基板と、前記基板上に配置された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上に配置された第1の酸化アルミニウム膜と、前記第1の酸化アルミニウム膜上に配置された下部電極層と、前記下部電極層上に配置された圧電体膜層と、前記圧電体膜層上に配置された上部電極層とを備えることを特徴とする圧電薄膜構造。前記上部電極層上に配置された第2の酸化アルミニウム膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の圧電薄膜構造。前記第2の酸化アルミニウム膜は、さらに前記下部電極層と前記圧電体膜層と前記上部電極層からなる積層構造の側壁部に配置されたことを特徴とする請求項2に記載の圧電薄膜構造。前記第2の酸化アルミニウム膜上に保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項2または3に記載の圧電薄膜構造。前記圧電体膜層がチタン酸ジルコン酸鉛PZT膜又はランタンドープジルコン酸チタン酸鉛PLZT膜であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の圧電薄膜構造。空洞を有する基板と、対向する互いの端部を連結されて前記空洞内で並列に配置され、長軸方向に直交する方向であって前記基板の厚さ方向と垂直な駆動振動方向に沿って互いに逆方向に振動する一対の振動アームと、前記一対の振動アームの連結部分にそれぞれの一方の端部が接続し、他方の端部が前記基板の前記空洞を囲む周辺部に固定された2本の検出アームと、長軸方向に沿った前記振動アームの振動によって生じる前記検出アームの形状の歪みを検知して、前記振動アームに加わった角速度を検出する検出回路とを備え、前記振動アーム及び前記検出アームが、前記基板上に配置された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上に配置された第1の酸化アルミニウム膜と、前記第1の酸化アルミニウム膜上に配置された下部電極層と、前記下部電極層上に配置された圧電体膜層と、前記圧電体膜層上に配置された上部電極層とを有することを特徴とする角速度検出装置。前記上部電極層上に配置された第2の酸化アルミニウム膜を備えることを特徴とする請求項6に記載の角速度検出装置。前記第2の酸化アルミニウム膜は、さらに前記下部電極層と前記圧電体膜層と前記上部電極層からなる積層構造の側壁部に配置されたことを特徴とする請求項7に記載の角速度検出装置。前記第2の酸化アルミニウム膜上に配置された保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項7または8に記載の角速度検出装置。前記圧電体膜層がチタン酸ジルコン酸鉛PZT膜又はランタンドープジルコン酸チタン酸鉛PLZT膜であることを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載の角速度検出装置。前記検出回路が、前記振動アームの振動する面に垂直な軸を回転軸として前記振動アームが回転した場合に、前記回転軸の軸方向及び前記駆動振動方向と垂直方向に働くコリオリ力により発生する前記振動アームの検出振動が前記検出アームに伝達して生じる前記検出アームの形状の歪みを検出することを特徴とする請求項6~10のいずれか1項に記載の角速度検出装置。前記検出回路が出力する駆動電圧によって、前記振動アームが前記駆動振動方向に沿って振動することを特徴とする請求項6~11のいずれか1項に記載の角速度検出装置。前記周辺部の前記検出アームのいずれかが固定された部分を固定端として、前記周辺部の他の部分が前記駆動振動方向及び前記振動アームの長軸方向に対して垂直に振動することを特徴とする請求項6~12のいずれか1項に記載の角速度検出装置。しかしながら、従来の角速度検出装置の振動子に適用される圧電薄膜構造では、製膜時の焼成工程において、PZT中の鉛Pb成分が基板側へ拡散し、圧電性能が低下し、角速度検出装置のセンサの感度が低下する。本発明の目的は、PZT膜からのPb拡散を抑制し、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造、および当該圧電薄膜構造を適用して、S/N比が向上した角速度検出装置を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上に配置された第1酸化アルミニウム膜と、前記第1の酸化アルミニウム膜上に配置された下部電極層と、前記下部電極層上に配置された圧電体膜層と、前記圧電体膜層上に配置された上部電極層とを備える圧電薄膜構造が提供される。