"基板の表面に、配線が形成される溝を含む絶縁性の第1の樹脂を形成する樹脂形成工程と、前記第1の樹脂の表面に、前記配線の一部となる第1の金属を、物理気相成長によって成膜する第1の成膜工程と、前記第1の金属の表面に、前記配線の一部となる、前記第1の金属より硬度が低い第2の金属を成膜する第2の成膜工程と、前記溝の側面に前記第1の金属が成膜されていない高さ、または、前記溝の側面に成膜された前記第1の金属の厚みが、前記第1の樹脂の上面に成膜された前記第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さ、若しくは前記溝の底面に成膜された前記第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さに、切削刃を設置する設置工程と、前記切削刃を走査することにより、少なくとも前記第1の樹脂を切削する切削工程と、を含む、ことを特徴とするウエハレベルパッケージの製造方法。前記第1の樹脂は、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、またはユレア樹脂を主成分とする、ことを特徴とする請求項1に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記基板は、少なくともその表面の一部にパッシベーション膜を有し、該パッシベーション膜が前記第1の樹脂と接する、ことを特徴とする請求項2に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記パッシベーション膜は、ポリイミド樹脂を主成分とする、ことを特徴とする請求項3に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第1の成膜工程は、前記溝に対応した位置に開口部を有するメタルマスクを用いたイオンプレーティング法によって行う、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、物理気相成長によって行う、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、前記溝に対応した位置に開口部を有するメタルマスクを用いたイオンプレーティング法によって行う、ことを特徴とする請求項6に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、スパッタリング法によって行う、ことを特徴とする請求項6に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、メッキ法によって行う、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記樹脂形成工程では、前記溝に隣接する前記第1の樹脂の断面を、前記基板の表面を基準として長方形または正テーパに形成する、ことを特徴とする請求項5に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記開口部の幅は、前記溝の幅よりも狭い、ことを特徴とする請求項5または10に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記樹脂形成工程では、前記溝に隣接する前記第1の樹脂の断面を、前記基板の表面を基準として逆テーパに形成する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第1の成膜工程は、スパッタリング法またはイオンプレーティング法によって行う、ことを特徴とする請求項12に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、物理気相成長によって行う、ことを特徴とする請求項12または13に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、メッキ法によって行う、ことを特徴とする請求項12または13に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記第2の成膜工程は、スパッタリング法またはイオンプレーティング法によって行う、ことを特徴とする請求項14に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記切削刃を走査することにより、前記第2の金属を切削する、ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記切削刃を走査することにより、前記第1の樹脂の上面または前記溝の底面に成膜された前記第1の金属の厚みよりも薄い前記第1の金属を切削する、ことを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記基板は、回路及び該回路へ信号を入出力する内部端子電極を含む半導体基板であり、前記溝に成膜された前記第1の金属および前記第2の金属は、前記内部端子電極と、前記半導体基板のチップに相当する領域内にファンインとして設けられた外部端子電極と、を接続する配線層を形成する、ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。前記基板は、回路及び該回路へ信号を入出力する内部端子電極を含む半導体チップと、該半導体チップの少なくとも側面を覆う絶縁性の第2の樹脂と、を含み、前記溝に成膜された前記第1の金属および前記第2の金属は、前記内部端子電極と、前記半導体チップの領域外の第2の樹脂にファンアウトとして設けられた外部端子電極と、を接続する配線層を形成する、ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載のウエハレベルパッケージの製造方法。少なくとも一つの課題は、永久レジストの凹部内に金属を配線として形成するにあたり、特許文献1~特許文献4で用いる研削方法では、永久レジスト材料と金属の複合体の研削であることから、永久レジスト材料の材質、金属の材質、または金属の形成方法等を熟慮しなければ、刃の自己振動ビビリ、刃の磨耗、刃に被研削物が付着するなど問題が発生し、生産性がよいとは言えない。本発明にかかるウエハレベルパッケージ製造方法の代表的な構成は、基板の表面に、配線が形成される溝を含む絶縁性の第1の樹脂を形成する樹脂形成工程と、第1の樹脂の表面に、配線の一部となる第1の金属を、物理気相成長によって成膜する第1の成膜工程と、第1の金属の表面に、配線の一部となる、第1の金属より硬度が低い第2の金属を成膜する第2の成膜工程と、溝の側面に第1の金属が成膜されていない高さ、または、溝の側面に成膜された第1の金属の厚みが、第1の樹脂の上面に成膜された第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さ、若しくは溝の底面に成膜された第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さに、切削刃を設置する設置工程と、切削刃を走査することにより、少なくとも第1の樹脂を切削する切削工程と、を含む、ことを特徴とする。上記の構成によれば、例えば、第1の成膜工程の結果、第1の樹脂の上面から溝の側面の上部までは、相対的に硬度の高い第1の金属が成膜される。しかしさらに下方溝の底部にゆくに従って溝の側面に成膜される第1の金属の厚みは次第に小さくなってゆき、やがてゼロとなる。次に第2の成膜工程を行うと、溝の底部、第1の樹脂の上面、および溝の側面の上部に成膜された第1の金属の上に、第2の金属が成膜される。本発明の特徴は、上記のような成膜が行われた後の切削工程において、切削刃が、例えば、溝の側面に第1の金属が成膜されていない厚みがゼロになる高さを狙い、その高さの切削ラインに沿って切削を行うことである。