電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を囲むように形成された枠体と、前記枠体に形成され互いに第1隙間で離れる一対の引出電極と、前記枠体における前記第1隙間に対応する位置に形成され外周から凹んだ第1キャスタレーションとを有する圧電振動フレームと、前記枠体の一主面に接合される第1端面と、前記第1端面の反対側の実装面と、前記圧電振動フレームの前記第1キャスタレーションに対応する位置に形成され外周から凹んだ第2キャスタレーションと、前記実装面及び第2キャスタレーションに形成される一対の実装端子と、前記第1端面に形成され互いに第2隙間離れ前記一対の実装端子にそれぞれ導電される一対の接続電極とを有する第1板と、を備え、前記圧電振動フレームの前記引出電極と前記第1板の前記接続電極とが接合され、前記第1キャスタレーションに封止材が配置される圧電デバイス。前記第1キャスタレーションの体積は前記第2キャスタレーションの体積より大きい請求項1に記載の圧電デバイス。前記封止材は、前記第1隙間及び前記第2隙間の一部又は全部を埋めるように配置される請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイス。前記封止材は、前記第2キャスタレーションに配置される請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームの前記引出電極と前記第1板の前記接続電極との間には導電性のある共晶金属が配置される請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームは、前記圧電振動片と前記枠体とを連結する連結部と、前記圧電振動片と前記枠体との間の貫通開口部とをさらに有し、前記圧電振動片の他主面に形成される前記引出電極は前記連結部及び前記貫通開口部を介して前記枠体の前記一主面まで伸びて形成される請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記第1板には外周から凹んだ第3キャスタレーションを有し、前記接続電極は前記第3キャスタレーションを介して前記第1端面まで伸びて形成される請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームの前記枠体の他主面に接合される第2端面を有する第2板を備える請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記第2板の前記第2端面には互いに第3隙間で離れる一対の金属膜が形成され、前記第3隙間には前記封止材が配置されている請求項8に記載の圧電デバイス。前記第2板の前記金属膜と前記圧電振動フレームの他主面に形成された前記引出電極との間には共晶金属の層が配置される請求項8又は請求項9に記載の圧電デバイス。前記封止材は、低融点ガラス又はポリイミド樹脂である請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記枠体が前記圧電振動片の厚さより厚く形成される請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の圧電デバイス。電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を囲むように形成された枠体と、前記枠体に形成され互いに第1隙間で離れる一対の引出電極と、前記枠体における前記第1隙間に対応する位置に形成される第1貫通孔とを有する複数の圧電振動フレームを含む圧電ウエハを用意する工程と、第1端面と、前記第1端面の反対側の実装面と、前記圧電振動フレームの前記第1貫通孔に対応する位置に形成される第2貫通孔と、前記実装面及び前記第2貫通孔に形成される実装端子と、前記第1端面に形成され互いに第2隙間離れ前記実装端子に導電される接続端子と、を有する複数の第1板を含む第1ウエハを用意する工程と、第2端面と、前記第2端面に配置された封止材とを有する複数の第2板を含む第2ウエハを用意する工程と、前記圧電ウエハの前記引出電極と前記第1ウエハの前記接続電極とが接合するように前記圧電ウエハと前記第1ウエハと前記第2ウエハとを接合する接合工程と、を備え、前記第2ウエハを用意する工程では、前記封止材が前記圧電ウエハの前記第1貫通孔に対応する位置に配置され、前記接合工程では、前記第2ウエハの前記第2端面に配置された前記封止材が前記第1貫通孔に配置される圧電デバイスの製造方法。前記接合工程で、前記引出電極と前記接続電極とは導電性のある共晶金属を使った共晶金属接合法又は前記引出電極と前記接続電極とを活性化させて接合する直接接合法で接合される請求項11に記載の圧電デバイスの製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された圧電デバイスは1つのセラミックのベースに対して1つのセラミックのリッドを封止ガラスで封止しているため、量産性が低い。