複数の直列に接続された光起電力エネルギー生産用薄膜太陽電池11を備えた薄膜太陽モジュール1であって、接着層9によって互いに結合された2つの基板2、10を含み、各太陽電池11は、2つの基板2、10間に配置された層構造3を有し、層構造3は、第1の電極層8と、第2の電極層5と、2つの電極層5、8間に配置された少なくとも1つの半導体層6とを含み、半導体層6は、pn結合を形成し、ドーパントでドープされており、接着層9は、半導体層6から接着層9へのドーパントの拡散が防止される量でドーパントを有する、薄膜太陽モジュール。半導体層6が、黄銅鉱化合物、特に、CuIn、GaS、Se2を含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜太陽モジュール1。半導体層6が、ドーパントとしてナトリウムイオン、カリウムイオン、またはリチウムイオンを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜太陽モジュール1。接着層9が、0.1~4重量、特に0.5~2重量の量でドーパントを有することを特徴とする、請求項1から3のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。接着層9が、ドーパントをイオン結合する化合物からなる、またはそのような化合物を含むことを特徴とする、請求項1から4のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。接着層9が、アイオノマー、特に式A-Bの共重合体を含み、Aは無極性炭化水素基を表し、Bはナトリウム結合有機酸基を備えた炭化水素基を表すことを特徴とする、請求項1から5のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。式A-Bの共重合体が、次の基:A=-CH2-CHR1nおよびB=-R3-C-R2-CH2mを含み、ここでR1=H、CH3、またはCH2-CH3、R2=COONa、-CH2-COONa、SO3Na、または-H2CSNaR3=H、CH3、CH2-CH3、またはフェニル、ここでn、m>10であることを特徴とする、請求項6に記載の薄膜太陽モジュール1。式A-Bの共重合体が、5~30重量、特に10~20重量の量で成分Bを含むことを特徴とする、請求項6または7に記載の薄膜太陽モジュール1。ドーパントでの置換の前の酸性プロトンの全体量に対するドーパントで置換されたアイオノマーの酸性プロトンの相対量が、5未満であることを特徴とする、請求項6から8のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。半導体層6に対向する接着層9の1つの表面上にドーパントが少なくとも吸着されていることを特徴とする、請求項1から9のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。接着層9が、0.1未満の含水量を有することを特徴とする、請求項1から10のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。2つの基板2、10間の周方向エッジギャップが、水に対するバリアとして機能を果たすシーリング材で封止されていることを特徴とする、請求項1から11のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。シーリング材が、水と化学的および/または物理的に結合することができるように導入されていることを特徴とする、請求項12に記載の薄膜太陽モジュール1。第1の電極層が透明前面電極層8であり、第2の電極層は不透明裏面電極層5であり、ドーパントを通さないバリア層が、前面電極層から見て外方を向く裏面電極層の側に配置された基板2と裏面電極層5との間に配置されていることを特徴とする、請求項1から13のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1。