被処理基板の一面に、チタンナイトライド膜、タングステンシリサイド膜、タングステン膜の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、前記タングステンシリサイド膜をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲットと、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いることを特徴とするデバイスの製造方法。前記タングステンシリサイド膜を形成する同一チャンバにおいて、前記タングステン膜を形成することを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載のデバイスの製造方法。前記チタンナイトライド膜を形成するチャンバから、前記タングステンシリサイド膜および前記タングステン膜を形成するチャンバまで、前記被処理基板を減圧雰囲気中にて移動させることを特徴とする請求項1または2に記載のデバイスの製造方法。スパッタリング処理用のチャンバと、前記チャンバ内に配された、被処理基板の支持台と、前記支持台の温度を制御する手段と、前記チャンバ内に配されたW原子からなるターゲットと、前記支持台と前記ターゲットとの間に電圧を印加する手段と、前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、前記チャンバ内における、前記支持台と前記ターゲットとの間の領域に導入する、シリコン原子を含むプロセスガスの供給手段と、前記チャンバと前記供給手段との間に配され、前記シリコン原子の割合を制御する手段と、を少なくとも備えたことを特徴とするデバイスの製造装置。本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたTiN膜上にWSi膜を形成する際に、WSi膜に含ませるSi原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。また、本発明は、被処理基板の一面に形成されたTiN膜上に、WSi膜とW膜とを順に形成する処理を、同一チャンバ内において行うことを可能とする、デバイスの製造装置を提供する。本発明の請求項1に係るデバイスの製造方法は、被処理基板の一面に、チタンナイトライド膜、タングステンシリサイド膜、タングステン膜の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、前記タングステンシリサイド膜をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲットと、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いることを特徴とする。本発明の請求項2に係るデバイスの製造方法は、請求項1において、前記タングステンシリサイド膜を形成する同一チャンバにおいて、前記タングステン膜を形成することを特徴とする。本発明の請求項3に係るデバイスの製造方法は、請求項1または2において、前記チタンナイトライド膜を形成するチャンバから、前記タングステンシリサイド膜および前記タングステン膜を形成するチャンバまで、前記被処理基板を減圧雰囲気中にて移動させることを特徴とする。本発明の請求項4に係るデバイスの製造装置は、スパッタリング処理用のチャンバと、前記チャンバ内に配された、被処理基板の支持台と、前記支持台の温度を制御する手段と、前記チャンバ内に配されたW原子からなるターゲットと、前記支持台と前記ターゲットとの間に電圧を印加する手段と、前記チャンバ内を減圧するための排気手段と、前記チャンバ内における、前記支持台と前記ターゲットとの間の領域に導入する、シリコン原子を含むプロセスガスの供給手段と、前記チャンバと前記供給手段との間に配され、前記シリコン原子の割合を制御する手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。本発明に係るデバイスの製造方法によれば、Si原子が、ガス状態でターゲットに供給される。そのため、ガス圧力を調整することにより、TiN膜上に形成されるWSi膜に含ませるSi原子の割合を微細制御することができる。したがって、TiN膜上に所望の膜質のWSi膜を形成することができ、その結果として、所望の比抵抗のW膜を、WSi膜上に形成することができる。また、本発明に係るデバイスの製造装置によれば、TiN膜上にWSi膜を形成するスパッタリング処理リアクティブスパッタ処理と、WSi膜上にW膜を形成するスパッタリング処理とを、一つのターゲットのみを用いて行うことができる。したがって、二つのスパッタリング処理を同一のチャンバ内で行うことができ、従来のように、二つのスパッタリング処理の間に行う、チャンバ内の排気、被処理基板の搬送等の作業が不要となり、それにかかる時間を短縮することができる。以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<第一実施形態>図1aは、第一実施形態に係るデバイスの製造装置100の断面図である。