作用極と、前記作用極に対向して配置される対極と、前記作用極と前記対極との間に配置される電解質とを備え、前記作用極が、透明導電基板と、前記透明導電基板の前記対極側の面に形成された、第1酸化物半導体粒子からなる第1多孔質酸化物半導体層と、前記透明導電基板のうち前記対極側の面に、前記第1多孔質酸化物半導体層と離間し且つ前記第1多孔質酸化物半導体層を包囲するように設けられる配線部と、前記透明導電基板に接触し且つ前記配線部と前記第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めて形成される第2酸化物半導体粒子からなる第2多孔質酸化物半導体層とを有し、前記第2酸化物半導体粒子の平均粒径は、前記第1多孔質酸化物半導体層を構成する前記第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径よりも大きいことを特徴とする色素増感太陽電池。前記第2多孔質酸化物半導体層においては、前記透明導電基板と接触している部分の少なくとも一部の厚さが、前記第1多孔質酸化物半導体層の厚さよりも小さい、請求項1に記載の色素増感太陽電池。前記透明導電基板のうちの前記対極側の表面において、前記配線部から、前記第1多孔質酸化物半導体層までの距離が1mm以内である、請求項1又は2のいずれか一項に記載の色素増感太陽電池。前記第2多孔質酸化物半導体層が、前記第1多孔質酸化物半導体層の前記対極側の面の少なくとも一部を覆っている、請求項1~3のいずれか一項に記載の色素増感太陽電池。前記第1多孔質酸化物半導体層が複数の層の積層体で構成され、その積層体のうち前記対極側の最外層を構成する前記第1酸化物半導体粒子と前記第2多孔質酸化物半導体層を構成する前記第2酸化物半導体粒子とが同一の材料で構成され、かつ、同一の平均粒径を有し、前記最外層より前記透明導電基板側の部分を構成する前記第1酸化物半導体粒子の平均粒径が、前記第2酸化物半導体粒子の平均粒径よりも小さい請求項1~4のいずれか一項に記載の色素増感太陽電池。前記配線部が、前記透明導電基板のうち前記対極側の面に設けられる金属配線と、前記金属配線を被覆し且つ前記透明導電基板に接触する配線保護層とを有し、前記第2多孔質酸化物半導体層が前記配線部の少なくとも一部を覆っており、且つ、前記配線保護層が前記第2多孔質酸化物半導体層まで到達させる程度に光を透過することが可能となっている、請求項1~5に記載の色素増感太陽電池。前記対極が可撓性を有する請求項1~6のいずれか一項に記載の色素増感太陽電池。前記作用極と前記対極とを連結する封止部を更に備え、前記作用極、前記対極及び前記封止部によって形成されるセル空間が、25°Cにおいて101325Paより小さい請求項7に記載の色素増感太陽電池。しかし、上述した特許文献1に記載の色素増感太陽電池は、以下の課題を有していた。即ち、上記特許文献1記載の色素増感太陽電池では、透明導電基板上の酸化物半導体層と配線保護層との間に、何も形成されていない隙間領域が存在するため、以下の課題が生じる。1隙間領域に入射された光は酸化物半導体層に吸収されないため光電変換特性の向上に寄与しない。2隙間領域において透明導電基板と対極とが直接接触し、ショートするおそれがある。ここで、上記の課題を解決するには、隙間領域をすべて埋めるように、酸化物半導体層を拡張し配線保護層と密着させることが考えられる。しかし、この場合、色素増感太陽電池を長期間使用した場合に、発電電流が徐々に低下したり、色素増感太陽電池セルが壊れたりする現象が見られた。即ち、このような色素増感太陽電池は、耐久性の点で不十分であった。このため、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有する色素増感太陽電池が求められていた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有することが可能な色素増感太陽電池を提供することを目的とする。本発明者らは、隙間領域をすべて埋めるように酸化物半導体層を拡張し配線保護層と密着させる場合に、色素増感太陽電池の長期間の使用で発電電流が徐々に低下したり、セルが壊れてしまう現象の原因を調べたところ、色素増感太陽電池の限界電流の低下が上記現象の原因となっているのではないかと考えた。つまり、まず限界電流は、電解質の多孔質半導体層への通過しやすさが影響することを本発明者らは見出した。即ち、限界電流は、電解質が多孔質半導体層を通過しやすいと大きくなり、通過しにくいと小さくなることを本発明者らは見出した。そして、この本発明者らの知見によると、酸化物半導体層は、粒径の小さい一般には数nm~50nm程度粒子で構成され粒子間の隙間が狭いため、電解質が多孔質半導体層を通過しにくく、限界電流が十分大きいとは言えないと本発明者らは考えた。このため、酸化物半導体層を拡張して配線保護層と密着させただけでは、限界電流の低下を抑制することができないと本発明者らは考えた。この場合、限界電流が発電電流を下回った場合には、単純に発電電流は低下してしまう。また、限界電流の方が発電電流より大きくても、この差が小さい場合、セルに逆バイアスがかかると、大きな逆電圧がセルにかかってしまいセルが破壊される可能性が高まってしまう。そこで、本発明者らは更に鋭意研究を重ねた結果、集電配線と配線保護層とを有する配線部と多孔質酸化物半導体層発電層との間の隙間領域に、光を反射又は散乱させることが可能な酸化物半導体粒子からなる別の多孔質酸化物半導体層を設けることで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、作用極と、前記作用極に対向して配置される対極と、前記作用極と前記対極との間に配置される電解質とを備え、前記作用極が、透明導電基板と、前記透明導電基板の前記対極側の面に形成された、第1酸化物半導体粒子からなる第1多孔質酸化物半導体層と、前記透明導電基板のうち前記対極側の面に、前記第1多孔質酸化物半導体層と離間し且つ前記第1多孔質酸化物半導体層を包囲するように設けられる配線部と、前記透明導電基板に接触し且つ前記配線部と前記第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めて形成される第2酸化物半導体粒子からなる第2多孔質酸化物半導体層とを有し、前記第2酸化物半導体粒子の平均粒径は、第1多孔質酸化物半導体層を構成する前記前記第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径よりも大きいことを特徴とする色素増感太陽電池である。