気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造方法であって、種基板に、剥離層を形成し、種基板を配置してなるサセプターに、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスを供給し、前記サセプターにおける前記種基板において、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制し、窒化ガリウム自立基板を気相成長させることを含んでなり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプターとを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制するものである、窒化ガリウム自立基板の製造方法。前記間隙の大きさが、前記窒化ガリウム自立基板の厚みと同一である、請求項1に記載の製造方法。前記間隙の大きさと、前記窒化ガリウム自立基板の厚みが、それぞれ、0mm超過2mm以下である、請求項1又は2に記載の製造方法。前記サブサセプターが、サファイア、単結晶又は多結晶の炭化ケイ素、単結晶又は多結晶の窒化アルミニウムである、請求項1~3の何れか一項に記載の製造方法。前記サブサセプターが、室温以上1200°C以下の温度範囲で分解しないものであり、又は、前記種基板と反応しないものである、1~4の何れか一項に記載の製造方法。前記気相成長法が、ハイドライド気相成長法である、請求項1~5の何れか一項に記載の製造方法。気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造装置であって、窒化ガリウム結晶を形成する原料ガスと、キャリアガスの各供給部と、前記原料ガスを反応させ、窒化ガリウム自立基板を気相成長させるための、種基板を備えたサセプターと、排気機構とを備えてなるものであり、前記サセプターが、前記種基板を固定するポケット部分と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプターとを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制するものであり、剥離層が、前記種基板と前記窒化ガリウム自立基板層の間に位置する、窒化ガリウム自立基板の製造装置。気相成長法による窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法であって、種基板に、剥離層を形成し、気相成長法により、種基板を備えたサセプターにおいて窒化ガリウム結晶を気相成長させ、前記種基板を固定するポケット部分と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプターとを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなる、前記サセプターを用いて、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する、抑制方法。窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する為のサセプターであって、気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造方法及び製造装置、並びに、気相成長法による窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法において使用されるものであり、種基板と、前記種基板を固定するポケット部分と、前記サセプターと前記種基板との間に、前記種基板と反応しないサブサセプターとを備えてなり、かつ、前記種基板と前記サブサセプターとの間に間隙を有してなり、前記種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制するものであり、剥離層が、前記種基板と前記窒化ガリウム自立基板層の間に位置する、サセプター。