鍋を誘導加熱する加熱コイルと、交流電力を整流して直流電力に変換する直流電源回路と、前記直流電源回路の直流電流を高周波電流に変換して前記加熱コイルに供給するインバータ回路と、前記インバータ回路の温度を検知する回路温度検知手段と、前記加熱コイルに流れる電流を検知する加熱コイル電流検知手段と、前記インバータ回路の周波数を可変制御する周波数制御モード、及び前記インバータ回路の通電比率を可変制御する通電比率制御モードを含む制御モードのうちいずれかにより前記インバータ回路を駆動する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記通電比率制御モードで前記インバータ回路を駆動している場合において、前記回路温度検知手段により検知された前記インバータ回路の温度が、前記加熱コイル電流検知手段により検知された電流値に対応する予め定められた閾値より高いときには、前記周波数制御モードに切り替えて前記インバータ回路を駆動することを特徴とする誘導加熱調理器。前記鍋の材質を判別する鍋材質判別手段を備え、前記制御回路は、加熱開始の指示を受けて前記インバータ回路の駆動を開始する場合において、前記鍋材質判別手段により磁性鍋と判別された鍋を加熱するときには、前記通電比率制御モードにより前記インバータ回路の駆動を開始することを特徴とする請求項1記載の誘導加熱調理器。前記インバータ回路は、前記直流電源回路の出力に対して直列接続された2つのスイッチング素子を備え、前記回路温度検知手段は、前記直流電源回路の出力の高電位側に配置されたスイッチング素子の温度を検知することを特徴とする請求項1または請求項2記載の誘導加熱調理器。前記高電位側に配置されたスイッチング素子は、前記直流電源回路の出力の低電位側に配置されたスイッチング素子とは熱的に遮断されていることを特徴とする請求項3記載の誘導加熱調理器。前記高電位側に配置されたスイッチング素子は、前記直流電源回路の出力の低電位側に配置されたスイッチング素子とは独立して放熱フィンに取り付けられていることを特徴とする請求項4記載の誘導加熱調理器。前記制御回路は、前記通電比率制御モードから前記周波数制御モードへの切り替え時において前記周波数制御モードで前記インバータ回路の駆動を開始する際には、前記周波数制御モードにおける最低入力電力となる駆動周波数で前記インバータ回路の駆動を開始することを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。前記インバータ回路を構成するスイッチング素子の少なくとも1つは、ワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項7記載の誘導加熱調理器。上記特許文献1の誘導加熱調理器は、入力電流と加熱コイル電流により加熱中の鍋の抵抗値を判定することで、鍋の種別を判別している。このため、磁性鍋を、磁性鍋と比較して抵抗値の小さい非磁性鍋へと置き換えたような場合には、これを検知しうる。しかしながら、例えばアルミ鍋の底面に磁性ステンレスを貼り付けた鍋貼り付け鍋のように、磁性鍋と同等の抵抗値を示すものについては、判別が困難であった。ここで例示した貼り付け鍋は、磁性鍋と比較してインダクタンスが小さく、共振周波数が高いという特性を有する。このため、この貼り付け鍋を磁性鍋と同条件で駆動すると、ターンオン時に大きな電流が流れてスイッチング損失が大きい動作状態となることから、インバータ回路を構成するスイッチング素子の過温度上昇を引き起こすという課題があった。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、鍋の素材に適した制御モードでインバータ回路を駆動することのできる誘導加熱調理器を得るものである。