"式1:式1中、X1及びX2はそれぞれ-CHR1OH基、-CHR1-結合、-CHR1O-結合、又は-CHR1OCHR1-結合を示し、R1はそれぞれ水素原子、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数6~30のアリール基を示し、n1及びn2はそれぞれ0~3の整数である。の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。X1及びX2がそれぞれ-CHR1OH基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。R1が水素原子であり、n1及びn2が1である請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。ポリマーがアルカリ触媒の存在下に、ビスフェノールSとアルデヒドとの反応により製造されたものである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。式1の単位構造を含むポリマーの重量平均分子量が1000~30000である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。式1の単位構造を含むポリマーを上記レジスト下層膜形成組成物中の固形分中で50~99質量の割合で含有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の上記レジスト下層膜形成組成物。式1の単位構造を含むポリマーを上記レジスト下層膜形成組成物中の固形分中で3~50質量未満の割合で含有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の上記レジスト下層膜形成組成物。更に架橋剤を含む請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。更に酸化合物及び/又は酸発生剤を含む請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト層を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト層で被覆された半導体基板を露光又は電子線照射する工程、露光又は電子線照射後にフォトレジスト層を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるフォトレジストパターンの形成方法。本発明の目的は、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて、半導体基板上に形成されたフォトレジストへの露光照射光の基板からの反射を軽減させるレジスト下層膜、電子線レジストの下層に用いてレジスト形状をコントロールする膜、凹凸のある半導体基板を平坦化するための平坦化膜、加熱焼成時に半導体基板から発生する物質によるフォトレジストの汚染を防止する膜等として使用できるリソグラフィー用レジスト下層膜及び該下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供することである。そして、該下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びレジストパターンの形成方法を提供することにある。そして、レジスト下層膜を加熱硬化させる時に、レジスト下層膜中からの昇華物量が少ないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供することにある。本願発明は第1観点として、式1:式1中、X1及びX2はそれぞれ-CHR1OH基、-CHR1-結合、-CHR1O-結合、又は-CHR1OCHR1-結合を示し、R1はそれぞれ水素原子、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数6~30のアリール基を示し、n1及びn2はそれぞれ0~3の整数である。の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、第2観点として、X1及びX2がそれぞれ-CHR1OH基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第3観点として、R1が水素原子であり、n1及びn2が1である第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第4観点として、ポリマーがアルカリ触媒の存在下に、ビスフェノールSとアルデヒドとの反応により製造されたものである第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、第5観点として、式1の単位構造を含むポリマーの重量平均分子量が1000~30000である第1観点乃至第4観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、第6観点として、式1の単位構造を含むポリマーを上記レジスト下層膜形成組成物中の固形分中で50~99質量の割合で含有する第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載の上記レジスト下層膜形成組成物、第7観点として、式1の単位構造を含むポリマーを上記レジスト下層膜形成組成物中の固形分中で3~50質量未満の割合で含有する第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載の上記レジスト下層膜形成組成物、第8観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、第9観点として、更に酸化合物及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第8観点のいずれか一つに記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、及び第10観点として、第1観点乃至第9観点のいずれか一つに記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト層を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト層で被覆された半導体基板を露光又は電子線照射する工程、露光又は電子線照射後にフォトレジスト層を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるフォトレジストパターンの形成方法である。