請求項1から14のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1を製造する方法であって、2つの基板2、10を設け、層構造3が2つの基板2、10間に配置され、第1の電極層8と、第2の電極層5と、2つの電極層5、8間に配置された少なくとも1つの半導体層6とを含み、半導体層6はpn結合を形成し、ドーパントでドープされるステップと、2つの基板を熱、真空、および/または圧力の作用下で接着層9と結合し、接着層9は、半導体層6から接着層9へのドーパントの拡散が妨げられるような量で半導体層6のドーパントを有するステップとを特徴とする、方法。接着層9が、ドープされた半導体層6から接着層9へのドーパントの拡散が防止されるような量でドーパントを有する、請求項1から14のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1での接着層9の使用。ナトリウムがドープされた半導体層6から、特にナトリウムがドープされたCuIn、GaS、Se2層から接着層9へのナトリウムの拡散の防止のための、請求項1から14のうちの一項に記載の薄膜太陽モジュール1での0.1~4重量のナトリウム含有量を備えた接着層9の使用。本発明の目的は、特に、比較的より低い製造コストで、経年変化および天候によって引き起こされる出力ロスを低減することによって、問題になっているタイプの従来の薄膜太陽モジュールを有利に向上することにある。これらおよび他の目的は、独立請求項の特性を備えた薄膜太陽モジュールによって本発明の提案によって達成される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の特性によって示される。本発明によれば、積層板構造を備えた薄膜太陽モジュールが提示される。薄膜太陽モジュールは、光起電力エネルギー生産用の複数の薄膜太陽電池を有し、互いに直列に、好ましくは一体形態で接続されている。一般的に、薄膜太陽モジュールは、接着層カプセル化材料によって互いに固定結合された2つの基板を含む。各太陽電池は、2つの基板間に配置された層構造を有し、それは、第1の電極層、第2の電極層、および2つの電極層間に配置された少なくとも1つの半導体層を有する。この一連の層が決して完全ではないことが理解されるが、むしろ、層構造は、さらに他の層を含むこともできる。さらに、各層は、1つまたは複数の個々の層を含むことができる。太陽電池の層構造によって、ヘテロ結合またはpn結合、言いかえれば、異なる導体タイプを備えた一連の層が形成される。常として、半導体層はドーパント、通常、金属イオンでドープされる。好ましくは、半導体層は、黄銅鉱化合物からなり、それは、特に、銅-インジウム/ピロ硫酸ガリウム/ジセレニドCuIn、GaS、Se2族のI-III-VI半導体、例えば、銅インジウムジセレニドCuInSe2またはCISまたは同族化合物とすることができる。ドーピングは、好ましくは、ドーパントがイオンの形態で半導体層内に存在する状態で、ナトリウム、カリウムおよび/またはリチウムで行われる。ナトリウム、カリウム、またはリチウムドーピングは、固有欠陥の形成によって銅-インジウム/ピロ硫酸ガリウム/ジセレニドCuIn、GaS、Se2の固有ドーピングをもたらす。2つの基板を互いに結合する接着層が、半導体層から接着層へのドーパントの拡散が防止される量で半導体層通常、金属イオンをドープするために使用されるドーパントを有することが必要である。驚いたことに出願人の実験が実証するように、ドーパントが少なくとも特定の最小濃度で接着層に含まれている場合に、半導体層から接着層への帯電ドーパントの拡散が少なくとも低減されることができる。このようにして、有利に、太陽モジュールの長期安定性が向上されることができ、経年変化により引き起こされる半導体層中の低減されたドーパント濃度による出力ロスが妨げられることができる。半導体層からの帯電ドーパントの外部拡散は、拡散過程で、同じ電荷のイオン間の置換が結局生じるように、常に、同じ電荷タイプの帯電粒子の内部拡散に関係している。接着層が所望の機能のために十分な量で半導体層をドーピングするために使用されるドーパントを含む場合には、半導体層のドーパント濃度は変化しない、または経年変化による実質的な出力ロスが生じるように少なくとも変化しない。本発明による薄膜太陽モジュールの有利な実施形態では、2つの基板を互いに結合する接着層は、イオン結合され、半導体層をドープするために使用されるドーパントを含む化合物からなる、または少なくとも含む材料からなる。このようにして、接着層のドーパントのイオンは、半導体層の同じ種類のイオン用の拡散パートナーとして適切に利用可能である。