n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層と、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極と、前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、を有するGaN系発光ダイオード。図10に示すGaN系LEDの発光層13で発生する光には、必ず、素子内部を上方に向かう成分、すなわち、結晶基板11の下面とは逆方向に向かう成分が含まれる。また、最初は素子内部を下方に向かって進んだ光が、素子内部に存在する屈折率界面や、素子内外を隔てる界面で反射されることにより、進行方向を上方に変えることもある。素子内部を上方に向かって進む光が、p型層14の側から、p型層14と透明層P12aとの界面に入射するとき、ITOの屈折率約2がGaNの屈折率約2.5の約80であることから、スネルの法則により、入射角が約53度よりも大きな光は該界面で全反射され、入射角がこれよりも小さな光が、透明層P12aの内部に進入する。図10に示す従来のGaN系LEDでは、この透明層P12aの内部に進入した光を、金属製の反射層P12bによって反射し、結晶基板11の方向に向かわせることにより、光取り出し効率を向上させようとしており、そのために、反射層P12bが、光反射性の良好なAg、Al、Rhなどで形成される。しかしながら、金属製の反射部材による反射には比較的大きな損失が伴うことから、素子内部で多重反射が発生し易い発光ダイオードにおいて、反射部材を構成する金属材料の選択により光取り出し効率を向上させることには限界がある。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたGaN系LEDを提供することを目的とする。1n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層と、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極と、前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、を有するGaN系発光ダイオード。2前記半導体電極層が、酸化物半導体からなる、前記1に記載のGaN系発光ダイオード。3前記酸化物半導体がITOである、前記2に記載のGaN系発光ダイオード。4前記半導体電極層が、GaN系半導体からなる、前記1に記載のGaN系発光ダイオード。5前記透明絶縁膜がSiO2からなる、前記1~4のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。6前記反射膜の、発光層で発生される光を反射する部分が、AgまたはAlからなる、前記1~5のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。7前記金属電極が、発光層で発生される光を反射する、AgまたはAlからなる部分を有する、前記1~6のいずれかに記載のGaN系発光ダイオード。8実装用基材と、その表面にフリップチップ実装された、前記1~7のいずれかに記載のGaN系発光ダイオードとを含む、発光装置。前記1に記載のGaN系LEDにおいては、p型GaN系半導体層の表面に形成される半導体電極層の表面に、金属製の反射部材が直接形成されるのではなく、該表面に部分的に形成された金属電極を挟んで、該半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜が形成され、その表面に金属製の反射膜が形成される。従って、p型GaN系半導体層側から半導体電極層の内部に進入する光の少なくとも一部は、金属電極や金属製の反射膜により反射されるのではなく、該半導体電極層と該透明絶縁膜との界面で全反射されることになる。絶縁体材料が有する高い光透過率のために、この全反射に伴う損失や、透明絶縁膜の内部に入射する一部の光が、該透明絶縁膜内を伝播する際に受ける損失は小さく、そのために、金属製の反射部材による反射を主に利用していた従来のGaN系LEDに比べて、光取り出し効率が改善される。以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。図1は、本発明の実施形態に係るGaN系LEDの構造を示す模式図であり、図1aは上面図、図1bは図1aのX-Y線における断面図である。図1において、1は結晶基板、2はn型層、3は発光層、4はp型層、P1は下部電極、P2aとP2bは上部電極で、P2aは半導体電極層、P2bは金属電極、Insは透明絶縁膜、Rは反射膜である。