"透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置において、前記半導体発光素子の側部を覆う白色反射部材と、前記透明絶縁基板の前記半導体層とは反対側に配置され、前記透明絶縁基板及び前記白色反射部材を覆う蛍光体シートと、前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板とを接着する接着層とを備え、前記半導体発光素子が突起電極を有することを特徴とする半導体発光装置。前記突起電極が前記接続電極であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記接着材は前記半導体発光素子の側面に付着していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状が逆テーパー形であることを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置。前記白色反射部材が前記半導体発光素子ともに前記突起電極の周囲も覆い、前記突起電極と接続する前記接続電極が前記白色反射部材の底部にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置の製造方法において、蛍光体を含有する樹脂をシート状に加工した蛍光体シートと、前記半導体層に接続する突起電極を備えた半導体発光素子を準備する準備工程と、前記蛍光体シート又は前記透明絶縁基板に接着材を塗布する接着材塗布工程と、前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板を接着する接着工程と、前記半導体発光素子の側部に反射性微粒子を含有する白色反射部材を充填する白色反射部材充填工程と、前記蛍光体シート及び前記白色反射部材を切断し前記半導体発光装置を個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記接着工程において前記接着材が前記半導体発光素子の側面に付着することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置の製造方法。前記接着工程において前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状を逆テーパー形にすることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置の製造方法。前記接着材塗布工程の前に前記蛍光体シートにダム材を配置することを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置の製造方法。白色反射部材充填工程において前記半導体発光装置の側部とともに前記突起電極の周囲にも前記白色反射部材を充填し、前記白色反射分材の底面に電解メッキ法により前記接続電極を形成することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置の製造方法。特許文献1に示されるようなLED装置は、透明絶縁基板を除去する工程を必要とする。特許文献2の図1に示されるようなLED装置は、LED素子の幅に比べサブマウント基板の構造が広く特許文献2の図1では2.5倍くらいなるのでCSPとは言えない。またLED装置を構成する部材の種類が多い。そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、透明絶縁基板を有するLED素子を備えたLED装置であっても、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくした半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体発光装置は、透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置において、前記半導体発光素子の側部を覆う白色反射部材と、前記透明絶縁基板の前記半導体層とは反対側に配置され、前記透明絶縁基板及び前記白色反射部材を覆う蛍光体シートと、前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板とを接着する接着層とを備え、前記半導体発光素子が突起電極を有することを特徴とする。前記突起電極が前記接続電極であっても良い。前記接着材は前記半導体発光素子の側面に付着しても良い。前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状が逆テーパー形であっても良い。前記白色反射部材が前記半導体発光素子ともに前記突起電極の周囲も覆い、前記突起電極と接続する前記接続電極が前記白色反射部材の底部にあっても良い。本発明の半導体発光装置の製造方法は、透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層とを有する半導体発光素子と、マザー基板との接続を取るための接続電極とを備え、前記半導体発光素子から出射する光の一部を波長変換する半導体発光装置の製造方法において、蛍光体を含有する樹脂をシート状に加工した蛍光体シートと、前記半導体層に接続する突起電極を備えた半導体発光素子を準備する準備工程と、前記蛍光体シート又は前記透明絶縁基板に接着材を塗布する接着材塗布工程と、前記蛍光体シートと前記透明絶縁基板を接着する接着工程と、前記半導体発光素子の側部に反射性微粒子を含有する白色反射部材を充填する白色反射部材充填工程と、前記蛍光体シート及び前記白色反射部材を切断し前記半導体発光装置を個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする。