基板の上部に配置される第1電極と、前記第1電極の上部に配置される第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極の間に配置され外部から入射された光を電気に変換する光電変換部を含む複数のセルを形成する段階と、前記複数のセルの内で前記基板の端に形成された最外郭セルの前記第1電極と、前記光電変換部と、前記第2電極の同一である第1部分をとり除くエッジ除去段階と、前記複数のセルの内で前記基板の端に形成された最外郭セルの前記第1電極、前記光電変換部及び前記第2電極の同一である第2部分をとり除くエッジ分離段階とを含み、前記エッジ分離段階の前記第2部分の少なくとも一部は前記エッジ除去段階の前記第1部分と重畳されることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記エッジ分離段階で前記第2部分の幅は前記エッジ除去段階で前記第1部分の幅より小さいことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1部分の幅は前記基板の端から内部方向に5mm以上15mm以下であることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2部分の幅は10μm以上100μm以下であることを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記エッジ除去段階で前記第1部分をとり除くために使われる第1レーザの出力パワーは前記エッジ分離段階で前記第2部分をとり除くために使われる第2レーザの出力パワーより大きいことを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記薄膜太陽電池の製造方法は、前記エッジ除去段階以後に前記エッジ分離段階を遂行することを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2部分をとり除くエッジ分離段階は前記最外郭セルと前記エッジ除去段階によって前記最外郭セルで前記第1電極と前記光電変換部及び前記第2電極の構造が破壊され損傷された領域の間の界面に遂行されることを特徴とする、請求項6記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記エッジ分離段階は前記第2部分をとり除いて前記エッジ除去段階によって前記第1電極と前記光電変換部及び前記第2電極の構造が破壊された損傷された領域をとり除くことを特徴とする、請求項6記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記薄膜太陽電池の製造方法は、前記エッジ分離段階以後に前記エッジ除去段階を遂行することを特徴とする、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。基板と、前記基板の上部に配置される第1電極と前記第1電極上部に配置される第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に配置され、光を入射を受け電気に変換する光電変換部を含む複数のセルを含み、前記複数のセルの内で最外郭に位置する最外郭セルは前記第1電極と前記光電変換部及び前記第2電極のセル構造が破壊された損傷された領域を含まないことを特徴とする薄膜太陽電池。前記基板は第1領域と第2領域を含み、前記第1領域には電力を生産するのに影響を及ぼすことができないダミーセルが配置されないで、前記第2領域には前記複数のセルだけ配置されることを特徴とする、請求項10記載の薄膜太陽電池。前記第1領域は前記基板の端に位置することを特徴とする、請求項10記載の薄膜太陽電池。前記第1領域の幅は5mm以上20mm以下であることを特徴とする、請求項10記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部は、p型半導体層と真性i半導体層とn型半導体層であるp-i-n構造が少なくとも一つ形成されることを特徴とする、請求項10記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部の真性i半導体層はゲルマニウムGeを含むことを特徴とする、請求項13記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部の真性i半導体層は非晶質シリコンa-siまたは微結晶シリコンmc-siのうち内少なくともいずれかの一つであることを特徴とする、請求項13記載の薄膜太陽電池。