"装置を製作するための方法であって、約50ミクロン以下の厚さを有し、第1の表面と、前記第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を提供することと、前記薄膜の前記第1の表面上に、前記薄膜への支持を提供する、恒久的な連続金属支持要素を構築することと、前記薄膜を備える、光電池を製作することと、を含む、方法。前記薄膜は、約4ミクロンから約20ミクロンの間の厚さを有する、請求項1に記載の方法。前記薄膜は、前記光電池のベース領域を備える、請求項1に記載の方法。前記薄膜は、単結晶シリコンである、請求項1に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップは、めっきによって前記恒久的支持要素を形成することを備える、請求項1に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップの前に、前記薄膜の前記第2の表面を、一時的支持要素に付着することと、前記恒久的支持要素を構築するステップの後に、前記薄膜の前記第2の表面を、前記一時的支持要素から切り離すことと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記半導体薄膜を提供するステップは、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体の中にイオンを注入することと、前記薄膜の前記第1の表面上に、前記恒久的支持要素を構築するステップの前に起こる、前記劈開面において前記ドナー本体から前記薄膜を劈開することと、を含む、請求項1に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップの前に、1つ、2つ、またはそれ以上の層を、前記薄膜の前記第1の表面上に形成することを、さらに含み、前記1つ、2つ、またはそれ以上の層は、前記完成した装置の中で、前記薄膜と前記恒久的支持要素との間に配置される、請求項1に記載の方法。前記完成した装置の中で、光が、前記第2の表面において前記薄膜に進入する、請求項1に記載の方法。前記薄膜の前記第1の表面上に、前記恒久的支持要素を構築するステップの前に、少なくとも850°Cの温度で、前記薄膜を焼鈍することを、さらに含む、請求項1に記載の方法。非晶質シリコンの第1の層が、前記薄膜と前記恒久的支持要素との間に配置される、請求項1に記載の方法。前記薄膜の前記第2の表面上に、非晶質シリコンの第2の層を形成することを、さらに含む、請求項11に記載の方法。前記非晶質シリコンの第2の層は、前記光電池のエミッタを備える、請求項12に記載の方法。装置を形成するための方法であって、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体にイオンを注入することと、前記劈開面において前記ドナー本体から、第1の表面と、前記第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を劈開することと、前記劈開するステップの後、前記薄膜の前記第1の表面上に、ポリマーである恒久的支持要素を構築することと、光電池を製作することと、を含み、前記薄膜は、前記光電池のベース領域を備える、方法。前記薄膜は、単結晶シリコンである、請求項14に記載の方法。前記薄膜は、約4ミクロンから約20ミクロンの間の厚さを有する、請求項14に記載の方法。装置を製作するための方法であって、劈開面をドナーウェハ内に画定するように、前記ドナーウェハの第1の表面を通って、前記半導体ドナーウェハの中にガスイオンを注入することと、約50ミクロン未満の厚さを有する半導体薄膜を、前記劈開面において前記ドナーウェハから劈開することであって、前記劈開するステップ中、前記ドナーウェハの前記第1の表面は、支持要素に恒久的に付着されない、劈開することと、前記半導体薄膜を一時的キャリアに付着することと、めっきによって、前記薄膜上または前記薄膜に渡って、連続金属支持要素を形成することと、前記一時的キャリアから、前記薄膜および前記金属支持要素を切り離すことと、光電池を製作することであって、前記薄膜は、前記光電池のベース領域を備える、ことと、を含む、方法。装置を製作するための方法であって、約50ミクロン以下の厚さを有し、第1の表面と、前記第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を提供することと、前記薄膜の前記第2の表面を一時的支持要素に付着することと、前記付着することの後に、前記薄膜の前記第1の表面上に恒久的支持要素を構築することと、前記一時的支持要素から前記薄膜の前記第2の表面を切り離すことと、前記薄膜を備える、光電池を製作することと、を含む、方法。前記恒久的支持要素を構築するステップは、セラミック混合物を前記第1の表面に塗布することと、セラミックを備える、前記恒久的支持要素を形成するように、前記混合物を硬化することと、を含む、請求項18に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップは、液体形態のポリマーを前記第1の表面に塗布することと、前記ポリマーを硬化することと、を含み、前記恒久的支持要素は、前記ポリマーを備える、請求項18に記載の方法。前記薄膜は、約4ミクロンから約20ミクロンの間の厚さを有する、請求項18に記載の方法。前記薄膜は、前記光電池のベース領域を備える、請求項18に記載の方法。前記薄膜は、単結晶シリコンである、請求項18に記載の方法。前記半導体薄膜を提供するステップは、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体の中にイオンを注入することと、前記薄膜の前記第1の表面上に、前記恒久的支持要素を構築するステップの前に起こる、前記劈開面において前記ドナー本体から前記薄膜を劈開することと、を含む、請求項18に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップの前に、1つ、2つ、またはそれ以上の層を、前記薄膜の前記第1の表面上に形成することを、さらに含み、前記1つ、2つ、またはそれ以上の層は、前記完成した装置の中で、前記薄膜と前記恒久的支持要素との間に配置される、請求項18に記載の方法。前記完成した装置の中で、光が、前記第2の表面において前記薄膜に進入する、請求項18に記載の方法。前記薄膜の前記第1の表面上に、前記恒久的支持要素を構築するステップの前に、少なくとも850°Cの温度で、前記薄膜を焼鈍することを、さらに含む、請求項18に記載の方法。