"第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップと所定の間隔を置いて、当該第1の半導体チップの一面上に設けられた第2の半導体チップと、前記第1および第2の半導体チップ間に介在するシールリングと、を備え、前記第1および第2の半導体チップ間には、前記シールリングの内側の領域である内部領域と、前記シールリングの外側の領域である外部領域とが設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記内部領域に設けられ、前記第1および第2の半導体チップを電気的に接続する第1の導電部材と、前記外部領域に設けられ、前記第1および第2の半導体チップを電気的に接続する第2の導電部材と、を備える半導体装置。請求項2に記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップの前記一面上に設けられた配線を備え、当該配線に前記第2の導電部材が接続されている半導体装置。請求項3に記載の半導体装置において、前記配線の一部は、絶縁膜を介して前記第1の半導体チップの前記一面上に設けられている半導体装置。請求項4に記載の半導体装置において、前記絶縁膜は、有機絶縁膜である半導体装置。請求項2乃至5いずれかに記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップよりも面積が大きく、当該第1の半導体チップの前記一面上に設けられ、前記第2の半導体チップを覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記第2の導電部材と電気的に接続された外部電極端子と、を備える半導体装置。請求項3乃至5いずれかに記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップよりも面積が大きく、当該第1の半導体チップの前記一面上に設けられ、前記第2の半導体チップを覆う絶縁層と、前記絶縁層中に設けられ、前記配線に接続された導体プラグと、前記絶縁層上に設けられ、前記導体プラグと電気的に接続された外部電極端子と、を備える半導体装置。請求項2乃至5いずれかに記載の半導体装置において、前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップよりも面積が大きく、前記第1の半導体チップの前記一面とは反対側に設けられ、ワイヤボンディングにより当該第1の半導体チップと接続されたパッケージ基板と、前記第1の半導体チップとは反対側の前記パッケージ基板上に設けられた外部電極端子と、を備える半導体装置。請求項1乃至8いずれかに記載の半導体装置において、前記内部領域は、不活性ガスで満たされた状態または真空状態にある半導体装置。請求項1乃至9いずれかに記載の半導体装置において、前記外部領域には絶縁性樹脂が充填されている半導体装置。特許文献1の半導体装置では、第1および第2の半導体チップ間にアンダーフィル樹脂を充填することにより、両チップ間の接続信頼性を確保している。ところが、両チップを接続するバンプ等の導電部材どうしの間隔を狭くし過ぎると、両チップ間にアンダーフィル樹脂を充分に注入することが困難となる。それにより、上記導電部材を高密度に形成することが妨げられてしまう。換言すれば、両チップ間の接続密度の向上が妨げられてしまう。これに対して、非特許文献1の半導体装置によれば、第1および第2の半導体チップ間の間隙をシールリングで気密封止することによって、当該間隙にアンダーフィル樹脂を充填することなく、両チップ間の接続信頼性を長期的に維持することが可能となる。したがって、第1および第2の半導体チップ間にシールリングを設けることは、両チップ間の接続密度を向上させる上で好ましい。しかしながら、その一方で、同文献の半導体装置においては、第2の半導体チップの信号を外部に取り出すための信号経路を、シールリングを迂回するように設けなければならない。したがって、第2の半導体チップの信号は、第1の半導体チップの内部配線を経由して外部に取り出されることとなる。そのため、信号経路の電気抵抗が増大し、半導体装置の電気特性の劣化につながってしまう。本発明による半導体装置は、第1の半導体チップと、上記第1の半導体チップと所定の間隔を置いて、当該第1の半導体チップの一面上に設けられた第2の半導体チップと、上記第1および第2の半導体チップ間に介在するシールリングと、を備え、上記第1および第2の半導体チップ間には、上記シールリングの内側の領域である内部領域と、上記シールリングの外側の領域である外部領域とが設けられていることを特徴とする。この半導体装置においては、第1および第2の半導体チップ間に、シールリングに囲まれた領域内部領域と囲まれない領域外部領域とが設けられている。これにより、内部領域だけでなく外部領域においても、両チップを電気的に接続することが可能となる。したがって、この外部領域を利用することにより、一方のチップの信号を、他方のチップの内部配線を経由することなしに取り出すことができる。このため、信号経路の電気抵抗を小さく抑えることができる。本発明によれば、電気特性に優れた半導体装置が実現される。以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。第1実施形態図1は、本発明による半導体装置の第1実施形態を示す断面図である。