セラミック基板の表面に周状に配置されたメタライズ層を有し、該メタライズ層の上面に形成した接合部材を介して金属部材が接合されるセラミックパッケージであって、前記接合部材は、その一部が前記メタライズ層を貫通するように分布していることを特徴とするセラミックパッケージ。前記接合部材は、前記メタライズ層を断面視して、該メタライズ層の厚みの方向に対して垂直な方向の単位長さをLとし、前記接合部材の幅の和をWtとしたときに、Wt/Lとして表される前記メタライズ層中に存在する前記接合部材の比率が40~70であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックパッケージ。前記メタライズ層がセラミック成分を含み、該メタライズ層中に含まれる前記セラミック成分の含有量が3~10質量であることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックパッケージ。ところが、セラミックパッケージを小型化していった場合、セラミックパッケージや蓋体107のサイズの小型化とともに、セラミック基板101と蓋体107とを接合する部分の幅図3においてセラミックパッケージの基板堤部101Aの幅に対応するメタライズ層103および接合部材109の幅W0も狭くする必要があり、これによりセラミックパッケージのメタライズ層103と接合部材109を介しての蓋体107との接合強度が低下するとともに、蓋体107内の気密性が低下しやすくなるという問題がった。従って、本発明は、セラミック基板上に設けられたメタライズ層と接合部材を介しての金属部材との接合強度が高くかつ気密性に優れたセラミックパッケージを提供することを目的とする。本発明のセラミックパッケージは、セラミック基板の表面に周状に配置されたメタライズ層を有し、該メタライズ層の上面に形成した接合部材を介して金属部材が接合されるセラミックパッケージであって、前記接合部材は、その一部が前記メタライズ層を貫通するように分布していることを特徴とする。本発明によれば、セラミック基板上に設けられたメタライズ層と接合部材を介しての金属部材との接合強度が高くかつ気密性に優れたセラミックパッケージを得ることができる。図1は、本発明のセラミックパッケージの一実施形態を示す分解斜視図である。図2aは、図1に示したセラミックパッケージのA-A線断面模式図であり、bはaのセラミックパッケージを部分的に拡大した断面模式図である。本実施形態のセラミックパッケージは、セラミック基板1の表面に周状に配置されたメタライズ層3を有してなるものであり、その周状に配置されたメタライズ層3の上面には、蓋体や金属枠等の金属部材5をメタライズ層3と接合するための接合部材7が設けられている。セラミック基板1は、板状の基板底部1aと、その基板底部1aの周縁部に設けられた基板堤部1bとから構成されており、基板底部1aの表面には電子部品9を実装するための導体11が形成されている。本実施形態のセラミックパッケージでは、接合部材7の一部がメタライズ層3を貫通するように分布している。これによりセラミック基板1の表面に周状に配置されたメタライズ層3と接合部材7を介しての金属部材5との接合強度の高いセラミックパッケージを得ることができる。また、金属部材7を蓋体としたときには気密性に優れたセラミックパッケージを得ることができる。すなわち、本実施形態のセラミックパッケージでは、接合部材7がセラミック基板1を構成する基板堤部1bの表面に設けられたメタライズ層3と金属部材5との界面に沿って存在しているために、メタライズ層3と金属部材5蓋体5側にもメタライズ層を有する場合にはメタライズ層が金属部材5となる。との界面における接合強度を高めることができる。また同時に、接合部材7の一部がメタライズ層3を厚み方向に貫通するように分布しているために、メタライズ層3中に侵入し、形成された接合部材7がメタライズ層3の内部において、くさびのようにはたらくことからメタライズ層3自体の破壊を抑制することができる。この場合、メタライズ層3が基板堤部1bの表面に平行な面で分割されるような破壊を防止することが可能となる。また、上述のように、接合部材7の一部がメタライズ層3を厚み方向に貫くように分布していることから、メタライズ層3中に存在する空隙が低減されるためメタライズ層3におけるガスの透過性を低減することができ、これによりセラミックパッケージの表面に、例えば、金属部材5として蓋体を接合した場合には蓋体内の気密性を高めることができる。ここで、接合部材7が金属部材5側からセラミック基板1の基板堤部1b側に向けてメタライズ層3を貫通するように分布しているというのは、図2bに示すように、メタライズ層3の断面を観察したときに、接合部材7が、点状に存在していてもメタライズ層3の金属部材5側からセラミック基板1側まで存在している場合のことである。