半導体素子が形成された半導体ウエハの素子形成面に、この素子形成面を複数の領域に区画する切断溝を形成する工程aと、前記切断溝内に樹脂を部分的に配置する工程bと、前記工程bの後に、前記半導体ウエハの素子形成面に保護テープを貼り付ける工程cと、前記工程cの後に、前記半導体ウエハの裏面を、前記切断溝に達するまで研削して、前記半導体ウエハを薄化する工程dと、前記工程dの後に、前記半導体ウエハの裏面に接着剤層を形成する工程eと、前記工程eの後に、前記切断溝に沿って前記接着剤層を前記切断溝に配置した前記樹脂とともに切断して、前記半導体ウエハを半導体素子が形成された複数の半導体チップに分割する工程fとを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記工程aにおいて、前記複数の領域は、表面に半導体素子が形成された複数の矩形領域を含み、前記工程bにおいて、前記各矩形領域の対向する2つの角部に少なくとも前記樹脂が配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記工程fにおいて、前記切断溝に部分的に配置された前記樹脂が、それぞれの配置位置において、その一部が前記切断溝の両側面に残るように切断することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。前記工程bにおいて、樹脂の配置は、粘度23°Cが9Pas以上で、かつ硬化後の樹脂の弾性率23°Cが0.2~5000MPaの液状樹脂を前記切断構内に注入し硬化させることにより行われる請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。表面に半導体素子が形成され、裏面に接着剤層が被着された平面形状が矩形の半導体チップを有する半導体装置であって、前記半導体チップの角部が選択的に樹脂で被覆されていることを特徴とする半導体装置。本発明の目的は、半導体ウエハを個片化した際の半導体チップの整列性の乱れの発生を防止することができ、これにより、半導体ウエハの裏面に形成された接着剤層を、半導体素子の配線部分の一部切断や、切断屑による汚れ、チップ割れを生じさせるような負荷等をかけることなく容易に切断することができ、ひいては、品質及び製造歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供することにある。実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体ウエハの素子形成面に、この素子形成面を複数の領域に区画する切断溝を形成する工程aと、前記切断溝内に樹脂を配置する工程bと、前記工程bの後に、前記半導体ウエハの素子形成面に保護テープを貼り付ける工程cと、前記工程cの後に、前記半導体ウエハの裏面を、前記切断溝に達するまで研削して、前記半導体ウエハを薄化する工程dと、前記工程dの後に、前記半導体ウエハの裏面に接着剤層を形成する工程eと、前記工程eの後に、前記切断溝に沿って前記接着剤層を前記切断溝に配置した前記樹脂とともに切断して、前記半導体ウエハを半導体素子が形成された複数の半導体チップに分割する工程fとを具備する。前記工程bにおいて、前記樹脂は前記切断溝内に部分的に配置する。実施形態の半導体装置は、表面に半導体素子が形成され、裏面に接着剤層が被着された平面形状が矩形の半導体チップを有する。前記半導体チップの角部が選択的に樹脂で被覆されている。以下、図面を参照して、実施形態を説明する。なお、以下の図面の記載において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。第1の実施形態図1~図9は、本実施形態の半導体装置の製造方法の工程を順に示す概略斜視図であり、また、図10は、同工程を順に示す概略断面図である。なお、図10では、製造のために使用する装置、治具類等は省略し、要部のみを示している。本実施形態においては、まず、シリコン等からなる半導体ウエハ10の表面素子形成面に半導体素子を形成した後、この半導体素子を形成した半導体ウエハ10を保持テーブル21上に固定し、半導体ウエハ10の素子形成面側からダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って格子状に、ダイヤモンドブレード22を用いて裏面に達しない深さの切断溝31を形成する図1、図10a。