"基板KまたはリードフレームLに設けられたパッド部Pと、半導体素子Sの金属層とが、多孔質状金属層Cを介して接合され、該半導体素子Sと他の電極端子T間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び半導体素子Sと電極端子T間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂Hで封止されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iが配置され、かつ、前記被覆樹脂部Iと前記封止樹脂Hとの間に界面が存在していることを特徴とする半導体装置。前記多孔質状金属層Cが、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトの中から選択される1種又は2種以上の元素を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記被覆樹脂部Iが耐熱性樹脂から形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。前記耐熱性樹脂がポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、フッ素樹脂、エポキシ系樹脂、又はポリビニルピロリドン系樹脂であることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造工程中に、半導体素子の側面から金属微粒子等が付着するのを防止して、特性のよい半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、基板またはリードフレームの金属層を多孔質状金属層を介して半導体素子と接合すると共に、該多孔質状金属層の外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子の外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、以下の1~4に記載する発明を要旨とする。1基板KまたはリードフレームLに設けられたパッド部Pと、半導体素子Sの金属層とが、多孔質状金属層Cを介して接合され、該半導体素子Sと他の電極端子T間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び半導体素子Sと電極端子T間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂Hで封止されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iが配置され、かつ、前記被覆樹脂部Iと前記封止樹脂Hとの間に界面が存在していることを特徴とする半導体装置。2前記多孔質状金属層Cが、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトの中から選択される1種又は2種以上の元素を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。3前記被覆樹脂部Iが耐熱性樹脂から形成されていることを特徴とする、前記1又は2に記載の半導体装置。4前記耐熱性樹脂がポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、フッ素樹脂、エポキシ系樹脂、又はポリビニルピロリドン系樹脂であることを特徴とする、前記3に記載の半導体装置。本発明の半導体装置は、多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iが配置されていることにより、半導体装置の製造工程中に、半導体素子Sの側面から金属微粒子等が付着するのを防止して、特性のよい半導体装置を得ることが可能になる。以下に本発明の1半導体装置、及び2その製造方法について説明する。1半導体装置本発明の半導体装置は、基板KまたはリードフレームLに設けられたパッド部Pと、半導体素子Sの金属層とが、多孔質状金属層Cを介して接合され、該半導体素子Sと他の電極端子T間とが金属製ワイヤで接続され、かつ前記パッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び半導体素子Sと電極端子T間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂Hで封止されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iが配置され、かつ、前記被覆樹脂部Iと前記封止樹脂Hとの間に界面が存在していることを特徴とする。本発明の実施態様である半導体装置の典型例は、図1、2に示されている。図1は、半導体素子S14と配線パターン34間が金属製ワイヤ31でワイヤボンディングされている例であり、aは半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、bは多孔質状金属層C16の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、cは多孔質状金属層C16と半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆されている。尚、多孔質状金属層C16は、裏面に金属板15を有する基板K11のパッド部P12上に形成され、封止樹脂H32で封止されている。図2は、半導体素子S14とリードフレーム33間が金属製ワイヤ31でワイヤボンディングされている点を除いて図1と同様である。1基板KまたはリードフレームL本発明の半導体装置に使用する基板Kは、セラミックス等の絶縁層の面上に銅板等の導体パターンを形成したDBCDirectBondedCopper基板等が好適に使用できる。尚、セラミックスとしては、アルミナAl2O3、窒化アルミAlN、窒化ケイ素Si3N4などが例示できる。基板Kとしては上記DBC以外にリードフレームLも使用することができるが、ここでは基板Kを用いた場合を中心に説明する。2半導体素子S半導体素子Sは、半導体による電子部品、または電子部品の機能中心部の素子であり、外部接続用電極としての金属層を有する。3多孔質状金属層C基板Kのパッド部Pと半導体素子S間を接合している多孔質状金属層Cは、例えば、金属微粒子Mと分散溶液Dを含む金属微粒子分散材Aを塗布又はパターニングして、パッド部P上に多孔質状金属層前駆体Bを形成し、更に該前駆体B上に半導体素子Sを搭載した後、該多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結して形成される。