III‐V族窒化物半導体層と、前記III‐V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記端面コート膜と前記共振器の端面との間に、窒化アルミニウムからなる分離層を備え、前記分離層の前記端面コート膜側は酸窒化アルミニウムを含み、前記端面コート膜は酸化物であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記分離層の窒化アルミニウムが六方晶であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記分離層の窒化アルミニウムの少なくとも一部が非晶質であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。前記分離層がマグネトロンスパッタリング法、プラズマCVD法、又はECRスパッタリング法で作製されることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。しかしながら、密着層に金属膜を用いると、共振器端面上におけるpn接合がショートし、さらに光の吸収も大きくなる。窒化物半導体レーザにおいては、発振波長が短く光のエネルギーが大きいので、わずかな光吸収により出射端面が劣化するため、光出力が100mWを越えるような高出力のデバイスを実現することが困難である。一方、pn接合のショートおよび光の吸収を抑制する観点からは膜厚を10nm以下、より好適には5nm以下、さらに好適には2nm以下に制御して形成する必要がある。この場合、膜厚制御の困難さが歩留り低下の原因になる。また、酸化物からなる端面コート膜を、共振器端面に直接または金属膜の密着層に形成すると、端面コート膜の酸素によって共振器端面または密着層が酸化され、レーザ光の発振効率が低下し、動作電圧および消費電力の増加のみならず耐久性の低下の原因となる。そこで本発明は、金属の密着層のように形成時の微細な膜厚制御を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を維持しつつ、酸化アルミニウムからなる端面コート膜に含まれる酸素から共振器端面を分離する分離層を設けることによって、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、III‐V族窒化物半導体層と、前記III‐V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記端面コート膜と前記共振器の端面との間に、窒化アルミニウムからなる分離層を備え、前記分離層の前記端面コート膜側は酸窒化アルミニウムを含み、前記端面コート膜は酸化物とするものである。窒化アルミニウムからなる分離層は端面コート膜側で酸窒化アルミニウムを含み、端面コート膜は酸化物であり、分離層と端面コート膜との密着性が良く、端面コート膜が分離層を介して共振器の端面により強固に接合される。また、分離層の窒化アルミニウムは少なくとも一部が非晶質であると、完全に結晶化させる場合よりも容易に製造することができる。更に分離層に酸素を含まない窒化アルミニウムを用いることで、端面を端面コート膜に含まれる酸素から分離することにより端面の酸化を防止する。また、分離層の層厚は20nm以下であればクラックが生じずに良好な膜を作製できる。窒化アルミニウムは、窒化物半導体の劈開してできた共振器の端面に成膜すると、緻密な膜が形成できるものの、内部応力が大きく、それが原因で微小なクラックが生じるとともに剥がれる怖れがある。しかし、分離層の層厚を20nm以下、より好ましくは、10nm以下と非常に薄くすることで、このような問題を解決できる。また、分離層の層厚が1nm未満であると、層としての形成が十分でなく、密着性の機能を果たさなくなる、更に半導体レーザを駆動しつづけると、発熱によりコート膜から酸素が拡散してきて端面に達するため、端面が破壊してしまう怖れがある。よって、分離層の層厚は1nm以上20nm以下であることが好ましい。また、分離層はマグネトロンスパッタリング法、プラズマCVDChemicalVaporDeposition;化学気相成長法、又はECRElectronCyclotronResonance;電子サイクロトロン共鳴型スパッタリング法で作製される。