"基板上に、少なくとも高誘電材料膜とその表面にシリコン自然酸化膜を有するシリコンからなるダミーゲートとが積層してなるダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール、及び該サイドウォールを覆うように設けられる層間絶縁膜を有する構造体を用い、以下の工程Iを有し、かつ該ダミーゲートをアルミニウム金属ゲートに入れ替えることを特徴とするトランジスタの製造方法。工程Iシリコン自然酸化膜を、0.01~8重量のフッ素化合物、20~90重量の水溶性有機溶媒、及び水を含有するエッチング液Iを用いてエッチングする工程工程Iの後に以下の工程IIを有する請求項1に記載のトランジスタの製造方法。工程IIシリコンを、アンモニア、ジアミン、及び一般式1で表されるポリアミンから選ばれる少なくとも1種であるアルカリ化合物を0.1~40重量、一般式2で表される多価アルコールから選ばれる少なくとも1種を5~50重量、ならびに水40~94.9重量を含有するエッチング液IIを用いてエッチングする工程H2N-CH2CH2NHm-H1mは2~5の整数である。H-CHOHn-H2nは3~6の整数である。フッ化化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム及び酸性フッ化アンモニウムから選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2に記載のトランジスタの製造方法。水溶性有機溶媒が、エタノール、2-プロパノール、グリセリン、エチレングリコール及びジエチレングリコールから選ばれるアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及びジプロピレングリコールモノプロピルエーテルから選ばれるグリコールエーテル類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド及びN-メチル-2-ピロリドンから選ばれるアミド類、ならびにジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも1種以上である請求項1又は2に記載のトランジスタの製造方法。エッチング液Iが、さらに酸を添加したものである請求項1に記載のトランジスタの製造方法。酸が、塩酸、硝酸、硫酸及びリン酸から選ばれる無機酸、ならびに酢酸、プロピオン酸、シュウ酸及びメタンスルホン酸から選ばれる有機酸から選ばれる少なくとも1種である請求項5に記載のトランジスタの製造方法。エッチング液Iにおける酸の濃度が、5重量以下である請求項5に記載のトランジスタの製造方法。エッチング液IIのジアミン及び一般式1で表されるポリアミンが、エチレンジアミン、1,2-プロパンジアミン、1,3-プロパンジアミン、ジエチレントリアミン、及びトリエチレンテトラミンから選ばれる少なくとも1種である請求項2に記載のトランジスタの製造方法。エッチング液IIの一般式2で表される多価アルコールが、グリセリン、meso-エリトリトール、キシリトール、及びソルビトールから選ばれる少なくとも1種である請求項2に記載のトランジスタの製造方法。高誘電材料膜を形成する高誘電材料が、HfO2、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON、HfTiSiON、HfAlSiON、HfZrO、又はAl2O3である請求項1又は2に記載のトランジスタの製造方法。本発明は、このような状況下になされたもので、シリコンが空気と接触することで、その表面に生成するシリコン自然酸化膜を選択的に除去して得られる、少なくとも高誘電材料膜とアルミニウム金属ゲートとが積層してなる積層体を有するトランジスタの製造方法、さらにシリコンを選択的に除去して得られる、少なくとも高誘電材料膜とアルミニウム金属ゲートとが積層してなる積層体を有するトランジスタの製造方法を提供することを目的とするものである。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、シリコン自然酸化膜、及びシリコンに対して各々特定のエッチング液を用いることにより、その目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明の要旨は下記のとおりである。1.基板上に、少なくとも高誘電材料膜とその表面にシリコン自然酸化膜を有するシリコンからなるダミーゲートとが積層してなるダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール、及び該サイドウォールを覆うように設けられる層間絶縁膜を有する構造体を用い、以下の工程Iを有し、かつ該ダミーゲートをアルミニウム金属ゲートに入れ替えることを特徴とするトランジスタの製造方法。工程Iシリコン自然酸化膜を、0.01~8重量のフッ素化合物、20~90重量の水溶性有機溶媒、及び水を含有するエッチング液を用いてエッチングする工程2.工程Iの後に以下の工程IIを有する上記1に記載のトランジスタの製造方法。工程IIシリコンを、アンモニア、ジアミン、及び一般式1で表されるポリアミンから選ばれる1種以上であるアルカリ化合物を0.1~40重量、一般式2で表される多価アルコールから選ばれる1種以上を5~50重量、ならびに水40~94.9重量を含有するエッチング液IIを用いてエッチングする工程H2N-CH2CH2NHm-H1mは2~5の整数である。H-CHOHn-H2nは3~6の整数である。3.フッ化化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム及び酸性フッ化アンモニウムから選ばれる少なくとも1種である上記1又は2に記載のトランジスタの製造方法。4.