少なくとも2つのセルを有する、セルの直列配列と、インダクタと、スイッチング配列とを具えるエネルギー蓄積セル配列であって、前記スイッチング配列は、前記インダクタの一方の側を第1の組のセル端子の何れか1つに結合しうるようにするとともに、前記インダクタの他方の側を第2の組のセル端子の何れか1つに結合しうるように制御しうるものであり、前記第1の組のセル端子と前記第2の組のセル端子とが相俟って前記直列配列の全てのセル端子を具えるようになっているエネルギー蓄積セル配列。請求項1に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記第1の組のセル端子は全て前記第2の組のセル端子と異なっているエネルギー蓄積セル配列。請求項2に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のスイッチと、各スイッチに対し並列の個別のダイオードとを有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項2に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のスイッチと、各インダクタ端子と最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、各インダクタ端子と最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項2に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、一方のインダクタ端子に対する入力端における第1の三路スイッチと、他方のインダクタ端子に対する入力端における第2の三路スイッチと、各セル端子とこれらの双方の三路スイッチとの間の個別のスイッチとを具えており、前記三路スイッチは、前記個別のスイッチの各々がインダクタ端子の一方又は他方に接続されるように制御されるようになっているエネルギー蓄積セル配列。請求項5に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、一方のインダクタ端子と最上位のセル端子との間の第1のダイオードと、他方のインダクタ端子と最下位のセル端子との間の第2のダイオードとを有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項1に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記第1の組のセル端子が全てのセル端子を有するとともに、前記第2の組のセル端子が全てのセル端子を有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項7に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のスイッチと、各セル端子とインダクタ端子の他方との間の個別のスイッチと、前記インダクタ端子の一方と最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、前記インダクタ端子の他方と最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項8に記載のエネルギー蓄積セル配列において、前記スイッチング配列は、各インダクタ端子と前記最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、各インダクタ端子と前記最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有しているエネルギー蓄積セル配列。請求項1~9の何れか一項に記載のエネルギー蓄積セル配列において、このエネルギー蓄積セル配列が更に、電荷を除去する必要がある1つの又は複数のセルを識別し、この識別された1つの又は複数のセルからインダクタにエネルギーを伝達するように前記スイッチング配列を制御し、インダクタから他の1つの又は複数のセルにエネルギーを伝達するように前記スイッチング配列を制御するようにした制御装置を有しているようにしたエネルギー蓄積セル配列。請求項1~10の何れか一項に記載の1つ以上のバッテリセル配列を具える電気ビークルバッテリセルパック。少なくとも2つのセルを有する、セルの直列配列と、全てのセル間で共有されるインダクタとを具えるエネルギー蓄積セル配列内でセルバランシング処理を実行する方法であって、この方法が、電荷を除去する必要がある1つの又は複数のセルを識別するステップと、識別された1つの又は複数のセルから共有のインダクタにエネルギーを伝達するようにスイッチング配列を制御するステップと、インダクタから他の1つの又は複数のセルにエネルギーを伝達するように前記スイッチング配列を制御するステップとを具える方法。