レーザ媒質と、前記レーザ媒質を励起するレーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記レーザ媒質の間に設置され、前記レーザ光の一部を前記半導体レーザ側へ反射する励起光反射手段とを備え、前記励起光反射手段は、前記レーザ媒質により吸収される波長帯域の中で最も吸収率の高い波長帯域における反射率が、その他の波長帯域における反射率よりも高いことを特徴とするレーザ装置。前記半導体レーザの出射したレーザ光を前記レーザ媒質へ出力する結合光学系を備え、前記励起光反射手段は、前記半導体レーザと前記結合光学系の間または前記結合光学系と前記レーザ媒質の間に設置されることを特徴とする請求項1記載のレーザ装置。前記励起光反射手段は、前記レーザ媒質に入射して吸収されずに前記半導体レーザに戻るレーザ光の強度よりも強い光を反射することを特徴とする請求項1または請求項2記載のレーザ装置。前記励起光反射手段は、前記レーザ媒質の前記レーザ光が入射する面に施された誘電体膜であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のレーザ装置。前記励起光反射手段は、前記半導体レーザの前記レーザ光を出射する面に施された誘電体膜であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載のレーザ装置。前記励起光反射手段は、前記結合光学系を構成する光学部品の一部に施された誘電体膜であることを特徴とする請求項2記載のレーザ装置。前記レーザ媒質は、入射した前記レーザ光を往復させる機構を有することを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載のレーザ装置。レーザ媒質と、前記レーザ媒質を励起するレーザ光を出射する半導体レーザと、前記レーザ媒質の前記半導体レーザから遠い側に設置され、前記レーザ媒質内を伝搬した前記レーザ光を前記半導体レーザ側へ反射する励起光反射手段とを備え、前記励起光反射手段は、前記レーザ媒質により吸収される波長帯域の中で所定値より吸収率の高い波長帯域における前記レーザ光を反射させ、当該所定値以下の波長帯域における前記レーザ光を透過させることを特徴とするレーザ装置。前記レーザ媒質は、平面導波路構造を有することを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1項記載のレーザ装置。前記レーザ媒質は、チャネル導波路構造を有することを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1項記載のレーザ装置。上記特許文献1に開示された固体レーザ装置は、半導体レーザとレーザ媒質の間に光アイソレータ、ファラデー回転子、および偏光ビームスプリッタと波長板などを挿入しているため、レーザ装置が大型で高価になるという課題があった。また、上記特許文献2に開示された半導体レーザモジュールを励起光源に用いた固体レーザ装置は、光ファイバとファイバグレーティングを用いる必要があるため、レーザ装置が大型で高価になるという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、レーザ装置を大型化することなく、反射戻り光による半導体レーザの動作不安定性を抑制することを目的とする。この発明に係るレーザ装置は、レーザ媒質と、レーザ媒質を励起するレーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザとレーザ媒質の間に設置され、レーザ光の一部を半導体レーザ側へ反射する励起光反射手段とを備え、励起光反射手段は、レーザ媒質により吸収される波長帯域の中で最も吸収率の高い波長帯域における反射率が、その他の波長帯域における反射率よりも高いものである。この発明によれば、励起光反射手段の反射率を、レーザ媒質の吸収帯域で高くし、この吸収帯域以外で低くしたので、レーザ装置を大型化することなく、反射戻り光による半導体レーザの動作不安定性を抑制することができる。実施の形態1.