"導電性基板100上の層構造内に機能が実現される構成素子であって、該構成素子は、構成素子裏側上に案内される少なくとも1つのビアコンタクト垂直相互接続アクセスVIA3を前記層構造内に実現された機能素子18を電気接続するために有し、前記ビアコンタクト3は前記基板100中に接続領域を有し、該接続領域は前記基板の厚さ全体にわたって延在しており、同様に前記基板の厚さ全体にわたって延在するトレンチ状の絶縁フレーム2によって隣接する前記基板100に対して電気的に絶縁されている構成素子において、前記トレンチ状の絶縁フレーム2は電気絶縁性のポリマー21によって充填されている、ことを特徴とする構成素子。基板100上の層構造内に機能が実現された機能素子と、前記層構造上の導電性キャップ基板と、該キャップ基板を通って案内され、前記機能素子18を電気接続するための少なくとも1つのビアコンタクト垂直相互接続アクセスVIA3とを有する構成素子であって、前記ビアコンタクト3は接続領域を有し、該接続領域は前記キャップ基板の厚さ全体にわたって前記基板100上の層構造内にある接続導体路まで延在しており、かつトレンチ状の絶縁フレーム2によって前記接続領域の周囲に対して電気絶縁されており、前記トレンチ状の絶縁フレーム2は電気絶縁性のポリマー21によって充填されている構成素子。前記絶縁フレーム2の充填部21は、BCBベンゾシクロブテン、ポリイミド、および/またはPBOポリフェニレン-2,6-ベンゾビスオキサゾールを含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載の構成素子。前記絶縁フレーム2のポリマー充填部21には充填剤、とりわけSiO2ナノ粒子および/または金属酸化物粒子が添加されている、ことを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の構成素子。前記ビアコンタクト3の絶縁フレーム2は、円形の幾何形状、とりわけ円筒形状を有する、ことを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載の構成素子。前記絶縁フレーム2の横断面は、中央領域24および/または脚部領域20内では上方領域の横断面に対して拡張されている、ことを特徴とする請求項1から5までのいずれか一項に記載の構成素子。前記ビアコンタクト3は、前記基板100上の層構造内に実現されたポリシリコン導体路11と接続されており、前記ビアコンタクト3と前記ポリシリコン導体路11との間の境界面10は、好ましくは階段状またはビード状の立体形状を有する、ことを特徴とする請求項1から6までのいずれか一項に記載の構成素子。前記ビアコンタクト3は、構成素子表面上に施与された金属化部5と接続されており、前記金属化部5内には前記ビアコンタクトのための接続パッド30;40が形成されており、該接続パッドは前記接続領域3の上に直接配置されているか、またはワイヤ配線を用いて前記接続領域3の側方に配置されている、ことを特徴とする請求項1から7までのいずれか一項に記載の構成素子。構成素子構造体がキャップ基板を有し、該キャップ基板は前記層構造の上にボンディングされており、ボンディング接続は、表面立体形状が100nm以下であり、前記層構造の層が適切に構造化されている領域内に存在する、ことを特徴とする請求項1から8までのいずれか一項に記載の構成素子。ビアコンタクト3を有する請求項1から9までのいずれか一項に記載の構成素子の製造方法であって、半導体基板100から出発して、前記半導体基板100上の層構造内に少なくとも1つの導体路11が形成され、該導体路は一方で前記基板100内の少なくとも1つの接続領域3に直接接続しており、他方で前記層構造内に実現される少なくとも1つの機能素子18と電気接続しており、前記層構造を裏側トレンチプロセスで形成した後、前記接続領域3を取り囲んでおり、かつ前記基板の厚さ全体にわたって延在する絶縁フレーム2を前記基板100内に形成し、前記トレンチ状の絶縁フレーム2に電気絶縁性のポリマー21を充填し、構造化された金属化部5が構成素子裏側に施与され、該金属化部は前記接続領域3と接続しており、その中に少なくとも1つの接続パッド30;40が形成される製造方法。