"固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程aを含む金属膜形成方法。固体電解質が陽イオン交換基を有することを特徴とする、請求項1に記載の金属膜形成方法。基材が金属又は金属酸化物であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属膜形成方法。陽極基材がパターン形状を有することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の金属膜形成方法。工程aの前に、固体電解質膜に水及び/又はアルコール類を添加する工程cをさらに含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の金属膜形成方法。工程aの前に、固体電解質膜を陰極基材上に形成する工程bをさらに含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の金属膜形成方法。工程bの後工程aの前に、固体電解質膜に水及び/又はアルコール類を添加する工程cをさらに含む、請求項6に記載の金属膜形成方法。本発明は、簡便な金属膜形成方法、特には金属パターン形成方法を提供することを課題とする。本発明は以下の発明を包含する。1固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程aを含む金属膜形成方法。2固体電解質が陽イオン交換基を有することを特徴とする、上記1に記載の金属膜形成方法。3基材が金属又は金属酸化物であることを特徴とする、上記1又は2に記載の金属膜形成方法。4陽極基材がパターン形状を有することを特徴とする、上記1~3のいずれかに記載の金属膜形成方法。5工程aの前に、固体電解質膜に水及び/又はアルコール類を添加する工程cをさらに含む、上記1~4のいずれかに記載の金属膜形成方法。6工程aの前に、固体電解質膜を陰極基材上に形成する工程bをさらに含む、上記1~4のいずれかに記載の金属膜形成方法。7工程bの後工程aの前に、固体電解質膜に水及び/又はアルコール類を添加する工程cをさらに含む、上記6に記載の金属膜形成方法。本発明の金属膜形成方法は、簡便性に優れる。本発明の金属膜形成方法は、固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させるものである。これにより、特に金属パターンを形成する場合に、後処理等に関して従来よりも簡便に金属膜を基材上に形成することができる。本発明において析出させる金属としては、例えばチタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル等が挙げられる。比抵抗の観点から、銀、銅、金、ニッケル、白金、パラジウムが好ましく、銀、銅、金、ニッケルが特に好ましい。本発明に用いる固体電解質としては、電圧を加えた場合に上記金属イオンを移動させることができるものであれば特に限定されないが、陽イオン交換基カルボキシル基及び/又はスルホン基等を有する樹脂、例えばカルボキシル基含有アクリル系樹脂、カルボキシル基含有ポリエステル系樹脂、カルボキシル基含有ポリアミド系樹脂、ポリアミド酸系樹脂ポリアミック酸系樹脂等が挙げられる。耐熱性、耐薬品性及び誘電率の観点から、ポリアミック酸系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましく、ポリアミック酸系樹脂が特に好ましい。これらの樹脂は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。上記ポリアミック酸系樹脂は、テトラカルボン酸無水物とジアミンとの反応により得られる縮合型ポリイミド系樹脂の前駆体であり、開環して遊離のカルボキシル基を有する樹脂、例えば酸無水物として、芳香族テトラカルボン酸無水物無水ピロメリット酸等を用いた樹脂であってもよい。上記テトラカルボン酸無水物としては、例えば脂環族テトラカルボン酸無水物シクロヘキサンテトラカルボン酸無水物等、芳香族テトラカルボン酸無水物無水ピロメリット酸、ナフタレンテトラカルボン酸無水物等アレーンテトラカルボン酸無水物類;ビフェニルテトラカルボン酸無水物類、4,4’-オキシジフタル酸無水物ODPA,3,4,3’,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物等のビフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物類、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物類、ビフェニルアルカンテトラカルボン酸無水物類、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物類等のビスフェノールテトラカルボン酸無水物類;4,4’-4,4’-イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸無水物BPADA,2,2-ビス[4-3,4-ジカルボキシフェノキシフェニル]プロパンの酸無水物等のビフェニルアルカン骨格を有するビフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物類等が挙げられる。