"マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法であって、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータ、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定する第2ステップと、前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第3ステップと、を有することを特徴とする決定方法。マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法であって、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定する第2ステップと、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第3ステップと、を有することを特徴とする決定方法。前記第1ステップでは、前記投影光学系に設定すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。前記第1ステップでは、前記投影光学系に設定された初期収差量から調整すべき収差量を表すパラメータを前記収差パラメータとして設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の決定方法。前記調整すべき収差量を表すパラメータは、前記投影光学系を構成する光学素子の駆動量を表すパラメータを含むことを特徴とする請求項4に記載の決定方法。前記評価基準は、前記投影光学系の像面における焦点深度、前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の寸法と前記目標パターンの寸法との差分及び前記投影光学系の像面に形成される前記マスクのパターンの光学像の露光余裕度の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の決定方法。マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータ、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定する第2ステップと、前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第3ステップと、を実行させることを特徴とするプログラム。マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定する第2ステップと、前記投影光学系の物体面に配置されるマスクのパターンに対応して前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定される前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第3ステップと、を実行させることを特徴とするプログラム。請求項1に記載の決定方法で決定された露光条件に含まれる光強度分布を照明光学系の瞳面に形成するステップと、前記照明光学系の瞳面に形成した光強度分布からの光で前記露光条件に含まれるマスクのパターンを照明するステップと、前記露光条件に含まれる収差を投影光学系に設定し、前記投影光学系を介して、前記マスクのパターンからの光を基板に投影するステップと、を有することを特徴とする露光方法。請求項2に記載の決定方法で決定された露光条件に含まれる光強度分布を照明光学系の瞳面に形成するステップと、前記照明光学系の瞳面に形成した光強度分布からの光でマスクのパターンを照明するステップと、前記露光条件に含まれる収差を投影光学系に設定し、前記投影光学系を介して、前記マスクのパターンからの光を基板に投影するステップと、を有することを特徴とする露光方法。しかしながら、投影光学系の収差を考慮した従来のSMO技術は、投影光学系の収差が像性能に与える影響を補うために有効光源の形状やマスクのパターンを最適化しているにすぎない。従って、有効光源の形状やマスクのパターンを調整するだけでは投影光学系の収差が像性能に与える影響を補えない場合には、像性能が基準値を満たすように有効光源の形状やマスクのパターンを決定することができなくなる。このような問題は、半導体デバイスの微細化が進につれて顕著になるため、露光条件を最適化する上で従来のSMO技術では不十分になってきている。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、露光装置における露光条件の決定に有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての決定方法は、マスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定する決定方法であって、前記投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するマスクパラメータ、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布に関する照明パラメータ及び前記投影光学系の収差に関する収差パラメータを設定する第1ステップと、前記投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像を評価するための評価場所を前記投影光学系の像面に設定する第2ステップと、前記評価場所に形成される前記マスクのパターンの光学像の像性能が前記投影光学系の像面に形成すべき目標パターンに対して設定された評価基準を満たすように前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値を決定し、決定した前記マスクパラメータの値、前記照明パラメータの値及び前記収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクのパターン、前記照明光学系の瞳面に形成する光強度分布及び前記投影光学系の収差を前記露光条件として決定する第3ステップと、を有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、露光装置における露光条件の決定に有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。本発明者らは、露光装置における露光条件の最適化において、有効光源の形状照明光学系の瞳面に形成される光強度分布やマスクのパターンと同様に、投影光学系の収差も最適化のターゲットとする必要があることを見出した。例えば、特許文献1に開示された収差調整機構を用いれば、投影光学系の収差を制御することができる。