単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたことを特徴とするステンシルマスクブランク。前記アモルファスシリコン層の応力及び膜厚は、活性層及び中間絶縁層が形成された支持基板の反り量と、マスク製造工程中に変動する該支持基板の反り量の合計反り量を相殺する応力及び膜厚であることを特徴とする請求項1記載のステンシルマスクブランク。請求項1又は請求項2記載のステンシルマスクブランクを用いて、活性層に転写パターンを形成したことを特徴とするステンシルマスク。請求項1又は請求項2記載のステンシルマスクブランクを用いたステンシルマスクの製造方法であって、前記アモルファスシリコン層に予め加熱処理を施し、結晶性を安定させることを特徴とするステンシルマスクの製造方法。請求項3記載のステンシルマスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を形成する工程を具備することを特徴とする荷電粒子線のパターン露光方法。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、反り調整層を有したステンシルマスクを使用した際に発生する転写精度の低下、すなわち、露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、この蓄積された電荷により電子線が偏向し転写精度が低下するといったことのないステンシルマスクを製造することのできるステンシルマスクブランクを提供することを課題とするものである。また、上記ステンシルマスクブランクを用いて製造したステンシルマスク、及びその製造方法、並びに上記ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することを課題とする。本発明は、単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたことを特徴とするステンシルマスクブランクである。また、本発明は、上記発明によるステンシルマスクブランクにおいて、前記アモルファスシリコン層の応力及び膜厚は、活性層及び中間絶縁層が形成された支持基板の反り量と、マスク製造工程中に変動する該支持基板の反り量の合計反り量を相殺する応力及び膜厚であることを特徴とするステンシルマスクブランクである。また、本発明は、請求項1又は請求項2記載のステンシルマスクブランクを用いて、活性層に転写パターンを形成したことを特徴とするステンシルマスクである。また、本発明は、請求項1又は請求項2記載のステンシルマスクブランクを用いたステンシルマスクの製造方法であって、前記アモルファスシリコン層に予め加熱処理を施し、結晶性を安定させることを特徴とするステンシルマスクの製造方法である。また、本発明は、請求項3記載のステンシルマスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を形成する工程を具備することを特徴とする荷電粒子線のパターン露光方法である。本発明によれば、反り調整層を有したステンシルマスクを使用した際に、露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下するといったことのないステンシルマスクを得ることができる。また、本発明では反り調整層として支持基板を構成する材料と同一材料であるシリコンを用いているので、反り調整層の加工と支持基板の加工に専用エッチング装置を別個に用意する必要はない。また、本発明のパターン露光方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露光が長期間可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造を高い歩留りで行うことが出来る。以下、本発明の内容をSOI基板を用いたステンシルマスクの製造工程を例にとり説明する。図1a~gに、本発明を実施した場合のステンシルマスクの製造工程の断面図を示す。まず、SOI基板10を用意する図1a。この際の活性層11及びBOX層12ならびに支持基板13の膜厚をそれぞれ、活性層2μm、BOX層1μm、支持基板725μmと仮定すると、BOX層の圧縮応力の影響によりSOI基板全体が活性層側に反った変形が発生する。このSOI基板の反り量はBOX層の膜厚と応力により決定される。このSOI基板の支持基板側に、応力及び膜厚を制御した反り調整層111を形成し、SOI基板全体の反り量を調整する。反り調整層の形成方法にはスパッタ法、CVD法、蒸着法等の公知の薄膜形成法を用いることが可能である図1b。この際に用いる反り調整層の材料は導電性を有していることが必要となる。導電性が必要な理由は、露光の際に照射された電子線によりステンシルマスクが帯電すると、帯電した電荷により電子線が偏向しパターン転写精度が悪化するためである。次に、支持基板上に形成した反り調整層111上に開口部形成のためレジストを塗布し、露光、現像により、開口パターンを有する開口部形成用レジストパターン18を形成する図1c。このレジストをエッチングマスクとして反り調整層及び支持基板をエッチングストッパーであるBOX層までエッチングし、その後にレジストを剥膜し、BOX層を除去して開口部15を形成し、ステンシルマスクブランク100を得る図1d。次に、電子線透過孔を形成するためのレジストパターン19を活性層上に形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして電子線透過孔14を形成する。