"第1基板と第2基板とを接合することによって接合基板を製造する工程を有し、前記接合基板の製造工程は、前記第1基板において前記第2基板に接合する接合面について親水化処理を実施する、親水化処理ステップと、前記第1基板において前記親水化処理が実施された接合面に前記第2基板を密着させることで、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合する、仮接合ステップと、仮接合された前記第1基板と前記第2基板とについて熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間を共有結合によって接合する、熱処理ステップとを含み、前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成する、接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面に重水を接触させる重水リンス処理を実施することで、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成すると共に、前記第1基板の接合面に吸着する表面吸着水を重水に置換する、請求項1に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面についてプラズマ処理を実施して前記第1基板の接合面に水酸基を形成した後に、前記重水リンス処理を実施する、請求項2に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、重水素化された酸を含む水溶液による薬液処理を、前記第1基板の接合面について実施することで、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成すると共に、前記第1基板の接合面に吸着する表面吸着水を重水に置換する、請求項1に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面についてプラズマ処理を実施して前記第1基板の接合面に水酸基を形成した後に、前記薬液処理を実施する、請求項4に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、重水素化されたアルカリを含む水溶液による薬液処理を、前記第1基板の接合面について実施することで、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成すると共に、前記第1基板の接合面に吸着する表面吸着水を重水に置換する、請求項1に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面についてプラズマ処理を実施して前記第1基板の接合面に水酸基を形成した後に、前記薬液処理を実施する、請求項6に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面について重水プラズマ処理を実施することで、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成する請求項1に記載の接合基板の製造方法。前記親水化処理ステップにおいては、更に、前記第2基板において前記第1基板に接合する接合面について前記親水化処理を実施し、前記仮接合ステップにおいては、前記第1基板と前記第2基板とにおいて前記親水化処理が実施された接合面のそれぞれを密着させることで、前記第1基板と前記第2基板との間を仮接合する、請求項1から8のいずれかに記載の接合基板の製造方法。第1基板と第2基板とを接合することによって接合基板を製造する工程を有し、前記接合基板の製造工程は、前記第1基板において前記第2基板に接合する接合面について親水化処理を実施する、親水化処理ステップと、前記第1基板において前記親水化処理が実施された接合面に前記第2基板を密着させることで、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合する、仮接合ステップと、仮接合された前記第1基板と前記第2基板とについて熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間を共有結合によって接合する、熱処理ステップとを含み、前記仮接合ステップの前に、前記第1基板の接合面に吸着する表面吸着水を重水にする、接合基板の製造方法。