原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して前記原料及び前記液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。前記金属保護膜が複数の層からなる請求項1に記載の化合物半導体単結晶の製造方法。前記金属保護膜の最表面が金又は金を主成分とする合金からなる請求項1又は2に記載の化合物半導体単結晶の製造方法。前記化合物半導体単結晶が砒化ガリウム単結晶である請求項1~3のいずれかに記載の化合物半導体単結晶の製造方法。前記砒化ガリウム単結晶が半絶縁性である請求項4に記載の化合物半導体単結晶の製造方法。上記の製造方法では、その装置構成上、砒化ガリウム融液の直上に種結晶が保持される。そのため種結晶は、砒化ガリウムの融解温度よりは低い温度ではあるものの、高温にさらされている。このとき、特に液体封止剤である三酸化硼素に周囲を覆われていない領域では、種結晶から砒素が解離する。種結晶から砒素が解離すると、残されたガリウムが液体となって種結晶の表面に析出する。ガリウムは周囲の砒化ガリウムを侵食しながら成長界面が存在する種結晶の下部へと移動する。ガリウムが成長界面へと到達した箇所では砒化ガリウム単結晶の成長が阻害され、多結晶化してしまう。成長界面で発生した多結晶領域は消滅することなく、最終的には結晶全体へと伝播する。その結果、引き上げた結晶が不良品となってしまい、歩留を大きく引き下げる要因となっていた。そこで、本発明の目的は、種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。この目的を達成するために創案された本発明は、原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して前記原料及び前記液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いる化合物半導体単結晶の製造方法である。前記金属保護膜が複数の層からなると良い。前記金属保護膜の最表面が金又は金を主成分とする合金からなると良い。前記化合物半導体単結晶が砒化ガリウム単結晶であると良い。前記砒化ガリウム単結晶が半絶縁性であると良い。本発明によれば、多結晶部の発生を抑止できる。以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。先ず、本発明の基本となるLEC法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法をこれに用いる製造装置と共に説明する。ここでは、半絶縁性砒化ガリウム単結晶の製造方法について説明する。図1に示すように、化合物半導体単結晶の製造装置10は、高圧容器11を備え、高圧容器11内には、化合物半導体単結晶の原料及び液体封止剤を入れるPBN熱分解窒化硼素製のるつぼ12が設けられている。るつぼ12の下方には、昇降及び回転可能なるつぼ軸下軸13が設けられ、るつぼ軸13の上端にるつぼ12を取り付けることで、るつぼ12を昇降自在、且つ回転自在とする。るつぼ12の上方には、下端に種結晶14を取り付けた昇降可能なシード軸上軸15が設けられ、種結晶14を昇降自在とする。さらに、シード軸15には、種結晶14の昇降速度を制御するための速度制御手段図示せずが接続されている。るつぼ12の周囲側面側には、原料及び液体封止剤を融解するためのヒータ16が設けられている。原料融液17は、化合物半導体単結晶の原料となる化合物半導体多結晶等を加熱により融解したものであり、本実施の形態では、原料として砒化ガリウム多結晶を用い、原料融液17は砒化ガリウム融液である。液体封止剤18は、原料融液17の蒸発を防ぐための液体であり、原料融液17やるつぼ12と反応せず、原料融液17よりも密度が小さく、透明であるものが好ましい。本実施の形態では、液体封止剤18に三酸化硼素融液を用いる。種結晶14は、目的とする化合物半導体単結晶の核となる結晶、すなわち、小さな砒化ガリウム単結晶である。高圧容器11内は、原料融液17及び液体封止剤18の解離及び蒸発を妨げるべく、不活性ガスが充填され、高圧力に加圧される。上記のような構成の製造装置10において、るつぼ12に原料融液17となる砒化ガリウム多結晶、及び液体封止剤18となる三酸化硼素を入れ、高圧容器11内に不活性ガスを導入して加圧し、るつぼ12内の温度を砒化ガリウムの融点以上になるようにヒータ16で加熱する。この操作により、るつぼ12内部の砒化ガリウム多結晶及び三酸化硼素が融解し、砒化ガリウムの融液からなる原料融液17、及び三酸化硼素の融液からなる液体封止剤18が形成される。このとき、液体封止剤18は原料融液17より密度が小さいため、原料融液17上に浮上する。るつぼ12をるつぼ軸13によって昇降させ、ヒータ16による加熱が適正となるように位置を調整する。その後、シード軸15を下降させて種結晶14を原料融液17に接触させる。