基板上に設けられる導電性反射膜と、第1導電型透明電極、第1導電型コンタクト層、発光層、第2導電型コンタクト層、及び第2導電型透明電極が前記導電性反射膜上に積層形成される活性領域と、前記活性領域と離間し、前記導電性反射膜上に設けられる第1電極と、一端が前記第2導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して前記導電性反射膜上に設けられ、前記活性領域の側面とは前記絶縁膜を介して接する透明導電膜と、前記透明導電膜の他端上に設けられる第2電極と、を具備することを特徴とする半導体発光素子。前記第1導電型透明電極、前記第2導電型透明電極、及び前記透明導電膜は、ITO膜、ZnO膜、AZO膜、或いはGZO膜から構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。基板上に設けられる導電性反射膜と、第1導電型透明電極、第1導電型コンタクト層、発光層、及び第2導電型コンタクト層が前記導電性反射膜上に積層形成される活性領域と、前記活性領域と離間し、前記導電性反射膜上に設けられる第1電極と、一端が前記第2導電型コンタクト層上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して前記導電性反射膜上に設けられ、前記活性領域の側面とは前記絶縁膜を介して接する第2導電型透明電極と、前記第2導電型透明電極の他端上に設けられる第2電極と、を具備することを特徴とする半導体発光素子。前記第1導電型コンタクト層と前記発光層の間に設けられる第1導電型クラッド層と、前記発光層と前記第2導電型コンタクト層の間に設けられる第2導電型クラッド層と、を更に具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。前記活性領域は、底面が上面よりも広い台形形状を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。前記発光層は、障壁層と井戸層が交互に繰り返して設けられるMQW構造、或いは前記井戸層が前記障壁層で挟まれるSQW構造を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。第1の基板上にエピタキシャル成長法を用いてN型コンタクト層、MQW発光層、及びP型コンタクト層を積層形成する工程と、前記P型コンタクト層上にP型透明電極及び粘着シートを積層形成する工程と、前記第1の基板の裏面から前記N型コンタクト層側にレーザ光を照射して、前記第1の基板と前記N型コンタクト層の間に剥離界面を生成して前記第1の基板を剥離する工程と、前記N型コンタクト層上にN型透明電極を形成する工程と、前記N型透明電極、前記N型コンタクト層、前記MQW発光層、前記P型コンタクト層、及び前記P型透明電極が積層形成される活性領域を個片化してチップにする工程と、第2の基板上に導電性反射膜を形成する工程と、チップにされた前記活性領域を前記導電性反射膜上に載置し、チップにされた前記活性領域を前記導電性反射膜及び前記第2の基板に接着する工程と、前記導電性反射膜上及びチップにされた前記活性領域の側面に絶縁膜を形成する工程と、前記P型透明電極の上部、前記絶縁膜の側面及び上部を覆うように形成され、前記N型透明電極、前記N型コンタクト層、前記MQW発光層、及び前記P型コンタクト層とは前記絶縁膜で分離される透明導電膜を形成する工程と、露呈される前記導電性反射膜上にカソード電極と、前記第2の基板、前記導電性反射膜、前記絶縁膜、前記透明導電膜が積層形成される領域の前記透明導電膜上にアノード電極とを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。本発明は、光取り出し効率を向上することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第1電極、透明導電膜、及び第2電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第1導電型透明電極、第1導電型コンタクト層、発光層、第2導電型コンタクト層、及び第2導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第1電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第2導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第2電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。他の実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、第1乃至10の工程を有する。第1の工程では、第1の基板上にエピタキシャル成長法を用いてN型コンタクト層、MQW発光層、及びP型コンタクト層を積層形成する。第2の工程では、P型コンタクト層上にP型透明電極及び粘着シートを積層形成する。第3の工程では、第1の基板の裏面からN型コンタクト層側にレーザ光を照射して、第1の基板とN型コンタクト層の間に剥離界面を生成して第1の基板を剥離する。