水溶性有機溶媒が、エタノール、2-プロパノール、グリセリン、エチレングリコール及びジエチレングリコールから選ばれるアルコール類、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及びジプロピレングリコールモノプロピルエーテルから選ばれるグリコールエーテル類、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド及びN-メチル-2-ピロリドンから選ばれるアミド類、ならびにジメチルスルホキシドから選ばれる少なくとも1種以上である上記1又は2に記載のトランジスタの製造方法。5.エッチング液Iが、さらに酸を添加したものである上記1に記載のトランジスタの製造方法。6.酸が、塩酸、硝酸、硫酸及びリン酸から選ばれる無機酸、ならびに酢酸、プロピオン酸、シュウ酸及びメタンスルホン酸から選ばれる有機酸から選ばれる少なくとも1種である上記5に記載のトランジスタの製造方法。7.エッチング液Iにおける酸の濃度が、5重量以下である上記5に記載のトランジスタの製造方法。8.エッチング液IIのジアミン及び一般式1で表されるポリアミンが、エチレンジアミン、1,2-プロパンジアミン、1,3-プロパンジアミン、ジエチレントリアミン、及びトリエチレンテトラミンから選ばれる少なくとも1種である上記2に記載のトランジスタの製造方法。9.エッチング液IIの一般式2で表される多価アルコールが、グリセリン、meso-エリトリトール、キシリトール、及びソルビトールから選ばれる少なくとも1種である上記2に記載のトランジスタの製造方法。10.高誘電材料膜を形成する高誘電材料が、HfO2、HfSiO、HfSiON、HfLaO、HfLaON、HfTiSiON、HfAlSiON、HfZrO、又はAl2O3である上記1又は2に記載のトランジスタの製造方法。本発明によれば、シリコンからなるダミーゲートを除去してアルミニウム金属ゲートに入れ替える方法で、少なくとも高誘電材料膜とアルミニウム金属ゲートとからなる積層体を有するトランジスタを製造する方法において、アルミニウム、層間絶縁膜、及びサイドウォールをエッチングせずに、シリコンが空気と接触することで、その表面に生成するシリコン自然酸化膜を選択的に除去し、さらにアルミニウム、層間絶縁膜、サイドウォール、及び高誘電材料膜をエッチングせずに、シリコンを選択的に除去することが可能となり、高精度、高品質のトランジスタを歩留まりよく製造することができる。本発明のトランジスタの製造方法は、基板上に、少なくとも高誘電材料膜とその表面にシリコン自然酸化膜を有するシリコンからなるダミーゲートとが積層してなるダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール、及び該サイドウォールを覆うように設けられる層間絶縁膜を有する構造体を用い、シリコン自然酸化膜を、0.01~8重量のフッ素化合物、20~90重量の水溶性有機溶媒、及び水を含有するエッチング液を用いてエッチングする工程Iを少なくとも有し、かつ該ダミーゲートをアルミニウム金属ゲートに入れ替えることを特徴とするものである。ここで、アルミニウム金属ゲートは、アルミニウム金属を含有する金属ゲートのことであり、該金属ゲートが100アルミニウムにより形成されていなくてもよく、本発明の効果を有効的に得る観点からは、アルミニウムの含有量が50以上であることが好ましい。また、全てのダミーゲートをアルミニウム金属ゲートに入れ替えてもよいし、その一部を入れ替えるものであってもよい。本発明においては、トランジスタの一部の部位にアルミニウムが用いられていれば、その部位をエッチングすることなく、シリコン自然酸化膜、あるいはダミーゲートを形成するシリコンを選択的にエッチングするという本発明の効果が得られるからである。≪工程I≫工程Iは、基板上に、高誘電材料膜、及びその表面にシリコン自然酸化膜を有するシリコンからなるダミーゲートを含むダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール、及び該サイドウォールを覆うように設けられる層間絶縁膜を有する構造体の、シリコン自然酸化膜を所定のエッチング液を用いてエッチングする工程であり、本発明においては必須の工程である。トランジスタの製造において、ダミーゲートの材料として用いられる多結晶シリコンなどのシリコン材料が空気と接触することでその表面が酸化され、シリコン自然酸化膜を形成するため、これをエッチングする必要がある。本工程Iでシリコン自然酸化膜のエッチングに用いられるエッチング液Iは、0.01~8重量のフッ素化合物、20~90重量の水溶性有機溶媒、及び水を含有する水溶液である。本発明に使用されるエッチング液I中のフッ素化合物の好ましい具体例は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウムである。より好ましくはフッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウムである。本発明において、これらのフッ素化合物は、単独または2種以上を組み合わせて配合できる。エッチング液I中のフッ素化合物の濃度範囲は、0.01~8重量であることを要し、好ましくは0.1~5重量で、さらに好ましくは0.2~2重量である。0.01重量未満ではシリコン自然酸化膜の除去が遅くなり、8重量より大きい場合では層間絶縁材料がエッチングされる。本発明に使用されるエッチング液I中の水溶性有機溶媒は、好ましくはアルコール類、グリコールエーテル類、アミド類、ジメチルスルホキシドである。アルコール類の具体例としては、エタノール、2-プロパノール、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコールである。グリコールエーテル類の具体例としては、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルである。アミド類の具体例としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドンである。好ましくは、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドンである。本発明において、これらの水溶性有機溶媒は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。エッチング液I中の水溶性有機溶媒の濃度範囲は、20~90重量であることを要し、好ましくは30~80重量で、さらに好ましくは40~80重量である。20重量未満の場合、アルミニウムがエッチングされる。90重量より大きい場合、層間絶縁材料がエッチングされる。本発明に使用されるエッチング液Iに酸を加えてもよい。本発明に使用されるエッチング液I中の酸は無機酸でも有機酸でも使用可能である。無機酸の好ましい具体例としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸である。有機酸の好ましい具体例としては、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、メタンスルホン酸である。本発明に使用される上記酸は単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。酸の濃度範囲は、5重量以下、好ましくは3重量以下、さらに好ましくは2重量以下である。5重量以下であると、アルミニウムと層間絶縁材料がエッチングされることがない。本発明において、シリコン自然酸化膜のエッチングに用いられるエッチング液Iには、所望により本発明の目的を損なわない範囲で従来からエッチング液に使用されている界面活性剤や防食剤のような添加剤を配合してもよい。工程Iのエッチングを実施する際の温度は、通常10~80°C程度であり、好ましくは20~60°C、より好ましくは20~50°Cの範囲であり、エッチングの条件や使用される基板材料により適宜選択すればよい。工程Iを実施する際の処理時間は、通常0.1~20分程度であり、好ましくは0.2~10分、より好ましくは0.3~5分、さらに好ましくは、0.3~3分の範囲である。エッチングの条件や使用される基板材料により適宜選択すればよい。工程Iにおいては、必要に応じて超音波を併用することができる。また、本発明の製造方法により、基板上のシリコン自然酸化膜を除去した後のリンス液としては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。本発明においては、工程Iでシリコンが空気と接触することで、その表面に生成するシリコン自然酸化膜をエッチングした後、通常、シリコンのエッチングに用いられるエッチング液、例えば水酸化テトラメチルアンモニウムを有効成分として含むエッチング液を用いて、シリコンをエッチングし、ダミーゲートを除去する。このシリコンのエッチングを行う工程として好ましい態様である工程IIを説明する。≪工程II≫本発明のトランジスタの製造方法は、工程Iの後に所定のエッチング液IIを用いてシリコンをエッチングする工程を有することが好ましい。本工程IIでシリコンのエッチングに用いられるエッチング液IIは、アンモニア、ジアミン、及び一般式1で表されるポリアミンから選ばれる1種以上であるアルカリ化合物を0.1~40重量、一般式2で表される多価アルコールから選ばれる1種以上を5~50重量、ならびに水40~94.9重量を含有する水溶液である。H2N-CH2CH2NHm-H1mは2~5の整数である。H-CHOHn-H2nは3~6の整数である。本発明で用いられるアルカリ化合物は、シリコンをエッチングするものであり、アンモニア、ジアミン、及び一般式1で表されるポリアミンから選ばれる少なくとも1種の化合物である。本発明で用いられるエッチング液IIにおけるジアミンとしては、エチレンジアミン、1,2-プロパンジアミン、1,3-プロパンジアミンなどが好ましく挙げられ、一般式1で表されるポリアミンとしては、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンなどが好ましく挙げられる。エッチング液II中のアルカリ化合物の濃度は、通常0.1~40重量であり、好ましくは0.2~40重量で、より好ましくは0.3~30重量である。本発明で用いられるエッチング液IIにおける多価アルコールは、一般式2で表わされる化合物から選ばれる1種以上である。一般式2で表される多価アルコールの好ましい具体例としては、グリセリン、meso-エリトリトール、キシリトール、ソルビトールである。エッチング液II中の多価アルコールの濃度は、通常5~50重量であり、好ましくは6~40重量であり、より好ましくは7~30重量である。多価アルコールの濃度が5重量以上であれば、十分なアルミニウムの腐食防止効果が得られる。一方、多価アルコールの濃度が50重量以下であれば、シリコンエッチング能力は十分なものとなる。本発明におけるシリコンのエッチングに用いられるエッチング液IIには、所望により本発明の目的を損なわない範囲で従来からエッチング液に使用されている界面活性剤や防食剤のような添加剤を配合してもよい。工程IIのエッチングを実施する際の温度は、通常20~80°C程度の範囲であり、好ましくは20~70°Cで、より好ましくは20~60°Cで、エッチングの条件や使用される基板材料により適宜選択すればよい。工程IIを実施する際の処理時間は、通常0.1~10分程度の範囲であり、好ましくは0.2~8分で、より好ましくは0.3~5分で、エッチングの条件や使用される基板材料により適宜選択すればよい。工程IIにおいては、工程Iと同様に、必要に応じて超音波を併用することができる。