"X線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブIIIのピークを有し、1次粒子径が100nm~1μmであることを特徴とする微粒子酸化ニオブIII。酸化ニオブVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。金属マグネシウムが、粒径1~500mの粒状である請求項2に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。酸化ニオブVと、金属マグネシウムとの比率が、ニオブNbとマグネシウムMgとのモル比でMg/Nb=1.1~10である請求項2または3に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。本発明の課題は、上記のような事情に鑑み、低原子価酸化ニオブの中でも、特にドーパントして好適な3価の微粒子酸化ニオブIIIを提供することである。さらに、本発明の課題は、微粒子酸化ニオブIIIのみを選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造する方法を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。1X線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブIIIのピークを有し、1次粒子径が100nm~1μmであることを特徴とする微粒子酸化ニオブIII。2酸化ニオブVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する工程を含むことを特徴とする1に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。3金属マグネシウムが、粒径1~500mの粒状である2に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。4酸化ニオブVと、金属マグネシウムとの比率が、ニオブNbとマグネシウムMgとのモル比でMg/Nb=1.1~10である請求項2または3に記載の微粒子酸化ニオブIIIの製造方法。本発明によれば、酸化亜鉛系透明導電性材料のドーパントとして好適な微粒子酸化ニオブIIIを提供することができる。さらに、本発明の製造方法を用いることにより、微粒子酸化ニオブIIIのみを、選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造量産し得るという効果を有し、極めて有用である。本発明に係る微粒子酸化ニオブIIIは、X線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブIIIのピークを有し、1次粒子径が100nm~1μmである。微粒子酸化ニオブIIIが、100nm~1μmの1次粒子径を有する場合、例えば、酸化亜鉛系透明導電性材料のドーパントとして好ましく用いられる。1次粒子径は、好ましくは200nm~0.9μm、より好ましくは300nm~0.8μmである。本発明に係る微粒子酸化ニオブIIIは、その製造方法については特に限定されない。例えば、本発明に係る微粒子酸化ニオブIIIは、酸化ニオブVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する方法以下、単に本発明の製造方法記載する場合があるにより得られる。このような製造方法によれば、本発明に係る微粒子酸化ニオブIIIを選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造量産できる。100nm~1μmの1次粒子径を有する微粒子酸化ニオブIIIを得るためには、酸化ニオブVも粒径の小さいものほど好ましい。例えば、1μm以下の一次粒子径を有する酸化ニオブVが好ましく、10nm以上1μm以下の一次粒子径を有する酸化ニオブVがより好ましい。また、取扱い性を考慮すると、100nm以上1μm以下の一次粒子径を有する酸化ニオブVが最も好ましい。本発明の製造方法に用いられる金属マグネシウムは、粒径が小さすぎると、反応が急激に進行して操作上危険性が高くなる。したがって、篩のメッシュパスで100~500μmの粒径を有する金属マグネシウムが好ましく、150~300μmの粒径を有する金属マグネシウムが特に好ましい。