非晶質シリコンの第1の層が、前記薄膜と前記恒久的支持要素との間に配置される、請求項18に記載の方法。前記薄膜の前記第2の表面上に、非晶質シリコンの第2の層を形成することを、さらに含む、請求項28に記載の方法。前記非晶質シリコンの第2の層は、前記光電池のエミッタを備える、請求項29に記載の方法。装置を製作するための方法であって、約50ミクロン以下の厚さを有し、第1の表面と、前記第1の表面に対向する第2の表面とを有する、単結晶半導体薄膜を提供することと、850°C以上の温度で、前記半導体薄膜を焼鈍することと、光電池を製作することであって、前記完成した電池は、前記第1の表面と直接接触する第1の非晶質シリコン層と、前記第2の表面と直接接触する第2の非晶質シリコン層とを有する、ことと、を含む、方法。前記薄膜は、約4ミクロンから約20ミクロンの間の厚さを有する、請求項31に記載の方法。前記第1の非晶質シリコン層および前記第2の非晶質シリコン層は、両方とも前記焼鈍するステップの後に配置される、請求項31に記載の方法。前記第1の非晶質シリコン層が、前記光電池のエミッタを備えるか、または前記第2の非晶質シリコン層が、前記光電池のエミッタを備える、請求項31に記載の方法。前記第1の非晶質シリコン層の少なくとも一部分は、第1の導電型に高濃度にドープされ、前記第2の非晶質シリコン層の少なくとも一部分は、前記第1の導電型に対向する第2の導電型に高濃度にドープされる、請求項31に記載の方法。前記薄膜は、前記光電池のベース領域を備える、請求項31に記載の方法。前記半導体薄膜を提供するステップは、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体の中にイオンを注入することと、前記劈開面において前記ドナー本体から前記薄膜を劈開することと、を含む、請求項31に記載の方法。前記焼鈍するステップ中に、温度は、少なくとも900°Cに到達する、請求項31に記載の方法。前記焼鈍するステップは、少なくとも60秒持続する、請求項31に記載の方法。前記焼鈍するステップに続いて、前記薄膜の前記第1の表面上に、または前記薄膜の前記第1の表面に渡って恒久的支持要素を構築することをさらに含み、前記完成した電池の中で、前記第1の非晶質シリコン層は、前記薄膜の前記第1の表面と、前記支持要素との間に配置される、請求項31に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップは、めっきを含み、前記恒久的支持要素は、金属を備える、請求項40に記載の方法。前記恒久的支持要素を構築するステップは、セラミック混合物を前記薄膜の前記第1の表面に塗布することと、前記セラミック混合物を硬化することであって、前記恒久的支持要素は、セラミックである、硬化することと、を含む、請求項40に記載の方法。反射金属層は、前記恒久的支持要素と前記第1の非晶質シリコン層との間に配置される、請求項40に記載の方法。透明導電酸化層は、前記反射金属層と前記第1の非晶質シリコン層との間に配置される、請求項43に記載の方法。本発明は、後に続く特許請求の範囲によって定義され、本セクションの何物も、それらの特許請求の範囲への制限と取られるべきではない。概して、本発明は、ドナー本体からの薄膜の劈開に続いて、薄い膜の表面上に恒久的支持要素を形成するための方法に向けられる。本発明の第1の態様は、装置を製作するための方法を提供し、方法は、第1の表面と、第1の表面に対向する第2の表面とを有する、約50ミクロン以下の厚さを有する半導体薄膜を提供することと、薄膜の第1の表面上に恒久的支持要素を構築することと、薄膜を備える、光電池を製作することとを含む。本発明の別の態様は、装置を形成するための方法を提供し、方法は、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体にイオンを注入することと、劈開面においてドナー本体から、第1の表面と、第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を劈開することと、劈開するステップの後、薄膜の第1の表面上に、恒久的支持要素を構築することと、光電池を製作することであって、薄膜は、光電池のベース領域を備える、こととを含む。本明細書に記載する本発明の態様および実施形態の各々は、単独で、または互いと組み合わせて使用することができる。ここで、好ましい態様および実施形態について、添付の図面を参照して記載する。本発明の譲受人によって所有され、参照することで本明細書に組み込まれる、2008年2月5日に出願のSivaramらの米国特許出願第12/026530号MethodtoFormaPhotovoltaicComprisingaThinLaminaは、非堆積半導体材料から形成される薄い半導体膜を備える、光電池の製作について記載している。図2aを参照すると、Sivaramらの実施形態では、半導体ドナーウェハ20は、例えば、水素および/またはヘリウムイオンといった、1つ以上の種類のガスイオンを、第1の表面10を通って注入される。注入されたイオンは、半導体ドナーウェハ内に劈開面30を画定する。図2bに示す通り、ドナーウェハ20は、第1の表面10でレシーバー60に付着される。図2cを参照すると、焼鈍によって、薄膜40を劈開面30でドナーウェハ20から劈開させ、第2の表面62を作成する。Sivaramらの実施形態では、劈開するステップの前後の追加的処理で、指定範囲内のいかなる厚さも可能であるが、約0.2から約100ミクロンの間の厚さ、例えば、約0.2から約50ミクロンの間、例えば、約1から約20ミクロンの間の厚さ、いくつかの実施形態では、約1から約10ミクロンの間の厚さ、または約4から約20の間もしくは約5から約15ミクロンの間の厚さである、半導体薄膜40を備える光電池を形成する。図2dは、いくつかの実施形態において動作中であるように、レシーバー60が下になるように、反転した構造を示す。レシーバー60は、本出願の譲受人によって所有され、参照することによって本明細書に組み込まれる、2008年3月27日に出願のHernerの米国特許出願第12/057265号MethodtoFormaPhotovoltaicCellComprisingaThinLaminaBondedtoaDiscreteReceiverElementに記載される通り、ドナーウェハ10よりも50パーセント以下大きい最大幅、好ましくは、おおよそ同じ幅を有する、個別のレシーバー要素であってもよい。代替的に、複数のドナーウェハは、単一のより大きいレシーバーおよび各ドナーウェハから劈開された薄膜に付着されてもよい。