"基材と、第一半導体部品、第一樹脂層および第二半導体部品を積層した構造体と、を積層することにより得られ、前記基材の第一半導体部品接続用端子、前記第一半導体部品の基材接続用端子の少なくともいずれか一方が半田層を有するとともに、前記第一半導体部品の第二半導体部品接続用端子、前記第二半導体部品の第一半導体部品接続用端子の少なくともいずれか一方が半田層を有する積層体を用意する工程と、前記積層体の前記半田層の融点以上に加熱して、前記基材の第一半導体部品接続用端子および第一半導体部品の基材接続用端子間、前記第一半導体部品の第二半導体部品接続用端子および前記第二半導体部品の第一半導体部品接続用端子間を半田接合する工程を含む半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記構造体は、前記積層体において前記基材および前記第一半導体部品間に配置される他の樹脂層を有し、前記積層体を用意する前記工程では、前記第一半導体部品の前記基材接続用端子が設けられた面上に前記他の樹脂層を設け、前記第二半導体部品の前記第一半導体部品接続用端子が形成された面上に前記第一樹脂層を構成する樹脂層を設け、その後、前記基材、前記他の樹脂層、前記第一半導体部品、前記第一樹脂層、前記第二半導体部品の順に積層して前記積層体を用意する半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第一樹脂層および前記他の樹脂層は、熱硬化性樹脂を含み、前記積層体を用意する工程では、前記第一半導体部品と前記第二半導体部品とを前記第一樹脂層を介して積層した後、加熱して、半硬化状態の前記第一樹脂層を介して前記第一半導体部品および前記第二半導体部品を接着し、その後、前記基材上に前記他の樹脂層を介して、前記第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品を積層し、半田接合する前記工程では、前記積層体を加熱して、半田接合を行なうとともに、前記第一樹脂層および前記他の樹脂層の硬化を進める半導体装置の製造方法。請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、積層体を用意する前記工程では、前記基材上に前記他の樹脂層を介して、前記第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品を積層した後、前記積層体を加熱して、半硬化状態の前記他の樹脂層を介して前記基材および前記第一半導体部品を接着する半導体装置の製造方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、半田接合する前記工程では、前記積層体を挟圧するとともに、流体により前記積層体を加圧しながら加熱して半田接合を行う半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、対向配置された一対の挟圧部材と、前記一対の挟圧部材間に配置され、前記積層体が設置される設置部とを備える装置を用意し、半田接合する前記工程では、前記一対の挟圧部材を加熱しておき、前記一対の挟圧部材に対し離間した状態の前記設置部上に前記積層体を配置する工程と、前記一対の挟圧部材で、前記積層体および前記設置部を挟圧し、加熱して半田接合を行う工程とを実施する半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、前記一対の挟圧部材のうち、一方の挟圧部材の温度は、他方の挟圧部材の温度よりも低い半導体装置の製造方法。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意する前記工程では、前記基材上に、少なくとも前記第一半導体部品、前記第一樹脂層、前記第二半導体部品を含む構造体を複数配置した前記積層体を用意し、半田接合する前記工程では、前記基材および複数の構造体からなる前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記積層体を用意する前記工程では、あらかじめ、少なくとも前記第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品を含む前記構造体を2以上用意し、前記積層体を用意する工程では、前記基材上に一つめの前記構造体を配置し、半田接合する前記工程では、前記基材および前記構造体からなる前記積層体を加熱して、半田接合を行い、その後、再度、前記基材上に他の前記構造体を配置し、前記基材および複数の構造体からなる前記積層体を加熱して半田接合を行う半導体装置の製造方法。請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法において、半田接合する前記工程の後段で、前記積層体を封止し、その後、前記基材を切断する半導体装置の製造方法。請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第一半導体部品は、基板と、前記基板を貫通するとともに、前記基材接続用端子および前記第二半導体部品接続用端子に接続される貫通ビアとを備えるTSV構造の半導体素子である半導体装置の製造方法。特許文献1の半導体装置の製造方法では、半導体チップを積層するたびに、半田接合を繰り返し行っているため、半田接合時の生産性に問題がある。さらに、半導体チップを積層するたびに、半田接合を繰り返し行っているため、下層の半導体チップへの半田接合の際の熱による影響が心配される。一方で、特許文献2の半導体装置の製造方法では、半導体基板同士を接合した後、半導体基板間の隙間に樹脂を充填しているため、樹脂の充填が難しく、生産性が問題となる。