本発明は、短波長の光、例えばArFエキシマレーザー波長193nmに吸収を有するレジスト下層膜を形成するための組成物である。得られたレジスト下層膜は、基板からの反射光を効率よく吸収する。本発明により、短波長の光、例えばArFエキシマレーザー波長193nmを用いた微細加工において、半導体基板からの反射光を効果的に吸収し、レジスト層とのインターミキシングを起こさず、レジスト層と比べてドライエッチングにより容易に除去できるレジスト下層膜を提供することができる。そして、本発明ではレジスト下層膜を加熱硬化させる時に、レジスト下層膜中からの昇華物量が少ないものである。これはビスフェノールSをモノマーで添加する場合に比べて、ビスフェノールSをポリマー化することでレジスト下層膜中に留まっているために、昇華物として飛散することがなく、リソグラフィー工程でドラフトチャンバーを汚染することがない。本願発明は式1の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。式1中、X1及びX2はそれぞれ-CHR1OH基、-CHR1-結合、-CHR1O-結合、又は-CHR1OCHR1-結合を示し、R1はそれぞれ水素原子、炭素数1~10のアルキル基、又は炭素数6~30のアリール基を示し、n1及びn2はそれぞれ0~3の整数である。式1においては、X1及びX2がそれぞれ-CHR1OH基とすることができる。また、R1が水素原子であり、n1及びn2が1とすることができる。本願発明のレジスト下層膜形成組成物は、式1の単位構造を含むポリマーと溶剤を含み、架橋剤、酸化合物、酸発生剤、界面活性剤等を含むことができる。本願発明において、レジスト下層膜形成組成物の固形分の割合は、例えば1~50質量であり、または、1~30質量であり、または1~25質量である。固形分とは、レジスト下層膜形成組成物の全成分から溶剤成分を除いたものである。レジスト下層膜形成組成物から得られるレジスト下層膜は、式1の単位構造を含むポリマーがレジスト下層膜の主成分として用いる場合は、該ポリマーが固形分中で50~99質量、又は70~99質量、又は85~99質量である。また、式1の単位構造を含むポリマーがレジスト下層膜の添加成分として用いる場合は、該ポリマーが固形分中で、3~50質量未満、又は3~49質量、又は3~30質量、又は3~25質量である。上記アルキル基としては、炭素原子数1~10のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、11-ジメチル-n-プロピル基、12-ジメチル-n-プロピル基、22-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、12-ジメチル-シクロプロピル基、23-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、11-ジメチル-n-ブチル基、12-ジメチル-n-ブチル基、13-ジメチル-n-ブチル基、22-ジメチル-n-ブチル基、23-ジメチル-n-ブチル基、33-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、112-トリメチル-n-プロピル基、122-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、12-ジメチル-シクロブチル基、13-ジメチル-シクロブチル基、22-ジメチル-シクロブチル基、23-ジメチル-シクロブチル基、24-ジメチル-シクロブチル基、33-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、122-トリメチル-シクロプロピル基、123-トリメチル-シクロプロピル基、223-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基及び2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。またアリール基としては、炭素原子数6~30のアリール基が挙げられ、例えばフェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基が挙げられる。上記ポリマーはアルカリ触媒の存在下に、ビスフェノールSとアルデヒドとの反応により製造されたものを使用することができる。本発明に用いられるビスフェノールSとしては、4-4’-ビスフェノールスルホン、2-4’-ビスフェノールスルホン、2-2’-ビスフェノールスルホン等が挙げられるが、4-4’-ビスフェノールスルホンが好ましい。本発明のポリマーの製造に用いられるアルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロンアルデヒド、2-メチルブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、ウンデカンアルデヒド、7-メトキシ-3、7-ジメチルオクチルアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、3-メチル-2-ブチルアルデヒド、グリオキザール、マロンアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒド、等の飽和脂肪族アルデヒド類、アクロレイン、メタクロレイン等の不飽和脂肪族アルデヒド類、フルフラール、ピリジンアルデヒド等のヘテロ環式アルデヒド類、ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド、アントリルアルデヒド、フェナントリルアルデヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、3-フェニルプロピオンアルデヒド、トリルアルデヒド、N,N-ジメチルアミノベンズアルデヒド、アセトキシベンズアルデヒド等の芳香族アルデヒド類等が挙げられる。