"式aで表される構造単位を有する樹脂及び式B1で表される塩を含有するレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、単結合、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は式a10で表される基を表す。式a10中、s1は0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。A2は、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数4~36の脂肪族環を表す。環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよい。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記式aのA1が、単結合又は-CH2-CO-O-である請求項1記載のレジスト組成物。前記式aのA2が、-O-、-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CR2R3-CO-O-R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。ただし、R2及びR3の炭素数の合計は4以下である。である請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記式aの式中、A1及び環W1は前記と同義である。で表される基が、式W1-a、式W1-b又は式W1-cで表される基である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。式中、A1は前記と同義である。前記式aの式中、A2及び環W2は前記と同義である。で表される基が、式W2-a又は式W2-bで表される基である請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。式中、A2は前記と同義である。A3は、メチレン基又は酸素原子を表す。前記式aで表される構造単位を有する樹脂が、式aで表される構造単位に加え、式a1-1で表される構造単位及び式a1-2で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k4-CO-O-k4は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k5-CO-O-k5は前記と同義である。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。]前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物。さらに溶剤を含む請求項1~7のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項1~8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記レジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージンDOFが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式aで表される構造単位を有する樹脂及び式B1で表される塩を含有するレジスト組成物。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、単結合、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は式a10で表される基を表す。式a10中、s1は0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。A2は、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数4~36の脂肪族環を表す。環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよい。][式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]2前記式aのA1が、単結合又は-CH2-CO-O-である1記載のレジスト組成物。3前記式aのA2が、-O-、-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CR2R3-CO-O-R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。ただし、R2及びR3の炭素数の合計は4以下である。である1又は2記載のレジスト組成物。4前記式aの式中、A1及び環W1は前記と同義である。で表される基が、式W1-a、式W1-b又は式W1-cで表される基である1~3のいずれか記載のレジスト組成物。式中、A1は前記と同義である。5前記式aの式中、A2及び環W2は前記と同義である。で表される基が、式W2-a又は式W2-bで表される基である1~4のいずれか記載のレジスト組成物。式中、A2は前記と同義である。A3は、メチレン基又は酸素原子を表す。6前記式aで表される構造単位を有する樹脂が、式aで表される構造単位に加え、式a1-1で表される構造単位及び式a1-2で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を有する樹脂である1~5のいずれか記載のレジスト組成物。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k4-CO-O-k4は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k5-CO-O-k5は前記と同義である。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。]7前記式B1のYが置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である1~6のいずれか記載のレジスト組成物。8さらに溶剤を含む1~7のいずれか記載のレジスト組成物。91上記1~8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物は、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できる。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、式aで表される構造単位を有する樹脂以下、場合により樹脂Aという及び式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1というを含有する。本レジスト組成物は、さらに溶剤D及び/又は塩基性化合物Cを含有することが好ましい。本レジスト組成物は、構造単位aを有する樹脂Aと、酸発生剤B1との相乗効果により、広いDOFでレジストパターンを製造することができる。<樹脂A>樹脂Aは、式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aというを有する。[式a中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、単結合、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は式a10式a10中、s1は0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、単結合又は炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ただし、A10、A11、A12、X10及びX11の炭素数の合計は6以下である。で表される基を表す。A2は、炭素数1~6の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。環W1は、炭素数4~36の脂肪族環を表す。環W2は、炭素数4~18のラクトン環を表し、該ラクトン環を構成するメチレン基は、酸素原子に置き換わっていてもよい。]式aにおいて、A1、A2、A10、A11及びA12における脂肪族炭化水素基は、典型的にはアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基は直鎖でも直鎖状アルカンジイル基、分岐していて分岐状アルカンジイル基もよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基及びヘキサン-1,6-ジイル基などの直鎖状アルカンジイル基、この直鎖状アルカンジイル基に、側鎖アルキル基を有する分岐状アルカンジイル基などが挙げられる。式a10で表される基のうち、X11が酸素原子である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。式a10で表される基のうち、X11がカルボニル基である基としては、などが挙げられるは結合手を表す。式a10で表される基のうち、X11がカルボニルオキシ基である基としては、-CH2-CO-O-、などが挙げられるは結合手を表す。式a10で表される基のうち、X11がオキシカルボニル基である基a10としては、-CH2-O-CO-、などが挙げられるは結合手を表す。A1としては、-CH2-CO-O-、又は単結合が好ましい。A2の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換えられた基としては、-O-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CR2R3-CO-O-、-CO-O-CR2R3-CO-O-、-CO-O-CR2R3-O-CO-、-O-CO-CR2R3-CO-O-、-O-CO-CR2R3-O-CO-R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表す。ただし、R2及びR3の炭素数の合計は4以下である。が挙げられる。これらの中でも、A2は、メチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換えられた脂肪族炭化水素基が好ましく、-O-、-CO-O-CH2-CO-O-又は-O-CR2R3-CO-O-R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表す。