"荷電粒子のエネルギを光に変換するコンバータ素子と、感光検出器とを具備するセンサが設けられたマルチ小ビーム露光装置における2つの荷電粒子小ビーム間の距離を決定する方法であって、前記コンバータ素子には、小ビームブロッキング領域と非ブロッキング領域との2次元パターンが設けられたセンサ面領域が設けられており、この方法は、前記2次元パターン上で第1の小ビームを走査することと、前記2次元パターンを透過した前記第1の小ビームの部分である荷電粒子に応答して前記コンバータ素子によって発生された光を受光することと、前記感光検出器によって、前記受光された光を第1の信号に変換することと、前記2次元パターンと前記第1の小ビームとを所定の距離にわたって互いに関連して相対的に動かすことと、前記2次元パターン上で第2の小ビームを走査することと、前記2次元パターンを透過した前記第2の小ビームの部分である荷電粒子に応答して前記コンバータ素子によって発生された光を受光することと、前記感光検出器によって、前記受光された光を第2の信号に変換することと、前記第1の信号、前記第2の信号及び前記所定の距離に基づいて、前記第1の小ビームと第2の小ビームとの間の距離を決定することと、を具備する方法。前記2次元パターンと前記第1の小ビームとを所定の距離にわたって互いに関連して相対的に動かすことは、前記コンバータ素子を前記所定の距離にわたって動かすことを含み、前記第1の小ビームの位置は、ほぼ動かない請求項1の方法。前記マルチ小ビーム露光装置は、小ビーム発生器を有し、前記2次元パターンと前記第1の小ビームとを所定の距離にわたって互いに関連して動かすことは、前記第1の小ビームを前記所定の距離にわたって動かすことを含み、前記コンバータ素子の位置は、ほぼ動かない請求項1の方法。前記2次元パターンは、複数のパターン部分を有し、各パターン部分は、ブロッキング構造の一意的な2次元パターンである請求項1ないし3のいずれか1の方法。前記2次元パターン部分は、4つに分割され、各4つに分割された部分には、ブロッキング構造の異なる所定のパターンが設けられている請求項1ないし3のいずれか1の方法。複数の小ビーム対の間の距離が、同時に決定される請求項1ないし3のいずれか1の方法。前記2つの小ビーム間の距離を同時に決定することは、前記2次元パターン上で、複数の第1の小ビームの同時の走査及び複数の第2の小ビームの同時の走査を可能にするように、2次元パターンに適切に離間された複数の同様のパターンを与えることを含む請求項6の方法。前記2次元パターンは、非ブロッキング領域が、好ましくは円形の非ブロッキング領域が設けられたブロッキング層を有する請求項7の方法。前記非ブロッキング領域の位置は、前記所定の距離に対応するピッチを有する請求項8の方法。前記2次元パターンは、個々の小ビームを評価するように複数のセルに分割され、各セルは、所定のパターンを有する請求項1ないし3のいずれか1の方法。各セルは、ブロッキング構造の一意的な2次元ブロッキングパターンを有する請求項10の方法。各セルが、複数のパターン部分を有し、各パターン部分が、ブロッキング構造の一意的な2次元パターンである請求項10の方法。各セルが、4つに分割され、各4つに分割された部分には、ブロッキング構造の異なる所定のパターンが設けられている請求項10の方法。各セルは、異なる部分を有し、各部分は、このような部分上で所定の小ビームの走査軌道に沿って、ブロッキング領域と非ブロッキング領域との間の移行部で複数のナイフエッジを形成している異なるパターンの荷電粒子ブロッキング構造を有する請求項10の方法。前記2次元パターンは、非ブロッキング領域、特に、円形の非ブロッキング領域が設けられたブロッキング層を有する請求項1ないし14のいずれか1の方法。前記距離を決定することは、前記第1の信号と前記第2の信号とを比較することを含む請求項1ないし15のいずれか1の方法。前記距離を決定することは、前記第1の信号を所定の基準信号と比較して、第1のずれを得ることと、前記第2の信号を所定の基準信号と比較して、第2のずれを得ることと、前記第1のずれと前記第2のずれとを比較することとを含む請求項1ないし15のいずれか1の方法。マルチ小ビーム露光装置で使用するための単一面で第1の小ビームと第2の小ビームとの間の基準ベクトル距離からのずれを決定する方法であって、この方法は、センサ面に設けられたナイフエッジを有する2次元ブロッキング構造パターン上で前記第1の小ビームを走査して、第1の小ビーム情報を得ることと、前記2次元ブロッキング構造パターン上で前記第2の小ビームを走査して、第2の小ビーム情報を得ることと、前記第1の小ビーム情報及び前記第2の小ビーム情報に基づいて、前記基準ベクトル距離からのずれを決定することと、を具備する方法。