"チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるための手段と、前記チャンバの所定の壁と対向して設けられ、該プラズマからイオンを引き出すための引出し手段と、前記チャンバ内のプラズマ密度を調整するための部材であって、前記チャンバ内で、前記壁から前記引出し手段に向かう第1の方向、および前記引出し手段から前記壁に向かう第2の方向に沿って移動可能な部材と、前記壁と前記部材の側壁との間をシールするためのシール部材であって、前記部材と摺動関係にあるシール部材と、前記部材の移動によって前記部材の側壁と前記シール部材とが摺動する部分の少なくとも一部を覆うシールドであって、前記壁から前記引出し手段に向かって延在する部分を少なくとも有するシールドとを備えることを特徴とするイオンビーム発生装置。前記チャンバ内のプラズマ密度を調整するための第2の部材であって、前記部材と隣接して設けられ、前記チャンバ内で、前記第1の方向および前記第2の方向に沿って、前記部材と独立して移動可能な第2の部材をさらに備えることを特徴とするイオンビーム発生装置。前記部材は、円筒状の部材であり、前記第2の部材は、前記円筒状の部材を囲むように設けられた環状の部材であり、前記部材と前記第2の部材とは同心で設けられていることを特徴とする請求項2に記載のイオンビーム発生装置。前記部材と前記第2の部材の内部にはそれぞれ電磁石が設けられており、前記部材の内部に設けられた電磁石に流れる電流の方向と前記第2の部材の内部に設けられた電磁石に流れる電流の方向とは反対方向に設定されていることを特徴とする請求項3に記載のイオンビーム発生装置。前記部材は、前記側壁と底面とを有し、前記底面の一部は前記側壁から突き出ていることを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム発生装置。前記部材の内部に設けられ、該部材の側壁側および底面側にカスプ磁場を形成するように構成された磁場印加手段をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のイオンビーム発生装置。請求項1に記載のイオンビーム発生装置を備えることを特徴とするイオンビームプラズマ処理装置。チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるための手段と、前記チャンバの所定の壁と対向して設けられ、該プラズマからイオンを引き出すための引出し手段と、前記チャンバ内のプラズマ密度を調整するための部材であって、前記チャンバ内で、前記壁から前記引出し手段に向かう第1の方向、および前記引出し手段から前記壁に向かう第2の方向に沿って移動可能な部材と、前記壁と前記部材の側壁との間をシールするための伸縮部材であって、前記第1および第2の方向に沿って伸縮可能な伸縮部材とを備えることを特徴とするイオンビーム発生装置。さて、特許文献2のように、移動可能に設けられたプラグおよびグリッドアセンブリを備えるプラズマチャンバからイオンを引き出してイオンビームを形成する技術では、上記グリッドアセンブリが有する所定の電極第1の電極4aおよび第3の電極4cに付着物が堆積することがある。以下で、第1の電極4aおよび第3の電極4cに付着膜が堆積する原理を図2にて説明する。第2の電極4bには負の電圧が印加されているので、プラスの電荷を有するイオンが第2の電極4bに引き寄せられることがあり、これにより第2の電極4bの電極材料がスパッタされることがある。このようにスパッタされた第2の電極4bの電極材料は、第1の電極4aと第3の電極4cの第2の電極4bに面する側に付着膜21a,21bとして付着する。具体的には、プラズマチャンバ1に導入された中性ガス図2では、nと表記の中には、電極間において、引き出されるイオン23との電荷交換反応によりイオン化し、低速イオンLになるものがある。電荷交換反応とは、それぞれの粒子の運動量を保存したまま電荷だけが交換される現象である。区別するために上述のイオンビーム24を高速イオンHと呼ぶが、高速イオンは各電極の電圧による静電界不図示によって加速偏向され、電極に衝突せずに第3の電極4cから噴射される。一方、加速されていない低速イオンLは第2の電極4bの負電位によって加速され第2の電極4bに衝突し、スパッタリングを起こす。スパッタされた第2の電極4bの材料は、スパッタ粒子25となる。該スパッタ粒子25の一部は、第1の電極4aと第3の電極4cに付着し、付着膜21a,21bを形成する。一方、上記スパッタ粒子25の中には、プラズマチャンバ1内に飛来するものもある。このように、プラズマチャンバ1内に到達してしまった第2の電極4b起因のスパッタ粒子25がプラグ2の可動領域であるプラグ2の側壁部2bに付着すると、該側壁部2bに第2の電極4bの材料を含む付着膜26が形成されてしまう。図1からも分かるように、従来では、プラグ2の可動領域である側壁部2bとOリング3とを摺動させることによって、プラグ2の移動が実現される。従って、上述のようにプラグ2の可動領域である側壁部2bに形成された付着膜26が、側壁部2bとOリング3との良好な摺動を阻害する恐れがある。また、上記スパッタ粒子25がさらに側壁部に付着するとそれに応じて付着膜26が大きくなり、最悪の場合、該大きくなった付着膜26によりプラグ2が動けなくなってしまう。本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、移動可能な部材例えば、プラグを備えるイオンビーム発生装置において、グリッドアセンブリが有する電極がスパッタされても、上記部材の側壁への付着膜の形成を低減可能なイオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、グリッドアセンブリが有する電極がスパッタされ該スパッタにより該電極起因のスパッタ粒子が発生しても、上記移動可能な部材を良好に移動させることができるイオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置を提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、イオンビーム発生装置であって、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるための手段と、前記チャンバの所定の壁と対向して設けられ、該プラズマからイオンを引き出すための引出し手段と、前記チャンバ内のプラズマ密度を調整するための部材であって、前記チャンバ内で、前記壁から前記引出し手段に向かう第1の方向、および前記引出し手段から前記壁に向かう第2の方向に沿って移動可能な部材と、前記壁と前記部材の側壁との間をシールするためのシール部材であって、前記部材と摺動関係にあるシール部材と、前記部材の移動によって前記部材の側壁と前記シール部材とが摺動する部分の少なくとも一部を覆うシールドであって、前記壁から前記引出し手段に向かって延在する部分を少なくとも有するシールドとを備えることを特徴とする。