この色素増感太陽電池によれば、第2酸化物半導体粒子の平均粒径が第1多孔質酸化物半導体層を構成する前記第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径よりも大きいため、光は、第2酸化物半導体粒子でより反射又は散乱されやすくなる。このため、光が透明導電基板を経て第1及び第2多孔質酸化物半導体層に入射されると、第1多孔質酸化物半導体層に入射された光は第1多孔質酸化物半導体層にて吸収され、発電に寄与する。一方、第2多孔質酸化物半導体層に入射された光は第2多孔質酸化物半導体層にて反射又は散乱され、第1多孔質酸化物半導体層に導かれる。即ち、第1多孔質酸化物半導体層に入射されていない光をも発電に寄与させることが可能となる。その結果、第2多孔質酸化物半導体層を設けない場合に比べて、光電変換特性を向上させることが可能となる。また、第2多孔質酸化物半導体層が、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めるように形成されているため、対極が外力により透明導電基板に近づいても、透明導電基板と対極との接触が防止され、透明導電基板と対極とがショートすることを防止することができる。また第2酸化物半導体粒子の平均粒径は、第1多孔質酸化物半導体層を構成する前記第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径よりも大きいため、第2多孔質酸化物半導体層における第2酸化物半導体粒子間の隙間を、第1多孔質酸化物半導体層における第1酸化物半導体粒子間の平均的な隙間よりも広くすることが可能となる。このため、電解質が第2酸化物半導体粒子同士間の隙間を通りやすくなり、限界電流が上昇する。よって、色素増感太陽電池を長期間使用しても、発電電流が徐々に低下したり、セルが壊れたりすることを十分に防止することができる。以上より、本発明の色素増感太陽電池によれば、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有することが可能となる。上記色素増感太陽電池においては、前記第2多孔質酸化物半導体層において、前記透明導電基板と接触している部分の少なくとも一部の厚さが、前記第1多孔質酸化物半導体層の厚さよりも小さいことが好ましい。この場合、第2多孔質酸化物半導体層のうち、第1多孔質酸化物半導体層よりも厚さの小さい部分においては、電解質は、多孔質酸化物半導体層を通過する距離が短くなる。このため、限界電流をさらに上昇させることが可能となり、色素増感太陽電池を長期間使用しても、発電電流が徐々に低下したり、セルが壊れたりすることをより十分に防止することができる。上記色素増感太陽電池においては、前記透明導電基板のうちの前記対極側の表面において、前記配線部から、前記第1多孔質酸化物半導体層までの距離が1mm以内であることが好ましい。この場合、配線部から、前記第1多孔質酸化物半導体層までの距離が1mmを超える場合に比べて、光電変換特性を効果的に向上させることが可能となる。上記色素増感太陽電池においては、前記第2多孔質酸化物半導体層が前記第1多孔質酸化物半導体層の前記対極側の面の少なくとも一部を覆っていることが好ましい。第1多孔質酸化物半導体層に光が入射されても、光の一部は吸収されずに通過する。この通過した光が、第1多孔質酸化物半導体層の対極側の面の少なくとも一部を覆っている第2多孔質酸化物半導体層にて反射又は散乱されて、第1多孔質酸化物半導体層に再入射される。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。上記色素増感太陽電池においては、前記第1多孔質酸化物半導体層が複数の層の積層体で構成され、その積層体のうち前記対極側の最外層を構成する前記第1酸化物半導体粒子と前記第2多孔質酸化物半導体層を構成する前記第2酸化物半導体粒子とが同一の材料で構成され、かつ、同一の平均粒径を有し、前記最外層より前記透明導電基板側の部分を構成する前記第1酸化物半導体粒子の平均粒径が、前記第2酸化物半導体粒子の平均粒径よりも小さいことが好ましい。この場合、第1多孔質酸化物半導体層に光が入射されると、光の一部は第1多孔質酸化物半導体層のうち最外層より透明導電基板側の部分で吸収される。そして、吸収されずに通過した光が、第1多孔質酸化物半導体層の対極側の最外層にて反射又は散乱されて、第1多孔質酸化物半導体層のうち上記最外層より透明導電基板側の部分に再入射されて再度吸収される。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。上記色素増感太陽電池においては、前記配線部が、前記透明導電基板のうち前記対極側の面に設けられる金属配線と、前記金属配線を被覆し且つ前記透明導電基板に接触する配線保護層とを有し、前記第2多孔質酸化物半導体層が前記配線部の少なくとも一部を覆っており、且つ、前記配線保護層が第2多孔質酸化物半導体層まで到達させる程度に光を透過することが可能となっていることが好ましい。この場合、透明導電基板を経て配線保護層に入射された光が、配線保護層を透過し、第2多孔質酸化物半導体層に入射されることが可能となる。そして、第2多孔質酸化物半導体層に入射された光は、第2多孔質酸化物半導体層で反射又は散乱されて第1多孔質酸化物半導体層に入射され、発電に寄与する。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。本発明の色素増感太陽電池は、前記対極が可撓性を有する場合に特に有用である。この場合、温度変化による内圧の上昇又は減少が起きた場合や、外力を受けるなどのように色素増感太陽電池に応力が加わった場合でも、対極が可撓性を有しているため、その応力が吸収され、耐久性が向上する。