"はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法であって、以下の工程:i少なくとも1つのコンタクト領域102を含む電気回路構成を有する表面を含む基板101を準備する工程、ii該基板表面上に配置され、かつ該少なくとも1つのコンタクト領域102を露出するためにパターン形成されるはんだマスク層103を形成する工程、iii該はんだマスク層103及び該少なくとも1つのコンタクト領域102を含む該基板領域全体を、金属シード層104を該基板表面上に設けるのに適した溶液と接触させる工程、ivレジスト層を該金属シード層上に形成し、かつ該レジスト層105中に開口部を作り、該開口部が、はんだマスク開口部110及び少なくとも1つのコンタクトパッド102を露出する工程、v純粋な錫から成る第一のはんだ材料層106を、該金属シード層104上に電気めっきする工程、vi錫-銀合金から成る第二のはんだ材料層107を、該第一のはんだ材料層106上に電気めっきする工程、vii該レジスト層105を除去し、かつ該はんだマスク層領域から該金属シード層104を、該少なくとも1つのコンタクト領域102上に2つの積層されたはんだ材料層を残して除去するに足りる該金属シード層104の量をエッチ除去する工程、viii該基板をリフロー処理し、かつ該処理によって該金属シード層102、該第一のはんだ材料層106及び該第二のはんだ材料層107から、はんだ合金堆積物108を形成し、その際、該はんだ合金堆積物108の組成は、該金属シード層102、該第一のはんだ材料層106及び該第二のはんだ材料層107の量及びそれらの各々の元素組成によって制御する工程を含む、はんだ合金堆積物を基板上に形成する方法。前記金属シード層102が、銅、錫、コバルト、ニッケル、銀、錫-鉛合金、銅-ニッケル合金、銅-クロム合金、銅-ルテニウム合金、銅-ロジウム合金、銅-銀合金、銅-イリジウム合金、銅-パラジウム合金、銅-白金合金、銅-金合金及び銅-希土類合金、銅-ニッケル-銀合金、銅-ニッケル-希土類金属合金、銅/錫バイレイヤー、クロム/銅-クロム合金/銅マルチレイヤー及びニッケル/錫/銅マルチレイヤーから成る群から選択されている、請求項1記載の方法。前記金属シード層102が、銅、銅-ニッケル合金、銅-ルテニウム合金及び銅-ロジウム合金から成る群から選択されている、請求項1又は2記載の方法。前記はんだ合金堆積物108が、50質量超の錫を含有する、請求項1記載の方法。前記はんだ合金堆積物108が、1~6質量の銀を含有する、請求項1記載の方法。前記はんだ合金堆積物108が、0.05~2質量の銅を含有する、請求項1記載の方法。前記はんだ合金堆積物108が、錫-銀-銅合金及び錫-銀-銅-ニッケル合金から成る群から選択されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記基板が、プリント回路板、IC基板又はインターポーザーである、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。例1図1aに従ったコンタクトパッド構造を有するIC基板を用いるめっきシーケンスは図1に従う。該IC基板をまず標準的な方法で清浄化し、次いで過酸化水素及び硫酸を有する水性組成物中でマイクロエッチングする。次に、25μmの厚さを有するはんだマスクLackwerkePeters,ELPEMERSD2467SG-DG525を、非伝導性基板101上に堆積する図1a。はんだマスクをフォト構造化し、少なくとも1つのコンタクトパッド102を露出する。銅の金属シード層104を、基板表面全体に形成する図1b。このために該表面を、イオノゲン性パラジウムを含有する酸性溶液と、次いで無電解銅めっきのための溶液とまず接触させる。次に、ドライフィルムフォトレジスト105PM250、DuPontを、はんだマスク層103上に積層する。このドライフィルムフォトレジストを標準的な方法でパターン化する図1c。