"支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOI基板の活性Si層内にカンチレバー領域および前記カンチレバー領域に隣接し、電極を支持する電極支持領域を画定し、前記カンチレバー領域において前記活性Si層を貫通する複数の貫通孔を形成し、前記貫通孔を介して、前記カンチレバー領域下の前記ボンディング酸化膜をエッチング除去して、キャビティを形成し、前記カンチレバー領域上に可動電極を形成し、前記カンチレバー領域および前記電極支持領域を画定するスリットパターンで、複数のスリットが合流する位置においては、スリット間を分離する前記活性Si層の分離壁を残して、前記活性Si層を貫通してスリットを形成し、前記スリットを埋め込んで前記活性Si層上に犠牲膜を形成し、前記犠牲膜を選択的にエッチングし、前記電極支持領域の一部を露出する立体電極の底面構造をパターニングし、前記パターニングした犠牲膜上、露出した前記電極支持領域上にメッキ下地層を形成し、前記メッキ下地層上に立体電極の平面形状を規定するレジストパターンを形成し、前記メッキ下地層上に電解メッキを行って、前記電極支持領域に支持され、前記可動電極上方にオーバーハングする部分を有する固定電極を形成し、前記レジストパターン、前記犠牲膜を除去し、不要な前記活性Si層の前記分離壁を除去する、MEMSスイッチの製造方法。前記分離壁を含んで画定されるスリットは一定の幅を有する請求項1に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記複数のスリットが同一の幅を有する請求項1又は2に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記分離壁が、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続する形状を有する請求項1~3のいずれか1項に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記分離壁が、第1の幅の分離壁と、前記第1の幅より大きな第2の幅の分離壁を含み、複数種類の幅を有し、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続する分離壁は前記第1の幅を有し、前記電極支持領域と前記カンチレバー領域以外の領域を接続する分離壁が前記第2の幅を有する請求項4に記載のMEMSスイッチの製造方法。前記スリットを形成する際、さらに、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続するサポートビームを残す請求項1記載のMEMSスイッチの製造方法。カンチレバーを利用したマイクロスイッチに新たな構造を採用しようと試みたところ、新たな問題が生じた。SOI基板を用い、電極領域を分離するスリットを活性Si層に形成し、その後メッキ用の犠牲膜を堆積してスリットを埋め戻そうとすると、スリットの合流部は犠牲膜で塞がれにくく、その後の工程で支障を生じる。1実施例によれば、MEMSスイッチの製造方法は、支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOI基板の活性Si層内にカンチレバー領域および前記カンチレバー領域に隣接し、電極を支持する電極支持領域を画定し、前記カンチレバー領域において前記活性Si層を貫通する複数の貫通孔を形成し、前記貫通孔を介して、前記カンチレバー領域下の前記ボンディング酸化膜をエッチング除去して、キャビティを形成し、前記カンチレバー領域上に可動電極を形成し、前記カンチレバー領域および前記電極支持領域を画定するスリットパターンで、複数のスリットが合流する位置においては、スリット間を分離する前記活性Si層の分離壁を残して、前記活性Si層を貫通してスリットを形成し、前記スリットを埋め込んで前記活性Si層上に犠牲膜を形成し、前記犠牲膜を選択的にエッチングし、前記電極支持領域の一部を露出する立体電極の底面構造をパターニングし、前記パターニングした犠牲膜上、露出した前記電極支持領域上にメッキ下地層を形成し、前記メッキ下地層上に立体電極の平面形状を規定するレジストパターンを形成し、前記メッキ下地層上に電解メッキを行って、前記電極支持領域に支持され、前記可動電極上方にオーバーハングする部分を有する固定電極を形成し、前記レジストパターン、前記犠牲膜を除去し、不要な前記活性Si層の前記分離壁を除去する。