したがって切削刃が切削するのは、例えば、切削対象の中で最も軟らかい第1の樹脂と、第1の金属よりも相対的に硬度の低い第2の金属の2種類だけである。切削刃が、第1の樹脂をその上面に近い高さで切削する場合、第2の金属よりも相対的に硬度の高い第1の金属が溝の側面の一部にも相当量の厚さで成膜されている。そのため、第1の金属も含めた3種類の材料を切削することとなる。かかる場合と比較すると、本発明第1の金属が成膜されていない厚みがゼロになる高さを狙うは切削刃の磨耗の程度が、非常に小さく、切削刃の寿命を大幅に延ばすことが可能である。また、配線を形成する金属の配線パターンが歪むことが防止されるという顕著な効果を有する。一方、本発明においても、切削刃が、第1の金属の厚みが薄い高さを狙った場合は第1の金属も含めた3種類の物質を切削することとなる。しかし本発明の特徴は、切削刃が、溝の側面に成膜された第1の金属の厚みが、第1の樹脂の上面に成膜された第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さ、若しくは溝の底面に成膜された第1の金属の厚みよりも薄い場所に該当する高さを狙って、切削することである。したがって、溝の側面に成膜された第1の金属の厚みの大きい高さを切削する場合に比較すれば、切削刃の磨耗の程度は小さく、切削刃の寿命を延ばすことが可能である。上記の第1の樹脂は、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂またはユレア樹脂を主成分とするとよい。例えば、ダイヤモンド製のバイトなどの切削刃による切削は、切削時の局部発熱で塑性変形を起こさない熱硬化樹脂が望ましい。切削刃の切れ味を良くするためには、適度な弾性率を持ち、応力歪曲線における破断強度が比較的低い樹脂が良好と考えられるからである。例えば、応力に対する歪みは数以下が好ましく、クレーズCrazeが生じにくい、切削刃の絡み付きの少ない材料とするべきだからである。上述の樹脂はいずれも、例えば弾性率が2~4GPaを示す程度に固く伸びが少ないπ型環状基を含有している。またこれらの樹脂は、固くて伸びが少ない特性を有することから、これらの樹脂が切削される際、一緒に切断される隣接する金属との間に、隙間が生じにくい。そのため樹脂が歪むことにより配線を形成する金属が歪むことが防止されるという顕著な効果を有する。上記の基板は、少なくともその表面の一部にパッシベーション膜を有し、パッシベーション膜が第1の樹脂と接するとよい。パッシベーション膜と第1の樹脂とが接することによって第1の樹脂の密着性接着力が向上し、切削性能が、より向上するからである。パッシベーション膜は、ポリイミド樹脂を主成分とするとよい。パッシベーション膜に接する第1の樹脂として用いられるフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、またはユレア樹脂は、ポリイミド樹脂に接着する感光性樹脂であり、接着力が強く、切削しやすい性能を有するからである。第1の成膜工程は、溝に対応した位置に開口部を有するメタルマスクを用いたイオンプレーティング法によって行ってもよい。上記の構成によれば、第1の成膜工程の結果、メタルマスクおよび溝に、第1の金属が成膜される。次にメタルマスクをリフトオフして第2の成膜工程を行うと、溝に成膜された第1の金属の上に第2の金属が成膜され、第1の樹脂の上面及び溝の側面には直接、第2の金属だけが成膜される。したがって、切削工程では、溝の側面の第1の金属の成膜厚さを気にすることなく、第1の金属が存在しない切削ライン、あるいは第1の金属の厚みが薄い切削ラインに沿って切削を行うことが可能である。さらに第2の成膜工程は、物理気相成長によって行ってもよく、例えば、溝に対応した位置に開口部を有するメタルマスクを用いたイオンプレーティング法によって行ってもよい。上記の構成によれば、第1の成膜工程および第2の成膜工程の結果、メタルマスクおよび溝に、第1および第2の金属が成膜される。次にメタルマスクをリフトオフすれば、溝にだけ第1および第2の金属が成膜された状態となる。したがってこの場合も、切削工程では、溝の側面の第1の金属の成膜厚さに配慮することなく、第1の金属が存在しない切削ライン、あるいは第1の金属の厚みが薄い切削ラインに沿って切削を行うことが可能である。一方、第2の成膜工程は、スパッタリング法によって行ってもよい。第1の金属よりも相対的に硬度の低い第2の金属の成膜厚さが、イオンプレーティング法による第2の金属の成膜厚さよりも厚くなっても、切削刃の磨耗等への影響が少ないからである。第2の成膜工程は、イオンプレーティングやスパッタリングなどの物理気相成長に代えて、メッキ法によって行ってもよい。第1の金属よりも相対的に硬度の低い第2の金属の成膜厚さが、物理気相成長による第2の金属の成膜厚さよりも厚くなっても、切削刃の磨耗等への影響が少ないからである。上記の樹脂形成工程では、溝に隣接する第1の樹脂の断面を、基板の表面を基準として長方形または正テーパに形成してよい。上記のように溝に隣接する第1の樹脂の断面が正テーパ形状であっても、溝の側面を下方溝の底部にゆくに従って、成膜される第1の金属の厚みは次第に小さくなり、例えば、第1の樹脂の上面に成膜される第1の金属の厚みより小さくなるからである。また、溝に隣接する第1の樹脂の断面が長方形であれば、溝の側面は垂直な面となる。したがって、既に述べたような、溝の側面を下方にゆくに従って、第1の金属の成膜厚さが次第に小さくなりやがてゼロになるという、本発明による切削工程を適用可能な構造が実現できる。上記のメタルマスクの開口部の幅は、溝の幅よりも狭くしてよい。これによって、溝の側面における第1の金属の成膜厚さを、更に意図的に薄くすることができるからである。上記の樹脂形成工程では、溝に隣接する第1の樹脂の断面を、基板の表面を基準として逆テーパに形成とするとよい。上記のように第1の樹脂がかかる逆テーパの断面を有すれば、溝の側面は第1の樹脂の裾が狭まるような傾斜面となる。したがって、溝の側面における第1の金属の成膜厚さが、第1の樹脂が長方形の断面を有する場合における第1の金属の成膜厚さよりも更に薄くなる。よって、溝の側面における第1の金属の厚みは、更に薄くなる。したがって、例えば、第1の金属の厚みがゼロである高さに切削刃を設置して切削工程を行える範囲マージンが広くなる。上記の構成の特徴は、このように、溝の側面における第1の金属の成膜厚さを、更に意図的に薄くすることによって、本発明による切削工程を適用可能な、第1の金属の厚みが薄い範囲マージンを広くすることである。上記のように第1の樹脂の断面を逆テーパ形状とするときは、第1の成膜工程は、スパッタリング法によって行ってよい。例えば、第1の樹脂の断面を逆テーパ形状としたことによって、溝の側面における第1の金属の成膜厚さは、イオンプレーティングによる成膜厚さと同等となるからである。上記のように第1の樹脂の断面を逆テーパ形状とするときは、第2の成膜工程は、イオンプレーティング法によって行ってもよいし、スパッタリング法によって行ってもよい。イオンプレーティング法は、スパッタリング法よりも所定時間当たりの金属の成膜厚が大きくできる場合が多く、コスト削減となる。他方、スパッタ装置の混載製品の製造ラインで本願のウエハレベルパッケージを製造する場合には、例えば第1の樹脂を逆テーパとすることにより、第1及び第2の成膜工程にスパッタリング法が適用できる。新たなイオンプレーティング装置の設備投資が抑制できる。第1の金属よりも相対的に硬度の低い第2の金属の成膜厚さは、切削刃の磨耗等への影響が少ないからである。上記の基板は、回路及び回路へ信号を入出力する内部端子電極を含む半導体基板であり、溝に成膜された第1の金属および第2の金属は、内部端子電極と、半導体基板のチップに相当する領域内にファンインとして設けられた外部端子電極と、を接続する配線層を形成してよい。