基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクであって、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域が設けられており、前記遮光領域が前記反射層と前記吸収層とを備え、前記遮光領域の前記反射層が、前記転写パターン領域の前記反射層と同一平面上になく、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、前記遮光領域に入射した前記EUV光の反射光を、前記転写パターン領域に入射した前記EUV光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする反射型マスク。前記遮光領域の前記反射層がある斜面が、前記転写パターン領域の前記反射層がある平面から前記基板側と反対の方向に向けて形成された斜面であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。前記遮光領域の前記反射層がある斜面が、前記転写パターン領域の前記反射層がある平面から前記基板側の方向に向けて形成された斜面であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。前記遮光領域における前記反射層が、鋸歯状であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。前記遮光領域及び前記転写パターン領域の前記反射層と前記吸収層が、それぞれ同一材料で形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載の反射型マスク。基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられた前記EUV光を吸収する吸収層と、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記反射型マスクブランクスが、転写パターンを形成する領域と、該転写パターンを形成する領域の周囲に前記EUV光を遮光するための遮光領域と、を設けており、前記遮光領域が前記反射層と前記吸収層とを備え、前記遮光領域における前記反射層が、前記転写パターン領域の前記反射層と同一平面上になく、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあることを特徴とする反射型マスクブランクス。基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備え、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域が設けられているEUV露光用の反射型マスクの製造方法であって、前記基板の主面上の前記遮光領域となる領域の基板表面を加工し、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面を形成する工程と、前記斜面を含む前記基板の主面上に、前記反射層、前記吸収層を順に設けて反射型マスクブランクスを形成する工程と、前記反射型マスクブランクス上に前記吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記吸収層をエッチングして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法。しかしながら、従来、EUV用の遮光領域を形成するために、図10に示す吸収層を積層させて作成する上述の吸収体積層方式、あるいは図11に示す反射層を掘り込んで除去して作成する反射層加工方式による遮光領域を有する反射型マスクを製造するには、以下のような問題があった。図10に示すような吸収体積層方式の反射型マスクの製造方法については、特許文献2において、吸収体パターンを構成する第1の吸収層103の上に、遮光領域108を構成する第2の吸収層106を積層し、第2の吸収層106の上に形成したレジストパターンをエッチングマスクにして、第2の吸収層106と第1の吸収層103をエッチング加工して、第2の吸収層106と第1の吸収層103の両方の厚さの転写パターンと遮光領域パターンを形成し、次いで、転写パターン領域107の第2の吸収層106からなる転写パターンのみを除去して上記のような吸収体積層方式の反射型マスクを得る方法が提案されている。しかし、上記のように、第2の吸収層106と第1の吸収層103の両方をエッチング加工して転写パターンを形成することは、第1の吸収層のみをエッチング加工して転写パターンを形成することに比べて厚膜のエッチングとなり、エッチング時のレジストダメージによるマスクパターンの劣化が生じ、精度良く転写パターンを形成することは困難であった。