互いに間隔をおいて隣接した端部を有するとともに、基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を備えた高周波回路チップ。誘電体基板と、この誘電体基板上に配設され直流バイアスが印加される第2の配線層と、互いに間隔を置いて隣接した端部を有し基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有するとともに上記誘電体基板上に配設された高周波回路チップと、この高周波回路チップの第1の配線層の上記端部相互にまたがって一端が接続され他端が上記第2の配線層に接続された第3の接続導体と、を備えた高周波回路装置。基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と、高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程と、を含む高周波回路チップの製造方法。基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と、高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程と、を含む高周波回路チップの製造工程と、直流バイアスが印加される第2の配線層が形成された誘電体基板上に、高周波回路チップを接着し、高周波回路チップの第1の配線層の上記端部相互にまたがって第3の接続導体の一端を接続し、第3の接続導体の他端を誘電体基板の第2の配線層に接続する工程と、を含む高周波回路装置の製造方法。図14は従来のMMICチップの部分平面図である。図14において、100はMMICチップ、102はGaAs基板、104は主線路、106はRFパッド、108はバイアホールで裏面の接地導体に接続されている。110は接地パッドでバイアホール108を介して接地されている。例えば、GaAs基板102の基板厚みが100μmとすると、特性インピーダンスが50Ωとなる主線路104の線路幅は約70μmで、RFパッド106の幅は、主線路104の線路幅よりも広く、例えば150μm程度に広くする必要がある。このため主線路104では特性インピーダンス50Ωが確保されるが、特に周波数の高い領域、例えば60GHzを超えるミリ波帯においては、RFパッド106では主線路104よりも幅広になった部分の並列寄生容量が無視できなくなり、インピーダンスが50Ωより小さくなり、これによってRF特性を劣化させてしまう。図15は従来のMMICのRF特性を測定するときの模式図である。図15において、112はプローブヘッド、114はプローブヘッド112に装着されたプローブである。図15に示されるように、MMICチップ100のRF特性はワイヤが接続されていない状態で測定され、評価される。設計時において、RFパッド106を主線路104と同じ幅であるとしてRF特性を把握しておくと、MMICチップ100形成時の測定結果が設計時のRF特性と異なる結果となり、不良品と評価されることにもなる。図16は従来のMMICチップを実装したモジュールの部分平面図である。図16において、116は例えばモジュール、118はアルミナ基板、120はアルミナ基板118上に形成された配線層、122はパッドで、124はMMICチップ100のRFパッド106とモジュール116のアルミナ基板118上のパッド122とを接続するボンディングワイヤである。図16に示されるように、ボンディングワイヤ124によりパッド122とRFパッド106とが接続されると、実装時のボンディングワイヤ124のインダクタンスとチップのパッド幅の増加分による容量増加とが相互に幾分か相殺されるためにMMICチップ実装時のRF特性は、MMICチップ形成時のRF特性より設計時のRF特性により近くなると考えられるが、MMICチップ100形成時の評価結果により、良品不良品が選別されるので、必要以上に不良品を出してしまうという不都合が発生する。また、設計時にRF特性を評価する際に、パッド幅を線路幅より広くしておいてRF特性を求めるとすれば、チップ形成時のRF特性の測定結果は設計時のRF特性と一致するが、ボンディングワイヤ124を接続したチップ実装時のRF特性は、ボンディングワイヤ124のインダクタンスがそのまま残ってRF特性に影響するため設計時に求めたRF特性と一致しなくなるという不都合が生じる。また、設計時の評価を、ボンディングワイヤ124を接続した状態で評価するとすれば、実装時の状態によりボンディングワイヤのインダクタンスが必ずしも均一ではなく、設計時のRF特性を求める際に困難が伴うとともに、チップ形成時のボンディングワイヤが接続されていない場合のRF特性の測定結果と不一致を生じ、必要以上に不良品と判断されかねない。さらにまた、MMICの特性測定においてDCバイアスを印加するときに、未だ実装されていないMMICでは接地が不安定になり、発振を起こし測定を行いにくくなることがあった。この発明は上記の問題点を解消するためになされたもので、第1の目的は、ワイヤボンディングの接合領域を確保しつつ、設計時、チップ評価時およびチップ実装時においてRF特性などのチップの電気的特性の相異が少なく、電気的特性のばらつきの少ない高周波回路チップを提供することであり、第2の目的は歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を提供することである。