"複数の素子で構成される高周波回路部品とその高周波回路部品に電流を供給する電源と前記高周波回路部品を制御する制御回路部品が表面に実装され、両面にスルーホールを介して電気的に接続する接地導体がプリントされた誘電体基板と、前記高周波回路部品の各素子間に配置され、前記誘電体基板表面の接地導体と電気的に接続し、前記素子毎に独立した密閉空間を形成する立壁を備えた導体蓋と、を有する高周波モジュール。導体蓋は、樹脂の表面に金属メッキを施して形成されていることを特徴とする請求項1記載の高周波モジュール。誘電体基板を格納する金属導体ベースと導体蓋との接触部分に導電性パッキンを挟持させることを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波モジュール。しかしながら、特許文献1の高周波モジュールは、別途カットオフブロックを設けているため小型化、低コスト化することが困難であり、かつ、そのカットオフブロックが間仕切りした一空間には複数の素子が含まれているため、素子毎に小さな空間を作ることができず高いシールド性能が得られないという課題があった。特許文献2の高周波モジュールは、素子の数だけカットオフブロックが必要であり、その組み付け作業時間も長時間を要するという問題があった。その結果、高周波モジュールを小型化、低コスト化することが困難であるという課題があった。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、素子毎の高いシールド性を確保しつつ小型化かつ低コスト化した高周波モジュールを提供することを目的とする。この発明に係る高周波モジュールは、複数の素子で構成される高周波回路部品とその高周波回路部品に電流を供給する電源と高周波回路部品を制御する制御回路部品が表面に実装され、両面にスルーホールを介して電気的に接続する接地導体がプリントされた誘電体基板と、高周波回路部品の各素子間に配置され、誘電体基板表面の接地導体と電気的に接続し、素子毎に独立した密閉空間を形成する立壁を備えた導体蓋とを有するものである。この発明に係る高周波モジュールによれば、上記のような立壁を備えた導体蓋を有するよう構成したことにより、モジュールカバーとしての導体蓋で素子毎に電磁遮蔽を行い、隣接する素子との干渉を抑制するとともに密閉空間内のカットオフ周波数を高くすることができる。その結果、高周波モジュールを小型化かつ低コスト化しつつ素子毎の高いシールド性を確保することができる。以下、この発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1.図1aは実施の形態1に係る高周波モジュール1を分解した構成を示しており、図1bは組み立て後の高周波モジュール1を示している。高周波モジュール1は、図1aに示すように、導体蓋10立壁付き導体蓋、導体蓋11、樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、セラミック基板25、電源制御回路部品26電源、制御回路部品、高周波信号用コネクタ27、樹脂基板28誘電体基板、接地導体29、金属導体ベース30、多極コネクタ31、高周波信号用コネクタ32で構成されている。なお、図1aにおいては、接地導体29の配置を分かりやすくするため、樹脂基板28上の高周波回路部品24と電源制御回路部品26の詳細な構成を省略している。導体蓋10と導体蓋11と金属導体ベース30は、図1bに示すように組み合わされ、取り付けネジ33で固定されることでモジュールケース筺体として機能し、その内部に樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、セラミック基板25、電源制御回路部品26、高周波信号用コネクタ27、樹脂基板28、接地導体29を覆うように格納する。このとき、高周波回路部品24は導体蓋10に覆われ、電源制御回路部品26は導体蓋11に覆われる。導体蓋10の詳細な形状については後述する。なお、各構成が格納される際、樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、電源制御回路部品26は、それぞれ金属リボンや金ワイヤによりそれぞれ電気的に接続される。樹脂基板21は、裏面全面に接地導体が形成され、表面にサーキュレータ22と高周波信号用コネクタ32を電気的に接続する回路と、導体蓋10と導通させるための接地導体29が形成されている。