基板と、前記基板の上部に配置される第1電極と前記第1電極上部に配置される第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に配置され、光の入射を受け電気に変換する光電変換部を含む複数のセルを含み、前記基板は前記基板の端に露出した第1部分を含み、複数のセルの内で基板の端に位置した最外郭セルは基板を露出させる第2部分を含み、第1部分と第2部分は重畳されることを特徴とする薄膜太陽電池。前記第1部分はエッジ除去工程間に形成され、第2部分はエッジ分離工程間に形成されることを特徴とする、請求項17記載の薄膜太陽電池。前記第1及び第2部分の幅はおおよそ5mm乃至20mmの間であることを特徴とする、請求項17記載の薄膜太陽電池。前記第1部分は第1電極の一部分を露出させることを特徴とする、請求項17記載の薄膜太陽電池。本発明の目的とするところは、効率が向上した薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。前述の課題を解決するために本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は基板の上部に配置される第1電極、第1電極の上部に配置される第2電極と、第1電極及び第2電極の間に配置され外部から入射された光を電気に変換する光電変換部を含む複数のセルを形成する段階と、複数のセルの内で基板の端に形成された最外郭セルの第1電極、光電変換部、第2電極の同一である第1部分をとり除くエッジ除去段階と、複数のセルの内で基板の端に形成された最外郭セルの第1電極、光電変換部及び第2電極の同一である第2部分をとり除くエッジ分離段階とを含み、エッジ分離段階の第2部分の少なくとも一部はエッジ除去段階の第1部分と重畳される。ここで、エッジ分離段階で第2部分の幅はエッジ除去段階で第1部分の幅より小さいことがあり、第1部分の幅は基板の端から内部方向に5mm以上15mm以下で有り得り、第2部分の幅は10μm以上100μm以下で有り得る。また、エッジ除去段階で第1部分をとり除くために使われる第1レーザの出力パワーはエッジ分離段階で第2部分をとり除くために使われる第2レーザの出力パワーより大きくなることができる。また、薄膜太陽電池の製造方法はエッジ除去段階以後にエッジ分離段階を遂行することができる。このような場合第2部分をとり除くエッジ分離段階は最外郭セルとエッジ除去段階によって最外郭セルで第1電極、光電変換部及び第2電極の構造が破壊され損傷された領域の間の界面で遂行することができる。このような場合エッジ分離段階は第2部分をとり除いてエッジ除去段階によって第1電極、光電変換部及び第2電極の構造が破壊され損傷された領域をとり除くことができる。また、薄膜太陽電池の製造方法はエッジ分離段階以後にエッジ除去段階を遂行することもできる。また、本発明に係る薄膜太陽電池は基板と、基板の上部に配置される第1電極、第1電極上部に配置される第2電極、及び第1電極と第2電極の間に配置され、光の入射を受け電気に変換する光電変換部を含む複数の有効セルを含み、複数のセルの内で最外郭に位置する最外郭セルは第1電極、光電変換部及び第2電極のセル構造が破壊され損傷された領域を含まない。ここで、基板は第1領域と第2領域を含み、第1領域には電力を生産するのに影響を及ぼすことができないダミーセルが配置されないで、第2領域には複数の有効セルだけ配置される。ここで、第1領域は基板の端に位置し、第1領域の幅は5mm以上20mm以下で有り得る。また、光電変換部はp型半導体層、真性i半導体層、及びn型半導体層であるp-i-n構造が少なくとも一つに形成されることができ、光電変換部の真性i半導体層はゲルマニウムGeを含むこともでき、光電変換部の真性i半導体層は非晶質シリコンa-siまたは微結晶シリコンmc-siの内少いずれか一つで有り得る。本発明に係る太陽電池及びその製造方法によれば第1領域でダミーセルが省略されるので薄膜太陽電池の効率を向上することができる。以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施するように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ相異な形態に具現されることができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分上にあると言う時、これは他の部分真上にある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分真上にあると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。また何れの部分が他の部分上に全体的に形成されていると言う時には他の部分の全体面に形成されていることだけではなく端の一部には形成されないことを意味する。図1及び図2は本発明に係る薄膜太陽電池の一例を説明するための図である。ここで、図1は薄膜太陽電池10の平面図を示したものであり、図2は図1でII-II線に沿う薄膜太陽電池10の端側面を概略的に示したものである。