なお、色素増感太陽電池に応力が吸収される際、対極が変形しやすいので、対極と透明導電基板とが接触して両者間でショートが起こりやすくなる。しかし、本発明においては、第2多孔質酸化物半導体層が、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めて形成されるため、対極と透明導電基板との接触が防止され、両者間でショートが起こることが防止される。本発明の色素増感太陽電池は、前記対極が可撓性を有し、上記色素増感太陽電池が前記作用極と前記対極とを連結する封止部を更に備え、前記作用極、前記対極及び前記封止部によって形成されるセル空間の内圧が25°Cにおいて101325Paより小さい場合に特に有用である。これは、以下の理由によるものである。即ち、セル空間の内圧が25°Cにおいて101325Paより小さい場合、通常、セル空間の圧力が外気に対して陰圧状態となる。このとき、対極が可撓性を有すると、対極が撓み、対極と透明導電基板との間の距離極間距離を短くすることができる。このため、光電変換効率を向上させることができる。なお、対極と透明導電基板との距離が短くなると、対極と透明導電基板とがショートしやすくなる。しかし、本発明では、第2多孔質酸化物半導体層が、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めて形成されるため、対極と透明導電基板との接触が防止され、両者間でショートが起こることが防止される。なお、本発明において、第1多孔質酸化物半導体層を構成する前記第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径は、X線回析装置XRD、リガクRigaku社製全自動水平型多目的X線回折装置SmartLabにより測定される平均粒径を言う。なお、本発明において、対極が可撓性を有するとは、20°Cの環境下で50mm×200mmのシート状対極の長辺側の両縁部それぞれ幅5mmを張力1Nで水平に固定し、対極の中央に20g重の荷重をかけた際の対極の撓みの最大変形率が20を超えるものを言うものとする。ここで、最大変形率とは、下記式:最大変形率=100×最大変位量/シート状電極の厚さに基づいて算出される値を言う。従って、例えば厚さ0.04mmのシート状対極が上記のようにして荷重をかけることにより撓み、最大変位量が0.01mmとなった場合、最大変形率は25となり、このシート状対極は可撓性を有することとなる。本発明によれば、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有することが可能な色素増感太陽電池が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全図中、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。[第1実施形態]図1は、本発明に係る色素増感太陽電池の第1実施形態を示す断面図である。図1に示すように、色素増感太陽電池100は、作用極1と、作用極1に対向して配置される対極2と、作用極1及び対極2を連結する封止部3と、作用極1と対極2と封止部3とによって形成されるセル空間内に配置される電解質4とを備えている。作用極1は、光を透過させることが可能な透明導電基板5と、透明導電基板5の対極2側の面上に設けられた複数の第1多孔質酸化物半導体層6と、透明導電基板5の対極2側の面上であって第1多孔質酸化物半導体層6から離間し且つ第1多孔質酸化物半導体層6を包囲するように設けられる配線部8と、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域を埋めて形成された第2多孔質酸化物半導体層7とを備えている。透明導電基板5は、透明基板9と、透明基板9上に設けられる透明導電膜10とで構成されている。配線部8は、透明導電基板5の対極2側の面に設けられる金属配線11と、金属配線11を被覆し且つ透明導電基板5に接触する配線保護層12とを有している。配線部8は、発電に寄与しない非発電部である。第1多孔質酸化物半導体層6は、第1酸化物半導体粒子からなり、第2多孔質酸化物半導体層7は、第2酸化物半導体粒子からなる。ここで、第1酸化物半導体粒子には光増感色素が担持されている。第2酸化物半導体粒子には、光増感色素が担持されていてもよいし担持されていなくてもよい。また第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2は、第1多孔質酸化物半導体層6を構成する第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径d1よりも大きくなっている。対極2は、対極基板13と、対極基板13のうち作用極1側に設けられて対極2の表面における還元反応を促進する導電性の触媒膜14とを備えている。封止部3は、配線部8の外周部と対極2とを接続している。図2は、図1の部分拡大図である。図2に示すように、第2多孔質酸化物半導体層7は、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域Aを埋めるように形成されている。具体的には、第2多孔質酸化物半導体層7は、透明導電基板5と接触する第1部分7aと、第1部分7aから延び第1多孔質酸化物半導体層6の側面を覆う第2部分7bと、第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の表面の一部を覆う第3部分7cと、配線保護層12の一部を覆う第4部分7dとで構成されている。また第2多孔質酸化物半導体層7のうち少なくとも第1部分7aの厚さは、第1多孔質酸化物半導体層6の厚さよりも小さくなっている。上述した色素増感太陽電池100によれば、第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2が第1多孔質酸化物半導体層6における第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径d1よりも大きいため、光は、第2酸化物半導体粒子でより反射又は散乱されやすくなる。