基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段とを少なくとも備えた停止画面を表示する基板処理装置。前記マイクロ波発生機構を停止する前記第二の停止手段が押下されると、前記マイクロ波の停止から前記操作部への電源停止までの猶予時間が表示される請求項1の基板処理装置。前記猶予時間に達しない場合、前記操作部を停止する第一の停止手段が押下されても、前記操作部への電源停止操作は無効となるよう構成されている請求項1の基板処理装置。そこで、本発明の目的は、特殊部品に影響を与えないように安全な操作の立下げを促す機能を備えた基板処理装置を提供することにある。本発明の基板処理装置は、基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部が、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を所定の画面に表示するよう構成される。本発明によれば、基板処理装置を構成する部品のうち特殊部品の使用に際し、安全に装置停止処理を行うことができる。まず、図1を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を説明する。尚、図1は、基板処理装置1を上から見たときの構成概略図である。本発明の一実施形態に係る基板処理装置1は、半導体を製造するために予め定められた処理を実行する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1は、可変のマイクロ波VFM;VariableFrequencyMicrowaveを利用する基板処理装置であるとして説明する。本発明の一実施形態に係る基板処理装置1は、少なくとも、基板に予め定められた所定の処理を施すプロセスモジュールPM;ProcessModule10と、ウェハが搬送される搬送室としてのフロントエンドモジュールEFEM;EquipmentFrontEndModule20と、ウェハが収納された基板収容器例えば、FOUPFront-OpeningUnifiledPod。以下ポッドと記載を装置外部の搬送装置と受渡しする基板載置台としてのロードポートLP;LoadPort30とで少なくとも構成される。プロセスモジュール10及びロードポート30は、少なくとも1つ設けられる。ここでは、プロセスモジュール10及びロードポート30が3つずつ設けられているが、この構成は、一例であって、本発明の構成は、この構成に限定されない。また、後述する制御手段としてのコントローラは、所定のファイルを実行することにより、搬送手段としての搬送ロボット202を制御することにより、これらプロセスモジュール10、フロントエンドモジュール20、ポッド間におけるウェハの搬送を実現させる。また、コントローラは、所定のファイルを実行することにより、プロセスモジュール10を構成する各種機構を制御して、プロセスモジュール10内における基板の処理を実現させる。プロセスモジュール10プロセスモジュール10は、CVDChemicalVaporDeposition;化学気相成長及びALD等による成膜、又はアッシング、エッチング及び膜質改善などのような処理をウェハに実施する。また、プロセスモジュール10は、ウェハの処理方式に合わせて、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排気機構及び温度制御機構などの機構を備える。プロセスモジュール10は、ゲートバルブGVやステンレスSUSなど金属材料により構成されており、処理室100と外部とをマイクロ波的に遮蔽する構造となっている。処理室100内には、基板としてのウェハ11を支持する基板保持部としての基板支持ピン13が設けられている。基板支持ピン13は、例えば、石英またはテフロン等からなる複数ので構成され、その上端でウェハ11を支持する。ウェハの下方であって基板支持ピン13の下部には、導電性の基板支持台が設けられている。基板支持台は、例えばアルミニウムなどの導体である金属材料により構成されている。基板支持台は、上面から見た形がウェハ11の外径よりも大きい円形で、円盤状又は円柱状に形成されている。基板支持台は金属製であるため、基板支持台においてはマイクロ波の電位がゼロとなる。従って、ウェハ11を基板支持台に直接置いた場合、マイクロ波の電界強度が弱い状態となる。そこで、本実施形態では、基板支持台の表面からマイクロ波の14波長λ4の位置、もしくはλ4の奇数倍の位置にウェハ11を載置するようにする。ここでいう基板支持台の表面とは、基板支持台を構成する面のうち、ウェハ11の裏面と対向する面を言う。