Sivaramらの方法を使用して、光電池は、スライスされたウェハから形成されるよりむしろ、切り口損失を通してまたは不必要に厚い電池の製作によって、シリコンを浪費することなく、薄い半導体膜から形成され、それゆえ費用が削減される。同じドナーウェハは、複数の薄膜を形成するように再使用し、さらに費用を削減することができ、何らかの他の使用のために複数の薄膜を剥離した後、再販売してもよい。劈開は、例えば、500°C以上の温度にまで加熱することによって、最も簡単に達成される。劈開面を画定するように注入するステップによって、単結晶ドナーウェハの結晶格子への損傷を引き起こす場合があることが分かっている。未修復の場合には、この損傷によって電池効率を損なう場合がある。例えば、900°C、950°C以上といった比較的高温の焼鈍が、薄膜の本体の中で大部分の注入損傷を修復するであろう。図3aに目を転じると、本発明において、ドナーウェハ20が、劈開面30を形成するように、第1の表面10を通って注入される。第1の表面10は、真空チャック54に隣接して置かれてもよい。図3bに示す通り、加熱するステップが行われ、薄膜40が、劈開面でドナーウェハから分離し、第2の表面62を作成する。図3aおよび3bを参照して、劈開するステップ中、ドナーウェハの第1の表面10は、恒久的に支持要素に付着されないことに留意されたい。例えば、900°C以上での焼鈍が、図3aの劈開面30を形成した注入ステップ中に、薄膜40の結晶格子に引き起こされた損傷を、修復するために行われる。この焼鈍に続いて、薄膜40は、図3cに示す通り、真空チャックから移動して、一時的支持要素50に付着されてもよい。追加して詳細に記載するであろう通り、例えば、非晶質シリコン層72、透明導電酸化TCO層110、および反射金属層12を含む1つ以上の層が、薄膜40上に堆積される。恒久的支持要素60は、薄膜40上に構築され、示す実施形態では、薄膜40の第2の表面62に渡って形成される、金属層12上に直接構築される。支持要素は、原位置で形成される場合には、事前に形成された要素として提供されるよりむしろ、構築されるとみなされる。例には、例えば、電気めっきまたは無電解めっきといった、めっきによって形成される金属支持要素、セラミック混合物の塗布に続いて、適所での硬化によって形成されるセラミック支持要素、または液体もしくは半液体形態のポリマーを塗布し、かつ適所で硬化することによって形成されるポリマー支持要素を含む。追加の層が、支持要素60の構築前に、非晶質シリコン層72上にまたは非晶質シリコン層72に渡って形成されてもよい。支持要素60は、薄く脆すぎて、そのような支持なしで多くの取り扱いを乗り切ることができない、薄膜40への機械的支持を提供するように、十分厚くされるであろう。図3dに目を転じると、支持要素60の構築に続いて、薄膜40が、一時的支持要素50から切り離される。図3dは、大部分の実施形態における通り、構築された支持要素60が下になるように、反転構造を示す。非晶質シリコン層76およびITO層112等の追加の層が堆積され、光電池を形成する。本発明では、その後、第1の表面と、第1の表面に対向する第2の表面とを有する、約50ミクロン以下の厚さを有する半導体薄膜を提供することと、薄膜の第1の表面上に恒久的支持要素を構築することと、薄膜を備える、光電池を製作することとを含む方法によって、装置が形成される。厚さは、約4ミクロンから約20ミクロンの間であってもよい。1つ、2つ、またはそれ以上の層が、恒久的支持要素を構築するステップの前に、薄膜の第1の表面上に形成されてもよい。この方法を、図4に図示する。本発明の態様において、劈開面を画定するように、半導体ドナー本体にイオンを注入することと、劈開面において、ドナー本体から、第1の表面と、第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を劈開することと、劈開するステップの後、薄膜の第1の表面上に、恒久的支持要素を構築することと、光電池を製作することであって、薄膜は、光電池のベース領域を備えることとによって、装置が形成される。異なるフローが可能である一方、概して、薄い膜が提供される。大部分の実施形態では、薄い膜は、ウェハまたはボールboule等、より大きい本体から劈開されている。薄膜の1つの表面が、一時的支持部に付着された後、恒久的支持要素が、対向する面上に構築される。その後、付着された面は、一時的支持要素から切り離される。劈開および損傷の焼鈍のステップに続いて、本発明における通り、支持要素60を構築することによって、いくつかの有意な利点を提供する。劈開および損傷の焼鈍のステップは、比較的高温で起こる。事前に形成された支持要素は、これら高温のステップの前に、ドナーウェハに付着される場合、任意の介在層のように、薄膜と共に必ず高温にさらされるであろう。多くの材料は、容易には高温を許容することができず、支持要素および薄膜の熱膨張係数CTEが不適合な場合、加熱および冷却によって、薄い膜を損傷する場合がある、歪みを引き起こすであろう。さらに、図3dの電池が、薄膜40の両表面上に、高濃度にドープされた非晶質シリコン層72および76を含むことに留意されたい。薄膜40は、非晶質シリコン層72および76よりも低濃度にドープされ、光電池のベース領域として機能を果たすであろう。電池のベース領域は、入射光を吸収し、大部分の電荷キャリアが生成される。薄膜40は非常に薄く、従来の光電池の吸収領域よりもさらに薄い。したがって、薄膜の表面10および62の不動態化は、再結合による電荷キャリアの損失を避けるために、特に重要である。非晶質シリコン層72および76は、不動態化の効果的な手段であり、それらの使用は、非常に薄い吸収体には有利である。しかしながら、非晶質シリコンは、劈開および損傷の焼鈍を行うのに必要とされる高温にさらすことができず、このような温度は、非晶質シリコンを結晶化させるであろう。薄膜が任意の支持要素に恒久的に付着される前に、両方の高温ステップ、すなわち劈開することおよび損傷の焼鈍を行うことによって、薄膜40の両表面は、高温を許容することができない層を後に堆積する際に、接近可能なままである。このような層は、非晶質シリコン層、および例えば、高温でシリコンの中へ拡散する傾向があるであろう、アルミニウムまたは銀をも含み、電池の電気的挙動を改変する。したがって、方法は、装置を製作するように教示され、方法は、約50ミクロン以下の厚さを有し、第1の表面と、第1の表面に対向する第2の表面とを有する、半導体薄膜を提供することと、850°C以上の温度で、半導体薄膜を焼鈍することと、光電池を製作することであって、完成した電池は、第1の表面と直接接触する第1の非晶質シリコン層と、第2の表面と直接接触する第2の非晶質シリコン層とを有することと、を含む。