"a基板上に任意に基板上に下部クラッド層を堆積し、さらにコア層を堆積する段階と、b前記コア層をパターニングして、光透過要素を設ける段階と、c前記光透過要素上に上部クラッド層を堆積する段階と、d前記上部クラッド層をパターニングして少なくとも一の領域を設ける段階であって、この領域においては前記光透過要素がエアクラッドであるところの段階と、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを備えた集積光導波路の製造方法。前記光透過要素は、少なくとも一端がエアクラッドであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記光透過要素は、単一構造体として導波路とレンズとを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。前記レンズは、エアクラッド曲面を有することを特徴とする請求項3に記載の方法。前記光透過要素は、少なくとも一側がエアクラッドであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記光透過要素は、曲部を有する導波路を含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。前記導波路は、前記曲部の領域にエアクラッド表面を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。前記導波路は、前記曲部の外側に対応する側にエアクラッド表面を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。前記上部クラッドの一部は、前記光透過要素の一部に一致することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記光透過要素の頂部は、エアクラッドであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記上部クラッド層は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記高分子材料は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記熱硬化性樹脂は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項12に記載の方法。前記高分子材料は、化学線によって硬化可能な高分子を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記化学線は、紫外線であることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記高分子材料は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記上部クラッド層は、パターニングされた熱源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされ、硬化された材料は前記溶剤に対して不溶性であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記上部クラッド層は、パターニングされた紫外線源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされ、硬化された材料は前記溶剤に対して不溶性であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記基板は、シリコン、石英、石英ガラス、ガラス、又は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記高分子材料は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、又は、PETを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記下部クラッド層存在する場合と光透過要素は、高分子材料、ガラス及び半導体から選択される材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記高分子材料は、化学線によって硬化可能な高分子を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。前記化学線は、紫外線であることを特徴とする請求項22に記載の方法。前記高分子材料は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項22に記載の方法。基板と、任意で下部クラッド層と、光透過要素と、少なくとも一のエアクラッド領域を有するパターニングされた上部クラッドと、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを有する集積光導波路。前記光透過要素は、少なくとも一端がエアクラッドであることを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記光透過要素は、単一構造体として導波路とレンズとを含むことを特徴とする請求項26に記載の集積光導波路。前記レンズは、エアクラッド曲面を有することを特徴とする請求項27に記載の集積光導波路。前記光透過要素は、少なくとも一側がエアクラッドであることを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記光透過要素は、曲部を有する導波路を含むことを特徴とする請求項29に記載の集積光導波路。前記導波路は、前記曲部の領域にエアクラッド表面を有することを特徴とする請求項30に記載の集積光導波路。前記導波路は、前記曲部の外側に対応する側にエアクラッド表面を有することを特徴とする請求項31に記載の集積光導波路。前記上部クラッドの一部は、前記光透過要素の一部に一致することを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記光透過要素の頂部は、エアクラッドであることを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記上部クラッド層は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項35に記載の集積光導波路。前記熱硬化性樹脂は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項36に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、化学線によって硬化可能な高分子を含むことを特徴とする請求項35に記載の集積光導波路。