"化学機械研磨CMP組成物の存在下で、ボロンリンシリケートガラスBPSG材料を化学機械研磨する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記CMP組成物が、A無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合体と、B少なくとも1種類の、分散剤又は電荷反転剤であるアニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩と、C少なくとも1種類の界面活性剤と、D水性媒体と、を含む半導体装置の製造方法。前記粒子Aは無機粒子である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子Aはセリア粒子である請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記粒子Aの動的光散乱により測定される平均粒子径が、50nm以上250nm以下である請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記アニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩は、水溶性縮合リン酸塩からなる群より選択される請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記水溶性縮合リン酸塩Bは、一般式Iのメタリン酸塩:[MnPO3n]Iと、一般式II、IIIのポリリン酸塩:MnPnO3n1II、MH2PnO3n1IIIと、からなる群より選択され、Mはアンモニウム、ナトリウム及び/又はカリウムであり、nは2以上10,000以下である請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記アニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩Bは、ポリビニルホスホネート、及び/又は、モノマー単位としてビニルホスホン酸及び他のモノマーを含む共重合体の脱プロトン化体である請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記アニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩Bは、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定される重量平均分子量が1,000ダルトン以上70,000ダルトン以下のポリビニルホスホネートである請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記界面活性剤Cは、水溶性ポリマー界面活性剤である請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記水溶性ポリマー界面活性剤Cは、直鎖又は分岐アルキレンオキシド単独重合体又は共重合体である請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記直鎖又は分岐アルキレンオキシド単独重合体又は共重合体Cは、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドモノマー単位を含むブロック共重合体である請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記CMP組成物のpH値は、4以上10以下である請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記CMP組成物が、A動的光散乱により測定される平均粒子径が50nm以上250nm以下のセリア粒子であって、その量が前記CMP組成物の0.05質量以上1.5質量以下であるセリア粒子と、B分散剤又は電荷反転剤としての水溶性縮合リン酸塩であって、その量が前記CMP組成物の2質量ppm以上150質量ppm以下である水溶性縮合リン酸塩と、C直鎖又は分岐アルキレンオキシド単独重合体又は共重合体である水溶性ポリマー界面活性剤であって、その量が前記CMP組成物の50質量ppm以上5000質量ppm以下である水溶性ポリマー界面活性剤と、D水性媒体と、を含有する請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。ボロンリンシリケートガラスBPSG層及びテトラエチルオルトケイ酸塩TEOS層を化学機械研磨する請求項1~13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、BPSGのTEOSに対する選択性が0.5:1~1:1である半導体装置の製造方法。