"複数の半導体発光素子を、サブマウント基板に実装した発光素子群と、開口を有する回路基板と、該回路基板の下面に積層した金属ベースを備え、前記回路基板の開口内に前記発光素子群を実装したサブマウント基板を配設すると共に、前記回路基板上の開口の外側に封止枠を設けて、前記発光素子群を蛍光粒子を混入した蛍光体含有樹脂を充填封止する半導体発光装置において、前記回路基板の開口は円形形状で、前記サブマウント基板は四角形状であり、前記回路基板の開口をサブマウント基板より大きく形成することによって、前記回路基板の開口の内縁と前記サブマウント基板の外縁との間に所定の幅を有する凹部を形成し、前記充填封止された蛍光体含有樹脂に混入された蛍光粒子を前記凹部内に沈殿させることにより、前記発光素子群の斜め横方向の蛍光体の濃度を下げたことを特徴とする半導体発光装置。前記サブマウント基板に絶縁性基板を使用し、前記絶縁性基板の上面に四角形状に並べて実装された複数の半導体発光素子をフリップチップボンディングにて接続した請求項1に記載の半導体発光装置。前記絶縁性基板がセラミック基板である請求項2に記載の半導体発光装置。前記サブマウント基板に金属基板を使用し、前記金属基板の上面に四角形状に並べて実装された複数の半導体発光素子をワイヤーボンディングにて接続した請求項1に記載の半導体発光装置。前記回路基板の上面に反射層を形成した請求項1から4のいずれかに記載の半導体発光装置。上記LEDとして青色LEDを用い、蛍光体含有樹脂には波長変換部材としてYAG蛍光粒子を混入した蛍光体含有樹脂を用いて、青色の放射光とYAGによって波長変換された黄色の放射光との混色による疑似白色光を放射するLED発光装置においては、以下のことが要求されている。明るい放射光を得るために放熱特性が良く、形状的には薄型化されていること、さらに発光色度を良くするために蛍光体含有樹脂を用いたLED発光装置に特有のイエローリングを解消することである。このイエローリングの発生理由に付いて図14、図15を用いて説明する。図14は図12に示すLED発光装置100の放射光の状態を示した断面図であり、構成は図12のLED発光装置100と同じなので、重複する説明は省略する。すなわち青色のLED101から上方に出射される出射光Phは矩形形状に被覆された蛍光体含有樹脂105を通過する距離が短いので、青色の放射光とYAGによって波長変換された黄色の放射光との混色が適切に行われ、白色に近い放射光となる。これに対しLED101から斜め横方向に出射される出射光Pyは蛍光体含有樹脂105を通過する距離が長くなるので、YAG蛍光粒子との衝突回数が多くなり、黄色味を帯びた出射光となる。この状態を示したのが図15である。すなわち図15は図14における蛍光体含有樹脂105の部分の上面図であり、その中央部分は白色光Phが出射されているが、周辺部分は黄色味を帯びた黄色光Pyがリング状に出射されている。この周辺のリング状の黄色光Pyがイエローリングであり、照明装置としても見難いばかりでなく、カメラのフラッシュに使用する場合には、カラー写真に色変化が生じるため致命傷となる。上記疑似白色光を放射するLED発光装置における、3つの条件を考慮すると、図12に示すLED発光装置100は、放熱特性と、薄型化の点についての条件は良いが、イエローリングが発生するという問題がある。また図13に示すLED発光装置200は透明樹脂206の周囲に一定厚さの蛍光体含有樹脂層205が設けられているため、LED201の放射光が全ての方向で、一定厚さの蛍光体含有樹脂層205を通過するため、蛍光体含有樹脂層205を通過する距離が全ての方向で一定の短さとなり、青色の放射光とYAGによって波長変換された黄色の放射光との混色が適切に行われ、白色に近い放射光となり、イエローリングの解消がなされている。しかし形状が砲弾型になっているため、放熱特性や薄型化の点において問題がある。本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、放熱特性が良く、形状的に薄型化が達成されると同時に、蛍光体含有樹脂を用いたLED発光装置に特有のイエローリングの解消を行ったLED発光装置を提供することである。上記目的を達成するための本発明における構成は、複数の半導体発光素子を、サブマウント基板に実装した発光素子群と、開口を有する回路基板と、概回路基板の下面に積層した金属ベースを備え、前記回路基板の開口内に前記発光素子群を実装したサブマウント基板を配設すると共に、前記回路基板上の開口の外側に封止枠を設けて、前記発光素子群を蛍光粒子を混入した蛍光体含有樹脂で充填封止する半導体発光装置において、前記回路基板の開口を前記サブマウント基板より大きく形成することによって、前記回路基板の開口の内縁と前記サブマウント基板の外縁との間に所定の幅を有する凹部を形成し、前記充填封止された蛍光体含有樹脂に混入された蛍光粒子を前記凹部内に沈殿させることにより、前記発光素子群の斜め横方向の蛍光体の濃度を下げたことを特徴とする。