透明絶縁基板上に第1電極層と光電変換層と第2電極層とが順に積層された複数の薄膜太陽電池素子を有する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記基板の上に前記第1電極層と前記光電変換層とを積層する第1工程と、前記光電変換層に前記第1電極層に達する開口部を形成する第2工程と、前記光電変換層の上と前記開口部とを覆う前記第2電極層を形成する第3工程と、前記第1電極層の上の前記光電変換層と前記第2電極層とを除去した溝を形成して前記薄膜太陽電池素子間の前記第2電極層を分離する第4工程と、を含み、前記基板の周縁領域の前記第1電極層の上の前記光電変換層と前記第2電極層とを前記透明絶縁基板側からレーザ光を照射して除去する第5工程と、前記第5工程の後に前記周縁領域の前記第1電極層をウェットエッチングで除去する第6工程と、を有する薄膜太陽電池の製造方法。請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記第2電極層は、前記第6工程のウェットエッチングに対してエッチング耐性を有する材料からなり、前記第5工程と前記第6工程とは前記第3工程と前記第4工程との間に、行われることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項2に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記第1電極層は主成分がZnOであり、前記第2電極層の表面はAg、Ni、窒化チタン、窒化したAlのいずれかを主成分として、前記第6工程で使用するエッチング液の主成分が塩酸、酢酸、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アルカリ水溶液のいずれかであることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記第4工程および前記第5工程の後に前記周縁領域を除いて前記第4工程で形成された前記溝と前記第2電極層との上とを光反射層で覆う第7工程を有し、前記第7工程の後に前記第6工程が行われることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記第4工程は前記透明絶縁基板側からレーザ光を照射して前記光電変換層と前記第2電極層とを除去する工程であり、前記第4工程と前記第5工程とは連続または同時に処理されることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記第1電極層は主成分がZnOであり、前記第2電極層は透明導電材料からなり、前記第7工程の前記光反射層は前記第6工程の前記エッチング液に対してエッチング耐性を有する材料からなることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。特許文献2や3のように、周縁領域の膜をサンドブラストや機械研磨で除去する場合には基板にクラック等のダメージが入るために基板の端部での機械的強度の低下が発生し、モジュール化後に基板の割れ、破壊が発生する問題がある。レーザスクライブ法で除去する方法では、除去された太陽電池層を構成する膜の一部が再付着するため、太陽電池層除去部の絶縁性が低下する場合がある。特許文献4の方法によれば、導電性の高い第1電極層の材料が光電変換層の断面へ再付着することを減少できるが、第1電極層の材料がレーザ光で蒸散した際に周縁領域の基板上にその材料が再付着や残留することを防止できない。周縁領域の基板上に導電性の付着物等が残留すると、外部と電気的な絶縁性能の低下が発生する。また、付着物によりモジュール化時に接着層と基板周縁領域との密着力が低下し、太陽電池層の信頼性を低下させる。周縁領域の太陽電池層をウェットエッチングによって除去する場合は、太陽電池層は種々の材料の層が積層された層であるため、各層ごとに対応するエッチング液を用意して順次エッチング処理を行う必要があり、作業効率が悪いという問題がある。