前記第1の小ビームを走査した後、さらに、前記2次元ブロッキング構造を前記基準ベクトル距離に対応する距離にわたって前記第1の小ビームに関連して移動させることを含む請求項18の方法。前記移動させることは、前記基準ベクトル距離に対応する距離にわたって前記2次元ブロッキング構造パターンを移動させることによって果される請求項19の方法。前記基準ベクトル距離からのずれを決定することは、前記第1の小ビーム情報と前記第2の小ビーム情報とを比較することを含む請求項18ないし20の方法。前記基準ベクトル距離からのずれを決定することは、前記第1の小ビーム情報を所定の基準小ビーム情報と比較して、第1の小ビームのずれを得ることと、前記第2の小ビーム情報を所定の基準情報と比較して、第2の小ビームのずれを得ることと、前記第1の小ビームのずれと前記第2の小ビームのずれとを比較することとを含む請求項18ないし20のいずれか1の方法。前記第1の小ビーム情報及び前記第2の小ビーム情報は、夫々、前記第1の小ビーム及び第2の小ビームの実際の位置を含む請求項18ないし20のいずれか1の方法。前記2次元パターンは、非ブロッキング領域、特に、円形の非ブロッキング領域が設けられたブロッキング層を有する請求項18ないし23のいずれか1の方法。以下は、単に例によって、図面を参照して与えられる、本発明の実施の形態の説明である。図1は、荷電粒子小ビームのビーム位置を決定するセンサの動作を概略的に示す図である。このセンサは、コンバータ素子1と、受光器5とを有する。コンバータ素子には、荷電粒子ブロッキング領域8と、荷電粒子透過領域7とを有するパターンが設けられており、荷電粒子透過領域は、さらに非ブロッキング領域として参照される。コンバータ素子1は、荷電粒子2を受けて、これに応答して光子を発生させるように配置されており、発生された光子は、さらに光3として参照される。光3は、光学系11によって光子の受光器5に向かって向けられることができる。光子の受光器5は、計算ユニット、例えば、荷電粒子2のビーム位置を決定するコンピュータ13に通信可能に接続されている。コンバータ素子1は、例えば蛍光板である蛍光性素子、又は、例えばドープドイットリウムアルミニウムガーネットYAG材料の基板である発光素子の形態を取ることができる。以下では、本発明の実施の形態は、コンバータ素子1としてYAG板が使用されているものとして説明され、YAG板は、YAG1として参照されることができる。受光器5は、複数のダイオード、電荷結合素子CCDカメラ又は相補形金属酸化膜半導体CMOSカメラのような、適切な感光検出器であることができる。以下では、光子の受光器5は、カメラ5として参照されることができる。さらに、本発明の実施の形態は他のタイプの荷電粒子に対して使用されることができるが、以下では、本発明の実施の形態は、電子を参照して説明される。電子小ビーム装置では、小ビームのサイズは、ナノメートルの範囲にあり、例えば、電子顕微鏡、電子ビームリソグラフィ装置及び電子ビームパターンジェネレータでは、解像度がコンバータ素子1の波長により制限されるので、コンバータ素子1による変換によって生じた光の直接観察は、電子小ビームの位置のような特性の決定をするには十分でない。精度を改良するために、電子小ビームは、鋭いエッジが設けられた電子ブロッキング構造を横切って走査されることができ、鋭いエッジは、さらにナイフエッジとして参照される。ナイフエッジが設けられたコンバータ素子を使用したセンサの一例が、米国特許出願US2007/057204に開示されている。図2Aは、電子ブロッキング構造が設けられた電子小ビーム受け面を有するYAG1の横断面を概略的に示す図である。電子ブロッキング構造は、電子を遮断可能なブロッキング層18が設けられた電子ブロッキング領域を有する。ブロッキング層18は、金属層であることができる。電子を遮断する適切な金属は、タングステンである。ブロッキング領域の間には、非ブロッキング領域がある。電子ブロッキング構造の非ブロッキング領域に衝突する電子ビーム22は、実際には、YAG1の表面に、又はYAGの表面のコーティングに衝突する。電子を遮断する部分内では、ブロッキング層18の他に、さらなる層21が存在することができる。さらなる層21は、金属層であることができ、ブロッキング層18のエッジの鋭さを増加させる目的で与えることができる。