本方法のステップを、図5に要約する。第1または第2の非晶質シリコン層のいずれかが、光電池のエミッタを備える。第1の非晶質シリコン層の少なくとも一部分は、第1の導電型に高濃度にドープされる一方、第2の非晶質シリコン層の少なくとも一部分は、第1の導電型に対向する第2の導電型に高濃度にドープされる。焼鈍するステップに続いて、いくつかの実施形態では、恒久的支持要素は、薄膜の第1の表面上に、または薄膜の第1の表面に渡って構築され、完成した電池の中で、第1の非晶質シリコン層は、薄膜の第1の表面と支持要素との間に配置される。また、薄膜の表面上に支持要素を構築することによって、事前に形成された支持要素に薄膜を接着するために必要となる、接着剤の使用を避ける。さらに比較的低温にさらされる接着剤は、硬化プロセス中に揮発性物質を抜くであろうが、このような揮発性物質は、支持要素と薄膜との間に閉じ込められ、不完全で不均一な接着をもたらすであろう。明確にするために、支持要素が、そのドナーからの劈開に続いて、薄膜上に構築される、0.2から100ミクロンの間の厚さを有する薄膜を含む、光起電アセンブリの詳細な実施例を提供する。完全を期すために、多くの材料、条件、およびステップについて記載する。しかしながら、これら詳細の多くは、修正、増強、または省略することができる一方、結果は、本発明の範囲内に含まれることは理解されるであろう。実施例:めっきによって形成される支持要素プロセスは、適切な半導体材料のドナー本体から始まる。適切なドナー本体は、例えば、約200から約1000ミクロン以上の厚さである、任意の実際的な厚さの単結晶シリコンウェハであってもよい。他の配向のウェハを使用してもよいが、通常、ウェハは、<100>配向を有する。例えば、来たる注入ステップ中のチャネリングを避けるように、異なる結晶配向が選択されてもよい。代替の実施形態では、ドナーウェハはより厚くてもよく、最大の厚さは、ウェハの取り扱いの実用性によってのみ限定され、例えば、10,000ミクロン以上であってもよい。代替的に、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、またはGaAs、InP等のIII‐VもしくはII‐VI半導体化合物を含む、他の半導体材料の微結晶シリコン、またはウェハもしくはインゴットであってもよいような、多結晶polycrystallineまたは多結晶multicrystallineシリコンが使用されてもよい。このような状況において、用語多結晶multicrystallineは、通常、およそ1ミリメートル以上のサイズである粒子を有する半導体材料を指す一方、多結晶polycrystalline半導体材料は、およそ1000オングストロームのより小さい粒子を有する。微結晶半導体材料の粒子は、例えば、100オングストロームほどと非常に小さい。例えば、微結晶シリコンは、完全に結晶性であってもよいか、または非晶質マトリクスの中にこれらの微結晶を含んでもよい。多結晶multicrystallineまたは多結晶polycrystalline半導体は、完全にまたは実質的に結晶性であると理解される。習慣的に使用されるような、用語単結晶シリコンが、導電性を増大するドーパント等、時折欠陥または不純物を伴うシリコンを除外しないであろうことは、当業者によって理解されるであろう。単結晶シリコンを形成するプロセスは、概して、円形ウェハをもたらすが、ドナー本体は、他の形状も有することができる。光起電用途のために、円筒形単結晶インゴットが、しばしば、ウェハを切断する前に、八角形または擬似正方形の断面に機械加工される。ウェハはまた、正方形等、他の形状であってもよい。正方形ウェハは、円形または六角形ウェハとは異なり、ウェハ間に最小限の未使用空隙を伴い、光起電モジュール上で端から端まで整列することができる利点を有する。ウェハの直径または幅は、任意の標準またはあつらえのサイズであってもよい。便宜上、本議論は、半導体ドナー本体としての単結晶シリコンウェハの使用について記載するであろうが、他のタイプまたは材料のドナー本体を使用することができることも理解されるであろう。図6aを参照すると、ドナーウェハ20は、第1の導電型に低濃度から中濃度にドープされる、単結晶シリコンウェハである。本実施例は、比較的低濃度のn型ドープウェハ20について記載するであろうが、本実施形態および他の実施形態では、ドーパント型が逆転することができることは理解されるであろう。ウェハ20は、約1×1015から約1×1018ドーパント原子/cm3の間、例えば、約1×1017ドーパント原子/cm3の濃度にドープされてもよい。ドナーウェハ20は、例えば、太陽電池級または半導体級シリコンであってもよい。次のステップでは、イオン、好ましくは、水素または水素およびヘリウムの組み合わせが、前に記載した通り、劈開面30を画定するように、第1の表面10を通ってウェハ20の中に注入される。この注入は、全て本発明の譲受人によって所有され、参照することによって本明細書に組み込まれる、2008年5月16日に出願のParrillらの米国特許出願第12/122108号IonImplanterforPhotovoltaicCellFabrication、もしくは2009年6月30日に出願のRydingらの米国特許出願第12/494,268号IonImplantationApparatusandaMethodforFluidCooling、または2009月11月19日に出願のPurserらの米国特許出願第12/621,689号MethodandApparatusforModifyingaRibbon‐ShapedIonBeamの教示を使用して行われてもよい。劈開面30の全体深度は、注入エネルギーを含む、いくつかの要因によって決定される。劈開面30の深度は、第1の表面10から約0.2から約100ミクロンの間、例えば、約0.5から約20または約50ミクロンの間、例えば、約1から約10ミクロンの間、約1もしくは2ミクロンから約5もしくは6ミクロンの間、または約4から約8ミクロンの間とすることができる。代替的に、劈開面30の深度は、約5から約15ミクロンの間、例えば、約11または12ミクロンとすることができる。テクスチャ図示せずは、反射を最小化するように、第1の表面10に形成されてもよい。有利な小起伏のあるテクスチャを形成するための方法は、本発明の譲受人によって所有され、参照することで本明細書に組み込まれる、2010年3月23日に出願のLiらの米国特許出願第12/729,878号CreationofLow‐ReliefTextureforaPhotovoltaicCellの中に開示されている。