"TACoCrMo0.5-2.0を含む第一層、タンタルを含む第二の層;炭化タンタルを含む第三層および、ダイヤモンドライクカーボンDLCを含む第四層からなるCoCrMo基材用コーティング。第二層のタンタルがα-タンタルを含む、請求項1に記載のコーティング。第二層は、本質的にβ-タンタルを含まない、請求項1に記載のコーティング。第一層は、約1nm~約5nmの厚さを有する、請求項1に記載のコーティング。第二層は、少なくとも20nmの厚さを有する、請求項1に記載のコーティング。第三層は、少なくとも0.5nmの厚さを有する、請求項1に記載のコーティング。第四層は、少なくとも200nmの厚さを有する、請求項1に記載のコーティング。第四層は35原子未満の水素含有量を有する、請求項1に記載のコーティング。第一層、第二層および第三層それぞれは、5原子未満の酸素含有量を有する請求項1に記載のコーティング。コーティングが、50nm以下の平均粗さRaを有する、請求項1に記載のコーティング。コーティングが、200nm以下の最大粗さRtを有する請求項1に記載のコーティング。全ての4つの層の合計厚さが約0.5μm~約10μmにある請求項1に記載のコーティング第二層は、タングステン、ニオブまたはチタンでドープされている請求項1に記載のコーティング。請求項1に記載のコーティングを有する基材を備えた機器。コーティングは基材に到達する孔が貫通している、請求項14に記載の機器。孔は直径d≦10マイクロメートルである請求項15に記載の機器。機器は人工関節である、請求項14に記載の機器。以下の工程:a真空システム内にCoCrMo基材を挿入すること;bArイオン衝撃によりCoCrMo基材を洗浄すること;cCoCrMo基材上にTa接着促進-中間層を付着させること;およびdTa接着-促進中間層上にDLCの成長を開始させることを含む、CoCrMo基材にコーティングを適用するための方法。Taの接着-促進中間層はスパッタ法によりCoCrMo基材上に付着される、請求項18に記載の方法。Taの接着-促進中間層は、約10nm~約1μmの厚さを有する請求項18に記載の方法。本発明は、いくつかの実施形態によれば、例えば医療機器において、使用可能な基材用のコーティングを含む。他の実施形態において、本発明は、本明細書に記載のコーティングを有する基材を含む。いくつかの実施形態では、基材は、医療用インプラントの成分、例えば、人工関節、人工股関節置換物、人工椎間板、骨プレート等である。いくつかの実施形態では、基材は摩耗を受ける機器の部材である。いくつかの実施形態では、基材は、金属基材である。いくつかの実施形態では、基材は、金属合金を含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、基材は、コバルト-クロム-モリブデンCoCrMo基材、例えば、Co28Cr6Mo基材である。いくつかの実施形態による本発明のコーティングは、複数の層を含んでいる。いくつかの実施形態では、複数の層の各々は、異なる化学組成を含んでいる。いくつかの実施形態では、コーティングは、少なくとも第一層と第二層とを含む。いくつかの実施形態では、コーティングは、少なくとも第一層、第二層および第三層を含む。いくつかの実施形態では、コーティングは、少なくとも第一層、第二層、第三層および第四層を含む。いくつかの実施形態では、コーティングは、4層以下を含む。いくつかの実施形態では、コーティングは4層で構成される。いくつかの実施形態では、本発明に係る多層コーティングは、隣接する層間のブレンドを含む。いくつかの実施形態において、本発明のコーティングの第一層はコーティングの第二層とブレンドした界面を包含する。いくつかの実施形態において、本発明のコーティングの第二層は、コーティングの第三層とブレンドした界面を包含する。いくつかの実施形態において、本発明のコーティングの第三層はコーティングの第四層とブレンドした界面を包含する。いくつかの実施形態では、多層コーティングのブレンドした界面は、それぞれ約1nm以下の厚さである。いくつかの実施形態では、複数の層のうちの少なくとも一つは、タンタルTa、Ta合金、またはTa化合物が含まれる。いくつかの実施形態では、コーティングは、それぞれTa、Ta合金、またはTa化合物を含む、3つの異なる層を包含する。いくつかの実施形態では、複数の層のうちの少なくとも1つ、好ましくは、最も外側の層すなわち、基材から最も遠く離れた層はダイヤモンドライクカーボンDLCを含む。いくつかの実施形態では、複数の層のうちの少なくとも一つは、本質的にDLCからなる。いくつかの実施形態において、Ta含有層の少なくとも一つは、合金化によってDLC層の基材への化学的な付着を助けるために、接着-促進中間層となる。いくつかの実施形態において、Ta含有層のすべてが接着-促進中間層として機能する。いくつかの実施形態において、本発明によるコーティングは、基材、例えば、CoCrMo基材上に直接付着された第一層を含む。いくつかの実施形態では、第一層は、基材とは異なる材料で構成される。いくつかの実施形態において、第一層はCoCrMo合金を含む。