このとき、種結晶14の下部の2~3mmは原料融液17中で融ける。そして、ヒータ16を調整して高圧容器11内の温度を徐々に下げ、種結晶14の周囲に化合物半導体単結晶19を結晶成長させる。この位置調整から化合物半導体単結晶成長開始までの一連の作業を種付けと称する。化合物半導体単結晶19を成長させながら、シード軸15を上昇させて成長させた化合物半導体単結晶19を引き上げる。また、シード軸15を引き上げると同時に回転させることで、結晶成長される化合物半導体単結晶19は、直径が均一な円柱状となる。原料融液17の残量が僅少となったら、化合物半導体単結晶19を原料融液17から引き抜き、ヒータ16による加熱を停止する。高圧容器11内の温度が十分に低下したら化合物半導体単結晶19を取り出す。以上の工程を経て砒化ガリウム単結晶を得ることができる。さて、本発明は、このLEC法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、金属保護膜を形成した種結晶14を用いることを特徴とする。この金属保護膜の役割はふたつある。ひとつめは、物理的な保護膜形成による砒素の解離の抑止である。ふたつめは、低放射率の金属膜で周囲からの輻射による加熱を抑止し、種結晶14の温度を下げることで、砒素の解離を起こりにくくすることである。金属保護膜の構造や種類について特に制限はないが、種結晶14への密着性を考慮すると、複数の層から形成される金属保護膜とすることが望ましい。具体的には、例えば種結晶14の側からチタンと金を順次積層した金属保護膜や、金ゲルマニウム合金、ニッケル、金を順次積層した金属保護膜が挙げられる。また、砒化ガリウムの放射率はその表面状態にもよるが0.6~0.7程度であるため、金属保護膜はこれより低い放射率であることが望まれる。周囲からの輻射による種結晶14の温度上昇を可能な限り抑え、砒素の解離を起こりにくくするためには、金属保護膜の最表面は金又は金を主成分とする合金からなることが望ましい。金は輻射のエネルギーの大部分を占める赤外線の反射率が高く放射率0.2以下、かつ反応性に乏しい安定性に優れるためである。金属保護膜は種結晶14の全面に形成しても良いが、化合物半導体単結晶19への不純物の混入を考慮すると、原料融液17と接触する面及びその周囲に形成する必要はない。また、成長界面から最も離れている最上面についても、必ずしも金属保護膜を形成する必要はない。以下、種結晶14の表面に金属保護膜を形成する方法をこれに用いる真空蒸着装置と共に説明する。図2に示すように、真空蒸着装置20は、真空容器21を備え、真空容器21内には、金属保護膜22の原料を載せるボート型の抵抗加熱蒸発源用のヒータ23及びヒータ24が設けられている。ヒータ23には粒状のチタン、ヒータ24には粒状の金が搭載される。真空容器21には、真空容器21内を減圧するためのポンプ25と、減圧状態を維持するためのバルブ26が取り付けられている。ヒータ23及びヒータ24の上部には、金属保護膜22が形成される種結晶14が置かれている。種結晶14は、垂直ブリッジマン法で製造された砒化ガリウム単結晶から、一辺の長さが10mm、長さ150mmの直方体状に切り出されたものである。種結晶14の100面は、直方体の上面及び下面に平行である。種結晶14の片方の端部には深さ15mmのキャップ27が取り付けられている。この真空蒸着装置20を用いて種結晶14の表面に金属保護膜22を形成するには、先ず、真空容器21内に種結晶14を設置し、ポンプ25により真空容器21内を105Pa以下まで減圧する。十分に減圧できたら、バルブ26を閉めて真空容器21内を減圧状態に保持する。減圧状態でヒータ23に電流を印加し、チタンを加熱、蒸発させて種結晶14の表面に蒸着する。膜厚計を用いて、チタンの膜厚を管理しながら蒸着し、チタンの厚さが30nmとなったらヒータ23の電流を切り、チタンの蒸着を終了する。このようにチタンを設けることで、金の密着性を高め、製造工程中に金が剥がれるのを防ぐことができる。次いで、ヒータ24に電流を印加し、同様に金を加熱、蒸発させて、チタンの上に金を蒸着する。膜厚計を用いて、金の膜厚を管理しながら蒸着し、金の厚さが200nmとなったらヒータ24の電流を切り、金の蒸着を終了する。なお、この金属保護膜22は非特許文献1をもとにその構造を決定した。蒸着後、真空容器21から種結晶14を取り出す。キャップ27が取り付けられていた部分には蒸着膜、すなわち金属保護膜22が形成されず、砒化ガリウムが表面に露出した状態となる。なお、本実施の形態では、チタンの膜厚を30nm、金の膜厚を200nmとしたが、チタンの膜厚は10nm以上であれば良く、また金の膜厚は100nm以上であれば良い。チタンの膜厚の下限値を10nmとする理由は、密着層としての役割を果たすのに必要な厚さを確保するためであり、金の膜厚の下限値を100nmとする理由は、物理的な保護膜として必要な厚さを確保するためであり、また、薄いと輻射赤外線を透過してしまうためである。