"透明基板と、前記透明基板に対面しており、前記透明基板を介して入射する入射光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、前記透明基板と前記固体撮像素子との間に設けられており、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層とを有し、前記透明基板は、前記固体撮像素子に対面するように配置され、前記接着層によって前記固体撮像素子に接着されている、第1透明基板と、前記第1透明基板において前記固体撮像素子に対面する面に対して反対側の面に設けられた遮光層と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように配置された第2透明基板とを含み、前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている、固体撮像装置。前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面のうち、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に対応する部分に形成されている、請求項1に記載の固体撮像装置。前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面であって、前記周辺領域に対応する部分のうち、前記画素領域に近い内側部分に形成されておらず、前記画素領域から離れた外側部分に形成されている、請求項2に記載の固体撮像装置。前記遮光層にて前記画素領域PAに近い端部から傾斜して入射する光が、前記第1透明基板の側面で反射したときに、前記画素領域に入射せずに前記周辺領域に入射するように、前記遮光層が形成されている、請求項3に記載の固体撮像装置。下記の式Aを満たすように形成されている、W3=0.5T1tanθA請求項4に記載の固体撮像装置。式Aにおいて、θは、前記遮光層において前記画素領域に近い端部から傾斜して入射する光が、第1透明基板を進行するときの傾斜角度である。T1は、前記第1透明基板の厚みである。W3は、前記遮光層の幅である。前記第2透明基板は、前記第1透明基板よりも厚みが薄い、請求項5に記載の固体撮像装置。前記透明基板は、前記第1透明基板の厚みと、前記第1透明基板以外の厚みとが、2:1の関係にある、請求項6に記載の固体撮像装置。前記透明基板は、前記固体撮像素子に設けられた周辺領域の幅よりも、厚みが厚い、請求項7に記載の固体撮像装置。前記第2透明基板は、前記第1透明基板と線膨張係数が同じである、請求項8に記載の固体撮像装置。前記固体撮像素子において前記透明基板に対面する面に対して反対の面に配置されている半導体チップを有する、請求項9に記載の固体撮像装置。前記透明基板は、前記第1透明基板において前記固体撮像素子に対面する面に設けられた遮光層を、さらに含む、請求項10に記載の固体撮像装置。前記接着層は、前記透明基板と前記固体撮像素子とが対面する面の全面に設けられている、請求項1から11のいずれかに記載の固体撮像装置。透明基板を形成する透明基板形成工程と、光を受光する画素を半導体基板の画素領域に複数設けることで固体撮像素子を形成する、固体撮像素子形成工程と、前記透明基板を介して入射する光を前記画素が受光するように前記透明基板と前記固体撮像素子とを対面させた間に接着層を設けることによって、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせる、貼り合わせ工程とを有し、前記透明基板形成工程は、第1透明基板の面に遮光層を形成する程と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように第2透明基板を配置する工程とを含み、前記遮光層を形成する工程においては、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において周辺に位置する部分に、前記遮光層を設け、前記貼り合わせ工程においては、前記第1透明基板を前記固体撮像素子に対面するように配置し前記接着層を設けることで、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせる、固体撮像装置の製造方法。前記透明基板と前記固体撮像素子とが貼り合わされた状態のものについてダイシング加工を実施する、ダイシング加工工程を有する、請求項13に記載の固体撮像装置の製造方法。透明基板と、前記透明基板に対面しており、前記透明基板を介して入射する入射光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、前記透明基板と前記固体撮像素子との間に設けられており、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層とを有し、前記透明基板は、前記固体撮像素子に対面するように配置され、前記接着層によって前記固体撮像素子に接着されている、第1透明基板と、前記第1透明基板において前記固体撮像素子に対面する面に対して反対側の面に設けられた遮光層と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように配置された第2透明基板とを含み、前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている、電子機器。図13は、固体撮像装置の一例を示す断面図である。固体撮像装置は、図13に示すように、センサ素子100を含む。センサ素子100は、一方の面にガラス基板301が対面するように配置されており、この対面する面の中央部分には、空洞なキャビティ部600が設けられている。そして、センサ素子100とガラス基板301とにおいて対面する面の周辺部分に、接着層501が設けられており、この接着層501によって両者が貼り合わされている。そして、センサ素子100の他方の面には、バンプ402が設けられている。センサ素子100は、ガラス基板301と対面する面に画素領域PAと周辺領域SAとが設けられている。画素領域PAには複数の画素図示無しが配列されており、画素のそれぞれにマイクロレンズMLが設けられている。そして、画素領域PAにおいては、上方からガラス基板301とキャビティ部600とを介して入射する入射光Hを、画素が受光し電気信号として出力する。周辺領域SAは、画素領域PAの周囲に位置している。この周辺領域SAにおいては、周辺回路図示無しが設けられている。画素領域PAの中心部分においては、外付けの光学系図示無しを介して入射する入射光の角度が、画素領域PAに対して、ほぼ垂直であるのに対して、図13に示すように、画素領域PAの周辺部分においては、入射光Hは、傾斜して入射する。この入射光Hは、ガラス基板301の上面に入射後、ガラス基板301の内部を進行し、そのガラス基板301の側面で反射する。そして、その反射した入射光Hは、センサ素子100へ向かう。図13の場合には、周辺回路が設けられた周辺領域SAに入射する。