スリット合流部に分離壁を残して、スリットを形成し、犠牲膜を形成することにより、犠牲膜でスリットを確実に塞ぐことが可能になる。不要な分離壁を除去して所望の構成を得ることができる。図1Aは、本発明者らが検討した、新たな構成のマイクロスイッチを概略的に示す平面図である。カンチレバーCLは、基本的に横長であり、横方向両端の2本の可撓性ビームFBで支持される。動作の安定性を増加できることが期待される。カンチレバーCL上に、駆動電極とスイッチ電極が横方向に並び、基本的に同一量変位する。変位量の増幅作用は得られないが、動作の安定性は増加することが期待される。マイクロスイッチは、単一の可動接点MCEと単一の固定接点FCEとが接触、離隔する構造である。接点数の減少により、故障発生率の減少が期待される。図1Aに示すマイクロスイッチにおいては、斜線部のボンディング酸化膜BOXを除去する為に、図1Bに示すように、カンチレバー領域の活性半導体Si層に、貫通孔THを分布形成し、ボンディング酸化膜を予めエッチング除去しておく。貫通孔THを分布形成することにより、カンチレバー下のBOX膜を除去するためのサイドエッチング量が減少し、カンチレバー領域以外でのボンディング酸化膜BOXのサイドエッチング量を抑制できる。長時間希弗酸などによるエッチングを行なうと、電極剥離等の事故が生じ得るが、エッチング時間を短縮することにより、このような事故発生確率を抑制できる。活性Si層の利用可能領域の増大も期待される。カンチレバーを形成すると共に、各メッキ電極を支持する領域メッキ電極領域と呼ぶを周囲の活性半導体層から電気的に分離するスリットSを、活性半導体Si層を貫通して形成する。各電極間の電気的分離が向上し、RF信号のリークが減少することが期待される。なお、各メッキ電極領域を囲むようにスリットSを形成すると、スリットSの合流部Jが発生する。まず、上記着想に基づき、本発明者らが行なった予備的実験に沿って説明する。図2Aに示すように、SOIチップ内の平面配置を設定する。図1Aに示すような機能素子を実現する為、カンチレバー領域CL及び他の電極領域を画定するスリットS、合流部Jの位置を決める。SOI基板は、例えば抵抗率1000Ωcm以上、厚さ15μmの100Si層が、厚さ4μmの熱酸化膜を介して、厚さ300μm~600μm、例えば525μm、のSi支持基板上に結合されたものである。SOIチップの寸法は、例えば500~800μm×600~900μm程度、カンチレバーの矩形領域の寸法は、例えば120μm×450μm程度、矩形短辺を延長した可撓ビームの寸法は40μm×120μm程度である。図2Bに示すように、カンチレバー領域CLのボンディング酸化膜BOXを除去する為、カンチレバー領域CL内に分布した開口を有するレジストパターンPR1を形成し、開口内の活性Si層ALをエッチングして貫通孔THを形成する。各開口は例えば約2μm×約6μmの寸法を有する。エッチングは例えばSF6をエッチングガス、C4F8を堆積ガスとするdeepRIE深堀り反応性イオンエッチングボッシュプロセスによって行う。開口内に露出したボンディング酸化膜BOXを例えばバッファード弗酸でエッチングする。開口間の距離により、必要なサイドエッチング量が求まる。カンチレバー領域CLのボンディング酸化膜BOXが除去され、カンチレバー領域CLの活性半導体Si層ALと支持基板SSとの間に空隙キャビティCVが形成される。キャビティCVに隣接する固定部においても、例えばスリット位置から幅20μm程度のボンディング酸化膜BOXが除去される。その後、レジストパターンを除去し、図2Cに示すように、下部電極層LEを堆積し、下部電極層LE上にレジストパターンPR2を形成し、露出部の下部電極層LEをエッチングしてパタ-ニングを行なう。下部電極LEは、例えば厚さ50nmのCr層と厚さ500nmのAu層とをスパッタリングで積層して形成する。開口内への下部電極層の形成はできなくても、各開口の面積は狭く、開口の周囲でパターニングした電極層は連続し、問題は生じない。その後レジストパターンPR2は除去する。以下、活性Si層AL,下部電極層LE中の開口THは図示を省略する。図3Aは、下部電極層をパターニングした状態の上面図である。