第1基板と、前記第1基板に接合された第2基板とを有し、前記第1基板において前記第2基板が接合される面に重水素化水酸基を形成した後に前記第1基板の接合面に前記第2基板を密着させて、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合し、熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間が共有結合によって接合された、接合基板。第1基板と、前記第1基板に接合された第2基板とを有し、前記第1基板において前記第2基板が接合される接合面に吸着する表面吸着水を重水にした後に、前記第1基板の接合面に第2基板を密着させて、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合し、熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間が共有結合によって接合された、接合基板。図9,図10,図11は、直接接合法を示す図である。図9は、直接接合法の一例を示すフロー図である。図10,図11は、断面を示しており、a~eで順次示すように、一対の基板を面で貼り合わせる。まず、図9に示すように、親水化処理を実施するST11J。ここでは、図10aに示すように、たとえば、シリコンウエハである第1基板100の表面についてプラズマ処理を実施する。具体的には、第1基板100の表面について鏡面研磨処理を実施した後に、その鏡面研磨された表面について酸素プラズマでプラズマ処理を実施する。これにより、その酸素プラズマに含まれる酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性種が、その第1基板100の表面に作用し、図10bに示すように、シラノール基Si-OHが生成され、表面が親水化される。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、親水化処理を実施する。プラズマ処理の他に、酸またはアルカリの薬液を用いた薬液処理によって、親水化処理を実施しても良い。たとえば、H2SO4とH2O2とを混合した酸性溶液液温90°Cに、第1基板100,第2基板200を浸漬することで、親水化処理を実施する。つぎに、図9に示すように、仮接合を実施するST21J。ここでは、図10cに示すように、第1基板100において親水化された表面と、第2基板200において親水化された表面とを対面させて密着させる。このとき、第1基板100の表面と第2基板200の表面との水酸基-OH基の間で水素結合が形成されて、第1基板100と第2基板200とが仮接合状態になる。図示を省略しているが、この水素結合は、表面に吸着した水分子を介しても形成される。つぎに、図9に示すように、熱処理を実施するST31J。ここでは、図11dに示すように、仮接合状態にある第1基板100と第2基板200とについて熱処理を実施する。そして、第1基板100と第2基板200との各表面に形成されたシラノール基の間で脱水縮合反応が生ずる。つまり、下記の反応が生ずる。SiOHSiOH→Si-O-SiH2O↑これにより、図11eに示すように、接合が完了される。具体的には、第1基板100と第2基板200との間に、Si-O-Siの共有結合が形成される。そして、第1基板100と第2基板200とが接合された接合基板が形成される。しかしながら、上記の直接接合法においては、第1基板100と第2基板200との接合界面にボイドが発生する場合があり、そのボイドによる未接合領域によって、十分な接合強度を保持することが困難になる場合がある。ボイドは、親水化処理が適度に実施されない場合に生ずる。具体的には、親水化が不十分である場合には、第1基板100と第2基板200とを仮接合させた際に、部分的に水素結合による結合力が弱い部分が生ずる。このため、その部分で空気をキャプチャーして、ボイドが発生する場合がある。つまり、キャプチャーボイドが発生する場合がある。これに対して、親水化が過剰である場合には、表面のOH基が多い状態であるので、その後の熱処理による脱水縮合反応で水が多く生成される。このため、その水によるアウトガスに起因にして、ボイドが発生する場合がある。つまり、アウトガスボイドが発生する場合がある。このように、直接接合法では、ボイドの発生に起因して接合強度が不十分になる場合があるため、装置の信頼性の低下や製造歩留りの低下が生ずる場合がある。したがって、本発明は、信頼性の向上、および、製造歩留りの向上を容易に実現可能な接合基板の製造方法、接合基板を提供する。