを大きくすることが可能となる。しかし、特許文献1の磁気センサを基板表面が磁気スケールの磁極面と垂直になる状態に配置すると、各磁気抵抗パターンからの出力信号に重畳する高調波成分が打ち消されなくなり、位置検出精度が低下するという問題がある。本発明の課題は、このような点に鑑みて、センサ基板を基板表面が磁気スケールの磁極面に垂直となる状態に配置した場合に、基板表面に形成された磁気抵抗パターンからの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を低減させることができる磁気センサおよびリニアエンコーダを提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明は、所定の磁極ピッチでN極とS極とが交互に並ぶ直線状の磁気スケールの相対移動を検出するための磁気センサにおいて、基板表面が前記磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行なセンサ基板と、前記基板表面に形成されている基本波検出用磁気抵抗パターンと、前記基本波検出用磁気抵抗パターンからの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を取り除くために、前記基板表面において前記基本波検出用磁気抵抗パターンから前記相対移動方向に前記磁極ピッチの1/8よりも短い所定距離だけ離れた位置に形成されて当該基本波検出用磁気抵抗パターンに直列に接続されている高調波成分除去用磁気抵抗パターンとを有することを特徴とする。また、本発明において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンおよび前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは同一形状であり、前記所定距離は、前記磁極ピッチを1としたときに、以下の範囲にあることを特徴とする。0.086<D<0.098D:所定距離本発明の発明者は、センサ基板を基板表面が磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行な状態に配置する場合には、基板表面において基本波検出用磁気抵抗パターンから相対移動方向に磁極ピッチの1/8よりも短い所定距離だけ離れた位置に高調波成分除去用磁気抵抗パターンを形成して基本波検出用磁気抵抗パターンに直列に接続することによって、基本波検出用磁気抵抗パターンからの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を低減、或いは、除去することが可能であることを見出した。また、本発明者は、基本波検出用磁気抵抗パターンと高調波成分除去用磁気抵抗パターンとの間の所定距離を上記の範囲とすることにより、磁気センサからほとんど歪みのない正弦波の出力信号を得ることができ、磁気スケールの移動位置の検出誤差を僅かなものとすることが可能であることを見出した。この場合において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンは、前記磁極面と直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第1帯状部および前記相対移動方向に延びて当該一対の第1帯状部の前記磁極面側の端を連結している第1連結部からなる第1折り返しパターンを備えており、前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは、前記磁極面と直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第2帯状部および前記相対移動方向に延びて当該一対の第2帯状部の前記磁極面側の端を連結している第2連結部からなる第2折り返しパターンを備えていることが望ましい。このようにすれば、基本波検出用磁気抵抗パターンの端および高調波成分除去用磁気抵抗パターンの端がいずれもセンサ基板の磁気スケールとは反対側に位置する。従って、これら基本波検出用磁気抵抗パターンおよび高調波成分除去用磁気抵抗パターンに対する配線をセンサ基板の磁気スケールとは反対側の領域で行うことが容易となる。また、この場合において、前記基本波検出用磁気抵抗パターンは、前記第1折り返しパターンを複数備えており、前記高調波成分除去用磁気抵抗パターンは、前記第2折り返しパターンを前記第1折り返しパターンと同数備えており、複数の前記第1折り返しパターンは、直列に接続されており、複数の前記第2折り返しパターンは、直列に接続されているものとすることができる。