製造装置100は、スパッタリング処理用のチャンバ101と、チャンバ101内に配された、被処理基板被処理体103の支持台104と、支持台104の温度を制御する手段Tと、チャンバ101内に配されたW原子からなるターゲット102と、支持台104とターゲット102との間に電圧を印加する手段電圧印加手段Eとを備えている。また、製造装置100は、チャンバ101内を減圧するための排気手段105と、チャンバ101内における、支持台104とターゲット102との間の領域に、プラズマ雰囲気Pを発生させるために導入する、シリコン原子を含むプロセスガスの供給手段ガス供給手段106と、チャンバ101と供給手段106との間に配され、シリコン原子の割合を制御する手段ガス制御手段107とを備えている。[デバイスの製造方法]図1に示した製造装置100を用いたデバイスの製造方法について、説明する。まず、第一工程として、被処理基板103を搬入し、排気手段105により減圧したチャンバ101内を、シリコンSi原子を含むプロセスガス雰囲気とする。シリコンSi原子を含むプロセスガスとしては、例えばSiH4分子を不活性ガスに含めたものがあり、その場合には、プロセスガス中に混在させるSiH4分子の割合は、1程度であることが望ましい。プロセスガスは、ガス供給手段106により供給され、ガス制御手段107を介して、Si原子がプロセスガスに所望な割合で含まれるように制御した上で、チャンバ101内に導入される。なお、チャンバ101内に搬入された時点で、被処理基板の一面被処理面103aには、絶縁層をなすSiO2膜と、バリア層をなすTiN膜とが順に積層されている。そして、ターゲット102に、電圧印加手段Eを用いて電圧を印加し、プラズマ励起させたガス雰囲気に含まれるSiイオンと、ターゲット102を構成するW原子とを反応させることにより、ターゲット102の表面に、WSi分子を生成させる。そして、生成されたWSi分子からなるWSi膜を、スパッタリング法を用いてTiN膜上に形成する。続いて、第二工程として、第一工程において導入したSi原子を含んだガスを排気した上で、ガス制御手段107を用いて、Si原子を含まないように制御された不活性ガスのみのプロセスガスをチャンバ101内に導入し、チャンバ101内を不活性ガス雰囲気とする。そして、ターゲット102に、電圧印加手段Eを用いて電圧を印加し、プラズマ励起させたガス雰囲気によるスパッタリング法を用いて、ターゲット102を構成するW原子からなるW膜を、第一工程において形成したWSi膜上に形成する。図1bは、図1aの製造装置100を用いて、上述した第一工程および第二工程の処理を行うことにより製造されたデバイス112の断面のうち、領域Aを拡大した図である。デバイス112は、被処理基板103の一面被処理面103aに、SiO2膜108、TiN膜109、WSi膜110とW膜111とが順に形成されてなる。第一実施形態に係るデバイスの製造装置100によれば、TiN膜109上にWSi膜110を形成するスパッタリング処理リアクティブスパッタ処理と、WSi膜110上にW膜111を形成するスパッタリング処理とを、一つのターゲット102のみを用いて行うことができる。したがって、二つのスパッタリング処理を同一のチャンバ101内で行うことができ、従来のように、二つのスパッタリング処理の間に行う、チャンバ101内の排気、被処理基板103の搬送等の作業が不要となり、それにかかる時間を短縮することができる。上述したデバイスの製造方法は、第一工程処理と第二工程処理とを同一のチャンバにおいて行う場合を例として説明したが、第一工程処理と第二工程処理とは別々のチャンバにおいて行ってもよい。図2a、bは、それぞれ第一工程処理および第二工程処理の前後において用いられる、複数のチャンバと、各チャンバ間を結ぶ搬送室とを備えたマルチチャンバ200、300を模式的に示した図である。図2aは、第一工程処理と第二工程処理とを同一のチャンバにおいて行う場合に対応している。マルチチャンバ200を用いてプロセス処理を行う場合における、被処理基板の搬送経路について説明する。まず、被処理基板は、外部からロード室201に搬入される。そして、ロード室201において一定時間待機した後に、被処理基板を、ロード室201からチャンバ202内に搬送され、被処理体の一面にTiN膜が形成される。続いてチャンバ203において、被処理基板の一面に、TiN膜上を介して、WSi膜およびW膜が形成される。続いて、被処理基板はチャンバ203からアンロード室205に搬送され、一定時間待機した後に、アンロード室205から外部に搬出される。図2bは、第一工程処理と第二工程処理とを別々のチャンバにおいて行う場合に対応している。マルチチャンバ300を用いてプロセス処理を行う場合における、被処理基板の搬送経路について説明する。まず、被処理基板は、外部からロード室301に搬入される。そして、ロード室301において一定時間待機した後に、被処理基板を、ロード室301からチャンバ302内に搬送され、被処理体の一面にTiN膜が形成される。続いてチャンバ303において、被処理基板の一面に、TiN膜上を介して、WSi膜が形成される。続いてチャンバ304において、被処理基板の一面に、TiN膜上を介して、W膜が形成される。