"半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子とを備えた半導体モジュールであって、前記半導体素子と前記電極端子間に、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を設けて構成される電極部材を備えることを特徴とする半導体モジュール。前記導体平板を折り返すことで形成される折り返し部の可撓性を、前記導体平板の前記弾性部材を挟持する平板部より向上させることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記折り返し部の厚さを、前記平板部の厚さより薄く形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記導体平板を、前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記導体平板の前記折り返し部を、前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。前記導体平板の前記電極端子と接触する側の前記平板部を前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。前記折り返した導体平板間に前記弾性部材を複数備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記弾性部材はばね部材であって、前記ばね部材の自然長は、0.1mm~2mmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記弾性部材の圧接力は、1~10MPaであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記弾性部材は、皿ばね、波板ばね、凸ばね、メッシュばねのいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記弾性部材と前記導体平板間に、前記弾性部材の圧力を分散させる板部材を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。筺体内部に半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子とを備えた半導体モジュールであって、前記筺体と前記電極端子間に、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を設けて構成される電極部材を備えたことを特徴とする半導体モジュール。平型半導体モジュールに備えられる半導体素子の電極層と、この電極層に電気的に接続される電極端子との間に設けられる電極部材であって、前記電極部材は、導体平板を折り返し、前記折り返した導体平板間に弾性部材を設けてなることを特徴とする電極部材。しかしながら、この圧接構造の半導体モジュールでは、圧接力が各半導体素子等に均等にかかるように半導体モジュールを組み立てる必要がある。つまり、圧接は圧接構造パッケージの上下の電極端子間とを電気的に絶緑する必要があること、板バネで圧接構造パッケージを圧接するがこの設計の圧接力が圧接構造パッケージの電極ポストに均等にかかるようにする必要がある。例えば、図8に示す半導体モジュール19では上記条件を満たすように組立て時に締結ナット24を均等に締め付ける必要があり、圧接が不良であった場合にはオン抵抗の増加や半導体素子温度の上昇等により半導体素子の破壊の原因となるおそれがある。また、回路を構成するのに、このヒートシンクや圧接のための板バネが小型化の妨げとなる等、使いこなすのには熟練が要求される場合がある。このことから圧接構造パッケージは限られた装置への適用となり、代わりに使い勝手の良い従来型の絶縁形パワー半導体モジュールが使われる場合が少なくない。また、特許文献1のように、半導体モジュールの内部にばね部材を備えた場合には、ばねの高さにより熱伝導の経路が長くなる。つまり、熱抵抗は経路の長さに大幅に変化するものであり、熱伝導の経路が長くなると熱抵抗が大きくなり熱伝導が悪くなる。上記課題を解決する本発明の半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子とを備えた半導体モジュールであって、前記半導体素子と前記電極端子間に、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を備えて構成される電極部材を備えたことを特徴としている。すなわち、半導体モジュールに備えられる弾性部材の長さ及び弾性部材が備えられる場所での熱抵抗を制御する電極部材を備えることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記導体平板を折り返すことで形成される折り返し部の可撓性を、前記導体平板の前記弾性部材を挟持する平板部より向上させることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記折り返し部の厚さを、前記平板部の厚さより薄く形成することを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記導体平板を、前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴としている。また、半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記導体平板の前記折り返し部を、前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記導体平板の前記電極端子と接触する側の前記平板部を前記弾性部材が備えられる方向に凸となるように屈曲させることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記折り返した導体平板間に前記弾性部材を複数備えることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材はばね部材であって、前記ばね部材の自然長が、0.1mm~2mmであることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材の圧接力が、1~10MPaであることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材は、皿ばね、波板ばね、凸ばね、メッシュばねのいずれかであることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材と前記導体平板間に、前記弾性部材の圧力を分散させる板部材を備えることを特徴としている。また、上記課題を解決する本発明の半導体モジュールは、筺体内部に半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子とを備えた半導体モジュールであって、前記筺体と前記電極端子間に、導体平板を折り返し、この折り返した導体平板間に弾性部材を備えて構成される電極部材を備えたことを特徴としている。また、上記課題を解決する本発明の電極部材は、平型半導体モジュールに備えられる半導体素子の電極層と、この電極層に電気的に接続される電極端子との間に備えられる電極部材であって、前記電極部材は、導体平板を折り返し、前記折り返した導体平板間に弾性部材を備えたことを特徴としている。以上の発明によれば、半導体モジュールの放熱性の向上に貢献する。そして、半導体モジュールの動作安定性の向上に貢献する。実施形態1本発明の実施形態1に係る半導体モジュール及び電極部材について、図を参照して詳細に説明する。実施形態1ではIGBT素子を備えた平型圧接構造の半導体モジュールを例示して説明するが、本発明はこの実施形態に限定されるものではなく、圧接により半導体素子の電極層と外部若しくは、内部の別の回路に接続するための電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールに適用可能である。図1に示すように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1の内部にはIGBT素子2半導体素子が少なくとも1つ備えられる。IGBT素子2には、図示省略するが、上面にエミッタ、ゲート制御電極が形成され、底面にコレクタが形成されている。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び底面とするが上下方向は、本発明をなんら限定するものではない。また、ゲート制御電極と制御回路との接続については、従来の接続方法を用いればよいので図示省略する。IGBT素子2は、例えば、コレクタカソード電極端子3上にモリブデン製コンタクト電極4を介して備えられる。コレクタ電極端子3は、コンタクト電極4を介してIGBT素子2のコレクタと電気的に接続される。コレクタ電極端子3及び、後述のエミッタ電極端子7を構成する材料は適宜周知の電極材料を用いることができる。例えば、コレクタ電極端子3及び、後述のエミッタ電極端子7の材料に銅等の熱伝導性の良い金属を用いると半導体モジュール1IGBT素子2の放熱性が向上する。コンタクト電極4及び、後述のコンタクト電極5の材料にIGBT素子2を構成する材料例えば、SiやSiC、GaNに比較的熱膨張係数が近い材料例えば、MoやW、その他化合物等を用いることで、コンタクト電極4コンタクト電極5がIGBT素子2とコレクタ電極端子3ばね電極6との熱応力の緩衝板として作用し、温度サイクルにおける半導体モジュール1の信頼性を高めることができる。IGBT素子2のエミッタには、コンタクト電極5、ばね電極6を介してエミッタ電極端子7が備えられる。エミッタ電極端子7は、コンタクト電極5、ばね電極6を介してIGBT素子2のエミッタと電気的に接続される。ばね電極6は、導電板部材8を折り返し、この折り返した導電板部材8間にばね部材9を挟持して構成される。なお、この導電板部材8とばね部材9との間に分散板図示省略を備えると、ばね部材9の弾性力が導電板部材8の一部に集中せず、ばね電極6とエミッタ電極端子7またはコンタクト電極5との接続面で押圧する力がより均一になる。導電板部材8は、銅、アルミニウム等の導電材料より構成される。そして、この導電板部材8の折り返し部分は図1に記載のようにU字状に折り返す形態の他に、導電板部材8の両端を折り返す形態等ばね部材9を挟持できる形態であればどのように折り返してもよい。