"Au層単独または最外層がAu層である多層膜からなるめっき層を有するリードフレームに発光素子および受光素子をそれぞれ搭載し、これら発光素子および受光素子をエポキシ樹脂で封止している光結合装置において、上記リードフレームは、上記エポキシ樹脂と接する面に、上記Au層よりも上記エポキシ樹脂との密着性が高い少なくとも1つの密着部を有することを特徴とする光結合装置。請求項1に記載の光結合装置において、上記めっき層は多層膜からなり、上記密着部は、上記Au層の一部を除去してなる第1の密着部を含むことを特徴とする光結合装置。請求項1または2に記載の光結合装置において、上記密着部は、上記めっき層とは異なる材料のめっき層からなる第2の密着部を含むことを特徴とする光結合装置。請求項1から3までのいずれか一つに記載の光結合装置において、上記密着部は、表面に凹凸を有することを特徴とする光結合装置。請求項1から4までのいずれか一つに記載の光結合装置において、上記密着部は、表面素材がゲル状樹脂である第3の密着部を含むことを特徴とする光結合装置。請求項5に記載の光結合装置において、上記リードフレームは、上記第3の密着部において、上記ゲル状樹脂を落とし込むための窪みを有することを特徴とする光結合装置。請求項1から6までのいずれか一つに記載の光結合装置において、上記リードフレームは、素子搭載側の面およびこの素子搭載側の面の反対側の面に、上記密着部を有することを特徴とする光結合装置。請求項1から7までのいずれか一つに記載の光結合装置において、上記光結合装置は2重トランスファーモールド構造を有し、上記リードフレームは、一次樹脂であるエポキシ樹脂との接触箇所及び2次樹脂であるエポキシ樹脂との接触箇所にそれぞれ、表面素材が互いに異なる密着部を有することを特徴とする光結合装置。請求項1から8までのいずれか一つに記載の光結合装置を備えた電子機器。近年、高温環境下でも使用可能となるSiC系パワーデバイスの需要が増えつつあり、車載用途等の市場要望や使用製品の高信頼性要望により、光結合装置に要望される動作温度も高温領域での仕様が要望されている。使用環境の高温度化により、従来以上に高信頼対応が必要となり、一般的に使用されるエポキシ樹脂とリードフレーム界面との密着性を向上させる必要がある。しかし、上記特許文献1,2に記載のようにモールド工程後に外装めっきを行う光結合装置とは異なり、リードフレーム自体のAuPdNiめっきをそのまま外装めっきとする光結合装置の場合、AuPdNiめっきにおけるAuとエポキシ樹脂との密着性は、一般的なCuと比較すると低い為、リードフレームとエポキシ樹脂との界面に外部の水分や空気が侵入しやすく、特に光結合装置を高温で動作させる場合には、信頼性の面で問題がある。そこで、本発明の課題は、Au単独のめっきまたは最外層がAu層である多層膜めっきを施したリードフレームと受発光素子封止用のエポキシ樹脂との密着性を向上させ、高温動作においても信頼性を確保できる光結合装置およびこのような光結合装置を備えた電子機器を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明に係る光結合構造は、Au層単独または最外層がAu層である多層膜からなるめっき層を有するリードフレームに発光素子および受光素子をそれぞれ搭載し、これら発光素子および受光素子をエポキシ樹脂で封止している光結合装置において、上記リードフレームは、上記エポキシ樹脂と接する面に、上記Au層よりも上記エポキシ樹脂との密着性が高い少なくとも1つの密着部を有することを特徴としている。本発明において、発光素子と受光素子を搭載するリードフレームは如何なるタイプであってもよく、2つのリードフレームからなるものであって、発光素子と受光素子をそれぞれ別個に搭載するタイプのもの、あるいは、発光素子と受光素子の両方を搭載する2つの素子搭載部を有するリードフレームであってもよい。本発明によれば、上記密着部により、リードフレームとエポキシ樹脂の界面密着性を向上させ、リードフレームとエポキシ樹脂の界面より侵入する外部要因空気、水分の侵入を抑える事が可能となり、耐湿性および表面酸化防止性を向上できる。