"母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成した液晶基板保持盤において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜表面の全反射率を、光の波長360~740nmの範囲に亘って9以下に形成したことを特徴とする液晶基板保持盤。前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとした請求項1記載の液晶基板保持盤前記溶射皮膜の表面および内部を含む表層部に透明な被覆層を形成した請求項1記載の液晶基板保持盤。前記被覆層の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成した請求項3記載の液晶基板保持盤。母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成後、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成する液晶基板保持盤の製造方法において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜の形成後、該溶射皮膜の表面および内部を含む表層部を1次封孔処理し、該1次封孔処理によって前記表層部に被覆層を形成後、前記支持部を形成することを特徴とする液晶基板保持盤の製造方法。前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとする請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成する請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄する請求項5記載の液晶基板保持盤の製造方法。前記支持部を形成後、前記2次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄する請求項7記載の液晶基板保持盤の製造方法。前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成する請求項9記載の液晶基板保持盤の製造方法。本発明はこのような問題を解決し、照射光の広域な波長に亘って安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られるとともに、液晶ディスプレイの軽量化と大型化に対応し、設備費と反射率の低減を図れるとともに、基板ステージの機能低下や故障を未然に防止し、低反射率の液晶基板保持盤を確実かつ安価に製造できる、液晶基板保持盤およびその製造方法を提供することを目的とする。請求項1の発明は、母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成した液晶基板保持盤において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜表面の全反射率を、光の波長360~740nmの範囲に亘って9以下に形成し、光の波長360~740nmの広域に亘って、溶射皮膜表面の安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られるようにしている。請求項2の発明は、前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとし、光の波長360~740nmの範囲に亘り、9以下の安定した低反射率を実現するようにしている。請求項3の発明は、前記溶射皮膜の表面および内部を含む表層部に透明な被覆層を形成し、溶射皮膜形成工程で発生したポアやマイクロクラックを閉塞し、該ポアやマイクロクラックによる内部反射を防止して、溶射皮膜表面の低反射率を実現するとともに、溶射皮膜の表層部を緻密化し、該表層部に形成する支持部を容易かつ正確に形成し、その強度を強化するようにしている。請求項4の発明は、前記被覆層の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進するようにしている。請求項5の発明は、母材表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜を形成後、該溶射皮膜の表面に透明または半透明の基板を保持可能な支持部を形成する液晶基板保持盤の製造方法において、前記溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜の形成後、該溶射皮膜の表面および内部を含む表層部を1次封孔処理し、該1次封孔処理によって前記表層部に被覆層を形成後、前記支持部を形成し、母材表面をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2から溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜表面を光の波長の広範囲に亘って安定した低反射率を得られ、該皮膜の表層部を1次封孔処理してポアやマイクロクラックを封孔し、それらの内部反射を防止し溶射皮膜表面の低反射率を増進するとともに、溶射皮膜を緻密化して支持部を容易かつ正確に形成するようにしている。