また、第1の吸収層の転写パターンに損傷を与えずに、転写パターン領域107の第2の吸収層からなる転写パターンのみを除去することも困難であった。また、転写パターン領域107に転写すべきメインパターンを作成後に上部吸収層を作成する製造方法では、製造途中の洗浄プロセスで使用した硫酸イオンなどが基板上に残留して吸収体パターン作成時のレジストプロセスに影響し、寸法精度に悪影響を及ぼす問題が発生していた。一方、図11に示す反射層を除去する反射層加工方式の反射型マスクについては、Mo層とSi層を交互に設けて一組の層とした40層例えば、厚さ274nmに及ぶ多層膜構造の反射層112を深掘りエッチングして、遮光領域118の反射層112を除去する必要があるが、この反射層の除去は容易ではなく、工程が長くなるという問題を生じていた。さらに、反射層加工方式の反射型マスクにおいては、反射層112を構成するMo層とSi層を交互に積層した多層膜の側面が、遮光領域118において露出した構造となるため、マスク洗浄時に露出している多層の反射層112の側面が損傷してしまう恐れや、多層の反射層112の一部が側面から溶出して転写パターンに欠陥が生じてしまうという問題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、EUV露光用の反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することである。本発明者は、種々研究した結果、遮光領域における反射層を傾けて成膜することで遮光領域からの反射光をマスクパターン部の反射光とは異なる角度で反射し、良好な遮光特性を得ることにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成したものである。本発明の請求項1の発明に係る反射型マスクは、基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクであって、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域が設けられており、前記遮光領域が前記反射層と前記吸収層とを備え、前記遮光領域の前記反射層が、前記転写パターン領域の前記反射層と同一平面上になく、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、前記遮光領域に入射した前記EUV光の反射光を、前記転写パターン領域に入射した前記EUV光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とするものである。また、本発明の請求項2の発明に係る反射型マスクは、請求項1に記載の反射型マスクにおいて、前記遮光領域の前記反射層がある斜面が、前記転写パターン領域の前記反射層がある平面から前記基板側と反対の方向に向けて形成された斜面であることを特徴とするものである。また、本発明の請求項3の発明に係る反射型マスクは、請求項1に記載の反射型マスクにおいて、前記遮光領域の前記反射層がある斜面が、前記転写パターン領域の前記反射層がある平面から前記基板側の方向に向けて形成された斜面であることを特徴とするものである。また、本発明の請求項4の発明に係る反射型マスクは、請求項1に記載の反射型マスクにおいて、前記遮光領域における前記反射層が、鋸歯状であることを特徴とするものである。また、本発明の請求項5の発明に係る反射型マスクは、請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載の反射型マスクにおいて、前記遮光領域及び前記転写パターン領域の前記反射層と前記吸収層が、それぞれ同一材料で形成されていることを特徴とするものである。また、本発明の請求項6の発明に係る反射型マスクブランクスは、基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられた前記EUV光を吸収する吸収層と、を少なくとも備えたEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、前記反射型マスクブランクスが、転写パターンを形成する領域と、該転写パターンを形成する領域の周囲に前記EUV光を遮光するための遮光領域と、を設けており、前記遮光領域が前記反射層と前記吸収層とを備え、前記遮光領域における前記反射層が、前記転写パターン領域の前記反射層と同一平面上になく、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあることを特徴とするものである。