"チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されるガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象をエッチングするエッチング装置において、前記処理対象保持手段は、電極として機能し、前記処理対象が載置される処理対象支持部材と、前記処理対象支持部材の外周に設けられ、内周にその他の部分よりも低く、前記処理対象支持部材の上面と略同じ高さの段差部を有するリング状のフォーカスリングと、前記フォーカスリングの所定の領域に設けられるイットリアを含有する保護膜と、を備え、前記処理対象支持部材は、前記フォーカスリングが載置されるフォーカスリング載置領域上に、前記フォーカスリングを固定する位置決めピンを有し、前記フォーカスリングは、前記位置決めピンに対応する位置に凹部を有し、前記保護膜は、前記フォーカスリングの前記段差部を構成する底面と側面、および前記凹部の形成位置に対応する前記フォーカスリングの上面に形成されることを特徴とするエッチング装置。前記保護膜の厚さは、0.1μm以上200μmであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング装置。前記保護膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が10μm以上200μm以下であり、膜密度が90以上であり、単位面積200μm×200μm中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で0~80、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率20~100であることを特徴とする請求項1または2に記載のエッチング装置。前記保護膜は、エッチング処理の進行によって、前記保護膜が形成されていない前記フォーカスリングの領域で前記フォーカスリングを交換する所定の厚さとなるときに、前記保護膜が形成された領域での前記フォーカスリングの厚さが前記所定の厚さとなるように、前記保護膜の厚さが設定されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載のエッチング装置。エッチング装置のチャンバ内に配置される処理対象支持部材の外周に設けられ、内周にその他の部分よりも低く、前記処理対象支持部材の上面と略同じ高さの段差部を有するリング状のフォーカスリングにおいて、前記処理対象支持部材上に設けられる当該フォーカスリングを固定する位置決めピンに対応する位置に凹部を有し、前記段差部を構成する底面と側面、および前記凹部の形成位置に対応する当該フォーカスリングの上面にイットリアを含有する保護膜を備えることを特徴とするフォーカスリング。前記保護膜の厚さは、0.1μm以上200μmであることを特徴とする請求項5に記載のフォーカスリング。前記保護膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が10μm以上200μm以下であり、膜密度が90以上であり、単位面積200μm×200μm中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で0~80、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率20~100であることを特徴とする請求項5または6に記載のフォーカスリング。本発明の一つの実施形態は、低コスト省資源を実現しながら寿命を延ばすことができるフォーカスリングを備えるエッチング装置およびフォーカスリングを提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、チャンバ内に処理対象を保持する処理対象保持手段と、前記チャンバ内に導入されるガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備え、生成されたプラズマを用いて前記処理対象をエッチングするエッチング装置が提供される。ここで、前記処理対象保持手段は、処理対象支持部材と、フォーカスリングと、保護膜と、を備える。前記処理対象支持部材は、電極として機能し、前記処理対象を載置する。前記フォーカスリングは、リング状を有し、前記処理対象支持部材の外周に設けられ、内周にその他の部分よりも低く、前記処理対象支持部材の上面と略同じ高さの段差部を有する。前記保護膜は、前記フォーカスリングの所定の領域に設けられるイットリアを含有する膜からなる。また、前記処理対象支持部材は、前記フォーカスリングが載置されるフォーカスリング載置領域上に、前記フォーカスリングを固定する位置決めピンを有しており、前記フォーカスリングは、前記位置決めピンに対応する位置に凹部を有している。そして、前記保護膜は、前記フォーカスリングの前記段差部を構成する底面と側面、および前記凹部の形成位置に対応する前記フォーカスリングの上面に形成される。