図14は、固体撮像装置の他の一例を示す断面図である。図14に示すように、固体撮像装置は、上記と異なり、ロジック回路素子200を含む。図14に示すように、センサ素子100とガラス基板301は、上記と同様に、対面するように配置されている。ここでは、図14に示すように、図13と異なり、センサ素子100とガラス基板301とにおいて対面する面の中央部分には、キャビティ部600が設けられていない。そして、センサ素子100とガラス基板300とにおいて対面する面の全体に接着層501が設けられており、この接着層501によって、センサ素子100とガラス基板301とが貼り合わされている。接着層501は、図13と異なり、全面に設けられている。そして、図14に示すように、センサ素子100とロジック回路素子200とが対面して配置されており、両者が接合されている。そして、ロジック回路素子200において、センサ素子100が設けられた面とは反対の面下面には、バンプ402が設けられている。図14に示すように、センサ素子100は、画素領域PAと、周辺領域SAとが設けられているが、図13と異なり、周辺領域SAにおいては、周辺回路図示無しの一部または全部が設けられていない。周辺回路図示無しの一部または全部は、ロジック回路素子200に設けられている。このため、バンプ402と電気的に接続させるためのビアホール図示無しを、ロジック回路素子200において、画素領域PAに対応する部分に形成できる。よって、図14に示す場合には、図13の場合よりも、画素領域PAの幅W1を広く、周辺領域SAの幅W2を狭くすることが可能である。したがって、図14に示すように、複数の機能が異なる半導体チップで構成される固体撮像装置は、小型化が可能であって、ウエハ当たりに製造可能なセンサ素子100の数を増加させることが可能であるので、製造効率の向上を実現可能である。この図14の場合において、画素領域PAの周辺部分で傾斜して入射する入射光Hは、図13の場合と同様に、ガラス基板301の上面に入射後、ガラス基板301の内部を進行し、そのガラス基板301の側面で反射する。そして、その反射した入射光Hは、センサ素子100へ向かう。このとき、図14の場合には、周辺領域の幅W2が狭いので、図13の場合と異なり、画素領域PAに入射する。このため、このガラス基板301の側面の反射による入射光Hによって、撮像画像にフレアなどのノイズが発生する場合がある。このような不具合の発生を防止するために、上記したように、ガラス基板に遮光パターンを形成することが提案されている。図15は、固体撮像装置において、ガラス基板に遮光パターンを設けた場合の一例を示す断面図である。図15に示すように、ガラス基板301において入射光Hが入射する上面において、周辺に位置する部分に、遮光層311Jを設ける。遮光層311Jは、ガラス基板301の上面において画素領域PAに対応する部分を被覆せず、周辺領域SAに対応する部分を被覆するように形成される。この場合には、画素領域PAの周辺部分で傾斜して入射する入射光Hは、図15に示すように、遮光層311Jで遮光される。このため、ガラス基板301の内部を進行せずに、ガラス基板301の側面で反射されないので、上記の不具合の発生を防止できる。しかしながら、周辺領域SAの幅W2を更に狭くする場合には、図14の場合と同様に、周辺領域SAに入射した光が、反射によって、画素領域PAへ入射する場合があるので、撮像画像にフレアなどのノイズが発生する場合がある。各図からわかる様に、ガラス基板301の厚みTを薄くすることで、ガラス基板301の側面へ入射光Hが侵入することを防止することができる。しかし、ガラス基板301は、固体撮像装置の機械的強度を保つために補強するサポート基板としても機能させる必要があるので、薄膜化が困難な場合がある。この他に、ガラス基板301の上面に遮光層311Jを形成した場合には、遮光層311Jが露出された状態であるために、傷が発生する場合がある。このように、固体撮像装置においては、フレアなどのノイズの発生よって撮像画像の画像品質が低下する場合がある。また、遮光層311Jに傷が発生することに伴って、製造歩留まりが低下し、製造効率の向上や、コストダウンの実現が困難な場合がある。したがって、本発明は、撮像画像の画像品質の向上、製造効率の向上、コストダウンなどを実現可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。本発明の固体撮像装置は、透明基板と、前記透明基板に対面しており、前記透明基板を介して入射する入射光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、前記透明基板と前記固体撮像素子との間に設けられており、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層とを有し、前記透明基板は、前記固体撮像素子に対面するように配置され、前記接着層によって前記固体撮像素子に接着されている、第1透明基板と、前記第1透明基板において前記固体撮像素子に対面する面に対して反対側の面に設けられた遮光層と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように配置された第2透明基板とを含み、前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている。本発明の固体撮像装置の製造方法は、透明基板を形成する透明基板形成工程と、光を受光する画素を半導体基板の画素領域に複数設けることで固体撮像素子を形成する、固体撮像素子形成工程と、前記透明基板を介して入射する光を前記画素が受光するように前記透明基板と前記固体撮像素子とを対面させた間に接着層を設けることによって、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせる、貼り合わせ工程とを有し、前記透明基板形成工程は、第1透明基板の面に遮光層を形成する程と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように第2透明基板を配置する工程とを含み、前記遮光層を形成する工程においては、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において周辺に位置する部分に、前記遮光層を設け、前記貼り合わせ工程においては、前記第1透明基板を前記固体撮像素子に対面するように配置し前記接着層を設けることで、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせる。本発明の電子機器は、透明基板と、前記透明基板に対面しており、前記透明基板を介して入射する入射光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、前記透明基板と前記固体撮像素子との間に設けられており、前記透明基板と前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層とを有し、前記透明基板は、前記固体撮像素子に対面するように配置され、前記接着層によって前記固体撮像素子に接着されている、第1透明基板と、前記第1透明基板において前記固体撮像素子に対面する面に対して反対側の面に設けられた遮光層と、前記第1透明基板において前記遮光層が設けられた面に対面するように配置された第2透明基板とを含み、前記遮光層は、前記第1透明基板と前記第2透明基板とが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている。本発明においては、第1透明基板の面に遮光層を形成する。そして、その第1透明基板において遮光層が設けられた面に対面するように第2透明基板を配置する。遮光層を形成する際には、第1透明基板と第2透明基板とが対面する面において周辺に位置する部分に、その遮光層を設ける。そして、第1透明基板を固体撮像素子に対面するように配置することで、透明基板と固体撮像素子とを貼り合わせる。本発明によれば、撮像画像の画像品質の向上、製造効率の向上、コストダウンなどを実現可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明は、下記の順序で行う。1.実施形態1一対の基板の間に遮光層を設ける場合2.実施形態22種類の遮光層がある場合3.その他<1.実施形態1>1装置構成1-1カメラの要部構成図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、駆動回路43と、信号処理回路44とを有する。各部について、順次、説明する。固体撮像装置1は、光学系42を介して被写体像として入射する入射光を、撮像面PSで受光して光電変換することによって、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置1は、制御部43から出力される制御信号に基づいて駆動する。そして、信号電荷を読み出して、ローデータとして出力する。光学系42は、結像レンズや絞りなどの光学部材を含み、入射光を、固体撮像装置1の撮像面PSへ集光するように配置されている。光学系42は、光軸が固体撮像装置1の撮像面PSの中心に対応するように設けられている。ここでは、光学系42は、図1に示すように、固体撮像装置1の撮像面PSの中心部分においては、撮像面PSに垂直な角度で光H1が出射される。一方で、撮像面PSの周辺部分では、撮像面PSに垂直な方向に対して傾斜した角度で光H2が出射される。これは、光学系42においてレンズ焦点から射出瞳までの間の射出瞳距離が有限であるので、レンズ中心から周辺へ向かうに伴って、主光線が傾き、入射角度が大きくなることに起因する。制御部43は、各種の制御信号を固体撮像装置1と信号処理部44とに出力し、固体撮像装置1と信号処理部44とを制御して駆動させる。信号処理部44は、固体撮像装置1から出力された電気信号について信号処理を実施することによって、デジタル画像を生成するように構成されている。1-2固体撮像装置の要部構成固体撮像装置1の全体構成について説明する。図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の全体構成を示すブロック図である。図2に示すように、固体撮像装置1は、画素領域PAが設けられている。画素領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれに、配置されている。つまり、画素Pがマトリクス状に並んでいる。そして、この画素領域PAは、図1に示した撮像面PSに相当する。画素Pの詳細については、後述する。この他に、固体撮像装置1は、図2に示すように、垂直駆動回路3と、カラム回路4と、水平駆動回路5と、外部出力回路7と、タイミングジェネレータ8とが、周辺回路として設けられている。垂直駆動回路3は、図2に示すように、画素領域PAにおいて水平方向Hに並ぶ複数の画素Pの行ごとに電気的に接続されている。カラム回路4は、図2に示すように、列単位で画素Pから出力される信号について信号処理を実施するように構成されている。ここでは、カラム回路4は、CDSCorrelatedDoubleSampling;相関二重サンプリング回路図示なしを含み、固定パターンノイズを除去する信号処理を実施する。水平駆動回路5は、図2に示すように、カラム回路4に電気的に接続されている。水平駆動回路5は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路4で画素Pの列ごとに保持されている信号を、順次、外部出力回路7へ出力させる。外部出力回路7は、図2に示すように、カラム回路4に電気的に接続されており、カラム回路4から出力された信号について信号処理を実施後、外部へ出力する。外部出力回路7は、AGCAutomaticGainControl回路7aとADC回路7bとを含む。外部出力回路7においては、AGC回路7aが信号にゲインをかけた後に、ADC回路7bがアナログ信号からデジタル信号へ変換して、外部へ出力する。タイミングジェネレータ8は、図2に示すように、垂直駆動回路3、カラム回路4、水平駆動回路5,外部出力回路7のそれぞれに電気的に接続されている。タイミングジェネレータ8は、各種パルス信号を生成し、垂直駆動回路3、カラム回路4、水平駆動回路5,外部出力回路7に出力することで、各部について駆動制御を行う。図3,図4は、本発明の実施形態1において、固体撮像装置1の要部構成を示す図である。ここで、図3は、斜視図であって、図4は、断面図であり、両者は、固体撮像装置1の構成を模式的に示している。本実施形態の固体撮像装置1は、図3,図4に示すように、センサ素子100と、ロジック回路素子200と、ガラス基板301とを含む。図3に示すように、センサ素子100とロジック回路素子200とのそれぞれは、対面している。センサ素子100と、ロジック回路素子200とのそれぞれは、図4に示すように、その対面した面で互いに接合されており、互いに電気的に接続されている。このように、固体撮像装置1は、3次元積層チップ構造であって、センサ素子100とロジック回路素子200とが積み重なっている。また、図3に示すように、センサ素子100とガラス基板301とのそれぞれは、互いに対面するように配置されている。ここでは、センサ素子100とガラス基板301とにおいて対面する面の全体に、接着層501が設けられており、この接着層501によって両者が貼り合わされている。固体撮像装置1において、センサ素子100には、図3,図4に示すように、画素領域PAが設けられている。つまり、上述の図2で示したように、複数の画素Pが水平方向xと垂直方向yとのそれぞれに配置された画素領域PAが設けられている。周辺領域SAにおいては、上述の図2で示した周辺回路の一部が設けられている。たとえば、上述の図2で示した垂直駆動回路3とタイミングジェネレータ8とが設けられている。固体撮像装置1において、ロジック回路素子200には、図3に示すように、ロジック回路領域200Rが設けられている。ロジック回路領域200Rにおいては、上述の図2で示した周辺回路のうち、センサ素子100の周辺領域SAに設けられなかった回路が設けられている。