基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、a軸方向の格子定数とc軸方向の格子定数との比が1.6より小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、c軸方向の格子定数が0.498nmより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。前記圧電膜の残留応力は引張応力であることを特徴とする請求項1又は2記載の弾性波デバイス。前記圧電膜は無添加の窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載の弾性波デバイス。前記圧電膜は第3元素が添加された窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載の弾性波デバイス。前記圧電膜はチタン、ジルコニウム及びハフニウムの少なくとも1つが添加された窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。前記第3元素は前記窒化アルミニウムのアルミサイトに配置されていることを特徴とする請求項4又は5記載の弾性波デバイス。前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする請求項1から7いずれか一項記載の弾性波デバイス。前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項8記載の弾性波デバイス。しかしながら、従来技術では十分に大きな電気機械結合を得られないことがある。本発明は上記課題に鑑み、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することを目的とする。本発明は、基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、a軸方向の格子定数とc軸方向の格子定数との比が1.6より小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することができる。本発明は、基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、c軸方向の格子定数が0.498nmより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することができる。上記構成において、前記圧電膜の残留応力は引張応力である構成とすることができる。この構成によれば、格子定数の比又は/及び格子定数をバルク値より小さくすることができる。上記構成において、前記圧電膜は無添加の窒化アルミニウムからなる構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスを低コスト化することができる。上記構成において、前記圧電膜は第3元素が添加された窒化アルミニウムからなる構成とすることができる。この構成によれば、格子定数の比又は/及び格子定数をバルク値より小さくすることができる。上記構成において、前記圧電膜はチタン、ジルコニウム及びハフニウムの少なくとも1つが添加された窒化アルミニウムからなる構成とすることができる。この構成によれば、格子定数の比又は/及び格子定数をバルク値より小さくすることができる。上記構成において、前記第3元素は前記窒化アルミニウムのアルミサイトに配置されている構成とすることができる。この構成によれば、格子定数の比又は/及び格子定数をバルク値より小さくすることができる。上記構成において、前記圧電膜には温度補償膜が挿入されている構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性が安定する。上記構成において、前記温度補償膜は酸化シリコンを含む構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの温度特性が安定する。本発明によれば、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することができる。以下では、弾性波デバイスの例としてFBARについて説明する。まずFBARの構成について説明する。図1aはFBARを例示する平面図であり、図1bはFBARを例示する断面図であり、図1aのA-Aに沿った断面を図示している。図1a及び図1bに示すように、FBAR100は基板10、下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極16を備える。下部電極12は基板10の上に設けられている。基板10と下部電極12との間には、ドーム状の空隙18が形成されている。