"下地基板と、少なくともGaを含む、Inx1Aly1Gaz1Nx1y1z1=1なる組成の第1のIII族窒化物からなるチャネル層と、少なくともInとAlを含む、Inx2Aly2Gaz2Nx2y2z2=1なる組成の第2のIII族窒化物からなる障壁層と、を備える半導体素子用のエピタキシャル基板であって、前記障壁層が面内方向に引張歪みを内在してなり、かつ、前記障壁層の表面に、5×107/cm2以上1×109/cm2以下の面密度でピットが形成されてなる、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1に記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記第1のIII族窒化物の組成がx1=0、0≦y1≦0.3で定まる範囲内にあるとともに、前記第2のIII族窒化物の組成が、InN、AlN、GaNを頂点とする三元状態図上において、前記第1のIII族窒化物の組成に応じて定まる以下の各式で表される直線にて囲まれる第1の組成範囲内にある、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項2に記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記第2のIII族窒化物の組成が、前記第1の組成範囲であって、さらに以下の各式で表される直線にて囲まれる範囲内にある、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記チャネル層と前記障壁層との間に、AlNからなるスペーサ層、をさらに備えることを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板であって、前記第1のIII族窒化物がGaNである、ことを特徴とする半導体素子用エピタキシャル基板。請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体素子用エピタキシャル基板を用いて作製された半導体素子。本発明の第1ないし第6の態様によれば、優れたショットキーコンタクト特性を有しかつ当該特性が経時的に安定なエピタキシャル基板、さらには該エピタキシャル基板を用いた半導体素子が実現される。特に、第3の態様によれば、高い二次元電子ガス濃度を有するエピタキシャル基板が実現される。<第1の実施の形態><エピタキシャル基板の構成>図1は、本発明の第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと、これを用いて作製されたHEMT素子10の構成を概略的に示す断面模式図である。エピタキシャル基板10Aは、基板1と、バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とが積層形成された構成を有する。バッファ層2と、チャネル層3と、障壁層5とはいずれも、MOCVD法有機金属化学的気相成長法を用いてエピタキシャル形成される詳細は後述のが好適な一例である。なお、図1における各層の厚みの比率は、実際のものを反映したものではない。以降においては、各層の形成にMOCVD法を用いる場合を対象に説明を行うが、良好な結晶性を有するように各層を形成できる手法であれば、他のエピタキシャル成長手法、例えば、MBE、HVPE、LPEなど、種々の気相成長法や液相成長法の中から適宜選択した手法を用いてもよいし、異なる成長法を組み合わせて用いる態様であってもよい。基板1は、その上に結晶性の良好な窒化物半導体層を形成できるものであれば、特段の制限なく用いることができる。単結晶6H-SiC基板を用いるのが好適な一例であるが、サファイア、Si、GaAs、スピネル、MgO、ZnO、フェライトなどからなる基板を用いる態様であってもよい。また、バッファ層2は、その上に形成されるチャネル層3と障壁層5との結晶品質を良好なものとするべく形成される窒化物層である。例えば、下地基板としてSiCを使用する場合は、AlNからなるバッファ層2を200nm程度の厚みに形成するのが好適な一例である。チャネル層3は、Inx1Aly1Gaz1Nx1y1z1=1なる組成のIII族窒化物第1のIII族窒化物にて、数μm程度の厚みに形成される層である。本実施の形態においては、チャネル層3は、x1=0、0≦y1≦0.3なる組成範囲をみたすように形成される。