図1に示すように、本実施の形態1に係るレーザ装置1は、レーザ光を出射する半導体レーザ2と、レーザ光により励起されるレーザ媒質4と、半導体レーザ2とレーザ媒質4の間に設置されてレーザ光の一部を半導体レーザ2の方向へ反射する励起光反射手段3とから構成される。以下では、半導体レーザ2が出射するレーザ光を励起光PLPhotoluminescence1と称し、励起光反射手段3で反射した励起光PL1を励起光PL2と称す。図2は、本実施の形態1に係るレーザ装置1におけるレーザ媒質4の吸収スペクトルと励起光反射手段3の反射特性を示すグラフである。グラフの横軸は波長、縦軸はレーザ媒質4の吸収効率、および励起光反射手段3の反射率である。励起光反射手段3は、レーザ媒質4の吸収効率が最大となる波長を中心波長とし、レーザ媒質4の吸収帯域における反射率が、この吸収帯域以外の反射率より高くなるような反射特性を有する。励起光反射手段3の一例としては、ガラス板等に施した誘電体膜が考えられる。次に、レーザ装置1の動作を説明する。半導体レーザ2から出力された励起光PL1の大部分は励起光反射手段3を透過してレーザ媒質4に吸収される。このとき、励起光PL1の一部の光、即ち、レーザ媒質4の吸収帯域内の波長の光が、励起光反射手段3に反射され、励起光PL2として半導体レーザ2に戻る。ここで、図3を参照して、励起光反射手段3の効果を説明する。図3は、レーザ媒質4の吸収スペクトルとレーザ装置1内に存在する各種の光の強度を示すグラフであり、横軸を波長、縦軸を吸収効率または光強度とする。励起光PL1のうちのレーザ媒質4で吸収されず内部散乱した未吸収励起光、および半導体レーザ2の発振光の漏れ光が半導体レーザ2に戻ったとしても、これらの光よりも、励起光反射手段3で反射して半導体レーザ2に戻る励起光PL2の方が強くなる。そのため、励起光PL1は、吸収帯域の中心波長で励起光PL2に引き込まれ、高い吸収効率が得られる。図1に示すように、光路の途中に単独に励起光反射手段3を設置する構成の場合、励起光反射手段3の交換が容易なので、使用する半導体レーザ2およびレーザ媒質4に適した反射特性の励起光反射手段3を選択することができ、異なる半導体レーザ2およびレーザ媒質4に対して安定した励起が可能である。また、励起光反射手段3は、半導体レーザ2とレーザ媒質4の間に設置していればよいので、光路の途中に単独に設置する以外にも、例えばレーザ媒質4の励起光入射端面4aに誘電体膜を施して励起光反射手段3とすることも可能である。あるいは、半導体レーザ2の励起光出射端面2aに誘電体膜を施して励起光反射手段3とすることも可能である。これらの誘電体膜に、図2に示す反射特性を持たせることによって、光学部品の削減およびレーザ装置1の小型化が可能になるという利点がある。さらに、レーザ媒質4の吸収効率を高めるために、例えばミラーのような、励起光PL1を往復させる機構図示せずを設けてもよい。この場合は、励起光反射手段3の反射特性として、吸収帯域の中心波長から離れ、レーザ媒質4に入射して吸収されずに半導体レーザ2に戻る波長の励起光PL1の強度よりも、吸収帯域の中心波長の光励起光PL2の強度が高くなるようにすることによって、図3と同様の効果が得られる。励起光反射手段3の反射率の条件は、下式1により決まる。Pp×R>P×1-exp-α×L1ここで、Ppはレーザ媒質4による吸収が最も高い波長における励起光PL1の光強度、Rはレーザ媒質4による吸収が最も高い波長における励起光反射手段3の反射率、Pはレーザ媒質4による吸収が弱い、または吸収帯域以外の励起光PL1の光強度、αはレーザ媒質4による吸収が弱い、または吸収帯域以外の吸収係数、Lはレーザ媒質4の吸収長である。例えば、Pp=1W、P=0.1W、α=0.5cm-1、L=5mmのとき、R>2.21となり、吸収が最大となる波長における励起光反射手段3の反射率を2.21以上にすればよい。以上より、実施の形態1によれば、レーザ装置1は、レーザ媒質4と、レーザ媒質4を励起するレーザ光を出射する半導体レーザ2と、半導体レーザ2とレーザ媒質4の間に設置され、レーザ光の一部を半導体レーザ2側へ反射する励起光反射手段3とを備え、励起光反射手段3は、レーザ媒質4により吸収される波長帯域の中で最も吸収率の高い波長帯域における反射率が、その他の波長帯域における反射率よりも高くなるように構成した。