したがって、光結合装置を高温で動作させる場合であっても、信頼性を十分に確保することが可能となる。特に、密着部を複数設けた場合には、密着部が1箇所のみに設けられた場合よりも高い密着性を得ることができる。また、上記めっき層及び密着部は、発光素子及び受光素子の樹脂封止を行う前の時点において、これらリードフレーム自体が備えているものである。よって、上記特許文献2開示の従来技術即ちリードフレームに搭載された受光素子及び発光素子をモールド樹脂にて封止した後、リードフレームの外装めっき工程前に、リードフレームとモールド樹脂との界面にシリコーンオイルを含浸させる技術とは異なり、モールド工程においては、密着性向上のための付加工程および作業は何ら必要とされない。また、リードフレーム自体のめっきを光結合装置の外装めっきとできるため、光結合装置の製造工程ではめっき工程が不要となり、工程時間の短縮化が図れる。一実施形態では、上記めっき層は多層膜からなり、上記密着部は、上記Au層の一部を除去してなる第1の密着部を含む。この第1の密着部は、リードフレームの製造工程において形成することができる。すなわち、リードフレームの製造工程において、リードフレーム基材にめっき処理をした後、密着部とすべき箇所において上記めっき層に研磨、レーザ照射等を行うことで、最外層であるAu層の一部を除去し、その下にある別のめっき層を露出させて、密着部とするのである。換言すれば、リードフレーム基材を被覆するめっき素材の一部を変質させることで当該密着部を加工するのである。なお、めっき層を構成する多層膜の一例は、はんだ濡れ性の点で優位な3層構造のAuPdNiである。一実施形態では、上記密着部は、上記めっき層とは異なる材料のめっき層からなる第2の密着部を含む。このようなめっき層としては、Auめっき層よりもエポキシ樹脂との密着性が高いめっき層であれば如何なる材料のものでも構わない。具体例としては、Cu、SnCu、SnBi等のメッキ層を挙げることができ、ストライクめっき等の手法で形成することが可能である。そして、このようなめっき層も、リードフレームの製造工程において予め形成しておくことができる。一実施形態では、上記密着部は、表面に凹凸を有する。この場合、密着部の材料による密着性向上に加えて、密着部表面の凹凸の働きにより、リードフレームとエポキシ樹脂との間の密着性をさらに向上できる。一実施形態では、上記密着部は、表面素材がゲル状樹脂である第3の密着部を含む。このゲル状樹脂の一例は、シリコーン樹脂である。ゲル状樹脂による密着部は、めっきを施されたリードフレームにゲル状樹脂をポッティングすることにより、簡単に形成することができる。一実施形態では、上記リードフレームは、上記第3の密着部において、上記ゲル状樹脂を落とし込むための窪みを有する。上記窪みがあることにより、ゲル状樹脂の流動が防止され、リードフレームの製造工程において、ポッティングを安定的に行うことができる。上記リードフレームは、素子搭載側の面およびこの素子搭載側の面の反対側の面に、上記密着部を有する。ここで、素子搭載側の面とは、リードフレームの2つの平面のうち、受光素子、発光素子を搭載する側の面をいう。すなわち、リードフレームの素子搭載部における受光素子、発光素子を搭載する面及びこの面に連なるリード部の面である。以下、本明細書において、素子搭載側の面を素子搭載面と呼ぶ。リードフレームの素子搭載面のみならず、それとは反対側の面以下、裏面と呼ぶにも密着部があることにより、リードフレームの素子搭載面のみに密着部がある場合に比して、高い密着性が得られ、リードフレームとエポキシ樹脂との界面からの装置内部への水分や空気の侵入を効果的に抑えることができる。つまり、耐湿性および表面酸化防止性を向上できる。したがって、高い信頼性が得られる。一実施形態では、上記光結合装置は2重トランスファーモールド構造を有し、上記リードフレームは、一次樹脂であるエポキシ樹脂との接触箇所及び2次樹脂であるエポキシ樹脂との接触箇所にそれぞれ、表面素材が互いに異なる密着部を有している。また、本発明に係る電子機器は上記いずれかの光結合装置を備えている。したがって、高温動作においても高い信頼性を提供することができる。