図3B,3Cの断面図の位置を一点破線で示す。カンチレバーCL領域の図中上部にスイッチ用の可動コンタクト電極MCE,図中中間部から下部に可動駆動電極MDEが形成される。両電極ともカンチレバー領域CLの可撓性ビームFBを通り、外部の固定部に延在する。可動駆動電極MDEと対向する固定駆動電極FDE領域にも下部電極を形成する。スリットSの位置を破線で示す。図3Bに示すように、スリットS形成領域に開口を有するレジストパターンPR3を形成し、開口内に露出した活性Si層ALをエッチングして活性Si層ALを貫通するスリットSを形成する。スリット幅は、例えば約2μmである。エッチングは例えばSF6をエッチングガス、C4F8を堆積ガスとするdeepRIEによって行う。カンチレバーCLの活性Si層AL下のボンディング酸化膜BOXは既に除去されている。カンチレバーCLが可撓性ビームFBの可撓性により、上下変位可能になる。その後、レジストパターンPR3を除去する。固定電極は、固定部に支持され、スリットS上方を横断し、下部電極上方にオーバーハングする部分を有する。従って、固定電極形成前に下部電極、スリットを形成しておく必要がある。カンチレバーCLの活性Si層AL下方にキャビティCVを形成し、カンチレバーCLの周囲のスリットSを形成した後、スリットS上方を横断する固定電極を形成するため、一旦スリットSを塞ぐことが好ましい。図3Cに示すように、活性Si層AL上に犠牲膜SFを化学気相堆積CVDで堆積する。スリットSにおいても側壁に堆積した膜が次第に張り出し、やがてスリットSは塞がれる。例えば、テトラエトキシシランTEOSをSiソースガスとし、酸化シリコン膜をプラズマCVDで厚さ約4μm堆積する。図4DはスリットSへの犠牲膜SFの堆積を示す概略断面図である。犠牲膜SFは活性Si層AL表面上に堆積するのみでなく、活性Si層ALに形成したスリットSの側壁上にも堆積する。ここで、スリットSの側壁上に堆積する犠牲膜の厚さに着目すると、上部においては上面上と同等程度に厚く堆積するが、下方に向かうに従って堆積膜厚は薄くなる。図4Aは、スリットの合流部Jの平面図である。図中横方向に直線状のスリットS1が形成され、図中下方から垂直に上昇し、合流部JにおいてスリットS1に合流するスリットS2がある。この合流部Jにおける犠牲膜SFの堆積状態を説明する。図4Bに示すように、犠牲膜SFは活性Si層AL上面に堆積すると共に、スリットSにおいては、側壁上にも堆積し、スリットSの両側から次第にスリットを塞ぐように堆積する。但し、スリットS1,S2の合流部Jにおいては、対向する側壁がない領域があり、塞がれにくい。図4Cに示すように、合流部J以外ではスリットSの両側から成長する犠牲膜が互いに接し、連続する犠牲膜が成長するようになっても、合流部Jにおいては開口APが残る。さらに犠牲膜SFを堆積することにより、開口APは次第に小さくなり、やがて消滅する。図4Eは、両側から成長した犠牲膜SFが互いに接し、さらに成長していく状態を示す断面図である。犠牲膜SFは、エッチングでパターニングし、メッキ用の型を作るための層として機能する。開口APが消滅した後も成膜を続けることで十分な厚さの犠牲膜を成長する。開口APが残っている状態や、開口APは消滅したが開口のあった箇所の犠牲膜の厚さが不十分な状態で、犠牲膜SFの堆積を終了させると、続いて行われるエッチング工程で開口APがスリット下部の空隙と外部とを連絡することになる。特に、カンチレバーCLに接する位置の合流部Jでは外部空間と活性Si層AL下方のキャビティCVを狭い開口APが接続してしまうような形態が生じうる。このような状態でフォトリソグラフィ工程を行うと、開口からスリットSやキャビティCV内部にレジストが入り込む。スリットやキャビティに入り込んだレジストは、除去できず最後まで残ってしまうこともある。デバイス動作不良の原因となる。そのため、スリットの犠牲膜による封止を完全に行うため、犠牲膜の膜厚を厚く設計していた。犠牲膜を厚くすると、膜応力により、ウエハが反り、露光において焦点深度不足となり、不具合を生じることもあった。このようにスリットの合流部を形成すると、スリットを塞ぐ犠牲膜堆積に課題が生じる。図5Aは、改良されたスリットパターンを示す平面図である。主に、図1Aに示すスリットSと異なる点を説明する。