図1aにおける破線は、反射膜Rと透明絶縁膜Insの下に隠れている金属電極P2bの輪郭線を示しており、一点鎖線は、反射膜Rの下に隠れている、透明絶縁膜Insに設けられた開口部の輪郭線を表している。図1に示す素子の各部の詳細構成は次の通りである。結晶基板1はサファイア基板であり、素子分離後の寸法は、例えば、縦横それぞれ約350μm、厚さ100μmである。n型層2は、Siケイ素を5×1018cm-3の濃度でドープした、膜厚3μmのGaN層である。発光層3は、膜厚8nmのGaN障壁層と膜厚2nmのInGaN井戸層を、各10層交互に積層してなる、MQW層である。p型層4は、下層側から順に、Mgマグネシウムを5×1018cm-3の濃度でドープした膜厚30nmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層と、Mgを5×1019cm-3の濃度でドープした膜厚200nmのp型GaNコンタクト層を積層したものである。下部電極P1は、下層側から順に、膜厚20nmのTi、膜厚100nmのAl、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAu、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAu、膜厚100nmのPt、膜厚400nmのAuを積層し、熱処理したものである。半導体電極層P2aは、膜厚150nmのITOである。金属電極P2bは、膜厚100nmのAlである。透明絶縁膜Insは、膜厚300nmのSiO2である。反射膜Rは、下層側から順に、膜厚100nmのAl、膜厚100nmのPt、膜厚100nmのAuを積層したものである。この反射膜Rは上部電極に対するボンディング用の電極を兼ねている。図1に示すGaN系LEDは、次の方法で作製することができる。結晶成長結晶基板1として、直径2インチ、厚さ400μmのc面サファイア基板を用い、その成長面上に、MOVPE法など、公知のGaN系半導体結晶の成長方法を適宜用いて、n型層2、発光層3、p型層4を順次形成する。好ましくは、n型層2を成長する前に、結晶基板1の表面に、n型層2の成長温度よりも低温で、GaN、AlGaNなどからなる低温バッファ層を成長する。結晶成長の終了後、必要に応じて、p型層4に添加したMgを活性化するために、不活性ガス雰囲気中にて熱処理を行う。上部電極の形成p型層4の表面全体に、半導体電極層P2aを形成する。ITOからなる半導体電極層P2aの形成には、スパッタリング、真空蒸着、スプレー熱分解、クラスタービーム蒸着、パルスレーザ蒸着、イオンプレーティング、ゾル-ゲル法、レーザアブレーション、その他、公知のITO薄膜の作製法を適宜用いることができる。図2aは、このようにして半導体電極層P2aの形成まで行ったウェハの上面図である。便宜上、ひとつの素子に相当する領域のみを図示しているが、素子分離前の工程はウェハの状態で行われる。図2b、図2c、図3d~fも同様である。半導体電極層P2aの形成後、その表面に、図2bに示すように、Alからなる金属電極P2bを部分的に形成する。金属電極P2bのパターニングは、公知のフォトリソグラフィ技法を用いた、リフトオフ法により行うことができる。リフトオフ法では、まず、半導体電極層P2aの表面全体にフォトレジスト膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ技法を用いて、フォトレジスト膜に、形成しようとする金属電極P2bの形状に開口部を形成し、該開口部に半導体電極層P2aの表面を露出させる。次に、このフォトレジスト膜をマスクとして、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、金属電極P2bの電極膜を形成する。その後、半導体電極層P2aの表面に、前記開口部の形状に形成された電極膜を残して、フォトレジスト膜をリフトオフする。他の方法として、先に、金属電極P2bの電極膜を半導体電極層P2aの表面に全面的に形成し、その後、フォトリソグラフィ技法により所定形状にパターニングしたフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、不要部分をエッチング除去することにより、金属電極P2bを所定の形状に形成することもできる。なお、透明絶縁膜Ins、反射膜R、下部電極P1、p側ボンディング電極P2cのパターニングも、同様の方法で行うことができる。ドライエッチング塩素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、半導体電極層P2aの表面側から、半導体電極層P2a、p型層4、発光層3の一部を除去し、図2cに示すように、n型層2の表面を露出させる。