ただし、R2及びR3の炭素数の合計は4以下である。がさらに好ましい。環W1は炭素数4~36の脂肪族環を表す。該脂肪族環は部分的に、炭素炭素二重結合などの不飽和結合を有していてもよいが、該不飽和結合を有しない飽和の脂肪族環であることが好ましい。該脂肪族環の炭素数は、5~18の範囲であると好ましい。好ましい飽和の脂肪族環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、あるいはこれらの環から選ばれる2個の環が縮環したものなどが挙げられる。これらの中でも、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及び縮合ノルボルナン環などが好ましい。式aにおいて、式中、A1及び環W1は前記と同義である。で表される基は、式中、A1は前記と同義である。で表されるいずれかの基が好ましく、これらの中でも、式W1-a、式W1-b又は式W1-cで表される基がより好ましい。環W2はラクトン環基を表す。ここで、ラクトン環基とは、ラクトン構造を有する基を意味する。典型的には、ラクトン環を有する化合物から、該ラクトン環を構成する水素原子のうち、1個を取り去って得られる基をラクトン環基という。このラクトン環は、単環式のラクトン環だけでなく、ラクトン環と他の環とが縮環した多環式のものを含む。ラクトン環基に含まれるラクトン環は、置換基を有していてもよい。置換基としては炭素数1~12の炭化水素基が挙げられ、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。このような置換基としては、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~11のアルコキシ基、炭素数2~11のアルコキシカルボニル基が挙げられる。さらに、ラクトン環基に含まれるラクトン環を構成するメチレン基は、酸素原子で置き換わっていてもよい。環W2のラクトン環は以下ものが挙げられ、これらの中でも、式W2-a1で表される基、式W2-a2で表される基、式W2-b1で表される基又は式W2-b2で表される基が好ましく、式W2-a1で表される基、式W2-b1で表される基又は式W2-b2で表される基がより好ましい。式aにおいて、式中、A2及び環W2は前記と同義である。で表される基は、式W2-a又は式W2-bで表される構造が好ましい。式中、A2は前記と同義である。A3は、メチレン基又は酸素原子を表す。構造単位aとしては、以下の式a-1~式a-24で表される構造単位が挙げられる。構造単位aは、以下の式a’で表される化合物以下、化合物a’という場合がある。から誘導される。式a’中、R1、A1、A2、環W1及び環W2は前記と同義である。化合物a’の製造方法を、以下の式a1で表される化合物の製造方法を一例にとって説明する。式a1中、R1、環W1及び環W2は前記と同義である。まず、溶媒中、式a1-aで表される化合物と、式a1-bで表される化合物とを塩基の存在下で反応させることにより、式a1-cで表される化合物を得る。この反応においては、溶媒としてはテトラヒドロフランなどが、塩基としてはピリジンなどが使用できる。式中、X1及びX2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。環W2は前記と同義である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、中でも塩素原子が好ましい。式a1-aで表される化合物としては、例えば、2-メチル-2-アダマンタノール、2-エチル-2-アダマンタノールなどである。式a1-bで表される化合物としては、例えば、クロロアセチルクロリドなどである。続いて、溶媒中、前記式a1-cで表される化合物と、式a1-dで表される化合物とを触媒の存在下で反応させることにより、式a1で表される化合物を得ることができる。この反応においては、溶媒としてはジメチルホルムアミドなどが、触媒としては炭酸カリウム及びヨウ化カリウムなどが使用できる。[式中、R1、環W1及び環W2は、前記と同義である。]樹脂A中の構造単位aの含有割合は、当該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~60モルの範囲が好ましく、5~55モルの範囲がより好ましく、10~50モルの範囲がさらに好ましい。このような含有割合で構造単位aを有する樹脂Aは、当該樹脂Aの製造時に用いる全モノマーの総モル量に対して、構造単位aを誘導する化合物a’の使用モル量を調節すればよい。本レジスト組成物において、樹脂Aは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有するもの以下、樹脂AAという場合があるであることが好ましい。なお、ここでいう酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂AAは、酸と接触すると構造単位aの一部が脱離して、アルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。そのために、構造単位aは、後述するような酸不安定基を有する。酸不安定基は、保護基により保護されている親水性基を意味する。前記親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。樹脂AAは、構造単位aに加え、酸不安定基を有する構造単位[構造単位a1]を有する。なお、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるという特性を有しない樹脂以下、樹脂ABという場合があるを、本レジスト組成物に用いても、優れたDOFでレジストパターンを製造することができる。本明細書に示す種々の化合物において、官能基基を示すことがあるが、ここで共通する基を定義しておく。このような定義において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基に分類される。特に限定しない限り、以下の脂肪族炭化水素基とは、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及びこれらが組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基であり、当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。また、鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素不飽和結合を含んでいてもよい。2価の肪族炭化水素基のうち鎖式炭化水素基は典型的には、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。脂環式炭化水素基のうち1価のものは、例えば、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和のものでもよく、炭素炭素不飽和結合を含まない飽和のものでもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和の脂環式炭化水素基であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素を例示することにより、脂環式炭化水素基を例示する。単環式の脂環式炭化水素は、シクロアルカンが好ましく、例えば、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素は例えば、式KA-8で示されるビシクロ2.2.1ヘプタン以下ノルボルナンという場合がある。C7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、式KA-13で示される脂環式炭化水素C10、式KA-14で示される脂環式炭化水素C11、式KA-15で示される脂環式炭化水素C15、式KA-16で示される脂環式炭化水素C12、式KA-17で示される脂環式炭化水素C14、式KA-18で示される脂環式炭化水素C15、式KA-19で示される脂環式炭化水素C17、式KA-20で示される脂環式炭化水素C9、式KA-21で示される脂環式炭化水素C8及び、式KA-22で示される脂環式炭化水素C10などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素という場合がある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。次に、芳香族炭化水素基について説明する。本明細書において、芳香族炭化水素基は1価の芳香族炭化水素基であり、典型的にはアリール基である。具体的にいえば、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などを挙げることができる。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられ、該アルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。該アシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基としては、上述の芳香族炭化水素基において、アリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基としては、当該アリール基と酸素原子とが結合したもが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。該アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、該アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<構造単位a1>構造単位a1は酸不安定基を有する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、酸素原子と結合する該有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3以下、場合によりRa1~Ra3のように表記する。は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環又は該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基又は脂環式炭化水素基であると好ましい。このアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数が1~8のものが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基も、すでに例示したもののうち、炭素数が8以下の脂環式炭化水素基を挙げることができる。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合の-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基としては、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という場合がある。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、その具体例も炭素数の上限が20以下である範囲において、すでに例示したものと同じものを含むが、酸不安定基2としては、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であるものが好ましい。酸不安定基2としては、以下の基が挙げられる。構造単位a1は、好ましくは、この酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導された構造単位、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーから誘導された構造単位である。構造単位a1は、酸不安定基1及び酸不安定基2をともに有するものであってもよいが、酸不安定基1及び酸不安定基2のいずれかを有する構造単位a1が好ましく、酸不安定基1を有する構造単位a1がより好ましい。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、該酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有する基を有する樹脂AAは、該樹脂AAを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素構造を有する基である酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、構造単位a1-1という場合がある。又は式a1-2で表される構造単位以下、構造単位a1-2という場合がある。が好ましい。樹脂Aは、これらを単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は前記と同義である。で表される基を表す。はカルボニル基との結合手である。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表し、n1’は0~3の整数を表す。]La1及びLa2は、酸素原子又は、k1が1~4の-O-CH2k1-CO-O-で表される基であると好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であるとより好ましく、酸素原子であると特に好ましい。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0~2の整数、より好ましくは0又は1である。ここで、構造単位a-1の具体例を挙げる。ここに示す式a1-1-1~式a1-1-38で示される構造単位a1-1において、構造単位aの例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。以上の構造単位a1-1としては、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3の構造単位a1-1、並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3の構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2の構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを製造する際に、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート又は2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートを製造用原料モノマーとして用いればよい。構造単位a1-2において、n2が0又は1である好適例は以下のとおりである。また、ここに示す式a1-2-1~式a1-2-4で示される構造単位a1-2において、構造単位a1-1の例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-2が挙げられる。以上の構造単位a1-2としては、式a1-2-2、式a1-2-4、式a1-2-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたもの、及び、式a1-2-4の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものが好ましく、式a1-2-2の構造単位a1-2がより好ましい。構造単位a1-2-2を有する樹脂Aを製造するためには、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートをモノマーとして用いて、樹脂AAを製造すればよい。樹脂AAが、構造単位a1[構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2]を有する場合、樹脂AAの全構造単位を100モルとしたとき、これらの構造単位の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の含有割合の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーに対する、これらの構造単位を誘導するモノマーの合計使用量を調整すればよい。酸不安定基を有する他の構造単位a1として例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という場合がある。から誘導されるものが挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra13は、好ましくは、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基である。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra9のヒドロキシ基を有するアルキル基としては例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra10~Ra12の脂肪族炭化水素基としては、鎖式炭化水素基例えば、アルキル基及び脂環式炭化水素基が挙げられ、炭素数20以下の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂肪族環が好ましく、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。Ra9の-COORa13としては例えば、メトキシカルボニル基C2及びエトキシカルボニル基C3など、すでに例示したアルコキシ基にカルボニル基がさらに結合した基が挙げられる。モノマーa1-3としては例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて製造された樹脂AAにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。そのため、この構造単位を有する樹脂AAを含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂AAの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂AAを含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点では、樹脂AAの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有割合は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーとしては、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。が挙げられる。式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。Xa2の脂肪族炭化水素基としては、鎖式炭化水素基であると好ましく、アルキル基であるとより好ましい。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3としては、炭素数1~18の炭化水素基であり、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基を有していてもよい。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基のうち、アルキル基としては、炭素数1~6の範囲において、すでに例示したものを含み、ハロゲン原子を有するアルキル基としては、このアルキル基を構成する水素原子がハロゲン原子に置き換わったものである。具体的にハロゲン原子を有するアルキル基を挙げると、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などである。Ra32及びRa33のハロゲン原子、アルコキシ基及びアシル基の具体例はすでに例示したものを含む。Ra34及びRa35の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。その具体例は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。これらのうち、該鎖式炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが好ましい。該芳香族炭化水素基は、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルが好ましい。