請求項12に記載の方法において、スイッチング配列を制御する前記ステップが、インダクタの一方の側を第1の組のセル端子のうちの選択した1つに結合するステップと、インダクタの他方の側を第2の組のセル端子のうちの選択した1つに結合するステップとを有している方法。請求項12に記載の方法において、識別された1つの又は複数のセルから共有のインダクタにエネルギーを伝達するようにスイッチング配列を制御する前記ステップが、スイッチ及びインダクタを電流が通過するようにするステップを有し、インダクタから他の1つの又は複数のセルにエネルギーを伝達するように前記スイッチング配列を制御する前記ステップが、ダイオード配列を電流が通過するようにするステップを有するようにする方法。従って、回路の費用と効率との間のバランスを見出すセルバランシング手法が必要となる。本発明によれば、少なくとも2つのセルを有するセル直列配列と、インダクタと、スイッチング配列とを有するエネルギー蓄積セル配列であって、前記スイッチング配列は、前記インダクタの一方の側を第1の組のセル端子の何れか1つに結合しうるようにするとともに、前記インダクタの他方の側を第2の組のセル端子の何れか1つに結合しうるように制御しうるものであり、前記第1の組のセル端子と前記第2の組のセル端子とが相俟って前記セル直列配列の全てのセル端子を具えるようになっているエネルギー蓄積セル配列を提供する。このエネルギー蓄積セル配列によれば、セル間にエネルギーを伝達するのに用いるインダクタをセル間で共有するようにしうる。本発明の第1の組の例では、第1の組のセル端子を第2の組のセル端子と異ならせる。このようにすることにより、如何なるセル端子をもインダクタの一方又は他方の端子に結合しうるようにする接続ライン数を最少にする。あるエネルギー蓄積セル配列では、スイッチング配列が、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のそれぞれのスイッチと、各スイッチに対し並列の個別のダイオードとを有するようにしうる。このようにすることにより、各セル端子に対しスイッチ及びダイオードを有し、従って、追加の回路を少数とするエネルギー蓄積セル配列を提供する。他のエネルギー蓄積セル配列では、スイッチング配列が、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のスイッチと、各インダクタ端子と最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、各インダクタ端子と最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有するようにする。このエネルギー蓄積セル配列はダイオードを4つしか必要としない。更に他のエネルギー蓄積セル配列では、スイッチング配列が、一方のインダクタ端子に対する入力端における第1の三路スイッチと、他方のインダクタ端子に対する入力端における第2の三路スイッチと、各セル端子とこれらの双方の三路スイッチとの間の個別のスイッチとを具えており、前記三路スイッチは、前記個別のスイッチの各々がインダクタ端子の一方又は他方に接続されるように制御されるようにする。この場合、スイッチング配列は、一方のインダクタ端子と最上位のセル端子との間の第1のダイオードと、他方のインダクタ端子と最下位のセル端子との間の第2のダイオードとを有するようにしうる。このエネルギー蓄積セル配列では、回路中に多くのスイッチを設ける代わりにダイオードを2つ必要とするだけである。本発明の第2の組の例では、第1の組のセル端子に全てのセル端子を設け、第2の組のセル端子に全てのセル端子を設けることができる。このようにすることにより、全てのセル端子を何れかのインダクタ端子に接続しうるという点で融通性を最大としうる。あるエネルギー蓄積セル配列では、スイッチング配列が、各セル端子とインダクタ端子の一方との間の個別のスイッチと、各セル端子とインダクタ端子の他方との間の個別のスイッチと、一方のインダクタ端子と最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、他方のインダクタ端子と最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有するようにしうる。このエネルギー蓄積セル配列によれば、ダイオードを2つしか必要としないが、各セル端子と関連する2つのスイッチを有する。他のエネルギー蓄積セル配列では、スイッチング配列が、各インダクタ端子と最上位のセル端子との間の個別のダイオードと、各インダクタ端子と最下位のセル端子との間の個別のダイオードとを有するようにする。エネルギー蓄積セル配列は更に、電荷を除去する必要がある1つの又は複数のセルを識別し、この識別された1つの又は複数のセルからインダクタにエネルギーを伝達するようにスイッチング配列を制御し、インダクタから他の1つの又は複数のセルにエネルギーを伝達するようにスイッチング配列を制御するようにした制御装置を有するようにしうる。