尚、多孔質状金属層Cの金属が存在しない部分については、空孔であっても、樹脂が存在していてもよい。以下、金属微粒子Mと分散溶液Dを含む金属微粒子分散材A、及び多孔質状金属層前駆体Bについて説明する。3-1金属微粒子分散材A金属微粒子分散材Aは、金属微粒子Mが分散溶液Dに分散されたものである。この金属微粒子分散材Aは、液状、ペースト状、固形状であるが、これを多孔質状金属層前駆体Bとしてパッド部Pと半導体素子S間に配置して、加熱焼結して該金属微粒子Mを焼結することにより多孔質状金属層Cを形成させて、パッド部Pと半導体素子S間を接合するために用いられる。3-2金属微粒子M金属微粒子Mは、導電性と熱伝導性の高い、焼結性を有する微粒子であり、導電性、加熱処理焼結性、市場における入手の容易性等から、例えば金、銀、銅,白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、又はアルミニウムが挙げられるが、これらの中でも、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトが好ましく、更にこれらの中でも導電性、熱伝導性、加工性、マイグレーションの防止等の点から銅がより好ましい。金属微粒子Mは、導電性と熱伝導性が高く、焼結性を有する微粒子であり、平均一次粒子径がナノサイズのものが好ましい。具体的には、平均一次粒子径が1~500nmの金属微粒子M1が好ましい。金属微粒子M1の一次粒子の平均粒子径が1nm以上で焼成により均質な粒子径と空孔を有する多孔質体を形成することが可能になり、一方、500nm以下で精密な導電パターンを形成することができる。金属微粒子Mとして、平均一次粒子径が1~500nmの金属微粒子M1に、更に平均一次粒子径が0.5~50μmの金属微粒子M2を併用すると、金属微粒子M2間に金属微粒子M1が分散して安定に存在するので、金属微粒子M1の平均一次粒子径との粒子径の差が確保できて、加熱処理する際に金属微粒子M1の自由な移動を効果的に抑制することができ、前述の金属微粒子M1の分散性と安定性を向上させることができる。金属微粒子M2としては、金属微粒子M1と同種の金属を使用することが好ましい。ここで、一次粒子の平均粒子径とは、二次粒子を構成する個々の金属微粒子の一次粒子の直径の意味である。該一次粒子径は、電子顕微鏡を用いて測定することができる。また、平均粒子径とは、一次粒子の数平均粒子径を意味する。3-3分散溶液D分散溶液Dには、分子中に2以上のヒドロキシル基を有する1種又は2種以上のアルコールが含有されていることが好ましく、該アルコールの融点は30~280°Cであることがより好ましい。アルコールは、金属微粒子分散材A中で金属微粒子Mを分散させ、かつ、加熱焼結する際に脱水素化反応を受けて水素ラジカルを発生させて焼結を促進する作用を発揮する。分散溶液Dの成分としては、上記アルコール以外に、アミド基を有する有機溶媒、エーテル系化合物、ケトン系化合物、アミン系化合物等を配合することができる。これらのアルコール以外の分散媒は分散溶液D中で併せて30体積以下となるように配合されることが好ましい。3-4多孔質状金属層前駆体B多孔質状金属層前駆体Bは、金属微粒子分散材Aをパッド部P上、又は樹脂シートF上に塗布又はパターニングして形成される形状物である。該多孔質状金属層前駆体Bは、その後加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成するので、多孔質状金属層Cの前駆体である。なお、樹脂シートFは、被覆樹脂部Iの前駆体であって、その融点は金属微粒子分散材Aの融点以下であるものを用いる。パッド部Pと半導体素子S間を、上述した多孔質状金属層Cで接合すると、はんだ手段を用いた場合より高密着性、高耐熱性、及び高熱伝導性であり、応力緩和性に優れ、鉛フリー化などの環境問題の配慮が不要である。4被覆樹脂部I本発明の態様における半導体装置において、被覆樹脂部Iは、多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を被覆している。被覆の態様としては図1、2a、b、cに示す通り、半導体素子Sの外周側面、多孔質状金属層Cの外周側面、半導体素子Sと多孔質状金属層Cの外周側面をそれぞれ被覆する態様がある。この態様には、例えば下記iとiiの例がある。i前記多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部が多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する前に形成された、被覆樹脂部Iが配置されている。ii金属微粒子分散材A中にさらに樹脂Gを溶解させた多孔質状金属層前駆体Bを塗布又はパターニング後、加圧下に加熱焼結する際に樹脂Gからなるフィレット状物として形成された被覆樹脂部Iが、前記多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に配置されている。この場合、前記多孔質状金属層Cの外周側面の全表面、及び/又は半導体素子Sの外周側面の全表面に被覆樹脂部Iが配置されていることが望ましい。被覆樹脂部Iは耐熱性樹脂で形成されていることが望ましい。このような耐熱性樹脂として、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、又はポリビニルピロリドン系樹脂が挙げられる。この態様の半導体装置は、被覆樹脂部Iが多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する前、又は多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する際に形成されるので、半導体素子Sの側面から金属微粒子等が付着するのを防止でき、特性に優れている。5ワイヤボンディング、封止樹脂H半導体素子Sと他の電極端子T間を金属製ワイヤによるワイヤボンディング、パッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び半導体素子Sと電極端子T間を接続する金属製ワイヤの封止樹脂Hによる封止は、一般的な半導体装置と同様の工程で実現される。