"Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、pHが2以上8以下である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1において、化学機械研磨用水系分散体に対する前記A成分の含有量をMa重量、前記B成分の含有量をMb重量とした場合、Maが0.1~10重量でありMbが0.001~10重量である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1または請求項2において、Ma/Mb=0.01~10,000である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、化学機械研磨用水系分散体中における前記Aシリカ粒子のゼータ電位が、-20mV以下である、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、シリコン酸化物とアルミニウムから選択される1種以上の材質を含む被研磨面を同時に研磨するために用いられる、化学機械研磨用水系分散体。請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨方法。絶縁膜の研磨速度抑制を付与する方法の一つとして、目的に見合った添加剤を添加する方法がある。この添加剤を選択する上の重要な点として、化学機械研磨用水系分散体に用いられる砥粒の安定性を損なわないことが挙げられる。前述の配線形成方法に用いられるような化学機械研磨用水系分散体では、pHを酸性にすることでアルミニウム膜の研磨速度を向上させることができる。しかし一般的なシリカ粒子の場合、pHが酸性から中性の場合、ゼータ電位の絶対値が0に近づくことからシリカ粒子の安定性が悪化し、沈降しやすくなる。そのため絶縁膜の研磨速度を抑制する為の添加剤の導入が困難であった。本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。[適用例1]本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、pHが2以上8以下であることを特徴とする。[適用例2]適用例1において、化学機械研磨用水系分散体に対する前記A成分の含有量をMa重量、前記B成分の含有量をMb重量とした場合、Maが0.1~10重量でありMbが0.001~10重量であることができる。[適用例3]適用例1または適用例2において、Ma/Mb=0.01~10,000であることができる。[適用例4]適用例ないし適用例3のいずれか一例において、化学機械研磨用水系分散体中における前記Aシリカ粒子のゼータ電位が、-20mV以下であることができる。[適用例5]適用例1ないし適用例4のいずれか一例において、前記化学機械研磨用水系分散体はシリコン酸化物とアルミニウムから選択される1種以上の材質を含む被研磨面を同時に研磨するために用いることができる。[適用例6]本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、適用例1ないし適用例5のいずれか一例に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、化学機械研磨することを特徴とする。本発明に係る化学機械研磨用水系分散体によれば、Aスルホ基およびその塩から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子と、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、pHが2以上8以下であるため、シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足させることができる。その結果、上述したような研磨工程においても、シンニングを発生させることなくアルミニウム配線層の膜厚を制御することができる。以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変型例も含む。1.化学機械研磨用水系分散体本発明の一実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、Aスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子以下、単にAシリカ粒子ともいうと、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子と、を含有し、pHが2以上8以下であることを特徴とする。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体に含まれる各成分、組成物の特徴について、詳細に説明する。1.1.Aシリカ粒子本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、砥粒としてAスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を含有する。すなわち、本実施の形態において使用されるシリカ粒子は、その表面にスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基が共有結合を介して表面に固定されたシリカ粒子であり、その表面にスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有する化合物が物理的あるいはイオン的に吸着したようなものは含まれない。