本発明によれば、基材と、第一半導体部品、第一樹脂層および第二半導体部品を積層した構造体と、を積層することにより得られ、前記基材の第一半導体部品接続用端子、前記第一半導体部品の基材接続用端子の少なくともいずれか一方が半田層を有するとともに、前記第一半導体部品の第二半導体部品接続用端子、前記第二半導体部品の第一半導体部品接続用端子の少なくともいずれか一方が半田層を有する積層体を用意する工程と、前記積層体の前記半田層の融点以上に加熱して、前記基材の第一半導体部品接続用端子および第一半導体部品の基材接続用端子間、前記第一半導体部品の第二半導体部品接続用端子および前記第二半導体部品の第一半導体部品接続用端子間を半田接合する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。本発明の製造方法によれば、基材、第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品を含む積層体を構成した後、この積層体を加熱して、各接続用端子間の半田接合を行っている。そのため、対向する半導体部品同士ごとに半田接合を逐次行う場合に比べ、半田接合時の生産性を向上させることができる。また、基材、第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品の積層体を構成した後、この積層体全体を加熱して半田接合を行うため、従来に比べて、各半導体部品にかかる熱ダメージも低減させることができる。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。さらに、本発明では、基材、第一半導体部品、第一樹脂層、第二半導体部品の積層体を構成した後、この積層体を加熱して、各端子間の半田接合を行なっている。半田接合前に、樹脂層を半導体部品等により挟んでいるので、半田接合後に、半導体部品間に樹脂を充填する場合に比べ、手間を要しない。なお、半田接合する工程において、端子間が半田接合されるとは、以下のことをいう。積層体が各半田層の融点以上に加熱され、端子間の接合に使用される各半田層が溶融するとともに、端子同士が物理的に接触し、少なくとも一部が合金を形成している状態である。本発明によれば、生産性および信頼性を向上することができる半導体装置の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第一実施形態図1~図5には、本実施形態の半導体装置の製造方法が示されている。はじめに、本実施形態の半導体装置1の製造方法の概要について説明する。本実施形態の半導体装置1の製造方法は、図2に示すように、基材10、樹脂層11、半導体チップ12、樹脂層13、半導体チップ14、樹脂層15、半導体チップ16、樹脂層17、半導体チップ18を積層することにより得られる積層体3を用意する工程と、積層体3の半田層121A,141A,161A,181Aの融点以上に加熱して、端子接続用端子102、121間、端子接続用端子122、141間、端子接続用端子142,161間、端子接続用端子162、181間を半田接合する工程を含む。次に、本実施形態の半導体装置1の製造方法について、詳細に説明する。はじめに、図1Aに示すように、半導体チップ12を用意する。この半導体チップ12は、基板シリコン基板120と、基板120を貫通するビア123とを有するTSV構造の半導体素子である。基板120の一方の表面には、端子121が設けられ、他方の表面には、端子122が設けられている。端子121および端子122は、ビア123で接続されている。端子121は、基材10に接続される接続用端子であり、端子122は、半導体チップ14に接続される接続用端子である。ビア123は、たとえば、銅やタングステン等の金属や、不純物がドープされた導電性のポリシリコンで構成される。端子122は、図示しないが、基板120側から銅層、ニッケル層、金層の順に積層された構造となっている。ただし、端子122の構造は、これに限られるものではない。端子121は、表面に半田層121Aを有するものである。接続用端子121は、たとえば、銅層上にニッケル層を積層し、さらにこのニッケル層を被覆するように半田層121Aを設けた構造である。半田層121Aの材料は、特に制限されず、錫、銀、鉛、亜鉛、ビスマス、インジウム及び銅からなる群から選択される少なくとも1種以上を含む合金等が挙げられる。これらのうち、錫、銀、鉛、亜鉛及び銅からなる群から選択される少なくとも1種以上を含む合金が好ましい。半田層121Aの融点は、110~250°C、好ましくは170~230°Cである。半導体チップ12の基板120の端子121が設けられた側の表面には、樹脂層11が設けられている。樹脂層11は、端子121を被覆している。樹脂層11は、熱硬化性樹脂を含むものであればよいが、なかでも、熱硬化性樹脂とフラックス活性化合物とを含む層であることが好ましい。詳しくは後述する。さらに、半導体チップ14、半導体チップ16、半導体チップ18も用意する図1A、B参照。ここで、半導体チップ14、半導体チップ16、半導体チップ18は、半導体チップ12と同様のものである。すなわち、半導体チップ14、半導体チップ16、半導体チップ18は、半導体チップ12と同様、TSV構造の半導体素子であり、半導体チップ14は、基板シリコン基板140と、この基板140を貫通するビア143と、ビア143に接続された一対の端子142,141とを備える。端子142は、半導体チップ16に接続される接続用端子であり、端子141は、半導体チップ12に接続される接続用端子である。半導体チップ16は、基板シリコン基板160と、この基板160を貫通するビア163と、ビア163に接続された一対の端子162,161とを備える。端子162は、半導体チップ18の端子181に接続される接続用端子であり、端子161は、半導体チップ14に接続される接続用端子である。半導体チップ18は、基板シリコン基板180と、この基板180を貫通するビア183と、ビア183に接続された一対の端子182,181とを備える。端子181は、半導体チップ16に接続される接続用端子である。ビア143、163、183は、ビア123と同様の材料で構成される。端子142、162、182は、端子122と同様の構成および材料であり、端子141、161、181は、端子121と同様の構成および材料である。