"透明基板と、前記透明基板に形成され、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含む透明導電膜とを含む太陽電池基板であって、前記酸化亜鉛ZnO薄膜層は、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002成長面と成長面がともに存在することを特徴とする、太陽電池基板。前記酸化亜鉛ZnO薄膜層は、前記透明導電膜の耐熱試験のための熱処理後に、X線回折XRDパターンのデータを基準に、成長面のピーク強度peakintensityが0002成長面のピーク強度peakintensityより大きい又は等しいことを特徴とする、請求項1記載の太陽電池基板。前記酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントは、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのいずれか一種、又は二種以上であることを特徴とする、請求項1記載の太陽電池基板。前記透明導電膜が、前記透明基板と酸化亜鉛ZnO薄膜層との間に形成され、前記透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ異物溶出防止膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の太陽電池基板。前記異物溶出防止膜が、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現されることを特徴とする、請求項1記載の太陽電池基板。請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の太陽電池基板を含むことを特徴とする、太陽電池。前記太陽電池が、タンデムTandem型太陽電池、化合物太陽電池、色素増感型太陽電池のいずれかであることを特徴とする、請求項6記載の太陽電池。本発明は、上記のような背景から提案されたもので、本発明の目的は、耐熱性に優れた太陽電池基板及びそれを含む太陽電池を提供することである。また、本発明の付加的な目的は、光電変換効率の高い太陽電池基板及びそれを含む太陽電池を提供することである。上記のような目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池基板は、透明基板と、透明基板上に形成され、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002成長面と成長面がともに存在するドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含む透明導電膜とを含む。前記構成によれば、本発明に係る太陽電池基板は、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002成長面と成長面がともに存在するドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含んで具現されることにより、太陽電池基板上への光吸収層の成膜の際、高い温度において抵抗増加又は光透過率減少などの性能低下が起こらない、耐熱性に優れた有用な効果がある。以下、添付図面を参照して、前述した態様、そして追加的な態様を記述した好ましい実施例を通じ、本発明を当業者が容易に理解して再現することができるよう、詳細に説明することとする。図3は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の製造方法を図示したものである。図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板の製造方法は、まず、透明基板をスパッタリングチャンバに設置するS311。スパッタリングチャンバには、透明基板に蒸着される物質により具現されているスパッタリングターゲットが設置される。その後、透明基板に異物溶出防止膜を形成するS312。異物溶出防止膜は、透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ役割をする。一例として、異物溶出防止膜は、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現することができる。その後、スパッタリングチャンバに設置された透明基板に、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を形成するS313。一般的に、0002成長面、又は成長面を有する酸化亜鉛ZnO薄膜層を成長させるためには、スパッタリングターゲットから透明基板へ移動する粒子がチャンバ内の他の粒子と衝突することなく自由に移動する平均自由行程Meanfreepathが大きくなければならない。一方、透明基板上に移動した粒子が透明基板の温度によって移動する表面移動Surfacemigrationが大きいほど、0002成長面が形成される確率が高くなる。そこで、平均自由行程Meanfreepathを増大させつつ、表面移動Surfacemigrationを下げるために、スパッタリングチャンバに設置された透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を形成するステップS313は、スパッタリングチャンバの圧力を1mTorr以上、50mTorr以下に、透明基板の温度を200°C以上、300°C以下に維持させることが好ましい。一例として、酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントは、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのいずれか一種、又は二種以上をドーピングすることができる。図4は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の構造を図示したもの、図5は、太陽電池基板の熱処理前後のX線回折XRDパターンに関するグラフである。ここで、熱処理とは、透明電池基板が後述する太陽電池の製造工程における温度条件に耐えられるか否かをテストするための耐熱テストのための熱処理のことを意味する。まず、図4に図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板は、透明基板411と、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層412aを含む透明導電膜412を含んで具現することができる。透明基板411は、厚さ5mm以下、光透過率90以上のガラスにより具現することができる。他の例として、透明基板311は、熱硬化又はUV硬化が可能な有機フィルムであって、主にポリマー系の物質、例えば、ポリエチレンテレフタレートPolyEtyleneTerephthalate,PET、アクリルAcryl、ポリカーボネートPolycabonate,PC、ウレタンアクリレートUrethaneAcrylate、ポリエステルPolyester、エポキシアクリル酸塩EpoxyAcrylate、臭化アクリレートBrominateAcrylate、ポリ塩化ビニルPolyVinylChloride,PVCにより具現することができる。