特定の色の光を発光する発光手段を備え、前記発光手段は、透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層および第2の反射層の間に前記発光層から発光される光を拡散させる光拡散層を配置し、かつ前記第2の反射層は、反射率の高い金属膜からなる高反射金属層と、屈折率の低い材料膜からなる低屈折率層と、反射率の異なる材料膜を積層した多層膜反射層とにより構成したことを特徴とするバックライト装置。前記発光手段からの光のうちの一部の光を透過するとともに、前記透過した光と混色することで白色の光となる特定の色の光に変換する波長変換手段とを備えたことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記第2の反射層は、前記高反射金属層上に前記低屈折率層を配置し、前記低屈折率層上に前記多層膜反射層を配置したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記第2の反射層の低屈折率層の膜厚は、発光ダイオードの発光中心波長λに対してλ/2以上の光学膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記第2の反射層の多層膜反射層は、高屈折率材料と低屈折率材料とを積層することにより構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記高屈折率材料は、二酸化チタン、窒化珪素、三酸化二タンタル、五酸化ニオブ、二酸化ジルコニウムの中から選ばれた材料であり、前記低屈折率材料は、二酸化珪素であることを特徴とする請求項5に記載のバックライト装置。前記第1の反射層は、誘電体多層膜で構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記光拡散層は、第1の反射層と発光層の間に配設したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記第2の反射層の高反射金属層は、アルミニウム、金、銀の中から選ばれた金属により構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光ダイオードの第1の反射層は、出射角が65度以上に透過率のピークが存在するように構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光手段は、発光主波長が430nm~480nmの青色の光を発光する青色の発光ダイオードであり、前記波長変換手段は、前記青色の発光ダイオードによって励起されかつ青色の光と混色することで白色の光となる特定色の光を発光する蛍光体膜を有するものである請求項2に記載のバックライト装置。前記発光手段は、発光主波長が350nm~400nmの紫外の光を発光する発光ダイオードであり、前記波長変換手段は、前記紫外の発光ダイオードによって励起されかつ赤色、青色、緑色の光を発光する蛍光体膜を有するものである請求項2に記載のバックライト装置。特定の色の光を発光する発光手段を備えたバックライト装置と、前記バックライト装置からの出射光を背面側から入射し画像を表示する液晶パネルとを備えた液晶表示装置であって、前記発光手段は、透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層および第2の反射層の間に前記発光層から発光される光を拡散させる光拡散層を配置し、かつ前記第2の反射層は、反射率の高い金属膜からなる高反射金属層と、屈折率の低い材料膜からなる低屈折率層と、反射率の異なる材料膜を積層した多層膜反射層とにより構成したことを特徴とする液晶表示装置。前記バックライト装置は、前記発光手段から発光される光のうち一部の光を透過するとともに、前記透過した光と混色することで白色の光となる特定の色の光に変換する波長変換手段を備えたことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層および第2の反射層の間に前記発光層から発光される光を拡散させる光拡散層を配置し、かつ前記第2の反射層は、反射率の高い金属膜からなる高反射金属層と、屈折率の低い材料膜からなる低屈折率層と、反射率の異なる材料膜を積層した多層膜反射層とにより構成したことを特徴とする発光ダイオード。