"アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程と、りん酸処理後のアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法。前記酸素ガスとして、前記有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いる請求項1に記載の製造方法。前記有機シロキサンガスとして、ヘキサメチルジシロキサンガスを用いる請求項1または2に記載の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載の製造方法で得られた磁気記録媒体用アルミニウム基板であって、該アルミニウム基板の表面に形成されているSiO2膜のFT-IRスペクトルを測定したときに、1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比P1/P2が0.10以下であることを特徴とする磁気記録媒体用アルミニウム基板。本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、表面が平滑な磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造するにあたり、研磨前の表面粗度を小さくすることにより研磨量を低減して生産性を高めると共に、コストを削減できる技術を提供することにある。上記課題を解決することのできた本発明に係る磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法とは、アルミニウム基板にりん酸処理を施す工程と、りん酸処理後のアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成する工程とを含む点に要旨を有する。前記酸素ガスとしては、前記有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いることが好ましい。前記有機シロキサンガスとしては、例えば、ヘキサメチルジシロキサンガスを用いることができる。上記製造方法で得られた磁気記録媒体用アルミニウム基板は、該アルミニウム基板の表面に形成されているSiO2膜のFT-IRフーリエ変換型赤外分光光度計スペクトルを測定したときに、1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比P1/P2が0.10以下であることが推奨される。本発明によれば、アルミニウム基板に対し、従来のようにジンケート処理とNiPめっき処理を行うのではなく、りん酸処理後に所定のプラズマ化学気相成長法によって平滑で、且つ高硬度のSiO2膜を形成しているため、従来のNiPめっき処理が抱えていた問題ジンケート処理によるアルミニウム基板表面の平滑性低下を回避して、その後の研磨量を低減でき、表面が平滑で、且つ高硬度の磁気記録媒体用アルミニウム基板を簡便に製造できる。本発明者らは、従来のNiPめっき処理に代替可能な技術であって、グラインド加工後のアルミニウム基板表面の平滑性を失うことなく、研磨加工時における研磨量を低減でき、表面が平滑で、高硬度の磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造可能な技術の提供を目指して鋭意検討を重ねてきた。その結果、グラインド加工後のアルミニウム基板に対し、まず、りん酸処理を施すことによって、グラインド加工して得られたアルミニウム基板の表面粗度を悪化させることなく、むしろ表面粗度を小さくできること、このりん酸処理を施したアルミニウム基板表面に、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いたプラズマ化学気相法によりSiO2膜を形成することによって、その後の研磨加工時の研磨量を低減でき、表面が平滑で、高硬度の磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造できることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明では、グラインド加工研削加工したアルミニウム基板以下、研削アルミニウム基板ということがあるのバリや研削痕を選択的に溶解除去可能なエッチング液として、りん酸を用いているため、研削アルミニウム基板表面の平滑性を高めることができる。このようにして得られた研削アルミニウム基板表面に上記のプラズマ化学気相法によってSiO2膜を形成すれば、SiO2の核生成が面全体に亘ってほぼ均一に行われるため、表面粗度が小さく高硬度のSiO2膜を形成できる。このように本発明は、グラインド加工したアルミニウム基板に対し、りん酸を用いてエッチングするところに特徴がある。エッチング液としてりん酸を用いれば、アルミニウム基板表面に形成される自然酸化膜をエッチングでき、またエッチング時にピットが発生せず、しかもエッチング後も表面粗度が上昇しないのである。