"第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、前記第1基板表面と前記第2基板表面とを活性化させる活性化装置と、前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板を保持する第1保持機構と、前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板を保持する第2保持機構と、前記活性化装置によって活性化された前記第1基板表面と前記第2基板表面とが接触するように、前記第1基板と前記第2基板とを駆動する圧接機構とを備える接合装置であって、前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板に接触する第1材料の熱伝導率と前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板に接触する第2材料の熱伝導率は異なっており、前記第1材料の熱伝導率と前記第2材料の熱伝導率との差は、20W/mK以内である接合装置。前記第1材料がステンレス鋼であり、かつ前記第2材料がアルミナ系セラミックスである請求項1に記載の接合装置。接合装置と、前記接合装置を制御する制御装置とを備えた接合システムであって、前記接合装置は、第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、前記第1基板表面と前記第2基板表面とを活性化させる活性化装置と、前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板を保持する第1保持機構と、前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板を保持する第2保持機構と、前記活性化装置によって活性化された前記第1基板表面と前記第2基板表面とが接触するように、前記第1基板と前記第2基板とを駆動する圧接機構とを備え、前記第1基板表面が活性化されるときに前記第1基板に接触する第1材料の熱伝導率と前記第2基板表面が活性化されるときに前記第2基板に接触する第2材料の熱伝導率は異なっており、前記第1材料の熱伝導率と前記第2材料の熱伝導率との差は、20W/mK以内である、接合システム。前記制御装置は、前記活性化により生じた前記第1基板の温度と前記第2基板の温度との温度差が接合チャンバー内にて5度以下になった後に、前記第1基板表面と前記第2基板表面とが接触するように、前記圧接機構を制御する、請求項3に記載の接合システム。前記制御装置は、前記第1基板表面と前記第2基板表面とが未接触の状態で、前記第1基板表面と前記第2基板表面とに前記粒子を照射し終わってから5分以上経過するように制御する、請求項3に記載の接合システム。本発明は、従来とは異なるアプローチで、接合基板に発生する反りを低減する接合装置および接合システムを提供することを目的とする。以下に、本発明を実施するための形態実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。本発明による接合装置1は、第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、第1基板表面と第2基板表面とを活性化させる活性化装置16と、第1基板表面が活性化されるときに第1基板を保持する第1保持機構8,9と、第2基板表面が活性化されるときに第2基板を保持する第2保持機構13と、活性化装置16によって活性化された第1基板表面と第2基板表面とが接触するように、第1基板と第2基板とを駆動する圧接機構14とを備える。この接合装置1では、第1基板表面が活性化されるときに第1基板に接触する第1材料11,8,61の熱伝導率と第2基板表面が活性化されるときに第2基板に接触する第2材料13,51の熱伝導率は異なっているが、本発明では第1材料の熱伝導率と第2材料の熱伝導率との差を20W/mK以内とする。第1材料11,8,61の熱伝導率と第2材料13,51の熱伝導率が相違しているために、活性化装置16が第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射すると、第1基板表面の温度と第2基板表面の温度は相違することになるが、第1材料の熱伝導率と第2材料の熱伝導率との差を20W/mK以内とすることで、この温度差を低減することができる。本発明による接合装置1において、第1材料11,8,61がステンレス鋼であり、第2材料13,51がアルミナ系セラミックスであることが好ましい。