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるエッチング装置およびフォーカスリングを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、エッチング装置の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図2は、第1の実施形態によるフォーカスリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図3は、一般的なフォーカスリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図4は、フォーカスリングの経時変化を模式的に示す図である。ここでは、エッチング装置10として、平行平板型RIE装置を例示する。図1に示されるように、エッチング装置10は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ11を有している。チャンバ11内には、処理対象としてのウェハ100を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル21が設けられている。支持テーブル21の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構などの保持機構が設けられている。支持テーブル21の表面付近の外周部には、Siからなるフォーカスリング23が設けられ、支持テーブル21とフォーカスリング23の構造体の側面および支持テーブル21との底面の周縁部を覆うようにインシュレータリング22が配置される。フォーカスリング23は、ウェハ100のエッチング時に、電界がウェハ100の周縁部で鉛直方向ウェハ面に垂直な方向に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。また、支持テーブル21は、チャンバ11内の中央付近に位置するように、チャンバ11の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部12上に、インシュレータリング22を介して支持されている。インシュレータリング22とチャンバ11の側壁との間には、バッフルプレート24が設けられている。バッフルプレート24は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔25を有する。また、支持テーブル21には、高周波電力を供給する給電線31が接続されており、この給電線31にブロッキングコンデンサ32、整合器33および高周波電源34が接続されている。プラズマ処理時に高周波電源34からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル21に供給される。ここでは、支持テーブル21、給電線31、ブロッキングコンデンサ32、整合器33および高周波電源34がプラズマ生成手段を構成している。下部電極として機能する支持テーブル21に対向するように、支持テーブル21の上部に上部電極として機能するシャワーヘッド41が設けられている。シャワーヘッド41は支持テーブル21と平行に対向するように、支持テーブル21から所定の距離を隔てたチャンバ11の上部付近の側壁に固定される。このような構造によって、シャワーヘッド41と支持テーブル21とは、一対の平行平板電極を構成している。また、シャワーヘッド41には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス吐出口42が設けられている。チャンバ11の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口13が設けられており、ガス供給口13には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。支持テーブル21とバッフルプレート24よりも下部のチャンバ11にはガス排気口14が設けられており、ガス排気口14には配管を通じて図示しない排気手段である真空ポンプが接続されている。また、バッフルプレート24とシャワーヘッド41との間で区切られる領域のチャンバ11の側壁には、プラズマ処理時に発生する堆積物のチャンバ11の側壁への付着を防止するデポシールド45が設けられている。さらに、チャンバ11の所定の位置の側壁部には、ウェハ100を出し入れする開口部15が形成され、この開口部15に対応するデポシールド45の部分には、シャッタ46が設けられている。シャッタ46は、チャンバ11の外部と内部との間を仕切る役割を有し、ウェハ100を出し入れする際に、開口部15とチャンバ11内とを接続するように開閉される。チャンバ11内の支持テーブル21およびバッフルプレート24と、シャワーヘッド41とで仕切られた領域は、プラズマ処理室61となり、シャワーヘッド41で仕切られたチャンバ11内の上部の領域は、ガス供給室62となり、支持テーブル21およびバッフルプレート24で仕切られたチャンバ11内の下部の領域はガス排気室63となる。