樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部または全面に形成された銅又は銅合金のめっき層B、前記B層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成される積層体であって、前記A層、B層、C層及びD層の積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより形成された銅回路からなることを特徴とする電子回路。樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成される積層体であって、前記A層、C層及びD層の積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより形成された銅回路からなることを特徴とする電子回路。前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層Cが、ニッケル、コバルト又はニッケル合金であることを特徴とする請求項1~2のいずれか一項に記載の電子回路。前記層Cの被着量が、100μg/dm2~3000μg/dm2であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の電子回路。銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理された面であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の電子回路。銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚された面であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電子回路。前記銅又は銅合金の層Dが0.05μm以上、0.8μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の電子回路。前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の電子回路。前記銅又は銅合金の層D上に、さらに耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層を有することを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の電子回路。前記銅又は銅合金の層D上に又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を備えることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の電子回路。樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを、該A層上の一部または全面に銅又は銅合金のめっき層Bを、該B層上の一部又は全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成して銅張積層板を作製し、次に、この銅張積層板の前記A層、B層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法。樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを形成して銅張積層板を作製し、この銅張積層板にスルーホールを形成し、さらに前記A層上の一部又は全面及びスルーホール内に、銅又は銅合金の層Bからなるめっき層を形成した後、該B層上の一部又は全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを形成し、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成した後、前記A層とB層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法。樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを、次いで、該A層上の一部または全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成して銅張積層板を作製し、次に、この銅張積層板の前記A層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法。前記樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを形成するときに用いる銅箔として、予め銅箔表面に銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C ́を備える銅箔を用いることを特徴とする請求項11~13のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記C又はC ́層上に、耐熱層及び/又は防錆層を形成することを特徴とする請求項11~14のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層C又は層C ́として、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金を用いることを特徴とする請求項11~15のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記層C又は層C ́の被着量を、100μg/dm2~3000μg/dm2に調節することを特徴とする請求項11~16のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。銅又は銅合金の層A層を、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理することを特徴とする請求項11~17のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。銅又は銅合金の層A層を、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚することを特徴とする請求項11~18のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記耐熱層及び/又は防錆層を、酸洗処理又はソフトエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする請求項11~19のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記銅又は銅合金の層Dを0.05μm以上、0.8μm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項11~20のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の厚さに形成することを特徴とする請求項11~21のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。