なお、符号141A、161A、181Aは、半田層121Aと同様の半田層である。半導体チップ14には、端子141を被覆する樹脂層13が設けられている。また、半導体チップ16には、端子161を被覆する樹脂層15が設けられている。さらに、半導体チップ18には、端子181を被覆する樹脂層17が設けられている。ここで、各半導体チップ12,14,16、18に、樹脂層11,13,15、17をそれぞれ設ける方法としては、たとえば、以下の方法があげられる。各半導体チップ12,14,16、18に対し、それぞれ、樹脂層11,13,15、17を貼り付ける。また、あらかじめ、半導体チップ12,14,16、18がそれぞれ一体化したウェハを用意し、このウェハに、樹脂層11、13,15、17が一体化した樹脂シートを貼り付ける。その後、樹脂シート、ウェハをダイシングすることで、樹脂層11付きの半導体チップ12、樹脂層13付きの半導体チップ14、樹脂層15付きの半導体チップ16、樹脂層17付きの半導体チップ18を用意してもよい。さらに、半導体チップ12、14、16、18がそれぞれ一体化したウェハを用意し、このウェハに、スピンコートで樹脂層11、13,15、17が一体化した樹脂層を形成し、その後、ダイシングすることで、樹脂層11付きの半導体チップ12、樹脂層13付きの半導体チップ14、樹脂層15付きの半導体チップ16、樹脂層17付きの半導体チップ18を用意してもよい。なお、本実施形態では、半導体チップ12、14、16、18は、平面視基板面側から見た場合の平面視における大きさが同一である。また、半導体チップ12,14,16、18の基板120,140,160、180の厚みは10μm以上150μm以下、より好ましくは、20μm以上、100μm以下、さらには、50μm以下で、非常に薄いものとなっている。積層体を用意する工程次に、図1Bに示すように、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14、樹脂層13、半導体チップ12、樹脂層11で構成され、樹脂層と半導体チップとが交互に積層された構造体2を用意する。はじめに、半導体チップ18に設けられた樹脂層17と、半導体チップ16の端子162が形成された面とを対向させて、半導体チップ18上に樹脂層17を介して半導体チップ16を積層する。このとき、半導体チップ18に形成されたアライメントマークと半導体チップ16に形成されたアライメントマークとを確認し位置あわせを行なう。その後、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16を加熱して、半硬化の状態Bステージの樹脂層17を介して、半導体チップ18および半導体チップ16を接着する。このとき、ヒータが内蔵された一対の挟圧部材により半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16を挟むことで、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16を加熱するとともに、前記一対の挟圧部材にて挟圧し、荷重をかけることで、半導体チップ16および半導体チップ18を接着することができる。たとえば、フリップチップボンダーを使用して、大気圧下、大気中で、樹脂層17を介して半導体チップ18および半導体チップ16を接着する。このときの加熱温度は、樹脂層17の熱硬化性樹脂が完全硬化しなければ、特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化温度未満であることが好ましい。接着後の半導体チップ18に対する半導体チップ16の位置が正確であるかどうかは、たとえば、X線顕微鏡や、赤外線顕微鏡を使用して確認することができる。次に、半導体チップ16の樹脂層15が設けられた面と、半導体チップ14の端子142が形成された面とを対向させて、半導体チップ16上に、樹脂層15を介して半導体チップ14を積層する。このとき、半導体チップ16に形成されたアライメントマークと半導体チップ14に形成されたアライメントマークとを確認し位置あわせを行なう。その後、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14を加熱して、半硬化の状態Bステージの樹脂層15を介して、半導体チップ16および半導体チップ14を接着する。このとき、ヒータが内蔵された一対の挟圧部材により半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14を挟んで加熱し、前記一対の挟圧部材にて挟圧し、荷重をかけることで、半導体チップ16および半導体チップ14を接着することができる。たとえば、フリップチップボンダーを使用して、大気圧下、大気中で半導体チップ16および半導体チップ14を接着する。このときの加熱温度は、樹脂層15の熱硬化性樹脂が完全硬化しなければ、特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化温度未満であることが好ましい。接着後の半導体チップ16に対する半導体チップ14の位置が正確であるかどうかは、たとえば、X線顕微鏡や、赤外線顕微鏡を使用して確認することができる。次に、図1Bに示すように、半導体チップ14に設けられた樹脂層13と、半導体チップ12の端子122が形成された面とを対向させて、半導体チップ14上に樹脂層13を介して半導体チップ12を積層する。このとき、半導体チップ14に形成されたアライメントマークと半導体チップ12に形成されたアライメントマークとを確認し位置あわせを行なう。その後、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14、樹脂層13、半導体チップ12を加熱して、半硬化の状態Bステージの樹脂層13を介して、半導体チップ14および半導体チップ12を接着する。このとき、ヒータが内蔵された一対の挟圧部材により半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14樹脂層13、半導体チップ12を挟んで加熱し、前記一対の挟圧部材にて挟圧し、荷重をかけることで、半導体チップ14および半導体チップ12を接着することができる。