"炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、前記炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μm以下但し、0μmを除く。であり、前記チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素質焼結体。前記炭化珪素の結晶多形のうち3C型および4H型の比率の合計が20以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炭化珪素質焼結体。単独で存在している炭素の含有量が3質量以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の炭化珪素質焼結体。硼素の含有量が0.5質量以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか記載の炭化珪素質焼結体。h-窒化硼素を含み、その含有量が5質量以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の炭化珪素質焼結体。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とする静電吸着部材。請求項1乃至請求項6にいずれかに記載の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とする半導体製造装置用部材。特許文献1に記載の製造方法によって製造された炭化珪素質焼結体は、緻密で熱伝導性に優れたものであるものの、今般、上述した分野等における吸着による搬送や保持に用いられる部材には、炭化珪素質焼結体の有する機械的特性や熱的特性に加えて、吸着時の良好な離脱応答性とするため体積抵抗率が大きいことが求められている。本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材を提供することを目的とするものである。本発明の炭化珪素質焼結体は、炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、前記炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除く。であり、前記チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることを特徴とするものである。また、本発明の静電吸着部材は、上記構成の本発明の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とするものである。また、本発明の半導体製造装置用部材は、上記構成の本発明の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とするものである。本発明の炭化珪素質焼結体によれば、炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、前記炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除く。であり、前記チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることから、単位体積当たりにおける粒界の体積を増加させることにより、粒界を横切る電気は流れにくくなり、電気の流れを促進するチタンの含有量を制限していることにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができるので、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。また、本発明の静電吸着部材によれば、本発明の炭化珪素質焼結体からなることから、被吸着部材に損傷を与えることなく吸着保持することができるとともに、被吸着部材の離脱応答性を向上することができる。さらに、本発明の半導体製造装置用部材によれば、本発明の炭化珪素質焼結体からなることから、体積抵抗率を大きくしつつも、半導体ウェハ等の板状体に発生する静電気の除去に適性とされる1011Ωm以下とすることができるので、板状体に静電気が発生しても容易に静電気を除去することができる。以下、本実施形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態の炭化珪素質焼結体は、炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、炭化珪素およびチタン以外に、例えば、硼素、珪素および炭素のうち少なくとも1種を含むものである。図1は、本実施形態の炭化珪素質焼結体の結晶構造の一例を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態の炭化珪素質焼結体1は、炭化珪素を主成分とする主相2,硼素,珪素および炭素のうち少なくとも1種を含む副相3およびチタンを含む結晶相4からなる。ここで、副相3は、硼素、珪素および炭素のうち少なくとも1種からなり、これらの各元素が単独で存在したり、珪素と硼素が化合したSiB4,SiB6等の珪化物や炭素と硼素が化合したB4Cとして存在したりするものであり、複数の主相2で囲まれた領域にのみ存在する粒状の相である。この複数の主相2間で囲まれた領域に存在する粒状の副相3は、熱伝導の担体であるフォノンの動きがほとんど制約されないため、副相3が複数の主相2にまたがって存在する柱状の相あるいは針状の相であるよりも熱伝導性や耐熱衝撃性とも高くなり、高い放熱性を求められる用途には好適である。