たとえば、上述の図2で示したカラム回路4と、水平駆動回路5と、外部出力回路7とが設けられている。なお、センサ素子100の周辺領域SAに周辺回路を設けず、ロジック回路素子200に、図2で示した周辺回路の全てを設けるように、構成しても良い。その他、ロジック回路素子200に代えて、配線基板を設けても良い。すなわち、機能が異なる複数の半導体チップを積み重ねて、固体撮像装置を構成しても良い。固体撮像装置1を構成する各部の詳細について順次説明する。aセンサ素子100について固体撮像装置1を構成するセンサ素子100について説明する。図3,図4に示すように、固体撮像装置1において、センサ素子100は、半導体基板101を含む。たとえば、半導体基板101は、単結晶シリコンで形成されており、ガラス基板301と対面する面に画素領域PAと周辺領域SAとが設けられている。センサ素子100は、上方からガラス基板301を介して入射する光を、画素領域PAの各画素が受光し、電気信号として出力する。詳細については後述するが、画素領域PAの各画素には、図4に示すように、マイクロレンズMLが設けられている。そして、このマイクロレンズMLを被覆するように、低屈折率材層110が、設けられている。そして、センサ素子100は、低屈折率材層110の上面で、ガラス基板301と接着層501によって貼り合わされている。低屈折率層110は、マイクロレンズMLたとえば、屈折率が1.9よりも屈折率が低い材料たとえば、屈折率が1.4で形成されている。また、低屈折率層110は、厚みが0.3~1.0μmになるように形成されている。a-1センサ素子100の要部構成図5は、本発明の実施形態1において、センサ素子100の要部構成を示す図である。図5では、一部の断面を示している。センサ素子100において、半導体基板101の表面下面には、図5に示すように、配線層111が設けられている。配線層111は、多層配線層であって、複数の配線111hと絶縁層111zとを含む。配線層111は、配線111hと絶縁膜とが交互に積層されて形成されており、各配線111hが、絶縁層111zで覆われるように設けられている。センサ素子100において、画素領域PAには、図5に示すように、フォトダイオード21が半導体基板101の内部に設けられている。また、画素領域PAには、半導体基板101の裏面上面にカラーフィルタCFとマイクロレンズMLとが順次設けられている。フォトダイオード21とカラーフィルタCFとマイクロレンズMLとのそれぞれは、画素領域PAに設けられる複数の画素Pごとに設けられている。フォトダイオード21は、半導体基板101の裏面側から、マイクロレンズMLとカラーフィルタCFとを介して入射する光を受光する。つまり、本実施形態の固体撮像装置は、裏面照射型のイメージセンサチップである。a-2画素Pの構成図6,図7は、本発明にかかる実施形態1において、画素Pを示す図である。ここで、図6は、画素Pの平面図である。また、図7は、画素Pの回路構成を示す図である。図6,図7に示すように、画素Pは、図5で示したフォトダイオード21の他に、画素トランジスタTrを含む。ここでは、画素トランジスタTrは、転送トランジスタ22と、増幅トランジスタ23と、選択トランジスタ24と、リセットトランジスタ25とを含み、フォトダイオード21から信号電荷を読み出す動作を実施するように構成されている。画素Pにおいて、フォトダイオード21は、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が配置されている。つまり、撮像面xy面において、水平方向xと、この水平方向xに対して直交する垂直方向yとのそれぞれに並んで設けられている。たとえば、フォトダイオード21は、半導体基板101の内部において、n型の不純物が拡散された電荷蓄積領域図示なしを含む。そして、そのn型の電荷蓄積領域の上面側と下面側との各界面において、暗電流が発生することを抑制するように、p型の不純物が拡散されたホール蓄積領域図示なしが形成されている。図6に示すように、画素Pの周囲には複数の画素Pの間を電気的に分離する画素分離部PBが設けられており、この画素分離部PBで区画された領域に、フォトダイオード21が設けられている。たとえば、画素分離部PBは、半導体基板101図5など参照中にp型の不純物を拡散させることで形成されている。図7に示すように、フォトダイオード21は、アノードが接地されており、蓄積した信号電荷ここでは、電子が、画素トランジスタTrによって読み出され、電気信号として垂直信号線27へ出力される。具体的には、フォトダイオード21は、転送トランジスタ22を介して、増幅トランジスタ23に接続されている。そして、フォトダイオード21においては、増幅トランジスタ23のゲートに接続されているフローティングディフュージョンFDへ、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ22によって出力信号として転送される。画素Pにおいて、画素トランジスタTrは、図2に示した複数の画素Pに対応するように複数が配置されている。画素トランジスタTrは、たとえば、図6に示すように、半導体基板101において画素Pの間を分離する画素分離部PBに形成されている。画素トランジスタTrにおいて、転送トランジスタ22は、図5に示すように、半導体基板101において配線層111が被覆する表面に設けられている。図5では図示を省略しているが、他のトランジスタ23~25も同様に、半導体基板101において配線層111が被覆する表面に設けられている。各トランジスタ22~25は、NチャネルのMOSトランジスタであって、各ゲートが、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。そして、各トランジスタ22~25は、配線層111で被覆されている。画素トランジスタTrのうち、転送トランジスタ22は、フォトダイオード21で生成された信号電荷をフローティングディフュージョンFDへ転送するように構成されている。具体的には、転送トランジスタ22は、図7に示すように、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように設けられている。そして、転送トランジスタ22は、転送線26からゲートに転送信号TGが送信されてオン状態にされた際に、フォトダイオード21が蓄積した信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに転送する。画素トランジスタTrのうち、増幅トランジスタ23は、転送トランジスタ22が転送した信号電荷による信号を増幅して出力するように構成されている。具体的には、増幅トランジスタ23は、図7に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンFDに接続されている。また、増幅トランジスタ23は、ドレインが電源電位供給線Vddに接続され、ソースが選択トランジスタ24に接続されている。