試料の応力を測定するためのX線応力測定装置であって、少なくとも、応力を測定する前記試料の表面に対して所望の角度で傾斜する平面上において、互いのX線ビームのなす角度を任意の固定角度としたX線ビームを入射する一対のX線発生手段と、前記一対のX線発生手段からの入射X線ビームにより発生する複数のデバイリングを検出するためのX線センサ部と、そして、前記X線発生手段及び前記半導体X線センサ部に電力を供給する電池手段とを備えているものにおいて、前記X線センサ部は、ただ一個の二次元X線検出器又は一次元X線検出器からなり、かつ、前記少なくとも一対のX線発生手段からの入射X線ビームにより発生する複数のデバイリングが互いに隣接し、又は、交差する位置に配置されていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項1に記載したX線応力測定装置において、前記一対のX線発生手段の前記互いのX線ビームのなす角度は、20度~170度の範囲内であることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項2に記載したX線応力測定装置において、前記一対のX線発生手段の前記互いのX線ビームのなす角度は、90度であることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項1に記載したX線応力測定装置において、前記X線センサ部は二次元X線検出器により構成されると共に、更に、前記二次元X線検出器により検出されるデバイリングにより、当該リングが前記一対のX線発生手段の何れから試料に入射したX線ビームに起因するものであるかを判定する手段を備えていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項4に記載したX線応力測定装置において、前記二次元X線検出器は、前記一対のX線発生手段により挟まれた空間内において、当該一対のX線発生手段に対して予め設定された位置及び角度で、固定されていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項1に記載したX線応力測定装置において、前記X線センサ部は一次元X線検出器により構成されると共に、更に、前記一対のX線発生手段を、時間上で選択的に駆動するための手段を備えていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項6に記載したX線応力測定装置において、前記一次元X線検出器は、前記一対のX線発生手段との間の空間内において、当該一対のX線発生手段に対して予め設定された位置及び角度で、固定されていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項1に記載したX線応力測定装置において、更に、その内部に前記一対のX線発生手段と共に、前記X線センサ部を収納した放射線シールド部材を備えていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項8に記載したX線応力測定装置において、更に、前記放射線シールド部材には、把持部が一体的に取り付けられていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項9に記載したX線応力測定装置において、更に、前記把持部に近接した位置に、前記X線応力測定装置のX線応力測定動作を指示するためのトリガーが配置されていることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項9に記載したX線応力測定装置において、更に、前記把持部には前記電池手段が内蔵されており、かつ、前記電池手段はリチャージャブルバッテリであることを特徴とするX線応力測定装置。前記請求項8に記載したX線応力測定装置において、更に、前記放射線シールド部材の外部には、前記X線応力測定装置によるX線応力測定の結果を表示する表示部を備えていることを特徴とするX線応力測定装置。上述した従来技術、特に、上記特許文献1の可搬なハンドヘルド型のX線回折計では、試料により回折されたX線のパターン特に、デバイリングを検出するために、複数の半導体からなる二次元エリアX線検出器又は一次元リニア線検出器を必要とする。しかしならが、現状では、かかる半導体X線検出器は高価であり、かつ、その関連部品をも合わせると比較的大きくなってしまい、必ずしも、可搬なハンドヘルド型の装置を構成するのに適切な構成とはなっていない。