"外部磁界で電気抵抗が変化する第一の磁気抵抗効果素子層と、前記第一の磁気抵抗効果素子層に直列に接続される第一の抵抗素子層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第一の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第二の短絡層と、を有し、前記第一の短絡層が前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかの一方のみに導通され且つ第一所定範囲に載置され、前記第二の短絡層が前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかの他方のみに導通され且つ第二所定範囲に載置され、前記第一の短絡層によって規定される第一の短絡長さと前記第二の短絡層によって規定される第二の短絡長さとの差が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗の差を調整することを特徴とする磁気検出装置。前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との長さの差を規定することを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置。前記第一の抵抗素子層が、外部磁界で電気抵抗が変化しない第一の固定抵抗素子層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気検出装置。前記第一の抵抗素子層が、外部磁界に対して前記第一の磁気抵抗効果素子層と電気抵抗の増減を逆に変化させる第二の磁気抵抗効果素子層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気検出装置。前記第一の短絡層が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれか一方の長手方向の両端部から離れて設置されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の磁気検出装置。前記第二の短絡層が、前記第一の磁気抵抗効果素子層または前記第一の抵抗素子層のいずれか他方の長手方向の両端部から離れて設置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の磁気検出装置。前記第二の短絡長さが、前記第一の短絡長さと電気抵抗を調整する第一の調整短絡層が規定する第五の短絡長さとの和からなり、前記第二の短絡長さと前記第一の短絡長さとの差である前記第五の短絡長さが、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗を調整すると共に、前記第一の短絡層と前記第一の調整短絡層とが連接されてなることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の磁気検出装置。前記第一の磁気抵抗効果素子層及び前記第二の磁気抵抗効果素子層が、磁化方向が固定される第一の固定磁性層と、外部磁界によって磁化方向が変化する自由磁性層と、前記第一の固定磁性層と前記自由磁性層との間に位置する非磁性導電層とを有することを特徴とする請求項4に記載の磁気検出装置。前記第一の磁気抵抗効果素子層が、第一の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化し、前記第一の方向と逆向きである第二の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化しないものであり、前記第二の磁気抵抗効果素子層が、前記第二の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化し、前記第二の方向と逆向きである前記第一の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化しないものであることを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか一項に記載の磁気検出装置。前記第一の固定抵抗素子層が、磁化方向が固定される第一の固定磁性層と、抵抗率の小さい非磁性導電層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層との間に位置する第2の固定磁性層とを有することを特徴とする請求項3に記載の磁気検出装置。前記第一の磁気抵抗効果素子層に対向して配置される第二の抵抗素子層と前記第二の抵抗素子層に直列に接続される第四の磁気抵抗効果素子層と短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第三の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第四の短絡層と、を有し、前記第三の短絡層が前記第四の磁気抵抗効果素子層と前記第二の抵抗素子層とのいずれかの一方のみに導通され且つ載置され、前記第四の短絡層が前記第四の磁気抵抗効果素子層と前記第二の抵抗素子層とのいずれかの他方のみに導通され且つ載置され、前記第一の磁気抵抗効果素子層、前記第一の抵抗素子層、前記第二の抵抗素子層及び第四の磁気抵抗効果素子層でブリッジ回路を構成することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の磁気検出装置。外部磁界で電気抵抗が変化する第一の磁気抵抗効果素子層と、前記第一の磁気抵抗効果素子層に直列に接続される第一の抵抗素子層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第一の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第二の短絡層と、を備える磁気検出装置の製造方法であって、a前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とを形成する工程と、b前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗を測定し、工程ばらつきなどによって生じる前記両素子層の電気抵抗の差と前記両素子層のいずれの電気抵抗が高いかを判定する工程と、c前記第二の短絡層を前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗が大きい一方のみに導通し且つ第二所定範囲に載置すると共に前記第一の短絡層を前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗が小さい他方のみに導通し且つ第一所定範囲に載置することで、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのそれぞれの電気抵抗を調整する工程と、を含むことを特徴とする磁気検出装置の製造方法。前記c工程では、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記抵抗素子層との上にレジストを塗布し、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とのそれぞれの所定のパターンが形成されたレチクルを用いて、前記それぞれの所定のパターンを同時に露光することを特徴とする請求項11に記載の磁気検出装置の製造方法。特許文献1に開示される電気抵抗の調整方法では、図21に示すように、外部磁界で電気抵抗が変化しない抵抗素子層703に第一の迂回電流路601、第二の迂回電流路602、第三の迂回電流路603と複数の迂回電流路が素子長手方向X2-X1方向に沿って階段状に併設された。また、隣り合う一方の迂回電流路に、他方の迂回電流路よりも、抵抗素子層703から離れる方向に突出した突出領域604が設けられた。そして、外部磁界で電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子層701と抵抗素子層703との抵抗値の差が許容範囲から外れている際に、抵抗素子層703から見て突出順に前記突出領域604内の電流路を切断して、前記抵抗値の差が許容範囲内に収まるように調整された。この方法では、抵抗素子層703に突出した複数の迂回電流路を設けるために、磁気検出装置の小型化に反する。特許文献2に開示される電気抵抗の調整方法では、図22に示すように、外部磁界で電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子層701、702と外部磁界で電気抵抗が変化しない抵抗素子層703、704とがそれぞれ直列に接続された。