従って、投影光学系の収差は、有効光源の形状やマスクのパターンと同様に、投影光学系の像面に形成されるマスクのパターンの光学像の像性能を向上させるための最適化のターゲットにすることができる。一般に、有効光源の形状及びマスクのパターンが決定されれば、その有効光源の形状でそのマスクのパターンを照明した際に、投影光学系の瞳面のどの位置を光露光光が通過するのかがわかる。投影光学系の収差は、瞳面内の各位置での光線の位相の変化を表すものであり、光学像を形成する上で有効光源の形状やマスクのパターンと密接に関係する。従って、本実施形態では、有効光源の形状やマスクのパターンだけでなく、投影光学系の収差も最適化のターゲットとすることで、露光装置における露光条件の最適化に有利な技術を提供する。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態における決定方法を説明するためのフローチャートである。本実施形態の決定方法は、コンピュータなどの情報処理装置によって実行され、マスクレチクルを照明する照明光学系と、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定最適化する。ここで、露光条件とは、露光装置に設定可能な条件であって、マスクのパターンマスクパターンの形状、大きさ、位置などのパラメータ、有効光源の形状、投影光学系の収差などを含む。S102第1ステップでは、投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するパラメータマスクパラメータを設定する。本実施形態では、図2に示すマスクパターンに対して、その形状を規定するマスクパラメータマスクバイアスとも呼ばれるM1、M2及びM3を設定する。図2に示すマスクパターンは、遮光部透過率:0と透過部透過率:100とで構成された3種類のラインアンドスペースパターンLSP1、LSP2及びLSP3を含む。マスクパラメータM1は、ハーフピッチが40nmのラインアンドスペースパターンLSP1のラインパターンの寸法横幅を規定する。マスクパラメータM2は、ハーフピッチが50nmのラインアンドスペースパターンLSP2のラインパターンの寸法横幅を規定する。マスクパラメータM3は、ハーフピッチが60nmのラインアンドスペースパターンLSP3のラインパターンの寸法横幅を規定する。また、本実施形態では、マスクパラメータM1、M2及びM3に対して、マスクの製造性から、以下に示す上限値及び下限値を与える。35≦M1≦45nm45≦M2≦60nm55≦M3≦75nmマスクパターンには、一般には、様々なパターンが含まれている。S102では、マスクパターンに含まれる全てのパターンに関するマスクパラメータを設定してもよいし、一部のパターンのみに関するマスクパラメータを設定してもよい。また、本実施形態では、マスクパターンをラインアンドスペースパターンとしているが、マスクパターンは他のパターンホールパターンなどであってもよい。更に、本実施形態では、マスクパターンをバイナリマスクとしているが、マスクパターンは位相シフトマスクや他の種類のマスクであってもよい。また、本実施形態では、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの横幅をマスクパラメータとして設定している。但し、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの縦幅長手方向の長さやマスクパターンの頂点位置に関する量をマスクパラメータとして設定しもよい。更に、マスクパターンの透過率や位相などをマスクパラメータとして設定することも可能である。S104第1ステップでは、照明光学系の瞳面に形成される光強度分布、即ち、有効光源の形状に関するパラメータ照明パラメータを設定する。本実施形態では、図3に示すダイポール2重極照明に対して、その形状を規定する照明パラメータS1、S2及びS3を設定する。図3に示すダイポール照明は、2つの発光部を含み、ラインアンドスペースパターンに適した照明である。照明パラメータS1は、ダイポール照明の外シグマOuterSigmaを規定する。照明パラメータS2は、ダイポール照明の内シグマInnerSigmaを規定する。照明パラメータS3は、ダイポール照明の発光部の開口角度Angleを規定する。また、本実施形態では、照明パラメータS1、S2及びS3に対して、以下に示す上限値及び下限値を与える。0.80≦S1≦0.950.50≦S2≦0.9010≦S3≦50度本実施形態では、図2に示すマスクパターンに適したダイポール照明に対して照明パラメータを設定しているが、その他の形状の照明に対して照明パラメータを設定しもよい。例えば、輪帯照明に対して照明パラメータ例えば、外シグマや内シグマを設定しもよいし、クロスポール照明に対して照明パラメータ外シグマ、内シグマ、発光部の開口角度、発光部の回転角度を設定しもよい。また、自由度が非常に高い照明パラメータを設定することも可能である。例えば、照明光学系の瞳面をマトリクス状に分割した複数の要素光源のそれぞれの発光強度を独立した照明パラメータとして設定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系の開口数NAを1.35、露光光の波長を193nm、露光光の偏光状態をY方向の直線偏光と設定固定するが、これらを照明パラメータとして設定してもよい。換言すれば、投影光学系のNAに関するパラメータ、露光光の波長に関するパラメータ、露光光の偏光度に関するパラメータなどを照明パラメータとして設定してもよい。S106第1ステップでは、投影光学系の収差に関するパラメータ収差パラメータを設定する。投影光学系の収差は、一般的に、ゼルニケ多項式で表される波面収差として規定される。例えば、ゼルニケ多項式の第1項から第36項までを考慮する場合、第1項から第36項までの36個の係数を設定入力することで、1つの波面収差の形状を規定することができる。また、ゼルニケ多項式の各項の係数は、一般的に、第1項から順にC1、C2、C3、Cnと呼ばれる。C1は、一律成分であり、波面収差ではないため考慮しなくてよい。C2及びC3は、一律のディストーションであり、本実施形態のようにラインアンドスペースパターンの中央パターンの線幅に着目するS108を説明する際に述べる場合には考慮しなくてよい。また、C4は、投影光学系のデフォーカスに相当する。本実施形態においては、S110やS112で示すように、複数の焦点位置で光学像を算出してプロセスウィンドウを評価するため、波面収差としてC4を考慮しなくてよい。従って、本実施形態では、ゼルニケ多項式の第5項から第9項までの係数であるC5、C6、C7、C8及びC9を収差パラメータとして設定する。ゼルニケ多項式の第5項から第9項C5~C9までは、低次の波面収差と呼ばれることが多く、第10項C10以降の高次の波面収差に比べて、投影光学系に備えられた収差調整機構によって収差量を制御することが比較的容易である。