また、本発明の第2の態様は、イオンビームプラズマ処理装置であって、上記第1の態様に係るイオンビーム発生装置を備えることを特徴とする。さらに、本発明の第3の態様は、イオンビーム発生装置であって、チャンバと、前記チャンバ内にプラズマを発生させるための手段と、前記チャンバの所定の壁と対向して設けられ、該プラズマからイオンを引出すための引出し手段と、前記チャンバ内のプラズマ密度を調整するための部材であって、前記チャンバ内で、前記壁から前記引出し手段に向かう第1の方向、および前記引出し手段から前記壁に向かう第2の方向に沿って移動可能な部材と、前記壁と前記部材の側壁との間をシールするための伸縮部材であって、前記第1および第2の方向に沿って伸縮可能な伸縮部材とを備えることを特徴とする。本発明では、移動可能な部材例えば、プラグを備えるイオンビーム発生装置において、グリッドアセンブリが有する電極がスパッタされても、移動可能な部材を良好に移動させることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。第1の実施形態図3は、本実施形態に係るイオンビームプラズマ処理装置としてのイオンビームエッチングIBE装置500aを説明するための図である。IBE装置500aは、空間513を有する処理チャンバ501、処理チャンバ501内のガスを排気するポンプ502、イオンビーム源イオンビーム発生装置200、および基板ホルダ504を備えている。なお、空間513はイオンビーム源200にとっては外部空間と言え、本明細書ではイオンビーム源内の空間を内部空間本実施形態では、符号209と称することから、以下では、空間513を便宜上外部空間513と呼ぶ。イオンビーム源200は、高周波誘導結合プラズマRFICP放電チャンバを有しており、該RFICP放電チャンバの一方側にはイオンを引き出すための引出し手段としてのグリッドアセンブリ203が設けられている。イオンビーム源200に設けられた導入管208を通してイオンビーム源200にガスを導入する。マッチングネットワーク207に接続され、高周波RF場を生成するためのアンテナ206を、内部空間209にプラズマ放電を生成するようにイオンビーム源200の周囲に配置する。イオンは、内部空間209内にて生成されたプラズマ放電からグリッドアセンブリ203によって引き出され、外部空間513においてイオンビームレットビーム流509となる。イオンビームレット509は、基板ホルダ504上のステージ504bに載置されたワークピース511に向かうブロードイオンビーム509aを形成する。ワークピース511は、処理チャンバ501の壁の1つに形成されたスリット512を介して処理チャンバ501内に挿入される。基板ホルダ504を傾斜チルトもしくはパンしてワークピース511に対するイオンビーム509aの角度を変えることができる。また、基板ホルダ504を傾斜させない水平位置で処理チャンバ501にワークピース511をロードすることができ、処理チャンバ501から該ワークピース511をアンロードすることができる。ワークピース511を、ステージ504bに保持されたワークピース511の表面すなわち、ステージ504bの表面と直角である軸504aの周りを回転するようにしても良い。この場合は、例えば、軸504aを中心にステージ504bを回転可能に構成すれば良い。ワークピース511の帯電を防止ないしは該帯電を低減するために、ブロードイオンビーム509a内の電圧を低減するように電子を生成する中和器510が設けられている。図4は、本実施形態に係るイオンビーム源を示す図である。以下では、既存のイオンビーム源における問題を解決する構成要素に主に焦点を当てて説明する。イオンビーム源200は、放電チャンバの内壁の1つ放電チャンバの所定の壁である上壁201、円筒状の側壁202、およびイオンビーム源200の底壁としても機能するグリッドアセンブリ203を含む放電チャンバを備える。上壁201は、平坦であり固定された円板201aを有している。該円板201aの開口部には、矢印方向212に沿って移動可能な部材イオンビーム源200の放電チャンバ内でグリッドアセンブリ203のイオン放出面の法線方向に移動可能に設けられた部材としてのプラグ205が挿入されている。円筒状のプラグ205は、円状の底面205aと側壁205bとを有し、イオン引き出し面として機能するグリッドアセンブリ203の面イオン放出面に対して直角方向である矢印方向212に沿って移動することができる。すなわち、プラグ205は、上壁201からグリッドアセンブリ203に向かう第1の方向、およびグリッドアセンブリ203から上壁201に向かう第2の方向に沿って移動することができる。プラグ205はアクチュエータ等であるプラグ駆動機構220に接続されており、不図示の制御装置からの駆動コマンドによりプラグ駆動機構220が駆動することにより、プラグ205は、矢印方向212に沿って適宜移動する。このようにプラグ205を移動させることにより、プラズマ密度プロファイルを制御することができる。すなわち、プラグ205は、放電チャンバ内のプラズマ密度を調整するための部材として機能する。なお、プラグ205の形状は、円筒状に限定されるものではなく、例えば、正多角形状や矩形状であってもよい。放電チャンバの上壁201と反対側対向する側には、電極載置用リング204を介して、グリッドアセンブリ203が設けられている。該グリッドアセンブリ203は、第1の電極203a、第2の電極203b、および第3の電極203cを有している。第1の電極203a、第2の電極203b、第3の電極203cは、複数の孔を有するグリッド構造を有した多孔板電極であり、長寿命化や耐久性の観点から、構成部材グリッド材としてはスパッタリング率が低いモリブデンやカーボンを用いることが好ましい。本実施形態では、第1の電極203aは、第1電源不図示と接続されて正電位に維持され、第2の電極7bは第2電源不図示と接続されて負電位に維持され、第3の電極203cはアースと接続されている。このように、第1~第3の電極203a~203cの各電位はそれぞれ独立して制御されている。本例においては、第1の電極203aは正電位例えば、100~1000Vとなり、第2の電極203bは負電位例えば、-1000~-3000Vとなり、第3の電極203cは接地電位になるように維持されている。イオンビーム源200内にプラズマを発生させ、第1の電極203aに正電圧、第2の電極203bに負電圧をそれぞれ印加すると、第1の電極203aと第2の電極203bの電位差によってプラズマ中のイオンのみが静電加速によって引き出される。プラズマから引き出されたイオン正電位のイオンは、第2の電極203aと第3の電極203cの電位差によって逆に減速されるため、第3の電極203cを通過するイオンは第1の電極203aの電位分のエネルギーを持ったイオンビームとして噴射される。第3の電極203cから引き出されるイオンビームは、各電極の電圧による静電界不図示によって偏向されている。