"a成分:下記一般式1で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、b成分:光酸発生剤又は光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも1種、c成分:a成分を溶解可能な有機溶媒、d成分:オニウム塩を含有するシリカ系感光性樹脂組成物。[一般式1中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1~20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0~2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0~2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい。]前記一般式1で表される化合物の加水分解縮合において使用される触媒が、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物から選択される触媒であって、その含有量が前記一般式1で表される化合物のXの総量1モルに対し、0.0000005~0.00001モルである請求項1に記載のシリカ系感光性樹脂組成物。請求項1または請求項2に記載のシリカ系感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に含まれる有機溶媒を除去し、シリカ系感光性樹脂組成物層を形成した後、前記シリカ系感光性樹脂組成物層の被膜にパターンマスクを介して露光露光後加熱現像をおこなって未露光部分の被膜を除去し、その後、残存被膜を加熱処理するパターンを有するシリカ系絶縁被膜の形成方法。請求項3に記載の方法により形成されたパターンを有するシリカ系絶縁被膜を備える電子部品。しかしながら、本発明者らは、このような従来の感光特性を付与された絶縁膜材料を用いたパターニングについて詳細に検討を行ったところ、例えば、特許文献1及び特許文献2で開示されている水及び触媒を除去したアルカリ可溶性シロキサンポリマーと光酸発生剤と溶剤とからなる感光性樹脂組成物を用いると、いずれも多量の露光量を必要とし、大量生産性に優れないことが明らかとなった。また、特許文献3及び特許文献4に開示されたポリシラザン及び光酸発生剤を含む感光性ポリシラザン組成物を用いると、露光量は少ないものの、露光後に純水中に浸漬する処理、又は加湿処理を必要とするなど工程が煩雑になり、さらに、高いパターン精度が得られ難くなることが明らかとなった。また、これらの感光性樹脂組成物は、感度、解像度が変化しやすいため長期の室温保存安定性が低く、大量生産性に乏しいことも明らかとなった。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、長期の室温20~25°C保存安定性に優れ、さらに高感度で、精度よくパターン形成できるシリカ系感光性樹脂組成物、パターン精度の高い硬化物が得られるシリカ系絶縁被膜の形成方法を提供すると共に、それを用いた電子部品を提供するものである。本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定の成分を含有するシリカ系感光性樹脂組成物及びパターン形成方法が、従来の種々の問題点を解消し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、a成分:下記一般式1で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂、b成分:光酸発生剤又は光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも1種、c成分:a成分を溶解可能な有機溶媒、d成分:オニウム塩を必須成分として含有するシリカ系感光性樹脂組成物である。[一般式1中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1~20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0~2の整数を示し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0~2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい。]本発明に用いるシリカ系感光性樹脂組成物によれば、a成分として上記の特定のシロキサン樹脂を用いているため、反応性の高いシラノールSiOH基濃度を低減することができ、その結果、長期の室温放置安定性に優れる感光性樹脂溶液とすることができる。また、シロキサン樹脂は、絶縁特性、低誘電性、耐熱性及び透明性に優れたシリカ系被膜を形成することができる。また、本発明に用いるシリカ系感光性樹脂組成物は、b成分として光酸発生剤及び光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも1種を含有するため、透明性及び解像性に優れるネガ型感光性を発現することができ、シリカ系被膜を形成する際の露光後の現像時に優れた現像性を得ることができる。また、本発明のシリカ系感光性樹脂組成物は、c成分としてa成分を溶解可能な有機溶媒を含有する。このとき、エーテルアセテート系溶媒、エーテル系溶媒、アセテート系溶媒、アルコール系溶媒、及びケトン系溶媒からなる群より選択される1種以上の溶媒を含むと、シロキサン樹脂と相溶性が高く、被膜表面に凹凸が少ない膜厚の面内均一性に優れた被膜を形成できる。さらに本発明に用いるシリカ系感光性樹脂組成物は、d成分としてオニウム塩を含有するため、シロキサン樹脂中に存在するシラノール基の縮合反応を促進することができ、現像時の解像性が向上し、硬化後、絶縁性に優れたシリカ系被膜を形成することができる。また、本発明のシリカ系感光性樹脂組成物は、前記一般式1で表される化合物の加水分解縮合において使用される触媒が、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物から選択される触媒であり、その含有量が前記一般式1で表される化合物のXの総量1モルに対し、0.0000005~0.00001モルであることによって、シリカ系感光性樹脂組成物溶液の室温放置中にシロキサン樹脂の加水分解縮合を抑制することができ、長期の室温保存安定性に優れた、シリカ系感光性樹脂組成物溶液とすることができる。また、従来と比較して加水分解縮合に用いる触媒量を少量化しているため、シロキサン樹脂中に比較的多くの加水分解性基が残存し、その結果、シリカ系感光性樹脂組成物を高感度化することができる。また、本発明は、上述した本発明のシリカ系感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に含まれる有機溶媒を除去し、シリカ系感光性樹脂組成物層を形成した後、前記シリカ系感光性樹脂組成物層の被膜にパターンマスクを介して露光露光後加熱現像をおこなって未露光部分の被膜を除去し、その後、残存被膜を加熱処理するパターンを有するシリカ系絶縁被膜の形成方法を提供する。かかる形成方法によれば、上述のシリカ系感光性樹脂組成物を用いているため、膜厚の面内均一性、解像性、絶縁性及び透明性に優れるシリカ系被膜を得ることができる。本発明は、さらに、上記のパターンを有するシリカ系絶縁被膜の形成方法により形成されたパターンを有するシリカ系絶縁被膜を備える電子部品を提供する。これらの電子部品は、上述したシリカ系感光性樹脂組成物から形成されるシリカ系被膜を絶縁膜として備えているため優れた性能を有する。本発明は、絶縁膜として用いることのできるパターンを有するシリカ系被膜の形成が容易であり、且つ形成されるシリカ系被膜が、塗布性、解像性、絶縁特性、耐熱性、透明性、保存安定性、大量生産性、及び機械特性に優れる感光性樹脂組成物、及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供することができる。さらに、本発明は、上記シリカ系被膜の形成方法により形成されるパターンを有するシリカ系被膜を備える電子部品を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、GPCと言う。により測定され、且つ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。ここで、重量平均分子量Mwは、例えば、以下の条件で、GPCを用いて測定することができる。