光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第1偏光板と第2偏光板からなり、前記光源、前記第1偏光板、前記液晶素子および前記第2偏光板がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする液晶調光素子。光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第1偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第2偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする液晶調光素子。光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第1偏光板と第2偏光板からなり、前記光源、前記第1偏光板、前記液晶素子、前記第2偏光板および蛍光体がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする液晶調光素子。光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第1偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第2偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする液晶調光素子。前記液晶素子は、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の液晶調光素子。前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示し、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bを示し、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大波長±25nmの範囲に消光比のピーク領域を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の液晶調光素子。前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示し、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bを示し、前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の極大波長±25nmの範囲に消光比のピーク領域を有することを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶調光素子。下記の式1~3から求められるCRzの値における下記の式4~6から求められるCRyの値に対する変化率が5以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の液晶調光素子。但し、式1~6中、Tpλは平行透過率第1偏光板と第2偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Tcλは直交透過率第1偏光板と第2偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Yλは3刺激値のY成分を表す。Zλは3刺激値のZ成分を表す。光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を励起光として吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記偏光板は、平行透過率が30以上かつ下記の式1~3から求められるCRzの値が100以上であることを特徴とする液晶調光素子。但し、式1~3中、Tpλは平行透過率第1偏光板と第2偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Tcλは直交透過率第1偏光板と第2偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Zλは3刺激値のZ成分を表す。しかしながら、液晶調光素子の光源として青色あるいは近紫外域の光源を用いる場合、該当する波長領域で透過率が最大となるように、液晶層の位相差値を最適化する必要がある。一方、一般的な偏光板材料として知られるヨウ素を用いた偏光板は、490nm以下の短波長領域において、平行透過率が低下し、直交透過率が上昇するため、二色比コントラストが急激に低下するという問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、490nm以下の短波長領域において透過率や二色比が高い液晶調光素子を提供することを目的とする。本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第1偏光板と第2偏光板からなり、前記光源、前記第1偏光板、前記液晶素子および前記第2偏光板がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする。本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第1偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第2偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする。本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第1偏光板と第2偏光板からなり、前記光源、前記第1偏光板、前記液晶素子、前記第2偏光板および蛍光体がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする。本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第1偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第2偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなることを特徴とする。前記液晶素子は、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有することが好ましい。前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示し、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bを示し、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大波長±25nmの範囲に消光比のピーク領域を有することが好ましい。前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示し、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bを示し、前記第1偏光板および前記第2偏光板が、前記光源の極大波長±25nmの範囲に消光比のピーク領域を有することが好ましい。