好ましくは、この目的のために、接着層の材料が、接着促進ポリマー層、特に、イオンポリマーアイオノマーである、または含み、それは、取り扱うことが簡単であり、工業的な一連の製造において経済的に使用されることができる。半導体層をドープするために使用されるイオンによるアイオノマーのイオンの部分的または全体置換は、接着層内のドーパントの濃度が容易で確実に調節されることができる簡単な方法で化学的に実行されることができる。アイオノマーを使用することで、アイオノマーが比較的長い非イオンアルキレン鎖を有することが好ましい。これらのアルキレン鎖によって、接着層は、接着層の電気絶縁性の特性が、アイオノマーのイオン特性によって影響されない、またはほんのわずかに影響されるように、有利に、ポリマーのイオン部分にもかかわらず、比較的低い導電率を有する。2つの基板を互いに結合する接着層は、アイオノマー、つまり、イオン官能基を備えた有機ポリマーを含むことが好ましい。接着層は、式A-Bの共重合体および/またはブロック共重合体を含むことが好ましく、ここで、Aは、線形または分岐無極性炭化水素基を表し、Bは、ナトリウム結合酸基を備えた炭化水素基を表す。表現無極性炭化水素基は、本発明の状況で、極性官能基のない飽和または不飽和炭化水素基を含む。表現ナトリウム結合酸基は、本発明の状況で、その酸性プロトンがナトリウムイオンによって部分的にまたは完全に置換される有機酸基を含む。酸性プロトンの置換は、例えば、水酸化ナトリウムとの反応によって行われることができる。1つの可能な実施形態では、酸性プロトンの20~90は、ドーパントイオン、特にナトリウムイオンによって置換され、それによって、有利には、半導体層の特に高い安定性が得られることができる。他の可能な実施形態では、酸性プロトンの5未満しかし0より多いは、ドーパントイオン、特にナトリウムイオンによって置換され、それによって、有利には、2つの基板への接着層の特に高い接着が得られることができる。これは、特にガラス基板に当てはまり、その場合に、水素結合が、接着層の酸性プロトンと基板のSi原子との間に形成することができる。特に、ドーパントイオン、特にナトリウムイオンによって置換される酸性プロトンの相対率が、0.1~5未満の範囲、特に1~4、特に2~4、特に3~4であることが有利になり得る。上記百分率データは、置換前の酸性プロトンの全体量に対する置換された酸性プロトンの相対量を示す。百分率データは、このようにして、接着層の材料の置換レベルに相当する。基AおよびBは、共重合体内に、交互-A-B-A-B-A-および非交互、例えば、配列-A-A-B-A-B-B-B-または-A-A-A-A-A-B-B-B-B-の両方で存在することができる。接着層は、好ましくは、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリレート、アクリル酸エチル、アクリル酸メチル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセチルおよび/またはポリアミドなどのさらに他の熱可塑性ポリマーを含む。接着層は、好ましくは、式A-Bの共重合体の5~30重量重量パーセントを含む。接着層は、好ましくは、一般式A-B=-[CH2-CHR1n-R3-C-R2-CH2m]の共重合体を含み、ここで、R1=H、CH3、またはCH2-CH3、R2=-COONa、-CH2-COONa、SO3Na、または-H2CSNa、およびR3=H、CH3、CH2-CH3、またはフェニルである。文字nおよびmは、≧5、好ましくは≧10、特に好ましくは≧25の数に相当し、同じまたは異なる値を仮定することができる。ポリマー分子量分布の状況では、nおよびmの平均された非整数値が可能である。本発明による共重合体の製造は、例えば、エチレンとメタクリル酸との共重合によって行うことができる。接着層が、排他的に-H2CSNaがラジカルR2として含まれる共重合体を含むことを有利とすることができる。式A-Bの共重合体は、成分Bを、好ましくは成分Bの5~30重量の量で、特に好ましくは10~20重量の量で含む。さらに、もしくはまたは、帯電ドーパントは、例えば、半導体層に対向する接着層の少なくとも1つの表面あるいは両方の表面上上で吸収されることができる。この手段によって、吸収されたイオンは、半導体層内のドーパントの濃度の低減を特に有効に妨げることができる。