条件試料:5μL標準ポリスチレン:東ソー株式会社製標準ポリスチレン分子量;190000、17900、9100、2980、578、474、370、266検出器:株式会社日立製作所製RI-モニター、商品名L-3000インテグレーター:株式会社日立製作所製GPCインテグレーター、商品名D-2200ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名L-6000デガス装置:昭和電工株式会社製、商品名ShodexDEGASカラム:日立化成工業株式会社製、商品名GL-R440、GL-R430、GL-R420をこの順番で連結して使用溶離液:テトラヒドロフランTHF測定温度:23°C流速:1.75mL/分測定時間:45分感光性樹脂組成物本発明の感光性樹脂組成物は、a成分、b成分、c成分、d成分を含有する。以下、各成分について説明する。<a成分>a成分は、上記一般式1で表される化合物を、加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂である。シロキサン樹脂は、樹脂の末端や側鎖などにヒドロキシルOH基を有することが好ましい。これはシリカ系感光性樹脂組成物を用いて形成される被膜を露光後に現像する際、未露光部にアルカリ溶解性を付与させるためである。また、露光後b成分によって露光部のヒドロキシル基の一部が縮合反応することで、未露光部に対するアルカリ溶解性コントラストを向上することができ、さらに、露光部の被膜を熱処理する際の縮合反応が一層進行し易くなる。一般式1中、R1は、H原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1~20の有機基を示す。a成分であるシロキサン樹脂におけるSi原子1モルに対する、H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子、及びC原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が0.65モル以下であると好ましい。換言すれば、シロキサン樹脂分子におけるSi原子1原子に結合する上記各原子の総数が0.65以下であると好ましい。こうすれば、シリカ系被膜の接着性及び機械強度の低下が抑制される。一般式1中、R1で示される炭素数1~20の有機基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。これらの中で、炭素数1~20の直鎖状、分枝状又は環状の脂肪族炭化水素基が好ましい。炭素数1~20の直鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等の基が挙げられる。分枝状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基等の基が挙げられる。また、環状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチレン基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の基が挙げられる。芳香族炭水素基の具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、スチレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどの非置換、置換の基が挙げられる。これらの中で、メチル基、エチル基、n-プロピル基等の、炭素数1~5の直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、原料入手容易性の観点から、メチル基が特に好ましい。一般式1中、R1として、珪素Si原子に2つ結合し環構造を形成する、若しくは、一方が珪素Si原子に、他方が他の珪素原子に結合する、または一方が珪素Si原子に、他方が1価のR1と結合するR1で示される2価の有機基としては、例えば、2価の芳香族炭化水素基及び2価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。これらの中で、原料入手容易性等の観点から、炭素数1~20の直鎖状、分枝状又は環状の2価の炭化水素基が好ましい。炭素数1~20の直鎖状の2価の炭化水素基の好ましい具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等の基が挙げられる。炭素数1~20の分枝状の2価の炭化水素基の好ましい具体例としては、イソプロピレン基、イソブチレン基等の基が挙げられる。炭素数1~20の環状の2価の炭化水素基の好ましい具体例としては、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロヘプチレン基、ノルボルナン骨格を有する基、アダマンタン骨格を有する基等の基が挙げられる。これらの中で、メチレン基、エチレン基、プロピレン基のような、炭素数1~7の直鎖状の2価の炭化水素基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基のような、炭素数3~7の環状の2価の炭化水素基、ノルボルナン骨格を有する環状の2価の炭化水素基が、特に好ましい。一般式1中、Xで示される加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられる。これらの中で、シリカ系感光性樹脂組成物の溶液安定性や塗布性等の観点から、アルコキシ基が好ましい。加水分解性基Xがアルコキシ基である化合物アルコキシシランとしては、例えば、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジオルガノジアルコキシシランなどが挙げられる。テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-iso-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、テトラ-tert-ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン等が挙げられる。トリアルコキシシランとしては、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ-n-プロポキシシラン、メチルトリ-iso-プロポキシシラン、メチルトリ-n-ブトキシシラン、メチルトリ-iso-ブトキシシラン、メチルトリ-tert-ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ-n-プロポキシシラン、エチルトリ-iso-プロポキシシラン、エチルトリ-n-ブトキシシラン、エチルトリ-iso-ブトキシシラン、エチルトリ-tert-ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-プロピルトリ-n-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-iso-プロポキシシラン、n-プロピルトリ-n-ブトキシシラン、n-プロピルトリ-iso-ブトキシシラン、n-プロピルトリ-tert-ブトキシシラン、n-プロピルトリフェノキシシラン、iso-プロピルトリメトキシシラン、iso-プロピルトリエトキシシラン、iso-プロピルトリ-n-プロポキシシラン、iso-プロピルトリ-iso-プロポキシシラン、iso-プロピルトリ-n-ブトキシシラン、iso-プロピルトリ-iso-ブトキシシラン、iso-プロピルトリ-tert-ブトキシシラン、iso-プロピルトリフェノキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-ブチルトリ-n-プロポキシシラン、n-ブチルトリ-iso-プロポキシシラン、n-ブチルトリ-n-ブトキシシラン、n-ブチルトリ-iso-ブトキシシラン、n-ブチルトリ-tert-ブトキシシラン、n-ブチルトリフェノキシシラン、sec-ブチルトリメトキシシラン、sec-ブチルトリエトキシシラン、sec-ブチルトリ-n-プロポキシシラン、sec-ブチルトリ-iso-プロポキシシラン、sec-ブチルトリ-n-ブトキシシラン、sec-ブチルトリ-iso-ブトキシシラン、sec-ブチルトリ-tert-ブトキシシラン、sec-ブチルトリフェノキシシラン、t-ブチルトリメトキシシラン、t-ブチルトリエトキシシラン、t-ブチルトリ-n-プロポキシシラン、t-ブチルトリ-iso-プロポキシシラン、t-ブチルトリ-n-ブトキシシラン、t-ブチルトリ-iso-ブトキシシラン、t-ブチルトリ-tert-ブトキシシラン、t-ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ-n-プロポキシシラン、フェニルトリ-iso-プロポキシシラン、フェニルトリ-n-ブトキシシラン、フェニルトリ-iso-ブトキシシラン、フェニルトリ-tert-ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロエチルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3-アセトキシプロピルトリメトキシシラン、3-アセトキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロへキシルエチルトリメトキシシラン等が挙げられる。ジオルガノジアルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ-n-プロポキシシラン、ジメチルジ-iso-プロポキシシラン、ジメチルジ-n-ブトキシシラン、ジメチルジ-sec-ブトキシシラン、ジメチルジ-tert-ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ-n-プロポキシシラン、ジエチルジ-iso-プロポキシシラン、ジエチルジ-n-ブトキシシラン、ジエチルジ-sec-ブトキシシラン、ジエチルジ-tert-ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ-n-プロピルジメトキシシラン、ジ-n-プロピルジエトキシシラン、ジ-n-プロピルジ-n-プロポキシシラン、ジ-n-プロピルジ-iso-プロポキシシラン、ジ-n-プロピルジ-n-ブトキシシラン、ジ-n-プロピルジ-sec-ブトキシシラン、ジ-n-プロピルジ-tert-ブトキシシラン、ジ-n-プロピルジフェノキシシラン、ジ-iso-プロピルジメトキシシラン、ジ-iso-プロピルジエトキシシラン、ジ-iso-プロピルジ-n-プロポキシシラン、ジ-iso-プロピルジ-iso-プロポキシシラン、ジ-iso-プロピルジ-n-ブトキシシラン、ジ-iso-プロピルジ-sec-ブトキシシラン、ジ-iso-プロピルジ-tert-ブトキシシラン、ジ-iso-プロピルジフェノキシシラン、ジ-n-ブチルジメトキシシラン、ジ-n-ブチルジエトキシシラン、ジ-n-ブチルジ-n-プロポキシシラン、ジ-n-ブチルジ-iso-プロポキシシラン、ジ-n-ブチルジ-n-ブトキシシラン、ジ-n-ブチルジ-sec-ブトキシシラン、ジ-n-ブチルジ-tert-ブトキシシラン、ジ-n-ブチルジフェノキシシラン、ジ-sec-ブチルジメトキシシラン、ジ-sec-ブチルエトキシシラン、ジ-sec-ブチルジ-n-プロポキシシラン、ジ-sec-ブチルジ-iso-プロポキシシラン、ジ-sec-ブチルジ-n-ブトキシシラン、ジ-sec-ブチルジ-sec-ブトキシシラン、ジ-sec-ブチルジ-tert-ブトキシシラン、ジ-sec-ブチルジフェノキシシラン、ジ-tert-ブチルジメトキシシラン、ジ-tert-ブチルジエトキシシラン、ジ-tert-ブチルジ-n-プロポキシシラン、ジ-tert-ブチルジ-iso-プロポキシシラン、ジ-tert-ブチルジ-n-ブトキシシラン、ジ-tert-ブチルジ-sec-ブトキシシラン、ジ-tert-ブチルジ-tert-ブトキシシラン、ジ-tert-ブチルジフェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ-n-プロポキシシラン、ジフェニルジ-iso-プロポキシシラン、ジフェニルジ-n-ブトキシシラン、ジフェニルジ-sec-ブトキシシラン、ジフェニルジ-tert-ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ビス3,3,3-トリフルオロプロピルジメトキシシラン、メチル3,3,3-トリフルオロプロピルジメトキシシラン等が挙げられる。また、R1が炭素数1~20の有機基である一般式1の化合物で、上記以外の化合物としては、例えば、ビストリメトキシシリルメタン、ビストリエトキシシリルメタン、ビストリ-n-プロポキシシリルメタン、ビストリ-iso-プロポキシシリルメタン、ビストリメトキシシリルエタン、ビストリエトキシシリルエタン、ビストリ-n-プロポキシシリルエタン、ビストリ-iso-プロポキシシリルエタン、ビストリメトキシシリルプロパン、ビストリエトキシシリルプロパン、ビストリ-n-プロポキシシリルプロパン、ビストリ-iso-プロポキシシリルプロパン、ビストリメトキシシリルベンゼン、ビストリエトキシシリルベンゼン、ビストリ-n-プロポキシシリルベンゼン、ビストリ-iso-プロポキシシリルベンゼン等のビスシリルアルカン、ビスシリルベンゼンなどが挙げられる。また、加水分解性基Xが、ハロゲン原子ハロゲン基である一般式1の化合物ハロゲン化シランとしては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がハロゲン原子で置換されたもの等が挙げられる。さらに、加水分解性基Xが、アセトキシ基である一般式1の化合物アセトキシシランとしては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がアセトキシ基で置換されたもの等が挙げられる。またさらに、加水分解性基Xが、イソシアネート基である一般式1の化合物イソシアネートシランとしては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がイソシアネート基で置換されたもの等が挙げられる。さらにまた、加水分解性基Xが、ヒドロキシル基である一般式1の化合物ヒドロキシシランとしては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がヒドロキシル基で置換されたもの等が挙げられる。これら一般式1で表される化合物は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。また、一般式1で表される化合物の多量体等の部分縮合物を加水分解縮合して得られる樹脂、一般式1で表される化合物の多量体等の部分縮合物と一般式1で表される化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、一般式1で表される化合物とその他の化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、一般式1で表される化合物の多量体等の部分縮合物と一般式1で表される化合物とその他の化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、などを使用することもできる。一般式1で表される化合物の多量体等の部分縮合物としては、例えば、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサ-n-プロポキシジシロキサン、ヘキサ-iso-プロポキシジシロキサン等のヘキサアルコキシジシロキサン、部分縮合が進んだトリシロキサン、テトラシロキサン、オリゴシロキサン等が挙げられる。上記その他の化合物としては、例えば、重合性の2重結合又は3重結合を有する化合物等が挙げられる。重合性の2重結合を有する化合物としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブテン、ブタジエン、イソプレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、カプロン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、アクリロニトリル、スチレン、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸-n-プロピル、メタクリル酸-iso-プロピル、メタクリル酸-n-ブチル、アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸フェニル、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール、アクリルアミド、アリルベンゼン、ジアリルベンゼン等やこれらの化合物が部分縮合したものなどが挙げられる。3重結合を有する化合物としてはアセチレン、エチニルベンゼン等が挙げられる。このようにして得られる樹脂は1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。一般式1で表される化合物を加水分解縮合させる際に用いる水の量は、一般式1で表される化合物1モル当たり0.1~1000モルであることが好ましく、さらに好ましくは0.5~100モルである。