そこで、本発明は、上述した従来技術における問題点に鑑みて達成されたものであり、X線を使用して試料の応力を測定するX線応力測定装置であって、特に、装置の小型化や軽量化に好適な構成を備えており、実際に可搬なハンドヘルド型のX線応力測定装置を提供することをその目的とする。本発明によれば、上記の目的を達成するため、まず、試料の応力を測定するためのX線応力測定装置であって、少なくとも、応力を測定する前記試料の表面に対して所望の角度で傾斜する平面上において、互いのX線ビームのなす角度を任意の固定角度としたX線ビームを入射する一対のX線発生手段と、前記一対のX線発生手段からの入射X線ビームにより発生する複数のデバイリングを検出するためのX線センサ部と、そして、前記X線発生手段及び前記半導体X線センサ部に電力を供給する電池手段とを備えているものにおいて、前記X線センサ部は、ただ一個の二次元X線検出器又は一次元X線検出器からなり、かつ、前記少なくとも一対のX線発生手段からの入射X線ビームにより発生する複数のデバイリングが互いに隣接し、又は、交差する位置に配置されているX線応力測定装置が提供される。また、本発明では、前記に記載したX線応力測定装置において、前記一対のX線発生手段の前記互いのX線ビームのなす角度は、20度~170度の範囲内であることが好ましく、更には、90度であることが好ましい。そして、前記X線センサ部は二次元X線検出器により構成されると共に、更に、前記二次元X線検出器により検出されるデバイリングにより、当該リングが前記一対のX線発生手段の何れから試料に入射したX線ビームに起因するものであるかを判定する手段を備えていることが好ましく、更には、前記二次元X線検出器は、前記一対のX線発生手段により挟まれた空間内において、当該一対のX線発生手段に対して予め設定された位置及び角度で、固定されていることが好ましい。また、本発明では、前記に記載したX線応力測定装置において、前記X線センサ部は一次元X線検出器により構成されると共に、更に、前記一対のX線発生手段を、時間上で選択的に駆動するための手段を備えていることが好ましく、更には、前記一次元X線検出器は、前記一対のX線発生手段との間の空間内において、当該一対のX線発生手段に対して予め設定された位置及び角度で、固定されていることが好ましい。加えて、本発明によれば、前記記載したX線応力測定装置において、更に、その内部に前記一対のX線発生手段と共に、前記X線センサ部を収納した放射線シールド部材を備えていることが好ましく、その場合、更に、前記放射線シールド部材には、把持部が一体的に取り付けられていることが好ましい。更には、前記把持部に近接した位置に、前記X線応力測定装置のX線応力測定動作を指示するためのトリガーが配置されていることが好ましく、更に、前記把持部には前記電池手段が内蔵されており、かつ、前記電池手段はリチャージャブルバッテリであることが好ましい。そして、前記放射線シールド部材の外部には、前記X線応力測定装置によるX線応力測定の結果を表示する表示部を備えていることが好ましい。上述した本発明によれば、装置の小型化や軽量化に好適な構成を備えており、そのため、実際に可搬なハンドヘルド型のX線応力測定装置を提供することを可能とするという極めて優れた効果を発揮する。以下、本発明の実施の形態になるX線応力測定装置について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。まず、添付の図1は、本発明になるX線応力測定装置の全体構成を示す。この図において、符号10、10’は、当該装置内に設けられた一対の小型のX線源であるX線管を示しており、各々は、X線取り出し窓から伸びてX線光路を形成するコリメータ11、11’を備えている。なお、X線管10を構成するターゲット材料としては、例えば、クロミウム、コバルト、鉄、銅、モリブデン、又は、他の金属材料が挙げられる。また、コリメータ11、11’の先端部には、上記X線源からのX線ビームを所望の径のビームにするためのスリット12、12’が取り付けられている。なお、ここでは図示しないが、例えば、コリメータ11、11’の内部にフィルタ材やモノクロメータが配置されており、それ故、上述したX線源からは、単色化されたX線ビームが得られる。これら一対のX線管、即ち、第1のX線管10及び第2のX線管10’からのX線ビームそれぞれ、X線、X’線は、図からも明らかなように、試料Sの表面に対し任意の角度で傾斜する面内において、互いのX線ビームのなす角度を任意の固定角度に保って当該試料Sの表面に入射される。