このため、光が透明導電基板5を経て第1多孔質酸化物半導体層6及び第2多孔質酸化物半導体層7に入射されると、第1多孔質酸化物半導体層6に入射された光は第1多孔質酸化物半導体層6にて吸収され、発電に寄与する。一方、第2多孔質酸化物半導体層7に入射された光は第2多孔質酸化物半導体層7にて反射又は散乱され、第1多孔質酸化物半導体層6に導かれる。即ち、第1多孔質酸化物半導体層6に入射されていない光をも発電に寄与させることが可能となる。その結果、光電変換特性を向上させることが可能となる。また、第2多孔質酸化物半導体層7が、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域Aを埋めるように形成されているため、対極2が外力により透明導電基板5に近づいても、透明導電基板5と対極2との接触が防止され、透明導電基板5と対極2とがショートすることを防止することができる。また第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2は、第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径d1よりも大きいため、第2多孔質酸化物半導体層7における第2酸化物半導体粒子間の隙間を、第1多孔質酸化物半導体層6における第1酸化物半導体粒子間の隙間よりも広くすることが可能となる。このため、電解質4が第2酸化物半導体粒子同士間の隙間を通りやすくなり、限界電流を上昇させることができる。よって、色素増感太陽電池100を長期間使用しても、発電電流が徐々に低下したり、セルが壊れたりすることを十分に防止することができる。以上より、色素増感太陽電池100によれば、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有することが可能となる。また色素増感太陽電池100においては、第2多孔質酸化物半導体層7において、透明導電基板5と接触している少なくとも第1部分7aの厚さが、第1多孔質酸化物半導体層6の厚さよりも小さくなっている。このため、第2多孔質酸化物半導体層7のうち、第1多孔質酸化物半導体層6よりも厚さの小さい第1部分7aにおいては、電解質4は、多孔質酸化物半導体層を通過する距離が短くなる。このため、限界電流をさらに上昇させることが可能となり、色素増感太陽電池100を長期間使用しても、発電電流が徐々に低下したり、セルが壊れたりすることをより十分に防止することができる。さらに色素増感太陽電池100においては、第2多孔質酸化物半導体層7の第3部分7cが第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の面の一部を覆っている。この場合、第1多孔質酸化物半導体層6に光が入射されても、光の一部は吸収されずに通過する。この通過した光が、第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の面の一部を覆っている第2多孔質酸化物半導体層7の第3部分7cで反射又は散乱されて、第1多孔質酸化物半導体層6に再入射される。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。また本実施形態では、第2多孔質酸化物半導体層7の第2部分7bが第1多孔質酸化物半導体層6の側面をも覆っている。このため、第1多孔質酸化物半導体層6に入射された光のうち第1多孔質酸化物半導体層6で吸収しきれなかった光は、第2多孔質酸化物半導体層7の第2部分7bに入射される。このとき、第2部分7bで光が反射又は散乱されて、第1多孔質酸化物半導体層6に再入射される。このことも光電変換特性の一層の向上に寄与する。次に、作用極1、光増感色素、対極2、封止部3および電解質4について詳細に説明する。<作用極>作用極1は、上述したように、透明導電基板5と、第1多孔質酸化物半導体層6と、第2多孔質酸化物半導体層7と、配線部8とを備えている。透明導電基板5は、上述したように、透明基板9と透明導電膜10とを有する。透明基板透明基板9を構成する材料は、例えば透明な材料であればよく、このような透明な材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、白板ガラス、石英ガラスなどのガラス、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリエーテルスルフォンPESなどが挙げられる。透明基板9の厚さは、色素増感太陽電池100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば50μm~10000μmの範囲にすればよい。透明導電膜透明導電膜10を構成する材料としては、例えばスズ添加酸化インジウムIndium-Tin-Oxide:ITO、酸化スズSnO2、フッ素添加酸化スズFluorine-doped-Tin-Oxide:FTOなどの導電性金属酸化物が挙げられる。透明導電膜10は、単層でも、異なる導電性金属酸化物で構成される複数の層の積層体で構成されてもよい。透明導電膜10が単層で構成される場合、透明導電膜10は、高い耐熱性及び耐薬品性を有することから、FTOで構成されることが好ましい。また透明導電膜10として、複数の層で構成される積層体を用いると、各層の特性を反映させることが可能となることから好ましい。中でも、ITOで構成される層と、FTOで構成される層との積層体を用いることが好ましい。この場合、高い導電性、耐熱性及び耐薬品性を持つ透明導電膜10が実現できる。透明導電膜10の厚さは例えば0.01μm~2μmの範囲にすればよい。第1多孔質酸化物半導体層第1多孔質酸化物半導体層6は第1酸化物半導体粒子からなる。第1酸化物半導体粒子は、例えば酸化チタンTiO2、シリカSiO2、酸化亜鉛ZnO、酸化タングステンWO3、酸化ニオブNb2O5、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、酸化スズSnO2、酸化インジウムIn3O3、酸化ジルコニウムZrO2、酸化タリウムTa2O5、酸化ランタンLa2O3、酸化イットリウムY2O3、酸化ホルミウムHo2O3、酸化ビスマスBi2O3、酸化セリウムCeO2、酸化アルミニウムAl2O3又はこれらの2種以上で構成される。