前記銅又は銅合金の層D上に、又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金又は半田めっき層を形成することを特徴とする請求項11~22のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法。樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部または全面に形成された銅又は銅合金のめっき層B、前記B層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成されることを特徴とする電子回路形成用銅張積層板。樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成されることを特徴とする電子回路形成用銅張積層板。前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層Cが、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金であることを特徴とする請求項24又は25に記載の電子回路形成用銅張積層板。前記層Cの被着量が、100μg/dm2~3000μg/dm2であることを特徴とする請求項24~26のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理された面であることを特徴とする請求項24~27のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚された面であることを特徴とする請求項24~28のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。前記銅又は銅合金の層Dが0.05μm以上、0.8μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする請求項24~29のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする請求項24~30のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。前記銅又は銅合金の層D上に、さらに耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層を有することを特徴とする請求項24~31のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。前記銅又は銅合金の層D上又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を備えることを特徴とする請求項24~32のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを形成して銅張積層板を作製し、この銅張積層板にスルーホールを形成し、さらに前記A層上の一部又は全面及びスルーホール内に、銅又は銅合金の層Bからなるめっき層を形成することを特徴とする請求項24~33のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板。スルーホール形成前の樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aおよび、その後に形成される銅又は銅合金の層Bからなるめっき層スルーホールめっき層の少なくとも一方を、酸洗又は/及びソフトエッチングにより減厚処理されていることを特徴とする請求項34に記載の電子回路形成用銅張積層板。本発明は、銅張り積層板の銅層をエッチングにより回路形成を行うに際し、エッチングによるダレを防止し、目的とする回路幅の均一な回路を形成でき、さらにパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できる電子回路及びその形成方法並びに電子回路形成用銅張積層板を得ること、特に回路の上部にめっき層を形成する場合に、EF層の上に形成した銅又は銅合金層が、表面被覆層の密着性への障害とならずに、均一な回路幅を形成することができるようにすることを課題とする。本発明者らは、前記のEF層を形成した後、さらにその上に適度な厚みの銅または銅合金層を設けることで問題を解決できるとの知見を得た。以下に、それを示す。なお、下記の本発明において使用する用語のめっきは、電気めっき、無電解めっきなどの湿式めっき法若しくは化学的めっき法、又は蒸着、スパッタリング法などの物理的めっき法を包含するものであり、特に支障が無い限り、これらの手法を任意に選択して使用することができる。本発明はこの知見に基づいて、1樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部または全面に形成された銅又は銅合金のめっき層B、前記B層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成される積層体であって、前記A層、B層、C層及びD層の積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより形成された銅回路からなることを特徴とする電子回路、を提供する。また、本願発明は、2樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成される積層体であって、前記A層、C層及びD層の積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより形成された銅回路からなることを特徴とする電子回路、を提供する。また、本願発明は、3前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層Cが、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金であることを特徴とする上記1~2のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。4前記層Cの被着量が、100μg/dm2~3000μg/dm2であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の電子回路を提供する。