"基板10,11を準備するステップと、前記基板上に、陽極酸化可能な層12を設けるステップと、前記陽極酸化可能な層上に、少なくとも、陽極酸化される1つ以上の第1構造21を規定する第1マスク20、及び陽極酸化される第2構造23を規定する追加の第2マスク22を設けるステップと、第1マスク及び第2マスク20,22によって規定される領域内で、前記陽極酸化可能な層12を陽極酸化し、陽極酸化構造21,23を作成するステップと、第1マスク及び第2マスク20,22を除去するステップとを含み、前記第2構造は、前記1つ以上の第1構造21を包囲するようにした方法。前記陽極酸化可能な層12を陽極酸化するステップは、電解液中に基板を挿入し、前記基板に電圧又は電流を印加することによって実施される請求項1記載の方法。前記陽極酸化可能な層を陽極酸化するステップは、第1陽極酸化層を形成するための第1陽極酸化ステップと、それに続く第1陽極酸化層をエッチング除去した後の第2陽極酸化ステップとを含む、2ステップ陽極酸化プロセスを使用して実施される請求項1又は2に記載の方法。陽極酸化するステップは、硫酸、リン酸、シュウ酸、フッ化水素酸、エタノール、イソプロピルアルコール及びこれらの化学物質の混合物から成る群から選択される電解液中に基板を挿入することにより実施される請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記陽極酸化するステップは、前記陽極酸化構造21において伸長した細孔60を製造し、前記細孔は、前記陽極酸化可能な層12の前面から後面まで延びる請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。陽極酸化可能な層12はAl層であり、陽極酸化するステップは、20°C~40°Cの範囲にある温度の硫酸ベースの電解液中に基板を挿入し、約20Vの電圧を印加することによって実施される請求項5記載の方法。陽極酸化可能な層12は、陽極酸化されて金属酸化物層を形成する金属層であり、前記陽極酸化浴は、前記酸化物をエッチングするのに好適なエッチング液を含み、前記陽極酸化ステップは、前記電圧が印加される間の第1時間間隔と、前記第1時間間隔に続く第2時間間隔とを含み、前記電圧は、前記第1時間間隔の終わりで取り除かれ、前記第2時間間隔中、基板は前記浴に放置され、それにより、前記細孔60の底部でバリア層61が除去されるようにした請求項5記載の方法。前記金属はアルミニウムであり、前記エッチング液はリン酸である請求項7記載の方法。前記基板を準備するステップは、犠牲層40をベース基板10,11,50,51上に堆積することを含み、陽極酸化可能な層41は、前記犠牲層40上に設けられ、前記第1マスク42は、陽極酸化構造43を規定し、前記陽極酸化するステップは、前記陽極酸化構造において、伸長した細孔60を製造し、前記細孔は、前記陽極酸化可能な層の前面から後面まで延び、少なくとも犠牲層40の一部が、キャビティ44を形成するために、前記細孔を通じて除去され、封止層45が、前記陽極酸化構造43上に付加されて前記キャビティ44を封止する請求項2~8のいずれか1項に記載の方法。犠牲層40は、多結晶SiGe、酸化物ベース又は窒化物ベースの膜、ポリマー、単結晶Si、多結晶Siから成る群から選択される材料から成る請求項9記載の方法。前記基板は、NEMS/MEMSデバイス50を含み、該デバイスは前記キャビティ44内に封入される請求項9又は10に記載の方法。少なくとも犠牲材料40の一部を除去するステップは、封入されたNEMS/MEMSデバイス50を損なわない選択的ウェットエッチング又はドライエッチングを使用して実施される請求項11記載の方法。犠牲層40はシリコン酸化物であり、選択的エッチングは、減圧チャンバ内の他のガス、例えば窒素、エタノール蒸気又は水蒸気と混合した気相のフッ化水素HF酸を使用して実施される請求項9~12のいずれか1項に記載の方法。