本実施形態では、C5、C6、C7、C8及びC9に対して、以下の収差量の調整範囲を与える。収差量の単位は、露光光の波長をラムダλとしてミリラムダmλである。-30≦C5≦30mλ-30≦C6≦30mλ-30≦C7≦30mλ-30≦C8≦30mλ-30≦C9≦30mλまた、本実施形態では、ゼルニケ多項式の第1項から第4項までの係数であるC1~C4には、0を入力し、第10項から第36項までの係数であるC10~C36には、以下の表1に示すように、投影光学系の実際の残存収差に対応する値を入力した。これにより、調整が困難な高次の波面収差を、低次の波面収差を用いて調整することで、優れた像性能を有する光学像を形成することができるかどうかを確認することができる。S108第2ステップでは、投影光学系の像面に形成されるマスクパターンの光学像を評価するための評価場所評価点又は評価線分カットラインを投影光学系の像面に設定する。本実施形態では、図4に示すように、ラインアンドスペースパターンLSP1、LSP2及びLSP3のそれぞれのラインパターンの中央に対応する投影光学系の像面に評価場所Bar1、Bar2及びBar3を設定する。図4では、説明を簡単にするために、投影光学系の物体面における寸法と投影光学系の像面における寸法が等しい即ち、投影光学系の倍率が1倍であるものとしている。但し、実際には、投影光学系の倍率に基づいて像面上の寸法に換算したマスクパターンを考慮して、投影光学系の像面に評価場所を設定する必要がある。S110では、S108で設定した評価場所に形成されるマスクパターンの光学像の像性能を基板投影光学系の像面に形成すべき目標パターンと比較して評価するための評価基準を設定する。本実施形態で設定する評価基準を具体的に説明する。まず、評価場所Bar1、Bar2及びBar3のそれぞれに形成される光学像の目標線幅目標値を40nm、50nm及び60nmとする。光学像の目標線幅からの誤差が±10以下になる焦点位置と露光量との組み合わせは、一般的に、プロセスウィンドウと呼ばれる。かかるプロセスウィンドウにおいて、全ての評価場所Bar1、Bar2及びBar3で共通の露光量マージンとして10を得ることができる焦点位置の範囲焦点深度、即ち、焦点に対する余裕度を、本実施形態では、評価基準として設定する。本実施形態では、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの中央に対応する投影光学系の像面に評価場所を設定し、かかる評価場所での焦点深度を評価基準として設定しているが、評価場所及び評価基準はこれに限定されるものではない。例えば、ラインアンドスペースパターンの最端のラインパターンに対応する投影光学系の像面にも評価場所を設定し、中央のラインパターンと最端のラインパターンとの共通の焦点深度を評価基準としてもよい。なお、評価基準は、焦点深度に限定されるものではなく、マスクパターンの光学像の寸法と目標パターンの寸法との差分、マスクパターンの光学像の露光余裕度、マスクパターンの光学像のコントラストやILSイメージログスロープであってもよい。また、投影光学系の像面の座標を評価場所評価点として設定し、かかる座標からの光学像の位置ずれエッジプレースメントエラーとも呼ばれるを評価基準として設定してもよい。S112第3ステップでは、マスクパターンの値、照明パラメータの値及び収差パラメータを最適化して、露光条件、即ち、マスクパターン、有効光源の形状及び投影光学系の収差を決定する。まず、S108で設定した評価場所に形成されるマスクパターンの光学像がS110で設定した評価基準を満たすように、マスクパラメータの値、照明パラメータの値及び収差パラメータの値を決定する。そして、決定したマスクパラメータの値、照明パラメータの値及び収差パラメータの値のそれぞれで規定されるマスクパターン、有効光源の形状及び投影光学系の収差を露光条件として決定する。本実施形態では、上述したように、互いに独立した11個のパラメータ、即ち、マスクパラメータとしてM1、M2及びM3、照明パラメータとしてS1、S2及びS3、収差パラメータとしてC5、C6、C7、C8及びC9が設定されている。これらのパラメータを全て含むパラメータ空間を構成し、かかるパラメータ空間において滑降シンプレックス法によってパラメータの値を最適化する。具体的には、各パラメータの値を変化させながらマスクパターンの光学像を算出して評価場所での焦点深度評価基準を求め、焦点深度がなるべく大きくなるように、各パラメータの値を最適化する。なお、本実施形態では、滑降シンプレックス法を用いて各パラメータの値を最適化しているが、シミュレイテッドアニーリング法や線形計画法などの数理計画法に基づく最適化法を用いて各パラメータの値を最適化してもよい。また、本実施形態では、収差パラメータとしてのC5、C6、C7、C8及びC9が独立して変化するように設定しているが、投影光学系に備えられた収差調整機構に応じて、収差の変化量を像高や各収差の従属関数にしてもよい。本実施形態で最適化された各パラメータM1、M2、M3、S1、S2、S3、C5、C6、C7、C8、C9の値を以下のパラメータ群1に示す。パラメータ群1M1=40.2nmM2=57.7nmM3=72.8nmS1=0.876S2=0.624S3=22.3度C5=6.8mλC6=-21.2mλC7=-12.4mλC8=17.8mλC9=-15.1mλ図5は、本実施形態で最適化した各パラメータパラメータ群1に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図5では、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に基準露光量からの変化量を採用している。また、図5では、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅が目標線幅の10又は-10となる焦点位置と露光量との組み合わせをプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。従って、評価場所Bar1、Bar2及びBar3のそれぞれに対応する2本のプロット線に挟まれた領域が、光学像の目標線幅からのずれが±10以内に収まる露光条件の範囲となる。また、全ての評価場所Bar1、Bar2及びBar3に対するこの領域の共通部分がプロセスウィンドウであり、かかるプロセスウィンドウにおいて、共通の露光量マージンとして10を得ることができる焦点位置の範囲が焦点深度である。本実施形態におけるマスクパターンの光学像の像性能の評価基準である焦点深度は、図5に示す領域AR1の焦点方向の幅領域AR1の横幅に相当する。図5に示すように、本実施形態で得られる焦点深度は、177.4nmである。ここで、比較例1として、収差パラメータC5、C6、C7、C8、C9の値を変化させずに即ち、投影光学系の収差を考慮せずに、マスクパラメータM1、M2、M3及び照明パラメータS1、S2、S3を最適化する場合を考える。