"珪素含有層と、前記珪素含有層の少なくとも一方面に配設される粘着層と、前記珪素含有層及び前記粘着層の間に設けられるパターニングされた透明導電層とを有する透明面状体であって、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されているパターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率、及び、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、450nm~700nmにおいて0.65以下である透明面状体。前記最大値は、0.8以下である請求項1に記載の透明面状体。前記珪素含有層は、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを備えており、前記低屈折率層側に前記透明導電層が形成されている請求項1又は2に記載の透明面状体。前記低屈折率層の光屈折率は、1.45~1.47であり、前記高屈折率層の光屈折率は、1.47より大きく1.53以下である請求項3に記載の透明面状体。前記低屈折率層は、SiO2により形成されており、前記高屈折率層は、ガラス材により形成されている請求項3又は4に記載の透明面状体。前記透明導電層の厚みは、12nm以下である請求項1から5のいずれかに記載の透明面状体。前記透明導電層の厚みが、12nm以上14nm以下であり、低屈折率層の厚みが、10nm~45nmである請求項1から5のいずれかに記載の透明面状体。前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをXとする下記数式1により算出される値以下である請求項3から7のいずれかに記載の透明面状体。[数式1]0.3409X2-16.705X217.73前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをXとする下記数式2により算出される値以下である請求項8に記載の透明面状体。[数式2]-10X185請求項1から9のいずれかに記載の透明面状体を少なくとも1つ備える透明タッチスイッチであって、前記透明面状体の透明導電層と、該透明導電層とは異なる第2の透明導電層とが、互いに対向する向き或いは、同一方向となる向きに配置されている透明タッチスイッチ。上述したタッチスイッチは、液晶表示装置やCRTなどの表面に装着して用いられるが、透明面状体に形成された透明導電体のパターン形状が目立ってしまい、視認性の低下を招いていた。このような問題は、静電容量式のタッチスイッチだけでなく、マトリックスタイプ等のパターンを要するタッチスイッチでも生じていた。そこで、本発明は、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチの提供を目的とする。本発明の上記目的は、珪素含有層と、前記珪素含有層の少なくとも一方面に配設される粘着層と、前記珪素含有層及び前記粘着層の間に設けられるパターニングされた透明導電層とを有する透明面状体であって、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されているパターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率、及び、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、450nm~700nmにおいて0.65以下である透明面状体により達成される。また、この透明面状体において、前記最大値は、0.8以下であることが好ましい。また、前記珪素含有層は、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを備えており、前記低屈折率層側に前記透明導電層が形成されていることが好ましい。また、前記低屈折率層の光屈折率は、1.45~1.47であり、前記高屈折率層の光屈折率は、1.47より大きく1.53以下であることが好ましい。また、前記低屈折率層は、SiO2により形成されており、前記高屈折率層は、ガラス材により形成されていることが好ましい。また、前記透明導電層の厚みは、12nm以下であることが好ましい。前記透明導電層の厚みが、12nm以上14nm以下であり、低屈折率層の厚みが、10nm~45nmであることが好ましい。また、前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをXとする下記数式1により算出される値以下であることが好ましい。[数式1]0.3409X2-16.705X217.73また、前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをXとする下記数式2により算出される値以下であることが好ましい。[数式2]-10X185また、上記目的は、上記透明面状体を備える透明タッチスイッチであって、前記透明面状体の透明導電層と、該透明導電層とは異なる第2の透明導電層とが、互いに対向する向き或いは、同一方向となる向きに配置されている透明タッチスイッチにより達成される。