本発明の他の態様によれば、空洞を有する基板と、対向する互いの端部を連結されて前記空洞内で並列に配置され、長軸方向に直交する方向であって前記基板の厚さ方向と垂直な駆動振動方向に沿って互いに逆方向に振動する一対の振動アームと、前記一対の振動アームの連結部分にそれぞれの一方の端部が接続し、他方の端部が前記基板の前記空洞を囲む周辺部に固定された2本の検出アームと、長軸方向に沿った前記振動アームの振動によって生じる前記検出アームの形状の歪みを検知して、前記振動アームに加わった角速度を検出する検出回路とを備え、前記振動アーム及び前記検出アームが、前記基板上に配置された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上に配置された第1の酸化アルミニウム膜と、前記第1の酸化アルミニウム膜上に配置された下部電極層と、前記下部電極層上に配置された圧電体膜層と、前記圧電体膜層上に配置された上部電極層とを有する角速度検出装置が提供される。本発明によれば、PZT膜からのPb拡散を抑制し、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造、および当該圧電薄膜構造を適用して振動ノイズによる影響を低減し、S/N比が向上した角速度検出装置を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す第1及び第2の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。実施の形態圧電薄膜構造実施の形態に係る圧電薄膜構造の模式的断面構造は、図1aに示すように、基板40と、基板40上に配置された酸化シリコン膜41と、酸化シリコン膜41上に配置された第1の酸化アルミニウム膜48と、第1の酸化アルミニウム膜48上に配置された下部電極層301と、下部電極層301上に配置された圧電体膜層302と、圧電体膜層302上に配置された上部電極層303と、上部電極層303上に配置された第2の酸化アルミニウム膜46とを備える。また、実施の形態に係る圧電薄膜構造において、第2の酸化アルミニウム膜46は、図1aに示すように、さらに下部電極層301と圧電体膜層302と上部電極層303からなる積層構造の側壁部に配置されていても良い。また、実施の形態に係る圧電薄膜構造において、第2の酸化アルミニウム膜46上に配置された保護膜45をさらに備えていても良い。また、実施の形態に係る圧電薄膜構造において、圧電体膜層302は、チタン酸ジルコン酸鉛PZT膜又はランタンドープジルコン酸チタン酸鉛PLZT膜で形成可能である。一方、比較例に係る圧電薄膜構造の模式的断面構造は、図1bに示すように、基板40と、基板40上に配置された酸化シリコン膜41と、酸化シリコン膜41上に配置された下部電極層301と、下部電極層301上に配置された圧電体膜層302と、圧電体膜層302上に配置された上部電極層303と、上部電極層303上に配置された保護膜45とを備える。これに対して、実施の形態に係る圧電薄膜構造は、酸化シリコン膜41と、酸化シリコン膜41上に配置された第1の酸化アルミニウム膜48、第1の酸化アルミニウム膜48上に配置された下部電極層301と、下部電極層301上に配置された圧電体膜層302からなる4層構造を備える。実施の形態に係る圧電薄膜構造は、酸化シリコン膜41と下部電極層301との間に第1の酸化アルミニウム膜48を備えるため、圧電体膜層302の成分が酸化シリコン膜41中へ拡散することを抑制することができる。さらに、実施の形態に係る圧電薄膜構造は、上部電極層303上に第2の酸化アルミニウム膜46を備えるため、圧電体膜層302の成分が保護膜45中へ拡散することを抑制することができる。実施の形態によれば、PZT膜からのPb拡散を抑制し、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造を提供することができる。角速度検出装置実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1は、図2に示すように、空洞50を有する基板40と、対向する互いの端部を連結されて空洞50内で並列に配置され、長軸方向に直交する方向であって基板40の厚さ方向と垂直な駆動振動方向に沿って互いに逆方向に振動する一対の振動アーム1112と、一対の振動アーム1112の連結部分にそれぞれの一方の端部が接続し、他方の端部が基板40の空洞50を囲む周辺部に固定された2本の検出アーム2122と、長軸方向に沿った振動アーム1112の振動によって生じる検出アーム2122の形状の歪みを検知して、振動アーム1112に加わった角速度を検出する検出回路600とを備える。