一般に窒化アルミニウムはMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition;有機金属気相成長法を用いて400°C以上の高温で成長させられるが、マグネトロンスパッタリング法又はECRスパッタリング法では室温、プラズマCVD法では200°C以下で成長可能である。従って、活性層を加熱によって劣化させることなく分離層を形成することができる。分離層は非常に薄いため、不活性ガスクリーニングによって分離層を形成する共振器の端面の水分や酸化膜をできる限り除去しておいた方が、端面との密着性が高まるため密着性の効果を高めることができる。不活性ガスによるプラズマを用いたECRスパッタによって、共振器の端面のクリーニングを行ってから、分離層を形成する方が好ましい。また、不活性ガスのプラズマであれば、希ガスであるHe、Ne、Ar、Xeや窒素ガスを用いてECRスパッタを行っても、同じ効果が得られる。本発明によると、電気伝導率が低く、かつ透明な窒化アルミニウムからなる分離層を共振器端面と端面コート膜との間に設けることにより、電流のリーク及び光吸収を抑えることができる。また、酸化物を有する端面コート膜を分離層を介して共振器端面に強固に密着させることができ、かつ共振器端面をコート膜に含まれる酸素から分離することができる。その結果、得られた窒化物半導体光学素子の信頼性、耐久性が向上する。<第1の実施形態>レーザ構造及び電極が形成された窒化物半導体ウエハをダイヤモンドポイントによるスクライブ及びブレークの手法にてバーに劈開する。図1は、窒化物半導体レーザバーの共振器長に垂直な方向の断面図である。窒化物半導体レーザバー100は、n型GaN基板101側から順に、n‐AlGaInNバッファ層102、n‐AlGaInNクラッド層103、n‐AlGaInNガイド層104、AlGaInN多重量子井戸活性層105、p‐AlGaInNガイド層106、p‐AlGaInNクラッド層107、p‐AlGaInNコンタクト層108が積層されている。なお、これら窒化物半導体層にはIII‐V族窒化物半導体を用いることができる。なお、活性層105にはAs、P等のV族材料が0.01~10程度含まれていても良い。p‐AlGaInNガイド層106、p‐AlGaInNクラッド層107及びp‐AlGaInNコンタクト層108の少なくとも一部には、共振器方向に延伸したストライプ状のリッジ111が設けられる。ストライプの幅は、1.2~2.4μm程度、代表的には1.8μm程度である。p‐AlGaInNコンタクト層108に接してp電極110が設けられ、p電極110下部には、リッジ111部分を除いて絶縁膜109が設けられている。このように、窒化物半導体レーザバー100は、いわゆるリッジストライプ構造を有している。さらに、窒化物半導体レーザバー100の裏面側には、n電極112が形成されている。図2は、共振器長の横方向から見た窒化物半導体レーザバーの側面図である。共振器端面113に、酸素を含まない六方晶の結晶からなる分離層115、分離層115の表面に端面コート膜116、共振器端面114に端面コート膜117が積層される。分離層115としては窒化アルミニウム、GaN、AlGaN、InGaN等から選定できる。窒化物半導体レーザバー100の劈開面が共振器端面113、114となる。製造方法としては、窒化物半導体レーザバー100をホルダーに固定してECRスパッタリング装置に導入する。ArのECRスパッタにて前面の共振器端面113の表面処理を行い、表面の吸着水分および自然酸化膜などの酸化物の除去を行う。この表面処理は、Ar以外にも不活性ガスであるHe、Ne、Kr、Xeや窒素ガスで行ってもよい。続いて共振器端面113の表面にECRスパッタにて厚さ10nmの窒化アルミニウム分離層115、単層の酸化アルミニウム端面コート膜116を順次成膜する。単層の酸化アルミニウムの厚さは反射率が5になるように3λ/4nまたはλ/4nλ:発振波長、n:屈折率付近に設定されている。次に、ArのECRスパッタにて背面の共振器端面114の表面処理を行い、表面の吸着水分および酸化物の除去を行う。続いて共振器端面114の表面にECRスパッタにて端面コート膜117を成膜する。端面コート膜117は酸化アルミニウム/TiO2を1周期とする4周期分、合計8層の多層膜からなり、反射率が95になるように各層の厚さがλ/4nに設定されている。多層膜は、一層目共振器端面114側が酸化アルミニウムである。この窒化物半導体レーザバー100を窒化物半導体レーザ素子のチップに分割し、パッケージングを行い寿命試験を行った。