第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に下記式1を満たす高分子化合物を含む層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記高分子化合物を含む層に前記高分子化合物のガラス転移温度以上の温度で第1の加熱処理をすることにより、前記高分子化合物を含む層内の不純物を除去し、前記高分子化合物を含む層上に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む材料層を形成し、前記材料層及び前記高分子化合物を含む層に第2の加熱処理をすることにより、前記材料層と前記高分子化合物を含む層を混合させた混合層を前記吸収層上に形成し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記混合層に第3の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記第1の成膜材料と前記第2の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。請求項1において、前記第1の加熱処理、前記第2の加熱処理及び前記第3の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に下記式1を満たす高分子化合物を含む層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記高分子化合物を含む層に前記高分子化合物のガラス転移温度以上の温度で第1の加熱処理をすることにより、前記高分子化合物を含む層内の不純物を除去し、前記高分子化合物を含む層上に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む材料層を形成し、前記材料層及び前記高分子化合物を含む層に第2の加熱処理をすることにより、前記材料層と前記高分子化合物を含む層を混合させた混合層を前記吸収層上に形成することを特徴とする成膜用基板の作製方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。請求項3において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜用基板の作製方法。バインダとしてポリマーを用いた発光層の成膜方法では、湿式法を用いるため、成膜用基板上に形成された有機EL材料層中に水分又は残留溶媒等の不純物が含まれ、熱転写によって被成膜基板上に成膜された発光層にも不純物が混入してしまうという課題がある。本発明の一態様は、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に下記式1を満たす高分子化合物を含む層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記高分子化合物を含む層に前記高分子化合物のガラス転移温度以上の温度で第1の加熱処理をすることにより、前記高分子化合物を含む層内の不純物を除去し、前記高分子化合物を含む層上に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む材料層を形成し、前記材料層及び前記高分子化合物を含む層に第2の加熱処理をすることにより、前記材料層と前記高分子化合物を含む層を混合させた混合層を前記吸収層上に形成し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記混合層に第3の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記第1の成膜材料と前記第2の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。上記本発明の一態様によれば、第1の基板の吸収層上に高分子化合物を含む層を形成した後に、この層を高分子化合物のガラス転移温度以上の温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物を層内から除去することができ、不純物の量を低減した層を得ることができる。その結果、不純物の量を低減した混合層を得ることができる。従って、第2の基板に転写して成膜された第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む層内の不純物を低減することができる。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の加熱処理、前記第2の加熱処理及び前記第3の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に下記式1を満たす高分子化合物を含む層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記高分子化合物を含む層に前記高分子化合物のガラス転移温度以上の温度で第1の加熱処理をすることにより、前記高分子化合物を含む層内の不純物を除去し、前記高分子化合物を含む層上に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む材料層を形成し、前記材料層及び前記高分子化合物を含む層に第2の加熱処理をすることにより、前記材料層と前記高分子化合物を含む層を混合させた混合層を前記吸収層上に形成することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。また、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図1A~Fは、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。まず、図1A~Eに示す成膜用基板ドナー基板10の作製方法について説明する。図1Aに示すように、第1の基板11の一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に高分子化合物ポリマー17及び不純物14を含む層16を湿式法により形成する。湿式法は、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ノズルプリンティング法又は印刷法等を用いることができる。なお、高分子化合物は粘度の調整が容易であるため、用途に応じて高分子化合物の溶液の粘度を自由に調整できる。高分子化合物の粘度の調整は、高分子化合物の分子量を調整する、又は高分子化合物と溶媒の比率を変えることで実現することができる。一般に、高分子化合物の比率が高くなると、溶液の粘度が高くなる。第1の基板11は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第1の基板11は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第1の基板11として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第1の基板11としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。吸収層12は、層16、後の工程で形成される材料層18又は混合層19を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。このため、少なくとも層16などを加熱する領域に形成されていれば良く、吸収層12は例えば島状に形成されていても良い。吸収層12は、照射される光に対して、70以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層12は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層12には、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。吸収層12は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層12を形成することができる。また、吸収層12は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。