半導体装置1は、半導体チップ10第1の半導体チップ、半導体チップ20第2の半導体チップ、およびシールリング30を備えている。半導体チップ20は、半導体チップ10と所定の間隔を置いて、半導体チップ10の面S1上に設けられている。本実施形態において、半導体チップ10は半導体チップ20よりもチップ面積が大きい。半導体チップ10および半導体チップ20は、例えば、それぞれメモリチップおよびロジックLSIチップである。これらの半導体チップ10と半導体チップ20との間には、シールリング30が介在している。すなわち、半導体チップ20は、シールリング30を介して半導体チップ10上に載置されている。図2に示すように、半導体チップ10および半導体チップ20間には、シールリング30の内側の領域である内部領域D1と、シールリング30の外側の領域である外部領域D2とが設けられている。同図においては、半導体装置1の構成要素うち、半導体チップ10,20およびシールリング30のみを示し、その他の図示を省略している。内部領域D1は、シールリング30で包囲されることにより、気密に封止されている。この内部領域D1は、窒素またはアルゴン等の不活性ガスで満たされた状態にあってもよく、真空状態にあってもよい。一方、外部領域D2は、シールリング30によって包囲されていない。この領域D2には、後述する絶縁性樹脂層50を構成する絶縁性樹脂が充填されている。内部領域D1および外部領域D2のそれぞれには、導電部材32第1の導電部材および導電部材34第2の導電部材が形成されている。導電部材32,34は、半導体チップ10と半導体チップ20とを電気的に接続する電気的接続手段である。これらの導電部材32,34は、シールリング30と同一の導電材料によって構成されている。図3は、半導体装置1を示す平面図である。同図においては、後述する絶縁性樹脂層50、配線層60、配線62および外部電極端子64の図示を省略する一方で、半導体チップ20の影に隠れた部分半導体チップ10と半導体チップ20との間の間隙部分を図示している。この図からわかるように、導電部材32の配列ピッチは、導電部材34のそれよりも小さい。導電部材32および導電部材34の配列ピッチは、例えば、それぞれ1μmおよび10μmである。また、平面視での面積についても、導電部材32の方が導電部材34よりも小さい。図1に戻って、半導体チップ10の面S1上には、配線40が形成されている。配線40には、上述の導電部材34が接続されている。また、半導体チップ10の面S1上には、半導体チップ20を覆う絶縁性樹脂層50絶縁層が形成されている。この絶縁性樹脂層50中には、配線40に接続された導体ポスト42導体プラグが埋め込まれている。絶縁性樹脂層50上には、配線層60を介して外部電極端子64が設けられている。外部電極端子64は、導体ポスト42と電気的に接続されている。具体的には、外部電極端子64は、配線層60中に形成された配線62に直接接続されており、この配線62が導体ポスト42に直接接続されている。これにより、外部電極端子64は、上述の導電部材34と電気的に接続された構成となっている。図4および図5を参照しつつ、半導体装置1の製造方法の一例を説明する。まず、半導体チップ10,20を準備する。このとき、半導体チップ10はウエハ状態にあることが好ましい。そして、半導体チップ10上に、シールリング30a、電極32aおよび配線40を形成する。これらのシールリング30a、電極32aおよび配線40の材料としては、例えばCuを用いることができる。その後、配線40上に導体ポスト42を形成する。導体ポスト42は、例えば、配線40を給電層としためっき法により形成することができる。また、半導体チップ20上には、シールリング30b、電極32bおよび電極34bを形成する図4a。これらのシールリング30b、電極32bおよび電極34bは、例えば、Cu膜およびSn膜の積層構造とすることができる。すなわち、これらは、半導体チップ20上に形成されたCu膜と、その上に形成されたSn膜とによって構成することができる。続いて、半導体チップ10と半導体チップ20とを接合する。これにより、シールリング30aとシールリング30bとで構成されたシールリング30、電極32aと電極32bとで構成された導電部材32、および配線40の一部と電極34bとで構成された導電部材34が形成される図4b。なお、この接合は、不活性ガス雰囲気中または真空中で行うことが好ましい。次に、モールド法、印刷法またはスピンコート法等により、半導体チップ10上に絶縁性樹脂層50を形成する。これにより、上述の外部領域D2図2参照が絶縁性樹脂により封止される図5a。この絶縁性樹脂層50の形成は、真空中で行うことが好ましい。なお、絶縁性樹脂層50を形成した後、導体ポスト42を絶縁性樹脂層50の表面に露出させるために、必要に応じて、絶縁性樹脂層50を研削してもよい。続いて、配線62を含む配線層60を形成する図5b。さらに、配線62に接続された外部電極端子64を形成する。以上の工程を半導体チップ10がウエハ状態のまま実行した場合には、その後、半導体チップ10をダイシング等の手段により個片化する。以上により、図1に示す半導体装置1を得る。本実施形態の効果を説明する。半導体装置1においては、半導体チップ10と半導体チップ20と間に、シールリング30に囲まれた内部領域と囲まれない外部領域とが設けられている。