このように構成されたエッチング装置10での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル21上に処理対象であるウェハ100が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口14に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ11内が真空引きされる。このとき、ガス排気室63とプラズマ処理室61との間は、バッフルプレート24に設けられたガス排出孔25によって接続されているので、ガス排気口14に繋がる真空ポンプによってチャンバ11内全体が真空引きされる。その後、チャンバ11内が所定の圧力に達すると、プラズマ処理室61とガス供給室62との間はシャワーヘッド41のガス吐出口42によって接続されているので、図示しないガス供給装置からガス供給室62に処理ガスが供給され、シャワーヘッド41のガス吐出口42を介してプラズマ処理室61に供給される。プラズマ処理室61内の圧力が所定の圧力に達すると、シャワーヘッド41上部電極を接地した状態で、支持テーブル21下部電極に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室61内にプラズマを生成させる。ここで、下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマとウェハ100との間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンが支持テーブル21へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。異方性エッチング処理時には、ウェハ100だけでなくフォーカスリング23やインシュレータリング22もイオンやラジカルによってエッチングされる。このように、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の面、すなわちプラズマ処理室61の構成部材の表面は、プラズマに曝されて劣化し易いのでプラズマ処理時にエッチング耐性を有する保護膜50が設けられる。つぎに、本実施形態による保護膜50を形成したフォーカスリング23について説明する。図2に示されるように、ウェハ100を支持する支持テーブル21の上部の外周にはフォーカスリング23が設けられている。フォーカスリング23の支持テーブル21側にはウェハ100が載置される段差部231が設けられており、フォーカスリング23の段差部231を構成する底面233は、支持テーブル21の上面と略同じ高さとなり、フォーカスリング23の段差部231以外の領域の上面は、支持テーブル21上にウェハ100を載置した場合にウェハ100の上面と略同じか若干高くなるように構成されている。また、支持テーブル21の上面の面積は、ウェハ100の面積に比して小さいので、ウェハ100は支持テーブル21の上面とフォーカスリング23の段差部231の底面233とからなるウェハ載置領域上に載置されることになる。通常、ウェハ100は円形を有しているので、フォーカスリング23の平面視上の形状はリング状となる。図3に示されるように、一般的にはウェハ載置領域の寸法はウェハ100の寸法径に比して大きく広く形成される。そのため、ウェハ100をウェハ載置領域に載置すると、ウェハ100の端部とフォーカスリング23の段差部231を構成する側面232との間に隙間が生じる。図4のグラフの横軸は、フォーカスリング23の水平方向の位置を示し、縦軸はフォーカスリング23の厚さを示している。また、図4のaは、製造された初期状態のフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示し、bは、所定の時間エッチングした後のフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示し、cは、所定の時間エッチングした後の本実施形態による保護膜50を形成したフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示している。この図4では、フォーカスリング23がSiで構成されている場合を示している。図4aに示されるように、フォーカスリング23が製造された初期状態では、フォーカスリング23の厚さは、段差部231を除いて略一定の厚さとなっている。一方、フォーカスリング23を長時間使用していくと、フォーカスリング23の露出している箇所がエッチングされていく。特に、段差部231以外の上面が略均等にエッチングされていくとともに、図3に示したウェハ100とフォーカスリング23の段差部231を構成する側面232との間に生じた隙間に対応する部分もエッチングされていく。その結果、図4bに示されるように、隙間に対応する部分では、他の部分に比してフォーカスリング23の厚さが薄くなり、この部分の厚さによって寿命が決まる。