一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板と、前記部品面のバンプパッド上に形成された第1表面処理層と、前記半田面の半田付けパッド上に形成された第2表面処理層と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さは相違する半導体パッケージ基板。前記ベース基板は内層回路用金属層を有する多層基板である請求項1に記載の半導体パッケージ基板。前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は3~10μmである請求項1に記載の半導体パッケージ基板。前記第1表面処理層は第1ニッケルメッキ層と第1金メッキ層とを含み、前記第2表面処理層は第2ニッケルメッキ層と第2金メッキ層とを含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さは相違する請求項1に記載の半導体パッケージ基板。前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さの差は3~10μmである請求項4に記載の半導体パッケージ基板。前記第1ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmである請求項4に記載の半導体パッケージ基板。前記第1ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmである請求項4に記載の半導体パッケージ基板。前記ベース基板の両面に夫々形成され、前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを露出させる開口部を有する半田レジスト層をさらに含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板。一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板を提供する段階と、前記部品面のバンプパッド及び前記半田面の半田付けパッド上に第1表面処理層及び第2表面処理層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さを相違するように形成する半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板は内層回路用金属層を有する多層基板である請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記提供されたベース基板が前記部品面に凸状に反る場合、前記第1表面処理層の厚さを前記第2表面処理層の厚さより大きく形成する請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記提供されたベース基板が前記部品面に凹状に反る場合、前記第1表面処理層の厚さを前記第2表面処理層の厚さより小さく形成する請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は3~10μmである請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記第1表面処理層及び前記第2表面処理層を形成する段階は、前記ベース基板の部品面のバンプパッド及び半田面の半田付けパッド上に第1ニッケルメッキ層及び第2ニッケルメッキ層を夫々形成する段階と、前記第1ニッケルメッキ層及び前記第2ニッケルメッキ層上に第1金メッキ層及び第2金メッキ層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さを相違するように形成する請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さの差は3~10μmである請求項14に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板が前記部品面に凸状に反る場合、前記第1ニッケルメッキ層の厚さを前記第2ニッケルメッキ層の厚さより大きく形成する請求項14に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記第1ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmである請求項16に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板が前記部品面に凹状に反る場合、前記第1ニッケルメッキ層の厚さを前記第2ニッケルメッキ層の厚さより小さく形成する請求項14に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記第1ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmである請求項18に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板を提供する段階の後に、前記ベース基板の両面に前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを夫々露出させる開口部を有する半田レジスト層を夫々形成する段階をさらに含む請求項9に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。