"電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、当該ベースの底面は平面視矩形とされ、前記底面に、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する一対の矩形状の端子電極が形成され、前記一対の端子電極は、互いに対称形状で構成され、前記各端子電極の長辺は、前記底面の長辺の端部に近接あるいは接して形成され、かつ、前記各端子電極の長辺と前記底面の長辺とが並列に配置され、前記各端子電極の長辺の寸法は、前記底面の長辺の半分を超える寸法であることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。請求項1に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、前記端子電極の上部には、前記端子電極より平面積の小さなバンプが積層一体化して形成されたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。請求項1または2に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、前記一対の端子電極が、前記底面の短辺方向の中心線に対して線対称に形成されたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。請求項1または2に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、前記一対の端子電極が、前記底面の中心点に対して点対称に形成されたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。請求項3または4に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、前記端子電極間のギャップ領域の幅寸法は、前記端子電極の短辺方向の幅寸法と同一であることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。電子部品素子を保持する電子部品用パッケージにおいて、請求項1乃至5のうちいずれか1つに記載の電子部品用パッケージのベースと、前記電子部品素子を気密封止する蓋とを有することを特徴とする電子部品用パッケージ。請求項6に記載の電子部品用パッケージにおいて、前記端子電極は、複数の電極からなり、前記端子電極の複数の電極を用いて、導電性接合材を介して外部の回路基板に接合されることを特徴とする電子部品用パッケージ。ところで、上記の従来の技術によれば、電子部品用パッケージと回路基板との間で熱膨張係数差により、これら電子部品用パッケージと回路基板とを接合するはんだに応力が生じ、クラックが発生することがある。特に、電子部品用パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成に、この不具合が著しく顕れる。また、上記の従来の技術は、車載用の電子機器の電子部品用パッケージに用いられている。ここでいう車載用の電子機器は、過酷な環境下で使用されるものであり、高温及び低温環境下で電子機器電子部品用パッケージと回路基板とを含むを用いた場合、電子部品用パッケージの熱膨張係数と回路基板の熱膨張係数の差により、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。このように、通常の温度環境では、それほど問題にならなかったはんだクラックの問題点が高温及び低温環境では著しくあらわれ、さらに電子部品用パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点があった。また、上述のような電子部品用パッケージと回路基板との間で熱膨張係数差がある電子部品用パッケージと回路基板とを接合するはんだに対して応力が生じた場合、最大応力発生点であるベースの底面の外周端部に近接する領域からはんだクラックが発生することが多い。この発生したはんだクラックは、ベース1の底面の中心点に向かって拡大していく。そして最終的に端子電極全体にはんだクラックが進行して電子部品用パッケージと回路基板とのはんだによる接合点が剥離される。この剥離により、電子部品用パッケージの端子電極が、回路基板から完全に剥離した状態となり、電子部品用パッケージの端子電極と回路基板との電気的な接続が無くなる以下、この状態をオープン状態という。本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージを提供することを目的とするものである。