下記の式1~3から求められるCRzの値の下記の式4~6から求められるCRyの値に対する変化率が5以下であることが好ましい。但し、式1~6中、Tpλは平行透過率第1偏光板と第2偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Tcλは直交透過率第1偏光板と第2偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Yλは3刺激値のY成分を表す。Zλは3刺激値のZ成分を表す。本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を励起光として吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有し、前記偏光板は、平行透過率が30以上かつ下記の式1~3から求められるCRzの値が100以上であることを特徴とする。但し、式1~3中、Tpλは平行透過率第1偏光板と第2偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Tcλは直交透過率第1偏光板と第2偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Zλは3刺激値のZ成分を表す。本発明によれば、490nm以下の短波長領域において透過率や二色比が高い液晶調光素子が得られる。1第1実施形態図1は、第1実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子10は、液晶パネル20と、その表示画面20aとは反対側の面20b側に配置されたバックライト30とから概略構成されている。液晶パネル20は、第1偏光板21と、第1基板22と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層23と、第2基板24と、第2偏光板25と、を備えてなり、これらがバックライト30側から順に積層された構造をなしている。液晶層23は、第1偏光板21と第2偏光板25に挟まれている。第1偏光板21は、バックライト30と液晶層23の間に設けられている。第2偏光板25は、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に設けられている。なお、液晶層23は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。バックライト30としては、発光スペクトル内において、波長400~490nmの範囲に少なくとも1つの極大値を有するもの、すなわち、波長400~490nmの範囲で最大強度を示すものが用いられ、好ましくは波長430~470nmの範囲で最大強度を示すものが用いられる。バックライト30としては、例えば、波長455nm付近に極大値を有する青色発光ダイオード青色LED、波長430nmおよび490nmに極大値を有する青色蛍光管などが用いられる。第1偏光板21、第2偏光板25としては、少なくとも一方が、バックライト30の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、下記の式αを満たす二色性色素の偏光板である。A≧0.95Bαなお、バックライト30の極大値±25nmの範囲において消光比の値が1000以上を示す波長領域があることが好ましく、消光比の値が10000以上を示す波長領域があることがより好ましい。また、上記の式αにおいて、Bの係数は0.95であるが、0.97であることが好ましい。Bの係数が0.95未満では、青色光の利用効率が低くなるため、明るさやコントラストの低い表示となり、好ましくない。ここで、消光比とは、第1偏光板21と第2偏光板25のそれぞれに固有の性能として表され、以下のように定義される。消光比=偏光板透過軸方向の偏光透過率/偏光板吸収軸方向の偏光透過率ここで、偏光透過率とは、グラントムソンプリズムを用いて、理想的な偏光光を入射したときの透過率を指す。二色性色素としては、Acidred266、Benzopurpurin、C.I.DirectBlue67、Violet20、Cyaninedye、MethylOrange、Perylenebiscarboximides、RU31.156、SiriusSupraBrownRLL、AH6556などが挙げられる。図2は、ヨウ素偏光板と、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一面に設けられた、二色性色素の1つであるBenzopurpurinからなる偏光膜の偏光板透過軸方向の偏光透過率、および偏光板吸収軸方向の偏光透過率などを示すグラフである。図2において、符号aは偏光板透過軸方向の偏光透過率、符号bは偏光板吸収軸方向の偏光透過率、符号cはこの偏光膜の消光比、符号dは青色発光ダイオード青色LEDから発光される光の強度を示す。図2に示したように、Benzopurpurinからなる偏光膜は、消光比が波長430~470nm付近で極大値を示し、この消光比の極大値は、符号dで示す青色LEDの発光の極大値とほぼ一致している。すなわち、上記の式αA≧0.95Bを満たしている。第1偏光板21および第2偏光板25としては、塗布型の偏光膜、ワイヤーグリッド偏光板などからなる一軸光学異方性膜であり、支持基板を必要としないものが用いられる。一軸光学異方性膜としては、青色の領域以外の波長領域においては、透過率について何ら制約のないものが用いられる。一軸光学異方性膜は、緑色から赤色の領域の光において二色比消光比がほとんどない二色性色素から構成されていてもよい。第1偏光板21をなす一軸光学異方性膜は、種々の有機溶媒に二色性色素を溶解して溶液を調製し、ダイコータ、スリットコータ、バーコータなどの塗布装置を用いて、第1基板22の液晶層23と接する面とは反対側の面に、その溶液を塗布し、乾燥することによって形成される。同様に、第2偏光板25をなす一軸光学異方性膜は、種々の有機溶媒に二色性色素を溶解して溶液を調製し、ダイコータ、スリットコータ、バーコータなどの塗布装置を用いて、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に、その溶液を塗布し、乾燥することによって形成される。二色性色素を配向させる方法としては、例えば、二色性色素を溶解した溶液を、剪断力を加えながら塗布する方法が挙げられる。この方法によれば、剪断力を加えた方向、すなわち、溶液の塗布方向が第2偏光板25の透過軸となり、剪断力を加えた方向と直交する方向が第2偏光板25の吸収軸となる。また、二色性色素を配向させる方法としては、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面にラビングなどの配向処理を施し、その配向処理が施された面に、二色性色素を溶解した溶液を塗布することにより、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。さらに、二色性色素を配向させる方法としては、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に配向膜を形成し、その配向膜に、ラビングなどの配向処理を施し、二色性色素を溶解した溶液を塗布することにより、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。