第1導電型の基板と、前記第1導電型と反対の第2導電型を有して前記基板とp-n接合を形成するエミッタ部と、前記エミッタ部と接続され、2層以上に構成される多層構造を有する複数の第1電極と、前記複数の第1電極と接続され、単一層構造を有する少なくとも一つの第1集電部と、前記基板と接続される第2電極を含む太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は前記第2電極層と異なる物質からなる請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は前記第2電極層と同一の物質からなる請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記少なくとも一つの第1集電部は前記第1電極層と同一の物質からなる請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記少なくとも一つの第1集電部は前記第2電極層と同一の物質からなる請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は銀を含む請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第2電極層はニッケル、銅、アルミニウム、スズ、亜鉛、インジウム、チタン、金及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つであり、また、その他の導電性金属物質からなる群から選択された少なくとも一つを含む請求項1記載の太陽電池。前記第1電極と前記第1集電部は銀を含み、前記第1電極は第1電極層と、前記第1電極層上に位置し前記第1電極層と銀の含量が異なる第2電極層を含み、前記第1集電部は前記第1電極層と銀の含量が実質的に同一である請求項1記載の太陽電池。前記第1電極層及び前記第1集電部の銀の含量は前記第2電極層の銀の含量より多い請求項8記載の太陽電池。前記第1電極と前記第1集電部は銀を含み、前記第1電極は第1電極層と、前記第1電極層上に位置し前記第1電極層と銀の含量が異なる第2電極層を含み、前記第1集電部は前記第2電極層と銀の含量が実質的に同一である請求項1記載の太陽電池。前記第1電極層の銀の含量は前記第2電極層及び前記第1集電部の銀の含量より多い請求項10記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層の線幅は30μmないし100μmである請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は10μmないし35μmの厚さを有する請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第2電極層は前記第1電極層上にだけ位置する請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第2電極層は前記第1電極層及び第1集電部上に位置する請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は前記第2電極層の下にだけ位置する請求項1記載の太陽電池。前記複数の第1電極は第1電極層と前記第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、前記第1電極層は前記第1電極層及び第1集電部の下に位置する請求項1記載の太陽電池。半導体基板の第1領域に第1ペーストを印刷して第1方向と平行に形成される第1電極層パターンを形成する段階と、前記第1電極層パターンが形成された前記半導体基板の前記第1領域に第2ペーストを印刷し前記第1電極層パターンの直上に形成される第2電極層パターン及び前記第1方向に直交する第2方向に形成される第1集電部パターンを同時に形成する段階と、を含む太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは同一の物質からなる請求項18記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは銀を含み、前記第1ペーストの銀の含量が前記第2ペーストの銀の含量より多い請求項19記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは互いに異なる物質からなる請求項18記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペーストは銀を含み、前記第2ペーストはニッケル、銅、アルミニウム、スズ、亜鉛、インジウム、チタン及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含む請求項21記載の太陽電池の電極製造方法。前記半導体基板の前記第2領域に第2電極パターン及び第2集電部パターンを形成する段階をさらに含む請求項18記載の太陽電池の電極製造方法。