"真空チャンバー内に配置される計測装置であって、前記真空チャンバーの内部に配置され、基板の位置および高さの少なくともいずれかを計測するための計測光学系と、前記計測光学系の少なくとも一部を密封して覆うカバーと、前記カバーに接続され、前記カバー内に気体を供給および排出するための配管と、前記配管を介して前記カバー内に供給または排出される気体の量を制御することによって前記カバー内の圧力を制御する圧力制御手段と、を備え、前記カバーには、計測のための光を透過するための透明板が設けられ、前記圧力制御手段は、前記カバー内の圧力変動を抑え、かつ、前記カバー内外に所定の圧力差が生じるように前記気体の量を制御し、前記計測光学系は、前記圧力差によって前記透明板が変形することによって生じる収差を補正するように構成されることを特徴とする計測装置。前記カバー内に供給される気体の温度を制御する温度制御手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。前記光学系の少なくとも一部が撮像素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の計測装置。前記光学系の少なくとも一部が計測光を照射する光源であることを特徴とする請求項1~3の少なくともいずれかに記載の計測装置。前記光学系の少なくとも一部が複数のレンズを接着したレンズ群であることを特徴とする請求項1~4の少なくともいずれかに記載の計測装置。特許文献1のようにアライメント光学系の部品の一部を真空チャンバー外に配置すると、装置の構成は大きな制限を受けてしまう。また一般に真空対応の計測装置は通常の計測装置に比べて精度が劣るため、これらの装置を用いることも適切ではない。本発明は上述の点を考慮してなされたものであり、真空チャンバー内に配置される計測装置において、計測光学系等を好適に使用することを目的とする。本発明は、真空チャンバー内に配置される計測装置であって、前記真空チャンバーの内部に配置され、基板の位置および高さの少なくともいずれかを計測するための計測光学系と、前記計測光学系の少なくとも一部を密封して覆うカバーと、前記カバーに接続され、前記カバー内に気体を供給および排出するための配管と、前記配管を介して前記カバー内に供給または排出される気体の量を制御することによって前記カバー内の圧力を制御する圧力制御手段と、を備え、前記カバーには、計測のための光を透過するための透明板が設けられ、前記圧力制御手段は、前記カバー内の圧力変動を抑え、かつ、前記カバー内外に所定の圧力差が生じるように前記気体の量を制御し、前記計測光学系は、前記圧力差によって前記透明板が変形することによって生じる収差を補正するように構成されることを特徴とする計測装置。本発明によれば、真空チャンバー内に配置される計測装置において、計測光学系等を好適に使用することができる。実施例1本発明が適用される露光装置について図1を参照しつつ説明する。露光装置100は発光部101と、照明光学系102と、レチクルステージ103と、投影光学系104と、ウエハステージ105と、これらを覆う真空チャンバー106等を備える。発光部101は、ターゲット供給手段107と、励起用パルスレーザー照射手段108などを備える。真空チャンバー106内に供給されたターゲット材にパルスレーザーを集光レンズ109を介して照射させることによって、高温のプラズマ110を発生させてEUV光を放射させることができる。ターゲット材として、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられる。ターゲット照射手段107として例えばガスジェットが用いられる。放射されるEUV光の平均強度を高くするために、パルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常は数kHzの繰り返し周波数で運転される。照明光学系102は、複数のミラー111多層膜ミラーまたは斜入射ミラーと、オプティカルインテグレータ112等を備える。複数のミラー111のいずれかによって、放射されたEUV光を集光する。オプティカルインテグレータ112は、レチクルマスクを均一に所定の開口数で照明するために設けられる。また照明光学系のレチクルと共役ない位置には、レチクルを照明する領域を円弧状にするためのアパーチャ113が設けられる。レチクルステージ103とウエハステージ105は縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構をもつ。ここで走査方向をX方向、レチクルおよびウエハ面に垂直な方向をZ方向、X方向およびZ方向と垂直な方向をY方向とする。レチクルステージ103はレチクルチャック114を備え、レチクルチャック114によってレチクル115を保持する。またレチクルステージ103はX方向に長ストロークで移動するための駆動手段を備える。またX方向、Y方向、Z方向、および各軸の回りの回転方向に短ストロークで移動するための駆動手段を備える。このように粗動機構と微動機構を備えることにより、レチクル115を高精度に位置決めできるようになっている。レチクルステージ103の位置および姿勢傾きはレーザ干渉計によって計測され、計測結果にもとづいて位置および姿勢が制御される。投影光学系104は複数のミラー116を備える。ミラーの枚数は少ない方がEUV光の利用効率が高いが、少ないと収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は4枚から6枚程度である。ミラーの反射面の形状は凸面または凹面の球面または非球面である。開口数NAは0.1~0.3程度である。ミラーとして、低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性と硬度が高く、熱膨張率が小さい材料が用いられる。材料となる基板を、研削および研磨して所定の反射面形状にした後、反射面にモリブデンやシリコンなどの多層膜を成膜したものである。ミラー面内の場所によって入射角が一定でない場合、膜周期が一定である多層膜では場所によって反射率が高くなりEUV光の波長がずれてしまう。そこでミラー面内で同一の波長のEUV光が効率よく反射されるように膜周期に分布を持たせている。ウエハステージ105はウエハチャック117を備え、ウエハチャック117によってウエハ118を保持する。ウエハステージ105はX方向およびY方向に長ストロークで移動するための駆動手段を備える。またX方向、Y方向、Z方向、および各軸の回りの回転方向に短ストロークで移動するための駆動手段を備える。このように粗動機構と微動機構を備えることにより、ウエハを高精度に位置決めできるようになっている。ウエハステージ105の位置および姿勢傾きはレーザ干渉計によって計測され、計測結果にもとづいて位置および姿勢が制御される。発光部101から放射されたEUV光がウエハ118に導光されるまでの間に、EUV光が減衰しないように、真空チャンバー内の圧力は10-5~10-4Paに維持される。