そして、磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704とのそれぞれの中点に接続されて、その中点の電位を出力する出力導電層705、706が設けられた。出力導電層705、706は、磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との一方の長手方向に沿って延ばされた。そして、出力導電層705、706は、磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との一方と、導電性の接続層707、708を介して導通された。このようにして、接続層707、708の位置を変えることにより、磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との一方の電気抵抗値が調整された。接続層707、708の位置を変える調整では、基板をステップアンドリピート方式にて移動させてレチクルを用い露光する縮小投影型露光装置ステッパが接続層707、708のパターン形成に一般的に用いられる。そのため、接続層707、708のパターン形成は、複数回の露光によってなされる。この複数回の露光において、接続層707、708の寸法ばらつき及び位置合わせばらつきが発生するために、電気抵抗の高精度な調整ができなかった。本発明は、このような課題を顧みてなされたものであり、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置とその製造方法を提供することを目的とする。外部磁界で電気抵抗が変化する第一の磁気抵抗効果素子層と、前記第一の磁気抵抗効果素子層に直列に接続される第一の抵抗素子層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第一の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第二の短絡層とを有し、前記第一の短絡層が前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかの一方のみに導通され且つ第一所定範囲に載置され、前記第二の短絡層が前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかの他方のみに導通され且つ第二所定範囲に載置され、前記第一の短絡層によって規定される第一の短絡長さと前記第二の短絡層によって規定される第二の短絡長さとの差が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗の差を調整することを特徴とする。前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とは、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかに対してそれぞれ第一所定範囲に若しくは第二所定範囲に載置されるので、前記第一の磁気抵抗効果素子層若しくは前記第一の抵抗素子層から突出しておらず小型化に優れる。前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差のばらつきは、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とが近傍に位置するので、露光の工程ばらつき等に影響され難い。よって、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によってなされる電気抵抗の調整は、露光の工程ばらつき等に影響され難い。前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とは、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかに載置されて短絡し、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によって電気抵抗を調整する。よって、この電気抵抗の調整は、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層との位置合わせずれに影響されない。よって、本発明によれば、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置を提供することができる。前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との長さの差を規定することが好ましい。このような態様であれば、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によって、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗の差を調整することができる。即ち、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗を同じにすることも、所定の差を持たせることも可能である。前記第一の抵抗素子層が、外部磁界で電気抵抗が変化しない第一の固定抵抗素子層であることが好ましい。このような態様であれば、外部磁界を検出する磁気検出装置を構成することが可能である。前記第一の抵抗素子層が、外部磁界に対して前記第一の磁気抵抗効果素子層と電気抵抗の増減を逆に変化させる第二の磁気抵抗効果素子層であることが好ましい。このような態様であれば、外部磁界を検出する磁気検出装置を構成することができると共に、前記第一の抵抗素子層が外部磁界で電気抵抗が変化しない前記第一の固定抵抗素子層である場合に比べて、出力を向上させることができる。前記第一の短絡層が、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれか一方の長手方向の両端部から離れて設置されることが好ましい。このような態様であれば、前記第一の短絡層のパターン形成時の露光に対して、前記長手方向の両端近傍にあるパターンによるハレーション等の悪影響を低減できる。よって、前記第一の短絡層のパターン寸法精度を向上させることができる。前記第二の短絡層が、前記第一の磁気抵抗効果素子層または前記第一の抵抗素子層のいずれか他方の長手方向の両端部から離れて設置されることが好ましい。このような態様であれば、前記第二の短絡層のパターン形成時の露光に対して、前記長手方向の両端近傍にあるパターンによるハレーション等の悪影響を低減できる。よって、前記第二の短絡層のパターン寸法精度を向上させることができる。前記第二の短絡長さが、前記第一の短絡長さと電気抵抗を調整する第一の調整短絡層が規定する第五の短絡長さとの和からなり、前記第二の短絡長さと前記第一の短絡長さとの差である前記第五の短絡長さが、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗を調整すると共に、前記第一の短絡層と前記第一の調整短絡層とが連接されてなることが好ましい。電気抵抗の調整を前記第五の短絡長さのみで行う場合には、電気抵抗差が非常に小さくなると前記第五の短絡長さも非常に小さくなり、前記第五の短絡長さの寸法精度が劣化する。その結果、電気抵抗の調整精度も劣化する。そこで、前記第二の短絡層をステッパの解像度より十分に長い前記第一の短絡層と前記第一の調整短絡層とから合成されたパターンと等しくする。その結果、前記第一の短絡長さ及び前記第二の短絡長さはステッパによって寸法精度良く得られ、その差である前記第五の短絡長さによって電気抵抗が調整される。よって、電気抵抗の微小な調整も可能になる。前記第一の磁気抵抗効果素子層及び前記第二の磁気抵抗効果素子層が、磁化方向が固定される第一の固定磁性層と、外部磁界によって磁化方向が変化する自由磁性層と、前記第一の固定磁性層と前記自由磁性層との間に位置する非磁性導電層とを有することが好ましい。このような態様であれば、外部磁界によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子層を得ることができる。前記第一の磁気抵抗効果素子層が、第一の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化し、前記第一の方向と逆向きである第二の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化しないものであり、前記第二の磁気抵抗効果素子層が、前記第二の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化し、前記第二の方向と逆向きである前記第一の方向の磁界が与えられた際に電気抵抗が変化しないものであることが好ましい。