原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置。前記インナーシールドの下端部は、前記ルツボの下端部より低い位置にあることを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。前記支持部材は、嵩密度0.1g/cm3以上1.0g/cm3以下の炭素繊維断熱材からなるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶育成装置。前記支持部材は、嵩密度0.1g/cm3以上0.2g/cm3未満の低嵩密度断熱材層の上に嵩密度0.2g/cm3以上1.0g/cm3以下の高嵩密度断熱材層を有するものであって、該高嵩密度断熱材層が前記インナーシールドの下端部と接することにより、前記インナーシールドを直接支えるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。前記シールドは、底部に突起部を有する前記インナーシールドと、該インナーシールドの突起部により保持された前記ヒートシールドとを有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置を提供する。このような支持部材であれば、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置となる。特に、インナーシールドを下端部で直接支えることにより、壊れにくく、また単純な構造で部品点数も少ないものとなる。また、前記インナーシールドの下端部は、ルツボの下端部より低い位置にあることが好ましい。これにより、重量負荷により支持部材が変形、破損し、炭素繊維断熱材のゴミが発生した場合であっても、ルツボにゴミが入ることに由来する単結晶の有転位化を防止することができる。また、前記支持部材は、嵩密度0.1g/cm3以上1.0g/cm3以下の炭素繊維断熱材からなるものであることが好ましい。このような嵩密度であれば断熱特性と強度が確保された支持部材となる。前記支持部材は、嵩密度0.1g/cm3以上0.2g/cm3未満の低嵩密度断熱材層の上に嵩密度0.2g/cm3以上1.0g/cm3以下の高嵩密度断熱材層を有するものであって、該高嵩密度断熱材層がインナーシールドの下端部と接することにより、インナーシールドを直接支えるものであることが好ましい。断熱材は、嵩密度が低いと断熱特性は良くなるが強度が弱くなり、嵩密度が高いと断熱特性が悪くなり強度は強くなる傾向にある。そのため、このような支持部材であればインナーシールドと接する層は強度を確保することができ、インナーシールドと接しない層は断熱特性を確保することができる。さらに、前記シールドは、底部に突起部を有するインナーシールドと、該インナーシールドの突起部により保持されたヒートシールドとを有するものであることが好ましい。このような構造にすれば、ヒートシールドとインナーシールドとを一体物として取り扱うことが可能となり、部品の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上する。以上説明したように、本発明の単結晶育成装置であれば、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができるものとなる。また、上記のような支持部材はインナーシールドを支えても壊れにくく、また単純な構造で部品点数も少なくてすむものとなる。また、高嵩密度断熱材層と低嵩密度断熱材層からなる支持部材を用いることで、強度と断熱特性を確保することができるものとなる。さらに、ヒートシールドとインナーシールドとを一体物として取り扱うことで、取り付けや取り外しの際の作業性も向上させることができるものとなる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明者らはインナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置について鋭意検討を重ねた結果、インナーシールドを炭素繊維断熱材からなる支持部材によって支えることで熱ロスを低減して省電力化を図ることができることを見出し、また、このような支持部材であれば応力集中により壊れること等を回避できることを見出して、本発明を完成させた。以下、図を参照して本発明をより詳細に説明する。図1は本発明の単結晶育成装置の一例を示す図である。図1に示すように、本発明のCZ法単結晶育成装置1の基本的な構造は、メインチャンバー2内に原料融液3を収容するルツボ4と、そのルツボ4を取り囲むように配置された原料融液3を加熱するためのヒーター6と、そのヒーター6を取り囲むように配置された熱ロスを低減するためのシールド16とを格納するものである。更に、この単結晶育成装置1は、シールド16を構成するヒートシールド8及びインナーシールド7の上部に配された上部断熱材9、メインチャンバー2の底部に配置された湯漏れ受皿10、湯漏れ受皿10の底部に配置された底部断熱材11、湯漏れ受皿10に配置された内側壁断熱材後述のように、支持部材と兼用することも可能等を有していてもよい。このルツボ4中の原料融液3に種結晶を浸漬した後、原料融液3から棒状の単結晶5が引き上げられる。本発明におけるシールド16は、熱ロスを抑制する炭素繊維断熱材からなるヒートシールド8と、少なくとも該ヒートシールド8のヒーター6側に断熱材の劣化を抑制するための炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールド7とを有するものである。このインナーシールド7は、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものである。インナーシールド7はヒーター6の周囲に配されており、ヒーター6の近傍がインナーシールド7内で最も高温部分となる。この高温部分が断熱材以外の高熱伝導部材と接触すると、熱ロスが大きくなってしまう。そこでインナーシールド7を熱伝導率の低い炭素繊維断熱材からなる支持部材14によって支えることが熱ロスの低減に非常に効果的である。また、本発明の炭素繊維断熱材からなる支持部材は湯漏れ受皿10に配置された内側壁断熱材としての機能を兼ねることができる図1の左側参照。このように、本発明ではインナーシールド7の下端部が、支持部材14の上端部で広い面積を使って均等に支持することができるので、特定部分に加重が集中することなく単位面積あたりの応力を低減できるので支持部材が炭素繊維断熱材からなるものであってもその変形や破損を最小限に抑制することができる。