珪素源及び炭素源とを混合する原料混合ステップと、前記混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップと、を含み、前記珪素源及び前記炭素源のうち、少なくとも1つの平均粒径が10~100nmであることを特徴とする、炭化珪素の製造方法。前記珪素源及び前記炭素源の平均粒径は、各々10~100nmであることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記珪素源及び前記炭素源の平均粒径は、各々20~50nmであることを特徴とする、請求項2に記載の炭化珪素の製造方法。前記炭素源は固体炭素源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記固体炭素源は、黒鉛graphite、カーボンブラックcarbonblack、カーボンナノチューブcarbonnanotube;CNT、及びフラーレンfullerene;C60からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項4に記載の炭化珪素の製造方法。前記珪素源は乾式珪素源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記乾式珪素源はシリカsilicaを含むことを特徴とする、請求項6に記載の炭化珪素の製造方法。前記乾式珪素源は、シリカsilica粉末、シリカゾルsilicasol、シリカゲルsilicagel、及び石英粉末からなる群から選択された少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする、請求項7に記載の炭化珪素の製造方法。前記原料混合ステップで、前記珪素源に含まれた珪素に対する前記炭素源に含まれた炭素のモルmole比が1.5乃至3であることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記原料混合ステップで、前記珪素源に含まれた珪素に対する前記炭素源に含まれた炭素のモル比が1.8乃至2.7であることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記加熱ステップは、30分乃至2時間行われることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。前記加熱ステップは、1500°C乃至1800°Cで行われることを特徴とする、請求項11に記載の炭化珪素の製造方法。請求項1乃至12のうちのいずれか一項に記載の炭化珪素の製造方法により製造された炭化珪素。前記炭化珪素は平均粒径が1μm以下であることを特徴とする、請求項13に記載の炭化珪素。本発明の目的は、均一で、かつ微細な粒径を有する炭化珪素及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う炭化珪素の製造方法は、乾式珪素源及び固体炭素源とを混合する原料混合ステップ、及び混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップを含む。乾式珪素源及び固体炭素源のうち、少なくとも1つの平均粒径が10~100nmである。乾式珪素源及び固体炭素源の平均粒径は各々10~100nmである。乾式珪素源及び固体炭素源の平均粒径は各々20~50nmである。固体炭素源は、黒鉛graphite、カーボンブラックcarbonblack、カーボンナノチューブcarbonnanotube;CNT、及びフラーレンfullerene;C60からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことができる。乾式珪素源はシリカsilicaを含むことができる。乾式珪素源はシリカsilica粉末、シリカゾルsilicasol、シリカゲルsilicagel、及び石英粉末からなる群から選択された少なくともいずれか1つを含むことができる。原料混合ステップで、乾式珪素源に含まれた珪素に対する固体炭素源に含まれた炭素のモルmole比は1.5乃至3である。この際、乾式珪素源に含まれた珪素に対する固体炭素源に含まれた炭素のモル比は1.8乃至2.7である。本発明に従う炭化珪素は、前述した炭化珪素の製造方法により製造されて平均粒径が1μm以下である。本発明に従う炭化珪素の製造方法によれば、平均粒径が10~100nm、好ましくは20~50nmの乾式珪素源または/及び固体炭素源を使用して加熱時間及び加熱温度を低めることができる。また、製造された炭化珪素の粒子を微細化及び均一化することができる。これにより製造された炭化珪素は平均粒径が1μm以下に微細である。これによって、この炭化珪素を焼結する工程での焼結温度及び/または焼結圧力を低めることができ、結果的に工程費用を低減することができる。以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。ここに、図1を参照して実施形態に従う炭化珪素の製造方法を説明する。図1は、本発明の実施形態に従う炭化珪素の製造方法のフローチャートである。図1を参照すると、本実施形態に従う炭化珪素の製造方法は、原料混合ステップST10及び加熱ステップST20を含む。各ステップをより詳細に説明すれば、次の通りである。原料混合ステップST10では、珪素源Sisourceと炭素源Csourceとを用意し、これを混合する。珪素源は乾式珪素源を含むことができる。具体的には、乾式珪素源は珪素を提供することができる多様な物質を含むことができる。一例として、乾式珪素源はシリカsilicaを含むことができる。このような乾式珪素源には、シリカ粉末、シリカゾルsol、シリカゲルgel、石英粉末などが挙げられる。炭素源は固体炭素源を含むことができる。具体的には、固体炭素源は固体を提供することができる多様な物質を含むことができる。一例として、固体炭素源には、黒鉛graphite、カーボンブラックcarbonblack、カーボンナノチューブcarbonnanotube;CNT、フラーレンfullerene;C60などが挙げられる。このような固体炭素源と乾式珪素源とを溶媒を用いた湿式混合工程、または溶媒を利用しない乾式混合工程により混合することができる。