前記化学線は、紫外線であることを特徴とする請求項38に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項39に記載の集積光導波路。前記上部クラッド層は、パターニングされた熱源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされ、硬化された材料は前記溶剤に対して不溶性であることを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記上部クラッド層は、パターニングされた紫外線源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされ、硬化された材料は前記溶剤に対して不溶性であることを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記基板は、シリコン、石英、石英ガラス、ガラス、又は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、又は、PETを含むことを特徴とする請求項43に記載の集積光導波路。前記下部クラッド層存在する場合と光透過要素は、高分子材料、ガラス及び半導体から選択される材料を含むことを特徴とする請求項25に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、化学線によって硬化可能な高分子を含むことを特徴とする請求項45に記載の集積光導波路。前記化学線は、紫外線であることを特徴とする請求項46に記載の集積光導波路。前記高分子材料は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項47に記載の集積光導波路。a所定の波長を透過する基板の一部に前記所定の波長を透過しないパターニングされたブロッキング層を形成する段階と、b前記パターニングされたブロッキング層及び/または前記基板の覆われていない部分上にコア層を堆積する段階と、c前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、d前記光透過要素上及び/または前記パターンニングされたブロッキング層上及び/または前記基板の覆われていない部分上に、前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を堆積する段階と、e前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層の部分を硬化する段階と、f前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法。a所定の波長を透過する基板の一部に前記所定の波長を透過しないパターニングされたブロッキング層を形成する段階と、b前記ブロッキング層上及び/または前記基板の覆われていない部分上に下部クラッド層を堆積する段階と、c前記下部クラッド層上にコア層を堆積する段階と、d前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、e前記光透過要素上及び/または前記下部クラッド層の覆われていない部分上に前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を堆積する段階と、f前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層の部分を硬化する段階と、g前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法。前記基板は、シリコン、石英、石英ガラス、ガラス、又は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。前記高分子材料は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、又は、PETを含むことを特徴とする請求項51に記載の方法。前記パターニングされたブロッキング層は、スクリーン印刷で形成されることを特徴とする請求項49に記載の方法。前記上部クラッド層は、前記所定の波長の光に晒されることによって硬化可能な高分子を含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。前記所定の波長は、紫外領域であることを特徴とする請求項54に記載の方法。前記高分子は、シロキサン重合体であることを特徴とする請求項55に記載の方法。前記パターニングされたブロッキング層は、前記所定の波長の光を吸収する化合物を含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。前記パターニングされたブロッキング層は、散乱表面パターンを有し、前記散乱表面は、前記所定の波長の光の伝播を効率的に妨げ、前記光を散乱することを特徴とする請求項49に記載の方法。前記散乱表面は、機械摩耗によって形成されることを特徴とする請求項58に記載の方法。前記散乱表面は、化学エッチングによって形成されることを特徴とする請求項58に記載の方法。a所定の波長の光を透過する基板上に下部クラッド層を堆積する段階と、b前記所定の波長を有する光を透過しないパターニングされたブロッキング層を前記下部クラッド層上に形成する段階と、c前記ブロッキング層及び/または前記下部クラッド層の被覆されていない部分上にコア層を堆積する段階と、d前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、e前記光透過要素上及び/または前記ブロッキング層上及び/または前記下部クラッド層上に、前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を堆積する段階と、f前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層の部分を硬化する段階と、g前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法。i前記パターニングされたブロッキング層を形成した後であって、前記下部クラッド層を堆積する前に、リフトオフ層を形成する段階と、ii前記上部クラッド層の非硬化の部分を除去した後に、前記下部クラッド層と、光透過要素と、パターニングされた上部クラッド層と、を前記基板から分離するリフトオフ層を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。