分離溝によって分割された一方及び他方の第1の電極と、前記一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第1の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、及び一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層からなる一方及び他方の積層体と、前記一方の第1の電極の一部と前記分離溝と前記他方の第1の電極の一部と前記他方の積層体の一側面部を覆う絶縁体と、前記絶縁体を覆い、前記一方の第1の電極と、前記他方の第3の半導体層を電気的に接続する第2の電極と、前記一方の第1の電極と前記第2の電極とを電気的に接続する接続電極と、を有し、前記第2の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置。請求項1において、前記積層体に形成された構造欠陥には絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1または2において、前記接続電極は銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層で形成されていることを特徴とする光電変換装置。分離溝によって分割された一方及び他方の第1の電極と、前記一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第1の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層、及び一方及び他方の第2電極からなる一方及び他方の積層体と、前記一方の第1の電極の一部、前記分離溝、前記他方の第1の電極の一部、及び前記他方の積層体の一側面部を覆う絶縁体と、前記絶縁体を覆い、前記一方の第1の電極と、前記他方の第2の電極を電気的に接続する接続電極と、を有し、前記第2の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置。請求項4において、前記接続電極はカーボンペースト、またはインジウム錫酸化物ペーストで形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1及び第3の半導体層の側面部は、その中央部と結晶化率が異ならないことを特徴とする光電変換装置。基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、前記積層体を可剥離性樹脂で形成された第1のマスクを用いて選択的にエッチングし、前記第1の電極の一部を露出させ、前記第1のマスクを剥離し、前記分離溝、及び前記エッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、前記エッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び前記第1の電極の一部を可剥離性樹脂で形成された第2のマスクで覆い、前記エッチングを施した積層体、前記絶縁体、前記第1の電極、及び前記第2のマスク上に第2の導電層を形成し、前記第2のマスクを剥離して前記エッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び前記第1の電極の一部を露出させると共に一方及び他方の第2の電極を形成し、前記一方の第1の電極と前記他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項7において、前記第1のマスクの一部は、前記積層体に形成された構造欠陥に固定化されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項7または8において、前記接続電極は銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層で形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、前記第3の半導体層上に第2の導電層を形成し、前記第2の導電層を可剥離性樹脂で形成されたマスクを用いて選択的にエッチングし、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層、及び前記第2の導電層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極、該半導体層からなる積層体、及び一方及び他方の第2の電極を形成し、前記積層体を前記マスクを用いて選択的にエッチングし、前記第1の電極の一部を露出させ、前記マスクを剥離し、前記分離溝、及び前記エッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、前記一方の第1の電極と前記他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、前記第3の半導体層上に第2の導電層を遮蔽板を用いて選択的に形成することで、一方及び他方の第2の電極を形成し、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、前記積層体を前記第2の電極をマスクとして選択的にエッチングして、前記第1の電極の一部を露出させ、前記分離溝、及び前記エッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、前記一方の第1の電極と前記他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項10または11において、前記接続電極はカーボンペースト、またはインジウム錫酸化物ペーストで形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項7乃至12のいずれか一項において、前記分離溝は、レーザ加工で形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。近年、電子部品の低消費電力化が進み、光電変換装置のみから供給される電力で動作できる電子機器の構成も可能となってきた。しかしながら、この様な電子機器を屋内で連続的に使用するには、数十ルクス乃至数百ルクスの照度においても十分な発電能力を有する光電変換装置が必要となる。低照度下で変換効率の高い光電変換装置を実現するには、上述したセル側面部のショートが無視できなくなる。セル側面部のショートは、接続溝に設けられた導電性材料を介して起こるだけではない。半導体層をレーザ加工して分離形成されたセルの側面部は、レーザ照射で生じる熱による結晶化や結晶化率の向上により、低抵抗化してしまう。