"直流電源とインバータ回路との間を電気的に開閉するように、2つのNチャネル型半導体スイッチング素子を逆方向に直列接続して構成されるスイッチ回路を開閉させるため、基準電位点を前記インバータ回路と共通にして、前記スイッチ回路に開閉制御信号を出力するスイッチ駆動回路において、駆動用電源と前記基準電位点との間に、2つの半導体スイッチング素子を直列接続したハーフブリッジ回路を有し、前記2つの半導体スイッチング素子には、それぞれ並列に保護用ダイオードが接続され、前記直流電源が、前記インバータ回路に対して逆極性で接続された場合に、前記基準電位点より、自身を経由して前記スイッチ回路側に流出しようとする電流を阻止するための電流阻止用ダイオードを備えていることを特徴とするスイッチ駆動回路。前記電流阻止用ダイオードを、前記ハーフブリッジ回路の信号出力端子と、基準電位側の半導体スイッチング素子との間,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードとの間にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項1記載のスイッチ駆動回路。前記電流阻止用ダイオードを、前記基準電位側の半導体スイッチング素子,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードと、前記前記基準電位点との間にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項1記載のスイッチ駆動回路。前記電流阻止用ダイオードを、前記基準電位側の半導体スイッチング素子,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードと、前記前記基準電位点とを接続する配線間に1つだけ接続したことを特徴とする請求項1記載のスイッチ駆動回路。直流電源が供給されるインバータ回路と、前記直流電源と前記インバータ回路との間を電気的に開閉するスイッチ回路と、基準電位点を前記インバータ回路と共通にして、前記スイッチ回路の開閉を制御する信号を出力するスイッチ駆動回路とを備え、前記スイッチ回路は、2つのNチャネル型半導体スイッチング素子を逆方向に直列接続して構成され、前記スイッチ駆動回路は、駆動用電源と前記基準電位点との間に、2つの半導体スイッチング素子を直列接続したハーフブリッジ回路を有しており、前記2つの半導体スイッチング素子には、それぞれ並列に保護用ダイオードが接続され、前記直流電源が、前記インバータ回路に対して逆極性で接続された場合に、前記基準電位点より、自身を経由して前記スイッチ回路側に流出しようとする電流を阻止するための電流阻止用ダイオードを備えていることを特徴とするインバータ装置。前記電流阻止用ダイオードを、前記ハーフブリッジ回路の信号出力端子と、基準電位側の半導体スイッチング素子との間,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードとの間にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項5記載のインバータ装置。前記電流阻止用ダイオードを、前記基準電位側の半導体スイッチング素子,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードと、前記前記基準電位点との間にそれぞれ接続したことを特徴とする請求項5記載のインバータ装置。前記電流阻止用ダイオードを、前記基準電位側の半導体スイッチング素子,及び前記半導体スイッチング素子に並列に接続される保護用ダイオードと、前記前記基準電位点とを接続する配線間に1つだけ接続したことを特徴とする請求項5記載のインバータ装置。車両のステアリングの操舵力を補助する補助操舵力を発生させるモータと、このモータを制御する請求項5ないし8の何れかに記載のインバータ装置とを備えることを特徴とするパワーステアリング装置。この場合に想定される構成の一例を図6に示す。インバータ回路1は、6個のパワーMOSFETNチャネル2U~W,X~Zを三相ブリッジ接続して構成されており、各相出力端子には、モータ3の各相巻線図示せずが接続されている。