"位相変調器を備えた光送信器であって、該位相変調器を駆動する駆動信号のバイアス電圧と、該駆動信号の変調振幅とを制御する制御部と、該光送信器が起動した後、該位相変調器の光透過特性の光出力が減少するように該バイアス電圧の動作点を制御しながら、該位相変調器の光出力が目標値になるまで該変調振幅を増加させるように該制御部を制御するプロセッサと、を備えることを特徴とする光送信器。前記目標値とステップ数を格納するメモリと、ステップの単位時間を計測するタイマーとを更に備え、前記プロセッサは、一定時間かけて前記変調振幅を前記目標値までステップ状に増加させるように前記制御部を制御することを特徴とする請求項1に記載の光送信器。光送信器の光出力のモニタを行なうモニタ部を更に備え、前記プロセッサは、該モニタされた光出力が目標値になるように変調振幅に制御すると共に、該目標値を規定値まで大きくするように前記制御部を制御することを特徴とする請求項1に記載の光送信器。前記規定値とステップ数を格納するメモリと、ステップの単位時間を計測するタイマーとを更に備え、前記プロセッサは、一定時間かけて変調振幅をステップ状に変化させることを特徴とする請求項3に記載の光送信器。前記バイアス電圧が前記光送信器の起動開始後、該位相変調器の光透過特性の光出力が最小となる点に来た後に、前記変調振幅の制御を開始することを特徴とする請求項1に記載の光送信器。前記変調振幅は、振幅値0から増加させることを特徴とする請求項1に記載の光送信器。前記バイアス電圧の制御と前記変調振幅の制御は、時分割で行なわれることを特徴とする請求項1に記載の光送信器。位相変調器を備えた光送信器における制御方法であって、該光送信器が起動した後、該位相変調器の光透過特性の光出力が減少するように該位相変調器の駆動信号のバイアス電圧を制御しながら、該位相変調器の光出力が目標値になるまで該位相変調器の駆動信号の変調振幅を増加させるように制御する、ことを特徴とする制御方法。従来の技術では、位相変調器のABC制御特にバイアス電圧と振幅の制御の開始直後は、aABC制御が収束点に向かって大きく動くことで、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する。b位相変調器とその駆動回路は、高周波特性上、近くに実装されるのが一般的である。よって、駆動回路の出力振幅が増加すると、駆動回路の消費電力が増加し発熱が増え、この熱のあおりを受けて位相変調器の温度上昇が発生する。この影響で位相変調器の光透過特性印加電圧vs光パワーロスが短時間でシフトするため、バイアス電圧の制御をしていない区間電圧が保持されている区間に位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する。図4及び図5は、ABC制御が収束点に向かって大きく動くことで、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。図4は、横軸に位相変調器の印加電圧位相変調器の変調電極に印加する変調電圧であり、あるいは、駆動電圧とも呼ぶを、縦軸に位相変調器の光パワーロス光送信器の光出力をとったグラフである。変調電圧あるいは駆動電圧は、変調のための電圧が変化する変調振幅とその変化の中心電圧であるバイアス電圧によって制御される。ここでの位相変調器の光パワーロス光送信器の光出力は、LDの光出力が最大である場合に、位相変調器が有する印加電圧の変化時の光出力の変化を示している。図4では、サインカーブの特性を持つ位相変調器の光パワーロス特性が示されており、ここに、横軸の下の図で示される印加電圧の様子が示されている。印加電圧の振幅の中央の点はバイアス点というが、ABC制御によって、バイアス点が大きく動くことがある。図4において、バイアス点は黒い点で示されているが、位相変調器の場合、バイアス点の最適位置は光出力が最小となる点である。印加電圧が1から2のように動くとき、印加電圧が1のときの光出力が3で表されており、印加電圧が2のときの光出力が4で表されている。光出力3と4を比較すると分かるように、光出力のパワーロス光出力が大きく動いている。図5は、横軸に位相変調器の印加電圧を、縦軸に位相変調器の光パワーロス光送信器の光出力をとったグラフである。図5では、最初、印加電圧が1であったものが、ABC制御によりのように、印加電圧の振幅が急に大きくなった場合を示している。印加電圧が1のときの光出力が3で、印加電圧が2のときの光出力が4である。光出力3と4を比較すると分かるように、光出力が大きく変動している。図6は、位相変調器の光透過特性が温度上昇によりシフトした場合に、位相変調器内の光パワーのロスが大きく変動する現象を説明する図である。図6は、横軸に位相変調器の印加電圧を、縦軸に位相変調器の光パワーロス光送信器の光出力をとったグラフである。図6においては、サインカーブとして示されている位相変調器の光透過特性が、急激な温度上昇により右側にシフトしている。