前記第2の反射層は、前記高反射金属層上に前記低屈折率層を配置し、前記低屈折率層上に前記多層膜反射層を配置したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記第2の反射層の低屈折率層の膜厚は、発光ダイオードの発光中心波長λに対してλ/2以上の光学膜厚を有することを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記第2の反射層の多層膜反射層は、高屈折率材料と低屈折率材料とを積層することにより構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記高屈折率材料は、二酸化チタン、窒化珪素、三酸化二タンタル、五酸化ニオブ、二酸化ジルコニウムの中から選ばれた材料であり、前記低屈折率材料は、二酸化珪素であることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記第1の反射層は、誘電体多層膜で構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記光拡散層は、第1の反射層と発光層の間に配設したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記第2の反射層の高反射金属層は、アルミニウム、金、銀の中から選ばれた金属により構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードの第1の反射層は、出射角が65度以上に透過率のピークが存在するように構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。以下、本発明の一実施の形態によるバックライト装置ついて、図面を用いて説明する。本実施の形態によるバックライト装置は、直下型バックライト装置である。図1は本発明の一実施の形態による直下型バックライト装置の概略構成を示す斜視図であり、図2は図1に示す直下型バックライト装置を用いた液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。なお、図2は、図1のx-y平面におけるLEDの光軸を含む位置での概略断面を示している。ここで、図1、図2において、x軸の方向を横方向と呼び、直下型バックライト装置1の光の出射方向であるy軸の正の方向を正面方向、y軸の負の方向を背面方向と呼び、z軸の正の方向を上方向、z軸の負の方向を下方向と呼ぶ。図1、図2に示すように、直下型バックライト装置1は、複数個のLED2がマトリックス状に均等間隔で配列されるように反射板3の前面に配置されている。そしてLED2の正面方向側には、LED2との間に間隔をあけて、各種の光学シートが配置されている。すなわち、LED2の正面方向側には、拡散シート4と波長変換シート5と輝度上昇シート6が配置されている。拡散シート4は、LED2からの光および反射板3により反射された光を拡散させ、面光源を形成するための拡散部材である。波長変換シート5は、拡散シート4を通して入射される光のうち、その一部の光を透過させ、透過させた光と混色することによって例えば白色の光のような、特定の色の光に変換する波長変換手段である。輝度上昇シート6は、出射面の法線方向に向けて集光して出射することによって出射光の正面輝度を上昇させるものである。このLED2は、直下型バックライト装置1の構成によって適宜最適な数および間隔で配置される。例えば、直下型バックライト装置1の大きさ、厚み、LED2の配光特性等に応じて決定される。また、この直下型バックライト装置1は、輝度上昇シート6の正面方向側の面を光の出射面として、白色の面状光を出射する。ここで、白色とは、色温度が3000K~10000K以内のことをいう。反射板3は、平板形状で、LED2の背面方向側に配置されている。この反射板3は、少なくともLED2が配置される前面に白色のポリエステルなどからなる拡散反射面3aを備えている。その拡散反射面3aに到達した光は拡散されて正面方向に反射する。つまり、反射板3に到達した光は、正面方向側に拡散して反射される。拡散シート4は、平板形状で、LED2の正面方向側に、LED2および反射板3との間に間隔をあけて配置されている。この拡散シート4は、LED2側、すなわち拡散シート4の背面側から入射する光を拡散する。そして、一部の光は拡散シート4を透過して前面から正面方向に出射し、一部の光は拡散シート4に反射して背面側LED2側に戻るように光を制御する。