上記の基板は、回路及び回路へ信号を入出力する内部端子電極を含む半導体チップと、半導体チップの少なくとも側面を覆う絶縁性の第2の樹脂とを含み、溝に成膜された第1の金属および第2の金属は、内部端子電極と、半導体チップの領域外の第2の樹脂にファンアウトとして設けられた外部端子電極と、を接続する配線層を形成してよい。例えば、上記の基板は、ウエハをダイシングした複数のチップを第2の樹脂に再配列した、ファンアウトWLP用基板である。本発明によれば、切削刃の磨耗を抑制して切削刃の寿命を延ばすことが可能なウエハレベルパッケージの製造方法を提供可能である。また、配線を形成する金属の配線パターンが歪むことが防止されるので、安価でありながら微細なパターン加工が実現きるという顕著な効果を有する。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の好ましい実施形態による回路基板シリコンウエハを含むの構造を示す模式的な断面図である。図1に示すように、本実施形態によるシリコンウエハ10は、ウエハ本体である基板1と、基板1の表面に形成されたチップ取り出し電極内部端子電極2と、チップ取り出し電極2に電気的に接続された半田ボール外部端子電極9とを備えている。基板1は、その後個片化される複数の半導体チップからなる集合基板である。これら半導体チップに形成されている回路は互いに同一である。基板1の表面は、チップ取り出し電極2が設けられた領域以外のほぼ全面が絶縁性のパッシベーション膜3で覆われている。特に限定されるものではないが、チップ取り出し電極2は例えばアルミニウムAlからなる。チップ取り出し電極2には、後述する配線層と接する表面にメッキ例えばNiAuがあらかじめ施されていても構わない。尚、本明細書においては、基板1と言うときには、チップ取り出し電極2及びパッシベーション膜3を含むことがある。したがって、基板1の表面とは、チップ取り出し電極2の表面や、パッシベーション膜3の表面も指すことがある。これら基板1、チップ取り出し電極2及びパッシベーション膜3からなる部分は、いわゆる前工程拡散工程にて作製される部分である。前工程においては、ステッパーなどを用いた極めて高精度なフォトリソグラフィー法によって、回路に関連する極微細な内部配線などが基板上に形成される。これら内部配線の端子となる部分がチップ取り出し電極2である。本実施形態によるシリコンウエハ10は、その表面にウエハレベルで加工を施すことにより、図1に示す配線層21,22及び半田ボール9などを形成するものである。尚、本発明において、外部端子電極は、半田ボール9には限られない。本願発明の特徴の一つである樹脂6は、配線層21第1の金属配線と配線層21第1の配線に物理的に隣接する第2の金属配線との電気的な絶縁を確立する。図2は、本発明により組立てられたパッケージの平面図である。図2においては、半田ボール9が形成された面を表面にして示している。図3は、本発明により組立てられたパッケージの平面図である。図3においては、半田ボール9が形成された面を上面にして示している。図1に示すように、基板1の表面には、チップ取り出し電極2とパッシベーション膜3が設けられている。上述の通り、パッシベーション膜3は、基板1の表面のうちチップ取り出し電極2が設けられた領域以外のほぼ全面を覆っている。取り出し電極2は、バリア金属配線4b及びアルミニュウム配線銅配線5bが積層されてなる配線層21に接続されている。特に限定されるものではないが、バリア金属配線4bの厚みとしては0.3μm程度、アルミニュウム配線5bの厚みとしては5μm程度とすればよい。なお、配線5bの材質は銅Cuであっても問題はなく、銅Cuを配線層とする場合にはバリア金属の上にメッキ法にて銅Cuを積層することも可能である。配線層21の平面形状の一例は図4に示されており、特に限定されるものではないが、配線層21の上面のうち、配線層22によって覆われる部分22a以外は、全て保護絶縁膜11図1によって覆われている。本明細書においては、配線層21,22の上面のうち、保護絶縁膜11によって覆われていない部分を第1の部分と呼び、保護絶縁膜11によって覆われた部分を第2の部分と呼ぶことがある。したがって、配線層21は第1の部分を有していない。さらに、図1に示すように、配線層21の端部は、バリア金属配線7及び銅配線8が積層されてなる第2の配線層22に接続されている。特に限定されるものではないが、バリア金属配線7の厚みとしては0.3μm程度、銅配線8の厚みとしては10μm程度とすればよい。銅配線8は、アルミ配線であってもよい。第2の配線層22は、半田ボール9の下地となるポスト電極として機能する配線層であり、基板1の表面に対して垂直に設けられている。換言すれば、再配線部21のように基板1の表面に沿って延在する部分を有していない。バリア金属配線4および7としては、Ti、Cr、Ta又はPdからなる単層膜、或いは、TiとNiの積層膜などを用いることができる。本発明においてバリア金属配線4および7を設けることは必須でないが、一般に、パッシベーション膜3の表面にアルミニュウム配線5を直接形成すると両者の密着性が不足し、一旦大気中に曝されたアルミニュウム配線5の表面に銅配線8を直接形成すると両者の密着性が不足するため、これらを設けることが好ましい。但し、本発明においては銅配線5および8をPVD物理気相成長法によって形成する場合、被着エネルギを制御することによって密着性や被着応力を調整することが可能である。したがってこの場合においては、従来のWLPに比べると、バリア金属配線4および7を設ける必然性は低い。図1に示すように、基板1の表面のうち半田ボール9が形成される領域を除く全面は、保護絶縁膜11で覆われている。保護絶縁膜11の材料については特に限定されないが、電気的絶縁性無機物をPVD法で被膜したものや液状の有機絶縁材料をキュアなどで固化した材料を用いることが好ましい。かかる構造により、配線層21の表面のうち、配線層22によって覆われる部分以外は全て保護絶縁膜11によって覆われることになる。同様に、配線層22の表面のうち、半田ボール9によって覆われる部分第1の部分以外は、全て保護絶縁膜11によって覆われることになる第2の部分。次に、本実施形態によるウエハレベルパッケージの第1の実施形態の製造方法について説明する。図5~図16は、本実施形態によるウエハレベルパッケージの第1の実施形態の製造方法を説明するための工程図である。図5乃至図10は、図2における左側に示す複数のチップ取り出し電極2がY軸方向に展開されている場所の断面図に相当する。図11乃至図16は、図2における左側に示すいずれか一つのチップ取り出し電極2及び配線層21並びに半田ボール外部端子電極9のX軸方向の断面図に相当する。まず、前工程が完了した基板1を用意し、図5に示すように、その表面を絶縁性の優れた樹脂6で覆う樹脂塗布工程。樹脂塗布膜の厚さはとくに限定するものではないが5μmから30μm程度がのぞましい。本願発明の特徴の一つである樹脂6の材料については、後述する。次に配線層21図1を形成すべき領域の部分が図8に示す溝201となるように樹脂6を除去する溝形成工程。樹脂の除去は、例えばフォトリソグラフィー法によって行われるため、溝幅再配線幅は10μm以下の微細な加工が可能となる。工程としては図6に示すように、樹脂6に溝を形成する部分を開口部203としたマスク200を樹脂6の上方から被せ、図7に示すように開口部203を通して感光用の光202を照射し、溝201となる部分の樹脂6を感光させた樹脂6aとする。次にマスクを剥離しリフトオフ工程、キュアをかけた後、感光された樹脂6aを洗浄により除去する現像工程ことにより溝201を形成する図8。