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらを構成する水素原子が、ハロゲン原子及びヒドロキシ基などの置換基に置き換わっていてもよいが、このように水素原子が置き換わっている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。基が特に好ましい。モノマーa1-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。なお、以下の例示において、ベンゼン環を構成する水素原子は、置換基Ra33に置換されていてもよい。樹脂AAが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーとして、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という場合がある。も用いることができる。[式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L3、L4及びL5は、それぞれ独立に、単結合又は2価の炭素数1~10の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成する水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する-CH2-は-CO-、-O-、-S-又は-SO2-で置き換わってもよい。Z1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-CO-、-O-、-S-又は-SO2-で置き換わっていてもよい。S1及びS1’は、それぞれ独立に、0~3の整数を表す。]式a1-5中、R31は、水素原子及びメチル基が好ましい。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子である。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であると好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基であり、該アルキレン基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Z1としては、単結合又は-CH2-CO-O-で表される基が好ましい。モノマーa1-5の具体例は、以下のとおりである。これらのモノマーは、R31がメチル基であるが、R31が水素原子のものも、モノマーa1-5の具体例である。樹脂AAが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Aが、構造単位a1においてアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定構造単位>樹脂AAは、構造単位a及び構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位という場合がある。を有していることが好ましい。樹脂ABは、構造単位a及び/又は酸安定構造単位を有し、酸不安定基を有さない樹脂が好ましい。樹脂AAが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。酸安定構造単位としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という場合がある。及び/又はラクトン環を含有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3という場合がある。を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜、又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含む本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。例えば、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2-1としては、以下の式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示す式a2-1-1~式a2-1-17で示される構造単位a2-1において、構造単位a1-1の例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。例示した酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15で表される構造単位、並びにこれらの構造単位の部分構造Mが部分構造Aに置き換わった構造単位が好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15で表される構造単位がさらに好ましい。これらの構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルを、該樹脂Aのモノマーとして用いることで製造できる。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲が好ましく、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましく、5~15モルが特に好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-0で表される以下、酸安定構造単位a2-0という場合がある。式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一であっても異なってもよい。Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、式a1-4のRa32で例示したものと同じである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基としては、式a1-4のRa33で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0としては、以下の式a2-0で表されるモノマーが挙げられる。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマー保護フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーを用いることもできる。例えば、酸又は塩基で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸又は塩基との接触により脱保護されるため、これを用いて重合した重合体から容易に酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位を有する樹脂を製造することができる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、構造単位a等、酸不安定基を有する構造単位を有するので、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基との接触により脱保護する保護基としては例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。上述の酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。もちろん、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という場合がある。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一であっても異なってもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、互いに同一であっても異なってもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は、互いに同一であっても異なってもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ここに示す式a3-1-1~式a3-1-11で示される構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11で示される構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6で示される構造単位a3-3において、構造単位aの例示と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも、各々構造単位a3-1、構造単位a3-2及び構造単位a3-3として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、これらの酸安定構造単位a3の具体例である。ラクトン環を有する酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルの範囲が好ましく、5~50モルの範囲がより好ましく、10~40モルの範囲がさらに好ましく、15~40モルの範囲が特に好ましい。また、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルが好ましく、10~55モルがより好ましく、20~50モルがさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>さらに、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3以外の酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4という場合がある。としては、以下の式a4-1で表される無水マレイン酸、下記式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、下記式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という場合がある。などを挙げることができる。[式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えばRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。]