これは、ブロッキング層のエッチングプロセスに耐性のあるさらなる層の材料を選択することによって達成される。ブロッキング層材料としてタングステンが選択されたとき、さらなる層21の適切な材料は、クロムである。YAG1は、導電性コーティング層20でコーティングされることができる。このコーティングの目的は、入ってくる荷電粒子小ビームの結果としてYAGが変化するのを防ぐことである。このコーティングはまた、バックグラウンド放射線を遮断するために使用されることができる。コーティング層20の適切な材料は、アルミニウム及びチタンである。既に述べたように、電子ビーム22の位置を決定するために、電子ビーム22は、YAG1上に設けられたブロッキング構造上を図2AにX方向として示される方向に走査されることができる。これに応答して、YAG1内で発生された光が、カメラによって検出されることができる。このような走査及び検出動作の結果の一例が、図2Bに概略的に示される。図2Bは、コンバータ素子1の表面上での電子ビーム22のx位置の関数としての、コンバータ素子1によって放射された光の強度を表すグラフである。電子ビーム22が非ブロッキング領域に完全に配置されたとき、最大の応答が観察され、また、電子ビーム22がブロッキング領域の上面に完全に配置されたならば、最小の光が発生される。ナイフエッジとの交差が、光の強度に険しい変化をもたらす。電子ビームを所定の方向に走査する際、電子小ビームは、ナイフエッジを横切るときに2つのタイプの状況に直面する。第1の状況では、小ビームは、ブロッキング領域から非ブロッキング領域へと移行する。第2の状況では、小ビームは、非ブロッキング領域からブロッキング領域へと移行する。第1の状況に対応する移行の間に直面するナイフエッジは、第1のタイプのナイフエッジとして参照されることができる。同様に、第2の状況に対応する移行の間に直面するナイフエッジは、第2のタイプのナイフエッジとして参照されることができる。このように、ナイフエッジのタイプは、測定される小ビームの走査方向に依存している。同様のタイプのナイフエッジが参照されたとき、含まれる全てのナイフエッジが、第1のタイプのナイフエッジに関連する、又は第2のタイプのナイフエッジに関連することを意味している。コンバータ素子の表面の電子受け面上に設けられたナイフエッジパターンの知識により、ビーム位置を決定する。小ビームの位置は、コンバータ素子の表面を横切って小ビームをx方向に走査して、図2Bに示されるように、コンバータ素子により放出された光の強度が、最大値から最小値に、又は最小値から最大値に変化する位置を測定することによって測定されることができる。例えば、強度が最大値から最小値に変化したとき、小ビームが非ブロッキング領域からブロッキング領域に移行しているナイフエッジ上でx方向に走査されたことを示している。しかし、ナイフエッジに対して小ビームが位置されたことは不確かでありうる。図2Bに示される測定、及び小ビームの位置の測定の説明は、含まれるブロッキング領域及び非ブロッキング領域の幅よりも小さな寸法を有する小ビームに関することを注意する。これらの寸法及び幅は、使用される走査方向に平行な方向に沿って選ばれる。多くのアプリケーションにおいて、単一のナイフエッジは、十分な精度の小ビーム特性を得るのに適切でない。特に、ナイフエッジのいわゆるラインエッジラフネスLERは、小ビームの測定の精度を制限しうる。図3は、LERに関する問題を概略的に示す図である。図3では、センサは、電子ブロッキング領域33と電子非ブロッキング領域34とを分離しているナイフエッジ31を横切って動かされる小ビームの強度を検出するように配置されている。ナイフエッジ31は、点線32により示されるオリエンテーション及び形状を有するように意図されている。小ビームのx位置が、ブロッキング領域33からナイフエッジ31を横切って非ブロッキング領域34に向かう軌道Aに従うとの前提の下で検出されると、実際には、軌道Bに従っているが、走査方向における小ビームの位置の測定は、両軌道に対して同じ結果として与えられるべきである。結局、両軌道は、同じx位置で点線32を横切る。しかし、図3で容易に理解されることができるように、ナイフエッジ31のラインエッジラフネスにより、軌道Aの小ビームの測定された位置は、軌道Bの測定されたx位置とは異なる。この例では、単一のナイフエッジ31の交差に基づくx位置の決定は、不正確な結果を与える。図4は、本発明のいくつかの実施の形態で使用されることができるブロッキング構造40の上面を概略的に示す図である。