λ4の奇数倍の位置では電界が強くなるため、ウェハ11を効率よくマイクロ波で加熱することができる。例えば、5.8GHzに固定したマイクロ波を使用し、マイクロ波の波長が51.7mmであるので、基板支持台124からウェハ11までの高さを12.9mmとすることができる。マイクロ波の周波数が時間と共に変化するようにしてもよい。この場合、基板支持台の表面からウェハ11までの高さは、変化する周波数帯の代表周波数の波長から求めればよい。例えば、5.8Ghz~7.0GHzまで変化する場合、代表周波数を変化する周波数帯のセンタ周波数とし、代表周波数6.4GHzの波長46mmより、基板保持台の表面からウェハ11までの高さを11.5mmとすればよい。更に、固定周波数の電源を複数設け、それぞれから異なる周波数のマイクロ波を切り替えて供給し、処理するようにしても良い。温度制御機構処理室110内のウェハ11の上方には、ウェハ11の温度を検出する温度検出器14が設けられている。温度検出器14には、例えば、赤外線センサを用いることができる。温度検出器130は、コントローラと電気的に接続されている。具体的には、温度検出器14によって検出されたウェハ11の温度が、予め定められた温度よりも高い場合、コントローラは、ウェハ11の温度が予め定められた温度となるように、後述するように窒素N2などの不活性ガスをウェハ11の表面に向かって供給する流量を制御するよう構成されている。マイクロ波発生機構処理容器180の上部であって処理室100の側壁には、マイクロ波発生機構が設けられている。マイクロ波発生機構は、マイクロ波発生部200、導波路210及び導波口220を備え、例えば、固定周波数マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生する。マイクロ波発生部200としては、マイクロトロン等の高周波電源が用いられる。マイクロ波発生部200によって発生したマイクロ波は、導波路210を介して、処理室100と連通する導波口220から処理室100内に導入される。処理室100内に導入されたマイクロ波は、処理室100の壁面に対して反射を繰り返す。マイクロ波は処理室100内でいろいろな方向へ反射し、処理室100内はマイクロ波で満たされる。処理室100内のウェハ11に当たったマイクロ波はウェハ11に吸収され、ウェハ11はマイクロ波により誘電加熱される。なお、ウェハ11の温度は、マイクロ波のパワー、処理室100の大きさや形状、導波口220の位置、及びウェハ11の処理室100における位置などによって変化する。後述するように、マイクロ波発生部200は、装置コントローラ80と電気的に接続されており、装置コントローラ80により制御される。ガス供給機構処理容器180の上部であって処理室100の上壁には、ガス供給機構が設けられている。ガス供給機構は、例えば窒素N2等の不活性ガスを導入するガス供給管52、ガス供給管52を開閉するガス供給用バルブ53及びガス供給源55を備える。ガス供給機構は、ガス供給用バルブ53を開けることにより、ガス供給管52からのガスを処理室100内に導入し、ガス供給用バルブ53を閉めることにより、ガスの導入を停止する。ガス供給管52から導入されるガスは、ガス流量調整器54にて予め流量を所定の値に設定されている。また、ガス供給管52から導入されるガスは、パージガスとして処理室100内のガスを押し出したりするのに用いられる。ガス供給管52は、処理室100内に導入されるガスが、ウェハ11の表面に直接吹き付けるように構成されているので、ウェハ11を効率よく冷却することができる。後述するように、ガス供給用バルブ53は、装置コントローラ80と電気的に接続されており、装置コントローラ80により制御される。ガス排出機構処理容器180の下部であって処理室100の側壁には、ガス排出機構が設けられている。ガス排出機構は、処理室100内のガスを排気するガス排出管62、ガス排出管62を開閉するガス排出用バルブ63及び排気装置としての真空ポンプ64を備える。ガス排出機構は、このガス排出用バルブ63の開度を調整することにより、処理室100内の圧力を予め定められた値に調整する。後述するように、ガス排出用バルブ63は、装置コントローラ80と電気的に接続されており、装置コントローラ80により制御される。ウェハ搬送機構処理容器180の一側面には、ウェハ搬送機構が設けられている。ウェハ搬送機構は、処理室100の内外にウェハ11を搬送するためのウェハ搬送口71、ゲートバルブ72、及びゲートバルブ72を駆動させるゲートバルブ駆動部73を備える。