上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品用パッケージのベースは、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、当該ベースの底面は平面視矩形とされ、前記底面に、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する一対の矩形状の端子電極が形成され、前記一対の端子電極は、互いに対称形状で構成され、前記各端子電極の長辺は、前記底面の長辺の端部に近接あるいは接して形成され、かつ、前記各端子電極の長辺と前記底面の長辺とが並列に配置され、前記各端子電極の長辺の寸法は、前記底面の長辺の半分を超える寸法であることを特徴とする。上記構成により、電子部品用パッケージを構成する当該ベースと回路基板との間で熱膨張係数差が生じても、当該ベースと回路基板とを接合する導電性接合材に対する応力歪の影響を軽減することができる。特に、前記一対の端子電極は互いに対称形状で構成され、前記端子電極の長辺は、前記底面の長辺端部に近接あるいは接して形成され、かつ、前記端子電極の長辺と前記底面の長辺とが並列に配置されており、前記各端子電極の長辺の寸法を前記底面の長辺の半分を超える寸法で構成したことで、前記各端子電極が前記底面の長辺のどの位置に形成されても、前記一対の端子電極が、前記底面の長辺中央付近において前記底面の短辺方向で対向する領域が確保され、この領域における導電性接合材による接合領域が確保される。この接合領域に対しては、前記底面の外周端部から前記底面の中心付近に向かって生じる応力歪の影響を軽減させることができ、かつ、前記底面の中心付近から前記底面の外周端部に向かって生じる応力歪の発生を抑制することもできる。また、本発明によれば、前記一対の端子電極は互いに対称形状で構成され、前記端子電極の長辺は前記底面の長辺端部に近接あるいは接して形成され、かつ、前記端子電極の長辺と前記底面の長辺とが並列に配置され、前記各端子電極長辺の寸法を前記底面の長辺の半分を超える寸法で構成したので、前記底面の長辺方向に沿って一条に導電性接合材が塗布される。このため、当該ベースの長辺方向の応力歪の発生を抑制することができ、前記底面の短辺方向への熱膨張係数差の影響を緩和させることができる。その結果、クラックの発生そのものを抑えることができる。さらに、本構成によれば、途切れることなく前記端子電極上を一条に連続して導電性接合材が塗布されるので、例えば、2つの電極に亘って導電性接合材を塗布する形態に比べて、前記端子電極の内方から前記端子電極の端部に向かってクラックが生じることがなくなる。すなわち、クラックの発生箇所を1か所とすることができ、万が一、クラックが発生しても複数箇所を起点とした複数方向からのクラックの発生はなく、前記端子電極が回路基板からオープン状態となって電子部品として機能しなくなるのを抑制することができる。また上記構成に加えて、前記端子電極の上部には、前記端子電極より平面積の小さなバンプが積層一体化して形成されてもよい。発明者は、導電性接合材のクラック発生事例のほとんどについて、導電性接合材のクラックの起点が端子電極の底面端部であり、端子電極の底面端部に発生したクラックは、クラック進行の障害になるものがなければ、その起点から端子電極の底面位置とほぼ平行にクラックが進行することを知見している。この知見に基づき、本構成によれば、前記一対の端子電極の上部には、前記端子電極より平面積の小さなバンプが積層一体化して形成されるので、上述の作用効果に加えて、導電性接合材のクラックが最初に発生する前記端子電極の長辺方向の端部付近のクラックの進行する位置と、前記端子電極の長辺方向の中心付近のクラックの進行する位置をずらすことができる。最初に前記端子電極の底面位置とほぼ平行に進行しようとするクラックは、前記端子電極の端部に近接した前記バンプの端部の影響を受けて前記端子電極の底面と平行ではない回路基板への方向に角度変更される。すなわち、本構成によれば、途中でクラックの屈曲点を設けることができる。このクラックの屈曲点が存在することで、クラックの進行を遅らせることができる。以上の結果として端子電極の電気的機械的接続性を向上させながら、前記端子電極がオープン状態となって電子部品として機能しなくなるのを抑制することができる。また、上記構成に加えて、前記一対の端子電極が、前記底面の短辺方向の中心線に対して線対称に形成されてもよい。この構成では、上述の作用効果に加えて、電子部品用パッケージを構成する当該ベースと回路基板との間で熱膨張係数差が生じても、その応力の影響の少ない前記底面の短辺方向に均一に分散させることができる。