"試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該第一のカラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。試料を格納する真空容器と、前記試料へ光または荷電粒子ビームを照射して前記試料を第一検出器からの画像信号に基づき撮像する第一のカラムと、該第一のカラムで撮像された前記試料の画像に基づいて前記試料に荷電粒子ビームを照射し第二検出器からの画像信号に基づき前記撮像位置の画像の再撮像あるいは加工を行う第二のカラムとを備えた荷電粒子ビーム装置であって、前記真空容器内に設けられ、前記試料を載置する回転ステージと、前記真空容器内に設けられ、当該回転ステージを一軸移動させる一軸移動機構とを備え、前記第一検出器の検出面の方向は、第一のカラムの中心へ向いており、前記第二検出器の検出面の方向は、第二のカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。請求項1または請求項2の記載において、前記試料には、観察対象面に凸形が形成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。本発明は、試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース,コストダウン,振動抑止と高速化,検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得ることを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の実施態様は、少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う構成としたものである。以上述べたように、本発明の実施例によれば、装置が小型化できて省スペース,コストダウン,振動抑止と高速化,検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得ることができる。以下、本発明の一実施例を説明する。半導体ウエハの大口径化,検査プロセスの複合化に対応するため、複数の検査機構を同一の真空容器に設け、試料の移動には回転ステージと一軸ステージ移動機構系を用いる。すなわち、各検査機構間を一軸移動機構で試料移動し、試料ウエハ上の検査位置決めは、回転ステージと一軸移動ステージを共用して行う。これにより、真空容器を、従来のXY移動ステージに比べて半分以下の大きさとし、可動部の重量増加を抑えることができ、小型化できるので、省スペースの効果と、コストダウンの効果がある。また、2つの装置をひとつにまとめることにより、装置間のウエハの移動時の異物付着等を防止することができる。さらに、回転ステージにより、不要振動を抑えることができるので、高速な位置決めが可能となる。また、各検査機構の画像情報とその付帯情報である欠陥の座標,高さ,サイズ,画像のコントラストを共有化して、欠陥検査や寸法計測の信頼性や操作性も改善される。特に、外径450ミリメートル等の大径ウエハの場合に、効果が顕著である。図1は、荷電粒子ビーム装置の概略構成を示す縦断面図である。試料であるウエハ8を入れる真空容器12ひとつに対して、2つの荷電粒子ビームカラムを設けている。ひとつは、電子ビームをウエハ8に照射し、ウエハ8で発生する二次信号を検出して欠陥を検出する欠陥検査SEM、ひとつは、検査SEMで検出された欠陥を拡大撮像して、欠陥の特徴量から分類する欠陥レビューSEMである。ウエハ8は、真空容器12内の回転ステージ10,一軸移動ステージ11により、はじめに欠陥検査SEMのカラムの下に位置決めされる。欠陥検査SEMは、電子ビームのスポットサイズが小さいにもかかわらず、ウエハ8の全表面を検査対象とすることから、ひとつの画面を構成するための電子ビームの走査回数を減らして高速化するため、大電流の電子ビームでウエハ8を照射する。