たとえば、フリップチップボンダーを使用して、大気圧下、大気中で半導体チップ14および半導体チップ12を接着する。このときの加熱温度は、樹脂層13の熱硬化性樹脂が完全硬化しなければ、特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化温度未満であることが好ましい。接着後の半導体チップ14に対する半導体チップ12の位置が正確であるかどうかは、たとえば、X線顕微鏡や、赤外線顕微鏡を使用して確認することができる。以上により構造体2が得られる。このようにして得られた構造体2において、樹脂層11,13,15,17は、半硬化状態であり、完全に硬化していない。なお、本工程では、半田層121A,141A,161A、181Aは溶融しておらず、端子181,162同士、端子161、142同士、端子141,122同士は、半田接合していない。各端子181,162、161、142、141,122は、樹脂層11,13,15、17にそれぞれ食い込んだ状態となっているが、端子181,162同士は物理的に接触していてもよく、また、端子181,162間に樹脂層17の樹脂が介在していてもよい。端子161、142同士、端子141,122同士においても、同様である。また、構造体2において、半導体チップ18、樹脂層17、半導体チップ16、樹脂層15、半導体チップ14、樹脂層13、半導体チップ12の各側面は上面から見てつらいちとなっていてもよく、また、樹脂層11,13,15、17が半導体チップ12,14,16、18側面からはみ出していてもよい。さらに、たとえば、半導体チップ18や、半導体チップ12が他の半導体チップよりも小さくてもよい。また、樹脂層11,13,15、17の厚みは、たとえば、5μm以上、100μm以下、より好ましくは10μm以上、50μm以下である。5μm以上とすることで、樹脂層が半田層を確実に被覆でき、端子181,162同士、端子161、142同士、端子141,122同士を樹脂層のフラックス活性により容易に接続させることができる。また、100μm以下とすることで、端子181,162同士、端子161、142同士、端子141,122同士を容易に接続させることができる。さらには、100μm以下とすることで樹脂層の硬化収縮による半導体チップ12,14,16、18の反りを抑制することができる。ここで、樹脂層11,13,15、17について説明する。樹脂層11,13,15、17は、それぞれ基材10と半導体チップ12との間、半導体チップ12,14間、半導体チップ14,16間、半導体チップ16,18間の隙間を埋めるためのものである。樹脂層11,13,15、17は、それぞれ熱硬化性樹脂と、フラックス活性化合物とを含むことが好ましい。熱硬化性樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、メタアクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等を用いることができる。これらは、単独または2種以上を混合して用いることができる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。樹脂層11,13,15、17における熱硬化性樹脂の含有量は、30重量量以上、70重量以下が好ましい。樹脂層11,13,15、17は、半田接合の際に、半田層や端子の表面の酸化被膜を除去する作用を有する樹脂層である。樹脂層11,13,15、17が、フラックス作用を有することにより、半田や端子の表面を覆っている酸化被膜が除去されるので、半田接合を行うことができる。樹脂層11,13,15、17がフラックス作用を有するためには、樹脂層11,13,15が、フラックス活性化合物を含有する必要がある。樹脂層11,13,15に含有されるフラックス活性化合物としては、半田接合に用いられるものであれば、特に制限されないが、カルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。樹脂層11,13,15、17中のフラックス活性化合物の配合量は、1~30重量が好ましく、3~20重量が特に好ましい。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式Iで示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。HOOC-CH2n-COOHI式I中、nは、0以上20以下の整数を表す。カルボキシル基を備えるフラックス活性化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸2,5-ジヒドロキシ安息香酸、2,6-ジヒドロキシ安息香酸、3,5-ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸、1,4-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,5-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。これらのカルボキシル基を備えるフラックス活性化合物のうち、フラックス活性化合物が有する活性度、樹脂層の硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の樹脂層の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式Iで示される化合物が好ましい。そして、前記一般式Iで示される化合物のうち、式I中のnが3~10である化合物が、硬化後の樹脂層における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。