"被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、第1の周波数を有する第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の電極もしくは前記第2の電極に伝送する第1の高周波給電ラインと、前記第1の高周波給電ライン上を前記第1の電極もしくは前記第2の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第1の反射波パワー測定部と、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波給電ラインと、前記第2の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第2の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第2の反射波パワー測定部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むための前記第2の周波数よりも低い第3の周波数を有する第3の高周波を出力する第3の高周波電源と、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を前記第1の電極まで伝送する第3の高周波給電ラインと、前記第3の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第3の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第3の反射波パワー測定部と、前記第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に基づいて前記第1、第2および第3の高周波電源の各々を制御する制御部とを有するプラズマ処理装置。被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、第1の周波数を有する第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の電極もしくは前記第2の電極に伝送する第1の高周波給電ラインと、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第1の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第1の高周波給電ライン上に設けられる第1の整合器と、前記第1の高周波給電ライン上を前記第1の電極もしくは前記第2の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第1の反射波パワー測定部と、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波給電ラインと、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第2の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第2の高周波給電ライン上に設けられる第2の整合器と、前記第2の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第2の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第2の反射波パワー測定部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むための前記第2の周波数よりも低い第3の周波数を有する第3の高周波を出力する第3の高周波電源と、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を前記第1の電極まで伝送する第3の高周波給電ラインと、前記第3の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第3の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第3の反射波パワー測定部と、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第2の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第3の高周波給電ライン上に設けられる第3の整合器と、前記第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に基づいて前記第1、第2および第3の整合器の各々を制御する制御部とを有するプラズマ処理装置。前記第1の反射波パワー測定部が、前記第1の高周波給電ライン上の反射波を取り出す第1の方向性結合器と、前記第1の周波数に対して前記第1の高周波給電ライン上の異周波反射波の中で最も近い周波数よりさらに近い第1の近傍周波数を有する第1の局部発振信号を発生する第1の局部発振器と、前記第1の方向性結合器より取り出された反射波の信号と前記第1の局部発振信号とを混合する第1の混合器と、前記第1の混合器より出力される信号のうち前記第1の周波数と前記第1の近傍周波数との差に相当する第1の中間周波数を有する第1の中間周波信号を選択的に通過させる第1のローパスフィルタと、前記第1のローパスフィルタによって取り出された前記第1の中間周波信号を検波して、前記第1の反射波パワー測定値信号の一部を成す第1の基本反射波パワー測定値信号を出力する第1の検波器とを有する、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記第1の近傍周波数は、前記第1の周波数と前記第1の高周波給電ライン上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数との差の1/8~1/3だけ前記第1の周波数からオフセットしている、請求項3に記載のプラズマ処理装置。前記第1の周波数に最も近い前記第1の高周波給電ライン上の異周波反射波の周波数は、次の式1を演算して決定される、請求項4に記載のプラズマ処理装置。±AMHz×m±BMHz×n±CMHz×l1但し、Aは第1の周波数、mはAの高次係数第m次高調波、Bは第2の周波数、nはBの高次係数第n次高調波、Cは第3の周波数、lはCの高次係数第l次高調波である。前記制御部が、前記式1を演算して、前記第1の周波数に最も近い前記異周波反射波の周波数を決定する、請求項5に記載のプラズマ処理装置。前記第2の反射波パワー測定部が、前記第2の高周波給電ライン上の反射波を取り出す第2の方向性結合器と、前記第2の周波数に対して前記第2の高周波給電ライン上の異周波反射波の中で最も近い周波数よりさらに近い第2の近傍周波数を有する第2の局部発振信号を発生する第2の局部発振器と、前記第2の方向性結合器より取り出された反射波の信号と前記第2の局部発振信号とを混合する第2の混合器と、前記第2の混合器より出力される信号のうち前記第2の周波数と前記第2の近傍周波数との差に相当する第2の中間周波数を有する第2の中間周波信号を選択的に通過させる第2のローパスフィルタと、前記第2のローパスフィルタによって取り出された前記第2の中間周波信号を検波して、前記第2の反射波パワー測定値信号の一部を成す第2の基本反射波パワー測定値信号を出力する第2の検波器とを有する、請求項1~6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第2の近傍周波数は、前記第2の周波数と前記第2の高周波給電ライン上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数との差の1/8~1/3だけ前記第2の周波数からオフセットしている、請求項7に記載のプラズマ処理装置。前記第2の周波数に最も近い前記第2の高周波給電ライン上の異周波反射波の周波数は、次の式2を演算して決定される、請求項8に記載のプラズマ処理装置。