すなわち、該側面部はショートした状態となっている。レーザ加工で分離形成されたセルの側面部は低抵抗化された状態であるため、特許文献1に開示されている様な方法のみでは低照度下で変換効率の高い光電変換装置を実現することはできない。従って、本発明の一態様は、低照度下で変換効率の高い光電変換装置及びその作製方法を提供することを目的とする。本発明の一態様は、半導体層を適切に分離加工し、セル側面部で生じるショートを防止することによって、低照度下における高い発電能力を実現する光電変換装置及びその作製方法に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、分離溝によって分割された一方及び他方の第1の電極と、一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第1の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、及び一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層からなる一方及び他方の積層体と、一方の第1の電極の一部と分離溝と他方の第1の電極の一部と他方の積層体の一側面部と覆う絶縁体と、絶縁体を覆い、一方の第1の電極と、他方の第3の半導体層を電気的に接続する第2の電極と、一方の第1の電極と第2の電極とを電気的に接続する接続電極と、を有し、第2の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。本明細書において第1、第2等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。上記積層体に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥に絶縁樹脂が充填されていても良い。構造欠陥に絶縁樹脂が充填されることで、セルが構造欠陥を介して上下方向にショートすることを防止することができる。なお、本明細書において構造欠陥とは、膜の一部が欠損する欠陥のことを言い、結晶構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。上記一方の第1の電極と第2の電極を電気的に接続する接続電極が形成されていても良い。該接続電極には、低抵抗導電樹脂材料である銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることが好ましい。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、分離溝によって分割された一方及び他方の第1の電極と、一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第1の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層、及び一方及び他方の第2電極からなる一方及び他方の積層体と、一方の第1の電極の一部、分離溝、他方の第1の電極の一部、及び他方の積層体の一側面部を覆う絶縁体と、絶縁体を覆い、一方の第1の電極と、他方の第2の電極を電気的に接続する接続電極と、を有し、第2の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。上記接続電極には、カーボンペーストやインジウム錫酸化物ペーストITOペースト等や、第2の電極と同等の抵抗となるように調整された導電樹脂材料を用いることが好ましい。また、第1及び第3の半導体層の側面部は、その中央部と結晶化率が異ならないことが好ましい。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、積層体を可剥離性樹脂で形成された第1のマスクを用いて選択的にエッチングし、第1の電極の一部を露出させ、第1のマスクを剥離し、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、エッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び第1の電極の一部を可剥離性樹脂で形成された第2のマスクで覆い、エッチングを施した積層体、絶縁体、第1の電極、及び第2のマスク上に第2の導電層を形成し、第2のマスクを剥離してエッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び第1の電極の一部を露出させると共に一方及び他方の第2の電極を形成し、一方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。である。ここで、第1のマスクの一部は、積層体に形成された構造欠陥に固定化されても良い。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、第3の半導体層上に第2の導電層を形成し、第2の導電層を可剥離性樹脂で形成されたマスクを用いて選択的にエッチングし、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、第3の半導体層、及び第2の導電層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極、該半導体層からなる積層体、及び一方及び他方の第2の電極を形成し、積層体をマスクを用いて選択的にエッチングし、第1の電極の一部を露出させ、マスクを剥離し、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、一方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、第3の半導体層上に第2の導電層を遮蔽板を用いて選択的に形成することで、一方及び他方の第2の電極を形成し、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、積層体を第2の電極をマスクとして選択的にエッチングして、第1の電極の一部を露出させ、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、一方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。上記分離溝は、レーザ加工で形成することができる。本発明の一態様によって、低照度下においても高い発電能力を実現する光電変換装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法について説明する。