そこで、本発明は薄膜太陽電池を製造する際の周縁領域の太陽電池層の除去工程において、基板に機械的なダメージが発生することや周縁領域に導電性物質が残留することを防止する、作業効率に優れた薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、透明絶縁基板上に第1電極層と光電変換層と第2電極層とが順に積層された複数の薄膜太陽電池素子を有する薄膜太陽電池の製造方法であって、基板の上に第1電極層と光電変換層とを積層する第1工程と、光電変換層に第1電極層に達する開口部を形成する第2工程と、光電変換層の上と開口部とを覆う第2電極層を形成する第3工程と、第1電極層の上の光電変換層と第2電極層とを除去した溝を形成して薄膜太陽電池素子間の第2電極層を分離する第4工程と、を含み、基板の周縁領域の第1電極層の上の光電変換層と第2電極層とを透明絶縁基板側からレーザ光を照射して除去する第5工程と、第5工程の後に周縁領域の第1電極層をウェットエッチングで除去する第6工程と、を有する薄膜太陽電池の製造方法とした。基板周縁領域の第1電極層の上の光電変換層と第2電極層とを透明絶縁基板側からレーザ照射して除去する第5工程と、第5工程の後に基板周縁領域の第1電極層をウェットエッチングで除去する第6工程と、を有するので、基板に機械的なダメージが発生せず、光電変換層の断面だけでなく周縁領域の基板上にも導電性物質が付着することを防止できる。また、ウェットエッチングの工程が簡単になり作業効率も良い。以下に、本発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。さらに、実施の形態において同じ構成要素は同じ符号を付し、ある実施の形態において説明した構成要素については、別の実施の形態においてその詳細な説明を略すものとする。<実施の形態1>図1は本発明の実施の形態1の製造方法で形成される典型的な薄膜太陽電池の概略構造を示す上面図である。本実施の形態1の薄膜太陽電池100は、ガラスなどの透明絶縁性の基板1上に薄膜太陽電池素子10を複数設置した構造を有する。基板1上の周辺には薄膜太陽電池素子10が形成されていない周縁領域40があり、その内側は薄膜太陽電池素子10のある発電領域30となっている。薄膜太陽電池100をモジュール化した際に、モジュールの外部と発電領域30との電気的絶縁を保つように、周縁領域40は導電性膜が残留しないようにされる。この周縁領域40は基板上1の縁からたとえば5mm以上の幅を有して形成されることが望ましい。一方、発電領域30が狭くなると発電量が低下するので発電領域30と基板1の縁との間は20mm以下とすると良い。典型的な基板1の形状は図のように矩形であり、薄膜太陽電池素子10は基板1の辺に平行な方向に細長い矩形などであるが、それらの形状や数は任意に変更可能である。図2は図1の薄膜太陽電池の一部を拡大した斜視図である。図3は図1の薄膜太陽電池の断面図であり、図3aは図1のA-A’線間、また図3bは図1のB-B’線間の断面図である。薄膜太陽電池素子10の構造は、透明絶縁の基板1上に、透明導電材料からなる第1電極層2、半導体からなる光電変換層4、銀Agなどの金属膜などからなる第2電極層6、が順に積層された構造である。隣接する薄膜太陽電池素子10の間には、薄膜太陽電池素子10間で第1電極層2を分離する第1溝91、光電変換層4と第2電極層6とを分離する第3溝93が形成されている。また第1溝91と第3溝93との間に隣接する一方の薄膜太陽電池素子10の第2電極層6と他方の薄膜太陽電池素子10の第1電極層2とを電気的に接続する第2溝92が形成されている。これにより多数の薄膜太陽電池素子10は電気的に直列接続される。第2電極層6は光電変換層4の上と第2溝92の内部を連続的に覆っている。第3溝93は光電変換層4と第2電極層6とが除去されて、第1電極層2が露出する溝となっている。また、図3のように周縁領域40に接する部分で、第1電極層2の側面が光電変換層4の下に位置するようにわずかに後退してできる後退部29がある。この薄膜太陽電池100は、光電変換層4を形成した面と反対側の基板1の主面から光を入射して発電するスーパーストレート型の薄膜太陽電池である。基板1は可視から近赤外領域までの吸収が小さい透明絶縁性のガラス材料からなる。ガラスからなる基板1の上に透明な酸化シリコンSiO2膜や窒化シリコンSiN膜などの下地層が形成されていても良い。