成膜装置1内の、ガス導入部材3により、いずれのガスもプロセスチャンバー2に導入されることによって、共通のガス供給装置11のプロセスガスが供給された、特に同様に構成された複数のプロセスチャンバー2にて、1又はそれ以上の成膜されるべき基板5がサセプタ4上に載置され、プロセスチャンバーの天井8とプロセスチャンバーの床9との間の空間で規定されるプロセスチャンバーの高さHが可変であり、かつ層成長率に影響を与える、少なくとも1つの層、特に半導体層を、複数の基板5の上に堆積する方法であって、それぞれのプロセスチャンバー2において、層成長中、連続的に、又は特に短い間隔で、少なくとも1つの基板5の層厚さを測定し、並びにプロセスチャンバーにおいて、同じ厚さの層が堆積されるように、コントローラー12及び調節部材6により、プロセスチャンバーの高さHを変更することを特徴とする方法。層厚さの測定が、空間、及びプロセスチャンバーの天井8を形成するガス導入部材3の開口部18まで、いずれも貫通する光路を形成する、ガス導入部材3の背面壁に配置された光センサー配列17により行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。共通の排出装置20、及びいずれも1つのプロセスチャンバー2に個別に関連付けられている圧力調整装置19を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。プロセスチャンバー2において、MOCVD法が実施されることを特徴とする請求項1、2又は3のいずれかに記載の方法。プロセスチャンバー2にプロセスガスを導入するためのガス導入部材3、及び少なくとも1つの基板5を受容するサセプタ4を、それぞれ有し、プロセスチャンバーの天井8及びプロセスチャンバーの床9の間の空間で規定されるプロセスチャンバーの高さHが調節部材6により調節可能である、複数の同様に構成されたプロセスチャンバー2を有する反応炉ハウジング1、並びにプロセスチャンバー2にプロセスガスを供給する共通のガス供給装置11を具備する、少なくとも1つの層、特に半導体層を、複数の基板5の上に堆積するための装置であって、それぞれのプロセスチャンバー2が、層成長中に、少なくとも1つの基板の層の層厚さを連続的に、又は特に短い間隔で検知可能な層厚さ測定装置10を有し、及び入力値が層厚さ測定装置10により検知された層厚さであり、出力値が調節部材6の設定値である、コントローラー12を具備することを特徴とする装置。サセプタ4の下に配置されたヒーター16、特に該ヒーターがサセプタ4の高さに応じて可動であることを特徴とする請求項5に記載の装置。コントローラー12から調節部材6へ送られる設定値が、層厚さ測定装置17により測定された層厚さに依存していることを特徴とする請求項5又は6に記載の装置。プロセスチャンバーの高さHの変更によっても、層が同じ層厚さに堆積されるよう、コントローラー12が設定されていることを特徴とする請求項5、6又は7のいずれかに記載の装置。本発明の目的は、この方法で堆積された層の層厚さが、全ての基板において実質的に同一となるようにする手段を提供することにある。この種の複数のプロセスチャンバーを有する反応炉のプロセスチャンバーにおいては、異なる層成長を引き起しかねない、緩やかな差を示すことから、層成長を補正するために、それぞれのプロセスチャンバーに個別の処置を講じる必要がある。実験により、成長率は、プロセスガスの配合及び濃度だけでなく、プロセスチャンバーの高さにも依存していることが示されている。上述した問題の本発明による解決は、そのため、層成長中に、連続的に、又は特に短い間隔で、少なくとも1つの基板の層厚さがそれぞれのプロセスチャンバーで測定されることからなる。コントローラー及び調節部材によって、成長中にプロセスチャンバーの高さが変更される。当該変更は、プロセスチャンバーにおいて、層が同じ厚さを有するように堆積することを目的としてなされる。成長率は、プロセスチャンバーの高さが増加すると減少する。例えば、仮に、堆積プロセス中に、1つのプロセスチャンバーにおける層厚さ測定装置によって、そこに堆積された層が、他のプロセスチャンバーに堆積された層よりも即座に厚いと判断された場合、例えば、成長プロセス中に、当該プロセスチャンバーの高さを増加させるために、サセプタを所定幅下げるように、適切な調節値に基づいて、プロセスチャンバーの高さを調節可能な調節部材が、コントローラーによって作動される。これに代わるものとして、コントローラーは、他のプロセスチャンバーの調節部材に、これらの成長率を増加させるために、プロセスチャンバーの高さを減少するように指示を与えることもできる。