アルミニウムは両性金属であり、酸、アルカリのどちらの水溶液にも溶解する。しかし本発明者らの検討結果によれば、後記する実施例に示すように、エッチング液としてアルカリ水溶液例えば、水酸化ナトリウム水溶液などを用いた場合には、表面にピットが発生し、エッチング前に比べて表面粗度は大きくなることが判明した。また、アルミニウムは、イオン化傾向が水素よりも大きいため、強固な酸化膜を形成しても一般に酸で容易にエッチングされるはずである。しかし、本発明者らがエッチング液として酸を用いた場合について検討したところ、現実には表面に形成される自然酸化膜のため、特定の種類の酸でのみしか効率的にエッチングできないことが判明した。例えば、硫酸や硝酸は、アルミニウム基板をエッチングできず、アルミニウム基板を硫酸や硝酸に浸漬しても浸漬前後において質量減少は認められなかった。また、ハロゲンイオンを含む酸例えば、塩酸や、フッ化カリウムを含有する硝酸などは、アルミニウム表面に形成された自然酸化膜を容易に溶解するので、アルミニウム基板をエッチングできるが、エッチングによりピットが発生し、表面が梨地状態に変化するため、エッチング前に比べて表面粗度が大きくなる。これに対し、りん酸は、アルミニウム基板をエッチングでき、しかもピットを発生しない。従ってアルミニウム基板をりん酸に浸漬すれば、浸漬する前に比べてアルミニウム基板表面の平滑性を損なうことなく、むしろ表面粗度を小さくでき、効果的にエッチングできる。以下、本発明に係る磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法について説明する。[供試材料の調製について]まず、アルミニウム板を準備する。上記アルミニウム板としては、5086合金国際アルミニウム合金名を用いることができる。また、5086合金以外の合金種を用いてもよい。上記アルミニウム板の板厚は、特に限定されるものではなく、種々の厚さのものを用いることができるが、通常、メディア成膜後に所定の厚さに仕上がるように設定される。例えば、φ95mmの磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造する際には、厚さ1.270mmまたは厚さ1.753mmのアルミニウム板が通常用いられ、φ65mmの磁気記録媒体用アルミニウム基板を製造する際には、厚さ0.635mmまたは厚さ0.800mmのアルミニウム板が通常用いられる。上記アルミニウム板は、所望の形状に打ち抜き、焼鈍処理を施しておくことが推奨される。焼鈍処理を施すことによって加工による歪みを取り除くことができ、また平坦度も改善できる。上記アルミニウム基板表面には、圧延等に起因した表面変質層が形成されているため、この表面変質層を旋盤による面削またはグラインド加工、あるいは両者の組合せによって除去し、アルミニウム基板表面を平滑にしておくことが好ましい。上記加工方法は特に限定されず、一般にはPVA砥石を用いた湿式研削や、ダイヤモンドバイトを用いた面削を採用できる。また、面削後に、PVA砥石を用いた湿式研削が行なわれることもある。上記アルミニウム基板の表面粗度は、例えば、JISB06012001年で規定される中心線平均粗さRaで20nm以下であることが好ましい。[りん酸処理について]本発明では、上記アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施すことが重要である。上述したように、アルミニウム基板をりん酸に浸漬することによって、バリやグラインド加工時に形成された微細な突起を溶解除去できるため、アルミニウム基板の表面を平滑にできる。一方、りん酸以外のエッチング液を用いると、アルミニウム基板をエッチングできないか、エッチングできたとしてもピットが発生し、表面粗度が大きくなる。上記りん酸としては、例えば、りん酸の濃度が5~60質量の水溶液を用いることが好ましい。浸漬条件は、バリやグラインド加工時に形成された微細な突起を溶解除去することができるよう、使用するアルミニウム基板やりん酸などの種類によって適宜適切に調整することができる。上記りん酸の液温は、例えば、35~60°Cとすることが好ましい。上記アルミニウム基板をりん酸に浸漬する時間は、例えば、1~10分程度とすることが好ましい。上記アルミニウム基板をりん酸に浸漬する際には、アルミニウム基板を回転させたり、りん酸を循環させたり、りん酸を攪拌する等を行い、基板表面付近に反応生成物が滞留しないようにすることが好ましい。浸漬後は、アルミニウム基板に付着したりん酸を、例えば純水で洗浄することが好ましい。[SiO2膜の形成]本発明では、アルミニウム基板に対してりん酸処理を施した後、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成することが重要である。上記有機シロキサンとは、分子骨格にSi-O-Si結合を有する化合物であり、SiO2膜の形成に用いられている。