0.3<y1≦1とした場合には、チャネル層3自身の結晶性の劣化が顕著となり、電気特性が良好なエピタキシャル基板10Aを得ることが困難となる。一方、障壁層5は、Inx2Aly2Gaz2Nただし、x2y2z2=1なる組成式で表されるIII族窒化物第2のIII族窒化物にて、数nm~数十nm程度の厚みに形成される層である。障壁層5については後で詳述する。また、図1に示すように、障壁層5の上にさらに、ソース電極6と、ドレイン電極7と、ゲート電極8とを設けることで、HEMT素子10が構成される。係る場合、ソース電極6とドレイン電極7とは、それぞれに十数nm~百数十nm程度の厚みを有するTi/Al/Ni/Auからなる多層金属電極として形成するのが好適である。係るソース電極6およびドレイン電極7は、障壁層5との間にオーミック性接触を有する態様にて形成される。一方、ゲート電極8は、それぞれに十数nm~百数十nm程度の厚みを有するPd/Auからなる多層金属電極として生成するのが好適である。ゲート電極8は、障壁層5との間にショットキー性接触を有する態様にて形成される。なお、ソース電極6およびドレイン電極7に用いる金属は、本発明における半導体エピタキシャル基板に対し良好なオーミック性接触が得られる限り、Ti/Al/Ni/Auからなる多層金属に限定されるものでなく、例えばTi/Al/Pt/Auあるいは、Ti/Alなどを用いることができる。また、ゲート電極8に用いられる金属についても、本発明における半導体エピタキシャル基板に対し良好なショットキー性接触が得られる限り、Pd/Auに限定されるものでなく、例えばPd/Ti/AuやNi/Auなども用いることができる。以上のような層構成を有するエピタキシャル基板10Aにおいては、チャネル層3と障壁層5との界面がヘテロ接合界面となる。当該界面には、主に自発分極効果により、二次元電子ガスが高濃度に存在する二次元電子ガス領域3eが形成される。なお、二次元電子ガスを好適に生成させるために、当該界面は、平均粗さが0.1nm~3nmの範囲にあり、二乗平均粗さが0.1nm~3nmの範囲にあるように形成される。なお、係る範囲を超えて平坦な界面が形成される態様であってもよいが、コスト面や製造歩留まりなどを考えると現実的ではない。また、好ましくは、当該界面は、平均粗さが0.1nm~1nmの範囲にあり、二乗平均粗さが0.1nm~1nmの範囲にあるように形成される。<障壁層>次に、本実施の形態において特徴的である、障壁層5の構成態様について説明する。具体的には、障壁層5は、その取り得る組成範囲および表面形態に特徴を有する。まず、障壁層5は、面内引張歪みを内包する態様にて形成されてなる。これは、障壁層5を構成する第2のIII族窒化物と、障壁層5の形成に際して下地となるチャネル層3を構成する第1のIII族窒化物とについて、無歪状態における面内方向の格子定数を比較した場合に、前者の方が後者よりも小さい値となる組成範囲から第2のIII族窒化物の組成を選択することで、実現される。このような組成を選択してエピタキシャル成長させると、障壁層5はチャネル層3に整合する態様にて形成されるので、結果的に面内引張歪みを内包するものとなる。一方で、障壁層5の表面5aには、5×107/cm2以上1×109/cm2以下の面密度でピットが形成されてなる。すなわち、障壁層5は、その形成時に意図的にピットが導入されたものである。これは、例えば障壁層5の形成時におけるリアクタ内の圧力を適宜に調整することで実現される。なお、ピットのサイズは、おおよそ、障壁層5の表面5aにおける直径が60nm以上120nm以下である。一般に、障壁層5が引張歪みを内包する態様にて形成されてなる場合、該障壁層5には歪みエネルギーが蓄積されているので、ショットキー接合部に対して連続的に通電がなされると、該歪みエネルギーが開放されて障壁層5を貫通する不要な欠陥が形成され、該欠陥が漏れ電流の導通経路となって漏れ電流が増加することが起こりうる。しかしながら、本実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aの場合は、連続的に通電を行ったとしても、障壁層5を貫通するような欠陥はほとんど形成されず、漏れ電流は好適に抑制されたままとなる。