本発明により、リードフレームとエポキシ樹脂の密着性を向上させることができ、耐湿性および表面酸化防止性を向上でき、光結合装置の高温度対応が可能となる。また、光結合装置における上記めっき層及び密着部は、リードフレームの製造工程において形成でき、エポキシ樹脂によるモールド工程においては、密着性向上のための付加工程および作業は何ら必要とされない。また、リードフレーム自体のめっきを光結合装置の外装めっきとできるため、光結合装置の製造工程ではめっき工程が不要となり、工程時間の短縮化が図れる。したがって、この光結合装置は簡単な工程で製造することができる。以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、以下の各実施形態においては、発光素子及び受光素子を使用するフォトカプラを光結合装置とする例を用いて詳細を説明する。<第1実施形態>図1は、本発明の第1実施形態に係る光結合装置の概略断面図である。但し、図面を簡単にするため、図1において断面を表すハッチングは省略している。これは、後述する他の実施形態の光結合装置の概略断面図においても同様である。図2は、モールド樹脂による封止前の状態にある図1の光結合装置の概略上面図であり、モールド樹脂を想像線で示している。また、わかりやすいように、密着部にはハッチングを施している。これは、後述する他の実施形態の光結合装置の概略上面図においても同様である。図1,2に示されるように、この第1実施形態における光結合装置は、受光素子1と、発光素子2と、2つのリードフレーム3,4と、絶縁性を有する封止用のエポキシ樹脂5とを有する。リードフレーム3は、2本のリード部3a,3aと、これらのうちの一方のリード部3aの先端に位置する素子搭載部3bとを有し、この素子搭載部3bに発光素子2が搭載されている。発光素子2ともう一方のリード部3aとはワイヤW2で接続されている。同様に、リードフレーム4は、2本のリード部4a,4aと、これらのうちの一方のリード部4aの先端に位置する素子搭載部4bとを有し、この素子搭載部4bに受光素子1が搭載されている。受光素子1ともう一方のリード部4aとはワイヤW1で接続されている。なお、受発光素子1,2の構成並びにこれらの素子とリードフレームとの接続は当業者に周知であり、また、本発明とは関係ないため、詳細は省略する。リードフレーム3の素子搭載部3bとリードフレーム4の素子搭載部4bとは、発光素子2と受光素子1とが上下方向つまり受発光素子1,2の積層膜の積層方向。以下、同様。に対向するよう、上下方向に間隔をおいて重なり合っている。リードフレーム3は、Cu系素材やFe系素材等の既知の材料からなるリードフレーム基材31を、Au、Pd、Niの3層からなる多層膜構造のめっき層32で被覆してなるものである。Au層が多層膜構造のめっき層32の最外層をなしている。リードフレーム4も、リードフレーム基材41をめっき層42で被覆してなるものである。リードフレーム基材41およびめっき層42の材料は、リードフレーム3のリードフレーム基材31およびめっき層32と同じである。リードフレーム3の各リード部3aより正確には、インナーリード部は、エポキシ樹脂5と接する面のうち素子搭載面つまり図中、下側の面において、エポキシ樹脂のエッジ近傍に、第1の密着部としての密着部32aを有する。この密着部32aは、その表面素材がめっき層32のAu層よりもエポキシ樹脂との密着性が高い部分である。密着部32aは、めっき層32に対して、密着部となるべき箇所において、研磨やレーザ照射等を行うことにより、当該箇所におけるめっき表面のAu層を除去して、その下層のPdを表面に露出させたものである。この結果、インナーリードの素子搭載面側のAu比率は全体として低下している。各密着部32aの幅はインナーリード部の幅と同等かそれよりもわずかに狭く、また、その長さはインナーリード部の長さの1/3~1/6程度である。同様に、リードフレーム4の各リード部4aより正確には、インナーリード部も、エポキシ樹脂5と接する面のうち素子搭載面この場合は、図中、上側の面において、エポキシ樹脂のエッジ近傍に、密着部42aを有する。