"インジウムを含む酸化物半導体材料からなる半導体層と、上記半導体層上に設けられ、当該半導体層とオーミック接合を有するオーミック電極と、上記半導体層と上記オーミック電極との間に設けられた中間層と、を備え、上記中間層は、半導体層の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域と、その第1の領域よりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域とを有している、ことを特徴とする半導体装置。上記第1の領域は半導体層に接して配置され、上記第2の領域はオーミック電極に接して配置されている、請求項1に記載の半導体装置。上記第1の領域はインジウムInを含む結晶粒から構成されている、請求項1または2に記載の半導体装置。上記第2の領域は非晶質から構成されている、請求項1から3の何れか1項に記載の半導体装置。上記第1及び第2の領域を合わせた中間層の層厚は、3nm以上30nm以下である、ことを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の半導体装置。上記第1および第2の領域は、オーミック電極を構成する金属の酸化物を含めて構成されている、請求項1から5の何れか1項に記載の半導体装置。上記オーミック電極を構成する金属は、インジウムよりも酸化物形成自由エネルギーを小さい値とする金属である、請求項6に記載の半導体装置。上記オーミック電極を構成する金属は、マンガンMn、モリブデンMo、チタンTiの少なくともいずれか一つを含む、請求項6または7に記載の半導体装置。上記オーミック電極を構成する金属は、マンガンを含む、請求項8に記載の半導体装置。上記マンガンの電子価は、第2の領域から第1の領域に向けて増加している、請求項9に記載の半導体装置。上記マンガンの原子濃度は、上記第2の領域で最大値を示し、第1の領域では第2の領域より低くなっている、請求項9または10に記載の半導体装置。上記オーミック電極を構成する金属はチタンを含む、請求項8に記載の半導体装置。上記チタンの電子価は、第2の領域から第1の領域に向けて増加している、請求項12に記載の半導体装置。上記第1および第2の領域の酸素濃度は、半導体層の酸素濃度より低い、請求項1から13の何れか1項に記載の半導体装置。上記オーミック電極は銅を主要構成元素とする銅合金から構成されている、請求項1から14の何れか1項に記載の半導体装置。上記第2の領域は、第1の領域よりも多量の銅が含まれている、請求項15に記載の半導体装置。本発明は、上記の従来技術の問題点を解決すべくなされたもので、電極と半導体層との間のオーミック接合をより安定的に形成することができるようにし、その間の電気的接触抵抗をより一層低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、導電性の酸化物半導体層について、銅からなる電気的接触抵抗の小さなオーミック電極をもたらせる銅オーミック電極と酸化物半導体層との界面での接合構成を提示し、その接合構成を含む銅オーミック電極を備えた半導体装置を提供するものである。以下に、本発明の目的を達成するための手段1~16を例示する。1インジウムを含む酸化物半導体材料からなる半導体層と、上記半導体層上に設けられ、当該半導体層とオーミック接合を有するオーミック電極と、上記半導体層と上記オーミック電極との間に設けられた中間層と、を備え、上記中間層は、半導体層の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域と、その第1の領域よりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域とを有している、ことを特徴とする半導体装置。21において、上記第1の領域は半導体層に接して配置され、上記第2の領域はオーミック電極に接して配置されている半導体装置。31または2において、上記第1の領域はインジウムInを含む結晶粒から構成されている半導体装置。41から3の何れかにおいて、上記第2の領域は非晶質から構成されている半導体装置。51から4の何れかにおいて、上記第1及び第2の領域を合わせた中間層の層厚は、3nm以上30nm以下である半導体装置。