"下地構造部と、前記下地構造部上に形成された、少なくともn型AlGaN系半導体層とp型AlGaN系半導体層を有する素子構造部と、前記n型AlGaN系半導体層上に形成されたn電極コンタクト部と、前記n電極コンタクト部上に形成されたn電極パッド部と、前記p型AlGaN系半導体層上に形成されたp電極と、を備えてなり、前記n型AlGaN系半導体層のAlNモル分率が20以上であり、前記n電極コンタクト部が、1層以上の金属層で構成され、前記p電極と前記n電極パッド部が、最上層にAu層を有し、前記最上層より下側に導電性の金属酸化物からなるAuの拡散を防止するAu拡散防止層を有する2層以上の共通積層構造を有することを特徴とする窒化物半導体素子。前記n電極コンタクト部が、Alを含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子。前記Au拡散防止層が、ITO層であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体素子。前記n電極コンタクト部が、Auを含まないことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の窒化物半導体素子。前記共通積層構造の最上層である前記Au層と前記Au拡散防止層の間に、前記Au層と前記Au拡散防止層を接着させるための導電性接着層が設けられ、前記導電性接着層の膜厚が前記Au層の膜厚の2分の1以下であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の窒化物半導体素子。前記素子構造部が、前記n型AlGaN系半導体層と前記p型AlGaN系半導体層の間に、AlGaN系半導体層を有する活性層を備えた発光素子構造部であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の窒化物半導体素子。請求項1~6の何れか1項に記載の窒化物半導体素子の製造方法であって、前記下地構造部を形成する工程と、前記素子構造部を形成する工程と、前記n電極コンタクト部を構成する金属層を堆積及びパターニングして、前記n型AlGaN系半導体層上に前記n電極コンタクト部を形成した後に、第1のアニール処理を施す工程と、前記共通積層構造を構成する多層膜を堆積及びパターニングして、前記n電極コンタクト部上に前記n電極パッド部を、前記p型AlGaN系半導体層上に前記p電極を同時に形成した後に、第2のアニール処理を施す工程と、有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。前記第2のアニール処理の処理温度が前記第1のアニール処理の処理温度より低温であることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体素子の製造方法。前記第1のアニール処理の処理温度が700°C以上1000°C以下であることを特徴とする請求項7または8に記載の窒化物半導体素子の製造方法。前記第2のアニール処理の処理温度が400°C以上600°C以下であることを特徴とする請求項7~9の何れか1項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。発光波長が365nmより短波長の紫外線発光素子の場合、活性層のバンドギャップエネルギがGaNのバンドギャップエネルギ以上となり、活性層を挟むn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層を構成するAlGaN系半導体層のバンドギャップエネルギは、活性層より大きく設定される。このため、活性層を挟むn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層を構成するAlGaN系半導体層のAlNモル分率として概ね20以上が必要となる。図1に、n型AlxGa1-xN層上に形成したn電極Ti/Al/Ti/Au:最下層がTi、最上層がAuとn型AlGaN層との接触抵抗ρC単位:Ωcm2と熱処理温度T単位:°Cの関係を、n型AlGaN層のAlNモル分率xが、0、25、40、60の4通りについて測定した結果を示す。