薄膜を気相成長させる被処理基板を配設する反応炉と、ガスを導入するガス導入口と、前記ガスを拡散させるためのガス分配空間と、前記ガスを前記反応炉の内部に供給するための複数のガス流路が穿設されているシャワープレートとを有するシャワーヘッドと、前記ガスを前記反応炉の外部に排気するための排気口と、を有する気相成長装置であって、前記ガス分配空間は、前記シャワープレートを底面とする空間であり、前記排気口に遠い側の第1空間と前記排気口に近い側の第2空間を有し、前記第1空間は前記第2空間よりも高く形成されていることを特徴とする気相成長装置。前記シャワーヘッドは、前記ガス分配空間を上流方向と下流方向の2つの空間に仕切り、穿孔された複数の拡散孔を通じて前記上流方向の空間から前記下流方向に前記ガスが流動する拡散板を有する請求項1に記載の気相成長装置。前記シャワーヘッドは、前記第2空間の高さを調節する調節構造を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の気相成長装置。前記シャワーヘッドは、前記第1空間の高さを調節する調節構造を有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の気相成長装置。図15に示される、導入したガスを外部に排気する排気口26が反応炉20の側面壁側に数箇所設けられているような気相成長装置100の場合、排気口26へのガス排気の流れの影響を受けて、排気口26に遠い中央付近のガス流路15から供給されるガス流量よりも、排気口26に近い側のガス流路15から供給されるガス流量の方が大きくなる。つまり、成膜される範囲とほぼ同範囲のガス供給範囲が広域となればなるほど、ガス供給範囲の各々のガス流路15から供給されるガス流量の最大と最小の差が大きくなり、均一な膜厚で成膜することが困難となる。このことから、特許文献1の真空製造装置および特許文献2の半導体製造装置では、成膜処理する領域を均一な膜圧で成膜可能な複数の領域に区画し、区画された各々の領域に対し独立するガス供給系統を設け、各々のガス供給系統毎に供給するガス流量等を調整する構成としている。しかしながら、このような構成とすると、複数枚の6インチ基板を一度に成膜処理する大型の気相成長装置では、φ600mm程度の広い領域を均一な膜厚で成膜することが必要となるが、そのため区画される領域の数が増大し、定めた区画の領域の数分のマスフローコントローラ流量調節部や配管系部材の実装設計が複雑なものとなってしまう。また、特許文献2には、各々のガス噴出穴に対し、ガスを供給するよう開口状態とするかガスの供給を封鎖するよう栓を挿入する状態とするかの変更が可能な半導体製造装置が開示されている。しかし、大型の気相成長装置では、ガス噴出穴の数も数千個を超えるものとなる。このことから、被処理基板の表面全体にわたり均一な膜厚で成膜されるように、1つ1つガス噴出穴を開口状態とするか栓を挿入する状態とするかを定めていくことは煩雑で手間がかかるものとなってしまう。さらに、特許文献2には、シャワーヘッドのガス噴出面を、中心から外周に向かって徐々に被処理基板表面との間隔を狭めた傘形状とする半導体製造装置が開示されている。しかし、所望の傾斜角度を保ちつつ中心対称に加工することは高い加工技術が要求される。特に、大型の気相成長装置では、シャワーヘッドの加工するガス噴出面も広くなる。このことから、被処理基板の表面全体にわたり均一な膜厚で成膜されるように、シャワーヘッドのガス噴出面を傘形状に加工することは非常に困難なものとなってしまう。本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、装置設計や装置組立が簡便で、かつ反応室の被処理基板面上のガス供給量を均一にして被処理基板上に成膜処理される成長膜の膜厚や組成比等の品質を向上させる気相成長装置を提供することにある。本発明の気相成長装置は、薄膜を気相成長させる被処理基板を配設する反応炉と、ガスを導入するガス導入口とガスを拡散させるためのガス分配空間とガスを反応炉の内部に供給するための複数のガス流路が穿設されているシャワープレートとを有するシャワーヘッドと、ガスを反応炉の外部に排気するための排気口と、を有する気相成長装置であって、ガス分配空間は、シャワープレートを底面とする空間であり、排気口に遠い側の第1空間と排気口に近い側の第2空間を有し、第1空間は第2空間よりも高く形成されていることを特徴とする。