この場合、インナーシールド7の下端部はルツボ4の下端部より低い位置にあることが好ましい。炭素繊維断熱材はインナーシールド7の材質である炭素材や炭素繊維複合材に比較して強度が弱いので、炭素繊維断熱材からなる支持部材14でインナーシールド7を支えると重量負荷により支持部材14の上部が経時的に変形、破損し、炭素繊維断熱材のゴミが発生する可能性がある。このゴミがルツボ4内に入ると単結晶5の育成が阻害され、有転位化して製品が得られなくなってしまうので、ルツボ4より下でインナーシールド7を支えることで、ルツボ4内にゴミが入ることを防止できる。なお、支持部材14に用いられる炭素繊維断熱材としては、表面がコーティングされている炭素繊維断熱材を用いることができる。表面コートされた炭素繊維断熱材からなる支持部材14はインナーシールド7の重量負荷により変形、破損しにくいものとなる。また、支持部材14は、嵩密度0.1g/cm3以上1.0g/cm3以下の炭素繊維断熱材からなるものであることが好ましい。このような嵩密度であれば断熱特性と強度が確保された支持部材となる。さらに、炭素繊維断熱材は、嵩密度が低いと断熱特性は良くなるが強度が弱くなり、嵩密度が高いと断熱特性が悪くなり強度は強くなる特性を有する。そのため、支持部材14は、嵩密度の異なる複数種類の材質からなる複数層構造を有し、インナーシールドと接して支える部分に高嵩密度断熱材を用い、その下の層に低嵩密度の炭素繊維断熱材を用いることで、一層変形、破壊に強く、且つ断熱特性も確保することが可能となる。このような支持部材14としては、例えば、嵩密度0.1g/cm3以上0.2g/cm3未満の低嵩密度断熱材層14’’の上に嵩密度0.2g/cm3以上1.0g/cm3以下の高嵩密度断熱材層14’を有するものであって、該高嵩密度断熱材層14’がインナーシールド7の下端部と接することにより、インナーシールド7を直接支えるものが好ましい図1の右側参照。このような支持部材は、インナーシールドと接する層14’は変形、破壊に強く、強度を確保することができ、インナーシールドと接しない層14’’は断熱特性を確保することができるものとなる。また、インナーシールド7と接する層に前述のような表面コートされた炭素繊維断熱材を用いることも可能である。また、図1の右側に示したように、例えばインナーシールド7の底部にツバ状の突起部15を設け、ヒートシールド8側にこの突起を受ける構造を形成することによって、ヒートシールド8をインナーシールド7で保持することが可能である。このような構造にすれば、ヒートシールド8とインナーシールド7とを一体物として取り扱うことが可能となり、部品の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上する。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1炭素材からなるインナーシールドを、図1左側に示したように嵩密度0.13-0.16g/cm3の炭素繊維断熱材からなる支持部材14内側壁断熱材と兼用で直接支える構造とした単結晶育成装置を準備した。このとき、インナーシールドの厚さは10mmとし、インナーシールドを支える炭素繊維断熱部材の肉厚を140mmとした。この単結晶育成装置内のホットゾーンHZに直径81cm32インチのルツボに原料融液を収容し、磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により直径30cm12インチのシリコン単結晶を育成した。より詳細には、ルツボ中の原料融液に種結晶を浸漬した後、溶融液から棒状の単結晶を引き上げながら、結晶成長軸方向に昇降可能なルツボを結晶成長中に結晶化して減少した融液の液面下降分を補うように上昇させ、融液表面の高さを一定に保ちながら行った。この単結晶育成装置を用いて問題なく結晶を育成することができた。この単結晶育成装置はインナーシールドを支える支持部材からの熱ロスを抑制することができ、下記比較例と比較して約10の省電力を達成することができた。実施例2炭素材からなるインナーシールドを、図1右側に示したように嵩密度0.13-0.16g/cm3の低嵩密度断熱材層14’’の上に嵩密度約1.0g/cm3の高嵩密度断熱材層14’を有する炭素繊維断熱材からなる支持部材で直接支える構造とした単結晶育成装置を準備した。このとき、インナーシールドの厚さは10mmとし、高嵩密度断熱材層の高さを50mmとし、インナーシールドを支える炭素繊維断熱部材の肉厚を140mmとした。この単結晶育成装置内のホットゾーンHZに直径81cm32インチのルツボを装備して、実施例1と同様に磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により直径30cm12インチのシリコン単結晶を育成した。この単結晶育成装置を用いた場合にも問題なく結晶を育成することができた。この単結晶育成装置はインナーシールドを支える支持部材からの熱ロスを抑制することができ、下記比較例と比較して約8の省電力を達成することができた。比較例図2に示したように支持部材で炭素材からなるインナーシールドを下から支える単結晶育成装置を準備した。このとき、インナーシールドは、図2に示したようにメインチャンバー底部に設置された炭素材で形成された湯漏れ受皿の上に、炭素材で形成された延長筒形状の支持部を載せ、その上に炭素繊維複合材で形成されたドーナツ形状の円盤によって保持する構造とした。また、このときインナーシールドの厚さは10mm、支持部材の厚さは15mmとした。なお、支持部材における炭素材は等方性黒鉛材であり嵩密度は約1.8g/cm3である。この単結晶育成装置内のホットゾーンHZに直径81cm32インチのルツボを装備して、実施例1と同様に磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により直径30cm12インチのシリコン単結晶を育成した。この単結晶育成装置を用いた場合にも問題なく結晶を育成することができた。しかし、インナーシールドからの熱ロスが大きく省電力を達成することができなかった。ここではシリコン単結晶育成を例に説明を行ったが、本発明はシリコン単結晶の製造に用いられる単結晶育成装置に限られるものではなく、化合物半導体や酸化物単結晶などのCZ法を用いた単結晶育成装置に適用可能である。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。