ウエハ単位で量産する際にも、封止ガラスが印刷されたリッドウエハを重ねた状態で加熱しガラスを溶融させるが、十分気密ができるように封止ガラスのボリュームを多く印刷しておく。しかし、封止ガラスが流れ出すと励振電極への引出電極などが導通できなくなる問題が生じる等の問題が生じる。本発明は、不要な封止材の流れだしによる気密の不十分を防止することができる圧電デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。第1観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と圧電振動片を囲むように形成された枠体と枠体に形成され互いに第1隙間で離れる一対の引出電極と枠体における第1隙間に対応する位置に形成され外周から凹んだ第1キャスタレーションとを有する圧電振動フレームと、枠体の一主面に接合される第1端面と第1端面の反対側の実装面と圧電振動フレームの第1キャスタレーションに対応する位置に形成され外周から凹んだ第2キャスタレーションと実装面及び第2キャスタレーションに形成される一対の実装端子と第1端面に形成され互いに第2隙間離れ一対の実装端子にそれぞれ導電される一対の接続電極とを有する第1板と、を備える。また、圧電振動フレームの引出電極と第1板の接続電極とが接合され、第1キャスタレーションに封止材が配置される。第2観点の圧電デバイスにおいて、第1キャスタレーションの体積は第2キャスタレーションの体積より大きい。第3観点の圧電デバイスにおいて、封止材は第1隙間及び第2隙間の一部又は全部を埋めるように配置される。第4観点の圧電デバイスにおいて、封止材は第2キャスタレーションに配置される。第5観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームの引出電極と第1板の接続電極との間には導電性のある共晶金属が配置される。第6観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームは圧電振動片と枠体とを連結する連結部と圧電振動片と枠体との間の貫通開口部とをさらに有し、圧電振動片の他主面に形成された励振電極から引き出された引出電極は連結部及び貫通開口部を介して枠体の一主面まで伸びて形成される。第7観点の圧電デバイスにおいて、第1板には外周から凹んだ第3キャスタレーションを有し、実装端子は第3キャスタレーションを介して実装面から第1端面まで伸びて形成される。第8観点の圧電デバイスは、圧電振動フレームの枠体の他主面に接合される第2端面を有する第2板を備える。第9観点の圧電デバイスにおいて、第2板の第2端面には互いに第3隙間で離れる一対の金属膜が形成され、第3隙間には封止材が配置されている。第10観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動片の他主面に形成された励振電極から引き出された引出電極が枠体の他主面に形成され、第2板の金属膜と圧電振動フレームの他主面に形成された引出電極との間には共晶金属の層が配置される。第11観点の圧電デバイスにおいて、封止材は低融点ガラス又はポリイミド樹脂である。第12観点の圧電デバイスにおいて、枠体が圧電振動片の厚さより厚く形成される。第13観点の圧電デバイスの製造方法は、電圧の印加により振動する圧電振動片と圧電振動片を囲むように形成された枠体と枠体に形成され互いに第1隙間で離れる一対の引出電極と枠体における第1隙間に対応する位置に形成される第1貫通孔とを有する複数の圧電振動フレームを含む圧電ウエハを用意する工程と、第1端面と第1端面の反対側の実装面と圧電振動フレームの第1貫通孔に対応する位置に形成される第2貫通孔と実装面及び第2貫通孔に形成される実装端子と第1端面に形成され互いに第2隙間離れ実装端子に導電される接続端子とを有する複数の第1板を含む第1ウエハを用意する工程と、第2端面と第2端面に配置された封止材とを有する複数の第2板を含む第2ウエハを用意する工程と、圧電ウエハの引出電極と第1ウエハの接続電極とが接合するように圧電ウエハと第1ウエハと第2ウエハとを接合する接合工程と、を備える。第2ウエハを用意する工程では封止材が圧電ウエハの第1貫通孔に対応する位置に配置され、接合工程では第2ウエハの第2端面に配置された封止材が第1貫通孔に配置される。第14観点の圧電デバイスの製造方法は、接合工程で引出電極と接続電極とは導電性のある共晶金属を使った共晶金属接合法又は引出電極と接続電極とを活性化させて接合する直接接合法で接合される。