これは、本実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aの場合、障壁層5の表面5aに従前より上述のような範囲内の面密度にてピットが存在しているために、ショットキー接合部に対して通電を行ったとしても、歪みエネルギーは該ピットにおいて優先的にかつ局所的に開放されてしまい、漏れ電流増加の原因となるような欠陥の形成にまでは至らないためであると考えられる。すなわち、上述の組成およびピット密度に係る特徴を有する障壁層5を備えることで、エピタキシャル基板10Aは、優れたショットキーコンタクト特性を有するとともに、その経時的安定性が確保されたものとなっている。具体的には、作製直後および連続通電後のいずれにおいても、障壁層5の上にショットキー接合電極を形成してなるショットキー接合部における漏れ電流が0.2mA/cm2以下に抑制されてなる。なお、この0.2mA/cm2という漏れ電流の基準値は、障壁層5の表面5aに接合面積が0.1mm2となるようにショットキー接合電極を形成したデバイス例えば、櫛形電極型HEMT素子において、1μm×1mmである形状のショットキー電極が100本配置された場合がこれに相当するにおいて、漏れ電流が0.2μA以下となる場合に相当する。漏れ電流が係る基準値を超えると、デバイス動作上、電力損失が大きくなりすぎ好ましくない。なお、障壁層5の表面5aに存在するピットが5×107/cm2よりも少ない場合は、従前より存在するピットにおける歪みエネルギーの解放が十分になされないため、通電により導通経路となるピットやクラックが新たに形成され、その結果、漏れ電流が増加してしまい好ましくない。一方、障壁層5の表面5aに存在するピットが1×109/cm2よりも多い場合、漏れ電流の値が0.2mA/cm2を上回り、また、シート抵抗が大幅な低下するなど、初期特性が不十分なため好ましくない。図2は、障壁層5が面内引張歪みを内包する態様にて構成される場合の第2のIII族窒化物の具体的な組成範囲第1の組成範囲を示す、InN、AlN、GaNの3成分を頂点とする三元状態図である。図2の三元状態図において次に示すa1~a3の各式で表される3つの直線にて囲まれる範囲図2の斜線部が第1の組成範囲である。係る第1の組成範囲内から第2のIII族窒化物の組成を選択すれば、障壁層5は引張歪みを内在する態様にて形成される。式a1は、チャネル層3の組成具体的にはx1=0としたときのy1の値を変数として含んでいる。これは、第1の組成範囲が、第1のIII族窒化物の組成に応じて変化することを意味している。そして、図2は、式a1で表される直線よりも、Alリッチな組成範囲から第2のIII族窒化物の組成を選択すれば、障壁層5が引張歪みを内在することを示している。なお、図2において、式a1で表される直線が通る点A0,y1,1-y1は第1のIII族窒化物と組成が一致する場合の第2のIII族窒化物の組成を示している。y1を変数に含んでいるので、点Aの位置もy1の値に応じて変化する。例えば、点A10,0,1、点A20,0.3,0.7がそれぞれ、y1=0、y1=0.3のときの点Aの位置に相当する。なお、図2においては、式a1で表される直線が点A1、点A2を通る場合をそれぞれ、破線α、βで示している。なお、好ましくは、上述した第1の組成範囲のうち、さらに、次に示すb1~b3の各式で表される3つの直線にて囲まれる組成範囲第2の組成範囲内から第2のIII族窒化物の組成を選択すれば、二次元電子ガス領域3eにおいて2×1013/cm2以上という二次元電子ガス濃度が実現される。図3、図4、図5、および図6は、チャネル層3の組成に応じた第2の組成範囲を示す、InN、AlN、GaNの3成分を頂点とする三元状態図である。各図の斜線部が第2の組成範囲を示している。各図に対応するチャネル層3の組成は以下の通りである。図3:GaNx1=y1=0、z1=1;図4:Al01Ga09Nx1=0、y1=0.1、z1=0.9;図5:Al02Ga08Nx1=0、y1=0.2、z1=0.8;図6:Al03Ga07Nx1=0、y1=0.3、z1=0.7。なお、上述の第1および第2の組成範囲についての議論は、チャネル層3および障壁層5が不純物を含有することを除外するものではない。例えば、チャネル層3と障壁層5は、0.0005at1×1017/cm3以上0.05at1×1019/cm3以下という濃度範囲で酸素原子を含んでいてもよいし、0.0010at2×1017/cm3以上0.05at1×1019/cm3以下という濃度範囲で炭素原子を含んでいてもよい。