本発明に係る誘導加熱調理器は、鍋を誘導加熱する加熱コイルと、交流電力を整流して直流電力に変換する直流電源回路と、前記直流電源回路の直流電流を高周波電流に変換して前記加熱コイルに供給するインバータ回路と、前記インバータ回路の温度を検知する回路温度検知手段と、前記加熱コイルに流れる電流を検知する加熱コイル電流検知手段と、前記インバータ回路の周波数を可変制御する周波数制御モード、及び前記インバータ回路の通電比率を可変制御する通電比率制御モードを含む制御モードのうちいずれかにより前記インバータ回路を駆動する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記通電比率制御モードで前記インバータ回路を駆動している場合において、前記回路温度検知手段により検知された前記インバータ回路の温度が、前記加熱コイル電流検知手段により検知された電流値に対応する予め定められた閾値より高いときには、前記周波数制御モードに切り替えて前記インバータ回路を駆動するものである。本発明に係る誘導加熱調理器は、鍋の材質を判別する鍋材質判別手段を備え、前記制御回路は、加熱開始の指示を受けて前記インバータ回路の駆動を開始する場合において、前記鍋材質判別手段により磁性鍋と判別された鍋を加熱するときには、前記通電比率制御モードにより前記インバータ回路の駆動を開始するものである。本発明によれば、通電比率制御モードでインバータ回路を駆動している場合において、回路温度検知手段により検知されたインバータ回路の温度が所定の閾値より高いときには、周波数制御モードに切り替えてインバータ回路を駆動するようにした。このため、例えばアルミなどの低抵抗非磁性材質の鍋の底面に磁性ステンレスを施した鍋に対し、加熱開始時には通電比率制御モードで駆動が開始された場合であっても、加熱に適した周波数制御モードによる駆動に切り替えられる。したがって、上記のような鍋に適した制御モードでのインバータ回路の駆動が可能であり、上記のような鍋に対してデューティ制御が継続されることによるインバータ回路の過度な温度上昇や破壊を抑制することができる。また、本発明によれば、鍋の材質に応じた制御モードでインバータ回路を駆動するようにしたので、鍋の材質によって加熱コイルの損失を抑制することのできる加熱動作が可能となる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の上面図である。鍋を載置する耐熱性のトッププレート1は、右加熱口2、左加熱口3及び中央加熱口4の合計3口の加熱口を有している。右加熱口2及び左加熱口3の下部には加熱コイル5及び加熱コイル6が設置されなお、加熱コイル5及び加熱コイル6は、便宜上、実線で図示されている、加熱口上部に載置された鍋を加熱コイルから発生する高周波磁界で誘導加熱する。トッププレート1にはさらに、使用者によるスイッチの操作を受け付けるとともに、誘導加熱調理器の加熱条件や使用者に対する情報を表示する操作表示部7が設けられている。この操作表示部7の操作により火力の調整及び加熱口の選択等が行われ、加熱状態の表示が行われる。この操作表示部7は、表示手段として、例えば液晶パネル等の表示デバイスを備えている。操作表示部7を加熱口毎に設けてもよいし、各加熱口に対応する操作部と表示部を一箇所にまとめて設けてもよく、具体的な構成を特に限定するものではない。図2は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の右加熱口の回路構成図である。なお、右加熱口2と左加熱口3は同様の回路構成であるため、ここでは、右加熱口2を例に説明する。誘導加熱調理器は、商用電源9に接続され、交流電力を整流して直流電力に変換する直流電源回路11と、インバータ回路12と、入力電流検知回路10と、加熱コイル電流検知回路15と、加熱コイル5とを有している。入力電流検知回路10は、商用電源9から直流電源回路11へ入力される電流値を検知し、入力電流値に相当するアナログ電圧信号を制御回路8へ出力する。直流電源回路11は、ダイオードブリッジ21、チョークコイル22、平滑コンデンサ23で構成され、商用電源9から入力される交流電力を直流電力に変換して、インバータ回路12へ出力する。インバータ回路12は、スイッチング素子としてのIGBT24及びIGBT25が直流電源回路11の出力点に直列に接続されたいわゆるハーフブリッジ型のインバータと、IGBT25に並列に接続されたスナバコンデンサ14とを備える。インバータ回路12は、直流電源回路11から出力される直流電力を20kHz~50kHz程度の高周波電力に変換して加熱コイル5及び共振コンデンサ16からなる共振回路に供給する。