"下部電極、複数の強誘電体層からなる圧電体及び上部電極がこの順番に積層された圧電素子を有する液体吐出ヘッド製造装置であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜手段と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して乾燥する第1の加熱手段と、前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する第2の加熱手段と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する第3の加熱手段と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜および前記強誘電体層を冷却する冷却手段と、前記シリコンウェハを搬送する搬送手段と、1枚の前記シリコンウェハごとに処理が行われるように、前記成膜手段、前記第1の加熱手段、前記第2の加熱手段、前記第3の加熱手段、前記冷却手段及び前記搬送手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする液体吐出ヘッド製造装置。前記制御手段は、前記成膜手段による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記第1の加熱手段による前記強誘電体前駆体膜の乾燥、前記第2の加熱手段による前記強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分の除去及び前記冷却手段による前記強誘電体前駆体膜の冷却、の一連の処理を1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンAを所定回数繰り返して実行し、ついで前記成膜手段による前記強誘電体前駆体膜の成膜、前記第1の加熱手段による前記強誘電体前駆体膜の乾燥、前記第2の加熱手段による前記強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分の除去、前記第3の加熱手段による前記強誘電体層の焼成及び前記冷却手段による該強誘電体層の冷却、の一連の処理を1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンBを実行する制御を行うことを特徴とする液体吐出ヘッド製造装置。前記制御手段は、前記強誘電体層が所定の膜厚となるように、前記処理パターンAの所定回数繰り返しの実行及び処理パターンBの実行の組み合わせを複数回数実行する制御を行うことを特徴とする請求項2に記載の液体吐出ヘッド製造装置。導電層の形成されたシリコンウェハについて所定時間で処理可能な枚数分を1ロットとして収納する収納手段を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の液体吐出ヘッド製造装置。前記冷却手段は、1ロット分のシリコンウェハを保持する保持手段を有することを特徴とする請求項4に記載の液体吐出ヘッド製造装置。下部電極、複数の強誘電体層からなる圧電体及び上部電極がこの順番に積層された圧電素子を有する液体吐出ヘッドを製造する液体吐出ヘッドの製造方法であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜工程と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して乾燥する第1の加熱工程と、前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する第2の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する第3の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜および前記強誘電体層を冷却する冷却工程と、を有し、1枚の前記シリコンウェハごとに、前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程、前記第3の加熱工程及び前記冷却工程を適宜組み合わせて処理を実行することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程及び前記冷却工程をこの順番で1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンAを所定回数繰り返して実行し、ついで前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程、前記第3の加熱工程及び前記冷却工程をこの順番で1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンBを実行することを特徴とする請求項6に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。前記強誘電体層が所定の膜厚となるように、前記処理パターンAの所定回数繰り返しの実行及び処理パターンBの実行の組み合わせを複数回数実行することを特徴とする請求項7に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。請求項1~5のいずれかに記載のインクジェット製造装置を用いて製造されてなることを特徴とする液体吐出ヘッド。請求項9に記載の液体吐出ヘッドを備えることを特徴とするインクジェット記録装置。本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、液体吐出ヘッド間における吐出特性のばらつきを抑制するとともに生産性の向上を図ることのできる液体吐出ヘッド製造装置、液体吐出ヘッドの製造方法を提供し、また該液体吐出ヘッド製造装置により製造される液体吐出ヘッド、インクジェット記録装置を提供することを目的とする。発明者らは、前述した課題を解決すべく鋭意検討を行ったところ、強誘電体層を形成する際の加熱焼成処理を1枚のシリコンウェハごとに行う枚葉処理を行えばシリコンウェハにかかる熱履歴の均一化を図ることができることを見出した。しかしながら、この場合の加熱焼成処理が全処理工程における律速となり、製造時間がかかり過ぎた。そこで、加熱焼成処理の詳細について調査したところ、加熱焼成処理では、強誘電体前駆体膜の溶媒を除去する乾燥処理、強誘電体前駆体膜に含まれる有機物を熱分解する処理、強誘電体前駆体膜を結晶化させる焼成処理を段階的に行っていることを把握した。そこで発明者らは、この知見を基に前述した課題を解決すべく鋭意検討を行い、本発明を成すに至った。