このような態様であれば、外部磁界の方向に対して、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第二の磁気抵抗効果素子層との電気抵抗の増減が逆に変化するので、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第二の磁気抵抗効果素子層とから構成される磁気検出装置は、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の固定抵抗素子とから構成される磁気検出装置に比べて、出力を向上させることができる。前記第一の固定抵抗素子層が、磁化方向が固定される第一の固定磁性層と、抵抗率の小さい非磁性導電層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層との間に位置する第二の固定磁性層とを有することが好ましい。このような態様であれば、前記第一の固定磁性層の上に前記第二の固定磁性層が重ねられているため、外部磁界によって電気抵抗が変化しない抵抗素子層を得ることができる。また、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の固定抵抗素子層とを、層の構造及び膜厚を同じにできるため、環境温度の変化などに伴う電気抵抗等の変化率をほぼ同じにできる。よって、環境温度などによる変化に対して正確に外部磁界を検出する磁気検出装置が可能になる。前記第一の磁気抵抗効果素子層に対向して配置される第二の抵抗素子層と前記第二の抵抗素子層に直列に接続される第四の磁気抵抗効果素子層と短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第三の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第四の短絡層とを有し、前記第三の短絡層が前記第四の磁気抵抗効果素子層と前記第二の抵抗素子層とのいずれかの一方のみに導通され且つ載置され、前記第四の短絡層が前記第四の磁気抵抗効果素子層と前記第二の抵抗素子層とのいずれかの他方のみに導通され且つ載置され、前記第一の磁気抵抗効果素子層、前記第一の抵抗素子層、前記第二の抵抗素子層及び第四の磁気抵抗効果素子層でブリッジ回路を構成することが好ましい。このような態様であれば、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との中点の電位と、前記第四の磁気抵抗効果素子層と前記第二の抵抗素子層との中点の電位との差を出力とすることができる。よって、磁気検出装置の出力を向上させることができる。外部磁界で電気抵抗が変化する第一の磁気抵抗効果素子層と、前記第一の磁気抵抗効果素子層に直列に接続される第一の抵抗素子層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第一の短絡層と、短絡経路を形成し電気抵抗を調整する導電性の第二の短絡層と、を備える磁気検出装置の製造方法であって、a前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とを形成する工程と、b前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗を測定し、工程ばらつきなどによって生じる前記両素子層の電気抵抗の差と前記両素子層のいずれの電気抵抗が高いかを判定する工程と、c前記第二の短絡層を前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗が大きい一方のみに導通し且つ第二所定範囲に載置すると共に前記第一の短絡層を前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗が小さい他方のみに導通し且つ第一所定範囲に載置することで、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのそれぞれの電気抵抗を調整する工程とを含むことを特徴とする。前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とは、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかにそれぞれ第一所定範囲に若しくは第二所定範囲に載置されるので、前記第一の磁気抵抗効果素子層若しくは前記第一の抵抗素子層から突出しておらず小型化に優れる。前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差のばらつきは、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とが近傍に位置するので、露光の工程ばらつき等に影響され難い。よって、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によってなされる電気抵抗の調整は、露光の工程ばらつき等に影響され難い。前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とは、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかに載置されて短絡し、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によって電気抵抗を調整する。よって、この電気抵抗の調整は、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層との位置合わせずれに影響されない。よって、本発明によれば、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置の製造方法を提供することができる。前記c工程では、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記抵抗素子層との上にレジストを塗布し、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とのそれぞれの所定のパターンが形成されたレチクルパターンを用いて、前記それぞれの所定のパターンを同時に露光することが好ましい。このような態様であれば、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層との前記所定のパターンが、同一のレジスト及び同一のレチクルを用いステッパにて同時に露光される。この際、前記露光は、基板をステップアンドリピート方式にて移動させ、前記基板の複数箇所でなされる。よって、複数の前記所定のパターンのレジスト寸法は、それぞれレチクル寸法からほぼ同じ程度にシフトする。このようにして、この複数回の露光における前記第一の短絡層と前記第二の短絡層との寸法差ばらつきは小さく抑えられる。また、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層との電気抵抗の調整は、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの寸法差によって決まる電気抵抗差によってなされる。よって、前記電気抵抗の調整は露光の工程ばらつき等に影響され難く、前記電気抵抗の調整を高精度に行うことが可能になる。第一の短絡層と第二の短絡層とは、第一の磁気抵抗効果素子層若しくは第一の抵抗素子層のいずれかにそれぞれ第一所定範囲に若しくは第二所定範囲に載置されるので、前記第一の磁気抵抗効果素子層若しくは前記第一の抵抗素子層から突出しておらず小型化に優れる。前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差のばらつきは、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とが近傍に位置するので、露光の工程ばらつき等に影響され難い。よって、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によってなされる電気抵抗の調整は、露光の工程ばらつき等に影響され難い。前記第一の短絡層と前記第二の短絡層とは、前記第一の磁気抵抗効果素子層と前記第一の抵抗素子層とのいずれかに載置されて短絡し、前記第一の短絡長さと前記第二の短絡長さとの差によって電気抵抗を調整する。