また、本発明の請求項7の発明に係る反射型マスクの製造方法は、基板と、前記基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備え、前記吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、前記EUV光を遮光するための遮光領域が設けられているEUV露光用の反射型マスクの製造方法であって、前記基板の主面上の前記遮光領域となる領域の基板表面を加工し、前記基板の主面に対して所定の角度を有する斜面を形成する工程と、前記斜面を含む前記基板の主面上に、前記反射層、前記吸収層を順に設けて反射型マスクブランクスを形成する工程と、前記反射型マスクブランクス上に前記吸収体パターンを形成するためのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記吸収層をエッチングして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。本発明のEUV露光用の反射型マスクによれば、遮光領域における反射層を基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上に成膜することで、遮光領域に入射したEUV光の反射光を、転写パターン領域に入射したEUV光の反射光とは異なる方向に反射させ、良好な遮光特性を得ることができる。そのため、従来の吸収層を2段構造に積層した遮光領域や反射層をエッチング除去して作成した遮光領域を形成することによるメインパターンの加工精度低下や、欠陥を生じるなどの問題を発生せずに、良好な遮光特性を持つ反射型マスクを得ることができる。本発明のEUV露光用の反射型マスクブランクスによれば、反射型マスクブランクスにすでに遮光領域が形成されているので、このブランクスを用いることにより遮光領域形成工程が不要になり、良好な遮光特性を持ち高品質の反射型マスクを容易に作製することが可能となる。本発明のEUV露光用反射型マスクの製造方法によれば、遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクの製造において、従来の吸収層を2段構造に積層した遮光領域や反射層をエッチング除去して作成した遮光領域を形成することによるメインパターンの加工精度低下や、欠陥を生じるなどの問題を発生せずに、良好な遮光特性を持つ高品質の反射型マスクを作製することができる。以下、本発明の遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法について、図面を参照しながら実施形態を説明する。<反射型マスク>実施形態図1は、遮光領域を有する本発明の反射型マスク10の実施形態の一例を示す図であり、図1aはマスク全体の平面模式図、図1bは図1aのA-A線における断面模式図、図1cは図1bにおける破線で示した枠内の遮光領域15の部分拡大図である。図1に示すように、反射型マスク10の一方の主面表面上には、転写パターン領域14と遮光領域15が形成されている。ここで、転写パターン領域14は、ウェハなどの被転写体に転写される露光フィールドに対応した反射型マスク10上のパターン領域であり、破線で示す枠内の遮光領域15は、転写パターン領域14の周辺に設けられたEUV光の反射を低減させた領域で、EUV露光時に多重露光となる領域に設けられている。例えば、外形6インチ角の反射型マスクにおいて、転写パターン領域14の面積は100mm×130mm程度であり、遮光領域15の幅は概ね3mm~25mm程度である。なお、遮光領域15よりもさらに外側は、露光時に露光装置に備えられているブレードを用いて遮光することができる。図1に示すように、本実施形態の反射型マスク10は、基板11の一方の主面表面上にEUV光を反射する多層の反射層12と、その反射層12上にEUV光を吸収する吸収層13で形成された吸収体パターン13aと、を少なくとも備え、吸収体パターン13aによって形成された転写パターン領域14の周囲に、EUV光を遮光するための遮光領域15が設けられている。遮光領域15は、上記の反射層12と吸収層13とを備え、遮光領域15の反射層は、転写パターン領域14の反射層と同一の平面上になく、基板11の主面に対して所定の角度θを有して斜めに形成された斜面上にあり、遮光領域15に入射したEUV光の反射光を、転写パターン領域14に入射したEUV光の反射光とは異なる方向に反射させるものである。なお、本発明の遮光領域を構成する斜面は、遮光領域のみに限定されず、基板外周部の末端にまで延長されていてもよい。遮光領域の反射層を基板主面に対して斜めに形成するには、あらかじめ遮光領域とする基板表面に、主面に対して所定の角度θに傾けた斜面を形成しておき、転写パターン領域における反射層及び吸収層を成膜形成するときに、同時に遮光領域とする基板斜面上に反射層及び吸収層を形成することにより得ることができる。