すなわち前記課題を解決するために提供する本発明は、下部電極、複数の強誘電体層からなる圧電体及び上部電極がこの順番に積層された圧電素子を有する液体吐出ヘッド製造装置であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜手段と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して乾燥する第1の加熱手段と、前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する第2の加熱手段と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する第3の加熱手段と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜および前記強誘電体層を冷却する冷却手段と、前記シリコンウェハを搬送する搬送手段と、1枚の前記シリコンウェハごとに処理が行われるように、前記成膜手段、前記第1の加熱手段、前記第2の加熱手段、前記第3の加熱手段、前記冷却手段及び前記搬送手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする液体吐出ヘッド製造装置である。また前記課題を解決するために提供する本発明は、下部電極、複数の強誘電体層からなる圧電体及び上部電極がこの順番に積層された圧電素子を有する液体吐出ヘッドを製造する液体吐出ヘッドの製造方法であって、導電層の形成されたシリコンウェハ上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜工程と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して乾燥する第1の加熱工程と、前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する第2の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する第3の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜および前記強誘電体層を冷却する冷却工程と、を有し、1枚の前記シリコンウェハごとに、前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程、前記第3の加熱工程及び前記冷却工程を適宜組み合わせて処理を実行することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。本発明の液体吐出ヘッド製造装置によれば、複数の強誘電体層を積層して圧電体を形成する場合に、1枚のシリコンウェハごとに加熱焼成処理を行うのでシリコンウェハ間の熱履歴の均一化を図ることができ、かつ強誘電体前駆体膜について行う加熱焼成処理を3つの加熱処理に分割し、分割した3つの加熱処理を3つの加熱手段第1の加熱手段、第2の加熱手段、第3の加熱手段それぞれで独立して実行するので、各工程のタクトを合わせることが容易となり、生産性を向上させることができる。また本発明の液体吐出ヘッドの製造方法によれば、複数の強誘電体層を積層して圧電体を形成する場合に、1枚のシリコンウェハごとに加熱焼成処理が行われるのでシリコンウェハ間の熱履歴の均一化を図ることができ、かつ強誘電体前駆体膜について行う加熱焼成処理が3つの加熱処理に分割され、分割された3つの加熱処理が3つの加熱工程第1の加熱工程、第2の加熱工程、第3の加熱工程それぞれで独立して実行されるので、各工程のタクトを合わせることが容易となり、生産性を向上させることができる。以下に、本発明に係る液体吐出ヘッド製造装置、液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及びインクジェット記録装置の一実施の形態における構成について図面を参照して説明する。なお、本明細書において、強誘電体と記す範囲は複数の金属元素の酸化物からなる複合酸化物で有り特に電気的入力を機械的な変位に変換する材料が該当する。液体吐出ヘッドまず、圧電素子を備えた液体吐出ヘッド1の構成例を説明する。図1に、本発明に係る液体吐出ヘッドの一部を断面にて示した分解斜視図を示す。また図2に、本発明に係る液体吐出ヘッドの幅方向の断面概略構成を示す。なお、図2では単一の圧力室個別液室、加圧液室ともいう506を示しているが、液体吐出ヘッドは図1に示すとおり圧力室基板503の隔壁部503aで区画されることにより、図2中では左右方向に圧力室506が配列する構造をとる。液体吐出ヘッド1は、インクを吐出する液滴吐出孔であるノズル505を有するノズル板504と、複数の圧力室506、振動板540、圧電素子501が形成され、複数の強誘電体層が積層されてなる圧電体52の駆動のための駆動回路が搭載されたフレキシブルプリント基板FPC573を有する圧力室基板503と、圧電素子保護空間574を配した保持基板572との3枚の基板を重ねた積層構造となっている。なお、圧力室基板503と保持基板572との積層体が、後述するシリコンウェハを複数に分割することにより得られるシリコンチップである。圧力室基板503は、Si基板上に積層膜により振動板540が形成されている。本実施形態における振動板540はSOI基板を用いてSi基板の片側面にシリコン酸化膜、シリコン活性膜、シリコン酸化膜を堆積させたものである。また、その上に複数の圧電素子501を設けており、更に該複数の圧電素子501それぞれに対応する圧力室506、該圧力室506に液体を供給する為の流体抵抗部供給路532、共通液室533を形成している。ノズル板504は、例えばニッケル高速電鋳法を用いて厚さ20μmに形成したニッケル基板であり、圧力室基板503の面部に圧力室506それぞれに対応して連通するように設けられたノズル505を有する。保持基板572は、圧電素子501の保護及び変位を妨げないための圧電素子保護空間574と液滴であるインクが外部から共通液室533へ供給するためのインク供給部533aを形成した基板である。なお、圧力室506は、振動板540と、液室基板503の壁面隔壁部503aと、ノズル505が設けられるノズル板504と、で囲まれた空間である。また、振動板540の圧力室506とは反対面側に、下部電極51,圧電体52,上部電極53が積層されてなる圧電素子501が形成されている。また、圧力室506の振動板540に対向する板面がノズル板504となっている。このように構成された液体吐出ヘッド1において、各圧力室506内に液体、例えば記録液インクが満たされた状態で、図示しない制御部から画像データに基づいて、発振回路により、記録液の吐出を行いたいノズル505に対応する上部電極53に対して、所定例えば20Vのパルス電圧を印加する。この電圧パルスを印加することにより、圧電体52は、電歪効果により圧電体52そのものが振動板540と平行方向に縮むことにより、振動板540が圧力室506側に凸となるように撓むことになる。