堆積装置200の回転ターゲット10を担持するためのエンドブロック100、101であって、前記堆積装置200の非回転部分230、231に剛体的に連結されるように構成されたベース本体110であって、円筒状空洞部113を備えるベース本体110と、前記円筒状空洞部113内に同軸方向に挿入された冷媒チューブ114と、前記ベース本体110の周囲に配置され、回転軸50を画定する、少なくとも1つの回転軸受140、141と、前記回転ターゲット10を受けるように構成され、前記少なくとも1つの回転軸受140、141の周囲に配置された、ロータ120とを備え、前記円筒状空洞部113は、前記回転軸50に対して同軸方に配置される、エンドブロック100、101。前記少なくとも1つの回転軸受140、141は、環状テーパころ軸受140、141である、請求項1に記載のエンドブロック100、101。前記少なくとも1つの回転軸受140、141は、事前応力を受けた軸受140、141である、請求項1または2に記載のエンドブロック100、101。前記回転軸50の方向において相互に離間され、前記ベース本体110と前記ロータ120との間に配置された、2つの環状テーパころ軸受140、141を備える、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。前記ベース本体110と前記ロータ120との間に配置され、前記2つの環状テーパころ軸受140、141を相互に対して固定する、環状スロット付き丸ナット142をさらに備える、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。前記ロータ120は、前記回転ターゲット10を機械的に支持するように構成されたターゲットフランジ121を、前記回転軸50の方向において上方端部112に備える、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。前記回転軸50に対して垂直に配向され前記ベース本体110に固定された絶縁プレート116を、前記回転軸50の方向において下方端部111に備える、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。前記ロータ120は、前記回転軸50の方向において前記ターゲットフランジ121の対向側に配置された集電プレート122を備える、請求項7に記載のエンドブロック100、101。前記集電プレート122と前記絶縁プレート116との間に冷媒供給/排出ユニット130をさらに備える、請求項8に記載のエンドブロック100、101。前記集電プレート122と前記絶縁プレート116との間に電気支持ユニット130をさらに備える、請求項8または9に記載のエンドブロック100、101。前記ターゲットフランジ121と前記ベース本体110との間に配置された少なくとも1つの環状摺動流体シール117をさらに備える、請求項6ないし10のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。回転ドライバ150をさらに備え、前記ロータ120は、前記ターゲットフランジ121に真空気密的に装着され、前記回転ドライバ150に機械的に連結された、軸受ハウジング123をさらに備える、請求項6ないし11のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。前記絶縁プレート116に固定され、前記堆積装置200の前記非回転部分230、231に固定されるように構成された、外側ハウジング125をさらに備える、請求項7ないし12のいずれか一項に記載のエンドブロック100、101。非回転部分230、231を備えるプロセスチャンバ220と、前記非回転部分230、231に取り付けられた請求項1ないし13のいずれか一項に記載の少なくとも1つのエンドブロック100、101とを備える、堆積装置200。前記プロセスチャンバ220は、前記回転軸50が前記壁部231に対して平行となるように前記少なくとも1つのエンドブロック100、101が装着された壁部231を備える、請求項14に記載の堆積装置。図面の要素同士は、互いに対して必ずしも縮尺通りではない。同様の参照数字は、対応する同様のパーツを指す。次に、1つまたは複数の例が各図面に図示される様々な実施形態を詳細に参照する。これらの各例は、例示として提示するものであり、限定的なものとして意図されない。例えば、ある実施形態の一部として図示または説明される特徴が、他の実施形態においてまたは他の実施形態と組み合わせて用いられることにより、さらに他の実施形態を生み出すことが可能である。本開示は、かかる変更形態および変形形態を含むように意図される。スパッタリングは、エネルギー粒子がターゲットに衝突することにより、この固体ターゲット材料から原子が放出されるプロセスである。この剥離物としての材料で基板を被覆するプロセスが、一般的には薄膜塗布を指す。被覆という用語および堆積という用語は、本明細書においては同義的に用いられる。