このようにすることで、加熱コイル5には数10Aの高周波電流が流れ、高周波磁界により、加熱コイル5の直上のトッププレート1上に載置された鍋を誘導加熱する。加熱コイル電流検知回路15コイル電流検知手段は、インバータ回路12と加熱コイル5の中間に設置されている。加熱コイル電流検知回路15は、加熱コイル5に流れる電流のピークを検知し、加熱コイル電流のピーク値に相当するアナログ電圧信号を制御回路8へ出力する。制御回路8は、入力電流検知回路10を介して検知した入力電流値と商用電源電圧の積算から入力電力を演算し、操作表示部7の操作で使用者が設定した火力に相当する電力となるように、インバータ回路12に備えられたIGBT24及びIGBT25の駆動信号を変動させて、電力フィードバック制御を行う。サーミスタ17は、インバータ回路12の高電位側に配置されたIGBT24の近傍に配置され、IGBT24の温度に相当するアナログ電圧信号を制御回路8に出力する。本実施の形態1では、サーミスタ17は、本発明の回路温度検知手段に相当する。図3は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器のスイッチング素子へのサーミスタの取付構成を説明する図である。図3に示すように、スイッチング素子であるIGBT24は、放熱フィン27に取り付けられている。放熱フィン27には、発熱部品としてはIGBT24のみが取り付けられている。すなわち、IGBT24は、インバータ回路12において低電位側に配置されたIGBT25や、直流電源回路11のダイオードブリッジ21に取り付けられる放熱フィン図示せずとは独立して、放熱フィン27に取り付けられている。すなわち、IGBT24は、IGBT25や他の発熱部品とは熱的に遮断されている。サーミスタ17は、放熱フィン27に対してネジ等によって固着されており、放熱フィン27を介してIGBT24と熱的に結合されている。サーミスタ17は、温度変化によって抵抗値が変動するため、放熱フィン27の温度によって抵抗値が変動する。サーミスタ17と電気的に接続された制御回路8は、サーミスタ17の抵抗値を電圧変化として読み込むことで、放熱フィン27を介してIGBT24の温度を検知する。放熱フィン27には、発熱部品としてはIGBT24のみが取り付けられていて他の発熱部品とは熱的に遮断されているので、サーミスタ17によって高電位側のIGBT24の温度のみを検知することができる。図4は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器のインバータ回路の駆動信号と入力電力の関係を説明する図である。図4において横軸はインバータ回路12の駆動周波数を示し、縦軸はIGBT24の通電比率を示している。図4に示す符号30は、周波数制御における入力電力と周波数の関係を示し、符号31は、デューティ制御における入力電力と通電比率の関係を示している。符号30に示す周波数制御は、高電位側IGBT24の通電比率を50程度に固定した状態で、周波数を23kHz~50kHz程度の範囲で変動させて電力制御する方式である。図4には図示しないが、低電位側に配置されたIGBT25は、高電位側のIGBT24と逆の駆動信号で駆動される。周波数制御においては、図4に示すように、周波数が低いほど入力電力は大きくなる。一方、符号31に示すデューティ制御通電比率制御は、周波数を21kHz~24kHz程度の可聴域近傍に固定した状態で、高電位側のIGBT24の通電比率を1~50程度の範囲で変動させることによって電力制御を行う方式である。低電位側に配置されたIGBT25は高電位側のIGBT24と逆の駆動信号で駆動される。デューティ制御においては、図4に示すように、高電位側のIGBT24の通電比率が大きいほど入力電力は大きくなる。図5は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の入力電力と加熱コイル損失の関係を示す図である。図5において、符号30は、周波数制御で駆動を行った際の加熱コイル損失と入力電力の関係を示すライン、符号31は、デューティ制御で駆動を行った際の加熱コイル損失と入力電力の関係を示すラインである。