"動作開始時の発振周波数がfS、所定の時間経過後の発振周波数がfTである発振部と、動作開始時の温度と所定の時間経過後の温度との差をΔTとしたときに、熱膨張係数が式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求められるαと同等の材料で形成された不要輻射抑制チョークと、を具備することを特徴とするマグネトロン。前記不要輻射抑制チョークは、前記発振部で発振される基本波の第5次高調波の輻射を抑制するものであることを特徴とする請求項1に記載のマグネトロン。動作開始時の発振周波数がfS、所定の時間経過後の発振周波数がfTである発振部と、動作開始時の温度と所定の時間経過後の温度との差をΔTとしたときに、前記所定の時間経過後の溝の深さが前記動作開始時に比べて式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求められるα倍となる不要輻射抑制チョークと、を具備することを特徴とするマグネトロン。不要輻射抑制用チョークを備えたマグネトロンの製造方法において、動作開始時の前記チョークの温度と所定の時間経過後の前記チョークの温度との差ΔTを求めるステップと、前記動作開始時の発振周波数をfS、前記所定の時間経過後の発振周波数をfTとしたときに、目標熱膨張係数αを式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求めるステップと、前記目標熱膨張係数αに熱膨張係数が近い材料で前記不要輻射抑制用チョークを形成するステップと、を具備することを特徴とするマグネトロンの製造方法。不要輻射抑制用チョークを備えたマグネトロンの設計方法において、動作開始時の前記チョークの温度と所定の時間経過後の前記チョークの温度との差ΔTを求めるステップと、前記動作開始時の発振周波数をfS、前記所定の時間経過後の発振周波数をfTとしたときに、目標熱膨張係数αを式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求めるステップと、前記目標熱膨張係数αに熱膨張係数が近い材料を前記チョークの材質として選定するステップと、を具備することを特徴とするマグネトロンの設計方法。マグネトロンを動作させた場合、マイクロ波出力へ変換できない一部の入力電力は、熱となる。このようにして発生した熱により作用空間へ導かれる磁束が減少すると共にマグネトロンには寸法変化が生じ、同じ動作点で比較すると発振周波数は徐々に低下していく。マグネトロンそのものや電子レンジ全体の構造、効率、冷却能力、負荷などによってその低下幅は異なるが、発振周波数が10MHz程度低下することもある。発振周波数の低下に伴って、高調波のピーク周波数も変動する。発振周波数が10MHz低下すると、第5次高調波は50MHz低下することになる。チョーク溝の効果は、抑制しようとする高調波の周波数の4分の1波長よりも若干短い長さで最大となる。したがって、高調波のピーク周波数が変動した場合、十分なチョーク効果が得られない場合がある。また、マグネトロンを用いた高周波加熱機器の設置場所によって動作中のチョーク温度が異なり、その影響による熱膨張差でチョーク効果が得られるピーク周波数もずれてしまう場合がある。たとえば、発振周波数が2450MHzから2440MHzへ低下した場合を考える。このとき第5次高調波のピーク周波数は122250MHzから12200MHzへ変動する。4分の1波長は、約6.118mmから約6.143mmへと変化し、約0.025mm長くなる。浮遊容量を無視して、室温における第5次高調波用チョークの長さを4分の1波長に等しい6.118mmとし、材料が鉄だとする。動作中のチョークの温度が150°C上昇したとすると、チョークの長さは熱膨張により6.129mmとなり、第5次高調波の4分の1波長とは0.014mmの差が生じてしまう。この長さの差は、周波数に換算すると約8MHzに相当する。製品によっても異なるが、高調波のピークは狭い帯域幅で出ることも多く、その差でピーク値が10db以上も変化することもあるため好ましくない。そこで、本発明は、マグネトロンの不要輻射抑制チョークが動作中の周波数の変動に追随できるようにすることを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明は、マグネトロンにおいて、動作開始時の発振周波数がfS、所定の時間経過後の発振周波数がfTである発振部と、動作開始時の温度と所定の時間経過後の温度との差をΔTとしたときに、熱膨張係数が式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求められるαと同等の材料で形成された不要輻射抑制チョークと、を具備することを特徴とする。