種結晶をシリコン融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、前記るつぼ基体の内壁面に形成された透明合成石英ガラス層とを含み、上端部が開口されてなる直胴部と該直胴部に円弧状に形成された底部とを有し、前記透明合成石英ガラス層の直胴部表面の一部に帯状粗面領域を設け、前記帯状粗面領域よりも下方の前記透明合成石英ガラス層表面の下部領域は滑面とし、前記帯状粗面領域の算術平均粗さが2~9μmであり、前記シリコン融液の初期状態における液面が前記帯状粗面領域に接するように前記帯状粗面領域が設けられてなることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。前記帯状粗面領域が石英粉を用いたブラスト処理により形成されてなることを特徴とする請求項1記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。前記ブラスト処理が乾式又は湿式であることを特徴とする請求項2記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。前記下部領域の算術平均粗さが009μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ。種結晶をシリコン融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法であり、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、前記るつぼ基体の内壁面に形成された透明合成石英ガラス層とを含み、上端部が開口されてなる直胴部と該直胴部に円弧状に形成された底部とを有する石英ガラスるつぼを作製し、前記透明合成石英ガラス層表面の直胴部表面の一部に帯状粗面領域を設け、前記帯状粗面領域よりも下方の前記透明合成石英ガラス層表面の下部領域を滑面とし、前記帯状粗面領域の算術平均粗さが2~9μmであり、前記シリコン融液の初期状態における液面が前記帯状粗面領域に接するように前記帯状粗面領域を設けることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。前記帯状粗面領域を石英粉を用いたブラスト処理で形成することを特徴とする請求項5記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。前記ブラスト処理が乾式又は湿式であることを特徴とする請求項6記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。前記下部領域の算術平均粗さが009μm以下であることを特徴とする請求項5~7のいずれか1項記載のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法。本発明は、上記した事情に鑑みなされたもので、シリコン単結晶の引き上げ時の液面振動の発生を効率的に抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼは、種結晶をシリコン融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、前記るつぼ基体の内壁面に形成された透明合成石英ガラス層とを含み、上端部が開口されてなる直胴部と該直胴部に円弧状に形成された底部とを有し、前記透明合成石英ガラス層表面の直胴部表面の一部に帯状粗面領域を設け、前記帯状粗面領域よりも下方の前記透明合成石英ガラス層表面の下部領域を滑面とし、前記帯状粗面領域の算術平均粗さが2~9μmであり、前記シリコン融液の初期状態における液面位置が前記帯状粗面領域の範囲内となるように前記帯状粗面領域が設けられてなることを特徴とする。本明細書において、算術平均粗さとは、JISB0601に記載の算術平均粗さを指す。前記帯状粗面領域とは、前記透明合成石英ガラス層表面の一部に帯状するように形成された帯状の粗面領域を指す。前記シリコン融液の初期状態における液面とは、シリコン単結晶を引き上げる前のシリコン融液が前記石英ガラスるつぼ内に入っている状態での液面のことを指す。なお、本発明におけるシリコン単結晶の引き上げ時の液面振動とは、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間に見られる液面振動を指す。前記帯状粗面領域の前記石英ガラスるつぼの端部からの位置は、前記石英ガラスるつぼの径や製造条件などによって適宜設定すればよいものであるが、前記シリコン融液の初期状態における液面位置が前記帯状粗面領域の範囲内となるように前記帯状粗面領域を設ける必要がある。前記帯状粗面領域としては、前記シリコン融液の初期状態における液面を中心に少なくとも±10mmであり、液面から下方への最大幅が50mm以内となるようにするのが好ましい。また、前記帯状粗面領域が石英粉を用いたブラスト処理により形成されてなるのが好適である。前記石英粉としては、合成石英粉又は高純度天然石英粉が用いられる。さらに、前記滑面とした下部領域の算術平均粗さがRa009μm以下であるのが好ましく、Ra003μm以下であるのがより好ましい。前記ブラスト処理が乾式又は湿式であるのが好適である。前記ブラスト処理は、石英粉を圧縮空気や遠心力で吹き付けることにより、前記石英ガラスるつぼ内表面を粗面化するものである。