それらのアルデヒド類の中でもホルムアルデヒドが好ましい。アルカリ触媒に用いられるアルカリ成分としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、アンモニア等のアルカリを用いることができる。ビスフェノールSとアルデヒドをモル比で1:1.5~1:8、好ましくは1:1.5~1:4の割合で混合し、アルカリ触媒をビスフェノールSに対してモル比で1:0.5~1:2の割合で添加することができる。上記ポリマーはアルカリ水溶液中にビスフェノールSとアルデヒドを加え、加熱して反応させる。得られた溶液を冷却後、酸水溶液中に投入、沈殿させ水洗後に乾燥させてポリマーが得られる。反応は例えば50~130°C、又は70~110°Cの温度で、0.1~10時間、又は1~5時間で行うことができる。得られたポリマー水溶液は、酸水溶液中に投入されるが、酸としてはリン酸、塩酸、硫酸が挙げられ、0.5質量~10質量程度の酸水溶液が用いられる。中和後、水洗して30~70°C、又は30~50°C程度の温度で乾燥してポリマーを得ることができる。上記ポリマーの重量平均分子量は1000~30000、又は3000~8000の範囲である。上記ポリマーは例えば以下に例示することができる。本件発明ではレジスト下層膜形成組成物に他のポリマーを用いることができる。それらポリマーとしては、特に制限はなく、種々の有機ポリマーを使用することができる。縮重合ポリマー及び付加重合ポリマー等を使用することができる。ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリビニルエーテル、フェノールノボラック、ナフトールノボラック、ポリエーテル、ポリアミド、ポリカーボネート等の付加重合ポリマー及び縮重合ポリマーを使用することができる。吸光部位として機能するベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリアジン環、キノリン環、及びキノキサリン環等の芳香環構造を有する有機ポリマーが好ましく使用される。そのようなポリマーとしては、例えば、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、スチレン、ヒドロキシスチレン、ベンジルビニルエーテル及びN-フェニルマレイミド等の付加重合性モノマーをその構造単位として含む付加重合ポリマーや、フェノールノボラック及びナフトールノボラック等の縮重合ポリマーが挙げられる。ポリマーとして付加重合ポリマーが使用される場合、そのポリマーは単独重合体でもよく共重合体であってもよい。付加重合ポリマーの製造には付加重合性モノマーが使用される。そのような付加重合性モノマーとしてはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、アクリルアミド化合物、メタクリルアミド化合物、ビニル化合物、スチレン化合物、マレイミド化合物、マレイン酸無水物、アクリロニトリル等が挙げられる。アクリル酸エステル化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ノルマルヘキシルアクリレート、イソプロピルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェニルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、3クロロ2ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、222-トリフルオロエチルアクリレート、222-トリクロロエチルアクリレート、2-ブロモエチルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレート、2-メトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、5-アクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン及びグリシジルアクリレート等が挙げられる。メタクリル酸エステル化合物としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ノルマルヘキシルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、222-トリフルオロエチルメタクリレート、222-トリクロロエチルメタクリレート、2-ブロモエチルメタクリレート、4-ヒドロキシブチルメタクリレート、2-メトキシエチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、5-メタクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルメタクリレート、2-フェニルエチルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメタクリレート及びブロモフェニルメタクリレート等が挙げられる。アクリルアミド化合物としては、アクリルアミド、N-メチルアクリルアミド、N-エチルアクリルアミド、N-ベンジルアクリルアミド、N-フェニルアクリルアミド、NN-ジメチルアクリルアミド及びN-アントリルアクリルアミド等が挙げられる。メタクリルアミド化合物、メタクリルアミド、N-メチルメタクリルアミド、N-エチルメタクリルアミド、N-ベンジルメタクリルアミド、N-フェニルメタクリルアミド、NN-ジメチルメタクリルアミド及びN-アントリルアクリルアミド等が挙げられる。ビニル化合物としては、ビニルアルコール、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ビニル酢酸、ビニルトリメトキシシラン、2-クロロエチルビニルエーテル、2-メトキシエチルビニルエーテル、ビニルナフタレン及びビニルアントラセン等が挙げられる。