請求項6の発明は、前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとし、光の波長360~740nmの範囲に亘り、9以下の安定した低反射率を実現するようにしている。請求項7の発明は、前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜の表面の安定した低反射率を得られるようにしている。請求項8の発明は、前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄し、溶射皮膜形成時における未溶融粒子を吹き飛ばし、溶射皮膜中の内部反射形成部を除去し、溶射皮膜表面の安定した低反射率を実現するようにしている。請求項9発明は、前記支持部を形成後、前記2次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄し、支持部の形成時に皮膜表面に付着し残留する汚れや研削粉等を除去し、セラミックス皮膜表面を平滑にして、この後の2次封孔処理時に封孔剤を確実かつ精密に塗布し、透明な超薄膜を精密かつ確実に形成し得るようにしている。請求項10の発明は、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前工程に形成されたマイクロクラックやポアを閉塞し、前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記支持部表面を平滑化して、溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進するようにしている。請求項1の発明は、溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜表面の全反射率を、光の波長360~740nmの範囲に亘って9以下に形成したから、光の波長360~740nmの広域に亘って、溶射皮膜表面の安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られる効果がある。請求項2の発明は、前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとしたから、光の波長360~740nmの範囲に亘り、9以下の安定した低反射率を実現することができる。請求項3の発明は、前記溶射皮膜の表面および内部を含む表層部に透明な被覆層を形成したから、溶射皮膜形成工程で発生したポアやマイクロクラックを閉塞し、該ポアやマイクロクラックによる内部反射を防止して、溶射皮膜表面の低反射率を実現するとともに、溶射皮膜の表層部を緻密化し、該表層部に形成する支持部を容易かつ正確に形成し、その強度を強化することができる。請求項4の発明は、前記被覆層の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成したから、前記溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進することができる。請求項5の発明は、溶射皮膜をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2で形成し、前記溶射皮膜の形成後、該溶射皮膜の表面および内部を含む表層部を1次封孔処理し、該1次封孔処理によって前記表層部に被覆層を形成後、前記支持部を形成したから、母材表面をアルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2からなる溶射皮膜を形成し、該溶射皮膜表面を光の波長の広範囲に亘って安定した低反射率を得られるとともに、前記皮膜の表層部を封孔処理してポアやマイクロクラックを封孔し、それらの内部反射を防止して溶射皮膜表面の低反射率を増進し、しかも溶射皮膜を緻密化して、支持部を容易かつ正確に形成することができる。請求項6の発明は、前記アルミナとチタニアを含有する複合材料Al2O3-αTiO2のうち、チタニア成分の含有量を重量百分率で10~100wtとするから、光の波長360~740nmの範囲に亘り、9以下の安定した低反射率を実現することができる。請求項7の発明は、前記支持部を形成後、前記溶射皮膜の表面を2次封孔処理し、前記支持部の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成するから、前記表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜の表面の安定した低反射率を増進することができる。