回路基板に形成された表面電極と、前記回路基板から信号が伝送される電子部品と、前記表面電極の接合部と半田フィレットを介して接合する接続部を有し、前記電子部品と前記表面電極を接続する接続端子と、を備え、前記接続部は、前記接合部と重なる位置に切り欠きが形成された切り欠き部を有し、前記半田フィレットは、前記切り欠き部の内側面に沿って形成されている端子接続構造。前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさ以下である、請求項1に記載の端子接続構造。前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさよりも小さい、請求項2に記載の端子接続構造。前記切り欠き部において、前記接合部に接合する面から反対側の面に亘って切り欠かれている、請求項2又は3に記載の端子接続構造。前記切り欠き部において、前記接合部に接合する面から反対側の面へ向かって所定幅だけ切り欠かれている、請求項2又は3に記載の端子接続構造。前記切り欠き部は、矩形状の切り欠きが形成されて、凹状の形状を成し、前記凹状の切り欠き部は、前記内側面の角を面取りした面取り部を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の端子接続構造。回路基板に形成された表面電極上に半田を載置するステップと、前記回路基板から信号が伝送される電子部品に取り付けられた接続端子に設けられた切り欠き部が、前記表面電極の接合部に重なるように、前記接続端子を前記表面電極上に載置するステップと、前記半田を溶融して、前記切り欠き部の内側面に沿って半田フィレットを形成し、前記内側面と前記接合部を接合するステップと、を含む、端子接続方法。ところで、接続端子と接合される表面電極の接合部の面積の大きさによっては、下記のような問題が発生しうる。すなわち、接合部の面積が大きい場合には、接続端子と表面電極の接続箇所で局部的なインピーダンスの不整合が生じ、反射波の発生や高周波数特性の劣化という問題が発生しうる。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、接続端子と表面電極の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善しつつ、半田フィレットを適切に形成可能な、新規かつ改良された端子接続構造を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、回路基板に形成された表面電極と、前記回路基板から信号が伝送される電子部品と、前記表面電極の接合部と半田フィレットを介して接合する接続部を有し、前記電子部品と前記表面電極を接続する接続端子と、を備え、前記接続部は、前記接合部と重なる位置に切り欠きが形成された切り欠き部を有し、前記半田フィレットは、前記切り欠き部の内側面に沿って形成されている端子接続構造が提供される。かかる端子接続構造においては、前記接続部は、前記接合部と重なる位置に切り欠きが形成された切り欠き部を有し、前記半田フィレットは、前記切り欠き部の内側面に沿って形成されている。これにより、半田フィレットを十分に形成できると共に、接合部の面積を小さくできる。この結果、接続端子と表面電極の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善することができる。また、前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさ以下である。かかる構成によれば、前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさ以下であるので、接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を効果的に改善できる。また、前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさよりも小さい。かかる構成によれば、前記接合部の面積の大きさは、前記接続部の面積の大きさよりも小さいので、接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合をより効果的に改善できる。また、前記切り欠き部において、前記接合部に接合する面から反対側の面に亘って切り欠かれている。かかる構成によれば、前記切り欠き部において、前記接合部に接合する面から反対側の面に亘って切り欠かれているので、接合部と接続部の接合状態を把握しやすい。また、前記切り欠き部において、前記接合部に接合する面から反対側の面へ向かって所定幅だけ切り欠かれている。かかる構成によれば、前記接合部に接合する面から反対側の面へ向かって所定幅だけ切り欠かれていることで、切り欠き部の剛性が低下することを抑制できる。また、前記切り欠き部は、矩形状の切り欠きが形成されて、凹状の形状を成し、前記凹状の切り欠き部は、前記内側面の角を面取りした面取り部を有する。かかる構成によれば、前記凹状の切り欠き部は、前記内側面の角を面取りした面取り部を有するので、半田フィレットが円滑に形成されやすくなる。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、回路基板に形成された表面電極上に半田を載置するステップと、前記回路基板から信号が伝送される電子部品に取り付けられた接続端子に設けられた切り欠き部が、前記表面電極の接合部に重なるように、前記接続端子を前記表面電極上に載置するステップと、前記半田を溶融して、前記切り欠き部の内側面に沿って半田フィレットを形成し、前記内側面と前記接合部を接合するステップと、を含む、端子接続方法が提供される。かかる端子接続方法においては、前記切り欠き部の内側面に沿って半田フィレットを形成し、前記内側面と前記接合部を接合する。これにより、半田フィレットを十分に形成できると共に、接合部の面積を小さくできる。この結果、接続端子と表面電極の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善することができる。