i前記下部クラッド層を堆積する前に前記基板上にリフトオフ層を形成する段階と、ii前記上部クラッド層の非硬化の部分を除去した後に、前記下部クラッド層と、パターニングされたブロッキング層と、光透過要素と、パターニングされた上部クラッド層と、を前記基板から分離するリフトオフ層を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。前記基板は、シリコン、石英、石英ガラス、ガラス、又は、高分子材料を含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。前記高分子材料は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、又は、PETを含むことを特徴とする請求項64に記載の方法。本発明は、光損失の少ない集積光導波路素子を提供することを目的とする。また、光損失の少ない集積光導波路素子を製造する方法を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、少なくとも一側では、少なくとも一の領域おいてコアがクラッド材と接触しないように上部クラッドがパターニングされている集積光導波路に関する。本発明の第2の態様は、上部クラッド層をパターニングする方法を記述する。以上のように、平板導波路には、上面と底面と2つの側部とを有する、断面が正方形または長方形の細長い光伝達コア領域がある。そのような平板導波路には、2つの端部があるだろう。また、これらの端部は基板に垂直であるので、本発明の目的においては、それらを側部であると見なすことができる。第1の態様によれば、本発明は、a基板上に任意に基板上に下部クラッド層を堆積し、さらにコア層を堆積する段階と、b前記コア層をパターニングして、光透過要素を設ける段階と、c前記光透過要素上に上部クラッド層を堆積する段階と、d前記上部クラッド層をパターニングして少なくとも一の領域を設ける段階であって、この領域においては前記光透過要素がエアクラッドであるところの段階と、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを備えた集積光導波路の製造方法を提供する。第2の側面によれば、本発明は、基板と、任意で下部クラッド層と、光透過要素と、少なくとも一のエアクラッド領域を有するパターニングされた上部クラッドと、を含むことを特徴とするパターニングされた上部クラッドを有する集積光導波路を提供する。前記コア層をパターニングすることによって、一般的に、基板または存在する下部クラッド層の覆われていない部分をもたらす。このような状況において、これが適用されるとき、この覆われていない部分は、その上部クラッド層を用いて全体的または部分的に再コーティングできることが理解されるであろう。その上部クラッド層をパターニングすることによって、前記基板あるいは下部クラッド層のある部分が覆われていない状態をもたらすこともあり、もたらさないこともある。また、本発明は、被覆されていない状態の前記光伝達部分のある側部または端部領域を開示しているが、当業者は、対象としている機能領域は別として、前記光伝達コアが機械的損傷と散乱損失を極力避けることができる最も良いクラッドであることを理解できるだろう。他の実施例では、前記光透過要素は、単一構造体として導波路とレンズとを含む。好ましくは、前記レンズは曲面を有し、前記上部クラッドをパターニングする段階は、前記曲面が前記上部クラッド材料に接触しないようにする。あるいは、前記光透過要素は、曲部を有する導波路を含む。望ましくは、前記導波路が前記上部クラッド材料に接触しないように、前記上部クラッドをパターニングする段階は前記曲部の領域において行われる。より望ましくは、前記導波路には、前記曲部の外側に対応する側に上部クラッド材料との接触がない。望ましくは、前記上部クラッド層は高分子材料を含み、より望ましくは、熱硬化性高分子を含む。したがって、前記上部クラッド層は、パターニングされた熱源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされることが好ましく、その硬化材料はその溶剤に対して不溶性である。あるいは、前記上部クラッド層は、化学線、より好ましくは紫外線によって硬化可能な高分子を含む。したがって、前記上部クラッド層は、パターニングされた紫外線源と溶剤に溶解された非硬化材料とを用いた選択的な硬化によってパターニングされることが好ましく、その硬化材料はその溶剤に対して不溶性である。一般に、前記高分子は、シロキサン重合体であることが好ましく、また、基板は、シリコン、シリカ、ガラスまたは高分子を含むことが好ましい。高分子基板に関する限定されない例は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、及び、PETを含む。望ましくは、前記下部クラッドと光透過要素は、高分子材料、ガラスおよび半導体から選択される材料を含む。より望ましくは、前記下部クラッドと光透過要素は、高分子、望ましくはシロキサン重合体を含み、それらは、化学線、最も好ましくは紫外線で硬化可能である。第3の側面によれば、本発明は、a所定の波長を透過する基板の一部に前記所定の波長を透過しないパターニングされたブロッキング層を形成する段階と、b前記パターニングされたブロッキング層及び/または前記基板の覆われていない部分上にコア層を堆積する段階と、c前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、d前記光透過要素上及び/または前記パターンニングされたブロッキング層上及び/または前記基板の覆われていない部分上に、前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を堆積する段階と、e前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層のそれらの部分を硬化する段階と、f前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むパターンニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法を提供する。