なお、酸素原子および炭素原子の濃度は、上述した範囲におけるそれぞれの下限値よりも小さくてもよいが、コスト面や製造歩留まりなどを考えると現実的ではない。一方、酸素原子および炭素原子の濃度が、上述した範囲におけるそれぞれの上限値よりも大きくなることは、デバイス特性の劣化を招く程度にまでそれぞれの層の結晶性が劣化することになり好ましくない。<エピタキシャル基板の作製方法>次に、チャネル層3および障壁層5が上述のような組成範囲を有するエピタキシャル基板10Aを作製する方法を説明する。エピタキシャル基板10Aの作製は、公知のMOCVD炉を用いて行うことができる。具体的には、In、Al、Gaについての有機金属MO原料ガスTMI、TMA、TMGと、アンモニアガスと、水素ガスと、窒素ガスとをリアクタ内に供給可能に構成されてなるMOCVD炉を用いる。まず、例えば0001面方位の3インチ径の6H-SiC基板などを基板1として用意し、該基板1を、MOCVD炉のリアクタ内に設けられたサセプタの上に設置する。リアクタ内を真空ガス置換した後、リアクタ内圧力を5kPa~50kPaの間の所定の値例えば30kPaに保ちつつ、水素/窒素混合フロー状態の雰囲気を形成した上で、サセプタ加熱によって基板を昇温する。サセプタ温度がバッファ層形成温度である950°C~1250°Cの間の所定温度例えば1100°Cに達すると、Al原料ガスとNH3ガスをリアクタ内に導入し、バッファ層2としてのAlN層を形成する。AlN層が形成されると、サセプタ温度を所定のチャネル層形成温度T1°Cに保ち、チャネル層3の組成に応じた有機金属原料ガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、チャネル層3としてのInx1Aly1Gaz1N層ただし、x1=0、0≦y1≦0.3を形成する。ここで、チャネル層形成温度T1は、950°C≦T1≦1250°Cなる温度範囲から、チャネル層3のAlNモル分率y1の値に応じて定められる値である。なお、チャネル層3形成時のリアクタ内圧力には特に限定はなく、10kPaから大気圧100kPaの範囲から適宜選ぶことができる。Inx1Aly1Gaz1N層が形成されると、次いで、サセプタ温度を所定の障壁層形成温度T2°Cに保ち、リアクタ内に窒素ガス雰囲気を形成する。ここで、障壁層形成温度T2は、650°C以上800°C以下の範囲の中から、In組成比に応じて定められる。続いて、アンモニアガスと、障壁層5の組成に応じた流量比の有機金属原料ガスとを、いわゆるV/III比が3000以上20000以下の間の所定の値となるようにリアクタ内に導入し、障壁層5としてのInx2Aly2Gaz2N層を所定の厚みに形成する。その際、Inx2Aly2Gaz2N層は、第1の組成範囲をみたすように、あるいはさらに第2の組成範囲をみたすように、形成される。なお、障壁層5の好ましい成長レートの範囲は0.01~0.1μm/hである。係る障壁層5の形成の際、リアクタ内圧力は3kPa~30kPaの間の所定の値、より好ましくは5kPa~20kPaの間の所定の値に保たれるようにする。本実施の形態の場合、障壁層5の表面5aに形成されるピットの面密度が、このリアクタ内圧力の値に依存する。リアクタ内圧力を3kPa~30kPaとすることで、5×107/cm2以上1×109/cm2以下という好適な範囲の面密度でピットが形成される。なお、V/III比を3000以上7500以下の範囲の所定の値とした場合、チャネル層3と障壁層5との界面Iが、平均粗さが0.1nm~1nmの範囲にあり、障壁層5の表面5aの5μm×5μm視野における二乗平均粗さが0.1nm~1nmの範囲にあるように形成される。また、本実施の形態においては、障壁層5の作製に際して、有機金属原料のバブリング用ガスおよびキャリアガスに、全て窒素ガスを用いるものとする。すなわち、原料ガス以外の雰囲気ガスが窒素ガスのみであるようにする。これにより、リアクタ内の窒素分圧が大きくなるため、800°C以下というアンモニア分子の分解速度が比較的低い温度域であっても、Inと窒素との反応を高活性状態で進行させることができる。結果として、Inを含有する窒化物にて障壁層5を構成する場合であっても、これを安定的に形成することができる。また、障壁層5の電子構造を理想的な状態で維持することができるので、二次元電子ガス領域3eにおける、高濃度での二次元電子ガスの生成が実現される。