接合部材7のこのような分布は走査型電子顕微鏡に付設されたX線マイクロアナライザを用いて確認できる。また、分析する領域は、例えば、セラミック基板1を構成する基板堤部1bの長さ方向の中央部における50~100μmの幅とする。また、本実施形態のセラミックパッケージでは、接合部材7は、メタライス層3を断面視して、メタライズ層3の厚みの方向に対して垂直な方向の単位長さをLとし、接合部材7の幅wの和をWtとしたときに、Wt/Lとして表されるメタライズ層3中に存在する接合部材の比率が40~70であることが望ましい。ここで、図2bにおいて、両端向きの矢印が接合部材7の幅wであり、Wtはwの総和である。メタライズ層3中に存在する接合部材7の割合が上記した範囲であると、メタライズ層3の内部においてくさびのようにはたらく接合部材7の割合が多くなることからメタライズ層3の接合強度をさらに高めることができる。なお、メタライズ層3に占める接合部材7の比率が70を超えると接合強が低下するおそれがある。接合部材7としては、加熱したときに比較的低い温度ここでは、900°C以下で溶融し、低粘度となり、メタライズ層3中に拡散しやすい材料が好ましく、例えば、銀ロウやウッドメタル等の低融点金属を含む材料が好適である。メタライズ層3を形成する材料は、接合部材7に用いる材料よりも融点の高い金属材料であれば良く、セラミック基板1との同時焼成を可能にするという点で、モリブデンやタングステンあるいはこれらの合金を主成分とするものが良い。この場合、セラミック基板1の組成および焼結温度に合わせてモリブデンやタングステンに銅や銀などを複合させてもよい。セラミック基板1基板底部1a、基板堤部1bとしては、アルミナを主成分とするセラミック材料が好適であり、機械的強度や耐薬品性が高いという点で、アルミナを80質量以上含むものが良い。金属部材5としては、コバール、4-2アロイ、アルシックALSiCなどの金属材料および金属材料にセラミックスを複合化したもの、あるいはセラミック材料を適用することができる。さらに、本実施形態のセラミックパッケージでは、メタライズ層3がセラミック成分を含み、該メタライズ層中に含まれるセラミック成分の含有量が3~10質量であることが望ましい。メタライズ層3中に含まれるセラミック成分の含有量が上記範囲であると、メタライズ層3の表面にニッケルNiめっきを行ったときにめっき液の浸入に起因したシミの発生を防止することができ、これにより外観的にも不良の少ないセラミックパッケージを得ることができる。これはメタライズ層3中に共材としてセラミック成分を含ませるとメタライズ層3の焼結性を制御することができるからであり、この場合、メタライズ層3の熱膨張係数をセラミック基板1の熱膨張係数に近づけることが可能となる。なお、メタライズ層3に含ませるセラミック成分としては、メタライズ層3の金属材料が焼結する温度領域においても溶融することなく、焼結後にもメタライズ層3の内部に残るような融点の高いセラミック材料が望ましい。この場合、例えば、アルミナ、ジルコニア、マグネシアおよび希土類元素の酸化物が好適であるが、モリブデンやタングステンなどを主成分とするメタライズ層3の強度を高められるという点で、アルミナが好ましい。なお、セラミック基板1の主成分がアルミナである場合、メタライズ層3に含ませるセラミック成分を同じくアルミナにすると、メタライズ層3の周囲におけるセラミック基板1の磁器組成の変動も低減できることからメタライズ層3付近の色調の変化や機械的強度の低下も抑えられ、量産しても外観的、機能的に安定したセラミックパッケージを得ることができる。以上、本実施形態のセラミックパッケージにおけるメタライズ層3の利点を説明したが、本実施形態のセラミックパッケージによれば、メタライズ層3の接合強度と気密性を向上させることができることから、セラミックパッケージを構成するセラミック基板1の基板堤部1bの厚みが薄く、その上面に形成されるメタライズ層3の幅が狭いような小型のセラミックパッケージに対してより好適なものとなる。そのサイズはセラミック基板1を構成する基板堤部1bの平均厚みが0.15mm以下であるものに適している。次に、本実施形態のセラミックパッケージを製造する方法を説明する。まず、セラミック粉末に対して有機バインダを添加した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法等の周知の成形方法によって、セラミック基板1基板底部1a、基板堤部1bとなる生の成形体を形成する。次に、この生の成形体の表面に必要な導体パターンを形成して焼成する。例えば、図1に示す構成のセラミックパッケージを製造する場合、まず、基板底部1aとなる生の成形体としてグリーンシートを作製し、次いで、その表面に導体パターンを形成する。一方、基板堤部1bとなる生の成形体は、グリーンシートに穴加工を施し、次いで、そのグリーンシートの穴の周囲の表面に部分的に導体パターンを形成したものを作製する。