スチレン化合物としては、スチレン、ヒドロキシスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、メトキシスチレン、シアノスチレン及びアセチルスチレン等が挙げられる。マレイミド化合物としては、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド及びN-ヒドロキシエチルマレイミド等が挙げられる。ポリマーとして縮重合ポリマーが使用される場合、そのようなポリマーとしては、例えば、グリコール化合物とジカルボン酸化合物との縮重合ポリマーが挙げられる。グリコール化合物としてはジエチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ブチレングリコール等が挙げられる。ジカルボン酸化合物としては、コハク酸、アジピン酸、テレフタル酸、無水マレイン酸等が挙げられる。また、例えば、ポリピロメリットイミド、ポリp-フェニレンテレフタルアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。ポリマーにヒドロキシル基が含有されている場合は、このヒドロキシル基は架橋反応を形成することができる。ポリマーとしては、重量平均分子量が、例えば1000~1000000であり、または3000~300000であり、または5000~200000であり、または10000~100000であるポリマーを使用することができる。ポリマーは一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。レジスト下層膜形成組成物から得られるレジスト下層膜は、式1の単位構造を含むポリマーがレジスト下層膜の主成分として用いる場合は、その他のポリマーが固形分中で0~49質量、又は0~30質量、又は0~25質量である。また、式1の単位構造を含むポリマーがレジスト下層膜の添加成分として用いる場合は、他のポリマーが固形分中で96~49質量、96~60質量で含有することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤を含有することができる。そのような架橋剤としては、特に制限はないが、少なくとも二つの架橋形成置換基を有する架橋性化合物が好ましく用いられる。例えば、イソシアネート基、エポキシ基、ヒドロキシメチルアミノ基、及びアルコキシメチルアミノ基等の架橋反応可能な基を二つ以上、例えば二つ乃至六つ有する化合物を使用することができる。架橋剤としては、例えば、メチロール基またはメトキシメチル基、エトキシメチル基、ブトキシメチル基、及びヘキシルオキシメチル基等のアルコキシメチル基で置換された窒素原子を一つ乃至六つ、または二つ乃至四つ有する含窒素化合物が挙げられる。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスブトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスヒドロキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスヒドロキシメチル尿素、1,1,3,3-テトラキスブトキシメチル尿素、1,1,3,3-テトラキスメトキシメチル尿素、1,3-ビスヒドロキシメチル-4,5-ジヒドロキシ-2-イミダゾリノン、及び1,3-ビスメトキシメチル-4,5-ジメトキシ-2-イミダゾリノン等の含窒素化合物が挙げられる。また、三井サイテック株製メトキシメチルタイプメラミン化合物商品名サイメル300、サイメル301、サイメル303、サイメル350、ブトキシメチルタイプメラミン化合物商品名マイコート506、マイコート508、グリコールウリル化合物商品名サイメル1170、パウダーリンク1174、メチル化尿素樹脂商品名UFR65、ブチル化尿素樹脂商品名UFR300、U-VAN10S60、U-VAN10R、U-VAN11HV、大日本インキ化学工業株製尿素/ホルムアルデヒド系樹脂商品名ベッカミンJ-300S、ベッカミンP-955、ベッカミンN等の市販されている含窒素化合物を挙げることができる。また、架橋剤としては、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド、N-メトキシメチルメタクリルアミド、N-エトキシメチルアクリルアミド及びN-ブトキシメチルメタクリルアミド等のヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基で置換されたアクリルアミド化合物またはメタクリルアミド化合物を使用して製造されるポリマーを用いることができる。そのようなポリマーとしては、例えば、ポリN-ブトキシメチルアクリルアミド、N-ブトキシメチルアクリルアミドとスチレンの共重合体、N-ヒドロキシメチルメタクリルアミドとメチルメタクリレートの共重合体、N-エトキシメチルメタクリルアミドとベンジルメタクリレートの共重合体、及びN-ブトキシメチルアクリルアミドとベンジルメタクリレートと2-ヒドロキシプロピルメタクリレートの共重合体等を挙げることができる。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすことができる。また、式1の単位構造を含むポリマー中の水酸基と架橋反応を起こすことができる。そして、このような架橋反応によって、形成されるレジスト下層膜は強固になる。そして、有機溶剤に対する溶解性が低いレジスト下層膜となる。架橋剤は一種のみを使用してもよく、また二種以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は固形分中で0.01~30質量の割合で含有することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は酸化合物を含むことができる。