高温合成によるカーボンナノチューブの製造方法であって、工程aカーボンナノチューブの合成合成工程、b任意の不活性化1以上の不活性化工程およびc生成物の冷却冷却工程を含み、該冷却工程を生成物の能動運動により行うことを特徴とする、方法。合成工程、不活性化工程および冷却工程を含む群から選択される1以上の工程を、バッチ式または連続的に行うことを更に特徴とする、請求項1に記載の方法。合成工程を、回転式管型反応器、流動床反応器もしくは固定床反応器において触媒化学蒸着により、またはレーザーアブレーションによりまたはアーク放電法により行うことを更に特徴とする、請求項1または2に記載の方法。不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つおよび冷却工程を、複数の相互に接続した装置において行うことを更に特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の方法。不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つを、能動的に機械的に動かない床を有する緩衝容器において行うことを更に特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の方法。冷却を、回転式管、冷却スクリュー、流動床または振動式螺旋コンベヤーにおいて行うことを更に特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の方法。不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つおよび冷却工程を、1つの装置において行うことを更に特徴とする、請求項1、2、3、5および6のいずれかに記載の方法。合成工程および不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つを、1つの装置において行うことを更に特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載の方法。不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つを、加熱可能な装置において行うことを更に特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の方法。合成工程を、触媒化学蒸着により回転式管型反応器において行い、およびプロセス工程不活性化および冷却の少なくとも1つを、装置について回転式管型反応器中へ統合することを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載の方法。合成工程を、触媒化学蒸着により流動床反応器において行い、および不活性化および冷却を、下流に配置された1以上の装置において行うことを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載の方法。反応器をバッチ式に操作し、および不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つを、合成工程の下流に付与される不活性ガス洗浄の形態で反応器中へ統合することを特徴とする、請求項11に記載の方法。反応器を、連続的または実質的に連続的に操作し、および不活性化工程または複数の不活性化工程の少なくとも1つを、反応器の下流へ配置された装置において行うことを特徴とする、請求項10に記載の方法。不活性化および冷却を行う少なくとも2つの装置を反応器の下流に設け、その装置の少なくとも1つを能動機械的生成物運動により操作することを特徴とする、請求項10~13のいずれかに記載の方法。下流に設けられた装置の少なくとも1つを、連続的に操作することを特徴とする、請求項13に記載の方法。従って、本明細書に記載の発明の課題は、a合成工程、b任意に、不活性化するための工程、およびc生成物を冷却するための工程を含むカーボンナノチューブの製造方法全体を開発することであり、該方法により、全ての阻害性ガス付着がほとんどなく、問題なく充填することができる程度に冷却される生成物が提供され、後処理工程は、ボトルネックを生じさせずに製造工程の時間系列へ独立して挿入される。上記課題は、本発明の請求項1の特徴を有する方法により解決された。該方法は、工程:aカーボンナノチューブの合成、b任意のカーボンナノチューブの不活性化、c生成物を同時に輸送しおよび動かせる冷却系による生成物の冷却を含み、個々のプロセス工程は、以下の通り特徴付けられる:aカーボンナノチューブの合成カーボンナノチューブの合成は、CCVD法、すなわち、反応条件下で気体状である炭化水素からのカーボンの触媒堆積により好ましく行われる。