スパッタリング装置および堆積装置という用語は、本明細書においては同義的に用いられ、基板の上に典型的には薄膜としてターゲット材料を堆積するためにスパッタリングを利用する装置を包含するものとする。典型的なターゲット材料には、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag、および金Auなどの純金属、アルミニウム-ニオビウムAlNb合金またはアルミニウム-ニッケルAlNi合金などの金属合金、シリコンSiなどの半導体材料、ならびに窒化物、炭化物、チタン酸塩、ケイ酸塩、アルミン酸塩、および酸化物、特に上述の材料の窒化物、炭化物、チタン酸塩、ケイ酸塩、アルミン酸塩、および酸化物などの誘電体材料が含まれるが、これらに限定されない。例えば、ZnO:Al、AlZnO、In2O3、SnO2、およびCdOなどの不純物ドープされたZnO、ならびにSnドープされたIn2O3ITOおよびFドープされたSnO2などの、透明導電性酸化物TCOがある。本明細書においては、基板という用語は、例えばウエハまたはガラスプレートなどの非フレキシブル基板、ならびにウェブおよびフォイルなどのフレキシブル基板の両方を包含するものとする。代表的な例には、半導体材料、誘電体材料、半導体デバイス、誘電体デバイス、シリコンベースウエハ、フラットパネルディスプレイTFTなど、マスクおよびフィルタ、エネルギー変換およびエネルギー貯蔵光電池、燃料電池、および電池など、固体照明LEDおよびOLEDなど、磁気ストレージおよび光学ストレージ、微小電気機械システムMEMSおよびナノ電気機械システムNEMS、微小光学システムおよび光電気機械システム、微小光学デバイスおよび光電子デバイス、透明基板、建築用ガラスおよび自動車用ガラス、金属フォイル、ポリマーフォイル、金属パッケージング、およびポリマーパッケージング用のメタライゼーションシステム、ならびに微小成形およびナノ成形を含む適用例が含まれるが、これらに限定されない。図1Aに関連して、エンドブロックに関係する実施形態を説明する。本明細書においては、エンドブロックという用語は、スパッタリング装置の非回転部分に、典型的には壁部、フラップ、またはドアに取り付けられるように構成された、および回転ターゲットに回転動作を伝達するように構成された、デバイスを包含するものとする。エンドブロック、カソードドライバヘッド、およびカソードドライバブロックという用語は、本明細書においては同義的に用いられる。特に、本明細書においては、エンドブロック、カソードドライバヘッド、およびカソードドライバブロックという用語は、真空完全性および閉冷媒回路を維持しつつ、回転ターゲットに冷媒および/または電流をさらに供給するデバイスを包含するものとする。回転ターゲットの長手方向長さが最長で約1.5m、最長で約2.5m、または最長で約4mであり、スパッタリング装置の典型的な連続作動時間が数日であることを前提とすると、エンドブロックの軸受は、高重量の機械的負荷を長期間にわたり確実に支持することが、一般的に要求される。本明細書においては、回転ターゲットという用語は、スパッタリング装置に回転自在に取り付けられるように構成され、スパッタリングされるように構成されたターゲット構造体を備える、任意のカソードアセンブリを包含するものとする。特に、本明細書においては、回転ターゲットという用語は、スパッタリングを改善するための例えば永久磁石などの内部磁気手段をさらに備える、磁気カソードアセンブリを包含するものとする。以下においてはそれぞれ回転自在スパッタリングカソードおよび回転カソードとも呼ばれる回転ターゲットは、ターゲット材料の中空円筒状本体から構成されてもよい。また、これらの回転ターゲットは、モノリシックターゲットとも呼ばれ、ターゲット材料を注型または焼結することにより製造され得る。一般的には、非モノリシックの回転ターゲットには、ターゲット材料の層が外方表面に塗布された、例えばバッキングチューブなどの円筒状の回転自在なチューブが含まれる。かかる回転自在なスパッタリングカソードの製造においては、ターゲット材料は、例えばバッキングチューブの外方表面上に粉末をスプレー塗布、注型、または静水圧プレス加工することによって塗布され得る。あるいは、ターゲットチューブとも呼ばれることのあるターゲット材料の中空シリンダが、バッキングチューブの上に配置され、例えばインジウムなどで接合されて、回転カソードを形成することもできる。さらに他の代替形態によれば、非接合ターゲットシリンダが、バッキングチューブのラジアル方向に外方に設けられてもよい。堆積速度を上昇させるために、磁気カソードの使用が提案されてきた。これは、マグネトロンスパッタリングとも呼ばれる場合がある。磁石のアレイを備え得る磁気手段が、例えばバッキングチューブの内部またはモノリシックターゲットの内部など、スパッタリングカソードの内部に配置され、磁気スパッタリング用の磁場を生成することができる。カソードは、典型的には、磁気手段に対して回転され得るように、その長手方向軸を中心として回転自在である。