また、本発明において、スルホ基の塩とは、スルホ基-SO3Hに含まれている水素イオンを金属イオンやアンモニウムイオン等の陽イオンで置換した官能基のことをいう。従来のシリカ粒子は、粒子の表面の電荷が0となる等電点がpHが4から5の範囲にあるため、pHが2以上8以下の範囲において不安定となり、凝集により沈降してしまう。しかし、Aスルホ基およびその塩から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子では、粒子表面が負の電荷を帯びているため、pHが2以上8以下の範囲においても凝集が発生せずに、安定に分散状態を維持することができる。その結果、後述するBN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子と混合した場合でも、沈降しない安定な化学機械研磨用水系分散体を作製することができる。その結果、アルミニウム膜の研磨速度を向上させことが可能であるpHが2以上8以下の範囲の化学機械研磨用水系分散体を作製することができる。しかも、B成分を含有することにより、シリコン酸化膜の研磨速度を抑制することができ、高いアルミニウム研磨速度と低いシリコン酸化膜研磨速度を両立させた化学機械研磨用水系分散体を作製することができる。本実施の形態において使用されるシリカ粒子は、以下のようにして製造することができる。まず、シリカ粒子を用意する。シリカ粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、スクラッチ等の研磨欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、例えば、特開2003-109921号公報等に記載されているような公知の方法で製造されたものを使用することができる。このようなシリカ粒子の表面を修飾することにより、本実施の形態で使用可能なAスルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を製造することができる。以下にシリカ粒子の表面を修飾する方法を例示するが、本発明はこの具体例により何ら限定されるものではない。シリカ粒子の表面の修飾は、特開2010-269985号公報、J.Ind.Eng.Chem.,Vol.12,No.6,2006911-917等に記載されているような公知の方法を適用することが可能である。例えば前記シリカ粒子とメルカプト基含有シランカップリング剤を酸性媒体中で十分に撹拌することにより、前記シリカ粒子の表面にメルカプト基含有シランカップリング剤を共有結合させることで達成できる。メルカプト基含有シランカップリング剤としては、例えば、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。次に、さらに過酸化水素を適量添加して十分に放置することにより、スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子を得ることができる。Aシリカ粒子の平均粒子径は、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体を動的光散乱法で測定することによって得られる。かかる場合、Aシリカ粒子の平均粒子径は、15nm以上100nm以下であることが好ましく、30nm以上70nm以下であることがより好ましい。Aシリカ粒子の平均粒子径が前記範囲であると、実用的な研磨速度を達成することができる場合がある。さらに、シリコン酸化膜の研磨速度が抑制できる傾向がある。動的光散乱法による粒子径測定装置としては、株式会社堀場製作所製のLB550、ベックマンコールター社製のナノ粒子アナライザーDelsaNanoS、Malvern社製のZetasizernanozs等が挙げられる。なお、動的光散乱法を用いて測定した平均粒子径は、一次粒子が複数個凝集して形成された二次粒子の平均粒子径を表している。Aシリカ粒子のゼータ電位は、化学機械研磨用水系分散体のpHが2以上8以下の場合、化学機械研磨用水系分散体中において負電位であり、その負電位は-20mV以下であることが好ましい。負電位が-20mV以下であると、粒子間の静電反発力によって効果的に粒子同士の凝集を防ぐと共に、化学機械研磨の際に正電荷を帯びる基板を選択的に研磨できる場合がある。なお、ゼータ電位測定装置としては、大塚電子株式会社製のELS-6000、ELSZ-1、Malvern社製のZetasizernanozs等が挙げられる。Aシリカ粒子のゼータ電位は、前述したメルカプト基含有シランカップリング剤の添加量を増減することにより適宜調整することができる。Aシリカ粒子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.1質量以上10質量以下、より好ましくは1質量以上8質量以下、特に好ましくは2質量以上6質量以下である。Aシリカ粒子の含有量が前記範囲であると、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子と混合した場合に、より安定な化学機械研磨用水系分散体を作製することができる。1.2.BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、BN-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子を含有する。