また、本発明の製造方法により、基板上のエッチング残渣を除去した後のリンス液としては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。≪構造体≫本発明の製造方法において、工程Iのエッチング工程に供される構造体は、基板上に、高誘電材料膜、及びその表面にシリコン自然酸化膜を有するシリコンからなるダミーゲートを含むダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール、及び該サイドウォールを覆うように設けられる層間絶縁膜を有するものである。図1に、本発明における工程Iのエッチング工程に供される構造体の断面図を示す。図1に示される構造体は、基板9上に、高誘電材料膜3とその表面にシリコン自然酸化膜6を有するシリコンからなるダミーゲート1とが積層してなるダミーゲート積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール4、及び該サイドウォール4を覆うように設けられる層間絶縁膜5を有する構造体である。図1に示されるように、構造体は、既にダミーゲート1がアルミニウム金属ゲート2に入れ替えられた箇所があってもよい。また、図1にはイオン注入などの方法により形成しうるソース/ドレイン8、アイソレーション7が示されているが、通常高誘電材料膜3は、ソース/ドレイン8の間を覆うように、基板9の表面上に設けられる。図1から分かるように、シリコンからなるダミーゲート1は、トランジスタの製造過程において、空気と接触するため、その表面が自然酸化し、シリコン自然酸化膜6が形成してしまう。そこで、本発明においては、ダミーゲート1をエッチングする前に、工程Iのエッチング工程でシリコン自然酸化膜6をエッチングすることにより、トランジスタの各部位の損傷を防止し、高精度、高品質のトランジスタを歩留まりよく製造することができる。工程Iにおいてシリコン自然酸化膜6をエッチングする際には、該工程Iで用いられるエッチング液はアルミニウム金属ゲート2、サイドウォール4、及び層間絶縁膜5に触れるため、これらの部位を損傷しないよう、すなわちシリコン自然酸化膜6を選択的にエッチングする性能が求められる。また、本発明の製造方法において好ましく採用される工程IIにおいてシリコンからなるダミーゲート1をエッチングする際には、該工程IIで用いられるエッチング液は、アルミニウム金属ゲート2、サイドウォール4、及び層間絶縁膜5に触れ、さらにダミーゲート1がエッチングされると、その下に設けられる高誘電材料膜3が露出するため、該抗誘電材料膜3にも触れるため、これらの部位を損傷しないよう、すなわちダミーゲート1を構成するシリコンを選択的にエッチングする性能が求められる。本発明のトランジスタの製造方法は、工程Iで上記したエッチング液Iを採用し、好ましく採用される工程IIで上記したエッチング液IIを採用することで、シリコン自然酸化膜6、シリコンからなるダミーゲート1を選択的にエッチングすることを可能とすることで、高精度、高品質のトランジスタを歩留まりよく製造することを可能とした。≪その他の工程≫本発明のトランジスタの製造方法は、上記した工程Iを有していれば特に制限はないが、好ましくは上記した工程IIを有することを特徴とするものである。本発明の好ましいトランジスタの製造方法の一態様としては、工程A基板上に高誘電材料膜を形成する工程、工程B該高誘電材料膜上にシリコンからなるダミーゲートを形成し、高誘電材料膜及びダミーゲートを含む積層体を形成する工程、工程C該積層体の側面を覆うようにサイドウォールを形成する工程、工程D該サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成する工程、上記した工程I、上記した工程II、及び工程E該高誘電材料膜上にアルミニウム金属ゲートを形成し、高誘電材料膜及びアルミニウム金属ゲートを含む積層体する工程を順に有する製造方法が挙げられる。上記の工程A~Eについては、特に制限はなく、トランジスタの製造方法における各工程で一般的に採用される方法に準じればよい。≪トランジスタ≫本発明の製造方法により得られるトランジスタは、基板9上に、少なくとも高誘電材料膜3とアルミニウム金属ゲート2とが積層してなる積層体、該積層体の側面を覆うように設けられるサイドウォール4、該サイドウォール4を覆うように設けられる層間絶縁膜5を有するもの、すなわち、本発明の製造方法における工程Iのエッチング工程に供される構造体において、ダミーゲート1をアルミニウム金属ゲートに入れ替えたものである。また、図1に示されるように、本発明の製造方法により得られるトランジスタは、ソース/ドレイン8、及びアイソレーション7を有しており、高誘電材料膜3は、該ソース/ドレイン8の間を覆うように、基板9の表面上に設けられている。本発明の製造方法により製造しうるトランジスタにおいて、基板9に用いられる基板材料としては、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、ガラスなどが好ましく挙げられ、金属ゲートなどに用いられる配線材料としては、少なくともアルミニウムが用いられており、アルミニウム以外の材料、例えば銅、タングステン、チタン-タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金などの配線材料が用いられていてもよい。また、層間絶縁膜5に用いられる材料としては、高密度プラズマ化学気相法による酸化シリコン膜HDP、テトラエトキシシランTEOS、BoronPhosphorSilicateGlassBPSGなどが好ましく使用され、サイドウォール4に用いられる材料としては、窒化シリコンSiNなどが好ましく使用され、高誘電材料としては、HfO2、Al2O3、あるいはこれらにケイ素原子及び/又は窒素原子及び/又はLa、Ti、Zrなどの金属を含む材料が好ましく使用される。層間絶縁膜5、サイドウォール4、高誘電材料膜3に使用される材料は、これらに限定されるものではない。