第4の側面によれば、本発明は、a所定の波長を透過する基板の一部に前記所定の波長を透過しないパターニングされたブロッキング層を形成する段階と、b前記ブロッキング層上及び/または前記基板の覆われていない部分上に下部クラッド層を堆積する段階と、c前記下部クラッド層上にコア層を堆積する段階と、d前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、e前記光透過要素上及び/または前記下部クラッド層の覆われていない部分上に前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を堆積する段階と、f前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層のそれらの部分を硬化する段階と、g前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むパターンニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法を提供する。望ましくは、前記パターニングされたブロッキング層は、スクリーン印刷によって形成される。望ましくは、それは所定の波長の光を吸収する化合物を含む。望ましくは、前記上部クラッド層は、前記所定の波長の光に、好ましくは紫外線領域の光に晒すことによって硬化可能な高分子を含む。望ましくは、その高分子は、シロキサン重合体である。いくつかの実施例では、前記パターニングされたブロッキング層は、例えば、機械研磨や化学エッチングによって形成された散乱表面パターンを含むことが好ましく、前記散乱表面は、前記所定の波長の光を散乱し、前記光の伝播を効率的に妨げる。当然のことながら、前記コア層が基板上にパターニングされると、通常、基板には覆われていない部分が生じることになる。また、前記パターニングされたブロッキング層の一部または全部を覆わないこともできる。または、前記基板とブロッキング層は、通常、前記上部クラッド層を用いて再コーティングされるだろう。前記基板を通して硬化光を照射するフォトリソグラフィに続いて、ブロッキング層上のその部分は、通常洗浄される。他の領域は、例えば機械的な手段によってマスクされ、基板または被覆層は覆われない状態のままにされる。当然のことながら、前記コアが下部クラッド層上にパターニングされると、通常、下部クラッド層の覆われていない部分が生じることになる。また、下部クラッド層の一部または全部を覆わないのと同様に、前記パターニングされたブロッキング層の一部または全部を覆わないこともできる。前記基板、下部クラッド層、及び/またはブロッキング層は、通常、前記上部クラッド層を用いて再コーティングされるだろう。前記基板を通して硬化光を照射するフォトリソグラフィに続いて、ブロッキング層上のその部分は、通常洗浄される。他の領域は、例えば機械的な手段によってマスクされ、基板、下部クラッドまたは被覆層は覆われない状態のままにされる。第5の側面によれば、本発明は、a所定の波長を透過する基板上に下部クラッド層を堆積する段階と、b前記所定の波長を有する光を透過しないパターニングされたブロッキング層を前記下部クラッド層上に形成する段階と、c前記ブロッキング層及び/または前記下部クラッド層の被覆されていない部分上にコア層を堆積する段階と、d前記コア層を上方からパターニングして光透過要素を設ける段階と、e前記光透過要素上及び/または前記ブロッキング層上及び/または前記下部クラッド層上に、前記所定の波長の光に晒すことによって硬化可能な材料を含む上部クラッド層を設ける段階と、f前記上部クラッド層に下方から前記所定の波長の光を照射し、前記パターニングされたブロッキング層上に位置しない前記上部クラッド層のそれらの部分を硬化する段階と、g前記上部クラッド層の非硬化部分を除去する段階と、を含むパターンニングされた上部クラッドを備えた光導波路装置の組立方法を提供する。好ましい形態では、本発明は、i前記パターニングされたブロッキング層を形成した後であって、前記下部クラッド層を堆積する前に、リフトオフ層を形成する段階と、ii前記上部クラッド層の非硬化の部分を除去した後に、前記下部クラッド層と、光透過要素と、パターニングされた上部クラッド層と、を前記基板から分離するリフトオフ層を除去する段階と、をさらに含む方法を提供する。さらに他の好ましい形態では、本発明は、i前記下部クラッド層を堆積する前に前記基板上にリフトオフ層を形成する段階と、ii前記上部クラッド層の非硬化の部分を除去した後に、前記下部クラッド層と、パターニングされたブロッキング層と、光透過要素と、パターニングされた上部クラッド層と、を前記基板から分離するリフトオフ層を除去する段階と、をさらに含む方法を提供する。本発明の第1の態様は、少なくとも一側では、少なくとも一の領域おいてコアがクラッド材と接触しないように上部クラッドがパターニングされている集積光導波路に関する。この態様は、単一レンズ構造体を有する集積光導波路と、高屈曲部を有する集積光導波路とである、2つの限定されてない例によって示されるだろう。この態様は、高分子材料、特に光パターニングが可能な高分子を含む集積光導波路に適切であり、通常、様々な種類の材料を含む導波路に適用可能である。第一に、単一レンズ構造体におけるパターニングされた上部クラッドの例を考慮すると、以下の説明は、平行にされた光線を自由空間に進行させるレンズを中心に行う。しかしながら、これに限定されないことは理解されるべきである。同様の単一レンズ構造体は、同様に平行ビームを導波路に集束するために用いることができる。他の単一レンズ構造体、例えば、レーザーダイオードからの光を導波路に集束するためのレンズにおけるパターニングされた上部クラッドは、本発明の範囲に含まれる。図3aには、パターニングされた単一レンズ構造体30を有するエアクラッド導波路コア13の平面図が示されており、図3bには、その側面図が示されている。また、下部クラッド12と基板11も示されている。単一レンズ構造体30は、テーパー領域31と曲面32とを含む。コア13に沿って導入された光は、テーパー領域31に発散し、曲面32における屈折によって基板と平行な方向にされる。そのレンズは、導波路を有する単一構造体であるので、その2つの部分の間に接合部分があった場合に生じる損失や散乱は存在しない。基板に垂直な方向にその光線を平行化することが要求される場合は、二方向に平行化された光線34を作り出すために横円柱型レンズ33を使用することができる。そのコア13と単一レンズ構造体30は、諸望の形状にパターニング可能なあらゆる光学材料を含む。例えば、それらは、火炎加水分解によって堆積され、フォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチングRIEによってパターニングされたゲルマニウムでドーピングされたシリカを含む。より望ましくは、それらは、透過性高分子例えば、スピンコーティングで堆積されるを含み、フォトリソフラフィとそれに後続する適切な溶剤を用いた湿式現像によってパターニングされる。