具体的には、図1に示すフローチャートにおいて、S106では、収差パラメータを設定せず収差の値を変数とせず、以下の表2に示すように、投影光学系の実際の残存収差に対応する値をC5~C36に入力した。なお、表2に示すC10~C36の値は、表1に示すC10~C36の値と同じである。比較例1で最適化された各パラメータM1、M2、M3、S1、S2、S3の値を以下のパラメータ群2に示す。パラメータ群2M1=41.8nmM2=58.2nmM3=73.4nmS1=0.879S2=0.693S3=19.8度図6は、比較例1で最適化した各パラメータパラメータ群2に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図6では、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に基準露光量からの変化量を採用している。また、図6では、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅が目標線幅の10又は-10となる焦点位置と露光量との組み合わせをプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図6を参照するに、比較例1で得られる焦点深度図6に示す領域AR2の横幅は、155.1nmである。このように、本実施形態では、比較例1よりも20nm以上も広い焦点深度が得られている。従って、露光条件の最適化において、有効光源の形状やマスクのパターンと同様に、投影光学系の収差も最適化のターゲットとすることが、マスクパターンの光学像の像性能を向上させる上で有効であることがわかる。また、比較例2として、収差パラメータC5、C6、C7、C8、C9の値を変化させずに即ち、投影光学系の収差を考慮せずに、マスクパラメータM1、M2、M3及び照明パラメータS1、S2、S3を最適化する場合を考える。具体的には、図1に示すフローチャートにおいて、S106では、収差パラメータを設定せず、以下の表3に示す値をC5~C36に入力した。表3に示すC10~C36の値は、表1や表2に示すC10~C36の値と同じであるが、比較例2では、低次の収差であるC5~C9に0を入力している。これは、投影光学系に備えられた収差調整機構によって低次の収差が完全に抑えられた理想的な状態を想定している。比較例2で最適化された各パラメータM1、M2、M3、S1、S2、S3の値を以下のパラメータ群3に示す。パラメータ群3M1=41.8nmM2=58.2nmM3=73.4nmS1=0.891S2=0.628S3=21.7度図7は、比較例2で最適化した各パラメータパラメータ群2に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図7では、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に基準露光量からの変化量を採用している。また、図6では、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅が目標線幅の10又は-10となる焦点位置と露光量との組み合わせをプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図7を参照するに、比較例2で得られる焦点深度図7に示す領域AR3の横幅は、164.6nmである。本実施形態図5、比較例1図6及び比較例2図7を比較するに、マスクパターンや有効光源の形状だけではなく、投影光学系の収差も最適化することで、最も優れた像性能を有する光学像を形成することができることがわかる。以下、マスクパターンの光学像の像性能を向上させる上で、投影光学系の収差を最適化のターゲットとすることが有効である理由について考察する。上述したように、有効光源の形状及びマスクのパターンが決定されれば、その有効光源の形状でそのマスクのパターンを照明した際に、投影光学系の瞳面のどの位置を光露光光が通過するのかがわかる。特に、投影光学系の瞳面における露光光の通過位置は、基板に形成すべき目標パターンの形状及びピッチに強く依存する。マスクパターン及び有効光源の形状の最適化は従来技術でも行われている。但し、従来技術では、目標パターンに対してマスクパターン及び有効光源の形状を最適化調整しているにすぎないため、投影光学系の瞳面における露光光の通過位置を劇的に変化させることはできない。一方、投影光学系の収差は、上述したように、瞳面内の各位置での光線の位相の変化を表すものである。従来技術のように、既知の収差を入力する場合には、目標パターンの形状及びピッチに対応する投影光学系の瞳面内の位置に大きな収差が存在していると、マスクパターン及び有効光源の形状を最適化しても収差が像性能に与える影響を補うことができない。従って、マスクパターンや有効光源の形状だけではなく、投影光学系の収差も同時に最適化することが、マスクパターンの光学像の像性能を向上させるためには必須となると考えられる。例えば、図6比較例1を参照するに、各評価場所Bar1、Bar2、Bar3によって露光マージンを最も広くする焦点位置がずれていることがわかる。特に、評価位置Bar1での焦点位置は、プラスの方向に大きくずれている。これは、投影光学系の収差が像性能に与える影響を表しており、マスクパターンや有効光源の形状を最適化しても、投影光学系の収差が像性能に与える影響を補うことができないことを意味している。一方、図5本実施形態を参照するに、評価位置Bar1での焦点位置が補正され、露光マージンのベストフォーカス位置が各評価場所Bar1、Bar2、Bar3に対してもほぼ同じ位置にあることがわかる。このように、低次の収差を発生させることによって、高次の収差が像性能に与える影響例えば、焦点位置のずれを補うことが可能となり、より広い焦点深度を得ることができる。更に、図7比較例2を参照するに、低次の収差を発生させることの効果が明らかになる。比較例2では、低次の収差が完全に抑えられた理想的な状態においてマスクパターン及び有効光源の形状を最適化しているが、高次の収差の影響によって焦点深度が低い値になっている。上述したように、投影光学系に備えられた収差調整機構で高次の収差を抑えることは困難である。従って、投影光学系に高次の収差が残存している場合には、低次の収差を小さく抑えるよりも、高次の収差とバランスを取るように即ち、高次の収差の影響を打ち消すように、低次の収差を発生させることが効果的となる。このように、投影光学系の収差に特定の値を入力して収差自体を定数としてマスクパターン及び有効光源の形状を最適化する従来技術では、露光条件を最適化する上で不十分であることがわかる。そこで、本実施形態のように、有効光源の形状やマスクのパターンだけでなく、投影光学系の収差も最適化のターゲットとすることで、露光装置における露光条件の最適化に有利な技術を提供することができる。