"非線形光学結晶を受けるよう構成された取り付けブロックと、結晶の面が前記取り付けブロックの表面に接した状態で、前記取り付けブロックに取り付けられる非線形光学結晶と、前記取り付けブロックに接着し、さらに前記結晶の辺に沿う前記結晶の底面および/または側面の少なくとも対応する部分に接着することにより、前記結晶を前記取り付けブロックに固定する接着剤と、を備えることを特徴とする結晶マウント。前記取り付けブロックは前記非線形光学結晶を受けるように構成された溝を含み、前記溝は、前記溝の底と側壁との交線に位置する角形状を含み、前記角形状は、前記溝の底と側壁とにそれぞれ接する前記結晶の底面と側面の交線に位置する前記結晶の辺を受けるよう構成される、請求項1に記載の結晶マウント。前記角形状と交わる1つ以上の接着剤溜めをさらに備え、前記接着剤溜めは前記結晶の辺に沿った前記接着剤の長さを制限するように構成される、請求項2に記載の結晶マウント。前記角形状は前記結晶の辺を受ける角部逃げ形状を含む、請求項2に記載の結晶マウント。前記角部逃げ形状は角部逃げ溝を含み、前記接着剤は前記角部逃げ溝内に塗布される、請求項4に記載の結晶マウント。前記取り付けブロックは前記角部逃げ溝に交わる1つ以上の接着剤溜めを含む、請求項5に記載の結晶マウント。前記非線形光学結晶は異方的な熱膨張率により特徴付けられる、請求項1に記載の結晶マウント。前記非線形光学結晶は三ホウ酸リチウムLBOを含有する、請求項7に記載の結晶マウント。前記接着剤は前記辺に沿って約5mm~15mmの距離に塗布される、請求項7に記載の結晶マウント。前記接着剤は、前記辺から約0.25mm~約0.5mmの前記側面および/または底面に沿って延びる、請求項1に記載の結晶マウント。前記接着剤の材料はシリコーン封止材、エポキシ樹脂、ウレタン、およびUV硬化性接着剤からなる群から選ばれる、請求項1に記載の結晶マウント。1次光源と、前記1次光源に光学的に接続される波長変換器と、を備える光学システムであって、前記波長変換器は結晶マウントを含み、前記結晶マウントは、非線形光学結晶を受けるよう構成された取り付けブロックと、結晶の面が前記取り付けブロックの表面に接した状態で、前記取り付けブロックに取り付けられる非線形光学結晶と、前記取り付けブロックに接着し、さらに前記非線形結晶の辺に沿う前記結晶の底面および/または側面の少なくとも対応する部分に接着することにより、前記結晶を前記取り付けブロックに固定する接着剤と、を備えることを特徴とする光学システム。前記取り付けブロックは前記非線形光学結晶を受けるように構成された溝を含み、前記溝は、前記溝の底と側壁との交線に位置する角形状を含み、前記角形状は、前記溝の底と側壁とにそれぞれ接する前記結晶の底面と側面の交線に位置する前記結晶の辺を受けるよう構成される、請求項12に記載のシステム。前記角形状と交わる1つ以上の接着剤溜めをさらに備え、前記接着剤溜めは前記結晶の辺に沿った前記接着剤の長さを制限するように構成された、請求項13に記載のシステム。前記角形状と交わる1つ以上の接着剤溜めをさらに備え、前記接着剤溜めは前記結晶の辺に沿った前記接着剤の長さを制限するように構成された、請求項14に記載のシステム。前記角形状は前記結晶の辺を受ける角部逃げ形状を含む、請求項14に記載のシステム。前記角部逃げ形状は角部逃げ溝を含み、前記接着剤は前記角部逃げ溝内に配置される、請求項16に記載のシステム。前記角部逃げ溝に交わる1つ以上の接着剤溜めをさらに含む、請求項17に記載のシステム。前記非線形光学結晶は異方的な熱膨張率により特徴付けられる、請求項12に記載のシステム。前記非線形光学結晶は三ホウ酸リチウムLBOを含有する、請求項19に記載のシステム。前記接着剤は前記辺に沿って約5mm~15mmの距離に塗布される、請求項19に記載のシステム。前記接着剤は、前記辺から約0.25mm~約0.5mmの前記側面および/または底面に沿って延びる、請求項12に記載のシステム。前記非線形光学結晶は、ニオブ酸リチウムLiNbO3、三ホウ酸リチウムLBO、ベータホウ酸バリウムBBO、ホウ酸セシウムリチウムCLBO、タンタル酸リチウム、化学量論組成タンタル酸リチウムSLT、リン酸チタニルカリウムKTPとしても知られているKTiOPO4、ADA、ADP、CBO、DADA、DADP、DKDP、DLAP、DRDP、KABO、KDA、KDP、LB4、またはLFMおよびその同形体、周期分極反転材料、周期分極反転ニオブ酸リチウムPPLN、周期分極反転タンタル酸リチウム、および化学量論組成周期分極反転タンタル酸リチウムPPSLTの群から選ばれる、請求項12に記載のシステム。非線形光学結晶を受けるように構成された溝を有する取り付けブロックと、1つ以上の接着剤溜めと、を備える結晶マウントであって、前記溝は、前記溝の底と側壁との交線に位置する角形状を含み、前記角形状は、前記結晶の底面と側面の交線に位置する前記結晶の辺を受けるよう構成され、前記溝は、前記辺を前記角形状で受けて前記結晶が前記溝の中に受けられるとき、前記結晶の底面と側面がそれぞれ前記溝の底と側壁に接するように構成され、前記接着剤溜めは、前記角形状に交わり、前記結晶の辺に沿った接着剤の長さを制限するように構成されることを特徴とする結晶マウント。前記角形状は前記結晶の辺を受ける角部逃げ形状を含む、請求項24に記載の結晶マウント。前記角部逃げ形状は角部逃げ溝を含む、請求項25に記載の結晶マウント。