また、本発明は、接合装置1と、接合装置1を制御する制御装置10とを備えた接合システムを提供する。接合装置1は、第1基板の第1基板表面と第2基板の第2基板表面とに粒子を照射することにより、第1基板表面と第2基板表面とを活性化させる活性化装置16と、第1基板表面が活性化されるときに第1基板を保持する第1保持機構8,9と、第2基板表面が活性化されるときに第2基板を保持する第2保持機構13と、活性化装置16によって活性化された第1基板表面と第2基板表面とが接触するように、第1基板と第2基板とを駆動する圧接機構14とを備える。この接合装置1では、第1基板表面が活性化されるときに第1基板に接触する第1材料11,8,61の熱伝導率と第2基板表面が活性化されるときに第2基板に接触する第2材料13,51の熱伝導率は異なっているが、本発明では第1材料の熱伝導率と第2材料の熱伝導率との差を20W/mK以内とする。本発明の接合システムにおいて、制御装置10は、活性化により生じた第1基板の温度と第2基板の温度との温度差が接合チャンバー内にて5度以下になった後に、第1基板表面と第2基板表面とが接触するように、圧接機構を制御することができる。また、本発明の接合システムにおいて、制御装置10は、第1基板表面と第2基板表面とが未接触の状態で、第1基板表面と第2基板表面とに粒子を照射し終わってから5分以上経過するように制御することができる。本発明による接合装置および接合システムでは、第1基板表面が活性化されるときに第1基板に接触する第1材料11,8,61の熱伝導率と第2基板表面が活性化されるときに第2基板に接触する第2材料13,51の熱伝導率との差を20W/mK以内とするようにした。これにより、活性化により生じる第1基板表面と第2基板表面との温度差を低減することができる。本発明による接合装置および接合システムでは、上記温度差が所定の温度差たとえば、5度以下になるまでの時間を短時間化することができるため、高速の接合を可能としつつ、第1基板と第2基板第1基板と第2基板とが接合された接合基板に発生する反りを従来よりも低減することができる。図面を参照して、本発明による接合システムの実施の形態を記載する。接合装置制御装置10以下、制御装置10というは、図1に示されているように、本実施形態における接合システムに適用されている。すなわち、接合システムは、制御装置10と接合装置1とを備えている。接合装置1は、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とを備えている。接合チャンバー2とロードロックチャンバー3は、チャンバー内部を密閉するように構成される。接合装置1は、さらに、ゲートバルブ4を備えている。ゲートバルブ4は、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3との間に介設され、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートを形成している。ゲートバルブ4は、制御装置10により制御されることにより、そのゲートを開放または閉鎖する。ロードロックチャンバー3は、図示されていない蓋を備えている。その蓋は、ロードロックチャンバー3の外部と内部とを接続するゲートを開放または閉鎖する際や、接合基板を取り出す際に開閉される。ロードロックチャンバー3は、真空ポンプ5を備えている。真空ポンプ5は、制御装置10により制御されることにより、ロードロックチャンバー3の内部から気体を排気する。真空ポンプ5としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。ロードロックチャンバー3は、さらに、搬送機構6を内部に備えている。搬送機構6は、制御装置10により制御されることにより、ゲートバルブ4を介してロードロックチャンバー3の内部に配置されたウェハを接合チャンバー2に搬送し、または、ゲートバルブ4を介して接合チャンバー2に配置されたウェハをロードロックチャンバー3の内部に搬送する。接合チャンバー2は、真空ポンプ7を備えている。真空ポンプ7は、制御装置10により制御されることにより、接合チャンバー2の内部から気体を排気する。真空ポンプ7としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。接合チャンバー2は、さらに、ステージキャリッジ8と位置合わせ機構9とを備えている。ステージキャリッジ8は、接合チャンバー2の内部に配置され、水平方向に平行移動可能に、かつ、鉛直方向に平行である回転軸を中心に回転移動可能に支持されている。ステージキャリッジ8は、カートリッジ11を保持するために利用される。