"第1基板面と当該第1基板面に相対する第2基板面とを有する基板に対し、前記第1基板面に複数の小穴を連接して形成し、前記小穴をエッチングによって削成することで第1穴を形成する第1穴形成工程と、前記小穴と前記小穴との隔壁となる前記基板と、前記小穴の底部となる前記基板とを熱酸化し前記基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、熱酸化した前記隔壁および前記底部と前記基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程と、を備えることを特徴とする貫通穴形成方法。請求項1に記載の貫通穴形成方法であって、前記第1穴は、多角形状の前記小穴を連接して形成することを特徴とする貫通穴形成方法。請求項1または請求項2に記載の貫通穴形成方法であって、前記第1穴と相対する第2穴を前記第2基板面に形成する第2穴形成工程を備えることを特徴とする貫通穴形成方法。請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の貫通穴形成方法であって、前記第1穴は、連接して形成する前記小穴の数が異なる複数の前記第1穴を形成することを特徴とする貫通穴形成方法。請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の貫通穴形成方法であって、前記第1穴は、連接して形成する前記小穴の開口面積の異なる複数の前記第1穴を形成することを特徴とする貫通穴形成方法。請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の貫通穴形成方法であって、前記第1穴の開口面積と、深さとが異なった複数の前記第1穴を同時に形成することを特徴とする貫通穴形成方法。しかしながら、特許文献1では貫通穴の形成を基板の片側面からおこなうため、エッチングされる穴の終端部の形状がエッチング始点部に比べて細くなるなどの課題があった。また特許文献2では、同時に複数の開口面積の異なる貫通穴となる凹部を形成する場合、形成される凹部の深さが開口面積によって異なり凹部の深さを制御することができないという課題があった。また、開口面積の大きい貫通穴を形成する場合、凹部に形成した保護膜が凹部に対向する貫通穴となる第2ノズルを形成するときに破損し、エッチングで生じる熱を冷却するガスが漏洩するという課題もあった。従って、MEMSデバイス等を形成する基板に、貫通穴となる穴の形状がエッチングの始点から終端まで均一で、エッチングで用いるガスが漏洩することなく、開口面積の異なる貫通穴となる凹部の深さを制御することができる貫通穴形成方法が求められていた。本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。適用例1本適用例に係る貫通穴形成方法は、第1基板面と、当該第1基板面に相対する第2基板面とを有する基板に対し、第1基板面に複数の小穴を連接して形成し、小穴をエッチングによって削成することで第1穴を形成する第1穴形成工程と、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し、基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と熱酸化した隔壁および底部と基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程とを備えることを特徴とする。このような貫通穴形成方法によれば、第1基板面と、第2基板面とを有する基板に対し、第1基板面に複数の小穴を連接してエッチングによって削成することで、所望の開口面積の第1穴を形成することができる。さらに、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し、基板に熱酸化膜を形成し、形成された熱酸化膜を除去することで第1基板面と、第2基板面とを連通する貫通穴を形成することができる。適用例2上記適用例に係る貫通穴形成方法において、第1穴は多角形状の小穴を連接して形成することが好ましい。このような貫通穴形成方法によれば、第1穴を構成する小穴の形状を多角形状とし、連接して形成することで、小穴と小穴とを密接して形成することができる。よって、小穴の隔壁となる基板の厚みが均一となり熱酸化膜形成工程で均等に隔壁を熱酸化することができる。また、底部13の強度を増し底部13の破損を抑制できる。適用例3上記適用例に係る貫通穴形成方法において、第1穴と相対する第2穴を第2基板面に形成する第2穴形成工程を備えることが好ましい。このような貫通穴形成方法によれば、第1穴と相対する第2穴を形成する第2穴形成工程を備えることで、第1穴と、第2穴との開口面積が異なる貫通穴を形成することができる。