±AMHz×m±BMHz×n±CMHz×l2但し、Aは第1の周波数、mはAの高次係数第m次高調波、Bは第2の周波数、nはBの高次係数第n次高調波、Cは第3の周波数、lはCの高次係数第l次高調波である。前記制御部が、前記式2を演算して、前記第1の周波数に最も近い前記異周波反射波の周波数を決定する、請求項9に記載のプラズマ処理装置。前記第3の反射波パワー測定部が、前記第3の高周波給電ライン上の反射波を取り出す第3の方向性結合器と、前記第3の周波数に対して前記第3の高周波給電ライン上の異周波反射波の中で最も近い周波数よりさらに近い第3の近傍周波数を有する第3の局部発振信号を発生する第3の局部発振器と、前記第3の方向性結合器より取り出された反射波の信号と前記第3の局部発振信号とを混合する第3の混合器と、前記第3の混合器より出力される信号のうち前記第3の周波数と前記第3の近傍周波数との差に相当する第3の中間周波数を有する第3の中間周波信号を選択的に通過させる第3のローパスフィルタと、前記第3のローパスフィルタによって取り出された前記第3の中間周波信号を検波して、前記第3の反射波パワー測定値信号の一部を成す第3の基本反射波パワー測定値信号を出力する第3の検波器とを有する、請求項1~10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第3の近傍周波数は、前記第3の周波数と前記第3の高周波給電ライン上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数との差の1/8~1/3だけ前記第2の周波数からオフセットしている、請求項11に記載のプラズマ処理装置。前記第3の周波数に最も近い前記第3の高周波給電ライン上の異周波反射波の周波数は、次の式3を演算して決定される、請求項9に記載のプラズマ処理装置。±AMHz×m±BMHz×n±CMHz×l3但し、Aは第1の周波数、mはAの高次係数第m次高調波、Bは第2の周波数、nはBの高次係数第n次高調波、Cは第3の周波数、lはCの高次係数第l次高調波である。前記制御部が、前記式3を演算して、前記第1の周波数に最も近い前記異周波反射波の周波数を決定する、請求項13に記載のプラズマ処理装置。前記第1の周波数Aは40.68MHzであり、前記第2の周波数Bは12.88MHzであり、前記第3の周波数Cは3.2MHzである、請求項5,9,13のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記第1の反射波パワー測定部が、前記第1の周波数を含む第1の周波数帯域内のトータルの反射波パワーを測定して、前記第1の反射波パワー測定値信号の一部を成す第1のトータル反射波パワー測定値信号を出力する第1のトータル反射波パワー測定回路を有し、前記第2の反射波パワー測定部が、前記第2の周波数を含む第2の周波数帯域内のトータルの反射波パワーを測定して、前記第2の反射波パワー測定値信号の一部を成す第2のトータル反射波パワー測定値信号を出力する第2のトータル反射波パワー測定回路を有し、前記第3の反射波パワー測定部が、前記第3の周波数を含む第3の周波数帯域内のトータルの反射波パワーを測定して、前記第3の反射波パワー測定値信号の一部を成す第3のトータル反射波パワー測定値信号を出力する第3のトータル反射波パワー測定回路を有する、請求項1~15のいずれか一項に記載プラズマ処理装置。上記のようなRFバイアスの機能を搭載する従来のプラズマ処理装置は、チャンバ内でプラズマから下部電極上の基板に引き込むイオンのエネルギーを制御するために用いる高周波を1種類単一周波数に限定し、そのRFパワーもしくは自己バイアス電圧を制御パラメータとしている。しかしながら、イオン引き込み用のRFバイアスに単一の高周波を用いる従来方式は、基板に引き込むイオンの最大エネルギーと最小エネルギーを独立に制御することができないため、複合的なプロセス特性を求められる最先端のプラズマプロセスにおいてはイオンエネルギー分布の制御性に難がある。この点に関しては、イオン引き込み用のRFバイアスに周波数の異なる2種類の高周波を組み合わせて使用し、それらのトータルパワーおよび/またはパワー比を制御することにより、基板に入射するイオンのエネルギー分布IEDにおいてエネルギーバンド幅および分布形状さらには入射エネルギーの総量を任意に制御できることが最近になってわかってきた。容量結合型のプラズマ処理装置において、イオン引き込み用のRFバイアスに2種類の高周波を用いる場合は、プラズマ生成用の高周波と合わせて全部で3種類の高周波をチャンバ内の平行平板電極に印加することになる。ここで問題となるのは、チャンバ内のプラズマから高周波給電ラインまたは高周波伝送路を伝わって高周波電源に返ってくる反射波であり、当該高周波と同じ周波数の反射波以下、基本波反射波と称する。以外の反射波スペクトル以下、異周波反射波と称する。が著しく増加し、しかもその中に基本波反射波にごく近い周波数の異周波反射波が含まれることである。従来のプラズマ処理装置は、各々の高周波電源ユニット内に、基本波反射波のパワーSPrを測定する基本波反射波パワー測定部と、基本波反射波パワーのみならず異周波反射波のパワーも含むトータルの反射波パワーTPrを測定するトータル反射波パワー測定部とを備えている。基本波反射波パワー測定部より得られる基本波反射波パワーSPrの測定値は、当該高周波給電ライン上に設けられている整合器の動作状況ないし整合状態を表す。ここで、基本波反射波パワーSPrは小さいほど望ましく、整合が完全にとれているときはSPr=0である。整合が完全にとれていないときはSPr≠0であり、整合がとれていない度合いが大きいほどSPrの値が大きくなる。通常、基本波反射波パワーSPrの測定値は、操作パネルのディスプレイに表示され、オペレータが常時監視できるようになっている。また、基本波反射波パワーSPrの測定値が所定の監視値を超えると、整合器の動作状況が異常であるとの判定がなされて、インターロックが掛かり、装置全体の動作が止まるようになっている。一方、トータル反射波パワー測定部より得られるトータル反射波パワーTPrの測定値は、プラズマからの反射波によって当該高周波電源が受ける影響の大きさを示す。ここで、トータル反射波パワーTPrは小さいほど望ましい。しかし、TPr=0になることはない。整合が完全にとれていても、異周波反射波は必ず存在するので、常にTPr>0になる。もちろん、大きなトータル反射波パワーTPrは望ましくない。トータル反射波パワーTPrが大きいほど、当該高周波電源内の増幅器がその影響を受けて高周波出力が不安定になる。さらには、増幅器が破壊するおそれもある。このため、トータル反射波パワーTPrの測定値が所定の監視値を超えたときは、当該高周波電源の出力を応急的に下げるようになっている。ところが、従来の容量結合型プラズマ処理装置に3周波印加方式を適用した場合は、反射波の中に基本波反射波にごく近い周波数の異周波波反射波が含まれるため、基本波反射波パワー測定部のモニタ情報基本波反射波パワーSPrの測定値の精度ないし信頼性が大きく低下する。このため、整合がとれているか否かの判別が困難になることや、インターロックを適確に掛けるのが困難になることが問題視されている。また、従来の容量結合型プラズマ処理装置では、各々のRF給電系においてトータル反射波パワーTPrが過大になった時は、当該高周波電源ユニットがそれに無条件に反応してRF出力を一段下げるようになっている。しかし、3周波印加方式の下でそのような過大なトータル反射波パワーに対する無条件または反射的なRF出力制御が各高周波電源ユニットで個々独立に行われると、プラズマに供給されるRFパワーが不定に変動し、実行中のプロセスに大きな影響を与える。このことも問題になっている。