犠牲層40はポリマーベースの材料であり、選択的エッチングは、酸素イオンが存在する低圧チャンバ内でのドライプラズマエッチングを使用して実施される請求項9~12のいずれか1項に記載の方法。封止層45は、導電性層、例えばAl、Cu、Ni、多結晶Si若しくは多結晶SiGe層、又は誘電体材料、例えば酸化物ベース若しくは窒化物ベースのシリコン化合物、又はポリマー、又は2つ以上の材料の組み合わせ若しくは積層体であり、前記封止層は、低圧チャンバ内での蒸着技術、化学気相成長法CVD又は物理気相成長法PVDを使用して堆積される請求項9~14のいずれか1項に記載の方法。陽極酸化可能な層は、金属層又は半導体層である請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。陽極酸化可能な層は、Al、Ta、Ti、Cu、Ni、多結晶Si、多結晶SiGeから成る群から選択される請求項16記載の方法。マスク構造は、感光性層のフォトリソグラフィックパターニングによって形成される請求項1~17のいずれか1項に記載の方法。本発明の目的は、マスク陽極酸化によって、陽極酸化可能な層内で陽極酸化材料の正確なパターンを作成するための進んだ方法を提供することである。より明確には、マスク陽極酸化を使用して、導電性薄膜内で誘電体材料又は多孔質材料の正確なパターンを作成することである。具体的には、フルウエハスケールで半導体デバイスを製造して、半導体デバイスの大きいスケールの製造に適用可能な陽極酸化プロセスを作成する際に用いるための、費用効率の高い、進んだマスク陽極酸化プロセスを提供することが目的である。本発明の実施形態の更なる目的は、陽極酸化可能な層、例えば導電性金属層を局所的に変形して陽極酸化層、例えば誘電体層又は多孔質層にする、ウェット陽極酸化プロセスを実施するための、信頼性が高く制御可能な方法を提供することである。本発明の目標は、フルウエハスケールで、均一に前記陽極酸化を実施することである。更なる目的は、ナノ電気機械システム及びマイクロ電気機械システムNEMS/MEMSのためのマイクロ電気プロセス技術を提供して、前記NEMS/MEMSデバイスのための制御可能で均一なフルウエハスケール封入又はパッケージングプロセスを達成することである。上記目的は、本発明に係る方法及びデバイスによって達成される。本発明は、追加の包囲マスク構造を有する一群の複数のマスク構造を包囲することによって、均一で制御可能な陽極酸化を達成するという課題を解決する。換言すると、陽極酸化中のマスク層の層間剥離又はアンダーカットにつながる過陽極酸化に至らないで、陽極酸化プロセスに選択的に曝される表面上の小領域を規定する、高精度の追加の包囲フォトレジスト又は他のマスク構造を使用することによって該課題を解決する。前記追加のマスク構造の存在により、陽極酸化境界が前記境界内の陽極酸化領域と同時に陽極酸化酸化されるため、自己制限が生じる。その結果、前記境界はさらに、陽極酸化電流がマスク構造の陽極酸化領域に達するのを妨げ、不要な更なる陽極酸化を避ける。陽極酸化プロセスのために必要とされる電流は基板のエッジ周辺部で供給されるため、追加の包囲マスク構造陽極酸化材料の境界線を規定するを有する陽極酸化マスク上の全ての構造群を包囲することにより、陽極酸化プロセスの自己制限が生じる。これは、陽極酸化境界が同時に陽極酸化酸化された状態になり、更なる陽極酸化電流が陽極酸化領域に達するのを妨げるからである。陽極酸化プロセスのためのマスクデザイン中に、さまざまな寸法の追加の包囲マスク構造境界線又は保護環を規定するを付加してもよい即ち、境界線は、小構造群又は大構造群を包囲可能であり、又は基板ウエハ全体を包囲することができる。追加の包囲マスク構造及び包囲領域の幅を選択して又は適合させて封入された構造の完全な縦方向陽極酸化を保障することができ、同時に陽極酸化プロセスの横方向の大きい拡張からこれらの構造を保護することができる。