ガス通路に流れるガス流量を制御する流量制御装置において、前記ガス通路に接続される主ガス管と、前記主ガス管に流れるガスの流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段と、前記主ガス管に設けられて弁開度を変えることによって流量を制御する流量制御弁機構と、外部より入力される流量指示信号と目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する換算データ記憶部と、外部より入力されるガス種選択信号に基づいて前記複数の換算データから対応する換算データを選択すると共に前記流量指示信号に基づいて前記目標流量を求め、該目標流量と前記流量信号とに基づいて前記流量制御弁機構を制御する流量制御本体と、を備えたことを特徴とする流量制御装置。前記流量指示信号と前記ガス種選択信号とに関して外部と通信を行う通信部を有することを特徴とする請求項1記載の流量制御装置。被処理体に対して処理を施す処理装置において、前記被処理体を収容する処理容器を有して前記被処理体に対して処理を施す処理装置本体と、前記処理容器内を排気する排気系と、途中に請求項1または2記載の流量制御装置が介設され、該流量制御装置の上流側に異なるガス種を流すために開閉弁が介設された複数の分岐ガス路が形成され、下流側が前記処理容器に接続されたガス通路を有するガス供給系と、少なくともガス種に関する情報と設定流量とを含む処理情報を入出力する入出力部を有して装置全体の制御を行う装置制御部と、を備えたことを特徴とする処理装置。前記装置制御部は、前記ガス種に関する情報に基づいてガス種選択信号を形成することを特徴とする請求項3記載の処理装置。前記装置制御部は、ガス種と前記開閉弁とが予め関連づけられており、前記ガス種に関する情報として前記開閉弁を特定することによりガス種を特定できるようになされていることを特徴とする請求項4記載の処理装置。前記装置制御部は、表示部を有し、流量を最大に流すことができるフルスケールの流量がガス種に応じて表示するようになされていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一項に記載の処理装置。前記装置制御部は、動作の手順が予め規定されたプロセスレシピにおける各工程と用いるガス種とが予め関連付けられており、前記ガス種に関する情報として前記プロセスレシピの工程を特定することによりガス種を特定できるようになされていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一項に記載の処理装置。ところで、上記した流量制御装置にあっては、ガスの流れに伴って発生する熱移動量に基づいて流量を制御するようにしているので、使用するガス種の比熱が異なると、これに伴ってガス流量が変わってしまう。従って、従来の流量制御装置にあっては、ある基準となるガス種、例えばN2ガスに基づいた他の種々のガス種の補正値、すなわちコンバージョンファクタ以下CF値とも称すが予め定められている。そして、流量制御装置の納入時には、利用者のオーダ時に指定したガス種のCF値に基づいて求められた換算データが記憶されている流量制御装置が納入されていた。そして、実際の処理装置では、多種多用のガスが用いられるのが現状であり、このような場合に、設備コスト削除のために一台の流量制御装置で、納入時に定められたガス種に加えて、このガス種以外の他の1又は複数のガス種に対しても流量制御を行わせるような使用態様を採用する場合がある。このような場合には、処理装置のオペレータは、新たに流量制御しようとするガス種に対応する上記CF値に基づいて別途手計算で補正流量を求め、この補正流量を入力して記憶させるようにしていた。しかしながら、このCF値は、流量制御装置のメーカやモデルによっても異なっているので、入力に際して計算が煩雑であるばかりか、計算ミスも誘発する、といった問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことが可能な流量制御装置及びこれを用いた処理装置である。