図1に示す各ポイントは、同じAlNモル分率の同じ熱処理温度で処理した複数のサンプルの接触抵抗の平均値をプロットしたもので、破線で示す曲線は、各ポイントの変化の傾向を便宜的に示すものである。尚、接触抵抗の測定は、公知のTLMTransmissionLineModel法により行った。熱処理温度は450°C~1000°Cの範囲内に設定した。図1の測定結果より、各AlNモル分率xにおいて、接触抵抗ρCが低下し、最低値またはその近傍値となる熱処理温度Tの範囲があり、AlNモル分率xが小さい程、当該範囲が広く且つ低温域に分布し、大きい程、当該範囲が狭く且つ高温域に移動することが分かる。また、熱処理温度Tが当該温度範囲を超えて上昇すると接触抵抗ρCが上昇し、また、熱処理温度Tが当該温度範囲より低下した場合も接触抵抗ρCが上昇し、熱処理温度Tが低下し過ぎると、オーミック接触が形成されなくなる。また、図1には示していないが、AlNモル分率xが0.6以上になると、接触抵抗ρCのバラツキが増大するため、安定的に低い接触抵抗ρCを得るには、より高温での熱処理が必要となる。従って、発光波長が365nmより短波長の紫外線発光素子の場合、低い接触抵抗でn電極をn型AlGaN層上に形成するには、概ね600°C以上の熱処理が必要で、発光波長が短くなると、つまり、AlNモル分率xが大きくなると、更に高温での熱処理が必要となる。次に、図2に、Ti/Al/Ti/Auの4層構造のn電極における最上層のAuと下層側金属との合金化と熱処理温度の関係を示す。図2aは、熱処理を行わない基準サンプルの電極表面の写真であり、図2b~hは、夫々、熱処理温度が、450°C、600°C、650°C、700°C、750°C、800°C、900°Cでの各熱処理サンプルの電極表面の写真である。尚、n電極の各層の膜厚は、下層側より10nm/100nm/50nm/100nmであり、熱処理時間及び処理チャンバー内の雰囲気は、120秒と窒素雰囲気である。図2に示す画像は、カラー写真をモノクローム且つ2値化した画像であるが、熱処理温度が600°C以上では、基準サンプルと比較して表面の明度が明るくなっており、Auの合金化が生じており、電極表面にボンディングが可能な程度のAuが残存していない状態であることが分かる。実際に同じ条件で熱処理したn電極に対してワイヤボンディングを試みた結果、ワイヤボンディングができなかったことを確認している。次に、図3に、Ni/Auの2層構造のp電極における最上層のAuと下層側のNiとの合金化と熱処理温度の関係を示す。図3aは、熱処理を行わない基準サンプルの電極表面の写真であり、図3bは、熱処理温度が450°Cでの熱処理サンプルの電極表面の写真である。尚、p電極の各層の膜厚は、下層側より60nm/50nmであり、熱処理時間及び処理チャンバー内の雰囲気は、120秒と空気である。図3に示す画像は、カラー写真をモノクローム且つ2値化した画像であるが、熱処理温度が450°Cにおいて、基準サンプルと比較して表面の明度が明るくなっており、Auの合金化が生じており、電極表面にボンディングが可能な程度のAuが残存していない状態であることが分かる。実際に同じ条件で熱処理したp電極に対してワイヤボンディングを試みた結果、ワイヤボンディングができなかったことを確認している。以上の図2及び図3に示す結果と、特許文献1に開示の内容を対比すると、上記の4層構造のn電極及び2層構造のp電極は、何れも最上層のAuの下にAlよりも高融点のTiまたはNiを備えているのも拘わらず、Auとの合金化が生じているので、特許文献1において提案されているAlより高融点の金属からなるバリアメタル層を設けるだけでは、Auの合金化を十分に抑制できないことが分かる。以上より、発光波長が365nmより短波長の紫外線発光素子の場合、n電極においては600°C以上の熱処理が必要となるため、n電極とp電極の各熱処理後にAu層を各電極上に再度形成し、その後は熱処理を行わないという上述の電極形成方法が最も確実な解決策と考えられるが、当該方法では、電極形成に掛かる工数が増加し、Auの消費量も増加するため、製造コストが高騰するという問題がある。