"低誘電材料薄膜の製造方法であって、基板をプラズマ生成反応システム中に入れる工程と、キャリアガスを前記プラズマ生成反応システム中に導入し、前記キャリアガスがフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運び、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を前記基板上に形成する工程と、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、前記低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とする工程と、を含み、そのうち前記低誘電材料薄膜の炭素含量が10から50の間であり、フッ素含量が10から40の間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、前記基板を入れる工程において、前記プラズマ生成反応システムの温度が100°Cから300°Cの間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、前記キャリアガス導入の工程において、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の温度が50°Cから100°Cの間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を転化させる工程において、さらに、アニールガスを導入し、その流量が01sccmから10000sccmの間である工程と、300°Cから550°Cの間に加熱し、前記低誘電材料薄膜に高比率のフルオロカーボン比を維持させる工程と、を含むことを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項4に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、そのうち、前記アニールガスが、窒素、水素、酸素、アンモニア、フッ化アンモニウム、シラン蒸気、ヘリウムガス、アルゴンガスから構成される群からいずれかが選択されることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、前記キャリアガス導入の工程において、前記キャリアガスの気体流量範囲が01sccmから10000sccmの間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、そのうち、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の化学式が、CxHyFzであり、xが5から20の間、zが3から15の間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項7に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、そのうち、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体がR1SiOR2OR3OR4、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチル-トリエトキシシランTridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-triethoxysilane、TDF-TEOS及びトリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシランTrimethoxy3,3,3-trifluoropropylsilaneであり、かつR1がフッ化アルキル基、フッ化アルケニル基、フッ化アルキニル基、フッ化アリール基のいずれかであり、R2、R3、R4がアルキル基、メチル基、エチル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基のいずれかであることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。請求項1に記載の低誘電材料薄膜の製造方法であって、そのうち、前記低誘電材料薄膜の誘電率が22から28の間であることを特徴とする、低誘電材料薄膜の製造方法。低誘電材料であって、主にフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素であり、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を熱処理して形成され、前記低誘電材料の炭素含量が10から50の間であり、フッ素含量が10から40の間であり、かつ誘電率が22から28の間であることを特徴とする、低誘電材料。請求項10に記載の低誘電材料であって、そのうち、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の化学式がCxHyFzであり、xが5から20の間、zが3から15の間であることを特徴とする、低誘電材料。請求項11に記載の低誘電材料であって、そのうち、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が、R1SiOR2OR3OR4、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチル-トリエトキシシランTridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-triethoxysilane、TDF-TEOS及びトリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシランTrimethoxy3,3,3-trifluoropropylsilaneを含み、R1がフッ化アルキル基、フッ化アルケニル基、フッ化アルキニル基、フッ化アリール基のいずれかであり、R2、R3、R4がアルキル基、メチル基、エチル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基のいずれかであることを特徴とする、低誘電材料。本発明の主な目的は、単一種のフルオロカーボンを含む二酸化前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積でき、且つ製造された低誘電材料薄膜は大量のフルオロカーボン長鎖を含有し、低誘電材料の耐熱性と耐水性を向上し、超大規模集積回路プロセス中の低誘電プロセスに応用することができる、低誘電材料薄膜の製造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、単一種のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有するフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を製造でき、超大規模集積回路プロセス中の低誘電プロセスに応用することができる、低誘電材料を提供することにある。