酸化合物としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホン酸、サリチル酸、カンファースルホン酸、スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸及びピリジニウム-1-ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸化合物、及びサリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸及びヒドロキシ安息香酸等のカルボン酸化合物を挙げることができる。酸化合物は固形分中で0.01~20質量の割合で含有することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は酸発生剤を含むことができる。酸発生剤としては、例えば、2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2-ニトロベンジルトシレート、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、p-トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸-2,4-ジニトロベンジル、フェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン、及びN-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等の熱または光によって酸を発生する酸発生剤を挙げることができる。酸発生剤としては、また、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-ノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-ノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート及びビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩系酸発生剤、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩系酸発生剤、及びN-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-カンファースルホニルオキシスクシンイミド及びN-トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタルイミド等のスルホンイミド化合物系酸発生剤を挙げることができる。酸発生剤としては、スルホン酸化合物、ヨードニウム塩系酸発生剤、スルホニウム塩系酸発生剤またはスルホンイミド化合物系酸発生剤が好ましく使用される。酸発生剤は固形分中で0.01~20質量の割合で含有することができる。酸化合物、酸発生剤は一種のみを使用してもよく、また二種以上を組み合わせて使用することができる。レオロジー調整剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸化合物、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸化合物、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸化合物、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸化合物、及びノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸化合物を挙げることができる。レオロジー調整剤が使用される場合、その使用量としては、固形分中で、例えば0.001~10質量である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップEF301、EF303、EF352株トーケムプロダクツ製、商品名メガファックF171、F173、R-08、R-30大日本インキ化学工業株製、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、商品名アサヒガードAG710,サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマ-KP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また2種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その使用量としては、固形分中で、例えば0.0001~5質量である。本発明のリソグラフィー用反射防止膜形成組成物に使用される溶剤としては、前記の固形分を溶解できる溶剤であれば、特に制限無く使用することができる。そのような溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチル等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で、または二種以上の組み合わせで使用される。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。以下、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の使用について説明する。半導体基板例えば、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、及びITO基板等の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物が塗布され、その後、焼成することによりレジスト下層膜が形成される。焼成する条件としては、焼成温度80°C~250°C、焼成時間0.3~60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、焼成温度130°C~250°C、焼成時間0.5~5分間である。ここで、形成されるレジスト下層膜の膜厚としては、例えば0.01~3.0μmであり、好ましくは、例えば0.03~1.0μmであり、または0.03~0.5μmであり、または0.05~0.2μmである。次いで、レジスト下層膜の上に、レジストの層が形成される。