このスイッチング制御によれば、セル間にエネルギーを所望通りに伝達しうるようになる。本発明は更に、本発明の1つ以上のバッテリセル配列を有する電気自動車用バッテリセルパックをも提供する。本発明は更に、少なくとも2つのセルを有するセルの直列配列と、全てのセル間で共有するインダクタとを具えるエネルギー蓄積セル配列内でセルバランシング処理を実行する方法であって、電荷を除去する必要がある1つの又は複数のセルを識別するステップと、識別された1つの又は複数のセルから共有のインダクタにエネルギーを伝達するようにスイッチング配列を制御するステップと、インダクタから他の1つの又は複数のセルにエネルギーを伝達するように前記スイッチング配列を制御するステップとを具える方法をも提供する。以下に本発明の実施例を、添付図面を参照して詳細に説明する。異なる図で同じ構成要素を示すのに同じ参照符号を用いている。これらの図の回路線図は、上述した従来の回路に比べた変更を表すものであり、その理由で共通の構成要素の説明は繰り返さない。本発明は、共有インダクタを用いるエネルギー蓄積セル配列を提供する。スイッチング配列は、前記インダクタの一方の側を第1の組のセル端子の何れか1つに結合しうるようにするとともに、前記インダクタの他方の側を第2の組のセル端子の何れか1つに結合しうるように制御しうるものとし、前記第1の組のセル端子と前記第2の組のセル端子とが相俟ってセル直列配列の全てのセル端子を具えるようにする。このようにすることにより、共有インダクタを用いて、エネルギーを構造化可能な方法でセル間に伝達しうるようになる。図6は、理論的に1つのインダクタ60により任意の長さのセル連鎖回路をバランシングしうる配列を示す。実際には、例えば、3つか4つのセルの比較的短い区分と1つのインダクタとを組み合わせて長い連鎖回路にする。短い区分を使用することにより、スイッチ及びダイオードの仕様を現実的なものに保つ。図6では、各セル端子セル10は直列接続されている為、図示の3つのセルに対しては4つの電気的なセル端子があるは個別のスイッチ62を経てインダクタの一方の端子64aに接続されるとともに、他の個別のスイッチ62を経てインダクタの他方の端子64bに接続される。従って、2N個のスイッチが存在する。ここで、Nはセルの個数に1を加算した数である。一方のインダクタ端子64aと最上位のセル端子68との間には個別のダイオード66aが接続されている。他方のインダクタ端子64bと最上位のセル端子68との間には個別のダイオード66bが接続されている。一方のインダクタ端子64aと最下位のセル端子70との間には個別のダイオード66cが接続されている。他方のインダクタ端子64bと最下位のセル端子70との間には個別のダイオード66dが接続されている。これらのダイオードはセルの連鎖回路に対する電流経路を提供する為、全てのスイッチがたとえ開放していてもインダクタ電流は流れ続ける。ダイオードの向きは、セルがダイオードを経て放電しえないように設定する。従って、ダイオードとセルとから成る回路は、セル電圧により逆バイアスされるダイオードを有するループの状態でダイオード及びセルを有する。図6のインダクタは、フライングインダクタとみなすことができる。任意のセルそのサブグループからエネルギーを取り出し、このエネルギーを他の任意のセルそのサブグループにダンプすることができる。エネルギー電荷ではないは1つのセルから他のセルにポンピングする必要があることに注意することが重要である。電荷をポンピングする場合には、回路の効率は容量性のセルバランサの効率に等しくなるすなわち、セルの初期のエネルギー差の50が失われる。エネルギーを確実にポンピングするには、電流がゼロに降下するまで、インダクタを、充電されているセルに接続する必要がある。電流がゼロまで降下できない場合には、回路はエネルギーポンプと電荷ポンプとの組み合わせのように作用し始める。スイッチング周波数が、DC電流がコイルを流れる程度に高い場合には、回路は純粋な電荷ポンプとして動作する。図7は、エネルギーが最上位のセルから最下位のセルにポンピングされる場合の図6の回路における電流経路を示す。経路80は、この場合最上位のセルである最高充電セルの放電を示す。これによりインダクタに磁束を形成する。この目的のために、1つのスイッチにより最上位のセル端子をインダクタ端子64aに結合し、他の1つのスイッチによりもう1つのセル端子をインダクタ端子64bに結合する。経路80におけるスイッチが開放すると、インダクタは電流を経路82に強制的に流す作用をする。経路82は、放電から充電への切換え中のスピルオーバーを示し、これにより電流をダイオードに流す。経路84は、インダクタ電流を最下位のセルに流す経路を示す。この目的のために、1つのスイッチが最下位のセル端子をインダクタ端子64aに結合し、他のスイッチがもう1つのセル端子をインダクタ端子64bに結合する。