回折格子と、出力されるレーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、を備えるレーザ装置。前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項1記載のレーザ装置。前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項1記載のレーザ装置。前記回折格子には溝が形成されており、前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、請求項1記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項1記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項1記載のレーザ装置。前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項1記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項1記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項1記載のレーザ装置。前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える請求項9記載のレーザ装置。少なくとも1つの光学素子と、前記少なくとも1つの光学素子の実質的に焦点位置に配置される回折格子と、出力されるレーザ光が前記少なくとも1つの光学素子に入射し、かつ前記少なくとも1つの光学素子から出射する前記レーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される複数の半導体レーザと、を備えるレーザ装置。前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項11記載のレーザ装置。前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項11記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの光学素子はコリメータレンズである、請求項11記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの光学素子は凹面ミラーである、請求項11記載のレーザ装置。前記回折格子には溝が形成されており、前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、請求項11記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項11記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項11記載のレーザ装置。前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項11記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項11記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項11記載のレーザ装置。前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える請求項21記載のレーザ装置。前記回折格子の下流側の前記所定の方向に配置される集光光学系と、前記集光光学系の実質的に焦点位置にその入力端が配置される光ファイバと、をさらに備える請求項11記載のレーザ装置。少なくとも1つの光学素子と、前記少なくとも1つの光学素子の実質的に焦点位置に配置される回折格子と、複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザそれぞれの出力端に接続され、出力されるレーザ光が前記少なくとも1つの光学素子に入射し、かつ前記少なくとも1つの光学素子から出射する前記レーザ光が前記回折格子に入射し、かつ前記レーザ光それぞれの前記回折格子による異なる次数の回折光の少なくとも1つが所定の方向に進行するように配置される光ファイバと、を備えるレーザ装置。前記回折格子は反射型の回折格子である、請求項24記載のレーザ装置。前記回折格子は透過型の回折格子である、請求項24記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの光学素子はコリメータレンズである、請求項24記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの光学素子は凹面ミラーである、請求項24記載のレーザ装置。前記回折格子には溝が形成されており、前記溝は、該溝に入射したレーザ光の回折光と該溝以外の部分に入射した光の回折光との位相差がπとなる深さに形成されている、請求項24記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して垂直である、請求項24記載のレーザ装置。前記所定の方向は、前記回折格子において前記回折光が出射する面に対して傾斜している、請求項24記載のレーザ装置。前記複数の半導体レーザは量子カスケードレーザである、請求項24記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に広がり角をもって入射するレーザ光の回折光をコリメート化する、請求項24記載のレーザ装置。前記回折格子は、該回折格子に入射するレーザ光の回折光を集束させる、請求項24記載のレーザ装置。前記回折格子の下流側の前記所定の方向であって前記回折光の実質的に集束位置に、その入力端が配置される光ファイバをさらに備える請求項34記載のレーザ装置。前記回折格子の下流側の前記所定の方向に配置される集光光学系と、前記集光光学系の実質的に焦点位置にその入力端が配置される光ファイバと、をさらに備える請求項24記載のレーザ装置。請求項1~36いずれか一項記載のレーザ装置と、前記レーザ装置の下流側に配置され、前記レーザ装置から出力されるレーザ光を増幅する少なくとも1つの増幅器と、を備えるレーザシステム。前記少なくとも1つの増幅器は複数の増幅器を含み、前記複数の増幅器の少なくとも1つは再生増幅器である、請求項37記載のレーザシステム。請求項37記載のレーザシステムと、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口を有するチャンバと、前記レーザ光をチャンバ内の所定の領域に集光させる集光光学系と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の前記所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される所定の波長の光を集光する集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置。請求項38記載のレーザシステムと、前記レーザシステムから出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口を有するチャンバと、前記レーザ光をチャンバ内の所定の領域に集光させる集光光学系と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の前記所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて放射される所定の波長の光を集光する集光ミラーと、を備える極端紫外光生成装置。前記複数の半導体レーザの発振するレーザ光の波長が、前記増幅器の複数の増幅波長帯域の少なくとも1つと対応する、請求項37記載のレーザシステム。前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なる波長のレーザ光を発振する、請求項41記載のレーザシステム。前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なる強度でレーザ光を出力する、請求項41記載のレーザシステム。前記複数の半導体レーザの少なくとも1つは、前記複数の半導体レーザの他の半導体レーザとは異なるタイミングでレーザ光をパルス発振する、請求項41記載のレーザシステム。