放射線を光に変換するシンチレータと、前記シンチレータを支持するとともに前記シンチレータの外側に張り出した庇状部を有する支持基板とを備えたシンチレータパネルと、前記シンチレータにより変換された光を検出する光センサを有し、前記シンチレータと貼り合わされたセンサパネルと、前記庇状部と前記センサパネルとの間に充填されて前記シンチレータの外周を封止する封止剤と、前記庇状部と前記封止剤との貼合せ界面、または前記センサパネルと前記封止剤との貼合せ界面のいずれか一方に配置され、前記封止剤の硬化時の収縮による応力を緩和する応力緩和部と、を備えたことを特徴とする放射線撮影装置。前記応力緩和部は、前記封止剤の収縮により、前記庇状部または前記センサパネルから少なくとも一部が剥離することを特徴とする請求項1記載の放射線撮影装置。前記応力緩和部と、前記庇状部または前記センサパネルとの密着力は、2N/10mm以下であることを特徴とする請求項2記載の放射線撮影装置。前記応力緩和部として、低粘着テープを用いたことを特徴とする請求項2または3記載の放射線撮影装置。前記封止剤は、硬化時の収縮により前記応力緩和部から少なくとも一部が剥離することを特徴とする請求項1記載の放射線撮影装置。前記応力緩和部と前記封止剤との密着力は、2N/10mm以下であることを特徴とする請求項5記載の放射線撮影装置。前記応力緩和部として、離型剤を用いたことを特徴とする請求項5または6記載の放射線撮影装置。前記センサパネルは、前記シンチレータパネルの放射線照射側に配置されており、前記シンチレータには、前記センサパネルを透過した放射線が照射されることを特徴とする請求項1~7いずれか記載の放射線撮影装置。放射線を光に変換するシンチレータが設けられた支持基板から前記シンチレータの外側に張り出した庇状部と、前記シンチレータにより変換された光を検出する光センサを備えたセンサパネルの前記光センサの外周とのいずれか一方に、応力緩和部を設ける工程と、前記シンチレータと前記センサパネルの前記光センサが設けられている面とを貼り合わせる工程と、前記庇状部と、前記センサパネルとの間に、前記シンチレータの外周を封止する封止剤を充填する工程と、前記封止剤を硬化させる工程とを備え、前記応力緩和部は、前記封止剤の硬化時の収縮による応力を緩和することを特徴とする放射線撮影装置の製造方法。前記応力緩和部は、前記封止剤の収縮により、前記庇状部または前記センサパネルから少なくとも一部が剥離することを特徴とする請求項9記載の放射線撮影装置の製造方法。前記応力緩和部と、前記庇状部または前記センサパネルとの密着力は、2N/10mm以下であることを特徴とする請求項10記載の放射線撮影装置の製造方法。前記封止剤は、硬化時の収縮により前記応力緩和部から少なくとも一部が剥離することを特徴とする請求項9記載の放射線撮影装置の製造方法。前記応力緩和部と前記封止剤との密着力は、2N/10mm以下であることを特徴とする請求項12記載の放射線撮影装置の製造方法。貼り合せ方式の放射線検出器19において、シンチレータ34の端部がセンサパネル23から剥離することがあった。シンチレータ34の端部の剥離がセンサパネル23の光センサ43の有効検出エリアに達すると、図13に示すように、放射線画像100の端縁に黒点状の画像欠陥101が表れてしまう。シンチレータ34の端部が剥離する原因について調査したところ、封止剤46の硬化時の収縮が原因であることが分った。封止剤46として、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂を使用した場合、封止剤46は、紫外線が照射されて硬化する際に収縮し、支持基板33の庇状部33aを引っ張って弾性変形させてしまう。そして、庇状部33aの弾性変形によって支持基板33に生じた応力の反作用により、シンチレータ34の端部がセンサパネル23から剥がれていることが分った。封止剤46の収縮によるシンチレータ34の端部の剥離は、特許文献1の応力緩和層や、特許文献2の保護膜では防ぐことはできない。本発明は、上記問題を解決するため、封止剤の収縮によるシンチレータの剥離を防止することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の放射線撮影装置は、シンチレータパネル、センサパネル、封止剤、応力緩和部を備えている。シンチレータパネルは、放射線を光に変換するシンチレータと、シンチレータを支持するとともにシンチレータの外側に張り出した庇状部を有する支持基板とを備えている。センサパネルは、シンチレータにより変換された光を検出する光センサを有し、シンチレータと貼り合わされている。封止剤は、庇状部とセンサパネルとの間に充填されてシンチレータの外周を封止している。応力緩和部は、庇状部と封止剤との貼合せ界面、またはセンサパネルと封止剤との貼合せ界面のいずれか一方に配置されており、封止剤の硬化時の収縮による応力を緩和している。応力緩和部は、封止剤の収縮により、庇状部またはセンサパネルから少なくとも一部が剥離するようになっている。このような応力緩和部と庇状部またはセンサパネルとの密着力は、2N/10mm以下であることが好ましい。また、このような応力緩和部の一例として、低粘着テープを用いてもよい。また、封止剤の硬化時の収縮により、封止剤の少なくとも一部が応力緩和部から剥離するように構成してもよい。このような応力緩和部と封止剤との密着力は、2N/10mm以下であることが好ましい。また、このような応力緩和部の一例として、離型剤を用いてもよい。本発明は、センサパネルがシンチレータパネルの放射線照射側に配置され、シンチレータには、センサパネルを透過した放射線が照射されるように構成された放射線撮影装置に用いてもよい。本発明の放射線撮影装置の製造方法は、放射線を光に変換するシンチレータが設けられた支持基板からシンチレータの外側に張り出した庇状部と、シンチレータにより変換された光を検出する光センサを備えたセンサパネルの光センサの外周とのいずれか一方に、応力緩和部を設ける工程と、シンチレータとセンサパネルの光センサが設けられている面とを貼り合わせる工程と、庇状部とセンサパネルとの間にシンチレータの外周を封止する封止剤を充填する工程と、封止剤を硬化させる工程とを備えている。