Liらの方法は、表面を研磨することを含み、それによって応力を誘発する場合があり、結晶学的に選択的なエッチに核形成点を提供する傾向がある。図6bに目を転じると、テクスチャエッチに続いて、第1の表面10は、真空チャック54に隣接して置かれてもよく、真空が、ドナーウェハ20を適所に保持するように適用されてもよい。真空チャック54およびドナーウェハ20は、例えば、クォーツエンベロープ内に取り囲まれていてもよい。図6cを参照すると、熱ステップによって、単結晶シリコン薄膜40を劈開面においてドナーウェハから劈開させる。本実施例では、劈開は剥離によって達成され、例えば、約350から約650°Cの間、例えば、約550°Cの温度で達成されてもよい。概して、剥離はより高温でより迅速に進行する。劈開中、圧力が、ドナーウェハ20を真空チャック54に押し付けるであろうピストンに取り付けられる板を使用して、印加されてもよい。約1から約100psiの範囲、例えば、40psiの圧力が印加される可能性がある。薄膜40の厚さは、劈開面30の深度によって決定される。多くの実施形態では、薄膜40の厚さは、約1から約10ミクロンの間、例えば、約2から約5ミクロンの間、例えば、約4.5ミクロンである。他の実施形態では、薄膜40の厚さは、約4から約20ミクロンの間、例えば、約10から約15ミクロンの間、例えば、約11ミクロンである。第2の表面62は、劈開によって作成される。焼鈍ステップは、注入ステップ中に薄膜40の本体中の結晶格子に引き起こされた損傷を修復するように、行われてもよい。焼鈍は、薄膜40が、真空チャック54上の適所にとどまっている間に、例えば、500°C以上、例えば、550、600、650、700、800、850°C以上、約950°C以上で行われてもよい。構造体は、例えば、約650°Cで約45分間、もしくは約800°Cで約10分間、または約950°Cで120秒以下の間、焼鈍されてもよい。多くの実施形態では、温度は、少なくとも60秒間、900°Cを超える。次に薄膜40は、真空チャック54から除去される。これは、例えば、図示していないが、真空パドルを使用して成されてもよい。この移動に影響するように、真空パドルが第2の表面62上に置かれる一方、第1の表面10上の真空が解放される。真空パドルへの移動に続いて、第2の表面62は、真空によって保持される一方、第1の表面10は曝露される。図6dを参照すると、その後、薄膜40は、真空パドルから一時的キャリア50へ移動する。薄膜40は、例えば、接着剤を使用して、一時的キャリア50に付着される。この接着剤は、中程度の温度最高約200°Cを許容しなくてはならず、容易に放出可能でなくてはならない。好適な接着剤としては、例えば、炭化水素可溶性である、無水マレイン酸およびロジンを伴うポリエステル、または界面活性剤可溶性のポリイソブチレンおよびロジンが挙げられる。一時的キャリア50は、例えば、ガラス、金属、ポリマー、シリコン等、任意の好適な材料であってもよい。移動に続いて、第1の表面10は、接着剤によって一時的キャリア50に保持されるであろう一方、第2の表面62は曝露される。剥離によって引き起こされる損傷を除去するためのエッチステップは、例えば、フッ化水素HF酸および硝酸の混合によって、またはKOHを使用して、行われてもよい。焼鈍が、全てのまたはほぼ全ての損傷を除去するのに充分であり、このエッチは不必要であると分かる場合がある。最低でも、表面は、薄めたHF溶液、例えば、10:1のHFを2分間を使用して、有機材料および残留酸化物が取り除かれるであろう。この湿式プロセスに続いて、非晶質シリコン層が、第2の表面62上に堆積される。この層72は、高濃度にドープされたシリコンであり、例えば、約50から約350オングストロームの間の厚さを有してもよい。図6dは、第1の表面10とドープ層72との間に、両方と直接接触する、固有またはほぼ固有の非晶質シリコン層74を含む、実施形態を示す。他の実施形態では、層74は省略されてもよい。本実施例では、高濃度にドープされたシリコン層72は、高濃度にドープされたn型、すなわち低濃度にドープされたn型薄膜40と同じ導電型である。低濃度にドープされたn型薄膜40は、形成される光電池のベース領域を備え、高濃度にドープされた非晶質シリコン層72は、ベース領域への電気的接触を提供する。含まれる場合には、層74は、薄膜40と高濃度にドープされたシリコン層72との間の電気的接触を邪魔しないほど、充分に薄い。TCO層110は、非晶質シリコン層74上に形成され、非晶質シリコン層74と直接接触する。TCO110用の適切な材料としては、インジウムスズ酸化物およびアルミニウムドープ酸化亜鉛が挙げられる。この層は、例えば、おおよそ約500から約1500オングストロームの間の厚さ、例えば、約750オングストロームの厚さであってもよい。この厚さは、堆積される反射層からの反射を高めるであろう。いくつかの実施形態では、この層は、実質的にはより薄く、例えば、約100から約200オングストロームであってもよい。分かるであろう通り、完成した装置では、入射光は、第1の表面10から薄膜40に進入するであろう。薄膜40を通過した後、吸収されていない光は、第2の表面62から薄膜40を退出し、その後、TCO層110を通過するであろう。TCO層110上に形成される反射層12は、吸収される第2の機会のために、この光を電池の中へと反射し返し、効率を向上させるであろう。導電性の反射金属が、反射層12のために使用されてもよい。種々の層または積層が使用されてもよい。一実施形態では、反射層12は、例えば、約30または50オングストロームから約100オングストロームのクロムの非常に薄い層に続いて、約1000から約3000オングストロームの銀を、TCO層110上に堆積することによって形成される。描画しないものの、代替の実施形態では、反射層12は、約1000から約3000オングストロームの厚さを有する、アルミニウムであってもよい。次のステップでは、層はめっきによって形成されるであろう。従来のめっきは、アルミニウム層上に行うことはできないため、アルミニウムが反射層12に対して使用される場合、1つまたは複数の追加の層が、めっき用にシード層を提供するように追加されなくてはならない。一実施形態では、例えば、約200から約300オングストロームの間の厚さの、例えば、チタンの層に続いて、例えば、約500オングストロームの任意の好適な厚さを有してもよい、例えば、コバルトのシード層となる。金属支持要素60は、反射層12本実施形態ではクロム/銀の積層上に、めっきによって形成される。