基板と、前記基板の主方位面の一部を覆うマスク材と、前記基板の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、前記ダイヤモンド薄膜は、前記マスク材の上に形成され、前記ダイヤモンド薄膜の結晶方位は前記基板の結晶方位とそろっており、前記基板の主方位面の一部にストライプ状の溝が形成され、前記マスク材は、前記ストライプ状の溝を覆うように配置されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜構造。前記マスク材は、前記基板上に積層されることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド薄膜構造。前記マスク材は、前記基板上でストライプ状に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド薄膜構造。前記基板は001面を主方位面とする結晶基板であり、前記マスク材の配置方向が<100>、又は、<110>のいずれかであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造。前記基板は110面を主方位面とする結晶基板であり、前記マスク材の配置方向が<001>、<1-10>、<-111>、又は、<1-11>のいずれかであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造。前記基板は111面を主方位面とする結晶基板であり、前記マスク材の配置方向が<-211>、又は、<110>であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造。前記マスク材は、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜から成ることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造。前記マスク材は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜と、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜の二層膜であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造。結晶基板にストライプ状の溝を形成する工程と、前記ストライプ状の溝を覆うストライプ状のマスク材を配置する工程と、前記結晶基板と所定の方位関係をとってダイヤモンド薄膜を横方向エピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド薄膜製造方法。前述したように、ダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長において、貫通転位密度が高く、結晶品質が悪いという問題が存在した。本発明は、このような問題を鑑みてなされたもので、その目的とするところは、積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供することにある。本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載のダイヤモンド薄膜構造は、基板と、基板の主方位面の一部を覆うマスク材と、基板の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜とで構成され、ダイヤモンド薄膜は、マスク材の上に形成され、ダイヤモンド薄膜の結晶方位は基板の結晶方位とそろっており、基板の主方位面の一部にストライプ状の溝が形成され、マスク材は、ストライプ状の溝を覆うように配置されていることを特徴とする。請求項2に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1に記載のダイヤモンド薄膜構造において、マスク材は、基板上に積層されることを特徴とする。請求項3に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1又は2に記載のダイヤモンド薄膜構造において、マスク材が、基板上でストライプ状に配置されることを特徴とする。請求項4に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造において、基板が001面を主方位面とする結晶基板であり、マスク材の配置方向が<100>、又は、<110>のいずれかであることを特徴とする。請求項5に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造において、基板は110面を主方位面とする結晶基板であり、マスク材の配置方向が<001>、<1-10>、<-111>、又は、<1-11>のいずれかであることを特徴とする。請求項6に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造において、基板は111面を主方位面とする結晶基板であり、マスク材の配置方向が<-211>、又は、<110>であることを特徴とする。請求項7に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1から6のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造において、マスク材は、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜から成ることを特徴とする。