"上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部に外周側から1番目の列および2番目の列および3番目の列を有して格子状に配列形成された半導体素子接続パッドと、前記2番目の列および3番目の列の半導体素子接続パッドから前記1番目の列の半導体素子接続パッドの間を通って前記絶縁基板の上面を前記搭載部の外側へ延びる引出配線と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドを該半導体素子接続パッドから延びる前記引出配線の一部とともに前記1番目の列と2番目の列と3番目の列毎に露出させるスリット状の開口部を有するソルダーレジスト層とを備えて成る配線基板であって、前記引出配線は、前記半導体素子接続パッドとともに前記開口部内に露出する部位が前記1番目の列と2番目の列と3番目の列とで全て同じ方向に延びていることを特徴とする配線基板。本発明の課題は、搭載部の外側から3番目の列および2番目の列に位置する半導体素子接続パッドからの引出配線を最外周の列の半導体素子接続パッドの間を通して搭載部の外側へ引き出す場合に、各半導体素子接続パッドおよびこれに接続された引出配線のソルダーレジスト層からの露出形状および面積を同一のものとし、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに半田を介して安定して接続することが可能な実装安定性に優れた配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部に外周側から1番目の列および2番目の列および3番目の列を有して格子状に配列形成された半導体素子接続パッドと、前記2番目の列および3番目の列の半導体素子接続パッドから前記1番目の列の半導体素子接続パッドの間を通って前記絶縁基板の上面を前記搭載部の外側へ延びる引出配線と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドを該半導体素子接続パッドから延びる前記引出配線の一部とともに前記1番目の列と2番目の列と3番目の列毎に露出させるスリット状の開口部を有するソルダーレジスト層とを備えて成る配線基板であって、前記引出配線は、前記半導体素子接続パッドとともに前記開口部内に露出する部位が前記1番目の列と2番目の列と3番目の列とで全て同じ方向に延びていることを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、半導体素子接続パッドから延びる引出配線は、半導体素子接続パッドとともにソルダーレジスト層の開口部内に露出する部位が半導体素子接続パッドの配列における外周側から1番目の列と2番目の列と3番目の列とで全て同じ方向に延びていることから、各半導体素子接続パッドおよびこれに接続された引出配線のソルダーレジスト層からの露出形状および面積が同一のものとなり、その結果、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに半田を介して安定して接続することが可能な実装安定性に優れた配線基板を提供することができる。次に、本発明の配線基板について図1および図2を基にして説明する。図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体4とソルダーレジスト層7とから構成されており、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部10aを有している。絶縁基板1は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが30~200μm程度の3層の絶縁層3を熱硬化させた樹脂系電気絶縁材料から成り、その上面から下面にかけては直径が50~300μm程度のスルーホール2が形成されている。絶縁基板1の内部および上下面およびスルーホール2の内壁には、厚みが10~20μm程度の銅箔や銅めっき層等の銅から成る配線導体4が被着形成されている。これらの配線導体4のうち絶縁基板1の内部および上下面の所定のもの同士がスルーホール2を介して互いに電気的に接続されている。また、絶縁基板1の上面における配線導体4の一部は、搭載部10aにおいて、半導体素子Sの電極端子Tが接続される半導体素子接続パッド5を形成しており、絶縁基板1の下面における配線導体4の一部は外部電気回路基板に接続するための外部接続パッド6を形成している。そして、半導体素子接続パッド5には、半導体素子Sの電極端子Tが半田を介して接続され、外部接続パッド6は外部電気回路の配線導体に半田ボールを介して接続される。さらに、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2の内部には、配線導体4を覆うようにしてソルダーレジスト層7が被着されている。ソルダーレジスト層7は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂の硬化物から成り、絶縁基板1の上下面での厚みが10~30μm程であり、スルーホール2の内部を充填している。そして上面側のソルダーレジスト層7には、半導体素子接続パッド5を露出させる開口部7aが形成されているとともに、下面側のソルダーレジスト層7には外部接続パッド6を露出させる開口部7bが形成されている。なお、半導体素子Sの電極端子Tには半導体素子接続パッド4と接続するための鉛フリー半田から成る半田バンプBが被着されている。そして、本例の配線基板においては、半導体素子接続パッド5上に半導体素子Sの電極端子Tを載置し、その状態で半田バンプBを加熱溶融することによって半導体素子Sが配線基板10上に実装される。ところで、本例の配線基板においては、図2に示すように、搭載部10aに形成された半導体素子接続パッド5は、搭載部10aの外周側から1番目の列L1および2番目の列L2および3番目の列L3を有して格子状に配列形成されている。そして、各列の半導体素子接続パッド5からは、搭載部10aの外側に向けて引出配線4aが延び、そのうちの2番目の列および3番目の列の半導体素子接続パッド5から延びる引出配線4aは、1番目の列の半導体素子接続パッド5の間を通って搭載部10aの外側に延びている。この例において、例えば半導体素子接続パッド5の直径φは50μm、半導体素子接続パッド5のピッチPは176μm、引出配線4aの線幅Wおよび隣接間隔Gはそれぞれ25μmである。そして、本例の配線基板10においては、ソルダーレジスト層7に、半導体素子接続パッドの各列L1,L2,L3毎にスリット状の開口部7aを設けることにより各列の半導体素子接続パッド5をその半導体素子接続パッド5から延びる引出配線4aの一部とともに露出させている。なお、開口部7aの縁から半導体素子接続パッド5までの距離は25~125μmである。さらに、本例の配線基板10においては、引出配線4aは、半導体素子接続パッド5とともに開口部7aから露出する部位が1番目の列L1と2番目の列L2と3番目の列L3とで全て同じ方向に延びており、そのことが重要である。このように、引出配線4aの半導体素子接続パッド5とともに開口部7aから露出する部位が1番目の列L1と2番目の列L2と3番目の列L3とで全て同じ方向に延びていることから、各半導体素子接続パッド5およびこれに接続された引出配線4aのソルダーレジスト層7からの露出形状および面積が同一のものとなり、その結果、半導体素子Sの電極端子Tを半導体素子接続パッド5に半田を介して安定して接続することが可能な実装安定性に優れた配線基板10を提供することができる。なお、この例の場合、引出配線4aの半導体素子接続パッド5とともに開口部7aから露出する部位は、スリット状の開口部7aの開口縁に対して垂直に延びている。このように引出配線4aの半導体素子接続パッド5とともに開口部7aから露出する部位がスリット状の開口部7aの開口縁に対して垂直に延びている場合、各半導体素子接続パッド5およびこれに接続された引出配線4aのソルダーレジスト層7からの露出形状が半田のとの接合に適したものとなるので好ましい。"