前記金属化部5を前記裏側トレンチプロセスの前に構成素子裏側に施与し、構造化し、前記金属化部が後で実施される前記裏側トレンチプロセスのためのエッチングマスクを形成する、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。前記絶縁フレーム2は、中央領域24および/または脚部領域20内で等方性エッチングにより拡張される、ことを特徴とする請求項10または11に記載の方法。前記絶縁フレーム2を充填するためのポリマー21は、真空条件下で基板裏側にスピンコートまたはスプレーコートされる、ことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。前記ポリマー充填部は、精密研磨および/または化学機械的研磨によって平坦化される、ことを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。ビアコンタクトのこの実現形態は、実際には2つの観点で問題である。1つには、開放したトレンチの絶縁特性が未定義である。絶縁特性は、たとえば汚染により製造時、個別化プロセス時または構成素子の使用個所で損なわれ、そのためビアコンタクトの電気的信頼性が被害を被る。もう1つは、開放した絶縁フレームを有するビアコンタクトの機械的安定性がその幾何形状に、すなわちその形態、深さ、幅に実質的に依存することである。しかしビアコンタクトの機械的安定性は、たとえばワイヤボンディングによる外部接続のために常に同じ最低要求を満たさなければならない。本発明により、冒頭に述べた形式の構成素子において、電気的に信頼性が高く機械的に安定したビアコンタクトを実現するための有利な手段が提案される。獲得しようとするビアコンタクトの電気的信頼性および機械的安定性は、本発明によればトレンチ状の絶縁フレームに電気絶縁性のポリマーを充填することによって達成される。本発明によればまず、公知のビアコンタクトの十分な機械的安定性は絶縁フレームの充填によってもっとも簡単に達成されることが認識される。ここに述べる構成素子の取付けに関しては、構成素子裏側がビアコンタクトの領域でもできるだけ立体形状がないようにすることに注意すべきである。さらに充填は、ビアコンタクトの最適な電気絶縁を達成するために、できるだけ気孔のないようにすべきである。充填材料と充填プロセスは、中程度の温度でもビアコンタクトの周囲が汚染されないように選択される。本発明によれば電気絶縁性ポリマーは、電気的および機械的特性の理由からも、トレンチ溝を高いアスペクト比で充填するために使用される方法の理由からも、公知のビアコンタクトを絶縁するのにとくに適することが認識された。さらに前に説明した本発明の思想を基礎として、この種のビアコンタクトを対応して構成された構成素子の導電性キャップ基板に実現することが提案される。これによりこの構成素子はそのキャップを介して接続することができる。とくに適するポリマーとしてここでは、BCBベンゾシクロブテンAsahi社のALX-211ポリマー、ポリイミドまたはPBOポリフェニレン-2,6-ベンゾビスオキサゾールならびにそれらの層結合体を挙げておく。これらの材料は真空条件下で簡単に基板裏側にスピンコートまたはスプレーコートすることができ、絶縁フレームのようなトレンチ溝が逐次充填される。これらの材料は非常に良い誘電特性を有する。硬化後は温度および湿度に対して安定しているから、これらは自動車領域での使用に良く適する。製造方法の枠内でも、これらの使用が有利であることが証明された。なぜならこれらは絶縁トレンチを完全に気泡なしで充填することができ、真空に適しており、ラッカー塗布に対して良好な濡れを可能にするからである。さらにこれらの材料は熱的に適切にコントロールできる粘度を有する。絶縁フレームにはポリマーが充填されているので、ビアコンタクトは十分な機械的安定性を3つの空間方向すべてに有する。