ただし、金属マグネシウムは、全て上記粒径範囲になくても、その80質量以上、特に90質量以上が上記範囲内にあればよい。酸化ニオブVに対する金属マグネシウムの量は、還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少なすぎると、還元不足で目的とする微粒子酸化ニオブIIIが得られにくくなる。一方、金属マグネシウムの量が多すぎると、未反応の金属マグネシウムが残存して経済的でなかったり、還元が進みすぎたりする。したがって、マグネシウムMgとニオブNbとのモル比は、好ましくはMg/Nb=1.1~10、より好ましくはMg/Nb=1.5~8である。すなわち、Mgの比率が上記より高くなるとMg/Nb>10、過還元により、酸化ニオブIIIよりさらに酸化価数の小さいNbOなどが生成し、また未反応の金属マグネシウムが多くなって経済的でない。一方、Mgの比率が上記より低くなるとMg/Nb<1.1、還元力が不足して、目的とする微粒子酸化ニオブIIIが得られなくなるおそれがある。酸化ニオブVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物は、650~800°Cで焼成される。この焼成の際、酸化ニオブVが金属マグネシウムによって還元される還元反応が起こる。焼成還元反応は、好ましくは680~700°Cで行われる。650°Cは金属マグネシウムの溶融温度であり、上記還元反応時の温度がこれより低いと、酸化ニオブVの還元反応が十分に進行しない。また、上記還元反応時の温度を800°Cより高くしても、反応自体に問題はないが、高温にしたことによる効果の増加が得られず、安全性面での低下が生じるおそれがある。反応時間は、上記還元反応時の温度によるが、通常、30~90分程度、好ましくは30~60分程度である。上記還元反応を行う際の反応容器としては、容器内部の圧力が上昇したときに容器内部の気体を外部に放出して容器内部の圧力を下げる機能を有する閉鎖系容器を使用する。このように、内圧上昇時に容器内部の気体を外部に放出する機能を有する容器を用いるのは、金属マグネシウムの溶融が始まると、還元反応が急激に進行し、それに伴って温度が上昇して、容器内部の気体が膨張するためである。この気体の膨張によって、容器が破裂して危険なため、容器内部の圧力が上昇したときに容器内部の気体を外部に放出して容器内部の圧力を下げることにより、安全性が確保される。また、反応容器を閉鎖系容器としているのは、反応物が外部に飛び散らないようにするためであり、この閉鎖系とは完全に密閉化していてもよいし、また、完全に密閉化されていなくても、反応物が外部に飛び散らない程度に閉鎖されていればよいという意味である。また、この閉鎖系とは、必要時に閉鎖系になっていればよいという意味であって、当然、反応原料の充填や反応物の取出しにあたっては、その閉鎖系が解除できるものである。本発明の製造方法は、酸化ニオブVおよび金属マグネシウム以外に、カーボンを用いているため、不活性雰囲気を作り出す大掛かりな装置は不要である。すなわち、大気雰囲気中で上記還元反応を行っても、カーボンによって不活性雰囲気を作り出すことができ、金属マグネシウムが酸化されることなく、酸化ニオブVを酸化ニオブIIIに還元できる。カーボンとしては、木炭、コークス、カーボンダイヤモンド、グラファイト、ロンズデーライト、フラーレン、無定形炭素活性炭、カーボンブラック、黒鉛、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンファイバーなどが挙げられ、特に限定されない。カーボンは、焼成中に酸素と反応して二酸化炭素を発生し、不活性雰囲気を作り出すことができれば、その量は限定されず、任意の量で使用される。本発明者らは、カーボンが、金属マグネシウムや還元生成物と酸素との接触を防ぎ、それらの酸化を防ぐことに有効であることを見出した。従来の方法は、不活性雰囲気で行うが、コスト的も高くなる。また、不活性雰囲気を形成するためには、真空置換を行い、完全に酸素を除去した後、不活性雰囲気にする必要があり、生産性にも劣る。本発明の製造方法は、酸素が存在する大気雰囲気において、酸化ニオブVを酸化ニオブIIIに選択的に還元するという極めて画期的な方法である。本発明の製造方法は、通常の大気炉を用いて、極めて安価に微粒酸化ニオブIIIを製造することができる。還元反応後、混合物は、反応容器から取り出され、カーボンを分離する。