本発明に係るマスク陽極酸化プロセスをNEMS/MEMSデバイスのためのパッケージングプロセスに付加することにより、追加の包囲マスク構造が、一群の個々のNEMS/MEMSデバイスを包囲し、陽極酸化プロセスの自己制限を生じることになる。これは、陽極酸化境界が同時に陽極酸化酸化された状態になり、更なる陽極酸化電流が陽極酸化領域に達するのを妨げ、更なる不要な陽極酸化を避けるからである。本発明に係る実施形態の利点は、包囲マスク構造を設けることは、別の加工ステップを必要としないことである。これは、前記追加のマスク構造を、第1マスク構造を設けるのと同時に設けるからである。本発明は、添付の請求項で開示する方法に関する。本発明の特定かつ好ましい態様は、添付する独立請求項及び従属請求項において詳説する。従属請求項の特徴は、独立請求項の特徴及び他の従属請求項の特徴と、適切及び単に請求項に明記されただけでないものとして組み合わせてもよい。このように、本発明は、マスク陽極酸化のための方法に関し、前記方法は、基板を準備するステップと、前記基板上に、陽極酸化可能な層を設けるステップと、前記陽極酸化可能な層上に、少なくとも、陽極酸化される1つ以上の第1構造を規定する第1マスク、及び陽極酸化される第2構造を規定する追加の第2マスクを設けるステップと、第1マスク及び第2マスクによって規定される領域内で、前記陽極酸化可能な層を陽極酸化し、陽極酸化構造を作成するステップと、第1マスク及び第2マスクを除去するステップとを含み、前記第2構造は、前記1つ以上の第1構造を包囲する。ここで、第1マスク及び第2マスクによって規定される領域内で、前記陽極酸化可能な層を陽極酸化するという表現は、層が前記領域内で厚さ全体に渡って陽極酸化されるまで、陽極酸化が続くということを意味する。また、包囲するは、第2構造が第1構造の周囲に閉環構造を形成することを意味する。好ましい実施形態に従って、前記陽極酸化可能な層を陽極酸化するステップは、基板を電解液中に挿入し、前記基板に電圧又は電流を印加することによって実施する。前記陽極酸化可能な層を陽極酸化するステップはまた、第1陽極酸化層を形成する第1陽極酸化ステップと、それに続く第1陽極酸化層をエッチング除去した後の第2陽極酸化ステップを含む、2ステップ陽極酸化プロセスを使用して実施してもよい。好ましい実施形態に従って、陽極酸化するステップは、硫酸、リン酸、シュウ酸、フッ化水素酸、エタノール、イソプロピルアルコール及びこれらの化学物質の混合物から成る群から選択した電解液中に基板を挿入することによって実施してもよい。好ましい実施形態に従って、前記陽極酸化するステップは、前記陽極酸化構造に伸長した細孔を作成する。前記細孔は、前記陽極酸化可能な層の前面から後面まで延びる。実施形態に従って、陽極酸化可能な層はAl層であり、陽極酸化するステップは、基板を、20~40°Cの範囲にある温度の硫酸ベースの電解液中に基板を挿入することによって実施する。実施形態に従って、陽極酸化可能な層は、陽極酸化されて金属酸化物層を形成する金属層であり、前記陽極酸化浴は前記酸化物をエッチングするのに好適なエッチング液を含み、前記陽極酸化ステップは、前記電圧が印加される間の第1時間間隔と、前記第1時間間隔に続く第2時間間隔とを含み、前記電圧は、前記第1時間間隔の終わりで取り除かれ、前記第2時間間隔中、基板は前記陽極酸化浴に放置され、それにより、前記細孔の底部でバリア層が除去される。この実施形態において、前記金属はアルミニウムでもよく、前記エッチング剤はリン酸でもよい。実施形態に従って、前記基板を準備するステップは、犠牲層をベース基板上に堆積することを含み、陽極酸化可能な層は、前記犠牲層上に設けられ、前記第1マスクは、陽極酸化構造を規定し、前記陽極酸化ステップは、前記陽極酸化構造において、伸長した細孔を製造し、前記細孔は、前記陽極酸化可能な層の前面から後面まで延び、少なくとも犠牲層の一部が、キャビティを形成するために、前記細孔を通じて除去され、封止層が、前記陽極酸化構造上に付加されて前記キャビティを封止する。