前記ブラスト処理としては、石英粉を吹き付ける乾式ブラストでもよいし、水などの流体とともに石英粉を吹き付ける湿式ブラストでもよい。石英粉としては、粒径106μm~355μmの範囲の石英粉の重量積算が80以上であるのが好適である。粒径の測定及び選別にあたっては例えば篩いを用いればよい。本発明のシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法は、種結晶をシリコン融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼの製造方法であり、半透明石英ガラス層のるつぼ基体と、前記るつぼ基体の内壁面に形成された透明合成石英ガラス層とを含み、上端部が開口されてなる直胴部表面と該直胴部に円弧状に形成された底部とを有する石英ガラスるつぼを作製し、前記透明合成石英ガラス層表面の一部に帯状粗面領域を設け、前記帯状粗面領域よりも下方の前記透明合成石英ガラス層表面の下部領域を滑面とし、前記帯状粗面領域の算術平均粗さが2~9μmであり、前記シリコン融液の初期状態における液面位置が前記帯状粗面領域の範囲内となるように前記帯状粗面領域を設けることを特徴とする。また、前記帯状粗面領域を石英粉を用いたブラスト処理で形成するのが好ましい。前記滑面領域の算術平均粗さがRa009μm以下であるのが好ましく、Ra003μm以下であるのがより好ましい。さらに、前記ブラスト処理が乾式又は湿式であるのが好適である。なお、本発明の適用にあって、るつぼの口径に特別の限定はなく、様々な口径のるつぼに適用可能である。本発明によれば、シリコン単結晶の引き上げ時の液面振動の発生を効率的に抑制することができるようにしたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法を提供することができるという著大な効果を有する。また、本発明によれば、操業時間の短縮及び歩留まりの向上にもつながるという著大な効果を有する。以下、本発明の一つの実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、これらの説明は例示的に示されるもので限定的に解釈すべきものでないことはいうまでもない。図1において、符号10は本発明に係るシリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼを示す。シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ10は、種結晶をシリコン融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼであり、半透明石英ガラス層のるつぼ基体12と、前記るつぼ基体12の内壁面に形成された透明合成石英ガラス層14とを含み、上端部22が開口されてなる直胴部24と該直胴部24に円弧状に形成された底部26とを有し、前記透明合成石英ガラス層14の直胴部24の一部に帯状粗面領域18を設け、前記帯状粗面領域18よりも下方の前記透明合成石英ガラス層表面の下部領域28は滑面とされている。なお、符号20は、帯状粗面領域18の凹部である。前記帯状粗面領域18の算術平均粗さは2~9μmであり、シリコン融液の初期状態における液面16が前記帯状粗面領域18に接するように前記帯状粗面領域18が設けられている。図1の例では、前記帯状粗面領域18の幅Wのちょうど中間部分にシリコン融液の初期状態における液面16がくるようにされている。また、上端部22から帯状粗面領域18までの距離dについては、るつぼの口径やシリコン融液の量など、種々の製造条件によって変わるものであるため、特別の限定はない。シリコン融液の初期状態における液面16が前記帯状粗面領域18に接するように、距離dを調節して前記帯状粗面領域18を設ければよい。また、前記滑面とした下部領域の算術平均粗さは好ましくはRa009μm以下、より好ましくはRa003μm以下とされている。また、前記帯状粗面領域18よりも上方の前記透明合成石英ガラス層表面の上部領域30については、粗面としてもよいし、滑面としてもよいが、原料である多結晶シリコンとの接触による石英片の剥離を勘案すると滑面の方がより好ましい。図示例では、上部領域30を下部領域28と同様の滑面とした例を示した。このように、シリコン融液の初期状態における液面16が前記帯状粗面領域18に接するように前記帯状粗面領域18が設けられているため、シリコン単結晶の引き上げ時の液面振動の発生を抑制することができる。以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り様々の変形が可能であることは勿論である。実施例1粒径50~500μmの天然石英粉を回転する内径570mmのモールド内に供給し、厚さ25mmの粉体層からなる成型体を成型し、アーク放電により該成型体の内部から加熱熔融すると同時に、その高温雰囲気中にOH濃度が40ppmの合成石英ガラス粉を100gminの割合で供給し、泡の無い透明ガラス層を全内面領域にわたり、1~3mmの厚さで形成した。熔融が終了し、冷却した直径555~560mmの石英ガラスるつぼについて、高さが370mmとなるよう上端部をカットし、石英ガラスるつぼを20個作成した。