前記一般式Iで示される化合物のうち、式I中のnが3~10である化合物としては、例えば、n=3のグルタル酸HOOC-CH23-COOH、n=4のアジピン酸HOOC-CH24-COOH、n=5のピメリン酸HOOC-CH25-COOH、n=8のセバシン酸HOOC-CH28-COOH及びn=10のHOOC-CH210-COOH等が挙げられる。フェノール性水酸基を備えるフラックス活性化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、o-クレゾール、2,6-キシレノール、p-クレゾール、m-クレゾール、o-エチルフェノール、2,4-キシレノール、2,5キシレノール、m-エチルフェノール、2,3-キシレノール、メジトール、3,5-キシレノール、p-ターシャリブチルフェノール、カテコール、p-ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、p-オクチルフェノール、p-フェニルフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o-クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等が挙げられる。上述したようなカルボキシル基又はフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれる。そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、フラックス活性化合物としては、フラックス作用を有し且つエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性硬化剤が好ましい。フラックス活性硬化剤としては、例えば、1分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる2つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用還元作用を示す芳香族に直接結合した1つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性硬化剤としては、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸2,5-ジヒドロキシ安息香酸、2,6-ジヒドロキシ安息香酸、3,4-ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸等の安息香酸誘導体;1,4-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,5-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは1種単独又は2種以上を組み合わせでもよい。なかでも、端子間の接合を良好なものとするためには、フェノールフタリンを使用することが特に好ましい。また、樹脂層中、フラックス活性硬化剤の配合量は、1~30重量が好ましく、3~20重量が特に好ましい。樹脂層中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、樹脂層のフラックス活性を向上させることができるとともに、樹脂層中に、熱硬化性樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。また、樹脂層は、無機充填材を含んでいてもよい。樹脂層中に無機充填材を含有させることで、樹脂層の最低溶融粘度を高め、端子間に隙間が形成されてしまうことを抑制できる。ここで、無機充填材としては、シリカや、アルミナ等があげられる。次に、図2Aに示すように、以上のようにして得られた構造体2を基材10上に設置して、積層体3を構成する。はじめに、基材10を用意する。ここでは、基材10は、樹脂基板等の有機基板であってもよく、また、シリコン基板やセラミック基板等であってもよい。基材10には、その表面に端子接続用端子102が形成されている。端子102は、端子122と同様の構造、材料で構成される。この端子102は、半導体チップ12の端子121に接続されるものである。構造体2を反転させて、基材10の端子102と、構造体2の樹脂層11とを対向させて、基材10上に構造体2を設置する。このとき、半導体チップ18に形成されたアライメントマークと基材10に形成されたアライメントマークとを確認し位置あわせを行なう。その後、基材10および構造体2を加熱して、半硬化の状態Bステージの樹脂層11を介して、基材10および半導体チップ12を接着する。このとき、ヒータが内蔵された一対の挟圧部材により基材10および構造体2を挟んで加熱し、前記一対の挟圧部材にて挟圧し、荷重をかけることで、基材10および半導体チップ12を接着することができる。たとえば、フリップチップボンダーを使用して、大気圧下、大気中で基材10および半導体チップ12を接着する。このときの加熱温度は、樹脂層11の熱硬化性樹脂が完全硬化しなければ、特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化温度未満であることが好ましい。接着後の基材10に対する構造体2の位置が正確であるかどうかは、たとえば、X線顕微鏡や、赤外線顕微鏡を使用して確認することができる。次に、同様の作業を繰り返すことで、基材10と、複数の構造体2とを接着し、積層体3を得る。本実施形態では、基材10上には、2つの構造体2が設置される。このとき、端子102、端子121は樹脂層11に食い込んだ状態となっているが、半田接合していない。以上のようにして得られた積層体3において、樹脂層11,13,15,17は、半硬化状態であり、完全に硬化していない。半田接合工程次に、図2Bに示すように、以上の工程で得られた積層体3を加熱して、端子102、121間、端子122、141間、端子142、161間、端子162,181間の半田接合を行う。ここで、端子間が半田接合されるとは、以下のことをいう。