一対のX線ビームがなす任意の固定角度は、20度~170度の範囲であり、特に、70度~110度の範囲にすることが好ましい。例えば、互いに90度の角度を成す方向に向けて当該試料Sの表面に入射される。そして、これによれば、図にも示すように、上記一対のX線ビームの試料Sへの入射により、回折X線である、即ち、デバイリングC、C’回折円錐が生じる。そして、これら一対のデバイリングC、C’が互いに交差する位置、より具体的には、上記一対のX線管10、10の間、或いは、上記コリメータ11、11の間の空間には、以下にも詳細を述べる半導体からなる二次元エリアX線センサ20が配置されている。即ち、この二次元エリアX線センサ20は、上記一対のX線管、即ち、第1のX線管10及び第2のX線管10’からのX線ビームX線、X’線により生じたデバイリングC、C’回折円錐のそれぞれの一部を検出するために、共用して使用されている。また、図1において、符号13、13’は、それぞれ、上記した第1のX線管10及び第2のX線管10’に対して高電圧を供給するための高電圧発生部を示している。各々は、ここでは図示しないが、例えば、多数のチップコンデンサやチップダイオードをセラミック基板上に交互に接続した例えば、コッククロフトウヲルトン高圧昇圧整流回路ものからなり、それぞれ、高電圧ケーブル14、14を介してX線管10、10’に高電圧を供給することによってX線ビームを発生させる。また、図中の符号25は、後にもその詳細を説明するが、上記二次元エリアX線センサ20により検出された回折X線の像、即ち、デバイリングC、C’の一部を、電気信号として入力して所定の処理を施して出力するための信号処理部であり、例えば、CPUCentralProcessingUnitや各種のメモリ等を含んで構成することが出来る。更に、符号26は、X線センサ20からの電気信号を信号処理部25へ伝達するための信号ケーブルを示している。なお、以上に述べた部品は、例えば、タングステンW、タンタルTa、鉛Pb等の重金属を混入した樹脂の成型品により覆われており、もって、放射線シールド100を構成している。また、ここでは図示しないが、上記放射線シールド100の内部に小型の気体ポンプを配置し、もって、X線ビームX線、X’線の光路を真空状態に保持することも可能であろう。更に、図1において、上述した放射線シールドカバー100の背後には、折り畳み可能な表示部例えば、液晶ディスプレイ装置310を備えた制御部300が一体に取り付けられている。なお、この制御部300は、当該X線応力測定装置の全体を制御するための制御部例えば、CPUCentralProcessingUnitや各種のメモリ等を含む320や、図示しないが、当該装置の操作に必要な入力部各種の入力ボタン等を備え、もって、入力部を構成している。また、表示部310には、上記二次元エリアX線センサ20により得られたデバイリングC、C’回折円錐の像や、上記信号処理部25により得られた測定分析結果を表示することが出来る。そして、上述した制御部300の背後には、更に、上述した装置の各部に必要な電力を供給するための電源部400と共に、使用者が当該装置を保持した状態で装置にX線応力測定動作を指示するためのトリガースイッチ450が、把持部460に一体に取り付けられている。なお、図の符号410は、電源部400を構成する蓄電池例えば、リチャージャブルバッテリであり、符号420は、当該蓄電池410の電力を所定の電圧に変換して各部に供給すると共に、商用電源に接続可能なコンセント430により交流電力を図の符号440、445で示すアダプタを介して入力して直流電力に変換し、もって、上記蓄電池410に蓄電を行うための電力変換部である。次に、添付の図2には、上記で述べたX線センサ部20の詳細構造の一例が示されている。この図において、符号210は、例えば、CdTe、CdZnTe、その他の、所謂、半導体X線センサ部を示しており、図からも明らかなように、例えば、172μm×172μmの外形略正方形状に形成された多数の例えば、487×487個ピクセル211、211が形成されている。なお、ここでは図示しないが、各ピクセルの中央部にX線検出部を形成すると共に、その一方の面図の上面側には、負の電位を印加するバイアス電極をITO等の透明材料図3の符号212により形成すると共に、他方の面図の下面側には、所謂、X線のエネルギーによって発生する電子を検出するための検出電極図3の符号213が形成されている。