波長変換材料を含む可撓性フィルムを光源の上に位置付けるステップと、前記光源を、鋳型のくぼみと位置合わせするステップと、前記光源と前記鋳型との間に透明な成形材料を配置するステップと、前記成形材料を前記くぼみに充填させ、前記可撓性フィルムを所定の形状に適合させるよう、前記光源と前記鋳型とを押し付けるステップとを有する方法。前記光源が、支持基板に取り付けられるIII族窒化物発光ダイオードを有する請求項1に記載の方法。前記可撓性フィルムが、前記発光ダイオードと直接接触し、前記発光ダイオードの形状に適合する請求項2に記載の方法。前記可撓性フィルムが、前記鋳型と直接接触し、前記くぼみの形状に適合する請求項2に記載の方法。前記可撓性フィルムが、シリコーンフィルム内に配置される粉末蛍光体を有する請求項2に記載の方法。前記シリコーンフィルムが、前記位置付けるステップの前に、完全に硬化される請求項5に記載の方法。前記シリコーンフィルムが、前記位置付けるステップの前に、部分的に硬化される請求項5に記載の方法。前記可撓性フィルムが、波長を変換しない材料を更に含み、前記波長を変換しない材料が、前記可撓性フィルムの屈折率を変える請求項5に記載の方法。前記可撓性フィルムが、支持フィルム上に配置される請求項2に記載の方法。前記光源と前記鋳型とを押し付けるステップの後に、前記支持フィルムを取り除くステップを更に有する請求項9に記載の方法。前記くぼみが、レンズのような形状をしている請求項2に記載の方法。前記可撓性フィルムが、前記発光ダイオードと直接接触する第1可撓性フィルムであり、前記方法が、波長変換材料を含み、前記鋳型と直接接触する第2可撓性フィルムを位置付けるステップを更に有し、前記透明な成形材料が、前記第1可撓性フィルムと前記第2可撓性フィルムとの間に配置される請求項2に記載の方法。前記成形材料を前記くぼみに充填させ、前記可撓性フィルムを所定の形状に適合させるよう、前記光源と前記鋳型とを押し付けるステップが、前記成形材料を前記くぼみに引き入れる減圧環境を作成するステップを有する請求項2に記載の方法。本発明の目的は、光源の上で成形される可撓性フィルムの状態で波長変換材料を供給することである。幾つかの実施例において、前記波長変換材料の厚さは、厳しく制御され得る。本発明の実施例においては、波長変換材料を含む可撓性フィルムが、光源の上に位置付けられる。前記可撓性フィルムは、所定の形状に適合させられる。幾つかの実施例において、前記光源は、支持基板に取り付けられる発光ダイオードである。前記ダイオードは、前記可撓性フィルムが、前記支持基板と鋳型との間に配置されるように、前記鋳型のくぼみと位置合わせされる。前記支持基板と前記鋳型との間には透明な成形材料が配置される。前記支持基板と前記鋳型とは、前記成形材料を前記くぼみに充填させるよう、押し付けられる。前記可撓性フィルムは、前記光源又は前記鋳型の形状に適合する。図1に図示されている装置においては、3つの鋳型、透明な層64を形成するための第1の鋳型と、蛍光体層66を形成するための第2のより大きい鋳型と、透明な層68を形成するための第3の更に大きい鋳型とが用いられる。蛍光体層66の厚さは、装置によって放射される光の色温度などの特性を決定する。蛍光体層66の厚さは、蛍光体鋳型の位置合わせにおけるばらつきに基づいて、変化し得る。これは、放射される光の特性を望ましくなく変化させ得る、例えば、蛍光体層66は、100μmの範囲内の厚さであり得る。蛍光体鋳型の鋳型位置合わせ許容誤差は、30乃至50μmの範囲内であり得る。蛍光体の目標厚さに比べて高い鋳型位置合わせ許容誤差は、装置から放射される光の色点を望ましくなく移動する蛍光体の厚さのばらつきをもたらし得る。本発明の実施例においては、波長変換材料は、半導体発光装置などの光源の上で成形される可撓性フィルムの形にされる。フィルムは、蛍光体が充填される、シリコーンなどの完全に又は部分的に硬化される透明な材料であり得る。波長変換フィルムは、成形処理とは別に形成されてもよく、これは、波長変換フィルムの厚さの厳しい制御、並びに成形の前のフィルムの特性のテスト及び検査を可能にする。本発明による成形及び他の処理ステップは、US7352011に記載されているように実施され得る。幾つかの実施例において、波長変換可撓性フィルムは、例えば、蛍光体及びシリコーンの混合物を支持フィルム上に広げ、次いで、シリコーンを完全に又は部分的に硬化させて波長変換フィルムにすることによって、エチレン-テトラフルオロエチレンフィルムなどの支持フィルム上に形成される。波長変換材料は、下記の処理をする前に取り除かれる別のエチレン-テトラフルオロエチレンフィルムによって一時的に保護されてもよい。