セラミックス枠体の一方の面にリードメタルを含むリードフレーム部を、他方の面に放熱用のベースメタルを接合した半導体素子収納用基板において、リードフレーム部とベースメタルを電気的に接続するためのスルーホールおよびめっき導通用パターンがセラミックス枠体に少なくとも1つ形成されており、めっき処理後にスルーホールに接続しためっき導通用パターンおよびリードフレーム部とリードメタル間を切断することを特徴とした高周波用高放熱型半導体素子収納用基板。セラミックス枠体に形成されためっき導通用パターンがW、Mo金属の少なくとも1種類の金属で構成され、リードフレーム部が鉄―ニッケル合金、ベースメタルがCu-W、Cu-Mo、Cr-Cu複合部材のいずれか、セラミックス枠体の成分中のアルミナ含有率が70wt以上、であることを特徴とする請求項1記載の高周波用高放熱型半導体素子収納用基板。しかしながらめっき用のジグを別途、取り付ける方法では各製品へめっき用のジグを取り付ける作業が煩雑であり、めっき工程の生産性を著しく低下させる。さらにめっき用のジグとベースメタル56は電気的に接触しているだけであるため、接触状態のバラツキが大きい。このためリードメタル51とベースメタル56のめっき厚の相違による品質ばらつきや接触不良によるベースメタル56の不めっき等の品質不良を引き起こしやすいと言う問題があった。特許文献1の方法では、1導体ペーストや絶縁体が十分に除去できず製品が不良品となること、2導体ペーストや絶縁体により電解めっき液が汚染されること、等が問題となる。また特許文献2の方法ではセラミックパッケージ内の孤立した浮きパターンに電気めっき処理することは可能であるが、セラミックパッケージの表面、裏面に電気的に独立した異種金属材料間の電気的接続に応用することはできない。本発明は上述した課題を解決するために考案されたもので、その目的はセラミックス基板の表裏に接合された異種金属材料のリードメタルと放熱用ベースメタルに簡便、且つ高品質なめっき処理を施した高周波用高放熱型半導体素子収納用基板を提供することにある。本発明に係る高周波用高放熱型半導体素子収納用基板は絶縁用のセラミックス枠体の一方の表面にリードフレーム部と一体化した電気信号用のリードメタル、他方の表面に半導体素子の発熱を放熱させるベースメタルを接合した後、Ni/Auめっき処理することにより作製される。ここでリードメタルとベースメタルはセラミックス枠体に形成した導体を充填したスルーホールとめっき導通用パターンとを介して電気的に接続された状態でNiAuめっき処理され、めっき処理後にめっき導通用パターンとリードフレーム部/リードメタル間を切断することを特徴とする。上記発明に適した材料としてはセラミックス枠体についてはアルミナが一般的であるが、低温焼成可能なガラスセラミックスや高熱伝導率の窒化アルミニウムなど使用目的に応じて随時選択することができる。リードメタル材料としては打ち抜き加工性に優れた金属、合金材料が選択されるが、通常、リードフレーム部に使用される42アロイ等が使用される。ベースメタル材料としてはGaAs、GaNなどの化合物半導体と熱膨脹率がマッチングし、且つ放熱板に適した高熱伝導率を有する金属材料が適する。これらの特性を満足する材料としては高熱伝導金属と低熱膨脹金属からなる複合体が使用される。代表的な例としては粉末WやMo焼結体にCuを溶融含浸させたCuーW、Cu-Mo材がある。また低コスト化にはCr-Cu材が有効である。含侵法の他にCuとW、Mo、Cr等の低熱膨脹金属板を交互に3層以上積層したクラッド板も使用することができる。この場合、表面層、裏面層はCu板となる。これによりセラミックス枠体にリードメタルおよびベースメタルが接合された状態でNi/Auめっき処理を行う場合、リードフレーム部にめっき用の給電端子を接続するだけでリードメタル、ベースメタルの両方を安定にNi/Auめっき処理することができる。リードフレーム部とベースメタルを接続するめっき用のジグの取り付けが不要のため、めっき作業が簡便となるのみならず、ジグの接触ばらつきによるめっき膜厚ばらつきを低減することができる。Ni/Auめっき後にめっき導通用パターンおよびリードメタル/リードフレーム部の接続部を切断することによって、リードメタルとベースメタル間は電気的に絶縁され、高品質の高周波用高放熱型半導体素子収納用基板が得られる。本発明による高周波用高放熱型半導体素子収納用基板の構造を図1、図2に示す。