ここで、振動アーム1112および検出アーム2122は、図1aと同様に、基板40上に配置された酸化シリコン膜41と、酸化シリコン膜41上に配置された第1の酸化アルミニウム膜48と、第1の酸化アルミニウム膜48上に配置された下部電極層301と、下部電極層301上に配置された圧電体膜層302と、圧電体膜層302上に配置された上部電極層303とを有する。また、図2に示すように、上部電極層303上に配置された第2の酸化アルミニウム膜46を備えていても良い。ここで、第2の酸化アルミニウム膜46は、図1aと同様に、さらに下部電極層301圧電体膜層302上部電極層303からなる積層構造の側壁部に配置されていても良い。また、図1aと同様に、第2の酸化アルミニウム膜46上に配置された保護膜45をさらに備えていても良い。また、圧電体膜層302は、チタン酸ジルコン酸鉛PZT膜又はランタンドープジルコン酸チタン酸鉛PLZT膜で形成されていても良い。振動アーム1112は、外部からの駆動信号入力により駆動振動方向に振動以下において駆動振動という。する。駆動振動方向は、図2において紙面に平行で、かつ振動アーム1112の延伸する長軸方向に対して垂直な方向である。図2において、駆動振動方向をx軸方向、振動アーム1112の長軸方向をy軸方向とする。つまり、駆動振動方向を含む駆動振動面はx-y平面である。また、駆動振動面の法線方向をz軸方向とする。図2に示すように、振動アーム11と振動アーム12の一方の端部同士は連結部31で連結され、他方の端部同士は連結部32で連結されている。検出アーム21の一方の端部は振動アーム11と振動アーム12との連結部31に接続し、他方の端部は基板40の空洞50を囲む枠状の周辺部に接続する固定端である。また、検出アーム22の一方の端部は振動アーム11と振動アーム12との連結部32に接続し、他方の端部は基板40の空洞50を囲む枠状の周辺部に接続する固定端である。図2に示したように、振動アーム11の連結部31と連結部32に近い領域に、それぞれ駆動電極111と駆動電極112が配置されている。同様に、振動アーム12の連結部31と連結部32に近い領域に、それぞれ駆動電極121と駆動電極122が配置されている。駆動電極111112121122は、振動アーム1112上で互いに対向して配置された第1印加電極101と第2印加電極102をそれぞれ有する。図2に示すように、振動アーム11と振動アーム12が対面する面側以下において内側というに第1印加電極101が配置され、内側と対向する面側以下において外側というに第2印加電極102が配置される。また、検出アーム21上の固定端に近い領域に検出電極211が配置され、検出アーム22上の固定端に近い領域に検出電極221が配置されている。検出電極211及び検出電極221は、互いに対向して配置された検知電極201202をそれぞれ有する。図2に示したように、検出アーム21上の検知電極201と検出アーム22上の検知電極202は振動アーム12に近い領域に配置され、検出アーム21上の検知電極202と検出アーム22上の検知電極201は振動アーム11に近い領域に配置されている。更に、振動アーム11と振動アーム12の連結部31付近に振動参照電極71が配置され、振動アーム11と振動アーム12の連結部32付近に振動参照電極72が配置されている。図3に、図2のI-I線方向に沿った振動アーム1112の断面構造を示す。図3に示すように、振動アーム1112上の側面に近い領域に、第1印加電極101と第2印加電極102が対向して配置されている。第1印加電極101と第2印加電極102は、同一の層構造である。図4に、図2のII-II線方向に沿った検出アーム21の断面構造を示す。図4に示すように、検出アーム21上の側面に近い領域に、同一の層構造を有する検知電極201202が対向して配置されている。図示を省略するが、検出アーム22の構造は検出アーム21と同様であり、かつ、図2に示したように検知電極201と検知電極202のx軸方向の配置は検出アーム22上と検出アーム21上で逆である。図2~図4に示すように、振動アーム1112、検出アーム2122は、基板40に形成された空洞50内に配置された双音叉型の振動子10を構成する。