本発明によれば、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチを提供することができる。以下、本発明の実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面は、構成の理解を容易にするため、実寸比ではなく部分的に拡大又は縮小されている。図1は、本発明の一実施形態に係る透明タッチスイッチの概略構成断面図である。この透明タッチスイッチ101は、静電容量式のタッチスイッチであり、透明な珪素含有層11と、珪素含有層11の少なくとも一方面に配設される粘着層13と、珪素含有層11及び粘着層13の間に設けられるパターニングされた透明導電層12とを有する第1の透明面状体1と、透明基板21の一方面にパターニングされた透明導電層22が形成された第2の透明面状体2とを備えている。第1の透明面状体1と第2の透明面状体2とは、それぞれの透明導電層12,22が対向する向きとなるようにして配置されている。なお、それぞれの透明導電層12,22が同一方向を向くようにして配置してもよい。珪素含有層11は、低屈折率層111と、この低屈折率層111よりも光屈折率が高い高屈折率層112とを備えており、低屈折率層111側に透明導電層12が形成されている。低屈折率層111を構成する材料として、例えばSiO2を挙げることができる。低屈折率層111の光屈折率は、1.45~1.47の範囲であることが好ましい。高屈折率層112を構成する材料としては、例えばソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材を挙げることができる。高屈折率層112の厚みは、特に指定はないが0.3~5.0mm程度、光屈折率は、1.47より大きく1.53以下であることが好ましい。なお、珪素含有層11の表面には、ペンや指が接触することがある場合には、透明性、耐擦傷性、耐摩耗性、ノングレア性向上のため表面処理加工を施してもよい。また、割れ対策としてフィルムを貼り合せても良い。透明基板21は、透明性が高い材料からなることが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリイミドPI、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPES、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリカーボネートPC、ポリプロピレンPP、ポリアミドPA、ポリアクリルPAC、アクリル、非晶質ポリオリフィン系樹脂、環状ポリオリフィン系樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムやこれら2種以上の積層体、およびガラスなどを挙げることができる。透明導電層12,22の材料としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛-酸化錫系、酸化インジウム-酸化錫系、酸化亜鉛-酸化インジウム-酸化マグネシウム系、酸化亜鉛、スズ酸化膜等の透明導電材料、或いは、スズ、銅、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属材料、金属酸化物材料を例示することができ、これら2種以上を複合して形成してもよい。また、酸やアルカリに弱い金属単体でも導電材料として使用できる。透明導電層12,22の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのPVD法や、CVD法、塗工法、印刷法などを例示することができる。透明導電層12,22の厚みは、14nm以下であることが好ましく、12nm以下であることがより好ましい。なお、膜厚が5nm以下では連続した膜になり難く、安定な導電層を形成することは困難である。また、カーボンナノチューブやカーボンナノホーン、カーボンナノワイヤ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリルなどの極細導電炭素繊維を非導電性ポリマー材料に分散させた複合材を透明導電層の材料として用いることもできる。透明導電層12,22は、図2及び図3に示すように、平行に延びる複数の帯状導電部12a,22aの集合体としてそれぞれ形成されており、各透明導電層12,22の帯状導電部12a,22aは、互いに直交するように配置されている。透明導電層12,22は、導電性インクなどからなる引き廻し回路図示せずを介して外部の駆動回路図示せずに接続される。透明導電層12,22のパターン形状は、本実施形態のものに限定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り、任意の形状とすることが可能である。