61から5の何れかにおいて、上記第1および第2の領域は、オーミック電極を構成する金属の酸化物を含めて構成されている半導体装置。76において、上記オーミック電極を構成する金属は、インジウムよりも酸化物形成自由エネルギーを小さい値とする金属である半導体装置。86または7において、上記オーミック電極を構成する金属は、マンガンMn、モリブデンMo、チタンTiの少なくともいずれか一つを含む半導体装置。98において、上記オーミック電極を構成する金属は、マンガンを含む半導体装置。109において、上記マンガンの電子価は、第2の領域から第1の領域に向けて増加している半導体装置。119または10において、上記マンガンの原子濃度は、上記第2の領域で最大値を示し、第1の領域では第2の領域より低くなっている半導体装置。128において、上記オーミック電極を構成する金属はチタンを含む半導体装置。1312において、上記チタンの電子価は、第2の領域から第1の領域に向けて増加している半導体装置。141から13の何れかにおいて、上記第1および第2の領域の酸素濃度は、半導体層の酸素濃度より低い半導体装置。151から14の何れかにおいて、上記オーミック電極は銅を主要構成元素とする銅合金から構成されている半導体装置。1615において、上記第2の領域は、第1の領域よりも多量の銅が含まれている半導体装置。本発明は、中間層が、半導体層の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域と、その第1の領域よりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域とを有するように構成した。インジウムが濃化された第1の領域は、高導電層として作用するため、電気的接触抵抗の小さなオーミック電極を得ることができる。また、中間層をなす第2の領域は第1の領域よりインジウムの原子濃度が小さくなるようにしたので、この第2の領域は、酸化物半導体層を構成する元素であるインジウムが電極へ侵入するのを抑止する作用を発揮し、したがって、インジウムを殆ど含まない電気的抵抗の小さなオーミック電極を安定して形成することができる。本発明では、導電性の酸化物半導体材料から構成される酸化物半導体層にオーミック電極を設ける。オーミック電極を設ける酸化物半導体層としては、例えば酸化亜鉛ZnOやインジウム錫複合酸化物などのインジウム元素記号:Inを含む酸化物からなる層インジウム含有酸化物層を例示できる。本発明では、特に、インジウムガリウム亜鉛複合酸化物組成式InαGaβZnγOδ:α、β、γ及びδは組成を示し、α>0、β≧0、γ≧0、δ>0である。層にオーミック電極を配置する。本発明では、第1及び第2の領域からなる中間層を介して、インジウム含有酸化物半導体層上にオーミック電極を設ける構成とする。中間層をなす第1の領域は、インジウムを高濃度に存在させた、云わば、インジウムが濃化された領域であるのを好ましいとする。インジウムが濃化された領域とは、インジウム含有酸化物半導体層の内部よりもインジウムを多く含むものとする。中間層は、インジウムが濃化されている第1の領域をインジウム含有酸化物半導体層に接して配置し、第2の領域をオーミック電極に接して配置する構成とするのが最善である。インジウムが濃化された第1の領域は、高導電層として作用するため、この様に第1及び第2の領域を配置すると電気的接触抵抗の小さなオーミック電極を得るのに貢献することができる。中間層をなす第2の領域は、今度は、インジウム含有酸化物半導体層を構成する元素、特にインジウムがオーミック電極へ侵入するのを抑止するために、第1の領域よりインジウムの原子濃度を小とする領域とする。第2の領域の内部のインジウムの濃度を減少させておけば、オーミック電極へ侵入するインジウムの量を減ずるに効果を上げられ、従って、不純物が少なく、電気的抵抗の小さなオーミック電極を得るのに貢献できる。例えば、インジウムを殆ど含まない銅からなるオーミック電極をもたすことができる。第2の領域を、インジウムよりも酸化物の標準生成自由エネルギー酸化物形成自由エネルギーが小さい値である金属を主要元素として含む酸化物から構成すると、その金属は、インジウム含有酸化物半導体層を還元して金属酸化物となっているために、金属酸化物形成過程において、第1の領域にインジウムを濃化することができる。