ボロンリンシリケートガラスBPSG材料を含む基板の化学機械研磨に、請求項1~13のいずれか1項に記載のCMP組成物を使用する方法。本発明の目的の一つは、BPSGの化学-機械研磨に適したCMP組成物及びCMP方法を提供することであって、改善された研磨性能、特にBPSGの高い材料除去速度MRRを実現し、又は、MRR1:1未満の、シリコン酸化物に対するBPSGの優れた選択性以下、BPSG:酸化物選択性と称する、例えば、MRR0.5:1~1:1の範囲の、テトラエチルオルトケイ酸塩TEOSに対するBPSGの選択性、又は、MRR1:1未満の、適切なBPSG:酸化物選択性と高BPSG-MRRとの組み合わせを示す。更に、本発明の目的の一つは、シリコン酸化物例えばTEOS、シリコン窒化物及びポリシリコンを含有する基板の一部としてのBPSGを化学-機械研磨するのに適したCMP組成物及びCMP方法を提供することにある。更に、可能な限り少ない工程数を必要とし、適用が容易であるCMP方法を求めるものである。A無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、B少なくとも1種類の、分散剤又は電荷反転剤chargereversalagentとしてのアニオン性リン酸塩アニオニックホスフェート;anionicphosphate又はホスホン酸塩ホスホネート;phosphonateと、C少なくとも1種類の界面活性剤と、D水性媒体と、を含むCMP組成物の存在下で、ボロンリンシリケートガラスBPSG材料を化学-機械研磨する、半導体装置の製造方法が発見された。このCMP組成物は、以下、Q又はCMP組成物Qと称する。更に、BPSG材料を含む基板の化学-機械研磨のためのCMP組成物Qの使用方法も発見された。好ましい実施形態は、特許請求の範囲及び明細書で説明される。好ましい実施形態の組み合わせは、本発明の範囲内にあると考えられる。半導体装置は本発明の方法により製造可能であり、前記方法は、CMP組成物Qの存在下で、BPSG材料を化学機械研磨する工程を含む。好ましくは、前記方法は、Qの存在下で、BPSG及びシリコン酸化物を研磨する工程を含む。より好ましくは、前記方法は、BPSG、シリコン酸化物、シリコン窒化物及びポリシリコンを含む基板の一部であるBPSG及びシリコン酸化物を、Qの存在下で、化学機械研磨する工程を含む。最も好ましくは、前記方法は、BPSG、TEOS、シリコン窒化物及びポリシリコンを含む基板の一部である、BPSG及びTEOSを、Qの存在下で、化学機械研磨する工程を含む。通常、このBPSGは、BPSGのいかなる種類、態様又は形態であってもよい。このBPSGは、好ましくは、層及び/又は過成長の形態を持つ。このBPSGが層及び/又は過成長の形態の場合、BPSG含有量は、この対応する層及び/過成長に対し、好ましくは90質量を超え、より好ましくは95質量を超え、最も好ましくは98質量を超え、特に99質量を超え、例えば99.9質量を超える。通常、このBPSGは、多様な方法で製造又は得ることが可能である。例えば、BPSGは、国際公開第2003/008665号明細書、又は、M.Kirchhoff,M.Ilg,D.Cote著、マイクロ電子プロセッシングにおけるボロンリンシリケートガラスBPSGの適用、物理化学ブンゼン学会レポート100巻、9版、1434~1437頁、1996年9月に記載された方法で得られる。本発明の方法が、BPSG及び二酸化ケイ素を含む基板の化学機械研磨工程を有する場合、MMRに関し、二酸化ケイ素に対するBPSGの選択性は、好ましくは1:1未満、より好ましくは0.98:1未満、最も好ましくは0.95:1未満、特には0.9:1未満、例えば、0.85:1未満であり、MRRに関し、二酸化ケイ素に対するBPSGの選択性は、好ましくは、0.1:1を超え、より好ましくは0.25:1よりも高く、最も好ましくは0.4:1よりも高く、特には0.55:1よりも高く、例えば、0.65:1よりも高い。この選択性は、例えば、CMP組成物Qの成分B及び/又はCの、濃度及び種類により、そして、pH値のような他のパラメータにより、調整可能である。CMP組成物Qは、BPSG材料を含む基板の化学-機械研磨に使用され、好ましくは、BPSG及びシリコン酸化物を含有する基板の化学-機械研磨、最も好ましくは、BPSG、シリコン酸化物、シリコン窒化物及びポリシリコンを含む基板の一部であるBPSG及びシリコン酸化物の化学-機械研磨、特に、BPSG、TEOS、シリコン窒化物及びポリシリコンを含む基板の一部であるBPSG及びTEOSの化学機械研磨に使用される。