前記接着工程において前記接着材が前記半導体発光素子の側面に付着するようにしても良い。前記接着工程において前記半導体発光素子の側面に付着する接着材のフィレット形状を逆テーパー形にしても良い。前記接着材塗布工程の前に前記蛍光体シートにダム材を配置しても良い。白色反射部材充填工程において前記半導体発光装置の側部とともに前記突起電極の周囲にも前記白色反射部材を充填し、前記白色反射分材の底面に電解メッキ法により前記接続電極を形成しても良い。本発明の半導体発光装置は、透明絶縁基板と半導体層の側面を白色反射部材で覆っているため、透明絶縁基板を除去する必要がなくなる。また、半導体発光素子の外形と半導体発光装置の外形とを近づけることができる。さらに、透明絶縁基板及び白色反射部材を覆う蛍光体シートを備えているため、構造が単純になり製造しやすくなる。本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、透明絶縁基板を除去せず、半導体発光素子の外形と半導体発光装置の外形とをほぼ等しくでき、また、半導体発光素子が発する光を有効に利用できる半導体発光装置が得られる。サブマウント基板や反射枠がなく構成部材の種類が少ないうえ、接着やモールドなど一般的な工程を組み合わせているため製造しやすい。以下、添付図1~11を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態添付図1~4を参照して本発明の第1実施形態を詳細に説明する。まず図1と図2によりLED装置10の構造を説明する。図1は本実施形態におけるLED装置10の断面図である。LED装置10は、サファイア基板14透明絶縁基板とその下面に形成された半導体層15とを有するLED素子16を中心として、LED素子16の上面に出射光を波長変換する蛍光体シート11、側面に白色反射部材17を備えている。蛍光体シート11とサファイア基板14の間に接着層13があり、蛍光体シート11とサファイア基板14とを接着している。またLED素子16の半導体層15と接続する突起電極18,19は、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板と接続するための接続電極となっている。ここでマザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにLED装置10を実装する基板である。図2はLED装置10の底面を示す図である。底面において、白色反射部材17がLED装置10の外形となり、半導体層15がLED素子16図1参照の外形となる。半導体層15の占める領域の内側に突起電極18,19がある。LED素子16の底面は1.0mm×0.5mmであり、白色反射部材の幅は0.2mmである。この結果、LED装置10は1.4mm×0.9mmとなり、サーフェースマウンタ表面実装機で扱いやすい大きさになっている。蛍光体シート11はシリコーン樹脂に蛍光体を混練し、シート状に加工したもので厚さが100μm程度である。接着層13も厚さが概ね100μm以下で、熱硬化型のシリコーン接着材である。白色反射部材17もシリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練し熱硬化させたものである。次に図3によりLED素子16について説明する。図3はLED素子16の断面図である。LED素子16は、厚さが100~200μm程度のサファイア基板14の下面に半導体層15を備えている。半導体層15は、p型半導体層15c上に発光層15b、n型半導体層15aの積層体である。p型半導体層15cは複数の金属からなる金属層とp型GaNの積層体であり、厚さが1μm程度である。この金属層は反射層を含み、発光層15bから下向きに出射する光線を上側に向ける。発光層15bは厚さが100nm程度である。N型半導体層15aは、n型GanN層と格子定数を調整するバッファ層からなり厚さが5μm程度である。絶縁膜15dは半導体層15を覆い、p型半導体層15cの占める領域及びn型半導体層15aの露出した領域に開口部を備えている。それぞれの開口部においてp型半導体層15cと突起電極18、並びにn型半導体層15aと突起電極19が接続する。突起電極18,19は銅メッキで形成されたメッキバンプであり、厚さが10~30μmで、表面に錫層を備えている。なお突起電極19は、n型半導体層15aの露出部が小さいため、一部が絶縁膜15dを介してp型半導体層15cと積層している。次に図1に戻りLED装置10の発光について説明する。発光層15b図3参照から出射する青色光のうち直接上方へ向う光は直接蛍光体シート11に入射する。発光層15bから上方以外の方向に出射する青色光も、白色反射部材17やp型半導体層15c図3参照、サファイア基板の界面等で反射し上方へ向い蛍光体シート11に入射する。蛍光体シート11に入射する青色光の一部は蛍光体で波長変換される。波長変換された光は等方的に出射するが、上方に向う成分以外の光も前述の青色光と同様に反射を繰り返し上方に出射する。LED装置10から出射した青色光と、波長変換された光から白色光が得られる。次に図4によりLED装置10の製造方法を説明する。図4はLED装置10の製造工程の説明図である。まずaで示す準備工程において、蛍光体シート11とLED素子16を準備する。蛍光シートは大判であり、多数のLED装置10に対応する領域を含んでいる。LED素子16は既に突起電極18,19を備えている。