本発明は、上記の現状および課題に鑑みてなされたものであり、3周波印加方式において反射波パワーモニタリングを高精度に行うとともに、過大な反射波パワーに対する各RF給電系の制御を適確に行ってプラズマプロセスの再現性および信頼性を向上させる容量結合型のプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明の第1の観点におけるプラズマ処理装置は、被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、第1の周波数を有する第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の電極もしくは前記第2の電極に伝送する第1の高周波給電ラインと、前記第1の高周波給電ライン上を前記第1の電極もしくは前記第2の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第1の反射波パワー測定部と、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波給電ラインと、前記第2の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第2の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第2の反射波パワー測定部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むための前記第2の周波数よりも低い第3の周波数を有する第3の高周波を出力する第3の高周波電源と、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を前記第1の電極まで伝送する第3の高周波給電ラインと、前記第3の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第3の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第3の反射波パワー測定部と、前記第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に基づいて前記第1、第2および第3の高周波電源の各々を制御する制御部とを有する。上記第1の観点の装置構成においては、第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に応じて第1、第2および第3の高周波電源がそれぞれ個別に対応するのではなくて、制御部が第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号の各々を他のものと照らし合わせて総合的にモニタ解析し、インターロックも含めて第1、第2および第3の高周波電源の動作特にRF出力を統轄的に制御する。本発明の第2の観点におけるプラズマ処理装置は、被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で前記基板を載置して保持する第1の電極と、前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を前記第1の電極もしくは前記第2の電極に伝送する第1の高周波給電ラインと、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第1の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第1の高周波給電ライン上に設けられる第1の整合器と、前記第1の高周波給電ライン上を前記第1の電極もしくは前記第2の電極から前記第1の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第1の反射波パワー測定部と、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数を有する第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波給電ラインと、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第2の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第2の高周波給電ライン上に設けられる第2の整合器と、前記第2の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第2の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第2の反射波パワー測定部と、前記プラズマから前記第1の電極上の前記基板にイオンを引き込むための前記第2の周波数よりも低い第3の周波数を有する第3の高周波を出力する第3の高周波電源と、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を前記第1の電極まで伝送する第3の高周波給電ラインと、前記第3の高周波給電ライン上を前記第1の電極から前記第3の高周波電源に向かって逆方向に伝搬する反射波のパワーを測定する第3の反射波パワー測定部と、前記プラズマ側の負荷インピーダンスを前記第2の高周波電源側のインピーダンスに整合させるために前記第3の高周波給電ライン上に設けられる第3の整合器と、前記第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に基づいて前記第1、第2および第3の整合器の各々を制御する制御部とを有する。上記第2の観点の装置構成においては、第1、第2および第3の反射波パワー測定部よりそれぞれ得られる第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号に応じて第1、第2および第3の整合器の動作状態をそれぞれ個別に判断するのではなくて、制御部が第1、第2および第3の反射波パワー測定値信号の各々を他のものと照らし合わせて総合的にモニタ解析し、インターロックも含めて第1、第2および第3の整合器の動作を統括的に制御する。本発明のプラズマ処理装置によれば、上記のような構成および作用により、3周波印加方式において反射波パワーモニタリングを高精度に行えるとともに、過大な反射波パワーに対する各RF給電系の制御を適確に行ってプラズマプロセスの再現性および信頼性を向上させることができる。以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。[装置全体の構成及び作用]図1に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は、下部3周波印加方式の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理陽極酸化処理されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ処理容器10を有している。チャンバ10は接地されている。チャンバ10の底部には、セラミックなどの絶縁板12を介して円柱状のサセプタ支持台14が配置され、このサセプタ支持台14の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ16が設けられている。サセプタ16は下部電極を構成し、この上に被処理基板としてたとえば半導体ウエハWが載置される。サセプタ16の上面には、半導体ウエハWを静電吸着力で保持するための静電チャック18が設けられている。この静電チャック18は導電膜からなる電極20を一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極20には直流電源22がスイッチ24を介して電気的に接続されている。直流電源22からの直流電圧により、半導体ウエハWを静電気力で静電チャック18に吸着保持できるようになっている。静電チャック18の周囲でサセプタ16の上面には、エッチングの面内均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング26が配置されている。