BPSG及び二酸化ケイ素を含む基板の研磨にCMP組成物Qを使用する場合、MRRについての二酸化ケイ素に対するBPSGの選択性は、好ましくは1:1未満であり、より好ましくは0.98:1未満であり、最も好ましくは0.95:1未満であり、特には0.9:1未満であり、例えば0.85:1であり、そして、MRRについての二酸化ケイ素に対するBPSGの選択性は、好ましくは0.1:1を超え、より好ましくは0.25:1より高く、最も好ましくは0.4:1より高く、特に0.55:1より高く、例えば0.65:1より高い。CMP組成物Qは、下記の成分A、B、C及びDを含有する。CMP組成物Qは、無機粒子、有機粒子、又は、これらの混合物又は複合物Aを有する。Aは、無機粒子の1種の、異なる種類の無機粒子の混合物又は複合物、有機粒子の1種の、異なる種類の有機粒子の混合物又は複合物、又は、1種以上の無機粒子及び1種以上の有機粒子の混合物又は複合物と、することができる。複合物は、機械的、化学的又は他の方法で互いに結合した、2種以上の粒子を含む複合粒子である。複合物の例は、外側球体シェルの1種類の粒子と、内側球体コアの他の種類の粒子を有するコア-シェル粒子である。通常、粒子Aは、CMP組成物Q中に多様な量で含有可能である。好ましくは、Aの量は、組成物Qの全質量に対し、7wt以下wtは質量を意味する、より好ましくは3wt以下、最も好ましくは1.5wt以下、特には0.7wt以下、例えば0.3wt以下である。好ましくは、Aの量は、組成物Qの全質量に対し、少なくとも0.002wt、より好ましくは少なくとも0.01wt、最も好ましくは少なくとも0.05wt、特には少なくとも0.1wt、例えば、少なくとも0.2wtである。通常、粒子Aは、多様な粒径particlesize分布で含有される。粒子Aの粒径分布は、モノモーダル単頂性又はマルチモーダル多頂性になることができる。マルチモーダル粒径分布の場合、バイモーダル二頂性がしばしば好ましい。本発明のCMP方法の間、容易に再現可能な状態と容易に再現可能な特性プロファイルを得るためには、Aに関し、モノモーダル粒径分布が好ましい。最も好ましいのは、Aがモノモーダル粒径分布を具備することである。粒子Aの平均粒子径は、広い範囲で変更可能である。その平均粒子径は、水性媒体D中のAno粒径分布のd50値であり、動的光散乱技術を使用して測定することができる。d50値は、粒子が原則球体であるとの仮定の下で計算される。平均粒子径分布の幅は、2つの交点間の距離x-軸の単位で付与されるであり、それら交点は、粒径分布曲線極大粒子カウントが100高さとして標準化した場合の、相対的粒子カウントの50高さと、粒子分布曲線とが交差するところである。好ましくは、粒子Aの平均粒子径が好ましくは1000nm以下であり、より好ましくは500nm以下であり、最も好ましくは300nm以下であり、特には250nm以下であり、例えば、220nm以下であり、そして、粒子Aの平均粒子径は、好ましくは少なくとも5nmであり、より好ましくは少なくとも20nmであり、最も好ましくは少なくとも40nmであり、特には少なくとも60nmであり、例えば、少なくとも80nmである動的光散乱技術を用いて測定した場合、HoribaLB550又はマルバーンインスツールメンツ社の高パフォーマンス粒子径測定器HPPSのような機器を用いる粒子Aは多様な形状のものとすることができる。従って、粒子Aを、形状が1種類又は実質1種類のみのとすることできるが、異なる形状を持つ粒子Aとすることも可能である。例えば、異なる形状にした2種類の粒子Aを存在させることもある。例えば、Aは、立方体、角が面取りされた立方体、正八面体、二十面体、小塊、球体等の形状とすることもできるし、それらの形状に更に突起やギザギザがあってもなくてもよい。好ましくは、それらは、突起やぎざぎざが無いあっても非常に少ない球体である。粒子Aの化学的特徴は特に限定されない。Aは、同一の化学的特徴のもの、又は異なる化学的特徴が複合又は混合されたものでもよい。概して、同一の化学的特徴の粒子Aが好まれる。通常、Aは;金属酸化物又は炭化物のような無機粒子メタロイド、メタロイド酸化物又は窒化物を含む、ポリマー粒子のような有機粒子、又は、無機及び有機粒子の複合物又は混合物と、することができる。粒子Aは、好ましくは無機粒子である。それらの中でも、金属又はメタロイドの酸化物及び炭化物が好ましい。より好ましくは、粒子Aは、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マンガン、シリカ、シリコン窒化物、シリコン炭化物、酸化錫、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、ジルコニア、又は、それらの混合物又は複合物である。