この構造に基づく1つの利点は、それを作製するために使用されるフォトリソグラフィ方法は、パターニングが正確であり、フォトリソグラフィで使用されるマスクの精度によってのみ制限されるということである。特に、高度に平行化された出力ビームを発生させるように、そのレンズの湾曲曲率は設計されることができる。あるいはまた、収束ビームを発生させるか、またはレーザーダイオードから照射された光を集めるように、レンズの湾曲曲率は設計されることができる。そのレンズの湾曲は、曲面32として示されているが、要求される平行ビームまたは収束ビームを発生させるのに適切な如何なる形状も有することができる。例えば、それは、円、楕円、放物線または双曲線の一部、または多項式で表される如何なる曲線も含むことができる。また、それは曲面に近似する複数の直線状の部分を含むことができる。実際には、単一レンズ構造体をパターニングするために必要なマスクを作製するために通常必要とするデジタル処理は、その曲面が複数の直線状の部分から構成されるであろうことを意味する。2番目の利点は、光導波路回路がダイスカットされる前にレンズを生産することができるということである。機械的損傷からそれを保護するために上部クラッドを有する単一コア及び/またはレンズを提供することは望ましい。しかしながら、レンズは、光が自由空間に真っ直ぐに進むことを可能にする必要があるので、曲面32は、その構造体を保護するために用いられるどのクラッドにも覆われることができない。この状況は、図4a平面図と図4b側面図に示されている。この場合、その光は、上部クラッド14から発散し、高い発散出力40として屈折される前に発散し続けるので、その曲面32は、出現した光を屈折して平行化された光線にすることは可能ではない。上部クラッド材料に平行化されたビームを進めるようにそのレンズが設計されても、その出力ビームは、その上部クラッドの平坦化における如何なる欠陥によっても影響を受けるだろう。上部クラッドは、堆積されるだけで、パターニングされないのであれば、曲面の必要な空気界面は、それをカッティングすることによって修復されて、図5a平面図と図5b側面図に示されているような形状にされる。結果として得られる構造体には良好な機械的完全性があるが、曲面は、通常のダイシングソーまたは基板切断方法によって作製することができないので、そのカッティング処理は非現実的である。さらに、そのカッティング処理で得られるそのレンズの形状や品質は、ここに示されたフォトリソグラフィ処理によって得られる形状や品質より一般的に劣るだろう。本発明によると、その導波路と単一レンズ構造体は、保護されることができて、レンズ/空気界面は、パターニングされた上部クラッドを用いることによって維持される。パターニングされた上部クラッドを有する単一レンズ構造体のための1つの可能な限定されない構成は、図6a平面図と図6b側面図に示されている。前述のように、そのコア13と単一レンズ構造体30は、所定の形状にパターニングすることができるあらゆる光学材料を含む。望ましくは、それらは、フォトリソグラフィと、それに後続する適切な溶剤を用いた湿式現像によってパターニングすることができる、光学的に透明な高分子例えば、スピンコーティングによって堆積されるを含む。しかしながら、ガラスまたは半導体のようなあらゆる他の光学材料は、例えばRIEによってパターニングされるそのコアと単一レンズ構造体のために用いることができる。そのコア13と単一レンズ構造体30が形成された後に、光パターニングが可能な高分子は、それらの上にスピンコーティングされる。その曲面32の上の硬化していない高分子の部分をマスクすることによって、その高分子の残部は、フォトリソグラフィ処理で化学線に晒されることで硬化される。それから、その高分子のマスクされた領域すなわち、硬化されていない領域は、適切な溶剤、例えば、アセトンまたはイソプロパノールを用いて溶解されることによって、パターニングされた上部クラッド60が得られる。この構成では、その上部クラッドの端部61は、テーパー面または曲面の後の任意な位置に配置されることができる。例えば、それは、コア頂部またはテーパー頂部63の周辺に配置されることができる。望ましくは、その高分子は、電子線に晒すことによって架橋することができる炭素-炭素二重結合やエポキシ基のような架橋性の機能を有し、それによって、選択された溶剤でその不溶性の材料を粉砕する。X線や電子線のような電離放射線が相応しいけれども、望ましくは、その化学線は紫外線である。このフォトリソグラフィ処理には高い精度は必要ないので、その架橋処理の熱活性化は、例えば、マスクを用いたCO2レーザーによって行うことも適切であるかもしれない。パターニングすることができる容易で温和な条件例えば、溶剤現像に後続される紫外線照射のため、光パターニング可能な高分子は、そのパターニングされた上部クラッドにとって特に好ましい。その下層となる構造体コア、単一レンズ構造体及び下部クラッドに用いられることができる様々な光学材料は、ほとんど全てガラス、半導体、架橋高分子を含むが、フォトリソグラフィで使用される低レベルの紫外線や、現像のために使用される溶剤によって損傷を受けないだろう。RIEのような他のパターニング技術を使用した場合には、そのようにならないかも知れない。この場合には、他の材料より急速にエッチングすることができる上部クラッド材料を使用しなければならないだろう。あるいは、多くの追加的な処理工程による費用がかかるが、エッチング停止バリア層を使うこともできる。パターニングされた上部クラッドのために特に好ましい1つの材料は、例えば、米国特許出願番号10/308562に開示されているように縮合反応によって合成された紫外線硬化シロキサン重合体である。シロキサン重合体は、さまざまな材料に対して良好な接着性を有しており、汎用の上部クラッドとしても非常に適している。硬化の速度を増加させるように光開始剤か熱開始剤を加えることができる。市販の光開始剤に関する例には、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトンIrgacure184、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパン-1-オンIrgacure907、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オンIrgacure651、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニル-ブタノン-1Irgacure369、4-ジメチルアミノベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オンDarocur1173、ベンゾフェノンDarocurBP、1-[4-2-ヒドロキシエトキシ-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オンIrgacure2959、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノンDEAB、2-クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、ベンゾイン、4,4’-ジメトキシベンゾインが含まれる。