基板と、前記基板の上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層と、前記活性層の上方の層に100μm×100μm以上の大きさで形成された、前記活性層で発生した光を前記上部クラッド層の上方に回折する2次の回折格子と、前記下部クラッド層、前記活性層、及び前記上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、前記共振器の前記第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、前記活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とするレーザ素子。前記第1反射膜と前記第2反射膜は、前記活性層で発生した光を100反射するように形成されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記2次の回折格子の前記共振器長手方向の長さと、前記共振器短手方向の長さは等しいことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ素子。前記活性層の上方の層に、前記2次の回折格子とは異なる周期で100μm×100μm以上の大きさを有するように形成された、前記活性層で発生した光を前記上部クラッド層の上方に回折する第2回折格子を備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザ素子。前記第2反射膜は、前記活性層で発生した光を反射しつつ、外部からの光は透過するハーフミラーコートで形成されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ素子。前記基板又は前記下部クラッド層に形成された光反射層を備えたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレーザ素子。前記光反射層は前記基板の裏面に形成され、前記基板は、前記活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料で形成されたことを特徴とする請求項6に記載のレーザ素子。特許文献1に開示されるレーザ素子は、リッジ幅が4μm、光出射領域の長さが10μm以下となっているため、2次の回折格子が小さい。このように小さな2次の回折格子を有するレーザ素子は、光密度を低減できず高出力用途に不向きであった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に100μm×100μm以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する2次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第1端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第1反射膜と、該共振器の該第1端面と反対側の端面である第2端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第2反射膜と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、2次の回折格子を大きく形成して光密度を低減できるので、高出力用途に好適なレーザ素子を提供できる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の平面図である。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10は、多重横モードのレーザ光を発振するためにリッジストライプ12が形成されている。リッジストライプ12の中間部分には2次の回折格子14が形成されている。2次の回折格子14は、共振器長手方向図1のLに100μm、共振器短手方向図1のWに100μmの大きさで形成されている。つまり、発光領域を規定する2次の回折格子14は、100μm×100μmと大きく形成されている。2次の回折格子14以外の部分は電極16で覆われている。レーザ素子10の端面コーティングとしては、第1反射膜20と第2反射膜22が形成されている。図2は、図1の2-2破線における断面図である。レーザ素子10は基板30を備えている。基板30の上には下部クラッド層32が形成されている。下部クラッド層32の上には活性層34が形成されている。活性層34の上には上部クラッド層36が形成されている。下部クラッド層32、活性層34、及び上部クラッド層36は共振器を形成している。共振器は、AlGaAs系材料AlGaAs、GaAs、AlGaInP系材料AlGaInP、GaInP、GaAs、AlGaAs、又はGaN系材料GaN、InGaN、InAlGaN等で形成されている。上部クラッド層36には、活性層34で発生した光を、上部クラッド層36の上方に回折する周期で2次の回折格子14が形成されている。図2に示すとおり、共振器端には劈開などで形成された第1端面19、及び第1端面19と反対側の端面である第2端面21が形成されている。第1端面19には、活性層34で発生した光を反射する第1反射膜20が形成されている。第2端面21には、活性層34で発生した光を反射する第2反射膜22が形成されている。第1反射膜20と第2反射膜22は、活性層34で発生した光を100反射するものである。上部クラッド層36の上にはコンタクト層38が形成されている。コンタクト層38の上には電極16が形成されている。また、基板30の裏面には電極40が形成されている。