ブロッキング構造40は、複数のセル41を有する。これらセル41は、個々の小ビームを評価するように配置されている。各セル41は、異なる部分を有する所定のブロッキングパターンを有し、これら部分は、ブロッキング領域と非ブロッキング領域との間の移行部に複数のナイフエッジを形成している荷電粒子ブロッキング構造の異なるパターンを有する。図4に示される実施の形態では、各セル41は、4つの部分を有し、これら4つの部分は、さらに四半分4つに分割された部分42a、42b、42c、42dとして参照される。各四半分は、少なくとも1つのブロッキングパターンを有することができる。図4のブロッキング構造40では、第1の四半分42aは、第1の方向に互いにほぼ平行なオリエンテーションの複数のナイフエッジを有する。同様のタイプのナイフエッジが、周期的に離間されることができる。第2の四半分42bは、第2の方向に互いにほぼ平行なオリエンテーションの複数のナイフエッジを有する。一般的には、第2の方向は、第1の方向とは異なるように選択される。図4に示される実施の形態では、第1の方向は、第2の方向にほぼ垂直である。ほぼ直交するナイフエッジパターンを備えた2つの四半分42a、42bは、第1及び第2の方向において独立した測定を与える。ブロッキング構造40の第3の四半分42cは、第3の方向に互いに平行なオリエンテーションの複数のナイフエッジを有する。図4では、ブロッキング構造40の第4の四半分42dには、ブロッキング構造が設けられていない。代わって、いくつかのブロッキングパターンの少なくとも1つが、この四半分に設けられることができる。第4の四半分42dに異なるパターンを与えるというオプションが、第4の四半分42dで、小ビームのサイズ又は形状のような、さまざまな小ビーム特性を決定するのに最も適切なパターンを使用する可能性を開く。従って、セルは、さまざまなタイプの小ビームの測定を行うために、さまざまな領域を有するように意図されることができる。好ましくは、セルサイズは、複数の小ビームに対するセンサの回転ミスアライメントを受けにくくするように、十分に大きい。一方では、セルサイズは、ビームの間隔の観点から、十分に小さい。約10,000の小ビームを使用する荷電粒子装置では、このようなビームの間隔が、代表的には、75~200マイクロメートルの範囲にある。各セル41は、その特性が決定される単一の小ビームに対応することができ、システムは、複数の小ビームの特性を同時に測定する複数のセルを有する。セルのレイアウトは、好ましくは、小ビームの物理的な配置に対応している。このようにして、小ビームの特性が、並列に測定されることができ、比較的速い測定を与える。セル41の数は、コンバータ素子の表面の平面におけるセンサのアライメントの感度を低減させるように、小ビームの数よりも多いことができる。例えば、ビームを含む全体領域は、1.5×1.5mm2であることができ、また、センサセルを含む領域は、3×3mm2であることができる。代わって、セルの数は、小ビームの数よりも少ないことができ、小ビームは、グループで測定されることができる。ナイフエッジは、図1並びに図2に示されるように均一に離間されることができるか、図5Aに示されるように不均一に離間されることができる。ブロッキングパターン50では、ナイフエッジの構造は、比較的幅の広い非ブロッキング領域52の間にグリッドを形成するように、グループ51でクラスター化されている。グループ51内の同様のタイプの平行なナイフエッジが、第1のピッチd1で配置され、これは、スポットサイズよりも小さいように意図されることができる。グループ51は、第2のピッチd2で設けられ、これは、第1のピッチd1よりも大きく、また、スポットサイズよりも大きい。比較的幅の広い領域52は、代わって、ブロッキング領域であることができるか、又は、幅の広いブロッキング領域と幅の広い非ブロッキング領域との組合せが使用されることができる。図1並びに図2に示されるような均等に離間されたパターンのナイフエッジと比較して、図5Aに示されるようなナイフエッジの配置は、所定の距離にわたって電子小ビームを走査したとき、小ビームブロッキング領域と非ブロッキング領域との間により多くの移行部を与える。距離当たり及び走査時間当たりの多くの移行部を与えることによって移行部の数を増加させることにより、測定精度を改良し、測定効率を高めるのを助けることができる。例えば、小ビームの位置の測定は、小ビームの移行部の数の平均化により、ラインエッジラフネスに対する影響を少なくすることができる。