よって、この電気抵抗の調整は、前記第一の短絡層と前記第二の短絡層との位置合わせずれに影響されない。よって、本発明によれば、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置を提供することができる。本発明の磁気検出装置は、微小な電流量も高精度に測定するための電流センサとして用いられる。そのために、磁気検出装置を構成する素子層間の電気抵抗の調整を高精度に行う必要があった。また、本発明は、電流センサに限定されるものではなく、磁気センサ、地磁気センサ等に用いることも可能である。図1は本発明の第一の実施形態である磁気検出装置1の平面略図である。図2は図1のII-II線に沿った拡大断面略図である。図3は図1のIII-III線に沿った拡大断面略図である。図6は、図1に示す磁気検出装置1の回路略図である。図1と図6に示すように、磁気検出装置1は、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の抵抗素子層21とが直列に接続されると共に、第二の抵抗素子層22と第四の磁気抵抗効果素子層14とが直列に接続されている。直列に接続された第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の抵抗素子層21とに電圧が印加されると共に、直列に接続された第二の抵抗素子層22と第四の磁気抵抗効果素子層14とに電圧が印加される。そして、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の抵抗素子層21との中間から第一の出力OUT1が得られ、第二の抵抗素子層22と第四の磁気抵抗効果素子層14との中間から第二の出力OUT2が得られる。図1は、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44が、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の抵抗素子層21、第四の磁気抵抗効果素子層14及び第二の抵抗素子層22を短絡した場合を図示している。第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とは、同じ構造で且つ同じ平面パターン形状となるように形成されている。第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14との平面パターンは、複数の帯状の長尺パターンストライプが折り返してなるミアンダ形状であり、その実質的な長さ寸法を大きくして、基本となる電気抵抗値を大きく確保できるようにしている。これにより、電力供給層31から供給される電流値が小さく抑えられ、磁気検出装置1は低電力で駆動される。図1のII-II線に沿った拡大断面略図である図2に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とは、多層構造であり、磁気検出装置1の全体の基板2の上に、反強磁性層51、第一の固定磁性層52、非磁性導電層53、及び自由磁性層54の順に積層されて成膜されており、自由磁性層54の表面が保護層55で覆われている。反強磁性層51は、Ir-Mn合金イリジウム-マンガン合金などの反強磁性材料で形成されている。第一の固定磁性層52は、Co-Fe合金コバルト-鉄合金などの軟磁性材料などで形成されている。非磁性導電層53は、Cu銅などである。自由磁性層54は、Ni-Fe合金ニッケル-鉄合金などの軟磁性材料で形成されている。保護層55は、Taタンタルなどの層である。第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とは、反強磁性層51と第一の固定磁性層52との交換結合により、第一の固定磁性層52の磁化の方向が固定されている。本実施形態では、第一の固定磁性層52の磁化の方向はX2方向に向けられて固定されている。第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とは、図11に示すように、図2と同じ積層構造で形成される素子部60の前後方向Y1-Y2の両側に外側永久磁石層63が設けられている。そして、素子部60と外側永久磁石層63により帯状に延びる素子連設体61が構成されている。素子連設体61は、左右方向X1-X2に間隔を空けて複数本並設され、各素子連設体61の両端部が接続部64にて接続されてミアンダ形状の磁気抵抗効果素子が構成されている。この際に、外側永久磁石層63から素子部60に前後方向Y1-Y2のバイアス磁界成分が作用している。よって素子部60を構成する自由磁性層54の磁化は無磁場状態では前後方向Y1-Y2に向けられている。本実施形態では外側永久磁石層63のみを設けたが、永久磁石である中間磁石層を複数設けて、素子部60と中間磁石層とを交互に前後方向Y1-Y2に配置することも可能である。図4に、磁界方向に電気抵抗が大きくなる磁気抵抗効果素子層の特性線図を示す。縦軸は電気抵抗であり、横軸は磁界の強さと方向である。磁界の方向は、X1方向をで示し、X2方向を-で示す。外部磁界の作用する方向が-方向、即ちX2方向の時には電気抵抗は変化しない。方向、即ちX1方向へ磁界が与えられ、この磁界の強さが所定の値以上になると、電気抵抗が上昇する。電気抵抗の最大と最小との中心における磁界の強さを、Hinで示している。第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とは、この特性線図と同じように電気抵抗が変化する。本実施形態では、第一の抵抗素子層21は第一の固定抵抗素子層23であり、第二の抵抗素子層22は第二の固定抵抗素子層24である。そして、第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24とは、同じ構造で且つ同じ平面パターン形状となるように形成されている。第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24との平面パターンはミアンダ形状である。図1のIII-III線に沿った拡大断面略図である図3に示すように、第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24とは、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14と同じく多層構造であり、各層の材質と厚みは第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14と同じである。ただし、第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24とは、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14とに対して非磁性導電層53と自由磁性層54との積層の順番が逆である。よって、第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24とは、基板2側から順に、反強磁性層51、第一の固定磁性層52、自由磁性層54と同じ組成からなる第二の固定磁性層57、非磁性導電層53、そして保護層55となっている。第一の固定磁性層52と第二の固定磁性層57とは第一の固定磁性層52の基板2と反対の面52aと第二の固定磁性層57の基板2側の面57aとが対向して当接し、磁気的に強磁性結合されている。その結果、第一の固定磁性層52と第二の固定磁性層57とは一体の固定磁性層として磁化が固着されている。第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24と第一の磁気抵抗効果素子層11及び第四の磁気抵抗効果素子層14とは、同じ基板2上に成膜されるため、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24内の第一の固定磁性層52は、第一の磁気抵抗効果素子層11及び第四の磁気抵抗効果素子層14と同様に、磁化方向がX2方向へ固定されている。しかし、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24では、第一の固定磁性層52の上に第二の固定磁性層57が重ねられているので第二の固定磁性層57の磁化方向は固定され、外部磁界が作用しても電気抵抗は変化しない。