サーキュレータ22は、既知の通信機器に用いられる電子回路であり、例えば3つ以上の端子を有し、高周波信号用コネクタ32を介してある一端子に入力した信号を一定の他の端子から出力するよう機能する。サーキュレータ22は、高周波回路部品24を構成する複数の高周波回路毎に設けられており、金属導体ベース30に組み付けられた際、各サーキュレータ22間に導体蓋10の立壁10aが挿入できる程度の隙間が設けられるよう構成されている。高周波回路部品24は、図示しない金属導体の上にセラミック基板25とともに実装されてなる部品と、樹脂基板28の表面上略半分に実装される部品とで構成されている。高周波回路部品24は、複数の素子高周波回路素子を有しており、素子毎に機能を実行する複数の高周波回路からなるユニットである。この高周波回路は、例えば高出力増幅器や低雑音増幅器として機能する。セラミック基板25は、高周波回路部品24の複数の高周波回路毎に設けられる回路基板として機能し、図示しない金属導体の上に高周波回路部品24とともに実装されて一つの部品となり、金属導体ベース30にネジ止めされて固定される。セラミック基板25は、金属導体ベース30に組み付けられた際、各セラミック基板25間に導体蓋10の立壁10aが挿入できる程度の隙間が設けられる。電源制御回路部品26は、高周波回路部品24を制御する制御回路としての機能と、高周波回路部品24に電流を供給する電源回路としての機能を有しており、樹脂基板28表面上略半分に実装されている。高周波信号用コネクタ27は、樹脂基板28上に取り付けられた同軸ケーブルを有するコネクタであり、樹脂基板28の高周波回路部品24からの高周波信号を外部に通すよう機能し、高周波回路部品24と樹脂基板28内に形成されたマイクロストリップラインで電気的に接続されている。樹脂基板28誘電体基板は、樹脂で構成された基板表面に高周波回路部品24と電源制御回路部品26を実装する回路基板として機能し、その両面には接地導体29がプリントされている。接地導体29は、樹脂基板21、樹脂基板28のそれぞれ裏面全面と、表面上の導体蓋10と接触するような位置にプリントされている。各面の接地導体29は、後述する図3に示すように樹脂基板28のスルーホール28aを介して電気的に接続されている。接地導体29は、例えば樹脂基板28表面上の高周波回路部品24の複数の高周波回路素子間に配置され、高周波モジュール1が組み立てられた際に導体蓋10の立壁10a図2で後述すると接触して導通する。また、接地導体29は、例えば樹脂基板28の裏面全面に設けられており、金属導体ベース30と接触して導通する。なお、実施の形態1においては、樹脂基板21、サーキュレータ22、セラミック基板25、樹脂基板28を組み合わせる構成を説明しているが、一枚の基板上にサーキュレータ22と高周波回路部品24と電源制御回路部品26を実装する構成であってもよい。金属導体ベース30は、導体蓋10、導体蓋11、樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、セラミック基板25、樹脂基板28を取り付けネジにより固定するモジュールケースを構成している。また、金属導体ベース30には外側一方から多極コネクタ31が取り付けられ、外側他方から高周波信号用コネクタ32が取り付けられ、多極コネクタ31と高周波信号用コネクタ32が内部のサーキュレータ22、高周波回路部品24と電気的に接続される。導体蓋10について詳細に説明する。図2は高周波モジュール1の導体蓋10の内面の構造を示している。導体蓋10の内面には、図2に示すように、所定の間隔で複数並行に配置された立壁10aと、導体蓋10を金属導体ベース30に取り付けるためのネジ取り付け穴10bが設けられている。複数の立壁10aの間隔は、高周波回路部品24を構成する複数の高周波回路毎の回路幅に対応し、その回路毎に間仕切りする幅であり、かつ、可能な限り小さい幅である。立壁10aは、高周波回路部品24の各回路間に配置され、樹脂基板28表面の接地導体29と電気的に接続し、素子毎に独立した密閉空間を形成する。また、立壁10aは、サーキュレータ22間の隙間及びセラミック基板25間の隙間に挿入され、金属導体ベース30と接触して電気的に接続する。なお、導体蓋10と導体蓋11は、樹脂の表面に金属メッキを施して形成されているものであってもよい。次に、高周波モジュール1において電磁遮蔽を行うシールド構造について説明する。図3は、図1bの高周波モジュール1におけるA-A ́線断面を示している。