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、窒化物半導体素子において、n電極及びp電極表面におけるAuの合金化を防止することにある。上記課題を解決するために、本発明は、下地構造部と、前記下地構造部上に形成された、少なくともn型AlGaN系半導体層とp型AlGaN系半導体層を有する素子構造部と、前記n型AlGaN系半導体層上に形成されたn電極コンタクト部と、前記n電極コンタクト部上に形成されたn電極パッド部と、前記p型AlGaN系半導体層上に形成されたp電極と、を備えてなり、前記n型AlGaN系半導体層のAlNモル分率が20以上であり、前記n電極コンタクト部が、1層以上の金属層で構成され、前記p電極と前記n電極パッド部が、最上層にAu層を有し、前記最上層より下側に導電性の金属酸化物からなるAuの拡散を防止するAu拡散防止層を有する2層以上の共通積層構造を有することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。尚、本発明では、AlGaN系半導体は、一般式AlxGa1-xNxはAlNモル分率、0≦x≦1で表わされる3元または2元加工物を基本とし、そのバンドギャップエネルギがGaNx=0とAlNx=1のバンドギャップエネルギ約3.4eVと約6.2eVを下限及び上限とする範囲内の3族窒化物半導体であり、当該バンドギャップエネルギに関する条件を満たす限りにおいて、微量のInが含有されている場合も含まれる。上記特徴の窒化物半導体素子によれば、n電極が、n電極コンタクト部とn電極パッド部で形成され、p電極がn電極パッド部と共通の積層構造を有するため、n電極とp電極を、n型AlGaN系半導体層上にn電極コンタクト部を堆積及びパターニングし、アニール処理した後に、p電極をp型AlGaN系半導体層上に、n電極パッド部をn電極コンタクト部上に、夫々同時に堆積及びパターニングし、アニール処理して形成することができる。そして、当該共通積層構造がAu拡散防止層を有するため、p電極とn電極パッド部の形成時の熱処理においてAuの合金化が防止できる。つまり、従来のp電極とn電極を個別に堆積及びパターニングし、アニール処理して形成する方法と比べて工数を増加させることなく、Auの合金化を防止できる。また、Au拡散防止層は、特許文献1で使用されるバリアメタル層とは異なり、金属酸化物からなり金属と酸素が結合して安定状態にあるため、Au拡散防止層の金属とAuが結合することが困難となり、Auの拡散を防止できるため、Au拡散防止層より下層側の金属とAuとの合金化を防止できる。更に、上記特徴の窒化物半導体素子は、前記n電極コンタクト部が、Alを含むことがより好ましい。Alは熱処理により下地層のn型AlGaN系半導体層内に拡散することで、n電極コンタクト部とn型AlGaN系半導体層の間で良好なオーミック接触が実現できる。また、窒化物半導体素子が紫外線発光素子であり、フリップチップ実装を用いる裏面出射型の発光素子である場合には、裏面で素子内部に向けて反射した発光を再度、n電極で裏面側に反射させることができ、発光素子の外部量子効率が向上する。更に、上記特徴の窒化物半導体素子は、前記Au拡散防止層が、ITO層であることがより好ましい。更に、上記特徴の窒化物半導体素子は、前記n電極コンタクト部が、Auを含まないことがより好ましい。これにより、n電極形成に掛かるAuの消費量を節減できる。更に、上記特徴の窒化物半導体素子は、前記共通積層構造の最上層である前記Au層と前記Au拡散防止層の間に、前記Au層と前記Au拡散防止層を接着させるための導電性接着層が設けられ、前記導電性接着層の膜厚が前記Au層の膜厚の2分の1以下であることがより好ましい。これにより、Au層とAu拡散防止層間の接着性が良好でない場合において、Au層の剥離を防止できる。また、導電性接着層の膜厚がAu層の膜厚の2分の1以下であることで、Au層と導電性接着層がある程度合金化しても、Au拡散防止層より下層側へのAuの拡散が防止されているので、それ以上はAuの侵食が進行しないため、電極表面のAu層はボンディング可能な状態を維持できる。