6被覆樹脂部Iと封止樹脂Hとの間に形成される界面本発明の半導体装置において、被覆樹脂部Iは多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する前、又は多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する際に形成される一方、封止樹脂Hは、前記多孔質状金属層前駆体Bの加熱焼結した後の更にワイヤボンディングした後に、基板K上のパッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び金属製ワイヤが配置されている領域に封止樹脂を封入して形成される。従って、封止樹脂Hは被覆樹脂部Iが形成された後に形成されるので、封止樹脂Hと被覆樹脂部I間には界面が存在することになる。このような界面は界面が形成される部分の断面を顕微鏡で観察すれば容易に確認することができる。被覆樹脂部Iと封止樹脂Hとの間にこのような界面が存在することは、被覆樹脂部Iが樹脂封止前に形成されたことの可能性の確認になるので、このような界面を有する半導体装置は、半導体素子Sの側面から金属微粒子等が付着するのを防止でき、特性に優れている。2本発明の半導体装置を製造する方法本発明の半導体装置は、基板KまたはリードフレームLに設けられたパッド部P上に、金属微粒子Mと分散溶液Dを含む金属微粒子分散材Aからなるペースト状物を塗布又はパターニングして多孔質状金属層前駆体Bを形成し、更に該前駆体B上に半導体素子Sを搭載した後、該多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成することにより、パッド部Pと半導体素子Sとを多孔質状金属層Cを介して接合する工程接合工程、その後該半導体素子Sと他の電極端子T間を金属製ワイヤでワイヤボンディングする工程ワイヤボンディング工程、及び前記パッド部P、多孔質状金属層C、半導体素子S、被覆樹脂部I、及び半導体素子Sと電極端子T間を接続する金属製ワイヤを封止樹脂Hで封止する工程モールド工程、を含む工程で製造される、この場合、i前記多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する前に、多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを構成する樹脂を被覆することにより、多孔質状金属層前駆体Bの加熱焼結後に多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置する、又はii金属微粒子分散材Aに更に予め樹脂Gを溶解させておき、多孔質状金属層前駆体Bを加圧下に加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成する際に、多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を樹脂Gから形成されるフィレット状の被覆樹脂部Iを配置する、ことが好ましい。上記方法で得られる半導体装置の典型例を図1、2に示す。図1は、半導体素子S14と配線パターン34間が金属製ワイヤ31でワイヤボンディングされている例であり、aは半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、bは多孔質状金属層C16の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、cは多孔質状金属層C16と半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆されている。尚、多孔質状金属層C16は、裏面に金属板15を有する基板K11のパッド部P12上に形成され、封止樹脂H32で封止されている。図2は、半導体素子S14とリードフレーム33間が金属製ワイヤ31でワイヤボンディングされている例であり、aは半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、bは多孔質状金属層C16の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆され、cは多孔質状金属層C16と半導体素子S14の外周側面が被覆樹脂部I23で被覆されている。以下に、第1の態様における、接合工程、ワイヤボンディング工程、及び封止工程について説明する。尚、上記で説明済みの各構成要素も含めて、本発明の半導体装置の製造方法の観点から詳細に説明する。2-1接合工程接合工程は、基板KまたはリードフレームLに設けられたパッド部P上に、金属微粒子Mと分散溶液Dを含む金属微粒子分散材Aを配置して多孔質状金属層前駆体Bを形成し、更に該前駆体B上に半導体素子Sを搭載した後、該多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成することにより、パッド部Pと半導体素子Sとを多孔質状金属層Cを介して接合する工程である。1基板KまたはリードフレームL本発明の半導体装置に使用する基板Kは、セラミックス等の絶縁層の面上に銅板等の導体パターンを形成したDBC基板等が好適に使用できる。尚、セラミックスとしては、アルミナAl2O3、窒化アルミAlN、窒化ケイ素Si3N4などが例示できる。基板Kとしては上記DBC以外にリードフレームLも使用することができるが、ここでは基板Kを用いた場合を中心に説明する。2半導体素子S半導体素子Sは、半導体による電子部品、または電子部品の機能中心部の素子であり、外部接続用電極としての金属層を有する。3金属微粒子分散材A金属微粒子分散材Aは、金属微粒子Mが分散溶液Dに分散された金属微粒子分散材Aからなる、ペースト状の多孔質状金属層前駆体Bをパッド部Pと半導体素子S間に配置して、加熱焼結して該金属微粒子Mを焼結することにより多孔質状金属層Cを形成させて、パッド部Pと半導体素子S間を接合するものである。3-1金属微粒子M金属微粒子Mは、導電性と熱伝導性の高い、焼結性を有する微粒子であり、導電性、加熱処理焼結性、市場における入手の容易性等から、例えば金、銀、銅,白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、又はアルミニウムが挙げられるが、これらの中でも、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトが好ましく、更にこれらの中でも導電性、熱伝導性、加工性、マイグレーションの防止、コスト低減等の点から銅が特に好ましい。金属微粒子Mは、導電性と熱伝導性が高く、焼結性を有する微粒子であり、平均一次粒子径がナノサイズのものが好ましい。具体的には、平均一次粒子径が1~500nmの金属微粒子M1が好ましい。