応力緩和部は、封止剤の硬化時の収縮による応力を緩和する。応力緩和部は、封止剤の収縮によって庇状部またはセンサパネルから少なくとも一部が剥離するようになっている。このような応力緩和部と、庇状部またはセンサパネルとの密着力は、2N/10mm以下であることが好ましい。また、封止剤の硬化時の収縮により、封止剤の少なくとも一部が応力緩和部から剥離するように構成してもよい。このような応力緩和部と封止剤との密着力は、2N/10mm以下であることが好ましい。本発明によれば、封止剤の硬化時の収縮によって生じる応力が応力緩和部によって緩和されるので、支持基板に大きな応力は発生しない。したがって、支持基板に発生した応力の反作用を原因とするシンチレータの端部の剥離を防止することができる。図1に示すように、本発明に係る放射線撮影装置10は、全体形状がおよそ箱形で、矩形状の上面が放射線の照射面11とされた筐体12を備えている。筐体12は、放射線を透過させる材料からなり、照射面11が設けられている天板13以外の部分は、例えばABS樹脂等から構成され、天板13は例えばカーボン等から構成されている。これにより、天板13による放射線の吸収を抑制しつつ、天板13の強度が確保される。なお、筐体12は、放射線により感光材料に画像を記録する構成を備えた旧来のカセッテと同サイズであり、当該カセッテに代えて使用できるようになっている。放射線撮影装置10の照射面11には、複数個のLEDからなり、放射線撮影装置10の動作モードやバッテリの残容量等の動作状態を表示するための表示部16が設けられている。なお、表示部16は、LED以外の発光素子で構成してもよいし、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示手段で構成してもよい。また、表示部16は、照射面11以外の部位に設けてもよい。放射線撮影装置10の筐体12内には、照射面11に対面するように、被撮影者の体を透過した放射線を検出するために、パネル状の放射線検出器19が配置されている。また、筐体12の内部には、照射面11の短手方向に沿った一端側に、マイクロコンピュータを含む各種の電子回路や、充電可能かつ着脱可能なバッテリを収容するケース20が配置されている。放射線検出器19を含む放射線撮影装置10の各種電子回路は、ケース20内に収容されたバッテリから供給される電力によって作動する。筐体12内のうちケース20の照射面11側には、ケース20内に収容された各種電子回路が放射線の照射に伴って損傷することを回避するため、鉛板等からなる放射線遮蔽部材が配設されている。放射線検出器19は、放射線が照射される方向に沿って、照射面11側からセンサパネル23、シンチレータパネル24及び補強板25が積層された構成を有している。図2に示すように、センサパネル23とシンチレータパネル24との間、及びシンチレータパネル24と補強板25との間は、第1の接着層26と、第2の接着層27とによってそれぞれ貼り合わされている。シンチレータパネル24の外周には、シンチレータを湿気などから保護する封止部28が設けられている。センサパネル23は、天板13の内面に全面に亘って接着剤により貼り付けられている。筐体12内の底面には、制御基板29が配置されている。制御基板29とセンサパネル23とは、フレキシブルケーブル30を介して電気的に接続されている。図3は、放射線検出器19の端縁側の断面図であり、図2に対して上下を反転させた状態が図示されている。シンチレータパネル24は、支持基板33と、支持基板33上に蒸着により設けられたシンチレータ34と、支持基板33とシンチレータ34との外周を覆う保護膜35とから構成されている。支持基板33とシンチレータ34との間には、支持基板33とシンチレータ34との密着性を改善するシンチレータ下地層36が設けられている。シンチレータ34は、被撮影者の体を透過して筐体12の照射面11に照射され、天板13及びセンサパネル23を透過して照射された放射線を吸収して光を放出する。一般に、シンチレータとしては、例えばCsI:Tlや、CsI:Na、GOS等の材料を用いることができる。本実施形態では、シンチレータ34として、支持基板33にCsI:Tlを蒸着することにより、放射線入射側かつセンサパネル23側に複数の柱状結晶38からなる柱状結晶領域を形成し、支持基板33側に非柱状結晶39からなる非柱状結晶領域を形成している。柱状結晶38は、その平均径が柱状結晶38の長手方向に沿っておよそ均一である。また、シンチレータ34は、支持基板33上に蒸着によって形成されることから、柱状結晶38の成長速度は、蒸着源からの距離に応じて異なる。したがって、シンチレータ34の端縁形状は、支持基板33からの高さが徐々に低くなるようなテーパー状となる。シンチレータ34で発生した光は、柱状結晶38のライトガイド効果によって柱状結晶38内を進行し、センサパネル23へ射出される。その際に、センサパネル23側へ射出される光の拡散が抑制されるので、放射線撮影装置10によって検出される放射線画像のボケが抑制される。また、シンチレータ34の深部に到達した光は、非柱状結晶39によってセンサパネル23側へ反射されるので、センサパネル23に入射される光量が向上する。なお、シンチレータ34の放射線入射側に位置する柱状結晶領域の厚みをt1とし、シンチレータ34の支持基板33側に位置する非柱状結晶領域の厚みをt2としたときに、t1とt2が下記の関係式1を満たすことが好ましい。シンチレータ34の膜厚は、例えば650μm程度である。0.01≦t2/t1≦0.251柱状結晶領域の厚みt1と非柱状結晶領域の厚みt2とが上記関係式を満たすことで、発光効率が高く光の拡散を防止する領域と、光を反射する領域とのシンチレータ34の厚み方向に沿った比率が好適な範囲となる。これにより、シンチレータ34の発光効率、シンチレータ34で発光された光の検出効率、及び、放射線画像の解像度が向上する。なお、非柱状結晶領域の厚みt2が厚過ぎると発光効率の低い領域が増え、放射線撮影装置10の感度の低下に繋がることから、は0.02以上かつ0.1以下の範囲であることがより好ましい。