"第1導電型の半導体基板と、主電流の流れる活性部において、前記半導体基板の一方の主面側の表面層に選択的に形成された第2導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域の外周を取り囲む環状の終端耐圧領域において、前記半導体基板の一方の主面側の表面層に選択的に形成された環状の第2導電型耐圧構造領域と、前記終端耐圧領域において、前記半導体基板の一方の主面側の表面層の、前記第2導電型耐圧構造領域が形成された領域を除く領域を占める第1導電型表面高濃度領域と、を備え、前記第1導電型表面高濃度領域の不純物濃度が、前記半導体基板の不純物濃度よりも高く、且つ前記第2導電型耐圧構造領域の不純物濃度よりも低く、前記第1導電型表面高濃度領域の深さが、前記第2導電型耐圧構造領域の深さよりも浅いことを特徴とする半導体装置。前記第1導電型表面高濃度領域の不純物濃度が、前記半導体基板の不純物濃度より1.5倍以上4.5倍以下の範囲で高不純物濃度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体基板中に、当該半導体基板よりも不純物濃度が高く、前記半導体基板の深さ方向における不純物濃度の極大部を中心に当該極大部から当該半導体基板の両主面に向かってそれぞれ不純物濃度が低くなる不純物濃度の傾斜分布を有する第1導電型ブロードバッファ領域をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1導電型表面高濃度領域の厚さが6μm以下の厚さであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。ダイオードまたはIGBTであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置。酸素雰囲気中で1100°C以上1350°C以下の温度で、5時間以上100時間以下の熱処理と、不純物のイオン注入および熱拡散処理とを行い、前記半導体基板の表面層に、前記第2導電型半導体領域と、当該第2導電型半導体領域の外周を取り囲む環状の前記終端耐圧領域とを形成するとともに、前記半導体基板中の酸素濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲にする第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記半導体基板の前記第2導電型半導体領域を形成した表面側からヘリウムイオン、ネオンイオン、アルゴンイオン、電子線および白金イオンのいずれかの粒子線照射を行い、前記第1導電型表面高濃度領域を形成する第2の工程と、を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。酸素雰囲気中で1100°C以上1350°C以下の温度で、5時間以上100時間以下の熱処理と、不純物のイオン注入および熱拡散処理とを行い、前記半導体基板の表面層に、前記第2導電型半導体領域と、当該第2導電型半導体領域の外周を取り囲む環状の前記終端耐圧領域とを形成するとともに、前記半導体基板中の酸素濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲にする第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記半導体基板の前記第2導電型半導体領域を形成した表面側からドーズ量が1×1011/cm2以上1×1014/cm2以下の範囲であって、且つ加速エネルギーが1.0MeV以上20.0MeV以下の範囲であるプロトン照射を行い、飛程の深さに不純物濃度の極大部を有する前記第1導電型ブロードバッファ領域と、前記第1導電型表面高濃度領域とを形成する第2の工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記第2導電型半導体領域の前記第2導電型半導体領域側の表面から前記第1導電型ブロードバッファ領域の不純物濃度の極大部までの区間の領域のうち、前記半導体基板の酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲となる領域が当該区間の半分以上の厚さであり、且つ前記第1導電型ブロードバッファ領域の不純物濃度の極大部の一つにおける含有酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲となるように前記第2の工程を行うことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、前記特許文献3の記載にあるように、BB構造のダイオードにおいて、終端耐圧領域の表面部分を高不純物濃度化するためには、終端耐圧領域の表面部分を高不純物濃度化するための専用のマスク形成工程とフォトリソグラフィ工程を行い、終端耐圧領域の表面に部分的にイオン注入と熱拡散処理を施す必要がある。