経路84におけるスイッチが閉成されると直ちに、インダクタ電流が最下位のセルを流れる。経路80におけるスイッチ解放時と経路84におけるスイッチ閉成時との間の時間は通常できるだけ短く選択する。その理由は、電流流路82が電荷を全てのセルに伝達する為である。目標は最上位のセルから最下位のセルにエネルギーを伝達することである為、上述したことは一種のスピルオーバーとみなすことができる。レッドred経路82におけるエネルギーは、3つの全てのセルに伝達される為に失われることはないが、これにより最上位のせるから最下位のセルへのエネルギーの有効な伝達を低減させる。しかし、電荷をインダクタから全てのセルに伝達する目的にスピルオーバー経路を用いることができないという理由は存在しない。設計者は1つ、2つ又は3つのセルからエネルギーを取り出して、このエネルギーを1つ、2つ又は3つのセルにダンプすることを選択することができる。回路はこのことを達成するのに必要なあらゆる適応性を提供する。図8は、図6の回路から2つのダイオードを省略しうる変形例を示す。この場合、一方のインダクタ端子64aと最上位のセル端子68との間の1つのダイオード又はダイオード連鎖回路と、他方のインダクタ端子64bと最下位のセル端子70との間の1つのダイオード又はダイオード連鎖回路とのみが存在する。インダクタを流れる電流は、エネルギーの次のパケットが、あるセルから他のセルに移動しうる前に、ゼロに戻す必要がある。従って、新たなエネルギー伝達サイクルが開始される度に、インダクタを流れる電流の方向を選択しうるようにする。インダクタ60を流れる電流が常に同じ方向に流れれば、同じ2つのダイオードが常にスピルオーバー電流を流す。従って、他の2つのダイオードを何の問題も生ぜしめることなく回路から省略させることができる。所望の電流の流れは、インダクタを正しい極性で接続することにより達成しうる。図8の回路は、Nをセルの個数として、2N1個のスイッチを必要とする。図9は、スイッチの個数を減少させた回路を示す。スイッチング配列は、一方のインダクタ端子64aに対する入力端における第1の三路スイッチ90と、他方のインダクタ端子64bに対する入力端における第2の三路スイッチ92と、各セル端子とこれらの双方の三路スイッチとの間の個別のスイッチ94とを具えている。前記三路スイッチ90、92は、各スイッチ94がインダクタ端子の一方又は他方に接続されるように制御されるようにする。このことは、セル端子と三路スイッチ90、92との間に1つのみのスイッチ94が必要であることを意味する。第1のダイオードは、一方のインダクタ端子64aと最上位のセル端子68との間にあり、第2のダイオードは、他方のインダクタ端子64bと最下位のセル端子70との間にある。図9の回路では、セルの選択とインダクタを流れる電流の方向とは分離されている。この回路では、スイッチの個数はN5であるトグルスイッチは実際には2つのスイッチである為、N1個のノーマルスイッチと4個のトグルスイッチとが存在する。3個よりも多いセルを有する回路に対しては、図9の回路が必要とするスイッチは図8の回路の場合よりも少なくなる。トグルスイッチ90、92とスイッチ94とは直列であり、従って、図9は、特にセルが3個よりも多い区分に対してはセル区分に対する直列接続スイッチとコイル電流方向とを用いることにより、スイッチを節約しうることを示している。上述したところから明らかなように、図8及び9は図6の回路に基づくものである。図6の回路は、エネルギーをセル間に伝達するこれらセルの選択と、電流の方向とに関する多数の適応性を提供する。図8及び9に示すように、ある適応性を断念することにより、回路中の構成要素の個数を減少させる。図10は、この手法を更なるステップとして取り入れている。この回路では、インダクタ電流の方向を自由に選択しえない。その結果、スイッチの個数を図6に対して半分としうる。インダクタ電流の方向はもはや固定させることができない為、ダイオードを除去することができない。図10では、第1の組のセル端子第1及び第3端子が個別のスイッチ100を介して一方のインダクタ端子64aに接続され、第2の組のセル端子第2及び第4端子が個別のスイッチ102を介して他方のインダクタ端子64bに接続される。各インダクタ端子と最上位のセル端子との間には個別のダイオードが存在し、各インダクタ端子と最下位のセル端子との間にも個別のダイオードが存在するすなわち、このダイオード配列は図6のものと同じである。この場合、適応性が低減される。例えば、一対の隣接セルを単一ユニットとして切換えることができない。しかし、スイッチの個数は減少する。図11では、ダイオードは、これらがスイッチ100、102に対し並列となるように移動されている。並列回路では、スイッチはNMOS及びPMOSトランジスタである。この場合、図11のダイオードは単に、MOSトランジスタのドレイン‐バルクダイオードとすることができる。