磁電変換素子と、前記磁電変換素子の近傍に配置された第1および第2の被検出電流線と、前記磁電変換素子の抵抗値に応じた出力信号を得るための検出回路とを備えた電流検出器であって、前記第1および第2の被検出電流線は、互いにインピーダンスが等しくかつ前記磁電変換素子の近傍において平行配置され、前記磁電変換素子は、前記第1および第2の被検出電流線の中心位置から等距離で、かつ前記第1および第2の被検出電流線の中心位置で規定される平面から上方または下方に離間配置され、前記第1および第2の被検出電流線には、それぞれ大きさと向きが等しい電流が流れることを特徴とする電流検出器。請求項1に記載の電流検出器を少なくとも1つ含むとともに、少なくとも1つの回路ブロックを含む半導体装置であって、前記検出回路の出力信号に応じて、前記回路ブロックへの電力供給を制御することを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の電流検出器を少なくとも1つ含むとともに、少なくとも1つの外部デバイスが接続された半導体装置であって、前記検出回路の出力信号に応じて、前記外部デバイスへの電力供給を制御することを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の電流検出器を少なくとも1つ含む半導体装置であって、前記検出回路の出力信号が所望の値になるように前記検出回路を制御することにより、外部から印加されている磁界を検出することを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の電流検出器を複数含み、前記複数の電流検出器は、互いに電流測定範囲が異なることを特徴とする半導体装置。従来の電流検出器およびそれを含む半導体装置では、磁電変換素子に対して被検出電流が発生する磁界分布が不均一な場合に、磁電変換素子と被検出電流線との位置バラつきによって電流検出感度が変化するので、被検出電流線の発生する磁界分布は、被検出電流線からの距離が遠くなるほど均一になるものの、発生磁界は、被検出電流線からの距離が遠くなるほど弱くなる。したがって、微弱な電流を検出可能にしようとすると、磁電変換素子と被検出電流線との距離を近づけて感度を高める必要があることから、距離のばらつきによる感度のバラつきが大きくなって、歩留まりが低下し易いという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、格別な追加構成を不要とした簡単な構成で、被検出電流線が発生する磁界分布が均一な領域を設定して、その領域に磁電変換素子を配置することにより、検出精度の高い電流検出器およびそれを含む半導体装置を得ることを目的とする。この発明に係る電流検出器は、磁電変換素子と、磁電変換素子の近傍に配置された第1および第2の被検出電流線と、磁電変換素子の抵抗値に応じた出力信号を得るための検出回路とを備えた電流検出器であって、第1および第2の被検出電流線は、互いにインピーダンスが等しくかつ磁電変換素子の近傍において平行配置され、磁電変換素子は、第1および第2の被検出電流線の中心位置から等距離で、かつ第1および第2の被検出電流線の中心位置で規定される平面から上方または下方に離間配置され、第1および第2の被検出電流線には、それぞれ大きさと向きが等しい電流が流れるものである。この発明によれば、磁電変換素子付近の磁界分布が均一になり、位置ばらつきの影響を受けにくいので、高精度に電流を検出することができる。実施の形態1.以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態1について説明する。図1はこの発明に係る電流検出器10を示す斜視図であり、電流検出部分の磁電変換素子1および検出用電流線11、12と、被検出電流線13、14との関係を拡大して示している。また、図2はこの発明の実施の形態1に係る電流検出器10の検出回路20の構成例を示すブロック図である。図1において、電流検出器10は、基板図示せずの上に形成された磁電変換素子1と、磁電変換素子1に接続された検出用電流線11、12と、磁電変換素子1の近傍においてほぼ平行に配置された被検出用電流線13、14と、を備えている。磁電変換素子1は、前述のように、非磁性の薄膜層によって仕切られた自由層および固定層いずれも図示せずを有する3層構造からなる。