金属微粒子M1の一次粒子の平均粒子径が1nm以上で焼成により均質な粒子径と空孔を有する多孔質体を形成することが可能になり、一方、500nm以下で精密な導電パターンを形成することができる。金属微粒子M1の一次粒子の平均粒子径は5~200nmであることが、より好ましい。金属微粒子Mとして、平均一次粒子径が1~500nmの金属微粒子M1に、更に平均一次粒子径が0.5~50μmの金属微粒子M2を併用すると、金属微粒子M2間に金属微粒子M1が分散して安定に存在するので、金属微粒子M1の平均一次粒子径との粒子径の差が確保できて、加熱処理する際に金属微粒子M1の自由な移動を効果的に抑制することができ、前述の金属微粒子M1の分散性と安定性を向上させることができる。金属微粒子M2としては、金属微粒子M1に記載したと同種の金属粒子を使用することが好ましい。ここで、一次粒子の平均粒子径とは、二次粒子を構成する個々の金属微粒子の一次粒子の直径の意味である。該一次粒子径は、電子顕微鏡を用いて測定することができる。また、平均粒子径とは、一次粒子の数平均粒子径を意味する。金属微粒子Mは、はんだペーストの場合と異なり、少なくとも1種以上の高純度金属微粒子をそのまま使用することができるので、接合強度と導電性に優れる接合体を得ることが可能になる。一般にはんだペーストの場合、実装対象である基板の銅パッド部分の酸化を取り除くためにフラックス有機成分を含有しており、更に金属材料に含まれる不純物として少量ではあるがAl、Zn、Cd、As等の金属が含まれることが多い。3-2分散溶液D分散溶液Dには、分子中に2以上のヒドロキシル基を有する1種又は2種以上のポリオールが含有されていることが好ましく、該ポリオールの融点は30~280°Cであることがより好ましい。ポリオールは、金属微粒子分散材A中で金属微粒子Mを分散させ、かつ、加熱焼結する際に脱水素化反応を受けて水素ラジカルを発生させて焼結を促進する作用を発揮する。このようなポリオールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール、トレイトール、エリトリトール、ペンタエリスリトール、ペンチトール、キシリトール、リビトール、アラビトール、ヘキシトール、マンニトール、ソルビトール、ズルシトール、グリセルアルデヒド、ジオキシアセトン、トレオース、エリトルロース、エリトロース、アラビノース、リボース、リブロース、キシロース、キシルロース、リキソース、グルコース、フルクトース、マンノース、イドース、ソルボース、グロース、タロース、タガトース、ガラクトース、アロース、アルトロース、ラクトース、キシロース、アラビノース、イソマルトース、グルコヘプトース、ヘプトース、マルトトリオース、ラクツロース、及びトレハロースから選択される1種又は2種以上が例示できる。分散溶液Dの成分としては、上記ポリオール以外に、アルコール、アミド基を有する化合物、エーテル系化合物、ケトン系化合物、アミン系化合物等を配合することができる。これらのポリオール以外の分散媒は分散溶液D中で併せて30体積以下となるように配合されることが好ましい。4多孔質状金属層前駆体B多孔質状金属層前駆体Bは、金属微粒子分散材Aをパッド部P上、又は樹脂シートF上に塗布又はパターニングして形成される形状物である。該多孔質状金属層前駆体Bは、その後加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成するので、多孔質状金属層Cの前駆体である。5多孔質状金属層前駆体Bの加熱焼結前の被覆樹脂部Iの形成方法接合工程において、多孔質状金属層前駆体Bの形成後、該多孔質状金属層前駆体Bの加熱焼結前に、多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置することができる。この場合、半導体素子Sの特性を向上するためには多孔質状金属層前駆体B及び/又は半導体素子Sの外周側面の全表面に被覆樹脂部Iを配置することが好ましい。該被覆方法として、下記の実施形態1~3図3~5にそれぞれ示すが挙げられるが本発明における、多孔質状金属層前駆体Bの加熱焼結前の被覆樹脂部Iの形成方法はこれらの例示に限定されるものではない。実施形態1~3における操作の主な特徴は下記の通りである。実施形態1:多孔質状金属層前駆体B及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に樹脂溶液Eを塗布する。実施形態2:多孔質状金属層前駆体Bと半導体素子S間に樹脂シートFを配置する。実施形態3:パッド部Pと多孔質状金属層前駆体B間に樹脂シートFを配置する。以下、実施形態1~3について説明する。5-1実施形態1実施形態1は、パッド部P上に塗布又はパターニングされた多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に樹脂溶液Eを塗布して、該樹脂溶液Eに含有されていた溶剤を除去、又は加熱硬化させて多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置する方法である。実施形態1は、図3aからcに示す工程実施形態1-1と、図3dからfと、dからhに示す工程実施形態1-2が挙げられる。イ実施形態1-1図3に示す通り、基板K11のパッド部P12上に、金属微粒子分散材Aからなるペースト状物を塗布又はパターニングして多孔質状金属層前駆体B13を形成し、更に該前駆体B上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bよりも小さい半導体素子S14を搭載してaに示す形状物を得る。次に半導体素子S14の外周側面に樹脂溶液E21を塗布してbに示す形状物を得る。その後、該樹脂溶液E中の溶剤を蒸発させるか、又は該樹脂溶液Eを該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、半導体素子Sの外周側面が被覆樹脂部I23で被覆された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたcに示す形状物を得る。この場合、上記bに示す形状物において、樹脂溶液E21を多孔質状金属層前駆体B13と半導体素子S14の双方の外周側面に塗布しておき、後述する図4eに示すような形状物を得ることも可能である。ロ実施形態1-2i図3に示すd、e、fの工程基板Kのパッド部P12上に、上記イに記載したと同様に塗布又はパターニングにより、多孔質状金属層前駆体B13を形成し、更に該前駆体B13上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bとほぼ同様の半導体素子S14を搭載してdに示す形状物を得る。