上記構成のシンチレータ34において、シンチレータ34中の柱状結晶形成領域におけるCsIの充填率には適切な範囲があり、柱状結晶形成領域の厚みにも依存するが、例えば70~85程度が最適である。すなわち、CsIの充填率が過小になるとシンチレータ34の発光量の低下が顕著になる一方、CsIの充填率が過大になると、或る厚み以上では隣り合う柱状結晶が接触し始めるために、柱状結晶中を進行する光の一部が接触している他の柱状結晶へ移る現象が生ずることで、シンチレータ34への放射線照射量のパターンに対してシンチレータ34からの光の射出光量のパターンが変化し、放射線検出精度の低下が引き起こされる。従って、放射線検出の感度及び精度を確保するために、隣り合う柱状結晶の間には適当な大きさの隙間を設ける必要がある。支持基板33は、シンチレータ34の蒸着時に高温になるため、その材質には耐熱性の高い材料が望ましく、低コストという観点から選択すると、例えばアルミニウム等の金属が好適である。支持基板33の外縁には、シンチレータ34の外側に張り出した庇状部33aが設けられている。この庇状部33aは、支持基板33にCsI等を蒸着する際に支持基板33を保持するためにシンチレータ34が蒸着されなかった領域、あるいはシンチレータ34の蒸着範囲を規制する蒸着マスクによってシンチレータ34が蒸着されなかった領域であり、シンチレータ34のセンサパネル23に対する貼り合せ面から、支持基板33の端部までの範囲をいう。支持基板33の厚みは、材質にアルミニウムを用いた場合で例えば500μm程度である。なお、支持基板33が長手方向に反りにくくなるようにするため、圧延方向が長手方向に沿うように、支持基板33を構成してもよい。保護膜35、及びシンチレータ下地層36には、大気中の水分に対してバリア性を有する材料が用いられ、例えば熱CVD法、プラズマCVD法等の気相重合で得られる有機膜が用いられる。有機膜としては、ポリパラキシリレン製樹脂の熱CVD法によって形成された気相重合膜、または含フッ素化合物不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜が用いられる。また有機膜と無機膜の積層構造を用いることも出来、無機膜の材料としては、例えば、窒化珪素SiNx膜、酸化珪素SiOx膜、酸窒化珪素SiOxNy膜、Al2O3等が好適である。なお、第1の接着層26と保護膜35との密着性向上を図るため、保護膜35に大気圧プラズマ処理を施してもよい。センサパネル23は、シンチレータ34の光射出側から射出された光を検出するものであり、平板状で平面視における外形形状が矩形状とされたセンサ基板42と、センサ基板42のシンチレータ34と貼り合わされる面に設けられた光センサ43とを備えている。センサ基板42には、光センサ43を構成するフォトダイオードを、例えばアモルファスシリコンの蒸着によって形成するため、耐熱性を有するガラス基板が用いられている。センサ基板42の厚みは、例えば700μm程度である。なお、本実施形態では、シンチレータパネル24の放射線照射面側にセンサパネル23が配置されているが、シンチレータとセンサパネルとをこのような位置関係で配置する方式は、表面読取方式ISS:IrradiationSideSamplingと称する。シンチレータは、放射線入射側がより強く発光するので、シンチレータの放射線入射側に光検出部を配置する表面読取方式ISSは、シンチレータの放射線入射側と反対側に光検出部を配置する裏面読取方式よりも光検出部とシンチレータの発光位置とが接近することから、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高く、また光検出部の受光量が増大することで、結果として放射線撮影装置の感度が向上する。センサパネル23とシンチレータパネル24とは、第1の接着層26によって貼り合わされている。また、シンチレータパネル24の支持基板33にはアルミニウム板が用いられ、センサパネル23のセンサ基板42にはガラス基板が用いられている。更に、放射線検出器19は、その動作中に高温になるため、支持基板33とセンサ基板42には熱膨張が発生する。アルミニウムとガラスとでは、アルミニウムの熱膨張係数が30PPM程度であるのに対し、ガラスの熱膨張係数は3PPM程度と大きな差があるため、従来の放射線検出器では反りが発生し、あるいは反りによってシンチレータがセンサパネルから剥離することがあった。本実施形態では、支持基板33とセンサ基板42との熱膨張係数差による放射線検出器19の反り等を防止するため、支持基板33に補強板25を貼り合わせている。補強板25には、センサ基板42と同程度の熱膨張係数を有し、かつ適度な剛性を有する材質が好ましく、例えばカーボン基板が好適である。補強板25として用いるカーボン基板には、単位体積あたりの硬度が高いピッチ系の炭素繊維を使用したカーボン基板を用いるのが好ましい。また、図1に示すように、放射線検出器19は長方形であるため、長手方向に反りが発生しやすい。したがって、放射線検出器19の長手方向の反りを抑制するため、カーボン基板は、炭素繊維の繊維方向が長手方向に沿っていることが好ましい。更に、補強板25の剛性と重量との兼ね合いから、カーボン基板の厚みは、例えば5mm以下が好ましく、より好ましくは0.5mm以上5mm以下が好適である。センサパネル23とシンチレータ34とを貼り合わせている第1の接着層26には、硬化型の接着剤ではなく、貼り合せ後も弾力性が維持される粘着剤が用いられている。これによれば、支持基板33とセンサ基板42との熱膨張係数差による応力を第1の接着層26によって吸収または分散させることにより、シンチレータ34のセンサパネル23からの剥離を防止することができる。また、粘着剤からなる第1の接着層26は、シンチレータ34及びセンサパネル23の表面の凹凸に合わせて塑性変形して両者を貼り合わせるので、シンチレータ34及びセンサパネル23との貼り合せ面に空隙が生じることによる放射線画像の欠陥を防止することができる。