<第2の実施形態>第1の実施形態では、マスクパターン、有効光源の形状及び投影光学系の収差の3種類を最適化のターゲットとしたが、マスクパターンを最適化のターゲットから除外することも可能である。露光装置に用いられるマスクは非常に高価であるため、マスクを製造した後には、マスクを再製造する製造しなおすことをできるだけ抑えたいという要求が存在する。そこで、本実施形態では、マスクパターンを変化させずに即ち、マスクパターンを固定して、有効光源の形状及び投影光学系の収差を最適化する。図8は、本発明の第2の実施形態における決定方法を説明するためのフローチャートである。本実施形態の決定方法は、第1の実施形態の決定方法と同様であるが、S102の代わりにS102Aを有し、S112の代わりにS112Aを有する。S102Aでは、投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンマスクパターンを設定する。本実施形態では、図2に示したように、3種類のラインアンドスペースパターンLSP1、LSP2及びLSP3を含むマスクパターンを設定する。但し、本実施形態では、マスクパターンは変化させないため、マスクパラメータM1、M2、M3を以下の値に固定する。M1=41nmM2=58nmM3=73nmS104、S106、S108及びS110のそれぞれでは、第1の実施形態で説明したように、照明パラメータS1、S2、S3、収差パラメータC5、C6、C7、C8、C9、評価場所及び評価基準を設定する。本実施形態では、ゼルニケ多項式の第5項から第9項までの係数であるC5、C6、C7、C8及びC9を収差パラメータとして設定する。また、第1項から第4項までの係数であるC1~C4には、0を入力し、第10項から第36項までの係数であるC10~C36には、表1に示す値を入力した。また、本実施形態では、図4に示したように、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの中央に対応する投影光学系の像面に評価場所Bar1、Bar2及びBar3を設定し、かかる評価場所での焦点深度を評価基準として設定する。S112Aでは、照明パラメータの値及び収差パラメータを最適化して、露光条件、即ち、有効光源の形状及び投影光学系の収差を決定する。本実施形態で最適化された各パラメータS1、S2、S3、C5、C6、C7、C8、C9の値を以下のパラメータ群4に示す。パラメータ群4S1=0.872S2=0.619S3=13.4度C5=12.5mλC6=-6.3mλC7=-11.3mλC8=18.2mλC9=-19.9mλ図9は、本実施形態で最適化した各パラメータパラメータ群4に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図9では、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に基準露光量からの変化量を採用している。また、図9では、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅が目標線幅の10又は-10となる焦点位置と露光量との組み合わせをプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図9を参照するに、本実施形態で得られる焦点深度図9に示す領域AR4の横幅は、171.6nmである。このように、本実施形態では、第1の実施形態の比較例1よりも15nm以上も広い焦点深度が得られている。これは、マスクパターンを固定しても、有効光源の形状及び投影光学系の収差を最適化すれば、マスクパターンの光学像の像性能を向上させる上で有効であることを意味している。換言すれば、本実施形態のように、最適とは限らない寸法横幅でマスクパターンを固定した場合であっても、有効光源の形状及び投影光学系の収差を最適化のターゲットとすることで、露光装置における露光条件の最適化に有利な技術を提供することができる。<第3の実施形態>図10は、本発明の第3の実施形態における決定方法を説明するためのフローチャートである。本実施形態の決定方法は、第1の実施形態や第2の実施形態と同様に、マスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置における露光条件を決定最適化する。S1002では、投影光学系の像面に形成されるマスクパターンの光学像を評価するための像高評価像高を設定する。本実施形態では、ステップアンドスキャン方式の露光装置スキャナーを想定し、-12.6,0、-7,0、0,0、7,0及び12.6,0の5つの像高を評価像高として設定する。なお、スリット方向の座標をxとし、スキャン方向の座標をyとする。S1004では、投影光学系の物体面に配置するマスクのパターンに関するパラメータマスクパラメータを設定する。本実施形態では、図11に示すマスクパターンに対して、その形状を規定するマスクパラメータM1、M2及びM3を設定する。図11に示すマスクパターンは、遮光部透過率:6と透過部透過率:100とで構成された3種類のラインアンドスペースパターンLSP4、LSP5及びLSP6を含む。マスクパラメータM1は、ピッチが100nmのラインアンドスペースパターンLSP4のラインパターンの寸法横幅を規定する。マスクパラメータM2は、ピッチが120nmのラインアンドスペースパターンLSP5のラインパターンの寸法横幅を規定する。マスクパラメータM3は、ピッチが150nmのラインアンドスペースパターンLSP6のラインパターンの寸法横幅を規定する。但し、本実施形態では、マスクパターンは変化させないため、マスクパラメータM1、M2、M3を以下の値に固定する。M1=50nmM2=53nmM3=58nmS1004では、有効光源の形状に関するパラメータ照明パラメータを設定する。本実施形態では、第1の実施形態や第2の実施形態と同様に、図3に示すダイポール2重極照明に対して、その形状を規定する照明パラメータS1、S2及びS3を設定する。また、本実施形態では、照明パラメータS1、S2及びS3に対して、以下に示す上限値及び下限値を与える。0.70≦S1≦0.980.50≦S2≦0.8520≦S3≦110度S1008では、投影光学系に存在する収差初期収差量を設定する。本実施形態では、初期収差量をゼルニケ多項式の第1項から第36項までの係数であるC1~C36で表し、S1002で設定した評価像高のそれぞれについて、以下の表4に示すように、投影光学系の実際の残存収差に対応する値を設定した。S1010では、投影光学系の収差に関するパラメータ収差パラメータとして、初期収差量から調整すべき収差量を表すパラメータ収差調整パラメータを設定する。本実施形態では、像高コマ収差に関する像高コマ収差調整パラメータP1、球面収差に関する球面収差調整パラメータP2、像面収差に関する像面収差調整パラメータP3を収差調整パラメータとして設定する。これらの収差調整パラメータの値に対応する収差量は、投影光学系を構成する光学素子を光軸方向に移動させることで発生させることができる。