およそ5ミリメーターよりも長い結晶構造の基板部材と、他の結晶構造を実質的に保有しない特徴のウルツ鉱型構造と、前記他の結晶構造の体積は、ウルツ鉱型構造の体積のおよそ1以下であって、不純物濃度がおよそ1015cm1よりも大きいLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F、Clの少なくとも一つであって、およそ107Ωcmよりも大きい電気抵抗であることを特徴とする結晶構造を含むガリウムナイトライド。前記ガリウムナイトライドの結晶の酸素の不純物濃度が、およそ1015cm3よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記ガリウムナイトライドの結晶の酸素の不純物濃度が、およそ1018cm3よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載のガリウムナイトライド。前記ガリウムナイトライドの結晶が、V、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hgの少なくともひとつから選択される補整的ドーパントを含み、当該補整的ドーパントの濃度がおよそ1015cm3よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記補整的ドーパントの濃度が、およそ1017cm3よりも小さいことを特徴とする請求項4に記載のガリウムナイトライド。波長がおよそ395nmから460nmの間の波長における光吸収係数が、およそ10cm1より小さいことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。波長がおよそ395nmから460nmの間の波長における光吸収係数が、およそ02cm1より小さいことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記他の結晶構造が、およそ01よりも小さい体積であることを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記基板部材の厚さが、およそ1ミリメータよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。長さが、およそ20ミリメータよりも長いことを特徴とする請求項9に記載のガリウムナイトライド。長さが、およそ100ミリメータよりも長いことを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記結晶構造の基板部材が、100メータよりも大きな曲率の結晶半径を有することを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記結晶構造の基板部材が、無限の曲率の結晶半径を有することを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記結晶構造の基板部材が、1ナノメータ以下の二乗平均平方根の、表面粗さを有することを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。前記結晶構造が、発光ダイオード、レーザーダイオード、光センサー、アバランシェフォトダイオード、トランジスタ、整流器、サイリスタの少なくとも一つデバイスに用いられ、そして、トランジスタ、整流器、ショットキー整流器、pinダイオード、金属半導体金属ダイオード、高電子移動度トランジスタ、金属半導体電界効果トランジスタ、金属酸化膜電界効果トランジスタ、パワーモス電界効果トランジスタ、パワーミス電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、金属絶縁体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、パワー絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、パワー垂直接合電界効果トランジスタ、カスコードスイッチ、インナーサブバンドエミッタ、量子井戸赤外光検出器、量子ドット赤外光検出器、ソーラーセル、光電気化学的な水分解および水素発生のためのダイオードの少なくとも一つに用いられていることを特徴とする請求項1に記載のガリウムナイトライド。結晶構造の基板部材と、他の結晶構造を実質的に保有しない特徴のウルツ鉱型構造と、前記他の結晶構造の体積は、ウルツ鉱型構造の体積のおよそ1以下であって、不純物濃度がおよそ1015cm1よりも大きいLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F、Clの少なくとも一つ有し、およそ107Ωcmよりも大きい電気抵抗を、さらに有することを特徴とする結晶構造を含むガリウムナイトライド。