このため、レーザ装置1の大きさを変えることなく、半導体レーザ2の反射戻り光による半導体レーザ2の波長引き込みを抑制することができ、高効率なレーザ発振動作が可能となる。また、実施の形態1によれば、励起光反射手段3は、レーザ媒質4に入射して吸収されずに半導体レーザ2に戻るレーザ光の強度よりも強い光を反射するように構成したので、反射戻り光があっても半導体レーザ2の波長引き込みを抑制することができ、高効率なレーザ発振動作が可能となる。また、実施の形態1によれば、励起光反射手段3は、レーザ媒質4の励起光入射端面4aに施された誘電体膜、または半導体レーザ2の励起光出射端面2aに施された誘電体膜により構成した。これにより、誘電体膜を施すためのガラス板等の別部品が不要にでき、光学部品の削減およびレーザ装置1の更なる小型化が可能となる。また、実施の形態1によれば、レーザ媒質4は、入射したレーザ光を往復させる機構を有する構成にしたので、レーザ媒質4の吸収光率を更に高めることができる。実施の形態2.図4に示すように、本実施の形態2に係るレーザ装置11は、レーザ光を出射する半導体レーザ12と、レーザ光により励起されるレーザ媒質14と、半導体レーザ12とレーザ媒質14の間に設置されてレーザ光を整形する励起光学系結合光学系15と、励起光学系15の半導体レーザ12に対向する面に形成されて、レーザ光の一部を半導体レーザ12の方向へ反射する励起光反射手段13とから構成される。以下では、半導体レーザ12が出射するレーザ光を励起光PL11と称し、励起光反射手段13で反射した励起光PL11を励起光PL12と称す。なお、本実施の形態2の励起光反射手段13は、上記実施の形態1の励起光反射手段3と同等の反射特性図2に示すを有するものとする。また、励起光学系15としては例えば集光レンズを用いる。次に、レーザ装置11の動作を説明する。半導体レーザ12から出力された励起光PL11の大部分は励起光学系15の一端面に設けられた励起光反射手段13を透過し、励起光学系15によってビームを整形され、レーザ媒質14に吸収される。このとき、励起光PL11の一部の光、即ち、レーザ媒質14の吸収帯域内の波長の光が、励起光反射手段13に反射され、励起光PL12として半導体レーザ12に戻る。これにより、励起光PL11のうちのレーザ媒質14で吸収されず内部散乱した未吸収励起光、および半導体レーザ12の発振光の漏れ光が半導体レーザ12に戻ったとしても、これらの光よりも、励起光反射手段13で反射して半導体レーザ12に戻る励起光PL12の方が強くなる。そのため、励起光PL11は、吸収帯域の中心波長で励起光PL12に引き込まれ、高い吸収効率が得られる。以上より、実施の形態2によれば、レーザ装置11は、新たに、半導体レーザ12の出射したレーザ光をレーザ媒質14へ出力する励起光学系15を備え、励起光反射手段13は、半導体レーザ12と励起光学系15の間または励起光学系15とレーザ媒質14の間に設置される構成にした。このため、上記実施の形態1と同様に、半導体レーザ12の反射戻り光による半導体レーザ12の波長引き込みを抑制することができ、高効率なレーザ発振動作が可能となる。また、実施の形態2によれば、励起光反射手段13は、結合光学系を構成する励起光学系15の半導体レーザ12の対向面に施された誘電体膜により構成した。このため、励起光反射手段13の反射率を下げても、上記実施の形態1と同様の効果が得られ、励起光PL11の損失を抑制できる。なお、励起光反射手段13を形成する面は、図4の例に限定されるものではない。例えば、励起光学系15が複数部品から成る場合であっても、励起光学系15の中で半導体レーザ12への戻り効果が高い面を選択して、励起光反射手段13を形成すればよい。また、図4の例では、励起光学系15の一端面に励起光反射手段13を一体的に形成する構成を示したが、これに限定されるものではなく、励起光学系15とは別体のガラス板等に誘電体膜を施して励起光反射手段13にしても構わない。実施の形態3.図5に示すように、本実施の形態3に係るレーザ装置21は、レーザ光を出射する半導体レーザ22と、レーザ光により励起される平面導波路型レーザ媒質24と、半導体レーザ22と平面導波路型レーザ媒質24の間に設置されて、レーザ光の一部を半導体レーザ22の方向へ反射する励起光反射手段23とから構成される。