印加電圧は変動していないが、光出力が1から2へと変動していることが理解される。図7は、従来の問題点を説明する図である。上記abの結果、光送信器の光出力立上り傾斜が図7のように急峻になったり、負になってしまうケースが発生し、光出力を仕様範囲内の傾斜で立上げられないことになる。図7は、模式的な図であり、図7において示されるように、区間II、III、V、VIで傾斜が急峻になったり、負になったりすることを厳密に示すものではない。しかし、区間I~VIのABC制御が行なわれることにより、これらの区間のいずれかで、光出力の傾斜が急峻になったり、負になったりすることが発生しうる。本現象により、DWDM光通信システムの伝送路上に中継器として設置されている光アンプへの光入力レベルが急激に変化したり、増減リンギングしたりする。光アンプの利得制御AGC:AutomaticGainControlの応答時間は遅いため,この光入力レベルの急激な変化リンギングに追従できず、光アンプからの光出力レベルが過渡的に変化する。この光出力レベルの変動は伝送品質の劣化を引き起こす。図8は、DWDM光通信システムにおける伝送品質劣化の発生の様子を説明する図である。光送信器1~Nから各波長の光信号が出力されており、光送信器1からの光出力に急峻な変化、あるいは、リンギングが発生したとする。光送信器1~Nの各波長の光信号は、MUX30において波長多重されて送出される。MUX30で波長多重された波長多重光信号は、光アンプ31において、多重されたまま増幅される。ここで、光送信器1からの光出力に急峻な変化、あるいは、リンギングが発生したことにより、波長多重光信号全体にも急峻な変化、あるいは、リンギングが発生する。しかし、光アンプ31のAGC制御の応答時間が遅いため、これに追従できず、光アンプ31からの光出力が急峻な変化、あるいは、リンギングとは違った変化を示すことになる。追従できていれば、リンギングが発生した波長の光信号以外の波長の光信号は一定に保たれるが、追従できていないので、他の波長の光信号にも光出力の変化が発生してしまう。したがって、このような波長多重光信号をDeMUX32で波長分離し、各光受信器1~Nで受信すると、全ての波長の光信号で光出力に変化が発生してしまう。この光出力の変化は、受信側での伝送品質の劣化となる。以下の実施形態は、起動時の光出力の急峻な変化やリンギングの発生を抑制することができる光送信器を提供する。以下の実施形態の一態様による光送信器は、位相変調器を備えた光送信器であって、該位相変調器を駆動する駆動信号のバイアス電圧と、該駆動信号の変調振幅とを制御する制御部と、該光送信器が起動した後、該位相変調器の光透過特性の光出力が減少するように該バイアス電圧の動作点を制御しながら、該位相変調器の光出力が目標値になるまで該変調振幅を増加させるように該制御部を制御するプロセッサとを備える。以下の実施形態によれば、起動時の光出力の急峻な変化やリンギングの発生を抑制することができる光送信器を提供することができる。図9は、本実施形態の位相変調器の制御回路のブロック図である。なお、図9において、信号1~5、7~11は、図3のものと同じものである。位相変調器のバイアス電圧が収束点光透過特性の光出力が最小になる点に制御されている図42の状態の場合、位相変調器内の光パワーロスは変調振幅によって変化する。つまり、変調振幅によって、位相変調器からの光出力を制御できる。したがって、図9のように、変調振幅を一定時間かけて規定値まで大きくするブロック振幅増加ブロック54を追加し、光出力立上げ時のみ本ブロックにて光出力を制御する。図9において、モニタPD44で光出力を電気信号に変換すると、f0バンドパスフィルタ49で、周波数f0の低周波数であるパイロット周波数を抽出し、同期検波部48において検波する。そして、同期検波の結果からバイアス制御信号を生成し、バイアス供給回路47に与える。バイアス供給回路47と同期検波部48には、周波数f0の発振器55からの周期波が入力され、同期検波部48においてはパイロット周波数の検出のため、バイアス供給回路47においては、パイロット周波数をバイアス電圧に重畳するために用いられる。バイアス供給回路47からのバイアス電圧は、図3における信号1、2、または、7、8としてバイアス制御部42-1、42-2に供給される。また、同期検波部48の検波結果と発振器55からの周期波は、振幅制御部46に入力され、変調電圧の振幅の制御のために用いられる。振幅制御部46からの振幅制御信号は、図3の信号4、5、または、10、11として駆動回路45-1,45-2に与えられ、変調電極41-1、41-2に与えられる変調電圧が生成される。また、モニタPD44の出力は、電力モニタ部50において光出力の電力値の検出に用いられる。