被写体を照明可能に回路基板に支持された導光体と、前記被写体からの反射光を受光可能に前記回路基板上に配置され、前記反射光を、前記回路基板の表面に対して斜め方向に出射するとともに、所定の距離位置において結像する光結像体と、前記回路基板面に対して傾斜した受光面を有し、この受光面が、前記光結像体によって前記被写体の反射光が結像される位置に配置されるように、前記回路基板の表面上に実装された固体撮像装置と、を具備することを特徴とする撮像システム。前記固体撮像装置は、前記回路基板の表面上に列状に複数実装されたことを特徴とする請求項1に記載の撮像システム。前記固体撮像装置は、前記受光面を有するシリコン基板と、このシリコン基板の表面に形成された第1の不純物領域と、この第1の不純物領域の表面のうち、前記受光面に形成され、前記第1の不純物領域とpn接合することによってフォトダイオードを構成する第2の不純物層と、前記受光面を除く前記第1の不純物領域の表面上に、酸化膜を介して形成された電極と、を具備し、前記受光面は、シリコン基板の111面であることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像システム。前記回路基板は、帯状の開口部を有し、前記導光体は、前記回路基板の下方に配置された前記被写体を、前記開口部を介して照明可能に前記回路基板の表面上に配置され、前記光結像体は、前記開口部を介して受光した前記被写体の反射光を、前記固体撮像装置の前記受光面に結像するように、前記回路基板の表面上に配置されたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の撮像システム。前記導光体は、前記回路基板の上方に配置された前記被写体を照明可能に前記回路基板の表面上に配置され、前記光結像体は、前記回路基板の上方に配置された前記被写体の反射光を、前記固体撮像装置の前記受光面に結像するように、前記回路基板の表面上に配置されたセルフォックレンズアレーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の撮像システム。前記導光体は、前記回路基板の上方に配置された前記被写体を照明可能に前記回路基板の表面上に配置されるとともに、前記固体撮像装置は、前記回路基板の表面上に、互いに離間するように列状に複数実装され、前記光結像体は、前記回路基板の上方に配置された前記被写体の反射光を、前記複数の固体撮像装置のそれぞれの前記受光面に結像するように、前記回路基板の表面上に列状に配置された複数のレンズであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の撮像システム。前記光結像体は、前記回路基板の表面上から一部がはみ出すように、前記回路基板の表面上に配置され、前記導光体は、前記回路基板の側方に配置された前記被写体を照明可能に前記光結像体に固定されたことを請求項1乃至3のいずれかに記載の撮像システム。半導体基板の表面に、第1の不純物層を形成する工程と、前記半導体基板に、前記半導体基板の表面に対して斜めに傾斜した傾斜部を形成する工程と、前記傾斜部の表面から露出する前記第1の不純物層の表面に、前記第1の不純物層とpn接合することによってフォトダイオードを構成する第2の不純物層を形成する工程と、前記半導体基板の表面上に、酸化膜を介して電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする撮像システム用の固体撮像装置の製造方法。前記傾斜部を形成する工程は、前記半導体基板の表面に、前記第1の不純物層より深いV字状の溝を複数本形成する工程であり、前記第2の不純物層を形成する工程は、前記複数のV字状の溝のそれぞれの両側面から露出する前記第1の不純物層の表面に、前記第1の不純物層とpn接合することによってフォトダイオードを構成する複数の第2の不純物層を形成する工程であり、前記電極を形成する工程は、前記半導体基板の表面上に、前記酸化膜を介して、それぞれの前記V字状の溝を挟むように複数の電極を形成する工程であり、前記複数の電極を形成した後、さらに前記V字状の溝の頂点部直下の前記半導体基板を切断するとともに、前記電極間に形成されたダイシングラインに沿って、前記酸化膜および前記半導体基板を切断する工程を具備することを特徴とする請求項8に記載の撮像システム用の固体撮像装置の製造方法。前記V字状の溝を形成する工程は、前記第1の不純物層が形成された前記半導体基板の表面の前記酸化膜に、帯状の開口部を形成した後に、前記帯状の開口部から露出する前記半導体基板を、この基板の結晶面によるエッチングレートの違いを利用してエッチングすることにより、前記半導体基板に、前記第1の不純物層より深いV字状の溝を形成する工程であることを特徴とする請求項9に記載の撮像システム用の固体撮像装置の製造方法。