いくつかの実施形態において、第一層は本質的にCoCrMo合金からなる。いくつかの実施形態では、第一層は、タンタルTaを含む。いくつかの実施形態では、第一層は、本質的にタンタルからなる。いくつかの実施形態では、第一層は、タンタル合金を含む。いくつかの実施形態において、第一層は本質的にタンタル合金からなる。いくつかの実施形態では、第一層は、TaCoCrMo、例えば、TaCoCrMo0.5-2.0を含む。いくつかの実施形態では、第一層は、本質的にTaCoCrMo、例えば、TaCoCrMo0.5-2.0からなる。いくつかの実施形態において、第一層は5原子未満、好ましくは3原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態において、第一層は2原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態において、第一層は1原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態において、第一層は0.5原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態において、高酸素含有量例えば、5原子を超えるは第一層の界面を弱め、さまざまな破損メカニズム例えば、クラッキングを有効にできる。いくつかの実施形態において、高レベル例えば、5原子を超えるで存在する場合、酸素が潜在的な原子間結合を終了し、コーティングを脆くしおよび腐食攻撃を受けやすい、相変化を引き起こす可能性がある。いくつかの実施形態において、第一層は少なくとも1nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第一層は、少なくとも2nmの厚さを有する。いくつかの実施形態において、第一層は、少なくとも3nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第一層は、少なくとも4nmの厚さを有する。いくつかの実施形態において、第一層は、少なくとも5nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第一層は、約1nm~約5nmの、好ましくは約2nm~約4nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第一層は、1nm~5nmで、好ましくは2nm~4nmの厚さを有する。いくつかの実施形態において、第一層は5nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態において、第一層は4nm以下の厚さを有する。本発明に係るいくつかの実施形態では、コーティングは、介在層なく基材と第二層との間に第一層が配置されるように、第一層の上に直接付着された第二の層をさらに含む。いくつかの実施形態では、それらの界面において第一層および第二層間にブレンドが存在する。いくつかの実施形態では、ブレンドされた界面は、厚さ1nm以下である。いくつかの実施形態では、第二層は、基材と第一層とは異なる材料で構成されている。いくつかの実施形態では、第二層はタンタルを含む。いくつかの実施形態では、第二層は、本質的にタンタルからなる。いくつかの実施形態では、第二層は、α-タンタルを含む。いくつかの実施形態では、第二層は、本質的にα-タンタルからなる。いくつかの実施形態によれば、他のタンタル相例えば、β-タンタルが比較的脆いのに対し、α-タンタルが、肉眼的に延性相であることが見出されている。コーティングから比較的脆いβ-タンタルを除外することで、いくつかの実施形態では、より延性のコーティングを得ることができる。いくつかの実施形態では、より延性コーティングが、基材へのコーティングのより長期的な接着を提供する。したがって、好ましい実施形態では、第二層はβ-タンタルを実質的に含まない。さらに、いくつかの実施形態では、第二層は5原子未満、好ましくは3原子未満の酸素含有量を有する。より高い酸素含有量例えば、5原子を超えるは、いくつかの実施形態では、肉眼的に脆くなり得るβ相のタンタル形成につながる可能性がある。したがって、好ましい実施形態では、得られたコーティング層が例えば5原子未満、好ましくは3原子未満の酸素含有量を持つように、付着処理中十分に低い酸素レベルを維持することが望ましい。いくつかの実施形態では、第二層は、2原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第二層は1原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第二層は、0.5原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、高レベル例えば、5原子を超えるで存在するときは、酸素は潜在的な原子間結合を終了し、コーティングを脆くしおよび腐食攻撃を受けやすい、相変化を引き起こす可能性がある。