言い換えれば、空隙18の中央部においては基板10と下部電極12との距離が大きく、空隙18の周辺部においては基板10と下部電極12との距離が小さい。下部電極12は空隙18に露出している。圧電薄膜14は下部電極12の上に設けられている。上部電極16は圧電薄膜14の上に設けられている。言い換えれば、下部電極12と上部電極16とは圧電薄膜14を挟む。下部電極12、圧電薄膜14及び上部電極16が重なり共振領域11が形成される。共振領域11において励振された弾性波は厚さ方向図1bの縦方向に振動し、かつ面方向図1bの横方向に進行する。圧電薄膜14の開口部から露出する下部電極12の一部は、電気信号を取り出すための端子部として機能する。下部電極12には、空隙18と連結する導入路13が設けられている。導入路13の先端には穴部15が形成されている。導入路13及び穴部15は、空隙18を形成する工程において使用される。基板10は例えばシリコンSi、ガラス、ガリウム砒素GaAs等の絶縁体からなる。下部電極12はルテニウム/クロムRu/Cr、上部電極16はCr/Ruの2層構造を有する。言い換えれば、下部電極12及び上部電極16はそれぞれ、圧電薄膜14に近い方から順にCr層及びRu層を積層したものである。下部電極12のCr層の厚さは例えば100nm、Ru層の厚さは例えば250nmである。上部電極16のCr層の厚さは例えば20nm、Ru層の厚さは例えば250nmである。圧電薄膜14は002方向を主軸とする窒化アルミニウムAlNからなる。言い換えれば、圧電薄膜14は、c軸が厚さ方向を向き、a軸が面方向を向くような配向性を有する。圧電薄膜14の電気機械結合定数k332が高いほど、FBAR100の特性は改善する。圧電薄膜14を形成するAlNの結晶構造が電気機械結合定数k332に影響する。結晶構造と電気機械結合定数k332との関係を検証するためにシミュレーション及び実験を行った。シミュレーションは、計算手法として擬ポテンシャル法、計算のためのプログラムとしてABINITを用いて、AlNの構造最適化を含む電子状態の第1原理計算を行ったものである。安定構造におけるAlNの電子状態の計算によりc軸方向の格子定数c、及びa軸方向の格子定数aと格子定数cとの比格子定数の比c/aを求めることができる。また安定構造のAlNの結晶格子に歪みを加えることで、c軸方向の圧電定数e33、弾性定数C33及び誘電率ε33を求めることができる。言い換えれば格子定数c及びc/aが変化した場合における圧電定数e33、弾性定数C33及び誘電率ε33を求めることができる。電気機械結合定数k332と圧電定数e33、弾性定数C33及び誘電率ε33との間には次の関係が成立する。数1に基づき、格子定数c及びc/aが変化した場合における電気機械結合定数k332の変化を求めることができる。なお、JCPDSJointCommitteeonPowderDiffractionStandardsカードチャートによれば、結晶格子に歪がない場合における格子定数cは0.498nm、格子定数の比c/aは1.6である。つまり格子定数cのバルク値は0.498nm、格子定数の比c/aのバルク値は1.6である。図2aは格子定数の比c/aの変化率と圧電定数の変化率との関係を示すグラフである。横軸は格子定数の比c/aの変化率、縦軸は圧電定数e33の変化率をそれぞれ表す。格子定数の比c/aの変化率とはバルク値である1.6を基準とした変化率である。圧電定数e33の変化率とは、結晶格子に歪みを加えていない場合の圧電定数e33を基準とした変化率である。図2aに示すように、c/aの変化率が負である場合、圧電定数e33の変化率は正となる。c/aの変化率が正である場合、圧電定数e33の変化率は負となる。言い換えれば、c/aがバルク値である1.6より小さくなることで、圧電定数e33は大きくなる。上記の数1から明らかなように、圧電定数e33が大きくなることにより、電気機械結合定数k332も大きくなる。c/aの変化率が負となるのは、例えば格子定数cがバルク値である0.498nmより大きくなる場合である。図2bは格子定数の比c/aの変化率と電気機械結合定数の変化率との関係を示すグラフである。横軸は格子定数の比c/aの変化率、縦軸は電気機械結合定数k332の変化率をそれぞれ表す。電気機械結合定数k332の変化率とは、結晶格子に歪みを加えていない場合の電気機械結合定数k332を基準とした変化率である。図2bに示すように、c/aの変化率が負の場合、電気機械結合定数k332の変化率は正となる。c/aの変化率が正である場合、電気機械結合定数k332の変化率は負となる。言い換えれば、c/aがバルク値である1.6より小さくなることにより、電気機械結合定数k332は大きくなる。格子定数c及び格子定数の比c/aを小さくするための方法について説明する。まず残留応力と格子定数との関係を検証した実験について説明する。圧電薄膜14の成膜条件を変更した複数のサンプルにおいて、残留応力と格子定数の比c/aとを測定した。