"基板の厚さ方向に直交する前記基板の主面に平行な第一方向に薄い板状の第一可撓部であって、互いに平行に前記第一方向に配列された複数の第一可撓部と、隣り合う二つの前記第一可撓部を一組として、一組ずつ前記第一可撓部の前記厚さ方向の一方の端部同士を連結する第二可撓部と、前記第二可撓部が連結する前記第一可撓部の組み合わせにおいて異なる組に属す隣り合う二つの前記第一可撓部を一組として、一組ずつ前記第一可撓部の前記厚さ方向の他方の端部同士を連結する第三可撓部と、前記第二可撓部および前記第三可撓部の少なくともいずれか一方の、前記基板の主面と平行な面に形成され、二層の電極層と当該二層の電極層に挟み込まれた無機圧電材料からなる圧電層とを有する圧電素子と、矩形枠形態の枠部であって、対向する一対の内壁面において、前記厚さ方向および前記第一方向に直交する第二方向における前記第一可撓部の両端部と前記第二可撓部の両端部と前記第三可撓部の両端部と結合している枠部と、を備える圧電型アクチュエータ。前記第二可撓部または前記第三可撓部の前記圧電素子が形成されている面の前記第二方向の長さは、前記圧電素子の前記第二方向の長さより長い、請求項1に記載の圧電型アクチュエータ。前記第一可撓部は、前記基板を構成するシリコン層を前記基板の一方の主面側と他方の主面側の両側から異方性エッチングで深掘りすることによって形成された薄板を含んで構成されている、請求項1または請求項2に記載の圧電型アクチュエータ。前記第一可撓部は、蒸着重合法またはCVD法によって形成された無機化合物または有機化合物の膜からなる、請求項1または請求項2に記載の圧電型アクチュエータ。特許文献1,2では振動板にポリフッ化ビニリデンPVDF等の高分子樹脂圧電材が使用されており、無機圧電材と比較して大きな音圧を得られないという問題があった。また、特許文献2においては、波形形状の各中間部が当該部分の振動を阻止するための保持体によって保持されているため、変位量が小さくなり、大きな音圧が得られない。特許文献1の圧電膜スピーカは、一枚の圧電シートを成形して波形の形状を作り出すため、応力が残存し、性能や歩留まりが安定しない。また小型化も難しい。本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、小さな実装面積で大きな出力を得ることができる圧電型アクチュエータを提供することを目的とする。1上記目的を達成するための圧電型アクチュエータは、基板の厚さ方向に直交する前記基板の主面に平行な第一方向に薄い板状の第一可撓部であって、互いに平行に前記第一方向に配列された複数の第一可撓部と、隣り合う二つの前記第一可撓部を一組として、一組ずつ前記第一可撓部の前記厚さ方向基板の厚さ方向の一方の端部同士を連結する第二可撓部と、前記第二可撓部が連結する前記第一可撓部の組み合わせにおいて異なる組に属す隣り合う二つの前記第一可撓部を一組として、一組ずつ前記第一可撓部の前記厚さ方向基板の厚さ方向の他方の端部同士を連結する第三可撓部と、前記第二可撓部および前記第三可撓部の少なくともいずれか一方の前記基板の主面と平行な面に形成され、二層の電極層と当該二層の電極層に挟み込まれた無機圧電材料からなる圧電層とを有する圧電素子と、矩形枠形態の枠部であって、対向する一対の内壁面において、前記厚さ方向基板の厚さ方向および前記第一方向に直交する第二方向における前記第一可撓部の両端部と前記第二可撓部の両端部と前記第三可撓部の両端部と結合している枠部と、を備える。本発明によると、基板の厚さ方向の面をも振動板として利用することができるので、小さな実装面積であっても振動面の面積を広くできる。したがって圧電型アクチュエータを小型化することが容易である。また、スピーカに適用する場合、小型であっても低域での音圧を向上させることができる。さらに、小型化することで1枚のウエハから製造できる圧電型アクチュエータの個数が増加するためコスト低減に寄与する。また、無機圧電材料からなる圧電層を使用するため、有機圧電材料を用いる場合と比較して大きな出力を得ることができる。2上記目的を達成するための圧電型アクチュエータは、前記第二可撓部または前記第三可撓部の前記圧電素子が形成されている面の前記第二方向の長さは、前記圧電素子の前記第二方向の長さより長くてもよい。第二可撓部または第三可撓部の圧電素子が形成されている面の第二方向の長さが圧電素子の第二方向の長さと同じか短い場合、圧電素子の収縮や膨張によって第二可撓部または第三可撓部と枠部との結合部分に応力が集中し破損しやすくなる。