第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径d1は通常、4~100nmである。第1酸化物半導体粒子の平均粒径が上記範囲内にあると、上記範囲を外れる場合に比べて、光を吸収しやすくなる。第1酸化物半導体粒子の平均粒径d1は、好ましくは15~80nmであり、より好ましくは15~60nmである。第1多孔質酸化物半導体層6の厚さは、例えば0.5~50μmとすればよい。透明導電基板5の対極2側の表面における第1多孔質酸化物半導体層6と配線部8との間の距離は、通常は5mm以下であるが、1mm以下であることが好ましい。この場合、第1多孔質酸化物半導体層6と配線部8との間の距離が1mmを超える場合に比べて、光電変換特性を効果的に向上させることが可能となる。但し、より優れた耐久性を得る観点からは、第1多孔質酸化物半導体層6と配線部8との間の距離は0.2mm以上であることが好ましく、0.4mm以上であることがより好ましい。第2多孔質酸化物半導体層第2多孔質酸化物半導体層7は、第2酸化物半導体粒子からなる。第2酸化物半導体粒子は、第1酸化物半導体粒子と同様の材料で構成される。第2酸化物半導体粒子は、第1酸化物半導体粒子と異なる材料で構成されてもよいし、同一の材料で構成されてもよい。第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2は、第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径よりも大きければよい。第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2は、通常は、35~1000nmである。第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2が上記範囲内にあると、上記範囲を外れる場合に比べて、光を散乱又は反射しやすくなる。第2酸化物半導体粒子の平均粒径d2は、好ましくは50~500nmであり、より好ましくは100~400nmである。第2多孔質酸化物半導体層7の厚さは、第1~第4部分7a~7dに応じてその基準とする面が異なる。即ち、第1~第4部分7a~7dが覆う対象となる面が厚さの基準面となる。具体的には、第1部分7aの厚さは、透明導電基板5の対極2側の面を基準とし、その面からの厚さが第1部分7aの厚さとなる。第2部分7bの厚さは、第1多孔質酸化物半導体層6の側面を基準とし、その面からの厚さが第2部分7bの厚さとなる。第3部分7cの厚さは、第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の面を基準とし、その面からの厚さが第3部分7cの厚さとなる。第4部分7dの厚さは、配線保護層12の表面を基準とし、その表面からの厚さが第4部分7dの厚さとなる。本実施形態では、第2多孔質酸化物半導体層7の第1~第4部分7a~7dのうちの少なくとも第1部分7aの厚さが第1多孔質酸化物半導体層6の厚さより小さくなっている。ここで、第1部分7aと第1多孔質酸化物半導体層6との厚さの差は具体的には5~40μmであればよい。第1部分7aと第1多孔質酸化物半導体層6との厚さの差は、好ましくは10~30μmである。配線部配線部8は、上述したように、金属配線11と配線保護層12とで構成されている。金属配線11は、透明導電膜10よりも低い抵抗を有する材料であればよく、このような材料としては、例えば金、銀、銅、白金、アルミニウム、チタン及びニッケルなどの金属が挙げられる。配線保護層12を構成する材料としては、例えば非鉛系の低融点ガラスフリットなどの光を透過させることが可能な材料や、光を透過させることが不可能な酸化鉛系のガラスフリットなどの材料が挙げられる。このうち、光を透過させることが可能な材料が好ましい。ここで、光の透過性の程度は、配線保護層12に入射された光を第2多孔質酸化物半導体層7の第4部分7dに到達させることができる程度であることが好ましい。この場合、透明導電基板5を経て配線保護層12に入射された光が、配線保護層12を透過し、第2多孔質酸化物半導体層7の第4部分7dに入射されることが可能となる。そして、第2多孔質酸化物半導体層7の第4部分7dに入射された光は、第1多孔質酸化物半導体層6に入射され、発電に寄与する。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。<光増感色素>光増感色素としては、例えばビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体や、ポルフィリン、エオシン、ローダミン、メロシアニンなどの有機色素が挙げられる。<対極>対極2は、上述したように、対極基板13と、対極基板13のうち作用極1側に設けられて対極2の表面における還元反応を促進する導電性の触媒膜14とを備えている。対極基板対極基板13は、例えばチタン、ニッケル、白金、モリブデン、タングステン等の耐食性の金属材料や、上述した透明基板9にITO、FTO等の導電性酸化物からなる膜を形成したもので構成される。対極基板13の厚さは、色素増感型太陽電池100のサイズに応じて適宜決定され、特に限定されるものではないが、例えば0.005mm~0.1mmとすればよい。ここで、対極基板13の厚さを特に0.005mm~0.035μmとすると、対極2に可撓性を付与することができる。触媒膜触媒膜14は、白金、炭素系材料又は導電性高分子などから構成される。ここで、炭素系材料としては、カーボンナノチューブが好適に用いられる。<封止部>封止部3は、例えば樹脂を含む樹脂封止部で構成されている。樹脂封止部を構成する材料としては、例えばアイオノマー、エチレン-ビニル酢酸無水物共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体、紫外線硬化樹脂、及び、ビニルアルコール重合体などの樹脂が挙げられる。なお、樹脂封止部は樹脂のみで構成されてもよいし、樹脂と無機フィラーとで構成されていてもよい。<電解質>電解質4は例えばI-/I3-などの酸化還元対と有機溶媒とを含んでいる。