加熱コイル5の巻線は、周波数が高いほど表皮効果や近接効果の影響が顕著となるため、周波数が高いほど巻線損失が増大する。このため、相対的に駆動周波数が低いディーティ制御符号31。図4参照の方が、周波数制御符号30よりも加熱コイル損失が小さくなる傾向を示す。図6は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の入力電力と高電位側IGBTの損失の関係を示す図である。図6において、符号30は、周波数制御で駆動した際の高電位側IGBT24の損失、符号31は、デューティ制御で駆動した際の高電位側IGBT24の損失を示している。また、符号32は、高電位側IGBT24の許容損失を示している。なお、符号32で示す許容損失は、放熱フィン27や冷却風量により規定される冷却性能によって定まる値である。図6aは、トッププレート1に磁性鍋を載置した場合の入力電力と高電位側IGBT24の損失の関係を示す図である。磁性鍋を載置した場合は、周波数制御符号30と、デューティ制御符号31との間でIGBT24の損失の差が小さい。図6bは、トッププレート1に非磁性鍋を載置した場合の入力電力と高電位側IGBT24の損失の関係を示す図である。非磁性鍋を載置した場合は、デューティ制御符号31は、周波数制御符号30と比較してIGBT24の損失が大きく、また、相対的に入力電力が小さい範囲における損失が顕著に大きい。また、許容損失32との関係を見ると、図6aでは、周波数制御符号30、デューティ制御符号31ともに、入力電力の全範囲で許容損失32以下となっていることが示されている。一方、図6bでは、デューティ制御符号31においては、相対的に入力電力が小さい範囲において、IGBT24の損失が許容損失32を超過する場合がある。許容損失32は、放熱フィン27や冷却風量により規定される冷却性能によって定まる値であって一概に規定できるものではないが、少なくとも、非磁性鍋に対してデューティ制御を行うと、IGBT24の損失が許容損失に近い値となるかこれを超える可能性が高いことが分かる。図4~図6に示した事項をまとめる。まず、加熱コイル損失に着目すると、デューティ制御の方が、周波数制御よりも加熱コイル損失が小さい図5参照ことから、加熱コイル損失を抑えるという観点ではデューティ制御が好ましい。一方、IGBT24の損失に着目すると、磁性鍋であればデューティ制御と周波数制御とでIGBT24の損失の差異が小さいが図6a参照、非磁性鍋の場合には、入力電力が小さい範囲において高電位側のIGBT24の損失が許容損失を超えうる図6b参照。このため、高電位側IGBT24の損失が許容損失以下となる駆動状態では、デューティ制御でインバータ回路12の駆動を行い、一方、高電位側IGBT24の損失が許容損失を超える駆動状態では、周波数制御でインバータ回路12を駆動する必要がある。そこで、実施の形態1の誘導加熱調理器は、加熱を開始した直後の負荷判定処理において、トッププレート1上に載置された鍋の種類を判別する。そして、負荷判定処理において磁性鍋が載置されていることが検知された場合には、制御回路8はデューティ制御でインバータ回路12を駆動し、非磁性鍋が載置されていることが検知された場合には、制御回路8は周波数制御でインバータ回路12を制御する。そして、デューティ制御を行っている場合において、高電位側IGBT24の損失が許容損失以下となる駆動状態では、デューティ制御でインバータ回路12の駆動を行い、一方、高電位側IGBT24の損失が許容損失を超える駆動状態では、周波数制御でインバータ回路12を駆動するという制御を行う。以下、実施の形態1を示す誘導加熱調理器の動作について説明を行う。図7は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の動作の流れを示すフローチャートである。ここでは、使用者により右加熱口2に鍋が載置され、操作表示部7に対して火力が設定されて加熱開始が指示されたものとする。制御回路8は、調理開始が指示されたことを検知するとS1、負荷判定処理を行うS2。ここで、負荷判定処理について説明する。