プラズマ反応チャンバ用の多部品電極であって、電極上板と、前記上板に接続された電極とを備え、前記電極が中央シリコン部材および前記中央シリコン部材を取り囲む複数のシリコンセグメントを含み、前記中央シリコン部材が前記シリコンセグメントと無関係に前記上板から取り外すことができることを特徴とする多部品電極。前記中央シリコン部材および前記シリコンセグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電極。エラストマ接合で前記中央シリコン部材に接続されたバッキングプレートを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の電極。前記エラストマ接合が、熱伝導性かつ導電性のエラストマで形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電極。前記電極が、プロセスガスを前記プラズマ反応チャンバ内に分布させるように配列された複数のガス出口を有するシャワーヘッド電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の電極。前記中央シリコン部材が、約13インチ以下の直径を有することを特徴とする請求項1に記載の電極。前記中央シリコン部材と前記複数のシリコンセグメントとの間の実質的に界面で前記電極表面にステップを備えることを特徴とする請求項1に記載の電極。前記中央シリコン部材が、前記複数のシリコンセグメントの厚さよりも薄い厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の電極。前記中央シリコン電極と前記シリコンセグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを備えることを特徴とする請求項1に記載の電極。前記中央シリコン部材が、ステップのない実質的に平面の下面を有することを特徴とする請求項1に記載の電極。プラズマ処理システムであって、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持体と、RFエネルギー源と、下部電極と、電極上板と、前記上板に固定された中央電極部材と、前記上板に固定され前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを備える上部電極と、を備え、前記電極セグメントと前記中央電極との間の接続部が、前記電極の侵食が高消耗から低消耗に落ちるところに配置されていることを特徴とするプラズマ処理システム。前記電極セグメントが、前記中央電極部材と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記中央電極部材が、前記接続部で前記電極セグメントの側面に隣接する側面を有することを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記電極接続部が、前記下部電極の外側エッジの上方に実質的に位置合わせされていることを特徴とする請求項13に記載のシステム。前記電極接続部が、ウェーハが前記下部電極上に配置されたときに、前記ウェーハの外側エッジの上方に実質的に位置合わせされることを特徴とする請求項13に記載のシステム。前記下部電極が約12インチの直径を有し、前記上部電極が12インチよりも大きな直径を有することを特徴とする請求項14に記載のシステム。前記中央電極部材が、前記電極セグメントを取り換えることなしに取換え可能であることを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記中央電極部材および前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項12に記載のシステム。前記中央電極部材が平面の下面を有し、前記中央電極部材が前記電極セグメントの内側で引っ込むように前記電極セグメント各々が前記接続部に近接して形成されたステップを有することを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記中央電極部材と前記電極セグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを更に備えることを特徴とする請求項11に記載のシステム。プラズマ反応チャンバ用の多部品電極であって、電極上板と、前記上板に接続された電極と、を備え、前記電極は、約13インチ以下の直径を有する中央電極部材と、全体で少なくとも16インチの電極直径をつくるように前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを含み、前記中央電極部材は、前記電極セグメントと無関係に前記上板から取り外すことができることを特徴とする多部品電極。前記中央電極部材と前記電極セグメントとの間の環状部内でガスが流れることを防止する封止リングを備えることを特徴とする請求項21に記載の電極。前記中央電極部材が、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項21に記載の電極。前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項23に記載の電極。