また、本発明は、動作開始時の発振周波数がfS、所定の時間経過後の発振周波数がfTである発振部と、動作開始時の温度と所定の時間経過後の温度との差をΔTとしたときに、前記所定の時間経過後の溝の深さが前記動作開始時に比べて式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求められるα倍となる不要輻射抑制チョークと、を具備することを特徴とする。また、本発明は、不要輻射抑制用チョークを備えたマグネトロンの製造方法において、動作開始時の前記チョークの温度と所定の時間経過後の前記チョークの温度との差ΔTを求めるステップと、前記動作開始時の発振周波数をfS、前記所定の時間経過後の発振周波数をfTとしたときに、目標熱膨張係数αを式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求めるステップと、前記目標熱膨張係数αに熱膨張係数が近い材料で前記不要輻射抑制用チョークを形成するステップと、を具備することを特徴とする。また、本発明は、不要輻射抑制用チョークを備えたマグネトロンの設計方法において、動作開始時の前記チョークの温度と所定の時間経過後の前記チョークの温度との差ΔTを求めるステップと、前記動作開始時の発振周波数をfS、前記所定の時間経過後の発振周波数をfTとしたときに、目標熱膨張係数αを式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求めるステップと、前記目標熱膨張係数αに熱膨張係数が近い材料を前記チョークの材料として選定するステップと、を具備することを特徴とする。本発明によれば、マグネトロンの不要輻射抑制チョークが動作中の周波数の変動に追随できる。本発明に係るマグネトロンの一実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれらに限定されない。図2は、本発明に係るマグネトロンの一実施の形態における縦断面図である。本実施の形態のマグネトロンは、同一の軸中心軸41に沿って配置された陽極円筒1、陰極5、一対のエンドハット6,7および一対のポールピース8,9、並びに、この中心軸41の近傍から放射状に延びる複数のベイン2を備えている。陽極円筒1は、中心軸41に沿って円筒状に延びている。ベイン2は、中心軸41の近傍から放射状に延びて、陽極円筒1の内面に固定されている。ベイン2は、それぞれ実質的に長方形の板状に形成されている。陽極円筒1の内面に固定されていない側のベイン2の遊端31は、中心軸41に沿って延びる同一の円筒面上に配置されていて、この円筒面をベイン内接円筒と呼ぶ。複数のベイン2は、円周方向の一つおきに、ベインの上下端部にロー付けされた大小それぞれ対となったストラップリング3,4によって連結されている。陰極5は、螺旋状であり、陽極円筒1の中心軸に配置されている。また、陰極5の両端は、それぞれエンドハット6,7に固着されている。エンドハット6,7は、ベイン2に対して中心軸41の外側に配置されている。一対のポールピース8,9は、それぞれ中央部に貫通孔32を有する漏斗状に形成されている。貫通孔32の中心は、中心軸41上に位置している。それぞれのポールピース8,9は、エンドハット6,7で挟まれる空間に対して中心軸41の外側に向かって貫通孔32から広がるように形成されている。ポールピース8,9の外径は陽極円筒1の径とほぼ同じに形成されている。ポールピース8,9の外周部分は、陽極円筒1の両方の端部にそれぞれ固定されている。また、これら一対のポールピース8,9は、エンドハット6,7で挟まれる空間を挟んで配置されている。また、ポールピース8,9には、それぞれ筒状の金属封着体10,11が固着されている。それぞれの金属封着体10,11は、陽極円筒1の一端にも接している。出力側の金属封着体10のポールピース8に対して反対側の端には、出力側セラミック12が接合されている。また、出力側セラミック12の金属封着体10に対して反対側の端には、排気管13が接合されている。ベイン2の一つから銅でできた棒状のアンテナ14が導出されている。このアンテナ14は、出力側のポールピース8を貫通して、出力部内を中心軸41上に延びて、先端は排気管13で挟持固定されている。排気管13の全体はキャップ15で覆われている。入力側の金属封着体11のポールピース9に対して反対側の端には、入力側セラミック16が接合されている。陰極5には、エンドハット6,7を介して2本のサポートロッド17,18が接続されている。サポートロッド17,18は、たとえば中継板19を介して管外へ導出されている。また、マグネット21,22とヨーク23,24が、このような発振部本体を囲むように配設されて、磁気回路を形成している。また、発振部本体を冷却するためのラジエーター25がヨーク23,24で囲まれる空間の内部に設けられている。