作用効果本発明のEUVマスクにおいては、上記の従来の遮光領域のように、追加の吸収体を積層させたり、反射層をエッチング除去したりせずに遮光領域を作成する。図1cに基づいて、本発明の反射型マスク10の遮光領域の作用効果について更に詳しく説明する。EUV露光では反射層によってEUV光を反射するが、本発明においては、図1cに示すように、遮光領域15の反射層12が、転写パターン領域14の反射層12と同一平面上になく、基板11の主面に対して所定の角度θを有して斜めに形成された斜面上にあり、遮光領域12に入射したEUV光16の反射光17を、転写パターン領域14に入射したEUV光16の反射光18とは異なる方向に反射させる。本発明のEUVマスクを用いることにより、遮光領域のEUV反射光は露光光学系には入射せず良好な遮光特性を得ることができる。遮光領域のEUV反射光は、ウェハ面にその反射光が入らないように露光装置内の適切な位置に設けた受光装置で受光し、露光光学系に影響を及ぼさないようにする。例えば、図1cに示すように、遮光領域15の基板11の主面に対する角度θが10度、EUV光の入射角度αが6度であるとすると、転写パターン領域14は6度でEUV光が反射するのに対し、遮光領域15はEUV光の入射角度βが16度となり、EUV光は16度で反射するため、転写パターン領域14の反射光18と反射方向が異なり、遮光領域15の反射光17は露光光学系に入射せず遮光領域として作用し、ウェハ上のパターン形成には影響しなくなる。したがって、基板の主面に対する遮光領域の斜面の角度θは、EUV光の反射型マスクへの入射角度に依存するが、遮光領域に入射したEUV光が転写パターン領域に入射したEUV光と異なる方向に反射し、さらに遮光領域からの反射光が迷走してウェハ上に入射しない方向および角度範囲であり、角度を有する遮光領域が幅3mm~25mm程度の範囲で作製できる角度範囲から任意の所定の角度を選定すればよい。例えば、斜面の角度θとして、5度~30度程度の範囲が挙げられる。実施形態の例上記のように、本発明のEUVマスクは、遮光領域の反射層を基板主面に対して斜めに形成し、遮光領域の反射光が転写パターン領域の反射光と反射方向が異なるようにして、露光光学系に入射しないようにするので、種々のマスク構造を適用することができる。以下に図面を用いて、代表的なマスク構造を説明する。なお、各図面において、遮光領域を含めて同じ部位を示す場合には、同じ符号を用いている。図2のa~cは、本発明に係る反射型マスクの実施例を示す概略断面図であり、遮光領域を拡大して示してある。図2に示す反射型マスク20a、20b、20cは、遮光領域15の反射層12がある基板11の斜面が、転写パターン領域14の反射層12がある基板11の平面から基板11側と反対の方向紙面上部方向に向けて形成された斜面である反射型マスクの例である。図2aは、遮光領域15の外周部が最も基板11主面から離れている例であり、図2cは、遮光領域15の内周部が最も基板11主面から離れている例であり、図2bは、断面図の左右で異なり左側の外周部が最も基板11主面から離れ、右側の内周部が最も基板11主面から離れている例である。図2は断面図なので、紙面に直交する方向の組み合わせも含めれば、さらに多くの断面形状を例示することができる。図3は、本発明に係る反射型マスクの他の実施例を示す概略断面図であり、遮光領域を拡大して示してある。図3に示す反射型マスク30は、遮光領域15の反射層12がある基板11の斜面が、転写パターン領域14の反射層12がある基板11平面から基板11側の方向紙面下部方向に向けて形成された斜面である反射型マスクの例である。図3に示す反射型マスク30は、断面形状が台形のメサ構造を示すマスクである。図4は、本発明に係る反射型マスクの別な実施例を示す概略断面図であり、遮光領域を拡大して示してある。図4に示す反射型マスク40は、遮光領域15の反射層12がある基板11の斜面が、転写パターン領域14の反射層12がある基板11の平面から基板11側と反対の方向紙面上部方向に向けて、鋸歯状ノコギリ形状に形成された斜面である反射型マスクの例である。上記の実施形態の例において、図2~図4の遮光領域断面に直交する方向紙面に垂直方向の遮光領域断面における斜面は、図示していないが、図2~図4の場合と同様の形状に対称的に設けるのが、マスク設計及び製造が容易となって好ましい。反射型マスクの構成要素と材料本発明の反射型マスクは、従来の反射型マスクの構成要素、材料を適用することが可能であるが、図1を用いて以下に説明する。基板図1に示す本発明の反射型マスク10の基板11としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、SiO2-TiO2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において50nm以下が求められている。