このように、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に配向処理を施した後、二色性色素を溶解した溶液を塗布した場合、配向処理方向に二色性色素が配向するので、第2偏光板25の吸収軸が配向処理方向と一致する。また、二色性色素を配向させる方法としては、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に光配向膜を形成し、その光配向膜に対して斜め方向から紫外線あるいは偏光紫外線を照射することによって、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。また、上記と同様の手法によって、第1偏光板21を第1基板22の液晶層23と接する面側に設置した構造を取ることも可能である。液晶層23としては、バックライト30の波長400~490nm領域に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するものが用いられることが好ましい。換言すれば、液晶層23の透過率が最大になる波長WLCと、バックライト30が最大強度を示す波長WBLとが以下の関係式βを満たすことが好ましく、以下の関係式γを満たすことがより好ましい。WBL-25nm≦WLC≦WBL25nmβWBL-25nm≦WLC≦WBL10nmγここで、液晶層23が最大透過率を示す位相差値について説明する。液晶層23が最大透過率を示す位相差値とは、液晶層23の複屈折率Δnとセル厚dを、各表示モードに併せて適宜設計する必要があるが、単に液晶層23の複屈折率Δnとセル厚dの積で求まるΔndではなく、液晶層23の駆動時に得られる実効的なΔndの値のことである。例えば、位相差値Δndについて、下記のような設計が必要である。VAモードに用いられる液晶材料として、例えば、波長λ550nmにおいて、Δn=0.1を示すものを用いる場合、液晶層23の最大透過率を得るための位相差は270nmである。しかしながら、配向膜界面近傍の液晶分子は電界応答しないため、単純にセル厚dを2.7μmに設定するとΔndの値が不足するため、セル厚dを3.2μm程度に設定することが一般的である。また、VA方式の液晶層は、RGBの各画素の電圧-透過率カーブVTカーブ、もしくは階調-輝度特性ガンマカーブが色毎に異なっている。これは、液晶分子の屈折率が波長分散を有するからであり、RGBのガンマ特性を合わせるために、液晶分子が完全に倒れるまで電圧印加しない場合もある。すなわち、液晶層が最大透過率を示す位相差値を使用せず、RGBのバランスを考慮して色毎に最大透過率を設定し、実効的なΔndの値を設定している。本実施形態でVAモードに用いられる液晶材料を用いた場合の例を以下に示す。液晶層23では、波長λ455nmにおいて、Δnが増加し、Δn=0.11程度になるため、実効的な位相差がλ/2の条件を満たすようなセル厚は、VA方式の液晶層よりも10程度薄くなる。そのため、波長550nmに合わせて設計したセル厚3.2μmに対して10程度薄くした、セル厚2.9μmを最適値として設計することが可能である。本実施形態では、青色領域についてのみ、Δndを考慮すればよいため、液晶分子の応答が飽和する状態にまで電圧を印加することによって、最大透過率を得ることが可能となり、光利用効率を高めることができる。一方、液晶分子の応答が飽和しない電圧で最大透過率を設定すれば、より応答速度を速くする効果があるため、そのような設計も可能である。また、IPSモードにおいても、配向膜近傍の液晶分子は、電界駆動できない点や、液晶層の屈折率が波長分散を有することを考慮して、実効的なΔndを適宜設計することが可能である。また、同様に、透過率を優先した設計や、応答速度を優先した設計などが可能である。さらに、TNモードにおいても同様に、バックライト主波長における液晶層の実効的な位相差Δnおよびセル厚の最適値を求めて、実効的なΔndを適宜設計することが可能である。また、液晶調光素子10では、下記の式1~3から求められるコントラストCRzの値における下記の式4~6から求められるコントラストCRyの値に対する変化率が5以下であることが好ましい。但し、式1~6中、Tpλは平行透過率第1偏光板21と第2偏光板25をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Tcλは直交透過率第1偏光板21と第2偏光板25をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率を表す。Yλは3刺激値のY成分を表す。Zλは3刺激値のZ成分を表す。このように、本実施形態において、コントラストは、第1偏光板21と第2偏光板25の組み合わせにおいて測定した値として定義される。従来、用いられてきたヨウ素偏光板は、青色領域、特に波長490nm以下の領域で透過率が大幅に低下する特徴がある。また、第1偏光板21と第2偏光板25をクロスニコル配置に設置した場合の光漏れに関しても、波長490nm以下の領域で大きくなり、コントラストが低下することが知られている。ヨウ素偏光板の消光比もしくはコントラストの最大値は600~650nm付近に現れる。また、液晶調光素子の設計において、コントラストや透過率は主に550nmの領域において最適設計することが一般的であるので、上記の式4~6から求められるコントラストCRyの値が最も重要であった。実際に、ヨウ素偏光板のコントラストCRzの値とコントラストCRyの値を比較すると、コントラストCRzの値がコントラストCRyの値に比べて10以上低下していることが分かった。一方、本実施形態における第1偏光板21と第2偏光板25は、青色領域の透過率が高められ、かつ、消光比コントラストの値が青色領域に最大値を有するので、コントラストCRyの値に対する、コントラストCRzの値の変化率が1以下と小さく、液晶調光素子10は青色領域においても高いコントラストを示す。液晶調光素子10によれば、バックライト30と液晶層23の間に設けられた第1偏光板21と、第2基板24の液晶層23と接する面とは反対側の面に設けられた第2偏光板25と、を備え、第1偏光板21および第2偏光板25の少なくとも一方が、バックライト30の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層23は、バックライト30の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子10における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。2第2実施形態図3は、第2実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子40は、液晶パネル50と、その表示画面50aとは反対側の面50b側に配置されたバックライト60とから概略構成されている。液晶パネル50は、第1偏光板51と、第1基板52と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層53と、保護膜54と、第2偏光板55と、第2基板56と、を備えてなり、これらがバックライト60側から順に積層された構造をなしている。液晶層53は、第1偏光板51と第2偏光板55に挟まれている。第1偏光板51は、バックライト60と液晶層53の間に設けられている。第2偏光板55は、第2基板56の液晶層53と対向する面側に設けられている。液晶層53と第2偏光板55の間には、保護膜54が設けられている。