増幅トランジスタ23は、選択トランジスタ24がオン状態になるように選択されたときには、定電流源Iから定電流が供給されて、ソースフォロアとして動作する。このため、増幅トランジスタ23では、選択トランジスタ24に選択信号SELが供給されることによって、転送された信号電荷による信号が増幅される。画素トランジスタTrのうち、選択トランジスタ24は、選択信号SELに基づいて、画素Pから電気信号を垂直信号線27へ出力するように構成されている。具体的には、選択トランジスタ24は、図7に示すように、選択信号SELが供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。そして、選択トランジスタ24は、選択信号SELが供給されてオン状態になった際には、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。画素トランジスタTrのうち、リセットトランジスタ25は、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットするように構成されている。具体的には、リセットトランジスタ25は、図7に示すように、リセット信号RSTが供給されるリセット線29にゲートが接続されている。また、リセットトランジスタ25は、ドレインが電源電位供給線Vddに接続され、ソースがフローティングディフュージョンFDに接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29からリセット信号がゲートに供給されてオン状態になった際に、フローティングディフュージョンFDを介して、増幅トランジスタ23のゲート電位を、電源電位にリセットする。なお、図7で示した、転送線26,アドレス線28,垂直信号線27,リセット線29などの各配線は、図5で示した配線層111を構成する配線111hに相当する。前述したように、各画素Pには、カラーフィルタCFとマイクロレンズMLとのそれぞれが設けられている図5参照。画素Pにおいて、カラーフィルタCFは、入射光を着色して、半導体基板101の受光面JSへ透過するように構成されている。たとえば、カラーフィルタCFは、着色顔料とフォトレジスト樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。図8は、本発明にかかる実施形態1において、カラーフィルタCFを示す図である。図8においては、カラーフィルタCFの上面を示している。図8に示すように、カラーフィルタCFは、レッドフィルタ層CFRと、グリーンフィルタ層CFGと、ブルーフィルタ層CFBとを含む。レッドフィルタ層CFRと、グリーンフィルタ層CFGと、ブルーフィルタ層CFBとのそれぞれは、隣接しており、いずれかが、複数の画素Pのそれぞれに対応して設けられている。ここでは、図8に示すように、レッドフィルタ層CFRと、グリーンフィルタ層CFGと、ブルーフィルタ層CFBとのそれぞれが、ベイヤー配列BHで並ぶように配置されている。すなわち、複数のグリーンフィルタ層CFGが市松状になるように、対角方向へ並んで配置されている。そして、レッドフィルタ層CFRとブルーフィルタ層CFBとが、複数のグリーンフィルタ層CFGにおいて、対角方向に並ぶように配置されている。画素Pにおいて、マイクロレンズMLは、図5に示したように、カラーフィルタCFの上面に設けられている。マイクロレンズMLは、受光面JSの上方において、中心が縁よりも厚く形成された凸型レンズであり、入射光Hをフォトダイオード21の受光面JSへ集光するように構成されている。本実施形態は、キャビティ部600図13参照が無い構造であり、キャビティ部600が設けられた部分には、空気よりも屈折率が高い接着層501たとえば、n=1.4~1.6が設けられている。このため、マイクロレンズMLについては、この接着層501よりも屈折率が高い材料たとえば、n=1.7~2.1を用いて集光効率を向上させることが好適である。たとえば、SiNn=2.1などの高屈折率材料を用いて、マイクロレンズMLを形成することが好適である。図9は、本発明にかかる実施形態1において、画素Pから信号を読み出す際に、各部へ供給するパルス信号を示すタイミングチャートである。ここでは、aが選択信号SELを示し、bがリセット信号RSTを示し、cが転送信号TGを示している図7参照。まず、図9に示すように、第1の時点t1において、選択トランジスタ24を導通状態にするように、選択信号をハイレベルとする。そして、第2の時点t2において、リセットトランジスタ25を導通状態にするように、リセット信号をハイレベルとする。これにより、増幅トランジスタ23のゲート電位をリセットする。つぎに、第3の時点t3において、リセットトランジスタ25を非導通状態にするようにリセット信号をローレベルにする。そして、この後、そのリセットレベルに対応した電圧を、カラム回路4へ読み出す。つぎに、第4の時点t4において、転送トランジスタ22を導通状態にするように転送信号をハイレベルにして、フォトダイオード21で蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDへ転送する。つぎに、第5の時点t5において、転送トランジスタ22を非導通状態にするように、転送信号をローレベルにする。この後、その蓄積された信号電荷の量に応じた信号レベルの電圧を、カラム回路4へ読み出す。カラム回路4においては、先に読み出したリセットレベルと、後に読み出した信号レベルとを差分処理して、信号を蓄積する。これにより、画素Pごとに設けられた各トランジスタのVthのバラツキ等によって発生する固定的なパターンノイズが、キャンセルされる。上記のように画素を駆動する動作は、各トランジスタ22,24,25の各ゲートが、水平方向xに並ぶ複数の画素Pからなる行単位で接続されていることから、その行単位で並ぶ複数の画素Pについて同時に行われる。具体的には、上述した垂直駆動回路3によって供給される選択信号によって、水平ライン画素行単位で垂直な方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ8から出力される各種タイミング信号によって各画素のトランジスタが制御される。これにより、各画素Pにおける出力信号が垂直信号線27を通して画素列毎にカラム回路4に読み出される。そして、カラム回路4で蓄積された信号が、水平駆動回路5によって選択されて、外部出力回路7へ順次出力される。bロジック回路素子200についてロジック回路素子200は、図3,図4に示すように、センサ素子100において、ガラス基板301が配置された面に対して、反対の面の側に配置されている。ロジック回路素子200は、センサ素子100と電気的に接続されている。図5に示すように、ロジック回路素子200は、半導体基板201を含む。たとえば、半導体基板201は、単結晶シリコンで形成されており、センサ素子100と対面するように配置されている。ロジック回路素子200において、半導体基板201は、図5に示すように、センサ素子100の側の表面に、半導体素子220が設けられている。