その後、錫層第一のはんだ材料層106を、以下:SnMSA2としてのSn245g/l、MSA70溶液60ml/l、ヒドロキノン2g/l及びベンザルアセトン100mg/lを含有する浴から伝導性層上にめっきする図1d。該浴のpHは1未満であり、温度は25°Cである。めっきは20分間にわたる。DCめっきを、次のパラメーターを適用しながら使用する:順電流密度:2.5A/dm2。図1に従ったはんだマスク開口部を、いかなるボイド形成も伴うことなく、錫はんだ材料で完全に充填する。次に、錫-銀合金層第二のはんだ材料層107を、以下:SnMSA2としてのSn240g/l、AgMSAとしてのAg1.5g/l、MSA70溶液60ml/l、ヒドロキノン2g/l及びベンザルアセトン100mg/lを含有する浴から第一のはんだ材料層106上に電気めっきによって堆積する図1e。該浴のpHは1未満であり、温度は25°Cである。めっきは15分間にわたる。DCめっきを、次のパラメーターを適用しながら使用する:順電流密度:2A/dm2。図1に従ったレジスト開口部110を、いかなるボイド形成も伴うことなく、錫-銀合金で充填する。第一のはんだ材料層106及び第二のはんだ材料層107の堆積後、パターン化ドライフィルムフォトレジストを、炭酸カリウム2質量の水溶液で除去する図1f。はんだマスク層103上の金属シード層104を、その後、硝酸30体積を含有する溶液中で40°Cの温度にて1分間処理することによって除去する図1f。エッチングプロセス後、はんだマスク領域103上の銅の金属シード層104を完全に除去した図1f。該基板を、次いでリフロー操作に供し、その際、金属シード層104、第一のはんだ材料106及び第二のはんだ材料107が、均一なSAC合金はんだ堆積物108を形成する。該錫はんだ堆積物は、非常に均質な表面分布を示し、かつウイスカーフリーである。それはチップ又は回路にはんだ付けされるのに適している。例250μmの直径及び20μmの高さのはんだマスク開口部を有する基板を、金属シード層104としての無電解めっき銅-ニッケルで被覆する。レジスト層を堆積し、かつ80μmの直径及び50μmの高さを有するレジスト開口部110を形成する。次いで、はんだマスク開口部109及びレジスト開口部110の高さに関して15μmを、第一のはんだ材料層106としての錫で電気めっきにより充填する。次に、錫-銀合金を、第二のはんだ材料層107として第一のはんだ材料層上にレジスト開口部11の高さに関して15μmを満たして電気めっきにより電気めっきする。金属シード層104は、0.2μmの厚さ及び1.055μgの質量を有する。前記金属シード層は、銅95質量とニッケル5質量とから成る。第一のはんだ材料層106として各開口部に堆積された錫の質量は83.7μgである。第二のはんだ材料層107として各開口部に堆積された錫-銀合金の質量は55μgであり、かつ銀含有率は6質量である。次に、レジスト層106を除去し、かつ基板をリフロー操作に供する。結果生じるはんだ合金堆積物108は、錫96.9質量、銀2.36質量、銅0.75質量及びニッケル0.04質量の均一な組成を有し、該組成は、はんだとして用いられる典型的な四元SAC合金の組成に類似する。例3例2を、50μmのはんだマスク開口部直径及び60μmのレジスト開口部110直径により繰り返した。0.25μmの厚さ及び5質量のニッケル含有率を有する銅層を、金属シード層104として堆積した。90.6μgの質量を有する純粋な錫層を、第一のはんだ材料層106として電気めっきにより堆積した。次に、10μmの高さ及び20.6μgの質量を有する錫-銀合金を、第二のはんだ材料層107としてレジスト開口部110中に電気めっきにより堆積した。前記第二のはんだ材料層107は、銀6質量を含有する。次に、レジスト層106を除去し、かつ基板をリフロー操作に供する。結果生じるはんだ合金堆積物108は、錫98.1質量、銀1.1質量、銅0.76質量及びニッケル0.04質量の均一な組成を有し、該組成は、はんだとして用いられる典型的な四元SAC合金の組成に類似する。"