第1の領域と該第1の領域の周辺に沿って溝が設けられた第2の領域とを備える第1の基板と、前記第1の領域上に配置された半導体素子と、前記溝に配置された第1の封止部材と、前記第1の領域に対応するキャピティを設けるために、前記第2の領域に対応して突出部を備える第2の基板と、前記第2の基板の前記突出部に配置された金属パターンと、前記金属パターン上に配置され、前記第1の封止部材とボンディングされて前記第1の基板と前記第2の基板とを互いに合着する第2の封止部材と、を含むウエハレベルパッケージ。前記溝が、前記第1の基板のエッジに沿って配置される請求項1に記載のウエハレベルパッケージ。半導体素子の配置された第1の領域と該第1の領域の周辺に沿って溝が設けられた第2の領域とを備える第1の基板と、前記第1の基板と向き合う第2の基板とを各々提供するステップと、前記第1の基板の前記溝に第1の封止部材を設けるステップと、前記第2の領域に対応する前記第2の基板上に金属パターンを設けるステップと、前記金属パターン上に第2の封止部材を設けるステップと、前記第2の基板の前記第1の領域をエッチングして、キャピティを設けるステップと、前記半導体素子を封止するために、前記第1の封止部材と前記第2の封止部材とをボンディングし、前記第1の基板と前記第2の基板とを合着するステップと、を含むウエハレベルパッケージの製造方法。前記合着された第1及び第2の基板を単位別にダイシングするダイシングステップをさらに含む請求項3に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記ダイシングステップは、前記第2の領域の内側に配置されたダイシングラインに沿って行われる請求項4に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。しかしながら、液相接合方式は、ソルダーを融点以上の温度に加熱した後、該ソルダーが溶融された状態でボンディング工程が行われることによって、該溶融されたソルダーがボンディング領域から他の領域へ、例えば半導体素子側に流れてしまって、該半導体素子を汚染させる恐れがある。また、該溶融したソルダーが前記ボンディング領域から他の領域へと流れた分、前記ボンディング領域で前記ソルダーがボンディングされる際にボイドvoidが発生することになり、それによって第1の基板と第2の基板との間のボンディング力が減少してしまうことがある。従って、本発明の目的は、封止領域に溝を設けた後、該溝に封止部材を設けることによって、該封止領域以外の領域へと封止部材が流れ出すことを防止することができるウエハレベルパッケージ及びその製造方法を提供することにある。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一実施の形態によるウエハレベルパッケージは、第1の領域と該第1の領域の周辺に沿って溝が設けられた第2の領域とを備える第1の基板と、前記第1の領域上に配置された半導体素子と、前記溝に配置された第1の封止部材と、前記第1の領域に対応するキャビティを設けるために、前記第2の領域に対応して突出部を備える第2の基板と、前記突出部上に配置され、前記第1の封止部材とボンディングされて前記第1の基板と前記第2の基板とを互いに合着する第2の封止部材とを含む。ここで、前記第1の封止部材は第1の溶融温度を有し、前記第2の封止部材は前記第1の溶融温度より高い第2の溶融温度を有することができる。また、前記第1の封止部材は、金属または樹脂からなることができる。また、前記第2の封止部材は、金属から成ることができる。また、前記第1の基板は、低温焼成セラミック基板LTCC:LowTemperatureCo-firedCeramic、高温焼成セラミック基板HTCC:HighTemperatureCo-firedCeramic、PCBPrintedCircuitBoard、シリコン基板、ガラス基板及びクォーツquartz基板のうちのいずれか一つであることができる。また、前記第2の基板は、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つであることができる。また、前記第2の封止部材は、前記第1の封止部材に挿入されていることができる。また、前記第1の封止部材の下部の前記溝の内側壁に、金属層をさらに備えることができる。また、前記第2の封止部材の下部の前記第2の基板上に配置された金属パターンを、さらに備えることができる。また、前記溝は、前記第1の基板のエッジに沿って配置されることができる。