空胴共振器を有する高周波発振器の発振周波数の可変方法であって、該高周波発振器の空胴共振器と電磁界的に結合した状態でスイッチ素子を配置し、該スイッチ素子の一方の電極にバイアス電圧印加端子を接続し、前記スイッチ素子の他方の電極を前記空胴共振器と電気的に接続すると共に、前記スイッチ素子のいずれかの端部に該スイッチ素子を通して伝送される高周波を反射させる大きさの金属板を設け、前記スイッチ素子にバイアス電圧を印加して、該バイアス電圧を変化させることにより、前記スイッチ素子のリアクタンスを変化させて前記空胴共振器の共振周波数を変化させることを特徴とする高周波発振器の発振周波数の可変方法。前記高周波発振器が、真空外囲器の内部に前記空胴共振器が形成される電子管であり、該真空外囲器の壁面の一部に形成される貫通孔または前記空胴共振器と電磁界的に結合した線状導体を介して、前記真空外囲器の外側に導き出される電磁界と結合するように前記スイッチ素子が設けられてなる請求項1記載の高周波発振器の発振周波数の可変方法。前記スイッチ素子および該スイッチ素子に接続される導体の少なくとも一部を被覆するように金属からなる筐体が、前記スイッチ素子および該スイッチ素子と接続される導体と接触しないように設けられ、前記金属板の前記スイッチ素子と接触する面と反対面、および該反対面と対向する前記筐体の端面の間隔が発振波長の1/4より小さい間隔に形成されてなる請求項2記載の高周波発振器の発振周波数の可変方法。前記金属板の前記スイッチ素子と反対側の面と、前記筐体の端面との間に誘電体板が挿入されてなる請求項3記載の高周波発振器の発振周波数の可変方法。以上のように、上記特許文献1および、特許文献2には、電子同調マグネトロンを具現させるための原理が示されている。ただし、バイアス印加時の発振周波数の変化範囲が狭くスイッチ素子の特性範囲が限定される欠点があった。また、発振出力の安定性は、スイッチ素子特性や、接触あるいは搭載精度等の搭載構造に顕著に影響されるという欠点があった。つまり、スイッチ素子のバイアス電圧に対するインピーダンス変化が、リアクタンスのみでなくレジスタンスを大きく変化させる場合、発振出力のレベルが大きく変化してしまうという問題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、スイッチ素子の広い範囲のインピーダンス特性に対して安定した出力でマグネトロンなどの発振を行い、所望する発振周波数をバイアス電圧により変化させることができる方法を提供する。本発明の高周波発振器の発振周波数の可変方法は、空胴共振器を有する高周波発振器の発振周波数の可変方法であって、該高周波発振器の空胴共振器と電磁界的に結合した状態でスイッチ素子を配置し、該スイッチ素子の一方の電極にバイアス電圧印加端子を接続し、前記スイッチ素子の他方の電極を前記空胴共振器と電気的に接続すると共に、前記スイッチ素子のいずれかの端部に該スイッチ素子を通して伝送される高周波を反射させる大きさの金属板を設け、前記スイッチ素子にバイアス電圧を印加して、該バイアス電圧を変化させることにより、前記スイッチ素子のリアクタンスを変化させて前記空胴共振器の共振周波数を変化させることを特徴とする。ここに高周波的に反射させるとは、直流的には接続されていても、高周波電界が反射する状態であることを意味する。前記高周波発振器が、真空外囲器の内部に前記空胴共振器が形成される電子管であり、該真空外囲器の壁面の一部に形成される貫通孔または前記空胴共振器と電磁界的に結合した線状導体を介して、前記真空外囲器の外側に導き出される電磁界と結合するように前記スイッチ素子が設けられる構造にすることができる。ここに電磁界的に結合とは、空間に張り出す電磁界と高周波的に結合することのみならず、導体で直接接続されて高周波電流が流れる状態をも含む意味である。前記スイッチ素子および該スイッチ素子に接続される導体の少なくとも一部を被覆するように金属からなる筐体が、前記スイッチ素子および該スイッチ素子と接続される導体と接触しないように設けられ、前記金属板の前記スイッチ素子と接触する面と反対面、および該反対面と対向する前記筐体の端面の間隔が発振波長の1/4より小さい間隔に形成されていることにより、周波数の可変量を大きくすることができる。すなわち、一般的には、金属板と終端との距離は、発振波長λの1/4の間隔にすることが電界の最大となるため好ましく、λ/4の距離に設定されるのであるが、金属板を含む特性インピーダンス等の種々検討の結果、λ/4より小さく、具体的にはλ/6以下、λ/15以上にすることにより、同じバイアス電圧の変化に対して最も発振周波数変化を大きくできることを見出した。