サセプタ16およびサセプタ支持台14の側面にはたとえば石英からなる円筒状の内壁部材28が貼付されている。サセプタ支持台14の内部には、たとえば円周方向に延びる冷媒室または冷媒通路30が設けられている。この冷媒通路30には、外付けのチラーユニット図示せずより配管32a,32bを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水cwが循環供給される。冷媒cwの温度によってサセプタ16上の半導体ウエハWの処理温度を制御できるようになっている。さらに、伝熱ガス供給機構図示せずからの伝熱ガスたとえばHeガスが、ガス供給ライン34を介して静電チャック18の上面と半導体ウエハWの裏面との間に供給される。サセプタ16には、プラズマ生成用の第1高周波電源36、イオン引き込み用の第2高周波電源38およびイオン引き込み用の第3高周波電源40がそれぞれ第1、第2および第3整合器42,44,46および共通の高周波給電導体たとえば給電棒45を介して電気的に接続されている。整合器42,44,46は、チャンバ10内に生成されるプラズマ側の負荷インピーダンスを高周波電源36,38,40のインピーダンスにそれぞれ整合させるように機能する。各々の整合器42,44,46は、少なくとも2つの制御可能なリアクタンス素子を含む整合回路と、各リアクタンス素子のリアクタンス値インピーダンスポジションを制御するためのアクチエータたとえばモータと、上記整合回路を含む負荷インピーダンスを測定するセンサと、負荷インピーダンスの測定値を整合ポイント通常50Ωに合わせるように各アクチエータを駆動制御するコントローラとを有している。第1高周波電源36は、処理ガスの容量結合による高周波放電つまりプラズマ生成に適した第1RF周波数通常27MHz~300MHzを有する第1高周波RF1を所定のパワーで出力可能とするように構成されている。第2高周波電源38は、サセプタ16上の半導体ウエハWにプラズマのイオンを引き込むのに適した高めの第2RF周波数通常6MHz~40MHzを有する第2高周波RF2を所定のパワーで出力可能とするように構成されている。第3高周波電源40は、サセプタ16上の半導体ウエハWにプラズマのイオンを引き込むのに適した低めの第3RF周波数通常10kHz~6MHzを有する第3高周波RF3を所定のパワーで出力可能とするように構成されている。サセプタ16の上方には、このサセプタと平行に対向して上部電極48が設けられている。この上部電極48は、多数のガス噴出孔50aを有するたとえばSi、SiCなどの半導体材料からなる電極板50と、この電極板50を着脱可能に支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体52とで構成されており、チャンバ10の上部にリング状の絶縁体54を介して取り付けられている。この上部電極48とサセプタ16との間にプラズマ生成空間または処理空間PSが設定されている。リング状絶縁体54は、たとえばアルミナAl2O3からなり、上部電極48の外周面とチャンバ10の側壁との間の隙間を気密に塞いでおり、上部電極48を非接地で物理的に支持している。電極支持体52は、その内部にガスバッファ室56を有するとともに、その下面にガスバッファ室56から電極板50のガス噴出孔50aに連通する多数のガス通気孔52aを有している。ガスバッファ室56にはガス供給管58を介して処理ガス供給源60が接続されており、ガス供給管58にマスフローコントローラMFC62および開閉バルブ64が設けられている。処理ガス供給源60より所定の処理ガスがガスバッファ室56に導入されると、電極板50のガス噴出孔50aよりサセプタ16上の半導体ウエハWに向けて処理空間PSに処理ガスがシャワー状に噴出されるようになっている。このように、上部電極48は処理空間PSに処理ガスを供給するためのシャワーヘッドを兼ねている。サセプタ16およびサセプタ支持台14とチャンバ10の側壁との間に形成される環状の空間は排気空間となっており、この排気空間の底にはチャンバ10の排気口66が設けられている。この排気口66に排気管68を介して排気装置70が接続されている。排気装置70は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ10の室内、特に処理空間PSを所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ10の側壁には半導体ウエハWの搬入出口72を開閉するゲートバルブ74が取り付けられている。チャンバ10の外に設置される直流電源76の一方の端子つまり出力端子は、スイッチ78および直流給電ライン80を介して上部電極48に電気的に接続されている。直流電源76はたとえば-2000~1000Vの直流電圧VDCを出力できるように構成されている。直流電源76の他方の端子は接地されている。直流電源76の出力電圧、電流の極性および絶対値およびスイッチ78のオンオフ切換は、後述する主制御部82からの指示の下でDCコントローラ84により制御されるようになっている。直流給電ライン80の途中に設けられるフィルタ回路86は、直流電源76からの直流電圧VDCをスルーで上部電極48に印加する一方で、サセプタ12から処理空間PSおよび上部電極48を通って直流給電ライン80に入ってきた高周波を接地ラインへ流して直流電源76側へは流さないように構成されている。また、チャンバ10内で処理空間PSに面する適当な箇所に、たとえばSi,SiC等の導電性材料からなるDC接地部品図示せずが取り付けられている。このDC接地部品は、接地ライン図示せずを介して常時接地されている。この容量結合型プラズマエッチング装置は、第1、第2および第3高周波電源36,38,40より第1、第2および第3高周波RF1,RF2,RF3をチャンバ10内のサセプタ16までそれぞれ伝送する第1、第2および第3高周波給電ライン高周波伝送路88,90,92上に第1、第2および第3RFパワーモニタ94,96,98をそれぞれ設けている。通常、RFパワーモニタ94,96,98は、高周波電源36,38,40と整合器42,44,46との間で高周波給電ライン88,90,92上にそれぞれ設けられる。この実施形態では、機能上の理解を容易にするために、RFパワーモニタ94,96,98を高周波電源36,38,40からそれぞれ分離している。実際には、高周波電源36,38,40とそれぞれ共通のユニット高周波電源ユニット内にRFパワーモニタ94,96,98が設けられることが多い。第1RFパワーモニタ94は、第1高周波給電ライン88上を第1高周波電源36から負荷側に向かって伝搬する高周波進行波のパワーRF88Ptと、負荷側から第1高周波電源36に向かって伝搬する高周波反射波のパワーRF88Prとを同時にモニタリングする。第1高周波電源36の負荷は、チャンバ10内のプラズマと第1整合器42内の整合回路のインピーダンスとを含む。第2RFパワーモニタ96は、第2高周波給電ライン90上を第2高周波電源38から負荷側に向かって伝搬する高周波進行波のパワーRF90Ptと、負荷側から第2高周波電源38に向かって伝搬する高周波反射波のパワーRF90Prとを同時にモニタリングする。第2高周波電源38の負荷は、チャンバ10内のプラズマと第2整合器44内の整合回路のインピーダンスとを含む。第3RFパワーモニタ98は、第3高周波給電ライン92上を第3高周波電源40から負荷側に向かって伝搬する高周波進行波のパワーRF92Ptと、負荷側から第3高周波電源40に向かって伝搬する高周波反射波のパワーRF92Prとを同時にモニタリングする。第3高周波電源40の負荷は、チャンバ10内のプラズマと第3整合器46内の整合回路のインピーダンスとを含む。第1、第2および第3RFパワーモニタ94,96,98の具体的な構成および作用は、後に詳細に説明する。主制御部82は、1つまたは複数のマイクロコンピュータを含み、このプラズマエッチング装置内の各部たとえば静電チャック用のスイッチ24、高周波電源36,38,40、整合器42,44,46、処理ガス供給部60,62,64、排気装置70、DCバイアス用のDCコントローラ84、チラーユニット、伝熱ガス供給部等の動作を制御する。