また、本願発明は、5銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理された面であることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、6銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚された面であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、7前記銅又は銅合金の層Dが0.05μm以上、0.8μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、8前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、9前記銅又は銅合金の層D上に、さらに耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層を有することを特徴とする上記1~8のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、10前記銅又は銅合金の層D上に又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を備えることを特徴とする上記1~9のいずれか一項に記載の電子回路、を提供する。また、本願発明は、11樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを、該A層上の一部または全面に銅又は銅合金のめっき層Bを、該B層上の一部又は全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成して銅張積層板を作製し、次に、この銅張積層板の前記A層、B層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、12樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを形成して銅張積層板を作製し、この銅張積層板にスルーホールを形成し、さらに前記A層上の一部又は全面及びスルーホール内に、銅又は銅合金の層Bからなるめっき層を形成した後、該B層上の一部又は全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを形成し、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成した後、前記A層とB層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、13樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを、次いで、該A層上の一部または全面に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層Cを、さらに該層C上に0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dを形成して銅張積層板を作製し、次に、この銅張積層板の前記A層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成する工程からなることを特徴とする電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、14前記樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aが、層を形成するときに用いる銅箔として、予め銅箔表面に銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C ́を備える銅箔を用いることを特徴とする上記11~13のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、15前記C又はC ́層上に、耐熱層及び/又は防錆層を形成することを特徴とする上記11~14のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、16前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層C又は層C ́として、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金を用いることを特徴とする上記11~15のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、17前記層C又は層C ́の被着量を、100μg/dm2~3000μg/dm2に調節することを特徴とする上記11~16のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、18銅又は銅合金の層A層を、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理することを特徴とする上記11~17のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、19銅又は銅合金の層A層を、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚することを特徴とする上記11~17のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、20前記耐熱層及び/又は防錆層を、酸洗処理又はソフトエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする上記15~17のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、21前記銅又は銅合金の層Dを0.05μm以上、0.8μm以下の厚さに形成することを特徴とする上記11~20のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、22前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の厚さに形成することを特徴とする上記11~20のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、23前記銅又は銅合金の層D上に、又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を形成することを特徴とする上記11~22のいずれか一項に記載の電子回路の形成方法、を提供する。