"第1および第2主面を有する半導体ウェハの前記第1主面側にワイヤを張る工程と、前記ワイヤに放電パルスを印加しつつ、前記ワイヤが前記半導体ウェハを前記第1主面側から前記第2主面側へと通過するように、前記ワイヤおよび前記半導体ウェハを相対的に移動させて、前記半導体ウェハを切断する工程とを備えることを特徴とする半導体ウェハの切断方法。前記半導体ウェハを切断する工程において、前記ワイヤを前記第1主面から前記半導体ウェハ内へ入れる過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に小さくし、前記ワイヤを前記第2主面から前記半導体ウェハの外へ出す過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に大きくする請求項1記載の半導体ウェハの切断方法。前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記ワイヤと前記半導体ウェハとの相対速度によって制御する請求項2記載の半導体ウェハの切断方法。前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの電圧値によって制御する請求項2記載の半導体ウェハの切断方法。前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの電流値によって制御する請求項2記載の半導体ウェハの切断方法。前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの周波数によって制御する請求項2記載の半導体ウェハの切断方法。前記半導体ウェハを切断する工程に先立って、前記半導体ウェハの前記第2主面側を導電性のカーボン板に固定する工程をさらに備える請求項1から請求項6のいずれか一項記載の半導体ウェハの切断方法。前記カーボン板における前記半導体ウェハの搭載面には、前記ワイヤの位置に対応する溝が形成されている請求項7記載の半導体ウェハの切断方法。上記のように、特許文献1で、ウェハの切断に用いられるワイヤは、ウェハの表面に対して垂直に張られていた。またウェハをワイヤに対して一定の速度で送ることにより、ウェハの切断時におけるウェハの切断面とワイヤとの間隔以下放電ギャップを常に一定にしていた。一方、従来のワイヤ放電加工でウェハから切り出されたチップの切断面には、そのエッジ部分に除去し切れなかったウェハ材料による尖った出っ張りいわゆるバリが形成されていた。チップのエッジ部にバリが生じていると、後の工程でチップが破損してチッピング欠けが生じ易く、チップのエッジ近傍に形成されたデバイス素子が破損する恐れがある。またチップの抗折強度曲げに対する強度を低下させる要因ともなり得る。よってチップエッジ部のバリは、デバイスチップの品質および歩留まりの低下を招く原因となる。本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、切断面のエッジ部にバリが発生することを防止できる半導体ウェハの切断方法を提供することを目的とする。本発明に係る半導体ウェハの切断方法は、第1および第2主面を有する半導体ウェハの前記第1主面側にワイヤを張る工程と、前記ワイヤに放電パルスを印加しつつ、前記ワイヤが前記半導体ウェハを前記第1主面側から前記第2主面側へと通過するように、前記ワイヤおよび前記半導体ウェハを相対的に移動させて、前記半導体ウェハを切断する工程とを備えるものである。望ましくは、前記半導体ウェハを切断する工程において、前記ワイヤを前記第1主面から前記半導体ウェハ内へ入れる過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に小さくし、前記ワイヤを前記第2主面から前記半導体ウェハの外へ出す過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に大きくする。本発明によれば、半導体ウェハの厚さ方向にワイヤを通過させて、半導体ウェハを切断するため切断時間を短くでき、例えばSiCのような高硬度な半導体ウェハへの適用が期待される。またワイヤからウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、ワイヤが半導体ウェハに入るときと半導体ウェハから出るときに大きくすると、そのときの放電ギャップが特に大きくなるので、半導体ウェハの切断面の上側および下側エッジ部がR形状になり、バリの発生が防止される。その結果、半導体ウェハから切り出したデバイスチップにおいて、チッピングの発生や抗折強度の低下を防止でき、デバイスチップの品質および歩留まりを向上させることができる。<実施の形態1>図1は、本発明に係るワイヤ放電加工装置の構造を示す斜視図である。被加工物としての半導体ウェハ3は、ワークステージ4に固定された導電性のカーボン板41上に導電性接着剤等を用いて固定される。ワークステージ4は、上下の送り機構だけでなく、横方向X,Y方向および回転方向θ方向への送り機構をも備えている。ワークステージ4の位置制御は、ステージ制御ユニット42が各方向のパラメータを設定することによって行われる。半導体ウェハ3を切断するためのワイヤ2は、送り側リール21から送出され、等間隔にワイヤ保持用溝11が形成された3つのガイドローラー1を経て、巻き取り側リール22に巻き取られる。3つのガイドローラー1のうち2つは、ワークステージ4の上面に平行な同一平面に配設されており、その間に張られたワイヤ2は、ワークステージ4の上面およびその上に固定される半導体ウェハ3の上面に対して平行に走行することになる。