圧電薄膜14は厚さ1200nmのAlNからなる。図3は残留応力と格子定数の比c/aの変化率との関係を示すグラフである。横軸は圧電薄膜14に残留する残留応力、縦軸は格子定数の比c/aの変化率をそれぞれ表す。残留応力が引張応力である場合、残留応力は正の値をとる。残留応力が圧縮応力である場合、残留応力は負の値をとる。圧縮応力とは図1bにおける圧電薄膜14の上面を狭くする方向の応力である。引張応力とは圧電薄膜14の上面を広げる方向の応力である。図3に示すように、残留応力が負の場合、c/aは大きくなる。残留応力が正の場合、c/aは小さくなる。言い換えれば残留応力が引張応力である場合、c/aの変化率は負となり、c/aはバルク値より小さくなる。この結果、図2a及び図2bに示したように圧電定数e33及び電気機械結合定数k332を大きくすることができる。次に圧電薄膜14の組成と格子定数との関係を検証したシミュレーションについて説明する。圧電薄膜14を形成するAlNに、Al及びN以外の元素である第3元素をドープし、アルミサイトの一部を第3元素で置換した例を考える。第3元素がドープされたAlNをドープAlNとし、第3元素がドープされていないAlNをノンドープAlNとする。ドープAlNの電子状態の第1原理計算を行うことで、ドープAlNの安定構造を求めることができる。言い換えればドープAlNにおける格子定数の比c/aを求めることができる。また、安定構造のドープAlNの結晶格子に歪みを加えることで、圧電定数e33、弾性定数C33及び誘電率ε33を求めることができる。ドープAlNの第3元素の含有率は12.5原子とした。図4は圧電薄膜の組成を変えた場合における格子定数の比c/aの変化率と圧電定数の変化率との関係を示すグラフである。横軸は格子定数の比c/aの変化率、縦軸は圧電定数e33の変化率をそれぞれ表す。格子定数の比c/aの変化率とは、ノンドープAlNにおけるc/aを基準とした変化率である。圧電定数e33の変化率とは、ノンドープAlNにおけるe33を基準とした変化率である。黒塗りの丸は圧電薄膜14がノンドープAlNからなる例を表す。白抜きの四角は、圧電薄膜14がジルコニウムZrをドープされたAlNからなる例を表す。黒塗りの四角は、圧電薄膜14がハフニウムHfをドープされたAlNからなる例を表す。白抜きの丸は、圧電薄膜14がチタンTiをドープされたAlNからなる例を表す。白塗りの三角は、圧電薄膜14がガリウムGaをドープされたAlNからなる例を表す。黒塗りの三角は、圧電薄膜14がカルシウムCaをドープされたAlNからなる例を表す。図5aは図4から圧電薄膜の組成と格子定数の比の変化率とを抜き出したグラフである。横軸は圧電薄膜14の組成を表す。図5a中のノンドープとは、圧電薄膜14がノンドープAlNからなることを表す。図5a中の元素名は、圧電薄膜14が各元素をドープされたAlNからなることを表す。縦軸は格子定数の比c/aの変化率を表す。図5bは図4から圧電薄膜の組成と圧電定数の変化率とを抜き出したグラフである。横軸は圧電薄膜14の組成を表す。縦軸は圧電定数e33の変化率を表す。図4及び図5aに示すように、Ga又はCaがドープされた場合、c/aの変化率は正である。その一方、Zr、Hf又はTiがドープされた場合、c/aの変化率は負である。図4及び図5bに示すように、Ga又はCaがドープされた場合、圧電定数e33の変化率は負である。その一方、Zr、Hf又はTiがドープされた場合、圧電定数e33の変化率は正である。特にHf又はTiがドープされた場合、圧電定数e33の変化率は10を超える。Zr、Hf又はTiがドープされたドープAlNを用いることで、圧電定数e33が大きくなり、電気機械結合定数k332も大きくなる。このように、圧電薄膜14の残留応力が引張応力である、又は圧電薄膜14がドープAlNからなることにより、格子定数の比c/aは小さくなり、電気機械結合定数k332は大きくなる。以上の知見に基づいた実施例について説明する。実施例1は圧電薄膜14に引張応力が残留する例である。実施例1に係るFBARの構成は、図1a及び図1bに示したものと同じである。圧電薄膜14圧電膜は、ノンドープ無添加のAlNからなる。ノンドープとは、意図的に元素をドープしていないことを意味する。次に実施例1に係るFBARの製造方法について説明する。図6aから図6cは実施例1に係るFBARの製造方法を例示する断面図である。図6aに示すように、例えばスパッタリング法または蒸着法を用い、基板10上に犠牲層17を形成する。犠牲層17は例えば酸化マグネシウムMgOからなり、空隙18が形成される領域に設けられる。犠牲層17の厚さは例えば20nmである。図6bに示すように、例えばスパッタリング法を用いて下部電極12を形成する。スパッタリング法は、例えば0.6~1.2Paの圧力下、アルゴンArガス雰囲気中で行う。圧力及び雰囲気とは、スパッタリング装置内の圧力及び雰囲気である。