第4の工程では、N型コンタクト層上にN型透明電極を形成する。第5の工程では、N型透明電極、N型コンタクト層、MQW発光層、P型コンタクト層、及びP型透明電極が積層形成される活性領域を個片化してチップにする。第6の工程では、第2の基板上に導電性反射膜を形成する。第7の工程では、チップにされた活性領域を導電性反射膜上に載置し、チップにされた活性領域を導電性反射膜及び第2の基板に接着する。第8の工程では、導電性反射膜上及びチップにされた活性領域の側面に絶縁膜を形成する。第9の工程では、P型透明電極の上部、絶縁膜の側面及び上部を覆うように形成され、N型透明電極、N型コンタクト層、MQW発光層、及びP型コンタクト層とは絶縁膜で分離される透明導電膜を形成する。第10の工程では、露呈される導電性反射膜上にカソード電極と、第2の基板、導電性反射膜、絶縁膜、透明導電膜が積層形成される領域の透明導電膜上にアノード電極とを形成する。以下本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態まず、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図1は半導体発光素子を示す概略平面図である。図2は図1のA-A線に沿う概略断面図である。本実施形態では、導電性反射膜上に活性領域を構成するN型透明電極、N型コンタクト層、MQW発光層、P型コンタクト層、及びP型透明電極を積層形成し、P型透明電極の上面を覆うように透明導電膜を形成し、活性領域と離間して導電性反射膜及び絶縁膜を介して透明導電膜上にアノード電極を設けることにより光取り出し効率を向上させている。図1に示すように、半導体発光素子90は、基板1/導電性反射膜2上にカソード電極11及び活性領域80が設けられ、透明導電膜9上にアノード電極10が設けられる。活性領域80の上面には透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9は、活性領域80に設けられるP型透明電極とアノード電極10を接続する。活性領域80の上面にはアノード電極10が設けられていない。半導体発光素子90は、基板1に廉価なシリコン基板を用いたGaNLEDlightemittingdiodeである。半導体発光素子90は組立工程で封止されたとき、アノード電極10は第1のボンディングワイヤ図示しないを介して第1の外部端子図示しないに接続される。カソード電極11は第2のボンディングワイヤ図示しないを介して第2の外部端子図示しないに接続される。封止された半導体発光素子90は、屋内外の表示灯、屋内外の照明、自動車のヘッドライトストップランプ、道路標識、交通信号及び簡易照明等に使用される。図2に示すように、基板1の第1主面上に導電性反射膜2が設けられる。導電性反射膜2は、活性領域80で生成された光を反射し、基板1側にこの光を透過させないように機能する。導電性反射膜2には、例えばAg銀合金反射膜が使用される。ここではAg銀合金反射膜に、Ag銀-Pdパラジウム-Cu銅-Geゲルマニウム系銀合金を使用しているが、代わりにAg銀-Geゲルマニウム系銀合金、或いはAg銀-Au金-Sn錫系銀合金などを用いてもよい。導電性反射膜2の第1主面上図中左端部にカソード電極11が設けられる。カソード電極11は、例えばNiニッケル/Au金から構成される。導電性反射膜2の第1主面上図中中央部に活性領域80が設けられる。活性領域80は、アノード電極10及びカソード電極11に電圧が印加されると発光する。活性領域80は、積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7から構成される。MQWmultiplequantumwellとは複数の量子井戸層と障壁層からなる構造である。ここで、N型透明電極3及びP型透明電極7にはITOindiumthinoxide膜を用いている。ITO膜は、例えば透過率が95、抵抗率が5×104Ω/cm2以下の値を有する。なお、ITO膜の代わりにZnO膜、AZO膜ZnOにAl2O3を添加したもの、或いはGZOZnOにGa2O3を添加したものなどを用いてもよい。N型コンタクト層4にはSiをドープしたN型GaN層を用いているが、Al×Ga1-×N層0≦×≦0.5を用いてもよい。MQW発光層5には、アンドープGaN層からなる障壁層21と、障壁層21に挟まれたGaNに格子整合されたInAlGaN層からなる井戸層22とが複数回繰り返し設けられる。P型コンタクト層6にはMgをドープしたGaN層を用いているが、AlyGa1-yN層0≦Y≦0.5を用いてもよい。なお、MQW発光層5の代わりにSQWsinglequantumwell発光層を用いてもよい。活性領域80の右端及び導電性反射膜2の第1主面上図中右端部には、絶縁膜8が設けられる。絶縁膜8には、SiO2膜シリコン酸化膜を用いているがSiN膜窒化シリコン膜などを用いてもよい。なお、図示していないが活性領域80の左端部にも絶縁膜が設けられ、活性領域80は絶縁膜で周囲を覆われている。P型透明電極7の上面、絶縁膜8の上面及び側面には、P型透明電極7を覆うように透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9には、ITO膜を用いているが、代わりにZnO膜、AZO膜、或いはGZOなどを用いてもよい。