モータ3は、例えばブラシレスDCモータである。車両のバッテリ4の正側端子は、スイッチ回路5を介してインバータ回路1の正側直流母線に接続されており、負側端子ボディアースは、負側直流母線に接続されている。スイッチ回路5は、2つのNチャネルMOSFET6a,6bを、互いのソースを共通に接続して構成され、NチャネルMOSFET6aのドレインがバッテリ4の正側端子に接続されており、NチャネルMOSFET6aのドレインがインバータ回路1の正側直流母線に接続されている。双方のゲートは共通に接続され、ソースとの間には抵抗素子7が接続されている。スイッチ回路5を駆動する駆動回路8は、インバータ回路1を制御するICであるMCUMicroControlUnit;マイクロコンピュータなどの周辺回路として構成されており、その電源はバッテリ4からダイオード15を介して直接供給されており、回路グランドはインバータ回路1の負側直流母線に接続されている。そして、スイッチ回路5を駆動するための駆動用電源を生成する電源生成回路9の出力端子とグランドとの間には、2つのNチャネルMOSFET10及び11の直列回路が接続されている。これらのFET10及び11のゲートには、上記MCUより出力される駆動信号がハーフブリッジH/B駆動回路12を介して個別に出力される。また、NチャネルMOSFET10及び11には、保護用のダイオード13及び14がそれぞれ並列に接続されている。MOSFET10及び11の共通接続点ソース及びドレインは、スイッチ回路5を構成するNチャネルMOSFET6a,6bのゲートに接続されている。H/B駆動回路12は、MCUからの駆動信号に応じてスイッチ回路5をオンする場合には、NチャネルMOSFET10をオン,NチャネルMOSFET11をオフしてNチャネルMOSFET6a,6bのゲート電位をハイレベルにする。また、スイッチ回路5をオフする場合には、NチャネルMOSFET10をオフ,NチャネルMOSFET11をオンしてNチャネルMOSFET6a,6bのゲート電位をローレベルにする。以上のように車両に搭載されてバッテリ4より電源供給を受ける装置については、バッテリ4が逆方向に接続された場合に回路が保護されるかどうかを検討する必要がある。そこで、図6に示す構成について、バッテリ4が逆方向に接続された場合を想定すると、以下のような問題がある。このとき、図7に示すように、インバータ回路1の負側直流母線の電位が上昇するため、以下の経路で電圧が印加される。バッテリ4の正側端子-負側直流母線→ダイオード14又はFET11のボディダイオード→スイッチ回路5FET6aのゲート-ドレイン→バッテリ4の負側端子これにより、スイッチ回路5のFET6において、ゲート-ソース間に閾値を超える電位差が印加されるため、スイッチ回路5がオンして上記の電圧印加経路に沿って電流が流れる。同時に、FET6b側がオンすると、インバータ回路1を構成するFET2U,2Xのボディダイオードを経由しても電流が流れる。この時に流れるバッテリ4の短絡電流によって経路中の各素子が破壊される虞がある。尚、スイッチ回路については、図8に示すように、スイッチング素子の一方にPチャネルMOSFET16を用い、互いの寄生ダイオードのアノードが共通となるように接続することも考えられ、この場合には、上記のような逆流の問題が発生しない。しかし、PチャネルMOSFETの素子サイズはNチャネルMOSFETに比較すると大きく、また、それぞれのFETに異なるレベルのゲート信号を与えて制御する必要があることから、一般には図6に示すようにNチャネル同士の組み合わせで構成されることが多い。したがって、上記の問題に対処する必要がある。そこで、バッテリが逆方向に接続された場合でも、回路素子を確実に保護できるスイッチ駆動回路,インバータ装置及びパワーステアリング装置を提供する。実施形態によれば、スイッチ駆動回路は、直流電源とインバータ回路との間を電気的に開閉するように、2つのNチャネル型半導体スイッチング素子を逆方向に直列接続して構成されるスイッチ回路を開閉させるため、基準電位点を前記インバータ回路と共通にして前記スイッチ回路に開閉制御信号を出力する。