図1に示されたように、本発明に係る薄膜太陽電池10は基板100と基板100の上部に配置され、電力を生産するのに実質的に影響を及ぼす複数の有効セルUCを含む。すなわち、複数の有効セルUCは薄膜太陽電池10で電気を生産する。ここで、それぞれの有効セルUCは図2に示されたように、第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140を含む。第1電極110は基板100の上部に配置され、第2電極140は第1電極110の上部に配置され、光電変換部PVは第1電極110と第2電極140の間に配置され基板100の入射面に入射される光を電気に変換する機能を有する。一方、図2に示された本発明に係る複数のセルUCの内で最外郭に位置する最外郭セルSCは図3に示されたような第1電極、光電変換部及び第2電極のセル構造が破壊され損傷された領域を含まない。このようにすることで、太陽電池の発電領域をさらに増加させることができて太陽電池の光電変換効率をさらに極大化することができる効果がある。これに対する説明は以下でさらに具体的に説明する。このような第1電極110、第2電極140及び光電変換部PVに対するより詳細な説明は後述する図4乃至図6を通じてさらに詳しく説明する。一方、基板100は図1及び図2に示されたように第1領域S1と第2領域S2を含み、第1領域S1は図1及び図2に示されたように、基板100の端部分に位置し、このような第1領域S1には電力を生産するのに影響を及ぼすことができないダミーセルDCが配置されない。そして、第2領域S2は基板100で端部分である第1領域S1を除いた基板100の残りの部分に位置し、このような第2領域S2には複数の有効セルUCが配置される。ここで、第2領域S2に配置される複数の有効セルUCの内には電力を生産するのに影響を及ぼすことができないダミーセルDCを含まない。ここで、第2領域S2は電力を生産するのに影響を及ぼす複数のセルUCだけ配置されるので有効領域とも定義することができ、第1領域S1は電力を生産するのに影響を及ぼす複数の有効セルUCが配置されないので無効領域とも定義することができる。したがって、本発明に係る太陽電池の一例は第1領域S1に複数の有効セルUCが配置されず、第2領域S2には電力を生産するのに影響を及ぼす複数の有効セルUCだけ配置され、ダミーセルDCを含まないので有効領域内で電力を生産するのに影響を及ぼす複数のセルUCの個数を最大で拡張することができる効果がある。これをさらに具体的に図3a及び図3bに示された第2領域S2にダミーセルDCがある太陽電池構造と比べて説明すれば次のようである。図3aは第1領域にダミーセルDCがある太陽電池構造を説明するための図であり、図3bはダミーセルDCの上部でダミーセルDCと損傷された領域DAを示した図である。図3aに示されたように、ダミーセルDCがある太陽電池構造を形成するためには通常は先ず、基板100上の全体領域に第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140を形成した以後、最終的な工程で基板100の端に形成された第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140の一部分EDをサンドブラスト工程やレーザを利用しとり除くエッジ除去段階を遂行するようになる。このようなエッジ除去段階を遂行するようにすれば、図3a及び図3bに示されたように、エッジ除去段階が遂行されたセルの端の部分と基板100の間の界面に幅がおおよそ10μm~50μm位にサンドブラスト工程やレーザによって損傷された領域DAが存在するようになる。このように損傷された領域DAが発生することはエッジ除去段階に使われるサンドブラスト工程やレーザの出力がセル構造を破壊させるほど相対的に大きいからである。このようにエッジ除去段階に相対的に出力が大きいレーザを使うことは基板100の上部に形成されたセルでとり除く領域が相対的に大きく工程時間を縮めるためである。しかしこのように損傷された領域DAはサンドブラスト工程やレーザによって第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140のセル構造が破壊され存在するから、このように損傷された領域DAはセルで発生する電流を漏洩させる原因になる。したがって、このような漏洩電流の発生を最小化するためにこのようなエッジ除去段階以後、エッジ除去段階によって形成されたエッジ除去領域EDの内部方向に一定間隔離隔し第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140の同一である一部分P4をレーザを利用しとり除くことで基板100の一部を露出させるエッジ分離段階を遂行する。