同時に、第1の領域はインジウム含有酸化物と比較して酸素欠損が多く形成されキャリア濃度が増加する。このため、第1の領域の導電性が向上し、オーミック電極との界面接触抵抗を減少するのに貢献する。さらに、界面反応が生じる結果、オーミック電極とインジウム含有酸化物半導体との界面密着性も改善できる。ここで、酸化物形成自由エネルギーは負の値であり、酸化物形成自由エネルギーが小さいということは、その絶対値が大きく、酸化物としてより安定であることを示す。さらに、第2の領域を、インジウムよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい値を持つ金属を主要元素として含む酸化物から構成すると、インジウム含有酸化物より安定な酸化物を形成することができる。このため、インジウム含有酸化物を構成する元素は、第2の領域に形成された金属酸化物に拡散侵入することができず、インジウム含有酸化物の構成元素がオーミック電極に拡散することも防止できる。その結果、電極材料の抵抗がいたずらに上昇することを防止できる。インジウムよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい値を持つ金属は、エリンガム図例えば、鉄冶金熱力学、大谷正康著、日刊工業新聞社、p103参照によれば、マンガンMn、モリブデンMo、バナジウムV、タンタルTa、チタンTi、セリウムCe、アルミニウムAl、マグネシウムMg、リチウムLi、カルシウムCaなどがある。これらの金属の中で、特に、マンガンMn、モリブデンMo、バナジウムV、チタンTiが好ましい。Mn、Mo、V、Tiはいずれも遷移金属であり、複数の価数状態を取ることができる。このため、第1の領域および第2の領域において、価数を適宜変化することによって、領域全体の電荷分布を最も安定な状態に維持することが可能となる。その結果、第1の領域と第2の領域は、ともに電気的にも熱的にも安定な状態をとることが可能となり、オーミック特性や密着性において長期信頼性を確保することができる。これらの遷移金属の中でも、Mnがより好ましい。Mnは、隣接して存在するオーミック電極の主構成金属であるCuと固溶体を形成する傾向がある。このため、Mnを含む酸化物が第2の領域に形成されると、オーミック電極に対して優れた密着性を得ることができる利点がある。TiもMnと同様に好ましい。Tiは、隣接して存在するオーミック電極の主構成金属であるCuと金属間化合物を形成する傾向がある。このため、Tiを含む酸化物が第2の領域に形成されると、オーミック電極に対して優れた密着性を得ることができる利点がある。Mnが含まれる第1及び第2の領域にあって、第2の領域のオーミック電極に接する部分から、第1の領域のインジウム含有酸化物半導体層に接する部分に向けて、マンガンの結合価電子価をより大とするマンガンを存在させるのが好都合である。エリンガム図によれば、Mn酸化物はMnの価数が小さいほど酸化物形成自由エネルギーが小さく、安定に存在する。このため、第2の領域では、構造的に安定なMn酸化物を形成することによって、オーミック電極とインジウム含有酸化物半導体との相互拡散を防止することが可能となる。また、第1の領域では、Mnの価数を増加することによって、還元されて酸素欠損が増加した領域の電荷分布の乱れを修正し、電気的に安定な構造を構成することができる。TiもMnと同様であり、Tiが含まれる第1及び第2の領域にあって、第2の領域のオーミック電極に接する部分から、第1の領域のインジウム含有酸化物半導体層に接する部分に向けて、Tiの結合価をより大とするTiを存在させるのが好都合である。エリンガム図によれば、Ti酸化物はTiの価数が小さいほど酸化物形成自由エネルギーが小さく、安定に存在する。このため、第2の領域では、構造的に安定なTi酸化物を形成することによって、オーミック電極とインジウム含有酸化物半導体との間の相互拡散を防止することが可能となる。また、第1の領域では、Tiの価数を増加することによって、還元されて酸素欠損が増加した領域の電荷分布の乱れを修正し、電気的に安定な構造を構成することができる。