非線形光学結晶を取り付ける方法であって、非線形光学結晶を取り付けブロック上に受けるステップと、前記取り付けブロックに接着し、さらに前記結晶の辺に沿う前記結晶の底面および/または側面の少なくとも対応する部分に接着する接着剤で、前記結晶を前記取り付けブロックに固定するステップと、を含む方法。前記取り付けブロックは溝を含み、前記溝は、前記溝の底と側壁との交線において角形状を有し、前記角形状は、前記溝の底および/または側壁にそれぞれ接する前記結晶の底面および/または側面の交線に位置する前記結晶の辺を受けるよう構成され、前記結晶を固定するステップは、前記溝の底および/または側壁に接着し、さらに前記辺に隣接する前記結晶の底面および/または側面の少なくとも対応する部分に接着することにより、前記結晶を前記溝の中に固定するステップを含む、請求項27に記載の方法。前記角形状は前記結晶の辺を受ける角部逃げ形状を含む、請求項28に記載の方法。前記角部逃げ形状は角部逃げ溝を含み、前記接着剤は前記角部逃げ溝に配置される、請求項29に記載の方法。前記角部逃げ溝に交わる1つ以上の接着剤溜めをさらに含む、請求項30に記載の方法。前記非線形光学結晶は異方的な熱膨張率により特徴付けられる、請求項27に記載の方法。前記非線形結晶光学結晶は三ホウ酸リチウムLBOを含有する、請求項32に記載の方法。前記接着剤は前記辺に沿って約5mm~15mmの距離に塗布される、請求項32に記載の方法。前記接着剤は、前記辺から約0.25mm~約0.5mmの前記側面および/または底面に沿って延びる、請求項27に記載の方法。前記接着剤の材料はシリコーン封止材、エポキシ樹脂、ウレタン、およびUV硬化性接着剤からなる群から選ばれる、請求項27に記載の方法。前記非線形光学結晶は、ニオブ酸リチウムLiNbO3、三ホウ酸リチウムLBO、ベータホウ酸バリウムBBO、ホウ酸セシウムリチウムCLBO、タンタル酸リチウム、化学量論組成タンタル酸リチウムSLT、リン酸チタニルカリウムKTPとしても知られているKTiOPO4、ADA、ADP、CBO、DADA、DADP、DKDP、DLAP、DRDP、KABO、KDA、KDP、LB4、またはLFMおよびその同形体、周期分極反転材料、周期分極反転ニオブ酸リチウムPPLN、周期分極反転タンタル酸リチウム、および化学量論組成周期分極反転タンタル酸リチウムPPSLTの群から選ばれる、請求項27に記載の方法。しかし、単一の点状接着剤では、LBO結晶を欠けやひび割れから保護しつつ確実に安定して保持するためには、不十分かもしれない。別の問題として、熱異方性を有するLBOは、通常、熱異方性を有する金属に接着される。LBOと金属の間の熱膨張率CTEのミスマッチが、往々にしてLBO結晶を破損させる熱膨張の違いをもたらす。さらに、接着剤やはんだ等の接着剤および/または機械的な締め付けを用いる方法は、結晶の欠けやひび割れ、または機械的不安定性等の重大な欠点を持つ。本発明の実施形態は、このような状況から生じたものである。以下の詳細な説明を読んで添付図面を参照すれば、本発明の他の目的および利点は明らかになるであろう。以下の詳細な記述は、説明の目的のために多くの具体的な詳細を含むが、通常の当業者ならば、以下の詳細に対する多くの変化例や代替例が本発明の範囲内に含まれることを理解するであろう。従って以下に記す本発明の実施例は、請求された発明の一般性を失うことなく、かつこれに何らかの制限を加えることなく説明される。[用語解説]本明細書において、ビームスプリッタとは、光線を2つ以上の部分に分割することのできる光学装置を言う。ブリルアン散乱は、媒質を通過する光波と音波の間の相互作用に起因する媒質における光の自然散乱を含む、非線形光学現象を言う。キャビティまたは光共鳴キャビティとは、光が往復または循環できるための2つ以上の反射面によって定義された光路を言う。光路に交差する物体は、キャビティ内にあると言われる。連続波CWは、放射エネルギーを短いバーストではなく、むしろパルスレーザーのように連続的に放出するレーザーを言う。負荷サイクルDとは、規則的な間隔で生じるパルスに対するパルス持続時間τとパルス繰り返し周波数PRFとの積を言う。負荷サイクルは率で、たとえば0.01として表現されてよく、または同等にパーセンテージで、たとえば1として表現されてよい。ダイオードレーザーとは、誘導放出を利用することによってコヒーレントな光出力を生成するように設計された発光ダイオードを言う。ダイオードレーザーは、レーザーダイオードまたは半導体レーザーとしても知られている。ダイオード励起レーザーとは、ダイオードレーザーによって励起される利得媒質を有するレーザーを言う。利得とは、ある点から別の点に伝送される信号の強度、パワーまたはパルスエネルギーの増幅器による増加を言う。非飽和利得という用語は、増幅器における反転準位を著しく変化させない増幅器を通過する小信号の増加を言う。本明細書において、利得と非飽和利得は互換的に使用される。利得媒質とは、レーザーに関連して以下に記載する光利得を生成することができる材料を言う。ガーネットは特殊な種類の酸化物結晶であり、たとえばイットリウムアルミニウムガーネットYAG、ガドリニウムガリウムガーネットGGG、ガドリニウムスカンジウムガリウムガーネットGSGG、イットリウムスカンジウムガリウムガーネットYSGG等を含む。