本発明の接合基板の製造方法は、第1基板と第2基板とを接合することによって接合基板を製造する工程を有し、前記接合基板の製造工程は、前記第1基板において前記第2基板に接合する接合面について親水化処理を実施する、親水化処理ステップと、前記第1基板において前記親水化処理が実施された接合面に前記第2基板を密着させることで、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合する、仮接合ステップと、仮接合された前記第1基板と前記第2基板とについて熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間を共有結合によって接合する、熱処理ステップとを含み、前記親水化処理ステップにおいては、前記第1基板の接合面に重水素化水酸基を形成する。本発明の接合基板の製造方法は、第1基板と第2基板とを接合することによって接合基板を製造する工程を有し、前記接合基板の製造工程は、前記第1基板において前記第2基板に接合する接合面について親水化処理を実施する、親水化処理ステップと、前記第1基板において前記親水化処理が実施された接合面に前記第2基板を密着させることで、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合する、仮接合ステップと、仮接合された前記第1基板と前記第2基板とについて熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間を共有結合によって接合する、熱処理ステップとを含み、前記仮接合ステップの前に、前記第1基板の接合面に吸着する表面吸着水を重水にする。本発明の接合基板は、第1基板と、前記第1基板に接合された第2基板とを有し、前記第1基板において前記第2基板が接合される面に重水素化水酸基を形成した後に前記第1基板の接合面に前記第2基板を密着させて、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合し、熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間が共有結合によって接合された。本発明の接合基板は、第1基板と、前記第1基板に接合された第2基板とを有し、前記第1基板において前記第2基板が接合される接合面に吸着する表面吸着水を重水にした後に、前記第1基板の接合面に第2基板を密着させて、前記第1基板と前記第2基板との間を水素結合によって仮接合し、熱処理を実施することで、前記第1基板と前記第2基板との間が共有結合によって接合された。本発明によれば、第1基板において第2基板に接合する接合面について親水化処理を実施する。つぎに、第1基板において親水化処理が実施された接合面に第2基板を密着させることで、第1基板と第2基板との間を水素結合によって仮接合する。つぎに、その仮接合された第1基板と第2基板とについて熱処理を実施することで、第1基板と第2基板との間を共有結合によって接合する。上記の親水化処理では、第1基板および第2基板の各接合面に重水素化水酸基OD基を形成する。または、第1基板100と第2基板200との各接合面に吸着する表面吸着水を重水D2Oに置換する。本発明によれば、信頼性の向上、および、製造歩留りの向上を容易に実現可能な接合基板の製造方法、接合基板を提供することができる。本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明は、下記の順序で行う。1.実施形態1重水リンス処理2.実施形態2重水素で水素が置換された酸の薬液処理3.実施形態3重水素で水酸基の水素が置換されたアルカリの薬液処理4.実施形態4重水プラズマ処理5.その他<1.実施形態1>A接合基板の製造方法図1~図5は、本発明にかかる実施形態1において、接合基板を製造する方法を示す図である。図1は、接合基板の製造方法を示すフロー図である。図2~図5は、断面を示しており、a~gの順で、一対の基板第1基板100,第2基板200を固層接合によって貼り合わせて、接合基板1を製造する。1親水化処理まず、図1に示すように、親水化処理を実施するST11。ここでは、図2aに示すように、たとえば、シリコンウエハである第1基板100を準備する。そして、その第1基板100の表面についてプラズマ処理をすることで、親水化処理を実施する。具体的には、第1基板100の表面について鏡面研磨処理を実施後、その表面について酸素プラズマでプラズマ処理を実施する。たとえば、下記の条件で、このプラズマ処理を実施する。ガス種酸素ガス圧力20Pa周波数400kHz電力100W処理時間30secこれにより、その酸素プラズマに含まれる酸素イオンや酸素ラジカルが、その第1基板100の表面に作用し、図2bに示すように、シラノール基Si-OHが生成され、第1基板100の表面が親水化される。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、親水化処理を実施する。