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の他の実施の形態によるウエハレベルパッケージの製造方法は、半導体素子が配置された第1の領域と該第1の領域の周辺に沿って溝が設けられた第2の領域とを備える第1の基板と、前記第1の基板と向かい合う第2の基板とを各々提供するステップと、前記第1の基板の前記溝に第1の封止部材を設けるステップと、前記第2の領域に対応する前記第2の基板上に第2の封止部材を設けるステップと、前記第2の領域に対応して突出部を設け、前記第1の領域に対応してキャビティを設けるステップと、前記半導体素子を封止するために、前記第1の封止部材と前記第2の封止部材とをボンディングして前記第1の基板と前記第2の基板とを合着するステップとを含む。ここで、前記第1の封止部材を設けるステップの前に、前記溝に金属層を設けるステップをさらに含むことができる。また、前記第1の封止部材は第1の溶融温度を有し、前記第2の封止部材は前記第1の溶融温度より高い第2の溶融温度を有することができる。また、前記第1の基板は、低温焼成セラミック基板LTCC、高温焼成セラミック基板HTCC、PCB、シリコン基板、ガラス基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つで構成することができる。また、前記第2の基板は、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つで構成することができる。また、前記第2の封止部材を設けるステップは、前記第2の基板上にシード層を設けるステップと、前記シード層上に第1のレジストパターンを設けるステップと、前記第1のレジストパターンの露出領域に対応して前記シード層上に第2の封止部材を設けるステップと、前記第2の封止部材を覆う第2のレジストパターンを設けるステップと、前記第2のレジストパターンをエッチングマスクに用いて、前記シード層をエッチングして金属パターンを設けるステップとを備えることができる。また、前記第2の封止部材を設けるステップは、前記第2の基板上にシード層を設けるステップと、前記シード層上にレジストパターンを設けるステップと、前記レジストパターンをエッチングマスクに用いて、前記シード層をエッチングして金属パターンを設けるステップと、前記金属パターン上に第2の封止部材を設けるステップとを備えることができる。また、前記合着された第1の基板及び第2の基板を単位別にダイシングするステップを、さらに含むことができる。また、前記ダイシングのステップは、前記第2の領域の内側に配置されたダイシングラインに沿って行うことができる。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明のさらに他の実施の形態によるウエハレベルパッケージは、第1の領域と該第1の領域の周辺に沿って配置された第2の領域とを備える第1の基板と、前記第1の領域上に配置された半導体素子と、前記第2の領域上に配置された第1の封止部材と、前記第1の領域に対応するキャビティを設けるために、前記第2の領域に対応して突出部を備える第2の基板と、前記突出部に配置された溝と、前記溝に配置され、前記第1の封止部材と接合して前記第1の基板と前記第2の基板とを合着する第2の封止部材とを含む。ここで、前記第1の封止部材は、金属パターンによってなされることができる。また、前記溝の内部に配置された金属層を、さらに含むことができる。また、前記第2の封止部材は、金属または樹脂からなることができる。また、前記第1の封止部材は、前記第2の封止部材に比べて高い溶融温度を有することができる。上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明のさらに他の実施の形態によるウエハレベルパッケージは、向かい合う第1の基板及び第2の基板と、前記第1の基板上に配置された半導体素子と、前記半導体素子を封止するために前記第1の基板と前記第2の基板とを互いに合着する封止部材とを含むことができる。前記第1の基板及び第2の基板のうちのいずれか一つに、前記封止部材を充填するための溝を備えることができる。ここで、前記溝は前記第1の基板上に設けられ、前記第2の基板は前記溝に対応して突出部を備えることができる。ここで、前記第2の基板は前記封止部材に対応する突出部を備え、前記溝は前記突出部に設けられることができる。本発明のウエハレベルパッケージによれば、封止領域に溝を設けた後、該溝に封止部材を設けることによって、封止領域以外の領域へと封止部材が流れることを防止することができ、半導体素子の組み込む素子が汚染されることを防止すると共に、両基板間のボンディング結合力を向上させることができる。