この機械的安定性は、ビアコンタクトの金属化表面上でワイヤボンディングを直接行うことを可能にする。これは面積を節約する構成素子構造に有利であり、スペースを節約した取付けを容易にする。さらにこの関連で、構成素子裏側の立体形状がビアコンタクトの周囲の領域では典型的には1~10μmだけ小さいと有利であることが判明した。ケイ素CTE=310-6K-1と絶縁フレームを充填するために使用されるポリマーとの熱的不整合CTE=6010-6K-1は、ケイ素ビアコンタクトの機械的安定性に不利に作用する。本発明のビアコンタクトの機械的安定性を高めるために、適切な充填剤をポリマーベース材料に添加することによりポリマー材料の熱膨張率CTEを引き下げることができる。そのためにはとくにSiO2ナノ粒子または金属酸化物粒子が適する。このようにして、負の熱膨張率を有するポリマー材料も、とくに低いCTEを実現するための合成することができる。ここでは高い充填度および規定の粒度分布を備える充填材料混合物、ならびに合成物の良好な加工性が保証される。基本的にビアコンタクトを有する本発明の構成素子は、任意の形態、幾何形状および配置で実現することができる。機械的頑強性に対しては、ビアコンタクトの絶縁フレームが円形の幾何形状を有すると有利であり、とりわけシリンダ状であると有利である。シリンダ状のビアコンタクトには、これが基板または隣接するビアコンタクトに対して非常に小さい寄生キャパシタンスを有するという利点がある。さらにビアコンタクトの機械的安定性は、絶縁フレーム内でポリマー充填物を付加的に係留することにより高めることができる。このために絶縁フレームの中央および/または脚部の領域が等方性の深部エッチングにより拡張される。中央領域および/または脚部領域に生じたトレンチ幾何形状は、基板と層構造体との間の移行領域における良好な機械的ストレス分離に作用する。とりわけラジアル幾何形状を有する絶縁フレームでは、機械的応力が基板と層構造体との間の境界面で均等に分散される。前記の技術により、接触抵抗が2~100Ωのとくに有利なビアコンタクトが実現される。このために基板材料は接続領域では有利には高濃度でドープされる。ビアコンタクトは、層構造体に実現された導体路と接続されており、この導体路は適切にドープされ構造化されたポリシリコン層の形態で実現することができる。本発明のとくに有利な実施形態では、接続領域すなわちビアコンタクトにある基板材料と、埋め込まれたポリシリコン導体路との間の機械的結合が、この領域の基板表面をポリシリコンの取付け前に構造化することにより、たとえばステップまたはビードを設けることにより増大される。この種の構造は同様に、ビアコンタクトの下部構造または土台を補強、安定化および係留するのにも寄与する。さらに本発明の有利な実施形態では、ビアコンタクトは、構成素子裏側に取り付けられた金属化部と接続しており、この金属化部内には外部接続のための接続パッドが形成されている。この接続パッドは、垂直ビアコンタクトの上に直接配置することができる。またはワイヤ配線によって構成素子裏側の他方の側に配置することもできる。ワイヤ配線による接続変更は、接続パッドを配置する際に高い自由度を提供する。このことは、フリップチップ組立てまたは構成素子を順次積層する場合に利用することができる。重要なことは、ビアコンタクトの本発明の概念は、IC構成素子にもマイクロメカニカル構成素子にもMEMSにも、それらの機能が導電性基板上の層構造に実現される場合に、または構成素子構造がビアコンタクトが実現される導電性キャップ基板を含む場合に適することである。このために製造方法の表側処理の枠内で、層構造体内にある少なくとも1つの導体路が半導体基板に実現される。この導体路は一方で基板の接続領域に直接接続しており、他方で層構造体内に実現される少なくとも1つの機能素子と電気接続している。構成素子の機能性を備える層構造体が完成し、カプセル基板によりカプセル化が行われた後に初めて、構成素子裏側が処理される。この裏側処理の枠内で、接続領域を取り囲み、基板の厚さ全体典型的には50~300μmにわたり延在する絶縁フレームが基板内に形成される。