例えば、図4及び図5に示すように、透明導電層12,22を、複数の菱形状導電部12b,22bが直線状に連結された構成とし、各透明導電層12,22における菱形状導電部12b,22bの連結方向が互いに直交し、且つ、平面視において上下の菱形状導電部12b,22bが重なり合わないように配置してもよい。なお、透明タッチスイッチ101の分解能などの動作性能については、第1の透明面状体1と第2の透明面状体2とを重ね合わせた場合に、導電部が存在しない領域を少なくする構成を採用する方が優れている。このような観点から、透明導電層12,22のパターン形状として、矩形状の構成よりも、複数の菱形状導電部12b,22bが直線状に連結された構成の方が望ましい。透明導電層12,22のパターニングは、珪素含有層上又は透明基板上にそれぞれ形成された透明導電層12,22の表面に、所望のパターン形状を有するマスク部を形成して露出部分を酸液などでエッチング除去した後、アルカリ液などによりマスク部を溶解させて行うことができる。粘着層13は、エポキシ系やアクリル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系樹脂の透明性フィルムからなる芯材を含むものであってもよい。また、シート状粘着材を複数枚重ね合わせることにより粘着層を形成してもよく、更に、複数種類のシート状粘着材を重ね合わせて形成してもよい。粘着層13の厚みは、特に指定はないが、実用上では100μm以下であることが好ましく、特に、25μm~75μmであることが好ましい。また、粘着層の光屈折率は、1.40~1.70が好ましく、1.46~1.57であることが更に好ましい。粘着層の屈折率は透明導電層の屈折率に近づける高くすると、界面での屈折率差が小さくなり、パターン形状を目立たなくする効果は高まるが、粘着層の高屈折率化には高屈折材微粒子の添加等が必要であり、透明面状体としての透過率が下がる問題がある。また粘着層は透明導電層と接しており、酸など透明導電層へダメージを与える材料を含むものは好ましくない。以上の構成を備える透明タッチスイッチ101において、タッチ位置の検出方法は、従来の静電容量式のタッチスイッチと同様であり、第1の透明面状体1の表面側における任意の位置を指などで触れると、透明導電層12,22は接触位置において人体の静電容量を介して接地され、透明導電層12,22を流れる電流値を検出することにより、接触位置の座標が演算される。ここで、図6の透明面状体1の概略構成断面図に示すように、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光L1における波長毎の反射率、及び、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光L2における波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおいて0.65以下であることが好ましく、0.5以下であることがより好ましく、0.4以下であることが更に好ましい。最大値と最小値との差が、0.65以下である場合には、透明導電層12のパターン形状を目立たなくすることができ、視認性を向上させることができる。本発明者らは、上記構成の透明面状体についてのサンプルを作成して、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光L1における波長毎の反射率、及び、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光L2における波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と最小値との差、及び反射率差の最大値を計測すると共に、透明導電層12のパターン形状が目立たないか否かの官能試験を行った。サンプルは、図6に示す構造を有しており、珪素含有層11を構成する高屈折率層112と低屈折率層111とをそれぞれ、ソーダガラス板と、SiO2薄膜により形成した。また、透明導電層12としてITO膜を採用し、粘着層13としてアクリル系粘着剤屈折率1.52により形成した膜を採用してサンプルを構成した。作成したサンプルは、透明導電層12ITO膜の厚みを8nm、10nm、12nm、14nm、16nmと変化させた5種類である。なお、全てのサンプルにおいて、高屈折率層112ガラス板の厚みを1.1mm、低屈折率層111SiO2薄膜の厚みを12.5nm、粘着層13の厚みを25μmとした。なお、低屈折率層111SiO2薄膜と透明導電層12ITO膜は、上記ガラス板上にスパッタで成膜している。これら5種類のサンプルについて、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光における波長毎の分光反射率第1分光反射率、及び、珪素含有層11を介して透明導電層12が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光における波長毎の分光反射率第2分光反射率を計測した。