撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換して電荷蓄積を行う撮像素子と、前記撮像素子がエリアごとに異なる蓄積時間で前記電荷蓄積を行うように制御する制御手段と、撮影画面内のエリアごとに被写体までの距離に関する情報を取得する取得手段と、発光装置をプリ発光させて前記撮像素子で電荷蓄積を行った結果に基づいて、当該発光装置の本発光量を決定する決定手段と、を備え、前記制御手段は、前記取得手段により取得した情報に基づく前記撮影画面内のエリアごとの被写体までの距離に基づいて、前記プリ発光時の前記撮像素子のエリアごとの蓄積時間を制御することを特徴とする撮像装置。前記制御手段は、前記取得手段により取得した情報に基づく被写体までの距離が近いエリアほど対応する前記撮像素子のエリアの蓄積時間を短くすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記取得手段は、前記撮影レンズの射出瞳の異なる位置の光束の位相差情報と前記撮影レンズの焦点位置情報と前記撮影レンズの焦点距離情報とを、前記被写体までの距離に関する情報として取得することを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。前記撮像素子は、撮像用画素の間に位相差検出用画素が設けられており、前記取得手段は、前記撮像素子を用いて前記撮影レンズの射出瞳の異なる位置の光束の位相差情報を取得することを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記撮影レンズの絞り値に関する情報に基づいて、前記プリ発光時の前記撮像素子のエリアごとの蓄積時間を制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の撮像装置。前記制御手段は、前記取得手段により取得した情報に基づいて被写体までの距離がわからない場合には、前記撮影レンズの焦点距離情報および絞り値に関する情報に基づいて、前記プリ発光時の前記撮像素子のエリアごとの蓄積時間が同一となるように制御することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の撮像装置。前記プリ発光を、当該プリ発光時に前記撮像素子のエリアの中で最初に電荷蓄積を開始するエリアの電荷蓄積開始前から、当該撮像素子のエリアの中で最後に電荷蓄積を開始するエリアの電荷蓄積終了後まで略一定の光量で行うことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の撮像装置。撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換して電荷蓄積を行う撮像素子を備え、発光装置をプリ発光させて前記撮像素子で電荷蓄積を行った結果に基づいて、当該発光装置の本発光量を決定する撮像装置の制御方法であって、前記撮像素子がエリアごとに異なる蓄積時間で前記電荷蓄積を行うように制御する制御ステップと、撮影画面内のエリアごとに被写体までの距離に関する情報を取得する取得ステップと、を備え、前記制御ステップは、前記取得ステップで取得した情報に基づく前記撮影画面内のエリアごとの被写体までの距離に基づいて、前記プリ発光時の前記撮像素子のエリアごとの蓄積時間を制御することを特徴とする撮像装置の制御方法。しかしながら、上述の特許文献1に開示された従来技術では、プリ発光時に被写体が近距離にあって撮像素子の出力が所定の値を超える場合は撮影レンズの絞りを絞って再度プリ発光を行う。そのため、被写体距離の条件によっては本発光量の決定のために複数回のプリ発光が必要になってしまう。また、上述の特許文献2に開示された従来技術では、短い蓄積時間と長い蓄積時間の二回の測光を行うため、少なくとも二回のプリ発光を必要とする。さらに、短い蓄積時間もあらかじめ設定した蓄積時間であるため、被写体との距離関係によっては撮像素子が飽和し、本発光量の決定が正しく行えない場合が発生してしまう。本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光装置を用いて被写体像を撮影する際に、一度のプリ発光で適正な本発光量を決定することを可能にした撮像装置を提供することである。本発明に係わる撮像装置は、撮影レンズにより結像された被写体像を光電変換して電荷蓄積を行う撮像素子と、前記撮像素子がエリアごとに異なる蓄積時間で前記電荷蓄積を行うように制御する制御手段と、撮影画面内のエリアごとに被写体までの距離に関する情報を取得する取得手段と、発光装置をプリ発光させて前記撮像素子で電荷蓄積を行った結果に基づいて、当該発光装置の本発光量を決定する決定手段と、を備え、前記制御手段は、前記取得手段により取得した情報に基づく前記撮影画面内のエリアごとの被写体までの距離に基づいて、前記プリ発光時の前記撮像素子のエリアごとの蓄積時間を制御することを特徴とする。