前記中央電極部材が平面の下面を有し、前記中央電極部材が前記電極セグメントの内側で引っ込むように前記電極セグメント各々が前記中央電極と前記電極セグメントとの間の接続部に近接して形成されたステップを有することを特徴とする請求項21に記載の電極。プラズマ反応チャンバの電極の一部を取り換える方法であって、プラズマ処理チャンバ内に上部電極を設けるステップであって、前記上部電極が中央電極部材と前記中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを備え、前記中央電極および前記電極セグメントが独立して前記電極の上板に固定されるステップと、前記中央電極が侵食されたときに、前記中央電極を前記上板から取り外すステップと、前記中央電極を新しい中央電極に取り換えるステップと、を含むことを特徴とする方法。前記中央電極および前記電極セグメントが、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項26に記載の方法。前記中央電極と前記電極セグメントとの間の接続部が、前記電極の侵食が高消耗から低消耗に落ちるところに配置されていることを特徴とする請求項26に記載の方法。前記中央電極が定期的に取り換えられ、前記電極セグメントが、前記中央電極の2回目または3回目の取換えごとに取り換えられることを特徴とする請求項26に記載の方法。前記中央電極が実質的に平面の下面を有し、前記電極セグメントがステップを有する下面を含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。本発明は、取換え可能な部分を有する半導体処理反応器用の多部品上部電極、およびこの電極の一部を取り換える方法に関する。一実施形態では、プラズマ反応チャンバ用の多部品電極は、電極上板と、上板に接続された電極とを含む。電極は、中央シリコン部材およびこの中央シリコン部材を取り囲む複数のシリコンセグメントを含む。中央シリコン部材は、シリコンセグメントと無関係に上板から取り外すことができる。他の実施形態では、プラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバ、プラズマ処理チャンバ内の基板支持体、RFエネルギー源、下部電極、および上部電極を含む。この上部電極は、電極上板と、上板に固定された中央電極部材と、上板に固定され中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントとを備える。電極セグメントは中央電極部材と同じ材料で形成することができ、さらに、電極セグメントと中央電極との間の接続部は、電極の侵食が高消耗から低消耗に落ちるところに配置される。他の実施形態では、プラズマ反応チャンバ用の多部品電極は、電極上板と、上板に接続された電極とを備える。電極は、約13インチ以下の直径を有する中央電極部材および全体として少なくとも16インチの電極直径をつくるように中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントを含む。中央電極部材は、電極セグメントと無関係に上板から取り外すことができる。さらに他の実施形態では、プラズマ反応チャンバの電極の一部を取り換える方法は、プラズマ処理チャンバ内に上部電極を設けるステップと、中央電極が侵食されたとき、中央電極を上板から取り外すステップと、中央電極を新しい中央電極に取り換えるステップとを備える。上部電極は、中央電極部材および中央電極部材を取り囲む複数の電極セグメントを備える。中央電極および電極セグメントは、独立して電極の上板に固定される。本発明は、添付図面に示される好ましい実施形態を参照してより詳細に説明される。この図面において、同様な構成要素には同様な参照符号が付されている。本発明は、多部品電極を有する改良された上部電極システムを提供するものである。この電極システムでは、高い消耗を示す電極の中央部分が電極の外周部分と無関係に取換え可能である。上部電極は、エッチングまたはCVDのような、半導体基板を処理するプラズマ処理システムで使用することができる。多部品上部電極システムは、一体構造の電極が入手できないまたは高価である300mmウェーハ処理チャンバのような、大型サイズのウェーハを処理するチャンバに特に有用である。図2は、上部電極の一部の取換えを可能にする改良された上部電極を有するプラズマ処理システム100の一部を示す図である。図2に示すように、中央電極部材110は、熱伝導性および導電性のエラストマでバッキングプレート112上に取り付けられている。複数のセグメント化された電極114が、中央電極110のまわりにリングを形成し、これらもバッキングプレート116に取り付けられている。電極バッキングプレート112、116は、取り外し可能な方法で上板118に固定されている。プロセスガスは、上板118のチャネル122を通して、バッキングプレート112の上方の複数のチャネル124に送り出される。プロセスガスは、シャワーヘッド電極の形をした電極110およびバッキングプレート112の複数の送り孔128を通して、ウェーハ処理チャンバに送り出される。チャネル124から中央電極110と電極セグメント114との間の環状部へガスが流れることを防止するために、封止リング120が、上板118とバッキングプレート112、116との間に設けられる。