第1電極層2は酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO:IndiumTinOxideなどを主成分とする透明導電膜からなる。これらの透明導電膜にはアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTiから選択した少なくとも1種類以上の元素がドーパントとして含有されていてもよい。第1電極層2はこれらの複数の材料からなる透明導電膜を積層して形成した層であってもよい。また第1電極層2は表面に凹凸のテクスチャ構造を有していてもよい。このテクスチャ構造は、入射した太陽光を散乱させて光電変換層4での光利用効率を高める。テクスチャ形状は基板1の表面に形成されてもよい。光電変換層4は例えば、非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマニウム、非晶質炭素含有シリコン、微結晶シリコン、微結晶シリコンゲルマニウムなどのシリコンを主成分とする半導体材料からなる。光電変換層4は半導体導電性が異なるp型、i型、n型が積層された半導体接合構造pin構造を有し、入射した光を電気に変換する。p型、n型が積層されたpn構造としてもよい。この接合の順序は上下反対のnip構造や、np構造にしても良い。光電変換層4は異なる半導体材料の接合構造が複数積層されたタンデム型の構造を有していても良い。タンデム型構造では光電変換層を光の吸収波長特性の異なる第1の半導体光電変換層と第2の半導体光電変換層とが積層される。光が入射する表面側に短波長の光を吸収するバンドギャップの大きい半導体からなる光電変換層ユニットとして、反対の裏面側に長波長の光を吸収するバンドギャップの小さい半導体からなる光電変換層ユニットが設置されるとよい。このように吸収波長範囲が異なる光電変換層を積層することで全体として光の利用効率が高まり、変換効率を高めることができる。第2電極層6は例えばAgなどの反射率の高い金属からなる電極層とするとよい。また、第2電極層6は光電変換層4の上に透明電極層と金属層とを順次積層した構造としても良い。第2電極層6の表面にAg膜を保護する酸化チタン膜もしくは窒化チタン膜の積層膜を形成しても良い。また、第2電極層6を透明電極層のみとして、その背面に反射材を配置しても良い。次に、本実施の形態1の薄膜太陽電池の製造方法を説明する。図4は本実施の形態1の薄膜太陽電池の製造方法を説明する断面図であり、図1の線A-A’部分の断面図の位置に相当する。まず、図4aのように第1電極層2と光電変換層6とを積層する。第1電極層2はスパッタ法や蒸着法、CVD法などによりZnOやITOなどを基板1上に堆積して形成する。第1電極層2には薄膜太陽電池素子10ごとに第1電極層2を分離する第1溝91を図の紙面に垂直方向にレーザスクライブ法などで形成する。レーザスクライブ法では膜面と反対側の基板1側からZnOやITOなどの透明導電材料が吸収する近赤外波長のレーザ光を照射して膜を加工する。第1電極層2の厚みは0.3~1ミクロン程度であり、第1電極層2の表面に微細な凹凸のテクスチャ形状が形成されても良い。第1電極層2の表面を凹凸にするためには、塩酸HClなどのエッチング水溶液中に浸して粗面化する方法や、CVD法などの製膜時の条件によって粗面化する方法などがある。第1溝91の形成は、マスクを使用したエッチング加工や、機械的加工などによっても良い。第1溝91を形成した第1電極層2の上にCVD法などで例えばシリコンを主成分とする光電変換層4を形成する。光電変換層4はp層、i層、n層を順にまたはその逆順に堆積して半導体接合を形成する。光電変換層4は非晶質シリコン、微結晶シリコン、非晶質シリコンゲルマニウムの材料などからなり、トータルの厚みは0.3~5ミクロンなどである。光電変換層4は異なるバンドギャップの光電変換層を積層したタンデム型構造としてもよい。タンデム型構造として、たとえば光入射側の非晶質シリコンをi層とするp層、i層、n層のユニットとして、その背面側を微結晶シリコンをi層とするp層、i層、n層のユニットとする構造などがある。次いで、図4bのように光電変換層4に第1電極層2に達する開口部として第2溝92を形成する。