さらに、又は代わって、移行部の密度をより高くする観点から、十分な測定情報を得るための走査長及び同じ走査速度での走査の継続時間が低減されることができる。言い換えれば、データ獲得とデータ処理との少なくとも一方の効率が改良されることができる。多くの時間が露光に費やされることができ、較正やアライメント目的に必要とされる時間が短くなるので、走査の継続時間が短くなったことによりリソグラフィ装置のよりよい性能をもたらすことができる。図5Bは、小ビームが図5Aのブロッキングパターンを横切って走査されたときの透過強度を示す例示的なグラフである。ブロッキング領域は電子ビームを完全に遮断するのに十分なほど大きくないので、測定された最小の強度は、電子ビームが存在していないことに対応していない。しかし、このような大きなブロッキング領域の存在が、所望の測定結果を得るために必ずしも必要ではないことがわかっている。例えば、小ビームのサイズがナイフエッジのグループ51の幅よりもかなり細ければ、グループを横切って小ビームを走査している間に測定される平均強度は、電子小ビームの最大強度の半分にほぼ等しい値を与える。この測定に関して、ナイフエッジのグループ51内のブロッキング領域及び非ブロッキング領域の幅は、好ましくは、測定された小ビームのスポットサイズの平均直径よりも小さい。図6は、図5Aに示されるナイフエッジのグループ51と同様に、ナイフエッジのグループ65を有する他のブロッキングパターンの上面を概略的に示す図である。しかし、ナイフエッジのグループ65内のグリッドパターンは、表面上の所定の走査の軌道に沿ったブロッキング領域と非ブロッキング領域との間の移行部が各パターンに対して一意的であるuniqueという点で互いに異なる。結果として、グループ65内の各グリッドパターンは、絶対位置情報を伝える。図6に示されるブロッキングパターンは、図4に示される四半分42a、42b、42c、及び四半分42dのいずれかで使用されることができる。特に、図6のブロッキングパターンは、ブロッキング領域64と非ブロッキング領域63との間のナイフエッジを規定しているブロッキング構造を有し、ナイフエッジは、ナイフエッジのグループ65を形成している。各グループ65内では、ブロッキング領域及び非ブロッキング領域の幅、及び連続するナイフエッジの間の離間距離は、一意的に変化する。変化した離間距離並びにブロッキング及び非ブロッキング幅は、プロセッサが、ブロッキングパターン内のナイフエッジのオリエンテーションにほぼ垂直な方向で小ビームの絶対位置を決定することを可能にする。この決定は、例えば、ブロッキングパターンを横切って小ビームを走査して、強度変化の検出したパターンをナイフ幅及び間隔の1連の登録されたパターンに適合させることによって達成されることができる。特に、マルチ小ビームリソグラフィ装置における、小ビームの位置の測定の1つの可能なアプリケーションは、スティッチを制御すること、即ち、個々の適時に異なるビームでパターン形成されるターゲット面で同じ位置に描画することである。リソグラフィのアプリケーションでは、スティッチの要求は、ナノメートルの精度で設定されることができる。理論上、マルチ小ビームリソグラフィ装置などにおけるマルチ小ビームは、既知のデザインに従って離間されている。結果として、仮想完全系のx座標及びy座標として規定される、デザイン内の個々の小ビーム間の基準ベクトル距離が知られている。基準ベクトル距離はまた、理論上のベクトル距離としてこの文献全体を通して参照されることができることに注意する。この知識は、スティッチを制御するために使用されることができる。しかし、実際の制限により、小ビーム間の実際のベクトル距離は、理論上のベクトル距離と同一ではない。結果として、いわゆるスティッチの誤差が生じうる。小ビームのスティッチの誤差は、小ビームの基準位置と表面にパターン形成する実際の位置との間のベクトルのずれとして規定されることができる。本発明のいくつかの実施の形態では、ナイフエッジを備えたブロッキングパターンが、2つの小ビーム間の理論上のベクトルの距離からのずれを決定するように配置されている。言い換えれば、センサは、実際の小ビームの間隔の測定を行うように配置されている。2つの小ビーム間の理論上のベクトル距離からのずれを決定することにより、夫々の小ビームを使用したマルチ小ビーム露光装置を用いてターゲット面にパターン形成することにより生じるスティッチの誤差を予測するのに有用であることができる。