そのため圧電素子の変形量を大きくしづらい。本発明の構成によると、結合部分に応力が集中することを防ぐことができるので、前述の場合と比較すると圧電素子を大きく変形させることができ、各可撓部の変位幅を大きくすることができる。3上記目的を達成するための圧電型アクチュエータは、前記第一可撓部は、前記基板を構成するシリコン層を前記基板の一方の主面側と他方の主面側の両側から異方性エッチングで深掘りすることによって形成された薄板を含んで構成されていてもよい。この場合、第一可撓部の残留応力が少ないため、性能歩留まりが安定する。4上記目的を達成するための圧電型アクチュエータは、前記第一可撓部は、蒸着重合法またはCVD法によって形成された無機化合物または有機化合物の膜で構成されてもよい。第一可撓部の振動方向第一方向においてより薄い膜を使用することができるので、第一可撓部の変位幅を大きくすることができる。以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。1.第一実施形態構成図1および図2は本発明の一実施形態にかかる圧電型スピーカを示す図である。図1Aは圧電型スピーカの上面図、図1Bは図1Aの1B-1B線における断面図、図1Cは図1Aの1C-1C線における断面図である。図2Aは圧電型スピーカの底面図、図2Bは図1Aの破線の楕円で囲んだ領域2Bの拡大図である。各図においては、説明の便宜のために互いに直交するxyz軸を規定する。基板の厚さ方向がz軸に平行な方向に相当し、第一方向がx軸に平行な方向に相当し、第二方向がy軸と平行な方向に相当する。xy平面が基板の主面と平行な平面に相当する。ハイル型のスピーカである圧電型スピーカはMEMS製造プロセスを用いて形成される積層構造体である。圧電型スピーカを構成する積層構造体は、主に次に述べる複数の層が積層されてなる。ベース層10は厚さ625μmのシリコンSiからなる。第一絶縁層11および第二絶縁層12は厚さ1μmの酸化シリコンからなる。第一SOI層13および第二SOI層14は厚さ10μmのシリコンからなる。第三絶縁層15および第四絶縁層16は厚さ0.5μmの酸化シリコンからなる。圧電型スピーカは、枠部Sと、複数の第一可撓部F1と、複数の第二可撓部F2と、複数の第三可撓部F3と、複数の圧電素子Pとを備えている。枠部Sは矩形枠形態である。枠部Sは、第三絶縁層15と第一SOI層13と第一絶縁層11とベース層10と第二絶縁層12と第二SOI層14と第四絶縁層16とからなる。第一可撓部F1はx軸方向に薄く、x軸方向に複数配列されている。第一可撓部F1は互いに平行に配列されている。第一可撓部F1のy軸方向の両端部は枠部Sのxz平面に平行な一対の内壁面と結合している。第一可撓部F1は第一絶縁層11とベース層10と第二絶縁層12とからなる。第二可撓部F2はz軸方向に薄い。第二可撓部F2は、隣り合う二つの第一可撓部F1を一組として、一組ずつ第一可撓部F1のz軸方向の一端同士を連結する。また、第二可撓部F2のy軸方向の両端部は枠部Sのxz平面に平行な一対の内壁面と結合している。隣り合う第二可撓部F2は溝部H1によって隔てられている。第二可撓部F2は、第二SOI層14と第四絶縁層16とからなる。第三可撓部F3は、隣り合う二つの第一可撓部F1であって、第二可撓部F2が連結する組み合わせにおいては異なる組に属する二つの第一可撓部F1を一組として、一組ずつ第一可撓部F1のz軸方向の他端同士を連結する。すなわち、第一可撓部F1と第二可撓部F2と第三可撓部F3とでハイル型の構造が形成されている。また、第三可撓部F3は、最も外側の第一可撓部F1と枠部Sのyz平面に平行な内壁面とを連結する。また、第三可撓部F3のy軸方向の両端部は枠部Sのxz平面に平行な一対の内壁面と結合している。隣り合う第三可撓部F3は溝部H2によって隔てられている。第三可撓部F3はz軸方向に薄い。第三可撓部F3は、第三絶縁層15と第一SOI層13とからなる。溝部H1,H2のy軸方向の長さ、すなわち、第二可撓部F2と第三可撓部F3のy軸方向の長さは、圧電素子Pのy軸方向の長さより長いことが望ましい。その結果、後述するように第二可撓部F2や第三可撓部F3が変位するとき、その運動を妨げにくくすることができる。また図2Bに示すように、圧電素子Pのy軸方向の長さより延長されている第二可撓部F2の部分延長部というの溝部H1に面している面と、溝部H1に面している枠部Sの内壁面とは、曲面を有する波形の形状を有している。