赤外線とは、約700ナノメートルnmと約100,000nmの間の真空波長によって特徴付けられる電磁波を言う。レーザーは、LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation放射エネルギーの誘導放出による光増幅の頭字語である。レーザーはレーザー化可能な材料を含むキャビティである。これは原子がポンピング、たとえば光または放電によって準安定状態に励起され得る任意の材料、たとえば結晶、ガラス、液体、半導体、色素、気体である。光は、準安定状態から基底状態に戻るときに材料によって放出される。光の放出は、通過する光子が存在することによって誘導され、通過する光子は、放出される光子に誘導する光子と同じ位相および方向を持たせる。光本明細書では誘導放射と呼ぶはキャビティ内で振動し、一部がキャビティから放射されて出力ビームを形成する。光:本明細書で用いられる光という用語は、一般に赤外から紫外に至る周波数範囲内の電磁波を言い、約1ナノメートル10-9メートルから約100ミクロンの真空波長の範囲に概ね対応する。非線形効果とは、典型的にほぼ単色の指向性光線、たとえばレーザーによって作られる光線でのみ見ることができる一種の光学現象を言う。より高次の高調波発生たとえば第2、第3、および第4高調波の発生、光パラメトリック発振、和周波発生、差周波発生、光パラメトリック増幅、および誘導ラマン効果は、非線形効果の例である。非線形光波長変換プロセスは、非線形媒質を通過する所与の真空波長λ0の入力光が、媒質と媒質を通過する他の光のうちの少なくとも一方と相互作用することによって、入力光と異なる真空波長を有する出力光を生成する非線形光プロセスである。非線形波長変換は非線形周波数変換と等価であり、それは2つの値が真空中の光の速度によって関連付けられるからである。両用語を互換的に使用してもよい。非線形光波長変換は以下を含む。高次高調波発生HHG、たとえば第2高調波発生SHG、第3高調波発生THG、第4高調波発生FHG等で、入力光の2つ以上の光子が、周波数Nf0を有する出力光の光子を生成するように相互作用し、ここでNは相互作用する光子の数である。たとえば、SHGにおいてはN=2である。和周波発生SFGでは、周波数f1の入力光の光子が、周波数f1f2を有する出力光を生成するように周波数f2の他の入力光の光子と相互作用する。差周波発生DFGでは、周波数f1の入力光の光子が、周波数f1-f2を有する出力光の光子を生成するように周波数f2の他の入力光の光子と相互作用する。非線形材料とは、非線形効果を生じさせ得る光放射に対して非ゼロ非線形誘電応答を有する材料を言う。非線形材料の例として、ニオブ酸リチウムLiNbO3、三ホウ酸リチウムLBO、ベータホウ酸バリウムBBO、ホウ酸セシウムリチウムCLBO、KDPおよびその同形体、LiIO3の結晶、並びにたとえばPPLN、PPSLT、PPKTP等の疑似位相整合材料等が挙げられる。光ファイバもファイバ内に微細構造を形成することによって光放射に対して非線形な応答性を持たせることができる。光増幅器とは、入力された光信号のパワーを増幅する装置を言う。光増幅器は、ポンピング放射によって駆動される利得媒質を使用する点でレーザーに似ている。増幅器は、一般にフィードバック即ちキャビティが無いので、利得はあるが発振はしない。本明細書で使用する光出力増幅器は、一般に増幅されたビームを目標または波長変換器に送出する前の最後の光増幅器を指す。放射源と出力増幅器との間の増幅段階は、本明細書では前置増幅器と一般に呼ぶ。位相整合とは、多重波非線形光プロセスで使用され、波の間のエネルギーをコヒーレントに伝送できる距離を拡大する技術を言う。たとえば、3波プロセスは、kiがプロセスに関与するi番目の波の波数ベクトルで、k1k2=k3の場合、位相整合していると言える。たとえば周波数倍増において、基本波と第2高調波の位相速度が整合しているときに、プロセスは最も効率的である。典型的に位相整合条件は、非線形材料における光波長、偏光状態、および伝搬方向を慎重に選択することによって達成される。パルス持続時間τとは、繰り返し信号の時間的持続期間または寿命、たとえばパルスの立ち上がりと立ち下がりの電力半値点の間の時間間隔を言う。パルス持続時間は、パルス幅とも呼ばれる。パルスエネルギーとは、パルス内のエネルギー量を言う。パルスエネルギーは、瞬間的パルス電力をパルス周期にわたって積分することによって計算してもよい。パルス周期Tとは、2つ以上のパルスの列において連続するパルスの等値点の間の時間を言う。パルス繰り返し周波数PRFは、単位時間当たりのパルスの繰り返し率を言う。パルス繰り返し周波数PRFは周期Tと反比例し、たとえばPRF=1/Tである。Qは、共振器キャビティの性能指数であり、2π×共振器内に蓄積された平均エネルギー/サイクル当りの消散エネルギーとして定義される。光共振器の表面の反射率が高く、かつ吸収損失が低いほど、Qは大きく、かつ所望のモードからのエネルギー損失は少なくなる。Qスイッチとは、光共振器のQを急速に変化させるために使用される装置を言う。Qスイッチレーザーとは、レーザーキャビティ内のQスイッチを使用することによってレーザー媒質内で高レベルの反転光利得とエネルギーの蓄積が達成されるまでレーザー発振作用を阻止するレーザーを言う。スイッチが、たとえば音響光学変調器または電気光学変調器または可飽和吸収体によってキャビティのQを急速に増大させると、莫大なパルスが生成される。