第2溝92は第1溝91の近傍の光電変換層4の一部を除去して形成された第1溝91と略平行な溝である。第2溝92は連続した溝でなく、断続的な穴であっても良い。透明導電材料からなる第1電極層2を残したままでシリコンを主成分とする光電変換層4を除去するには、NdYAGレーザの2倍波波長532nmを用いたレーザスクライブ加工を用いると良い。このような可視光のレーザ光を基板1側から第1電極層2を介して光電変換層4に照射すると、レーザ光のエネルギーは第1電極層2を通過して、可視光に対して吸収係数の大きな光電変換層4で吸収される。レーザ光のエネルギーを十分に大きくすると、光電変換層4は加熱分解して蒸散する。これにより底に第1電極層2を残したまま第2溝92を形成することができる。レーザスクライブ加工では例えば20~100ミクロン程度の幅の溝を形成することができる。また同様な形状はレーザスクライブ加工でなく、マスクを用いたエッチング加工などでも可能であり、より微細な溝が得られる点で優れるが、工程は複雑となる。次いで、図4cのように光電変換層4の上と開口部である第2溝92とを連続して覆う第2電極層6を形成する。この段階では第1電極層2、光電変換層4、第2電極層6からなる太陽電池層が発電領域30と周縁領域40とに付着した状態である。第2電極層6はたとえばAgなど反射率の高い金属材料をスパッタ法などで形成することができる。第2電極層6は光電変換層4の背面側と第2溝92の底の第1電極層2とを電気的に接続する。なお光電変換層4がシリコンを主成分として第2電極層6がAgを主成分とする場合、直接接すると拡散による半導体特性の劣化が生じやすいので、拡散を防止するために光電変換層4と第2電極層6との間に、透明導電性材料からなる薄膜を挟むことが望ましい。また、第2電極層6は他の金属材料や多層膜を用いてもよい。次に、基板1の周縁領域40の第1電極層2に基板1側からレーザ光Lを照射することにより光電変換層4と第2電極層6とを除去する。このようなレーザスクライブ法によればレーザ光Lによって局所的に加熱された光電変換層4が蒸散するともにその上の第2電極層6も同時に除去される。この加工には上記の第2溝92の形成で述べたレーザスクライブ加工と同様に行うことができ、レーザ光としてNdYAGレーザの2倍波波長532nmなど、パルス動作の可視光レーザを用いると良い。周縁領域40の幅は第2溝92よりも幅が大きいので、よりサイズの大きいレーザビームを使用するとよい。例えば、光電変換層4がシリコンを主成分とする材料からなり、厚みが3ミクロン程度で第2導電層6がAl添加のZnO、Ag、窒化チタンよりなる厚さ0.3ミクロン程度の積層膜の場合には、ビーム形状を400ミクロン四角に成形した照射エネルギー密度0.5mJ/cm2のビームをオーバラップ率20程度でガルバノスキャンと基板スキャンもしくはレーザスキャンの組み合わせでガラス基板上に2次元的にタイル状に照射すればよい。次いで、図4dのように基板1の周縁領域40の第1電極層2をウェットエッチングで除去する。第1電極層2がZnOを主成分とする透明導電材料の場合、エッチング液30として塩酸、酢酸、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アルカリ水溶液を使用することで、周縁領域40の第1電極層2を容易に除去できる。エッチングは周縁領域40の第1電極層2に対して行うため、複数のノズル51から周縁領域40のみにエッチング液50を噴射するシャワーエッチング法によれば使用するエッチング液50の量を少なくすることができる。例えば第1導電膜2のエッチング液50としては希塩酸を用い、エッチング液50が噴出される部分を搬送速度2m/minで基板1を通過させてエッチングを行うことで基板1の端部に露出した第1導電層2は除去される。ウェットエッチングはシャワーエッチング法に限らずエッチング液50に浸漬させる方法であっても構わない。発電領域30は光電変換層4の背面側と第2溝92とを全て第2電極層6が覆っているが、第2電極層6をAgとすると、塩酸や水酸化アルカリ、有機アルカリの水溶液などのエッチング液50にエッチング耐性があり、エッチング液50が発電領域30内に付着しても光電変換層4と第2溝92とはエッチングされない。