基材の主面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上にマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングすることで、前記主面上に側面を有し前記マスクパターンの幅よりも細い幅の絶縁パターンを形成する工程と、前記絶縁パターンの前記側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜に触媒を付与し、前記触媒を介して導電性材料を析出させて導電層を形成する工程と、を備えた配線パターンの形成方法。基材の主面上に側面を有する絶縁パターンを形成する工程と、前記絶縁パターンの前記側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜の側面に導電性材料を析出させて導電層を形成する工程と、を備えた配線パターンの形成方法。前記絶縁パターンを形成する工程は、前記基材の前記主面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上にマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングすることを含む請求項2記載の配線パターンの形成方法。前記絶縁パターンを形成する工程は、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングしたのち、前記マスクパターンを残したまま前記絶縁パターンの幅を前記マスクパターンの幅よりも細くすることを含む請求項3記載の配線パターンの形成方法。前記導電層を形成する工程は、前記自己組織化膜に触媒を付与し、前記触媒を介して前記導電性材料を析出させることを含む請求項2~4のいずれか1つに記載の配線パターンの形成方法。前記絶縁パターンは、酸化シリコンを含み、前記自己組織化膜は、前記酸化シリコンにのみ吸着するシランカップリング剤を含む請求項2~5のいずれか1つに記載の配線パターンの形成方法。前記主面上において前記導電層の周囲を絶縁性の層間膜で覆う工程と、前記層間膜の表面に前記導電層を露出させる工程と、をさらに備えた請求項2~6のいずれか1つに記載の配線パターンの形成方法。半導体素子が設けられた基材と、前記基材の主面に設けられ、前記主面上に側面を有する絶縁パターンと、前記絶縁パターンの前記側面に設けられ、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜と、前記自己組織化膜の側面に設けられた導電層と、を備えた半導体装置。本発明の実施形態は、安定した配線パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。実施形態に係る配線パターンの形成方法は、基材の主面上に側面を有する絶縁パターンを形成する工程と、前記絶縁パターンの前記側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜の側面に導電性材料を析出させて導電層を形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示するフローチャートである。すなわち、図1に表したように、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、絶縁パターンの形成ステップS101、自己組織化膜の形成ステップS102、導電層の形成ステップS103を備える。ステップS101に表した絶縁パターンの形成では、基材の主面上に側面を有する絶縁パターンを形成する。絶縁パターンを形成するには、基材の主面上に絶縁層を形成し、この絶縁層の上にマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して絶縁層をエッチングする。絶縁層には、例えば酸化シリコンが用いられる。マスクパターンには、例えばフォトレジストが用いられる。ステップS102に表した自己組織化膜の形成では、絶縁パターンの側面に、絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜を形成する。自己組織化膜には、例えばシラノール基と、シラノール基の対向基にアミノ基を有するSAMSelfAssembledMonolayerが用いられる。絶縁パターンが酸化シリコンを含む場合、自己組織化膜は、酸化シリコンにのみ吸着するシランカップリング剤を含む。