請求項1に係る発明は、ガス通路に流れるガス流量を制御する流量制御装置において、前記ガス通路に接続される主ガス管と、前記主ガス管に流れるガスの流量を検出して流量信号を出力する流量検出手段と、前記主ガス管に設けられて弁開度を変えることによって流量を制御する流量制御弁機構と、外部より入力される流量指示信号と目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する換算データ記憶部と、外部より入力されるガス種選択信号に基づいて前記複数の換算データから対応する換算データを選択すると共に前記流量指示信号に基づいて前記目標流量を求め、該目標流量と前記流量信号とに基づいて前記流量制御弁機構を制御する流量制御本体と、を備えたことを特徴とする流量制御装置である。これにより、ガス通路に流れるガスの流量を制御する流量制御装置において、被処理体の具体的な処理態様を表すプロセスレシピの作成時に従来行われていたコンバージョンファクタ値を用いた煩雑な手計算等を不要にすることが可能となり、従って、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことが可能となる。請求項3に係る発明は、被処理体に対して処理を施す処理装置において、前記被処理体を収容する処理容器を有して前記被処理体に対して処理を施す処理装置本体と、前記処理容器内を排気する排気系と、途中に請求項1または2記載の流量制御装置が介設され、該流量制御装置の上流側に異なるガス種を流すために開閉弁が介設された複数の分岐ガス路が形成され、下流側が前記処理容器に接続されたガス通路を有するガス供給系と、少なくともガス種に関する情報と設定流量とを含む処理情報を入出力する入出力部を有して装置全体の制御を行う装置制御部と、を備えたことを特徴とする処理装置である。本発明に係る流量制御装置及び処理装置によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。ガス通路に流れるガスの流量を制御する流量制御装置において、被処理体の具体的な処理態様を表すプロセスレシピの作成時に従来行われていたコンバージョンファクタ値を用いた煩雑な手計算等を不要にすることができ、従って、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことができる。以下に、本発明に係る流量制御装置及び処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明に係る流量制御装置を用いた処理装置を示す概略構成図、図2は本発明に係る流量制御装置を示すブロック構成図、図3は流量制御装置の換算データ記憶部に記憶された換算データの一例を示すグラフである。図1に示すように、本発明に係る処理装置2は、被処理体である例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハWに対して処理を施す処理装置本体4を有している。この処理装置本体4は、例えば石英等の耐熱部材により有天井の円筒体状に成形された処理容器6を有している。この処理容器6内には、保持手段として例えばウエハボート8が設けられており、このウエハボート8に上記半導体ウエハWが複数枚、多段に支持されている。この処理容器6の下端の開口部は、上記ウエハボート8を支える蓋部10により気密に密閉されている。この蓋部10は、図示しないボートエレベータにより昇降可能になされており、上記蓋部10と共にウエハボート8を一体的に昇降させ、ウエハボート8を処理容器6内へロード及びアンロードできるようになっている。上記処理容器6の周辺部には、円筒体状の加熱手段12が設けられており、内側のウエハWを所定の温度に加熱し、維持するようになっている。また処理容器6の下部側壁には、処理容器6内へガスを導入するガス導入ポート14とガス排気ポート16とが設けられている。上記ガス排気ポート16には、処理容器6内の雰囲気を排気する排気系18が設けられる。具体的には、上記排気系18は、上記排気ポート16に接続された排気通路20を有しており、この排気通路20には、圧力制御弁22及び排気ポンプ24が順次介設されている。この場合、処理の態様によって、処理容器6内は大気圧前後の圧力になされたり、或いは真空雰囲気になされる。そして、上記ガス導入ポート14には、処理に必要なガスを上記処理容器6内へ供給するガス供給系26が設けられている。図示例では、ガス供給系26は1つしか記載していないが、実際には使用する複数のガス種に対応させて複数のガス供給系26が設けられることになる。