最も好ましくは、粒子Aは、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、ジルコニア、又は、それらの混合物又は複合物である。特に、Aは、セリア粒子である。例えば、Aは、コロイダルセリア粒子である。典型的には、コロイダルセリア粒子は、湿式沈殿法により製造される。Aが有機粒子、又は、無機及び有機粒子の混合物又はその複合体である他の実施例では、有機粒子としてポリマー粒子が好ましい。ポリマー粒子は、単独-又は共重合体とすることができる。後者は、例えば、ブロック-共重合体、統計コポリマーである。単独-又は共重合体は、例えば、直鎖、分岐、櫛型状、樹枝状、絡み合い又は架橋等の多様な構造を持つことがある。ポリマー粒子は、アニオン性、カチオン性、調整ラジカル、ラジカルフリー機構に基づき、懸濁又は乳化重合法で製造することができる。好ましくは、ポリマー粒子は、ポリスチレン、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリラクトン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリN-アルキルアクリルアミド、ポリメチルビニルエーテル、又は、共重合体モノマー単位として、ビニル芳香族化合物、アクリレート、メタクリレート、マレイン酸無水物アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸、又は、メタクリル酸、若しくはそれらの混合物又は複合物を少なくとも1種類含むのうちの、少なくとも1種類である。これらの中でも、架橋構造を持つポリマー粒子が好ましい。CMP組成物Qは、分散剤又は電荷反転剤Bとして、少なくとも1種類のアニオン性リン酸塩又はホスホン酸を含有し、好ましくは、1~2種類のB、より好ましくは1種類のBを含有する。通常、CMP組成物で使用する分散剤は、懸濁液に添加すると、粒子の分離を改善し、沈降又は凝集を防止する表面-活性化合物である。通常、CMP組成物中の電荷反転剤は、CMP組成物中に存在する研磨粒子の電荷を反転させる能力を持つ化合物である。分散剤又は電荷反転剤Bとしての、アニオン性リン酸塩又はホスホン酸は、CMP組成物Q中で多様な量を含有させることができる。好ましくは、Bの量は、組成物Qの全質量に対し、4000ppm以下ppmは百万分の一を意味する、より好ましくは1000ppm以下、最も好ましくは300ppm以下、特に150ppm以下、例えば80以下である。好ましくは、Bの量は、組成物Qの全質量に対し、少なくとも0.1ppm、より好ましくは少なくとも1ppm、最も好ましくは少なくとも3ppm、特に少なくとも6ppm、例えば少なくとも10ppmである。組成物Qの全質量に対する粒子Aの質量の、組成物Qの全質量に対する分散剤又は電荷反転剤Bとしてのリン酸塩又はホスホン酸塩の質量に対する比は、広い範囲で変更することができる。この比を、以下A/B比と称する。好ましくは、A/B比は、2000:1以下、より好ましくは1000:1以下、最も好ましくは600:1以下、特に400:1以下、例えば、250:1以下である。好ましくは、A/B比は、少なくとも3:1、より好ましくは、少なくとも15:1、最も好ましくは少なくとも60:1、特に少なくとも100:1、例えば少なくとも150:1である。好ましくは、Bは、水溶性縮合リン酸塩からなる群より選択される。水溶性縮合リン酸塩の例は、塩、特に、一般式Iのメタリン酸のアンモニウム、ナトリウム及びカリウム塩、[MnPO3n]I及び、一般式II、IIIのポリリン酸塩であって、MnPnO3n1IIMH2PnO3n1IIIMはアンモニウム、ナトリウム及び/又はカリウムであり、数nは2以上10,000以下である。式I、II又はIIIのポリリン酸塩に関し、数nは、好ましくは、2以上2,000以下、より好ましくは2以上300以下、最も好ましくは2以上50以下、特に2以上15以下、例えば3以上8以下である。特に好ましい水溶性縮合リン酸塩Bの例は、グラハム塩NaPO340-50、カルゴンNaPO315-20カルゴン:Calgon、登録商標、nが約5000のクロール塩NaPO3n、及びヘキサメタリン酸アンモニウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、及びヘキサメタリン酸カリウムである。他の実施形態では、ポリビニルホスホネートポリビニルホスホン酸塩;polyvinylphosphonate、及び/又は、モノマー単位としてビニルホスホン酸及び他のモノマーを含む共重合体の脱プロトン化体がBとして好ましい。