また、上記構成に加えて、前記一対の端子電極が、前記底面の中心点に対して点対称に形成されてもよい。この構成では、上述の作用効果に加えて、電子部品用パッケージを構成する当該ベースと回路基板との間で熱膨張係数差が生じても、その応力の影響の少ない前記底面の短辺方向にベースの底面の中心点で回転するように均一に分散させることができる。また、上記構成に加えて、前記端子電極間のギャップ領域の幅寸法は前記端子電極の短辺方向の幅寸法と同一であってもよい。この構成では、上述の作用効果に加えて、電子部品用パッケージを構成する当該ベースと回路基板との間で熱膨張係数差が生じても、その応力をより均等に分散させることができる。結果として当該ベースと回路基板とを接合する導電性接合材に対する応力歪の影響をより一層軽減することができる。また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品用パッケージは、上記の本発明にかかるベースと、前記電子部品素子を気密封止する蓋とを有することを特徴とする。本発明によれば、本発明にかかるベースを有しているので、本発明にかかるベースと同様の作用効果を有することができる。その結果、本発明にかかるベースを用いて気密封止され、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させることができる。上記構成において、前記端子電極は、複数の電極からなり、前記端子電極の複数の電極を用いて、導電性接合材を介して外部の回路基板に接合されてもよい。本発明によれば、はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、電子部品用のパッケージとして表面実装型の水晶振動子以下、水晶振動子というのパッケージに本発明を適用した場合を示す。なお、本実施形態にかかる水晶振動子は、高温及び低温の過酷な環境下で使用される車載用の電子機器に用いられ、特にECUEngineControlUnitなどの主幹部分を担う電子機器に用いられる。本発明の実施形態にかかる水晶振動子は、図1、図2、図3に示すように、電子部品素子である水晶振動板3と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板3を保持する収納するベース1と、ベース1の開口部に接合してベース1に保持した水晶振動板3を気密封止する蓋2とからなる。ベース1は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料とを適宜積層した構成からなる。このベース1は、図2、図3に示すように、断面視凹形の収納部10と、収納部10を囲むようにその周囲に設けられた堤部11を有する。具体的に、ベース1は、矩形平面視矩形の平板形状のセラミックのベース基体1aと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ平面視外形サイズがベース基体1aとほぼ等しいセラミックの枠体1bとからなり、ベース基体1aと枠体1bと封止部材11aとが一体的に焼成されている。なお、堤部11枠体1bの上面は平坦であり、堤部11上に封止部材11a封止材料や金属層等が形成されている。本実施形態では、例えば封止部材11aとしてガラスが形成された構成を示しているが、封止部材11aの材料は、ベース1および蓋2の材料によって任意に設定されるものであり、これに限定されるものではない。例えば、蓋2が金属蓋である場合、封止部材11aとしてタングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成としたり、さらにこれら各層の上部に金属リングが形成された構成としてもよい。また、ベース1の外周平面視外周縁の4つの角K1,K2,K3,K4であって、ベース1の側面には、図1に示すように、ベース1の底面から天面上面にかけて上下にキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成されている。また、図1,3に示すように、ベース1具体的にはベース1の底面の長辺の中央付近であって、ベース1の側面には、ベース1の底面から天面上面にかけて上下にキャスタレーションC5,C6が形成されている。ベース1の底面は平面視矩形とされ、このベース1の底面の一対の長辺に沿って、外部の回路基板4図2参照に導電性接合材Dを用いて接合する一対の平面視矩形状の端子電極12,13がそれぞれ形成されている。これら一対の端子電極12,13は、図1に示すように互いに対称形状で構成されている。具体的には、図1に示すベース1の底面の中心点Oを通過するベース1の底面の長辺に沿った長辺との平行線P―P線に対して線対称に構成されている。