従って、収差調整パラメータは、投影光学系を構成する光学素子の光軸方向の移動量駆動量を表すパラメータでもある。また、発生収差量ΔC7及びΔC9、及び、像面幅ΔZdefは、以下の表5に示すように、投影光学系の光軸からの距離hmm像高の関数で表され、各収差調整パラメータP1、P2、P3を設定すれば、各像高での収差調整量を求めることができる。本実施形態では、収差調整パラメータは、投影光学系を構成する光学素子の光軸方向の移動量を表すパラメータとしている。但し、収差調整パラメータは、投影光学系を構成する光学素子の偏芯量や傾け量、ステージの移動量、照明光学系を構成する光学素子の駆動量などを表すパラメータであってもよい。また、収差調整パラメータは、露光装置ごとに異なる値となる。従って、パラメータ敏感度テーブルを露光装置ごとにデータベース化して選択可能にすることで、多種の露光装置に適用することができるようにするとよい。なお、本実施形態では、各収差調整パラメータP1、P2、P3に対して、以下の収差量の調整範囲を与える。-50≦P1≦50μm-50≦P2≦50μm-50≦P3≦50μmS1012では、投影光学系の像面に形成されるマスクパターンの光学像を評価するための評価場所を投影光学系の像面に設定する。本実施形態では、図11に示すように、ラインアンドスペースパターンLSP4、LSP5及びLSP6のそれぞれのラインパターンの中央に対応する投影光学系の像面に評価場所Bar1、Bar2及びBar3を設定する。S1014では、S1012で設定した評価場所に形成されるマスクパターンの光学像の像性能を基板投影光学系の像面に形成すべき目標パターンと比較して評価するための評価基準を設定する。本実施形態で設定する評価基準を具体的に説明する。まず、評価場所Bar1、Bar2及びBar3のそれぞれに形成される光学像の目標線幅目標値を50nmとする。そして、マスクパターンの光学像の寸法と目標パターンの寸法との差分CD差のRMSを、本実施形態では、評価基準として設定する。但し、5つの像高-12.6,0、-7,0、0,0、7,0及び12.6,0のそれぞれについて、デフォーカス量を0、±20nm、±40nmに変化させてCD差を求めるものとする。本実施形態では、ラインアンドスペースパターンのラインパターンの中央に対応する投影光学系の像面に評価場所を設定し、かかる評価場所でのCD差を評価基準として設定しているが、評価場所及び評価基準はこれに限定されるものではない。例えば、ラインアンドスペースパターンの最端のラインパターンに対応する投影光学系の像面にも評価場所を設定し、中央のラインパターンと最端のラインパターンとの共通のCD差を評価基準としてもよい。また、像高ごとに異なるパターンを設定し、かかるパターンの目標線幅からのCD差を評価基準としてもよい。なお、評価基準は、CD差に限定されるものではなく、焦点深度、マスクパターンの光学像の露光余裕度、マスクパターンの光学像のコントラストやILSイメージログスロープであってもよい。また、投影光学系の像面の座標を評価場所評価点として設定し、かかる座標からの光学像の位置ずれエッジプレースメントエラーとも呼ばれるを評価基準として設定してもよい。S1016では、照明パラメータの値及び収差調整パラメータを最適化して、露光条件、即ち、有効光源の形状及び投影光学系の収差を決定する。まず、S1012で設定した評価場所に形成されるマスクパターンの光学像がS1014で設定した評価基準を満たすように、照明パラメータの値及び収差調整パラメータの値を決定する。そして、決定した照明パラメータの値及び収差調整パラメータの値のそれぞれで規定される有効光源の形状及び投影光学系の収差初期収差量から調整すべき収差量を露光条件として決定する。本実施形態では、上述したように、互いに独立した6個のパラメータ、即ち、照明パラメータとしてS1、S2及びS3、収差調整パラメータとしてP1、P2及びP3が設定されている。これらのパラメータを全て含むパラメータ空間を構成し、かかるパラメータ空間において滑降シンプレックス法によってパラメータの値を最適化する。具体的には、各パラメータの値を変化させながらマスクパターンの光学像を算出して評価場所でのCD差のRMS評価基準を求め、CD差のRMSがなるべく小さくなるように、各パラメータの値を最適化する。本実施形態で最適化する前の各パラメータS1、S2、S3、P1、P2及びP3の値を以下のパラメータ群5に示す。パラメータ群5S1=0.950S2=0.713S3=45度P1=0P2=0P3=0図12a及び図12bは、本実施形態で最適化する前の各パラメータパラメータ群5に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図12aでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に光学像の線幅を採用している。図12aでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。また、図12bでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸にCD差を採用している。図12bでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3でのCD差をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図12a及び図12bを参照するに、デフォーカス量0、±20nm及び±40nmにおけるCD差のRMSは、7.1nmである。本実施形態で最適化された各パラメータS1、S2、S3、P1、P2及びP3の値を以下のパラメータ群6に示す。また、各像高に設定されている収差を、以下の表6に示す。パラメータ群6S1=0.910S2=0.663S3=45度P1=-15.6P2=-16.6P3=9.3図13a及び図13bは、本実施形態で最適化した各パラメータパラメータ群6に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図13aでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に光学像の線幅を採用している。図13aでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。また、図13bでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸にCD差を採用している。図13bでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3でのCD差をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図13a及び図13bを参照するに、デフォーカス量0、±20nm及び±40nmにおけるCD差のRMSは、1.5nmである。