多数の画素領域に各々対応して配置された多数の画素電極を含む第1基板と、前記多数の画素電極と対向する共通電極を含む第2基板と、前記第1及び第2基板の間に配置され、前記画素領域各々に対応して第1方向へ配向された第1領域と、前記第1方向と異なる第2方向へ配向された第2領域と、前記第1及び第2方向と異なる第3方向へ配向された第3領域と、前記第1乃至第3方向と異なる第4方向へ配向された第4領域を含む配向膜と、前記第1及び第2基板の間に配置された液晶分子を含み、前記液晶分子が前記第1乃至第4領域によって各画素領域に定義された多数のドメインで相異なる方向へ配向される液晶層とを含み、前記多数の画素電極の中で少なくとも1つは少なくとも1つのドメインに対応する前記画素電極の一部分で前記第1乃至第4方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を配置することを特徴とする液晶表示装置。前記配向膜は照射される光によって、分解decomposition、二量体化反応dimerization、及び異性化反応isomerizationの中でいずれか1つの反応がおきる高分子物質でなされ、前記多数のドメインは前記第1領域と前記第3領域が重畳する領域で定義された第1ドメインと、前記第1及び第4領域が重畳する領域で定義された第2ドメインと、前記第2及び第3領域が重畳する領域で定義された第3ドメインと、前記第2及び第4領域が重畳する領域で定義された第4ドメインとを含み、前記液晶分子は前記第1ドメインで前記第1及び第3方向のベクトルの合計で定義された第5方向へ配向され、前記第2ドメインで前記第1及び第4方向のベクトルの合計で定義された第6方向へ配向され、前記第3ドメインで前記第2及び第3方向のベクトルの合計で定義された第7方向へ配向され、前記第4ドメインで前記第2及び第4方向のベクトルの合計で定義された第8方向へ配向されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第5方向、第6方向、第7方向及び第8方向が左回りの方向へ順次的に回転する場合、前記各画素電極の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第4延長部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記第5方向、第6方向、第7方向及び第8方向が右回りの方向へ順次的に回転する場合、前記各画素電極の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第3延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第4延長部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記第5方向が前記第8方向と対向する場合、前記各画素電極の前記延長部は、前記第2ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第4延長部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記第6方向と前記第7方向とが互いに反対になる場合、前記各画素電極の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第1ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第2延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第4延長部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記配向膜は前記画素電極をカバーする第1配向膜及び前記共通電極をカバーする第2配向膜を含み、前記第1配向膜は前記第1方向へ配向された前記第1領域及び前記第1方向と反対になる前記第2方向へ配向された前記第2領域でなされ、前記第2配向膜は前記第1方向と直角をなす前記第3方向へ配向された前記第3領域及び前記第3方向と反対になる前記第4方向へ配向された第4領域でなされたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記多数の画素電極各々は同一の階調に対して相異なる電圧を受信する第1及び第2サブ画素電極を含み、前記第1配向膜は前記第1及び第2サブ画素電極をカバーし、前記延長部は前記多数のドメインの中で少なくとも1つのドメインで前記第1及び第2サブ画素電極各々から前記第1乃至第4方向の中で少なくとも一方向へ延長されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2配向膜各々は照射される光によって、分解decomposition、二量体化反応dimerization、及び異性化反応isomerizationの中でいずれか1つの反応がおきる高分子物質でなされ、前記第1及び第2サブ画素電極各々に対応して前記多数のドメインは前記第1領域と前記第3領域が重畳する領域で定義された第1ドメインと、前記第1及び第4領域が重畳する領域で定義された第2ドメインと、前記第2及び第3領域が重畳する領域で定義された第3ドメインと、前記第2及び第4領域が重畳する領域で定義された第4ドメインとを含み、前記液晶分子は前記第1ドメインで前記第1及び第3方向のベクトルの合計で定義された第5方向へ配向され、前記第2ドメインで前記第1及び第4方向のベクトルの合計で定義された第6方向へ配向され、前記第3ドメインで前記第2及び第3方向のベクトルの合計で定義された第7方向へ配向され、前記第4ドメインで前記第2及び第4方向のベクトルの合計で定義された第8方向へ配向されることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。前記第5方向、第6方向、第7方向及び第8方向が左回りの方向へ順次的に回転する場合、前記第1及び第2サブ画素電極各々の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第1基板は前記第1方向へ延長されて前記第3方向へ配列された多数のデータライン及び前記第3方向へ延長されて前記第1方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、前記第1及び第2サブ画素電極は前記第1方向へ互いに隣接して配置されることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。前記各画素は互いに隣接する2つのデータライン間に配置され、前記第1及び第2サブ画素電極各々の前記第1及び第4延長部は前記2つのデータラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記第5方向、第6方向、第7方向及び第8方向が右回りの方向へ順次的に回転する場合、前記第1及び第2サブ画素電極各々の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第3延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第5方向と前記第8方向が互いに対向する場合、前記第1及び第2サブ画素電極各々の前記延長部は、前記第2ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第2ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第2延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記第6方向と第7方向が互いに反対になる場合、前記第1及び第2サブ画素電極各々の前記延長部は、前記第1ドメインに対応する領域で前記第1方向へ延長された第1延長部と、前記第1ドメインに対応する領域で前記第3方向へ延長された第2延長部と、前記第4ドメインに対応する領域で前記第2方向へ延長された第3延長部と、前記第3ドメインに対応する領域で前記第4方向へ延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。前記各画素は前記第1サブ画素電極に接続された第1トランジスタ及び前記第2サブ画素電極に接続された第2トランジスタをさらに含み、前記第1及び第2サブ画素電極は前記第1方向に互いに隣接して配置され、前記第1及び第2トランジスタは前記第1及び第2サブ画素電極の間に位置することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。前記第1基板は前記第1方向へ延長されて前記第3方向へ配列された多数のデータライン及び前記第3方向へ延長されて前記第1方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、前記第1及び第2トランジスタは同一のデータライン及び同一のゲートラインに接続されることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。前記第1基板は前記第1方向へ延長されて前記第3方向へ配列された多数のデータライン及び前記第3方向へ延長されて前記第1方向へ配列された多数のゲートラインをさらに含み、前記各画素領域は互いに隣接する2つのデータライン間に配置され、前記各画素領域の前記第1トランジスタは前記2つのデータラインの中で1つに接続され、前記第2トランジスタは残りの1つに接続されることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。前記第2サブ画素電極は前記第1方向に沿って互いに所定間隔離隔され、互いに電気的に接続された2つの電極部を含み、前記第1画素電極は前記2つの電極部の間に配置されたことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。前記第2基板はブラックマトリクスをさらに含み、前記各画素電極の前記延長部は前記ブラックマトリクスと部分的に重畳して配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。多数の画素が配置された第1基板と、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶分子を含む液晶層とを含み、前記各画素は相異なる液晶配向方向を有する多数のドメインを含み、前記第1及び第2基板の中で少なくとも1つは前記ドメインの境界部に対応して位置する光遮断膜を含み、前記光遮断膜の端部は前記光遮断膜を基準として互いに隣接する2つのドメインの液晶配向方向の中でいずれか1つと平行である方向へ面取されたことを特徴とする液晶表示装置。前記第1基板は前記各画素に配置される画素電極及び前記画素電極とオーバーラップするストレージ配線部を含み、前記光遮断膜は前記ストレージ配線部から延長されたことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。前記第1基板は前記各画素に配置される画素電極及び前記画素電極とオーバーラップするストレージ配線部を含み、前記光遮断膜は前記ストレージ配線部と所定間隔に離隔されて位置することを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。前記画素は第1サブ画素及び前記第1サブ画素より低い電圧が充電される第2サブ画素を含み、前記第1サブ画素は第1乃至第4ドメインで区分される第1サブ画素電極を含み、前記第2サブ画素は前記第1乃至第4ドメインで区分される前記第2サブ画素電極を含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2サブ画素各々の第1乃至第4ドメインの液晶配向方向は左回りの方向へ循環することを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置。前記光遮断膜は前記第1サブ画素電極と対向するように配置され、前記光遮断膜の第1端部は前記第1及び第2ドメインの境界に位置し、前記第2ドメインの液晶配向方向と同一の方向へ面取りされ、前記光遮断膜の第2端部は前記第3及び第4ドメインの境界に位置し、前記第3ドメインの液晶配向方向と同一の方向へ面取されたことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置。前記第1サブ画素電極は前記第1ドメインから延長された第1延長部及び前記第4ドメインから延長された第2延長部を含み、前記第2サブ画素電極は前記第1ドメインから延長された第3延長部及び前記第4ドメインから延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2サブ画素は互いに隣接する第1及び第2データライン間に配置され、前記第1サブ画素電極の前記第1及び第2延長部は前記第1及び第2データラインと各々オーバーラップし、前記第2サブ画素電極の前記第3及び第4延長部は前記第1及び第2データラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項27に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2データラインは1つの画素内で4回屈曲された構造を有することを特徴とする請求項28に記載の液晶表示装置。前記第1サブ画素の第1乃至第4ドメインの液晶配向方向は前記第2サブ画素の第1乃至第4ドメインの液晶配向方向と互いに異なることを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装置。前記第1サブ画素電極は前記第2ドメインから延長された第5延長部及び前記第3ドメインから延長された第6延長部を含み、前記第2サブ画素電極は前記第1ドメインから延長された第3延長部及び前記第4ドメインから延長された第4延長部を含むことを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2サブ画素は互いに隣接する第1及び第2データライン間に配置され、前記第1サブ画素電極の前記第5及び第6延長部は前記第1及び第2データラインと各々オーバーラップし、前記第2サブ画素電極の前記第3及び第4延長部は前記第1及び第2データラインと各々オーバーラップすることを特徴とする請求項31に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2データラインは1つの画素内で2回屈曲された構造を有することを特徴とする請求項32に記載の液晶表示装置。前記各画素で第1方向へ配向された第1領域及び前記第1方向と異なる第2方向へ配向された第2領域を含み、前記第1基板の上に配置された第1配向膜と、前記第2基板の上に配置されて前記第1配向膜と対向する第2配向膜とをさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。前記第1及び第2配向膜各々は照射される光によって、分解decomposition、二量体化反応dimerization、及び異性化反応isomerizationの中でいずれか1つの反応がおきる高分子物質でなされたことを特徴とする請求項34に記載の液晶表示装置。複数の列と複数の行でなされた複数の画素領域を有する第1ベース基板と、前記画素領域に配置された画素電極と、前記画素電極をカバーし、前記列に沿って延長され、第1方向へ配向された複数の第1配向領域と、前記第1配向領域に交互して配置されて複数の第2配向領域とを含む第1配向膜と、前記第1ベース基板に対向する第2ベース基板と、前記第2ベース基板の上に配置されて前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極をカバーし、前記行に沿って延長されて前記第1方向と垂直1第3方向へ配向された複数の第3配向領域と、前記第3配向領域に交互して配置され、前記第3方向の逆方向である第4方向へ配向された複数の第4配向領域とを含む第2配向膜と、前記第1配向膜及び前記第2配向膜の間に配置された液晶層を含み、前記第1及び第2配向領域各々は平面の上で同一の行に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳し、前記第3及び第4配向領域各々は平面の上で同一の列に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳することを特徴とする液晶表示装置。前記液晶層は前記第1及び第3配向領域が重畳する第1ドメインと、前記第1及び第4配向領域が重畳する第2ドメインと、前記第2及び第3配向領域が重畳する第3ドメインと、前記第2及び第4配向領域が重畳する第4ドメインとを含み、各ドメインで相異なる方向へ配向される特徴とする請求項36に記載の液晶表示装置。前記第1乃至第4ドメインの中で相異なる画素領域に属しながら互いに隣接する2ドメインは同一の方向へ配向されたことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。前記液晶層は前記第1ドメインで前記第1及び第3方向のベクトルの合計で定義された第5方向へ配向され、前記第2ドメインで前記第1及び第4方向のベクトルの合計で定義された第6方向へ配向され、前記第3ドメインで前記第2及び第3方向のベクトルの合計で定義された第7方向へ配向され、前記第4ドメインで前記第2及び第4方向のベクトルの合計で定義された第8方向へ配向されることを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。