上記有機シロキサンとしては、例えば、ヘキサメチルジシロキサンHMDSOやオクタメチルトリシロキサンなどを用いることができ、これらを併用してもよい。適切な蒸気圧、安全性、入手の容易さ、成膜速度および形成されるSiO2膜の硬さを考慮すると、HMDSOを用いることが好ましい。上記プラズマ化学気相成長法によれば、欠陥の少ない緻密なSiO2膜を高い成膜速度で形成できる。即ち、SiO2膜は、プラズマ化学気相成長法の他、真空蒸着法やスパッタリング法によっても成膜できることが知られている。しかし、真空蒸着法では、膜中に欠陥が生じやすく、研磨面に欠陥が露出することで局所的な表面粗度の悪化を招くことが知られている。また、スパタリング法では、真空蒸着法よりも表面欠陥の少ない膜を得ることができるが、成膜速度を高めることができず生産性が悪くなる。これに対し、プラズマ化学気相成長法によって形成されるSiO2膜は、緻密で硬質な膜であるため、その後は、従前のガラス板を研磨する技術を採用してSiO2膜表面を研磨できる。膜質の良い、即ち、緻密で硬質、且つ平滑なSiO2膜を形成するためには、有機シロキサンガスに含まれるSiを完全にSiO2に転化することが好ましく、そのためには、SiO2膜の成膜にあたっては、上記有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いることが推奨される。有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化させるために必要な化学量論量の酸素ガスを用いれば、理論上は、SiはSiO2に完全に転化するはずであるが、実際には、反応ロスや副生物などの影響によりSiをSiO2に完全に転化するには化学量論量に対して過剰量具体的には、1.2倍以上の酸素ガスを用いる必要があることが、本発明者らの実験により判明した。本発明では、成膜時のガスの流量比を上記範囲に制御することが推奨される。ここで有機シロキサンガスとして、HMDSOを用いた場合を例に挙げて具体的に説明する。HMDSOは、構造式:CH33-SiO-SiCH33で示される化合物である。このHMDSOが酸素と反応すると、下記式に示される化学反応が起こり、SiO2、CO2、H2Oが生成する。この反応式より、1モルのHMDSOと12モルのO2が反応して、2モルのSiO2、6モルのCO2、9モルのH2Oが生成する。C6H18Si2O12O2→2SiO26CO29H2Oこれをガス流量に換算すると、HMDSOの流量に対して酸素ガスの流量が12倍以上であればよい。酸素ガスの流量が12倍未満では、仮に全ての酸素が反応に使われたとしてもHMDSOを完全にSiO2膜に転化させることができず、SiO2膜中にメチル基が多量に残存した有機無機ハイブリッド構造となる。この場合、Si原子の結合の一部がメチル基で終端されるため、-Si-O-Si-の強固な3次元骨格を形成することができず、硬度が低く、研磨に不適切な膜質となる。但し、実際には、100の反応効率は実現しないため、有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いることが好ましく、より好ましくは1.5倍以上である。上記プラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成するにあたっては、プラズマCVD装置内の上流側で酸素プラズマを発生させ、下流側から有機シロキサンガスを供給し、アルミニウム基板表面で酸素プラズマと有機シロキサンを反応させてSiO2膜を形成すればよい。プラズマ化学気相成長法における他の条件は、公知のものを採用できる。プラズマCVD装置内に装入したアルミニウム基板の温度は、例えば、室温~80°C程度とすればよい。アルミニウム基板の温度を室温より高めることによって、耐熱性の良好なSiO2膜を形成できる。上記成膜後のSiO2膜は、その表面粗度が、例えば、JISB06012001年で規定される中心線平均粗さRaで20nm以下であることが好ましい。[研磨ポリッシュ工程について]SiO2膜を形成した後は、SiO2膜の表面を公知の条件で研磨し、表面を平滑にすればよい。本発明によれば、研磨前にりん酸処理を施すことによってアルミニウム基板表面を平滑にしているため、研磨量を従来よりも低減でき、生産性を高めることができ、しかもコスト削減を実現できる。また、本発明では、アルミニウム基板の表面に形成されているSiO2膜は硬質であるため、従来から用いられているガラス板を研磨する方法やその装置などをそのまま利用できる。SiO2膜を研磨する方法は特に限定されず、公知の方法を採用すればよい。例えば、研磨パッドと研磨スラリーを用いて湿式研磨すればよい。研磨圧力は、例えば、40~150gf/cm2、摺動速度は、例えば、40~160cm/秒程度とすればよい。[研磨後のSiO2膜について]本発明では、磁気記録媒体用アルミニウム基板の表面に形成されている研磨後のSiO2膜について、FT-IRフーリエ変換型赤外分光光度計スペクトルを測定したときに、1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比P1/P2が0.10以下であることが好ましい。