この水の量が0.1モル未満では加水分解縮合反応が十分に進行しない傾向にあり、水の量が1000モルを超えると加水分解中又は縮合中にゲル化物を生じる傾向にある。また、一般式1で表される化合物の加水分解縮合において、触媒を使用することが好ましい。このような触媒の種類としては、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物から選択される触媒が挙げられる。酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸などが挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、p-アミノ安息香酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸、トリフルオロエタンスルフォン酸等が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸、フッ酸等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。アルカリ触媒としては、例えば、無機アルカリ及び有機アルカリなどが挙げられる。無機アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム等が挙げられる。有機アルカリとしては、例えば、ピリジン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデカシルアミン、ドデカシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、N,N-ジメチルアミン、N,N-ジエチルアミン、N,N-ジプロピルアミン、N,N-ジブチルアミン、N,N-ジペンチルアミン、N,N-ジヘキシルアミン、N,N-ジシクロペンチルアミン、N,N-ジシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。金属キレート化合物としては、例えば、トリメトキシモノアセチルアセナートチタン、トリエトキシモノアセチルアセナートチタン、トリ-n-プロポキシモノアセチルアセナートチタン、トリ-iso-プロポキシモノアセチルアセナートチタン、トリ-n-ブトキシモノアセチルアセナートチタン、トリ-sec-ブトキシモノアセチルアセナートチタン、トリ-tert-ブトキシモノアセチルアセナートチタン、ジメトキシモノアセチルアセナートチタン、ジエトキシジアセチルアセナートチタン、ジn-プロポキシジアセチルアセナートチタン、ジiso-プロポキシジアセチルアセナートチタン、ジn-ブトキシジアセチルアセナートチタン、ジsec-ブトキシジアセチルアセナートチタン、ジtert-ブトキシジアセチルアセナートチタン、モノメトキシトリスアセチルアセナートチタン、モノエトキシトリスアセチルアセナートチタン、モノn-プロポキシトリスアセチルアセナートチタン、モノiso-プロポキシトリスアセチルアセナートチタン、モノn-ブトキシトリスアセチルアセナートチタン、モノsec-ブトキシトリスアセチルアセナートチタン、モノtert-ブトキシトリスアセチルアセナートチタン、テトラキスアセチルアセナートチタン、トリメトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリエトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-n-プロポキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-iso-プロポキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-n-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-sec-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、トリ-tert-ブトキシモノエチルアセトアセテートチタン、ジメトキシモノエチルアセトアセテートチタン、ジエトキシジエチルアセトアセテートチタン、ジn-プロポキシジエチルアセトアセテートチタン、ジiso-プロポキシジエチルアセトアセテートチタン、ジn-ブトキシジエチルアセトアセテートチタン、ジsec-ブトキシジエチルアセトアセテートチタン、ジtert-ブトキシジエチルアセトアセテートチタン、モノメトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノエトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノn-プロポキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノiso-プロポキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノn-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノsec-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、モノtert-ブトキシトリスエチルアセトアセテートチタン、テトラキスエチルアセトアセテートチタン等のチタンを有する金属キレート化合物、上記チタンを有する金属キレート化合物のチタンがジルコニウム、アルミニウム等に置換された化合物などが挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。一般式1で表される化合物の加水分解縮合において、かかる触媒を用い加水分解を行うことが好ましいが、組成物の安定性が悪化する場合や触媒を含むことにより他材料への腐食等の影響が懸念される場合もある。そのような場合は、例えば、加水分解後に、上記触媒を組成物から取り除いたり、他の化合物と反応させて触媒としての機能を失活させてもよい。取り除く方法や反応させる方法に特に制限はないが、蒸留やイオンクロマトカラム等を用いて取り除いてもよい。また、一般式1で表される化合物から得られる加水分解縮合物は、再沈等により組成物から取り出されてもよい。また、反応により触媒としての機能を失活させる方法としては、例えば、触媒がアルカリ触媒の場合、酸触媒を添加して、酸塩基反応により中和したりpHを酸性側にしたりする方法が挙げられる。この触媒の使用量は、一般式1で表される化合物のXの総量1モルに対し、0.0000005~0.00001モルの範囲であることが好ましく、さらに好ましくは0.0000008~0.000008モルであり、特に好ましくは0.000001~0.000005モルである。この使用量が0.0000005モル未満では実質的に反応が進行しない傾向にあり、0.00001モルを超えると加水分解縮合時にゲル化が促進される傾向にある。このように少量の触媒を用いて加水分解縮合を行うことによって、シリカ系感光性樹脂組成物中の触媒量を低減することができ、溶液保存中でのシロキサン樹脂の加水分解縮合を抑制することができるため長期保存安定性に優れるシリカ系感光性樹脂組成物を得ることができる。また、本発明においては、比較的少量の触媒を用いて加水分解縮合を行ってシロキサン樹脂を合成することにより、得られるシリカ系感光性樹脂組成物が非常に高感度化する効果が得られるが、この効果が得られる理由は必ずしも明確ではない。考えられる理由としては、少量の触媒で加水分解縮合することによって、シロキサン樹脂中の未反応の加水分解性基の割合が増加し、シリカ系感光性樹脂組成物としたときのシロキサン樹脂中の架橋部位が増加するため高感度化するのではないか、と推察している。さらに、この加水分解によって副生するアルコールはプロトン性溶媒であるため、エバポレータ等を用いて除去することが好ましい。このようにして得られるシロキサン樹脂は、溶媒への溶解性、機械特性、成形性、解像性、室温放置安定性等の観点から、重量平均分子量が、2000~100000であることが好ましく、2500~50000であるとより好ましく、3000~30000であることが更に好ましく、3500~20000であることが特に好ましい。この重量平均分子量が2000未満では溶液の室温放置安定性が劣る傾向にあり、この重量平均分子量が100000を超えると、溶媒との相溶性が低下する傾向にある。<b成分>b成分は、光酸発生剤又は光塩基発生剤であり、放射線を照射することにより、a成分を光硬化加水分解重縮合可能な酸性活性物質又は塩基性活性物質を放出することができる化合物として定義される。