本発明によれば、発光装置を用いて被写体像を撮影する際に、一度のプリ発光で適正な本発光量を決定することを可能にした撮像装置を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係わる撮像装置の構成を示すブロック図である。図1において、101はレンズ撮影レンズ、102はレンズ101に内蔵される絞り、103は撮像素子、104は信号処理回路、105は制御回路、106はシャッターボタンである。また、107はTFT液晶等の表示部、108は着脱自在のメモリーカード、109は発光装置、110はハーフミラー、111は位相差検出素子である。なお、レンズ101及び発光装置109は撮像装置に内蔵されていなくてもよく、撮像装置に着脱可能であってもよい。このように構成される撮像装置の動作について、以下説明する。不図示の被写体像はレンズ101にて撮像素子103上に結像されるとともに、ハーフミラー110にて反射され、位相差検出素子111上にも像を結ぶ。位相差検出素子111ではレンズ101の射出瞳の異なる領域を通過した光束を独立に取り出すことができ、撮影画面内の複数のエリアについて射出瞳の異なる領域を通過した光束を読み出される。制御装置105は位相差検出素子111から読みだされた信号に所定の処理を施すことにより、各エリアの位相差情報を得ることができる。レンズ101は、制御装置105からの信号により、絞り102やフォーカス駆動が制御されており、さらにレンズ101自体の焦点距離情報、焦点位置情報などを制御装置105からの制御信号に応じて読み出される。制御装置105は、前述した位相差情報とレンズ101から読み出した焦点距離情報と焦点位置情報といった被写体までの距離に関する情報に基づいて各エリアの被写体の位置被写体までの距離を推定する。そして、推定結果に絞り102の開度情報絞り値に関する情報を加味してプリ発光に先立って撮像素子103の各エリアごとの蓄積時間を設定する。なお、絞り102の開度情報に基づいてプリ発光の光量を変更する場合などは、撮像素子103の各エリアごとの蓄積時間を設定する際に絞り102の開度情報を加味しなくても構わない。プリ発光に際しては、制御装置105は発光装置109に対して発光量および発光方式を設定する。発光量は使用しているレンズ101の絞り値、最も近い被写体が含まれるエリアの被写体距離、設定された蓄積時間から撮像素子103の画素が飽和しない光量が選択される。また、発光方式は、撮像素子103の全エリアの蓄積時間をカバーするために定光量発光発光時間中の光量が略一定の発光が選択される。すなわち、撮像素子103のエリアの中で最初に電荷蓄積を開始するエリアの電荷蓄積開始前から撮像素子103のエリアの中で最後に電荷蓄積を開始するエリアの電荷蓄積終了後まで略一定の光量でプリ発光を行う。定光量発光としてはいわゆるFP発光などの発光方式が適している。プリ発光時に被写体で反射されたフラッシュ光反射光はレンズ101にて撮像素子103上に投影され、撮像素子103にて光電変換されて電気信号として読み出される。読み出された電気信号は信号処理回路104にて所定の処理を施され、各エリアごとの輝度積分値が制御装置105に読み出される。制御装置105ではレンズ101より読み出された絞り開度情報、焦点距離情報、焦点位置情報、および撮像素子103に設定したエリアごとの蓄積時間、さらに信号処理回路104から読み出されたエリアごとの輝度積分値を参照する。そして、各エリアのプリ発光結果を算出し本発光量撮影時の発光量を決定する。図2は被写体に対する測光および測距のエリア分割の様子を示した図であり、図2aに被写体像の分割状態を、図2bにそれぞれのエリアの距離情報を示している。距離情報は各エリアの位相差検出結果およびレンズ焦点距離および焦点位置情報から求められるが、レンズ焦点位置が無限遠位置となるエリアは距離判定ができないため空白となっている。図2から手前の床及び画面右手前の親子連れが約2m、中央の像が4mなどとなっており、廊下の奥側は無限遠位置となることがわかる。各エリアの蓄積時間は各エリアの距離情報の自乗に比例して設定される。図3に被写体距離ごとの蓄積時間設定を示していて、被写体までの距離が近いほど蓄積時間を短くしている。なお、レンズ焦点位置が無限遠位置となるエリアは、プリ発光の光量を最大にしてもプリ発光が届かないことが想定されるため、プリ発光時の蓄積時間を長くする必要はない。そこで、レンズ焦点位置が無限遠位置となるエリアについては、他のエリアの中で最も蓄積時間が長いエリアの蓄積時間よりも短い蓄積時間とすれば、プリ発光のための蓄積時間を必要以上に長くしないようにできる。