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ72を開けることにより、処理室100がフロントエンドモジュール20ここでは図示していないが、図1を参照して上述と連通するように構成されている。フロントエンドモジュール20には、ウェハ11を搬送する搬送ロボット202ここでは図示していないが、図1を参照して上述が設けられている。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ72を開くことによって、搬送ロボット202が、処理室100及びフロントエンドモジュール20との間で、ウェハ11のスワップ搬送が可能なように構成されている。尚、スワップ搬送については、特開2003-289095に記載されているため、ここでは説明を省略する。以下、図2を用いて、図1のプロセスモジュール10における処理について説明する。以下に説明する処理は、半導体装置を製造する複数工程の中の一工程を構成するものである。基板搬入工程ウェハ11を処理室100に搬入するウェハ搬入工程において、まず、ゲートバルブ72を開き、処理室100とフロントエンドモジュール20とを連通させる。次に、搬送ロボット202により、ロードポート30に載置されたポッドから処理対象のウェハ11を取り出し、フロントエンドモジュール20を経て処理室100内へ搬入する。処理室100内に搬入されたウェハ11は、搬送ロボット202により基板支持ピン13の上端に載置され、基板支持ピン13に支持される。次に、搬送ロボット202が処理室100内からフロントエンドモジュール20へ戻ると、ゲートバルブ72が閉じられる。窒素ガス置換工程次に、処理室100内を窒素N2雰囲気に置換する。ウェハ11を搬入すると処理室100の外の大気雰囲気が巻き込まれるので、この大気雰囲気中の水分や酸素がプロセスに影響しないように処理室100内のN2置換を行う。ガス排出管62から、真空ポンプ64により処理室100内のガス雰囲気を排出するとともに、ガス供給管52から、N2ガスを処理室100内に導入する。このとき、ガス供給用バルブ53を開閉することによって、処理室100内の圧力を予め定められた値、本実施形態では大気圧に調整する。加熱処理工程次に、マイクロ波発生部200で発生させたマイクロ波を、導波口220から処理室100内に導入し、ウェハ11の表面側から照射する。このマイクロ波照射により、ウェハ表面上のHigh-K膜を100~600°Cに加熱し、High-K膜の改質、つまり、High-K膜からCやH等の不純物を離脱させて、緻密化し安定した絶縁体薄膜に改質することができる。High-K膜等の誘電体は、誘電率に応じてマイクロ波の吸収率が異なる。誘電率が高いほどマイクロ波を吸収しやすい。また、ハイパワーのマイクロ波をウェハ11に照射し処理すると、ウェハ11上の誘電体膜が加熱され改質される。また、マイクロ波による加熱の特徴は、誘電率εと誘電正接tanδによる誘電加熱で、この物性値が異なる物質を同時に加熱すると、加熱されやすい物質、すなわち、誘電率が高い方の物質だけ選択的に加熱できる。また、加熱処理工程において、ガス供給用バルブ53を開いて、処理室100内にガス供給管52からN2ガスを導入するとともに、ガス排出用バルブ63により処理室100内の圧力を予め定められた値に調整しつつ、ガス排出管62から処理室100内のN2ガスを排出する。このようにして、加熱処理工程において、処理室100内を所定の圧力値に維持する。本例では、周波数5.8~7.0GHzのマイクロ波をパワー1600W、処理室100内の圧力を大気圧として5分間、加熱処理を行った。以上のようにして、所定時間、マイクロ波を導入して基板加熱処理を行った後、マイクロ波の導入を停止する。基板冷却工程加熱処理工程が終了すると、処理室100内に導入するN2ガスの流量を制御することによって、ウェハ11を冷却する。積極的にN2ガスの冷却効果を使う場合は、ガス供給管52を基板支持台に設け、ウェハ11と基板支持台の間にガスを流すことにより、ガスによる冷却効果向上を図ることもできる。このガスの流量を制御することにより、ウェハ11の温度制御を行うこともできる。また、本実施例ではN2ガスを使用しているが、プロセス的、安全性に問題がなければ、熱伝達率の高い他のガス、たとえば希釈HeガスなどをN2ガスに追加し、基板冷却効果を向上することもできる。また、ウェハ11表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。更に、ガス供給管52を基板支持台と処理容器180の上側とに設け、ウェハ及び基板支持台124の間にガスが流し、ウェハ11近傍のガスの流量を制御すると共にウェハ11表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。