低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層とを有することを特徴とする素子搭載用基板。前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差が2μm以下である請求項1に記載の素子搭載用基板。前記厚膜導体層が、0.3μm以下の表面粗さRaを有する請求項1または2に記載の素子搭載用基板。前記メッキ層は、ニッケル層とその上の金メッキ層とからなる請求項1~3のいずれかに記載の素子搭載用基板。前記メッキ層が、5~40μmの厚みのニッケルメッキ層と、0.1~1.0μmの厚みの金メッキ層を有する請求項1~4のいずれかに記載の素子搭載用基板。前記厚膜導体層が、低温焼成セラミックス基板の素子の搭載面に形成された請求項1~5のいずれかに記載の素子搭載用基板。ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱焼成する工程と、前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程とを有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。前記ガラスセラミックス組成物が、ガラス粉末を30~50質量、セラミックスフィラーを50~70質量を含む請求項7に記載の素子搭載用基板の製造方法。前記銀を主体とする金属が、銀、銀とパラジウム、または銀と白金である請求項7または8に記載の素子搭載用基板の製造方法。前記加熱焼成する工程が、500~600°Cの温度に加熱し、次いで、800~1000°Cの温度に加熱して焼成を行う請求項7~9のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。前記メッキ層を形成する工程が、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、その上に電解メッキにより金メッキ層を形成する請求項7~10のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、厚膜導体層端部の剥がれが防止され、耐硫化性に優れた素子搭載用基板の提供を目的とする。また、本発明は、このような耐硫化性に優れた素子搭載用基板を得るための製造方法の提供を目的とする。本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層とを有することを特徴とする。本発明の素子搭載用基板において、前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差は2μm以下であることが好ましい。また、前記メッキ層は、ニッケル-金メッキ層であることが好ましい。本発明の素子搭載用基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱焼成する工程と、前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程とを有することを特徴とする。本発明によれば、低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された厚膜導体層を、該層の表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込み形成することで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを防止し、耐硫化性に優れた素子搭載用基板とできる。以下、本発明について図面を参照して説明する。図1は、本発明の素子搭載用基板1の一例を示す平面図である。また、図2は、図1に示す素子搭載用基板1のX-X線断面図であり、図3は、図2の一部を拡大して示す拡大断面図である。本発明の素子搭載用基板1は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板LTCC基板2を有している。LTCC基板2の一方の主面は、半導体素子、例えばLED素子のような発光素子が搭載される搭載面2aとなっている。なお、LTCC基板2の形状、厚さ、大きさ等は必ずしも制限されるものではない。また、LTCC基板2の搭載面2a側には、中央部を囲み内側が例えば円形状となる側壁図示を省略。が設けられていてもよい。搭載面2aには、銀を主体とする金属から構成され、半導体素子との接続端子電極となる厚膜導体層3が形成されている。この厚膜導体層3は凹凸がない平滑平坦な表面を有し、かつその表面がLTCC基板2の搭載面2aと略同じ高さになるようにLTCC基板2に埋め込まれている。なお、本明細書において、略同じ高さとは、高さの差が好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下であることをいう。厚膜導体層3の表面がLTCC基板2の搭載面2aとは、どちらが高くてもよいが、両者は全く同じ高さ、すなわち面一であることが好ましい。なかでも、厚膜導体層3の表面がLTCC基板2の搭載面2aより上にあり、かつ高さの差段差hが好ましくは2μm以下、より好ましくは1μm以下であれば、厚膜導体層3の剥がれを防止する効果を十分に挙げることができる。高さの差が2μmを超えると、メッキ膜4に引張応力が加わるために厚膜導体層3の剥がれを起こしやすくなる。また、厚膜導体層3の表面がLTCC基板2の搭載面2aより下にあると、メッキ膜4の表面に段差が発生してしまい、ワイヤボンディング不良などを生じるおそれがある。厚膜導体層3は、後述するように、金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し、加圧して基板内に押し込みながら焼成することで形成されている。厚膜導体層3の表面粗さ算術平均粗さRaは、0.3μm以下が好ましく、0.2μm以下とすることがより好ましい。Raは、JISB0601:1982により求められる。Raが0.3μmを超えると、メッキ処理を施した後部分的に薄膜の箇所が発生してしまい、メッキによる皮膜効果が小さくなり、耐候性試験で厚膜導体層3が劣化してしまうおそれがある。このようにLTCC基板2に埋め込まれた厚膜導体層3の表面に、導電性金属からなるメッキ層4が形成されている。メッキ層4は、図示しないが、例えば厚膜導体層3の表面を覆うニッケルメッキ膜と、このニッケルメッキ膜の表面を覆う金メッキ膜とから構成されており、厚膜導体層3のLTCC基板2から露出した表面を隙間なく覆っている。一方、LTCC基板2の搭載面2aと反対側の非搭載面2bには、外部接続用の接続端子電極となる厚膜導体層3が形成されている。