上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の外周部に内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドの2列の並びを露出させる枠状の開口部を有するソルダーレジスト層と、前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されており、前記開口部内を通って前記搭載部の外側に延びる引出配線と、前記半導体素子接続パッドの表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層とを有する配線基板であって、前記引出配線は、前記開口部よりも内側の前記ソルダーレジスト層の下で前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されていることを特徴とする配線基板。本発明の課題は、内側の列の半導体素子接続パッドに搭載部の外側に延びる引出配線が接続されている場合であっても、各半導体素子接続パッド上に形成された加熱溶融処理された金属層の高さに大きな違いが無く、それにより半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供することにある。本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の外周部に内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドの2列の並びを露出させる枠状の開口部を有するソルダーレジスト層と、前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されており、前記開口部内を通って前記搭載部の外側に延びる引出配線と、前記半導体素子接続パッドの表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層とを有する配線基板であって、前記引出配線は、前記開口部よりも内側の前記ソルダーレジスト層の下で前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されていることを特徴とするものである。本発明の配線基板によれば、内側の列の半導体素子接続パッドに接続されて搭載部の外側に延びる引出配線は、ソルダーレジスト層の開口部よりも内側のソルダーレジスト層の下で前記半導体素子接続パッドに接続されていることから、半導体素子接続パッドと引出配線との接続部がソルダーレジスト層の開口部内に露出することがない。したがって、内側の列の半導体素子接続パッドに搭載部の外側に延びる引出配線が接続されている場合であっても、各半導体素子接続パッド上に形成された加熱溶融処理された金属層の高さに大きな違いが発生することは無く、それにより半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供することができる。次に、本発明の配線基板について図1~図3を基にして説明する。図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体3とソルダーレジスト層6とから構成されており、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部1aを有している。絶縁基板1は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが30~200μm程度の単層または多層の絶縁層を熱硬化させた樹脂系電気絶縁材料から成り、その上面から下面にかけては直径が50~300μm程度のスルーホール2が形成されている。絶縁基板1の内部および上下面およびスルーホール2の内壁には、厚みが10~20μm程度の銅箔や銅めっき層等の銅から成る配線導体3が被着形成されている。これらの配線導体3のうち絶縁基板1の内部および上下面の所定のもの同士がスルーホール2を介して互いに電気的に接続されている。また、絶縁基板1の上面における配線導体3の一部は、半導体素子Sの電極端子Tが接続される半導体素子接続パッド4を形成しており、絶縁基板1の下面における配線導体3の一部は外部電気回路基板に接続するための外部接続パッド5を形成している。そして、半導体素子接続パッド4には、半導体素子Sの電極端子Tが接続され、外部接続パッド5は外部電気回路の配線導体に接続される。なお、半導体素子Sの電極端子Tには半導体素子接続パッド4と接続するための鉛フリー半田から成る半田バンプBが被着されており、半導体素子接続パッド4の上面には半田バンプBとの濡れ性を向上させるための錫めっきから成る金属層7が被着されている。金属層7は、例えば半導体素子接続パッド4の露出面に電解めっき法により0.5~5μmの厚みに被着された後、加熱溶融処理されて高さが2~25μmのドーム状となっている。さらに、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2の内部には、配線導体3を覆うようにしてソルダーレジスト層6が被着されている。ソルダーレジスト層6は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性熱硬化性樹脂の硬化物から成り、絶縁基板1の上下面での厚みが10~30μm程であり、スルーホール2の内部を充填している。そして上面側のソルダーレジスト層6には、半導体素子接続パッド4を露出させる開口部6aが形成されているとともに、下面側のソルダーレジスト層6には外部接続パッド5を露出させる開口部6bが形成されている。そして、本例の配線基板10においては、半導体素子接続パッド4上に半導体素子Sの電極端子Tを載置し、その状態で半田バンプBおよび金属層7をを加熱溶融することによって半導体素子Sが配線基板10上に実装される。ところで、本例の配線基板10においては、図2に上面図で示すように、多数の半導体素子接続パッド4が搭載部1aの外周部に内側の列と外側の列との2列の並びに設けられている。このように2列の並びで設けられた半導体素子接続パッド4は、ソルダーレジスト6に設けられた枠状の開口部6a内に露出している。そして、内側の並びの半導体素子接続パッド4はその殆どが搭載部1aの内側へ延びる引出配線3aにより搭載部1aの内側に引き出され、外側の並びの半導体素子接続パッド4は搭載部1aの外側に延びる引出配線3bにより搭載部1aの外側に引き出されている。また、内側の列の半導体素子接続パッド4のうち、搭載部1aの内側に引き出すことが設計的に困難であるものについては、搭載部1aの外側に延びる引出配線3cにより搭載部1aの外側に引き出されている。このとき、内側の列の半導体素子接続パッド4を搭載部1aの外側に引き出す引出配線3cは、図3に示すように、ソルダーレジスト層6の開口部6aよりも内側のソルダーレジスト層6の下で半導体素子接続パッド4に電気的に接続されている。そして半導体素子接続パッド4と離間した位置から開口部6a内に露出してさらに搭載部1aの外側に延びている。このように、本例の配線基板10によれば、内側の列の半導体素子接続パッド4に接続されて搭載部1aの外側に延びる引出配線3cは、ソルダーレジスト層6の開口部6aよりも内側のソルダーレジスト層6の下で半導体素子接続パッド4に接続されていることから、半導体素子接続パッド4と引出配線3cとの接続部がソルダーレジスト層6の開口部6a内に露出することがない。したがって、内側の列の半導体素子接続パッド4に搭載部1aの外側に延びる引出配線3cが接続されていても、各半導体素子接続パッド4上に形成された加熱溶融処理された金属層7の高さに大きな違いが発生することは無く、それにより半導体素子Sの電極Tと半導体素子接続パッド4とを常に正常に接続することが可能な配線基板10を提供することができる。