一つの制御端子多数のスプリングフィールド並びに多数のシンクフィールドを包含するトランジスターセルであって、該制御端子が、スプリングフィールドのうち少なくとも一つ、並びに、シンクフィールドのうち少なくとも一つを完全に取り囲んでいることを特徴とするトランジスターセル。該トランジスターセルが、更に、スプリングコンタクトフィールド、及び或いは、シンクコンタクトフィールドを有しているが、該スプリングフィールドが、導通するようにスプリングコンタクトフィールドとつながれている、及び或いは、シンクフィールドが、導通するようにシンクコンタクトフィールドと接続されていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスターセル。該スプリングコンタクトフィールド、及び或いは、シンクコンタクトフィールドが、少なくとも一つの、配線基板と導通するように接続可能なバンプを有していることを特徴とする先行請求項のうち何れか一項に記載のトランジスターセル。該少なくとも一つのバンプが、発生した損失熱を排出するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載のトランジスターセル。該制御端子が、該少なくとも一つのバンプの周りに同心に配置されていることを特徴とする請求項3或いは4に記載のトランジスターセル。同心の制御端子が、トランジスター作動時に達する制御端子の温度が、該少なくとも一つのバンプへの距離が増すにつれて高まらないように配置されていることを特徴とする請求項5に記載のトランジスターセル。該制御端子が、長方形の配置を有していることを特徴とする先行請求項のうち何れか一項に記載のトランジスターセル。該制御端子が、六角形の配置を有していることを特徴とする請求項1から6のうち何れか一項に記載のトランジスターセル。該制御端子が、多角形の配置を有している、但し、該多角形の角の数が、4の整数倍であることを特徴とする請求項1から6のうち何れか一項に記載のトランジスターセル。複数のトランジスターセルを半導体表面に有し、但し、各々のトランジスターセルが、スプリングコンタクトフィールド、及び或いは、シンクコンタクトフィールドを包含し、但し、該スプリングコンタクトフィールドは、半導体表面の裏側において、互いに導通するように結合されている;そして、該シンクコンタクトフィールドは、半導体表面の裏側において、互いに導通するように結合されているトランジスターであって、各々のトランジスターセルが、請求項1から9の何れか一項に記載のトランジスターセルであることを特徴とするトランジスター。該トランジスターセルが、半導体表面上でラテラルに組み合わされていることを特徴とする請求項10に記載のトランジスター。スプリングコンタクトフィールドのバンプが、配線基板の配線路を介して互いに導通するように接続されている;そして、シンクコンタクトフィールドのバンプが、配線基板の配線路を介して互いに導通するように接続されていることを特徴とする請求項3に記載のトランジスターセルを有する請求項10乃至11に記載のトランジスター。トランジスターセルの制御端子は、スプリングコンタクトフィールドやシンクコンタクトフィールドとは別の基質上において互いに導通するように接続されている、ことを特徴とする請求項10から12のうち何れか一項に記載のトランジスター。基質を準備する;半導体表面上に、一つの制御端子、多数のスプリングフィールド、多数のシンクフィールドを有する多数のトランジスターセルを形成する;制御端子を互いに導通するようつなぐ;各トランジスターセルにスプリングコンタクトフィールド、及び或いは、シンクコンタクトフィールドを形成する;スプリングフィールドを、それぞれ一つのスプリングコンタクトフィールドに導通するように接続する;シンクフィールドを、それぞれ一つのシンクコンタクトフィールドに導通するように接続する;少なくとも一つのバンプを各スプリングコンタクトフィールドと各シンクコンタクトフィールドに形成する;配線基板を用意する;スプリングコンタクトフィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する;そして、シンクコンタクトフィールドのバンプを互いに導通するように配線基板上の配線路を介して接続する;工程を包含するトランジスターの製造方法であって、多数のトランジスターセル各々において該制御端子が、スプリングフィールドのうち少なくとも一つ、並びに、シンクフィールドのうち少なくとも一つを完全に取り囲むように構成されていることを特徴とする製造方法。半導体表面上に多数のダイオードセルを有する、但し、各ダイオードセルが、カソードコンタクトフィールド、及び或いは、アノードコンタクトフィールドを包含するダイオードであって、該カソードコンタクトフィールドが、半導体表面の裏側において導通するように接続されているそして、該アノードコンタクトフィールドが、半導体表面の裏側において導通するように接続されていることを特徴とするダイオード。図1は、本発明に係るトランジスターの断面の例を示している。該トランジスターは、基質101上にあり得る半導体表面102上において、各々独立して機能できるトランジスターである複数のトランジスターセル103に分割されている。尚、該トランジスターの、全てのトランジスターセルの制御端子は、半導体表面において、互いに接続されている。トランジスターのスプリングとシンクの互いの完全な接続は通常とは異なり半導体上では、実施されない。