なお、前記溝201を形成するフォトリソグラフィー工程はポジティブ法によって説明しているが勿論ネガティブ法の工程であってもなんら問題はない。さらには溝201の形成法はエッチング法やレーザー加工法によって形成しても問題はない。このようにして配線層21を形成すべき領域の部分の溝201を形成し、次に図9に示すように、マスクを使用せず基板1全面にバリア金属材料4及びアルミニュウム5をPVD法によりこの順に被着させる成膜工程。ここで溝201の内部に被着したバリア金属材料4bとアルミニュウム5bがこの後の工程を経て第1の配線層21を形成することになる。なお、アルミニュウム5は銅Cuであっても問題はなく、銅Cuとした場合はPVD法によらずメッキ法によって積層すること可能である。銅Cuを積層とした場合はPVD法、メッキ法のどちらかの製法を選択することが可能である。第1の配線層21となる成膜を被着した後は、切削刃によって成膜した表面から基板1の表面に対して平行に切削し、樹脂によって形成された溝201の内部にのみ配線層21が残るよう4uと5u部分を除去する研削工程。これによって配線21が完成する図10、図11参照。なお、研削工程において樹脂6の一部が切削されてもなんら問題はない。基板1の表面または裏面から切削刃までの位置高さについて、切削ライン走査ラインが、バリア金属材料4の存在しない位置高さであることが、最も望ましい。詳細は後述する。引き続き第2の配線層22を形成する。第2の配線層22の形成方法は、図12に示すように、配線層22の平面形状に対応する開口部301が設けられたメタルマスク300を用意し、基板1の表面のうち、配線層22を形成すべき領域が開口部301を介して露出するよう、メタルマスク300を被せるマスク工程。次に、図13に示すようにメタルマスク300を被せた状態で、PVD法によってバリア金属材料7及び銅8をこの順に被着させる成膜工程。これにより、メタルマスク300の開口部301を介して露出している基板1の表面正確にはアルミニュウム配線5bの表面、及びメタルマスク300の上面に、バリア金属材料7及び銅8が堆積した状態となる。そして、図14に示すように、メタルマスク300を基板1から剥離すればリフトオフ工程、フォトリソグラフィー法を用いることなく、バリア金属配線7及び銅配線8からなる第2の配線層22が形成される。次に、図15に示すように、半田ボール9を形成すべき部分を除く基板1の表面に、電気的な絶縁性を有する無機物質をPVD法により選択的に被膜する保護絶縁膜形成工程。絶縁材料を選択的に供給すると、配線層21の全面と配線層22の側面22sが保護絶縁膜11によって覆われることになる。絶縁材料を供給する前の段階では、配線層22が基板から最も突出していることから、配線層22を避けるように絶縁材料を選択的に供給すれば、配線層22の上面の全体が絶縁材料によって覆われることはない。なお、保護絶縁膜11の形成にはスクリーン印刷法を用い流動性を有する絶縁材料を選択的に供給し、キュアを行うことにより固化する方法でも良い。その後は、配線層22の露出部分に半田を供給しこれを溶融させれば、図16に示すように半田ボール9が形成される電極形成工程。以上により、一連のWLP工程が完了する。その後は、スクライブラインに沿って基板1をダイシングすれば、個々の半導体チップに個片化することができる切断工程。尚、基板1のダイシングは、保護絶縁膜11を形成した後、半田ボール9を形成する前に行っても構わない。更に、半田ボール9に代えて配線層22のポスト電極を外部端子電極と見做すことも可能である。以上説明したように、本実施形態によるシリコンウエハ10の製造方法によれば、2回のPVD被膜と一度のフォトリソグラフィー工程によって配線層21,22が直接形成される。さらに溝201の周囲を形成する樹脂6は従来のフォトリソグラフィー法によって製作されるWLPとは違い、除去することなくWLPを構成する一部分となる。樹脂6を永久レジストと呼ぶことがある。このため、従来の一般的な方法を用いたWLPと比べて、工程数が1/2以下に減少する。しかも、マスク200とマスク300は安価に大量生産可能であるとともに、マスク200及びマスク300を繰り返し使用することが可能である。これらにより、生産性が高く低コストなシリコンウエハ10を提供することが可能となる。ウエハレベルパッケージ製造方法図17は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第2~第7の実施形態に共通のプロセスフローを示すフローチャートである。尚、前述の第1の実施形態も、図17のプロセスフローに準じている。図18は図17のフローチャートに沿って製造されるウエハレベルパッケージの変化の一例を示す概略図である。図18に示すように、本方法では、基板450を用い、基板450は例えば半導体基板例えばシリコンウエハとしてよい。基板450には内部端子電極チップ取り出し電極442と絶縁体のパッシベーション膜444とが配列されている特に断らない限り、これらを総称して基板450と呼ぶ。本方法ではまず、かかる基板450の表面に凹凸形状の絶縁性の第1の樹脂452を形成する樹脂形成工程400図17を行う。樹脂形成工程400では、例えば図18aに示すように、基板450の表面に第1の樹脂452を塗布する。第1の樹脂452は、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂またはユレア樹脂を主成分としてよい。次に図18b~cに示すように、第1の樹脂452の一部内部端子電極442の位置をフォトリソグラフィー法によって除去して、残存する第1の樹脂452Aの間に溝454を形成する。溝454を形成する際には、フォトマスク図示省略を介して紫外線を照射することにより、露光された部分452と未露光の第1の樹脂452Aとが出来上がる図18b。これを現像液に浸けて露光された部分452を除去すると、図18cに示すように、残存する第1の樹脂452Aの間に溝454が形成される。第1の樹脂452Aは凸に相当し、溝454は凹に相当する。基板450を視点とすれば、第1の樹脂452が有する凹は、溝であり孔でもある。これは、図2及び図4が示す配線層21を絶縁する材である樹脂6の形状から当然に理解できることである。尚、第1の樹脂452は、樹脂6と同じである。ただし樹脂形成工程400で用いる技術は、上記のようなフォトリソグラフィー法に限られない。図18dに示すように、第1の樹脂452にナノスケールの凹凸パターンを形成したナノスタンパ446を押し当てて凹凸パターンを転写するナノインプリントによって溝456を形成してもよい。このように樹脂形成工程400で形成される第1の樹脂452には、溝454、456による高低差すなわち凹凸があればよい。図18cの溝454のように底に第1の樹脂452を含まなくてもよいし、図18dの溝456のように底に第1の樹脂452を含んでいてもよい。本方法では図17に示すように、樹脂形成工程400の後に、配線の一部となる第1の金属470を成膜する第1の成膜工程410と、配線の一部となる第2の金属480を成膜する第2の成膜工程420とを含む。第1の成膜工程410、第2の成膜工程420では、いずれも、物理気相成長PVD:PhysicalVaporDepositionによって、第1の金属470および第2の金属480を成膜する。PVDの例としては、蒸着抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法など、イオンプレーティング、イオンビームデポジション、スパッタリングなどが挙げられる。さらに本方法では、所定の位置に切削刃490を設置する設置工程430と、切削刃490によって金属配線および第1の樹脂を切削して平坦化する切削工程440とを含む。これらの工程については、以下の本発明の各実施形態について説明する。