本発明において、磁気スケールの移動位置を精度よく検出するためには、互いに90°の位相差で磁気スケールの移動検出を行うA相とB相を検出するために前記基板表面に形成されたA相用磁気抵抗パターンおよびB相用磁気抵抗パターンを有しており、前記A相用磁気抵抗パターンとして、180°の位相差をもって磁気スケールの移動検出を行うa相用磁気抵抗パターンおよび-a相用磁気抵抗パターンとを備えており、前記B相用磁気抵抗パターンとして、180°の位相差をもって磁気スケールの移動検出を行うb相用磁気抵抗パターンおよび-b相用磁気抵抗パターンとを備えており、前記a相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2a相用磁気抵抗パターンを備え、前記-a相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2-a相用磁気抵抗パターンを備え、前記b相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2b相用磁気抵抗パターンを備え、前記-b相用磁気抵抗パターンとして、互いに前記相対移動方向で離れた位置に形成されている第1、第2-b相用磁気抵抗パターンを備え、前記第1、第2a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2-a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2b相用磁気抵抗パターン、および、前記第1、第2-b相用磁気抵抗パターンのそれぞれは、前記基本波検出用磁気抵抗パターンおよび高調波成分除去用磁気抵抗パターンを備えており、前記第1、第2a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2-a相用磁気抵抗パターン、前記第1、第2b相用磁気抵抗パターン、および、前記第1、第2-b相用磁気抵抗パターンは、フルブリッジ回路を構成していることが望ましい。次に、本発明は、上記の磁気センサと、前記磁極ピッチでN極とS極とが交互に並ぶ直線状の磁気スケールとを有することを特徴とするリニアエンコーダとすることができる。本発明によれば、磁気センサからの出力信号は、基本波成分に重畳する高調波成分が低減、或いは、除去されたものとなっているので、磁気スケールの移動位置の検出精度が高い。本発明によれば、センサ基板を基板表面が磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行な状態に配置した場合に、磁気センサから歪みのない正弦波の出力信号を得ることができ、磁気スケールの移動位置を精度よく検出できる。従って、センサ基板を、基板表面が磁気スケールの磁極面に垂直で相対移動方向と平行な状態に配置して、磁気センサと磁気スケールの間のギャップを大きくすることができる。以下に、図面を参照して、本発明を適用したリニアエンコーダの実施の形態を説明する。全体構成図1aは本発明を適用したリニアエンコーダの概略構成を示す説明図であり、図1bは各磁気抵抗パターンの平面図である。本例のリニアエンコーダ1は、直線状の磁気スケール2と、長手方向に相対移動する磁気スケール2の移動位置を検出する磁気センサ3を有している。磁気スケール2には、長手方向に所定の磁極ピッチPでN極とS極とが交互に設けられている。本例では磁極ピッチPは10mmである。磁気センサ3は基板表面4aに8つの磁気抵抗パターン磁気抵抗素子R1~R8が形成されたセンサ基板4を備えている。センサ基板4は、基板表面4aが磁気スケール2の磁極面2aに垂直で相対移動方向と平行な状態に配置されている。磁気抵抗パターンセンサ基板4はガラス、シリコン、或いはグレーズドセラミックからなる。磁気抵抗パターンR1~R8はセンサ基板4上に真空蒸着またはスパッタリングにより薄膜形成し、通常のフォトリソグラフィー工程ならびにエッチング工程によってパターン形成されたNiFe等の磁性体膜である。各磁気抵抗パターンR1~R8の相互のパターン間距離は、磁極ピッチPの1/8となっている。各磁気抵抗パターンR1~R8は、基本波を検出するための基本波検出用磁気抵抗パターン10と、基本波検出用磁気抵抗パターン10からの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分を取り除くための高調波成分除去用磁気抵抗パターン20を有している。図1bに示すように、基本波検出用磁気抵抗パターン10は、センサ基板4の磁気スケール2側の端縁から磁極面2aと直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第1帯状部11、12および相対移動方向に延びて当該一対の第1帯状部11、12の磁極面2a側の端を連結している第1連結部13からなる2組の第1折り返しパターン141、142を備えている。これらの第1折り返しパターン141、142は、磁極面2aとは反対側の端で相対移動方向に延びる接続部15によって直列に接続されている。高調波成分除去用磁気抵抗パターン20は、センサ基板4の磁気スケール2側の端縁から磁極面2aと直交する方向に平行に延びている一対の矩形の第2帯状部21、22および相対移動方向に延びて当該一対の第2帯状部21、22の磁極面2a側の端を連結している第2連結部23からなる2組の第2折り返しパターン241、242を備えている。