図8は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器における入力電流と加熱コイルの電流値の関係に基づく鍋負荷の判別特性図である。図8に示すように、トッププレート1に載置された鍋負荷の材質によって、入力電流と加熱コイルの電流値の関係が異なる。そして、制御回路8は、図8に示した関係をテーブル化して負荷判定テーブルとして内部に記憶している。ステップS2において調理開始直後に行う負荷判定処理では、制御回路8は、負荷判定用の特定の駆動信号でインバータ回路12を駆動し、入力電流検知回路10の出力信号、及び加熱コイル電流検知回路15の出力信号を読み込む。そして、制御回路8は、図8に示す判別特性をテーブル化した負荷判定テーブルを参照し、入力電流及び加熱コイル電流ピーク値の読み込み値のマッピング状態から、載置された鍋種を判定する。本実施の形態1では、制御回路8が、本発明の鍋材質判別手段に相当する。ステップS2にて図8に示す無負荷、あるいはアルミ鍋や銅鍋等の低抵抗の非磁性材質からなる鍋が載置されたことを検知すると、制御回路8は、不適合鍋であることを操作表示部7に表示するなどして使用者に報知し、加熱動作への移行を行わず、磁性鍋あるいは高抵抗非磁性鍋への置き換えを使用者に促すS3。また、ステップS2にて高抵抗の非磁性鍋が載置されていることを検知すると、制御回路8は、インバータ回路12を周波数制御モードで電力制御して、設定された火力に相当する入力電力となるよう電力フィードバック制御を行いS4、加熱停止の指示があるまでこれを継続するS5。また、ステップS2にて磁性鍋が載置されていることを検知すると、制御回路8は、インバータ回路12をデューティ制御通電比率制御モードで電力制御して、操作表示部7にて設定された火力に相当する入力電力となるよう電力フィードバック制御を行うS6。そして、負荷判定処理にて磁性鍋が載置されていることを検知してデューティ制御を行っている場合には、第二の負荷判定処理を行うS7。ここで、第二の負荷判定処理について説明する。上述のようにステップS2にて負荷判定処理を行って鍋種を判定するのであるが、近年は、アルミなどの低抵抗非磁性材質の鍋の底面に磁性ステンレスを張り合わせたような貼り付け鍋が多く存在する。図8において符号20は、貼り付け鍋のマッピング状態を示している。これら貼り付け鍋は、等価インダクタンスが高抵抗非磁性鍋と同等程度、等価抵抗値が磁性鍋と同等程度、という特性を有し、非磁性鍋と磁性鍋の中間的な特性を有する。そのため、従来のように加熱コイル電流と入力電流のマッピング状態から鍋種を判定する方式では、貼り付け鍋を正確に検知することが困難であった。一般に、貼り付け鍋や高抵抗非磁性鍋は、磁性鍋と比較して加熱コイル上に載置した状態での等価インダクタンスが小さく、高抵抗非磁性鍋の共振周波数は磁性鍋の共振周波数に比べて高い。このため、貼り付け鍋に対してデューティ制御で電力制御を行うと、周波数制御で駆動する場合に比べて駆動周波数と共振周波数とが近い状態で駆動される傾向が強くなる。駆動周波数と共振周波数とが近い状態でインバータ回路12を制御すると、スイッチング素子の損失が増大し、破壊に至る可能性もある。そこで、本実施の形態1の誘導加熱調理器は、貼り付け鍋等のデューティ制御に適さない鍋を検出することを目的とした第二の負荷判定処理を、デューティ制御中に行う。次に、第二の負荷判定処理の具体的内容を説明する。本実施の形態1の第二の負荷判定処理においては、スイッチング素子であるIGBT24の温度を検知することによって、IGBT24の損失を検知し、これによって鍋がデューティ制御に適さない鍋であるか否かを判断する。図9は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の加熱コイル電流ピークと高電位側IGBTの温度の関係を示す図である。図9において、符号33は、磁性鍋をデューティ制御した場合の高電位側IGBT24の温度特性を示すラインである。仮に、ステップS2において磁性鍋であると判断しステップS6にてデューティ制御を行っている鍋が、実際に磁性鍋である場合には、IGBT24の温度は、加熱コイル電流のピークに応じて図9の符号33に示すラインのような値となる。