このことは、これらダイオードは回路の動作にとって重要であるが、レイアウト中の個々の構成要素として表せないことを意味する。このようにすると、図11の回路は図10の回路よりも小型となる。図10及び図11の回路は、ほぼ同じように動作するが、1つの重要な相違がある。すなわち図10の区分は、任意に長くしうるが、図11の区分は、1区分当り3つのセルの長さに限定するのが好ましい。図11の区分を長くすると、ダイオードが短絡を生ぜしめるおそれがある。図6のインダクタは、エネルギーを如何なるセルから他の如何なるせるにも伝達しうるためにフライングインダクタとみなすことができる。図11のインダクタはむしろローリングインダクタに近い。このインダクタはエネルギーを奇数番目のセルから偶数番目のセルに、又はその逆に伝達しうるだけである。以下の表は、上述した種々の実施例に対しN個のセルを有するバッテリパックをバランシング処理する構成要素数の状況を示す。上述した表は、図11の回路が特に優れていることを示している。この図11の回路では、スイッチの個数とダイオードの個数とを完全に同じにでき、しかも図4の回路と同じ個数のセルに作用するインダクタの個数は半分で足りる。更に、図4の区分で形成した完全なバッテリパックの回路と図11の区分で形成した完全なバッテリパックの回路とを比較することから明らかなように、これらの双方の回路トポロジーはセル、スイッチ及びダイオードに対して全く同じである。インダクタが異なるように接続されるだけである。図12は、2つのインダクタ120、122に対しては図5の回路を示しており、従って、これと同じであるがインダクタ120及び122の代わりにインダクタ124を有する回路は図11に相当する。上述したようにすれば、現存のセルバランサの回路から全てのインダクタを除去し、これらのインダクタの半分を異なる位置に再投入することにより、この現存のセルバランサの価格を極めて容易に安くすることができる。第1の欠点は、図11で最も悪い場合のバランシング時間が図4の場合の2倍となるということである同じ構成要素の値を用いた場合。2つの隣接セル間のアンバランスのみを排除する必要がある場合には、これら2つの図11及び図4の回路のバランシング時間は互いに等しくなる。しかし、エネルギーをセル間から長い距離に亘って除去する必要がある場合には、バランシング時間は2倍まで長くかかるおそれがある。その理由は、極めて簡単であり、各インダクタが1クロックサイクル当りある量のエネルギーしか除去できない為である。従って、2つのインダクタが1クロック周期当りその2倍のエネルギーしか除去できない。第2の欠点は、図11の効率が僅かに低くなるということである。その理由は、インダクタと直列に2つのスイッチがある為である。インダクタと直列に2つのスイッチを設けることにより、利点も得られる。すなわち、一方のスイッチがこわれても、他方のスイッチが開放してインダクタ中の過大電流を回避しうる。図4の回路では、インダクタの寄生抵抗が極めて低く、スイッチがこわれることにより電流を制限する。以下の表は、M個のセルのM個のセルより成る区分で構成されたN個のセルを有するすなわち、M個のセルの区分が相俟ってN個のセルを構成するバッテリパックにおける構成要素の個数を示している。例えば9個のセルの場合、3個のセルの4つの組があり、セル区分の対間で3番目、5番目及び7番目のセルが重複している。従って、N=9、M=3であり、4個のインダクタが必要となるN-1/M-1=4。セル区分間の重複を同じにすることにより、スイッチ及びダイオードに対する個数が分かる。図13は、図11の理想的なスイッチを、NMOS及びPMOSトランジスタで置き換えた回路を示す。前述したように、トランジスタの両端間に接続されたダイオードD1~D4はトランジスタのボディダイオードに代えることができる。前述したように、エネルギー電荷ではないをポンピングして効率を最大にすることが重要である。この目的のために、新たな各ポンピングサイクルが開始される前にインダクタ電流をゼロに戻す必要がある。ダイオードはポンピングサイクルの終了時にインダクタ中の電流をゼロにする作用をする。しかし、ダイオードの順方向電圧により、このダイオードは電流がこれを流れている間にある電力を常に消費する。このエネルギーはポンピング処理中に失われる。エネルギーポンプの効率をできるだけ高めるためには、ダイオードの両端間の電圧降下をできるだけ低くする必要がある。このことは、ショットキーダイオードを用いることにより容易に達成しうる。ショットキーダイオードの欠点は、このショットキーダイオードは追加の構成要素であり、従って、価格を高める要素である。廉価な解決策は、スイッチのトランジスタボディダイオードを用いることである。しかし、これらのトランジスタボディダイオードの順方向電圧はショットキーダイオードの順方向電圧よりも高くなる。効率を高める他の手法は、フライバック電流を流しているダイオードのスイッチをターンオンさせることである。