このため、製造工程数が増し、チップコストが上昇するという問題がある。上述したような終端耐圧領域表面部分が低不純物濃度であることに起因する問題は、BB構造などのダイオードに限らず、IGBTなどでも十分起こり得る問題である。その理由は、デバイスを高耐圧化するために、通常、高抵抗半導体基板を用いて低不純物濃度のドリフト層の厚さを所望の耐圧に合わせて厚くする構成とするからである。従って、高抵抗半導体基板低不純物濃度半導体基板を採用した場合、終端耐圧領域の占有面積が増大して素子活性部の面積が相対的に減少するとともに、耐圧信頼性も低下し易くなる。このため、耐圧信頼性の観点から可能な限り低抵抗高不純物濃度半導体基板が用いられる。従って、耐圧信頼性の確保と、製造工程数の維持およびチップコストの低減とはトレードオフの関係にあり、このトレードオフを解消させることは困難であるという問題がある。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、製造工程を追加することなく、ライフタイム制御が可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、終端耐圧領域の占有面積比率の増加を抑えることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、耐圧信頼性の高い半導体装置を安価に提供することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。主電流の流れる活性部において、前記n型の半導体基板の一方の主面側の表面層に選択的にp型半導体領域が設けられている。前記p型半導体領域の外周を取り囲む環状の終端耐圧領域において、前記半導体基板の一方の主面側の表面層に選択的に例えばガードリングのような環状のp型耐圧構造領域が設けられている。また、前記終端耐圧領域において、前記半導体基板の一方の主面側の表面層の環状の前記p型耐圧構造領域が形成された領域を除く領域を占めるn型表面高濃度領域が設けられている。そして、前記n型表面高濃度領域の不純物濃度は、前記半導体基板の不純物濃度よりも高く、且つ前記p型耐圧構造領域の不純物濃度よりも低い。また、前記n型表面高濃度領域の深さは、前記p型耐圧構造領域の深さよりも浅い。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記n型表面高濃度領域の不純物濃度が、前記半導体基板の不純物濃度より1.5倍以上4.5倍以下の範囲で高不純物濃度であることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記半導体基板中に、当該半導体基板よりも不純物濃度が高く、前記半導体基板の深さ方向における不純物濃度の極大部を中心に当該極大部から当該半導体基板の両主面に向かってそれぞれ不純物濃度が低くなる不純物濃度の傾斜分布を有するn型ブロードバッファ領域をさらに備えることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記n型表面高濃度領域の厚さが6μm以下の厚さであることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、ダイオードまたはIGBTであることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置を製造する発明であり、次の特徴を有する。酸素雰囲気中で1100°C以上1350°C以下の温度で、5時間以上100時間以下の熱処理と、不純物イオン注入および熱拡散処理とを行い、n型の前記半導体基板の表面層に、前記p型半導体領域と、当該p型半導体領域の外周を取り囲む環状の前記終端耐圧領域とを形成するとともに、前記半導体基板中の酸素濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲にする。その後に、前記半導体基板の前記p型半導体領域を形成した表面側からヘリウムイオン、ネオンイオン、アルゴンイオン、電子線および白金イオンのいずれかの粒子線照射を行い、前記n型表面高濃度領域を形成する。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置を製造する発明であり、次の特徴を有する。酸素雰囲気中で1100°C以上1350°C以下の温度で、5時間以上100時間以下の熱処理と、不純物のイオン注入および熱拡散処理とを行い、前記半導体基板の表面層に、前記p型半導体領域と、当該p型半導体領域の外周を取り囲む環状の終端耐圧領域とを形成するとともに、前記半導体基板中の酸素濃度を1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲にする。その後に、前記半導体基板の前記p型半導体領域を形成した表面からドーズ量が1×1011/cm2以上1×1014/cm2以下の範囲であって、且つ加速エネルギーが1.0MeV以上20.0MeV以下の範囲であるプロトン照射を行い、前記n型ブロードバッファ領域と、前記n型表面高濃度領域とを形成する。また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、次の特徴を有する。前記p型半導体領域のp型半導体領域側の表面から前記n型ブロードバッファ領域の不純物濃度の極大部の一つまでの距離飛程Rpの間の区間の領域のうち、前記半導体基板の酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲となる領域が当該区間の半分以上の厚さであり、且つ前記n型ブロードバッファ領域の不純物濃度の極大部の一つにおける含有酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲となるように、前記n型ブロードバッファ領域と、前記n型表面高濃度領域とを形成する。上述した発明によれば、ライフタイムキラー形成時の粒子線照射および熱処理工程によってn型表面高濃度領域を形成することができるため、工程が少なく簡易な方法でBB領域を形成することができる。また、上述した発明によれば、半導体基板の不純物濃度を低くしたままでも終端耐圧領域の表面から6μmの深さまでのn型表面高濃度領域の不純物濃度を半導体基板の不純物濃度よりも高不純物濃度化することができる。この結果、外部電荷に対する耐性を向上させることができるとともに、逆バイアス時にpn接合から広がる空乏層の等電位線が該n型表面高濃度領域では密になり広がりが抑えられる。本発明にかかる半導体装置およびその製造方法によれば、製造工程を追加することなく、ライフタイム制御を可能にすることができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置およびその製造方法によれば、終端耐圧領域の占有面積比率の増加を抑えることができるという効果を奏する。本発明にかかる半導体装置およびその製造方法によれば、耐圧信頼性の高い半導体装置を安価に提供することができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置およびその製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、nまたはpを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、nやpに付すおよび-は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施の形態の記載に限定されるものではない。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置について説明する。例えば、実施の形態1にかかる半導体装置がダイオードである場合を例に説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかるダイオードの断面構造および不純物濃度分布を示す説明図である。図1aには、実施の形態1にかかるダイオードの断面構造を模式的に示す。図1bには、図1aの切断線B-B’における不純物濃度分布を示す。図1cには、図1aの切断線A-A’における不純物濃度分布を示す。図1aに示すダイオードは、主電流の流れる素子活性部において、半導体基板1の一方の主面以下、おもて面とする側の表面層に、アノード層2が選択的に設けられている。また、アノード層2を囲む耐圧構造領域において、半導体基板1のおもて面側の表面層には、p型ガードリング4が選択的に設けられている。さらに、素子活性部から耐圧構造領域にわたって、半導体基板1のおもて面側の表面層に、n型表面高濃度領域9が設けられている。n型表面高濃度領域9は、H照射によって形成された空孔と酸素との複合欠陥からなるドナーを高濃度に含む。n型表面高濃度領域9の深さは、アノード層2およびp型ガードリング4の深さよりも浅い。n型表面高濃度領域9の不純物濃度は、半導体基板1の不純物濃度よりも高く、かつアノード層2の不純物濃度よりも低い。半導体基板1内には、半導体基板1のおもて面からアノード層2およびガードリング4の深さよりも深い位置に、素子活性部から耐圧構造領域にわたって、n型のブロードバッファBB領域10が設けられている。BB領域10は、n型表面高濃度領域9に接していてもよいし、n型表面高濃度領域9から離れていてもよい。半導体基板1のおもて面の表面の、アノード層2およびガードリング4が設けられていない部分は、例えば、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜8で覆われている。