これらの第2折り返しパターン241、242は、磁極面2aとは反対側の端で相対移動方向に延びる接続部25によって直列に接続されている。基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20とは同一形状であり、高調波成分除去用磁気抵抗パターン20は基本波検出用磁気抵抗パターン10から磁気スケール2の移動方向に所定距離Dだけ離れた位置に形成されている。基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20は、基本波検出用磁気抵抗パターン10における高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の側の第1折り返しパターン142の磁極面2aと反対側の端と、高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の基本波検出用磁気抵抗パターン10における基本波検出用磁気抵抗パターン10の側の第2折り返しパターン241の磁極面2aと反対側の端が相対移動方向に延びる第3接続部16によって接続されることによって、直列に接続されている。本例では、第1帯状部11、12および第2帯状部21、22のそれぞれの長さ寸法は1.5mmであり、幅寸法は0.015mmである。基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dは0.93mmである。基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20は、誤差1μm以下で形成されている。基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20と磁気スケール2の磁極面2aとの間のギャップGは2mmに設定されている。ここで、8つの磁気抵抗パターンR1~R8は、互いに90°の位相差で磁気スケール2の移動検出を行うA相SIN相およびB相COS相を検出する。より詳細には、A相を検出するための磁気抵抗パターンは、180°の位相差をもって磁気スケール2の移動検出を行う-a相-sin相およびa相sin相を検出するための-a相用磁気抵抗パターンとa相用磁気抵抗パターンからなり、-a相用磁気抵抗パターンおよびa相用磁気抵抗パターンのそれぞれは、互いに磁気スケール2の移動方向で離れた位置に形成されている2つの磁気抵抗パターンを備えている。本例では、相対移動方向の一方の端に位置する第1磁気抵抗パターン第1-a相用磁気抵抗パターンR1、および、一方の端から3番目の第3磁気抵抗パターン第2-a相用磁気抵抗パターンR3が-a相用磁気抵抗パターンであり、第1磁気抵抗パターンR1と第3磁気抵抗パターンR3の間のパターン間距離は磁極ピッチPの1/4となっている。また、一方の端から5番目の第5磁気抵抗パターン第1a相用磁気抵抗パターンR5、および、一方の端から7番目の第7磁気抵抗パターン第2a相用磁気抵抗パターンR7がa相用磁気抵抗パターンであり、第5磁気抵抗パターンR5と第7磁気抵抗パターンR7の間のパターン間距離は磁極ピッチPの1/4となっている。さらに、B相を検出するための磁気抵抗パターンは、180°の位相差をもって磁気スケール2の移動検出を行う-b相-cos相およびb相cos相を検出するための-b相用磁気抵抗パターンおよびb相用磁気抵抗パターンからなり、-b相用磁気抵抗パターンおよびb相用磁気抵抗パターンのそれぞれは、互いに磁気スケール2の移動方向で離れた位置に形成されている2つの磁気抵抗パターンを備えている。本例では、一方の端から2番目の第2磁気抵抗パターン第1-b相用磁気抵抗パターンR2、および、一方の端から4番目の第4磁気抵抗パターン第2-b相用磁気抵抗パターンR4が-b相用磁気抵抗パターンであり、第2磁気抵抗パターンR2と第4磁気抵抗パターンR4の間のパターン間距離は磁極ピッチPの1/4となっている。また、一方の端から6番目の第6磁気抵抗パターン第1b相用磁気抵抗パターンR6、および、他方の端に位置する第8磁気抵抗パターン第2b相用磁気抵抗パターンR8がb相用磁気抵抗パターンであり、第6磁気抵抗パターンR6と第8磁気抵抗パターンR8の間のパターン間距離は磁極ピッチPの1/4となっている。図2はセンサ基板4の基板表面4aに形成されている磁気抵抗パターンR1~R8の回路図である。各磁気抵抗パターンR1~R8はフルブリッジ回路を構成している。より具体的には、-a相用磁気抵抗パターンである第1磁気抵抗パターンR1および第3磁気抵抗パターンR3は直列に接続されており、第3磁気抵抗パターンR3の側の端が電源端子Vに接続され、第1磁気抵抗パターンR1の側の端がグランド端子に接続され、第1磁気抵抗パターンR1および第3磁気抵抗パターンR3の中点位置から-a相が出力される。