"チョクラルスキー法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したV-リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上2時間以下保持する第1の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、1100°C以上1200°C以下の最高到達温度で30分以上2時間以下保持する第2の熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。前記第1の熱処理後、前記第2の熱処理前に、前記第1の熱処理で形成された酸化膜を剥離することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。しかしながら、特許文献4に記載の技術は、シリコンウェーハの表層部のCOP欠陥の低減は可能であるが、より深い領域バルク部においてはその効果は不十分であるという問題がある。加えて、特許文献5に記載の技術は、シリコンウェーハを少なくとも1300°C近傍の温度で熱処理を行うため、スリップ転位が大きく発生する可能性が高くなるという問題がある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したV-リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上2時間以下保持する第1の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、1100°C以上1200°C以下の最高到達温度で30分以上2時間以下保持する第2の熱処理を行うことを特徴とする。前記第1の熱処理後、前記第2の熱処理前に、前記第1の熱処理で形成された酸化膜を剥離することが好ましい。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことが好ましい。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることが好ましい。本発明によれば、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法が提供される。本発明者は、熱処理においてCOPを低減させる手段として、1300°C近傍の温度で高温熱処理を行うことにより空孔を拡散させてCOP欠陥を収縮させる方法、及び1200°C近傍の比較的低温で熱処理を行うことによりウェーハ表面から酸素を外方拡散させてウェーハ内部の酸素濃度を固溶限界以下とすることでCOP欠陥の内壁酸化膜を除去させて、そのボイドに格子間シリコンを充填する方法の二種類の方法を提案し、その問題点等を鋭意検討した。その結果、前者においては、1300°C近傍の熱処理温度が要求されるため、スリップ転位などの熱処理起因の転位導入が障害となる一方で、後者においては、COP欠陥の内壁酸化膜が除去される領域、すなわち、酸素の外方拡散で酸素濃度が固溶限界以下となる領域までしかCOP欠陥を低減できず、酸素の外方拡散がされにくい領域、特に、バルク部ではCOP欠陥が低減されにくいという問題があることを見出した。そこで、これらの問題点を解決すべく、COPを低減させる手段として、前記低温熱処理を採用することで、前記高温熱処理の問題点を抑制し、更に、シリコン単結晶インゴットの育成時の酸素濃度を低くすることで、前記低温熱処理における問題も抑制できる点を見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の一例を示す工程フロー図である。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、図1に示すように、シリコン単結晶インゴットを育成する工程S101、スライスウェーハを得る工程S102、平坦化処理する工程S103、エッチング処理する工程S104、鏡面研磨する工程S105、熱処理する工程S106を備える。シリコン単結晶インゴットを育成する工程S101は、CZ法によりV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を制御してV-リッチ領域からなる酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する。具体的には、周知の単結晶引上装置を用いて、シリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボとを回転させながら種結晶を引き上げてネック部及び所望の直径まで拡径する拡径部を形成し、その後、所望の直径を一定に保持しながら、V-リッチ領域となるようにV/G値を所定値例えば、0.25~0.35mm2/°Cminに制御して直胴部を形成し、最後に、所望の直径から縮径する縮径部を形成してシリコン融液から切り離すことで行う。前記育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度の調整は、石英ルツボの回転数や炉内圧力、ヒータ温度などを調整することによって行う。例えば、石英ルツボの回転数を低く、かつ炉内圧力を低くする常圧に近づけることでシリコン単結晶インゴット中の酸素濃度を低くすることができる。