計測した第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値と、波長との関係を図7に示す。なお、図7においては、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおける計測結果を示している。ここで分光反射率の計測には、日本分光株式会社JASCO製の装置V670積分球ユニットを使用した。測定条件は、測光モード:R、測定範囲:800~300nm、データ取込間隔:5nm、UVVisバンド幅:50nm、NIRバンド幅:20nm、レスポンス:Medium、走査速度:400nmmin、光源切換:340nm、回折格子切換:850nm、光源:D2WI、フィルタ切換:ステップ、補正:ベースラインとした。上記計測した第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値の最大値、最小値、及び、これら最大値と最小値との差を算出した。算出した最大値と最小値との差反射率差Δ、及び反射率差の最大値を表1に示す。また、各サンプルの表面抵抗値Rsも表1に示す。ここで、表面抵抗値Rsは、株式会社三菱化学アナリテック製抵抗率計ロレスターEPMCPT360型により計測した。なお、表1には、通常の室内の蛍光灯下、および黒いシートを張ったブース内での三波長蛍光灯下において、各サンプルについて行ったパターン形状を目立ちやすさについての官能試験結果も併せて記載している。○:三波長蛍光灯下でもパターン形状確認が困難。△:通常の蛍光灯下ではパターン形状確認が困難だが、三波長蛍光灯下ではパターン形状確認が可能。×:通常の蛍光灯下でもパターン形状確認が可能。表1より、透明導電層12ITO膜の厚みが、8nm、10nm、12nmの場合には、透明導電層12ITO膜のパターン形状をほとんど目立たなくすることができ、非常に優れた視認性を有しているという結果を得た。また、図7より、これらの場合には、第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値の最大値と最小値との差反射率差Δが、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおいて0.5以下であり、また、第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値が0.7以下であることも分かる。また透明導電層12ITO膜の厚みが14nmでも、厳しい評価条件である三波長蛍光灯下ではパターン形状が確認されるものの、通常の蛍光灯下ではほとんど見えず、反射率差Δが0.65以下、第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値が0.8以下であれば、実用可能な視認性を有していることが分かる。一方、反射率差Δが0.65より大きく、第1分光反射率及び第2分光反射率の差の絶対値が0.8より大きいITO膜厚16nmの場合には、視認性があまりよくないという結果を得た。なお、表1より、表面抵抗値Rsは、透明導電層12ITO膜の厚みが薄くなるに従い高い値を示しているが、厚みが8nmよりも薄くなると、表面抵抗値が500Ω/□を超える値となり、タッチスイッチのセンシング精度が低下するおそれがある。したがって、透明導電層12ITO膜の厚みは、8nm以上とすることが特に好ましい。また、本発明者らは、上記構成の透明面状体についてシミュレーションを行った。このシミュレーションに用いたモデルは、図6に示す構造を有しており、シミュレーションにおける各種設定条件は、珪素含有層11が、SiO2光屈折率:1.46からなる低屈折率層111と、ソーダガラス光屈折率:1.52により形成された高屈折率層112とを備えるものとした。また、透明導電層12は、ITO膜光屈折率:2.0とした。粘着層13は、アクリル系粘着剤光屈折率:1.52とした。このように設定した透明面状体11において、透明導電層12ITO膜の厚みと、珪素含有層11の低屈折率層111の厚みとをそれぞれ変化させて、透明導電層12が形成された部分パターン形成領域と、透明導電層12が形成されていない部分非パターン形成領域との光の反射率の差をシミュレーションにより求めた。反射率の算出は、サイバネットシステム株製薄膜設計ソフトウエアOPTASFILMを用いて行った。なお、このシミュレーションにおいては、ナノオーダーの厚みを有する珪素含有層11の低屈折率層111や透明導電層12に比べて、極めて厚みの大きい部材である珪素含有層11の高屈折率層112や粘着層13については、その厚みを∞無限大として反射率の算出を行った。透明導電層12のパターン形状の目立ちにくさは、透明導電層12が形成されている部分と形成されていない部分との反射率差と相関性を有しており、可視領域全体波長:450~700nmにおける反射率差の絶対値が小さいほど、パターン形状が目立ちにくく、視認性を良好にすることができる。反射率差の最大値が0.8以下である場合に好ましい視認性を得ることができ、0.7以下である場合がより好ましく、また0.5以下である場合は更に好ましい視認性を得ることができる。