カートリッジ11は、ステンレス鋼SUS304から形成することができ、概ね円盤状に形成されている。カートリッジ11には、ウェハが載せられる。搬送機構6がウェハに接触しないでウェハを搬送するために、カートリッジ11が設けられている。位置合わせ機構9は、制御装置10により制御されることにより、ステージキャリッジ8が水平方向に平行移動するように、または、ステージキャリッジ8が上記した回転移動するように、ステージキャリッジ8を駆動する。接合チャンバー2は、さらに、圧接軸12と静電チャック13と圧接機構14と荷重計15とを備えている。圧接軸12は、接合チャンバー2に対して鉛直方向に平行移動可能に支持されている。静電チャック13は、圧接軸12の下端に配置されている。静電チャック13は、誘電層の内部に内部電極が配置されている。その誘電層は、アルミナ系セラミックから形成され、平坦な面が形成されている。静電チャック13は、制御装置10により制御されることにより、その内部電極に所定の電圧が印加される。静電チャック13は、その内部電極に所定の電圧が印加されることにより、その誘電層の平坦な面の近傍に配置されるウェハを静電力によって吸着する。圧接機構14は、制御装置10により制御されることにより、接合チャンバー2に対して鉛直方向に圧接軸12を平行移動させる。圧接機構14は、さらに、静電チャック13が配置される位置を測定し、その位置を制御装置10に出力する。荷重計15は、圧接軸12に印加される荷重を測定することにより、静電チャック13により保持されたウェハに印加される荷重を測定し、その荷重を制御装置10に出力する。位置合わせ機構9は、図示されていない複数のアライメント機構をさらに備えている。その複数のアライメント機構は、それぞれ、制御装置10により制御されることにより、ステージキャリッジ8に保持されるウェハの画像を撮影し、静電チャック13に吸着されるウェハの画像を撮影する。接合チャンバー2は、さらに、イオンガン16と電子源17とを備えている。イオンガン16は、静電チャック13が上方に配置されているときに、位置合わせ機構9と静電チャック13との間の空間に向くように配置されている。イオンガン16は、制御装置10により制御されることにより、位置合わせ機構9と静電チャック13との間の空間を通り、接合チャンバー2の内側表面に交差する照射軸に沿って、アルゴンイオンを加速して放出する。電子源17は、イオンガン16と同様にして、位置合わせ機構9と静電チャック13との間の空間に向くように配置されている。電子源17は、制御装置10により制御されることにより、位置合わせ機構9と静電チャック13との間の空間を通り、接合チャンバー2の内側表面に交差する他の照射軸に沿って、電子を加速して放出する。イオンガン16は、さらに、図示されていない金属ターゲットを備えている。その金属ターゲットは、複数の金属から形成され、アルゴンイオンが照射される位置に配置されている。金属ターゲットは、アルゴンイオンが照射されたときに、複数の金属の粒子を接合チャンバー2の内部の雰囲気に放出する。金属ターゲットは、金属グリッドに置換されることもできる。その金属グリッドは、開口を有する金属部材であり、イオンガン16の出射端に配置されている。金属ターゲットと同様にして、金属グリッドにアルゴンイオンが照射されると、接合チャンバー2の内部の雰囲気に金属グリッドを構成する複数の金属の粒子が放出される。なお、金属ターゲットおよび金属グリッドは、ウェハの接合面に金属を付着させることが不要であるときに、省略することもできる。接合チャンバー2は、さらに、温度計18を備えている。温度計18は、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの温度を測定する。また、温度計18は、静電チャック13に保持されるウェハの温度を測定する。制御装置10は、コンピュータであり、図示されていないCPUと記憶装置とリムーバルメモリドライブと入力装置とインターフェースとを備えている。CPUは、制御装置10にインストールされるコンピュータプログラムを実行して、記憶装置と入力装置とインターフェースとを制御する。記憶装置は、コンピュータプログラムを記録し、CPUにより生成される情報を一時的に記録する。リムーバルメモリドライブは、記録媒体が挿入されたときに、記録媒体に記録されているデータを読み出すことに利用される。リムーバルメモリドライブは、特に、コンピュータプログラムが記録されている記録媒体が挿入されたときに、コンピュータプログラムを制御装置10にインストールするときに利用される。入力装置は、ユーザに操作されることにより情報を生成し、その情報をCPUに出力する。