以上説明したように本発明によれば、接続端子と表面電極の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善しつつ、半田フィレットを適切に形成できる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。<回路装置の構成>図1を参照しながら、本実施の形態に係る回路装置100の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係る回路装置100の概略構成を示す図である。回路装置100は、回路基板120上に電子部品110を積層した構成である。回路装置100は、回路基板120と電子部品110の間で、高速に信号を伝送可能である。電子部品110は、接続端子130図1に示す接続端子130A、130B、130C、130Dを介して回路基板120と導電接続されている。回路基板120は、例えばプリント配線板やフレキシブル基板等である。回路基板120には、表面電極122図1に示す表面電極122A、122B、122C、122Dが形成されている。電子部品110は、例えばコネクタやICであり、回路基板120上に実装されている。電子部品110は、導電接続された回路基板120から信号が伝送される。接続端子130は、回路基板120の表面電極122と電子部品110とを接続する。接続端子130は、長手方向の一端部131が電子部品110に接続し、長手方向の他端部132が回路基板120の表面電極122図1に示す表面電極122A、122B、122C、122Dに接続するように、配置されている。接続端子130の他端部132は、半田フィレット140を介して表面電極122の接合部124図1に示す接合部124A、124B、124C、124Dと接合する接続部である。なお、接続端子130の中間部133は、段差を有し、一端部131と他端部132を繋ぐ。図2は、接続端子130の他端部132を示す図である。接続端子130具体的には、図1に示す接続端子130B、130Cの他端部132は、切り欠き部134を有する。切り欠き部134の切り欠きは、表面電極122の接合部124図1に示す接合部124B、124Cと重なる位置に形成されている。また、切り欠き部134は、側面から内側へ向けて矩形状に切り欠かれ、凹状の形状を成している。また、切り欠き部134の切り欠きは、接合部124に接合する面底面から反対側の面上面に亘って切り欠かれている。切り欠き部134の内側の内側面と、表面電極122の接合部124図1に示す接合部124B、124Cとの間には、図1及び図2に示すように半田フィレット140が形成されている。半田フィレット140は、例えばリフロー半田付けによって形成される。本実施の形態において、図1に示すように、半田フィレット140は、切り欠き部134の内側面に沿って形成されている。すなわち、半田フィレット140が他端部132よりも外側には、形成されない。このため、表面電極122の接合部124の面積を他端部132の面積より大きくしなくても、半田フィレット140の形成領域を確保できるので、半田フィレット140を適切に形成できる。図3は、表面電極122B、122Cを示す図である。本実施形態の表面電極122B、122Cの接合部124B、124Cは、それぞれ他端部132B、132Cと重なるように位置する。また、接合部124B、124Cの図3に示す幅Y1、Y2は、それぞれ、他端部132B、132Cの図1に示す幅X1、X2と同じ大きさである。すなわち、接合部124B、124Cの面積の大きさは、他端部132B、132Cの面積の大きさと同じである。上述したように表面電極122B、122Cの接合部124の面積を小さくすることで、表面電極122B、122Cと他端部320の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善することができる。この結果、反射波の発生や高周波数特性の劣化という問題も防止できる。<電子部品の回路基板への実装手順>上述した構成の回路装置100において、接続端子130を介した電子部品110の回路基板120への実装手順について説明する。まず、表面電極122が形成された回路基板120を準備する。そして、表面電極122の接合部124上に、半田フィレットを形成する半田を載置する。その後、接続端子130が取り付けられた電子部品110を準備する。そして、接続端子130の他端部132が接合部124に重なるように、回路基板120上に接続端子130電子部品110を載置する。このとき、接合部124上の半田は、他端部132の切り欠き部134の内側の側面よりも中央側に位置する。その後、加熱処理して、半田を溶融する。溶融した半田は、切り欠き部134の内側面と、接合部124とに接触して、他端部132と接合部124を接合する。このような端子接続方法によれば、切り欠き部134の内側面に沿って半田フィレット140が形成されることとなる。<切り欠き部134の有効性>上述した切り欠き部134の有効性について、図4と図5に示す比較例と対比しながら、説明する。図4は、比較例に係る回路装置200の構成を示す図である。図5は、比較例に係る表面電極222B、222Cを示す図である。比較例に係る回路装置200の接続端子230の他端部232においては、本実施の形態に係る回路装置100とは異なり、切り欠き部が形成されていない。また、比較例における半田フィレット240は、本実施の形態とは異なり、他端部232の周囲に形成されている。なお、図4では、説明の便宜上、4つの接続端子230A~230Dのうち接続端子230B、230Cの他端部232の周囲に形成された半田フィレット240が示されている。一方で、表面電極222の接合部224は、半田フィレット240の形成領域を確保するために、他端部232よりも広く形成されている。すなわち、比較例にかかる接合部224は、本実施の形態に係る接合部124よりも面積が大きい。比較例に示すように接合部224の面積が広い場合には、他端部232と接合部224の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合が生じ、反射波の発生や高周波数特性の劣化という問題が発生する。