半導体素子220は、たとえば、MOSトランジスタであり、図示を省略しているが、図2で示した周辺回路を構成するように、複数が設けられている。そして、図5に示すように、半導体基板201の表面上面を被覆するように、配線層211が設けられている。配線層211は、多層配線層であって、複数の配線211hと絶縁層211zとを含む。配線層111は、配線111hと絶縁膜とが交互に積層されて形成されており、各配線111hが、絶縁層111zで覆われるように設けられている。また、配線層211中には、パッド電極PADが設けられている。ロジック回路素子200において、半導体基板101の裏面下面には、図5に示すように、絶縁層400と導電層401とが順次設けられている。そして、その導電層401の下面に、バンプ402が設けられている。ロジック回路素子200においては、図5に示すように、半導体基板201を貫通するビアホールVHが設けられている。つまり、スルーシリコンビアが設けられている。このビアホールVHは、配線層211に設けられたパッド電極PADの下面を露出するように形成されている。そして、そのビアホールVHの内部には、絶縁層400を介して導電層401が被覆されている。絶縁層400には、パッド電極PADの下面の一部を露出させるように開口が形成されている。そして、導電層401は、その絶縁層400の開口を埋め込むように形成されており、パッド電極PADと電気的に接続されている。センサ素子100とロジック回路素子200は、図5に示すように、接合されている。ここでは、センサ素子100の配線層111とロジック回路素子200の配線層211とが接合されており、各配線層111,211の間が配線で電気的に接続されている。cガラス基板301について固体撮像装置1を構成するガラス基板301について説明する。図3,図4に示すように、固体撮像装置1において、ガラス基板301は、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bと遮光層311とを含む。第1ガラス基板301Aは、図3,図4に示すように、センサ素子100に対面するように配置されている。ここでは、第1ガラス基板301Aは、センサ素子100との間に、接着層501が介在しており、この接着層501によって、第1ガラス基板301Aとセンサ素子100とが接着されている。第2ガラス基板301Bは、図3,図4に示すように、第1ガラス基板301Aを介して、センサ素子100に対面するように配置されている。ここでは、第2ガラス基板301Bは、第1ガラス基板301Aに対面する側の面と間に、接着層321が介在しており、この接着層321によって、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが接着されている。第2ガラス基板301Bは、第1ガラス基板301Aよりも厚みが薄いものが用いられている。また、第2ガラス基板301Bは、第1ガラス基板301Aと線膨張係数が同じものを用いて形成されている。遮光層311は、図3,図4に示すように、第1ガラス基板301Aにおいて第2ガラス基板301Bに対面する側の面に設けられている。つまり、遮光層311は、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとの間に介在するように設けられている。ここでは、遮光層311は、図3,図4に示すように、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている。具体的には、図4に示すように、遮光層311は、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが対面する面のうち、画素領域PAに対応する部分に形成されておらず、周辺領域SAに対応する部分に形成されている。また、遮光層311は、その周辺領域SAに対応する部分のうち、画素領域PAに近い内側部分に形成されておらず、その外側部分のみに形成されている。本実施形態では、遮光層311にて画素領域PAに近い端部から傾斜して入射する光H2が、第1ガラス基板301Aの側面で反射したときに、画素領域PAに入射せずに周辺領域SAに入射するように、各部が形成されている。すなわち、下記の関係式を満たすように、各部が形成されている。W3=0.5T1tanθ1T1:T2=2:12W2<T=T1T23図4に示すように、上記の式において、T1は、第1ガラス基板301Aの厚みである。T2は、第2ガラス基板301Bと接着層321とを合わせた厚みである。θは、遮光層311において画素領域PAに近い端部から傾斜して入射する光H2が、第1ガラス基板301A内を進行するときの傾斜角度を示している。W2は、周辺領域SAの幅を示している。W3は、遮光層311の幅を示している。また、W3については、たとえば、下記の関係式を満たすことが好適である。W3≦W24このため、たとえば、厚みT1が333μmの第1ガラス基板301Aと、厚みT2が167μmの第2ガラス基板301Bとを貼り合わせた場合であって、θ=30°の光が入射した場合には、遮光層311は、上記式より、幅W3が、96μmとなる。これに対して、図15に示したように、1枚のガラス基板301の上面に遮光層311Jを設ける場合において、サポート基板としての機能を考慮して厚みTを上記の合計と同じ厚みにするときはT=500μm、幅W3が、144μmとなる。よって、本実施形態では、図15の場合と比較して、周辺領域SAの幅W2を、2/3にすることができ、更に狭くすることが可能である。また、本実施形態においては、上記の数式2のように、T1:T2=2:1の関係を満たしている図14参照。これにより、ガラス基板301の全体の厚みを薄くすることができると共に、第1ガラス基板301Aの端面へ入射する光の遮光と、第2ガラス基板301Bの端面で反射した光の遮光とを効果的に実現可能である。これは、下記の理由による。第1ガラス基板301Aの側端面において、光が反射して画素領域PAへ最大に入射する反射位置は、その厚みT1の中心になる。これよりも上側の位置では、遮光層311の幅W3が非常に小さいときに反射が生ずるので、上記の反射位置にはならない。第1ガラス基板301Aの側端面において、その厚みT1の中心で反射する光を遮光するように遮光層311の幅W3を規定したとき、厚みT2は、光入射面の側端部の頂点での反射光を、遮光層311で遮光する厚みであることが必要である。このため、第2ガラス基板301Bと接着層321との合計の厚みT2が、第1ガラス基板301Aの厚みT1の半分にすることT2=T1/2が、好適である。遮光層311の画素領域PA側の端部と第2ガラス基板301Bの光入射面の側端部との間を結ぶ線の高さT2と、遮光層311の画素領域PA側の端部と第1ガラス基板301Bの側端面の中心部とを結ぶ線の高さT1/2が、同じになるからである。ただし、T1:T2=2:1の条件に限らず、他の厚み条件の第1ガラス基板301Aおよび第2ガラス基板301Bを用いても良い。特に、遮光層311の幅W3が大きい場合には、これに限らない。2製造方法以下より、上記の固体撮像装置1を製造する製造方法の要部について説明する。