図2は、V/G値と育成されるシリコン単結晶インゴット中の点欠陥分布との関係を模式的に示す概念図である。図2に示すように、ネック部2を形成した後、シリコン単結晶インゴット1の引き上げ速度V値を拡径部3側から縮径部4側にかけて漸減していくと、V/G値も減少し、これに伴って、シリコン単結晶インゴット1中の欠陥分布も変化する。なお、この場合は、G値はほとんど変化しない。引き上げ速度V値が大きい、すなわち、V/G値が大きいときは、原子空孔COPが多く取り込まれたV-リッチ領域5が形成される。このV-リッチ領域5が消滅する臨界V/G値以下では、まず、酸化誘起積層欠陥OxidationinducedStackingFault:以下、OSFと略記するがリング状に発生するリングOSF領域6が形成され、次に、空孔と格子間シリコン濃度との均衡により、原子の不足や余分の少ない無欠陥領域7が形成される。V/G値がさらに減少すると、格子間シリコンが多く取り込まれたI-リッチ領域8が形成される。このように本発明では、V/G値を制御してV-リッチ領域からなる直胴部を有するシリコン単結晶インゴットを育成するため、無欠陥領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成するよりも、引き上げ速度V値の高速化を図ることができる。従って、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、シリコン単結晶インゴットを育成することができる。なお、本願に示すV-リッチ領域からなるとは、前述したリングOSF領域を排除するものではなく、V-リッチ領域及びリングOSF領域の両方が存在する場合も含まれる。スライスウェーハを得る工程S102は、周知の切断装置ワイヤソー等を用いて、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したV-リッチ領域からなる円板状のスライスウェーハを得る。平坦化処理する工程S103は、周知の平坦化処理装置ラッピング装置や両面研削装置等を用いて、前記スライスウェーハの表裏面を平坦化処理する。エッチング処理する工程S104は、周知のエッチング装置を用いて、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する。具体的には、例えば、弗酸、硝酸、酢酸及び水を一定の比率で混合した酸エッチング溶液中に、前記平坦化処理されたウェーハを浸漬させて該ウェーハの表裏面をエッチング処理する。鏡面研磨する工程S105は、周知の鏡面研磨装置を用いて、前記エッチング処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する。熱処理する工程S106は、周知の熱処理装置縦型熱処理装置等を用いて、前記少なくとも半導体デバイス形成面となる表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上2時間以下保持する第1の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、1100°C以上1200°C以下の最高到達温度で30分以上2時間以下保持する第2の熱処理を行う。このように本発明では、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断した円板状のシリコンウェーハを熱処理するため、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止することができる。更に、最高到達温度が1300°C未満の低温で行うため、当該熱処理におけるスリップ転位の発生を抑制することができる。更に、ウェーハの酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるため、前記第1及び第2の熱処理において、ウェーハの表層部及びバルク部におけるBMDの発生を抑制することができる。加えて、第1の熱処理では、酸化性ガスを用いるため、他のガス水素やアルゴンよりも、ウェーハ内部に格子間シリコンを多く注入させることができる。図3は、第1の熱処理におけるウェーハの表層部とバルク部のCOP欠陥が低減するメカニズムを説明するための概念図であり、aは最高到達温度が1300°C近傍である熱処理の場合、bは最高到達温度が1000°C~1100°Cである熱処理の場合、cは最高到達温度が1150°C~1200°Cである熱処理の場合をそれぞれ示す。前記第1の熱処理におけるCOP欠陥が低減するメカニズムは、概ね下記のようなものであると考えられる。最高到達温度が1300°C近傍である場合図3aは、高温であるため、表層部及びバルク部共に、内壁酸化膜の溶解が発生し、その後、内壁酸化膜が除去されたボイドが空孔として拡散し、それによって、COPが消滅されるものと考えられる。最高到達温度が1000°Cから1100°Cである場合図3bは、低温であるため、内壁酸化膜が溶解しにくく、更に、酸化性ガス雰囲気で熱処理されるため、酸素Oiが表層部に内方拡散され、表層部のCOPの内壁酸化膜が逆に成長してしまい、表層部にCOPが残留するものと考えられる。なお、前記内方拡散された酸素Oiは、表層部のCOPに取り込まれるためバルク部まで拡散されにくいものの、同様に最高到達温度が低温であるため、バルク部でもCOPの内壁酸化膜が溶解しにくく、これが格子間シリコンi-Siの注入を抑制するため、バルク部においてもCOPが残留するものと考えられる。