従って、各パラメータS1、S2、S3、P1、P2及びP3の値を最適化する前と比較して、全ての像高及び全てのデフォーカス量においてマスクパターンの光学像の線幅が目標線幅に近づいていることがわかる。ここで、比較例3として、収差調整パラメータP1、P2、P3の値を変化させずに即ち、投影光学系の収差を考慮せずに、照明パラメータS1、S2、S3を最適化する場合を考える。具体的には、図10に示すフローチャートにおいて、S1010では、収差調整パラメータを設定しない換言すれば、収差調整パラメータの値を0に固定する。比較例3で最適化された照明パラメータS1、S2、S3の値を以下のパラメータ群7に示す。パラメータ群7S1=0.958S2=0.694S3=73度P1=0P2=0P3=0図14a及び図14bは、比較例3で最適化した各パラメータパラメータ群7に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図14aでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に光学像の線幅を採用している。図14aでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。また、図14bでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸にCD差を採用している。図14bでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3でのCD差をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図14a及び図14bを参照するに、デフォーカス量0、±20nm及び±40nmにおけるCD差のRMSは、1.66nmである。比較例3図14bは、本実施形態図13bと比較して、像高間のばらつきが多いことがわかる。このように、露光条件の最適化において、有効光源の形状やマスクのパターンと同様に、投影光学系の収差初期収差量から調整すべき収差量も最適化のターゲットとすることが、マスクパターンの光学像の像性能を向上させる上で有効であることがわかる。また、比較例4として、照明パラメータS1、S2、S3の値を変化させずに即ち、有効光源の形状を固定して、収差調整パラメータP1、P2、P3を最適化する場合を考える。具体的には、図10に示すフローチャートにおいて、S1006では、照明パラメータを設定しない換言すれば、照明パラメータS1、S2及びS3のそれぞれの値を0.950、0.75及び73に固定する。比較例4で最適化された収差調整パラメータP1、P2、P3の値を以下のパラメータ群8に示す。また、各像高に設定されている収差を、以下の表7に示す。パラメータ群8S1=0.950S2=0.713S3=73度P1=0P2=0P3=0図15a及び図15bは、比較例4で最適化した各パラメータパラメータ群8に対応して、投影光学系の像面に形成される光学像の評価場所Bar1、Bar2及びBar3での像性能を示す図である。図15aでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸に光学像の線幅を採用している。図15aでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3での線幅をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。また、図15bでは、横軸に基準焦点位置からのデフォーカス量を採用し、縦軸にCD差を採用している。図15bでは、評価場所Bar1、Bar2及びBar3でのCD差をプロットとし、各プロットを直線で結んでいる。図15a及び図15bを参照するに、デフォーカス量0、±20nm及び±40nmにおけるCD差のRMSは、3.2nmである。比較例4図14bは、本実施形態で最適化する前図12bと比較して、各像高でのCD差を小さく抑えていることがわかる。このように、既知の収差を入力して有効光源の形状を最適化するような従来技術は、有効光源の形状及び投影光学系の収差を同時に最適化する本実施形態と比較して、マスクパターンの光学像の像性能を向上させることができない。但し、投影光学系の収差収差調整パラメータの値を最適化するだけ比較例4では、デフォーカス量の変化に対してCD差が大きくなってしまう。本実施形態図13、比較例3図14及び比較例4図15を比較するに、有効光源の形状及び投影光学系の収差を同時に最適化することで、最も優れた像性能を有する光学像を形成することができることがわかる。また、本実施形態では、投影光学系に設定すべき収差量を表すパラメータではなく、投影光学系に設定された初期収差量から調整すべき収差量投影光学系を構成する光学素子の駆動量を表す収差調整パラメータを収差パラメータとしている。これにより、最適化した収差調整パラメータP1、P2、P3を投影光学系に備えられた収差調整機構に入力する指令収差の調整の指令として用いることができる。また、本実施形態では、有効光源の形状及び投影光学系の収差を最適化のターゲットとしているが、マスクパターンマスクパラメータM1、M2、M3も最適化のターゲットとすることができる。なお、第1の実施形態、第2の実施形態及び第3の実施形態は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアプログラムを、ネットワーク又は各記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータまたはCPUやMPU等がプログラムを読み出して実行する処理である。この場合、そのプログラム、及び、かかるプログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。<第4の実施形態>図16を参照して、照明光学系からの光で照明されたマスクのパターンをウエハに転写する露光装置100について説明する。図16は、露光装置100の構成を示す概略ブロック図である。露光装置100は、本実施形態では、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるが、ステップアンドリピート方式やその他の露光方式も適用することができる。露光装置100は、照明装置110と、マスク120を支持するマスクステージ不図示と、投影光学系130と、ウエハ140を支持するウエハステージ不図示とを有する。照明装置110は、光源160と、照明光学系180とを含み、転写用の回路パターンが形成されたマスク120を照明する。光源160は、例えば、波長約193nmのArFエキシマレーザ、波長約248nmのKrFエキシマレーザなどのエキシマレーザを使用する。但し、光源160の種類及び個数は限定されず、例えば、波長約157nmのF2レーザや狭帯域化した水銀ランプなどを光源160として使用することもできる。