マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程と、前記マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの製造方法。前記遮光材を塗布する工程の前に、前記遮光枠のレイアウトデータを取得する工程と、前記レイアウトデータに基づいて、前記遮光材を塗布すべき領域の位置制御情報を生成する工程と、をさらに備え、前記遮光材は、前記位置制御情報に基づいて塗布されることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。前記遮光材は、インクジェット法によって塗布されることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。前記遮光材は、金属粒子を含有していることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。前記金属粒子は、露光光の波長に対する反射率が0.5以下であることを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。前記金属粒子は、露光光の波長に対する透過率が0.5以下であることを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。請求項1乃至6のいずれか1項に記載された方法によって製造されたフォトマスクを用意する工程と、前記フォトマスクに形成されたマスクパターンを半導体基板上に転写する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。的確に遮光枠を形成することが可能なフォトマスクの製造方法等を提供する。実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程と、前記マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程と、を備える。以下、実施形態を図面を参照して説明する。図1は、実施形態に係るフォトマスクの製造方法の概略を示したフローチャートである。まず、反射型のハーフトーン型位相シフトマスクを製造するためのマスクブランクを用意するS11。図2は、上記マスクブランクの構成を示した断面図である。図2に示すように、ガラス基板11上に多層反射膜12が形成されている。この多層反射膜12は、モリブデンMoとシリコンSiが交互に積層されたものであり、露光光EUV光を反射するものである。多層反射膜12上には、中間層13が形成されている。中間層13上には、吸収層14が形成されている。この吸収層14は、露光光EUV光を吸収するものである。また、ガラス基板11の裏面には導電膜15が形成されている。次に、上述したマスクブランクを用いて、マスクパターン転写パターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを作製するS12。以下、図3~図5に示した断面図を参照して、マスクパターンの形成方法について説明する。まず、図3に示すように、図2に示したマスクブランク上にEBレジスト21を塗布する。さらに、EBレジストに対して、EB露光、ベーク及び現像を行い、図4に示すように、レジストパターン21を形成する。次に、レジストパターン21をマスクとして用いて、吸収層14をエッチングする。さらに、レジストパターン21を除去することで、図5に示すように、回路パターンを形成するためのマスクパターン転写パターン22が得られる。次に、以下のようにして、マスクパターン22が形成された領域の周囲の領域に遮光枠を形成する。まず、遮光枠のレイアウトデータを取得するS13。次に、レイアウトデータに基づいて、遮光材を塗布すべき領域の位置制御情報を生成するS14。図6は、遮光材を塗布すべき領域、すなわち遮光枠形成領域31を示した平面図であり、図7は、遮光枠形成領域31を示した断面図である。次に、生成された位置制御情報に基づいて、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して、遮光枠を形成するS15。以下、図8~図10を参照して、遮光材の塗布方法について説明する。遮光材の塗布は、インクジェット法によって行われる。まず、図8に示すように、S14のステップで生成された位置制御情報に基づき、インクジェット用のノズル32をスタート位置に移動させる。続いて、図9に示すように、位置制御情報に基づいてノズル32を移動させながら、ノズル32から遮光枠形成領域31上に遮光材33を吐出する。遮光材は、所定の液体中に金属粒子を分散させたものである。金属粒子には、露光光EUV光の波長に対する反射率が0.5以下の金属材料が用いられる。具体的には、金属材料として、クロムCr、マンガンMn、コバルトCo、銅Cu、亜鉛Zn、ガリウムGa、ゲルマニウムGe、モリブデンMo、パラジウムPd、銀Ag、カドミウムCd、錫Sn、アンチモンSb、テルルTe、ヨウ素I、ハフニウムHf、タンタルTa、タングステンW、チタンTi及び金Auを用いることが可能である。また、これらの金属を含む合金を用いることも可能である。遮光枠形成領域31の全体に遮光材を塗布した後、金属粒子を分散させた液体を蒸発させ、遮光材33を硬化させる。遮光材の硬化方法としては、加熱法、光照射法等があげられる。これにより、図10に示すように、遮光枠33が形成される。以上のように、本実施形態では、インクジェット法を用いて遮光材を選択的に塗布することで、遮光枠が形成される。そのため、従来のように、遮光枠を形成する際にマスクパターン形成領域をレジストでマスクする必要がない。したがって、レジスト残りに起因するマスクパターン領域回路パターン領域での欠陥の発生を防止することができる。また、遮光枠を形成する際に多層反射膜をエッチングする必要がないため、多層反射膜の加工精度を確保することが難しいといった問題もない。また、多層膜を除去する際に基板に応力変化が生じるといった問題も防止できる。さらに、遮光枠領域と非遮光枠領域との境界で多層反射膜の側面が露出することがないため、多層反射膜の側面が浸食されてパーティクルが発生するといった問題もない。したがって、本実施形態の方法を用いることにより、的確に遮光枠を形成することが可能となる。また、本実施形態によれば、遮光枠のレイアウトデータに基づいて遮光材を塗布するので、レイアウトデータを変更するだけで所望の領域に遮光枠を形成することが可能である。また、本実施形態によれば、金属粒子の吐出量を調整することにより、所望の厚さを有する遮光枠を形成することが可能である。なお、上述した実施形態では、反射型のハーフトーン型位相シフトマスクについて説明したが、上述した実施形態の方法は、透過型のハーフトーン型位相シフトマスクについても適用可能である。この場合、金属粒子には、露光光の波長に対する透過率が0.5以下の金属材料が用いることが好ましい。具体的な金属材料としては、上述した反射型の実施形態で述べた各種の金属を用いることが可能である。また、上述した実施形態の方法は、半導体装置の製造方法に適用することが可能である。図11は、半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。まず、上述した方法によって製造されたフォトマスクを用意するS21。次に、フォトマスク上に形成されたマスクパターンを半導体ウェハ半導体基板上のフォトレジストに転写するS22。マスクパターンの転写は複数の領域に対して行われるが、隣接する領域の境界には遮光枠が形成されているため、境界部転写領域がオーバーラップした部分に過剰な露光光が照射されることはない。フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことで、半導体ウェハ上にパターンが形成されるS23。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。