"装置であって、ヘッドトランスデューサと、前記ヘッドトランスデューサ上に位置し、磁気記録媒体と相互作用する多段センサとを備え、前記多段センサは、抵抗温度係数を有する第1のセンサ段と、前記第1のセンサに結合された第2のセンサ段とを含み、前記第2のセンサ段は抵抗温度係数を有し、前記第1のセンサ段は、前記第2のセンサ段と比して、前記媒体の凹凸を優先的に感知するように構成され、前記第2のセンサ段は、前記第1のセンサ段と比して、前記媒体の表面との接触を優先的に感知するように構成される、装置。前記第2のセンサ段は、前記第1のセンサに直列に接続される、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、前記第2のセンサ段の温度よりも高い温度で動作する、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、前記第2のセンサ段の感知領域と比して小さい感知領域にわたる熱流の変化に対して感度を有し、前記第2のセンサ段は、前記第1のセンサ段の感知領域と比して大きい感知領域にわたる熱流の変化に対して感度を有する、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、前記第2のセンサ段と比して、前記媒体の凹凸を検知するための熱流の変化に対する感度がより高く、前記第2のセンサ段は、前記第1のセンサ段と比して、前記媒体の表面に対する接触または近接を検知するための熱流の変化に対する感度がより高い、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、前記第2のセンサ段よりも小さい、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、長さ、幅、深さを有し、前記第2のセンサ段は、長さ、幅、深さを有し、前記第2のセンサ段の長さおよび幅は、前記第1のセンサの長さおよび幅よりも大きい、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段のそれぞれの深さは異なるか、または同じである、請求項7に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段は、交互に動作するように構成される、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段は、前記センサに供給されるバイアス電力の変化に応答して交互に動作するように構成される、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段は、一体の構造を定め、前記第1のセンサ段の少なくとも一部は、前記第2のセンサ段の部分の間に位置する、請求項1に記載の装置。前記ヘッドトランスデューサを支持し、前記空気軸受面を含むスライダを備え、前記多段センサを規定する材料の大部分が前記空気軸受面にある、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段の各々は、前縁部と後縁部とを含み、前記第1のセンサ段の前縁部は、前記第2のセンサ段の前縁部に対して相対的に凹んでいる、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、間隔を空けられた複数の第1のセンサ段部分を含む、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサ段は、間隔を空けられた複数の第1のセンサ段部分を含み、前記第2のセンサ段は、間隔を空けられた3つ以上の第2のセンサ段部分を含む、請求項1に記載の装置。前記第2のセンサ段は、前記第1のセンサ段と並列に接続される、請求項1に記載の装置。前記第2のセンサ段の抵抗は、前記第1のセンサ段の抵抗よりも大きい、請求項16に記載の装置。前記第2のセンサ段の抵抗は、前記第1のセンサ段の抵抗よりも、約1.5倍から約4倍大きい、請求項16に記載の装置。前記第2のセンサ段は、前記媒体の表面において間隔を空けられた少なくとも2つの箇所との接触を同時に測定するように構成された、間隔を空けられた少なくとも2つの部分を含む、請求項16に記載の装置。前記第1および第2のセンサ段の各々は独立して動作するように構成される、請求項1に記載の装置。