中間層をなす第2の領域は非晶質層から構成するのが最適である。酸化物半導体層を構成する元素は結晶粒界を介して高速に拡散、移動する。非晶質層には、結晶粒界が無いため、第2の領域を非晶質層から構成すると、インジウム含有酸化物半導体層を構成するインジウムなどの元素がオーミック電極へ拡散侵入することを抑止でき、従って、電気的抵抗の小さなオーミック電極を得るのに貢献できる。中間層をなす第1の領域をインジウムを含む結晶粒から構成すると、高導電性の部分が形成されるため、中間層の電気抵抗が減少し、オーミック電極とインジウム含有酸化物半導体層との界面接触抵抗を減少する効果がある。従って、高速動作をもたらす電子移動度の高い酸化物半導体層を動作層とする例えば薄膜トランジスタなどを提供するにおいて好適である。ここで、インジウムを含む結晶粒とは、インジウムからなる略球状などの結晶粒である。或いはインジウムを含む酸化物からなる結晶粒である。中間層をなす第1及び第2の領域の層厚は略同一であり、第1及び第2の領域を合わせた中間層の層厚は、3nm以上であり、30nm以下であることが好ましい。中間層にあって、例えばインジウムが濃化された第1の領域の厚さが第2の領域より極端に厚いと、インジウムの濃化により導電率の高い第1の領域が中間層に占める割合が大きくなるため、オーミック性に優れる電極の帰結が期待される。一方で、この場合、第2の領域が薄くなるため、第1の領域に含まれているインジウムなどの電極の内部へ侵入する量が増えるため、時として、オーミック性に優れる電極の形成が阻害される。相互に拡散する機会が増えるため、第1及び第2の領域の各々の厚さの合計である中間層全体の厚さとしては最低でも3nmは必要である。一方で、第1及び第2の領域の各々の厚さを同等とするとしても、中間層全体の厚さが増して30nmを超えると、中間層の電気的抵抗は増すため、オーミック性に優れる電極を安定して形成するに至らない。従って、中間層の層厚は30nm以下とするのが好ましい。インジウム含有酸化物半導体層上に、同層の内部よりインジウムを高濃度に含む、インジウムが濃化された第1の領域を形成するには、例えば、酸化ガリウムインジウム亜鉛英略称:IGZO半導体層を高周波スパッタリング法により形成した後、酸化インジウム組成式In2O3などのIGZOよりもインジウムの組成比率を高くする酸化物ターゲットと、例えば酸化マンガンからなるターゲットとを用いて、同時にスパッタリングして形成する。高周波スパッタリング法で形成する場合では、第1の領域の厚さは、決められた成膜速度を与える成膜条件下に於いて、スパッタリング時間の長短により調整する。然る後、第1の領域上に、マンガンなどの金属を含んでなる第2の領域を、一般的な真空蒸着法、電子ビーム蒸着法や高周波スパッタリング法などにより形成する。第2の領域の厚さを第1の領域のそれと同じくしておけば、厚さを同じくする第1及び第2の領域からなる中間層を形成できる。また、IGZO半導体層の表面上にインジウムが濃化された第1の領域を形成する別の方法としては、金属インジウムを添加する手段がある。例えば、酸化マンガン膜を高周波スパッタリング法により形成する際に、併せて金属インジウムをドーピングして、第1の領域を形成する。次に、第1の領域上に、インジウムより酸化物形成自由エネルギーを小とする、例えばマンガンの酸化物MnxOy:x>0,y>0層を第2の領域として形成する。第1及び第2の領域の各々の厚さを同じにしておけば中間層を好都合に形成できる。本発明では、オーミック電極をアルミニウムよりも電気的抵抗の小さな銅から構成する。銅からなるオーミック電極銅オーミック電極と略記する場合がある。は、純粋な銅純銅や金属元素を添加元素として含む銅合金を素材としても形成できる。銅オーミック電極を形成するための銅合金としては、酸化物の形成自由エネルギーが小さく、複数の異なる価数をもつことができる遷移金属元素が添加されているのが望ましい。例えば、マンガン元素記号:Mn、モリブデンMo、バナジウムV、タンタルTa、チタンTi、セリウムCeである。この中でも特にMnあるいはTiを添加元素とした銅合金を素材とするのが好ましい。