透明絶縁膜の形成図3d示すように、金属電極P2bを間に挟んで、半導体電極層P2aの表面に、SiO2からなる透明絶縁膜Insを形成する。図3dに示す破線は、透明絶縁膜Insの下に隠れた金属電極P2bの輪郭線であり、図3efにおいても同様である。透明絶縁膜Insの形成には、CVD、スパッタリング、蒸着、ゾル-ゲル法等、公知のSiO2薄膜の作製方法を適宜用いることができる。後工程で、反射膜Rを、金属電極P2bと接触するように形成するために、透明絶縁膜Insには金属電極P2bの表面が露出する開口部が設けられる。反射膜の形成透明絶縁膜Insの表面に、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、図3eに示すように、反射膜Rを形成する。反射膜Rは、透明絶縁膜Insに形成された開口部において、金属電極P2bと電気的に接続されるように形成される。図3eに示す一点鎖線は、反射膜Rの下に隠れた前記開口部の輪郭線であり、図3fにおいても同様である。下部電極の形成前記ドライエッチング工程で露出されたn型層2の表面に、蒸着、スパッタリング、CVD等、公知の金属薄膜の作製方法を適宜用いて、図3fに示すように、下部電極P1を形成する。この後、図示していないが、電極ボンディングのために露出させておく必要のある、下部電極P1および反射膜Rの表面の一部を残して、素子の上面側を、SiO2、Si3N4等からなる、絶縁保護膜で被覆することが好ましい。その際、該絶縁保護膜で被覆しようとする下部電極P1や反射膜Rの表面が、Auのように酸化し難い金属からなる場合には、該絶縁保護膜を形成する前に、該表面に膜厚10nm程度のTi薄膜やNi薄膜を形成しておくと、該絶縁保護膜との密着性が良好となる。熱処理電極と半導体との接触抵抗を低下させるために、ウェハ全体を熱処理し、電極とGaN系半導体との密着を促進させる。このような熱処理は、半導体の表面にオーミック電極を形成する際に行われる通常の処理であり、熱処理の温度と時間は、電極の材料にもよるが、温度は350°C~900°C、時間は1分間~60分間とすることができる。素子分離結晶基板1の下面を研削および/または研磨することにより、その厚さを100μm以下となるまで薄くした後、スクライビング、ダイシング、レーザ溶断など、公知の素子分離方法を適宜用いて、素子分離を行う。以上が、図1に示すGaN系LEDの作製方法である。図1に示すGaN系LEDでは、発光層3から直接、または、結晶基板1とn型層2との界面等で反射されることにより、素子内部を上方に向かって進行する光のうち、一部は金属電極P2bにより下方に反射されるが、残りの大部分は、p型層4と半導体電極層P2aとの界面に入射する。このうち、この界面に約53度よりも小さな入射角で入射する光が、半導体電極層P2aの内部に進入する。前述のように、GaNとITOとの界面にGaN側から入射する光は、入射角が約53度よりも大きいと全反射されるからである。半導体電極層P2aの内部に進入する光のうち、透明絶縁膜Insとの界面に約49度よりも大きな入射角で入射する光は、SiO2の屈折率約1.5がITOの屈折率の約75であることから、スネルの法則に従い、この界面で全反射される。従って、p型層4と半導体電極層P2aとの界面で生じる屈折を考慮すると、p型層4から、p型層4と半導体電極層P2aとの界面に、約53度よりも小さな入射角で入射する光が、半導体電極層P2aの内部に進入し、そのうち、該入射角が約36度よりも大きい光は、半導体電極層P2aと透明絶縁膜Insとの界面で全反射されることになる。図1に示すGaN系LEDでは、図10に示す従来のGaN系LEDと異なり、この、p型層4と半導体電極層P2aとの界面に約36度~約53度の入射角で入射する光を、金属製の反射部材図10の素子においては反射層P12bで反射させるのではなく、半導体電極層P2aと透明絶縁膜Insとの界面で全反射させるので、光取り出し効率が改善される。これは、絶縁体であるSiO2の光吸収が小さいために、透明絶縁膜Insとの界面での全反射に伴う損失が、金属製の反射部材の表面での反射に伴う損失と比べて、小さくなるからである。発光ダイオードの内部では多重反射が発生し易いという事情から、このような、素子内部での光反射に伴う損失を低減することは、光取り出し効率の改善に大きな効果を有する。図4は、図1に示すGaN系LEDを、実装用基材の表面にフリップチップ実装したところを示す模式図である。図4において、Sは実装用基材であり、AlN等からなる絶縁性の基板S1の実装面側に、Auからなるリード電極S2、S3のパターンが形成されたものである。