リードメタル1aとベースメタル6aをセラミックス枠体4aに形成したスルーホール7aとめっき導通用パターン8aによって電気的に接続し、リードフレーム部3aより給電して電気めっき処理を行い、めっき処理後にリードフレーム部3aとめっき導通用パターン8aを切断する。セラミックス枠体材料としてはセラミックス回路基板に使用される一般的なアルミナ、窒化アルミ、ガラスセラミックス等いずれも使用可能である。セラミックス枠体に形成するめっき導通用パターン、スルーホール導通に用いる金属導体材料は使用するセラミックス材料によって適時選定される。通常、アルミナ、窒化アルミ材料に対してはタングステンやモリブデンといった高融点金属が選定される。低温焼成タイプのガラスセラミックスでは銅、銀が導体材料として使用される。リードメタルおよびリードフレーム部材にはコバーや42アロイといった鉄合金材料が一般的に使用される。一方、ベースメタル材料としてはヒートシンクとしての放熱性と高周波用の化合物半導体の熱膨脹率とのマッチングを両立できるCu-W、Cu-Mo、Cr-Cu複合材料が使用される。リードメタルおよびベースメタルを接合するセラミックス枠体表面は導体ペーストにてあらかじめメタライズ処理されており、さらにメタライズ表面はニッケルめっき処理されている。ニッケルめっき処理されたメタライズ表面へのリードメタル1aおよびベースメタル6aの接合には一般的に銀ロー材Ag-Cu合金が使用される。銀ロー接続後、リードメタル1a、ベースメタル6a表面は半導体素子の実装のため、めっき処理されるが、実装温度が高温であることから通常、厚付けの電解ニッケル/金めっきが適用される。めっき後にリードメタル1aとベースメタル6a間を接続する導通用パターン8aを切断するが、一般的にはレーザー光による導体切断が適している。最後にリードフレーム部3aとリードメタル1aの切断は通常の打ち抜きによって切断され、高周波用高放熱型半導体素子収納用基板が完成する。ついで図3を参照して本発明の実施の形態に係る高周波用高放熱型半導体素子収納用基板の製造方法について説明する。1はじめにセラミックス枠体4aとなるグリーンシートを作製し、パンチ加工にてスルーホール7aを形成する。2次にタングステンWペースト印刷にてスルーホール7a内を穴埋め充填するとともに、金属メタライズ電極部2a、めっき導通用パターン8aをスクリーン印刷にて形成する。3次にパンチ加工にてキャビティ5aを形成する。4これを水素還元雰囲気ガス中にて焼成してセラミックス枠体4aのシートを得る。5焼成後のシートのWメタライズ部に厚み5-10um程度の電解ニッケルめっき処理を行う。6ニッケルめっき後のセラミックスシートを個片切断し、セラミックス枠体4aを得る。7ニッケルめっき処理された表面のメタライズ電極部2aとリードメタル1aの間に銀ロー材を配置するとともに、裏面のメタライズ電極部2aとモリブデン粉末焼結体に銅を含浸させたMo-Cu複合体製のベースメタル6a表面はあらかじめニッケルめっき処理済みの間にも銀ロー材を配置し、ロー付け用の冶具で固定した後、水素還元雰囲気にて加熱して銀ローを溶融させ、リードメタル1aとベースメタル6aをセラミックス枠体4aに接合する。8リードフレーム部3aより給電し電解ニッケル/金めっき処理を行う。この時、セラミックス枠体4aに形成したスルーホール7aを介して裏面ベースメタル6aへもめっき処理がなされる。9めっき導通用パターン8aをレーザーにて切断、さらに10リードフレーム部3aを切断し、リードフレーム部3aと製品を分離する。以上の工程をへて高周波用高放熱型半導体素子収納用基板が製造される。次に図4にて本発明の要点を断面構造から説明する。図4は図1の破線CDに沿った断面構造を表している。スルーホール7aに充填されたタングステン導体により、セラミックス枠体4aの表面と裏面のベースメタル6aが電気的に接続される。2このためセラミックス枠体4a表面に接合したリードフレーム部3aからの給電により裏面ベースメタル6aも同時に電解ニッケル9a/金めっき10a処理することが可能となる。通常、めっき厚としてニッケル10um、金2um程度を形成する。3めっき後にセラミックス枠体4a表面のめっき導通用パターン8aをレーザーにて切断し、さらにベースメタル6aとリードメタル1aを電気的に分離する。これにより表面のリードメタル1aと裏面のベースメタル6aが電気的に分離される。