方法であって、多段センサを含み、磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサを伴い、前記多段センサの第1のセンサ段を使用して、前記多段センサの第2のセンサと比して優先的に前記媒体の凹凸を感知するステップと、前記第2のセンサ段を使用して、前記第1のセンサ段と比して優先的に前記媒体の表面との接触および近接を感知するステップと、前記第1のセンサ段による凹凸の感知および前記第2のセンサ段による媒体の表面との接触の感知の一方または両方を示す出力信号を前記多段センサから発生させるステップとを備える、方法。前記第1および第2のセンサ段は直列に結合される、請求項21に記載の方法。前記第1および第2のセンサ段は並列に結合される、請求項21に記載の方法。前記第1および第2のセンサ段の各々が独立して動作するように構成される、請求項21に記載の方法。様々な実施形態による装置は、ヘッドトランスデューサと、ヘッドトランスデューサ上に位置するとともに磁気記録媒体と相互作用するように構成された多段センサとを含む。多段センサの第1のセンサ段は、抵抗温度係数を有する。多段センサの第2のセンサ段は、第1のセンサに結合され、抵抗温度係数を有する。第1のセンサ段は、第2のセンサ段と比較して、媒体の凹凸asperityを優先的に感知するように構成されており、第2のセンサ段は、第1のセンサ段と比較して、媒体の表面との接触を優先的に感知するように構成される。いくつかの実施形態によれば、第2のセンサ段は、第1のセンサ段と直列に接続される。他の実施形態において、第2のセンサ段は、第1のセンサ段と並列に接続される。さらなる実施形態においては、第1および第2のセンサ段は、独立して動作することができ、各センサ段は固有の電気接続パッドを有している。様々な実施形態は、ヘッドトランスデューサ上に位置する多段TCRセンサの使用を含む方法に向けられる。磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサを伴い、方法は、多段センサの第1のセンサ段を使用して、多段センサの第2のセンサ段と比較して媒体の凹凸を優先的に感知することと、第2のセンサ段を使用して、第1のセンサ段と比較して媒体の表面との接触を優先的に感知することとを含む。方法は、第1のセンサ段による凹凸の感知、および第2のセンサ段による媒体表面への近接および接触の感知の一方または両方を示す出力信号を多段センサから発生させることをさらに含んでもよい。様々な実施形態におけるこれらの特徴および局面、ならびにその他の特徴および局面は、以下の詳細な説明および添付の図面に鑑みて理解されるであろう。詳細な説明一般に、データ記憶システムは、記録媒体に対して情報の読み取りと書き込みとを行う1つ以上の記録ヘッドを含む。多くの場合、記録ヘッドとその関連する媒体との間の距離または間隔は、比較的小さくすることが望ましい。この距離または間隔は、飛行高さまたはヘッドと媒体との間隔headmediaspacingとして知られる。ヘッドと媒体との間隔を減らすことによって、記録ヘッドは、典型的に媒体へのデータの書き込みおよび媒体からのデータの読み取りの両方が良好に行えるようになる。ヘッドと媒体との間隔を減らすことによって、記録媒体の表面の凹凸および他の特徴の検知など、記録媒体のトポグラフィの検査をすることもできる。ヘッドと媒体との接触およびヘッドと凹凸との接触の両方を検知する能力は、スケールに関して大きく異なる2つの表面構造の接触を感知するという競合する目的により複雑なものとなる。ヘッドと媒体との接触は、たとえば、比較的大きな接触面積を伴う、比較的大きな接触の事象である。ヘッドと凹凸との接触は、比較的小さな接触面積を伴う、比較的小さな接触の事象である。従来の感知手法は、典型的に、両方のタイプの接触事象を検知するために単一のセンサを使用しており、2つのタイプの接触事象を感知するには準最適なものであり、信頼性の低い感知法となっていた。様々な実施形態および図1~図3によれば、回転磁気記憶媒体160に近接してサスペンション101によって支持されるスライダ100が示される。スライダ100は、記録ヘッドトランスデューサ103と、ヘッドトランスデューサ103に熱的に結合される加熱器102とを支持する。加熱器102は、加熱器102を電流が通過すると熱を発生する抵抗加熱器であってもよい。加熱器102は、抵抗加熱器に限られず、任意のタイプの加熱源を含んでもよい。加熱器102が発生させる熱エネルギは、ヘッドトランスデューサ103の熱膨張を引き起こす。この熱膨張を利用して、データ記憶システムにおけるヘッドと媒体との間隔107を減らすことができる。いくつかの実施形態においては、非熱的アクチュエータを使用してヘッドと媒体との間隔107を減らすことができる。示される多段TCRセンサ105は、ヘッドトランスデューサ103上において磁気記録媒体160に対する接近点に置かれる。接近点は、ヘッドトランスデューサ103と磁気記録媒体160との間の接触の最も近い点として概して理解される。