更に、上述した半導体X線センサ部210の下面には、同様の形状をした所謂、ASICApplicationSpecificIntegratedCircuitからなる読み出し部220が設けられている。この読み出し部220は、複数の層本例では、3層を積み重ねることにより構成されており、各層の間をSi貫通ビアシリコン製半導体チップの内部に垂直に貫通する電極などにより電気的に接続することにより、種々の回路が3次元的に構成されている。この読み出し部220の下方には、更に、各ピクセルに対応してパッドが多数設けられており、更に、ワイヤボンディングパッドからなる配線部230に導かれる。ここでは図示しないが、その内部に設けられた、例えば、パラレル/シリアル変換器、又は、チャネルスイッチ、マルチプレクサ等によりその出力数を低減して、その側壁部に設けられた端子ケーブルを介して出力される。続いて、添付の図3は、上述した半導体X線センサ部210、読み出し部220、更には、配線部230を備えたX線センサ20、更には、上述した信号処理部25を含む、X線応力測定装置全体の回路構成を示す。即ち、図の符号211は、上述した透明なITOからなるバイアス電極を、212は、接地電極を、213は検出電極を、それぞれ、示している。また、図中の符号221は、検出信号を所望の振幅に増幅するための増幅器を、222は、増幅された信号の波形を整形するための波形整形回路を、223は、上記波形整形回路からの出力を比較参照電圧VRefと比較する比較回路を、そして、224は、上記比較回路からの出力を計数するための計数回路を、それぞれ示している。加えて、配線部230には、上記のワイヤボンディングパッド231が設けられている。即ち、上述した図3からも明らかなように、上記半導体X線センサ部210を構成する多数のX線センサピクセルからの検出信号は、その裏面に配置された読み出し部220に導かれ、ASICによりその内部に多数形成された処理回路において所定の処理が施された後、配線部230を介して、例えば、CPUを含んで構成される情報処理装置25に入力される。情報処理装置25は、このようにして得られた回折X線の情報により、以下に述べる応力測定解析処理を実行し、更には、その結果を、表示部ディスプレイ装置310上に表示する。また、上述したX線センサ20によれば、各X線センサピクセルにおけるX線の強度を検出することが可能であり、例えば、219=524288の階調で強度を表示することが出来る。続いて、添付の図4により、上述した半導体X線センサ部20と一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’の配置について説明する。まず、図4Aは、一対のX線管10、10’を横から見た状態を示しており、この図では、当該一対のX線管10、10’は、試料Sの表面に対し、角度αで傾斜する面上で、それぞれ、X線ビーム及びX’線ビームを入射している。図4Bは、図4Aの矢印B方向か見た状態を示しており、第1のX線管10から試料Sの表面に入射するビームと、第2のX線管10’から試料Sの表面に入射するビームとのなす角度δは、任意の固定角度に設定されている。一対のX線管ビームのなす角度δは、20度~170度程度の範囲において、1つの角度に固定されているが、例えば、90度に固定しても良い。互いに直角90度となるように設定されている場合には、その結果、図4Bに示すように、両X線ビームの入射により、それぞれのビームを中心として、デバイリングC、C’回折円錐が生じる。そして、こられのデバイリングC、C’は、多結晶金属の場合、応力の有無に応じて円錐の角度π―2θ、π―2θ’を変化するが、通常、互いに隣接し、又は、交差する位置に形成される2θ、2θ’=96~162度程度。そこで、この一対のデバイリングC、C’が互いに隣接し、又は、交差する位置に、上述した二次元エリアX線センサ20が配置されている。即ち、上述した一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’は、半導体X線センサ部20に対して予め設定された位置及び角度で配置されており、特に、これらは半導体X線センサ部20の中心に対して、互いに対称に配置されていることが好ましいであろう。一対のX線ビームのなす角度δが直角90度以外の角度となる様に設定されている場合でも、デバイリングC、C’回折円錐の角度は、π―2θ、π―2θ’の値であり、δ=90度の場合と同一であるので、当該角度δが任意の固定角度の場合でも、本発明は有効である。