電力モニタ部50の出力から、f0バンドパスフィルタ51によりパイロット周波数成分が抽出され、同期検波部52において、パイロット周波数成分が検波される。同期検波結果は、π/2Shiftバイアス供給回路53に入力され、信号3、または、9としてπ/2Shiftバイアス制御部43に供給される。周波数f0の発振器56の出力周期波は、同期検波部52とπ/2Shiftバイアス供給回路53に入力され、パイロット周波数の検出及びパイロット周波数の重畳に用いられる。振幅増加ブロック54は、位相変調器X側あるいはY側QPSK変調器を含む光送信器の立ち上げから所定時間の間に、後述する方法で変調電圧の振幅を制御するために動作する。図10及び図11は、図9の振幅増加ブロックの詳細な動作を説明する図である。図10において、振幅制御処理は、プロセス1~プロセス4のフェーズに分けることができる。プロセス1においては、LDの光出力をPminまでに設定する。LDの光出力がPminに達するまでは、LDの動作に任せる。すなわち、LDの出力がPmin以下では、光送信器に伝送路を介して接続する光アンプが反応しないので、光出力がどのように変動しても関係ない。プロセス2では、バイアス電圧のABC制御にて位相変調器のバイアス電圧動作点を収束点光透過特性の光出力が最小になる点最下点と呼ぶに合わせる。このとき、変調振幅の制御においては、1に示すように変調振幅を0に設定する。変調振幅を0にした場合には、変調電極に印加される信号の振幅は0になるが、パイロット周波数の振幅は0にしない。したがって、パイロット周波数を検出することによって行なうバイアス電圧を収束点に制御するための動作は正常に行なうことができる。プロセス3では、LDの光出力がPminから、従来例の図1と同様に直線的に規定値まで増加する間に、バイアス電圧のABC制御にてバイアス電圧を収束点光透過特性の最下点に合わせつつ、変調振幅を一定時間をかけて増加させることで、光送信器の光出力をゆっくり増加させる。プロセス4では、光出力立上げ完了後も、位相変調器の経時変化に追従する必要があるため、変調振幅の制御も含め、従来のABC制御を行う。以上の制御によれば、図11にあるように、位相変調器への印加電圧変調電圧は、プロセス2のパイロット周波数のみある状態1から、プロセス3で徐々に大きくなっていく2~4。これに従い、光出力も、パイロット周波数成分のみがある状態1から、徐々に大きくなっていく6~8。以上のような構成によれば、光送信器の光出力を変調振幅で制御でき、その変調振幅を一定時間かけて増加させることで、駆動回路の発熱による熱の影響もゆっくりになるので、温度上昇による位相変調器の光透過特性のシフトも緩やかになる。よって、ABC制御の時分割によりバイアス制御をしていない区間プロセス4以降、電圧が保持されている区間の位相変調器内の光パワーロスの変動も抑えられる。更に、位相変調器の変調振幅の増加速度によって、光送信器の光出力の立上げ傾斜を自由にコントロールできる。そして、変調振幅の増加速度を調節することで、光出力立上げ時の位相変調器の温度上昇に起因する光出力の急峻な変動も抑制できる。図12~図15は、本実施形態の具体的構成例とその動作を説明する図である。図12においては、図9と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略する。図12のように、位相変調器の2Vπ電圧値と、徐々に変調振幅を増加する場合のステップ数Nを格納するメモリ61と、タイマー62、及び、これらを用いて変調振幅を時間的に変化させ、振幅制御部46へ出力する立上げ処理部63を設ける。2Vπ電圧値は、光透過特性の1周期分の印加電圧である図12右参照。タイマー62は、変調振幅を徐々に増加する場合の1ステップの継続時間である時間Tを計時する。タイマー62と、立上げ処理部63とは、その他の同期検波部48、52、発振器55、56、振幅制御部46と共に、プロセッサ60の実行するソフトウェアで実現する。なお、DAC66は、デジタル-アナログ変換器であり、ADC67は、アナログーデジタル変換器である。ADC67はモニタPD44の検出信号はアナログ信号であるところ、処理はプロセッサ60において、デジタル的に行われるので、信号をアナログとデジタルの間で変換するために設けられている。また、周波数f0を透過するバンドパスフィルタ49-1と周波数f1を透過するバンドパスフィルタ49-2が設けられている。これは、位相変調器40のI信号のアームとQ信号のアームそれぞれについて、一方に周波数f0のパイロット周波数、他方に周波数f1のパイロット周波数を重畳するためである。周波数の違うパイロット周波数をそれぞれのアームに使うことで、I信号のアームとQ信号のアームの状態を同時に検出可能となるので、それぞれのアームのバイアス制御を同時に行なうことができる。そして、プロセッサ60は下記の順で処理を行い詳細は図13参照、図14に示したように光出力を立ち上げる。