基板を有するIII族メタルナイトライドの形成方法において、ソースマテリアルとしてIII族メタルナイトライドを供給し、当該III族メタルナイトライドは、アルミニウム、ガリウム、インジウムの中から選択された金属を含み、さらに、III族メタルナイトライド中の酸素含有量は、およそ10ppmよりも小さい、III族金属酸化物あるいは置換型不純物であって、チャンバーへIII族メタルナイトライドのソース物質を注入し、窒素を含有する物質を、前記チャンバーへ加え、当該チャンバーを、所定の温度まで加熱し、当該チャンバーを、所定の圧力まで加圧し、前記窒素を含有する物質を、前記III族金属のソース物質と、前記チャンバー内で反応させ、他の結晶構造を実質的に保有しない特徴のウルツ鉱型構造であって、およそ107Ωcmよりも大きい電気抵抗を有することを特徴とする結晶構造のIII族メタルナイトライドの形成方法。前記III族メタルナイトライド中の酸素含有量は、およそ1ppmよりも小さい、III族金属酸化物あるいは置換型不純物であることを特徴とする請求項17に記載の結晶構造のIII族メタルナイトライドの形成方法。前記III族メタルナイトライドのソース物質に関して、少なくとも100ppmのレベルのゲッターをさらに有し、当該ゲッターをIII族メタルナイトライドのソース物質とともに、前記チャンバーへ注入することを特徴とする請求項17に記載の結晶構造のIII族メタルナイトライドの形成方法。少なくとも、V、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hgから選択された補整的ドーパントを有することを特徴とする請求項17に記載の結晶構造のIII族メタルナイトライドの形成方法。本発明は、かかる状況に鑑みてなされたものであって、必要とされることは、透明、無色で、かつ、高い結晶品質を有する半絶縁性のナイトライド物質の低コストでの製造方法である。以下に、本発明の目的を達成するための手段を例示する。本発明は、特に制限されないが、結晶構造を含むガリウムナイトライドであって、およそ5ミリメーターよりも長い結晶構造の基板部材と、他の結晶構造を実質的に保有しない特徴のウルツ鉱型構造とを有する。そして、他の結晶構造の体積は、ウルツ鉱型構造の体積のおよそ1以下であって、不純物濃度がおよそ1015cm1よりも大きいLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F、Clの少なくとも一つであって、およそ107Ωcmよりも大きい電気抵抗である。ハイクオリティの半絶縁性の透明ガリウムナイトライド、メタルナイトライド結晶、または、ウエハーを、低コストに製造することができる。以下、本発明の実施例を、図面に基づき説明する。本発明の明細書および請求項にて記載された記述について、定量的に表現されたいかなる内容も、関連する基礎的な機能を変更しない限り、いかなる修正をも施すことができる。つまり、およそなどの用語で規定された数値は、正確に特定された数値に限定されるものではない。少なくとも一つの例として、およそなどの用語で規定された場合の差異は、測定器具の正確さを考慮に入れて定めることができる。同様に、無いという用語が加わった場合は、極わずかな数値や、あるいは、微量が含まれ、明確に他のものが言及されていない限り、修正された用語は自由に規定されることができる。メタルナイトライド金属には、III族金属が含まれる。適切な金属は、アルミニュウム、ガリウム、インジウムなどが含まれる。メタルナイトライドにおける一つ以上のという用語と金属との組み合わせは、たとえば、アルミニウムガリウムナイトライドなどの合成物が含まれる。ここで、用いられているガリウムナイトライドという用語は、メタルナイトライドの実例として用いられているが、他のIII族メタルナイトライドなども、含ませることが可能と理解される。メタルナイトライドの合成物には、不純物も含まれる。ここで用いられている、不純物という用語は、III族メタルナイトライドとはっきりと異なり、単結晶、あるいは、多結晶のメタルナイトライドの主要な合成物から構成される、化学的な種を意味する。不純物のいくつかの種類は、化学的性質、原子構造、目的、効果から区別することができる。不純物は、一般的に、窒素、アルミニウム、ガリウム、インジウムとは異なり、酸素、カーボン、ハロゲン、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、主要なブロック元素などが含まれる。不純物は、原子構造が異なる、いくつかの形式で表現される。多くの場合、不純物は、遊離原子、あるいは、イオンとして表現され、たとえば、置換型の、あるいは、置換型のIII族メタルナイトライドの結晶格子の範囲内である。他の例では、不純物は、はっきりと異なる状態で示され、たとえば、III族メタルナイトライドグレイン、あるいは、III族メタルナイトライドのグレインバウンダリーの範囲内の含有物となる。不純物は、何らかの方法でIII族メタルナイトライドの物質を増進するために、意図的に加えられ、あるいは、意図的ではなく加えられることもある。最後に、不純物は、III族メタルナイトライドの電気的に、結晶的に、化学的に、あるいは、力学的性質に非常に大きな影響を与える場合もあり得る。