請求項8に記載のダイヤモンド薄膜構造は、請求項1から6のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜構造において、マスク材は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜と、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜の二層膜であることを特徴とする。請求項9に記載のダイヤモンド薄膜製造方法は、結晶基板にストライプ状の溝を形成する工程と、ストライプ状の溝を覆うストライプ状のマスク材を配置する工程と、結晶基板と所定の方位関係をとってダイヤモンド薄膜を横方向エピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とする。本発明によれば、結晶欠陥密度及び不純物密度の低い高品質なダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を得ることができる。以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を詳細に説明する。<参考例>図1は、本発明の参考例にかかるダイヤモンド薄膜構造を示す。このダイヤモンド薄膜構造は、ダイヤモンド基板101と、ダイヤモンド基板101の主方位面の一部を覆うマスク材102と、ダイヤモンド基板101の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜103とで構成されている。ここで、主方位面とは、ダイヤモンド基板101にダイヤモンド薄膜103が形成される面を指す。ダイヤモンド基板101は、図1における001面を主方位面とする。マスク材102は、厚さ100nmでストライプ形状のチタン薄膜であり、ストライプの方向は<100>である。ストライプの幅は、0.1μmから10mmの範囲で設定でき、ストライプ同士の間隙の幅は、0.1μmから100μmの範囲で設定できる。ダイヤモンド薄膜103は、ダイヤモンド基板101と結晶方位がそろっている。さらに、ダイヤモンド薄膜103は、マスク材102の上に形成され、マスク材と直接接している。貫通転位104a及び104bは、各々、ダイヤモンド基板101に存在する。貫通転位104aは、マスク材102で覆われていない部分のダイヤモンド基板101の主方位面を介してダイヤモンド薄膜103まで貫通している。一方、貫通転位104bは、マスク材102によってダイヤモンド薄膜103への伝播を遮られている。その結果、ダイヤモンド薄膜の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上した。更に、結晶性が向上したことに起因して、不純物及び積層欠陥も低下した。また、マスク材102の直上の部分のダイヤモンド薄膜103に、貫通転位が全くないことが透過型電子顕微鏡による観察から明らかとなった。同観察から、ダイヤモンド薄膜103及びダイヤモンド基板101の結晶方位がそろっており、エピタキシャルな関係が成立していた。ダイヤモンド基板101の主方位面の方位とマスク材102のストライプの方向との組み合わせとして、001面を主方位面とし、ストライプの方向は<110>とすることができる。又は、110面を主方位面とし、ストライプの方向は<001>、<1-10>、<-111>、あるいは、<1-11>とすることができる。又は、111面を主方位面とし、ストライプの方向を<-211>、あるいは、<110>とすることができる。ダイヤモンド基板101の代わりに、シリコン、炭化珪素、イリジウム、あるいは、白金上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いることができる。マスク材102としては、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜を用いることができる。または、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜とチタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜との二層膜を用いることができる。図2は、参考例にかかるダイヤモンド薄膜の製造方法を示す。001面を主方位面とするダイヤモンド基板101の主方位面にチタン薄膜を真空蒸着法で形成する。図2aに示すように、フォトリソグラフィーにより、ダイヤモンド基板101に<100>方向のストライプ状マスク材102をパターニングする。次に、パターニングされたダイヤモンド基板101をマイクロ波励起化学気相成長装置にセットし、メタンを原料ガス、水素を希釈ガスとしてダイヤモンド薄膜の成長を行う。ここで、基板温度は、600~850°Cとする。図2bに示すように、初期過程において、ダイヤモンド薄膜103は、ダイヤモンド基板101のマスク材102で覆われていない部分の主方位面上で成長する。更に成長を続けたところ、図2cに示すように、ダイヤモンド薄膜103は、ダイヤモンド基板101の主方位面に対して垂直方向にエピタキシャル成長するだけでなく、マスク材102の表面上で横方向エピタキシャル成長する。