また、第1穴形成工程で形成する小穴のエッチング深さの精度を緩和することができる。適用例4上記適用例に係る貫通穴形成方法において、第1穴は連接して形成する小穴の数が異なる複数の第1穴を形成することが好ましい。このような貫通穴形成方法によれば、第1穴を構成する小穴の連接数を異ならせて形成することで、異なった開口面積の第1穴を形成することができる。従って、開口面積の異なる複数の第1穴を同時に形成することができる。適用例5上記適用例に係る貫通穴形成方法において、第1穴は連接して形成する小穴の開口面積の異なる複数の第1穴を形成することが好ましい。このような貫通穴形成方法によれば、第1穴を構成する小穴の開口面積を異ならせることで、小穴の開口面積の違いによってエッチングの削成速度が異なる。よって、第1穴の深さを異ならせて形成することができる。従って、深さの異なる複数の第1穴を同時に形成することができる。適用例6上記適用例に係る貫通穴形成方法において、第1穴の開口面積と、深さとが異なった複数の第1穴を同時に形成することが好ましい。このような貫通穴形成方法よれば、第1穴を構成する小穴を連接して形成する数と、小穴の開口面積を異ならせることで、第1穴の深さと、開口面積とが異なる複数の第1穴を同時に形成することができる。以下、実施形態を図面に基づいて、基板10に貫通穴3を形成する方法について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載をしている。第1実施形態本実施形態の貫通穴形成方法を図1と、図2とを用いて説明する。図1は第1基板面10aと、第1基板面10aに相対する第2基板面10bとを有する基板10に、貫通穴3を形成する工程を断面視する模式図である。また図2は、貫通穴3を形成する基板10を上面視した図である。なお図1は、図2に示すA-A ́間の断面を示している。貫通穴形成方法は第1基板面10aと、第1基板面10aに相対する第2基板面10bとを有する基板10の第1基板面10aに、第1穴1となる複数の小穴11を形成する。次に第1基板面10aに形成された小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する。次に熱酸化された隔壁12および底部13と、基板10に形成した酸化膜201とを除去することで、第1基板面10aと、第2基板面10bとを貫通する貫通穴3が形成される。なお、本実施形態では基板10としてシリコン基板を用いている。次に貫通穴形成方法を実施する工程は、貫通穴3となる第1穴1を構成する小穴11の形状を第1基板面10aに転写する第1フォト工程と、第1基板面10aに転写された小穴11の形状をドライエッチングによって削成する第1穴形成工程を備える。また、第1穴形成工程で形成した小穴11の隔壁12と、底部13とを熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程と、熱酸化された小穴11の隔壁12および底部13と、基板10に形成された酸化膜201を除去する除去工程とを備えている。以下、本実施形態の貫通穴形成方法を詳説する。図1aは、第1穴1を形成する小穴11の形状を第1基板面10aに転写する第1フォト工程を示す模式図である。図1aに示すように第1フォト工程は、第1基板面10aに感光材料以下、レジストと称する。を塗付し、第1レジスト膜101の形成を行なう。次に小穴11の形状が描かれたマスク版不図示と、第1レジスト膜101が形成された第1基板面10aとを相対させて配置する。次に、マスク版に描かれた小穴11の形状を第1基板面10aに形成された第1レジスト膜101へ露光によって転写する。次に、露光によって小穴11の形状が転写された第1レジスト膜101の現像をおこなうことで、小穴11の形状の第1レジスト膜101が剥離し、第1基板面10aを露出する。ここで図2は、前述の第1フォト工程で第1基板面10aに形成された小穴11を上面視した模式図である。図2に示すように第1穴1は、多角形状の小穴11を連接して形成し、第1穴1を構成する。なお本実施形態の小穴11は6角形状としているが、6角形状に限定されることなく多角形状であれば良い。図1に戻り図1bは、前述の第1フォト工程で第1基板面10aに転写し、第1レジスト膜101が剥離された小穴11の形状をドライエッチングによって削成し、第1穴1を形成する第1穴形成工程を示す模式図である。図1bに示すように第1穴形成工程は、前述の第1フォト工程で転写された小穴11の形状をドライエッチングによって削成し、小穴11を形成する。第1穴形成工程によって形成する小穴11の深さは、底部13の厚さが隔壁12の厚さと略等しくなるまで小穴11を削成する。