このようなエッジ分離段階が遂行されれば、図3aのようなダミーセルDCが発生するようになるが、このようなダミーセルDCは有効セルUCと絶縁されていて有効セルUCで発生される電流が漏洩することを防止することができる。しかし、このようにダミーセルDCが形成された太陽電池構造は第2領域S2に太陽電池が電力を生産するのに影響を及ぼす複数の有効セルUCが本発明のように形成されるが、第1領域S1には電力を生産するのに影響を及ぼすことができないダミーセルDCが形成される。このようなダミーセルDCは形式的には第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140を形成しているものの、実質的にはエッジ分離段階によって形成されたP4ラインによって有効セルUCと電気的に分離していて太陽電池の電力生産に影響を及ぼすことができない。このように第1領域S1内にダミーセルDCが存在するようになれば、ダミーセルDCが存在する領域程度に第1領域S1の幅が大きくなり、相対的に第2領域S2はダミーセルDCに大きくなる第1領域S1の幅程度に減少し電力を生産するのに影響を及ぼす複数の有効セルUCの個数が相対的に減少するようになる。これは結局太陽電池モジュールの光電効率を低下させる原因になる。しかし、図2に示された本発明の太陽電池はエッジ除去段階によって発生される損傷された領域DAが存在しないと同時に、基板100のいずれにも、すなわち基板100の第2領域S2だけでなく第1領域S1でもダミーセルDCが存在しないから太陽電池の光電効率を増大させる効果がある。一方、このように本発明に係る基板100の第1領域S1の幅は5mm以上20mm以下で有り得る。これは図2のような太陽電池が形成された以後、モジュールを形成する過程でモジュールの最外郭部分はエチレンビニルアセテートに塗布されることができ、EVAの外部にはフレームに形成されることができるのに、このようなフレームは基板100の入射面で第1領域S1の幅程度に重畳されるようになる。このようにフレームと基板100は第1領域S1の幅程度に重畳されることができ、重畳される幅程度に基板100の入射面に照射される光は遮断される。したがって、フレームと基板100が重畳される部分である第1領域S1の幅を最小限5mm以上になるようにすることで、フレームによって基板100が安定的に支持されることができるようにできる。しかし、フレームと基板100が重畳される部分が非常に大きい場合太陽電池モジュールの効率が低下されることができるので、第1領域S1の幅を最大20mm以下になるすることで基板100の入射面に最大限多い量の光が入射されることができるようにでき、共に複数のセルが配置される第2領域S2の面積を最大限確保することで太陽電池モジュールの効率を最大限確保することができる。次の図4乃至図6は図1に示された太陽電池で各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。図4に示されたように、薄膜太陽電池10は単層p-i-n構造に形成されることができる。図4では光電変換部PVの構造が入射面からp-i-n構造になることを一例で説明しているが、光電変換部PVの構造が入射面からn-i-p構造になることも可能である。しかし、以下では説明の便宜上光電変換部PVの構造が入射面からp-i-n構造になることを一例として説明する。図4に示されるように、薄膜太陽電池10は基板100、基板100に配置される第1電極110、第2電極140及び単層p-i-n構造の光電変換部PVを含むことができる。基板100は他の機能成層が配置されることができる空間を用意することができる。さらに、基板100は入射される光が光電変換部120により効果的に到逹するようにするために実質的に透明な材質、例えばガラスまたはプラスチック材質からなることができる。第1電極110は基板100に配置され、入射される光の透過率を高めるために実質的に透明ながらも電気伝導性を有する材質を含むことが可能である。例えば、第1電極110は大部分の光が透過し電気が通じるように高い光透過度と高い電気伝導度を備えるためにインジウムスズ酸化物、スズ系酸化物、AgO、ZnO-Ga2O3又はAl2O3、フローリンティンオキサイドfluorinetinoxideFTO及びこれらの混合物で成る群から選択されることで形成されることができる。さらに、前面電極110の比抵抗範囲は約102Ωcm乃至1011Ωcmで有り得る。このような第1電極110は光電変換部PVと電気的に接続されることができる。これによって、第1電極110は入射される光によって生成されたキャリアのうちの一つ、例えば正孔を収集し出力することができる。さらに、第1電極110の上部表面にはランダムなピラミッド構造を有する複数個の凹凸が形成されることができる。すなわち、第1電極110はテクスチャリング表面を備えていることである。