上記のように、ヘッドトランスデューサ103の作動は、加熱器102などの熱的アクチュエータ、または他のアクチュエータたとえば、書き込み部によって実現することができる。バイアス力が多段TCRセンサ105に加えられることにより、センサ105およびヘッドトランスデューサ103の隣接する部分の表面温度が磁気記録媒体160の温度よりも実質的に高く上昇する。多段TCRセンサ105は、媒体160の凹凸およびヘッドと媒体との接触を検知するための熱流の変化を感知するように構成されるのが好ましい。開示される様々な実施形態に従うヘッドと媒体との間隔および接触の判断に関する詳細は、同一人に所有される2010年11月8日に出願された米国特許出願第12/941,461号に記載されており、引用によりここに援用される。図3に示されるように、ヘッドと媒体とが接触する前には、高温のヘッド表面と比較的低温のディスク160との間にエアギャップ107が定められる。ヘッドトランスデューサ103、エアギャップ107、および磁気記録ディスク160により、1つの水準となる熱伝達率が定められる。熱的アクチュエータまたは加熱器102の作動後など、ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触した場合、ヘッドトランスデューサ103およびディスク160の高熱伝導材料同士が直接的に接触することによって、熱伝導率が大きく高まる。このため、ヘッドトランスデューサ103上のTCRセンサ105は、温度の降下または温度軌道の偏位を感知し、ヘッドと媒体との接触を検知することができる。以下でより詳細に記載されるように、多段TCRセンサ105は、各々が異なるスケールのディスク表面の特徴に対して感度を有する多数のセンサ段が組み込まれて実施されるのが好ましい。特に、多段TCRセンサ105には、磁気記録ディスク160の表面に近接または接触して優先的に感知するように構成されたセンサ段と、ディスク160の凹凸を優先的に感知するように構成されたセンサ段とが組み込まれる。図4Aは、ヘッドトランスデューサ103と磁気記録ディスク160の表面との接触の前、最中、および後における、図1~図3に示されるタイプの記録ヘッドトランスデューサについての代表的な温度プロフィールを示す図である。この例示的な実施例において、温度プロフィールは、定常状態の直流信号として示される。ヘッドトランスデューサ103が熱的アクチュエータ102によって作動すると、ヘッドトランスデューサの表面温度は、熱的アクチュエータ102が発生する熱によって、作動とともに高まる。ヘッドトランスデューサの温度は、ディスク160の温度よりも高くなる。このため、ディスク160は、この場合においてヒートシンクとしての機能を果たす。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触すると、接触によって生じる熱伝達率の変化によって、ヘッドトランスデューサの表面温度は降下する。ヘッドトランスデューサの表面温度は、熱的アクチュエータの加熱および摩擦加熱によって、上昇し続ける。温度の変化または温度軌道の偏位を用いて、ヘッドと媒体との接触を示すことができる。図4Bは、非熱的アクチュエータによって作動する記録ヘッドトランスデューサ103についての代表的な温度プロフィールを示す図である。この例示的な実施例において、TCRセンサ105のバイアス力が、ディスク160の温度よりも実質的に高い温度にTCRセンサを自己発熱させる。ディスク160は、この場合においてヒートシンクとしての機能を果たす。ディスク160に向けて下方向にヘッドトランスデューサ103が作動すると、熱伝達率が徐々に上昇し、TCRセンサの温度が徐々に低下する。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触すると、熱伝達率に変化が起こり、ヘッドトランスデューサの表面温度の偏位が引き起こされる。ヘッドトランスデューサの表面上のTCRセンサ105は、この温度偏位を測定し、ヘッドと媒体との接触を検知する。ヘッドと媒体との接触に向けての作動がさらに起こると、摩擦加熱によって温度は最終的に上昇する。上記のように、ヘッドと媒体との隙間は、磁気ディスクの記録性能に影響を及ぼす重要なパラメータである。面密度が高まるにつれて、ヘッドと媒体との間隔は小さくなる。ヘッドと媒体との間隔が小さくなるにつれ、ヘッドと媒体との隙間、ヘッドと媒体との接触、およびヘッドと凹凸との接触を正確に測定することの重要性が高まる。開示される実施形態に従う多段TCRセンサは、ヘッドと媒体との隙間、ヘッドと媒体との接触、およびヘッドと凹凸との接触を測定するのに使用することができる。