上述の主な目的を達するため、本発明が提示する低誘電材料薄膜の製造方法は、基板をプラズマ生成反応システム中に入れる、キャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、キャリアガスがフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運び、かつ基板上にフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を形成する、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、低誘電材料薄膜の応力を除去してより緊密な構造とする、という工程を含む。そのうち、低誘電材料薄膜の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間である。上述の別の目的を達するため、本発明の提示する低誘電材料は、主に、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素であり、単一種のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を熱処理後、形成される。前記低誘電材料の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間であり、かつ誘電率は22から28の間である。本発明のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の化学式は、CxHyFzであり、xが5から20の間、zが3から15の間であり、かつフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体は、R1SiOR2OR3OR4、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチル-トリエトキシシランTridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-triethoxysilane、TDF-TEOS及びトリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシランTrimethoxy3,3,3-trifluoropropylsilaneを含み、そのうち、R1はフッ化アルキル基、フッ化アルケニル基、フッ化アルキニル基、フッ化アリール基のいずれかであり、R2、R3、R4は、アルキル基、メチル基、エチル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基のいずれかである。上述をまとめると、本発明の開示する低誘電材料とその薄膜の製造方法には、次のような効果がある。低温条件下で、フルオロカーボン長鎖を含む有機酸化ケイ素材料を沈積して大量のフルオロカーボンを含有するフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を形成できる。単一種のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体だけを使用して大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を形成できる。熱処理プロセスで処理後、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造を得て、薄膜の機械強度を高める効果が得られる。本発明の上述及びその他の目的、特徴、利点をよりはっきりと示すため、以下、最良の実施例をいくつか挙げ、図面を組み合わせて詳細に説明する。本発明は異なる形式の実施例として表現可能であるが、図面に示すもの及び以下の説明で述べるものは、本発明の最良の実施例であり、本文で開示するものは本発明の一範例であって、本発明を図面及びまたは説明する特定の実施例に限定することを意図していないと理解されるべきである。本発明の沈積フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料を沈積するために用いる沈積システムは、原子層成長法と化学気相成長法のいずれかとすることができる。図1に、本発明の低誘電材料薄膜の製造方法のフローチャートを示す。本発明の方法は次の工程を含む。工程100:基板を入れる。本工程では、基板をプラズマ生成反応システム中に入れる。前記基板は、シリコン、二酸化ケイ素、金属、ヒ化ガリウム、プリント配線板Printedcircuitboard、サファイア、金属窒化物のいずれかとする。しかしながら、超大規模集積回路プロセス中に応用する低誘電材料の場合、前記基板はシリコン基版を最良とする。このほか、前記プラズマ生成反応システムは、基板の積載に供することができる任意の真空めっきシステムとすることができ、例えば、化学気相成長法、PECVD、ECRCVD、原子層成長法atomlayerdeposition、略称ALD等の気相成長が可能なシステムの使用が最良である。そのうち、本発明のプロセスにおける化学気相成長法の運用を次に述べる。ガスまたは気相源材料を反応チャンバ内に導入し、気相源材料が拡散して境界層を通過して基板表面に接触すると、吸着方式によって基板表面上を被覆する。続いて、吸着した気相源材料が基板表面上で移動し、かつ基板表面上で化学反応を開始する。最後に、固体産物が基板表面上で核を形成し、かつ核が成長してアイランドを形成して、アイランドが合体して連続した薄膜となる。原子層成長法のプロセスは次のとおりである。プロセスガスを利用して材料表面と化学吸着反応を行い、反応には自己制限self-limited特性があるため、毎回の吸気サイクルの過程で、厚さが一層の原子のみの薄膜を形成し、この特性によってめっき膜厚の制御精度を原子レベル約十分の一ナノメートルの尺度にすることができる。従来の薄膜プロセスと比較して、原子層成長法の技術で形成した薄膜の成長過程は材料表面のみに限られ、薄膜に高い段差被覆性及び極めて良好な厚さの均一性を持たせることができる。最良の実施例において、本発明のプラズマ生成反応システムは、プラズマ化学気相成長システムで、プロセス中その出力は3Wから1000Wの間であり、かつ基板を入れるとき、プラズマ生成反応システムの温度は100°Cから300°Cの間であり、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が重合して低誘電材料薄膜を形成するために必要な時間を短縮するために用いる。工程200:キャリアガスを導入する。本工程は、キャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、キャリアガスはフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運び、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を基板上に形成するために用いられる。キャリアガスは反応に参与する還元性ガスと反応に参与しない不活性ガスのいずれかを選択することができる。キャリアガスが反応に参与する還元性ガスである場合、シラン蒸気、酸素、空気、酸化水素のいずれかから選択する。