次に図1cは、前述の第1穴形成工程で形成した小穴11の隔壁12と、底部13とを熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程を示す模式図である。図1cに示すように熱酸化膜形成工程は、小穴11を形成した基板10を熱酸化装置不図示によって加熱し、酸素または水蒸気と、反応させることで基板10の表面および小穴11に酸化膜201を形成する。熱酸化による酸化膜201の形成は、基板10の組成であるシリコンと、熱酸化装置内に充満させる酸素または水蒸気に含まれる酸素とが反応をすることによって酸化膜201を形成する。熱酸化膜形成工程によって酸化膜201を形成する際に、基板10の組成であるシリコンを酸化することで酸化膜201が形成される。酸化される基板10のシリコンは、シリコンの分子量を28.09g/mol、密度2.33g/立方センチメートルとし、形成される酸化膜201の分子量が60.08g/mol、密度2.21g/立方センチメートルとした場合、厚さxの酸化膜を形成すると、0.44xの厚さのシリコンが酸化される。熱酸化膜形成工程によって形成する酸化膜201の膜厚は、小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、当該部分を構成するシリコンをすべて酸化させる厚さとする。例えば隔壁12の厚みが1μmの場合、前述の条件で当該隔壁12をすべて酸化させるためには1.2μm以上の酸化膜201を形成し、隔壁12を構成するシリコンを酸化させる。次に図1dは、前述の熱酸化膜形成工程で形成した酸化膜201を除去する除去工程を示す模式図である。図1dに示すように除去工程は、フッ化水素酸などを含んだ水溶液に基板10を浸漬し、熱酸化されたシリコンと、水溶液とが反応することで、酸化膜201と、熱酸化された隔壁12および底部13との除去をおこなう。除去工程が完了すると、第1基板面10aと、第2基板面10bとを貫通する貫通穴3が形成され一連の工程が完了する。上述した第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1基板面10aに第1穴1となる複数の小穴11を連接してドライエッチングで形成することで基板10の損傷を抑制し、所望の開口面積の第1穴1を形成することができる。従って、第1穴1の開口面積に係らず第1穴形成工程のドライエッチングで基板10を破損することなく第1穴1を形成することができる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1穴1を構成する小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成することで、当該隔壁12と、底部13とを除去工程で除去することができる。従って、基板10をドライエッチングで貫通することなく、第1基板面10aと、第2基板面10bを連通する貫通穴3を形成することができる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1穴1を構成する小穴11の形状を多角形状とし、小穴11を連接して形成することで小穴11と、小穴11とを密接して形成することができる。よって小穴11の隔壁12となる基板10の厚みが均一となり、均等に隔壁12を熱酸化することができる。従って、除去工程で隔壁12を残存することなく除去できる。本実施形態の貫通穴形成方法は、貫通穴3となる第1穴1をドライエッチングで貫通させることなく形成することから、ドライエッチング反応ガスが第1穴1を形成する第1基板面10aに相対する第2基板面10bへ流出することを抑制できる。また、ドライエッチングで生じる熱から基板10を保護する冷却ガスが形成中の第1穴1に流入することを抑制できる。従って、貫通穴3を形成する基板10に他の基板を貼り合わせてドライエッチング反応ガスの流出と、冷却ガスの流入を抑止しなくても、ドライエッチング反応ガスと、冷却ガスとの流入を抑制することができる。第2実施形態本実施形態の貫通穴形成方法は、第2基板面10bに第1穴1と相対する第2穴2を形成する点で、前述の第1実施形態で説明をした貫通穴形成方法と異なっている。その他の貫通穴形成方法および貫通穴形成工程は第1実施形態と同様のため、同様の方法および工程には同様の符号を付して説明は省略または簡略とする。本実施形態の貫通穴形成方法を図3と、図4とを用いて説明する。図3と、図4とは、第1実施形態と同様の基板10に、貫通穴3となる第1穴1を第1基板面10aに形成する工程と、第2基板面10bに第2穴2を形成する工程とを断面視した模式図である。貫通穴形成方法は基板10の第1基板面10aに、第1穴1となる複数の小穴11を連接して形成する。