また、本発明のウエハレベルパッケージによれば、高い圧力が要求されないだけでなく、該封止部材の種類によってボンディング工程の温度を自由に選択することができる。また、本発明のウエハレベルパッケージによれば、従来に比べて、破壊強度を増加させると共に、気密封止特性を向上させることができる。以下、本発明の実施の形態は、ウエハレベルパッケージの図面を参考に用いて詳細に説明する。次に示される実施の形態は、当業者において本発明の思想が十分に伝わるように例として挙げられるものである。従って、本発明は以下に示される実施の形態に限定されないで、他の形態によって具体化することができる。また、図面においては、装置の大きさ及び幅厚などはわかりやすく図示するための便宜上、誇張して表現されることがある。明細書全体にわたって、同一の参照符号は同一の各構成要素を示すものとする。図1は、本発明の第1の実施の形態によるウエハレベルパッケージの断面図である。図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態によるウエハレベルパッケージは、向かい合う第1の基板110及び第2の基板120と、第1の基板110上に配置された半導体素子115と、半導体素子115を封止するために、第1の基板110及び第2の基板120を合着させる封止部材130、140とを含む。第1の基板110は、第1の領域110aと第2の領域110bとを備えることができる。ここで、第1の領域110aには、半導体素子115が配置されている。第1の領域110aには、半導体素子115と電気的に接続された内部パッド111が備えられている。第1の基板110の外面には、外部素子と電気的に接続されるための外部パッド112が配置されている。ここで、内部パッド111と外部パッド112とは、第1の基板110を貫通するビア113により互いに電気的に接続されている。また、図に示されていないが、第1の基板110の第1の領域110aには、多数の回路パターンがさらに備えられる。また、第2の領域110bは、第1の領域110aの周辺に沿って配置される。ここで、第2の領域110bには溝114が設けられている。即ち、溝114は第1の基板110のエッジに沿って設けられる。これにより、第2の領域110bは第1の領域110aに比べて小さな段差を有する。後述する封止部材130、140は、多様な基板間をボンディングすることが可能であるので、第1の基板110の材質に対すて選択幅を広くすることができる。これにより、第1の基板110は、様々な材質から選択されることができる。例えば、第1の基板110は、低温焼成セラミック基板LTCC:LowTemperatureCo-firedCeramic、高温焼成セラミック基板HTCC:HighTemperatureCo-firedCeramic、PCBPrintedCircuitBoard、シリコン基板、ガラス基板及びクォーツquartz基板のうちのいずれか一つから構成することができる。一方、第2の基板120は、第2の領域110bに対応する突出部121を備える。これにより、第2の基板120は第1の領域110aに対応するキャビティ122を備えるようになる。即ち、第2の領域110bは第1の領域110aに比べて大きい段差を有するようになる。第2の基板120は、半導体素子115を保護可能な材質で設けることができる。また、後述する封止部材130、140が多様な基板を互いにボンディングさせることができるので、第2の基板120は第1の基板110と同様に材質に対する選択幅が広く、多様な材質を用いることができる。例えば、第2の基板120は、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つから構成することができる。封止部材130、140は、第1の基板110及び第2の基板120に各々設けられる第1の封止部材130及び第2の封止部材140を備えることができる。ここで、第1の封止部材130は溝114に設けられている。これにより、封止部材130、140を介して第1の基板110及び第2の基板120を接着させる場合、溝114は第1の封止部材130が封止領域以外の領域へと流れることを防止することができる。また、第1の封止部材130は第1の溶融温度を有する。例えば、前記第1の溶融温度は50°C~600°Cの範囲を有することができる。ここで、第1の封止部材130はIn、Bi、Sn、SnAg、SnCu及びSnAgCuなどの金属、またはエポキシ系樹脂のような樹脂で設けることができる。一方、第2の封止部材140は、第2の領域110bに対応する第2の基板120上に配置されることができる。