配線抵抗を低減し、良好なオーミック接触を得るためには、MnまたはTiの薄膜をIGZO半導体層表面に成膜したのち、純Cu薄膜を成膜して電極としてもよい。この場合においては、Mn又はTiがIGZO半導体層に直接的に接するために、低温で短時間の熱処理によって上記と同様の効果を得ることができる。さらに配線抵抗の低減を狙うには、Cu-Mn合金、またはCu-Ti合金の薄膜をIGZO半導体層表面に成膜したのち、純Cu薄膜を成膜して電極としてもよい。酸化物半導体層上にこれらの添加元素を含む銅合金膜を被着させた後、その銅合金に対し熱処理をすると、酸化物半導体層と銅合金膜との接合界面に添加元素の酸化物が形成され得る。熱処理により、添加元素が酸化物半導体層に向けて拡散し、銅より酸化物の形成自由エネルギーが小さい添加元素が酸化物半導体層を構成する酸素と優先的に結合するためである。この添加元素の酸化物からなる層は第2の領域を構成するのに好都合に利用できる。併せて、添加元素によって還元された酸化物半導体の領域は酸素欠損となり、キャリア濃度が増加して高導電性を有する第1の領域となる。さらに、添加元素が内部より抜け出した銅合金の内部はほぼ純銅から構成されることとなり、電気抵抗の小さな銅からオーミック電極を好都合に形成できる。このように、銅合金を熱処理することによって添加元素を内部から排出することができるが、その程度は熱処理条件に強く依存する。条件によっては銅合金中に添加元素が残存する場合があるし、銅合金中から完全に排出されて、内部が純銅になる場合がある。本発明では、両者を合わせて銅合金ということにする。例えば、Cu-Mn合金であれば、熱処理後の内部Mn濃度によらず、熱処理前の状態を参照してCu-Mn合金あるいは銅マンガン合金ということにする。特に、マンガンを添加元素として原子濃度にして1原子から10原子の割合で含む銅マンガン合金を素材とすると、薄膜トランジスタの動作層などをなす導電性酸化物層との界面に、第2の領域足る、合金素材中のマンガンが濃縮したバリアbarrier層を自己的に形成できる。このバリア層は、酸化物半導体層の内部に含まれる酸素の、電極をなす銅への浸透を防ぐための拡散バリアとして作用する。この作用により電極をなす銅が酸化されるのが回避され、従って、電気的抵抗の小さな純銅からオーミック電極を構成することができる。酸化物半導体層上に銅マンガン合金を被着させた後、その銅マンガン合金を素材として、インジウムを濃化した第1の領域と、マンガンを含む第2の領域とを同時に形成するのに適する加熱温度は、100°C以上で450°C以下であり、加熱時間は5分以上、90分以下である。加熱する時間は加熱温度を高温とする程、短縮するのが適する。本発明の内容を、導電性のn形インジウム含有酸化物半導体層にを銅マンガン合金を電極素材として形成する場合を例にして説明する。図1は実施例1の熱処理前の積層構造の断面模式図である。シリコン基板101上に、テトラエトキシシリコン略称:TEOSを原料として厚さ50nmの二酸化珪素SiO2絶縁層102を形成した。SiO2絶縁層102上には、一般的な高周波スパッタリング法により厚さを30nmとするn形で非晶質の酸化インジウムガリウム亜鉛a-InGaZnO4からなる酸化物半導体層IGZO層103を被着した。IGZO層103は、酸素を体積分率にして5とするアルゴンと酸素の混合雰囲気内で圧力を0.1パスカル圧力単位:Paとして被着させた。次に、そのIGZO層103の表面に、マンガンを原子濃度にして4含む銅マンガン合金をターゲットtarget材として一般的な高周波スパッタリング法により、銅マンガン合金層104を被着させた。銅マンガン合金層104の層厚は100nmとした。さらに耐酸化防止膜として高周波スパッタリング法によってSiO2層105を200nmの厚さに形成した。これにより、積層構造体10の形成を終了した。被着させた銅マンガン合金層104の内部のマンガンの原子濃度は、上記のターゲット材のマンガンの原子濃度と略同一と推定された。次に、積層構造体10を、大気中で、250°Cで60分間、加熱した。この加熱に因り、銅マンガン合金層104の内部のマンガンはIGZO層103側に拡散し、移動した。このため、銅マンガン合金層104はほぼ純粋な銅からなる層電極本体107となった。