"電流測定方法であって、被測定電流が流れる導体1の一部に前記被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域2;8;13;9a;9b;7a,7b;7c、7dを設けるステップと、前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子3;3a,3bを配置するステップと、前記方向変更領域2;8;13;9a;9b;7a,7b;7c、7dによって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を前記磁気検知素子によって検知するステップと、前記磁気検知素子の出力から前記被測定電流の電流量を推定するステップとを有することを特徴とする電流測定方法。前記被測定電流が流れる導体の一部に前記被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域を設けるステップは、前記方向変更領域として、前記被測定電流が流れない非導電領域2;8;13;7a,7b;7c、7dを設けるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の電流測定方法。前記方向変更領域によって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を前記磁気検知素子によって検知するステップは、前記磁気検知素子によって、前記非導電領域の外側を流れる迂回電流の前記被測定電流の主方向を向く磁界成分の検知するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、一方向にのみ磁界検知感度を有した磁気検知素子を、前記非導電領域の近傍で、かつ、前記磁界検知感度の方向が前記被測定電流の主方向を向くように配置するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の電流測定方法。前記方向変更領域によって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を前記磁気検知素子によって検知するステップは、前記主方向の軸に対して直交した軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子により、極性が異なる前記迂回電流の前記主方向の磁界成分を、それぞれ検知するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の電流測定方法。前記方向変更領域によって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を前記磁気検知素子によって検知するステップは、前記主方向の軸と平行な軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子により、極性が異なる前記迂回電流の前記主方向の磁界成分を、それぞれ検知するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の電流測定方法。前記方向変更領域によって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を前記磁気検知素子によって検知するステップは、前記主方向の軸に対して直交した軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子と、前記主方向の軸と平行な軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子とにより、極性が異なる前記迂回電流の前記主方向の磁界成分を、それぞれ検知するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記非導電領域の中心を原点とし、前記被測定電流の主方向をY軸、該Y軸に直交する幅方向をX軸とし、前記磁気検知素子の検知部を、前記非導電領域の中心から前記X軸と、前記Y軸とでそれぞれ0.5ないし2.5mmの距離だけ離した範囲に配置するステップを含むことを特徴とする請求項4ないし7のいずれか1項に記載の電流測定方法。前記被測定電流が流れる導体の一部に前記被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域を設けるステップは、前記方向変更領域として、前記被測定電流が流れる導体1の、前記被測定電流が流れる主方向における前方に前記導体の主要部の幅W0よりも狭い幅W2の出口9bを設け、前記導体1の後方に前記導体1の幅W0よりも狭い幅W2の入口9aを設けるステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記導体の中心から、前記磁気検知素子を前記主方向からオフセットして配置するとともに、前記主方向と直交した方向からもオフセットして配置するステップを含むことを特徴とする請求項9に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記導体において、前記出口と前記入口とを結ぶ線を挟んで少なくとも2個の磁気検知素子を配置するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記導体において、前記主方向に対して直交した線を挟んで少なくとも2個の磁気検知素子を配置するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記導体において、前記主方向に対して直交した線を挟んで少なくとも2個の磁気検知素子を配置し、前記主方向に対して直交した線を挟んで少なくとも2個の磁気検知素子を配置するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の電流測定方法。前記導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子を配置するステップは、前記磁気検知素子として、磁気インピーダンス素子又は直交フラックスゲート素子を配置するステップを含むことを特徴とする請求項1ないし13の何れか1項に記載の電流測定方法。電流測定装置であって、被測定電流が流れる導体1と、前記導体の一部に設けられ、前記被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域2;8;13;9a;9b;7a,7b;7c、7dと、前記導体に対して配置された少なくとも1つの磁気検知素子3;3a,3bと、前記方向変更領域2;8;13;9a;9b;7a,7b;7c、7dによって流れる方向を変更された前記被測定電流によって生じた磁界を検知した前記磁気検知素子の出力から前記被測定電流の電流量を推定する推定回路とを有することを特徴とする電流測定装置。