1又は他の代替手段の選択は、現状のプロセスチャンバーの高さに基づいて行われる。これは、所定の最小値を下回らず、且つ所定の最大値を上回らないようにすべきである。本発明の好ましい形態を詳述すると、層厚さは、プロセスチャンバー内の異なる位置、特に、実質的に回転対称のプロセスチャンバーの中心からの半径方向距離が異なる位置で決定される。当該決定は、好ましくは、特許文献3によって知られている光学測定装置、即ち、光路がいずれも、ガス導入部材の下側にあるガス排出開口部を通るように、ガス導入部材の空間の背面壁に配置される、フォトダイオードアレイによりなされる。しかしながら、層厚さ測定装置は、反応炉ハウジングの外側に配置してもよい。当該測定装置は、光ファイバーによってプロセスチャンバーに接続してもよい。管を通して、センサー表面にあてることによって、光で層厚さを決定することも可能である。本発明による装置は、それぞれ個々のプロセスチャンバーにプロセスガスを供給する、ガス供給配列を有することを特徴とする。それぞれガス導入部材にプロセスガスを供給する、個別計測手段を備えている。ガス導入部材は、下側にガス排出開口部を配置するシャワーヘッド様の基体を有し、そこから、プロセスガス、好ましくは、III族有機金属要素及びV族水素化物がプロセスチャンバー内に導入される。プロセスチャンバーの天井は、ガス導入部材の下面によって構成され、また、プロセスチャンバーの床は、サセプタの上面によって構成されている。1又はそれ以上の成膜されるべき基板がサセプタ上に載置される。実質的に円形のプロセスチャンバーの周りには、ガス排出管によって圧力調整器に接続された、ガス排出リングが延設されている。全てのプロセスチャンバーは、1つの共通の排気ポンプに接続されている。サセプタの下には、サセプタをプロセス温度まで加熱すべく、グラファイトからなるヒーターが設けられている。サセプタの高さ、及びプロセスチャンバーの高さは、調節部材により調節され得る。上述の層厚さ測定装置は、ガス導入部材の後側に設けられ、当該装置は、当該プロセス中、ガス排出開口部から、光学的に層厚さを測定している。しかしながら、層厚さ測定装置は、反応炉ハウジングの外側に設けることもできる。層厚さ測定装置は、次いで光ファイバーでプロセスチャンバーに接続され得る。しかしながら、プロセスチャンバーへの光学的接続は、管による方法でなすことも可能である。管は、不活性ガスで浄化しておいてもよい。コントローラーを備えている。これにより、層厚さ測定装置からの入力測定値が得られる。コントローラーは、調節部材に設定値を供給して、層が同じ層厚さに堆積されるようにすべく、プロセスチャンバーの高さを変更するために、今測定した層厚さを相互に比較する。本発明の好ましい実施形態は、添付図面を参照しながら、以下に説明される。合計4つのプロセスチャンバー2.1、2.2、2.3及び2.4が、ステンレス製の反応炉ハウジング1内に形成されている。それぞれの4つのプロセスチャンバー2.1、2.2、2.3及び2.4は、ガス供給管13により、プロセスガスが個別に供給されている。図では、それぞれのプロセスチャンバーに対して、1つだけの管13が示されている。複数の供給管13を設けることもあり得るが、その場合、全て、1つの共通のガス供給装置11に接続されている。ガス供給装置11は、個別にプロセスガスを計測するために、バルブ及び質量流量測定装置を備えている。反応炉1の合計4つのプロセスチャンバーのそれぞれに、シャワーヘッドの形をした1つの導入部材3が設けられている。その後部板には、光センサー17及び層厚さ測定装置10が取り付けられ、並びに後部板から間隔を隔てて設けられた前部板は、複数のガス排出開口部18を有する。光センサー17の光路は、いくつかのガス排出開口部18を通っている。プロセスガスは、ガス導入部材3の後部板及び前部板の間の空間に入ることが可能で、またプロセスガスは、ガス排出開口部18を通って、プロセスチャンバー2内に流れ込んでいる。サセプタ4は、ガス導入部材3の下面により形成される、プロセスチャンバーの天井8の下に配置され、またサセプタの上面は、プロセスチャンバーの天井8と平行に広がる、プロセスチャンバーの床9を形成している。成膜された1つの基板5は、サセプタ4上に載置されている。しかしながら、同時に成膜された複数の基板をサセプタの上面に載置することも可能である。サセプタ4は、中心軸の周りを回転させることもできる。ヒーター16は、サセプタをプロセス温度まで加熱するために、サセプタの下に配置されている。