様々な実施形態によれば、多段TCRセンサには、ワイヤを含むTCR抵抗温度センサが組み込まれ、ワイヤにおけるヘッドトランスデューサの温度および温度変化が監視される。凹凸検知および接触検知のためのTCRワイヤセンサは、異なる最適化経路を有する。以下の表1に要約されるように、凹凸検知のために構成されたTCRワイヤは、高温たとえば、トランスデューサの温度より高い約100°Cの温度で小さいセンサを有するように典型的に設計される。一般に、高温のセンサは、良好なSNRを有する。小さいセンサは、たとえば正確なトラックパディングについての小さい凹凸の形状を判定することができる。ヘッドと媒体との接触検知のためのTCRワイヤは、より大きく、空気軸受面ABSにおける感知面積が大きければ、より良好に機能する。これにより、このようなTCRワイヤが、空気軸受面から媒体への熱の伝達を捉えることができる。より大きいTCRワイヤは、より低い温度たとえば、10°Cまでにおいて許容されるSNRを有することが示されている。このようなことから、凹凸検知および接触検知の両方のために単一の装置を最適化することは不可能である。次に図5を参照すると、様々な実施形態に従う、多段TCRセンサを使用して磁気記録媒体の特定の表面の特徴および接触を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサの多段センサを伴い250、多段センサの第1のTCRセンサ段を使用して、媒体の凹凸との接触が検知される260。第1のTCRセンサ段と媒体の凹凸との間の接触を示す信号が生成される262。この信号は、多段センサの出力に伝達され得る。さらに図5に示されるように、媒体の表面との接触は、多段センサの第2のTCRセンサ段を使用して検知される270。表面接触を示す信号が生成される272。この信号は、多段センサの出力に伝達され得る。いくつかの実施形態によれば、第1および第2のTCR段は、多段センサに供給されるバイアス電力を交互に変化させるような、直列モードで動作するように構成される255。他の実施形態においては、第1および第2のTCR段は、第1および第2のTCR段が交互または同時に動作する並列モードで動作するように構成される257。開示される実施形態は、2つの要素を有するTCRワイヤを含む多段抵抗温度センサをに向けられる。様々な実施形態によれば、TCRワイヤセンサは、凹凸検知のための小さい高温の要素と、接触検知のための大きい低温の要素とを含む。二段TCRワイヤセンサは、たとえば、小さい高温の要素および大きい低温の要素の両方を含む。開示される様々な実施形態に従う二段TCRワイヤセンサの特定的な特徴を強調することを目的として、単段TCRワイヤセンサ301を示す図6が参照される。上記のように、凹凸検知および媒体との接触検知の両方を高い信頼性をもって行う単段TCRワイヤセンサ301を実施することは不可能である。図6に示される単段センサは、空気軸受面の材料の量が限定され得るが、開示される実施形態に従う二段TCRセンサは、ABSに位置する要素の抵抗を創出する材料がより多く設けられ、そこではヘッドトランスデューサとディスクとの間の温度勾配が最大であるる。このため、ABS面から遮蔽されるとともに、スライダ本体内に配置されたより多くの量の材料を有する従来の設計と比して、ABS面の温度変化に伴って抵抗が大きく変化する。図7は、第1のセンサ段335たとえば、高温のTCRワイヤセンサと第2のセンサ段337たとえば、低温のTCRワイヤセンサとを含む二段TCRセンサ302を示す。第1のセンサ335および第2のセンサ段337に関連付けられた高温および低温の用語は、これら2つのセンサ段が通常動作する温度たとえば、ぞれぞれ100°Cまでおよび10°Cまでが大きく異なることに鑑み、説明を目的としてここで使用される。第1のセンサ段335は、第2のセンサ段337と比して、小さい感知領域にわたる熱流の変化に対して感度を有する。このため、第1のセンサ段335は、磁気記録媒体の凹凸を検出するための熱流の変化に対する感度が高い。第2のセンサ段337は、第1のセンサ段335と比して、大きな感知領域にわたる熱流の変化に対して感度を有する。このため、第2のセンサ段337は、ヘッドトランスデューサと磁気記録媒体の表面との間の接触および間隔を検知するための熱流の変化に対する感度が高い。図7に示される実施形態において、第1センサ段335および第2のセンサ段337は、一体の感知構造を定める。第2のセンサ段337は、第2のセンサ段部分337aおよび337bを含み、第1のセンサ段335は、第2のセンサ部分337aおよび337bの間に位置する。