このトレンチ形状の絶縁フレームは本発明により、導電性ポリマーによってできれば完全に充填される。さらに金属化部が構成素子裏側に取り付けられる。この金属化部は接続領域と接続しており、その中には構成素子を外部接続するための接続パッドが形成される。半導体基板と埋め込まれた導体路とを大面積で接続すること、ポリマー充填による支持、およびポリマーの形式により、ビアコンタクトの機械的安定性が最大になる。とくに有利な方法変形形態では、金属化部が裏側トレンチ処理の前に構成素子裏側に取り付けられ、これが裏側トレンチ処理のためのエッチングマスクを形成するように構造化される。構造化された金属化部は、高アスペクトトレンチ処理のための高選択性のトレンチマスクとして用いられる。このトレンチマスクは、1/40以上のアスペクト比に対する精確なトレンチエッチングを可能にする。典型的には1/20の中程度のアスペクト比の場合、絶縁フレームのエッチングは、公知のフォトラッカー技術を使用して行うことができる。絶縁フレームは裏側処理の終了時に初めて充填されるから、高温ステップがそれ以上行われない場合、充填材料の熱的耐久性に関して高い要求は課せられない。この方法変形形態は、公知のMEMS処理およびCMOS処理と互換性がある。トレンチプロセスも絶縁フレームの密閉も高い処理温度を必要としないから、温度に脆弱な機能素子を有する構成素子にも、ここに説明したようにビアコンタクトを後から取り付けることができる。さらにこの方法変形形態では、絶縁フレームのトレンチエッチングと絶縁フレームの充填のために大きなプロセスウインドウを使用するのが有利である。なぜなら中程度の構造幅しか必要なく、適切な充填方法により非常に幅広のトレンチ、典型的には5~30μmのトレンチを密閉することができるからである。すでに上に説明したように、本発明の技術思想を有利な構成し、改善するには種々の手段がある。これについて、一方では請求項1の従属請求項を、他方では図面に基づいた本発明の2つの実施形態の以下の説明を参照されたい。ここに述べる形式の構成素子の製造方法は、好ましくは図1aに示された高ドープされた半導体基板100から出発する。前側プロセスの枠内で、まず誘電層9が基板表面に形成される。このためにたとえばTEOS層が析出されるか、またはSiO2が酸化される。誘電層9の構造化の枠内で、基板100へのコンタクトが作製されるべき領域にこの誘電層が開放される。すなわち形成すべきビアコンタクトとボンディングワイヤの領域に開放される。これらの領域は図1aに120と110により示されている。コンタクトは1つまたは複数の導体路11によって作製される。これらは好ましくはポリシリコン層11に実現される。ポリシリコン層はたとえばLPCVD法で、構造化された誘電層9上に析出される。基板100と領域120でのポリシリコン層11との機械的結合を改善するために、この領域120にポリシリコン層の析出の前に、たとえば同心に延在する段、いわゆるビードがたとえばエッチングされる。ここに説明する実施例では、形成すべきビアコンタクトの領域120とボンディングフレームの領域110とが電気的に互いに接続されたままとなり、機能層の表面を平坦化した後に有利な立体形状が生じるようにポリシリコン層11が構造化される。さらにポリシリコン層11には、後で形成すべきマイクロメカニカルセンサ構造体のために構成素子のセンサ領域140に接続領域130が構造化される。図1bは、ポリシリコン導体路層11の上に1つまたは複数の誘電層13、14が析出された後の層構造を示す。この層13、14の構造化の枠内で接続領域130に接続開口部15が形成され、この接続開口部は埋め込まれた導体路11に開口していている。公知の表面マイクロメカニカルプロセスシーケンスでは、次に、層構造体の機能層16にマイクロメカニカルセンサ構造体18が形成される。このセンサ構造体18は接続開口部15を解して導体路11と接続されている。最後にボンディングフレーム110とビアコンタクト120の領域では、ここに説明する実施例では金属化部17が機能層16の上に取り付けられる。