前記半導体基板は、シリコン基板であって、前記V字状の溝を形成する工程は、前記帯状の開口部から露出する前記シリコン基板をアルカリエッチングすることにより、前記シリコン基板に、前記第1の不純物層より深いV字状の溝を形成する工程であることを特徴とする請求項10に記載の撮像システム用の固体撮像装置の製造方法。前記V字状の溝の深さは、前記帯状の開口部の幅によって定められることを特徴とする請求項10または11に記載の撮像システム用の固体撮像装置の製造方法。本実施形態は、被写体の画像の再現性を向上することができ、かつ受光感度が良好な撮像システムおよびこの撮像システムに使用される撮像システム用固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。実施形態に係る撮像システムは、導光体、光結像体および固体撮像装置、を具備する。前記導光体は、被写体を照明可能に回路基板に支持される。前記光結像体は、前記被写体からの反射光を受光可能に前記回路基板上に配置され、前記反射光を、前記回路基板の表面に対して斜め方向に出射するとともに、所定の距離位置において結像する。前記固体撮像装置は、前記回路基板面に対して傾斜した受光面を有し、この受光面が前記光結像体によって前記被写体の反射光が結像される位置に配置されるように、前記回路基板の表面上に実装される。また、実施形態に係る撮像システム用の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板の表面に第1の不純物層を形成する工程、傾斜部を形成する工程、第2の不純物層を形成する工程および電極を形成する工程、を具備する。前記傾斜部は、前記半導体基板の表面に対して斜めに傾斜するように、前記半導体基板に形成される。前記第2の不純物層は、前記傾斜部の表面から露出する前記第1の不純物層の表面に形成され、前記第1の不純物層とpn接合することによってフォトダイオードを構成する。前記電極は、前記半導体基板の表面上に、酸化膜を介して形成される。以下に、実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る撮像システムを概略的に示す断面図である。また、図2は、図1の一点鎖線X-X ́に沿った撮像システムの断面図である。図1、図2に示される密着イメージセンサモジュール以下、密着モジュールと略す型の撮像システム10は、いわゆるラインセンサモジュールであって、回路基板11の表面上に、被写体である例えば原稿12を照明するための導光体13、複数の固体撮像装置14、および原稿12の反射光を各固体撮像装置14に結像する光結像体15、が配置されている。なお、回路基板11には、帯状の開口部16が形成されている。この撮像システム10は、回路基板11の下方に配置された原稿12を、回路基板11に形成された開口部16を介して読み取るものである。導光体13は、帯状の直方体の1本の稜線部分を斜めにカットした、断面が五角形の形状であって、斜めにカットされた長方形の部分が、光を出射する出射面13-1となるものである。この導光体13は、出射面13-1が回路基板11の下方に配置された原稿12の方向に向く、すなわち、出射面13-1が回路基板11の開口部16の方向に向くとともに、出射面13-1の長辺が、回路基板11の開口部16の長辺に沿い、かつ接するように、回路基板11の表面上に配置され、回路基板11に支持されている。このように配置された導光体13は、回路基板11の下方に配置された原稿12を、回路基板11の開口部16を介して照明する。なお、図示は省略するが、導光体13の端部には、例えば赤、青、緑のLEDが配置されており、順次点灯させることによって、固体撮像装置14に色フィルタを配置しなくても、原稿12のカラー撮像が可能となる。光結像体15は、いわゆるセルフォックレンズアレー15aであって、複数の光伝搬部15a-1が列状に配列されるとともに、複数の光伝搬部15a-1の入射端面が列状に露出する長方形の入射面Sin、および複数の光伝搬部15a-1の出射端面が列状に露出する長方形の出射面Sout、を有するものである。セルフォックレンズアレー15aは、それぞれの光伝搬部15a-1を介して出射面Soutから出射される各光が、全体で1個の連続した像を形成する。セルフォックレンズアレー15aの光伝搬部15a-1は、半径方向に屈折率が連続的に変化する通常の光ファイバによって構成される。従って、セルフォックレンズアレー15aは、図2に示すように、原稿12の反射光が入射される入射角θと、原稿12の反射光を出射する出射角θとが等しい性質を有する。