なお、本実施形態において緻密質の炭化珪素質焼結体とは、相対密度が965以上であることをいい、炭化珪素質焼結体の相対密度は、JISR1634-1998に準拠して炭化珪素質焼結体の見掛密度を求め、この見掛密度を炭化珪素質焼結体の理論密度で除すことにより求めればよい。そして、炭化珪素質焼結体の理論密度については、まず、炭化珪素質焼結体を構成する成分のそれぞれの含有量をICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析法または発光X線分析法により求める。具体的なICP発光分光分析法による含有量の求め方は、前処理として炭化珪素質焼結体の一部を超硬乳鉢にて粉砕した試料にホウ酸および炭酸ナトリウムを加えて融解する。そして、放冷した後に塩酸溶液にて溶解し、溶解液をフラスコに移して水で標線まで薄めて定容とし、検量線用溶液とともにICP発光分光分析装置で測定することにより、炭化珪素質焼結体を構成する成分の金属元素の各含有量を求めることができる。次に、各成分の同定はCuKα線を用いたX線回折法によって行ない、例えば同定された成分がSiCやB4Cであれば、ICP発光分光分析法により求めたSiおよびBの含有量の値を用いてSiCやB4Cに換算する。そして、炭化珪素質焼結体を構成する成分が、例えば、炭化珪素、チタンおよびグラファイトであって、その含有量がそれぞれa質量、b質量、c質量であるときには、炭化珪素、チタンおよびグラファイトのそれぞれの理論密度の値炭化珪素=321g/cm3,チタン=450g/cm3,グラファイト=226g/cm3を用いて、以下の式1により炭化珪素質焼結体の理論密度T.Dを求めることができる。T.D=1/001×a/321b/450c/2261例えば、炭化珪素質焼結体を構成する成分の含有量が、炭化珪素、チタンおよびグラファイトがそれぞれ90質量、001質量、999質量であるときには、式1を用いて計算すると、炭化珪素質焼結体の理論密度T.Dは、308g/cm3となり、JISR1634-1998に準拠して炭化珪素質焼結体の見掛密度を、この理論密度T.D308g/cm3で除すことにより相対密度を求めることができる。そして、本実施形態の炭化珪素質焼結体において、炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除くであり、チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることが重要である。炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除くであり、チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることから、単位体積当たりにおける粒界の体積を増加させることにより、粒界を横切る電気は流れにくくなり、電気の流れを促進するチタンの含有量を制限していることにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができるので、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。なお、炭化珪素の平均結晶粒径が48μmを超える、またはチタンの含有量が140質量ppmを超えると体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができない。ここで、炭化珪素の平均結晶粒径の求め方は次の通りである。まず、炭化珪素質焼結体の表面を、例えば、粒度番号がJISR6001-1998ISO8486-1:1996およびISO8486-2:1996に記載されている粒度番号がF220のダイヤモンドからなる砥石を用いて研削した後、引き続き、錫からなるラップ盤を用いて、粒径が1~3μmのダイヤモンド砥粒により、JISB0601-2001ISO4287-1997で規定される算術平均高さRaが001μm以下になるまで研磨する。次に、水酸化ナトリウムおよび硝酸カリウムが11の質量比からなる加熱溶融された溶液に炭化珪素質焼結体を15~30秒浸し、研磨された面をエッチングする。そして、このエッチングされた面を500倍の倍率で光学顕微鏡を用いて観察し、平均的に観察される面を本実施形態における観察面とする。なお、平均的に観察される面とは、観察した際に他の領域では観察されないような大きさの粒子が存在する領域を除くものである。この観察面の大きさは、例えば、横方向の長さが022mm、縦方向の長さが016mmで、面積は0035mm2である。そして、この観察面を撮影した写真もしくは画像を用いて、気孔の存在する位置に重ならないように、例えば、1本当たりの長さが100μmの直線を3~5本引き、これらの直線上に存在する炭化珪素の結晶の個数をこれら直線の合計長さで除すことで炭化珪素の平均結晶粒径を求めることができる。なお、チタンの含有量については、上述したICP発光分光分析法または発光X線分析法により求めることができる。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体は、以下の式2を満足することが好適である。106×e-0.0024a×b-68×104≦R≦106×e-0.0024a×b20×1052但し、a,b,Rは、それぞれ炭化珪素の平均結晶粒径μm、チタンの含有量質量ppm、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率Ωmである。