振幅制御部46にて位相変調器に入力される4つの変調振幅をゼロに設定する。その後、立上げ処理部63は、外部からのコマンドに応じてLD64の光出力を制御したりLD64の出力状態を出力したり出来るLD制御ブロック65へ、光出力をPminまでに設定するコマンドを送信する。そして、LD制御ブロック65から受信したLD出力モニタ値PDLmonがPminまでであることを確認する。同期検波部48は位相変調器のバイアス電圧の時分割ABC制御をスタートする。このプロセスではLD光出力をPmin一定とする。I側バイアス電圧制御とQ側バイアス電圧制御は、異なる2種類のパイロット周波数信号をそれぞれのアームに重畳し、これらを検出することで同時に制御を行い、全てのバイアス電圧を収束点光透過特性の最下点に設定する。立上げ処理部63は、LD制御ブロック65へ光出力を規格値に設定するコマンドと、立上げ時間をN×Tに設定するコマンドを送信する。次に、同期検波部52で行う位相変調器のπ/2Shiftバイアス電圧のABC制御を時分割制御に追加する。その後、立上げ処理部63は、メモリ61より位相変調器の2Vπ電圧値とステップ数Nを読込み、設定振幅の1ステップ増加量Vstepを算出する。ここで、設定振幅は、変調振幅を制御する際に設定される目標振幅である。そして、立上げ処理部63はタイマー62の周期T毎に設定振幅を初期値ゼロからVstepずつ増加させ、振幅制御部46は変調振幅を設定振幅となるように制御する。そして、Nステップ増加後設定振幅がN×Vstep=2Vπになったら、振幅増加を完了する図14の区間III~XII。以後、従来通り、変調振幅制御も含めた時分割のABC制御を行う。図13は、本実施形態に従ったプロセッサ60の行なう処理を示すフローチャートである。ステップS10において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つの変調振幅を0に制御する。ステップS11において、LD制御ブロック65へLDの光出力設定をPminまでにするコマンドをプロセッサ60から送信する。ステップS12において、LD制御ブロック65からLD出力モニタ値PLDmonをプロセッサ60が受信する。ステップS13において、PLDmonがPminに等しいか否かを判断する。ステップS13の判断がNoの場合には、PLDmonがPminになるまで、ステップS13の判断を繰り返す。ステップS13の判断がYesの場合には、ステップS14において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つのバイアス電圧の時分割のABC制御を開始する。ステップS15において、全てのバイアス電圧が収束したか図111の状態になったか否かを判断する。ステップS15の判断がNoの場合には、全てのバイアス電圧が収束するまでABC制御を続け、ステップS15の判断を繰り返す。ステップS15の判断がYesの場合には、ステップS16に進む。ステップS16においては、LD制御ブロック65へ、LDの光出力設定を規定値PLDに、LDの光立ち上げ時間をN×Tに設定するコマンドをプロセッサ60から送信する。ステップS17において、X側とY側の2つのπ/2バイアス電圧の時分割のABC制御を追加する。ステップS18において、設定振幅の1ステップの増加量を、Vstep2Vπ/Nによって算出する。ステップS19において、変数nを1に設定する。ステップS20において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つの変調振幅をn×Vstepに設定し、ステップS21において、これらの4つの変調振幅を設定振幅に制御する。ステップS22において、nがNになったか否かを判断する。ステップS22の判断がNoの場合には、ステップS23において、時間Tだけ待機した後、ステップS24において、nを1だけ増加し、ステップS20に戻る。ステップS22の判断がYesの場合には、ステップS25において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つの変調振幅を時分割のABC制御に追加して処理を終了する。なお、上記において、N及びTは、実際の装置が適用されるシステムの仕様によって定められるべき値であり、システムの設計者が適宜設定する。図14及び図15は、本実施形態の制御による光出力の変化と時分割ABC制御について説明する図である。なお、図15は、図14における各区間での制御箇所と制御信号、制御時間、信号名を列挙したものであり、図14と共に参照されたい。図14において、に示されるように、LDの光出力は、最初Pminまで上昇し、プロセス2が実行されている間Pminのまま維持され、その後、規定値までN×Tだけかけて増加するようにLD制御ブロックによって制御される。