実施時には、非冷却磁石が、高温になる場合がある。これは、これらの磁石が、イオンの衝突を受けたターゲット材料によって囲まれているからである。この結果の衝突により、回転カソードが加熱される。磁石を適切な作動温度に維持するために、ターゲット材料および磁石の冷却が実施されてもよい。図1Aは、スパッタリングの際に回転ターゲット図示せずが回転し得る中心の回転軸50に沿った、エンドブロック100の典型的な概略断面図を示す。さらに、この回転軸50は、エンドブロック100の長手方向軸50を形成し、軸方向を画定する。これに関連して、上部、下部、上方、下方、上、下、~の上に接して、等々の方向に関する術語は、回転軸50の配向に対して用いられる。本明細書においては、軸方向荷重という用語は、回転軸50の方向における荷重および力のそれぞれを示すように意図される。したがって、本明細書においては、ラジアル方向荷重という用語は、回転軸50に対して実質的に直角の方向における荷重および力のそれぞれを示すように意図される。同様に、本明細書においては、ラジアル方向という用語は、回転軸50に対して実質的に直角である方向を示すように意図される。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得る一実施形態によれば、エンドブロック100は、ベース本体110、ベース本体110の周囲に配置された回転軸受140、および回転軸受140の周囲に配置され連結された軸受ハウジング123を備える。軸受ハウジング123は、スパッタリング用の回転ターゲットを担持するロータの一部を形成する。スパッタリングの際に、ベース本体110は、堆積装置図示せずの非回転部分に、典型的には例えば堆積装置の壁部などに取り付けられたエンドブロック100の外側ハウジングに、剛体的に連結される。非回転ベース本体110の周囲に、回転ターゲットを機械的に支持するように構成されたロータを配置することにより、エンドブロック100のコンパクトかつ省スペースな設計が得られる。図1に関連して、エンドブロック100の複数の実施形態を説明する。図1は、スパッタリングの際に回転ターゲット図示せずが回転し得る中心の回転軸50に沿ったエンドブロック100の典型的な概略断面図を示す。典型的には、エンドブロック100は、外側ハウジングを備える。図示する断面図においては、外側ハウジングの下方壁部126および上方壁部127の一部のみが示される。スパッタリングの際に、外側ハウジングは、典型的には、スパッタリングを中で実施するプロセスチャンバに対して回転しない。プロセスチャンバは、典型的には、低圧チャンバであり、以下においては真空チャンバとも呼ぶ。外側ハウジングは、例えば、プロセスチャンバの壁部に装着されてもよい。安定化の目的により、外側ハウジングは、典型的には、例えば鋼、ステンレス鋼、またはアルミニウムなどの金属から構成される。いくつかの実施形態によれば、エンドブロック100は、外側ハウジングの下方壁部126に剛体的に連結された、典型的には中空ベース本体110であるベース本体110を有する。したがって、ベース本体110は、スパッタリングの際にプロセスチャンバに対しても回転しない。換言すれば、ベース本体110は、典型的には、堆積装置の非回転部分に剛体的に連結される。典型的には、ベース本体110内に、回転ターゲット用の流体支持体が設けられる。いくつかの実施形態によれば、回転軸50に対して同軸である円筒状空洞部113が、ベース本体110内に形成される。典型的には、冷媒チューブ114が、この円筒状空洞部113内に同軸方向に挿入される。さらに、中空円筒状空間115が、冷媒チューブ114とベース本体110の内方壁部との間に形成される。冷媒チューブ114および空間115は、例えば水などの冷媒で回転ターゲットを支持するために使用され得る。典型的には、冷温の冷媒が、空間115内へと上方に流れ、加温された冷媒が、冷媒チューブ114内へと下方に流れる。また、冷媒の流れ方向は、反転されてもよい。いくつかの実施形態によれば、軸受システム149が、ベース本体110の周囲に配置される。軸受システム149は、典型的には、回転軸に対して同軸状であり、すなわち、軸受システム149が、回転軸50を決定する。いくつかの実施形態によれば、ロータ120が、軸受システム149の周囲に配置される。ロータ120は、回転ターゲットを受けるように構成された外側ハウジングの外部の上方部分に位置する。これにより、回転ターゲットは、この回転軸を中心として回転され得る。典型的には、ロータ120は、回転ターゲットに機械的支持を与え、すなわち、ロータ120は、典型的には、回転ターゲットを担持し、スパッタリングの際に回転ターゲットに回転動作を伝達する。回転ターゲットを機械的に支持するように構成されたロータ120を、非回転ベース本体110の周囲に配置することにより、エンドブロック100のコンパクトで省スペースな設計が得られる。これにより、プロセスチャンバ内のスペース、したがってコストが、削減され得る。