後述するように、基板40をエッチングして空洞50を形成する際に基板40の一部を残すことにより、振動アーム1112、及び検出アーム2122は形成される。基板40には、シリコン基板等が採用可能である。例えば振動アーム1112、検出アーム2122の基板40の幅wは150μm程度であり、膜厚dは150μm程度である。図3および図4に示すように、第1印加電極101、第2印加電極102、及び検知電極201202は、それぞれ下部電極層301、圧電体膜層302、上部電極層303の積層体である。下部電極層301には、膜厚200nm程度の白金Pt/チタンTiの積層膜等が採用可能であり、上部電極層303には、膜厚200nm程度の酸化イリジウムIrO2/イリジウムIrの積層膜や金Au膜等が採用可能である。圧電体膜層302には、膜厚1~3μm程度のチタン酸ジルコン酸鉛PZT膜やランタンドープジルコン酸チタン酸鉛PLZT膜等が採用可能である。PZT膜やPLZT膜はゾルゲル法等により形成される。第1印加電極101、第2印加電極102、及び検知電極201202において、下部電極層301は、基板40上に形成された酸化シリコン膜41上に第1の酸化アルミニウム膜48を介して配置され、さらに、下部電極層301圧電体膜層302上部電極層303の積層体は、周囲を第2の酸化アルミニウム膜46を介して保護膜45で覆われている。酸化シリコン膜41は、例えば基板40の表面を熱酸化して形成される。保護膜45は、例えば酸化シリコンSiO2膜で形成される。駆動信号として駆動電圧Vdが第1印加電極101と第2印加電極102間に印加されると、逆圧電効果により第1印加電極101と第2印加電極102の圧電体膜層302の形状が変形する。例えば、圧電体膜層302はプラス電圧が印加されるとy軸方向に縮み、マイナス電圧が印加されるとy軸方向に伸びる。このため、振動アーム11、12の側面近くに配置された第1印加電極101と第2印加電極102に極性の異なる電圧を印加することにより、振動アーム11、12の外側が伸びる場合に内側が縮み、振動アーム11、12の内側が伸びる場合に外側が縮む。つまり、振動アーム11、12はx軸方向に屈曲する。一方、検出アーム21及び検出アーム22に形状の変化が生じると、検知電極201202の圧電体膜層302の形状が変形し、圧電効果により検出電極211221から電気信号が検出信号として出力される。検出信号は、圧電効果により検知電極201202の圧電体膜層302に生じる分極を検出して検出電極211221が出力する電流信号若しくは電圧信号である。駆動電圧Vdは、図2に示した検出回路600の駆動回路610から駆動電極111112121122に出力される。駆動回路610は、駆動振動周波数fdの駆動電圧Vdを出力する。駆動振動周波数fdは、振動子10の駆動振動方向の共振周波数に設定される。また、振動アーム1112に角速度が加えられたことによって検知電極201202に生じる分極に基づいて、検出電極211221から検出回路600の検知回路620にそれぞれ検出信号Sd1Sd2が出力される。振動参照電極7172は、図2、図3に示した駆動電極111112121122、検出電極211221と同様に、下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303の積層構造を有する。振動参照電極7172において、下部電極層301は、基板40上に形成された酸化シリコン膜41上に第1の酸化アルミニウム膜48を介して配置され、さらに、下部電極層301圧電体膜層302上部電極層303の積層体は、周囲を第2の酸化アルミニウム膜46を介して保護膜45で覆われている。そして、駆動振動に起因して生じる振動アーム1112の形状変化に比例する参照電圧Vrが、振動参照電極7172に発生する。つまり、参照電圧Vrの大きさは、駆動振動の大きさに比例する。参照電圧Vrは、振動参照電極7172から検出回路600の振動量検出回路640に出力される。振動量検出回路640は、参照電圧Vrに基づき、駆動振動の大きさを示す振動信号SFを駆動回路610に出力する。以下に、角速度検出装置1の動作を説明する。駆動回路610により、第1印加電極101と第2印加電極102間に駆動振動周波数fdの駆動電圧Vdが印加されると、既に述べたように第1印加電極101及び第2印加電極102の圧電体膜層302が変形し、振動アーム1112は屈曲する。即ち、振動アーム1112は、駆動振動周波数fdで駆動振動方向に沿って駆動振動する。