円板201aとプラグ205の側壁205bとの間には、該側壁205bと摺動関係にあり、該円板201aとプラグ205との間をシールするためのOリング211が設けられている。環状板201aの内周側の側壁201dには溝不図示が形成されており、Oリング211は該溝に固定されている。Oリング211は、プラグ205が矢印方向212に移動できるように構成されている。例えば、環状板201aに固定されたOリング211が、プラグ205の可動域である側壁205bと摺動できるように、Oリング211と側壁205bとは構成されている。本実施形態では、Oリング211を設けることにより、移動可能なプラグ205を設け、該プラグ205を移動させる場合であっても、イオンビーム源200の放電空間でもある内部空間209からイオンビーム源200および処理チャンバ501の外部領域210へのガスの漏洩を低減することができ、また外部領域210から内部空間209への不純物の混入を低減することができる。本実施形態では、環状板201a、およびプラグ205は、好ましくはアルミニウムまたはステンレス鋼によって形成しても良く、第1の電極203aと同一の電位に設定される。なお、本実施形態では、側壁202に冷却手段202aを設け、円板201aに冷却手段201bを設けることにより、イオンビーム源200を冷却する構成を用いても良い。冷却手段202aを、プラグ205の内部に設けても良い。また、円板201aの内縁の内部空間209側に、該内縁からグリッドアセンブリ203側に延在するシールド201cであって、プラグ205の側壁205bの少なくとも一部を囲むように設けられたシールド201cが形成されている。本実施形態では、シールド201cは、プラグ205を囲むように構成された円筒であり、該円筒の一方端が円板201aの内部空間209側に接続されている。本実施形態では、該シールド201cにより、グリッドアセンブリ203や処理中のワークピース511例えば、ウエハからプラグ205の側壁205bへの膜の蓄積を防止ないしは低減することができる。特に、図2において説明したように、第2の電極203bの材料からなるスパッタ粒子が第2の電極203bから発生し、イオンビーム源200の放電チャンバ内に進入しても、上記シールド201cにより上記スパッタ粒子の側壁205bへの付着を低減することができる。従って、グリッドアセンブリ203の第2の電極203b起因のスパッタ粒子が発生しても、プラグ205を滑らかに動かすことができる。また、シールド201cは、円板201aの内縁開口部の縁からプラグ205の側壁205bに沿ってグリッドアセンブリ203側に延在しているので、シールド201cと側壁205bとの間の間隔を小さくすることができ、この領域のコンダクタンスを小さくすることができる。すなわち、上記内縁部にシールドが位置しているので、シールド201aと側壁205bとの間の間隔をOリング211のサイズ分にすることができ、上記コンダクタンスを極力小さくすることができる。従って、シールド201cと側壁205bとの間に上記スパッタ粒子が流れ込みにくくすることができ、側壁205bへの付着膜の形成をさらに低減することができる。このように、本実施形態では、シールド210cと側壁205bとの間の領域のコンダクタンスを小さくすることにより、側壁205bへの、第2の電極203b起因のスパッタ粒子の付着を低減できる効果を奏することができる。よって、上記コンダクタンスを極力小さくすることができるのであれば、シールド201cの配置位置は、環状板201cの内縁部に限らず、例えば、該内縁部から所定の距離だけ離れた位置であっても良い。すなわち、上記環状板201aの内縁部または該内縁部の近傍であれば、上記コンダクタンスを極力小さくすることができるので、シールド201cの配置位置として好ましい位置である。シールド201cと側壁205bとの間にプラズマが入りこまないように、シールド201cと側壁205bとの間の間隔は、デバイ長以下とするのがよい。また、プラグ205の移動によりプラズマ密度プロファイルを均一にすることを考慮すると、イオンビーム源200の中央側よりも側壁202側に広い空間を確保することが好ましい。この点を考慮すると、グリッドアセンブリ203と対向する上壁201からグリッドアセンブリ203側に、プラグ205の側壁205bに沿って延在するように、シールド201cを上記上壁201に設けることが好ましい。何故ならば、このような配置により、シールド201cが、側壁202側における上壁201側へのプラズマの拡がりを遮ることが無いからである。このように、シールド201cを上壁201からグリッドアセンブリ203側に伸びるように上壁201に設けているので、第2の電極203b起因のスパッタ粒子のプラグ205の側壁205bへの付着を低減することと、イオンビーム源200の放電チャンバ内において側壁202側に広い空間を確保することとを同時に実現することができる。なお、本実施形態では、シールド201cの上壁201からグリッドアセンブリ203へと向かう方向と、側壁205bの上壁201からグリッドアセンブリ203へと向かう方向とは平行であるが、これらは平行ではなくても良い。すなわち、上壁201から電極格子アセンブリ203側に延在するシールド201cにより、上記スパッタ粒子の側壁205bへの付着の低減、および上記広い空間の確保を同時に実現できるのであれば、上記2つの方向が平行であるか否かは問題では無く、シールド201cの形状は、上壁201からグリッドアセンブリ203に向かって拡がる形状、または先細りとなる形状であっても良い。また、シールド201cは、内部空間209内にプラズマが安定に形成されるように、第1の電極203aと同電位、またはフローティング電位とすることが好ましい。シールド201cを第1の電極203aと同電位にする場合には、シールド201cの材質としては、Mo、Ti、SiO2などの熱膨張率が低い物質が好適である。また、シールド201cをフローティング電位とする場合には、シールド201cの材質としては、石英、アルミナなどの絶縁物とする。この場合、図22に示すように、シールド201cの、放電チャンバの上壁201との間の部分に、切り欠き17を入れることが望ましい。こうすることで、グリッドからMo等の付着物がシールド201cに付着しても、この付着物とチャンバの上壁とが完全に接続されてしまうことを防止することができ、安定したプラズマを維持することができる。さらに、シールド201cの長さLは、シールド201cが内部空間209内におけるプラズマ密度プロファイルの形成に干渉しないような長さであることが好ましい。すなわち、シールド201cの長さは、プラグ205が最大可動域に達した長さ以下とすることが好ましい。第2の実施形態従来では、円筒状イオンビーム源を可能な限り物理的に対称となるように設けることが一般的である。しかしながら、イオンビーム源には、例えばRFアンテナのような、対称を壊す構成要素が設けられる。