次に第1基板面10aに形成された小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する。次に、第1穴1に相対して第1穴1の底部13に到達する第2穴2を第2基板面10bに形成する。次に熱酸化された隔壁12および底部13と、基板10に形成した酸化膜201を除去することで、第1基板面10aに形成した第1穴1と、第2基板面10bに形成した第2穴2とが連通し、貫通穴3が形成される。なお、本実施形態では基板10としてシリコン基板を用いている。次に貫通穴形成方法を実施する工程は、貫通穴3となる第1穴1を構成する小穴11の形状を第1基板面10aに転写する第1フォト工程と、第1基板面10aに転写された小穴11の形状をドライエッチングによって形成する第1穴形成工程とを備える。また、第1穴形成工程で形成した小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程を備えている。さらに、貫通穴3となる第2穴2の形状を第1穴1と相対して第2基板面10bに転写する第2フォト工程と、第2基板面10bに転写された第2穴2の形状をドライエッチングによって削成する第2穴形成工程と、熱酸化された小穴11の隔壁12および底部13と、基板10に形成された酸化膜201を除去する除去工程とを備えている。以下、本実施形態の貫通穴形成方法を詳説する。図3aは、第1穴1を構成する小穴11の形状を第1基板面10aに転写する第1フォト工程を示す模式図である。図3aに示すように第1フォト工程は第1実施形態と同様に、第1レジスト膜101が塗付された第1基板面10aに小穴11の形状を転写し、現像することで小穴11の形状の第1レジスト膜101が剥離され第1基板面10aが露出する。図3bは、前述の第1フォト工程で第1基板面10aに転写し、第1レジスト膜101が剥離された小穴11の形状をドライエッチングによって削成し、第1穴1を形成する第1穴形成工程を示す模式図である。図3bに示す第1穴形成工程は、第1実施形態と同様に、ドライエッチングによって第1穴1となる小穴11を形成する。形成する第1穴1の深さは、基板10の厚さから後述する第2穴2の深さと、小穴11の隔壁12の厚さとを差し引いた深さに形成する。図3cは、前述の第1穴形成工程で形成した小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程を示す模式図である。図3cに示す熱酸化膜形成工程は、第1実施形態と同様に小穴11の隔壁12および底部13を熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する。形成する酸化膜201の膜厚は第1実施形態と同様に、小穴11の隔壁12および底部13を構成する基板10のシリコンをすべて熱酸化させる厚さとする。次に図3dは、第1基板面10aに相対する第2基板面10bに、貫通穴3となる第2穴2の形状を転写する第2フォト工程を示す模式図である。第2フォト工程は第1フォト工程と同様に、第2穴2の形状を第2基板面10bに形成した第2レジスト膜102へ転写し、現像をすることで第2穴2の形状の第2基板面10bを露出させる。次に図4eは、前述の第2フォト工程で第2基板面10bに転写し、第2レジスト膜102が剥離された第2穴2の形状をドライエッチングによって削成し、第2穴2を形成する第2穴形成工程を示す模式図である。図4eに示すように第2穴形成工程は、前述の第2フォト工程で転写された第2穴2の形状をドライエッチングによって削成し、第2穴2を形成する。第2穴形成工程のドライエッチングは、第2穴2に相対する第1穴1の熱酸化された底部13によってドライエッチング反応が抑制される。よって、第2穴2がエッチングによって削成される深さは、第2基板面10bから小穴11の熱酸化された底部13までの深さで、換言すると基板10から第1穴1の深さと、熱酸化された底部13の厚さとを差し引いた深さとなる。次に図4fは、前述の熱酸化膜形成工程で形成した酸化膜201を除去する除去工程を示す模式図である。図4fに示すように除去工程は第1実施形態同様に、フッ化水素酸などを含んだ水溶液に基板10を浸漬し、熱酸化膜形成工程で形成した酸化膜201と、熱酸化された隔壁12および底部13との除去をおこなう。除去を行なうことで、第1基板面10aに形成した第1穴1と、相対する第2基板面10bに形成した第2穴2とが連通し、貫通穴3が形成され一連の工程が完了する。上述した第2実施形態によれば、以下の効果が得られる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1穴1と相対する第2穴2を形成することで、第1穴1と、第2穴2との開口面積が異なる貫通穴3を形成することができる。