"絶縁配線基板上に半導体素子が搭載された半導体搭載基板と、プリント配線を有する絶縁基板に電気接続用のビアホールを設け、このビアホールにインプラントピンの一端を圧入してなるインプラント基板とを備え、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することにより、前記半導体搭載基板の半導体素子を電気接続した半導体装置において、前記インプラントピンの長さが、前記半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンと、前記インプラント基板との距離に適合するように、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入深さが調整可能とされていることを特徴とする半導体装置。前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、メッキ層が設けられ、前記インプラントピンを前記ビアホールに圧入した状態で加熱して前記メッキ層を溶融させて、該メッキ層により前記インプラントピンと前記ビアホールとの接触部が接合されている請求項1に記載の半導体装置。前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、焼結材が塗布されており、前記インプラントピンを前記ビアホールに圧入した状態で加熱して前記焼結材を焼結させて、前記インプラントピンと前記ビアホールとの接触部が接合されている請求項1に記載の半導体装置。前記インプラントピンと前記ビアホールの内周面との接触部における、前記インプラントピンと直交する方向の断面において、前記インプラントピンが、前記ビアホールの内周に対し40以上接触している請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部には、絞り加工により外周に突出した突起部が設けられ、この突起部が前記ビアホールの内周面に接触している請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記圧入前の状態で、前記インプラントピンの圧入部の最大径から、前記ビアホールの内径を引いた値が、0~0.25mmである請求項5に記載の半導体装置。前記インプラントピンの圧入部には、絞り加工のないストレートな柱状部が設けられ、この柱状部の少なくとも一部が前記ビアホールの内周面に接触している請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記圧入前の状態で、前記外部端子の圧入部の最大径から、前記ビアホールの内径を引いた値が、0~0.15mmである請求項7に記載の半導体装置。前記インプラントピンの前記ビアホール側の先端は、先端に向かってテーパ状に縮径している請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置。前記ビアホールの内周が、前記インプラントピンの圧入部に適合する形状をなしている請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体装置。絶縁配線基板上に半導体素子が搭載された半導体搭載基板と、プリント配線を有する絶縁基板に電気接続用のビアホールを設け、このビアホールにインプラントピンの一端を圧入してなるインプラント基板とを用い、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することにより、前記半導体搭載基板の半導体素子を電気接続する半導体装置の製造方法において、前記インプラントピンの他端を前記ビアホールに圧入する際、その圧入深さを調整することによって、前記インプラントピンの長さを、前記半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンと、前記インプラント基板との距離に適合させ、前記インプラントピンを前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、メッキ層を形成しておき、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに当接させ、その状態でリフロー炉に入れて加熱することにより、前記半導体素子と前記絶縁配線基板との接続、前記インプラントピンと半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンとの接続を行うと共に、前記メッキ層を溶融させて前記インプラントピンと前記ビアホールとを接続する請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、焼結材を塗布しておき、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに当接させ、その状態でリフロー炉に入れて加熱することにより、前記半導体素子と前記絶縁配線基板との接続、前記インプラントピンと半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンとの接続を行うと共に、前記焼結材を焼結させて前記インプラントピンと前記ビアホールとを接続する請求項11に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、図11に示す半導体装置の場合、製品種類ごとに部品構成が変更されて半導体素子などの部品高さが変更されると、接合場所における半導体素子とインプラント基板との距離に応じてインプラントピンの長さを調整する必要がある。