なお、液晶層53は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。第1偏光板51としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。第2偏光板55としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶層53としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。バックライト60としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶調光素子40によれば、バックライト60と液晶層53の間に設けられた第1偏光板51と、第2基板56の液晶層53と対向する面側に設けられた第2偏光板55と、を備え、第1偏光板51および第2偏光板55の少なくとも一方が、バックライト60の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層53は、バックライト60の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子40における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。3第3実施形態図4は、第3実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子70は、液晶パネル80と、その表示画面80aとは反対側の面80b側に配置されたバックライト90とから概略構成されている。液晶パネル80は、第1基板81と、第1偏光板82と、第1保護膜83と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層84と、第2保護膜85と、第2偏光板86と、第2基板87と、を備えてなり、これらがバックライト90側から順に積層された構造をなしている。液晶層84は、第1偏光板82と第2偏光板86に挟まれている。第1偏光板82は、第1基板81の液晶層84と対向する面側に設けられている。第2偏光板86は、第2基板87の液晶層84と対向する面側に設けられている。液晶層84と第1偏光板82の間には、第1保護膜83が設けられている。液晶層84と第2偏光板86の間には、第2保護膜85が設けられている。なお、液晶層84は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。第1偏光板82としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。第2偏光板86としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶層84としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。バックライト90としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶調光素子70によれば、第1基板81の液晶層84と対向する面側に設けられた第1偏光板82と、第2基板87の液晶層84と対向する面側に設けられた第2偏光板86と、を備え、第1偏光板82および第2偏光板86の少なくとも一方が、バックライト90の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層84は、バックライト90の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子70における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。4第4実施形態図5は、第4実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子100は、液晶パネル110と、その表示画面110aとは反対側の面110b側に配置されたバックライト120とから概略構成されている。液晶パネル110は、第1偏光板111と、第1基板112と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層113と、第2基板114と、第2偏光板115と、バンドパスフィルタ116と、蛍光体層117と、第3基板118と、外光フィルタ119と、を備えてなり、これらがバックライト120側から順に積層された構造をなしている。液晶層113は、第1偏光板111と第2偏光板115に挟まれている。第1偏光板111は、バックライト120と液晶層113の間に設けられている。第2偏光板115は、第2基板114の液晶層113と対向する面とは反対側の面に設けられている。なお、液晶層113は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。第1偏光板111としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。第2偏光板115としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶層113としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。バックライト120としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。また、液晶パネル110とバックライト120の間には、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。この線状のフィルムにより、バックライト120から出射された光がコリメートされて、そのコリメート光平行光が、液晶パネル110に照射される。あるいは、その線状のフィルムにより、バックライト120から出射された光が略コリメートされて、その略コリメート光略平行光が、液晶パネル110に照射される。このように、液晶パネル110とバックライト120の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。バンドパスフィルタ116は、誘電体多層膜などの構造を有しており、バンドパスフィルタ116の厚さは、第2偏光板115を透過した光が蛍光体層117に入射するまでの間に、隣の画素領域に設置した蛍光体を励起する、光学的クロストークが生じない程度とすることが好ましい。具体的には、バンドパスフィルタ116の厚さは、画素間隔よりも小さいことが好ましい。蛍光体層117は、散乱体層117B、赤色蛍光体層117Rおよび緑色蛍光体層117Gから構成されている。外光フィルタ119としては、可視光領域の光を透過し、青色から近紫外の領域の光を吸収または反射するバンドパスフィルタなどが用いられる。液晶調光素子100によれば、バックライト120と液晶層113の間に設けられた第1偏光板111と、第2基板114の液晶層113と対向する面とは反対側の面に設けられた第2偏光板115と、を備え、第1偏光板111および第2偏光板115の少なくとも一方が、バックライト120の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層113は、バックライト120の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子100における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。