各画素領域は前記第1乃至第4ドメインを含み、前記画素領域の中で1つの画素領域での前記第1乃至第4ドメインの配列順序は前記1つの画素領域に隣接する画素領域での前記第1乃至第4ドメインの配列順序と異なることを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置。前記各画素領域において、前記第1乃至第4ドメインの配向方向が右回りの方向、又は左回りの方向へ循環する画素領域を循環型画素領域と称し、前記第1及び第4ドメインの配向方向、又は前記第2及び第3ドメインの配向方向が互いに対向するか、或いは反対方向に向ける画素領域を収斂発散型画素領域と称する時、前記循環型画素領域と前記収斂発散型画素領域とは前記行と前記列に沿って交互的に配置されることを特徴とする請求項40に記載の液晶表示装置。前記各画素領域が前記第1配向領域と重畳する部分の面積は前記各画素領域が前記第2配向領域と重畳する部分の面積と同一であることを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。前記各画素領域が前記第3配向領域と重畳する部分の面積と前記各画素領域に前記第4配向領域と重畳する部分の面積は同一であることを特徴とする請求項42に記載の液晶表示装置。前記第1乃至第4配向領域各々が互いに隣接する2画素領域の中で1つと重畳された面積は前記互いに隣接する画素領域の中で残りの1つと重畳する面積と異なることを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。前記第1ベース基板の上に前記行の延長方向へ延長されて前記列の延長方向へ配列された複数のゲートラインと、前記列方向へ延長されて前記行の延長方向へ配列された複数のデータラインとをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の液晶表示装置。前記各画素領域は前記ゲートラインの中で1つと前記データラインの中で1つとに接続された薄膜トランジスタをさらに含み、前記薄膜トランジスタは前記画素電極の中で対応する画素電極に接続されたことを特徴とする請求項45に記載の液晶表示装置。前記各画素電極は互いに隣接する2つのデータライン間に配置され、同一の階調に対して相異なる電圧を受信する第1サブ画素電極と第2サブ画素電極とを含むことを特徴とする請求項45に記載の液晶表示装置。前記各画素領域は前記ゲートラインの中で1つと前記互いに隣接する2つのデータラインの中で1つとに接続された第1薄膜トランジスタと、前記ゲートラインの中で1つと前記互いに隣接する2つのデータラインの中で残りの1つとに接続された第2薄膜トランジスタとを含み、前記第1サブ画素電極は前記第1薄膜トランジスタと接続され、前記第2サブ画素電極は前記第2薄膜トランジスタに接続されたことを特徴とする請求項47に記載の液晶表示装置。前記各画素領域に配置された第1サブ画素電極と前記第2サブ画素電極とは前記列の延長方向へ配列され、前記第1サブ画素電極は前記第1配向領域と前記第2配向領域の中で1つと重畳し、前記第2サブ画素電極は前記第1配向領域と前記第2配向領域の中で残りと重畳することを特徴とする請求項47に記載の液晶表示装置。前記第1サブ画素電極は前記第3配向領域と前記第4配向領域の中で1つと重畳し、前記第2サブ画素電極は前記第3配向領域と前記第4配向領域の中で残りと重畳することを特徴とする請求項47に記載の液晶表示装置。複数の画素を含む液晶表示装置において、各画素は、2つの行と2つの列でなされた行列の形態に配列された4つのサブ画素領域を含む第1ベース基板と、前記サブ画素領域に配置されたサブ画素電極と、前記サブ画素電極をカバーし、互いに反対方向へ配向された第1配向領域と第2配向領域とを含む第1配向膜と、前記第1ベース基板に対向する第2ベース基板と、前記第2ベース基板の上に配置され、前記サブ画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極をカバーし、前記第1配向膜の配向方向と直角をなして互いに反対方向へ配向された第3配向領域と第4配向領域を含む第2配向膜と、前記第1配向膜と前記第2配向膜の間に配置された液晶層とを含み、前記第2配向領域は同一の行に配置された互いに隣接する2サブ画素領域の一部と重畳しながら前記第1配向領域との間に配置され、前記第4配向領域は同一の列に配置された互いに隣接する2サブ画素領域の一部と重畳しながら第3配向領域との間に配置されることを特徴とする液晶表示装置。前記液晶層は前記第1乃至第4配向領域の中で平面の上で互いに対応する2配向領域に沿って相異なる方向へ配向される複数のドメインを含むことを特徴とする請求項51に記載の液晶表示装置。各サブ画素領域の液晶層は平面の上で前記第1配向領域と前記第3配向領域が重畳する第1ドメインと、前記第1配向領域と前記第4配向領域が重畳する第2ドメインと、前記第2配向領域と前記第3配向領域とが重畳する第3ドメインと、前記第2配向領域と前記第4配向領域が重畳する第4ドメインとを含み、前記第1乃至第4ドメインの配列順序は前記サブ画素領域毎に異なることを特徴とする請求項52に記載の液晶表示装置。したがって、本発明の目的は開口率及び透過率を増加させて表示品質を改善することができる液晶表示装置を提供するものである。本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第1基板、配向膜、第2基板、及び液晶層を含む。前記第1基板は多数の画素領域に各々対応して配置された多数の画素電極を含み、前記第2基板は前記多数の画素電極と対向する共通電極を含む。前記配向膜は前記第1及び第2基板間に配置され、前記画素領域各々に対応して第1方向へ配向した第1領域、前記第1方向と反対になる第2方向へ配向した第2領域、前記第1方向と異なる第3方向へ配向した第3領域及び前記第3方向と反対になる第4方向へ配向した第4領域を備えている。前記液晶層は前記第1及び第2基板間に配置され、前記第1乃至第4領域によって前記各画素領域に定義された多数のドメインで相異なる方向へ配向する液晶分子を含む。この場合、前記多数の画素電極各々は前記多数のドメインの中で少なくとも1つのドメインに対応して前記第1乃至第4方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を備える。本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、多数の画素が配置された第1基板、前記第1基板と対向する第2基板、及び前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層を含む。各画素は相異なる液晶配向方向を有する多数のドメインを含み、前記第1及び第2基板の中で少なくとも1つは前記ドメインの境界部に対応して位置する光遮断膜を含む。前記光遮断膜の端部は前記光遮断膜を基準として互いに隣接する2つのドメインの液晶配向方向の中でいずれか1つと平行な方向に面取りされる。本発明のその他の実施形態による液晶表示装置は、第1ベース基板、前記第1ベース基板の上に配置された画素電極、前記画素電極をカバーする第1配向膜、前記第1基板に対向する第2ベース基板、前記第2ベース基板の上に配置された共通電極、前記共通電極をカバーする第2配向膜及び前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層を含む。前記第1ベース基板は複数の列と複数の行を含む複数の画素領域を有し、前記画素電極は前記画素領域に配置される。前記第1配向膜は前記列に沿って延長されて第1方向へ配向した複数の第1配向領域と、前記第1配向領域に交互に配置されて前記第1方向の逆方向である第2方向へ配向された複数の第2配向領域を含む。前記第2配向膜は前記行に沿って延長されて前記第1方向と垂直1第3方向へ配向された複数の第3配向領域と、前記第3配向領域に交互して配置されて前記第3方向の逆方向である第4方向へ配向された複数の第4配向領域を含む。前記第1及び第2配向領域各々は平面の上で同一行に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳し、前記第3及び第4配向領域各々は平面の上で同一列に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳する。前記液晶層は前記第1及び第3配向領域が重畳する第1ドメインと、前記第1及び第4配向領域が重畳する第2ドメインと、前記第2及び第3配向領域が重畳する第3ドメイン、及び前記第2及び第4配向領域が重畳する第4ドメインを含む。ここで前記液晶層は各ドメインで相異なる方向へ配向される。各画素領域は前記第1乃至第4ドメインを含み、前記画素領域の中で1つの画素領域での前記第1乃至第4ドメインの配列順序は前記1つの画素領域に隣接する画素領域での前記第1乃至第4ドメインの配列順序と異なる。前記各画素領域において、前記第1乃至第4ドメインの配向方向が右回りの方向、又は左回りの方向に循環する画素領域を循環型画素領域と称し、前記第1及び第4ドメインの配向方向、又は前記第2及び第3ドメインの配向方向が互いに対向するか、或いは反対方向に向ける画素領域を収斂発散型画素領域と称する時、前記循環型画素領域と前記収斂発散型画素領域とは前記行と前記列に沿って交互的に配置される。このような液晶表示装置によれば、第1配向膜が第1及び第2方向へ配向し、第2配向膜が第3及び第4方向へ配向する場合、画素電極には前記第1乃至第4方向の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を備える。画素領域に液晶配向方向が相異なる多数のドメインが定義された場合、各ドメインの液晶配向方向にしたがって、前記延長部が形成される位置が決定され得る。よって、液晶配向方向が隣接する画素電極側を向かうドメインの境界で発生するフリンジフィールドfringefield領域をブラックマトリクスが形成された遮光領域内側へ移動させることができる。したがって、液晶表示装置の全体の開口率及び透過率を向上させることができる。また、イオン性不純物のマイグレーションによって発生する線残像を減少させた高品質な液晶表示装置を提供できる。本発明は多様な変更を加えることができ、色々な形態を有することができる。ここでは、特定実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定するわけではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むことと理解されなければならない。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用する。添付の図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示していることがある。第1、第2等の用語は多様な構成要素を説明するのに用いられるが、構成要素は用語により限定されるわけではない。用語は1つの構成要素を他の構成要素と区別する目的のみで用いられる。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないで、第1構成要素は第2構成要素と称され、類似に第2構成要素も第1構成要素と称される。単数表現は文脈で明白に指摘しない限り、複数の表現を含む。本出願の明細書で、含む、又は有する等の用語は明細書に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせることが存在すること意味し、1つ、又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組み合わせの存在、又は付加可能性をあらかじめ排除しないこととして理解されなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分上にあるとする場合、これは他の部分の真上にある場合のみでなくその中間にその他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分下にあるとする場合、これは他の部分の真下にある場合のみでなくその中間にその他の部分がある場合も含む。以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態をより詳細に説明する。図1は本発明の第1実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図2は図1に示した液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。図3は図2のI-I’線の断面図である。図1乃至図3を参照すれば、本発明の第1実施形態による液晶表示装置400は第1基板100、第2基板200、及び第1基板100と第2基板200との間に配置された液晶層300を含む。第1基板100は第1ベース基板110、ゲートラインGL、データラインDL、薄膜トランジスタTFT、画素電極PE、及び第1配向膜120を含む。第1ベース基板110は複数の画素領域PAを有する。図2及び図3では説明の便宜上1つの画素領域PAのみを表示し、実際に液晶表示装置400に画素領域PAが複数の列と複数の行とを有したマトリクス形態に配列される。画素領域PAは互いに同一の構造を有するので、以下では、説明の便宜上、1つの画素領域PAのみを一例として説明する。ここで、画素領域PAは一方向へ長く延長された長方形状とされるが、これに限定されるのではない。画素領域PAの形状はV字形状、Z字形状等の形状に多様に変形できる。画素領域PAにはゲートラインGL、データラインDL、薄膜トランジスタTFT及び画素電極PEが配置される。ゲートラインGLは第1ベース基板110の上に一方向へ延長されて配置される。データラインDLは第1ベース基板110の上にゲートラインGLと絶縁されるように交差して配置される。薄膜トランジスタTFTはゲートラインGLとデータラインDLとの交差部に隣接して配置される。薄膜トランジスタTFTは、ゲートラインGLから分岐されたゲート電極GE、データラインDLから分岐されたソース電極SE及びソース電極SEから離隔されたドレイン電極DEを含む。画素電極PEはドレイン電極DEに接続される。図3を参照すれば、第1ベース基板110の上の画素領域PAにはゲートラインGLとゲート電極GEとが配置される。ゲートラインGLの上には第1絶縁層151を間に置いて半導体パターンSMが配置される。半導体パターンSM等が形成された第1ベース基板110の上にはデータラインDL、ソース電極SE及びドレイン電極DEが配置される。ここで、半導体パターンSMはソース電極SEとドレイン電極DEとの間で導通チャンネルconductivechannelを形成する。ソース電極SE及びドレイン電極DE等が形成された第1絶縁層151の上には第2絶縁層152が配置される。第2絶縁層152の上には有機層153が配置される。有機層153の上には画素電極PEが配置され、第2絶縁層152と有機層153とを貫通して形成されたコンタクトホールCHを通してドレイン電極DEと電気的に接続される。第1配向膜は画素電極PEを覆うように画素電極PEの上に形成される。第2基板200は第1基板100に対向して配置される。第2基板200は、第2ベース基板210、カラーフィルタCF、ブラックマトリクス241、共通電極CE、及び第2配向膜220を含む。カラーフィルタCF及びブラックマトリクス241は第2ベース基板210の上に配置される。共通電極CE及び第2配向膜220はカラーフィルタCF及びブラックマトリクス241の上に順次形成される。カラーフィルタCFは画素領域PAに対応して配置される。各カラーフィルタCFは赤色、緑色、又は青色の中でいずれか1つの色を有する。ブラックマトリクス241は複数のカラーフィルタCFとの間に形成され、複数のカラーフィルタCFの間の液晶層300を透過する光を遮断する。共通電極CEはカラーフィルタCF及びブラックマトリクス241の上に配置される。第2配向膜220は共通電極CEを覆う。液晶層300は第1配向膜120と第2配向膜220との間に配置される。液晶層300は垂直配向型液晶モードである。しかし、これに限定されるわけではなく、例えば、ツイステッドネマチック型液晶twistednematicliquidcrystalsモードであってもよい。ゲートラインGLを通して供給される駆動信号に応答して薄膜トランジスタTFTがターンオンされると、データラインDLを通して供給される画像信号がターンオンされた薄膜トランジスタTFTを通して画素電極PEに供給される。したがって、共通電極CEには共通電圧が印加されて画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が発生する。電界によって液晶層300の液晶分子が駆動される結果、液晶層300を透過する光量によって画像が表示される。液晶分子のプレチルト角pre-tiltangleは液晶層に電界が印加される前に液晶分子が回転、又はチルトした角度である。液晶層300に含まれた液晶分子のプレチルト角は第1配向膜120と前記第2配向膜220との特性によって変化する。液晶層300は垂直配向液晶を含む場合、垂直配向液晶は基板の表面に対して88 ゚乃至89 ゚のプレチルト角を有する。本発明の一実施形態として、第1及び第2配向膜120、220の各々は多数の領域を含み、各領域で異なる方向へ配向される。以下、第1及び第2配向膜120、220を配向するために使われる方法に対しては後述する。第1配向膜120および第2配向膜220を各領域で特定方向へ配向するために使われる方法は光を利用するものである。