すなわち、ハーフカットダイシングを行う。切断溝31の形成は、ダイヤモンドブレード22に限らず、ダイヤモンドスクライバー、レーザ等を用いて行なうことができる。また、反応性ガスエッチングや反応性イオンエッチングRIE等の手段を用いることも可能である。切断溝31の形成によって、半導体ウエハ10の表面は、半導体チップとなる、表面に半導体素子が形成された矩形領域12aを含む複数の領域12に区画される。図10aにおいて、符号1aは、半導体ウエハ10の素子形成面より突出した電極を示している。次に、上記切断溝31内に液状樹脂32aを注入し硬化させる。液状樹脂32aは切断溝31内に部分的であって、かつ隣接する領域12相互の動きが硬化後の樹脂32によって規制されるように、つまり、ここでの個々の領域12の整列性がこの後の工程で損なわれないように注入し硬化させる。本実施形態では、図11aに示すように、2本の切断溝31が交わる位置の略中央に液状樹脂32aを注入している。注入された液状樹脂32aは、図11bに示すように、切断構31内を、4つの領域12の対向する角部13を覆うように拡がって硬化する。このように樹脂32を配置することにより、隣接する領域12相互の動きが規制され、後工程における個々の領域12の整列性を保持することができる。また、樹脂32の配置が部分的であるため、硬化による収縮歪を小さくすることができ、これにより、切断構31内全体に樹脂を配置した場合のような、半導体ウエハ10の反りの発生、及びそれに伴う半導体チップの割れ等を防止することができる。すなわち、切断構31内全体に樹脂を配置した場合には、樹脂硬化による収縮歪が大きいため、半導体ウエハ10に反りが発生し、それに伴い半導体チップ1に大きな引張ストレスがかかり、チップ割れ等が発生するおそれがあるが、樹脂32の配置が部分的である場合には、樹脂の硬化による収縮歪が小さいため、半導体ウエハ10の反りの発生が抑制され、その結果、反りに起因する半導体チップへの引張ストレスも抑制され、チップ割れ等が防止される。図2において、符号23は、切断溝31内に液状樹脂32aを注入するための注入ノズルを示しており、この注入ノズル23は樹脂供給装置図示なしに接続されている。上記のように切断溝31の所要位置に適正に樹脂32を配置し、また隣接する領域12相互の動きを規制して、個々の領域12の整列性を十分に保つ観点からは、使用する液状樹脂32aは、粘度23°Cが9Pas以上で、硬化後の樹脂の弾性率23°Cが0.2~5000MPaであるものが好ましい。すなわち、粘度23°C及び硬化後の樹脂の弾性率23°Cのいずれか一方でも前記範囲を外れると、個々の領域12の整列性を十分に保つことができないおそれがある。液状樹脂の粘度23°Cは、4~21Pasであることがより好ましく、15~16Pasであることがより一層好ましい。また、硬化後の樹脂の弾性率23°Cは、10~5000MPaであることがより好ましい。なお、硬化後の樹脂の弾性率は、JISK6868-1接着剤-構造接着のせん断挙動の測定-第1部:突合せ接合中空円筒ねじり試験方法に準拠して測定される値である。液状樹脂の種類は特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化型樹脂の他、アクリル系等の光硬化型樹脂を用いることができる。一般には、機械的強度、絶縁性、耐薬品性、耐水耐湿性等の観点から、エポキシ系樹脂が使用される。次に、切断溝31を形成し、その内部に樹脂32を配置した半導体ウエハ10の素子形成面に、保護テープ33を貼り付け、表面保護層を形成する図3、図10c。保護テープ33には、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂PVC、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリオレフィン樹脂PO等の熱可塑性樹脂からなるテープ基材上に粘着剤層を設けた粘着テープ等が使用される。保護テープ33に代えてガラス等からなる基材上に粘着剤層を設けたものを使用することも可能である。