疑似連続波擬似CWとは、連続しているように見える程高い繰り返し率で次々とパルス生成することを言う。疑似位相整合QPM材料:疑似位相整合材料において、材料の非線形率の符号を周期的に変化させることによって基本波の放射と高次高調波の放射が位相整合される。符号変化の周期kQPMによって、kQPMk1k2=k3といった新たな項が位相整合式に追加される。QPM材料において、基本波と高次高調波は、同一の偏光を有することがあり、効率を改善することが多い。疑似位相整合材料の例として、周期分極反転タンタル酸リチウムPPLT、周期分極反転ニオブ酸リチウムPPLN、化学量論組成周期分極反転タンタル酸リチウムPPSLT、周期分極反転リン酸チタニルカリウムPPKTPまたは周期分極反転微細構造グラスファイバがある。ラマン散乱とは、散乱光が入射光よりも低い周波数を有する物質による入射光の散乱を言う。入射光と散乱光との周波数の差ラマンシフトと呼ぶは、散乱材料の固有振動周波数に対応する。光増幅器の飽和とは、遷移周波数の付近の入射放射のパワーが特定の値を越える時、その周波数の付近の媒質の利得係数が減少することを言う。利得係数が一定であれば、媒質によって放出されるパワーは、入射パワーに比例する。しかし典型的には、利得媒質がパワーを放射できる率には限界がある。この限界は、関与するエネルギーレベルの寿命に依存する。この限界に達すると、誘導遷移は、上位のエネルギーレベルの分布を著しく低下させるほど急速になり、利得係数を減少させる。その効果は、増幅されたパワーを入力パワーの関数として平坦化することである。誘導ブリルアン散乱は、強烈な光が結晶格子内で超音波を発生させる結晶格子の変形を引き起こす増幅プロセスの一種である。誘導ラマン散乱SRSは、強力な光線を伴って発生し得るラマン散乱の一種である。ラマン散乱光は利得を得て、そのパワーは指数関数的に増加する。入射光のパワーが閾値を超えると、入射光の大部分が入射光よりも周波数の低いラマン散乱光に変換される。SRSは、誘導ラマン効果またはコヒーレントラマン効果としても知られていることがある。紫外UV線とは、可視領域の波長よりも短く、軟X線の波長よりも長い真空波長によって特徴付けられる電磁波を言う。紫外線は以下の波長領域に細分できる。即ち、約380nm~約200nmの近紫外領域、約200nm~約10nmの遠紫外領域または真空紫外領域FUVまたはVUV、約1nm~約31nmの極紫外領域EUVまたはXUV。真空波長:電磁波の波長は一般に波が進行する媒質の関数である。真空波長とは、所与の周波数の電磁波が真空中を伝播する場合の波長であり、周波数で除した真空中の光の速度によって与えられる。飽和強度Isat:増幅器の利得をその小信号値の半分に減少させる強度である。増幅器を通過する信号強度が飽和強度よりも著しく大きい場合、増幅器は飽和していると言われる。[はじめに]本発明の実施形態は、LBO結晶を結晶の縁端部に塗布された接着剤で結晶炉マウント内に確実に安定して取り付けることができる、という出願人の偶発的発見を活用したものである。発見の特質は、図1Aおよび図1Bを参照して理解できる。特に図1Aに見られるように、非線形光学結晶101は典型的には、金属ブロック104内に形成された溝102の中に取り付けられる。結晶101は三ホウ酸リチウムLBO結晶であってもよい。あるいは結晶101は、ニオブ酸リチウムLiNbO3、ベータホウ酸バリウムBBO、ホウ酸セシウムリチウムCLBO、タンタル酸リチウム、化学量論組成タンタル酸リチウムSLT、リン酸チタニルカリウムKTPとしても知られているKTiOPO4、ADA、ADP、CBO、DADA、DADP、DKDP、DLAP、DRDP、KABO、KDA、KDP、LB4、またはLFMおよびその同形体等の他の非線形光学材料で作ってもよい。また結晶101は、周期分極反転ニオブ酸リチウムPPLN、周期分極反転タンタル酸リチウム、および化学量論組成周期分極反転タンタル酸リチウムPPSLT等の周期分極反転材料で作ってもよい。結晶101は、一般に6つの面を持つ直角平行六面体の形状である。結晶は、2つの面が交わる辺Eと2つの辺が交わる角Cとを有する。溝102は、結晶101よりも僅かに広い。結晶の底面Fbおよび1つの側面Fsは、溝102の底と側壁とに接する。図1Bの断面に見られるように、結晶の角は完全な直角である。残念ながら、従来の工作機械では、完全な直角の角を持つ溝を形成することができない。結晶101の直角の角を経済的に対応できるようにするために、溝102は通常、角部逃げ溝103を含む。例として、結晶101は、長さが約15~20mm、幅が約2~3mm、高さが2~3mmであってもよい。慣習的に、結晶は、底面Fb等の面の1つに少量の接着剤105を塗布することにより、溝の中に取り付けられる。接着剤105は、注入口106を通して注射器で結晶に塗布することができる。出願人の発見より前は、結晶に塗布する接着剤の量を制限して接着剤が角部逃げ溝103内にはみ出ることを避けるのが、一般的な方法であった。これは、ひび割れが結晶の角および辺から広がる傾向があり、角に接着剤を塗布して溝103内に結晶を固定することがそうしたひび割れの要因になると考えられていたからである。ある時まったく偶然に、出願人の1人が、LBO結晶を取り付ける際に、注入口106に接着材を過剰に塗布した。