前記B水溶性高分子は、ルイス塩基としての性質を有することによりシリコン酸化膜の表面に吸着しやすく、シリコン酸化膜の研磨速度を抑制する効果がある。前記B水溶性高分子は、N-ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種に由来する繰り返し単位を含むが、このような繰り返し単位の他に含窒素複素環およびカチオン性官能基から選択される少なくとも1種の分子構造を有していても良い。含窒素複素環およびカチオン性官能基はルイス塩基としての性質を有し、効果的にシリコン酸化膜の表面に吸着し、シリコン酸化膜の研磨速度を抑制する効果がある。また、洗浄工程において容易に除去することができるため、被研磨物を汚染することがなく好ましい場合がある。前記B水溶性高分子は、窒素含有モノマーを繰り返し単位として含有する共重合体でも良い。窒素含有モノマーとしては、例えば、メタアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、N-2-ヒドロキシエチルアクリルアミド、アクリロイルモルフォリン、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリルアミドおよびそのジエチル硫酸塩、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-イソプロピルアクリルアミド、N-ビニルアセトアミド、N,N-ジメチルアミノエチルメタクリル酸およびそのジエチル硫酸塩、ならびにN-ビニルホルムアミドが挙げられる。これらのモノマーの中でも、分子構造中に窒素含有複素五員環を有するN-ビニルピロリドンであることが特に好ましい。N-ビニルピロリドンは、環上の窒素原子を介してシリコン酸化膜の表面に吸着して適度に保護することができる。前記B水溶性高分子が窒素含有モノマーを繰り返し単位として含有する共重合体である場合には、全てのモノマーが窒素含有モノマーである必要はなく、前記の窒素含有モノマーのうち少なくとも1種が含まれていればよい。窒素含有モノマーと共重合できるモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、ビニルエチルエーテル、ジビニルベンゼン、酢酸ビニル、スチレン等が挙げられる。前記B水溶性高分子は、カチオン性官能基を有する共重合体であっても良く、例えば、下記一般式2または3で表される繰り返し単位の少なくとも一方を含有する単重合体または共重合体以下、特定重合体ともいう。であってもよい。上記一般式2および3において、R1は水素原子または炭素数が1~6の置換もしくは非置換アルキル基を表し、R2は置換もしくは非置換のメチレン基もしくは炭素数が2~8の置換もしくは非置換アルキレン基を表し、R3、R4、R5はそれぞれ独立に、水素原子または炭素数が1~10の置換もしくは無置換アルキル基を表し、Aは単結合もしくは-O-もしくは-NH-を表す。M-は陰イオンを表す。上記一般式2および3で表される繰り返し単位中のAは、-O-または-NH-を表すが、-O-の方がより好ましい。Aが-O-の場合、特定重合体または他の成分の含有量との関係でシリカ粒子の安定性が向上し、長時間保存した場合に砥粒の沈降をより抑制することができる。対アニオンM-は、ハロゲン化物イオン、有機アニオン、無機アニオンであることが好ましい。より好ましくは水酸化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、NH3の共役塩基NH2-、アルキル硫酸イオン、過塩素酸イオン、硫酸水素イオン、酢酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオンである。特に好ましいのは塩化物イオン、アルキル硫酸イオン、硫酸水素イオン、酢酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオンである。有機アニオンを用いることにより被研磨物の金属汚染を避けることができ、研磨終了後に容易に除去できることからアルキル硫酸イオンが特に好ましい。さらに、特定重合体は、下記一般式4で表される繰り返し単位を含有する共重合体であっても良い。また、下記一般式4で表される繰り返し単位を含有する共重合体は、前記一般式2および前記一般式3で表される繰り返し単位と下記一般式4で表される繰り返し単位がランダムに結合した重合体であってもよく、前記一般式2および前記一般式3で表される繰り返し単位と下記一般式4で表される繰り返し単位のブロックコポリマーであってもよい。上記一般式4において、R6は炭素数が1~6の置換もしくは非置換アルキル基を表す。特定重合体は、上記一般式2で表される繰り返し単位と上記一般式3で表される繰り返し単位を含む共重合体である場合、上記一般式2で表される繰り返し単位のモル数をn、上記一般式3で表される繰り返し単位のモル数をmとすると、モル比n/mが10/0~0/10の比率であっても十分な性能を得ることができるが、好ましくは10/0~1/9、より好ましくは10/0~2/8、特に好ましくは9/1~3/7の比率である場合に良好な結果を得ることができる。なお、上記一般式2で表される繰り返し単位および上記一般式3で表される繰り返し単位の含有量は、アミノ基を含有するモノマーの仕込量とその後の中和量から算出することができ、また特定重合体を酸あるいは塩基で滴定することにより測定することもできる。