上記特徴の窒化物半導体素子は、前記素子構造部が、前記n型AlGaN系半導体層と前記p型AlGaN系半導体層の間に、AlGaN系半導体層を有する活性層を備えた発光素子構造部であることを更に特徴とする。更に、上記課題を解決するために、本発明は、上記特徴の窒化物半導体素子の製造方法であって、前記下地構造部を形成する工程と、前記発光素子構造部を形成する工程と、前記n電極コンタクト部を構成する金属層を堆積及びパターニングして、前記n型AlGaN系半導体層上に前記n電極コンタクト部を形成した後に、第1のアニール処理を施す工程と、前記共通積層構造を構成する多層膜を堆積及びパターニングして、前記n電極コンタクト部上に前記n電極パッド部を、前記p型AlGaN系半導体層上に前記p電極を同時に形成した後に、第2のアニール処理を施す工程と、有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法を提供する。上記特徴の窒化物半導体素子の製造方法によれば、p電極とn電極パッド部の共通積層構造がAuの拡散を防止するAu拡散防止層を有するため、p電極とn電極パッド部の形成時の第2のアニール処理時にAuが拡散して合金化するのが防止できる。つまり、従来のp電極とn電極を個別に堆積及びパターニングし、アニール処理して形成する方法と比べて工数を増加させることなく、Auの合金化を防止できる。更に、n電極の形成過程におけるn電極パッド部の形成時に、p電極を同時に形成することができるため、従来のp電極とn電極を夫々個別に形成する場合と比較して工程数を増加することなく、上述のAuの合金化防止を達成できる。更に、上記特徴の窒化物半導体素子の製造方法は、前記第2のアニール処理の処理温度が前記第1のアニール処理の処理温度より低温であることがより好ましい。これにより、第2のアニール処理の影響を排除して、n電極コンタクト部とn型AlGaN系半導体層間の接触抵抗を最小化するためのn型AlGaN系半導体層のAlNモル分率に応じた最適な温度で第1のアニール処理を施すことができる。更に、上記特徴の窒化物半導体素子の製造方法は、前記第1のアニール処理の処理温度が700°C以上1000°C以下であることがより好ましい。更に、上記特徴の窒化物半導体素子の製造方法は、前記第2のアニール処理の処理温度が400°C以上600°C以下であることが好ましい。本発明に係る窒化物半導体素子の実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、以下の説明で使用する図面では、説明の理解の容易のために、要部を強調して発明内容を模式的に示しているため、各部の寸法比は必ずしも実際の素子と同じ寸法比とはなっていない。以下、本実施形態では、本発明に係る窒化物半導体素子が、紫外線発光素子であって、更に発光ダイオードである場合を想定して説明する。以下の説明では、本発明に係る窒化物半導体素子を発光素子と略称する。図4に示すように、本実施形態の発光素子1は、サファイア基板2上にAlN層3とAlGaN層4を成長させた基板をテンプレート5下地構造部に相当として用い、当該テンプレート5上に、n型AlGaNからなるn型クラッド層6、活性層7、Alモル分率が活性層7より大きいp型AlGaNの電子ブロック層8、p型AlGaNのp型クラッド層9、p型GaNのp型コンタクト層10を順番に積層した積層構造を有している。n型クラッド層6より上部の活性層7、電子ブロック層8、p型クラッド層9、p型コンタクト層10の一部が、n型クラッド層6の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、n型クラッド層6上の第1領域R1にn型クラッド層6からp型コンタクト層10までの発光素子構造部11が形成されている。活性層7は、一例として、膜厚10nmのn型AlGaNのバリア層7aと膜厚3.5nmのAlGaNの井戸層7bからなる単層の量子井戸構造となっている。活性層7は、下側層と上側層にAlモル分率の大きいn型及びp型AlGaN層で挟持されるダブルヘテロジャンクション構造であれば良く、また、上記単層の量子井戸構造を多層化した多重量子井戸構造であっても良い。