反射層図1に示す多層の反射層12は、EUV露光に用いられるEUV光を高い反射率で反射する材料が用いられ、MoとSiからなる多層膜が多用されており、例えば、2.74nm厚のMoと4.11nmのSiを各40層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ru/Si、Mo/Be、Mo化合物/Si化合物、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜およびSi/Ru/Mo/Ru周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。MoとSiからなる多層膜の場合、DCマグネトロンスパッタ法により、まずSiターゲットを用いて、Arガス雰囲気下でSi膜を成膜し、その後、Moターゲットを用いて、Arガス雰囲気下でMo膜を成膜し、これを1周期として、30~60周期、好ましくは40周期積層されて、多層の反射層が得られる。上記のように、EUV光を高い反射率で反射させるために、13.4nmのEUV光を入射角6.0度で入射したときの多層の反射層12の反射率は、通常、60以上を示すように設定されている。吸収層図1に示すように、マスクの転写パターン領域14において吸収体パターン13aを形成し、EUV光を吸収する吸収層13の材料としては、Ta、TaB、TaBNなどのTaを主成分とする材料、Cr、Crを主成分としN、O、Cから選ばれる少なくとも1つの成分を含有する材料などが、膜厚30nm~100nm程度の範囲、より好ましくは50nm~85nmの範囲で用いられる。他の構成要素本発明の反射型マスクは、上記の構成要素に加えて、他の構成要素が用いられていてもよい。すなわち、本発明の反射型マスクは、吸収体パターン13aを形成する吸収層13が必ずしも多層の反射層12に直接に接していなくてもよい。吸収層13をパターン状にドライエッチングする時に下層の多層の反射層12に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層12と第1の吸収層13との間にバッファ層不図示が設けられる。さらに必要に応じて、多層の反射層12の上に反射層の酸化防止などのために、キャッピング層不図示を設けることがある。また、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、吸収層13の上に反射防止層不図示を設ける場合もある。以下に、上記の他の構成要素の材料について説明する。キャッピング層多層の反射層12の反射率を高めるには屈折率の大きいMoを最上層とするのが好ましいが、Moは大気で酸化され易くて反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護膜として、スパッタリング法などによりSiやRuを成膜し、キャッピング層を設けることがある。例えば、キャッピング層としてSiは反射膜12の最上層に11nmの厚さに設けられる。また、Ruをキャッピング層とした場合には、後述のバッファ層を用いない構造とすることができる。バッファ層EUV露光に用いられるEUV光を吸収する吸収層13をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングして吸収体パターン13aを形成するときに、下層の多層の反射層12に損傷を与えるのを防止するために、必要に応じてCrNなどを用いてバッファ層が設けられる。反射防止層また、マスクパターン検査時の検出感度を上げるために、吸収層13上に検査光波長250nmに対して低反射とした反射防止層を設ける場合もある。反射防止層の材料としては、例えば、タンタルの窒化物TaN、酸化物TaO、酸窒化物TaNO、タンタルホウ素酸化物TaBN、タンタルホウ素窒化物TaBNなどが挙げられ、膜厚5nm~30nm程度の範囲で用いられる。導電層EUV露光用の反射型マスクでは、マスクを露光装置に設置する場合、通常、マスクのパターンと反対側の主面裏面上に設けた導電層を用いて静電チャックで行われる。導電層の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロムCrや窒化クロムCrNなどを厚さ20nm~150nm程度に成膜して用いられる。本発明のEUV露光用の反射型マスクによれば、遮光領域における反射層を基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上に成膜することで、遮光領域に入射したEUV光の反射光を、転写パターン領域に入射したEUV光の反射光とは異なる方向に反射させ、良好な遮光特性を得ることができる。そのため、従来の吸収層を2段構造に積層した遮光領域や反射層をエッチング除去して作成した遮光領域を形成することによるマスクパターンの加工精度低下や、欠陥を生じるなどの問題を発生せずに、良好な遮光特性を持つ反射型マスクを得ることができる。