好ましくは、シャワーヘッドは、ガス分配空間を上流方向と下流方向の2つの空間に仕切り、穿孔された複数の拡散孔を通じて上流方向の空間から下流方向にガスが流動する拡散板を有する気相成長装置である。好ましくは、シャワーヘッドは、第2空間の高さを調節する調節機構を有することを特徴とする気相成長装置である。好ましくは、シャワーヘッドは、第1空間の高さを調節する調節構造を有することを特徴とする気相成長装置である。本発明の気相成長装置のガス分配空間では、排気口に遠い側の第1空間は、排気口に近い側の第2空間よりも高く形成している。つまり、ガス分配空間の構造形状によって、反応室の被処理基板面上のガス供給量を均一にして被処理基板上に成膜処理される成長膜の膜厚や組成比等の品質を向上させていることから、設計コストや組立コストがかからない気相成長装置が提供できる。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態に係る気相成長装置1Aの構成を示す。気相成長装置1Aは、ガス導入口14から導入される原料ガスを反応炉20の内部の反応室21に供給するため略円筒形状をしたシャワーヘッド10が設けられている。シャワーヘッド10は、原料ガスを導入するためのガス導入口14と、ガス導入口14から導入される原料ガスを均一かつ広域に拡散させるためのガス分配空間13と、ガス分配空間13で拡散された原料ガスを反応室21に供給するためのシャワープレート11より構成されている。また、シャワーヘッド10には、それぞれのガス流路15の温度を調整する冷媒を流すための冷媒流路18が、ガス流路15の周りを通って形成されている。反応室21の下部中央には不図示のアクチュエータによって回転自在の回転軸32が設けられ、回転軸32の先端には、シャワープレート11の原料ガスが供給される面と対向するようにして、被処理基板31が載置された円盤状の基板保持体30が取り付けられ、基板保持体30の下方には基板保持体30を加熱するための加熱ヒータ33が取り付けられている。また、反応炉20の下部には反応室21内のガスを外部に排気するための排気口26を有するガス排出部25が設けられている。図1に示されるように、気相成長装置1Aのガス分配空間13は、中央付近の第1空間131の側面壁と外周付近の第2空間132の側面壁に段差が設けられ、第2空間132における床面から天井面までの高さは、第1空間131における床面から天井面の高さよりも低い形状以後、ハット形状と呼称するに形成されている。図2は、シャワープレート11、シャワープレート11に穿設されているガス流路15と、基板保持体30、基板保持体30上に載置されている被処理基板31の位置関係を示す上面図である。図2に示されるように、気相成長装置1Aは、基板保持体30上に載置されている9枚円周上に8枚、中央に1枚の被処理基板31を対象に成膜処理を行う大型の気相成長装置であり、被処理基板31が載置される基板保持体30の全面成膜処理範囲に対向するシャワープレート11の原料ガスが供給される面の同範囲ガス供給範囲に、所定の間隔毎に所定の径の複数のガス流路15が穿設されている。例えば6インチ以上の大型基板を対象とする場合、成膜処理範囲およびガス供給範囲は、φ600mm程度となる。排気口26へのガス排気の流れの影響を受けて、ガス流路15から供給されるガス供給量は各々のガス流路15毎に少しずつ異なり、排気口26に近い外周付近のガス流路15から供給されるガス供給量が最大に、排気口26に遠い中央付近のガス流路15から供給されるガス供給量が最小となる。また、反応室21内に設けられる加熱ヒータ33等の各々の装置部材の垂直方向のサイズは小型の気相成長装置のものと同等程度で十分であり、これら装置部材を反応室21に設置する上では、シャワープレート11の原料ガスが供給される面から排気口26までの垂直方向の距離を、小型の気相成長装置に対して大きくする必要性はない。つまり、成膜処理範囲やガス供給範囲が広域となる大型の気相成長装置では、最も外周側に穿設されているガス流路15の排気口26までの距離と中心に穿設されているガス流路15の排気口26までの距離の差が大きく、ガス供給量の差も大きくなってしまう。本発明の気相成長装置1Aではガス分配空間13をハット形状に形成して、排気口26へのガス排気の流れの影響を受けやすい第2空間132直下に穿設されているガス流路15から供給されるガス供給量を抑制し、ガス供給範囲における各々のガス流路15から供給されるガス供給量の均一化を図っている。第2の実施の形態図3は、第2の実施の形態に係る気相成長装置1Bの構成を示す。