磁電変換素子1および検出用電流線11、12は、たとえば図2に示す検出回路20に接続されている。なお、図2の検出回路20は、一例に過ぎず、要求に応じて任意の公知回路が適用可能なことは言うまでもない。図2において、検出回路20は、検出用電流線11を介して磁電変換素子1に接続された定電圧回路21と、検出用電流線12を介して磁電変換素子1に接続されかつグランドに接地された参照抵抗22と、磁電変換素子1と参照抵抗22との接続点に接続された増幅回路23と、増幅回路23の出力端子24と、を備えている。出力端子24は、電流検出器10による検出信号出力信号を出力し、たとえば演算回路図示せずに導入する。図1において、被検出電流線13、14は、磁電変換素子1の近傍においてほぼ平行配置された2本の電流線からなり、被検出電流線13、14の各々には、向きが等しくほぼ等しい大きさの電流iが流れている。磁電変換素子1および検出用電流線12は、被検出電流線13、14に対し、絶縁膜図示せずを介して上側の層基板から遠い側に配置されている。検出回路20図2は、磁電変換素子1に接続された検出用電流線11、12を介して、磁電変換素子1の抵抗値を測定する。磁電変換素子1の抵抗値は、磁電変換素子1に印加される磁界強度電流iに対応と対応するので、抵抗値を検出回路20で演算することにより、電流iに対応した検出信号を得ることができる。ここで、図3を参照しながら、磁電変換素子1に印加される磁界について説明する。図3は磁電変換素子1および電流検出器10に印加される磁界φ発生磁界を断面図とともに示す説明図である。図3において、磁電変換素子1に印加される磁界φは、2つの被検出電流線13、14が電流iによって生成する磁界φ1、φ2をベクトル和した値であり、被検出電流線13、14の形成面内2つの被検出電流線13、14に沿った直線で規定される平面内と平行な面内の1方向以下、検出磁界方向というを向く。磁電変換素子1は、被検出電流線13、14の形成面と平行な面内に形成されており、磁電変換素子1の抵抗値は、磁電変換素子1の形成されている面内における磁界φの成分に対応して変化する。また、磁電変換素子1は、検出感度が高くなる方向が、検出すべき磁界φの方向となるように配置することが好ましい。たとえば、磁電変換素子1が、TMR素子、スピンバルブGMR素子の場合には、検出磁界方向と平行または反平行方向に、自由層と対向する固定層の磁化が向くように配置すればよい。また、磁電変換素子1が、量子井戸形GMR素子やMR素子の場合には、磁性体の長辺と垂直となるように配置することが好ましい。次に、図4~図7を参照しながら、この発明の実施の形態1の構成図1が実現されるまでの過程として、磁電変換素子1の近傍に発生する磁界の分布について説明する。図4~図7は電流検出器10の異なる条件下での発生磁界分布を特性グラフで示す説明図であり、横軸はX軸位置[μm]、縦軸は発生磁界強度[Oe]を示している。図4においては、幅Wを有する1本の被検出電流線13の直上に磁電変換素子1を配置した構成例について発生磁界分布を計算し、検出磁界方向の位置に対する依存性を示している。ここでは、被検出電流線13に流れる電流iを一定1[mA]とし、被検出電流線13の中心と磁電変換素子1との距離tを一定0.12[μm]としたときに、被検出電流線13の幅Wを、左側から順に、0.12[μm]、0.36[μm]、0.6[μm]と、3通りに変化させた場合の発生磁界分布を示している。図4から明らかなように、被検出電流線13の幅Wが大きくなるほど、磁電変換素子1に印加される磁界強度の分布は緩やかになる。このことは、被検出電流線13の幅Wを大きい値に設定すれば、被検出電流線13と磁電変換素子1との位置がずれた場合であっても、電流検出器としての感度が安定することを示している。図5においては、図1のように、2本の被検出電流線13、14の中間位置で被検出電流線13、14の上側の層に磁電変換素子1を配置した場合について、磁界分布を計算し、検出磁界方向の位置に対する依存性を示している。また、この場合、被検出電流線13、14の幅Wをそれぞれ0.12[μm]とし、2本の被検出電流線13、14のそれぞれに0.5[mA]の電流iを流したときに、2本の被検出電流線13、14の間隔dを、0.01[μm]、0.07[μm]、0.10[μm]、0.12[μm]、0.14[μm]、0.36[μm]と、6通りに変化させた場合の磁界分布を示している。