照明光学系180は、光源160からの光を用いてマスク120を照明する光学系であって、第1の実施形態、第2の実施形態又は第3の実施形態の決定方法によって決定された有効光源を形成する。照明光学系180は、引き回し光学系181と、ビーム整形光学系182と、偏光制御部183と、位相制御部184と、射出角度保存光学素子185と、リレー光学系186と、多光束発生部187とを含む。また、照明光学系180は、偏光状態調整部188と、計算機ホログラム189と、リレー光学系190と、アパーチャ191と、ズーム光学系192と、多光束発生部193と、開口絞り194と、照射部195とを含む。引き回し光学系181は、光源160からの光を偏向してビーム整形光学系182に導光する。ビーム整形光学系182は、光源160からの光の断面形状の縦横比率を所定の値に変換する例えば、断面形状を長方形から正方形にする。ビーム整形光学系182は、多光束発生部187を照明するために必要な大きさ及び発散角を有する光束を形成する。偏光制御部183は、例えば、直線偏光子などで構成され、不要な偏光成分を除去する機能を有する。偏光制御部183で除去遮光される偏光成分を最小限にすることで、光源160からの光を効率よく所定の直線偏光にすることができる。位相制御部184は、偏光制御部183によって直線偏光となった光にλ/4の位相差を与えて円偏光に変換する。射出角度保存光学素子185は、例えば、オプティカルインテグレータ複数の微小レンズで構成されたハエの目レンズやファイバーなどで構成され、一定の発散角度で光を射出する。リレー光学系186は、射出角度保存光学素子185から射出された光を多光束発生部187に集光する。射出角度保存光学素子185の射出面と多光束発生部187の入射面とは、リレー光学系186によって、互いにフーリエ変換の関係物体面と瞳面の関係、又は、瞳面と像面の関係になっている。多光束発生部187は、偏光状態調整部188及び計算機ホログラム189を均一に照明するためのオプティカルインテグレータで構成される。多光束発生部187の射出面には、複数の点光源からなる2次光源が形成される。多光束発生部187から射出された光は、円偏光として偏光状態調整部188に入射する。偏光状態調整部188は、位相制御部184によって円偏光となった光にλ/4の位相差を与えて所定の偏光方向を有する直線偏光に変換する。偏光状態調整部188から射出された光は、直線偏光として回折光学素子として機能する計算機ホログラム189に入射する。本実施形態では、偏光状態調整部188は、計算機ホログラム189よりも光源側に配置されているが、偏光状態調整部188と計算機ホログラム189との配置関係を入れ替えてもよい。また、偏光状態調整部188をサブ波長構造SWS:SubWavelengthStructureで構成した場合には、1つの素子で偏光状態調整部と回折光学素子の機能を有する即ち、回折光学素子と一体的に構成することができる。計算機ホログラム189は、リレー光学系190を介して、アパーチャ191の位置に、第1の実施形態、第2の実施形態又は第3の実施形態の決定方法で決定された有効光源光強度分布を形成する。また、計算機ホログラム189は、輪帯照明や4重極照明などを形成することも可能であり、偏光状態調整部188と協同して、タンジェンシャル偏光やラディアル偏光などを実現することもきできる。このような互いに異なる有効光源を形成する複数の計算機ホログラム189は、例えば、ターレットなどの切り替え部に配置される。そして、第1の実施形態、第2の実施形態又は第3の実施形態の決定方法によって決定された有効光源に対応する計算機ホログラム189を照明光学系180の光路に配置することで、様々な有効光源を形成することができる。アパーチャ191は、計算機ホログラム189によって形成された有効光源光強度分布のみを通過させる機能を有する。計算機ホログラム189とアパーチャ191とは、互いにフーリエ変換の関係になるように配置されている。ズーム光学系192は、計算機ホログラム189によって形成された有効光源を所定の倍率で拡大して多光束発生部193に投影する。多光束発生部193は、照明光学系180の瞳面に配置され、アパーチャ191の位置に形成された光強度分布に対応した光源像有効光源を射出面に形成する。多光束発生部193は、本実施形態では、ハエの目レンズやシリンドリカルレンズアレイなどのオプティカルインテグレータで構成される。なお、多光束発生部193の射出面の近傍には、開口絞り194が配置される。照射部195は、コンデンサー光学系などを含み、多光束発生部193の射出面に形成される有効光源でマスク120を照明する。マスク120は、ウエハ140に転写すべきパターンを有する。なお、露光条件を決定する決定方法として第1の実施形態の決定方法が用いられている場合には、マスク120は、第1の実施形態の決定方法によって決定されたマスクパターンに対応するパターンをウエハ140に転写すべきパターンとして有する。マスク120は、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク120からの回折光は、投影光学系130を介して、ウエハ140に投影される。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるため、マスク120とウエハ140とを走査することによって、マスク120のパターンをウエハ140に転写する。投影光学系130は、マスク120のパターンをウエハ140に投影する光学系である。また、投影光学系130には、第1の実施形態、第2の実施形態又は第3の実施形態の決定方法によって決定された投影光学系の収差が設定される。投影光学系130は、屈折系、反射屈折系、或いは、反射系を使用することができる。ウエハ140は、マスク120のパターンが投影転写される基板であり、図示しないウエハステージに支持及び駆動される。但し、ウエハ140は、ガラスプレートやその他の基板に置き換えることもできる。ウエハ140には、レジストが塗布されている。露光において、光源160からの光は、照明光学系180によってマスク120を照明する。マスク120のパターンを反映する光は、投影光学系130によってウエハ140の上に結像する。この際、露光装置100には、上述したように、第1の実施形態、第2の実施形態又は第3の実施形態の決定方法によって決定された露光条件が設定されている。従って、露光装置100は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス半導体素子、LCD素子、撮像素子CCDなど、薄膜磁気ヘッドなどを提供することができる。かかるデバイスは、露光装置100を用いてフォトレジスト感光剤が塗布された基板ウエハ、ガラスプレート等を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。"