式、の化合物、またはそれらの混合物。式中:Rはアルキル、CF3、カルボシクリルヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリール、またはフェロセニルであり、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換し、R1、R2、R3、R4、R5はH、ハロ、CF3、Oアルキル、アルキル、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリール、NR11R12、Si3及びSR11からなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換し、または、R1、R2、R3、R4、R5の二つの隣接する場合は、それらが結合する炭素でつながれており、少なくともR1、R2、R3、R4、R5のうちのひとつがOR11であることを条件に、5または6員置換または非置換アリールまたはヘテロアリール環を形成し、R6、R7、R8はH、CF3、Oアルキル、アルキル、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリール及びNR11R12からなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたは5~11員ヘテロアリール基のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換し、R9、R10はH、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びSiR53からなる基からそれぞれ独立して選択され、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールまたはヘテロアリール基のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換し、及びR11及びR12は、H、アルキル、CF3、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール及びヘテロアリールからなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基のそれぞれは、ハロ、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に独立して置換する。Rが、CH3、CH2CH3、CH2、C3、C3及びC2から選択されるアルキルである、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。Rが、シクロペンチル、シクロヘキシル及び1アダマンチルから選択されるカルボシクリルである、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。Rが、フェニル、オルトトリル、パラトリル、35ジメチルフェニル、35ジtブチルフェニル、35ジCF3フェニル、オルトCF3フェニル、オルトアニシル及びナフチルから選択されるアリールである、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。R1、R2、R3、R4、R5が、それぞれ独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、OCH3、OCH2CH3、OCH2、N2、N2またはSiMe3である、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。R6、R7、R8が、Hである、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。R9及びR10が、それぞれ独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、フェニル、オルトトリル、パラトリル、35ジメチルフェニル、35ジtブチルフェニル、35ジCF3フェニル、オルトCF3フェニル、オルトアニシル、26ジメトキシフェニルまたはナフチルである、請求項1記載の式、の化合物、またはそれらの混合物。式またはを有するホスフィン配位子、またはそれらの混合物。式中:RはCH2、C3C2、シクロヘキシル、1アダマンチル、フェニル、オルトトリル、35キシリル、オルトアニシルまたはフェロセニルであり及びR1、R2及びR3は独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、OCH3、OCH2CH3、OCH2、OPh、N2、N2、SiMe3、CF3である。及び3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び2N1N1N3N3テトラメチルベンゼン13ジアミン、及び2NNジメチルアニリン、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル4oトリル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び2N1N1N3N3テトラメチルベンゼン13ジアミン、及び2NNジメチルアニリン、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル4oトリル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールからなる基から選択されるホスフィン配位子。発明の詳細な説明第一の局面において、本発明は式I、の化合物、またはそれらの混合物を提供し、式中Rはアルキル、CF3、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリールまたはフェロセニルであり、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基等のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換する。R1、R2、R3、R4、R5は、H、ハロ、CF3、Oアルキル、アルキル、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリール、NR11R12、Si3及びSR11からなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基等のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換し、または、R1、R2、R3、R4、R5の任意の二つの隣接する場合は、それらが結合する炭素によってまとめられ、少なくともR1、R2、R3、R4、R5のうちのひとつがOR11であることを条件に、5または6員置換または非置換アリールまたはヘテロアリール環を形成する。R6、R7、R8はH、CF3、Oアルキル、アルキル、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール、ヘテロアリール及びNR11R12からなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基等のそれぞれは、Oアルキル、アルキル、及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換する。R9、R10はH、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びSiR53からなる基からそれぞれ独立して選択されシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールまたはヘテロアリール基等のそれぞれは、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に置換する。R11及びR12はアルキル、CF3、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリール及びヘテロアリールからなる基からそれぞれ独立して選択され、カルボシクリル、ヘテロカルボシクリル、アリールまたはヘテロアリール基等のそれぞれは、ハロ、Oアルキル、アルキル及びCF3からなる基から独立して選択される1~3の置換基で任意に独立して置換する。