請求項8の発明は、前記溶射皮膜の形成後、前記表層部の1次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄するから、溶射皮膜形成時における未溶融粒子を吹き飛ばし、溶射皮膜内の内部反射形成部を除去し、溶射皮膜表面の安定した低反射率を実現することができる。請求項9発明は、前記支持部を形成後、前記2次封孔処理前に、前記溶射皮膜表面をドライアイスブラスト洗浄するから、支持部の形成時に皮膜表面に付着し残留する汚れや研削粉等を除去し、セラミックス皮膜表面を平滑にして、この後の2次封孔処理時に封孔剤を確実かつ精密に塗布し、透明な超薄膜を精密かつ確実に形成することができる。請求項10の発明は、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記溶射皮膜表面を2次封孔処理し、該2次封孔処理によって前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成するから、前工程に形成されたマイクロクラックやポアを閉塞し、前記溶射皮膜の表面に透明な超薄膜の被覆層を形成し、前記支持部表面を平滑化して、溶射皮膜の表層部に形成した被覆層と相俟って、溶射皮膜表面の低反射率を増進することができる。以下、本発明を液晶露光装置の液晶基板保持盤に適用した図示の実施形態について説明すると、図1乃至図4において1は液晶露光装置で、フォトマスクMに形成された、例えば半導体パターンを、感光剤が塗布された略円形のウエハからなる基板W上に投影し転写可能にしている。実施形態では基板Wとして、液晶基板を用いている。前記露光装置1は、光源2と、照明光学系3とフォトマスクステージ4、投影光学系5と基板ステージ6、等を備え、このうち光源2は、超高圧水銀ランプ等で構成される露光光としての光線を発生可能にされ、該光線を反射ミラー7によって反射し照明光学系3に入射可能にしている。前記照明光学系3は、前記入射した光線を反射ミラー8を介して、フォトマスクM上に集光する種々のレンズを含む光学素子を有している。前記フォトマスクステージ4と基板ステージ6とは、エアベアリング図示略で支持され、非接触リニアモータ図示略によって移動可能にされていて、比較的軽量のフォトマスクステージ4が比較的重い基板ステージ6を追い掛け、両者を同期移動可能にしており、この両ステージ4,6の位置および速度を、後述のレーザー干渉計によって制御可能にしている。前記投影光学系5は、フォトマスクMの照明領域に存在する前記パターン像を、前記基板W上に結像可能にされ、また前記基板ステージ6は基板Wを保持し、X軸、Y軸、Z軸の三次元方向へ移動可能にされている。前記基板ステージ6上には、Y軸方向へ移動可能な移動鏡9が設けられ、該移動鏡9に位置計測装置であるレーザー干渉計10からレーザー光が照射され、その反射光と入射光の干渉に基いて、移動鏡9とレーザー干渉計10との距離を検出可能にされ、その検出結果を基に基板ステージ6の位置や基板Wの位置を検出かつ演算可能にしている。前記フォトマスクMを透過した光線は、投影光学系5を介し基板Wを照明することによって、フォトマスクMの照明領域に存在するパターン像を基板Wに結像可能にされ、また前記基板Wの露光領域に、フォトマスクMの照明領域にあるパターン像が形成されているすなわち、前記露光装置1は基板ステージ6の位置を検出しつつ、基板ステージ6の露光領域にフォトマスクMのパターンを逐次転写可能にしている。前記基板ステージ6に、透明または半透明な基板Wを保持可能な液晶基板保持盤11が設けられ、該保持盤11は大形の形状寸法に容易かつ安価に製作可能なアルミニウム板を母材11aとして構成され、その表面に黒色セラミックス系のセラミックスを溶射した溶射皮膜であるセラミックス皮膜12を形成している。この場合、前記液晶基板保持盤11の軽量化を主たる目的とする場合は、前記保持盤11の母材11aとして、アルミニウム板の他に、例えば石英ガラス板を用いることも可能である。前記セラミックス皮膜12の表面に、基板Wを支持可能な微小な支持部、つまり凸部13と凹部14とが形成され、この凹凸部13,14の表面に低粘性の透明な封孔剤コーティング剤によって透明な被覆層15が形成され、該被覆層15は後述の二つの被覆層を内外二重に配置して形成され、該被覆層15によって前記凹凸部13,14の全反射率を低減し、光の波長360nm~740nmの範囲における全反射率を、後述のように9以下にしている。実施形態では、被覆層15の表面側の被覆層の膜厚を数ナノメートルnm若しくは数十nmオーダに形成し、その内側の被覆層は膜厚を600μmの溶射皮膜の内部に形成され、凹凸部13,14表面の平面度の狂いを防止し、外観を向上している。前記凹凸部13,14を形成後、前記凸部13上に基板Wを支持し、該基板Wと凹14との間に真空ポンプ図示略を接続し、それらの間を吸引することによって、基板Wを凸部13上に吸着保持するようにしている。