上記ジアミンとしては、脂肪族ジアミンエチレンジアミン、プロピレンジアミン、1,4-ブチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン等の直鎖状又は分岐鎖状アルキレンジアミン類、ポリエーテルジアミン類等や脂環族ジアミンメンセンジアミン、イソホロンジアミン、キシリレンジアミンの水素添加物、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ビス4-アミノ-3-メチルシクロヘキシルメタン等のビスアミノシクロヘキシルアルカン類等、芳香族ジアミン[例えばフェニレンジアミン類、キシリレンジアミン類、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル等のビスアミノフェニルエーテル類、4,4’-ジアミノジフェニルケトン等のビスアミノフェニルケトン類、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン等のビスアミノフェニルスルホン類、1,1-ビス4-アミノフェニルメタン等のビスアミノフェニルアルカン類、1,3-ビス2-アミノフェニルベンゼン等のビスアミノフェニルベンゼン類等]等が挙げられる。これらの酸無水物及びジアミンはそれぞれ単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。テトラカルボン酸無水物としては芳香族テトラカルボン酸無水物無水ピロメリット酸等を用いる場合が多く、ジアミンとしては芳香族ジアミンビスアミノフェニルエーテル類、ビスアミノフェニルケトン類、ビスアミノフェニルアルカン類等を用いる場合が多い。本発明に用いる基材としては、導電性を有するものであれば特に制限されないが、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化イリジウム、酸化オスミウム等の金属酸化物の薄膜、黒鉛、ドープシリコンの薄膜、金属の薄膜等が挙げられる。金属としては、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、白金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。陰極基材としては、材料コストの観点から、ITO、酸化スズ、銅、アルミニウムが好ましく、ITO、酸化スズ、銅が特に好ましい。陽極基材としては、耐酸化性の観点から、白金、金、酸化イリジウムが好ましく、白金、酸化イリジウムが特に好ましい。陰極基材と陽極基材の好ましい組合せは、材料コスト及び安定性の観点から、ITOと白金、酸化スズと白金である。上記基材の厚みは、金属酸化物を用いる場合には0.1~5μm、特には0.5~1μmであることが好ましく、金属を用いる場合には5~1000μm、特には10~100μmであることが好ましい。本発明の方法において、陽極基材としてパターン形状を有する基材を使用した場合、陰極基材上に金属パターンを形成させることができる。本発明により形成することが可能な金属パターンとしては、電流が流れる形状であれば特に制限されないが、メッシュ、ベタ、櫛形、その他各種電気回路パターンが挙げられる。本発明は、固体電解質膜を挟んで配置された陰極基材と陽極基材間に電圧を与えることにより金属イオンを還元して陰極基材上に金属を析出させる工程aを含む。電圧を与えることにより被めっき基材である陰極基材の近傍において固体電解質膜中の金属イオンが還元されて陰極基材表面で金属として析出すると、固体電解質膜中の金属イオン濃度の勾配が発生する。この濃度勾配をドライビングフォースとして金属イオンが固体電解質膜中を移動する結果、陰極基材表面での金属析出が連続して進行する。ここで、両電極間に与える電圧は、0.01~100Vであることが好ましく、0.05~2Vであることが特に好ましい。また、電圧の付加は、0~100°C好ましくは10~25°Cで、0.01~100分好ましくは0.05~5分で行うことが好ましい。本発明は、工程aの前に、固体電解質及び金属イオンを含有する固体電解質膜を陰極基材上に形成する工程bを含んでいてもよい。固体電解質膜は、固体電解質で陰極基材を被覆した後に金属イオンを添加することによって形成することができる。