また、本願発明は、24樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部または全面に形成された銅又は銅合金のめっき層B、前記B層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成されることを特徴とする電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、25樹脂基板の片面または両面に形成された銅又は銅合金の層A、該A層上の一部又は全面に形成された銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅いめっき層C、さらに該層C上に形成した0.05μm以上、1μm未満の銅又は銅合金のめっき層Dから構成されることを特徴とする電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、26前記銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層Cが、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金であることを特徴とする上記24~25のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、27前記層Cの被着量が、100μg/dm2~3000μg/dm2であることを特徴とする上記23~25のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、28銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上で処理された面であることを特徴とする上記24~27のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、29銅又は銅合金の層A層の樹脂に接する面の逆側の面が、酸洗処理、ソフトエッチング又は表面を荒らす処理の一以上の処理により減厚された面であることを特徴とする上記24~28のいずれか一項に電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、30前記銅又は銅合金の層Dが0.05μm以上、0.8μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする上記24~29のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、31前記銅又は銅合金の層Dが0.1μm以上、0.5μm以下の銅又は銅合金の層であることを特徴とする上記24~29のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、32前記銅又は銅合金の層D上に、さらに耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層を有することを特徴とする上記24~31のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、33前記銅又は銅合金の層D上又は前記耐熱層及び/又はクロメート若しくは有機防錆層上に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を備えることを特徴とする上記24~32のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、34樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aを形成して銅張積層板を作製し、この銅張積層板にスルーホールを形成し、さらに前記A層上の一部又は全面及びスルーホール内に、銅又は銅合金の層Bからなるめっき層を形成することを特徴とする上記24~33のいずれか一項に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。また、本願発明は、35スルーホール形成前の樹脂基板の片面または両面に銅又は銅合金の層Aおよび、その後に形成される銅又は銅合金の層Bからなるめっき層スルーホールめっき層の少なくとも一方を、酸洗又は/及びソフトエッチングにより減厚処理されていることを特徴とする上記34に記載の電子回路形成用銅張積層板、を提供する。上記において、銅張積層板上の電子回路としての銅回路のエッチングを例としたが、エッチングでより切り立った形状を得ることを目的とするものであれば、電子回路の一形態である銅バンプ形成等、あらゆる関連技術への適用が可能である。本発明は、銅張積層板の銅層をエッチングにより回路形成を行うに際し、目的とする回路幅のより均一な回路を形成できるという効果を有する。また、エッチングによるダレの発生を防止することができるという効果を有する。特に、特に回路の上部にめっき層を形成する場合に、EF層の上に形成した銅又は銅合金層が、表面被覆層の密着性への障害とならずに、均一な回路幅を形成することが可能となる。これによってパターンエッチングでのエッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できる優れた電子回路の形成方法を提供することができるという著しい効果を有する。本発明は、エッチングによって電子回路及び同回路を形成する方法並びにこれらに使用する電子回路形成用銅張積層板である。本願発明の目的を達成するための一つの形態としては、まず、樹脂基板に形成された銅又は銅合金の層A上に銅又は銅合金の層B層を形成する。すなわち、この銅層Bは、銅張積層板に、スルーホールめっきなどによって新たに形成された銅層である。また、別の形態としてはA層をソフトエッチングなどにより減厚する。ここで、前記銅又は銅合金の層Aは、樹脂基板に直接形成されためっき層又は接着された箔からなる銅又は銅合金の層のいずれでもよい。すなわち、上記A層については、銅箔を使用せずに、ポリイミド等の樹脂フイルムにプラズマ処理等の表面処理をした後、直接銅層を形成した銅張積層板を使用することもできる。この場合は接着されるべき箔が予めEF層を備えない箔である場合と同じく、この段階では表面にEF層を有しない。次に、このB層、又はソフトエッチングにより減厚されたA層、又は予めEF層が形成されていない銅箔を用いたA層上に、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い層C層を形成する。このC層としては、銅エッチング液に対して銅よりもエッチング速度が遅い材料を選択する。この材料としては、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金が適当である。特に、ニッケル、又はニッケル合金が望ましい。ニッケル又はニッケル合金層を、例にとって具体的に説明すると、銅箔上のレジスト部分に近い位置にあり、レジスト側の銅箔のエッチング速度は、このニッケル又はニッケル合金層により抑制され、逆にニッケル又はニッケル合金層から遠ざかるに従い、銅のエッチングは通常の速度で進行する。これによって、銅回路の側面のレジスト側から樹脂基板側に向かってほぼ垂直にエッチングが進行し、矩形の銅箔回路が形成される。ニッケル又はニッケル合金層等は、主としてダレの発生を抑制し、目的とする回路幅の均一な回路を形成することである。微細回路形成においては、エッチング速度が速い、塩化第二鉄水溶液によるエッチング液を用いることが好ましい。これは、回路の微細化によりエッチング速度が下がるという問題があるからである。塩化第二鉄水溶液によるエッチング液は、これを防止する有効な手段である。しかし、他のエッチング液の使用を妨げるものではない。必要に応じて、エッチング液を替えることが可能である。電子回路を形成する場合に、錫、ニッケル、金若しくはこれらを基とする合金若しくは半田めっき層を形成することが、しばしば行われるが、前記C層の材料として使用される、ニッケル、コバルト、若しくはニッケル合金は表面被覆層が付きにくい。