温度上昇で溶融によって2つの基板を結合するための接着フィルムは、ドーパントイオンが工業的な一連の製造で吸着されて、特に容易に経済的に設けられることができる。これについて、接着フィルムを、ドーパントを含む溶液を備えた適切な浸漬槽に浸漬することで十分である。または、この溶液を接着フィルムにスプレーすることも考えられる。本発明の状況では、用語吸着は、表面へのドーパントの結合の性質にかかわらず、接着フィルムの表面上でのドーパントの接着を意味する。特に、化学吸着または物理吸着の状況で、本技術分野で公知の結合機構が含まれるべきである。一般に、ドーパントの外部拡散を禁じるために接着層に含まれなければならないドーパントの濃度は、半導体層内のドーパントの濃度に依存する。典型的には、銅-インジウム/ピロ硫酸ガリウム/ジセレニドCuIn、GaS、Se2族のナトリウムイオンがドープされた黄銅鉱半導体の場合には、200~1000ng/cm2の範囲に面密度がある。特に、この場合について、接着層の全材料に対する接着層に含まれた金属イオンの相対量は、好ましくは0.1~4重量の範囲、より好ましくは0.5~2重量の範囲、さらにより好ましくは1~2重量の範囲である。金属イオンは、接着層に、例えば、1.5重量より大きく2重量までの範囲、特に1.6重量~2重量で含まれることができる。本明細書の百分率データは、接着層に含まれる材料の全重量に基づく。出願人の実験が示したように、半導体層からドーピングのために使用される金属イオンの外部拡散は、接着層内の金属イオンのそのような含有量で十分に妨げられることができる。既に上に示されたように、特に、2つの基板に対する接着層の接着に関して、置換前の酸性プロトンの全体量に対するドーパントイオン、特に金属イオンの相対量が、5未満しかし0より多いであることが有利になり得る。本発明による薄膜太陽モジュールの他の有利な実施形態では、接着層は、接着層に隣接または接触する層にイオンおよび/または共有結合されている。この手段によって、特に、接着層と、隣接する層との間の共有結合によって、薄膜太陽モジュールの長期安定性のさらなる向上が、半導体層に水が入ることを抑制することによって得られることができる。水素イオンが水分子によって置換パートナーとして利用可能とされるので、薄膜太陽モジュール内に存在する水によって引き起こされる金属イオンの外部拡散は、提案された手段によって妨げられる。薄膜太陽モジュールの長期安定性は、このようにしてよりさらに向上されることができる。接着層とそれに接触する層との間の共有結合は、接着層が、接着層に隣接または接触する層の材料と無機ハイブリッド化合物を形成することができる化合物を有するように好ましくは得られることができる。この目的のために、接着層は、例えば、適切な量でアルキルシランまたはアルキルアラニンを含むことができる。この化合物は、例えば、接着層の材料と混合されることができる。または、この化合物からなる層は、接着層と接着層に隣接または接触する層との間に各場合に配置されることができる。本発明による薄膜太陽モジュールの他の有利な実施形態では、接着層は、0.1未満の含水量を有する、または水が完全にない。この手段によって、同様に、薄膜太陽モジュールの長期安定性が、可能な置換パートナー水素イオンの量の低減による半導体層からの金属イオンの外部拡散の抑制によってよりさらに向上される。例えば、国際公開第02/103809A1号から知られているように、接着層として使用される先行技術によるアイオノマーフィルムが、ある割合の亜鉛を有して含水率を低下させる。いわゆる乾燥加熱経年変化試験の出願人の実験が驚いたことに示されるように、0.7重量の亜鉛含有量を備えた接着層を備えたCuIn、GaS、Se2薄膜太陽電池の効率は、85°Cの温度ではっきりと低減される。これは、接着層からの亜鉛およびナトリウム、カリウムおよび/またはCuIn、GaS、Se2層内のリチウムのイオン置換によって説明されることができる。イオン置換は、上昇される温度によって加速され、吸収材の固有欠陥構造は厳しく分離される。本発明による薄膜太陽モジュールの他の有利な実施形態では、2つの基板間の周方向エッジギャップは、水に対するバリアとして機能を果たすシーリング材で封止される。