必要な蓄積時間は使用しているレンズの開放絞り値に応じて撮像素子に到達する光束と蓄積時間の積が同一となるように異なる値となっている。また本発光量決定に際しては、被写体距離が使用レンズの最短撮影距離よりも短いエリアの情報は無視して発光量が決定される。一方、画面全体が暗く、位相差検出限界以下の照度の場合などには被写体距離を判定することができない。この場合は、画面全体の蓄積時間を使用レンズの焦点距離および絞り値に応じてあらかじめ定められた時間として、またプリ発光量も使用レンズの焦点距離および絞り値に応じてあらかじめ定められた発光量としてプリ発光を行い本発光量を決定する。図4は本発明の第1の実施形態における撮像装置の動作シーケンスを示すフローチャートであり、図に従って動作を説明する。プリ発光シーケンスが開始されるとS401、制御部105は、焦点距離、焦点位置などのレンズ情報をレンズ101より取得しS402、さらに撮像素子103から読み出した電気信号に基づく露出情報を取得するS403。次に、制御装置105は、レンズ情報および露出情報から測距可能か否かを判定しS404、測距可能な場合はS404:YES前述のようにして各測距エリアの被写体距離を取得するS405。そして、制御装置105は、各測距エリアの被写体距離に応じてプリ発光量とS406撮像素子103の各エリアの蓄積時間を設定するS407。S404にて測距不能の場合S404:NOには、制御装置105は、所定のプリ発光量とS408各エリア共通の蓄積時間を設定するS409。制御装置105は、S406、S407、あるいは、S408、S409で決定したプリ発光量および蓄積時間にてプリ発光が行われるように、発光装置109および撮像素子103を制御するS410。プリ発光が行われて設定した蓄積時間が経過すると、撮像素子103より画像信号が読み出されるS411。読み出された画像信号は信号処理回路104および制御回路105にて映像評価が施されS412、制御装置105は、本発光量を決定しS413、プリ発光シーケンスが終了するS414。図5は撮像素子103のエリアごとの蓄積時間を制御する方法を示したタイミングチャートである。撮像素子上のエリア1~エリアnの各エリアに対して、それぞれ独立にリセットパルスが供給される。リセットパルスが供給されたエリアはそれまでにフォトダイオードに蓄積されていた電荷がリセットされ、改めて電荷蓄積を行うことになる。各エリアのフォトダイオードに蓄積された電荷は読み出しパルスによって読み出される。この際、各エリアのリセットパルスは読み出しパルスに対して所望の蓄積時間となるように供給される。図の例ではエリア1では3.2ms、エリア2では1.6ms、エリア3では0.8ms、エリア4では0.4ms、エリアnでは0.2msの蓄積時間となるよう制御されている。プリ発光タイミングは最も早く蓄積開始となるエリアにリセットパルスを供給する前に光量が安定するのに必要な時間を見越して発光開始とし、蓄積終了となる読み出しパルスが供給されるタイミングでプリ発光を終了する。なお、本実施形態の説明ではCCD型撮像素子に代表される全画面同時読み出し型の撮像素子の場合について解説した。しかし、CMOS型撮像素子に多用される行順次読み出し型撮像素子においても、各行のリセットパルスと読み出しパルスの関係を上述の説明と同様に制御することによって同様の効果を実現可能である。上述した実施形態の構成においては、エリアごとの蓄積時間を制御可能な撮像素子103と、被写体のエリアごとに測距可能な測距手段を設けることにより、プリ発光前のエリアごとの測距結果に基づきエリアごとに最適な蓄積時間を設定する。それととともに、設定された最も長い蓄積時間を包含する期間略一定光量でプリ発光を行うことにより、一度のプリ発光で適切な本発光量を決定することが可能となる。第2の実施形態図6は、本発明の第2の実施形態に係わる撮像装置の構成を示すブロック図である。なお、第2の実施形態の構成は、図1に示す第1の実施形態の構成と共通する部分が多いため、図1と同一部材には同一符合を付し説明を省略する。また、603は位相差検出機能を有する撮像素子である。この第2の実施形態においても、被写体距離判定からプリ発光を経て本発光量を決定する基本動作は第1の実施形態と同様である。しかし、本実施形態においてはハーフミラー110および位相差検出素子111を廃止し、撮像素子503上に位相差検出画素が設けられている。図7は、本実施形態で用いる撮像素子503の画素の様子を示した図である。画像取得用の通常画素701としては、赤色光を透過するRフィルターを積層したR画素701R、緑色光を透過するGフィルターを積層したG画素701G、青色光を透過するBフィルターを積層したB画素701Bが配置されている。