さらなる態様において、タンタルはα-相安定化ドーパントが付着されている。いくつかの実施形態では、第二層は、ニオブNb、タングステンW、および/またはチタンTiをドープしたTa例えば、α-タンタルが含まれる。いくつかの実施形態では、第二層は、本質的にニオブNb、タングステンWおよび/またはチタンTiをドープしたTA例えば、α-タンタルからなる。これらの実施形態のいくつかにおいてNb、W、および/またはTiが約0.1原子~約10原子で第二層に存在してもよい。いくつかの実施形態によれば、α―相安定化ドーパント、例えばNb、W、および/またはTiによるドープはアルファ相組成の安定化と、酸素耐性の増加、つまり基材へのコーティングの長期接着をまだ可能にするであろう酸素混入のレベルの増加につながる。いくつかの実施形態では、α相安定化ドーパントでドープしたタンタルを含む層が3原子を超える酸素含有量を可能にする酸素耐性を持ち得る。いくつかの実施形態では、α相安定化ドーパントでドープしたタンタルを含む層が5原子を超える酸素含有量を可能にする酸素耐性を持ち得る。いくつかの実施形態では、第二層は、少なくとも20nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、少なくとも30nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、少なくとも40nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、少なくとも50nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、少なくとも100nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、約20nm~約1000nmの厚さ、好ましくは、約50nm~約200nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、好ましくは20~1000nm、好ましくは50nm~200nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は1000nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は500nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は200nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、本発明に係るコーティングは、第一層が基材と第二層との間に配置されおよび第二層が第一層と第三層の間に配置されるように、第二層の上に直接配置された第三層をさらに含む。いくつかの実施形態では、第三層は、基材、第一層および第二層とは異なる材料で構成されている。いくつかの実施形態では、第二層と第三層の間に介在層がない。いくつかの実施形態では、それらの界面において第二層および第三層間にブレンドが存在する。いくつかの実施形態では、第三層は、タンタルを含む。いくつかの実施形態では、第三層は、タンタルから本質的になる。いくつかの実施形態では、第三層は、タンタル化合物が含まれる。いくつかの実施形態では、第三層は、本質的にタンタル化合物からなる。いくつかの実施形態では、第三層は炭化物を含むか本質的に炭化物からなる。いくつかの実施形態では、本質的に第三層は炭化物からなる。いくつかの実施形態では、第三層は、炭化タンタルを含む。いくつかの実施形態では、第三層は本質的に炭化タンタルからなる。いくつかの実施形態では、第三層は5原子未満、好ましくは3原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第三層は2原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第三層が1原子未満の酸素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第三層は、0.5原子未満の酸素含有量を有する。高レベル例えば、5原子を超えるで存在するときは、いくつかの実施形態では、酸素が潜在的な原子間結合を終了し、コーティングが脆くおよび腐食攻撃の影響を受けやすい、相変化を引き起こす可能性がある。