図中、24は液晶基板保持盤11に複数形成された貫通孔で、前記真空ポンプに連通している。図5は市販の色紙の全反射率を分光測色計で測定した測定結果を示し、白色は波長360nm~740nmの範囲で略一定の安定した高い反射率を有し、赤色は波長580nm付近から長波長側では反射率が増加し高い反射率を有するが、波長580nm以下では低反射率である。したがって、365nm~430nmの露光波長では、必ずしも黒色系の材料である必要がないことが分かる。前記液晶基板保持盤11の製造工程は図4のようで、先ずアルミニウム板製の基板保持盤11の母材11aの表面に、後述の黒色系セラミックスを溶射してセラミックス皮膜12を形成する。この状況は図4bのようである。前記セラミックス溶射は、例えば一般的なプラズマ溶射法を用いて行ない、該プラズマ溶射法は、プラズマ状態になった超高温のガスを熱源として溶射材料を溶融し、プラズマジェットとともに前記母材11aに噴射して、該母材11aの表面にセラミックス皮膜12を形成する。前記セラミックス皮膜12の溶射材料は、アルミナーチタニアAl2O3-αTiO2の複合材を用い、チタニアの割合が重量比換算で、α=10~100に構成されている。この場合、純アルミナ溶射皮膜α=0は、外観が象牙色若しくは白色であるが、チタニアを添加することによって黒色化が増加し耐摩耗性の保護膜になるが、微量のチタニアを添加するだけでは、全反射率が安定的に9以下にならない。そこで、可及的に高い前記α値のアルミナーチタニアを選択することで、つまり黒色系セラミックスとすることによって、黒色化が増加し全反射率を低減して耐摩耗性の保護膜を得るようにしている。前記黒色系セラミックス溶射後、表層の未溶融粒子16を除去するため、ドライアイスブラスト前洗浄を実行して、未溶融粒子16を吹き飛ばす。この状況は図4cのようである。前記ドライアイスブラスト洗浄は、清浄なチャンバ図示略にセラミックス溶射後の前記母材11aを収容し、ブラスト装置図示略を介し、-70°C以下の高純度のドライアイス粒子であるドライアイスペレット17を、圧縮された清浄空気または窒素と一緒にセラミックス皮膜12に吹き付けて行なう。このようにすることで、溶射皮膜12表面の吹き付け部が急速に冷却され、熱収縮による剥離が促されて未溶融粒子16が吹き飛ばされる。実施形態ではドライアイスの噴射圧力を0.2~0.5MPaに設定し、約800μmの膜厚のセラミックス皮膜12を形成している。こうして未溶融粒子16を吹き飛ばし後は、セラミックス皮膜12にセラミックス溶射およびその凝固時、並びに前記洗浄時に発生したポア気孔18やマイクロクラック19が残留している状態になる。そこで、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記ポア18やマイクロクラック19を埋め、セラミックス皮膜12を被覆するために、1次封孔処理を行なう。前記セラミックス皮膜12を被覆する1次封孔処理としては、硬化皮膜である被覆膜が透明となる低粘性コート剤を封孔剤として、前記コート剤をセラミックス皮膜12の表面および皮膜中を含む表層部に含浸し、かつ所定の乾燥工程を経て、前記コ-ト剤を硬化させ、前記ポア18やマイクロクラック19を封孔する。前述のコート剤は、溶射皮膜内部への高浸透性と塗布ムラ低減から、粘度10mPas未満の低粘性とし、更に前記コート剤から形成される被覆膜20は、近紫外線および可視光線に長時間曝されても、劣化しないものが好ましい。このような特性を有するコート剤としては、アルコキシシラン化合物を含むものやシロキサン系の無機系コート剤、若しくはフッ素ポリマーを含む有機系コ-ト剤を用い、セラミックス皮膜12の少なくとも表面および皮膜中を含む表層部に、前記コート剤の硬化皮膜である被覆膜20を形成する。実施形態ではセラミックス皮膜12の全域に前記封孔剤を含浸して、被覆膜20を形成している。このようにすることによって、ポア18やマイクロクラック19による内部反射を阻止し、全反射率を下げることが可能になる。この状況は図4dのようである。前記1次封孔処理後、セラミックス皮膜12の表面をサンドブラスト若しくは機械研削し前記表面に微小な多数の支持部13を形成する。すなわち、前記サンドブラスト若しくは機械研削によって、セラミックス皮膜12の表面に微小な多数の凹凸部13,14を形成し、前記凸部13によって前記支持部を構成し、前記凹凸部13,14によって前記基板W保持用のパターンを形成する。実施形態では前記サンドブラスト若しくは機械研削によって、セラミックス皮膜12を加工して約600μmの膜厚に形成し、支持部13凸部高さを約200μmに形成している。この状況は図4eのようである。この場合、セラミックス皮膜12は1次封孔処理されているため、機械加工における切削油、研削液等の加工液や研削粉の浸透を防止し得る。次に、前記機械研削やサンドブラストによって、セラミックス皮膜12の表面に汚れや研削粉21等が付着して残留するため、必要に応じてセラミックス皮膜12の表面をドライアイスブラスト洗浄する。