このため、積層体の前記C層の上に、予め銅又は銅合金のめっき層D層を形成しておくのが良い。ここで問題となるのは、前記A層とB層、C層及びD層からなる積層部の一部を樹脂基板表面までエッチングして除去することにより銅回路を形成することになるが、前記D層が厚すぎる場合、エッチングの際の障害となり、均一な回路幅を形成することができなくなることである。すなわち、均一な回路幅を形成するために形成したEF層である前記C層の機能を抑制することである。しかしながら、上記の通り、積層体の前記C層の上に、予め銅又は銅合金のめっき層D層を形成しておくことは、その上にさらに表面被覆層を形成するために、必要な場合がある。この点、実験を繰り返し、最適な条件を見出すことが可能となった。それは、EF層であるC層の上に形成する銅又は銅合金のめっき層Dの厚さを0.05μm以上、1μm未満とすることである。めっき層Dが銅合金の場合は、例えば、黄銅めっきZn10~40、青銅めっきSn~10、白銅めっきNi10~30などの銅合金を使用することができる。実験の結果、好ましくは0.05μm以上、0.8μm以下、さらに好ましくは0.1μm以上、0.5μm以下である。下限値は、上記の通り0.05μmであり、これはその上に表面被覆層を形成するために、最低限必要な厚さである。一方、これを厚くすることは、エッチングの障害となり、均一な回路幅を形成することができなくなるからである。その理由を実施例において、詳しく説明する。前記D層上には、さらにクロム層若しくはクロメート層及び又はシラン処理などの有機防錆層を形成することができる。この場合は、パターンエッチング液に対するエッチング速度の相異が生ずる可能性はあるが、この量を適宜選択することにより、同様にD層の表面の酸化を押さえることができるので、さらに安定した回路幅のパターンの形成が可能となる。また、前記C層に含まれるニッケルは、100μg/dm2~3000μg/dm2、好ましくは2250μg/dm2以下、さらに1500μg/dm2以下することが望ましい。これは回路エッチングの際に、ダレを生ずるのを抑制し、均一な回路のエッチングに必要な量である。100μg/dm2未満では、その効果が低下する。好ましくは200μg/dm2以上、より好ましくは300μg/dm2以上である。一方、多すぎる場合には、エッチングの際に、工程の負荷エッチング時間が大きくなり、銅回路の設計上支障となる。したがって、上記の範囲とすることが必要である。また、本発明の電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔において、前記クロム層若しくはクロメート層を設ける場合には、クロム量を金属クロム換算で、100μg/dm2以下とする。また、前記シラン処理層を形成する場合には、シリコン単体換算で、20μg/dm2以下であることが望ましい。これは、パターンエッチング液に対するエッチング速度の相異が生ずるのを抑制するためである。しかしながら、適度な量は、C層及びD層の酸化を防止するのに有効である。下記に代表的かつ好適なめっき条件の例を示す。銅めっきCu:90g/LH2SO4:80g/LCl:60ppm液温:55~57°C添加剤:ビス3-スルフォプロピルジスルファイド2ナトリウムRASCHIG社製CPS、ジベンジルアミン変性物ニッケルめっきNi:10~40g/LpH:2.5~3.5温度:常温~60°C電流密度Dk:2~50A/dm2時間:1~4秒ニッケル-燐合金めっきNi:50~100g/LP:1~25g/LHBO3:0~30g/LpH:0.5~2.5温度:常温~95°C電流密度Dk:5~40A/dm2時間:1~10秒ニッケル-モリブデン合金めっきNi:5~25g/LMo:0.01~5g/LNa2P2O7:160g/LpH:8~9温度:常温~40°C電流密度Dk:1~5A/dm2時間:1~10秒ニッケル-タングステン合金めっきNi:1~10g/LW:20~50g/Lクエン酸:60g/LpH:8~9温度:常温~50°C電流密度Dk:0.1~5A/dm2時間:1~10秒コバルトめっきCo:10~40g/LpH:2.5~3.5温度:常温~60°C電流密度Dk:2~50A/dm2時間:1~4秒クロメート処理の条件A浸漬クロメート処理K2Cr2O7Na2Cr2O7或いはCrO3:0.1~5gリットルpH:2~13温度:常温~60°C時間:5~30秒B電解クロメート処理K2Cr2O7Na2Cr2O7或いはCrO3:2~10g/リットルNaOH或いはKOH:10~50g/リットルpH:7~13浴温:20~80°C電流密度Dk:0.05~5A/dm2時間:5~30秒アノード:PtTi板、鉛板等シラン処理の条件下記のような色々な系列のシランから選択。アルコールに溶解したシランを所定の濃度まで水で希釈し、銅箔表面へ塗布する。濃度:0.01wt~2wt種類:オレフィン系シラン、エポキシ系シラン、アクリル系シラン、アミノ系シラン、メルカプト系シランニッケル等の付着量分析方法ニッケル処理面を分析するため、反対面をFR-4樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度30の硝酸にて表面処理被膜が溶けるまで溶解させ、ビーカー中の溶解液を10倍に稀釈し、原子吸光分析によりニッケルの定量分析を行う。クロムの付着量分析方法処理面を分析するため、反対面をFR-4樹脂でプレス作製し、マスキングする。そのサンプルを濃度10の塩酸にて3分間煮沸して処理層を溶解させ、その溶液を原子吸光分析により亜鉛、クロムの定量分析を行う。上記の通り、D層上に回路形成用のレジストパターンを形成し、さらに塩化第二銅溶液または塩化第二鉄溶液からなるエッチング液を用いて、前記レジストパターンが付された部分以外の樹脂基板上の前記A層、B層、C層及びD層の積層部の不必要部分を樹脂基板表面まで除去する。次にレジスト除去を行う。以上については、上記に説明したA層、B層、C層、D層の組み合わせにより実現できるものであり、優れた本願発明の特徴の一つである。さらに好適な実施条件を示すと、上記の通り銅又は銅合金のA層をめっき又は銅箔を張り付けて形成した後、B層形成前に、銅箔であるA層の露出面上の該銅箔を保護するために施されている層を、予めエッチングなどにより除去することが望ましい。これは、後続のめっきの付着を良好にするためである。樹脂基板に形成する銅又は銅合金層として、銅箔を使用する場合、電解銅箔の粗化面M面又は光沢面S面にも同様に適用できるが、エッチングされる面は、通常光沢面側を使用する。圧延銅箔を使用する場合は、高純度圧延銅箔又は強度を向上させた圧延合金銅箔を使用することもできる。本件発明はこれらの銅箔の全てを包含する。次に、本発明の実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例は理解を容易にするための例であり、下記の例に制限されるものではない。すなわち、本発明は、本明細書に記載する技術思想の範囲内で、下記に示す実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。また、これらの例では、銅めっき液条件は、出願人が特開2004107786で示した液条件[0062]を用いたが、これ以外の銅めっき液条件であっても構わない。