本発明は、不要な封止材の流れだしによる接合、気密の不十分を防止することができる圧電デバイス及びその製造方法が得られる。本明細書では、圧電デバイスとして水晶振動子が使われ、圧電振動フレームとしてATカットの水晶フレームが使われている。つまり、ATカットの水晶フレームは、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、ATカットの水晶フレームのX軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、本実施形態では水晶振動子の長手方向をX軸方向、水晶振動子の高さ方向をY’軸方向、X軸方向及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。第1実施形態<第1水晶振動子100の全体構成>第1水晶振動子100は、表面実装型でありプリント基板等に実装されて使用される。第1水晶振動子100の全体構成について、図1~図5を参照しながら説明する。図1は、第1水晶振動子100の分解斜視図である。図1に示されたように、第1水晶振動子100はリッド凹部111を有するリッド部11と、ベース凹部121を有するベース部12と、リッド部11及びベース部12に挟まれた水晶フレーム10とを備える。<<水晶フレーム10の構成>>まず、水晶フレーム10の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図2aはY’軸側から見た水晶フレーム10の平面図で、図2bはY’軸側から見た水晶フレーム10の透明図である。なお、本明細書の透視図とは一方の面の電極を描かず、他方の面の電極のみを描いた図をいう。図1に示されたように、水晶フレーム10はATカットされた水晶材料で形成され、Y’側の表面Meと-Y’側の裏面Miとを有している。水晶フレーム10は水晶振動部101と水晶振動部101を囲む枠体104とで構成されている。水晶振動部101と枠体104との間には、表面Meから裏面Miまで貫通する貫通開口部108が形成される。貫通開口部108が形成されていない部分が水晶振動部101と枠体104とを連結する連結部105a、105bとなっている。ここで、連結部105a水晶振動部101の-Z’軸側に接続され、連結部105bは水晶振動部101のZ’軸側に接続されている。また、水晶フレーム10のX軸方向の両辺には、貫通孔CH図8及び図9を参照を形成した際のキャスタレーション106a、106bがそれぞれ形成されている。具体的には、水晶フレーム10の-X軸側にキャスタレーション106aが形成され、水晶フレーム10のX軸側にキャスタレーション106bが形成されている。キャスタレーション106a、106bには封止材として低融点ガラスLGが配置され、第1水晶振動子100を封止している。なお、低融点ガラスLGとは350°C~410°Cで溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。図2aに示されたように、水晶フレーム10は水晶振動部101の表面Meに第1励振電極102aが形成されている。また、水晶フレーム10の表面Meには第1励振電極102aから引き出された第1引出電極103aが形成されている。なお、第1引出電極103aは水晶振動部101から連結部105aを介して枠体104の-Z’軸側のほぼ半分に形成されている。さらに、水晶フレーム10の表面Meに形成された第1引出電極103aは貫通開口部108を介して水晶フレーム10の裏面Miまで引き出される図2bを参照。図2bに示されたように、水晶フレーム10は水晶振動部101の裏面Miに第2励振電極102bが形成されている。また、水晶フレーム10の裏面Miには第2励振電極102bから引き出された第2引出電極103bが形成されている。なお、第2引出電極103bは水晶振動部101から連結部105bを介して枠体104のZ’軸側のほぼ半分に形成されている。さらに、水晶フレーム10の裏面Miに形成された第2引出電極103bは貫通開口部108を介して水晶フレーム10の表面Meまで引き出される図2aを参照。図2に示されたように、水晶フレーム10の表面Me及び裏面Miにおいて、第1引出電極103aと第2引出電極103bとがZ’軸方向で所定幅の第1隙間SP1を形成するように配置されている。これにより、第1引出電極103aと第2引出電極103bとがショートしないように確保することができる。さらに、第1隙間SP1には封止材として低融点ガラスLGが配置されている。これにより、第1水晶振動子100のキャビティCT図5を参照を気密することができる。ここで、第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bは例えば下地としてのクロムCr層が用いられ、クロム層の上面に金Au層が用いられる。