図1は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。本実施の形態における光電変換装置は集積化構造をしており、基板100、第1の電極120a、120b、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160、第2の電極180a、180b、絶縁体230、接続電極270を含んで構成される。ここで、接続電極270は必須ではないが、第1の電極120aと第2の電極180bの接触抵抗を低減させるために設けることが好ましい。なお、本明細書における光電変換装置の断面図は、集積化された光電変換装置の一部を示すものであり、直列に接続されるセルの段数は限られず、所望の電力が得られる様に実施者が適宜決定すれば良い。また、一つのセルの構成は、隣接するセルの構成と同等であることから、その符号を付すことを省略することがある。図10に従来の集積型光電変換装置の断面図を示す。該光電変換装置はpin型であり、基板100、第1の電極120a、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160、第2の電極180a、180bを含んで構成されている。ここで、該半導体層を複数に分離してセルを形成する分離溝が、第1の電極120aと隣接するセルの第2の電極180bを接続するための接続溝となっており、接続溝400a、400bには、第2の電極180a、180bを構成する導電性材料が充填されている。そのため、接続溝400a、400bでは、セルを構成する各半導体層の側面部は、該接続溝に設けられた導電性材料と接するため、裏面電極や上面電極とショートした状態となっている。しかしながら、各半導体層が縦方向膜厚方向に流す電流に対して、横方向面方向に流すことのできる電流が極めて小さい場合は、各半導体層の側面部がショートした状態は実質的に問題にはならない。第1の半導体層140や第3の半導体層160は、半導体としては低抵抗であるが、金属や酸化物導電層で形成される第1の電極または第2の電極と比較すると電気伝導度は小さく、リークする電流も小さい。しかしながら、低照度下において、セルの発電電流が小さい場合、上記各半導体層の側面部がショートした状態は無視できなくなる。第1の半導体層140や第3の半導体層160の抵抗によって異なるが、セルの電極間に流れる電流のうち、リーク電流の成分が多くなり、電気特性が悪化する。具体的には、曲線因子F.F.:FillFactorや開放電圧Vocの低下が起こる。なお、ここで低照度とは、数十ルクス程度を下限とする照度である。従って、セルの側面部は、導電性材料と接しない構成とすることが重要である。しかしながら、その構成にすることのみでは不十分であり、半導体層からセルを分離形成する方法の改善が必要となる。半導体層の分離加工には、一般的にレーザ加工が用いられている。半導体層にレーザを照射すると、その光吸収による発熱が局部的に起こり、照射領域が飛散する。この現象によって、半導体層に分離溝を形成するが、同時にそのときに発する熱によって分離溝の側面部、すなわちセルの側面部を結晶化させる、または該側面部の結晶化率を変化させてしまう。例えば、半導体層が非晶質シリコンである場合、レーザ照射によって該側面部は微結晶や多結晶の結晶性シリコンとなる場合がある。また、半導体層が微結晶シリコンの場合、レーザ照射によって該側面部では結晶粒の成長が起こる場合がある。この様に、非晶質シリコンが結晶化した場合や、微結晶シリコンが結晶化率の高い方向へ変化した場合などにおいては、電気伝導度が上昇するため、セルの側面部は導電性材料を接した状態と同じようにショートした状態となる。なお、結晶化率とは、ラマン分光法、X線回折法、反射率測定、抵抗測定、電子顕微鏡観察などのいずれかの分析結果から結晶に関する情報を定量化したものであり、結晶化度とも言う。従って、本発明の一態様における光電変換装置は、第1の半導体層140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160からなる積層体の側面部が導電性を有する材料と接しない構成とする。また、第2の半導体層150の側面部は非晶質であり、第1の半導体層140及び第3の半導体層160の側面部は、その他の部分、例えば該半導体層の中央部と結晶化率が異ならない構成とする。図1では、該積層体の一側面部は、絶縁体230で覆われており、該積層体の一側面部と対向する側面部には何も接していない。また、図示はしていないが、他の側面部も何も接していない状態となっている。なお、信頼性を向上させるために図1の構成に対して受光面側半導体層等を形成する側を絶縁樹脂等の絶縁体で封止しても良い。この場合は、該積層体の一側面部以外の側面部は該絶縁体と接する様になる。また、該積層体は、側面部が結晶化しない、または結晶化率が変化しない方法を用いてエッチングを行って形成する。この様な構成とすることで、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を形成することができる。なお、図5Dに示す様に、第1の半導体層140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160の少なくとも1つ以上に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥320a、320bに、それを充填する絶縁樹脂210aが形成されている構成としても良い。この絶縁樹脂210aが形成されていることにより、構造欠陥320a、320bは不活性化し、上下の電極層間のショートやリークを防ぐことができる。ここで、構造欠陥320a、320bは、該半導体層を形成する過程において、パーティクル等によって不本意に形成されたものである。なお、図5Dでは、第1の半導体層140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160の3層の半導体層を貫く形で構造欠陥320a、320bを図示しているが、構造欠陥形成過程は様々な現象によるものであり、これに限らない。例えば、第2の半導体層150より上に構造欠陥が形成される場合や、第1の電極120aを含んだ形で構造欠陥が形成される場合などがある。いずれにしても構造欠陥は、本来形成されているべき層が欠損している領域であり、別の層がその領域に入り込む可能性が高い。従って、ショートやリークなどの電気特性を悪化させる要因となってしまう。基板100には、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、または結晶化ガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本実施の形態では、基板100にガラス基板を用い、半導体層等を形成する側を光入射側とする。