式a4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール及び5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲から選ばれ、3~30モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。更に、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-4という場合がある。などが挙げられる。[式a4-4中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-をk2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。]スルトン環基に含まれるスルトン環としては、脂環式炭化水素を構成するメチレン基のうち、隣り合うメチレン基2つが、一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったものであり、下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、結合手に置き換わったものであり、式a4-4においてはLa7との結合手が該当する。置換基を有していてもよいスルトン環基とは、上述の結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基水素原子以外の1価の基で置き換わったものであり、該置換基は、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基からなる群より選ばれる。酸安定モノマーa4-4としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-4において、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-4として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲から選ばれ、3~35モルの範囲が好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-5という場合がある。も使用できる。このような酸安定モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の脂環を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲から選ばれ、2~15モルの範囲が好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<式3で表される基を有するその他の酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-6という場合がある。>酸安定モノマーa4-6は以下の式3で表される基を有するモノマーである。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]R10のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。式3で表される基を有する酸安定モノマーa4-6としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-6の具体例において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-6として含む。また、酸安定モノマーa4-6としては、以下のものも挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲が好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<式4で表される基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-7という場合がある。>酸安定モノマーa4としては、以下の式4で表される基を有するものも挙げられる。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A3は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示す該-CH2m10-を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該-CH2m10-に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、すでに例示したものと同じものを含む。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基は、鎖式脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルキル基であり、その具体例は式a1-4のRa34及びRa35として例示したものと同じである。脂環式炭化水素基としては、炭素数の上限が異なる以外は、すでに例示したものと同じものを含む。なお、R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合と同じである。A3としては、下記に示す基が挙げられる。式A3-1で表される基は単結合を表す。式4で表される基を含む酸安定モノマーa4-7としては、例えば、式a4-7で表されるモノマーが挙げられる。[式a4-7中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA3は、前記と同義である。]酸安定モノマーa4-7としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-7の具体例において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-7の具体例として含む。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルが好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4-8>酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-8で表されるモノマーも挙げることができる。[式a4-8中、環W3は、炭素数3~36の脂肪族環を表す。A4は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A4のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロゲン化アルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロゲン化アルキル基を表す。環W3は、単環式又は多環式の炭素数3~36の脂肪族環であり、その炭素数は5~18の範囲が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。より具体的には、すでに脂環式炭化水素基の説明において、式KA-1~式KA-22で示した脂環式炭化水素の形式で示した脂肪族環を挙げることができる。すなわち、式a4-8においてで示される部分構造は、前記脂環式炭化水素を構成する1個の水素原子がA4との結合手に、脂環式炭化水素の環を構成する原子である炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15及び-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。環W3の脂肪族環は、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A4の脂肪族炭化水素基は、炭素数が17以下の範囲において、すでに例示したアルキレン基及び2価の脂環式炭化水素基を挙げることができ、炭素数が17以下の範囲であれば、アルキレン基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であってもよい。また、A4の脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。ここで、アルキレン基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基の代表例を示しておく。かかる脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキレン基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。A4の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式aの基10で例示したものを含む。A4は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表す。で表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14、R15及びR16のアルキル基としては、炭素数が1~6の範囲において、その具体例は、すでに例示したものを含む。ここでいうアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置き換わったものが、ハロゲン化アルキル基に該当する。かかるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R15及びR16のハロゲン化アルキル基のうち、好ましいものとしては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、中でも、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基が挙げられる。酸安定モノマーa4-8としては、以下に示すモノマー等が挙げられる。なお、R14~R16及びA4は、前記と同義である。これらの中でも、で示される酸安定モノマーa4-8がより好ましい。酸安定モノマーa4-8として、以下で表されるモノマーが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-8において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造M’を部分構造A’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-8の具体例として含む。