上述のような露光装置において、ウエハ118とレチクル115間、またはウエハ118に形成された複数の露光ショット間で位置合わせを行うためのアライメント光学系119を備える。また、レチクルのパターンの焦点位置にウエハを合わせるためのフォーカス光学系120を備える。図2はアライメント光学系119を示す図である。アライメント光学系119は光源15と、光源15から照射される光をウエハまで導光するための導光手段19と、レンズ14,18と、CCDカメラ撮像素子13等を備える。アライメントはオフアクシス方式で行われる。光源15としてはLEDが用いられ、光源の周辺にはレンズ17と、電気ボード16が設けられる。2枚のレンズを接着材で貼り合わせたレンズ対14と単レンズ18は、ウエハ118上に形成されたアライメントマークの像を撮像素子に結像するために用いられる。本実施例において、上述のCCDカメラ13、レンズ対14、光源15はそれぞれ気密カバー1内に配置される。気密カバーには気体を供給するための供給管4と、気体を排出するための排出管5が接続され、大気環境が維持できるようになっている。また、気密カバー1内のCCDカメラ13等の電子機器に電力を供給するための電力線6と、信号を送受信するための信号線7が接続されている。これらの電力線や信号線は供給管や排出管に配置することも可能である。気密カバー1は、筐体部2と、検出する光が透過できるように透明板3等を備える。透明板3はたとえばガラスによって構成される。また筐体部2と透明板3で形成される空間を密封シールするためにOリングやガスケット等が設けられる。レンズ対を配置する気密カバーには、レンズ対に光が入射する部分と射出する部分の二箇所に透明板3が設けられる。上述のようなシール機構を設けた場合であっても、一ヶ月を超えるような使用に際しては気密カバー1内の気体が少しずつ漏れてしまうおそれがある。気密カバー1内の気体が漏れると、気密カバー1内外における圧力差が変化してしまう。圧力差が変化することによって、圧力差によって生じる透明板3の変形量が変化してしまう。透明板3の変形量が変化してしまうと、透明板3を透過した光の結像性能が変化してしまう。具体的には、歪曲収差や像面湾曲、コマ収差が発生してしまい、アライメントやフォーカスの検出精度が悪くなってしまう。透明板3の厚さを厚くして変形量を抑える方法もあるが、実際の設計においては厚さには制限がある。本実施例では、圧力制御手段図中の制御手段8によって供給管4と排出管5によって出し入れする気体の量を制御することによって、気密カバー1内の圧力変動を抑えることができる。ここで、気密カバー内に圧力センサを設けて直接圧力を検出してもよい。また、温度制御手段図中の制御手段8によって出し入れする気体の温度を制御することで、CCDカメラ等の電子機器の発熱による温度上昇を抑えることができる。さらに、透明板3の変形量を求めて、変形による収差を打ち消すようにレンズの設計を行う。変形量を求める方法としては、有限要素法等のシミュレーションによって求めてもよいし、実験を行ってレーザー干渉計等の計測手段で直接計測してもよい。レンズの設計は、具体的にはレンズの曲率、レンズの厚さ、使用する材料等を変えることによって収差を変えることができる。本実施例によれば、電子機器が気密カバー1内に配置されており、電子機器を構成する部材から放出される汚染物質やガスによる真空雰囲気の劣化を低減することができる。たとえば電子回路のはんだ等は汚染物質の発生原因となるため、電子回路を気密カバー内に配置するとよい。また真空に起因する電子機器の動作不良を防ぐことができる。真空対応の電子機器は一般に、通常の電子機器と比べて性能が低いため、本実施例により性能の向上も期待できる。また、本実施例ではレンズ対14を気密カバー内に配置することで接着によってレンズを張り合わせることができる。複数のレンズを張り合わせることによって、アライメント光学系の色収差を効果的に補正することができる。実施例2図3を参照しつつ、上述の気密カバーをフォーカス光学系に適用した例を説明する。実施例1と同様の符号が付されているものについて説明を省略する箇所については実施例1と同様であるものとする。フォーカス光学系120は、光源21と、複数のスリット状のマーク22と、シリンドリカルミラー23と、CCDカメラ撮像素子24等を備える。光源21としてLEDが用いられる。光源から照射された光はスリットを透過し、ウエハ118の表面で反射されて撮像素子にマークが結像される。このような構成で、ウエハをウエハステージで光軸方向に駆動しながら投影光学系の焦点位置にウエハを合わせ込む。このようなフォーカス光学系において、光源21およびCCDカメラ24は気密カバー1内に配置される。気密カバー1の構成については実施例1と同様であるため詳細な説明を省略する。デバイス製造方法の例次に、図4及び図5を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図4はデバイスICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。ステップS1回路設計では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2マスク製作では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3ウエハ製造ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップS4ウエハプロセスは前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップS5組み立ては、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディング、パッケージング工程チップ封入等の組み立て工程を含む。ステップS6検査では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷ステップS7される。図5は、ステップ4の上はプロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11酸化では、ウエハの表面を酸化させる。ステップS12CVDでは、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップS14イオン打ち込みでは、ウエハにイオンを打ち込む。ステップS15レジスト処理では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップS16露光では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップS17現像では、露光したウエハを現像する。ステップS18エッチングでは、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19レジスト剥離では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。"