そこで、第1の実施形態では、フォーカスリング23の段差部231を構成する側面232および底面233にプラズマ耐性を有する保護膜50を形成するようにしている。形成する保護膜50の厚さとしては、0.1~200μm程度であることが望ましい。0.1μmよりも薄いと、保護膜50を形成した位置が他の領域よりも速くエッチングされてしまい、フォーカスリング23の寿命を延ばすことができず、200μmよりも厚いと、保護膜50が形成されていない領域が寿命となる厚さとなった場合でも、保護膜50が残存している状態となり、保護膜50が無駄になってしまうため、保護膜50の厚さは上記範囲であることが望ましい。実際には、フォーカスリング23の段差部231以外の領域の厚さが、フォーカスリング23としての機能を実現することができない程度の厚さ以下、交換厚さというとなるときに、ウェハ100とフォーカスリング23の段差部231を構成する側面232との間に生じた隙間に対応する部分の厚さが、交換厚さと同程度となるように保護膜50の厚さが決定される。一例として、フォーカスリング23の段差部231の落ち込み量に対応する量のSiがエッチングによって除去される時間と、隙間に対応する部分の保護膜50がエッチングによって除去される時間とが略同じとなるように、保護膜50の厚さを決定すればよい。このようにフォーカスリング23の段差部231に保護膜50を形成した場合には、図4cに示されるように、プラズマ耐性を有する保護膜50の存在によって、所定時間エッチング処理後のフォーカスリング23の厚さは、略均一となる。保護膜50として、たとえば酸化イットリウム粒子を含有する被膜以下、イットリア膜というを用いることができる。イットリア膜であれば、どのような膜であってもよいが、特に、少なくとも粒子の表面が溶融状態で隣接する粒子同士が結合し、固化した酸化イットリウム粒子を含み、一部の粒界が見えなくなったイットリア膜以下、半溶融状態のイットリア膜というであることが望ましい。この半溶融状態のイットリア膜は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚10μm以上、膜密度90以上であり、単位面積20μm×20μm中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子を面積率で0~80含み、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を面積率で20~100含むものである。半溶融状態のイットリア膜の膜厚は10μm以上であることが好ましい。10μm未満ではイットリア膜を設ける効果が十分得られず、却って膜はがれの原因となる虞がある。イットリア膜の厚さの上限は特に限定されるものではないが、あまり厚いとそれ以上の効果が得られず、また内部応力の蓄積によりクラックが発生し易くなりコストアップの要因ともなる。そのため、イットリア膜の厚さは10~200μm、より好ましくは50~150μmである。また、膜密度は90以上、より好ましくは95以上、さらには99以上100以下であることが好ましい。イットリア膜中に気孔ボイド多く存在すると、その気孔からプラズマアタックなどの浸食が進行して酸化物被膜の寿命を低下させる。特にイットリア膜表面に気孔が少ないことが望ましい。なお、膜密度とは気孔率の反対の用語であり、膜密度90以上とは、気孔率10以下と同じ意味である。膜密度の測定方法は、酸化物被膜を膜厚方向に切断し、その断面組織の光学顕微鏡による500倍の拡大写真を撮り、そこに写る気孔の面積率を算出する。そして、膜密度=100-気孔の面積率により膜密度を算出する。膜密度の算出には、単位面積200μm×200μmの面積を分析するものとする。なお、膜厚が薄いときは、合計の単位面積が200μm×200μmとなるまで複数個所測定するものとする。さらに、粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で80を超えると、衝撃による破壊熱が不十分であるため、堆積において急激な冷却状態となり膜の低密度化や結合力が低下し、場合によってはクラックが発生するので、粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で0~80であることが望ましい。また、イットリア膜の表面粗さRaは3μm以下が好ましい。イットリア膜の表面凹凸が大きいとプラズマアタックなどが集中し易く膜の寿命を低下させる虞がある。表面粗さRaの測定はJIS-B-0601-1994に準ずるものとする。好ましくは表面粗さRa2μm以下である。さらに、粒界を確認できる酸化イットリウム粒子の平均粒径は2μm以下、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含めた全体の酸化イットリウム粒子の平均粒径は5μm以下であることが好ましい。このような保護膜50は、たとえば、溶射法、CVDChemicalVaporDeposition法、エアロゾルデポジションAerosolDeposition法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いて、フォーカスリング23の段差部231に形成することができる。