この構成において、第1のセンサ段335と第2のセンサ段337とは、直列に結合される。第1のセンサ段335は、磁気記録媒体の凹凸を優先的に感知するように構成され、第2のセンサ段337は、磁気記録媒体の表面の近接および接触を優先的に感知するように構成される。他の実施形態において、第2のセンサ段337は、間隔を空けた2つの部分337aおよび337bを含む。これらの部分は、空気軸受面上で間隔の空いた箇所に位置する。このような実施形態において、間隔を空けた2つの部分337aおよび337bは、媒体の表面において間隔を空けた少なくとも2つの箇所での接触を同時に測定するのに使用することができる。いくつかの実施形態によれば、二段TCRセンサ302が凹凸検出モードで動作すると、比較的大きなバイアス電流を使用して、第1のセンサ段335を周囲の温度すなわち、ディスク温度より高い温度まで大きく加熱するのに使用することができる。媒体の表面との接触を検知する場合と比較して、凹凸検出には高温の感知要素が必要であることから、二段TCRセンサ302と凹凸との間の接触から得られる信号は、小さい高温の第1のセンサ段335と凹凸が接触した場合にのみ検出される。このため、凹凸の大きさは、信号のトラック間距離crosstrackdistanceを測定することによって、より大きいセンサを使用した場合よりも正確に判定することができる。二段TCRセンサ302が磁気記録媒体の表面と接触すると、二段TCRセンサ302からの信号出力は、小さい高温の第1のセンサ段335と、ディスク表面のかなり大きい部分と相互作用する大きい低温の第2のセンサ段337との両方によって生成される結合信号となり、これにより、大きな領域における熱の伝達/影響による大きな信号がもたらされる。図8Aおよび図8Bは、このような効果を表わす例を示す図である。図8Aは、加熱器要素の電力0.1までの過熱率overheatratioOHR5,000μAを関数とした大きなワイヤ10μmまでの長さの静応答を示す図である。図8Bは、加熱器要素の電力0.2までのOHRに対応する1,600μAを関数とした短いワイヤ0.5μmまでの長さの静応答を示す。図8Aおよび図8Bにおけるデータのプロットは、図8Aの大きいワイヤの低い温度における隙間に対しての応答が図8Bの小さいワイヤよりも大きいことを示している。R0は、加熱器の電力がゼロにおいて各バイアスについて算出される。ワイヤの長さ、加熱器要素の電力、および対応する過熱率についてのさらなる詳細は、同一人の出願人により所有される、2011年11月17日に出願された米国特許出願第13/298,712号および2010年11月17日に出願された米国特許仮出願第61/414,733号に記載されており、これらの各々は引用によりここに援用される。続けて図7を参照すると、第1の高温センサ段335は、トラック間長さHL-高温長さと、スライダ本体方向深さHD-高温深さと、ダウントラック幅HW-高温幅とを有する。いくつかの実施形態によれば、第1のセンサ段335は、HL=750nm、HD=75nm、およびHW=60nmの形状を有し得る。図6に示されるような単段TCRワイヤセンサとは異なり、図7に示される二段TCRセンサ302は、相当量のTCR材料たとえば、材料の大部分を空気軸受面ABSに含み、低温の第2の低温センサ段337を規定する。いくつかの実施形態によれば、第2のセンサ段337は、約15μmのトラック間長さCL-低温長さと、約1μmのダウントラック幅CW-低温幅と、約75nmのスライダ本体方向深さCD-低温深さとを有し得る。第1のセンサ段335および第2のセンサ段337のそれぞれのトラック間長さおよびダウントラック幅は大きく異なるたとえば、それぞれ約20倍および約17倍が、第1のセンサ段335および第2のセンサ段337の各々のスライダ本体方向深さHDおよびCDは同じとなり得る。第1のセンサ段335および第2のセンサ段337のスライダ本体方向深さHDおよびCDは異なり得ることが、理解される。様々な実施形態によれば、高温の第1のセンサ段335の温度は、センサシステムのバイアス力すなわち、電流、電力、または電圧を変化させることによって制御することができる。低温の第2のセンサ段337において発生する熱と比較した高温の第1のセンサ段335において発生する熱の相対量は、2つのセンサ段335および337の形状によって制御することができる。すなわち、CL、CW、およびCDを調整して、高温センサ段335と低温センサ段337との間に所望の相対感度をもたらすことができる。たとえば、全ての他の寸法を固定としたまま、CWをHWに近づけると、低温の第2のセンサ段337の温度が高温の第1のセンサ段335の温度に近づく。