また、主制御部82は、キーボード等の入力装置や液晶ディスプレイ等の表示装置を含むマンマシンインタフェース用の操作パネル85および各種プログラムやレシピ、設定値等の各種データを格納または蓄積する外部記憶装置図示せず等とも接続されている。さらに、この実施形態における主制御部82は、RFパワーモニタ94,96,98にも接続されており、これらのパワーモニタ94,96,98から送られてくるモニタ情報に基づいて3系統の高周波電源36,38,40、および整合器42,44,46を統括的に制御するようになっている。この実施形態では主制御部82が1つの制御ユニットとして示されているが、複数の制御ユニットが主制御部82の機能を並列的または階層的に分担する形態を採ってもよい。このプラズマエッチング装置において、エッチング加工を行なうには、先ずゲートバルブ74を開状態にし、加工対象の半導体ウエハWをチャンバ10内に搬入して、静電チャック18の上に載置する。そして、処理ガス供給源60より所定の処理ガスつまりエッチングガス一般に混合ガスを所定の流量および流量比でチャンバ10内に導入し、排気装置70による真空排気でチャンバ10内の圧力を設定値にする。さらに、第1高周波電源36よりプラズマ生成用の第1高周波RF127MHz~300MHz、第2および第3高周波電源38,40よりイオン引き込み用の第2高周波RF26MHz~40MHzおよび第3高周波RF310kHz~6MHzをそれぞれ所定のパワーでサセプタ下部電極16に印加する。また、スイッチ24をオンにし、静電吸着力によって、静電チャック18と半導体ウエハWとの間の接触界面に伝熱ガスHeガスを閉じ込める。また、必要に応じて、スイッチ78をオンにして、直流電源76からの所定の直流電圧VDCを上部電極48に印加する。シャワーヘッド上部電極48より吐出されたエッチングガスは両電極16,48間で高周波放電によってプラズマ化し、このプラズマに含まれるラジカルやイオンによって半導体ウエハWの主面の膜がエッチングされる。この実施形態のプラズマエッチング装置は、プラズマから半導体ウエハWへのイオンの引き込みに適した2種類の高周波RF26MHz~40MHz,RF310kHz~6MHzをサセプタ16に重畳して印加するハードウェア構成38,40,44,45,46を有し、エッチング加工の仕様、条件またはレシピに応じて主制御部82が両高周波RF2,RF3のトータルパワーおよびパワー比を制御することにより、サセプタ12上の半導体ウエハWの表面に入射するイオンのエネルギー分布IEDに関して、エネルギーバンド幅および分布形状さらには入射エネルギーの総量を多種多様に制御することができるようになっている。たとえば、図2に模式的に示すように、イオンエネルギーの最大値最大エネルギーを固定して最小値最小エネルギーを一定の範囲内で任意に調節すること、反対に最小エネルギーを固定して最大エネルギーを一定の範囲内で任意に調節すること、エネルギー平均値または中心値を固定したままエネルギーバンドの幅を一定の範囲内で任意に制御すること、あるいは中間エネルギー領域のイオン分布数を調節すること等が可能となっている。他方で、非線形な負荷であるチャンバ10内のプラズマに供給される高周波の種類周波数が従来2周波印加方式の2種類からこの実施形態の3周波印加方式では3種類に増えることで、プラズマで発生する非線形高調波歪が著しく増加する。それによって、チャンバ10内のプラズマから各高周波電源36,38,40に向かって伝搬する反射波には夥しい数のスペクトルが含まれる。しかも、基本波反射波にごく近い周波数の異周波反射波も含まれる。たとえば、一実施例として、プラズマ生成用の第1高周波RF1の周波数が40.68MHzに選ばれ、イオン引き込み用の第2高周波RF2および第3高周波RF3の周波数がそれぞれ12.88MHzおよび3.2MHzに選ばれるとする。この場合、チャンバ10内のプラズマから第1高周波給電ライン88を通って第1高周波電源36に返ってくる反射波のスペクトル分布は、模式的には図3に示すようになる。すなわち、基本波反射波40.68MHzの周りに多数の異周波反射波が分布し、そのぶんトータル反射波パワーも増大する。さらに、周波数に関して異周波反射波が基本波反射波40.68MHzに近接することも特徴的である。特に、基本波反射波40.68MHzと両隣の異周波反射波40.60MHz,40.76MHzとの差オフセットは僅か0.08MHzつまり80kHzにすぎない。図示省略するが、チャンバ10内のプラズマから第2高周波給電ライン90を通って第2高周波電源38に返ってくる反射波のスペクトル分布も、上記と同様である。すなわち、基本波反射波12.88MHzの周りに多数の異周波反射波が分布し、トータル反射波パワーも高い。そして、基本波反射波のごく近くに多数の異周波反射波が発生する。特に、基本波反射波12.88MHzと両隣の異周波反射波12.80MHz,12.96MHzとの差オフセットは僅か0.08MHzつまり80kHzである。同様に、チャンバ10内のプラズマから第3高周波給電ライン92を通って第3高周波電源40に返ってくる反射波のスペクトル分布においても、基本波反射波3.2MHzから僅か80kHzしかオフセットしていない両隣の異周波反射波3.12MHz,3.28MHzを含めて多数の異周波反射波が分布し、トータル反射波パワーも高い。本発明者が、スペクトルアナライザを用いて、第1、第2および第3整合器42,44,46でそれぞれ整合がとれている時に第1、第2および第3高周波給電ライン88,90,92上の反射波の成分反射波スペクトルを測定したところ、図4A、図4Bおよび図4Cに示すような反射波スペクトル分布がそれぞれ観測された。図4Aに示すように、第1高周波給電ライン88上では、第1整合器42で整合がとれていても、多数の異周波反射波が存在する。特に、基本波反射波40.68MHzの周りではそれに近いほど異周波反射波のパワーは高く、基本波反射波40.68MHzの両隣の異周波反射波40.60MHz,40.76MHzのパワーが突出して高い。図4Bに示すように、第2高周波給電ライン90上では、第2整合器44で整合がとれていても、基本波反射波12.88MHzの周りに多数の異周波反射波が存在する。特に、基本波反射波12.88MHzに近いほど異周波反射波のパワーは高く、最も近い両隣の異周波反射波12.80MHz,12.96MHzのパワーが突出して高い。同様に、図4Cに示すように、第3高周波給電ライン92上では、第3整合器46で整合がとれていても、基本波反射波3.2MHzの周りに多数の異周波反射波が存在する。特に、基本波反射波3.2MHzに近いほど異周波反射波のパワーは高く、最も近い両隣の異周波反射波3.12MHz,3.28MHzのパワーが突出して高い。このように、プラズマからの反射波が基本波反射波だけでなく周波数軸上でその周りに多数の異周波反射波を含み、しかも基本波反射波にごく近い周波数の異周波反射波が存在するとなると、反射波のモニタリングおよび反射波に対するRF出力の制御が難しくなる。特に、整合がとれているか否かを判別するための基本波反射波パワーのモニタリングが非常に難しくなる。また、過大なトータル反射波パワーに対して各高周波電源のRF出力を応急的に調整することと実行中のプラズマプロセスを安定に維持することとの両立を図るのが非常に難しくなる。因みに、比較例として、イオン引き込み用のRFバイアスに第2高周波RF212.88MHzのみを使用し、第3高周波RF33.2MHzを使用しない場合、チャンバ10内のプラズマから第1高周波電源36に返ってくる反射波のスペクトル分布は、模式的に図5に示すようになる。すなわち、基本波反射波40.68MHzの近くに存在する異周波反射波は、27.80MHz,29.84MHz,38.64MHz,42.72MHz,51.52MHz,53.56MHzの6つである。しかも、基本波反射波40.68MHzに最も近い38.64MHzおよび42.72MHzでも2.04MHzの差オフセットがある。