第三可撓部F3の延長部の溝部H2に面している面と、溝部H2に面している枠部の内壁面とも、同様に波形の形状を有していてもよい。その結果、さらに第二可撓部F2や第三可撓部F3を変位しやすくすることができる。第二可撓部F2の第一可撓部F1と結合する面と平行な表面上には、圧電素子Pが形成されている。圧電素子Pは、第一電極層17と圧電層18と第二電極層19とがこの順に積層されてなる。第一電極層17および第二電極層19は例えば厚さ0.1μmの白金Ptからなる。圧電層18は、厚さ3μmのチタン酸ジルコン酸鉛PZTからなる。配線部21aは各圧電素子Pの第二電極層19同士を接続する。配線部21aは第五絶縁層20によって第一電極層17と絶縁されている。配線部21bは各圧電素子Pの第一電極層17同士を接続する。配線部21a配線部21bは厚さ0.5μmのアルミニウムAlからなる。動作図3は圧電型スピーカの動作を説明するための図である。各図は、y軸方向の中央付近におけるxz平面に平行な面の簡易的な断面図である。第一電極層17および第二電極層19に印加する電圧の極性によって、圧電層18は膨張または圧縮する。圧電層18が膨張する場合、図3Aおよび図3Bに示すように第二可撓部F2がz方向に凸となるように撓む。第二可撓部F2がこのように撓むことによって第一可撓部F1は溝部H1のx軸方向の幅が広がるように撓む。第一可撓部F1がこのように撓むことによって第三可撓部F3は、z方向に凸となるように撓む。各可撓部がこのように変形するとき、溝部H1には外部から空気が吸引され溝部H2から空気が外部に放出される。圧電層18が圧縮した場合、図3Cおよび図3Dに示すように第二可撓部F2が-z方向に凸となるように撓む。第二可撓部F2がこのように撓むことによって第一可撓部F1は溝部H2のx軸方向の幅が広がるように撓む。第一可撓部F1がこのように撓むことによって第三可撓部F3は-z方向に凸となるように撓む。各可撓部がこのように変形するとき、溝部H2から空気が外部に放出され溝部H2には外部から空気が吸引される。以上のように圧電素子Pに印加する電圧の極性を周期的に変えることにより、気圧の振動を生じさせることができ、スピーカとして機能させることができる。また、基板の厚さ方向の面も振動板として機能させることができるので、スピーカの小型化が可能である。さらに、無機圧電材料からなる圧電層を用いるので有機圧電材料からなる圧電層を用いる場合よりも大きな音圧を得ることができる。製造方法本実施形態における圧電型スピーカの製造方法を図4を用いて説明する。図4は、図1Aの1B-1B線に対応する断面図である。はじめに、図4Aに示すように、SOI基板100の表裏両面に第三絶縁層15および第四絶縁層16を形成する。SOI基板100は、ベース層10と、ベース層10の一方の主面に順に積層されている第一絶縁層11第一SOI層13と、ベース層10の他方の主面に順に積層されている第二絶縁層12第二SOI層14と、からなる。第三絶縁層15および第四絶縁層16は、SOI基板100を熱酸化することによって形成された酸化シリコンの層である。続いて図4Bに示すように、第四絶縁層16の表面上に第一電極層17圧電層18第二電極層19を順に形成する。第一電極層17および第二電極層19として、スパッタ法によって厚さ0.1μmの白金Pt層を成膜する。圧電層18としては、PZTをスパッタ法または水熱合成法により3μm成膜する。続いて図4Cに示すように、第二電極層19圧電層18第一電極層17を順に一層ずつエッチングし、第一電極層17と圧電層18と第二電極層19とが積層されてなる圧電素子を複数形成する。具体的には、図示しないフォトレジストからなる保護層を用いて例えばArイオンを用いたミリング法によって第二電極層19をエッチングし、エッチング後、保護層を除去する。圧電層18および第一電極層17についても同様の方法でエッチングする。続いて、図1Cおよび図4Dに示すように、圧電素子Pのy方向の一端に第五絶縁層20を形成し、その後、圧電素子Pの第一電極層17同士を接続する21bと第二電極層19同士を接続する配線部21aを形成する。第五絶縁層20としては、例えば厚さ5μmの感光性ポリイミドを用いる。他にも例えば、CVDChemicalVaporDeposition法によって二酸化シリコン膜を成膜した後、図示しないフォトレジストからなる保護層を用いてエッチングするようにしてもよい。