図5AのスリットSにおいては、合流部Jにおけるスリット形状が変更されている。合流部Jにおいて、合流すべき2つのスリット間に分離壁を残す。図5Bに示すように、横方向のスリットS1に下側から縦方向のスリットS2が合流するとする。例えばスリットS1,S2は一定の幅wを有するとする。スリットS1をスリットS2で2つの部分に分割し、スリットS2から所定幅の分離壁PWを介して、両側にスリットS1を配置する。スリットS1もS2も一定の幅wを有し、当初は互いに分離され、合流しない。一定幅のスリットは、所定膜厚の犠牲膜の堆積により確実に塞ぐことができる。図5Aのスリットパターンを用いて、図3Bに示すスリットS形成のエッチング工程を行う。形成されるスリットSのパターンには、図5Aに示すように、2つ以上のスリットが直接接続される合流部はない。図3Cに示すように、活性Si層AL上に酸化シリコンの犠牲膜SFを化学気相堆積CVDで堆積する。例えば、テトラエトキシシランTEOSをSiソースガスとし、酸化シリコン膜をプラズマCVDで厚さ約4μm堆積する。スリットSは2μmの一定幅を有するので、側壁に堆積した膜が次第に張り出し、スリットSは確実に塞がれる。谷形状の部分では、両側から成膜が進み、谷が埋め戻される。その後、3枚のレジストマスクを用い、厚さ4μmの犠牲膜SFに対して、それぞれ深さ3μmのエッチング、深さ0.5μmのエッチング、深さ0.5μmのエッチングを選択的に行なう。3回のエッチングで計4μmのエッチングを受けた領域は、活性Si層ALが露出する。3μmと0.5μのエッチングで、深さ約3.5μmの孔が可動コンタクト電極MCE上方の犠牲膜SF中に形成され、固定コンタクト電極FCEの接点を画定する。3μmのエッチングで深さ約3.0μmの凹部が可動駆動電極MDE上方の犠牲膜SF中に形成され、固定駆動電極MDEのブリッジ部分を画定する。可動コンタクト電極MCEが固定コンタクト電極FCEの接点に接しても、駆動電極対MDE,FDEの間には約0.5μmのギャップが残る配置となる。メッキにより、可動電極上方に延在する部分を有する固定電極FCE,FDEを形成する。図6A,6Bに示すように、まず、犠牲膜SFを覆って、活性Si層AL全面上にシード層SDを形成する。例えば、厚さ50nmのMo層と厚さ500nmのAu層をスパッタリングで積層してシード層SDとする。シード層SD上に、メッキしない領域を覆うレジストパターンPR5を形成する。レジストパターンPR5の領域を図6A中斜線部で示す。電解メッキによりシード層SD上にAuメッキ層PLを、例えば厚さ15μm、形成する。その後、レジストパターンPR5を除去し、露出したシード層SDはArイオンを用いたミリングで除去し、露出した犠牲膜SFはバッファード弗酸等のエッチングで除去する。犠牲膜SF除去により露出したメッキ層PL下面のMo層はエッチングで除去する。図5A,6Aに示した、分離壁PWを備えたスリットSが露出する。SF6ガスを用いたRIEにより、合流部Jにおいてスリット間を隔離してきた分離壁PWを除去する。分離壁PWが除去されることにより、合流すべきスリットが実際に合流する。このエッチングにより活性Si層AL全体もエッチング対象となるが、エッチング量に対して活性Si層ALの厚さは十分厚く、問題は生じない。図7A、7B、7Cは得られる構造を示す。図7Aが平面図、図7BがB-B線に沿う断面図、図7CがB-C線に沿う断面図である。スリット間の分離壁PWが除去され、スリットが図1Aに示したような連続した形状となり、カンチレバーCLが上下に変位可能となる。固定コンタクト電極FCEの下方に可動コンタクト電極MCEが配置され、ブリッジ状固定駆動電極FDE下方に可動駆動電極MDEが配置される。駆動電極MDE,FDE間に静電引力が生じると、1対の可撓性ビームFBで支持されたカンチレバーCL先端が上方に変位し、可動電極MDE,MCEを同一高さ分上方に変位させる。可動コンタクト電極MCEが固定コンタクト電極FCEに当接すると、スイッチがオンになる。この時、可動駆動電極MDEは未だ固定駆動電極から離れた位置にある。高周波の通過する電極が形成されたメッキ電極領域は、カンチレバー領域CLを除いて周囲をスリットSで囲まれ、周囲から電気的に分離されている。従って、高周波信号のリークは抑制される。