いくつかの実施形態では第三層は、少なくとも0.5nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は、少なくとも1nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は、少なくとも2nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は、少なくとも3nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は、少なくとも4nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は約0.5nm~約10nmの、好ましくは約4nm~約6nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は、0.5nm~10nmの、好ましくは4nm~6nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第三層は10nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は、6nm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、本発明に係るコーティングは、第一層が基材と第二層との間に配置され、第二層が第一層と第三層の間に配置されおよび第三層が第二層と第四層の間に配置されるように、第三層の上に直接配置された第四層をさらに含む。いくつかの実施形態では、第四層は、基材、第一層、第二層および第三層とは異なる材料で構成される。いくつかの実施形態では、第三層と第四層との間に介在層がない。いくつかの実施形態では、それらの界面において、第三層と第四層の間にブレンドが存在する。いくつかの実施形態では、第四層はダイヤモンドライクカーボンDLCが含まれる。いくつかの実施形態では、第四層は、ダイヤモンドライクカーボンDLCから本質的になる。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約10GPa~約80GPaの硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約10GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約20GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約30GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約40GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約50GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約60GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約70GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態では、第四層はナノインデンテーションによって測定された約80GPaよりも高い硬度を有する。いくつかの実施形態において、高水素含有量例えば、35原子より大きいは、増加した水素結合によって、第四層の硬度減少をもたらし得る。したがって、好ましい実施形態では、第四層は35原子以下の水素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第四層は35原子未満、好ましくは23原子未満の水素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第四層は15原子未満の水素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第四層は少なくとも1原子の水素含有量を有する。いくつかの実施形態では、第四層は少なくとも200nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は少なくとも300nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は少なくとも400nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は少なくとも500nmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は、少なくとも1μmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は約200nm~約10μm、好ましくは約500nm~約5μmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は200nm~10μm、好ましくは500nm~5μmの厚さを有する。いくつかの実施形態では、第四層は10μm以下の厚さを有する。いくつかの実施形態では、第二層は5μm以下の厚さを有する。本明細書に記載した第一層、第二層、第三層および第四層を有する本発明の実施の形態に係るコーティングは、好ましくは約500nm~約10μm、より好ましくは約2μm~約5μmの合計厚さを有する。この実施形態の変形例では、コーティングは10μm以下、好ましくは5μm以下の合計厚さを有する。さらなる態様において、本発明に係るコーティングは、50nm未満、好ましくは25nm未満の平均粗さRaを有する。いくつかの実施形態では、コーティングの最大粗さRtは、200nm未満好ましくは、150nm未満である。