ステップS103に表した導電層の形成では、自己組織化膜の側面に導電性材料を析出させて導電層を形成する。自己組織化膜の側面とは、自己組織化膜の表面のうち、絶縁パターンとは反対側の面のことをいう。導電層を形成するには、先ず、自己組織化膜に触媒を付与する。触媒は、この自己組織化膜を介して良好に密着する。その後、この触媒を介して導電性材料を析出される無電解めっきを行う。これにより、絶縁パターンの側面に導電性材料が所定の厚さで析出して配線パターンになる。図2a~図4bは、第1の実施形態に係る配線パターンの形成方法の具体例を示す模式的断面図である。先ず、図2aに表したように、基板11の上に下地層12を形成する。基板11には、例えばシリコンが用いられる。なお、基板11は、シリコン以外の半導体基板やガラス等の絶縁性基板でもよい。また、基板11は、絶縁性基板に半導体層が形成されたものであってもよい。基板11には回路や素子が形成されているものも含まれる。下地層12には、下地層12の露出面に自己組織化膜が形成されない材料を用いる。下地層12としては、例えば窒化シリコンが用いられる。なお、基板11の表面に自己組織化膜が形成されない処理を施す場合には、下地層12は不要である。例えば、シリコンによる基板11の表面にバッファードフッ酸BHFで前処理を施し、表面を水素終端しておくことで、自己組織化膜が形成されなくなる。このような前処理を施す場合には、下地層12を設ける必要はない。本実施形態において、基材10は、基板11を含む。また、下地層12が設けられている場合、基材10は、基板11及び下地層12を含む。本実施形態の説明では、基材10として基板11及び下地層12を含む場合を例とする。次に、基材10の主面10a下地層12の上面に絶縁膜20を形成する。絶縁膜20には、例えばTEOSTetraEthylOrthoSilicateを用いたCVDChemicalVaporDepositionにより形成される酸化シリコンが用いられる。絶縁膜20の厚さは、形成する配線パターンの高さに対応している。次に、絶縁膜20の上にマスクパターンMPを形成する。マスクパターンMPは、例えばフォトレジストをフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングしたものである。次に、図2bに表したように、マスクパターンMPを介して絶縁膜20をエッチングし、絶縁パターン21を形成する。絶縁膜20のマスクパターンMPが形成されていない部分は、例えばRIEReactiveIonEtchingによって除去される。このエッチングにより、マスクパターンMPの形成された部分に残った絶縁膜20が絶縁パターン21になる。また、マスクパターンMPの形成されていない部分の絶縁膜20は下地層12が露出するまで除去される。一例として、絶縁パターン21の幅は約20ナノメートルnm、隣り合う2つの絶縁パターン21の隙間は約20nmである。次に、図2cに表したように、必要に応じて絶縁パターン21のスリミングを行う。スリミングを行う場合には、マスクパターンMPを残したまま絶縁パターン21の幅をマスクパターンMPの幅よりも細くする。絶縁パターン21が酸化シリコンを含む場合、スリミングはバッファードフッ酸BHFによるエッチングによって行われる。バッファードフッ酸を用いることで、フォトレジストであるマスクパターンMPを残したまま、酸化シリコンを含む絶縁パターン21のみをエッチングし、絶縁パターン21の幅を調整することができる。一例として、スリミング後の絶縁パターン21の幅は約5nm、隣り合う2つの絶縁パターン21の隙間は約35nmである。次に、図3aに表したように、絶縁パターン21の側面21aに自己組織化膜30を形成する。自己組織化膜30は、絶縁パターン21の材料と結合する官能基を有する。自己組織化膜30を形成するには、マスクパターンMPが残った絶縁パターン21を、自己組織化膜30の材料が含まれる溶媒に浸漬させる。本実施形態において、自己組織化膜30は、絶縁パターン21の側面21aにのみ形成される。すなわち、絶縁パターン21の上上面は、マスクパターンMPによって被覆されている。また、下地層12には自己組織化膜30が形成されない。したがって、自己組織化膜30は、絶縁パターン21の側面21aのみに吸着または結合する。自己組織化膜30には、例えば、シラノール基と、シラノール基の対向基にアミノ基を有するSAMが用いられる。シラノール基は、酸化シリコンと高い親和性を有する。