入力装置としては、キーボードが例示される。インターフェースは、制御装置10に接続される外部機器により生成される情報をCPUに出力し、CPUにより生成された情報を外部機器に出力する。外部機器は、真空ポンプ5と搬送機構6と真空ポンプ7と位置合わせ機構9と静電チャック13と圧接機構14と荷重計15とイオンガン16と電子源17とを含んでいる。制御装置10にインストールされるコンピュータプログラムは、制御装置10に複数の機能を実現させるための複数のコンピュータプログラムから形成されていてもよい。その複数の機能は、図2に示されているように、搬送部21と活性化部22と温度調節部23と接合部24とを含んでいる。搬送部21は、接合チャンバー2の内部とロードロックチャンバー3の内部とを接続するゲートが開閉するように、ゲートバルブ4を制御する。搬送部21は、さらに、ゲートバルブ4が閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー3の内部に所定の真空度の予備雰囲気が生成されるように、または、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気が生成されるように、真空ポンプ5を制御する。搬送部21は、ゲートバルブ4が開放されているときに、ロードロックチャンバー3の内部に配置されているカートリッジ11がステージキャリッジ8に保持されるように、または、ステージキャリッジ8に保持されているカートリッジ11がロードロックチャンバー3の内部に搬送されるように、搬送機構6を制御する。搬送部21は、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの画像が撮影されるように、位置合わせ機構9のアライメント機構を制御する。搬送部21は、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハが所定の位置に配置されるように、その画像に基づいて位置合わせ機構9を制御する。搬送部21は、さらに、静電チャック13が平行移動するように、圧接機構14を制御する。搬送部21は、静電チャック13がウェハを保持するように、または、静電チャック13がウェハをデチャックするように、静電チャック13を制御する。活性化部22は、ゲートバルブ4が閉鎖されているときに、接合チャンバー2の内部に所定の真空度の接合雰囲気が生成されるように、真空ポンプ7を制御する。活性化部22は、さらに、接合チャンバー2の内部にその接合雰囲気が生成されているときに、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハにアルゴンイオンが照射されるように、または、静電チャック13に保持されるウェハにアルゴンイオンが照射されるように、イオンガン16を制御する。活性化部22は、さらに、アルゴンイオンが照射される領域に電子が放出されるように、電子源17を制御する。温度調節部23は、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの温度を測定するように、または、静電チャック13に保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。温度調節部23は、その測定された温度に基づいて、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの温度と静電チャック13に保持されるウェハの温度との温度差が所定の値以下となるタイミングを算出する。接合部24は、静電チャック13が上ウェハを保持している場合で、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に下ウェハが載っているときに、上ウェハと下ウェハとが所定の距離まで接近するように、圧接機構14を制御する。接合部24は、その上ウェハとその下ウェハとが所定の距離まで接近しているときに、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っている上ウェハの画像が撮影されるように、かつ、静電チャック13に保持される下ウェハの画像が撮影されるように、位置合わせ機構9のアライメント機構を制御する。接合部24は、さらに、その上ウェハとその下ウェハとがその所定の距離だけ離れているときに、上ウェハに対する下ウェハの水平方向の位置が所定の位置に配置されるように、位置合わせ機構9を制御する。接合部24は、さらに、温度調節部23により算出されたタイミングでその上ウェハとその下ウェハとが接触するように、圧接機構14を制御する。