式I式中、R1およびR2は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の1~20の炭素原子を有する、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルキル、アルコキシアルキル、アルキルスルフィニルまたはアルキルスルホニル、または1~20の炭素原子を有するアルキル基を含むアルキルアリールまたはアリールアルキルであり、nは、1よりも大きい整数である、で表される、33二置換ポリ2252テルチオフェンの半導体または電荷運搬材料としての使用。例えば、集積回路、フラットパネルディスプレイ用途のための薄膜トランジスタTFT、または高周波識別RFIDタグの部品としておよび電子発光ディスプレイまたは液晶ディスプレイのバックライトにおける電荷運搬および電子発光層の両方を含む、有機発光ダイオードOLED用途のための半導体部品としての電界効果トランジスタFETを含む、光学的、電子光学的または電子デバイスにおける半導体または電荷運搬材料としての請求項1に記載の式Iのポリマーの使用。式Iにおけるnが、2~5000の整数である、請求項1または2に記載の使用。式IにおけるR1およびR2が、1~12の炭素原子を有する直鎖状アルキルである、請求項1~3のいずれかに記載の使用。請求項1~4のいずれかで定義されたポリマーを半導体または電荷運搬材料として含む、半導体または電荷運搬部品またはデバイス。請求項5に記載の半導体または電荷運搬部品またはデバイスを含む、光学的、電子光学的または電子デバイス、FET、集積回路IC、TFTまたはOLED。請求項5に記載の半導体または電荷運搬部品またはデバイスまたは請求項6に記載のFET、IC、TFTまたはOLEDを含む、フラットパネルディスプレイのためのTFTおよびTFT配列、高周波識別RFIDタグ、電子発光ディスプレイまたはバックライト。請求項6または7に記載のFETまたはRFIDタグを含む、セキュリティーマーキングまたはデバイス。本発明の目的は、合成することが容易であって、高い電荷移動度、良好な製造性および酸化安定性を有する、半導体または電荷運搬材料として用いるための改善された材料を提供することにある。本発明の他の目的は、新しい半導体および電荷運搬部品およびこれらの部品を含む新しく改善された電子光学的、電子および電子発光デバイスを提供することにあり、たとえば、集積回路または薄膜トランジスタTFTの部品としておよび電子発光ディスプレイまたは液晶ディスプレイのバックライトのような有機発光ダイオードOLED用途としての電界効果トランジスタFETである。本発明の他の目的は、以下の記載から当業者には直ちに明らかである。本発明者らは、これらの目的が、ポリ33ジアルキル2252テルチオフェンを半導体および電荷運搬材料として用いることによって達成出来ることを見出した。塩化第2鉄酸化カップリングによるポリ33ジアルキル2252テルチオフェン式中R1およびR2は、アルキル基であるの合成は、WO9402530およびMCGallaziCBertarelliEMontoneriSyntheticMetals200212891に記載されている。WO9402530、EPA0945723およびWO9931494は、ガスセンサーでの電子伝導層としてドープされた導電性形態のポリ33ジアルキル2252テルチオフェンの使用を報告している。さらに、特開昭63002251では、二次電池のポリマーカソードとして用いるための電解重合を介して製造した電導性ポリ33ジアルキル2252テルチオフェンを開示している。しかしながら、ポリ33ジアルキル2252テルチオフェンの半導体又は電荷運搬材料としての使用の報告はなされていない。本発明は、式Iの33二置換ポリ2252テルチオフェンの半導体または電荷運搬材料としての使用に関する。式中、R1およびR2は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の1~20の炭素原子を有する、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルキル、アルコキシアルキル、アルキルスルフィニルまたはアルキルスルホニル、または1~20の炭素原子を有するアルキル基を含むアルキルアリールまたはアリールアルキルであり、nは、1よりも大きい整数である。