前記方向変更領域は、前記被測定電流が流れない非導電領域2;8;13;7a,7b;7c、7dであることを特徴とする請求項14に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記非導電領域の外側を流れる迂回電流の前記被測定電流の主方向を向く磁界成分の検知する磁気検知素子であることを特徴とする請求項16に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、一方向にのみ磁界検知感度を有し、前記非導電領域の近傍で、かつ、前記磁界検知感度の方向が前記被測定電流の主方向を向くように配置された磁気検知素子であることを特徴とする請求項17に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記主方向の軸に対して直交した軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子であり、前記少なくとも2個の磁気検知素子は、それぞれ極性が異なる前記迂回電流の前記主方向の磁界成分を検知することを特徴とする請求項17に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記主方向の軸と平行な軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子であり、前記少なくとも2個の磁気検知素子は、それぞれ極性が異なる前記迂回電流の前記主方向の磁界成分を検知することを特徴とする請求項17に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記主方向の軸に対して直交した軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子と、前記主方向の軸と平行な軸であって、前記非導電領域の中心を通る軸に関して対称に配置された少なくとも2個の磁気検知素子であることを特徴とする請求項17に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記非導電領域の中心を原点とし、前記被測定電流の主方向をY軸、該Y軸に直交する幅方向をX軸とし、前記磁気検知素子の検知部を、前記非導電領域の中心から前記X軸と、前記Y軸とでそれぞれ0.5ないし2.5mmの距離だけ離した範囲に配置するステップを含むことを特徴とする請求項18ないし21のいずれか1項に記載の電流測定装置。前記方向変更領域は、前記被測定電流が流れる導体1において、前記被測定電流が流れる主方向における前方に設けられた前記導体の主要部の幅W0よりも狭い幅W2の出口9bと、前記導体1の後方に設けられた前記導体1の幅W0よりも狭い幅W2の入口9aとを含むことを特徴とする請求項16に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記導体の中心から、前記主方向からオフセットして配置されているとともに、前記主方向と直交した方向からもオフセットして配置されていることを特徴とする請求項23に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記導体において、前記出口と前記入口とを結ぶ線を挟んで配置された少なくとも2個の磁気検知素子を含むことを特徴とする請求項24に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記導体において、前記主方向に対して直交した線を挟んで配置された少なくとも2個の磁気検知素子を含むことを特徴とする請求項24に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、前記導体において、前記主方向に対して直交した線を挟んで配置された少なくとも2個の磁気検知素子と、前記主方向に対して直交した線を挟んで配置された少なくとも2個の磁気検知素子とを含むことを特徴とする請求項24に記載の電流測定装置。前記磁気検知素子は、磁気インピーダンス素子又は直交フラックスゲート素子であることを特徴とする請求項15ないし27の何れか1項に記載の電流測定装置。特開2001-264361号公報のように、一次導体を流れる電流から発する周回磁界を磁気検知素子で直接検知する場合には、次のような問題がある。即ち、被測定電流が流れる一次導体に隣接して、異なる相の電流が流れる一次導体が平行に配置されている場合に、電流が流れる方向と直角方向の成分となる周回磁界を対象にすると、隣接する電流線からの磁界が加わり、十分な測定精度が得られない。これらの干渉を磁気シールドで防止するとしても、被測定電流からの磁束が磁場自体を乱してしまう虞れや、シールド部材の磁気飽和の心配があり、効果的な対策を施すことは極めて困難である。本発明の目的は、上述の問題点を解消し、異なる相の電流が平行して流れる設置環境であっても、磁気シールドに頼らず、被測定電流の測定精度を安定して確保できる電流測定方法及び電流測定装置を提供することにある。本発明によれば、被測定電流が流れる導体の一部に被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域が設けられる。さらに、導体に対して少なくとも1つの磁気検知素子が配置される。方向変更領域によって流れる方向を変更された被測定電流によって生じた磁界が磁気検知素子によって検知される。磁気検知素子の出力から被測定電流の電流量が推定される。本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。本発明では、被測定電流が流れる導体の一部に被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域を設けることに1つの特徴がある。さらに、本発明では、方向変更領域によって流れる方向を変更された被測定電流によって生じた磁界を磁気検知素子によって検知することに特徴がある。<実施例1>図1は被測定電流に対する電流測定を行う実施例1の基本的な構成図である。一次導体1には検知対象の被測定電流Iが流れ、一次導体1は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。一次導体1のほぼ中央には、電流の遮断を部分的に行うために、非導電領域である円形の貫通孔2が設けられており、このため被測定電流Iの一部は図2に示すようにこの貫通孔2の両側において外側を対称的に回り込む迂回電流Iaとなっている。説明の便宜のために、一次導体1に座標軸を設定し、貫通孔2の中心を原点Oとして、被測定電流Iが流れる主方向をY軸、その直交軸である幅方向をX軸、厚み方向をZ軸とする。一次導体1上には、一方向にのみ磁界検知感度を有する磁気検知素子3が配置されている。磁気検知素子3の検知部4をY軸方向が磁界検知方向となるようにし、検知部4の中心位置は、貫通孔2の中心よりもX軸方向に距離dx、Y軸方向にはX軸を挟んで距離dyずらした個所に配置されている。本来、電流により発生する磁束は電流方向と直交する方向を向くので、一次導体1の貫通孔2の影響がない個所では、被測定電流Iは主方向であるY軸方向に流れる。