図2に示すセルフォックレンズアレー15aは、回路基板11の表面に対して斜め下方向から入射角θで入射された原稿12の反射光を、回路基板11の表面に対して斜め下方向に出射角θで出射するように、光が伝搬する方向図2の一点鎖線で示す光軸に沿った方向における長さL1が調節されたものである。なお、セルフォックレンズアレー15aは、この長さL1を例えばL1 ́に調節することにより、斜め下方向から入射角θで入射された原稿12の反射光を、斜め上方向に出射角θで出射させることもできる。このセルフォックレンズアレー15aは、光軸が回路基板11に対して平行、すなわち入射面Sinおよび出射面Soutが、回路基板11の表面に対して垂直、になるように、回路基板11の表面上に配置される。また、セルフォックレンズアレー15aは、入射面Sinの長辺と導光体13の出射面13-1の長辺とが平行であり、かつ出射面Soutの長辺と固体撮像装置14の受光面14-1の長辺とが平行になるように、回路基板11の表面上に配置される。そして、セルフォックレンズアレー15aは、導光体13によって照明された原稿12の反射光を入射面Sinにおいて受光可能に回路基板11の表面上の所定の位置に配置される。さらにセルフォックレンズアレー15aは、原稿12の反射光を、出射面Soutから回路基板11の表面に対して斜め方向に出射するとともに、固体撮像装置14の受光面14-1において結像するように、導光体13と固体撮像装置14との間の回路基板11の表面上の所定の位置に配置される。セルフォックレンズアレー15aは、具体的には、以下の位置に配置される。すなわち、セルフォックレンズアレー15aは、入射面Sinの長辺が、回路基板11の開口部16の、導光体13に接する長辺に対向する長辺に沿い、かつ接するように、回路基板11の表面上に配置される。このように配置されたセルフォックレンズアレー15aは、回路基板11の下方面に配置された原稿12の反射光を、回路基板11の開口部16を介して受光し、固体撮像装置14の受光面14-1に結像する。各固体撮像装置14は、密着モジュール用イメージセンサ以下、密着センサと略すであって、直方体の1本の稜線部分を斜めにカットした、断面が五角形の形状である。斜めにカットされた長方形の部分は、光結像体15によって原稿12の反射光が結像される受光面14-1である。受光面14-1は、回路基板11の表面に対して、セルフォックレンズアレー15aが配置された方向に傾斜している。各固体撮像装置14は、それぞれの受光面14-1が、セルフォックレンズアレー15aによって原稿12の反射光が結像される位置に配置されるように、回路基板11の表面上に実装されている。このような複数の固体撮像装置14は、導光体13の出射面13-1の長辺に対して平行に列状に配列され、かつ互いに接した状態で、回路基板11の表面上に実装されている。この撮像システム10は、図2に示すように、例えば導光体13の厚さL2が3mm程度、セルフォックレンズアレー15aの厚さL3が1mm程度、回路基板11の厚さL4が1mm程度であるため、4mm程度の厚さの、超薄型の撮像システム10である。図3は、図1に示す複数の固体撮像装置14の一部を拡大した斜視図である。また、図4は、図3の一点鎖線Y-Y ́に沿った固体撮像装置14の断面図である。図4に示すように、固体撮像装置14において、N型の半導体基板17として、例えばN型のシリコン基板17は、表面の一部が傾斜したものである。このシリコン基板17の表面には、P型の第1の不純物層18が形成されている。第1の不純物層18の表面うち、傾斜した面の一部には、N型の不純物が注入された第2の不純物層19が形成されている。この第2の不純物層19と、P型不純物層18とがpn接合することにより、受光した原稿12の反射光を光電変換し、所望の電荷を発生させるフォトダイオードが形成される。このように、P型の第1の不純物層18の傾斜した面に第2の不純物層19が形成されることにより、この傾斜面が固体撮像装置14の受光面14-1として機能する。受光面14-1を除く第1の不純物層の表面上には、酸化膜20を介して転送電極21が形成されている。この転送電極21は、図3に示すように、帯状であって、受光面14-1に沿って形成されている。この転送電極14-1に所望の電圧を印加すると、フォトダイオードで発生した電荷eが図中の矢印方向に転送される。図3に示すように、固体撮像装置14の酸化膜20のうち、互いに離間した複数箇所は、四角形状に除去されており、除去された部分には、回路基板11と固体撮像装置14とをボンディングワイヤ22によって接続するための接続用電極23が形成されている。