ばね部材9の形状としては、皿ばね、波板ばね、凸ばね、メッシュばね等が例示される。ばね部材9の形状をこれらの形状とすることで、導電板部材8間に備えられるばね部材9の自然長を0.1~2mmとした場合においても半導体モジュール1内に備えられるIGBT素子2に適切な圧接力が働くようにばね電極6を半導体モジュール1に備えることができる。また、ばね部材9の自然長を、0.1~2mm程度に設定するとばね電極6の高さ後述の冷却板12とIGBT素子2との間の熱抵抗が小さくなり、IGBT素子2の冷却効率が向上するとともに、半導体モジュールが小型化できる。また、ばね電極6に備えられた際、ばね部材9の圧接力は1~10MPaとすると、絶縁形パワー半導体モジュール1を構成した際に、絶縁形パワー半導体の保管及び動作時に半導体モジュール1に備えられる各部材例えば、IGBT素子2等に適切な圧接力がかかるように半導体モジュール1を構成することができる。ばね部材9を構成する材料は、例えば、ステンレス、インコネル登録商標等既知のばね材料を用いればよい。さらに、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7をIGBT素子2方向に押圧するように、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7のそれぞれに絶縁板10、10を介して冷却板11、12が備えられる。すなわち、冷却板11、12は、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7をIGBT素子2方向に押圧した状態で固定される。冷却板11、12は、銅、アルミニウム等の金属板や熱伝導性の高いセラミックス板が用いられる。この冷却板11、12にヒートシンクを接続したり、冷却板11、12に直接冷却媒体気体または液体を接触させたりすることで半導体モジュール1を冷却する。この冷却板11、12を半導体モジュール1の筺体として用いることができるが、さらに図示省略の筺体に冷却板11、12に挟持されたIGBT素子2を収納してもよい。なお、絶縁板10、10を備えず、冷却板11、12を半導体モジュール1の外部回路と接続される外部接続用電極として用いることも可能である。図2に示すように、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7をIGBT素子2方向に押圧するように冷却板11、12を固定して備えると、ばね電極6のばね部材9に弾性エネルギーが蓄積される。ばね電極6は、ばね部材9の弾性力により、エミッタ電極端子7と絶縁板10とを冷却板12方向に押圧し矢印a、コンタクト電極5をIGBT素子2IGBT素子2のエミッタ方向に押圧する矢印b。また、ばね電極6の押圧により、コレクタ電極端子3及び絶縁板10は冷却板11方向に押圧され矢印c、この押圧する力の反力によりコレクタ電極端子3がコンタクト電極4をIGBT素子2IGBT素子2のコレクタ方向に押圧する矢印d。このように、半導体モジュール1内部で各部材を押圧する力のバランスが保たれ、各部材間に適当な圧接力が働く。以上の構成からなる本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1によれば、半導体モジュール1にばね電極6を備えるだけで、半導体モジュール1に備えられる各部材に適切な圧接力を加えることができる。よって、半導体モジュール1の組立て作業が容易になり、不適切な組立てによる半導体モジュール1の性能低下や半導体素子の破壊の発生を防止することができる。さらに、半導体モジュール1を構成する各部材が圧接により接続されるため、はんだフリーな半導体モジュール1を得ることができる。また、半導体モジュール1の保管または動作時において、半導体モジュール1の温度が低下または上昇した場合、内部部品の熱収縮や熱膨張による各部材間距離の変動幅をばね部材9ばね電極6の形状変化によって緩和することができ、各部材間に働く圧接力を所定の圧接力に維持することができる。すなわち、IGBT素子2と各電極端子3、7との電気的な接続が良好に保たれることで半導体モジュール1の動作安定性が向上し、各電極端子3、7と冷却部材11、12との密着性が確保できるので半導体モジュール1の放熱性が向上する。そして、ばね電極6は、ばね部材9が導電板部材8に包まれるように形成され、この導電板部材8が熱拡散板として作用するので、半導体モジュール1の放熱性が向上する。実施形態2本発明の実施形態2に係る半導体モジュール及び電極部材について、図を参照して詳細に説明する。実施形態2に係る半導体モジュール15及びばね電極14電極部材は、ばね電極14がばね部材9、16を複数備えること以外は、実施形態1に係る半導体モジュール1及びばね電極6電極部材と同じである。よって、実施形態1に係る半導体モジュール1及びばね電極6と同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図3に示すように、本発明の実施形態2に係る半導体モジュール15は、半導体モジュール15の内部にIGBT素子2及びFWDFreeWheelingDiode素子17半導体素子が少なくとも1つずつ備えられる。