本実施の形態では、膜厚計を用いて蒸着膜の厚さを管理したが、予め製膜レートを求めておき、時間管理とすることもできる。以上の工程により、表面に金属保護膜22が形成された種結晶14を得ることができる。なお、真空蒸着装置20内ではキャップ27が種結晶14の上端に取り付けられていたが、製造装置10内では種結晶14の上下を逆転させるため、製造装置10内では種結晶14の下端が砒化ガリウム単結晶が露出した状態となる。以上説明したように、本実施の形態に係る化合物半導体単結晶の製造方法によれば、種結晶14の表面に金属保護膜22を形成することで、種結晶14表面へのガリウムの析出を抑止することができる。これにより、析出したガリウムを起点とする多結晶化を抑止することができ、砒化ガリウム単結晶の歩留向上が可能となる。本発明により得られた化合物半導体単結晶は、化合物半導体基板へと応用することができる。また、その上に化合物半導体薄膜を積層したエピタキシャルウェーハへと応用することができる。さらに、エピタキシャルウェーハを加工して得られる高電子移動度トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタといった電子デバイスや、レーザダイオード、発光ダイオードといった発光デバイス、フォトダイオードといった受光デバイス等へと応用することができる。なお、本発明は、対象となる化合物半導体単結晶の種類を特に限定するものではなく、LEC法を用いて製造可能な他の化合物半導体単結晶に適用することができる。そのような化合物半導体単結晶として、例えば燐化ガリウムGaP、燐化インジウムInP等がある。しかしながら、本発明は、解離圧が低い砒素を含む化合物半導体単結晶、特に大口径かつ長尺の単結晶技術が確立している砒化ガリウム単結晶の製造方法において、より有効となる。また、本実施の形態においては、金属保護膜22の形成に抵抗加熱方式の真空蒸着装置20を用いたが、例えば電子ビーム蒸着装置やスパッタリング装置、その他の異なる方式の装置を用いても良い。本発明の効果を確認すべく、以下の実施例1、比較例1に示す方法で砒化ガリウム単結晶を製造した。実施例1PBN製のるつぼ12に原料融液17となる砒化ガリウム多結晶25000g、及び液体封止剤18となる三酸化硼素2000gを入れ、高圧容器11に収納し、高圧容器11内の圧力が9.2×105Pa9.0kg/cm2になるように窒素ガスを充填した。充填後、ヒータ加熱により、砒化ガリウム多結晶及び三酸化硼素を融解させ、温度を調節し、種付けを行い、初期引き上げ速度6mm/hで砒化ガリウム単結晶を成長させた。砒化ガリウム単結晶の直径は110mm、長さは440mmである。実施例1では、図3に示すように、種結晶14の6つの表面のうち、下面を除く5つの表面に厚さ30nmのチタン及び厚さ200nmの金が順次積層された金属保護膜22を形成した。また、側面においても、下面に近い側の約15mmには金属保護膜22を形成せず、砒化ガリウム単結晶が露出するようにした。すなわち、実施例1は、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法である。ここで、露出させた長さを約15mmとしたのは、成長開始時の液体封止剤18の厚さが約20mmであるので、金属保護膜22のない部分が液体封止剤18内に入るようにするためである。以上の条件で20本の砒化ガリウム単結晶を作製した結果、砒化ガリウム単結晶の上端から300mmの位置での多結晶部の発生は0本であった歩留100。比較例1実施例1と全く同様に20本の砒化ガリウム単結晶を成長させた。但し、実施例1と異なり、種結晶14の表面に金属保護膜22は形成されておらず、砒化ガリウム単結晶が表面に露出した状態である。すなわち、比較例1は、従来の化合物半導体単結晶の製造方法である。比較例1で成長させた20本の砒化ガリウム単結晶のうち、12本には多結晶部が発生しなかった。残りの8本は、砒化ガリウム単結晶の中間部より上部に多結晶化した部分が見られた。また、砒化ガリウム単結晶を切断して観察したところ、多結晶部は種結晶14から伝播していることがわかった。さらに、種結晶14内部の多結晶部起点を観察したところ、溶融したガリウムが通過した際に生成された穴が形成されていることが確認された。すなわち、種結晶14の表面に析出したガリウムが多結晶部の原因であった。実施例1及び比較例1の歩留の比較から、本発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法は、従来よりも優れていることがわかった。変形例実施例1では、種結晶14の表面の一部に金属保護膜22を設けた例で説明したが、全体に設けられていても良い。たとえ種結晶14の底面に金属保護膜22が設けられていても、その底面の金属保護膜22は砒化ガリウム融液に接触したときに融けて砒化ガリウム単結晶が露出するからである。