このように、第1電極110の表面をテクスチャリングするようになれば、入射される光の反射を低減させ、光の吸収率を高めることができて太陽電池10の効率を向上することが可能である。一方、図4では第1電極110にだけ凹凸を形成した場合のみを示しているが、光電変換部PVにも凹凸を形成することが可能である。以下では説明の便宜のために第1電極110にだけ凹凸を形成する場合を例にあげて説明する。第2電極140は光電変換部PVが発生させた電力の回収効率を高めるために電気伝導性にすぐれた金属材質を含むことができる。さらに、第2電極140は光電変換部PVと電気的に接続され入射される光によって生成されたキャリアのうちの一つ、例えば電子を収集し出力することができる。ここで光電変換部PVは第1電極110と第2電極140の間に配置され外部から入射される光で電力を生産する機能をする。このような光電変換部PVは基板100の入射面からp-i-n構造、すなわちp型半導体層410p、真性半導体層410i、n型半導体層410nを含むことができる。ここで、p型半導体層410pはシリコンSiを含む原料ガスにホウ素、ガリウム、インジウムなどのような3価元素の不純物を含むガスを利用し形成することができる。真性i半導体層410iはキャリアの再結合率を減らして光を吸収することができる。このような真性半導体層410iは入射される光を吸収し、電子と正孔のようなキャリアを生成することができる。このような真性半導体層410iは微結晶シリコンmc-Si、例えば水素化された微結晶シリコンmc-Si:Hを含むこともでき、または非晶質シリコン、例えば水素化された非晶質シリコンを含むことができる。n型半導体層410nはシリコンを含む原料ガスにりんP、砒素As、アンチモンSbなどのように5価元素の不純物を含むガスを利用し形成することができる。このような光電変換部PVはプラズマ化学気相成長のような化学気相成長によって形成されることができる。光電変換部PVのp型半導体層410p及びn型半導体層410nのようなドーピング層は真性半導体層410iを間に置いてp-n接合を形成することができる。すなわち、光電変換部PVはn型不純物ドーピング層、すなわちn型半導体層410nとp型不純物ドーピング層、すなわちp型半導体層410pの間に配置されることができる。このような構造で、p型半導体層410pの方で光が入射されれば真性半導体層410iの内部では相対的に高いドーピング濃度を有するp型半導体層410pとn型半導体層410nによって空乏領域が形成され、これによって電場が形成される。このような光起電力効果によって光吸収層である真性半導体層410iで生成された電子と正孔は接触電位差によって分離し互いに異なる方向に移動される。例えば、正孔はp型半導体層410pを通じて前面電極110の方へ移動し、電子はn型半導体層410nを通じて後面電極140の方へ移動することができる。このような方式で電力が生産されることができる。また、図5に示されたように、薄膜太陽電池10は2重接合太陽電池あるいはp-i-n-p-i-n構造で形成されることができる。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略する。図5に示すように、薄膜太陽電池10の光電変換部PVは第1光電変換部510及び第2光電変換部520を含むことができる。図5のように、薄膜太陽電池10は光入射面から第1p型半導体層510p、第1i型半導体層510i、第1n型半導体層510n、第2p型半導体層520p、第2i型半導体層520i及び第2n型半導体層520nが順に積層される。第1i型半導体層510iは短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。さらに、第2i型半導体層520iは長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。このように、2重接合構造の太陽電池10は短波長帯域及び長波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するから高い効率を有することが可能である。さらに、第2i型半導体層520iの厚さt1は長波長帯域の光を充分に吸収するために第1i型半導体層510iの厚さt2より厚いことがある。また、図5に示されたような薄膜太陽電池10は第1光電変換部510の第1i型半導体層510i及び第2光電変換部520の第2i型半導体層520iがすべて非晶質シリコンを含むこともでき、または第1光電変換部510の第1i型半導体層510iは非晶質シリコンを含むが、第2光電変換部520の第2i型半導体層520iは微結晶質シリコンを含むこともできる。また、図5のような2重接合構造を持つ太陽電池10で第2i型半導体層520iにはゲルマニウムGeが不純物としてドーピングされることができる。