一方で、局部的なインピーダンスの不整合を改善するため、接合部の面積を小さくすることも検討されうる。しかし、かかる場合には、比較例に示す他端部232の周囲に位置する半田フィレット240の形成が不十分となり、接合の破断やクラック等の不良が発生する恐れがある。これに対して、本実施の形態においては、他端部132に切り欠き部134を設けると共に、切り欠き部134の内側面と接合部124との間に半田フィレット140を形成する端子接続構造を用いている。これにより、半田フィレット140を十分に形成できると共に、接合部124の面積を小さくできる。このため、他端部132と接合部124の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善することができると共に、接合の破断やクラック等の発生も防止できる。次に、図6及び図7に示す本実施の形態と比較例とのシミュレーション結果を対比しながら、切り欠き部134の有効性について更に説明する。図6及び図7に示すシミュレーション結果は、3次元電磁界解析により計算されている。図6は、信号特性を示すSパラメータのシミュレーション結果を示すグラフである。図6aが本実施の形態の場合の結果を示し、図6bが比較例の場合の結果を示す。なお、図6の縦軸はデシベルdBである。Sパラメータは、高周波数電子回路や電子部品の特性を表すためのパラメータであり、信号の透過特性と反射特性を示す。一般的に、Sパラメータにおける信号の透過特性が高く、かつ反射特性が低い程、信号の伝送状態が良好であることが知られている。図6aと図6bを対比すると分かるように、図6aの本実施の形態は、図6bの比較例に比べて、透過特性S21が高く、反射特性S11が低い。例えば、透過特性S21が-3dBである時の周波数は、本実施の形態においては約32GHzであり、比較例においては約12GHzである。すなわち、本実施の形態の方が、高周波数時の信号特性が良い。また、図6aに示すように、本実施の形態の場合には、反射波の発生が抑制される。図7は、周波数が30GHzにおけるアイパターンのシミュレーション結果を示すグラフである。図7aが本実施の形態の場合の結果を示し、図7bが比較例の場合の結果を示す。アイパターンは、信号波形の遷移を多数サンプリングし、重ね合わせたものである。一般的に、波形が同じ位置タイミング、電圧で複数重なっていれば、品質の良い波形であり、波形の位置タイミング、電圧がずれている場合には、品質が悪い波形であることが知られている。図7aと図7bを対比すると分かるように、図7aの本実施形態の場合には波形のずれ量が小さく、図7bの比較例の場合には波形のずれ量が大きい。そして、本実施形態の場合のアイ図7に示すIが大きく開いているのに対して、比較例の場合のアイが小さく開いている。このため、本実施の形態の信号の波形の品質が良い。<変形例>上記では、接続端子130に設けられた切り欠き部として、図2に示す切り欠き部134を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、図8や図9に示す切り欠き部であっても良い。図8は、切り欠き部の第1変形例を示す図である。第1変形例に係る切り欠き部164は、面取り部165を有する。面取り部165は、切り欠き部164の内側面の角を面取りして形成されている。このような面取り部165を設けることで、面取りされていない場合に比べて半田フィレット140が円滑に形成されやすくなり、接合の破断やクラック等をより有効に防止できる。図9は、切り欠き部の第2変形例を示す図である。図9aは、第2変形例に係る切り欠き部174を示し、図9bは、図9aのA-A断面図である。切り欠き部174は、図2示す切り欠き部134とは異なり、切り欠き部の上面174aが切り欠かれていない。すなわち、切り欠き部174において、接合部124に接合する面底面から反対側の面上面174aへ向かって所定幅だけ切り欠かれている。このように切り欠き部174の上面174aを切り欠かないことで、切り欠き部174の剛性を高めることができる。また、上記では、接合部124B、124Cの図3に示す幅Y1、Y2は、それぞれ、他端部132B、132Cの図1に示す幅X1、X2と同じ大きさであるすなわち、接合部124B、124Cの面積の大きさが、他端部132B、132Cの面積の大きさと同じであることとしたが、これに限定されない。例えば、図10に示すような関係であっても良い。図10は、接合部124B、124Cの変形例を示す図である。図10に示すように、変形例に係る接合部124B、124Cの幅Y1、Y2は、他端部132B、132Cの幅X1、X2よりも小さい。すなわち、接合部124B、124Cの面積の大きさが、他端部132B、132Cの面積の大きさよりも小さい。これにより、接合部124B、124Cの面積を更に小さくできるので、接合部124と他端部132の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合をより効果的に改善することができる。なお、本実施の形態の回路装置100においては、接合部124B、124Cの面積の大きさが、他端部132B、132Cの面積の大きさ以下であれば、局部的なインピーダンスの不整合を改善することができる。<まとめ>以上説明したように、本実施の形態に係る回路装置100において、他端部132は、接合部124と重なる位置に切り欠きが形成された切り欠き部134を有し、半田フィレット140は、切り欠き部134の内側面に沿って形成されている。これにより、半田フィレット140を十分に形成できると共に、接合部124の面積を小さくできる。この結果、他端部132と接合部124の接続箇所での局部的なインピーダンスの不整合を改善することができる。本実施の形態に係る回路装置100は、高速の信号を伝送する通信装置や電子計算機等に適用できる。特に、高周波数を用いて信号を伝送する装置に適用する場合に、より効果的である。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。上記では、切り欠き部が、矩形状に切り欠かれていることとしたが、これに限定されない。例えば、切り欠き部は、円形状や他の多角形状に切り欠かれていても良い。