ポリビニルホスホネートがBとして使用される場合、下記式IVに係るポリビニルホスホン酸の脱プロトン化体としてのポリビニルホスホネートが好ましい式IV中、nは5以上1000以下の整数、。ポリビニルホスホネート、及び/又は、モノマー単位としてビニルホスホン酸及び他のモノマーを含む共重合体から脱プロトン化体をBとして使用する場合、重量平均分子量は、好ましくは120000ダルトン以下、より好ましくは70000ダルトン以下、最も好ましくは40000ダルトン以下、特に20000ダルトン以下、例えば、13000ダルトン以下であり、重量平均分子量は、好ましくは少なくとも500ダルトン、より好ましくは少なくとも1500ダルトン、最も好ましくは少なくとも4000ダルトン、特に少なくとも7000ダルトン、例えば少なくとも9000ダルトンであるゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。モノマー単位としてビニルホスホン酸及び他のモノマーを含む共重合体から脱プロトン化体をBとして使用する場合、この共重合体は、好ましくは、モノマー単位としてビニルホスホン酸及びアクリル酸を含む共重合体、例えば、非置換ビニルホスホン酸と非置換アクリル酸の共重合により得られるポリビニルホスホン酸-アクリル酸である。CMP組成物Qは、少なくとも1種の界面活性剤C、好ましくは1~2種類の、より好ましくは1種類のCを含有する。通常、CMP組成物に使用する界面活性剤は液体の表面張力、2種類の液体の間又は液体と固体の間の界面張力を低下させる表面活性化合物である。界面活性剤Cは、好ましくは、水溶性ポリマー界面活性剤であり、より好ましくは直鎖又は分岐アルキレンオキシド単独重合体又は共重合体であり、最も好ましくはエチレンオキシド及びプロピレンオキシドモノマー単位を含むブロック共重合体、特に、エチレンジアミンのエチレン-オキシド/プロピレン-オキシド共重合体、特に好ましくは、BASF社製のTetronic登録商標304、Tetronic登録商標904、又はPluronic登録商標PE3500であり、例えば、BASF社製のTetronic登録商標304、Tetronic登録商標904である。モノマー単位としてエチレンオキシド及びプロピレンオキシドを含むブロック共重合体を界面活性剤Cとして使用する場合、その重量平均分子量は、好ましくは、200000ダルトン以下、より好ましくは70000ダルトン以下、最も好ましくは20000ダルトン以下、特に、10000ダルトン以下、例えば7000ダルトン以下であり、また、その重量平均分子量は、好ましくは少なくとも500ダルトン、より好ましくは少なくとも1000ダルトン、最も好ましくは少なくとも1300ダルトン、特に少なくとも1600ダルトン、例えば少なくとも1900ダルトンであるゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。本発明によれば、CMP組成物Qは、水性媒体Dを含む。Dha,1種類の水性媒体、又は、異なる種類の水性媒体の混合物とすることができる。通常、水性媒体Dは、水を含むものであればどのような媒体でもよい。好ましくは、水性媒体Dは、水と、水に対し混和可能な有機溶媒の混合物であり、有機溶媒は、アルコール、好ましくはC1~C3アルコール又はアルキレングリコール誘導体等である。より好ましくは、水性媒体Dは水である。最も好ましくは、水性媒体Dは脱イオン化水である。D以外の成分の量を、全体でCMP組成物のy質量とすると、Dの量は、CMP組成物の100-y質量である。CMP組成物Qは、更に、少なくとも1種類の殺生物剤E、例えば1種類の殺生物剤を任意に含有可能である。通常、殺生物剤は、化学的又は生物的手段により、いかなる有害生物をも、阻止し、無害にし、その制御効果を実行する物質である。好ましくは、Eは、四級アンモニウム化合物、イソチアゾリノンをベースにした化合物、N-置換二酸化ジアゼニウムN-substituteddiazeniumdioxide、又は、N‘-ヒドロキシ-酸化ジアゼニウム塩N’-hydroxy-diazeniumoxidesaltである。より好ましくは、Eは、N-置二酸化ジアゼニウム又はN‘-ヒドロキシ-酸化ジアゼニウム塩である。存在するのであれば、殺生物剤Eは、多様な量で含有させることができる。存在するのであれば、Eの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは0.5質量以下、より好ましくは0.1質量以下、最も好ましくは0.05質量以下、特に0.02質量以下、例えば0.008質量以下である。