光酸発生剤としては、例えば、ジアリールスルホニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、アリールジアゾニウム塩、芳香族テトラカルボン酸エステル、芳香族スルホン酸エステル、ニトロベンジルエステル、オキシムスルホン酸エステル、芳香族N-オキシイミドスルフォネート、芳香族スルファミド、ハロアルキル基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物、ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。また、他の増感剤等と組み合わせて使用することもできる。光塩基発生剤としては、例えば、下記一般式2~5で表される化合物群、ニフェジピン類等の非イオン性の光塩基発生剤、コバルトアミン錯体、下記一般式6、下記一般式7で表される4級アンモニウム塩等のイオン性の光塩基発生剤などが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。また、他の増感剤等と組合せて使用することもできる。R2OCONHmR32ここで、一般式2中、R2は炭素数1~30の1価の有機基を示し、側鎖にメトキシ基又はニトロ基を有する芳香族環を含んでいてもよく、R3は炭素数1~20の1~4価の有機基を示し、mは1~4の整数である。R4R5C=NOCOmR33ここで、一般式3中、R3及びmは上記一般式2におけるものと同義であり、R4及びR5は各々独立に炭素数1~30の1価の有機基を示し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。R2OCONR6R74ここで、一般式4中、R2は上記一般式2におけるものと同義であり、R6及びR7は各々独立に炭素数1~30の1価の有機基を示し、互いに結合して環状構造を形成してもよく、いずれか一方が水素原子であってもよい。R8COR9NR6R75ここで、一般式5中、R6及びR7は上記一般式4におけるものと同義であり、R8は炭素数1~30の1価の有機基を示し、側鎖にアルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキル置換アミノ基又はアルキルチオ基を有する芳香族環を含んでいてもよく、R9は炭素数1~30の2価の有機基を示す。ここで、一般式6中、R10は炭素数1~30の1価の有機基を示し、R11及びR12は各々独立に炭素数1~30の1価の有機基又は水素原子を示し、X1は、下記一般式6A、6B、6C、6D、6E及び6F以下、6A~6Fのように表記する。のいずれかで表される1価の基を示し、Z-はアンモニウム塩の対イオンを示し、tは1~3の整数であり、p及びqは0~2の整数であり、tpq=3である。ここで、式中、R13、R14、R15及びR16は各々独立に炭素数1~30の1価の有機基を示し、R17、R18及びR19は各々独立に炭素数1~30の2価の有機基又は単結合を示し、R20及びR21は各々独立に炭素数1~30の3価の有機基を示す。ここで、一般式7中、R10、R11及びR12、Z-、t、p及びqは上記一般式6におけるものと同様であり、X2は下記一般式7A~7Dのいずれかで表される2価の基を示す。ここで、式中、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20及びR21は、上記一般式6A~6Fにおけるものと同義である。b成分の使用量は特に制限されるものではないが、用いる光酸発生剤又は光塩基発生剤の感度、効率、用いる光源、所望とする硬化物の厚さ等に依存するため、その範囲は広きに渡る。具体的には、放射線硬化性組成物中のa成分の総質量に対してb成分の使用量は0.0001~50質量であることが好ましく、0.001~20質量であることがより好ましく、0.01~10質量であることが特に好ましい。この使用量が0.0001質量未満では光硬化性が低下する、又は硬化させるために多大な露光量を必要とする傾向があり、50質量を超えると組成物の安定性、成膜性等が劣る傾向にあると共に、硬化物の電気特性及びプロセス適合性が低下する傾向がある。また、上述した光酸発生剤又は光塩基発生剤とともに光増感剤を併用してもよい。光増感剤を用いることにより、効率的に放射線のエネルギー線を吸収することができ、光酸発生剤又は光塩基発生剤の感度を向上させることができる。光増感剤としては、例えば、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、アントラキノン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン等が挙げられる。なお、シリカ系感光性樹脂組成物を保存する場合は、室温で保存しても良いが、保存安定性向上のために、例えば、5°C以下の温度で保存することがより好ましい。この温度の下限は、シリカ系感光性樹脂組成物中の溶媒の凝固点以上であることが好ましく、-50°C以上であることが好ましい。<c成分>c成分は、a成分を溶解可能な有機溶媒であり、例えば、非プロトン性溶媒、プロトン性溶媒等が挙げられ、非プロトン性溶媒を含有させることが好ましい。非プロトン性溶媒は、露光量の低減やパターン精度の向上に有効なのではないかと発明者らは推定している。アルコールに代表されるプロトン性溶媒は、電気陰性度の大きい酸素原子に結合した水素原子を持っている。そのために、プロトン性溶媒分子は求核試薬などと水素結合を作って溶媒和する。すなわち、プロトン性溶媒は一般式1で表される化合物を加水分解して得られるシロキサン樹脂と溶媒和するため、シロキサン樹脂が縮合するためにはこの溶媒分子を取り除かなければならず、低温での硬化を阻害する傾向があると考えられる。一方、非プロトン性溶媒は、電気陰性度の大きい元素上に水素原子を持たない溶媒であり、プロトン性溶媒よりも反応阻害の要因は小さいと考えられる。そのため、露光部では酸性活性物質や塩基性活性物質の発生とともに硬化反応が進み、酸や塩基の拡散などによるパターン精度の低下が起こり難く、パターン精度が向上する傾向があると考えられる。これは、従来の酸拡散制御剤が発生した酸を失活中和させることによりパターン精度を向上するというメカニズムとは異なるものである。これにより、c成分に非プロトン性溶媒を含有させると、パターン精度の向上及び露光量の低減という効果が一層有効に発揮されると考えられる。c成分に含まれる非プロトン性溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のケトン系溶媒;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル等のエステル系溶媒;エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のエーテルアセテート系溶媒;アセトニトリル、Nメチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、Nブチルピロリジノン、Nヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルスルホキシドなどが挙げられ、塗布時の面内膜厚均一性、パターン形成時の感度及びパターン精度、並びに硬化物の機械強度の観点から、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、エーテルアセテート系溶媒及びケトン系溶媒が好ましい。また、窒素原子を有しない溶媒であることが好ましい。これらの中でも発明者らは1番目にエーテルアセテート系溶媒が好ましく、2番目にエーテル系溶媒が好ましく、3番目にケトン系溶媒が好ましいと考えている。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。非プロトン性溶媒の使用割合は、全溶媒中50質量以上であることが好ましく、70質量以上であることがより好ましく、90質量以上であることが特に好ましく、95質量以上であることが極めて好ましい。この使用割合が少ないと、露光量が少ない場合に露光部が充分に硬化しない傾向がある。あるいは、この使用割合が少ないと、充分に硬化させるためにより高温での熱処理が必要となり、発生した酸や塩基が拡散しやすくなり、パターン精度が劣化する傾向がある。c成分を用いる方法は特に限定されないが、例えば、a成分を調製する際の溶媒として用いる方法、a成分を調製後、添加する方法、溶媒交換を行う方法、a成分を溶媒留去等で取り出してc溶媒を加える方法等がある。