処理後、支持フィルムは、一般に、波長変換フィルムからはがされる。幾つかの実施例において、支持フィルムは、成形レンズを鋳型から解放する解放フィルムとしての役割を果たす。幾つかの実施例において、波長変換フィルムに、ダイヤモンドなどの熱放散材料が加えられ得る。幾つかの実施例において、波長変換フィルムに、フィルムの屈折率を調節して、光伝送を改善し、且つ/又は変換を改善するよう、ダイヤモンドなどの材料が加えられ得る。予備事項として、光源が設けられる。下記の例においては、光源はLEDであるが、あらゆる適切な光源が用いられ得る。また、下記の例においては、光源は、青色又はUV光を放射するIII族窒化物LEDであるが、LED以外の半導体発光装置、及び他のIII-V族材料、III族燐化物、III族砒化物、II-VI族材料、又はSiベースの材料などの他の材料系から作成された半導体発光装置が用いられてもよい。従来のIII族窒化物LED10は、まず、成長基板上に半導体構造を成長させることによって形成される。一般に、n型領域が、最初に成長させられ、例えば、n型であり得る又は意図的にはドーピングされない、バッファ層又は核形成層などの準備層、後の基板の剥離又は基板除去後の半導体構造の薄層化を容易にするよう設計される剥離層、及び発光領域が効率的に光を放射するのに望ましい特定の光学的又は電気的特性のために設計されるn型装置層又はp型装置層を含む、異なる組成及びドーパント濃度の多数の層を含み得る。発光又は活性領域は、n型領域の上で成長させられる。適切な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層、又は障壁層によって分離される多数の薄い若しくは厚い量子井戸発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。p型領域は、発光領域の上で成長させられる。n型領域と同様に、p型領域は、意図的にはドーピングされない層又はn型層を含む、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の多数の層を含み得る。n型層への電気的アクセスを得るために様々な技術が用いられる。p型層及び活性層の一部は、金属化のためにn型層を露出させるようエッチングされる。この方法においては、p型接点とn型接点とが、チップの同じ側にあり、適切な台の上の導体パッドに、直接、電気的に取り付けられることができる。装置は、光が、上面即ち、電気接点が形成される面又は底面即ち、反射性接点を備えるフリップチップから抽出されるように取り付けられ得る。成長基板は、半導体構造から取り除かれてもよく、又は完成装置の一部のままであってもよい。基板除去後、半導体構造が、薄くされてもよく、基板を取り除くことによって露出したn型領域の表面が、例えば、粗くすることによって、又はフォトニック結晶構造を形成することによって、光抽出を改善するよう、テクスチャード加工されてもよい。垂直射出LEDにおいては、対照的に、n型接点は、半導体構造の一方の側に形成され、p型接点は、半導体構造の他方の側に形成される。p型接点又はn型接点のうちの一方との電気接触は、ワイヤ又は金属ブリッジを用いてなされ、他方の接点は、台の上の導体パッドに、直接、結合される。下記の例は、成長基板が取り除かれているフリップチップ装置を含むが、あらゆる適切な装置構造が用いられ得る。LEDの上で成形される可撓性フィルムには、蛍光体又は染料などの1つ以上の波長変換材料が含まれ得る。可撓性フィルムには、例えば、光散乱をもたらすよう、又は装置のオフ状態の白色の見た目を改善するよう、TiOx粒子などの波長を変換しない材料が含まれてもよい。可撓性フィルムは、例えば、光抽出を改善するようマイクロレンズをエンボス加工することによって、光学特性を変えるようテクスチャード加工され得る。1つ以上の波長変換材料と組み合わされたLEDは、白色光又は他の色の単色光を作成するのに用いられ得る。LEDによって放射される光の全て又は一部だけが、波長変換材料によって変換され得る。下記の例においては、波長変換材料は、粉末蛍光体であるが、あらゆる適切な波長変換材料が用いられ得る。無変換光が、光の最終スペクトルの一部であってもよいが、そうである必要はない。一般的な組み合わせの例は、黄色放射蛍光体と組み合わされる青色放射LEDと、緑色及び赤色放射蛍光体と組み合わされる青色放射LEDと、青色及び黄色放射蛍光体と組み合わされるUV放射LEDと、青色、緑色及び赤色放射蛍光体と組み合わされるUV放射LEDとを含む。