図5から明らかなように、磁電変換素子1の付近X軸位置=0の磁界分布は、2本の被検出電流線13、14の間隔dが0.12[μm]のときに、最も緩やかほぼ一定になることが分かる。図6においては、W=0.36[μm]の1本の被検出電流線13が生成する磁界分布と、W=0.12[μm]の2本の被検出電流線13、14をd=0.12[μm]の間隔で配置したときの磁界分布と、を比較したグラフを示している。図6から明らかなように、いずれの場合1本の被検出電流線13または2本の被検出電流線13、14も被検出電流線が占有する幅は同じ値であるにもかかわらず、磁界分布としては、1本の被検出電流線13のみの場合よりも、2本の被検出電流線13、14とした方が緩やかほぼ一定になることが分かる。なお、磁電変換素子1の付近の磁界分布が最も緩やかになる最適な間隔dは、被検出電流線13、14の中心位置と磁電変換素子1との距離tに応じて決定される。図7においては、被検出電流線13、14の中心位置と磁電変換素子1との距離tを、0.14[μm]、0.19[μm]、0.21[μm]、0.24[μm]と、4通りに変化させた場合の磁界分布を示している。また、この場合、4通りのそれぞれについて、検出磁界方向X軸の位置に対する磁界強度の依存性を、図5のように、間隔dを変えて計算した結果を重ね合わせたグラフで示している。図7から明らかなように、t=0.24[μm]の場合には、最適な間隔dが0.12[μm]よりも少し大きく、t=0.21[μm]の場合には、d=0.12[μm]が最適値となり、t=0.19[μm]の場合には、d=0.1[μm]が最適値となり、t=0.14[μm]の場合には、最適な間隔dが0.07[μm]よりも小さくなることが分かる。なお、図1の電流検出器10においては、被検出電流線13、14と検出用電流線11、12との配置関係を、一方の検出用電流線11が被検出電流線13、14に対して平行とし、他方の検出用電流線12が被検出電流線13、14に対して垂直としたが、この配置関係に限定されることはない。図8~図12はこの発明の実施の形態1の第1~第5の変形例による電流検出器10A~10Eを示す斜視図であり、それぞれ電流検出部分を拡大して示している。たとえば、図8の電流検出器10Aのように、検出用電流線11、12の両方が被検出電流線13、14に対して垂直であってもよく、図9の電流検出器10Bのように、検出用電流線11、12の両方が被検出電流線13、14に対して平行であってもよい。この場合、検出用電流線11、12が発生する磁界により、被検出電流線13、14の発生する磁界に対して、図8の場合は垂直なバイアス磁界が印加され、図9の場合は平行なバイアス磁界が印加されるので、磁電変換素子1の特性の制御に利用可能である。また、図1、図8、図9においては、磁電変換素子1および検出用電流線12は、図示しない絶縁膜を介して上の層に配置されるが、図10~図12に示すように、検出用電流線11、12の一方が被検出電流線13、14と同じ層に配置されてもよい。これらの例では、検出用電流線11、12と被検出電流線13、14との間の距離tを、たとえば1層の絶縁膜の厚さで規定することができ、制御性が高いので、特に、距離tの値を小さい値に設定する場合に好ましい。たとえば図10の電流検出器10Cのように、一方の検出用電流線11が被検出電流線13、14と同じ層に配置されてもよい。また、図11および図12の電流検出器10D、10Eのように、他方の検出用電流線12が被検出電流線13、14と同じ層に配置されてもよい。い。図11の電流検出器10Dにおいては、検出用電流線11、12の両方が被検出電流線13、14に対して平行の場合を示し、図12の電流検出器10Eにおいては、一方の検出用電流線11が被検出電流線13、14に対して垂直で、他方の検出用電流線12が被検出電流線13、14に対して平行である場合を示している。なお、図8~図12に示す変形例は、それぞれが一例に過ぎず、他の任意の変形例が適用可能なことは言うまでもない。また、2本の被検出電流線13、14は、それぞれに流れる電流iが等しくなるようにインピーダンスが等しく設定されていることが好ましい。たとえば、被検出電流線13、14は、同じ形状の2本の金属線のみで構成されてもよい。また、被検出電流線13、14にトランジスタ、ダイオード、キャパシタなどの回路素子が取り付けられる場合には、2本の被検出電流線13、14に対して、各素子を同様に接続して、インピーダンスを実質的に等しくすることが好ましい。