ところが、ステップS2において磁性鍋であると判断しステップS6にてデューティ制御を行っている鍋が、実際には貼り付け鍋等のデューティ制御に適さない鍋であったとする。貼り付け鍋である場合、前述のようにIGBT24の損失が相対的に大きいため、IGBT24の温度も高くなる。すなわち、IGBT24の温度を検知することにより、IGBT24の損失を検知することができる。そこで、図9に符号34で示すように、IGBT24の許容損失以下の損失に対応するIGBT24の温度を、閾値制御切り替え閾値として予め設定しておく。そして、検知されたIGBT24の温度と閾値とを対比することにより、IGBT24の損失を判断する。ここで、IGBT24の損失を検知するに際し、IGBT24の温度を検知するという構成を採用する理由について説明する。図10は、本発明の実施の形態1に係る誘導加熱調理器の、非磁性鍋載置状態におけるインバータ回路の駆動波形を示す図である。図10に変更する。そして、入力電流検知回路10の出力信号を元にして入力電力をチェックしながら駆動周波数を下降させ、操作表示部7に設定された火力に対応した目標電力となる駆動周波数で駆動する。以上のように、実施の形態1では、加熱開始指示を受けてから行う負荷判定処理において載置された鍋種を判定し、鍋種によってデューティ制御と周波数制御を切り替えるようにした。このため、鍋の材質に応じたインバータ回路の駆動が可能であり、加熱コイルの損失を低減することができる。また、デューティ制御での加熱動作中において、第二の負荷検知処理を行い、加熱コイル電流ピークに対するインバータ回路の温度を用いてスイッチング素子の損失を判定するようにした。このため、負荷検知処理にて判別できない貼り付け鍋については、第二の負荷検知処理においてこれを検知することができる。したがって、例えば貼り付け鍋等のデューティ制御に適さない鍋に対してデューディ制御での駆動を継続する、といったことを抑制することができる。これにより、スイッチング素子の過温度上昇や、スイッチング素子の破壊に至る事態を未然に防ぐことができる。また、インバータの回路の温度は、インバータ回路を構成する2つのスイッチング素子のうち、損失の大きい高電位側のスイッチング素子実施の形態1のIGBT24の近傍で検知しているため、高電位側スイッチング素子の損失増大によるインバータ回路の温度上昇を、反応よく検知することができる。また、高電位側に配置されたスイッチング素子は、独立して放熱フィンに配置されているため、損失の大きい高電位側のスイッチング素子の温度を直接検知することができる。また、デューティ制御から周波数制御への遷移時は、周波数制御における最低電力最低火力の電力の駆動周波数でインバータ回路を駆動して周波数制御での駆動を開始するため、モード遷移時の急激な火力上昇や、急激な電流増加による素子のロス増加及び破壊を防止することができる。なお、インバータ回路のうち、損失の大きい高電位側に配置されたスイッチング素子は、例えば炭化珪素などのワイドバンドギャップ半導体により形成するようにしてもよい。このワイドバンドギャップ半導体としては、これに限らず、例えば窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドなどでもよい。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成されたスイッチング素子やダイオード素子は、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、スイッチング素子の小型化が可能であり、これら小型化されたスイッチング素子を用いることにより、これらの素子を組み込んだ半導体モジュールの小型化が可能となる。また耐熱性も高いため、ヒートシンクの放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化が可能であるので、半導体モジュールの一層の小型化が可能になる。さらに、電力損失が低いため、スイッチング素子の高効率化が可能であり、延いては半導体モジュールの高効率化が可能になる。