本発明の製造方法により得られるトランジスタは、トランジスタが通常有する部位、例えばバリア層や絶縁膜などを有していてもよい。バリア層を形成するバリア材料としては、バリア材料としては、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタルなどが好ましく挙げられ、絶縁膜を形成する絶縁材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン及びこれらの誘導体などが好ましく挙げられる。高誘電材料膜3とアルミニウム金属ゲート2とが積層してなる積層体において、該アルミニウム金属ゲートを形成する金属以外の金属材料からなる金属ゲートがさらに積層したり、例えば特性制御膜といった機能を有する層が積層されていてもよい。また、半導体材料としては、ガリウム-砒素、ガリウム-リン、インジウム-リンなどの化合物半導体や、クロム酸化物などの酸化物半導体などが好ましく挙げられる。本発明の製造方法により得られるトランジスタは、高精度、高品質のトランジスタである。次に、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。1-1,評価方法SEM観察:株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡S-5500を用いて観察し、以下の基準で評価した。判定;シリコン自然酸化膜の除去評価基準○:シリコン自然酸化膜6が完全に除去された。×:シリコン自然酸化膜6が除去されなかった。Alダメージ評価基準◎:洗浄前と比べてアルミニウム金属ゲート2に変化が見られなかった。○:アルミニウム金属ゲート2表面に少し荒れが見られた。×:アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。層間絶縁膜ダメージ評価基準◎:洗浄前と比べて層間絶縁膜5に変化が見られなかった。○:層間絶縁膜5がわずかにくぼんでいた。×:層間絶縁膜5が大きくくぼんでいた。実施例1-1~1-13基板9としてシリコンウェハを採用し、該シリコンウェハ上にトランジスタ構造を有する、図1に示すような断面図の構造体を用意した。層間絶縁膜5は高密度プラズマHDPCVDにより堆積させた酸化シリコン膜である。サイドウォール4は窒化シリコンである。ダミーゲート1のシリコンの表面に存在するシリコン自然酸化膜6を除去するため、各実施例について第1-2表に示したエッチング液I各エッチング液Iの組成は第1-1表を参照に所定の温度、時間で浸漬しエッチング工程I、超純水によるリンス、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。薬液洗浄後のトランジスタ断面をSEMで観察することにより、アルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5とサイドウォール4の状態を観察した。サイドウォール4がエッチングされていた場合はなかったので、これ以降はサイドウォール4の状態については言及しない。上記操作の後、水酸化テトラメチルアンモニウム5重量と水95重量からなる水溶液に80°Cで2分間浸漬し、超純水によるリンス、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。その後のトランジスタ断面をSEMで観察することにより、ダミーゲート1を形成するシリコンの状態を観察した。第1-1表のエッチング液Iへの浸漬でシリコン自然酸化膜6がエッチングされた場合、次の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液での処理でダミーゲート1を形成するシリコンがエッチングされる。しかし、第1-1表のエッチング液Iへの浸漬でシリコン自然酸化膜6のエッチングが不十分な場合、次の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液での処理でダミーゲート1を形成するシリコンのエッチングが不十分となる。よって、SEM観察からわかるダミーゲート1を形成するシリコンのエッチング状態から第1-1表に示したエッチング液Iのシリコン自然酸化膜6のエッチング能力が判断できる。第1-2表に示したように、本発明の洗浄法を適用した実施例1-1~1-13においては、アルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながら、ダミーゲート1を形成するシリコンの表面のシリコン自然酸化膜6をエッチングしていることがわかる。比較例1-1実施例1-1と同様の評価を、特許文献2記載の0.01重量フッ化水素酸水溶液第1-3表、エッチング液1-Nに示したエッチング液で行った。その結果、第1-4表に示されるように、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコン自然酸化膜6が除去されず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。このことより、特許文献2の方法は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例1-2実施例1-1と同様の評価を、80重量2-プロパノール水溶液第1-3表、エッチング液1-Oに示したエッチング液で行った。その結果、第1-4表に示されるように、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコン自然酸化膜6が除去されなかった。このことより、有機溶媒の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例1-3実施例1-1と同様の評価を、1重量硫酸水溶液第1-3表、エッチング液1-Pに示したエッチング液で行った。