本明細書に記載されている粗さの値例えば、RaおよびRtは、試料表面において、ダイヤモンドスタイラスプロファイロメーターでとられた4つの100μmトレースの平均として測定することにより得られる。いくつかの実施形態では本発明のコーティングは、好ましくは、平均粗さが50nm未満、および最大粗さ200nm未満を有する、清浄な研磨された基材表面上に付着される。いくつかの特定の実施形態において、本発明のコーティングは、1つ以上の孔を含むことができる。このような一実施形態では、1つ以上の孔は、コーティングの厚み全体を貫通する。いくつかの実施形態では、1つ以上の孔は、コーティングの厚さ全体を通して部分的にのみ拡張する。いくつかの実施形態では、1つ以上の孔は基材の不均一性によって形成される。いくつかの実施形態では、1つ以上の孔は、コーティングの形成時の不純物例えば、ほこりの存在によって形成される。いくつかの実施形態では、コーティングは、1つ以上の孔を含み、各孔は約10μmの最大幅を持つ。他の実施形態では、各孔は約4μmの最大幅を持つ。いくつかの実施形態では、コーティングは、1つ以上の実質的に円形の孔を含み、各孔は10μm以下、好ましくは4μm以下の直径dを有する。いくつかの実施形態では、本発明のコーティングは孔を有さない。本発明の実施形態によるコーティングは、腐食により促進される剥離メカニズムに対し高い耐性を提供でき、生体内で少なくとも20年間の、好ましくは少なくとも30年間のコーティング保全性が、このコーティングから期待することができる。擬似体液リン酸緩衝生理食塩水、仔ウシ血清および生体内における、いくつかの実施形態に係るコーティングの界面に沿う亀裂成長速度は一日当たり0.01μm以下である。いくつかの実施形態に係るコーティングにより測定されたDLCオンDLC摩耗は0.005mm3/Mioサイクル程度に低い。本発明の一実施形態はまた、基材、例えば、CoCrMo基材上にコーティングを製造するための方法も含まれる。本発明の例示的な方法は、本明細書に記載のコーティングを製造するために用いることができる。一実施形態では、基材上へのDLCコーティングの製造方法は、基材上に接着―促進中間層を付着させ、および接着―促進中間層にDLC層を付着させることを含む。いくつかの実施形態では、接着-促進中間層を付着するには、例えば、スパッタリングを介して、基材上にTaを付着することを含む。いくつかの実施形態では、Taの約10nm~約1μmの層が基材上に付着される。いくつかの実施形態では、CoCrMo基材上に付着されたTaは、基材表面上にTaCoCrMo合金、例えば、TaCoCrMo0.5-2.0を含む第一層をもたらす。いくつかの実施形態では、CoCrMo基材上に付着されたTaは、さらにTa、例えばアルファ-タンタルを含む第二層をもたらす。いくつかの実施形態では、接着-促進中間層上のDLC層の続く付着は炭化タンタルを含む第三層およびDLCを含む第四層の形成をもたらす。いくつかの実施形態では、DLC層は蒸着プロセス、例えばプラズマアシスト化学蒸着PACVD、を用いて付着される。いくつかの実施形態では、Taの付着およびDLCの付着は好ましくは真空下例えば、約510-5Pa以下の圧力下でで行われる。いくつかの実施形態では、例えば付着工程を妨げる可能性のある汚れや異物を除去するために、基材を接着-促進中間層の付着の前に洗浄することができる。いくつかの実施形態では、基材の洗浄は、必要に応じて1つ以上の化学溶剤例えば、アセトン及び/又はエタノールを使用して基材を予備洗浄することを含む。さらなる実施形態では、基材はイオン衝撃例えば、Ar衝撃によって、基材表面から材料の薄層例えば、<1μmを除去して洗浄される。好ましい実施形態では、基材の洗浄は基材からの酸化物表層の除去例えばスパッタクリーニングによるが含まれる。いくつかの実施形態では、基材からの酸化物表層の除去は基材の反応性表面を生成する。いくつかの例示的な実施形態では、一旦基材例えば、CoCrMo基材から酸化物表層が除去されると、タンタルのスパッタリングは、基材表面上に中性タンタル原子を提供する。これらの中性タンタル原子は、基材表面との金属間相を形成して、タンタルと基材材料の相互拡散および原子混合に特徴づけられる、第一層を生成する。特定の実施形態によるCoCrMo基材とともに、これはタンタルおよびCoCrMo基材材料の合金を生じて、TaCoCrMoの、例えばTaCoCrMo0.5-2.0の第一層を生成する。追加のタンタルがスパッタされるとき、一旦基材表面内へのタンタルの混合および相互拡散範囲を超えると、第二層が第一層の上に設置される。いくつかの実施形態では、相互拡散範囲は、第一層の厚さに等しい。第二層は主にタンタルと、いくつかの実施形態では、酸素など、真空チャンバー内で可能性のあるわずかな混入物を含む。タンタルの付着がアセチレンプラズマアシスト化学蒸着PACVDに切り替えられたとき、第二層の表面上のCxHy種の衝突およびCxHy種の衝撃エネルギーballisticenergyによる浸透を引き起こし、さらなる実施態様による第三層が形成される。