これにより、圧力室506内の圧力が急激に上昇して、圧力室506に連通するノズル505から記録液が吐出されるようになる。次に、パルス電圧印加後は、縮んだ圧電体52が元に戻ることから撓んだ振動板540は、元の位置に戻るため、圧力室506内が共通液室533内に比べて負圧となり、共通液室533から流体抵抗部532を通って記録液が圧力室506に供給される。以上の動作制御を繰り返すことにより、液体吐出ヘッド1は液滴を連続的に吐出でき、液体吐出ヘッド1に対向して配置された被記録媒体用紙に画像を形成することが可能となる。図2に示すように、液体吐出ヘッド1は、Si基板上に形成された振動板540と、該振動板540上に、下部電極51,圧電体52,上部電極53がこの順番で積層されてなる圧電素子501と、を備え、圧電素子501及び振動板540からなる圧電アクチュエータを用いてノズル板504の基板面部に設けた液滴吐出孔であるノズル505から液滴を吐出させるものである。ここで、ノズル板504は、SUS、Ni、Siなどの金属または無機材料、PIポリイミドなどの樹脂材料にノズル505を形成して構成され、図示していない接着剤または陽極接合等の他の接合手段によって圧力室基板503に接合されるものである。圧力室基板503は、必要とされる機械的強度および化学的耐性を備えた加工しやすい材料であるSi基板シリコンウェハから作られる。Si基板を用いる場合、フォトリソグラフィとエッチング法による加工に、いわゆる半導体プロセスを用いることができるため、圧力室配列の高集積化が可能となる。振動板540は、圧電素子501による変位の範囲内で弾性変形する材質とすることが必要である。材質としては、無機材料、有機材料の薄膜が用いられるが、電極との密着性を考慮すると無機材料を用いることが好ましい。無機材料としては、金属、合金、半導体、誘電体等の任意の材料を用いることができる。材料は加工方法から最適のものを選定することができ、圧力室基板503にSiを用いた場合は、SiO2,Si3N4,他結晶Siを用いることが好ましい。一般にはSiの熱酸化膜とするケースが多い。また、これらの積層膜とすることで、残留応力を相殺する構造をとることができる。また、SiO2,Si3N4等の誘電体材料は化学的に安定であり、吐出するインクに接触しても、インクによる腐食による振動板540の破壊を防止することができる。さらに、これらの薄膜の成膜技術は半導体プロセスで確立された技術であるため、安定した振動板540を得ることができる。振動板540の厚さは、材料の剛性や形成方法から最適化することが好ましいが、前述の無機材料SiO2,Si3N4を用いた場合、1~5μmの範囲とすることが好ましい。例えばまず、Si基板上に振動板540となる絶縁物を形成し、その後圧力室506などの液室となる空洞をエッチングにより形成後、必要な厚みに研磨される。エッチングの際は絶縁物層がストップ層となる。下部電極51は、複数の圧電素子501における共通電極であり、共通電極配線不図示と接続している。また、下部電極51は、例えば圧電体52を構成する強誘電体層の配向性を制御するために111結晶配向した薄膜であり、下部電極51を構成する材料としては、任意の導電性材料を用いることができる。導電材料としては、金属、合金、導電性化合物等を用いることができるが、強誘電体層の成膜方法により耐熱性の高い電極材料を用いることが好ましい。通常強誘電体層は成膜後に結晶化させるプロセスが必要であり、一般的な圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛PZTを用いた場合、結晶化プロセス温度は500°C~800°Cとなることが一般的である。そのため、圧電素子に用いられる材料は高融点であると同時に高温で隣接する振動板540や圧電材料と化合物を形成しない安定性の高い材料であることが必要である。これらの材料としてはPt,Ir,Pd,Au等の反応性が低く高融点である金属やその合金を用いることが好ましい。このうち、一般的に強誘電体層を構成する代表的材料であるチタン酸ジルコン酸鉛PZTと格子定数が近く酸化しにくい貴金属であるPtが最も多く使用されている。また、高温安定性の高い化合物導電材料を用いても良い。これらの化合物導電材料としては、任意の複合酸化物を用いることができる。例えば、IrO2、RuO2、SrO、SrRuO3、CaRuO3、BaRuO3、SrxCa1-xRuO3等の白金族金属含有導電性酸化物やLaNiO3などが挙げられる。下部電極51の膜厚は電極に必要とされる電気抵抗により任意に設定することができるが、100nmから1μmの範囲が好ましい。強誘電体層を構成する材料としては、ペロブスカイト型結晶構造を有し化学式ABO3で示すことのできる複合酸化物を用いることができる。ここで、Aサイトの元素としてはPb、Ba、Nb、La、Li、Sr、Bi、NaおよびKなどである。また、Bサイトの元素としてはCd、Fe、Ti、Ta、Mg、Mo、Ni、Nb、Zr、Zn、WおよびYbなどである。この中でも、Aには鉛Pb、BにジルコニウムZrとチタンTiの混合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛PZTが多く用いられている。この材料は、温度特性,圧電特性に優れているため、高信頼性、高安定性の圧電素子501を得ることができる。PZTの他には、鉛を使用しないという環境的な利点があり変位量が大きく原料が安価であり使用実績が多いものとしては、チタン酸バリウムBaTiO3を用いることができる。圧電体52の膜厚は所望の特性により最適値を設定することができるが、0.1μmから5μmの範囲とすることが好ましい。さらに圧電体52は圧力室506ごとに個別に形成される必要があり、個別液室幅よりも圧電体幅を狭くする必要がある。それにより、剛性の高い圧電体52の膜が形成されない部分が圧力室506上に形成され、振動変位する領域を確保することができる。そのため、圧電体52のパターニングが重要である。上部電極53は、圧力室506ごとに形成される圧電体52の上方に形成される。また上部電極53は、複数の圧電素子501ごとに設けられる個別電極であり、個別電極配線不図示と接続している。該個別電極配線は複数の圧電素子501それぞれの上部電極53と個別に導通しており、駆動信号入力部不図示から個別電極配線を通じてそれぞれの圧電素子501に駆動信号が入力される。上部電極53を構成する材料としては、下部電極51の場合と同じ材料群のいずれかを用いることができる。すなわち、上部電極53の材料は任意の導電性材料を用いることが可能である。導電材料としては、金属、合金、導電性化合物等が挙げられるが、金属または合金を用いることが好ましい。その際、圧電体52との密着性を考慮した材料を選定する必要がある。また、圧電材料に含まれるPb等の材料と反応相互拡散し合金を形成する材料は好ましくない。