このため、製品種類の数に合わせて、インプラント基板の数を用意する必要があり、部品の在庫管理に手間を要する問題があった。また、製品種類に合わせて、複数種類のインプラント基板を用意しなければならないので、部品コストが嵩む問題があった。よって、本発明の目的は、インプラント基板と、半導体搭載基板の半導体素子とを、インプラントピンを介して接合して電気接続した半導体装置を生産性よく製造できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、絶縁配線基板上に半導体素子が搭載された半導体搭載基板と、プリント配線を有する絶縁基板に電気接続用のビアホールを設け、このビアホールにインプラントピンの一端を圧入してなるインプラント基板とを備え、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することにより、前記半導体搭載基板の半導体素子を電気接続した半導体装置において、前記インプラントピンの長さが、前記半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンと、前記インプラント基板との距離に適合するように、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入深さが調整可能とされていることを特徴とする。本発明の半導体装置は、インプラントピンの長さが、半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンと、インプラント基板との距離に適合するように、インプラントピンの前記ビアホールへの圧入深さが調整可能とされているので、半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンとインプラント基板との距離が、それぞれの接合部位毎に異なっていても、それぞれの接合部位に適合した長さのインプラントピンを用意する必要がなく、複数の製品間でインプラント基板を共通化できる。そのため、部品の在庫管理が容易で、部品コストを抑えることができ、生産性に優れる。本発明の半導体装置は、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、メッキ層が設けられ、前記インプラントピンを前記ビアホールに圧入した状態で加熱して前記メッキ層を溶融させて、該メッキ層により前記インプラントピンと前記ビアホールとの接触部が接合されているか、あるいは、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、焼結材が塗布されており、前記インプラントピンを前記ビアホールに圧入した状態で加熱して前記焼結材を焼結させて、前記インプラントピンと前記ビアホールとの接触部が接合されていることが好ましい。この態様によれば、インプラントピンの接合の信頼性に優れる。本発明の半導体装置は、前記インプラントピンと前記ビアホールの内周面との接触部における、前記インプラントピンと直交する方向の断面において、前記インプラントピンが、前記ビアホールの内周に対し40以上接触していることが好ましい。この態様によれば、導電性に優れ、更には、インプラントピンの接合の信頼性に優れる。本発明の半導体装置は、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部には、絞り加工により外周に突出した突起部が設けられ、この突起部が前記ビアホールの内周面に接触していることが好ましい。この態様において、前記圧入前の状態で、前記インプラントピンの圧入部の最大径から、前記ビアホールの内径を引いた値が、0~0.25mmであることが好ましい。本発明の半導体装置は、前記インプラントピンの圧入部には、絞り加工のないストレートな柱状部が設けられ、この柱状部の少なくとも一部が前記ビアホールの内周面に接触していることが好ましい。この態様において、前記圧入前の状態で、前記外部端子の圧入部の最大径から、前記ビアホールの内径を引いた値が、0~0.15mmであることが好ましい。上記各態様によれば、インプラント基板とインプラントピンとの接合の信頼性に優れる。本発明の半導体装置は、前記インプラントピンの前記ビアホール側の先端は、先端に向かってテーパ状に縮径していることが好ましい。この態様によれば、ビアホールへのインプラントピンの圧入操作が容易となる。本発明の半導体装置は、前記ビアホールの内周が、前記インプラントピンの圧入部に適合する形状をなしていることが好ましい。この態様によれば、インプラントピンのビアホールに対する接触面積を大きくできるので、導電性に優れ、更には、インプラントピンの接合の信頼性に優れる。