レジストの層の形成は、周知の方法、すなわち、レジスト組成物溶液のレジスト下層膜上への塗布及び焼成によって行なうことができる。本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布されるフォトレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用でき、ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、骨格にSi原子を有するフォトレジスト等があり、例えば、ロームアンドハーツ社製、商品名APEX-Eが挙げられる。また本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布される電子線レジストとしては、例えば主鎖にSi-Si結合を含み末端に芳香族環を含んだ樹脂と電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物、又は水酸基がN-カルボキシアミンを含む有機基で置換されたポリp-ヒドロキシスチレンと電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物等が挙げられる。後者の電子線レジスト組成物では、電子線照射によって酸発生剤から生じた酸がポリマー側鎖のN-カルボキシアミノキシ基と反応し、ポリマー側鎖が水酸基に分解しアルカリ可溶性を示しアルカリ現像液に溶解し、レジストパターンを形成するものである。この電子線の照射により酸を発生する酸発生剤は1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-メトキシフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2-ジクロロエタン、2-クロロ-6-トリクロロメチルピリジン等のハロゲン化有機化合物、トリフェニルスルフォニウム塩、ジフェニルヨウドニウム塩等のオニウム塩、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシレート等のスルホン酸エステルが挙げられる。次に、所定のマスクを通して露光又は電子線照射が行なわれる。上記フォトレジストでの露光光は、近紫外線、遠紫外線、又は極端紫外線例えば、EUV、波長13.5nm等の化学線であり、例えば248nmKrFレーザー光、193nmArFレーザー光、157nmF2レーザー光等の波長の光が用いられる。光照射には、光酸発生剤から酸を発生させることができる方法であれば、特に制限なく使用することができ、露光量1~2000mJ/cm2、または10~1500mJ/cm2、または50~1000mJ/cm2による。露光後、必要に応じて露光後加熱postexposurebakeを行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度70°C~150°C、加熱時間0.3~10分間から適宜、選択された条件で行われる。また電子線レジストの電子線照射は、例えば電子線照射装置を用い照射することができる。次いで、現像液によって現像が行なわれる。これにより、例えばポジ型フォトレジストが使用された場合は、露光又は電子線照射された部分のレジストが除去され、レジストのパターンが形成される。現像液としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、温度5~50°C、時間10~300秒から適宜選択される。そして、このようにして形成されたレジストのパターンを保護膜として、レジスト下層膜の除去及び半導体基板の加工が行なわれる。レジスト下層膜の除去は、テトラフルオロメタンCF4、パーフルオロシクロブタンC4F8、パーフルオロプロパンC3F8、トリフルオロメタン、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、ジフルオロメタン、三フッ化窒素及び三フッ化塩素等のガスを用いて行われる。半導体基板上に本発明のレジスト下層膜が形成される前に、平坦化膜やギャップフィル材層やシリコンハードマスク層が形成されることもできる。大きな段差や、ホールを有する半導体基板が使用される場合には、平坦化膜やギャップフィル材層が形成されていることが好ましい。また、本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布される半導体基板は、その表面にCVD法などで形成された無機系のレジスト下層膜を有するものであってもよく、その上に本発明のレジスト下層膜を形成することもできる。さらに、本発明のレジスト下層膜は、基板とレジストとの相互作用の防止するための層、レジストに用いられる材料又はレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する層、加熱焼成時に基板から生成する物質の上層レジストへの拡散を防ぐ機能を有する層、及び半導体基板誘電体層によるレジスト層のポイズニング効果を減少させるためのバリア層等として使用することも可能である。また、レジスト下層膜形成組成物より形成されるレジスト下層膜は、デュアルダマシンプロセスで用いられるビアホールが形成された基板に適用され、ホールを隙間なく充填することができる埋め込み材として使用できる。また、凹凸のある半導体基板の表面を平坦化するための平坦化材として使用することもできる。以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。合成例1300mLのフラスコ中で、水107gに水酸化ナトリウム4.8g0.12モルを溶解後、4-4’-ビスフェノールスルホン20g0.80モルを加え、次に37ホルマリン26g0.32モルを加えて100°Cで3時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、多量の5塩酸中に攪拌しながら滴下し、沈殿物を十分に水洗、40°Cで減圧乾燥を行った。得られた重合体をGPC測定したところ、質量平均分子量Mw=4000、分子量分布Mw/Mn=4.40であった。