GaN系LEDは、上面側を実装用基材Sの実装面に向けて、下部電極P1がリード電極S2に、反射膜Rがリード電極S3に、それぞれ、導電性接合材料Cで接合されることにより固定されている。ここで、導電性接合材料Cは、例えば、Au-Snハンダ等のろう材や、導電体微粒子が樹脂バインダに分散されてなる導電性ペーストである。以上、本発明を具体的な実施形態に即して説明したが、本発明は前記実施形態に限定されない。本発明の実施に係るGaN系LEDに用いる結晶基板は、GaN系半導体結晶の成長に適用可能な基板であって、かつ、発光層で発生される光を透過する透明基板であればよく、サファイアの他、SiC、GaN、ZnO、AlN、スピネル、NGO等からなる基板が例示される。SiC、GaN、ZnO等からなるn型の半導体基板を用いた場合には、結晶基板の下面に下部電極を形成することができるため、ドライエッチングによりn型層を露出させる工程が不要となる。また、フリップチップ実装の際には、上部電極のみを導電性接合材料で実装用基材のリード電極に固定すればよく、基板下面に形成される下部電極にはワイヤボンディングを行うことができるため、実装工程で、導電性接合材料による電極間の短絡が発生し難くなり、歩留りの改善が期待できる。結晶基板の下面および/または上面には、発光層で発生される光を散乱させ得る凹凸構造を設けると、素子の光取り出し効率が更に改善される。本発明の実施に係るGaN系LEDは、pn接合型の発光素子構造が形成されるように、n型層、発光層、p型層が順に積層された積層体を含むが、各層の結晶組成、厚さ、不純物濃度、キャリア濃度などは、従来公知の技術を適宜参照して、設計することができる。この積層体と結晶基板との間や、この積層体の内部には、結晶層の歪を緩和する機能、不純物の望ましくない拡散を抑制する機能、発光層の分解を防止する機能、発光層で発生される光を散乱させる機能、その他、種々の機能を有する層を、適宜設けることができる。本発明の実施に係るGaN系LEDにおいて、半導体電極層の材料は、発光層で発生される光を透過するn型半導体であればよく、ITOの他、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛など、n型伝導性を示す各種の酸化物半導体を用いることができる。また、n型GaN系半導体を用いることもできる。n型GaN系半導体を用いる場合には、半導体電極層の成長を、p型層の成長と連続して、同じ方法を用いて、同じ製造装置内で行うこともできる。いずれの材料で半導体電極層を形成する場合も、p型層との接合障壁が薄くなるように、キャリア濃度は高くすることが望ましい。また、接合界面にAuなどの金属からなる透明または島状の薄膜を介在させるなど、半導体電極層とp型層と接合部の抵抗を低下させるための公知の構造を適宜採用することができる。本発明の実施に係るGaN系LEDにおいて、下部電極、金属電極は、Niニッケル、Au金、Pt白金、Pdパラジウム、Rhロジウム、Ruルテニウム、Osオスミウム、Irイリジウム、Tiチタン、Alアルミニウム、Zrジルコニウム、Hfハフニウム、Vバナジウム、Nbニオブ、Taタンタル、Coコバルト、Fe鉄、Mnマンガン、Moモリブデン、Crクロム、Wタングステン、Laランタン、Cu銅、Ag銀、Yイットリウムなどの単体や合金で形成することができ、積層構造を採用することもできる。また、下部電極とn型層との間には酸化物半導体層を介在させることもできる。下部電極を、n型の半導体基板の下面に設ける場合も同様である。金属電極は、これを挟んで積層される半導体電極層と透明絶縁膜とが接触し得るように、半導体電極層の表面に部分的に形成する。図1に示す素子では、金属電極P2bが粗い格子状のパターンに形成されているが、金属電極の形状はこれに限定されず、他のネット状パターンとしてもよいし、ストライプ状、櫛状、放射状、環状、ミアンダ状、渦巻き状、樹枝状等に形成してもよく、これらが複合されたパターンとしてもよい。金属電極のパターンは、半導体電極層のシート抵抗に応じて、該シート抵抗が高い場合には、半導体電極層の表面上に金属電極の電極膜が密に分散されるように、該シート抵抗が低い場合には、該表面上に該電極膜が疎に分散されるように、形成することが好ましい。これは、半導体電極層のシート抵抗が高い場合には、横方向の電流拡散を金属電極で補う必要性が生じる一方、該シート抵抗が低い場合にはその必要がなく、それよりも光反射性の改善のために、半導体電極層と透明絶縁膜との界面の面積を大きくすることが好ましいためである。金属電極の膜厚に特に限定はないが、素子の光取出し効率を向上させるためには、十分な光反射性が生じる膜厚に形成することが望ましい。従って、金属電極の膜厚は、好ましくは30nm以上、より好ましくは50nm以上、特に好ましくは100nm以上である。