例えば、前記方法は異なる偏光方向を有する紫外線を配向膜へ照射する方法や、配向膜の表面に対して傾いた光を配向膜へ照射する方法等がある。図4A及び図4Bは表示パネルの第1基板の上に配置された第1配向膜の配向過程を示した断面図であり、図5は図4Aに示した第1マスクの平面図である。図4A及び図4Bを参照すれば、画素電極PEを覆うために第1配向膜120が第1ベース基板110の上に形成される。先に説明した通り、第1ベース基板110と画素電極PEとの間には1つ以上の層が配置されるが、説明の便宜上、図4A及び図4Bでは省略している。第1配向膜120は、光例えば、紫外線UV、又はレーザの照射により分解decomposition、二量体化反応dimerization、異性化反応isomerizationの中の1つの反応がおこりポリビニルシンナメートpolyvinylcinnamate:PVCN系物質、又はポリシロキサンシンナメートpolysiloxanecinnamate:PSCN系物質、セルロースシンナメートCellulosecinnamate:CelCN系物質等のような高分子物質を含むようにしてもよい。第1配向膜120の上部には複数の第1開口部131が形成された第1マスク130が配置される。図5に示すように、第1マスク130で複数の第1開口部131は第1方向D1に並べて延長される。一方、画素領域PAは第1方向D1と直角をなす方向に二分割された第1領域A1と第2領域A2とを含む。この場合、第1マスク130の第1開口部131の各々は画素領域PAの第1領域A1の上に対応して位置する。第1開口部131が第1領域A1に対応して配置されれば、第1配向膜120の表面に対して所定角度θに傾いた光を第1配向膜120へ照射して第1配向膜120の第1領域A1を1次露光する。所定角度θは40 ゚乃至45 ゚の範囲を有するようにしてもよい。特に、1次露光の時、光を出射する露光装置図示せずは第1方向D1へ第1開口部131に沿って移動しながら第1領域A1に光を照射することができる。第1配向膜120表面に斜めに光を照射する方法は第1ベース基板110を傾けるか、或いは光源を傾けることによって可能である。続いて、第1開口部131が画素領域PAの第2領域A2に対応するように第1マスク130をシフトさせる。第1開口部131が第2領域A2に対応して配置されれば、第1配向膜120の第2領域A2に光を斜めに傾けて照射することによって2次露光を実行する。特に、2次露光の時、光源は第1方向D1と反対になる第2方向D2へ第1開口部131に沿って移動して第2領域A2に光を照射する。上のような露光工程が完了すれば、第1配向膜120を第1領域A1で第1方向D1へ第1角度にチルトさせ、第2領域A2で第2方向D2へ第2角度にチルトさせる。例えば、第1配向膜120がチルトされた角度を以下第1配向膜120のプレチルト角と称し、プレチルト角は85 ゚乃至89 ゚をとり得る。したがって、第1配向膜120は無電界状態でプレチルト角程度液晶層図示せずの液晶分子が傾くように垂直配向させることができる。本実施形態によれば、液晶分子が配向される方向を精度に制御することができる。また、光を利用して第1配向膜を配向する方法が開示されているが、本発明はこれに限定されるわけではない。配向膜を配向するための他の方法、例えば、ラビング方式rubbingmethod、又は反応性メソゲンReactiveMesogens方式と同一の方式が適用されてもよい。図6A及び図6Bは表示パネルの対向基板の上に配置された第2配向膜の配向過程を示した断面図であり、図7は図5Aに示した第2マスクの平面図である。図6A及び図6Bを参照すれば、第2基板200は第2ベース基板210及び第2ベース基板210の上に形成された共通電極CEを含む。図6A及び図6Bでは説明の便宜上、共通電極CEが1つの画素領域PAに対応して形成された構造を示したが、共通電極CEは第2ベース基板210の上に全体的に形成される。また、第2ベース基板210と共通電極CEとの間には1つ以上の層が配置されているが、説明の便宜上、図6A及び図6Bでは省略している。第2基板200の上には共通電極CEを覆うように第2配向膜220が配置される。第2配向膜220は光例えば、紫外線UV、又はレーザの照射によって分解decomposition、二量体化反応dimerization、異性化反応isomerizationの中で1つの反応がなされるポリビニルシンナメートpolyvinylcinnamate:PVCN系物質、又はポリシロキサンシンナメートpolysiloxanecinnamate:PSCN系物質、セルロースシンナメートCellulosecinnamate:CelCN系物質等と同一の高分子物質を含むようにしてもよい。第2配向膜220の上部には複数の第2開口部231が形成された第2マスク230が配置される。図7に示したように第2マスク230で複数の第2開口部231は第1方向D1図5に示されると直角をなす第3方向D3へ並べて延長される。一方、画素領域PAは第1方向D1に二分割された第3領域A3と第4領域A4とを含む。この場合、第2マスク230の第2開口部231の各々は画素領域PAの第3領域A3の上部に位置する。第2配向膜220の表面に対して所定角度に傾いた光が第2配向膜220へ照射され、第2配向膜220の第3領域A3を3次露光する。3次露光の時、光源は第3方向D3へ第2開口部231に沿って移動しながら、第3領域A3へ光を照射することができる。第2ベース基板210を傾けるか、或いは光源を第2配向膜220の表面に対して傾けることによって、光を第2配向膜220表面に所定角度に傾けて照射することができる。次に、第2開口部231が各画素領域PAの第4領域A4に対応するように第2マスク230をシフトさせる。第2開口部231が第4領域A4に対応して配置されれば、第2配向膜220の表面に対して所定角度に傾いた光を第4領域A4へ照射することによって、第2配向膜220の第4領域A4の4次露光工程を実行する。特に、4次露光の時、光源は第3方向D3と反対になる第4方向D4へ第2開口部231に沿って移動して第4領域A4へ光を照射する。上のような露光工程が完了すれば、第2配向膜220を第3領域A3で第3方向D3へ第3角度にチルトさせ、第4領域A4で第4方向D4へ第4角度にチルトさせる。例えば、第2配向膜220のプレチルト角は85 ゚乃至89 ゚をとり得る。したがって、第2配向膜220は無電界状態でプレチルト角程度液晶層図示せずの液晶分子が傾くように垂直配向させることができる。図8A乃至図8Cは第1及び第2配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。特に、図8Aは図4Bの第1配向膜の配向方向を示した平面図であり、図8Bは図6Bの第2配向膜の配向方向を示した平面図であり、図8Cは画素電極の平面図である。図8A乃至図8Cを参照すれば、第1基板100で画素領域PAは第1及び第2領域A1、A2で区分され、第1領域A1で第1配向膜120は第1方向D1に配向され、第2領域A2で第1配向膜120は第2方向D2へ配向される。一方、第2基板200で画素領域PAは第3及び第4領域A3、A4で区分され、第3領域A3で第2配向膜220は第3方向D3へ配向され、第4領域A4で第2配向膜220は第4方向D4へ配向される。第1基板100と第2基板200とが互いに対向して結合されれば、図8Cに示したように第1基板100と第2基板200との間には第1及び第3領域A1、A3が重畳する領域に対応する第1ドメインDM1、第1及び第4領域A1、A4が重畳する領域に対応する第2ドメインDM2、第2及び第3領域A2、A3が重畳する領域に対応する第3ドメインDM3及び第2及び第4領域A2、A4が重畳する領域に対応する第4ドメインDM4が形成される。第1及び第2配向膜120、220の間に配置された液晶層300で、液晶分子は各ドメインで異なる方向へ配向される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶分子は4つの異なる方向へ配向される。より具体的には、第1ドメインDM1での液晶分子は第1及び第2配向膜120、220が各々配向される第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5へ配列され、第2ドメインDM2での第1及び第2配向膜120、220が各々配向される第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6へ配列される。第3ドメインDM3で第1及び第2配向膜120、220が各々配向される第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7へ配列され、第4ドメインDM4での第1及び第2配向膜120、220が各々配向される第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8へ配列できる。したがって、図8Cに示したように液晶層300の液晶分子は第1乃至第4ドメインDM1~DM4で右回り方向へ順次循環する方向に配向される。このように、異なる方向に配向される液晶分子を有する複数のドメインDM1~DM4を画素領域に形成することによって、液晶表示装置400の広い視野角を確保することができる。また、第1基板100に配置された画素電極PEは第1乃至第4ドメインDM1~DM4の中で少なくとも1つのドメインに対応する画素電極PEのある部分に第1乃至第4方向D1~D4の中で少なくとも一方向へ延長された延長部を配置する。具体的には、液晶層300の配向方向が図8Cに示したように第1乃至第4ドメインDM1~DM4で右回り方向へ順次循環する場合、画素電極PEの延長部は第1乃至第4ドメインDM1~DM4に対応する画素電極PEの領域で画素電極PEのエッジに沿って位置する第1延長部111a、第2延長部111b、第3延長部111c及び第4延長部111dを含むことができる。第1延長部111aは第1ドメインDM1に対応する画素電極PEの領域で第1方向D1へ外側に延長される。即ち、第1延長部111aは第1ドメインDM1に対応する画素電極PEの領域で画素電極PEの外側エッジに沿って位置する。第2延長部111bは第2ドメインDM2に対応する画素電極PEの領域で第4方向D4へ画素電極PEの外側に延長される。また、第3延長部111cは第3ドメインDM3に対応する領域で第3方向D3へ画素電極PEの外側に延長され、第4延長部111dは第4ドメインDM4に対応する領域で第2方向D2へ画素電極PEの外側に延長される。画素電極PEと画素電極PEに隣接する隣接画素電極との間のフリンジフィールドfringefieldによって画素電極PEと隣接画素電極との間の境界で液晶分子が異常に配向以下、誤配向という。され得る。2つの隣接する画素電極PEの間で発生するフリンジフィールドの位置は液晶分子が各隣接画素で配向される方向によって決定され得る。即ち、液晶分子の配向方向が隣接画素電極に向ける領域で画素電極PEと隣接画素電極図8Cに示してないとの間にフリンジフィールドが発生する。本発明の一実施形態で、画素電極PEと隣接画素電極との間にフリンジフィールドが形成される位置に第1乃至第4延長部111a、111b、111c、111dが形成される。このように、第1乃至第4延長部111a、111b、111c、111dを形成すれば、画素電極PEと隣接画素電極との間の境界は光を遮断して光の漏れを防止するブラックマトリクス241が形成された遮光領域へ移動できる。このように、フリンジフィールドが形成される境界部分が遮光領域へ移動されれば、誤配向領域が遮光領域の内側に位置され、液晶分子の誤配向によって漏洩される光が遮断される。その結果、画素間の境界部で液晶分子の誤配向によって液晶表示装置400の全体開口率及び透過率が減少することを防止することができる。図9A乃至図9Cは本発明の他の実施形態による第1及び第2配向膜の配向方向及び画素電極の形状を示した平面図である。特に、図9Aは本発明の他の実施形態による第1配向膜の配向方向を示し、図9Bは本発明の他の実施形態による第2配向膜の配向方向を示し、図9Cは本発明の他の実施形態による画素電極の平面図である。図9A乃至図9Cを参照すれば、第1基板100で画素領域PAは第1及び第2領域A1、A2で区分され、第1配向膜120は第1領域A1で第1方向D11に配向され、第2領域A2で第2方向D2へ配向される。一方、第2基板200で画素領域PAは第3及び第4領域A3、A4で区分され、第2配向膜220は第3領域A3で第3方向D3へ配向され、第4領域A4で第4方向D4へ配向される。第1基板100と第2基板200が互いに対向して結合されれば、図9Cに示したように第1基板100と第2基板200との間には前記第1及び第3領域A1、A3が重畳する領域に対応して第1ドメインDM1が形成され、第1及び第4領域A1、A4が重畳する領域に対応して第2ドメインDM2が形成され、第2及び第3領域A2、A3が重畳する領域に対応して第3ドメインDM3が形成され、第2及び第4領域A2、A4が重畳する領域に対応して第4ドメインDM4が形成される。この場合、液晶分子は第1ドメインDM1で第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5に配列され、第2ドメインDM2で液晶分子は第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6に配列され、第3ドメインDM3で液晶分子は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7に配列され、第4ドメインDM4で液晶分子は第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8に配列される。したがって、図9Cに示したように、第2及び第3ドメインDM2、DM3で液晶層300の配向方向は互いに対向し、第1及び第4ドメインDM1、DM4で液晶層300の配向方向は互いに反対になる。また、第1基板100に配置された画素電極PEは第1乃至第4ドメインDM1~DM4の中で少なくとも1つのドメインに対応する第1乃至第4方向D1~D4の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも1つの延長部を配置する。具体的には、第2及び第3ドメインDM2、DM3の液晶配向方向が互いに対向する場合、画素電極PEの延長部は前記第1ドメインDM1に沿って配置された第1延長部111e及び第2延長部111f、前記第4ドメインDM4に沿って配置された第3延長部111g及び第4延長部111hを含んでもよい。第1延長部111eは画素電極PEから第4ドメインDM4で第1方向D1へ外側に延長され、第2延長部111fは第3方向D3へ延長される。また、第3延長部111gは第2方向D2へ延長され、第4延長部111hは第4方向D4へ延長される。画素電極PE中の液晶配向方向が互いに対向する第2及び第3ドメインDM2、DM3では隣接画素電極との間にフリンジフィールドが発生しない。しかし、液晶配向方向が互いに反対になる第1及び第4ドメインDM1、DM4では隣接画素電極との間にフリンジフィールドが発生する。したがって、第1及び第4ドメインDM1、DM4に対応する領域で画素電極PEに第1乃至第4延長部111e~111hを形成することによって、液晶分子が誤配向された領域をブラックマトリクス241が形成された遮光領域の内側へ移動させ得る。その結果、液晶表示装置の開口率及び透過率を増加させ得る。図10A乃至図10Cは本発明のその他の実施形態による第1及び第2配向膜の配向方向及び第1及び第2画素電極の形状を示した平面図である。特に、図10Aは本発明の他の実施形態による第1配向膜の配向方向を示し、図10Bは本発明の他の実施形態による第2配向膜の配向方向を示し、図10Cは画素領域に配置された画素電極を示す。図10A乃至図10Cを参照すれば、第1基板100で画素領域PAは第1サブ画素領域SPA1及び第2サブ画素領域SPA2で区分される。また、第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2の各々は前記第1及び第2領域A1、A2で区分される。液晶分子は第1領域A1で前記第1方向D1に配向され、前記第2領域A2で前記第2方向D2へ配向される。一方、前記第2基板200で前記第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2は前記第3及び第4領域A3、A4で区分される。前記液晶分子は前記第3領域A3で前記第3方向D3へ配向され、前記第4領域A4で前記第4方向D4へ配向される。第1基板100と第2基板200とが互いに対向して結合されれば、図10Cに示したように第1サブ画素領域SPA1に対応して第1基板100と第2基板200との間には第1及び第3領域A1、A3が重畳して形成された第1ドメインDM1が形成され、第1及び第4領域A1、A4が重畳して形成された第2ドメインDM2が形成され、第2及び第3領域A2、A3が重畳する第3ドメインDM3が形成され、第2及び第4領域A2、A4が重畳して形成された第4ドメインDM4が形成される。また、第2サブ画素領域SPA2に対応して第1基板100と第2基板200との間には第1及び第3領域A1、A3が重畳して形成された第1ドメインDM1、第1及び第4領域A1、A4が重畳して形成された第2ドメインDM2、第2及び第3領域A2、A3が重畳して形成された第3ドメインDM3及び第2及び第4領域A2、A4が重畳して形成された第4ドメインDM4が形成される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶層300に含まれた液晶分子は異なる方向へ配列される。