IGBT素子2及びFWD素子17は、例えば、コレクタカソード電極端子3上にモリブデン製コンタクト電極4を介して備えられる。コレクタカソード電極端子3は、コンタクト電極4を介して、IGBT素子2のコレクタ及びFWD素子17のアノードと電気的に接続される。IGBT素子2のエミッタ及びFWD素子17のカソードには、コンタクト電極5、18、ばね電極14を介してエミッタ電極端子7が備えられる。エミッタ電極端子7は、コンタクト電極5、18、ばね電極14を介して、IGBT素子2のエミッタ及びFWD素子17のカソードそれぞれと電気的に接続される。ばね電極14は、導電板部材8を折り返し、この折り返した導電板部材8間にばね部材9、16を挟持して構成される。なお、この導電板部材8とばね部材9、16との間に図示省略の分散板を備えると、ばね部材9、16の弾性力が導電板部材8の一部に集中することがないので、ばね電極14がエミッタ電極端子7またはコンタクト電極5、18をより均一に押圧できる。導電板部材8は、銅、アルミニウム等の導電材料より構成される。そして、この導電板部材8の折り返し部分は図3に記載のようにU字状に折り返す形態の他に、導電板部材8の両端を折り返す形態等、ばね部材9、16を挟持できる形態であればどのように折り返してもよい。ばね部材9、16の形状としては、皿ばね、波板ばね、凸ばね、メッシュばね等が例示される。実施形態1に係る半導体モジュール1のばね部材9と同様に、ばね部材9、16の形状をこれらの形状とすることで、導電板部材8間に備えられるばね部材9、16の自然長を0.1~2mmとした場合においても半導体モジュール1内に備えられるIGBT素子2に適切な圧接力が働くようにばね電極14を半導体モジュール15に備えることができる。導電板部材8にばね部材9、16を複数備える場合は、ばね部材9、16が接続される各半導体素子例えば、IGBT素子2やFWD素子17に所定の圧接力が作用するように、ばね部材9、16の高さや、材質、形状等を各々適宜調節する。さらに、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7をIGBT素子2及びFWD素子17方向に押圧するように、コレクタ電極端子3とエミッタ電極端子7のそれぞれに絶縁板10、10を介して冷却板11、12を備える。以上の構成からなる本発明の実施形態2に係る半導体モジュール15によれば、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1の効果に加えて、半導体モジュール15内に備えられる半導体素子2、17毎に適切な圧接力を設定することができる。導電板部材8間に異なる種類のばね部材9、16を複数備えることにより、各半導体素子2、17に作用させる圧接力を個別に設定できるとともに、異なる種類の半導体素子2、17を一つのばね電極14に接続する場合において各半導体素子2、17の高さの違いによる圧接力の不一致を緩和することができる。実施形態3本発明の実施形態3に係る半導体モジュール及び電極部材について、図4を参照して詳細に説明する。実施形態3に係る半導体モジュールは、半導体モジュールに備えられるばね電極25の形状が実施形態1に係る半導体モジュール1に備えられるばね電極6と異なること以外は、図1を例示して説明した実施形態1に係る半導体モジュール1と同様である。よって、実施形態の説明では、ばね電極25について詳細に説明し、実施形態1と同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図4aに示すように、本発明の実施形態3に係る半導体モジュールに備えられるばね電極25は、導電板部材8を折り返し、この折り返した導電板部材8間にばね部材9を挟持して構成される。ばね電極25は、導電板部材8を折り返すことで、U字状の折り返し部8aと、ばね部材9挟持する平板部8b,8cが形成される。また、折り返し部8aの他端は、平板部8b,8cにより開口部8dが形成される。そして、折り返し部8aの厚さは、平板部8b,8cよりも薄く形成される。なお、実施形態では、図1に示した半導体モジュールにおいて、ばね電極25の平板部8bはエミッタ電極端子7と接し、平板部8cはコンタクト電極5と接するものとして説明する実施形態4,5も同様である。図4bに示すように、ばね電極25を押圧する力が作用した場合、折り返し部8aが撓むことで、平板部8bと平板部8cとが略平行状態を維持して、平板部8b,8cの間隔が狭くなるようにばね電極25が変形する。その結果、ばね電極25に設けられたばね部材9の変位もばね電極25に設けられる位置にかかわらず略一定となり、平板部8b,8cがコンタクト電極5及びエミッタ電極端子7をそれぞれ均一に押圧することができる。つまり、ばね電極25に挟持されるばね部材9の反発力に対して、折り返し部8aの反発力抗力が無視できない場合、図5に示すように、開口部8d近傍における平板部8b若しくは、平板部8cの変位が折り返し部8a近傍における変位より大きくなるおそれがある。もし、開口部8d近傍と折り返し部8a近傍に設けられるばね部材9の変形量の不均一が生じると、ばね電極25に設けられる位置によって、ばね部材9が平板部8b,8cを押圧する力が異なり、ばね電極25が各部材コンタクト電極5やエミッタ電極端子7等を均一に押圧することができなくなる。