また、存在するのであればEの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは、少なくとも0.0001質量、より好ましくは、少なくとも0.0005質量、最も好ましくは少なくとも0.001質量、特に少なくとも0.003質量、例えば少なくとも0.006質量である。安定性、研磨性能等の、CMP組成物Q及びQ存在下での方法の特徴は、対応する組成物のpHに影響を受ける。組成物QのpH値は、好ましくは少なくとも4、より好ましくは少なくとも5、より好ましくは少なくとも5.5、特に少なくとも6である。組成物QのpH値は、好ましくは10以下、より好ましくは9以下、より好ましくは8.5以下、特に8以下である。CMP組成物Qは、更に任意に少なくとも1種のpH調整剤Gを含有することができる。通常、pH調整剤Gは、CMP組成物Qに、そのpH値を所望の値に調整する目的で添加される化合物である。好ましくは、CMP組成物Qは、少なくとも1種のpH調整剤Gを含む。好ましいpH調整剤は、無機酸、カルボン酸、アミン塩基、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウム水酸化テトラアルキルアンモニウムを含むである。例えば、pH調整剤Gは、硝酸、硫酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、又は水酸化カリウムである。存在するのであれば、pH調整剤Gは、多様な量で含有させることができる。存在するのであれば、Gの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは10質量以下、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば、0.05質量以下である。存在するのであれば、Gの量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは少なくとも0.0005質量、より好ましくは少なくとも0.005質量、最も好ましくは少なくとも0.025質量、特に少なくとも0.1質量、例えば少なくとも0.4質量である。CMP組成物Qは、必要であれば、多様な他の添加剤をも含むことがあり、他の添加剤は、それに限定さないが、安定剤、摩擦減少剤等を含む。前記他の添加剤は、例えば、CMP組成物で一般に使用されるものであり、当業者に知られたものである。このような添加剤は、例えば分散を安定化させ、又は、研磨性能や異なる層間の選択性を向上させることが可能である。存在するのであれば、前記他の添加剤は、多様な量で含有されることが可能である。好ましくは、前記他の添加剤の全質量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、10質量以下、より好ましくは2質量以下、最も好ましくは0.5質量以下、特に0.1質量以下、例えば0.01質量以下である。好ましくは、前記他の添加剤の全質量は、対応するCMP組成物の全質量に対し、少なくとも0.0001質量、より好ましくは少なくとも0.001質量、最も好ましくは少なくとも0.008質量、特に少なくとも0.05質量、例えば、少なくとも0.3質量である。好ましい一実施形態によれば、BPSG材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法は、CMP組成物の存在下で行われ、そのCMP組成物は下記A~Dを含有する。Aセリア粒子、B分散剤また電荷反転剤である、グラハム塩NaPO340-50、カルゴンNaPO315-20、nが約5000のクロール塩NaPO3n、及びヘキサメタリン酸アンモニウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、及びヘキサメタリン酸カリウムからなる群より選択される水溶性縮合リン酸塩、C少なくとも1種類の界面活性剤、及び、D水性媒体。他の好ましい実施形態によれば、BPSG材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法は、CMP組成物の存在下で行われ、そのCMP組成物は下記A~Dを含有する。Aセリア粒子、B少なくとも1種類の、分散剤又は電荷反転剤としてのアニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩、C直鎖又は分岐アルキレンオキシド単独重合体又は共重合体である、水溶性ポリマー界面活性剤、及びD水性媒体。他の好ましい実施形態によれば、BPSG材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法は、CMP組成物の存在下で行われ、そのCMP組成物は下記A~Dを含有する。