特に、上記半溶融状態のイットリア膜は、イットリア粒子を含むスラリーを燃焼フレーム炎に供給して噴射ノズルから粒子を噴射し、粒子が高速度たとえば音速以上で基材に衝突し、その衝突による粒子の破砕熱で焼結結合して被膜を形成する衝撃焼結法において、酸化イットリウム粒子を溶融させないあるいは表層だけ溶融した状態で酸化イットリウム粒子の噴射速度を加速し、粒子が堆積し始める臨界速度以上の高速で制御して成膜することによって形成することができる。これによって、イットリア膜中の酸化イットリウム粒子は原料粉末の粒形状より破砕形状となった被膜が形成し易くなる傾向がある。また、表層が溶融した酸化イットリウム粒子は、基材に衝突する際の破砕熱で隣接する酸化イットリウム粒子と結合することで、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含むイットリア膜を形成する。このとき、酸化イットリウム粒子の基材への衝突時の破砕熱で、酸化イットリウム粒子が表層だけでなくさらに粒子全体が溶融されてもよく、この場合にも同様のイットリア膜が形成される。また、表層を溶融させない酸化イットリウム粒子は、基材に衝突する際の破砕熱で少なくとも表層が溶融する場合もあり、これによっても隣接する酸化イットリウム粒子間の粒界が確認できない酸化イットリウム粒子を含むイットリア膜が形成される。このように高速噴射を使うことによって、溶射のように原料粉末を溶かして噴射しないため、原料粉末としての酸化イットリウム粒子の粉末形状をほぼ維持した状態で堆積できる。その結果、膜内部の応力が発生せず、緻密膜密度の高いで結合力の強いイットリア膜を形成することができる。燃焼フレーム炎にスラリーを供給する際のスラリー供給位置や粒子を噴射する際の噴射ノズルと基材との距離を調整することにより、基材に形成されるイットリア膜中の粒界が確認できる粒子と粒界が確認できない粒子との面積率を調整することができる。以上のように、第1の実施形態によれば、フォーカスリング23のウェハ100が載置される段差部231を構成する面にイットリアを含む保護膜50を形成した。これによって、ウェハ載置領域にウェハ100を載置した際に生じるウェハ100の端部とフォーカスリング23の段差部231の側面232との間の隙間に対応する部分が他の領域に比べてエッチングされてしまい、フォーカスリング23の段差部231以外の厚さが所定の厚さとなる前に隙間に対応する部分の厚さが薄くなってしまうことを防ぐことができる。つまり、隙間に対応する部分のフォーカスリング23の厚さによって、フォーカスリング23の交換時期が律されるのではなく、他の部分段差部231以外の部分の厚さが所定の厚さとなったときにフォーカスリング23を交換することができ、フォーカスリング23の寿命を延ばすことができるという効果を有する。また、イットリアを含む保護膜50は、フォーカスリング23の段差部231にのみ形成されるだけであるので、フォーカスリング23の全体を保護膜50で被覆する場合に比して、希土類元素であるイットリウムの使用量を削減することができ、省資源および低コストを実現することができるという効果も有する。第2の実施形態第1の実施形態では、フォーカスリングを支持テーブルに嵌め合わせて固定する構造のエッチング装置を例に挙げたが、第2の実施形態では、フォーカスリングを支持テーブルに設けられた位置決めピンで固定する場合を例に挙げる。図5は、第2の実施形態によるフォーカスリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図6は、フォーカスリングの構造の一例を示す図であり、aは断面図であり、bは上面図である。また、図7は、フォーカスリングの経時変化を模式的に示す図である。図5に示されるように、第2の実施形態では、支持テーブル21のフォーカスリング23の載置領域上の所定の位置に位置決めピン211が突出して設けられている。この位置決めピン211は、支持テーブル21の中心から同一円周上の支持テーブル21上にたとえば120°ごとに3点配置される。位置決めピン211の径としては、支持テーブル21上にフォーカスリング23が大きく動かずに固定されることが可能なサイズであればよく、たとえば5mmとすることができる。また、フォーカスリング23の下面には、位置決めピン211に対応するように凹部235が設けられている。図6bに示されるように、フォーカスリング23に設けられる凹部235も、フォーカスリング23の中心から同一円周上の位置に120°ごとに3点設けられている。この凹部235の径は、位置決めピン211が凹部235に摩擦なく嵌めこまれるように、位置決めピン211の径と略同じ大きさを有するが、位置決めピン211よりも若干大きくなるように設計されることが望ましい。フォーカスリング23を支持テーブル21上に固定するには、支持テーブル21上の位置決めピン211に凹部235が嵌まるようにフォーカスリング23の位置合わせを行った後、フォーカスリング23を支持テーブル21上に載置する。