いくつかの実施形態によれば、軸受システム149は、スパッタリングの際の回転ターゲットの動作から生ずるラジアル方向荷重および軸方向荷重の両方を支持するように構成される。典型的には、軸受システム149は、例えば1つの環状テーパころ軸受などの、少なくとも1つのテーパころ軸受を備える。テーパころ軸受は、ラジアル方向荷重および軸方向荷重の両方を支持し、典型的には、接触面積がより広いことにより、例えば玉軸受などよりも高い荷重を支持することが可能である。いくつかの実施形態によれば、ロータ120は、軸受システム149の周囲に配置され連結された、軸受ハウジング123を備える。回転軸50に対して直角であり、軸受システム149を貫通する典型的な断面図により、軸受ハウジング123、冷媒チューブ114、およびベース本体110の環状断面図が示され得る。いくつかの実施形態によれば、ロータ120に回転動作を伝達するために、歯車151が、軸受ハウジング123の周囲に配置され固定される。典型的には、歯車151は、図1に示すように下方部分に固定されるか、または軸受ハウジング123の中間部分に固定される。これにより、例えばベルトなどを介した、歯車151と外側ハウジングを貫通する回転電気ドライバとの間の機械的結合が容易になる。いくつかの実施形態によれば、ターゲットフランジ121が、軸受ハウジング123の上に配置され、真空気密的に取り付けられる。典型的には、Oリングシール13が、軸受ハウジング123とターゲットフランジ121との間に配置される。ターゲットフランジ121および軸受ハウジング123が、典型的には相互に対して回転不能に結合されることにより、ターゲットフランジ121の上部上に取り付けられた回転ターゲットは、回転電気ドライバにより回転され得る。典型的には、スパッタリングの際に、少なくとも上方部分またはターゲットフランジ121が、外側ハウジングの外部に配置され、すなわち低圧環境または真空環境の中に配置される。それとは異なり、外側ハウジングの内部スペースは、典型的には、常圧下および/またはプロセスチャンバより高い圧力下にある。ガス交換を回避するために、いくつかの実施形態によれば、シールキャリア124が、外側ハウジングの上方壁部127とロータ120との間に真空気密的に配置される。典型的な一実施形態においては、摺動環状真空シール118が、シールキャリア124と軸受ハウジング123との間に配置される。また、シールキャリア124は、軸受ハウジング123に装着されてもよく、摺動環状真空シールは、シールキャリア124と外側ハウジングの上方壁部127との間に配置されてもよい。いくつかの実施形態によれば、例えば流体シール117などの2つの環状摺動シール117が、ターゲットフランジ121とベース本体110との間に配置される。少なくとも1つの環状摺動流体シールを使用することにより、冷媒、軸受グリス、および真空潤滑剤のそれぞれの交換が回避される。これにより、軸受システム149は、冷媒の透過から保護される。さらに、冷却システム内へのグリスの透過が回避される。いくつかの実施形態によれば、集電プレート122が、ロータ120の下方端部にて、すなわちターゲットフランジ121の対向側にて、軸受ハウジング123に対して取り付けられる。また、典型的には、集電プレート122は、回転軸50に対して直角である断面が環状形状である。集電プレート122は、典型的には、回転ターゲットに電流を伝達するために使用される。本明細書において説明する他の実施形態と組合せ可能であるいくつかの実施形態によれば、冷媒ユニット/電気支持ユニット組合体130が、集電プレート122の下方に配置される。この組合せユニット130は、ベース本体110に対して回転不能であり、ベース本体110を貫通する排出チューブ131および少なくとも1つの冷媒供給チューブ132図3を参照の両方を備える。さらに、摺動電気コンタクト135が、組合せユニット130の主要本体133の上に配置され、この主要本体133から突出し、集電プレート122と接触状態にある。これにより、回転ターゲットは、電気的流体支持を備えることができる。いくつかの実施形態によれば、回転軸50に対して垂直に配向された絶縁プレート116が、典型的にはねじ204により、ベース本体110の下方部分119に固定される。これにより、エンドブロック100の内方部分、すなわちベース本体110が、外側ハウジングに対して絶縁されるとともに、回転不能に取り付けられる。いくつかの実施形態によれば、絶縁プレート116は、下方壁部126に対して固定、典型的にはねじ固定されることにより、外側ハウジングにおけるベース本体110を安定化させ、外側ハウジングに対して回転軸50を固定する。絶縁プレート116および下方壁部126は、追加のねじを使用して一体的にねじ固定されてもよい。あるいはおよび/またはさらには、図示するねじ204は、下方壁部126内に少なくとも部分的に延在してもよい。この場合には、ねじ204は、典型的にはベース本体110の下方部分119に対して絶縁される。