各端子電極12,13の長辺は、ベース1の底面の長辺端部に近接して形成され、かつ各端子電極12,13の長辺とベース1の底面の長辺とが並列に配置されている。このベース1の底面に形成された各端子電極12,13の構成により、ベース1と回路基板4との間で熱膨張係数差が生じても、その応力の影響の少ないベース1の底面の短辺方向に均一に分散させることができる。また、本実施形態では、図1に示すように、各端子電極12,13の長辺寸法L2をベース1の底面の長辺寸法L1の半分を超える寸法で構成している。各端子電極12,13がベース1の底面の長辺のどの位置に形成されても、ベース1の底面の長辺中央付近においてベース1の底面の短辺方向で対向する領域をより確実に確保することができる。特に、ベース1の底面の長辺寸法L1に対する各端子電極12,13の長辺寸法L2の比率を70以上で構成することがより望ましい。本実施形態では、ベース1の底面の長辺寸法2.5mmに対して端子電極12,13の長辺寸法を2.3mmで形成しており、比率にして92で形成している。なお、本実施形態では、各端子電極12,13の長辺寸法L2は、ベース1の底面の長辺寸法L1より小さい。この実施形態によれば、各端子電極12,13の長辺寸法L2とベース1の底面の長辺寸法L1とが同一寸法である形態に比べて、導電性接合材Dのフィレット形成にともなう接合バラツキをなくす上で好ましい。また、本実施形態では、図1に示すように、端子電極12の短辺方向の幅寸法H1と、端子電極13の短辺方向の幅寸法H2と、これら各端子電極間のギャップ領域の幅寸法H3とを同一当業者が想到し得る略同一も含むに形成しており、ベース1の底面の短辺の寸法を3等分するように構成している。これにより、ベース1と回路基板4との間で熱膨張係数差が生じても、その応力をより均等に分散させることができ、ベース1と回路基板4とを接合する導電性接合材Dに対する応力歪の影響をより一層軽減することができる。各端子電極12,13は、図1,2に示すように、キャスタレーションC5,C6に形成された側面端子電極121,131を介してベース1の内部の底面に形成された電極パッド122,132電極パッド132は図示省略へと延出して電気的に接続されている。これらの端子電極12,13、側面端子電極121,131、電極パッド122,132は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース1と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。端子電極12,13の上部には、同心で各端子電極12,13より僅かに平面積の小さくほぼ同形状平面視相似形状のバンプ12B,13Bがそれぞれ形成されている。これらバンプ12B,13Bは、端子電極12,13のメタライズ上部に同材質のメタライズタングステン、モリブデン等をほぼ同形状で積層して一体形成されている。このため極めて容易かつ安価に前記バンプ12B、13Bを形成できる。またこれら端子電極12,13とバンプ12B,13Bは、これらのメタライズ材料がベース1と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。また、各端子電極12,13の長辺寸法L2に対して各端子電極12,13のバンプ12B,13Bの長辺寸法L3を90以上で構成している。また、各端子電極12,13の端部から各バンプ12B,13Bの端部までの幅寸法W1~W4について、0.01~0.5mmの範囲に位置するように構成している。具体的には、本実施形態では、端子電極12,13の長辺寸法を2.3mmとし、バンプ12B,13Bの長辺寸法を2.1mmとし、各端子電極12,13の長辺寸法L2に対するバンプ12B,13Bの長辺寸法L3の比率は約91である。また幅寸法W1~W4を約0.1mmとしている。このように、端子電極12,13と同心でほぼ同形状平面視相似形状のバンプ12B,13Bを、端子電極12,13上に形成することにより、端子電極12,13のあらゆる平面方向で発生するクラックに対してクラックの進行を遅らせることができる。また上述のような寸法比や幅寸法でバンプ12B,13Bを構成することにより、端子電極12,13より僅かに平面積の小さくほぼ同形状平面視相似形状のバンプ12B,13Bが得られ、このようなバンプ12B,13Bを端子電極12,13上に形成することで、クラックの発生する初期段階で、クラックの進行角度を変更させてクラックの屈曲点を設けることができる。このクラックの屈曲点を設けることで、バンプ12B,13Bを端子電極12,13上に形成していない形態に比べて、クラックの進行を格段に抑えることができる。