なお、本実施形態では、蛍光体層117が、散乱体層117B、赤色蛍光体層117Rおよび緑色蛍光体層117Gから構成された3原色のものである場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。本発明にあっては、蛍光体層が4原色や5原色のものであってもよく、所望の発光スペクトルを有する蛍光体層を用いることができる。5第5実施形態図6は、第5実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子130は、液晶パネル140と、その表示画面140aとは反対側の面140b側に配置されたバックライト150とから概略構成されている。液晶パネル140は、第1偏光板141と、第1基板142と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層143と、保護膜144と、第2偏光板145と、バンドパスフィルタ146と、蛍光体層147と、第2基板148と、外光フィルタ149と、を備えてなり、これらがバックライト150側から順に積層された構造をなしている。液晶層143は、第1偏光板141と第2偏光板145に挟まれている。第1偏光板141は、バックライト150と液晶層143の間に設けられている。第2偏光板145は、第2基板148の液晶層143と対向する面側に設けられている。液晶層143と第2偏光板145の間には、保護膜144が設けられている。なお、液晶層143は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。第1偏光板141としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。第2偏光板145としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶層143としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。バックライト150としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。また、液晶パネル140とバックライト150の間には、上述の第4実施形態と同様にルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。また、液晶パネル140とバックライト150の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。バンドパスフィルタ146としては、上述の第4実施形態と同様のものが用いられる。蛍光体層147は、散乱体層147B、赤色蛍光体層147Rおよび緑色蛍光体層147Gから構成されている。外光フィルタ149としては、上述の第4実施形態と同様のものが用いられる。液晶調光素子130によれば、バックライト150と液晶層143の間に設けられた第1偏光板141と、第2基板148の液晶層143と対向する面側に設けられた第2偏光板145と、を備え、第1偏光板141および第2偏光板145の少なくとも一方が、バックライト150の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層143は、バックライト150の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子100における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。6第6実施形態図7は、第6実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。本実施形態の液晶調光素子160は、液晶パネル170と、その表示画面170aとは反対側の面170b側に配置されたバックライト190とから概略構成されている。液晶パネル170は、第1基板171と、第1偏光板172と、第1保護膜173と、一対の透明電極図示略に挟持された液晶層174と、第2保護膜175と、第2偏光板176と、バンドパスフィルタ177と、蛍光体層178と、第2基板179と、外光フィルタ180と、を備えてなり、これらがバックライト190側から順に積層された構造をなしている。液晶層174は、第1偏光板172と第2偏光板176に挟まれている。第1偏光板172は、第1基板171の液晶層174と対向する面側に設けられている。第2偏光板176は、第2基板179の液晶層174と対向する面側に設けられている。液晶層174と第1偏光板172の間には、第1保護膜173が設けられている。液晶層174と第2偏光板176の間には、第2保護膜175が設けられている。なお、液晶層174は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタTFT、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。第1偏光板172としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。第2偏光板176としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。液晶層174としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。バックライト190としては、上述の第1実施形態と同様のものが用いられる。また、液晶パネル170とバックライト190の間には、上述の第4実施形態と同様にルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。また、液晶パネル170とバックライト190の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。バンドパスフィルタ177としては、上述の第4実施形態と同様のものが用いられる。蛍光体層178は、散乱体層178B、赤色蛍光体層178Rおよび緑色蛍光体層178Gから構成されている。外光フィルタ180としては、上述の第4実施形態と同様のものが用いられる。液晶調光素子160によれば、第1基板171の液晶層174と対向する面側に設けられた第1偏光板172と、第2基板179の液晶層174と対向する面側に設けられた第2偏光板176と、を備え、第1偏光板172および第2偏光板176の少なくとも一方が、バックライト190の極大値±25nmの範囲において消光比の値が100以上を示す波長領域があり、かつ、波長400~490nmの範囲における消光比の最大値をA、波長380~780nmの範囲における消光比の最大値をBとしたとき、A≧0.95Bとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長490nm以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層174は、バックライト190の波長400~490nmの範囲に存在する極大波長±25nmの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子160における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。