上記1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピークP1は、硬度の低下をもたらすSi-CH3基またはSi-CH2-R基Rは、炭素数が1~3の低級アルキル基に起因する特性吸収を示しており、上記1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピークP2は、硬度の向上をもたらすSi-O基に起因する特性吸収を示している。上記1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、上記1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2の比以下、P1/P2比ということがあるは、SiO2膜に含まれるSiO2量を間接的に示す指標として用いることができる。つまり、P1/P2比が0.10以下であるということは、Si-CH3基またはSi-CH2-R基Rは、Rは、炭素数が1~3の低級アルキル基が著しく少なくSiO2に転化するSi-O基が著しく多いことを意味しており、有機シロキサンのほぼ全量がSiO2に転化しており、有機シロキサンに含まれていたメチル基は殆ど残存していないことを意味している。なお、上記スペクトルでは、2960cm1前後にもSi-CH3基またはSi-CH2-R基Rは、Rは、炭素数が1~3の低級アルキル基に起因する特性吸収が認められるが、本発明ではこの範囲に観測されるピーク強度は無視している。これは1220~1280cm1の範囲に観測されるSi-CH3基またはSi-CH2-R基Rは、Rは、炭素数が1~3の低級アルキル基に起因する特性吸収の方が、Si-O基に起因する特性吸収1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピークに近く、近い特性吸収同士のピーク強度を比較する方が一般的に誤差は小さくなるため、本発明では1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1を用いてP1/P2比を算出している。上記P1/P2比は、好ましくは0.08以下である。上記FT-IRスペクトルは、プリズムとしてゲルマニウム結晶Ge結晶を用い、入射角を48°、分解能は4cm1、積算回数は16回として測定した1回反射ATR法Attenuatedtotalreflection;減衰全反射法で測定すればよい。[用途]本発明のアルミニウム基板は、磁気記録媒体磁気ディスク用の基板として好適に用いることができる。本発明のアルミニウム基板を用いて磁気記録媒体を製造するにあたっては、該アルミニウム基板の表面に、公知の条件で磁気記録膜を形成し、必要に応じて、更に保護膜や潤滑膜を形成すればよい。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。[実験1]実験1では、エッチング液が研削アルミニウム基板の表面粗度に及ぼす影響を調べた。外径65mm、内径20mm、厚み0.630mmの円板状研削アルミニウム基板神戸製鋼製KS5D86合金を準備した。この研削アルミニウム基板の表面粗度として中心線平均粗さRaを、TaylorHobson社製の触針式粗さ計タリサーフイントラを用いて測定した。測定には、先端径が2.5μmの触針を用い、測定長は1.5mmとして行った。その結果、中心線平均粗さRaは14nmであった。次に、上記研削アルミニウム基板を、下記表1に示すエッチング液液温はいずれも35°Cに10分間浸漬してエッチングを行い、エッチング後の中心線平均粗さRaおよびエッチング後の表面状態を調べた。エッチング後の中心線平均粗さRaは、上述した条件で測定した。エッチング後の表面状態は、目視および光学顕微鏡観察倍率は200倍を用いて調べた。下記表1から次のように考察できる。No.1、2に示すように、エッチング液として10質量硫酸または10質量硝酸を用いてもアルミニウム基板はエッチングされず、質量減少は認められなかった。No.3、4、5に示すように、エッチング液として10質量塩酸、フッ化カリウムを1質量含有する10質量硫酸、或いは10質量水酸化ナトリウム水溶液を用いると、表面はエッチングされていたが、表面にピットが発生し、エッチング後の中心線平均粗さRaは、エッチング前の中心線平均粗さRa=14nmよりも大きくなった。一方、No.6に示すように、エッチング液として10質量りん酸を用いると、エッチング後の中心線平均粗さRaは、エッチング前の中心線平均粗さRa=14nmよりも小さくなり、表面が平滑になっていることが分かる。また、エッチング後のアルミニウム基板表面を、目視および光学顕微鏡で観察してもピットは発生していなかった。以上の結果から、エッチング液としてりん酸を用いれば、ピットを発生させることなく、アルミニウム基板表面をエッチング前に比べて平滑にできることが分かる。