式2は、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率と、ネイピア数eを炭化珪素の平均結晶粒径とチタンの含有量との積で累乗した値との関係を示すものであり、電気抵抗の高い、すなわち体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とするのに、炭化珪素の平均結晶粒径とチタンの含有量とが大きく寄与していることが裏付けるものである。ここで、体積抵抗率は、JISC2141-1992に準拠して求めればよい。具体的には、体積抵抗率を測定するための炭化珪素質焼結体の試験片は、直径および厚さがそれぞれ50mm,25mmmの円板を用い、試験片の両主面には、銀からなる電極を形成すればよい。そして、電極間に1Vの交流電圧を印加したときの体積抵抗率を求めればよい。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体は、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下であることが好適である。このように、電気の流れを促進する金属成分を制限することにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができることから、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。これら金属成分の各含有量は、ICP発光分光分析法または蛍光X線分析法により求めればよい。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体において、炭化珪素の結晶多径のうち3C型および4H型の比率の合計が20以下であることが好ましい。炭化珪素には、結晶自体の結晶構造および積層周期の違いにより分類される結晶多形として、2H型、3C型、4H型、6H型、15R型、33R型等が存在することが知られており、炭化珪素質焼結体では、一般的に、β型とも言われる3C型と、α型とも言われる4H型、6H型および15R型が検出される。そして、3C型および4H型は格子欠陥を多く含む結晶多形であるので、炭化珪素の結晶多形のうち3C型および4H型の比率の合計が20以下に制限されていることにより、格子欠陥を通じて電流が流れることによる電気抵抗の低下を抑えることができるので、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。結晶多形の定量については、X線回折装置を用いてX線回折を行ない、得られたスペクトルをRUSKAMETHODにより求めればよい。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体において、単独で存在している炭素の含有量が3質量以下であることが好ましい。単独で存在している炭素は、導電性を有するものであるので、この炭素の含有量が制限されていることにより、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。そして、本実施形態において、炭素分析法により求めた炭化珪素質焼結体中の炭素量から、SiやBの炭化物換算に必要とした炭素量を差し引いた値を単独で存在している炭素の含有量とする。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体において、硼素の含有量が05質量以下であることが好ましい。硼素の含有量が制限されていることにより、硼素を含有することによる炭化珪素の結晶の格子欠陥の増加を抑えることができ、格子欠陥を通じて電流が流れることによる電気抵抗の低下を抑えることができるので、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体において、h-窒化硼素を含み、その含有量が5質量以上であることが好ましい。このように、電気の流れを阻止するように作用するh-窒化硼素の含有量を増やすことにより、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。h-窒化硼素の同定は、CuKα線を用いたX線回折法によって行なうことができる。また、その含有量については、本実施形態において、以下のようにして求めた値をh-窒化硼素の含有量とする。まず、X線回折法によって得られるh-窒化硼素の最大強度における面積とc―窒化硼素の最大強度における面積との合計に対するh-窒化硼素の最大強度の面積の比率を求める。次に、窒素分析法により窒素の含有量を求めて、窒化硼素BNに換算し、この換算値に上述した比率を乗じることによってh-窒化硼素の含有量とする。また、本実施形態の静電吸着部材は、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなるものである。図2は、本実施形態の静電吸着部材を用いた静電吸着装置の一例を示す概略断面図である。図2に示す例の静電吸着装置5は、双極型の電極6と、この電極6を内部で保持し、表面で半導体ウェハ等の板状体7を静電吸着力によって吸着保持する、本実施形態の炭化珪素質焼結体を用いた静電吸着部材8と、この静電吸着部材8を接合層9を介して接合した支持部材10とを備えた装置である。また、電極6には、外部電源からリード線11を通して電圧が印加できるようになっている。この静電吸着装置5は、電圧が外部電源から電極6に印加されると、板状体7の静電吸着部材8側の表面と静電吸着部材8の表面との間に静電気が発生し、板状体7を静電吸着力によって吸着保持するものである。