使用のための生成物としては、炭素供与体、例えばアセチレン、メタン、エタン、エチレン、ブタン、ブテン、ブタジエン、ベンゼンおよび更なる炭素を含有する出発物質等が挙げられる。実質的なCCVD合成法は、上で議論した一般的な先行技術から既知である。WO2006050903A2およびWO2007118668A2に記載の合成条件を、好ましく用いる。触媒として担体物質上の遷移金属を一般に用いるが、その組成物は、例えばWO2006050903A2において議論され、その製造は、例えばWO2007093337A2において議論されている。好ましいのは、WO2007093337A2第8頁による連続法において製造される担体物質としてのAl2O3およびMgOでの共沈Co-Mn触媒の使用である。合成工程に用いる反応器は、WO2006050903A2に記載の反応器、すなわち、例えば固定床反応器、管型反応器、回転式管型反応器、移動性床反応器、気泡形成性乱流または照射流動床ならびに内部または外部循環流動床を有する反応器である。WO2007118668A2による流動床反応器を好ましく用いる。c生成物の冷却生成物の冷却は、物質を、装置の壁と、または急速で効率的な冷却のための容器の任意の冷却組み込み部品との良好な接触を確保するために冷却工程に運びおよび移動させることができ、および反応装置の下流に配置された、またはそこに統合された導入部により行う。ここでは、生成物の移動を、物質とダストの付随生成物との摩擦が、損失を最小限にし、生成物のほこりのない取り扱いを確保しまたは得るために最小化されるような方法により行うことが重要である。従って、この冷却工程について、低摩耗性能動機械的搬送を与えながら同時に、冷却容器壁または対応する容器の冷却組み込み部品においてバルク生成物の良好な熱伝導を確保する装置のみが適当である。本発明の範囲内では、能動は、重力単独の作用によって生じない運動のことである。能動搬送を有する装置として、例えば回転式管、冷却スクリュー、流動床または振動式螺旋コンベヤーが挙げられる。b任意の不活性化工程不活性化工程もまた、必要に応じて、合成工程の下流に付与される。これは、有利には冷却工程中に集約することができるが、粒間ガスを、通過させる洗浄ガスとの強いおよび均一な接触により部分的にまたは完全に置き換え、破壊的な吸着付随物質を部分的または完全に脱離する。更なる実施態様では、不活性化および冷却の工程は、2つの別個の装置において行ってもよい。これは、合成工程または冷却工程を、連続的または実質的に連続して行わないが、バッチ式に行う場合に特に有利であり得る。次いで、合成工程および冷却工程の間の所要の緩衝容器は、効率的に不活性化の働きをすることもできるが、生成物運動は、該容器中において必要ではない代表参照図1。更なる実施態様では、不活性化および冷却の工程を、反応装置中へ統合することもできる。これは、例えば反応装置が連続操作回転式管型反応器である場合、このような装置では、生成物は通常、反応器土台を保護する必要がある壁冷却により、反応器を出る前に既に予め冷却されるので有利である。工程bは、工程c前または工程c後に行うことができる。好ましくは、工程bは、少なくとも部分的に、工程c前に行う。特に好ましい実施態様では、不活性化は、生成物が未だ熱い間に行う。従って、本発明の特に好ましい実施態様では、不活性化は、合成工程の下流に付与された工程において、反応生成物が未だ高温である間に反応生成物の洗浄により、更に容易に揮発する付着を放出させ得ることを確保するために行う。この場合には、不活性化工程もまた加熱可能な装置において行うこともできる。この場合、安全な充填に必要な温度への急速および効果的な冷却のみを行う。特に好ましい実施態様では、工程a、bおよびcは全て、1つの装置において行うが、例えば合成工程は、回転式管型反応器中で行い、不活性化工程および冷却工程は、装置について回転管中へ統合する。連続製造のために、工程を、回転管中で異なった領域において互いに空間的に分け、生成物不活性化を、不活性化ガスの意図した添加により不活性化領域において確保することができる。図2は、合成区域ならびに不活性化および冷却区域を有する対応して区分化された回転管装置の回路図を示す。粉末CNT生成物へ付着する出発物質ガスまたは排ガスの成分の脱離は、CNT生成物に反して供給され、これにより予備加熱される不活性化性ガスにより行われるが、同時に、CNT生成物は、対応して不活性化性ガスにより冷却される。本発明による方法は、極めて柔軟に用いることができる。本発明による方法は、バッチバッチ式手順および連続手順のいずれにおいても用いることができる。これは、全体としての方法および個々の工程のいずれについても当てはまる。例えば、合成は、バッチ法により行うことができるが、不活性化および冷却は連続的に行う。