このスイッチがターンオンされると、ダイオードは実質的に如何なる電流も流さない。その理由は、全ての電流がスイッチを流れる為である。低オーム抵抗のスイッチの場合、損失は極めて低くなる。この場合の新たな問題は、電流がゼロである場合にスイッチがターンオフされないと、逆電流がインダクタを流れ始めるということである。この逆電流によると、ポンプの特性をエネルギーポンプと電荷ポンプとの間のある状態に変化させる。このことは効率にとって悪いことである。この問題は、スイッチの両端間の電圧を測定し、この電圧がゼロである際にこのスイッチングをスイッチオフさせることにより解決しうる。この手法には、追加の比較器が必要となる為に費用が嵩むという欠点がある。より良好な手法は、エネルギーが高充電セルから低充電セルに常にポンピングされるという事実を用いることである。このことは、高電圧セルから低電圧セルにポンピングすることと等価であるこれらのセルが同じ温度を有するものとする。単位時間当りのインダクタにおける電流変化は最高充電セルに接続された場合に高くなる。フライバックダイオードの両端間のスイッチが、インダクタを最高充電セルに接続するスイッチと正確に同じ期間閉成状態に保たれていれば、インダクタ中の電流は依然として、スイッチがフライバックダイオードの両端間で開放している時間だけゼロよりも僅かに高くなる。従って、フライバックダイオードはフライバック電流のテールを流す必要があるだけである。このテール中のエネルギーは極めて低い為、スイッチのトランジスタボディダイオードをショットキーダイオードの代わりに用いたとしても、このエネルギーは効率に大きな影響を及ぼさない。実際の回路では、フライバックスイッチはポンプスイッチよりも僅かに短く閉成される。このことは、寄生効果がインダクタ中の電流を反転させないことを確実にする。図14は、スイッチの機能上のゲート電圧すなわち、高レベルは、トランジスタがN型であるかP型であるかにかかわらず、トランジスタが閉成されたスイッチとして作用することを意味すると、インダクタ、スイッチ及びダイオードD3を流れる電流の絶対値とを示す。この図14は、図13の信号の波形を示しており、これらの信号は、エネルギーが最上位のセルから中央のセルへポンピングされた場合に対して示してある。図14の左側の組のプロットは、上述したフライバックスイッチを用いることなくセカンドフェーズを実行した場合を示している。最初に、トランジスタT1及びT2がターンオンされ、インダクタ電流が最上位のセルT1から取り出されて上昇する。次に、トランジスタT1がターンオフされる。すると、インダクタ電流がダイオードD2、D3を経て第2のセルに流れる。この第2のセルと、ダイオードD2及びD3と、インダクタとが閉回路を構成している。この時間中トランジスタT2はターンオン状態となるが、電流は逆方向でダイオードD2を流れる。次のサイクルが開始される前には、全てのトランジスタがオフ状態となる。図14の右側の組のプロットは、上述したフライバックスイッチを用いてセカンドフェーズを実行した場合を示している。セカンドフェーズ第2のセルへのエネルギー伝達では、トランジスタT3がインダクタ電流のタイミングの最初の部分の間ターンオンされる。このことは、トランジスタT3がターンオンしている間、電流がダイオードD3を流れるよりはむしろ逆方向でこのトランジスタT3を流れるということを意味する。僅かなインダクタ電流のテールのみがダイオードD3を経て流れる。セルバランシングに用いるセル電圧の測定用回路は既知であり既に用いられており、これらには本発明に用いるために如何なる変形をも施す必要はない。これらは、セルバランシング区分に対する制御回路の一部分を形成するものであり、本発明を実施するのに用い得るようなこのような制御回路は、図1に区分12bの一部として符号19で線図的に示してある。上述した全ての回路では、1つのセルを一群のセルと置き換えることができる。このことは、階層的なセルバランシングシステムをかなり容易に形成しうることを意味する。最下位のレベルでは、複数のバッテリセルより成る区分をバランシング処理し、最高位のレベルでは、複数のバッテリモジュールの区分をバランシング処理する。この場合の回路トポロジーは同じであるが、異なるレベルの構成要素の仕様は極めて異なること勿論である。その理由は、モジュールの電圧はセルの電圧のほぼ10倍である為である。本明細書で述べた技術は、バッテリセルの代わりにスーパーキャパシタにも適用しうるものである。上述した実施例に対する他の変形は、特許請求の範囲に記載した本発明の実施に当り、図面、明細書の開示及び特許請求の範囲の研究から当業者により理解でき実施しうるものである。ある手段を互いに異なる独立請求項に述べているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせを用いることが有利でないということを意味するものではない。