上述のように、フォトダイオードで発生した電荷eが図4の矢印方向に転送されると、接続用電極23、ボンディングワイヤ22を介して、回路基板11上の配線図示せずに伝搬される。回路基板11上の他の部分には、所望の画像データを形成する画像処理部図示せずが設けられており、画像処理部は、配線を介して受け取った電荷eに基づいて、画像データを形成する。この固体撮像装置14の受光面14-1と回路基板11に平行な面とのなす角がαであった場合、フォトダイオードの実際の表面積Sは、フォトダイオードを上方から見た見かけの表面積S ́のおよそ1/cosα倍である。例えばα=55°の場合、フォトダイオードの実際の表面積Sは、フォトダイオードを上方から見た見かけの表面積S ́のおよそ1/cos55°≒1.74倍である。このように、固体撮像装置14は、回路基板11の表面に対して、原稿12の反射光が伝搬されてくる方向に傾斜した面受光面14-1にフォトダイオードが形成されているため、固体撮像装置14を大型化することなく、フォトダイオードの実際の面積を大きくすることができる。従って、固体撮像装置14を大型化することなく、フォトダイオードにおける電荷の蓄積量を増加させることができる。次に、本実施形態に係る撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法について、図5乃至図10を参照して説明する。図7、図8を除く図5乃至図10は、本実施形態に係る撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を説明するための、図4に相当する断面図である。図7、図8は、図6のエッチング工程をより詳細に説明するための図である。まず、図5に示すように、N型のウエハ状のシリコン基板17の表面に、イオン注入によってP型の第1の不純物層18を形成し、さらに、第1の不純物層18が形成されたシリコン基板17の表面上の全面に酸化膜20を形成する。続いて、酸化膜20をストライプ状に選択的に除去し、酸化膜20にストライブ状の開口部24を形成する。開口部24の幅Wは、図6に示すV字状の溝25の深さDに応じて決定すればよい。開口部24の幅Wの決定方法については後述する。次に、図6に示すように、シリコン基板17をエッチングし、シリコン基板17のうち、酸化膜20の各開口部24の直下に、シリコン基板17の表面に対して傾斜した2箇所の傾斜部によってV字を形成するように、第1の不純物層18より深いV字状の溝25を形成する。エッチングは、KOH水酸化カリウムやTMAH水酸化テトラメチルアンモニウムを用いたアルカリエッチングを適用する。以下に、このエッチング方法について、図7、図8を参照してさらに詳細に説明する。図7は、図6に示すエッチング工程を詳細に説明するための断面図であり、a~dの順にエッチングが進む様子を示す。また、図8は、図7dの状態をより詳細に説明するための斜視図であり、eは、図7dの状態を斜め下方向から見た図、fは、図7dの状態を斜め上方向から見た図である。アルカリエッチングは、シリコンと酸化膜20とのエッチングレートが100:1程度と選択性が取れるエッチング方法である。従って、図5に示された状態からアルカリエッチングを行うと、酸化膜20から露出したシリコン基板17のみがエッチングされはじめる図7a。ここで、アルカリエッチングは、シリコンの結晶方位によっても、エッチングレートが大幅に変化し、シリコン半導体の主表面に一般的に使用されている100面と、その面と55度の角度を有する111面とのエッチングレート比は100:1となる。従って、図7aに示された状態からさらにアルカリエッチングを進行させると、図7b、図7c、図7dに順に示すように、エッチングは、深さ方向100面に垂直な方向に進み、斜め方向111面に垂直な方向にはほとんど進まない。従って、最終的にV字状の溝25が形成される。なお、結晶面を示す方法として、上記のように100面、111面の様な表現を一般的に使うが、更に結晶面を区別するために100や-100の様に使う場合もある。ここでは説明簡便化の目的でこの符号を省略して表記する。なお、図8eに示すように、酸化膜20の下のシリコン基板17第1の不純物層18には、アンダーカットが入らない。これは111面のエッチングが殆ど進まないことに対応する。このため、アルカリエッチングはウエットエッチングにもかかわらず、酸化膜20の開口部24の開口幅Wと、V字状の溝25の深さDと、の関係を示す以下の式1に基づいて、所望の深さDから、酸化膜20の開口部24の開口幅Wを決定することができる。D=W/2×tan55°=0.71W式1ただし、式1における55°は、シリコンの結晶面111図8fが、シリコンの主表面100図8fに対して、55度の角度を有することに対応する。