即ち、第2の封止部材140は突出部121上に配置されることができる。また、第2の封止部材140は、前記第1の溶融温度より高い第2の溶融温度を有することができる。例えば、前記第2の溶融温度は100°C~1500°Cの範囲を有することができる。ここで、第2の封止部材140は、Cu、Al、Bi、Au、Ni、Ag、Sn、In及びPbなどの金属で設けることができる。第1の封止部材130及び第2の封止部材140が互いにボンディングされることによって、第1の基板110及び第2の基板120は向かい合って接着する。これによって、半導体素子115は、第1の基板110及び第2の基板120と封止部材130、140により外部からは密封される。ここで、第2の封止部材140の幅は溝114の幅より小さいため、第2の封止部材140は溝114に挿入され、結果として、第2の封止部材140は溝114に充填された第1の封止部材130に挿入された状態で第1の封止部材130及び第2の封止部材140は互いにボンディングされる。即ち、第1の封止部材130及び第2の封止部材140は、2次元的な界面ボンディングでなく3次元的な界面ボンディングをなすことができ、第1の基板110と第2の基板120との間の結合破壊強度を向上させ、半導体素子115を密封することができる。これに加えて、第1の封止部材130下部の溝114の内側壁に、金属層150がさらに備えられる。金属層150は、第1の封止部材130と第1の基板110との接触安定性を向上させるような役割をすることができる。金属層150を設ける材質の例としては、Cu、Ti、Ni、TiW、Auなどが挙げられる。また、第2の封止部材140と第2の基板120との聞に、金属パターン160をさらに備えることができる。金属パターン160は、第2の封止部材140と第2の基板120との間の接触安定性を向上させるような役割をすることができる。金属パターン160を設ける材質の例としては、Cu、Ti、Ni、TiW及びAuなどが挙げられる。また、金属パターン160は、第2の封止部材140を設けるためのシードの役割をすることもできる。従って、本発明の実施の形態のように、第2の領域、即ち封止領域に溝を設けた後、該溝に封止部材を設けることによって、封止領域以外の領域へと封止部材が流れることを防止することができ、半導体素子が汚染されることを防止すると共に、両基板間のボンディング結合力を向上させることができる。また、3次元的な界面ボンディングにより、従来に比べて、結合破壊強度を増加させると共に、気密封止特性を向上させることができる。以下、図2~図12を参照して、本発明の第2の実施の形態によるウエハレベルパッケージの製造方法を説明する。図2~図12は、本発明の第2の実施の形態によるウエハレベルパッケージの製造方法を示した断面図である。図2を参照すると、まず、ウエハレベルパッケージを製造するための第1の基板110が備えられている。第1の基板110は、第1の領域110a及び第2の領域110bを備える。ここで、第1の領域110aには、半導体素子115が実装されることができる。加えて、第1の領域110aに対応する第1の基板110上に、内部パッド111がさらに設けられる。第1の基板110の下面には、外部パッド112が設けられる。この時、内部パッド111と外部パッド112とは、第1の基板110を貫通するビア113により互いに電気的に接続されている。第2の領域110bは、第1の領域110aの周辺に沿って配置されている。この時、第2の領域110bには溝114が設けられている。溝114は、エッチング法やスクライピング方法によって設けることができる。ここで、該エッチング法の例として、湿式エッチング法や乾式エッチング法が挙げられる。また、前記スクライピング方法の例として、ブレードソーイングbladesawingやレーザを用いることができる。第1の基板110は、低温焼成セラミック基板LTCC、高温焼成セラミック基板HTCC、PCB、シリコン基板、ガラス基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つから選択されたものを用いることができる。図3を参照すると、溝114の内部に金属層150を設ける。金属層150は、マスクを用いた蒸着法、または金属を蒸着した後、パターニングにより設けることができる。金属層150を設ける材質の例としては、Cu、Ti、Ni、TiW及びAuなどが挙げられる。図4を参照すると、金属層150上の溝114の内部に第1の封止部材130が設けられている。第1の封止部材130は、第1の溶融温度を有する材質からなることができる。例えば、前記第1の溶融温度は50°C~600°Cの範囲とすることができる。