この実施形態において、犠牲層は、多結晶SiGe、酸化物ベース又は窒化物ベースの膜、ポリマー、単結晶Si、多結晶Siから成る群から選択された材料で構成することができる。この実施形態において、前記基板は、NEMS/MEMSデバイスを含み、該デバイスは前記キャビティ内に封入される。この場合、少なくとも犠牲材料の一部を除去するステップは、封入されたNEMS/MEMSデバイスを損なわない選択的ウェットエッチング又はドライエッチングを使用して実施される。この実施形態において、犠牲層は、シリコン酸化物でもよく、選択的エッチングは、減圧チャンバ内の他のガス、例えば窒素、エタノール蒸気又は水蒸気と混合した気相のフッ化水素HF酸を使用して実施してもよい。犠牲層はポリマーベースの材料でもよく、選択的エッチングは、酸素イオンが存在する低圧チャンバ内でのドライプラズマエッチングを使用して実施してもよい。この実施形態において、封止層は、導電性層、例えばAl、Cu、Ni、多結晶Si若しくは多結晶SiGe層、又は誘電体材料、例えば酸化物ベース若しくは窒化物ベースのシリコン化合物、又はポリマー、又は2つ以上の材料の組み合わせ若しくは積層体でもよく、前記封止層は、低圧チャンバ内での蒸着技術、化学気相成長法CVD又は物理気相成長法PVDを使用して堆積してもよい。本発明の方法において、陽極酸化可能な層は、金属層又は半導体層でもよい。前記陽極酸化可能な層は、Al、Ta、Ti、Cu、Ni、多結晶Si、多結晶SiGeから成る群から選択してもよい。本発明の方法において、マスク構造は、感光性層のフォトリソグラフパターニングによって形成してもよい。本発明の態様に従って、均一で制御可能な、マスク陽極酸化を提供するための方法であって、前記方法は少なくとも、基板10,11を準備する即ち、供給する、又は製造するステップと、前記基板上に、陽極酸化可能な層12を設けるステップと、前記陽極酸化可能な層12上に、陽極酸化される1つ以上の第1構造21の寸法を規定する少なくとも1つの第1マスク20、及び陽極酸化される第2構造23を規定する第2マスク22を設けるステップと、第1マスク20及び第2マスク22によって規定される領域内で、前記陽極酸化可能な層を陽極酸化し、陽極酸化構造21,23を作成するステップと、マスク構造20,22を除去するステップとを含み、前記第2構造は、前記第1構造21を包囲する図3を参照。図3aはまた、基板10を示す。本実施形態において本発明の技術的範囲を限定するものではないが、誘電体層11を基板上に堆積する。該誘電体層11は、例えば犠牲層でもよい。層12は皮膜層であり、層13はマスク層であり、好ましくはパターニングしたフォトレジスト層である。本発明に従って、マスク層は、少なくとも第1マスク20を有し、陽極酸化される領域21を規定する。マスク層はさらに、陽極酸化される前記1つ以上の第1領域21を包囲する領域23を規定する第2マスク22を有し、前記領域21の周囲に、閉環構造必ずしも円形とは限らないを形成する。図3bは、陽極酸化される領域21を規定する複数のマスク20を有するマスク層13を表面上で保持する半導体ウエハ30の上面図を示す。各マスク20の周囲で従って、領域21の各群の周囲で、マスク層は、マスク20を包囲する、陽極酸化される環構造23を規定する。従って、第2マスク構造22は、マスク層13全体からマスク構造20を除いたものに一致する。ウエハのエッジ30に沿って電極31を配置する。該電極31は、陽極酸化される層12好ましくは金属層、以下を参照と電気的に接触する。電極31は、陽極酸化中、アノードの役割を果たすことになる。この集合体を、電解液で満ちた陽極酸化浴に浸す。