過剰な接着材は、角部逃げ溝103内へ、および角部逃げ溝の中に受けられる結晶の辺の上へとはみ出した。出願人は、通常ならそのような結晶とマウントを認めずに廃棄したであろう。しかし、結晶マウント用の部品が不足していたため、出願人は、結果として取り付けられた結晶の安定性を試験することにした。出願人が大変驚いたことに、LBO結晶は溝の中にひび割れることなく安定して取り付けられた。この発見に基づき、非線形光学結晶の取り付け方法、光学システム用の結晶マウント、および波長変換レーザーシステムが、本発明の実施形態に従って開発された。[実施形態]図2Aは、本発明の実施形態に従って結晶を取り付ける例および発明の結晶マウントを示す。本発明の実施形態によれば、異方的な熱膨張率を有する非線形光学結晶201を確実に取り付けることができる。例として、結晶は三ホウ酸リチウムLBOまたはその他の非線形光学材料で作ってもよい。結晶は、材料ブロック204内に形成された溝202の中に配置される。結晶201の底面Fbは、溝202の底Bと一列に並んで接する。結晶201の側面Fsは、溝202の側壁Sと一列に並んで接する。結晶は、結晶の底面と側面とが交わる結晶201の辺Eに最も近い底面および/または側面の一部に沿って塗布された接着剤205により、溝202の中に固定される。溝202は、一般的に底Bと側壁Sの交線に位置する角形状を含む。角形状は、結晶の側面Fsと底面Fbがそれぞれ溝の側壁Sと底Bに接するように、辺Eを受ける。角形状は、辺Eを受けるために十分に直角である角であってよい。あるいは、角形状は、辺Eを受ける角部逃げ溝203を任意に含んでもよい。図2B~2Dは、角部逃げ溝の断面の実現可能な例を示す。接着剤を、溝202と連通する注入口206を通して注射器で塗布してもよい。角部逃げ溝は、接着剤が辺Eに沿って拡がるのを制限するために、1つ以上の接着剤溜め208を含んでもよい。例として、限定するのではないが、接着剤溜め208は注入口206のいずれの側に位置してもよい。過剰な接着剤は接着剤溜めに流れ込むことができるため、接着剤が辺Eに塗布される程度が制限される。たとえば、接着剤溜め208が十分に大きくかつ十分に深ければ、辺Eに沿った接着剤のはみ出しを2つの接着剤溜めの間の部分に制限することができ、これにより接着剤の界面長さを制御できる。図3A~3Bは、本発明の実施形態による結晶マウント300を示す。これらの図に示すように、結晶マウント300は一般的に、たとえばネジ303および/または接着剤により炉基部305に固定されてもよい金属ブロックの形状の炉本体302を含んでもよい。熱電ペルチェ効果冷却器等の冷却素子309を、結晶310の温度制御のために、ブロック302と基部305の間に取り付けることができる。ブロック302は、LBO結晶または他の非線形光学材料の結晶等の非線形光学結晶310を受ける溝306を含む。接着剤は、注入口307を通して溝に注入してもよい。接着剤溜め307Aは、注入の際に接着剤のはみ出しを制御するために、直角に注入口と連通してもよい。角部逃げ溝308は、結晶の底と側壁とが交わる辺においてブロック内に形成される。円形の角部逃げが図3A~3Bに示されているが、角部逃げの形状は代わりに、図2B~2Dに示す形状のいずれかのような別の形状であってもよい。角部逃げ308は、溝が形成された後に、たとえばすり割り鋸、蟻溝ありみぞカッター、またはEDMで形成することができる。あるいは、角部逃げ308は、溝を形成する前に、たとえばブロック302に丸穴を予めドリルで開けてから溝が部分的に予め開けた穴に重なるように溝306をたとえばフライス盤で機械加工することにより、ブロックに形成してもよい。接着剤溜め図示せずは、たとえば角部逃げと交差するようにブロック302にブロック底部から穴を開けることにより、形成してもよい。2つの接着剤溜めの大きさと間隔は、接着剤を塗布する結晶の長さを制御するために、選定してもよい。本発明の好適な実施形態によれば、結晶の辺Eに沿って約5~15mmで溝306の底と側壁とに接する結晶の面に沿って辺から約0.25~0.5mmの接着剤接触面も、結晶310を保持する上で効果的である。接着剤は、接着の長さを制御するために、結晶310を取り付ける前に、角部逃げ308内に配置できる。角部逃げ308の1つの実際に役立つ例では、15~20mmの結晶が、辺Eに沿って約10mmの接着剤接触面で、安定して取り付けられた。結晶310を結晶マウント300内に固定するために用いられる接着剤は、回復可能な弾力性があり、移動性がなく、熱膨張率CTEの変化にも対応できる接着剤でもよい。接着剤は、硬化すると僅かに収縮する可能性がある。好適な接着剤の例として、数ある中でも、エポキシ樹脂と封止材等の二液性接着剤がある。例として、限定するのではないが、本発明の実施形態においてLBO結晶を固定するために用いることができる好適な接着剤のいくつかの具体的な例として以下が挙げられる。aシリコーンエラストマー封止材、たとえば、カリフォルニア州サンタバーバラのNuSilTechnologyから入手可能なNuSilTechSCV-2590-2、NuSilTechCV-2964、およびミシガン州ミッドランドのDowCorningCorporationから入手可能なSylgard登録商標160とDowCorning93-500bエポキシ樹脂、たとえば、マサチューセッツ州ビレリカのEpoxyTechnology,Inc.