絶縁パターン21が酸化シリコンを含む場合、自己組織化膜30は酸化シリコンにのみ吸着するシランカップリング剤を含むものが好ましい。次に、自己組織化膜30に触媒35を付与する。なお、図面の関係上、触媒35は自己組織化膜30と共通に図示されている。触媒35には、配線パターンの金属材料に対して還元力の高い材料例えば、パラジウムが用いられる。触媒35を付与するには、自己組織化膜30が形成された絶縁パターン21を、触媒金属を含む溶媒に浸漬するようにする。これにより、触媒35は、自己組織化膜30であるSAMの官能基例えば、アミノ基と結合する。一例として、自己組織化膜30及び触媒35を含む絶縁パターン21の幅は約10nm、隣り合う2つの絶縁パターン21の隙間は約30nmである。次に、図3bに表したように、自己組織化膜30に付与した触媒35を介して導電性材料を析出させて導電層40を形成する。導電性材料には、例えばニッケルNiが用いられる。導電性材料を析出させるには、触媒35が付与された絶縁パターン21を、導電性材料を含む金属溶媒に浸漬するようにする。導電性材料は、絶縁パターン21の側面21aに直交する方向に析出していく。導電性材料が析出した厚さ側面21aに直交する方向の厚さは、配線パターンの幅に対応する。絶縁パターン21は対向する2つの側面21aを有するため、導電性材料は絶縁パターン21を中心に違いに反対方向に析出する。このため、絶縁パターン21を中心とした両側にそれぞれ導電層40が形成される。導電性材料の析出の厚さ、すなわち配線パターンの幅は、導電性材料の析出時間浸漬時間に応じて設定される。一例として、導電層40の厚さ配線パターンの幅は約30nm、隣り合う2つの導電層40の隙間隣り合う2つの配線パターンの隙間は約10nmである。次に、図3cに表したように、絶縁パターン21の上のマスクパターンMPを除去する。次に、図4aに表したように、導電層40の隙間に絶縁部材50を埋め込む。絶縁部材50には、例えばPSZPolysilazaneが用いられる。一例として、絶縁部材50は、約1000nmの厚さで形成される。その後、図4bに表したように、絶縁部材50の表面を例えばCMPChemicalMechanicalPolishingによって平坦化する。絶縁部材50の表面は、導電層40が露出するまで平坦化される。これにより、本実施形態に係る配線パターン1が完成する。ここで、ドライエッチングによって配線パターンを形成すると、エッチング残渣除去のための洗浄が必要になる。また、洗浄によってエッチング残渣を除去しきれなかったり、洗浄処理によって配線の寸法が変動してしまったりする懸念がある。さらに、洗浄後にアフターコロージョンを引き起こすことが懸念される。加えて、金属中に打ち込まれて洗浄で取り切れなかったハロゲン系の不純物による抵抗変動が懸念される。第1の実施形態では、配線パターン1の形成としてこのようなドライエッチングを用いないため、上記のような懸念は生じない。また、第1の実施形態では、絶縁パターン21の側面21aに導電層40が形成されるため、絶縁パターン21によって導電層40が確実に支持される。したがって、細く、深い配線パターン1であっても、精度良く、安定して形成することができる。なお、本実施形態に係る配線パターン1の形成方法では、絶縁パターン21を中心に2つの導電層40が対向する構成になる。したがって、絶縁パターン21として誘電率の低い材料例えば、SiOC、Si、O、C、Fを用いることにより、対向する2つの導電層40の層間容量の低減が達成される。一方、絶縁パターン21として誘電率の高い材料例えば、HfSiO、Hf、Laなどの希土類金属、Hf、Al、Ta、Ti、La、Siなどの酸化物を用いることにより、静電容量の大きなコンデンサが構成される。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係る配線パターンの形成方法について説明する。図5a~図6cは、第2の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示する模式的断面図である。先ず、図5aに表したように、絶縁パターン21を形成する。絶縁パターン21の形成は、先に説明した第1の実施形態と同様である図2a~c参照。次に、絶縁パターン21の近傍の基材10に開口hを形成する。開口hの内壁には、基材10に形成された金属製の配線13が露出する。金属製の配線13は、例えば基板11に設けられた半導体素子100と導通している。開口hは、絶縁パターン21を形成した後に設けられても、絶縁パターン21を形成する前に設けられてもよい。