接合部24は、荷重計15により測定された荷重に基づいて、その測定された荷重が所定の荷重に到達するタイミングを算出し、そのタイミングで静電チャック13が停止するように、圧接機構14を制御する。図3は、本発明による接合方法を示すフローチャートである。作業者は、まず、接合チャンバー2とロードロックチャンバー3とを接続するゲートが閉鎖されるようにゲートバルブ4を制御し、接合チャンバー2の内部に真空雰囲気が生成されるように、真空ポンプ7を制御し、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気が生成されるように、真空ポンプ5を制御する。作業者は、カートリッジ11に上ウェハを載せ、別のカートリッジ11に下ウェハを載せる。作業者は、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気が生成された後に、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、ロードロックチャンバー3の内部に、カートリッジ11とともにその上ウェハを搬入し、カートリッジ11とともにその下ウェハを搬入する。作業者は、次いで、ロードロックチャンバー3の蓋を閉めて、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気を生成する。制御装置10は、ロードロックチャンバー3の内部に真空雰囲気が生成された後に、ゲートバルブ4を開放する。制御装置10は、まず、その上ウェハが載せられたカートリッジ11がステージキャリッジ8に保持されるように、搬送機構6を制御する。制御装置10は、搬送機構6がロードロックチャンバー3の内部に移動するように、搬送機構6を制御する。制御装置10は、次いで、その上ウェハに形成されたアライメントマークの画像が撮影されるように、位置合わせ機構9のアライメント機構を制御する。制御装置10は、その上ウェハの水平方向の位置が所定の位置に配置されるように、その画像に基づいて位置合わせ機構9を制御する。制御装置10は、静電チャック13の誘電層がその上ウェハに接触するように、圧接機構14を制御し、静電チャック13がその上ウェハを吸着するように、静電チャック13を制御する。制御装置10は、その上ウェハがカートリッジ11から離れるように、圧接機構14を制御する。制御装置10は、その上ウェハがカートリッジ11から離れた後で、その上ウェハが載せられていないカートリッジ11がステージキャリッジ8からロードロックチャンバー3の内部に搬送されるように、搬送機構6を制御する。制御装置10は、その上ウェハが静電チャック13に保持された後に、その下ウェハが載せられたカートリッジ11がステージキャリッジ8に保持されるように、搬送機構6を制御する。制御装置10は、次いで、その下ウェハに形成されたアライメントマークの画像が撮影されるように、位置合わせ機構9のアライメント機構を制御する。制御装置10は、その下ウェハの水平方向の位置が所定の位置に配置されるように、その画像に基づいて位置合わせ機構9を制御するステップS1。制御装置10は、次いで、ゲートバルブ4を閉鎖し、接合チャンバー2の内部に所定の真空度の接合雰囲気が生成されるように、真空ポンプ7を制御する。制御装置10は、接合チャンバー2の内部にその接合雰囲気が生成されているときに、静電チャック13に保持されたその上ウェハとステージキャリッジ8に保持されたその下ウェハとが離れた状態で、その上ウェハとその下ウェハとの間に向けて粒子が放出されるように、イオンガン16を制御する。その粒子は、その上ウェハの表側の面とその下ウェハの表側の面とに照射され、その表面に形成される酸化物等を除去し、その表面に付着している不純物を除去する。その粒子は、さらに、イオンガン16が備える金属ターゲットに照射される。すると、その金属ターゲットを構成する金属の粒子が接合チャンバー2の内部の雰囲気に放出される。金属ターゲットは、複数の金属から形成されていてもよい。放出された金属の粒子は、その上ウェハの表側の面とその下ウェハの表側の面とに堆積するステップS2。制御装置10は、次いで、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの温度を測定するように、または、静電チャック13に保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。制御装置10は、その測定された温度に基づいて、ステージキャリッジ8に保持されるカートリッジ11に載っているウェハの温度と静電チャック13に保持されるウェハの温度との温度差が所定の値以下となるタイミングを算出するステップS3。