これに対し、最高到達温度が1150°Cから1200°Cである場合図3cは、温度が図3bと比べると高温であるため、内壁酸化膜は溶解されやすくなっているものの、表層部では、同様に、内方拡散された酸素Oiが表層部のCOPの内壁酸化膜を成長させてしまうため、表層部にはCOPが残留すると考えられる。なお、バルク部では、COP中の内壁酸化膜は溶解され、内壁酸化膜が除去されたボイドに格子間シリコンi-Siが注入され、これによってCOPが消滅するものと考えられる。すなわち、前記第1の熱処理における最高到達温度が1150°C未満である場合には、シリコンウェーハの表層部及びバルク部のCOP欠陥を十分に低減することが難しい。また、前記最高到達温度が1200°Cを超える場合には、前述したようにスリップ転位が大きく発生するため好ましくない。前記雰囲気が水素ガスや不活性ガスである場合には、シリコンウェーハの表層部表面から深さ5μm程度のCOP欠陥の低減は可能であるが、より深い領域バルク部においてはその効果は不十分である。前記雰囲気が窒素ガスである場合には、シリコンウェーハのバルク部に空孔が形成されてしまい、バルク部における欠陥の低減の妨げとなるため好ましくない。前記酸化性ガス雰囲気における酸素ガスの分圧は、1以上100以下であることが好ましい。前記酸素分圧が1未満である場合には、シリコンウェーハの内部に導入される格子間シリコンの発生量が低下するため、バルク部のCOP欠陥の低減を十分に図ることができない場合がある。前記酸化性ガスにおける酸素ガス以外のガスはアルゴンガスであることが好ましい。アルゴンガスを用いることにより、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、熱処理を行うことができる。なお、前記第1の熱処理で表層部に残存したCOPは、続いて行われる第2の熱処理で低減させることができる。図4は、第2の熱処理におけるウェーハの表層部とバルク部のCOP欠陥が低減するメカニズムを説明するための概念図であり、図4aは、図3bの熱処理後のウェーハを用いて行った場合、図4bは、図3cの熱処理後のウェーハを用いて行った場合をそれぞれ示す。前記第1の熱処理を1000°Cから1100°Cで行ったウェーハは、図3bに示すように表層部及びバルク部にCOPが残留している。このウェーハに対して、前記第2の熱処理を行った場合は、表層部においては、内壁酸化膜が溶解し、その後、原子の再配列によって当該COPが消滅すると考えられる図4a表層部。しかしながらバルク部ではこのような効果内壁酸化膜が溶解し、COPが消滅は不十分であるため、COPが残留すると考えられる図4aバルク部。一方、前記第1の熱処理を1150°Cから1200°Cで行ったウェーハは、表層部のみにCOPが残留している図3c。従って、このウェーハに対して、前記第2の熱処理を行った場合は、この表層部のCOPは、内壁酸化膜が溶解し、その後、原子の再配列によって当該COPが消滅すると考えられる図4b。前記第2の熱処理における最高到達温度が1100°C未満である場合には、低温であるため、前記第1の熱処理で成長した内壁酸化膜を溶解させてCOP欠陥の低減を図ることが難しい場合がある。前記最高到達温度が1200°Cを超える場合には、高温となるため、スリップ転位が大きく発生する場合がある。前記第1の熱処理における最高到達温度の保持時間が5分未満である場合には、熱処理時間が少ないため、図3cに示すようなバルク部におけるCOPの消滅を十分に行う事ができない場合がある。前記保持時間が2時間を越える場合には、熱処理時間が長くなるため、生産性が低下すると共に、前記表層部の内壁酸化膜が大きく成長してしまい、その後の第2の熱処理で該内壁酸化膜を溶解しきれず残存させてしまう場合があり、更に、その他の不具合不純物汚染等の発生も懸念されるため好ましくない。前記第1の熱処理における最高到達温度の保持時間は、好ましくは、1時間以上2時間以下である。前記第2の熱処理における最高到達温度の保持時間が30分未満である場合は、熱処理時間が少ないため、前記第1の熱処理で内壁酸化膜が成長したCOPの該内壁酸化膜を溶解させてCOP欠陥の低減を図ることが難しい場合がある。前記保持時間が2時間を越える場合には、生産性が低下すると共に、その他の不具合不純物汚染等が発生する場合があり好ましくない。前記第2の熱処理における最高到達温度の保持時間は、好ましくは、1時間以上2時間以下である。前記第1の熱処理後、前記第2の熱処理前に、前記第1の熱処理で形成された酸化膜を剥離することが好ましい。前記第2の熱処理時に、表面に酸化膜が形成されている場合は、該表層部からの酸素の外方拡散が抑制されてしまうため、第1の熱処理後に表層部に残存するCOPを低減することが難しい場合がある。従って、前記第2の熱処理前に、前記第1の熱処理で形成された酸化膜を剥離することが好ましい。なお、前記酸化膜の剥離は周知の方法フッ酸洗浄等により行うことができる。前記シリコン単結晶インゴットの育成は、窒素ノンドープにて行うことが好ましい。ここでいう窒素ノンドープとは、シリコン単結晶インゴットの育成のため、故意に窒素ドープ例えば、石英ルツボにおけるポリシリコン積載時に窒化膜が形成されたシリコンウェーハ片を同時に積載を行わないことをいう。窒素ドープを行うとシリコン単結晶インゴットの内部,すなわち作製されたシリコンウェーハのバルク中に残留する窒素を起因として,比抵抗の変動やCOP以外の欠陥を形成する場合があるため好ましくない。