有機溶媒としては、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ-ブチロラクトンなどを用いることができる。酸化還元対としては、例えばI-/I3-のほか、臭素/臭化物イオンなどの対が挙げられる。なお、上記揮発性溶媒にはゲル化剤を加えてもよい。また電解質4は、イオン液体と揮発性成分との混合物からなるイオン液体電解質で構成されてもよい。イオン液体としては、例えばピリジニウム塩、イミダゾリウム塩、トリアゾリウム塩等の既知のヨウ素塩であって、室温付近で溶融状態にある常温溶融塩が用いられる。このような常温溶融塩としては、例えば1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドが好適に用いられる。また揮発性成分としては、上記の有機溶媒や、1-メチル-3-メチルイミダゾリウムヨーダイド、LiI、I2、4-t-ブチルピリジンなどが挙げられる。次に、色素増感太陽電池100の製造方法について説明する。<作用極形成工程>まず作用極1を以下のようにして準備する。はじめに透明基板9の上に透明導電膜10を形成し、透明導電基板5を準備する。透明導電膜10の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、スプレー熱分解法SPD:SprayPyrolysisDeposition及びCVD法などが用いられる。これらのうちスプレー熱分解法が装置コストの点から好ましい。第1多孔質酸化物半導体層形成工程次に、透明導電膜10上に、第1酸化物半導体粒子を含む第1多孔質酸化物半導体層形成用ペーストを印刷する。次に、第1多孔質酸化物半導体層形成用ペーストを焼成して透明導電膜10上に第1多孔質酸化物半導体層6を形成する。配線部形成工程次に、透明導電基板5上に金属配線11を形成する。金属配線11は、例えば金属ペーストを第1多孔質酸化物半導体層6と離間し且つ第1多孔質酸化物半導体層6を包囲するように塗布し焼成することによって形成することができる。続いて、金属配線11を覆い且つ透明導電基板5に接触するように配線保護層12を形成する。配線保護層12は、例えば低融点ガラスフリットを含むペーストを、金属配線11を覆うように塗布し乾燥させた後、焼成することにより形成することができる。こうして配線部8が得られる。第2多孔質酸化物半導体層形成工程こうして配線部8を得た後、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域Aを埋めるとともに配線保護層12の一部を覆い、第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の面の一部を覆うように第2多孔質酸化物半導体層7を形成する。第2多孔質酸化物半導体層7は、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域Aを埋めるとともに配線保護層12の一部を覆い、第1多孔質酸化物半導体層6の対極2側の面の一部をも覆うように、第2酸化物半導体粒子を含む第2多孔質酸化物半導体層形成用ペーストを印刷した後、焼成することによって形成することができる。このとき、第2多孔質酸化物半導体粒子としては、その平均粒径d2が第1酸化物半導体粒子全体の平均粒径d1よりも大きいものを用いる。第1及び第2多孔質酸化物半導体層形成用ペーストは、上述した第1及び第2酸化物半導体粒子のほか、ポリエチレングリコールなどの樹脂及び、テレピネオールなどの溶媒を含む。第1及び第2多孔質酸化物半導体層形成用ペーストの印刷方法としては、例えばスクリーン印刷法、ドクターブレード法、バーコート法などを用いることができる。焼成温度は第1及び第2酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は350°C~600°Cであり、焼成時間も、第1及び第2酸化物半導体粒子の材質により異なるが、通常は1~5時間である。こうして作用極1が得られる。<色素担持工程>次に、作用極1の第1多孔質酸化物半導体層6に光増感色素を担持させる。このためには、作用極1を、光増感色素を含有する溶液の中に浸漬させ、その色素を第1多孔質酸化物半導体層6に吸着させた後に上記溶液の溶媒成分で余分な色素を洗い流し、乾燥させることで、光増感色素を第1多孔質酸化物半導体層6に吸着させればよい。但し、光増感色素を含有する溶液を第1多孔質酸化物半導体層6に塗布した後、乾燥させることによって光増感色素を酸化物半導体多孔膜に吸着させても、光増感色素を第1多孔質酸化物半導体層6に担持させることが可能である。このとき、第2多孔質酸化物半導体層7に光増感色素が担持されてもよい。<対極準備工程>一方、以下のようにして対極2を準備する。まず対極基板13を準備する。そして、対極基板13の上に触媒膜14を形成する。触媒膜14の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法などが用いられる。これらのうちスパッタ法が膜の均一性の点から好ましい。こうして対極2が得られる。<封止部固定工程>次に、例えば熱可塑性樹脂からなる環状のシートを準備する。そして、光増感色素を担持した作用極1の配線部8上に載せ、環状のシートを加熱溶融させる。こうして作用極1の配線部8上に環状のシートを固定する。なお、対極2にも同様にして環状のシートを固定する。<電解質配置工程>次に、電解質4を用意する。そして、電解質4を、作用極1上に設けた環状シートの内側に配置する。電解質4は、例えばスクリーン印刷等の印刷法によって配置することが可能である。電解質4を作用極1の上に配置した後は、作用極1に対し、作用極1との間に電解質4を挟むように対極2を重ね合わせ、環状のシートによって作用極1と対極2とを接着させる。こうして、色素増感太陽電池100が得られ、色素増感太陽電池100の製造が完了する。[第2実施形態]次に、本発明の色素増感太陽電池の第2実施形態について説明する。尚、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図3は、本発明の色素増感太陽電池の第2実施形態を示す断面図である。