吸収層12の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、100nm以上2μm以下の膜厚であることが好ましい。特に、吸収層12の膜厚を100nm以上600nm以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。なお、吸収層12は、混合層19に含まれる第1の成膜材料及び第2の成膜材料が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、混合層19に用いることが好ましい。また、成膜温度とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。次いで、図1Bに示すように、第1の基板11の裏面、すなわち上記の層16が形成された面と反対側の面から矢印21aのように光をフラッシュランプ21によって照射する。この際の照射条件は、高分子化合物17が軟化するエネルギー強度以上の条件であって後述する第3の加熱処理の条件より強い条件とする。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の層16が高分子化合物17のガラス転移温度以上の温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、上記の層16内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物14が除去される図1B及びC参照。なお、この不純物14は、その分子量が300以下のものである。次いで、図1Dに示すように、上記の層16上に少なくとも第1の成膜材料としての有機材料15と第2の成膜材料としての有機材料図示せずを含む有機EL材料層以下、材料層という。18を形成する。第1の成膜材料及び第2の成膜材料は加熱により第2の基板に転写される材料である。本実施の形態では、材料層18に第1の成膜材料と第2の成膜材料の二種を用いたが、材料層18としては三種以上の成膜材料を用いることもできる。また、材料層18は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、混合層19に含まれる第1の成膜材料及び第2の成膜材料が、被成膜基板上に移されることを示す。材料層18は、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等の方法により減圧雰囲気下で形成される。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が5×10-3Pa以下、好ましくは10-4Pa乃至10-6Pa程度の範囲になるように真空排気することで得られる。乾式法は、材料層18に不純物が混入するのを湿式法に比べて少なくすることができる。また、減圧雰囲気で材料層18を形成するため、材料層18に不純物が混入しにくくなる。次いで、高分子化合物を含む層16及び材料層18に第2の加熱処理をすることにより、図1Eに示すように、高分子化合物を含む層16に材料層18中の第1の成膜材料及び第2の成膜材料を熱拡散させて層16と材料層18とを混合させた混合層19を吸収層12上に形成することができる。なお、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が高分子化合物中に拡散する温度は、混合層19中の第1の成膜材料及び第2の成膜材料が被成膜基板上に転写される温度より低い。また、第2の加熱処理は、第1の基板11の裏面から光をフラッシュランプにて照射することで行っても良い。この際の照射条件は、層16および材料層18の温度が、層16中の高分子化合物のガラス転移温度より高くなる条件とする。このようにして水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物の混入が低減された混合層19を有する成膜用基板ドナー基板が作製される。混合層19は、加熱により第2の基板に転写される材料を含む層であり、被成膜基板上に成膜する第1の成膜材料としての有機材料15及び第2の成膜材料としての有機材料図示せずを含んで形成された層である。本実施の形態では、被成膜基板上に発光素子のEL層を形成するために、混合層19に含まれる第1の成膜材料としての有機材料15に発光物質を用い、かつ第2の成膜材料に発光物質を分散する有機化合物を用いる。発光物質としては、例えば蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。なお、混合層19に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を2種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を2種類以上用いても良い。また、2種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と2種類以上の発光物質を用いても良い。混合層19に含まれる高分子化合物17としては、ガラス転移温度が下記式1を満たす高分子化合物を用いる。さらに好ましくは、ガラス転移温度が下記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、下記式1、2において、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度は同じ真空度例えば真空度10-3Paで測定することとする。Ta-100≦S≦4001Ta-70≦S≦4002ただし、式1、2中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度°Cを示す。高分子化合物17のガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす範囲であれば、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達しても、昇華温度に達した成膜材料は混合層19から転写されにくい。これは、高分子化合物17によって、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が混合層19中で移動することを抑制されるためである。そして、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えると、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は混合層19中を移動することが容易となり、被成膜基板上に転写される。よって、第1の成膜材料の転写と第2の成膜材料の転写に時間差が生じにくくなり、被成膜基板上に濃度勾配の少ないEL層を形成することができる。しかし、高分子化合物17のガラス転移温度が上記式1の範囲より低いと、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は混合層19中で移動することを抑制されにくいため、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達すると、昇華温度の低い成膜材料が先に転写され、その後、昇華温度の高い成膜材料が転写される。また、高分子化合物のガラス転移温度が上記式1の範囲より高いと、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えた後も、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は混合層19中で移動することが抑制され、転写が容易に行われなくなる。よって、高分子化合物17としては、ガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、高分子化合物17としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が260°Cの材料を用いた場合には、良好な転写が実現された。一方で、高分子化合物17としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が302°Cの材料を用いた場合には、良好な転写は実現されなかった。このことは、上記式1、2に合致する条件において、好適な混合層19が実現されることを示すものである。混合層19に含まれる高分子化合物17としては、シクロオレフィンポリマーが好ましい。