第2電極カソードは、陽極酸化浴の一部好ましくは、ウエハの前面、即ちマスク20,22を支持する面に対向し、陽極酸化浴に浸した、金属板である。陽極酸化が開始すると、電荷は、図3a及び図3bに矢印32で示した方向に流れる。即ち、ウエハの外エッジ30及び各マスク20の外エッジから開始して、中央へ向かって流れる。図3aは、本発明の陽極酸化プロセス中の中間段階を示しており、陽極酸化電流電荷の流れは、縦方向の陽極酸化が終了する前に、さらに陽極酸化領域21に達する可能性がある。図3cは、本発明の陽極酸化プロセスの最終段階縦方向の酸化が終了した時点を示しており、環構造23は、完全に陽極酸化酸化されて境界線として作用し、そして陽極酸化領域21の周囲に誘電体絶縁環を形成する。該環構造23は、陽極酸化に必要とされる電荷の更なる供給をブロックする。実施形態に従って、陽極酸化層12として使用するための材料は、金属層、又はAl、Ta、Ti、Cu、Ni、多結晶Si、多結晶SiGeなどから選択される半導体層でもよい。例えば、低温で実施するスパッタリングプロセスを使用することによって堆積した、厚さ約0.5~10μmのアルミニウム層を使用してもよい。陽極酸化に先立って、脱イオン水の超音波浴内に置くことで、Al層を洗浄してもよい。実施形態に従って、第1マスク構造20及び第2マスク構造22を、最先端の感光層レジストのフォトリソグラフィックパターニングによって形成してもよい。フォトレジスト感光層を使用する利点は、別のマスク材料の堆積及びパターニング化学エッチング又は物理エッチングによってを含む他の技術と比較した場合の、マスク構造を形成する容易さである。実施形態に従って、前記陽極酸化可能な層12を陽極酸化するステップは、多孔質金属層の形成につながるだろう。前記多孔質層における細孔ホールは、幅の10倍以上の長さを有してもよい。幅は、5~200nmの範囲にあって例えば20nmであり、又は20nm~200nmの範囲にあり、又は5~20nmの範囲にある。実施形態に従って、前記陽極酸化可能な金属層12を陽極酸化するステップは、1ステップの陽極酸化プロセスによって実施してもよい。前述のように、前記1ステップ陽極酸化プロセスは、基板を電解液に挿入し、前記基板に電圧又は電流を印加することによって実施してもよい。前記電解液は、硫酸、リン酸、シュウ酸、フッ化水素酸、エタノール、イソプロピルアルコール若しくはこれらの化学物質の混合物又は他の化学物質でもよい。5~200Vの範囲の電圧を印加することによって、ランダムに、又は六角形配置で分布した、陽極酸化可能な金属層の表面上に細孔を形成する。細孔のよりよい六角形配置を達成するために、多孔質層について最大の体積膨張因子に達するように、最適化したプロセス条件陽極酸化電圧、電解液及び温度を選択するべきである。実施形態に従って、前記陽極酸化可能な金属層12を陽極酸化するステップは、2ステップの陽極酸化プロセスによって実施してもよい。前記2ステップ陽極酸化プロセスは、最初、陽極酸化可能な金属層12の表面をパターン化する、短い陽極酸化ステップを適用することによって実施してもよい。次に、このパターン化した表面は、第2陽極酸化ステップのための自己集積化した標識として作用する論文:メイら、FormationmechanismofaluminananotubesandnanowiresfromhighlyorderedporousanodicaluminatemplateJournalofAppliedPhysicsVol97034305。第1陽極酸化層をエッチング除去した後の、広範囲の第2陽極酸化ステップは、セル配置の規則性を改善するだけでなく、欠陥及び転移の数を減少させる。第3陽極酸化ステップは、細孔の配列及び好適に配列した領域の大きさをあまり改善しない。実施形態に従って、陽極酸化可能な金属層の陽極酸化を達成するために印加する電圧は、基板上の陽極酸化可能な金属層と、電解液又は該電解液中の参照電極との間に印加する。