少なくとも一つの半導体チップを含む半導体モジュールと、前記半導体モジュールを冷却する冷却器と、前記半導体モジュールと前記冷却器との間を電気的に絶縁する絶縁材と、を備え、前記絶縁材にはグリースが塗布されており、前記絶縁材のグリース塗布部の周囲に、弾性体で形成されて、前記グリースを取り囲むように前記絶縁材から突出する凸部を設け、前記凸部を前記半導体モジュールおよび前記冷却器で挟圧する構造とした、ことを特徴とする半導体装置。前記絶縁材は、平板シート状の本体と、該本体の表面上に重ねられた、該本体よりも剛性が低い材質で形成された枠状のシール部材で形成され、前記凸部は、前記シール部材で形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記凸部は、平板シート状の前記絶縁材に設けられた厚肉部である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体モジュールは、金属基板上に前記少なくとも一つの半導体チップが載置された構成であって、前記厚肉部は、前記金属基板よりも外側の位置に設けられている、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記半導体モジュールは、金属基板上に前記少なくとも一つの半導体チップが載置された構成であって、前記金属基板の外周は、半導体モジュールケースと接触しており、前記厚肉部は、前記絶縁材が前記金属基板と対向する位置であって、前記金属基板と前記半導体モジュールケースとの界面部分に設けられている、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。しかしながら、パワーモジュールまたは冷却器に凹部または凸部を設ける方法では、凹部または凸部の高さにばらつきがある場合や、環境温度変化によってパワーモジュールと冷却器との間の隙間が変化した場合に、グリースの流出を防ぐことができない。本発明は、環境温度変化によって、パワーモジュールと冷却器との間の隙間が変化した場合でも、グリースの流出を防ぐことができる半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、少なくとも一つの半導体チップを含む半導体モジュールと、半導体モジュールを冷却する冷却器と、半導体モジュールと冷却器との間を電気的に絶縁する絶縁材とを備える。絶縁材にはグリースが塗布されており、絶縁材のグリース塗布部の周囲に、弾性体で形成されて、グリースを取り囲むように絶縁材から突出する凸部を設け、凸部を半導体モジュールおよび冷却器で挟圧する構造とした。本発明によれば、半導体モジュールと冷却器との間の隙間が変化した場合でも、半導体モジュールおよび冷却器で挟圧された弾性体の凸部が拡張収縮することによって、半導体モジュールおよび冷却器で挟圧された状態を保ってグリースをシールするので、グリースの流出を防ぐことができる。図1は、第1~第4の実施形態における半導体装置の概略断面図である。各実施形態における半導体装置は、パワーモジュール半導体モジュール101と、パワーモジュール101を冷却する冷却器108と、パワーモジュール101と冷却器108との間を電気的に絶縁する絶縁シート106とを少なくとも備える。パワーモジュール101は、例えば、電力変換器インバータ内に設けられる非絶縁型パワーモジュールであり、金属基板104上に、IGBT等の半導体チップ102を、半田103を介して実装することにより構成されている。図1に示す例では、2つの半導体チップ102が実装されているが、実装される半導体チップは1つ、または3つ以上でもよい。金属基板104は、平板シート状の絶縁シート106を介して、冷却器108に載置されている。金属基板104、絶縁シート106、および、冷却器108は、パワーモジュールケース109とともに、ボルト111で締結されている。絶縁シート106の上下面、特に、半導体チップ102が設けられている領域の鉛直下方部分を含む領域には、接触熱抵抗低減のために、グリース105、107が塗布されている。半導体チップ102が発熱すると、半田103を介して金属基板104に熱が伝わり、金属基板104からグリース105、絶縁シート106、グリース107を介して、冷却器108へと放熱される。<第1の実施形態>図2は、第1の実施形態における半導体装置の部分断面図であり、図1の点線で囲まれた部分10を拡大した図である。図2に示すように、絶縁シート106とパワーモジュールケース109との間に、絶縁性のシール部材201が設けられている。シール部材201は、弾性体であり、塗布されたグリース105を取り囲むような枠状の形状であって、絶縁シート106およびパワーモジュールケース109で挟圧されている。このシール部材201は、絶縁シート106からパワーモジュール101に向かって突出する凸部と表現することもできる。また、絶縁シート106と冷却器108との間に、絶縁性のシール部材202が設けられている。シール部材202は、弾性体であり、塗布されたグリース107を取り囲むような枠状の形状であって、絶縁シート106および冷却器108で挟圧されている。このシール部材202は、絶縁シート106から冷却器108に向かって突出する凸部と表現することもできる。本実施形態では、絶縁シート106と、シール部材201、202をまとめて絶縁材と呼ぶ。シール部材201、202としては、例えば、ガスケットやOリングを用いることができる。また、絶縁シート106の製造時に、二色成形により、シール部材201、202を形成することもできる。例えば、絶縁シート106には、シリコーンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴムのようなゴム材料、PAポリアミドやPAIポリアミドイミドのような樹脂材料、アルミナ酸化アルミニウムや窒化アルミニウム、窒化ケイ素のようなセラミックス材料を用いることができる。