酸素プラズマの他に、窒素プラズマ、アルゴンプラズマ、および、その他のガス種によるプラズマによって、このプラズマ処理を実施してもよい。この後、第1基板100において、上記のプラズマ処理による親水化処理を実施した表面に重水を接触させる重水リンス処理を実施する。具体的には、スピン回転機構を備えたチャックに第1基板100ウエハを保持する。そして、その第1基板100ウエハを150rpmで回転させ、その上部に備えたノズルから1.2L/minの流量で重水を4秒間吐出させる。この重水リンス処理については、1回以上、実施する。たとえば、2回、重水リンス処理を実施する。この後、たとえば、2000rpm、30秒の条件で、スピン乾燥を実施する。これにより、図2cに示すように、表面吸着水300として外気から水分子H2Oが第1基板100の表面上に吸着していた状態から、図3dに示すように、重水分子D2Oで構成される表面吸着水301が存在する状態になる。この表面吸着水301は、乾燥によって、適量に存在するように調整される。そして、図3eに示すように、第1基板100の表面においては、SiOHの水酸基OHのうち、水素元素Hが重水素元素Dに置換されて、SiODに変わる。また、この重水リンス処理によって、第1基板100の表面が洗浄され、表面ダストが除去される。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、プラズマ処理の実施後に、重水リンス処理を実施することで、表面を親水化させる。なお、本実施形態において、重水は、水素Hよりも質量数が大きい同位体である二重水素Dや三重水素Tを含む水であり、通常の水である軽水H2Oよりも、比重が大きい水を示している。上記の重水リンス処理では、二重水素Dのように質量数が大きい水素Hの同位体を含む水たとえば、D2Oと、通常の水H2Oとの混合液を用いても良い。この場合には、たとえば、D2Oが、自然界の水に存在するD2Oの割合を超える濃度以上であって、20以上の濃度が好適であり、さらに、50以上の濃度が好適である。これは、下記のような反応が進行したとしても、すべての水重水分子が、少なくとも1つ重水素を有することになるため、有効性が高いからである。D2OH2O→DHOまた、重水リンス処理の実施前に、プラズマ処理を実施した表面について洗浄しても良い。たとえば、下記の条件で、この洗浄処理を実施する。そして、最後に、1回のみ、上記のような、重水リンス処理を実施しても良い。洗浄液純水あるいは純水を吐出しながらの超音波照射140mV,27W洗浄回数2回2仮接合つぎに、図1に示すように、仮接合を実施するST21。ここでは、図4fに示すように、第1基板100において重水リンス処理がされた表面と、第2基板200において重水リンス処理された表面とを対面させて直接的に密着させる。たとえば、第1基板100と第2基板200とを重ねたものの中心部を、ピンで押すことによって、この仮接合を開始する。具体的には、第1基板100と第2基板200との仮接合状態の形成は、図4gに示すように、表面吸着水301が表面同士の接近を媒介して行われる。つまり、第1基板100の表面と第2基板200の表面との間においては、表面吸着水301を介在して水素結合が形成されて、第1基板100と第2基板200とが自発的に接近した状態になる。そして、図4fに示すように、第1基板100の表面と第2基板200の表面との間において、水素結合が形成されて、第1基板100と第2基板200とが仮接合状態になる。本実施形態では、上述した重水リンス処理によって、第1基板100と第2基板200との各表面には、OD基が存在する。また、第1基板100と第2基板200との間には、重水D2Oが表面吸着水301として介在している。重水素元素Dと酸素元素Oとの間に形成される水素結合は、水素元素Hと酸素元素Oとの間に形成される水素結合よりも、結合エネルギーが大きい。これは、重水D2Oの融点mp=3.8°C,沸点bp=101.4°Cが、軽水H2Oの融点mp=0°C,沸点bp=100°Cであることから、明確である。このため、本実施形態では、上述した重水リンス処理を実施しない場合と比較して、第1基板100と第2基板200との間は、強い水素結合が形成される。よって、第1基板100と第2基板200との間においては、自発的な接近が促進されるので、空気をキャプチャーしにくく、ボイドが発生することを抑制できる。つまり、キャプチャーボイドの発生を抑制可能である。3熱処理つぎに、図1に示すように、熱処理を実施するST31。ここでは、仮接合状態にある第1基板100と第2基板200とについて熱処理を実施する。たとえば、下記の条件で、熱処理を実施する。