即ち、上記一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’を同時に駆動するX線とX’線を同時に入射することによれば、互いに近接し、又は、交差する位置に形成されるデバイリングC、C’回折円錐を、同時に、上記半導体X線センサ部10上に検出することが可能となり、そして、これらデバイリングC、C’の半径を、又は、円錐の角度π―2θ、π―2θ’を比較することによれば、上記試料Sにおける応力の有無をその方向と共に検出することが可能となる。或いは、予め応力のない状態で測定したデバイリングの半径や円錐の角度π―2θと比較することによれば、その大きさを測定することも可能となる。次に、図5A及びB、図6A及びB、図7A及びBには、上述した半導体X線センサ部20と一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’の種々の配置形態と、それによりセンサ20上に得られるデバイリングC、C’を示す。即ち、図5Aは、半導体X線センサ部20の両側の中央部に一対のX線管10と10’を配置して試料表面に向かってX線、X’線を入射するものであり、これによれば、デバイリングC、C’は、それぞれ、半導体X線センサ部20の上下の辺に沿って得られることとなる。一方、図6Aは、半導体X線センサ部20の対角線に沿って一対のX線管10と10’を配置したものであり、この場合には、図6Bに示すように、上記対角線と直交する対角線に沿って、それぞれ、デバイリングC、C’が得られる。また、図7Aに示すように、半導体X線センサ部20の一辺に沿って一対のX線管10と10’を配置した場合には、半導体X線センサ部20上には、互いに直行する対角線に沿って、それぞれのデバイリングC、C’が得られることが分かる。なお、上述したように、半導体X線センサ部20と一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’の配置関係、即ち、半導体X線センサ部20のX線、X’線に対する傾斜角度やその表面の各ピクセルからの距離などは予め既に設定されていることから、上記半導体X線センサ部20上で回折X線を検知するピクセルの位置x、yによれば、デバイリングC、C’の半径、又は、円錐の角度π―2θ、π―2θ’を簡単に特定することが出来る。例えば、予め計算により求めておいた複数のデバイリングC、C’に対応するセンサ表面でのピクセル位置をメモリ等に記憶しておき、これを利用することによれば、半導体X線センサ部20上で実際に検出された回折X線から、デバイリングC、C’の半径、又は、円錐の角度π―2θ、π―2θ’を、比較的容易に求めることが出来る。なお、上記半導体X線センサ部20の各ピクセルから得られる検出信号を利用して応力を測定する際、当該ピクセルにより検出されたX線ビームが、上述した複数のデバイリングC、C’の何れに属するものかを特定することが重要となる。なお、デバイリングの特定については、上述した情報処理装置25によっても実行することが出来るが、そこで、以下では、デバイリングC、C’が互いに直交している場合におけるデバイリングの特定方法について詳細に説明する。図8Aは、上記半導体X線センサ部20の表面に多数形成されたピクセルの一部を拡大して示したものである。まず、センサ表面の全体を複数の領域に分割し、当該領域内のピクセルの中で、最も強いX線強度を示すピクセル例えば、二つのデバイリングC、C’が重なり合う点のピクセル等。図の例では、PMAXを探し出す。その後、図8Bに示すように、この点を中心として、中心から所定の距離=r例えば、20ピクセル程度だけ離れた周辺部において、次のX線強度、例えば、上記最大X線強度の半分程度のX線強度を示すピクセルP1を探し出し、これらの2点間の中点に垂線を引いて法線方向を求める。その結果、予め計算されるデバイリングの中心が、求めた法線方向に位置するか否か例えば、許容率10程度でを判定することによって、ピクセルで検出したX線ビームが二つのデバイリングC、C’の何れに属するかを決定する。なお、本例では、ピクセルによってデバイリングC’を検出した場合の例を示している。なお、上記の手順を、分割して領域について実行し、もって、半導体X線センサ部20の表面に形成される全てのデバイスリングについての判定を行う。以上の結果、上記半導体X線センサ部20の表面で検出された複数のデバイリングは、1第1のX線管10を中心としたデバイリングCと、2第2のX線管10’を中心としたデバイリングC’と、更には、3両者のX線管10と10’に起因する部分と、そして、4何れのX線管にも関連したい部分とに分類される。