また、スイッチ素子特性や接触、その配置精度による影響を軽減できることを見出した。ここに導体とは、金属板以外にも、後述する接続電極端子、外部導体、同軸中心導体など種々の導電性部材を含むものを意味する。前記金属板の前記スイッチ素子と反対側の面と、前記筐体の端面との間に誘電体板が挿入されることにより、金属板と筐体端面との間隔を一定にすることができるため、バイアス電圧による発振出力の変動を抑えることができるため好ましい。本発明の高周波発振器の発振周波数の可変方法によれば、可動部を持つ機械式手段によらず、簡単な構造で、外部からの電気信号により所望の周波数の高出カマイクロ波を極めて速いレスポンスで得ることができる。また、スイッチ素子を管球内部などの空胴共振器内に配置することなく、広い可変範囲の発振周波数を得ることができ、生産性を阻害することもなく、低価格で信頼性の高いマグネトロンなどの電子管を得ることができるという効果がある。また、マグネトロンの周波数ドリフトヘの対策、混信防上のための周波数選択が容易となり、パルス発振出力に変調をかけることにより低いピーク出力で多くの圧縮情報を含ませることができるので、レーダーの探知性能は、格段に向上することになる。さらに、長いパルス幅の信号を利用し、パルス圧縮が可能となるので、近距離も含めた探知距離分解能を向上させることができると同時に占有周波数帯域幅の狭小化等が可能になるという効果もある。さらに、本発明によれば、スイッチ素子の接触や搭載位置に対する影響を軽減できることから、生産時の周波数調整を簡素化することが可能となり、コストダウンに寄与するという効果がある。その結果、周波数を外部からの信号で自由に広い範囲で可変して使用できるマイクロ波の発振源を供給できることになり、マグネトロンなどの周波数ドリフトヘの対策、混信防止のための周波数選択が容易になるという利点がある。また、速いレスポンスで周波数変化が行えれば、パルス内の周波数変化が行えることになり、変調波を発振することができる。それにより信号に含まれる情報量が大幅に増大し、レーダーの探知性能は格段に向上する。図1に、本発明による外部からのバイアス電圧印加により発振周波数を変化させる方法の一実施形態を説明する図がマグネトロンの例で示されている。前述の図8に示される従来のマグネトロンの構造と比較すると、金属板接触板22が、スイッチ素子18の端部に設けられている点で相違している。すなわち、本発明の高周波発振器の発振周波数の可変方法は、高周波発振器の空胴共振器と電磁界的に結合した状態空胴共振器から空中を伝播する電磁界、または空胴共振器と電磁界により結合するループを介した導電線もしくは空胴共振器に直接接続した導電線を介して空胴共振器から外部に導出された状態を含む、以下同じでスイッチ素子18を配置し、スイッチ素子18の一方の電極にバイアス電圧印加端子14Tを接続し、スイッチ素子18の他方の電極を空胴共振器図1に示される例ではアノードシェル2と電気的に接続すると共に、スイッチ素子18のいずれかの端部にスイッチ素子18を通して伝送される高周波を反射させる大きさの金属板22を設け、スイッチ素子18にバイアス電圧を印加して、そのバイアス電圧を変化させることにより、スイッチ素子18のリアクタンスを変化させて共振空胴の共振周波数を変化させている。図1に示される例は、マグネトロンの空胴共振器と、貫通孔11を通り空間に張り出した電磁界により結合するようにスイッチ素子18が設けられる例が示されているが、高周波発振器としては、マグネトロンには限られず、クライストロンやCFAなどの他の高周波用電子管や、固体発振器でも空胴共振器を有する発振器に適用することができる。図1に示されるマグネトロンは、貫通孔11を通してアノードシェル2内部の空胴共振器と高周波的に結合されて導き出された電磁界に影響を与えるように金属製ロッド14が配置されている。この金属製ロッド14の一端は、絶縁体15を介して金属製の第1支持体16aにより保持されている。一方、金属製ロッド14の他端は、スイッチ素子18に接続され、本来は第2支持体16bにより保持されることになる。このとき、スイッチ素子18は金属板22に接続されている。この金属板22は、スイッチ素子18を通して伝送される高周波を反射させるためのもので、導電体金属製ロッド14、スイッチ素子18などの断面の直径に対して大きいほどその反射を確実にするため好ましい。