電圧印加によって発光させることを目的とした水素化窒化炭素薄膜を成長するに際し、導体、半導体もしくは絶縁体基板上に、薄膜成長方向に成分濃度が変化するように作製したことを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子。電圧印加によって発光させることを目的とした水素化窒化炭素薄膜を成長するに際し、導体、半導体もしくは絶縁体基板上に、窒素含有量が少ない水素化窒化炭素薄膜を第一層として成長し、その上に第一層よりも窒素含有量が多い水素化窒化炭素を第二層として成長し、さらにその上に第二層よりも窒素含有量が多い水素化窒化炭素を第三層として成長する、といったように窒素含有量の多い水素化窒化炭素薄膜を多層に成長させたことを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子。電圧印加によって発光させることを目的とした水素化窒化炭素薄膜を成長するに際し、導体、半導体もしくは絶縁体基板上に、膜厚増加方向に窒素含有量が連続的に増加する水素化窒化炭素を成長させたことを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子。上記請求項2において、窒素含有量の少ない基板近傍の層はスパッタ装置で成長し、窒素含有量の多い表面近傍の層はプラズマCVD装置で成長すること、および成長後に熱処理を行う方法によって膜厚増加方向に窒素含有量を次第に増加させることを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子の製造方法。上記請求項3において、窒素含有量を連続的に変化させるためにアルゴンと窒素の流量比を薄膜成長方向に連続的に変化させる方法、もしくはメタンガスの流量を薄膜成長方向に連続的に変化させる方法によって作製することを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子の製造方法。上記請求項1において、成長基板としてシリコン、ヒ化ガリウムもしくはガラスを用いることを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子の製造方法。上記請求項1において、スパッタ装置での成長の材料としてカーボンターゲット、アルゴンガス、窒素ガス、メタンガスを用い、プラズマCVD装置での成長の材料としてアルゴンガス、窒素ガス、メタンガスを用いることを特徴とする水素化窒化炭素薄膜を用いた白色発光素子の製造方法。解決しようとする問題点は、青色LEDとYAG:Ce系蛍光体の2素子によって実現される白色LEDにおいて、青色LEDに使用されているサファイア基板が絶縁体であるため放熱特性が悪く、作製プロセスが複雑になることによって高価になってしまう点である。本発明は、導体、半導体もしくは絶縁体基板上に、膜厚増加方向に窒素含有量が増加する水素化窒化炭素薄膜を成長し、電圧印加によって発光させることを最も主要な特徴とする。本発明の白色発光素子は、単一素子で白色発光を実現できるということ、および製造プロセスの簡素化によってコストを安価にできるという利点がある。以下、実施例を用いて発明の実施の形態を述べる。図1に示すように、基板はSi100面1もしくはGaAs100面1を使用する。まず、基板1上にスパッタ装置もしくはCVD装置によって水素化窒化炭素薄膜2を成長する。材料は、スパッタ装置であればカーボンターゲットを用い、アルゴンガス、窒素ガス、メタンガスをチャンバー内に流入させ、比較的窒素含有量N/Cが小さくなるように作製する。薄膜2の上にスパッタ装置もしくはCVD装置によって水素化窒化炭素薄膜3を成長する。薄膜3は、薄膜2よりも窒素含有量N/Cが大きくなるように作製する。窒素含有量を大きくするためには、窒素ガス流量を増加すればよい。この時点で水素化窒化炭素の2層構造となり、そのPL発光スペクトルは例えば図2のようになる。薄膜3の上に順次薄膜4、5を[0011]の手順に従って作製する。膜厚と窒素含有量N/CおよびバンドギャップEgの関係は図1に示すグラフのように階段状になり、膜厚の増加とともにN/CとEgも増加する構造となる。薄膜4までの時点では3層構造、薄膜5までの時点では4層構造となり、そのPL発光スペクトルは例えば図2のようになる。多層にすればするほど短波長側の発光が強くなり、発光スペクトルもブロードになるため演色性も向上する。薄膜5の成長後、薄膜5の上および基板1の下にAl電極6を蒸着し、図1に示すように電圧を印加すれば白色EL発光を得ることができると考えられる。図3に示すように、基板はSi100面1もしくはGaAs100面1を使用する。基板1上にスパッタ装置もしくはCVD装置によって水素化窒化炭素薄膜7を成長する。使用する材料はアルゴンガス、窒素ガス、メタンガスである。成長中は、下記[0015]で示すようにアルゴンガスと窒素ガスの流量比、もしくは下記[0016]で示すようにメタンガス流量を連続的に変化させ、窒素含有量が膜厚増加方向に連続的に増加する水素化窒化炭素薄膜5を成長させる。薄膜7の上および基板1の下にAl電極4を蒸着し、図3に示すように電圧を印加すれば白色EL発光を得ることができると考えられる。Si100面もしくはGaAs100面の上にアルゴンガスと窒素ガスの流量比を変化させた水素化窒化炭素薄膜を成長する。メタン0.8ccm、アルゴン:窒素=1:1、およびアルゴン:窒素=1:3の2種類で成長した場合、1:1の窒素含有量窒素と炭素の含有比は0.276、1:3の窒素含有量は0.439であった。PL発光スペクトルを図4の1:1、1:3にそれぞれ示す。アルゴンと窒素の流量比を成長中に連続的に増加させれば、図3のグラフに示すような膜厚増加方向に窒素含有量が増加する水素化窒化炭素薄膜を作製することができる。そのPL発光スペクトルは、例えば図2の4層構造に近いものになる。Si100面もしくはGaAs100面の上にメタンガス流量を変化させた水素化窒化炭素薄膜を成長する。アルゴン:窒素=1:1で固定し、メタンガス流量を0.6ccm、0.8ccm.1.0ccmの3種類で成長した場合、メタン0.6ccmの窒素含有量は0.275、0.8ccmの窒素含有量は0.276、1.0ccmの窒素含有量は0.194であった。PL発光スペクトルを図5の0.6ccm、0.8ccm、1.0ccmにそれぞれ示す。メタンガス流量を成長中に連続的に減少させれば、図3のグラフに示すような膜厚増加方向に窒素含有量が増加する水素化窒化炭素薄膜を作製することができる。そのPL発光スペクトルは、例えば図2の4層構造に近いものになる。以上述べたように、容易に入手できる炭素や窒素を用いて、SiやGaAsのような安価な材料を使用していることから、構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子の作製が可能である。