正確な寸法は、所望の凹凸検出および接触検出の信号対雑音比SNRに基づいて決定および選択最適化することができる。多段TCRセンサ302は、前縁部340と後縁部350とを含む。第1のセンサ段335および第2のセンサ段337の各々は、多段TCRセンサ302の前縁部340および後縁部350とともに平行に配列された前縁部および後縁部を有する。図7に示される実施形態において、第1のセンサ段335の前縁部は、第2のセンサ段337の前縁部に対して相対的に凹んでいる。第1のセンサ段335および第2のセンサ段337それぞれの相対的な配列と位置決め、ならびにこれらのセンサ段335および337の形状は、特定の凹凸検知および媒体接触の検知性能特性を実現するために変化させることができる。図9~図12は、開示される様々な実施形態に従う直列多段TCRセンサの異なる構成を示す。図9に示される多段TCRセンサ303は、たとえば、高温の第1のセンサ段335の対向する端部に接触し、対向するテーパ状端部を有する2つの第2のセンサ段部分337aおよび337bを有する低温の第2のセンサ段337を含む。図10に示される実施形態においては、高温の第1のセンサ段335は、2つの矩形の第2のセンサ段部分337aおよび337bの間に位置し、第1のセンサ段335の表面は、多段TCRセンサ304の前縁部340と同一面上に配置される。図11に示される実施形態によれば、多数の高温の第1のセンサ段要素335a、335b、および335cは、2つの矩形の第2のセンサ段部分337aおよび337bの間に位置し、2つの第1のセンサ段要素335aおよび335cの表面は、それぞれ多段TCRセンサ305の前縁部340および後縁部350と同一面上に配置される。図12に示される多段TCRセンサ306の実施形態においては、第1のセンサ段335は多数の第1のセンサ段部分335a~335nを含み、第2のセンサ段337は多数の第2のセンサ段部分337a~337nを含む。図12に示される構成においては、1つの第1のセンサ段部分たとえば、335bが一組の隣接して間隔を空けられた第2のセンサ段部分たとえば、337bおよび337cの間に置かれる。第1のセンサ段部分335a~335nの各々の表面は、多段TCRセンサ306の前縁部340と同一面上に配置される。第1および第2のセンサ段およびセンサ段部分の他の構成および配置が考えられる。上記のように、個々のセンサ要素の形状の具体的な配置および寸法は、凹凸検出および接触検出のSNR最適化アルゴリズムによって定めることができる。開示される様々な実施形態によれば、多段TCRセンサは、並列に結合された多数のTCRセンサを含み、磁気記録媒体の表面と多段TCRセンサとの間において磁気記録媒体の異なる特徴および/または相互作用の異なる形態を感知するように各TCRセンサを構成して実施することができる。このような実施形態に従う多段TCRセンサは、ヘッドと凹凸との接触を感知するように構成された第1のTCRセンサ段と、ヘッドと媒体との接触を感知するように構成された第2のTCRセンサ段とを含み、第1および第2のTCRセンサ段が並列に結合される。並列に結合された凹凸および接触TCRセンサを含む多段TCRセンサの実施は、形状および電気的接続を向上最適化し、ヘッドと凹凸との接触およびヘッドと媒体との接触の検出という競合する目的を調和する設計上の主要因となる。図13は、様々な実施形態に従う、並列に接続された凹凸および媒体接触TCRセンサを組み込んだ多段TCRセンサを示す図である。図13に示される実施形態によれば、多段TCRセンサ307は、前縁部340と後縁部350とを有する。多段TCRセンサ307は、空気軸受面320に対してともに平行に配置された表面を有する高温の第1のセンサ段335を含む。上記のように、第1のセンサ段335は、凹凸などの比較的小さなスケールの媒体表面特性を優先的に感知するように構成されている。多段TCRセンサ307は、空気軸受面320とともに平行に配置された表面を有する低温の第2のセンサ段337をさらに含む。上記のように、第2のセンサ段337は、媒体表面との接触比較的大きなスケールの媒体表面特性を優先的に感知するように構成されている。図13に示される第1のセンサ段335および第2のセンサ段337は、電気的に並列に結合され、代表的なワイヤ接続321によって示される。図14は、図13に示される並列多段TCRセンサ配置307を空気軸受面上で見た図である。上記のように、ヘッドと媒体との接触を検知するように構成された低温の第2のセンサ段337には、比較的大きな領域が必要である。加熱器によって作動したトランスデューサヘッドが媒体に近づくにつれ、接触検知センサ段337から媒体への熱エネルギの小さな流れが起こる。