しかし、本発明者が鋭意検討を重ねて検討した結果、図7に基づいて後述するように、その金属板22の中心からの距離が発振波長λのλ/10以上となるような大きさに形成することが好ましい。この考え方は、例えば金属製ロッド14およびスイッチ素子18を高周波が伝送される場合、この金属製ロッド14やスイッチ素子18などの導電体は、同軸構造の中心導体と考えることができ図1に示される例では、外部導体は図示されていないが、後述する例のように、外部導体としての筐体を設けることが好ましい、同軸構造の特性インピーダンスは、中心導体の外径をa、外部導体の内径をb、中心導体と外部導体との間の誘電体の比誘電率をεrとするとき、次式1で示されることが知られている。Z0=138εr12logb/a1この式で、金属板22の外径aが導電体の直径に対して急激に大きくなると、導電体と金属板22の特性インピーダンスの差が大きくなり不整合となる。このため、伝送されてくる高周波はほぼ全反射に近い状態になる。このような全反射に近い状態で、その前に設けられるスイッチ素子18のリアクタンスが変化すると、その変化分が敏感に影響するため、スイッチ素子18に流すバイアス電流の変化が僅かであっても、その発振周波数を大幅に変化させることができる。この金属板22の外径が導電体の直径に対して大きいほど、特性インピーダンスの差が大きくなるため好ましいが、後述する図7に示されるように、λ/10以上の半径を有することが好ましい。この観点から、金属板22の外形には制限されないが、導電体金属製ロッド14、スイッチ素子18などの中心からの距離に影響するため、円形状であることが好ましいものの、矩形状であっても、その中心から各辺までの距離が発振波長のλ/10以上の距離を有していれば構わない。なお、この中心からの距離を大きくする場合には、後述する外部導体としても機能する筐体を設ける場合には、その筐体と接触しないようにすることが必要である。図1に示されるマグネトロンの構造は、前述の図8に示された構造と同じで、カソード1と同心にアノードを構成する円筒状のアノードシェル2が設けられ、そのアノードシェル2の内壁にカソード1に向かって放射状に形成されたアノードベーン3が設けられることにより、複数個の空胴共振器が形成され、1個おきにアノードベーン3がストラップ4により連結されている。すなわち、2個のストラップ4の一方が接続されたアノードベーン3の間のアノードベーン3がそれぞれ他のストラップ4により連結されることにより、1つおきのアノードベーン3がそれぞれ同電位になるように接続されると共に、隣接するアノードベーン3間で位相が180°πラジアン異なるようにしてπモードで安定して発振するように形成されている。そして、共振空胴の壁面であるアノードシェル2に貫通孔図1の例ではスリット11が形成され、この貫通孔11の外側を、セラミックスまたはガラスなどの低誘電体損材料からなる誘電体窓12により塞ぎ、真空外囲器として内部の共振空胴の部分の真空を維持している。そして、マイクロ波の電磁界を真空外囲器の外側に張り出させ、その誘電体窓12の前面で電磁界が張り出している部分に、金属製ロッド棒状金属14が配置されている。この金属製ロッド14の一端部14Tは、絶縁体15を介して、金属からなる第1支持体16aに固定され、その第2支持体16bはアノードシェル2に固定されている。また、金属製ロッド14の他端には、PINダイオードなどからなるスイッチ素子18の一端が接続され、このスイッチ素子18の他端は、金属からなる金属板22を介して金属からなる第2支持体16bによりアノードシェル2に電気的に接続短絡されている。本発明では、このように、スイッチ素子18の一端部に金属板22が設けられているため、金属板22の大きさをスイッチ素子18を通して伝送される高周波を反射させる大きさにするだけで、金属板22のインピーダンスは大きく変化し高周波的な反射面を得ることができる。それにより、スイッチ素子18の一端が反射面から一定の距離を保つことができ、常に安定したインピーダンス変化を得ることができる。すなわち、このような金属板22を設けないと、金属製ロッド14の一端部14Tと、アノードシェル2との間に電圧を印加することにより、スイッチ素子18にバイアス電流が流れて、リアクタンス分だけではなく、レジスタンスが変化してしまう。このレジスタンスの変化、特にレジスタンスの増加は、共振のQと、結合度を低下させる。