上記ガス供給系26は、上記ガス導入ポート14に接続されたガス通路28を有しており、このガス通路28の途中には、本発明に係る流量制御装置30が介設されており、後述するように複数のガス種の流量を制御するようになっている。この流量制御装置30の構成については後述する。この流量制御装置30よりも下流側のガス通路28には、このガス通路28を開閉する第1の開閉弁V1が介設されている。また、このガス通路28の上流側は、複数、ここでは2つの分岐ガス路32、34が形成されており、各分岐ガス路32、34の途中にはこの分岐ガス路32、34を開閉するためにそれぞれ第2及び第3の開閉弁V2、V3が介設されている。そして、上記分岐ガス路32、34には、それぞれ異なるガス種、例えばAガスとBガスとを流すようになっている。従って、上記開閉弁V2、V3を切り替えることによってAガスとBガスとを選択的に流すことができるようになっている。図示例では、一方の分岐ガス路32にAガスを流し、他方の分岐ガス路34にはBガスを流すようになっている。尚、上記分岐ガス路は2つに限定されず、更に多くの分岐ガス路を設けて、更に多くの異なるガス種を流すことができるようにしてもよい。また、上記流量制御装置30と第1の開閉弁V1との間のガス通路28と、排気系18の圧力制御弁22と排気ポンプ24との間の排気通路20とを連結してベント管36が接続されており、処理容器6内を介することなくガスを排気系18に流すことができるようになっている。またこのベント管36の途中には、これを開閉する第4の開閉弁V4が介設されている。そして、この処理装置2は、この装置全体を制御する装置制御部40を有している。この装置制御部40は、例えばコンピュータ等よりなり、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体42に記憶されている。この記憶媒体42は、例えばフレキシブルディスク、CDCompactDisc、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。具体的には、この装置制御部40からの指令により、各ガスの供給の開始、停止や流量制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。更に、上記装置制御部40は、制御に必要な各種の処理情報、例えばガス種に関する情報や設定流量や各開閉弁の開閉の動作のタイミング等を入力したり、装置側よりオペレータ側に対して必要な処理情報を出力したりするための入出力部44を有している。また、この入出力部44には、必要な情報を視覚的に見るための表示部46が設けられている。例えばこの表示部46では、流量制御装置30において流す各種のガスの最大流量フルスケールを切り替え可能に表示できるようになっている。上記入出力部44は、例えばテンキー等を有し、各種の数値も入力できるようになっており、プロセスレシピに関する各種の処理情報を入力したり、訂正できるようになっている。このような入出力部44は、例えばタッチパネルセンサで構成してもよい。上記装置制御部40のメモリでは、用いられるガス種と上記開閉弁との関係が予め関連づけられており、ガス種に関する情報として例えば開閉弁を指定することにより、用いるガス種を特定できるようになっている。例えばプロセスレシピにおいて第2の開閉弁V2を開く指令を入力すれば、Aガスを流すことを意味し、第3の開閉弁V3を開く指令を入力すれば、Bガスを流すことを意味することになる。そして、この装置制御部40では、上記ガス種が特定されると、特定されたガス種を示すガス種選択信号Sa及びそのガス種の流量を示す流量指示信号Sbを上記流量制御装置30に向けて通信ライン48を介して送信できるようになっている。上記装置制御部40は、上記したような通信を行うために通信ボード40Aを有している。ここでは、この通信ボード40Aは、例えばデジタル通信を行うことができるようになっている。このデジタル通信の規格としては例えばRS485等が用いられる。<流量制御装置の構成>次に、上記流量制御装置30の構成について、図2及び図3も参照して説明する。この流量制御装置30は、上記ガス通路28の途中に介設されて、両端が上記ガス通路28の上流側と下流側に接続される主ガス管50を有しており、この両端のフランジ50Aで上記ガス通路28に接続されている。