その結果、第1-4表に示されるように、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコン自然酸化膜6が除去されず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。このことより、酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例1-4実施例1-1と同様の評価を、1重量フッ化アンモニウムと0.5重量酢酸水溶液第1-3表、エッチング液1-Qに示したエッチング液で行った。その結果、第1-4表に示されるように、シリコン自然酸化膜6は除去できたものの、層間絶縁膜5が大きくくぼみ、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。このことより、フッ素化合物と酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例1-5実施例1-1と同様の評価を、60重量N-メチル-2-ピロリドンと0.5重量メタンスルホン酸水溶液第1-3表、エッチング液1-Rに示したエッチング液で行った。その結果、第1-4表に示されるように、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコン自然酸化膜6が除去されず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。このことより、有機溶媒と酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。2-1,評価方法測定機器;SEM観察:株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡S-5500を用いて観察した。FIB加工:株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、集束イオンビーム加工装置FB-2100を用いて加工した。STEM観察:株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、走査透過電子顕微鏡HD-2300を用いて観察した。判定;シリコンからなるダミーゲート1のエッチング状態○:ダミーゲート1が完全にエッチングされた。×:ダミーゲート1のエッチングが不十分であった。Alダメージ評価基準◎:洗浄前と比べてアルミニウム金属ゲート2に変化が見られなかった。○:アルミニウム金属ゲート2表面に少し荒れが見られた。×:アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。層間絶縁膜ダメージ評価基準◎:洗浄前と比べて層間絶縁膜5に変化が見られなかった。○:層間絶縁膜5がわずかにくぼんでいた。×:層間絶縁膜5が大きくくぼんでいた。実施例2-1~2-72基板9としてシリコンウェハを採用し、該シリコンウェハ上にトランジスタ構造を有し、該トランジスタ構造体が第2-1表に示される2-1A~2-1Iである、図1に示すような断面図の構造体を用意した。各実施例について、第2-4表に示される構造体を用い、シリコンからなるダミーゲート1の表面に存在するシリコン自然酸化膜6を除去するため、第2-4表に示したエッチング液I各エッチング液Iの組成は第2-2表を参照に所定の温度、時間で浸漬しエッチング工程I、超純水によるリンス、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。この操作に続けて、第2-4表に示したエッチング液II各エッチング液IIの組成は第2-3表を参照に所定の温度、時間で浸漬しエッチング工程II、超純水によるリンス、乾燥窒素ガス噴射による乾燥を行った。薬液処理後のトランジスタ断面をSEMで観察することにより、シリコンからなるダミーゲート1、アルミニウム金属ゲート2、サイドウォール4、及び層間絶縁膜5の状態を判断した。高誘電材料3はシリコンからなるダミーゲート1に覆われている。よって、シリコンからなるダミーゲート1がエッチング液により除かれると、エッチング液が高誘電材料3と接触することになり、この高誘電材料3の状態を観察することでエッチング液による高誘電材料へのダメージが判断できる。そこで、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされた場合に限り、エッチング後のトランジスタを、FIBを用いて200nm以下の厚さに薄膜化加工し、STEMで観察することにより、高誘電材料3の状態を判断した。第2-4表と第2-7表に示した例ではサイドウォール4、高誘電材料3がエッチングされていないことを確認した。そこで、第2-4表と第2-7表ではシリコンからなるダミーゲート1、アルミニウム金属ゲート2、層間絶縁膜5の状態の評価結果を示した。本発明の製造方法を適用した実施例2-1~2-72第2-4表においては、アルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながら、シリコンからなるダミーゲート1を選択的にエッチングしていることがわかる。比較例2-1トランジスタ構造1Aを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに特許文献2に記載の0.01重量フッ化水素酸水溶液第2-5表、エッチング液2-5Aを用い、エッチング液IIのかわりに1,3-プロパンジアミン5重量とキシリトール40重量水溶液第2-3表、エッチング液2-3Gを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-1~2-13ではエッチング液2-3Gを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因は、エッチング液Iのかわりに用いたエッチング液2-5Aであることがわかる。