変調振幅は、2に示されるように、プロセス3において、Vstepの変動幅でN回のステップに分けて2Vπになるまで徐々に増加される。3は、光送信器の光出力である。LD光出力が出力され始めたプロセス1においては、光送信器の光出力はPminまで上昇する。プロセス2が始まると、位相変調器の光透過特性の最下点からずれていたバイアス点が最下点に至る図111の状態になるようになるので、図4から分かるように、光出力は小さくなる。次に、プロセス3が始まると、光送信器の光出力はステップ状に徐々に大きくなり、Pnominal規定値まで大きくなる。この時点で、位相変調器の変調振幅は、2Vπとなっている。その後は、プロセス4になり、従来どおりのABC制御を行なうようになる。プロセス2においては、例として、時分割制御の区間I、IIが割り当てられている。区間Iにおいては、X側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される1、2。区間IIにおいては、Y側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される7、8。プロセス2によって、バイアス電圧が位相変調器の光透過特性の最下点になるように設定される。プロセス3においては、例として、区間III~XIIまでが割り当てられている。区間IIIにおいては、区間Iと同様に、X側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される1、2。区間VIにおいては、区間IIと同様に、Y側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される7、8。区間Vでは、X側QPSK変調器のπ/2Shiftのバイアスが制御される3。区間VIでは、区間Iと同様に、X側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される1、2。区間VIIでは、Y側QPSK変調器のπ/2Shiftのバイアスが制御される9。区間VIIIでは、区間IIと同様に、Y側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される7、8。区間IXでは、区間Vと同様に、X側QPSK変調器のπ/2Shiftのバイアスが制御される3。区間Xでは、区間Iと同様に、X側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される1、2。区間XIでは、区間VIIと同様に、Y側QPSK変調器のπ/2Shiftのバイアスが制御される9。区間XIIでは、区間IIと同様に、Y側のQPSK変調器のI信号アームとQ信号アームのバイアスが制御される7、8。区間III~XII間での時分割制御は、変調振幅が徐々に増加される間に行なわれる。プロセス3が終わると変調振幅が最大になるので、後は従来のABC制御が行なわれる。図16~図20は、本実施形態の別の構成例を説明する図である。図16において、図12と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略する。図16のように、光出力の目標値Pfとステップ数Nを格納するメモリ61とタイマー62、及び、これらを用いて光出力設定値を求める立上げ処理部63、光出力モニタ部70、光出力モニタ部70が出力する光出力モニタ値と立上げ処理部63が出力する光出力設定値を比較し、振幅制御部46への設定振幅の増減方向を決定する比較部71を設ける。これらは、同期検波部48、52、発振器55、56、振幅制御部46と共に、プロセッサ60aが実行するソフトウェアによって実現される。そして、プロセッサ60aは下記の順で処理を行い詳細は図17、図18A、B参照、図19及び図20に示したように光出力を立ち上げる。図13と同様図13と同様立上げ処理部63は、LD制御ブロック65へ光出力を規定値PLDに設定するコマンドと、立上げ時間をN×Tに設定するコマンドを送信する。次に、同期検波部52で行う位相変調器のπ/2バイアス電圧のABC制御を時分割制御に追加する。その後、立上げ処理部63は、メモリ61より光出力の目標値Pfとステップ数Nを読込み、光出力設定値の1ステップ増加量Pstepを算出する。そして、1立上げ処理部63は、LD制御ブロック65から受信したLD出力モニタ値を用いて、LDの光出力の状態増加途中のレベルを考慮した光出力設定値を算出する。2比較部71は、X側の光出力モニタ値と光出力設定値を比較し、その結果を元にX側のI/Q信号の設定振幅を増減させ、振幅制御部46は変調振幅を設定振幅に制御する。この処理を光出力モニタ値と光出力設定値が等しくなるまで行う。3Y側についても上記2と同様な処理を行う。タイマー62の周期T毎に1~3の処理を、光出力設定値をPstepずつ増加させながら行い、Nステップ増加後、振幅増加を完了する区間III~XII。