本発明は、さらに、例えば、集積回路、フラットパネルディスプレイ用途のための薄膜トランジスタTFT、または高周波識別RFIDタグの部品としておよび電子発光ディスプレイまたは液晶ディスプレイのバックライトにおける電荷運搬および電子発光層の両方を含む、有機発光ダイオードOLED用途のための半導体部品としての電界効果トランジスタFETを含む、光学的、電子光学的または電子デバイスにおける半導体または電荷運搬材料としての式Iのポリマーの使用に関する。本発明は、さらに、半導体または電荷運搬材料としての式Iのポリマーを含む半導体または電荷運搬部品に関する。本発明は、さらに本発明による半導体または電荷運搬部品またはデバイスを含む、光学的、電子光学的または電子デバイス、FET、集積回路IC、TFTまたはOLEDに関する。本発明は、さらに、本発明による半導体または電荷運搬部品またはデバイスまたはFET、IC、TFTまたはOLEDを含む、フラットパネルディスプレイ用TFTまたはTFT配列、高周波識別RFIDタグ、電子発光ディスプレイまたはバックライトに関する。本発明は、さらに本発明によるFETまたはRFIDを含むセキュリティーマーキングまたはデバイスに関する。本発明による半導体および電荷運搬材料および部品は、式Iのポリマーを含み、骨格の高度な平面化、および強い鎖間π-πスタッキング相互作用の両方を示し、それにより高い運搬移動度を有する有効な電荷運搬材料となる。式I中のアルキル置換基である、R1およびR2はポリマーを可溶化するために導入され、容易に処理しやすい溶液とする。溶液処理は、真空蒸着処理に対して、潜在的により安価でより速い技術であるといった利点を有する。さらに、材料は完全にレジオレギュラーであり、パッキング密度を改善し、微細構造を最適化し、高い運搬移動度をもたらす。実際には、ポリ33ジヘキシル2252テルチオフェンの結晶化が、溶解したポリマーを140°Cまで冷却すると、示差走査熱量測定DSCによって観察された。従って、式Iのポリマーは、FET、例えば、集積回路、IDタグまたはTFT用途の部品などにおいて、半導体または電荷運搬材料として有用である。特に好ましいのは、nが2~5000、さらに好ましくは、20~1000の整数である式Iのポリマーである。さらに好ましくは、分子量1000~100000の式Iのポリマーである。さらに好ましくは、R1およびR2が、1~12の炭素原子を有する直鎖状アルキルである、式Iのポリマーである。式Iのポリマーは、公知の方法、例えば、WO9402530およびMCGallaziCBertarelliEMontoneriSyntheticMetals200212891に記載された方法に従って、または類似の方法で合成することができる。式Iのポリマーは、他の公知の方法、すなわちYamamotoカップリングTYamamotoAMoritaYMiyazakiTMaruyamaHWakayamaZHZhouYNakamuraTKanbaraSSasakiおよびKKubotaMacromolecules1992251214、McCulloughカップリングRDMcCulloughetalJChemSocChemCommun199270RSLoeweetalMacromolecules2000pAJRDMcCulloughUS特許6166172、RiekeカップリングTAChenRDRiekeJAmChemSoc199211410087、SuzukiカップリングNMiyauraTYanagiASuzukiSynthCommun198111513およびStilleカップリングDMilsteinJKStilleJAmChemSoc19791014992によってもまた合成することができ、当業者には、明らかである。式Iのポリマーは、有利な溶解特性を有し、これらの化合物の溶液を用いる製造プロセスを可能とする。したがって、層および塗布を含む膜は、低コストの製造技術、例えば、スピンコーティングによって製造してもよい。適する溶媒または溶媒混合物は、アルカンおよび/または芳香族化合物を含む。式Iのポリマーは、光学的、電子および半導体材料、特に、たとえば、IC、IDタグまたはTFT用途の部品として用いることができるFETにおける電荷運搬材料として有用である。