a相用磁気抵抗パターンである第5磁気抵抗パターンR5および第7磁気抵抗パターンR7は直列に接続されており、第5磁気抵抗パターンR5の側の端が電源端子Vに接続され、第7磁気抵抗パターンR7の側の端がグランド端子に接続され、第5磁気抵抗パターンR5および第7磁気抵抗パターンR7の中点位置からa相が出力される。-b相用磁気抵抗パターンである第2磁気抵抗パターンR2および第4磁気抵抗パターンR4は直列に接続されており、第4磁気抵抗パターンR4の側の端が電源端子Vに接続され、第2磁気抵抗パターンR2の側の端がグランド端子に接続され、第2磁気抵抗パターンR2および第4磁気抵抗パターンR4の中点位置から-b相が出力される。b相用磁気抵抗パターンである第6磁気抵抗パターンR6および第8磁気抵抗パターンR8は直列に接続され、第6磁気抵抗パターンR6の側の端が電源端子Vに接続され、第8磁気抵抗パターンR8の側の端がグランド端子に接続され、第6磁気抵抗パターンR6および第8磁気抵抗パターンR8の中点位置からb相が出力される。なお、第1~第8磁気抵抗パターンR1~R8はいずれも第1折り返しパターン141、142および第2折り返しパターン241、242から形成されているので、各第1~第8磁気抵抗パターンR1~R8の端は、いずれも、センサ基板4の磁気スケール2とは反対側に位置している。従って、これら第1~第8磁気抵抗パターンR1~R8によってフルブリッジ回路を構成するための配線をセンサ基板4の磁気スケール2とは反対側の領域に形成することが容易となっている。ここで、第1磁気抵抗パターンR1および第3磁気抵抗パターンR3の中点位置からの-a相-sin相の出力信号と、第5磁気抵抗パターンR5および第7磁気抵抗パターンR7の中点位置からのa相sin相の出力信号を減算器に入力することにより、この減算器から振幅の大きなA相の出力信号を得ることができる。同様に、第2磁気抵抗パターンR2および第4磁気抵抗パターンR4の中点位置からの-b相-cos相の出力信号と、第6磁気抵抗パターンR6および第8磁気抵抗パターンR8の中点位置からのb相cos相の出力信号を減算器に入力することにより、この減算器から振幅の大きなB相の出力信号を得ることができる。また、各減算器を介して得られるA相およびB相の出力信号をアークタンジェント演算することにより、磁気スケール2の移動位置を検出できる。作用効果本例によれば、A相およびB相を検出するための第1~第8の磁気抵抗パターンR1~R8からの各出力信号は、基本波検出用磁気抵抗パターン10からの出力信号の基本波成分に重畳する高調波成分が低減、或いは、除去されたものとなる。図3aは、磁気スケール2と磁気センサ3とを相対移動させたときの、第1磁気抵抗パターンR1における基本波検出用磁気抵抗パターン10の第1折り返しパターン141、142の第1帯状部11、12の抵抗値の変化を示すグラフであり、図3bは第1磁気抵抗パターンR1における高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の第2折り返しパターン241、242の第2帯状部21、22の抵抗値の変化を示すグラフであり、図3cは図3aに示す基本波検出用磁気抵抗パターン10の抵抗値の変化および図3bに示す高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の抵抗値の変化を合成した合成波形を示すグラフである。図4は本例のリニアエンコーダ1による位置検出の誤差のグラフである。図3aに示す基本波検出用磁気抵抗パターン10の抵抗値の変化の波形は、基本波成分と高調波成分を含むものであり、歪んでいる。この波形に対して、図3bに示す高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の抵抗値の変化を示す波形を合成すると、図3cに示す歪みの少ない正弦波が得られる。すなわち、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20を直列に接続した状態として、これら基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20からの出力信号を検出すると、歪みの少ない正弦波が得られる。このように、本例によれば、磁気抵抗パターンR1~R8のそれぞれから、基本波成分に重畳する高調波成分が除去された歪みの少ない正弦波の出力信号を得ることができる。この結果、図4に示すように、リニアエンコーダ1による位置検出の誤差は10μm以下に低下し、磁気スケール2の移動位置を高い精度で検出できる。従って、センサ基板4を、基板表面4aが磁気スケール2の磁極面2aに垂直で相対移動方向と平行な状態に配置して、磁気センサ3と磁気スケール2の間のギャップGを大きくすることが可能となる。比較例図5aは比較例のリニアエンコーダの概略構成を説明する説明図であり、図5bは比較例のリニアエンコーダの磁気センサ3の各磁気抵抗パターンR1~R8の回路図である。