可視光線を用いた硬化においては、開始剤は、例えば、カンファーキノンであってもよい。また、2つまたはそれ以上の光開始剤の混合物も使用することができる。例えば、Irgacure1000は、80のDarocur1173と20のIrgacure184との混合物である。熱硬化のために、AIBNアゾビスイソブチロニトリルに加えて、過酸化物例えば、過酸化ジベンゾイル、パーオキシジカーボネート、過酸エステルt-ブチルパーベンゾエート、パーケタール、ヒドロペルオキシドなどの過酸化物形態の有機化酸化物を開始剤として用いることができる。したがって、本発明における好ましいパターニング技術である、高分子をフォトリソグラフィを用いたパターニングと湿式現像でパターニングする技術は、前述の従来文献に記載の化学エッチング技術の原理との相違が見られる。両方とも材料の一部を選択的除去することが必要であるが、化学エッチングエッチング液を用いる異なる組成物は、異なる反応速度を有するの場合には、その選択性は化学反応に依存し、一方、本発明における好ましいフォトリソグラフィ/湿式現像方法では、選択性は物理的処理異なる硬化程度を有する高分子は、異なる溶解度を有するに依存する。パターニングされた上部クラッドを有する単一レンズ構造体の他の限定されない構成は、図7a平面図と図7b側面図に示されている。この構成では、その上部クラッド71は、テーパー領域31の全体を覆い、曲面32の空気界面を維持するようにパターニングされている。図6aと図6bに関連して上述されたような同様の材料とパターニング技術は、この構成において採用されることができ、さらに、紫外線硬化可能なシロキサン重合体は、特にその上部クラッド材料として好適である。そのコア/レンズと上部クラッド材料の選択性は、この構成において必要ではない。したがって、パターニングは、溶剤現像によって後続される、RIEまたは望ましくは紫外線に誘引される架橋によって行われる上部クラッドがパターニングされると直ぐに、そのレンズの曲面に近接して任意にダイシングすることによって、諸望の集積光導波路装置は得ることができる。そのダイシング方向は、通常コアに沿った伝搬の方向に垂直であるが、装置や用途によっては、他のダイシング方向を使用できる。その装置は、1つまたはそれ以上の単一レンズ構造体のアレイを含むことができ、その場合、ダイシングの容易さのためにそれぞれのアレイを互いに平行に配置することが有利である。ここで、高屈曲部を有する集積光導波路の例を考えるに際し、高屈曲部81と除去された上部クラッド82すなわち、エアクラッドとがある集積光導波路80の平面図を図8に示す。この構成は、従来文献で知られているものであるが、コア/クラッドの屈折率の差がその曲部の平面で最大化されるので、曲げ損失が低いという利点があり、低い機械強度と散乱損失に対する影響という欠点がある。図9は、高屈曲部と上部クラッド90とを有する集積光導波路の平面図を示す。この構成は、従来文献で知られているものであり、そのコア材料と上部クラッド材料の屈折率の差が、その曲部の外側のコア/クラッド界面を通る光の過度の漏れを防止するには不十分であるので、良好な機械強度と散乱損失という利点があるが、高い曲げ損失という欠点がある。図10は、高屈曲部と、パターニングされた材料の上部クラッド/上部エアクラッド100とを有する集積光導波路の平面図を示しており、その上部クラッド材料は、高屈曲部を有するコアのそれらの領域の周辺には存在しない。この独創的な構成は、良好な機械強度、低散乱損失、および低曲げ損失の利点を併せ持つ。図10では、その上部クラッドは、高屈曲部を有するコアのそれらの領域にパターニングされており、その上部クラッドは、その曲部の内側と外側の何れの上面と側壁にも存在しない。曲部の外側の側壁に上部クラッドがないということだけが必要なことであることに注意すべきである。導波モードが材料クラッド領域から空気クラッド領域に伝播して材料クラッド領域に戻るときに、図10に示された独創的な構成は遷移損失を導入することは注意すべきことである。当業者は、この独創的な構成を最大限に利用するために、曲げ損失の最小化に対してこの遷移損失のバランスをとらなければならないことを理解するだろう。単一レンズの例に関しては、そのコアと上部クラッド層は、諸望の形状にパターニングすることができるあらゆる光学材料を含んでいてもよい。望ましくは、それらは、それぞれ、適切な溶剤を用いた湿式現像に後続されるフォトリソ工程によってパターニングすることができる光透過性高分子例えば、スピンコーティングで堆積されるを含む。米国特許6,555,288に開示されたコンフォーマルな上部クラッドにおいて、その文献の図7Aと図7Bには、コアと同様の方式その文献の図4と図5に示されているようにで、その上部クラッドが通常のフォトリソグラフィ/湿式現像処理すなわち、マスクを通して上部から電子線に晒し、次いで溶剤現像を行う処理でパターニングされることが示されている。その文献に記載された方法において、パターン照射すなわち、マスクを用いた電子線は、種々の画像手段、例えば、マスクアライナー、走査式プロジェクションアライナーまたはステッパーを用いて行うことができる。いずれにしても、その方法は、画像手段の2回の使用、すなわち、そのコアのための1回と、その上部クラッドのための1回の使用を必要とする。同様の画像手段は、両方の露光において使用でき、この場合、その光学素子を作製するためにかかる時間は増加し、多大な間接費を必要な2つの画像手段が使用される。しかしながら、一般に、上部クラッドは、導波路コアと同程度の空間精度でパターニングされることは必要としない。例えば、米国特許6,555,288の図7Bのコアに関する上部クラッドの位置調整、図6の単一レンズ構造体に関する上部クラッドの位置調整、または図10の曲部に関する上部クラッドの位置調整は、重大ではない。これが本願の図7の単一レンズ構造物のケースではないことに注意すべきであり、そのパターニングされた上部クラッドは、曲面を含めた完全な重ね合わせである必要はない。この理由で、図6に示された構成は、パターニングされた上部クラッドを有する単一レンズ構造体として好まれる。