封止リング120は、ガスを強固にシールできるように封止リングの環状チャネルにOリング130を備える。ウェーハWのエッジでエッチング速度均一性を実現するように設計されたステップ140が、電極セグメント114に設けられている。ステップ140は、下部電極150のエッジの上方に実質的に位置合わせされ、かつウェーハWのエッジのすぐ外側に配置される。電極セグメント114は、任意の数のセグメントを含むことができ、例えば、3から10のセグメントを使用することができる。電極110、114は、上板の裏側からバッキングプレート112、116の中に延びるねじ込みねじ134、136で、上板118に固定されている。ねじ込みねじ134、136によって、必要があれば、中央電極110および電極セグメント114を独立して取り外すことができる。中央電極110の消耗は、電極セグメント114の消耗速度の2から3倍であると考えられるので、中央電極は、外側の電極セグメントよりも頻繁に取り外し及び取り換えがなされうる。図3は、平らな形をしたシリコン上部電極のエッチング速度またはシリコン減損を、電極の様々な直径において示す図である。図3に示すように、シリコン電極の減損またはエッチング速度は、電極の中央から5~6.5の間の半径のところで著しく減少する。したがって、直径が約6.5から外側の電極の部分は、電極の中央部分よりも少ない頻度で取り換えがなされうることが分かる。中央電極110および周囲の電極セグメント114に使用することができる材料の例としては、SiC、SiN、AlN、およびAl2O3が挙げられる。電極110および114として特に好ましい1つの材料は、シリコンであることが分かっている。シリコンは、反応器内に他の不要な元素を持ち込まないし、滑らかに侵食されて殆んど粒子を生じさせないからである。単結晶シリコンか多結晶シリコンかいずれも使用することができる。電極110および114が固定されるバッキングプレート112および116は、プロセスガスに化学的に適合し、電極の熱膨張係数と一致し、導電性かつ熱伝導性であり、伝導性の上板118への締結を可能にするのに十分な機械的強度を持つべきである。上板としての使用に適し得る材料の例として、グラファイトおよびSiCが挙げられる。上板118は、プロセスガスと化学的に適合し、導電性かつ熱伝導性であり、バッキングプレートおよび電極を支持するのに十分な機械的強度を持つ材料で形成すべきである。上板用の材料の1つの例とては、アルミニウムが挙げられる。封止リング120は、アルミニウムSiC、シリコン、グラファイト若しくは石英またはプラズマ処理システムで使用可能な他の材料で形成されてもよい。熱伝導性かつ導電性のエラストマを用いて電極110および114を対応するバッキングプレート112および116に結合することに加えて、アルミニウムメッシュのような支持部材を電極とバッキングプレートとの間に設けて、電極の寿命の終りまで安定な電気的かつ熱的な接触を確保することができる。電極セグメント114の各々をバッキングプレート116の独立したセグメントに固定してもよいし、電極セグメント114の全てを単一のバッキングリングに結合し、1つの手順1ステップで電極セグメント114を一緒に取り外すことができるようにしてもよい。図2のプラズマ処理システム100の構成の一例は、12単結晶シリコンの塊から切り出された中央電極部材110を含む。中央電極部材110は、約0.25の厚さおよび全体として平面の下面を有する。300mmウェーハの生産用の12単結晶シリコンの塊の大量生産によって、この直径は、15単結晶シリコン電極に比べて製造するのが遥かに安い。電極の外側セグメント部分は、12直径単結晶シリコンから切り出すことができる単結晶シリコンセグメントで作り、リング状のグラファイトバッキングプレート116に結合する。この例では、6個の電極セグメントがリング状のグラファイトバッキングプレート116に結合され、電極セグメント114は約0.5の厚さを有し、さらに、0.5の厚さからセグメントの内径のところで0.25の厚さに下がる約45の角度に研削された傾斜したステップ140を有する。電極セグメント114は、一体になって、約12の内径および約17の外径を有するリングを形成する。封止リング120は、エラストマのOリングを有する石英リングであり、上板118はアルミニウムで形成されている。上述した平らな電極を有する300mmウェーハ処理システムでは、シリコン上部電極の侵食は約5から約6.5の半径のところで急に落ちることを示した図3を参照。したがって、中央電極110と電極セグメント114との間の接続部は、電極の中央から約5から61/2のところに、好ましくは約6の半径のところに配置される。電極の内側部分と外側部分との間の切れ目を約6のところに置くことで、より消耗の大きい中央電極部材110を電極セグメント114と無関係に取り換えることができる。外側電極セグメント114は、中央電極110の2~3倍の寿命があり、電極取換えのコストが減少する。また、接続部を半径方向でステップ140の内側に置くことで、より薄い厚さの中央電極110を使用することが可能になり、したがって、さらにコストが減少する。本発明は、好ましい実施形態を参照して詳細に説明したが、本発明から逸脱することなく、様々な変化物および修正物を作ることができ、また同等物を使用できることは、当業者には明らかであろう。