そのため、発振時の出力低下が起こる。つまり、バイアス電圧によって、発振出力が変動することになる。しかし、本発明による金属板22を設けることにより、反射面に対してスイッチ素子18内の容量変化が効果的に共振器のリアクタンスを変化させることができるようになり、レジスタンスに影響を及ぼさなくすることができる。結果として結合度の変化を低減でき発振周波数を安定して大きく変化することが可能となる。このとき、発振出力も安定することになる。図2に本発明による外部からのバイアス電圧印加により発振周波数を変化することのできる電子管の一種であるマグネトロンによる他の実施形態を示す。図9に示す従来のマグネトロン構造に対して、金属板22を追加したものである。従って、金属板22以外の構造は、図9と同じで、同じ部分には同じ符号を付してその詳細な説明を省略するが、アノードシェル2に設けられた貫通孔この例では、スリットではなく円形の孔11を通してアノードシェル2内部と高周波的に結合させた同軸中心導体17が貫通しベーン4に接続されている。この高周波結合は、アノードシェル2空胴共振器内と高周波的に結合していれば、ベーン4に図2に示されるような形で接続する必要はなく、ループ形状にして共振器空胴内に電磁界結合したり、ベーン4の周方向端部へ直接挿入して磁界結合させたりするなど、種々の変形が考えられる。同軸中心導体17の他端は、貫通孔11を閉塞して真空外囲器の一部とし得るようにアノードシェル2に設けられる誘電体部25を貫通し外部導体34に接続されている。外部導体34は、スイッチ素子18の一方の電極に接続され、スイッチ素子18の外部導体34に接続されていない側の他方の電極に接触板22が接触して設けられ、その端部にバイアス電圧を印加できるようになっている。この金属板22は、前述の例と同様に、その中心から辺または、周までの距離を発振波長の1/10以上として形成されている。その結果、スイッチ素子18の一方の電極に接続された外部導体34を介してバイアス電圧を加えることにより、このスイッチ素子18が接続された回路を短絡状態にしたり、その回路のリアクタンスを変化させたりすることができる。一方、スイッチ素子18の一端が反射面から一定の距離を保った点を金属板22により反射面とすることができることから、前述の例と同様に、安定したインピーダンス変化を得ることができる。反射面に対してスイッチ素子18内の容量変化が効果的に共振器のリアクタンスを変化させ、結果として発振周波数を安定して大きく変化させることが可能となる。なお、外部導体34を省き、同軸中心導体17を直接スイッチ素子18に接続しても構わない。図3および図5に本願発明による外部からのバイアス電圧印加により発振周波数を変化することのできる電子管の一種であるマグネトロンによるさらに他の実施形態を示す。なお、図5に示される例は、スイッチ素子18を外部導体34と直角方向に接続しただけで、他の構造は図3と同じであり、図3に基づいて説明をする。この例は、図2の実施形態で、外部に引き出された外部導体34、スイッチ素子18、および金属板22を被覆する筐体35が設けられ、スイッチ素子18の他の電極には、金属板22を介して金属製のバイアス端子23を付加した構造となっている。この筐体35の内部は副次的な空胴が形成されているが、同軸中心導体17または外部導体34を中心導体とする同軸構造の寸法に形成することもできる。しかし、ただ単にこれらを被覆する構造に形成されていても良い。この筐体35は、構造物であるスイッチ素子18を含む部品を保護したり、マイクロ波の漏洩を防止したりする役割を果たす。ここで重要なのは、既に説明済みである金属板22の大きさであり、金属板22の中心から辺または、周までの距離を発振波長の1/10以上としている。図7に、図3の構造で、金属板22の中心からの距離円形の外径を変化させたときの、マグネトロンのアノード空胴共振器側から見たスイッチ素子18側のSパラメータ挿入損失および反射損失の測定例を示す。金属板22の中心からの距離を増加させて変化させると、挿入損失は増加し、反射損失は低下することが分る。これにより、金属板22のインピーダンスがより大きく変化し、高周波的な反射面を得られることが分る。したがって、スイッチ素子18の一端から一定の距離を保った点が反射面となることから安定したインピーダンス変化を得ることができる。反射面に対してスイッチ素子18内の容量変化が効果的に共振器のリアクタンスを変化させ、結果として発振周波数を安定して大きく変化することが可能となる。