よって、特許文献2の方法は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例2-2トランジスタ構造1Iを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに80重量2-プロパノール水溶液第2-5表、エッチング液2-5Bを用い、エッチング液IIのかわりに1,3-プロパンジアミン5重量とキシリトール40重量水溶液第2-3表、エッチング液2-3Gを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコン1がエッチングされなかった。第2-4表に示した実施例2-1~2-13ではエッチング液2-3Gを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった原因はエッチング液Iのかわりに用いたエッチング液2-5Bであることがわかる。よって、水溶性有機溶媒の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例2-3トランジスタ構造1Fを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量硫酸水溶液第2-5表、エッチング液2-5Cを用い、エッチング液IIのかわりに1,3-プロパンジアミン5重量とキシリトール40重量水溶液第2-3表、エッチング液2-3Gを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-1~2-13ではエッチング液2-3Gを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因はエッチング液Iのかわりに用いたエッチング液2-5Cであることがわかる。よって、酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例2-4トランジスタ構造1Cを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと0.5重量酢酸水溶液第2-5表、エッチング液2-5Dを用い、エッチング液IIのかわりに1,3-プロパンジアミン5重量とキシリトール40重量水溶液第2-3表、エッチング液2-3Gを用いて行った。その結果、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングできたものの、層間絶縁膜5が大きくくぼみ、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-1~2-13ではエッチング液2-3Gを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングできたものの、層間絶縁膜5が大きくくぼみ、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因はエッチング液Iのかわりに用いたエッチング液2-5Dであることがわかる。よって、フッ素化合物と酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例2-5トランジスタ構造1Gを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに60重量N-メチル-2-ピロリドンと0.5重量メタンスルホン酸水溶液第2-5表、エッチング液2-5Eを用い、エッチング液IIのかわりに1,3-プロパンジアミン5重量とキシリトール40重量水溶液第2-3表、エッチング液2-3Gを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-1~2-13ではエッチング液2-3Gを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因は、エッチング液Iのかわりに用いたエッチング液2-5Eであることがわかる。よって、水溶性有機溶媒と酸の水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコン表面のシリコン自然酸化膜の除去には使用できないことがわかる。比較例2-6トランジスタ構造1Dを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに非特許文献2に記された2重量水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液第2-6表、エッチング液2-6Aを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Aであることがわかる。よって、非特許文献2のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-7トランジスタ構造1Bを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに特許文献6に記された0.5重量水酸化テトラメチルアンモニウムと0.1重量シリコン水溶液第2-6表、エッチング液2-6Bを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Bであることがわかる。よって、特許文献6のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-8トランジスタ構造1Cを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに特許文献7に記された10重量水酸化テトラメチルアンモニウムと10重量ヒドロキシルアミンと5重量ソルビトール水溶液第2-6表、エッチング液2-6Cを用いて行った。