また、通常のシリコンウエハは、結晶方位を示すオリエンテーションフラットが110面に形成される。またノッチもこの方向のウエハ端部に形成される。装置のパターンはこの110面を基準にウエハ上に形成されるため、上記111面は、装置の配列方向に沿って形成される。このため、V字状の溝25に対向して111面が形成される。次に、図9に示すように、V字状の溝25の両側面から露出する第1の不純物層18に、斜め方向からP型のイオンを注入し、P型の第2の不純物層19を形成する。続いて、酸化膜20上に、V字状の溝25を挟むように複数の転送電極21を形成する。さらに、所定領域の酸化膜20を除去し、除去された部分に接続用電極23を形成する。次に、図10に示すように、V字状の溝25の頂点部Pの直下のシリコン基板17を切断するとともに、転送電極21間に形成されたダイシングラインに沿って、酸化膜20およびシリコン基板17を切断する。これにより、複数の固体撮像装置14が一括して形成される。以上の工程を経て、本実施形態に係る固体撮像装置14を製造することができる。このように固体撮像装置14を製造した後、回路基板11の表面上の所定の位置に、導光体13、およびセルフォックレンズアレー15aを配置するとともに、回路基板11の表面上の所定の位置に、複数の固体撮像装置14を、これらの受光面14-1がそれぞれ、回路基板11の表面に対してセルフォックレンズアレー15aが配置された方向に傾斜するように、かつ互いに隣接するように、回路基板11の表面上に実装する。これにより、第1の実施形態に係る撮像システム10を製造することができる。以上に説明した本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法によれば、回路基板11の表面に対してセルフォックレンズアレー15aが配置された方向に傾斜した受光面14-1を有する固体撮像装置14を製造し、これを撮像システムに使用する。従って、回路基板11に対して平行な受光面を有する従来の固体撮像装置が使用された撮像システムと比較して、受光面積を増加させることができる。従って、受光感度が良好な撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。さらに、本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法によれば、傾斜した受光面14-1上に、ガラス基板が配置されない固体撮像装置14が製造され、これを撮像システムに使用する。従って、固体撮像装置14間の僅かな隙間に供給される原稿12の反射光が、隙間を形成する2つの固体撮像装置14の受光面14-1に均一に供給される。従って、被写体の画像の再現性を向上することができる撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。第2の実施形態図11は、第2の実施形態に係る撮像システム30を概略的に示す、図2に相当する断面図である。図11に示される撮像システム30は、撮像システム30上に配置された原稿12を読み取るものである。図11に示される撮像システム30は、第1の実施形態に係る撮像システム10と比較して、導光体13が配置される向き、セルフォックレンズアレー31の長さ、および回路基板32の形状が異なる。導光体13は、第1の実施形態に係る撮像システム10における導光体13と同一の形状である。しかし、この撮像システム30は、撮像システム30上、すなわち回路基板32の上方に配置された原稿12を読み取るものである。従って、導光体13は、出射面13-1が回路基板32の上方に配置された原稿12の方向に向くように、回路基板32の表面上に配置され、支持される。このように配置された導光体13は、回路基板32の上方に配置された原稿12を照明可能にする。また、セルフォックレンズアレー31は、図11に示すように、原稿12が配置された斜め上方向から入射角θで入射された原稿12の反射光を、斜め下方向に出射角θで出射させるように調節された長さL1 ́を有する。このような長さL1 ́を有するセルフォックレンズアレー31は、回路基板32の上方に配置された原稿12の反射光を受光し、固体撮像装置14の受光面14-1に結像する。なお、このシステム30は、撮像システム30、すなわち回路基板32の上方に配置された原稿12を読み取るものであるため、回路基板32に開口部を形成する必要はない。この撮像システム30は、図11に示すように、例えば導光体13の厚さL2が3mm程度、セルフォックレンズアレー31の厚さL3が1mm程度、回路基板32の厚さL4が1mm程度であるため、4mm程度の厚さの、超薄型の撮像システムである。