このような位置決めピン211に対応する凹部235を有するフォーカスリング23でのエッチングによる輪郭の経時変化について説明する。図7のグラフの横軸は、フォーカスリング23の水平方向の位置を示し、縦軸はフォーカスリング23の厚さを示している。また、図7のaは、製造された初期状態のフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示し、bは、所定の時間エッチングした後のフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示し、cは、所定の時間エッチングした後の本実施形態による保護膜50を形成したフォーカスリング23の断面プロファイルの一部を示している。この図7では、フォーカスリング23がSiで構成されている場合を示している。図7aに示されるように、フォーカスリング23が製造された初期状態では、フォーカスリング23の厚さは、段差部231を除いて略一定の厚さとなっている。一方、フォーカスリング23を長時間使用していくと、フォーカスリング23の露出している箇所がエッチングされていく。特に、段差部231以外の上面が略均等にエッチングされていくとともに、図3に示したウェハ100とフォーカスリング23の段差部231を構成する側面232との間に生じた隙間に対応する部分もエッチングされていく。その結果、図7bに示されるように、隙間に対応する部分と位置決めピン211凹部235の形成位置に対応する部分では、他の部分に比してフォーカスリング23の厚さが薄くなる。特に、位置決めピン211の形成位置に対応する部分では、凹部235が形成されている分だけ厚さが薄くなり、この部分の厚さによって寿命が決まる。そこで、第2の実施形態では、図5と図6aに示されるように、フォーカスリング23の段差部231を構成する側面232および底面233に加えて、位置決めピン211の形成位置に対応するフォーカスリング23の上面にもプラズマ耐性を有する保護膜50を形成するようにしている。形成する保護膜50の厚さとしては、0.1~200μm程度であることが望ましいが、実際には、フォーカスリング23の段差部231以外の領域の内、保護膜50が形成されていない領域での厚さが、フォーカスリング23としての機能を実現することができない程度の交換厚さとなるときに、ウェハ100とフォーカスリング23の段差部231を構成する側面232との間に生じた隙間に対応する部分と位置決めピン211の形成位置のフォーカスリング23の厚さが、交換厚さと同程度となるように保護膜50の厚さが決定される。一例として、段差部231以外の領域の内、保護膜50が形成されていない領域が交換厚さとなるまでにSiがエッチングによって除去される時間と、隙間に対応する部分の厚さが交換厚さとなるまでに保護膜50とSiがエッチングによって除去される時間と、位置決めピン211の形成位置の厚さが交換厚さとなるまでに保護膜50とSiがエッチングによって除去される時間と、が略同じとなるように、保護膜50の厚さを決定すればよい。このようにフォーカスリング23の段差部231に保護膜50を形成した場合には、図7cに示されるように、プラズマ耐性を有する保護膜50の存在によって、所定時間エッチング処理後のフォーカスリング23の厚さは、略均一となる。第2の実施形態で使用される保護膜50は、第1の実施形態で説明した保護膜50と同様であるので、説明を省略する。また、第1の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。第2の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。第3の実施形態図8は、エッチング装置の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図9は、エッジリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図10は、第3の実施形態によるエッジリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図11は、一般的なトップエッジリング周辺の構成の一例を模式的に示す一部断面図であり、図12は、トップエッジリングの経時変化を模式的に示す図である。ここでは、エッチング装置110として、ICPInductiveCouplingPlasma-RIE装置を例示する。図8に示されるように、エッチング装置110は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ111を有している。チャンバ111内には、処理対象としてのウェハ100を水平に支持する支持テーブル121が設けられている。支持テーブル121の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構などの保持機構が設けられている。