接触すると、熱伝達が大きく増大し、接触検知センサ段337の温度が下がり、続いて抵抗が変化する。ヘッドと凹凸との接触を検知するように構成された高温の第1のセンサ段335には、接触検知センサ段337と比して小さな領域が必要である。凹凸は、凹凸検知センサ段335と直接的に相互作用し、このセンサの温度が上昇または低下し、続いて抵抗に変化が起こる。上流側の空気軸受面320をこすることによって事前に凹凸が加熱されると、温度は上昇する。凹凸検知センサ段335との相互作用の前に、比較的低温の凹凸とトランスデューサヘッドとの接触が最低限のものであった場合、温度は低下する。限定ではなく例示を目的として、図13および図14に示される並列の多段TCRセンサ307の応答が抵抗の変化に比例すると仮定する。これに加えて、抵抗は、動作状態にあると仮定する。第1のセンサ段335RADおよび第2のセンサ段337RCDの各々の抵抗Rは、電流の高まりとともに増大する。図7、図9~図12に示されるTCRセンサ302~306などの直列に配線された多段TCRセンサについては、以下の関係が満たされる。R0=RCDRADここで、R0は初期抵抗であり、RCDは接触検知センサ段の抵抗であり、RADは凹凸検知センサ段の抵抗である。図13および図14に示されるTCRセンサ307などの並列に配線された多段TCRセンサについては、以下の式が満たされる。凹凸の検出に関し、トランスデューサヘッドの間隔は一定に保たれる。このため、2つのセンサ段においては、加熱器によって誘導されたさらなる熱的変化は起こらない。凹凸との相互作用は、凹凸検知センサ段の抵抗に影響を与えるのみであると仮定する。そのため、検出された抵抗の変化は以下の通りとなる。直列に配線された場合:R1=RCDRADΔR抵抗の変化の割合は、以下のとおりとなる。抵抗の変化が小さい場合、並列に配線された多段TCRセンサの応答は、直列に配線されたTCRセンサ段の応答のRCD/RAD倍となる。このため、RCD>RADの場合、凹凸検出の応答は、並列に配線されたTCRセンサについては大きくなる。図15は、抵抗の変化を関数とした、直列に配線された2つのTCRセンサ段に対して並列に配線された2つのTCRセンサ段の相対的な応答を示すグラフである。図15は、凹凸検知センサ段について、TCRセンサ信号における並列と直列との比率が抵抗の変化を関数としてどのように挙動するかについて示すグラフである。図15のグラフは、凹凸検知による抵抗の小さな変化において、RCD>RADの場合、並列のTCR回路の相対的な応答が、直列のTCR回路の応答よりも大きくなることを示す。抵抗の変化が大きくなるにつれ、直列のTCRセンサ回路と比して並列のTCRセンサの応答が小さくなる。図15はまた、凹凸によって凹凸検知センサ段が冷却され、抵抗も低くなることも示している。凹凸によって冷却される場合、2つのセンサを並列に配線することによって、より大きな利益が得られる。接触検知に関しては、熱的アクチュエータまたは他のアクチュエータ装置を使用し、ヘッドと媒体との接触が検知されるまで、トランスデューサヘッドが媒体に近づくように押される。熱的アクチュエータを用いると、両方のTCRセンサ段の抵抗が徐々に増大する。簡略化を目的とし、接触の直前および接触時の抵抗の変化のみが考慮される。このため、熱的アクチュエータに起因する複雑さが無視される。接触検知に関しては、両方のTCRセンサ段に熱的負荷の変化が現れる。まず最初に、両方のTCRセンサ段は、同じ比例的応答βを有する。なお、比較的低温の媒体はTCRセンサ段の温度を低下させることから、βは負である。2つのTCRセンサ段が直列に配線された場合、以下の式を満たす。R1=RCD1βRAD1β抵抗の変化の比率は、以下の式によってもたらされる。このため、多段TCRセンサに関する接触検知の応答は、直列または並列に配線された2つのセンサ段について同じである。様々な実施形態によれば、接触検知センサ段RCDの抵抗は、凹凸検知センサ段RADの抵抗よりも約1.5倍から約4倍大きい。上記の様々な直列および並列の多段TCRセンサの実施形態に加え、他の多段TCRセンサの構成も考えられる。いくつかの実施形態によれば、たとえば、多段TCRセンサは、高温の第1のセンサ段と低温の第2のセンサ段とを含み、第1および第2のセンサ段の各々が電気接続パッドを有し、独立して動作するように実施してもよい。上記の記載においては、様々な実施形態の数多くの特徴が、実施形態の構造や機能の詳細と共に記載されたが、この詳細な記載は例示のみであり、細部についての変更は可能である。特に、添付の請求項に記載の用語の広い一般的な意味によって最大限に示される本発明の要旨内における部品の構造や配置についての変更が可能である。"