"ウェーハを第1面側から支持する複数の支持部と、前記第1面の反対面である第2面に向けて前記支持部に支持された前記ウェーハに照射光を射出する光射出部と、前記支持部に支持される前記ウェーハと前記光射出部との間に設けられて前記照射光を透過させる透過板と、を備え、前記透過板は、前記照射光の透過率が他の領域よりも高い高透過率領域を有し、前記高透過率領域は、前記ウェーハの第2面のうち前記支持部に支持された部分の反対面側となる部分に照射される前記照射光が透過する領域の少なくとも一部に形成される熱処理装置。前記高透過率領域には、開口が形成されている請求項1に記載の熱処理装置。前記高透過率領域には、凹みが形成されている請求項1に記載の熱処理装置。前記ウェーハを回転させるために前記支持部を回転させる第1回転部と、前記透過板を回転させる第2回転部と、前記第1回転部と前記第2回転部との回転周期を同期させる同期部と、をさらに備える請求項1~3のいずれか1項に記載の熱処理装置。ウェーハを第1面側から支持する複数の支持部と、前記第1面の反対面である第2面に向けて前記支持部に支持された前記ウェーハに照射光を射出する光射出部と、前記支持部に支持される前記ウェーハと前記光射出部との間に設けられて前記照射光を透過させる透過板と、を備え、前記透過板は、前記照射光の透過率が他の領域よりも高い高透過率領域を有し、前記高透過率領域は、前記ウェーハの第2面のうち前記支持部に支持された部分の反対面側となる部分に照射される前記照射光が透過する領域の少なくとも一部に形成される半導体装置の製造装置。本発明は、光の照射によってウェーハを加熱する活性化熱処理において、ウェーハ面内の温度の均一化を図ることのできる熱処理装置を提供することを目的とする。本願発明の一態様によれば、複数の支持部と、光射出部と、透過板と、を備える熱処理装置が提供される。複数の支持部は、ウェーハを第1面側から支持する。光射出部は、第1面の反対面である第2面に向けて支持部に支持されたウェーハに照射光を射出する。透過板は、支持部に支持されるウェーハと光射出部との間に設けられて照射光を透過させる。透過板は、照射光の透過率が他の領域よりも高い高透過率領域を有する。高透過率領域は、ウェーハの第2面のうち支持部に支持された部分の反対面側となる部分に照射される照射光が透過する領域の少なくとも一部に形成される。以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかるウェーハの製造装置および半導体装置の製造装置を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態にかかる熱処理装置の概略構成を示す模式図である。第1の実施の形態にかかる熱処理装置は、例えば、シリコンなどの半導体からなるウェーハに注入された不純物を活性化するための熱処理に用いるものである。熱処理装置100は、光射出部10、処理部20、透過板30、制御部40を備える。光射出部10は、熱処理装置100によって熱処理が行われるウェーハ60に向けて照射光を射出する。光射出部10から射出される照射光は、例えば、RTP装置やSpikeRTA装置に用いられるハロゲンランプ光や、フラッシュランプアニール装置で用いられるパルス幅が0.1ms以上100ms以下のパルス光である。光射出部10には、例えばハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等のランプ10aが用いられる。他にも、光射出部10には、例えば他の希ガス、水銀、水素を用いたランプや、キセノンアーク放電ランプを用いてもよい。なお、光射出部10には、ランプ10aを複数並べたものを用いてもよい。また、高輝度を実現するために棒状ランプを用いてもよい。また、光射出部10には、各種のパルス光を射出するパルス発光型のレーザを用いてもよい。この場合には、光射出部10から射出されたレーザ光を、ウェーハ60上に走査させることで、実質的にウェーハ60の全体に光を照射させるように構成してもよい。このようなレーザとして、例えばエキシマレーザ、YAGレーザ、一酸化炭素ガスレーザ、二酸化炭素ガスレーザが挙げられる。また、光射出部10には、発光のための電力を供給する電源12が接続される。なお、電源12は、制御部40に含まれてもよい。処理部20は、処理室21、ピン保持部22、窓部23を有する。処理室21は、内部にウェーハ60を収容可能とされる。処理室は、内部に収容されたウェーハ60と光射出部との間を遮る部分に開口21aが形成されている。開口21aは、窓部23に塞がれ、処理室21の内部は気密にされる。