その文献で説明された方法への代替手段で、その上部クラッドは、下から透過性基板を通して化学線への露光によってパターニングされる。紫外線硬化高分子材料を用いて、このパターニング技術を実施するための可能な手段は、本発明の第2の形態を形成するが、それは、図11a~11hに示されている。上部クラッドマスクパターン110は、例えば、上部クラッドを硬化させるために使用される紫外線を透過する基板111上にスクリーン印刷で堆積される。適切な基板材料は、石英、石英ガラス、ガラス、高分子を含んでいる。高分子基板に関する限定されない例は、アクリレート、パースペスク、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、及び、PETである。下部クラッド層12は、基板上にスピンコーティングされ、紫外線を用いて上方から硬化される。コア層112は、硬化された下部クラッド層上にスピンコーティングされ、マスク114を用いて上部から紫外線113によって露光され、溶剤を用いて現像されることによってパターニングされ、結果として導波路コア13が残る。上部クラッド層115は、導波路コアを覆うようにスピンコーティングされ、上部クラッドマスクパターン110を用いて下方から紫外線116によって露光され、溶剤によって現像されることによってパターニングされ、結果としてパターニングされた上部クラッド117が残る。そのパターニングされた上部クラッド117は、この独創的な技術を例示するために用いられた任意の構造である。上述された独創的な技術は、限定的なものではなく、いくつかの可能な変形がある。上部クラッドマスクパターン110は、基板よりはむしろ下部クラッド層にスクリーン印刷される。この場合、化学線は下部クラッド層を通り抜けないが、はっきりした境界がパターニングされた上部クラッドに要求される回折によって制限されるのであれば、そのことは有利である。他の変形例では、その基板は透過的であるので、その下部クラッド層12は、省略されてもよいその基板の屈折率がそのコアの屈折率以下である限り。さらに別の変形例では、画像手段を必要とし、この独創的な技術の主要な利点を取り除くが、その上部クラッドマスクパターン110は、フォトグラフィを用いてプリンティングされることができる。その上部クラッドマスクパターン110は、その上部クラッドをパターニングするために使用される化学線通常、紫外線を吸収するあらゆる材料で構成することができる。例えば、それは、アルミニウムなどの金属または紫外線を吸収する顔料で構成することができる。望ましくは、それは、スクリーン印刷に適した顔料、染料またはメタリックペイントで構成される。より望ましくは、それは、コア層内で誘導される光通常、近赤外線を吸収せず、紫外線を強く吸収する材料で構成される。共役炭素-炭素二重結合及び/または芳香環がある化合物のような材料は、一般的であって、文献で知られている。上部クラッドマスクパターン110は、そのまま取り除かれるので、これは非常に有利な特性である。さらに別の変形例では、リバースマスクパターンは、透過性の基板上、および、例えば、サンドブラストまたはエッチング例えば、その基板が石英シリカである場合、弗酸を用いてによって粗くされた表面領域上にスクリーン印刷されることができる。それから、そのリバースマスクパターンは、例えば溶剤を用いて除去され、電子線を散乱する効果的に妨げる粗い外観のパターンとして諸望の上部クラッドマスクが残る。下方から照射するというスキームは、コア層をパターニングすることにおいては知られているが米国特許5,352,566、米国特許6,037,105、米国特許6,256,441、上部クラッド層をパターニングするためには知られていない。米国特許6,037,105、米国特許6,256,441に開示されているスキームは、実質的に同一であり、紫外線硬化コア層をパターニングするために、下部クラッド上に堆積された上部クラッドマスクパターンを必要とする。米国特許6,037,105では、下方から照射するというスキームは、フォトマスクとの接触によって引き起こされるコアの汚染コンタミネーションを防ぐのに使用され、一方、米国特許6,256,441では、それは、高精度なコアパターンを提供するのに使用される。対照的に、下方から上部クラッド層をパターニングするための独創的なスキームの目的は、必要な製造工程の数、特に画像手段を必要とする工程の数を減少させる。米国特許5,352,566に開示されているコアパターニングにおける下方から照射するというスキームは、多くの点で異なり、ポジ型のフォトレジスト層や反応性イオンエッチング工程を必要とする。独創的な上部クラッドパターニング技術のさらに別の可能な変形例では、基板と下部クラッド層及び/または上部クラッドマスクパターンとの間にリフトオフ層が挿入される。コアと上部クラッド層とがパターニングされた後に、下部クラッドとパターニングされたコアと上部クラッド層とを基板から分離するために、そのリフトオフ層は除去される。あらゆるフレキシブルな高分子導波路アセンブリが要求される場合に、この変化例は特に好ましい。この変形例の他の利点は、上部クラッドマスクパターンが除去されることを可能にするということである。下部クラッドは、追加的な可塑性高分子基板材料と堆積された光学的品質が良好なクラッド材料との組合せを含み、上部クラッドマスク層は、いくつかの層透過性基板、リフトオフ層、任意な可塑性高分子基板または下部クラッドのうちの1つの上に形成することができる。同様のリフトオフ層のスキームは、米国特許6,256,441に開示されているが、この開示では、下方からパターニングされるのは上部クラッドではなく、コア層である。下方からの露光によって上部クラッドをパターニングする独創的な方法は、単に本発明のパターニングされた独創的な上部クラッドのみならず、パターニングされた如何なる上部クラッドにも適用可能であり、上部クラッド層は、少なくとも一の領域において、少なくともコアの一側が上部クラッド材料との接触しないようにパターニングされるということは注意すべきことである。例えば、独創的な方法は、米国特許5,850,498や米国特許6,555,288に開示されたコンフォーマルな上部クラッドをパターニングするために使用することができる。実施例1米国特許出願番号10/308562に開示された手順に従って、2500cpセンチポイズの粘性20°Cにおいてと1.483の屈折率アッベ屈折計で、室内灯を用いて20°Cで測定されたを有する低屈折率の高分子Aを準備した。2200cpの粘性20°Cにおいてと1.509の屈折率20°Cにおいてを有する、より高い屈折率の高分子Bを準備した。適当な光開始剤を高分子Aと高分子Bの両方に加えた。