制御装置10は、その上ウェハとその下ウェハとが所定の距離だけ離れるように、圧接機構14を制御する。制御装置10は、次いで、その上ウェハに形成されたアライメントマークとその下ウェハに形成されたアライメントマークとが映し出される画像が撮影されるように、位置合わせ機構9のアライメント機構を制御する。制御装置10は、その上ウェハとその下ウェハとが設計通りに接合されるように、その撮影された画像に基づいて位置合わせ機構9を制御する。なお、このような高度な位置合わせは、必要でないときには、省略してもよい。高度な位置合わせが必要でない場合としては、その上ウェハまたはその下ウェハに構造体が形成されていない場合が例示される。制御装置10は、ステップS3で算出されたタイミングでその上ウェハがその下ウェハに接触するように、圧接機構14を制御する。上ウェハと下ウェハは、その接触により接合され、1枚の接合基板を形成するステップS4。制御装置10は、静電チャック13が接合基板41をデチャックするように、静電チャック13を制御し、静電チャック13が鉛直上方向に上昇するように、圧接機構14を制御する。制御装置10は、次いで、ゲートバルブ4を開放し、接合基板31が載せられているカートリッジ11がステージキャリッジ8からロードロックチャンバー3に搬送されるように、搬送機構6を制御する。制御装置10は、ゲートバルブ4を閉鎖して、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気が生成されるように、真空ポンプ5を制御する。作業者は、ロードロックチャンバー3の内部に大気圧雰囲気が生成された後に、ロードロックチャンバー3の蓋を開けて、接合基板31を取り出すステップS5。その上ウェハとその下ウェハは、アルゴンビームが照射されることにより、温度上昇する。上ウェハに接触している材料の熱伝導率と下ウェハに接触している材料の熱伝導率とが異なっているために、上ウェハの温度と下ウェハの温度とは、アルゴンビームが照射された直後に、異なっている。常温接合では、一般的に、接合強度を向上させるために、上ウェハと下ウェハとにアルゴンビームが照射されてからその上ウェハとその下ウェハとが接合されるまでの時間が短時間化されている。図4は、活性化から接合までの時間が比較的短時間である比較例の接合基板の断面を模式的に示している。接合基板31は、下ウェハ32と上ウェハ33とが接合されることにより作製される。下ウェハ32の温度と上ウェハ33の温度との温度差は、下ウェハ32に接触している材料の熱伝導率と上ウェハ33に接触している材料の熱伝導率とが異なっているために、比較的大きい。このとき、下ウェハ32の伸び量と上ウェハ33の伸び量との差Δd1は、比較的大きい。このため、接合基板31が冷却された後の接合基板34には、比較的大きい反りが発生する。これに対し、本発明では下ウェハに接触している材料の熱伝導率と上ウェハに接触している材料の熱伝導率との差を20W/mK以内とすることで、活性化後に生じる下ウェハと上ウェハとの温度差を低減し、接合基板における反りを従来よりも低減することができる。図5は、本発明による接合装置で接合された接合基板の断面を模式的に示している。接合基板41は、下ウェハ42と上ウェハ43とが接合されることにより作製される。下ウェハ42の伸び量と上ウェハ43の伸び量との差Δd2は、下ウェハ42の温度と上ウェハ43の温度との温度差が比較的小さいために、差Δd1に比較して小さい。このため、接合基板41が冷却された後の接合基板44は、従来の接合基板34に比較して、反りがより低減されている。すなわち、本発明による接合装置では、接合ウェハ接合基板の反りをより低減することができる。その結果、接合ウェハを処理する後工程の機器は、接合ウェハをより容易に取り扱うことができる。その後工程としては、接合ウェハをさらに他のウェハに接合する工程、接合ウェハの配線管を接合する工程、検査工程、ダイシング工程が例示される。下ウェハ42は、活性化されてから接合されるまでの期間に、カートリッジ11に接触している。カートリッジ11を形成するステンレス鋼SUS304の熱伝導率は、概ね16.3W/mKである。上ウェハ43は、活性化されてから接合されるまでの期間に、静電チャック13の誘電層に接触している。その誘電層を形成するアルミナ系セラミックの熱伝導率は、概ね32W/mKである。ここで、窒化アルミニウム系セラミックの熱伝導率は、概ね150W/mKである。すなわち、アルミナ系セラミックの熱伝導率は、窒化アルミニウム系セラミックの熱伝導率に比較して、ステンレス鋼SUS304の熱伝導率に近い。