この流量制御装置30内には、更に、上記主ガス管50に流れるガスの流量を検出して流量信号S1を出力する流量検出手段52と、上記主ガス管50に設けられて、ガスの流量を制御する流量制御弁機構54と、外部より入力される流量指示信号Sbと目標流量との関係を表すための、複数のガス種に対応した複数の換算データを記憶する本発明の特徴とする換算データ記憶部56と、外部より入力されるガス種選択信号Saに基づいて上記複数の換算データから対応する換算データを選択し、更に流量指示信号Sbに基づいて目標流量を求め、この目標流量と上記流量信号S1とに基づいて上記流量制御弁機構54を制御する流量制御本体58を有している。更に、上記流量制御本体58は、外部との通信を行う通信部60が接続されており、前述したように装置制御部40側と双方向で通信デジタル通信を行うようになっている。上記流量検出手段52は、主ガス管50の途中に介設されたバイパス管62と、このバイパス管62を迂回するように両側に接続されたセンサ管64とを有しており、主ガス管50内を流れるガス流量を上記両管62、64で一定の比率で分配するようになっている。上記センサ管64には、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗線66が長さ方向に沿って巻き付けられており、この抵抗線66がセンサ回路68に接続されている。そして、上記センサ回路68には、ブリッジ回路図示せずが設けられており、上記抵抗線66に定電流を流した状態でセンサ管64内にガスが流れることによって生ずる熱移動量を上記抵抗線66の抵抗変化として上記ブリッジ回路で検出し、これに基づいて実際に流れているガス流量を検出するようになっている。そして、このセンサ回路68は、上記検出したガス流量を流量信号S1として上記流量制御本体58に向けて出力するようになっている。また、上記流量制御弁機構54は、上記主ガス管50の途中に介設された流量制御弁70を有している。この流量制御弁70は、例えば弁口に対して薄い金属板よりなるダイヤフラム図示せずを接近及び離間させることにより弁開度を調整できるようになっており、上記ダイヤフラムは、例えばピエゾ素子等の圧電素子よりなるアクチュエータ72により上記弁開度が調整される。上記アクチュエータ72は、バルブ駆動回路74からの駆動電流によって動作されるようになっている。上記換算データ記憶部56には、例えば図3に示すような流量指示信号と目標流量との関係を表すための換算データが予め記憶されている。ここでは複数のガス種、すなわちAガスとBガスの2種類のガス種の直線的な換算データが記憶されている。ここでは換算データは、本発明の理解を容易にするためにグラフとして表されており、横軸に外部より入力される流量指示信号Sbをとり、縦軸に目標流量がとられている。この流量指示信号Sbは、アナログ信号の場合には、0~5ボルトの範囲内で示されており、電圧の大きさに応じた目標流量となるように設定されている。5ボルトの時の流量がフルスケールとなり、そのガス種を流すことができる最大流量となっている。従って、ここではAガスの場合にはフルスケールで1000sccmの流量で流すことができ、Bガスの場合にはフルスケールで2000sccmの流量で流すことができることになる。上記流量指示信号Sbがデジタル信号の場合には、上記グラフの横軸は、アナログ信号の0~5ボルトに対応した値となっている。ちなみに、Aガスは例えばモノシランガスに対応し、BガスはN2ガスに対応している。この直線状の換算データは、ガス種によって傾きが異なっている。尚、ここでは複数の換算データとして発明の理解を容易にするために直線状のグラフを用いたが、これに限定されず、上記グラフの数値を示す表や関数等でもよく、更には上記数値を表すことができる全てのものを換算データとして用いることができる。そして、上記流量制御本体58は、例えばコンピュータ等よりなり、外部より入力されるガス種選択信号Saに基づいて図3中のAガスの換算データを用いるのか、Bガスの換算データを用いるのかを選択する。更に、図3中において選択された換算データと外部より入力される流量指示信号Sbとに基づいて目標流量を求めることになる。そして、この目標流量を実現するように、バルブ駆動回路74に向けてバルブ駆動信号S2を出力してガス流量をフィードバックにより例えばPID制御するようになっている。