前記第2電極パターン及び第2集電部パターン形成段階は、前記第2ペーストと実質的に同一であるペーストをスクリーン印刷しパターンを形成する請求項23記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1方向の第1電極層パターンは前記第2方向の第1集電部パターンと重畳する位置には形成しない請求項18記載の太陽電池の電極製造方法。半導体基板の第1領域に第1ペーストを印刷し第1方向と平行に形成される第1電極層パターン及び前記第1方向に直交する第2方向に形成される第1集電部パターンを同時に形成する段階と、前記第1電極層パターンの上に形成される第2電極層パターンを形成する段階と、を含む太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは同一の物質からなる請求項26記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは銀を含み、前記第1ペーストの銀の含量が前記第2ペーストの銀の含量より多い請求項27記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペースト及び前記第2ペーストは互いに異なる物質からなる請求項26記載の太陽電池の電極製造方法。前記第1ペーストは銀を含み、前記第2ペーストはニッケル、銅、アルミニウム、スズ、亜鉛、インジウム、チタン及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含む請求項29記載の太陽電池の電極製造方法。前記半導体基板の前記第2領域に第2電極パターン及び第2集電部パターンを形成する段階をさらに含む請求項26記載の太陽電池の電極製造方法。前記第2電極パターン及び第2集電部パターン形成段階は前記第2ペーストと実質的に同一であるペーストをスクリーン印刷しパターンを形成する請求項31記載の太陽電池の電極製造方法。前記第2電極層は前記第1集電部と重畳する位置には形成しない請求項26記載の太陽電池の電極製造方法。本発明の目的は、太陽電池の製造費用を減らすことにある。それと本発明の他の目的は太陽電池の効率を改善することにある。前記課題を解決するために本発明の一側面による太陽電池は第1導電型の基板と、第1導電型と反対の第2導電型を有し基板とp-n接合を形成するエミッタ部、エミッタ部と接続され、2層以上に構成される多層構造を有する複数の第1電極、複数の第1電極と接続され単一層構造を有する少なくとも一つの第1集電部と、基板と接続されている第2電極を含む。複数の第1電極は第1電極層と第1電極層上に位置する第2電極層をそれぞれ含み、第1電極層は第2電極層と異なる物質または同一の物質から成り得る。少なくとも一つの第1集電部は第1電極層と同一である物質から成り得り、これとは異なり、少なくとも一つの第1集電部は第2電極層と同一の物質から成り得る。一例では、第1電極層は銀Agを含み、第2電極層はニッケルNi、銅Cu、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含むことができる。他の例では、第1電極と第1集電部は銀Agを含み、第1電極は第1電極層と第1電極層上に位置し第1電極層と銀Agの含量が異なる第2電極層を含み、第1集電部は第1電極層と銀Agの含量が実質的に同一であることがある。この場合、第1電極層及び第1集電部の銀Agの含量は第2電極層の銀Agの含量より多くなることがある。これとは異なり、第2電極層は第1電極層と銀Agの含量が異なることができ、この時、第1電極層の銀Agの含量は第2電極層及び第1集電部の銀Agの含量より大きくなることができる。第1電極層及び第2電極層の線幅は約30μmないし100μmであり得る。第1電極層及び第2電極層の厚さは約10μmないし35μmであり得る。第2電極層は第1電極層上にだけ位置するか、第1電極層及び第1集電部上に位置することができる。第1電極層は第2電極層の下にだけ位置するか、第1電極層及び第1集電部の下に位置することができる。本発明の一側面による太陽電池の電極製造方法は半導体基板の第1領域に第1ペーストを印刷し第1方向と平行に形成される第1電極層パターンを形成する段階と、第1電極層パターンが形成された半導体基板の第1領域に第2ペーストを印刷し第1電極層パターン直上に形成される第2電極層パターン及び第1方向に直交する第2方向に形成される第1集電部パターンを同時に形成する段階を含むことができる。この時、第1方向の第1電極層パターンは前記第2方向の第1集電部パターンと重畳する位置には形成しないことがある。本発明の他の側面による太陽電池の電極製造方法は半導体基板の第1領域に第1ペーストを印刷し第1方向と平行に形成される第1電極層パターン及び第1方向に直交する第2方向に形成される第1集電部パターンを同時に形成する段階と、第1電極層パターンの上に形成される第2電極層パターンを形成する段階を含むことができる。この時、第2電極層は前記第1集電部と重畳する位置には形成しないこともある。第1ペースト及び第2ペーストは同一の物質から成り得る。この時、第1ペースト及び第2ペーストは銀Agを含み、第1ペーストの銀Agの含量が第2ペーストの銀Agの含量より大きくなりえる。第1ペースト及び第2ペーストは互いに異なる物質から成り得る。