粘着剤は光硬化型粘着剤であってもよい。保護テープ33は、後の工程で剥離するため、粘着剤が光硬化型粘着剤である粘着性テープを使用した場合には、剥離前に光照射することにより剥離を容易にすることができる。図3において、符号24は、保護テープ33を半導体ウエハ10の素子形成面に密着させるための押さえ部材を示している。次に、砥石25により半導体ウエハ10の裏面を、切断溝31に達するまで研削し、半導体ウエハ10を薄化する図4、図10d。この薄化工程では、砥石25による研削後、さらに、エッチング装置26によりエッチング処理を行ってもよい図5。エッチングは、ドライエッチング、プラズマエッチング、及びウエットエッチングのいずれであってもよい。また、エッチング処理に代えて、CMP化学機械研磨による平坦化処理を行ってもよい。研削後にエッチング、または平坦化処理を行うことにより、裏面チッピングを低減することができる。裏面研削後、あるいは裏面研削及びエッチング処理または平坦化処理後、半導体ウエハ10の裏面に、フィルム基材34上に接着剤層35が設けられた接着フィルム36を、接着剤層35側を半導体ウエハ10側に向けて貼り付ける図6、図10e。次に、接着フィルム36を貼り付けた半導体ウエハ10を、ウエハリング37に貼り付けたフィルム38上に、接着フィルム36側を下に、保護テープ33側を上にして保持させるとともに、保護テープ33を剥離する図7、図10f。フィルム38は、粘着性を有するものであっても、非粘着性のものであってもよい。また、フィルム38を使用せず、保持テーブル等に直接保持させるようにしてもよい。なお、本実施形態では、接着剤層の形成に、フィルム基材34上に接着剤層35が設けられた接着フィルム36を使用しているが、接着剤層35のみからなる接着フィルムを用いることも可能である。次に、保護フィルム33を剥離した半導体ウエハ10の素子形成面側から、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、切断溝31の形成に用いたものと同幅か、もしくはやや狭い幅のダイヤモンドブレード22を用いて、接着剤層35を切断する図8、図10g。先の工程図1、図10aで、半導体ウエハ10には、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って切断溝31が設けられ、この切断溝31には、部分的に、かつ隣接する領域12相互の動きが規制されるように樹脂32が配置されているため、ダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って切断することにより、切断溝31内の樹脂32と、切断溝31下の接着剤層35が、ダイヤモンドブレード22により選択的に切断される。そして、これにより、半導体ウエハ10は半導体チップ1を含む複数の個片に分割される。切断は、ダイヤモンドブレード22に限らず、ダイヤモンドスクライバー、レーザ等を用いて行なってもよい。なお、切断溝31の形成に用いたものより切断幅の狭いダイヤモンドブレード22を用いる、あるいは他の切断手段で切断溝31より狭い幅で切断した場合には、樹脂32の一部が各半導体チップ1の表面本実施形態では、角部表面に残った状態で切断される。このように樹脂32の一部を半導体チップ1の表面に残すことで、後工程で半導体チップを樹脂モールドする際、半導体チップとモールド樹脂との接着性を高めることができる。このようにして形成された、裏面に接着剤層35を備えた半導体チップ1は、吸着コレット27を備えたピックアップ機構によりピックアップされて、基板、あるいは他の半導体チップへの実装工程等の、半導体装置の所定の製造工程に搬送される図9。本実施形態によれば、切断溝31形成後、切断溝31内に液状樹脂32aを、部分的であって、かつ隣接する領域12相互の動きが硬化後の樹脂32によって規制されるように注入し硬化させているので、初期における個々の領域12の整列性が、半導体ウエハ10の裏面に貼り付けた接着剤層35を切断するまで保持される。したがって、半導体ウエハ10の裏面に貼り付けた接着剤層35を、半導体素子の配線部分の一部切断や、切断屑による汚れ、チップ割れを生じさせるような負荷等をかけることなく容易に切断することができる。