更に、p型コンタクト層10の表面に、p電極12が、n型クラッド層6の第1領域R1以外の第2領域R2の表面の一部に、n電極13が形成されている。各AlGaN層は、有機金属化合物気相成長MOVPE法、或いは、分子線エピタキシMBE法等の周知のエピタキシャル成長法により形成されており、n型層のドナー不純物として、例えばSi、p型層のアクセプタ不純物として、例えばMgを使用している。尚、導電型を明記していないAlN層及びAlGaN層は、不純物注入されないアンドープ層である。また、n型AlGaN層及び活性層のAlNモル分率は、一例として、AlGaN層4、n型クラッド層6及び電子ブロック層8が20以上100以下、活性層7が0以上80以下となっている。本実施形態では、発光素子1のピーク発光波長は、223nm以上365nm以下となる場合を想定する。本実施形態では、井戸層7bからの発光をサファイア基板2側から取り出す裏面出射型の発光素子を想定しているため、AlGaN層4のAlNモル分率は、井戸層7bより大きく設定する必要があり、一例として、AlGaN層4とn型クラッド層6のAlNモル分率を同じに設定する。尚、AlGaN層4のAlNモル分率をn型クラッド層6より大きくしても良い。活性層7以外の発光素子構造部の各AlGaN層の膜厚は、例えば、n型クラッド層6が2000nm、電子ブロック層8が2nm、p型クラッド層9が540nm、p型コンタクト層10が200nmである。また、テンプレート5については、AlN層3の膜厚は、2200nm以上6600nm以下、より好ましくは、3000nm以上6000nm以下に設定するのが好ましく、AlGaN層4の膜厚は、例えば、200nm以上300nm以下の範囲に設定する。尚、本実施形態では、AlGaN層4上に同じAlGaN層のn型クラッド層6が形成されるため、AlGaN層4の導電型はアンドープ層ではなくn型層であっても良く、AlGaN層4をn型クラッド層6と一体化して、テンプレート5をAlN層3だけで構成しても良い。図5に、発光素子1の平面視パターンの一例を示す。図5は、p電極12及びn電極13が形成される前の第1領域R1と第2領域R2を示す。一例として、p電極12は第1領域R1のほぼ全面に、n電極13は第2領域R2のほぼ全面に、夫々形成される。また、後述する実施例に使用した発光素子1のチップサイズは縦横夫々800μmであり、第1領域R1の面積は約168000μm2である。尚、図4に示す第1領域R1は、図5に示す第1領域R1の一部である。本実施形態では、後述するように、p電極12とn電極13の積層構造に特徴があり、p型AlGaN層上にp電極12が形成され、n型AlGaN層上にn電極13が形成され、紫外線発光素子として機能する素子構造である限りにおいて、テンプレート5及び発光素子構造部11の構造及び各層の膜厚や組成等は、適宜変更可能である。次に、p電極12とn電極13の積層構造について、図6を参照して説明する。図6aはn電極13の積層構造を示し、図6bはp電極12の積層構造を示している。本実施形態では、n電極13は、n電極コンタクト部13aとn電極パッド部13bの2段構造となっており、n電極パッド部13bとp電極12が全く同じ積層構造共通積層構造を有している点を第1の特徴としている。更に、n電極コンタクト部13aが1層以上の金属層からなり、n電極パッド部13bとp電極12が、最上層にボンディング用のAu層14を有し、Au層14の下層側に、導電性の金属酸化物からなるAuの拡散を防止するAu拡散防止層15を有する点を第2の特徴としている。更に、本実施形態では、n電極コンタクト部13aの好適な一例として、下層側からTi/Al/Ti、膜厚が10nm/100nm/50nmの3層構造を採用している。また、n電極パッド部13bとp電極12の好適な一例として、下層側からNi/ITO/Ni/Au、膜厚が60nm/100nm/10nm/200nmの4層構造共通積層構造を採用している。ここで、ITO酸化インジウムスズがAu拡散防止層15に相当する。Au拡散防止層15は、ITO以外に、ZnOやNiO等の他の導電性金属酸化物も使用可能である。