前述した構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。図3に示されるように、気相成長装置1Bのシャワーヘッド10には、第1空間131のガス導入口14側の方向に、導入された複数の原料ガスの混合比率を均一に混合するための第3空間133と、第1空間131と第3空間133を仕切り、複数の穿孔された拡散孔51を通じて第3空間133に導入された原料ガスを第1空間131へと流動する拡散板50が設けられている。ここで、第3空間133は、各々のガス導入口14から導入された複数の原料ガスを集約し混合するため、最も外周側に位置するガス導入口14より大きな径の円柱形状に形成されている。図4は、第1空間131と第3空間133を仕切る拡散板50の上面図を示し、拡散板50には、複数の拡散孔51が穿孔されている。ここで、導入された原料ガスを第3空間133から第1空間131へ流動させる拡散孔51が穿孔されているガス流動範囲は、排気口26に遠い中央付近のガス流路15に流動しやすく第3空間133の径よりも小さな径とする方が望ましい。または、拡散孔51は、中央付近のガス流路15に流動しやすく拡散板50の外周側より中心の方を数多くする、もしくは径を大きくする方が望ましい。本発明の気相成長装置1Bではガス分配空間13をハット形状に形成するとともに、第3空間133と拡散板50を設けることにより、排気口26へのガス排気の流れの影響を受けやすい第2空間132直下に穿設されているガス流路15から供給されるガス供給量を抑制し、ガス供給範囲における各々のガス流路15から供給されるガス供給量の均一化を図っている。図5および図6は、ガス流量分布のシミュレーションに用いた本発明の気相成長装置1Bのシミュレーションモデルおよび従来の気相成長装置100のシミュレーションモデルを示す上面図ならびに断面図である。図5Aに示されるように、本発明の装置モデルでは、上面の中心に1箇所と中心から半径100mmの円周上の互いの距離が同一となる対象位置の4箇所との合計5箇所にガス導入口14が設けられた気相成長装置の1/8πモデルを用いている。ここで、本発明の装置モデルには、側面壁までの直径がφ420mmである第1空間131と側面壁までの直径がφ570mmである第2空間132を有するハット形状のガス分配空間が設けられている。図5Bに示されるように、本発明の装置モデルでは、シャワープレート11のφ570mmのガス供給範囲にφ1mmのガス流路15が5mm間隔で穿設されている。また、高さ25mm、直径φ420mmの円柱状の第1空間131と、該第1空間131の下層の高さ3mm、直径φ570mmの円柱状の第2空間132が円中心で重なったハット形状のガス分配空間13がシャワーヘッド10に設けられている。さらに、ハット形状のガス分配空間13の上層には、高さ5mm、直径φ570mmの円柱状の第3空間133と、第3空間133とガス分配空間13を導入された原料ガスを流動可能に仕切る第1空間131の直径と同じφ420mmのガス流動範囲にφ2mmの拡散孔51が5mm間隔で穿孔されている拡散板50が設けられている。図6Aに示されるように、従来の装置モデルでは、上面の中心に1箇所と中心から半径100mmの円周上の互いの距離が同一となる対象位置の4箇所との合計5箇所にガス導入口14が設けられた気相成長装置の1/8πモデルを用いている。ここで、従来の装置モデルには、側面壁までの直径がφ570mmである円柱状のガス分配空間13が設けられている。図6Bに示されるように、従来の装置モデルでは、シャワープレート11のφ570mmのガス供給範囲にφ1mmのガス流路15が5mm間隔で穿設されている。また、高さ25mm、直径φ570mmの円柱状のガス分配空間13がシャワーヘッド10に設けられている。図7は、上述した本発明の装置モデルにおける各々のガス流路15から供給されるガスの流速をシミュレーションしたガス流量分布を実線で、上述した従来の装置モデルにおける各々のガス流路15から供給されるガスの流速をシミュレーションしたガス流量分布を破線で示すグラフである。図7において、横軸はシャワーヘッド10の中心から各々のガス流路15までの距離mmを示し、縦軸はガス流路15から供給されるガス流速を示している。なお、ガス流速の数値は、従来の装置モデルにおけるシャワーヘッド10の中心から200mmに位置するガス流路15から供給されるガス流速を基準とする相対値である。