このように図4cの工程のあとに残った第2電極層6や光電変換層4がエッチングマスクとして働くため、特にレジスト等のエッチング用のマスクを新たに設ける必要はなく、第1電極層2はほぼ光電変換層4の形状にそった形状に加工されるので工程が簡単である。第2電極層6のエッチング液50に対するエッチング耐性は、第1電極層2のエッチング処理によって、剥離や著しい膜減りが生じない性質であればよい。従って第2電極層6の材料はエッチング液50によるエッチング速度が第1電極層2のエッチング速度に比べて、たとえば10分の1以下のように、十分に小さい材料であればよい。上述のように第2電極層6をAgが主成分とする金属材料を用いると化学的に安定であり、塩酸や水酸化アルカリ、有機アルカリの水溶液エッチング液50にはほとんどエッチングされずに第1電極層2を除去することができる。また、第1電極層2にITOを用いた場合、エッチング液50として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。この場合もAgを主成分とする金属材料を第2電極層6をとして用いることができる。また、第2電極層6の一部にエッチング液50に対して耐性が劣る材料を用いても、それがエッチング耐性の高い材料によって覆われた多層構造とすることにより、エッチング耐性を高めることができ。例えばAgはその表面が保護膜である窒化チタン膜によって覆われるとエッチング耐性がより向上する。また、エッチングされやすい材料の上をたとえばニッケルNi等の膜で覆うと塩酸やアルカリ水溶液に対して耐性を高めることができる。第2電極層6としてAlを主成分とする金属を使用する場合、酸やアルカリで腐食されやすいが、その表面を反応性スパッタ法で部分的に窒化したAl膜で覆うことにより導電性を保ちながらエッチング耐性を高めることができるので、同様に使用することができる。エッチング処理時間は第1電極層2のエッチング速度と第1電極層2の膜厚とから決めることができる。周縁領域40において第1電極層2の最大膜厚部分が基板1の上から完全に消失するように、膜厚とエッチング速度とから計算される処理時間よりも長い時間の処理を行うとよい。エッチング処理が完了するとエッチング液50が残留しないように水で十分に洗い流す。図4eはエッチング後の断面図であり、この図のように、十分な時間ウェットエッチング処理を行ったことにより、光電変換層4の下の第1電極層2の側面は光電変換層4の側面よりも少し基板1の中心側に後退して後退部29ができる。なおガラスからなる基板1は、塩酸や水酸化アルカリ、有機アルカリの水溶液エッチング液50に対してエッチング耐性が十分に高く、処理時間が少し長くなってもダメージは生じない。最後に、図4fのように、第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを除去した第3溝93を形成して薄膜太陽電池素子10間の第2電極層6を分離する。第3溝93の形成では第1電極層2を残したままで光電変換層4と第2電極層6とを除去するようにレーザスクライブ加工する。その加工には第2溝92と同様に第1電極層2の透過率が高いNdYAGレーザの2倍波波長532nmを用いて、基板1側から照射するレーザスクライブ法を用いると良い。第3溝93は第2溝92を挟んで第1溝91と反対の位置に形成され、第1溝91と略平行な溝とするとよい。図5は本実施の形態1の工程途中の部分断面図であり、図5aは図4dの周縁領域40付近、また図5bは図4eの周縁領域40付近を拡大した図である。図5aのように周縁領域40の光電変換層4を除去した後は、周縁領域40の第1電極層2の上にレーザ照射によって除去された際に蒸発した光電変換層4の成分が微粒子17となって再付着している。この微粒子17は主としてシリコンなどの半導体材料からなるため第1電極層2の透明導電材料ほど導電性は高くないが外部との高い絶縁性を保つためには除去されることが望ましい。図5bのようにエッチング処理の後には周縁領域40の微粒子17が第1電極層2とともに除去され、周縁領域40には導電性の物質が付着しない状態が得られる。