特定重合体は、上記一般式2または3で表される繰り返し単位と上記一般式4で表される繰り返し単位を含む共重合体である場合、上記一般式4で表される繰り返し単位のモル数をq、上記一般式2または3で表される繰り返し単位のモル数をpとすると、モル比q/pが、9/1~1/9の範囲内である場合に特に良好な結果を得ることができる。特定重合体のアミノ基含量は、モノマーの仕込量より計算した場合、0~0.100モル/gであることができるが、好ましくは0.0005~0.010モル/gであり、より好ましくは0.002~0.006モル/gである。特定重合体のカチオン性官能基含量は、モノマーの仕込量より計算した場合、0~0.100モル/gであることができるが、好ましくは0.0005~0.010モル/gであり、さらに好ましくは0.002~0.006モル/gである。前記B水溶性高分子の重量平均分子量は、例えば、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量Mwを適用できる。前記B水溶性高分子の重量平均分子量Mwは、1,000以上100、000以下、好ましくは5,000以上80,000、さらに好ましくは8,000以上60,000以下である。重量平均分子量が前記範囲内にあると、効果的にシリコン酸化表面を保護することができ、シリコン酸化膜の研磨速度を抑制することができる。前記B水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.001~10質量であり、より好ましくは0.01~5質量である。前記B水溶性高分子の含有量が前記範囲であると、シリコン酸化膜の研磨速度を効果的に抑制することができる。前記Aシリカ粒子と前記B水溶性高分子の比率は、化学機械研磨用水系分散体に対する前記A成分の含有量をMa重量、前記B成分の含有量をMb重量とした場合、好ましくはMa/Mb=0.01~10,000であることができる。前記Aシリカ粒子と前記B水溶性高分子の比率が前記範囲であると、優れた貯蔵安定性とシリコン酸化膜の研磨速度の抑制を両立した化学機械研磨用水系分散体を得ることが出来る。1.3.分散媒本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、分散媒を含有する。分散媒としては、水、水およびアルコールの混合媒体、水および水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水およびアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。1.4.その他の添加剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて界面活性剤、水溶性高分子、防蝕剤、pH調整剤等の添加剤を添加してもよい。以下、各添加剤について説明する。1.4.1.界面活性剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤には、化学機械研磨用水系分散体に適度な粘性を付与する効果がある。化学機械研磨用水系分散体の粘度は、25°Cにおいて0.5mPas以上10mPas未満となるように調製することが好ましい。界面活性剤としては、特に制限されず、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられる。アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩;アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α-オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩;高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩等の硫酸塩;アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩;パーフルオロアルキル化合物等の含フッ素系界面活性剤等が挙げられる。カチオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール、アセチレングリコールエチレンオキサイド付加物、アセチレンアルコール等の三重結合を有する非イオン性界面活性剤;ポリエチレングリコール型界面活性剤等が挙げられる。また、ポリビニルアルコール、シクロデキストリン、ポリビニルメチルエーテル、ヒドロキシエチルセルロース等を用いることもできる。前記例示した界面活性剤の中でも、アルキルベンゼンスルホン酸塩が好ましく、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムがより好ましい。これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。界面活性剤の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは0.001質量以上5質量以下、より好ましくは0.001質量以上3質量以下、特に好ましくは0.01質量以上1質量以下である。1.4.2.水溶性高分子本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて前記B成分以外の水溶性高分子を添加してもよい。水溶性高分子には、化学機械研磨用水系分散体に適度な粘度を与えることができる。水溶性高分子としては、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース等が挙げられる。