図2は、回転軸50に沿ったエンドブロックのターゲットフランジ121に対して取り付けられた回転ターゲット10の概略断面図を示す。いくつかの実施形態によれば、ターゲットフランジ121および回転ターゲット10は、相互に同軸状である。本明細書においては、回転ターゲットという用語は、スパッタリング装置に回転自在に取り付けられるように構成され、スパッタリングされるように構成されたターゲット構造体を備える、任意のカソードアセンブリを包含するものとする。特に、本明細書においては、回転ターゲットという用語は、スパッタリングを改善するための例えば永久磁石などの内部磁気手段をさらに備える、磁気カソードアセンブリを包含するものとする。典型的には、回転ターゲット10は、バッキングチューブ11およびこのバッキングチューブ11の上に配設されたターゲットチューブ12を備える。本明細書においては、ターゲットチューブという用語は、具体的には、スパッタリングされるのに適した材料からなる中空シリンダとして形成された、任意のシェルを包含するものとする。ターゲットチューブの支持体は、電気コンタクトを形成し、ターゲットチューブおよびオプションの磁石を冷却する、機械的支持体を備えてもよい。あるいは、回転ターゲットは、モノリシックターゲットであってもよい。この場合には、回転ターゲットの形状は、図2に示す回転ターゲット10の形状と同様であってもよい。この場合には、図示する隣接し合う領域11および12は、典型的には、同一材料からなる単純連結された領域を形成する。回転ターゲットの支持体は、電気コンタクトを形成し、ターゲットチューブおよびオプションの磁石を冷却する、少なくとも1つの機械的支持体を備えてもよい。典型的には、回転ターゲット10は、回転ターゲット10をターゲットフランジ121へと押しやる環状クランプ15を使用して、ターゲットフランジ121の上方部分に取り付けられる。Oリングシール13aが、典型的には、ターゲットフランジ121と、バッキングチューブ11および回転ターゲット10の隣接し合う部分との間に配置される。したがって、回転ターゲット10は、ターゲットフランジ121に対して真空気密的に取り付けられる。いくつかの実施形態によれば、回転ターゲット10は、ターゲットフランジ121の上方部分に真空気密的に取り付けられる。これは、典型的には、環状シーリング図示せずによって実現される。これにより、低圧プロセスチャンバへの流体の漏れが防止される。いくつかの実施形態によれば、回転ターゲット10は、回転ターゲット10を、特に回転ターゲット10内部に設けられたオプションの磁石図示せずを冷却するために、エンドブロックの冷媒チューブ114に液密的に取り付けられた管状内部構造体16を備える。また、スパッタリングの際に回転ターゲット10をカソードとして作動させるために、回転ターゲット10の少なくとも1つの電源図示せずが、典型的にはターゲットフランジ121を貫通して設けられる。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わせられ得るいくつかの実施形態によれば、ターゲットフランジは、回転ターゲットを機械的に支持するように構成される。さらに、ターゲットチューブ用の冷媒および電源が、ターゲットフランジを貫通して設けられてもよい。図3は、図1の線A-A’に沿ったエンドブロック100の概略断面図を示す。いくつかの実施形態によれば、エンドブロック100は、集電プレートと絶縁プレートとの間に配置された冷媒供給/排出ユニット130を備える。図3の断面は、冷媒供給/排出ユニット130を通る断面に対応する。典型的には、冷媒供給/排出ユニット130は、軸50に対して実質的に垂直である平面内においてベース本体110およびユニット130の主要本体133を貫通して通される、排出チューブ131と2つの冷媒供給チューブ132とを備える。排出チューブ131は、冷媒チューブ114の開口内へと続き、冷媒供給チューブ132は、ベース本体110と冷媒チューブ114との間に形成された環状冷媒空間115内へと続く。実線矢印により示されるように、冷媒は、供給チューブ132へと供給され得る。スパッタリングの際には、冷媒は、典型的には、供給チューブ132を通り、冷媒空間115内へと上方に、回転ターゲットまで流れる。典型的には、加温された冷媒の逆流が、冷媒チューブ114を通り下方へと進み、破線矢印により示されるように、排出チューブ131を通りラジアル方向へと排出される。これにより、閉冷媒回路が、回転ターゲットに対して設けられ得る。また、閉冷媒回路内の流れ方向は、反転されてもよい。典型的には、冷媒供給/排出ユニット130は、ベース本体110の下方部分119に冷媒供給/排出ユニット130を固定、典型的にはねじ固定するための貫通穴を、ラジアル方向外方部分に備える。冷媒供給/排出ユニット130の上部上に、摺動電気コンタクトが設けられる。この摺動電気コンタクトは、図3の断面の上方に設定され、したがって図示されない。また、明瞭化の理由により、摺動コンタクト用の支持構造体も図示されない。