この時、第1ペーストは銀Agを含み、第2ペーストはニッケルNi、銅Cu、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含むことができる。半導体基板の第2領域に第2電極パターン及び第2集電部パターンを形成する段階をさらに含むことができる。第2電極パターン及び第2集電部パターン形成段階は第2ペーストと実質的に同一であるペーストをスクリーン印刷し電極パターンを形成することができる。本発明のこのような特徴によれば、各第1電極は第1電極層とその上に位置する第2電極層からなる2層構造になっているので、1層構造の第1電極の厚さより厚い。したがって、第1電極の直列抵抗が減少しこれにより、エミッタ部から複数の第1電極への電荷伝送効率が向上して太陽電池の効率が向上する。また、エミッタ部と接触する第1電極の部分は銀Agを含むのでエミッタ部との接触抵抗が低くなり、エミッタ部から第1電極への電荷伝送効率が向上するので太陽電池の効率はより一層向上する。また、銀Agより安価な導電性物質を利用し第2電極層を形成するので、銀Agペーストの使用量を減らし、生産費用を節減する効果がある。以下では添付した図面を参照して本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施するように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ相異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあると言う時、これは他の部分真上にある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分真上にあると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。それでは添付した図面を参照して本発明の一実施の形態に係る太陽電池を説明する。先ず、図1及び2を参照して本発明の一つの実施の形態に係る太陽電池を説明する。図1は本発明の一つの実施の形態に係る太陽電池の部分斜視図であり、図2は図1に示した太陽電池をII-II線に沿った断面図である。図1及び図2に示すように、太陽電池1は基板110、光が入射される基板110の受光面に位置するエミッタ部120、エミッタ部120上に位置する複数の第1電極141、複数の第1電極141と交差する方向にエミッタ部120上に位置する少なくとも一つの第1集電部142、第1電極141と第1集電部142が位置しないエミッタ部120上に位置する反射防止膜130、受光面の反対側面に位置し基板110と接続される第2電極151を備える。基板110は第1導電型、例えばp導電型のシリコンからなる半導体基板で有り得る。この時、シリコンは単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは非晶質シリコンで有り得る。基板110がp型の導電型を有する場合、硼素B、ガリウムGa、インジウムInのような3価元素の不純物を含むことがある。代案的な実施の形態で、基板110はテクスチャリング表面を備えることができる。基板110の表面がテクスチャリング表面に形成されれば基板110の受光面での光反射度が減少し、テクスチャリング表面で入射と反射動作により太陽電池の内部に光が閉じこめられ光の吸収率が増加される。したがって、太陽電池1の効率が向上する。これに加えて、基板110に入射する光の反射損失が減って基板110に入射される光の量はさらに増加する。エミッタ部120は基板110の導電型と反対の第2導電型、例えば、n導電型を備え不純物がドーピングされた領域として、基板110とp-n接合を成す。エミッタ部120がn導電型を有する場合、エミッタ部120ははリンP、砒素As、アンチモンSbのように5価元素の不純物を基板110にドーピングして形成されうる。これによって、基板110に入射された光によって基板110内部の電子がエネルギを受ければ電子が励起され電子正孔対が生成されて、電子はn型半導体の方に移動し正孔はp型半導体の方に移動する。したがって、基板110がp型でエミッタ部120がn型の場合、正孔は基板110の方へ移動し電子はエミッタ部120の方へ移動する。本実施の形態とは異なり、基板110はn導電型でありえ、シリコン以外の他の半導体物質からなることもできる。基板110がn導電型を有する場合、基板110はリンP、砒素As、アンチモンSbのような5価元素の不純物を含むことができる。エミッタ部120は基板110とp-n接合を形成するので、基板110がn導電型を有する場合、エミッタ部120はp導電型を有する。この場合、分離した電子は基板110の方へ移動し分離した正孔はエミッタ部120の方へ移動する。エミッタ部120がp導電型を有する場合、エミッタ部120は硼素B、ガリウムGa、インジウムInのような3価元素の不純物を基板110にドーピングして形成されうる。基板110のエミッタ部120上に位置した反射防止膜130はシリコン窒化膜SiNxやシリコン酸化膜SiOxなどからなる。反射防止膜130は太陽電池1に入射される光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させ太陽電池1の効率を高める。