本合成例で得られたポリマーは式1-1に相当し、本発明に係る添加剤に含まれる共重合体に相当し、この重合体をポリマー樹脂Aとする。合成例2300mLフラスコ中で、テレフタル酸ジグリシジルナガセケムテック株製25.0g、5-ヒドロキシイソフタル酸15.8g、臭化エチルトリフェニルホスホニウム1.6gをプロピレングリコールモノメチルエーテル170gに溶解させた後、130°Cで4時間反応させポリマーを含有する溶液を得た。得られた重合体をGPC測定したところ、質量平均分子量Mw=15000、分子量分布Mw/Mn=4.50であった。本合成例で得られたポリマーは式2に相当し、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物に含まれる樹脂バインダーに相当し、この重合体をポリマー樹脂Bとする。なお、上記合成例のGPCの条件は、GPCカラム:Shodex登録商標Asahipak登録商標昭和電工株製、カラム温度:40°C、溶媒:N,N-ジメチルホルムアミドDMF、流量:0.6ml/分、標準試料:標準ポリスチレン試料東ソー株製、ディテクター:RIディテクター東ソー株製、RI-8020により行った。実施例1上記合成例2で得られた18.0gのポリマーBを有する溶液100gに、架橋剤テトラメトキシメチルグリコールウリル4.5g、酸発生剤ピリジニウム-p-トルエンスルホン酸0.28g、および合成例1で得られたポリマーA4.5gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル3700g及び乳酸エチル1650gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成用組成物溶液を調整した。実施例2上記合成例1で得られた18.0gのポリマーAを有する溶液100gに、架橋剤テトラメトキシメチルグリコールウリル4.5g、酸発生剤ピリジニウム-p-トルエンスルホン酸0.28gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル3700g及び乳酸エチル1650gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成用組成物溶液を調整した。比較例1上記合成例2で得られた18.0gのポリマーBを有する溶液100gに、架橋剤テトラメトキシメチルグリコールウリル4.5g、酸発生剤ピリジニウム-p-トルエンスルホン酸0.28、および4-4’-ビスフェノールスルホン4.5gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル3700g及び乳酸エチル1650gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成用組成物溶液を調整した。フォトレジストパターン形状の評価実施例1、実施例2および比較例1で調製したレジスト下層膜形成用組成物の溶液をスピナーにより、シリコンウェハーに塗布した。ホットプレート上で205°C1分間焼成し、レジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜の上に、市販のフォトレジスト溶液東京応化工業株製、商品名TArF-P6111をスピナーにより塗布し、ホットプレート上で130°Cにて90秒間加熱してフォトレジスト膜膜厚0.25μmを形成した。そして、次いで、株ニコン社製NSR-S307Eスキャナー波長193nm、NA0.85、σ0.85/0.93DIPOLEを用い、現像後にフォトレジストのライン幅およびそのライン間の幅が0.09μmであり、すなわち0.09μmL/Sデンスラインであり、そして、そのようなラインが9本形成されるように設定されたマスクを通して露光を行った。その後、ホットプレート上130°Cで90秒間露光後加熱を行なった。冷却後、工業規格の60秒シングルパドル式工程にて現像液として0.26規定のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像した。得られたフォトレジストのパターンの断面を走査型電子顕微鏡SEMで観察した。その結果、実施例1、実施例2で調整したレジスト下層膜組成物から得られたレジスト下層膜ではレジスト形状を矩形に作成できた。一方、比較例1で調整したレジスト下層膜組成物から得られたレジスト下層膜ではレジストがフッティング形状を示した。昇華物定量試験QCM法実施例1、2および比較例1で調製したレジスト下層膜組成物の溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。上記を塗布したウエハーを205°Cに調整したホットプレートと一体化した昇華物測定装置にセットして、120秒間ベークおよび昇華物をQCMセンサーに捕集し定量した。測定はホットプレートを205°Cに昇温し、ポンプ流量が1m3/sに設定し、最初の60秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかにレジスト下層膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ測定物をインストール、60秒の時点から180秒の時点120秒間の昇華物の捕集を行った。また、QCMセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント検出部分には口径2mmのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は0.5mmを保っている。また、QCMセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径センサー直径が14mm、水晶振動子表面の電極直径が5mm、共振周波数が9MHzのものを用いた。結果、実施例1、実施例2で調製したレジスト下層膜組成物から得られたレジスト下層膜の昇華物量は、比較例1で調製した低分子量成分を多く含むレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜の昇華物量に対して、5分の1の量であり、顕著に昇華物量を削減させることができた。"