さらに、圧電材料に含まれる酸素等と反応する材料も好ましくない。従って、反応性の低い安定した材料を用いるのが好ましい。これらの材料としては、Au,Pt,Ir,Pdまたはこれらの合金,固溶体を例として挙げられる。また、上部電極53の幅は圧電体52の幅より狭くすることが好ましい。圧電体52端部まで上部電極53を形成した場合、圧電体52端部の電界集中により、下部電極51-上部電極53間の放電現象に繋がる可能性があり、圧電素子501の信頼性を著しく損なう可能性がある。このような構成の液体吐出ヘッド1は、つぎの工程により製造する。すなわちまず、図3に示すように、圧力室基板503となるシリコンウェハ39上に、圧電素子501の下部電極51となる導電層を形成した後に、複数の強誘電体層強誘電体層52a,52b,52c,52nを積層させて所望の膜厚となる圧電体52を形成する。そして更に、上部電極53となる導電層図3では省略を形成する。ついで、それらの層をパターニングする。これにより、図1及び図2に示す圧電素子501をシリコンウェハ39上に形成することができる。つぎに、図1に示す保持基板572の設置を行う。そして、圧電素子501の設けられた圧力室基板503と保持基板572の積層体であるシリコンウェハ39を、ダイシングソー等により切断し、複数のシリコンチップに分割する。ついで、各シリコンチップに図1に示すノズル板504の接合や駆動部等の各種部材の搭載や加工等を行い、複数の液体吐出ヘッド1を製造する。本発明の液体吐出ヘッド1は、後述する液体吐出ヘッド製造装置により製造されることによりシリコンウェハ間の熱履歴の均一化を図ることができるので、ロット間のばらつきなく安定した吐出特性を有する。液体吐出ヘッド製造装置及び製造方法図4は、本発明に係る液体吐出ヘッド製造装置以下、単に製造装置と称する。の構成例を示す平面図である。本発明の製造装置100は、液体吐出ヘッド1に設けられる圧電素子501の圧電体52を形成する装置である。具体的には、複数のシリコンチップに分割されるシリコンウェハ39を1枚ずつ搬送し、シリコンウェハ39に圧電体52となる強誘電体層の積層体を形成する枚葉式自動成膜装置である。図4に示すように、本発明の製造装置100は、供給排出ステージ10、収納部材11、搬送部12、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18、温湿度制御部19、主制御部20を含んで構成されている。収納部材11は、下部電極51となる導電層が形成されたシリコンウェハ39を収納し、さらに製造装置100により複数の強誘電体層が積層された後のシリコンウェハ39を収納する部材である。また、収納部材11には、導電層の形成されたシリコンウェハ39について所定時間で処理可能な枚数分例えば、24枚を1ロット分として収納することで、個別のシリコンウェハ39や生産状況の管理をやりやすくしている。例えばシリコンウェハ39の管理とは、製造装置100内に流動しているシリコンウェハ39に管理番号をつけ製造履歴をシーケンス制御により管理しモニター表示することである。供給排出ステージ10は、これらの収納部材11を支持する。搬送部12は、製造装置100の中心部に配置され、保持部12aとレール12bを備えている。保持部12aは、シリコンウェハ39を1枚ずつ保持し、レール12bに沿ってレール長手方向に移動して、供給排出ステージ10、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18の間でシリコンウェハ39を搬送するものである。レール12bは、供給排出ステージ10、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17の配列方向に長い長尺状のレール部材である。図4では、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16が一列に配列され、供給排出ステージ10、第3加熱部17が配列され、冷却部18がレール12bの一方の端部側に配置されている。これにより、搬送部12は、供給排出ステージ10、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18の間で、短時間にシリコンウェハ39を搬送することができる。したがって、搬送部12によるシリコンウェハ39の搬送としては、例えば保持部12aがレール12bに沿って供給排出ステージ10の収納部材11まで移動して、収納部材11からシリコンウェハ39を1枚取り出し、続いて保持部12aが該シリコンウェハ39を保持した状態で位置調整部13まで移動しそのシリコンウェハ39を搬入することを行う。また、主制御部20の制御による搬送部12の駆動により、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18の間をシリコンウェハ39が1枚ずつ搬送される。位置調整部13は、シリコンウェハ39の中心位置やオリフラオリエーションフラットを、予め定めた方向及び予め定めた位置に位置合わせして位置調整する。この位置調整されたシリコンウェハ39の予め定められた領域を、搬送部12で保持して搬送し、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18等の各部へ搬送する。これによって、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18等の各部には、位置調整されたシリコンウェハ39が搬送される。なお、位置調整部13において、同時に位置調整可能なシリコンウェハ39の数は、1枚である。位置調整部13には、位置制御部不図示が設けられている。該位置制御部は、主制御部20に電気的に接続されている。位置制御部は、位置調整部13の装置各部を駆動する駆動部不図示に電気的に接続されており、該駆動部を制御することによって、シリコンウェハ39の位置合わせを行う。搬送部12は、位置調整部13で中心位置及びオリフラ位置の調整がされたシリコンウェハ39を次工程の成膜部14に搬送し、この搬送が完了すると2枚目のシリコンウェハ39を収納部材11から位置調整部13に搬送する。このような動作を連続で繰り返すことで休止時間を最小にすることができる。成膜部14は、シリコンウェハ39の導電層または前回形成された強誘電体前駆体膜、あるいは前回形成された強誘電体層上に、強誘電体前駆体膜を成膜する。この強誘電体前駆体膜は、強誘電体前駆体溶液ゾルによる塗膜である。強誘電体前駆体溶液ゾルとは、圧電体52の構成材料として挙げた前記圧電材料を溶媒に溶解した溶液である。一度の塗布で形成する強誘電体前駆体膜の膜厚は100nm程度が好ましい。この強誘電体前駆体溶液としては、ゾルゲル法により成膜される圧電体材料、具体的には酢酸鉛、イソプロポキシドジルコニウム、イソプロポキシドチタンを出発材料にし、これらの出発材料を、共通溶媒としてのメトキシエタノールに溶解させたチタン酸ジルコン酸鉛PZT系の材料が挙げられる。