ここで、そして、一般的な技術用語で用いられているドーパントという用語は、不純物を自動的にIII族メタルナイトライド内に分散させ、たとえば、置換型の、あるいは、侵入型の不純物として、意図的に添加される典型的なものとして使用している。ドーパント、あるいは、ドーパントの前駆体特に示唆がない限りドーパントという。に関して、III族メタルナイトライド構成の電気的性質は、一つ、あるいは、それ以上のドーパントを、処理中に上述の合成物に加えることによって制御される。このドーパントは、同様に、磁気的、およびまたは、発光性質を、III族メタルナイトライド構造に与える。適切なドーパントは、一つ以上のsブロック元素、あるいは、pブロック元素を含み、遷移金属元素、レアアース元素を含む。適切なsブロック元素、あるいは、pブロック元素は、たとえば、シリコン、ゲルマニウム、マグネシウム、錫を含む。他の適切なドーパントは、遷移グループ成分が含まれる。適切な遷移グループ成分には、たとえば、亜鉛、鉄、コバルトがある。適切なドーパントは、n型物質、p型物質、あるいは、半絶縁性物質がある。いくつかの実施形態において、酸素は、意図的、あるいは、意図的ではなく加えられた場合に関わらず、ドーパントとして作用する。単結晶、あるいは、多結晶における適切なドーパントの濃度レベルは、およそ1010atomscm3よりも大きい場合がある。ある実施例において、ドーパントの濃度は、およそ1010atomscm3から1015atomscm3のレンジ、およそ1015atomscm3から1016atomscm3のレンジ、およそ1016atomscm3から1017atomscm3のレンジ、およそ1017atomscm3から1018atomscm3のレンジ、およそ1018atomscm3から1021atomscm3のレンジ、およそ1021atomscm3よりも大きい。ここで用いられている、ゲッターという用語は、意図的に加えられた不純物で、より高い化学親和力を不要な不純物のために持つものである。たとえば、酸素があり、合成の主要な金属成分として、ガリウムがある。ゲッターは、多結晶のIII族メタルナイトライドに含有物として取り込まれ、たとえば、メタルナイトライド、メタルハロゲン化合物、金属酸化物、金属酸化ハロゲン化合物、金属酸化ナイトライドとなる。適切なゲッターの例としては、アルカリ土類金属、スカンジウム、チタニウム、バナジウム、クロミウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオビウム、レアアースメタル、ハフニウム、タンタル、タングステン、そしてそれらのナイトライド、ハロゲン化合物がある。いくつかの実施形態において、ゲッター不純物は、ゲッター、および、ドーパントとして作用し、このようなものとして、たとえば、マグネシウムがある。他の例では、ゲッター不純物原子は、より大きな原子、あるいは、ガリウムよりも大きな共有結合性の直径を有し、ドーパントとして取り込まれず、III族メタルナイトライドの電気的特性に大きな影響を与える十分なレベルとなって、大部分、あるいは、限定された部分がゲッターとして機能する。このゲッターは、多結晶のIII族メタルナイトライドの中に100ppmよりも大きなレベルで存在し、およそ100ppmから200ppm、およそ200ppmから500ppm、およそ500ppmから01、およそ01から02、およそ02から05、およそ05から2、およそ2から10、あるいは、10以上以上存在する。ppm、および、は、特に言及がない場合は、重量に対する値として用いられる。他の場合には、不純物は、意図的ではなく、およびまたは、不要な添加物として、多結晶のIII族メタルナイトライド中に存在し、たとえば、処理および取り扱いに起因して生じる。他の意図的ではない不純物は、原材料中の混入物質によって生じる。多くの意図しない不純物は、選択した原材料と密接に結び付いている。多くの実施形態では、意図しない不純物は、多結晶のIII族メタルナイトライド中の置換型不純物、または、ドーパントとして要求されるレベルよりも高いレベルの酸素の量も含まれる。他の実施形態では、意図しない不純物は、III族の酸化物介在物として存在する酸素も含まれ、たとえば、Ga2O3、Al2O3、およびまたは、In2O3がある。意図しない酸化不純物は、金属原材料中の残存酸素から、合成プロセスで用いられるガス原材料中の不純物として存在する水分、あるいは、酸素から、合成プロセスの最中に反応炉の部材のガス放出から生成される水分から生じる。ある実施形態において、ガリウムナイトライド中のGa2O3、あるいは、置換型不純物として存在する酸素含有量の存在は、およそ10ppmよりも小さい。もう一つの実施形態において、ガリウムナイトライド中のGa2O3、あるいは、置換型不純物として存在する酸素含有量の存在は、およそ10ppmから3ppm、およそ3ppmから1ppm、およそ1ppmから03ppm、およそ03ppmから01ppm、01ppm以下のレンジである。ハイクオリティの半絶縁性の透明ガリウムナイトライド、メタルナイトライド結晶、または、ウエハーは、以下の方法により、低コストに製造することができる。一つ以上の高い品質のガリウムナイトライド種の結晶、あるいは、プレートが製造することができる。