具体的には、第1ドメインDM1で液晶分子は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5へ配列され、第2ドメインDM2で液晶分子は第2及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6へ配列され、第3ドメインDM3で液晶分子は第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7へ配列され、第4ドメインDM4で液晶分子は第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8へ配列される。したがって、第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶層300の配向方向は第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2の各々で左回りの方向へ順次循環する。このように、各サブ画素領域SPA1、SPA2に異なる配向方向を有する複数のドメインDM1~DM4が形成されることによって、液晶表示装置400は広い視野角を確保することができる。また、第1基板100の第1サブ画素領域SPA1に第1画素電極141が配置され、第2サブ画素領域SPA2に第2画素電極142が配置される。第1及び第2画素電極141、142は第1方向D1に互いに隣接して配置される。第1画素電極141は第1乃至第4ドメインDM1~DM4の中で少なくとも1つのドメインに対応して第1乃至第4方向D1~D4の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも1つの延長部を配置する。具体的には、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ順次循環する場合、第1画素電極141の延長部は第1乃至第4ドメインDM1~DM4の各々に沿って配置された第1延長部141a、第2延長部141b、第3延長部141c及び第4延長部141dを含んでもよい。特に、第1延長部141aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長され、第2延長部141bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第3延長部141cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長され、第4延長部141dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長される。一方、第2画素電極142は第1乃至第4ドメインDM1~DM4の中で少なくとも1つのドメインに対応して第1乃至第4方向D1~D4の中で少なくとも一方向へ延長された少なくとも1つの延長部を配置する。具体的に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ順次循環する場合、第2画素電極142の延長部は第1乃至第4ドメインDM1~DM4の各々に沿って配置された第5延長部142a、第6延長部142b、第7延長部142c及び第8延長部142dを含むことができる。第5延長部142aは第3方向D3へ延長され、第6延長部142bは第2方向D2へ延長される。また、第7延長部142cは第1方向D1へ延長され、第8延長部142dは第4方向D4へ延長される。以後、図11乃至図13を参照して各画素に2つのサブ画素が配置された構造を例として画素電極に形成された延長部を具体的に説明する。図11は本発明の第2実施形態による液晶表示装置の画素の等価回路図である。本発明の他の実施形態による液晶表示装置は複数の画素を含む。しかし、図11では説明の便宜上1つの画素のみを示したが、残りの画素もこれと類似の構造を有する。図11を参照すれば、画素PXは第1サブ画素SPX1及び第2サブ画素SPX2を含む。第1サブ画素SPX1は第1薄膜トランジスタTr1、第1液晶キャパシタClc1及び第1ストレージキャパシタCst1を含み、第2サブ画素SPX2は第2薄膜トランジスタTr2、第2液晶キャパシタClc2、第2ストレージキャパシタCst2、第3薄膜トランジスタTr3及びカップリングキャパシタCcpを含む。第1及び第2サブ画素SPX1、SPX2は互いに隣接する2つのデータライン以下、第1データラインDLm及び第2データラインDLm1と称する。間に配置される。また、第1サブ画素SPX1の第1薄膜トランジスタTr1は第1データラインDLm及び第1ゲートラインGLnに接続され、第2サブ画素SPX2の第2薄膜トランジスタTr2は第1データラインDLm及び第1ゲートラインGLnに接続される。具体的には、第1薄膜トランジスタTr1は第1データラインDLmに接続された第1ソース電極、第1ゲートラインGLnに接続された第1ゲート電極、及び第1液晶キャパシタClc1に接続された第1ドレイン電極を含む。第1ストレージキャパシタCst1は第1ドレイン電極と第1ストレージラインSLnとの間に配置されて第1液晶キャパシタClc1に並列接続される。第2薄膜トランジスタTr2は第1データラインDLmに接続された第2ソース電極、第1ゲートラインGLnに接続された第2ゲート電極及び第2液晶キャパシタClc2に接続された第2ドレイン電極を含む。第2ストレージキャパシタCst2は第2ドレイン電極と第2ストレージラインSLn1との間に配置されて第2液晶キャパシタClc2に並列接続される。第1ゲートラインGLnに第1ゲート信号が印加されると、第1及び第2薄膜トランジスタTr1、Tr2が同時にターンオンされる。第1データラインDLmに印加されたデータ電圧はターンオンされた第1及び第2薄膜トランジスタTr1、Tr2を通して第1及び第2液晶キャパシタClc1、Clc2に各々印加される。したがって、第1ゲート信号のハイ区間の間に第1及び第2液晶キャパシタClc1、Clc2には同一の大きさの画素電圧が充電される。一方、第3薄膜トランジスタTr3は第2薄膜トランジスタTr2の第2ドレイン電極に接続された第3ソース電極、第2ゲートラインGLn1に接続された第3ゲート電極及びカップリングキャパシタCcpに接続された第3ドレイン電極を含む。第2ゲートラインGLn1は第1ゲート信号が下降した後に上乗される第2ゲート信号を受信する。第2ゲート信号に応答して第3薄膜トランジスタTr3がターンオンされると、第2液晶キャパシタClc2とカップリングキャパシタCcpとの間で電圧分配が生じ、その結果、第2液晶キャパシタClc2に充電された画素電圧が低くなる。電圧分配以後に第2液晶キャパシタClc2の画素電圧の電圧レベルはカップリングキャパシタCcpの充電率に依存する。結局、第2ゲート信号が受信された以後に、第1液晶キャパシタClc1には第1画素電圧が充電され、第2液晶キャパシタClc2には前記第1画素電圧より低い第2画素電圧が充電できる。図12は図11に示した画素のレイアウト図であり、図13は図12に示した切断線II-IIに沿った断面図である。図12及び図13を参照すれば、液晶表示装置400は第1基板100、第1基板100と対向して結合する第2基板200、及び第1基板100と第2基板200との間に配置された液晶層300とを含む。第1基板100は第1ベース基板110、第1ベース基板110の上で、第2方向D2へ互いに平行に延長された第1及び第2データラインDLm、DLm1、第1ベース基板110の上で第3方向D3へ延長された第1及び第2ゲートラインGLn、GLn1を含む。また、第1基板100は第3方向D3へ延長された第1ストレージラインSLn、第1ストレージラインSLnから分岐され、第2方向D2へ延長された第1及び第2分岐電極LSLn、RSLnをさらに含む。また、第1基板100は第3方向D3へ延長された第2ストレージラインSLn1、第2ストレージラインSLn1から分岐され、第1方向D1へ延長された第3及び第4分岐電極LSLn1、RSLn1をさらに含む。第1薄膜トランジスタTr1は第1ゲートラインGLnから分岐される第1ゲート電極GE1と、第1データラインDLmから分岐される第1ソース電極SE1と、第1画素電極141と電気的に接続される第1ドレイン電極DE1とを含む。第1画素電極141は第1ストレージラインSLn、第1及び第2分岐電極LSLn、RSLnと部分的にオーバーラップし、第1ストレージキャパシタCst1図11に示されるを形成する。第1画素電極141は異なる方向に配向される液晶分子を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ順次循環する。図12に示すように、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ順次循環する場合、第1画素電極141の第1延長部141aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第1画素電極141の第2延長部141bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第1画素電極141の第3延長部141cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第1画素電極141の第4延長部141dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。一方、第2薄膜トランジスタTr2は第1ゲートラインGLnから分岐され第2ゲート電極GE2と、第1データラインDLmから分岐される第2ソース電極SE2と第2画素電極142と電気的に接続される第2ドレイン電極DE2を含む。第2画素電極142は第2ストレージラインSLn1、第3及び第4分岐電極LSLn1、RSLn1と部分的にオーバーラップして第2ストレージキャパシタCst2図11に示されるを形成する。第2画素電極142は異なる方向に配向される液晶分子を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ順次循環する。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ循環する場合、第2画素電極142の第5延長部142aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第2画素電極142の第6延長部142bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第2画素電極142の第7延長部142cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第2画素電極142の第8延長部142dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて前記第2データラインDLm1とオーバーラップする。前記第1基板100は前記第3薄膜トランジスタTr3及び前記カップリングキャパシタCcpをさらに含む。前記第3薄膜トランジスタTr3の第3ゲート電極GE3は第2ゲートラインGLn1から分岐され、第3ソース電極SE3は第2ドレイン電極DE2から延長され、第3ドレイン電極DE3はカップリングキャパシタCcpに接続される。カップリングキャパシタCcpは第3ドレイン電極DE3から延長された第1電極CE1及び第2分岐電極RSLnから延長されて第1電極CE1と対向する第2電極CE2でなされる。しかし、カップリングキャパシタCcpの構造はこれに限定されない。図13を参照すれば、第1基板100は第1絶縁膜151、第2絶縁膜152及び有機膜153をさらに含む。一方、第2基板200は第2ベース基板210、ブラックマトリクス241、カラーフィルタ層R、G、B、共通電極211及び第2配向膜220を含む。ブラックマトリクス241は第1基板100の遮光領域に対応して形成される。遮光領域は第1及び第2データラインDLm、DLm1、第1乃至第3薄膜トランジスタTr1~Tr3、カップリングキャパシタCcp及び第1及び第2ゲートラインGLn、GLn1が形成された領域で定義できる。遮光領域には第1及び第2画素電極141、142が形成されないので、液晶分子が配向できなくて光漏れが発生し得る。したがって、ブラックマトリクス241は遮光領域に形成されて光漏れを遮断する。本発明の一実施形態によれば、ブラックマトリクス241は第1画素電極141の第1及び第4延長部141a、141dと部分的にオーバーラップし得る。図面に図示しないが、ブラックマトリクス241は第1画素電極141の第2及び第3延長部141b、141cと部分的にオーバーラップし、第2画素電極142の第5乃至第8延長部142a、142b、142c、142dと部分的にオーバーラップし得る。第1乃至第8延長部141a~141d、142a~142dをブラックマトリクス241とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動され得る。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置の全体開口率及び透過率が減少することを防止することができる。一方、共通電極211は第1画素電極141と対向して第1液晶キャパシタClc1を形成する。図面に示さないが、共通電極CEは第2画素電極142と対向して第2液晶キャパシタClc2を形成する。図14A乃至図14Cは本発明のその他の実施形態による第1及び第2配向膜の配向方向と第1及び第2画素電極の形状とを示した平面図である。特に、図14Aは本発明の他の実施形態による第1配向膜の配向方向を示し、図14Bは本発明の他の実施形態による第2配向膜の配向方向を示し、図14Cは画素領域に配置された第1及び第2画素電極を示す。図14A乃至図14Cを参照すれば、第1基板100で画素領域PAは第1サブ画素領域SPA1及び第2サブ画素領域SPA2で区分される。また、第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2の各々は第1及び第2領域A1、A2で区分される。第1領域A1は第1方向D1に配向され、第2領域A2は第2方向D2に配向される。一方、第2基板200で第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2は第3及び第4領域A3、A4で区分される。第3領域A3は第3方向D3へ配向され、第4領域A4は第4方向D4へ配向される。第1基板100と第2基板200とが互いに対向して結合されれば、図14Cに示したように第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2に対応して第1基板100と第2基板200との間には第1及び第3領域A1、A3が重畳する第1ドメインDM1、第1及び第4領域A1、A4が重畳する第2ドメインDM2、第2及び第3領域A2、A3が重畳する第3ドメインDM3及び第2及び第4領域A2、A4が重畳する第4ドメインDM4が形成される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶層300に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的には、液晶分子は第1ドメインDM1で第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5へ配列され、第2ドメインDM2で液晶分子は第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6へ配列され、前記第3ドメインDM3で液晶分子は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7へ配列され、第4ドメインDM4で液晶分子は第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8へ配列される。したがって、第2及び第3ドメインDM2、DM3で液晶層300の配向方向は互いに対向し、第1及び第4ドメインDM1、DM4で液晶層300の配向方向は互いに反対になる。このように、第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2各々に相異なる配向方向を有する多数のドメインDM1~DM4が形成されることによって、液晶表示装置400は広い視野角を確保することができる。また、第1基板100の第1サブ画素領域SPA1に第1画素電極141が配置され、第2サブ画素領域SPA2に第2画素電極142が配置される。第1及び第2画素電極141、142は第1方向D1に互いに隣接して配置される。第1及び第4ドメインDM1、DM4の液晶配向方向が互いに対向する場合、第1画素電極141は第2ドメインDM2に沿って配置された第1延長部141e及び第2延長部141f、第3ドメインDM3に沿って配置された第3延長部141g及び第4延長部141hを含む。第1延長部141eは第1方向D1へ延長され、第2延長部141fは第4方向D4へ延長される。また、第3延長部141gは第2方向D2へ延長され、第4延長部141hは第3方向D3へ延長される。第1及び第4ドメインDM1、DM4の液晶配向方向が互いに対向する場合、第2画素電極142は第2ドメインDM2に沿って配置された第5延長部142e及び第6延長部142f、第3ドメインDM3に沿って配置された第7延長部142g及び第8延長部142hを含む。第5延長部142eは第1方向D1へ延長され、第6延長部142fは第4方向D4へ延長される。また、第7延長部142gは第2方向D2へ延長され、第8延長部142hは第3方向D3へ延長される。