アノード電極5は、アノード層2に接する。ガードリング電極7は、ガードリング4に接する。アノード電極5とガードリング電極7とは、絶縁膜8によって互いに絶縁されている。半導体基板1の他方の主面アノード層2が形成された主面に対して反対側の主面、以下、裏面とするには、BB領域10と離れて、カソード層3が設けられている。カソード電極6は、カソード層3に接する。次に、図1aに示す本発明の実施の形態1にかかるダイオードの製造方法について、図2を参照して説明する。図2は、本発明の実施の形態1にかかるダイオードの主要な製造工程を示す断面図である。まず、高抵抗のFZ法により作製されたn型のシリコン半導体基板以下、単に半導体基板とする1を用意する。次に、酸素雰囲気の熱処理による熱酸化を行った後、フォトリソグラフ工程によって、半導体基板1の一方の主面以下、おもて面とするの表面に所定部分を開口したレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクをマスクとしてイオン注入を行い、半導体基板1のおもて面側からレジストマスクの開口部にボロンなどのp型不純物を導入する。そして、昇降温時または定常温度の期間にて酸素を含むような雰囲気で熱拡散処理を行い、主電流の流れる素子活性部にアノード層2を選択的に形成するとともに、アノード層2を囲む耐圧構造領域19にp型ガードリング4を選択的に形成する図2a。この段階で、これまでの酸素雰囲気の熱処理により、半導体基板1の表面層には、酸素が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の範囲の不純物濃度で導入され、分布している。その後、熱酸化または膜成長によって、半導体基板1のおもて面の表面、アノード層2およびガードリング4が設けられていない部分を覆う絶縁膜8を形成する。そして、蒸着やスパッタなどによって、アノード層2およびガードリング4の表面にそれぞれ導電接触するアノード電極5およびガードリング電極7を形成する図2b。次に、半導体基板1の、アノード層2などを形成するためのイオン注入を行った主面おもて面と同じ主面側からプロトンHを照射して熱処理を行う。このH照射によって、半導体基板1のおもて面からアノード層2およびガードリング4の深さよりも浅い表面層に空孔と酸素との複合欠陥からなるドナーを高濃度に含むn型表面高濃度領域9を形成する。さらに、このH照射によって、n型表面高濃度領域9とともに、半導体基板1のおもて面からアノード層2およびガードリング4の深さよりも深い位置にBB領域10を形成する図2c。n型表面高濃度領域9とBB領域10とは、半導体基板1の深さ方向に重なっていてもよいし、離れていてもよい。H以外の粒子線を用いてn型表面高濃度領域9を作成する場合は、Hの代わりにヘリウムHeイオン、ネオンNeイオン、アルゴンArイオン、電子線、白金Ptイオンなどの粒子線を照射すればよい。各粒子線をシリコンに照射注入したときの飛程Rpは、加速エネルギーが200keVから30MeVの範囲において、次の通りである。飛程Rpとは、粒子線を半導体基板1に照射したときに、粒子線が半導体基板1中で完全に停止するまでの平均距離である。Hの飛程Rpは、例えば1.8~4910μmであってもよい。ヘリウムイオンの飛程Rpは、例えば1.1~432.7μmであってもよい。ネオンイオンの飛程Rpは、例えば0.4~16.0μmであってもよい。アルゴンイオンの飛程Rpは、例えば0.2~9.8μmであってもよい。また、白金Ptイオンの飛程Rpは、例えば、加速エネルギーが200keVから100MeVの範囲において、0.07~13.5μmであってもよい。また、電子線の飛程Rpは、例えば、100keVから10MeVの範囲において、80μm~20mmであってもよい。そして、各粒子線の照射量と加速エネルギーは、次の通りである。Hでは、例えば、ドーズ量が1×1011/cm2~1×1014/cm2で、加速エネルギーが1.0MeV~20MeV程度であってもよい。Heでは、例えば、ドーズ量が1×1011/cm2~1×1014/cm2で、加速エネルギーが1.0MeV~30MeV程度であってもよい。電子線を用いる場合、加速エネルギーが1.0MeVから10MeV、照射線量が10kGy~600kGy程度であれば、電子線の飛程Rpが十分深くなり、半導体基板1のおもて面側の表面層にn型の表面高濃度領域9を形成することができるので、好ましい。Arイオン、NeイオンおよびPtイオンについても、それぞれ上記の範囲の加速エネルギーにおいて、1×1011/cm2~1×1014/cm2のドーズ量にて照射することが好ましい。照射量を上記範囲とした理由は、照射量が上記範囲よりも少ない場合には複合欠陥の過少によって有効な効果が得られず、照射量が上記範囲よりも多い場合には複合欠陥の過多により移動度が大きく低下してしまい、所望の順方向電圧Vfが得られなくなるからである。