積層構造体を上記の雰囲気内に留置し冷却した後、電極本体107とIGZO層103との間の界面領域の断面TEM像を撮像した。図2にその断面TEM像を示す。IGZO層103とコントラストを相違する2つの領域106a,106bの存在が認められた。第1の領域106aは、IGZO層103と隣接し、粒状に分布した組織が観察された。この部分から得た高分解能TEM像は周期的な格子縞模様を示しており、結晶性であることが確認できた。第2の領域106bは、電極本体107オーミック電極と隣接しており、連続した薄いコントラストを有する層が観察された。試料を回転してもコントラストに変化はなく、高分解能TEM像においても周期的な格子縞模様は見られず、第2の領域106bは非晶質層であると明示された。また、第1の領域106aと第2の領域106bの各々の厚さは略同一であり、第1の領域106aと第2の領域106bとからなる中間層106の厚さは6nmであった。図2で示す層界面中間層106に垂直な方向に沿ってEDXエネルギ-分散型X線マイクロアナリシイス分析を行い、各構成元素から発せられるX線強度分布を求めた結果を図3に示す。X線強度分布は各元素の濃度分布に対応し、元素濃度の位置による変化を相対的に知ることができる。IGZO層103に接している第1の領域106aは、IGZO層103を構成する元素、特にインジウムを多量に含む領域であるのが示された。第1の領域106aの内部のインジウムの原子濃度X線強度にして約35は、IGZO層103の内部のインジウム原子濃度X線強度にして約25より約1.4倍高かった。また、第1の領域106aの内部には、図3に示す如く、酸素が含まれており、その原子濃度は、IGZO層103の内部の酸素の原子濃度より低い。従って、第1の領域106aは、インジウムが濃化された酸化物層であると断定された。また、電極本体107に接して存在する第2の領域106bは、図3の結果から、マンガンを主要構成元素に含む層であった。第2の領域106bの内部のインジウムやその他のIGZO層103を構成する元素の原子濃度は、第1の領域106aと比較して低かったが、銅は第1の領域106aより高濃度に含まれていた。即ち、第2の領域106bは、電極本体107の主要構成元素である銅とIGZO層103との間の相互拡散を防止するバリア層として好適な組織構成を有するものであった。第2の領域106bの厚さは数nmと、第1の領域106aと同様の厚さの薄層であった。図2の層界面中間層106に垂直な方向に沿ってEELS電子エネルギー損失分光法で分析した結果を図4に示す。図4は、ELLS法によって求めた、銅Cu、マンガンMn、酸素Oの観測強度を示す図である。図の左から電極本体107、第2の領域106b、第1の領域106a、IGZO層103となっている。加熱処理の結果、電極本体107中のMn濃度は無視できるほど低減している。また、第2の領域106bにおいてMn濃度が最大となる。第1の領域106aにおいてMn強度は平坦な分布となり、Mnを含む平衡層の形成を示唆している。また、酸素強度はIGZO層103内部より第1および第2の領域106a,106bのほうが弱くなっている。このことは、酸素濃度にして考えると、IGZO層103内部より第1および第2の領域106a,106bのほうが低い酸素濃度であることを示し、MnがIGZO層103を還元して第2の領域106bでMn酸化物を形成することに伴って、第1の領域106aでは酸素欠損が生じていることを示している。第2の領域106bに含まれているマンガンの化学的な存在形態をX線光電子分光法英略称:XPS法で同定した。図5に、第2の領域106bのマンガンと共に、IGZO層103をなすインジウム、ガリウム及び亜鉛の酸化物の結合エネルギーを示す。第2の領域106bに含まれるマンガンは酸化物MnxOy:0<x,y<1の状態で存在しており、第2の領域106bの表面近傍のマンガンの結合エネルギーは640.5エレクトロンボルトエネルギーの単位:eVと計測された。第2の領域106bの中央部ではマンガンの結合エネルギーは641.5eVであり、第1の領域106a側では641.7eVに漸次、増加していた。これにより、第2の領域106bから第1の領域106aにかけてマンガンは酸化マンガンMnOから三酸化二マンガンMn2O3を経て二酸化マンガンMnO2と化学的形態を変化させて存在していることが分かった。