図7に示されるように、本発明の装置モデルでは、第1空間131と第2空間132の境界付近である中心からの距離がおおよそ210mm付近よりガスの流速の増加が抑えられ、中心からの距離が125mmから275mmに位置するガス流路15から供給されるガスの流速の変動率最大値-最小値÷平均値×100は、約Δ2.3となる。一方で、従来の装置モデルでは、排気口26へのガス排気の流れの影響を受けにくい中心から排気口26へのガス排気の流れの影響を受けやすい外周に向かうにしたがって、一次関数的にガス流速は増加し、中心からの距離が125mmから275mmに位置するガス流路15から供給されるガスの流速の変動率最大値-最小値÷平均値×100は、約Δ5.7となる。このように、本発明の気相成長装置では、ガス導入口14から導入される原料ガスを均一かつ広域に拡散させるためのガス分配空間をハット形状に形成することにより、排気口に近い側のガス流路から供給されるガス流量と排気口に遠い側のガス流路から供給されるガス流量とを均一としている。つまり、ガス分配空間の構造形状によって、反応室の被処理基板面上のガス供給量を均一にして被処理基板上に成膜処理される成長膜の膜厚や組成比等の品質を向上させていることから、設計コストや組立コストがかからない気相成長装置が提供できる。上述した実施の形態は例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。例えば、本発明の気相成長装置におけるガス分配空間13の形状は、排気口26が設けられている位置、ガス流路15の径の大きさ、ガス流路15が穿設されている間隔等によって決定される。図8に、本発明の気相成長装置に適用され得るガス分配空間の断面形状を例示する。ここで、図8Aおよび図8Bは、排気口26が反応炉20の側面壁側に設けられている気相成長装置に適用されるガス分配空間13の形状であり、図8Cは、排気口26が反応炉20の底面中央に設けられている気相成長装置に適用されるガス分配空間13の形状を示す。図8Aに示すガス分配空間13は、第2空間132の高さが、段階的に側面壁側が低くなるように形成されている。図8Bに示すガス分配空間13は、第2空間132の高さが、線形的に側面壁側が低くなるように形成されている。図8Cに示すガス分配空間13は、排気口26が反応炉20の底面中央に設けられていることに伴い、外周付近に第1空間131が形成されるとともに、ガス分配空間13の中央付近に第1空間131より高さが低い第2空間132が形成されている。上記図8A~Cの変形例は、当然に、本発明に含まれる。第3の実施の形態図9は、第3の実施の形態に係る気相成長装置のシャワーヘッド10Aの概要構成を示す。前述した構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。ここで、シャワーヘッド10Aは、上述した気相成長装置1A又は気相成長装置1Bのシャワーヘッド10との比較において第2空間132の床面から天井面の高さを調節可能な調節機構を設けている点で異なる。シャワーヘッド10Aは、シャワープレート11と、シャワープレート11の上層部材として連結される分配空間形成機構12と、分配空間形成機構12の上層部材として連結され、第3空間133を形成するための導入空間形成機構125から構成されている。ここで、分配空間形成機構12は、第2空間形成機構122と第1空間形成機構121から構成されており、第2空間形成機構122は、第2空間132又は当該空間の一部を形成し、第1空間形成機構121は、第2空間形成機構122の上層部材として連結され、第1空間131を形成する。また、第1空間形成機構121は拡散板50を取り付け可能に構成されている。図10は、シャワーヘッド10Aを構成する第1の部材群の様相を示し、当該シャワーヘッドは、シャワープレート11aと分配空間形成機構12aと不図示の導入空間形成機構から構成されている。シャワープレート11aは、円柱形状の部材であって、上面は直径R2の円形領域が外周部よりも高さH3分凹んだ凹面が形成されている。ここで、シャワープレート11aには、上面の凹面から底面に至る複数のガス流路が穿設されている。分配空間形成機構12aは、第1空間形成部材121aから構成されるか、または、第1空間形成部材121aと1つ以上の第2空間形成部材122aとで構成される。ここで、第1空間形成部材121aは、直径R1の孔が形成されて高さH1の円筒形状の部材であり、第2空間形成部材122aは、直径R2の孔が形成されて高さH2のリング形状の部材である。