熱処理温度温度範囲が250°C~1100°C、好ましくは400°C熱処理時間1時間より高温の場合は短時間でも良い雰囲気N2不要な酸化を防ぐためこの熱処理によって、図5hに示したように、第1基板100と第2基板200との間においては、各表面に形成されたOD基の間で脱水縮合反応が生ずる。つまり、下記の反応が生ずる。SiODSiOD→Si-O-SiD2O↑そして、この脱水縮合反応で生じた重水が気化する。このため、図5iに示すように、第1基板100と第2基板200との間に、Si-O-Siの共有結合が形成されて、接合が完了される。そして、第1基板100と第2基板200とが接合された接合基板1が形成される。本工程では、熱処理による縮合反応に伴って水が生成され、その水が気泡となってボイドが発生する場合がある。しかし、本実施形態では、図5hに示したように、重水リンス処理によって、第1基板100と第2基板200との各表面には、OD基が存在する。上記したように、重水素元素Dと酸素元素Oとの間に形成される水素結合は、水素元素Hと酸素元素Oとの間に形成される水素結合よりも、結合エネルギーが大きい。よって、本実施形態においては、表面に過剰なOD基を必要としないので、接合界面の水によるボイドの発生を抑制できる。つまり、アウトガスボイドの発生を抑制可能である。なお、上記の熱処理においては、高温で熱処理を実施した方が、強固な接合を形成可能であるが、熱処理温度については、任意に設定することができる。たとえば、金属配線が設けられた基板を接合させる場合には、その金属配線が溶融しない温度で、熱処理を実施することが好適である。この場合には、たとえば、400°Cの熱処理温度で、熱処理を実施する。Bまとめ以上のように、本実施形態においては、第1基板100と第2基板200とを接合することによって接合基板1を製造する。ここでは、まず、第1基板100において第2基板200に接合する接合面について親水化処理を実施する。つぎに、第1基板100において親水化処理が実施された接合面に第2基板200を密着させることで、第1基板100と第2基板200との間を水素結合によって仮接合する。つぎに、その仮接合された第1基板100と第2基板200とについて熱処理を実施することで、第1基板100と第2基板200との間を共有結合によって接合する。上記の親水化処理では、第1基板100および第2基板200の各接合面に重水素化水酸基OD基を形成する。また、第1基板100と第2基板200との各接合面に吸着する表面吸着水を重水D2Oに置換する図3参照。ここでは、第1基板100および第2基板200の各接合面に重水を接触させる重水リンス処理を実施する。これにより、各接合面に重水素化水酸基OD基を形成すると共に、各接合面に吸着する表面吸着水を重水D2Oに置換する。このように、本実施形態では、この重水リンス処理によって、各接合面には、重水素化水酸基OD基が存在すると共に、重水D2Oが表面吸着水301として存在している。よって、仮接合状態では、重水リンス処理を実施しない場合と比較して、第1基板100と第2基板200との間は、強い水素結合が形成される。したがって、本実施形態は、キャプチャーボイドやアウトガスボイドなどのボイドの発生を抑制可能であるので、接合強度を向上し、装置の信頼性や製造歩留りを向上することができる。<2.実施形態2>A製造方法図6は、本発明にかかる実施形態2において、接合基板を製造する方法を示す図である。図6は、図2等と同様に、断面を示しており、親水化処理の様子を示している。図6に示すように、本実施形態においては、親水化処理が、実施形態1の場合と異なる。本実施形態では、実施形態1で示した重水リンス処理を実施しない。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。親水化処理ST11,図1参照の実施においては、図6aに示すように、実施形態1と同様に、第1基板100の表面についてプラズマ処理を実施した後に、酸性の薬液を用いた薬液処理をする。たとえば、DCl,D2SO4のように、重水素元素Dで水素元素Hが置換された酸を含む水溶液を、薬液として用いて、この薬液処理を実施することで、第1基板100の表面について親水化処理を実施する。たとえば、下記の条件1~3のいずれかの条件で、この薬液処理を実施する。下記の条件は、表面が疎水面にならないように、適宜、設定可能である。この他に、下記条件において、H2O2を含まない条件でも、実施可能である。条件1SC2洗浄薬液HCl36wt水溶液:H2O230wt水溶液:H2O=1:1:5の重水素化品温度70°C~80°C時間10分pH0~2条件2SPM洗浄薬液H2SO498wt濃硫酸:H2O230wt水溶液=4:1の重水素化品温度80°C~120°C時間10分pH0~2条件3フッ酸洗浄薬液HF0.5~10wt程度の水溶液の重水素化品pH0~2この薬液処理の実施により、図6bに示すように、その薬液に含まれるDイオンのような重水素イオンが、その第1基板100の表面に存在するSi-OHに作用し、Si-ODが生成される。