装置から放射される光のスペクトルを調整するために、他の色の光を放射する波長変換材料が用いられてもよい。多数の波長変換材料は、混ぜ合わされて単一のフィルムに形成されてもよく、単一のフィルム内の別々の層として形成されてもよく、又は多数のフィルム内の混合層若しくは別々の層として形成されてもよい。可撓性フィルムに形成される波長変換材料は、装置において、LEDに接着若しくは結合される予備成形セラミック蛍光体層、又はLEDの上に、ステンシルで印刷される、スクリーン印刷される、吹き付けられる、沈殿される、蒸着される、スパッタリングされる、若しくは別の方法で投与される有機カプセル材料内に配置される粉末蛍光体などの他の従来の波長変換材料と組み合されてもよい。図2乃至6は、本発明の第1実施例の形成を図示している。図2においては、支持基板12に取り付けられた幾つかのLED10が、鋳型20の、各LED10に対応するくぼみ22と位置合わせされる。波長変換可撓性フィルム14は、支持フィルム16上に配置される。波長変換フィルム14及び支持フィルム16は、支持基板12と鋳型20との間に配置される。幾つかの実施例において、波長変換フィルムは、完全に硬化される。幾つかの実施例において、支持フィルム16は、図3に記載されている成形材料24が、鋳型20に付着するのを防止する、エチレン-テトラフルオロエチレンなどの材料である。波長変換フィルム14の厚さは、用いられる波長変換材料と、装置から放射される光の所望の特性とに依存する。波長変換フィルム14の厚さは、幾つかの実施例において、10μmと200μmとの間であってもよく、幾つかの実施例において、40μmと60μmとの間であってもよく、幾つかの実施例において、50μmであってもよい。図3においては、支持フィルム16及び波長変換フィルム14が、鋳型20のくぼみ22の内側を覆うように鋳型20に押し付けられる。例えば、支持フィルム16及び波長変換フィルム14は、鋳型のくぼみの上に広げられてもよく、次いで、図3に図示されているように鋳型のくぼみにフィルムを引き入れる減圧環境又は真空状態が作成されてもよい。鋳型20と支持基板12との間には成形材料24が配置される。くぼみ22は、任意の適切な形状をとり得るが、一般に、くぼみ22は、レンズのような形状をしており、成形材料24は、透明である。成形材料24は、多くの場合、シリコーンであるが、あらゆる適切な成形材料が用いられ得る。図4においては、成形材料24を、強制的に、鋳型20のくぼみ22に充填させ、LED10及び支持基板12に付着させるよう、鋳型20と支持基板12とが押し付けられる。成形材料24をくぼみ22に引き入れるために、真空状態又は減圧環境が利用されてもよい。各LED10上にレンズ26が形成される。成形材料24は、例えば加熱することによって、固体レンズ26を形成するよう、成形材料に適切なように硬化され得る。図5においては、各LED10の上に成形材料24から形成されたレンズ26を残して、鋳型20が取り除かれる。波長変換フィルム14及び支持フィルム16は、各レンズ26の上、且つ隣接するレンズの間に配置される。図6においては、支持フィルム16が取り除かれる。図6に図示されている装置においては、波長変換フィルム14は、レンズ26によって、LED10から間隔をおいて配置される。図7乃至11は、LEDと直接接触している波長変換フィルムを備える装置の形成を図示している。図7においては、可撓性波長変換フィルム28は、LED10の上に位置付けられ、LED10は、支持基板12に取り付けられる。波長変換フィルム28は、上記の波長変換フィルム14と同じ特性を持っていてもよく、支持フィルム上に形成されてもよい。幾つかの実施例において、波長変換フィルム28は、部分的にしか硬化されない。図8においては、LED10が、鋳型20の、各LED10に対応するくぼみ22と位置合わせされる。図9においては、鋳型20と波長変換フィルム28との間に、成形材料24が配置される。鋳型20は、図9には示されていないオプションの解放フィルムで内側を覆われてもよい。図10においては、成形材料24を、強制的に、鋳型20のくぼみ22の形状にして、各LED10の上にレンズ26を形成するよう、鋳型20と支持基板12とが押し付けられる。成形材料24は、波長変換フィルム28を、強制的に、LED10及び支持基板12の形状に適合させ、LED10及び支持基板12に付着させる。成形材料24は、波長変換フィルム28に付着する。成形材料24は、上記のように硬化されてもよい。図11においては、鋳型20が取り除かれる。レンズ26の上にとどまっている解放フィルムも取り除かれる。