完全連続操作様式の代わりに、実質的に連続な操作様式を選択することも可能であり、反応器中に存在する生成物の少ない割合のみを極めて短いバッチサイクル中で除去する。本発明による方法は、実施例に示す通り、工業規模へ容易に変換することができる。本発明の方法および本発明の装置の好ましいおよび有利な実施態様は、下位の請求項およびに示し、以下に説明する。本発明の更なる実施態様は、本説明から明らかな方法により当業者へ明らかとなる。高温合成によるカーボンナノチューブの製造のための本発明の方法は、工程aカーボンナノチューブの合成合成工程、b任意の不活性化1以上の不活性化工程およびc生成物の冷却冷却工程を含み、冷却工程は、生成物の能動運動により行うことを特徴とする。好ましい実施態様では、合成および/または不活性化および/または冷却は、バッチ式または連続的に行う。触媒化学蒸着による合成工程は、好ましくは回転式管型反応器、流動床反応器または固定床反応器中で、またはレーザーアブレーションにより、またはアーク放電法により行う。1つの実施態様では、不活性化工程および冷却工程は、複数の相互に接続した装置において行うことができるが、他の実施態様では、不活性化工程および冷却工程は、1つの装置において行う。冷却/冷却工程は、好ましくは、回転管、冷却スクリュー、流動床または振動螺旋コンベヤーにおいて行う。1つの実施態様では、不活性化工程または複数の不活性化工程の1つは、能動的に機械的に動かない床を有する緩衝容器中で行う。不活性化工程または複数の不活性化工程の1つは、加熱可能な装置において行うことができる。本発明の方法の好ましい実施態様は、回転式管型反応器において触媒化学蒸着であり、プロセス工程不活性化および冷却の少なくとも1つを、装置について回転式管型反応器中へ統合する。他の好ましい実施態様では、合成工程は、触媒化学蒸着により流動床反応器において行い、不活性化および冷却工程は、下流に配置された1以上の装置において行う。1つの実施態様では、合成工程をバッチ式に操作し、不活性化工程または複数の不活性化工程の1つを、合成工程の下流に付与される不活性ガス洗浄の形態で反応器中へ統合する。他の実施態様では、合成工程を連続的にまたは実質的に連続的に操作し、および不活性化工程または複数の不活性化工程の1つを、反応器の下流へ配置された装置において行う。1つの実施態様では、不活性化および冷却を行う少なくとも2つの装置を、反応器の下流に配置し、その装置の少なくとも1つを能動機械的生成物移動により操作する。好ましくは下流の装置の1つを連続的に操作する。本発明を、以下に詳細に、図を参照して実施例を示して説明する。図において:図1は、記載の方法の可能性のある実施態様について、図式形態において、例として、流動床反応器の配置1、合成工程、バッチ式に操作、緩衝容器2、不活性化および回転式冷却管3、連続的に操作を示す。図面の更なる要素:4触媒の添加、5出発物質ガスの供給、6不活性化ガスの供給、7任意の不活性化性ガスの供給、8排ガス、9反応器からのCNT生成物の取り出し、10充填するための不活性化および冷却CNT生成物。図2は、図式形態により、例として、不活性化ガス例えば窒素が粉末生成物に反して流れる、統合された不活性化および生成物冷却を有する連続的に操作される回転式管型反応器を示す。図面の要素:11回転管、11a合成区域、11b不活性化および冷却区域、12加熱、13冷却、14吸引ランス、15第1バッフル板回転、16第2バッフル板回転または固定、17触媒の供給、18出発物質ガスの供給、19不活性化ガスの供給、20反応からの排ガス、21充填のためのCNT生成物のオーバーフロー、22反応からのガスおよび不活性化性ガスからの排ガス、23バルクCNT。本発明を、以下の実施例により更に説明する。実施例1本発明による:回転式管における効率的および穏やかな冷却の試験用いる回転式管型装置は、300mmの内径、5mmのドラム壁厚み、560mmの空冷長さおよび1860mmの散水により冷却される長さを有し、回転式管の勾配は1であり、組み込み部品、例えば押し上げバー等は存在しない。冷却領域の上流は、生成物を加熱する炉区域である。回転式管に、市販のカーボンナノチューブ凝集体Baytubes登録商標C150P、BayerMaterialScienceAG、嵩密度150~160kg/m3、熱容量710JkgKを、周期的に振動するコンベヤーおよびコンベヤースクリューにより連続的に装填する。炉区域においては、生成物を、窒素での洗浄を同時に行いながら間接的に加熱する。加熱区域の終わりでは、ドラムの内側から冷却区域への熱の照射を減らすために放射線遮蔽が存在する。熱区域後には、生成物を、実質的に間接的に冷却された水冷却区域へ入る前に空冷区域を通過させる。