その後も成長を続けることにより、図2dに示すように、ダイヤモンド薄膜103は、コアレッセンスして連続膜を形成し、マスク材102はダイヤモンド薄膜103で埋め込まれる。ここで、貫通転位104、104a及び104bは、各々、ダイヤモンド基板101に存在する。貫通転位104aは、マスク材102で覆われていない部分のダイヤモンド基板101の主方位面を介してダイヤモンド薄膜103まで貫通する。貫通転位104bは、マスク材102によってダイヤモンド薄膜103への伝播が遮られる。その結果、ダイヤモンド薄膜103の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上した。更に、結晶性が向上したことに起因して、不純物及び積層欠陥の密度も低下した。また、ダイヤモンド薄膜103がマスク材102の表面と接していることにより、マスク材102の直上の部分のダイヤモンド薄膜103の貫通転位は全くなかった。ダイヤモンド基板101の主方位面の方位とマスク材102のストライプの方向との組み合わせとして、001面を主方位面とし、ストライプの方向は<110>とすることができる。又は、110面を主方位面とし、ストライプの方向は<001>、<1-10>、<-111>、あるいは、<1-11>とすることができる。又は、111面を主方位面とし、ストライプの方向は<-211>、あるいは、<110>とすることができる。このような組合せとすることによって、横エピタキシャル成長の過程で、例えば、図2に示されるダイヤモンド薄膜103の側面が安定な低指数面となり、横エピタキシャル成長部分の結晶性及び表面平坦性が向上する。逆に、このような組み合わせでないと、横エピタキシャル成長部分の結晶性及び表面平坦性が損なわれるとともに、横エピタキシャル成長部がコアレッセンスしたときに合体部分が欠陥だらけとなる。ダイヤモンド基板101の代わりに、シリコン、炭化珪素、イリジウム、あるいは、白金上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いることができる。マスク材102として、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜を用いることができる。チタン、白金、イリジウム、及びタングステンは融点が高く、タイヤモンド薄膜の成長温度でも融解しない。さらに、化学的な耐性も高く、マイクロ波励起化学気相成長装置内でプラズマにさらされてもダメージを受けない。または、マスク材102として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜とチタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜との二層膜を用いることができる。上記のいずれかから成る誘電体と上記のいずれかから成る金属薄膜との二層膜のマスク材102は、金属薄膜だけから成るマスク材102に比べ、ダイヤモンド基板101との接着性が優れている。<実施例>図3は、本発明の実施例にかかるダイヤモンド薄膜構造を示す。このダイヤモンド薄膜構造は、ダイヤモンド基板101と、ダイヤモンド基板101の主方位面の一部に形成された溝102aと、溝102aを覆うマスク材102bと、ダイヤモンド基板101の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜103とで構成される。ダイヤモンド基板101は、001面を主方位面とする。溝102aは、深さ500nmでストライプ形状の溝であり、ストライプの方向は100である。ここで、溝の幅は、0.1μmから10mmの範囲で設定でき、溝同士の間隙の幅は0.1μmから100μmの範囲で設定できる。更に、溝の深さは、マスク材102bの厚さより大きければよい。マスク材102bは、厚さ100nmのチタン薄膜である。ダイヤモンド薄膜103は、ダイヤモンド基板101と結晶方位がそろっている。さらに、ダイヤモンド薄膜103は、マスク材102bの上に形成され、マスク材102bと直接接していない。貫通転位104a及び104bは、各々、ダイヤモンド基板101に存在する。貫通転位104aは、溝102a及びマスク材102bで覆われていない部分のダイヤモンド基板101の主方位面を介してダイヤモンド薄膜103まで貫通している。一方、貫通転位104bは、溝102a及びマスク材102bによってダイヤモンド薄膜103への伝播が遮られている。その結果、ダイヤモンド薄膜103の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上した。更に、結晶性が向上したことに起因して、不純物及び積層欠陥の密度も低下した。また、溝102a及びマスク材102bの直上の部分のダイヤモンド薄膜103には貫通転位が全くないことが透過型電子顕微鏡による観察から明らかとなった。同観察から、ダイヤモンド薄膜103及びダイヤモンド基板101の結晶方位がそろっており、エピタキシャルな関係が成立していた。また、溝102a及びマスク材102bの直上の部分のダイヤモンド薄膜103は、マスク材102bに直接接していないため、参考例で示したダイヤモンド薄膜よりも更に不純物濃度の低い高品質な結晶であった。ダイヤモンド基板101の主方位面の方位と溝102aのストライプの方向との組み合わせとして、001面を主方位面とし、ストライプの方向は<110>とすることができる。又は、110面を主方位面とし、ストライプの方向は<001>、<1-10>、<-111>、あるいは、<1-11>とすることができる。