図11に図示されている装置においては、波長変換フィルム28は、LED10、及びLED10間の支持基板12と直接接触している。波長変換フィルム28の上には、レンズ26が配置されている。図12乃至16は、2つの波長変換フィルムを備える装置の形成を図示している。図12においては、可撓性波長変換フィルム28が、上で、図7に関して記載されているように、LED10及び支持基板12の上に位置付けられる。波長変換フィルム28は、支持フィルム上に形成されてもよく、幾つかの実施例においては、部分的に硬化される。波長変換フィルム14及び支持フィルム16は、上で、図2に関して記載されているように、鋳型20の上に位置付けられる。幾つかの実施例において、波長変換フィルム14は、完全に硬化される。鋳型20のくぼみ22が、LED10と位置合わせされる。図13においては、波長変換フィルム14及び支持フィルム16が、上で、図3に関して記載されているように、鋳型20の内側を覆うように、鋳型20のくぼみ22に押し込まれる。成形材料24は、波長変換フィルム28と波長変換フィルム14との間に投与される。図14においては、鋳型20と支持基板12とが押し付けられる。成形材料24は、鋳型20のくぼみ22を満たして、LED10の上にレンズを形成する。成形材料24は、波長変換フィルム28を、強制的に、LED10及び支持基板12の形状に適合させる。図15においては、鋳型20が取り除かれる。図16においては、支持フィルム16が取り除かれる。図16に図示されている装置においては、第1波長変換フィルム28が、LED10の上面と直接接触している。第1波長変換フィルム28の上には、レンズ26が配置される。レンズ26の上には、第2波長変換フィルム14が配置される。第1及び第2波長変換フィルムは、異なる波長変換材料を含み得る。或る例においては、LED10は、青色光を放射してもよく、波長変換フィルムのうちの一方は、黄色又は緑色放射蛍光体を含んでもよく、波長変換フィルムのうちの他方は、赤色放射蛍光体を含んでもよい。幾つかの実施例において、波長変換フィルム14を保護するために、図6及び16に図示されている装置の上に、オプションの付加的な透明層が成形されてもよい。付加的な透明層は、抽出効率を高めるよう成形されてもよく、且つ/又は所望の供給源サイズを供給するよう所定の大きさに作られてもよい。材料は、装置から放射される光の色対角度を改善するよう、又は全体的な光出力を増大させるよう、選択され得る。付加的な透明層の表面の全て又は一部が、光抽出を改善するよう、テクスチャード加工されてもよい。幾つかの実施例において、レンズ26は、付加的な透明層より小さい屈折率を持ち、このことは、無変換青色光子であって、それらが吸収されて失われ得るLEDの方へ後方散乱される無変換青色光子の数を減らし得る。或る例においては、レンズ26の屈折率は14以下であり、付加的な透明層の屈折率は15以上である。上の実施例において記載されているような成形波長変換フィルムには、従来の波長変換層に比べて幾つかの利点があり得る。可撓性波長変換フィルムは、成形処理とは別に形成され得る。所望の色を達成するために、色測定が、予め実施されることができ、所与のLED発光色に合わせてフィルムが調整され得る。波長変換フィルムは、低いコストで大きな面積を製造され得る。LED10と波長変換フィルム14との間の距離、波長変換フィルムの厚さ、及びLEDの上の波長変換フィルムの厚さの一様性は、抽出効率、色制御及び供給源サイズを改善するよう、厳しく制御され、最適化され得る。LEDのすぐ上に波長変換フィルムを配置するのと対照的に、図6に図示されているような近隔配置において波長変換フィルムを光源から間隔をおいて配置することにも利点があり得る。例えば、近隔波長変換フィルムは、LEDからより少ない熱にしかさらされないかもしれず、これは、温度に影響されやすい波長変換材料の使用を可能にし得る。近隔波長変換層における光子密度は、減らされることができ、これは、装置からの光出力を増大させ得る。LEDの吸収断面は、近隔波長変換フィルムで減らされることができ、これは、抽出効率を高め得る。装置のオフ状態の白色の見た目を改善するよう、波長変換フィルムに含まれるTiOxなどの材料を備える装置においては、所与の白さのための光損失が、吸収断面の減少により、減らされ得る。近隔波長変換装置においては、放射される光の色対角度依存性が減らされ得る。本発明を詳細に説明したが、当業者には、本開示を鑑みて、ここに記載されている本発明の思想の趣旨から外れない修正が本発明に対してなされ得ることは分かるであろう。それ故、本発明の範囲を、図示及び記載されている特定の実施例に限定する意図はない。