それに加えて位相差検出画素702が配置されている。位相差検出画素702は画素領域内の左右にオフセットされた位置にスリット状に開口が形成されている。図8に撮像用画素の配置と構造を示す。図8aは2行×2列の撮像用画素の平面図である。周知のように、ベイヤー配列では対角方向にG画素が、他の2画素にRとBの画素が配置される。そして2行×2列の構造が繰り返し配置される。図8aにおけるA-A断面図を図8bに示す。MLは各画素の最前面に配置されたオンチップマイクロレンズ、CFRはR赤色のカラーフィルタ、CFGはG緑色のカラーフィルタである。PDPhotoDiodeはCMOSイメージセンサの光電変換素子を模式的に示したものである。CLContactLayerは、CMOSイメージセンサ内の各種信号を伝達する信号線を形成するための配線層である。TLはレンズ101を模式的に示したものであり、EPはレンズ101の射出瞳を示したものである。ここで、撮像用画素のオンチップマイクロレンズMLと光電変換素子PDは、撮影光学系TLTakingLensを通過した光束を可能な限り有効に取り込むように構成されている。換言すると、撮影光学系TLの射出瞳EPExitPupilと光電変換素子PDは、マイクロレンズMLにより共役関係にあり、かつ光電変換素子の有効面積は大面積に設計される。また、図8bではR画素の入射光束について説明したが、G画素及びB青色画素も同一の構造となっている。従って、撮像用のRGB各画素に対応した射出瞳EPは大径となり、被写体からの光束光量子を効率よく取り込んで画像信号のS/Nを向上させている。図9は、撮影光学系の水平方向横方向に瞳分割を行なうための焦点検出用画素の配置と構造を示す図である。ここで水平方向又は横方向とは、撮影光学系の光軸と撮影画面の長辺とが地面に平行となるように撮像装置を構えたとき、この光軸に直交し、かつ水平方向に伸びる直線に沿った方向をいう。また、図9における瞳分割方向は水平方向である。図9aは、焦点検出用画素を含む2行×2列の画素の平面図である。記録又は観賞のための画像信号を得る場合、G画素で輝度情報の主成分を取得する。そして人間の画像認識特性は輝度情報に敏感であるため、G画素が欠損すると画質劣化が認知されやすい。一方でR画素又はB画素は、色情報色差情報を取得する画素であるが、人間の視覚特性は色情報には鈍感であるため、色情報を取得する画素は多少の欠損が生じても画質劣化は認識され難い。そこで本実施形態においては、2行×2列の画素のうち、G画素は撮像用画素として残し、R画素とB画素を焦点検出用画素に置き換える。この焦点検出用画素を図9aにおいてSHA及びSHBと示す。図9aにおけるA-A断面図を図9bに示す。図9bにおいては撮像光学系TLの射出瞳EPの径は本実施形態において位相差検出可能な状態を示している。マイクロレンズMLと、光電変換素子PDは図8bに示した撮像用画素と同一構造である。本実施形態においては、焦点検出用画素の信号は画像生成には用いないため、色分離用カラーフィルタの代わりに透明膜CFW白色が配置される。また、撮像素子で瞳分割を行なうため、配線層CLの開口部はマイクロレンズMLの中心線に対して一方向に偏倚している。具体的には、画素SHAの開口部OPHAは右側に偏倚しているため、撮影光学系TLの左側の射出瞳EPHAを通過した光束を受光する。同様に、画素SHBの開口部OPHBは左側に偏倚しているため、撮影光学系TLの右側の射出瞳EPHBを通過した光束を受光する。よって、画素SHAを水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をA像とする。また、画素SHBも水平方向に規則的に配列し、これらの画素群で取得した被写体像をB像とする。そして、A像とB像の相対位置を検出することで、被写体像のピントずれ量デフォーカス量が検出できる。なお、上記画素SHA及びSHBでは、撮影画面の横方向に輝度分布を有した被写体、例えば縦線は焦点検出可能だが、縦方向に輝度分布を有する横線は焦点検出不能である。そこで本実施形態では、後者についても焦点状態を検出できるよう、撮影光学系の垂直方向縦方向にも瞳分割を行なう画素も備えるよう構成されうる。上記のような構成の撮像素子603を用いることで、位相差検出素子を用いる場合と同様に、制御装置105は撮影レンズの射出瞳の異なる位置の光束の位相差情報を取得することができる。本実施形態の構成では、撮像素子上に位相差検出用画素を設けることにより、独立した位相差検出素子が不要となり、機器の小型化およびコスト低減に寄与するとともに、撮像素子からの映像信号を観察しながらの測距が可能となった。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。