支持テーブル121の母材はアルミニウムなどによって構成され、ウェハ100の吸着面122はアルミナによって構成されている。支持テーブル121の側面と上部の周縁部を覆うように絶縁材料からなるエッジリング123が設けられている。エッジリング123は、図9に示されるように、支持テーブル121の周囲に配置されるリング状のボトムエッジリング124と、ボトムエッジリング124上と支持テーブル121の周縁部上に載置されるリング状のトップエッジリング125と、から構成される。支持テーブル121の周縁部には、段差部が設けられており、段差部の底面121aとボトムエッジリング124の上面とが略同じ高さとなっている。そして、この支持テーブル121の段差部の底面121aとボトムエッジリング124の上面とが、トップエッジリング125を載置するトップエッジリング載置領域となっている。ボトムエッジリング124は石英によって構成されており、支持テーブル121の側壁の保護や耐圧確保の機能を有する。また、トップエッジリング125は、石英製やアルミナにイットリア膜をコーティングしたものなどによって構成され、ウェハ100の周辺部の支持テーブル121の保護やウェハ100のエッジ部のシース電界維持の役割を有する。さらに、支持テーブル121は、チャンバ111内の中央付近に位置するように、チャンバ111の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部112上に、絶縁部材を介して支持されている。エッジリング123とチャンバ111の側壁との間には、バッフルプレート126が設けられている。バッフルプレート126は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔127を有する。また、支持テーブル121には、高周波電力を供給する給電線131が接続されており、この給電線131にブロッキングコンデンサ132、整合器133およびバイアス側の高周波電源134が接続されている。プラズマ処理エッチング処理時に高周波電源134からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル121に供給される。支持テーブル121に対向するように、支持テーブル121の上部には石英製やアルミナ製の天板141が設けられている。天板141は、支持テーブル121から所定の距離を隔てたチャンバ111の上部付近の側壁に固定される。天板141の中央付近には、板の厚さ方向を貫通するガス吐出口142が設けられている。チャンバ111の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給配管113が設けられている。ガス供給配管113の図示しない一方の端部には図示しないガス供給装置が接続されており、他方の端部は、チャンバ111内の天板141のガス吐出口142に接続されている。天板141の上面には、アンテナ部143が設けられ、アンテナ部143には、高周波電力を供給する給電線151が接続されており、この給電線151にブロッキングコンデンサ152、整合器153およびICP側の高周波電源154が接続されている。ここでは、石英板141、アンテナ部143、給電線151、ブロッキングコンデンサ152、整合器153および高周波電源154がプラズマ生成手段を構成している。つまり、プラズマを生成する際に高周波電源154からは所定の周波数の高周波電力が天板141に供給され、処理ガスがプラズマ化される。支持テーブル121とバッフルプレート126よりも下部のチャンバ111にはガス排気口114が設けられており、ガス排気口114には配管を通じて図示しない排気手段である真空ポンプが接続されている。また、バッフルプレート126と天板141との間で区切られる領域のチャンバ111の側壁には、プラズマ処理時に発生する堆積物のチャンバ111の側壁への付着を防止するデポシールド145が設けられている。さらに、チャンバ111の所定の位置の側壁部には、ウェハ100を出し入れする開口部115が形成され、この開口部115に対応するデポシールド145の部分には、シャッタ146が設けられている。シャッタ146は、チャンバ111の外部と内部との間を仕切る役割を有し、ウェハ100を出し入れする際に、開口部115とチャンバ111内とを接続するように開閉される。チャンバ111内の支持テーブル121およびバッフルプレート126と、天板141とで仕切られた領域は、プラズマ処理室161となり、支持テーブル121およびバッフルプレート126で仕切られたチャンバ111内の下部の領域はガス排気室162となる。このように構成されたエッチング装置110での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル121上に処理対象であるウェハ100が載置され、静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口114に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ111内が真空引きされる。