従って、図2に示す磁界ベクトル成分Hc0のように、一次導体1の幅w内ではX軸方向のベクトル成分Hxしか持たない磁場となる。しかし貫通孔2の近傍では、迂回電流IaはY軸方向に対し傾くことから、この迂回電流Iaにより貫通孔2の両側で磁場が歪んだ磁界ベクトル成分Hc1が発生する。つまり、迂回電流Iaの傾き部分においては、Y軸方向のベクトル成分Hy及びX軸方向のベクトル成分Hxが発生する。ベクトル成分Hyとベクトル成分Hxのベクトル和は被測定電流Iの大きさに比例し、貫通孔2のY軸の正負両側では電流方向が対称形のため、ベクトル成分HyはX軸を挟んで対称となり、極性は逆になる。また図1に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体1’が近接し、近接電流I’の方向が被測定電流Iと平行していても、近接電流I’による磁界ベクトル成分はX軸方向のみの成分であり、Y軸方向成分を持たない。検知部4の磁界検知方向をY軸方向とすると、磁気検知素子3は近接電流I’による磁界による干渉は受けず、迂回電流Iaのベクトル成分Hyのみを検知できる。従って、このベクトル成分Hyを校正して換算すれば、被測定電流Iの電流量を求めることができる。使用する磁気検知素子3として、X軸方向の磁界ベクトル成分Hxを検知することは望ましくない。従って、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子が好適であり、実施例1では磁気インピーダンス素子を用い、Y軸方向にのみ磁界検知が可能とされている。検知部4として磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のY軸方向につづら折りにより並列され、両端の電極5にMHz帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部4の両端からの電圧振幅変化をセンサ信号として得ている。図示は省略しているが、検知部4の動作には、バイアス磁界が必要となるものがあり、必要に応じて近くにバイアス磁石の設置又はバイアスコイルを巻き付けて電流を流して設定する。図3に示すように、一次導体1に対する磁気検知素子3の検知部4の高さhは、一次導体1と磁気検知素子3の位置関係を保持する構造上、必要なスペースと空間距離、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。図4は電流測定装置として機能する検知回路100の構成図を示す。CRパルス発振回路30に対しブリッジを構成する抵抗Rに、磁気検知素子3の検知部4が接続されている。検波回路31は、検知部4の検知信号である両端電圧からの振幅変化を取り出して増幅回路32へ出力する。増幅回路32は、振幅変化を増幅して出力する。推定回路33は、増幅回路32の出力から被測定電流の電流量を推定する回路である。図5、図6は貫通孔2による迂回電流Iaに係わるY軸方向の磁界成分Hyのシミュレーションの結果を示している。一次導体1はX軸方向の幅w=10mm、Z軸方向の厚さt=70μmの断面で、Y軸方向に計算上は無限長とした十分に長い銅板であり、X軸方向の中央に貫通孔2を穿けてある。検知部4は一次導体1から1.6mmの高さhに固定し、Y軸方向に被測定電流Iを1アンペアA流した際のY軸方向の磁界ベクトル成分Hyの変化を調べた。図5は貫通孔が2mmの場合、図6は3mmの場合におけるY軸方向磁界のベクトル成分Hyの磁界分布の計算結果を等高線の分布として示している。座標はX≧0、Y≧0の第1象限で、ベクトル成分Hyの頂点を100として、10刻みで等高線を描いている。他の象限ではX軸又はY軸に関し対称な磁界分布が形成され、第3象限は第1象限と同一極性で、第2、第4象限は第1象限と逆極性の磁場が形成される。図5、図6から磁界が最大となるピーク位置は、貫通孔2から約45度方向にあり、直径2mmの貫通孔2ではX、Y=1.5mm、1.625mm、3mmの貫通孔2ではX、Y=1.75mm、1.75mm辺りにある。これらの磁界のピーク位置での磁界成分Hyは、それぞれ電流1アンペアAに対して、Hy=25.6mガウスG、Hy=47.9mガウスGとなっている。図7は貫通孔2の直径とY軸方向の磁界ベクトル成分Hyのピーク位置の関係のグラフ図である。図5、図6に示す等高線図では図示を省略しているが、直径1mm、4mmでの結果も併せて記載している。図7から分るように、貫通孔2の直径の大きさはピーク部の位置に殆ど依存することはない。幅w=5mmでの貫通孔2の直径1mmの結果も併せて考えると、実用的な一次導体1の使用範囲では、ベクトル成分Hyのピークの範囲は、X、Y軸方向共に1~2mm程度であると云える。また、ピーク位置から10下がった90の範囲が、半径0.5mm程度のサークルとなっていることから、設計的には図1の距離dx、dyは共に0.5~2.5mmの範囲で、この範囲に磁気検知素子3の検知部4が掛かるようにすればよい。図8は一次導体1の貫通孔2の径とY軸方向のベクトル成分Hyのピーク値とのグラフ図であり、径が大となるにつれて、2次関数的にベクトル成分Hyが大きくなってゆくことが分かる。つまり、図1で示す距離dx=1.5mm、dy=1.5mm辺りに、磁気検知素子3の検知部4を固定し、貫通孔2の径の大きさを変えるだけで、数倍もの測定レンジを選択できることが可能となる。図1においては、磁気検知素子3はXY平面上の第1象限に設けているが、対称性から当然のことながら、その他の象限に配置することもできる。図9は変形例を示し、貫通孔2’を貫通孔2のある原点OからX軸方向に対して45度方向に設けて、その中間位置に磁気検知素子3を配置することで、両貫通孔2、2’による迂回電流Iaによる効果を重ねY軸方向成分の磁界を増加し、感度を上げている。2つの貫通孔2、2’は同一の大きさである必要はなく、更に貫通孔2の数を増やすこともできるし、設置する角度位置は電流の検知仕様に応じて設計すればよい。電流を迂回させる手段としては、貫通孔2だけではなく切欠孔を用いることにより非導電領域を形成し、大小の電流に対応させることができる。例えば図10に示すように、一次導体1の幅方向の端部に切欠孔8を設けることでも迂回電流を生成できる。大電流により迂回電流による磁界を抑制したい場合には、この構成が好適である。また、逆に図11に示すように切欠孔8を深くし、迂回電流を集中させ、Y軸方向成分の磁界を大きくし、小電流に対応させることも可能である。更に、図12に示すように反対側からの端部からも切欠孔8をずらして設けることで、更に迂回電流を強めて、より小さな電流にも対応させることができる。<実施例2>図13は実施例2の構成図である。例えば、厚さ1.6mmのガラスエポキシ材のセンサ基板11の片面に、X軸方向の幅10mm、Z軸方向の厚さ70μm、Y軸方向の長手方向50mmの銅パターンから成る一次導体12が設けられている。そして、一次導体12のX軸方向の中央に例えば直径2mmの貫通孔13がエッチングにより形成されている。