本発明は上述した従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、基板の反りにもっとも実質的な影響を与え、製品の薄板化に対応することができる半導体パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、基板の反りにもっとも大きい影響を与え、ワンショットoneshotモールドに対応可能な半導体パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は、パネル基板、ストリップ基板及び単位基板の全ての反りを改善することができる半導体パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。本発明の好ましい一側面によると、一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板と、前記部品面のバンプパッド上に形成された第1表面処理層と、前記半田面の半田付けパッド上に形成された第2表面処理層と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さは相違する半導体パッケージ基板が提供される。前記半導体パッケージ基板で、前記ベース基板は内層回路用金属層を有する多層基板であることができる。好ましくは、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1表面処理層は第1ニッケルメッキ層と第1金メッキ層とを含み、前記第2表面処理層は第2ニッケルメッキ層と第2金メッキ層とを含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さは相違することができる。ここで、好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さの差は3~10μmであることができる。本発明の一実施例によると、前記第1ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであることができる。本発明の他の実施例によると、前記第1ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであることができる。さらに、前記ベース基板の両面に夫々形成され、前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを露出させる開口部を有する半田レジスト層をさらに含むことができる。本発明の好ましいさらに他の側面によると、一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板を提供する段階と、前記部品面のバンプパッド及び前記半田面の半田付けパッド上に第1表面処理層及び第2表面処理層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さを相違するように形成する半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。前記製造方法で、前記ベース基板は内層回路用金属層を有する多層基板であることができる。好ましくは、前記提供されたベース基板が前記部品面に凸状に反る場合、前記第1表面処理層の厚さを前記第2表面処理層の厚さより大きく形成することができる。好ましくは、前記提供されたベース基板が前記部品面に凹状に反る場合、前記第1表面処理層の厚さを前記第2表面処理層の厚さより小さく形成することができる。好ましくは、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1表面処理層及び前記第2表面処理層を形成する段階は、前記ベース基板の部品面のバンプパッド及び半田面の半田付けパッド上に第1ニッケルメッキ層及び第2ニッケルメッキ層を夫々形成する段階と、前記第1ニッケルメッキ層及び前記第2ニッケルメッキ層上に第1金メッキ層及び第2金メッキ層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さを相違するように形成することができる。ここで、前記ベース基板が前記部品面に凸状に反る場合、前記第1ニッケルメッキ層の厚さを前記第2ニッケルメッキ層の厚さより大きく形成することができ、本発明の一実施例によると、前記第1ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであることができる。前記ベース基板が前記部品面に凹状に反る場合、前記第1ニッケルメッキ層の厚さを前記第2ニッケルメッキ層の厚さより小さく形成することができ、本発明の一実施例によると、前記第1ニッケルメッキ層の厚さは3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層の厚さは6~15μmであることができる。さらに、前記ベース基板を提供する段階の後に、前記ベース基板の両面に前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを夫々露出させる開口部を有する半田レジスト層を夫々形成する段階をさらに含むことができる。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に従って本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明によると、表面処理層の厚さを変化させて基板の反りを根本的に改善することができる。また、生産工程に伴われる基板の温度減少によって、基板を構成する複数層の熱膨張率の差により基板の反りが発生する。本発明では、凸状に反る面の表面処理層の厚さを凹状に反る面の表面処理層より厚く形成して層の厚さを非対称に調整することにより、ベース基板で発生する基板収縮量を表面処理層で発生する基板収縮量と相殺させて、基板の反り量を大幅に減少させることができる。更には、基板が薄板化されても、基板の反りを大幅に減らすための追加的な工程が不要であり、パネル、ストリップ及び単位基板サイズに関らず、多様な製品に適用することができる。