成膜部14による強誘電体前駆体膜の成膜方法は、限定されないが、例えば、スピンコード法が用いられる。成膜部14には、この成膜条件を調整するための成膜制御部不図示が設けられている。成膜制御部は、主制御部20に電気的に接続されており、主制御部20の制御によって、シリコンウェハ39上に強誘電体前駆体膜を成膜する。なお、成膜部14では、同時に成膜可能なシリコンウェハ39の数は1枚とされている。また、成膜部14には、成膜前にシリコンウェハ39の表面、裏面及びエッジを洗浄する洗浄部を有している。この洗浄により、強誘電体前駆体膜の膜間にゴミ等の付着物が混入することを抑制することができ、膜欠陥を防止することができる。成膜部14で成膜が完了したシリコンウェハ39は搬送部12により第1加熱部15に搬送される。第1加熱部15は、成膜部14によって成膜された強誘電体前駆体膜を第1の温度に加熱することによって、該強誘電体前駆体膜に含まれる溶媒を蒸発させて強誘電体前駆体膜を乾燥する。第1加熱部15には、主制御部20に電気的に接続された第1加熱制御部不図示が設けられている。主制御部20は、第1加熱制御部を制御することによって、第1加熱部15内を所定の乾燥温度に保持する。第1加熱部15の構成は、第1加熱部15内に搬送されてきたシリコンウェハ39の強誘電体前駆体膜に熱を加えることが出来る構成であればよく、限定されない。例えば、第1加熱部15としては、ホットプレート等の加熱部材を直接シリコンウェハ39に接触させる接触加熱方式の装置が挙げられる。乾燥処理が完了したシリコンウェハ39は搬送部12により第2加熱部16に搬送される。第2加熱部16は、第1加熱部15より高い第2の温度で強誘電体前駆体膜を加熱する装置である。具体的には、第2加熱部16は、強誘電体前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂処理を行う。なお、脱脂とは、強誘電体前駆体膜に含まれる有機物有機成分を熱分解させて、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させる除去することである。第2加熱部16には、第2加熱制御部不図示が設けられており、第2加熱部16内の温度条件を調整する。具体的には、第2加熱制御部は、第2加熱部16内の温度を、前記脱脂処理可能な温度に一定時間保持する等の、第2加熱部16内の温度条件を調整する。第2加熱部16は、主制御部20に電気的に接続されており、主制御部20の制御によって、第2加熱部16内の温度制御を行う。第2加熱部16としては、第2加熱部16内に搬送されてきたシリコンウェハ39の強誘電体前駆体膜に、前記脱脂処理可能な温度第2の温度の熱を加えることが出来る構成であればよく、その構成は限定されない。第2加熱部16としては、例えば、ホットプレートを加熱装置として用い、脱脂条件により加熱面ホットプレート面にシリコンウェハ39を直接接触させて加熱する接触式加熱方法や、ホットプレート面とシリコンウェハ39との間に微小な隙間を保った状態で加熱する非接触式加熱方法のいずれかの方法で行う。このときシリコンウェハ39の基板種によっては成膜工程を経ることで、片面のみにPZT膜等の強誘電体前駆体膜が堆積するので、シリコンウェハ39とPZT膜の熱膨張率差に起因したウェハの反りが発生してくる場合があり、ホットプレート面との接触加熱ではシリコンウェハ39の均一過熱が阻害されるようになる。従って、ホットプレート面とシリコンウェハ39に0.1mm~1mm、好ましくは0.3mm~0.5mmの隙間を設けて、非接触式加熱方法で脱脂処理を行うとよい。また、第2加熱部16は、図4に示すように、2台の加熱脱脂処理装置を配置している。これにより、脱脂処理は乾燥処理よりも2倍の処理時間を要するところ、脱脂工程としては乾燥工程とタクトを略等しくすることができる。脱脂処理が完了したシリコンウェハ39は搬送部12により冷却部18又は第3加熱部17に搬送される。第3加熱部17は、第2加熱部16より高い第3の温度で強誘電体前駆体膜を加熱する装置である。具体的には、第3加熱部17は、強誘電体前駆体膜を所定温度に加熱して一定時間保持することによって強誘電体前駆体膜を結晶化させる焼成処理を行う。第3加熱部17には、第3加熱制御部不図示が設けられており、第3加熱部17内の温度条件を調整する。具体的には、第3加熱制御部は、第3加熱部17内の温度を、前記焼成処理可能な温度に一定時間保持する等の、第3加熱部17内の温度条件を調整する。第3加熱部17は、主制御部20に電気的に接続されており、主制御部20の制御によって、第3加熱部17内の温度制御を行う。第3加熱部17としては、第3加熱部17内に搬送されてきたシリコンウェハ39の強誘電体前駆体膜に、焼成処理可能な温度第3の温度の熱を加えることが出来る構成であればよく、その構成は限定されない。第3加熱部17としては、例えば赤外線ランプの照射により加熱するRTPRapidThermalProcessing装置等の非接触加熱方式の装置を用いることができる。図5に、第3加熱部17の具体的な構成例を示す。第3加熱部17は、一対のフレーム30及びフレーム31を備えている。フレーム30及びフレーム31は、一面が開口した箱状となっており、この開口面が互いに対向するように配置されている。また、これらのフレーム30,31は、図示を省略する支持部材によって支持されており、図5Aに示すように、フレーム30とフレーム31とが離間した状態以下、離間状態と称する、または図5Bに示すようにフレーム30とフレーム31とが互いの開口面を覆うように接触した状態以下、接触状態と称する、の何れかの状態となるように駆動可能に支持されている。なお、これらのフレーム30,31を駆動する駆動部不図示は、第3加熱制御部に電気的に接続されており、第3加熱制御部の制御によって、上記離間状態または上記接触状態の何れかの状態となるように制御される。フレーム30及びフレーム31の内部の空間35A内には、図示を省略する支持部材によって支持されたホルダー34が設けられている。ホルダー34は、空間35A内に搬送されてきたシリコンウェハ39を空間35A内で支持する。このホルダー34は、第3加熱制御部に電気的に接続されており、主制御部20の制御によってシリコンウェハ39を保持した保持状態、またはシリコンウェハ39の保持を解除した解放状態の何れかの状態に制御される。また、フレーム30及びフレーム31内の空間35Aには、加熱部32a,32bが設けられている。これらの加熱部32a及び加熱部32bとしては、加熱機構を有するものであれば限定されないが、例えば、赤外線ランプが挙げられる。これらの加熱部32a及び加熱部32bは、第3加熱制御部に電気的に接続されており、第3加熱制御部の制御によって加熱条件が制御される。各フレーム30及びフレーム31内には、冷却回路33a及び冷却回路33bが設けられている。