センサ基板11の他面には、図1と同様の位置に、一体型の磁気検知ユニット14が配置され、半田付けのための電極15a~15bがセンサ基板11上に引き出されている。磁気検知ユニット14には磁気インピーダンス素子が用いられ、Fe-Ta-C系の磁性薄膜から成る検知部16は、それぞれ例えば幅18μm、厚さ2.65μm、長さ1.2mmの細長い11本のパターンが並列に配置されている。そして、検知部16の磁界検知方向はY軸方向のみとされている。検知部16の位置は、貫通孔13の中心からX軸及びY軸方向に距離dx=1.5mm、dy=1.5mmだけオフセットされて配置されている。検知部16の複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれて、両端はそれぞれの電極に接続され、センサ基板11上の電極15a、15bに半田接合され、図示しないセンサ回路に接続されている。図13では、電極15a→15bの流れにより高周波パルスを印加する。磁気検知ユニット14の磁性薄膜にはX軸方向の幅方向に磁化容易軸が設けられており、高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット14の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。平行して流れる被測定電流I以外の電流の影響評価では、図13に示すように、一次導体12から10mmの間隔をおいて直径2mmの銅棒18を並行に配置し、10Armsの50Hzの電流I’を流して、一次導体12には電流を流さない条件で測定した。すると、磁気検知ユニット14では銅棒18を流れる電流I’の影響は観測されず、ノイズレベル以下10mVpp以下であった。隣接する平行な電流線からの磁界はX軸又はZ軸方向となり、Y軸方向の成分は持たないことと、磁気インピーダンス素子がX軸方向には感度を持たないことが効果的に作用し、隣接の電流による磁界の影響は問題とはならないレベルであることが確認された。この磁気検知ユニット14は5Vの5MHzのパルス駆動では、図14に示すように磁界に対してV字のインピーダンス変化の特性を示し、感度の良い傾きの個所を利用している。そのためには、図13に示すように磁気検知ユニット14の背面にバイアス用磁石17を配置して、検知部16に10ガウスG程度のバイアス磁界が掛かるように設定している。直線性の良好な範囲は、この磁気検知ユニット14の場合ではバイアス動作点を挟んで±3ガウスG程度である。図15は一次導体1にAC電流50Hzを0.1~40Armsまで可変で通電させて、電流測定したデータを示している。10Armsは28.28Appの正弦波であり、そのときの磁界はシミュレーション結果から、724mGppとなる。図15はこの10Armsを基準に理想値と実測値の誤差を示し、5V電源で10Arms時に1Vppとなるように調整したため、上限は40Armsとした。精度として、0.2Arms以上で±1以内の誤差が保証される。貫通孔13の直径を2mmとし、磁気検知ユニット14の直線性範囲が6ガウスGの特性のものを使用した場合では、80Arms強の個所で越えてしまう。仮に、200Armsまで対応させる場合では、貫通孔13の直径を1mmにするだけで、磁気検知ユニット14に掛かる磁界は1/3になり、270Armsのような大電流にも同じレイアウトで可能になる。また、逆に小電流の仕様には、貫通孔13を大きくするだけで対応できる。実施例2では、一次導体12をセンサ基板11上に配置している例を想定している。しかし、図16の変形例に示すように、一次導体が銅板から成るバスバー19の場合は、図13の形態から一次導体12を除いたものをセンサ基板20の上にモジュール化することもできる。この場合には、バスバー19に穿けた貫通孔21にセンサ基板20を位置合わせして、センサ基板20をバスバー19に貼り合わせなどにより固定して使用することが可能である。なお、22はセンサ基板20上に設けられた回路素子、23は磁気検知ユニット14の信号を引き出す信号線である。このような構成とすることにより、予めバスバー19を布設した後においても、磁気検知ユニット14をモジュール化してバスバー19に組み付けることにより容易に組立てが可能となる。なお、上述の各実施例においては、貫通孔、切欠孔による非導電領域を設けて電流を迂回させたが、必ずしも孔部ではなく、絶縁材料を配置することによっても電流を迂回させることができる。<実施例3>特開2006-184269号公報によれば、2個の磁気検知素子を使用することで、差動検知により外乱磁界を回避しようとする提案がなされている。この特許文献では、被測定電流による磁界検知を単一の磁気センサで検知する場合の外部磁界の影響を回避するために、一次導体としてのバスバーの中央部に開口部を形成して被測定電流を分流している。そして、開口部内に2つの導体部近傍に電流からの磁界がそれぞれ逆相になるようにそれぞれ磁気検知素子を配し、差動増幅によりバスバーから発生する磁界のみを検知している。しかしながら、この方法でも一様な磁界に対する影響は排除できても、隣接して電流線が平行して流れる場合には、2つの磁気検知素子にはその外乱となる磁界が等しく印加されず、結局は磁気シールドが不可欠となる。この課題を解決する方法として、非導電領域を一次導体に設けるとともに、非導電領域の近傍に1つの磁気検知素子を設けることを実施例1、2で提案した。ここで、磁気検知素子は複数であってもよい。そこで、実施例3では、複数の磁気検知素子を設ける案について説明する。図17は被測定電流に対する電流測定を行う実施例3の基本的な電流センサの構成図である。一次導体1には検知対象の被測定電流Iが流れ、一次導体1は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。一次導体1のほぼ中央には、電流の遮断を部分的に行うため非導電領域である円形の貫通孔2が設けられており、このため被測定電流Iの一部は図18に示すようにこの貫通孔2の両側において外側を対称的に回り込む迂回電流Iaとなっている。説明の便宜のために、一次導体1に座標軸を設定し、貫通孔2の中心を原点Oとして、被測定電流Iが流れる主方向をY軸、その直交軸である幅方向をX軸、厚み方向をZ軸とする。一次導体1上には、2つの磁気検知素子3a、3bがY軸方向に向けて直列的に配置されて差動検知が行われる。磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bをY軸方向が磁界検知方向となるようにし、検知部4a、4bの中心位置は、貫通孔2の中心よりもX軸方向に距離dx、Y軸方向にはX軸を挟んで距離dyずらした個所に配置されている。図17に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体1’が近接し近接電流I’の方向が被測定電流Iと平行していても、近接電流I’の磁束Fによる磁界の影響はX軸方向のベクトル成分となり、Y軸方向成分を持たない。