また、光の可視範囲波長である450nm~700nmの波長領域における、反射率差の絶対値の最大値と、最小値との差が、0.65以下である場合、より一層、透明導電層のパターン形状を目立ちにくくすることができ、視認性を良好にすることができる。以下、シミュレーション結果についての説明を行う。透明導電層12ITO膜の厚みを8nmとし、珪素含有層11の低屈折率層111SiO2膜の厚みを0nm、10nm、20nm、30nmと変化させた場合のシミュレーション結果を図8に、透明導電層12ITO膜の厚みを10nmとし、珪素含有層11の低屈折率層111SiO2膜の厚みを0nm、10nm、20nm、30nmと変化させた場合のシミュレーション結果を図9に示す。また、透明導電層12ITO膜の厚みを12nmとし、珪素含有層11の低屈折率層111SiO2膜の厚みを0nm、10nm、20nm、30nmと変化させた場合のシミュレーション結果を図10に、透明導電層12ITO膜の厚みを14nmとし、珪素含有層11の低屈折率層111SiO2膜の厚みを0nm、10nm、20nm、30nmと変化させた場合のシミュレーション結果を図11に示す。また、図8~図11において示す各シミュレーション結果から、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおける反射率差の最大値と最小値との差を抽出したものを表2に示す。なお、図8~図11に示す各シミュレーション結果においては、反射率差の最大値は、波長450nmにおける反射率差の値であり、反射率差の最小値は、波長700nmにおける反射率差の値である。また、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおける反射率差の最大値を抽出したものを表3に示す。図8~図11及び表2から、透明導電層12ITO膜の厚みが12nm以下の場合、反射率差の最大値と最小値との差が、0.65以下であり、また、図8~図11及び表3から、透明導電層12ITO膜の厚みが12nm以下の場合、反射率差の最大値が0.8以下であった。なお、これらシミュレーション結果は、上述したサンプルにおける計測値との整合性があるものと認められる。また、図8~図11、表2及び表3から、透明導電層12ITO膜の厚みが14nmである場合、低屈折率層111SiO2膜の厚み範囲が0~30nmにおいて、反射率差の最大値と最小値との差が、0.65以下を満たす結果を得た。また、低屈折率層111SiO2膜の厚みが10nm、20nm、30nmである場合には、反射率差の最大値が、0.8以下となるが、低屈折率層111SiO2膜の厚みが0nmの場合、反射率差の最大値が、0.8を越える結果となった。次に、低屈折率層111SiO2膜の厚みをさらに変化させることにより、反射率差の最大値と最小値との差が、0.65以下となる低屈折率層111SiO2膜の最大厚みを上記シミュレーションにより算出したので、その結果を表4に示す。なお、表4は、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおける反射率差の最大値と最小値との差を抽出したものである。また、反射率差の最大値と最小値との差は、低屈折率層111SiO2膜の厚みを増していくに従い、減少傾向から増加傾向に変化するため、反射率差の最大値と最小値との差の算出を部分的に割愛している。表4より、反射率差の最大値と最小値との差が、0.65以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の最大厚みは、透明導電層12ITO膜の厚みが10nmである場合には、85nm程度であり、透明導電層12ITO膜の厚みが12nmである場合には、65nm程度であることが分かる。また、透明導電層12ITO膜の厚みが13nmである場合には、60nmであり、透明導電層12ITO膜の厚みが14nmである場合には、50nmであることが分かる。また、上述の反射率差の最大値と最小値との差が0.65以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の各最大厚みと、透明導電層12ITO膜の厚みとの関係を、最大厚みを縦軸に、透明導電層12ITO膜の厚みを横軸とした図12に示す。図12中には、各最大厚みと透明導電層12ITO膜の厚みとの関係から算出される近時曲線も記載している。この近時曲線は、透明導電層12ITO膜の厚みをXとし、低屈折率層111SiO2膜の最大厚みをY1とした場合、以下の数式により表される。[数式1]Y1=0.3409X2-16.705X217.73なお、図12中には、上述の反射率差の最大値と最小値との差が0.5以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の各最大厚みと、透明導電層12ITO膜の厚みとの関係も示すと共に、これらの関係から算出される近似曲線も記載している。