これらの冷却回路33a及び冷却回路33bは、第3加熱制御部に電気的に接続されており、第3加熱制御部の制御によってフレーム30及びフレーム31内を冷却する。図5に示す第3加熱部17では、以下の焼成処理を行う。S11第2加熱部16で脱脂処理が行われた強誘電体前駆体膜を有する1枚のシリコンウェハ39が搬送部12により搬送されてくると、第3加熱制御部の制御によりフレーム30及びフレーム31が離間した状態となり、シリコンウェハ39を空間35A内に挿入する図5A。S12そして、シリコンウェハ39が空間35A内に位置すると、第3加熱制御部の制御によって、該シリコンウェハ39をホルダー34によって保持し、フレーム30及びフレーム31を接触状態とする図5B。ついで、第3加熱制御部の制御によって、加熱部32a及び加熱部32bを、強誘電体前駆体膜に焼成処理可能な温度第3の温度の熱を加えることができる条件に応じた温度にまで昇温させる。なお、このとき加熱部32a及び加熱部32bの何れか一方のみで加熱してもよいし、双方で加熱してもよい。S13そして、第3加熱制御部は、予め定めた焼成時間が経過した後に、加熱部32a及び加熱部32bによる加熱を停止し、冷却回路33a及び冷却回路33bに冷却媒体を供給するように制御する図5C。これによって、フレーム30及びフレーム31を冷却し、空間35A内のシリコンウェハ39を冷却する。S14そして、第3加熱制御部は、該冷却媒体を供給するように制御してから予め定めた温度までの冷却に要する時間を経過したときに、フレーム30及びフレーム31を離間状態に制御する。そして、第3加熱制御部は、焼成処理終了を示す信号を、主制御部20に出力すると共に、ホルダー34を解放状態とし、シリコンウェハ39を排出する図5D。従来のように、脱脂処理と焼成処理を1つの工程として連続して行うと、かなりの時間を要していたが、本発明では、脱脂処理を行う第2加熱部16と焼成処理を行う第3加熱部17に工程を分離することにより、各工程のタクトを合わせることが容易となり、生産性を向上させることができる。焼成処理が完了したシリコンウェハ39は搬送部12により冷却部18に搬送される。このように第3加熱部17は枚葉処理を行う装置であるため、常に予め設定されている焼成条件で制御されて各強誘電体前駆体膜の焼成条件にバラツキが生じないことから安定した結晶化が行われ、変位性能の安定した圧電素子の製造が可能となる。なお、図5では、シリコンウェハ39の供給部35Cと排出部35Bがそれぞれ別個に設けられているが、供給部、排出部を同じ箇所に設けてもかまわない。冷却部18は、第2加熱部16および第3加熱部17によって加熱されたシリコンウェハ39を冷却する装置である。また冷却部18は、複数のシリコンウェハ39を保持可能な構成となっており、保持したシリコンウェハ39を製造装置100内の温度例えば室温にまで自然冷却する。なお、製造装置100内の温度は、冷却部18に隣接して配置された温湿度制御部19により最適な状態に制御されている。このとき、温湿度制御部19は、主制御部20に電気的に接続されており、製造装置100内の温湿度条件を制御している。図6に、冷却部18の構成例を示す。冷却部18は、図6に示すように、円盤状のインデックステーブル40が該円盤盤面の垂直方向に複数段図6では3段配置されている。これらの複数のインデックステーブル40は、間隔を空けて複数配列されており、円盤の周方向図6中、矢印C方向に回転可能に設けられている。なお、冷却部18には、回転制御部不図示が設けられており、この回転制御部の駆動によって、各インデックステーブル40が周方向に回転可能に設けられている。なお、この回転制御部は、温湿度制御部19に電気的に接続されている。各インデックステーブル40には、シリコンウェハ39を1枚ずつ保持するステージ41が設けられている。一段のインデックステーブル40に所定枚数例えば8枚のシリコンウェハ39を保持するステージ41を設けており、インデックステーブル40全体で、所定時間で処理可能な枚数分例えば24枚のシリコンウェハ39が1ロットとして保持される。これにより、製造装置100の休止時間を最小とすることができる。主制御部20は、製造装置100に設けられた装置各部に電気的に接続されており、所定の製造処理を実行するプログラムにしたがって装置各部を制御するものである。具体的には、主制御部20は、供給排出ステージ10、搬送部12、位置調整部13、成膜部14、第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17、冷却部18、温湿度制御部19等に電気的に接続されており、後述する液体吐出ヘッドの製造方法に従って制御を行う。以上の構成により、本発明の製造装置100によれば、複数の強誘電体層を積層して圧電体52を形成する場合に、1枚のシリコンウェハごとに加熱焼成処理を行うのでシリコンウェハ間の熱履歴の均一化を図ることができ、かつ強誘電体前駆体膜について行う加熱焼成処理を3つの加熱処理に分割し、分割した3つの加熱処理を3つの加熱部第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17それぞれで独立して実行するので製造のタクトタイムの向上を図ることができる。つぎに、本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法について説明する。本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、前述した製造装置100を用いて液体吐出ヘッド1に設けられる圧電素子501の圧電体52を形成する方法であり、導電層の形成されたシリコンウェハ39上に強誘電体前駆体膜を成膜する成膜工程と、前記強誘電体前駆体膜を加熱して乾燥する第1の加熱工程と、前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する第2の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する第3の加熱工程と、前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜および前記強誘電体層を冷却する冷却工程と、を有し、1枚の前記シリコンウェハごとに、前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程、前記第3の加熱工程及び前記冷却工程を適宜組み合わせて処理を実行することを特徴とするものである。ここで、成膜工程は、成膜部14により導電層の形成されたシリコンウェハ39上に強誘電体前駆体膜を成膜する工程である。また、第1の加熱工程は、第1加熱部15により前記強誘電体前駆体膜を加熱して溶媒を蒸発させて乾燥処理を行う工程である。