電子線透過孔を形成した後にレジストを剥膜して、ステンシルマスク112を完成させる図1e~g。以下、SOI基板を用いたステンシルマスクの製造工程を例にとり、実施例の詳細を説明する。まず、直径200mmのSOI基板を用意した。このSOI基板の層構成は活性層、BOX層、支持基板の厚みが、各々2μm、1μm、725μmである。このSOI基板の反り量を測定したところ活性層側に凸形状の変形を有し、その反り量は85μmであった。反り量はSOI基板自体の自重による影響を除外するため、活性層を上面にして測定した反り量と支持基板を上面にして測定した反り量の平均値を反り量と規定した。このSOI基板の支持基板側に反り調整層として多結晶シリコンターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ法によりアモルファスシリコン層を形成した。本実施例では、DCマグネトロンスパッタ法を用いてシリコン層を形成しているが、その他RF方式のスパッタ法でもシリコン層は形成可能であり、また、CVD法や蒸着法によっても形成可能である。今回、反り調整層として成膜したアモルファスシリコン層の膜厚は1.5μmであり、アモルファスシリコン層形成直後のSOI基板の反り量は支持基板側に約100μmの反りが発生していたが、このSOI基板を250°Cの温度で1時間加熱処理した後のSOI基板の反り量は活性層側に3.7μmの凸型の形状であることが確認された。加熱処理を施した理由は、スパッタ法によって形成された薄膜の応力は熱的に不安定であるため、加熱処理により膜の結晶性を安定させ、マスク製造工程中の加熱処理等によって応力が変化するのを防ぐためである。加熱によるスパッタ薄膜の応力変化は、膜中の結晶欠陥や結晶粒界の変化が原因と考えられている。一般に加熱による応力変化は不可逆的な変化で、その後に同温度まで加熱されても応力に変化が生じないことが知られている。スパッタ法により反り調整層を形成する場合、レジストコート後のベーク等、その後のマスク製造工程で加熱される温度まで予め加熱処理を施しておくことで薄膜の応力変化を防ぐことが有効となる。次に、開口部の形成を行う。支持基板側に開口部形成のためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして、反り調整層であるアモルファスシリコン層、及び支持基板をIPC誘導結合型プラズマ:InductivityCoupledPlasma方式のドライエッチング装置でエッチングした。この際に用いたエッチングガスはフロロカーボン系ガスのCF4であったが、その他、C2F6、CHF3等のフロロカーボン系ガスやCl2やBCl3等の塩素系ガスもしくはこれらの混合ガスでもアモルファスシリコン及び支持基板のエッチングは可能である。アモルファスシリコン層及び支持基板の加工後にエッチングマスクとして使用したレジストをアセトンで除去して裏面開口部を完成させた。本発明では反り調整層として支持基板を構成する材料と同一材料であるシリコンを用いているが、反り調整層を他のシリコン以外の材料で構成した場合は、反り調整層の加工と支持基板の加工は別個に行なうことが必要となる。この場合、反り調整層を加工するための専用エッチング装置を別個に用意することが必要となり、また、反り調整層のエッチング条件の最適化を行なうことが必要となる。結果としてマスクの作製工程とコストが増大する。また、シリコン以外の材料を反り調整層として用いた場合、その後の支持基板加工の際に、エッチング残渣発生の原因となる可能性があるので十分に注意することが必要となる。例えば、モリブデンを反り調整層として用いた場合、モリブデンは反応性に乏しい物質であるため、スパッタエッチング等で強制的に除去することが必要となる。この場合、イオン衝撃により、除去されたモリブデンはレジスト側壁へ際付着する。レジスト側壁へ付着したモリブデンは、その後の支持基板エッチングの際に加えられるイオン衝撃により剥れ落ちることがあり、剥れ落ちたモリブデンがエッチングマスクとして作用して、支持基板の加工形状に悪影響を及ぼす結果となる。このように、支持基板と異なる材料を反り調整層として用いる場合、応力制御性に加え、その加工性についても十分に検討を行うことが必要である。次に、電子線透過孔を形成した。はじめに、電子線透過孔のレジストパターンを電子線描画により形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして電子線透過孔を形成する。活性層のシリコンのエッチングには塩素と酸素の混合プラズマを用いてIPC方式のドライエッチングによりエッチングを行った。電子線透過孔形成後に残ったレジストは有機溶媒を用いて除去し、ステンシルマスクを完成させた。このステンシルマスクの反り量を測定したところ、支持基板側に5μmほどの凸型の形状であり、アモルファスシリコン層を形成して反り量を調整した直後に比べ約9μmの反り量の変動が確認された。反り量が変動した理由としては、開口部形成の際にBOX層の除去によってBOX層が有する圧縮応力の影響が変化したことや、支持基板を構成するシリコンがエッチングされたことによるSOI基板全体の機械的強度変化等が考えられる。このBOX層除去や開口部形成による反り量の変化量は、エッチングにより除去されるBOX層及び支持基板の総量がSOI基板全体に占める割合から予測が可能であり、反り調整層を形成する際に予め変動量を予測して、SOI基板全体の反り量の変化を考慮した反り調整を施すことが有効となる。