なお、クロム層の厚さは例えば0.05μm~0.1μmで、金層の厚さは例えば0.2μm~2μmである。<<ベース部12の構成>>次に、ベース部12の構成について、図1及び図3を参照しながら説明する。図3aはY’軸側から見たベース部12の平面図で、図3bはY’軸側から見たベース部12の透明図である。図1に示されたように、ベース部12はガラス又は水晶材料で形成され、そのY’側の面の外周に第1端面M1を有している。ベース部12のX軸方向の両辺には、貫通孔BH図10を参照を形成した際のキャスタレーション122a、122bが形成されている。具体的には、ベース部12の-X軸側にキャスタレーション122aが形成され、ベース部12のX軸側にキャスタレーション122bが形成されている。図3に示されたように、実装面M3の-X軸側及びキャスタレーション122aには実装端子125aが形成され、実装面M3のX軸側及びキャスタレーション122bには実装端子125bが形成されている。また、実装端子125aに導電される接続電極126aが第1端面M1に形成され、実装端子125bに導電される接続電極126bが第1端面M1に形成されている。ここで、接続電極126aは第1端面M1の-Z軸側のほぼ半分に形成され、接続電極126bは第1端面M1のZ軸側のほぼ半分に形成されている。また、第1端面M1において、接続電極126aと接続電極126bとがZ’軸方向で所定幅の第2隙間SP2を形成するように配置されている。これにより、実装端子125aと実装端子125bとがショートしないように確保することができる。さらに、第2隙間SP2には封止材として低融点ガラスLGが配置されている。これにより、第1水晶振動子100のキャビティCT図5を参照を気密することができる。<<リッド部11の構成>>次に、リッド部11の構成について、図1及び図4を参照しながら説明する。図4は、Y’軸側から見たリッド部11の透明図である。図1に示されたように、リッド部11はガラス又は水晶材料で形成され、その-Y’側の面の外周に第2端面M2を有している。図4に示されたように、第2端面M2の全周の内側にはY’軸方向で第2端面M2から凹んだリッド凹部111が形成されている。また、第2端面M2のほぼ全面には金属膜112a、112bが形成されている。具体的には、第2端面M2の-Z軸側のほぼ半分に金属膜112aが形成され、第2端面M2のZ軸側のほぼ半分に金属膜112bが形成されている。また、第2端面M2において、金属膜112aと金属膜112bとがZ’軸方向で所定幅の第3隙間SP3を形成するように配置されている。これにより、金属膜112aと金属膜112bとがショートしないように確保することができる。さらに、第3隙間SP3には封止材として低融点ガラスLGが配置されている。これにより、第1水晶振動子100のキャビティCT図5を参照を気密することができる。<<第1水晶振動子100の組み立て>>最後に、第1水晶振動子100の組み立てについて、図1及び図5を参照しながら説明する。図5aは図1のA-A断面図で、図5bは図1のB-B断面図である。図1及び図5に示されたように、リッド部11が水晶フレーム10のY’軸側に接合され、ベース部12が水晶フレーム10の-Y’軸側に接合される。すなわち、リッド部11の第2合面M2の金属膜112aと水晶フレーム10の表面Meの第1引出電極103aとが接合され、リッド部11の第2合面M2の金属膜112bと水晶フレーム10の表面Meの第2引出電極103bとが接合される。同様に、ベース部12の第1端面M1の接続電極126aと水晶フレーム10の裏面Miの第1引出電極103aとが接合され、ベース部12の第1端面M1の接続電極126bと水晶フレーム10の裏面Miの第2引出電極103bとが接合される。なお、金属膜112a、112bと、第1引出電極103a及び第2引出電極103bと、接続電極126a、126bとは共晶金属により接合される。共晶金属としては、金シリコンAu3.15Si合金、金ゲルマニュームAu12Ge合金又は金スズAu20Sn合金が使用される。なお、図5a及びbでは共晶金属の層が描かれていない。共晶金属による接合については、図11で詳しく説明する。ここで、ベース部12の第1端面M1に形成された接続電極126aと水晶フレーム10の枠体104の裏面Miに形成された第1引出電極103aとが導電される。同様に、ベース部12の第1端面M1に形成された接続電極126bと水晶フレーム10の枠体104の裏面Miに形成された第2引出電極103bとが導電される。つまり、ベース部12の実装面M3に形成された実装端子125aと水晶フレーム10の第1励振電極102aとが導電され、実装端子125bと水晶フレーム10の第2励振電極102bとが導電される。