ゲルマニウムGeは第2i型半導体層520iのバンドギャップを低めることができ、これによって第2i型半導体層520iの長波長帯域光の吸収率が向上することで太陽電池10の効率が向上することができる。すなわち、2重接合構造を有する太陽電池10は第1i型半導体層510iで短波長帯域の光を吸収し光電効果を発揮し、第2i型半導体層520iで長波長帯域の光を吸収し光電効果を発揮するようになる。また、第2i型半導体層520iにゲルマニウムGeが不純物にドーピングされた太陽電池は第2i型半導体層520iのバンドギャップをさらに低めることでさらに多い量の長波長帯域光を吸収することができて太陽電池の効率を進めることができることである。このような第2i型半導体層520iにゲルマニウムGeをドーピングする方法ではゲルマニウムGeガスが満たされたチャンバー内でVHF、HFまたはRFを利用したPECVD工法を一例として挙げることができる。このような第2i型半導体層520iに含まれるゲルマニウムの含有量は一例として3~20atomで有り得る。このようにゲルマニウムの含有量が適切に含まれる場合第2i型半導体層520iのバンドギャップが充分に低くなることができ、これによって第2i型半導体層520iの長波長帯域光の吸収率が向上することができる。このような場合にも第1i型半導体層510iは短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができ、第2i型半導体層520iは長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。さらに、第2i型半導体層520iの厚さt1は長波長帯域の光を充分に吸収するために第1i型半導体層510iの厚さt2より厚いことがある。また、図6に示されたように、薄膜太陽電池10は三重接合太陽電池あるいはp-i-n-p-i-n-p-i-n構造に形成されることができる。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略する。図6に示すように、薄膜太陽電池10の光電変換部PVは基板100の入射面から第1光電変換部610、第2光電変換部620及び第3光電変換部630が順に配置される。ここで、第1光電変換部610、第2光電変換部620及び第3光電変換部630はそれぞれp-i-n構造に形成されることができ、基板100から第1p型半導体層610p、第1真性半導体層610i、第1n型半導体層610n、第2p型半導体層620p、第2真性半導体層620i、第2n型半導体層620n、第3p型半導体層630p、第3真性半導体層630i及び第3n型半導体層630pが順に配置される。ここで、第1真性半導体層610i、第2真性半導体層620i及び第3真性半導体層630iを多様に具現することができる。第1例で、第1真性半導体層610i及び第2真性半導体層620iは非晶質シリコンa-siを含むことができ、第3真性半導体層630iは微結晶シリコンmc-Siを含むことができる。ここで、第2真性半導体層620iにはゲルマニウムGeが不純物としてドーピングされるようにして第2i型半導体層620iのバンドギャップを低めることもできる。また、これと異なり、第2例として第1真性半導体層610iは非晶質シリコンa-siを含むことができるし、第2真性半導体層620i及び第3真性半導体層630iは微結晶シリコンmc-Siを含むことができる。ここで、第3真性半導体層630iにはゲルマニウムGeが不純物にドーピングされるようにして第3i型半導体層のバンドギャップを低めることもできる。ここで、第1光電変換部610は短波長帯域の光を吸収し電力を生産することができ、第2光電変換部620は短波長帯域と長波長帯域の中間帯域の光を吸収して電力を生産することができる、長波長帯域の光を吸収して電力を生産することができる。ここで、第3真性半導体層630iの厚さt30は第2真性半導体層620iの厚さt20より厚く、第2真性半導体層620iの厚さt20は第1真性半導体層610iの厚さt10より厚いことがある。このように図6のような三重接合太陽電池の場合にはさらに広い帯域の光を吸収することができるから電力生産効率が高いことがある。次の図7A乃至図7Cは図2に示された薄膜太陽電池の製造方法の一例を説明するための図である。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は先の図7aに示されたように、基板100の上部に配置される第1電極110、第1電極110の上部に配置される第2電極140、及び第1電極110及び第2電極140の間に配置され外部から入射された光を電気に変換する光電変換部PVを含む複数のセルを形成する。以後、図7aに示されたように複数のセルUCの内で基板100の最外郭に形成された最外郭セルSCの第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第1部分W1をとり除くエッジ除去段階を遂行する。