本実施形態の静電吸着部材8が、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなることにより、体積抵抗率が半導体ウェハ等の板状体7の静電吸着に適性とされる107Ωm以上とすることができることから、板状体7に損傷を与えることなく吸着保持することができるとともに、板状体7の離脱応答性をよくすることができる。図3は、本実施形態の静電吸着部材を用いた静電吸着装置の他の例を示す概略断面図である。図3に示す例の静電吸着装置5’は、図2に示す例の静電吸着装置5の静電吸着部材8の板状体7を載置する側の表面に、例えば、炭化珪素、窒化硼素、炭窒化硼素等のアルミニウムを含まない非酸化物を主成分とする吸着層12を備えた装置である。このアルミニウムを含まない非酸化物を主成分とする吸着層12を備えることにより、板状体7へのアルミニウムによる汚染を防止することができるとともに、板状体の7の載置面は、表面粗さが小さくなるので、板状体7の脱着で生じる発塵を低減することができる。また、本実施形態の半導体製造装置用部材は、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなるものである図4は、本実施形態の半導体製造装置用部材を備えるプラズマエッチング装置の一例を示す概略断面図である。図4に示す例のプラズマエッチング装置13は、半導体製造装置の一例であり、半導体ウェハ等の板状体7を載置するサセプタ14と、このサセプタ14の上側から板状体7の周縁部を固定する環状のクランプリング15と、サセプタ14の上側および下側にそれぞれ備えた上部電極16a,下部電極16bと、上部電極16a,下部電極16b間に高周波電圧を印加する高周波電源17とを備え、板状体7に半導体集積回路等の微細な回路を形成する装置である。本実施形態の半導体製造装置用部材は、例えば、サセプタ14およびクランプリング15の少なくともいずれかであり、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなることから、体積抵抗率を半導体ウェハ等の板状体7に発生する静電気の除去に適性とされる1011Ωm以下とすることができるので、板状体7に静電気が発生しても容易に静電気を除去することができる。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなる半導体製造装置部材としては、サセプタ14やクランプリング15以外にもライナー、シャワープレート、ダミーウェハ、パーティクルキャッチャー、フォーカスリング、ノズル類等にも適用することができる。次に、本実施形態の炭化珪素質焼結体の製造方法の一例について説明する。本実施形態の炭化珪素質焼結体を得るには、まず、チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。である炭化珪素質粉末を準備し、水と、必要に応じて分散剤とを、ボールミルまたはビーズミルにより40~60時間粉砕混合してスラリーとする。ここで、粉砕混合した後の炭化珪素の平均粒径D50は、04μm以上3μm以下である。次に、炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末またはフェノール樹脂からなる焼結助剤と、結合剤とを添加して混合した後、噴霧乾燥することで主成分が炭化珪素からなる顆粒を得る。また、上述した式2を満足する炭化珪素質焼結体を得るには、炭化珪素質粉末におけるチタンの含有量が120質量ppm以下であり、粉砕混合する時間を50~60時間として粉砕混合した後の炭化珪素の平均粒径D50を04μm以上25μm以下とすればよい。また、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下である炭化珪素質焼結体を得るにするには、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下である炭化珪素質粉末を用いればよい。また、炭化珪素の結晶多形のうち3C型および4H型の比率の合計が20以下である炭化珪素質焼結体を得るには、この比率が合計20以下である炭化珪素質粉末を用いればよい。また、h-窒化硼素を含み、その含有量が5質量以上である炭化珪素質焼結体を得るには、h-窒化硼素の含有量が5質量以上である炭化珪素質粉末を用いればよい。次に、顆粒を所定の成形型に充填し、49~147MPaの範囲で適宜選択される圧力で厚み方向から加圧、成形して所定形状の成形体を得る。そして、成形体を窒素雰囲気中、温度を450~650°C、保持時間を2~10時間として脱脂して、脱脂体を得る。次に、この脱脂体を焼成炉に入れ、不活性ガスの減圧雰囲気中、最高温度を1800~2200°C、より好適には2100~2200°C、保持時間を3~6時間として保持し、焼成することにより本実施形態の炭化珪素質焼結体を得ることができる。なお、不活性ガスについては特に限定されるものではないが、入手や取り扱いが容易であることから、アルゴンガスを用いることが好適である。そして、得られた炭化珪素質焼結体には、必要に応じて各主面に研削や研磨等の加工を施してもよい。例えば、両頭研削盤や平面研削盤等で主面を研削し、平均粒径が3μmのダイヤモンド砥粒を用いてアルミナ製のラップ盤で研磨した後、平均粒径が1μmのダイヤモンド砥粒を用いて錫製のラップ盤で算術平均高さRaが098μm以下となるように研磨してもよい。このように、本実施形態の炭化珪素質焼結体の主面を研磨することにより、高い絶縁性を備えるとともに、摺動特性にも優れた摺動部品とすることができる。ここで、算術平均高さRaは、JISB0601-2001ISO4287-1997に準拠して測定すればよく、測定長さおよびカットオフ値をそれぞれ5mmおよび08mmとし、触針式の表面粗さ計を用いて測定する場合であれば、例えば、炭化珪素質焼結体の表面に、触針先端半径が2μmの触針を当て、触針の走査速度は05mm/秒とすればよい。