図示省略するが、チャンバ10内のプラズマから第2高周波電源ライン90上を逆方向に返ってくる反射波のスペクトル分布も、周波数の帯域が異なるだけで、図5と同様の傾向を示す。このように、イオン引き込み用のRFバイアスに1種類単一周波数の高周波RF2を使用する場合は、プラズマ側から各高周波電源に向かって各高周波給電ライン上を伝搬してくる反射波に含まれる異周波反射波は非常に少なく、しかも周波数軸上で異周波反射波が基本波反射波から大きく2MHz以上離れているので、基本波反射波を見分けるのが容易であるとともに、過大なトータル反射波パワーに対するRF出力の応急的な制御を各高周波電源がそれぞれ個別勝手に行ってもプラズマプロセスに与える影響は少ない。この実施形態では、上記のような3周波印加方式における基本波反射波パワーのモニタリングの困難性および過大なトータル反射波パワーに対する応急的なRF出力制御とプラズマプロセスの安定維持との両立の困難性を克服するために、第1、第2および第3RFパワーモニタ94,96,98の構成および作用ならびに主制御部82の機能に特別な工夫を施している。[RFパワーモニタの構成及び作用]図6Aに、第1RFパワーモニタ94の構成を示す。このRFパワーモニタ94は、第1高周波給電ライン88上に挿入される方向性結合器100Aと、進行波パワーモニタ部102Aと、反射波パワーモニタ部104Aとを有している。方向性結合器100Aは、第1高周波給電ライン88上を順方向に伝搬するRFパワー進行波RF88Ptと逆方向に伝搬するRFパワー反射波RF88Prのそれぞれに対応する信号を進行波パワー検出信号RF88[Pt]および反射波パワー検出信号RF88[Pr]として取り出すように構成されている。方向性結合器100Aより取り出された進行波パワー検出信号RF88[Pt]は、進行波パワーモニタ部102Aに入力される。進行波パワーモニタ部102Aは、方向性結合器100Aから入力した進行波パワー検出信号RF88[Pt]を基に、第1高周波給電ライン88上の進行波に含まれる基本波進行波40.68MHzのパワーRF1SPtを表わす信号を生成し、この信号つまり基本波進行波パワー測定値信号RF1[SPt]を第1高周波電源36の電源制御部106Aに与える。第1高周波電源36は、第1RF周波数40.68MHzの正弦波を発振出力する高周波発振器108Aと、この高周波発振器108Aより出力された正弦波のパワーを制御可能にして、その利得で増幅するパワーアンプ110Aとを有している。第1高周波電源36において、電源制御部106Aは、第1高周波RF1のパワーを設定値に維持するように、進行波パワーモニタ部102Aからの基本波進行波パワー測定値信号RF1[SPt]に応答してパワーアンプ110Aにパワーフィードバック制御を掛ける。さらに、電源制御部106Aは、後述するトータル反射波パワーRF88TPrが過大になっている時に、主制御部82からの制御信号CS1に応じてパワーアンプ110Aの出力を応急的に制御する通常下げる制御を行うようになっている。方向性結合器100Aより取り出された反射波パワー検出信号RF88[Pr]は、反射波パワーモニタ部104Aに入力される。反射波パワーモニタ部104Aは、基本波反射波パワー測定回路112Aと、トータル反射波パワー測定回路114Aとを有している。基本波反射波パワー測定回路112Aは、混合器116A、局部発振器118A、ローパスフィルタLPF120Aおよび低周波検波器122Aからなり、方向性結合器100Aから入力した反射波パワー検出信号RF88[Pr]を基に、チャンバ10内のプラズマから第1高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波40.68MHzのパワーRF1SPrを表わす信号つまり基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr]を生成する。より詳細には、局部発振器118Aは、第1高周波RF1の周波数40.68MHzに対して第1高周波給電ライン88上の異周波反射波の中で最も近い周波数40.60MHz,40.76MHzよりさらに近い第1近傍周波数f1を有する第1局部発振信号LS1を発生する。混合器116Aは、方向性結合器100Aからの反射波パワー測定値信号RF88[Pr]と局部発振器118Aからの第1局部発振信号LS1とを混合する。この混合により、第1高周波給電ライン88上の反射波に含まれる基本波反射波および異周波反射波のそれぞれの周波数と第1局部発振信号LS1の周波数との和または差の周波数を有する様々な合成信号が生成される。その中で、最もかつ極端に低い周波数を有する合成信号は、基本波反射波の周波数40.68MHzと第1局部発振信号LS1の周波数f1との差40.68MHz-f1またはf1-40.68MHzに相当する周波数第1中間周波数δf1を有する第1中間周波数信号MS1である。この実施形態において、第1局部発振信号LS1の周波数第1近傍周波数f1は、第1RF周波数40.68MHzと第1高周波給電ライン88上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数40.60MHz,40.76MHzとの差80kHzの1/8~1/3より好ましくは1/6~1/4だけ第1RF周波数40.68MHzからオフセットした値に選ばれる。ここで、第1RF周波数に対する第1近傍周波数のオフセット量を第1RF周波数とそれに最も近接する異周波反射波周波数との差80kHzの1/3以下より好ましくは1/4以下とするのは、混合器116Aで得られる上記第1中間周波数信号MS1の周波数を他の如何なる合成信号の周波数よりも著しく低くして、次段のLPF120Aによる弁別を容易にするためである。また、上記オフセット量を上記差80kHzの1/8以上より好ましくは1/6以上とするのは、基本波反射波のパワーRF1SPrに対する基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr]の応答速度を十分な大きさに確保するためである。かかる要件から、第1近傍周波数f1として、好適には、第1RF周波数40.68MHzから15kHzだけオフセットした40.665MHzまたは40.695MHzが選ばれる。こうして、混合器116Aより、15kHzの第1中間周波数信号MS1と80kHz以上のその他多数の合成信号とが出力される。LPF120Aは、15kHzと80kHzの中間にカットオフ周波数を有するローパスフィルタとして設計され、第1中間周波数信号MS1だけを弁別して選択的に通過させる。因みに、上記のように第1中間周波数δf1を15kHzに設定した場合実施例のフィルタ周波数特性と、第1中間周波数δf1を500kHzに設定した場合比較例のフィルタ周波数特性とを対比すると、図7Aに示すようにそれぞれの周波数選択性に著しい差があることがわかる。図7Bに、実施例のフィルタ周波数特性を拡大して示す。実施例のフィルタ周波数特性によれば、基本波反射波の周波数40.68MHzだけを通し、そこから80kHzだけオフセットしている異周波反射波の周波数40.60MHz,40.76MHzを確実に遮断することができる。一方、比較例のフィルタ周波数特性によれば、基本波反射波の周波数40.68MHzを通すだけでなく、これに近接する上記異周波反射波の周波数40.60MHz,40.76MHzも一緒に通してしまい、基本波反射波を弁別することはできない。LPF120Aより出力される第1中間周波数信号MS1には、基本波反射波パワーRF1SPrのエンベロープ波形が乗っている。低周波検波器122Aは、LPF120Aより入力した第1の中間周波数信号MS1を検波して、基本波反射波パワーRF1SPrのエンベロープ波形を取り出し、アナログDC直流の基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr]を出力する。