なお、図3においては、樹脂基板28上に実装された高周波回路部品24の図示を省略している。高周波モジュール1において、図3に示すように、樹脂基板28にはスルーホール28aを介して電気的に接続する接地導体29が両面にプリントされている。導体蓋10の立壁10aは、樹脂基板28上の高周波回路部品24の各素子間に配置され、樹脂基板28の表面の接地導体29と接触して電気的に導通状態になるよう接続している。また、導体蓋10は、その外縁で金属導体ベース30と接触して電気的に導通状態になるよう接続している。図4は、図3の高周波モジュール1をB-B ́線で切り取ったときの上面から見た構成を示している。高周波モジュール1は、図4に示すように、樹脂基板21、サーキュレータ22、セラミック基板25、樹脂基板28が組み付けられて構成されている。ここで、高周波回路部品24は、セラミック基板25側の部品24aと樹脂基板28側の部品24bとして実装されている。そのため、樹脂基板28上における高周波回路間の電磁遮蔽を行う必要がある。そこで、高周波モジュール1は導体蓋10の立壁10aと樹脂基板28上の接地導体29により高周波回路部品24の素子毎に独立した図3に示す密閉空間40を形成し電磁遮蔽している。また、高周波モジュール1は、空間アイソレーションを改善するために、導体蓋10の立壁10aにより形成される密閉空間40のカットオフ周波数を高くしている。ここで、空間アイソレーションについて説明する。一般的にモジュールケース内の空間アイソレーション量は次式1で簡易表現されている。ただし、αは単位長さあたりの空間アイソレーション量[dB/mm]であり、λcはカットオフ周波数の波長[mm]であり、λは通過周波数の波長[mm]である。式1において、モジュールケース内のカットオフ周波数の波長λcは、高周波信号の進行方向に対して図4に示す垂直方向の幅aで決まるので、既知の技術からカットオフ周波数の波長はλc=2aで表される。ここでカットオフ周波数はfc=c/λcで求められる。ただし、cは光速を示している。よって、単位長さあたりの空間アイソレーション量をできるだけ大きくするためには、モジュールケース内の幅aを小さくすることは重要であり、カットオフ周波数の波長λcを大きくする上での大きな要素となる。したがって、図4に示す高周波モジュール1における密閉空間40の幅aを小さくすることで空間アイソレーション量を大きくするよう改善することができる。以上のように、実施の形態1の高周波モジュール1は、樹脂基板28の表面に実装された高周波回路部品24を構成する素子毎に独立した密閉空間40を形成する立壁10aを備えた導体蓋10を備え、その導体蓋10と金属導体ベース30を組み合わせ、素子毎に構成される高周波回路をそれぞれ覆って格納することにより、モジュールカバーとしての導体蓋10aで高周波回路部品24の素子毎に電磁遮蔽を行い、隣接する素子間の干渉を抑制するとともに密閉空間40内のカットオフ周波数を高くすることができる。その結果、高周波モジュールを小型化かつ低コスト化しつつ素子毎の高いシールド性を確保することができるという効果が得られる。なお、本実施の形態1では、送受信系の高周波モジュール1について説明したが、多系統の送受信モジュールについて適用してもよく、また、受信系のみ及び送信系のみの高周波モジュールに適用してもよい。なお、図5に示すように、樹脂基板28内層のトリプレート線路28bを通して高周波回路部品24から直接、高周波信号用コネクタ27に給電するよう構成することで、樹脂基板28上に高周波線路をパターン形成するよりも、高周波信号の放射結合が抑制されるという効果と、高周波信号の損失を低減することができるという効果が得られる。実施の形態2.実施の形態1においては、立壁10aを備えた導体蓋10と導体蓋11を別の構成として説明したが、導体蓋10,11が分離していることによりモジュールのそり、ひずみなどに対する強度は金属導体ベース30で維持していた。実施の形態2は、高周波モジュールの強度を向上させる構成について説明する。図6は実施の形態2に係る高周波モジュール2を分解した構成を示している。図6において、実施の形態1の高周波モジュール1と同様の構成については図1と同一の符号を付し、その説明を省略する。高周波モジュール2は、図6に示すように、導体蓋110立壁付き導体蓋、樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、セラミック基板25、電源制御回路部品26、高周波信号用コネクタ27、樹脂基板28誘電体基板、接地導体29、金属導体ベース30、多極コネクタ31、高周波信号用コネクタ32で構成されている。