この際、湿式混合工程によれば、固体炭素源と乾式珪素源とを凝集することができるので、生産性を向上させることができる。そして、乾式混合工程によれば、溶媒使用に従う費用及び汚染問題を防止することができ、炭化工程などを省略できるので、工程を単純化することができる。このような珪素源と炭素源とはボールミルballmill、アトリッションミルattritionmillなどの方法により混合して混合粉末を回収する。混合粉末は篩sieveにより濾されて回収できる。この際、乾式珪素源に含まれた珪素に対する固体炭素源に含まれた炭素のモルmole比以下、珪素に対する炭素のモル比は1.5乃至3である。珪素に対する炭素のモル比が3を超過する場合には炭素の量が多いので反応に関与せずに残留する残留炭素の量が多くなって回収率を低下できる。そして、珪素に対する炭素のモル比が1.5未満の場合には珪素の量が多いので反応に関与せずに残留する残留珪素の量が多くなって回収率が低下する。即ち、珪素に対する炭素のモル比は回収率を考慮して決定したものである。乾式珪素源が加熱ステップST20の高温で気体状態に揮発することを考慮すれば、珪素に対する炭素のモル比を1.8乃至2.7にすることができる。そして、本実施形態において、乾式珪素源または/及び固体炭素源の平均粒径は10~100nmである。平均粒径が100nmを超過する場合には、製造された炭化珪素の平均粒径が大きくなることがあり、平均粒径が10nm未満の場合にはこのような粒径の珪素源または炭素源を作ることが困難である。この際、好ましくは乾式珪素源または/及び固体炭素源の平均粒径は20~50nmである。次に、加熱ステップST20では混合粉末即ち、混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する。より詳しくは、混合粉末を黒鉛坩堝で測定した後、高温反応炉、一例として、黒鉛炉graphiteに投入した後、加熱する。この際、加熱温度は1300~1900°Cであり、好ましくは1400~1800°Cである。加熱時間は30分以上、例えば、1時間乃至7時間である。具体的には、加熱温度が1500~1800°Cの時、加熱時間は30分乃至2時間である。即ち、既存の炭化珪素合成方法に比べて加熱時間を短縮することができる。即ち、同一の温度で合成する時、加熱時間を2時間以上短縮することができる。また、既存の炭化珪素合成方法に比べて加熱温度を低下することができる。即ち、同一の時間で合成する時、加熱温度を1時間当たり50~100°C低い温度で加熱することができる。これで、工程効率を向上させることができる。次に、高温反応炉の内部は真空または不活性ガス例えば、アルゴンまたは水素雰囲気でありうる。加熱ステップST20では、以下の反応式1及び2の段階によって反応式3の全体反応式によって炭化珪素が形成される。[反応式1]SiO2sCs→SiOgCOg[反応式2]SiOg2Cs→SiCsCOg[反応式3]SiO2s3Cs→SiCs2COg本実施形態では平均粒径が10~100nm、好ましくは20~50nmの乾式珪素源または固体炭素源を使用するので、律速反応である反応式1に従う反応が容易に起こるようにする。これによって、加熱時間及び/または加熱温度を低下することができるので、工程費用を低減することができる。また、製造された炭化珪素の粒子を微細化及び均一化することができる。この際、乾式珪素源及び固体炭素源の平均粒径が全て10~100nm、好ましくは20~50nmの場合には、炭化珪素の粒子を微細化及び均一化することに一層有利である。一例として、乾式珪素源及び固体炭素源の平均粒径が全て10~100nm、好ましくは20~50nmの場合に製造された炭化珪素の平均粒径が1μm以下と微細である。このように製造された炭化珪素は、プレス焼結などの焼結工程を通じて所定形状に加工されて蒸着装備またはウエハーキャリア装備などにサセプタsusceptorなどに使用できる。炭化珪素の平均粒径が1μm以下と微細であるので、焼結工程で焼結温度及び/または焼結圧力を低下することができる。これによって、炭化珪素の焼結工程に対する工程費用を低減することができる。以下、製造例1乃至3、そして比較例に従う炭化珪素の製造方法を通じて本発明をより詳細に説明する。このような製造例は本発明をより詳細に説明するために例示として提示したものに過ぎないものであり、本発明はこのような製造例に限定されるものではない。製造例140gの乾式シリカfumedsilicaと18gのカーボンブラックをボールミルで混合した。この際、乾式シリカの平均粒径が40nmであり、カーボンブラックの平均粒径が20nmであった。混合された原料を黒鉛炉に入れて1800°Cで2時間の間加熱して炭化珪素を製造した。製造例2カーボンブラックの平均粒径が40nmということを除いては、製造例1と同様の方法により炭化珪素を製造した。製造例3乾式シリカの平均粒径が10nmであり、カーボンブラックの平均粒径が40nmということを除いては、製造例1と同様の方法により炭化珪素を製造した。比較例40gのシリカ粉末と18gの黒鉛をボールミルで混合した。この際、乾式シリカの平均粒径が2μmであり、黒鉛の平均粒径が3μmであった。混合された原料を黒鉛炉に入れて1800°Cで5時間の間加熱して炭化珪素を製造した。製造例1乃至3、そして比較例により製造された炭化珪素の平均粒径を測定して以下の<表1>に示した。<表1>を参照すると、製造例1乃至3により製造された炭化珪素は平均粒径が1μm以下で微細な反面、比較例により製造された炭化珪素は平均粒径が3.22μmで非常に大きいことが分かる。即ち、実施形態に従う炭化珪素の製造方法により製造された炭化珪素は微細な粒径を有することが分かる。また、比較例では加熱時間が5時間であるのに対して、製造例1乃至3では加熱時間が2時間に過ぎないことが分かる。このように製造例1乃至3では加熱時間を短縮しても微細な炭化珪素が製造できることが分かる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ずしも1つの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。