加えて、副次的に取り付けられた筐体35と金属板22の間隔を発振波長の1/6以下としたことである。すなわち、本来、金属板と終端との距離は、発振波長λの1/4の間隔にすることが好ましく、λ/4の距離に設定されるのであるが、種々検討の結果、λ/4より小さく、具体的にはλ/6以下、λ/15以上にすることにより、同じバイアス電圧の変化に対して最も発振周波数変化を大きくできることを見出した。この寸法にすることにより、副次的に取り付けられた筐体35の壁面が、金属板22へ影響を及ぼさず、金属板22が安定して上記の機能をするよう動作する。図3に示される構造で、9.4GHz帯のマグネトロンの場合、金属板22を半径が5mm程度発振波長の約1/6の大きさに形成し、金属板22のスイッチ素子18側と反対面と、筐体35の端面との間隔dを2mm発振波長の約1/16とし、スイッチ素子18としてPINダイオードを用い、バイアス電圧を0Vから0.6Vまで変化させたとき、安定して22MHzの発振周波数可変量が得られた。なお、同じ条件で、金属板22を設けない場合には、3MHzから11MHzの変化しか得られず、しかも不安定であった。図4および図6に、図3の構造をさらに改善した構造が示されている。なお、図6は、前述の図5と同様に、スイッチ素子18の引き出し方向を図4の構造に対して90°異ならせただけであり、そのほかの構造は図4と同じであるので、図4に基づいて説明をする。図4に示される構造は、図3の構造の金属板22と筐体35の端部との間に誘電体ディスク誘電体板24が設けられている。これにより、図3に示される構造で説明した発振波長の1/6以下の寸法を安定して正確に保持することが可能となり、発振周波数を大きく変化させる機能とバイアス電圧による発振出力の変動を抑えることが可能となる。なお、図4では、バイアス端子23をチョーク構造26の中心部に通すことにより、バイアス端子23からのマイクロ波の漏洩を防止することができる。また、副次的に取り付けられた筐体35内の空胴部を真空引きにするか、不活性ガスの封入を行うことにより、内部電界の上昇に対する放電を防止することができる。発振出力を高めたい場合など内部のスイッチ素子18やその周辺の金属部品の電界が上昇する。したがって周辺に他の金属が配置されると放電発生の原因となる。しかし、排気管19から排気を行い真空、または不活性ガスの充填を行うことにより、放電防止に効果的である。また、航空機に搭載したり、高地で使用したりされる場合に、スイッチ素子18周辺は、管球外真空外囲器外にあるため、低圧力にさらされることがある。その場合に、コロナ放電が発生して部品の劣化を発生させることがある。そのときに、真空になっていれば、コロナ放電は発生せず、また、不活性ガスによってもこのコロナ放電の発生を防止することができる。前述の各例において、アノード内部との結合を1箇所にして判り易く説明したが、このような結合を電子管の複数の共振空胴からとり、複数のスイッチ素子18を使用して実施しても構わない。しかし、本発明では、本来単数のスイッチ素子により広範囲の周波数変化が行える構造になっている。その上で、別の効果を得る目的でスイッチ素子を複数個用いることはできるが、非常に多い数量を用意する必要は発生しない。また、発振出力の安定化の改善が可能であり、大出力を得ようとした場合にも故障無く安定した発振を長期にわたり行うことができる。さらに、生産時の周波数調整を簡素化することが可能となる。複数のスイッチ素子を準備した場合のバイアス電圧回路に、ダイオードを直列に接続する方法が考えられる。その場合に、一方の回路に1個、他方の回路に2個とするなど、数量を変えて接続しても良い。これにより、バイアス電圧発生器から印加された電圧によりバイアス電流の流れ出す場合の電圧がダイオード1個の回路と2個の回路で異なることになる。通常のシリコンダイオードを使用すると、同じバイアス電圧を印加したときにダイオード1個当り約0.6Vの差が生じてバイアス電流が流れるようになる。これにより、スイッチ素子18のバイアス電圧に対する周波数変化動作がずれ、スイッチ素子18がリニアでない特性の場合に、より緩やかに周波数が変化することになる。なお、ダイオード5および6の数量は、0個を含み数に拘らず両者の数が異なっていれば、上記の機能を有することになる。また、ダイオードの代わりに抵抗器を直列に挿入しても、両者の抵抗値を変えることにより、両者の特性が変わるため、上記の機能を得ることができる。