しかも、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24と第一の磁気抵抗効果素子層11及び第四の磁気抵抗効果素子層14とでは、層の構成及び膜厚が同じであるので、環境温度の変化などに伴う電気抵抗等の変化率はほぼ同じである。図1に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11のY1側の一端11aと、その左側に位置する第二の固定抵抗素子層24のY1側の一端24aとには、電力供給層31が接続されている。下側に位置する第四の磁気抵抗効果素子層14のY2側の他端14bと、第一の固定抵抗素子層23のY2側の他端23bとには、接地層32が接続されている。接地層32は接地電位に設定され、電力供給層31と接地層32との間に所定の電源電圧Vddが印加される。第一の磁気抵抗効果素子層11のY2側の他端11bと第一の固定抵抗素子層23のY1側の一端23aには第一の出力導電層33が接続され、第四の磁気抵抗効果素子層14のY1側の一端14aと第二の固定抵抗素子層24のY2側の他端24bには第二の出力導電層34が接続されている。図1に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14との長手方向Y1-Y2方向の両端部から離れて、それぞれ第一の短絡層41と第三の短絡層43が形成され、第一の固定抵抗素子層23と第二の固定抵抗素子層24との長手方向Y1-Y2方向の両端部から離れて、それぞれ第二の短絡層42と第四の短絡層44が形成されている。図2に示すように、第一の短絡層41と第三の短絡層43とは、膜中の途中まで除去された保護層55に当接して前記磁気抵抗効果素子層11、14の一部を被覆して形成されている。図3に示すように、第二の短絡層42と第四の短絡層44とは、膜中の途中まで除去された保護層55に当接して前記固定抵抗素子層23、24の一部を被覆して形成されている。このように、第一の短絡層41と第三の短絡層43とは、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層11または第四の磁気抵抗効果素子層14のみに導通され且つ載置されて形成されている。第二の短絡層42と第四の短絡層44とは、それぞれ第一の固定抵抗素子層23または第二の固定抵抗素子層24のみに導通され且つ載置されて形成されている。第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44の形成方法について説明する。第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の上にレジストを塗布する。次に、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれの開口パターンが設けられたレチクルを用いて同時に露光し、その後に現像しレジストパターンを形成する。次に、イオンミリング法やドライエッチング法等によって、前記開口内の保護層55の膜中の途中まで一括に除去する。次に、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44を構成する導電性膜がスパッタ法等によって成膜される。次に、レジストを除去することで、所定の位置に第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44が形成される。その後に、パッシベーション層56を形成し、表面をパッシベーション層56で被覆する。前記開口パターンの幅寸法X2-X1方向は、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第四の短絡層44及び第三の短絡層43が形成される、第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第二の固定抵抗素子層24及び第四の磁気抵抗効果素子層14のそれぞれの幅寸法X2-X1方向と等しいか、若しくは近い幅寸法に設定することが好ましい。前記開口パターンの幅寸法が、第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第二の固定抵抗素子層24及び第四の磁気抵抗効果素子層14のそれぞれの幅寸法X2-X1方向より小さく選択することも可能である。この際には、図8a、図8bに示すように、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれの側面の一部が保護層55に被覆される。また、前記開口パターンの幅寸法が、第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第二の固定抵抗素子層24及び第四の磁気抵抗効果素子層14のそれぞれの幅寸法X2-X1方向より大きく選択することも可能である。この際には、図9a、図9bに示すように、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれが、反強磁性層51、第一の固定磁性層52、非磁性導電層53、自由磁性層54、保護層55若しくは反強磁性層51、第一の固定磁性層52、第二の固定磁性層自57、非磁性導電層53、保護層55の側面を被覆することがある。この際に、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44の幅寸法X2-X1方向は、それぞれ導通され且つ載置される第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第四の磁気抵抗効果素子層14、及び第二の固定抵抗素子層24の幅寸法X2-X1方向の例えば0.5~2.0倍程度に設定することができる。また、配線間の短絡等の不具合がなければ、0.5~2.0倍程度よりも広い範囲に設定することも可能である。このようにして、第一の短絡層41は、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23とのいずれかの平面パターン外縁から、最大で各素子層11、23の幅寸法X2-X1方向の0.5倍程度に外側まで拡げられた境界の内側領域第一所定範囲に載置される。また、第二の短絡層42は、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23とのいずれかの平面パターン外縁から、最大で各素子層11、23の幅寸法X2-X1方向の0.5倍程度に外側まで拡げられた境界の内側領域第二所定範囲内に載置される。第三の短絡層43及び第四の短絡層44も同様である。この際、第一所定範囲と第二所定範囲とは、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23との大きい方の幅寸法から決められる。このことは、第三の短絡層43及び第四の短絡層44も同様である。この際、各短絡層41、42、43、44の最大幅寸法X2-X1方向で、折り返してなるミアンダ形状の各素子層11、23、24、14が短絡しないように、各素子層11、23、24、14のそれぞれが左右方向X2-X1方向に並設される各間隔は設定されている。このようにして、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44は、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第四の磁気抵抗効果素子層14、及び第二の固定抵抗素子層24のみに導通され且つ各所定範囲に載置されるので、特許文献1に開示されるような突出した複数の迂回電流路はないので、本実施形態は小型化に優れる。電力供給層31、接地層32、第一の出力導電層33、第二の出力導電層34、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44は、第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24よりも電気抵抗が小さい層であり、アルミニウム、銅、銀、金などのうちの一種類の金属または合金、あるいは銀粉や金粉を含む導電性インキなどで形成される。図2と図3に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24は、パッシベーション層56で覆われている。このパッシベーション層56は非磁性で非導電性であり、例えば、シリコン酸化層SiO2やアルミナ層Al2O3などの無機材料層、あるいは有機材料層で形成することができる。