ここで、第1の封止部材130はIn、Bi、Sn、SnAg、SnCu及びSnAgCuなどのような金属、またはエポキシ系樹脂のような樹脂で設けることができる。第1の封止部材130は、多様な方法によって設けることができる。例えば、第1の封止部材130を設ける方法としては、気相蒸着法、メッキ法、スクリーンプリンティング法、ディスペンス法がある。図5を参照すると、第2の基板120上にシード層160aが設けられている。第2の基板120は、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板及びクォーツ基板のうちのいずれか一つとすることができる。シード層160aは、蒸着法によって設けることができる。シード層160aはCu、Ti、Ni、TiW及びAuなどによって設けられる。図6を参照すると、シード層160a上に第1のレジストパターン170が設けられている。ここで、第1のレジストパターン170は、第1の基板110の第2の領域110bに対応する領域を露出するように設けられる。第1のレジストパターン170は、露光及び現像工程を経て設けられるか、または印刷法によって設けられる。その後、第1のレジストパターン170の露出領域に対応するシード層160a上に、第2の封止部材140を設ける。第2の封止部材140は、シード層160aを用いたメッキ工程によって設けられる。ここで、第2の封止部材140は、前記第1の溶融温度より高い第2の溶融温度を有することができる。例えば、前記第2の溶融温度は100°C~1500°Cの範囲を有することができる。ここで、第2の封止部材140はCu、Al、Bi、Au、Ni、Ag、Sn、In、Pbなどのような金属を用いることができる。本発明の実施の形態において、第2の封止部材140はメッキ工程によって設けることと説明したが、これに限定されるのではなく、蒸着工程によって設けられてもよい。図7を参照すると、第1のレジストパターン170が除去されている。図8を参照すると、シード層160aをエッチングして金属パターン160が設けられている。具体的には、図示されていないが、第2の封止部材140を覆って、第1の基板110の第1の領域110aに対応する領域を露出する第2のレジストパターンを設ける。該第2のレジストパターンをエッチングマスクに用いて、シード層160aをエッチングして金属パターン160を設けることができる。ここで、金属パターン160は、前記溝の幅より小さい幅で設けられる。その後、前記第2のレジストパターンを除去する工程を行う。金属パターン160は第2の封止部材140をメッキ工程により設ける場合、シードとしての役割をする。また、金属パターン160は第2の封止部材140と第2の基板120との間の接触安定性を向上させるような役割をすることができる。また、金属パターン160は、溝114の幅より小さく設けられる。図9を参照すると、第1の領域110aに対応する第2の基板120の一部がエッチングされている。これにより、第2の領域110bに対応する第2の基板120には突出部121が設けられることによって、第2の基板120には第1の領域110aに対応して配置されるキャビティ122を設けることができる。図10を参照すると、第1の封止部材130を含む第1の基板110と、第2の封止部材140を含む第2の基板120とが向かい合って並べられている。半導体素子115はキャビティ122の内部に配置される。図11を参照すると、並べられた第1の基板110及び第2の基板120は、第1の封止部材130が溶融され、且つ、第2の封止部材140が溶融されない温度で加熱される。この時、第2の封止部材140は、溝114の内部で溶融した第1の封止部材130に挿入される。ここで、溶融した第1の封止部材130は、第2の封止部材140に濡れつつ、第1の封止部材130と第2の封止部材140との金属結合によってこれら第1の封止部材130及び第2の封止部材140間がボンディングされる。即ち、第2の封止部材140はボンディング工程において溶融せずにその形態が維持される。これに対して、第1の封止部材130は溶融して、第2の封止部材140と反応する界面反応によって金属結合をなす。これにより、第2の封止部材140は、第1の封止部材130に対して3次元的にボンディング結合がされ、第1の基盤110と第2の基板120との間の結合破壊強度を向上させると共に、気密封止特性をより向上させることができる。また、第1の封止部材130が溶融することにより、第1の封止部材130と第2の封止部材140との間のボンディングがなされるので、別の圧力を加えなくてもよい。また、前記加熱温度は、第1の封止部材130の種類によって制御することができる。