上述した製造方法によって得られた本実施形態の炭化珪素質焼結体は、炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除く。であることにより、単位体積当たりにおける粒界の体積を増加させることにより、粒界を横切る電気は流れにくくなり、電気の流れを促進するチタンの含有量を140ppm以下に制限していることにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができるので、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。また、本実施形態の炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材おび半導体製造装置用部材は、体積抵抗率が半導体ウェハ等の板状体の静電吸着および静電気の除去に適性とされる107Ωm以上とすることができることから、これらの部材に好適に用いることができる。以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。まず、表1に示す含有量となるチタンを含む炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求め、その値を表1に示した。そして、得られた顆粒を成形型に充填し、厚み方向から98MPaの圧力を加えて成形し、得られた成形体を窒素雰囲気中にて、20時間で昇温して600°Cで5時間保持した後、自然冷却して脱脂し、脱脂体とした。次に、脱脂体をアルゴンガスの減圧雰囲気中、最高温度を2150°Cとして、4時間保持して焼成することにより、直径および厚さがそれぞれ50mm,35mmmの円板からなる炭化珪素質焼結体の試料No.1~8を得た。また、炭化珪素質焼結体の相対密度は、JISR1634-1998に準拠して炭化珪素質焼結体の見掛密度を求め、この見掛密度を炭化珪素質焼結体の理論密度で除すことで求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であった。なお、炭化珪素質焼結体の理論密度については、炭化珪素質焼結体を構成する成分のそれぞれの含有量をICP発光分光分析法によって求め、各成分の同定はCuKα線を用いたX線回折法によって行なった。そして、炭化珪素質焼結体の両主面を、JISR6001-1998ISO8486-1:1996およびISO8486-2:1996に記載されている粒度番号がF220のダイヤモンドからなる砥石を用いて研削した後、引き続き、錫からなるラップ盤を用いて、粒径が1~3μmのダイヤモンド砥粒により、JISB0601-2001ISO4287-1997で規定される算術平均高さRaが001μm以下になるまで研磨し、その厚さを25mmとした。次に、水酸化ナトリウムおよび硝酸カリウムが11の質量比からなる加熱溶融された溶液に炭化珪素質焼結体を15~30秒浸し、研磨された面をエッチングした。そして、このエッチングされた面を500倍の倍率で光学顕微鏡を用いて観察し、平均的に観察される面を本実施形態における観察面とし、この観察面を撮影した写真もしくは画像を用いて、気孔の存在する位置に重ならないように、1本当たりの長さが100μmの直線を3~5本引き、これらの直線上に存在する炭化珪素の結晶の個数をこれら直線の合計長さで除すことで炭化珪素の平均結晶粒径を求めた。また、炭化珪素質焼結体の両主面に、銀からなる電極を形成し、JISC2141-1992に準拠して、電極間に1Vの交流電圧を印加したときの体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。表1に示すように、試料No.1~5,7は、試料No.6,8よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、炭化珪素の平均結晶粒径が48μm以下但し、0μmを除くであり、チタンの含有量が140質量ppm以下但し、0ppmを除く。であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。まず、チタンおよび表2に示す含有量となるクロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、バナジウムのいずれかを含む炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求めた結果、22μmであった。そして、実施例1と同様の方法で成形、脱脂、焼成を順次行ない、試料No.9~29を得た。また、炭化珪素質焼結体の相対密度および炭化珪素の結晶粒子の平均粒径は、実施例1に示した方法と同じ方法で求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であり、平均粒径は35μmであった。また、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの各含有量をICP発光分光分析法によって求めた。なお、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。さらに、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率を実施例1と同様の方法で測定した。結果を表2に示す。