検知部4a、4bの磁界検知方向をY軸方向に取ると、磁気検知素子3a、3bは近接電流I’による磁界による干渉は受けず、被測定電流Iのベクトル成分Hyのみを検知できる。従って、このベクトル成分Hyを校正して換算すれば、被測定電流Iの電流量を求めることができる。使用する磁気検知素子3a、3bとして、X軸方向の磁界ベクトル成分Hxを検知することは望ましくないため、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子が好適であり、実施例1では磁気インピーダンス素子を用いている。検知部4a、4bとして磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のY軸方向につづら折りにより並列され、両端の電極5にMHz帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部4a、4bの両端からの電圧振幅変化をセンサ信号として得ている。図19に示すように、一次導体1に対する磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bの高さhは、一次導体1と磁気検知素子3a、3bの位置関係を保持する構造上、必要なスペースと空間距離、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。図20は検知回路の構成図を示し、CRパルス発振回路30に対しブリッジを構成する抵抗Rに、磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bが接続されている。検知部4a、4bの両端電圧からの振幅変化を検波回路31により取り出した後に、差動増幅回路32で検知部4a、4bの出力に対し差動増幅が行われて、電流センサとしての出力を得る。この場合に、検知部4a、4bの出力は、感度が同じでX軸を挟んで対称な位置にあれば絶対値は同じになり、極性が異なるため、差動的に検知すると、出力は検知部4a又は4bの絶対値の2倍となる。また、外来の磁界ノイズは狭い範囲にある検知部4a、4bでは同相となり、検知部4a、4bの出力を差動的に捉えることにより、磁界ノイズは相殺されて、電流センサの出力に重畳されることはなく、迂回電流のベクトル成分Hyのみが測定されることになる。なお、磁気検知素子の出力を差動的に検知するには、少なくとも2個の検知部を用いればよい。なお、図20と図4とを比較すれば明らかなように、ブリッジ回路を形成している4つの抵抗が検知部に置き換わることになる。たとえば、3つの検知部を採用するのであれば、4つある抵抗のうちの3つの抵抗が検知部に置換される。さらに、4つの検知部を採用するのであれば、すべての抵抗が検知部に置換されることになる。図17においては、磁気検知素子3a、3bはXY平面上の第1、第4象限にそれぞれ設けているが、対称性から当然のことながら、その他の象限に隣接して配置することもできる。図21はこの場合の変形例を示し、磁気検知素子3aは第1象限に、磁気検知素子3bは第2象限に設け、Y軸に対して対称的に配置した場合においても同様の結果が得られる。迂回電流Iaによる磁界ベクトル成分Hc1は第1象限と第2象限においてY軸に関して対象ともなっている。従って、磁気検知素子3a、3bを第1象限、第2象限にそれぞれ配置し、絶対値が等しく極性が逆のY軸方向のベクトル成分Hyをそれぞれ検知することができる。この場合においては、隣接して平行する電流線の影響は僅かに受けるが、磁気検知素子3同士の間隔が狭いために、ほぼ磁界ノイズを差動検知により相殺することができる。<実施例4>磁気検知素子である磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲートセンサ等のように、磁気飽和や直線性の点で、検知磁界範囲を或る範囲内で管理しなくてはならない場合には、一次導体1の貫通孔2の径だけで測定レンジを調整できることが好ましい。図22は実施例4の電流センサの構成図である。図17における磁気検知素子3、4の検知部4a、4bの距離は短いことから、同一の素子基板6にX軸に関して対称に配置した磁気検知素子3a、3bを一体型として取り付けた磁気検知ユニット7とされ、性能のばらつきが抑制可能となっている。図23の変形例に示すように、一次導体1のX軸の正の領域だけ使う発想で、幅方向の端部に切欠孔8を設けることでも迂回電流を利用できる。この切欠孔8によっても、図17に示すように貫通孔2を設けた場合と同様に測定が可能である。なお、迂回電流をX軸に関して対称的に流すためには、切欠孔8はX軸に関して対称形であることが必要である。図24は他の変形例の構成図である。4個の磁気検知素子3a~3dを一体化した磁気検知ユニット7において、第1、第2、第3、第4象限にそれぞれ検知部4a、4b、4c、4dを配置し、4素子によりブリッジ構成として動作させると、更にS/Nを向上させることができる。このように、貫通孔2の両側に検知部4a~4dをX軸、Y軸に対称に配置すると、ベクトル成分HyがX軸、Y軸にそれぞれ対称となる。従って、X軸に関して検知部4aと4dの出力を差動検知、検知部4bと4cの差動検知、Y軸に関して検知部4aと4bの差動検知、検知部4dと4cの差動検知を同時に行うことができ、これらの検知結果の平均を求めれば更に測定精度が向上する。<実施例5>図25は実施例3の電流センサの構成図である。厚さ1.6mmのガラスエポキシ材のセンサ基板11の片面に、X軸方向の幅10mm、Z軸方向の厚さ70μm、Y軸方向の長手方向50mmの銅パターンから成る一次導体12が設けられている。そして、一次導体12のX軸方向の中央に直径2mmの貫通孔13がエッチングにより形成されている。センサ基板11の他面には、図22と同様の位置に、一体型の磁気検知ユニット14が配置され、半田付けのための電極15a~15cがセンサ基板11上に引き出されている。磁気検知ユニット14には磁気インピーダンス素子が用いられ、Fe-Ta-C系の磁性薄膜から成る検知部16a、16bは、それぞれ幅18μm、厚さ2.65μm、長さ1.2mmの細長い11本のパターンが並列に配置されている。そして、検知部16a、16bの磁界検知方向はY軸方向とされている。検知部16a、16bの位置は、貫通孔13の中心からX軸方向に距離dx=1.5mmだけオフセットされ、検知部16a、16bの中心間隔は、dy=3mmとし、貫通孔13の中心Oから幅方向に延びるX軸に対して対称的に配置されている。検知部16a、16bの複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれて、両端はそれぞれの電極に接続され、センサ基板11上の電極15a~15cに半田接合され、図示しないセンサ回路に接続されている。図25では、センサ基板11に引き出された電極15a→15c及び電極15b→15cの流れにより高周波パルスを印加する。