"基板上に形成されたカーボンナノウォールを利用してカーボンナノウォールより微小な1又は複数のナノグラファイトで構成されるカーボンナノウォール片を生成するステップと、生成されたカーボンナノウォール片が分散する液体に、担持させる金属を混合するステップと、カーボンナノウォール片及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片に金属を担持させるステップと、を備えることを特徴とする金属を担持するナノグラファイトの製造方法。カーボンナノウォール片を生成するステップは、前記基板からカーボンナノウォールを剥離するステップと、剥離したカーボンナノウォールを粉砕するステップと、を備えることを特徴とする請求項1に記載の金属を担持するナノグラファイトの製造方法。金属を混合するステップでは、白金を混合することを特徴とする請求項1又は2に記載の金属を担持するナノグラファイトの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載される技術では、超臨界流体を扱う為の装置が必要となり、装置が複雑化し、簡単に実現することは困難である。上記課題に鑑み、本発明は、容易な処理で実現する、金属を担持するナノグラファイトの製造方法を提供することを目的としている。上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、基板上に形成されたカーボンナノウォールを利用してカーボンナノウォールより微小な1又は複数のナノグラファイトで構成されるカーボンナノウォール片を生成するステップと、生成されたカーボンナノウォール片が分散する液体に、担持させる金属を混合するステップと、カーボンナノウォール片及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片に金属を担持させるステップとを備える。また、請求項2の発明は、カーボンナノウォール片を生成するステップでは、前記基板からカーボンナノウォールを剥離するステップと、剥離したカーボンナノウォールを粉砕するステップとを備える。また、請求項3の発明は、金属を混合するステップでは、白金を混合する。本発明によれば、容易な処理で金属を担持するナノグラファイトを製造することができる。本発明の実施形態に係る金属を担持するナノグラファイトの製造方法では、基板上に形成されたカーボンナノウォールを利用してカーボンナノウォールより微小な1又は複数のナノグラファイトで構成されるカーボンナノウォール片を生成するステップステップ1と、生成されたカーボンナノウォール片が分散する液体に、担持させる金属を混合するステップステップ2と、カーボンナノウォール片及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片に金属を担持させるステップステップ3とを備えている。カーボンナノウォール2aは、図1aに示すように、複数のナノグラファイト2bで構成されている。ここで、カーボンナノウォール2aを粉砕した場合、図1bに示すように、複数のカーボンナノウォール片2cとなる。このカーボンナノウォール片2cも、複数のナノグラファイト2bで構成されている。仮に、このカーボンナノウォール片2cをさらに粉砕した場合、ナノグラファイト2b単体を得ることができる。すなわち、カーボンナノウォール2aより微小なグラファイト構造の物質としては、ナノグラファイト2b単体と複数のナノグラファイト2bで構成されるカーボンナノウォール片2cとがある。ステップ1はじめに、図2を用いて、カーボンナノウォール2aから金属を担持させるナノグラファイトを生成する処理ステップ1の一例について説明する。このカーボンナノウォール2aは、シリコンSi基板1等の基板上にプラズマCVD等の方法で生成することができる。シリコン基板1には、複数のカーボンナノウォール2aが密集して配置されている。まず、図2aに示すようにシリコン基板1上に形成される複数のカーボンナノウォール2aを、図2bに示すように、スクレーパ3によって剥離する。図2b及び図2cに示すように、シリコン基板1から剥離されたカーボンナノウォール2aは、非帯電ケース4の中に集められる。図2cに示すようにシリコン基板1上のカーボンナノウォール2aが全て剥離されて非帯電ケース4に集められると、カーボンナノウォール2aは、粉砕手段によって圧搾粉砕され図示せず、1又は複数のナノグラファイトで構成されるカーボンナノウォール片を生成する。ナノグラファイトはカーボンナノウォール2aを構成する物質であって、カーボンナノウォール2aと同様グラファイト構造を有するが、カーボンナノウォール2aよりもサイズが小さい物質である。なお、カーボンナノウォール片の生成方法については、上述したシリコン基板1からの剥離と粉砕とを別々に行なう方法に限定されず、シリコン基板1からカーボンナノウォール2aを剥離すると同時に、粉砕する方法を採用してもよい。ステップ2次に、カーボンナノウォール片が分散する液体に担持させる金属を混合する処理ステップ2の一例について説明する。まず、ステップ1の処理で得られたナノグラファイトを、蒸留水等の液体に分散させる。その後、カーボンナノウォール片が分散される液体中に、白金前駆体等の金属を混合させる。ここで、カーボンナノウォール片及び金属の混合に利用する液体には、蒸留水の他、イオン交換水等の不純物が除かれた純水を利用することができる。また、蒸留水に混合する金属としては、例えば、白金前駆体である塩化白金酸六水和物を利用することができるが、その他、カーボンナノウォール片の用途に応じて選択することができ、ニッケル等の金属であってもよい。ステップ3続いて、カーボンナノウォール片に金属を担持させる処理ステップ3について説明する。