このために図7aに示されたように基板100の端に形成された第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第1部分W1に第1レーザRDを照射する。ここで、第1レーザRDが照射される第1部分W1の幅は基板100の端から内部方向に5mm以上15mm以下になるようにできる。ここで、第1部分W1の幅に対する効果は図2で説明した基板100の第1領域S1の幅に対する限定効果と同様である。これは第1領域S1は第1部分W1の幅によって実質的に決まる。したがって本発明は第1部分W1の幅を5mm以上15mm以下になるようにすることで、フレームによって基板100が安定的に支持されることができるようにすると共に基板100の入射面に最大限多い量の光が入射されることができるようにできる。また、このようなエッジ除去段階で第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第1部分W1をとり除くために使われる第1レーザRDの出力パワーは後述するエッジ分離段階で使われる第2レーザRIの出力パワーより大きくできる。これはエッジ除去段階では除去される第1部分W1は第2部分W2に比べて相対的に領域が広くて工程時間を縮めるためである。図7aに示されたように基板100の端に形成された第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第1部分W1が第1レーザRDによって除去されれば、図7bに示されたように、エッジ除去段階が遂行されたセルの端の部分と基板100の間の界面に第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140のセル構造が破壊され損傷された領域DAが発生するようになる。これはエッジ除去段階で工程時間を縮めるために出力パワーが大きい第1レーザRDを使うからである。このような損傷された領域DAをとり除くために複数のセルUCの内で基板100の端に形成された最外郭セルSCの第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第2部分W2をとり除くエッジ分離段階を遂行する。したがって、第1レーザRDは先ず第1部分W1で第1電極110、光電変換部PV、及び第2電極140をとり除くために使われる。その後、第2レーザRIは第2部分W2で損傷された領域DAのような残存物質をとり除くために使われる。この時、本発明はエッジ分離段階の第2部分W2の少なくとも一部がエッジ除去段階の第1部分W1と重畳されるようにする。これによって、エッジ除去段階が遂行された最外郭セルSCの端の部分と基板100の間の界面に発生する損傷された領域DAが除去されて図7cに示されたように第1領域S1にはダミーセルDCが形成されないようにしながら第2領域S2には有効セルUCだけ形成されるようにできる。このために第2部分W2をとり除くエッジ分離段階は最外郭セルSCとエッジ除去段階によって発生する損傷された領域DAの間の界面に遂行されるようにする。このようにしてエッジ分離段階は第2部分W2をとり除いて最外郭セルSCの端に形成される損傷された領域DAをとり除くことができる。一方、図7bでは第2部分W2の幅が損傷された領域DAの幅より大きいことを一例に示したが、第2部分W2の幅が損傷された領域DAの幅より小さいこともある。このような場合にも、前に説明したように最外郭セルSCと損傷された領域DAの間の界面に第2部分W2をとり除くエッジ分離段階を遂行することができる。この時、最外郭セルSCと離隔されて損傷された領域DAが一部残存することもできるが、残存する損傷された領域DAは最外郭セルSCと離隔されているので電流の漏洩がなくて太陽電池の効率を低下させることはない。ここで、本発明は第2部分W2の幅を第1部分W1の幅より小さくすることで、エッジ分離段階によって第2領域S2の大きさが減少することを最小化することができる。一例で、第2部分W2の幅が10μm以上100μm以下になるようにし、エッジ分離段階によって第2領域S2の幅がほとんど減少しないようにできる。ここで、エッジ分離段階で第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第2部分W2をとり除くために使われる第2レーザRIの出力パワーはエッジ除去段階で使われる第1レーザRDの出力パワーより小さくして第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第2部分W2をとり除いても図7cに示されたようにエッジ分離段階が遂行されたセルの端の部分と基板100の間の界面に損傷された領域DAが発生しないようにしながらエッジ除去段階で発生した損傷された領域DAをとり除くことができる。