最終的に室温まで冷却した後、塩酸などの酸溶液で洗浄して、金属マグネシウムの酸化によって生じた酸化マグネシウムを除去する。この酸洗浄は、pHは0.5~4、特にpHは1.0~3.5、温度は90°C以下で行うのが好ましい。これは酸性が強すぎたり、温度が高すぎたりすると、ニオブまでが溶出してしまうおそれがあるためである。酸洗浄後、アンモニア水などでpHを5~6に調整した後、濾過または遠心分離により固形分を分離し、その固形分を乾燥した後、粉砕して微粒子酸化ニオブIIIを得ることができる。本発明の微粒子酸化ニオブIIIは、上記のように、X線回折装置を用いての測定で得られたプロファイルX線回折プロファイルにおいて、主ピークとして酸化ニオブIIIのピークを有している。酸化ニオブの標準サンプルのピークは、2θ=20.72°I=10.8、26.05°I=100、30.80°I=15.6、35.21°I=59、36.15°I=26.1、40.04°I=8.3、42.99°I=28.3、47.92°I=5.4、52.13°I=52.4、53.58°I=18.8、60.05°I=10.1、62.07°I=19.3、65.81°I=9.9、68.01°I=5.80に現われる。本発明の微粒子酸化ニオブIIIのピークも、上記酸化ニオブIIIの標準サンプルのピーク位置またはその近傍に現われる。なお、本発明において、上記X線回折プロファイルを求めるためのX線回折分析は、理学電機工業株製のX線回折装置ULTIMAIV商品名により、CuKα線を用いて印加電圧45kV,印加電流40mAで、θ-2θ法で行ったものである。本発明の微粒子酸化ニオブIIIは、太陽電池、液晶表示素子、その他各種受光素子における電極透明導電膜のドーパントとして有用である。例えば、酸化亜鉛系透明導電性材料に本発明の微粒子酸化ニオブIIIをドーパントとして添加し、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法によって透明導電膜が得られる。以下、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1酸化ニオブV和光純薬工業株製、平均粒径:0.8μm10gを金型に入れ、1MPaで軽く加圧して円盤型の錠剤を得た。この円盤型の錠剤と活性炭太平化学産業株製、平均粒径:20~30μm100gと、金属マグネシウムキシダ化学株製、平均粒径:150~500μm16gとをアルミナ製容器に入れた。次いで、この容器を電気炉に入れ、大気雰囲気中、800°Cで2時間、加熱処理を行った。加熱処理後、室温まで自然放冷を行い錠剤を取り出して、錠剤と2mmφジルコニア製ボールとをエタノール溶媒に入れ、錠剤の粉砕を行った。粉砕後、希釈したpH2の塩酸にて洗浄を行い、未反応の金属マグネシウムおよび酸化マグネシウムを除去した。なお、アルミナ製容器は、加熱により容器内部の気体が膨張して圧力が上昇したときに、フタがその圧力によって持ち上がり、容器内部の気体を外部に放出し、容器内部の圧力が低下すると、フタの自重で容器本体を覆うものである。したがって、この容器は、内圧上昇時に容器内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器に該当するものである。得られた粉砕物を精製し、X線回折装置理学電機工業株製、ULTIMAIVで測定すると、図1のX線回折に示すように、酸化ニオブIIIであることが確認された。また、得られた微粒子酸化ニオブIIIについて、粒度分布計にて粒子径の測定を行った。具体的には、3質量のヘキサメタリン酸ナトリウム溶液中に得られた微粒子酸化ニオブIIIを入れ、ホモジナイザで10分間分散した試料にレーザー光線を照射し、その回折散乱を、マイクロトラック粒度分布計日機装株製MT-3000IIで測定したところ、平均粒径は0.9μmであった。粒子径が小さな0.9μm酸化ニオブIIIを、大気雰囲気にて、カーボン活性炭および金属マグネシウムを用いるという極めて安価かつ容易な方法で得ることができた。この粒子径を有する酸化ニオブIIIは、酸化亜鉛のドーパントとして好適である。比較例1活性炭を用いずに、1200°Cで加熱処理を行ったこと以外は、実施例1と同様の手順で加熱処理を行い、得られた錠剤の粉砕を行った。活性炭を用いなかったため、金属マグネシウムは、大気中の酸素によって酸化されて酸化マグネシウムとなり、酸化ニオブVを還元することができず、酸化ニオブVは変化しなかった。"