摺動電気コンタクトおよびそれらの支持構造体は、典型的には、電気支持ユニットを形成する。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、エンドブロックは、集電プレートと絶縁プレートとの間に配置された冷媒供給/排出ユニットおよび/または電気支持ユニットを備える。エンドブロックは、例えば、電気支持ユニットおよび冷媒供給/排出ユニットの機能を統合した組合せユニットを備えてもよい。図4は、いくつかの実施形態による回転軸50に沿ったエンドブロックの概略断面図を示す。図4のエンドブロック101は、図1のエンドブロック100に類似する。図4における要素の殆どが、図1における対応する要素に類似する。明瞭化のために、これらの要素は、同一の各参照番号を用いて指示される。いくつかの実施形態によれば、エンドブロック101は、スパッタリング装置の非回転部分に剛体的に結合されるように構成されたベース本体110を備える。エンドブロック101は、ベース本体110の周囲に回転自在に取り付けられ、回転ターゲットを受けるように構成された、ロータ120をさらに備える。したがって、回転ターゲットは、図1のエンドブロックのターゲットフランジに関して図2を参照として説明したように、エンドブロック101のターゲットフランジ121に固定され得る。また、典型的には、エンドブロック101は、真空完全性および閉冷媒回路を維持しつつ、回転ターゲットに動作、冷媒、および電流を回転自在に伝達する。したがって、図3は、図4の線AA’に沿った断面にも対応する。いくつかの実施形態によれば、エンドブロック101は、ベース本体110とロータ120との間に配置され、軸方向において互いに離間された、2つの環状回転軸受140および141を備える。2つの回転軸受140および141を使用することにより、軸受システムの特にコンパクトなかつ比較的軽量の設計が可能になる。典型的には、2つの回転軸受140および141の少なくとも一方が、ラジアル方向荷重および軸方向荷重の両方を支持するように構成される。いくつかの実施形態によれば、環状スロット付き丸ナット142が、ベース本体110とロータ120との間に配置される。環状スロット付き丸ナット142は、典型的には回転軸受141を押圧し、したがってベース本体110に対してロータ120を固定する。これにより、典型的には長い回転ターゲットの安定的な支持が可能となる。いくつかの実施形態によれば、ねじ204は、各絶縁ワッシャ206によりベース本体110の下方部分119に対して絶縁される。したがって、ねじ204は、外側ハウジングの下方壁部126をベース本体110に電気的に接続することなく、下方壁部126内に延在し得る。図5は、いくつかの実施形態による図4の断面の1セクションを概略的に示す。2つの回転軸受140および141はそれぞれ、内方リング143および146、外方リング144および147、ならびに円すいレース上を走る円すいころ145および148のそれぞれを備える。換言すれば、いくつかの実施形態によれば、回転軸受140および141は、環状テーパころ軸受である。これらの設計により、テーパころ軸受140および141は、ラジアル方向荷重および軸方向荷重の両方を支持する。いくつかの実施形態によれば、円すいころ145および148の傾斜は、回転軸50に対して相対角となるが、典型的には同一の絶対値である。これにより、軸受システムは、正および負の両方の軸方向荷重を等しく十分に支持することが可能となる。内方リング143および146は、ベース本体110に固定され、外方リング144および147は、軸受ハウジング123に固定される。換言すれば、軸受140および141は、ベース本体110の周囲に配置され、ロータ120は、軸受140および141の周囲に配置される。いくつかの実施形態によれば、環状スロット付き丸ナット142が、回転軸受141を押圧する。これにより、回転軸受141は、事前応力を受ける。また、さらに、これにより、軸受ハウジング123による回転軸受140の事前応力をもたらす。これにより、典型的には長い回転ターゲットの安定的な支持が可能となる。図6は、いくつかの実施形態による回転軸50に沿ったスパッタリング装置200の概略断面図を示す。スパッタリング装置200は、典型的には、壁部231および232により形成されるプロセスチャンバ220を備える。典型的な実施形態によれば、これにより、カソード、ターゲット、バッキングチューブ、または軸受の軸50は、エンドブロック100、101が装着される壁部231に対して実質的に平行になる。これにより、カソードのドロップイン構成が実現される。いくつかの実施形態によれば、先述の図面を参照として説明したように、少なくとも1つのエンドブロック100または101は、エンドブロック100、101のベース本体110がプロセスチャンバ220の壁部231に対して回転自在とはならないように、プロセスチャンバ220内に取り付けられる。ベース本体110は、典型的には、絶縁プレート116を介して、およびプロセスチャンバ220のフラップまたはドア230に対して固定される。