図15は図14Cに示した第1及び第2画素電極が配置された第1基板の平面図であり、図16は図15に示した切断線III-III’に沿った断面図である。但し、図15に示した構成要素の中で図12に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。図15を参照すれば、第1画素電極141は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第2及び第3ドメインDM2、DM3で液晶層300の配向方向は互いに対向する。第2及び第3ドメインDM2、DM3の配向方向が互いに対向する場合、第1画素電極141の第1延長部141eは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長され、第1画素電極141の第2延長部141fは第2ドメインDM2に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第1データラインDLmと部分的にオーバーラップする。また、第1画素電極141の第3延長部141gは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長され、第1画素電極141の第4延長部141hは第3ドメインDM3に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第2データラインDLm1と部分的にオーバーラップする。また、第2画素電極142は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第2及び第3ドメインDM2、DM3で液晶層の配向方向は互いに対向する。第2及び第3ドメインDM2、DM3の配向方向が互いに対向する場合、第2画素電極142の第5延長部142eは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長され、第2画素電極142の第6延長部142fは第2ドメインDM2に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第1データラインDLmと部分的にオーバーラップする。また、第2画素電極142の第7延長部142gは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長され、第2画素電極142の第8延長部142hは第3ドメインDM3に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第2データラインDLm1と部分的にオーバーラップする。図16に示したように第1画素電極141の第1乃至第4延長部141e、141f、141g、141hはブラックマトリクス241と部分的にオーバーラップできる。また、第2画素電極142の第5乃至第8延長部142e、142f、142g、142hもブラックマトリクス241と部分的にオーバーラップし得る。第1乃至第8延長部141e~141h、142e~142hをブラックマトリクス241とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域を遮光領域内側へ移動させることができる。その結果、液晶表示装置400の開口率及び透過率を向上させることができる。図17は本発明の第3実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。図17を参照すれば、本発明の第3実施形態による画素PXは第1サブ画素SPX1及び第2サブ画素SPX2を含む。第1サブ画素SPX1は第1薄膜トランジスタTr1、第1液晶キャパシタClc1及び第1ストレージキャパシタCst1でなされ、第2サブ画素SPX2は第2薄膜トランジスタTr2、第2液晶キャパシタClc2、第2ストレージキャパシタCst2、第3薄膜トランジスタTr3及びカップリングキャパシタCcpを含む。第1薄膜トランジスタTr1は第1データラインDLmに接続された第1ソース電極、第1ゲートラインGLnに接続された第1ゲート電極、第1液晶キャパシタClc1に接続された第1ドレイン電極を含む。第1ストレージキャパシタCst1は第1ドレイン電極と第1ストレージラインSLnとの間に形成され、第1液晶キャパシタClc1に並列接続される。第2薄膜トランジスタTr2は第1データラインDLmに接続された第2ソース電極、第1ゲートラインGLnに接続された第2ゲート電極、第2液晶キャパシタClc2に接続された第2ドレイン電極を含む。第2ストレージキャパシタCst2は第2ドレイン電極と第2ストレージラインSLn1との間に形成され、第2液晶キャパシタClc2に並列接続される。第3薄膜トランジスタTr3は第2ドレイン電極に接続された第3ソース電極、第1ストレージラインSLnに接続された第3ゲート電極及びカップリングキャパシタCcpに接続された第3ドレイン電極を含む。カップリングキャパシタCcpは第3ドレイン電極と第1ストレージラインSLnとの間に形成される。第1ゲートラインGLnに第1ゲート信号が印加されれば、第1及び第2薄膜トランジスタTr1、Tr2が同時にターンオンされる。第1データラインDLmに印加されたデータ電圧はターンオンされた第1及び第2薄膜トランジスタTr1、Tr2を通して第1及び第2液晶キャパシタClc1、Clc2に各々印加される。したがって、第1及び第2液晶キャパシタClc1、Clc2には同一の大きさの画素電圧が充電される。本発明の一実施形態として、データ電圧は0V乃至15V間の大きさを有するようにしてもよい。第3薄膜トランジスタTr3は第1ストレージラインSLnに印加されるストレージ電圧に応答してターンオンされる。例えば、第1ストレージラインSLnには7.5Vのストレージ電圧が印加される。第3薄膜トランジスタTr3のチャンネル幅widthはストレージ電圧によって第3薄膜トランジスタTr3がターンオンされる程の大きさを有するように設定され得る。本発明の一実施形態で、ストレージ電圧によって第3薄膜トランジスタTr3はターンオン状態であるので、第1液晶キャパシタClc1の充電率及びカップリングキャパシタCcpの充電率にしたがって第1液晶キャパシタClc1とカップリングキャパシタCcpとの間で電圧分配が生じる。電圧分配によって第1ロードN1の電位が変化される。即ち、第1ロードN1に正極性のデータ電圧が印加される場合、電圧分配によって第1ロードN1の電位は減少し、第1ロードN1に負極性のデータ電圧が印加される場合、電圧分配によって第1ロードN1の電位は増加する。ここで、第1ロードN1の電位の変動幅はカップリングキャパシタCcpの充電率にしたがって調整することができる。結局、第1液晶キャパシタClc1に第1画素電圧が充電される時、第2液晶キャパシタClc2には第3薄膜トランジスタTr3及びカップリングキャパシタCcpによって第1画素電圧より小さい大きさの第2画素電圧が充電される。図18は図17に示した画素を配置する第1基板の平面図である。図18を参照すれば、第1基板100は第1方向D1へ互いに平行に延長された第1及び第2データラインDLm、DLm1、第3方向D3へ延長された第1ゲートラインGLn、第3方向D3へ延長された第1及び第2ストレージラインSLn、SLn1を含む。第1基板100は第1ストレージラインSLnから分岐されて第1方向D1へ延長された第1分岐電極LSLn、第2分岐電極RSLnを含む。第1薄膜トランジスタTr1の第1ゲート電極GE1は第1ゲートラインGLnから分岐され、第1ソース電極SE1は第1データラインDLmから分岐される。第1薄膜トランジスタTr1の第1ドレイン電極DE1は第1画素電極141と電気的に接続される。第1画素電極141は第1ストレージラインSLn、第1及び第2分岐電極LSLn、RSLnと部分的にオーバーラップされて第1ストレージキャパシタCst1図17に示されるを形成する。第1画素電極141は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ循環する。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第1画素電極141の第1延長部141aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第1画素電極141の第2延長部141bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第1画素電極141の第3延長部141cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第1画素電極141の第4延長部141dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。一方、第2薄膜トランジスタTr2の第2ゲート電極GE2は第1ゲートラインGLnから分岐され、第2ソース電極SE2は第1データラインDLmから分岐される。第2薄膜トランジスタTr2の第2ドレイン電極DE2は第2画素電極142と電気的に接続される。第2画素電極142は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ循環する。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第2画素電極142の第5延長部142aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第2画素電極142の第6延長部142bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第2画素電極142の第7延長部142cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第2画素電極142の第8延長部142dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。第1基板100は第3薄膜トランジスタTr3及びカップリングキャパシタCcpをさらに含む。第3薄膜トランジスタTr3の第3ゲート電極GE3は第1ストレージラインSLnから分岐され、第3ソース電極SE3は第2ドレイン電極DE2から延長され、第3ドレイン電極DE3はカップリングキャパシタCcpに接続される。カップリングキャパシタCcpは第3ドレイン電極DE3から延長された第1電極CE1及び第1ストレージラインSLnから延長されて第1電極CE1と対向する第2電極CE2でなされる。しかし、カップリングキャパシタCcpの構造はこれに限定されない。図19は本発明の第4実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図であり、図20は図17に示した画素を配置する第1基板の平面図である。但し、図19及び図20の画素は第2カップリングキャパシタCcp2を追加で配置する点を除いては図11及び図12に示した画素と類似な構造を有する。図19及び図20を参照すれば、第1カップリングキャパシタCcp1は第3薄膜トランジスタTr3の第3ドレイン電極DE3と第1ストレージラインSLnとの間に形成される。具体的に、第1カップリングキャパシタCcp1は第3ドレイン電極DE3から延長された第1電極CE1及び第1ストレージラインSLnから延長されて第1電極CE1と対向する第2電極CE2とを含む。一方、第2カップリングキャパシタCcp2は第3薄膜トランジスタTr3の第3ドレイン電極DE3と第1液晶キャパシタClc1の第1画素電極141との間に形成される。具体的に、第2カップリングキャパシタCcp2は第1電極CE1から延長された第3電極CE3及び第1画素電極141から延長されて第3電極CE3と対向する第4電極CE4を含む。第2ゲートラインGLn1に印加される第2ゲート信号に応答して第3薄膜トランジスタTr3がターンオンされれば、第1カップリングキャパシタCcp1と第2液晶キャパシタClc2との間で電圧分配が生じる。電圧分配によって、第1カップリングキャパシタCcp1と第2液晶キャパシタClc2とには同一の電圧が充電されるが、第2液晶キャパシタClc2に充電された第2画素電圧は第1液晶キャパシタClc1に充電された第1画素電圧より低くなる。また、第2カップリングキャパシタCcp2を通して第1液晶キャパシタClc1と第1カップリングキャパシタCcp1とを接続すれば、第1カップリングキャパシタCcp1のカップリングによって第1液晶キャパシタClc1に充電された第1画素電圧が上昇する。一方、図20を参照すれば、第1画素電極141は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ循環する。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第1画素電極141の第1延長部141aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第1画素電極141の第2延長部141bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第1画素電極141の第3延長部141cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第1画素電極141の第4延長部141dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。一方、第2薄膜トランジスタTr2の第2ゲート電極GE2は第1ゲートラインGLnから分岐され、第2ソース電極SE2は第1データラインDLmから分岐される。第2薄膜トランジスタTr2の第2ドレイン電極DE2は第2画素電極142と電気的に接続される。第2画素電極142は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。特に、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向は左回りの方向へ循環する。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第2画素電極142の第5延長部142aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第2画素電極142の第6延長部142bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第2画素電極142の第7延長部142cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第2画素電極142の第8延長部142dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。上述のように、第1及び第2画素電極141、142に延長部が形成されれば、液晶表示装置400の開口率及び透過率が向上され得る。図21は本発明の第5実施形態による液晶表示装置に配置された画素の等価回路図である。本発明の第5実施形態による液晶表示装置は多数の画素を含む。しかし、図21では説明の便宜のために1つの画素のみを示したが、残りの画素もこれと類似な構造を有する。図21を参照すれば、画素PXは第1サブ画素SPX1及び第2サブ画素SPX2を含む。第1サブ画素SPX1は第1薄膜トランジスタTr1、第1液晶キャパシタClc1及び第1ストレージキャパシタCst1でなされ、第2サブ画素SPX2は第2薄膜トランジスタTr2、第2液晶キャパシタClc2及び第2ストレージキャパシタCst2を含む。第1及び第2サブ画素SPX1、SPX2は互いに隣接する2つのデータライン以下、第1データラインDLm及び第2データラインDLm1と称するの間に配置される。また、第1サブ画素SPX1の第1薄膜トランジスタTr1は第1データラインDLm及びゲートラインGLnに接続され、第2サブ画素SPX2の第2薄膜トランジスタTr2は第2データラインDLm1及びゲートラインGLnに接続される。第1液晶キャパシタClc1は第1ストレージキャパシタCst1に並列接続され、第2液晶キャパシタClc2は第2ストレージキャパシタCst2に並列接続される。ゲートラインGLnにゲート信号が印加されれば、第1及び第2薄膜トランジスタTr1、Tr2が同時にターンオンされる。第1データラインDLmに印加された第1データ電圧はターンオンされた第1薄膜トランジスタTr1を通して第1液晶キャパシタClc1で印加され、第2データラインDLm1に印加された第2データ電圧はターンオンされた第2薄膜トランジスタTr2を通して第2液晶キャパシタClc2に印加される。第1及び第2データ電圧の大きさは相異なる。したがって、第1及び第2液晶キャパシタClc1、Clc2には相異なる大きさの画素電圧が充電される。本発明の一実施形態として、第1液晶キャパシタClc1に第1画素電圧が充電されれば、第2液晶キャパシタClc2には第1画素電圧より低い大きさの第2画素電圧が充電できる。図22は図21に示した画素が配置された第1基板の平面図である。図22を参照すれば、第1基板100は第1方向D1へ互いに平行に延長された第1及び第2データラインDLm、DLm1、第3方向D3へ延長されたゲートラインGLnを含む。第1薄膜トランジスタTr1の第1ゲート電極GE1はゲートラインGLnから分岐され、第1ソース電極SE1は第1データラインDLmから分岐される。第1薄膜トランジスタTr1の第1ドレイン電極DE1は第1画素電極141と電気的に接続される。