駆動振動においては、振動アーム1112のそれぞれの第1印加電極101に同一極性の電圧が印加され、かつ第1印加電極101に印加される電圧と逆の極性の電圧が第2印加電極102に印加される。このため、振動アーム11と振動アーム12のいずれか一方がx方向に屈曲する場合には、他方が-x方向に屈曲する。つまり、振動アーム11と振動アーム12は、互いの両端部が連結されて、且つ同一時刻におけるそれぞれの駆動振動方向が互いに逆向きである双音叉型の振動子10の一部を構成する。この振動子10は、駆動振動周波数fdで駆動振動する。振動アーム11と振動アーム12の駆動方向が逆方向であるため、振動アーム11と振動アーム12が駆動振動のみしている状態では、連結部3132の各中心部、つまり連結部3132と検出アーム2122との接続点は振動しない不動点である。このため、振動アーム1112が駆動振動のみしている状態では、検出アーム2122に形状の歪みは発生せず、検出電極211221は検出信号Sd1、Sd2を出力しない。振動アーム1112が駆動振動している状態で、駆動振動面に垂直な軸を回転軸として振動子10が回転すると、振動アーム11及び振動アーム12はコリオリ力を受ける。即ち、振動子10に加えられた回転の回転軸方向z軸方向及び駆動振動方向x軸方向に垂直な方向y軸方向、つまり振動アーム1112の長軸方向に、振動アーム1112はコリオリ力をそれぞれ受ける。駆動振動において、同一時刻の振動アーム11と振動アーム12の駆動方向は互いに逆向きである。このため、振動アーム11の受けるコリオリ力の向きと、振動アーム12の受けるコリオリ力の向きとは、同一時刻において互いに逆向きである。例えば、上面方向からみて時計回りに振動子10が角速度ωで回転している場合に、振動アーム11がx方向に屈曲し、振動アーム12が-x方向に屈曲している状態では、振動アーム11はy方向にコリオリ力f1を受け、振動アーム12は-y方向にコリオリ力f2を受ける。振動アーム1112の駆動方向の変化に対応して、コリオリ力f1、f2の方向が変化する。このため、コリオリ力f1、f2を受ける振動アーム1112にy軸方向の振動以下において、検出振動という。が生じる。コリオリ力f1、f2の働く方向は逆方向である。また、振動アーム1112に生じる検出振動は、振動アーム1112の延伸する長軸方向y軸方向に沿った振動であり、駆動振動の振動方向と検出振動の振動方向とは90°の角をなす。上記のように、同一時刻において振動アーム11に生じる検出振動の方向と振動アーム12に生じる検出振動の方向とは逆方向である。その結果、連結部31と基板40間に配置された検出アーム21、及び連結部32と基板40間に配置された検出アーム22に、検出振動に起因する形状の歪みが生じる。検出アーム21及び検出アーム22に形状の歪みが発生すると、検知電極201202の圧電体膜層302の形状が変形し、圧電体膜層302で分極が生じる。検出電極211221は、圧電体膜層302で生じた分極により検知電極201202間に流れる電流検出電流或いは検知電極201202間に発生する電圧検出電圧を検出する。検出電極211221は、検出電流或いは検出電圧を検出信号Sd1、Sd2として検出回路600に出力する。検出回路600は、検出電極211221が出力する検出信号Sd1、Sd2に基づき、振動アーム1112に加えられた角速度を検出する。既に説明したように駆動回路610は駆動振動周波数fdの駆動電圧Vdを出力するが、駆動振動周波数fdは、振動量検出回路640から駆動回路610に出力される駆動振動の大きさを示す振動信号SFを参照して設定される。振動量検出回路640は、電流アンプ、自動利得制御回路AGCを有する。振動アーム1112の駆動振動により振動参照電極7172に発生する参照電圧Vrは、電流アンプを介してAGCに入力される。AGCの出力が、駆動振動の大きさを示す振動信号SFとして駆動回路610に出力される。駆動回路610は、振動信号SFに基づき、駆動振動の大きさが最大になる駆動振動周波数fdを振動子10の共振周波数として設定し、駆動電圧Vdの駆動振動周波数fdが決定される。つまり、駆動振動の大きさが振動子10から駆動回路610にフィードバックされて、駆動振動周波数fdが設定される。検知回路620は、電流アンプ及び差動アンプを有する。検出電極211に接続する電流アンプに検出信号Sd1が入力され、検出電極221に接続する電流アンプに検出信号Sd1が入力される。