また、本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁配線基板上に半導体素子が搭載された半導体搭載基板と、プリント配線を有する絶縁基板に電気接続用のビアホールを設け、このビアホールにインプラントピンの一端を圧入してなるインプラント基板とを用い、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することにより、前記半導体搭載基板の半導体素子を電気接続する半導体装置の製造方法において、前記インプラントピンの他端を前記ビアホールに圧入する際、その圧入深さを調整することによって、前記インプラントピンの長さを、前記半導体搭載基板上の半導体素子及び/又は回路パターンと、前記インプラント基板との距離に適合させ、前記インプラントピンを前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに接合することを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、メッキ層を形成しておき、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに当接させ、その状態でリフロー炉に入れて加熱することにより、前記半導体素子と前記絶縁配線基板との接続、前記インプラントピンと半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンとの接続を行うと共に、前記メッキ層を溶融させて前記インプラントピンと前記ビアホールとを接続することが好ましい。本発明の半導体装置の製造方法は、前記インプラントピンの前記ビアホールへの圧入部表面及び/又は前記ビアホールの内周面に、焼結材を塗布しておき、前記インプラント基板のインプラントピンの他端を、前記半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンに当接させ、その状態でリフロー炉に入れて加熱することにより、前記半導体素子と前記絶縁配線基板との接続、前記インプラントピンと半導体搭載基板の半導体素子及び/又は回路パターンとの接続を行うと共に、前記焼結材を焼結させて前記インプラントピンと前記ビアホールとを接続することが好ましい。本発明によれば、複数の製品間でインプラント基板を共通化して使用できるので、部品の在庫管理が容易で、部品コストを抑えることができ、インプラント基板によって半導体素子が電気接続された半導体装置を生産性よく製造できる。本発明の半導体装置について図面を参照して説明する。図1には、本発明の半導体装置の一実施形態が示されている。この半導体装置は、樹脂ケース2の底部に、冷却板1が配設されている。冷却板1は、放熱性の高い材料で構成される。例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などが挙げられる。冷却板1上に、絶縁配線基板3が配設されている。絶縁配線基板3は、絶縁基板4の両面に金属層5,6が接合してなるものであって、金属層5によって、絶縁基板4上に所定の回路パターンが形成されている。そして、絶縁配線基板3の金属層6と、冷却板1とが、はんだ又は焼結材層7aを介して接合している。絶縁配線基板3としては、特に限定は無いが、例えば、セラミック基板上に銅板を直接接合させたDirectBondingCopper基板や、セラミックスと銅板とをろう材を介して接合したActiveMetalBrazedCopper基板等が挙げられる。絶縁配線基板3の回路パターンを構成する金属層5の所定箇所には、外部端子9が、はんだ又は焼結材層7bを介して接合している。また、同金属層5には、複数の半導体素子8a,8bが、はんだ又は焼結材層7cを介して接合している。半導体素子8a,8bは、用途により異なるが、例えば、IGBT等のパワー半導体素子、FWD等の整流素子等が挙げられる。半導体素子8の上方には、インプラント基板30が配置され、インプラント基板30のインプラントピン20が、はんだ又は焼結材層7dを介して、半導体素子8及び金属層5に接合している。インプラント基板30は、絶縁基板31の両面に、プリント配線をなす金属層32、33が接合してなる絶縁配線基板34と、該絶縁配線基板34の金属層32、絶縁基板31、金属層33を貫通して形成されたビアホール35に圧入されたインプラントピン20とで構成される。ビアホール35の内面には、金属層32及び/又は金属層33に導通する図示しない金属層が形成されており、この内面の金属層がインプラントピン20と導通している。図2を併せて参照すると、インプラントピン20のビアホールへの圧入深さL1a,L1b、L1cは、インプラントピン20の長さが、半導体素子8aとインプラント基板30との距離L2a、半導体素子8bとインプラント基板30とのL2b、金属層5とインプラント基板30との距離L2cに適合するように、それぞれのビアホール毎に調整されている。すなわち、本発明では、半導体素子8とインプラント基板30との距離や、金属層5とインプラント基板30との距離に応じて、長さの異なるインプラントピンを備えるインプラント基板を使用するのではなく、それぞれの距離に応じてインプラントピン20のビアホール35への圧入深さを変えてビアホール35からのインプラントピン20の突出長さL3を調整し、インプラント基板30と、半導体素子8や金属層5とを接合して各半導体素子を電気接続している。このため、製品種類ごとにインプラント基板を変更する必要がなく、インプラント基板を複数の製品間で共通化して使用できる。本発明の半導体装置において、インプラントピン20とビアホール35の内周面との接触部における、インプラントピン20と直交する方向の断面、すなわち、図2のB-B断面において、インプラントピン20は、ビアホール35の内周に対し40以上接触していることが好ましい。インプラントピン20のビアホール35への接触面積が40未満であると、接合強度や導電性が不十分な場合がある。接触面積が40以上であれば、十分な接合強度と導電性が得られる。本発明の半導体装置において、インプラントピン20の形状は、特に限定は無い。円柱状、角柱状等いずれの形状のものを用いることができる。