ずれが知られると、夫々の小ビームの少なくとも1つの制御データを補正することによって適切な補正がなされることができる。例えば、図5A並びに図6に示されるような平行なナイフエッジが設けられた、1方向に走査されるように配置されたブロッキングパターンは、一般的に、2つの小ビーム間のビームの間隔を決定するのに適切ではない。これは、図3を参照して論証されることができる。軌道Aが第1の小ビームに従った軌道であることを考えると、軌道Bは、第1の小ビームと同じ位置にパターン形成すると推定される第2の小ビームに従った軌道である。これは、既に述べられたラインエッジラフネスによる不正確さによって制限されるが、走査方向で所定の位置での差を決定することが可能であることができる。しかし、走査方向に垂直な方向において小ビーム間のオフセットを決定するために利用可能な情報はない。この理由から、ビームの間隔の測定のために2次元ブロッキングパターンを使用することが望ましい。2次元ブロッキングパターンは、好ましくは、十分な長さのナイフエッジを有する。イメージをパターンに適合させる際の精度は、ブロッキングパターン内のブロッキング領域と非ブロッキング領域とを分離しているナイフエッジの位置に由来することがわかっている。この理由から、ブロッキングパターンの単位面積当たりのナイフエッジの長さを最大にすることが望ましい。代わって、又はさらに、測定された小ビームの実際の位置に関して曖昧さが生じないのを避けるために、2次元ブロッキングパターンにおける周期性が小さな距離内で生じないことが望ましい。好ましくは、このような距離は、2つの小ビーム間の最大のビームの間隔の2倍よりも大きい。2次元ナイフエッジパターンは、2次元における小ビームの位置についての情報を与えるために使用されることができる。小ビームが水平なx方向にブロッキングパターン上を走査されたとき、小ビームの垂直なy位置が、移行部のパターンによって決定されることができ、これらの移行部は、走査経路に沿ったブロッキング領域及び非ブロッキング領域のパターンによって決定される。同様に、小ビームがy方向に走査されたとき、小ビームのx位置が、移行部のパターンによって決定されることができる。図7は、使用されることができる2次元ブロッキングパターンの上面を概略的に示す図である。2次元ブロッキングパターンは、例えば、コンバータ素子の電子受け面の一部、例えば、四半分を覆っていることができる。図7では、夫々、実線で囲まれた及び破線で囲まれた正方形71、72が、夫々、第1の小ビーム及び第2の小ビームを使用して行われる2次元走査により覆われた領域を示している。領域73は、非ブロッキング領域を示しており、また、領域74は、ブロッキング領域を示している。小ビームが同じ領域を走査するように制御されたとき、2つの正方形71、72は、理論上、完全に重なり合うべきである。しかし、図7で論証されるように、しばしば、第1の小ビームによって走査された領域と第2の小ビームによって走査された領域との間にオフセットがある。両小ビームがターゲット面上で同じ領域にパターン形成するために必要とされるならば、このオフセットは、スティッチの誤差をもたらしうる。2つの小ビーム間のオフセットを補正することができるために、小ビームの位置の測定は、コンバータ素子の荷電粒子受け面の平面で、2つの小ビーム間の理論上のベクトル距離のずれ、即ち、ビームの間隔を決定するように行われることができる。まず、第1の小ビームが、少なくとも1つの理論上の所定の位置に配置されることができる。例えば、複数の測定位置が、走査フィールドで選択されることができ、その後、所定の領域が走査される。そして、測定が、例えば、ラスタ走査のような走査軌道に沿った2次元走査によって、その走査フィールドを覆っている走査ラインに沿ってなされることができる。選択された測定位置の各々で、第1の小ビームの第1の実際の位置が測定される。続いて、第2の小ビームが、少なくとも1つの理論上の所定の位置に配置される。このような位置決めが、第1の小ビームと第2の小ビームとの間の理論上のベクトル距離に関する知識を使用することによって行われることができる。少なくとも第2の実際の位置は、第1の小ビームに関して説明されるのと同様にして測定される。測定された第1の位置及び第2の位置に基づいて、2つの小ビーム間の理論上のベクトル距離からのずれが決定されることができる。いくつかの実施の形態では、2つの小ビーム間のベクトル距離を決定することは、実際に測定された位置を、理論上の所定の位置、いわゆる基準位置と比較することを含むことができる。