図3に示すように、本実施形態の色素増感太陽電池200は、対極2が可撓性を有する点で第1実施形態の色素増感太陽電池100と相違する。第2多孔質酸化物半導体層7は、図3に示す色素増感太陽電池200の対極2が可撓性を有する場合に特に有用である。この場合、温度変化による内圧の上昇又は減少が起きた場合や、外力を受けるなどのように色素増感太陽電池200に応力が加わった場合でも、対極2が可撓性を有しているため、その応力が吸収され、耐久性が向上する。なお、色素増感太陽電池200に応力が吸収される際、対極2が変形しやすいので、対極2と透明導電基板5とが接触して両者間でショートが起こりやすくなる。しかし、色素増感太陽電池200においては、第2多孔質酸化物半導体層7が、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域を埋めて形成されるため、対極2と透明導電基板5との接触が防止され、両者間でショートが起こることが防止される。ここで、色素増感太陽電池200のセル空間は、25°Cにおいて101325Pa以上であっても101325Paより小さくてもよいが、第2多孔質酸化物半導体層7は、セル空間が25°Cにおいて101325Paより小さい場合にさらに有用である。これは以下の理由によるものである。即ち、セル空間が25°Cにおいて101325Paより小さい場合、通常、セル空間が外気に対して陰圧状態となる。このとき、対極2が可撓性を有すると、対極2が撓み、対極2と透明導電基板5との間の距離極間距離を短くすることができる。このため、光電変換効率を向上させることができる。なお、対極2と透明導電基板5との距離が短くなると、対極2と透明導電基板5とがショートしやすくなる。しかし、色素増感太陽電池200では、第2多孔質酸化物半導体層7が、配線部8と第1多孔質酸化物半導体層6との間の隙間領域を埋めて形成されるため、対極2と透明導電基板5との間でショートが生じることが十分に防止される。第2多孔質酸化物半導体層7は、セル空間の圧力が25°Cにおいて50~800Paである場合により有用であり、300~800Paである場合に特に有用である。なお、上記のセル空間の圧力を25°Cにおいて101325Paより小さくする、即ち減圧空間を形成するには、例えば以下のようにすればよい。即ちまず開口を有する減圧用容器内に、その開口から、環状の樹脂シートを固定した作用極1を収容する。続いて、環状の樹脂シートの内側に電解質4を注入する。その後、減圧用容器内に、環状の樹脂シートを固定した対極2をさらに収容し、減圧用容器内で作用極1と対極2とを対向させる。次に、減圧用容器の開口を例えばPETなどの樹脂からなる可撓性シートで塞ぎ、減圧用容器内に密閉空間を形成する。そして、密閉空間を、減圧用容器に形成された排気孔図示せずを通して、例えば真空ポンプにより減圧する。こうして減圧空間を形成することができる。このようにして減圧空間を形成すると、上記可撓性シートによって対極2が押圧される。これに伴って、作用極1と対極2とによって環状のシートが挟まれて加圧される。このとき、減圧用容器を加熱し、環状のシートを加圧しながら溶融させると、作用極1と対極2との間にこれらを連結する封止部3が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記第1及び第2実施形態では、第2多孔質酸化物半導体層7が、第1部分7aと、第2部分7bと、第3部分7cと、第4部分7dとで構成されているが、図4に示すように第2部分7b及び第3部分7cは省略されてもよい。別言すると、第2多孔質酸化物半導体層7は、第1部分7a及び第4部分7dのみで構成されてもよい。また図5に示すように、第2部分7b、第3部分7c及び第4部分7dは省略されてもよい。別言すると、第2多孔質酸化物半導体層7は、第1部分7aのみで構成されてもよい。また、上記第1及び第2実施形態では、第1多孔質酸化物半導体層6が単一の層で構成されているが、図6に示す色素増感太陽電池300のように、第1多孔質酸化物半導体層6が、透明導電膜10と接触する第1の層6aと、第1の層6aの対極2側に設けられる第2の層6bとを含む積層体で構成されてもよい。第2の層6bは積層体の対極2側の最外層となっている。ここで、第2の層6bを構成する第1酸化物半導体粒子と、第2多孔質酸化物半導体層7を構成する第2酸化物半導体粒子とは、同一の材料で構成され、且つ、同一の平均粒径を有することが好ましい。なお、第1の層6aを構成する第1酸化物半導体粒子の平均粒径は、第2の層6bの第1酸化物半導体粒子の平均粒径よりも小さくなっている。この場合、第1多孔質酸化物半導体層6に光が入射されても、光の一部は第1の層6aで吸収されずに通過する。この通過した光が、第1多孔質酸化物半導体層6の最外層である第2の層6bにて反射又は散乱されて、第2の層6bより透明導電膜10側の第1の層6aに再入射され、第1の層6aで再度吸収される。このため、光電変換特性をより向上させることが可能となる。また上記第1及び第2実施形態では、第2多孔質酸化物半導体層7が配線部8の一部のみを覆っているが、配線部8の全部を覆っていてもよい。さらに、上記第1及び第2実施形態では、第2多孔質酸化物半導体層7の少なくとも第1部分7aの厚さが、第1多孔質酸化物半導体層6の厚さよりも小さくなっているが、第1多孔質酸化物半導体層6の厚さが第2多孔質酸化物半導体層7の第1~第4部分7a~7dのいずれの部分の厚さ以下であってもよい。さらにまた、上記第1及び第2実施形態では、配線部8に封止部3が接続されているが、配線部8と封止部3とが接続されていることは必ずしも必要ではない。従って、配線部8と対極2との間に電解質4が存在していてもよい。以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1作用極の作製はじめに、10cm×10cm×4mm厚さのフッ素ドープ酸化錫透明導電ガラス基板FTO基板を準備した。続いて、FTO基板の上に、スクリーン印刷により、15nmの平均粒径を有する第1酸化チタン粒子を含有する第1酸化チタンナノ粒子ペーストSolaronix社製、TinanoixideTspを塗布し膜を作製した。