大電流の電子源1bから発した電子を、第一照射レンズ2bと制限絞り3bで絞り込む。更に、電子ビームの収束角が第二照射レンズ4bで調整され、最終的に対物レンズ7bでウエハ8に結像される。ここで、偏向器6bでビーム走査し、検出器5bで画像信号を得、試料面の欠陥情報を得る。欠陥検査SEMでは、試料面の帯電や放出電子軌道を制御するための制御電極13が設置され、帯電等による電位コントラスト,絶縁状態,異物,パターン異常等がある所定の感度で検知される。次に、検査を終了したウエハ8は、回転ステージ10ごと一軸移動ステージ11が駆動系9により駆動されて、真空容器12内の欠陥レビューSEMの下に移送される。欠陥検査SEMで得た欠陥の座標,サイズ,画像のコントラスト等の欠陥情報は、図示しない記憶装置へ記憶され、欠陥レビューSEMで欠陥を探索するときの検索情報として使用される。欠陥レビューSEMは、電子源1aから発した電子を第一照射レンズ2aと制限絞り3aで絞り込む。更に電子開き角が第二照射レンズ4aで調整され、最終的に対物レンズ7aでウエハ8に結像して偏向器6aで走査し、検出器5aで走査画像を得る。欠陥レビューSEMは、欠陥検査SEMで取得した欠陥情報に基づいて、欠陥の座標を手がかりに欠陥を探索し、欠陥を見つけたらその拡大画像を撮像する。欠陥の画像に基づいて、図示しない演算装置で欠陥の種類の分類が行われる。ユーザはこの欠陥に関する情報に基づいて、欠陥が発生したプロセスの特定や欠陥発生原因の究明が可能となる。このように、図1に示した構成によれば、ウエハ8の欠陥検出から欠陥分類までの一連の動作が無駄なく高速に、低リスクで実現できる。また、欠陥検査SEMでは、欠陥がない参照画像と検査画像との差をとる比較処理により、欠陥を抽出するため、画像のノイズなどで欠陥でない画素が欠陥として検出される場合がある。そこで、欠陥レビューSEMで欠陥が抽出できない欠陥座標について、欠陥検査SEMで再度検査することも容易にできる。図2は、荷電粒子ビーム装置の概略構成を示す縦断面図であり、欠陥レビューSEMと傾斜像観察用SEMとをひとつの真空容器12に設けたものである。図2の向かって左側の欠陥レビューSEMは、図1に示したものと同様の構成,機能を有している。向かって右側の傾斜像観察用SEMでは、電子源1cから発した電子を第一照射レンズ2cと制限絞り3cで絞り込む。更に、電子ビームの開き角が第二照射レンズ4cで調整され、最終的に対物レンズ7cでウエハ8に結像して、偏向器6cで電子ビームが走査され、検出器5cで走査画像信号を得る。検出器5cに加えて、試料面欠陥の材料を分析するため、X線検出器を用いることもできる。検査プロセスでは、はじめに、上のウエハ8は、欠陥レビューSEMの偏向器6aで電子ビームが高速にビーム走査され、得られた欠陥画像により欠陥種が分類され表示される。欠陥レビューを終了したウエハ8は、一軸移動ステージ11上の回転ステージ10の移動により、傾斜像観察用SEMの下に移動される。また、欠陥レビューSEMで得られた欠陥のサイズ,座標,画像のコントラスト等の欠陥情報が傾斜像観察用SEMの図示しない制御装置へ送られる。傾斜像観察用SEMは、ウエハ8に対して傾斜した電子ビームを照射し、欠陥の凹凸解析や成分が分析され、詳細情報を得ることができる。なお、ウエハ8の周辺端部は、剥離等の欠陥が生じ易いので、傾斜像観察用SEMでは、欠陥の傾斜像観察の他、ウエハ8の周辺端部の状態も観察することができる。図3は、荷電粒子ビーム装置の概略構成を示す縦断面図であり、向かって左側に欠陥レビューSEM、右側に集束イオンビーム装置FIBをひとつの真空容器12に設けている。欠陥レビューSEMは、図1に示したものと同様の構成,機能を有している。FIBは、イオン源1dから発したイオンを、静電照射レンズ2dとイオン電流制限絞り3dで絞り込む。更に、イオンビームを静電対物レンズ7dでウエハ8に結像させ、偏向器6dで走査し、イオン放出電子検出器5dで画像信号を得る。