からのEpo-Tek353ND、またはノースカロライナ州ケーリーのLordCorporationからのCastallE-301/RT-I、EmersonCuming2651-40/CAT11、EpoxyTechnologies、マサチューセッツ州ベッドフォードのTra-Con,Inc.からのTra-Bond2151、Tra-Bond2158、Tra-Bond2254、またはTra-Bond2903c高温セラミック接着剤、たとえば、ニューヨーク州バレーコテージのAremcoProducts,Inc.からのCeramabond835Mdウレタン、たとえば、カリフォルニア州グレンデールのPRC-DeSotoInternational,Inc.からのPR1564A/B、またはユタ州ソルトレークシティーのHunstmanCorporationからのArathane5753A/BdUV硬化性接着材エポキシ樹脂やアクリル樹脂等、たとえば、ニュージャージー州クランベリーのNorlandProductsからのNorland40または70シリーズおよびニュージャージー州ハッケンサックのMasterBondInc.からのMasterBondUV15-Th図4は、本発明の実施形態による光学システム400を示す。具体的には、システム400は一般的に、1次光源401、任意のコントローラ403、および波長変換器410を含む。1次光源401は、シード光源402、1つ以上の任意の光学前置増幅器404、および任意の出力増幅器406を含む。波長変換器410は、図2A~2Dおよび図3A~3Bで先に説明したように結晶マウントに取り付けられたLBO結晶を含む。結晶における位相整合のための波長が、結晶を加熱または冷却することにより変えられる。システム400において、シード光源402はシード光403Aを生成してもよく、前置増幅器404はシード光403Aを増幅して入力信号405を生成してもよく、出力増幅器406は入力信号405をさらに増幅して増幅出力407を生成することができる。あるいは、前置増幅器を省略してもよく、シード光403Aを入力信号405として用いてもよい。なおさらに、本発明の実施形態は、前置増幅器または出力増幅器による増幅を必要としない適切な光源で1次光を生成してもよい。当該技術分野で周知のように、最高の変換効率を得られるように増幅されたビームを調整するのと同様に、後方へ伝搬するビームを防止し、シーディングのない自然放出の影響を最小化するために、出力増幅器406と波長変換器410の間に帯域通過フィルタや光アイソレータ等の入力結合光学部品408を配置することができる。例として、限定するのではないが、シード光源402は半導体レーザーを含んでもよく、シード光403Aをコヒーレント光の形態とすることも可能である。シード光源402により生成されるシード光403Aは、電磁スペクトルの近赤外部分または可視部分にあってもよい。たとえば、シード光403Aは、約630nmから約3000nmまでの範囲の真空波長によって特徴付けられてもよい。この範囲内の波長を持つ光信号を、異なる基板で作成された様々な半導体レーザーを用いて取得してもよい。シード光源402のための実現可能な設計は、数多く様々である。例として、限定するのではないが、シード光源402は、分布帰還DFBまたは分布ブラッグ反射DBR型半導体ダイオードレーザー等の半導体ダイオードレーザーであってもよい。半導体レーザーを、ダイオードを通る電流を駆動することにより励起してもよい。他のタイプのレーザーをシード光源として用いてもよい。このように、本発明の実施形態は、特定のシード光源に限定されない。光学出力増幅器406からの増幅出力407は、波長変換器410に光学的に接続することができる。波長変換器410内で行われる非線形光学プロセスは、少なくとも増幅出力407の一部を波長変換し、波長変換出力409を生成する。増幅出力407は、好ましくは、波長変換器内で行われる非線形光学プロセスで所望の変換効率を得るために十分な光強度を有する。またシステム400は、波長変換出力409を受け、最終出力413を送る出力結合光学部品416を含んでもよい。結合光学部品416は、簡単なウィンドウを含んでもよく、また光ファイバを含んでもよい。波長変換器410は、図2A~2Dおよび/または3A~3Bに関して先に説明したように構成してもよい。具体的には、波長変換器は、LBO結晶等の非線形結晶414を受けるように構成された溝を有する結晶マウント412を含んでもよい。結晶414は、第2高調波発生SHGおよび第3高調波発生THG等の特定の非線形変換プロセスを優先したものでよい。溝は、結晶414の辺を受ける角部逃げ形状を含んでよい。結晶414は、角部逃げ形状の中に受けられる結晶の辺に沿って塗布される接着剤により、溝の中に固定されてもよい。結晶マウント412は、コントローラ401に操作可能に接続された温度センサと共に加熱素子および/またはペルチェ冷却素子を含んでもよい。コントローラは、結晶マウント412および/または結晶414の温度を変化させることにより、結晶412内で行われる非線形光学プロセスの位相整合を調整してもよい。温度を、たとえばペルチェ冷却素子または加熱素子を温度センサと共にフィードバックループで操作することにより、安定させてもよい。なお、例示の目的のために、波長変換器410はキャビティ外の構成の中に示されている。すなわち、結晶412および結晶マウント414は、レーザーキャビティの外側に位置する。