このように、第1高周波給電ライン88上の反射波に基本反射波40.68MHzだけでなくそれにごく近い周波数の異周波反射波40.60MHz,40.76MHzが含まれていても、基本波反射波パワー測定回路112Aにより基本反射波40.68MHzを明確に見分けて基本波反射波パワーRF1SPrのモニタリングを精確に行うことができる。一方、トータル反射波パワー測定回路114Aは、たとえばダイオード検波式のRFパワーメータからなり、方向性結合器100Aから入力した反射波パワー検出信号RF88[Pr]に基づいて、チャンバ10内のプラズマから第1高周波電源36に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーRF88TPrを表わすトータル反射波パワー測定値信号RF88[TPr]を生成する。なお、第1整合器42の出力側には、サセプタ16および給電棒45を介して第1高周波給電ライン88上に第2高周波RF212.88MHzおよび第3高周波RF33.2MHzが進入してくるのを阻止遮断するためのハイパスフィルタ124Aが設けられている。したがって、チャンバ10内のプラズマで発生する反射波基本波反射波、非線形高調波歪等のうちハイパスフィルタ124Aを逆方向に通過する帯域の反射波が方向性結合器100Aを介して基本波反射波パワー測定回路112Aおよびトータル反射波パワー測定回路114Aに入力検知される。上記のようにして基本波反射波パワー測定回路112Aおよびトータル反射波パワー測定回路114Aよりそれぞれ出力される基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号RF1[TPr]は、第1RFパワーモニタ94からの第1反射波パワー測定値信号として主制御部82に与えられる。図6Bおよび図6Cに、第2および第3RFパワーモニタ96,98の構成をそれぞれ示す。これらのRFパワーモニタ96,98も、扱う高周波の周波数および反射波基本波反射波、異周波反射波の周波数が異なるだけで、上述した第1RFパワーモニタ94と同様の構成を有し、同様の作用を奏する。特に、図6Bにおいて、基本波反射波パワー測定回路112Bは、混合器116B、局部発振器118B、ローパスフィルタLPF120Bおよび低周波検波器122Bからなり、第2高周波給電ライン90上に配置される方向性結合器100Bから入力した反射波パワー検出信号RF90[Pr]を基に、チャンバ10内のプラズマから第2高周波電源38に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波12.88MHzのパワーRF2SPrを表わす信号つまり基本波反射波パワー測定値信号RF2[SPr]を生成する。ここで、局部発振器118Bより混合器116Bに与えられる第2局部発振信号LS2の周波数第2近傍周波数f2は、第2RF周波数12.88MHzと第2高周波給電ライン90上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数12.80MHz,12.96MHzとの差80kHzの1/8~1/3より好ましくは1/6~1/4だけ第2RF周波数12.88MHzからオフセットした値に選ばれる。この実施例では、第2近傍周波数f2として、第2RF周波数12.88MHzから15kHzだけオフセットした12.865MHzまたは12.895MHzが好適に選ばれる。また、トータル反射波パワー測定回路114Bは、方向性結合器100Bから入力した反射波パワー検出信号RF90[Pr]に基づいて、チャンバ10内のプラズマから第2高周波電源38に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーRF90TPrを表わすトータル反射波パワー測定値信号RF90[TPr]を生成する。上記のようにして基本波反射波パワー測定回路112Bおよびトータル反射波パワー測定回路114Bよりそれぞれ出力される基本波反射波パワー測定値信号RF2[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号RF90[TPr]は、第2RFパワーモニタ96からの第2反射波パワー測定値信号として主制御部82に与えられる。図6Cにおいて、基本波反射波パワー測定回路112Cは、混合器116C、局部発振器118C、ローパスフィルタLPF120Cおよび低周波検波器122Cからなり、第3高周波給電ライン92上に配置される方向性結合器100Cから入力した反射波パワー検出信号RF92[Pr]を基に、チャンバ10内のプラズマから第3高周波電源40に返ってくる反射波に含まれる基本波反射波3.2MHzのパワーRF2SPrを表わす信号つまり基本波反射波パワー測定値信号RF2[SPr]を生成する。ここで、局部発振器118Cより混合器116Cに与えられる第3局部発振信号LS3の周波数第2近傍周波数f3は、第3RF周波数3.2MHzと第3高周波給電ライン92上の異周波反射波の中でそれに最も近い周波数3.12MHz,3.28MHzとの差80kHzの1/8~1/3より好ましくは1/6~1/4だけ第3RF周波数3.12MHzからオフセットしている値に選ばれる。この実施例では、第3近傍周波数f3として、第3RF周波数3.2MHzから15kHzだけオフセットしている3.185MHzまたは3.215MHzが好適に選ばれる。また、トータル反射波パワー測定回路114Cは、方向性結合器100Cから入力した反射波パワー検出信号RF92[Pr]に基づいて、チャンバ10内のプラズマから第3高周波電源40に返ってくる反射波に含まれる全ての反射波スペクトルのトータルのパワーRF92TPrを表わすトータル反射波パワー測定値信号RF92[TPr]を生成する。上記のようにして基本波反射波パワー測定回路112Cおよびトータル反射波パワー測定回路114Cよりそれぞれ出力される基本波反射波パワー測定値信号RF2[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号RF92[TPr]は、第3RFパワーモニタ98からの第3反射波パワー測定値信号として主制御部82に与えられる。[主制御部の機能]上記のように、主制御部82は、第1RFパワーモニタ94から第1反射波パワー測定値信号基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号RF88[TPr]を受け取り、第2RFパワーモニタ96から第2反射波パワー測定値信号基本波反射波パワー測定値信号RF2[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号RF90[TPr]を受け取り、第3RFパワーモニタ98から第3反射波パワー測定値信号基本波反射波パワー測定値信号RF3[SPr]およびトータル反射波パワー測定値信号号RF92[TPr]を受け取る。主制御部82は、入力した基本波反射波パワー測定値信号RF1[SPr],RF2[SPr],RF3[SPr]に基づいて、操作パネル85のディスプレイ上に3つのRF給電系における基本波反射波パワーRF1SPr,RF2SPr,RF3SPrの測定値をモニタ表示するとともに、各測定値を所定の監視値と比較して各整合器42,44,46の整合動作ないし整合状況を判定し、判定結果次第でインターロックを掛ける。すなわち、基本波反射波パワーRF1SPr,RF2SPr,RF3SPrの各々の測定値が監視値より低い時は、当該RF給電系において整合が実質的にとれていると判定する。しかし、いずれかの基本波反射波パワー測定値が監視値を超えた時または超えている時は、当該RF給電系において整合がとれていないと判定する。この場合、主制御部82は、他のモニタ情報つまり他のRF給電系の基本波反射波パワー測定値および全RF給電系のトータル反射波パワー測定値を参酌することで、整合がとれていない状況ないしその原因を適確に把握することができる。たとえば、第2基本波反射波パワーRF2SPrの測定値が監視値を超えたとする。