又は、111面を主方位面とし、ストライプの方向は<-211>、あるいは、<110>とすることができる。ダイヤモンド基板101の代わりに、シリコン、炭化珪素、イリジウム、あるいは、白金上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いることができる。マスク材102bとしては、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜を用いることができる。または、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜とチタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜との二層膜を用いることができる。図4は、実施例にかかるダイヤモンド薄膜構造の製造方法を示す。図4aに示すように、001面を主方位面とするダイヤモンド基板101の主方位面に、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法により、<100>方向のストライプ状の溝102aを形成する。次に、図4bに示すように、チタン薄膜を真空蒸着法で形成し、フォトリソグラフィーにより、ダイヤモンド基板101にストライプ状の溝102aを覆うマスク材102bをパターニングする。次に、パターニングされたダイヤモンド基板101をマイクロ波励起化学気相成長装置にセットし、メタンを原料ガス、水素を希釈ガスとしてダイヤモンド薄膜の成長を行う。ここで、基板温度は、600~850°Cとする。初期過程において、ダイヤモンド薄膜103は、マスク材102bで覆われていない部分のダイヤモンド基板101の主方位面上で成長する。このとき、図4cに示すように、ダイヤモンド薄膜103は、ダイヤモンド基板101の主方位面に対して垂直方向にエピタキシャル成長するだけでなく、マスク材102bの表面上で横方向エピタキシャル成長する。ただし、ダイヤモンド薄膜103は、マスク材102bの表面とは接せずに、分離して横方向エピタキシャル成長する。その後も成長を続けることにより、図4dに示すように、ダイヤモンド薄膜103は、コアレッセンスして連続膜を形成し、マスク材102bはダイヤモンド薄膜103で埋め込まれる。また、貫通転位104、104a及び104bは、各々、ダイヤモンド基板101に存在する。貫通転位104aは、溝102aで覆われていない部分のダイヤモンド基板101の主方位面を介してダイヤモンド薄膜103まで貫通している。一方、貫通転位104bは、溝102a及びマスク材102bによってダイヤモンド薄膜103への伝播が遮られている。その結果、ダイヤモンド薄膜103の貫通転位密度は低下し、結晶性が向上した。更に、結晶性が向上したことに起因して、不純物及び積層欠陥の密度も低下した。また、溝102a及びマスク材102bの直上の部分のダイヤモンド薄膜103には貫通転位が全くないことが透過型電子顕微鏡による観察から明らかとなった。また、同観察から、ダイヤモンド基板101及びダイヤモンド薄膜103の結晶方位はそろっており、エピタキシャルな関係が成立していた。また、溝102a及びマスク材102bの直上の部分のダイヤモンド薄膜103は、マスク材102bに直接接していないため、参考例で示したダイヤモンド薄膜よりも更に不純物濃度の低い高品質な結晶であった。ダイヤモンド基板101の主方位面の方位と溝102aのストライプの方向との組み合わせとして、001面を主方位面とし、ストライプの方向は<110>とすることができる。又は、110面を主方位面とし、ストライプの方向は<001>、<1-10>、<-111>、あるいは、<1-11>とすることができる。又は、111面を主方位面とし、ストライプの方向は<-211>、あるいは、<110>とすることができる。このような組合せとすることによって、横エピタキシャル成長の過程で、例えば、図4に示されるダイヤモンド薄膜103の側面が安定な低指数面となり、横エピタキシャル成長部分の結晶性及び表面平坦性が向上する。逆に、このような組み合わせでないと、横エピタキシャル成長部分の結晶性及び表面平坦性が損なわれるとともに、横エピタキシャル成長部がコアレッセンスしたときに合体部分が欠陥だらけとなる。ダイヤモンド基板101の代わりに、シリコン、炭化珪素、イリジウム、あるいは、白金上のヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いることができる。マスク材102bとしては、チタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかの金属薄膜を用いることができる。チタン、白金、イリジウム、及びタングステンは融点が高く、タイヤモンド薄膜の成長温度でも融解しない。さらに、化学的な耐性も高く、マイクロ波励起化学気相成長装置内でプラズマにさらされてもダメージを受けない。または、マスク材102bとして、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、あるいは、酸化チタンのいずれかから成る誘電体薄膜とチタン、白金、イリジウム、あるいは、タングステンのいずれかから成る金属薄膜との二層膜を用いることができる。上記のいずれかから成る誘電体と上記のいずれかから成る金属薄膜との二層膜のマスク材102bは、金属薄膜だけから成るマスク材102bに比べ、ダイヤモンド基板101との接着性が優れている。