このようなRFアンテナにおいては、複数の旋回により、非対称は減少するが、アンテナのコイルインダクタンスは増加する。従って、チャンバの直径に沿ったプラズマ密度プロファイルは、入念に設計されたイオンビーム源に対してさえわずかに非対称になる傾向がある。プラズマ密度プロファイルは、プラズマチャンバの径方向の中央で平らでありかつ側壁近くで対称となるプロファイルではなく、上記径方向の中央で傾き側壁近くで平らではないようなプロファイルになるかもしれない。非対称は一般的に、ある特定の直径において最も言われるものであり、他の方向については、プラズマ密度プロファイルはより対称的である。ガス圧力やRFアンテナパワーのようなプロセス条件を幾つか変えると、非対称が最も大きくなる方向は変わることもある。プラズマ密度プロファイルの非対称は、ワークピースを該ワークピースの処理面の法線を中心に回転して行うエッチング処理にとって重大な問題では無いかもしれない。しかしながら、静的な条件例えば、上記ワークピースの回転を行わない場合などに対しては、特により大きなワークピースやウエハ8インチ以上について、良好な一様性を達成するのは困難である。ワークピース上でこのようなプロファイルの非対称を減少させるために、イオンビームチャンバをより大きくすることが挙げられるが、これはコスト増に繋がる。一方、特許文献2に開示された技術では、移動可能なプラグでイオンビームチャンバ中のプラズマを変位させてイオンビームチャンバの中心領域の空間を狭めることにより、プラズマ密度プロファイルを制御している。しかしながら、その制御性は、プラグのサイズ直径や形状によって制限される。さらに、特許文献2に開示されたような従来のプラグを用いてプラズマ密度を制御する技術においては、プラグ領域の外側プラグの底面直下の空間に対して外側のプラズマ密度プロファイルは、プラグを動作させることにより直ちに変更されるが、プラグの下の空間のプラズマ密度プロファイルはほとんど変更されない。そこで、図1に示すように、従来では、プラグ2に拡大部7を設けるなどの様々な方法が利用される。しかしながら、このような方法では、条件が変わる都度、該条件に応じた拡大部を設ける必要があり、異なる処理条件に柔軟に対処することができない。本実施形態では、条件を変更してもそれに簡単に対応でき、より広い範囲に亘ってプラズマ密度プロファイルを変更できるイオンビーム源を実現することを目的の1つとしている。図5は、本実施形態に係るIBE装置500bを説明するための図である。IBE装置500bは、空間513を有する処理チャンバ501、処理チャンバ501内のガスを排気するポンプ502、イオンビーム源300、および基板ホルダ504を備えている。イオンビーム源300は、RFICP放電チャンバを有しており、該RFICP放電チャンバの一方側にはイオンを引き出すためのグリッドアセンブリ303が設けられている。イオンビーム源300に設けられたオリフィス308を介してイオンビーム源300にガスを導入する。マッチングネットワーク307に接続され、高周波RF場を生成するためのアンテナ306を、内部空間309にプラズマ放電を生成するようにイオンビーム源300の周囲に配置する。イオンは、内部空間309内にて生成されたプラズマ放電からグリッドアセンブリ303によって引き出され、外部空間513においてイオンビームレット509となる。図6は、本実施形態に係るイオンビーム源を示す図である。イオンビーム源300は、上壁301、円筒状の側壁302、およびイオンビーム源300の底壁としても機能するグリッドアセンブリ303を含む放電チャンバを備える。なお、グリッドアセンブリ303は第1の電極303a、第2の電極303b、および第3の電極303cを有しており、第1の電極303a、第2の電極303b、および第3の電極303cはそれぞれ、図4にて説明した第1の電極203a、第2の電極203b、および第3の電極203cに対応する。上壁301は、平坦であり固定された環状板301aを有している。該環状板301aの開口部には、少なくとも2つの、独立して移動可能な部材プラグ、すなわち本実施形態では、内側プラグ第1のプラグ305および外側プラグ第2のプラグ313が挿入されている。これら、内側プラグ305および外側プラグ313は、側壁302の間の中心部において同心で設けられても良い。内側プラグ305は、底面305aと側壁305bとを有し、イオン引き出し面としても機能するグリッドアセンブリ303の面に対して直角方向である矢印方向312に沿って移動することができる。すなわち、内側プラグ305は、上壁301からグリッドアセンブリ303に向かう第1の方向、およびグリッドアセンブリ303から上壁301に向かう第2の方向に沿って移動することができる。内側プラグ305はアクチュエータ等である内側プラグ駆動機構320に接続されており、不図示の制御装置からの駆動コマンドにより内側プラグ駆動機構320が駆動することにより、内側プラグ305は、矢印方向312に沿って適宜移動する。一方、内側プラグ305の外側に設けられた第2の部材としての外側プラグ313は、環状の底面313aと外側側壁313bと内側側壁313cとを有し、上記矢印方向312と平行である矢印方向314に沿って移動することができる。すなわち、外側プラグ313は、上壁301からグリッドアセンブリ303に向かう第1の方向、およびグリッドアセンブリ303から上壁301に向かう第2の方向に沿って移動することができる。外側プラグ313はアクチュエータ等である外側プラグ駆動機構321に接続されており、不図示の制御装置からの駆動コマンドにより外側プラグ駆動機構321が駆動することにより、外側プラグ313は、矢印方向314に沿って適宜移動する。環状板301aと外側側壁313bとの間にはOリング311が設けられており、2つのプラグ間、すなわち、内側プラグ305の側壁305bと外側プラグ313の内側側壁313cとの間にはOリング315が設けられている。環状板301aの内周側の側壁301dには溝不図示が形成されており、Oリング311は該溝に固定されている。また、好ましくは内側プラグ305の側壁305bに円周方向に沿って溝不図示が形成されており、Oリング315は該溝に固定されている。なお、Oリング315を固定するための溝は、外側プラグ313の内側側壁313cに形成されても良いことは言うまでも無い。Oリング311、315は、プラグが動作できるように構成されている。例えば、環状板301aに固定されたOリング311が外側側壁313bと摺動できるように、Oリング311と外側側壁313bとは構成されている。同様に、側壁305bに固定されたOリング315が内側側壁313cと摺動できるように、Oリング315と内側側壁313cとは構成されている。本実施形態では、Oリング311、315を設けることにより、独立して移動可能な2つのプラグを設け、該2つのプラグの少なくとも一方を移動させる場合であっても、イオンビーム源300の放電空間でもある内部空間309からイオンビーム源300および処理チャンバ501の外部領域310へのガスの漏洩を低減することができ、また外部領域310から内部空間309への不純物の混入を低減することができる。