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、親水化処理を実施する。また、表面吸着水図示無しが適量に存在するように、乾燥が実施される。本実施形態においても、水溶液中で水素Hと重水素Dの置換が生ずるので、重水D2Oが表面吸着水として存在した状態になる。そして、実施形態1の場合と同様にして、仮接合ST21と熱処理ST31とを順次を実施する図1参照。Bまとめ以上のように、本実施形態においては、親水化処理と仮接合と熱処理とを順次実施することで、第1基板100と第2基板200との間を接合する。本実施形態では、実施形態1と異なり、重水素化された酸を含む水溶液による薬液処理を、第1基板100と第2基板200との各接合面について実施する。これにより、第1基板100と第2基板200との各接合面に重水素化水酸基OD基を形成する。また、各接合面に吸着する表面吸着水が重水D2Oになる。このように、本実施形態では、この薬液処理によって、各接合面には、重水素化水酸基OD基が存在すると共に、重水D2Oが表面吸着水として存在している。上述したように、重水素元素Dと酸素元素Oとの間に形成される水素結合は、水素元素Hと酸素元素Oとの間に形成される水素結合よりも、結合エネルギーが大きい。よって、仮接合状態では、この薬液処理を実施しない場合と比較して、第1基板100と第2基板200との間は、強い水素結合が形成される。したがって、本実施形態は、実施形態1の場合と同様に、キャプチャーボイドやアウトガスボイドなどのボイドの発生を抑制可能であるので、接合強度を向上し、装置の信頼性や製造歩留りを向上することができる。なお、本実施形態においては、上記のように、第1基板100と第2基板200との各接合面についてプラズマ処理を実施後に、上記の薬液処理を実施して親水化処理を行ったが、これに限定されない。プラズマ処理を実施せずに、上記の薬液処理を実施して親水化処理を行ってもよい。また、上記の薬液処理の実施後に、実施形態1と同様に、重水リンス処理を実施してもよい。<3.実施形態3>A製造方法図7は、本発明にかかる実施形態3において、接合基板を製造する方法を示す図である。図7において、a,bのそれぞれは、図6のa,bと同様に、断面を示している。図7に示すように、本実施形態においては、親水化処理が、実施形態2の場合と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態2と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。本実施形態において親水化処理を実施する場合にはST11図1参照、図7aに示すように、実施形態2と異なり、アルカリ性の薬液を用いた薬液処理を実施する。本実施形態では、水酸基OHの水素元素Hが重水素元素Dで置換されたアルカリを含む水溶液で、この薬液処理を実施する。たとえば、下記の条件で、この薬液処理を実施する。下記の条件は、表面が疎水面にならないように、適宜、設定可能である。条件SC1洗浄薬液NH4OH28wt水溶液:H2O230wt水溶液:H2O=1:1:5の重水素化品温度70°C~80°C時間10分pH10~12この薬液処理の実施により、図7aに示すように、その薬液に含まれるOD-イオンのように重水素を含むイオンが、その第1基板100の表面に存在するSi-OHに作用し、図7bに示すように、Si-ODが生成される。また、本実施形態においても、水溶液中で水素と重水素の置換が生ずるので、重水D2Oが表面吸着水として存在した状態になる。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、親水化処理を実施する。そして、実施形態2の場合と同様にして、仮接合ST21と熱処理ST31とを順次を実施する図1参照。Bまとめ以上のように、本実施形態においては、親水化処理と仮接合と熱処理とを順次実施することで、第1基板100と第2基板200との間を接合する。本実施形態では、実施形態2と異なり、重水素化されたアルカリを含む水溶液による薬液処理を、第1基板100と第2基板200との各接合面について実施する。これにより、第1基板100と第2基板200との各接合面に重水素化水酸基OD基を形成すると共に、各接合面に吸着する表面吸着水を重水D2Oに置換する。このため、本実施形態では、この薬液処理によって、各接合面には、重水素化水酸基OD基が存在すると共に、重水D2Oが表面吸着水として存在している。