この種プレートは、最小限の横寸法は、少なくとも1センチメータである。多くの実施形態において、この種プレートは、少なくとも2センチメータの最大の横寸法と、少なくとも1センチメータの最小限の横寸法がある。他の実施形態において、この種プレートは、少なくとも3センチメータの最小限の横寸法、少なくとも4センチメータの最小限の横寸法、少なくとも5センチメータの最小限の横寸法、少なくとも6センチメータの最小限の横寸法、少なくとも8センチメータの最小限の横寸法、少なくとも10センチメータの最小限の横寸法がある。いくつかの実施形態において、この種プレートは、ガリウムナイトライドのバルク単結晶で構成されている。さらに、いくつかの実施形態において、この種プレートは、水素化物気相成長によって形成された結晶から用意されている。他の実施形態において、この種プレートは、アンモノサーマル法によって成長された結晶から用意されている。他の実施形態においても、この種プレートは、流動的な溶液から成長した結晶から形成されている。いくつかの実施形態において、この種プレートの大きな表面領域の転位密度は、およそ106cm2以下である。いくつかの実施形態において、この種プレートの大きな表面領域の転位密度は、およそ105cm2以下、およそ104cm2以下、およそ103cm2以下、あるいは、およそ102cm2以下である。いくつかの実施形態において、大きな表面領域の結晶方位に関するX線の回折線の半値幅は、300アーク秒より、150アーク秒より、100アーク秒より、50アーク秒より、40アーク秒より、30アーク秒より、あるいは、20アーク秒よりも小さい。ある特定の実施形態において、種プレートの大きな表面領域の結晶方位は、1010m面のおよそ5度、およそ2度、およそ1度、およそ05度、およそ02度、あるいは、およそ01度の範囲内である。他の特定の実施形態において、種プレートの大きな表面領域の結晶方位は、c面のおよそ5度、およそ2度、およそ1度、およそ05度、およそ02度、あるいは、およそ01度の範囲内である。さらに、他の特定の実施形態において、種プレートの大きな表面領域の結晶方位は、1120a面のおよそ5度、およそ2度、およそ1度、およそ05度、およそ02度、あるいは、およそ01度の範囲内である。いくつかの実施形態において、この種プレートは、半極性の大きな表面配向を有しており、BravaisMillerによって規定されている。この場合、iであって、Iは零ではなく、hとkの少なくとも1つは零ではない。いくつかの実施形態において、種プレートの大きな表面領域の結晶方位は、110±1、110±2、110±3、202±1、あるいは、112±2のおよそ5度、およそ2度、およそ1度、およそ05度、およそ02度、あるいは、およそ01度の範囲内である。一つ以上の種プレートは、米国特許出願番号12534844に記載されている通り、シードラックに加えられる。ここで、米国特許出願番号12534844は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。もし、種プレートの前面と背面が、c平面、あるいは、半極性配向として、結晶的に等価ではない場合において、二つの種プレートは、外部表面が結晶的な配向が等価になるように、背面同士を向き合うように配置する。米国特許出願番号6112233には、多結晶のIII族メタルナイトライド、または、ガリウムナイトライドを含む物質が開示されており、この出願は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。多結晶のIII族メタルナイトライドは、III族メタルナイトライド物質中に酸素原子を含み、III族金属酸化物、または、III族メタルナイトライド中の置換型不純物で、10ppm以下、1ppm以下、01ppm以下のものとして提供される。多結晶のIII族メタルナイトライドは、III族金属に関して少なくとも100ppmのレベルのゲッターから構成されており、このゲッターは、少なくとも、アルカリ土類金属、スカンジウム、チタニウム、バナジウム、クロミウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオビウム、レアアースメタル、ハフニウム、タンタル、および、タングステンから選択される。多結晶のIII族メタルナイトライドは、さらに、およそ1014cm3からおよそ1020cm3のレベルの補整的ドーパントから構成され、この補整的ドーパントは、少なくとも、V、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、および、Hgの中から選択される。補整的ドーパントは、多結晶のIII族メタルナイトライド中に、少なくともV、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、CdおよびHgのうちの一つを、プロセス前、あるいは、プロセス中に、ガリウム、あるいは、III族金属に加えることによって作られる。このガリウム、あるいは、III族金属は、多結晶のメタルナイトライドを生成する水素ハロゲン化合物の存在によって、アンモニアと反応する。