以上より、低屈折率層111の厚みが、上記数式1により算出される値以下であれば、透明導電層12が形成された部分パターン形成領域と、透明導電層12が形成されていない部分非パターン形成領域との波長毎の反射率差における最大値と最小値との差を0.65以下とすることができる。したがって、図1に示す構成の透明タッチスイッチ101において、透明導電層12の厚みとの関係で低屈折率層111の厚みが上記数式1により算出される値以下とすることにより、透明導電層12のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明タッチスイッチ101を得ることが可能になる。また、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおける反射率差の最大値が0.8以下となる低屈折率層111SiO2膜の最大厚みも上記シミュレーションにより算出したので、その結果を表5に示す。なお、反射率差の最大値は、低屈折率層111SiO2膜の厚みを増していくに従い、減少傾向から増加傾向に変化するため、反射率差の最大値の算出を部分的に割愛している。表5より、反射率差の最大値が0.8以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の最大厚みは、透明導電層12ITO膜の厚みが10nmである場合には、85nmであり、透明導電層12ITO膜の厚みが12nmである場合には、65nmであることが分かる。また、透明導電層12ITO膜の厚みが8nmである場合には、100nmであっても反射率差の最大値が0.8以下であることが分かる。また、透明導電層12ITO膜の厚みが14nmである場合には、反射率差の最大値が0.8以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の最大厚みは、45nmであることが分かる。また、上述の反射率差の最大値が0.8以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の各最大厚みと、透明導電層12ITO膜の厚みとの関係を、最大厚みを縦軸に、透明導電層12ITO膜の厚みを横軸とした図13に示す。図13中には、各最大厚みと透明導電層12ITO膜の厚みとの関係から算出される近時直線も記載している。この近時直線は、透明導電層12ITO膜の厚みをXとし、低屈折率層111SiO2膜の最大厚みをY2とした場合、以下の数式により表される。[数式2]Y2=-10X185低屈折率層111SiO2膜の厚みは、上記数式により算出される値以下でれば、反射率差の最大値が0.8以下を満たすことになるただし、透明導電層12ITO膜の厚みが12nm~14nmの場合においては、低屈折率層111SiO2膜の厚みが10nmよりも小さい場合を除く。なお、図13中には、上述の反射率差の最大値が0.7以下を満たす低屈折率層111SiO2膜の各最大厚みと、透明導電層12ITO膜の厚みとの関係も示すと共に、これらの関係から算出される近似直線も記載している。以上より、低屈折率層111の厚みが、上記数式2により算出される値以下であれば、透明導電層12が形成された部分パターン形成領域と、透明導電層12が形成されていない部分非パターン形成領域との波長毎の反射率差における最大値を0.8以下とすることができる。したがって、図1に示す構成の透明タッチスイッチ101において、透明導電層12の厚みとの関係で低屈折率層111の厚みが上記数式2により算出される値以下とすることにより、透明導電層12のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明タッチスイッチ101を得ることが可能になる。以上、本発明に係る透明面状体1及びこれを使用する透明タッチスイッチ101の実施形態について説明したが、具体的構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態においては、透明基板21の一方面にパターニングされた透明導電層22を形成することによって第2の透明面状体2を構成するようにしているが、透明基板21の代わりに珪素含有層11を用いて第1の透明面状体1と同一の構成とすることもできる。また、上記実施形態では、珪素含有層11が低屈折率層111と高屈折率層112とを備えるように構成しているが、高屈折率層112のみで珪素含有層11を構成するようにしてもよい。図8~図11のシミュレーション結果を参照すると、珪素含有層11を高屈折率層112のみで構成した場合であってもSiO2からなる低屈折率層111の厚みを0nmとした場合であっても、光の可視範囲波長である450nm~700nmにおいて、透明導電層12が形成された部分パターン形成領域と、透明導電層12が形成されていない部分非パターン形成領域との波長毎の反射率差における最大値と最小値との差を0.65以下とすることができ、透明導電層12のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明面状体1及び透明タッチスイッチ101を得ることが可能になる。"