同一基板2上に形成される複数の磁気検出装置1の一部において、第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24のそれぞれの電気抵抗を測定しておくことにより、磁気検出装置1を構成する第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の設定すべき電気抵抗の好ましい値を算出することができる。例えば、磁界が与えられていないときの第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の電気抵抗を測定し、所定長さY1-Y2方向の第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44との組み合わせからなるパターンを有するレチクルパターンを選んでステッパにて露光しその後に加工することで、第一の出力導電層33及び第二の出力導電層34の電位が電源電圧の1/2中点の電位となるようにすることが可能である。この際に、第一の磁気抵抗効果素子層11の電気抵抗と第一の固定抵抗素子層23の電気抵抗とが同じになるように、及び第四の磁気抵抗効果素子層14の電気抵抗と第二の固定抵抗素子層24の電気抵抗とが同じになるように調整される。この際に、第二の短絡層42が第一の短絡層41よりY1-Y2方向に長く、且つ第四の短絡層44が第三の短絡層43よりY1-Y2方向に長い、複数の第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のパターンの組み合わせがレチクルに形成されている。そして、第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23のうち電気抵抗の小さい一方に第一の短絡層41を導通させ載置することで、第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23を第一の短絡層41で短絡させる。第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23のうち電気抵抗の大きい他方に第二の短絡層42を導通させ載置することで、第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23を第二の短絡層42で短絡させる。また、第四の磁気抵抗効果素子層14または第二の固定抵抗素子層24のうち電気抵抗の小さい一方に第三の短絡層43を導通させ載置することで、第四の磁気抵抗効果素子層14または第二の固定抵抗素子層24を第三の短絡層43で短絡させる。第四の磁気抵抗効果素子層14または第二の固定抵抗素子層24のうち電気抵抗の大きい他方に第四の短絡層44を導通させ載置することで、第四の磁気抵抗効果素子層14または第二の固定抵抗素子層24を第四の短絡層44で短絡させる。この際、第二の短絡層42が第一の短絡層41よりY1-Y2方向に長いので、第二の短絡層42によって短絡される第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23のうち電気抵抗の大きい他方が、第一の短絡層41によって短絡される第一の磁気抵抗効果素子層11または第一の固定抵抗素子層23のうち電気抵抗の小さい一方より、その電気抵抗が大きく減少する。よって、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23との電気抵抗を同じになるように調整することが可能である。また、このことは、第四の磁気抵抗効果素子層14と第二の固定抵抗素子層24についても同様である。例えば、第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第二の固定抵抗素子層24、及び第四の磁気抵抗効果素子層14の長さ寸法、幅寸法、電気抵抗値は、それぞれにおよそ420μm、およそ3μm、およそ1700Ω程度である。また、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43、及び第四の短絡層44の幅寸法は、およそ5μm程度であり、長さ寸法は最小寸法をおよそ5μm程度としおよそ0.2μm程度のピッチで長くしたパターンを複数用意している。この際に、図6を用いて説明するが、例えば、電気抵抗を調整する前は、外部磁場が与えられてない状態での第一の出力OUT1と第二の出力OUT2との出力差が電源電圧Vddのおよそ0.16であるものが、電気抵抗を調整をすることで電源電圧Vddのおよそ0.001までに改善されている。図12に図1のIV-IV線に沿った拡大断面図を示す。保護層55の膜中の途中まで除去されて、その除去された箇所の表面55aに当接して低抵抗である導電性の第一の短絡層41が載置されている。これにより、第一の磁気抵抗効果素子層11は、前後方向Y1-Y2に第一の短絡層41によって短絡されている。この際、第一の磁気抵抗効果素子層11の電気抵抗率に対して第一の短絡層41の電気抵抗率が十分に小さいので、第一の磁気抵抗効果素子層11の電気抵抗は、短絡される前後方向Y1-Y2の最大の長さである図12に示すL1第一の短絡長さに相当する電気抵抗値ほど、小さくなる。即ち、このL1の長さが第一の短絡長さである。図13に図1のV-V線に沿った拡大断面図を示す。保護層55の膜中の途中まで除去されて、その除去された箇所の表面55bに当接して低抵抗である導電性の第二の短絡層42が載置される。これにより、第一の固定抵抗素子層23は、前後方向Y1-Y2に第二の短絡層42によって短絡されている。この際、第一の固定抵抗素子層23の電気抵抗率に対して第二の短絡層42の電気抵抗率が十分に小さいので、第一の固定抵抗素子層23の電気抵抗は、短絡される前後方向Y1-Y2の最大の長さである図13に示すL2第二の短絡長さに相当する電気抵抗値ほど、小さくなる。即ち、このL2の長さが第二の短絡長さである。このことは、第三の短絡層43及び第四の短絡層44についても同様である。図14に第一の短絡層41の変形例を示す。この図は、図1のIV-IV線に沿った拡大断面略図である。この変形例では、保護層55の上に絶縁膜58が形成されて、保護層55と絶縁膜58が間隔を隔てて保護層55の膜中の途中まで除去されている。そして、除去された二つの箇所の表面55c及び表面55dに当接して低抵抗である導電性の第一の短絡層41が載置される。これにより、第一の磁気抵抗効果素子層11は、前後方向Y1-Y2に第一の短絡層41によって短絡されている。この際、第一の磁気抵抗効果素子層11の電気抵抗率に対して第一の短絡層41の電気抵抗率が十分に小さいので、第一の磁気抵抗効果素子層11の電気抵抗は、短絡される前後方向Y1-Y2の最大の長さである図14に示すL3第一の短絡長さに相当する電気抵抗値ほど、小さくなる。即ち、このL3の長さが第一の短絡長さである。図15に第二の短絡層42の変形例を示す。この図は、図1のV-V線に沿った拡大断面略図である。この変形例では、保護層55の上に絶縁膜59が形成されて、保護層55と絶縁膜59が間隔を隔てて保護層55の膜中の途中まで除去されている。そして、除去された二つの箇所の表面55e及び表面55fに当接して低抵抗である導電性の第二の短絡層42が載置される。これにより、第一の固定抵抗素子層23は、前後方向Y1-Y2に第二の短絡層42によって短絡されている。この際、第一の固定抵抗素子層23の電気抵抗率に対して第二の短絡層42の電気抵抗率が十分に小さいので、第一の固定抵抗素子層23の電気抵抗は、短絡される前後方向Y1-Y2の最大の長さである図15に示すL4第二の短絡長さに相当する電気抵抗値ほど、小さくなる。このL4の長さが第二の短絡長さである。このことは、第三の短絡層43及び第四の短絡層44についても同様である。上述のように、第一の短絡長さ、第二の短絡長さ及び第三の短絡層43や第四の短絡層44に対する短絡長さは、各素子層11、23、24、14が前後方向Y1-Y2に各短絡層41、42,43、44によって短絡される各最大の長さである。本実施形態では、第一の出力導電層33及び第二の出力導電層34の電位を電源電圧の1/2中点の電位となるように調整しているが、これに限定されるものではない。第一の出力導電層33の電位と第二の出力導電層34の電位とが、所定の比率や所定の差になるように調整されることもある。第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23との電気抵抗の調整は、第一の短絡層41と第二の短絡層42とがそれぞれに規定する第一の短絡長さと第二の短絡長さとの差によってなされる。また、第四の磁気抵抗効果素子層14と第二の固定抵抗素子層24については、第三の短絡層43と第四の短絡層44とがそれぞれに規定する第三の短絡長さと第四の短絡長さとの差によって調整される。