図1及び図2で反射防止膜130は単一膜からなるが、2重膜や3重膜のように多層膜から成り得り、必要によって反射防止膜130は省略されうる。複数の第1電極141それぞれはエミッタ部120と接続されている導電性物質からなる第1電極層141aと第1電極層141a上に位置する第2電極層141bを備える。この時、第1電極層141aとその上に位置する第2電極層141bの平面形状は実質的に同一である。例えば、第1電極層141a及び第2電極層141bは上から見た時同一の形状を有する。したがってエミッタ部120の方へ移動した電荷は複数の第1電極層141aによって主に収集され、収集された電荷の少なくとも一部は複数の第1電極層141aと接続される第2電極層141bに移動する。第1電極層141aと第2電極層141bは同一の導電性物質から成り得る。これとは異なり、第1電極層141aと第2電極層141bは他の導電性物質から成り得る。本実施の形態で、第1電極141は銀Ag、ニッケルNi、銅Cu、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つからなる。この時、第1電極層141aは伝導度が良い銀Agを含み、第2電極層141bはニッケルNi、銅Cu、アルミニウムAlなどを含むことができる。したがって、基板110のエミッタ部120と複数の第1電極層141aとの接触抵抗が低くなるので、エミッタ部120から第1電極層141aへの電荷伝送効率が向上する。また、本実施の形態に係る各第1電極141は第1電極層141aとその上に位置する第2電極層141bからなる2層構造を有しているので、1層構造の第1電極より厚い厚さを有することができる。したがって、太陽電池1の直列抵抗が減少しこれにより、エミッタ部120から複数の第1電極141への電荷伝送効率が向上して電流損失が減少する。本実施の形態に係る太陽電池1で、第1電極141は30μmないし100μmの線幅W1を有することができる。また、第1電極層141aの厚さT1は約15μmないし30μmで有り得り、第2電極層141bの厚さT2は約40μmないし50μmであり得る。ここで、第1電極141の線幅W1が約30μmより小さい場合第1電極141の断線が発生することがある。また第1電極141の線幅W1が約100μmを超過する場合受光面積が減って太陽電池1の効率が低下することがある。エミッタ部120上に位置する少なくとも一つの第1集電部142はバスバーとも呼ばれ複数の第1電極141と交差する方向に伸びている。図1及び図2に示すように、第1集電部142は第1電極層141a及び第2電極層141bと接続されている。第1集電部142は第1電極層141a及び第2電極層141bとそれぞれ他の物質から成り得る。このような構造の太陽電池を示す断面図が図2に示されている。この時、図1及び図2に示した第1集電部142の厚さT3は第1電極141の厚さT1T2と実質的に同一であるか、異なるように形成することができる。厚さが異なる場合第1電極141と第1集電部142の接する部分は傾斜に形成されうる。この時、第1集電部142は第1集電部142の側面を通じて複数の第1電極層141a及び第2電極層141bと部分的に接続される。この場合、第1集電部142の第3厚さT3は第1電極層141aの第1厚さT1及び第2電極層141bの第2厚さT2の内いずれか一つと実質的に同一であるか、第1電極141の厚さT1T2と実質的に同一でありえる。既に説明したように、第1電極141は第1電極層141aと第2電極層141bからなる2重膜構造を有し、第1集電部142は単一膜構造を有している。この時、第1電極141の厚さT1T2は第1集電部142の厚さT3と同一であるか異なることができる。複数の第1電極141の第1電極層141aは互いに離隔され第1集電部142と交差する方向に伸びているが、エミッタ部120の真上に複数の第1電極141と交差する方向に伸びている第1集電部142が位置するので、複数の第1電極層141aは第1集電部142が位置したエミッタ部120の上には位置しない。このように、第1集電部142は複数の第1電極141とエミッタ部120の一部に接続されるので、エミッタ部120と複数の第1電極141から伝達する電荷、例えば電子を外部装置に出力する。この時、第1集電部142で伝達する電荷は第2電極層141bだけでなく第1電極層141aを通じて伝達する。このような構造の太陽電池において、前記第1電極141と第1集電部142は基板の上に形成された反射防止膜の上に第1電極層141a及び第2電極層141bを順次に形成した後第1集電部142を形成するか、反射防止膜の上に第1集電部142を先に形成した後第1電極層141aと第2電極層141bを順次に形成することによって製造できる。一方、第1電極層141a、第2電極層141b及び第1集電部142の主成分を成す導電性物質は同一に形成することができる。この時、第1集電部142の主成分を成す導電性物質の含量が第1電極層141aまたは第2電極層141bと異なるように形成することができる。さらに具体的に、第1電極層141aの導電性物質の含量は第2電極層141b及び第1集電部142の導電性物質の含量と異なるように形成することもできる。