また、インプラントピン20のビアホール35への圧入部の形状は、例えば、図3~7に示す形状をなすものなどを好ましく用いることができる。図3に示されるインプラントピン20aは、絞り加工のないストレートな柱状部21からなる圧入部と、該圧入部から先端25に向かってテーパ状に縮径している縮径部23とを備えている。このインプラントピン20aを、ビアホール35に圧入すると、柱状部21が、ビアホール35の内周面に接触して両者が接合する。また、先端25がテーパ状に縮径しているので、インプラントピン20aをビアホール35に圧入する際に中心位置の調整が容易となり、圧入し易い。インプラントピン20の圧入部の最大外径Rmaxは、圧入前の状態で、該最大外径Rmaxと、ビアホール35の内径Rとの差分Rmax-Rが、0~0.15mmであることが好ましく、0.05~0.15mmがより好ましく、0.05~0.10mmがより好ましい。上記差分が、上記範囲内となるように最大外径Rmaxを設定することで、インプラントピン20aの破損や、絶縁配線基板34の破損等を生じることなく、インプラントピン20aをビアホール35に圧入して両者を強固に接合できる。図4~7に示されるインプラントピン20b~20dは、絞り加工により外周に突出した突起部22を有する圧入部と、該圧入部から先端25に向かってテーパ状に縮径している縮径部23とを備えている。図4に示すインプラントピン20bでは、突起部22が断面十字状をなし、図5に示すインプラントピン20cでは、突起部22が断面Y字状3つの突出部が等角度で放射状に突出した形状をなし、図6に示すインプラントピン20dでは、突起部22が平板状をなしている。また、図7に示すインプラントピン20eでは、突起部22が断面十字状をなす絞り加工が、インプラントピンの軸方向の全体に施されている。このインプラントピンを、ビアホール35に圧入すると、突起部22が、ビアホール35の内周面に接触して両者が接合する。また、先端25がテーパ状に縮径しているので、インプラントピン20をビアホール35に圧入する際に中心位置の調整が容易となり、圧入し易い。なお、絞り加工によって形成される突起部の形状は、図4~7に示す形状に限定されない。また、突起部は、図4~6に示すように、インプラントピンの軸方向の一部にのみ形成されていてもよく、図7に示すように、インプラントピンの軸方向の全体に形成されていてもよい。図7のように突起部を軸方向の全体に形成することで、ビアホールへの接合強度が向上する。ただし、加工難度が高いので、材料コストが嵩むおそれがある。さらには、圧入深さが深い場合には、ビアホールが変形しやすくなり、接合強度が低下する恐れがある。インプラントピン20b~20eにおいて、圧入部の最大外径Rmaxは、圧入前の状態で、該最大外径Rmaxと、ビアホール35の内径Rとの差分Rmax-Rが、0~0.25mmであることが好ましく、0.05~0.25mmがより好ましく、0.10~0.20mmがより好ましい。上記差分が、上記範囲内となるように最大外径Rmaxを設定することで、インプラントピンの破損や、絶縁配線基板34の破損等を生じることなく、インプラントピンをビアホール35に圧入して両者を強固に接合できる。ビアホール35は、その内周が、インプラントピン20の圧入部に適合する穴形状をなしていることが好ましい。ビアホール35の内周が、インプラントピン20の圧入部に適合する形状をなしていることにより、インプラントピン20の、ビアホール35の内周に対する接触面積を大きくできる。そして、本発明の半導体装置は、樹脂ケース2の内部に、ゲル、エポキシ樹脂などの封止樹脂15が充填されて封止されている。次に、上記半導体装置の製造方法となる、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。まず、インプラント基板30の製造方法について説明する。インプラント基板30は、絶縁配線基板34の所定の位置に、金属層32、絶縁基板31、金属層33を貫通する、電気接続用のビアホール35を形成し、このビアホール35に、インプラントピン20を圧入することにより製造される。次に、半導体装置の製造方法について説明する。冷却板1上に、はんだ又は焼結材層7aを介して、絶縁配線基板3の金属層6側が接触するように配置し、絶縁配線基板3の金属層5の所定の回路パターン上にはんだ又は焼結材層7cを介して半導体素子8a,8bを配置する。一方、半導体素子8aとインプラント基板30との距離L2a、半導体素子8bとインプラント基板30とのL2b、金属層5とインプラント基板30との距離L2cに適合するように、インプラントピン20のビアホールへの圧入深さL1a,L1b、L1cを調整しておく。次に、半導体素子8a,8b及び金属層5の所定の位置に、はんだ又は焼結材層7dを介して、インプラント基板30から伸びたインプラントピン20を配置する。そして、この状態でリフロー炉に導入し、はんだ又は焼結材層7a,7c,7dをそれぞれ溶融又は焼結させて、冷却板1と絶縁配線基板3の金属層6との接合、半導体素子8a,8bと絶縁配線基板3の金属層5との接合、インプラントピン20と半導体素子8a,8b及び絶縁配線基板3の金属層5との接合を行う。リフロー時における加熱温度は、350°C以下が好ましく、250~330°Cがより好ましい。加熱温度が350°Cを超えると、半導体素子等が熱的損傷する恐れがある。次に、金属層5の所定の位置に外部端子9をはんだ又は焼結材層7bを介して配置し、はんだ又は焼結材層7bを溶融又は焼結させて両者を接合する。