スリットSの合流部Jに分離壁PWを残した状態で、犠牲膜堆積、メッキ層形成を行い、犠牲膜除去後、等方性を強めたRIEにより、分離壁をエッチング除去することにより、キャビティ部における事故がほぼ消滅した。なお、フォトリソグラフィ、エッチングの工程において、角部の丸め込みが生じることがある。スリットS1とS2を分離壁PWで分離した状態で形成した時、丸め込みが生じると分離壁PWの幅が一定でなくなる。図8Aは、丸め込みが生じても影響を抑制できるスリットパターンを示す。横方向のスリットS1に縦方向のスリットS2を合流する場合、縦方向のスリットS2が横方向のスリットS1を突き抜けて逆側に突出するように配置し、縦方向のスリットS2と横方向のスリットS1との間に分離壁PWを配置する。言い換えれば、T形の合流部の代わりに、形の合流部を設定するとも言えよう。図8Bは、リソグラフィ、エッチングにおいて丸め込みが生じ、角部が丸められた形状を示す。スリットS2がスリットS1を突き抜けるように配置しているので、スリットS2の幅が狭い部分は主にスリットS1より上の部分に配置され、スリットS1の中心線上でスリットS2は本来の幅を有し、スリットS2とスリットS1の間の間隔も本来の値を保つ。図8Cは、図8Bの形状のSi活性層にRIEによるエッチングを行ない、分離壁PWを除去した状態を示す。所定量のエッチングで分離壁PWは切断され、カンチレバー構造を実現することができる。図8Dは、図8A,8Bの状態のスリットS2中心線上に沿う断面図である。スリットS1はキャビティCV周囲のスリットであり、ボンディング酸化膜BOXは既に除去されている。分離壁PWは、キャビティCV上方で、カンチレバーCLと周囲のSi活性層を接続するように残っている。図8Eは、図8Cに示すRIEエッチング後の断面図である。RIEにより所定幅の分離壁PWは消滅する。Siのエッチングにより、Si支持基板SSもエッチングされ、分離壁PWの下方に、影となってエッチング量の少なかった部分が凸部となって残る。なお、合流部に分離壁を残して、スリットの幅を一定に保つスリット形状は上述のものに限らない。図9は、分離壁PWを備えたスリット形状の他の例である。キャビティCV周囲のスリットS1は、合流点では分割せず、合流するスリットS2に分離壁PWを形成する。この場合、スリットS1のエッチング終了後は、カンチレバーCLが変位可能となってしまう。加工工程中はカンチレバーCLは固定されていることが好ましく、カンチレバーCLと周囲のSi活性層ALとの間を接続する支持ビームSBを形成する。支持ビームSBも分離壁PW除去のエッチングで除去される。カンチレバーCLの変位自由度を確保する為、カンチレバーCL下方のボンディング酸化膜BOX除去は余裕をもって行なわれる。ボンディング酸化膜BOXを除去したキャビティCVは、例えば幅20μm程度外側の固定部に入り込む。メッキ層が圧縮応力を示すとSi活性層がSi支持基板から剥離することもある。電極支持領域のSi活性層をスリットSで完全に分離せず、スリットを介して対向する他のSi活性層領域に一部連続するようにすると剥離を抑制するのに有効である。図10は、スリットS1とスリットS2の合流部において、スリットS1の片側には上述の実施例同様の分離壁PWを形成し、逆側対向する側には分離壁PWより幅が広く、RIEで除去されない結合ビームTBを形成する形態を示す。例えば分離壁の幅は2μmとし、結合ビームTBの幅は5μmとする。2μm幅以上のエッチングで、分離壁PWは除去されてカンチレバーCLの変位自由度を確保した状態で、結合ビームTBは一部が残り、スリットで囲まれた電極支持領域を外側の固定領域に接続する。以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、カンチレバーの形状は長方形の短辺に沿って2本の可撓性ビームFBが形成されたものに限らない。キャビティに隣接する電極領域を囲むように、活性Si層を貫通するスリットを形成する構造を有するものであれば、結合領域は有効であろう。図11は、変形例の1例を示す。スリットSが1本の可撓性ビームFBに支持された横長矩形のカンチレバーCLを画定し、斜線部にキャビティが形成される。カンチレバーCLの長さ方向に可動駆動電極MDEと可動コンタクト電極MCEが形成される。固定駆動電極FDEと固定コンタクト電極FCEのメッキ電極領域を取り囲むように、活性Si層を貫通するスリットSが形成される。