<動作の説明>次に、以上のように構成された処理装置2の動作について説明する。まず、オペレータは、半導体ウエハWの処理すべき手順を示すプロセスレシピをコンピュータに読み取り可能なプログラムとして入出力部44から入力し、例えば記憶媒体42に記憶させておく。このプロセスレシピを外部より通信により入力する場合もある。このプロセスレシピには、この処理装置2の全体の各構成部品の動作の手順、すなわち各工程の手順が予め規定されている。そして、プロセスレシピの入力時には、処理時のプロセス圧力、プロセス温度、プロセス時間、用いるガス種ガス種に関する情報、各ガス種の流量設定流量、各開閉弁の開閉動作等のプロセス条件なども入出力部44より入力できるようになっている。また、上記装置制御部40は、動作の手順が予め規定されたプロセスレシピにおける各工程と用いるガス種とが予め関連付けられており、上記ガス種に関する情報として前記プロセスレシピの工程を特定することによりガス種を特定できるようになされている。すなわち、工程毎に用いるガス種が予め定められている。また、各ガス種の流量は、記憶媒体42に含まれる書き替え可能なテーブルやプロセスレシピに記載されており、これを参照することによりガス流量が決定される。ここで、入出力部44にて、使用するガス種及びその流量を設定する場合について説明する。例えばAガスを所定の流量、例えば400sccmで所定の時間だけ流し、その後でBガスを所定の流量、例えば1000sccmで所定の時間だけ流すように設定する場合を例にとって説明する。まず、入出力部44において、ガス種に関する情報として第2の開閉弁V2を開状態にする指示を入力し、設定流量として400sccmにする指示を入力すると、この装置制御部40においては、第2の開閉弁V2=Aガス及び第3の開閉弁V3=Bガスとして予め関連づけられているので、Aガスを400sccm流すという指示が入力されたことになる。また同様にして、ガス種に関する情報として第3の開閉弁V3を開状態にする指示を入力し、設定流量として1000sccmにする指示を入力すると、この装置制御部40においては、Bガスを1000sccm流すという指示が入力されたことになる。上記情報を入力する操作の際、第2の開閉弁V2を開状態にする指示を入力すると、装置制御部40ではAガスを特定して認識するので、Aガスを流すことができる最大流量、すなわちフルスケールの値として1000sccmを表示部46に表示させる。従って、オペレータは、表示されたこのフルスケールの値を参照することによって、これよりも大きな値を入力することはなく入力ミスが発生することを防止することができる。また同様に、第3の開閉弁V3を開状態にする指示を入力すると、装置制御部40ではBガスを流すことを認識するので、Bガスを流すことができる最大値、すなわちフルスケールの値として2000sccmを表示させる。従って、オペレータは、表示されたこのフルスケールの値を参照することによって、これよりも大きな値を入力することはなく入力ミスが発生することを防止することができる。以上のような指示内容を含むプロセスレシピが上記記憶媒体42に記憶される。そして、実際に半導体ウエハWの処理を行う場合には、この記憶媒体42に記載されたプロセスレシピに沿って処理が行われることになる。さて、実際に半導体ウエハWに対して処理が実行されて、各ガスを流す工程になった場合について説明する。まず、プロセスレシピに基づいて装置制御部40からAガスを400sccm流す指示を出力する場合には、装置制御部40の通信ボード40Aからは通信ライン48を介して流量制御装置30に向けてガス種選択信号Saと流量指示信号Sbが出力される。この場合、ガス種選択信号SaはAガスを選択する内容となっている。また流量指示信号Sbは400sccmを指示する内容となっている。尚、この際、分岐ガス路32の第2の開閉弁V2は開状態になされ、Aガスを流す準備がなされる。上記両信号は、流量制御装置30の通信部60で受信されて流量制御本体58に伝えられる。この流量制御本体58では、上記ガス種選択信号Saと流量指示信号Sbに基づいて上記換算データ記憶部56に記憶される図3に示す換算データからAガス用の換算データを選択し、この時の目標流量を求める。