また、処理室21には、必要に応じて内部にガスを供給できるように、ガス導入口21bとガス排出口21cとが設けられる。ピン保持部22は、処理室21の内部に設けられる。ピン保持部22には、複数本実施の形態では3本の支持ピン支持部24が立設される。支持ピン24は、図1に示すように、ウェーハ60に対して裏面第1面60a側から接触して、ウェーハ60を支持する。ピン保持部22は、処理室21内で回転可能とされており、ピン保持部22の回転に伴って支持ピン24が回転し、支持ピン24に支持されたウェーハ60も回転するようになっている。ピン保持部22に立設される支持ピン24の本数は3本に限られず、ウェーハ60を安定して支持できるのであれば何本立設されても構わない。ピン保持部22には、ピン保持部22を回転させるための第1回転部25が接続されている。第1回転部25は、例えばモータである。第1回転部25は、ピン保持部22を回転させることで、支持ピン24に支持されたウェーハ60を回転させる。第1回転部25は、処理室21の内部に設けられてもよいし、外部に設けられてもよい。図2は、支持ピン24に支持されたウェーハ60を表面60b側から見た平面図である。支持ピン24が回転することで、ウェーハ60は矢印Xに示す方向に回転する。ウェーハ60の回転速度は、例えばSpikeRTAと呼ばれる活性化熱処理では、90rpm程度とされる。なお、SpikeRTAでは活性化熱処理が2~3秒で終了する場合があり、この場合には活性加熱処理の間に、2回~3回ウェーハ60は回転することとなる。図2に示すように、ウェーハ60は裏面60a側から支持ピン24に支持されている。以下の説明において、表面60bのうち支持ピン24に支持された部分の反対側となる部分を支持領域Tと呼ぶ。窓部23は、光を透過させる透光性の板部材で構成される。光射出部10から射出された照射光を窓部23が透過させることで、ウェーハ60の表面第2面60bに照射光を照射することができる。窓部23は照射光の照射などにより高温になるため、窓部23には石英などの耐熱性の高い材料が用いられる。透過板30は、処理室21の外部に設けられ、支持ピン24に支持されたウェーハ60と光射出部10との間に配置される。透過板30は、光を透過させる透光性の板部材で構成される。光射出部10から射出された照射光を窓部23が透過させることで、ウェーハ60の表面60bに照射光を照射することができる。すなわち、光射出部10から射出された照射光は、透過板30と窓部23を透過してウェーハ60に照射される。透過板30は照射光の照射などにより高温になるため、透過板30には石英などの耐熱性の高い材料が用いられる。図3は、図1に示すA-A線に沿って見た透過板30の平面図である。図4は、図3に示すB-B線に沿った透過板30の矢視断面図である。透過板30には、開口31が形成される。開口31部分では、光射出部10から射出された照射光が透過板30に遮られない。そのため、開口31は、他の領域開口31が形成されていない領域よりも照射光の透過率が高い高透過率領域となる。一方、他の領域では、透過板30を透過することで、照射光の強度が低下する。そして、開口31を通過した照射光が照射される位置が、ウェーハ60の支持領域Tとなるような位置に、開口31は形成されている。本実施の形態では、ウェーハ60の表面60bに対して垂直な方向となるように照射光を照射しているので、支持領域Tを垂直方向に投影した位置に開口31が形成されている。なお、開口31の直径は、例えば20mm~30mmである。また、透過板30には第2回転部26が接続される。第2回転部26は、透過板30を矢印Yに示す方向に回転させる。すなわち、透過板30の回転方向と、ウェーハ60の回転方向は一致する。第2回転部26は、例えばモータである。なお、ウェーハ60の回転軸と、透過板30の回転軸とは、同一直線上に重なる。制御部40は、光射出部10からの照射光の照射時間や照射強度を調節する、また、第1回転部25と第2回転部26とを制御することで、ウェーハ60の回転と透過板30の回転とを同期させる。すなわち、ウェーハ60の回転と透過板30の回転とを同期させる同期部として機能する。制御部40は、これにより、ウェーハ60が回転した場合でも、開口31を透過した光を支持領域Tに照射させ続けることができる。以上説明したように、ウェーハ60は、熱処理装置100による活性化熱処理において、光射出部10から射出された照射光が表面60bに照射される。表面60bに照射光が照射されることで、表面60bの温度が上昇する。活性化熱処理では、表面60bの温度が均一に上昇することが好ましく、表面60bで面内温度にばらつきが生じると、デバイス特性が変動しやすくなる。図2に示すように、ウェーハ60は裏面60a側から支持ピン24に支持されている。