そして、加速エネルギーを上記範囲とした理由は、シリコン半導体からなる半導体基板1内への飛程Rpを所望の深さにするために必要であるからである。また、Hの加速エネルギーを上記範囲とした理由は、BB領域10の半値幅を所望の厚さにするために必要であるからである。さらに、Hの加速エネルギーは1.0MeV~8.0MeVであり、Hのドーズ量は1×1012/cm2~1×1013/cm2の範囲であるのがより一層好ましい。その理由は、幅が注入の標準偏差ΔRp程度1μm~25μmで、電気的に活性化したドナーの実効的なドーズ量が2×1011/cm2~1×1012/cm2の範囲のBB領域10を形成することができるからである。次に、図示省略するが半導体基板1の裏面を研削して所定の厚さとする。そして、イオン注入によって半導体基板1の裏面側からリンなどのn型不純物を導入し、熱拡散処理によって半導体基板1の裏面にカソード層3を形成する。その後、このカソード層3の表面をカソード電極6で被覆する。これにより、図1aに示すダイオードが完成する。次に、図1に示す半導体装置における半導体基板1の不純物濃度に対するBB領域10の不純物濃度の極大値の比と、外部電荷密度との関係について説明する。図3は、半導体基板の不純物濃度と外部電荷密度との関係を示す相関図である。図3には、半導体基板1の当初の不純物濃度に対するn型表面高濃度領域9の最大不純物濃度の比と、逆耐圧が減少を始める外部電荷濃度密度および逆耐圧とを示す。半導体基板1の当初の不純物濃度とは、半導体基板1にn型表面高濃度領域9およびBB領域10が形成される前の半導体基板1の不純物濃度である。図3に示す相関図から分かることは、図1に示すダイオードの層構造では、n型表面高濃度領域9の不純物濃度を半導体基板1の不純物濃度より1.5倍~4.5倍程度の高不純物濃度にすることにより、外部電荷密度が1×1012/cm2のように高い場合でも耐圧は低下せず、且つ外部電荷への耐性が強い高信頼性のダイオードが得られることである。一方、n型表面高濃度領域9の不純物濃度を半導体基板1の不純物濃度と比較して4.5倍以上に高不純物濃度化しすぎた場合では、ガードリング4間の表面不純物濃度が高くなりすぎて、そこで空乏層が伸び難くなり電界強度が大きくなり耐圧が低下する。また、図3に示す相関図から、n型表面高濃度領域9の不純物濃度を半導体基板1の不純物濃度より2.0倍~4.0倍の範囲で高くすることにより、外部電荷密度による耐圧の変動がなく、且つ安定的な耐圧を維持できるため、なお一層好ましいことがわかる。また、このn型表面高濃度領域9の形成方法としてはH照射に限定されるものではない。前述した他の粒子線、例えば、Heや電子線などによって形成される複合欠陥でも同様の効果を得ることが可能である。これらH以外の粒子線で形成したn型表面高濃度領域9を有するダイオードの断面図と不純物濃度分布図を図4に示す。図4は、本発明の実施の形態1にかかるダイオードの別の一例を示す断面構造および不純物濃度分布を示す説明図である。図4aには、半導体基板1からなるドリフト層にBB領域10を有さず、n型表面高濃度領域9を有する構成のダイオードを示す。図4bには、図4aの切断線B-B’における不純物濃度分布を示す。図4cには、図4aの切断線A-A’における不純物濃度分布を示す。図4に示すダイオードが図1に示すダイオードと異なるのは、BB領域10を有さない点である。このとき、H照射によるn型表面高濃度領域9の形成には留意するべき点がある。すなわち、前記特許文献1に示されているように、半導体基板1内部の酸素濃度が1×1016/cm3以下と低すぎる場合では、H照射に起因する空孔と酸素の複合欠陥からなるドナーの増加の影響よりもH照射時の移動度低下の影響が非常に大きく、順方向特性が悪化するからである。この順方向特性が悪化することについて、図5を参照して説明する。図5は、半導体基板内の酸素濃度とダイオード順方向電圧との関係を示す相関図である。図5には、プロトンの飛程Rpに対して酸素濃度が1×1016/cm3以上の領域の半導体基板1表面からの深さ幅の比とダイオード順方向電圧との関係を示す。図5の相関図に示すように、半導体基板1表面から飛程Rpの深さまでの領域中、酸素濃度が1×1016/cm3よりも高い領域が半分以下の厚さで存在する場合、言い換えると酸素濃度が1×1016/cm3よりも低い領域が半分以上の厚さを占めた場合、移動度低下による順方向電圧増大が顕著になる。また、H照射による効率的なBB領域10の形成の際には、Hのドナー化率の高いことが望ましい。図6は、半導体基板内の酸素濃度とHの活性化ドナー化率との関係を示す相関図である。図6から半導体基板1内部の酸素濃度が1×1016/cm3以上でHのドナー化率が大きく向上していることがわかる。