また、基板10のいずれか片方の基板面から貫通穴3をドライエッチング形成されることと比べて、第1基板面10aと、第2基板面10bとから貫通穴3となる第1穴1と、第2穴2とを削成する深さが浅くなる。従って、第1穴1と、第2穴2との終端部の形状がドライエッチング始点部に比べて細くなることなく均一の穴径の貫通穴3を実現することができる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1穴1を構成する小穴11の形状を多角形状とすることで、底部13の強度を増すことができる。このことによって、例えば数百μm以上の開口が大きい貫通穴3を形成する場合でも、第2穴2を形成するドライエッチング反応によって底部13が貫通されることを抑制することができる。従って、ドライエッチングで生じる熱を冷却するガスなどを漏らすことなく大きな開口面積の貫通穴3をドライエッチングで寸法精度高く形成することができる。本実施形態の貫通穴形成方法は、第1穴1と相対する第2穴2を形成することで、第1実施形態の第1穴形成工程で隔壁12の厚さと等しくなるまでドライエッチングによって小穴11を削成することと比べて、第1穴形成工程のドライエッチングで形成する小穴11の深さ精度を緩和することができる。第3実施形態本実施形態はMEMSデバイスの一つである液滴を吐出するノズル板20を本発明の貫通穴形成方法を用いて形成する方法について説明する。上述の第1および第2実施形態で説明をした同様の方法および工程には同様の符号を付して説明は省略または簡略として説明する。図5と、図6とはノズル板20となる上述した実施形態と同様の基板10に対し、液滴を吐出するノズル穴31となる貫通穴3fと、ノズル板20を他のデバイスに固定する固定穴32となる貫通穴3eとを形成する工程を断面視した模式図である。上述した実施形態の貫通穴形成方法を用いて形成するノズル板20を形成方法について図5と、図6とを用いて説明する。先ず本実施形態で形成するノズル板20は、図6fに示すように、液滴を吐出するノズル穴31となる貫通穴3fと、ノズル板20を他のデバイスとの固定などに用いる固定穴32となる貫通穴3eとを備える。本実施形態のノズル板20は、本発明の貫通穴形成方法を用いて形成する例であり、本発明を用いて形成するノズル板20の構成を限定するものではない。ノズル板20を形成する貫通穴形成方法は、前述の第2実施形態同様に基板10の第1基板面10aに、貫通穴3eとなる第1穴1eを構成する複数の小穴11を連接して形成する。また、貫通穴3eに比べて開口面積の小さい貫通穴3fとなる第1穴1fを形成する。次に、第1基板面10aに形成された複数の小穴11と小穴11との隔壁12と、小穴11の底部13と、第1穴1fの底部13とを熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する。次に所定の厚さにノズル板20を形成する基板10を研削し、薄板化する。次に第1穴1e,1fに対応して相対する第2穴2e,2fを第2基板面10bに形成する。次に第1穴1eを構成する小穴11の隔壁12および底部13と、第1穴1fの底部13と、基板10に形成した酸化膜201とを除去することで、第1基板面10aに形成した第1穴1e,1fと、第2基板面10bに形成した第2穴2e,2fが連通し、固定穴32となる貫通穴3eと、ノズル穴31となる貫通穴3fとが形成される。なお、本実施形態では基板10としてシリコン基板を用いている。次にノズル板20を形成する貫通穴形成方法の工程は、貫通穴3eとなる第1穴1eを構成する小穴11の形状と、貫通穴3fとなる第1穴1fの形状とを転写する第1フォト工程と、第1基板面10aに形成された小穴11と、第1穴1fとの形状をドライエッチングによって削成する第1穴形成工程とを備える。また、第1穴形成工程で形成された小穴11の隔壁12および底部13と、第1穴1fの底部13とを熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程と、形成するノズル板20の所定の厚さに基板10を研削し、薄板化する薄板化工程とを備える。さらに、貫通穴3eとなる第2穴2eと、貫通穴3fとなる第2穴2fの形状を転写する第2フォト工程と、第2フォト工程で転写された第2穴2e,2fの形状をドライエッチングによって削成する第2穴形成工程と、小穴11の隔壁12および底部13と、第1穴1fの底部13と、基板10に形成した酸化膜201とを除去する除去工程とを備えている。以下、本実施形態のノズル板20を形成する貫通穴形成方法について詳説する。図5aは、第1穴1eを構成する小穴11と、第1穴1fの形状を転写する第1フォト工程を示す模式図である。