スパッタリングの際には、フラップまたはドア230は、閉じられる。したがって、ベース本体110は、典型的には、スパッタリング中には静止状態であり、少なくとも回転不能である。あるいは、外側ハウジング125は、プロセスチャンバ220の壁部231に直接的に固定されてもよい。いくつかの実施形態によれば、回転ドライバ150、典型的には電気ドライバが、取付け支持体152によりプロセスチャンバ220の外部に配置される。しかし、回転ドライバ150は、外側ハウジング125内に配置されてもよい。典型的には、回転ドライバ150は、スパッタリングの際に、回転ドライバ150のモータ軸154、このモータ軸154およびピニオン153の周囲にループするチェーンまたは歯付きベルト図示せずに連結されるピニオン153、ならびにロータ120の軸受ハウジング123に装着される歯車151を介して、回転ターゲット10を駆動する。典型的には、冷媒支持チューブ134および/または電気支持体ライン134は、冷媒供給/排出ユニット130および/または電気支持ユニット130から外側ハウジング125を通りプロセスチャンバ220の外部まで通される。回転ターゲット10は、典型的には、基板図示せずの上においてカンチレバー構成でエンドブロック100、101により支持される。さらに、回転ターゲット10は、その上方端部においても支持されてもよい。図7は、いくつかの実施形態によるスパッタリング装置200の概略断面図を示す。典型的な実施形態によれば、これにより、カソード、ターゲット、バッキングチューブ、または軸受の軸50は、エンドブロック100、101を処理チャンバ220に連結するフランジ230に対して実質的に垂直となる。図7のスパッタリング装置200は、図6のスパッタリング装置に類似する。しかし、図7における絶縁プレート116は、エンドブロック100、101が取り付けられる壁部231およびフラップ230のそれぞれに対して平行に配向される。これとは異なり、図6における絶縁プレート116は、エンドブロック100、101が取り付けられる壁部231およびフラップ230のそれぞれに対して垂直に配向される。さらに、モータ軸154は、図7の実施形態においては外側ハウジング125内に延在する。明瞭化のために、典型的には図7の実施形態においても使用される冷媒支持チューブおよび電気支持体ラインは図示しない。いくつかの実施形態によれば、外側ハウジング125の下方壁部126は、図7に示すように、壁部231に、またはドア230およびフラップ230のそれぞれに取り付けられる。他の実施形態によれば、エンドブロック100、101は、真空チャンバ220の壁部231および外側ハウジング125の上方壁部127が、真空チャンバ220内部の実質的に平坦な移行領域、または小ステップのみを有する移行領域を形成するように、壁部231に対して取り付けられる。これは、図7においては破線の水平線により示される。これらの実施形態においては、真空チャンバ220の内部体積が、縮小され得る。図7の構成は、典型的には、基板が重力に対して水平方向配向されるスパッタリング装置用に使用される。図6の構成は、水平方向または垂直方向に配向される基板用に使用され得る。図8は、図6および図7に示すようなスパッタリング装置200を図示する。図8の概略断面は、図6および図7のそれぞれの断面に対して直交する。一実施形態によれば、スパッタリング装置200は、例えばアルゴンなどの処理ガスを真空チャンバ220に供給するためのガス入口201を備える真空チャンバ220を有する。真空チャンバ220は、基板支持体202およびこの基板支持体の上に配置される基板203をさらに備える。さらに、真空チャンバ220は、典型的には基板203の上方にカンチレバー構成で、回転ターゲット10を備える。典型的には、高い電位差が、カソードとして作動する回転ターゲット10とアノードとして作動する基板支持体202との間に印加される。プラズマは、典型的には、例えばアルゴン原子などによる加速電子衝突イオン化によって形成される。形成されたアルゴンイオンは、回転ターゲット10の典型的には原子である粒子が、スパッタリングされ、その後基板203の上に堆積されるように、回転ターゲット10の方向に加速される。いくつかの実施形態においては、例えばクリプトンなどの他の不活性ガスまたは酸素もしくは窒素などの反応ガスなどの、他の適切なガスを、プラズマを生成するために使用してもよい。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得る典型的な実施形態によれば、プラズマ区域内の圧力は、約10-4ミリバール~約10-2ミリバール、典型的には約10-3ミリバールであることが可能である。他の一実施形態においては、真空チャンバ220は、真空チャンバ220の内外に基板203を導入または引き出すための、1つまたは複数の開口および/またはバルブを備えてもよい。マグネトロンスパッタリングは、その堆積速度がかなり高速である点において、特に有利である。