一方、半導体基板1内部の酸素濃度が1×1016/cm3未満の場合では、Hのドナー化率が急激に低くなり、10以下になると効率的にBB領域10を形成できないためにBB領域10による発振抑制効果が期待できない。また、Hの照射量を増加させて無理にBB領域10を形成した場合では、Hの過剰な照射による著しいライフタイムの低下や、漏れ電流の増大、移動度低下などの影響が生じ、Err-Vf逆回復損失-順電圧降下のトレードオフが悪化する。以上、説明したように、半導体基板1内の酸素濃度は1×1016/cm3以上の高濃度であることが望ましい。ただし、半導体基板1内の酸素濃度が1×1018/cm3以上と高すぎる場合では半導体基板1内でOSF欠陥Oxidation-inducedStackingFault:酸化誘起積層欠陥が顕著に現れて漏れ電流が増加するので好ましくない。したがって、半導体基板1内、特にアノード層2表面からBB領域10の不純物濃度の極大部までの飛程Rpの間の区間では半導体基板1に含まれる酸素濃度が1×1016/cm3以上で且つ1×1018/cm3以下である領域が、当該区間の半分以上の厚さであり、且つブロードバッファ領域BB領域10の極大値における含有酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下であることが望ましい。また、Hを複数回照射してBB領域10を複数形成する場合も、複数のBB領域10の極大部極大値の部分のうち少なくとも1つにおける含有酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下であることが望ましい。なお、イオン注入法または熱拡散法にて、あらかじめ酸素を半導体基板1の表面に導入しておく方法もある。例えば、FZ法により作製された表面鏡面仕上げのn型の半導体基板1の表面に、酸素イオンを加速エネルギーが100keVから10MeV、ドーズ量が1×1012/cm2以上1×1016/cm2以下の範囲で注入する。そして、酸素雰囲気の中で、1100°C~1350°Cくらいの温度で10時間~100時間の時間をかけて熱処理を行う。これにより、半導体基板1内に、1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下の濃度範囲の酸素を含む領域を形成することができる。または、酸素イオンのイオン注入を行わずに、酸素雰囲気の中で1100°C~1350°Cくらいの温度、好ましくは1200°C~1350°Cの範囲の温度で、5時間~100時間好ましくは10時間~100時間かけて酸化膜を形成しつつ熱処理を行う。これにより、上述したイオン注入により半導体基板1内に酸素を含む領域を形成した場合と同様の濃度の酸素を半導体基板に導入することができる。または、公知のパイロジェニック酸化等で、酸素雰囲気中で1μm厚程度の熱酸化膜をあらかじめ形成し、その後に酸素雰囲気もしくは窒素雰囲気で1100°C~1350°Cの温度で10時間~100時間熱処理してもよい。半導体基板1中の酸素濃度の分布を細かく制御する必要がある場合には、前者のイオン注入法を組合せて熱処理するのがよい。また、酸素のイオン注入により半導体基板1の表面に導入されるダメージを避ける場合は、逆に酸素のイオン注入を避ければよい。次に、半導体基板1内のネットドーピング濃度分布について説明する。図13は、本発明にかかる半導体装置のネットドーピング濃度分布を示す特性図である。図13は、酸素雰囲気の中で、温度を1300°Cにて15時間かけて、表面に酸化膜を形成しながら酸素を導入した半導体基板1の表面から、Hを加速エネルギーが8MeV、ドーズ量が2×1012/cm2にて照射し、350°Cにて熱処理を行ったときのネットドーピング濃度を、周知の広がり抵抗測定法にて測定した結果である。測定には、Solid-StateMeasurement社製のSSM-2000を用いた。図13に示す結果から、Hの照射により表面から30μmの深さよりも深い領域に、BB領域10を形成することができたことがわかる。さらに、半導体基板1表面0μmから深さ6μmにわたり、半導体基板1からなるドリフト層の不純物濃度約4×1013/cm3よりも不純物濃度が高く、最大濃度がおよそ9×1013/cm3のn型表面高濃度領域9を形成することができた。このときの酸素は、半導体基板1の表面付近の不純物濃度が最大で約3×1017/cm3となるガウス分布にて導入することができたことを、周知の2次イオン質量分析法SIMSにより確認した。粒子線が通過した領域における空孔と酸素の複合欠陥のドナー化率はおよそ0.03~0.3の範囲であるため、酸素濃度が最大となる部分0~6μmが、半導体基板1の濃度よりも高くなる。なお、あらかじめ半導体基板1に酸素を導入する上記の工程だけでなく、通常のp型アノード層2あるいはガードリング4をイオン注入および熱拡散にて導入する工程、あるいは絶縁層としてシリコンの熱酸化にて1μm以下の厚さの熱酸化膜を形成する工程でも、酸素は半導体基板1に導入される。