本実施形態では、環状板301a、内側プラグ305、および外側プラグ313は、好ましくはアルミニウムまたはステンレス鋼によって形成しても良く、グリッド303aと同一の電位に設定される。なお、本実施形態では、側壁302に冷却手段302aを設け、環状板301aに冷却手段301bを設けることにより、イオンビーム源300を冷却する構成を用いても良い。冷却手段302aを、内側プラグ305および外側プラグ313の少なくとも一方の内部に設けても良い。このような構成において、内側プラグ305および外側プラグ313を独立に移動させることにより、プラズマシェイピングの作用をより広い範囲に拡大する、すなわちプラズマシェイピングをより広い範囲で行うことができる。例えば、底面305aと底面313aとを同じレベルに位置させることにより、外側プラグ313の外側の領域のプラズマ密度を直ちに変更することができる。また、底面313aを底面305aよりも相対的に上方に位置させることにより、底面313aの下のプラズマ密度を変更する上昇させることができる。底面305aを底面313aよりも相対的に上方に位置させることにより、底面305の下でかつグリッド近傍のプラズマ密度を変えることができる。なお、内側プラグ305と外側プラグ313の相対的な位置決めを、最適なイオンビームエッチングプロファイルを得るための動作中に動的に変更しても良い。また、本実施形態では、イオンビームチャンバを排気する事無しに、内側プラグ305と外側プラグ313の相対的な位置決めを行うことができる。図1に示す従来のイオンビームチャンバでは、各条件を変えると拡張部7を取り替える必要があり、各条件に適合した拡張部7の取替え時において、イオンビームチャンバを排気する必要があった。さらには、上記拡張部7をイオンビームチャンバ内に入れるための開口部を該イオンビームチャンバに別途設ける必要があった。しかしながら、本実施形態では、拡張部7を設けなくても内側プラグ305および外側プラグ313の相対位置を変化させるだけで、プラズマ密度プロファイルを制御することができる。従って、プラズマ密度プロファイルを制御する際に放電チャンバを排気する必要が無く、所望のイオンビームエッチングプロファイルを得るためのプラズマの最適化を著しく速めることができる。また、プラズマ密度プロファイルを制御するための部材例えば、拡張部7を放電チャンバ内に導入するための開口部を該放電チャンバに設ける必要が無いので、装置を簡略化することができる。このように、本実施形態では、内側プラグ305および外側プラグ313の2つのプラグを用い、該2つのプラグの底面の相対的な位置関係を制御することによって、プラズマ密度プロファイルを制御することができる。従来では、プラグの下のプラズマ密度を変更することは困難であった。すなわち、従来のようにプラグを1つ設ける形態は、放電チャンバの中心領域の空間を狭めることで、グリッドアセンブリから放出されるイオン量を均一にしようとするものであるが、依然として、放電チャンバの中心領域のプラズマ密度が高い。すなわち、プラグの下側ではプラズマの体積が小さくなるため、該プラグの下側ではプラズマ密度が高くなる。よって、プラグの下側に生じたプラズマは、放電チャンバの側壁側に発散してしまうことがある。その結果、プラグの下側のプラズマ密度を調整することが困難となるのである。すなわち、プラグは、該プラグの下側の空間から外の空間に対してはプラズマ密度の変更作用を有するが、自身の下側の空間においてはプラズマ密度の変更作用をほとんど持っていないと言えるのである。これに対して、本実施形態では、プラグの下側のプラズマの発散量を調節するために、移動可能な1つのプラグに隣接して別の移動可能なプラグを設けている。よって、一方のプラグによるプラズマ密度の変更効果を他方のプラグの下の領域に作用させることができる。よって、一方のプラグに着目すると該一方のプラグのプラズマ密度変更効果を自身の下の領域に作用させることができないが、他方のプラグのプラズマ密度変更効果が上記一方のプラグの下の領域に及んでいる。その結果、イオンビーム源が備えるプラグの各々について、その下側の空間のプラズマ発散量を調節することができる。従って、ある直径方向に沿って、プラズマ密度プロファイルをより良好に調節することができ、該プラズマ密度プロファイルの微調整を行うことができる。また、本実施形態では、内側プラグ305を円筒状にし、外側プラグ313を環状にし、イオンビーム源300の上面の中央部において内側プラグ305および外側プラグ313が同心となるように、かつ環状の外側プラグ313により円筒状の内側プラグ305を囲むように配置している。従って、イオンビーム源300のどの直径方向に対しても、内側プラグ305および外側プラグ313の相対的な位置関係により生じるプラズマ密度の補償効果を同様に反映させることができる。なお、本実施形態では、内側プラグ305および外側プラグ313の2つのプラグを用いる形態について説明したが、プラグの数は2つに限らず、3つ以上であっても良い。例えば、外側プラグ313の外側に、該外側プラグ313を囲むように構成されたプラグをさらに設けても良い。また、本実施形態では、隣接する2つのプラグとして、円筒状の内側プラグ305と、該内側プラグ305を囲むように構成された環状の外側プラグ313を用いているが、これらに限定されない。本実施形態では、独立に移動可能な2つのプラグを隣接して配置することが重要であり、このような構成を採るものであればプラグの形状はいずれの形状であっても良い。なお、本実施形態では、外側プラグ313が、内側プラグ305bの側壁への付着膜を防止ないしは低減するシールドとして機能する。図7は、本実施形態に係るイオンビーム源300内で移動可能に設けられるプラグの一例を示す図である。図7において、開口部351aおよび開口部351bが形成された環状板350が、開口部351a、351bと環状板301aに形成された開口部とが重なるように、環状板301aの外側に設けられている。開口部351aには支柱356が挿入されており、該支柱356の一方端にはプラグ354が接続されており、他方端にはプラグ駆動機構358に接続されている。開口部351aの内壁と支柱356との間にはOリング352が設けられており、該Oリング352と支柱356とは摺動可能である。なお、Oリング352は開口部351aの内壁に形成された溝に固定されている。同様に、開口部351bには支柱357が挿入されており、該支柱357の一方端にはプラグ355が接続されており、他方端にはプラグ駆動機構359に接続されている。開口部351bの内壁と支柱357との間にはOリング353が設けられており、該Oリング353と支柱357とは摺動可能である。なお、Oリング353は開口部351bの内壁に形成された溝に固定されている。プラグ354、355はそれぞれ直方体であり、イオンビーム源300の放電チャンバ内内部空間309内に設けられている。