スイッチ駆動回路は、駆動用電源と前記基準電位点との間に、2つの半導体スイッチング素子を直列接続したハーフブリッジ回路を有し、前記2つの半導体スイッチング素子には、それぞれ並列に保護用ダイオードが接続され、前記直流電源が前記インバータ回路に対して逆極性で接続された場合に、前記基準電位点より、自身を経由して前記スイッチ回路側に流出しようとする電流を阻止するための電流阻止用ダイオードを備えている。また、実施形態によれば、インバータ装置は、直流電源が供給されるインバータ回路と、前記直流電源と前記インバータ回路との間を電気的に開閉するスイッチ回路と、基準電位点を前記インバータ回路と共通にして、前記スイッチ回路の開閉を制御する信号を出力するスイッチ駆動回路とを備える。前記スイッチ回路は、2つのNチャネル型半導体スイッチング素子を逆方向に直列接続して構成され、前記スイッチ駆動回路は、駆動用電源と前記基準電位点との間に、2つの半導体スイッチング素子を直列接続したハーフブリッジ回路を有しており、前記2つの半導体スイッチング素子には、それぞれ並列に保護用ダイオードが接続されている。そして、前記直流電源が前記インバータ回路に対して逆極性で接続された場合に、前記基準電位点より、自身を経由して前記スイッチ回路側に流出しようとする電流を阻止するための電流阻止用ダイオードを備えている。また、実施形態によれば、パワーステアリング装置は、車両のステアリングの操舵力を補助する補助操舵力を発生させるモータと、このモータを制御する請求項5ないし8の何れかに記載のインバータ装置とを備える。第1実施形態以下、第1実施形態について図1ないし図3を参照して説明する。尚、図6と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。パワーステアリング装置100全体の構成を示す図3において、車室内に配置されている操舵ハンドル21に一端が固定されるステアリングシャフト22の回転力は、ラックピニオン機構23により、ラック軸の両端に連結機構24を介して取り付けられた車輪25の方向を変える力として伝達される。ステアリングシャフト22には、回転力を補助するための三相のブラシレスDCモータ3が配置されており、モータ3とシャフト22とは減速機構26を介して連結されている。バッテリ4の電源電圧は、配線27a,27bを経由してモータ駆動制御部28に供給される。モータ駆動制御部28は、モータ3の近傍に隣接または密着して配置されており、モータ3に対する通電をPWM制御するようになっている。モータ駆動制御部28には、制御電源用としてバッテリ電圧が配線27を介して供給されると共に、ステアリングシャフト22に加えられるトルクを検出するトルクセンサ29の信号線30や、モータ3の回転位置を検出するレゾルバ31の信号線32が接続されている。図2は、モータ駆動制御部28の内部構成を示す機能ブロック図である。バッテリ4の負側端子基準電位点とインバータ回路1の負側直流母線との間には、電流検出器33例えば抵抗素子が接続されており、電流検出器33によって得られる電流信号はA/D変換回路34に入力されている。尚、電流検出回路33には、電流によって発生する磁界を検出することで電流を検出する電流プローブを用いても良い。A/D変換回路34は、入力された電流信号をA/D変換したデータをMCU35に出力する。入力I/Fインターフェイス回路36には、トルクセンサ29からの操舵角度信号と、レゾルバ31からの操舵角信号とが与えられており、入力I/F回路36は、各入力信号に応じた電圧信号をMCU35に入力する。MCU35は、マイクロコンピュータ等で構成されており、各入力信号に応じてインバータ回路1を構成する各FET2を制御するためのゲート信号を生成してブリッジ用ゲート駆動回路37に出力する。また、MCU35は、スイッチ駆動回路38を介してスイッチ回路5に駆動信号を出力する。そして、これらの各回路には、図示しない車両のイグニッションスイッチがオンされると、バッテリ4からの電源が供給されるようになっている。MCU35は、電源が供給されると先ずスイッチ回路5に遮断指令OFF信号を出力し、自身の初期化処理が終了するとスイッチ回路5に閉路ON信号を出力する。これによりインバータ回路1にバッテリ4の電力が供給される。