第二の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物に関し、式中、RはCH3、CH2CH3、CH2、C3、C3及びC2から選択されるアルキルであり、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、第一の局面に定義されるとおりである。第三の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物を提供し、式中、Rはシクロペンチル、シクロヘキシル及び1アダマンチルから選択されるカルボシクリルであり、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、第一の局面に定義されるとおりである。第四の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物を提供し、式中、Rはフェニル、オルトトリル、パラトリル、35ジメチルフェニル、35ジtブチルフェニル、35ジCF3フェニル、オルトCF3フェニル、オルトアニシル及びナフチルから選択されるアリールであり、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、第一の局面に定義されるとおりである。第五の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物を提供し、式中、R1、R2、R3、R4、R5はそれぞれ独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、OCH3、OCH2CH3、OCH2、N2、N2またはSiMe3であり、R、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、第一、第二、第三または第四の局面に定義されるとおりである。第六の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物を提供し、式中、R6、R7、R8はH、及びR、R1、R2、R3、R4、R5、R9、R10、R11及びR12は第一、第二、第三、第四または第五の局面に定義されるとおりである。第七の局面において、本発明は式、の化合物またはそれらの混合物を提供し、R9及びR10はそれぞれ独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、フェニル、オルトトリル、パラトリル、35ジメチルフェニル、35ジtブチルフェニル、35ジCF3フェニル、オルトCF3フェニル、オルトアニシル26ジメトキシフェニルまたはナフチルであり、R、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R11及びR12は第一、第二、第三、第四、第五の局面または第六の局面に定義されるとおりである。第八の局面において、本発明は式またはを有するホスフィン配位子、またはそれらの混合物を提供し、式中RはCH2、C3C2、シクロヘキシル、1アダマンチル、フェニル、オルトトリル、35キシリル、オルトアニシル、またはフェロセニルであり及びR1、R2及びR3は独立してH、CH3、CH2CH3、CH2、C3、OCH3、OCH2CH3、OCH2、OPh、N2、N2、SiMe3、CF3である。より詳細には、本発明は及び3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び2N1N1N3N3テトラメチルベンゼン13ジアミン、及び2NNジメチルアニリン、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル4oトリル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び2N1N1N3N3テトラメチルベンゼン13ジアミン、及び2NNジメチルアニリン、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び3シクロヘキシル4oトリル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール、及び及び3シクロヘキシル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールからなる基から選択されるホスフィン配位子を提供する。本発明はさらに、記載されるとおり本発明の遷移金属塩またはその錯体、及びキラル配位子の結合を含む方法により調製する触媒を提供する。本発明はさらに、上述されるとおり本発明の配位子または触媒を使用することによる、キラルまたは非キラルの化合物の調製方法を提供する。別の局面において、本発明は式Ia、Ib、IIa及びIIbの、上述の配位子を調製するための方法を提供する。概して、これらの配位子は以下の一般反応スキームに示す方法で調製してよい。スキーム1に具体的に説明されるように、フェノールIIIa、またはその鏡像異性体、またはその混合物は、ジクロロメタン、THFまたはトルエン等の好適な溶媒中でTf2NPhまたはトリフルオロメチルスルホニル無水物と反応させることにより、トリフラートIVa、またはその鏡像異性体、またはその混合物に転化する。Pd2またはPd2dba3等のパラジウム前駆物質を触媒量有する式Vの硼酸を有するトリフラートIVaと、SPhos、Cy3P等の好適なリン配位子または本発明に記載した式Iaの配位子とのクロスカップリングは、式Viaのビアリール生成物を提供する。ポリメチルヒドロシロキサン/Ti4、PhSiH3、HSiCl3Et3NまたはDIBALの反応条件下でのこのホスフィンオキシドVIaの還元は、式Iaの配位子、またはその鏡像異性体またはそれらの混合物を提供する。式IIIaの出発化合物は、TangetalOrganicLettersVol12No1pp176179及びTangetalOrganicLettersVol12No5pp11041107に記載される方法で生成してもよい。本発明の配位子を生成する方法は、以下の実施例を参照することで、より理解を深めることができる。実施例1:3tブチル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール4イルトリフルオロメタンスルホネートオキシドCH2Cl22ml中の3tブチル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド4オール50mg、0221mmol及びトリエチルアミンの溶液に、Tf2NPh96mg、027mmol、12当量を1分間かけて0°Cで加えた。混合物を2時間室温で撹拌し、次に水2mLを加えて急冷した。CH2Cl2層を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離剤:EtOAcにヘキサンを加えたものにより精製し、3tブチル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール4イルトリフルオロメタンスルホネートオキシド75mg、021mmol、95を白色の固体として提供した。1HNMRδ75870370046744612131PNMRδ75613CNMRδ1671150013711203117811471142669347242ESIMSmz359MH実施例2配位子としてのSphosとの鈴木カップリングによる3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド3tブチル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール4イルトリフルオロメタンスルホネートオキシド5g、139mmol及び26ジメトキシフェニルボロン酸38g、209mmol、15当量、Pd2dba3383mg、042mmol、3mol、SPhos115g、279mmol、20mol及びKF324g、558mmol、4当量を、ガス抜きしたジオキサンδ74672868966465544743437737008731PNMRδ62413CNMRδ1652158515731381134012981250117411481140112410431031653558553334236ESIMSmz347MH実施例3配位子としての3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールとの鈴木カップリングによる3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド3tブチル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール4イルトリフルオロメタンスルホネートオキシド及び26ジメトキシフェニルボロン酸の混合物へ、Pd2dba3、3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール及びKFを、ガス抜きしたジオキサンで充填した。