ワイヤ2の張力及び走行速度は、ワイヤリール制御ユニット23が送り側リール21および巻き取り側リール22を制御することによって調整できる。印加パルス制御用電源52は、ワイヤ2に印加する放電パルスを生成するものであり、印加パルス制御用電源52が生成した放電パルスは、給電用配線51および給電子5を通してワイヤ2へと供給される。放電エネルギー制御ユニット9は、印加パルス制御用電源52が生成する放電パルスの電圧、電流および周波数の各パラメータを制御することにより、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与える放電エネルギー加工エネルギーを制御するものである。図1のワイヤ放電加工装置では、半導体ウェハ3の上面側に張られたワイヤ2に放電パルスを印加しつつ、ワイヤ2が半導体ウェハ3を通過するようにワークステージ4を上昇させることにより、半導体ウェハ3の切断が行われる。なお図1では、半導体ウェハ3ワークステージ4が上下移動し、ワイヤ2ガイドローラー1は上下移動しない構成を示しているが、ワイヤ2と半導体ウェハ3は相対的に移動できればよい。よって半導体ウェハ3が動かずにワイヤ2が動く構成であってもよいし、ワイヤ2および半導体ウェハ3の両方が動く構成であってもよい。ここで、半導体ウェハ3の切断時における、半導体ウェハ3の切断面とワイヤ2との間隔放電ギャップは、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーに依存する。単位面積当たりの放電エネルギーは、放電パルスの電圧、電流、周波数に依存する他、放電エネルギーが与えられる時間すなわちワイヤ2が半導体ウェハ3を通過する速度ワイヤ2と半導体ウェハ3との相対速度にも依存する。従って、単位面積当たりの放電エネルギー放電ギャップの制御は、放電パルスの電圧、電流、周波数を制御可能な放電エネルギー制御ユニット9だけでなく、半導体ウェハ3の上昇速度加工速度を制御可能なステージ制御ユニット42でも行うことができる。以下、実施の形態1に係る半導体ウェハの切断方法を説明する。図2および図3はその工程図であり、上面にデバイス素子6を有する半導体ウェハ3が、ワイヤ2により切断される部分の拡大断面を示している。また半導体ウェハ3が貼り付けられるカーボン板41には、ワイヤ2に対応する位置に逃げ溝43が設けられている。なお、本実施の形態では、ワイヤ2に印加する放電パルスの電圧値、電流値、周波数は一定に維持されるものとする。まず半導体ウェハ3をワークステージ4上のカーボン板41に固定する。ワイヤ2はワークステージ4の上面に平行に張られているため、半導体ウェハ3がワークステージ4に固定すれば、半導体ウェハ3の上面第1主面側にワイヤ2が張られることになる。続いて、ワイヤ2に放電パルスを印加しながら、ワークステージ4を上昇させることで、半導体ウェハ3の上面に近づける。このときワイヤ2は半導体ウェハ3の上面に対して平行に維持される。この段階では、半導体ウェハ3の上昇速度を極低速にして、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを充分大きくする。この場合、図2aのように放電ギャップGは大きくなり、加工幅が広がる。そのため半導体ウェハ3の表面部分は比較的広い範囲で除去される。そしてワークステージ4を上昇させ続け、ワイヤ2を半導体ウェハ3の上面に対して平行に維持したまま当該上面から半導体ウェハ3内に侵入させる。この段階では、半導体ウェハ3の上昇速度加工速度を徐々に上げることで、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを徐々に小さくする。すると、ワイヤ2が半導体ウェハ3内に入っていくに従って放電ギャップGが小さくなるので、図2bおよび図2cに示すように、半導体ウェハ3の切断面の上側エッジ部はRround形状になり、バリは形成されない。図2cのようにワイヤ2が完全に半導体ウェハ3内に入り込むと、加工速度を上げたまま一定に維持して半導体ウェハ3を上昇させ続け、ワイヤ2を半導体ウェハ3の下面第2主面に到達させる。加工速度が一定の場合、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定なので、放電ギャップGは一定に維持される。よって図3aに示すように、ワイヤ2が通過してできた溝の幅は一定になる。すなわち半導体ウェハ3の切断面は平坦になる。その後さらにワークステージ4を上昇させ続け、ワイヤ2を半導体ウェハ3の下面から外へ出すことにより、半導体ウェハ3を切断する。このときワイヤ2は、半導体ウェハ3の下面に対して平行に維持される。この段階では、半導体ウェハ3の上昇速度加工速度を徐々に下げることで、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを徐々に大きくする。すると、ワイヤ2が半導体ウェハ3の内部から外へ出るに従って放電ギャップGが大きくなるので、図3bおよび図3cに示すように、半導体ウェハ3の切断面の下側エッジ部もR形状になり、バリは形成されない。以上の工程により、半導体ウェハ3の切断が完了する。なお、半導体ウェハ3の下面を通過したワイヤ2は、カーボン板41の逃げ溝43に入る。この逃げ溝43は、ワイヤ2が半導体ウェハ3の切断面の下側エッジ部をR形状に加工することが妨げられないようにする目的で設けられている。図4は、上で説明した半導体ウェハ3の切断方法における、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与える単位面積当たりの放電エネルギーの変化を示す図である。