よって、仮接合状態では、この薬液処理を実施しない場合と比較して、第1基板100と第2基板200との間は、強い水素結合が形成される。したがって、本実施形態は、他の実施形態と同様に、キャプチャーボイドやアウトガスボイドなどのボイドの発生を抑制可能であるので、接合強度を向上し、装置の信頼性や製造歩留りを向上することができる。<4.実施形態4>A製造方法図8は、本発明にかかる実施形態4において、接合基板を製造する方法を示す図である。図8において、a,bのそれぞれは、図2等と同様に、断面を示している。図8に示すように、本実施形態においては、親水化処理が、実施形態1の場合と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。本実施形態において、親水化処理を実施する場合にはST11図1参照、第1基板100の表面について、実施形態1と異なり、重水D2Oプラズマ処理をすることで、親水化処理を実施する。たとえば、下記の条件で、この重水D2Oプラズマ処理を実施する。ガス種D2Oを添加した酸素ガス添加量は、プラズマが生成する範囲内で任意。100のD2Oでも可圧力20Pa周波数400kHz電力100W処理時間30secこれにより、その重水D2Oプラズマに含まれるラジカルなどの活性種が、その第1基板100の表面に作用し、図8bに示すように、Si-ODが生成され、親水化される。図示を省略しているが、第1基板100に貼り合わせる第2基板200シリコンウエハについても、第1基板100と同様に、この親水化処理を実施する。そして、純水での洗浄後、表面吸着水が適量に存在するように、乾燥が実施される。そして、実施形態1の場合と同様にして、仮接合ST21と熱処理ST31とを順次を実施する図1参照。Bまとめ以上のように、本実施形態においては、親水化処理と仮接合と熱処理とを順次実施することで、第1基板100と第2基板200との間を接合する。本実施形態では、実施形態1と異なり、第1基板100と第2基板200との各接合面について重水D2Oプラズマ処理を実施することで、各接合面に重水素化水酸基OD基を形成する。このため、本実施形態では、この重水D2Oプラズマ処理によって、各接合面には、重水素化水酸基OD基が存在する。よって、仮接合状態では、この重水D2Oプラズマ処理を実施しない場合と比較して、第1基板100と第2基板200との間は、強い水素結合が形成される。また、プラズマ処理によって親水化処理を実施した場合の方が、薬液処理による場合よりも、表面の深くまで酸化が進行し、単位面積当たりの重水素化水酸基OD基の数が多くなる。このため、本実施形態では、更に、表面同士の水素結合による結合力が向上し、熱処理による共有結合による結合力も増す。したがって、本実施形態は、他の実施形態と同様に、キャプチャーボイドやアウトガスボイドなどのボイドの発生を抑制可能であるので、接合強度を向上し、装置の信頼性や製造歩留りを向上することができる。<5.その他>本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。上記の実施形態においては、単結晶シリコン半導体基板シリコンウエハ同士を接合する場合について説明したが、これに限定されない。下記の場合であっても、好適に接合させることができる。すなわち、SiO2面同士の接合や、単結晶シリコンSiの面シリコン原子が露出した表面とシリコン酸化物SiO2の面との接合の場合に適用しても良い。この他に、表面OH基OD基があれば良いため、SiO2だけでなく、SiN、SiC、TEOSTetraethylorthosilicateなどの膜表面を、上記の手法で活性化させて貼り合わせることが可能である。石英ガラス基板同士の接合単結晶シリコン半導体基板と石英ガラス基板との接合また、上記の実施形態においては、接合する両者の基板について同様な親水化処理を実施した後に、両者を貼りあわせる場合について説明したが、これに限定されない。いずれか一方の面について上記のように親水化処理を実施後、両者を貼り合せても良い。また、半導体素子や配線などの回路が設けられた状態で、上記のように接合を実施しても良い。たとえば、画素が基板に設けられた固体撮像素子と、その画素から出力された信号を処理する回路が基板に設けられた回路素子とを貼り合せて固体撮像装置を製造する際に、上記のように基板を接合しても良い。その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。なお、上記の実施形態において、第1基板100は、本発明の第1基板に相当する。また、上記の実施形態において、第2基板200は、本発明の第2基板に相当する。また、上記の実施形態において、接合基板1は、本発明の接合基板に相当する。"