この時、他のモニタ情報特に第2トータル反射波パワーRF90TPrの測定値が正常許容範囲内にあれば、主制御部82は、現時の非整合状態は第2整合器44の整合動作が正常に機能していないことにその原因があると判定断定することができる。この場合、主制御部82は、第2整合器44に整合動作を検査ないし正常化させるためのルーチンが備わっていれば、第2整合器44内のコントローラにそのルーチンの実行を指示するコマンドを送ってよい。そして、それでも他が正常で第2基本波反射波パワーRF2SPrの測定値だけが監視値を超えている状態が続いたときは、第2整合器44が故障または暴走していると判定してよい。この場合、その旨のメッセージを操作パネル85のディスプレイ上に表示してよく、それと併せてインターロックを掛けてもよい。しかし、他のモニタ情報特に第2トータル反射波パワーRF90TPrの測定値あるいは第1および第3基本波反射波パワーRF1SPr,RF3SPrの測定値も同時に監視値を超えている場合は、チャンバ10内の処理空間PSまたは他のRF給電系統にプラズマとの整合をとるのが難しい何らかの異常事態が発生したものと判定することができる。この場合、主制御部82は、即時に第2整合器44が不良であると速断して直ちにインターロックを掛けるのではなくて、たとえば光学センサからのプラズマ発光モニタリング情報を参照したり、全RF系統および/またはガス系統のチェックを行うことなどにより、プラズマの異常原因を突き止めてよく、操作パネル85のディスプレイを通じて状況報告を行ってもよい。このように、いずれかの基本波反射波パワー測定値が監視値を超えた時は、当該RF給電系で整合がとれていないのは確かであるが、単純に当該RF給電系内の整合器の不良または不調と判断するのではなく、主制御部82が他のモニタ情報RF給電系の基本波反射波パワー測定値および全RF給電系のトータル反射波パワー測定値を参酌して当該事態を総合的または多角的に解析することにより、整合状態の確立または復帰あるいはプラズマプロセスの安定化に向けて各部を適確に制御することができる。これによって、プラズマプロセスの再現性および信頼性を向上させることができる。また、主制御部82は、第1、第2および第3RFパワーモニタ94,96,98から受け取ったトータル反射波パワー測定値信号RF88[TPr],RF90[TPr],RF92[TPr]に基づいて、高周波給電ライン88,90,92上で反射波のトータル反射波パワーRF88TPr,RF90TPr,RF92TPrが監視値を超えているか否かをモニタリングすることができる。そして、トータル反射波パワーRF88TPr,RF90TPr,RF92TPrのいずれかが監視値を超えた時は、その過大なトータル反射波パワーから当該高周波電源を保護するように各高周波電源の電源制御部を通じて応急的にRFパワーを下げる措置をとるとともに、実行中のプラズマプロセスの変動を最小限に抑えるように各RF給電系の間の調整を行う。たとえば、第2トータル反射波パワーRF90TPrの測定値が監視値を超えたとする。この時は、第2トータル反射波パワーRF90TPrが過大になったわけであるから、先ず第2高周波電源38のパワーアンプ110Bを保護するのが先決であり、主制御部82は制御信号CS2により電源制御部106Bを通じてパワーアンプ110Bの出力つまり第2高周波RF2のパワーを下げる。ただし、第2高周波RF2のパワーをむやみにあるいは極端に下げるのではなくて、他のモニタ情報特に第2基本波反射波パワーRF2SPrの測定値あるいは第1および第3トータル波反射波パワーRF88TPr,RF92TPrの測定値を参酌して、必要最小限の下げ幅に制御する。あるいは、イオン引き込み用の第2高周波RF3のパワーを下げるのと同時に、同じくイオン引き込み用の第3高周波RF3のパワーを適度に上げることにより、プラズマから半導体ウエハWに引き込むイオンのエネルギーを安定に保つことも可能である。もっとも、主制御部82において第1、第2および第3RFパワーモニタ94,96,98からそれぞれ入力したトータル反射波パワー測定値信号RF88[TPr],RF90[TPr],RF92[TPr]をそのままスルーで出力して、第1、第2および第3高周波電源36,38,40の電源制御部106A,106B,106Cにそれぞれ送ることも可能である。この場合は、各高周波電源36,38,40の各電源制御部106A,106B,106Cが、それぞれ個別に、各RFパワーモニタ94,96,98からのトータル反射波パワー測定値信号RF88[TPr],RF90[TPr],RF92[TPr]に応答して、過大なトータル反射波パワーから当該高周波電源を保護するためのRF出力制御を行うことになる。さらに、主制御部82には、各RF給電系において発生する反射波に含まれる異周波反射波を演算によって決定する機能も備わっている。すなわち、第1高周波RF1、第2高周波RF2および第3高周波RF3についてそれぞれの周波数第1、第2および第3RF周波数の値A,B,Cが操作パネル85より入力されると、主制御部82を構成しているマイクロコンピュータが次の式1を演算することにより、3周波印加時に発生し得る異周波反射波の周波数が求められる。±AMHz×m±BMHz×n±CMHz×l1但し、mはAの高次係数第m次高調波、nはBの高次係数第n次高調波、lはCの高次係数第l次高調波である。通常、m,n,lは、各々1次~5次係数まで考慮すれば十分である。図8A~図8Dに、上記実施例A=40.68MHz,B=12.88MHz,C=3.2MHzにおいて、周波数軸上で第1高周波RF1の周りに発生する異周波反射波の周波数を求める上記式1の演算内容および演算結果を示す。図示省略するが、第2高周波RF2および第3高周波RF3の周りに発生する異周波反射波の周波数も上記式1を演算して求められる。主制御部82は、上記式1の演算結果異周波反射波の一覧を記憶装置に保存するとともに、操作パネル85のディスプレイ上に表示する。その演算結果は、RFパワーモニタ94,96,98の基本波反射波パワー測定回路112A,112B,112Cの設計に寄与する。特に、周波数軸上で各基本波反射波に最も近い異周波反射波の周波数の値を基に、局部発振周波数f1,f2,f3の値が決められ、LPF120A,120B,120Cのカットオフ周波数も決められる。さらに、一変形例として、高周波電源36,38,40のいずれかに高周波RF1、RF2,RF3の周波数を随時変更または制御する機能が備わる場合に、主制御部82の上記演算機能は大なる効果を発揮する。たとえば、プラズマ生成用の第1高周波RF1の周波数を制御できるように高周波電源36を構成する場合は、RFパワーモニタ94の局部発振器118Aを制御可能な周波数発振器で構成して、主制御部82の制御の下で第1局部発振信号LS1の周波数を制御できるようにする。これにより、主制御部82は、高周波電源36の電源制御部106Aを通じて第1高周波RF1の周波数を制御すると同時に、関連する特に最も近接する異周波反射波の周波数を上記式1の演算によって求め、混合器116Aより出力される第1中間周波数MS1の周波数第1中間周波数δf1が一定値たとえば15kHzに維持されるように、第1局部発振信号LS1の周波数を制御することができる。イオン引き込み用の第2高周波RF2または第3高周波RF3の周波数を制御する場合も、上記と同様に対応することができる。[他の実施形態または変形例]上記した実施形態では、第1高周波電源36より出力されるプラズマ生成用の第1高周波RF1をサセプタ下部電極16に印加した。別の実施形態として、図9に示すように、第1高周波電源36および第1整合器42を上部電極48に電気的に接続し、プラズマ生成用の第1高周波RF1を第1高周波給電ライン88を介して上部電極48に印加してもよい。本発明は、プラズマエッチング装置に限定されず、プラズマCVD、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなどの他のプラズマ処理装置にも適用可能である。また、本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等も可能である。"