シクロオレフィンポリマーは溶媒に溶けやすいため、被成膜基板に成膜した後、成膜用基板上に残った第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含むシクロオレフィンポリマーを溶媒に再溶解することで、成膜用基板を再利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。また、高分子化合物17として、オレフィン、ビニル、アクリル又はポリイミドPI等を用いても良いし、高分子材料のEL材料を用いても良い。高分子材料のEL材料としては、例えば、ポリN-ビニルカルバゾールPVKやポリp-フェニレンビニレンPPVが挙げられる。また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やシロキサンのような架橋型ポリマーを用いても良い。なお、本明細書中において、高分子化合物とは、1種もしくは複数種の単量体モノマーによる繰り返し構造を持つ重合体ポリマーを意味する。次に、図1Fに示すように、成膜用基板を用いて混合層19に含まれる材料を被成膜基板20上に転写して成膜する方法について説明する。第1の基板11において、吸収層12及び混合層19が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第2の基板22を配置する。第2の基板22は、成膜処理により所望の層、例えば電極層23が成膜された被成膜基板である。第2の基板22は、必要な耐熱性を有していて表面に絶縁性を有する基板であれば特定のものに限定されない。例えば、ガラス基板、石英基板、絶縁膜を形成したステンレス基板等が挙げられる。また、加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。この後、第1の基板11の裏面、すなわち混合層19が形成された第1の基板11の他方の面側から第3の加熱処理を行うことにより、混合層19中の、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が、第2の基板22上に成膜される。これにより、第2の基板22上に発光素子のEL層19aが形成され、第1の基板11上に高分子化合物17を有する層19bが残される。第3の加熱処理は、矢印21bのように光をフラッシュランプ21によって照射することで行う。詳細には、照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の混合層19が加熱される。混合層19が加熱されることによって、電極層23上にEL層19aが成膜される。なお、EL層19aは、混合層19の厚さよりも薄く形成される。また、EL層19aに、高分子化合物17の分解物が混入することもある。よって、混合層19に含まれる高分子化合物は分解物がEL層の特性に影響を及ぼさない材料であることが好ましい。本実施の形態において、第3の加熱処理の温度は、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度を超えて、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度より50°Cを超えない範囲で高く設定することが好ましい。ここでの加熱処理の温度は第1の基板表面において計測したものである。また、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上の温度となるよう、第3の加熱処理を行うことが好ましい。この場合、昇華温度が最も高い成膜材料の昇華温度を超えて50°Cまでの温度範囲内で高めの温度に設定することが好ましいが、昇華温度が低い物質の分解温度、被成膜基板との距離、被成膜基板の材質及び厚さを考慮して、上記温度範囲内で低めの温度ただし、昇華温度が最も高い物質の昇華温度以上とするに設定しても良い。なお、本実施の形態では、第1乃至第3の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプを用いたが、光源としては種々のものを用いることができる。例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなどとして用いても良い。フラッシュランプは短時間0.1ミリ秒乃至10ミリ秒で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第1の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第1の基板11の加熱の制御もできる。また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザは、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。なお、照射する光としては、赤外光波長800nm以上であることが好ましい。赤外光であることにより、吸収層12における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。また、第1乃至第3の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が5×10-3Pa以下、好ましくは10-4Pa乃至10-6Pa程度の範囲になるように真空排気することで得られる。本実施の形態によれば、第1の基板11の吸収層12上に高分子化合物ポリマー17及び不純物14を含む層16を湿式法により形成した後に、この層16を高分子化合物17のガラス転移温度以上の温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物14を層16内から除去することができ、不純物の量を低減した層16を得ることができる図1C参照。その結果、図1Eに示すように不純物の量を低減した混合層19を得ることができる。従って、被成膜基板20に転写して成膜された第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む層であるEL層19a内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。なお、本実施の形態では、被成膜基板である第2の基板22が、成膜用基板である第1の基板11の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態1と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。図2及び図3には第1の基板に反射層及び断熱層を形成する場合の一例を示している。図2Aにおいて、支持基板である第1の基板201の一方の面上に反射層203が選択的に形成されている。なお、反射層203は開口部を有している。また、反射層203上に断熱層205が形成されている。なお、断熱層205は反射層203の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層203及び断熱層205が形成された第1の基板201上に開口部を覆う吸収層207が形成されている。また、吸収層207上に高分子化合物ポリマー及び不純物を含む層208が形成されている。以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。はじめに、第1の基板201の一方の面上に反射層203を選択的に形成する。反射層203は、第1の基板201に照射する光を反射して、反射層203と重なる領域に形成された層208に、熱を与えないように遮断する層である。よって、反射層203は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層203は、照射される光に対して、反射率が85以上、さらに好ましくは、反射率が90以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。反射層203に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金例えば、アルミニウム-チタン合金、アルミニウム-ネオジム合金、アルミニウム-チタン合金、または銀を含む合金銀-ネオジム合金などを用いることができる。なお、反射層203は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層203の膜厚は、材料により異なるが、100nm以上とすることが好ましい。