この厚膜導体層3も、前記した搭載面2a側の厚膜導体層3と同様に、平滑な表面を有し、かつその表面がLTCC基板2の非搭載面2bと略同じ高さになるようにLTCC基板2に埋め込まれている。また、この厚膜導体層3のLTCC基板2から露出した表面にも、導電性金属からなるメッキ層4が形成されている。非搭載面2b側の厚膜導体層3およびメッキ層4は、それぞれ搭載面2a側の厚膜導体層3およびメッキ層4と同様の材料からなるものとできる。さらに、LTCC基板2の内部には、搭載面2aの素子接続用の接続端子と非搭載面2bの外部接続用の接続端子とを電気的に接続する貫通導体5が設けられている。貫通導体5は、搭載面2aや非搭載面2bに形成される厚膜導体層3と同様の材料からなるものとできる。このような素子搭載用基板1によれば、厚膜導体層3がLTCC基板2に埋め込まれているので、メッキ層4特にニッケルメッキ膜が想定外に厚く形成され、その結果厚膜導体層3に過度な引張応力が加えられる場合であっても、厚膜導体層3端部のLTCC基板2からの剥がれを防止できる。これにより、厚膜導体層3を構成する銀がメッキ層4表面へ銀イオンの状態で拡散することを抑制し、硫化性環境下での硫化を防止できる。したがって、ワイヤボンディング性等が良好であり、また発光素子を搭載する場合に必要とされる反射率についても良好な素子搭載用基板1を得ることができる。本発明の素子搭載用基板1は、LTCC基板2の少なくとも搭載面2aに形成された厚膜導体層3が、LTCC基板2に埋め込まれていることを特徴としている。非搭載面2b側の厚膜導体層3については、必ずしもLTCC基板2に埋め込まれている必要はなく、非搭載面2b上に形成されていてもよいが、LTCC基板2の両面側で厚膜導体層3がLTCC基板2に埋め込まれた構造とすることで、より耐硫化性を良好とできる。次に、本発明の素子搭載用基板1の製造方法について説明する。図4aおよびbは、本発明の製造における加圧焼成工程を説明するための素子搭載用基板1の断面図である。図4および以下の記載では、素子搭載用基板1の製造に用いる部材について、この部材が最終的に構成する素子搭載用基板1の部材と同一の符号を付して説明する。本発明の素子搭載用基板1の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板2を製造し、その搭載面2aおよび非搭載面2bにそれぞれ銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層3を形成する工程未焼成基板製造工程と、これらの未焼成厚膜導体層3が形成された未焼成基板2の両面に、平滑平坦な押圧面を有する1対の加圧板6を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層3の表面に当接するように配置し、これらの加圧板6を介して未焼成厚膜導体層3を厚さ方向に押圧して未焼成基板2に押し込み、その状態で加熱焼成する工程加圧焼成工程と、基板に埋め込まれた厚膜導体層3の露出面に導電性金属からなるメッキ層4を形成する工程メッキ工程とを有する。未焼成基板製造工程では、まず未焼成基板2となるグリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないが、ガラス転移点Tgが550~700°Cのものが好ましく、600~680°Cのものがより好ましい。ガラス転移点Tgが550°C未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。ガラス粉末としては、例えばSiO2を57~65mol、B2O3を13~18mol、CaOを9~23mol、Al2O3を3~8mol、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5~6mol含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の50粒径D50は0.5~2μmが好ましく、1.0~1.8μmがより好ましい。ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、D50が2μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本件記載の粒径は、レーザ回折散乱法により測定したものである。セラミックスフィラーとしては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合粉末等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのD50は、0.5~4μmであることが好ましい。このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が30~50質量、より好ましくは35~40質量であり、セラミックスフィラーが50~70質量、より好ましくは60~65質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用できる。このようにして製造したグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して、所定の寸法角に切断するとともに層間接続用のビアホールを打抜き形成して、未焼成基板2とする。この未焼成基板2の両面搭載面2aおよび非搭載面2bに、銀を主体とする金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成厚膜導体層3を形成する。また、層間接続用のビアホール内にも、銀を主体とする金属のペーストを充填することにより、未焼成貫通導体5を形成する。金属のペーストとしては、銀を主体とする金属粉末、具体的には銀を50質量以上含有する金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好適に用いられる。銀とパラジウムとの混合粉末の場合、好ましくは銀は90質量以上、パラジウムは10質量以下含有するものである。また、銀と白金との混合粉末の場合、好ましくは銀は97質量以上、白金は3質量以下含有するものである。なお、本発明においては、LTCC基板2に含まれるガラス成分により金属と基板との接着力を十分に確保することができ、また金属の電気抵抗値を上げないためにも、金属のペーストにはガラスフリットを配合しないことが好ましい。加圧焼成工程では、まず図4aに示すように、未焼成厚膜導体層3が形成された未焼成基板2の両面搭載面2aおよび非搭載面2bに、平滑な押圧面を有する1対の金属板6を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層3の表面に当接するように配置する。