図8A並びに図8Bは、このような比較の概念を概略的に示す図である。図8A並びに図8Bでは、小ビームによって走査される理論上の所定の領域が、点線の正方形75によって示される。図8Aでは、第1の小ビームを使用して実際に走査された領域71が、理論上の所定の領域75と比較され、この比較に基づいて、第1の変位ベクトルv1が決定される。同様に、図8Bに示されるように、第2の小ビームを使用して実際に走査された領域72が、理論上の所定の領域75と比較され、この比較に基づいて、第2の変位ベクトルv2が決定される。第1の小ビームと第2の小ビームとの間のビームの間隔を決定することは、第1の変位ベクトルv1及び第2の変位ベクトルv2に基づくことができる。この決定は、2つの変位ベクトルv1、v2のベクトルの追加によって行われることができる。両方の実際に測定された領域を基準領域と比較することの効果は、基準領域がノイズによる性能低下を受けないということである。いくつかの実施の形態では、2つの小ビーム間のベクトル距離を決定することは、第1の小ビームの少なくとも1つの測定された実際の位置を、第2の小ビームの対応する少なくとも1つの測定された実際の位置と比較することを含むことができる。図9A並びにBは、このような比較を概略的に示す図である。図9Aは、第1の小ビームによって走査された実際の領域71を示す図であり、また、図9Bは、第2の小ビームによって走査された実際の領域72を示す図である。この比較に基づいて、2つの小ビーム間の理論上のベクトル距離からのずれが決定されることができる。第1及び第2の小ビームにより走査される実際の領域71、72の直接の比較を使用することにより、動作が、例えば、ラインエッジラフネスにより生じるパターン形成の非適合を受けにくいという効果を有する。両方の実際の領域71、72が変形されうるので、基準パターンのわずかな変形は、ひどい影響を及ぼさない。結果として、直接の比較が、2つの小ビーム間の理論上のベクトル距離からのずれの決定に対するこの変形の影響を取り除く。本発明に係るセンサのいくつかの他の実施の形態で使用されることができる2次元パターンのデザインが、図10Aないし図10Dに示される。図10Aないし図10Cに示されるデザインは、対角線のナイフエッジを有する。図10Aは、正三角形を含む正/負のブロッキングパターンを示す図であり、また、図10Bは、直角二等辺三角形を含む同様のパターンを示す図である。図10Cは、大きなブロッキング領域及び非ブロッキング領域を特徴とする、さまざまなオリエンテーションの正方形及び直角二等辺三角形を組み合わせたパターンを示す図である。Lまでの小ビームの間隔が測定されることができ、ここで、Lは、パターンの1つのセルの側面である。適切なパターンの選択は、細部に依存していることができ、即ち、分析を最適化するために必要とされる移行部の数が、代わって、特定のパターンを生じる容易さに関連する基準に依存していることができる。図10Dは、大きなブロッキング領域84と、円形の非ブロッキング領域83とが設けられたパターンを示す図であり、即ち、この特定の場合には円形状である非ブロッキング領域が設けられたブロッキング層によって形成されたパターンを示す図である。このデザインは、製造するのが簡単であることができ、全ての方向にナイフエッジを与える。しかし、このデザインは、単位面積当たりの高い割合のナイフエッジを有しない。図6を参照して説明されるように、いくつかのアプリケーションでは、小ビームの絶対位置を同一のものとみなすことが有用であることができる。図11A並びに図11Bは、2次元ブロッキングパターンのデザインの概略的な例を示す図であり、小ビームの絶対位置を規定するために本発明の他の実施の形態で使用するのに適している。2次元ブロッキングパターンのデザインは、複数のサブセル87を有する。図6に示されるように、1次元の測定で使用するブロッキングパターンと同様に、図11A並びに図11Bに示されるパターン上で水平経路に沿った代わりのブロッキング領域及び非ブロッキング領域のパターンが、サブセル87の正確な決定を与え、このサブセル87を小ビームが占有し、小ビームがサブセル87内にある。これは、各サブセル87の一意的なパターンによるものであり、各サブセル87内のパターンの変化は、2方向、即ち、水平方向及び垂直方向である。このデザインは、n×nのパターンのセルに対して約2xの異なるコードを与え、ここで、x=n2-3であり、この場合、ブロッキング領域対非ブロッキング領域の全体比は、約50に等しく、パターン内の隣接するブロッキング領域又は非ブロッキング領域が多すぎることはない。