また、前記ボンディング工程において、第1の封止部材130が溝114に備えられることによって、封止領域以外の領域へと流れることを防止することができる。図12を参照すると、突出部121、即ち第2の領域110bの内側に配置されたダイシングラインに沿ってダイシングされ、単位別に分離する工程が行われる。ここで、前記ダイシングステップは、ブレード法、レーザ法などによって行われることができる。従って、本発明の実施の形態によれば、封止領域に溝を形成した後、その溝に封止部材を設けることによって、封止領域以外の領域へと封止部材が流れ出すことを防止することができ、半導体素子が汚染されるのを防止すると共に、両基板間のボンディング力を向上させることができる。また、異なる融点を有する封止部材を第1の基板及び第2の基板上に各々設けた後、加熱し、低い融点の封止部材を溶融させ、ボンディング工程を行うことによって、高圧の環境なしにボンディング工程を行うことができるので、工程がより容易になると共に、設備投資のコストも減らすことができる。また、前記封止部材の種類によって、ボンディング工程における温度を自由に選択することができる。また、3次元的なボンディング結合によって、従来に比べて、破壊強度を増加させると共に、気密封止特性を向上させることができる。図13~図18は、本発明の第3の実施の形態によるウエハレベルパッケージの製造方法を説明する。本発明の第3の実施の形態は、金属パターンを設けることを除き、先に説明した第2の実施の形態と同一の方法によって実現される。これにより、本発明の第3の実施の形態において、第2の実施の形態と繰り返す説明は省略することとし、同一の構成に対しては同一の参照符号を付すことにする。図13~図18を参照して、本発明の第3の実施の形態によるウエハレベルパッケージの製造方法を説明する。図13を参照すると、ウエハレベルパッケージを製造するために、第2の基板120上にシード層160aを形成する。ここで、シード層160aは蒸着法によって設けられる。また、シード層160aはCu、Ti、Ni、TiW、Auなどによって設けられる。図14を参照すると、シード層160aをエッチングして、金属パターン160が形成される。ここで、金属パターン160は、後述する第1の基板110の第2の領域110bに対応するように設けられる。具体的には、金属パターン160を形成するために、まずシード層160a上にレジストパターンを設ける。その後、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、シード層160aをエッチングして金属パターン160を形成することができる。図15を参照すると、金属パターン160をシードとして用いたメッキ工程で前記金属パターン160上に第2の封止部材140を設ける。ここで、第2の封止部材140は、前記第1の溶融温度より高い第2の溶融温度を有することができる。例えば、前記第2の溶融温度は100°C~1500°Cの範囲とすることができる。ここで、第2の封止部材140はCu、AI、Bi、Au、Ni、Ag、Sn、In、Pbなどのような金属で設けることができる。本発明の実施の形態において、第2の封止部材140はメッキ工程によって設けられると説明したが、これに限定されるのではなく、蒸着工程で設けてもよい。図16を参照すると、第1の基板110の第1の領域110aに対応する第2の基板120の一部をエッチングし、第2の領域110bに対応する第2の基板120には突出部121が設けられる。これにより、第2の基板120には第1の領域110aに対応して配置されるキャビティ122を設けることができる。図17を参照すると、一方で、第1の領域110a及び第2の領域110bを含む第1の基板110に対して第2の基板120は、向かい合って並べて配置される。ここで、第1の基板110の第1の領域110aには、半導体素子115が実装されている。また、第2の領域110bには溝114が設けられ、溝114に第1の封止部材130が設けられている。ここで、第1の封止部材130は、第2の封止部材140に比べて低い融点を有する金属や樹脂からなることができる。そして、向かい合って並べられた第1の基板110及び第2の基板120を加熱する。これにより、これらの第1の封止部材130及び第2の封止部材140間のボンディングが行われることによって、第1の基板110及び第2の基板120は前記半導体素子を封止して合着する。図18を参照すると、第2の領域110bの内側に設けられたダイシングラインに沿ってダイシングされ、単位毎に分離する工程が行われる。従って、本発明の実施の形態にかかる金属パターンを形成した後、金属パターンを用いて第2の封止部材を設けることによって、より単純な工程とすることができる。