"同じ電子部品について、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する測定誤差の補正方法であって、標準試料の測定対象のm-1ポートmは2以上の整数について、前記標準試料の周囲に構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定する第1のステップと、前記標準試料又は前記標準試料と同一の特性を有するとみなせる他の標準試料の測定対象のm-1ポートについて、当該標準試料の周囲に構造物がない状態で、前記基準治具を用いて電気特性を測定する第2のステップと、前記試験治具を用いて測定するときのモデルとして、前記基準治具を用いて測定するときのm-1ポートの実測モデルに、前記構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたmポートの仮想モデルを想定し、前記実測モデルのパラメータが、前記第1のステップで測定した結果に一致し、かつ、前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが、前記第2のステップで測定した結果に一致するように、前記仮想ポートの反射特性を決定する第3のステップと、任意の電子部品について、当該電子部品の周囲に前記構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定して前記試験治具実測値を得る第4のステップと、前記第3のステップで決定した前記仮想ポートの反射特性を有する前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが前記第4のステップで得た前記試験治具実測値と一致するときの前記実測モデルのパラメータを算出し、算出したパラメータを当該電子部品の前記基準治具推定値とする第5のステップと、を備えたことを特徴とする測定誤差の補正方法。前記第3のステップにおいて、前記実測モデルのSパラメータをSoij、前記仮想モデルのSパラメータをSij、前記仮想ポートの反射係数をΓmとすると、であることを用いて、前記仮想ポートの反射特性を決定することを特徴とする、請求項1に記載の測定誤差の補正方法。前記構造物は、前記試験治具に対して電子部品を位置決めする位置決め部材と、前記試験治具に電子部品を押し付ける押圧部材と、の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の測定誤差の補正方法。前記第1、第2及び第4のステップにおいて測定する電気特性は、測定対象のポート間の通過特性を含むことを特徴とする、請求項1、2又は3に記載の測定誤差の補正方法。このような相対補正法において、治具を用いて測定するときに外部へ漏洩したり外部で反射する信号漏洩反射信号については考慮されていないため、治具間で漏洩反射信号が異なることにより発生する誤差成分を補正することができない。すなわち、治具を用いて電気特性を測定するとき、例えば、治具上に枠を配置して電子部品を位置決めし、電子部品を吸着するノズルで電子部品を治具に押圧して電子部品の端子と治具の電極とを圧着する。このように電子部品の周囲に枠やノズルが接近した状態で電気特性を測定すると、比誘電率εr>1である枠やノズルが電子部品に近づくことにより、電子部品の外部への信号の漏洩や外部での信号の反射の状態が、電子部品単体の状態周囲は空気、εr=1と異なる結果、電気特性が電子部品単体の状態からずれて測定される。ノズルや枠の小型化やそれらの部材の低誘電率化により、治具を用いて測定するときのノズルや枠の影響を軽減し、治具を用いて測定した実測値を、電子部品を実装したときの電気特性に、ある程度は近づけることができる。しかし、実測値には漏洩等誤差成分が残ったままであり、形状や材料選択の自由度が狭まり、治具設計上の制約となる。本発明は、かかる実情に鑑み、治具を用いて測定するときに外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる測定誤差の補正方法を提供しようとするものである。本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した測定誤差の補正方法を提供する。測定誤差の補正方法は、同じ電子部品について、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する測定誤差の補正方法であって、第1乃至第5のステップを備える。前記第1のステップにおいて、標準試料の測定対象のm-1ポートmは2以上の整数について、前記標準試料の周囲に構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定する。前記第2のステップにおいて、前記標準試料又は前記標準試料と同一の特性を有するとみなせる他の標準試料の測定対象のm-1ポートについて、当該標準試料の周囲に構造物がない状態で、前記基準治具を用いて電気特性を測定する。前記第3のステップにおいて、前記試験治具を用いて測定するときのモデルとして、前記基準治具を用いて測定するときのm-1ポートの実測モデルに、前記構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたmポートの仮想モデルを想定し、前記実測モデルのパラメータが、前記第1のステップで測定した結果に一致し、かつ、前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが、前記第2のステップで測定した結果に一致するように、前記仮想ポートの反射特性を決定する。前記第4のステップにおいて、任意の電子部品について、当該電子部品の周囲に前記構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定して前記試験治具実測値を得る。前記第5のステップにおいて、前記第3のステップで決定した前記仮想ポートの反射特性を有する前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが前記第4のステップで得た前記試験治具実測値と一致するときの前記実測モデルのパラメータを算出し、算出したパラメータを当該電子部品の前記基準治具推定値とする。