[実験2]実験2では、りん酸処理の有無が、アルミニウム基板の表面に形成したSiO2膜の表面粗度中心面平均粗さSaに及ぼす影響を調べた。発明材上記実験1で用いた円板状研削アルミニウム基板にりん酸処理を施した後、プラズマ化学気相成長法によりSiO2膜を形成してアルミニウム基板を製造した。詳細な製造条件は次の通りである。まず、上記円板状研削アルミニウム基板の表面粗度として中心面平均粗さSaを、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope;AFMを用い、測定視野を2μm角、10μm角、または60μm角の3種類として測定した。AFMとしては、Nanosurf製のNanosurfeasyScan2FlexAFMを用いた。上記中心面平均粗さSaとは、二次元で測定される中心線平均粗さRa[JISB06012001年]を三次元に拡張したものであり、下記式2で定義される。即ち、中心面平均粗さSaは、平均面をxy面,縦方向をz軸とし、測定された表面形状曲線を下記式1としたとき、表面形状曲面と平均面で囲まれた部分の体積を測定面積で割ったものであり、下記式2で算出される。下記式2において、Lx、Lyは、それぞれx方向、y方向の測定長である。中心面平均粗さSaの測定結果を下記表2に示す。次に、上記アルミニウム基板にりん酸処理を施した。具体的には、上記アルミニウム基板を、温度35°Cの10質量りん酸に4分間浸漬した後、純水を用いて洗浄した。りん酸処理を施したアルミニウム基板をプラズマCVD装置に入れ、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりアルミニウム基板表面にSiO2膜を形成し、SiO2膜被覆アルミニウム基板を製造した。具体的には、80°Cに加熱したアルミニウム基板をプラズマCVD装置に入れ、ホローカソード型のラジオ波放電により酸素プラズマを発生させ、発生した酸素プラズマに有機シロキサンガスを供給することによってSiO2膜を形成した。有機シロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサンHMDSOを用いた。酸素ガスとHMDSOの流量比は、16:1とした。即ち、有機シロキサンガスに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.33倍の酸素ガスを用いた。形成したSiO2膜の厚みは、光干渉式膜厚計Nanometrics社製のNanoSpec/AFTModel5100型を用い、SiO2の屈折率1.46を適用して測定した。その結果、厚みは3μmであった。比較材比較材として、上記実験1で用いた円板状研削アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施さずに、上記発明材と同じ条件のプラズマ化学気相成長法によりSiO2膜厚み3μmを形成してSiO2膜被覆アルミニウム基板を製造した。得られたSiO2膜被覆アルミニウム基板発明材、比較材の中心面平均粗さSaを、上記円板状研削アルミニウム基板の中心面平均粗さSaを測定したときと同じ条件で測定した。測定結果を下記表2に示す。下記表2から次のように考察できる。測定領域を60μm角として表面粗度中心面平均粗さSaを観察した結果から明らかなように、アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施してからSiO2膜を形成することによって、SiO2膜表面の中心面平均粗さSaを低減できることが分かる。また、アルミニウム基板にりん酸処理を施した場合とりん酸処理を施さなかった場合を比べると、SiO2膜の表面粗度中心面平均粗さSaは、いずれの測定範囲においてもりん酸処理を施した方が相対的に小さくなることが分かる。詳細には、測定領域を2μm角または10μm角とした場合には、りん酸処理の有無にかかわらず、SiO2膜表面の中心面平均粗さSaは、研削アルミニウム基板の中心面平均粗さSaよりも大きくなっているが、Saの増加幅は、りん酸処理を行った方が小さいことがわかる。一方、測定領域を60μm角として広範囲の領域におけるSiO2膜表面の中心面平均粗さSaを測定した場合には、りん酸処理を行うことによってSiO2膜表面の中心面平均粗さSaはりん酸処理を行わなかった場合に比べて小さくなることが分かる。りん酸処理の有無によってアルミニウム基板の表面に形成したSiO2膜の表面粗度中心面平均粗さSaが変化する現象は、次に示す機構で生じていると考えられる。リモート酸素プラズマと有機シロキサンとの反応によるSiO2膜の形成は、まず研削痕にそって核生成が生じ、その核が順じ成長することで行われる。機械的な研削面の場合、表面には微小な突起が多数発生しており、それが核生成の基点となりやすいため、測定領域を狭くした場合には、成膜面の粗度が成膜前に比べて顕著に大きくなると考えられる。