第2の実施形態図19は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第2の実施形態を示す図である。図20は、図19においてウエハレベルパッケージ製造方法が完了した結果得られる、ウエハレベルパッケージの中間体を示す図である。本実施形態では、図17の樹脂形成工程400において、溝462に隣接する第1の樹脂460の断面を長方形とした。かかる第1の樹脂460および溝462に、相対的に硬度の高い第1の金属470を成膜する第1の成膜工程410と、相対的に硬度の低い第2の金属480をさらに成膜する第2の成膜工程420とを行った。その結果、図19に示す成膜状態が得られる。第1の金属470は、Ti、Cr、TaまたはPdとしてよく、第2の金属480は、CuまたはAlとしてよい。これら材質から分かるように、バリアメタルとして用いられる第1の金属470と、配線メタルとして用いられる第2の金属480との間には、硬度の差がある。次に、図17に示すように、設置工程430を行う。設置工程430では、図19の溝462の側面第1の樹脂460の側壁に成膜された第1の金属470が成膜されていない、厚みがゼロの場所に該当する高さである高さH0に切削刃490を設置して第1の樹脂460および第2の金属480を切削する。その結果、図20に示すウエハレベルパッケージの中間体が得られる。本実施形態によれば、第1の成膜工程410の結果、図19に示すように、第1の樹脂460の上面から溝462の側面の上部までは、相対的に硬度の高い第1の金属470が成膜される。しかしさらに下方にゆくに従って第1の樹脂460の側面に成膜される第1の金属470の厚みは次第に小さくなってゆき、やがてゼロとなる。次に第2の成膜工程420を行うと、図19に示すように、溝462の底と、第1の樹脂460の上面と、溝462の側面の上部とに成膜された第1の金属470の上に、第2の金属480が成膜される。尚、第2の成膜工程420は、図9の配線5の様に、溝462を埋めるように第2の金属480を成膜してもよい。尚、第1の樹脂460の上面に成膜された第1の金属470の厚さと、溝462の底部に成膜された第1の金属470の厚さとは、ほぼ同じ厚さである。第1の金属が成膜されていない所を切削刃で切削本実施形態の特徴は、上記のような成膜が行われた後に、設置工程430において、例えば第1の金属470が成膜されていない、厚みがゼロの場所に該当する高さH0の切削ラインに沿って切削刃490を設置し、図17に示す切削工程440にて基板450の表面に沿って切削刃490を走査することによって切削を行うことである。したがって切削刃490が切削するのは、最も軟らかい第1の樹脂460と、第1の金属470よりも相対的に硬度の低い第2の金属480の2種類だけである。尚、第2の金属480の成膜の厚さは任意であり、切削刃490の設置高さHとは直接的な関連はない。例えば、第2の金属480の成膜の厚さが薄い場合、高さH0の切削ラインで切削刃490が切削するのは、第1の樹脂460だけの場合もある。例えば、第2の金属480の成膜の厚さが薄い場合、高さH1の切削ラインは、溝462に形成された第2の金属480の表面である場合もある。尚、最も軟らかいとは、切削される対象の複数の材料のうちで最も軟らかい材質であるという意味である。尚、切削刃490を固定して基板450を走査する、または両者をそれぞれ独立して走査する、ことも本願の技術範囲に含まれる。上記の高さH0よりも高い位置で切削する場合、相対的に硬度の高い第1の金属470が溝462の側面にも成膜されている。そのため、第1の金属470も含めた3種類の材料を切削することとなる。かかる場合と比較すると、本実施形態は切削刃490の磨耗の程度が最も小さく、切削刃490の寿命を最も延ばすことが可能である。第1の金属の成膜厚さが小さい所を切削刃で切削ただし、設置工程430および切削工程440では、溝462の側面に成膜された最も硬度の高い第1の金属470の厚さが小さければ、その高さを狙って切削してもよい。例えば図19の領域A拡大図に示すように、高さH1では、第1の金属470の成膜厚さT1は、第1の樹脂460の上面に成膜された同じ第1の金属470の厚みT2図19の領域B拡大図参照よりも薄くなっている。この高さH1の切削ラインで切削してもよい。上記の構成によれば、切削刃490は、第1の金属470、第2の金属480および第1の樹脂460の3種類を切削することとなるものの、第1の金属470の成膜厚みT1は、上記の条件を満たすほど小さい。これを、上記の高さH1よりも更に高い位置で切削する場合と比較すれば、切削刃490の磨耗の程度は小さく、切削刃490の寿命を延ばすことが可能である。断面長方形の樹脂さらに本実施形態では、第1の樹脂460が長方形の断面を有するため、第1の樹脂460の側面は垂直な面となる。したがって、第1の樹脂460の側面を下方にゆくに従って、第1の金属470の成膜厚さが次第に小さくなりやがてゼロになり、本実施形態による切削工程440を適用可能な構造が実現できる。比較例特許文献1を比較例として本発明の実施形態と比較する。特許文献1の技術では、同文献の図10及び段落のように、SiO2層間絶縁膜22のエッジ面上であって、バリヤメタル24との界面よりやや下がった位置に切削刃6を当接させ、X方向に切削することを開示するものの、バリヤメタル24の硬度と切削刃の劣化摩耗についての課題は一切開示されておらず、切削刃の劣化抑止を視点とした切削刃の高さについての検討は一切されておらず、開示も示唆もない。更に後述する層間絶縁膜22の材質と切削刃の関係の検討についても、一切開示示唆されていない。一方、本発明では、切削刃の設定高さと第1の金属470との関係を厳密に規定することによって切削刃の磨耗を抑制し、切削性能も向上可能になるという顕著な効果を有する。更に、本発明では、後述する電気的な絶縁としての第1の樹脂460の材質と切削刃との関係を厳密に規定することによって切削刃の磨耗を抑制し、切削性能も向上可能になるという顕著な効果を有する。本発明によって切削刃の磨耗が抑制される理由既に述べたように、相対的に硬度の高い第1の金属470をより多く切削するほど、言い換えれば、切削ラインの線分長に占める第1の金属470の線分長の比率が大きいほど、切削刃490の磨耗が激しいため、第1の金属470の厚みが薄い所あるいはゼロになる所を狙って切削し、第1の金属470の切削量を可能な限り抑制するのが本発明の各実施形態の一つの特徴である。以下、物理定数と切削刃490の磨耗に関して考察する。図21は、本発明の各実施形態に利用する各種樹脂および金属の物性値を示す表である。図21は、第1の樹脂460他の符号が付された第1の樹脂も同様として用いることのできる素材の代表として、フェノール樹脂を含んでいる。また、第1の金属470として使用可能な金属の代表としてTiを、第2の金属480として使用可能な金属の代表としてCuまたはAlを含んでいる。尚、ポリイミド樹脂は、フェノール樹脂の比較例である。切削刃490で切削する時、切削される材料が切削刃490に抵抗感を受け、よって切削刃490が磨耗する原因は、第1に、切削される材料の硬度があり、第2に、材料の粘りすなわち弾性伸びの大きさ、がある。切削刃490が粘りのある材料を切削すると、切削刃490は、切れていない材料を引きずってしまうためである。Tiは上記の硬度粘りの両方が高いため、とりわけ切削刃490を摩耗する材料である。しかし本発明の各実施形態は、Tiに代表される硬度の高い第1の金属470が成膜されていない所、あるいはその厚みが薄い所に該当する高さを切削する。これにより、第1の金属470の切削量を抑制した。したがって、切削刃490の磨耗を抑制し、その寿命を大幅に延長可能である。また、フェノール樹脂はポリマー構成に必要な官能アルキル基、水酸基などのネットワーク形成基が一般に多く、ポリイミドのイミド基などのネットワーク形成基に比べて、密な三次元構造をとる。