また第3の目的はチップを設計時と同じ仕様でRF特性を評価することにより適正に良品不良品の判別ができる製造方法を提供することであり、第4の目的は歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を簡単な工程で製造することができる製造方法を提供することである。この発明に係る高周波回路チップは、互いに間隔をおいて隣接した端部を有するとともに、基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を備えたもので、第1の配線層の端部個別にDCバイアスを印加することができ、高周波信号の影響を少ない状態でチップの電気的特性を測定することができる。また、この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板と、この誘電体基板上に配設され直流バイアスが印加される第2の配線層と、互いに間隔を置いて隣接した端部を有し基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有するとともに誘電体基板上に配設された高周波回路チップと、この高周波回路チップの第1の配線層の端部相互にまたがって一端が接続され他端が第2の配線層に接続された第1の接続導体と、を備えたもので、ワイヤボンディングの接合領域を確保し、ボンディングの機械的強度及び電気的特性を保持し、電気的特性のばらつきの少ない構成にすることができる。またこの発明に係る高周波回路チップの製造方法は、基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と、高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程と、を含むもので、高周波信号の影響を少なくして直流バイアスを印加し、適正にチップの電気的特性を評価することができ、チップ状態で適正に良品不良品判定ができる。また、この発明に係る高周波回路装置の製造方法は、基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程とを含む高周波回路チップの製造工程と、直流バイアスが印加される第2の配線層が形成された誘電体基板上に、高周波回路チップを接着し、高周波回路チップの第1の配線層の上記端部相互にまたがって第3の接続導体の一端を接続し、第3の接続導体の他端を誘電体基板の第2の配線層に接続する工程と、を含むもので、ボンディングの機械的強度及び電気的特性を保持し、電気的特性のばらつきの少ない高周波回路装置を簡単な工程で製造することができる。この発明に係る高周波回路チップと高周波回路装置並びにその製造方法は以上に説明したような構成、工程を備えているので、以下のような効果を有する。この発明に係る高周波回路チップは、互いに間隔をおいて隣接した端部を有するとともに、基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を備えたもので、第1の配線層の端部個別にDCバイアスを印加することができ、高周波信号の影響が少ない状態でチップの電気的特性を測定することができる。このため電気的特性のばらつきの少ない高周波回路チップを提供することができる。また、この発明に係る高周波回路装置は、誘電体基板と、この誘電体基板上に配設され直流バイアスが印加される第2の配線層と、互いに間隔を置いて隣接した端部を有し基板上に所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有するとともに誘電体基板上に配設された高周波回路チップと、この高周波回路チップの第1の配線層の端部相互にまたがって一端が接続され他端が第2の配線層に接続された第3の接続導体と、を備えたもので、ボンディングの接合領域を確保し、ボンディングの機械的強度及び電気的特性を保持し、電気的特性のばらつきの少ない構成にすることができる。延いては歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を提供することができる。また、この発明に係る高周波回路チップの製造方法は、基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と、高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程と、を含むもので、高周波信号の影響を少なくして直流バイアスを印加し、適正にチップの電気的特性を評価することができ、チップ状態で適正に良品不良品判定ができる。このため電気的特性の揃った高周波回路チップを製造することができる。また、この発明に係る高周波回路装置の製造方法は、基板上に、それぞれが互いに隣接した端部を有するとともに所定の間隔をおいて並行して配設された直流バイアス用の第1の配線層を有する高周波回路を形成する工程と高周波回路の第1の配線層の端部に接触端子を接触させ、それぞれの端部個別に直流バイアスを印加し、高周波回路の電気的特性を測定する工程とを含む高周波回路チップの製造工程と、直流バイアスが印加される第2の配線層が形成された誘電体基板上に、高周波回路チップを接着し、高周波回路チップの第1の配線層の端部相互にまたがって第3の接続導体の一端を接続し、第3の接続導体の他端を誘電体基板の第2の配線層に接続する工程と、を含むもので、ボンディングの機械的強度及び電気的特性を保持し、電気的特性のばらつきの少ない高周波回路装置を簡単な工程で製造することができる。