更に、本実施形態では、第1の接着層26として、予め厚みが一定に設けられた粘着シートを用いているので、シンチレータ34とセンサパネル23との距離を一定に保つことができる。粘着シートには、ゲル分率50以下の高分子成分を含む軟らかいものが好ましい。これは、支持基板33とセンサ基板42との熱膨張係数差による応力を吸収または分散するとともに、粘着剤の塑性変形量を大きくして、シンチレータ34及びセンサパネル23の表面の凹凸形状に追従させるためである。また、粘着シートのガラス転移点は、0°C以下であることが好ましい、これは、粘着シートに室温で適度な硬さを付与し、ハンドリングを容易にするためである。これらの条件を満たす粘着シートを弾性率によって表すと、例えば、23°Cの環境下における貯蔵弾性率が5×105Pa~5×104Paであり、損失弾性率が2×105Pa~2×104Paである粘着シートが相当する。また、粘着シートとセンサパネル23との接着力、及び粘着シートとシンチレータ34との接着力が、それぞれ23°Cのときの値に対して、50°Cのときの値が半分以上であることが好ましい。これにより、温度が上昇しても粘着シートの接着力が極端に低下することがないため、高温の環境下における製品耐久性を向上させることができる。更に、粘着シートとしては、ボールタックナンバーが1~6であることが望ましい。ボールタックナンバーとは、いわゆる接着層のべたつきの度合を表しており、数値が大きいほどべたつきが大きくなる。本実施形態では、センサパネル23とシンチレータパネル24との貼り合せ工程において貼り合せミスが発生したときに、センサパネル23とシンチレータパネル24とをいったん剥離して、再度貼り合せを行なうことが予定されているため、べたつきの少ない粘着シートを使用することが好ましい。また、粘着シートは、その厚みが15μm以上、50μm以下であり、より好ましくは30μm程度である。これは、第1の接着層26が薄すぎると応力緩和及び凹凸追従の効果が得られず、厚すぎると第1の接着層26による放射線吸収により放射線画像の先鋭度が低下するからである。以上のような粘着シートとしては、アクリル系粘着シートが好ましい。透明度及び接着力が高いからである。支持基板33と補強板25とを貼り合わせている第2の接着層27には、第1の接着層26と同様に、粘着シートが用いられている。第2の接着層27は、第1の接着層26と同様に、支持基板33と補強板25との熱膨張係数差による応力を吸収または分散し、シンチレータ34がセンサパネル23から剥がれるのを防止している。第2の接着層27の厚みは、接着強度、応力緩和効果等を考慮して50μm以上500μm以下程度が好ましい。なお、第2の接着層27を構成する粘着シートは、長手方向に分割された複数枚のサイズの小さな粘着シートから構成してもよい。これによれば、粘着シートを支持基板33に貼り付ける際に、支持基板33と粘着シートとの間に気泡が残りにくくなり、貼り付け性が向上する。また、支持基板33及び補強板25が湾曲した際の応力を緩和し、シンチレータ34の剥離を防止することができる。封止部28は、庇状部33aとセンサパネル23との間に充填された封止剤46と、支持基板33の保護膜35と封止剤46との間に配置された応力緩和部47とから構成されている。封止剤46は、防湿性が高い樹脂、例えば紫外線硬化型のアクリル樹脂からなり、支持基板33とセンサパネル23との間でシンチレータ34の外周を封止している。これにより、シンチレータ34は、保護膜35によって封止されるだけでなく、支持基板33とセンサパネル23とによって両面が保護され、その外周が封止剤46によって封止されているので、高い封止効果を得ることができる。応力緩和部47は、例えば、PETフィルム等からなる基材に低粘着剤が塗布された低粘着テープによって構成されており、支持基板33のシンチレータ34が形成されている面の庇状部33aに貼り付けられている。封止剤46は、庇状部33aとセンサパネル23との間に充填された際に、支持基板33には直接接触せずに応力緩和部47に接着される。封止剤46に用いられる紫外線硬化型のアクリル系樹脂は、庇状部33aとセンサパネル23との間に充填された後に、紫外線の照射によって硬化され、硬化時に体積が収縮する。そのため、従来の放射線検出器では、封止剤46の収縮によってセンサパネル23よりも剛性の低い支持基板33の庇状部33aが引っ張られて弾性変形し、支持基板33に生じた応力の反作用により、シンチレータ34の端部がセンサパネル23から剥がれることがあった。これに対し、本実施形態では、封止剤46が支持基板33ではなく応力緩和部47に接している。そのため、図3のA部拡大図である図4に示すように、封止剤46の体積が収縮すると、応力緩和部47の少なくとも一部が低粘着剤47aの部分で支持基板33から剥がれてしまう。これにより、支持基板33には封止剤46の収縮による応力が発生しないので、シンチレータ34がセンサパネル23から剥がれることはない。また、応力緩和部47が部分的に剥がれても、湿気に弱い柱状結晶38の先端側は封止剤46によって封止されているので、シンチレータ34が潮解することもない。なお、低粘着テープからなる応力緩和部47と保護膜35との密着力は、封止剤46の収縮によって応力緩和部47が適切に支持基板33から剥がれるようにするため、2N/10mm以下が望ましく、より望ましくは1N/10mm以下である。本実施形態のシンチレータパネル24とセンサパネル23との貼り合せ工程は、以下のような手順で行なわれる。図5A及び図6に示すように、シンチレータパネル24は、支持基板33のシンチレータ34が形成されている面の庇状部33aに、全周にわたって応力緩和部47が設けられる。応力緩和部47に低粘着テープを用いる場合には、低粘着テープが低粘着剤を利用して庇状部33aに貼り付けられる。図5Bに示すように、次の工程では、センサパネル23の上に第1の接着層26によってシンチレータパネル24が貼り合わされる。同図Cに示すように、次の工程では、支持基板33の庇状部33aとセンサパネル23との間に封止剤46が充填され、封止剤46は応力緩和部47に接着される。