また、基板100には、樹脂基板を用いることもできる。例えば、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。なお、基板100の厚さは特に限定しないが、例えば100μm前後の上記樹脂基板を用いれば、Roll-to-Rollプロセスを行うことができる。Roll-to-Rollプロセスには、スパッタ法やプラズマCVD法などの成膜工程だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換装置のほぼ全ての製造工程をRoll-to-Rollプロセスで行うこともできる。また、途中までの工程をRoll-to-Rollプロセスで行い、シート状に分断して、その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り扱うことができる。第1の電極120aには、アルミニウム、チタン、ニッケル、銀、モリブデン、タンタル、タングステン、クロム、銅またはステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ステンレスとアルミニウムの積層や、銀とアルミニウムの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上600nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下とする。また、図示はしていないが、光閉じ込め効果を付与するために第1の電極120aの表面をテクスチャ構造としても良い。また、第2の電極180aには、例えば、インジウム錫酸化物ITO、珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、亜鉛を含むインジウム錫酸化物IZO、ガリウムを含む酸化亜鉛GZO、アルミニウムを含む酸化亜鉛AZO、酸化錫SnO2、フッ素を含む酸化錫FTO、またはアンチモンを含む酸化錫ATO等の透光性導電膜を用いることができる。上記透光性導電膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ITOとAZOの積層や、ITOとFTOの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上1000nm以下とする。なお、第1の電極120aは、上記透光性導電膜と金属膜の積層であっても良い。この場合は、半導体層と接する側を透光性導電膜とすることで、光閉じ込め効果を付与することができる。このとき、該透光性導電膜の膜厚は、10nm以上100nm以下とすることが好ましい。例えば、基板側からアルミニウム、銀、ITOの順で形成した積層を用いることができる。本実施の形態では、基板100側とは逆の面を光入射側とするため、第1の電極120aにはステンレスとアルミニウムの積層、第2の電極180aには透光性導電膜であるITOを用いる構成とする。光入射側を基板100側とした場合は、それぞれの電極に用いる材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。第1の半導体層140には一導電型を有する半導体膜を用いることができ、第3の半導体層160には一導電型とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の形態では、第1の半導体層140にはn型のシリコン半導体膜を用い、第3の半導体層160にはp型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いても良い。なお、第1の半導体層140の膜厚は、10nm以上30nm以下、第3の半導体層160の膜厚は、5nm以上30nm以下とすることが好ましい。また、第1の半導体層140及び第3の半導体層160には非晶質シリコンを用いることもできるが、より低抵抗の微結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることが好ましい。第2の半導体層150には、真性半導体を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の元素が不純物として含まれるものであっても良い。なお、第2の半導体層150の膜厚は、100nm以上600nm以下とすることが好ましい。第2の半導体層150に用いる真性半導体には、非晶質シリコンを用いることが好ましい。非晶質シリコンは、可視光線に対する光吸収が大きく、蛍光灯下の様な低照度の環境で高い発電能力を示す光電変換装置を形成することができる。次に、本発明の一態様における光電変換装置の作製方法を詳細に説明する。まず、ガラス基板等の基板100上に第1の電極120aとなる導電膜120を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、膜厚5nmのステンレスと膜厚300nmのアルミニウムの積層を用いる。なお、第1の半導体層140と接する側をステンレスとする。次に、第1の半導体層140として、膜厚30nmのn型の微結晶シリコンを成膜する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、n型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してn型の微結晶シリコンを形成する。n型を付与する不純物としては、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、n型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第1の半導体層140は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗で、かつ導電膜120との密着性が良好な微結晶シリコンで形成することが好ましい。続いて、プラズマCVD法を用いて、第2の半導体層150として膜厚600nmのi型の非晶質シリコンを成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりi型に近づくように、原料ガス中にホウ素Bを添加しても良い。この場合、i型の非晶質シリコン中のホウ素濃度が0.001at.以上0.1at.以下となる様にする。更に、プラズマCVD法を用い、第3の半導体層160として膜厚30nmのp型の微結晶シリコンを成膜する図2A参照。