電流アンプの出力は差動アンプに入力され、検出信号Sd1と検出信号Sd2を重ねた信号が検知信号STとして検波回路630に送信される。検出信号Sd1、Sd2は振動子10の振動周波数で振動する。検出信号Sd1と検出信号Sd2を重ね合わせることによって検知信号STは増幅され、同時に検出信号Sd1、Sd2に含まれるノイズが除去される。そのため、圧電体膜層302の形状変化をより感度良く検知することができる。検波回路630は、同期検波及び平滑回路を有する。検波回路630は、検知回路620から送信される検知信号STを、振動量検出回路640から振動信号SFで送信される駆動振動周波数fdを用いた同期検波することにより、角速度ωを算出する。算出された角速度ωは、出力信号D1で検波回路630から出力される。なお、検出回路600を基板40と異なる基板上に形成してもよいし、検出回路600を基板40に形成してもよい。振動子10と検出回路600を基板40上に形成して1チップ化することにより、角速度検出装置1を小型化することができる。以上に説明したように、実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1では、駆動振動する振動アーム1112と、コリオリ力により振動する検出アーム2122が異なり、駆動振動は検出アーム2122に伝わらない。更に、振動アーム1112の駆動振動の振動方向と、振動子10に角速度が加わったときの検出アーム2122の検出振動の振動方向とが、90°異なる。このため、振動ノイズと検出振動では共振モードの軸が異なり、振動ノイズが発生した状態で振動子10に角速度を加えても、振動ノイズは角速度による検出信号Sd1、Sd2に影響を与えない。また、角速度検出装置1は、振動アーム11と振動アーム12が互いに逆方向に振動する。このため、駆動振動の不動点である連結部3132に接続する検出アーム2122に駆動振動が伝達されにくい。そのため、角速度検出装置1では、振動ノイズが大きくてもS/N比は劣化せず、角速度検出感度が低下しない。つまり、図2に示した角速度検出装置1によれば、振動ノイズによる影響を低減できる角速度検出装置を提供できる。更に、角速度検出装置1では、従来の角速度検出装置では検出が困難であった基板40の主面の法線方向を回転軸とする回転の角速度を検出できる。圧電体膜層中の残留分極値実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1において、振動参照電極部FB、駆動電極部DO、および検出電極部SRの各部における圧電体膜層302中の残留分極値とウェハ番号との関係は、図5に示すように表される。図5において、ウェハ番号1~3は、酸化シリコン膜41の厚さが8000オングストローム、ウェハ番号4~6は、酸化シリコン膜41の厚さが1800オングストロームの試料に相当する。また、ウェハ番号135は、第1の酸化アルミニウム膜48の厚さがゼロ、第2の酸化アルミニウム膜46の厚さが、408080nmの試料に相当する。また、ウェハ番号246は、第1の酸化アルミニウム膜48の厚さが404040nm、第2の酸化アルミニウム膜46の厚さが、404080nmの試料に相当する。ウェハ番号1とウェハ番号2を比較すると、第1の酸化アルミニウム膜48を備えるウェハ番号2の試料において、圧電体膜層302中の残留分極値が、振動参照電極部FB、駆動電極部DO、および検出電極部SRの各部においていずれも増加している。ウェハ番号3とウェハ番号4を比較すると、第1の酸化アルミニウム膜48を備えるウェハ番号4の試料において、圧電体膜層302中の残留分極値が、振動参照電極部FB、駆動電極部DO、および検出電極部SRの各部においていずれも増加している。ウェハ番号5とウェハ番号6を比較すると、第1の酸化アルミニウム膜48を備えるウェハ番号6の試料において、圧電体膜層302中の残留分極値が、振動参照電極部FB、駆動電極部DO、および検出電極部SRの各部においていずれも増加している。実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1において、PZT/Pt/Al2O3/SiO2/Siの積層構造の原子濃度とスパッタ時間minとの関係を示すX線光電子分光の測定結果は、図6に示すように表される。図6から明らかなように、PZT中のPb成分の拡散は、Al2O3膜で抑制され、SiO2膜中にはほとんど拡散していない。実施の形態によれば、PZT膜からのPb拡散を抑制し、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1を提供することができる。