また、図のように光電変換層4の側部にも微粒子17が付着する場合があるが、エッチング処理によって第1電極層2の側面は光電変換層4の下に後退するため、光電変換層4の側部の微粒子17を介して第2電極層6と第1電極層2とが繋がらず、微粒子17を介した電極間のリークが発生しない。また、周縁領域40の導電性膜の除去にウェットエッチング処理を使用したので、基板1に機械的なダメージを及ぼすことがない。エッチング液50として水酸化アルカリを使用すると、主にシリコンを主成分とする微粒子17が溶解し、光電変換層4の側面の微粒子17も除去できるので、さらに電極間のリークが発生を防止することができる。図6は本実施の形態1で製造された薄膜太陽電池100を使用した太陽電池モジュールの構造を説明する断面図である。直列接続された薄膜太陽電池素子10の両端の電極にバス電極15が接続された後、Al膜と樹脂膜とが積層されたバックシートなどの封止材21がエチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVAなどの接着層22によって接着される。図は両端ともバス電極15を第2電極層6に接続した構成を示すが、一方または両方を光電変換層4に開口部を形成してバス電極15第1電極層2に接続するようにしてもよい。バス電極15はたとえば銅または銅合金からなる薄板で、薄膜太陽電池素子10の電極と金属ペーストなどで接続される。図には示さないがバス電極15にはさらにリード配線が接続されて封止材21の外に取り出される。周縁領域40は基板1に封止材21が接着層22で直接接着されており、この領域で発電領域30に外部から水分などの侵入を防ぎ、また、外部との電気的な絶縁性を保つ。上記のように本実施の形態1では周縁領域40の基板1に機械的なダメージがなく、導電性物質がないため、信頼性の高い太陽電池モジュールを作成する薄膜太陽電池100が得られる。以上のように本実施の形態1は、透明絶縁性の基板1上に第1電極層2と光電変換層4と第2電極層6とが順に積層された複数の薄膜太陽電池素子10を有する薄膜太陽電池100の製造方法である。基板1の上に第1溝91を形成した第1電極層2と光電変換層4とを積層する第1工程と、光電変換層4に第1電極層2に達する開口部である第2溝92を形成する第2工程と、光電変換層4の上と第2溝92とを連続的に覆う第2電極層6を形成する第3工程と、第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを除去した第3溝93を形成して薄膜太陽電池素子10間の第2電極層6を分離する第4工程と、を含む。そして基板1の周縁領域40の第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを基板1側からレーザ光を照射して第1電極層2を残した状態で除去する第5工程と、第5工程の後に周縁領域40の第1電極層2をウェットエッチングで除去する第6工程と、を有している。このため、基板1に機械的なダメージが発生することを防止し、基板の強度を保つことができる。周縁領域40において基板1の清浄な面が露出するので、モジュール化した際に接着層22との接着力が良好となり、水分の浸入も抑制できる。また導電性の高い透明導電性材料が周縁領域40や光電変換層4の側部に再付着や残留しにくいので外部との電気的な絶縁性を高めることができる。またウェットエッチングの工程は1種類のエッチング液を用意して1回のみで完了することも可能であり作業効率も良好である。また、第2電極層6の材料が周縁領域40の第1電極層2をウェットエッチングする工程のエッチング液50に対して耐性を有する。ウェットエッチングする工程を、第2電極層6を分離する工程の前に行うため、第1電極層2が発電領域30の光電変換層4や第1電極層2を全て覆う保護マスクとして機能し、発電領域30にエッチングダメージが発生しない。別途保護マスクの形成や除去を必要としないため工程の大幅な増加も生じない。また、第1電極層2の主成分をZnOとして、第2電極層の表面はAg、Ni、窒化チタン、窒化したAlのいずれかを主成分として、エッチング液50の主成分を塩酸、酢酸、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、有機アルカリ水溶液のいずれかとすると、第1電極層2を含めて発電領域30内にウェットエッチングによるダメージの発生を防止するとともにウェットエッチングの工程が容易となる。