延いては歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を提供することができる。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1に係るMMICの部分平面図である。図1において、10は高周波回路チップとしての例えばMMIC、12はMMIC10の基板としてのGaAs基板で、厚みは100μm程度で、裏面には接地金属膜図示せずが配設されている。14はGaAs基板12上に配設された第1の配線層としての主線路で、メタル蒸着かまたは蒸着メタル上にAuメッキを最上層とした構成により形成される。GaAs基板12の基板厚みが100μm程度の場合には、特性インピーダンスを例えば50Ωとするときには、主線路14の線路幅は約70μm程度とし、GaAs基板12の裏面の接地金属膜とでマイクロストリップ線路を構成している。16aは主線路14の端部に設けられたRFパッド16のパッド主部で主線路14と同じパッド幅を有している。16bはパッド主部16aの両側に沿ってスリット16cを介して独立して配設された、RFパッド16の一部を構成する第1、第2の導体膜としてのパッド副部である。このMMIC10ではパッド副部16bはパッド主部16aの両側それぞれに設けられているが、パッド主部16aの片側に隣接して配設しても、ワイヤがボンディングされると電気的に接続されるので同じ機能を果たすことができる。パッド主部16aおよびパッド副部16bは、主線路14がメタル蒸着の場合は、主線路形成後メッキ工程を経て形成される。また主線路14が蒸着メタル上にAuメッキを最上層として形成される場合には、パッド主部16aは主線路の単に端部であり、パッド副部16bは主線路と同時工程により形成される。18はバイアホールで、裏面の接地金属膜図示せずに接続されている。20はバイアホール18に接続された接地導体膜としての接地配線層で、パッド副部16bを介してパッド主部16aの両側に配設されている。このMMIC10では接地配線層20はパッド主部16aの両側に設けているが、RF特性を測定するプローブによっては、接地配線層20はパッド主部16aの片側にのみ配設される場合もある。図1に示されたMMIC10には、主線路14の端部とRFパッド16および接地配線層18が記載されているが、主線路14には、図示していないが、能動素子としてのトランジスタや受動素子などの回路要素が接続されMMIC10を構成している。図2はこの発明に係るMMICのチップ特性を測定する方法を説明した模式図である。図2において、22はプローブヘッド、24はプローブヘッド22に装着された接触端子としてのプローブである。チップ特性、例えばRF特性の測定は、通常ウエハにMMICが形成された時点で行われ、プローブヘッド22に配設された3本一組のプローブ24を使用して測定される。中央のプローブ24は主線路14に接続しているパッド主部16aに接触し、両側2本のプローブ24は接地配線層18に接触した状態で、反射特性を示すS11及びS22や通過特性を示すS21などが測定される。このとき、パッド主部16aは主線路14と同じ幅であるので、主線路14の線路幅からのはみ出しはなく、パッドの並列寄生容量によるインピーダンスの減少はなく、設計時点での回路の仕様と同じ状態でMMIC10のRF特性が測定される。このため、周波数の高い領域、特に60GHzを超えるミリ波帯においてもMMICチップとしてのチップ特性による良品不良品の判別が正確に行うことができ、RF特性などのチップの電気的特性のばらつきの少ないMMICチップを提供することが出来る。図3はこの発明に係るパッドのRF特性のスリット幅依存性を示すグラフである。図3において、縦軸は反射損失及び通過損失で、横軸はスリット間隔である。黒丸印の折れ線は反射損失を示し、中抜き丸印の折れ線は通過損失S21を示している。計算周波数は80GHzである。図4は図3の解析に用いた従来構造のパッドの平面図である。図5は図3の解析に用いたこの発明の一実施の形態に係るパッドの平面図である。図6は図3の解析に用いた理想構造のパッドの平面図である。図4は従来構造のパッド形状を模擬するものである。図4ではパッド幅W1は150μm、主線路14の幅W2は70μmである。図5は、この発明に係るパッド形状を模擬するものである。図5においては、パッド幅W1を150μmとし、パッド主部16aとパッド副部16bとのスリット間隔gをg=5μm、10μm、15μm、20μmと変化させている。図6は、パッド主部16aの幅W1と主線路14の幅W2とを同じにした設計時のパッド形状を模擬するものである。また言い換えれば、従来構造の図4のパッド形状は、図5においてW1を150μmとしスリット間隔gをg=0μmとしたものに相当し、パッド主部16aと主線路の幅とを同じにした図6のパッド形状は、図5においてW1を150μm、主線路14の幅W2は70μmとしスリット間隔gをg=40μmとしたものに相当する。