多結晶のIII族メタルナイトライドは、米国特許番号6656615、7125453、7078731、および、米国特許出願番号12133365に記載されている、オートクレーブ、あるいは、カプセルの中のバスケットに配置されている。これらの出願は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。アンモニアと鉱化剤、たとえば、アルカリ金属、アミド、ナイトライド、あるいは、アジド、アルカリ土類金属、アミド、ナイトライド、あるいは、アジド、フッ化アンモニウム、塩化アンモニウム、aIII族金属フッ化物、III族金属塩化物、あるいは、III族金属、アンモニア、HF、および、HCl間の反応生成物の少なくとも一つは、オートクレーブ、あるいは、カプセルに配置されている。いくつかの実施形態において、ゲッターも、オートクレーブ、あるいは、カプセルに配置されている。添加されたゲッターは、多結晶のIII族ナイトライドに存在する、ゲッター組成に加えて、配置される。添加されたゲッターは、アルカリ土類金属、Sc、Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Hf、Ta、W、レアアースメタル、および、それらのナイトライド化合物、ハロゲン化合物、酸化ナイトライド化合物、酸化ハロゲン化合物、アミド類、イミド類、および、アジド類の少なくとも一つから構成されている。ある特定の実施形態において少なくともゲッターの一部分は、金属の状態で加えられ、少なくとも鉱化剤の一部分は、ゲッター金属とアンモニアの反応によって生成された水素と、アジドの分解によって生成された窒素は、およそ31の割合で存在し、そのような割合で、アジドとして加えられる。このことは、米国特許出願番号61086799に記載されており、この出願は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。添加されたゲッターは、意図しない不純物の除去に有効であり、たとえば、鉱化剤、あるいは、他の原材料の中に存在する酸素がある。一連の実施形態において、鉱化剤は、アルカリ金属からなり、ゲッターは、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、ScY、レアアースメタル、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wのナイトライド、イミド、あるいは、アミドからなる。他の一連の実施形態において、鉱化剤は、Clからなり、ゲッターは、Sc、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta、Wのナイトライド、塩化物、酸化ナイトライド、あるいは、酸塩化物からなる。さらに他の一連の実施形態において、鉱化剤は、Fからなり、ゲッターはCr、Zr、Nb、Hf、Ta、Wのナイトライド、フッ化物、酸化ナイトライド、あるいは、酸化フッ化物からなる。最終的に、原材料は、オートクレーブ、あるいは、カプセルに加えられ、オートクレーブ、あるいは、カプセルは、密封される。カプセルが用いられた場合に、適切な高い圧力装置の内部に配置される。ある実施形態において、高圧装置は、オートクレーブから構成される。オートクレーブに関しては、米国特許番号7335262に記載されており、この出願は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。他の実施形態において、高圧装置は、内部加熱式の高圧装置であり、この技術は、米国特許番号7125453、米国特許出願番号20060177362A1、および、12133364に記載されており、この出願は本発明の一部として、その記載のすべてが参酌されるべきである。多結晶のIII族メタルナイトライドとシード結晶は、超臨界アンモニアで、およそ400°Cよりも高い温度、およそ02ギガパスカルで、多結晶のIII族メタルナイトライドの少なくともある部分がエッチング処理され、少なくともウルツ鉱型構造のIII族ナイトライド結晶の上に再結晶化される。いくつかの実施形態においては、本発明の多結晶のIII族メタルナイトライドは、温度がおよそ500°C以上、550°C以上、600°C以上、650°C以上、700°C以上、または、750°C以上の超臨界アンモニア中でプロセッシングされる。いくつかの実施形態においては、本発明の多結晶のIII族メタルナイトライドは、圧力がおよそ03GPa以上、04GPa以上、05GPa以上、06GPa以上、07GPa以上、または、08GPa以上の超臨界アンモニア中でプロセッシングされる。多結晶のIII族メタルナイトライドのゲッターの残余は、次第に、溶液中に溶け出し、多結晶のIII族メタルナイトライドとしてエッチされる。一度、溶液化すると、ゲッターは反応し、ゲッターメタルナイトライド、アミド、あるいは、ハロゲン化合物となる。ゲッターは、さらに、化学的に酸素と結合する。