100nm以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層203を透過することを抑制することができる。また、第1の基板201に照射する光の波長により、反射層203に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていても良い。また、反射層を設けず第1の基板201上に直接吸収層207を形成しても良い。また、反射層203と吸収層207の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が25以上、より好ましくは30以上である。また、反射層203の開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。次に、反射層203上に断熱層205を選択的に形成する。断熱層205としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし、断熱層205は、反射層203及び吸収層207に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。断熱層205は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはCVDchemicalvapordeposition法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、10nm以上2μm以下、好ましくは100nm以上600nm以下とすることができる。また、断熱層205は、反射層203の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層205のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層205の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。なお、断熱層205と、反射層203のパターン形成を一度のエッチング工程によって行うと、断熱層205と反射層203に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるため好ましい。また、本実施の形態において、断熱層205は反射層203と重なる位置のみに形成されているが、反射層203及び反射層203の開口部を覆って断熱層205を形成しても良い。この場合、断熱層205は可視光に対する透過性を有する必要がある。次に、断熱層205上に吸収層207を形成する。吸収層207は、実施の形態1で示した吸収層12と同様の材料を用いることができる。なお、吸収層207は選択的に形成しても良い。例えば、吸収層207を第1の基板201の全面に形成した後に、吸収層207をパターン形成して、反射層203及び断熱層205の開口部を覆うように島状にパターン形成する。この場合、全面に吸収層を形成する場合に比べ、吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止できるため、より微細なEL層のパターン形成が可能となり、高性能な発光装置を実現することができる。次に、吸収層207上に高分子化合物ポリマー及び不純物を含む層208を形成する。この層208は、実施の形態1の層16と同様のものを用いることができる。次いで、図2Bに示すように、第1の基板201の裏面、すなわち上記の層208が形成された面と反対側の面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、高分子化合物が軟化するエネルギー強度以上の条件であって後述する第3の加熱処理の条件より強い条件とする。照射された光は、第1の基板201を透過して、吸収層207において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで上記の層208が高分子化合物のガラス転移温度以上の温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、上記の層208内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が除去され、不純物の量が低減された層208aが得られる。なお、この不純物は、その分子量が300以下のものである。次いで、図2Cに示すように、上記の層208a上に少なくとも第1の成膜材料と第2の成膜材料を含む有機EL材料層以下、材料層という。210を形成する。この材料層210は、実施の形態1の材料層18と同様のものを用いることができる。次いで、高分子化合物を含む層208a及び材料層210に第2の加熱処理をすることにより、図3Aに示すように、高分子化合物を含む層208aに材料層210中の第1の成膜材料及び第2の成膜材料を熱拡散させて層208aと材料層210とを混合させた混合層209を吸収層207上に形成することができる。この混合層209は実施の形態1の混合層19と同様のものであり、第2の加熱処理は実施の形態1の第2の加熱処理と同様の加熱処理を用いる。このようにして水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物の混入が低減された混合層209を有する成膜用基板ドナー基板が作製される。次いで、図3Bに示すように、第1の基板201において、混合層209等が形成された面に対向する位置に、第2の基板211を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のEL層を形成する場合について説明するため、第2の基板211上には、発光素子の一方の電極となる電極層213を有している。電極層213の端部は、絶縁物215で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。混合層209の表面と第2の基板211の表面は、距離dだけの間隔をとって配置される。ここで、距離dは、0mm以上2mm以下、好ましくは0mm以上0.05mm以下、さらに好ましくは0mm以上0.03mm以下とする。なお、距離dは、第1の基板上の混合層209の表面と、第2の基板の表面との距離で定義するものとする。ただし、第2の基板上に何らかの膜例えば、電極として機能する導電膜又は隔壁等が形成され、被成膜基板表面に凹凸を有する場合、距離dは、第1の基板上の混合層209の表面と、第2の基板に形成された層の最表面、即ち、これらの膜導電膜又は隔壁等の表面との距離で定義するものとする。この後、図3Cに示すように、第1の基板201の裏面から矢印のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、混合層209に含まれる材料が昇華されるエネルギー強度以上の条件とする。照射された光は、第1の基板201を透過して、反射層203が形成された領域においては反射し、反射層203に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層207において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層207と重なる領域の混合層209が加熱され第3の加熱処理、混合層209に含まれる第1の成膜材料及び第2成膜材料が第2の基板211上に成膜される。これにより、第2の基板211上に、発光素子のEL層217が選択的に形成される。本実施の形態によれば、第1の基板201の吸収層207上に高分子化合物ポリマー及び不純物を含む層208を湿式法により形成した後に、この層208を高分子化合物のガラス転移温度以上の温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物を層208内から除去することができ、不純物の量を低減した層208aを得ることができる図2B参照。その結果、図3Aに示すように不純物の量を低減した混合層209を得ることができる。従って、被成膜基板に転写して成膜された第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む層であるEL層217内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。