基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板の分割方法であって、光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、ダイシングテープの表面に貼着された光デバイス基板の中央を通る第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、各ブロック基板に形成されている第1の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、各ブロック基板に形成されている第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、を含み、該第1のレーザー加工溝形成工程と該第2のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法。上述した光デバイス基板を光デバイス層に形成された第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って分割する方法としては、第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する方法が実用化されている。上述した光デバイス基板を構成する移設基板の厚みは120μm程度あり、レーザー光線を照射して切断するには、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を1本の分割予定ラインに対して4~5回実施する必要がある。しかるに、1回目のレーザー加工溝形成工程において全ての分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成した後、2回目以降のレーザー加工溝形成工程をレーザー加工溝に沿って繰り返し実施するが、光デバイス基板はレーザー光線が照射されて溶融した後に冷却されることにより収縮する。このため、分割予定ラインの間隔が縮小してレーザー光線の照射位置がレーザー加工溝から外れることから、時々位置を補正しながらレーザー加工溝形成工程を実施しなければならず、生産性が悪いという問題がある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー加工溝形成工程を実施する際に位置補正を行うことなく光デバイス基板を個々の光デバイスに切断することができる光デバイス基板の分割方法を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板と該基板の表面に光デバイス層が装着され所定の方向に形成された複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイス基板の加工方法であって、光デバイス基板を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程と、ダイシングテープの表面に貼着された光デバイス基板の中央を通る第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程と、各ブロック基板に形成されている第1の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、各ブロック基板に形成されている第2の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、を含み、該第1のレーザー加工溝形成工程と該第2のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、各ブロック基板を全ての第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って切断し個々の光デバイスに分割する、ことを特徴とする光デバイス基板の分割方法が提供される。本発明による光デバイス基板の分割方法においては、光デバイス基板をブロック基板に分割した後に、第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を交互に実施することにより、ブロック基板の収縮の累積を許容値内に収めることができるため、最後の第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を実施するまで位置補正をする必要がなく生産性を向上することができる。以下、本発明による光デバイス基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明による光デバイス基板の分割方法によって加工される光デバイス基板を製造するための光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図1に示す光デバイスウエーハ2は、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板20の表面20aにn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシー基板20の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層211およびp型窒化ガリウム半導体層212からなる光デバイス層21を積層する際に、エピタキシー基板20の表面20aと光デバイス層21を形成するn型窒化ガリウム半導体層211との間にはAlGaN層等からなるバファー層22が形成される。このように構成された光デバイスウエーハ2は、図示の実施形態においてはエピタキシー基板20の直径が50mmで厚みが例えば430μm、バファー層22を含む光デバイス層21の厚みが例えば5μmに形成されている。なお、光デバイス層21は、図1のに示すように所定の方向に形成された複数の第1の分割予定ライン231と該第1の分割予定ライン231と交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ライン232によって区画された複数の領域に光デバイス24が形成されている。なお、図示の実施形態においては、光デバイス24のサイズが1.2mm×1.2mm、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232の幅が50μm、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232の数がそれぞれ41本に設定されている。上述したように光デバイスウエーハ2におけるエピタキシー基板20を光デバイス層21から剥離して移設基板に移し替えるためには、光デバイス層21の表面21aに移設基板を接合する移設基板接合工程を実施する。即ち、図2のおよびに示すように、光デバイスウエーハ2を構成するエピタキシー基板20の表面20aに形成された光デバイス層21の表面21aに、厚みが例えば220μmの移設基板3を接合金属層4を介して接合する。なお、移設基板3としてはモリブデン、銅、シリコン等を用いることができ、また、接合金属層4を形成する接合金属としては金白金クロムインジウムパラジウム等を用いることができる。この移設基板接合工程は、エピタキシー基板20の表面20aに形成された光デバイス層21の表面21aまたは移設基板3の表面3aに上記接合金属を蒸着して厚みが3μm程度の接合金属層4を形成し、この接合金属層4と移設基板3の表面3aまたは光デバイス層21の表面21aとを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ2を構成する光デバイス層21の表面21aに移設基板3の表面3aを接合金属層4を介して接合することができる。なお、移設基板3は、直径が50mmで厚みが220μmに設定されている。上述した移設基板接合工程を実施したならば、光デバイス層21に移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2のエピタキシー基板20を光デバイス層21から剥離する基板剥離工程を実施する。この基板剥離工程は、例えば図3のに示すように上記光デバイスウエーハ2を製造する際にエピタキシー基板20と光デバイス層21の間に形成されたバファー層22に応力を付与することにより、図3のに示すようにエピタキシー基板20を光デバイス層21から分離する。このようにエピタキシー基板と光デバイス層を分離する基板剥離工程は、例えば特開2000-101139号公報に開示されている方法によって実施することができる。以上のようにして、光デバイス層21に移設基板3が接合された光デバイスウエーハ2のエピタキシー基板20を光デバイス層21から剥離することにより、移設基板3の表面に光デバイス層21の表面が接合された光デバイス基板30が形成される。以下、光デバイス基板30を光デバイス層21に形成された第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って分割する光デバイス基板の分割方法について説明する。先ず、光デバイス基板30を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着する光デバイス基板貼着工程を実施する。即ち、図4のおよびに示すように光デバイス基板30を構成する移設基板3の裏面3b側を環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープTの表面に貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された光デバイス基板30は、光デバイス層21が上側となる。上述した光デバイス基板貼着工程を実施したならば、ダイシングテープTの表面に貼着された光デバイス基板30の中央を通る第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー光線を照射し、光デバイス基板30を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程を実施する。