図3は、窒化物半導体レーザ素子の寿命試験のデータである。試験の条件は、60°Cのパッケージ温度下で、120mWの一定ピーク光出力となるパルス電流駆動とした。7個のサンプルについて測定した結果をそれぞれ示している。図3に示すように、通電中の駆動電流の増加は減少し、MTTFMeanTimeToFailure;平均故障時間は約5000時間500、1000時間の駆動電流増加より予想であった。そして、端面リーク電流による歩留り悪化は皆無であった。また、通電中の駆動電流の急激な増加は皆無であった。一方、従来の金属密着層を設けたレーザ素子のMTTFは約3000時間、端面リーク電流による歩留り悪化は投入素子:10個中5個の50であった。端面リーク電流が発生したレーザ素子は、エージングの有無に関わらず、初期特性として既に動作電流が大きくなっているものである。また、MTTFが悪化している原因として、駆動中に突如、駆動電流値が急激に増加する現象があり、これは、共振器端面での光吸収や、膜の剥がれ、変質により引き起こされた端面の破壊的な劣化に伴うものである。従来の金属層を密着層に用いた場合、密着層がごく薄いとはいえ、光の吸収があるために、このような劣化が引き起こされるが、本発明によれば、分離層115の光吸収がなく、分離層115は電気伝導率が低いため端面リーク電流が発生しにくく、また、分離層115を介した共振器端面113と端面コート膜116との間の密着性にも優れ、さらに、分離層115によって端面コート膜の酸素が端面に拡散が起こらず、端面の酸化が防止されているためこのような現象が防止される。図4は、共振器長の横方向から見た、第1の実施形態にかかる他の窒化物半導体レーザバーの側面図である。共振器端面113に六方晶半導体層からなる分離層115、分離層115の表面に端面コート膜116、共振器端面114に六方晶半導体層からなる分離層118、分離層118の表面に端面コート膜117が積層されている。製造方法としては、窒化物半導体レーザバー100をホルダーに固定してECRスパッタリング装置に導入する。ArのECRスパッタにて前面の共振器端面113の表面処理を行い、表面の吸着水分および酸化物の除去を行う。続いて共振器端面113の表面にECRスパッタにて厚さ20nmのInN分離層115、単層のSiO2端面コート膜116を順次成膜する。単層のSiO2の厚さは反射率が5になるように3λ/4nλ:発振波長、n:屈折率付近に設定されている。次に、ArのECRスパッタにて背面の共振器端面114の表面処理を行い、表面の吸着水分および酸化物の除去を行う。続いて共振器端面114の表面にECRスパッタにて厚さ20nmのAlxGax1NX=0.2、ただし0≦X≦1の範囲で適用できるからなる分離層118、端面コート膜117を成膜する。端面コート膜117はSiO2/TiO2を1周期とする構造を4周期分備えた合計8層の多層膜からなり、反射率が95になるように各層の厚さがλ/4nに設定されている。この窒化物半導体レーザバー100を窒化物半導体レーザ素子のチップに分割し、パッケージングを行い、前述した条件と同様の条件で寿命試験を行った測定データは省略。この場合も、通電中の駆動電流の急激な増加は皆無であった。なお、第1の実施形態において、分離層115、118は、窒化アルミニウム、GaN、AlGaN、InGaN等の六方晶の結晶を構成しうる材料であればよい。従来の密着層は金属層であり、この場合、端面コート膜は弱い結合力である分子間力で密着層に接合していたが、窒化物半導体層を形成するAlGaInN半導体と同じ結晶系であるこれらの材料を分離層115、118に用いることで、分離層115、118が、端面コート膜116、117および共振器端面113、114に、より強固に接合される。従って、金属層を密着層に用いた場合に生じていた電流のリーク及び光吸収を抑えつつ、端面コート膜116、117を、分離層115、118を介して共振器端面113、114に強固に密着させることができる。短波長のレーザ光を発振する窒化物半導体レーザ素子の共振器端面113、114に形成する端面コート膜116、117として、酸化アルミニウムは、400nm程度の短波長領域で透明であること、成膜条件にもよるが応力が比較的少ないこと、さらに熱的に安定であることから好ましい。よって、酸化アルミニウムを端面コート膜116、117とすることで、高光出力駆動に適した窒化物半導体レーザ素子の作製が可能になる。