キャリアガスが反応に参与しない不活性ガスである場合、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスのいずれかから選択する。フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の化学式はCxHyFzであり、xは5から20の間、zは3から15の間である。よりはっきり説明すると、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素化合物前駆体は、R1SiOR2OR3OR4、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチル-トリエトキシシランTridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-triethoxysilane、TDF-TEOS及びトリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシランTrimethoxy3,3,3-trifluoropropylsilaneから組成され、そのうち、R1はフッ化アルキル基、フッ化アルケニル基、フッ化アルキニル基、フッ化アリール基のいずれか、R2、R3、R4はアルキル基、フッ化アルキル基、フッ化アリール基、フッ化アルケニル基、フッ化アルキニル基のいずれかである。最良の実施例において、キャリアガスを導入するとき、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体は50°Cから100°C間の温度で加熱され、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体により安定した蒸気圧を持たせ、かつキャリアガスのガス流量範囲は01sccmから10000sccmの間であり、水蒸気透過率を効果的に低下させるために用いることができ、かつフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の飽和蒸気圧は30トールから80トールの間である。キャリアガスを導入する時間は05時間から15小時の間である。工程300:熱処理を行う。本工程は熱処理によりフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体をフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜に転化させ、低誘電材料薄膜の応力を除去してより緊密な構造とする。そのうちフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間である。前記熱処理は、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の温度を上げる、または前駆体に別途エネルギーを供給することを含む。前記別途のエネルギーは、磁場またはその他の光源から取得することができ、例えば、プラズマ生成反応システム中に別途追加設置した赤外線またはレーザーシステムとしてもよい。最良の実施例において、熱処理で形成したフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間である。図2に本発明の低誘電材料薄膜のアニールプロセスのフローチャートを示す。次の工程を含む。工程310:アニールガスを導入する。本工程で導入するアニールガスの流量は、01sccmから10000sccmの間であり、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜と反応させるために用いられる。そのうち、アニールガスは、窒素、水素、酸素、アンモニア、フッ化アンモニウム、シラン蒸気、ヘリウムガス、アルゴンガスから構成される群のいずれかである。工程320:アニール温度まで加熱する。本工程では、温度を300°Cから550°Cの間まで加熱し、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体に対して熱処理を行い、転化に必要な時間を短縮すると共に、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜に高比率のフルオロカーボン比を維持させる。最良の実施例において、まず基板をプラズマ生成反応システム中に入れ、ターボ分子ポンプでチャンバを背景圧力まで排気する。そのうち、沈積システムの背景圧力は2×104から2×106トールの間であり、最良の背景圧力は2×105トールである。背景圧力まで排気後、基板を175°Cまで加熱する。ここで、蒸発器内にフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が入れられ、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体は50°Cから100°Cの間まで加熱する必要があり、最良の温度は80°Cであることに注意する。加熱の過程において、蒸発器内でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の飽和蒸気圧は50トールに維持する。実施例1において、使用するキャリアガスはアルゴンガスであり、かつ流量は14sccmに制御され、プラズマ生成反応システムの出力は500Wから1000Wの間に調整される。基板の温度は175°C、プラズマ生成反応システムの出力は3Wである。プラズマ生成反応システムの出力が3W以上に制御されると、気体が励起されてプラズマが形成される。プラズマが安定した後、前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体のキャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入する。プラズマ解離と熱処理を経た後、基板表面上にフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積することができる。そのうち、最良の沈積時間は1時間である。フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の沈積過程において、酸素を導入し、02sccm、04sccm、06sccm、08sccm、10sccmの異なる酸素流量の環境下で沈積を行い、酸素の最良の流量は04sccmから06sccmの間である。図3に熱処理プロセスを経ていない低誘電材料薄膜のフーリエ変換赤外線分光光度計スペクトルを示す。そのうち、気体-酸素流量はそれぞれa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmである。図3において、波数450、810、1070cm1箇所にSi-Oの横揺れrocking、曲げbending、伸縮stretching振動吸収ピークがそれぞれ見られる。波数1100から1210cm1の位置にフルオロカーボン鎖C-Fxの結合吸収ピークがあり、また940cm1箇所にSi-Fxの結合吸収ピークがある。これら2つの結合の出現は、薄膜が確実にフッ化ケイ素/フルオロカーボンの結合を備えていることを表す。