<実施の形態2>図7は本発明の実施の形態2の製造方法で形成される典型的な薄膜太陽電池の概略構造を示す上面図である。図8は図7の薄膜太陽電池の断面図であり、図8aは図7のA-A’線間、また図8bは図7のB-B’線間の断面図である。本実施の形態2の薄膜太陽電池200は、実施の形態1の薄膜太陽電池100と同様に透明絶縁性の基板1上に薄膜太陽電池素子10を複数設置した構造を有するが、それらの上にさらに電気絶縁性の光反射層8で覆った構造である。また直列接続した両端の薄膜太陽電池素子10にはバス電極15が接続され、光反射層8はこのバス電極15も覆っている。光反射層8は周縁領域40には形成されず、発電領域30内は発電領域30の光電変換層4の上、分離溝93、光電変換層4の側面を全て覆った形状となっている。周縁領域40に近接する第1電極層2の側面は実施の形態1では光電変換層4の下に後退したが、本実施の形態2では光反射層8の下に後退している。なお周縁領域40に近接する第1電極層2は光電変換層4の側面よりも外側にはみ出しているが、第1溝91はその部分にも形成されて隣り合う薄膜太陽電池素子10の第1電極層2は分離されている。また、第2電極層6はZnOなどを主成分とする透明導電性材料で形成した。たとえば波長が600~900nmなど、基板1から入射した太陽光が薄膜太陽電池素子10を通過する比較的長い波長の光に対して透過率が高い材料とすするとよい。このように通過した光は光反射層8で反射されて再び光電変換層4に戻されて光発電に使用されるので、光電変換効率を向上することができる。次に、本実施の形態2の薄膜太陽電池の製造方法を説明する。図9は本実施の形態2の薄膜太陽電池の製造方法を説明する断面図であり、図7の線A-A’部分の断面図の位置に相当する。まず、図9aのように第1電極層2と光電変換層6とを積層する。次いで図9bのように光電変換層4に第1電極層2に達する開口部として第2溝92を形成する。これらの工程は実施の形態1と同様である。なお、第1電極層2を薄膜太陽電池素子10間で分離する第1溝91は周縁領域40にまで延長して形成しておくとよい。次いで、図9cのように光電変換層4の上と開口部である第2溝92とを連続して覆う第2電極層6を形成し、さらに、第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを除去した第3溝93を形成して薄膜太陽電池素子10間の第2電極層6を分離する。これらは実施の形態1の図4cの工程と図4fの工程とで用いた方法と同様な方法が使用できる。本実施の形態2では第2電極層6をZnOを主成分とする透明導電材料として、スパッタ法により形成した。第3溝93の形成は基板1側からレーザ光を照射するレーザスクライブ法により光電変換層4と第2電極層6とを除去する方法で形成した。実施の形態1では第3溝93を周縁領域40の膜を除去した後に形成したが、本実施の形態2では周縁領域40の膜を除去する前に形成する点で異なる。次いで、周縁領域40の光電変換層4と第2電極層6とを基板1側からレーザ光Lを照射するレーザスクライブ法により除去する。この工程は直前の第3溝93を形成した工程と加工サイズは異なるものの、同じレーザ波長の光源が使用できるので、たとえば照射光学系のみが異なる同じ装置上で連続的にまたは同時に行うと作業効率が良い。また、周縁領域40の膜を除去する工程と第3溝93を形成する工程と順序を入れ替えて処理しても良い。この場合もこれらの工程を連続して行うと作業効率が良い。次いで、図9dのように基板の周縁領域40を除いて第3溝93と第2電極層6との上とを光反射層8で覆う。光反射層8で覆う前に、まず直列に接続した両端の薄膜太陽電池素子10の電極にバス電極15を金属ペーストなどで取り付ける。その後に発電領域30の第2電極層6の上と第3溝93とに光反射層8を塗布形成する。光反射層は電気絶縁性の材料であり、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウムなどの白色顔料の粒子を透明なバインダー樹脂に対して3~50重量含んだ白色塗料を使用することができる。