この有機溶媒非プロトン性溶媒とプロトン性溶媒との合計の使用量は、a成分シロキサン樹脂の濃度が3~60質量となるような量であることが好ましい。溶媒の量が過多でa成分の濃度が3質量未満では所望の膜厚を有する硬化物を形成し難くなる傾向があり、溶媒の量が過少でa成分の濃度が60質量を超えると硬化物の成膜性等が悪化すると共に、組成物自体の安定性が低下する傾向がある。d成分である硬化促進触媒としては、オニウム塩を必須成分として使用される。他の化合物として例えば、水酸化ナトリウム、塩化ナトリウム、水酸化カリウム、塩化カリウム等のアルカリ金属類などが挙げられ、これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。得られる硬化物の電気特性及び機械強度を向上でき、更に、組成物の安定性を高めることができるという観点からオニウム塩を用い、オニウム塩として4級アンモニウム塩であることがより好ましい。これらオニウム塩化合物としては、例えば、アンモニウムハイドロオキシド、アンモニウムフルオライド、アンモニウムクロライド、アンモニウムブロマイド、ヨウ化アンモニウム、燐酸アンモニウム塩、硝酸アンモニウム塩、ホウ酸アンモニウム塩、硫酸アンモニウム塩、蟻酸アンモニウム塩、マレイン酸アンモニウム塩、フマル酸アンモニウム塩、フタル酸アンモニウム塩、マロン酸アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム塩、酒石酸アンモニウム塩、リンゴ酸アンモニウム塩、乳酸アンモニウム塩、クエン酸アンモニウム塩、酢酸アンモニウム塩、プロピオン酸アンモニウム塩、ブタン酸アンモニウム塩、ペンタン酸アンモニウム塩、ヘキサン酸アンモニウム塩、ヘプタン酸アンモニウム塩、オクタン酸アンモニウム塩、ノナン酸アンモニウム塩、デカン酸アンモニウム塩、シュウ酸アンモニウム塩、アジピン酸アンモニウム塩、セバシン酸アンモニウム塩、酪酸アンモニウム塩、オレイン酸アンモニウム塩、ステアリン酸アンモニウム塩、リノール酸アンモニウム塩、リノレイン酸アンモニウム塩、サリチル酸アンモニウム塩、ベンゼンスルホン酸アンモニウム塩、安息香酸アンモニウム塩、p-アミノ安息香酸アンモニウム塩、p-トルエンスルホン酸アンモニウム塩、メタンスルホン酸アンモニウム塩、トリフルオロメタンスルフォン酸アンモニウム塩、トリフルオロエタンスルフォン酸アンモニウム塩、等のアンモニウム塩化合物が挙げられる。これらのオニウム塩化合物では、硬化物の硬化促進の観点から、テトラメチルアンモニウム硝酸塩、テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸塩、テトラメチルアンモニウム硫酸塩等のアンモニウム塩が好ましい。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。また、d成分の使用量は、シリカ系感光性樹脂組成物中のa成分の総量に対して0.0001~5質量であることが好ましく、0.0001~1質量であることがより好ましい。この使用量が0.0001質量未満では硬化させるために多大な露光量を必要とする傾向がある。この使用量が5質量を超えると、組成物の安定性、成膜性等が劣る傾向があると共に、硬化物の電気特性及びプロセス適合性が低下する傾向がある。なお、これらのオニウム塩は、必要に応じて水や溶媒に溶解又は希釈してから、所望の濃度となるように添加することができる。また、添加する時期は特に限定されないが、例えば、a成分の加水分解を行う時点、加水分解中、反応終了時、溶媒留去前後、酸発生剤を添加する時などがある。<その他の成分>また、本発明のシリカ系感光性樹脂組成物に色素を添加してもよい。色素を添加する事により、例えば、感度を調整する効果、定在波効果を抑制する効果等が得られる。また、本発明の目的や効果を損なわない範囲で、さらに界面活性剤、シランカップリング剤、増粘剤、無機充填剤、ポリプロピレングリコール等の熱分解性化合物、揮発性化合物などを添加してもよい。上記熱分解性化合物及び揮発性化合物は熱好ましくは250~500°Cにより分解又は揮発し、空隙を形成可能であることが好ましい。また、a成分であるシロキサン樹脂に空隙形成能を付与してもよい。なお、シリカ系感光性樹脂組成物を電子部品に使用する場合は、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含有しないことが望ましく、含まれる場合でも組成物中のそれらの金属イオン濃度が1000ppm以下であることが好ましく、1ppm以下であることがより好ましい。これらの金属イオン濃度が1000ppmを超えると、組成物から得られる硬化物を有する半導体素子等の電子部品に金属イオンが流入し易くなって、デバイス性能そのものに悪影響を与えるおそれがある。したがって、必要に応じて、例えば、イオン交換フィルター等を使用してアルカリ金属やアルカリ土類金属を組成物中から除去することが有効である。しかし、光導波路や他の用途等に用いる際は、その目的を損なわないのであれば、この限りではない。このような本発明のシリカ系感光性樹脂組成物を用いて、基板上にパターニングされた硬化物を形成する方法について、一般に成膜性及び膜均一性に優れるスピンコート法を例にとって説明する。ただし、硬化物形成方法はスピンコート法に限定されるものではない。また、基板は表面が平坦なものでも、電極等が形成され凹凸を有しているものであってもよい。まず、シリカ系感光性樹脂組成物をシリコンウエハ又はガラス基板等の基板上に好ましくは500~5000回転/分、より好ましくは500~3000回転/分でスピン塗布して被膜を形成する。この回転数が500回転/分未満では膜均一性が悪化する傾向があり、5000回転/分を超えると成膜性が悪化するおそれがある。硬化物の膜厚は使用用途により異なり、例えば、LSI等の層間絶縁膜に使用する際の膜厚は0.01~2μmであることが好ましく、パッシベーション層に使用する際の膜厚は2~40μmであることが好ましい。液晶用途に使用する際の膜厚は0.1~20μmであることが好ましく、フォトレジストに使用する際の膜厚は0.1~2μmであることが好ましく、光導波路に使用する際の膜厚は1~50μmであることが好ましい。通常、この膜厚は、概して0.01~10μmであることが好ましく、0.01~5μmであることがより好ましく、0.01~3μmであることが更に好ましく、0.01~2μmであることが特に好ましく、0.1~2μmであることが極めて好ましい。硬化物の膜厚を調整するためには、例えば、組成物中のa成分の濃度を調整してもよい。また、スピン塗布法を用いる場合、回転数と塗布回数を調整することにより膜厚を調整することができる。a成分の濃度を調整して膜厚を制御する場合は、例えば、膜厚を厚くする場合にはa成分の濃度を高くし、膜厚を薄くする場合にはa成分の濃度を低くすることにより制御することができる。また、スピン塗布法を用いて膜厚を調整する場合は、例えば、膜厚を厚くする場合には回転数を下げたり、塗布回数を増やしたりし、膜厚を薄くする場合には回転数を上げたり、塗布回数を減らしたりすることにより調整することができる。次いで、好ましくは50~200°C、より好ましくは70~150°Cでホットプレート等により被膜中の有機溶媒を乾燥させるが、後に行われる現像の際の諸条件でこの被膜が溶解するように乾燥温度を調整する必要がある。この乾燥温度が50°C未満では有機溶媒の乾燥が充分に行われない傾向があり、200°Cを超えると現像時に溶解せず、パターンが形成されない可能性がある。次いで、所望のパターンを有するマスクパターンマスクを介して、放射線を露光する。この露光量は5~5000mJ/cm2であることが好ましく、5~1000mJ/cm2であることがより好ましく、5~500mJ/cm2であることが極めて好ましい。この露光量が5mJ/cm2未満では光源によっては制御が困難となるおそれがあり、5000mJ/cm2を超えると露光時間が長くなり、生産性が悪くなる傾向がある。この際の放射線としては、例えば、可視光、紫外線、赤外線、X線、α線、β線、γ線等を用いることができるが、特に紫外線であることが好ましい。紫外線の発生源としては、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマランプ等が挙げられる。未露光部は現像液に対して、充分に溶解性を有するが、露光部では酸性活性物質や塩基性活性物質が発生し、加水分解縮合反応が起こり、現像液に対する溶解性が低下する。これにより、パターンが形成される。次いで、露光後に加熱ポストエクスプロージャベイク:PEBを行う。この加熱はホットプレート等にて被膜を加熱させるものであるが、未露光部の現像液に対する溶解性が低下しない温度領域で加熱させることが好ましい。