このため、本発明による接合装置1は、静電チャック13の誘電層が窒化アルミニウム系セラミックスから形成されている他の接合装置に比較して、下ウェハ42の温度と上ウェハ43の温度との温度差が低減され、活性化されてから下ウェハ42の温度と上ウェハ43の温度との温度差が所定の温度差たとえば、5度以下になるまでの時間を短時間化することができ、下ウェハ42と上ウェハ43とをより高速に接合することができる。なお、カートリッジ11は、ステンレス鋼SUS304とは異なる他の材料で構成してもよい。その材料の熱伝導率は、静電チャック13の誘電層を構成する材料の熱伝導率に近く、所定の範囲に含まれているものが好ましい。その所定の範囲としては、静電チャック13の誘電層の熱伝導率の1/2より大きく、かつ、静電チャック13の誘電層の熱伝導率の2倍より小さい範囲が例示される。本発明では、カートリッジ11の熱伝導率と、静電チャック13の誘電層の熱伝導率との差が20W/mK以内となるように、カートリッジ11および静電チャック13の誘電層の材料を選択する。具体的には、静電チャック13の誘電層をアルミナ系セラミックで構成し、カートリッジ11をステンレス鋼SUS430で構成する組合せが例示されるが、この組合せに限定されるものではない。なお、ステージキャリッジ8を、カートリッジ11を介さないでウェハに直接に接触してウェハを保持する他のステージキャリッジに置換してもよい。この場合、そのステージキャリッジは、カートリッジ11を構成する材料と同じ材料から構成される。このようなステージキャリッジを備える接合装置でも、既述の実施の形態における接合装置1と同様に、活性化ステップの後に下ウェハの温度と上ウェハの温度との温度差が所定の値以下になるまでの時間を短時間化することができ、下ウェハと上ウェハとをより高速に接合することができる。静電チャック13とステージキャリッジ8とを他の静電チャックと他のステージキャリッジとに置換した例を図6~図9に示す。静電チャック51は、図6に示されているように、冷却装置を備えている。その冷却装置は、クーラント流路52と図示されていない冷却装置本体とを備えている。クーラント流路52は、静電チャック51の内部に一部が配置され、他の一部が接合装置1の外部に配置されている。冷却装置本体は、接合装置1の外部に配置され、クーラント流路52に所定の温度のクーラントを流すことにより、静電チャック51に保持されるウェハを冷却する。また、静電チャック51は、図7に示されているように、加熱装置を備えている。その加熱装置は、ヒータ54と電線55とを備え、図示されていない加熱装置本体を備えている。ヒータ54は、電圧が印加されることにより、発熱する。電線55は、ヒータ54に電気的に接続されている。加熱装置本体は、電線55を介してヒータ54に電圧を印加することにより、静電チャック51に保持されるウェハを加熱する。ステージキャリッジ61は、図8に示されているように、冷却装置を備えている。その冷却装置は、クーラント流路62と図示されていない冷却装置本体とを備えている。そのクーラント流路62は、ステージキャリッジ61の内部に一部が配置され、他の一部が接合装置1の外部に配置されている。その冷却装置本体は、接合装置1の外部に配置され、クーラント流路62に所定の温度のクーラントを流すことにより、ステージキャリッジ61に保持されるウェハを冷却する。また、ステージキャリッジ61は、図9に示されているように、加熱装置を備えている。その加熱装置は、ヒータ64と電線65とを備え、図示されていない加熱装置本体を備えている。ヒータ64は、電圧が印加されることにより、発熱する。電線65は、ヒータ64に電気的に接続されている。加熱装置本体は、電線65を介してヒータ64に電圧を印加することにより、ステージキャリッジ61に保持されるウェハを加熱する。制御装置10の温度調節部23は、静電チャック51に保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。温度調節部23は、静電チャック51に保持されるウェハの温度が所定の温度範囲に含まれるように、その測定された温度に基づいて静電チャック51の冷却装置または加熱装置を制御する。温度調節部23は、さらに、ステージキャリッジ61に直に接触して保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。温度調節部23は、ステージキャリッジ61に保持されるウェハの温度がその所定の温度範囲に含まれるように、その測定された温度に基づいてステージキャリッジ61の冷却装置または加熱装置を制御する。