これにより、実装端子125a、125bに交番電圧正負を交番する電位が印加されると、水晶振動部101が厚みすべり振動することができる。図5bに示されたように、水晶フレーム10のキャスタレーション106aには低融点ガラスLGが形成されている。つまり、第1隙間SP1及び第2隙間SPが低融点ガラスLGにより埋められる。これにより、リッド部11の金属膜112aと金属膜112bとが絶縁され、水晶フレーム10の第1引出電極103aと第2引出電極103bとが絶縁され、ベース部12の接続電極126aと接続電極126bとが絶縁される。また、図5aに示されたように水晶フレーム10の水晶振動部101を密封したキャビティCTが形成される。キャビティCTは、窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。さらに、後述の第1水晶振動子100の製造方法で説明されるように、低融点ガラスLGが形成されているリッド部11を水晶フレーム10に押圧することで、低融点ガラスLGがキャスタレーション106a、106bに形成される。このため、余分の低融点ガラスLGがキャビティCTに流れ出さずベース部12のキャスタレーション122a、122b内に流れ出す。余分な低融点ガラスLGはキャスタレーション122a、122bを完全に埋めてもよいが、図5aでは低融点ガラスLGがキャスタレーション122a、122bの一部を埋めている状態を示している。また図5a及びbから理解されるように、各キャスタレーション106a、106bの体積は、キャスタレーション122a、122bの体積より大きい。第1実施形態では、リッド部11と水晶フレーム10とが共晶金属で接合されているが、そのほかに直接接合法でもよい。直接接合法とは、第1引出電極103a及び第2引出電極103bの表面をプラズマ処理等で活性化させ、また接続電極126a及び126bの表面をプラズマ処理等で活性化させ、それぞれが活性化させた状態で接合する方法である。<第1水晶振動子100の製造方法>図6は、第1水晶振動子100の製造方法を示したフローチャートである。図6において、リッド部11の製造ステップS11と、水晶フレーム10の製造ステップS12と、ベース部12の製造ステップS13とは別々に並行して行うことができる。図7は、Y’軸側から見たリッドウエハ11Wの透明図である。図8はY’軸側から見た水晶ウエハ10Wの平面図で、図9はY’軸側から見た水晶ウエハ10Wの透明図である。図10は、Y’軸側から見たベースウエハ12Wの平面図である。なお、図8~図10では低融点ガラスLGが描かれているが、リッドウエハ11W、水晶ウエハ10W及びベースウエハ12Wが接合された後、図7のリッドウエハ11Wに配置された低融点ガラスLGが貫通孔CHに形成されることを示している。ステップS11では、リッド部11が製造される。ステップS11はステップS111~S113を含んでいる。ステップS111において、図7に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wにリッド凹部111が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111が形成され、リッド凹部111の外周には第2端面M2が形成される。同時に、リッド部11の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部115がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つのリッド部11の真ん中に共晶金属用溝部115が形成される。ステップS112において、図7に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によりリッドウエハ11Wの第2端面M2に金属膜112a、112bが形成される。ここで、金属膜112a、112bは後述するステップS122で形成される第1引出電極103a及び第2引出電極103bの形状に対応するように、リッド部11のZ’軸方向の両側に形成される。また、金属膜112aと金属膜112bとは第3隙間SP3を形成するように離れて形成される。ステップS113において、図7に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ11Wの第3隙間SP3に低融点ガラスLGが形成される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLGがリッドウエハ11Wの第3隙間SP3に配置される。ステップS12では、水晶フレーム10が製造される。ステップS12はステップS121及びS122を含んでいる。ステップS121において、図8及び図9に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶フレーム10の外形が形成される。