水溶性高分子の含有量は、化学機械研磨用水系分散体の粘度が10mPas未満となるように調整することができる。1.4.3.防蝕剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じて防蝕剤を添加してもよい。防蝕剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールおよびその誘導体が挙げられる。ここで、ベンゾトリアゾール誘導体とは、ベンゾトリアゾールの有する1個または2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシル基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシル基等で置換したものをいう。ベンゾトリアゾール誘導体としては、4-カルボキシルベンゾトリアゾールおよびその塩、7-カルボキシベンゾトリアゾールおよびその塩、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1-ヒドロキシメチルベンゾトリアゾールまたは1-ヒドロキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。防蝕剤の添加量は、化学機械研磨用水系分散体の全質量に対して、好ましくは1質量以下であり、より好ましくは0.001質量以上0.1質量以下である。1.4.4.pH調整剤本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、さらに必要に応じてpH調整剤を添加してもよい。pH調整剤としては、酸性化合物や塩基性化合物が挙げられる。酸性化合物としては、有機酸や無機酸が挙げられるが、有機酸としては、特に制限されないが、例えば、マロン酸、マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ酸、乳酸等、およびこれらの塩が挙げられる。無機酸としては、特に制限されないが、例えば、リン酸、硫酸、塩酸、硝酸等、これらの塩および誘導体が挙げられる。塩基性化合物としては、特に制限されないが、例えば、水酸化カリウム、エチレンジアミン、TMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア等の塩基性化合物が挙げられる。これらのpH調整剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。1.5.pH本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHは、2以上8以下である必要があるが、より好ましくは2以上5以下である。pHが前記範囲にあると、アルミニウム膜の研磨速度を低下させず、シリコン酸化膜の研磨速度を低下させることができる。その結果、アルミニウム膜を選択的に研磨することができる。さらに、pHが2以上8以下であると、化学機械研磨用水系分散体の貯蔵安定性が良好となるためより好ましい。1.6.用途本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、主として半導体装置を構成する複数の基板のうち、シリコン酸化物とアルミニウムから選択される1種以上の材質を含む被研磨面を同時に研磨するために使用することができる。なお、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のシリコン酸化膜とアルミニウム膜の研磨速度比RpRp=アルミニウム膜の研磨速度/シリコン酸化膜の研磨速度は10以上であることが望ましい。研磨速度比Rpが10以上であることにより、高配線密度部での十分な研磨速度比を確保することができ、シンニングを抑制することができる。また本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のシリコン酸化膜の研磨速度は100Å/分以下であることが好ましい。研磨速度が100Å/分以下より大きい場合、シリコン酸化膜露出後の膜厚制御に用いることのできる時間のマージンが小さくなり、歩留まりが悪化する恐れがある。さらに、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体のアルミニウム膜の研磨速度は300Å/分以上であることが好ましい。アルミニウム膜の研磨速度が300Å/分よりも小さい場合はアルミニウム膜の除去とシリコン酸化膜の露出に多大な時間がかかり、生産効率が低下する。またアルミニウム膜の局所的な残存も起こりうる。なお、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体の研磨対象として、シリコン酸化物とアルミニウム又はアルミニウム合金を含む基板だけでなく、さらにバリアメタルやシリコン窒化物、多結晶シリコンを含んでいても良い。バリアメタルの材質としてはタンタル及びその窒化物、チタン及びその窒化物、タングステン窒化物、ルテニウム、コバルト、マンガンなどが挙げられる。1.7.化学機械研磨用水系分散体の調製方法本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、水等の分散媒に前述した各成分を溶解または分散させることにより調製することができる。溶解または分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解または分散できればどのような方法を適用してもよい。