図1に示すように、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44は近傍に位置するため同時に同じ条件で露光されるので、現像後の第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれの基板2表面に形成されるレジスト寸法各短絡長さに相当は、レチクル寸法レチクル表面のパターン寸法を縮小率で計算した基板2表面のパターン寸法から同じようにシフトする。ステッパは、基板2をステップアンドリピート方式にて移動させて基板2の複数個所で露光する。この複数回の露光毎に、露光されるそれぞれのパターンはレチクル寸法から同じようにシフトする。よって、複数回の露光における所定の異なるパターン間のレジスト寸法差ばらつきは、それぞれのレジスト寸法ばらつきより小さくなる。実際に、複数のレチクル寸法に対してステッパにて同時に露光し、レジスト寸法を測定した。その結果を、図10aに示すが、レジスト寸法は、レチクル寸法から同じようにシフトし、ほぼ一様に0.4μmシフトしていることが分かる。図10bに、レチクル寸法が5μmのものに対してレジスト寸法の分布を示すが、最大値と最小値の差はおよそ0.05μmである。図10aから、他のレチクル寸法においても、最大値と最小値の差はおよそ0.05μmである。上記の結果は以下を意味する。ステッパによる複数回の露光において、レジスト寸法はレチクル寸法を中心に0.4μm程度に増減してばらつくが、その際にレジスト寸法の差は0.05μm程度以下でばらついている。露光及び現像の工程ばらつき等の影響が小さいので、第一の短絡層41第一の短絡長さと第二の短絡層42第二の短絡長さとの寸法差ばらつき及び第三の短絡層43第三の短絡長さと第四の短絡層44第四の短絡長さとの寸法差ばらつきは、第一の短絡層41第一の短絡長さ、第二の短絡層42第二の短絡長さ、第三の短絡層43第三の短絡長さ及び第四の短絡層44第四の短絡長さの寸法ばらつきより小さいと共に小さい値に抑制される。また、本実施形態では、寸法差によって電気抵抗の調整を行う。よって、ステッパによる複数回の露光における寸法差ばらつきは十分に小さいので、電気抵抗の高精度な調整が可能になる。ところが、図22に図示するが、磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との少なくとも一方とを、導電性の接続層707、708を介して導通させて、接続層707、708の位置を変えることにより電気抵抗値を調整する特許文献2に開示された方法では、ステッパによる複数回の露光による接続層707、708の幅寸法ばらつきY1-Y2方向寸法が発生し、接続層707、708が接続された磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との少なくとも一方の調整された長さに寸法ばらつきが発生し、その電気抵抗がばらついた。そのために、電気抵抗の高精度な調整ができなかった。ステッパの位置合わせずれによって、第一の短絡層41と第二の短絡層42との位置がずれても、第一の短絡層41と第二の短絡層42とがそれぞれ第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23との両端部から離れて設置されていれば、短絡する長さは変化しない。よって、本実施形態によれば、位置合わせずれは電気抵抗の調整に影響を与えない。よって、ステッパによる複数回の露光において位置合わせばらつきが発生しても、電気抵抗の調整に影響を与えないので、電気抵抗の高精度な調整が可能である。このことは、第三の短絡層43と第四の短絡層44についても同様である。ところが、特許文献2に開示された方法では、ステッパによる複数回の露光による接続層707、708の位置合わせばらつきが発生し、接続層707、708が接続された磁気抵抗効果素子層701、702と抵抗素子層703、704との少なくとも一方の調整された長さに寸法ばらつきが発生し、その電気抵抗がばらついた。そのために、電気抵抗の高精度な調整ができなかった。図1に示すように、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44の周辺には、電力供給層31、接地層32、第一の出力導電層33、第二の出力導電層34等のパターンがある。近くにあるパターンによって露光の光がハレーションを起こして、レジストパターンの寸法が変動することが知られている。このハレーションを防ぐために、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44は、電力供給層31等の近くにあるパターンから離れるように、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層11、第一の固定抵抗素子層23、第二の固定抵抗素子層24及び第四の磁気抵抗効果素子層14の長手方向Y1-Y2方向の両端部から離して中央付近に設置されることが好ましい。第二の短絡層42の前後方向Y1-Y2方向に短絡する最大長さである第二の短絡長さが、第一の短絡層41の前後方向Y1-Y2方向に短絡する最大長さである第一の短絡長さと第一の調整短絡層の前後方向Y1-Y2方向の長さである第五の短絡長さとの和に等しく、第一の短絡層41と前記第一の調整短絡層とが連接していることが好ましい。電気抵抗差の調整を前記第一の調整短絡層のみで行う場合には、第一の磁気抵抗効果素子層11と第一の固定抵抗素子層23との電気抵抗の差が非常に小さくなり、前記第一の調整短絡層第五の短絡長さのレジスト寸法がステッパの解像度の限界に近づくと解像度が劣化する。その結果、電気抵抗の調整精度も劣化する。そこで、第一の短絡層41の長さY1-Y2方向をステッパの解像度より長く設定する。そして、第二の短絡層42を第一の短絡層41と前記第一の調整短絡層とから合成されたパターンと等しくする。この結果、第一の短絡層41第一の短絡長さ及び第二の短絡層42第二の短絡長さは十分な解像度が得られ、その寸法差である前記第一の調整短絡層の長さ第五の短絡長さで電気抵抗の調整を行うことで、電気抵抗の微小な調整も可能になる。図5に、第一の磁気抵抗効果素子層11及び第四の磁気抵抗効果素子層14の特性線図mと第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の特性線図nを図示する。図11に示すように、外部磁界が与えられない時に外側永久磁石層63のバイアス磁界成分によって自由磁性層54の磁化は前後方向Y1-Y2に向けられ、第一の固定磁性層52の左右方向X1-X2に向けられる固定磁場に直交するように設けられている。このように、第一の磁気抵抗効果素子層11及び第四の磁気抵抗効果素子層14のHinは0Oeに調整されることで、外部磁界が与えられない時に、第一の磁気抵抗効果素子層11、第四の磁気抵抗効果素子層14、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の電気抵抗が同じになっている。図1、図5、図6に示す磁気検出装置1では、外部磁界が与えられてない時は、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2とは電源電圧の1/2に調整されているので、差動増幅器3からの出力は0ボルトVである。外部から方向に磁界が与えられると、図5に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14の電気抵抗は上昇し、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の電気抵抗は一定のままである。よって、第一の出力OUT1の電圧が低下し、第二の出力OUT2の電圧が上昇し、差動増幅器3によって、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2との電圧差である負の値が出力される。外部から-方向に磁界が与えられると、図5に示すように、第一の磁気抵抗効果素子層11と第四の磁気抵抗効果素子層14の電気抵抗は低下し、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24の電気抵抗は一定のままである。よって、第一の出力OUT1の電圧が上昇し、第二の出力OUT2の電圧が低下し、差動増幅器3によって、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2との電圧差である正の値が出力される。このようにして、外部からの磁界が検出される。