その後、この膜付き基板をオーブンに入れて500°Cで1時間焼成し、FTO基板上に、12mm×50mm×30μm厚さの4個の第1多孔質酸化物半導体層を形成した。このとき、第1多孔質酸化物半導体層同士が互いに離間するように形成した。続いて、FTO基板上に、4個の第1多孔質酸化物半導体層の各々を包囲するように銀ペーストを塗布し500°Cで1時間焼成することによって厚さ15μm、幅1mmの金属配線を形成した。このとき、銀ペーストは、第1多孔質酸化物半導体層から1mm離間した位置に塗布した。続いて、低融点ガラスフリットを含むペーストを、金属配線を覆うように塗布し、150°Cで0.1時間乾燥させた後、500°Cで1時間焼成することによって厚さ50μm、幅1.5mmの配線保護層を形成し、配線部を得た。このとき、FTO基板の表面において、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の距離は0.75mmであった。次に、400nmの平均粒径を有する第2酸化チタン粒子を含有する第2酸化チタンナノ粒子ペーストSolaronix社製、TinanoixideRspを準備した。そして、このペーストを、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の隙間領域を埋めるとともに配線部の一部を覆い、第1多孔質酸化物半導体層の対極側の面の一部を覆うように塗布し、膜を作製した。その後、この膜付き基板をオーブンに入れて500°Cで1時間焼成し第2多孔質酸化物半導体層を形成した。この第2多孔質酸化物半導体層の厚さについては、FTO基板に接触する第1部分の厚さが5μm、第2部分の厚さが35μm、第3部分の厚さが5μm、第4部分の厚さが55μmであった。こうして作用極を得た。光増感色素の担持次に、光増感色素であるN719色素を0.2mM溶かした脱水エタノール液中に一昼夜浸漬して作用極の第1多孔質酸化物半導体層に光増感色素を担持させた。対極の作製一方、純金属チタン箔からなる金属基板を用意し、この金属基板の表面をプラズマクリーニングした後、スパッタリング法により、全面に厚さ約30nmの白金触媒膜を形成し、対極を得た。封止部の作製そして、対極の白金触媒膜上における環状の部位に、アイオノマー商品名、三井デュポンポリケミカル社製からなる環状の熱可塑性樹脂シートを配置し、熱可塑性樹脂シートを180°Cで5分間加熱し溶融させることによって固定した。また作用極の配線部の外周部上に、アイオノマーであるハイミランからなる環状の熱可塑性樹脂シートを配置し、熱可塑性樹脂シートを180°Cで5分間加熱し溶融させて作用極に接着させて固定した。電解質の配置他方、ヨウ素/ヨウ化物イオンレドックス対を含有するイオン液体へキシルメチルイミダゾリウムアイオダイドを用意した。そして、この電解質をスクリーン印刷法によって、光増感色素を担持した作用極に、第1及び第2多孔質酸化物半導体層を覆うように塗布した。封止次に、樹脂シートを固定した対極を、作用極に対向させ、500hPa程度の減圧環境下に置き、対極に固定した樹脂シートと作用極に固定した樹脂シートとを重ね合わせた。そして、減圧環境下で、樹脂シートと同じ大きさの真鍮製の枠を加熱し、真鍮製の枠を対極に設けた樹脂シートとは反対側に配置し、プレス機を用いて、対極に固定した樹脂シートと、作用極に固定した樹脂シートとを5MPaで加圧しながら160°Cの温度で局所加熱して溶融させて封止部を形成し、積層体を得た。その後、この積層体を大気圧下に取り出した。こうして色素増感太陽電池を得た。実施例2第2多孔質酸化物半導体層のうちFTO基板に接触する第1部分の厚さを第1多孔質酸化物半導体層の厚さと同一にしたこと以外は実施例1と同様にして色素増感太陽電池を作製した。比較例1第2多孔質酸化物半導体層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして色素増感太陽電池を作製した。比較例2配線部を形成する際、配線部と第1多孔質酸化物半導体層との間の距離が0mmとなるようにしたこと以外は実施例1と同様にして色素増感太陽電池を作製した。上記のようにして得られた実施例1、2及び比較例1、2の色素増感太陽電池について、光電変換特性及び耐久性をそれぞれ以下のようにして調べた。光電変換特性光電変換特性は、光電変換効率ηを指標とした。そこで、実施例1、2及び比較例1、2の色素増感太陽電池について光電変換効率ηを測定した。結果を表1に示す。耐久性耐久性は、発電電流の低下率、及び、透明導電基板と対極とのショートの有無を指標とし、発電電流の低下率が合格基準を満たし、且つ、透明導電基板と対極とのショートが見られない場合には、耐久性に優れると評価し、発電電流の低下率が合格基準を満たさないか、又は透明導電基板と対極とのショートが見られた場合には、耐久性に劣ると評価した。発電電流の低下率は以下のようにして求めた。まず実施例1、2及び比較例1、2の色素増感太陽電池について、初期発電電流I0を測定した。続いて、実施例1、2及び比較例1、2の色素増感太陽電池を、85°C及び85RHの環境下で500時間使用した後の発電電流I1を測定した。そして、発電電流の低下率を、下記式:発電電流の低下率=100×I1-I0/I0に基づいて算出した。結果を表1に示す。なお、発電電流の低下率の合格基準は以下の通りとした。合格:5以下不合格:5超透明導電基板と対極とのショートについては、作用極と対極との間の抵抗値が10kΩ以下の場合にショートしているとした。結果を表1に示す。表1に示す結果より、実施例1、2の色素増感太陽電池は、比較例1、2の色素増感太陽電池よりも大きい光電変換効率を示すことが分かった。また表1に示す結果より、実施例1、2の色素増感太陽電池は、発電電流の低下率が合格基準を満たし、且つ、ショートも見られなかった。これに対し、比較例1、2の色素増感太陽電池は、発電電流の低下率が合格基準を満たさないか、あるいは、ショートが見られた。従って、実施例1、2の色素増感太陽電池は、比較例1、2の色素増感太陽電池よりも耐久性に優れることも分かった。よって、本発明の色素増感太陽電池によれば、光電変換特性を向上させつつ、優れた耐久性を有することが可能であることが確認された。