組み込まれたCxHy種は、第二層のタンタル表面と炭化物層例えば、Ta炭化物層を形成している。一旦CxHy種の衝撃範囲例えば、第三層および相互拡散の厚さを超えると、DLCの第四層はサブプランテーション法、例えば、リフシッツLifshitzら、超高温種からの膜成長のためのサブプランテーションモデルSubplantationmodelforfilmgrowthfromhyperthermalspecies,PhysicalReviewB,Vol.41,No.15,15May1990,に記載され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、を介して成長する。本発明の一実施形態に係る基材をコーティングする方法の一例は、以下のいずれかまたは複数を含む:1.例えば、超音波洗浄器中アセトンとエタノールの1:1混合物に浸漬することにより、約5分間、基材を予備洗浄する。2.RFパワーの試料ホルダおよびマグネトロンスパッタ装置を搭載し、及び基準圧力例えば510-5Pa未満を確立する、真空システムチャンバー内に基材を挿入する。3.アルゴンイオンAr衝撃による、例えば、接地されたチャンバー壁に対し、試料ホルダへ13.56MHzの高周波電圧を印加することによってArプラズマを点火することによる、基材を洗浄する。高周波電力の自動調整を通じ、これらの点の間の約-600Vの高周波バイアスは、約2PaのAr圧力において確立することができる。いくつかの実施形態では、この洗浄工程は、スパッタリングによって基材表面から材料の約140nmを除去することになり、および約30分かけてよい。4.基材はさらにアルゴン衝撃による酸化を避けながら、バーンインによる、Taスパッタリングターゲットを洗浄する。例えば、Taターゲットは、適切なカバーシャッターの背後で高電力でスパッタされることによる、Taスパッタリングターゲットの洗浄。いくつかの実施形態では、使用圧力は約210-1Paアルゴンであり、およびこの工程の持続時間は約2~約5分ある。いくつかの実施形態によれば、DCマグネトロンの動作パラメータは、U=-435VであるP=200W、I=450mA。基材のイオン衝撃のため、いくつかの実施形態で使用されているRF-バイアスは約-300Vである。5.基材上への例えば、厚さ100nmのTaの接着促進中間層を付着させる。これを容易にするために、同時に基材表面上へのイオン衝撃を中止している間、いくつかの実施形態では、シャッターが開かれる。DCスパッタリングパラメータは前の工程と同じであってよく、および基材ホルダ上のRFバイアスは0Vである。Taの成膜速度例はいくつかの実施形態によれば約20nm/分であり、このためそれは約5分後には約100nmであるTaの厚みが生じる。6.同時にDLCの成長を開始しながら、DCマグネトロンを不活性化する。いくつかの実施形態では、DLCの成長はPVD又はCVDプロセスによって、好ましくはアセチレンガスおよび基材ホルダに印加するバイアス電圧を使用する、プラズマアシスト化学蒸着PACVD、によって行うことができる。実例の作業圧力は約-600Vの基材ホルダー上のRFバイアスを伴う約2.5PaのC2H2であってよい。いくつかの実施形態では、DLCの成膜速度は約30nm/分である。結果として得られたDLC層の厚さは、いくつかの実施形態では、約60~約120分の間の後に約2μm~約4μmとなる。7.コートされた基材を、真空中で冷却させ、そしてチャンバーからコートされた基材を取り出す。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバー内への酸素混入物質の流量はチャンバー内へのAr流量が既知であるならば質量分析の測定から決定することができる。上記の例の方法では、酸素の流量は、プロセスが起動する前に、既知のAr流量におけるm/eO232/Ar40比を介して酸素リークバルブを使用して意図的に調整されている。得られた接着促進中間層第二層の化学組成は、X線光電子分光法XPSなどの特性評価方法から得ることができ、また、層第三層および第一層中の酸素含有量によって特徴づけられる。この化学情報は順番に適切な試験において、層の性能脊椎シミュレータ、層剥離テストと関連づけることができる。これは、酸素の許容限度を定義可能とし、与えられた成膜装置および与えられたプロセスの設定に対する中間層の安定性について、オンライン監視システムを実装するのを可能とする。本発明のコーティングが付着される可能性のある基材は平坦または湾曲することができる。例えば、基材は、特にボールオンソケット関節のためまたは点接触の関節のために整形することができる。その高められた硬度例えば、ナノインデンテーションによって測定された約10GPa~80GPaのために、本発明のいくつかの実施形態に係る多層コーティングは点接触条件例えば、4GPaで圧縮応力で発生する高い機械的ストレスに耐えることができる。DLCコートされた部分は、本発明の実施形態によれば、同じコーティングを有し、相手基材と組み合わせて好ましく使用することができる。