次に該前駆体Bの外周側面に樹脂溶液Eを塗布してeに示す形状物を得る。その後、該樹脂溶液E中の溶剤を蒸発させるか、又は該樹脂溶液Eを該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、該前駆体Bの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたfに示す形状物を得る。ii図3に示すd、g、hの工程dに示す形状物に、多孔質状金属層前駆体B13及び半導体素子S14の外周側面に樹脂溶液E21を塗布してgに示す形状物を得る。その後、該樹脂溶液E中の溶剤を蒸発させるか、又は該樹脂溶液Eを該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、多孔質状金属層前駆体Bと半導体素子Sの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたhに示す形状物を得る。5-2実施形態2実施形態2は、パッド部P上に塗布又はパターニングされた多孔質状金属層前駆体B上に樹脂シートFを配置し、更に該樹脂シートF上に半導体素子Sを搭載して、半導体素子Sの上部側から加圧下に加熱することにより樹脂シートFを溶融して、該前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を樹脂シートFで被覆後、樹脂シートFに含有されていた溶剤を除去、又は加熱硬化させて多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置する方法である。実施形態2は、図4aからd、aからeに示す工程実施形態2-1と、図4fからiに示す工程実施形態2-2が挙げられる。イ実施形態2-1i図4aからdの工程基板K11のパッド部P12上に、塗布又はパターニングにより多孔質状金属層前駆体B13を形成してaに示す形状物を得る。該前駆体B上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bより大きい樹脂シートF22を配置させてbに示す形状物を得る。次に、該樹脂シートF22上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bよりも小さい半導体素子S14を搭載してcに示す形状物を得る。次に、該樹脂シートFを加熱して、半導体素子Sの外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆する。この場合、例えば、半導体素子Sの外側からガイド例えば半割り円筒状物を2つ組み合わせたガイドで押し付けて、半導体素子Sの外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆することが可能である。更に該樹脂シートF中の溶剤を蒸発させるか、又は該樹脂シートFを該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、半導体素子Sの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたdに示す形状物を得る。ii図4aからeの工程図4aからcまでの工程は、上記iと同様である。次に、該樹脂シートF22を加熱して、必要に応じて前記ガイド等を用いて多孔質状金属層前駆体Bと半導体素子Sの外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆する。更に該樹脂シートF中の溶剤を蒸発させるか、又は樹脂シートFからなる樹脂を該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、該前駆体B及び半導体素子Sの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたeに示す形状物を得る。ロ実施形態2-2i図4fからiの工程基板K11のパッド部P12上に、塗布又はパターニングにより多孔質状金属層前駆体B13を形成してfに示す形状物を得る。該前駆体B13上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bより大きい樹脂シートF22を配置させてgに示す形状物を得る。該樹脂シートF22上に半導体素子S14を搭載してhに示す形状物を得る。次に、該樹脂シートF中の溶剤を蒸発させるか、又は樹脂シートFからなる樹脂を該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、必要に応じて前記ガイド等を用いることにより、該前駆体B13と半導体素子S14の外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたjに示す形状物を得る。5-3実施形態3実施形態3は、パッド部P上に、樹脂シートFを配置し、該樹脂シートF上に塗布又はパターニングされた多孔質状金属層前駆体B上に半導体素子Sを搭載して、半導体素子Sの上部側から加圧下に加熱することにより樹脂シートFを溶融して、多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を樹脂シートFで被覆後、樹脂シートFに含有されていた溶剤を除去、又は加熱硬化させて多孔質状金属層前駆体Bの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置する方法である。実施形態3は、図5aからe、aからfに示す工程が挙げられる。i図5aからeの工程図5aに示す基板K11のパッド部P12上に、基板面の平行方向の外形形状が多孔質状金属層前駆体Bより大きい樹脂シートF22を配置させてbに示す形状物を得る。前記樹脂シートF22上に塗布又はパターニングにより多孔質状金属層前駆体B13を形成してcに示す形状物を得る。該前駆体B上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bとほぼ同様である半導体素子S14を搭載してdに示す形状物を得る。次に、該樹脂シートFを加熱して、必要に応じて前記ガイド等を用いて、該前駆体Bの外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆する。更に該樹脂シートF中の溶剤を蒸発させるか、又は樹脂シートFからなる樹脂を該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、該前駆体Bの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたeに示す形状物を得る。