密着部42aは密着部32aと同じ方法で形成されたものであり、密着部32aと同じ構造を有する。この実施形態の光結合装置は、上記密着部32a,42aにより、AuPdNiめっきを施されたリードフレーム3,4とエポキシ樹脂5の界面密着性を向上させ、リードフレーム3,4とエポキシ樹脂5の界面より侵入する外部要因空気、水分の侵入を抑える事が可能となり、耐湿性および表面酸化防止性を向上できる。したがって、光結合装置を高温で動作させる場合であっても、信頼性を十分に確保することが可能となる。この実施形態の光結合装置は次のようにして製造される。まず、リードフレーム製造工程において、リードフレーム基材31,41にめっき処理を施してAuPdNi多層膜めっき層32,42を形成した後、上述の通り、めっき層32,42に研磨、レーザ照射等を行うことで、最外層であるAu層の一部を除去し、その下にあるPd層を露出させて、密着部32a,42aを形成する。このようにして製造されたリードフレーム3,4の素子搭載部3b、4bに発光素子2および受光素子1を載置し、ワイヤボンディング等の所定の処理を施す。次に、発光素子2を搭載したリードフレーム3,4を図1,2に示す状態となるように重ね合わせた後、トランスファーモールド工程においてエポキシ樹脂5による樹脂封止を行う。この際、リードフレーム3,4のめっきを光結合装置自体の外装めっきとして用いるため、樹脂封止後のめっき工程は行う必要はない。その後、図示しないタイバーのカット等の公知の所定の処理を行うことで、図1、2に示す光結合装置が完成する。上記の説明から分かるように、上記めっき層32,42及び密着部32a,42aは、発光素子2及び受光素子1の樹脂封止を行う前の時点において、リードフレーム3,4自体が備えているものである。よって、トランスファーモールド工程においては、密着性向上のための付加工程および作業は何ら必要とされない。また、リードフレーム3,4自体のめっきを光結合装置の外装めっきとしているため、光結合装置の製造工程ではめっき工程が不要となり、工程時間の短縮化が図れる。このように、この第1実施形態では、AuPdNiめっきを施したリードフレームとエポキシ樹脂との密着構造を簡単に得ることができる。上述の例では、多層膜めっき層32,42をAu、Pd、Niの3層からなるものとしたが、Au層を最外層とし、その下層がエポキシ樹脂との密着性がAu層よりも高い素材からなる他の適切な多層膜を使用してもよい。また、上述の光結合装置は2つのリードフレームを重ね合わせて、受光素子1と発光素子2を対向させるタイプのものであったが、受光素子1と発光素子2を同一平面上で対向させるタイプのものであってもよい。この場合、1つのリードフレームに受光素子1と発光素子2とを搭載してもよい。<第2実施形態>本発明の第2実施形態は、第1実施形態とはリードフレームの密着部の構成のみが異なる。したがって、以下に説明する事項を除いては、第1実施形態に関連して行った説明は、ここでは繰り返さないものの、作用、効果や変形例に関する説明を含めて、すべて第2実施形態にも適用されると理解されるべきである。第1実施形態では、リードフレーム3,4の密着部32a,42aはリードフレーム3,4のAuPdNiめっき層32,42を利用して換言すれば、めっき素材を変質させて形成したが、第2実施形態では、リードフレームの密着部第2の密着部としての密着部は、上記AuPdNiめっき層32,42とは異なる材料のめっき層からなる。この密着部のめっき層としては、Cuめっき層を用いることができ、ストライクめっき等の手法で形成できる。Cuめっき層の他、SnCu、SnBi等のメッキ層から密着部を形成してもよい。Auめっき層よりもエポキシ樹脂との密着性が高いめっき層であれば上記以外の材料のものでも構わない。第2実施形態においても、リードフレームの密着部を構成するめっき層は、リードフレームの製造工程において形成される。また、第1実施形態においては、リードフレーム基材31,41を被覆するめっき層32,42はAuを最外層とする多層膜構造のめっき層であったが、第2実施形態では、めっき層32,42を利用して密着部32を形成しないため、Au層のみからなるめっき層であってもよい。