p型の微結晶シリコンは、p型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。p型を付与する不純物としては、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第3の半導体層160は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗となる微結晶シリコンで形成することが好ましい。次に、セルとなる領域を覆うマスク210を形成する。マスク210には、可剥離性樹脂を用いると良い。可剥離性樹脂には、塩化ビニル系、酢酸ビニル系、アクリル樹脂系などの材料で形成されたもので、例えば、アサヒ化学研究所製のストリップマスク503B-SHなどがあり、剥離型マスキング剤とも言う。該可剥離性樹脂は、スクリーン印刷等で所望の形状のマスクを直接形成することができ、剥離液等を用いずに物理的に簡単に引き剥がすことができる特徴を有している。なお、可剥離性樹脂として、フォトレジストや感光性ポリイミド等の感光性樹脂を用いても良い。次に、導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する図2B参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザ波長1064nmを用い、ビーム径30μm、出力0.5W、発振周波数25kHz、スキャン速度20cm/secで加工することができる。なお、ここで該分離溝の一部が基板100に達しても良い。また、この段階で導電膜120が分離加工されることにより第1の電極120a、120bが形成される。ここで、分離溝300a、300bの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。なお、セルとなる領域にマスク210が形成されていることで、レーザ加工時の飛散物等がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥の原因となることがある。次に、マスク210で覆った領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く図2C参照。半導体層のエッチングは、例えば、エッチングガスにSF6、CHF3、CF4、NF3またはClF3などを用いたドライエッチング法や、ヒドラジンN2H4、水酸化カリウムKOH、または水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHの水溶液を用いたウェットエッチング法で行うことができる。この段階で、上述した分離溝300a、300bの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。なお、上記レーザ加工の工程と半導体層のエッチングの工程は、順序を逆にしても良い。ただし、レーザ光の吸収が金属層よりも半導体層の方が大きいため、加工の効率が良く、上記順序で行うことが好ましい。次に、マスク210を剥離する。そして、分離溝300a、300bを充填し、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160からなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体230を形成する。更に該積層体の一側面部以外の他の側面部を覆う様にマスク250を形成する図2D参照。絶縁体230には、金属酸化物等の無機材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの絶縁樹脂を用いることができ、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂をスクリーン印刷法で形成することができる。マスク250には、マスク210と同様の可剥離性樹脂を用いることができる。次に、第3の半導体層160、絶縁体230、マスク250を覆う様に透光性導電膜180を形成する図3A参照。ここでは、透光性導電膜180として、100nmのインジウム錫酸化物ITOをスパッタ法で形成する。次に、マスク250とその上部に形成された透光性導電膜180を剥離するリフトオフ工程を行い、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160からなる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする図3B参照。ここで第2の電極180a、180bが形成される。次に、第1の電極120aと、隣接する第1の電極120b上に形成された該積層体上の第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する図3C参照。接続電極270には、銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることができる。ここでは、接続電極270にスクリーン印刷法で形成した銀ペーストを用いる。ここで、第2の電極180bと接する側の接続電極270の端部は、絶縁体230と重なる様に形成する。接続電極270の端部が絶縁体230を超えてセルと重なる領域に形成されると、受光面積が減少するだけでなく、静電耐圧を低下させる場合がある。なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。以上により、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を作製することができる。続いて、半導体層にピンホールや傷などの構造欠陥がある場合において、該構造欠陥を絶縁樹脂で充填し、不活性化させる方法を含んだ光電変換装置の作製方法を説明する。まず、基板100上に導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を形成する図4A参照。これらは、図2Aの構成の作製方法に従って形成することができる。ただし、該半導体層には、構造欠陥320a、320bが形成されている。次に、セルとなる領域を覆うマスク210を絶縁性の可剥離性樹脂で形成する。ここで可剥離性樹脂は、構造欠陥320a、320bにも充填される。本実施の形態では、マスク210をポジ型フォトレジスト以下、フォトレジストとする。で形成する。フォトレジストをスピンコータやスリットコータを用いて、0.5μm以上5μm以下の厚さに形成し、プリベークを行う。なお、フォトレジストの代わりに感光性ポリイミドを用いても良い。そして、分離溝300a、300bを形成する図4B参照。該分離溝は、図2Bの構成における分離溝300a、300bの作製方法に従って形成することができる。