第1画素電極141は第1ストレージラインSLn、第1及び第2分岐電極LSLn、RSLnと部分的にオーバーラップして第1ストレージキャパシタCst1図21に示されるを形成する。第1画素電極141は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第1画素電極141の第1延長部141aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第1画素電極141の第2延長部141bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第1画素電極141の第3延長部141cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第1画素電極141の第4延長部141dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。一方、第2薄膜トランジスタTr2の第2ゲート電極GE2はゲートラインGLnから分岐され、第2ソース電極SE2は第2データラインDLm1から分岐される。第2薄膜トランジスタTr2の第2ドレイン電極DE2は第2画素電極142と電気的に接続される。第2画素電極142は第2ストレージラインSLn1、第3及び第4分岐電極LSLn1、RSLn1と部分的にオーバーラップして第2ストレージキャパシタCst2図21に示されるを形成する。第2画素電極142は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第2画素電極142の第5延長部142aは第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする。第2画素電極142の第6延長部142bは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長される。また、第2画素電極142の第7延長部142cは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長される。第2画素電極142の第8延長部142dは第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする。したがって、第1画素電極141の第1乃至第4延長部141a、141b、141c、141dはブラックマトリクス241図13に示されると部分的にオーバーラップし得る。また、第2画素電極142の第5乃至第8延長部142a、142b、142c、142dもブラックマトリクス241と部分的にオーバーラップし得る。第1乃至第8延長部141a~141b、142a~142bをブラックマトリクス241とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動できる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置400の開口率及び透過率が減少することを防止できる。図23は図21に示した画素が配置された本発明の他の実施形態による第1基板の平面図である。但し、図23に示した構成要素の中で図22に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記して、それに対する具体的な説明は省略する。図23を参照すれば、第1及び第2画素電極141、142は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第2及び第3ドメインDM2、DM3の配向方向が互いに対向する場合、第1画素電極141の第1延長部141eは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長され、第1画素電極141の第2延長部141fは第2ドメインDM2に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第1データラインDLmと部分的にオーバーラップする。また、第1画素電極141の第3延長部141gは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長され、第1画素電極141の第4延長部141hは第3ドメインDM3に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第2データラインDLm1と部分的にオーバーラップする。また、第2及び第3ドメインDM2、DM3の配向方向が互いに対向する場合、第2画素電極142の第5延長部142eは第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長され、第2画素電極142の第6延長部142fは第2ドメインDM2に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第1データラインDLmと部分的にオーバーラップする。また、第2画素電極142の第7延長部142gは第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長され、第2画素電極142の第8延長部142hは第3ドメインDM3に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第2データラインDLm1と部分的にオーバーラップする。したがって、第1画素電極141の第1乃至第4延長部141e、141f、141g、141hはブラックマトリクス241図16に示されると部分的にオーバーラップし得る。また、第2画素電極142の第5乃至第8延長部142e、142f、142g、142hもブラックマトリクス241と部分的にオーバーラップし得る。第1乃至第8延長部141e~141h、142e~142hをブラックマトリクス241とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域を遮光領域内側へ移動させることができる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置400の開口率及び透過率が減少することを防止することができる。図24A乃至図24Cは本発明のその他の実施形態による第1及び第2配向膜の配向方向と第1及び第2画素電極の形状を示した平面図である。特に、図24Aは本発明の他の実施形態による第1配向膜の配向方向を示し、図24Bは本発明の他の実施形態による第2配向膜の配向方向を示し、図24Cは画素領域に配置された第1及び第2画素電極を示す。図24A乃至図24Cを参照すれば、第1基板100で画素領域PAは第1サブ画素領域SPA1及び第2サブ画素領域SPA2で区分される。また、第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2の各々は第1及び第2領域A1、A2で区分される。第1領域A1は第1方向D11に配向され、第2領域A2は第2方向D2に配向される。一方、第2基板200で第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2は第3及び第4領域A3、A4で区分される。第3領域A3は第3方向D3に配向され、第4領域A4は第4方向D4へ配向される。ここで、第1サブ画素領域SPA1の第4領域A4と第2サブ画素領域SPA2の第4領域A4は互いに隣接して配置される。本発明の他の一実施形態として、第1サブ画素領域SPA1の第3領域A3と第2サブ画素領域SPA2の第3領域A3とは互いに隣接して配置され得る。第1サブ画素領域SPA1に対応して第1基板100と第2基板200との間には第1及び第3領域A1、A3が重畳する第1ドメインDM1、第1及び第4領域A1、A4が重畳する第2ドメインDM2、第2及び第3領域A2、A3が重畳する第3ドメインDM3及び第2及び第4領域A2、A4が重畳する第4ドメインDM4が形成される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶層300に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的に、液晶分子は第1ドメインDM1で第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5に配列され、第2ドメインDM2で第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6に配列され、第3ドメインDM3で第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7に配列され、第4ドメインDM4で第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8に配列される。したがって、第1乃至第4ドメインDM1~DM4で液晶層300の配向方向は左回りの方向へ循環する。一方、第2サブ画素領域SPA2に対応して第1基板100と第2基板200との間には第1及び第4領域A1、A4が重畳する第5ドメインDM5、第1及び第3領域A1、A3が重畳する第6ドメインDM6、第2及び第4領域A2、A4が重畳する第7ドメインDM7及び第2及び第3領域A2、A3が重畳する第8ドメインDM8が形成される。第5乃至第8ドメインDM5~DM8で液晶層300に含まれた液晶分子は相異なる方向へ配列される。具体的には、液晶分子は第5ドメインDM5で第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第9方向D9に配列され、第6ドメインDM6で第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第10方向D10に配列され、第7ドメインDM7で第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第11方向D11に配列され、第8ドメインDM8で第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第12方向D12に配列される。したがって、第5及び第8ドメインDM5、DM8で液晶層300の配向方向は互いに対向し、第6及び第7ドメインDM6、DM7で液晶層300の配向方向は互いに反対になる。このように、第1及び第2サブ画素領域SPA1、SPA2各々に相異なる配向方向を有する多数のドメインDM1~DM8が形成されることによって、液晶表示装置400は広い視野角を確保することができる。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の液晶配向方向が左回りの方向へ循環する場合、第1画素電極141は第1ドメインDM1に対応して第3方向D3へ延長された第1延長部141a、第2ドメインDM2に対応して第1方向D1へ延長された第2延長部141b、第3ドメインDM3に対応して第2方向D2へ延長された第3延長部141c及び第4ドメインDM4に対応して第4方向D4へ延長された第4延長部141dでなされる。一方、第5及び第8ドメインDM5、DM8の液晶配向方向が互いに対向する場合、第2画素電極142は第6ドメインDM6に対応して第1及び第3方向D1、D3へ各々延長された第5延長部142e及び第6延長部142f、第7ドメインDM7に対応して第2及び第4方向D2、D4へ各々延長された第7延長部142g及び第8延長部142hを含む。図24Cでは第1サブ画素領域SPA1で配向方向が左回りの方向へ循環し、第2サブ画素領域SPA2で第5及び第8ドメインDM5、DM8の液晶配向方向が互いに対向する場合のみを示した。しかし、第1サブ画素領域SPA1で配向方向が右回りの方向へ循環し、この場合、第2サブ画素領域SPA2で第6及び第7ドメインDM6、DM7の液晶配向方向が互いに対向することができる。図25は本発明の他の実施形態による第1基板の平面図である。但し、図25では第1基板100に配置された多数の画素の中で1つの画素のみを示した。図25を参照すれば、第1基板100は第1方向D1へ互いに平行に延長された第1及び第2データラインDLm、DLm1、第3方向D3へ延長されたゲートラインGLnを含む。第1基板100の各画素は第1薄膜トランジスタTr1、第3画素電極143、第2薄膜トランジスタTr2及び第4画素電極を含む。第4画素電極は第1電極部144及び第2電極部145で分離される。第1薄膜トランジスタTr1は第1データラインDLm及びゲートラインGLnに接続され、第2薄膜トランジスタTr2は第2データラインDLm1及びゲートラインGLnに接続される。具体的には、第1薄膜トランジスタTr1の第1ゲート電極GE1はゲートラインGLnから分岐され、第1ソース電極SE1は第1データラインDLmから分岐される。第1薄膜トランジスタTr1の第1ドレイン電極DE1は第3画素電極143と電気的に接続される。第2薄膜トランジスタTr2の第2ゲート電極GE2はゲートラインGLnから分岐され、第2ソース電極SE2は第2データラインDLm1から分岐される。第2薄膜トランジスタTr2の第2ドレイン電極DE2は第4画素電極と電気的に接続される。第1及び第2電極部144、145は第2方向D2に互いに所定間隔離隔されて互いに電気的に接続される。第3画素電極143は第1電極部144と第2電極部145との間に配置され、第1及び第2電極部144、145と電気的に絶縁される。図25に示したように第3画素電極143は相異なる配向方向を有する第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。第1乃至第4ドメインDM1~DM4の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第3画素電極143は第1ドメインDM1に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする第1延長部143a及び第2ドメインDM2に対応する領域で第1方向D1へ延長された第2延長部143bを含む。また、第3画素電極143は第3ドメインDM3に対応する領域で第2方向D2へ延長された第3延長部143c及び第4ドメインDM4に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第2データラインDLm1とオーバーラップする第4延長部143dをさらに含む。第1及び第2電極部144、145は相異なる配向方向を有する第5乃至第8ドメインDM5~DM8で区分される。第5乃至第8ドメインDM5~DM8の配向方向が左回り方向へ循環する場合、第2画素電極144、145の第1電極部144は第5ドメインDM5に対応する領域で第1方向D1へ延長された第5延長部144a、第5ドメインDM5に対応する領域で第3方向D3へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする第6延長部144b及び第7ドメインDM7に対応する領域で第2方向D2へ延長された第7延長部144cを含む。第2電極部145は第6ドメインDM6に対応する領域で第1方向D1へ延長された第8延長部145a、第8ドメインDM8に対応する領域で第2方向D2へ延長された第9延長部145b及び第8ドメインDM8に対応する領域で第4方向D4へ延長されて第1データラインDLmとオーバーラップする第10延長部145cを含む。図面に示さないが、第3画素電極143の第1乃至第4延長部143a、143b、143c、143dはブラックマトリクス241図10に示されると部分的にオーバーラップし得る。また、第1電極部144の第5乃至第7延長部144a、144b、144c及び第2電極部145の第8乃至第10延長部145a、145b、145cもブラックマトリクス241と部分的にオーバーラップし得る。第1乃至第10延長部141a~141b、144a~144c、145a~145cをブラックマトリクス241とオーバーラップさせれば、フリンジフィールドによって液晶分子が誤配向される領域が遮光領域内側へ移動できる。その結果、誤配向領域によって液晶表示装置400の開口率及び透過率が減少することを防止することができる。図26は本発明の第6実施形態による液晶表示装置の平面図である。但し、図26に示した構成要素の中で図12に示した構成要素と同一の構成要素に対しては同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。図26を参照すれば、画素PXは第1サブ画素電極141に対応して形成された光遮断膜BLを含む。特に、光遮断膜BLは第1乃至第4ドメインDM1~DM4の境界に配置されるようにしてもよい。本発明の一実施形態として、光遮断膜BLは第1ストレージラインSLnと平行に延長されたストライプ形状でなされ、第1及び第2ドメインDM1、DM2の境界部及び第3及び第4ドメインDM3、DM4の境界部に位置することができる。また、光遮断膜BLの両端部は第1分岐電極LSLn及び第2分岐電極RSLnに各々接続されることができる。光遮断膜BLの両端部の各々は光遮断膜BLを基準として互いに隣接する2つのドメインの液晶配向方向の中でいずれか1つと平行な方向へ面取りされ得る。光遮断膜BLの両端部の中で第1分岐電極LSLnに接続された第1端部は第1及び第2ドメインDM1、DN2の中でいずれか1つの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。本発明の一実施形態として、光遮断膜BLの第1端部は第2ドメインDM2の液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。