また、シール部材201、202には、EPDMエチレンプロピレンゴム、NBRニトリルゴム、ACMアクリルゴム、SBRスチレンブタジエンゴム、CRクロロブレンゴム、ECOエピクロルヒドリンゴム、FKMフッ素ゴム、VMQシリコーンゴム等のゴム材料を用いることができる。シール部材201、202は、ボルト111を用いてパワーモジュール101を冷却器108に締結する際の面圧によって圧縮されて、パワーモジュール101と冷却器108の間で挟圧される。これにより、グリース105の周囲はシール部材201によってシールされ、グリース107の周囲は、シール部材202によってシールされる。ここで、シール部材201、202の硬さは、絶縁シート106の硬さよりも柔らかい。これにより、パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の面圧により、シール部材201、202だけが圧縮されることになる。すなわち、絶縁シート106を変形させることなく、グリース105、107のポンプアウトを防止することができる。なお、図2では、シール部材201は、絶縁シート106とパワーモジュールケース109との間で挟圧されているが、絶縁シートと金属基板104との間で挟圧される構造としてもよい。また、絶縁シート106の上下面に対するシール部材201、202の位置は、グリース105、107の塗布位置や広がり面積が異なる場合には、絶縁シート106の上下面で異なっていてもよい。しかし、パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の締結力に対して、シール部材201、202を効率良く圧縮させるためには、絶縁シート106を介して対向する位置に設けることが好ましい。以上、第1の実施形態における半導体装置によれば、絶縁材のグリース塗布部の周囲に、弾性体で形成されて、グリース105、107を取り囲むように絶縁材から突出するシール部材凸部201、202を設け、シール部材201、202をパワーモジュール101および冷却器108で挟圧する構造とした。このような構造により、環境温度変化等に起因して、パワーモジュール101と冷却器108との間の隙間が変化した場合でも、パワーモジュール101および冷却器108の間で挟圧された弾性体のシール部材201、202が拡張収縮することによって、パワーモジュール101および冷却器108で挟圧された状態が保たれる。すなわち、グリース105、107の周囲がシール部材201、202によってシールされた状態を保つことができるので、グリース105、107の流出を防ぐことができる。特に、第1の実施形態における半導体装置では、絶縁材は、平板シート状の本体である絶縁シート106と、絶縁シート106の表面上に重ねられた、絶縁シート106よりも剛性が低い材質で形成された枠状のシール部材201、202で形成され、凸部は、シール部材201、202で形成されている。これにより、パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の面圧により、シール部材201、202だけが圧縮されることになる。すなわち、絶縁シート106を変形させることなく、グリース105、107のポンプアウトを防止することができる。<第2の実施形態>図3は、第2の実施形態における半導体装置の部分断面図であり、図1の点線で囲まれた部分10を拡大した図である。第1の実施形態における半導体装置では、グリースをシールするための凸部として、シール部材201、202を設けたが、第2の実施形態における半導体装置では、絶縁シート106に凸部形状を設ける。第2の実施形態における絶縁シート絶縁材106は、弾性体であり、例えば、シリコーンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴムのようなゴム材料で形成される。第2の実施形態では、グリース105を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部凸部301を設けるとともに、グリース107を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部凸部302を設けている。厚膜部301、302は、平板シート状の絶縁シート106の厚さが他の部分よりも厚い肉厚部であり、塗布されたグリースを取り囲むような枠状の形状である。厚膜部301、302は、パワーモジュールケース109と冷却器108との間で挟圧される位置に設けられている。絶縁シート106の厚膜部301、302は、ボルト111を用いてパワーモジュール101を冷却器108に締結する際の面圧によって圧縮されて、パワーモジュール101と冷却器108の間で挟圧される。これにより、グリース105の周囲は絶縁シート106の厚膜部301によってシールされ、グリース107の周囲は、絶縁シート106の厚膜部302によってシールされる。絶縁シート106に設けた厚膜部301、302によって、グリース105、107の周囲をシールするので、第1の実施形態のように、シール部材を別途設ける必要がない。絶縁シート106に厚膜部301、302を形成する方法としては、例えば、絶縁シート106を製造する際に用いるプレス金型に凸形状を設ける方法がある。また、パワーモジュール101の長手方向または短手方向のみに膜厚部301、302を設ける場合には、押出し成形時のダイス形状に、膜厚部301、302となる凸形状を設ける方法がある。絶縁シート106の上下面に対する膜厚部301、302の位置は、グリース105、107の塗布位置や広がり面積が異なる場合には、絶縁シート106の上下面で異なっていてもよい。しかし、パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の締結力に対して、膜厚部301、302を効率良く圧縮させるためには、対向する位置に設けることが好ましい。