Aセリア粒子、B分散剤又は電荷反転剤としての、水溶性縮合リン酸塩、Cエチレンジアミンのエチレン-オキシド/プロピレン-オキシド共重合体である水溶性ポリマー界面活性剤、及び、D水性媒体。他の好ましい実施形態によれば、BPSG材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法は、CMP組成物の存在下で行われ、そのCMP組成物は下記A~Dを含有する。A動的光散乱により測定される平均粒子径が50~250nmであり、CMP組成物中の量が0.05~1.5質量であるセリア粒子、BCMP組成物中の量が2~150質量ppmである、分散剤又は電荷反転剤としての水溶性縮合リン酸塩、CCMP組成物中の量が50~5000質量ppmの、直鎖又は分岐のアルキレンオキシド単独重合体又は共重合体である水溶性ポリマー界面活性剤、及び、D水性媒体。他の好ましい実施形態によれば、BPSG材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法は、CMP組成物の存在下で行われ、そのCMP組成物は下記A~Dを含有する。A動的光散乱により測定される平均粒子径が50~250nmであり、CMP組成物中の量が0.05~1.5質量であるセリア粒子、B分散剤また電荷反転剤である、グラハム塩NaPO340-50、カルゴンNaPO315-20、nが約5000のクロール塩NaPO3n、及びヘキサメタリン酸アンモニウム、ヘキサメタリン酸ナトリウム、及びヘキサメタリン酸カリウムからなる群より選択され、CMP組成物中の量が2~150質量ppmである水溶性縮合リン酸塩、CCMP組成物中の量が50~5000質量ppmの、直鎖又は分岐のアルキレンオキシド単独重合体又は共重合体である水溶性ポリマー界面活性剤、及び、D水性媒体。CMP組成物の調整方法は、通常公知のものでよい。それらの製法は、CMP組成物Qの製造にも適用可能である。これは、上記成分A、B及びCを、水性媒体D、好ましくは水に、分散又は溶解させ、任意に、酸、塩基緩衝液又はpH調整剤を添加してpHを調整し、行うことができる。この目的のためには、通常の、標準的な、混合方法及び混合装置撹拌層、高せん断撹拌羽、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサー等を用いることができる。CMP組成物Qは、好ましくは、水性媒体D中へ、粒子Aの分散、そして、分散剤又は電荷反転剤としての少なくとも1種のアニオン性リン酸塩又はホスホン酸塩B、少なくとも1種の界面活性剤C、任意に他の添加剤を分散及び/又は溶解して作製される。研磨方法は通常公知であって、集積回路を備えたウェハの製造におけるCMP用に、通常使用される方法、機器、条件により行われる。研磨方法を実行可能な機器に関し、制限はない。当該技術において公知のように、CMP工程用の典型的な機器は、研磨パッドで被覆された回転盤からなる。また、環状研磨機も使用されている。ウェハは、キャリア又はチャックに搭載される。処理されるウェハ面は、研磨パッドシングルサイド研磨処理と対面する。止め輪が、ウェハの水平位置を保持する。キャリア下方では、より大径の盤も水平配置され、研磨態様のウェハに対し、水平な面を提供する。盤上の研磨パッドは、平坦化処理の間、ウェハ表面と接触する。材料を除去するため、ウェハは研磨パッドに押し付けられる。キャリア及び盤の両方が、通常、キャリア及び盤から垂直に伸びるそれらの各軸の周囲を回転する。回転キャリア軸は、その位置が、回転盤と相対的に固定されるか、盤に対して水平に振動する。キャリアの回転方向は、通常、必須ではないが盤の回転方向と同じである。キャリアと盤の回転速度は、通常、必須ではないが異なる値に設定される。本発明のCMP方法の間、CMP組成物Qは、通常、連続流又は液滴の様式で、研磨パッドに塗布される。慣習上、盤の温度は10°C以上70°Cに設定される。ウェハ上の荷重は、例えば、バッキングフィルムとしばしば呼ばれるソフトパッドで覆われた鋼製平板により付与可能である。より発展した機器が使用される場合は、空気又は窒素圧で荷重されるフレキシブル膜で、ウェハをパッド上に押し付けてもよい。硬盤設計を備えたキャリアの場合と比べて、ウェハ上のダウン圧力分布がより均一になるので、上記のような膜キャリアは、硬研磨パッドを使用するときには、小さいダウンフォース圧力が好ましい。ウェハ上の圧力分布を制御するオプションを備えたキャリアも、本発明に用いることができる。それらは、通常、互いに独立して、一定程度迄荷重可能な多数の異なるチャンバーと共に設計される。更なる詳細は、国際公開第2004/063301号明細書の、特に、図2に関連し、16頁、段落0036から18頁段落0040を参照のこと。