なお大判の蛍光体シート11には数100から数1000個のLED素子を貼り付けることとなるが、説明のためLED素子2個で図示している以下同様。また蛍光体シート11は薄いため支持台上に設置されるが図示していない以下同様。本実施形態の各工程は蛍光体シート11の片面のみの処理に限定され、さらに重力を利用するので、図1に対し上下方向で倒置して図示している以下同様。次にbで示す接着材塗布工程において、蛍光体シート11に接着材13bを塗布する。塗布は印刷法で良く、接着材13bを塗布する区画とLED素子16の平面的な大きさを等しくしておく。なお接着材13bはLED素子16のサファイア基板14図1参照に塗布しても良い。この場合はピッカー又はソーターでLED素子16を取り上げたら、いったんLED素子16に接着材をつけ、その後蛍光体シート11に貼り付けることができる。次にcに示す接着工程において、蛍光体シート11にLED素子16のサファイア基板14図1参照を貼り付ける。LED素子16はピッカー等で一個ずつ蛍光体シート11上に配置しても良い。また、いったん他の粘着シートに複数のLED素子16を配列させておき、この複数のLED素子16を一括して蛍光体シート11に貼り付けることもできる。蛍光体シート11にLED素子16を配置し終えたら、加熱し接着材13bを硬化させ、接着層13を形成する。なおこの硬化は架橋が完全でない仮硬化でもよい。次にdで示す白色反射部材充填工程において、LED素子の側部に白色反射部材17を充填し、その後加熱して白色反射部材17を硬化させる。充填に際し予め蛍光体シート11の外周部を図示していないダム材でとり囲んでおき、ディスペンサで正確に計量した白色反射部材17を滴下する。なお、突起電極18,19を厚めに設定しておけば、白色反射部材17が多少半導体層15図1参照を覆っても許容される。また半導体層15は絶縁膜15d図3参照で覆われているので、充填量が僅かに少なくても許容される。最後にeに示す個片化工程において、蛍光体シート11及び白色反射部材17を切断しLED装置10を個片化する。切断にはダイサーを使用する。切断に先立ち前述の支持台から蛍光体シート11をダイシングテープ上に移しておく。切断工程では不良発生率を低くできるので、個片化工程の前に大判の状態で各LED装置10の電気的及び光学的検査を済ましておいてもよい。第2実施形態第1実施形態では図1等で示したように接着層13が占める領域とサファイア基板14の上面の大きさが一致していた。しかしながらLED素子16を蛍光体シート11に貼り付けたときに接着材がはみ出しても良い場合がある。この例として添付図5と図6を参照して本発明の第2実施形態を詳細に説明する。本実施形態のLED装置21の底面は、図2に示した第1実施形態のLED装置10の底面と等しい。そこで図5によりLED装置21の断面構造を説明する。図5は本実施形態におけるLED装置21の断面図である。LED装置21において、蛍光体シート11及びLED素子16は第1実施形態のLED装置10と等しい。LED装置21とLED装置10の違いは、LED装置21において、接着材が蛍光体シート11とサファイア基板14の対向する領域からはみ出し、LED素子16の側面と蛍光体シート下面の間でフィレット23aを形成していることと、このフィレット23aに伴い接着層23と白色反射部材27が変形していること、とである。次に図5によりLED装置21の発光について説明する。LED素子16の側方に出射する光青色光および波長変換された光はフィレット23aと白色反射部材27の界面で反射し、最終的にLED装置21の上方に出射する。その他は第1実施形態のLED装置10と等しい。次に図6によりLED装置21の製造方法について説明する。図6はLED装置21の製造工程の説明図である。aで示す準備工程は、図4aの第1実施形態で示した準備工程と同じものである。bで示す接着材塗布工程も図4bの第1実施形態で示した接着材塗布工程と略同じであるが、フィレット23aを形成しやすいように接着材23bをサファイア基板14の下面より広く塗布している。cで示す接着工程において、LED素子16を蛍光体シート11に押し付けるときフィレット23aが形成される。接着材23bを硬化させたらdで示す白色反射部材充填工程において、ディスペンサを使って白色反射部材27を滴下し、加熱して硬化させる。最後にeで示す個片化工程でLED装置21を個片化する。本実施形態ではLED素子16を貼り付ける区画毎に接着材23bを分離して塗布していた。しかしがら多少の光損失を許容すれば、蛍光体シート11の上面全体に亘って接着材を塗布しても良い。このときフィレット23aの裾が隣接するLED素子のフィレット23aの裾と接続しても良い。第3実施形態第2実施形態で示したLED装置21のフィレット23aは図5において上に凸な形状であったが、下に凸な形状逆テーパー形としても良い。この例として図7と図8を参照して本発明の第3実施形態を詳細に説明する。本実施形態のLED装置31の底面は、図2に示した第1実施形態のLED装置10の底面及び図示していない第2実施形態のLED装置21の底面と等しい。そこで図7によりLED装置31の断面構造を説明する。図7は本実施形態におけるLED装置31の断面図である。LED装置31の断面構造は、図5に示した第2実施形態のLED装置21の断面と概ね等しい。LED装置31とLED装置21の断面構造の差異は、LED装置31において、蛍光体シート11の端部にダム材36を備えていること、フィレット33aが下に凸な形状となっていること、このフィレット33aの形状の影響で接着層33及び白色反射部材37が変形していることである。次に図7によりLED装置31の発光について説明する。