また、第2の加熱工程は、第2加熱部16により前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する脱脂処理を行う工程である。また、第3の加熱工程は、第3加熱部17により前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し前記強誘電体層を形成する焼成処理結晶化処理を行う工程である。また、冷却工程は、冷却部18により第2の加熱工程後のシリコンウェハ39および第3の加熱工程後のシリコンウェハ39を冷却する工程である。図7,図8を用いて、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の詳細を説明する。まず本発明の液体吐出ヘッドの製造方法では、前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程及び前記冷却工程をこの順番で1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンAを所定回数繰り返して実行し、ついで前記成膜工程、前記第1の加熱工程、前記第2の加熱工程、前記第3の加熱工程及び前記冷却工程をこの順番で1枚の前記シリコンウェハごとに行う処理パターンBを実行する。詳しくは、処理パターンAは、図7aに示すように行う。なおここでは、従来技術として知られている非特許情報:K.D.Buddetal.,Sol-gelprocessingofPbTiO3,PbZrO3,PZTandPLZTthinfilms,Brit.Cer.Soc.Proc.,vol.36,1985,pp.107-121に記されている方法で、ジルコン酸チタン酸鉛PZTの強誘電体層を形成する例を合わせて示す。S101位置調整部13により、搬送されてきたシリコンウェハ39の中心位置やオリフラを、予め定めた方向及び予め定めた位置に位置合わせするウェハ位置調整工程。S102ついで、中心位置及びオリフラの位置調整されたシリコンウェハ39を成膜部14に搬送し、まずシリコンウェハ39の表面、裏面及びエッジを洗浄するウェハ洗浄工程。S103成膜部14により、洗浄後のシリコンウェハ39の導電層または前回形成された強誘電体前駆体膜、あるいは前回形成された強誘電体層上に、ゾルゲル前駆体溶液を塗布して強誘電体前駆体膜を成膜する塗布工程。このとき使用するゾルゲル前駆体溶液は、例えばPZT前駆体溶液を用いる。このPZT駆体溶液の調製には、例えば出発材料として酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、ノルマルブトキシドジルコニウムを、共通溶媒としてメトキシエタノールを用い、まず酢酸鉛三水和物をメトキシエタノールに溶解、溶液温度130°Cで蒸留することで脱水し、酢酸鉛のメトキシエタノール溶液を作製した。ついで、イソプロポキシドチタン、ノルマルブトキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、130°Cで還流、蒸留させて金属アルコキシド化合物のアルコール交換反応を進めた。これを先の酢酸鉛メトキシエタノール溶液に混合させ、130°Cにてエステル化反応をさせ、均一でスピン成膜に適した溶液濃度0.5mol/lのPZT前駆体溶液を得た。なお、溶液の大気下での安定性を向上させるために、アセチルアセトンなどβ―ジケトン類や酢酸などを加えても良い。また、形成された強誘電体前駆体膜のジルコニアとチタンの組成比は例えば52/48である。S104ついで、強誘電体前駆体膜が成膜されたシリコンウェハ39を第1加熱部15に搬送し、第1加熱部15により前記強誘電体前駆体膜を加熱して溶媒を蒸発させて乾燥処理を行う第1の加熱工程乾燥。ここでは、例えば第1の熱処理として120°Cに加熱したホットプレートの加熱面にシリコンウェハ39を載置し、1分間の加熱を行う。S105ついで、乾燥処理後のシリコンウェハ39を第2加熱部16に搬送し、第2加熱部16により前記乾燥した強誘電体前駆体膜を加熱して該強誘電体前駆体膜に含まれる有機成分を除去する脱脂処理を行う第2の加熱工程脱脂。この加熱は、350°Cから550°Cの温度範囲で行われる。具体的には、ホットプレートにより、500°C、2分の脱脂処理を行う。S106ついで、脱脂処理後のシリコンウェハ39を冷却部18に搬送し、冷却部18により第2の加熱工程後のシリコンウェハ39を冷却する冷却工程。本発明では、以上の処理パターンAを所定回数繰り返して実行するが、その繰り返し回数は例えば1~5回である。また、処理パターンBは、図7bに示すように行う。ここで、ステップS201~S205までは、処理パターンAにおけるステップS101~S105と同じであり説明を省略する。S206脱脂処理後のシリコンウェハ39を第3加熱部17に搬送し、第3加熱部17により前記有機成分が除去された強誘電体前駆体膜を加熱して焼成し強誘電体層を形成する焼成処理結晶化処理を行う第3の加熱工程焼成。この加熱は、前述したRTP装置による処理図5であり、例えば昇温速度80°C/秒、加熱温度700°C、保持時間5分、雰囲気N2/O2=80/20とする。S207ついで、焼成処理後のシリコンウェハ39を冷却部18に搬送し、冷却部18により第3の加熱工程後のシリコンウェハ39を冷却する冷却工程。また本発明の液体吐出ヘッドの製造方法では、図8に示すように、前記強誘電体層が所定の膜厚となるように、前記処理パターンAの所定回数繰り返しの実行及び処理パターンBの実行の組み合わせを複数回数実行するとよい。図8では、処理パターンAの2回繰り返しの実行と処理パターンBの実行の組み合わせをn回実行する手順を示している。この処理終了後、シリコンウェハ39を供給排出ステージ10の収納部材11に搬送し、収納部材11に1ロットのシリコンウェハ39が収納されると製造装置100から排出される。本発明では、以下の手順が全自動で行われる。ここで、従来の液体吐出ヘッド製造装置による液体吐出ヘッドの製造方法と本発明の液体吐出ヘッドの製造方法とを比較する。例えば、従来の製造装置として、製造装置100において第2加熱部16がなく、第1加熱部15で乾燥処理を行い、第3加熱部17で脱脂処理及び焼成処理を行う構成を考えると、従来の製造装置で液体吐出ヘッドの圧電体52を形成する場合、前記処理パターンBにおけるステップS205;第2の加熱工程脱脂及びステップS206;第3の加熱工程焼成を第3加熱部17で連続して行うようになる。このとき、シリコンウェハ39の第3加熱部17への挿入から取り出しまでの時間は、焼成後の冷却時間を含めると約12分の時間を要する。すなわち、一つの機構部第3加熱部17が長時間占有されることになる。これに対して、成膜工程スピン成膜や乾燥工程は1分ないし2分で終了することから、脱脂-焼成工程が従来の製造装置におけるスループットを低下させることになっていた。