基板搬出工程基板冷却工程が終了すると、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順により、加熱処理したウェハ11を処理室100から搬出し、搬送室としてのフロントエンドモジュール20に搬入する。このとき、次に処理するウェハ11がある場合、搬送ロボット202がスワップ搬送を行う。最後に搬送ロボット202が処理済のウェハ11をフロントエンドモジュール20から搬出し、ロードポート30に載置されたポッドに収納する。図3は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1におけるコントローラ構成を示す図である。制御手段としての装置コントローラ80は、操作者からの入力を受け付ける操作部400と、メインコントローラとしての統括制御部402と、プロセス系を制御するプロセス制御部としてのサブコントローラ404と、搬送系を制御する制御部としてのメカコントローラ406とがそれぞれLAN等の通信回線408を介して接続されて構成される。操作部400は、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する図示しない表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部と、各種レシピの作成時における各種パラメータの設定値を入力する図示しない入力部とを少なくとも備えている。また、操作部400は、上述した入力部またはホストコンピュータからの指示により、基板としてのウェハ11を処理する旨の指示を受け付けると、ウェハ11を搬送するための搬送レシピやウェハ11を処理するためのプロセスレシピを統括制御部402にダウンロードする。統括制御部402は、これらのレシピに基づいてサブコントローラ404やメカコントローラ406を制御する。そして、サブコントローラ404は、前記プロセスレシピに基づいて基板に所定の処理を施し、メカコントローラ406は、上記搬送レシピや上記ウェハ情報に基づいて搬送ロボット202を制御することによりウェハ11の搬送を行う。統括制御部402は、コントローラ80全体の運用制御を行う。また、メカコントローラ406は、搬送ロボット202を制御し、搬送系を制御する。サブコントローラ404は、各プロセスモジュール10における温度、ガス流量、圧力、マイクロ波パワー等を制御する。サブコントローラ404は、前記統括制御コントローラ402の命令指示に基づいて、マイクロ波発生部200、ガス供給用バルブ53、ガス排出用バルブ63及びゲートバルブ72などの各部品を制御すると共に、これらの状態を、前記統括制御コントローラ402に送信する。尚、上述した表示部、記憶部、入力部は、操作部400と別体であってもよいし、また、コントローラ80と別体であってもよい。更に、操作部400上述した表示部、記憶部及び入力部は、例えば、図示しないユーザ側のHostコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現するよう構成される。図4は、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュールを中心としたコントローラ構成を示す。TWTデバイスは、プロセスモジュールPMに入力されるマイクロ波信号を出力し、ウェハ11に放射する。TWTデバイスは、線形ビーム装置であり、選択された周波数及び波形の信号が増幅されて出力される。又、TWTデバイスは、電磁波と電子ビームを相互作用させマイクロ波を増幅させる。更に、TWTデバイスは、自身の構成によって決定される帯域幅または範囲内で選択された任意の周波数または波形を増幅する機能を有する。TWT電源は、TWTデバイスの動作のために設けられている。好ましい電源は、精密な調整をしたカソード電源と未調整のコレクタ電圧源とからなる直流電源である。方向性結合器は、信号の方向を検出し、更に検出された方向により信号を指向するのに設けられている。TWTデバイスから受け取った信号はプロセスモジュールPMに向けて送られる。一方、プロセスモジュールPMの方向から受け取った信号は反射出力負荷となる。従って、方向性結合器は、反射された信号、つまり、プロセスモジュールPM内のウェハ11に吸収されなかった出力からTWTデバイスを保護するために、TWTデバイスからそらす手段を提供する。例えば、反射出力負荷は、熱を放散させるため水で冷却される。コントローラは、出力モニタ及び温度センサからの入力を受け取る。