この手段によって、同様に、薄膜太陽電池の長期安定性は、水分子の量の低減による半導体層からの金属イオンの外部拡散の抑制によってよりさらに向上されることができ、それによって、半導体層内の金属イオンのための可能な置換パートナー水素イオンが利用可能とされる。有利には、シーリング材は、水を化学的例えば、炭酸カルシウムCaOによっておよび/または物理的ゼオライトによってに結合することができるように導入されている。そのようなシーリング材の実質的な利点は、それが水分子用シンクとしての機能を果たすことに起因し、このようにして薄膜太陽モジュール内の含水量を低減するために、2つの基板間のエッジ領域でさえ水を引きつけ、結合することができる。本発明による薄膜太陽モジュールの他の有利な実施形態では、第1の電極層は、透明前面電極層の形態で導入されており、第2の電極層は、不透明裏面電極層として導入されている。好ましくは、ドーパント、特に金属イオンを通さないバリア層が、前面電極層から見て外方を向く裏面電極層の側に配置された基板と、裏面電極層との間に配置されている。この手段によって、同様に、薄膜太陽モジュールの長期安定性は、よりさらに向上されることができる。本発明は、さらに、薄膜太陽モジュールを製造する方法に及ぶ。方法は、2つの基板が、2つの基板間に配置された層構造を備えるステップを含む。層構造は、第1の電極層と、第2の電極層と、2つの電極層間に配置された少なくとも1つの半導体層とを含み、半導体層は、pn結合を形成し、ドーパントでドープされる。方法は、熱、真空および/または圧力の作用の下で接着層によって2つの基板が結合される他のステップを含む。使用される接着層は、半導体層から接着層へのドーパントの拡散が防止される量で半導体層のドーパントを有する。薄膜太陽モジュールの結合は、例えば、それ自体公知の積層方法、例えば、オートクレーブプロセスまたは真空法で行われ、詳細な説明は本明細書では必要ではない。本発明は、さらに、上記のような薄膜太陽モジュールでの接着層の使用に及び、接着層は、ドープされた半導体層から接着層へのドーパントの拡散が防止される量で薄膜太陽モジュールの半導体層に含まれたドーパントを有する。さらに、本発明は、ナトリウムがドープされた半導体層、特に、ナトリウムがドープされたCuIn、GaS、Se2層を備えた、上記のような薄膜太陽モジュールにおいて0.1~4重量のナトリウム含有量を備えた接着層の使用に及ぶ。接着層のナトリウム含有量によって、ナトリウムがドープされた半導体層から接着層へのナトリウムの拡散は防止される。本発明は、また、アイオノマー、特に式A-Bの共重合体を含む上記のような薄膜太陽モジュールにおける接着層の使用に及び、ここで、Aは無極性炭化水素基を表し、Bはナトリウム結合有機酸基を備えた炭化水素基を表す。式A-Bのこれらの共重合体は、特に、次の基を含むことができる:A=-CH2-CHR1nおよびB=-R3-C-R2-CH2m、ここでR1=H、CH3、またはCH2-CH3;R2=COONa、-CH2-COONa、SO3Na、または-H2CSNa;R3=H、CH3、CH2-CH3、またはフェニル、n、m>10である。さらに、式A-Bの共重合体は、成分Bを特に5~30重量、特に10~20重量の量で含むことができる。さらに、ドーパントでの置換前の酸性プロトンの全体量に対するドーパントによって置換されたアイオノマーの酸性プロトンの相対量は、特に、5未満しかし0より大きいとすることができる。本発明は、添付図面を参照し例示的な実施形態を使用して以下に詳細に説明される。図1は、参照数字1で概して参照される薄膜太陽モジュールを説明する。薄膜太陽モジュール1は、一体形態で直列に接続された複数の太陽電池11を含み、より簡単な説明のために、単一薄膜太陽電池11のみが図1に示されている。それによれば、薄膜太陽モジュール1は、いわゆる基板構成に相当する構造を有し、換言すれば、それは、薄層からなる層構造3が適用された電気絶縁性の第1の基板2を有し、層構造3が、第1の基板2の光入射側表面4上に配置されている。第1の基板2は、ここで、例えば、比較的低い光線透過率を備えたガラスからなり、行われるプロセスステップに対して所望の強度および不活性挙動を備えた他の電気絶縁材料を使用することが同様に可能である。層構造3は、第1の基板2の表面4上に配置された裏面電極層5を含み、それは、例えば、モリブデンMoなどの不透明金属からなり、例えば、真空蒸着によって、または磁界補助陰極スパッタリングによって第1の基板2上に適用されることができる。