製造方法図7~図11を参照して、実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1の製造方法を説明する。図7~図11は、図2のI-I線方向に沿った工程断面図である。なお、以下に述べる角速度検出装置1の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。a図7に示すように、厚さ700μm程度のシリコン基板である基板40の表面上に酸化シリコン膜41を形成し、裏面上に酸化シリコン膜42を形成する。酸化シリコン膜41及び酸化シリコン膜42は熱酸化により形成される。b次に、図7に示すように、基板40の表面上の酸化シリコン膜41上に第1の酸化アルミニウム膜48を形成する。c次に、図8に示すように、第1の酸化アルミニウム膜48上に、下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303を順に積層する。例えば、スパッタ法により、膜厚200nm程度のPt/Ti積層膜を下部電極層301として形成する。下部電極層301上に、圧電体膜層302として例えばPLZT膜をゾルゲル法等により形成する。圧電体膜層302上に、スパッタ法によりIrO2膜を下層とするIrO2/Irの積層膜を上部電極層303として形成する。d次に、図9に示すように、フォトリソグラフィ技術やエッチング等により、所望のパターンになるように下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303をパターニングして、下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303が積層された第1印加電極101、第2印加電極102を形成する。図示を省略するが、第1印加電極101、第2印加電極102と同様にして、検知電極201、202も同時に形成される。eその後、図9に示すように、第2の酸化アルミニウム膜46、および保護膜45を全面に形成する。次いで、空洞50が形成される領域400の保護膜45、第1の酸化アルミニウム膜48および酸化シリコン膜41を除去する。f次に、図10に示すように、基板40の裏面上に形成された酸化シリコン膜42の一部をエッチングして、振動子10及び空洞50を形成する領域の基板40の裏面を露出させる。残った酸化シリコン膜42をエッチングマスクにしたウェットエッチングによって、振動子10が配置される領域及び空洞50を形成する領域に該当する基板40の裏面の一部を除去する。その結果、振動アーム11、12と検出アーム21、22の裏面が露出される。その後、図10に示すように、基板40の裏面にエッチングストッパーとして酸化シリコン膜60をプラズマ化学気相成長PCVD法等により形成する。g次に、図11に示すように、保護膜45をエッチングマスクとし、酸化シリコン膜60をエッチングストッパーとするドライエッチングによって基板40の表面の一部を除去し、空洞50を形成して振動アーム1112と検出アーム2122の側面を露出させる。その後、酸化シリコン膜60を除去する。以上により、図2~図4に示す角速度検出装置1が完成する。別の製造方法上記では、エッチングストッパーとして酸化シリコン膜60を基板40の裏面に形成する例を説明した。しかし、図12~図16を参照して以下に説明するように、エッチングストッパーとしての絶縁膜を予め基板40に形成しておいてもよい。なお、図12~図16は、図2のII-II線方向に沿った工程断面図である。a図12に示すように、シリコン膜40a、酸化シリコン膜40b及びシリコン膜40cが積層されたSOI基板を、基板40として用意する。そして、基板40の表面上、即ちシリコン膜40c上に酸化シリコン膜41を形成する。更に、基板40の裏面上、即ちシリコン膜40a上に酸化シリコン膜42を形成する。酸化シリコン膜41及び酸化シリコン膜42は熱酸化により形成される。b次に、図12に示すように、基板40の表面上の酸化シリコン膜41上に第1の酸化アルミニウム膜48を形成する。c次に、図13に示すように、第1の酸化アルミニウム膜48上に、下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303を順に積層する。例えば、スパッタ法により、膜厚200nm程度のPt/Ti積層膜を下部電極層301として形成する。下部電極層301上に、圧電体膜層302として例えばPLZT膜をゾルゲル法等により形成する。