例えば、第1電極層141aの銀Agの含量が第2電極層141b及び第1集電部142の銀Agの含量より大きく形成することができる。言い換えれば、第1電極層141aの銀Agの含量は約80乃至90重量、そして第2電極層141b及び第1集電部142の銀Agの含量は約70乃至75重量で形成することができる。太陽電池1は第2電極151と基板110の間に形成される後面電界部をさらに含む。後面電界部171は基板110と同一での導電型の不純物が基板110より高濃度にドーピングされた領域、例えば、p領域である。このような後面電界部171は基板110電位障壁で作用するようになる。したがって、基板110の後面部の方で電子と正孔が再結合し消滅するのが減少されるので太陽電池1の効率が向上する。基板110の後面に位置した第2電極151は基板110方へ移動する電荷、例えば正孔を収集する。第2電極151は少なくとも一つの導電性物質からなる。導電性物質はニッケルNi、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つであり、また、その他の導電性金属物質からなることができる。本実施の形態に係る太陽電池1は基板110の後面に位置し後面電極151と接続されている少なくとも一つの第2集電部152をさらに備える。本実施の形態で少なくとも一つの第2集電部152は基板の後面にすぐ位置して隣接した後面電極151と接続される。すなわち、第2電極151と重畳されないように形成される。しかし、これに限定されるのではなく、第2電極151と一部重畳されるように形成することもでき、基板110の後面に位置した後面電極151の下に位置して下部の後面電極151と接続することができる。本実施の形態で、第2集電部152は実質的に基板110を中心に第1集電部142と対応する位置に位置し、これにより、第1集電部142と同一の方向に伸びるが、これに限定されるのではない。図1は太陽電池の部分斜視図として、第2集電部152が一つだけ示されているが、これに限定されず複数個の第2集電部152を有することができる。第2集電部152は第1集電部142と同様に、後面電極151と接続されて第2電極151から伝達する電荷、例えば正孔を収集した後、導電性テープなどを通じて外部装置に出力する。第2集電部152を構成する導電性物質はニッケルNi、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つであり得るが、その他の導電性金属物質から成り得る。太陽電池1は第2電極151と基板110の間に形成される後面電界部をさらに含む。後面電界部171は基板110と同一の導電型の不純物が基板110より高濃度にドーピングされた領域、例えば、p領域である。このような後面電界部171は基板110電位障壁で作用するようになる。したがって、基板110の後面部の方で電子と正孔が再結合し消滅するのが減少されるので太陽電池1の効率が向上する。基板110の後面に位置した第2電極151は基板110の方へ移動する電荷、例えば正孔を収集する。第2電極151は少なくとも一つの導電性物質からなる。導電性物質はニッケルNi、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つであり得るが、その他の導電性金属物質から成り得る。以下、図3ないし図6を参照し本発明の実施の形態に係る太陽電池の電極製造方法を説明する。図3ないし図6は本発明の第1ないし第4実施の形態に係る電極製造方法を示す。図3ないし図6でaに表示されるものは各実施の形態で1次印刷作業によって形成される第1前面電極部パターンの平面図を示した。図3ないし図6でbに表示されるものは各実施の形態で2次印刷作業によって形成される第2前面電極部パターンの平面図を示した。そして図3ないし図6でcに表示されるものは第1電極層パターンの長さ方向に切断した第1及び第2前面電極部パターンの断面図である。電極形成の前に基板110の一方面にはエミッタ部120及び反射防止膜130が形成されている。エミッタ部120の製造方法を簡略に見れば、先ずp型の基板110にはりんP、砒素As、アンチモンSbのような5価元素の不純物を含む物質、例えば、POCl3やH3PO4等を高温で熱処理し5価元素の不純物を基板110に拡散させ基板110全面、すなわち、前面、後面及び側面にn型のエミッタ部120を形成することができる。これとは異なり、基板110の導電型がn型の場合、3価元素の不純物を含む物質、例えば、B2H6を高温で熱処理し基板110の全体面にp型のエミッタ部を形成することができる。その後、n型不純物またはp型不純物が基板110内部に拡散するによって生成されたりんを含む酸化物や硼素を含む酸化物を蝕刻工程を通じてとり除く。そして反射防止膜の製造方法に対して簡略に見れば、反射防止膜130はプラズマ気相成長PECVD法のような多様な膜形成方法で基板110の前面にシリコン窒化膜SiNxを蒸着することによって形成することができる。反射防止膜130の屈折率n1は空気の屈折率n2、n2=1とシリコン基板110の屈折率n3、n3=3.5の間の屈折率、例えば約1.9乃至2.3の屈折率n1を有することができる。これにより、空気から基板110にの屈折率が順次変化するので反射防止膜130の反射防止効果が向上する。