好ましい酸安定モノマーa4-8は例えば、次のようにして製造できる。すなわち、酸安定モノマーa4-8は、式a4-8-aで表される化合物と、式a4-8-bで表される化合物とを反応させることにより製造する。式a4-8-aで表される化合物の代表例は例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。また、式a4-8-bで表される化合物としては、例えばペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a4-8-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a4-8-a及び式a4-8-b中、W2、A4、R14、R15及びR16は、前記と同義である。]樹脂Aが、酸安定モノマーa4-8に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂A及びその製造方法>樹脂Aのうち樹脂AAは、構造単位aを誘導する化合物a’と、構造単位a1を誘導するモノマー[好ましくは、構造単位a1-1又は構造単位a1-2を誘導するモノマー]を、さらに好ましくは酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共重合させたものであり、より好ましくは、化合物a’、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマー、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導するモノマーとを共重合させたものである。樹脂AAは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1及びシクロアルキル基を有する構造単位a1-2のうち、少なくとも1種を有することが好ましく、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法によって重合共重合させればよい。ここで、樹脂Aのうち樹脂AAに関し、構造単位の組み合わせ構造単位a、構造単位a1及び酸安定構造単位で示すと、以下の表1のようになる。なお、これらの表においては、例えば式a-1で表される構造単位を、a-1で示す。樹脂AAの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下が好ましく、3,000以上30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。樹脂ABは、酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化するという特性を有しないものであり、好ましくは酸不安定基を有する構造単位a1を有しないものである。このような樹脂ABは例えば、表1に示すA1~A15の組み合わせの各々について、構造単位a1を除いた組み合わせの樹脂、すなわち、構造単位aと酸安定構造単位とからなる樹脂を挙げることができる。かかる樹脂ABは、構造単位aを誘導する化合物a’と、酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共重合させればよく、この共重合の際は樹脂AAと同じく、ラジカル重合などが採用される。樹脂ABの重量平均分子量は、3,000以上50,000以下が好ましく、5,000以上30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量の定義は、樹脂AAの場合と同様である。また、樹脂AAを用いることなく、樹脂ABを用いて本レジスト組成物を調製する場合には、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶の樹脂に転化するという特性を有する樹脂が必要である。かかる樹脂を樹脂Xという。樹脂Xはすでに例示したような構造単位a1を有するものであり、好ましくは、構造単位a1と酸安定構造単位とを含む。このような樹脂Xは例えば、表1に示すA1~A15の組み合わせの各々について、構造単位aを除いた組み合わせの樹脂、すなわち、構造単位a1と酸安定構造単位とからなる樹脂を挙げることができる。かかる樹脂Xは、構造単位a1を誘導するモノマーと、酸安定構造単位を誘導するモノマーとを共重合させればよく、この共重合の際は樹脂AAと同じく、ラジカル重合などが採用される。なお、樹脂AB及び樹脂Xを製造する場合、酸不安定構造単位及び/又は酸安定構造単位を、樹脂AB又は樹脂Xの全構造単位に対して樹脂AAと同様の範囲又は各樹脂の特性を考慮して任意の範囲に調整することが好ましい。<酸発生剤B1>酸発生剤B1は、以下の式B1で表される。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がより好ましい。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1と、樹脂Aとを含む本レジスト組成物は、より優れたDOFでレジストパターンを製造することができる。Lb1の飽和炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及びこれらの組み合わせが挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、すでに例示したアルカンジイル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、上述の式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などが挙げられる。Lb1における前記飽和炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、より好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤B1としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される2価の基の具体例を挙げる。なお、は結合手を表す。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに説明したとおりである。式B1におけるYは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、アルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がより好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、該置換基としては例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基すでに式a6-4で説明したとおり、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4及び式Y5のいずれかで表される基が挙げられ、なかでも、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5がさらに好ましく、式Y1及び式で表される脂環式炭化水素基がより好ましい。該脂環式炭化水素基を構成する水素原子が置換基に置き換わっていてもよい。環を構成する炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基が好ましく、これらが置換基を有する場合、該置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基が好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-9のように表記する。で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。Yが鎖式脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルキル基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4以下、式b2-1~式b2-4のように表記する。のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、該炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。該炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂肪族環を形成していてもよく、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12の鎖式脂肪族炭化水素基のうち好ましい基はアルキル基であり、その具体例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基と鎖式脂肪族炭化水素基が結合したものとしては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という場合がある。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよくり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1としては、以下のものが挙げられる。このような有機カチオンを有する酸発生剤B1を含む本レジスト組成物は、より優れたDOFでレジストパターンを製造することができる。カチオンb2-2としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。このような酸発生剤B1を含む本レジスト組成物は、より一層優れたDOFでレジストパターンを製造することができる。さらに好ましい酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表される塩である。