その結果、端子電極12,13の電気的機械的接続性をより一層向上させながら、端子電極12,13がオープン状態となって電子部品として機能しなくなるのをさらに抑制することができる望ましい形態となる。電極パッド122,132上には、水晶振動板3本発明でいう電子部品素子が搭載されている。水晶振動板3の表裏面には図示しない一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板3の表裏面に水晶振動板3上からクロム,金の順に、クロム,金,クロムの順に、クロム,銀,クロムの順に、あるいはクロム,銀の順に積層して形成されている。これら各電極一対の励振電極と引出電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド122,132に対して水晶振動板3の引出電極が導電性接合材図示せずにより導電接合され、ベース1に水晶振動板3が保持されている。例えば、水晶振動板3の励振電極と、ベース1の電極パッド122,132との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプ金属めっきバンプろう材などの導電性接合材を用いることができる。ベース1を気密封止する蓋2には、図2,3に示すように、板状のアルミナ等のセラミック材料にガラス封止材等の封止部材11aが形成されたものが用いられている。蓋2の平面視外形は、ベース1の平面視外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。なお蓋2としてセラミック材料に限らず、ガラス材料や金属材料であってもよい。上記の構成からなるベース1の収納部10に水晶振動板3を格納し具体的には電極パッド122,132上に水晶振動板3を搭載し、蓋2にて水晶振動板3を被覆し、加熱炉による溶融接合などの手法により水晶振動板3を気密封止を行うことで水晶振動子電子部品用パッケージの完成となる。なお、ベース1と蓋2とによる水晶振動板3の気密封止の手法としては、溶融接合に限らず、各種材料ベースや蓋、封止部材等に応じて、溶接接合、ろう接などの他の手法を用いることができる。また、水晶振動子の完成品は、図2に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板4の電極パターン41,42の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Dを介して接合される。次に、図4に、上記の本実施形態の変形例を変形例1として示す。変形例1では、本実施形態に対して、各端子電極12,13とギャップ領域の幅寸法との関係と、各端子電極12,13の延出構成とが異なっており、その他の部分は同様の構成を採用している。以下、本実施形態との相違点についてのみ説明する。変形例1では、端子電極12の短辺方向の幅寸法H1と、端子電極13の短辺方向の幅寸法H2を同一幅寸法とし、これら各端子電極12,13間のギャップ領域の幅寸法H3をH1とH2より小さく形成している。これにより、ベース1と回路基板4との間で熱膨張係数差が生じても、その影響をより軽減することができる。また、変形例1では、ベース1の角K1,K2,K3,K4にキャスタレーションC1,C2,C3,C4が夫々形成され、ベース1の長辺にキャスタレーションC5,C6が形成されていない。そのため、各端子電極12,13はキャスタレーションC1,C2,C3,C4に引き回され、キャスタレーションC1,C2,C3,C4に形成された側面端子電極121,131,123,133を介してベース1の内部の底面に形成された図示しない電極パッド122,132へと延出されて、電極パッド122,132に電気的に接続されている。この構成によりベースの1の強度を向上させることができ、端子電極12,13の電気的な延出が、より確実なものとなる。次に、図5に、上記の本実施形態の変形例を変形例2として示す。変形例2では、ベース1の底面における各端子電極12,13の配置が異なり、各端子電極12,13が、夫々各K1,K3に偏位して形成され、ベース1の底面の中心点Oに対して対角位置K1とK3に偏って点対称に構成されている。この変形例2では、ベース1の底面の長辺寸法L1に対する各端子電極12,13の長辺寸法L2の寸法比率は76とされる。具体的には、変形例2では、ベース1の底面の長辺寸法が2.5mmとされ、端子電極12,13の長辺寸法が1.9mmとされる。また、変形例2では、端子電極12の短辺方向の幅寸法H1と、端子電極13の短辺方向の幅寸法H2と、これら各端子電極間のギャップ領域の幅寸法H3とが同一当業者が想到し得る略同一も含むとされる。