シンチレータ34の外周に充填された封止剤46は、紫外線の照射によって硬化される。封止剤46を構成する紫外線硬化型アクリル樹脂は、硬化時に体積が収縮するが、応力緩和部47が封止剤46は庇状部33aに触れていないので、支持基板33に応力が発生することはない。次に、センサパネル23の光センサ43について説明する。図7に示すように、光センサ43は、フォトダイオード等からなる光電変換部55、薄膜トランジスタ56、及び蓄積容量57を備えた画素部58からなり、画素部58は、センサ基板42上にマトリクス状に複数形成されている。また、センサパネル23のうち、放射線の到来方向と反対側の面には、センサ基板42上を平坦にするための平坦化層59が形成されている。上述したように、センサパネル23は、接着層60によって天板13に貼り付けられている。光電変換部55は、下部電極55aと上部電極55bとの間に、シンチレータ34から放出された光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する光電変換膜55cが配置されて構成されている。なお、下部電極55aは、シンチレータ34から放出された光を光電変換膜55cに入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ34の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物TCOTransparentConductingOxideを用いることが好ましい。なお、下部電極55aとしてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、90以上の光透過率を得ようとすると抵抗値が増大し易くなるため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等を用いることが好ましく、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からITOが最も好ましい。なお、下部電極55aは、全画素部共通の一枚構成としてもよいし、画素部毎に分割してもよい。光電変換膜55cを構成する材料は、光を吸収して電荷を発生する材料であればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料等を用いることができる。光電変換膜55cをアモルファスシリコンで構成した場合、シンチレータ34から放出された光を広い波長域に亘って吸収するように構成することができる。アモルファスシリコンからなる光電変換膜55cの形成には、蒸着を行う必要があるため、センサ基板42には、耐熱性を有するガラス基板を用いるのが好ましい。TFT56は、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び活性層が積層され、更に活性層上にソース電極とドレイン電極が所定の間隔を隔てて形成されている。活性層は、例えばアモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちの何れかにより形成することができるが、活性層を形成可能な材料はこれらに限定されるものではない。図8に示すように、光センサ43には、一定方向に沿って延設され個々のTFT56をオンオフさせるための複数本のゲート配線63と、前記一定方向と交差する方向に沿って延設され、蓄積容量57に蓄積された電荷をオン状態のTFT56を介して読み出すための複数本のデータ配線64が設けられている。センサパネル23の個々のゲート配線63はゲート線ドライバ67に接続されており、個々のデータ配線64は信号処理部68に接続されている。被撮影者の体を透過した放射線が放射線撮影装置10に照射されると、シンチレータ34のうち照射面11上の各位置に対応する部分からは、前記各位置における放射線の照射量に応じた光量の光が放出され、個々の画素部58の光電変換部55では、シンチレータ34のうちの対応する部分から放出された光の光量に応じた大きさの電荷が発生され、この電荷が個々の画素部58の蓄積容量57に蓄積される。上記のようにして個々の画素部58の蓄積容量57に電荷が蓄積されると、個々の画素部58のTFT56は、ゲート線ドライバ67からゲート配線63を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、TFT56がオンされた画素部58の蓄積容量57に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線64を伝送されて信号処理部68に入力される。従って、個々の画素部58の蓄積容量57に蓄積された電荷は行単位で順に読み出される。信号処理部68は、個々のデータ配線64毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線64を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。信号処理部68には画像メモリ71が接続されており、信号処理部68のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ71に順に記憶される。画像メモリ71は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ71に順次記憶される。画像メモリ71は、放射線撮影装置10全体の動作を制御する制御部73と接続されている。制御部73は、マイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU73a、ROM及びRAMを含むメモリ73b、HDDやフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部73cを備えている。また、制御部73には無線通信部75が接続されている。無線通信部75は、IEEE802.11a/b/g/n等に代表される無線LAN規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。