検査プロセスでは、回転ステージ10上のウエハ8は、欠陥レビューSEMで得られた欠陥の画像により、欠陥の種類が分類される。欠陥レビューを終了したウエハ8は、一軸移動ステージ11上の回転ステージ10の移動により、FIBの下に移動される。また、欠陥レビューSEMで得られた欠陥のサイズ,座標,画像のコントラスト等の欠陥情報がFIBの図示しない制御装置へ送られる。FIBでは、欠陥の発生部位を切り出して、欠陥部位の三次元の構造やX線分析による観察を行う。図4は、荷電粒子ビーム装置の概略構成を示す縦断面図であり、欠陥レビューSEMと光学式検査装置とを、ひとつの真空容器12に設けたものである。図4の向かって右側の光学式検査装置では、光源1eから発した光を制限絞り3eと光学顕微鏡14でウエハ8に結像し、光検出器5eで画像信号を得る。欠陥レビューSEMより光学式検査装置の方が拡大倍率が低いので、はじめに光学式検査装置でウエハ8の全面の欠陥検査を行い、検出された欠陥の座標に基づいて、欠陥レビューSEMで欠陥の拡大像を撮像し、詳細な観察を行う。光学式検査装置の構成は、明視野方式と暗視野方式とがあり、暗視野方式では光源としてレーザビームが用いられる。また、パターンが形成される前のウエハ8の欠陥検査では、光学式検査装置と欠陥レビューSEMとが別々の装置の場合には、両装置間の座標の補正精度が低く、光学式検査装置で検出された欠陥を欠陥レビューSEMで再検出するのが困難であるが、本装置では、ひとつの真空容器12に光学式検査装置と欠陥レビューSEMの両方を設け、ステージを共通化しているので、座標の誤差の問題がなくなり、光学式検査装置で検出された欠陥を欠陥レビューSEMで容易に再検出することができる。図5は、本発明による荷電粒子ビーム装置の概略構成を示す平面断面図であり、図1に示した構成の平面断面図を一例としており、欠陥レビューSEMの検出器5aと偏向器6a,欠陥検査SEMの検出器5bと偏向器6bとを図示している。真空容器12の内側の平面形状は、短辺がウエハ8の外形に余裕代を加算した寸法とし、長辺が、ウエハ8の外形の2倍に余裕代を加算した寸法とする。ウエハ8は、真空容器の内部を、図示しない一軸移動ステージ11で長手方向へ移動し、図示しない回転ステージ10で回転する。計算機19は、電子ビームの制御と、得られた画像の処理の両方を制御する。計算機19から送られた電子ビームのディジタル偏向データから、偏向制御回路17でディジタル偏向制御データが生成され、偏向駆動回路18でアナログ偏向制御信号へ変換され、偏向器6aまたは偏向器6bへ送られる。また、計算機19は、ステージの制御データをステージ制御回路20へ送り、ステージ制御回路20からステージ駆動信号がステージ駆動回路21へ送られ、図示しない回転ステージ10と図示しない一軸移動ステージ11が駆動される。はじめに、欠陥検査SEMでウエハ8の欠陥検出を行い、欠陥検査SEMの検出器5bで検出された信号は、信号処理回路16でアナログ信号からディジタル信号へ変換され、画像処理回路15で画像化され、欠陥のない参照画像と比較されて欠陥検出が行われ、結果のデータが計算機19へ送られ、図示しない記憶装置へ記憶される。次に、ウエハ8が欠陥レビューSEMへ移動し、記憶された欠陥の座標の位置で欠陥を見つけ出すように、ウエハ8が位置決めされる。検出器5aで検出された信号を画像処理回路15で画像化し、欠陥のない参照画像と比較して欠陥を検出する。あるいは、記憶された欠陥検査SEMの画像と比較して欠陥を検出する。ステージの移動時の機械的誤差に起因する欠陥の位置ずれが、画像処理回路15で補正できない場合は、偏向制御回路17で電子ビームの偏向を調整したり、ステージ制御回路20でウエハ8の位置を調整して、補正する。欠陥が検出されたら、欠陥レビューSEMは拡大倍率を変えて、高倍率画像を撮像し、その画像を計算機19の図示しない記憶装置へ記憶する。