圧電体膜層302上に、スパッタ法によりIrO2膜を下層とするIrO2/Irの積層膜を上部電極層303として形成する。d次に、図14に示すように、フォトリソグラフィ技術やエッチング等により、所望のパターンになるように下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303をパターニングして、下部電極層301、圧電体膜層302及び上部電極層303が積層された第1印加電極101、第2印加電極102を形成する。図示を省略するが、第1印加電極101、第2印加電極102と同様にして、検知電極201、202も同時に形成される。eその後、図14に示すように、第2の酸化アルミニウム膜46、および保護膜45を全面に形成する。次いで、空洞50が形成される領域400の保護膜45、第1の酸化アルミニウム膜48および酸化シリコン膜41を除去する。f次に、図15に示すように、基板40の裏面上に形成された酸化シリコン膜42の一部をフォトリソグラフィ技術等を用いてエッチングし、振動子10及び空洞50を形成する領域のシリコン膜40aを露出させる。残った酸化シリコン膜42をエッチングマスクにしたウェットエッチングによって、露出したシリコン膜40aを除去する。その結果、振動子10が配置される領域及び空洞50を形成する領域の酸化シリコン膜40bが露出される。g次に、図16に示すように、保護膜45をエッチングマスクとし、酸化シリコン膜40bをエッチングストッパーとするドライエッチングによって空洞50を形成する領域のシリコン膜40cを除去して、振動アーム1112と検出アーム2122の側面を露出させる。その後、空洞50の領域の酸化シリコン膜40bを除去する。以上により、実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1が完成する。上記のような実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1の別の製造方法によれば、駆動振動する振動アーム1112と検出振動する検出アーム2122とが異なり、かつ、振動アーム1112の駆動振動の振動方向と検出アーム2122の検出振動の振動方向とが90°異なることにより、振動ノイズによる影響を低減できる角速度検出装置1を提供することができる。また、実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置1において、振動子10は、振動アーム1112、及び検出アーム2122にスリットを備えていても良い。スリットは、振動アーム1112、及び検出アーム2122の上面から下面まで貫通する空洞である。図2に示した振動子10の振動アーム1112、及び検出アーム2122のようにスリットの無いアームと比較して、スリットのあるアームは変形しやすい。このため、スリットを備えた振動子10では、図2に示した振動子10よりも、角速度が加えられた場合の振動アーム1112、及び検出アーム2122の形状変化が大きく、検出信号Sd1、Sd2が大きくなる。その結果、角速度検出装置1の角速度検出感度が向上する。1つのアーム上に駆動電極と検出電極が並べて配置される角速度検出装置では、アーム上に電極が配置されていない領域が少ない。このため、スリットSを形成することは困難である。しかし、実施の形態に係る圧電薄膜構造を適用した角速度検出装置では駆動電極と検出電極が異なるアーム上に配置されるため、振動アーム1112、及び検出アーム2122にスリットを形成することが可能である。本実施の形態によれば、圧電特性を安定化した圧電薄膜構造、および当該圧電薄膜構造を適用して振動ノイズによる影響を低減し、S/N比が向上した角速度検出装置を提供することができる。その他の実施の形態上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施の形態の説明においては、第1印加電極101と第2印加電極102間及び検知電極201と検知電極202間において下部電極層301と圧電体膜層302が分離している例を示した。しかし、第1印加電極101と第2印加電極102間や検知電極201と検知電極202間において下部電極層301や圧電体膜層302が連続していてもよい。対向する電極層間の難エッチング物質である圧電体膜層302を切断しないことにより、角速度検出装置1を微細化できる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。