このようにすることで、本発明は図7cのような薄膜太陽電池を製造することができる。このような本発明に係る薄膜太陽電池で第1領域S1は図7cに示されたようにエッジ除去段階の第1部分W1とエッジ分離段階の第2部分W2によって形成される。このように本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は第1部分W1と第2部分W2を重畳して薄膜太陽電池で電力を生産するのに影響がない第1領域S1を形成し第1領域S1の幅を最小化することで第1領域S1内に有効セルUCの個数をさらに形成することができ、これによって太陽電池モジュールの光電変換効率を向上することができる効果がある。すなわち、基板100によって与えられた限定された領域で、第2領域S2は従来の第2領域S2より小さいから従来の第2領域より相対的に大きくすることができる。今まではエッジ除去段階が先に遂行された後、エッジ分離段階が遂行されることを一例で説明したが、本発明はエッジ分離段階を先に遂行した後、エッジ除去段階を遂行することもできる。以下の図8a乃至図8cではエッジ分離段階を先に遂行した後、エッジ除去段階を遂行する本発明の他の一例に対して説明する。図8a乃至図8cは薄膜太陽電池の製造方法の他の一例を説明するための図である。図8aに示されたように、本発明の他の一例による薄膜太陽電池の製造方法は図8aに示されたように、基板100の上部に第1電極110が形成され、第1電極110の上部に光電変換部PVが形成され、光電変換部PVの上部に第2電極140が形成された後、先ずエッジ分離段階を遂行する。これのために先ずレーザの出力パワーが相対的に小さく精緻な第2レーザRIを第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第2部分W2に照射し第2部分W2をとり除く。このようにエッジ分離段階が遂行されれば、図8bに示されたように第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第2部分W2が除去された太陽電池が形成される。ここで、第2部分W2の幅は図7bで説明したところのように10μm以上100μm以下で有り得る。このようにエッジ分離段階を先に遂行する時にはエッジ除去段階を遂行する時、第1部分W1の幅をあらかじめ考慮し第2部分W2の位置を決めることができる。このようにエッジ分離段階が遂行され第2部分W2が形成された後、図8bに示されたように第2部分W2と一部が重畳されるように相対的に出力パワーが大きい第1レーザRDを利用し第1電極110、光電変換部PV及び第2電極140の同一である第1部分W1を照射し第1部分W1をとり除くエッジ除去段階を遂行することで、図8cに示されたように太陽電池が形成されることができる。図8bのようなエッジ除去段階では既に図8aのようにエッジ分離段階によって太陽電池の第2部分W2が除去された状態なので図7bのような損傷された領域DAは発生しなくなる。このような本発明の他の一例による薄膜太陽電池の製造方法も薄膜太陽電池で電力を生産するのに影響がない第1領域S1の幅を最小化することで第1領域S1内に有効セルUCの個数をさらに形成することができ、これによって太陽電池モジュールの光電変換効率を向上することができる効果がある。図9は上から見た時、第1領域にダミーセルが形成されない太陽電池の一例を示した図である。図9で、第1領域S1はエッジ除去工程による第1部分W1とエッジ分離段階による第2部分W2によって形成される。ここで、第1部分W1と第2部分W2は部分的に互いに重畳されることができ、第1領域S1を形成することは薄膜太陽電池で電気を生産するのに悪影響を及ぼさない。本発明の実施の形態で、エッジ分離段階によって形成される第2部分W2は基板100の表面が露出するほどに非常にきれいである。すなわち、第2部分W2と重畳されない第1部分W1は基板100の表面上に第1電極110の残余物質が残っていることもある。したがって、基板100の表面は第1部分W1できれいに露出しないこともある。すなわち、第1電極110の残余物110Aが基板の表面に残っていることがある。本発明の実施の形態で第1部分W1は基板100の露出した表面と第1電極110の残余物110Aが混合することができる。本発明の多様な実施の形態で、薄膜太陽電池の少なくとも一つの太陽電池は多様な半導体物質を含むことができる。したがって、少なくとも一つの光電変換部の物質はCdTe、CIGSなどのように薄膜太陽電池に使われる他の物質が使われることもできる。以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はここに限定されるのではなく次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。