上記好適な一例の共通積層構造12,13bでは、p電極12となる場合にp型コンタクト層10と良好にオーミック接触可能な金属として、最下層にNi層16を使用している。Au拡散防止層15が、p型コンタクト層10と良好にオーミック接触可能な場合には、最下層のNi層16を省略しても良い。Au拡散防止層15がITO層の場合、最下層のNi層16は省略できる。また、ITO層15上のNi層17は、Au層14とITO層15間の接着性を確保するための接着層として機能し、従って、膜厚は数nm程度あれば十分であり、本実施形態では10nmとしている。接着層としてのNi層17は、膜厚が大きくなるとAu層14と合金化するので、厚くてもAu層14の膜厚の2分の1以下に抑えるのが好ましい。尚、Au拡散防止層15とAu層14間の密着性が良好な場合は、当該接着層としてのNi層17は省略しても良い。n電極コンタクト部13aは、上記3層構造以外にも、Ti/Alの2層構造、或いは、Alだけの単層構造であっても良い。具体的には、n電極コンタクト部13aは、Alを含有し、Auを含有しない構造が好ましい。次に、ITO層15がAu拡散防止層として機能することの実証実験の結果を説明する。本実証実験では、以下の3つの金属多層膜サンプルサンプル1~3を準備し、RTA瞬間熱アニールによる空気雰囲気での450°C、120秒間のアニール処理を施した後の当該金属多層膜表面の反射率を測定した。サンプル1は、サファイア基板上に下層側からAu/Ni膜厚50nm/60nmの2層膜を蒸着して作製した。サンプル2は、サファイア基板上に下層側からITO/Ni膜厚100nm/60nmの2層膜を蒸着して作製した。サンプル3は、サファイア基板上に下層側からAu/ITO/Ni膜厚50nm/100nm/60nmの3層膜を蒸着して作製した。反射率の測定は、波長250nm~400nmの紫外線光源からの各サンプル表面に紫外線を照射し、その反射光の強度を、積分球を用いて測定することにより行った。図7に反射率の測定結果を示す。図7より、サンプル2とサンプル3では、反射率に殆ど差が見られないのに対し、サンプル1とサンプル2,3との間では、反射率に差が見られる。このことは、サンプル2とサンプル3の間では多層膜の表面性状に差が無く、サンプル1とサンプル2,3との間では多層膜の表面性状に差が有ることが分かる。これより、サンプル1では、AuとNiの合金化が生じているが、サンプル3では、AuとNiの合金化がITO層によって阻止されていることが分かる。次に、p電極12及びn電極13の形成方法について、図8の工程図を参照して説明する。先ず、発光素子1のテンプレート5及び発光素子構造部11の各層が、上述のように周知の成長方法により形成するステップ1,2。テンプレート5と発光素子構造部11を形成した後、n電極13の反転パターンとなる第1のフォトレジストを形成しステップ3A、全面にn電極コンタクト部13aとなるTi/Al/Ti多層膜を、電子ビーム蒸着法等により堆積するステップ3B。引き続き、当該第1のフォトレジストをリフトオフにより除去して、当該第1のフォトレジスト上のTi/Al/Ti多層膜を剥離してパターニングしステップ3C、RTA瞬間熱アニール等により第1のアニール処理を施しステップ3D、第2領域R2内に露出したn型クラッド層6の表面にn電極コンタクト部13aを形成するステップ3。第1のアニール処理の処理温度は、下地のn型クラッド層6のAlNモル分率に応じて、n型クラッド層6との接触抵抗を低減できる最適な処理温度とし、例えば、600°C~1000°C、好ましくは、700°C~1000°Cの温度範囲内で設定する。また、本実施形態では、第1のアニール処理は、例えば、120秒間、窒素雰囲気内で実施する。尚、第1のアニール処理の条件は、本実施形態で例示した条件に限定されるものではない。n電極コンタクト部13aを形成した後、p電極12とn電極13の反転パターンとなる第2のフォトレジストを形成しステップ4A、全面にp電極12とn電極パッド部13bとなるNi/ITO/Ni/Au多層膜を、電子ビーム蒸着法等により堆積するステップ4B。