成膜後、例えば露光技術及びエッチング技術等を用い、下部電極12を所定の形状とする。図6b中の右側に示すように、下部電極12の一方の端部と犠牲層17の一方の端部とは重なる。一方、図6c中の左側に示すように、下部電極12は基板10の上面に延びる。図6cに示すように、例えばスパッタリング法を用いて、圧電薄膜14を形成する。圧電薄膜14は、膜厚が例えば400nm、c軸を主軸とするAlNからなる。スパッタリング法は、例えば約0.3Paの圧力下、アルゴン/窒素Ar/N2混合ガス雰囲気中において行う。Ar/N2混合ガス中のAr流量比を増加させることにより圧電薄膜14の応力は引張応力となり、Ar流量比を減少させることにより圧電薄膜14の応力は圧縮応力となる。実施例1ではAr流量比を例えばAr流量/Ar流量N2流量=0.25に増加させることで、圧電薄膜14の応力を引張応力とする。なお、Ar流量比は装置に応じて変更してもよい。例えばスパッタリング法を用いて、上部電極16を形成する。スパッタリング法は、例えば0.6~1.2Paの圧力下、Arガス雰囲気中で行う。例えば露光技術及びエッチング技術等を用い、上部電極16及び圧電薄膜14を所定の形状とする。下部電極12、圧電薄膜14、上部電極16及び犠牲層17が重なる領域が形成される。圧電薄膜14に形成された開口部から下部電極12が露出する。図1aに示した穴部15及び導入路13からエッチング液を導入し、犠牲層17を除去する。下部電極12、圧電薄膜14、及び上部電極16からなる複合膜の応力は圧縮応力である。このため、犠牲層17のエッチングが完了した時点で、複合膜は膨れ上がり、下部電極12と基板10との間に複合膜側にドーム状形状を有する空隙18が形成される。以上の工程により、実施例1に係るFBARが形成される。実施例1に係るFBARは、基板10と、基板10上に設けられた下部電極12と、下部電極12上に設けられた圧電薄膜14と、圧電薄膜14を挟んで下部電極12と対向する上部電極16とを備える。圧電薄膜14の残留応力は引張応力である。従って、図3に示したように格子定数の比c/aはバルク値である1.6より小さくなる。この結果、大きな圧電定数e33及び電気機械結合定数k332を有するFBARが形成される。大きな電気機械結合定数k332を得るためには、格子定数の比c/aがバルク値である1.6より小さくてもよいし、格子定数cがバルク値である0.498nmより小さくてもよい。また、例えばc/aは1.5、1.4、又は1.3のそれぞれより小さくすることができる。格子定数cは例えば0.495nm、0.49nm、又は0.485nmのそれぞれより小さくすることができる。格子定数の比c/a及び格子定数cの一方をバルク値より小さくしてもよいし、両方をバルク値より小さくしてもよい。格子定数の比c/aは1.6以下でもよい。格子定数cは0.498nm以下でもよい。圧電薄膜14は無添加のAlNからなるため、圧電薄膜14を形成する工程において添加物ドーパントの濃度を調整しなくてよい。このため工程を簡略化でき、圧電薄膜共振子が低コスト化する。また、添加物濃度の不均一に起因した弾性波デバイスの特性のバラつきを抑制することができるため、歩留まりを向上させることができる。圧電薄膜14の残留応力を引張応力とするために、例えば上部電極16の残留応力を利用してもよい。図7aは圧電薄膜の残留応力を調整する例の模式図である。圧電薄膜共振子のうち圧電薄膜14及び上部電極16を抜き出して、かつハッチングを省略して図示したものである。図中の矢印は残留応力を表す。なお、図の簡略化のため、圧電薄膜14と上部電極16とは同程度の厚さとしている。図7aに示すように、上部電極16の残留応力は引張応力である。上部電極16を圧電薄膜14の上に設けることで、上部電極16の残留応力が圧電薄膜14に加わる。この結果、圧電薄膜14の残留応力が引張応力となる。より効果的に残留応力を調整するためには、圧電薄膜14と上部電極16とが接触することが好ましい。Arガス流量比の増加と上部電極16の残留応力との両方を用いて、格子定数の比c/a又は格子定数cをバルク値より小さくしてもよい。また付加膜を用いて残留応力を調整してもよい。付加膜を用いる例を実施例1の変形例とする。図7bは実施例1の変形例に係るFBARを例示する断面図である。図1bに示した構成と同じ構成については説明を省略する。実施例1の変形例に係るFBAR110は付加膜30を備える。付加膜30は、上部電極16上に設けられている。付加膜30は例えば酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN等の絶縁体から形成されてもよいし、金属から形成されてもよい。上部電極16の残留応力と付加膜30の残留応力とにより、圧電薄膜14の残留応力を引張応力とすることができる。下部電極12及び上部電極16は、二層構造としたが単層構造でもよいし、三層以上の構造でもよい。