すなわち、ドライアイスペレット17を凹凸部13,14に吹き付け、残留する研削粉21等を吹き飛ばす。この状況は図4fのようである。特に、砥粒の突き刺さりの除去には、ドライアイスブラストによる後洗浄が有効であり、このドライアイスブラスト後洗浄を前述の前洗浄と同様の要領で行なう。前記支持部13の形成後、セラミックス皮膜12の表面を2次封孔処理する。前記2次封孔処理は、前述の1次封孔処理と同様の要領で低粘性の透明コート剤を塗布し、前記コート剤による超薄膜の透明な被覆膜22を形成する。実施形態では被覆膜22の厚さは計測困難で正確には計測していないが、別途平面基材に前記超薄膜と未コート部を形成し、両者の段差を非接触三次元測定装置三鷹光器社製、型式:NH-3PSで測定したところ、数nm~数10nmに形成されていると推定される。よって、前記被覆膜22は前記支持部13の表面または凹面の機械加工による微小な凹部を閉塞し、平滑面に形成している。この状況は図4h,iのようである。すなわち、前記2次封孔剤を塗布し、前記サンドブラスト若しくは機械加工で発生したマイクロクラック23を封孔し、該マイクロクラック23による内部反射を阻止し、また微小な凹凸部を平滑にして、前記セラミックス皮膜12表面の反射率低減を増進するようにしている。こうして前記セラミックス皮膜12の表面に微小な多数の支持部13を形成し、またその前後に1次および2次の封孔処理を行なって、支持部13に透明な被覆膜20,22を内外二重に被覆し、低反射率に形成して完成する。この状況は図4h,iのようである。このように構成した実施形態の液晶基板保持盤11は、母材11aをアルミニウムとしたから、軽量で材料費や加工費が安価であり、液晶基板サイズないし基板ステージの大型化に伴なう液晶基板保持盤11の大形化に対応でき、またそれらの軽量化によって、基板ステージの機能低下や故障を未然に防止し得る。前記液晶基板保持盤11は、表面に溶射皮膜である黒色系セラミックス皮膜12を形成し、該セラミックス皮膜12の溶射材料は、アルミナーチタニアAl2O3-αTiO2の複合材を用い、チタニアの割合が重量比換算で、α=10~100に構成している。前記アルミナ溶射皮膜α=0は、外観が象牙色若しくは白色であるが、チタニアを添加することによって黒色化が増加し耐摩耗性の保護膜になるが、微量のチタニアを添加するだけでは、全反射率が安定的に低くならない。そこで、可及的に高い前記α値のアルミナーチタニアを選択することで、つまり黒色系セラミックス皮膜とすることによって、黒色化が増加し全反射率を低減して耐摩耗性の保護膜を形成した。実施形態では、板厚20mmのアルミニウム材質:A5052板を母材として、市販の粉末材料を基にα=13、40、100の3種類に選択したアルミナ-チタニアの複合材からなる溶射皮膜のサンプルを作製し、またα=略0、つまりチタニアなしの純Al2O3と、α=略2.5、つまりAl2O3-2.5TiO2からなる溶射皮膜のサンプルを作製し、これらのサンプル1~5を2次封孔処理後、波長360nm~740nmの範囲に亘って全反射率を測定した。前記反射率の測定方法は、JISZ8722に規定する方法に基いて測定し、測定器は分光測色計/コニカミノルタ製CM-2600dを使用した。このようにして測定した全反射率測定結果は図6のようである。また、図7および図8は、前記全反射率測定結果を基にグラフ化したものである。図7において、α=0、つまりTiO2なしのサンプル1の純Al2O3は、外観が白色のため各波長の全反射率が65以上になって高く、安定した低反射率を得られず、前記所期の目的を達成できないことが確認された。そこで、図7のうち前記α=0の純Al2O3を除く4件のサンプル2~5について、更に検討するため縦軸スケ-ルを変えて示し、これを図8に示している。また、図9は前記全反射率測定結果のうち、近時の液晶露光装置で多用されている露光光源の波長に近い波長400nmを基準に、その前後の360、400、430nmの全反射率を抽出して示している。発明者は前記所期の目的を達成するため、近時の液晶ディスプレイ製造用露光装置における低反射率部材の全反射率の目安として、9以下を想定している。そこで、前記想定した全反射率を基に図8および図9を観察すると、α=2.5の複合材通称:グレーアルミナのサンプル2は、各波長の全反射率が10前後になって、安定した低反射率を得られず、所期の目的を達成できないことが確認された。一方、図8および図9において、α=13の複合材のサンプル3は、各波長の全反射率が6台に推移し、α=40の複合材のサンプル4は、各波長の全反射率が6~7台に推移し、α=100の複合材のサンプル5の純TiO2は各波長の全反射率が6~7台に推移し、サンプル4と大差なかった。したがって、α=13~100では、波長360~430nmに対する全反射率が6.19~7.41で、全反射率が9以下になり、所期の目的を達成することが確認された。