絶縁シート106の上下面に対する膜厚部301、302の位置が対向しない場合には、パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の締結力を適正化すればよい。パワーモジュール101を冷却器108に締結する際の締結力によって、絶縁シート106の厚膜部301、302を効率良く圧縮させるため、厚膜部301、302の断面形状は、図3に示すように、絶縁シート106の上下面において、半円形状であることが好ましい。この場合、絶縁シートの厚膜部301、302の断面形状は、Oリングの断面形状とほぼ同じ、または、それに近い形状となる。図3に示すように、絶縁シート106の厚膜部301、302は、金属基板104よりも外側の位置、すなわち、パワーモジュールケース109と冷却器108との間で挟圧される位置に設けられている。これにより、グリース105、107のポンプアウトを防止するとともに、厚膜部301、302の両外側にそれぞれ位置している金属基板104とボルト111との間を確実に絶縁することができる。また、厚膜部301、302によって、金属基板104とボルト111との間を絶縁することができるので、金属基板104とボルト111との間の沿面絶縁距離を短くすることができ、パワーモジュール101を小型化することができる。以上、第2の実施形態における半導体装置によれば、グリース105、107を取り囲むように絶縁材から突出する凸部は、平板シート状の絶縁シート106に設けられた厚膜部301、302である。このような構成においても、第1の実施形態における半導体装置と同様、パワーモジュール101と冷却器108との間の隙間が変化した場合でも、パワーモジュール101および冷却器108の間で挟圧された弾性体の厚膜部301、302が拡張収縮することによって、パワーモジュール101および冷却器108で挟圧された状態が保たれる。すなわち、グリース105、107の周囲が厚膜部301、302によってシールされた状態を保つことができるので、グリース105、107の流出を防ぐことができる。また、シール部材を別途設ける必要がないので、コストを低減することができる。<第3の実施形態>図4は、第3の実施形態における半導体装置の部分断面図であり、図1の点線で囲まれた部分10を拡大した図である。第3の実施形態でも、グリース105を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部301を設けるとともに、グリース107を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部302を設けている。これにより、第2の実施形態における半導体装置と同様に、グリース105、107のポンプアウトを防止することができる。第3の実施形態における半導体装置が第2の実施形態における半導体装置と異なるのは、厚膜部301、302が設けられている位置である。すなわち、第3の実施形態では、厚膜部301、302は、金属基板104と冷却器108との間で挟圧される位置に設けられている。より具体的には、金属基板104と当接する厚膜部301は、金属基板104のうち、金属基板104の外周と接触しているパワーモジュールケース109との界面部分に設けられている。また、厚膜部302は、絶縁シート106の上下面において、厚膜部301と対向する位置に設けられている。ボルト111でパワーモジュール101を冷却器108に取り付ける際、平板の金属基板104のうち、ボルト111に近い側ほど、高い圧力がかかる。しかし、本実施形態では、金属基板104のうち、パワーモジュールケース109との界面部分に、厚膜部301を設けるので、高圧力のかかる金属基板104の端部において、絶縁シート106に傷が付くのを防ぐことができる。<第4の実施形態>図5は、第4の実施形態における半導体装置の部分断面図であり、図1の点線で囲まれた部分10を拡大した図である。第4の実施形態でも、グリース105を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部301を設けるとともに、グリース107を取り囲むように、絶縁シート106に厚膜部302を設けている。これにより、第2、第3の実施形態における半導体装置と同様に、グリース105、107のポンプアウトを防止することができる。第4の実施形態における半導体装置が第2、第3の実施形態における半導体装置と異なるのは、厚膜部301、302が設けられている位置である。すなわち、第4の実施形態では、厚膜部301は、金属基板104のうち、パワーモジュールケース109との界面部分より内側に設けている。また、厚膜部302は、絶縁シート106の上下面において、厚膜部301と対向する位置に設けられている。これにより、グリース105、107の広がりを、より効果的に抑えることができる。また、グリース105、107の広がる範囲を効果的に抑えることができるので、グリース105、107の塗布量を少なくすることができる。なお、厚膜部301、302は、絶縁シート106の任意の位置に設けることができる。すなわち、厚膜部301、302を設ける位置を所望の位置とすることによって、グリース105、107の広がり範囲を制御することができる。本発明は、上述した第1~第4の実施形態に限定されることはない。例えば、絶縁材から突出する凸部シール部材201、202、厚膜部301、302は、絶縁シート106の両面に設けたが、グリースの塗布位置に応じて、片面だけに設けることもできる。例えば、絶縁シート106と金属基板104との間にだけグリース105が塗布されている場合には、絶縁シート106からパワーモジュール101に向かって突出する凸部を設ければよい。同様に、絶縁シート106と冷却器108との間にだけグリース107が塗布されている場合には、絶縁シート106から冷却器108に向かって突出する凸部を設ければよい。