<第3実施形態>図3は、本発明の第3実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図4は、モールド樹脂による封止前の状態にある図3の光結合装置の概略上面図である。本発明の第3実施形態は、第1実施形態とはリードフレームの密着部の構成のみが異なる。図3,4において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第3実施形態にも適用されると理解されるべきである。図3,4において、リードフレーム3,4の密着部はそれぞれ32b,42bで示されている。密着部32b,42bはそれぞれ、リードフレーム3,4の製造工程において、第1実施形態の密着部32a,42aまたは第2実施形態の密着部に対して、その表面に凹凸を施したものである。密着部32b,42bを第2実施形態の密着部とする場合には、第2実施形態に関して行った説明はすべてこの第3実施形態にも適用されるものとする。この第3実施形態では、リードフレーム3,4の密着部32b,42bのめっき材料による密着性向上に加えて、密着部表面の凹凸があることでエポキシ樹脂との接触面積が増大し、リードフレームとエポキシ樹脂との間の密着性をさらに向上できる。<第4実施形態>図5は、本発明の第4実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図6は、モールド樹脂による封止前の状態にある図5の光結合装置の概略上面図である。この第4実施形態は、第1実施形態とはリードフレームの密着部の構成のみが異なる。図5,6において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第4実施形態にも適用されると理解されるべきである。図5,6において、リードフレーム3,4の密着部はそれぞれ33,43で示されている。これらの密着部33,43は第3の密着部の一例であり、それぞれ、リードフレーム3,4のめっき層32,42上に設けられたゲル状樹脂Rによって形成されている。密着部33,43の形成位置は、第1~3実施形態の密着部と同様に、リードフレーム3,4のリード部3a,4aより正確には、インナーリード部におけるエポキシ樹脂5のエッジ近傍である。この第4実施形態における密着部33,43は、リードフレーム3,4を図5,6の状態に重ね合わせる前に、エポキシ樹脂5によって封止されるインナーリード部の端部にゲル状樹脂Rをポッティングすることにより形成できるので、密着部33,34を簡単に実現できる。ゲル状樹脂材料としては、代表的なものとしてシリコーンを挙げることができるが、Au及びエポキシ樹脂との双方に対して密着性の高いものであれば、他の材料を使用してもよい。なお、リードフレーム3,4のリードフレーム基材31,41を被覆するめっき層32,42は、Au層を最外層とする複数層の積層膜のみならず、Au層のみからなるものとしてもよい。<第5実施形態>図7は、本発明の第5実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図8は、モールド樹脂による封止前の状態にある図7の光結合装置の概略上面図である。この第5実施形態は、第1実施形態とはリードフレームの密着部の構成のみが異なる。図7,8において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第5実施形態にも適用されると理解されるべきである。図7,8において、リードフレーム3,4の密着部はそれぞれ35,45で示されている。この第5実施形態では、リードフレームの密着部35,45の表面素材を第4実施形態と同様にゲル状樹脂Rとしている。図7に示すように、リードフレーム3,4のリードフレーム基材31,41はそれぞれ、段付き形状の窪み落とし込み部3c、4cを有し、これらの窪み3c、4c内にゲル状樹脂Rがポッティングされて密着部35,45が形成されている。窪み3c,4cの形成位置つまり密着部35,45の形成位置は、第1~4実施形態の密着部と同様に、リードフレーム3,4のリード部3a,4aより正確には、インナーリード部におけるエポキシ樹脂5のエッジ近傍である。