波長変換シート5は、その略平板形状の外形形状を有し、拡散シート4と後述する輝度上昇シート6との間に配置されている。波長変換シート5は、内部に蛍光体膜を有する。この蛍光体膜は、LED2が発する青色の光によって励起されて、特定色の光、すなわち本実施の形態においては、蛍光体膜の作用により、青色の光の波長を、長波長側の発光主波長が550nm~610nmの黄色の光に変換し、正面方向に光を出射するものである。すなわち、背面側から入射する青色光の一部は波長変換シート5をそのまま透過するとともに、蛍光体膜の波長変換作用によって、一部の光は黄色の光に変換されて波長変換シート5を透過する。その結果、波長変換シート5は、青色光と黄色光とを混色させることによって、白色光を出射するものである。もちろん、青色光が多い場合には青色がかった白色光となり、黄色光が多い場合には、黄色がかった白色光となる。輝度上昇シート6は、平板形状で、前記拡散シート4の前方に配置されている。輝度上昇シート6は、入射光の一部を背面方向に反射するとともに、入射光の一部を透過させて出射面の法線方向に向けて集光させ出射する。これによって、出射光の正面輝度を上昇させるものである。具体的には、例えば輝度上昇シート6の前面にプリズムを設けた構成とすることによって、所定の角度の光だけを出射させることができる。以上の構成部材により直下型バックライト装置1が構成される。また、図2に示すように、この直下型バックライト装置1の正面方向に画像を表示する液晶パネル7を配置すれば、液晶表示装置が構成される。また、液晶パネル7は、透明電極とスイッチング素子としての薄膜トランジスタを形成した基板と偏向板を設けた基板との間に、液晶を封入することにより複数の画素を形成したパネルが構成されている。そして、それぞれの画素を画像信号に応じてスイッチングすることにより、パネルを透過するバックライトの光の量を調整して、所望の画像を表示するものである。ところで、図2においては、拡散シート4、波長変換シート5、輝度上昇シート6の各シート間に隙間を設けているが、必ずしも、このような隙間を設けて各シートを配置する必要はない。単なる一例に過ぎない。次に、本実施の形態のバックライト装置に使用するLED2について、詳細に説明する。LED2は、発光主波長430~480nmの青色の光を発光するものである。図3に示すように、LED2は、LEDチップ8をLEDパッケージ9内に配置し、LEDチップ8を保護するための樹脂10により封止することにより構成されている。また、LEDチップ8は、LEDパッケージ9の基板図示せずに配線部材により電気的に接続されている。なおここで、発光主波長とは、発光スペクトルにおいて発光強度の極大値を有する波長を意味している。また、図3において、点線Aは、LED2の光の出射パターンを模式的に示すものである。図4はLEDチップ8の構造を模式的に示した断面図である。図4において、11はGaNよりなる透明な基板である。この基板11の一方の主面上には、n型のGaN膜よりなるn型コンタクト層12、n型のAlGaN膜よりなるn型クラッド層13、InGaN膜よりなる特定の波長の光を発光する活性層である発光層14、p型のAlGaN膜よりなるp型クラッド層15、p型のGaN膜よりなるp型コンタクト層16が順次積層形成されている。また、この積層体の発光層14に対して光の出射側には、発光層14から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層17が積層形成されている。この第1の反射層17は、後述するように、誘電体多層膜により構成されている。本実施の形態では、第1の反射層17は、複数のTiO2からなる層と、SiO2からなる層とから構成されている。18は高反射金属層、低屈折率層、多層膜反射層により構成した第2の反射層であり、19はn型の電極、20はp型の電極である。第2の反射層18は基板11の他方の主面側に設けられており、この第2の反射層18と第1の反射層17とによって発光層14が挟まれている。また、第1の反射層17とp型のGaN膜よりなるp型コンタクト層16との間には、第1の反射層17と発光層14との間に配置されるように、オパール硝子からなる光拡散層21が形成されている。図4において、n型の電極19とp型の電極20の間に電圧を印加することにより、発光層14が発光する。発光層14から発光される光は等方発光であるので、発光された光のうち一部は第2の反射層18および第1の反射層17に向かい、一部はLED2を構成する積層体のいずれかの界面で全反射され、また一部はLED2を構成する積層体のいずれかの材質により吸収される。