また、陰極5には、サポートロッド17,18を介して、コイル33および貫通コンデンサ34を有するフィルター回路が接続されている。フィルター回路を構成するコイル33および貫通コンデンサ34は、フィルターボックス27に収められている。図1は、本実施の形態における出力側の拡大断面図である。本実施の形態のマグネトロンは、第5次高調波用チョーク55を有している。この第5次高調波用チョーク55は、たとえば出力側の金属封着体10の出力側セラミック12の近傍に設けられている。第5次高調波用チョーク55は、金属封着体10の内面から内側に広がったリング状部分とそのリング状部分の端縁から陰極5側に向かって中心軸41に沿って延びる筒状部分とを有している。第5次高調波用チョーク55の長さL、すなわち第5次高調波用チョーク55の筒状部分の端部からリング状部分までの距離は、第5高調波の4分の1波長よりも若干短い。この第5次高調波用チョーク55の材料は、次の手順で決定される。まず、動作開始時の発振周波数fSを決定する。ここでは、動作開始時の温度は室温20°Cと仮定し、発振周波数は2450MHzとする。次に、所定の時間経過後の第5次高調波用チョーク55の温度を評価する。ここで、所定の時間とは、たとえばマグネトロンを動作させて第5次高調波用チョーク55の温度がほぼ一定となるまでの時間とする。たとえば、第5次高調波用チョーク55の所定の時間経過後の温度は200°Cと評価される。したがって、動作開始から所定の時間経過後の第5次高調波用チョーク55の温度変化ΔTは、180°Cである。また、所定の時間経過後の発振部の寸法変化などによって変化した発振周波数fTは、2440MHzと評価される。これらの条件に基づいて、次式を用いて、目標熱膨張係数αを求める。α=fS/fT-1/ΔT...式1次に、この目標熱膨張係数αに近い材料を第5次高調波用チョーク55の材質として選定する。図3は、本実施の形態における所定の時間経過後のチョークの温度変化に対する目標熱膨張係数αとの関係を示すグラフである。上述の条件の場合、目標熱膨張係数α=2450MHz/2440MHz-1/180°C=22.8×10-61/°Cとなる。この目標熱膨張係数αに近い材質としては、293Kでの熱膨張係数が23.1×10-61/°C、500Kでの熱膨張係数が26.4×10-61/°Cである銅が挙げられる。また、上述の条件で動作開始時の第5次高調波用チョーク55の温度と所定の時間経過後の第5次高調波用チョーク55の温度との差ΔTのみが240°Cと変化した場合には、目標熱膨張係数αは、17.1×10-61/°Cとなる。この目標熱膨張係数αに近い材質としては、293Kでの熱膨張係数が16.5×10-61/°C、500Kでの熱膨張係数が18.3×10-61/°Cであるアルミニウムが挙げられる。所定の時間経過後には、発振周波数のfSからfTへの変化により第5次高調波の4分の1波長は、動作開始時に対してfS/fT-1倍になっている。動作開始時の第5次高調波用チョーク55の長さLが動作開始時の第5高調波の4分の1波長に等しいとすると、所定の時間経過後の第5次高調波の4分の1波長は、L×fS/fT-1となる。一方、所定の時間経過後には、第5次高調波用チョーク55の温度はΔT上昇しており、その結果、第5次高調波用チョーク55の熱膨張係数が目標熱膨張係数αに等しければ、第5次高調波用チョーク55の長さは動作開始時の長さLのα×ΔT倍に延びている。つまり、L×α×ΔTとなっている。ここで式1からα=fS/fT-1/ΔTであるから、所定の時間経過後の第5次高調波用チョーク55の長さはL×fS/fT-1となる。つまり、所定の時間経過後の第5次高調波の4分の1波長に等しくなる。このようにして、目標熱膨張係数αと同等の材料を第5次高調波用チョーク55の材料として選定することにより、所定の時間経過に伴う発振周波数の変動に応じて第5次高調波用チョーク55の長さLが変化することになる。つまり、マグネトロンの不要輻射抑制チョークが動作中の周波数の変動に追随できるようになる。本実施形態では、第5次高調波を例としてその高調波の輻射を抑制する不要輻射抑制チョークの材料の選定について説明したが、他の高調波の場合であっても、同様の方法で材料を選定することができる。また、ここでは、熱膨張率が目標熱膨張係数αと同等となるような材料を用いて不要輻射抑制チョークを形成することとしたが、熱膨張率がαと同等となる材料ではない場合には、以下のようにして、動作中の周波数の変動に追随するようにできる。まず、この場合には、熱膨張率が目標熱膨張係数αよりも高い材料と低い材料とを選定する。これらの材料で形成された同径の円管を接合して、所定の時間経過後の不要輻射抑制チョークの溝の深さが、動作開始時に比べて式α=fS/fT-1/ΔTを用いて求められるα倍となるようにする。これにより、所定の時間経過後のチョーク溝の深さを全体としてα倍にすることができる。"