図3は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10の発光方向を示す断面図である。レーザ素子10の2次の回折格子14により、レーザ光は共振器の結晶面に対して垂直方向に出射する。レーザ光の出射方向は図3において矢印で示されている。ところで、一般に、レーザ素子は、閾値電流を低減し電流効率を向上させるためにリッジストライプの幅を細くする。ところがリッジストライプ幅を細くすると、共振器内の光密度上昇によるCODが懸念され、レーザ素子を高出力化できない。特に、端面から発光させる場合は0.1μm程度の厚みの活性層に光が閉じ込められるので光密度が高くなっていた。ところが、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子によれば、2次の回折格子14が100μm×100μmとなるように形成されているため、大きな発光領域で発光する。そのため、例えば端面発光型のレーザ素子に比べて、光密度を1/100程度まで低減できる。光密度を低減すると、COD劣化を抑制できるのでレーザ素子を高出力化することができる。図4は、2次の回折格子14が回折する光の波長を示す図である。図4のAに示すように、活性層34で発生する光の波長は、中心波長λ1を中心に一定の幅広がりを有している。2次の回折格子14は、利得を高めるためにλ1の光を回折する周期で形成する。しかしながら、中心波長λ1以外の波長の光を回折する周期で2次の回折格子14を形成してもよい。例えば、2次の回折格子14を、中心波長λ1より短波長の光λ2又は中心波長λ1より長波長の光λ3を回折する周期で形成してもよい。λ3の光は、λ1の光よりもバンドギャップエネルギの小さい光である。そのため、2次の回折格子14を、中心波長λ1よりも波長の長い光例えば純青色の光λ3を回折する周期で形成すれば、活性層34における光損失を低減できる。つまり、レーザ素子の損失を低減できる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10によれば、第1反射膜20と第2反射膜22により共振器端面からの光の出射を防止できる。よって共振器端面から光が漏れることを防止できる。図5は、本発明の実施の形態1に係るレーザ素子の変形例を示す平面図である。レーザ素子10との相違点を中心に説明する。レーザ素子29には、活性層で発生した光を上部クラッド層の上方に回折するように、2次の回折格子14と52が形成されている。2次の回折格子52は、活性層の上方の層に、2次の回折格子14とは異なる周期で形成されている。2次の回折格子52を第2回折格子52と称する。第2回折格子52は100μm×100μmの大きさを有するように形成されている。図6は、2次の回折格子14と第2回折格子52の回折する光の波長を示す図である。2次の回折格子14の回折する光の波長はλ2である。第2回折格子52の回折する光の波長はλ3である。このように、リッジストライプ12上の2箇所に周期の異なる2つの回折格子を形成すると、2波長の発光が可能となる。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10では、2次の回折格子14は100μm×100μmの大きさとしたが、100μm×100μm以上の大きさで形成されれば光密度を十分に低減できるので特にこれに限定されない。本発明の実施の形態1に係るレーザ素子10では、共振器をGaN系材料で形成したが本発明は特にこれに限定されない。また、回折格子14は共振器長全体に渡って形成されてもよい。レーザ素子の損失を低減するために、第1反射膜20と第2反射膜22は活性層34で発生した光を100反射するものであるが望ましい。しかしながら、共振器端面での光の損失を低減できる限りにおいてこれに限定されない。また、2次の回折格子14や第2回折格子52を形成するのは活性層34の上方の層であればよく、特に上部クラッド層36に限定されない。また、2次の回折格子14の共振器長手方向の長さと共振器短手方向の長さを等しくすると、FFPを均一にすることができる。しかしながら、FFPを重視しないのであれば、回折格子14の共振器長手方向の長さと共振器短手方向の長さを一致させなくても良い。実施の形態2.図7は、本発明の実施の形態2に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。上部クラッド層37は、レーザ素子10の上部クラッド層36と比べて厚く形成されている。具体的には、厚く形成された上部クラッド層37は一部がエッチングされ、当該エッチングにより露出した底部分に2次の回折格子14が形成されている。そして、共振器は、例えばAlGaInP系やAlGaAs系などのGaAs系の材料で形成されている。またコンタクト層38はGaAsで形成されている。本発明の実施の形態2に係るレーザ素子によれば、上部クラッド層37を厚く形成することで、コンタクト層38における光吸収を低減できる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態3に係るレーザ素子は、レーザ素子10の上部クラッド層36と比べて厚く形成された上部クラッド層37を備えている。また、2次の回折格子14を形成するためのエッチングストッパ層39も備えている。上部クラッド層37は、エッチングストッパ層39を挟むように形成されている。コンタクト層38まで形成した後に、2次の回折格子14を形成すべき部分をエッチングストッパ層39までエッチングし、そこに2次の回折格子14を形成する。よって、容易に2次の回折格子14を形成できる。