そのため、弾性率は比較的高く、硬度も高く、塑性変形範囲が小さい。特にフェノール樹脂は環状構造が主体のため、切削刃に切削対象物が付着して加工性能が劣化するなどの問題が生じず、切削加工しやすい。このように切削上の金属との特性上の差が小さくなることで、加工上の問題が排除される。本発明によって切削性能が向上する理由:第1の樹脂の素材既に述べたように、第1の樹脂460は、フェノール樹脂のほか、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂またはユレア樹脂を主成分としてもよい。切削刃による切削は切削時の局部発熱で塑性変形を起こさない、熱硬化樹脂が望ましいからである。また、切削刃の切れ味を良くするためには、第1の樹脂460は、適度な弾性率を持ち、限界応力に対する歪みが小さく強度が比較的低い樹脂が良好と考えられるからである。図22は、図19の第1の樹脂460としては適さない樹脂ポリイミド樹脂等に生じるクレーズCrazeの例を示す模式図である。クレーズとは、2次元絡み合い原子鎖の2次元鎖が整列し、切れ難くなる状態を言う。図22に示すように、プラスチックの袋を開封しようとするときに力Fを加えると、有機物バルク部492と、伸びて白濁する部分がクレーズ494とに別れ、非常に強く抵抗する現象である。白濁して見えるクレーズ494は、微小繊維であるフィブリルfibril496と、空隙部分であるヴォイドvoid498とを含む。図23は各種樹脂の応力-歪み曲線を示すグラフである。第1の樹脂460としては、応力に対する歪みが数以下の樹脂が好ましく、かかる樹脂はクレーズが生じにくい、切削刃への絡み付きが少ない材料である。図23bに示すように、上述のフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂またはユレア樹脂はいずれも、かかる条件を満たしている。固く伸びが少ないπ型環状基を含有しているからである。一方、図23aに示すように、ポリイミド樹脂は、応力に対する歪みが数十にも及ぶ強度の高い樹脂であり、図22に示したクレーズを発生し易い。したがって第1の樹脂460の素材としては、切削刃490による切削性能を低下させるおそれがあるため、ポリイミド樹脂は不適当である。ここでフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂またはユレア樹脂を主成分とするという文言の定義を説明する。フェノール樹脂には、フェノールとホルムアルデヒドを混合し、酸触媒で縮合重合し、高分子化したノボラック型と呼ばれる樹脂と、アルカリ触媒で縮合重合したレゾール型と呼ばれる樹脂とがある。前者はそのままでは熱可塑性であり、低分子状態では液体である。これにヘキサメチレンテトラミンなどを1~20重量硬化剤として混合すると、縮合重合し熱硬化樹脂となる。後者はそれ自体が自己反応性活性基を有するため、加熱されることで熱硬化する。電子部品用途に関しては、熱硬化重合反応が制御しやすいノボラック型が主に使われている。本願で永久レジストと呼んでいるものはノボラック型であり、フォトレジストとして加工される場合、ノボラック型フェノール樹脂は100がこの成分で占められている。フォトレジスト以外の、例えば塗布材料として用いられる場合には、様々な強度が強いマクロモノマー、例えばセルローズなどの充填剤や顔料特に黒色顔料などやフィラーシリカガラス微粒子などが添加物総量で0.1~50重量程度混入されることもある。フェノール樹脂は、図23aの応力ひずみ曲線からも分かるように伸びが少なく、強度もそれほど高くないため、電子材料としてはもろい。多少強度を上げたいなどの要求に応じてエポキシ変性フェノール樹脂変性をした部分すなわち、混合に応じてエポキシの性質が強くなるにしたり、耐熱性に劣ることからポリビニルアセタール変性フェノール樹脂にしたりすることができる。また、熱サイクル信頼性を向上させるためニトリルゴム変性フェノール樹脂にしたり、印刷性を高めるためロジン変性フェノール樹脂にしたりするなど、さまざまな性質改善のために変性が行われている。その変性樹脂の混合比は1から50重量のレベルで行われている。したがって本文ではフェノール樹脂を主成分とするとは、フェノール樹脂50重量以上であることと定義する。メラミン樹脂はメラミンとホルムアルデヒドの縮合反応で得られるメチロールメラミンを重合縮合反応させ合成するが、窒素環状基を作るため、尿素樹脂より衝撃強度が強い。一般にはメチロールメラミンを繊維などに含浸させて、強化プラスティックを作るが、電子部品としてはセルローズ添加剤が5~40重量加えられて使われる。もちろん100樹脂としての使用にも耐える。エポキシやユレア樹脂との変性加工は合成時にエポキシモノマーや尿素を適量加えることで自由に行える。また、混合することで中間的性質をもつ樹脂ができる。本文ではメラミン樹脂を主成分とするとは、50重量以上であることをここでは定義する。不飽和ポリエステル樹脂は無水マレイン酸、イソフタル酸系などの不飽和ポリエステルとエチレングリコールなどの多価アルコールの縮合重合で作られる熱硬化性の樹脂であり、無水マレイン酸もスチレンも環状基のため、機械的強度が強いことが特徴である。したがって100樹脂も使用できる。特に繊維に含浸させる強化プラスチックとしての用途に優れている。各種のエステル化合物で無数の種類が作れるが、異種樹脂による変性樹脂として表面の平滑性を保つため、合成時ペンタジエンなどを混ぜた変性や、相溶性のあるアクリルウレタンなど混ぜ透明性や光による黄変防止の変性などが考えられている。一般的に合成時に混ぜて作る反応基としてフェノール、エポキシ、ウレタンがあり、自由な配合ができるが、本文では不飽和ポリエステル樹脂を主成分とするとは、50重量以上であることと定義する。ユレア樹脂尿素樹脂は尿素とホルムアルデヒドを縮合反応させ合成されるもので、環状化合物をもたない直鎖のネットワークのため、破壊靱性が落ちる。そのため、100樹脂を使用することは少なく、破壊靱性を増すために環状化合物であるビスフェノールA骨格を持つグリシン化合物0.5~30重量を合成時に入れて変性することなどが考えられている。また充填剤としてセルローズがよく用いられ、5~40重量入れることで機械的性質を調整できる。メラミン樹脂やフェノール樹脂との整合性もよく、反応時にメラミンやフェノールを加えることで、お互いの性質の中間的な性質が生まれる。本文ではユレア樹脂を主成分とするとは、50重量以上であることと定義する。図24は、図19の高さH0における切削後の樹脂と金属を断面から見た模式図である。図24aは図19の素材をそのまま用いていて、第1の樹脂460フェノール樹脂等と、第2の金属480CuやAlとが交互に切削される場合を示している。一方図24bは、図19の第1の樹脂460を仮にポリイミド樹脂461に変更した場合を示している。図19の素材をそのまま用いた場合は、図24aに示すように、切削は問題なく行われる。第1の樹脂460は、固くて伸びが少ない特性を有することから、切削される際、一緒に切断される隣接する第2の金属480との間に空隙を生じにくい。また、基板450からも第1の樹脂460は剥離しにくい。そのため配線を形成する金属の配線パターンが歪むことが防止されるという顕著な効果を有する。しかし図24bのように、第1の樹脂460に代えてポリイミド樹脂461を使用すると、その強度の高さゆえに、切削刃に押されてポリイミド樹脂461が歪み、先行して切削される第2の金属480左側との間に空隙463を生じてしまうし、基板450からの剥離467も生じてしまう。また、ポリイミド樹脂461が歪むと、その後続の切削対象である第2の金属480右側をも歪ませてしまい、第2の金属480の基板450からの剥離469も生じてしまう。上記の空隙及び剥離が発生すると、配線樹脂パターンが歪んでしまうおそれがある。