ゲッターは、超臨界アンモニア溶液から残余の酸素を除き、純度と透明度を改善させ、補整的ドーパントを低濃度において、半絶縁性を出したIII族ナイトライド単結晶を成長させることが可能となる。アンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドは、ウルツ鉱型構造によって、特徴付けられる。このウルツ鉱型構造は、実質的に立方体要素が使われておらず、光吸収係数は、波長がおよそ385ナノメータから750ナノメータの間で、およそ2cm1以下である。アンモノサーマル法による成長でガリウムナイトライド結晶は、およそ5センチメータよりも長い結晶構造の基板部材からなり、ウルツ鉱型構造と、ウルツ鉱型構造と比較し、体積がおよそ01以下の実質的に他の結晶構造を含まないようになっている。そして、不純物濃度は、1014cm3より、1015cm3より、1016cm3よりも高い、少なくとも、Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、F、Clの中の一つからなっている。光吸収係数は、およそ385ナノメータから750ナノメータの間の波長で、およそ2cm1以下である。アンモノサーマル法による成長で、ガリウムナイトライド結晶は、室温で抵抗が105Ωcm以上、106Ωcm以上、107Ωcm以上、108Ωcm以上、109Ωcm以上、1010Ωcm以上、1011Ωcm以上、1012Ωcm以上の半絶縁性となる。アンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドは、一つ以上の補整的ドーパンの濃度によって、特徴付けられる。この濃度は、およそ1014cm3以下、およそ1015cm3以下、およそ1016cm3以下、およそ1017cm3以下、およそ1018cm3以下、およそ1019cm3以下である。補整的ドーパントは、少なくともV、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、および、Hgから選択される。好ましい実施例においては、アンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドにおける補整的ドーパントの濃度は、酸素とシリコンの濃度の合計よりも大きい。アンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドの光吸収係数は、およそ395nmから460nmの間の波長で、およそ10cm1以下、およそ5cm1以下、およそ2cm1以下、およそ1cm1以下、およそ05cm1以下、およそ02cm1以下、およそ01cm1以下である。適切な期間、成長させることによって、半絶縁性のアンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドは、厚さがおよそ1ミリメータよりも厚く、長さ、あるいは直径がおよそ20ミリメータよりも長くなる。好ましい実施形態において、長さは、およそ50ミリメータ、あるいは、およそ100ミリメータよりも大きい。成長後、アンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライドは、スライスされ、研磨され、一枚以上のウエハ、あるいは、結晶構造の基板部材の形成においてすでに知られた化学的機械的に研磨される。好ましい実施形態において、少なくとも一つのウエハ、あるいは、結晶構造の基板部材の二乗平均平方根表面粗さは、およそ1ナノメータ以下であり、たとえば、原子間力顕微鏡法にて計測された値は、少なくともおよそ10マイクロメータx10マイクロメータとなる。半絶縁性のアンモノサーマル法による結晶成長III族メタルナイトライド結晶、あるいは、結晶からスライスされ研磨されたウエハは、発光ダイオード、レーザーダイオード、光センサー、アバランシェフォトダイオード、トランジスタ、整流器、サイリスタの少なくとも一つのオプトエレクトロニクス、および、電気デバイスを形成する基板に用いられ、そして、トランジスタ、整流器、ショットキー整流器、pinダイオード、金属半導体金属ダイオード、高電子移動度トランジスタ、金属半導体電界効果トランジスタ、金属酸化膜電界効果トランジスタ、パワーモス電界効果トランジスタ、パワーミス電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、金属絶縁体電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、パワー絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、パワー垂直接合電界効果トランジスタ、カスコードスイッチ、インナーサブバンドエミッタ、量子井戸赤外光検出器、量子ドット赤外光検出器、ソーラーセル、光電気化学的な水分解および水素発生のためのダイオードの少なくとも一つに用いられている。上述に記載した詳細な説明の全ての記載に対して、様々な修正や、代替物および均等物の利用は、本発明の範囲内である。そのため、上述の記載および図面は、請求の範囲によって規定される本発明の範囲を何ら限定するものではない。