これに対して、りん酸処理を施すと、研削面の微小な突起が選択的に溶解除去されるため、核生成が面全体にわたってほぼ均一に行われる。その結果、成膜による粗度の増加が抑えられると考えられる。以上の結果から、アルミニウム基板に対し、りん酸処理を施してからSiO2膜を形成することによってSiO2膜表面の表面粗度中心面平均粗さSaを低減できることが分かる。[実験3]実験3では、酸素ガスと有機シロキサンガスの流量比が、アルミニウム基板表面に形成したSiO2膜を研磨した後の表面粗度中心面平均粗さSaに及ぼす影響を調べた。上記実験1で用いた円板状研削アルミニウム基板に、上記実験2と同じ条件でりん酸処理を施した。りん酸処理を施したアルミニウム基板を、プラズマCVD装置に入れ、酸素ガスと有機シロキサンガスを用いてプラズマ化学気相成長法によりアルミニウム基板表面にSiO2膜を形成してSiO2膜被覆アルミニウム基板を製造した。具体的には、ホローカソード型のラジオ波放電により酸素プラズマを発生させ、発生した酸素プラズマに有機シロキサンガスを供給することによってSiO2膜を形成した。有機シロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサンHMDSOを用いた。酸素ガスとHMDSOの流量比は、10.4:1または16:1とした。酸素ガスとHMDSOの流量比が10.4:1の場合は、HMDSOに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して0.87倍の酸素ガスを用いていることを意味している。酸素ガスとHMDSOの流量比が16:1の場合は、HMDSOに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.33倍の酸素ガスを用いていることを意味している。SiO2膜の厚みを上記実験2と同じ条件で測定したところ何れの場合も厚みは3μmであった。得られたSiO2膜被覆アルミニウム基板の表面粗度として中心面平均粗さSaを、上記実験2と同じ条件で測定した。測定結果を下記表3に示す。次に、得られたアルミニウム基板表面を研磨し、研磨後の表面粗度中心面平均粗さSaを測定した。研磨は、研磨パッドとしてニッタハース製のスエードタイプRN-H、研磨スラリーとしてフジミ製のCompol-80を水で1:1に希釈したものを用い、研磨圧力:6.9kPa70gf/cm2、摺動速度:70cm/秒とし、片面当りの研磨量を0.6μmに設定して行った。研磨後の表面粗度中心面平均粗さSaは、AFMを用い、上記実験2と同様にして測定領域を2μm角、10μm角または60μm角の3種類で測定した。研磨後の中心面平均粗さSaを下記表3に示す。次に、研磨後のSiO2膜についてFT-IRスペクトルを測定した。FT-IRスペクトルは、1回反射ATR法で測定した。測定は、Ge結晶プリズムを用い、入射角は48°、分解能は4cm1、積算回数は16回として行った。測定結果を図1、図2に示す。図1は、酸素ガスとHMDSOの流量比を10.4:1化学量論量に対して0.87倍の酸素ガスを使用として形成したSiO2膜を研磨した後のFT-IRスペクトルを示している。図1に基づいて、1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比P1/P2を算出した結果、比は0.11であった。図2は、酸素ガスとHMDSOの流量比を16:1化学量論量に対して1.33倍の酸素ガスを使用として形成したSiO2膜を研磨した後のFT-IRスペクトルを示している。図2に基づいて、1220~1280cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P1と、1000~1200cm1の範囲に観測される最大吸収ピーク強度P2との比P1/P2を算出した結果、比は0.06であった。P1/P2比が0.06の場合には、SiO2膜中にメチル基が殆ど残存していないため、-Si-O-Si-の強固な3次元骨格を形成していると考えられる。従って、P1/P2比が0.06のSiO2膜の硬度は、P1/P2比が0.11のSiO2膜の硬度よりも高くなっていると考えられる。次に、下記表3から次のように考察できる。酸素ガスとHMDSOの流量比を10.4:1化学量論量に対して0.87倍の酸素ガスを使用としてSiO2膜を形成するよりも、酸素ガスとHMDSOの流量比を16:1化学量論量に対して1.33倍の酸素ガスを使用としてSiO2膜を形成した方が、研磨後のSiO2膜表面における中心面平均粗さSaを小さくでき、SiO2膜表面を平滑化できることが分かる。以上の結果から、HMDSOに含まれるSiをSiO2に転化するために必要な酸素ガスの化学量論量に対して1.2倍以上の量の酸素ガスを用いることによって、SiO2膜に含まれるSi-CH3基の量を減少させることができ、上記P1/P2比を0.10以下に抑えることができ、SiO2膜の硬度を高くできる。従ってSiO2膜は研磨され易く、表面を容易に平滑にできることが分かる。"