なお、障壁層5の作製に際し、雰囲気に水素ガスを意図的に混入させることは、二次元電子ガス濃度の低下を生じさせるために好ましくない。障壁層5が形成されれば、エピタキシャル基板10Aが作製されたことになる。なお、得られたエピタキシャル基板10Aの表面障壁層5の表面5aに、公知の薄膜形成手法やフォトリソグラフィプロセスを用いてソース電極6、ドレイン電極7、およびゲート電極8を形成すれば、HEMT素子10が得られる。以上、説明したように、本実施の形態によれば、エピタキシャル基板の障壁層を、引張歪みが内在するように、かつ、5×107/cm2以上1×109/cm2以下という面密度で表面にピットが形成されるようにすることで、連続通電後のショットキー接合部における漏れ電流が初期特性と同程度に十分に小さく維持された半導体素子用のエピタキシャル基板が実現される。すなわち、ショットキーコンタクト特性に優れかつ当該特性が経時的に安定なエピタキシャル基板が実現される。また、係る面密度でのピットの形成は、エピタキシャル基板の作製プロセスにおいて、障壁層形成時のリアクタ内圧力を好適に設定することで実現される。<第2の実施の形態><スペーサ層を備えるHEMT素子>図7は、本発明の第2の実施の形態に係るエピタキシャル基板20Aと、これを用いて作製されたHEMT素子20の構成を概略的に示す断面模式図である。エピタキシャル基板20Aは、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aのチャネル層3と障壁層5の間に、スペーサ層4が介挿された構成を有する。スペーサ層4以外の構成要素については、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと同じであるので、その詳細な説明は省略する。スペーサ層4は、Inx3Aly3Gaz3Nx3y3z3=1なる組成を有し、少なくともAlを含み、かつ、障壁層5のバンドギャップ以上のバンドギャップを有するIII族窒化物第3のIII族窒化物にて、1.2nm±0.2nmの範囲の厚みで形成される層である。この範囲内であれば、シート抵抗やコンタクト抵抗といったエピタキシャル基板の特性に影響を及ぼさないことが確認されている。例えば、x3=0かつ0≦z3≦0.2であるようにスペーサ層4を形成する場合、上述の第2の組成範囲をみたすどのような障壁層5よりもバンドギャップが大きなスペーサ層4が形成される。このようにスペーサ層4を備えるエピタキシャル基板20Aにおいては、チャネル層3とスペーサ層4の界面により詳細には、チャネル層3の当該界面近傍に二次元電子ガスが高濃度に存在する二次元電子ガス領域3eが形成される。エピタキシャル基板20Aのチャネル層3および障壁層5の組成範囲を第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと同じように定めれば、エピタキシャル基板20Aの二次元電子ガス領域3eにおいても、対応する組成のエピタキシャル基板10Aと同程度の二次元電子ガスが生成する。好ましくは、スペーサ層4はx3=0かつ0≦z3≦0.05であるように形成される。係る場合、合金散乱効果が抑制され、二次元電子ガスの濃度および移動度が向上する。より好ましくは、スペーサ層4はAlNx3=0、y3=1、z3=0にて形成される。係る場合、スペーサ層4がAlとNの二元系化合物となるので、Gaを含む3元系化合物の場合よりもさらに合金散乱効果が抑制され、二次元電子ガスの濃度および移動度が向上することとなる。なお、係る組成範囲についての議論は、スペーサ層4が不純物を含有することを除外するものではない。例えば、チャネル層3が上述したような濃度範囲で酸素原子あるいは窒素原子を含む場合には、スペーサ層4も同様の濃度範囲でこれらを含み得る。また、本実施の形態に係るエピタキシャル基板20Aにおいても、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと同様に、障壁層5は、面内引張歪みを内在し、かつ、5×107/cm2以上1×109/cm2以下という面密度で表面5aにピットが存在するように、形成されてなる。