また、図5に示すように、開口部8d近傍で平板部8b,8cが変形してしまうと、ばね電極25とコンタクト電極5若しくは、エミッタ電極端子7との接触状態が悪くなり、部材間の熱伝導性が低下するとともに、電流が接触している箇所のみに集中することで局所的なジュール熱が発生するおそれが生じる。そこで、本発明の実施形態3に係るばね電極25は、折り返し部8aの厚さを平板部8b,8cよりも薄くすることで、折り返し部8aの可撓性を向上させる。その結果、ばね電極25を押圧する力がばね電極25に作用した場合に、折り返し部8aでの抗力を低減させ、平板部8bと平板部8cとが略平行な状態を維持して、ばね電極25を変位させることができる。よって、ばね電極25に設けられるばね部材9の変形量がばね電極25に設けられる位置にかかわらず略均一となり、ばね電極25が、半導体モジュールに備えられる各部材例えば、コンタクト電極5やエミッタ電極端子7をより均一に押圧することができる。なお、本発明の実施形態3に係るばね電極25は、折り返し部8a全体が弾性変形する形態であるので、局所的な変形による金属疲労や機械的劣化を低減することができる。以上のように、本発明の実施形態3に係るばね電極25によれば、折り返し部8aの可撓性を向上させることで、ばね電極25が各部材コンタクト電極5またはエミッタ電極端子7をより均一に押圧することができる。よって、本発明の実施形態3に係るばね電極25を備えた半導体モジュールは、実施形態1に係る半導体モジュール1の奏する効果に加えて、各部材により均一な圧接力を加えることができる。実施形態4本発明の実施形態4に係る半導体モジュール及び電極部材について、図6を参照して詳細に説明する。実施形態4に係る半導体モジュールは、半導体モジュールに備えられるばね電極26の形状が実施形態1に係る半導体モジュール1に備えられるばね電極6と異なること以外は、図1を例示して説明した実施形態1に係る半導体モジュール1と同様である。よって、実施形態の説明では、ばね電極26について詳細に説明し、実施形態1と同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。図6aに示すように、本発明の実施形態4に係る半導体モジュールに備えられるばね電極26は、導電板部材8を折り返し、この折り返した導電板部材8間にばね部材9を挟持して構成される。ばね電極26は、導電板部材8を折り返すことで、U字状の折り返し部8aと、ばね部材9挟持する平板部8b,8cが形成される。そして、折り返し部8aの導電板部材8をばね部材9が設けられる方向に凸となるようにさらに屈曲させて屈曲部8eが形成される。図6bに示すように、ばね電極26を押圧する力が作用した場合、屈曲部8eが弾性変形することにより、平板部8bと平板部8cとが略平行な状態を維持して、平板部8bと平板部8cとの間隔が狭くなるようにばね電極26が変形する。よって、ばね電極26に挟持されるばね部材9の変位がばね電極26に設けられる位置にかかわらず略均一となるので、平板部8b,8cがコンタクト電極5及びエミッタ電極端子7をそれぞれ均一に押圧することができる。また、この屈曲部8eは、導電板部材8を屈曲させて形成するので、屈曲部8eの厚さは、折り返し部8a及び平板部8b,8cと同じである。よって、屈曲部8eにおいて、ばね電極26の熱伝導が妨げられることがないので、半導体モジュールにばね電極26を備えることにより、半導体モジュールの冷却能力を損なうことなく、ばね電極26が各部材を押圧する圧力を略均一にすることができる。なお、屈曲部8eを複数形成し、折り返し部8aをベローズ状に形成すると、より折り返し部8aでの反発力を低減させることができる。以上のように、本発明の実施形態4に係るばね電極26によれば、屈曲部8eが弾性変形することにより、折り返し部8a近傍における抗力を低減させることができる。その結果、平板部8bと平板部8cとが略平行な状態で、平板部8bと平板部8cとの間の距離が短くなるようにばね電極26が変形するので、ばね電極26に挟持されたばね部材9の変位が略等しくなる。よって、ばね電極26が各部材コンタクト電極5またはエミッタ電極端子7をより均一に押圧することができる。よって、本発明の実施形態4に係るばね電極26を備えた半導体モジュールは、実施形態1に係る半導体モジュール1の奏する効果に加えて、各部材により均一な圧接力を加えることができる。実施形態5本発明の実施形態5に係る半導体モジュール及び電極部材について、図7を参照して詳細に説明する。実施形態5に係る半導体モジュールは、半導体モジュールに備えられるばね電極27の形状が実施形態1に係る半導体モジュール1に備えられるばね電極6と異なること以外は、図1を例示して説明した実施形態1に係る半導体モジュール1と同様である。よって、実施形態の説明では、ばね電極27について詳細に説明し、実施形態1と同様の構成については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。図7aに示すように、本発明の実施形態5に係る半導体モジュールに備えられるばね電極27は、導電板部材8を折り返し、この折り返した導電板部材8間にばね部材9を挟持して構成される。