電気めっきによって金属支持要素60を形成するために、一時的キャリア50および薄膜40、ならびに関連する層は、電解質浴の中に浸漬される。電極が反射層12に取り付けられ、電流が電解質を通過する。電解質浴からのイオンは、反射層12上に集積し、金属支持要素60を形成する。金属支持要素60は、例えば、ニッケルおよび鉄の合金であってもよい。鉄はより安価である一方、ニッケルの熱膨張係数は、シリコンの熱膨張係数により良く合致し、後のステップ中の応力を減少させる。金属支持要素60の厚さは、所望される通りであってもよい。金属支持要素60は、光電池が形成するように、構造上の支持を提供するのに十分厚いべきである。より厚い支持要素60は、内反の傾向がより少ない。対照的に、厚さを最小化することによって、費用が削減される。当業者は、これらの懸念のバランスを取るように、好適な厚さおよび鉄対ニッケルの比率を選択するであろう。厚さは、例えば、約25から約100ミクロン、例えば、約50ミクロンであってもよい。いくつかの実施形態では、鉄―ニッケル合金は、鉄が約55から約65パーセントの間、例えば、鉄60パーセントである。図6eに目を転じると、金属支持要素60の構築に続いて、一時的キャリア50を除去し、第1の表面10を暴露することができる。図6eは、動作中であろう通り、金属支持要素60が下になるように、反転構造を示す。薄膜40は、一時的支持要素50から切り離される。いくつかの実施形態では、例えば、約225°Cにまで加熱することによって、接着剤を軟化させ、除去を助けるであろう。第1の表面10は、例えば、洗剤を使用して洗浄され、続いてすすぎ洗いされる。いくつかの場合には、フォトレジスト剥離液等の溶媒が使用されてもよい。一時的支持要素50もまた、同じ方法を使用して洗浄され、続いて再度使用される。洗浄に続いて、非晶質シリコン層が、第1の表面10上に堆積される。この層76は、高濃度にドープされたシリコンであり、例えば、約50から約350オングストロームの間の厚さを有してもよい。図6eは、第1の表面62とドープ層76との間に、両方と直接接触する、固有またはほぼ固有の非晶質シリコン層78を含む、実施形態を示す。他の実施形態では、層78は省略されてもよい。本実施例では、高濃度にドープされたシリコン層76は、低濃度にドープされたn型薄膜40の導電型とは反対に、高濃度にドープされたp型であり、光電池のエミッタとして機能を果たす。含まれる場合には、層78は、薄膜40と高濃度にドープされたシリコン層76との間の電気的接触を邪魔しないほど、充分に薄い。透明導電酸化TCO層112は、非晶質シリコン層76上に形成され、非晶質シリコン層76と直接接触する。TCO112向けの適切な材料としては、インジウムスズ酸化物およびアルミニウムドープ酸化亜鉛が挙げられる。この層は、例えば、約700から約1800オングストロームの間の厚さ、例えば、約900オングストロームの厚さであってもよい。いくつかの実施形態では、本発明の譲受人によって所有され、参照することで本明細書に組み込まれる、2010年9月30日に出願のLiangらの米国特許出願第12/894,254号ASemiconductorwithaMetalOxideLayerHavingIntermediateRefractiveIndexの中に記載される通り、非晶質シリコン層76の屈折率とTCO層112の屈折率との間の屈折率を有する層が、非晶質シリコン層76上に形成されてもよい。例えば、銀ペーストの金属線57が、例えば、スクリーン印刷によってTCO層112上に形成され、例えば、約180~250°Cの比較的低温で硬化されてもよい。装置を製作するための方法について記載しており、方法は、約50ミクロンより少ない厚さを有する単結晶半導体薄膜を提供することと、半導体薄膜を一時的キャリアに付着することと、めっきによって、薄膜上にまたは薄膜に渡って、金属支持要素を形成することと、一時的キャリアから、薄膜および金属支持要素を切り離すことと、光電池を製作することであって、薄膜は、光電池のベース領域を備えることとを含む。電池のベースを備える、低濃度にドープされたn型薄膜40、および電池のエミッタとして機能を果たす、高濃度にドープされたp型非晶質シリコン層76を含む、光電池が形成された。高濃度にドープされたn型非晶質シリコン層72は、電池のベース領域への優れた電気的接触を提供するであろう。電気的接触は、電池の両面に作られなくてはならない。非晶質シリコン層76への接触は、TCO層112を経由して、グリッド線57によって作られる。金属支持要素60は、導電性であり、導電層12およびTCO層110を経由して、ベース接点72と電気的に接触する。図6eは、光電池および金属支持要素60を含む、完成した光起電アセンブリ80を示す。代替の実施形態では、使用するドーパントを変更することによって、高濃度にドープされた非晶質シリコン層72は、エミッタとして機能を果たす場合がある一方、高濃度にドープされたシリコン層76は、ベース領域への接点として機能を果たす。入射光矢印によって表示は、TCO112上にあたり、高濃度にドープされたp型非晶質シリコン層76において電池に進入し、第1の表面10において薄膜40に進入し、薄膜40を通って進む。反射層12は、一部の光を電池の中へ反射し返すのに役立つであろう。本実施形態では、レシーバー要素60は、基板として機能を果たす。レシーバー要素60および薄膜40、ならびに関連する層は、光起電アセンブリ80を形成する。複数の光起電アセンブリ80は、形成され、支持基板90、または代替的に、支持上板図示せずに付着することができる。各光起電アセンブリ80は、光電池を含む。モジュールの光電池は、概して、直列で電気的に接続される。まさに先ほど記載した実施形態では、テクスチャリングがめっきの前に行われた。他の実施形態では、テクスチャリングは、めっきに続いて行われてもよい。Liらのテクスチャリング法は、表面応力を導入するように考えられた研磨ステップを必要とし、それによって、エッチング用の核形成点を作成する。テクスチャリングが、めっきに続いて行われる時、めっきによって誘発される応力によって、研磨ステップを不必要にする場合があり、TMAHまたはKOH等、選択的エッチング液での時限エッチングステップが、1ミクロンより少ない山から谷までの高さを有する、錐体を形成するのに十分であってもよいことが分かる場合がある。実施例:セラミック支持要素構築された支持要素は、種々のプロセスによって、種々の材料から形成されてもよい。代替の実施形態では、支持要素はセラミックである。