シリコンウエハ上に高分子Aをスピンコーティングし、水銀ランプからの紫外線によって硬化し、20μmの厚さと1.47820°C、1550nmにおいての屈折率とを有する下部クラッド層を形成した。下部クラッド上に高分子Bをスピンコーティングし、マスクを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Bの材料をイソプロパノールで溶解し、図3aに示されているようにコアと単一レンズ構造体を形成した。そのコアは、幅が8μm、高さが15μmであり、1.50520°C、1550nmにおいての屈折率を有していた。最後に、高分子Aをスピンコーティングし、マスクを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図6aに示されているようにパターニングされた上部クラッドを形成した。図12は、単一レンズ構造体120を有する、ある特定の導波路の寸法を示す。ここで、その導波路コアの幅121は8μmであり、テーパー部分の長さ122は580μmであり、テーパー部分の端部における幅123は850μmであり、曲面32は、テーパーの端から距離124が550μmほど延びるように定義された放物線である。コア内で誘導される、波長が850nmの光において、この単一レンズ構造体は、基板に平行な方向で、約850μmの幅を有する平行化された出力ビームを作り出すだろう。実施例2実施例1で得られた高分子Aをシリコンウエハ上にスピンコーティングし、水銀ランプからの紫外線によって硬化し、20μmの厚さと1.47820°C、1550nmにおいての屈折率とを有する下部クラッド層を形成した。実施例1で得られた高分子Bを下部クラッド上にスピンコーティングし、マスクを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Bの材料をイソプロパノールで溶解し、図8に示されているような4つの高屈曲部を有するコアを形成した。そのコアは、幅が8μm、高さが15μmであり、1.50520°C、1550nmにおいての屈折率を有していた。最後に、コアを覆うように高分子Aをスピンコーティングし、マスクを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図10に示されているようにパターニングされた上部クラッドを形成した。実施例3アクリル基板パースペクスまたはポリメチルメタクリレート上に高分子Aをメニスカスコーティングし、水銀ランプからの紫外線によって硬化し、10μmの厚さと1.47820°C、1550nmにおいての屈折率とを有する下部クラッド層を形成した。下部クラッド上に高分子Bをメニスカスコーティングし、走査型プロジェクションアライナーを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Bの材料をイソプロパノールで溶解し、図3aに示されているようなコアと単一レンズ構造体を形成した。そのコアは、幅が8μm、高さが20μmであり、1.50520°C、1550nmにおいての屈折率を有していた。最後に、そのコアを覆うように高分子Aをメニスカスコーティングし、走査型プロジェクションアライナーを使用してパターニングし、露光されなかった高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成した。実施例4ポリビニルアルコールPVAの剥離層をガラスウエハ上にスピンコーティングした。光硬化高分子NorlandNOA65をスピンコーティングし、水銀ランプからの紫外線で硬化し、100μmの厚さの層を得た。高分子Aをスピンコーティングし、水銀ランプからの紫外線によって硬化し、10μmの厚さと1.47820°C、1550nmにおいての屈折率とを有する下部クラッド層を形成した。下部クラッド上に高分子Bをスピンコーティングし、マスクアライナーを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Bの材料をイソプロパノールで溶解し、図3aに示されているようなコアと単一レンズ構造体を形成した。そのコアは、幅が8μm、高さが10μmであり、1.50520°C、1550nmにおいての屈折率を有していた。コアを覆うように高分子Aをスピンコーティングし、マスクアライナーを使用してパターニングし、露光されなかった高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成した。そのコーティングされたウエハをそのPVA層を溶解するために水中に入れ、被覆されていないレンズを有する導波路を包含する独立の高分子フィルムをウエハから剥離した。余分な高分子フィルムを除去し、独立するプラスチック基板上に諸望の導波路を得た。実施例5紫外線吸収染料のマスク層を石英シリカ基板上にスクリーン印刷し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成するために上部クラッド材料が除去された領域を覆う。例えば、実施例1のように、高分子Aをスピンコーティングし、硬化して下部クラッド層を形成し、高分子Bをスピンコーティングし、紫外線でパターニングし、イソプロパノールで露光して図3aに示されているようなコアとレンズ構造体を形成した。高分子Aをスピンコーティングし、紫外線吸収染料マスク層を通して転写された諸望のパターンを用いて、下方から紫外線によって硬化する。露光されていない高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成する。実施例6紫外線吸収染料のマスク層をアクリル基板パースペスクまたはポリメチルメタクリレート上にスクリーン印刷し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成するために上部クラッド材料が除去された領域を覆う。その基板上に高分子Aをメニスカスコーティングし、水銀ランプの紫外線を用いて硬化し、10μmの厚さと1.47820°C、1550nmにおいての屈折率を有する下部クラッド層を形成する。下部クラッド上に高分子Bをメニスカスコーティングし、走査型プロジェクションアライナーを使用した紫外線でパターニングし、露光されなかった高分子Bの材料をイソプロパノールで溶解して図3aに示されているようなコアと単一レンズ構造体を形成した。そのコアは、幅が8μm、高さが15μmであり、1.50520°C、1550nmにおいての屈折率を有していた。高分子Aをスピンコーティングし、紫外線吸収染料マスク層を通して転写された諸望のパターンを用いて、下方から紫外線によって硬化した。露光されなかった高分子Aの材料をイソプロパノールで溶解し、図6aに示されているようなパターニングされた上部クラッドを形成した。"