また、スクリーン印刷法を用いて第五絶縁層20を圧電素子のy軸方向の一端を覆う領域に形成してもよい。配線層21は、例えばスパッタ法によって厚さ0.5μmのアルミニウムAlからなる配線層21を成膜し、図示しないフォトレジストからなる保護層を用いて、Cl2ガスを用いて配線層21を反応性イオンエッチングすることによって形成される。エッチング後保護層を除去する。続いて図4Eに示すように、フォトレジストからなる図示しない保護層を用いて、第四絶縁層16第二SOI層14第二絶縁層12ベース層10第一絶縁層11をエッチングし溝部H1を形成する。例えば、第四絶縁層16第二絶縁層12第一絶縁層11のエッチングとしては、CHF3ガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いる。第二SOI層14のエッチングには、CF4ガスおよびO2ガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いる。反応性イオンエッチング法の他に、フッ酸や緩衝フッ酸によるウェットエッチング法を用いてもよい。ベース層10のDeep-RIEReactiveIonEtchingは、パッシベーションC4F8プラズマとエッチングSF6プラズマのステップを短く交互に繰り返す、所謂ボッシュプロセスを用いる。エッチング終了後、図示しない保護層を除去する。この時点での上面図は図1Aとなる。なお、溝部H1を形成する際に用いる保護層の形状によって、前述の延長部の溝部H1に面する面と、溝部H1に面する枠部Sの内壁面とに波形形状を形成することができる。続いて、フォトレジストからなる図示しない保護層をマスクに用いて、第三絶縁層15第一SOI層13第一絶縁層11ベース層10第二絶縁層12をエッチングし、図1Bおよび図2Aに示すように溝部H2を形成する。第三絶縁層15第一絶縁層11第二絶縁層12のエッチングは、第四絶縁層16第二絶縁層12第一絶縁層11のエッチングと同様の方法で行うことができる。また、第一SOI層13のエッチングは第二SOI層14のエッチングと同様の方法で行うことができる。ベース層10のエッチングも図4Eの工程と同様に行うことができる。エッチング後、保護層を除去する。その後、ダイシングし、セラミックまたは金属、シリコン製のパッケージに実装する。以上の工程により、図1および図2に示す圧電型スピーカを製造することができる。基板の厚さ方向の面も振動板として機能させることができるので、スピーカの小型化が可能である。その結果、1枚のウエハから多くのスピーカ素子を製造することができ、コスト削減に寄与することができる。2.第二実施形態構成本発明の第二実施形態にかかる圧電型スピーカの構成を図5を用いて説明する。図5Aは圧電型スピーカの上面図、図5Bは図5Aの5B-5B線における断面図、図5Cは図5Aの5C-5C線における断面図である。枠部Sは第一SOI層13と第一絶縁層11とベース層10と第二絶縁層12と第二SOI層14と第四絶縁層16と第六絶縁層22とからなる。第六絶縁層22は、厚さ3μmの窒化シリコンSiNからなる。第一可撓部F1は第六絶縁層22からなる。第二可撓部F2は第二絶縁層12と第二SOI層14と第四絶縁層16とからなる。第三可撓部F3は第六絶縁層22からなる。第二可撓部F2の表面上には圧電素子Pが形成されている。動作圧電素子Pに周期的に極性が反転する所定電圧を印加することで、第一実施形態と同様に各可撓部を振動させることができ、スピーカとして機能させることができる。また、第一可撓部F1は後述する製造方法によって薄く形成することができるため、変位幅を大きくすることができる。製造方法図6を用いて第二実施形態にかかる圧電型スピーカの製造方法を説明する。図6Aに示すように、第一実施形態と同様のSOI基板100を準備し、SOI基板100の表裏両面に第三絶縁層15および第四絶縁層16を形成する。なお、ベース層10第二絶縁層12第二基板層14がこの順に積層されてなるSOI基板を準備し、厚さ0.2mmのテンパックスガラスをベース層10と陽極接合により貼り合わせてもよい。続いて第一実施形態の図4Bおよび図4Cで示した工程と同様に、第四絶縁層16の表面上に第一電極層17圧電層18第二電極層19を形成し、各層をエッチングして複数の圧電素子Pを形成する。続いて図6Bに示すように、フォトレジストからなる図示しない保護層をマスクに用いて、第四絶縁層16第二SOI層14第二絶縁層12ベース層10第一絶縁層11をエッチングし溝部H1を形成する。