積層体3が半田層121A,141A,161A、181Aの融点以上に加熱され、基材10および半導体チップ12間、半導体チップ12,14間、半導体チップ14,16間、半導体チップ16,18間の接合に使用される各半田層121A,141A,161A、181Aが溶融するとともに、端子101,121同士、端子122,141同士、端子142,161同士、端子162,181同士が物理的に接触し、少なくとも一部が合金を形成している状態である。ここでは、たとえば、図3に示した装置5を使用する。この装置5は、流体が導入される容器51と、この容器51内に配置された一対の熱板挟圧部材52,53とを備える。容器51は、圧力容器であり、容器51の材料としては、金属等があげられ、たとえば、ステンレス、チタン、銅である。熱板52,53は、内部にヒータを有するプレス板であり、熱板53の上方に設置された積層体3を熱板52,53で挟圧する。熱板53には、ピン54が形成されており、このピン54が板材積層体3を設置する設置部55を貫通している。この板材55は、積層体3を挟圧する際に、ピン54上を摺動して、熱板53に接触する。熱板52の温度は、熱板53の温度よりも高く設定されている。たとえば、熱板52の温度は、熱板53よりも20°C以上高く、熱板52が半田層121A,141A,161A、181Aの融点以上の温度であり、熱板53は、半田層121A,141A,161A、181Aの融点未満となっている。はじめに、あらかじめ、熱板52,53を所定の温度上述した温度まで加熱しておく。板材55を熱板53から離間させておき、板材55上に積層体3を設置する。次に、配管511を介して容器51内に流体を導入する。流体としては、気体が好ましく、たとえば、空気、不活性ガス窒素ガス、希ガス等があげられる。その後、積層体3を流体で加圧した状態を維持しながら、熱板52を積層体3に接触させる。さらに、板材55をピン54上で摺動させて、熱板52,53で積層体3を積層方向に沿って挟圧する。積層体3は、半田層121A,141A,161A、181Aの融点以上に加熱され、端子102、121間、端子122、141間、端子142、161間、端子162,181間で半田接合が行われる。熱板52,53で積層体3を挟圧することで、端子101,121間端子122、141間、端子142、161間、端子162,181間に樹脂が挟まっていた場合でも、樹脂を排除して、端子101,121同士端子122、141同士、端子142、161同士、端子162,181同士を確実に接触させることができ、安定的に半田接合することができる。流体により、積層体3を加圧する際の加圧力は、0.1MPa以上、10MPa以下が好ましく、より好ましくは0.5以上、5MPa以下である。流体により積層体3を加圧することで、樹脂層11,13,15、17内のボイド発生を抑制することができる。とくに、0.1MPa以上とすることで、この効果が顕著となる。また、10MPa以下とすることで、装置の大型化、複雑化を抑制できる。なお、流体で加圧するとは、積層体3の雰囲気の圧力を、大気圧より加圧力分だけ高くすることを指す。すなわち、加圧力10MPaとは、大気圧よりも、積層体3にかかる圧力が10MPa大きいことを示す。ここでは、積層体3を半田層121A、141A、161A、181Aの融点以上、たとえば、240°C~260°Cで10分程度加熱する。これにより、半田層121A、141A、161A、181Aを溶融させて半田接合を行うことができる。なお、半田層121A、141A、161A、181Aの融点が異なる場合には、最も融点の高い半田層の融点以上に積層体3を加熱すればよい。その後、熱板52,53を離間させて、さらに、流体を容器51から排出する。流体による積層体3への加圧を停止し、その後、積層体3を容器51から取り出す。ここで、上記半田接合工程において、樹脂層11,13,15、17が完全に硬化していない場合には、図4に示す装置6を使用して、樹脂層11,13,15、17の硬化を進めてもよい。この装置6は、装置5と同様の容器51を有し、積層体3を流体で加圧しながら、加熱して、樹脂層11,13,15の硬化を行なうものである。流体は、装置6で使用したものと同様のものが使用できる。積層体3を加熱する方法としては、配管511から、加熱した流体を容器51内に入れ、積層体3を加熱加圧する方法があげられる。また、配管511から流体を容器51内へ流入させ、加圧雰囲気下にしつつ、容器51を加熱することにより、積層体3を加熱することもできる。容器51内に積層体3を配置し、流体を導入し、積層体3を樹脂層11,13,15、17の熱硬化性樹脂の硬化温度以上に加熱して、樹脂層11,13,15、17の硬化を行なう。たとえば、180°C1時間の加熱を行なう。ここで、熱硬化性樹脂の硬化温度とは、樹脂層の硬化温度であり、たとえばDSCDifferentialScanningCalorimeter:示差走査熱量計を用い、昇温速度10°C/分で樹脂層を測定した際の発熱ピーク温度とする。なお、装置6の容器51内に複数の積層体3を入れて、樹脂層11,13,15、17の硬化を行なってもよい。このようにすることで生産性を向上させることができる。以上のようにして、基材10および半導体チップ12同士、半導体チップ12,14同士、半導体チップ14,16同士、半導体チップ16,18同士が半田接合された積層体3を得る。封止工程次に、積層体3の封止を行なう。封止の方法は、ポッティング、トランスファー成形、圧縮成形のいずれであってもよい。その後、積層体3を構造体2ごとに切断して、図5に示す半導体装置1を複数得ることができる。なお、図5において、符号19は、封止材を示し、符号10Aはダイシングされた基材10を示す。また、半導体装置1が複数の構造体2を有する場合には、半導体装置1の単位ごとに切断すればよい。なお、切断には、ダイシングブレード、レーザ、ルーター等を使用することができる。以上のような本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。