ここで、第1の反射層17の反射率は、第2の反射層18の反射率より低く設定されている。発光層14で発光した光は、反射を繰り返しながら第1の反射層17より取り出される。図5は第1の反射層17の断面図を示す。図5に示すように、第1の反射層17はp型コンタクト層16上に形成され、第1の誘電体である二酸化チタンTiO2からなる7層の高屈折率層17a、17b、17c、17d、17e、17f、17gと、第2の誘電体である二酸化珪素SiO2からなる6層の低屈折率層17h、17i、17j、17k、17l、17mとを交互に積層した誘電体多層膜により構成されている。そして、二酸化チタンからなる高屈折率層17aがp型コンタクト層16と接している。ここで、第1の反射層17を構成する第1の誘電体からなる高屈折率層17a~17gと、第2の誘電体からなる低屈折率層17h~17mにおいて、それぞれの光学膜厚は、発光層14からの光の第1の誘電体および第2の誘電体の中での波長の1/4近傍に設定している。具体的には、p型コンタクト層16側から、高屈折率層17aが25.0nm、低屈折率層17hが83.3nm、高屈折率層17bが49.0nm、低屈折率層17iが80.0nm、高屈折率層17cが47.5nm、低屈折率層17jが78.3nm、高屈折率層17dが45.5nm、低屈折率層17kが73.3nm、高屈折率層17eが42.0nm、低屈折率層17lが66.7nm、高屈折率層17fが38.0nm、低屈折率層17mが60.0nm、高屈折率層17gが18.0nmである。ここで、二酸化チタンの波長530nmにおける屈折率は2.5、二酸化珪素の波長530nmにおける屈折率は1.5である。このように、LEDチップ8における第1の反射層17について、屈折率の異なる第1の誘電体および第2の誘電体からなる誘電体多層膜により構成することにより、図6に示すような配光特性を有するLED2とすることができる。図6は、上述した図4、図5の構成を備えたLED2から出射される光の相対光度の角度特性の一例を示す図である。図6に示す特性においては、発光層14から発光される光は等方発光としている。また、図6に示す特性において、出射角0度、すなわち正面方向に出射する光の光度を1に規格化して示している。ところで、一般的なLEDでは、発光層を挟むように反射層を配置すると、その反射層により共振器構造が形成され、LEDから出射する光の指向性がランバーシャンに近い分布になる。すなわち、光の出射角0度で光度は最大となり、出射角のコサインに比例する角度分布となる。一方、本実施の形態におけるLED2においては、図6に示すように、出射角度が大きくなるにつれ光の光度が増大し、出射角が65度以上の70度近傍で光度が最大になる広配光の配光特性を示すこととなる。すなわち、本実施の形態におけるLED2においては、発光層14から発光される光のうち半分は、第2の反射層18側に向かう。第2の反射層18で反射され、第1の反射層17方向に向かいLED2から出射する。発光した光で第1の反射層17で反射された光は第2の反射層18に向かう。第1の反射層17と第2の反射層18との間には光拡散層21が配置されているため、光拡散層21に入射した光は完全拡散されて透過もしくは反射する。この光拡散層21を完全拡散層とすることで、第1の反射層17と第2の反射層18とによる光の多重反射が抑制され、LED2の中に閉じ込められる光を減少させることができる。このように、本実施の携帯におけるLED2は、第1の反射層17と第2の反射層18とによる光の多重反射が抑制されるため、第1の反射層17の透過/反射率の角度特性、すなわち出射角が65度以上において透過率のピークが存在するような特性になる。また、発光層14から発光される光の配光特性を考慮することで、LED2の配光特性を図6に示すような広配光の配光特性に容易に制御できるものである。次に、第2の反射層18の詳細構成について、図7を用いて説明する。第2の反射層18は、アルミニウム、金、銀の中から選ばれた反射率の高い金属膜からなる高反射金属層18aと、この高反射金属層18a上に形成され、かつ二酸化珪素SiO2などの屈折率の低い材料膜からなる低屈折率層18bと、この低屈折率層18b上に形成され、かつ反射率の異なる高屈折率材料と低屈折率材料それぞれからなる材料膜を交互に積層した構造の多層膜反射層18cとにより構成されている。ここで、多層膜反射層18cの高屈折率材料は、二酸化チタン、窒化珪素、三酸化二タンタル、五酸化ニオブ、二酸化ジルコニウムの中から選ばれた材料であり、低屈折率材料は、二酸化珪素である。