すなわち、水晶振動部101と、枠体104と、貫通開口部108とが形成される。同時に、各水晶フレーム10のX軸方向の両側には水晶ウエハ10Wを貫通するように長方形の貫通孔CHが形成される。貫通孔CHが半分に分割されると1つのキャスタレーション106a、106b図2を参照になる。同時に、水晶フレーム10の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部109がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つの水晶フレーム10の真ん中に共晶金属用溝部109が形成される。ステップS122において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ10Wの両面に金属層が形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置不図示を用いて、フォトマスクに描かれた第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bのパターンが水晶ウエハ10Wに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図8及び図9に示されたように水晶ウエハ10W両面には第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bが形成される。なお、第1引出電極103aと第2引出電極103bとは水晶ウエハ10Wの表面Me及び裏面Miにおいて第1隙間SP1を形成するように離れて形成される。これにより、第1引出電極103aと第2引出電極103bとがショートしないように確保することができる。ステップS13では、ベース部12が製造される。ステップS13はステップS131及びS132を含んでいる。ステップS131において、図10に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ12Wにベース凹部121が数百から数千個形成される。ベースウエハ12Wには、エッチング又は機械加工によりベース凹部121が形成され、ベース凹部121の外周には第1端面M1が形成される。同時に、各ベース部12のX軸方向の両側にはベースウエハ12Wを貫通するように長方形の貫通孔BHが形成される。貫通孔BHが半分に分割されると1つのキャスタレーション122a、122b図1を参照になる。同時に、ベース部12の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部128がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つのベース部12の真ん中に共晶金属用溝部128が形成される。なお、貫通孔BHはステップS121で形成された貫通孔CHより小さく形成される。ステップS132において、スパッタ及びエッチング方法によってベース部12の第1端面M1及び実装面M3に一対の実装端子125a、125b及び一対の接続電極126a、126bが形成される図1を参照。ここで、接続電極126a、126bはステップS122で形成された水晶ウエハ10Wの裏面Miの第1引出電極103a及び第2引出電極103bと対応するように形成される。また、接続電極126aと接続電極126bとはベースウエハ12Wの第1端面M1において第2隙間SP2を形成するように離れて形成される。これにより、実装端子125aと実装端子125bとがショートしないように確保することができる。ステップS14では、複数の球形の共晶金属ECが図11aに示されたように共晶金属用溝部に載置される。図11aは、図7~図10におけるB-B断面図で、共晶金属ECが共晶金属用溝部に載置された状態を示した図である。図11aに示されたように、ベースウエハ12Wをテーブル図示しないに置き、ベースウエハ12Wの共晶金属用溝部128及び水晶ウエハ10Wの表面Meにおける共晶金属用溝部109に球形の共晶金属ECが載置される。ステップS15では、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが共晶金属ECにより接合され、低融点ガラスLGにより封止される。図11bは、図7~図10におけるB-B断面図で、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが共晶金属ECにより接合された状態を示した図である。ここで、真空中又は不活性雰囲気中で共晶金属ECが溶かされる。