冷却ドラムの終わりでは、完成生成物を、排出ヘッドの供給傾斜台へ入れる。供給傾斜台は、周囲空気から二重フラップ仕切りにより分離する。二重フラップ仕切りの後には、窒素で洗浄した収集容器が続く。炉区域の温度は、試験では、1000°Cであり、回転式管の速度は、4.5分-1であり、間接冷却のための水の流速は、300L/時間であった。5.6、7.5および10.0kg/時の値を、固体スループットについて設定した。これら3つのスループットについて、加熱区域の終わり冷却領域への入口において決定した生成物温度はそれぞれ、582、561および613°Cであり、排出容器において決定した生成物温度はそれぞれ、36、39および51°Cであった。回転式管における処理により引き起こされた機械応力の表示としての生成物の嵩密度または粒度分布における変化は、検出することができなかった。実施例2本発明によらない:連続操作回転式管型装置254mmの内径、外側から電気的に加熱される長さ3048mm、速度5分-1、傾斜勾配1度において、カーボンナノチューブを、650°Cにて、WO2006050903A2に従って出発物質ガスとしてエチレンおよび粉末Co-Mn-Al2O3-MgO触媒を用いて製造する。エチレン流速は、120Ln/分であり、触媒の質量流は、120g/時である。出発物質ガスおよび触媒を、反応器の同じ終端にて添加し、装置に同時に流し、触媒の1g当たり約40gの収率および約140kg/m3の嵩密度を有するCNT凝集体の粉末生成物を形成する。加熱領域の下流に約1800mmの長さの第2領域を設け、回転式管を、外側から自由対流により冷却する。第2領域の終わりにおいて、非回転式バッフル板を存在させ、これにより、粉末CNT生成物を、交互の圧力仕切りへ入れ、エチレンおよび水素を含有する排ガスを、排ガス燃焼へ供給する。仕切りに入れることにより、CNT生成物は、50°C未満の温度を有する。仕切りでは、CNT生成物を、窒素で循環的に洗浄し、次いで100ミリバールの絶対圧へ真空にする。このような3つの交互の圧力サイクルの後、生成物を、計量系により用意してあった貯蔵ドラム中へ入れる。貯蔵ドラムを開ける際、著しいエチレン臭が認められ、すなわち、生成物に付着する出発物質ガスの残留物の脱離は、低い仕切り温度では不完全であった。実施例3本発明によらない:実験室規模:100mmの直径を有するCNT合成および不活性化、動かない排出容器における冷却鋼製流動床100mmの内径、1000mmを越えない床高さ、650°Cの床温度へ電気的に加熱において、カーボンナノチューブを、バッチ法により製造する。装填の開始時に、WO2006050903A2に従う粉末Co-Mn-Al2O3-MgO触媒24gを、反応器中へ仕切りより導入し、次いで36Ln/分エチレンおよび4Ln/分窒素を34分間反応器中へ導入する。エチレンを、触媒により反応させてカーボンナノチューブおよび水素を与え、触媒粒子を壊して開け、CNT凝集体を形成し、反応器中の床高さを増加させる。装填時間の終わりでは、エチレンの供給を停止し、生成物床を、エチレンおよび水素が排ガス中に反応器出口で検出されなくなるまで40Ln/分窒素で流動させ、加熱は、この時間の間、活性化した状態にする。次いで826gの粉末CNT凝集体嵩密度148kg/m3を、反応器から円筒状排出容器中へ排出弁よりアルゴン空気より重いで排出する。生成物の取り出しが完了する際、排出容器を片側にセットし、空気中で冷却する。これにより100Ln/時のアルゴンを、熱生成物を不活性にし、空気中での燃焼を避けることを確保するために、動かないバルク生成物へランスより通過させる。この時間の間、次の装填を反応器中で製造し、その終了前更なる34分後に排出容器中の生成物を、板鋼製の貯蔵ドラムへの危険を伴わずに移すことができるように十分に冷却250°C未満し、従って排出容器は、次の装填について利用可能である。得られた粉末CNT生成物は、完全に臭気がない。実施例4本発明によらない、試料計算:立方体状貯蔵庫縁の長さL=1mにおいては、m=150kgの粉末CNT生成物が存在する。CNT生成物の熱容量Cpは、0.7kJ/kgにおいて推定され、バルク生成物の熱伝導性λは、0.4W/mKにおいて確立する。バルク物質の出発温度T0は、実施例2および3の通り、650°Cであり、周囲温度TU=20°Cである。生成物を、純粋に熱伝導によりTE=50°Cへ冷却する。この場合、冷却に必要な時間tは、以下の式:によりおおよそ計算される。上記データにより、18.5時間のおおよその冷却時間tが得られる。この値は、上流合成装置の容量が劇的に減少することとなるか、または非経済的な多くの上記冷却容器が必要となるので工業用途について受け入れ難いほど大きい。より長い冷却時間が、貯蔵庫の寸法が増加する場合に得られる。