セラミック支持要素の製作については、本発明の譲受人によって所有され、参照することで本明細書に組み込まれる、2010年6月30日に出願のAgarwalらの米国特許出願第12/826,762号AFormedCeramicReceiverElementAdheredtoaSemiconductorLaminaの中により詳細に記載されている。図7aに目を転じると、プロセスは、反射金属層または積層12の形成を通して、先の実施形態において記載したプロセスと同じであってもよい。金属層または積層12は、例えば、TCO110上に形成される、例えば、約20から約100オングストロームのクロムの非常に薄い層、続いて、例えば、約1000から約3000オングストロームの銀の層であってもよい。代替的に、例えば、約100オングストローム以下のチタンの薄層が、TCO層110上に堆積され、約1000から約3000オングストロームの銀が続いてもよい。他の材料が使用されてもよい。例えば、100~300オングストロームの任意選択のチタンの薄層が、積層12の最後の層として形成されてもよい。この層は、接着層として機能を果たし、来たる層に優れた接着を提供する。次に、セラミック粉体、および例えば、液体結合剤といった結合剤を含む、セラミック混合物64が、金属層または積層12上に塗布される。セラミック粉体は、例えば、ムライトとしても知られるケイ酸アルミニウム、またはケイ酸ジルコニウムといった任意の好適な材料とすることができる。これらの形態のいずれか、または任意の他の好適なセラミックが使用されてもよい。黒鉛粉末または金属の充填剤等の導電成分が、結果生じるセラミック本体を導電性にさせるように含まれてもよい。例えば、水中の希釈度40パーセントの純粋なケイ酸ナトリウムといった、ケイ酸ナトリウム溶液が、結合剤として機能を果たしてもよい。一実施例では、混合物は、75gのケイ酸アルミニウムおよび55gの黒鉛粉末55gを、希釈度40パーセントの液体ケイ酸ナトリウム135gと混合することによって、形成された。当業者によって理解されるであろう通り、これらの比率は、所望の導電性、硬化条件等を達成するために異なってもよい。他の結合剤、セラミック粉体、または導電成分は、置き換えられてもよい。セラミック混合物64は、均一な分布を達成し、妥当な強さのレシーバー要素を作るのに、十分な厚さで塗布されるべきであるが、ガス放出を妨害する傾向があるであろうほど厚くするべきではない。約1から約3mmの厚さ、例えば、約1.6から約2mmの厚さである、完成した厚さが好ましい場合がある。セラミック混合物64は、任意の好適な方法、例えば、スキージ、噴霧、またはジェットライターによって、塗布されてもよい。硬化は、ガス放出を可能にするように十分ゆっくりと行われるべきである。混合物が、硬化プロセスの早期に皮層で覆われる場合、揮発性物質は、抜かれることができなくなるであろう。一実施例では、硬化は室温では24時間行われるが、硬化時間は、硬化温度を上昇させることによって、減少することができる。硬化の後、本実施例におけるセラミック本体64は、約1.6から約2.0mmの間の厚さであり、損傷を起こすことなく、標準的なウェハ取扱機器によって取り扱われるのに、十分剛性があり十分強い。硬化に続いて、温度は、例えば、乾燥器の中で、継続的または段階的のいずれかで上昇する。一実施例では、温度は、75°C、110°C、250°Cにまで、各温度で約2時間の滞留時間を伴い連続的に上昇していくが、当業者は、この連続が変えられるか、または最適化されてもよいことを理解するであろう。Agarwalらの実施形態は、520°Cのピーク硬化温度を記載する。この硬化温度は、非晶質シリコン層74を結晶化させるであろうし、両方が、シリコンにおいては520°Cで容易に拡散するため、同様に反射金属層12におけるアルミニウムまたは銀の使用とは適合しない。セラミック混合物は、硬化温度を上昇させることによって、より低い温度で硬化することができる。セラミック本体64は、複数の層の適用および硬化によって、蓄積されてもよい。図7bに目を転じると、製作は、先の実施形態における通り継続する。薄膜40および構築されたセラミック支持要素64は、一時的キャリア50から除去され、非晶質シリコン層78および76、TCO層112、ならびにグリッド線57が、装置を完成させる。構造は、動作中のように、構築されたセラミック支持要素64が下になるように、反転して示される。完成した装置では、入射光は、第1の表面10において薄膜40に進入する。したがって、作成されたアセンブリは、先の実施形態における通り、他の類似のアセンブリを伴い、支持基板または上板上に載置することができる。代替的に、より高温を許容することができる構造が形成されてもよい。図8に目を転じると、薄膜40の劈開による第2の表面62の製作に続いて、かつ損傷の焼鈍に続いて、第2の表面は、第2の表面62に高濃度にドープされたn型領域16を形成するように、例えば、拡散ドーピングによってドープされてもよい。誘電層28は、例えば、二酸化シリコンの第2の表面62上に形成されてもよい。ビア33が誘電層28の中に形成され、金属積層15が誘電層28上に堆積され、ビア33の中で第2の表面62に接触する。金属積層15は、400°Cを上回る温度を許容することができる、チタン、タングステン、コバルト等の金属層を含んでもよい。このような積層については、Agarwalらにより詳細に記載している。このような表面上に構築されるセラミック本体64は、より高温で、例えば、約520°Cで硬化することができる。任意選択の追加の金属層または積層図示せずは、薄膜に対向する表面上で、接点を半田付けするのを補助するように、セラミック本体64の背面上に含まれてもよい。この積層は、例えば、アルミニウムまたは銀に続いて、NiVまたは別の好適な材料の層であってもよい。実施例:ポリマー支持要素別の代替の実施形態では、支持要素はポリマーから形成される。図9aに目を転じると、プロセスは、金属層または積層12の形成を通して、先の実施形態構築されたセラミック本体を有するにおいて記載したプロセスと同じであってもよいポリマー支持要素の形成を開始するために、液体形態のポリマーが、低抵抗層22に塗布される。ポリマー層66は、種々の既知の方法のうちのいずれによっても塗布することができる。ポリマー層は、回転し続けてもよく、この場合、層66の厚さは、適用される容量および回転速度で異なるであろう。この層は、上に噴霧されるか、または任意の他の好適な方法によって塗布されてもよい。乾燥ステップは、例えば、約120から約200°Cで数分または数時間行われる。乾燥の後、硬化ステップが、任意の好適な温度で行われる。いくつかの実施形態では、乾燥および硬化ステップは、組み合わせられてもよい。