そして、各コードは、一意的なサブセルパターンを示している。図11Bのブロッキングパターンは、小ビームの形状を測定するために、図11Aの一意的なサブセルのパターンのコーディングを対角線のナイフエッジの使用と組み合わせる。三角形のコーディングは、n×nのパターンで多くの異なるコードを与え、各三角形は、4つの可能なオリエンテーションの1つを有することができる。例えば、図11A並びに図11Bのデザインによって与えられる絶対位置のコーディングは、大きなビームの間隔を測定するときに特に有用である。いくつかの実施の形態では、図11A並びに図11Bに示されるような2次元ブロッキングパターンは、小ビームの絶対位置の第1の評価のために使用されることができる。さらに、小ビームの位置の決定の精度の改良が、異なるブロッキングパターンを使用することによって、例えば、センサ面上の異なる位置に配置された、例えば、センサセル41の異なる四半分で、行われることができる。図示され上述されたさまざまなタイプのブロッキングパターンが、他のパターンの少なくとも1つと組み合わせて使用されることができることが注意されるべきである。例えば、さまざまな測定がなされることを可能にするために、小ビームが、さまざまなパターン上を走査されることができるように、コンバータ素子が、コンバータの異なる領域に形成されたさまざまなタイプのブロッキングパターンと共に配置されることができる。例えば、図4に示されるように、さまざまな異なるブロッキングパターンがセルに組み合わせられることができ、各セルの各四半分は、選択されたブロッキングパターンを有する。さらに、この文献に記載されるパターンのブロッキング領域及び非ブロッキング領域を反転しても、測定の原理に影響を及ぼさないことが注意されるべきである。図12は、センサ100によって2つの荷電粒子小ビーム104a、104bの間の距離を決定する方法を概略的に示す図である。センサ100は、既に説明されたようなセンサであることができる。センサは、荷電粒子を光に変換するコンバータ素子と、感光検出器とを有する。コンバータ素子には、小ビームのブロッキング領域及び非ブロッキング領域の2次元パターンが設けられている。このようなパターンは、例えば、図10Dに示されるパターンであり、既に説明されたパターンに対応することができる。図12では、パターンは、円形状を有するブロッキング構造のアレイ102によって形成されている。まず、第1の小ビーム104aが、2次元パターン上を走査される。そして、2次元パターンを透過した第1の小ビーム104aの部分である荷電粒子に応答してコンバータ素子によって発生された光が、感光検出器によって受光される。そして、感光検出器が、受光した光を第1の信号に変換するように配置されている。一般的には、信号は、電気信号である。感光性セルのアレイ、例えばCCDを有する感光検出器を使用する場合には、このような信号は、代表的には、連続フローの信号値を含む。この信号は、多重送信信号であることができる。第1の小ビームを走査した後、2次元パターンが、例えば、2つの小ビーム104a、104bの間の基準距離である所定の距離にわたって第1の小ビームに関してシフトされる。図12では、シフトは、第1の小ビーム104aを測定するのに適した第1の位置から、第2の小ビーム104bを測定するのに適した第2の位置に向かって、2次元パターンに対してセンサを動かすことによって行われる。図12に示される方法は、2次元パターン上で第2の小ビームを走査することにより続く。感光検出器は、2次元パターンを透過した第2の小ビーム104bの部分である荷電粒子に応答してコンバータ素子によって発生された光を受光する。そして、感光検出器は、受光した光を第2の信号に変換する。最終的に、第1の小ビーム104aと第2の小ビーム104bとの間の距離が、第1の信号及び第2の信号に基づいて決定されることができる。さらに、所定の距離が考慮される。本発明が、上述された実施の形態を参照して説明されてきた。これらの実施の形態は、当業者に周知のさまざまな変更を加えられたり、代わりの形態とされたりすることができる。上述の説明に加えて、さらなる変更が、本発明の意図及び範囲を逸脱することなく、ここに説明される構造及び技術に加えられることができる。従って、特定の実施の形態が説明されてきたが、これらは単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により規定される。"