しかし、本発明の実施形態は、結晶412がレーザーキャビティ内に取り付けられる構成を含む。またコントローラ403は、シード光源402および/または任意の光学前置増幅器404、出力増幅器406に操作可能に接続されてもよい。コントローラは、シード光源402のパルス幅τおよびパルス繰り返し周波数PRF等のシード光403Aのパルス特性を制御するように作られた論理回路を含んでもよい。例として、シード光源402が半導体ダイオードレーザーの場合、コントローラ403は、シード光源を励起するために用いられる電気駆動回路422に、制御信号を送信してもよい。電気駆動回路422の動作パラメータを調整するように制御信号を構成してもよい。代替の実施形態では、シード光源の光403Aは、たとえばシード光源402として用いられるDBRレーザーの格子部を加熱する電流パルスを適用することにより、シード光源でアクチュエータを通してスペクトル制御されてもよい。コントローラ403は、波長変換された平均出力および/またはパルスエネルギー、パルス持続時間τ、パルス周期T、またはパルス負荷サイクルをユーザ制御入力423に応答して調整してもよい。いくつかの実施形態では、システムのコントローラ403は、1つ以上のフィードバック信号に応答して動作してもよい。たとえば、最終出力413の一部を、たとえばビームスプリッタ417によりパワーモニタ420に向けて偏向させてもよい。残りの出力415を目標物418に結びつけてもよい。あるいは、最終出力413を目標物418に直接結びつけてもよい。最終出力413または残りの出力415は、用途に応じて多くの様々なタイプのプロセスのどれを実行するためでも、多くの様々なタイプの目標物のどれに届けてもよい。システム400の用途には、材料加工、治療、レーザー粒子加速器、およびウェーハ検査があるが、これらには限定されない。目標物418に適した材料の例として、金属、セラミック、半導体、ポリマー、複合材料、薄膜、有機材料、生体外または生体内の生物サンプル、および素粒子が挙げられるが、これらに限定されない。材料加工の特定の場合においては、目標物は、たとえばワイヤー、プリント回路PC基板、集積回路ICパッケージ、ICウェーハダイ、LEDウェーハ、パッケージ、ダイ等を含んでもよい。材料加工用途の例としては、表面テクスチャリング、熱処理、表面彫刻、精密マイクロマシニング、表面除去、切断、溝彫り、バンプ形成、被覆、はんだ付け、ろう付け、焼結、シーリング、溶接、リンクブローイング、ウェーハスクライビング、ダイシングおよびマーキング、ビアドリリング、メモリ修理、フラットパネルディスプレイ修理、ステレオリソグラフィ、マスクレスリソグラフィ、表面拡散、および合成物への表面変換が挙げられる。上記の構成部品に加え、光学システム400は、当該技術分野で周知の他の光学部品をさらに含んでもよい。そのような部品として、レーザー光403、増幅出力407、最終出力413または残りの出力415の後方反射の有害な影響を避けるための光アイソレータを含んでもよい。光学部品の他の例として、増幅自然放射ASEの有害な影響を避けるための分光フィルタと、シード光403、増幅出力407、最終出力413または残りの出力415の偏光状態を所望の向きに回転させるための波長板とがあるが、これに限定されない。あるいは、シード光源402は、増幅誘導放出ASE光源、モード同期光源、狭い周波数の光源であってもよい。本発明の実施形態において、重要な特徴は、結晶の辺に接着剤を塗布することにより、結晶と取り付けブロックとの間でCTEのミスマッチがある場合でも、歪みの低い状態となることである。上記の例では、結晶を溝の中に取り付けたが、発明の実施形態はこの構成に限定されない。代替の実施形態において、結晶の辺に沿って接着剤を使用し、結晶を取り付けブロックの表面に取り付けてもよい。例として、図5は、結晶510が平面503を有するブロック502に取り付けられた実施形態の例を示す。結晶は、結晶の底面がブロック502の面503に接した状態で、取り付けられる。接着剤は、結晶の辺に沿って塗布され、ブロック502と結晶502の底面および/または側面とを接着する。ブロックは、接着剤を保持するための接着剤溝504を含んでもよい。あるいは、接着剤を面503に直接塗布してもよい。ブロックは、接着剤を面503および/または接着剤溝504に届けるための注入口506を含んでもよい。結晶の辺に沿った接着剤を用いる結晶取り付けの概念に関するその他の変形は、本発明の実施形態の範囲に含まれる。たとえば、本発明の実施形態は、溝を面取りした結晶と組み合わせて利用してもよい。具体的には、図6A~6Bに示すように、結晶601は、取り付けブロック604内に形成された矩形溝602の中に取り付けることができる。結晶601は、結晶の側面Fsと底面FBとに隣接する面取された辺Eを含んでもよい。辺部の空洞は、溝602の完全とは言えない直角の角を収容することができる。接着剤605を溝の角部に塗布して結晶を溝の中に固定してもよい。接着剤が、溝の底Bおよび/または側壁Sと結晶610の底面FBおよび/または側面FSとに接着することにより、結晶をブロック604に固定する。取り付けブロック604は、注入口606および1つ以上の接着剤逃げ溜め608を任意に含んでもよい。他の実施形態において、面取りされた結晶を、図5に示すものと同様の取り付けブロックと組み合わせて使用してもよい。