測定ガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザを含む光源ユニットと、前記測定ガスを透過したレーザ光を検出する受光素子と、この受光素子の出力信号が入力されるゲイン可変のアンプと、このアンプの出力信号が入力されるA/D変換器と、このA/D変換器の出力データに基づき前記測定ガスの濃度を演算する演算処理部を含む検出ユニット、とで構成されたレーザガス分析装置において、前記半導体レーザの1スキャンごとに前記A/D変換器の出力データのピークツーピーク値を検出するピークツーピーク検出器と、このピークツーピーク検出器の出力信号を入力するゲイン分解能が所定の範囲で設定可能なゲイン設定部と、このゲイン設定部からの信号を入力し、1スキャンごとにゲインを調整するゲイン変換器を設けたことを特徴とするレーザガス分析装置。前記ゲイン設定部における所定の範囲でのゲイン設定はピークツーピーク値の±10程度に設定されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザガス分析装置。測定ガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザを含む光源ユニットと、前記測定ガスを透過したレーザ光を検出する受光素子と、この受光素子の出力信号が入力されるゲイン可変のアンプと、このアンプの出力信号が入力されるA/D変換器と、このA/D変換器の出力データに基づき前記測定ガスの濃度を演算する演算処理部を含む検出ユニット、とで構成されたレーザガス分析装置において、前記半導体レーザの後段にN2O基準セルを配置し、該N2O基準セルを通ったレーザを前記受光素子で検出するように構成したことを特徴とするレーザガス分析装置。ところで、図5aに示すような構成のレーザガス分析装置では、前述のように、測定信号に含まれるノイズを除去してデータを平滑化するために、A/D変換器33の出力データについて、半導体レーザ11の波長のスキャンに同期して、積算器34とメモリ35との間で数百~数千回の積算とメモリ35への格納が繰り返して行われるが、これら数百~数千回のスキャンと積算と格納が行われる一連の解析処理期間中は、アンプ32のゲインを調整してA/D変換器33の入力レベルを一定に維持する必要がある。しかしながら、データ平滑化を行った場合でも光学ノイズ等に代表されるノイズ成分が残留しており、低濃度ガス分析を必要とするアプリケーションに対してはそのノイズが大きな影響を及ぼしていたため、低濃度ガス測定には限界があるという問題があった。本発明は、このような課題を解決するものであり、レーザガス分析計による低濃度ガス分析を必要とするアプケーションに対して、出力変動の比較的小さなP-P出力に対するノイズ成分の平滑化が可能なレーザガス分析装置を提供することを目的としている。このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、測定ガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザを含む光源ユニットと、前記測定ガスを透過したレーザ光を検出する受光素子と、この受光素子の出力信号が入力されるゲイン可変のアンプと、このアンプの出力信号が入力されるA/D変換器と、このA/D変換器の出力データに基づき前記測定ガスの濃度を演算する演算処理部を含む検出ユニット、とで構成されたレーザガス分析装置において、前記半導体レーザの1スキャンごとに前記A/D変換器の出力データのピークツーピーク値を検出するピークツーピーク検出器と、このピークツーピーク検出器の出力信号を入力するゲイン分解能が所定の範囲で設定可能なゲイン設定部と、このゲイン設定部からの信号を入力し、1スキャンごとにゲインを調整するゲイン変換器を設けたことを特徴とする。請求項2記載の発明は、請求項1に記載のレーザガス分析装置において、前記ゲイン設定部における所定の範囲でのゲイン設定はピークツーピーク値の±10程度に設定されていることを特徴とする。請求項3記載の発明は、測定ガスにレーザ光をスキャンしながら照射する半導体レーザを含む光源ユニットと、前記測定ガスを透過したレーザ光を検出する受光素子と、この受光素子の出力信号が入力されるゲイン可変のアンプと、このアンプの出力信号が入力されるA/D変換器と、このA/D変換器の出力データに基づき前記測定ガスの濃度を演算する演算処理部を含む検出ユニット、とで構成されたレーザガス分析装置において、前記半導体レーザの後段にN2O基準セルを配置し、該N2O基準セルを通ったレーザを前記受光素子で検出するように構成したことを特徴とする。