一方、光遮断膜BLの両端部の中で第2分岐電極RSLnに接続された第2端部は第3及び第4ドメインDM3、DM4の中でいずれか1つの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。本発明の一実施形態として、光遮断膜BLの第2端部は第3ドメインDM3の液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。図1では光遮断膜BLがストライプ形状を有することを示したが、ここに限定されない。即ち、光遮断膜BLは第1及び第3ドメインDM1、DM3の境界部及び第2及び第4ドメインDM2、DM4の境界部に各々延長されて十字形状を有することができる。光遮断膜BLが十字形状を有する場合、光遮断膜BLの4つの端部の各々が該当ドメインの液晶配向方向と平行な方向へ面取りされ得る。また、図1では光遮断膜BLが第1サブ画素電極141の第1乃至第4ドメインDM1~DM4の境界部に配置される構造を示したが、光遮断膜BLは第2サブ画素電極142の第1乃至第4ドメインDM1~DM4の境界部に配置され得る。このように、光遮断膜BLがドメインDM1~DM4の境界部に配置されれば、ドメインDM1~DM4の境界部で液晶分子の誤配向によって発生されるテキスチャー不良texturedetectが視認されることを防止することができる。また、上述のように光遮断膜BLの第1及び第2端部が面取りされれば面取された面積ぐらい画素PXの開口率及び透過率が増加し得る。図27Aは図26に示したA1部分の拡大図である。図27Aを参照すれば、光遮断膜BLは第2分岐電極RLSnから分岐される。ここで、第2分岐電極RSLnと接続される光遮断膜BLの第2端部は第3ドメインDM3の液晶配向方向図1に示されると平行な方向へ面取された構造を有するようにしてもよい。光遮断膜BLが第2分岐電極RSLnを通して第1ストレージラインSLn図1に示されるに接続されれば、第1ストレージラインSLnを通してストレージ電圧を受信する。したがって、光遮断膜BLは第1サブ画素電極141との間に形成される第1ストレージキャパシタCst1の静電容量を増加させる役割を果たすことができる。図27Aでは光遮断膜BLの第2端部のみを図示したが、光遮断膜BLの第1端部は第1分岐電極LSLnから分岐できる。図27Bは本発明の他の実施形態によるA1部分の平面図である。図27Bを参照すれば、光遮断膜BLは第2分岐電極RLSnと所定間隔に離隔されて配置されることができる。即ち、光遮断膜BLの第2端部が第2分岐電極RSLnと離隔されて電気的に絶縁になれば、光遮断膜BLは第1ストレージラインSLnからストレージ電圧を受信することができない。したがって、光遮断膜BLは第1ストレージキャパシタCst1の静電容量を増加させる役割を果たせない。しかし、光遮断膜BLが第2分岐電極RSLnと離隔されて配置されれば、離隔された空間ぐらい画素の開口率及び透過率が向上され得る。図面に示さないが、光遮断膜BLの第1端部は第1分岐電極LSLnと電気的に接続されるか、或いは絶縁できる。電気的に接続される場合、光遮断膜BLの第2端部が第2分岐電極RSLnと絶縁されても光遮断膜BLは第1分岐電極LSLnを通してストレージ電圧を受信するので、第1ストレージキャパシタCst1の静電容量を増加させる役割を果たすことができる。しかし、光遮断膜BLの第1端部が第1分岐電極LSLnと絶縁されれば、光遮断膜BLはフローティング状態となる。したがって、第1ストレージキャパシタCst1の静電容量を増加させる役割は実行できない。しかし、光遮断膜BLの第1端部と第1分岐電極LSLnとの間の離隔空間ぐらい画素PXの開口率及び透過率が向上し得る。図28は本発明の第7実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図であり、図29は図28に示した切断線II-II’に沿った断面図である。図28を参照すれば、第1及び第2サブ画素電極141、142の各々は第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分され、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の液晶配向方向は左回りの方向へ循環する。具体的には、第1ドメインDM1の液晶配向方向は第1方向D1及び第3方向D3のベクトルの合計で定義される第5方向D5になり、第2ドメインDM2の液晶配向方向は第1方向D1及び第4方向D4のベクトルの合計で定義される第6方向D6になり、第3ドメインDM3の液晶配向方向は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義される第7方向D7がなり、第4ドメインDM4の液晶配向方向は第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義される第8方向D8になる。第1サブ画素電極141は第1ドメインDM1で第3方向D3へ延長された第1延長部141i及び第4ドメインDM4で第4方向D4へ延長された第2延長部141jを配置できる。また、第2サブ画素電極142は第1ドメインDM1で第3方向D3へ延長された第3延長部142i及び第4ドメインDM4で第4方向D4へ延長された第4延長部142jを配置できる。一方、第1データラインDLmは第1延長部141iと対応する領域で第1延長部141iの内側に屈曲され、第1サブ画素電極141の第2ドメインDM2と隣接する領域ではまた外側に屈曲できる。また、第3延長部142iと対応する領域で第3延長部142iの内側に屈曲され、第2サブ画素電極142の第2ドメインDM2に隣接する領域でまた外側に屈曲できる。したがって、第1データラインDLmは1つの画素毎に4回屈曲された構造を有するようにしてもよい。第2データラインDLm1は第2延長部141jと対応する領域で第2延長部141jの内側に屈曲され、第2サブ画素電極142の第3ドメインDM3と隣接する領域ではまた外側に屈曲できる。また、第4延長部142jと対応する領域で第4延長部142jの内側に屈曲され、第4延長部142jが終わる時点からまた外側に屈曲できる。したがって、第2データラインDLm1は1つの画素毎に4回屈曲された構造を有することができる。第1及び第2サブ画素電極141、142のエッジ部では各ドメインの液晶配向方向にしたがってフリンジフィールドが形成される。特に、第1ドメインDM1の左側辺及び第4ドメインDM4の右側辺にフリンジフィールドが形成される。フリンジフィールドが形成されれば、その領域で液晶分子が異常に配向以下、誤配向される。第1乃至第4延長部141i、141j、142i、142jはフリンジフィールドに対応して形成され、第1及び第2サブ画素電極141、142のエッジ部をブラックマトリクス領域へ移動させることができる。したがって、第1乃至第4延長部141i、141j、142i、142jを形成することによって、液晶の誤配向によるテキスチャー不良が視認できないようにすることができる。図29を参照すれば、第2サブ画素電極142の第3延長部142iは対向基板200に配置されたブラックマトリクス241が形成された領域に位置する。また、第1データラインDLmは第1分岐電極LSLnより内側に位置し、第3延長部142iとオーバーラップする。したがって、液晶の誤配向によるテキスチャー不良が視認できないようにすることができる。図30は本発明の第8実施形態による液晶表示装置の画素を示した平面図である。図30を参照すれば、第1サブ画素電極141は第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分される。これらの中で、第1及び第4ドメインDM1、DM4の液晶配向方向は互いに対向し、第2及び第3ドメインDM2、DM3の液晶配向方向は互いに反対になる。ここで、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の液晶配向方向はコンバージェントconvergent及びダイバージェントdivergent型として定義することができる。具体的には、第1ドメインDM1の液晶配向方向は第1方向D1及び第4方向D4のベクトルの合計で定義される第6方向D6になり、第2ドメインDM2の液晶配向方向は第1方向D1及び第3方向D3のベクトルの合計で定義される第5方向D6になり、第3ドメインDM3の液晶配向方向は第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義される第8方向D8がなり、第4ドメインDM4の液晶配向方向は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義される第7方向D8になる。第1サブ画素電極141は第2ドメインDM2で第3方向D3へ延長された第5延長部141k及び第3ドメインDM3で第4方向D4へ延長された第6延長部141lを配置できる。一方、第2サブ画素電極142は第1乃至第4ドメインDM1~DM4で区分され、第1乃至第4ドメインDM1~DM4の液晶配向方向は左回りの方向へ循環する。具体的に、第1ドメインDM1の液晶配向方向は第1方向D1及び第3方向D3のベクトルの合計で定義される第5方向D5になり、第2ドメインDM2の液晶配向方向は第1方向D1及び第4方向D4のベクトルの合計で定義される第6方向D6になり、第3ドメインDM3の液晶配向方向は第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義される第7方向D7がなり、第4ドメインDM4の液晶配向方向は第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義される第8方向D8になる。第2サブ画素電極142は第1ドメインDM1で第3方向D3へ延長された第3延長部142i及び第4ドメインDM4で第4方向D4へ延長された第4延長部142jを配置できる。第1データラインDLmは第5延長部141kと対応する領域で第5延長部141kの内側に屈曲された後、屈曲なしに延長されて第2サブ画素電極142の第3延長部142iの内側に位置する。次に、第1データラインDLmは第2サブ画素電極142の第3延長部142iが終わる時点で屈曲されて第2サブ画素電極142の第2ドメインDM2の外側に配置される。したがって、第1データラインDLmは1つの画素毎に少なくとも2回屈曲された構造を有することができる。また、第2データラインDLm1は第6延長部141jの内側に位置し、第6延長部141jが終わる時点で第4ドメインDM4の外側に屈曲される。以後、屈曲なしに延長されて第2サブ画素電極142の第4延長部142jが始まる時点で屈曲されて第4延長部142jの内側に位置する。したがって、第2データラインDLm1は1つの画素毎に2回屈曲された構造を有することができる。結果的に、図30に示した第1及び第2データラインDLm、DLm1の屈曲回数は図28に示した第1及び第2データラインより減少する。即ち、第1サブ画素電極に配置された第1乃至第4ドメインの液晶配向方向を水廉発散型コンバージェント及びダイバージェント型convergentanddivergenttypeで形成し、第2サブ画素電極に配置された第1乃至第4ドメインの液晶配向方向を左回りの方向へ形成すれば、第1及び第2データラインの屈曲回数を減少させ得る。このように、第1及び第2データラインDLm、DLm1の屈曲回数が減少すれば、配線抵抗を減少させることができ、液晶表示装置の収率を向上させ得る。以下図31A乃至図31Cを参照して本発明の一実施形態による液晶表示装置の液晶配向に対して説明する。図31Aは本発明の第9実施形態による液晶表示装置において第1基板100の配向方向を説明するための平面図であって、第1配向膜120に光配向方法を利用して示した矢印方向へ液晶分子が配向されるようにした状態を示した図面である。図31Bは本発明の第9実施形態による液晶表示装置において第2基板200の配向方向を説明するための平面図であって、第2配向膜220に光配向方法を利用して示した矢印方向へ液晶分子が配向されるようにした状態を示した図面である。図31Cは図31Aの第1基板100と図31Bの第2基板200とを結合させた時の液晶層300の配向を示した断面図であって、第1基板100と第2基板200の配向方向が合わせた配向方向を示した。図31Cの配向方向は第1基板100の配向方向と第2基板200の配向方向とのベクトルの合計に該当する。図31A乃至図31Cにおいて、各画素領域PA及びこれに隣接する画素領域PAの配向方向を表示するために複数の画素領域PAの中で2x2行列形態を成す4つの画素領域P11、P12、P21、P22とこれに対応する領域を示した。ここで、実線によって表す境界は各画素領域PAの境界を示し、点線による境界は配向領域の境界を示す。また、本実施形態に対する説明では4つの画素領域PAが2x2行列形態をなすと示したが、4つの画素領域PAという名称の代わりに4つのサブ画素領域と称することができる。この場合、4つのサブ画素領域が2x2行列形態をなし、4つのサブ画素領域が集まって1つの画素領域をなすようになる。ここで、各画素領域がサブ画素領域と称する場合にも、名称は異なりに使われるが、各画素領域の配列は図31A乃至図31Cの場合と同一である。これに加えて、図31A乃至図31Cでは各画素領域PAが行方向に狭くて列方向に長い長方形形態に開示したが、これに限定されることではない。各画素領域PAは列方向に狭くて行方向に長い長方形形態に配置されることができる。図31Aを参照すれば、第1基板100には2x2行列形態の画素領域、即ち、第1行第1列の第1画素領域P11、第1行第2列の第2画素領域P12、第2行第1列の第3画素領域P21、及び第2行第2列の第4画素領域P22が配置される。第1配向膜120は第1乃至第4画素領域P11、P12、P21、P22の上で液晶層300が互いに反対になる方向へ配向されるようにする第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とを有する。第1配向領域AN1は第1方向D1に液晶層300が配向されるようにする領域であり、第2配向領域AN2は第1方向D1の逆方向である第2方向D2に液晶層300が配向されるようにする領域である。第1方向D1と第2方向D2とは列の延長方向に該当する。説明しないD3とD4の各々は行の延長方向に該当する第3方向及び第4方向である。ここで、第2配向領域AN2は第1配向領域AN1との間に配置される。第2配向領域AN2は同一の行に配置され、互いに隣接する2画素領域の一部に重畳する。即ち、第一番目の行の互いに隣接する第1画素領域P11と第2画素領域P12とにおいて、第2配向領域AN2は第1画素領域P11の一部と第2画素領域P12との一部を覆う。また、第二番目の行の互いに隣接する第3画素領域P21と第4画素領域P22とにおいて、第2配向領域AN2は第3画素領域P21の一部と第4画素領域P22との一部を覆う。本実施形態では第2配向領域AN2が同一の行に配置された互いに隣接する2画素領域の各々と重畳された面積が同一の場合を示したが、これに限定されることではない。例えば、第2配向領域AN2と第1画素領域P11とが重畳する部分の面積は第2配向領域AN2と第2画素領域P12とが重畳する面積より大きいか、或いは小さいことができる。したがって、各画素領域内での配向領域の面積を多様に調節できる。説明の便宜上、図31Bには第1基板100の各画素領域に対応する2x2行列形態の画素領域を有する第2基板200を示す。図31Bを参照すれば、第2基板200は第1行第1列の第1画素領域P11、第1行第2列の第2画素領域P12、第2行第1列の第3画素領域P21、及び第2行第2列の第4画素領域P22を含む。第2配向膜220は第1乃至第4画素領域P11、P12、P21、及びP22の上で液晶層300が互いに反対になる方向へ配向されるようにする第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とを有する。第3配向領域AN3は第3方向D3に液晶層300が配向されるようにする領域であり、第4配向領域AN4は第3方向D3の逆方向である第4方向D4に液晶層300が配向されるようにする領域である。第3方向D3と第4方向D4は行の延長方向に該当し、第1方向D1及び第2方向D2と直角をなすことができる。ここで、第4配向領域AN4は第3配向領域AN3との間に配置される。第4配向領域AN4は同一の列に配置され、互いに隣接する2画素領域の一部に重畳する。即ち、第1番目の列の互いに隣接する第1画素領域P11と第3画素領域P21とにおいて、第4配向領域AN4は第1画素領域P11の一部と第3画素領域P21との一部を覆う。また、第2番目の列の互いに隣接する第2画素領域P12と第4画素領域P22とにおいて、第4配向領域AN4は第2画素領域P12の一部と第4画素領域P22との一部を覆う。本実施形態では第4配向領域AN4が同一の列に配置された互いに隣接する2画素領域の各々と重畳された面積が同一の場合を示したが、これに限定されることではない。例えば、第4配向領域AN4と第1画素領域P11とが重畳する部分の面積は、第4配向領域AN4と第4画素領域P22とが重畳する面積より大きいか、或いは小さい面積であり得る。図31Cを参照すれば、液晶層300は第1基板100と第2基板200との結合によって第1基板100の配向方向と第2基板200の配向方向とのベクトルの合計に該当する配向方向を有するようになる。したがって、液晶層300は各配向方向のベクトルの合計に該当する配向方向を有する複数のドメインに分かれる。複数のドメインは第1配向領域AN1と第3配向領域AN3とが重畳する第1ドメインDM1と、第1配向領域AN1と第4配向領域AN4とが重畳する第2ドメインDM2と、第2配向領域AN2と第3配向領域AN3とが重畳する第3ドメインDM3、及び第2配向領域AN2と第4配向領域AN4が重畳する第4ドメインDM4を含む。