たとえば、図7Aに示すように、面取りされた辺Eを有する結晶701を、取り付けブロック702の面703に取り付けることができる。面703は、実質的に平面、すなわち結晶の底面FBと同程度の平面度に収まる程平らであってもよい。ブロック702は、接着剤705を注入するための注入口706、および結晶701を取り付けるための接着剤を受けるための接着剤溝708を、任意に含んでもよい。図7Bに示す別の代替の実施形態では、結晶701を、接着剤溝や注入口のいずれも有しないブロック702’の面703に固定することができる。図7A~7Bに示す実施形態で絶対に必要というものではないが、結晶は面取りされた辺を持つことができる。[実験結果]図3に示すように取り付けた結晶を用いるレーザーシステムの安定性および従来技術の結晶マウントを用いた場合に関する一連の調査を完了した。従来技術の結晶マウントでは、小さい点状の接着剤だけを使用した。結晶が裸眼で十分視認できるクリープを起こしねじれるのが、観測された。これは、長さ15~20mmの結晶がその一端において約0.25~0.5mm動いたことに相当すると推定される。またこれは、ビーム照準が1000マイクロラジアンのオーダーで変化することに等しい。結晶は、非常に軽い衝撃負荷約20G未満と推定されるで移動または偏移しようとした。これは許容できないビーム性能になるであろう。具体的には、真円度が仕様から大きく外れ、出力が50~75低下すると予想された。発明者が対象とした他の最新の炉では、1000マイクロラジアンも移動することが観察された。これには、クランプ設計、さらには接着剤とクランプの両方を使用する設計、さらには小さい点状の接着剤の設計も含まれる。これらの他の炉は、キャビティ内とキャビティ外の両方であり、この移動は常に大問題であった。最新のLBO炉では、より標準的な輸送仕様である-20°C→50°Cはもちろん、0°C→40°Cの熱サイクルを達成することも困難である。非線形光学結晶等のレーザー用の光学部品は決まって100マイクロラジアンより大幅に小さい回転で取り付けて保持される必要があることを、当該技術分野の熟練レーザー技術者は知っている。なお、回転は平面において純粋な平行移動よりもはるかに重要である。発明者は、図3A~3Bに示すような実施形態が通常LBO結晶を長期間安定して約10マイクロラジアンの範囲内で取り付けることができると確信している。なお、さらに100マイクロラジアンより小さい動きは、クワッドセルや干渉計等の特殊器具を使わずに計測するのは非常に難しい。そのような器具がない場合、計測される回転は他の方法で測定できるとは言えないため、回転安定性は推定値である。図3に示すタイプの結晶マウントを使用するレーザーヘッドについて、十数回の落下試験を行った。ほとんどの落下は、ステンレス鋼のテーブル上面への3/8インチ高さであった。発明者は、この炉の設計の計測できるほどの移動は見なかった。したがって、この新設計は、厳しい衝撃負荷約10msの衝撃の所要時間から見積もって80~120gに対して100マイクロラジアンより優れた安定性を有すると考えられる。新設計は、25マイクロラジアンを下回ると推定される。衝撃試験に加えて、熱サイクル試験を行った。また発明者は、5°Cから45°Cまでのほぼ100回の炉熱サイクルの後でも移動は見なかった。さらに、100万回を超す中程度のレーザー待機状態のサイクルの後でも、移動は観察されなかった。上記の場合の全てにおいて、結晶の割れまたは割れ始めがないことが認められた。本発明の実施形態は、LBO結晶の安定した取り付けを提供することにより、LBOを用いる光学波長変換を容易にする。LBO取り付けの安定性と堅牢性は、結晶の辺に塗布する接着剤を使用して結晶を取り付ける簡単かつ反直観的な方法を考慮して、注目に値する。本発明の実施形態の重要な側面は、これらの実施形態が結晶を固定するために、CTEのミスマッチに起因するひび割れなしに、以前の設計におけるときより多くの接着剤を使用できるようにしたことである。ある程度まで、取り付けにより多くの接着剤を用いることは、典型的により安定したマウントにつながる。本発明の実施形態は、取り付けの際の物理的にひび割れるLBOの問題を解決する。このような問題は、広い表面積の接着剤の接着またはクランプによる機械的なひび割れおよび歪みを伴って、よくあることである。また、小さい点状の接着剤やクランプに対して取り付けの位置安定性が大幅に改善され、広い表面積の接着や締め付け力によるひび割れの恐れがなくなる。より広い辺接着が、結晶を非常に安定して保持し、LBOのひび割れや欠けの問題を生じさせない。上記は本発明の好適な実施形態を一通り説明したものであるが、種々の代替、変形、および同等のものを使用することができる。したがって、本発明の範囲は、以上の説明を参照して判断されるべきではなく、その代わりに添付の特許請求の範囲、およびこれらの範囲全般にわたる同等のものを参照して判断されるべきである。それが好ましいか否かに係わらず任意の特徴を、それが好ましいか否かに係わらず任意の他の特徴と組み合わせてもよい。以下の特許請求の範囲において、不定冠詞AまたはAnは、別様に明記される場合を除いて、冠詞に続く1つ以上の品目の数量を意味する。添付の請求項は、ミーンズプラスファンクションの限定が句meansforを使用する所与の請求項において明示されていない限り、そのような限定を含むものと解釈すべきではない。"