本発明のCMP方法によれば、集積回路を備え、誘電体層を含むウェハが得られ、そのウェハは優れた機能を持つ。CMP組成物Qは、CMP方法において、長い貯蔵寿命を持ち、長期間安定した粒子径分布を示す、使用準備済みのスラリーとして使用することができる。従って、それらは、貯蔵、取扱いが容易である。それらは、特に、BPSGのMRRに関し、MRFが1:1未満についての適切なBPSG:酸化物選択性、例えば0.5:1~1:1の範囲にあるMRRについてのBPSGのTEOSに対する選択性に関し、そして1:1未満より下方のMRRついての高BPSG-MRR及び適切なBPSG:酸化物選択性の組み合わせに関し、優れた研磨性能を示す。その成分量を最小限に抑えることができるので、本発明に係るCMP組成物Q及びCMP方法は、コスト効果的な方法で適用又は使用可能である。<実施例及び比較例>pH電極を用いてpH値を測定したスコット、ブルーライン、PH0-14/-5100°C/3mol/L、塩化ナトリウム。実施例で使用した無機粒子粒子Aとして使用するセリア粒子は、平均粒子径が100nm以上200nmのコロイダルタイプのものである。平均粒子径は、マルバーンインスツールメンツ社の高パフォーマンス粒子径測定器HPPS又はHoribaLB550のような機器を使用し、動的光散乱により測定した。これらセリア粒子は、下記ではセリア粒子A1とする。CMP実験用の通常の手順CMP方法:研磨機器:AMATMirr200mmウェハを研磨可能研磨基板:ボロンリンシリケートガラスBPSGシリコン酸化物、テトラエトキシシランTEOSシリコン酸化物、LPCVDシリコン窒化物及び非晶質ポリシリコンを含む多層基板この基板を、以下、基板S1とする。流量:160ml/分研磨パッド:IC1010-kグローブパッドコンディショナー:3MA166;インサイチュコンディショニング5lbs盤rpm:93rpmキャリアrpm:87rpmダウンフォース:2.0、2.5及び3.0psi研磨時間:60秒研磨する基板の膜厚を、CMの前と後で、ThermawaveOptiprobe2600を用いて測定した。これにより、材料除去速度が得られた。スラリー作製のための標準的な手順:水性研磨組成物Q1~Q7を作製するために、セリア粒子A1、ヘキサメタリン酸ナトリウムセリアのヘキサメタリン酸ナトリウムに対する質量比が200:1を、超純水に分散又は溶解させた。ヘキサメタリン酸ナトリウムは分散剤として使用した。上記混合物に、界面活性剤を、1質量保存溶液stocksolutionと共に添加した。表1:CMP組成物Q1~Q7実施例Q1~Q7のCMP組成物と、そのpH特性を下記表1に示す。ここで、CMP組成物の水性媒体Dは脱イオン化水である。成分A、B、Cの量は、対応するCMP組成物の百万分の一ppm又は質量パーセント質量で特定した。D以外の成分の量が、全体でCMP組成物のy質量である場合、Dの量は、CMP組成物の100-y質量である。aPEG10kは、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCで測定される重量平均分子量が10,000ダルトンのポリエチレングリコールである。bPluronic登録商標PE3500BASF製は、低発泡、ノニオン性界面活性剤であり、その中心ポリプロピレングリコール基の両側に2つのポリエチレングリコール基ある共重合体である。PluronicPE3500の重量平均分子量は1900ダルトンであるゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。cTetronic登録商標304BASF社製は、ノニオン界面活性剤であり、1級ヒドロキシル基中エチレンジアミン末端のエチレン-オキシド/プロピレン-オキシド共重合体である。Tetronic304の重量平均分子量1650ダルトンであるゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。dTetronic登録商標904BASF社製は、ノニオン界面活性剤であり、1級ヒドロキシル基中エチレンジアミン末端のエチレン-オキシド/プロピレン-オキシド共重合体である。Tetronic904の重量平均分子量は6700ダルトンであるゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定。表2:CMP組成物Q1~Q7の研磨性能表2に、CMP組成物Q1~Q7を用いた基板S1の化学-機械研磨処理におけるBPSG/TEOS選択性データを示す。実施例5、6及び8~15では、1よりも低いBPSG/TEOS選択性が得られた。これら実施例のCMP組成物を用いた本発明のCMP方法は、改善された研磨性能を示した。"