溶けられた共晶金属ECは毛細管現象によりリッドウエハ11Wの金属膜112a、112bと、水晶ウエハ10Wの表面Me及び裏面Miの第1引出電極103a及び第2引出電極103bと、ベースウエハ12Wの接続電極126a、126bとの間を流れる。これにより、金属膜112a、112bと、第1引出電極103a及び第2引出電極103bと、接続電極126a、126bとの表面が濡れる。また、隣り合う共晶金属用溝部までの距離はほぼ均等であるため、金属膜112a、112bと、第1引出電極103a及び第2引出電極103bと、接続電極126a、126bとの表面を十分に濡らすことができる。そして共晶金属ECが融点以下に冷やされると、第1引出電極103a及び第2引出電極103bと、接続電極126a、126bとは導通し且つ接合する。さらに、図12に示されたように、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとは低融点ガラスLGでより封止される。図12aは図7~図10におけるD-D断面図で、接合前の低融点ガラスLGの状態を示した図で、図12bは図7~図10におけるD-D断面図で、接合後の低融点ガラスLGの状態を示した図である。図12aに示されたように、低融点ガラスLGはリッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが接合する前にリッドウエハ11Wの第2端面M2に所定の厚さで多めに配置される。そして、図12bに示されたようにリッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとを押圧しながら接合するとき、リッドウエハ11Wの第2端面M2に配置された低融点ガラスLGが水晶ウエハ10Wの貫通孔CH及びベースウエハ12Wの貫通孔BHに流れ込む。図示しないが、低融点ガラスLGは同時に水晶ウエハ10Wの第1隙間SP1図8及び図9を参照及びベースウエハ12Wの第2隙間SP2図10を参照を埋めるようにリッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとの間に流れ込む。これにより、余分な低融点ガラスLGがキャビティCT内に流れ込まず、キャビティCTが密封される。ステップS16では、接合されたリッドウエハ11Wと、水晶ウエハ10Wと、ベースウエハ12Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図7~図10に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第1水晶振動子100を単位として個片化する。これにより、数百から数千の第1水晶振動子100が製造される。第2実施形態<第2水晶振動子200の全体構成>第2水晶振動子200の全体構成について、図13及び図14を参照しながら説明する。図13は第2水晶振動子200の分解斜視図である。第2実施形態では第1実施形態と同じ構成要件については、同じ符号を付して説明する。図13に示されたように、第2水晶振動子200はリッド部11と、ベース部22と、リッド部11及びベース部22に挟まれた水晶フレーム10とを備える。<<ベース部22の構成>>図13に示されたように、ベース部22はガラス又は水晶材料で形成され、ベース凹部121の外周に形成された第1端面M1を有している。ベース部22のX軸方向の両辺には、貫通孔BH図10を参照を形成した際のキャスタレーション122a、122bが形成されている。また、ベース部22の四隅には外周から凹んだキャスタレーション223a、223bが形成される。具体的には、-Z’軸側の両隅に一対のキャスタレーション223aが形成され、Z’軸側の両隅に一対のキャスタレーション223bが形成されている。図14bに示されたようにベース部22の実装面M3のZ’軸の両側及びキャスタレーション223a、223bには実装端子225a、225bが形成されている。なお、図14aに示されたように実装端子225aに導電される接続電極226aが第1端面M1の-Z’軸側のほぼ半分を覆うように形成され、実装端子225bに導電される接続電極226bが第1端面M1のZ’軸側のほぼ半分を覆うように形成されている。なお、ベース部22の第1端面M1において、接続電極226aと接続電極226bとは、第2隙間SP2を形成するように離れて形成される。これにより、実装端子225aと実装端子225bとがショートしないように確保することができる。さらに、ベース部22における第1端面M1の第2隙間SP2には封止材としての低融点ガラスLGが配置されている。<第2水晶振動子200の製造方法>第2水晶振動子200の製造方法は図6に示されたフローチャートと同じである。但し、ステップS121でベース部22の外形を形成する際にベース部22の四隅に円形の貫通孔が形成される図10を参照。