これにより、内部領域だけでなく外部領域においても、両チップを電気的に接続することが可能となる。実際、半導体装置1においては、半導体チップ10,20が、外部領域に設けられた導電部材34によって互いに接続されている。したがって、この外部領域の導電部材34を利用することにより、半導体チップ20の信号を、半導体チップ10の内部配線を経由することなしに取り出すことができる。このため、信号経路の電気抵抗を小さく抑えることができる。これにより、電気特性に優れた半導体装置1が実現されている。さらに、内部領域がシールリング30で気密封止されているため、当該領域にアンダーフィル樹脂を充填することなく、半導体チップ10,20間の接続信頼性を長期的に維持することができる。また、アンダーフィル樹脂の注入が必要ないため、導電部材32を高密度に形成することが可能となる。すなわち、チップ10,20間の接続の高密度化を図ることができる。導電部材34が半導体チップ10の面S1上に設けられた配線40に接続されており、半導体チップ20の信号はこの配線40を通って外部に取り出されるように構成されている。この配線40は、半導体チップ10の内部に形成される配線に比して、幅や厚みを大きく設計することが可能である。よって、半導体チップ20から半導体装置1の外部に至る信号経路の電気抵抗を一層低減させることができる。半導体チップ10上に絶縁性樹脂層50が設けられており、その上に外部電極端子64が設けられている。このため、外部電極端子64を形成可能な領域の面積が、面積が大きい方のチップ半導体チップ10の面積と略等しくなる。したがって、多数の外部電極端子64を設けるのに適した構造が実現されている。絶縁性樹脂層50中に、導体ポスト42が設けられている。これにより、簡略な構成で、配線40と外部電極端子64との間の電気的接続をとることができる。内部領域が不活性ガスで満たされた状態または真空状態にある場合、導電部材32の腐食等を効果的に防止することができる。それにより、半導体チップ10,20間の長期的な接続信頼性が一層向上する。外部領域は、絶縁性樹脂が充填されることにより、樹脂封止されている。これにより、導電部材34の腐食等を効果的に防止することができる。特に、本実施形態においては、上記内部領域を除いて、半導体チップ10の全面に絶縁性樹脂層50が形成されている。このことは、半導体装置1の信頼性の向上に寄与している。また、半導体装置1の製造において、半導体チップ10と半導体チップ20とを接合する工程等を、半導体チップ10がウエハ状態にある段階で実行した場合、高い生産性を得ることができる。特に、外部電極端子64を形成するまでの工程をウエハ状態で実行した場合、一層高い生産性が得られる。絶縁性樹脂層50の形成を真空中で実行した場合、ボイドの発生を防ぎつつ、外部領域を封止することができる。第2実施形態図6は、本発明による半導体装置の第2実施形態を示す断面図である。半導体装置2においては、配線40の一部が、絶縁膜70を介して半導体チップ10の面S1上に設けられている。すなわち、半導体チップ10上に絶縁膜70が形成されており、その上に配線40の一部が形成されている。具体的には、配線40のうち導電部材34に接続された部分が半導体チップ10上に直接形成される一方で、導体ポスト42に接続された部分が絶縁膜70上に形成されている。この絶縁膜70は、有機絶縁膜であることが好ましい。半導体装置2のその他の構成は、半導体装置1と同様である。かかる構成の半導体装置2は、半導体装置1について説明した効果に加えて、次の効果を奏することができる。すなわち、配線40と半導体チップ10との間に絶縁膜70が介在しているため、両者間の静電容量を低減することができる。このことは、外部電極端子64への引き出し配線の電気特性の向上につながる。絶縁膜70として有機絶縁膜を用いた場合、無機絶縁膜を用いた場合に比して絶縁膜70を厚く形成することが可能である。よって、配線40と半導体チップ10との間の静電容量を一層低減することができる。また、有機絶縁膜の誘電率が比較的小さいことも、上記静電容量の低減に寄与する。本発明による半導体装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、図7に示すように、本発明による半導体装置は、半導体チップ10の面S1とは反対側に設けられ、ワイヤボンディングにより半導体チップ10と接続されたパッケージ基板80と、半導体チップ10とは反対側のパッケージ基板80上に設けられた外部電極端子82と、を備えていてもよい。同図においては、半導体チップ10がパッケージ基板80上に載置されている。半導体チップ10上の配線40には、ワイヤ84の一端が接続されている。ワイヤ84の他端は、パッケージ基板80上の電極パッド図示せずに接続されている。また、パッケージ基板80上には、半導体チップ10,20を覆うモールド樹脂86が形成されている。また、上記各実施形態においては導体ポスト42と外部電極端子64とが配線層60を介して接続された例を示したが、図8に示すように、導体ポスト42と外部電極端子64とは互いに直接接続されていてもよい。上記各実施形態においては半導体チップ20の側面および上面が共に絶縁性樹脂層50によって覆われた例を示したが、半導体チップ20の側面のみが絶縁性樹脂層50によって覆われた構成としてもよい。すなわち、半導体チップ20の上面が絶縁性樹脂層50の表面に露出していてもよい。"