また、上部クラッド層37を厚くできるので実施の形態2と同様にコンタクト層38における光吸収を低減しうる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態4に係るレーザ素子は、2次の回折格子14がコンタクト層38で覆われている。コンタクト層38はGaNで形成されている。また、共振器はGaN系の材料で形成されている。コンタクト層38をGaNで形成することによりコンタクト層38による光吸収をなくして、2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むことができる。このようなレーザ素子は、上部クラッド層36、及び2次の回折格子14を形成した後にコンタクト層38を形成して作成する。なお、コンタクト層38の材料は、GaNに限らずレーザ素子の発振光よりバンドギャップが大きい結晶であればよい。実施の形態5.図10は、本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の断面図である。前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態5に係るレーザ素子は、上部クラッド層41の上に、回折格子層43が形成されている。回折格子層43はInGaNで形成されている。回折格子層43には、2次の回折格子14が形成されている。このように、上部クラッド層41以外の層に2次の回折格子14を形成しても本発明の効果を得ることができる。図11は、本発明の実施の形態5に係るレーザ素子の変形例を示す断面図である。このレーザ素子は、回折格子層43に形成された2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むものである。コンタクト層38はGaNで形成されている。2次の回折格子14とコンタクト層38を異なる材料で形成することにより、2次の回折格子14をコンタクト層38で埋め込むことができる。実施の形態6.図12は、本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の断面図である。以後、前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の第2端面21には、活性層34で発生した光を反射しつつ、外部からの光は透過するハーフミラーコート42が形成されている。本発明の実施の形態6に係るレーザ素子の使用には、外部レーザ素子44が用いられる。外部レーザ素子44の活性層46で生じた光は、ハーフミラーコート42を介してレーザ素子に入射し活性層34に光を励起する。そして活性層34で励起された光は、2次の回折格子14により上部クラッド層36の上方に回折させられる。外部レーザ素子44を用いると効率的に光を励起することができる。なお、複数のレーザ素子を集積してレーザ素子を高出力で発光させてもよい。本発明の実施の形態6に係るレーザ素子は少なくとも本発明の実施の形態1に係るレーザ素子と同程度の変形が可能である。同様に、本発明の実施の形態6に係るレーザ素子に、本発明の実施の形態2乃至5のいずれかに記載の特徴を取り入れてもよい。実施の形態7.図13は、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子の断面図である。以後、前述のレーザ素子10との相違点のみ説明する。基板60の裏面に光反射層62が形成されている。光反射層62は金メッキで形成されている。基板60は、活性層34のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する材料で形成されている。ところで、回折格子14は共振器上面方向だけでなく、共振器下面方向にも光を回折する。共振器上面方向の光を上方向レーザ光と称し、共振器下面方向の光を下方向レーザ光と称する。下方向レーザ光は、例えば基板に吸収されるなどして損失となる。ところが、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子によればこの損失を抑制できる。図14は、本発明の実施の形態7に係る下方向レーザ光の反射を示す断面図である。図14で下方向レーザ光は破線で示されている。本発明実施の形態7に係るレーザ素子によれば、下方向レーザ光は光反射層62で反射されるため下方向レーザ光を上方向レーザ光に寄与させることができる。よって高出力化に好適なレーザ素子を製造できる。また、基板60のバンドギャップは活性層34のバンドギャップより大きいので、下方向レーザ光が基板60に光吸収されることを抑制できる。光反射層62は、金メッキに限らず、反射膜や反射コーティングなどで形成されてもよい。また、上述の効果は、下方向レーザ光を上方向レーザ光に変換することにより得られる。よって、例えば、下部クラッド層に光反射層を形成してもよい。図15は、下部クラッド層に光反射層70が形成されたことを示す断面図である。光反射層70は、屈折率の異なる結晶を交互に形成した多層膜である。図16は、反射層において光反射が起こることを示す断面図である。本発明の実施の形態7に係るレーザ素子は少なくとも本発明の実施の形態1に係るレーザ素子と同程度の変形が可能である。また、本発明の実施の形態7に係るレーザ素子に、本発明の実施の形態2乃至5のいずれかに記載の特徴を取り入れてもよい。上記の説明において、発明を分かりやすく説明するため、活性層構造等の細かいエピ構造を記述しなかったが、活性層の構造は、量子井戸構造のSQW、MQWマルチカンタムウエル構造でも良い。また、クラッド層とコンタクト層の間のバンドギャップ緩和のためのバンド不連続緩和層を有する構造でも良い。