上述の構成に対応して、リッドウエハ、水晶ウエハ及びベースウエハの共晶金属用溝部は貫通孔が形成されていないZ’軸方向の両側に形成されることが望ましい。第3実施形態<第3水晶振動子300の全体構成>第3水晶振動子300の全体構成について、図15~図18を参照しながら説明する。図15は、第3水晶振動子300の分解斜視図である。図15に示されたように、第3水晶振動子300はリッド部31と、ベース部12と、リッド部31及びベース部12に挟まれた水晶フレーム30とを備える。<<水晶フレーム30の構成>>図16aはY’軸側から見た水晶フレーム30の平面図で、図16bはY’軸側から見た水晶フレーム30の透明図である。図16に示されたように、キャスタレーション106a、106bには封止材として低融点ガラスLGが配置されて第3水晶振動子300を封止している。これにより、第3水晶振動子300のキャビティCT図18を参照を気密することができる。ここで、低融点ガラスLGはキャスタレーション106a、106bのみに配置され、第1引出電極103aと第2引出電極103bとの間には第1隙間SP1が形成されている。<<リッド部31の構成>>図17は、Y’軸側から見たリッド部31の透明図である。図17に示されたように、リッド部31は第2端面M2における水晶フレーム30のキャスタレーション106a、106bに対応する位置のみに低融点ガラスLGが配置されている。これにより、リッド部31と水晶フレーム30とが接合するとき第3水晶振動子300のキャビティCT図18を参照を気密することができる。また、金属膜112aと金属膜112bとの間には第3隙間SP3が形成されている。<<第3水晶振動子300の組み立て>>図18は図15のA-A断面図である。図18に示されたように、水晶フレーム30のキャスタレーション106aには低融点ガラスLGが形成されている。また、第1隙間SP1及び第2隙間SPには低融点ガラスLGが形成されていない状態である。これにより、キャビティCTが密封され、リッド部31の金属膜112aと金属膜112bとが絶縁され、水晶フレーム10の第1引出電極103aと第2引出電極103bとが絶縁され、ベース部12の接続電極126aと接続電極126bとが絶縁される。<第3水晶振動子300の製造方法>第3水晶振動子300の製造方法について、図19及び図20を参照しながら説明する。図19は、Y’軸側から見たリッドウエハ31Wの透明図である。図20aは図19におけるD-D断面図で接合前の低融点ガラスLGの状態を示した図であり、図20bは図19におけるD-D断面図で接合後の低融点ガラスLGの状態を示した図である。ステップS11では、リッド部31が製造される。ステップS11はステップS111~S113を含んでいる。ステップS111において、エッチングによりリッド部31の外形が形成される。ステップS112において、図19に示されたようにスパッタリングまたは真空蒸着によりリッドウエハ31Wの第2端面M2に金属膜112a、112bが形成される。ステップS113において、図19に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ31Wに低融点ガラスLGが形成される。ここで、低融点ガラスLGはステップS121で形成される貫通孔CHに対応する箇所のみに形成され図20aを参照、金属膜112aと金属膜112bとの間には第3隙間SP3が形成される。ステップS12では水晶フレーム30が製造され、ステップS13ではベース部12が製造される。ステップS14では、複数の球形の共晶金属ECが共晶金属用溝部に載置される図11aを参照。ステップS15では、リッドウエハ31Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが共晶金属ECにより接合され、低融点ガラスLGにより封止される。図20aに示されたようにリッドウエハ31Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが接合する前に、低融点ガラスLGはリッドウエハ31Wの第2端面M2における水晶ウエハ10Wの貫通孔CHに対応する箇所に所定の厚さで多めに配置される。そして、図20bに示されたようにリッドウエハ31Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとを押圧しながら接合するとき、リッドウエハ31Wの第2端面M2に配置された低融点ガラスLGが水晶ウエハ10Wの貫通孔CHに流れ込む。これにより、余分な低融点ガラスLGがキャビティCT内に流れ込まず、キャビティCTが密封される。ステップS16では、接合されたリッドウエハ31Wと、水晶ウエハ10Wと、ベースウエハ12Wとが個々に切断される。これにより、数百から数千の第3水晶振動子300が製造される。