従って図3において、g=0μmの反射損失及び通過損失は従来構造のパッド形状の値であり、g=40μmの反射損失及び通過損失はパッド主部16aと主線路14の幅とを同じにした設計時のパッド形状の値であると考えられる。図3からは、パッド主部16aと主線路14の幅とを同じにした図6のパッド形状の場合を理想特性とした場合、通過損失についてはg=5μm以上でパッド主部16aと主線路の幅とを同じにしたパッド形状の値にほぼ一致した特性となる。通過損失については、g=5μmで約19dB改善し、gの増加とともにパッド主部16aと主線路の幅とを同じにしたパッド形状の値に近づくことが分かる。このためRF特性はスリット間隔gの増加によって改善するが、gの上限値については、ワイヤの接合強度等によって規定される。以上のように、この発明に係る高周波回路チップにおいては、パッド主部16aとパッド副部16bとのスリット間隔gを適切に選択することにより、パッド主部16aとパッド副部16bとでワイヤボンディングの接合領域を確保しつつ、電気的特性の測定に際してはパッド主部16aと接地配線層20にプローブを接触させ、ボンディングパッドの容量増加無しにMMICチップ10の電気的特性を評価することができる。このため、高周波回路チップとしてのチップ特性による良品不良品の判別が正確に行うことができ、RF特性などのチップの電気的特性のばらつきの少ない高周波回路チップを提供することが出来る。図7はこの発明の実施の形態1に係るモジュールの部分平面図である。図7において、30はモジュールである。32はモジュール30の誘電体基板としてのアルミナ基板である。このアルミナ基板32に変えてガラスエポキシ基板を使用しても良い。34はアルミナ基板32の表面上に配設された第2の配線層としての主線路である。主線路34は蒸着メタル上にAuメッキを最上層として形成される。36は主線路34のパッド部である。38はMMICチップ10のRFパッド16とアルミナ基板32の主線路34のパッド部36とを接続する第1、第2の接続導体としてのボンディングワイヤである。2本のボンディングワイヤ38はインダクタンスを小さくするために互いに並行して接続される。MMICチップ10のRFパッド16においては、ワイヤそれぞれがパッド主部16aの一部と互いに異なるパッド副部16bとにまたがって主線路14と並列にボンディングされる。RFパッド16のパッド副部16bの幅寸法およびパッド主部16aとパッド副部16bとのスリット間隔gは、ボンディングワイヤ38の接合強度が確保できるように定められているので、ボンディングの機械的信頼性や電気的信頼性が確保される。以上のように、この発明に係る高周波回路装置としてのモジュールやパッケージは、設計時、チップ形成時及び実装時でそれぞれの電気的特性が適正に評価でき、電気的特性のばらつきの少ないMMICチップを実装して組み立てられ、実装時の電気的特性も適正に評価できるから、歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を構成することができる。実施の形態2.図8はこの発明の実施の形態2に係るモジュールの部分平面図である。図2において図1と同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。以下の実施の形態の各図においても同じ符号は同一のものかまたは相当のものである。図8において、40は高周波回路装置としてのモジュール、42はこのモジュール40にダイボンドされているMMICチップ、44はこのMMICチップの基板上に配設された付加容量膜で、パッド副部16bと同じ層構成で形成され、パッド副部16bに接続されている。このモジュール40に用いられるMMICチップ42もチップ形成時にチップ特性を測定するときには、実施の形態1のMMICチップ10と同様にパッド主部16aは主線路14と同じ幅であるので、主線路14の線路幅からのはみ出しはなく、パッドの並列寄生容量によるインピーダンスの減少はなく、設計時点での回路の仕様と同じ状態でMMIC10のRF特性が測定される。このため、周波数の高い領域、特に60GHzを超えるミリ波帯においてもMMICチップとしてのチップ特性による良品不良品の判別が正確に行うことができる。そして、このMMICチップ42を使用したモジュール40においては、さらにパッド副部16bに接続された付加容量膜44を適切に定めることにより、パッド副部16bの並列容量をボンディングワイヤ38の寄生インダクタンスと実質的に相殺することが可能となる。モジュール40において、ボンディングワイヤ38をパッド主部16aとパッド副部16bとにまたがってボンディングすると、ボンディングワイヤ38によって、パッド主部16aとパッド副部16bとは電気的に一体となり、パッド副部16bはMMICチップの電気的特性に関与することになる。このとき、パッド副部16bに接続された付加容量膜44の形状や寸法を式1に基づいて決定することにより、パッド副部16bの容量をボンディングワイヤ38の寄生インダクタンス成分と効果的に相殺させ、チップ特性への影響を実質的に無くすことができる。Z0=50Ω=LLw/CCstb1/21ここで、Lはパッド主部16aに接続される主線路14の直列インダクタンス、Cはパッド主部16aに接続される主線路14の並列キャパシタンス、Lwはボンディングワイヤ38の直列インダクタンス、Cstbはパッド副部16bと付加容量膜44とをあわせた並列キャパシタンス、である。