そこで、第1のX線管10を中心としたデバイリングCを解析する場合には、添付の図9Aにも示すように、センサ部20表面で検出された複数のデバイリングから、上記2~4を除去して、上記1デバイリングCを取り出せばよい。また、第2のX線管10’を中心としたデバイリングC’を解析する場合には、添付の図9Bにも示すように、センサ部20表面で検出された複数のデバイリングから、上記1と3~4を除去して、上記2デバイリングC’を取り出せばよい。これによれば、その後、通常のX線回折解析用のソフトウェアを利用することも可能となる。更に、以下には、以上に詳述した本発明の一実施例になる可搬なハンドヘルド型のX線応力測定装置の変形例について説明する。まず、図10には、上記図1に示した実施例において、特に、その半導体X線センサ部として、上述した二次元エリアX線センサ20に代えて、一次元のリニアセンサ20’を採用した構成の一部が示されている。但し、図の他の構成部分についてはほぼ上記と同様であり、ここではその詳細な説明は省略する。なお、この変形例においても、一対のX線管第1のX線管10と第2のX線管10’を駆動するX線とX’線を入射することによれば、互いに近接し、又は、交差する位置に形成されるデバイリングC、C’回折円錐を、上記半導体X線センサ部10上に検出することが可能となり、そして、これらデバイリングC、C’の半径を測定することにより、応力を測定することが可能となる。なお、上記の構成、即ち、半導体X線センサ部を、二次元エリアX線センサ20に代えて、一次元リニアセンサ20’を採用することにより構成することによれば、装置の更なる小型化や軽量化が可能となる。しかしながら、上述したように、半導体X線センサ部20の各ピクセルから得られる検出信号を利用して応力を測定する際、当該ピクセルにより検出されたX線ビームが、上述した複数のデバイリングC、C’の何れに属するものかを特定することが重要となる。そこで、この変形例では、添付の図11に示すように、一個の高電圧発生部13の出力端子131にスイッチ132を取り付ける。そして、一個の高電圧発生部13からの高電圧を、その出力端子131に取り付けたスイッチ132により切り替えることにより、高電圧ケーブル14、14を介して、第1のX線管10と第2のX線管10’へ、順次、供給する。なお、このスイッチ132の切り換えは、例えば、上記トリガースイッチ450の押下に応動し、制御部320がそのクロック信号を利用することによって制御される。このことによれば、第1のX線管10と第2のX線管10’は、それぞれ異なる時間帯でX線ビームを発生することから、一次元リニアセンサ20’は、それぞれなる時間帯で、複数のデバイリングC、C’を選択的に測定することが可能になる。即ち、半導体X線センサ部として一次元リニアセンサ20’を採用しても、複数のデバイリングC、C’の何れに即ち、第1のX線管10からのX線、又は、第2のX線管10’からのX’線に属するものかを、確実に特定して計測することが可能となる。更には、装置内に設ける高電圧発生部13の数は一個でよいことから、特に、装置の小型化や軽量化に好適である。以上に詳細に説明したように、本発明によれば、その関連部品をも合わせると比較的大きくなってしまう二次元エリアX線検出器又は一次元リニア線検出器を有効に利用することにより装置の小型化や軽量化を可能とし、もって、実際に可搬なハンドヘルド型のX線応力測定装置を提供することを可能とするという優れた効果を発揮する。また、以上に述べた実施例では、例えば、デバイリングC、C’の一部を、電気信号として入力して所定の処理を施して出力するための信号処理部25は、上記放射線シールド100の内部に取り付けられるものとして説明したが、しかしながら、本発明ではこれに限定されることなく、その外部に配置することも可能であろう。また、上記放射線シールド100が試料Sの表面と接触することとなるその先端部には、試料表面に対する傾斜角度αを自在に設定することが出来、更には、シールド内部の機密性を確保するために、例えば、ゴム等の弾性部材により形成した開口部を取り付けることも可能であろう。加えて、図示しないが、上記放射線シールド100の内部には、更に、試料の表面を照明する光源と共に、当該表面と撮像するための撮像手段例えば、CCDカメラを取り付けることによれば、当該撮像手段により取り込んだ試料表面の映像を上記表示部例えば、液晶ディスプレイ装置310上に映し出すことも出来る。なお、その他の構成部品についても、同様に、その本来の機能を達成する限りにおいて、適宜、変更を施すことも可能であろう。