LED素子16の側方に出射する光青色光および波長変換された光はフィレット33aと白色反射部材37の界面で反射し、最終的にLED装置31の上方に出射する。さらにフィレット33aが下に凸な形状となっていることから、第2実施形態のフィレット23a図5参照に比べて半導体層15の側部に存在する接着材の量が多くなる。この結果、半導体層15の側部から出射する青色光を効率よく取り込み上方に向けることが可能となる。次に図8によりLED装置31の製造方法について説明する。図8はLED装置31の製造工程の説明図である。aで示す準備工程は、図4aの第1実施形態で示した準備工程、及び図6aで示した第2実施形態で示した準備工程と同じものである。本実施形態では準備工程の後にa-1で示すダム材36を配置する工程がある。ダム材36もシリコーン樹脂でよく、ダム材36は印刷法で蛍光体シート11上に配置したら硬化させる。bで示す接着材塗布工程も図4b及び図6bの第1及び第2実施形態で示した接着材塗布工程と略同じであるが、フィレット33aを上に凸な形状とするためダム材36の間に接着材33bを塗布する。cで示す接着工程ではLED素子16を蛍光体シート11に押し付けるときにフィレット33aが形成される。このときダム材36で接着材33bが広がらないようにしているため、フィレット33aは上に凸な形状となる。接着材23bを硬化させたらdで示す白色反射部材充填工程、eで示す個片化工程を経てLED装置21を得る。第4実施形態第1~3実施形態ではLED素子16の突起電極が自然に底面の両端部に配置されていた。これは図3において示したように、p型半導体層15cが占める領域の絶縁膜15dの開口部と、n型半導体層15aがp型半導体層15cから露出する領域に形成された絶縁膜15dの開口部とがそれぞれLED素子16の底面の異なる端部にあったからである。しかしながらn型半導体層に係わる開口部、及びp型半導体層に係わる開口部がLED素子の端部にあるとは限らない。そこで絶縁膜の開口部がLED素子の底面の端部以外の場所にもある場合として図9~11を参照して本発明の第4実施形態を詳細に説明する。まず図9と図10によりLED装置41の構造を説明する。図9は本実施形態におけるLED装置41の断面図である。LED素子41の上面に接着層43を介して蛍光体シート11が接着している。図7で示した第3実施形態のLED装置31と同様に蛍光体シート11の端部にはダム材36があり、接着材のフィレット43aは下に凸な形状をしている。白色反射部材47はフィレット43aの側部だけではなく、LED素子46の突起電極48,49の周囲にも充填されている。白色反射部材47の底部には突起電極48,49と接続するメッキ電極53,54接続電極がある。LED素子46は、サファイア基板44の下に半導体層45を備え、半導体層45の下に配線51,52があり、配線51,52がそれぞれ突起電極48,49と接続している。なお絶縁膜は図示していない。図10はLED装置41において白色反射部材47を充填する前の底面図である。半導体層45が占める領域の外側にはフィレット43a及びダム材36が見える。半導体層45の底面には、コの字状の配線51と直線状の配線52がある。半導体層45の底面の端部では配線51,52と突起電極48,49がそれぞれ接続している。配線51は図示していない絶縁膜の開口部を介してp型半導体層と接続している。同様に配線52は図示していない絶縁膜の開口部を介してn型半導体層と接続している。以上のようにp型半導体層及びn型半導体層の接続部絶縁膜の開口部がLED素子46の底面で分散していても、配線51,52を使うことにより接続部を相互に接続し、底面端部にメッキ電極53,54と接続する突起電極48,49を形成できる。このとき白色反射部材47は配線51,52とメッキ電極53,54の層間絶縁膜として機能する。次に図11によりLED装置41の製造方法について説明する。図11はLED装置41の製造工程の説明図である。aで示す準備工程は、LED素子46が第1~3実施形態におけるLED素子16から置き換わったこと以外、図4,6,8aにおいて示した第1~3実施形態の準備工程と同じである。a-2、b、cで示したダム材を配置する工程、接着材塗布工程、接着工程は、図8a-1、b、cで示した第3実施形態のダム材を配置する工程、接着材塗布工程、接着工程と等しい。なおLED素子46がLED素子16と異なることから部材の番号を変え、接着材43b、フィレット43aとしている。dで示した白色反射部材充填工程では、突起電極48,49の周囲が埋まるまで白色反射部材47を充填する。この場合、いったん突起電極48,49全体が埋まるまで白色反射部材47を充填し、白色反射部材47を硬化させてから白色反射部材47の上面を研削して突起電極48,49の上面を露出させると良い。d-2で示した工程では、ホトリソグラフィと電解メッキ法を組み合わせてメッキ電極53、54を形成する。まず白色反射部材47の上面全体にメッキ用共通電極を形成し、レジスト材を塗布する。ホトリソグラフィ法によりメッキ電極53,54を形成する領域にレジスト材の開口部と形成し、この開口部において電解メッキ法で金属層を成長させる。続いてレジスト材をエッチングで除去し、最後にメッキ電極53,54をマスクとして余分なメッキ用共通電極を除去する。なおメッキ電極53,54は、スパッタ法による成膜とホトリソグラフィ及びエッチングによって形成してもよい。電解メッキ法はメッキ電極53,54の厚さが3μm以上である場合に有効となる。最後にeで示した個片化工程でLED装置41を個片化する。個片化工程は図4e等で示した個片化工程と同等のものである。"