ii図5aからfの工程図5aからdまでの工程は、上記iと同様である。次に、該樹脂シートF22を加熱して、必要に応じて前記ガイド等を用いて、該前駆体B13と半導体素子S14の外周側面を樹脂シートFからなる樹脂で被覆する。その後、該樹脂シートFに含有されていた溶剤を蒸発させるか、又は樹脂シートFからなる樹脂を該前駆体Bの焼結温度よりも低い温度で加熱、硬化させて、該前駆体B及び半導体素子Sの外周側面に被覆樹脂部Iが配置された形状物を得る。更に、該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結され、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合されたfに示す形状物を得る。6被覆樹脂部Iの形成材料被覆樹脂部Iを形成する材料としては、耐熱性樹脂であることが望ましい。該耐熱性樹脂としてはポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、フッ素樹脂、エポキシ系樹脂、及びポリビニルピロリドン系樹脂から選択される1種又は2種以上が挙げられるが、これらに限定されるものではない。尚、ポリビニルピロリドン系樹脂は、ポリビニルピロリドンを不溶化処理することにより形成される架橋ポリビニルピロリドンとして使用することがより望ましい。該不溶化処理は、γ線、電子線、加熱、化学的方法等の公知の方法で実施することができる。例えば、加熱の場合、ポリビニルピロリドンの熱分解温度などを考慮する必要があるが、150~200°Cが好ましく、160~180°Cが更に好ましい。処理時間は、1~6時間程度が好ましい。被覆樹脂部Iの形成方法は、前述のi樹脂溶液Eとii樹脂シートF、及び後述するiii樹脂G等から形成することができるがこれらに限定されるものではない。i樹脂溶液E樹脂溶液Eとして、プレポリマー溶液E1、高粘度の樹脂溶液E2を使用できる。熱硬化性樹脂のプレポリマー溶液E1を多孔質状金属層前駆体B、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部に付着させた後に、プレヒートして硬化させ被覆樹脂部Iを形成する。プレポリマー溶液E1の成分としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂系、ポリイミドプレポリマー溶液等が挙げられる。1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂系としてはグルシジルエーテルタイプ、グルシジルアミンタイプ、グルシジルエステルタイプ、オレフィン酸化脂環式タイプ等が使用できる。ポリイミドプレポリマー溶液としては、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分から得られるプレポリマー及び/又はこれらの混合物を有機溶媒に溶解して得られる。これらのプレポリマー溶液は、プレヒートにより硬化させることができる。有機溶媒としては酸無水物類とジアミン類のいずれか一方又は双方を溶解するものであり、具体的にはN,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、クレゾール、ジメチルスルホキシド、N-メチル-2-ピから選択される1種又は2種以上を組み合わせで用いることができる。その他、シリコン樹脂、アミドイミド樹脂、マレイミド樹脂等のプレポリマーを使用することが可能であり、また、耐熱性樹脂を溶媒に溶解させて高粘度の樹脂液を使用することも可能である。ii樹脂シートF樹脂シートFを形成する成分としては、被覆樹脂部Iの成分、および金属微粒子分散材Aの分散溶液Dと同様の有機溶媒等が挙げられる。上記樹脂シートFを配置して、半導体素子Sの上部からプレスして、多孔質状金属層前駆体B、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を被覆させた膜、その後被覆樹脂部Iを形成する。この場合、樹脂シートFは、多孔質状金属層前駆体Bを構成する金属微粒子分散材Aの融点以下の樹脂又は樹脂溶液からなる。7多孔質状金属層C多孔質状金属層Cは、金属微粒子Mが分散溶液Dに分散された金属微粒子分散材Aからなる多孔質状金属層前駆体Bをパッド部Pと半導体素子S間に配置して、加熱焼結して該金属微粒子Mを焼結することにより形成される。該多孔質状金属層Cが形成されることにより、パッド部Pと半導体素子S間が接合される。多孔質状金属層前駆体Bを加熱焼結する際に、前記実施形態1~3に記載したのとは別に、以下の実施形態4に示すように、多孔質状金属層C及び/又は半導体素子Sの少なくとも一部に被覆樹脂部Iを配置することができる。この場合、半導体素子Sの特性を向上するためには多孔質状金属層C及び/又は半導体素子Sの外周側面の全表面に被覆樹脂部Iを配置することが好ましい。i実施形態4実施形態4は、金属微粒子分散材Aに更に予め樹脂Gを溶解させておき、多孔質状金属層前駆体Bを加圧下に加熱焼結して多孔質状金属層Cを形成する際に、多孔質状金属層Cの外周側面の少なくとも一部、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を樹脂Gから形成されるフィレット状に被覆樹脂部Iを配置することができる。実施形態4を図6を用いて説明する。図6aに示す基板K11のパッド部P12上に、金属微粒子分散材Aからなるペースト状物を塗布又はパターニングして多孔質状金属層前駆体B13を形成し、更に該前駆体B上に、基板面の平行方向の外形形状が該前駆体Bとほぼ同様の半導体素子S14を搭載して図6aに示す形状物を得る。次に該形状物は多孔質状金属層前駆体Bが焼結する温度で加熱焼結して、半導体素子S14が多孔質状金属層C16を介してパッド部P12に接合され、かつ多孔質状金属層C16と半導体素子S14がフィレット状に被覆樹脂部Iが配置された図6bに示す形状物を得る。上記加熱焼結の際に真空プレス工程で、半導体素子Sの上面側から加圧プレスすると、金属微粒子分散材F中から外周側に押し出される現象が生じ、多孔質状金属層Aの前駆体B、及び/又は半導体素子Sの外周側面の少なくとも一部を被覆するようになる。この場合、例えば、多孔質状金属層前駆体B13と半導体素子S14の外側からガイド例えば半割り円筒状物を2つ組み合わせたガイドで押し付けて、図6bに示すようなフィレット状の被覆樹脂部Iを形成することも可能である。