上記構成によれば、開口を有する回路基板を金属ベースに積層し、前記回路基板の開口内に発光素子群を実装したサブマウント基板を配設すると共に、前記回路基板上の開口の外側に封止枠を設けて、前記発光素子群を蛍光粒子を混入した蛍光体含有樹脂で充填封止する構成において、前記回路基板の開口の内縁と前記サブマウント基板の外縁との間に所定の幅を有する凹部を形成し、前記充填封止された蛍光体含有樹脂に混入された蛍光粒子を前記凹部内に沈殿させることにより、前記発光素子群の斜め横方向の蛍光体の濃度を下げたので、放熱特性が良く、形状的に薄型化が達成されると同時に、蛍光体含有樹脂を用いたLED発光装置に特有のイエローリングの解消を行うことができた。前記サブマウント基板にセラミック基板等の絶縁性基板を使用し、前記絶縁性基板の上面に実装された複数の半導体発光素子をフリップチップボディングすると良い。上記の如く本発明によれば、開口を有する回路基板を金属ベースに積層し、前記回路基板の開口内に発光素子群を実装したサブマウント基板を配設すると共に、前記回路基板上の開口の外側に封止枠を設けて、前記発光素子群を蛍光粒子を混入した蛍光体含有樹脂で充填封止する構成において、前記回路基板の開口の内縁と前記サブマウント基板の外縁との間に所定の幅を有する凹部を形成し、前記充填封止された蛍光体含有樹脂に混入された蛍光粒子を前記凹部内に沈殿させることにより、前記発光素子群の斜め横方向の蛍光粒子の濃度を薄くしたので、放熱特性が良く、形状的に薄型化が達成されると同時に、蛍光体含有樹脂を用いたLED発光装置に特有のイエローリングを解消したLED発光装置を提供できる。第1実施形態以下図面により、本発明の第1実施形態におけるLED発光装置の構成を説明する。図1から図10は第1実施形態におけるLED発光装置10の構成を示すものであり、図1はLED発光装置の蛍光体含有樹脂を充填する前の平面図を示し、図2は図1に示すLED発光装置に蛍光体含有樹脂を充填した完成状態におけるA-A断面図である。図1及び図2においてLED発光装置10の構成は後述する如く中心に実装開口2aを有する回路基板2には、実装開口2aの周辺に2個の接続電極3a,3bと、回路基板2の対角位置に2個の端子電極に3c、3dを備えると共に、回路基板2の端子電極3c,3dと逆の対角位置には2個の取付孔16が設けられている。また回路基板2の上面側の接続電極3a,3b、端子電極3c,3dを除く全面には絶縁性の反射層7が形成され、さらに回路基板2の中心に設けられた実装開口2a周辺の接続電極3a,3bの外側に封止枠8が設けられている。また回路基板2の下面には金属ベース11が積層されており、前記回路基板2の実装開口2a内に露出した金属ベース11には、複数のLED1を実装したサブマウント基板12より構成された発光素子群13以下LEDブロック13とするが配設されており、サブマウント基板12の対角位置に設けられたサブマウント電極12a、12bが回路基板2に設けられた接続電極3a,3bにワイヤー4によって接続されている。この状態において図1に示す如く回路基板2の実装開口2aをLEDブロック13を構成するサブマウント基板12より十分に大きく形成しておくことにより、前記回路基板2の実装開口2aの内縁と前記サブマウント基板12の外縁との間に所定の幅Wを有する凹部14が形成される。次に、前記回路基板2の実装開口2aの外側に設けられた封止枠8の内部に蛍光粒子5a後述する図10参照を混入した蛍光体含有樹脂5を充填封止してLED発光装置10が完成する。このとき、回路基板2の実装開口2aの内縁と前記サブマウント基板12の外縁との間に所定の幅Wを有する凹部14が形成されているため、前記充填封止された蛍光体含有樹脂5に混入された蛍光粒子5aが前記凹部14内に沈殿させることにより、梨地模様の濃淡で示す如くLEDブロック13の周囲に高濃度部分5c濃い梨地で示すと低濃度部分5d薄い梨地で示すの層を形成することができる。この蛍光粒子5aの濃度を下げることの効果については後述する。次の図3~図8によりLED発光装置10を構成する各エレメント及び組み立て手順を説明する。図3は金属ベース11を示し、aは平面図、bはaに示す金属ベース11のA-A断面図である。金属ベース11は放熱用のベース部材であり、図1のLED発光装置10に示す如く2個の取付孔16を有する金属板である。図4は回路基板2であり、aは平面図、bはaに示す回路基板2のA-A断面図である。回路基板2はガラスエポキシ等の基板材料に銅箔を張り付けた胴張り樹脂基板であり、中心に実装開口2aが設けられると共に、上面側の銅箔がエッチング加工により2個の接続電極3a,3bと2個の端子電極3c,3dが2本の配線電極3e、3fで接続されている。図5は回路基板2の途中工程を示すものであり、aは平面図、bはaに示す回路基板2のA-A断面図である。