出力モニタは方向性結合器から入力を受け取り、プロセスモジュールPMに放射されたの出力を測定すると共にプロセスモジュールPMからの反射出力を測定する。更に、コントローラは、発振されるパワーなどマイクロウェーブ発振器やBeamのONOFF制御などTWT電源を制御するように機能する。又、冷却装置は、TWTデバイスの冷却を行うために設けてある。コントローラは、PLCを介してサブコントローラ404としてのPMCに温度、進行波や反射波等のモニタデータを送信している。又、コントローラは、操作部400とLANを介して接続されている。従い、操作部400の所定の画面から入力された指示に従い、コントローラがPCMを制御する。つまり、このコントローラもサブコントローラ404と同レベルの動作を行う。図5は、基板処理装置1の操作部400の電源を停止させる画面の一例を示す。この画面には、操作部400の電源を停止させるための停止ボタンと、上述のパワー制御モジュールPCMを停止させるための停止ボタンと、このボタンを押下してから操作部400の電源を停止させる指示を行うことができるまでの時間を設定する設定欄とが表示される。そして、設定欄にBeamONという表示がある場合、BeamON状態であり、つまり、マイクロ波加熱装置が基板に対してマイクロ波を供給している状態である。という表示がある場合、接続されていない為、BeamON信号をモニタできない状態であることを示す。つまり、サブコントローラ404としてのPMCとの回線が断線している状態を示す。設定欄に時間が表示されている場合、BeamOFFの指示後、経過した時間操作部の電源を停止するまでの待機時間が表示されている。本実施の形態では、5分00:05:00の表示からカウントダウンしていき、00:00:00まで表示される。00:00:00と表示されたとき、特殊部品としてのTWTデバイスのクールダウンが終了したことを示し、操作部400の電源を停止させることができる。つまり、操作部400を停止させるボタンが有効となり、シャットダウン操作が可能となる。反対に、設定欄の表示が00:00:00またはでない場合、操作部400を停止させる停止ボタンは無効、つまり、停止ボタンが押下できないよう構成されているため、操作部400のシャットダウンが不可となる。このように、本実施の形態によれば、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュールPCMの内部にあるマイクロ波を増幅する部品HPA;HighPowerAmplifierを構成する特殊部品であるTWTデバイスは、電子ビームOFF後、所定のクールダウン処理を行うことができるので、破損する恐れがない。更に、通常の部品と同様に電源OFFした場合と比較して、TWTデバイスの寿命が長くなる。なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として枚葉式の基板処理装置を説明したが縦型の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板ウェハを処理する半導体製造装置だけでなく、LCD装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。次に、本発明の好ましい他の態様を付記するが、以下の記載に限定されないのは言うまでもない。[実施の態様1]基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を画面上に表示する基板処理装置。[実施の態様2]前記マイクロ波発生機構を停止する前記第二の停止手段が押下されると、前記マイクロ波の停止から前記操作部への電源停止までの猶予時間が表示される。[実施の態様3]前記猶予時間に達しない場合、前記操作部を停止する第一の停止手段が押下されても、前記操作部への電源停止操作は無効となるよう構成されている。[実施の態様4]基板の表面に向かってマイクロ波を供給して前記基板に加熱処理を施す工程と、前記処理終了後、基板処理装置を構成する各部品の電源を停止する工程と、を有する基板処理装置の部品管理方法であって、前記電源を停止する工程では、前記マイクロ波を供給する部品の停止操作を行った後、前記部品のうち操作部の停止操作が有効になるまでに要する猶予時間が表示される基板処理装置の部品管理方法。[実施の態様5]前記マイクロ波を供給する部品は、所定の周波数でマイクロ波を発振する発振手段と、可変の周波数でマイクロ波を処理室に供給する供給手段と、前記マイクロ波を増幅する増幅手段と、前記発振手段、前記供給手段、前記増幅手段のそれぞれを制御する制御手段を少なくとも有する。