制御部73は、無線通信部75を介してコンソール79と無線通信が可能とされており、コンソール79との間で各種情報の送受信が可能とされている。また、放射線撮影装置10には電源部76が設けられており、上述した各種電子回路は電源部76と各々接続され、電源部76から供給された電力によって作動する。電源部76は、放射線撮影装置10の可搬性を損なわないように、前述のバッテリを内蔵しており、充電されたバッテリから各種電子回路へ電力を供給する。ゲート線ドライバ67、信号処理部68、画像メモリ71、制御部73、無線通信部75及び電源部76は、上述したケース20内、もしくは制御基板29に設けられている。図9に示すように、コンソール79はコンピュータからなり、装置全体の動作を司るCPU80、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM81、各種データを一時的に記憶するRAM82、及び、各種データを記憶するHDD83を備え、これらはバスを介して互いに接続されている。またバスには、通信I/F部84及び無線通信部85が接続され、ディスプレイ86がディスプレイドライバ87を介して接続され、更に、操作パネル88が操作入力検出部89を介して接続されている。通信I/F部84は接続端子84a、通信ケーブル91及び放射線発生装置92の接続端子92aを介して放射線発生装置92と接続されている。コンソール79は、放射線発生装置92との間での曝射条件等の各種情報の送受信を通信I/F部84経由で行う。無線通信部85は放射線撮影装置10の無線通信部75と無線通信を行う機能を備えており、コンソール79は放射線撮影装置10との間で、画像データ等の各種情報の送受信を無線通信部85経由で行う。また、ディスプレイドライバ87はディスプレイ86への各種情報を表示させるための信号を生成出力し、コンソール79はディスプレイドライバ87を介して操作メニューや撮影された放射線画像等をディスプレイ86に表示させる。また、操作パネル88は複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される。操作入力検出部89は操作パネル88に対する操作を検出し、検出結果をCPU80へ通知する。放射線発生装置92は、放射線源94と、コンソール79との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信I/F部95と、コンソール79から受信した曝射条件に基づいて放射線源94を制御する線源制御部96とを備えている。次に本実施形態の作用を説明する。放射線撮影装置10を使用して放射線画像の撮影を行う場合、撮影者は、被撮影者の撮影対象部位と撮影台との間に、照射面11側を上方へ向けた放射線撮影装置10を挿入し、向きや位置等を調整する準備作業を行う。撮影者は、準備作業が完了すると、操作パネル88を操作して撮影開始を指示する。これにより、コンソール79では、曝射開始を指示する指示信号を放射線発生装置92へ送信し、放射線発生装置92は放射線源94から放射線を射出させる。放射線源94から射出された放射線は、被撮影者の体を透過して放射線撮影装置10の照射面11に照射され、天板13及びセンサパネル23を透過してシンチレータ34の照射/光射出面に照射される。シンチレータ34は照射/光射出面に照射された放射線を吸収し、吸収した放射線量に応じた光量の光を射出する。センサパネル23は、画素部58に照射された光を画像として検出し、画像メモリ71に画像データを記憶する。CPU73aは、画像メモリ71に記憶された画像データを無線通信部75によってコンソール79へ送信する。コンソール79のCPU80は、放射線撮影装置10から受信した画像データを、RAM82を介してHDD83に記憶する。また、CPU80は、ディスプレイドライバ87を介して、HDD83に記憶されている画像データからなる放射線画像をディスプレイ86に表示させる。図3及び図4に示すように、放射線撮影装置10では、封止剤46が硬化時に収縮する際に、応力緩和部47の少なくとも一部が支持基板33から剥離するので、支持基板33に大きな応力は発生しない。したがって、支持基板33に生じた応力により、シンチレータ34がセンサパネル23から剥離することもない。また、応力緩和部47が部分的に剥がれても、湿気に弱い柱状結晶38の先端側は封止剤46によって封止されているので、シンチレータ34が潮解することはない。上記実施形態では、応力緩和部47を支持基板33と封止剤46との貼合せ界面に配置したが、図10に示すように、応力緩和部47をセンサパネル23と封止剤46との貼合せ界面に配置してもよい。このような構成においても、封止剤46の硬化収縮時に応力緩和部47がセンサパネル23から剥がれるので、支持基板33に大きな応力は発生せず、シンチレータ34の端部の剥離を防止することができる。なお、本実施形態では、応力緩和部47がシンチレータ34の柱状結晶38の先端側で剥離するため、シンチレータ34の封止能力が低下することが懸念されるが、その場合、シンチレータ34の先端部分を避けて応力緩和部47を設けることにより、シンチレータ34の先端側は封止材46により封止されるので、シンチレータ34の先端部の劣化を防止することができる。なお、応力緩和部47とセンサパネル23との密着力は、上記実施形態と同様に2N/10mm以下が望ましく、より望ましくは1N/10mm以下である。また、上記各実施形態では、応力緩和部47に低粘着テープを使用したが、応力緩和部47として、フッ素系樹脂やシリコーン系樹脂、油脂等からなる離型剤を用いてもよい。また、離型剤からなる応力緩和部47は、上記各実施形態と同様に、支持基板33と封止剤46との貼合せ界面、またはセンサパネル23と封止剤46との貼合せ界面のいずれかに配置してもよい。離型剤からなる応力緩和部47は、例えば、離型剤の支持基板33あるいはセンサパネル23への塗布によって形成することができる。応力緩和部47として離型剤を用いた場合、支持基板33またはセンサパネル23と、これらに塗布された応力緩和部47とは強固に接着し、封止剤46は応力緩和部47から剥がれやすくなる。