このとき、分離層115、118は、積層する端面コート膜116、117と共通の組成元素を含む化合物を用いることが好ましい。従って、分離層115、118としては、酸化アルミニウムと共通の元素としてアルミニウムを有する化合物、例えば窒化アルミニウムが好ましい。また、端面コート膜116、117として酸化アルミニウムを窒化物半導体レーザ素子の共振器端面113、114に直接成膜した場合、密着性が落ちると同時に、酸化アルミニウムの酸素によって共振器端面113、114が酸化される。このように酸化された共振器端面113、114には非発光センターが増加し、それに伴い界面での発熱が増加し、長期信頼性を悪化させ、また、窒化物半導体レーザ素子のCODCatastrophicOpticalDamageレベルを下げることが分かった。したがって、分離層115、118として酸素を構成元素として含まない窒化アルミニウムを用いて、端面コート膜116、117の酸化アルミニウムの酸素を共振器端面113、114から、遠ざけることにより、共振器端面113、114の酸化を防止することができるため、半導体レーザ素子を長期信頼性の高いものとすることができる。一般的に酸化物系の材料例えば酸化アルミニウム、SiO2、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2等は内部応力が少なく、これを用いて窒化物半導体の表面に厚膜を形成しても、あまり窒化物半導体側に影響を与えない。しかし、窒化物系の材料は内部応力が強い傾向があり、これを用いて窒化物半導体の表面に厚膜を形成すると内部応力により窒化物半導体側が影響を受けて、窒化物半導体レーザ素子のエージング特性が悪化する。このため、酸化物形の材料を端面コート膜として共振器端面の表面に直接形成するのは、内部応力の影響の面からは好ましいが、共振器端面を酸化させてしまうため、実用上不適当である。また、端面コート膜116、117は、積層する分離層115、118と共通の組成元素を含む化合物を用いることができる。また、端面コート膜116、117は、上記の酸化物や窒化物の多層構造としてもよい。また分離層115、118は、少なくとも共振器の光出射端面と端面コート膜116、117との間に設けてあればよい。また、分離層115、118の層厚は20nm以下であればクラックが生じずに良好な膜を作製できる。また、分離層115、118は上記のようにECRスパッタリング法を用いるほかに、プラズマCVD法やマグネトロンスパッタリング法を用いてもよい。一般に窒化アルミニウム、GaN、AlGaN、InGaN等はMOCVD法を用いて400°C以上の高温で成長させられるが、マグネトロンスパッタリング法又はECRスパッタリング法では室温、プラズマCVD法では200°C以下で成長可能である。従って、活性層105を劣化させることなく分離層115、118を形成することができる。<第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、分離層が窒化アルミニウムのみからなる点以外は第1の実施形態と同様である。第2の実施形態にかかる窒化物半導体レーザバーは図2の構造を有し、分離層115は窒化アルミニウムのみからなるものである。また、窒化物半導体層は第1の実施形態と同様の構成であり、端面コート膜116は酸化アルミニウム、端面コート膜117は酸化アルミニウム/TiO2の多層膜からなる。窒化物半導体レーザバー100の共振器端面113に形成する低反射率の端面コート膜116として、酸化アルミニウムは、400nm程度の短波長領域で透明であること、更に、成膜条件にもよるが応力が比較的少ない、さらに熱的に安定であるの理由から、短波長で発振する窒化物半導体レーザ素子のコート膜として好ましい。酸化アルミニウムを端面コート膜116とすることで、窒化物半導体レーザ素子を高光出力駆動に適したものとすることができる。また、第2の実施形態において、酸化アルミニウムからなる端面コート膜116と、その上に積層する窒化アルミニウムからなる分離層115とは共通の組成元素としてAlを有するため、端面コート膜116と分離層115との界面数原子層においてNとOの相互拡散が発生し、AlNxOyx<1、y<1、xy=1が生成する。このAlNxOyが生成することによって、分離層115の窒化アルミニウムが完全には結晶化していなくても端面コート膜116の酸化アルミニウムとの密着性が向上し、窒化物半導体レーザ素子のCODレベル、寿命などの特性が安定する。