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、図面に示された各構成要素の大きさは、説明のために簡略に示したものであり、実際の構成の大きさと実質的に対応されるわけではないということが理解されるべきである。本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。本発明で用いられる用語、部品面は、通常半導体素子が搭載される面を意味し、半田面は、外部部品との結合のために通常半田ボールが搭載される面を意味する。本発明で用いられる表現、部品面に凸状に反る場合は、基板のコア層を基準に部品面と半田面のうち部品面側の垂直方向に相対的に突出されて反る場合を意味する。これと同様に、本発明で用いられる表現、部品面に凹状に反る場合は、基板のコア層を基準に部品面と半田面のうち半田面側の垂直方向に相対的に突出されて反る場合を意味する。半導体パッケージ基板の反り現象が発生する原因は、基板を構成する複数層の熱膨張率が相違し、基板及びパッケージの生産工程で伴われる温度変化に起因する。そこで、本発明では、部品面と半田面の表面処理層の厚さを相違するように調整することにより、反りを発生させる応力方向に対して互いに相反する方向に応力が発生するようにし、結果的に互いに相反する熱応力の相殺によって基板の反りを改善しようとする。以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。半導体パッケージ基板図3及び図4は、本発明の好ましい一実施例による半導体パッケージ基板を説明するために概略的に示した断面図であり、図5及び図6は、本発明の好ましい他の実施例による半導体パッケージ基板を説明するために概略的に示した断面図である。本発明の好ましい一実施形態による半導体パッケージ基板は、一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板と、前記部品面のバンプパッド上に形成された第1表面処理層と、前記半田面の半田付けパッド上に形成された第2表面処理層と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さは相違する。前記ベース基板は、内層回路用金属層を有する多層基板であることができる。好ましくは、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1表面処理層は第1ニッケルメッキ層と第1金メッキ層とを含み、前記第2表面処理層は第2ニッケルメッキ層と第2金メッキ層とを含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さは相違することができる。更に、前記ベース基板の両面に夫々形成され、前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを露出させる開口部を有する半田レジスト層をさらに含むことができる。以下、図3及び図4を参照して、本発明の好ましい第1実施例による半導体パッケージ基板を説明する。図3を参照すると、前記半導体パッケージ基板100は、絶縁層101の一面に半導体実装のためのバンプパッド102aを含む回路パターンが形成された部品面を有し、絶縁層101の他面に外部部品との結合のための半田付けパッド102bを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板と、前記部品面のバンプパッド102a上に形成された第1表面処理層103a104aと、前記半田面の半田付けパッド102b上に形成された第2表面処理層103b104bと、を含み、前記第1表面処理層103a104aの厚さは、第2表面処理層103b104bの厚さより大きい。好ましくは、前記第1表面処理層103a104aと前記第2表面処理層103b104bの厚さの差は、前記ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。図3では、説明の便宜のためにベース基板の回路パターンのうち接続端子の部分のみを拡大して示したが、当業者であれば、部品面に接続端子として形成されたバンプパッド102a以外の回路パターン及び半田面に接続端子として形成された半田付けパッド102b以外の回路パターンが備えられることを十分に認識できるであろう。また、本図面では、前記ベース基板のコアとして絶縁層101のみを図示したが、前記ベース基板は、必要に応じて内層回路用金属層を有する多層基板であることができる。前記絶縁層としては、通常の樹脂絶縁材が用いられることができる。前記樹脂絶縁材としては、通常の樹脂基板資材として公知されたFR-4、BTBismaleimideTriazine、ABFAjinomotoBuildupFilmなどのエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また熱硬化性樹脂及び/または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。前記回路パターンは、回路基板分野で回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用可能であり、銅を用いることが一般的である。前記表面処理層は、当業界で公知されたものであれば特に限定されるものではないが、例えば、電解金メッキElectroGoldPlating、無電解金メッキImmersionGoldPlating、OSPorganicsolderabilitypreservativeまたは無電解錫メッキImmersionTinPlating、無電解銀メッキImmersionSilverPlating、ENIGelectrolessnickelandimmersiongold;無電解ニッケルメッキ/置換金メッキ、DIGメッキDirectImmersionGoldPlating、HASLHotAirSolderLevellingなどによって形成されることができる。