ここでは、上記通信はデジタル通信でなされているので、流量指示信号Sbは、アナログ信号の場合の2ボルトに相当する内容となっている。図3中においてAガスの換算データの直線とアナログ信号の場合の2ボルトに相当する部分の交点として目標流量として400sccmが求められることになる。そして、流量制御本体58は、流量制御機構54のバルブ駆動回路74にバルブ駆動信号S2を出力することにより、アクチュエータ72を駆動して流量制御弁70を開いてAガスを流すと同時に、流量検出手段52のセンサ回路68からの流量信号S1をフィードバック信号としてPID制御を行い、Aガスを目標流量である400sccmだけ安定的に流すようになっている。この際、センサ回路68で検出された流量信号S1は、上記した制御に用いられるのみならず、確認のために通信部60より装置制御部40へ送信されている。ここで上記流れの主要部を簡単に説明すると、以下のようになる。[ガス種に関する情報開閉弁を特定/補正流量の入力ガス種の特定]→[ガス種選択信号Sa/流量支持信号Sbの送信]→[特定のガス種の目標流量の特定]→[目標流量になるようにフィードバックによるPID制御]そして、Bガスを流す場合も上記したと同様に行われる。すなわち、また、プロセスレシピに基づいて装置制御部40からBガスを1000sccm流す指示を出力する場合には、装置制御部40の通信ボード40Aからは通信ライン48を介して流量制御装置30に向けてガス種選択信号Saと流量指示信号Sbが出力される。この場合、ガス種選択信号SaはBガスを選択する内容となっている。また流量指示信号Sbは1000sccmを指示する内容となっている。尚、この際、分岐ガス路34の第3の開閉弁V3は開状態になされ、Bガスを流す準備がなされる。上記両信号は、流量制御装置30の通信部60で受信されて流量制御本体58に伝えられる。この流量制御本体58では、上記ガス種選択信号Saと流量指示信号Sbに基づいて上記換算データ記憶部56に記憶される図3に示す換算データからBガス用の換算データを選択し、この時の目標流量を求める。ここでは、上記通信はデジタル通信でなされているので、流量指示信号Sbは、アナログ信号の場合の2.5ボルトに相当する内容となっている。図3中においてBガスの換算データの直線とアナログの場合の2.5ボルトに相当する部分の交点として目標流量として1000sccmが求められることになる。そして、流量制御本体58は、流量制御機構54のバルブ駆動回路74にバルブ駆動信号S2を出力することにより、アクチュエータ72を駆動して流量制御弁70を開いてBガスを流すと同時に、流量検出手段52のセンサ回路68からの流量信号S1をフィードバック信号としてPID制御を行い、Bガスを目標流量である1000sccmだけ安定的に流すようになっている。この際、センサ回路68で検出された流量信号S1は、上記した制御に用いられるのみならず、確認のために通信部60より装置制御部40へ送信されている。上記のように、Bガスの流れもAガスの場合と同じである。従来の流量制御装置においては、換算データとしては1の換算データ、例えばAガス用のみの換算データが設定されていたことから、Bガスを流す場合には、オペレータが流したいBガスの流量、すなわち1000sccmをコンバージョンファクタの値で補正して補正流量を求め、この補正流量を入力しなければならないことから、オペレータにとって煩雑であったり、補正流量を求めるときに間違いが生じたりする恐れがあった。しかしながら、本発明にあっては、例えばBガスを流す場合にコンバージョンファクタの値で補正流量を求める必要がないので、オペレータにとって煩雑さをなくすことができることになる。このように、本発明においては、ガス通路28に流れるガスの流量を制御する流量制御装置30において、被処理体Wの具体的な処理態様を表すプロセスレシピの作成時に従来行われていたコンバージョンファクタ値を用いた煩雑な手計算等を不要にすることができ、従って、煩雑な操作を行うことなく複数のガス種に対して流量制御を行うことができる。尚、上記実施例にあっては、第2及び第3の開閉弁V2、V3とガス種、すなわちAガス及びBガスとを予め関連づけておき、ガス種に関する情報として、開状態にすべき開閉弁を特定することにより、用いるガス種も特定するようにしていたが、これに限定されず、ガス種に関する情報として用いるガス種を直接入力するようにしてもよい。