このブロック形成工程は、図示の実施形態においては図5に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図5に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52と、チャックテーブル51上に保持された被加工物を撮像する撮像手段53を具備している。上記チャックテーブル51は、上面である保持面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図5において矢印Xで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図5において矢印Yで示す方向に割り出し送りされるようになっている。上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング521の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器522が装着されている。また、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部に装着された撮像手段53は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段によって構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。上述したレーザー加工装置5を用いて上記光デバイス基板30を少なくとも4個のブロック基板に分割するブロック形成工程について、図5乃至図7を参照して説明する。ブロック形成工程は、先ず上述した図5に示すレーザー加工装置のチャックテーブル51上に光デバイス基板30が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル51上にダイシングテープTを介して光デバイス基板30を吸引保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル51に保持された光デバイス基板30は、光デバイス層21が上側となる。なお、図5においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。上述したようにチャックテーブル51上に光デバイス基板30を吸引保持したならば、図示しない加工送り手段を作動して光デバイス基板30を吸引保持したチャックテーブル51を撮像手段53の直下に移動する。チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によって光デバイス基板30のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、光デバイス基板30の所定方向に形成されている第1の分割予定ライン231と、第1の分割予定ライン231に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行するアライメント工程。また、光デバイス基板30に形成されている第1の分割予定ライン231と交差する方向に第2の分割予定ライン232に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。上述したアライメント工程を実施したならば、図6のaに示すようにチャックテーブル51をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、複数の第1の分割予定ライン231における光デバイス基板30の中央を通る第1の分割予定ライン231を集光器522の直下に位置付ける。このとき、図6のaに示すように光デバイス基板30は、光デバイス基板30の中央を通る第1の分割予定ライン231の一端が集光器522の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを図6のに示すように光デバイス基板30を構成する光デバイス層21の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図6のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめるレーザー加工溝形成工程。そして、第1の分割予定ライン231の他端が集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。このようにして、第1の分割予定ライン231の他端が集光器522の直下位置に達した図6のbに示す状態で、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図6のbにおいて矢印X2で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめるレーザー加工溝形成工程。そして、第1の分割予定ライン231の一端が集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程を数回実施することにより、光デバイス基板30は図6のcに示すように中央を通る第1の分割予定ライン231に沿って形成されるレーザー加工溝301によって2分割される。なお、上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。波長:355nm繰り返し周波数:10kHz平均出力:7W集光スポット径:φ10μm加工送り速度:100mm/秒上記加工条件においては、パルスレーザー光線を第1の分割予定ライン231に沿って1回照射することにより、30μm程度のレーザー加工溝を形成することができる。従って、光デバイス基板30を完全切断するには、パルスレーザー光線を1ラインに4回照射すればよい。上述したように光デバイス基板30の中央を通る第1の分割予定ライン231に沿って2分割したならば、チャックテーブル51を90度回動せしめる。そして、図7のaで示すようにチャックテーブル51をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、複数の第2の分割予定ライン232における光デバイス基板30の中央を通る第2の分割予定ライン232を集光器522の直下に位置付ける。このとき、図7のaに示すように光デバイス基板30は、光デバイス基板30の中央を通る第2の分割予定ライン232の一端が集光器522の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを図7のに示すように光デバイス基板30を構成する光デバイス層21の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図7のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめるレーザー加工溝形成工程。そして、第2の分割予定ライン232の他端が集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。このようにして、第2の分割予定ライン232の他端が集光器522の直下位置に達した図7のbに示す状態で、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図7のbにおいて矢印X2で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめるレーザー加工溝形成工程。そして、第2の分割予定ライン232の一端が集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。図示の実施形態における光デバイス基板30においては、このレーザー加工溝形成工程を4回実施パルスレーザー光線を1ラインに4回照射することにより、光デバイス基板30は図7のcに示すように中央を通る第2の分割予定ライン232に沿って形成されるレーザー加工溝302によって切断され、4個のブロック基板30a30b30c30dに分割される。以上のようにして、光デバイス基板30を少なくとも4個のブロック基板30a30b30c30dに分割するブロック形成工程を実施したならば、各ブロック基板30a30b30c30dに形成されている第1の分割予定ライン231に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、各ブロック基板30a30b30c30dに形成されている第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程を実施する。この第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程は、上記図5に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。第1のレーザー加工溝形成工程を実施するには、上記ブロック形成工程を実施した状態から、加工送り手段を作動して4分割されたブロック基板30a30b30c30dをダイシングテープTを介して吸引保持しているチャックテーブル51を撮像手段53の直下に移動する。チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によってブロック基板30a30b30c30dのレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、ブロック基板30a30b30c30dに形成されている第2の分割予定ライン232と、第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行するアライメント工程。