トランジスターの該スプリングコンタクトフィールドとシンクコンタクトフィールド104には、それぞれバンプが設けられている。トランジスター全体の制御端子コンタクトにも、一つ、或いは、複数のバンプが設けられている。該バンプは、フリップチップ方法により、エレクトロニクス構成技術において一般的な配線基板107上の、好ましくは、高い熱伝導性を有する配線路106に接続されている。配線基板上の該配線路は、全てのスプリングバンプ、乃至、シンクバンプが、全てのトランジスターセルが、並列につながれた高い電流許容能力を有するトランジスターとなるよう並列に接続されている。トランジスターセルの寸法は、その電流許容能力が、バンプコンタクトのそれに見合うものとなるように選択されている。図23及び4は、本発明に係るトランジスターセルの実施例の上視図である。該トランジスターセルは、網状につながった制御端子203303403によって分けられた、半導体表面上に交互に並ぶスプリングフィールド201301401、及び、シンクフィールド202302402として構成されている。よって、アクティブなトランジスター領域204は、スプリングフィールドとシンクフィールドの全てのエッジにおいて該フィールドがトランジスターセルの外側にある場合を除いて可能である。異なるトランジスターセルの制御端子203303403は、半導体レベルに配置されている金属ストライプ205304404によって、電気的に導通するように互いに接続されている。図2に示されている第一実施例では、スプリングフィールドとシンクフィールド201と202は、長方形である。バンプ208を含むスプリングコンタクトフィールド206とシンクコンタクトフィールド207は、アクティブなトランジスター領域のフィールドとは反対側に配置されている。帰属するコンタクトフィールドを含むスプリングフィールド間、並びに、シンクフィールド間の電気的に導通している接続は、金属製ブリッジによって実施されている。また、これらはエアーブリッジ、或いは、接続するスプリングフィールドやシンクフィールド上においてオープンになっている誘導体によって実施できる。図3に示された第二実施例と図4に示された第三実施例では、スプリングフィールドとシンクフィールド301401乃至302402は、バンプ307407を有するスプリングフィールドとシンクフィールド305405乃至306406に対して同心に配置されている。制御端子303403は、半導体レベルに配置された金属ストライプ304404を介してトランジスターの、他のトランジスターセルの制御端子と電気的に導通するようにつながれた同心およびラジアル方向へのメタライズによるネットワークになっている。図3と4に示されている実施例の長所は、アクティブなトランジスター領域から、トランジスターの損失熱の配線基板への排熱に非常に効率的に用いることのできるバンプへの熱抵抗を最小化できることである。制御端子の同心状の配列により、バンプからの距離が増すにつれてそれぞれの間隔を、トランジスターの作動時に半導体表面上において達する温度が、バンプからの距離が増すにつれて高まらないように、広げることが可能となる。スプリングフィールドとシンクフィールドの接続は、第一実施例同様に実施される。尚、スプリングコンタクトフィールドを有するトランジスターセルのスプリングフィールドは、該スプリングコンタクトフィールドと接続される;シンクコンタクトフィールドを有するトランジスターセルのスプリングフィールドは、隣接するトランジスターセルのスプリングコンタクトフィールドと接続される。また、シンクフィールドも同様である。図3に四つのトランジスターセルによって示すような制御端子の配置は、六角形であり、よって、中央に配置されたスプリングバンプ及びシンクバンプ307と共にスプリングフィールドとシンクフィールドを半導体表面上に隙間なく並べることが可能である。図4に四つのトランジスターセルによって示すような制御端子の配置は、八角形であり、よって、中央にスプリングコンタクトフィールド405を有するトランジスターセルは、全ての辺において、中央にシンクコンタクトフィールド406を有するトランジスターセルに囲まれている、又、その逆も然りである。これは、各々のスプリングフィールドとシンクフィールド401と402が、非常に容易にスプリングコンタクトフィールド、乃至、シンクコンタクトフィールド405と406と金属ブリッジを介して接続できるという長所を有している。尚、図4に示されている実施例において記載されている長所は、バンプを中心においた、多角形の角の数が4で割り切れる多角形の形態全てにおいて有効である。また、間に挟まれた制御端子を有するスプリングフィールドとシンクフィールドのラテラル配置の、他の実施形態も可能である。記載されている実施形態は、全て、本発明に係るダイオード構成に応用できる。但しここでは、制御端子とそのコンタクトは、無く、スプリングフィールドは、カソードフィールドに、スプリングコンタクトフィールドは、カソードコンタクトフィールドに、シンクフィールドは、アノードフィールドに、そして、シンクコンタクトフィールドは、アノードコンタクトフィールドによって置き換えられる。カソードコンタクトフィールドは、半導体表面の裏側において一つのカソードとなるよう互いに導通するようにつながれており、アノードコンタクトフィールドも、半導体表面の裏側において一つのアノードとなるよう互いに導通するようにつながれている。これにより、高い電流許容能力を有し、半導体表面を有効利用できるダイオードが得られる。