ヒーター16及びサセプタ4を支持する担体7を備えている。担体7は、調節部材6により、その高さまで動くことが可能で、それにより、サセプタ4をヒーター16と共に、図1において実線で示す位置から鎖線で示す位置まで、上昇させることができる。この結果、プロセスチャンバーの天井8及びプロセスチャンバーの床9の間の距離に相当するプロセスチャンバーの高さHは減少する。プロセスチャンバー2の側壁は、ガス吐出管によって圧力調整器19に接続されている、ガス排出リング21で形成されている。圧力調整器19は、スロットルバルブでもよい。プロセスチャンバー2の全てのスロットルバルブは、共通の排出ポンプ20に接続されている電子コントローラー12が備えられている。電子コントローラー12は、それぞれの層厚さ測定装置10からデータ線14を通って、瞬時に測定した層厚さと一致する値の入力値を受容する。測定装置10が複数の光センサー17を有している場合、コントローラー12は、対応する複数のデータを受容する。コントローラー12は、次いで、それぞれのプロセスチャンバーの平均層厚さを決定する。コントローラー12は、層厚さを相互に比較して、偏差を検知する。コントローラー12が、1つのプロセスチャンバーにおける平均層厚さが他のプロセスチャンバーのそれよりも小さいと判断した場合、又は1つのプロセスチャンバーにおける平均層厚さが他のプロセスチャンバーのそれよりも大きいと判断した場合、コントローラー12は、1又はそれ以上のプロセスチャンバーにおいて、サセプタ4と共にヒーター16を上昇させ、若しくは下降させることからなる適切な処置を講じる。この際、設定値は、データ線15を通って、それぞれの高さ調節部材6に送られる。典型的なMOCVD法においては、キャリアガスとしての水素と共にIII族有機金属要素及びV族水素化物が、ガス導入部材3から、低圧領域に導入され、プロセスチャンバーの高さHが増加したときに、III-V層の成長率が減少する。サセプタ4の上方又は下方への変位によって、成長率を修正することができる。それぞれプロセスチャンバー2.1乃至2.4において、実質的に同一の層厚さの堆積が行われるように、これは全体的になされる。制御は、そのような方法でなされる、即ち、個々のプロセスチャンバー2.1乃至2.4において、実質的に同一の平均成長率であることを特徴とする成長プロセスが行われる。もし、堆積プロセス中のプロセスチャンバー2.1乃至2.4の現在の成長率が相互に異なる場合、プロセスチャンバーの高さは変更される。このように、層厚さが異なっているのを均一にするために、意図的に過剰な補正が行われる。図1に示される好ましい実施形態と異なり、図3に示される好ましい実施形態では、光センサー17は、反応炉ハウジング1の外側に配置されている。ここで示されている好ましい実施形態では、光センサー17は、反応炉ハウジングの天井に設置され、ガス導入部材3を通り抜けるように突き出た管を経由して接続されている。層厚さ測定装置10は、遮られることなく基板とつながるセンサー表面を有している。図3では、それぞれプロセスチャンバー2.1、2.2に対して1つだけの層厚さ測定装置10が示されている。ここで、基板の異なる位置で成長率を測定するために、複数の層厚さ測定装置を備えることもできる。更に図示していない形態では、光センサー17及びプロセスチャンバーの間に光リンクを構成するために、管に代えて、光ファイバーを備えている。更に図示していない形態では、光センサー17が配置されている、後の反応炉の壁に、光の窓だけを備えている。本発明の方法及び本発明の装置を使用して、GaN、AlGaN、InGaN、GaAs、InP、AlGaAs、InGaAs等の層が堆積される。TMGa及びNH3を使用して、GaNが堆積される堆積プロセスについては、成長率rの依存度は、プロセスチャンバーの高さで決定される。図4は、全圧6.6kPa、26.6kPa及び40kPaについて、これに関連する測定値を提供している。高全圧における成長率μm/hが、低成長率の場合よりも、プロセスチャンバーの高さmmに大きく依存していることが見られる。開示された全ての特徴はそれら自体本発明に関連するものである。関連する/付随する、優先権書類先行出願の写しの公開された内容も、全て、これらの書類を併合した特徴を有する本願のクレームを開示する目的を含め、本願の開示に含まれる。それらの選択的な下位の記述における従属クレームは、特にこれらのクレームに基づいて分割出願を行う際に、先行技術に対して、独立した、独創性のある、改良されたものとみなされる。