次に、図13を参照しながら、この発明の実施の形態1に係る電流検出器を含む半導体装置30について説明する。図13は電流検出器10a、10bを含む半導体装置30の構成例を示すブロック図であり、電流検出器10a、10bは、たとえば前述図1の電流検出器10に対応している。なお、ここでは、2つの回路ブロック35、36に対応した2つの電流検出器10a、10bを設けた一例を示すが、それぞれ、任意数に設定され得ることは言うまでもない。図13において、半導体装置30は、入力端子31および出力端子32と、半導体装置30内の各回路素子に給電を行う電源回路33と、電流検出器10a、10bの出力信号に応答する切替回路34と、切替回路34によってオン/オフするスイッチSW1~SW4と、任意数ここでは、2個の回路ブロック35、36と、を備えている。電流検出器10aは、回路ブロック35の消費電流i1回路ブロック35への供給電流をモニタし、同様に、電流検出器10bは、回路ブロック36の消費電流i2回路ブロック36への供給電流をモニタする。ここでは、図示を省略するが、それぞれの被検出電流線は、前述図1のように、平行配置された2本の被検出電流線により構成されている。スイッチSW1、SW2は、回路ブロック35の電源入力端子および出力端子に挿入され、同様に、スイッチSW3、SW4は、回路ブロック36の電源入力端子および出力端子に挿入されている。図13においては、スイッチSW1、SW2がオン、スイッチSW3、SW4がオフであって、回路ブロック35が有効の場合を示している。切替回路34は、電流検出器10a、10bからの個別のモニタ信号i1、i2に基づき、たとえば回路ブロック35、36の故障の有無を判定して、不具合の起こった回路ブロックを代替の回路ブロックと切替える機能を有する。たとえば、切替回路34は、回路ブロック35の消費電流i1をモニタして、消費電流i1が規定範囲外であるか否かを判定し、消費電流i1が異常電流を示す場合には、スイッチSW1、SW2をオンからオフに切替え、スイッチSW3、SW4をオフからオンに切替えることにより、回路ブロック35への電源供給を遮断し、回路ブロック36への電源供給を開始し、出力端子32への接続を回路ブロック35から回路ブロック36に切替える。これにより、半導体装置30内の回路ブロックにおける万一の故障発生事態に対しても、迅速に対応可能なデバイスを構成することができる。図14はこの発明の実施の形態1に係る電流検出器を含む半導体装置30Fの第1の変形例を示すブロック図であり、前述図13参照と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。ここでは、一例として、外付けされる外部デバイスD1、D2図示せずに対して電源を供給するための半導体装置30Fを示している。図14において、半導体装置30Fは、入力端子31および出力端子32a、32bと、電流検出器10a、10bの出力信号に個別に応答する切替回路34a、34bと、切替回路34a、34bによってオン/オフするスイッチSW2、SW4と、出力端子側にスイッチSW2、SW4を有する回路ブロック35、36と、を備えている。回路ブロック35、36に対応した出力端子32a、32bには、外部デバイスD1、D2が個別に接続されている。ここでは、スイッチSW2がオンされ、スイッチSW4がオフされており、外部デバイスD1のみへの給電が有効化された状態を示している。図14のように、半導体装置30Fに接続された外部デバイスD1、D2に電源を供給するICにおいて、電流検出器10a、10bは、外部デバイスD1、D2への供給電流i1、i2をモニタし、切替回路34a、34bは、供給電流i1、i2が規定範囲外であるか否かを判定する。また、切替回路34a、34bは、外部デバイスD1、D2への供給電流i1、i2が異常電流を示す場合には、スイッチSW2、SW4をオンからオフに切替える。たとえば、外部デバイスD1が故障した場合には、スイッチSW2をオンからオフに切替えて、外部デバイスD1への電源供給を遮断することができる。また、これと同時に、エラー信号を発生することも可能となる。このように、故障した外部デバイスD1に対する電源供給を遮断することにより、安全性を高めるとともに無駄な消費電力を抑制することが可能となる。