図6aは比較例のリニアエンコーダの磁気抵抗パターンR1の抵抗位置の変化を示すグラフであり、図6bは比較例のリニアエンコーダによる位置検出の誤差のグラフである。比較例のリニアエンコーダ1Aは、図5aに示すように、磁気センサ3の各磁気抵抗パターンR1~R8が基本波検出用磁気抵抗パターン10のみから構成されており、各磁気抵抗パターンR1~R8が高調波成分除去用磁気抵抗パターン20を備えていない。また、比較例のリニアエンコーダ1Aでは、基本波検出用磁気抵抗パターン10は1つの第1折り返しパターン14から形成されている。なお、比較例のリニアエンコーダ1Aは各磁気抵抗パターンR1~R8の構成を除いて、本例のリニアエンコーダ1と同一の構成を備えているので、対応する構成に同一の符号を付してその説明を省略する。比較例のリニアエンコーダ1Aの磁気抵抗パターンR1からの出力信号の波形は、図6aに示すものであり、以下の近似式で表される。y=GAsinx-xcπ/wBsin2x-xcπ/wCsin3x-xcπ/wDsin4x-xcπ/wFsin5x-xcπ/wA:4.1199B:-0.6306C:0.1564D:-1.4825F:0.9754G:362.2936xc:3.6997w:2.5151この近似式に基づいて比較例のリニアエンコーダ1Aによる位置検出の誤差をシミュレーションすると、図6bに示すように、60μmを超える誤差が発生する。従って、各磁気抵抗パターンR1~R8のそれぞれに高調波成分除去用磁気抵抗パターン20を備える本発明のリニアエンコーダ1によれば、位置検出精度が著しく向上することが分かる。変形例次に、発明者は、基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20のそれぞれの第1、第2折り返しパターン14、24の組数を1組~4組の間で変化させるとともに、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dを変化させて、リニアエンコーダによる位置検出の誤差を求めた。図7は第1、第2折り返しパターン14、24の組数を1組~4組に変化させた各リニアエンコーダにおいて、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dを変化させたときの位置検出の誤差のグラフである。図7aは基本波検出用磁気抵抗パターン10の第1折り返しパターン14および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の第2折り返しパターン24を各1組とした場合であり、図7bは各2組とした場合であり、図7cは各3組とした場合であり、図7dは各4組とした場合である。図7a~dの各リニアエンコーダにおいて、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dは、0.6mm~1.0mmの間で変化させている。図8はリニアエンコーダの位置検出の誤差と、基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dとの関係を示すグラフである。なお、図7bのD=0.93のグラフは図4と同一のグラフである。図7に示すように、基本波検出用磁気抵抗パターン10および高調波成分除去用磁気抵抗パターン20における第1、第2折り返しパターン14、24の組数にかかわらず、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dを0.93mmとしたときに、リニアエンコーダによる位置検出の誤差が最も少なくなっている。なお、発明者の検証によれば、第1、第2折り返しパターン14、24の組数を3組として、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dを0.93mmとした場合に、リニアエンコーダによる位置検出の誤差がほぼゼロとなり、位置検出の精度が最も高かった。また、図8に示すように、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20の間の所定距離Dを以下の範囲にすることによって、リニアエンコーダによる位置検出の誤差が10μm以下となり、高精度の位置検出が可能となることが認められた。0.86mm<D<0.98mmここで、所定距離Dを上記の範囲としておけば、基本波検出用磁気抵抗パターン10と高調波成分除去用磁気抵抗パターン20とを相対移動方向で近接した位置となる。従って、各磁気抵抗パターンR1~R8を磁極ピッチPの1/8のパターン間距離で隣接する位置に形成する場合でも、これら磁気抵抗パターンR1~R8の相互間で、一方の磁気抵抗パターンの高調波成分除去用磁気抵抗パターン20と、他方の磁気抵抗パターンの基本波検出用磁気抵抗パターン10の位置が重なってしまうことを回避できる。