磁気検知ユニット14はX軸方向の幅方向に磁化容易軸を設けておき、高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット14の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。平行して流れる被測定電流I以外の電流の影響評価では、一次導体12から10mmの間隔を離して直径2mmの銅棒18を並列に配置し、10Armsの50Hzの電流I’を流して、一次導体12には電流を流さない条件で測定した。すると、磁気検知ユニット14では銅棒18を流れる電流I’の影響は観測されず、ノイズレベル以下10mVpp以下であった。隣接する平行な電流線からの磁界はX又はZ軸方向となり、Y軸方向の成分は持たないことと、検知部16a、16bと隣接する銅棒18との距離が等しいことで差動除去機能が効果的に働き、ノイズ的な磁界の影響もほぼ完全に除去できていることが確認された。実施例5では、一次導体12をセンサ基板11上に配置している例を想定した。しかし、図26の変形例に示すように一次導体が銅板から成るバスバー19の場合は、図25の形態から一次導体12を除いたものをセンサ基板20の上にモジュール化することもできる。この場合には、バスバー19に穿けた貫通孔21にセンサ基板20を位置合わせして、センサ基板20をバスバー19に貼り合わせなどにより固定して使用することが可能である。なお、22はセンサ基板20上に設けられた回路素子、23は磁気検知ユニット14の信号を引き出す信号線である。このような構成とすることにより、予めバスバー19を布設した後においても、磁気検知ユニット14をモジュール化してバスバー19に組み付けることにより容易に組立てが可能となる。なお、上述の各実施例においては、貫通孔、切欠孔による非導電領域を設けて電流を迂回させたが、必ずしも孔部ではなく、絶縁材料を配置することによっても電流を迂回させることができる。そして、これらの非導電領域はX軸に関しその両側で形状が対称であることが必要である。<実施例6>実施例1ないし実施例5では、方向変更領域として非導電領域を採用した。つまり、実施例1ないし実施例5は、電流が非導電領域を迂回して流れることで発生する歪み磁界を検知し、検知した磁界から電流量を推定する発明である。実施例1ないし実施例5において共通した概念は、電流が非直線的に流れることを促進する領域を一次導体に設けることである。つまり、電流の流れる方向を曲げることができるのであれば、必ずしも非導電領域である必要はない。そこで、実施例6では、方向変更領域についての他の例について説明する。図27は被測定電流に対する電流測定を行う実施例6の基本的な電流センサの構成図である。一次導体1には検知対象の被測定電流Iが流れる。一次導体1の形態は例えばプリント基板上の銅箔パターン又は銅板で形成されたバスバー等の形態とされている。一次導体1のうち磁界の検知対象とする部分主要部は、長さがLで幅がW0で形成された矩形状の部分である。主要部において、電流が流れる後方と前方にはそれぞれ幅W1、W2の入口9a、出口9bが形成されている。幅W1、W2はいずれも幅W0よりも狭い。説明を判りやすくするため、入口9a、出口9bを幅W0に対して中央に設置しておく。一次導体1に座標軸を設定する。ここでは、磁気検知部の中心を原点Oとする。図27および図28が示すように、入口9a、出口9bを結ぶ線であって、磁気検知部の幅W0を2分割する直線と、磁気検知部の長さLを2分割する直線との交点を原点Oとしている。他の実施例と同様に、被測定電流Iが流れる主方向をY軸、その直交軸である幅方向をX軸、厚み方向をZ軸とする。一次導体1上には、2つの磁気検知素子3a、3bがY軸方向に向けて直列的に配置されて差動検知が行われる。なお、実施例1、2と同様に、磁気検知素子は1つでもよい。磁気検知素子3a、3bの構成は実施例1乃至5と同様である。磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bをY軸方向が磁界検知方向となるようにし、磁気検知素子3a、3bが配置される。検知部4a、4bの中心位置は、原点Oの中心よりもX軸方向に距離dx、Y軸方向にはX軸を挟んで距離dy1、dy2ずつずらした個所に配置されている。本来、電流により発生する磁束は電流方向と直交する方向を向く。そのため、一次導体1の幅方向を向く電流成分がない個所、つまり原点Oを通るX軸上ではX軸方向のベクトル成分Hxしか持たない磁場HC1ができる。しかし、原点Oよりもその電流が流れる前後方向でずれた位置での電流は、入口9a、出口9bに向けてY軸方向に対し傾いて流れる電流成分を持っている。これによって、Y軸方向のベクトル成分Hyが発生し、Hc2、Hc3のように磁場が蛇行する。Hc2、Hc3の磁場は、X軸に対して線対称である。ベクトル成分HyはX軸を挟んで逆極性になっている。図27に示すように、異なる相の電流が流れる一次導体1’が近接し近接電流I’の方向が被測定電流Iと平行していても、近接電流I’による磁界の影響はX軸方向のベクトル成分となり、Y軸方向成分を持たない。検知部4a、4bの磁界検知方向をY軸方向に取ると、磁気検知素子3a、3bは近接電流I’による磁界による干渉は受けず、被測定電流Iのベクトル成分Hyのみを検知できる。従って、このベクトル成分Hyを校正して換算すれば、被測定電流Iの電流量を求めることができる。磁気検知素子3a、3bが、X軸方向の磁界ベクトル成分Hxを検知すると電流の推定精度が低下する。そのため、磁気検知素子3a、3bとしては、たとえば、指向性の高い磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲート素子がある。実施例6では磁気検知素子3a、3bとして磁気インピーダンス素子を用いている。検知部4a、4bとして磁性薄膜のパターンが磁界検知方向のY軸方向につづら折りにより並列されている。両端の電極5にMHz帯の高周波パルスを印加し、磁界の変化による検知部4a、4bの両端からの電圧振幅変化がセンサ信号として得られる。バイアス磁界が必要な場合は、不図示ではあるが、磁気検知素子3a、3bに近接した磁石または巻回したコイルにより印加する。図29に示すように、一次導体1に対する磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bの高さhは、たとえば、発生する磁界の大小調整、一次導体1と磁気検知素子3a、3bの位置関係を保持する構造上必要なスペース、空間距離、および、沿面距離等の絶縁耐圧の関係で決められる。電流検知装置として機能する検知回路100の構成は、図20に示した回路構成を採用できる。なぜなら、電流の流れる方向を変更する領域方向変更領域の具体的な構成が変わったとしても、本発明の電流検知装置の基本的な部分はそのまま使用できるからである。図30Aないし図30D、および、図31は狭い出入口からの拡散電流に係わるY軸方向の磁界成分Hyのシミュレーションの結果を示している。一次導体1はX軸方向の幅W0=8mm、Z軸方向の厚さt=0.8mmの断面で、入口9a、出口9bは間隔Lを7.5mmとし、その幅方向の位置を幅W0の中央にする。