ここで、第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4は相異なる配向方向を有する。即ち、液晶層300は各ドメインで相異なる方向を有する。液晶層300は第1ドメインDM1で第1及び第3方向D1、D3のベクトルの合計で定義された第5方向D5へ配向される。液晶層300は第2ドメインDM2で第1及び第4方向D1、D4のベクトルの合計で定義された第6方向D6へ配向される。液晶層300は第3ドメインDM3で第2及び第3方向D2、D3のベクトルの合計で定義された第7方向D7へ配向される。液晶層300は第4ドメインDM4で第2及び第4方向D2、D4のベクトルの合計で定義された第8方向D8へ配向される。第5乃至第8方向D5、D6、D7、及びD8は各々異なる方向である。画素領域P11、P12、P21、及びP22の各々は第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4を含む。画素領域P11、P12、P21、及びP22各々において、第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序は次の通りである。第1画素領域P11では第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4が右回り方向へ第1ドメインDM1、第3ドメインDM3、第4ドメインDM4及び第2ドメインDM2の順序に配列される。第2画素領域P12では第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4が右回り方向へ第3ドメインDM3、第1ドメインDM1、第2ドメインDM2、及び第4ドメインDM4の順序に配列される。第3画素領域P21では第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4が右回り方向へ第2ドメインDM2、第4ドメインDM4、第3ドメインDM3、及び第1ドメインDM1の順序に配列される。第4画素領域P22では第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4が右回り方向へ第4ドメインDM4、第2ドメインDM2、第3ドメインDM3、及び第1ドメインDM1の順序に配列される。上述した通りに、第1乃至第4画素領域P11、P12、P21、及びP22での第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序は各々異なる。ここで、第1乃至第4画素領域P11、P12、P21、及びP22の中で第1画素領域P11と第4画素領域P22との全体的なドメインの配向方向を注意深くみれば、各ドメインの配向方向が左回りの方向や右回り方向へ循環する。ここで、ドメインの配向方向が第1画素領域P11や第4画素領域P22のように全体的に循環する画素領域を循環型画素領域と称する。第1乃至第4画素領域P11、P12、P21、及びP22の中で第2画素領域P12と第3画素領域P21とは第1画素領域P11と第4画素領域P22と異なり、全体的なドメインの配向方向が循環しない。むしろ、1つの画素内で第1ドメインDM1の配向方向と第4ドメインDM4の配向方向とは対向して内側に収斂するか、或いは反対方向に向かう外側の方向へ発散する。第2ドメインDM2の配向方向と第3ドメインDM3の配向方向とがまた対向するか、或いは外側の方向へ発散する。したがって、第2画素領域P12と第3画素領域P21との配向方向は全体的に曲がっているが、その曲がる方向は第1方向D1や第2方向D2に向う。ここで、第2画素領域P12、又は第3画素領域P21のように全体的なドメインの配向方向が対向するか、或いは外側に向かう画素領域を収斂発散型画素領域と称する。図31Cを参照すれば、循環型画素領域に隣接する画素領域には収斂発散型画素領域が配置され、収斂発散型画素領域に隣接する画素領域には循環型画素領域が配置される。図32は図31Cの画素領域が同一に反復される液晶表示装置を示した平面図であり、画素領域が3x5行列形態である場合を示した図面である。図32を参照すれば、第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは各々の列に沿って延長される形態に配置される。第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは交互に配置される。第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは同一行に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳する。第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とは各々の行に沿って延長される形態に配置される。第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とは交互的に配置される。第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とは同一列に配置された互いに隣接する2画素領域の一部と重畳する。さらに、第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の中で相異なる画素領域に属しながら互いに隣接するドメインは同一の方向へ配向される。図32において、画素領域の各々は第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4を含み、画素領域の中で1つの画素領域での第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序は1つの画素領域に隣接する画素領域での第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序と全て異なる。また、循環型画素領域と収斂発散型画素領域とが行と列に沿って交互的に配置される。さらに、いずれか1つの画素領域が循環型である場合には行と列方向に隣接する4つの画素領域全てが収斂発散型画素領域に該当する。これと反対に、いずれか1つの画素領域が収斂発散型画素領域の場合には行と列方向に隣接する4つの画素領域全てが循環型画素領域に該当する。上述した構造を有する液晶表示装置は1つの画素領域内に相異なる配向方向を有する複数のドメインが形成されるので広い側面視認性を表す。また、上述した構造を有する液晶表示装置では使用者に視認になる画像に現れる欠陥である線残像が減少する。線残像が減少する理由は次の通りである。一般的な液晶表示装置の液晶層にはイオン性不純物ionicimpuritiesが存在する。イオン性不純物は製造の時から存在でき、液晶層の両端に配置された電極によって反復的に形成される電界によって後発的に発生することもあり得る。後発的に発生されたイオン性不純物は同一の階調を長い間の時間の間に持続的に表示した画素領域でよく発見される。各画素領域の電極に電圧が印加されれば、イオン性不純物は電気的引力によって電極方向へ移動する。さらに、イオン性不純物の移動によって漏洩電流リーク電流が発生する。漏洩電流が発生する地点の液晶分子は漏洩電流により誤配列される。その結果、漏洩電流が発生する地点での輝度が他の地点での輝度より減少するか、或いは増加する欠陥が発生する。イオン性不純物の移動性は電界、液晶分子の形態、及び液晶分子の配向方向に影響を及ぶ。イオン性不純物は電界のエッチ付近で容易に移動する。これは電界の影響が最小化されて電界の影響無しで電気的引力によって移動できるためである。また、イオン性不純物は液晶分子の短軸方向より長軸方向に沿って相対的に容易に移動する。これは液晶分子の形態に起因する。また、液晶分子が互いに隣接する領域で同一の方向へ配向される場合にはイオン性不純物が1つの領域で隣接する領域に移動するのが容易である。しかし、本発明の実施形態によれば1つの画素領域において液晶層300の液晶分子がドメイン毎に相異なる方向へ配向される。また1つの画素領域と1つの画素領域に隣接する他の画素領域のドメインは液晶分子の配向方向が一致するか、或いは対称とならないように相異なる配列順序を有する。さらに、本発明の一実施形態ではイオン性不純物の移動性が減り、イオン性不純物による線残像欠陥が減る。表1は本発明の技術が適用されない液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との線残像に対する実験結果を表す。本発明の技術が適用されない液晶表示装置は各画素領域が循環型画素領域を有するように用意した。さらに、本発明の技術が適用されない液晶表示装置は隣接する画素領域は全て同一に循環型画素領域を有する。本発明の実施形態による液晶表示装置は第9実施例のように循環型画素領域と収斂発散型画素領域とが交互的に配置されるように用意した。表1で残像が見え始める階調は配向方向を除いて全ての条件を同一に維持しながら液晶表示装置に一定時間残像パターンを印加した後、画面全体を同一階調が現れるように電圧を印加した時残像が見え始める階調を意味する。階調は0G乃至255Gを有し、Gは階調レベルgraylevelを表す。ここで、0Gは黒色であり、255Gは白色であり、その間の階調レベルは灰色を表す。下記表1では残像が見え始める階調が低い階調レベルを有すれば有するほど残像がない液晶表示装置に該当する。表1を参照すれば本発明の第6実施形態による液晶表示装置は本発明の技術が適用されない液晶表示装置に比べて残像が減る効果があることを確認することができる。表2は本発明の技術が適用されない液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との線残像が発生した時間に対する実験結果を表す。表2の実験条件は配向方向を除いて全ての条件を表1での実験条件と同一に維持しながら液晶表示装置に一定時間残像パターンを印加した後、画面全体を同一階調が現れるように電圧を印加した。表2を参照すれば本発明の第6実施形態による液晶表示装置は本発明の技術が適用されない液晶表示装置に比べて線残像が現れる時間が顕著に遅れることを確認することができる。以下、本発明の第10実施形態による液晶表示装置を説明する。本発明の第2実施形態では重畳された説明を避けるために第9実施形態との差異点を中心に説明する。以下実施形態で特別に説明しない部分は第9実施形態にしたがう。同一の番号は同一の構成要素を、類似の番号は類似の構成要素を示す。図33は本発明の第10実施形態による液晶表示装置の一部を示した拡大平面図である。ここで、液晶表示装置400には複数の画素領域PAが存在するが、説明の便宜上1つの画素領域PAのみを一実施形態として説明する。実際液晶表示装置400には画素領域PAと同一の構造を有する画素領域が複数の列と複数の行とに有するマトリクス形態に配列される。図33を参照すれば、本実施形態の各画素領域PA内に画素電極が第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とに分離されて形成されたことと第1及び第2サブ画素電極PE1、PE2に各々対応される第1薄膜トランジスタTr1と第2薄膜トランジスタTr2及び第1データラインDL1と第2データラインDL2を有すること以外には第6実施形態と類似の構造を有する。各画素領域にはゲートラインGL、第1データラインDL1、第2データラインDL2、第1薄膜トランジスタTr1、第2薄膜トランジスタTr2、第1サブ画素電極PE1、及び第2サブ画素電極PE2が配置される。ゲートラインGLは第1方向D1へ延長されて配置される。第1データラインDL1と第2データラインDL2はゲートラインGLとに交差して他の方向へ延長される。第1薄膜トランジスタTr1はゲートラインGLと第1データラインDL1との交差部に隣接する位置に配置される。第1薄膜トランジスタTr1はゲートラインGLから分岐された第1ゲート電極GE1と、第1データラインDL1から分岐された第1ソース電極SE1及び第1ソース電極SE1から離隔されて配置された第1ドレイン電極DE1を含む。第2薄膜トランジスタTr2はゲートラインGLと第2データラインDL2の交差部に隣接する位置に配置される。第2薄膜トランジスタTr2はゲートラインGLから分岐された第2ゲート電極GE2と、第2データラインDL2から分岐された第2ソース電極SE2及び第2ソース電極SE2から離隔されて配置された第2ドレイン電極DE2を含む。第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2は第1データラインDL1と第2データラインDL2との間に配置される。第1サブ画素電極PE1は第1ドレイン電極DE1とコンタクトホールを通して接続され、第2サブ画素電極PE2は第2ドレイン電極DE2とコンタクトホールを通して接続される。第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とは各々第1薄膜トランジスタTr1と第2薄膜トランジスタTr2とを通して同一の階調に対して互いに電圧レベルが異なる2つの電圧を各々受信する。図34は図33と同一の方式に画素領域が同一に反復される液晶表示装置を示した平面図であって、画素領域が3x5行列形態に配列された場合を示したことである。図34を参照すれば、第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは各々列に沿って延長される形態に配置される。第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは交互的に配置される。第1配向領域AN1と第2配向領域AN2とは同一の行に配置された互いに隣接する2サブ画素領域の一部と重畳する。第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とは各々行に沿って延長される形態に配置される。第3配向領域AN3と第4配向領域AN4とは交互的に配置され、各々互いに隣接する2サブ画素領域の一部と重畳する。この時、第3配向領域AN3にいて、列方向に互いに隣接するサブ画素領域の中で1つに対しては第2サブ画素電極PE2と重畳し、互いに隣接する画素領域の中で残りの1つに対しては第1サブ画素電極PE1と重畳する。第4配向領域AN4また互いに隣接するサブ画素領域の中で1つに対しては第2サブ画素電極PE2と重畳して、互いに隣接する画素領域の中で残りの1つに対しては第2サブ画素電極PE2と重畳する。また、各サブ画素領域は第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4を含み、サブ画素領域の中で1つの画素領域での第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序は、サブ画素領域に隣接するサブ画素領域での第1乃至第4ドメインDM1、DM2、DM3及びDM4の配列順序と全て異なる。また循環型画素領域と収斂発散型画素領域が行と列に沿って交互的に配置される。さらに、いずれか1つの画素領域が循環型である場合には行と列方向に隣接する4つのサブ画素領域全てが収斂発散型画素領域に該当する。それと反対に、いずれか1つのサブ画素領域が収斂発散型画素領域の場合には行と列方向に隣接する4つのサブ画素領域全てが循環型画素領域に該当する。上述した構造を有する液晶表示装置は同一階調を表示しながら、第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とによって液晶層300の配向を互いに異なりに調節できるので側面視認性を向上させることができる。また、1つの画素領域内で第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とが相異なる配向領域に対応するので、1つの画素内でのイオン性不純物の移動性を減少させることができる。イオン性不純物は電界のエッジ付近で容易に移動するのに第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2との間は第3配向領域AN3と第4配向領域AN4との間に該当するために液晶層300の配向方向が異なり、イオン性不純物の容易に移動できないためである。本実施形態では第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とが列方向に配列されたことを示したが、これに限定されるのではない。即ち、多様な個数と形態のサブ画素電極を配置でき、各サブ画素電極の配列また多様な方向に配列できる。例えば、第1サブ画素電極PE1と第2サブ画素電極PE2とが行方向に配列できる。さらに、第1サブ画素電極PE1が2領域で分かれるようにしてもよい。この場合には第2サブ画素電極PE2を分かれた第1サブ画素電極PE1間に配置することができる。以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の当業者、又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。例えば、本発明の実施形態は例示的に画素領域の模様が長方形形態であるもののみが説明されたが、多様な形状の画素領域を有することができ、また画素電極の模様や個数また多様に変容できることはもちろんである。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求の範囲の上により定められなければならないことである。