硬化の後、ポリマー層66は、例えば、約5から約30ミクロンの間の厚さであってもよい。複数のポリマー層は、例えば、最大100ミクロン以上の厚さのより厚いポリマー本体を作成するように形成されてもよく、これは硬化時間および温度を低く維持するのに役立つ場合がある。ポリマー支持要素66を構築し硬化した後、ポリマー支持要素66および薄膜40が、一時的キャリア50から除去され、製作は、先の実施形態における通り完成する。製作は先の実施形態における通り継続する。図9bに目を転じると、一時的支持要素が除去される。構造は、ポリマー支持要素66が下になるように、反転して示される。非晶質シリコン層78および76は、TCO層112および配線57のように形成される。完成した装置において、入射光は、第1の表面10において薄膜40に進入する。代替の実施形態図示せずでは、セラミック支持要素が構築される、先のセクションに記載した通り、a薄膜40の第2の表面62に高濃度ドープ領域を形成することによって、非晶質シリコン層72および74を置き換えることと、bアルミニウムまたは銀を、より高温を許容することができる金属で置き換えることとによって、硬化はより高温で行われてもよい。種々の構築された支持要素について記載してきた。構築された支持要素が、導電性でない場合、支持要素に隣接する電池の領域高濃度にドープされた非晶質シリコン層、または種々の実施形態においてドーピングによって形成される領域のいずれかでの、高濃度ドープ領域への電気的背接触は、両方が本出願の譲受人によって所有され、両方が参照することで本明細書に組み込まれる、2008年12月9日に出願のPettiらの米国特許出願第12/331,376号FrontConnectedPhotovoltaicAssemblyandAssociatedMethods、および以下、’064出願と称する、2009年3月19日に出願のPettiらの米国特許出願第12/407,064号MethodtoMakeElectricalContacttoaBondedFaceofaPhotovoltaicCellを含む、種々の方法を使用して形成することができる。より多いまたはより少ない薄膜の移動これまでに記載した実施形態では、ドナーウェハの元の表面は真空チャックに付着され、その後、薄膜の劈開に続いて、劈開された表面は、真空パドルおよび放出された元の表面によって保持され、一時的キャリアへの移動に続いて、元の表面が付着され、劈開された表面は放出され、追加の処理に続いて、元の表面は、一時的キャリアから放出される。このフローにおいて、真空チャックからの元の表面の放出、真空パドルからの劈開された表面の放出、および一時的キャリアからの元の表面の放出と、3つの表面の放出がある。しかしながら、他の選択肢も可能である。プロセスフローは単純化することができる。図10aに目を転じると、一実施形態では、ドナーウェハ20の第1の表面10イオン注入によって前に画定された劈開面30を含むは、真空チャック54に保持される。図10bに目を転じると、薄膜40の劈開第2の表面62を作成するに続いて、一時的キャリア50は、例えば、接着剤を使用して、第2の表面62に付着され、第1の表面10は真空チャック54から放出される。一時的支持要素50が下になるように、反転された構造を示す、図10cに目を転じると、非晶質層74および72、TCO層110、ならびに反射金属層12は、第1の表面10上に堆積され、続いて、金属層12上に支持要素60が構築される。図10dに示す通り、第2の表面62が、一時的キャリアから切り離され構造は、完成した装置の動作中のように、今回は構築された支持要素60が下になるように、再び反転する、洗浄に続いて、非晶質層78および76、ならびにTCO層112が、第2の表面62上に形成される。配線57は、スクリーン印刷によって形成され、硬化される。このプロセスフローは、2つの放出のみ、すなわち、真空チャックからの第1の表面10、および一時的キャリアからの第2の表面62の放出に関与する。完成した装置では、入射光が、第2の表面62において薄膜40に進入し、第1の表面10は、電池の背面にある。他の実施形態では、1つ以上の追加の放出があってもよい。図11aに目を転じると、第1の表面10は、真空チャック54に保持される。図11bに目を転じると、薄膜40の劈開に続いて、真空パドル図示せずが、薄膜40を第1の一時的キャリア50に移動させるように使用される。第1の表面10が付着される一方、第2の表面62は曝露される。非晶質層78および76、ならびにTCO層112は、第2の表面62上に堆積される。第2の一時的キャリア52が、TCO層112に付着される第2の表面62に渡って。第2の一時的キャリア52の取り付けに続いて、第1の表面10が、一時的キャリア50から切り離される。第2の一時的キャリア52が下になるように反転された構造を示す、図11cに目を転じると、第1の表面10は洗浄され、非晶質シリコン層74および72、ならびにTCO層110が、第1の表面10上に形成され、反射金属層12が続く。金属支持要素60は、めっきによって金属層12上に形成される。最後に、図11dに目を転じると、TCO層112は、第2の一時的キャリアから切り離され、配線57が、スクリーン印刷によってTCO層112上に形成され、硬化される。このプロセスフローは、4つの放出、すなわち真空チャックからの第1の表面10の放出、真空パドルからの第2の表面62の放出、第1の一時的キャリア50からの第1の表面10の放出、および第2の一時的キャリア52からの第2の表面62の放出に関与する。完成した装置では、入射光が、第2の表面62において薄膜40に進入し、第1の表面10は、電池の背面にある。このフローは、より複雑であるが、NiFeで構築された支持要素60は、全ての堆積ステップが完了した後、プロセスの最後の非常に近くで形成されるという利点を提供する。これにより、より清潔なプロセスを提供し、機器の汚染を避ける場合がある。種々の実施形態が、明確および完全を期すために、提供されてきた。明らかに、全ての可能な実施形態を一覧として示すのは実際的ではない。本明細書によって情報が与えられる時、本発明の他の実施形態は、当業者には明らかであろう。製作の詳細な方法を本明細書に記載してきたが、同じ構造を形成する、任意の他の方法を使用することもできる一方で、結果は本発明の範囲内に該当する。上述の詳細な記載は、本発明が取ることができる、多くの形態のうちのいくつかのみについて説明している。この理由から、この発明を実施するための形態は、限定するものではなく、例証することを意図している。本発明の範囲を画定するように意図しているのは、全ての均等物を含む、続く特許請求の範囲のみである。"