このようにエミッタ部120及び反射防止膜130を形成した後に図3ないし図6の実施の形態によって電極を製造する。先ず、図3を参照して第1実施の形態を説明する。図3aに示すように、基板110に第1前面電極部パターン用ペーストをスクリーン印刷法で印刷した後、一定温度、例えば約120°Cないし200°Cで乾燥し第1前面電極部パターン40aを形成する。この時、第1前面電極部パターン40aは製1電極層パターン41a及び第1集電部パターン42を具備し、第1集電部パターン42は第1電極層パターン41aと交差する方向に伸びている。この時、第1前面電極部パターン40aを銀Agペーストで形成する場合、基板110との接触抵抗が減少され光電変換特性を向上することができる。その後、図3bに示すように、第2前面電極部パターン40bを形成する。第2前面電極部パターン40bは第2電極層パターン41bからなり、第2電極層パターン41bは第1電極層パターン41aと同一の平面形状を有する。即ち第2電極層パターン41bは第1集電部パターン42と重畳する領域には形成されない。第2前面電極部パターン40bは第1前面電極部パターン40aとは異なる物質を含むペーストを第1電極層パターン41a上に印刷した後約120°Cないし200°Cで乾燥することによって形成することができる。この時、第2前面電極部パターン40b用ペーストは第1前面電極部パターン40a用ペーストとは異なる導電性物質、例えばアルミニウムAl、ニッケルNi、銅Cu、銀Ag、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含むことができる。このような方法によって形成された電極は図3cに示すような断面形状を有する。これとは異なり、第2実施の形態に係る図4bに示すように、第2前面電極部パターン40bを第1集電部領域で切れないでつながるように印刷することも可能である。このような場合第1集電部142の一部が伝導性が高い第1電極層141aと重畳するので、シリコン基板110と第1集電部142との接触抵抗が低くなり、第1電極141で第1集電部142に移動する電流の損失が減少し、太陽電池2の光電変換特性が向上する。このような方法によって形成された電極は図4cに示すような断面形状を有する。次に、図5を参照して第3実施の形態を説明する。図5aに示すように、基板11に第1前面電極部パターン用ペーストをスクリーン印刷法で印刷した後一定温度、例えば約120°Cないし200°Cで乾燥し第1前面電極部パターン40aを形成する。この時、第1前面電極部パターン40aは第1電極層パターン41aを備え、第1電極層パターン41aは第1集電部パターン42が形成される領域にも形成される。すなわち、第1電極層パターン41aは第1集電部領域で切れないでつながるように印刷する。その後、図5bに示した第2前面電極部パターン40bを形成する。第2前面電極部パターン40bは第2電極層パターン41b及び第1集電部パターン42からなる。この時、第1集電部パターン42は第2電極層パターン41bと交差する方向に伸びている。したがって、第1電極層パターン41aの一部分は第1集電部パターン42の一部分と重畳する。このような方法によって形成された電極は図5cに示すような断面形状を有する。これとは異なり、第4実施の形態に係る図6aに示すように、第1電極層パターン41aを第1集電部領域で切れる形状で印刷することも可能である。そして図6bに示すように、第2前面電極部パターン40bが形成される。第2前面電極部パターン42bは第2電極層パターン41b及び第1集電部パターン42を含む。第1集電部パターン42は第1電極層パターン41aと交差する方向に延長される。このような方法によって形成された電極は図6cに示すような断面形状を有する。しかし、この実施の形態で、第1電極層パターン41aの一部分は第1集電部パターン42の一部と重畳せず、むしろ第2電極層パターン41bが第1電極層パターン41aと重畳する。前述の方法によれば、二度印刷するので、一度印刷することに比べて厚い厚さの第1電極141を形成することができる。本発明の他の実施の形態で、第1電極部パターン40を形成するための印刷工程は3回以上遂行することができる。例えば、第1電極部パターン40を形成するための印刷工程は第1電極層パターン41aを形成するための印刷工程、第1集電部パターン42を形成するための印刷工程及び第2電極層パターン41bを形成するための印刷工程を含むことができる。3回以上の印刷工程を有する実施の形態で、第1電極層パターン41aを形成するための印刷工程は第2電極層パターン41bを形成するための印刷工程以前に実施されるが、第1集電部パターン42を形成するための印刷工程は前記3回以上の印刷工程中いつでも実施されることができる。以上では第1前面電極部パターン41aと第2前面電極部パターン41bが互いに異なる物質からなることについて説明したが、代案的な実施の形態で、第1前面電極部パターン40aと第2前面電極部パターン40bを形成するペーストの主成分を成す導電性物質を同一に形成することができる。