陽極酸化するために印加する電圧は、数ボルト~数百ボルトである。例えば、20°C~40°Cの範囲内の温度の硫酸ベースの電解液中で陽極酸化を実施する場合、20Vの電圧が使用可能である。実施形態に従って、追加構造23の陽極酸化縦方向の陽極酸化が終了する際に、前記追加構造は、陽極酸化に必要とされる電荷の更なる供給をブロックし、追加構造23に包囲された陽極酸化構造21の不要な拡張を避ける誘電体絶縁環として作用する保護構造23を形成する。実施形態に従って、陽極酸化可能な金属層はアルミニウム層であり、陽極酸化プロセス条件、例えば陽極酸化電圧、陽極酸化温度及び酸濃度などを、所定の電極について最適化してもよい。多孔質のアルミニウム酸化物AlOx皮膜の合成は、スパッタ堆積又は蒸着したAl膜から開始可能である。選択する主な陽極酸化パラメータは、電解液の種類に依存する。なぜなら、電解液の種類は、細孔の直径、細孔間の距離、電圧及び温度、並びに陽極酸化ステップの順序に影響を与えるからである。陽極酸化は、導電性参照電極を挿入する、ガラスベース又はテフロン登録商標ベースのチャンバ内で起こるだろう。陽極酸化電解液との接触から基板のエッジ及び後面を保護するテフロンベース又はポリマーベースのホルダを用いて、陽極酸化される金属層12を支持する基板30を陽極酸化チャンバ内に挿入してもよい。陽極酸化プロセスは、参照電極と基板上の陽極酸化可能な金属層12との間に、陽極酸化電圧電流を印加することによって実施してもよい。縦方向の陽極酸化が一旦終了し、絶縁環23境界線が追加のマスク構造22内に形成されると、陽極酸化プロセスは、電荷が絶縁環を通って移動できないことに起因して自動的にストップする。本発明の更なる態様に従って、半導体デバイス内のキャビティを密閉封止し、先の実施形態で説明した、均一で制御可能な、マスク陽極酸化プロセスを使用するための方法を提供する。前記方法は、基板上に犠牲層40を設けるステップと、該犠牲層40の上部に、0.5ミクロンより大きい厚さを有する金属皮膜層41を設けるステップと、前記金属層41上に、陽極酸化される第1構造43の寸法を規定する第1マスク42を設けるステップと、前記金属層41を陽極酸化して、前記多孔質の金属酸化物層43の前面から前記多孔質の金属酸化物層43の後面に向かって延びる細孔ホールを有する多孔質の金属酸化物層43を形成するステップと、多孔質の金属酸化物層43を通じて、マスク構造及び少なくとも犠牲層40の一部を除去し、マイクロキャビティ44を形成するステップと、封止層45を用いて前記多孔質層の細孔を封止閉鎖して、密閉封止したキャビティ44を形成するステップとを含み、前記マイクロキャビティは、前記犠牲層40に位置し、前記基板は、ベース基板10と、誘電体層11と、MEMS又はNEMSデバイス50とを備え、前記犠牲層40には、前記デバイス50との電気接続構造51が設けられており、前記寸法は、キャビティ及び前記第1構造43を包囲する、陽極酸化構造不図示を規定する追加の第2マスクの寸法に対応する。図4a~図4dは、NEMS/MEMSデバイスの薄膜パッケージングに対してマスク陽極酸化プロセスを使用するための、好適なプロセスフローにおけるさまざまなステップを示している。実施形態に従って、基板10,11,50,51及び犠牲層40は、半導体加工、より明確にはNEMS/MEMS加工と一緒に使用し、該加工に適合するいずれの基板及び層でもよい。使用する基板の例は、例えば単結晶Si又は多結晶Si、単結晶Ge又は多結晶Ge、ガラス、石英、ポリマーなどでもよい。図のように、壊れやすいデバイス50をキャビティ内に配置してもよい。前記壊れやすいデバイスは、真空又は制御された雰囲気及び圧力封入を必要とするいずれのNEMS/MEMSデバイスでもよい。実施形態に従って、犠牲層40は、多結晶SiGe、酸化物ベース又は窒化物ベースの膜、ポリマー、単結晶Si又は多結晶Siなどから選択される材料でできていてもよい。