このとき、必要に応じて穴加工を施しただけのシートも準備しておく。次に、基板底部1aとなるグリーンシートの導体パターンを形成した側に、穴の周囲の表面に導体パターンを形成したグリーンシートを積層し、密着させて、図1に示す形状のセラミックパッケージ用成形体を形成する。ここで、生の成形体を形成するためのセラミック粉末としては、例えば、アルミナ粉末に、シリカ粉末やマンガンを含む酸化物粉末を混合し、アルミナ粉末の割合が80質量以上となる混合粉末を用いるのがよい。導体パターン用のペーストとしては、セラミック粉末の焼結温度に合わせて種々の組成の金属材料を用いることが可能であるが、生の成形体にアルミナ粉末を80質量以上含むセラミック粉末を用いる場合には、モリブデンやタングステン等の高融点の金属材料を用いるのが良く、これに、例えば、アルミナなどのセラミック成分を添加したペーストを用いると、メタライズ層3の焼結性を変更することができ、これにより接合部材7の侵入量を制御することが可能となる。例えば、ペーストに用いる高融点の金属材料に対するアルミナの添加量を0~10質量とすると、焼成後のメタライズ層3に形成される接合部材7の比率を前述した評価で表される値で40~70とすることができる。一方、ペーストに用いる高融点の金属材料に対するアルミナの添加量を11.5質量以上とした場合には、メタライズ層3に形成される接合部材7の比率は30以下となり、メタライズ層3の内部に形成される接合部材7の割合は低下する。また、高融点の金属材料を100質量に対してアルミナ成分の添加量を3~10質量とした場合には、高融点の金属材料により形成されるメタライズ層3の骨格構造の空隙のサイズを小さくすることができることから、メタライズ層3の表面にNiめっきを施すときのめっき液の浸入が抑えられ、それに起因するシミの発生を防止することができる。次に、作製したセラミック配線基板用成形体を還元雰囲気中、1300~1600°Cの温度で焼成する。次に、得られたセラミックパッケージのメタライズ層3の表面にニッケルのめっき膜を形成し、ニッケルのめっき膜を形成したメタライズ層3の表面に接合部材7を介して、蓋体や金属枠などの金属部材5を接合する。本実施形態のセラミックパッケージを構成するメタライズ層3は、焼成後においても高融点の金属材料の緻密化を抑えて、高融点の金属材料の骨格構造を形成し、この骨格構造の隙間に接合部材7の材料を溶融させて浸透させて形成するものである。このように高融点の金属材料の骨格構造内に侵入して形成された接合部材7との複合体を形成することによりメタライズ層3の接合強度を高めることができる。次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。この場合、図1に示す構造のセラミックパッケージを作製し、評価した。まず、セラミック基板を形成するための原料粉末として、アルミナ粉末、Mn2O3粉末、SiO2粉末、MgCO3粉末およびMoO3粉末を準備した。次に、これらの原料粉末をボールミルを用いて、アルミナ粉末を主成分として、Mn2O3粉末を6質量、SiO2粉末を6質量、MgCO3粉末を0.5質量およびMoO3粉末を0.3質量の比率で添加、混合した後、アクリル系樹脂とトルエンとを混合してスラリーを調整し、しかる後に、ドクターブレード法にて厚さ150μmのグリーンシートを作製した。作製したグリーンシートのうち一部のグリーンシートに金型を用いて長方形状の開口部を形成し、この開口部の周囲に焼成後にメタライズ層となる導体パターンを形成した。このシートを以下第1のシートという。また、導体パターンに用いたペーストはモリブデン粉末を主成分としてアルミナ粉末を表1に示す比率で添加したものを用いた。一方、グリーンシートのうち開口部を形成しなかったグリーンシートには、積層したときに開口部の内側の領域となる位置に電子部品を接続するための導体となる導体パターンを形成した。このシートを以下第2のシートという。このとき用いた導体パターンはモリブデン粉末を主成分としてアルミナ粉末を15質量添加したものを用いた。次に、第2のシートを下層として、この第2のシートに形成した導体パターンが第1のシートの開口部内に入るように位置決めして、その上面側に第1のシートを積層し、所定のサイズに切断して生の積層体を作製した。次に、この積層体を、露点25°Cの窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、本焼成を行った。本焼成は、180°C/hで1000°Cから焼成最高温度1330°Cまで昇温し、それを焼成温度として露点25°Cの窒素水素混合雰囲気にて50分間保持した後、1000°Cまでの冷却を180°C/hという条件で行った。