そのため、ウェーハ60から支持ピン24に熱が逃げてしまい、表面60bのうち支持領域Tやその周辺部分では、他の部分よりも温度が上昇しにくくなる。そのため、ウェーハ60の表面60bに温度のばらつきが生じやすくなる。ここで、本実施の形態では、支持領域Tには透過板30を透過していない照射光、すなわち、周りの領域に照射される照射光よりも高強度の照射光が照射される。これにより、支持領域Tやその周辺部分が周りの領域よりも温度が低くなるのを抑えて、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。また、透過板30が、ウェーハ60の回転と同期して回転するので、ウェーハ60を回転させた場合であっても、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。図5は、第1の実施の形態の変形例1にかかる透過板30の平面図である。図6は、図5に示すC-C線に沿った透過板30の矢視断面図である。本変形例1では、透過板30に対して、図3,4に示す開口に代えて、凹み32が形成されている。図6に示すように、凹み32部分では、他の領域よりも透過板30の厚みが小さくなる。これにより、透過板30を透過した際の照射光の強度の低下が他の領域よりも小さくなる。すなわち、凹み32は、他の領域凹み32が形成されていない領域よりも照射光の透過率が高い高透過率領域となる。したがって、透過板30に開口を形成した場合と同様に、高透過率領域を透過した照射光が支持領域T図2も参照に照射される。これにより、支持領域Tやその周辺部分が周りの領域よりも温度が低くなるのを抑えて、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。また、ウェーハ60を回転させた場合であっても、ウェーハ60の回転と同期して透過板30を回転させることで、高透過率領域を透過した照射光を支持領域Tに照射し続けることができ、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。図7は、第1の実施の形態の変形例2にかかる透過板30の平面図である。図8は、図7に示すD-D線に沿った透過板30の矢視断面図である。本変形例2では、図3において1つの開口31が形成された部分領域Sに、複数の開口33を形成している。すなわち、複数の開口33を高透過率領域としている。したがって、支持領域T図2も参照の一部に、高透過率領域を通過した照射光を照射することができる。これにより、支持領域Tやその周辺部分が、周りの領域よりも温度が低くなるのを抑えて、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。また、ウェーハ60を回転させた場合であっても、ウェーハ60の回転と同期して透過板30を回転させることで、高透過率領域を透過した照射光を支持領域Tに照射し続けることができる。これにより、ウェーハ60の表面60bの面内温度にばらつきが生じるのを抑えることができる。なお、複数の凹みを形成して高透過率領域としても同様の効果を得ることができる。また、ウェーハ60を処理室21内で支持する支持部は支持ピン24に限られない。ウェーハ60に対して裏面60aから接触して、ウェーハ60の熱を逃げさせて、表面60bの面内温度にばらつきを生じさせるものであれば、そこに照射される照射光が透過する透過板30部分を高透過率領域とすることで、上述したものと同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では、ウェーハ60を回転させる構成を例に挙げて説明したが、ウェーハ60を回転させない構成であっても構わない。この場合には、透過板30も回転させないようにすることで、高透過率領域を透過した照射光を支持領域Tに照射し続けることができる。また、ウェーハ60を回転させないのであれば、窓部23に凹みを形成して、その凹みを高透過率領域としてもよい。すなわち、窓部23に透過板としての機能を発揮させてもよい。この場合、窓部23を回転させる必要がないため、窓部23と処理室21との間で気密を保持することができ、さらに、高透過率領域を開口ではなく凹みとすることで処理室21の気密を維持することができる。窓部23を透過板とすれば、図1に示す透過板30が不要となり、部品点数の削減を図って、製造コストの抑制を図ることができる。また、本実施の形態では、熱処理装置を例に挙げて説明したが、ウェーハを加工し、NANDフラッシュメモリなどの半導体装置を製造する半導体装置の製造装置にも、上述した構成を適用することができる。"