したがって、図11に示すように、封止剤46が収縮したときには、応力緩和部47から封止剤46が剥離するので、上記各実施形態と同様に、支持基板33に大きな応力は発生せず、シンチレータ34の端部の剥離を防止することができる。なお、離型剤からなる応力緩和部47と、保護膜35またはセンサパネル23との密着力は、上記各実施形態と同様に、2N/10mm以下が望ましく、より望ましくは1N/10mm以下である。また、上記実施形態では、光電変換部55の光電変換膜55cをアモルファスシリコンによって構成したが、光電変換膜55cは、有機光電変換材料を含む材料で構成してもよい。この場合、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られ、光電変換膜55cによるシンチレータ34から放出された光以外の電磁波の吸収が殆ど無くなるので、X線やγ線等の放射線が光電変換膜55cで吸収されることで発生するノイズを抑制できる。また、有機光電変換材料からなる光電変換膜55cは、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料をセンサ基板42上に付着させることで形成させることができ、センサ基板42に対して耐熱性は要求されない。このため、ガラス以外の材質からなるセンサ基板を用いることもできる。光電変換膜55cを有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜55cで放射線が殆ど吸収されないので、放射線が透過するようにセンサパネル23が配置される表面読取方式ISSにおいて、センサパネル23を透過することによる放射線の減衰を抑制することができ、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。従って、光電変換膜55cを有機光電変換材料で構成することは、特に表面読取方式に好適である。光電変換膜55cを構成する有機光電変換材料は、シンチレータ34から放出された光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ34の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ34の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ34から放出された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ34の放射線に対する発光ピーク波長との差が10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ34の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜55cで発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。放射線検出パネルに適用可能な光電変換膜55cについて具体的に説明する。放射線検出パネルにおける電磁波吸収/光電変換部位は、電極55a、55bと、該電極55a55bに挟まれた光電変換膜55cを含む有機層である。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び、層間接触改良部位等を積み重ねるか、若しくは混合することで形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体であり、電子を供与しやすい性質を有する有機化合物である。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。従って、ドナー性有機化合物としては、電子供与性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体であり、電子を受容し易い性質を有する有機化合物である。更に詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料や、光電変換膜55cの構成については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。また、光電変換部55は、少なくとも電極対55a55bと光電変換膜55cを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくとも何れかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。電子ブロッキング膜は、上部電極55bと光電変換膜55cとの間に設けることができ、上部電極55bと下部電極55aとの間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極55bから光電変換膜55cに電子が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。電子ブロッキング膜には電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜55cの材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数より1.3eV以上電子親和力が大きく、かつ、隣接する光電変換膜55cの材料のイオン化ポテンシャルと同等のIp、若しくはそれより小さいIpを有するものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部55の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜は、光電変換膜55cと下部電極55aとの間に設けることができ、上部電極55bと下部電極55aとの間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極55aから光電変換膜55cに正孔が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。