次に、本発明のEUV露光用の反射型マスクブランクスについて説明する。<反射型マスクブランクス>図5は、遮光領域を備えた本発明の反射型マスクの作成に用いる本発明の反射型マスクブランクスの一例としての断面模式図である。図5において、図1と同じ部位と材料を示す場合には、図1と同じ符号を用いている。図5に示すように、本発明の反射型マスクブランクス70は、基板11と、基板の主面上に形成されたEUV光を反射する反射層12と、反射層12上に設けられたEUV光を吸収する吸収層13と、を少なくとも備え、転写パターンを形成する領域14と、該転写パターンを形成する領域の周囲にEUV光を遮光するための遮光領域15と、を設けており、上記遮光領域15が前記の反射層12と吸収層13とを備え、遮光領域15における反射層12が、転写パターン領域14の反射層12と同一平面上になく、基板11の主面に対して所定の角度を有して斜めに形成された斜面上にある反射型マスクブランクスである。上記の反射型マスクブランクス70は、図2aに示した反射型マスク20aのマスクブランクスであるが、図2b、図2c、図3及び図4の反射型マスク20b、20c、30、40のマスクブランクスも、図5と同様にして、基板11を所定の形状に加工して得ることができる。図5に示す反射型マスクブランクス70の構成要素である基板11、反射層12、吸収層13は、上記の反射型マスク10と同じなので、説明を省略する。また、本発明の反射型マスクブランクスは、上記の構成要素に加えて、上記の反射型マスク10で述べたような他の構成要素が用いられていてもよい。他の構成要素は、上記の反射型マスク10と同じなので、説明は省略する。本発明のEUV露光用の反射型マスクブランクスによれば、反射型マスクブランクスにすでに遮光領域が形成されているので、このブランクスを用いることにより遮光領域形成工程が不要になり、良好な遮光特性を持ち高品質の反射型マスクを容易に作製することが可能となる。次に、本発明のEUV露光用の反射型マスクの製造方法について説明する。<反射型マスクの製造方法>本発明の反射型マスクの製造方法において、遮光領域とする基板の主面に対して所定の角度を有する斜面の形成は、反射層を成膜する前に、遮光領域とする基板主面に基板と同質の材料を用いて斜面を積み上げて形成するか、あるいは基板主面を斜面状に除去加工することにより形成することができる。以下、図2aに示す本発明のEUV露光用の反射型マスクの製造方法について、基板主面を斜面状に除去加工する製造方法の実施形態の一例について説明する。図6及びそれに続く図7は、図2aに示す遮光領域を有する本発明の反射型マスクの製造工程の一例を示す断面模式図である。図6及び図7において、図1と同じ部位と材料を示す場合には、同じ符号を用いている。なお、本発明の製造方法における反射型マスクの各構成要素、材料は、上記の反射型マスクに記載した内容と同様であるので、説明は省略する。先ず、EUV露光用の反射型マスクブランクスを作製するための基板11を準備し、基板の一方の主面上に基板加工用のレジストを塗布し、レジスト膜61を形成する図6a。基板加工用のレジストとしては電子ビームレジストまたは感光性レジストが用いられる。次に、電子ビーム露光あるいはレーザ露光によりレジスト膜61の遮光領域15とする部分に露光量を変えて階調露光を行い、現像し、基板平面に対して角度θの斜面を有するレジストパターン61aを形成する図6b。次に、レジストパターン61aを形成した基板11表面をドライエッチングによりエッチバックし、基板11の遮光領域に予定している箇所に、基板主面に対して角度θの斜面62を有する基板60を形成する図6c。次に、斜面62を有する基板60上に反射層12を成膜して形成し図6d、続いて吸収層13を成膜して形成して、図7eに示す反射型マスクブランクス70を作製する。次に、上記の反射型マスクブランクス70を用い、吸収層13上に電子ビームレジストを塗布し、電子ビーム露光して転写パターン領域14にレジストパターン71を形成する図7f。次に、吸収層13をドライエッチングして転写パターン領域14に吸収体パターン13aを形成し、レジストパターンを剥離し、本発明のEUV露光用の反射型マスク20aが得られる図7g。本発明のEUV露光用反射型マスクの製造方法によれば、遮光領域を有するEUV露光用の反射型マスクの製造において、従来の吸収層を2段構造に積層した遮光領域や反射層をエッチング除去して作成した遮光領域を形成することによるメインパターンの加工精度低下や、欠陥を生じるなどの問題を発生させずに、良好な遮光特性を持つ高品質の反射型マスクを作製することができる。