ここで、導体蓋110以外の構成は、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。なお、図6においては、接地導体29の配置を分かりやすくするため、樹脂基板28上の高周波回路部品24と電源制御回路部品26の詳細な構成を省略している。導体蓋110について説明する。図7は高周波モジュール2の導体蓋110の内面の構造を示している。導体蓋110は、実施の形態1の導体蓋10と導体蓋11を一体化した構造であり、導体蓋110の内面略半分には、図7に示すように、樹脂基板28上の高周波回路部品24に対応する位置に所定の間隔で複数並行に配置された立壁110aと、導体蓋110を金属導体ベース30に取り付けるためのネジ取り付け穴110bが設けられている。複数の立壁110aの間隔は、高周波回路部品24の回路幅に対応し、その回路毎に間仕切りする幅であり、かつ、可能な限り小さい幅である。高周波モジュール1は、立壁110aを具備する導体蓋110と金属導体ベース30が組み合わさることでモジュールケースとして機能し、その内部に樹脂基板21、サーキュレータ22、高周波回路部品24、セラミック基板25、電源制御回路部品26、高周波信号用コネクタ27、樹脂基板28、接地導体29を覆って格納するよう構成されている。高周波モジュール2において電磁遮蔽を行うシールド構造は、実施の形態1と同様であるため説明を省略する。以上のように、実施の形態2の高周波モジュール2は、実施の形態1の効果に加え、高周波回路部品24を構成する複数の素子毎に密閉空間を形成する立壁110aを備え、高周波回路部品24と電源制御回路部品26を覆って格納する導体蓋110を有する構成にしたことにより、高周波モジュール2の剛性を導体蓋110と金属導体ベース30とで維持することができる。その結果、高周波モジュール2のそり、ひずみなどに対する強度が向上するという効果が得られる。なお、実施の形態1の導体蓋10と導体蓋11、実施の形態2の導体蓋110は、樹脂の表面に金属メッキを施して形成されているものであってもよい。実施の形態3.実施の形態3では、実施の形態1,2に比べてよりシールド性を高める構成について説明する。図8は、実施の形態3の高周波モジュールの一部断面を示している。図8aは導体蓋10の立壁10aで形成された空間部分における断面であり、図8bは導体10の立壁10a部分における断面である。図8cは、図8a、図8bのC-C ́線における断面を示している。図8a、図8b、図8cに示すように、導体蓋10の天板部と金属導体ベース30の側壁の頂部外縁とは接触して接続しており、導体蓋10の天板部と金属導体ベース30の側壁の頂部との間に導電性パッキン50が設けられている。導電性パッキン50は、例えば太陽金網株式会社製のコフォームが用いられ、金属導体ベース30の側壁の頂部に設けられた溝に配置されている。導電性パッキン50は、金属導体ベース30と導体蓋10が組み付け接続される際に、導体蓋10の天板部と金属導体ベース30の側壁の頂部に挟持されることで導体蓋10と金属導体ベース30との導通を確実にして、高周波モジュール1のシールド性を向上させるようにしている。また、図9に示すように、導体蓋10の外壁部と金属導体ベース30の外縁との接触部分に導電性パッキン50を設けるよう構成しても、高周波モジュール1のシールド性を向上させることができる。以上のように、実施の形態3の高周波モジュール1は、樹脂基板21,28誘電体基板を格納する金属導体ベース30と導体蓋10との接触部分に導電性パッキン50を挟持させるので、導体蓋10と金属導体ベース30との導通を確実にして、高周波モジュール1のシールド性を向上させることができるという効果が得られる。なお、図10に示すように、導体蓋10の外壁部と金属導体ベース30の外縁が、樹脂基板28を挟み込むような構成にしても良い。その場合、樹脂基板28は、幅が金属導体ベース30及び導体蓋10の幅と同一であり、樹脂基板28の両端部分にも接地導体29を設けるよう構成される。導体蓋10の外壁部と金属導体ベース30の外縁は、樹脂基板28の接地導体29を介して電気的に接続される。このように構成しても、高周波モジュール1のシールド性を向上させることができる。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"