したがって、窒化アルミニウムは全体が結晶化していてもよいが、一部に非晶質の部分があってもよく、その場合、全体を結晶化させる場合と比べて容易に分離層115を形成することができる。また、このような界面は、窒化物半導体層からの光の吸収を起こさないので、分離層115と端面コート膜116との組み合わせとして優れている。更に、端面コート膜116として酸化アルミニウムを窒化物半導体の共振器端面113に直接成膜した場合、密着性が落ちると同時に、酸化アルミニウムの酸素によって共振器端面113が酸化される。共振器端面113は、酸化されると、非発光センターが増加するため、それに伴い共振器端面113と端面コート膜116との界面での発熱が増加し、窒化物半導体素子の長期信頼性を悪化させる。しかし、分離層115として窒化アルミニウムを用いて端面コート膜116の酸化アルミニウムの酸素を共振器端面113から遠ざけることにより、共振器端面113の酸化を防止することができ、窒化物半導体レーザバー100から得られる窒化物半導体レーザ素子を長期信頼性の高いものとすることができる。また、窒化アルミニウム膜からなる分離層115上に酸化アルミニウム膜を端面コート膜116として形成することにより、Alが共通の元素となる。この場合、Alのメタルターゲットを用いたECRの反応性スパッタ装置などを用いることにより、スパッタの際に、Arに窒素を混ぜるか、酸素を混ぜるかによって、形成される膜種を変更できるため、窒化物半導体レーザバー100をECRスパッタリング装置内から取り出すことなく、分離層115と端面コート膜116を大気暴露せずに連続して成膜できる。このため、端面コート膜116を形成する前の分離層115の表面に、自然酸化膜が生成したり、空気中の不純物が付着したりすることが抑えられるため、分離層115を介した共振器端面113と端面コート膜116との密着性も向上する。次に、第2の実施形態にかかる窒化物半導体レーザバー100の製造方法について説明する。<前処理>窒化物半導体レーザバー100をホルダーに固定してECRスパッタリング装置に導入後、ArのECRスパッタにて前面の共振器端面113の表面処理を行い、表面の吸着水分および酸化物の除去を行う。この表面処理に用いるガスは、Ar以外の希ガスHe、Ne、Xeや窒素ガスなどの不活性ガスを用いてもよい。<成膜低反射率側>次に、ECRスパッタリング装置内で分離層115と低反射率の端面コート膜116を形成する方法について説明する。第2の実施形態では、共振器端面113に接する分離層115の窒化アルミニウム膜は厚さ20nmであり、端面コート膜116の酸化アルミニウム膜は厚さ70nmである。このとき分離層115の窒化アルミニウム膜は、20nmと薄いためにほとんど、端面コート膜116の反射率には影響を与えない。まず、アルゴンガス流量20ccmおよび窒素ガス流量5~6ccmをECRスパッタリング装置に導入しプラズマ状態を形成する。このときECRスパッタリング装置内の内圧は5×102Pa程度とし、マイクロ波パワーは500W、Alターゲットに接続されたRF電源の出力値は500Wとする。この状態で、ホルダーの直下にある、AlターゲットとECRスパッタリング装置を仕切るシャッターを開けることで、窒化アルミニウム膜からなる分離層115の成膜が開始される。このとき窒化アルミニウム膜の膜厚を20nm以下に制御する。本実施の形態に於いては20nmとした。その後、シャッターを閉じ、窒化されたAlターゲットの表面をArプラズマによりスパッタして、メタル面を出す。その後、アルゴンガス流量40ccmおよび酸素ガス流量6~7ccmを処理室に導入しプラズマ状態を形成する。このときECRスパッタリング装置内の内圧は1×101Pa程度とし、マイクロ波パワーは500W、Alターゲットに接続されたRF電源の出力値は500Wとする。この状態で、ホルダーの直下のシャッターを開けることで、酸化アルミニウム膜からなる端面コート膜116の成膜が可能となる。窒化物系半導体レーザ素子のようにレーザ光が400nm付近で発振する場合、酸化アルミニウム膜の膜厚は、発振波長λ=400nm、屈折率n=1.6より、λ/4n=62.5nmであるので、70nm程度とすることにより、5の反射率を実現することができる。この時の膜厚制御は、事前にダミーバーなどに成膜し、反射率を測定し成膜レートを調べておいて、この成膜レートに基づいてシャッターを開ける時間を制御することにより実現することができる。