次に、α=13~100以外について検討すると、例えばα=10~100であっても、その全反射率は図6、および図7、8の全反射率曲線の推移からすると、α=13とα=100の各曲線の間に分布すると推測され、全反射率9以下の想定条件を充足すると考えられる。したがって、α=10~100であっても所期の目的を達成することが確認された。したがって、液晶基板保持盤4の表面の黒色系セラミックス皮膜12の溶射材料である、アルミナーチタニアAl2O3-αTiO2の複合材として、α=10~100に相当するAl2O3-10TiO2~100TiO2を使用すれば、前記セラミックス皮膜12の表面の全反射率が、照射光の波長360~740nmの広域に亘って9以下になり、セラミックス皮膜12の表面の安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られることが確認された。しかも、溶射皮膜12上に支持部13を形成後、該皮膜12に透明な超薄膜の被覆層22を形成し、従来のように厚い薄膜によって平面度が低下したり、被覆層22による斑によって外観が損なわれない。また、支持部13の内外に透明な被覆層22,20を形成し、これらで支持された基板Wに入射した照射光が透過し、低反射率に形成された液晶基板保持盤11の表面で、反射吸収透過が起きる。そして、この入射光の一部は、被覆層22または20の表面で反射し、また一部の入射光は被覆層22または20内部に入り、溶射皮膜12と被覆層22または20の境界面で再び反射し、これら反射光同士の干渉が起きて、被覆層22または20を形成した溶射皮膜12の反射率が低くなる。こうして、前記反射光が低減し、基板Wの特定箇所に再入射し、レジストの不要な箇所を露光する二重露光等の弊害の発生を阻止する。一方、実施形態の前記液晶基板保持盤11の製造方法は、溶射皮膜であるセラミックス皮膜12を1次封孔処理後に、セラミックス皮膜12の表面に支持部13を形成し、セラミックス皮膜12中のポア18やマイクロクラック19を封孔し、前記表面を平滑にしてポア18やマイクロクラック19による内部反射を阻止し、セラミックス皮膜12表面の安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られた。そして、前記セラミックス皮膜12の形成後、該セラミックス皮膜12の表面をドライアイスブラスト前洗浄し、例えば溶融金属を溶射してセラミックス皮膜12を形成する際、皮膜表層の未溶融粒子を除去し、セラミックス皮膜12の表面を平滑に形成し、この後の1次封孔処理を確実に行なえた。更に、前記セラミックス皮膜12に支持部13を形成後、該セラミックス皮膜12の表面をドライアイスブラスト洗浄し、前記皮膜表面に付着し残留する汚れや研削粉等を除去し、セラミックス皮膜12の表面を平滑にして、この後の2次封孔処理において封孔剤22を確実かつ精密に塗布し、この後の2次封孔処理を確実に行なえた。そして、前記ドライアイスブラスト洗浄後、前記セラミックス皮膜12の表面に透明な超薄膜の被覆層22を形成し、厚い被覆層を形成する場合に比べ、平面度の狂いを防止するとともに、被覆層22の斑による外観の毀損を防止し、また前記後洗浄によって発生したマイクロクラック23による内部反射を阻止し、セラミックス皮膜12表面を平滑化して、該表面の反射率低減を増進し得た。このように、この実施形態における液晶基板保持盤11の製造方法は、溶射皮膜12の形成後に1次封孔処理して透明な被覆層20を形成し、また支持部13の形成後に2次封孔処理して超薄膜の透明な被覆層22を形成し、かつこれらの被覆層22,20を内外に形成して、溶射皮膜12ないし液晶基板保持盤11の表面の反射率を低減している。発明者は、前記封孔処理の効果を確認するため、前記母材11aと同質のアルミニウム材質:A5052基材を作製し、各基材表面に前記アルミナ-チタニアの複合材のうち、α=13、40、100の複合材を溶射したサンプルを各2個ずつ作製した。これらサンプルに使用した溶射粉末材料の化学組成を、図10に示している。その後、全サンプルの溶射面を前記ドライアイスブラスト洗浄し、各α値に対して2個の同種サンプルのうち一方は、前記洗浄面に前述と同様に封孔処理し、他方は、封孔処理しないものとした。そして、これらサンプルの未封孔品封孔処理なしと封孔品封孔処理ありの表面について、波長360nmの光に対する全反射率を前記分光測色計で計測し、封孔処理の有無による効果を実験した。図11は、その測定結果を示している。図11を観察すると、各サンプルとも未封孔品に比べ、封孔品の全反射率が約5低くなることが確認され、封孔処理が全反射率の低減に有効であることが確認された。また、封孔処理したサンプルの測定結果を見ると、α=13,40,100の複合材は、波長360nmに対する全反射率が9以下になっており、前記所期の目的を達成できることが確認され、前述の効果確認と相俟って、α=10以上であれば、発明者が想定した9以下の全反射率を得られることが確認された。"