本発明のn型表面高濃度領域9の形成は、通常のp型アノード層2などの熱拡散あるいは熱酸化膜の形成のみで形成することができる場合もあるが、あらかじめ半導体基板1に酸素を導入する上記の工程を行う方が、確実に前述の濃度分布にて酸素が導入されるので、好ましい。以上説明したように、実施の形態1にかかる半導体装置によれば、半導体基板の不純物濃度を低くしたままでも終端耐圧領域の表面から6μmの深さまでのn型表面高濃度領域の不純物濃度を半導体基板の不純物濃度よりも高不純物濃度化することができる。この結果、外部電荷に対する耐性を向上させることができるとともに、逆バイアス時にpn接合から広がる空乏層の等電位線が該n型表面高濃度領域では密になり広がりが抑えられる。このため、信頼性が高く、且つ終端耐圧領域の占有面積比率の増加を抑え小型化を図った半導体装置を提供することが可能となる。また、粒子線照射による欠陥を再結合中心としても活用することができるため、終端耐圧領域近傍のライフタイム減少も可能となる。これにより、導通時および逆回復時の該終端耐圧領域へのキャリアの集中を回避することが可能となる。また、実施の形態1にかかる半導体装置の構造は、ライフタイムキラー形成時の粒子線照射および熱処理工程によってn型表面高濃度領域およびBB領域またはn型表面高濃度領域のみを形成することができるため、工程が少なく簡易な方法での形成が可能である。これにより、安価な半導体装置を提供することが可能となる。また、ドリフト層中に高不純物濃度のブロードバッファ領域を有することにより、高速低損失であり、且つソフトなスイッチング特性を持つダイオードが得られる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置について説明する。例えば、実施の形態2にかかる半導体装置がIGBTである場合を例に説明する。図7は、本発明の実施の形態2にかかるIGBTの断面構造および不純物濃度分布を示す説明図である。図7aには、実施の形態2にかかるIGBTの断面構造を模式的に示す。図7bには、図7aの切断線B-B’における不純物濃度分布を示す。図7cには、図7aの切断線A-A’における不純物濃度分布を示す。図7aに示すIGBTは、主電流の流れる素子活性部において、半導体基板1のおもて面側の表面層に、p型ベース層11が選択的に設けられている。p型ベース層11内には、エミッタ層12が選択的に設けられている。また、素子活性部を囲む耐圧構造領域において、半導体基板1のおもて面側の表面層には、p型ガードリング4が選択的に設けられている。さらに、素子活性部から耐圧構造領域にわたって、半導体基板1のおもて面側の表面層には、n型表面高濃度領域9が設けられている。n型表面高濃度領域9の深さは、p型ベース層11およびp型ガードリング4の深さよりも浅い。n型表面高濃度領域9の不純物濃度は、半導体基板1の不純物濃度よりも高く、かつp型ベース層11の不純物濃度よりも低い。半導体基板1内には、半導体基板1のおもて面からp型ベース層11およびガードリング4の深さよりも深い位置に、素子活性部から耐圧構造領域にわたって、n型のBB領域10が設けられている。n型表面高濃度領域9およびBB領域10の構成は、それぞれ、実施の形態1のn型表面高濃度領域およびBB領域と同様である。半導体基板1のおもて面の表面の、p型ベース層11およびガードリング4が設けられていない部分は、例えば、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜8で覆われている。エミッタ電極14は、p型ベース層11およびエミッタ層12に接する。ガードリング電極7は、ガードリング4に接する。エミッタ電極14とガードリング電極7とは、絶縁膜8によって互いに絶縁されている。半導体基板1の裏面p型ベース層11が形成された主面に対して反対側の主面には、BB領域10と離れて、コレクタ層13が設けられている。コレクタ電極15は、コレクタ層13に接する。図7aに示す本発明の実施の形態2にかかるIGBTの製造方法について、図8を参照して以下説明する。図8は、本発明の実施の形態2にかかるIGBTの主要な製造工程を示す断面図である。まず、FZ法により作製された高抵抗のn型の半導体基板1を用意し、イオン注入および熱拡散により、半導体基板1のおもて面側の表面層に選択的にp型ベース層11、エミッタ層12およびガードリング4を形成する図8a。次に、エミッタ層12と半導体基板1の表面層とに挟まれるp型ベース層11の表面上にゲート絶縁膜、ゲート電極17などからなるMOSゲート構造を形成する。その後、ガードリング4表面に熱酸化または膜成長によって、半導体基板1のおもて面の表面、p型ベース層11およびガードリング4が設けられていない部分を覆う絶縁膜8を形成する。