図1は、コートされていない左および腐食アシスト剥離に耐性のある本発明の実施の形態に係るコーティングが施された、コートされた右CoCrMo椎間板インプラントの例を示す。この試料のコーティングシステムは、厚さ3nmのTaCoCrMo層、厚さ100nmのTa層、厚さ5nmのTa-炭化物層および厚さ4μmDLC層が含まれている。成膜中および関連装置の校正中にチャンバーのガス組成のモニタリングによって、層システム内の酸素混入は、接着促進層システムTa層で測定されるものとして内部で3原子を下回っていることが確認された。図1に示したサンプルは脊椎シミュレータ装置で7000万以上の負荷サイクルに耐えた。脊椎摩耗シミュレータ装置における試験は、このようなコートされたインプラントの磨耗が、コートされていないメタルオンメタル摩擦対と比較して大幅に低減されることを示す図2。図2に示される累積摩耗量は洗浄工程後にISO14242-2に規定された重量測定値から算出した密度DLC:2.8g/cm3;CoCrMo:8.29g/cm3。観測された金属摩耗は当初滑らかな金属表面の粗面化によって引き起こされた。さらに、ナノスケール解析はハードコーティングのプラスチック印象卵殻効果が、亀裂を、剥離およびインプラント破損につながり得る、コーティング-基材の界面に沿って伝播させないことを示した。図3Aおよび3Bは摩擦接触卵殻効果内部硬質粒子によって引き起こされる欠陥の例を示している。図3A及び図3Bに示すコーティングは、0.3原子未満の酸素含有量を有する。図3Bに示すように、このシステムは、孤立の欠陥に対して寛容であることが判明している、例えば基材内に貫通する傷によって引き起こされる小さな欠陥が原因で、説明した破損のメカニズムの一つを介して展開されず、先行技術のインプラントに観察されるようなインプラントの破損につながる巨視的な欠陥に合体しない。また、ロックウェルインデント、定義されている負荷例えばここでは:1500Nで約120度の角度で円錐形のダイヤモンドチップを持つロックウェルチップによって表面にあけられた孔の、長時間モニタリングは、同時に食塩水へインプラントを浸漬しながらも応力腐食割れの観測される傾向のない結果となる。本発明の実施形態に係る定義された制限を超える酸素含有量を有する層は、第三層に沿って亀裂が伝播する可能性がある。例えば、図4に示すように3.5原子の酸素含有量を有する一実施形態では層システムは、第三層に沿ってクラックが伝播して、数千の負荷サイクル後に剥離やインプラントの破損の可能性につながる可能性がある。図5に示すように酸素混入されたTa中間層ブラッグブレンターノジオメトリのX線回折測定XRDはα相タンタルα-TA110のピークが酸素混入レベルの上昇で消えたことを明らかにする。α相のピークはそれぞれの格子間隔、ここに示されているように、110の格子方向のα-タンタルの間隔を特徴づける結晶の平面上のX線の構造的干渉によって引き起こされる。図5は酸素を添加することによりα相のピークが消え、層間接着促進の構造的な変化を示し、α相の消失は、増加する酸素の混入による層間特性の劣化につながることを示す。タンタル層間構造は、このように完全に変更することが想定される。相変化は、試験試料の機械的な破損を同時発生する。従って、集束イオンビームFIB法、高解像度SEMによる解析に特に適した高度に研磨されたクロスカットを提供する試料をカットするための加速イオンのジェットを用いた方法、により観察されるように相変化はTa/DLC界面の安定性の損失につながることが想定される。このことは、Taの中間層の安定性を診断するために別のルートを開くことを可能にする。上記の例によるとコーティングは、機能を損なうことなく、股関節や他の医療機器やインプラントに適合させることができる。本発明の実施形態に係るコーティングが使用され得る他の医療機器の例は、キルシュナー鋼線、髄内釘、骨ネジ、歯科インプラントがある。いくつかの実施形態では、本発明に係るコーティングは、例えば、機械部品、ギア、および工作機械のように非医療機器を含む、摩耗しやすい他の機器のための役に立ち得る。いくつかの実施形態では、本発明に係るコーティングは、300°C以下の温度で摩耗しやすい機器に特に有用であり得る。種々の変更、置換、および改変は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神および範囲から逸脱することなく行うことができることが理解されるべきである。また、本出願の範囲は、本明細書に記載されているプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されることを意図するものではない。当業者が本明細書の開示からから容易に理解できるように、現存しているまたは、以降に開発されるべき、本明細書に記載された相当する実施態様について実質的に同じ機能を実行し、または実質的に同じ結果を達成する、複数のプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが本発明によって利用でき得る。"