以後、従来通り、変調振幅制御も含めた時分割のABC制御を行う図17~図18Bは、本構成例におけるプロセッサの行う処理のフローチャートである。ステップS30において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つの変調振幅を0に制御する。ステップS31において、LD制御ブロック65へLDの光出力設定をPminにするコマンドをプロセッサ60aから送信する。ステップS32において、LD制御ブロック65からLD出力モニタ値PLDmonをプロセッサ60aが受信する。ステップS33において、PLDmonがPminに等しいか否かを判断する。ステップS33の判断がNoの場合には、PLDmonがPminになるまで、ステップS33の判断を繰り返す。ステップS33の判断がYesの場合には、ステップS34において、X側のI信号アームとQ信号アーム、及び、Y側のI信号アームとQ信号アームの4つのバイアス電圧の時分割のABC制御を開始する。ステップS35において、全てのバイアス電圧が収束したか否かを判断する。ステップS35の判断がNoの場合には、全てのバイアス電圧が収束するまでABC制御を続け、ステップS35の判断を繰り返す。ステップS35の判断がYesの場合には、ステップS36に進む。ステップS36においては、LD制御ブロック65へ、LDの光出力設定をPLDに、光立ち上げ時間をN×Tに設定するコマンドを送信する。LDの光出力設定をPLDに、光立ち上げ時間をN×Tに設定することにより、LDは、光出力がPminからPLDになるまで、N×Tの時間をかけて光出力を徐々に増加する動作を行う。ステップS37において、X側とY側の2つのπ/2バイアス電圧の時分割のABC制御を追加する。ステップS38において、光出力設定値の1ステップの増加量PstepPfNを算出する。ここで、Pfは、LDの光出力がPLDになり、且つ、変調振幅が2Vπとなったときの光出力の値である。これは、予め測定によって決定しておく。したがって、LDの光出力がPLDより小さい、あるいは、変調振幅が2Vπより小さい場合には、位相変調器の光出力がPfには至らない。ステップS39において、変数nを1に設定する。ステップS40において、LD制御ブロック65から、LDの出力モニタ値PLDmonを受信する。ステップS41において、光出力設定値を、Pset=n×Pstep×PLDmon/PLDによって算出する。この式は、LDの光出力がPLDのときの1ステップの大きさPstepを、現状のLDの光出力PLDmonのPLDに対する割合で小さくしたものである。ステップS42において、光出力設定値PsetとX側の光出力モニタ値PmonXとを比較する。ステップS43において、PsetとPmonXが等しいか否かを判断する。ステップS43の判断がYesの場合には、ステップS48に進む。ステップS43の判断がNoの場合には、ステップS44において、PsetがPmonXより大きいか否かを判断する。ステップS44の判断がYesの場合には、ステップS45において、X側のI/Q信号の変調信号の設定振幅を増加して、ステップS47に進む。設定振幅の値は、振幅制御部46内のメモリに示されている。図19の1は、図14の1に、図19の3は図14の2に、図19の4は図14のに対応する。図19の1にあるように、LDの光出力は、PminからPLDになるまで徐々に増加される。図19のにあるように、位相変調器の光出力は、0からPfまで、段階的に増加される。また、図19のにあるように、振幅制御信号変調振幅も、0から2Vπまで段階的に増加される。なお、図19の3では、模式的に振幅制御信号が直線状に増加するように示している。図18BのステップS46、S52にあるように、設定振幅が減少し、変調振幅も減少する場合もある。しかし、実際的には、Psetは、LD出力モニタ値PLDmonを考慮に入れた上で前回の制御のときの値より大きい値に設定されるので、変調振幅が減少する場合はほとんどないと考えられる。したがって、図19の3においては、変調振幅が直線的に増加する様子を示している。図13の処理では、LDの光出力の増加とは関係なしに、変調振幅を線形的に増加させるようにしたが、図17~図18Bの処理では、位相変調器の出力側の光出力を検出し、LDの光出力の増加と変調振幅の増加の両方の影響による位相変調器の出力側の光出力の値を制御して、徐々に増加させるようにしたものである。図21は、光送信装置のブロック構成図である。光送信装置は、異なる波長の光信号を生成する光送信器84-1~84-Lを備え、これらからの光信号を波長多重装置MUX85で多重して送出する。光送信器84-1~84-Lは、位相変調器80と、本実施形態で述べた制御を行なう制御部86、プロセッサ81、及び、光源であるLD83を備える。また、光送信器84からの光信号は、光アンプ82によって増幅され、MUX85に入力される。"