正孔ブロッキング膜には電子受容性有機材料を用いることができる。実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜55cの材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数より1.3eV以上イオン化ポテンシャルが大きく、かつ、隣接する光電変換膜55cの材料の電子親和力と同等のEa、若しくはそれより大きいEaを有するものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部55の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。なお、光電変換膜55cで発生した電荷のうち、正孔が下部電極55aに移動し、電子が上部電極55bに移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けることは必須ではなく、何れかを設けておけば、或る程度の暗電流抑制効果を得ることができる。また、TFT56の活性層を形成可能な非晶質酸化物としては、例えば、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3mで表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。なお、活性層を形成可能な非晶質酸化物はこれらに限定されるものではない。また、活性層を形成可能な有機半導体材料としては、例えば、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009-212389号公報で詳細に説明されているため、説明を省略する。TFT56の活性層を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちの何れかによって形成すれば、X線等の放射線を吸収せず、或いは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。また、活性層をカーボンナノチューブで形成した場合、TFT56のスイッチング速度を高速化することができ、また、TFT56における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでTFT56の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離抽出して活性層の形成に用いる必要がある。なお、有機光電変換材料で形成した膜及び有機半導体材料で形成した膜は何れも十分な可撓性を有しているので、有機光電変換材料で形成した光電変換膜55cと、活性層を有機半導体材料で形成したTFT56と、を組み合わせた構成であれば、患者の体の重みが荷重として加わるセンサパネル23の高剛性化は必ずしも必要ではなくなる。また、センサ基板42は、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであればよい。ここで、TFT56の活性層を構成する非晶質酸化物や、光電変換部55の光電変換膜55cを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、センサ基板42としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、センサ基板42には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。なお、アラミドは200度以上の高温プロセスを適用できるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドはITOindiumtinoxideやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて基板を薄型化できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層してセンサ基板42を形成してもよい。また、バイオナノファイバは、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60~70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3-7ppmを有し、鋼鉄並の強度、高弾性で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べてセンサ基板42を薄型化できる。センサ基板42としてガラス基板を用いた場合、センサパネル23全体としての厚みは、例えば0.7mm程度になるが、センサ基板42として光透過性を有する合成樹脂からなる薄型の基板を用いることにより、センサパネル23全体としての厚みを、例えば0.1mm程度に薄型化できると共に、センサパネル23に可撓性をもたせることができる。また、センサパネル23に可撓性をもたせることで、放射線撮影装置10の耐衝撃性が向上し、放射線撮影装置10に衝撃が加わった場合にも破損し難くなる。また、プラスチック樹脂や、アラミド、バイオナノファイバ等は何れも放射線の吸収が少なく、センサ基板42をこれらの材料で形成した場合、センサ基板42による放射線の吸収量も少なくなるため、表面読取方式によりセンサパネル23を放射線が透過する構成であっても、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。上記実施形態では、ISS方式の放射線検出装置を例に説明したが、本発明は、PSS方式の放射線検出装置にも適用が可能である。また、放射線検出器をカセッテサイズの筐体に組み込む例について説明したが、立位型、臥位型の撮影装置や、マンモグラフィ装置に組み込むことも可能である。その他、上記の実施形態で説明した本発明に係る放射線撮影装置の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。