前記犠牲材料は、封入されたNEMS/MEMSデバイスを大きくは損なわないウェットエッチング又はドライエッチング技術選択的エッチングを使用して除去可能な材料でもよい。例えば、シリコン酸化物犠牲層40は、減圧チャンバ内で、他のガス例えば窒素及びエタノール蒸気又は水蒸気と混合した気相フッ化水素HF酸によって除去可能することができる。かかる希釈した気相HFの混合物は、NEMS/MEMSデバイスと反応しないで犠牲シリコン酸化物層を除去することができ、又はキャビティを包囲する多孔質層を除去することができる。実施形態に従って、犠牲材料40は、前記皮膜層41の下に存在するキャビティ44を満たしている。さらに、キャビティは、NEMS/MEMSデバイス50を含むことができ、その機能及び構造は、前記犠牲材料エッチング液に不活性である。それは、壊れやすい物体を備えることができ、デバイスの適正な動作及び寿命を保証するための閉鎖プロセス中には、該物体上にいずれの材料も実質的に堆積することができない。特定の実施形態において、キャビティ44は、前記細孔、及び選択的に通気孔不図示を除いて閉鎖する。通気孔は、キャビティと外側とをつなぐ追加のホールである。実施形態に従って、金属層41として使用するための材料は、Al、Ta、Ti、Cu、Ni、多結晶Si、多結晶SiGeなどから選択した金属層又は半導体層でもよい。例えば、厚さ約0.5~10μmのアルミニウム層を、低温で実施するスパッタリングプロセスによって堆積してもよい。陽極酸化の前に、脱イオン水の超音波浴内に置いて洗浄してもよい。実施形態に従って、前記金属層を陽極酸化して多孔質金属酸化物層を形成するステップにより、多孔質皮膜とも呼ばれる細孔ホールを有する層が得られるようにする。前記多孔質皮膜は、前記皮膜内に前主面及び後主面並びに細孔ホールを有しホールは、一組のサブ表面相互接続細孔が可能である、該細孔は、前主面から後主面まで延びる。実施形態に従って、前記多孔質層の細孔ホールは、幅の10倍大きい長さを有してもよく、幅は、5~200nmの範囲、例えば20nm、20nm~200nmの範囲、又は5~200nmの範囲を有してもよい。本発明に従って、追加構造の陽極酸化縦方向の陽極酸化が終了する場合、陽極酸化に必要となる電荷の更なる供給をブロックし、追加構造が包囲する陽極酸化構造の不要な拡張を避けるNEMS/MEMSデバイスを包囲する誘電体絶縁環として作用するように保護構造を形成する。実施形態に従って、薄い酸化物バリア層は、陽極酸化の後、多孔質酸化物層43の細孔ホールの底部に存在してもよく、縦方向の陽極酸化の終了後陽極酸化電流の停止後に、陽極酸化電解液中により長い時間ウエハを放置することによって、又はさらに少量のエッチング剤を陽極酸化電解液に追加することによって除去してもよい。これにより、陽極酸化電解液混合物及び温度を選択して多孔質酸化物層のスローエッチングを提供することができるので例えば、アルミニウム酸化物のエッチング液であるリン酸を少量追加することによって、多孔質層のほんの一部だけをケミカルエッチングすることができる。バリア酸化物層の除去を陽極酸化電解液中で実施する利点は、陽極酸化プロセスの終了時に、細孔ホールの内部表面が既に浸されており、細孔底部へのエッチング剤の進入が容易になることである。代替として、酸化物バリア層は、陽極酸化ステップの後のウェット又はドライケミカルエッチングステップによって除去してもよい。ここで、多孔質アルミニウム酸化物は疎水性を有し、エッチング剤が狭い細孔を貫通してバリア酸化物層に達するのを妨げる可能性があるので、ウェットエッチング技術の使用を試みる場合は困難が予想される。図5aは、上述のバリア層を示す。本図は、図3cに示す陽極酸化領域内の細孔60の伸長した形状を示す。バリア層は、細孔60の底部にある少量の酸化物61によって形成される。