MCU35は、操舵トルク信号,操舵回転速度を取り込み、モータ3から操舵補助力トルクを供給する必要があるか否かを判断し、供給する必要がある場合は操舵トルク,操舵回転速度に基づいてモータ3の回転方向並びにモータ3から供給する操舵補助力を求める。そして、MCU35は、求めた回転方向ならびに操舵補助力に基づいてゲート駆動制御信号を生成して出力する。そして、電流検出器33で検出した電流値が過電流値を超えるとスイッチ回路5に遮断指令信号を出力する。ブリッジ用ゲート駆動回路37は、インバータ回路1を構成する上アーム側のFET2U~2Wを導通状態に制御するためのゲート供給電圧を発生する昇圧回路と、複数のレベルシフト回路を備える何れも図示せず。ゲート駆動回路37は、MCU35から出力されるゲート駆動制御信号に基づいて各FET2のゲートにゲート電圧信号を供給する。MCU35は、電流値信号に基づいてインバータ回路1を流れる電流を監視しており、インバータ回路1を流れる電流が予め設定した許容電流を越えた場合は、モータ3の駆動を停止すると共に、スイッチ回路5への通電を遮断してインバータ回路1への給電を遮断する。図1は、スイッチ駆動回路38の内部構成を示す図6相当図である。図6に示す駆動回路8では、その回路グランドはインバータ回路1の負側直流母線に直接接続されていたが、本実施形態のスイッチ駆動回路38では、両者の間に順方向のダイオード39電流素子用ダイオードが挿入されている。これにより、図7に示したようにバッテリ4が逆極性で接続された場合でも、FET2の寄生ダイオードを介して回路に過電流が流れることが防止される。以上のように本実施形態によれば、スイッチ駆動回路38を、バッテリ4とインバータ回路1との間を電気的に開閉するように、2つのNチャネルMOSFET6a,6bNチャネル型半導体スイッチング素子を逆方向に直列接続して構成されるスイッチ回路5を開閉させるため、基準電位点をインバータ回路1と共通にしてスイッチ回路5に開閉制御信号を出力する。そして、電源生成回路9と前記基準電位点との間に、2つのNチャネルMOSFET10及び11半導体スイッチング素子を直列接続したハーフブリッジ回路を有し、これらのFET10及び11には、それぞれ並列に保護用ダイオード13,14を接続し、バッテリ4がインバータ回路1に対して逆極性で接続された場合に、基準電位点より、自身を経由してスイッチ回路5側に流出しようとする電流を阻止するための電流阻止用のダイオード39を備えた。したがって、大電力用のリレーと比較して小形に構成できるスイッチ回路5を用いることができ、パワーステアリング装置100の小型化を図ることができる。そして、バッテリ4が逆極性に接続された場合でも、FET2の寄生ダイオードとスイッチ駆動回路38内の保護ダイオード14により逆電流が流れることを阻止してインバータ回路1やモータ3を保護し、短絡故障を防止することができる。第2実施形態図4は第2実施形態であり、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施形態のスイッチ駆動回路41は、ダイオード39に替えて、NチャネルMOSFET11のソースと回路グランドとの間,保護ダイオード14のアノードと回路グランドとの間に、それぞれ電流阻止用のダイオード42,43を挿入した構成である。このように構成した第2実施形態による場合も、第1実施形態と同様の効果が得られる。第3実施形態図5は第3実施形態であり、第2実施形態と異なる部分について説明する。第3実施形態のスイッチ駆動回路41’は、第2実施形態の電流阻止用ダイオード42,43を、NチャネルMOSFET10のソースとNチャネルMOSFET11のドレインとの間、保護ダイオード13のアノードと保護ダイオード14のカソードとの間に配置した構成である。このように構成した第3実施形態による場合も、第1,第2実施形態と同様の効果が得られる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。NチャネルMOSFET10に替えてPチャネルMOSFETを用いても良い。また、インバータ回路1の上アームにPチャネルMOSFETを用いても良い。パワーステアリング装置に限ることなく、直流電源とインバータ回路との間にNチャネル型半導体スイッチング素子を用いて構成されるスイッチ回路を備えるものであれば適用が可能である。"