また、プラグ354とプラグ355との間は、プラズマが入り込まない程度に狭く、デバイ長以下例えば1mm以下になるように設定されている。また、プラグ354とチャンバ壁31及びプラグ355とチャンバ壁31との間も、プラズマが入り込まない程度に狭く、デバイ長以下例えば1mm以下になるように設定されている。よって、不図示の制御装置からの駆動コマンドによりプラグ駆動機構358、359が駆動することにより、プラグ354、355はそれぞれ、矢印方向360、361に沿って互いに独立して適宜移動することができる。図7に示すイオンビーム源300では、非対称なプラズマを形成することができる。なお、プラグ354、355の形状は直方体に限らず、円柱であっても良いし、半円筒状であっても良い。図8は、プラグ354、355を半円筒状のプラグにした場合の上面図である。第3の実施形態第1の実施形態では、プラグの側壁部へのスパッタ粒子の付着を低減するためのシールドを設ける形態を説明し、第2の実施形態では、プラズマ密度プロファイルをより広範囲で制御するために複数のプラグを用いる形態について説明したが、これら実施形態で開示した技術思想を組み合わせても良いことは言うまでも無い。本実施形態では、上記シールドを設ける形態に対して、2つのプラグを用いることを適用する場合について説明する。図9は、本実施形態に係るイオンビーム源300を示す図である。本実施形態では、環状の底面313aの直径が、外側プラグ313の外側側壁313bの直径よりもわずかに大きい。すなわち、外側プラグ313の底面313aが外側側壁313bから突き出るように外側プラグ313を構成している。また、環状板301aの内縁の内部空間309側に、該内縁からグリッドアセンブリ303側に延在するシールド301cであって、外側プラグ313の外側側壁313bの外周に沿って該外側側壁313bを囲むように設けられたシールド301cが形成されている。すなわち、シールド301cは、外側プラグ313を囲むように構成された円筒であり、該円筒の一方端が環状板301aの内部空間309側に接続されている。本実施形態では、該シールド301cにより、グリッドアセンブリ303や処理中のウエハから外側プラグ313の外側側壁313bへの膜の蓄積を防止ないしは低減することができる。さらに、本実施形態では、底面313aが外側側壁313bから突き出ているので、上記外側側壁313bへの膜の蓄積をさらに低減することができる。これにより、外側プラグ313を滑らかに動作させることができる。内側プラグ305の底面305aの直径は、内側プラグ305の円筒部分の直径よりもわずかに大きい。すなわち、内側プラグ305の底面305aが側壁305bから突き出るように内側プラグ305を構成している。また、外側プラグ313の内側側壁313cには段差が形成されている。従って、上記底面305aの直径が内側プラグ305の円筒部分の直径よりも大きくても、内側側壁313cの、底面305aが通過する領域には段差が形成されているので、該底面305aは内側側壁313cに引っかかることなく、内側プラグ305を良好に移動させることができる。ここで、Oリング315は、外側プラグ313の内側側壁313cに形成された溝に固定されている。本実施形態では、上記段差が形成された内側側壁313cと、より大きな底面305aとにより、内側プラグ305の側壁305bへの膜の蓄積を防止ないしは低減する効果と、内側プラグ305を滑らかに移動可能にする効果とを同時に奏することができる。図10は、本実施形態に係るイオンビーム源300の他の例を示す図である。図10に示すイオンビーム源300は図9に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。図10に示す構成では、Oリングではなく伸縮部材例えば、ベローズを用いてイオンビーム源300の密閉性を確保している。図10において、内側プラグ305の上壁305cの直径は、内側プラグ305の円筒部分の直径よりもわずかに大きく、上壁305cと外側プラグ313の内側側壁313cの上端との間には円筒状のベローズ315dが設けられている。すなわち、ベローズ315dの一方端は上壁305cの側壁305から突出した部分に接続され、ベローズ315dの他方端は内側側壁313cの上端に接続されている。従って、内側プラグ305を矢印方向312に沿って移動させても、ベローズ315dの伸縮性により内側プラグ305の矢印方向312における可動範囲が確保され、かつ上壁305cと内側側壁313dの上端との間における円筒状のベローズ315dの存在により密閉性を確保することができる。同様に、外側プラグ313の環状の上壁313eの直径は、外側プラグ313の外側側壁313bの直径よりもわずかに大きく、かつ上壁313eは、環状板301aに対してグリッドアセンブリ303と反対側に設けられている。このような構成において、上壁313eと環状板301aとの間にベローズ313dが設けられている。すなわち、ベローズ313dの一方端は上壁313eに接続され、ベローズ315dの他方端は環状板301aに接続されている。従って、外側プラグ313を矢印方向314に沿って移動させても、ベローズ313dおよびベローズ315dの伸縮性により外側プラグ313の矢印方向314における可動範囲が確保され、かつ上壁313eと環状板301aとの間における円筒状のベローズ313dの存在により密閉性を確保することができる。このように、ベローズ315dにより放電チャンバの上壁301と外側プラグ313とを接続し、かつベローズ315dにより外側プラグ313と内側プラグ305とを接続しているので、内側プラグ305と外側プラグ313とを相対的に移動させつつ、放電チャンバと内側プラグ305と外側プラグ313との間の領域を密閉することができる。さらに、内側プラグ305や外側プラグ313の移動の際には、Oリングといった密閉用の部材とプラグの側壁との摺動が無いので、プラグの移動の際に生じるプラグの側壁からのパーティクルの発生を抑制することができる。図11は、本実施形態に係るイオンビーム源300のさらに他の例を示す図である。図11において、内側プラグ305の底面305aの直径は、内側プラグ305の円筒部分の直径よりもわずかに大きく、外側プラグ313の内側側壁313cには段差が形成されている。また、環状板301aの内縁の内部空間309側に、シールド301cが設けられている。図12は、本実施形態に係る内側プラグ305と外側プラグ313とをグリッドアセンブリ303側から見た模式図である。図12に示されるように、円筒状の内側プラグ305の周りに、環状の外側プラグ313が設けられている。第4の実施形態永久磁石や電磁石は、プラズマチャンバにてプラズマ密度プロファイルを制御する点で有効であり、さらに、電磁石をわずかに傾けたりオフセットすることにより、プラズマ密度プロファイルの非対称を減少することができる。しかしながら、電磁石および散在的に分布した永久磁石からの磁場は、イオンビーム源の外およびイオンビームチャンバ内へと簡単に広がる。