半導体発光素子90では、MQW発光層5で発生した光は、ITO膜からなる下面に配置されるN型透明電極3、上面に配置されるP型透明電極7、及び上面及び側面に配置される透明導電膜9から放射される。また、活性領域80の上面にはアノード電極が形成されていないので光取り出し効率を大幅に向上できる。MQW発光層5の井戸層22にGaNに格子整合されるInAlGaN層を用いているので、格子不整歪にて発生するピエゾ電界を抑制でき、低動作電圧することができる。発光層となる井戸層の格子定数と障壁層及びコンタクト層の格子定数を整合することで、本構造の効果が適用できるため、コンタクト層及び障壁層が井戸層と組成の異なるInAlGaN層でもよい。更に、半導体発光素子90では、非活性領域となるアノード電極10及びカソード電極11を基板1/導電性反射膜2上に形成し、基板1に廉価なシリコン基板を用い、活性領域80部分だけをGaN系半導体層で形成しているので、比較的高価な窒化物系半導体発光素子のチップサイズを縮小することができる。このため、半導体発光素子90のコストを低減することができる。次に、半導体発光素子の製造方法について図3乃至10を参照して説明する。図3乃至10は半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。図3に示すように、まずサファイアAl2O3からなる基板31を用意する。基板31の第1主面上に、エピタキシャル成長法であるMOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法を用いて、組成の異なるエピタキシャル層であるN型コンタクト層4、MQW発光層5、及びPコンタクト層6を連続的に積層形成する。なお、MOCVD法の代わりにMBEmolecularbeamepitaxy法を用いてもよい。N型コンタクト層4は、例えば成長温度が1000°Cから1200°Cの範囲に設定され、膜厚が3~12μの範囲に設定される。MQW発光層5は、例えば障壁層21の成長温度が800°Cから1100°Cの範囲に設定され、井戸層22の成長温度が700°Cから900°Cの範囲に設定される。Pコンタクト層6は、例えば成長温度が1000°Cから1200°Cの範囲に設定され、膜厚が0.4~2μの範囲に設定される。次に、図4に示すように、Pコンタクト層6の第1主面上に、例えばスパッタ法を用いて、ITO膜からなるP型透明電極7を形成する。このITO膜は、例えばSnO2酸化錫が10wt含まれるIn2O3酸化インジウムである。なお、スパッタ法の代わりに蒸着法を用いてP型透明電極7を形成してもよい。P型透明電極7形成後、P型透明電極7の第1主面上に、有機膜からなる粘着シート32を貼り付ける。続いて、図5に示すように、基板31の第1主面と相対向する第2主面側裏面側からレーザ光を照射する。レーザ光は、N型コンタクト層4を含む活性領域80から基板31を剥離するレーザリフト法に適用される。レーザ光は、例えばチタンサファイアレーザを用い、波長800nm、パルス幅100fsの条件を採用している。サファイアAl2O3からなる基板31はレーザ光を透過するので、基板31の界面側のGaNからなるN型コンタクト層4がレーザ光により金属GaガリウムとN2窒素ガスに分解する。それとともに発生した熱によりサファイアAl2O3からなる基板31もN型コンタクト層4の界面側の一部が溶融する。その結果、サファイアAl2O3からなる基板31に変質領域が発生して剥離界面が形成される。そして、図6に示すように、例えば加熱及び急冷却を行って剥離界面でN型コンタクト層4を含む活性領域80から基板31を剥離する。ここでは、レーザリフトオフ法により基板31を剥離しているが、基板31をエッチング除去してもよい。次に、図7に示すように、N型コンタクト層4の第1主面上に、スパッタ法を用いて、ITO膜からなるN型透明電極3を形成する。このITO膜は、例えばSnO2酸化錫が10wt含まれるIn2O3酸化インジウムである。なお、スパッタ法の代わりに蒸着法を用いてN型透明電極3を形成してもよい。N型透明電極3形成後、N型透明電極3側からスクライブ及びブレーキング処理、或いはブレードダイシング処理を行い、粘着シート32を引き伸ばして活性領域80を個片化し、粘着シート32を剥離して活性領域80をチップ状態にする。続いて、図8に示すように、シリコンからなる基板1の第1主面上にAg銀合金からなる導電性反射膜2を、例えばスパッタ法を用いて形成する。チップ化された活性領域80を導電性反射膜2が形成された基板1の第1主面上に載置して接着する。そして、図9に示すように、活性領域80の上面及び側面、及び導電性反射膜2上に、例えばCVDchemicalvapordeposition法を用いてSiO2膜シリコン酸化膜からなる絶縁膜8を形成する。次に、図10に示すように、図示しない第1のレジスト膜をマスクにして絶縁膜8をエッチングする。第1のレジスト膜を除去後、活性領域80の上面及び側面、絶縁膜8の上面及び側面、導電性反射膜2上に、スパッタ法を用いて、ITO膜からなる透明導電膜9を形成する。このITO膜は、例えばSnO2酸化錫が10wt含まれるIn2O3酸化インジウムである。