引き続き、当該第2のフォトレジストをリフトオフにより除去して、当該第2のフォトレジスト上のNi/ITO/Ni/Au多層膜を剥離してパターニングしステップ4C、RTA瞬間熱アニール等により第2のアニール処理を施しステップ4D、p型コンタクト層10の表面にp電極12を、n電極コンタクト部13a上にn電極パッド部13bを、夫々形成するステップ4。第2のアニール処理の処理温度は、p型コンタクト層10との接触抵抗を低減できる最適な処理温度とし、例えば、400°C~600°Cの温度範囲内で設定する。また、本実施形態では、第2のアニール処理は、例えば、120秒間、空気雰囲気内で実施する。尚、第2のアニール処理の条件は、本実施形態で例示した条件に限定されるものではない。引き続き、アッシング処理等により、電極表面をドライ洗浄しステップ5、ボンディング等の実装工程を行うステップ6。次に、本実施形態の発光素子1実施例1と、従来の電極構造の発光素子比較例1,2のp電極とn電極に対して、実際にAuワイヤによるボンディングを行い、物理的にボンディングが行えるか否かの実証実験を行った結果について説明する。本実験に使用した実施例1のn電極及びp電極の電極構造は、図6に示す構造と同じであり、図8に示す要領で形成された。第1のアニール処理の処理温度、処理時間及び雰囲気ガスは、950°C、60秒、窒素であり、第2のアニール処理の処理温度、処理時間及び雰囲気ガスは、450°C、120秒、空気である。図9aに本実験に使用した比較例1のn電極及びp電極の電極構造を、図9bに本実験に使用した比較例2のn電極及びp電極の電極構造を、夫々示す。比較例1は、Ti/Al/Ti/Auの4層構造のn電極とp電極Ni/Auの2層構造のを夫々個別に形成し、夫々アニール処理を施した電極構造を有する。比較例1のn電極の各層の膜厚は、下層側より10nm/100nm/50nm/100nmであり、n電極のアニール処理の処理温度、処理時間及び雰囲気ガスは上記実施例1の第1のアニール処理と同じである。比較例1のp電極の各層の膜厚は、下層側より60nm/50nmであり、p電極のアニール処理の処理温度、処理時間及び雰囲気ガスは上記実施例1の第2のアニール処理と同じである。比較例2は、比較例1のp電極とn電極の各表面に、Ti/Au層をアニール処理なしで再形成した電極構造を有する。再形成したTi/Au層の膜厚は、下層側より100nm/200nmである。尚、実施例1及び比較例1,2の各n電極の下地層であるn型AlGaNのAlNモル分率は60で、実施例1及び比較例1,2の各p電極の下地層はp型GaNである。当該実証実験の結果として、比較例1では、最上層のAuの合金化により各電極表面に十分な量のAuが残存していないため、物理的にボンディングが行えなかったのに対して、実施例発光素子1と比較例2では、ボンディングが良好に行えた。当該結果より、発光素子1では、n電極パッド部13bとp電極12にITO層15を設けたことにより、最上層のAuの拡散が防止され、各電極表面の劣化が抑制されたことが分かる。以上、発光素子1の実施形態につき詳細に説明した。上記実施形態では、発光素子1を構成する下地構造部及び発光素子構造部として、図4に示すテンプレート5及び発光素子構造部11を一例として説明したが、上記説明で例示した積層構造、膜厚、及び、AlGaN層のAlNモル分率等は一例であり、テンプレート5及び発光素子構造部11は当該具体例に限定されるものではない。更に、発光素子1の平面視形状も図5に例示した形状に限定されるものではない。更に、p電極12及びn電極13の形成方法も、上記実施形態の具体例に限定されるものではなく、例えば、n電極コンタクト部13a、p電極12、及び、n電極パッド部13bのパターニングは、必ずしもリフトオフ法に限定されるものではなく、エッチング法を使用しても良い。エッチング法を使用する場合は、上記各多層膜の堆積、フォトレジストの形成、エッチングの順序等は公知のエッチング法によるものとし、また、n電極コンタクト部13aのパターニングは、n電極13より大きめに形成しても良い。また、上記実施形態では、本発明に係る窒化物半導体素子が紫外線発光素子であって、更に発光ダイオードである場合を想定したが、上記実施形態で説明した電極構造及びその製造方法は、レーザダイオードにも適用可能であり、更には、紫外線受光素子にも適用可能である。"