この第5実施形態では、リードフレーム基材31,41が凹部3c、4cを有することにより、リードフレーム3,4の製造工程において、ゲル状樹脂Rのポッティング処理の際、ゲル状樹脂Rの流動を防止して、ゲル状樹脂Rを安定的にポッティングすることができる。したがって、第4実施形態の密着部33,43に比して、より安定的にエポキシ樹脂5と密着部35,45のゲル状樹脂Rとが密着する。ゲル状樹脂材料としては、第4実施形態に関連して説明したとおり、代表的なものとしてシリコーンを挙げることができるが、Au及びエポキシ樹脂との双方に対して密着性の高いものであれば、他の材料を使用してもよい。また、リードフレーム3,4のリードフレーム基材31,41を被覆するめっき層32,42は、Au層を最外層とする複数層の積層膜のみならず、Au層のみからなるものとしてもよい。ところで、以上述べた第1~5実施形態は、リードフレーム3,4の各リード部につき密着部を1ずつ設けたものであったが、リードフレーム3,4の各リード部につき密着部を複数箇所に設けた例を以下に述べる。<第6実施形態>図9は、本発明の第6実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図10は、モールド樹脂による封止前の状態にある図9の光結合装置の概略上面図である。第6実施形態は、密着部32a42aの個数のみが第1実施形態と異なる。図9,10において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、変形や作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第6実施形態にも適用されると理解されるべきである。図9,10に示すように、リードフレーム3,4の各リードの素子搭載面には、第1実施形態における密着部32a42aを各リード部につき2個ずつ設けている。これらの密着部32a,42aは、リードフレーム製造工程において、第1実施形態で説明した方法で形成される。第6実施形態では、リードフレーム3,4の各リード部3a,4aが素子搭載面において密着部32a,42aを2個備えているため、第1実施形態の場合よりも、リードフレーム3,4とエポキシ樹脂5との密着性を向上させることができ、リードフレーム3,4とエポキシ樹脂5との界面からの空気、水分の侵入が効果的に抑えられて、信頼性が向上する。密着部32a,42aの個数は2に限られず、密着部32b,42bの1個当たりの寸法を調整することにより、より多くの密着部32a,42aを設けてもよい。また、各リード部の複数の密着部32a42aの一部または全てを、第2~5実施形態のいずれかに係る密着部に置き換えてもよい。この場合、第2~5実施形態に関して行った説明はすべてこの第6実施形態にも適用されるものとする。<第7実施形態>図11は、本発明の第7実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図12は、モールド樹脂による封止前の状態にある図11の光結合装置の概略上面図である。第7実施形態は、リードフレームの素子搭載面のみならず、素子搭載面とは反対の面以下、裏面という。にも密着部を設けた点のみが第1実施形態とは異なる。図11,12において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、変形や作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第7実施形態にも適用されると理解されるべきである。図11,12に示すように、リードフレーム3,4はそれぞれ、各リードインナーリード部の素子搭載面において、第1実施形態におけるのと同じ密着部32a,42aを1個有する。さらに、リードフレーム3,4はそれぞれ、各リードインナーリード部の裏面においても、密着部32c,42dを1個有する。インナーリード部における裏面の密着部32c42cの位置は、これに対応する素子搭載面の密着部32a42aの位置よりも若干発光素子2受光素子1側に寄っている。