この第2の反射層18の構成の一例を表1に示す。以下、第2の反射層18を構成する高反射金属層18a、低屈折率層18b、多層膜反射層18cそれぞれの層の効果について説明する。表2に高反射金属層18aのみの場合の層構成を示す。図8は表2の構成における波長450nmの反射率の角度依存性を示したグラフである。0°では反射率は約88であり、角度が大きくなるにつれて反射率が大きくなることが分かる。まず、低屈折率層18bの効果について説明する。表3には高反射金属層18aと低屈折率層18bの構成を示している。ここで低屈折率層18bの効果を得るために、媒質としては屈折率2.5よりも低い屈折率1.5の低屈折率層、膜厚は発光波長λ450nmのλ/2以上の光学膜厚である膜厚600nmとした。図9は表3の構成における波長450nmの反射率の角度依存性を示した特性を示している。低屈折率層18bの効果により、40°以上の光の反射率はほぼ100となっている。これは基板11の屈折率2.5と低屈折率層18bの屈折率1.5とから算出される臨界角37°とほぼ近い値となっている。つまり、臨界角を超える角度の光は全反射し、反射率は100となることから、低屈折率層18aを用いることで、広角度側の反射率を向上させることができる。また、この低屈折率層18bでは全反射を用いるため、膜厚が薄くなると、薄膜干渉の影響が大きくなり全反射の効果が得られなくなる。したがって、低屈折率層18bの膜厚は、LED2の発光波長λのλ/2以上の光学膜厚とするのが望ましい。次に、多層膜反射層18cの効果について説明する。表4には高反射金属層18aと多層膜反射層18cの構成を示している。ここで、多層膜反射層18cの媒質としては、屈折率2.5の媒質1と屈折率3.5の媒質2を用いた。媒質1と媒質2の消衰係数は0としている。媒質1および媒質2の膜厚は、LED2の発光中心波長450nmのλ/4となるように、媒質1は45nm、媒質2は32.14nmとした。図10は表4の構成における波長450nmの反射率の角度依存性を示す特性を示している。多層膜反射層18cの効果により、0°付近の光の反射率はほぼ100となっている。これは多層膜反射層18cが高屈折率の媒質2と低屈折率の媒質1により構成し、膜厚がλ/4の多層膜としたことにより、薄膜干渉効果によって反射率が向上した結果である。次に、上記で説明した低屈折率層18bと多層膜反射層18cをあわせた効果について説明する。表5には高反射金属層18a、低屈折率層18b、多層膜反射層18cで構成された第2の反射層18の構成を示している。ここで、上記と同じように、低屈折率層18bの媒質としては屈折率2.5よりも低い1.5の低屈折率層18b、膜厚は発光波長λ450nmのλ/2以上の光学膜厚である実膜厚880nmとした。一方、多層膜反射層18cの媒質としては屈折率2.5の媒質1と屈折率3.5の媒質1を用いた。媒質1と2の消衰係数は0としている。媒質1および媒質2の膜厚はLEDの発光波長450nmのλ/4となるように、媒質1は45nm、媒質2は32.14nmとした。図11に表5の構成における波長450nmの反射率の角度依存性を示す特性を示している。低屈折率層18bの効果により、40°以上の光の反射率は全反射によりほぼ100となっていることがわかる。さらに、多層膜反射層18cの効果により、0°付近の光の反射率はほぼ100となっている。これは多層膜反射層18cが高屈折率の媒質2と低屈折率の媒質1とから構成され、膜厚がλ/4の多層膜となっているため、薄膜干渉効果によって反射率が向上した結果である。つまり、第2の反射層18を高反射金属層18aと低屈折率層18bと多層膜反射層18cを用いて構成することにより、あらゆる入射角に対して反射率を大幅に高めることができる。図12は表1に示す構成の第2の反射層18について、波長450nmの反射率の角度依存性を示す特性を示している。表1の構成では、低屈折率層18bの材料を屈折率1.5のSiO2とし、多層膜反射層18cで用いる低屈折率材料を、低屈折率層18bと同じ材料であるSiO2としている。上記構成とすることで、作製プロセスが簡略化され、コスト低減となる。反射率の角度特性においてはこれまでと同様に、低屈折率層18bの効果により、40°以上の光の反射率はほぼ100となり、多層膜反射層18cの効果により、0°付近の光の反射率はほぼ100となっている。