以上に説明した撮像システム30の製造方法は、第1の実施形態に係る撮像システム10の製造方法と比較して、導光体13の向き、セルフォックレンズアレー31の長さ、および回路基板32の形状が異なる他は、全て同一である。従って、撮像システム30の製造方法の説明は省略する。この本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法であっても、回路基板32の表面に対して、セルフォックレンズアレー31が配置された方向に傾斜した受光面14-1を有し、かつ受光面14-1上にガラス基板が配置されない固体撮像装置14を製造し、これを撮像しすてむに使用するため、受光感度が良好であり、かつ被写体の画像の再現性を向上することができる撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。また、本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法によれば、撮像システム30の上方に配置された原稿12を読み取るものであるため、回路基板32に開口部を設ける必要がない。従って、第1の実施形態に係る撮像システムと比較して、容易に製造可能な撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。第3の実施形態図12は、第3の実施形態に係る撮像システム40を概略的に示す断面図である。図12に示される撮像システム40は、第2の実施形態に係る撮像システム30と同様に、撮像システム40、すなわち回路基板32の上方に配置された原稿12を読み取るものであるが、光結像体15、および複数の固体撮像装置14の配置が異なる。第3の実施形態に係る撮像システム40において、光結像体15は、両面が凸状に湾曲した複数のレンズ15bである。各レンズ15bは、光軸が回路基板32に対して平行になるように配置されている。図示は省略するが、これらの複数のレンズ15bは、紙面垂直方向に向かって、列状に配列されている。それぞれのレンズ15bは、原稿12の反射光を受光し、受光した反射光を、回路基板32の表面に対して斜め方向に出射するとともに、対応する固体撮像装置14の、回路基板32の表面に対してレンズ15bが配置された方向に傾斜した受光面14-1に結像するように、回路基板32の表面上に配置される。従って、複数の固体撮像装置14は、互いに接するように配置する必要はなく、それぞれのレンズ15bによって原稿12の反射光が結像される位置に受光面14-1が配置されるように配置されればよい。この撮像システム40は、図12に示すように、例えば導光体13の厚さL2が3mm程度、各レンズ15bの高さHが3mm程度、回路基板32の厚さL4が1mm程度であるため、4mm程度の厚さの、超薄型の撮像システムである。以上に説明した撮像システム40の製造方法は、第2の実施形態に係る撮像システム30の製造方法と比較して、複数の固体撮像装置14の配置、および光結像体15が異なる他は、全て同一である。従って、撮像システム40の製造方法の説明は省略する。この本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法であっても、回路基板32の表面に対して、レンズ15bが配置された方向に傾斜した受光面14-1を有し、かつ受光面14-1上にガラス基板が配置されない固体撮像装置14を製造し、これを撮像システムに使用するため、受光感度が良好であり、かつ被写体の画像の再現性を向上することができる撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。また、本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法によれば、複数の固体撮像装置14を、それぞれの受光面14-1が、各レンズ15bによって原稿12の反射光が結像される位置に配置されればよく、複数の固体撮像装置14を、互いに接するように配置する必要がない。従って、本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法は、第2の実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法と比較して、固体撮像装置14の高い配置精度が要求されないため、容易に製造可能な撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。第4の実施形態図13は、第4の実施形態に係る撮像システム50を概略的に示す断面図である。図13に示される撮像システム50は、回路基板51の側面方向に配置された原稿12を読み取るものである。