そして、蒸着やスパッタなどによって、p型ベース層11およびエミッタ層12に接触し、かつ層間絶縁膜16を介してゲート電極17を覆うエミッタ電極14と、ガードリング4に接触するガードリング電極7とを形成する図8b。次に、半導体基板1のおもて面側からHを照射して熱処理をすることにより、半導体基板1のp型の領域以外の表面部に空孔と酸素の複合欠陥からなるドナーによるn型表面高濃度領域9を形成するとともに、半導体基板1内の深い位置にBB領域10を形成する図8c。このとき、n型表面高濃度領域9とBB領域10とは重なっていてもよいし、離れていてもよい。電子線などの粒子線を用いてn型表面高濃度領域9を形成する場合は、Hの代わりに電子線などの粒子線を照射すればよい。その後、半導体基板1の裏面側を研削して所定の厚さとし、コレクタ層13をボロンなどのp型不純物のイオン注入および活性化工程熱処理、レーザーアニールなどを用いて形成する、そして、コレクタ層13の表面にコレクタ電極15を形成する。これにより図7aに示すIGBTが完成する。なお、ドリフト層1とコレクタ層13の間に、n型のドーパントリン、Hなどで周知のn型フィールドストップ層不図示を設けて、空乏層がコレクタ層13にパンチスルーするのを防ぐようにしてもよい。また、このn型表面高濃度領域9の形成については、H照射に限定せず前述の他の粒子線、たとえばHeや電子線などによって形成される欠陥でも同様の効果を得ることが可能である。これらH以外の粒子線でn型表面高濃度領域9を形成した場合のIGBTの断面構造を図9に示す。図9は、本発明の実施の形態2にかかるIGBTの別の一例を示す断面構造および不純物濃度分布を示す説明図である。図9aには、ドリフト層1にBB領域10を有さず、n型表面高濃度領域9を有する構成のIGBTを示す。図9bには、図9aの切断線B-B’における不純物濃度分布を示す。図9cには、図9aの切断線A-A’における不純物濃度分布を示す。図9に示すIGBTが図7に示すIGBTと異なるのは、BB領域10を有さない点である。これらのn型表面高濃度領域9を形成する粒子線の照射は、IGBTのライフタイムキラー形成目的とする粒子線の照射と同時に行ってもよく、従来と工程数を増やさずに効果を得ることが可能となる。また、図7,9ではプレーナゲート型のIGBTを示したが、トレンチゲート型IGBTとすることもできる。また、図10の断面図に示すように一般的なIGBTだけではなく、逆阻止型IGBTにおいても同様の効果を得ることは可能である。図10は、本発明の実施の形態2にかかる逆阻止型IGBTの構成を示す断面図である。図10の逆阻止型IGBTに付けられた符号のうち、符号18はp型分離層である。図10に示す逆阻止型IGBTのp型分離層18以外の構成は、図7に示すIGBTと同様である。このp型分離層18はコレクタ層13とドリフト層1間とのpn接合の端部を半導体基板1の表面側へ湾曲させる機能を備える。このpn接合端面は表面で絶縁膜8により保護されるため、逆電圧を有効に保持することができる。また、実施の形態1にかかるダイオードと同様の理由で、実施の形態2にかかるIGBTにおいても半導体基板1内、特にエミッタ層12表面からBB領域10の極大値までの各粒子線の飛程Rpの間の区間では半導体基板に含まれる酸素の濃度が1×1016/cm3以上で且つ1×1018/cm3以下である領域が、当該区間の半分以上の厚さであり、且つブロードバッファ領域の極大値の一つにおける含有酸素濃度が1×1016/cm3以上1×1018/cm3以下であることが望ましい。以上説明したように、実施の形態2にかかる半導体装置によれば、実施の形態1にかかる半導体装置と同様に、半導体基板の不純物濃度を低くしたままでも終端耐圧領域の表面から5μmの深さまでのn型表面高濃度領域の不純物濃度を半導体基板の不純物濃度よりも高不純物濃度化することができる。この結果、外部電荷に対する耐性を向上させることができるとともに、p型ベース層とn型ドリフト層間とのpn接合が逆バイアスされた時にpn接合から広がる空乏層の等電位線が該n型表面高濃度領域では密になり広がりが抑えられるため、素子の小型化が可能となる。また、粒子線照射による欠陥を再結合中心としても活用することができるため、終端耐圧領域近傍のライフタイム減少も可能となる。これにより、導通時および逆回復時の該終端耐圧領域へのキャリアの集中を回避することが可能となる。また、実施の形態2にかかる半導体装置の構造は、ライフタイムキラー形成時の粒子線照射および熱処理工程によってn型表面高濃度領域およびBB領域またはn型表面高濃度領域のみを形成することができるため、工程が少なく簡易な方法での形成が可能である。また、ドリフト層中に高不純物濃度のブロードバッファ領域を有することにより、高速低損失であり、且つソフトなスイッチング特性を持つIGBTが得られる。以上において本発明の各実施の形態では第1導電型をn型とし、第2導電型をp型としたが、本発明は第1導電型をp型とし、第2導電型をn型としても同様に成り立つ。"