本実施例によると、前記第1表面処理層103a104aは、第1ニッケルメッキ層103aと第1金メッキ層104aとを含み、前記第2表面処理層103b104bは、第2ニッケルメッキ層103bと第2金メッキ層104bとを含み、前記第1ニッケルメッキ層103aの厚さが前記第2ニッケルメッキ層103bの厚さより大きく形成されることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層103aと前記第2ニッケルメッキ層103bの厚さの差は、前記ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層103aの厚さは、6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層103bの厚さは、3~12μmである範囲を有し、ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができる。また、前記半導体パッケージ基板は、前記ベース基板の両面に夫々形成され、前記バンプパッド102a及び前記半田付けパッド102bを露出させる開口部を有する半田レジスト層不図示をさらに含むことができる。この際、前記開口部によって露出された接続端子、即ち、バンプパッド102a及び半田付けパッド102b上に上述したような表面処理層が形成されることができる。前記半田レジスト層は、最外層回路を保護する保護層としての機能をし、電気的絶縁のために形成されるものであり、最外層の接続端子を露出させるために開口部が形成される。前記半田レジストは、当業界で公知されたように、例えば、半田レジストインク、半田レジストフィルムまたはカプセル化材などで構成されることができ、適用目的に応じて熱硬化性樹脂や感光性樹脂のような絶縁材からなることができるが、特にこれに限定されるものではない。上述したように部品面の第1表面処理層103a104aの厚さを、半田面の第2表面処理層103b104bの厚さより大きく形成することにより、図4に示したように、ベース基板100aで部品面に凸状に発生する反りを相殺して最終半導体パッケージ基板100の反りを防止することができる。以下、図5及び図6を参照して、本発明の好ましい第2実施例による半導体パッケージ基板を説明する。但し、第1実施例と重複される説明は省略する。図5を参照すると、前記半導体パッケージ基板200は、絶縁層201の一面に半導体実装のためのバンプパッド202aを含む回路パターンが形成された部品面を有し、絶縁層201の他面に外部部品との結合のための半田付けパッド202bを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板と、前記部品面のバンプパッド202a上に形成された第1表面処理層203a204aと、前記半田面の半田付けパッド202b上に形成された第2表面処理層203b204bと、を含み、前記第1表面処理層203a204aの厚さは、前記第2表面処理層203b204bの厚さより小さい。好ましくは、前記第1表面処理層203a204aと前記第2表面処理層203b204bの厚さの差は、前記ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。図5では、説明の便宜のためにベース基板の回路パターンのうち接続端子の部分のみを拡大して示したが、当業者であれば、部品面に接続端子として形成されたバンプパッド202a以外の回路パターン及び半田面に接続端子として形成された半田付けパッド202b以外の回路パターンが備えられることを十分に認識できるであろう。また、本図面では、前記ベース基板のコアとして絶縁層201のみを図示したが、前記ベース基板は必要に応じて内層回路用金属層を有する多層基板であることができる。前記表面処理層は、当業界で公知されたものであれば特に限定されるものではないが、例えば、電解金メッキElectroGoldPlating、無電解金メッキImmersionGoldPlating、OSPorganicsolderabilitypreservativeまたは無電解錫メッキImmersionTinPlating、無電解銀メッキImmersionSilverPlating、ENIGelectrolessnickelandimmersiongold;無電解ニッケルメッキ/置換金メッキ、DIGメッキDirectImmersionGoldPlating、HASLHotAirSolderLevellingなどによって形成されることができる。本実施例によると、前記第1表面処理層203a204aは、第1ニッケルメッキ層203aと第1金メッキ層204aとを含み、前記第2表面処理層203b204bは、第2ニッケルメッキ層203bと第2金メッキ層204bとを含み、前記第1ニッケルメッキ層203aの厚さが前記第2ニッケルメッキ層203bの厚さより小さく形成されることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層203aと前記第2ニッケルメッキ層203bの厚さの差は、前記ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層203aの厚さが3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層203bの厚さが6~15μmである範囲を有し、ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができる。また、前記半導体パッケージ基板は、前記ベース基板の両面に夫々形成され、前記バンプパッド202a及び前記半田付けパッド202bを露出させる開口部を有する半田レジスト層不図示をさらに含むことができる。この際、前記開口部によって露出された接続端子、即ち、バンプパッド202a及び半田付けパッド202b上に上述したような表面処理層が形成されることができる。上述したように、部品面の第1表面処理層203a204aの厚さを半田面の第2表面処理層203b204bの厚さより小さく形成することにより、図6に示したように、ベース基板200aで部品面に凹状に発生する反りを相殺して最終半導体パッケージ基板200の反りを防止することができる。半導体パッケージ基板の製造方法図7及び図8は、本発明の好ましい一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法を説明するために概略的に示した工程フロー図であり、図9及び図10は、本発明の好ましい他の実施例による半導体パッケージ基板の製造方法を説明するために概略的に示した工程フロー図である。本発明の好ましい一実施例による半導体パッケージ基板の製造方法は、一面に半導体実装のためのバンプパッドを含む回路パターンが形成された部品面を有し、他面に外部部品との結合のための半田付けパッドを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板を提供する段階と、前記部品面のバンプパッド及び前記半田面の半田付けパッド上に第1表面処理層及び第2表面処理層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さを相違するように形成する。好ましくは、前記第1表面処理層と前記第2表面処理層の厚さの差は、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1表面処理層及び前記第2表面処理層を形成する段階は、前記ベース基板の部品面のバンプパッド及び半田面の半田付けパッド上に第1ニッケルメッキ層及び第2ニッケルメッキ層を夫々形成する段階と、前記第1ニッケルメッキ層及び前記第2ニッケルメッキ層上に第1金メッキ層及び第2金メッキ層を夫々形成する段階と、を含み、前記第1ニッケルメッキ層と前記第2ニッケルメッキ層の厚さを相違するように形成することができる。さらに、前記ベース基板を提供する段階の後に、前記ベース基板の両面に前記バンプパッド及び前記半田付けパッドを夫々露出させる開口部を有する半田レジスト層を夫々形成する段階をさらに含むことができる。以下、図7及び図8を参照して、本発明の好ましい第1実施例による半導体パッケージ基板の製造方法を説明する。但し、上述した半導体パッケージ基板と重複される説明は省略する。まず、図7に示したように、絶縁層301の一面に半導体実装のためのバンプパッド302aを含む回路パターンが形成された部品面を有し、絶縁層301の他面に外部部品との結合のための半田付けパッド302bを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板300aを準備する。この際、本実施例では、前記ベース基板300aで、図7の下側図面に示したように、部品面の基板収縮量が半田面に比べて相対的に小さいことにより部品面に凸状に反る現象が発生する場合を想定する。次に、図8に示したように、上述したような反りを発生させる応力を相殺させるために、部品面のバンプパッド302a上に形成される第1表面処理層303a304aの厚さを半田面の半田付けパッド302b上に形成される第2表面処理層303b304bの厚さより大きく形成する。これにより、図8の下側に示したように、ベース基板300aで発生する反りを相殺できる反りが反対方向に発生して、最終半導体パッケージ基板300の反りを防止することができる。本実施例によると、前記第1表面処理層303a304a及び前記第2表面処理層303b304bを形成する段階は、前記ベース基板300aの部品面のバンプパッド302a及び半田面の半田付けパッド302b上に第1ニッケルメッキ層303a及び第2ニッケルメッキ層303bを夫々形成する段階と、前記第1ニッケルメッキ層303a及び前記第2ニッケルメッキ層303b上に第1金メッキ層304a及び第2金メッキ層304bを夫々形成する段階と、を含み、前記第1ニッケルメッキ層303aの厚さを前記第2ニッケルメッキ層303bの厚さより大きく形成することができる。この際、前記ベース基板300aの部品面のバンプパッド302a及び半田面の半田付けパッド302b上に第1ニッケルメッキ層303a及び第2ニッケルメッキ層303bを夫々形成する段階は、両面に当業界で公知された通常のメッキレジストパターンを形成した後、同時に行ってもよく、または必要に応じて、一面を全面マスキングして残りの他面にメッキ層を形成した後、さらに他面を全面マスキングして一面にメッキ層を形成する方式で、片面ずつ交互に行ってもよい。これと同様に、前記第1ニッケルメッキ層303a及び前記第2ニッケルメッキ層303b上に第1金メッキ層304a及び第2金メッキ層304bを夫々形成する段階も、両面に同時に行ってもよく、または片面ずつ交互に行ってもよい。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層303aと前記第2ニッケルメッキ層303bの厚さの差は、前記ベース基板300aの反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層303aの厚さが6~15μmであり、前記第2ニッケルメッキ層303bの厚さが3~12μmである範囲を有して形成することにより、ベース基板300aの反りを相殺して反りを補正することができる。前記ベース基板300aを準備した後、図示されていないが、前記ベース基板300aの両面に前記バンプパッド302a及び前記半田付けパッド302bを夫々露出させる開口部を有する半田レジスト層を形成する段階をさらに行うことができる。