酸発生剤B1は、中でもトリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む塩である、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表される塩が好ましく、さらに、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基である、式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11及び式B1-12のいずれかで表される塩がより好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよい。酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましく、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味し、当該技術分野でクエンチャーといわれている。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の鎖式脂肪族炭化水素基及び炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、鎖式脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子も、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミンなどが挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc17、Rc18、Rc19及びRc22は、上記のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、それぞれ独立である。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、硫黄原子、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。塩基性化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなども用いることができる。化合物C4としては例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジンなどが挙げられる。アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及び3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどが挙げられる。塩基性化合物Cとしては、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという。>溶剤Dは、樹脂A[樹脂AA又は樹脂AB]の種類及びその量と、酸発生剤B1の種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、化合物aに由来する繰り返し単位を含む樹脂、酸発生剤B1、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物及びその調製方法>本レジスト組成物は、樹脂A及び酸発生剤B1、任意に溶剤Dを混合することで、又は、樹脂A、酸発生剤B1、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することで調製することができる。なお、樹脂Aとして樹脂ABを用いた場合には、さらに樹脂Xを混合すればよい。さらに、必要に応じて成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。溶剤Dの含有量は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。ここで、溶剤Dの含有量が90質量である本レジスト組成物では、組成物中の固形分は10質量に相当する。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有量は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。該溶剤Dの含有量の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。固形分の総質量に対する樹脂Aの含有量は、80質量以上99質量以下が好ましい。樹脂Aが樹脂ABのみからなる場合、固形分の総質量に対する樹脂ABの含有量は、0.1質量以上10質量以下が好ましい。この場合、樹脂Xを樹脂ABとともに含むことが好ましく、樹脂Xの含有量は、固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下が好ましい。本レジスト組成物に対する酸発生剤B1の含有質量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量程度であると好ましい。これら樹脂A及び酸発生剤B1、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有割合を調節することもできる。このように、樹脂A、酸発生剤B1及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物は調製できる。ここで、本レジスト組成物において、樹脂Aと酸発生剤B1との好適な組み合わせを表2に示す。なお、この表2において、樹脂Aは表1の樹脂No.で示した樹脂AAである。酸発生剤B1はすでに例示したB1-1~B1-17で示す。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤B1が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂が有する樹脂AAにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、上記樹脂AAはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。本レジスト組成物に樹脂ABと樹脂Xとを含有する場合、樹脂Xにある酸不安定基が脱保護反応を生じることになる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。工に利用できる。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子イオンピークの値をMASSで示す。合成例1式Dで表される化合物の合成式D-aで表される化合物23.19部及びテトラヒドロフラン200.00部を、反応器に仕込み、室温で攪拌した。溶液が均一になったことを目視で確認した後、ピリジン14.27部を仕込み、40°Cに昇温した。さらに、同温度で、クロロアセチルクロリド25.47部及びテトラヒドロフラン50部の混合溶液を1時間かけて滴下した。滴下後、40°Cで8時間攪拌し、5°Cに温度を下げた。5°Cに冷却したイオン交換水100.00部を添加し、攪拌静置した。分液により水層を回収し、この水層に酢酸エチル65.00部を添加し、攪拌静置した後、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、5°Cの10炭酸カリウム水溶液65.00部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。回収した有機層はさらに、イオン交換水65.00部による水洗を、4回繰り返した後、水洗後の有機層を濃縮した。濃縮残渣を、カラム分取カラム分取条件固定相:メルク社製シリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1重量比することにより、式D-bで表される化合物14.69部を得た。式D-bで表される化合物4.60部及びN,N’-ジメチルホルムアミド25.00部を、反応器に仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム1.66部及びヨウ化カリウム0.84部を仕込み、50°Cで1時間攪拌した。得られた混合物を、40°Cまで冷却し、式D-cで表される化合物4.65部をN,N’-ジメチルホルムアミド25.00部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、75°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を、23°Cまで冷却し、クロロホルム60.00部及び1N塩酸60.00部を加えて攪拌し、静置分離した。回収した有機層をイオン交換水60.00部を用い、水層が中性になるまで複数回、水洗を繰り返した。回収した有機層を濃縮した後、濃縮残渣を、カラム分取カラム分取条件固定相:メルク社製シリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=1/1重量比することにより、式Dで表される化合物3.61部を得た。MASS:430.2合成例2式Eで表される化合物の合成式E-aで表される化合物7.50部及びN,N’-ジメチルホルムアミド37.50部を、反応器に仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム3.20部及びヨウ化カリウム0.96部を仕込み、50°Cで1時間攪拌した。得られた混合物に、式D-bで表される化合物8.01部をN,N’-ジメチルホルムアミド16.87部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、50°Cで5時間攪拌した。得られた混合物を、23°Cまで冷却した後、酢酸エチル150部及びイオン交換水75部を加えて攪拌静置した後、分離した。回収した有機層をイオン交換水75部を用いた水洗操作を、水層pHが中性程度になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム分取シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチルすることにより、式E-bで表される化合物10.48部を得た。式E-bで表される化合物7.28部及びアセトニトリル37.50部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した後、5°Cまで冷却した。得られた混合物に、水素化ホウ素ナトリウム0.36部及びイオン交換水5.32部を仕込み、5°Cで3時間攪拌した。得られた混合物に、イオン交換水25部及び酢酸エチル50部を加えて攪拌静置し、分離した。