続いて、被処理基板はチャンバ304からアンロード室305に搬送され、一定時間待機した後に、アンロード室305から外部に搬出される。なお、被処理基板のプロセス処理中および搬送中は、各チャンバを結ぶ搬送室206は減圧下にある。次に、上述の第一工程においてチャンバ101内に導入する、Si原子を含んだガスプロセスガスの圧力と、このプロセスガスを用いて被処理基板103に形成された、WSi膜110のシート抵抗との関係について、図3を用いて説明する。図3は、プロセスガスの圧力とWSi膜110のシート抵抗との関係を示す、二つのグラフ実線、点線からなる。縦軸は、WSi膜110のシート抵抗を示し、横軸がプロセスガスの圧力を示している。実線のグラフは、上述の製造方法にしたがい、W原子からなるターゲットの母材と、Si原子を含んだプロセスガスを用いた、スパッタリング処理により形成したWSi膜110のシート抵抗と、プロセスガスの圧力との関係を示したものである。点線のグラフは、従来の製造方法にしたがい、WSi分子からなるターゲットの母材を用いた、スパッタリング処理により形成したWSi膜110のシート抵抗を示したものである。実線のグラフによれば、プロセスガスの圧力とWSi膜110のシート抵抗とは、一次の比例関係にあり、圧力を高くするにつれて、シート抵抗が単調増加する傾向にある。したがって、上述の製造方法にしたがってプロセスガスの圧力を調整することにより、所望のシート抵抗のWSi膜110を形成することができる。なお、WSi膜110のシート抵抗は、WSi膜110を構成する結晶核の密度と反比例の関係にある。すなわち、WSi膜110を構成する結晶核の密度が大きいほど、WSi膜110のシート抵抗は低くなり、結晶核の密度が小さいほど、WSi膜110のシート抵抗は高くなる。図4aは、第一工程を経て形成されたWSi膜110を構成する結晶核の密度が小さい場合に、この結晶核を中心として、ターゲット102から飛び出したW粒子111aが、WSi膜110上において、結晶粒111bを構成する様子を模式的に示した図である。結晶核の密度が小さい場合には、隣接する結晶核同志の距離が長くなるため、結晶核を中心として、W粒子111aからなる少数の大きな結晶粒111bが形成される。図4bは、第一工程を経て形成されたWSi膜110を構成する結晶核の密度が大きい場合に、この結晶核を中心として、ターゲット102から飛び出したW粒子111aが、WSi膜110上において、結晶粒111cを構成する様子を模式的に示した図である。結晶核の密度が大きい場合には、隣接する結晶核同志の距離が短くなるため、結晶核を中心として、W粒子111aからなる多数の小さな結晶粒111cが形成される。図5は、5つのプロセス条件A~Eにより形成されたW膜のシート抵抗を比較するグラフである。縦軸はW膜のシート抵抗を示し、横軸は各プロセス条件の名称を示している。プロセス条件A~Cは、被処理基板の一面103aに形成されたTiN膜109とW膜111との間に、WSi膜110をリアクティブスパッタリング処理上述した第一工程処理により形成した場合に対応する。プロセス条件Dは、被処理基板の一面103aに形成されたTiN膜109とW膜111との間に、WSi膜110をPVD処理従来のスパッタリング処理により形成した場合に対応する。プロセス条件Eは、被処理基板の一面103aに形成されたTiN膜109とW膜111との間に、WSi膜110を形成していない場合に対応する。プロセス条件A~Dのグラフと、プロセス条件Eのグラフとの比較から、W膜111のシート抵抗は、TiN膜109上にWSi膜110を介してW膜111を形成することにより、TiN膜上109に直接W膜111を形成した場合の半分程度になることが分かる。また、プロセス条件A~Cのグラフと、プロセス条件Dのグラフとの比較から、WSi膜を、リアクティブスパッタリング処理を行って形成した場合においても、プロセスガスの圧力を調整することにより、PVD処理を行って形成した場合と同程度のシート抵抗のW膜を得られることが分かる。そして、プロセス条件A~Cのグラフから、WSi膜を形成する際のプロセスガスの圧力を高くすることにより、W膜のシート抵抗が僅かに低くなる傾向にあることが分かる。したがって、プロセスガスの圧力調整を行うことにより、形成されるW膜のシート抵抗を細かく管理することができる。第一実施形態に係るデバイスの製造方法によれば、Si原子が、ガス状態でターゲットに供給される。そのため、ガス圧力を調整することにより、TiN膜上に形成されるWSi膜に含ませるSi原子の割合を微細制御することができる。したがって、TiN膜上に所望の膜質のWSi膜を形成することができ、その結果として、所望の比抵抗のW膜を、WSi膜上に形成することができる。また、第一実施形態に係るデバイスの製造方法によれば、プロセスガスの圧力を調整して、W膜の膜質を変化させることにより、所望のシート抵抗のW膜を形成することができる。W膜等の金属配線を所望の抵抗となるように形成しようとする場合、一般には、配線の長さと太さを調整する方法がとられるが、配線部を形成する領域が十分に確保できない場合や、配線部を、寸法ばらつきが大きく影響するようなサイズに加工する場合には、上述したデバイスの製造方法が有効となる。