陽極酸化電流が停止した後、陽極酸化浴内に基板を所定の時間放置することにより、該浴内の追加のエッチング液が確実にバリア層を除去する図5b参照。実施形態に従って、多孔質Al層皮膜の下の犠牲材料40を除去するステップは、前記多孔質層43の細孔60ホールを通じて前記犠牲材料を少なくとも部分的に除去エッチング除去するまでは、エッチング液を使用して実施してもよい。犠牲材料は、酸化物ベースの化合物例えばSiO2でもよく、この材料の除去は、犠牲材料のエッチング液例えばフッ化水素酸の蒸気、及び他のガス、例えばエタノール蒸気、窒素又は水蒸気を含むガスの混合物を含んだ減圧チャンバ内で実施してもよい。代替として、犠牲層40は、ポリマーベースの材料、例えばフォトレジストでもよく、酸素イオンの存在する減圧チャンバ内でのドライプラズマエッチングにより、前記多孔質層43の細孔を通じて除去することができる。犠牲材料の除去により、NEMS/MEMS構造を受入れるのに使用可能なキャビティ44が得られる。実施形態に従って、低圧チャンバ内での蒸着技術又は化学気相成長法CVD若しくは物理気相成長法PVDを用いて封止層45を堆積してもよい。前記封止層45は、導電性層、例えばAl、Cu、Ni、多結晶Si又は多結晶SiGeでもよい。代替として、封止層45は、誘電体材料、例えば酸化物若しくは窒化物ベースのシリコン化合物又はポリマーでもよい。代替として、封止層は2つ以上の材料の組み合わせ又は積層体でもよい。多孔質皮膜43の細孔60の非常に大きいアスペクト比が、NEMS/MEMS構造50上での封止層45の堆積を妨げ、その結果NEMS/MEMS構造の損傷又は改変を妨げる。封止層の堆積により、NEMS/MEMSデバイスを受入れ可能な封止キャビティ44が得られる。実施形態に従って、封止層を堆積するのに使用するチャンバ内に存在するガス及び圧力を制御することによって、制御された雰囲気及び圧力下でキャビティ44を封止してもよい。封止層は細孔ホール60を順に閉鎖し、これが制御された雰囲気及び圧力を有する封止キャビティ44の形成につながる。定義本発明の実施形態において、用語制御された雰囲気は、周囲ガスの制御された組成を意味する。水平という概念は、重量場、例えば地球の重量場の方向に実質的に垂直な方向と定義する。本開示において、原則として、どの材料も開口部を通過しないという概念は、開口部に入る、及び/又は開口部を通過する材料の量はゼロである、又は限られていると理解するべきである。壊れやすいデバイスを備えたキャビティの封止との関連で、好適なデバイスの動作は、通過する限られた量の材料に影響を受けないようにする必要がある。本開示において、用語マイクロ電気機械システム及びナノ電気機械システムNEMS/MEMSは、電気的機能及び非電気的例えば機械的機能の両方を有する微小なシステムを指す。NEMS/MEMSデバイスの例は、インクジェットプリンタのヘッド、微小機械式スイッチ及び加速度計例えば車のエアバッグのための及びジャイロスコープは、他のエレメント又はステップを除外せず、不定冠詞1つのは複数を除外しない。単一の処理装置又は他のユニットは、請求項で記載した種々の項目の機能を達成するであろう。ある手段が異なる従属請求項に相互に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用することができないことを言うものではない。請求項におけるどの参照符号も範囲を狭く限定するものと解釈すべきでない。先の説明は、本発明の特定の実施形態を詳細に述べている。しかしながら、どれほど詳細に先の説明を明細書にて行っても、本発明は多くの方法で実施でき、また開示した実施形態に限定されないことが理解されるだろう。本発明のある特徴又は態様を述べる場合の特定の用語の使用は、その用語が関係する本発明の特徴又は態様のいかなる特定の特徴も含むように限定するように、その用語が本明細書で再定義されるということを暗示するように取られるべきではないことに注目すべきである。"