図4の如く、ワイヤ2による半導体ウェハ3の加工位置が、半導体ウェハ3の上面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれて加工速度半導体ウェハ3の上昇速度を徐々に上げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップGが徐々に小さくなる。加工速度を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の上面とが同じ高さになるときから、ワイヤ2の最上部と半導体ウェハ3の上面とが同じ高さになるときまでワイヤ3が半導体ウェハ3の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ3の断面の上側エッジ部を滑らかなR形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。一方、加工位置が半導体ウェハ3の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、加工速度を高くしたまま一定に保つ。その間、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップGが一定に維持される。それにより、ワイヤ2が通過してできた溝の幅は一定になる。また、加工位置が半導体ウェハ3の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてワイヤ2が半導体ウェハ3から出ていくにつれて加工速度を徐々に下げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップGが徐々に大きくなる。加工速度を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の下面とが同じ高さになるときから、ワイヤ2の最上部と半導体ウェハ3の下面とが同じ高さになるときまでワイヤ3が半導体ウェハ3から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ3の断面の下側エッジ部を滑らかなR形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。本発明では、半導体ウェハ3の厚さ方向上面から下面への方向にワイヤ2を通過させて、半導体ウェハ3の切断を行っている。そのため上記の特許文献1のように、半導体ウェハを横方向に移送して行う切断よりも、切断に要する時間を短くできる。そのため例えばSiCのような高硬度な半導体ウェハへの適用が期待される。また本実施の形態では、ワイヤ2が半導体ウェハ3に入るときと、半導体ウェハ3から出るときに、放電ギャップGを特に大きくしている。それにより、半導体ウェハ3の切断面の上側および下側エッジ部がR形状になり、バリの発生が防止される。その結果、チッピングに起因するデバイス素子6の破損やデバイスチップの抗折強度の低下を防止でき、デバイスチップの品質および歩留まりを向上させることができる。<実施の形態2>実施の形態1では、半導体ウェハ3の加工速度ワイヤ2と半導体ウェハ3との相対速度によって、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を行ったが、単位面積当たりの放電エネルギーは、放電パルスの電圧、電流あるいは周波数によっても制御可能である。実施の形態2では、その制御を放電パルスの電圧値によって行う例を示す。図5は、実施の形態2に係る半導体ウェハ3の切断方法を説明するための図であり、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与える単位面積当たりの放電エネルギーの変化を示している。以下の各実施の形態でも、半導体ウェハ3の切断に使用するワイヤ放電加工装置の構造は、図1と同様であり、半導体ウェハ3の切断は、ワイヤ2が半導体ウェハ3の上面側から下面側へと通過するように、半導体ウェハ3を上昇させることによって行われるものとする。但し本実施の形態では、半導体ウェハ3の加工速度半導体ウェハ3の上昇速度、ワイヤ2に印加する放電パルスの電流値および周波数は一定に維持されるものとする。図5の如く、ワイヤ2による半導体ウェハ3の加工位置が、半導体ウェハ3の上面付近である期間は、放電パルスの電圧パルス電圧をはじめは大きくしておき、加工位置が深くなるにつれて放電パルスの電圧を徐々に小さくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップGが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の上側エッジがR形状になる。パルス電圧を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ3の断面の上側エッジ部を滑らかなR形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。一方、加工位置が半導体ウェハ3の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス電圧を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップGが一定に維持される。それにより、ワイヤ2が通過してできた溝の幅は一定になる。