この温度は50~200°Cであることが好ましく、70~150°Cであることがより好ましく、70~110°Cであることが特に好ましい。一般に温度が高いと発生した酸が拡散しやすくなるため、この温度は低い方がよい。シリカ系感光性樹脂組成物の未露光部分の除去、すなわち現像に関しては、例えば、アルカリ性水溶液等の現像液を使用することができる。このアルカリ性水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ類;エチルアミン、n-プロピルアミン等の一級アミン類;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の二級アミン類;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類;テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドTMAH、テトラエチルアンモニウムハイドロオキシド等の四級アンモニウム塩などが挙げられる。また、これらのアルカリ水溶液に水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することもできる。電子部品ではアルカリ金属の汚染を嫌うため、現像液としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液が好ましい。好適な現像時間は、膜厚や溶剤にもよるが、5秒間~5分間であることが好ましく、30秒間~3分間であることがより好ましく、30秒間~1分間であることが特に好ましい。この現像時間が5秒間未満ではウエハ又は基板全面での時間制御が困難となる場合があり、5分間を超えると生産性が悪くなる傾向がある。現像時の処理温度は、一般に20~30°Cである。現像方法としては、例えば、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に現像によって形成したパターンを必要に応じて蒸留水等によりリンスすることもできる。本発明によりパターン化された硬化物はそのままレジストマスクとして使用することもできる。本発明によりパターン化された硬化物を層間絶縁膜、クラッド層等として残存させる場合は、例えば、被膜を100~500°Cの加熱温度で焼成して最終硬化を行うことが好ましい。この最終硬化は、N2、Ar、He等の不活性雰囲気下、大気中や減圧下で行うことが好ましいが、使用用途に要求される特性を満足するのであれば特に制限はない。この加熱温度が100°C未満では充分な硬化が達成されない傾向があると共に、電気絶縁性に劣る傾向があり、500°Cを超えるとその下層に用いる材料が劣化するおそれがある。また、最終硬化の加熱時間は2~240分間であることが好ましく、2~120分間であることがより好ましい。この加熱時間が240分間を超えると量産性に向かない可能性がある。加熱装置としては、例えば、石英チューブ炉等の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニールRTAなどの加熱処理装置などが挙げられる。かかる硬化物を有する使用例である電子部品としては、例えば、半導体素子、多層配線板等の絶縁膜を有するデバイスなどが挙げられる。具体的には、半導体素子においては、表面保護膜パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として好適に使用することができる。半導体素子としては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、DRAMダイナミックランダムアクセスメモリー、SRAMスタティックランダムアクセスメモリー、EPROMイレイザブルプログラマブルリードオンリーメモリー、マスクROMマスクリードオンリーメモリー、EEPROMエレクトリカルイレイザブルプログラマブルリードオンリーメモリー、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、DSP、ASIC等の理論回路素子、MMICモノリシックマイクロウェーブ集積回路に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路ハイブリッドIC、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子などが挙げられる。また、多層配線板としては、例えば、MCMマルチチップモジュール等の高密度配線板などが挙げられる。また、液晶用部品、光導波路、フォトレジスト等の用途としても使用することができるが、使用用途はこの限りではない。以下、本発明に係る具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。本実施例において、シリカ系感光性樹脂組成物は光酸発生剤又は光塩基発生剤が励起されないように、シリカ系感光性樹脂組成物の現像工程が終了するまでは、使用する酸発生剤又は光塩基発生剤と増感剤の感光波長を含まない環境下で作業した。実施例1テトラエトキシシラン23.8gとメチルトリエトキシシラン40.9gと3-アセトキシプロピルトリメトキシシラン4.0gと、オニウム塩として2.38質量に調製したテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液pH3.60.1gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート15.1gに溶解させた溶液中に、0.6質量の硝酸0.007gをイオン交換水16.2gで希釈した硝酸水溶液を攪拌下で30分間かけて滴下した。滴下終了後70°Cの温浴中で2時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成したエタノールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの一部を留去したのち、さらに90°Cの温浴中で2時間加熱して、ポリシロキサン溶液81.5gを得た。これに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート71.3gを加えてポリシロキサン溶液を得た。GPC法によりポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、4500であった。このシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光酸発生剤PAI-101、みどり化学株式会社製、α-p-トリルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル0.1gを配合し、感光性樹脂組成物を調製した。上記シリカ系感光性樹脂組成物を5インチシリコンウエハの中心に約2mL滴下して、スピン塗布法1000回転/分で30秒間回転によりそのウエハ上に塗膜を作製し、それを80°Cのホットプレート上で30秒間乾燥させた。その後、乾燥させた塗膜に対して、最小線幅が10μmのライン状パターンを有するネガ用のマスクを介して、露光機PLA-600F、キャノン株式会社製で紫外光を20mJ/cm2照射した。露光後の塗膜を備えたウエハを100°Cのホットプレートで60秒間加熱し、ウエハが室温になるまで自然冷却させた後、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドTMAH水溶液からなる現像液に60秒間浸漬して、未露光部を溶解させた。その後、ウエハを水洗、スピン乾燥した。そして炉体を用い、スピン乾燥後のウエハを窒素雰囲気下、350°Cで30分間加熱し、ウエハ上にシリカ系感光性樹脂組成物層の被膜の硬化物を得た。シリカ系感光性樹脂の硬化物のパターン形状を光学顕微鏡による上部からの観察、及びSEMによる断面形状を観察したところ、ラインが精度よく形成されており、パターン精度は10μmであることが分かった。さらに、クリンルームの環境下24°C、湿度40RHに1週間放置した上記シリカ系感光性樹脂組成物を、上述した形成方法と同様な操作でパターン被膜を形成し、感光性樹脂の硬化物のパターン形状を確認したところ、1週間前のパターン形状と変化がなく、パターン精度は10μmであることが分かった。実施例2硝酸として0.6質量硝酸を0.126g用いた以外は実施例1と同様にシリカ系ポリシロキサン溶液を得た。GPC法によりポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、6000であった。このシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光酸発生剤PAI-101、みどり化学株式会社製0.1gを配合し、シリカ系感光性樹脂組成物を調製した。紫外光を60mJ/cm2照射した以外は実施例1と同様にウエハ上にシリカ系感光性樹脂組成物の硬化物を得、シリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物のパターン形状を光学顕微鏡による上部からの観察、及びSEMによる断面形状を観察したところ、ラインが精度よく形成されており、パターン精度は10μmであることが分かった。さらに、クリンルームの環境下24°C、湿度40RHに1週間放置した上記シリカ系感光性樹脂組成物を、上述した形成方法と同様な操作でパターン被膜を形成し、シリカ系感光性樹脂層の硬化物のパターン形状を確認したところ、1週間前のパターン形状と変化がなく、パターン精度は10μmであることが分かった。実施例3テトラエトキシシラン48.1gとメチルトリエトキシシラン82.7gと2.38質量に調製したテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液pH3.60.2gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート286.6gに溶解させた溶液中に、0.6質量の硝酸0.013gをイオン交換水31.2gで希釈した硝酸水溶液を攪拌下で30分間かけて滴下した。室温24°Cで2時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの一部を留去したのち、さらに90°Cの温浴中で2時間加熱して、ポリシロキサン溶液153.1gを得た。これに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート82.5gを加えてポリシロキサン溶液を得た。GPC法によりポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、7800であった。このシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光酸発生剤PAI-101、みどり化学株式会社製0.1gを配合し、シリカ系感光性樹脂組成物を調製した。紫外光を100mJ/cm2照射した以外は実施例1と同様にウエハ上にシリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物を得た。そしてシリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物のパターン形状を光学顕微鏡による上部からの観察、及びSEMによる断面形状を観察したところ、ラインが精度よく形成されており、パターン精度は10μmであることが分かった。さらに、クリンルームの環境下24°C、湿度40RHに1週間放置した上記シリカ系感光性樹脂組成物を、上述した形成方法と同様な操作でパターン被膜を形成し、シリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物のパターン形状を確認したところ、1週間前のパターン形状と変化がなく、パターン精度は10μmであることが分かった。実施例4実施例3で得られたシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光塩基発生剤NBC-101、みどり化学株式会社製、2-ニトロベンジルシクロヘキシルカーバメート0.1gを配合し、シリカ系感光性樹脂組成物を調製した。実施例1と同様にウエハ上にシリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物を得、シリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物のパターン形状を光学顕微鏡による上部からの観察、及びSEMによる断面形状を観察したところ、ラインが精度よく形成されており、パターン精度は10μmであることが分かった。さらに、クリンルームの環境下24°C、湿度40RHに1週間放置した上記シリカ系感光性樹脂組成物を、上述した形成方法と同様な操作でパターン被膜を形成し、感光性樹脂の硬化物のパターン形状を確認したところ、1週間前のパターン形状と変化がなく、シリカ系パターン精度は10μmであることが分かった。比較例1テトラエトキシシラン34.2gとメチルトリエトキシシラン58.8gとを、プロピレングリコールメチルエーテル203.8gに溶解させた溶液中に、60質量の硝酸0.576gをイオン交換水22.2gで希釈した硝酸水溶液を攪拌下で30分間かけて滴下した。滴下終了後2時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノールおよびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートの一部を留去して、ポリシロキサン溶液125.6gを得た。これに、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート34.4gを加えてシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液を得た。GPC法によりポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、840であった。また、実施例1と同様に、最小線幅が10μmのライン状パターンを有するネガ用のマスクを介して露光機PLA-600F、キャノン株式会社製で紫外光を500mJ/cm2照射した。露光後の塗膜を備えたウエハを100°Cのホットプレートで60秒間加熱し、ウエハが室温になるまで自然冷却させた後、2.38質量テトラメチルアンモニウムハイドロオキシドTMAH水溶液からなる現像液に60秒間浸漬し未露光部を溶解させた。その後、ウエハを水洗、スピン乾燥したところ、塗膜が全て溶解しており、パターン形成が認めらなかった。比較例2比較例1のシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光塩基発生剤NBC-101、みどり化学株式会社製0.040gを配合し、シリカ系感光性樹脂組成物を調製した。このシリカ系感光性樹脂溶液を用いて、実施例1と同様に現像まで行い、ウエハを水洗、スピン乾燥したところ、塗膜が全て溶解しており、パターン形成が認められず、絶縁膜特性を測定することができなかった。比較例3テトラエトキシシラン48.1gとメチルトリエトキシシラン82.7gをプロピレングリコールモノメチルエーテル286.6gに溶解させた溶液中に、60質量の硝酸0.542gをイオン交換水31.2gで希釈した硝酸水溶液を攪拌下で30分間かけて滴下した。室温で2時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの一部を留去したのち、さらに70°Cの温浴中で4時間加熱して、ポリシロキサン溶液153.1gを得た。これに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート82.5gを加えてポリシロキサン溶液を得た。GPC法によりポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、6400であった。このシリカ系感光性樹脂組成物用ポリシロキサン溶液10.0gに光酸発生剤PAI-101、みどり化学株式会社製0.1gを配合し、シリカ系感光性樹脂組成物を調製した。紫外光を500mJ/cm2照射した以外は実施例1と同様にウエハ上にシリカ系感光性樹脂組成物層の硬化物を得た。そしてシリカ系感光性樹脂組成物の硬化物のパターン形状を光学顕微鏡による上部からの観察、及びSEMによる断面形状を観察したところ、ラインが精度よく形成されており、パターン精度は10μmであることが分かった。しかし、クリンルームの環境下24°C、湿度40RHに1週間放置した上記シリカ系感光性樹脂組成物を、上述した形成方法と同様な操作でパターン被膜を形成しようとしたところ、現像中に塗膜が溶解し、パターン形成が認められなかった。以上の実施例1~4及び比較例1~3について、結果を表1に示す。PB:ポストベーキング後加熱PEB:ポストエクスプロージャベイク露光後の加熱d成分のオニウム塩を配合しない比較例1~3は、露光量を高くしてもパターンが形成できなかったり、保存安定性に劣る。これに対し、予めオニウム塩を配合した実施例1~3は、露光量が低くても高感度で、精度よくパターン形成でき、また、保存安定性に優れる。"