入口9a、出口9bの幅をW1=W2=dとして、d=0.8、1.2、2.4、3.6mmと振って、一次導体の表面高さH=1.6mmで、電流が流れる主方向の磁界Hyを計算した。被測定電流Iは1アンペアAとした。図30Aないし図30Dは、d=0.8、1.2、2.4、3.6mmのそれぞれにおけるシミュレーション結果である。座標はX≧0、Y≧0の第1象限で、ベクトル成分Hyの頂点を100として、10刻みで等高線を描いている。他の象限ではX軸又はY軸に関し対称な磁界分布が形成され、第3象限は第1象限と同一極性で、第2、第4象限は第1象限と逆極性の磁場が形成される。ピーク位置Pは、Y方向が2.5mmでほぼ変わらず、X方向は出入口の幅が広くなるに連れて1.7mmから2.15mmまで緩やかに移動している。出入口からのY方向の距離をLとする。ピーク位置Pは、L=7.5mmで1.25=L/2-2.5mmにあるが、L=11.5mmで計算したところでも1.35mmとなり、両者は大きくは変わらない。実用的な距離Lの寸法としては、ピークが明確に形成でき、かつ、隣接の逆相となるピークと干渉しないことを考慮して決定する。たとえば、距離Lは、1.25mmの4倍の5mm以上は確保すべきである。図31はピーク位置での磁界Hyを示したグラフである。図31によれば、入口9a、出口9bの幅W1とW0との比が10W0=8mm、d=0.8mmでは、1Aあたり0.08ガウスの磁界を発生していることがわかる。ミリガウス以下を検知できる磁気検知素子では、ピーク位置に置くことで1A以下の小さな被対象電流でも十分なS/Nで検知できる。入口9a、出口9bの幅W1、W2を広げていくと、幅方向に広がる電流成分が減ることで、急激に磁界Hyが下がる。よって、大電流を検知するには幅W1、W2を広げればよい。幅W1とW0との比が100、つまりd=8mmでは、磁界がゼロになる。これは、大電流に対しての調整範囲を広く取れることを意味する。以上のことより、X=2mm、Y=2.5mmのところに磁気検知素子を固定すれば、幅W1、W2を変えるだけでいろいろな電流検知範囲の仕様に対応できることを意味する。このような特性は、磁気インピーダンス素子や直交フラックスゲートセンサ等のように、磁気飽和や直線性の点で、検知磁界範囲を或る範囲内で管理しなくてはならない素子には極めて都合が良い。生産性でも、素子の位置を固定しておいて、一次導体の出入口の幅を変えたものを数種類用意しておくことで、各種電流仕様に対応でき、電流センサのコスト低減に大きく寄与するだろう。図27においては、磁気検知素子3a、3bはXY平面上の第1、第4象限にそれぞれ設けている。しかし、対称性から当然のことながら、その他の象限に隣接して配置することもできる。図32は、磁気検知素子3aを第1象限に配置し、磁気検知素子3bを第2象限に配置した例を紙滅している。図33は、全ての象限に磁気検知素子を設けた例を示している。図33では、4個の磁気検知素子3a~3dを一体化した磁気検知素子ユニットにおいて、第1、第2、第3、第4象限にそれぞれ検知部4a、4b、4c、4dを配置している。さらに、図20に示したように検知部4a、4b、4c、4dをブリッジ構成として動作させると、検知回路100のS/Nを向上させることができる。このように、2原点Oの両側に検知部4a~4dをX軸、Y軸に対称に配置すると、ベクトル成分HyがX軸、Y軸にそれぞれ対称となる。従って、X軸に関して検知部4aと4dの出力を差動検知、検知部4bと4cの差動検知、Y軸に関して検知部4aと4bの差動検知、検知部4dと4cの差動検知を同時に行うことができ、これらの検知結果の平均を求めれば更に測定精度が向上する。入口9a、出口9bが一次導体1の幅方向の中央にある場合は、素子の感度を同等に調整した素子をX軸又はY軸に対称に設置して差動動作させることで、一次導体1からの磁界による出力は2倍となり、同相の外部磁界はキャンセルされることになる。図34は変形例を示している。入口9aに至る導体の幅や、出口9b以降の導体の幅が細すぎると、大電流印加時に発熱の問題が発生するかもしれない。そこで、図34が示すように、電流の出入口をスリット溝7a、7b、7c、7dで規制することで、発熱自体を抑えることができるとともに、熱拡散も良くすることができるだろう。なお、図34から、一次導体1にスリット溝7a、7b、7c、7dを入れることで、上述した主要部、入口9a、および、出口9bが形成されていることを理解できよう。<実施例7>実施例6では、座標位置で2,2.5と2,-2.5の付近にそれぞれ磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bを置けば、入口9a、出口9bの幅W1、W2を変えることだけで被測定電流の仕様に対応できることを示した。別の方法としては入口9a、出口9bの配置位置を一次導体1の幅方向にオフセットさせても良い。図35にそのレイアウトを示す。図28のレイアウトから、入口9a、出口9bを幅方向にdwだけずらしたものである。これにより、電流の広がりが変わるため、磁気検知素子3a、3bの検知部4a、4bが配置された位置での磁界の方向を変えることができる。図36は、実施例7についてY軸方向の磁界成分Hyのシミュレーションの結果を示している。一次導体1のX軸方向の幅W0=8mm、Z軸方向の厚さt=0.8mmである。入口9a、出口9bは幅W1、W2ともに1.2mmである。磁気検知部である一次導体1のY軸方向の長さLを7.5mmとしている。実施例6のように入口9a、出口9bの位置が幅W0の中央にした状態では、オフセット量dw=0である。実施例7ではオフセット量dw=-2、-1、0、1、2mmのそれぞれについてシミュレーションを行った。磁気検知素子3aの座標位置をX=2、Y=2.5mmに固定している。電流が主に流れる方向の磁界成分Hyの磁界は、図36が示すとおり、オフセット量がマイナスになると調整シロが少ない。一方、オフセット量がプラスになると、つまり入口9a、出口9bと磁気検知素子との距離が縮まると、急激に磁界が低下し、反対の極性にまでいたる。よって、オフセット量がプラスになる領域では、磁界成分Hyを大幅に調整可能である。<実施例8>図37は実施例8の電流センサの構成図である。センサ基板11は、ガラスエポキシ材であり、その厚さ1.6mmである。センサ基板11の片面に一次導体12が設けられている。一次導体12は、X軸方向の幅8mm、Y軸方向の長さが7.5mmで、Z軸方向の厚さ70μmの銅パターンである。X、Y軸の原点Oは一次導体12の中心に設定する。一次導体12の入口9a、出口9bは、X軸方向の幅Wの中央から幅W1=W2=1.2mmでY軸に沿って引き出されている。入口9a、出口9bを1.2mmの幅のままで長く引き出すと、大電流側では発熱が発生するかもしれない。そこで、実験では入口9a、出口9bの直ぐ近くで、芯線径1.6mmのケーブル線を半田付けして、被測定電流を印加した。センサ基板11の他面には、2つの磁気検知素子が一体化された磁気検知ユニット14が配置されている。