金属化部17は、キャップウェハ200をセンサ構造体18の上に、共晶ボンディングによって取り付けるためのボンディング金属として用いられる。しかしキャップウェハ200を取り付けるために、他の任意のウェハボンディング技術を適用することができる。図1cから分かるように、キャップウェハ200と構成素子のセンサ構造体18とは互いに正確に位置合わせしなければならない。これらは共晶性のボンディング金属化部17を介して電気的にも相互に接続されている。構成素子の表側処理はキャップウェハ200の取付けによって終了する。後続の裏側処理の枠内ではまず基板100の裏側が薄くされる。そのために好ましくは公知の方法、たとえば表面加工、化学的エッチング、乾燥エッチングおよび/または化学機械的研磨が使用される。典型的には基板100は50から300μmの厚さに薄くされる。基板100の厚さは、構成素子の所要の機械的安定性および後でビアコンタクトのために形成すべきトレンチ溝の最大可能深さによって決定される。ビアコンタクトまたはビアコンタクトの絶縁フレームは、埋め込まれた導体路11に対して位置合わせして位置決めされなければならない。そのために調整マークが基板裏側に転写され、領域120にある金属化部17を基準にしてたとえば赤外線によって調整される。ここに説明する実施例では、誘電中間層19が基板裏側に取り付けられ、形成すべきビアコンタクトのマーク領域120で開放される。ここで有利には誘電中間層は薄いCVDまたは厚さ100nmから1000nmのポリマー層である。この状況が図1dに示されている。このように構造化された誘電中間層19の上に金属層5が析出され、構造化される。金属層5には構成素子またはセンサ構造体18を外部接続するための接続パッドが実現されているから、ここではワイヤボンディング可能な金属、好ましくはAl、AlSi、AlCu、AlSiCu、Tinおよび他のレアメタルおよび準レアメタルが使用される。ここで金属層5はさらに誘電中間層19とともに、以降の異方性トレンチプロセスのためのマスクとして使用することができる。これはビアコンタクト3のための絶縁フレーム2を基板100に形成することにより行われる。したがって金属層5は形成すべきトレンチ溝2の上で完全にまたは少なくとも部分的に開放される。接続パッドを形成すべきビアコンタクトの上に直接配置すべき場合、金属層5を延在する絶縁フレーム全体の上で開放することができる。その代わりにラッカーマスク22が金属層5を覆うことができ、誘電中間層19および基板100の構造化のために使用することができる。しかしワイヤ配線を行うべき場合、すなわち接続パッドをビアコンタクトの側方で基板裏側上に配置すべき場合、金属層5の構造化の際に、外に案内される少なくとも1つのウェブが絶縁フレームの外部にある接続パッドへの電気接続部として残される。この種のウェブの比率と、トレンチプロセスのエッチングステップおよび不動態化ステップのためのプロセスパラメータは、構造化された金属層5の中でウェブが完全にアンダーエッチングされるように選択される。その代わりにアンダーエッチングを以降の等方性エッチングステップで行うこともできる。絶縁フレーム2はここではマルチステップトレンチプロセスで作製された。絶縁フレーム2の所定の深さで異方性のエッチングステップと等方性のエッチングステップとを組み合わせることにより、脚部20と中央領域24にはポリマー21を絶縁フレーム2内に係留するためのポケット状の拡張部が形成された。誘電層9、13、14を部分的に等方性デプスエッチングTiefenaetzeすることによるエッチングおよび丸めは、絶縁フレーム2のベース20におけるポリマー充填部21のための付加的な係留部を形成する。金属のない他の基板領域を保護するため、ラッカーマスク22が使用された。図1eは、裏側トレンチプロセスの後の構成素子構造を示すものであり、絶縁フレーム2が基板100の全厚さにわたり、誘電層9またはエッチストップとしても用いられる誘電層13、14まで延びていることが分かる。