回路基板2の上面側の接続電極3a,3b、端子電極3c,3dを除く全面には絶縁性の反射層7が形成され、さらに回路基板2の中心に設けられた実装開口2a周辺の接続電極3a,3bの外側に封止枠8が設けられている。図6は回路基板2と金属ベース11の積層構成を示すもので、aは平面図、bはaに示す回路基板2と金属ベース11の積層体のA-A断面図である。すなわち回路基板2の実装開口2aの部分に積層された金属ベース11の露出面がみえている。図7はLEDブロック13の拡大図を示し、aは平面図、bはaに示LEDブロック13のA-A断面図である。すなわちセラミック等の熱伝導性の良い絶縁材料で構成され、図示しない配線電極を有するサブマウント基板12に複数のLED1がフリップチップ実装によって直並列に接続さらており、電力を供給するための電源電極12a,12bが対角位置のコーナにもうけられている。図8aは回路基板2の実装開口2aに露出した金属ベース11の露出面にLEDブロック13を実装した実装回路基板を示す平面図であり、図1に示すLED発光装置10の平面図と同じものであり、ワイヤー4によって回路基板2の接続電極3a,3bとサブマウント基板12の電源電極12a,12bが接続された状態を示している。この回路基板2の接続電極3a,3bとサブマウント基板12の電源電極12a,12bとの接続は、図8に示す如く回路基板2に設けられた円形の実装開口2aの内部に矩形形状のサブマウント基板12を配設し、サブマウント基板12のコーナに電源電極12a,12bが設けられているので、ワイヤー4による回路基板2の接続電極3a,3bとサブマウント基板12の電源電極12a,12bとの接続は最短距離の位置で行われることになる。なお、この状態ではまだ蛍光体含有樹脂5の充填は行われていない。図8bcはaに示す実装回路基板に蛍光体含有樹脂5の充填を行ったLED発光装置10のA-A断面図及びB-B断面図である。図9は図8bに示す完成LED発光装置10の蛍光体含有樹脂5の充填を行った後に、蛍光体含有樹脂5が硬化して行く過程において蛍光粒子5aが凹部14内に沈殿した状態を示す断面図であり、回路基板2の実装開口2aに露出した金属ベース11の露出面にLEDブロック13を実装した状態における実装開口2aの内縁と、サブマウント基板12の外縁との間に形成された凹部14内に蛍光粒子5aが沈殿することで、LEDブロック13に実装された発光素子群の斜め横方向の蛍光粒子5aの濃度が下がっていることを梨地模様の濃淡で示している。図10は図9に示す完成LED発光装置10の部分拡大断面図であり、図9の点線で示したB部分の拡大断面を示している。すなわち封止枠8の内部に充填された蛍光体含有樹脂5の蛍光粒子5aは黒点で示す硬化する過程において、全体として沈殿していくが、LED1の周辺の蛍光粒子5aはLED1の近傍に残るに対し、回路基板2の実装開口2aとサブナウント基板12によって構成された凹部14の部分では、凹部14内に蛍光粒子5aが沈殿して高濃度部分5c濃い梨地で示すと低濃度部分5d薄い梨地で示すの層を形成するので、発光素子群の斜め横方向の蛍光粒子5aの濃度が下がり、LEDブロック13から斜め横方向に出射され出射光もYAG蛍光粒子5aとの衝突の確率が減少することで、LED1から上方に出射される出射光と同様に、青色の放射光とYAG蛍光粒子5aによって波長変換された黄色の放射光との混色が適切に行われ、全体として白色光Phに近い放射光となりイエローリングが解消される。第2実施形態図11は本発明におけるLED発光装置の第2実施形態を示す断面図であり、図2に示す第1実施形態のLED発光装置10と基本的構成は同じなので、同一要素には同一番号を付し、重複する説明は省略する。図11に示す第2実施形態のLED発光装置20が第1実施形態のLED発光装置10と異なるところは、以下の点である。第1実施形態のLED発光装置10のLEDブロック13がサブナウント基板12として絶縁性の基板を使用し、複数のLED1をフリップチップ実装していたのに対し、第2実施形態のLED発光装置20はLEDブロック23のサブナウント基板22として金属性の基板を使用し、複数のLED1をフェースアップに実装すると共に、上面のIC端子をワイヤー24によって接続していることである。このLED発光装置20の構成ではサブナウント基板22を金属で構成し、金属ベース11に密着させているため、LED発光装置20の放熱特性は著しく向上している。上記の如く、本発明においては回路基板の実装開口とサブマウント基板との間に所定の幅を有する凹部を形成することで、蛍光体含有樹脂封止のLED発光装置に特有なイエローリングを解消することができ、また回路基板の実装開口に露出した金属ベースにLEDブロックを密着させることによって放熱特性の改善を同時に達成することができた。なお、本実施形態においては、回路基板に設けた円形の実装開口に矩形のサブマウント基板を用いたLEDブロックを配設したが、これに限定されるものではなく、例えば円形のサブマウント基板を用いてリング状の凹部を形成しても良い。"