白色には限定しないが600~900nmの波長に対して75以上の反射を有する絶縁性の塗料であることが好ましい。周縁領域40に光反射層8が付着することを防止するため、周縁領域40をメタルマスクなどで覆い、適量の溶剤を含む白色塗料をスプレーなどで塗布して光反射層8を形成する。スクリーン印刷等他の方法で形成しても良い。光反射層8は光電変換層4の最外周の側面部も覆うように周縁領域40の膜除去後の光電変換層4よりもわずかに広い領域に形成する。また、光反射層8はバス電極15と薄膜太陽電池素子10の電極との接続部を含め全ての発電領域30を覆う。塗布後に加熱処理などを行って白色塗料中の溶剤を除去して光反射層8を硬化する。次いで、図9dのように周縁領域40の膜をウェットエッチングにより除去する。第1電極層2をZnOが主成分とすると、周縁領域40の膜のウェットエッチングは塩酸をエッチング液50とすることができる。エッチング液50をノズル51から周縁領域40に噴射することで第1電極層2が除去できる。このとき、樹脂材料からなる光反射層8はエッチング液50に対して耐性を有しているので、発電領域30内の第2電極層6、第3溝93内の第1電極層2、バス電極15と薄膜太陽電池素子10の電極との接続部、を保護することになる。このようにして、図9fのように周縁領域40に導電性物質のない薄膜太陽電池200が得られる。周縁領域40に近接する第1電極層2の側面は光反射層8の下に後退する。図10は本実施の形態2で製造された薄膜太陽電池200を使用した太陽電池モジュールの構造を説明する断面図である。光反射層8が形成されたこと以外は基本的に実施の形態1と同様である。バス電極15の表面を覆っていた光反射層8の一部は、図示しないリード線と接続するために封止材21で封止する前に、ヤスリ等を用いて機械的に、または溶剤を用いて化学的に除去され除去部16が形成される。上記のように本実施の形態2では周縁領域40の基板1に機械的なダメージがなく、導電性物質がないため、信頼性の高い太陽電池モジュールを作成する薄膜太陽電池200が得られる。以上のように本実施の形態2においても実施の形態1と同様に、基板1の上に第1溝91を形成した第1電極層2と光電変換層4とを積層する第1工程と、光電変換層4に第1電極層2に達する開口部である第2溝92を形成する第2工程と、光電変換層4の上と第2溝92とを覆う第2電極層6を形成する第3工程と、第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを除去した第3溝93を形成して薄膜太陽電池素子10間の第2電極層6を分離する第4工程と、を含む。そして基板1の周縁領域40の第1電極層2の上の光電変換層4と第2電極層6とを基板1側からレーザ光を照射して除去する第5工程と、第5工程の後に周縁領域40の第1電極層2をウェットエッチングで除去する第6工程と、を有するので、基板1に機械的なダメージが発生することを防止し、導電性の高い透明導電性材料が周縁領域40や光電変換層4の側部に再付着や残留することを防止できる。また、第4工程および第5工程の後に基板1の周縁領域40を除いて第4工程で形成された第3溝93と第2電極層6との上とを光反射層8で覆う第7工程を有し、第7工程の後に第6工程が行われるので、光反射層8が第6工程のエッチング液50で発電領域30が腐食されることを防止できる。また、腐食防止専用のマスクの形成や除去を行う必要がないので工程が簡単である。周縁領域40において封止材21基板1とは接着層22によって直接に接着されるので、接着強度や封止性能が良好である。また、第4工程および第5工程は、透明絶縁基板側からレーザ光を照射して光電変換層4と第2電極層6とを除去する点で共通するので、連続または同時に行うことで作業効率を高めることができる。連続または同時に処理するには、例えば各工程のそれぞれに合わせた照射光学系を有する同一のレーザ照射装置上で処理するとよい。また、第1電極層2は主成分がZnOであり、第7工程の光反射層は第6工程のエッチング液50に対してエッチング耐性を有する材料からなるので工程が簡単である。第2電極層6は透明導電材料からなるので光電変換層4を透過した光を再び光反射層8で光電変換層4に反射するので光電変換効率を向上することができる。