また、変形例2では、ベース1の角K1,K2,K3,K4にキャスタレーションC1,C2,C3,C4が夫々形成され、ベース1の長辺にキャスタレーションC5,C6が形成されていない。各端子電極12,13はキャスタレーションC1,C3に引き回され、キャスタレーションC1,C3に形成された側面端子電極121,131を介してベース1の内部の底面に形成された図示しない電極パッド122,132へと延出されて、電極パッド122,132に電気的に接続されている。この変形例2では、ベース1と回路基板4との間で熱膨張係数差が生じても、その応力の影響の少ないベース1の底面の短辺方向に、ベース1の底面の中心点Oで回転するように均一に分散させることができる。また、ベースの1の強度も向上させることができる。次に、図6に、上記の本実施形態の変形例を変形例3として示す。変形例3は、本実施形態に比べて、ベース1の底面における各端子電極12,13の形状が異なり、その他の部分は同様の構成を採用している。以下、本実施形態との相違点についてのみ説明する。変形例3では、ベース1の底面における各端子電極12,13の配置が異なり、各端子電極12,13が、夫々各K1,K3に偏位して形成され、ベース1の底面の中心点Oに対して対角位置K1とK3に偏って点対称に構成されている。また、各端子電極12,13は、ベース1の底面の長辺に沿って形成されているだけではなく、さらにベース1の底面の短辺に沿って形成され、ベース1の底面にL字状に成形されている。この変形例3でも端子電極12,13は一対の関係になり、互いに対称形状で構成される。具体的には、端子電極12は、角K1を折曲点基にして、ベース1の底面の長辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の長辺方向に沿って形成され、かつ、ベース1の底面の短辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の短辺方向に沿って形成されてL字状に成形されている。また、端子電極13は、角K3を折曲点基にして、ベース1の底面の長辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の長辺方向に沿って形成され、かつ、ベース1の底面の短辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の短辺方向に沿って形成されてL字状に成形されている。上記の変形例3によれば、ベース1と回路基板4図3参照との間で熱膨張係数差が生じても、その応力の影響の少ないベース1の底面の短辺方向に、ベース1の底面の中心点Oで回転するように均一に分散させることができ、さらに、ベースの1の強度も向上させることができる。また、変形例3によれば、端子電極12,13が、ベース1の底面の長辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の長辺方向に沿って形成されているだけでなく、さらに、ベース1の底面の短辺の端部に近接あるいは接した状態でベース1の底面の短辺方向に沿って形成されているので、変形例2に比べて、応力を分散させることも、ベース1の強度を向上させることにも好適である。次に、図7に、上記の本実施形態の変形例を変形例4として示す。変形例4は、本実施形態に比べて、ベース1の底面における各端子電極12,13の形状が異なり、その他の部分は同様の構成を採用している。以下、本実施形態との相違点についてのみ説明する。変形例4では、各端子電極12,13が、それぞれ分割されて構成されている。また、キャスタレーションC1,C3には側面端子電極121,131が形成されている。この変形例4でも、端子電極12,13は一対の関係になり、互いに対称形状で構成される。具体的には、端子電極12は、2つの電極から構成され、図7に示す右側の電極はキャスタレーションC5に引き回されており、図7に示す左側の電極はキャスタレーションC1に引き回され、それぞれの側面端子電極121を介してベース1の内部の底面に形成された電極パッド122図2参照へと延出して電気的に接続されている。このように、端子電極12の2つの電極は電気的に接続されている。また、端子電極12の2つの電極には、2つの電極をそれぞれ相似的に縮小させたバンプ12Bが形成されている。また、端子電極13は、2つの電極から構成され、図7に示す左側の電極はキャスタレーションC6に引き回されており、図7に示す右側の電極はキャスタレーションC3に引き回され、それぞれの側面端子電極131を介してベース1の内部の底面に形成された電極パッド132図示省略へと延出して電気的に接続されている。このように、端子電極13の2つの電極は電気的に接続されている。