スリットSの合流部に分離壁PWを残して犠牲膜堆積、メッキ、犠牲膜除去の工程を行ない、その後分離壁PW除去のエッチングを行う点は、上述の実施例同様である。その他、例示した材料、数値は、制限的意味を有さない。種々の変形、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。以下、実施例の特徴を付記する。付記1支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOI基板と、前記活性Si層を貫通する第1のスリットで画定され、可撓性ビームを介して固定部に支持されたカンチレバーと、前記カンチレバーと前記支持Si基板との間のボンディング酸化膜を除去して形成され、前記カンチレバーを変位可能とするキャビティと、前記カンチレバーから固定部に延在する可動電極と、前記固定部に支持され、前記可動電極上方に固定接点を有する固定電極と、前記固定電極の支持部を囲んで、前記活性Si層を貫通して形成され、前記第1のスリットと合流する第2のスリットと、前記第1のスリット下方で、前記支持Si基板に形成された溝であって、前記合流部下方で突起を有する溝と、を有するMEMSスイッチ。付記2前記第1のスリットに連続する前記第2のスリットを横断する結合ビームをさらに有する付記1に記載のMEMSスイッチ。付記3前記溝が前記合流部以外でも突起を有する付記1又は2に記載のMEMSスイッチ。付記4前記カンチレバーが、矩形領域と前記矩形の両短辺に沿って配置された可撓性ビームとを有する付記1~3のいずれか1項に記載のMEMSスイッチ。付記5前記可動電極が可動接点電極と可動駆動電極とを含み、前記固定電極が固定接点電極と固定駆動電極とを含む付記1~4のいずれか1項に記載のMEMSスイッチ。付記6支持Si基板上に活性Si層がボンディング酸化膜を介して結合されたSOI基板の活性Si層内にカンチレバー領域および前記カンチレバー領域に隣接し、電極を支持する電極支持領域を画定し、前記カンチレバー領域において前記活性Si層を貫通する複数の貫通孔を形成し、前記貫通孔を介して、前記カンチレバー領域下の前記ボンディング酸化膜をエッチング除去して、キャビティを形成し、前記カンチレバー領域上に可動電極を形成し、前記カンチレバー領域および前記電極支持領域を画定するスリットパターンで、複数のスリットが合流する位置においては、スリット間を分離する前記活性Si層の分離壁を残して、前記活性Si層を貫通してスリットを形成し、前記スリットを埋め込んで前記活性Si層上に犠牲膜を形成し、前記犠牲膜を選択的にエッチングし、前記電極支持領域の一部を露出する立体電極の底面構造をパターニングし、前記パターニングした犠牲膜上、露出した前記電極支持領域上にメッキ下地層を形成し、前記メッキ下地層上に立体電極の平面形状を規定するレジストパターンを形成し、前記メッキ下地層上に電解メッキを行って、前記電極支持領域に支持され、前記可動電極上方にオーバーハングする部分を有する固定電極を形成し、前記レジストパターン、前記犠牲膜を除去し、不要な前記活性Si層の前記分離壁を除去する、MEMSスイッチの製造方法。付記7前記分離壁を含んで画定されるスリットは一定の幅を有する付記6請求項1に記載のMEMSスイッチの製造方法。付記8前記複数のスリットが同一の幅を有する付記6又は7請求項1又は2に記載のMEMSスイッチの製造方法。付記9前記分離壁が、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続する形状を有する付記6~8請求項1~3のいずれか1項に記載のMEMSスイッチの製造方法。付記10前記分離壁が、第1の幅の分離壁と、前記第1の幅より大きな第2の幅の分離壁を含み、複数種類の幅を有し、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続する分離壁は前記第1の幅を有し、前記電極支持領域と前記カンチレバー領域以外の領域を接続する分離壁が前記第2の幅を有する付記9請求項4に記載のMEMSスイッチの製造方法。付記11前記スリットを形成する際、さらに、前記カンチレバー領域の前記活性Si層と、前記電極支持領域の前記活性Si層とを接続するサポートビームを残す付記6請求項1記載のMEMSスイッチの製造方法。"