あるいは、固体電解質膜は、固体電解質及び金属イオンを含有する混合物を用いて陰極基材を被覆することによっても形成することができる。上記金属イオンは、水溶液の形態、即ち水溶性金属化合物の水溶液として固体電解質に添加される。水溶性金属化合物は、例えばハロゲン化物塩化物等、無機酸塩硫酸銅、硫酸ニッケル等の硫酸塩、硝酸銀等の硝酸塩等、有機酸塩酢酸塩等等であってもよい。材料コストの観点から、無機酸塩を使用することが好ましい。これらの水溶性金属化合物は単独で又は2種以上組み合わせて使用できる。なお、金属イオンを含む水溶液は、必要により、水溶性有機溶媒アルコール類等、pH調整剤塩基、例えばエチレンジアミン等のアミン類等;酸、例えば塩酸等、緩衝剤等を含んでいてもよい。水溶液中の金属イオンの濃度は、特に制限されず、例えば、0.01~1000mM、好ましくは0.05~100mMである。固体電解質又は固体電解質及び金属イオンを含有する混合物による陰極基材の被覆は、慣用の被膜形成法又は塗布方法、例えば浸漬法、スプレーコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法等のコーティング又は塗布により行うことができる。また、固体電解質で陰極基材を被覆した後に金属イオンを水溶性金属化合物の水溶液として添加する場合にも、同様の方法を使用することができる。浸漬法による被覆は、0~100°C好ましくは5~20°Cにおいて、0.01~100分好ましくは0.05~10分の接触時間で行うことが好ましい。被覆後に乾燥を行ってもよく、この場合、減圧下例えば0.01~1atm、0~100°C好ましくは5~25°Cにおいて、1~100分好ましくは5~30分で行うことが好ましい。上記固体電解質膜の厚みは特に制限されず、例えば、0.01~100μm、好ましくは0.1~10μmである。本発明は、工程aの前に、工程bを含む場合には工程bの後工程aの前に、固体電解質膜に水及び/又はアルコール類を添加する工程cをさらに含んでいてもよい。これにより固体電解質膜中のイオンの移動速度を向上させることができる。上記アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール及びオクタノール等の一価アルコール、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、1,3-プロパンジオール、1,3-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール及びヘキシレングリコール等の二価アルコール、例えばグリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、5-メチル-1,2,4-ヘプタントリオール及び1,2,6-ヘキサントリオール等の三価アルコールを挙げることができる。これらの中では、メタノール、エタノールが好ましい。水と上記のアルコール類の中から選ばれる1種又は2種以上の混合物からなるものを使用することができる。この場合、水とアルコール類の割合は、0.01~1であることが好ましく、0.01~0.5であることが特に好ましい。本発明は、工程aにより金属膜を形成した後に、固体電解質膜を除去する工程dをさらに含んでいてもよい。例えば、剥離等の簡便な方法により固体電解質膜を物理的に除去することができる。陰極基材としてITO、酸化スズを用いた場合、固体電解質膜の剥離性が特に良好となる。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。[実施例1]酸化インジウムスズITOガラス基材[日本板硝子株式会社製、高温成膜ITO付きガラス]上にポリアミック酸ワニス[日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製、PIX]をスピンコートし、乾燥処理を60°Cで5時間行った。このITO基材を200mMの硝酸銀水溶液中に室温で5分浸漬してポリアミック酸膜中に銀イオンを吸着させ、乾燥した。ポリアミック酸膜上に水を滴下し、その上からメッシュ形状を有する白金グリッドを設置した。金電極を白金グリッド上及びITO基材上に設置し、2Vの電圧を3分間印加した。金電極、白金グリッドを除去するとポリアミック酸膜とITO基材との界面に、メッシュ形状の銀膜が析出していることが確認された。次に、ポリアミック酸膜を剥離して、銀によりパターンめっきされたITO基材を得た。この製造工程を図2に示す。得られた金属膜を光学顕微鏡を用いて観察した。実施例1の金属膜形成方法により得られた金属膜の光学顕微鏡写真を図3に示す。図3より、本発明の金属膜形成方法により得られた金属膜は、金属マスクに対応した形状を有する連続膜であることがわかる。"