低次ヒドリドシラン化合物から高次ヒドリドシラン化合物を製造するための方法であって、少なくとも1つの低次ヒドリドシラン化合物Iを、少なくとも500g/molの質量平均分子量を有する少なくとも1つのヒドリドシラン化合物IIの存在中で、熱的に反応させることを特徴とする、前記方法。少なくとも1つの低次ヒドリドシラン化合物Iが、一般式SinH2n2前記n=3~10の直鎖または分枝鎖のヒドリドシランであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。少なくとも1つのヒドリドシランが、ネオペンタシランであることを特徴とする、請求項2に記載の方法。ヒドリドシラン化合物IIが、500~5000、好ましくは1000~4000g/molの質量平均分子量を有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。少なくとも1つのヒドリドシラン化合物IIが、低次ヒドリドシランの熱処理によって製造可能なヒドリドシラン化合物であることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。少なくとも1つのヒドリドシラン化合物IIが、式SinH2n前記n=3~10、SinH2n2前記n=3~10、もしくはSinH2n2前記n=6~10の低次ヒドリドシランの熱処理によって製造された、少なくとも500g/molの質量平均分子量を有するヒドリドシランであることを特徴とする、請求項5に記載の方法。少なくとも1つのヒドリドシラン化合物IIを、低次ヒドリドシラン化合物Iおよびヒドリドシラン化合物IIの総質量に対して、0.01~10質量、好ましくは0.5~5質量の質量パーセント割合で用いることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。高次ヒドリドシラン化合物の製造方法を、液相法として実施することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。少なくとも1つの溶剤の存在中で実施することを特徴とする、請求項8に記載の方法。前記溶剤を、組成物の総質量に対して20~80質量の割合で用いることを特徴とする、請求項9に記載の方法。反応を、30~250°C、好ましくは90~180°C、特に好ましくは110~160°Cの温度で実施することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。反応時間が、0.1~12時間の間、さらに好ましくは1~8時間の間、とりわけ特に好ましくは2~6時間の間であることを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。反応混合物に、反応の前または反応の間に、B2H6、BHxR3x前記x=0~2、且つ前記R=C1~C10-アルキル基、不飽和の環式C2~C10-アルキル基、エーテルまたはアミンが錯化されたBHxR3x前記x=0~3、且つ前記R=C1~C10-アルキル基、不飽和の環式C2~C10-アルキル基、Si5H9BR2前記R=H、Ph、C1~C10-アルキル基、Si4H9BR2前記R=H、Ph、C1~C10-アルキル基、赤リン、白リンP4、PHxR3x前記x=0~3、且つ前記R=Ph、SiMe3、C1~C10-アルキル基、P7SiR33前記R=H、Ph、C1~C10-アルキル基、Si5H9PR2前記R=H、Ph、C1~C10-アルキル基、およびSi4H9PR2前記R=H、Ph、C1~C10-アルキル基からなる群から選択される少なくとも1つのドープ物質を添加することを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法によって製造可能なヒドリドシラン化合物。請求項14に記載のヒドリドシラン化合物を、光電子部品の層、電子部品の層、またはケイ素含有層を生成するために、好ましくは元素のケイ素層を製造するために用いる使用。