このように、低反射率の端面コート膜116が形成された側の共振器端面113を前面とし、もう一方の共振器端面114を後面とする。ここで、分離層115の形成にECRスパッタリング法の他に、スパッタ又はプラズマCVD法を用いると、MOCVD法のように400°C以上に加熱しなくても、スパッタ又はECRスパッタリング法では室温、プラズマCVD法では200°C以下で緻密な膜の製膜が可能である。そのため、窒化物半導体層の発光波長近傍波長300~600nm程度において光の吸収が皆無であり、窒化物半導体層と分離層115との界面にも光吸収を発生させない。また、加熱しないため窒化物半導体層を劣化させることもない。よって界面状態を安定させるための分離層115の形成方法としてスパッタ、プラズマCVD法、又はECRスパッタリング法が好ましい。また、端面コート膜116は、酸化アルミニウム膜単層に限られず、分離層115と接する層が酸化アルミニウム層であれば、異なる組成の層を含む複数の層からなるものであってもよい。<成膜高反射率側>次に、前面側の端面コート膜116の形成終了後、ホルダーを取り出し、後面側の共振器端面114に成膜できるようにセッティングを行い、95程度の反射率を有する高反射率の端面コート膜117の成膜を行う。基本的には、前面側で行ったプロセスと同じプロセスを行う。このとき、後面側の共振器端面114にも窒化アルミニウム膜からなる分離層118を成膜する。続いて分離層118の上に、酸化アルミニウム/TiO2を1周期とする4周期分、合計8層の多層膜からなる端面コート膜117を形成する。各層の厚さは反射率が95になるようにλ/4nである。この分離層118の窒化アルミニウム膜は6nm程度とする。分離層118は薄いために、端面コート膜117の反射率にはほとんど影響しない。前面側と同じ分離層のコーティングを施すことで膜厚は異なるがそれ以外の、前処理、成膜条件等は同じ後面側の共振器端面114の耐久性を確保しようとするものである。ただし、一般的に、後面側の高反射率の端面コート膜117付近の光密度は前面側の低反射率の端面コート膜116付近に比べ低いため、前面側に比べて後面側の方が発熱が少なく、破壊しにくい。このため、第2の実施形態においては、前面側の分離層115と同じ条件で後面側の分離層118を成膜するとしたが、これと異なる条件、異なる膜種TiO2、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、Y2O5などの別材料で形成しても構わない。また、端面コート膜117も95程度の反射率を有するものであれば酸化アルミニウム/TiO2以外からなるものであっても構わない。たとえばSiO2/TiO2/SiO2TiO2/SiO2の9層コートからなるものを用いることができる。<チップ分割、マウント>前後面の端面コート膜116、117の形成が終わった窒化物半導体レーザバー100は、スクライブ、ブレーク装置により、チップ状態の窒化物半導体レーザ素子に分割される。その後、分割された窒化物半導体レーザ素子は窒化アルミニウム、SiCなどのサブマウントに上にマウントされ、サブマウントごとステムにマウントされる。その後、ステムのピンとワイヤーボンドされ、大気封止でキャップされ、窒化物半導体レーザ装置が完成する。<比較例:分離層の有無>上記のように製作された、前面側の共振器端面113に窒化アルミニウム膜からなる分離層115と酸化アルミニウムからなる端面コート膜116が形成された、第2の実施形態にかかる窒化物半導体レーザ素子と、その比較例として前面側の共振器端面に分離層がなく、酸化アルミニウムからなる端面コート膜だけが形成された窒化物半導体レーザ素子の、初期状態と200時間のエージング後のCODレベルを測定した。エージング条件は、素子温度70°C、出力60mWのAPCAutoPowerControl;定出力制御駆動である。また、CODレベルの測定条件は、50ns、duty50、室温、pulse測定である。図5にCODレベルの時間変化を示している。また、その結果を表1に示す。この結果から、分離層115を設けた場合、分離層がない場合に比べ、エージング前のみならずエージング後においても3倍近く高いCODレベルが実現できることが分かる。分離層115を設けた場合に大幅にCODレベルが向上した原因に関して、以下のように考えられる。