図15はこの発明の実施の形態1に係る電流検出器10G検出回路20Gを含む半導体装置30Gの第2の変形例を示すブロック図であり、前述図2参照と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。図15において、半導体装置30G内に構成される検出回路20Gは、前述と同様の定電圧回路21、参照抵抗22、増幅回路23Gおよび出力端子24に加え、出力端子24とグランドとの間に挿入された被検出電流線15および抵抗25と、を備えている。被検出電流線15は、増幅回路23Gからの出力電流i3により、外部磁界右向きの破線矢印参照を打ち消すような磁界φ3左向きの破線矢印参照を発生する。この場合、電流検出器10Gの応用例として、検出回路20G内の増幅回路23Gは、被検出電流線15が発生する磁界が外部から印加される外部磁界をキャンセルするように、被検出電流線15に流す電流i3を調節する。これにより、電流i3の調節量に応じて、外部磁界の強度を検出することができる。この場合の、磁電変換素子1は、たとえばTMR素子、GMR素子、CPP-GMR素子などであるが、ICの配線層間への実装が容易な素子サイズからなるTMR素子またはCPP-GMR素子を適用することが、この発明の実施の形態1として好ましい。この発明の実施の形態1において、被検出電流線13、14は磁電変換素子1の近傍においてほぼ平行で電流iの向きが等しい2本の電流線からなり、ほぼ等しい電流iが流れる。また、磁電変換素子1は、被検出電流線13、14に対して、絶縁膜を介して上の層基板から遠い側に配置されている。さらに、2本の被検出電流線13、14の間隔dを適切に設定することにより、磁電変換素子1の近傍の磁界分布が緩やかになるので、被検出電流線13、14と磁電変換素子1との位置ばらつきの影響が小さくなる。以上のように、この発明の実施の形態1図1~図15に係る電流検出器1010A~10E、10Gは、磁電変換素子1と、磁電変換素子1の近傍に配置された被検出電流線13、14第1および第2の被検出電流線と、磁電変換素子1の抵抗値に応じた出力信号を得るための検出回路2020Gとを備えている。被検出電流線13、14は、互いにインピーダンスが等しくかつ磁電変換素子1の近傍において平行配置されている。磁電変換素子1は、被検出電流線13、14の中心位置から等距離で、かつ被検出電流線13、14の中心位置で規定される平面から上方または下方に離間配置されている。また、被検出電流線13、14には、それぞれ大きさと向きが等しい電流iが流れる。これにより、磁電変換素子1の付近の磁界分布がほぼ均一になり、位置ばらつきの影響を受けにくくなるので、高精度に電流iを検出することができる。また、この発明の実施の形態1図13に係る電流検出器10a、10b10、10A~10E、10Gを少なくとも1つ含む半導体装置30は、少なくとも1つの回路ブロック35、36を含み、検出回路20の出力信号に応じて、半導体装置30に含まれる一部の回路ブロックへの電力供給を制御する。これにより、不要部分たとえば、故障箇所への電力供給を遮断することができるので、無駄な電力供給を抑制することが可能となる。また、たとえば故障箇所の過熱による悪影響を抑制することができる。また、この発明の実施の形態1図14に係る電流検出器10a、10b10、10A~10E、10Gを少なくとも1つ含む半導体装置30Fは、少なくとも1つの外部デバイスD1、D2が接続されており、検出回路電流検出器10a、10bの出力信号に応じて、外部デバイスD1、D2への電力供給を制御する。これにより、不要部分たとえば、故障箇所への電力供給を遮断することができるので、電力供給を抑制することが可能となる。また、たとえば故障箇所の過熱による悪影響を抑制することができる。さらに、この発明の実施の形態1図15に係る電流検出器10Gを少なくとも1つ含む半導体装置30Gは、検出回路20Gの出力信号が所望の値になるように検出回路20Gを制御することにより、外部から印加されている磁界を検出することができる。また、このとき、被検出電流線15による磁界分布が緩やかなので、外部から印加される磁界を均一に打ち消すことができ、磁界検出の線形性が高くなる。実施の形態2.なお、上記実施の形態1図1~図15では、電流検出器の感度について言及しなかったが、図16のように、高感度の電流検出器10Hと低感度広い磁界検出範囲の電流検出器10Lとを並設した半導体装置30Hを構成してもよい。