すると、エピタキシャル基板20Aにおいては、チャネル層3と障壁層5との間にスペーサ層4が介在するにも関わらず、障壁層5に面内引張歪みが導入されていることになるが、これは、厚みが0.5nm~1.5nmと小さいスペーサ層4自体が、障壁層5と同様にチャネル層3との関係で面内引張歪みを内在する態様にて形成され、このスペーサ層4の上に障壁層5が引き続いて引張歪みを内在する態様にて形成されることで、実現されてなる。結果として、エピタキシャル基板20Aにおいても、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと同様の態様にて障壁層5が設けられているので、エピタキシャル基板20Aは、優れたショットキーコンタクト特性を有するとともに、その経時的安定性が確保されたものとなっている。<スペーサ層を備えるエピタキシャル基板の作製>上述のような構造を有するエピタキシャル基板20Aは、スペーサ層4の形成に係るプロセスを除き、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aと同様の方法で作製される。具体的には、エピタキシャル基板20Aを作製するにあたって、チャネル層3までの形成を行った後、サセプタ温度をスペーサ層形成温度T3としただし、T3はT1と略同一、リアクタ内を窒素ガス雰囲気に保ち、リアクタ内圧力を10kPaとした後、有機金属原料ガスとアンモニアガスとをリアクタ内に導入して、スペーサ層4としてのInx3Aly3Gaz3N層を所定の厚みに形成する。そして、このようにしてスペーサ層4が形成された後、上述のエピタキシャル基板10Aを作製する場合の手順と同様に、障壁層5を作製する。なお、上述したように、チャンネル層形成温度T1は950°C≦T1≦1250°Cの範囲で設定される一方、障壁層形成温度T2は650°C≦T2≦800°Cの範囲内で障壁層5のInNモル分率に応じて設定される。また、スペーサ層形成温度T3°Cもチャネル層形成温度T1°Cと略同一に設定される。従って、障壁層5を形成するにはチャネル層3またはスペーサ層4の形成後、サセプタ温度を下げる必要が生じる。スペーサ層4を設けない第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板10Aの作製過程においては、係る降温時にチャネル層3の表面が露出したままとなるため、雰囲気ガスにより該表面がエッチングされ得る。これに対して、本実施の形態のように、スペーサ層4をチャネル層形成温度T1と略同一のスペーサ層形成温度T3にて設ける場合には、スペーサ層4の形成後にサセプタ温度を下げることになるので、スペーサ層4がチャネル層3表面の保護層として作用することになる。このことも、二次元電子ガスの移動度の向上に資するものと考えられる。以上、説明したように、本実施の形態によれば、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板のようにチャネル層と障壁層の組成を定めたエピタキシャル基板において、チャネル層と障壁層の間にスペーサ層を設けるようにすることで、第1の実施の形態に係るエピタキシャル基板と同様に、連続通電後のショットキー接合部における漏れ電流が初期特性と同程度に十分に小さく維持された半導体素子用のエピタキシャル基板が実現される。障壁層5の組成および障壁層5を形成する際のリアクタ内圧力を種々に違えた多数のエピタキシャル基板20Aを作製し、その特性評価を行った。図8は、その際の障壁層5の形成条件と、評価結果とを一覧にして示す図である。具体的には、チャネル層3の組成をGaNに固定する一方、障壁層5の組成を第2の組成範囲内において図8に示す12水準に違えるとともに、それぞれの組成について、リアクタ内圧力を同じく図8に示す4水準に違えることで、計48種のエピタキシャル基板20Aを作製した。チャネル層3およびスペーサ層4の形成までは、いずれのエピタキシャル基板20Aにおいても同様の手順で行った。まず、基板として0001面方位のn型導電性を有する3インチ径6H-SiC基板を用意した。用意した基板をMOCVDリアクタ内に設置し、リアクタを真空ガス置換した後、リアクタ内圧力を30kPaとし、水素/窒素混合フロー状態の雰囲気を形成した。次いで、サセプタ加熱によって基板を昇温した。サセプタ温度が1100°Cに達すると、TMAバブリングガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、バッファ層2として厚さ200nmのAlN層を形成した。