混合物を窒素化で100°Cで3時間撹拌し、次に室温まで冷却し、濃縮し、殆どのジオキサンを除去した。DCM及び2NNaOHを残留物へ加えた。DCM層を2NNaOH及びブラインでさらに洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、所望の生成物3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシドを白色の固体として提供した。実施例43tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールPMHS13g及びTi4を、THF65mL中の3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシドの溶液へ室温で加えた。混合物を還流で12時間撹拌し、次に真空下で濃縮し、殆どのTHFを除去した。30のNaOH溶液60mLで残留物へ注意深く処理した。添加中ガスが発生した。得られた混合物を、60°Cで05時間さらに撹拌した。MTBE60mLを混合物へ室温で加えた。MTBE層を分離し、水性層を窒素下でMTBEで洗浄した。MTBE溶液を乾燥し、濃縮し、中性アルミナプラグを通過させることで精製し、白色の結晶質固体として所望の生成物が生じた。1HNMRδ72968766565948145337737107331PNMRδ7913CNMRδ163415791571138413051290125012381196109510451036704559554309266ESIMSmz331MH実施例5:3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシドを、実施例3に記載された条件と類似した条件下で調製した。収率901HNMRδ77674175373670569145644407831PNMRδ65113CNMRδ165714671348129612851283123411251124652338237ESIMSmz287MH実施例63tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホールを、実施例4に記載された条件と類似した条件下で調製した。891HNMRδ77174273569969048745706431PNMRδ11213CNMRδ16481465143113191299129812891279122712231105705321270実施例72NNジメチルアニリン2NNジメチルアニリンを、実施例3に記載された条件と類似した条件下で調製した収率761HNMRδ77474473772970370168745444125908831PNMRδ64113CNMRδ14561343133412931241121211801121655434339241ESIMSmz330MH実施例82NNジメチルアニリン2NNジメチルアニリンを、実施例4に記載された条件と類似した条件下で調製した:収率631HNMRδ73273272470469969368348045025506331PNMRδ7213CNMRδ151413311330131813151293128912271226121111851097709434317273ESIMSmz314MH実施例93tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシドを、実施例3に記載された条件と類似した条件下で調製した851HNMRδ76174473470569569045144137908231PNMRδ63613CNMRδ165515641423133713271297128812501205113611221107654554336239ESIMSmz317MH実施例103tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールを、実施例4に記載された条件と類似した条件下で調製した781HNMRδ74173372970069468748345437806731PNMRδ9913CNMRδ16441571143313251318131012951237120811171100707558316277ESIMSmz301MH実施例11:3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシド3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールオキシドを実施例3に記載した条件と類似した条件下で調製した収率271HNMRδ74372068465664744743113112211709231PNMRδ617ESIMSmz403MH実施例123tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホール3tブチル423ジヒドロベンゾd13オキサホスホールを実施例4に記載した条件と類似した条件下で調製した収率951HNMRδ72572068167965547143045512712511511007331PNMRδ6013CNMRδ16391571156513991304129212481217109210691051714708698312272228227225224ESIMSmz387MH実施例132メチル1oトリルナフタレン上に記載したとおり、本発明の配位子の金属錯体により触媒した鈴木宮浦カップリングの典型的な実施例2メチルナフタレン1イルボロン酸015g、075mmol、15当量及び1-ブロモ2メチルベンゼン86mg、05mmol、10当量の混合物へ、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム916mg、001mmol、2mol、3tブチル4フェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール11mg、004mmol、8mol及びリン酸カリウム0318g、15mmol、3当量を、ガス抜きしたトルエンで充填した。混合物を窒素下で24時間70°Cで撹拌し、次に水4mlで急冷した。有機相を分離し、ブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮し、カラムクロマトグラフィーで精製し、純粋な所望の生成物をオイル95mg、041mmol、82として提供した。ESIMS:m/z233MH実施例142フェニル246トリメチルビフェニルビフェニル2イルボロン酸015g、075mmol、15当量及び2ブロモ135トリメチルベンゼン100mg、05mmol、10当量の混合物へ、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム046mg、00005mmol、01mol、3tブチル426ジメトキシフェニル23ジヒドロベンゾd13オキサホスホール066mg、004mmol、04mol、及びリン酸カリウム0318g、15mmol、3当量を、ガス抜きしたトルエンで充填した。混合物を窒素下で3時間70°Cで撹拌し、次に水4mlで急冷した。有機相を分離し、ブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮し、カラムクロマトグラフィーで精製し、純粋な所望の生成物をオイル129mg、048mmol、95として提供した。ESIMS:m/z273MH