第2の反射層18を高反射金属層18a、低屈折率層18bと多層膜反射層18cを用いて構成することで、反射率を大幅に高めることができる。また、光拡散層21はオパール硝子で構成しているため、発光層14のGaNの屈折率2.5よりも屈折率が低い。したがって、光拡散層21を発光層14と第1の反射層17の間に配設することで、第2の反射層18における低屈折率層18bの効果を損なうことなく、高い取り出し効率を実現することができる。以上説明したように、本実施の形態においては、特定の色の光を発光する発光手段であるLED2と、このLED2からの光を拡散させて面光源とするための拡散部材である拡散シート4とを備えたバックライト装置において、LED2は、透明な基板11上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層14と、発光層14に対して光の出射側に形成されかつ発光層14から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層17と、第1の反射層17とで発光層14を挟むように基板11側に設けた第2の反射層18とを備え、第2の反射層18は、反射率の高い金属膜からなる高反射金属層18aと、屈折率の低い材料膜からなる低屈折率層18bと、反射率の異なる材料膜を積層した多層膜反射層18cとにより構成している。これによって、第2の反射層18と第1の反射層17とによる光の干渉効果が抑制されるため、第1の反射層17の透過/反射率の角度特性、すなわち出射角が65度以上において透過率のピークが存在するような特性にすることができる。すなわち、図6に示すように、広配光の配光特性に容易に制御することができ、安価で高効率のバックライト装置を提供することができる。なお、図4に示す例では、光拡散層21を第1の反射層17と発光層14との間に配置したが、発光層14と第2の反射層18との間に光拡散層21を配置してもよい。要は、第1の反射層17と第2の反射層18との間に、発光層14から発光される光を拡散させる光拡散層21を配置すればよい。なお、図7に示す例で第2の反射層18の構成は高反射金属層18a、高反射金属層18a上に形成された低屈折率層18b、低屈折率層18b上に形成された多層膜反射層18cとしたが、低屈折率層18bと多層膜反射層18cの順序は入れ替わっていてもかまわない。要は、高反射金属層18a上に、低屈折率層18bと多層膜反射層18cが形成されていればよい。ところで、レンズを使用せずにLED2から発光する光そのものを広配光化させた場合、図13の特性Bに示すように、LEDチップ8から発光する青色は広配光化されているが、LED2からの青色の光により蛍光体膜が励起されて発光する発光主波長が550nm~610nmの黄色の光の配光特性は、特性Yのようにランバーシャンとなる。つまり、LEDパッケージ9から出射後の青色光と黄色光の配光特性が異なり、黄色の光は、LED2の直上方向に光度の極大値を有し、青色の光は65度以上の70度付近に光度の極大値を有する。このため、LED2の直上においては黄色がかった白色となり、70度付近では青色がかった白色となり、角度によって色が異なる結果となり、色むらの原因となる。また、第1の反射層17として誘電体多層膜を出射側に用いて広配光化した場合には、誘電体多層膜における光の干渉により強め合う波長と弱め合う波長が存在し、角度によって発光スペクトルが異なってしまう。図14に青色のLEDのスペクトルの一例を示している。図14に示すように、ここで、0度方向に出射する光B1に対して、60度方向に出射する光B2のスペクトルが約10nm長波長側にシフトしていることが分かる。また、この図14に示すように角度により、発光スペクトルが変化するため、色度もずれることとなる。また、図15には黄色に発光する蛍光体の吸収スペクトルの一例を示している。吸収スペクトルにおけるピークは、0度方向の発光スペクトルのピークと同じ450nm付近にあり、450nmより長波長側になると、吸収係数が減少する。つまり、蛍光体の光の吸収量が減少し、励起される黄色の蛍光体の発光強度が弱くなる。したがって、蛍光体を透過した後の0度方向は、図16Aに示すスペクトルとなり、60度方向は図16Bに示すスペクトルとなる。図16Bでは、青色LEDの発光強度に対して、黄色の蛍光体の発光強度が相対的に弱くなってしまい、0度と60度で色が変化してしまうことから、結果としてバックライト装置において色むらが発生することとなる。