続いて、サセプタ温度を1100°Cとし、有機金属原料ガスとアンモニアガスとを所定の流量比でリアクタ内に導入し、チャネル層3としてのGaN層を2μmの厚みに形成した。チャネル層3が得られると、リアクタ内圧力を10kPaとした後、TMAバブリングガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、スペーサ層4として厚さ1.2nmのAlN層を形成した。スペーサ層4を形成した後は、サセプタ温度を、作製しようとする障壁層5の組成に応じた値に設定するともに、リアクタ内圧力を図8に示した値に設定し、さらに、それぞれの組成に応じたガス流量比で有機金属バブリングガスとアンモニアガスをリアクタ内に導入し、目標組成の障壁層5を18nmの厚みを有するように形成した。障壁層5が形成された後、サセプタ温度を室温付近まで降温し、リアクタ内を大気圧に復帰させた後、作製されたエピタキシャル基板20Aを取り出した。得られたエピタキシャル基板20Aについて、原子間力顕微鏡AFMによる観察を行い、その表面障壁層5の表面5aのピット密度面密度を算定した。図9は、障壁層5の組成がIn015Al085Nであるエピタキシャル基板20Aについての、障壁層5の表面5aのAFM像3μm角である。図9a、b、cはそれぞれ、リアクタ内圧力が1kPa、20kPa、50kPaの場合の像である。図9からは、リアクタ内圧力が大きくなるほど、黒点として視認されるピットの数が増大することが確認される。それぞれのエピタキシャル基板20Aにおけるピット密度の算出結果は、図8に示した通りである。また、得られた全てのエピタキシャル基板20Aについて、ホール測定による電気特性評価を行った。なお、ホール測定用のエピタキシャル基板20Aには、オーミック電極として、Ti/Al/Ni/Auそれぞれの膜厚は25/75/15/100nmからなる金属層を障壁層5の上に形成し、さらには、オーミック接触特性を良好なものにするために、800°Cの窒素ガス雰囲気中にて30秒間の熱処理を施した。ホール測定により得られたシート抵抗の値は、図8に示した通りである。次に、それぞれのエピタキシャル基板20Aにおけるショットキーコンタクト特性を評価するために、エピタキシャル基板20Aを用いた同心円型ショットキーダイオードを作製した。同心円電極パターンの外側パターンとなるカソードオーミック電極は、上記ホール測定に用いたものと同様の層構成と条件で障壁層5の上に形成した。さらに同心円パターンの内側パターンとなるアノードショットキー電極としては、Pt/Auそれぞれの膜厚は20/200nmからなる金属層を障壁層の上に形成した。尚、アノードショットキー電極の直径は200μmとし、アノードショットキー電極とカソードオーミック電極との間隔は10μmとした。係る同心円型ショットキーダイオード素子を対象に、室温においてアノードショットキー電極と障壁層5とからなるショットキー接合部に40Vの電圧を印加し、初期特性としての漏れ電流を測定した。次いで150°Cにて200V印加した状態の連続通電を48時間行った後、室温での漏れ電流を上述と同様の条件で測定した。また、素子破壊に至る耐電圧を測定した。これらの漏れ電流および耐電圧の値は、図8に示した通りである。図10は、図8に示す結果に従い、連続通電を行う前の漏れ電流を、ピット密度に対してプロットした図である。また、図11は、同じく図8に示す結果に従い、連続通電後の漏れ電流を、ピットの面密度に対してプロットした図である。図10および図11からは、ピットの面密度が5×107/cm2以上1×109/cm2以下の範囲にある場合にのみ、初期特性および連続通電後のいずれにおいても、漏れ電流が0.2mA/cm2以下に抑制されてなり、両者の値がほぼ同程度であることがわかる。これは、連続通電後のショットキー接合部における漏れ電流が初期特性と同程度に十分に小さく維持されていることを示している。係る結果は、当該範囲の面密度が得られるように障壁層の表面にピットを導入することで、優れたショットキーコンタクト特性を有し、かつ当該特性が経時的安定なエピタキシャル基板が得られることを意味している。また、図8に示した結果を併せると、このような優れたショットキーコンタクト特性が得られるエピタキシャル基板においては、シート抵抗が相対的に低い傾向があるとともに、460V以上という高い耐電圧が実現されているといえる。"