具体的には、前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下SIMS二次イオン質量分析装置実測値であることが好ましい。前記シリコン単結晶インゴットを育成する際の酸素濃度は、0.44×1018atoms/cm3old-ASTM以下であることが好ましい。このような酸素濃度とすることで、確実に、本願発明の効果を得ることができる。更に、好ましくは、0.31×1018atoms/cm3以上0.44×1018atoms/cm3old-ASTM以下である。前記第1及び第2の熱処理における前記最高到達温度までの昇温速度は、1°C/分以上5°C/分以下であることが好ましい。このような昇温速度とすることで、生産性の低下及びスリップ転位の発生を抑制することができる。前記第1及び第2の熱処理における前記最高到達温度からの降温速度は、1°C/分以上5°C/分以下であることが好ましい。このような降温速度とすることで、生産性の低下及びスリップ転位の発生を抑制することができる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。試験1CZ法により窒素ノンドープにてV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を0.28~0.32mm2/°Cminに制御して直胴部がV-リッチ領域からなる酸素濃度0.31×1018~0.44×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度6.0×1013atoms/cm3以下SIMS実測値、比抵抗39.3~43.3Ωcm、N-type、面方位100であるシリコン単結晶インゴットを育成後、該インゴットの直胴部を切断してV-リッチ領域からなる直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。次に、前記スライスウェーハのラッピング加工を行って、該ウェーハの表裏面を平坦化処理した後、フッ酸濃度49:硝酸濃度69:酢酸:水=1:15:3:1の酸エッチング溶液に浸漬させて、該ウェーハの表裏面をエッチング処理した。次に、前記エッチング処理されたウェーハの両面研磨を行って、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面が鏡面研磨されたウェーハを、酸素100雰囲気中、最高到達温度を変化させて、前記最高到達温度の保持時間については1時間として熱処理第1の熱処理を行った。その際、各条件とも、縦型ボートであるシリコンボートに前記ウェーハを枚葉で10枚づつ保持して熱処理を行った。次に、前記第1の熱処理を行ったウェーハを5フッ酸水溶液に所定時間浸漬させて、前記第1の熱処理で形成された少なくとも半導体デバイス形成面となる表面の酸化膜を除去した。次に、酸化膜を除去したウェーハを、アルゴンガス100雰囲気中、最高到達温度を変化させて、前記最高到達温度の保持時間については1時間として熱処理第2の熱処理を行った。前記第2の熱処理を行ったアニールウェーハについて、半導体デバイス形成面となる表面の欠陥密度、更には、該表面の鏡面研磨を行って、表面から深さ10μm、50μm及び100μmにおけるバルク部の欠陥密度をそれぞれ評価した。欠陥密度の評価は、測定面から深さ5μm領域の欠陥数を検出することができるレイテックス社製LSTDスキャナMO601を用いた。また、前記第2の熱処理を行ったアニールウェーハについて、ウェーハ裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価し、10枚における当該スリップ長の平均値を算出した。更に、前記第2の熱処理を行ったアニールウェーハに対して、2段階熱処理780°Cで3時間熱処理した後、1000°Cで16時間熱処理を施した後のバルク部深さ10μm、50μm及び100μmのBMD密度をIRトモグラフィ株式会社レイテックス製MO-411にて測定した。本試験における試験条件及び評価結果を表1に示す。表1に示すように、第1の熱処理の最高到達温度°Cが1150°C以上1200°C以下であり、前記第2の熱処理の最高到達温度°Cが1100°C以上1200°C以下である場合実施例1から4には、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を大きく低減させることができる。試験2チョクラルスキー法により育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度を1.20~1.30×1018atoms/cm3old-ASTMとして、その他は、試験1と同様な方法で熱処理を行った。前記第2の熱処理を行ったアニールウェーハについて、半導体デバイス形成面となる表面の欠陥密度及び表面から深さ10μm、50μm及び100μmにおけるバルク部の欠陥密度を試験1と同様な方法で評価した。その結果、いずれのサンプルにおいても、表面の欠陥密度が30/cm2以上であり、前記第1の熱処理において成長した内壁酸化膜を有する表面のCOPを前記第2の熱処理で低減しきれていないことが認められた。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"