各層のエッチングは図4Eで説明した方法と同様の方法を用いることができる。その後、保護層を除去する。続いて図6Cに示すように、第六絶縁層22をコンフォーマルに形成し、図示しない保護層をマスクに用いて第六絶縁層22をエッチングすることによってコンタクトホールH3を形成し、第二電極層19および第一電極層17を露出させる。第六絶縁層22としては、例えばCVD法により、厚さ3μmの窒化シリコンSiN膜を形成する。例えばBMR社製のCVD装置HiDepを用いると100°C未満のプロセス温度でSi3N4を成膜することができる。SiNの代わりに、オゾンO3とテトラエトキシシランTEOSとを用いてCVD法によりSiO2膜を形成してもよい。なおその場合、当該SiO2膜の下面にすなわちSiO2膜の成膜前にSiN膜が薄く形成されていることが望ましい。SiNやSiO2等の無機膜の代わりに、有機膜を用いても良い。例えば、蒸着重合法を用いてポリイミドを成膜してもよい。あるいはCVD法を用いてパリレンを成膜してもよい。第六絶縁層22のエッチングには、例えばCHF3ガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いる。エッチング後、保護層を除去する。続いて図6Dに示すように、配線部21a21bを形成する。具体的には例えば、メタルマスクを用いてAlを厚さ1μmで蒸着する。あるいは、Agペーストを用いたスクリーン印刷法によって配線部21a、21bを形成してもよい。また、Agナノインクを用いてインクジェット法によって配線部21a、21bを形成してもよい。続いて、図示しないフォトレジストからなる保護層枠部Sの裏面を覆い枠部Sの内側の領域全体を露出させる一つの開口が形成された保護層をマスクに用いて第三絶縁層15第一SOI層13第一絶縁層11ベース層10をエッチングにより除去することによって、溝部H2を形成する。具体的には例えば、第三絶縁層15第一絶縁層11のエッチングには、CHF3ガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いる。第一SOI層13のエッチングにはCF4ガスおよびO2ガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いる。反応性イオンエッチング法の他に、フッ酸や緩衝フッ酸によるウェットエッチング法を用いてもよい。ベース層10のDeep-RIEReactiveIonEtchingは、パッシベーションC4F8プラズマとエッチングSF6プラズマのステップを短く交互に繰り返す、所謂ボッシュプロセスを用いる。第六絶縁層22には、上記エッチング方法を用いてエッチングする上記した各層とエッチング選択性のある材料SiN膜や有機膜が採用されているため、第六絶縁層22を残存させることができる。また、上記の各エッチング時には枠部Sの裏面を覆い枠部Sの内側の領域全体を露出させる一つの開口が形成された保護層を用いる。したがって、各溝部H2の形成領域に合わせて開口が形成された保護層を用いる場合と比較すると本実施形態の上記の保護層はフォトリソグラフィの位置精度に関してそれほど高精度である必要がないため、コスト削減にもつながる。エッチング後、保護層を除去し、ダイシングすることによって図5に示す圧電型スピーカを製造することができる。3.他の実施形態尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や形状や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。なお本発明は、スピーカに限らず様々なアクチュエータに適用することができる。圧電型スピーカを構成する各部は図7Aに示すような層で構成されていてもよい。枠部Sは第一絶縁層11とベース層10と第二絶縁層12とからなる。第一可撓部F1はベース層10からなる。第二可撓部F2は第二絶縁層12からなる。第三可撓部F3は第二絶縁層12からなる。また、上記した実施形態では第二可撓部F2の表面上に圧電素子Pが設けられている構成を説明したが、第二可撓部F2と第三可撓部F3の両方に圧電素子Pが設けられていても良い。両側に圧電素子Pが設けられていると、第一可撓部F1の変位幅を大きくすることができ、大きな音圧を得ることができる。さらに、無機圧電材料としてはPZTの他に、チタン酸バリウムBaTiO2、ニオブ酸リチウムLiNbO2などを用いてもよい。"