即ち、マンガンは第2の領域106bから第1の領域106aにかけて2価MnOの場合であるから4価MnO2の場合であるに価数電子価を増加させて存在していた。一方、中間層106からIGZO層103に渡る領域で、インジウム、ガリウム及び亜鉛の結合エネルギーは、各々、445.1eV、1119.4eV、1023.1eVであった。これにより、インジウムは三酸化二インジウムIn2O3、ガリウムは三酸化二ガリウムGa2O3、亜鉛は酸化亜鉛ZnOの結合形態で各々存在していると判断された。また、マンガンの場合とは対照的に、中間層106からIGZO層103に渡る領域でインジウム、ガリウム及び亜鉛の結合エネルギーに変化は認められなかった。即ち、インジウム、ガリウム及び亜鉛の価数は深さ方向で変化を来たしていなかった。上記の加熱で、第2の領域106bの形成に寄与したマンガンを拡散させることにより純粋に近い銅から形成されることとなった層107について、幅を120ミクロンメートル長さの単位:μmとし、長さ電流の通流方向に平行な方向の長さを60μmとする長方形状の電極に加工した後、対向する電極間に直流電流を通電した。その場合の電流I-電圧V特性を図6に示す。図中に示した数字は測定した電極間の距離である。銅マンガン合金を素材として用いた場合は、低い印加電圧から電圧に対して直線的に電流が増加する良好なオーミック特性を呈する結果が得られた。さらに、TLMTransmissionLineMode法により電気的接触抵抗を測定した。マンガンを原子濃度にして4の割合で含む銅合金を用いて形成した銅オーミック電極の室温での接触抵抗は1.2~2.9×10-4Ωcm2と計算された。尚、銅オーミック電極を形成した後の非晶質IGZO層の移動度は約7~8cm2/Vsと高く保持されていた。密着性を調べるために、スコッチテープを銅薄膜表面に貼り付けて剥がしたところ、テープの粘着面には何も付着しておらず、膜剥離は起こらなかった。このことから、銅マンガン合金電極本体107とIGZO103との密着性が優れていることが明らかになった。電極の構成として、銅/マンガン二層膜、又は銅/銅マンガン合金二層膜をIGZO層に被着し熱処理を加えて得られるものを用いるようにしてもよい。それらも、上記の銅マンガン合金/IGZO層に熱処理を加えたものと同様の結果を得ることができる。比較例上記実施例1において、銅マンガン合金を純銅純度99.9999に代えて、同じ条件で実験を行った。銅108とIGZO103の界面近傍を断面TEMによって観察した結果を図7に示す。250°Cで1時間の熱処理を行ったにも拘わらず、界面反応による中間層の形成は確認されない。また、密着性を調べるために、スコッチテープを銅薄膜表面に貼り付けて剥がしたところ、テープの粘着面に銅薄膜が付着しており、銅とIGZOの密着性が乏しいことが明らかになった。また、電極列を形成して電極間の電流-電圧を測定した結果を図8に示す。否直線的な関係が得られ、図5に示した銅マンガン合金と比較すると、傾きが緩やかであり、界面接触抵抗が高抵抗であることを示している。上記実施例において、銅マンガン合金をチタンに代えて、同じ条件で実験を行った。チタンとIGZOの界面近傍をTEMによって観察した結果を図9に示す。250°Cで1時間の熱処理をしているので、Ti層207とIGZO層203が反応し、中間層206を形成している。この中間層206は、銅マンガン合金の場合と同様に、第1の領域206aと第2の領域206bから構成されている。第1の領域206aは微細な結晶粒からなっており、第2の領域206bは均一なコントラストを示す非晶質からなっていることがわかる。リフトオフ法を用いてチタンの電極列を形成し、電極間の電流-電圧関係を測定した。その結果を図10に示す。図中の数字は測定に用いた電極間の間隔を示す。どの電極間隔においても、明瞭な直線関係が得られており、界面はオーミック接触であることがわかる。TLM法を用いて界面の接触比抵抗を求めたところ、0.2~1.5×10-4Ωcm2であり、銅マンガン合金と同等の性能を示した。電極材料の構成として、銅/チタン二層膜、銅-チタン合金膜、銅/銅チタン合金二層膜を用いても同様の結果を得ることができる。"