この磁場漏洩は、ビーム中和に悪影響を及ぼす傾向にある。グリッドと基板との間の領域は、好ましくは磁場が無い領域である。本実施形態の目的の1つは、イオンビーム源の外側への磁場漏洩が低減されるようなイオンビーム源を提供することである。図13は、本実施形態に係るイオンビーム源を示す図である。図13において、イオンビーム源300Bは、第2の実施形態に係るイオンビーム源300に対してさらに、外側プラグ313の内部に設けられた第1の環状電磁石316aと、内側プラグ305の内部に設けられた第2の環状電磁石316bと、側壁302の、電極載置用リング304の上方、すなわちグリッドアセンブリ303とアンテナ306との間に設けられた環状の永久磁石アセンブリ317とを備えている。電磁石316a、316bは好ましくは、環状板301aに略平行な円形の配線不図示と、電磁石冷却手段不図示とを有している。電磁石316aを外側プラグ313に取り付け、矢印方向314に沿って外側プラグ313と一緒に移動させても良い。電磁石316bも内側プラグ305に取り付け、矢印方向312に沿って内側プラグ305と一緒に移動させても良い。一方、電磁石316aおよび電磁石316bの少なくとも一方を、環状板301aに対して固定した位置に設置しても良い。また、電磁石316aおよび電磁石316bの一方の電磁石に流れる電流の方向を、他方の電磁石に流れる電流の方向と反対方向に設定することが好ましい。このように電磁石316aおよび電磁石316bに流れる電流の方向を設定することにより、外部空間513、特に第3の電極303cの中央付近への磁場の漏洩を低減することができる。永久磁石アセンブリ317は、電磁石316a、316bからの磁力線が永久磁石アセンブリ317に至り、外部空間513への磁場の漏洩が最小となるように構成されている。磁石アセンブリ317は永久磁石を備えているので、電磁石316a、316bの双方に流れる電流の好ましい方向を固定することができる。電磁石316a、316bは、側壁302と同心で配置されているが、プラズマの非対称性を補正するために中心位置からオフセットしても良い。これに代えて、あるいはこれに加えて、電磁石316a、316bを、上壁301に対して傾けても良い。図14は、本実施形態に係る、永久磁石アセンブリ317を説明するための上面から見た断面図である。本実施形態では、図13に示すように、イオンビーム源300Bに、電磁石316a、316bと共に永久磁石アセンブリ317を設けている。永久磁石アセンブリ317は、イオンビーム源300Bの側壁302図14では、説明のために示しているの周囲に配列された複数の永久磁石317aを有している。各永久磁石317aの一方の極317bは側壁302内部空間309側の方に向いており、他方の極317cは側壁302から離れる方外部領域310側に向いている。全ての永久磁石317aについて、同じ極が側壁302の方に向いていることが好ましい。第1の透過性リング317dと第2の透過性リング317eとを、内部空間309内の磁場をより均一にさせるために、かつ永久磁石317aを機械的に支持するために設けても良い。本実施形態では、永久磁石317aの極の方向を固定しているので、電磁石を1つの電流極性のみで動作させて、外部空間513への大きな磁場の漏洩を防止、ないしは低減することができる。なお、本実施形態では、シールド301cを設けても良いことは言うまでも無い。第5の実施形態図15は、本実施形態に係るイオンビーム源を示す図である。図15において、イオンビーム源300Cは、第2の実施形態に係るイオンビーム源300に対してさらに、外側プラグ313内に設けられ、磁場印加手段としての第1の永久磁石アセンブリ330と、内側プラグ305内に設けられ、磁場印加手段としての第2の永久磁石アセンブリ340とを備えている。第1の永久磁石アセンブリ330は、内部空間309において、外側プラグ313の外側側壁313bの外側に接するようなマルチカスプ磁場パターンを形成するように構成されている。該第1の永久磁石アセンブリ330により、外側側壁313bにおけるプラズマロスを低減することができる。第2の永久磁石アセンブリ340は、内部空間309において、内側プラグ305の底面305aの外側に接するようなマルチカスプ磁場パターンを形成するように構成されている。該第2の永久磁石アセンブリ340により、底面305aにおけるプラズマロスを低減することができる。マルチカスプ磁場は、第1および第2の永久磁石アセンブリ330、340からの距離で急速に減衰するので、外部空間513への磁場の漏洩を非常に小さくすることができる。図16は、本実施形態に係る、内側プラグの底面近くに配置された第2の永久磁石アセンブリ340の断面図であり、図16bは、図16aに示す第2の永久磁石アセンブリ340を下から見た図である。図16a、16bにおいて、中央に配置された円柱状の第1の磁石341aと、該第1の磁石341aを囲むように設けられた環状の第2の磁石341bと、第2の磁石341bを囲むように設けられた環状の第3の磁石341cとが、円形板342上に同心に設けられている。図16aにおいて、グリッドアセンブリ303側に現れる磁石の極性図16aでは、シンボルS、Nにて表示は、隣の磁石間で変わるように、第1の磁石341a~第3の磁石341cが配置される。上記第2の磁石341bおよび第3の磁石341cは、環状の磁石を形成するように複数の磁石を用いても良い。なお、第2の永久磁石アセンブリ340が備える磁石は3つに限らず、内側プラグ305のサイズに応じて、マルチカスプ磁場パターンを形成するのに必要な数例えば、3つ以上の磁石を用いれば良い。さらに、マルチカスプ磁場パターンは均一でなくでも良い。また、内側プラグ305内における第2の永久磁石アセンブリ340の位置決めのためにロッド343が円形板342に接続されている。また、底面305aからの放射または伝導により第1の磁石341a~第3の磁石341cが過度に加熱されないようにするために、冷却手段344を第2の永久磁石アセンブリ340に設けても良い。本実施形態では、第2の永久磁石アセンブリ340が有する第1の磁石341a~第3の磁石341cを同心に配置しているので、軸345を中心に第2の永久磁石アセンブリ340を回転する必要が無い。ただし、プラズマ密度プロファイルの非対称を補償するために、軸345を内側プラグ305の底面305aの中心からわずかに離して配置しても良い。さらに、第2の永久磁石アセンブリ340を、底面305aに対して上昇又は下降させても良い。これにより、底面305aの下のプラズマ密度をさらに良好に調節することができる。通常、プラズマは該プラズマに面するチャンバの側壁などではプラズマ損失が大きくなる。本実施形態では、内側プラグ305および外側プラグ313を設けているので、放電チャンバの側壁に加えて、外側プラグ313の外側側壁313bおよび内側側壁313c、ならびに内側プラグの底面305aも、放電チャンバ内においてプラズマと面することになる。