図10,図11は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここで、図10,図11は、固体撮像装置を製造する各工程を順次示している。本実施形態においては、図10,図11に示すように、a~fの各工程を経て、複数の固体撮像装置1が設けられた大判な円盤状のウエハを分割することによって、一の固体撮像装置1を製造する。各工程の詳細について説明する。aガラス基板301の形成まず、図10aに示すように、ガラス基板301を形成する。ここでは、図10aに示すように、大判の第1ガラスウエハ301AWの上面に、遮光層311を形成する。具体的には、第1ガラスウエハ301AWの一方の面において、複数の固体撮像装置を設ける領域CAのそれぞれの周辺位置に遮光層311を形成する。すなわち、複数の固体撮像装置を設ける領域CAを区画するように、遮光層311を格子状に第1ガラスウエハ301AWに形成する。たとえば、第1ガラスウエハ301AWを製造装置に支持させた状態にする。たとえば、バキュームチャック,静電チャック,メカニカルなチャックによって支持される。そして、黒色色素を含んだ感光性樹脂を第1ガラスウエハ301AWの一方の面に成膜後、リソグラフィ技術によって、上記のようにパターン加工することで、遮光層311を形成する。たとえば、厚みが、0.5~3μm程度になるように、遮光層311を形成する。その他、金属材料などの他の遮光材料を用いて、遮光層311を形成しても良い。そして、その遮光層311が設けられた第1ガラスウエハ301AWの上面に接着層321を設ける。たとえば、シロキサン系接着剤を用いて、接着層321を設ける。たとえば、厚みが、0.5~10μm程度になるように、接着層321を形成する。その他、エポキシ系、アクリル系接着剤などの他の接着材料を用いて、接着層321を形成しても良い。そして、その接着層321が設けられた第1ガラスウエハ301AWの上面に、大判の第2ガラスウエハ301BWを対面させる。その後、第1ガラスウエハ301AWに第2ガラスウエハ301BWを貼り合わせる。bセンサ素子100とロジック回路素子200との貼り合わせつぎに、図10bに示すように、センサ素子100とロジック回路素子200とを貼り合わせる。ここでは、大判の第1半導体ウエハ101Wに複数のセンサ素子100を設ける。つまり、第1半導体ウエハ101Wにおいて複数の固体撮像装置を設ける領域CAのそれぞれに、画素P,配線層111などの各部を適宜設ける図5参照。そして、大判の第2半導体ウエハ板201Wに複数のロジック回路素子200を設ける。つまり、第2半導体ウエハ201Wにおいて複数の固体撮像装置を設ける領域CAのそれぞれに、ロジック回路素子200を構成する半導体素子220,配線層211などの各部を、適宜形成する図5参照。そして、第1半導体ウエハ101Wと第2半導体ウエハ板201Wとを対面させて貼り合わせる。ここでは、第1半導体ウエハ101Wと第2半導体ウエハ板201Wの各配線層111,211を互いに対面させて、その対面した面において、貼り合わせる図5参照。たとえば、プラズマ接合によって、両者を貼り合わせる。この他に、接着剤を用いて、この貼り合わせを実施しても良い。そして、第1半導体ウエハ101Wを、たとえば、厚みが2~10μmになるように、薄膜化した後に、図4に示したように、カラーフィルタCF,オンチップレンズMLなどの各部を形成する図5参照。cガラス基板301の設置つぎに、図10cに示すように、ガラス基板301を設置する。ここでは、図10cに示すように、ロジック回路素子200が下面に貼り合わされたセンサ素子100の上面に、ガラス基板301を貼り合わせる。具体的には、第2半導体ウエハ201Wの下面で製造装置に支持させた状態にする。そして、第1半導体ウエハ101Wの上面と、第1ガラスウエハ301AWの下面を対面させる。その後、両者を位置合わせして貼り合わせる。複数の固体撮像装置を設ける領域CAのそれぞれにおいて、センサ素子100とガラス基板301とが対面する面の全体に、接着層501を設けることで、両者を貼り合わせる。たとえば、シロキサン系接着剤を用いて、接着層501を設ける。たとえば、厚みが、10~70μmになるように、接着層501を形成する。その他、エポキシ系、アクリル系接着剤などの他の接着材料を用いて、接着層501を形成しても良い。d反転つぎに、図11dに示すように、ガラス基板301を設置したものの上下を反転させる。ここでは、センサ素子100においてロジック回路素子200が貼り合わされた面が上方へ向くように、反転が行われる。そして、ガラス基板301においてセンサ素子100が貼り合わされた面とは反対側の面で、製造装置に支持される。つまり、第2ガラスウエハ301BWの下面で支持される。eバンプ402の形成つぎに、図11eに示すように、バンプ402を形成する。ここでは、ロジック回路素子200においてセンサ素子100に対面する面に対して反対側の面に、バンプ402を形成する。つまり、第2半導体ウエハ201Wにおいて第1半導体ウエハ101Wに対面する面に対して反対の面に、バンプ402を形成する。具体的には、バンプ402の形成に先立って、ロジック回路素子200を構成する半導体基板201にビアホールVHを形成し、パッド電極PADの表面を露出させる。そして、絶縁層400,導電層401を設けた後に、金属材料を用いてバンプ402を形成する図5参照。fダイシングつぎに、図11fに示すように、ダイシングを実施して、複数の固体撮像装置1に分割する。ここでは、複数の固体撮像装置1の間のスクライブ領域においてダイシング加工を実施することで、固体撮像装置1が複数設けられているウエハ状態のものを、一の固体撮像装置1ごとに分割する。つまり、ダイシングの実施によって、第1半導体ウエハ101Wを、複数の半導体基板101に分割する。また、第2半導体ウエハ201Wを、複数の半導体基板201に分割する。また、第1ガラスウエハ301AWを複数の第1ガラス基板301Aに分割する。そして、第2ガラスウエハ301BWを複数の第2ガラス基板301Bに分割する。3まとめ以上のように、本実施形態の固体撮像装置1は、センサ素子100がガラス基板301に対面している。センサ素子100には、ガラス基板301を介して入射する入射光を受光する画素Pが半導体基板101の画素領域PAに複数配列されている。そして、ガラス基板301とセンサ素子100との間には、接着層501が設けられており、ガラス基板301とセンサ素子100とが貼り合わされている。ここで、ガラス基板301においては、第1ガラス基板301Aがセンサ素子100に対面するように配置され、接着層501によってセンサ素子100に接着されている。そして、その第1ガラス基板301Aにおいてセンサ素子100に対面する面に対して反対側の面には、遮光層311が設けられている。そして、第1ガラス基板301Aにおいて遮光層311が設けられた面に対面するように、第2ガラス基板301Bが配置されている図4参照。