すなわち、金属の脱落、樹脂の脱落、内部ボイド等が発生しやすく、配線の断線、配線のショートが発生する可能性がある。特に配線密度の高い配線の場合、樹脂と金属、金属と基板、樹脂と基板、の接着面積がもともと小さいことから、上記のような金属からの剥離例えば空隙463、基板からの剥離例えば剥離467、469が起きやすい。よって、図24aのように切削しやすい第1の樹脂460を使用することが重要である。本発明によって切削性能が向上する理由:パッシベーション膜図19に示すように、基板450は、少なくともその表面の一部にパッシベーション膜444を有し、パッシベーション膜444が第1の樹脂460と接している。パッシベーション膜444と第1の樹脂460とが接することによって第1の樹脂460の密着性接着力が向上し、切削性能がより向上する。本実施形態のパッシベーション膜444は、ポリイミド樹脂を主成分としている。パッシベーション膜444に接する第1の樹脂460として用いられるフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユレア樹脂のいずれかは、ポリイミド樹脂に接着する感光性樹脂であり、接着力が強く、切削しやすい性能を有する。これは、上記の第1の樹脂460の材料が、パッシベーション膜444の材料であるポリイミド樹脂の反応基である、カルボキシル基やイミド基と反応性のあるカルボキシル基、水酸基、イミド基を比較的多く含み、主鎖や副鎖にちりばめられているからである。第3の実施形態:第1の樹脂の断面が正テーパ形状図25は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第3の実施形態を示す図であり、図18cに示した第1の樹脂452Aに対して、第1の成膜工程410、第2の成膜工程420、設置工程430および切削工程440を施したものである。図26は、図25においてウエハレベルパッケージ製造方法が完了した結果得られる、ウエハレベルパッケージの中間体を示す図である。本実施形態では、図17の樹脂形成工程400において、溝454に隣接する第1の樹脂452Aの断面を、正テーパ形状すなわち上底が下底より短い台形としている。図25のような正テーパ形状の断面を有する第1の樹脂452Aを形成するには、一例として、図18aの第1の樹脂452としてポジ型のレジストを利用して樹脂形成工程400を行えばよい。すなわちポジ型レジストは、露光した部分が現像でなくなるレジストである。ポジ型レジストは、露光部分のレジスト膜の上層部ほど現像液による溶解性が高くなり、得られるパターンが正テーパとなりやすいからである。第1の樹脂452Aの断面は、上底が短く下底が長い台形である。したがって第1の樹脂452Aの側面は裾広がりの傾斜面となっている。かかる場合、第1の金属470の溝454の側面における成膜厚さは、長方形断面を有する第1の樹脂460図19に比較すると、厚くなる。しかし、第1の樹脂452Aが正テーパ形状の断面を有していても、溝454の側面を下方にゆくに従って、成膜される第1の金属470の厚みは次第に小さくなり、やがて第1の樹脂452Aの上面に成膜される第1の金属470の厚みより小さくなる。したがって、かかる条件を満たす高さH5で切削を行えば、切削刃490の磨耗は抑制しつつ、図26に示す中間体を製造可能である。第4の実施形態:第1の樹脂の断面が逆テーパ形状図27は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第4の実施形態を示す図である。図28は、図27においてウエハレベルパッケージ製造方法が完了した結果得られる、ウエハレベルパッケージの中間体を示す図である。本実施形態では、図17の樹脂形成工程400において、溝502に隣接する第1の樹脂500の断面を、逆テーパ形状すなわち下底が上底より短い台形としている。図27のような逆テーパ形状の断面を有する第1の樹脂500を形成するには、一例として、ネガ型のレジストを利用して樹脂形成工程400を行えばよい。ネガ型レジストは、露光した部分が現像で残る未露光の部分がなくなるレジストである。ネガ型レジストは、露光部分のレジスト膜の上層部ほど現像液による溶解性が低くなり、得られるパターンが逆テーパとなりやすいからである。第1の樹脂500はかかる台形の断面を有するため、第1の樹脂500の側面は裾が狭まるような傾斜面となる。第1の樹脂500の側面の傾斜角度は、露光および現像において、光源の波長や強度を調節することにより、例えば45~80度程度の間で制御可能である。したがって、長方形の断面を有する第1の樹脂460図19を用いる第2の実施形態の場合よりも更に第1の金属470の成膜厚さが薄い。すなわち溝502の側面の上部で、第1の金属470の厚みは急激に薄くなる。このような絶壁状の傾斜面に、第1の金属470が留まることは困難だからである。したがって、第1の金属470の厚みがゼロである高さに切削刃490を設置して切削工程440を行える範囲が、広くなる。本実施形態ではかかる高さH2の切削ラインで切削工程440を行っている。これは、製造マージンを緩和する。このように、本実施形態の特徴は、溝502の側面における第1の金属470の成膜厚さを敢えて薄くすることによって、切削工程440を適用可能な、第1の金属470の厚みが薄い範囲を広くすることである。上記のように第1の樹脂500の断面を逆テーパ形状とするときは、第1の成膜工程410は、スパッタリング法によって行ってよい。第1の樹脂500の断面を逆テーパ形状としたことによって、溝502の側面における第1の金属の成膜厚さは薄くなり、イオンプレーティングによって成膜厚さを薄く制御しなくてもよいからである。上記のように第1の樹脂の断面を逆テーパ形状とするときは、第2の成膜工程は、イオンプレーティング法によって行ってもよいし、スパッタリング法またはメッキ法によって行ってもよい。相対的に硬度の低い第2の金属の成膜厚さは、切削刃の磨耗等への影響が少ないからである。第5の実施形態:第1の成膜工程にメタルマスク使用図29は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第5の実施形態を示す図である。本実施形態では、図17の樹脂形成工程410において、第2の実施形態と同様に、長方形の断面を有する第1の樹脂460を残存させるように溝462を形成した。その後、溝462に対応した位置に開口部512を有するメタルマスク510を介して第1の成膜工程410を行った。その結果、図29に示すように、第1の樹脂460の上に位置するメタルマスク510および溝462に、第1の金属470が成膜される。メタルマスク510を用いているため溝462の側面に成膜される第1の金属470は少ない。ただし側面に全く成膜されないわけではなく、溝462の底面付近では、側面にも第1の金属470が成膜される。図30は、図29の成膜状態から、メタルマスク510をリフトオフして第2の成膜工程420を行った成膜結果を示す図である。溝462に成膜された第1の金属470の上に第2の金属480が成膜され、第1の樹脂460の上面には直接、第2の金属480だけが成膜される。したがって、切削工程440では、第1の樹脂460側面の第1の金属470の成膜厚さを気にすることなく、第1の金属470が存在しない高さH3の切削ラインに沿って切削を行うことが可能である。図31は、図30の成膜状態から、切削工程440を行った結果得られる、ウエハレベルパッケージの中間体を示す図である。本実施形態では、図29に示すように、メタルマスク510の開口部512の幅W1は、溝462の幅W2よりも狭いことが望ましい。これによって、溝462の側面における第1の金属470の成膜厚さを更に敢えて薄くすることができるからである。