また、その結果、製造される半導体装置の品質を高め、かつ製造歩留まりを向上させることができる。なお、図14は、半導体ウエハの表面を区画して形成された領域12の整列性の変化を調べるため、本実施形態による薄化工程後の裏面を拡大鏡を用いて撮像した写真から、周辺部の3か所A、B及びCを選択して模写したものであり、また、図15は、比較のため、樹脂を配置せずに薄化工程を行った後の半導体ウエハの裏面を撮像した写真から、図14に示したものと同じ周辺部の3か所A、B及びCを選択して模写したものである。これらの図面から明らかなように、切断溝31内に樹脂を配置した本実施形態によるものでは、領域12の整列性の乱れがほとんど起きていないのに対し、切断溝31内に樹脂を配置せずに薄化工程を行ったものでは、切断溝31の幅や位置が変化しており、領域12の整列性に乱れが生じていることがわかる。また、本実施形態によれば、樹脂32の配置が部分的であるため、硬化による収縮歪を小さくすることができ、これにより、切断構31内全体に樹脂を配置した場合のような、半導体ウエハ10の反りの発生、及びそれに伴う半導体チップ1の割れ等を防止することができる。その他の実施形態上記第1の実施形態では、液状樹脂を2本の切断溝が交わる位置の全てに注入することにより、隣接する領域相互の動きを規制する構成としているが、例えば、図12aに示すように、液状樹脂32aは、2本の切断溝31が交わる位置に一つおきに注入し硬化させる、つまり、液状樹脂32aの配置と非配置を交互に繰り返すようにしてもよい。図12bは、この場合の樹脂硬化後の状態を概略的に示した図であり、樹脂32は、各矩形領域12aの対向する2つの角部に配置されることになる。このような配置方法によっても、上記第1の実施形態の場合と同様、隣接する領域12相互の動きを規制することができる。また、樹脂32の配置が部分的であるため、硬化による収縮歪を小さくすることができ、これにより、切断構31内全体に樹脂を配置した場合のような、半導体ウエハの反りの発生、及びそれに伴う半導体チップの割れ等を防止することができる。加えて、この方法では、第1の実施形態に比べ、注入する樹脂量、樹脂回数が少なくてすみ、経済的、かつ時間的節約が可能で、生産効率を高めることができる。また、例えば、図13aに示すように、隣接する領域12の間、各領域12の辺を形成する部分に、液状樹脂32aを注入し硬化させるようにしてもよい。図13bは、この場合の樹脂硬化後の状態を概略的に示した図である。このような配置方法によっても、上記第1の実施形態の場合と同様、隣接する領域12相互の動きを規制することができる。また、樹脂32の配置が部分的であるため、硬化による収縮歪を小さくすることができ、これにより、切断構31内全体に樹脂を配置した場合のような、半導体ウエハの反りの発生、及びそれに伴う半導体チップの割れ等を防止することができる。なお、樹脂の配置は、切断溝によって区画された領域のうち、半導体チップとなる領域、すなわち表面に半導体素子が形成された矩形領域相互の整列性が少なくとも保たれるようにすればよい。したがって、例えば、図11~13で示した方法であっても、矩形領域12a相互の整列性に影響しない周辺部においては、必ずしも樹脂を配置する必要はない。以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、切断溝形成後、切断溝内に樹脂を配置して、隣接する領域相互の動きが規制されるようにしているので、初期における個々の領域の整列性が、半導体ウエハの裏面に形成した接着剤層を切断するまで保持される。したがって、そのような半導体ウエハの裏面に形成された接着剤層を、半導体素子の配線部分の一部切断や、切断屑による汚れ、チップ割れを生じさせるような負荷等をかけることなく容易に切断することができ、これにより、品質の良好な半導体装置を歩留まり良く製造することができる。また、切断溝内に樹脂を部分的に配置するので、硬化による収縮歪を小さくすることができ、これにより、半導体ウエハの反りの発生、及びそれに伴う半導体チップの割れ等を防止することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。