前記石英ガラスるつぼについて、直胴部内面において、上端部からの距離dが60mm、幅Wが40mm即ち、上端部から60mm~100mmの範囲の帯状粗面領域にのみ、サクション式エアーブラスト処理で粗面化を行った石英ガラスるつぼを10個作成した。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。ブラスト材として使用した高純度天然石英粉について粒度分布を測定したところφ106μm~355μmの占める割合は87重量であった。各るつぼの帯状粗面領域の面粗さを測定したところRa:372~388μmであり、また上部領域、下部領域のRaはそれぞれ000~002μm、000~002μmであった。この石英ガラスるつぼにポリシリコンを140kg充填した操業条件Aでシリコン単結晶の引き上げを行ったところ、全てのるつぼにおいて従来発生していた、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間に見られるシリコン融液面の振動は見られず、自動で操業可能であり、操業時間の短縮とシリコン単結晶の歩留り向上が確認された。結果を表1に示す。なお、表1及び2において、サンドブラスト処理条件の範囲とは、サンドブラスト処理を行った帯状粗面領域の位置、即ち、上端部からの距離d~該距離d帯状粗面領域の幅Wを示したものである。本明細書において、操業時間とは、シリコン単結晶の引き上げ開始から引き上げ完了までに要する時間を指す。表1において、操業時間率とは、従来の例である比較例1の操業時間を1とした場合の比率であり、例えば実施例1の操業時間率の場合、実施例1の操業時間÷比較例1の操業時間=実施例1の操業時間率、によって算出される。操業時間率が低いほど、オペレータによる手動調整などが不要で自動操業が可能であるなど、操業時間が短縮されていることを示す。また、歩留まり率とは、従来の例である比較例1のシリコン単結晶の歩留りを1とした場合の比率である。例えば実施例1の歩留り率の場合、実施例1の歩留まり÷比較例1の歩留まり=実施例1の歩留まり率、によって算出される。歩留まり率が高いほど、歩留まりが向上していることを示す。実施例2実施例1とブラスト処理条件を変更し、上端部から50mm~110mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動は生じなかった。実施例3サクション式エアーブラストの代わりにウエットブラスト処理にて、上端部から60mm~110mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。また、ブラスト材は実施例1のエアーブラストに使用したものと同じ天然石英粉を使用した。結果を表1に示す。表1に示すように、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間に液面振動は生じなかった。実施例4帯状粗面領域上端部から60mm~100mmの範囲よりも上方の上部領域についても粗面化処理を行った。下部領域のみマスキングテープによるマスキングを行い、上部領域はマスキングを行わなかった。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動は生じなかった。また、粗面化処理は、石英ガラスるつぼをひっくり返さず行った。マスキングを行った下部領域の算術平均粗さは低い値となり、マスキングを行わなかった上部領域の算術平均粗さは比較的高い値となった。実施例5サクション式エアーブラストの代わりにウエットブラスト処理にて実施し、石英ガラスるつぼをひっくり返さず、また、マスキングを行わず、上端部から60mm~110mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行った。また、ブラスト材は実施例1のエアーブラストに使用したものと同じ天然石英粉を使用した。結果を表1に示す。表1に示すように、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間に液面振動は生じなかった。マスキングをしなかったにもかかわらず、上部領域及び下部領域ともに、算術平均粗さは低い値となった。実施例6上端部から60mm~110mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理をウエットブラスト処理にて実施し、石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。また、ブラスト材は実施例1のエアーブラストに使用したものと同じ天然石英粉を使用した。ただし、マスキングは行わなかった。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動は生じなかった。粗面化処理は、実施例1と同様に、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行ったため、下部領域の算術平均粗さは低い値となり、上部領域の算術平均粗さは、下部領域の算術平均粗さよりも高い値となった。比較例1粒径50~500μmの天然石英粉を回転する内径570mmのモールド内に供給し、厚さ25mmの粉体層からなる成型体を成型し、アーク放電により該成型体の内部から加熱熔融すると同時に、その高温雰囲気中にOH濃度が40ppmの合成石英ガラス粉を100gminの割合で供給し、泡の無い透明ガラス層を全内面領域にわたり、1~3mmの厚さで形成した。