モジュール40のMMICチップ42において、パッド副部16bと付加容量膜44はオープンスタブとなって、ボンディングワイヤ38の寄生インダクタンス成分を相殺し、MMICチップ42形成時に測定したチップのRF特性などの電気的特性とモジュール40に実装したときの電気的特性が一致することになる。従って、MMICチップ42形成時の電気的特性がそのままモジュールに実装したときの電気的特性に反映され、歩留まりが高く安価で信頼性の高い高周波回路装置を提供することができる。実施の形態3.図9は、この発明の実施の形態3に係るMICMicrowaveIntegratedCircuitの部分平面図である。図9において、46はMICチップである。48はMICチップ46の基板としてのアルミナ基板である。このアルミナ基板48は他の誘電体基板を用いても良い。このMICチップ46はコストを削減するために、必ずしも高価なGaAs基板を使用しなくて良い部分は安価な誘電体基板、例えばアルミナ基板48を使用し、トランジスタなどのGaAs基板が必要な部分のみ高価なGaAs基板を使用するものである。50はMICチップ46にダイボンドされたGaAs基板に形成されたトランジスタ素子や受動素子などのMICチップである。52はMICチップ50のRFパッド16とMICチップ46の主線路14のパッド54とを接続するワイヤである。この実施の形態2では、MICチップ50のRFパッド16も、このMICチップ50をダイボンドしたMICチップ46のRFパッド16も、それらがチップ形成された段階で、チップの電気的特性が測定される。実施の形態1と同様に、これらのRFパッド16においては、パッド主部16aが主線路14と同じ幅であるので、主線路14の線路幅からのはみ出しはなく、パッドの並列寄生容量によるインピーダンスの減少はなく、設計時点での回路の仕様と同じ状態でMIC46及びMIC50のRF特性が測定される。このため、周波数の高い領域においてもMICチップとしてのチップ特性による良品不良品の判別を正確に行うことができ、RF特性などのチップの電気的特性のばらつきの少なく、高価なGaAs基板の使用量が少なくなり安価なMICチップを提供することが出来る。図10はこの発明の実施の形態3に係るモジュールの部分平面図である。図10において、56は高周波回路装置としてのモジュールである。モジュール56は、高周波回路チップとしてのMICチップ46がアルミナ基板32上にダイボンドされていることが、実施の形態1のモジュール30と異なるだけで、基本構成は同じである。従って実施の形態3に係る高周波回路装置としてのモジュール56も、電気的特性のばらつきの少ないMICチップを実装して組み立てられるから、歩留まりが高く、MICチップのコストも廉価になるので、安価で信頼性の高い高周波回路装置を構成することができる。実施の形態4.図11はこの発明の実施の形態4に係るMMICチップの部分平面図である。図11において、60はMMICチップ、62はMMIC60の表面上に配設された第1の配線層としてのDCバイアス線路である。64はDCバイアス線路62の端部に間隔を設けて隣接したDCパッドである。図11に示されたMMIC60には、DCバイアス線路62の端部とDCパッド64とが記載されているが、DCバイアス線路62には、図示していないが、能動素子としてのトランジスタや受動素子などの回路要素が接続されMMIC60を構成している。図12はこの発明の実施の形態4に係るMMICチップのチップ特性の測定を説明した模式図である。この図12ではMMIC60の評価時にDCバイアスを印加する方法を示している。図12において、プローブヘッド22に設けられたプローブ24をDCバイアス線路62の個別の端部に設けられたDCパッド64に接触させて、個別にDCバイアスが印加されMMICのチップ特性が測定される。この測定に際して、例えばMMICが増幅回路のような場合、まだ実装されないMMICでは接地が不安定で、DCバイアス線路62の端部が分割されていないとしばしば発振し測定が行いにくくなるが、この様に分割された個別のDCパッド64にバイアスを印加することにより、発振を防止でき適正に良品不良品の判定が可能となる。図13は、この発明の実施の形態4に係るモジュールの部分平面図である。図13において、70は高周波回路装置としてのモジュール、72は第2の配線層としてのDCバイアス線路でアルミナ基板32の表面上に配設され、蒸着メタル上にAuメッキを最上層として形成される。74はDCバイアス線路72に設けられたDCパッドで、DCバイアス線路と同様の構成である。76は第3の接続導体としてのボンディングワイヤである。モジュール70において、MMICチップ60上に並行して設けられたDCバイアス線路62の端部に間隔を置いて個別に設けられたDCパッド64にまたがってボンディングワイヤ76の一端がボンディングされ、他端はアルミナ基板32のDCバイアス線路72に設けられたDCパッド74にボンディングされる。この実施の形態4の高周波回路装置としてのモジュールにおいて、チップ形成時の電気的特性が適正に評価でき、電気的特性のばらつきの少ないMMICチップを実装して組み立てられ、歩留まりが高く安価な高周波回路装置を構成することができる。以上の実施の形態の説明では、高周波回路装置としてモジュールとして説明したが、モジュールの替わりにパッケージであっても同様の効果を奏する。