このとき、ガス排気室162とプラズマ処理室161との間は、バッフルプレート126に設けられたガス排出孔127によって接続されているので、ガス排気口114に繋がる真空ポンプによってチャンバ111内全体が真空引きされる。その後、チャンバ111内が所定の圧力に達すると、図示しないガス供給装置からガス供給配管113を介してプラズマ処理室161内に処理ガスが供給される。プラズマ処理室161内の圧力が所定の圧力に達すると、ICP側の高周波電源154からアンテナ部143に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室161内にプラズマを生成させる。また、プラズマが生成すると、バイアス側の高周波電源134から支持テーブル121に高周波電圧を印加する。支持テーブル121側には高周波電圧によるバイアス電圧により、プラズマとウェハ100との間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンが支持テーブル121へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。異方性エッチング処理時には、ウェハ100だけでなくエッジリング123もイオンやラジカルによってエッチングされる。このように、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の面、すなわちプラズマ処理室161の構成部材の表面は、プラズマに曝されて劣化し易いのでプラズマ処理時にエッチング耐性を有する保護膜50が設けられる。つぎに、本実施形態による保護膜50を形成したトップエッジリング125について説明する。図10に示されるように、ウェハ100を支持する支持テーブル121の上部の外周にはトップエッジリング125が設けられている。トップエッジリング125の支持テーブル121側にはウェハ100が載置される段差部1251が設けられており、トップエッジリング125の段差部1251以外の領域の上面は、支持テーブル121上にウェハ100を載置した場合にウェハ100の上面と略同じか若干高くなるように構成されている。また、支持テーブル121の上面の面積は、ウェハ100の面積に比して小さいので、ウェハ100は支持テーブル121の上面とトップエッジリング125の段差部1251とからなるウェハ載置領域上に載置されることになる。通常、ウェハ100は円形を有しているので、トップエッジリング125の平面視上の形状はリング状となる。図11に示されるように、一般的にはウェハ載置領域の寸法はウェハ100の寸法に比して大きく広く形成される。そのため、ウェハ100をウェハ載置領域に載置すると、ウェハ100の端部とトップエッジリング125の段差部1251を構成する側面1252との間に隙間が生じる。図12aは、トップエッジリング125が製造された初期状態での一部断面プロファイルであり、トップエッジリング125の厚さは、段差部1251で略一定となっている。一方、トップエッジリング125を長時間使用していくと、トップエッジリング125の露出している箇所がエッチングされていく。図12bは、トップエッジリング125が長時間使用された状態での一部断面プロファイルである。この図12bに示されるように、段差部1251以外の上面が略均等にエッチングされていくとともに、図11に示したウェハ100と、トップエッジリング125の段差部1251を構成する側面1252と、の間に生じた隙間に対応する部分からエッチングされていき、凹部1253が形成される。その結果、凹部1253では、他の部分に比してトップエッジリング125の厚さが薄くなり、この部分の厚さによって寿命が決まる。そこで、第3の実施形態では、トップエッジリング125の段差部1251を構成する2箇所の角部1251a,1251bに丸みを持たせ、トップエッジリング125の段差部1251を含む上面および側面にプラズマ耐性を有する保護膜50を形成するようにしている。形成する保護膜50の厚さとしては、0.1~200μm程度であることが望ましい。0.1μmよりも薄いと、エッチング処理時の保護効果が低く、トップエッジリング125の寿命を延ばすことができず、200μmよりも厚いと、応力により保護膜50が剥がれやすくなってしまう。そのため、保護膜50の厚さは上記範囲であることが望ましい。なお、トップエッジリング125の段差部1251を構成する2箇所の角部1251a,1251bを、曲率を有するように丸みを持たせることによって、保護膜50を形成し易くすると共に、凹部での保護膜50の膜厚を厚くすることで寿命を長くすることができる。このようにトップエッジリング125の上面および側面に保護膜50を形成した場合には、プラズマ耐性を有する保護膜50の存在によって、所定時間エッチング処理後のトップエッジリング125の厚さは、略均一となる。第3の実施形態で使用される保護膜50は、第1の実施形態で説明した保護膜50と同様であるので、説明を省略する。第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"