このようにして、高ドープされた基板100の接続領域は隣接する基板材料から電気的に絶縁され、導体路11を介してセンサ構造体18と接続されたビアコンタクト3を形成する。本発明によれば、絶縁フレーム2に電気絶縁性のポリマー、たとえばBCBが充填される。そのために、対応するポリマー層21が真空条件下でスピンコートされるか、またはスプレーコートされる。このときに絶縁フレーム2は次第に充填される。ポリマー層21の厚さは、トレンチ溝2の最大開口部または中空空間も30μmの幅まで完全に閉鎖されるように選択される。好ましくは絶縁フレーム2は、誘電層、ケイ素、およびポリマー充填物を備える層構造体全体が適切な熱膨張率を有するように充填される。図1f示されたポリマー閉鎖部の安定性は、含有物が存在しておらず、ビアコンタクト3、すなわち基板100の接続領域と埋め込まれた導体路100との間の接触面積が可及的に大きな場合に高められる。これによりポリマー充填物21は、トレンチ溝2のポケット状の拡張部20と24によってとりわけ良好に係留される。最後にビアコンタクト3の接触面またはボンディング面が、たとえばポリマー層21を全面で薄くすることにより、またはボンディング面の領域でのフォト構造化によって開放される。ここで、絶縁フレーム2の充填後に、構成素子表側および/または裏側でさらなる加工を行うことが基本的に可能であることを述べておく。前記の裏側プロセスの代わりに、裏側金属化部を取り付ける前に絶縁溝を形成し、ポリマーにより充填することもできる。この場合、構成素子裏側はまず平坦化され、それからさらなる層が接続パッドの実現のために取り付けられる。平坦化のためには好ましくは、精密研磨または機械的/化学的研磨法を使用することができる。図2には、前記製造方法の結果が構成素子の形態で図示されている。これは加速度センサ素子であり、そのマイクロメカニカル機能素子18が半導体基板100の上の層構造に実現されている。マイクロメカニカル機能素子18はキャップウェハ200により保護される。このキャップウェハはたとえば共晶ボンディングによって構成素子の層構造体の上に取り付けられている。マイクロメカニカル機能素子18の電気接続は埋め込まれた導体路11を介して行われる。この導体路は誘電層9、13、14によって一方では高ドープされた半導体基板100に対して、他方では機能素子18を備える機能層16に対して電気絶縁されている。導体路11はマイクロメカニカル機能素子18と基板100の接続領域3との間の接続を行う。接続領域は円筒状の絶縁フレーム2によって隣接する基板材料に対して絶縁されており、ビアコンタクトを形成する。機能層16の下部構造は領域120と100に非常に小さな<500nm立体形状を有する。これによって、この領域の金属化が実質的に立体形状なしとなる。このことは、キャップウェハ200への気密な共晶ボンディングのための前提である。絶縁フレーム2は本発明によれば誘電性ポリマー21によって充填されている。基板裏側上には構造化された金属化部5があり、この金属化部は接続領域3に直接接続しているが、その他は誘電層19によって基板100に対して電気的に絶縁されている。構成素子または機能層18の外部接続のための接続パッド30は、ビアコンタクト3での直接のワイヤボンディング50が可能であるようポリマー充填部21によって機械的に安定された接続領域3の上に直接配置されている。これは図2に示されている。ここで金属化部5は、接続パッド30が金属化部5の残りの部分から島状に分離されるよう構造化されている。パッド領域の外側にある金属化部5は、絶縁フレームを形成するトレンチプロセルのためのマスクとして用いられる。この金属化は、アスペクト比が小さいためラッカーマスを使用できる場合にも不要である。図3aでは、図示された構成素子が同じように形成されているので図2と同じ参照符合が使用される。両者は、金属化部5の構造化の点で、または外部接続のための接続パッドの配置の点で異なるだけである。接続パッド30が図2の場合ではビアコンタクト3の上に直接配置されているが、図3aに図示された構成素子の接続パッド40はビアコンタクト3の側方に配置されている。