また、端子電極13の2つの電極には、2つの電極をそれぞれ相似的に縮小させたバンプ13Bが形成されている。この変形例4にかかる水晶振動子ベース1を、回路基板4に導電性接合材Dを介して接合する際図2参照、端子電極12の2つの電極が導電性接合材Dを介して回路基板4に接合される。このように、導電性接合材Dは端子電極12の2つの電極に亘って接合される。同様に、端子電極13の2つの電極が導電性接合材Dを介して回路基板4に接合される。このように、導電性接合材Dは端子電極13の2つの電極に亘って接合される。この図7に示す変形例4では、端子電極12,13がそれぞれ2つの電極から構成されている。そのため、図1等に示す各端子電極12,13の長辺寸法L2に対応する寸法は、各端子電極12,13のそれぞれ2つの電極の長辺寸法L21,L22を加算した寸法となる。また、同様にして、バンプ12B,13Bの長辺寸法L3に対応する寸法は、各バンプ12B,13Bの長辺寸法L31,L32を加算した寸法となる。なお、図7に示す変形例4では、各端子電極12,13をそれぞれ2つの電極に分割しているが、これに限定されるものではなく、多数個に分割してもよい。また、図8に示すように、図7に示す変形例4の端子電極12,13の2つの電極のうち、1つの電極をダミー電極としてもよい。この図8に示す変形例5の構成では、キャスタレーションC1,C3に側面端子電極121,131を形成しなくてもよい。この変形例6であっても、端子電極12,13は一対の関係になり、互いに対称形状で構成される。この変形例5にかかる水晶振動子ベース1を、回路基板4に導電性接合材Dを介して接合する際図2参照、端子電極12と、ベース1の長辺方向に沿って端子電極12に隣接して形成されたダミー電極とが、導電性接合材Dを介して回路基板4に接合されてもよい。この接合状態では、導電性接合材Dは端子電極12とダミー電極に亘って接合される。同様に、端子電極13と、ベース1の長辺方向に沿って端子電極13に隣接して形成されたダミー電極とが、導電性接合材Dを介して回路基板4に接合されてもよい。この接合状態では、導電性接合材Dは端子電極13とダミー電極に亘って接合される。この図8に示す変形例5では、端子電極12,13がそれぞれ2つの電極から構成されている。そのため、図1等に示す各端子電極12,13の長辺寸法L2に対応する寸法は、各端子電極12,13のそれぞれ2つの電極の長辺寸法L21,L22を加算した寸法となる。また、同様にして、バンプ12B,13Bの長辺寸法L3に対応する寸法は、各バンプ12B,13Bの長辺寸法L31,L32を加算した寸法となる。また、各端子電極12,13をそれぞれ2つの電極に分割する形態は、図7に示す変形例5に限定されるものではなく、図9に示す変形例6であってもよい。図9に示す変形例6では、ベース1の対向する長辺それぞれに2つのキャスタレーションC51,C52,C61,C62がそれぞれ等間隔の位置に形成されている。そして、これらキャスタレーションC51,C52,C61,C62に、分割された端子電極12,13がそれぞれ個別に引き回されている。この変形例6であっても、端子電極12,13は一対の関係になり、互いに対称形状で構成される。この変形例6にかかる水晶振動子ベース1を、回路基板4に導電性接合材Dを介して接合する際図2参照、端子電極12の2つの電極が導電性接合材Dを介して回路基板4に接合される。このように、導電性接合材Dは端子電極12の2つの電極に亘って接合される。同様に、端子電極13の2つの電極が導電性接合材Dを介して回路基板4に接合される。このように、導電性接合材Dは端子電極13の2つの電極に亘って接合される。この図9に示す変形例6では、端子電極12,13がそれぞれ2つの電極から構成されている。そのため、図1等に示す各端子電極12,13の長辺寸法L2に対応する寸法は、各端子電極12,13のそれぞれ2つの電極の長辺寸法L21,L22を加算した寸法となる。また、同様にして、バンプ12B,13Bの長辺寸法L3に対応する寸法は、各バンプ12B,13Bの長辺寸法L31,L32を加算した寸法となる。上記の実施形態や変形例1~6によれば、水晶振動子を構成するベース1と回路基板4との間で熱膨張係数差が生じても、ベース1と回路基板4とを接合する導電性接合材Dに対する応力歪の影響を軽減することができる。特に、端子電極12,13は、互いに対称形状で構成され、端子電極12,13の長辺はベース1の底面の長辺端部に近接あるいは接して形成され、かつ、端子電極12,13の長辺とベース1の底面の長辺とが並列に配置されており、各端子電極長辺12,13の寸法がベース1の底面の長辺の半分を超える寸法で構成されている。