かわりに、電子発光ディスプレイ用途または例えば、液晶ディスプレイのバックライトとしてOLEDにおいておよび他の半導体用途に用いることができる。式Iのポリマーは、特にFETの電荷運搬材料として有用である。有機半導体材料が、ゲート誘電およびドレインおよびソース電極間の膜として配されるようなFETは、一般的に、たとえば、US5892244、WO0079617、US5998804に知られている。本発明の化合物の溶解特性およびそれによる広い表面への加工性を用いた低コスト製造などの利点のために、FETの好適用途は、IC、TFTディスプレイおよびセキュリティー用途などである。本発明による典型的なボトムゲート薄膜トランジスタTFTの製造方法を以下に示すが、例示および好ましい方法として理解すべきであって、本発明の範囲を限定するものでない。キシレン中の式Iのポリマーの溶液10mg/mLを予め製造したトランジスタ基板上にスピンコーティングにより塗布する。金ソースドレイン電極をフォトリソグラフィーによって、~210nm二酸化ケイ素層を有する、高度にドープしたnシリコンウェハ上に決める。ポリマーの堆積前に親水性二酸化ケイ素表面は、例えば、ヘキサメチルジシラザンHMDSによって化学的に改質する。かわりにトップゲート電極を有する、薄層トランジスタTFT構造もまた製造することができるSirringhausetalApplPhysLett77p406408。これらのタイプのデバイスのために、半導体ポリマー層は、ソース-ドレイン電極を有する予めパターン化された絶縁基板ガラス、プラスチックなど上にスピンコーティングする。絶縁層は最上層に塗布し、必要であれば、架橋工程を伴う。トランジスタは、印刷技術または真空蒸着工程のいずれかによって最上ゲート電極に堆積することによって仕上げる。セキュリティー用途では、トランジスタまたはダイオードなどの半導体材料を有するFETおよび他のデバイスは、本物であることを認証し、紙幣などの価値を有する書類、クレジットカードまたはIDカード、国際的ID書類、貨幣価値を有するライセンスまたはいずれの製品、例えば、印紙、チケット、株、小切手などの偽造を防止するためのIDタグまたはセキュリティマーキングに用いてもよい。式Iのポリマーは、例えば、ディスプレイ用途などのOLED、または液晶ディスプレイなどのバックライトとして用いることもまたできる。通例のOLEDは、多層構造を用いて達成される。発光層は、一般的には、1または2以上の電子運搬および/またはホール運搬層間で挟まれている。電圧をかけることによって、電荷運搬体としての電子およびホールが、それらの再結合により励起をもたらし、従って、ルモホールlumophor単位の発光が発光層に含まれる、発光層へと移動する。式Iのポリマーは、それらの電気および/または光学的特性に対応する、1または2以上の電荷運搬層および/または発光層に用いることができる。さらに、発光層内での使用は、本発明の式Iのポリマーがそれ自身電子発光特性を有し、電子発光基または化合物を含むときは、特に有利である。OLEDにおける使用のための適するモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物または材料の選択、キャラクタリゼーションおよび工程は、当業者に一般的に知られており、たとえば、MeerholzSyntheticMaterials11111220003134AlcalaJApplPhys88200071247128およびそこに引用された文献を参照にする。他の用途によれば、光輝性特性を有する式Iのポリマーを光源の材料として用いてもよく、たとえば、EP0889350A1またはCWederetalScience2791998835837に記載のディスプレイデバイスである。例1ボトムゲートTFTデバイスを半導体層としてポリ33ジヘキシル2252テルチオフェンを用い、上述のように製造した。デバイスにおいてホールの電荷運搬移動度μは、0.01cm2/Vsおよび1×106のオン/オフ比Ion/Ioffであった。トランジスタ特性を、乾燥窒素雰囲気下でのアジレント4155C半導体パラメータ分析器を用いて測定する。I-V曲線出力および移動特性を、経路長さL=10μmおよび経路幅W=2cmのトランジスタ構造について記録した。