劈開してできた、共振器端面を含む窒化物半導体の表面は、窒素抜けにより空孔などが生じているため、窒化物半導体がGaNの場合であれば、Gaに対して窒素の量が減少しており、窒化物半導体の端面は内部に比べて、Gaリッチな状態になっている。このようなGaリッチな面に、酸化アルミニウム膜などの酸化膜を直接成膜すると、窒素が抜けた後のGaが酸素と結合し非発光センターなどになる。しかし、このような面に窒化アルミニウム膜からなる分離層115を形成することにより、抜けた窒素を補い、窒化物半導体の端面を正常化させ、さらに、Gaの酸化を防ぎ、非発光センターの少ない安定な界面を形成することができるためであると考えられる。また窒化アルミニウム膜は、酸化アルミニウム膜の4倍程度の熱伝導率を有しているため、放熱性に優れ、この放熱性により端面コート膜116の温度上昇が抑えられ、CODレベルの向上が引き起こされたとも考えられる。図6に200時間のエージングを終えた本発明の素子の端面部分において、AESAugerElectronSpectroscopy;オージェ電子分光法によって表面から内部に向かって組成分析した結果を示す。ここで窒化アルミニウムの厚さは20nmである。図6において、縦軸は各元素の組成、横軸はスパッタリング時間である。端面コート膜116の最表面からスパッタリングを行っているため、スパッタリング時間が0分である位置が端面コート膜116の最表面を示し、スパッタリング時間が経過するに従って端面コート膜の内部から、分離層115、窒化物半導体層を示す。である。図6から、エージング試験を行った後でも端面コート膜116の酸化アルミニウムの酸素が窒化アルミニウムからなる分離層115に阻まれて、窒化物半導体層のGaNの表面まで達しておらず、窒化アルミニウムの分離層115によって共振器端面113から酸素を分離できていることが分かる。<比較例:分離層の膜厚>次に、分離層115の窒化アルミニウム膜の膜厚を変化させた窒化物半導体レーザ素子の200時間のエージング前後のCODレベルの評価を行った。ここでは、分離層115の厚さを1nmから50nmまで変化させた窒化物半導体素子を用いた。エージング条件は、素子温度70°C、出力60mWのAPC駆動であり、CODレベルの測定条件は、50ns、duty50、室温、pulse測定である。なお、端面コート膜116の酸化アルミニウム膜は、分離層115の窒化アルミニウム膜と2層合わせて405nmの波長の光に対して反射率が5~10になるように膜厚を決定している。図7は、横軸を窒化アルミニウム膜の膜厚、縦軸をCODレベルとした、この測定結果を示すグラフである。図7から、窒化アルミニウム膜が20nmより厚くなると、CODレベルが低下することが分かる。窒化アルミニウムが1nmより薄い領域図7では0.5nmの場合を示しているにおいては、端面コート膜116の酸化アルミニウム層と共振器端面113との分離ができなくなる。これによって、酸化アルミニウムの酸素が共振器端面113の窒化物半導体のGaと反応してGaの酸化物が生成し界面の非発光センターが増加し発熱量が増加するため好ましくない。また、図8は横軸をエージング時間、縦軸を駆動電流とした、この測定結果を示すグラフである。図8Aは窒化アルミニウムの膜厚が6nm、図8Bは窒化アルミニウムの膜厚が50nmの場合である。膜厚6nmの窒化アルミニウムについては10個の試料、膜厚50nmの窒化アルミニウムについては15個の試料について測定した。図8A、Bからわかるように、窒化アルミニウムの膜厚が6nmの場合、エージング中のIop駆動電流の上昇はなだらかであり寿命の劣化は見られないが、50nmの場合、2個を除いてエージング中のIopの上昇が大きくなり、寿命の著しい劣化が起こる。これは、窒化アルミニウム膜が有する応力が影響しているものと考えられる。なお、図8Aで、駆動電流がエージング初期から0mAのものが2個あるが、これは測定装置の問題であり、本発明とは本質的に関係がない。したがって、これらの結果から、分離層115の窒化アルミニウムの膜厚は1nm以上20nm以下であることが好ましい。なお、第1の実施形態および第2の実施形態では、劈開によって形成した窒化物半導体端面に関して詳細に記述したが、端面がRIEReactiveIonEtchingICPなどの気相エッチング、KOH水酸化カリウムなどの溶液によるウエットエッチングによって、形成されたものエッチドミラーであっても、本発明はなんら問題なく適用できる。