また、第1空間形成部材121aは、直径R1の範囲に複数の拡散孔を有する拡散板50が取り付け可能に構成されている。さらに、各々の部材は、上層部材又は下層部材と、円筒又は円柱の上面中心を互いに一致させて連結させることが可能に構成されている。図11は、第1の部材群で組み立てられた気相成長装置の第2空間132の様相を示す。図11Aは、分配空間形成機構12aを、第1空間形成部材121aと1つの第2空間形成部材122aで構成した場合の様相を示し、第2空間132の高さは、第2空間形成部材122aを構成部材とすることで形成された空間の高さH2に、シャワープレート11aの凹面によって形成された空間の高さH3が加えられたものとなる。図11Bは、分配空間形成機構12aを、第1空間形成部材121aだけで構成した場合の様相を示し、第2空間132の高さは、シャワープレート11aの凹面によって形成された空間の高さH3となる。このように、第2空間形成部材122aを用いる数によって、第2空間132の高さが調節可能となっている。図12は、シャワーヘッド10Aを構成する第1の部材群と異なる第2の部材群の様相を示し、当該シャワーヘッドは、シャワープレート11bと分配空間形成機構12bと不図示の導入空間形成機構から構成されている。シャワープレート11bは、円柱形状の部材であって、直径R4の中心部には上面から底面に至る複数のガス流路が穿設されている。分配空間形成機構12bは、直径R1の孔が形成されて高さH1の円筒形状の第1空間形成部材121bと、直径R4の孔が形成され、最大H4から最小H5の範囲の高さに調節が可能なベローズ構造が形成された第2空間形成部材122bとで構成される。ここで、第1空間形成部材121bは、直径R1の範囲に複数の拡散孔を有する拡散板50が取り付け可能に構成されている。さらに、各々の部材は、上層部材又は下層部材と、円筒又は円柱の上面中心を互いに一致させて連結させることが可能に構成されている。図13は、第2の部材群で組み立てられた気相成長装置の第2空間132の様相を示す。図13Aは、第2空間形成部材122bの高さを調節可能な最大の高さに調節して組み立てられた気相成長装置の様相を示し、第2空間132の高さはH4となる。図13Bは、第2空間形成部材122bの高さを調節可能な最小の高さに調節して組み立てられた気相成長装置の様相を示し、第2空間132の高さはH5となる。このように、装置の組み立て段階で第2空間形成部材122bの高さを適宜調節することによって、第2空間132の高さが調節可能となっている。第4の実施の形態図14は、第4の実施の形態に係る気相成長装置のシャワーヘッド10Bの概要構成を示す。前述した構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。ここで、シャワーヘッド10Bは、上述したシャワーヘッド10Aとの比較において第1空間131の高さを調節可能な調節機構を設けている点で異なる。シャワーヘッド10Bは、シャワープレート11と、シャワープレート11の上層部材として連結される分配空間形成機構12cと、分配空間形成機構12cの上層部材として連結され、第3空間133を形成するための導入空間形成機構125から構成されている。ここで、分配空間形成機構12cは、第2空間132又は当該空間の一部を形成するための第2空間形成機構122と、第1空間131を形成するための第1空間形成部材121cから構成されている。また、第1空間形成部材121cは、所定の径の孔が形成され、最大H6から最小H7の範囲の高さに調節が可能なベローズ構造で構成されている。ここで、第1空間形成部材121cは、複数の拡散孔を有する拡散板50が取り付け可能に構成されている。さらに、各々の部材は、上層部材又は下層部材と、円筒又は円柱の上面中心を互いに一致させて連結させることが可能に構成されている。このように、装置の組み立て段階で第1空間形成部材122cの高さを適宜調節することによって、第1空間131の高さが調節可能となっている。このように、本発明の気相成長装置では、第1空間131又は第2空間132又は両者空間の高さが調節可能に構成されている。このことにより、例えば導入されるガス種や混合比率に応じて第1空間131又は第2空間132の高さを適宜調節して、ガス流路から供給されるガス供給量をより精巧に最適化を図ることが可能となる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。