なお、スパッタ法の代わりに蒸着法を用いて透明導電膜9を形成してもよい。透明導電膜9形成後、図示しない第2のレジスト膜をマスクに透明導電膜9をエッチングする。第2のレジスト膜を除去以降、周知の技術を用いてアノード電極10、カソード電極11などが形成され、半導体発光素子90が完成する。上述したように、本実施形態の半導体発光素子及びその製造方法では、基板1/導電性反射膜2上にカソード電極11及び活性領域80が設けられ、透明導電膜9上にアノード電極10が設けられる。活性領域80の上面には透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9は、活性領域80に設けられるP型透明電極とアノード電極10を接続する。活性領域80は、積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7から構成される。MQW発光層5で発生した光は、ITO膜からなる下面に配置されるN型透明電極3、上面に配置されるP型透明電極7、及び上面及び側面に配置される透明導電膜9から放射される。積層形成されるN型コンタクト層4、MQW発光層5、及びP型コンタクト層6は、基板31上にMOCVD法を用いて形成される。基板31はレーザリフト法を用いて分離される。このため、活性領域80の上面にはアノード電極が形成されていないので光取り出し効率を大幅に向上できる。非活性領域となるアノード電極10及びカソード電極11を基板1/導電性反射膜2上に形成し、基板1に廉価なシリコン基板を用い、活性領域80部分だけをGaN系半導体層で形成しているので、発光素子として動作する活性領域80のチップサイズを縮小することができ、半導体発光素子90のコストを大幅に低減することができる。なお、本実施形態では、P型コンタクト層6上にP型透明電極7及び透明導電膜9を積層形成しているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、図11に示す変形例の半導体発光素子90aのようにP型透明電極7を省いて、P型コンタクト層6上に直接透明導電膜9を形成してもよい。また、結晶成長に用いた基板をSi基板とすることで、大口径化が可能となり、さらなるコスト低減ができる。レーザ光による基板剥離の際、遠赤外光を用いることで、Si基板側からのレーザ照射が可能となる。また、図12に示す変形例の半導体発光素子90bのようにN型透明電極3とMQW発光層5の間にNクラッド層41を設け、MQW発光層5とP型コンタクト層6の間にPクラッド層42を設けてもよい。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図13は半導体発光素子を示す概略平面図である。図14は図13のB-B線に沿う概略断面図である。本実施形態では、活性領域を底面が上面よりも広い台形形状にし、活性領域の側面の傾きを緩和して透明導電膜のステップカバレッジを改善している。以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。図13に示すように、半導体発光素子91は、基板1/導電性反射膜2上にカソード電極11及び活性領域80aが設けられ、透明導電膜9上にアノード電極10が設けられる。活性領域80aの上面には透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9は、活性領域80aに設けられるP型透明電極とアノード電極10を接続する。活性領域80aの上面にはノード電極10が設けられていない。半導体発光素子91は、基板1に廉価なシリコン基板を用いたGaNLEDである。半導体発光素子91は組立工程で封止されたとき、アノード電極10は第1のボンディングワイヤ図示しないを介して第1の外部端子図示しないに接続される。カソード電極11は第2のボンディングワイヤ図示しないを介して第2の外部端子図示しないに接続される。封止された半導体発光素子91は、屋内外の表示灯、屋内外の照明、自動車のヘッドライトストップランプ、道路標識、交通信号及び簡易照明等に使用される。図14に示すように、導電性反射膜2は、活性領域80aで生成された光を反射し、基板1側にこの光を透過させないように機能する。導電性反射膜2の第1主面上図中中央部に活性領域80aが設けられる。活性領域80aは、底面が上面よりも広い断面形状を有する。活性領域80aは、第1の実施形態の活性領域80とは形状が異なるが同じ構造を有する。半導体発光素子91では、活性領域80aの両端部が垂直形状ではなく、順テーパー形状を有している。このため、P型透明電極7上、活性領域80aの側面、及び絶縁膜8上に設けられる透明導電膜9の膜厚を均一化することができ、抵抗率や透過率を安定化することができる。透明導電膜9を被覆性の劣るスパッタ法を用いて形成した場合でもステップカバレッジが悪化しない。次に、半導体発光素子の製造方法について図15及び図16を参照して説明する。図15及び図16は半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。図15に示すように、N型透明電極3形成後、N型透明電極3側から幅が広く先端が鋭角なブレードを用いて活性領域80を個片化してチップにする。