薄膜は低酸素流量下で、波数2930、2955、1690cm1にC-H2、C-H3、C=O結合の吸収ピークが出現するが、酸素流量の増加に伴い、その吸収ピークが小さくなる傾向があり、即ち、酸素の添加量が膜成長過程でフルオロカーボン、炭素水素結合とC=O結合の反応完了を促進することを表し、C=O結合の出現は薄膜中の有機成分と酸素反応が不完全なための残留を意味する。図4にアニールガス未導入時の低誘電材料薄膜のフッ素、炭素、酸素、珪素成分の比率を示す。アニールガス未導入時の薄膜は、X線光電子分光の積分により薄膜中のSi、O、C、Fの原子比率の酸素添加量に対する関係図を計算する。図5にアニールガス未導入時の低誘電材料薄膜のX線光電子分光分光図を示す。アニールガス未導入時の薄膜の1s分光図及びピーク分布結果は図5から分かり、かつ気体-酸素流量はそれぞれa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmである。図6にアニールガス未導入時の低誘電材料薄膜のX線分光図及び成分比率図を示す。異なる流量の気体-酸素を前記プラズマ生成反応システム中に導入することで、炭素元素の1s軌道、その各成分のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜中における比率変化の状況が分かる。アニールガス未導入時、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜は上述の分析図からかなり大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の成分であることがはっきりと分かる。最後に、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が形成した低誘電材料薄膜をアニールガス中に置き、アニールプロセスを行う。アニールガス導入の過程において、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が形成した低誘電材料薄膜を300°Cから500°Cの間で加熱し、同時にキャリアガス導入を停止する。図7に本発明の低誘電材料薄膜のアニールプロセス後のフーリエ変換赤外線分光光度計スペクトルを示す。異なる気体-酸素によりa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmの流量下でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積した。フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜のアニールプロセスは、200sccmの窒素を導入し、かつ400°Cのアニール温度で1時間アニールする。そのうち、アニール時間は05時間から15時間の間が最良である。図8に本発明の低誘電材料薄膜のアニールプロセス後のフッ素、炭素、酸素、珪素の成分割合図を示す。異なる流量の気体-酸素をプラズマ生成反応システム中に導入し、熱処理プロセスを経た後、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜はX線光電子分光分光図の積分によりSi、O、C、Fの比率と酸素添加量の関係図を計算することができる。フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜は熱処理プロセス後、やはりかなり大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の成分であることが分かる。明らかに、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間である。実施例2のプロセスパラメータはほぼ実施例1と相似しているが、主にプラズマ生成反応システムの出力が6Wであることが異なり、希釈気体-酸素流量がそれぞれa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmであり、かつフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の沈積時、基板の温度が175°Cである。希釈気体-酸素流量の前記フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜中の各炭素結合に対する関係を表1に示すアニールプロセスを経ていない。実施例3のプロセスパラメータはほぼ実施例1と相似しているが、主にプラズマ生成反応システムの出力が30Wであることが異なり、希釈気体-酸素流量がそれぞれa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmであり、かつフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の沈積時、基板の温度が175°Cである。希釈気体-酸素流量のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜中の各炭素結合に対する関係を表2に示すアニールプロセスを経ていない。実施例4のプロセスパラメータはほぼ実施例1と相似しており、希釈気体-酸素流量がそれぞれa02sccm、b04sccm、c06sccm、d1sccmであり、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体の沈積時、基板の温度が175°Cであり、主にプラズマ生成反応システムの出力が6Wであることが異なる。アニールプロセスのフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜中の各組成変化に対する関係を表3に示す。実施例4のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜のアニールプロセス条件は、窒素をアニールガスとして使用し、アニール温度が400°C、アニール時間が1時間であることに注意する。明らかに、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の炭素含量は10から50の間であり、フッ素含量は10から40の間であることが分かる。上述をまとめると、本発明の低誘電材料薄膜の製造方法は次の効果がある。低温条件下で、フルオロカーボン長鎖を含む有機酸化ケイ素材料から大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素前駆体を沈積できる。単一種のフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体のみを使用して大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積できる。熱処理プロセス処理を経た後、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とすることができ、薄膜の機械強度を高める効果を達する。本発明は前述のように最良の実施例に基づいて開示したが、上述の説明は本発明を限定せず、当業者であれば本発明の要旨と範囲を逸脱せずに、各種の変更や修正が可能である。上述の説明は、各形式の修正と変化が可能であり、それらは本発明の要旨を破壊しない。したがって、本発明の保護範囲は後付の特許請求の範囲に準じる。"