ここでは、カーボンナノウォール片及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片に白金を担持させる。例えば、還元剤としては、ホルムアルデヒドを利用することができる。上述したように、実施形態に係る金属を担持するナノグラファイトの製造方法は、カーボンナノウォールから生成された1又は複数のナノグラファイトで構成されるカーボンナノウォール片と金属を液体中で混合し、還元を利用して容易に実現することができる。なお、例えば、金属担体のカーボン材料を電極に利用する場合、電極となる金属箔、カーボンペーパー等に塗布する。したがって、仮にカーボンナノウォールを利用する場合であっても、基板に配置されるカーボンナノウォールを加工せずに電極とすることはできない。したがって、実施形態に係る製造方法のように、先にカーボンナノウォール片を生成し、このカーボンナノウォール片に金属を担持させることで、最終的には同様の効果をもつ金属担体のカーボン材料を容易な処理で製造することができる。製造処理を容易にするのに加え、カーボンナノウォールをより微細なカーボンナノウォール片とすれば、カーボンナノウォールと比較して白金の担持量が増加するとともに、担持した白金の表面積の合計が大きくなる。したがって、例えば、電極材料とした場合の性能も向上する。実施例続いて、10×10cm2のシリコン基板上に生成したカーボンナノウォールを用いてカーボンナノウォール片を生成した実施例について説明する。ここで、基板温度約500°C、放電電流70A、ガス流量Ar:80sccm,H2:10sccm,CH4:10sccm、反応時圧力3.0×103Torr、反応時間360minの条件下での生成が3回繰り返され、合計約100mgのカーボンナノウォールが得られた場合を例に説明する。図3及び図4は、得られた約100mgのカーボンナノウォールを図2を用いて上述した方法でシリコン基板から剥離し、手動によって粉砕して得られたカーボンナノウォール片のSEM像の一例である。具体的には、図3は、メノウ乳鉢及び乳棒を利用して手動で5分間粉砕して得られたカーボンナノウォール片のSEM像であって、図4は、同様に手動で20分間粉砕して得られたカーボンナノウォール片のSEM像である。なお、図4aと図4bとは同様のカーボンナノウォール片を観察した画像であるが、拡大率が異なっている。図3の画像と図4の画像とを比較すると、粉砕時間を長くした場合には、より微細なカーボンナノウォール片が得られることが分かる。なお、粉砕前のカーボンナノウォールの平均サイズは、18μm×1.5μm×数nm、図4にカーボンナノウォール片の平均サイズは、5μm×1.5μm×数nmであった。ここで、ナノグラファイトのサイズは得られたカーボンナノウォール片のサイズよりもさらに微小であるため、カーボンナノウォール片もナノグラファイトで構成されることになる。また、図5に、シリコン基板上のカーボンナノウォールのラマン散乱スペクトル図5aと、粉砕されて得られたカーボンナノウォール片のラマン散乱スペクトル図5bとを示している。図5において、縦軸はラマン散乱強度Intensity、横軸はラマンシフトRamanShiftとしている。カーボン材料は、ラマン散乱スペクトルに現れるDband1350cm1付近とGband1580cm1付近の2つのピークを用いて得られるDbandに対するGbandの強度比IDIGと、G-bandの半値幅WGとを用いて結晶性を評価することができる。この場合、結晶性が低下するほど、IDIGの値は大きくなり、WGの値も大きくなる。図5aに示すシリコン基板上のカーボンナノウォールのラマン散乱スペクトルでは、DGが約1.7であり、WGが約32であった。また、図5bに示すラマン散乱スペクトルは、カーボンナノウォールを20分粉砕して得られたカーボンナノウォール片のラマン散乱スペクトルであって、IDIGが約1.4であり、WGが約32であった。すなわち、図5に示すラマン散乱スペクトルからは、粉砕前カーボンナノウォールと粉砕後カーボンナノウォール片でIDIGとWGに大きな変化はないため、粉砕によって得られたカーボンナノウォール片もカーボンナノウォールの結晶構造は破壊されていないことがわかる。なお、図5aに示すスペクトルは、3回繰り返されることで得られた3種のサンプルの平均のスペクトルである。また、図5bに示すスペクトルは、3種のサンプルを混合して粉砕して得られたカーボンナノウォール片のスペクトルである。続いて、図6に、カーボンナノウォールに白金を担持させた場合のサイクリックボルタモグラム図6aと、カーボンナノウォール片に白金を担持させた場合のサイクリックボルタモグラム図6bとを示している。この、サイクリックボルタモグラムは、電流密度Currentdensityと電極電位Potentialを用いて電極材料を評価するものである。図6aに示す基板から剥離したカーボンナノウォールの特性を表すサイクリックボルタモグラムから得られた電気化学的実有効表面積ECSA:electrochemicalactivesurfaceareasは26.7[m2gPt]となる。また、図6bに示すカーボンナノウォールを20分粉砕して得られたカーボンナノウォール片の特性を表すサイクリックボルタモグラムから得られたECSAは53.5[m2gPt]となる。これによれば、カーボンナノウォールに白金を担持させた場合よりも、カーボンナノウォール片に白金を担持させた場合のほうが、担持された白金の表面積が大きくなることが分かる。したがって、電極として使用する場合には、カーボンナノウォールよりカーボンナノウォール片に白金を担持させた方が高性能な電極となることが分かる。以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。"