磁気検知ユニット14からは半田付けのための電極15a~15cがセンサ基板11上に引き出されている。磁気検知ユニット14には磁気インピーダンス素子が用いられている。Fe-Ta-C系の磁性薄膜から成る検知部16a、16bは、それぞれ幅18μm、厚さ2.65μm、長さ1.2mmの細長い並列に配置された11本のパターンにより構成されている。そして、検知部16a、16bの磁界検知方向はY軸方向とされている。図37が示すように、検知部16a、16bの位置は、貫通孔13の中心からX軸方向に距離dx=2mmだけオフセットされている。検知部16a、16bの中心間隔dyは5mmとしている。このように、磁気検知ユニット14はX軸に対して対称的に配置されている。検知部16a、16bの複数本の磁性薄膜パターンは、図示は省略しているが電気的にはつづら折りで直列につながれている。直列につながれた磁性薄膜パターンの両端はそれぞれの電極に接続されている。図37が示すように、磁性薄膜パターンの端部は、センサ基板11上の電極15a~15cに半田接合され、検知回路100に接続されている。図37では、センサ基板11に引き出された電極15aから電極15cと、電極15bから電極15cとをペアとして高周波パルスを印加する。磁気検知ユニット14にはX軸方向幅方向に磁化容易軸を設けておく。高周波のパルスを磁性薄膜のパターンに通電することで、外部磁界によりインピーダンスが変化し、磁気検知ユニット14の両端電圧を振幅検波によりセンサ信号に変換する。それぞれの素子のバイアス磁界や回路ゲインを、相対的に差が出ないよう合わせておくと、差動検知の効果が高まる。平行して流れる被測定電流I以外の電流の影響評価では、一次導体12の端から10mmの間隔を離して直径2mmの銅棒18を並列に配置した。10Armsの50Hzの電流I’を銅棒18に流して、一次導体12には電流を流さない条件で測定を行った。磁気検知ユニット14では銅棒18を流れる電流I’の影響は、ノイズレベル以下10mVpp以下であった。隣接する平行な電流線からの磁界はX又はZ軸方向となり、Y軸方向の成分は持たないことと、検知部16a、16bと隣接する銅棒18との距離が等しいことで、差動除去機能が効果的に働き、ノイズ的な磁界の影響もほぼ完全に除去できていることが確認された。図38には、一次導体1の入口9a、出口9bの幅W1=W2を1.2mmと4.8mmとしたときの測定電流と出力電圧との関係を示す。なお、検知回路100を5Vの単電源で駆動したため、測定電流0Aに対する出力電圧を2.5Vに合わせてある。図31で示したように素子に掛かるY方向の磁界Hyは、1Aあたり0.078ガウスであり、前述の直線性が±3ガウスの範囲で確保されたセンサでは、±38.5Aを越えると直線性が低下することになる。図38に示した実測データでも40Aを越えたあたりから直線精度が低下していることが判る。この条件では、±40Aの仕様となる。直線性の良い範囲を広げるためには、入口9a、出口9bの幅を大きくすれば良い。幅W1、W2を4.8mmにしたものは、磁界Hyは1Aあたり0.038ガウスとなり、±79Aまでは直線精度が確保されることになり、実測のデータでも±80Aで直線精度が確保されていることが判る。感度の差は、差動増幅のゲインで調整すればよい。このことは使用する磁気検知素子や回路構成を同じにして、電流の出入口の幅だけを変えることで、所望の測定電流範囲で直線精度を確保することができることを意味する。実施例8では、一次導体12をセンサ基板11上に配置している例を想定した。しかし、図39の変形例に示すように一次導体が銅板から成るバスバー19の場合は、磁気検知素子と処理回路の電気部品や端子とを実装したセンサ基板20とを位置合わせてしてモジュール化をしておくことができる。バスバー19は相手の基板に挿して半田付けして使えるよう、先端が細く加工されている。磁気検知ユニット14の保持は、簡単な図示ではあるが、樹脂モールド部材のような非導電部材24に組み付けて、位置精度と絶縁性の両方を確保しておくことができる。なお、22はセンサ基板20上に設けられた回路素子、23は磁気検知ユニット14の信号を他の回路基板と接続する端子である。このような構成により、バスバー19には電流検知部の出入口21となる切り欠き部分の幅や位置を変えたものを何種類か用意するだけで、幅広い電流仕様に対応でき、製品の自由度が確保できる。以上で説明したように、本発明によれば、被測定電流が流れる導体の一部に被測定電流の流れる方向を主方向から別の方向に変更する方向変更領域を設けることに1つの特徴がある。さらに、本発明では、方向変更領域によって流れる方向を変更された被測定電流によって生じた磁界を磁気検知素子によって検知することに特徴がある。これにより、電流の測定対象である一次導体と平行に配置された別の導体に流れる電流が発生する磁界の影響を受けにくくなる。つまり、電流の測定精度を向上させることができる。方向変更領域としては、電流の流れを妨げる非導電領域がある。上述した実施例では非導電領域として孔を採用したが、当該孔に絶縁体などの非導電性の部材が挿入されていてもよい。また、貫通した孔ではなく、底のある穴であってよい。孔に代わりに穴を形成する場合は、穴の底を形成する部分の厚さは、磁界の方向を十分に変更できるよう、穴の深さに対して十分に薄くなければならない。電流は非導電性領域を迂回する迂回電流になるため、非導電性領域の近傍では磁界がひずむ。とりわけ、電流の主方向Y軸方向にのみ磁界検知感度を有した磁気検知素子を配置すれば、X軸方向など他の方向の磁界の影響を受けないため、測定精度が向上する。測定精度を向上させるために、磁気検知素子の数は複数であってもよい。たとえば、一次導体の中心を通るY軸に対して線対称となるように2個の磁気検知素子を配置したり、X軸に対して線対称となるように2個の磁気検知素子を配置したりしてもよい。さらに、これらを組み合わせて、合計で4個の磁気検知素子を配置してもよい。なお、実験結果から、磁気検知素子の検知部を、非導電領域の中心からX軸と、Y軸とでそれぞれ0.5ないし2.5mmの距離だけ離した範囲に配置すると、測定精度が向上する。また、方向変更領域としては、電流が流れる一次導体の主要部に対して、主要部の幅W0よりも狭い幅W2の出口9bと、主要部の後方に主要部の幅W0よりも狭い幅W2の入口9aを設けてもよい。なお、精度は低下するが、入口9aと出口9bとのうちいずれか一方のみを主要部に配置してもよい。なお、磁気検知素子の配置位置や数は、非導電領域についての配置位置や数と実質的に同様であってよい。また、被測定電流の検知範囲も、非導電領域の大きさを変えるだけで、容易に調整できるため、設計の自由度も大きい。本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。本願は、2010年3月26日提出の日本国特許出願特願2010-071362と、2010年10月25日提出の日本国特許出願特願2010-238564と、を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。"