リードフレーム裏面の密着部32c,42cは、リードフレーム製造工程において、リードフレーム素子搭載面の密着部32a,42aと同じ方法で形成されたものである。この第7実施形態では、素子搭載面側でのリードフレーム3,4とエポキシ樹脂5の界面のみではなく、裏面側の界面でも密着性を向上させることができ、これにより、信頼性の低下要因となる外部からの空気や水分の侵入をより効果的に抑えることができる。この第7実施形態において、リードフレーム3,4の素子搭載面および裏面に設ける密着部は、第1実施形態に係るものに限られず、素子搭載面および裏面の密着部32a,42a、32c,42dの一方または両方を、第2~5実施形態のいずれかに係る密着部に置き換えてもよい。この場合、第2~5実施形態に関して行った説明はすべてこの第7実施形態にも適用されるものとする。さらに、リードフレーム3,4の素子搭載面および裏面それぞれに設ける密着部の数は、第6実施形態に関連して説明したように、各リードにつき複数設けてもよい。<第8実施形態>図13は、本発明の第8実施形態に係る光結合装置の概略断面図であり、図14は、モールド樹脂による封止前の状態にある図13の光結合装置の概略上面図である。第8実施形態は2重モールド構造である点において第1実施形態と異なる。図13,14において、第1実施形態の光結合装置の構成部分と同じ構成部分には、図1,2で使用したのと同じ参照番号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。但し、以下に説明する事項を除き、第1実施形態に関連して行った説明は、変形や作用、効果に関する説明を含めて、すべてこの第8実施形態にも適用されると理解されるべきである。図13,14に示すように、この第8実施形態に係る光結合装置では、絶縁性を向上させる為に、半透明エポキシ樹脂5での一次樹脂とその外側の非透過性エポキシ樹脂6での二次樹脂での2重のモールド構造をとっている。そして、リードフレーム3,4の各リードの素子搭載面において、半透明エポキシ樹脂5と接する箇所に第1実施形態に係る密着部32a,42aを設ける一方、非透過性エポキシ樹脂6と接する箇所に第4実施形態に係るゲル状樹脂Rによる密着部33,43を設けている。各密着部32a,42a、33,43の形成方法はそれぞれ第1実施形態、第4実施形態で説明したとおりである。この実施形態の2重モールド構造では、リードフレーム3,4と非透過性エポキシ樹脂6との界面においてゲル状樹脂Rによる密着部33,34により密着性を向上させることが可能となる。しかし、ゲル状樹脂Rには透湿性の高い樹脂もある為、さらに耐湿性を向上させる為に、リードフレーム3,4と半透明エポキシ樹脂5との界面に第1実施形態に係る密着部32a,42aを配置している。このように2重の密着構造を有することにより、たとえゲル状樹脂Rが透湿性の高い樹脂であっても、外部要因空気、水分の侵入を抑える事が可能となり、耐湿性および表面酸化防止性が向上し、その結果、信頼性が向上する。なお、第8実施形態において、リードフレーム3,4に設ける密着部は、上述したものに限られず、第1~5実施形態およびそれらの変形例に係る密着部を適宜組み合わせてもよい。その場合の密着部の形成方法は各実施形態において説明したとおりである。また、図示の例では、密着部をリードフレーム3,4の素子搭載面のみに設けたが、第7実施形態で説明したとおり、裏面にも設けてもよい。<第9実施形態>上述した第1~8実施形態およびそれらの各種変形に係る光結合装置は、電源フィードバックやスイッチング素子、ドライバ回路として各種電子機器図示せずに設けることができ、特に絶縁して信号伝達を行う回路を備えたDVD、TV、VTR、STB、CD、MD、電源機器、インバータ制御機器等の電子機器図示せずに設けられれば最適である。以上、本発明の各種実施形態を説明したが、これらは一例であって、本発明は上記実施形態に限られないことは言うまでもない。また、本明細書において、Au層には、Auのみからなる層だけでなく、Auと他の元素を含み、エポキシ樹脂に対する密着性がAuのみからなる層と実質的に同等の低さを有するものも含まれる。"