本実施形態においては、遮光層311は、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが対面する面において、周辺に位置する部分に設けられている。つまり、遮光層311は、ガラス基板301において外部に露出するように形成されていない。よって、本実施形態では、遮光層311に傷が発生することを防止できる。特に、ビアホールVHなどの形成の際には、ガラス基板301においてセンサ素子100に対面した面とは反対側の面で製造装置に支持させるので、この支持面に遮光膜があるときには、その露出した遮光膜に傷が発生する場合がある。また、これにより、遮光膜が剥離する場合がある。しかし、本実施形態では、遮光膜311が露出されていないので、この不具合の発生を防止できる。また、本実施形態においては、遮光層311にて画素領域PAに近い端部から傾斜して入射する光が、第1ガラス基板301Aの側面で反射したときに、画素領域PAに入射せずに周辺領域SAに入射するように、遮光層311が形成されている。具体的には、上述した式2を満たすような幅で、遮光層311が形成されている。このため、本実施形態においては、フレアなどのノイズの発生よって撮像画像の画像品質が低下することを防止できる。また、本実施形態においては、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとは、互いに線膨張係数が同じ材料で形成されている。このため、本実施形態においては、両者が剥離することを好適に防止できる。したがって、本実施形態においては、撮像画像の画像品質の向上、製造効率の向上、コストダウンなどを実現できる。<2.実施形態2>1装置構成など図12は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す図である。図12は、図4と同様に、断面を示している。図12に示すように、本実施形態においては、遮光層312を更に有する。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。遮光層312は、図12に示すように、第1ガラス基板301Aにおいて第2ガラス基板301Bに対面する側の面に対して反対側の面に設けられている。つまり、遮光層312は、第1ガラス基板301Aの下面に設けられている。ここでは、遮光層312は、図12に示すように、第1ガラス基板301Aの下面において、周辺に位置する部分に設けられている。具体的には、図12に示すように、遮光層312は、第1ガラス基板301Aの下面のうち、画素領域PAに対応する部分に形成されておらず、周辺領域SAに対応する部分に形成されている。また、遮光層312は、その周辺領域SAに対応する部分のうち、画素領域PAに近い内側部分に形成されておらず、その外側部分のみに形成されている。本実施形態では、第1ガラス基板301Aの側面で反射した光を遮光するように、遮光層312が形成されている。たとえば、遮光層312は、第1ガラス基板301Aの上面に設けた遮光層311と同様に形成されている。この遮光層312は、たとえば、図10aに示したように、第1ガラスウエハ301AWと第2ガラスウエハ301BWとを貼り合わせた後に、第1ガラスウエハ301AWに形成する。2まとめ以上のように、本実施形態においては、実施形態1と同様に、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが対面する面には、遮光層311が、その周辺に位置する部分に設けられている。よって、実施形態1と同様な作用効果を奏することができる。本実施形態では、実施形態1と異なり、ガラス基板301においては、第1ガラス基板301Aにてセンサ素子100に対面する面に、遮光層312が更に設けられている。このため、本実施形態においては、フレアなどのノイズの発生よって撮像画像の画像品質が低下することを、さらに好適に防止できる。なお、遮光層312について、周辺領域SAの一部に形成する場合について示したがこれに限定されない。周辺領域SAの全体について形成しても好適である。<3.その他>本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。上記の実施形態においては、半導体装置が固体撮像装置である場合、その固体撮像装置をカメラに適用する場合について説明したが、これに限定されない。スキャナーやコピー機などのように、固体撮像装置を備える他の電子機器に適用しても良い。また、上記の実施形態においては、第1ガラス基板301Aと第2ガラス基板301Bとが同じ材料である場合について示したが、これに限定されない。互いに異なる材料のものを用いて両者を構成しても良い。たとえば、フォトダイオードの破壊を防止するために、α線などの放射線の放出を抑えたガラス材料で形成されたものを、第1ガラス基板301Aに使用する。これに対して、第2ガラス基板301Bについては、第1ガラス基板301Aよりも、α線などの放射線の放出が抑制されていないガラス材料で形成されたものを用いる。たとえば、第1ガラス基板301Aには、低α線ガラスを用いる。そして、第2ガラス基板301Bには、ホウケイ酸ガラスを用いる。これにより、コストダウンを実現できる。また、この場合には、接着厚を薄くできる。また、上記の実施形態においては、キャビティレス構造の場合について説明したが、これに限定されない。上記の実施形態においては、裏面照射型の場合について説明したが、これに限定されない。キャビティ構造、表面照射型の場合においても、適宜、適用可能である。また、上記の実施形態においては、2つまたは3つの半導体チップを積層する場合について説明したが、これに限定されない。4つ以上の半導体チップを積層する場合において、本発明を適用しても良いし、ロジックの回路規模が少ないセンサ素子一つの場合において適用しても良い。その他、上記の各実施形態を、適宜、組み合わせても良い。なお、上記の実施形態において、固体撮像装置1は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、ガラス基板301は、本発明の透明基板に相当する。また、上記の実施形態において、画素Pは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、半導体基板101は、本発明の半導体基板に相当する。また、上記の実施形態において、画素領域PAは、本発明の画素領域に相当する。また、上記の実施形態において、センサ素子100は、本発明の固体撮像素子に相当する。また、上記の実施形態において、接着層501は、本発明の接着層に相当する。また、上記の実施形態において、第1ガラス基板301Aは、本発明の第1透明基板に相当する。また、上記の実施形態において、遮光層311は、本発明の遮光層に相当する。また、上記の実施形態において、第2ガラス基板301BWは、本発明の第2透明基板に相当する。また、上記の実施形態において、周辺領域SAは、本発明の周辺領域に相当する。また、上記の実施形態において、ロジック回路素子200は、本発明の半導体チップに相当する。また、上記の実施形態において、カメラ40は、本発明の電子機器に相当する。"