また、前述した各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。また、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、濃縮タイプの原液として調製し、使用時に水等の分散媒で希釈して使用することもできる。2.化学機械研磨方法本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、前述した本発明に係る化学機械研磨用水系分散体を用いて、半導体装置を構成する複数の基板のうち、シリコン酸化物とアルミニウム又はアルミニウム合金から選択される1種以上の材質を含む被研磨面を研磨することを特徴とする。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を用いて詳細に説明する。2.1.被処理体図4は、本実施の形態に係る化学機械研磨方法の使用に適した被処理体を模式的に示した断面図である。被処理体200は、以下の工程1ないし3を経ることにより形成される。1まず、半導体素子が形成された半導体基板20図示せず上に、CVD法にてシリコン酸化膜からなる絶縁膜21を設ける2次に、フォトリソグラフィ技術を用い、絶縁膜21上にパターニング処理を施し、配線部となる溝21bを形成する。3次に、配線部21bを充填するように、アルミニウム膜22をスパッタ法により堆積させると、被処理体200が得られる。2.2.化学機械研磨方法図4に示すような被処理体200のアルミニウム膜を除去するために、研磨速度比RpRp=アルミニウム膜の研磨速度/シリコン酸化膜の研磨速度が十分に大きく、シリコン酸化膜研磨速度が十分に低く、アルミニウム膜の研磨速度が十分に高い化学機械研磨用水系分散体を用いて化学機械研磨工程を行う。図5は、化学機械研磨工程終了時の被処理体を模式的に示した断面図である。アルミニウム膜の研磨速度が十分に大きいことにより図2の21c上のアルミニウム膜を適切な速度で除去することが出来、またシリコン酸化膜の速度が十分に小さいことより、tbの厚さが薄くなりすぎることなく制御することができる。さらに研磨速度比Rpが十分に大きいため、シンニングの発生を抑制し、優れた配線抵抗分布の半導体基板を得ることができる図示せず。なおアルミニウム膜は安定な不動態層を形成するため、研磨終了時にエッチングによるディッシングを発生させず、シリコン酸化膜21c表面とアルミニウム膜22a表面との平坦化を確実に発現させることができる。2.3.化学機械研磨装置前述した化学機械研磨工程には、例えば、図6に示すような化学機械研磨装置400を用いることができる。図4は、化学機械研磨装置400を模式的に示した斜視図である。各研磨工程は、スラリー供給ノズル42からスラリー化学機械研磨用水系分散体44を供給し、かつ、研磨布46が貼付されたターンテーブル48を回転させながら、半導体基板50を保持したキャリアーヘッド52を当接させることにより行う。なお、図4には、水供給ノズル54およびドレッサー56も併せて示してある。キャリアーヘッド52の押し付け圧は、10~1,000hPaの範囲内で選択することができ、好ましくは30~500hPaである。また、ターンテーブル48およびキャリアーヘッド52の回転数は10~400rpmの範囲内で適宜選択することができ、好ましくは30~150rpmである。スラリー供給ノズル42から供給されるスラリー化学機械研磨用水系分散体44の流量は、10~1,000mL/分の範囲内で選択することができ、好ましくは50~400mL/分である。市販の研磨装置として、例えば、株式会社荏原製作所製、形式EPO-112、EPO-222;ラップマスターSFT社製、型式LGP-510、LGP-552;アプライドマテリアル社製、型式Mirra、Reflexion等が挙げられる。3.実施例以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製容量2000cm3のフラスコに、25質量濃度のアンモニア水70g、イオン交換水40g、エタノール175gおよびテトラエトキシシラン21gを投入し、180rpmで撹拌しながら60°Cに昇温した。60°Cのまま1時間撹拌した後冷却し、コロイダルシリカ/アルコール分散体を得た。次いで、エバポレータにより、80°Cでこの分散体にイオン交換水を添加しながらアルコール分を除去する操作を数回繰り返すことにより分散体中のアルコールを除き、固形分濃度15の水分散体を調製した。この水分散体の一部を取り出しイオン交換水で希釈したサンプルについて、動的光散乱式粒子径測定装置株式会社堀場製作所製、形式LB550を用い、算術平均径を平均粒子径として測定したところ、35nmであった。なお、表1および表2において、上記のようにして得られた通常のコロイダルシリカを含む水分散体をシリカタイプBと称する。3.2.スルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体の調製イオン交換水50gに酢酸5gを投入し、撹拌しながらさらにメルカプト基含有シランカップリング剤信越化学工業株式会社製、商品名KBE8035gを徐々に滴下した。30分後、3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製において調製された水分散体を1000g添加し、さらに1時間撹拌を継続した。その後、31過酸化水素水を200g投入し、48時間室温にて放置することにより、スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するコロイダルシリカを得た。