一方、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法では、前述の通り、加熱機構部として3つの加熱部第1加熱部15、第2加熱部16、第3加熱部17に分割して、必要な加熱工程をそれぞれで独立して実行するので、各工程のタクトを合わせることが容易となり、生産性を向上させることができる。また、図4に示すように、第2加熱部16に2台の処理機を配置することにより、各工程のタクトが略等しくなり、従来の製造方法に比べて生産性を5倍に向上させることができた。インクジェット記録装置等ところで、前述した本発明の液体吐出ヘッドに対してインクなどの液体を供給する液体タンクを一体化して液体カートリッジとしてもよい。図9に、その液体カートリッジであるインクカートリッジの外観図を示す。このインクカートリッジ80は、ノズル505等を有する前述した本発明に係る液体吐出ヘッド1と、この液体吐出ヘッド1に対してインクを供給する液体タンクであるインクタンク82とを一体化したものである。このようにインクタンク82が一体型の液体吐出ヘッド1の場合、アクチュエータ部を高精度化、高密度化、および高信頼化することで、インクカートリッジ80の歩留まりや信頼性を向上することができ、インクカートリッジ80の低コスト化を図ることができる。つぎに、本発明に係るインクジェット記録装置について説明する。本発明に係るインクジェット記録装置は、液滴を吐出させて画像を形成する画像形成装置であって、前述した本発明の液体吐出ヘッド又は図9の一体型液体吐出ヘッドユニットである液体カートリッジを備えていることを特徴とする。ここでは、図10及び図11を用いて、本発明の液体吐出ヘッド1を搭載した画像形成装置であるインクジェット記録装置を実施例として説明する。なお、図10は同記録装置の斜視説明図、図11は同記録装置の機構部の側面説明図である。このインクジェット記録装置は、記録装置本体の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ98、キャリッジ98に搭載した本発明の液体吐出ヘッド記録ヘッド1、液体吐出ヘッド1へインクを供給するインクカートリッジ99等で構成される印字機構部91等を収納し、装置本体の下方部には前方側から多数枚の用紙92を積載可能な給紙カセット或いは給紙トレイでもよい。93を抜き差し自在に装着することができる。また、用紙92を手差しで給紙するために開かれる手差しトレイ94を有し、給紙カセット93あるいは手差しトレイ94から給送される用紙92を取り込み、印字機構部91によって所要の画像を記録した後、後面側の装着された排紙トレイ95に排紙する。印字機構部91は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド96と従ガイドロッド97とキャリッジ98を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ98には、イエローY、シアンC、マゼンダを主ガイドロッド96に摺動自在に嵌装し、前方側用紙搬送上流側を従ガイドロッド97に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ98を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ101で回転駆動される駆動プーリ102と従動プーリ103との間にタイミングベルト104を張装し、このタイミングベルト104をキャリッジ98に固定しており、主走査モータ101の正逆回転によりキャリッジ98が往復駆動される。一方、給紙カセット93にセットした用紙92を液体吐出ヘッド1に下方側に搬送するために、給紙カセット93から用紙92を分離給装する給紙ローラ105及びフリクションパッド106と、用紙92を案内するガイド部材107と、給紙された用紙92を反転させて搬送する搬送ローラ108と、この搬送ローラ108の周面に押し付けられる搬送コロ109及び搬送ローラ108からの用紙92の送り出し角度を規定する先端コロ110とを有する。搬送ローラ108は副走査モータによってギア列を介して回転駆動される。そして、キャリッジ98の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ108から送り出された用紙92を液体吐出ヘッド1の下方側で案内するため用紙ガイド部材である印写受け部材111を設けている。この印写受け部材111の用紙搬送方向下流側には、用紙92を排紙方向へ送り出すための回転駆動される搬送コロ112と拍車113を設け、さらに用紙92を排紙トレイ95に送り出す排紙ローラ114と拍車115と排紙経路を形成するガイド部材116,117とを配設している。このインクジェット記録装置90による記録時には、キャリッジ98を移動させながら画像信号に応じて液体吐出ヘッド1を駆動することにより、停止している用紙92にインクを吐出して1行分を記録し、その後、用紙92を所定量搬送後、次の行の記録を行う。記録終了信号または用紙92の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙92を排紙する。また、キャリッジ98の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、液体吐出ヘッド1の吐出不良を回復するための回復装置118を配置している。回復装置118はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ98は印字待機中にはこの回復装置118側に移動されてキャップ手段で液体吐出ヘッド1をキャッピングして吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係ないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出状態を維持する。また、吐出不良が発生した場合等には、キャップ手段で液体吐出ヘッド1の吐出出口を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともの気泡等を吸出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜不図示に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。このように、このインクジェット記録装置90においては本発明の液体吐出ヘッド1を搭載しているので、安定したインク吐出特性が得られ、画像品質が向上する。なお、ここではインクジェット記録装置90に液体吐出ヘッド1を使用した場合について説明したが、インク以外の液滴、例えば、パターニング用の液体レジストを吐出する装置に液体吐出ヘッド1を適用してもよい。なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。"