以下では、半導体レーザ22が出射するレーザ光を励起光PL21と称し、励起光反射手段23で反射した励起光PL21を励起光PL22と称す。なお、図5においてx軸、y軸およびz軸は互いに直交する方向に伸び、z軸が励起光PL21の光軸である。平面導波路型レーザ媒質24は、互いに直交するx軸とz軸を含むx-z平面に平行な一対の側面にそれぞれ第1のクラッド25と第2のクラッド26が設けられている。また、平面導波路型レーザ媒質24の、互いに直交するx軸とy軸を含むx-y平面に平行、かつ、半導体レーザ22に対向する端面に励起光反射手段23が設けられている。この励起光反射手段23は、上記実施の形態1の励起光反射手段3と同等の反射特性図2に示すを有するものとし、その効果も同様である。なお、励起光反射手段23を、平面導波路型レーザ媒質24ではなく、半導体レーザ22の励起光出射端面22aに設けてもよく、この場合にも同様の効果が得られる。次に、レーザ装置21の動作を説明する。半導体レーザ22から出力された励起光PL21の大部分は励起光反射手段23を透過し、平面導波路型レーザ媒質24に入射する。平面導波路型レーザ媒質24に入射したy軸方向の励起光PL21は、第1のクラッド25と第2のクラッド26を交互に反射しながら、導波路を伝搬し、平面導波路型レーザ媒質24に吸収される。このとき、励起光PL21の一部の光、即ち、平面導波路型レーザ媒質24の吸収帯域内の波長の光が、励起光反射手段23に反射され、励起光PL22として半導体レーザ22に戻る。以上より、実施の形態3によれば、レーザ装置21は、平面導波路構造を有する平面導波路型レーザ媒質24を備え、この平面導波路型レーザ媒質24のレーザ光が入射する面に励起光反射手段23を設けるように構成した。このため、導波路方向の励起光PL21を結合光学系なしに閉じ込めることができるようになり、半導体レーザ22と平面導波路型レーザ媒質24を近接配置した場合において高い励起効率を得ることが可能となる。よって、上記実施の形態1で示した効果に加えて、更に小型なレーザ装置21を実現可能となる。実施の形態4.図6に示すように、本実施の形態4に係るレーザ装置31は、レーザ光を出射する半導体レーザ32と、レーザ光により励起されるチャネル導波路型レーザ媒質34と、半導体レーザ32とチャネル導波路型レーザ媒質34の間に設置されて、レーザ光の一部を半導体レーザ32の方向へ反射する励起光反射手段33とから構成される。以下では、半導体レーザ32が出射するレーザ光を励起光PL31と称し、励起光反射手段33で反射された励起光PL31を励起光PL32と称す。なお、図6においてx軸、y軸およびz軸は互いに直交する方向に伸び、z軸が励起光PL31の光軸である。チャネル導波路型レーザ媒質34は、互いに直交するx軸とz軸を含むx-z平面に平行な一対の側面にそれぞれ第1のクラッド35と第2のクラッド36が設けられている。また、チャネル導波路型レーザ媒質34の、互いに直交するy軸とz軸を含むy-z平面に平行な一対の側面にそれぞれ第3のクラッド37と第4のクラッド38が設けられている。さらに、チャネル導波路型レーザ媒質34の、互いに直交するx軸とy軸を含むx-y平面に平行、かつ、半導体レーザ32に対向する端面に励起光反射手段33が設けられている。この励起光反射手段33は、上記実施の形態1の励起光反射手段3と同等の反射特性図2に示すを有するものとし、その効果も同様である。なお、励起光反射手段33を、チャネル導波路型レーザ媒質34ではなく、半導体レーザ32の励起光出射端面32aに設けてもよく、この場合にも同様の効果が得られる。次に、レーザ装置31の動作を説明する。半導体レーザ32から出力された励起光PL31の大部分は励起光反射手段33を透過し、チャネル導波路型レーザ媒質34に入射する。チャネル導波路型レーザ媒質34に入射したy軸方向の励起光PL31は、第1のクラッド35と第2のクラッド36を交互に反射しながら、また、x軸方向の励起光PL31は、第3のクラッド37と第4のクラッド38を交互に反射しながら、導波路を伝搬し、チャネル導波路型レーザ媒質34に吸収される。このとき、励起光PL31の一部の光、即ち、チャネル導波路型レーザ媒質34の吸収帯域内の波長の光が、励起光反射手段33に反射され、励起光PL32として半導体レーザ32に戻る。