なお、非搭載面2b側に配置される金属板6を、平滑な押圧面を有する基台あるいは基盤とできる。そして、これらの金属板6を介して、搭載面2a側および非搭載面2b側の未焼成厚膜導体層3をそれぞれ厚さ方向に押圧し、未焼成基板2に押し込む。このとき、金属板6の押圧面が未焼成基板2の対応する搭載面2aあるいは非搭載面2bに接するまで、未焼成厚膜導体層3を未焼成基板2内に押し込む。このような状態で加熱し、未焼成厚膜導体層3および未焼成基板2を同時に焼成する。金属板6としては、未焼成厚膜導体層3が未焼成基板2に押し込まれるに十分な加圧力である、例えば5~30MPaを加えることができるように、十分な剛性を有し、かつ押圧面が鏡面加工等により平滑に形成されたステンレス板を使用することが好ましい。焼成工程では、このように押し込まれた未焼成厚膜導体層3を有する未焼成基板2を、例えば500~600°C、より好ましくは530~570°Cの温度に加熱し、樹脂等のバインダーを分解し除去する脱脂を行った後、800~1000°C、より好ましくは840~930°C温度に加熱することで、ガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板2を焼成するとともに、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層3や未焼成貫通導体5を焼成して、厚膜導体層3や貫通導体5とする。こうして、図4bに示すように、厚膜導体層3の表面がLTCC基板2の搭載面2aおよび非搭載面2bと略同じ高さになるように埋め込まれた焼成基板が得られる。メッキ工程では、このようにしてLTCC基板2に埋め込まれた厚膜導体層3の露出した表面に、メッキ層4を形成する。メッキ層4は、例えばニッケルメッキを行った後、金メッキを行うことにより形成できる。ニッケルメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用した電解メッキによって5~40μm、より好ましくは5~20μmの厚さに形成する。また、金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用した電解メッキによって0.1~1.0μm、より好ましくは0.2~0.6μmの厚さに形成する。こうして、厚膜導体層3がLTCC基板2に埋め込まれるとともに、厚膜導体層3のLTCC基板2から露出した表面がメッキ層4により被覆されており、耐硫化性に優れた素子搭載用基板1を製造できる。以下に、本発明の実施例について記載する。実施例素子搭載用基板1として、図1、図2に示すものを図4に示す加圧焼成工程を経て製造した。まず、LTCC基板2となる基板用グリーンシートを作製した。基板用グリーンシートは、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕してガラス粉末D50=1.8μmを製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。このガラス粉末が35質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが40質量、ジルコニアフィラー第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY-3F-Jが25質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをポリエチレンテレフタレートPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが0.15mmとなる基板用グリーンシートを製造した。一方、銀を主体とする金属粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2と、ビヒクルとしてのエチルセルロースとを、質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストを製造した。基板用グリーンシートの貫通導体5を形成する部分に、孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、この貫通孔中にスクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体5を形成するとともに、両面にスクリーン印刷法により金属ペーストを塗布して未焼成厚膜導体層3を形成して未焼成基板2を製造した。次いで、未焼成厚膜導体層3が形成された未焼成基板2の両面に、表面が鏡面加工された厚さ1mmのステンレス板を押し当て、厚さ方向に10MPaの圧力を加えて、未焼成厚膜導体層3を未焼成基板2内に押し込んだ。そして、圧力を解放した後、550°Cで5時間保持する脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持する焼成を行った。こうして、厚膜導体層3の表面がLTCC基板2の表面と同じ高さになるように埋め込まれた基板を製造した。その後、LTCC基板2から露出した厚膜導体層3の部分に、スルファミン酸ニッケル浴を用いた電解メッキによって7μmのニッケルメッキ膜を形成した。その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電解メッキによって0.3μmの厚みの金メッキ膜を形成してメッキ層4を形成した。こうして素子搭載用基板1を製造した。比較例実施例の素子搭載用基板の製造において、未焼成厚膜導体層3が形成された未焼成基板2を、ステンレス板により押圧することなく脱脂、焼成を行った。そして、焼成後の基板の厚膜導体層3の表面全体にメッキを行って、素子搭載用基板1を製造した。次に、実施例および比較例で製造された素子搭載用基板1に対して、JIS-C-60068-2-43に準拠する硫化試験にて100時間暴露させ、金メッキ膜の表面の硫化黒色化を20倍の顕微鏡により観察した。また厚膜導体層3の剥がれについては電子顕微鏡により断面を2000倍で観察した。耐硫化性試験の結果、実施例の素子搭載用基板1では厚膜導体層3端部の剥がれがなく、また、メッキ層4表面への銀イオンの拡散、および硫化が有効に抑制されていることが認められた。一方、厚膜導体層3の埋め込みを行わなかった比較例の素子搭載用基板1については、厚膜導体層3の端部のLTCC基板2からの剥がれが見られた。そして、メッキ層4の表面に銀イオンが拡散し、硫化されることが認められた。