本実施形態では、基材10、樹脂層11、半導体チップ12、樹脂層13、半導体チップ14、樹脂層15、半導体チップ16、樹脂層17、半導体チップ18をこの順で積層して積層体3を得た後、積層体3全体を加熱して半田接合を行うため、従来に比べて、各半導体チップ12,14,16にかかる熱ダメージを低減させることができる。したがって、半導体装置1の信頼性を向上させることができる。また、基材10、樹脂層11、半導体チップ12、樹脂層13、半導体チップ14、樹脂層15、半導体チップ16、樹脂層17、半導体チップ18をこの順で積層して積層体3を得た後、積層体3全体を加熱して、端子102、121同士、端子122、141同士、端子142、161同士、端子162,181同士間の半田接合を同時に行っている。そのため、半導体部品同士ごとに半田接合を逐次行いながら、複数の半導体部品を積層する場合に比べ、半田接合時の生産性を向上させることができる。なお、本実施形態では、構造体2を得る際に、樹脂層付き半導体チップを積層するごとに、加熱しているが、この際の加熱は、樹脂層により半導体チップ同士を接着するための加熱である。したがって、加熱時間は比較的短く、加熱温度も低くてすむため、構造体2を得る工程を実施しても、従来の製造方法に比べ、生産性を向上させることができる。さらに、本実施形態では、積層体3を挟圧して、半田接合している。従来は、半導体チップを積層するごとに、挟圧し、半田接合していたため、下層の半導体チップは、複数回、挟圧されることとなり、ダメージをうけやすい。これに対し、本実施形態では、基材10、樹脂層11、半導体チップ12、樹脂層13、半導体チップ14、樹脂層15、半導体チップ16、樹脂層17、半導体チップ18をこの順で積層して積層体3を得た後、積層体3を挟圧して、半田接合を行なっている。半田接合時に、複数回挟圧されてしまうことが防止され、半導体チップ12,14、16へのダメージが低減される。さらに、本実施形態では、積層体3の端子102、121同士、端子122、141同士、端子142、161同士、端子162,181同士を半田接合する際に、積層体3を流体により加圧し、加熱している。積層体3が流体で加圧されることで、積層体3の樹脂層11,13,15、17でボイドが発生してしまうことを防止できる。また、積層体3が流体で加圧されることで、積層体3の樹脂層11,13,15、17中にあるボイドが加圧されて小さくなる。以上のことから、ボイドにより端子同士が位置ずれしてしまうことを防止できる。また、樹脂層11,13,15、17がボイドにより押し出されてしまい、装置5が汚れてしまうことが防止できる。積層体3を用意する工程において、樹脂層付きの半導体チップを積層する際に、大気圧下で実施すると、たとえば、樹脂層17と半導体チップ16との界面に気体が入り、樹脂層17中にボイドが形成されることとなる。しかしながら、前述したように、半田接合する際に、ボイドを小さくすることができるので、積層体3を用意する工程を真空下等で実施する必要がなく、大気圧下で実施できるので、半導体装置1の製造効率を高めることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。なお、前述したように、従来技術においては、半導体チップ上に半導体チップを積層するたびに、半導体チップ同士を半田接合していた。半田接合の際に、流体による加圧を行なおうとすると、半導体チップ上に他の半導体チップ積層し、その後、半導体チップの積層体を装置5の容器51内に入れ、半田接合を行う。さらに、装置5から、半導体チップの積層体を取り出し、その後、さらに他の半導体チップを積層するという作業が必要となり、半導体チップの積層体の装置5への出し入れを繰り返すこととなる。したがって、非常に手間がかかることとなるので、流体により半導体チップを加圧しながら、半田接合することは難しかった。これに対し、本実施形態では、あらかじめ基材10,半導体チップ12,14,16、18を積層した積層体3を形成し、この積層体3全体を加熱することで、端子102、121同士、端子122、141同士、端子142、161同士、端子162,181同士を一度に半田接合しているので、流体雰囲気下で加圧しながら半田接合ができる。本実施形態では、装置5を使用して積層体3の端子102、121同士、端子122、141同士、端子142、161同士、端子162,181同士の半田接合をしている。ここで、積層体3が設置される板材55は、一対の熱板52,53から離間して配置されている。これにより、積層体3には、熱板52,53からの熱が加わりにくくなる。そのため、積層体3を装置5内に設置した後、積層体3を流体により所定の加圧力で加圧するまでの間に、積層体3の樹脂層11,13,15、17が軟化し、樹脂層11,13,15、17中のボイドが大きくなってしまうことが防止される。また、熱板53の温度を、熱板52よりも低くしておくことで、積層体3を装置5内に設置した後、積層体3を流体により所定の加圧力で加圧するまでの間に、積層体3の樹脂層11,13,15、17が軟化し、樹脂層11,13,15、17中のボイドが大きくなってしまうことが防止される。一方で、熱板52の温度を、熱板53よりも高くしておくことで、積層体3を挟圧した後、積層体3を所定の温度まで比較的短時間で昇温させることができる。なお、板材55が熱板52に近接して配置されている場合には、熱板52の温度を、熱板53の温度よりも低く設定してもよい。また、本実施形態では、積層体3を用意する工程で、半導体チップ18、16同士を半硬化の状態の樹脂層17を介して接着している。同様に、半導体チップ16,14を半硬化の状態の樹脂層15を介して接着し、半導体チップ14,12同士を半硬化の状態の樹脂層13を介して接着している。このように、半導体チップ同士が接着されているため、構造体2を基材10と接着する場合において、半導体チップ同士が位置ずれしてしまうことを防止できる。なお、半導体チップ18,16を半硬化の状態の樹脂層17を介して接着する際、半導体チップ14,16を半硬化の状態の樹脂層15を介して接着する際および半導体チップ12,14を半硬化の状態の樹脂層13を介して接着する際には、半導体チップ12,14、16に複数回、熱がかかるが、半硬化状態の樹脂層により半導体チップ同士を接着するための加熱であるため、加熱温度も比較的低く設定でき、また、たとえ加熱温度を高くしても加熱時間が比較的短くてすむ。