以上より、実施の形態4によれば、レーザ装置31は、チャネル導波路構造を有するチャネル導波路型レーザ媒質34を備え、このチャネル導波路型レーザ媒質34のレーザ光が入射する面に励起光反射手段33を設けるように構成した。このため、上記実施の形態3と同様に、導波路方向の励起光PL31を結合光学系なしに閉じ込めることができるようになり、半導体レーザ32とチャネル導波路型レーザ媒質34を近接配置しても高い励起効率を得ることが可能となる。よって、上記実施の形態1で示した効果に加えて、更に小型なレーザ装置31を実現可能となる。実施の形態5.図7に示すように、本実施の形態5に係るレーザ装置41は、レーザ光を出射する半導体レーザ42と、レーザ光による励起されるレーザ媒質44と、レーザ媒質44のレーザ半導体42から遠い側の端面44bに形成されて、レーザ光の一部を半導体レーザ42の方向へ反射する励起光反射手段43とから構成される。以下では、半導体レーザ42が出射するレーザ光を励起光PL41と称し、励起光反射手段43で透過された励起光PL41を励起光PL42と称し、励起光反射手段43で反射された励起光PL41を励起光PL43と称す。図8は、本実施の形態5に係るレーザ装置41におけるレーザ媒質44の吸収スペクトルと励起光反射手段43の透過特性を示すグラフである。グラフの横軸は波長、縦軸はレーザ媒質44の吸収効率、および励起光反射手段43の透過率である。励起光反射手段43は、所定の吸収率を境目にして、レーザ媒質44による吸収が強い波長帯域を全反射させ、それ以外の吸収が弱い波長帯域および吸収しない波長帯域は透過させる特性を有する。次に、レーザ装置41の動作を説明する。半導体レーザ42から出力された励起光PL41は、レーザ媒質44の半導体レーザ42に近い側の端面44aから入射し、レーザ媒質44に吸収されながら伝搬する。レーザ媒質44で吸収されなかった励起光PL41のうち、レーザ媒質44による吸収が強い波長帯域以外の波長の光は、励起光反射手段43を透過し、励起光PL42としてレーザ装置41外に放出され雲散霧散する。一方、レーザ媒質44で吸収されなかった励起光PL41のうち、レーザ媒質44による吸収が強い波長帯域の波長の光は、励起光反射手段43に反射され、励起光PL43としてレーザ媒質44に吸収されながら伝搬する。レーザ媒質44の吸収帯域における吸収効率が100を満足しない場合、励起光PL43は半導体レーザ42へ戻るが、励起光PL43が吸収帯域の波長であるため、吸収帯域の波長に引きずり込まれる。よって波長飛びを抑制できる。以上より、実施の形態5によれば、レーザ装置41は、レーザ媒質44と、レーザ媒質44を励起するレーザ光を出射する半導体レーザ42と、レーザ媒質44の半導体レーザ42から遠い側の端面44bに設置され、レーザ媒質44内を伝搬したレーザ光を半導体レーザ42側へ反射する励起光反射手段43とを備え、励起光反射手段43は、レーザ媒質44により吸収される波長帯域の中で所定値より吸収率の高い波長帯域におけるレーザ光を反射させ、所定値以下の波長帯域におけるレーザ光を透過させるように構成した。このため、吸収帯域の励起光PL41の一部を励起光反射手段43で反射させることがなく、よって、励起効率を低下させることなく、レーザ媒質44を往復伝搬した未吸収光による波長飛びを抑制することができる。なお、図7の例では上記実施の形態1と同様の構成のレーザ装置41に対して励起光反射手段43を設置した場合を説明したが、これに限定されるものではなく、上記実施の形態3に係るレーザ装置21においても、平面導波路型レーザ媒質24の半導体レーザ22から遠い側の端面に励起光反射手段43を設置して、励起光PL21を平面導波路型レーザ媒質24内に往復伝搬させて吸収効率の向上を図るようにしてもよい。あるいは、上記実施の形態4に係るレーザ装置31においても、チャネル導波路型レーザ媒質34の半導体レーザ32から遠い側の端面に励起光反射手段43を設置して、励起光PL31をチャネル導波路型レーザ媒質34内に往復伝搬させて吸収効率の向上を図るようにしてもよい。上記以外にも、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。