回収した有機層を、イオン交換水25部を用い、水層が中性程度になるまで水洗を繰り返した。回収した有機層を濃縮した後、以下の条件でカラム分取シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチルすることにより、式E-cで表される化合物6.01部を得た。式E-cで表される化合物9.04部、N-メチルピロリジン3.36部及びテトラヒドロフランTHF50.00部を、反応器に仕込み、23°Cで攪拌しつつ、メタクリロイルクロリド3.09部を40分かけて滴下した。同温度で4時間攪拌した後、イオン交換水50部及び酢酸エチル100部を添加した。攪拌静置した後、分液を行って有機層を回収した。回収した有機層に、イオン交換水50部を用いた水洗操作を4回繰り返した。水洗後の有機層に、硫酸マグネシウム5.00部を添加し、攪拌した後、硫酸マグネシウムをろ過して除去した。ろ液を濃縮後、濃縮残渣をカラム分取シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチルして、式Eで表される化合物2.69部を得た。MASS:458.2式Fで表される化合物、式Gで表される化合物、式Hで表される化合物、式Iで表される化合物及び式Cで表される化合物は、出光興産株式会社より入手した。合成例3樹脂A樹脂AAの合成樹脂の合成において使用した化合物モノマーを下記に示す。以下、これらのモノマーをモノマーA~モノマーOという。樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーK、モノマーL、モノマーM及びモノマーDを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーK:モノマーL:モノマーM:モノマーDが35:10:15:20:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒メタノール/水の混合比は4:1質量比、以下同様である。に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量6.8×103の樹脂A1共重合体を収率63で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーK、モノマーL、モノマーM及びモノマーEを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーK:モノマーL:モノマーM:モノマーEが35:10:15:20:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×103の樹脂A2共重合体を収率60で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーL、モノマーM及びモノマーEを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーL:モノマーM:モノマーEが32:10:8:10:20:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.1×103の樹脂A3共重合体を収率64で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーL及びモノマーEを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーL:モノマーEが32:10:8:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.1×103の樹脂A4共重合体を収率61で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK及びモノマーEを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーEが32:10:8:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.4×103の樹脂A5共重合体を収率70で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーL及びモノマーCを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーL:モノマーCが32:10:8:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×103の樹脂A6共重合体を収率65で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A7の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーM及びモノマーFを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーM:モノマーFが32:10:8:30:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×103の樹脂A7共重合体を収率65で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A8の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーM及びモノマーGを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーM:モノマーGが32:10:8:30:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A8共重合体を収率59で得た。この樹脂A8は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A9の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーL及びモノマーHを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーN:モノマーK:モノマーL:モノマーHが32:10:8:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.1×103の樹脂A9共重合体を収率58で得た。この樹脂A9は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A10の合成モノマーとして、モノマーJ、モノマーN、モノマーK、モノマーM及びモノマーIを用い、そのモル比化合物J:化合物N:化合物K:化合物M:化合物Iが32:10:8:30:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×103の樹脂A10共重合体を収率53で得た。この樹脂A10は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A11の合成モノマーとして、モノマーA、モノマーB及びモノマーCを用い、そのモル比モノマーA:モノマーB:モノマーCが40:10:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.8×103の樹脂A11共重合体を収率60で得た。この樹脂A11は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A12の合成モノマーJ、モノマーO、モノマーK、モノマーM、モノマーL及びモノマーDを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーO:モノマーK:モノマーM:モノマーL:モノマーDが30:14:6:15:20:15となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.5×103の樹脂A12共重合体を収率81で得た。この樹脂A12は、以下の構造単位を有するものである。樹脂A13の合成モノマーJ、モノマーO、モノマーK、モノマーM、モノマーL及びモノマーEを用い、そのモル比モノマーJ:モノマーO:モノマーK:モノマーM:モノマーL:モノマーEが30:14:6:15:20:15となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A13共重合体を収率83で得た。この樹脂A13は、以下の構造単位を有するものである。<レジスト組成物の調製>合成例で得られた樹脂A1~A13;以下に示す酸発生剤B1~B2;以下に示す塩基性化合物C1;の各々を表3に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A13:樹脂A1~樹脂A13<酸発生剤>B1:B2:トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジストパターンの製造及びその評価>実施例1~13の本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物は以下のようにして液浸露光によるフォーカスマージンDOF評価を行った。以下、本レジスト組成物及び比較例1のレジスト組成物を総称して、レジスト組成物ということがある。<レジスト組成物の液浸露光評価>以下のようにして、レジスト組成物の液浸露光を行い、フォーカスマージンDOF評価を実施した。12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成させた。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、50nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とした。<フォーカスマージン評価DOF>実効感度において、フォーカスを段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンの線幅が50nm±547.5~52.5nmにあるフォーカス範囲をDOFμmとした。その結果を表4に示す。本レジスト組成物実施例1~実施例13を用いて得られるレジストパターンは、優れたDOFで、レジストパターンを製造することができた。一方、比較例1のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのDOFは不良であった。"