上記の本発明の製造方法においては、遮光領域を斜面とする基板の製造方法としてレジストパターンを用いたエッチバック方法について説明したが、本発明の製造方法はこれに限定されることなく各種の方法が適用できる。例えば、図3に示すような遮光領域の断面形状が台形のメサ構造をなす場合には、基板をCMP化学機械研磨:ChemicalMechanicalPolishing法などで台形状に研磨する方法を用いれば、製造が容易となり好適である。以下、実施例により、本発明をさらに詳しく述べる。実施例1基板として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、基板の一方の主面上に基板加工用の感光性レジストIP5700東京応化を塗布し、厚み1500nmのレジスト膜を形成した。次に、I線を用いたレーザビーム露光によりレジスト膜の遮光領域とする部分に露光量を変えて階調露光を行い、現像し、遮光領域とする基板平面に対して斜め部分の角度が15度、周期が5umとなるノコギリ形状のレジストパターンを形成した。露光された遮光領域のレジストパターンは転写パターンとする領域の周囲に設けられ、基板中心に対して幅5mmの矩形トラック状である。次に、上記のレジストパターンを形成した基板表面の全面をCF4とCHF3の混合ガスを用いたドライエッチングによりエッチバックした後、レジストパターンを剥膜し、基板の遮光領域の予定している箇所に基板主面に対して角度12度の斜面を有する基板を形成した。次に、上記の斜面を有する基板の表面に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のMo膜の上にRu膜を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。Ru膜はバッファ層を兼ねるものである。次に、上記のRu膜上に、DCマグネトロンスパッタ法によりTaターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、TaN膜を50nmの厚さで成膜し吸収層を形成した。次いで、上記のTaN膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で、TaO2膜を15nmの厚さで形成して反射防止層とし、反射型マスクブランクスとした。次に、上記のエッチングマスク層を形成するTaO2膜の上に電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて転写パターン領域にマスクパターンを描画し、現像してレジストパターンを形成した。次に、上記のレジストパターンの開口部から露出するエッチングマスク層TaO2膜をCF4ガスでドライエッチングした。次いで、吸収層のTaN膜をCl2ガスでドライエッチングして、転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、レジストパターンを剥離し、図4に示すように、転写パターン領域14の周囲に遮光領域15を有する反射型マスク40を得た。実施例2基板として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その一方の主面表面をCMP法により化学機械研磨し、マスクパターンを形成する予定の転写パターン領域はメサ構造とし、遮光領域に予定している基板外周部に基板主面に対して角度8度の斜面を有する基板を形成した。次に、実施例1と同様にして、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層を形成した後、最表面のMo膜の上にRu膜を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。Ru膜はバッファ層を兼ねるものである。次に、上記のRu膜上に、吸収層として、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ta膜を60nmの厚さで形成した。次いで、上記のTa膜上に、マスク検査時の検査光の反射コントラストを上げるために、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと酸素の混合ガス雰囲気下で、TaO2膜を15nmの厚さで形成し、反射防止層とした。次に、上記のTaO2膜の上に電子ビーム用レジストを塗布し、電子ビーム描画装置を用いて転写パターン領域にマスクパターンを描画し、現像してレジストパターンを形成した。次に、上記のレジストパターンの開口部から露出するエッチングマスク層TaO2膜をCF4ガスでドライエッチングした。次いで、吸収層を形成するTa膜をCl2ガスプラズマでドライエッチングし、転写パターン領域に吸収体パターンを形成し、レジストパターンを剥離し、図3に示すように、転写パターン領域14の周囲に遮光領域15を有するメサ構造の反射型マスク30を得た。