熔融が終了し、冷却した直径555~560mmの石英ガラスるつぼについて、高さが370mmとなるよう上端部をカットし、石英ガラスるつぼを20個作成した。そのうちの10個について、操業条件Aで、シリコン単結晶の引き上げを行ったところ、何れの場合においても、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間にシリコン融液面に振動が発生した為、自動操業が出来ず、オペレーターによる手動調整が必要であったばかりか、初期のトラブルにより操業時間が長くなり、結果としてシリコン単結晶の歩留りも低めであった。尚、上記るつぼの使用前における内表面の表面粗さを前もって測定したところ、全領域にわたって表1に示す値であり、使用後のるつぼから操業開始時の初期液面位置を測定したところ、平均で上端部から74mmであり、表1に示すように液面振動が生じた。比較例2帯状粗面領域のRaを変えた以外は、実施例1と同様に行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動が生じた。比較例3帯状粗面領域上端部から60mm~100mmの範囲、該帯状粗面領域よりも上方の上部領域及び該帯状粗面領域よりも下方の下部領域を表1に示すように全て粗面化処理を行った。すなわち、前記透明合成石英ガラス層の内表面全てを粗面化した以外は、実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動は生じなかったが、特にるつぼの直胴部から底部にかけてのR部湾曲部や底部の面状態が悪化し、歩留まりが大幅に低下してしまった。比較例4帯状粗面領域のRaを変え、上端部から50mm~110mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表1に示す。表1に示すように液面振動は生じなかったが、粗面処理した処理面より石英片が剥離する為、結晶が乱れ易くなってしまうという問題が生じ、操業時間が長くなってしまった。実施例7上端部から110mm~140mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行った。帯状粗面領域のRaを変更し、液面位置を変更し、シリコン単結晶引き上げ条件操業条件Bでシリコン単結晶の引き上げを行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表2に示す。表2に示すように液面振動は生じなかった。表2において、操業時間率とは、従来の例である比較例5の操業時間を1とした場合の比率であり、例えば実施例7の操業時間率の場合、実施例7の操業時間÷比較例5の操業時間=実施例7の操業時間率、によって算出される。操業時間率が低いほど、オペレータによる手動調整などが不要で自動操業が可能であるなど、操業時間が短縮されていることを示す。また、歩留まり率とは、従来の例である比較例5のシリコン単結晶の歩留りを1とした場合の比率である。例えば実施例7の歩留り率の場合、実施例7の歩留まり÷比較例5の歩留まり=実施例7の歩留まり率、によって算出される。歩留まり率が高いほど、歩留まりが向上していることを示す。実施例8帯状粗面領域の幅Wを実施例7よりも広くし上端部から110mm~250mmの範囲、粗面化処理を行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表2に示す。表2に示すように液面振動は生じなかった。実施例9表2に示したように、帯状粗面領域のRaの他、該帯状粗面領域よりも上方の上部領域及び該帯状粗面領域よりも下方の下部領域をRaがそれぞれ003~009μmである滑面となるように処理した以外は、実施例7と同様に行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表2に示す。表2に示すように液面振動は生じなかった。比較例5比較例1で作製した石英ガラスるつぼのうち残りの10個を用いて、操業条件Bにてシリコン単結晶の引き上げを行ったところ、種結晶をシリコン融液に接合させ、種絞りネッキングを経て、シリコン単結晶のショルダー部形成が始まるまでの間にシリコン融液面に振動が発生した為、自動操業が出来ず、オペレーターによる手動調整が必要であったばかりか、初期のトラブルにより操業時間が長くなり、結果としてシリコン単結晶の歩留りも低めであった。尚、上記るつぼの使用前における内表面の表面粗さを前もって測定したところ、全領域にわたって表2に示す値であり、使用後のるつぼから操業開始時の初期液面位置を測定したところ、平均で上端部から124mmであり、表2に示すように液面振動が生じた。比較例6帯状粗面領域のRaを変えた以外は、実施例7と同様に行った。結果を表2に示す。表2に示すように液面振動が生じてしまった。比較例7上端部から60mm~100mmの範囲の帯状粗面領域の粗面化処理を行い、実施例1と同様のるつぼを用いてシリコン融液の液面位置が帯状粗面領域から外れた状態で、シリコン単結晶の引き上げを行った。粗面化処理の際、粗面化処理を行わない上部領域及び下部領域については、マスキングテープを用いて予めマスキングをしておいた。粗面化処理は、上端部が下になるように石英ガラスるつぼをひっくり返した状態で内壁面に対して行った。結果を表2に示す。表2に示すように液面振動が生じてしまった。