図16はこの発明の実施の形態2に係る電流検出器10H、10Lを含む半導体装置30Hの構成例を示す平面図および断面図であり、前述と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。図16において、半導体装置30Hは、高感度および低感度の2つの電流検出器10H、10Lを備えており、低電流に対する高感度検出と、電流iに対しては低感度でも広範囲の磁界検出と、の両立が実現可能な電流検出器を構成している。高感度の電流検出器10Hにおいて、2本の被検出電流線13a、14aの間隔d1は、低感度の電流検出器10Lの被検出電流線13b、14bの間隔d2よりも小さく設定されている。前述の図7に示した発生磁界分布から明らかなように、間隔dが異なる電流検出器においては、電流iに対する感度が異なり、間隔dが小さくなるほど感度が向上することが分かる。したがって、間隔d1、d2の異なる電流検出器10H、10Lは、被検出電流iに対する感度が互いに異なり、間隔d1<d2の電流検出器10Hの方が高感度になる。なお、各電流検出器10H、10Lの磁電変換素子1a、1bTMR素子に関しては、素子形状や膜厚などを変更することにより、感度の異なる素子を実現することが可能であるが、素子サイズのばらつきなどの影響を受け易い。したがって、図16では、各電流検出器10H、10Lにおいて、磁電変換素子1a、1bの素子形状や膜厚を実質的に一定に設定し、被検出電流線の間隔d1、d2のみを変えて、磁電変換素子1a、1bと被検出電流線との配置差を発生させることにより、異なる感度の電流検出器10H、10Lを構成している。仮に、素子形状や膜厚を変えることによって磁電変換素子1a、1bの感度を変更する場合には、異なる素子形状または異なる膜厚の素子をそれぞれ精密に作製しなければならない。一方、図16のように、間隔d1、d2を変えることにより、同じ電流iであっても磁電変換素子1a、1bに印加される磁界が互いに異なるように構成した場合には、磁電変換素子1a、1bと被検出電流線との位置バラつきが小さくなるように作製すればよい。この発明の実施の形態2図16によれば、磁電変換素子1a、1bが2本の被検出電流線の間中心位置に配置されているので、被検出電流線が生成する磁界分布が、ゆるやかになり、配線と磁電変換素子1a、1bとの位置ばらつきの影響も少ない。この結果、2つの検出感度を有し、かつばらつきの少ない電流検出器を得ることが可能となる。また、2つの電流検出器10H、10Lの値から、オフセットのリアルタイム補正を行うことが可能である。以下、図16に示した半導体装置30Hにおいて、二股に分岐した被検出電流線13a13b、14a14bの間隔d1d2の中心位置に配置された2個の電流検出器10H、10Lの磁電変換素子1a、1bTMR素子に生じる磁界について考慮する。同じ被検出電流iの電流量ipに対して、各TMR素子の位置に生じる磁界H1、H2は、被検出電流線とTMR素子との配置のみで決定され、センサ設計において一意に決まる係数A1、A2を用いて、以下の式1、式2のように記述することができる。H1=A1×ip1H2=A2×ip2ここで、2つのTMR素子の特性が等しく、かつTMR素子の抵抗値Rが線形領域においてR=R0αHと記載できるものとすると、各TMR素子の抵抗値R1、R2は、以下の式3、式4のように表すことができる。R1=R0αA1×ip3R2=R0αA2×ip4式3、式4において、電流量ipの値は、あらかじめ測定で得られる抵抗値R1、R2と、既知の係数A1、A2とから、基準抵抗値R0によらずに求めることができる。したがって、式3、式4を用いることにより、たとえば温度変化によって基準抵抗値R0の値が変化しても、抵抗値R1、R2の値から電流値ipを高精度に求めることが可能になる。なお、図16においては、2つ異なる感度の電流検出器10H、10Lを有する半導体装置30Hを示したが、同様の手法を拡大適用することにより、3つ以上の感度を有する電流検出器を有する半導体装置を構成することも可能なことは言うまでもない。また、被検出電流線が2本に分かれた部分と、被検出電流線が1本に合流した部分とのそれぞれにTMR素子を配置してもよい。以上のように、この発明の実施の形態1図16に係る半導体装置30Hは、電流iの感度測定範囲が互いに異なる複数2個の電流検出器10H、10Lを備えているので、複数の磁電変換素子1a、1bTMR素子から得られる信号を用いることにより、検出電流範囲を広くしつつ、ばらつきの影響を抑制することができる。