膜厚が一定の値より大きくなると効果が飽和し、それ以上の膜厚とすることは材料の浪費となる。このことから、金属電極の好ましい膜厚は1μm以下である。下部電極の膜厚は、実装の際に受ける衝撃に耐えることができ、かつ、剥離が生じ難くなる厚さであればよく、例えば、200nm~3μmとすることができる。下部電極の上面と、上部電極に対するボンディング用電極の上面の高さがほぼ同じとなる厚さを選択することもできる。図1に示す素子の下部電極P1は、最上層部分がろう材との濡れ性の良好なAuで形成されているが、このAuが、下層部分に含まれるAlと合金化反応を生じると、下部電極の特性、ひいては素子の特性が劣化する恐れがある。そこで、これを抑制するために、Alの上にAuを直接積層せず、Al層とAu層の間には、高融点金属W、Mo、Zr、Ti、白金族から選ばれる単体または、それらの合金のひとつであるPtからなる層を、バリア層として介在させている。下部電極や金属電極が、発光層で発生される光を反射し得るように構成されている場合、該反射に伴う損失が小さくなるよう、これらの電極の、少なくとも、該光を反射する部分は、光反射性の良好な金属であるAg、Al、Rh、Pt、Ir、Pdなどで形成することが好ましい。AgとAlは、GaN系LEDの典型的な発光波長である、緑色~近紫外にかけての波長領域での反射率が特に高いことから、最も好ましい材料である。本発明の実施に係るGaN系LEDにおいて、透明絶縁膜の材料は、発光層で発生される光を透過し、かつ、その屈折率が半導体電極層の屈折率よりも小さい材料であればよいが、熱的、化学的な安定性の点からは、無機絶縁体を用いることが好ましい。このような無機絶縁体として、SiO2の他に、Al2O3、スピネル、ZrO2、TiO2、Si3N4、AlN等、各種の金属酸化物、金属窒化物が使用可能であり、半導体電極層の材料に応じて、それよりも屈折率の小さいものを適宜選択すればよい。半導体電極層と透明絶縁膜との界面で、屈折率差による反射が十分に生じるように、透明絶縁膜の屈折率は、半導体電極層の屈折率の85以下とすることが好ましく、80以下とすることがより好ましく、75以下とすることが特に好ましい。屈折率が低いSiO2は、半導体電極層の材料によらず、透明絶縁膜の最も好ましい材料のひとつである。透明絶縁膜の厚さは、本発明の効果が生じる厚さであればよく、特に限定はないが、半導体電極層と透明絶縁膜の界面で光が全反射される際に、透明絶縁膜の内部に染み出す光が、反射膜により受ける吸収が小さくなるよう、透明絶縁膜の厚さは100nm以上とすることが好ましく、200nm以上とすることがより好ましく、300nm以上とすることが特に好ましい。透明絶縁膜は、半導体電極層の上面部のみならず、その一部を延長して、ドライエッチングにより露出された半導体電極層、p型層、発光層の端面を覆うように形成してもよい。このような実施形態に係る素子の断面構造例を、図5に示す。図5に示す素子では、下部電極P1が形成された部分を除き、ドライエッチングにより露出されたn型層2の表面をも覆うように、透明絶縁膜Insの一部が延長して形成されている。本発明の実施に係るGaN系LEDにおいて、反射膜は、光反射性を有する金属膜であればよい。膜厚を20nmよりも薄くすると、金属膜であってもかなりの光透過性を示すことから、反射膜の膜厚は30nm以上とすることが好ましい。反射膜のより好ましい厚さは50nm以上であり、特に好ましい厚さは100nm以上である。反射膜の、少なくとも、発光層で発生される光を反射する部分は、光反射性の良好な金属であるAg、Al、Rh、Pt、Ir、Pdなどで形成することが好ましく、特に、AgまたはAlで形成することが好ましい。金属電極や反射膜の材料にAgやAlを用いる場合、光反射性の観点からはAgやAlの単体を用いることが好ましいが、化学的安定性や耐熱性を向上させるために各種の元素を添加したAg合金やAl合金も、好適に用い得る。光反射性を大きく損なうことなく、化学的安定性や耐熱性を改善したAg合金やAl合金が、液晶表示装置など、各種のディスプレー装置の配線材料用に開発されているが、そのようなAg合金やAl合金は、金属電極や反射膜の材料として好適に用いることができる。図1に示す素子の反射膜Rは、上部電極に対するボンディング用の電極を兼ねているために、その最上層部分がろう材との濡れ性の良好なAuで形成されている。一方、最下層部分はAlで形成されていることから、AlとAuの合金化反応によって反射膜Rの光反射性が低下しないよう、最下層部分と最上層部分との間には、Ptからなる層がバリア層として設けられている。反射膜は、上部電極とではなく、下部電極と電気的に接続されるように、もしくは、下部電極と一体的に、形成することもできる。