第6の実施形態:第1第2の成膜工程にメタルマスク使用図32は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第6の実施形態を示す図である。本実施形態でも、図17の第1の成膜工程410において、第2の実施形態と同様に、長方形の断面を有する第1の樹脂460を残存させるように溝462を形成した。その後、溝462に対応した位置に開口部512を有するメタルマスク510を介して第1の成膜工程410および第2の成膜工程420を行った。メタルマスク510のセットとリフトオフは、一回である。その結果、図32に示すように、第1の樹脂460の上に位置するメタルマスク510および溝462に、第1および第2の金属470、480が成膜される。図32の成膜状態からメタルマスク510をリフトオフすれば、溝462にだけ第1および第2の金属470、480が成膜された状態となる。したがって本実施形態でも、第5の実施形態と同様に、切削工程440において、第1の樹脂460側面の第1の金属470の成膜厚さに配慮することなく、第1の金属470が存在しない高さH4の切削ラインに沿って切削を行うことが可能である。図32の成膜状態から切削工程440を行った結果得られるウエハレベルパッケージの中間体を示す図は、前述の図31と同じである。本実施形態においても、第2の成膜工程は、スパッタリング法またはメッキ法によって行ってもよい。相対的に硬度の低い第2の金属の成膜厚さが厚くなっても、切削刃の磨耗等への影響が少ないからである。第1~第6の実施形態の基板これまでの各実施形態における基板450は、回路及び回路へ信号を入出力する内部端子電極を含む半導体基板例えばシリコンウエハを想定していた。すなわち各チップにダイシングする前のウエハである。それらファンインの代表としては、図1に示す第1の実施形態におけるウエハレベルパッケージの完成体が示される。基板1が上記のようにシリコンウエハであるため、溝に成膜された配線21は、内部端子電極2と、半導体基板1のチップに相当する領域内にファンインとして設けられた外部端子電極9とを接続する配線層再配線層を形成している。第7の実施形態:ファンアウト用WLP基板図33は本発明によるウエハレベルパッケージ製造方法の第7の実施形態を示す図であり、本実施形態で用いる基板の平面図である。図34は図33の断面図である。図34aは図33のX-X断面図であり、図34bは図34aの領域C拡大図である。本実施形態では、第1~第6の実施形態と異なり、単なる半導体基板450シリコンウエハでなく、ファンアウト用WLP基板520に対して、図17に示したウエハレベルパッケージ製造方法を適用している。図34a及びbに示すように、ファンアウト用WLP基板520は、回路図示省略及び回路へ信号を入出力する内部端子電極522、523を含む半導体チップ524と、半導体チップ524の少なくとも側面を覆う絶縁性の第2の樹脂526封止樹脂とを含む。内部端子電極522、523はアルミニウムパッドとしてよい。半導体チップ524の表面には、内部端子電極522、523以外の領域にパッシベーション膜528が設けられていて、内部端子電極522、523は露出している。パッシベーション膜528は、ポリイミド樹脂、窒化シリコン、酸化シリコン等としてよい。図35は図33のファンアウト用WLP基板520の製造工程を例示する図である。まず、図35aに示すように、表面に、内部端子電極とパッシベーション膜とが設けられた半導体ウエハ530から、砥石531を用いてチップをダイシングし、個片化する。次に図35bに示すように、個片化した半導体チップ524の内部端子電極522、523の側を、他のチップとともに、チップ固定テープ532にフェースダウンとして配列する。チップ固定テープ532は、積層された基材534および接着層536から成り、接着層536によって半導体チップ524を固定する。次に図35cに示すように、絶縁性の第2の樹脂526によって半導体チップ524を封止し、図35dに示すように、チップ固定テープ532を剥がす。これによって図33、図34に示すファンアウト用WLP基板520が完成する。図36は、図33のファンアウト用WLP基板520に対して図17に示したウエハレベルパッケージ製造方法を適用して製造した、ウエハレベルパッケージの完成体の一部分を例示する図である。溝に成膜された第1の金属470および第2の金属480は、内部端子電極522、523と、半導体チップ524の領域外の第2の樹脂526にファンアウトとして設けられた外部端子電極例えば半田ボール540、550とを接続する配線層を形成している。外部端子電極540、550の周囲には、絶縁性のソルダレジスト560が成膜されている。以上のように、本発明のすべての実施形態において基板とは、半導体基板に限られず、ガラス基板や他の素材有機物、無機物の基板も含む。一方、半導体基板とは、シリコンウエハの場合もあれば、第7の実施形態のように、ファンアウトWLP用基板の場合もある。付記以下、付記として、本発明による半導体装置を付記として開示する。<付記1>図19半導体装置は、半導体基板450と、前記半導体基板450の表面に形成され、配線が形成される溝462を含む絶縁性の第1の樹脂層460と、前記配線として前記溝462に形成された金属層と、を備え、前記第1の樹脂層460は、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、またはユレア樹脂を主成分とする。<付記2>図19付記1に記載の半導体装置において、前記半導体基板450は、少なくともその表面の一部にパッシベーション膜444を有し、パッシベーション膜444が前記第1の樹脂層460と接する。<付記3>図19付記2に記載の半導体装置において、前記パッシベーション膜444は、ポリイミド樹脂を主成分とする。<付記4>図19付記3に記載の半導体装置において、前記第1の樹脂層460は、前記ポリイミド樹脂に対して接着する樹脂である。<付記5>図19付記4に記載の半導体装置において、前記第1の樹脂層460は、感光性樹脂である。<付記6>図19付記1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記金属層は、バリアメタルである第1の金属470と、CuまたはAlである第2の金属480とを含む。<付記7>図19付記5に記載の半導体装置において、前記第1の金属470は、Ti、Cr、TaまたはPdである。<付記8>図19付記1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記第1の樹脂層460の断面は、前記半導体基板450の表面を基準として長方形、正テーパ、または逆テーパである。<付記9>図1付記1から3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体基板1は更に、回路及びその回路へ信号を入出力する内部端子電極2と、前記半導体基板1のチップに相当する領域内にファンインとして設けられた外部端子電極9とを含み、前記配線は、前記内部端子電極2と、前記外部端子電極9とを接続する。<付記10>図36付記1から3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体基板520は、回路及びその回路へ信号を入出力する内部端子電極522、523を含む半導体チップ524と、その半導体チップ524の少なくとも側面を覆う絶縁性の第2の樹脂層526と、前記半導体チップ524の領域外の第2の樹脂層526にファンアウトとして設けられた外部端子電極半田ボール540、550とを含み、前記第1の樹脂層460は、前記半導体チップ524及びそのチップ524の領域外の前記第2の樹脂層526の表面に形成され、前記配線第1の金属例えばTi470と、第2の金属例えばCu480は、前記内部端子電極522、523と、前記外部端子電極540、550を接続する。"