請求項1、2においては、半導体レーザの1スキャンごとに、ゲイン設定部で設定した値でゲイン可変アンプのゲインを変化させることによりA/D変換器の入力レベルを平均化してノイズ成分を平滑化することができる。請求項3においては、半導体レーザの後段にN2O基準セルを配置したので、レーザガス分析計によるCOガス測定を必要とするアプケーションに対して、CO測定に影響を与えず、かつその測定波長を安定化させることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を示すブロック図であり、図5aの従来例と共通する部分には同一の符号を付けている。図1と図5aの相違点は、ゲイン可変のアンプ32のゲインを調整する手段として、CPU36に代えて、A/D変換器33の出力データのP-P値を検出するP-P検出器41と、ゲイン設定部44及びゲイン変換部45を設けていることである。図1において、光源ユニット10に設けられている半導体レーザ11は、従来と同様に測定用レーザ光を測定ガス20の雰囲気中に照射出力する。このとき、測定ガス20の測定対象成分の吸収スペクトルの面積を求めるために、吸収波長を含む狭い帯域で半導体レーザ11の波長をスキャンさせる。測定ガス20の雰囲気中を通過した測定用レーザ光は検出ユニット30に設けられている受光素子31で受光され、電気信号に変換される。受光素子31の出力信号はゲイン可変のアンプ32を介してA/D変換器33の入力レベルとして適切な振幅レベルに調整されてA/D変換器33に入力され、デジタル信号に変換される。A/D変換器33の出力データは、半導体レーザ11の波長のスキャンに同期して積算器34とメモリ35との間で所定回数たとえば数百~数千回の積算とメモリ35への格納が繰り返されて測定信号に含まれるノイズが除去されて平滑化された後、CPU36に入力される。CPU36は、ノイズが除去された測定信号に基づき測定ガスの濃度解析などの演算処理を行う。また、A/D変換器33の出力データは分岐されて、ゲイン調整ユニット40を構成するP-P検出器41に入力される。このP-P検出器41は、半導体レーザ11の1スキャンごとにA/D変換器33の出力データのP-P値をリアルタイムで検出し、検出結果をゲイン設定部44に入力する。具体的には、P-P検出器41は、A/D変換器33のサンプリングタイミングでリアルタイムにデータの比較を行う。次のスキャンではゲイン設定部44はP-P検出器41の出力信号を入力し例えば±10の間で、入力した値に対しプラス側又はマイナス側に出力が変動するようにゲイン変換部45に指令を発する。ゲイン変換部では指令に従ってゲイン可変のアンプ32に対して指令された値を乗じるように指令を発する。図2aは始めにA/D変換された出力を示し、図2bは次回からの受光素子の出力に対してゲインアンプ32で±10の値を順次段階的に乗じたA/D変換からの出力を示している。即ち、ゲイン可変アンプ32は始めにスキャンしたP-P検出器41の出力信号が例えば100であったとすると、次の出力に対して1.01を乗じた値をA/D変換器33に出力する。そして次の出力に対してはゲイン変換器45から可変アンプ32に対して1.02を乗じた値を出力するように指令し、1.03~1.110になるまで順次可変アンプ32の出力を0.1刻みで変化させる。そして、1.1になったら乗じる値を順次1.09~1.08~1とし、さらにマイナス方向に0.99~0.98~0.9-10とし、ここから0.91~1.1になるまで乗じる値を0.1刻みで変化させる。このように測定成分の吸収ピークを除く一定範囲の1スキャン中のP-Pを検出し、ゲイン設定部ではゲインアンプ32の変化量ゲインに対して乗じる値を極力小さく例えば10して数種類例えば20種類のゲイン変更を可能とする。上述の構成によれば、ゲイン設定部44でP-P検出器41の出力信号に対し±10の間で、入力した値に対しプラス側又はマイナス側に出力が変動するようにゲイン変換部45に指令を発し、その指令に従ってゲイン可変アンプ32に対して指令された値を乗じた値を出力する。その結果、多少の光学ノイズ等が存在した場合において、1スキャンごとにP-P検出器でそのノイズのP-Pを検出し、ゲイン設定部43、ゲイン変換部44で所定の範囲にゲインを変更することにより、今まで除去できなかったノイズ成分の平滑化が可能となる。