裏面電極層5は、300nm~600nmの層厚を有し、例えば、500nmになる。金属イオンでドープされた半導体からなる光起電性活性半導体層または吸収体層6は、そのバンドギャップができるだけ大きな割合の太陽光を吸収することができることが好ましく、裏面電極層5上に堆積されている。吸収体層6は、例えば、p導電性黄銅鉱半導体、例えば、CuIn、GaS、Se2族、特にナトリウムNaがドープされたCuIn、GaS、Se2の化合物からなる。吸収体層6は、例えば、1~5μmからの範囲の層厚を有し、例えば、およそ2μmである。ドーパントとして機能を果たす吸収体層の金属イオン用の拡散バリアとなるバリア層図1に詳細に示されていないが、裏面電極層5と吸収体層6との間に設けられることができる。バリア層は、例えば、窒化ケイ素を含む。緩衝層7図1に詳細に示されていないは、ここで、例えば、硫化カドミウムCdSの単独層からなり、固有酸化亜鉛i-ZnOの単独層が吸収体層6上に堆積されている。前面電極層8が、例えば、緩衝層7上に真空蒸着によって適用されている。前面電極層8は、入射太陽光がほんのわずかに弱められるように、可視スペクトル域窓電極で放射を通す。透明前面電極層8は、例えば、ドープされた金属酸化物、例えば、n導電性アルミニウムAlがドープされた酸化亜鉛ZnO系である。そのような前面電極層8は、TCO層TCO=透明導電性酸化物と一般的に称せられる。前面電極層8を介して、緩衝層7および吸収体層6と共に、ヘテロ結合つまり、反対の導体タイプの一連の層が形成されている。緩衝層7は、吸収体層6の半導体材料と前面電極層8の材料との間で電子適応を達成することができる。前面電極層8の層厚は、例えば、約500nmである。環境上の影響からの保護について、接着層9は、例えば、アイオノマーからなり、層構造3をカプセル化することに役立ち、前面電極層8上に適用されている。さらに、層構造3は、太陽光を通す第2の基板10を備え、例えば、低い鉄含有量の特別の透明ガラスからなり、行われるプロセスステップに対して所望の強度および不活性な挙動を備えた他の電気絶縁材料を使用することが同様に可能である。第2の基板10は、層構造3を封止することに役立つ。第1の基板2および第2の基板10は、接着層9によって互いに固定結合されている。ここで、例えば、接着層9は、加熱により可塑的に変形可能であり、冷却時に、2つの基板2、10を互いに固定結合する熱可塑性接着層である。薄膜太陽モジュール1では、接着層9は、吸収体層6と同じ金属イオンを有し、それらは、ドーパントとしてそこで使用される。この目的のために、接着層9は、例えば、本明細書で、ある量のイオンポリマー、例えば、ポリエチレンコメタクリル酸を含み、ここで、水素イオンは、ドーパント、本明細書で、例えば、ナトリウムイオンとして機能を果たす吸収体層6の金属イオンによって少なくとも部分的に置換された。ドーパントとしてのナトリウムイオンの面密度は200~1000ng/cm2の範囲であり、吸収体層6は、銅インジウム/ピロ硫酸ガリウム/ジセレニドCuIn、GaS、Se2族の半導体を含み、接着層9の全材料に対する接着層9に含まれるナトリウムイオンの相対量は、1重量~2重量の範囲である。特に、ナトリウムイオンによる置換前の酸性プロトンの全体量に対する接着層9に含まれるナトリウムイオンの相対量は、5未満しかし、0より多いであり、一方では、2つの基板2、10に対する特に高い接着、他方では、吸収体層6からのナトリウムイオンの外部拡散の適切で実際的な抑制を得ることができる。ポリエチレンコメタクリル酸の使用は、接着層9の電気絶縁性の特性が、異性体によってほんのわずかに影響されるように、酸が長い非イオンエチレン鎖を有するという利点を有する。または、接着層9は、例えば、接着フィルムによって形成されることができ、層構造3への導入および接着層9を形成するための溶融の前に、その表面上にナトリウムイオンを吸着するために塩化ナトリウム槽を通って引き出される。例えば、ナトリウムイオンは、吸収体層6に対向する表面上でのみ吸着される。接着層9内または接着層9上のナトリウムイオンの含有量によって、吸収体層6から接着層9へのナトリウムイオンの外部拡散が有効に妨げられることができる。接着フィルム上のナトリウムイオンの吸着は、それが非常に容易で経済的に薄膜太陽モジュールの製造に組み込まれることができるので、プロセス技術の利点を有する。