第一の実施形態では、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれは、1個の連続した固体であるが、これに限られるものではない。第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれが、複数の連続した固体から構成されることも可能である。図7に、第一の短絡層41、第二の短絡層42、第三の短絡層43及び第四の短絡層44のそれぞれが、2個の連続した固体から構成される第一の実施形態の変形例を図示する。第二の実施形態では、図16に示すように、第一の抵抗素子層21が第二の磁気抵抗効果素子層102で、第二の抵抗素子層22が第三の磁気抵抗効果素子層103である。第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103は、その膜構造が基本的に第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104と同じであり、図17に示すように、基板201側から第一の強磁性層507、反平行結合層508、第二の強磁性層509、非磁性導電層503、自由磁性層504及び保護層505の順に積層されて形成されている。第一の強磁性層507はFe-Co合金鉄-コバルト合金などであり、反平行結合層508はRuルテニウムなどであり、第二の強磁性層509はCo-Fe合金コバルト-鉄合金などである。非磁性導電層503はCu銅などであり、自由磁性層504はNi-Fe合金ニッケル-鉄合金などであり、保護層505はTaタンタルなどの層である。そして、第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104の第二の強磁性層509の磁化方向が-方向、即ちX2方向へ固定されているのに対して、第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103の第二の強磁性層509の磁化方向が方向、即ちX1方向へ固定されている。図18に、磁界方向に電気抵抗が小さくなる磁気抵抗効果素子層の特性線図を示す。縦軸は電気抵抗であり、横軸は磁界の強さと方向である。磁界の方向は、X1方向をで示し、X2方向を-で示す。外部磁界の作用する方向が方向、即ちX1方向の時には電気抵抗は変化しない。-方向、即ちX2方向へ磁界が与えられ、この磁界の強さが所定の値以下になると、電気抵抗が上昇する。電気抵抗の最大と最小との中心における磁界の強さを、Hinで示している。第二の磁気抵抗効果素子層102と第三の磁気抵抗効果素子層103とは、この特性線図と同じように電気抵抗が変化する。また、第一の磁気抵抗効果素子層101と第四の磁気抵抗効果素子層104とは、その第二の強磁性膜509の磁化方向が-方向に固定されているので、図4に示す特性線図と同じように電気抵抗が変化する。同一の基板201上に、磁化方向が異なる第二の強磁性層509を持つ複数の磁気抵抗効果素子層は、次のように形成することが可能である。上述のような膜構成によって、反平行結合層508を介して第一の強磁性層507と第二の強磁性層509とを反強磁性的に結合させる、いわゆるセルフピン止め型の強磁性固定層SFP:SyntheticFerriPinned層を構成させる。そして、第一の強磁性層507と第二の強磁性層509とは、その成膜中にミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場を印加することで、成膜後の両層507、509に誘導磁気異方性が付与される。これにより、両層507、509はストライプ幅方向に反平行に磁化する。また、両層507、509の磁化方向は、第一の強磁性層507の成膜時の磁場印加方向で決まるため、第一の強磁性層507の成膜時の磁場印加方向を変えることにより、同一の基板201上に、磁化方向が異なる強磁性固定層を持つ複数の磁気抵抗効果素子層を形成することができる。第一の短絡層401が、第一の磁気抵抗効果素子層101または第一の固定抵抗素子層102のうち電気抵抗の小さい一方に導通され且つ所定範囲内に載置されて形成される。また、第二の短絡層402が、第一の磁気抵抗効果素子層101または第一の固定抵抗素子層102のうち電気抵抗の大きい他方に導通され且つ所定範囲内に載置されて形成される。このことは、第三の磁気抵抗効果素子層103と第四の磁気抵抗効果素子層104においても同様である。このようにして、第一の実施形態と同じようにして、外部磁界が与えられてないときに、即ち、外部磁界が0Oeのときに第一の出力導電層303及び第二の出力導電層304の電位が電源電圧の1/2となるように調整される。図19に、第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104の特性線図mと第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103の特性線図pとを示す。第一の磁気抵抗効果素子層101、第四の磁気抵抗効果素子層104、第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103は、例えば、図示していないが第一の実施形態と同様に外側永久磁石層によるバイアス磁界成分によってHinを0Oeに調整している。図16、図19、図20に示す磁気検出装置では、外部磁界が与えられてない時は、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2とは電源電圧の1/2に調整されているので、差動増幅器305からの出力は0ボルトVである。外部から方向に外部磁界が与えられると、図19に示すように第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104の電気抵抗が上昇し、第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103の電気抵抗が低下する。その結果、第一の出力OUT1の電圧が低下し、第二の出力OUT2の電圧が上昇し、差動増幅器305によって、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2との電圧の差である負の電圧が出力される。外部から-方向に磁界が与えられると、図19に示すように第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104の電気抵抗が低下し、第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103の電気抵抗が上昇する。その結果、第一の出力OUT1の電圧が上昇し、第二の出力OUT2の電圧が低下し、差動増幅器305によって、第一の出力OUT1と第二の出力OUT2との電圧の差である正の電圧が出力される。この際に、第一の磁気抵抗効果素子層101、第二の磁気抵抗効果素子層102、第三の磁気抵抗効果素子層103及び第四の磁気抵抗効果素子層104のそれぞれの電気抵抗を、R11、R12、R13、R14とし、図20に示すように電源電圧をVddとすると、第一の出力OUT1=R12×Vdd/R11R12第二の出力OUT2=R14×Vdd/R13R14である。そして、第一の磁気抵抗効果素子層101と第四の磁気抵抗効果素子層104とは、また、第二の磁気抵抗効果素子層102と第三の磁気抵抗効果素子層103とは、それぞれ同じにように形成されるので、基本的にR11=R14、R12=R13である。よって、第一の出力OUT1-第二の出力OUT2=R12×Vdd/R11R12-R14×Vdd/R13R14=R12-R11×Vdd/R11R12=R13-R14×Vdd/R13R14となる。よって、差動増幅器305から出力される電圧は、第二の磁気抵抗効果素子層102と第一の磁気抵抗効果素子層101との電気抵抗差に比例する、あるいは、第三の磁気抵抗効果素子層103と第四の磁気抵抗効果素子層104との電気抵抗差に比例する。このことは、第一の実施形態でも同じであり、第一の実施形態の場合には、差動増幅器3から出力される電圧は、第一の固定抵抗素子層23と第一の磁気抵抗効果素子層11との電気抵抗差に比例する、あるいは、第二の固定抵抗素子層24と第四の磁気抵抗効果素子層14との電気抵抗差に比例する。ところで、図5と図19を比較すると、外部からの磁界に対して、第一の固定抵抗素子層23及び第二の固定抵抗素子層24が一定であるのに対し、第二の磁気抵抗効果素子層102及び第三の磁気抵抗効果素子層103が第一の磁気抵抗効果素子層101及び第四の磁気抵抗効果素子層104と逆方向に変化するので、第一の実施形態より第二の実施形態の方が差動増幅器3、305からの出力は大きくなる。"