また、この段階で導電膜120が分離加工されることにより第1の電極120a、120bが形成される。次に、マスク210で覆った領域以外の半導体層をエッチングして取り除く図4C参照。該半導体層のエッチングは、図2Cの構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。この段階で第1の電極120a、120bの一部が露出する。次に、マスク210に用いるフォトレジストを、例えば、300nm以上400nm以下の紫外光を用いて露光する。露光はフォトレジスト側から行い、第3の半導体層160表面までのフォトレジストが感光する様に露光時間を調整する。この場合、露光されなかった部分は固定化され、露光された部分は固定化されない。次に、現像液で現像することによって、構造欠陥320a、320bに固定化されたフォトレジスト絶縁樹脂210aを残して、上記固定化されないフォトレジストを除去することができる。その後、ポストベークを行い、フォトレジスト絶縁樹脂210aを化学的に安定化させる図4D参照。次に、絶縁体230及びマスク250を形成する図5A参照。これらは、図2Dの構成に含まれる絶縁体230及びマスク250の作製方法に従って形成することができる。次に、第3の半導体層160、絶縁体230、マスク250を覆う様に透光性導電膜180を形成する図5B参照。該透光性導電膜は、図3Aの構成に含まれる透光性導電膜180の作製方法に従って形成することができる。次に、マスク250とその上部に形成された透光性導電膜180を剥離するリフトオフ工程を行い、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160からなる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする図5C参照。ここで第2の電極180a、180bが形成される。次に、第1の電極120aと、隣接する第1の電極120b上に形成された該積層体上の第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する図5D参照。該接続電極は、図3Cの構成に含まれる接続電極270の作製方法に従って形成することができる。なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。以上の工程により、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で説明した光電変換装置と同等の構成をより簡易に作製できる光電変換装置の作製方法の例を説明する。まず、基板100上に導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を形成する。これらは、実施の形態1の図2Aの構成の作製方法に従って形成することができる。更に透光性導電膜180としてITOを第3の半導体層160上に形成する図6A参照。該透光性導電膜は、実施の形態1の図3Aの構成に含まれる透光性導電膜180の作製方法に従って形成することができる。次に、セルとなる領域にマスク210を形成する図6B参照。該マスクは、実施の形態1の図2Bの構成に含まれるマスク210の作製方法に従って形成することができる。次に、マスク210で覆った領域以外の透光性導電膜180をエッチングし、第2の電極180a、180bを形成する図6C参照。ITOのエッチングは、例えば、炭化水素またはハロゲン化水素を用いたドライエッチング法や、シュウ酸系混合エッチング液例えば、関東化学製ITO-07Nまたは0.5のフッ化水素酸を用いたウェットエッチング法で行うことができる。次に、導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する図6D参照。ここで、第1の電極120a、120bが形成される。該分離溝は、実施の形態1の図2Bの構成に含まれる分離溝の300a、300bの作製方法に従って形成することができる。ここで、分離溝300a、300bの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。なお、セルとなる領域にマスク210が形成されていることで、レーザ加工時の飛散物等がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥の原因となることがある。次に、マスク210及び第2の電極180a、180bで覆われた領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く図7A参照。該半導体層のエッチングは、実施の形態1の図2Cの構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。この段階で、上述した分離溝300a、300bの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。次に、マスク210を剥離する。そして、分離溝300a、300bを充填し、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160と、第2の電極180a、または第2の電極180bからなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体230を形成する図7B参照。該絶縁体は、実施の形態1の図2Dの構成に含まれる絶縁体230の作製方法に従って形成することができる。次に、第1の電極120aと隣接する第1の電極上に形成された該積層体の第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する図7C参照。接続電極270には、カーボンペースト、ITOペースト、または、第2の電極と同等の抵抗となるように調整された導電性材料を用いることができる。ここでは、接続電極270にスクリーン印刷法で形成したカーボンペーストを用いる。ここで、銀ペーストなどの低抵抗材料を接続電極270に用いると、静電耐圧が低下することがあるため、接続電極270には上記の様な第2の電極と同等の抵抗を有するものを用いることが好ましい。なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。以上により、光電変換層の側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置とすることができる。次に、上記作製方法を更に簡略化した光電変換装置の作製方法を説明する。まず、基板100上に導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を形成する図8A参照。