ii被覆樹脂部Iの形成材料実施形態4で被覆樹脂部Iの形成に使用できる樹脂Gとしては、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、及びポリビニルピロリドン系樹脂から選択される1種又は2種以上が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、金属微粒子分散材A中の樹脂Gの濃度が0.3~5.0質量となるように添加することが望ましい。2-2ワイヤボンディング工程半導体素子Sと他の電極間を金属製ワイヤによりワイヤボンディングする際に、金属製ワイヤを半導体素子Sに接合する手段は、超音波振動などによる接合、バンプを介した接合等が挙げられるが、本発明においては、ワイヤボンディングの手段はこれらに限定されない。尚、図1、2で本発明における半導体装置として、半導体素子S14とリードフレーム33、配線パターン34がそれぞれ接合されている例が示されている。2-3モールド工程封止樹脂は、通常、エポキシ樹脂を用いるが、これに限定するものではなく、シリコン樹脂やポリイミド樹脂、アクリル樹脂などを用いることもできる。また、通常はAl2O3、SiO2などのセラミック粉を添加して用いるが、これに限定するものではなく、AlN、BN、Si3N4、ダイアモンド、SiC、B2O3などを添加しても良く、シリコン樹脂やアクリル樹脂などの樹脂製の粉を添加しても良い。粉形状は、球状を用いることが多いが、これに限定するものではなく、破砕状、粒状、リン片状、凝集体などを用いても良い。粉体の充填量は、必要な流動性や絶縁性や接着性が得られる量が充填されていれば良い。尚、図1、2で本発明における半導体装置で、パッド部P12、多孔質状金属層C16、半導体素子S14、被覆樹脂部I23、及び半導体素子S14と電極端子Tリードフレーム33又は配線パターン34間を接続する金属製ワイヤが封止樹脂Hで封止されている例が示されている。次に、実施例により本発明をより具体的に説明する。尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例で使用した1原材料、2装置、及び3評価方法を以下に記載する。1原材料イ基板DBC基板Cu/アルミナ/Cuを使用した。Cu板の厚みは0.1mm/セラミック板厚み0.635mm/Cu板の厚み0.1mmである。ロ金属微粒子分散材平均一次粒子径20μmの銅微粒子がジエチレングリコール中に80質量の濃度で分散している銅微粒子分散材を使用した。尚、該金属微粒子分散材には、高分子分散剤としてポリビニルピロリドンが0.3質量配合されている。ハ半導体素子半導体素子のサイズは5mm×5mmで厚みは150μmであり、その接合面はNi-Ti-Au合金でメタライズされている。ニ被覆樹脂部を形成する材料i樹脂溶液実施例1:T693R3000シリーズナガセケムテックス株製ii樹脂シート実施例2、3:T693R6000シリーズナガセエレックス株製iii樹脂Gとして、ポリビニルピロリドンを使用した。2装置図8に示す焼結炉を使用した。該装置を用いて多孔質状金属層前駆体を以下の操作により焼結して多孔質状金属層を形成した。図8aに示す、レイアップ用のプレス板42を用意して、ワーク41をそのプレス板45上にレイアップし、真空プレス機43の下熱盤44上にセットする。その後、図8bに示すように、チャンバー45を閉じてチャンバー45内を真空状態にする。そして、図8cに示すように、加圧シリンダー46により圧力を加えた状態で、ワーク41を上熱盤47と下熱盤44とで挟持して、加熱する。これにより、多孔質状金属層前駆体が焼結されて、多孔質状金属層が形成される。3評価方法金属微粒子分散材焼結後におけるCu焼結粒子の半導体素子側面への付着程度をDBC基板と半導体素子間の漏れ電流と遮断電流の測定により評価した。電流-電圧カーブの測定には、カーブトレーサ米国アジレントテクノロジーズ社製、型式:B1505Aを用いた。半導体素子として、シリコンN型電界効果トランジスターMOSFETを使用した。測定条件は下記の通りである。オン抵抗:RDSON=2.0Ωドレインソース間電圧VDSS=900Vドレイン電流パルスIDP=15A許容損失TC=25°CPD=150Wデバイスをセラミックス基板上にダイボンディングし、評価サンプルとして樹脂コートしたものと、しないものの2種類をn=50ずつ作成した。その後、更にワイヤボンディングで基板上のパッドに接続した。そのパッドにカーブトレーサをつなぎゲート漏れ電流とドレイン遮断電流を測定した。測定条件と評価基準は下記のとおりである。iゲート漏れ電流VGS=-30V,VDS=0Vとして、IGSS10μAを超えた場合をNGとした。iiドレイン遮断電流VDS=720V、VGS=0Vとして、IDSS100μAを超えた場合をNGとした。[実施例1]1多孔質状金属層前駆体の形成、樹脂溶液の塗布DBC基板の銅板上に5.5mm×5.5mmで厚みは300μmの金属微粒子分散材を表1に示すに示す面にそれぞれパターニングし、該金属微粒子分散材上に更に半導体素子を搭載した。多孔質状金属層前駆体と半導体素子の外周側面のそれぞれ少なくとも1つの面の全体に樹脂溶液T693R3000シリーズ:ナガセケムテックス株製を厚みが100μmになるように塗布した。なお、外周側面のすべての面に塗布しない場合は、多孔質状金属層前駆体の側面への塗布した場合、直上の半導体素子の側面には極力塗布しないようにした。2多孔質状金属層前駆体の加熱焼結前記DBC基板を加熱炉内に配置して、減圧雰囲気下真空圧力1kPaで、半導体素子上に厚み30μmの離型材PTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、同時に10°C/minで加熱を開始し、300°Cまで昇温後、該温度で20分間保持した。その後、冷却して除荷した。上記焼結により、厚さ100μmの多孔質状金属層が形成されるとともに、半導体素子が該多孔質状金属層を介してDBC基板上の銅板に接合された。多孔質状金属層と半導体素子の外周側面は樹脂により被覆された状態になっていた。3ワイヤボンディング、モールドその後、半導体素子と他の電極端子とを金属製ワイヤで接合し、さらにシリコーンゲルを用いて封止し、半導体装置を作製した。4評価得られた半導体装置の半導体素子と他の電極端子間の電流-電圧カーブから、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の測定を行った。表1に評価結果を示す。半導体素子の被覆樹脂部による被覆面は、半導体素子表面の上部側からみて時計方向周りにA、B、C、D面とし、対応する多孔質状金属層の被覆樹脂部による被覆面をa、b、c、d側面として、被覆樹脂部の各被覆パターンごとに各500個のサンプルを評価した。