対応してワイヤボンディング50もビアコンタクト3の側方に配置されている。接続パッド40をビアコンタクト3の側方に実現するためには、図3bに示されるようなワイヤ配線が必要である。接続パッド3に直接接続する金属化部5の領域は、ここではウェブ5a、5b、5cを介して接続パッド40の金属化部と接続されている。基本的にビアコンタクトと接続パッドとの間の接続のためには1つのウェブだけで十分である。すでに述べたように前記のビアコンタクトは好ましくは高ドープされたキャップウェハ内にも実現することができる。本発明の変形実施例に対する例が図4aに図示されている。これも同様に加速度センサ素子であり、そのマイクロメカニカル機能素子18が半導体基板100の上の層構造に実現されている。マイクロメカニカル機能素子18は、導電性材料からなるキャップウェハ200によって保護される。このキャップウェハ200は金属化部17、17aを介してボンディングフレームの領域110とビアコンタクトの領域120では構成素子の層構造体の上でボンディングされた。マイクロメカニカル機能素子18の誘電性電気接続は、1つまたは複数の埋め込まれた導体路11を介して行われる。この導体路は誘電層9および13、14によって一方では高ドープされた半導体基板100に対して、他方では機能素子18に対して電気絶縁されている。導体路11は、マイクロメカニカル機能素子18と接続領域3との間の接続を行う。接続領域は機能層16、金属化部17aおよびキャップウェハ200の上に延在しており、円筒状の絶縁フレーム2によって隣接する層材料に対して絶縁されている。絶縁フレーム2は本発明によれば誘電性ポリマー21によって充填されている。絶縁フレーム2は、キャップウェハ200のボンディング後にワンステップのトレンチプロセスで形成することができる。この場合、金属化部17、17aを、キャップウェハ200のボンディング前に対応して構造化することが推奨される。しかし絶縁フレーム2はツーステップで形成することもできる。この場合、絶縁フレームは機能層16の構造化部に連続して置かれる。次にボンディングプロセスの後には、キャップウェハ200を分離すれば良いだけである。このことはとりわけ、機能層16内で絶縁フレーム2を基準にした調整を必要とする。両方の場合とも、誘電層9および13、14はトレンチストップとして機能する。キャップウェハ200の上には構造化された金属化部5があり、この金属化部は接続領域3に直接接続しているが、その他は誘電層19によってキャップウェハ200に対して電気的に絶縁されている。構成素子または機能素子18を外部接続するための接続パッド40は、ここではビアコンタクト3の側方に配置されている。そのためには、たとえば図3bに示すようなワイヤ配線が必要であった。図4bは、図4aに示された構成素子のマイクロメカニカル機能素子18の電気接続を、導電性ポリシリコン層1の層平面への概略的平面図に示す。ポリシリコン層内には埋め込まれた導体路11が機能素子18と関連して構造化されている。本実施例では、ビアコンタクト3が、円形状の断面を有する絶縁フレーム2によって取り囲まれている。図4aから分かるように、絶縁フレーム2はキャップウェハ200と機能層18を通って、その下にある次の誘電層9および13、14まで延在している。絶縁フレーム2が誘電層9の上にある領域では、絶縁フレームが円形の接続領域23をポリシリコン層1から分離する。この接続領域23は導体路11とだけ接続されている。この導体路11は誘電層13、14と重なっているから、絶縁フレーム2はここではポリシリコン層1を分離せず、誘電層13、14の上ですでに終端している。図5に示された構成素子には2つのビアコンタクト、すなわち図2に示す基板100のビアコンタクト31と、図4aに示すキャップウェハ200のビアコンタクト32が装備されている。したがってここでは図2と3の説明を参照されたい。この構成素子では、センサ信号を構成素子裏側からも、キャップ200を介して取り出すことができる。したがってとくに構成素子積層体内での配置に適する。"