表2に示すように、試料No.10,11,13,14,16,17,19,20,22,23,25,26,28,29は、各元素において含有量が200質量ppm以上である試料よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。まず、チタンを含み、3C型および4H型の結晶多形の比率の合計が表3に示すものとなる炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求めた結果、2μmであった。そして、実施例1と同様の方法で成形、脱脂、焼成を順次行ない、試料No.30~34を得た。この炭化珪素質焼結体の相対密度および炭化珪素の結晶粒子の平均粒径は、実施例1と同様の方法で求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であり、平均粒径は32μmであった。また、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、結晶多形が3C型および4H型の結晶多形の比率の合計については、X線回折装置を用いてX線回折を行ない、得られたスペクトルをRUSKAMETHODにより求めた。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表3に示す。表3に示すように、試料No.30~33は、試料No.34よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、3C型および4H型の結晶多形の比率の合計が20以下であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。まず、チタンを含む炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求めた結果、18μmであった。そして、実施例1と同様の方法で成形、脱脂、焼成を順次行ない、試料No.35~38を得た。この炭化珪素質焼結体の相対密度および炭化珪素の結晶粒子の平均粒径は、実施例1と同様の方法で求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であり、平均粒径は29μmであった。また、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、炭素分析法により炭化珪素質焼結体中の炭素量を求め、SiやBの炭化物換算に必要とした炭素量を差し引いた値を単独で存在している炭素の含有量とした。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表4に示す。表4に示すように、試料No.35~37は、試料No.38よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、単独で存在している炭素の含有量が3質量以下であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。まず、チタンを含む炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求めた結果、18μmであった。そして、実施例1と同様の方法で成形、脱脂、焼成を順次行ない、試料No.39~42を得た。この炭化珪素質焼結体の相対密度および炭化珪素の結晶粒子の平均粒径は、実施例1に示した方法と同じ方法で求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であり、平均粒径は29μmであった。また、硼素の各含有量をICP発光分光分析法によって求めた。なお、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表5に示す。表5に示すように、試料No.39~41は、試料No.42よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、硼素の含有量が05質量以下であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。まず、チタンおよび表6に示す含有量となるh-窒化硼素を含む炭化珪素質粉末と、水と、この炭化珪素質粉末を分散させる分散剤とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JISR1629-1997に準拠して求めた結果、18μmであった。そして、実施例1と同様の方法で成形、脱脂、焼成を順次行ない、試料No.43~46を得た。この炭化珪素質焼結体の相対密度および炭化珪素の結晶粒子の平均粒径は、実施例1に示した方法と同じ方法で求めた結果、いずれの試料も相対密度は99であり、平均粒径は29μmであった。なお、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、h-窒化硼素の同定は、CuKα線を用いたX線回折法によって行ない、その含有量は、X線回折法によって得られるh-窒化硼素の最大強度における面積とc―窒化硼素の最大強度における面積との合計に対するh-窒化硼素の最大強度の面積の比率を求める。次に、窒素分析法により窒素の含有量を求めて、窒化硼素BNに換算し、この換算値に上述した比率を乗じることによってh-窒化硼素の含有量とした。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表6に示す。表6に示すように、試料No.44~46は、試料No.43よりも体積抵抗率の値が大きかった。このように、h-窒化硼素の含有量が5質量以上であることにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。"