下部電極12及び上部電極16の材料として、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、モリブデンMo、タングステンW、タンタルTa、白金Pt、ルテニウムRu、ロジウムRh、イリジウムIr等の金属を用いることができる。下部電極12は空隙18に露出してもよいし、露出しなくてもよい。実施例2は圧電薄膜14をドープAlNにより形成する例である。実施例2に係るFBARの構成は、圧電薄膜14を形成するAlNの組成を除いて図1a及び図1bに示したものと同じである。圧電薄膜14は第3元素がドープされたドープAlNからなる。ドープされる第3元素は、Ti、Zr、及びHf等である。ドープAlNにおける第3元素の含有率は例えば12.5原子である。ドープされた第3元素は、AlNのアルミサイトに配置されている。言い換えれば、第3元素とAlとが置換されている。なお、第3元素の含有率は、目的とする格子定数の値に応じて変更可能である。次に実施例2に係るFBARの製造方法について説明する。図6aから図6cに示した断面図は実施例2についても共通である。圧電薄膜14を形成するためのスパッタリング法において、AlターゲットとTiターゲット等の第3元素ターゲットとを使用する。これによりドープAlNからなる圧電薄膜14を形成する。また、予めAlターゲットに所望の濃度のTiをドープした合金したターゲットを使用することもできる。実施例2に係るFBARが備える圧電薄膜14は第3元素が添加されたAlNからなる。このため、格子定数の比c/aが小さくなり、かつ圧電定数e33が大きくなる。この結果、大きな電気機械結合定数k332を有するFBARが形成される。第3元素として例えば遷移金属元素を用いることができる。図4から図5bに示したように、大きな電気機械結合定数k332を得るためには、第3元素としてTi、Zr及びHf等を圧電薄膜14にドープすることが好ましい。またTi、Zr及びHfのうち2つ又は全てをドープしてもよい。言い換えれば、圧電薄膜14はTi、Zr及びHfの少なくとも1つが添加されたAlNからなる。第3元素のドープにより、大きな電気機械結合定数k332を得ることができればよい。さらに、実施例1と実施例2とを組み合わせてもよい。すなわち、圧電薄膜14の残留応力が引張応力であり、かつ圧電薄膜14がドープAlNからなるとしてもよい。弾性波デバイスの例としてFBARを挙げたが、実施例1及び実施例2は、FBAR以外の弾性波デバイスにも適用可能である。図8aから図9bは弾性波デバイスの別の例を例示する断面図である。図1a及び図1bにおいて既述した構成については、説明を省略する。図8aに示すように、FBAR120の基板10には空隙32が形成されている。空隙32は、下部電極12、圧電薄膜14及び上部電極16と重なる。下部電極12は空隙32に露出している。空隙32は、例えばエッチング法等により基板10の一部を除去することで形成される。空隙32は基板10を厚さ方向に貫通してもよい。図8bに示すように、SMR130は音響反射膜34を備える。音響反射膜34は基板10と下部電極12との間に設けられている。音響反射膜34は、音響インピーダンスが高い膜と音響インピーダンスが低い膜との積層膜である。図9aに示すように、弾性波共振子140は、圧電膜31、第1支持基板38、第2支持基板40、及び電極42を備える。第1支持基板38の下面は第2支持基板40と、例えば表面活性化接合、樹脂接合等により接合されている。第1支持基板38の上面には圧電膜31が設けられている。第1支持基板38には、第1支持基板38を厚さ方向に貫通する孔部が形成されている。孔部は圧電膜31と第2支持基板40との間の空隙44として機能する。圧電膜31の上面の空隙44と重なる領域には電極42が設けられている。圧電膜31はc/aが1.6より小さいAlNで形成されてもよいし、格子定数cが0.498nmより小さいAlNで形成されてもよい。弾性波共振子140はラム波を利用する共振子である。図9bに示すように、FBAR150は温度補償膜19を備える。温度補償膜19は圧電薄膜14に挿入され、圧電薄膜14と接触している。温度補償膜19は例えばSiO2、又はSiO2に例えばフッ素F等をドープしたドープSiO2等からなる。言い換えれば温度補償膜19はSiO2を含む。温度補償膜19の弾性定数の温度係数の符号は、圧電薄膜14の弾性定数の温度係数の符号と反対である。従って、FBAR150の温度特性が安定する。なお、図8aから図9aに示した弾性波デバイスが温度補償膜19を備えてもよい。実施例1又は実施例2は、共振子を備えるフィルタ及びデュプレクサ、並びにフィルタ及びデュプレクサ等を含むモジュール等の弾性波デバイスにも適用可能である。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。