その場合、反射膜を、下部電極に対するボンディング用の電極として利用することもできる。図6abは、このような実施形態に係るGaN系LEDの構造例を示す模式図であり、図6aは上面図、図6bは図6aのX-Y線における断面図である。図6に示す素子では、反射膜Rと下部電極P1とが一体的に形成されているが、それによって素子のp型層側とn型層側が短絡されないように、透明絶縁膜Insの一部が、ドライエッチングにより露出された半導体電極層P2a、p型層4および発光層3の端面を覆うように、延長して形成されている。この実施形態では、透明絶縁膜で隔てられた反射膜と上部電極とが短絡するのを確実に防止するために、透明絶縁膜を、ピンホールが発生し難いプラズマCVD法を用いて形成することが好ましい。また、図6において、P2cは、上部電極の一部をなすp側ボンディング電極であり、透明絶縁膜Insに設けられた開口部の位置に、金属電極P2bと接触するように形成されている。p側ボンディング電極P2cの材料に特に限定はないが、少なくとも表面部分を、ろう材との濡れ性の良好なAu、Sn、In等で形成することが好ましい。このような、反射膜と下部電極とを接続または一体化する実施形態は、反射膜の材料にAgを用いる場合に特に適している。Agは光反射性の最も優れた金属であるが、高電位状態に置かれると電気化学的マイグレーションを生じ易いという問題があるのに対し、この実施形態では、反射膜が低電位側の電極である下部電極と接続されるために、この問題が軽減される。反射膜の一部を下部電極と接続または一体化し、他の一部を、上部電極に対するボンディング電極と兼用させることもできる。このような実施形態に係るGaN系LEDの構造例を、図7に模式的に示す。図7aは素子の上面図、図7bは図7aのX-Y線における断面図である。図7に示す素子では、反射膜R1が下部電極P1と一体的に形成されており、反射膜R2が上部電極P2a、P2bに対するボンディング用の電極を兼用している。反射膜は、下部電極、上部電極のいずれからも独立させて形成することもできる。このような実施形態に係るGaN系LEDの構造例を、図8に模式的に示す。図8aは素子の上面図、図8bは図8aのX-Y線における断面図である。図8aにおいて、破線は、反射膜Rと透明絶縁膜Insの下に隠れている金属電極P2bの輪郭線を示している。この金属電極P2bは、その上にp側ボンディング電極P2cが積層された方形の部分と、該方形の部分から伸びた二本のストライプ状の部分とから構成されている。本発明の一実施形態に係るGaN系LEDにおいては、GaN系半導体層の成長に用いられる結晶基板が、最終的に素子から除去される。このような実施形態に係るGaN系LEDの構造および製造工程の例を、図9を用いて説明する。図9a~cは、いずれも断面図であり、便宜上、ひとつの素子に相当する領域のみを表示しているが、素子分離前の工程はウェハの状態で行われる。図9aは、結晶基板1の成長面上に、n型層2、発光層3、p型層4が順次成長され、更に、半導体電極層P2a、金属電極P2b、透明絶縁膜Ins、反射膜Rが形成されたところを示す。各部分の構成は、結晶基板を除去しない実施形態において採用し得る構成と同じである。図9bは、反射膜Rの上に、導電性接合材料図示せずを介して、保持基板Bが接合されたところを示す。導電性接合材料は、例えば、ろう材や、導電性ペーストである。保持基板Bは、導電性基板であればよく、各種の半導体基板や、金属基板を用いることができる。保持基板Bを接合することにより、結晶基板1を除去した後も、ウェハや素子のハンドリングを通常の方法により行うことができる。保持基板Bを導電性接合材料で接合する代わりに、反射膜Rの表面に、メッキ法によってNiなどの金属の厚膜を堆積させ、これを保持基板Bとして用いることもできる。図9cは、結晶基板1が除去され、露出されたn型層2の表面に、下部電極P1が形成されたところを示す。結晶基板1の除去は、従来公知の技術を用いて行うことができ、例えば、研削研磨により結晶基板1を摩滅させる方法、レーザリフトオフの技術を用いて結晶基板1をn型層2から剥離させる方法、結晶基板1そのものを、または結晶基板1とn型層2との間に予め形成されたバッファ層図示せずを、選択的に溶解することにより、結晶基板1を消失させる、またはn型層2から剥離する方法などが用い得る。結晶基板1の除去により露出されるn型層2の表面は、下部電極P1を形成する前に、必要に応じて研磨やエッチングを行い、清浄化する。その後は、従来公知の方法を用いて、素子分離を行う。レーザリフトオフの技術を用いると、結晶基板を除去することなく、通常の方法で作製した素子をフリップチップ実装した後、実装された素子から結晶基板を剥離除去することもできる。