また、加工位置が半導体ウェハ3の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス電圧を徐々に上げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップGが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の下側エッジがR形状になる。パルス電圧を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ3の断面の下側エッジ部を滑らかなR形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。このように本実施の形態でも、実施の形態1と同様に、ワイヤ2が半導体ウェハ3に入るときと、半導体ウェハ3から出るときの放電ギャップGが特に大きくなる。それにより、半導体ウェハ3の切断面の上側および下側エッジ部がR形状になり、バリの発生が防止され、実施の形態1と同様の効果が得られる。<実施の形態3>実施の形態3では、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を、放電パルスの電流値によって行う例を示す。図6は、その制御方法を説明するための図である。本実施の形態では、半導体ウェハ3の加工速度半導体ウェハ3の上昇速度、ワイヤ2に印加する放電パルスの電圧値および周波数は一定に維持されるものとする。図6の如く、ワイヤ2による半導体ウェハ3の加工位置が、半導体ウェハ3の上面付近である期間は、放電パルスの電流パルス電流をはじめは大きくしておき、加工位置が深くなるにつれて徐々に小さくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップGが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の上側エッジがR形状になる。パルス電流を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。一方、加工位置が半導体ウェハ3の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス電流を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップGが一定に維持される。それにより、ワイヤ2が通過してできた溝の幅は一定になる。また、加工位置が半導体ウェハ3の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス電流を徐々に大きくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップGが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の下側エッジがR形状になる。パルス電流を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。本実施の形態でも、実施の形態1と同様の効果が得られる。<実施の形態4>実施の形態4では、ワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を、放電パルスの周波数値によって行う例を示す。図7は、その制御方法を説明するための図である。本実施の形態では、半導体ウェハ3の加工速度半導体ウェハ3の上昇速度、ワイヤ2に印加する放電パルスの電圧値および電流値は一定に維持されるものとする。図7の如く、ワイヤ2による半導体ウェハ3の加工位置が、半導体ウェハ3の上面付近である期間は、放電パルスの周波数パルス周波数をはじめは高くしておき、加工位置が深くなるにつれて放電パルスの周波数パルス周波数を徐々に低くする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップGが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の上側エッジがR形状になる。パルス周波数を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。一方、加工位置が半導体ウェハ3の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス周波数を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ2から半導体ウェハ3に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップGが一定に維持される。それにより、ワイヤ2が通過してできた溝の幅は一定になる。また、加工位置が半導体ウェハ3の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス周波数を徐々に高くする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップGが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ3の切断面の下側エッジがR形状になる。パルス周波数を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ2の最下部と半導体ウェハ3の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ3が半導体ウェハ3から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。本実施の形態でも、実施の形態1と同様の効果が得られる。"