この時、第1電極層パターン41a及び第1集電部パターン42のためのペーストで主成分である導電性物質の含量と第2電極層パターン41bのためのペーストで主成分である導電性物質の含量、すなわち、第1前面電極部パターン40aと第2前面電極部パターン40bのそれぞれのペーストの主成分である導電性物質の含量が互いに異なることができる。例えば、反射防止膜130の上に全体重量対比銀Agパウダーの含量が相対的に高い第1ペーストを印刷し第1前面電極部パターン40aを形成し、全体重量対比銀Agパウダーの含量が第1ペーストに比べて少ない第2ペーストを第1前面電極部パターン40aの上に印刷し第2前面電極部パターン40bを形成することができる。この時、第1ペーストは銀パウダーの含量を全体重量対比約80ないし90重量含んでいる銀Agペーストであり、第2ペーストは銀パウダーの含量を全体重量対比約70ないし75重量含んでいる銀Agペーストで有り得る。以上で説明した方法によって第1電極141を形成した後、スクリーン印刷法を利用し、前面電極部パターン40が印刷された領域と電気的に分離された領域、本実施の形態では基板110の後面の該当の部分にアルミニウムAlを含む後面電極用ペーストを塗布した後乾燥させ、後面電極パターン図示せずを形成する。ここで、後面電極パターンは第2電極151、後面電極を形成する。後面電極用ペーストはアルミニウムAl代わりにニッケルNi、銅Cu、銀Ag、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含むことができる。次に、スクリーン印刷法を利用し、基板110後面の該当の部分にアルミニウムAlを含む第2集電部用ペーストを塗布した後乾燥させ、第2集電部パターン図示せずを形成する。ここで、第2集電部パターンは第2集電部152を形成する。本実施の形態で少なくとも一つの第2集電部パターンは基板の後面に位置し隣接した後面電極パターンと接続される。すなわち、後面電極パターンと重畳されないように形成される。しかし、これに限定されず、後面電極パターンと一部重畳されるように形成することもでき、基板110の後面に位置した後面電極パターンの下に位置し下部の後面電極パターンと接続することができる。第2集電部パターンは実質的に基板110を中心に第1集電部パターン42と対応する位置に形成する。すなわち、第1集電部パターン42と同一の方向に伸びるが、これに限定されるのではない。第2集電部用ペーストはアルミニウムAl代わりにニッケルNi、銅Cu、銀Ag、スズSn、亜鉛Zn、インジウムIn、チタンTi、金Au及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つを含むことができ、または、その他の導電性金属物質から成り得る。前面電極部パターン40と後面電極部パターンの形成順序は変更可能である。また、後面電極部パターンの形成において、後面電極パターンと第2集電部パターンの形成順序は変更が可能である。その後、約750°Cないし約800°Cの温度で前面電極部パターン40と後面電極部パターンを備えた基板110を焼成し、複数の第1電極141と少なくとも一つの第1集電部142、後面電極151、第2集電部152及び後面電界部171を形成する。すなわち、熱処理が施行されれば、前面電極部パターン40のガラスフリットに含有された鉛Pbなどによって前面電極部パターン40は下部の反射防止膜130部分を貫通する。したがって、第1電極層パターン41a、第1集電部パターン42及び第2電極層パターン41bの内少なくとも一つ以上がガラスフリットに鉛成分を含んでいる。第2電極層41bが第1電極層41aの上に位置する場合には第2電極層41bがガラスフリットに鉛成分を含む必要がない。これにより、エミッタ部120と接触する複数の第1電極141と少なくとも一つの第1集電部142を備えた前面電極部140を完成する。この時、前面電極部パターン40の第1電極パターン41は複数の前面電極、すなわち、第1電極141になり、第1集電部パターン42は少なくとも一つの第1集電部142になる。また熱処理工程によって後面電極パターン及び第2集電部パターンはそれぞれ基板110と接続される第2電極151及び第2集電部152になり、第2電極151及び第2集電部152の含有物であるアルミニウムAlが後面電極151と接触した基板110の方へ拡散して主に後面電極151と接している基板110の後面に後面電界部171を形成する。この時、基板110の後面に位置するエミッタ部120を越してまでアルミニウムA1が拡散して後面電界部171が形成される。前述したように、他の例で、第2集電部152は本実施の形態と異なりい第2電極151の下部に接続されるように第2電極151の下に形成されることもできる。その後、レーザビームなどを利用し基板110の側面や端部分に形成されたエミッタ部120の少なくとも一部をとり除く側面分離を実施し図示せず、基板110の前面に形成されたエミッタ部120と基板110の後面に形成されたエミッタ部120を電気的に分離し太陽電池1を完成する。以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はここに限定されるのではなく次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するのである。