よって、プラズマに面する側壁部が増加するので、該側壁でのプラズマ損失が増加するかもしれない。しかしながら、本実施形態では、外側プラグ313の側壁表面にカスプ磁場を形成するように構成された第1の永久磁石アセンブリ330を設け、かつ内側プラグ305の底面305a表面にカスプ磁場を形成するように構成された第2の永久磁石アセンブリ340を設けているので、増加された側壁部でのプラズマ損失を低減することができる。なお、本実施形態では、内部空間309においてプラズマと接するプラグの領域の少なくとも一部側壁や底面にカスプ磁場を形成することができれば、上述した増加された側壁部のプラズマ損失を低減することができる。よって、プラグの側壁側および底面側の少なくとも一方にカスプ磁場が形成されるように第1の永久磁石アセンブリ330および第2の永久磁石アセンブリ340を構成することが好ましい。また、本実施形態では、シールド301cを設けても良いことは言うまでも無い。第6の実施形態図17は、本実施形態に係るイオンビーム源を示す図である。図17に示すイオンビーム源300は図10に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。環状板301aの内側内部空間309側から円筒状のベローズ315dがグリッドアセンブリ303に向かって設けられている。さらに、円筒状のベローズ315dの環状先端部には、円筒状プラグ305がグリッドアセンブリ303に向かって設けられている。すなわち、上壁301と、円筒状プラグ305の円筒状の側壁305bの、底面305aと反対側の端部との間をシールし、プラグ305の移動方向である矢印方向12に沿って伸縮可能にべローズ315dが設けられている。このように設けられたベローズ315dは、内部空間309の密閉性を確保する機能と、プラグ305を矢印方向312に沿って可動させるための機能とを有している。よって、内部空間309の密閉性のためのOリングを用いなくても、内部空間309の密閉性を確保しつつ、プラグ305を移動させることができる。本実施形態では、プラグ305を移動させる際に該プラグ305の側壁305bと摺動する部材が無いので、該側壁305bに付着物が形成されても、該付着物によりプラグ305の矢印方向312に沿った移動は阻害されない。従って、グリッドアセンブリ303起因のスパッタ粒子が発生しても、プラグ305を良好に動かすことができる。、また、ベローズ315dに膜が付着しても、プラグ305を可動し続けることができる。さらに、シール部材としてOリングを用いる場合に生じるパーティクルの発生を防止ないしは低減することもできる。図18は、本実施形態に係る、他のイオンビーム源を示す図である。図18に示すイオンビーム源300は図17に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。本例では、円筒状のベローズ315dの周囲に、ベローズ315dへの膜付着を防止ないしは低減するシールド301cが設けられている。これにより、ベローズ315dへ膜が付着して、パーティクルが発生してしまうことを防止ないしは低減することができる。図19は、本実施形態に係る、さらに他のイオンビーム源を示す図である。図19に示すイオンビーム源300は図17に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。本例では、環状板301aの外側から円筒状のベローズ315dがグリッドアセンブリ303とは反対側に向かって設けられている。さらに、円筒状のベローズ315dの環状先端部には、円盤部材305dが設けられている。該円盤部材305dの内側から、円筒状のベローズ315dより径の小さい円筒状プラグ305aがグリッドアセンブリ303に向かって設けられている。このような構成であれば、ベローズ315dへ直接膜が付着することを防止ないしは低減でき、パーティクルが発生することも防止ないしは低減することができる。図20は、本実施形態に係る、さらに他のイオンビーム源を示す図である。図20に示すイオンビーム源300は図10に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。図20に示す構成では、外側プラグ313を用いていない。またシールド301cの内側側壁には、段差が形成されている。したがって、プラグ305の底面305aの直径が内側プラグ305の円筒部分の直径よりも大きくても、シールド301cの内側側壁の、底面より通過する領域には段差が形成されているので、該底面305aがシールド301cの内側側壁に引っかかることなく、内側プラグ305を良好に移動させることができる。この構成により、上記段差が形成されたシールド301cの内側側壁と、より大きな底面305aとにより、内側プラグ305の側壁305bへの膜の蓄積を防止ないしは低減する効果と、内側プラグ305を滑らかに移動可能にする効果とを同時に奏することができる。第7の実施形態図21は、本実施形態に係る、さらに他のイオンビーム源を示す図である。図21に示すイオンビーム源300は図17に示す構成と基本的には同一であるので異なる点のみ説明する。図21に示す構成では、シールド301cは、放電チャンバの側壁302からプラグ305に向かって延び、さらに該プラグ305aに沿ってグリッドアセンブリ203に向かって屈曲している。本発明においては、グリッドアセンブリから飛来したグリッドアセンブリ起因のスパッタ粒子がプラグの側壁に付着することを低減するようにシールド301cを構成することが重要であり、そのために、シールドは、図4や図21に示すように、グリッドアセンブリ203、303と対向する上壁201、301から該グリッドアセンブリ203、303に向かってグリッド205、305が移動する方向に沿って延在する部分を少なくとも有するように構成されている。例えば、図4に示す構成では、シールド201cにより、プラグ205の矢印方向212に沿った移動によって側壁205bとOリング211とが摺動する部分の少なくとも一部を覆うことが出来れば良く、そのために、シールド201cが、上壁201からグリッドアセンブリ203に向かって延在する部分を少なくとも有することが必要となる。本発明では、シールドによってグリッドアセンブリ起因のスパッタ粒子から遮蔽する対象はプラグの側壁であるが、該側壁は、プラグの、該プラグの移動方向に沿った壁である。従って、該移動方向に沿って伸びる領域をシールドが少なくとも有していれば、該領域により、上記グリッドアセンブリ起因のスパッタ粒子が側壁に付着することを低減できるのである。なお、本発明では、上記上壁から該上壁に対向するグリッドアセンブリに向かう第1の方向およびそれとは逆方向である第2の方向にプラグは移動するので、プラグの移動方向と、上記上壁からグリッドアセンブリに向かう方向とは一致する。本発明のイオンビーム発生装置は、各実施形態で述べられたいかなる特徴をも組み合わせることによって構成することができる。"