ばね電極27は、導電板部材8を折り返すことで、U字状の折り返し部8aと、ばね部材9挟持する平板部8b,8cが形成される。そして、折り返し部8aの近傍の平板部8bをばね部材9が設けられる方向に凸となるように屈曲させて屈曲部8fが形成される。図7bに示すように、ばね電極27を押圧する力が作用した場合、屈曲部8fが弾性変形することにより、平板部8bと平板部8cとが略平行の状態を維持して、平板部8bと平板部8cとの間隔が狭くなるようにばね電極27が変形する。よって、ばね電極27に挟持されるばね部材9の変位がばね電極27に設けられる位置にかかわらず略均一となるので、平板部8b,8cがコンタクト電極5及びエミッタ電極端子7をそれぞれ均一に押圧することができる。本発明の実施形態5に係るばね電極27は、屈曲部8fが弾性変形する場合、コンタクト電極5と接する平板部8c、折り返し部8a、ばね部材9の相対的な位置は変化しない。つまり、屈曲部8fが弾性変形することにより、エミッタ電極端子7と接する平板部8bが移動することで、折り返し部8a近傍の抗力の影響を緩和している。よって、コンタクト電極5とばね電極27間に発生する接触面と平行方向の応力の発生を抑制することができる。その結果、ばね電極27の横滑りを防止することができる。また、この屈曲部8fは、導電板部材8を屈曲させて形成するので、屈曲部8fの厚さは、折り返し部8a及び平板部8b,8cと同じである。よって、屈曲部8fにおいて、ばね電極27の熱伝導が妨げられることがないので、半導体モジュールに本発明のばね電極27を備えることにより、半導体モジュールの冷却能力を損なうことなく、ばね電極27が各部材を押圧する圧力を略均一にすることができる。以上のように、本発明の実施形態5に係るばね電極27によれば、屈曲部8fが弾性変形することにより、折り返し部8a近傍における抗力の影響を低減させることができる。その結果、平板部8bと平板部8cとが略平行な状態で、平板部8b,8c間の距離が短くなるようにばね電極27が変形するので、ばね電極27に挟持されたばね部材9の変位が、ばね電極27に設けられる位置にかかわらず略等しくなる。よって、ばね電極27が各部材コンタクト電極5またはエミッタ電極端子7をより均一に押圧することができる。よって、本発明の実施形態5に係るばね電極27を備えた半導体モジュールは、実施形態1に係る半導体モジュール1の奏する効果に加えて、各部材により均一な圧接力を加えることができる。なお、本発明の半導体モジュール及び電極部材は、上述した実施形態1~5に限らず、本発明の特徴を損なわない範囲で適宜設計変更が可能であり、そのように変更された形態も本発明の実施形態に係る半導体モジュール及び電極部材である。例えば、半導体素子が備えられるコレクタ電極端子は、既知の電極を構成する材料例えば、銅、アルミニウムを用いることができる。また、基板例えば、DBC基板等上に半導体素子を備えてもよい。そして、半導体素子のエミッタと接続されるエミッタ電極端子も、既知の電極端子を構成する材料例えば、銅、アルミニウムで形成することができる。なお、本発明に係るばね電極をコレクタ電極端子と半導体素子との間若しくは、冷却板とエミッタ電極端子コレクタ電極端子間に設けることで、電極端子に係る圧力を略等しくすることができる。また、エミッタ電極端子またはコレクタ電極端子、ばね電極、及びコンタクト電極を一体に形成することもできる。さらに、コレクタ電極端子とエミッタ電極端子とを半導体素子方向に押圧する押圧部材を備え、この押圧部材によりコレクタ電極端子及びエミッタ電極端子を半導体素子方向に押圧してもよい。また、半導体モジュールに備えられる半導体素子は、IGBT素子やFWD素子に限定されるものでなく、サイリスタGTOサイリスタ等、トランジスタMOSFET等等の半導体素子を適宜選択して用いることができる。そして、ばね電極にばね部材を複数備える場合において、接続される半導体素子の数は特に限定するものではなく、接続される半導体素子の数に応じてばね電極に備えられるばね部材の数を適宜設定する。また、折り返し部での抗力の影響を低減させる方法は、実施形態3~5に限定されるものではなく、例えば、折り返し部に切れ込みを入れることでも折り返し部での抗力の影響を低減させることができる。以上のように、本発明の半導体モジュール及び電極部材によれば、半導体モジュールの高信頼性、環境性、利便性を同時に実現することができる。すなわち、ばね電極の弾性力により半導体モジュールに備えられる各部材を接続するので、はんだ接合あるいはワイヤーボンドを用いず、かつ使い勝手の良い絶縁形パワー半導体モジュールを得ることができる。さらに、ばね電極がばね部材を導電板部材で包んで構成されるため、半導体モジュールの放熱性が向上する。よって、SiC、GaNなどの高温で使用可能な半導体素子の性能を生かす半導体モジュールにおいて、温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性が向上する。特に、本発明の半導体モジュール及び電極部材を、高耐圧、大容量のIGBT素子が備えられた平型圧接構造の半導体モジュールに適用すると、半導体モジュール半導体素子をエミッタ、コレクタ両電極から冷却可能であり、半導体モジュールの放熱性が向上する。"