次に、図16に示すように、チップ化され、底面が上面よりも広い断面形状を有する活性領域80aを導電性反射膜2が形成された基板1の第1主面上に載置して接着する。これ以降は第1の実施形態と同様なので説明を省略する。上述したように、本実施形態の半導体発光素子及びその製造方法では、基板1/導電性反射膜2上にカソード電極11及び活性領域80aが設けられ、透明導電膜9上にアノード電極10が設けられる。活性領域80aの上面には透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9は、活性領域80aに設けられるP型透明電極とアノード電極10を接続する。活性領域80aは、積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7から構成され、底面が上面よりも広い断面形状を有する。このため、第1の実施形態と同様な効果の他に、透明導電膜9の膜厚を均一化することができ、抵抗率や透過率を安定化することができる。第3の実施形態次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図17は半導体発光素子を示す概略断面図である。本実施形態では、活性領域に分離層を設け、活性領域の側面と透明電極膜の間を分離層で分離している。以下、実施例1と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。図17に示すように、半導体発光素子92には、導電性反射膜2の第1主面上図中中央部に活性領域80bが設けられる。活性領域80bは、アノード電極10及びカソード電極11に電圧が印加されると発光する。活性領域80bは、積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7から構成され、図中右端に分離層51が設けられる。N型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、及びP型コンタクト層6と、透明導電膜9とは分離層51で絶縁分離される。ここで、分離層51には絶縁膜が溝52に埋設されたトレンチアイソレーションを用いているがインプラアイソレーションなどを用いてもよい。基板1/導電性反射膜2上に設けられる絶縁膜8は、図中左端部が分離層51と接する。次に、半導体発光素子の製造方法について図18及び図19を参照して説明する。図18及び図19は半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。図18に示すように、支持材53上に積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7から構成される活性領域80bに、例えば図示しないマスク材をマスクにして、RIEreactiveionetching法を用いて溝52を形成する。次に、図19に示すように、マスク材を除去後、溝52を覆うように溝52及びP型透明電極7上に絶縁膜を形成する。例えばCMPchemicalmechanicalpolishing法を用いて絶縁膜を平坦研磨して分離層51を形成する。これ以降は第1の実施形態と同様なので説明を省略する。半導体発光素子92では、MQW発光層5で発生した光は、ITO膜からなる下面に配置されるN型透明電極3、上面に配置されるP型透明電極7、及び上面及び側面に配置される透明導電膜9から放射される。また、活性領域80bの上面にはアノード電極が形成されていないので光取り出し効率を大幅に向上できる。更に、半導体発光素子92では、非活性領域となるアノード電極10及びカソード電極11を基板1/導電性反射膜2上に形成し、基板1に廉価なシリコン基板を用い、活性領域80b部分だけをGaN系半導体層で形成しているので、比較的高価な窒化物系半導体発光素子のチップサイズを縮小することができる。上述したように、本実施形態の半導体発光素子及びその製造方法では、基板1/導電性反射膜2上にカソード電極11及び活性領域80bが設けられ、透明導電膜9上にアノード電極10が設けられる。活性領域80bの上面には透明導電膜9が設けられる。透明導電膜9は、活性領域80bに設けられるP型透明電極とアノード電極10を接続する。活性領域80bは、積層形成されるN型透明電極3、N型コンタクト層4、MQW発光層5、P型コンタクト層6、及びP型透明電極7と、その側面に設けられる分離層51とから構成される。MQW発光層5で発生した光は、ITO膜からなる下面に配置されるN型透明電極3、上面に配置されるP型透明電極7、及び上面及び側面に配置される透明導電膜9から放射される。このため、活性領域80bの上面にはアノード電極が形成されていないので光取り出し効率を大幅に向上できる。非活性領域となるアノード電極10及びカソード電極11を基板1/導電性反射膜2上に形成し、基板1に廉価なシリコン基板を用い、活性領域80b部分だけをGaN系半導体層で形成しているので、発光素子として動作する活性領域80bのチップサイズを縮小することができ、半導体発光素子92のコストを大幅に低減することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。