また、ブロック基板30a30b30c30dに形成されている第2の分割予定ライン232と交差する方向に第1の分割予定ライン231に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。上述したアライメント工程を実施したならば、図8のaで示すようにチャックテーブル51をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン231を集光器522の直下に位置付ける。このとき、図8のaで示すようにブロック基板30a30b30c30dは、第1の分割予定ライン231の一端が集光器522の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを図8のに示すようにブロック基板30a30b30c30dを構成する光デバイス層21の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図8のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる第1のレーザー加工溝形成工程。そして、第1の分割予定ライン231の他端が図8のbに示すように集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。なお、第1のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記ブロック形成工程におけるレーザー加工溝形成工程と同一条件でよい。この結果、ブロック基板30a30b30c30dには図8のbに示すように第1の分割予定ライン231に沿って深さが30μm程度のレーザー加工溝303が形成される。上述した第1のレーザー加工溝形成工程をブロック基板30a30b30c30dに形成された全ての第1の分割予定ライン231に沿って実施する。この結果、4個のブロック基板30a30b30c30dには、図8のcに示すように全ての第1のレーザー加工溝形成工程に沿って上面から30μm程度のレーザー加工溝303が形成される。次に、第1のレーザー加工溝形成工程が実施されたブロック基板30a30b30c30dをダイシングテープTを介して吸引保持している、チャックテーブル51を90度回動せしめる。そして、4個のブロック基板30a30b30c30dに形成されている第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程を実施する。即ち、図9のaで示すようにチャックテーブル51をパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2の分割予定ライン232を集光器522の直下に位置付ける。このとき、図9のaで示すようにブロック基板30a30b30c30dは、第2の分割予定ライン232の一端が集光器522の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを図9のに示すようにブロック基板30a30b30c30dを構成する光デバイス層21の上面付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段52の集光器522からパルスレーザー光線を照射しつつ図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル51を図9のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる第2のレーザー加工溝形成工程。そして、第1の分割予定ライン231の他端が図9のbに示すように集光器522の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。なお、第2のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記第1のレーザー加工溝形成工程、即ち上記ブロック形成工程におけるレーザー加工溝形成工程と同一条件でよい。この結果、ブロック基板30a30b30c30dには図9のbに示すように第2の分割予定ライン232に沿って深さが30μm程度のレーザー加工溝304が形成される。上述した第1のレーザー加工溝形成工程と第2のレーザー加工溝形成工程とを交互に実施することにより、図9のcに示すように4個のブロック基板30a30b30c30dは全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って形成されたレーザー加工溝303およびレーザー加工溝304によって切断され個々の光デバイスに分割される。図示の実施形態においては、第1のレーザー加工溝形成工程と第2のレーザー加工溝形成工程をそれぞれ4回実施することにより、4個のブロック基板30a30b30c30dは全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って切断され個々の光デバイス24に分割することができる。ここで、従来の分割方法における実験結果について説明する。上記第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程における加工条件と同一の条件で光デバイス基板30の全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って1回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿ってレーザー加工溝を形成した。そして、光デバイス基板30における最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47995μmに収縮した。次に、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って2回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47990μmに収縮した。更に、2回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って3回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、48000μmから47980μmに収縮した。そして、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って4回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、光デバイス基板30を個々の光デバイスに分割した。上述したように従来の分割方法においては、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が20μmとなり、許容値である10μmを超えた。次に、本発明における上述した分割方法における実験結果について説明する。上述したようにブロック形成工程を実施し、光デバイス基板30を4個のブロック基板30a30b30c30dに分割した。4個に分割されたブロック基板30a30b30c30dの全ての第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って上記第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を実施した。そして、各ブロック基板30a30b30c30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23997μmに収縮した。次に、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って形成された全てのレーザー加工溝に沿って2回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板30a30b30c30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23995μmに収縮した。更に、2回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って3回目のレーザー加工溝形成工程を実施し、各ブロック基板30a30b30c30dにおける最初の分割予定ラインから最後の分割予定ラインまでの長さを測定したところ、24000μmから23993μmに収縮した。そして、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって形成された全てのレーザー加工溝に沿って4回目のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、各ブロック基板30a30b30c30dを個々の光デバイスに分割した。上述したように本発明における上述した分割方法においては、3回目のレーザー加工溝形成工程を実施することによって収縮の累積が7μmとなり、許容値である10μm以下であった。以上のように、本発明における上述した分割方法においては、光デバイス基板30をブロック基板30a30b30c30dに分割した後に、第1の分割予定ライン231および第2の分割予定ライン232に沿って第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を交互に実施することにより、ブロック基板30a30b30c30dの収縮の累積を許容値内に収めることができるため、最後の第1のレーザー加工溝形成工程および第2のレーザー加工溝形成工程を実施するまで位置補正をする必要がなく生産性を向上することができる。以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては、光デバイス層を装着する移設基板として金属基板を用いた例を示したが、移設基板としてはSiGeGaAsにおいても効果が確認されている。