こうして得られたセラミックパッケージは、平面面積が2mm×1.6mm、高さが0.2mm、基板底部の平均厚みおよび基板堤部の平均厚みがいずれも0.1mmであった。メタライズ層の平均厚みは20μmであった。次に、セラミック基板上に形成したメタライズ層の表面にNiメッキ膜を形成した。次に、Niめっき膜を形成したセラミックパッケージの基板堤部のメタライズ層の表面の全面に接合部材として銀ロウ共晶Ag-Cuロウを仮付けし、銀ロウを溶融させメタライズ層中に拡散させた。次に、さらに銀ロウを形成したメタライズ層の表面に厚み0.2μmの金メッキを施した。次に、メタライズ層の金めっき膜の表面に銀ロウ共晶Ag-Cuロウを用いて、厚みが0.2mm、幅が0.2mmのコバールFe-Ni-Co合金製の蓋体をシーム溶接によって接合した。次に、蓋体を形成したセラミックパッケージについて、Heリーク法により気密封止性を評価した。Heリーク法は、0.41MPaのHe加圧雰囲気中に2時間保持した後、取り出し、真空雰囲気中で検出されるHeガス量を測定し、1×10-10MPacm3/sec以下を○リークなし、5×10-9MPacm3/secを超えるものを×リーク有りとして評価した。試料数は各5個とした。また、Niめっき後の試料について、メタライズ層の表面の外観検査を行い、Niめっき液に起因するシミの有無を確認した。試料数は各100個とした。シミが有るとの判定は、メタライス層の色とは異なる色調の部分の最長径が50μm以上あるものが1個以上認められた場合とした。また、セラミック基板のメタライズ層の接合強度の評価については、まず、グリーンシートの表面に2mm×5mmの短冊状の導体パターンを形成し、この表面にNiめっき膜を形成した後、幅2mmのコバール製の金属板を接合して試験用試料を作製した。このとき用いた導体パターン用のペーストはHeリーク試験用に作製したとき用いたメタライズ層用のペーストを用いた。次に、この試験用試料に対して金属板を引きはがす際の引きはがし荷重を測定し、メタライズ層の接合強度を評価した。この測定は引張試験器を用いて強度変化をグラフ化し、グラフにおいて、強度の値がほぼ一定となったときの平均値から求めた。この場合、強度が一定となった状態というのは、±0.5kgfの範囲にある状態をいい、平均値は±0.5kgfの範囲における最大値と最低値との中間値とした。このような方法で求められる接合強度は用いた金属板の幅を2mmとしたときの値である。メタライズ層内への銀ロウの存在拡散状態はX線マイクロアナライザを付設した走査型電子顕微鏡を用いて確認した。このとき接合部材の主成分である銀Agが金属部材側からセラミック基板の基板堤部側に向けてメタライズ層を貫通するように分布している状態は、X線マイクロアナライザによる分析において最大出力の80以上の出力を示す色の点が1μm以内の間隔で分布している場合とした。分析用試料はHeリーク試験用に作製したセラミックパッケージを樹脂に埋め込み、その試料を研磨したものを用いた。この分析の試料数は各試料について1個とした。また、メタライズ層内への銀ロウの存在拡散状態を評価した分析データ写真から、図2bに示すように、メタライズ層3の平均厚みの約1/2の位置において、メタライズ層3の厚みの方向に対して垂直な方向の単位長さをLとし、接合部材7の幅wの和をWtとしたときの比Wt/Lから、メタライズ層中に存在する接合部材の比率を求めた。メタライズ層3に含まれるアルミナの含有量についても、銀ロウの存在状態を分析した試料を用いてX線マイクロアナライザにより求めた。この分析についても試料数は各試料について1個とした。分析した結果、メタライズ層中に含まれるアルミナの比率は、表1に示す調合組成に一致するものであった。また、Heリーク試験を行った試料については、量産工程において、各試料10000個作製し、外観検査を行い、Niめっき液のシミの有無を確認した。表1の結果から明らかなように、試料No.1~13では、いずれもメタライズ層の接合強度が幅2mmの引きはがし試験において5.3kgf以上であり、Heリークも見られず、蓋体を形成したセラミックパッケージは良好な封止状態を有していた。この中で、メタライズ層の厚みの方向に対して垂直な方向の単位長さをLとし、接合部材の幅の和をWtとしたときに、Wt/Lが40~70である試料No.1~11では、メタライズ層の接合強度が幅2mmの引きはがし試験において、6.5kgf以上であった。さらに、メタライズ層中に含まれるアルミナの含有量が3~10質量である試料No.4~11では、メタライズ層の接合強度が幅2mmの引きはがし試験において、6.5kgf以上であり、また、各試料10000個作製して評価したものにおいてもNiめっき後のシミの発生が認められなかった。これに対し、試料No.14~17は、メタライズ層の接合強度が幅2mmの引きはがし試験において、いずれも5kgf未満であった。また、Heリークが認められたものもあった。