この水分散体の一部を取り出しイオン交換水で希釈したサンプルについて、動的光散乱式粒子径測定装置株式会社堀場製作所製、形式LB550を用い、算術平均径を平均粒子径として測定したところ35nmであった。また、得られたスルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体にアンモニアを添加してpHを3.0に調製したものについて、大塚電子株式会社製のELS-6000を用いてゼータ電位を測定したところ-32mVであった3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製3.1.コロイダルシリカを含む水分散体の調製もしくは3.2.スルホ基修飾コロイダルシリカを含む水分散体の調製において調製された水分散体の所定量を容量1000cm3のポリエチレン製の瓶に投入し、その後、撹拌しながらイオン交換水を加え、所定のシリカ濃度となるように調節した。これに表記載のpH調整剤を加え、化学機械研磨用水系分散体のpHが表記載の値となるようにそれぞれ添加し十分に撹拌した。その後、孔径5μmのフィルタで濾過し、実施例1~13及び比較例1~6の化学機械研磨用水系分散体を得た。3.4.化学機械研磨試験3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製において調製した化学機械研磨用水系分散体を用いて、直径8インチのアルミニウム膜またはシリコン酸化膜付きシリコン基板を被研磨体として、下記の研磨条件1でそれぞれの膜について化学機械研磨を行った。<研磨条件1>研磨装置:株式会社荏原製作所製、形式EPO-112研磨パッド:ロデールニッタ株式会社製、IC1000/K-Groove化学機械研磨用水系分散体供給速度:200mL/分定盤回転数:90rpm研磨ヘッド回転数:90rpm研磨ヘッド押し付け圧:140hPa3.4.1.研磨速度の算出被研磨体である直径8インチのシリコン酸化膜付き基板について、研磨前の膜厚をナノメトリクスジャパン株式会社製の光干渉式膜厚計NanoSpec6100を用いて予め測定しておき、上記の条件で1分間研磨を行った。研磨後の被研磨体の膜厚を、同様に光干渉式膜厚計を用いて測定し、研磨前と研磨後の膜厚の差、すなわち化学機械研磨により減少した膜厚を求めた。そして、化学機械研磨により減少した膜厚および研磨時間から研磨速度を算出した。この結果を表1および表2に併せて示す。シリコン酸化膜の研磨速度が100Å/min以下の場合は良好、100Å/minより大きい場合は不良と判断した。被研磨体である直径8インチのアルミニウム膜付き基板について、研磨前の膜厚をKLA-Tencor株式会社製の金属膜厚計OmnimapA-RS75tcを用いて予め測定しておき、上記の条件で1分間研磨を行った。研磨後の被研磨体の膜厚を、同様に金属膜厚計を用いて測定し、研磨前と研磨後の膜厚の差、すなわち化学機械研磨により減少した膜厚を求めた。そして、化学機械研磨により減少した膜厚および研磨時間から研磨速度を算出した。この結果を表1および表2に併せて示す。アルミニウム膜の研磨速度が300Å/min以上の場合は良好、300Å/minより小さい場合は不良と判断した。3.4.2.研磨速度比の算出シリコン酸化膜の研磨速度とアルミニウム膜の研磨速度から、下記計算式1に基づき研磨速度比Rpを算出した。Rp=アルミニウム膜の研磨速度/シリコン酸化膜の研磨速度...1この結果を表1および表2に併せて示す。研磨速度比Rpが10以上の場合は良好、10より小さい場合は不良と判断した。3.4.3.貯蔵安定性の評価3.3.化学機械研磨用水系分散体の調製の項で作製した化学機械研磨用水系分散体を、500ccのポリ瓶に500cc入れ、25°Cの環境下で1日貯蔵した。貯蔵前後の化学機械研磨用水系分散体の変化について、目視で観察した。貯蔵後に沈降が観察されなかった場合には貯蔵安定性が非常に良好と判断し○、沈降が見られた場合は不良と判断し×と表に記載した。3.4.4.評価結果実施例1~13では、シリコン酸化膜の研磨速度が100Å/min以下に、アルミニウム膜の研磨速度が300Å/min以上であり、しかもシリコン酸化膜に対するアルミニウム膜の研磨速度比Al/TEOSが10以上に高められている。比較例1~3は、通常のコロイダルシリカを用いた例である。いずれの比較例においても、貯蔵安定性が不良であるため本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体として適用できない。比較例4は、B成分を用いない例である。アルミニウム膜の研磨速度は高められているが、それに伴いシリコン酸化膜の研磨速度も研磨速度が増大しているので本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体としては適さない。比較例5~6は、A成分とB成分を共に含有しているが、化学機械研磨用水系分散体のpHが2~8の範囲外である例である。この場合には、アルミニウム膜の研磨速度が不十分である以上のことから、本実施の形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、十分に低いシリコン酸化膜研磨速度と高いアルミニウム膜研磨速度を有し、シリコン酸化膜に対するアルミニウム膜の研磨速度比が十分に大きいため、シリコン酸化膜とアルミニウム膜とが共存する半導体装置製造において必要な研磨速度を有することが分かった。"