その結果、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Cであることがわかる。よって、特許文献7のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-9トランジスタ構造1Gを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに特許文献8に記された2.4重量水酸化テトラメチルアンモニウムと5重量ソルビトール水溶液第2-6表、エッチング液2-6Dで行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Dであることがわかる。よって、特許文献8のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-10トランジスタ構造1Eを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに特許文献9に記された5重量ヘキサメチレンジアミン1,6-ヘキサンジアミンと30重量ソルビトール水溶液第2-6表、エッチング液2-6Eを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Eであることがわかる。よって、特許文献9のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-11トランジスタ構造1Iを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに特許文献10に記された4重量水酸化テトラメチルアンモニウムと0.01重量トリメチルアミンと80重量プロピレングリコールと4重量グリセリン水溶液第2-6表、エッチング液2-6Fを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった。第2-4表に示した実施例2-14~2-22でエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Fであることがわかる。よって、特許文献10のエッチング液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-12トランジスタ構造1Fを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに0.5重量1,3-プロパンジアミン水溶液第2-6表、エッチング液2-6Gで行った。その結果、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされず、アルミニウム金属ゲート2に大きな穴が見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Gであることがわかる。よって、アルカリ化合物水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-13トランジスタ構造1Hを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに10重量ソルビトール水溶液第2-6表、エッチング液2-6Hを用いて行った。その結果、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、層間絶縁膜5とアルミニウム金属ゲート2に変化は見られなかったものの、シリコンからなるダミーゲート1がエッチングされなかった原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Hであることがわかる。よって、多価アルコール水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-14トランジスタ構造1Aを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに5重量1,3-プロパンジアミンと10重量イノシトール水溶液第2-6表、エッチング液2-6Iを用いて行った。その結果、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Iであることがわかる。よって、アルカリ化合物と環状多価アルコール水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。比較例2-15トランジスタ構造1Aを有する構造体を用い、実施例2-1と同様の評価を、エッチング液Iのかわりに1重量フッ化アンモニウムと60重量のN,N-ジメチルアセトアミドと10重量ジエチレングリコールモノブチルエーテル水溶液第2-2表、エッチング液2-2Eを用い、エッチング液IIのかわりに5重量1,3-プロパンジアミンと10重量スクロース水溶液第2-6表、エッチング液2-6Jを用いて行った。その結果、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた。第2-4表に示した実施例2-14~2-22ではエッチング液2-2Eを用いてアルミニウム金属ゲート2と層間絶縁膜5のエッチングを防ぎながらシリコンからなるダミーゲート1をエッチングできている。このことより、シリコンからなるダミーゲート1はエッチングされており、層間絶縁膜5に変化が見られなかったが、アルミニウム金属ゲート2に大きなくぼみが見られた原因は、エッチング液IIのかわりに用いたエッチング液2-6Jであることがわかる。よって、アルカリ化合物と非還元糖水溶液は、本発明の対象である高誘電材料とアルミニウムを含有する金属ゲートを含んだトランジスタ形成工程におけるシリコンのエッチングには使用できないことがわかる。"