これらは、実施の形態1の図2Aの構成の作製方法に従って形成することができる。次に、遮蔽板340を用いて、セルとなる領域のみに透光性導電膜第2の電極180a、180bを形成する図8B参照。遮蔽板340としては、代表的にメタルマスクがあるが、金属以外の材料で形成されたものでも良い。ここでは、該遮蔽板を上記半導体層上に重ね、ITOをスパッタ法で成膜し、第2の電極180a、180bを形成する。次に、導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する図8C参照。ここで、第1の電極120a、120bが形成される。該分離溝は、実施の形態1の図2Bの構成に含まれる分離溝300a、300bの作製方法に従って形成することができる。ここで、分離溝300a、300bの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。次に、第2の電極180a、180bをマスクとして、第2の電極180a、180bで覆われた領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く図8D参照。該半導体層のエッチングは、実施の形態1の図2Cの構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。なお、上記半導体層をドライエッチングする場合は、第2の電極180a、180bとして用いるITOもエッチングされることもあるが、半導体層とITOの選択比が大きいため、ITOをマスクとして用いることに何ら問題はない。この段階で、上述した分離溝300a、300bの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。次に、分離溝300a、300bを充填し、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160と、第2の電極180aまたは第2の電極180bからなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体230を形成する図9A参照。該絶縁体は、実施の形態1の図2Dの構成に含まれる絶縁体230の作製方法に従って形成することができる。次に、第1の電極120aと隣接する第1の電極上に形成された該積層体の第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する図9B参照。該接続電極は、図7Cの構成に含まれる接続電極270の作製方法に従って形成することができる。なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。以上により、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置とすることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本明細書に開示する光電変換装置は、さまざまな電子機器に用いることができる。本実施の形態では、その一例として、電子書籍の電源として用いる例を説明する。図11Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、光電変換装置9633、充放電制御回路9634を有することができる。図11Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図11Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637を有する構成について示している。光電変換装置9633として、他の実施の形態で示した光電変換装置を用いることにより、低照度下でも効率良く発電することができるため、屋内においても商用電源が不要な電子書籍を構成することができる。図11Aに示す電子書籍は、表示部9631を半透過型または反射型の液晶表示装置とすることで、消費電力を抑えることができる。なお、光電変換装置9633は、図示した領域に限らず、筐体9630の空きスペース表面や裏面に適宜設けることができる。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また、図11Aに示す充放電制御回路9634の構成及び動作について、図11Bのブロック図を用いて説明する。図11Bには、光電変換装置9633、充放電制御回路9634、表示部9631について示している。ここで、充放電制御回路9634は、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3を含んでいる。まず、外光により光電変換装置9633が発電する場合の動作の例について説明する。光電変換装置で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための好適な電圧となるよう、DCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631で表示を行う際には、スイッチSW1をオンし、DCDCコンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧して、表示部9631に電力供給を行う。一方、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフ、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。次いで、外光が乏しく、光電変換装置9633による発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでDCDCコンバータ9637により表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧がなされ、表示部9631に供給される。なお、本実施の形態では、光電変換装置と表示部との間にDCDCコンバータを2つ設けた構成としているが、光電変換装置から表示部への電源供給、光電変換装置からバッテリーへの充電、またはバッテリーから表示部への電源供給が直接行える様な構成では、その間のDCDCコンバータを省いても良い。なお、発電手段の一例として光電変換装置9633のみを用いる例を示したが、光電変換装置9633と構成の異なる光電変換装置との組み合わせによりバッテリー9635を充電する構成であっても良い。また、光電変換装置9633と他の発電手段との組み合わせであっても良い。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。