この際、前記開口部を介して露出されたバンプパッド302a及び半田付けパッド302bには、上述したような表面処理層形成段階が行われることができる。ここで、前記開口部は、通常のLDAlaserdirectablation工法、フォトリソグラフィなど、特に限定されずに当業界で公知された工法によって形成されることができる。上述したように、図8を参照すると、ベース基板300aの部品面に凸状に反る場合、部品面の第1表面処理層303a304aの厚さを半田面の第2表面処理層303b304bの厚さより大きく形成することにより、部品面に凸状に発生する反りを相殺して最終半導体パッケージ基板300の反りを防止することができる。以下、図9及び図10を参照して、本発明の好ましい第2実施例による半導体パッケージ基板の製造方法を説明する。但し、上述した半導体パッケージ基板と重複される説明は省略する。まず、図9に示したように、絶縁層401の一面に半導体実装のためのバンプパッド402aを含む回路パターンが形成された部品面を有し、絶縁層401の他面に外部部品との結合のための半田付けパッド402bを含む回路パターンが形成された半田面を有するベース基板400aを準備する。この際、本実施例では、前記ベース基板400aで、図9の下側図面に示したように、部品面の基板収縮量が半田面に比べて相対的に大きいことにより部品面に凹状に反る現象が発生する場合を想定する。次に、図10に示したように、上述したような反りを発生させる応力を相殺させるために、部品面のバンプパッド402a上に形成される第1表面処理層403a404aの厚さを半田面の半田付けパッド402b上に形成される第2表面処理層403b404bの厚さより小さく形成する。これにより、ベース基板400aで発生する反りを相殺できる反りが反対方向に発生して、最終半導体パッケージ基板400の反りを防止することができる。本実施例によると、前記第1表面処理層403a404a及び前記第2表面処理層403b404bを形成する段階は、前記ベース基板400aの部品面のバンプパッド402a及び半田面の半田付けパッド402b上に第1ニッケルメッキ層403a及び第2ニッケルメッキ層403bを夫々形成する段階と、前記第1ニッケルメッキ層403a及び前記第2ニッケルメッキ層403b上に第1金メッキ層404a及び第2金メッキ層404bを夫々形成する段階と、を含み、前記第1ニッケルメッキ層403aの厚さを前記第2ニッケルメッキ層403bの厚さより小さく形成することができる。この際、前記ベース基板400aの部品面のバンプパッド402a及び半田面の半田付けパッド402b上に第1ニッケルメッキ層403a及び第2ニッケルメッキ層403bを夫々形成する段階は、両面に当業界で公知された通常のメッキレジストパターンを形成した後、同時に行ってもよく、または必要に応じて、一面を全面マスキングして残りの他面にメッキ層を形成した後、さらに他面を全面マスキングして一面にメッキ層を形成する方式で、片面ずつ交互に行ってもよい。これと同様に、前記第1ニッケルメッキ層403a及び前記第2ニッケルメッキ層403b上に第1金メッキ層404a及び第2金メッキ層404bを夫々形成する段階も、両面に同時に行ってもよく、または片面ずつ交互に行ってもよい。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層403aと前記第2ニッケルメッキ層403bの厚さの差は、前記ベース基板の反りを相殺して反りを補正することができるように、3~10μmであることができる。好ましくは、前記第1ニッケルメッキ層403aの厚さが3~12μmであり、前記第2ニッケルメッキ層403bの厚さが6~15μmである範囲を有し、ベース基板400aの反りを相殺して反りを補正することができる。前記ベース基板400aを準備した後、図示されていないが、前記ベース基板400aの両面に前記バンプパッド402a及び前記半田付けパッド402bを夫々露出させる開口部を有する半田レジスト層を形成する段階をさらに行うことができる。この際、前記開口部を介して露出されたバンプパッド402a及び半田付けパッド402bには、上述したような表面処理層形成段階が行われることができる。ここで、前記開口部は、通常のLDAlaserdirectablation工法、フォトリソグラフィなど、特に限定されずに当業界で公知された工法によって形成されることができる。上述したように、図10を参照すると、ベース基板400aの部品面に凹状に反る場合、部品面の第1表面処理層403a404aの厚さを半田面の第2表面処理層403b404bの厚さより小さく形成することにより、部品面に凹状に発生する反りを相殺して最終半導体パッケージ基板400の反りを防止することができる。上述したように、本発明によると、部品面と半田面の表面処理層の厚さを全体的に変化させて非対称に構成することにより、基板の反りにもっとも大きい影響を与え、製品の薄板化及びワンショットモールドに対応することができる。また、パネル基板の反り、ストリップ基板の反り、及び単位基板の反りを根本的に改善することができる。また、表面処理層が形成される前にベース基板で発生する反りを相殺することができるように、表面処理層の厚さを非対称に構成することにより、基板の反り量を大幅に減少させることができる。更に、本発明によると、基板が薄板化されても、基板の反りを大幅に減らすための追加的な工程が不要であり、パネル、ストリップ及び単位基板サイズに関らず多様な製品に適用することができる。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による半導体パッケージ基板及びその製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。