図13に示される撮像システム50は、第1の実施形態に係る撮像システム10と比較して、セルフォックレンズアレー15a、および導光体13の配置が異なるとともに、回路基板51の形状が異なる。セルフォックレンズアレー15aは、光軸が回路基板51に対して平行、すなわち入射面Sinおよび出射面Soutが、回路基板51の表面に対して垂直、になるように、回路基板51の表面上に、一部がはみ出すように配置される。また、セルフォックレンズアレー15aは、入射面Sinの長辺と導光体13の出射面13-1の長辺とが接し、かつ出射面Soutの長辺と固体撮像装置14の受光面14-1の長辺とが平行になるように、回路基板51の表面上に、一部がはみ出すように配置される。そして、セルフォックレンズアレー15aは、導光体13によって照明された原稿12の反射光を入射面Sinにおいて受光し、受光した反射光を出射面Soutから、回路基板51の表面に対して斜め方向に出射するとともに、固体撮像装置14の受光面14-1において結像するように、回路基板51の表面上の所定の位置に配置される。なお、セルフォックレンズアレー15aは、図2と同様に原稿12の反射光が入射される入射角θと、原稿12の反射光を出射する出射角θとが等しくなるように、光が伝搬する方向図13の一点鎖線で示す光軸に沿った方向における長さL1が調節されたものである。また、導光体13は、その出射面13-1が、回路基板51の側方に配置された原稿12の方向に向くように、回路基板52の側面に接して配置され、セルフォックレンズアレー15aのうち、回路基板52からはみ出した部分に固定される。すなわち、導光体13は、セルフォックレンズアレー15aを介して間接的に回路基板52に支持される。これにより、導光体13は、回路基板52の側方に配置された原稿12を照明し、原稿12の反射光は、セルフォックレンズアレー15aの入射面Sinに入射される。なお、このシステム50は、撮像システム50、すなわち回路基板51の側方に配置された原稿12を読み取るものであるため、回路基板51に開口部を形成する必要はない。この撮像システム50は、図13に示すように、例えば導光体13の厚さL2が3mm程度、セルフォックレンズアレー15aの厚さL3が1mm程度、回路基板51の厚さL4が1mm程度であるため、4mm程度の厚さの、超薄型の撮像システムである。以上に説明した撮像システム50の製造方法は、第1の実施形態に係る撮像システム30の製造方法と比較して、セルフォックレンズアレー15a、および導光体13の配置が異なる他は、全て同一である。従って、撮像システム50の製造方法の説明は省略する。この本実施形態に係る撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法であっても、回路基板51の表面に対して、セルフォックレンズアレー15aが配置された方向に傾斜した受光面14-1を有し、かつこの受光面14-1上にはガラス基板が配置されない固体撮像装置を製造し、これを撮像システムに使用するため、受光感度が良好であり、かつ被写体の画像の再現性を向上することができる撮像システムおよびこの撮像システムに使用される固体撮像装置の製造方法を提供することができる。以下に、第4の実施形態に係る撮像システム50の応用例について説明する。図14は、第4の実施形態に係る撮像システム50が適用されたハンディスキャナー60を示す模式的な図である。また、図15は、第4の実施形態に係る撮像システム50が適用されたキーボード70を示す模式的な図である。図14に示すように、このシステム50をハンディスキャナー60に応用すれば、原稿面61に対して垂直方向における幅Whが超薄型のハンディスキャナーを実現することができる。このハンディスキャナー60は、例えば厚い本62の装丁部分63ページの付け根であっても、原稿面61に沿って図中の点線に沿ってハンディスキャナー60を走査させることができる。従って、特に本62の装丁部分における焦点ボケを抑制することができるハンディスキャナーが提供される。また、図15に示すように、このシステム50をパーソナルコンピュータ以下、PCと称するのキーボード70の端部に、キーボード70の裏面側に原稿12が配置可能なように、縦方向に実装する。さらに、キーボード70に、この裏側から突出するローラー71を配置する。そして、ローラー71によって原稿12上の移動量を検知し、これを撮像システム50の信号読み出しタイミングと連動させれば、スキャナーを内蔵したPCを実現することができる。この際、キーボード70に適用される撮像システム50は、超薄型であるため、パソコン筺体のデザインの自由度を向上させることができる。以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。