一方、本実施の形態におけるバックライト装置においては、上述したように、LED2から出射した青色の光は、図6に示すような配光特性を示し、このような配光特性の青色の光が拡散シート4を透過し、波長変換シート5に入射する。そして、波長変換シート5に入射した青色の光の一部は、そのまま透過し、残りの青色の光は、蛍光体の波長変換作用によって黄色の光に変換されて透過する。このとき、波長変換シート5を透過した直後の青色の光の配光特性と、蛍光体の波長変換作用によって変換された黄色の光が同じ照度分布で、しかも共にランバーシャンの配光特性となることから、青色の光と黄色の光で同じ特性となる。すなわち、上述したような色むらの発生を抑制することができ、液晶表示装置として画質の向上を図ることができる。なお、以上の説明では、波長変換シート5は、拡散シート4と輝度上昇シート6の間に配置したが、これに限定されない。例えば、反射板3と拡散シート4の間に配置することもできる。要するに、反射板3と輝度上昇シート6の間に配置されていれば、色むらを低減する効果を得ることができる。また、拡散部材として、拡散シート4の代わりに、機械的強度の高い拡散板を用いれば、この拡散板に他の光学シートを保持させることができ、この場合は拡散板と輝度上昇シート6の間に配置されればよい。また、輝度上昇シート6は、入射光の一部を後方へ反射するとともに、一部を透過して出射面の法線方向に向けて集光して出射することで出射光の正面輝度を上昇させるように構成したが、これに限定されない。例えば、入射光の一部を後方へ反射するものであれば、他のものであってもかまわない。また、液晶表示装置を構成した場合に、液晶パネル7で吸収される偏光成分のみを反射して、残りの光を透過させるような構成であってもよい。さらに、本実施の形態において、波長変換シート5は、青色の光を黄色の光に変換する蛍光体膜を設けた構成としたが、これに限定されない。例えば、青色の光を赤色の光に変換する蛍光体膜と、青色の光を緑色の光に変換する蛍光体膜とを有していてもよい。この構成によれば、発光手段であるLED2からの青色の光と、波長変換シート5で波長変換された赤色の光および緑色の光とを混色させて白色光を生成することもできる。さらには、LED2として、発光主波長が350nm~400nmの紫外の光を発光するLEDを用い、そして波長変換シート5として、図17に示すように、紫外光のLEDによって励起されかつ赤色、青色、緑色の光を発光する特性を有する蛍光体R、G、Bの膜を形成したものを用い、青色、緑色、赤色の混色により白色を実現するような構成としてもよい。この紫外光のLEDを用いて構成すると、紫外光は白色の一部として利用されないため、色むらがLEDの色度変化の影響を受けず、蛍光体の励起効率のみに影響されるため、さらに色むらの少ないバックライト装置を実現することができる。また、LEDチップ8の光拡散層21については、p型コンタクト層16の一部の面に、例えばエッチング等によりランダムな凹凸構造を形成し、凹凸構造の表面にSiO2からなる層を形成して光拡散層21としてもよい。次に、他の実施の形態について説明する。図18は他の実施の形態における直下型バックライト装置を用いた液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態においては、波長変換手段として、光度の極大値を有する角度近傍において厚みが厚くなるように構成した波長変換シート25を用いたものである。すなわち、図18に示すように、波長変換シート25は、LED2の光軸上における厚みt1よりもLED2の光軸外で、LED2の光度の極大値を有する角度近傍における厚みt2の方が厚くなるように構成したものである。LED2の光軸上における波長変換シート25の厚みがt1であり、光軸から離れるにつれてその厚みが薄くなる。そして、色度変化の最も大きい角度においてその厚みがt1よりも厚いt2となる。LED2の光軸上における厚みt1は、各LED2で一致し、波長変換シート25の膜厚変化はLED2の光軸を中心として同心円形状に変化している。本実施の形態におけるLED2において、第1の反射層17を誘電体多層膜で構成すると、光の干渉効果によって強め合う波長と弱め合う波長が存在し、また、LED2の出射角が異なると、図14に示すように光のスペクトルが異なってしまい、蛍光体の励起効率が低下することから、色むらが発生してしまう。本実施の形態の構成とすることにより、LED2の青色の光の発光強度に対する黄色の蛍光体膜の発光強度をほぼ等しくすることが可能となり、色むらの少ないバックライト装置とすることができる。