そのため、端子電極12,13がベース1の底面の長辺のどの位置に形成されても、端子電極12,13がベース1の底面の長辺中央付近においてベース1の底面の短辺方向で対向する領域が確保され、この領域における導電性接合材Dによる接合領域が確保される。この接合領域に対してはベース1の底面の外周端部からベース1の底面の中心付近に向かって生じる応力歪の影響を軽減させることができ、かつ、ベース1の底面の中心付近からベース1の底面の外周端部に向かって生じる応力歪の発生を抑制することもできる。また、上記の実施形態や変形例1~6によれば、端子電極12,13は互いに対称形状で構成され、端子電極12,13の長辺はベース1の底面の長辺端部に近接あるいは接して形成され、かつ端子電極の長辺とベース1の底面の長辺とが並列に配置されており、各端子電極長辺の寸法がベース1の底面の長辺の半分を超える寸法で構成されている。そのため、熱膨張係数差の影響が大きなベース1の底面の長辺方向に沿ってベース1の底面の長辺の半分を超える寸法の長い形状からなる端子電極12,13が形成されるので、ベース1の底面の長辺方向に沿って一条に導電性接合材Dが塗布される。このため、ベース1の長辺方向の応力歪の発生を抑制することができ、ベース1の底面の短辺方向への熱膨張係数差の影響を緩和させることができる。その結果、クラックの発生そのものを抑えることができる。さらに、本実施形態によれば、途切れることなく端子電極12,13上を一条に連続して導電性接合材Dが塗布されるので、例えば、2つの電極を亘って導電性接合材を塗布する形態に比べて、端子電極12,13の内方から端子電極12,13の端部に向かってクラックが生じることがなくなる。すなわち、クラックの発生箇所を1か所とすることができ、万が一、クラックが発生しても複数箇所を起点とした複数方向からのクラックの発生はなく、端子電極12,13が回路基板4からオープン状態となって電子部品として機能しなくなるのを抑制することができる。また、端子電極12,13の上部にはそれぞれ端子電極12,13より平面積の小さなバンプ12B,13Bが積層一体化して形成されていることで、導電性接合材Dのクラックが最初に発生する端子電極12,13の長辺方向の端部付近のクラックの進行する位置と、長辺方向の中心付近のクラックの進行する位置をずらすことができる。端子電極12,13の底面位置とほぼ平行に最初に進行しようとするクラックは、端子電極12,13の端部に近接したバンプ12B,13Bの端部の影響を受けて端子電極12,13と平行でない回路基板4の方向に角度変更される。すなわち、途中でクラックが屈曲することになる。このように、上記の実施形態や変形例1~6によれば、クラックの屈曲点を設けることができる。このクラックの屈曲点が存在することで、クラックの進行を遅らせることができる。特に、端子電極12,13とバンプ12B、13Bは互いに同心で相似形状に形成され、かつ、端子電極12,13の長辺に対してバンプの長辺の寸法を90以上とすることで、クラックの発生する初期段階でそのクラックの進行角度を変更させてクラックの屈曲点を設け、クラックの進行を格段に抑えることができる。結果として、端子電極12,13の電気的機械的接続性をより一層向上させながら、端子電極12,13がオープン状態となって電子部品として機能しなくなるのを抑制することができる。上記の実施形態および変形例1~6では、各端子電極12,13の長辺はベース1の底面の長辺端部に近接して形成されているもののみ開示しているが、ベース1の底面の長辺端部に接して形成したものであってもよい。表面実装型水晶振動子を例にしているが、水晶フィルタ、水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の電子部品用パッケージにも適用できる。また絶縁性のパッケージベースとして、セラミック材料を開示しているがガラス材料や水晶であってもよい。端子電極の金属膜としてメタライズを開示しているが、めっき材料であってもよい。また、各端子電極12,13の長辺の寸法を、上記の実施形態および変形例1~6と異なり、ベース1の底面の長辺の半分以下の寸法で構成した場合、端子電極12,13がベース1の底面の長辺中央付近以外の位置に形成される場合がある。この場合、ベース1の底面の短辺方向で対向する領域が確保されにくく、上述のような応力歪の影響を軽減させることができず、かつ、応力歪の発生を抑制することもできない。なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。また、この出願は、2010年3月24日に日本で出願された特願2010-067467号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。"