次に、図5bに表したように、絶縁パターン21の側面21aに第1の自己組織化膜30Aを形成し、開口hの内壁に第2の自己組織化膜30Bを形成する。第1の自己組織化膜30Aは、第1の実施形態で用いた自己組織化膜30と同じである。第2の自己組織化膜30Bは、開口hの内壁に露出する金属製の配線13と吸着または結合する。第2の自己組織化膜30Bには、例えばチオール基と、チオール基の対向基にアミノ基を有するSAMが用いられる。チオール基は、金属金、銀、銅などのみと結合するため、第2の自己組織化膜30Bは、絶縁パターン21の側面21aや下地層12の表面、マスクパターンMPの表面には付着しない。なお、第2の自己組織化膜30Bとしては、金属のみと結合するジスルフィド基を有するSAMであってもよい。次に、第1の自己組織化膜30A及び第2の自己組織化膜30Bに触媒35を付与する。なお、図面の関係上、触媒35は自己組織化膜30A及び30Bと共通に図示されている。触媒35には、配線パターンの金属材料に対して還元力の高い材料例えば、パラジウムが用いられる。次に、図5cに表したように、第1の自己組織化膜30A及び第2の自己組織化膜30Bに付与した触媒35を介して導電性材料を析出させて、絶縁パターン21の側面21aに導電層40を形成し、開口hにビア60を形成する。導電性材料には、例えばニッケルNiが用いられる。絶縁パターン21の側面21aに析出した導電性材料導電層40は、開口hの内壁に析出した導電性材料ビア60と接合される。これにより、導電層40はビア60と電気的に導通する。次に、図6aに表したように、絶縁パターン21の上のマスクパターンMPを除去する。次に、図6bに表したように、導電層40の隙間に絶縁部材50を埋め込む。絶縁部材50には、例えばPSZが用いられる。その後、図6cに表したように、絶縁部材50の表面を例えばCMPによって平坦化する。絶縁部材50の表面は、導電層40が露出するまで平坦化される。これにより、本実施形態に係る配線パターン1が完成する。第2の実施形態では、第1の実施形態と同様な作用効果に加え、無電解めっきによって導電層40と、この導電層40と電気的に導通したビア60と、を一括して形成することができることになる。第3の実施形態次に、第3の実施形態に係る半導体装置について説明する。図7は、第3の実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。図7に表したように、半導体装置110は、半導体素子100が設けられた基材10と、基材10の主面10aに設けられ、主面10a上に側面21aを有する絶縁パターン21と、絶縁パターン21の側面21aに設けられた自己組織化膜30と、自己組織化膜30の側面に設けられた導電層40と、を備える。導電層40には、導電層40の金属材料に対して還元力の高い材料例えば、パラジウムが含まれてもよい。半導体装置110の上記構成のうち、絶縁パターン21、自己組織化膜30及び導電層40は配線パターン1を構成する。配線パターン1を形成するには、上記説明した第1の実施形態及び第2の実施形態のうちいずれかを適用すればよい。第2の実施形態を適用した場合には、導電層40はビア60と電気的に導通する。導電層40は、このビア60を介して半導体素子100と導通する。配線パターン1には、図示しない保護部材50が設けられ、必要に応じて表面の平坦化が成されている。なお、半導体装置110において、複数の配線パターン1が積層されていてもよい。この場合には、先に説明した第1の実施形態及び第2の実施形態の少なくともいずれかを繰り返して、配線パターン1の上に他の配線パターン1を積層すればよい。積層される複数の配線パターン1の間には、他の層半導体層、絶縁層を介在させてもよい。このような半導体装置110によれば、精度良く、安定して形成された配線パターン1によって、動作信頼性の向上及び製造歩留まりの向上を図ることができるようになる。以上説明したように、本実施形態によれば、安定した配線パターンの形成方法及び半導体装置を提供することができる。なお、上記に各実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、基板11としては、シリコン以外の半導体基板やガラス等の絶縁性基板のほか、絶縁性基材に半導体層が形成されたものであってもよい。また、自己組織化膜30、30A及び30Bは、上記以外の材料であってもよい。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。