評価結果がNGとなった数を表1に示す。尚、表1中の評価結果は、[ゲート漏れ電流/ドレイン遮断電流]として表示する。[実施例2]1多孔質状金属層前駆体の形成、樹脂溶液の塗布DBC基板の銅板上に5mm×5mmで厚みは300μmの金属微粒子分散材をパターニングして多孔質状金属層前駆体を形成し、該多孔質状金属層前駆体上にサイズ6mm×6mmで厚み100μmの樹脂シートT693R6000シリーズ:ナガセエレックス株製を配置し、該樹脂シート上に半導体素子を搭載した。その後、半導体素子上に厚み30μmの離型材PTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、180°Cに加熱して、ペーストと半導体素子の外周側面の全面を、樹脂シートからなる樹脂により被覆した。2多孔質状金属層前駆体の加熱焼結前記DBC基板を加熱炉内に配置して、減圧雰囲気下真空圧力1kPaで、半導体素子上に厚み30μmの離型材PTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、同時に10°C/minで加熱を開始し、300°Cまで昇温後、該温度で20分間保持した。その後、冷却して除荷した。上記焼結により、厚さ100μmの多孔質状金属層が形成されるとともに、半導体素子が該多孔質状金属層を介してDBC基板上の銅板に接合された。多孔質状金属層と半導体素子の外周側面は樹脂により被覆された状態になっていた。3ワイヤボンディング、モールドその後、半導体素子と他の電極端子とを金属製ワイヤで接合し、さらにシリコーンゲルを用いて封止し、半導体装置を作製した。4評価実施例1と同様に、得られた半導体装置の半導体素子と他の電極端子間の電流-電圧カーブから、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の測定を行った。500個のサンプルを評価し、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の評価結果がNGとなった数はゼロであった。[実施例3]1多孔質状金属層前駆体の形成、樹脂溶液の塗布DBC基板の銅板上にサイズ6mm×6mmで厚み100μmの実施例2で使用したのと同様の樹脂シートを配置した。該樹脂シート上に5mm×5mmで厚みは300μmの金属微粒子分散材をパターニングして多孔質状金属層前駆体を形成し、該多孔質状金属層前駆体上に更に半導体素子を搭載した。その後、半導体素子上に厚み30μmの離型材PTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、300°Cに加熱して、多孔質状金属層と半導体素子の外周側面の全面を、樹脂シートからなる樹脂により被覆した。2多孔質状金属層前駆体の加熱焼結前記DBC基板を加熱炉内に配置して、減圧雰囲気下真空圧力1kPaで、半導体素子上に厚み30μmの離型材PTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、同時に10°C/minで加熱を開始し、300°Cまで昇温後、該温度で20分間保持した。その後、冷却して除荷した。上記焼結により、厚さ100μmの銅微粒子多孔質状金属層が形成されるとともに、半導体素子が該銅微粒子多孔質状金属層を介してDBC基板上の銅板に接合された。銅微粒子多孔質状金属層と半導体素子の外周側面は樹脂により被覆された状態になっていた。3ワイヤボンディング、モールドその後、半導体素子と他の電極端子とを金属製ワイヤで接合し、さらにシリコーンゲルを用いて封止し、半導体装置を作製した。4評価実施例1と同様に、得られた半導体装置の半導体素子と他の電極端子間の電流-電圧カーブから、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の測定を行った。500個のサンプルを評価し、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の評価結果がNGとなった数はゼロであった。[実施例4]1多孔質状金属層前駆体の形成、樹脂溶液の塗布平均一次粒子径20μmの銅微粒子がジエチレングリコール中に80質量の濃度で分散している銅微粒子分散材に更に、ポリビニルピロリドンをペースト中の濃度が2質量になるように溶解して、樹脂含有金属微粒子分散材を調製した。DBC基板の銅板上に5mm×5mmで厚みは300μmの樹脂含有金属微粒子分散材をパターニングして多孔質状金属層前駆体を形成し、該多孔質状金属層前駆体上に更に半導体素子を搭載した。2多孔質状金属層前駆体の加熱焼結前記DBC基板を加熱炉内に配置して、減圧雰囲気下真空圧力1kPaで、半導体素子上に厚み30μmのPTFEシートを3枚重ねて圧力10MPaで加圧しながら、同時に10°C/minで加熱を開始し、300°Cまで昇温後、該温度で20分間保持した。その後、冷却して除荷した。上記焼結により、厚さ100μmの銅微粒子多孔質状金属層が形成されるとともに、半導体素子が該銅微粒子多孔質状金属層を介してDBC基板上の銅板に接合された。銅微粒子多孔質状金属層と半導体素子の外周側面は樹脂により被覆された状態になっていた。3ワイヤボンディング、モールドその後、半導体素子と他の電極端子とを金属製ワイヤで接合し、さらにシリコーンゲルを用いて封止し、半導体装置を作製した。4評価実施例1と同様に、得られた半導体装置の半導体素子と他の電極端子間の電流-電圧カーブから、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の測定を行った。500個のサンプルを評価し、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の評価結果がNGとなった数はゼロであった。[比較例1]ペーストと半導体素子の外周側面に樹脂溶液を塗布しなかった以外は実施例1に記載したと同様に、1多孔質状金属層前駆体の形成、2多孔質状金属層前駆体の加熱焼結、3ワイヤボンディング、モールドを行い、半導体装置を作製した。実施例1と同様に、得られた半導体装置の半導体素子と他の電極端子間の電流-電圧カーブから、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の測定を行った。評価結果は下記の通りである。500個のサンプルを評価し、ゲート漏れ電流とドレイン遮断電流の評価結果がNGとなった数は、表1に示される通り、それぞれ5個および3個となった。"