実施例1箔厚18μmの電解銅箔を用いた。この電解銅箔をポリイミド樹脂基板に接着し銅張積層板とした。次に、この銅張積層板に20μmの銅めっき層を形成した。銅めっきは上記の条件とした。この結果、樹脂基板上の電解銅箔及び銅めっき層の合計厚みは38μmとなった。次に、該銅めっき層の上に、上記ニッケル-タングステンめっき条件で、付着量400μg/dm2のニッケル-タングステンめっき層を形成し、この上に、上記銅めっき条件で、0.1μm厚の銅めっき層Dを形成し、さらに上記クロメート条件によりクロメート層を形成した。このニッケル-タングステンめっき層を形成した銅張積層板に、レジスト塗布及び露光工程により10本の400μmピッチ回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング後に表面被覆層を形成した。無電解錫めっき条件ロームアンドバースLT-34液温:75°C浸漬時間:5分無電解ニッケルめっき条件荏原ユージライトAC-DX液温:90°C浸漬時間:20分前記D層上に、さらに無電解錫めっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解錫めっき層を形成することができた。実施例2本実施例2では、厚み12μmの圧延銅箔を用い、この圧延銅箔をポリイミド樹脂基板に接着し銅張積層板とした。次に、この銅張積層板をソフトエッチングし、銅層の一部を除去した。これによって銅の厚みは5μmとなった。ソフトエッチング条件硫酸-過酸化水素混合溶液硫酸165g/L、過酸化水素水21g/L、35°C、浸漬攪拌し、銅層の減厚を実施した。この銅張積層板に、上記ニッケル-モリブデンめっき条件で付着量600μg/dm2のニッケル-モリブデンめっき層を形成した。そしてこの上に、上記銅めっき条件で0.2μmの銅めっき層を形成した。次に、レジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記D層上に、さらに無電解ニッケルめっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解ニッケルめっき層を形成することができた。実施例3本実施例では、樹脂基板ポリイミド系樹脂に予めNi付着量700μg/dm2のNiめっき層を形成した12μm圧延銅合金Cu-0.2wtCr-0.1wtZr箔を接着して銅張積層板を作製した。この銅張積層板にスルーホール形成後、さらに無電解めっきと電気めっきを合わせ計26μmの銅をめっきした。銅合金と銅めっき層の合計厚さは38μmとなった。この銅めっき層を形成した銅張積層板に、上記ニッケル-燐めっき条件で、付着量700μg/dm2のニッケル-燐めっき層を形成した。そして、さらにこの上に、上記銅めっき条件で、0.5μmの銅層を形成した。次に、この上にレジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記D層上に、さらに無電解錫めっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解錫めっき層を形成することができた。実施例4本実施例では、樹脂基板ポリイミド系樹脂に予めNi付着量700μg/dm2のNiめっき層を形成した9μm圧延銅箔を接着して銅張積層板を作製した。さらに、この上にD層となる銅めっき層を、上記銅めっき条件で0.3μm形成した。次に、この上にレジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記D層上に、さらに無電解ニッケルめっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解ニッケルめっき層を形成することができた。回路のエッチングの断面を図1に示す。この図1に示すように、回路の断面の最上部に銅めっき条件で0.3μmの銅層が形成されていることが分かる。また、回路の断面幅は上から下までほぼ均等な厚みにエッチングされていることが確認できる。なお、このD層については、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μmの厚みまで実施したが、層の厚さが増加するに従って、若干断面が台形になる傾向が見られたが、殆ど無視できる影響であった。しかしながら、D層が薄い分だけ、無駄がなくなるので、その上に形成する表面被覆層の形成が可能であれば、できるだけD層は薄い方が望ましいと云える。比較例1箔厚18μmの電解銅箔を用い、樹脂基板に接着した。次に、この銅張積層板に20μmの銅めっき層を形成した。銅めっきの条件は、上記の銅めっき条件とした。この結果、樹脂基板上の電解銅箔及び銅めっき層の合計厚みは38μmとなった。さらに、この上にD層となる銅めっき層を、上記銅めっき条件で0.01μm形成した。この条件は、本願発明の0.05μm以上を逸脱するものである。次に、この上にレジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記D層上に、さらに無電解ニッケルめっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解ニッケルめっき層を形成することができなかった。比較例2箔厚12μmの圧延銅箔を用い、樹脂基板に接着した。次に、この銅張積層板をエッチングし、銅層の一部を除去した。これによって銅の厚みは5μmとなった。この銅張積層板に、上記Niめっき条件で、付着量25μg/dm2のNiめっき層、すなわちC層を形成した。次に、レジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記C層上に、さらに無電解錫めっき層を形成しようとしたが、同無電解錫めっき層を形成することができなかった。これは、EF層であるC層が無電解めっきを妨害していると考えられる。比較例3本比較例3は実施例4と同様の条件で、樹脂基板ポリイミド系樹脂に予めNi付着量700μg/dm2のNiめっき層を形成した9μm圧延銅箔を接着して銅張積層板を作製した。さらに、この上にD層となる銅めっき層を、上記銅めっき条件で4.5μm形成した。この条件は、本願発明の1μm未満を逸脱するものである。次に、この上にレジスト塗布及び露光工程により10本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を実施した。前記D層上に、さらに無電解ニッケルめっき層を形成したが、接着性の高い良好な無電解ニッケルめっき層を形成することができた。しかしながら、エッチング性は問題が生じた。回路の傾斜角を観察した結果を図2に示す。この図2に示すように、回路の断面の最上部に厚い銅層が形成されているのが分かる。そして回路の傾斜角が低下して台形を呈した。また、エッチング性が悪くなった。また、C層よりも下の部分がセットバックし、段差ができているのが分かる。これは、D層が厚すぎた結果と判断された。D層が厚いために、エッチングを抑制するためのC層の機能のバランスが崩れた結果と考えられた。したがって、過度なD層の厚さ、特に1μm以上の銅層の形成は、避けるべきであることが確認できた。