そして、冷却板1の周囲を樹脂ケース2で囲い、樹脂ケース2で囲われた内部に封止樹脂15を充填し、封止樹脂を硬化することで本発明の半導体装置が製造される。図8には、本発明の半導体装置の他の実施形態が示されている。この半導体装置は、インプラントピン20のビアホール35への圧入部表面にメッキ層28が設けられており、該メッキ層28が融解して、インプラントピン20の圧入部と、ビアホール35の内周面とが接合している。なお、この実施形態では、メッキ層はインプラントピン20の圧入部表面に形成されているが、ビアホール35の内周面に形成されてもよく、インプラントピン20の圧入部表面とビアホール35の内周面との双方に形成されていてもよい。メッキ層28の厚みは、圧入前の状態で5μm以下が好ましい。メッキ層28は、単層であってもよく、複数のメッキ層が積層したものであってもよいが、少なくとも最表層が350°C以下の温度で溶融するものが好ましく用いられる。溶融温度が350°C以下のメッキ材料としては、Snメッキ、SnAg系はんだメッキ、SnBi系はんだメッキ、SnSb系はんだメッキ、SnCu系はんだメッキ、SnIn系はんだメッキ等が挙げられる。溶融温度が350°C以下であれば、半導体素子等をはんだ付けする際のリフロー工程時に溶融できる。次に、上記半導体装置の製造方法となる、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態について説明する。この実施形態においても、上記実施形態と同様、半導体素子8aとインプラント基板30との距離L2a、半導体素子8bとインプラント基板30とのL2b、金属層5とインプラント基板30との距離L2cに適合するように、インプラントピン20のビアホールへの圧入深さL1a,L1b、L1cを調整しておく。そして、半導体素子8a,8b及び金属層5の所定の位置に、はんだ又は焼結材層7dを介して、インプラント基板30から伸びたインプラントピン20を配置する。そして、この状態でリフロー炉に導入し、はんだ又は焼結材層7a,7c,7d,メッキ層28をそれぞれ融解又は焼結させて、はんだ又は焼結材層7a,7c,7dを介して、冷却板1と絶縁配線基板3の金属層6との接合、半導体素子8a,bと絶縁配線基板3の金属層5との接合、インプラントピン20と半導体素子8a,8b及び絶縁配線基板3の金属層5との接合を行うと共に、メッキ層28を介して、インプラントピン20と絶縁配線基板34との接合を行う。リフロー時における加熱温度は、350°C以下が好ましく、250~330°Cがより好ましい。加熱温度が350°Cを超えると、半導体素子等が熱的損傷する恐れがある。そして、金属層5の所定の位置に外部端子9をはんだ又は焼結材層7bを介して配置し、はんだ又は焼結材層7bを溶融又は焼結させて両者を接合し、冷却板1の周囲を樹脂ケース2で囲い、樹脂ケース2で囲われた内部に封止樹脂15を充填し、封止樹脂を硬化することで半導体装置が製造される。図9には、本発明の半導体装置の更に他の実施形態が示されている。この半導体装置は、インプラントピン20がビアホール35に圧入されている。そして、インプラントピン20のビアホール35への圧入部表面及び/又はビアホール35の内周面には、焼結材29が塗布されており、該焼結材が焼結して、インプラントピン20の圧入部と、ビアホール35の内周面とが接合している。焼結材29としては、350°C以下の温度で焼結するものが好ましく用いられる。例えばAg系やCu系の焼結材料等が挙げられる。焼結温度が350°C以下であれば、半導体素子等をはんだ付けする際のリフロー工程時に焼結できる。次に、上記半導体装置の製造方法となる、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態について説明する。この実施形態では、インプラントピン20のビアホール35への圧入部表面及び/又はビアホール35の内周面に、焼結材29を塗布した後、インプラントピン20をビアホール35に圧入して製造したインプラント基板30を用いる。そして、上記実施形態と同様、半導体素子8aとインプラント基板30との距離L2a、半導体素子8bとインプラント基板30とのL2b、金属層5とインプラント基板30との距離L2cに適合するように、インプラントピン20のビアホールへの圧入深さL1a,L1b、L1cを調整しておく。次いで、半導体素子8a,8b及び金属層5の所定の位置に、はんだ又は焼結材層7dを介して、インプラント基板30から伸びたインプラントピン20を配置する。そして、この状態でリフロー炉に導入し、はんだ又は焼結材層7a,7c,7dをそれぞれ溶融又は焼結すると共に,焼結材29を焼結させて、はんだ又は焼結材層7a,7c,7dを介して、冷却板1と絶縁配線基板3の金属層6との接合、半導体素子8a,8bと絶縁配線基板3の金属層5との接合、インプラントピン20と半導体素子8a,8b及び絶縁配線基板3の金属層5との接合を行うと共に、焼結材29を介して、インプラントピン20と絶縁配線基板34との接合を行う。リフロー時における加熱温度は、350°C以下が好ましく、250~330°Cがより好ましい。加熱温度が350°Cを超えると、半導体素子等が熱的損傷する恐れがある。そして、金属層5の所定の位置に外部端子9をはんだ又は焼結材層7bを介して配置し、はんだ又は焼結材層7bを溶融又は焼結させて両者を接合し、冷却板1の周囲を樹脂ケース2で囲い、樹脂ケース2で囲われた内部に封止樹脂15を充填し、封止樹脂を硬化することで半導体装置が製造される。"