図5aに示すように第1フォト工程は第2実施形態同様に、第1レジスト膜101が塗布された第1基板面10aに小穴11と、第1穴1fの形状を転写し、現像することで小穴11と、第1穴1fとの形状の第1レジスト膜101が剥離され第1基板面10aが露出する。転写する第1穴1fと、小穴11との開口面積は、後述する第1穴形成工程でドライエッチングを用いて削成する第1穴1fと、小穴11との深さに影響を与える。開口面積が大きい程、単位時間当たりのエッチングによる削成深さが深くなる。本実施形態では、ノズル穴31の液滴を吐出する穴となる第1穴1fの開口面積と深さとを基準として、第1基板面10aに第1穴1fと、深さと開口面積とが異なる第1穴1eとを同時に形成する。本実施形態では第1穴1eは、第1穴1fに比べて浅く形成するため第1穴1eを構成する小穴11は、第1穴1fと比べて開口面積を小さく形成する。そのため、第1穴1fの削成と比べて第1穴1eの削成速度が低下する。すなわち、同じ時間エッチングを行った場合、第1穴1eの方が浅く形成される。図5bは、前述の第1フォト工程で第1基板面10aに転写され、第1レジスト膜101が剥離された小穴11と、第1穴1fとの形状をドライエッチングによって削成し、第1穴1e,1fを形成する第1穴形成工程を示す模式図である。図5bに示す第1穴形成工程は、上述の実施形態と同様にドライエッチングによって第1穴1eとなる小穴11と、第1穴1fとを形成する。図5cは、前述の第1穴形成工程によって形成された第1穴1fの底部13と、第1穴1eを構成する小穴11の隔壁12および底部13とを熱酸化し、基板10に酸化膜201を形成する熱酸化膜形成工程を示す模式図である。図5cに示す熱酸化膜形成工程は第2実施形態と同様に、形成する酸化膜201の膜厚は、小穴11の隔壁12と、底部13とを熱酸化し、隔壁12を構成する基板10のシリコンをすべて酸化させる厚さとする。次に図5dは、第1基板面10aに相対する第2基板面10bに、貫通穴3e,3fとなる第2穴2e,2fの形状を転写する第2フォト工程を示す模式図である。第2フォト工程は第1フォト工程と同様に、第2基板面10bに形成された第2レジスト膜102に第2穴2e,2fの形状を第2基板面10bへ露光によって転写し、現像をすることで第2穴2e,2fの形状の第2基板面10bを露出させる。次に図6eは、前述の第2フォト工程で第2基板面10bに転写し、第2レジスト膜102が剥離された第2穴2e,2fの形状をドライエッチングによって削成し、第2穴2を形成する第2穴形成工程を示す模式図である。図6eに示すように第2穴形成工程は、前述の第2フォト工程で転写された第2穴2e,2fの形状をドライエッチングによって削成し、第2穴2e,2fを形成する。第2穴形成工程のドライエッチングは、第1穴1e,1fの熱酸化された底部13によってエッチング反応が抑制される。よって、上述の実施形態と同様に第2穴2e、2fがドライエッチングによって削成される深さは、第2基板面10bから第1穴1fと、小穴11との熱酸化された底部13までの深さで、換言すると基板10から第1穴1e、1fと、熱酸化された底部13の厚さとを差し引いた深さとなる。次に図6fは、前述の熱酸化膜形成工程で熱酸化をした隔壁12および底部13と、基板10に形成した酸化膜201とを除去する除去工程を示す模式図である。図6fに示すように除去工程は、熱酸化膜形成工程で熱酸化した隔壁12および底部13と、形成した酸化膜201とを前述の実施形態同様に、フッ化水素酸などを含んだ水溶液に基板10を浸漬し、除去をおこなう。酸化膜201と、熱酸化された小穴11の隔壁12および底部13と、第1穴1fの底部13との除去を行なうことで、第1基板面10aに形成した第1穴1e,1fと、第2基板面10bに形成した第2穴2e,2fとが連通し、ノズル板20の固定穴32となる貫通穴3eと、ノズル穴31となる3fとが形成され一連の工程が完了する。上述した第5実施形態によれば、以下の効果が得られる。本実施形態の貫通穴形成方法は、貫通穴3fを構成する第1穴1fの開口面積と、深さとを基準として、貫通穴3eを構成する第1穴1eがエッチングで削成される深さを制御することができる。このことによって、開口面積と、深さとが異なる第1穴1を備える複数の貫通穴3を同時に形成することができる。本実施形態の貫通穴形成方法は、開口面積と、深さとの異なる第1穴1を同時に形成することで、ドライエッチングの回数を低減することができる。このことによって、基板10に他の穴などをドライエッチングによって形成する時に、既に形成した穴などが損傷することを抑制することができる。また、ドライエッチングの回数を低減することでドライエッチングの効率を高めることができる。"