この場合には、例えば第2及び第3の開閉弁V2、V3に対しても、個別に開閉動作を指示することになる。このように、入出力部44へ入力する入力態様は特に限定されるものではない。また、上記実施例では2種類のガス種を用いる場合を例にとって説明したが、これに限定されず、3種類以上のガス種に対しても本発明を適用することができる。この場合には、換算データ記憶部56には、3種類以上のガス種に対応する換算データが予め記憶されることになる。また、上記実施例では、流量制御装置30と装置制御部40とは、デジタル通信を行う場合について説明したが、これに限定されず、アナログ通信で行うようにしてもよいのは勿論である。また、ここでは半導体ウエハを一度に複数枚処理するバッチ式の処理装置を例にとって説明したが、これに限定されず、半導体ウエハを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置についても本発明を適用することができる。<実際の成膜時の動作の一例>ここで実際の成膜時の動作の一例について説明する。ここではシリコンナイトライド膜SiN膜を成膜する場合を例にとって説明する。図4はSiN膜を成膜する時の各ガスの供給形態の一例を示すタイミングチャートである。ここではガス種の一例としてアンモニア[NH3]図4A、ジクロルシラン[DCS]図4B、窒素[N2]図4Cを用いている。従って、図1に示すようなガス供給系26として上記3種類のガス種に対応するガス供給系が設けられており、そのいずれのガス供給系にも先に説明したようにガス種に対応した流量制御装置30が設けられる。また、処理装置全体の動作は1つの装置制御部40により行われる。前述したように、この成膜処理の各工程の手順を規定するプロセスレシピは、例えば予めコンピュータに読み込ませている。そして、各工程毎に用いるガス種は、工程をプロセスレシピにより特定することにより予め定められている。更には、各工程毎のガス流量も予め定められている。図4中では開は、対応するガス種を処理容器6内へ導入するための開閉弁を開くことを意味し、閉はそれを閉じることを意味する。各ガス種選択信号Sa及び流量指示信号Sbは、プロセスレシピに従って各工程毎に送出され、前述したように図3に示す換算データのグラフを参照することにより実際の目標流量が求められて制御される。まず、未処理の半導体ウエハWをアンロードされているウエハボート8に移載すると、このウエハボート8を上昇させて処理容器6内へロードし、処理容器6内を蓋部10で密閉する。このウエハボート8には、例えば50~150枚程度のウエハWが保持されている。そして、リークチェック等を行った後に、実際の成膜処理へ移行する。まず、加熱手段12によりウエハWをプロセス温度まで昇温し、この温度を維持する。そして、アンモニアのプリパージ工程では、アンモニアと窒素ガスの各開閉弁を開いて上記両ガスをそれぞれ所定の流量で流してプリパージ工程を行なう。このプリパージ工程の後は、更に両ガスを継続して流してアンモニアの本パージ工程を行なう。そして、次に上記両ガスに加えて、DCSガスの開閉弁を開いてDCSガスを所定の流量で流してプリ成膜工程を行なう。更に上記3つのガスを継続的に流し本成膜工程を行なう。これにより、ウエハWの表面にはシリコン窒化膜が形成されることになる。上記各工程では、前述したように各工程毎にそれぞれのガス流量が設定されている。そして、上記成膜工程が完了したならば、DCSガスの開閉弁を閉じてこのガスの供給を停止し、他の2つのアンモニアと窒素ガスはそのまま継続して流してアンモニアのパージ工程を行なう。そして、このパージ工程が終了したならば、アンモニアの開閉弁と窒素ガスの開閉弁を共に閉じて両ガスの供給を停止する。この状態で排気系18のみを継続して動作して処理容器6内の雰囲気を低圧まで真空排気する真空排気工程を行なう。その後、再び窒素ガスの開閉弁を開いて窒素ガスを処理容器6内へ導入することにより処理容器6内を大気圧復帰させ、ウエハボード8を降下させることにより処理済の半導体ウエハWを処理容器6内からアンロードして1バッチの成膜処理を完了することになる。上記成膜処理は、処理の一形態を単に一例として示した過ぎず、本発明は他の処理態様にも全て適用できるのは勿論である。尚、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。