さらに、接着層9は、接着層9の材料が隣接する層、この場合、第2の基板10および前面電極層8の材料と共有結合を始めることができることをもたらすある量の化合物を含む。例えば、隣接した層の材料、例えば、アルキルシランまたはアルキルアラニンと無機ハイブリッド化合物を形成することができる化合物が、接着層9の材料と混合される。または、この化合物からなる層は、接着層9と前面電極層8または第2の基板10との間に各場合に配置されることも考えられる。このようにして、薄膜太陽モジュール1の長期安定性のさらなる向上が、吸収体層6に水分子が入ることを抑制することによって達成されることができる。図1に詳細に表されていないが、2つの基板2、10間の周方向エッジギャップが、水に対するバリアとしての機能を果たすシーリング材、この場合、例えば、ポリ-イソブチレンPIBで封止されて、水が入ることを抑制することによって薄膜太陽モジュール1の長期安定性をさらに向上する。シーリング材は、さらに、少なくとも1つの化合物を備え、水分子を化学的および/または物理的に結合する。薄膜太陽モジュール1は、工業的な一連の製造において容易で経済的に製造されることができ、層構造3の様々な層が、第1の基板2上に堆積され、レーザー書き込みおよび機械的処理などの適切な構成化技術を使用して、例えば、ドロスまたはスクラッチによって構造化される。そのような構造化は、典型的には、本明細書に詳細に説明される必要のない各太陽電池につき3つの構造化ステップを含む。図2は、互いに直列に接続された薄膜太陽モジュール1の2つの薄膜太陽電池11.1および11.2を表す。個々の薄膜太陽電池11.1および11.2への分離が、例えば、ドロスまたはスクラッチによって、レーザー書き込みおよび機械的処理などの適切な構成化技術を使用して、切り込み12によって生じる。個々の太陽電池11.1および11.2は、裏面電極層5のコーティング領域13を介して互いに直列に接続されている。本発明による薄膜太陽モジュール1は、例えば、100の直列に接続された薄膜太陽電池および56ボルトの開路電圧を有する。本明細書で表される実施例において、薄膜太陽モジュール1の結果として得られる正の電極および結果として得られる負の出力接続-の両方が裏面電極層5を通って案内され、電気接触がそこでなされる。本発明は、長期安定性が向上される薄膜太陽モジュールを利用可能にし、ここで、吸収体層6の劣化による経年変化関連の不可逆の出力ロスが妨げられることができる。これは、一方では、接着層9が移動イオン用シンクとして機能を果たさないように移動イオンで飽和される点で、吸収体層6からの移動イオンの移動が、少なくとも大部分防止されることによって達成されることができる。他方では、薄膜太陽モジュール1に存在する水によって引き起こされる吸収体層6の加水分解が妨げられることができる。このようにして、構造化トレンチ内の加水分解物が不都合な電気抵抗をもたらすことが回避される。さらに、水分が太陽電池の並列電気抵抗を増大させることを防ぐことが可能である。出願人の経年変化試験が実証したように、ナトリウムがドープされたCuIn、GaS、Se2薄膜太陽モジュールでの効率の通常のロスが、識別された手段によってはっきりと低減される。表1に示されるように、3つの異なる接着層膜1~3を備えたナトリウムがドープされたCuIn、GaS、Se2薄膜太陽モジュールが調査された。テストでは、薄膜太陽モジュールの効率のロスが、当業者に公知の乾燥加熱経年変化試験を使用して測定された。乾燥加熱経年変化試験は85°Cの温度、5000時間にわたって25より低い相対湿度で行われた。接着層のナトリウム含有量および亜鉛含有量は、X線蛍光分析によって確認された。表1の0重量のナトリウム含有量または亜鉛含有量は、接着層の重量に基づいて、X線蛍光分析において検知可能な100ppmより低い量の含有量を示す。従って、フィルム2は、乾燥加熱経年変化試験後の0重量のナトリウム含有量および0重量の亜鉛含有量で、10の薄膜太陽モジュールの効率のロスを示した。フィルム3は、0.7重量の亜鉛含有量で、40のロスを示した。本発明によって使用されたフィルム1は、驚いたことに、1.5重量のナトリウム含有量および0重量の亜鉛含有量で4だけのロスを示した。この結果は、当業者にとって予期しない驚くべきものであった。