以下、図19を参照して、本発明の第4の実施の形態によるウエハレベルパッケージを説明する。ここで、本発明の第4の実施の形態において、先に説明した第1の実施の形態における第2の封止部材を除き、第1の実施の形態にかかるウエハレベルパッケージと同一の構成を有するので、繰り返される説明については省略する。図19は、本発明の第4の実施の形態によるウエハレベルパッケージの断面図である。図19を参照すると、本発明の実施の形態にかかるウエハレベルパッケージは、向かい合う第1の基板110及び第2の基板120と、第1の基板110上に配置された半導体素子115と、半導体素子115を封止するために、第1の基板110及び第2の基板120を合着する封止部材230、240とを含んで構成される。ここで、第1の基板110は、第1の領域110aと第1の領域110aの周辺に沿って溝114が設けられた第2の領域110bとを備える。また、第2の基板120は、第1の領域110aに対応するキャビティ122を設けるために第2の領域110bに対応する突出部121を備える。封止部材230、240は互いにボンディングし、第1の基板110と第2の基板120とを合着する第1の封止部材230及び第2の封止部材240を備える。第1の封止部材230は、溝114に配置される。第1の封止部材230は、第2の封止部材240に比べて低い融点を有する樹脂または金属から成る。ここで、第2の封止部材240は単一膜の金属から構成することができる。この時、第1の封止部材230が溶融した状態で液相反応によって第2の封止部材240とボンディングされる。この時、第1の封止部材230及び第2の封止部材240のボンディングが行われることによって、第1の基盤110と第2の基板120とは半導体素子115を封止して合着される。これに加えて、第1の基板110の溝114の内側壁、即ち第1の基板110と第1の封止部材230との聞に金属層250をさらに備えることができる。従って、本発明の実施の形態において、第2の封止部材240を単一膜の金属で設けることによって、工程をより単純化させることができる。以下、図20を参照して、本発明の第5の実施の形態にかかるウエハレベルパッケージを説明する。ここで、本発明の第5の実施の形態において、先に説明した第4の実施の形態における溝の形成位置、第1の封止部材及び第2の封止部材を除き、第4の実施の形態にかかるウエハレベルパッケージと同一の構成を有するので、繰り返される説明については省略する。図20は、本発明の第5の実施の形態によるウエハレベルパッケージの断面図である。図20を参照すると、本発明の実施の形態によるウエハレベルパッケージは、向かい合う第1の基板110及び第2の基板320と、第1の基板110上に配置された半導体素子115と、半導体素子115を封止するために、第1の基板110及び第2の基板320を合着する封止部材とを含んで構成される。ここで、第1の基板110は、第1の領域110aと第1の領域110aの周辺に沿って配置された第2の領域110bとを備える。また、第2の基板320は、第1の領域110aに対応するキャビティ322を設けるために第2の領域110bに対応して突出部321を備える。この時、突出部321に沿って溝314が備えられる。前記封止部材は、第1の封止部材330及び第2の封止部材340を備える。ここで、第1の封止部材330は、第2の領域110bの第1の基板110上に配置される。第1の封止部材330は、単一膜の金属で構成されうる。これに対して、第2の封止部材340は溝314に配置される。ここで、第2の封止部材340は、第1の封止部材330に比べて低い溶融温度を有する金属や樹脂からなる。この時、第1の封止部材330が溶融した状態で液相反応によって第2の封止部材340とボンディングされる。この時、第1の封止部材330及び第2の封止部材340のボンディングにより、第1の基板110及び第2の基板320は半導体素子115を封止して合着される。これに加えて、溝314の内側壁、即ち、第2の基板320と第2の封止部材340との聞に金属層360をさらに備えることができる。金属層360は、第2の基板320と第2の封止部材340との間の接触安定性を向上させるような役割をすることができる。従って、本発明の実施の形態でのように、封止部材が封止領域以外の領域へと流れることを防止するための溝は、第2の基板上に設けてもよい。今回開示された実施の形態は例示に過ぎず、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内におけるすべての変更が含まれる。