温度調節部23は、さらに、静電チャック51に保持されるウェハの温度がその所定の温度範囲に含まれ、ステージキャリッジ61に保持されるウェハの温度がその所定の温度範囲に含まれるタイミングを算出する。その所定の温度範囲としては、接合された接合ウェハが後工程で取り扱われる雰囲気の温度の範囲が例示され、その接合ウェハから作製されるMEMSが使用される雰囲気の温度の範囲が例示される。このような接合装置は、図1に示した接合装置1と同様にして、その所定の温度範囲で接合ウェハに発生する反りを従来よりも低減することができる。このような接合装置は、後工程の雰囲気の温度が常温と異なる場合であっても、後工程での接合ウェハの反りを低減し、後工程で接合ウェハをより容易に取り扱うことができる。このような接合装置は、さらに、静電チャック51またはステージキャリッジ61に保持されるウェハの温度をより高速に所定の温度に変化させることができ、活性化されてから下ウェハの温度と上ウェハの温度との温度差が所定の値以下になるまでの時間を短時間化することができ、下ウェハと上ウェハとをより高速に接合することができる。このような接合装置は、さらに、下ウェハと上ウェハとが互いに熱伝導率が異なる材料からそれぞれ形成されている場合でも、その温度差が所定の値以下になるまでの時間を短時間化することができ、下ウェハと上ウェハとをより高速に接合することができる。なお、下ウェハと上ウェハとをウェハ常温より低い温度に温度制御する必要がないときには、静電チャック51とステージキャリッジ61は、それぞれ、冷却装置を省略してもよい。同様に、下ウェハと上ウェハとをウェハ常温より十分に高い温度に温度制御する必要がないときには、静電チャック51とステージキャリッジ61は、それぞれ、加熱装置を省略してもよい。なお、図1に示した接合装置1において、静電チャック13のみを静電チャック51に置換してもよい。このとき、制御装置10の温度調節部23は、ステージキャリッジ8に直に接触して保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。温度調節部23は、静電チャック51に保持されるウェハの温度とステージキャリッジ8に保持されるウェハの温度との温度差が所定の値以下となるように、その測定された温度に基づいて静電チャック51の冷却装置または加熱装置を制御する。冷却装置または加熱装置を備えた静電チャック51を用いた接合装置は、静電チャック13を用いた接合装置1と同様に反りを低減することができ、接合装置1と比較して、温度制御ステップS3での所用時間を短くできるために、より高速に接合することができる。なお、図1に示した接合装置1において、ステージキャリッジ8のみをステージキャリッジ61に置換してもよい。このとき、制御装置10の温度調節部23は、静電チャック13に保持されるウェハの温度を測定するように、温度計18を制御する。温度調節部23は、ステージキャリッジ61に保持されるウェハの温度と静電チャック13に保持されるウェハの温度との温度差が所定の値以下となるように、その測定された温度に基づいてステージキャリッジ61の冷却装置または加熱装置を制御する。冷却装置または加熱装置を備えたステージキャリッジ61を用いた接合装置は、ステージキャリッジ8を用いた接合装置1と同様に反りを低減することができ、接合装置1と比較して、温度制御ステップS3での所用時間を短くできるために、より高速に接合することができる。静電チャック13と同様に、静電チャック51の誘電層はアルミナ系セラミックスで構成することができる。また、ステージキャリッジ8およびカートリッジ11と同様に、ステージキャリッジ61はステンレス鋼で構成することができる。さらに他の形態としては、図1に示した接合装置1から温度計18を省略してもよい。このとき、ユーザは、活性化されてから下ウェハの温度と上ウェハの温度との温度差が所定の値以下になるまでの期間を事前の実験に基づいて算出する。その期間は、活性化されてから下ウェハと上ウェハとの活性化の効果が消去するまでの期間たとえば、10分より短い。その期間は、ウェハ、静電チャック、ステージキャリッジの属性によらず概ね一定であり、5分以上が例示される。制御装置10の温度調節部23は、ウェハの活性化ステップが終了してからその期間だけ経過したタイミングを算出する。このような接合装置でも、温度計18を備えた接合装置1と同様にして、反りを低減することができる。以上の他にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択し、あるいは他の構成に適宜変更することが可能である。"