透明導電膜412は、光電変換によって発生する電流を流すもので、透明基板311に形成され、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層412aを含む。酸化亜鉛ZnOの電気的性質は、ほぼ不導体に近いため、電気伝導性を付与するために、ドーパントdopantがドーピングされた酸化亜鉛ZnOが使用される。ここで、酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントとしては、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのうち少なくともいずれか一種を含んで具現することができる。一例として、酸化亜鉛ZnOにドーピングされたドーパントが二以上のコドーピングCo-dopingでも可能である。好ましくは、酸化亜鉛ZnOにドーピングされたドーパントは、耐湿性が相対的に優れたガリウムGa又はアルミニウムAlにより具現される。一般的に、透明導電膜412に、Si、銅-インジウム-ガリウム-セレン化物copper-indium-galliumselenide、CIGS又はテルル化カドミウムCdTe化合物等を主成分とする光吸収層を成膜させるためには、高い温度、例えば、250°C以上、600°C以下の加熱温度が必要である。したがって、透明導電膜412の酸化亜鉛ZnO薄膜層412aは、このような高い温度での抵抗増加又は光透過率減少などの性能低下が起こらずに、十分に耐えることのできる耐熱性がなければならない。酸化亜鉛ZnO薄膜層312aは、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002成長面と成長面がともに存在するよう具現されることが好ましい。酸化亜鉛ZnOの構造上、結晶面が0002結晶面よりも原子面密度が低い。このため、ドーパントがドーピングされて亜鉛Zn原子と置換された場合、ドーパントは、原子面密度の低い結晶面に位置することとなる。これにより、0002成長面のみが存在する酸化亜鉛ZnO薄膜層よりも発生する応力tensionの大きさが相対的に小さい。また、応力tensionを相殺しようと酸化亜鉛ZnOの構造において発生する固有の欠陥intrinsicdefectが小さい。すなわち、0002成長面と成長面がともに存在する酸化亜鉛ZnO薄膜層412aは、熱変形が生じにくい。一例として、酸化亜鉛ZnO薄膜層412aは、透明基板411の温度が200°C以上、300°C以下であり、スパッタリングチャンバ内の圧力が1mTorr以上、50mTorr以下のスパッタリング工程を通じて形成することができる。また、酸化亜鉛ZnO薄膜層412aは、透明導電膜の耐熱試験のための熱処理後に、X線回折XRDパターンのデータを基準に、成長面のピーク強度peakintensityが0002成長面のピーク強度peakintensityよりも大きい、又は等しいことが好ましい。以下の表1は、図4による太陽電池基板の耐熱試験前後のXRDIntensityPeakの変化を示したものである。ここで、成長面のピーク強度peakintensityは、耐熱試験の前後において75.4と同一にした。酸化亜鉛ZnOにドーピングされたドーパントは、アルミニウムAlであり、熱処理反応器において500°Cの温度で5分間熱処理して耐熱性をテストした。熱処理工程は、RTArapidthermalannealingにより処理した。耐熱性は、X線回折XRDパターンの測定を通じ、熱処理前後の結晶面の発生又は消滅、結晶面のピーク強度peakintensityの変化の有無により判断した。表1に示したところのように、実施例は、製作温度が200°C、スパッタリングチャンバ内の圧力が30mTorrのスパッタリング工程により透明導電膜を製作した。耐熱性は優れているものと示された。図5を参照すると、図5Aは、実施例に係る太陽電池基板の熱処理前のXRDパターンを示し、図5Bは、実施例に係る太陽電池基板の熱処理後のX線回折XRDパターンを示すものである。図5Aと図5Bに図示されたところのように、アルミニウムAlがドーピングされた酸化亜鉛ZnOの0002結晶面と結晶面のピーク強度peakintensityは変化がなく、また、新たな結晶面も発生しなかった。図5Cと図5Dは、比較例に係る太陽電池基板の熱処理前後のX線回折XRDパターンのデータである。比較例は、製作温度が350°C、常圧化学気相蒸着AtmosphericPressureCVD、APCVDにより透明導電膜を製作した。図5Dに図示されたところのように、比較例に係る太陽電池基板の耐熱性はよくないものと示された。比較例は、X線回折XRDパターンの測定の結果、熱処理前に0002結晶面のみが存在し、熱処理後の0002結晶面のピーク強度peakintensityは減少した。図4に図示したところのように、透明導電膜412は、異物溶出防止膜412bをさらに含んで具現することができる。異物溶出防止膜412bは、透明基板411と酸化亜鉛ZnO薄膜層412aの間に形成され、透明基板411、例えば、ソーダ石灰ガラスSiO2-CaO-Na2O又はアルミノシリケートガラスSiO2-Al2O3-Na2Oの内部から異物、例えば、ナトリウムNaイオンのようなアルカリイオンが溶出することを防ぐ。好ましくは、異物溶出防止膜412bは、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現することができる。異物溶出防止膜412bは、膜厚の調節を通じて、透明基板411との屈折率のマッチングが可能である。これにより、異物溶出防止膜412bは、透明基板411表面から入射光が反射されることを防ぐことができる。図6は、本発明に係る太陽電池基板の熱処理前後の波長による光透過率に関するグラフである。ここで、光透過率は、Lambda-950spectrophotometerを使用し、380nm~1100nmの範囲の分光透過率を測定して平均透過率を計算した。図6において、参照符号61は、熱処理前の光透過率曲線、参照符号62は、熱処理後の光透過率曲線である。参照番号62の光透過率曲線を見ると、500nm以上、1100nm以下の波長領域における光透過率が80以上であることが分かる。ここまで、本明細書においては、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に理解して再現できるよう、図面に図示した実施例を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、かつ、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の実施例から多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点が理解できよう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ定められるべきである。"