計算機19はこの高倍率画像から欠陥の寸法,形状等の特徴量を演算し、欠陥を分類する。このステップは、欠陥の数だけ、あるいは指定された条件の数だけ繰り返される。欠陥の位置ずれについては、複数の位置ずれ情報を、計算機19の図示しない記憶装置へウエハ位置歪情報として記憶し、多項式近似やメモリマッピング値の内挿計算等の技術で高精度な補正が可能である。また、計算機19では、欠陥検査SEMの画像取得時の電子ビームの焦点合わせの情報に基づいて、欠陥レビューSEMの電子ビームの焦点合わせの制御を行う。図1に示した一軸移動ステージ11の移動は、既知の図示しないレーザ干渉計で検知され、回転ステージ10の回転は、既知の図示しない角度スケール読み装置で検知され、位置の振動を含めた位置補正や、回転角補正がステージ制御回路20で行われる。なお、図5に示した回路構成は、欠陥検査SEMと欠陥レビューSEMの画像処理回路15,信号処理回路16,偏向制御回路17,偏向駆動回路18を共用としているが、2系統設けることにより、制御アルゴリズムの簡単化と高速化、一方に不具合が生じた場合の代行化をはかることができる。図6は、ステージ上のウエハの移動状態を説明する平面図である。距離Lは、2つのSEMのカラムの中心位置の間の距離であり、真空装置12内を一軸移動したときの最も端にウエハ8が位置したときの位置を破線で示している。本発明における回転ステージ系の大きな利点は、小型軽量でかつ厳密な回転対称形にすれば、移動時の運動モーメントによる振動が原理的にない点である。その代わり、図6に示すとおり、観察位置では、座標系の回転が発生する。したがって、正立像とするための処理が必要となる。ウエハ上の直交座標をX,Yとし、極座標をr,θとし、図6で、ウエハ8が観察位置にあるものとする。直交座標X,Yと極座標r,θの関係は、下記で与えられる。X=rcosθY=rsinθステージ上の基準直交座標X′,Y′を基準とした回転系のステージ移動量は、下記で与えられる。X′=rθ′=π-θ以上の各式を用いて、欠陥の座標の補正が行われる。図7は、ウエハの平面図であり、ウエハの回転を考慮した画像の取り込みの処理の一例を示す。極座標r,θでの電子ビームの偏向範囲23で、ウエハ上のパターン22を撮像する。欠陥検査SEMで、パターン22を直交座標X,Yで撮像された像は、図7cに示す向きであるので、図7aに示す欠陥レビューSEMの場合でも、図7cに示すような撮像範囲24の正立像を得るためには、画像を下記の大きさだけ回転させる必要がある。θ′′=πθしたがって、図7bに示すように、偏向範囲23を撮像範囲24を含むような大きさとして画像を得て、図7cに示すように回転させる。画像の回転方法は、電子ビームの走査方向を変える方法と、画像処理で回転させる方法とが可能である。図8は、ウエハ上の観察対象を拡大した平面図と側面図である。SEMで検出された画像は、図8aに示すように、観察対象25に陰が生じるので、回転しないXYステージを用いた欠陥検査SEMと欠陥レビューSEM同士では、欠陥に対する検出器のXY平面上の向きを一致させて、陰が同じように生じるように撮像する必要がある。立体的な観察対象で高角度電子を捕らえる場合は、その明暗や陰影方向が回転し、観察対象の凹凸が分類するときの情報として重要な場合があり、その判断を誤らせる可能性があるので、注意が必要である。図8bの側面図に示すように、ウエハ8上の撮像範囲24の凸形の観察対象25を、検出器5bで撮像する場合、図8aの平面図に示すように、観察対象25に陰が生じた画像が得られる。本発明の構成では、図5に示すように、検出器5aおよび検出器5bの方向が、一点鎖線で示すそれぞれのカラムの中心に一致しているので、それぞれのカラムの間で画像に生じる観察対象の陰の方向が異なることはない。以上述べたように、本発明の実施例によれば、装置の小型化と省スペース,コストダウン,振動抑止と異物低減による高信頼化を可能とし、特に大口径化したウエハの荷電ビーム検査装置に効果が顕著である。"