したがって、半導体チップ12,14、16への熱の影響は非常に少ないと考えられる。さらに、本実施形態では、構造体2を構成する前段で、半導体チップ12に樹脂層11を設けている。同様に、半導体チップ14に樹脂層13を設け、半導体チップ16に樹脂層15を設け、半導体チップ18に樹脂層17を設けている。半導体チップ12、14,16、18はいずれもTSV構造であり、非常に厚みが薄いため、樹脂層11,13,15、17をそれぞれ設けることで、半導体チップ12、14,16、18の反り発生を防止し、取り扱い性に優れたものとすることができる。また、本実施形態では、基材10に複数の構造体2を半田接合させた後、封止を行い、その後、切断している。これにより、半導体装置1の生産性を向上させることができる。第二実施形態図6および図7を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。前記実施形態では、基材10上に複数の構造体2を設置して積層体3を構成した後、複数の構造体2中の端子間の半田接合、複数の構造体2と基材10との半田接合を同時に行った。これに対し、本実施形態では、基材10上に構造体2を一つ積層して積層体を構成した後、一つの構造体2および基材10を加熱して構造体2中の端子間の半田接合、構造体2と基材10との半田接合を行う。次に、再度、基材10上に他の構造体2を積層し、他の構造体2および基材10を加熱して他の構造体2中の端子間の半田接合、他の構造体2と基材10との半田接合を行う。以下に、より詳細に説明する。はじめに、前記実施形態と同様の方法で、複数の構造体2を用意する。次に、前記実施形態と同様の方法で、図6に示すように、基材10の端子102と、構造体2の樹脂層11とを対向させて、基材10上に構造体2を設置する。このとき、半導体チップ18に形成されたアライメントマークと基材10に形成されたアライメントマークとを確認し位置あわせを行なう。なお、この状態では、基材10は、樹脂層11を介して構造体2とは接着していない。その後、基材10および構造体2を半田層121A、141A,161A、181Aの融点以上に加熱して、半田接合を行う。より具体的には、ヒータが内蔵された一対の挟圧部材により基材10および構造体2を挟んで加熱し、前記一対の挟圧部材71,72にて挟圧し、荷重をかけることで、半田接合することができる。たとえば、フリップチップボンダーを使用して、大気圧下、大気中で端子102,121間、端子122,141間、端子142,161間、端子162,181間の半田接合を行う。次に、同様の方法で、2つ目の構造体2を基材10上に設置し、端子122,141間、端子142,161間、端子162,181間の半田接合を行う。これにより、端子同士が半田接合された積層体が構成される。その後、図4に示した装置6を使用して、前記実施形態と同様の方法で、樹脂層11,13,15、17の硬化を進める。これにより、図7に示す積層体3となる。その後の工程は、前記実施形態と同様である。このような本実施形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。本実施形態では、あらかじめ基材10と構造体2との間に配置される樹脂層11の硬化を進める工程を実施せずに、半田接合しているので、生産性を向上させることができる。なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。たとえば、前記各実施形態では、構造体2は樹脂層11を備えるものであったが、これに限らず、構造体は樹脂層11を含まなくてもよい。構造体を樹脂層11を含まないものとし、基材10と構造体とを半田接合し、その後、封止すると同時に、基材10および構造体間にアンダーフィルを充填してもよい。この場合には、いわゆるモールドアンダーフィル材を使用し、たとえば、特開2003-12773号公報、特開2003-277585号公報に開示された材料を使用すればよい。また、第二実施形態では、基材10および構造体2から構成される積層体3中の端子間の半田接合を行った後、封止工程の前段で積層体3の樹脂層11,13,15,17を硬化させたが、この硬化工程を実施しなくてもよい。たとえば、封止を行なう際に、樹脂層11,13,15、17を完全に硬化させてもよい。さらに、前記各実施形態では、樹脂層17を半導体チップ18側に設け、樹脂層17付きの半導体チップ18を用意したが、これに限られるものではない。たとえば、図8に示すように、半導体チップ18および半導体チップ16それぞれに樹脂層17A,17Bを設け、樹脂層17A,17Bにより、樹脂層17を構成してもよい。樹脂層1315、11も、同様の構成としてもよい。また、樹脂層17を半導体チップ16側に設け、樹脂層15を半導体チップ14側に設け、樹脂層13を半導体チップ12側に設けてもよい。また、前記各実施形態では、半導体チップ12,14,16、18を積層して構造体2を構成したが、これに限られるものではない。たとえば、半導体部品として、複数の半導体チップが作りこまれたウェハあるいはブロック体を用意し、これらを積層して半導体部品間が半田接合されていない状態の構造体2を用意する。その後、前記実施形態と同様にして、この構造体を基材上に設置し、積層体中の端子間の半田接合を行った後、積層体を切断してもよい。また、前記各実施形態では、半導体チップを4つ有する半導体装置1を製造したが、これに限られるものではない。半導体チップは、すくなくとも2以上あればよい。さらに、前記各実施形態では、端子121,141,161、181が半田層121A、141A、161A、181Aを有していたが、これに限られず、端子122,142,162が表面に半田層を有するものであってもよい。また、端子102、121,141,161、181、端子122,142,162のすべてが表面に半田層を有していてもよい。"