回転ターゲット10の内部に1つまたは複数の磁石14を配置することにより、ターゲット表面の直下に生成された磁場内の自由電子が、捕捉され得る。これにより、典型的には桁違いに、ガス分子をイオン化する能力が高められる。さらに、堆積速度が、大幅に上昇され得る。適用例およびスパッタリングすべき材料に応じて、固定の、または時変の磁場が、使用され得る。さらに、流体が、典型的には、磁石224および/またはターゲット10を冷却するために、回転ターゲット10の中を循環している。回転ターゲット10は、典型的には、カソードドライバブロック100、101により支持される。このカソードドライバブロック100、101は、断面図においては見えず、したがって破線円として描かれている。典型的には、カソードドライバブロック100、101は、プロセスチャンバ220の壁部230またはドア231またはフラップ231に回転不能に取り付けられる。このプロセスチャンバ220の壁部230またはドア231またはフラップ231は、断面図においては見えず、したがって矩形として描かれている。カソードドライバブロックは、典型的には、スパッタリング装置の壁部、ドア、またはフラップなどの非回転部分に剛体的に結合されるように構成された、ベース本体を備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、スパッタリング装置は、カソード、ターゲット、バッキングチューブ、または軸受の回転軸が、壁部に対して平行となるように、すなわち少なくとも5°の角度精度となるように、カソードドライバブロックが装着される壁部を有するプロセスチャンバを備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、回転ターゲットを受けるように構成されたロータが、ベース本体の周囲に回転自在に取り付けられる。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、軸受システムが、ベース本体とロータとの間に配置される。この軸受システムは、典型的には、ラジアル方向荷重および軸方向荷重を支持するように構成される。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、軸受システムは、少なくとも1つの回転軸受を備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、軸受システムは、回転軸の方向において相互に罹患され、ベース本体とロータとの間に配置される、2つの環状テーパころ軸受を備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、軸受システムは、ベース本体とロータとの間に配置される環状スロット付き丸ナットをさらに備える。この環状スロット付き丸ナットは、典型的には、2つの環状テーパころ軸受を相互に対して固定する。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、ロータは、その上方端部に、回転ターゲットを機械的に支持するように構成されたターゲットフランジを備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、ロータは、ターゲットフランジに真空気密的に装着される軸受ハウジングをさらに備える。本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、カソードドライバブロックは、軸受ハウジングに機械的に連結される回転ドライバを備える。図6~図8はそれぞれ、本明細書において開示される他の実施形態と組み合わされ得る、種々の実施形態による1つのみの回転ターゲットを示すが、2つ以上の回転ターゲットが、各カソードドライバブロックにより支持され、真空チャンバ内に配設されてもよい。典型的には、2つ以上の回転ターゲットの円筒状軸が、実質的に平行である、すなわち少なくとも5°の角度精度の範囲内において、さらに典型的には少なくとも1°の角度精度の範囲内において平行である。本明細書は、最良の実施形態を含む本発明を開示するために、また、任意のデバイスまたはシステムを作製および使用すること、ならびに任意の組み込まれる方法を実施することを含め、当業者が記載される主題を実施し得るようにするために、例を用いる。前述においては様々な具体的な実施形態を開示したが、特許請求の範囲の趣旨および範囲は、同等に有効な変形形態を許容することが、当業者には理解されよう。特に、上述の実施形態の相互に非排他的な特徴は、相互に組み合わせることができる。特許性のある範囲は、特許請求の範囲により規定され、当業者に想起されるような変更形態および他の例を包含し得る。かかる他の例は、それらが、特許請求の範囲の逐語的な言葉との間に相違のない構造的要素を有する場合には、または特許請求の範囲の逐語的な言葉との間に非実質的な相違を伴う均等な構造的要素を備える場合には、特許請求の範囲内に含まれるように意図される。