つまり、この平滑化によりノイズ成分を除去することが可能となる。図2cは従来手法によるスペクトルイと本発明によるスペクトルロを示すものである。ノイズが軽減されていることが確認できる。なお、P-P検出器であらかじめノイズのP-Pの閾値を設定しておき、その閾値を超えた場合は、ダイナミックオートゲイン調整を実行するシステムにすることにより、ノイズ低減による低濃度測定を実現し、プロセス環境の変化にも対応したシステムを構築することも考えられるが、本発明はノイズが極めて少ないプロセスに適用するものであり、P-Pの閾値を設定するまでには至らないプロセスに用いて好適である。ところで、このようなレーザガス分析装置において、特にCOのスペクトルを測定する場合は半導体レーザ11の後段に基準セルとしてCOセルを用いている。図5bは半導体レーザ11の後段に基準セルとしてCOセル12を配置した状態を示すブロック図である。この基準セル12には、測定波長を安定させるため、参照用ガスCOガスを封入し、測定対象のガス濃度が低下した場合も測定波長が変動することなく測定できる構成となっている。しかしながら、基準セル12内にCOガスを封入した場合、以下の問題が生じる。aプロセスからの輻射熱などの影響で、基準セル内のCOガスの吸収スペクトル形状が変化するため、基準セル内の温度変動が測定値に影響を与える。特に、プロセス濃度が低い場合はその影響が大きい。b基準セル内の温度変動を補正するには常時温度を測定するなどの対応が必要となり、かつ温度勾配を考慮するとその補正は複雑かつ困難である。c基準ガスセルが破損した場合、分析計内部にCOガスが漏洩するので危険である。図3は本発明の一実施例を示すもので、レーザガス分析計によるCOガス測定を必要とするアプケーションに対して、CO測定に影響を与えず、かつその測定波長を安定化させるための構成を示すものである。図3において、半導体レーザ11の後段に基準セルとしてN2O基準セル13を配置した以外は図5bに示す従来のレーザガス分析計と同様である。即ち、半導体レーザ11から出力されたレーザ光は、基準セルN2O13を透過後、プロセスガスを通過し、受光素子31で受光し、電気信号へ変換される。その後ゲインアンプ32を介してA/Dコンバータ33でデジタル化された測定信号をノイズ除去のために積算器34で既定数積算し、メモリ35へ格納を繰り返し、CPU36へ送信し、濃度解析等を行う。図3に示すように従来技術と異なる点は、基準セル13に封入するガスとしてN2Oガスを使用する点である。N2Oガスの吸収スペクトルを参照用として、測定波長を安定させる。このことにより、測定対象ガス濃度が低下した場合も測定波長が変動することなく測定可能となる。このように、測定ガスとは異なるガスを参照用として使用するため、以下の項目に対して効果が得られる。aプロセスの急激な環境の変化輻射熱などが発生しても測定対象のCOガス濃度には影響を与えない。bプロセスガス濃度が低い場合も安定して測定が可能となる。c基準セル内の温度変動などを補正する必要がない。d万が一、基準セルが破損した場合でも即死するような危険なガスではない。図4aは図5bに示すCO基準セル12を用いた場合の測定スペクトルaと図3に示すN2O基準セル13を用いた場合の測定スペクトルbを示すもので、CO基準セル12を用いた場合は基準ガスセルのスぺルクトルと測定ガスのスぺルクトルが重畳した合成されたスペクトルとして出力される。これに対し、N2O基準セル13を用いた場合は基準ガスセルのスぺルクトルと測定ガスのスぺルクトルが重畳せず、かつ測定成分の吸収ピーク近隣に存在するガスを用いて波長安定化を実現することができる。また、N2Oガスの吸収スペクトルを参照用として、測定波長を安定させることができるので、測定対象ガス濃度が低下した場合も測定波長が変動することなく測定可能となり、レーザガス分析計によるCOガス測定を必要とするアプケーションに対して、CO測定に影響を与えず、かつその測定波長を安定化させることができる。なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。本実施例においてはP-Pに対して±10の範囲でゲインを変化させたがこれに限るものではなくゲイン可変アンプの変化量を極力小さくして数種類のゲイン変更が可能であればよい。従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。