上記方法によれば、仮想ポートの反射係数によって、試験治具を用いて測定するときに構造物の影響によって外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を考慮し、補正することができる。具体的には、以下のように種々の態様で実施可能である。好ましくは、前記第3のステップにおいて、前記実測モデルのSパラメータをSoij、前記仮想モデルのSパラメータをSij、前記仮想ポートの反射係数をΓmとすると、であることを用いて、前記仮想ポートの反射特性を決定する。この場合、仮想ポートの反射特性の計算が、比較的簡単である。好ましくは、前記構造物は、a前記試験治具に対して電子部品を位置決めする位置決め部材と、b前記試験治具に電子部品を押し付ける押圧部材との少なくとも一方を含む。この場合、試験治具を用いて測定するときに電子部品の周囲に配置される位置決め部材及び/又は押圧部材の影響により外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。好ましくは、前記第1、第2及び第4のステップにおいて測定する電気特性は、測定対象のポート間の通過特性を含む。この場合、外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分が補正されるので、ポート間のアイソレーション特性の測定精度が向上する。本発明によれば、治具を用いて測定するときに外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。以下、本発明の測定誤差の補正方法の実施の形態について、図1~図6を参照しながら説明する。図4は、測定系の構成図である。図4に示すように、試験治具10又は基準治具10sと、同軸ケーブル22及び測定装置20とを用いて、試料2,2sの電気特性を測定する。破線で模式的に示すように、試料2,2sの各ポートは、治具10,10sの側面に設けられている同軸コネクタ14,14sに電気的に接続される。同軸ケーブル22の先端の同軸コネクタ24は、矢印24xで示すように、治具10,10sの同軸コネクタ14,14sに接続される。同軸コネクタ24より測定装置20側は、予め、既知の電気特性を有する標準器例えば、同軸形状の電子部品を同軸コネクタ24に接続してキャリブレーションを行う。そのため、測定装置20及び同軸ケーブル22は、試験治具10を用いて測定するときと、基準治具10sを用いて測定するときとで、異なるものを用いても構わない。測定装置20には、例えばベクトルネットワークアナライザVNAを用いる。VNAは、複数のポートを有し高周波で用いられる電子部品の電気特性を単に測定するだけでなく、測定した生データを任意に設定したプログラムにより演算して出力する機能も備えている。図1aは基準治具10sの平面図、図1bは基準治具10sの正面図である。図2aは試験治具10の平面図、図2bは試験治具10の正面図である。図1及び図2に示すように、試験治具10及び基準治具10sは、本体12,12sに基板16,16sが固定されている。試験治具10及び基準治具10sの本体12,12s、同軸コネクタ14,14s及び基板16,16sは、同一寸法形状であり、特性ができるだけ同じになるように作製されている。しかしながら、図1に示すように、基準治具10sの基板16sには、例えばはんだを用いて、予め試料2sが実装され、固定されている。この状態で、基準治具10sを用いて試料2sの電気特性を測定する。一方、図2において矢印2xで示すように、試験治具10の基板16には、試料2が着脱自在に配置される。試験治具10の基板16上には、位置決め部材18が固定されている。位置決め部材18には、貫通穴18pが形成されている。試料2は、位置決め部材18の貫通穴18p内に配置されることにより、基板16に対して位置決めされ、所定位置に配置される。図3の要部断面図において矢印19xで示すように、位置決め部材18の貫通穴18p内に配置された試料2は、押圧部材19によって基板16に押し付けられ、試料2の端子図示せずと基板16上の電極図示せずとが圧着し、導通が安定する。この状態で、試験治具10を用いて試料2の電気特性を測定する。このように、試験治具10を用いて試料2を測定するときには、試料2の周囲に、位置決め部材18や押圧部材19といった構造物が配置される。一方、基準治具10sを用いて測定するときには、標準試料2sの周囲に位置決め部材18や押圧部材19といった構造物は配置されない。そのため、試験治具10を用いて測定するときと、基準治具10sを用いて測定するときとで、構造物の有無に起因する測定誤差が生じる。このような構造物の有無に起因する測定誤差は、信号が構造物に漏れたり、漏れた信号の一部が構造物の界面で反射することによる影響が大きいと考えられる。そこで、試験治具を用いて測定するときには、測定対象のポート以外に、信号が漏洩反射する仮想ポートが存在するものとみなし、仮想ポートの反射係数は、構造物によって一定の値となるものとして、構造物の有無に起因する測定誤差を補正する。例えば図5aに示すように、試験治具を用いて測定するときのモデルとして、測定対象のポート51~54に、仮想ポート55が追加された仮想モデル50を想定する。試験治具を用いて測定するときには、図5bに示すように、位置決め部材や押圧部材といった構造物58の接近の影響によって、仮想ポート55に矢印56で示すように何らかの反射特性が現れ、仮想ポートの終端条件の変動により測定対象のポートの測定結果が影響を受けると考える。散乱係数Sパラメータの定義では、各ポートが50Ωで終端されていることが条件になる。たとえて言えば、仮にポート4を50Ωで接続せず、オープン状態で測定するとポート1~3の特性が本来の特性と違って見えることと同様の現象である。一方、基準治具を用いて測定するときには、構造物58の影響がないので、基準治具を用いて測定するときのモデルとして、仮想ポート55がなく、測定対象のポート51~54だけを有する実測モデルを用いる。すなわち、試験治具を用いて測定するときのモデルとして、基準治具を用いて測定するときのm-1ポートの実測モデルに、構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたmポートの仮想モデルを想定する。実測モデルと仮想モデルのSパラメータと、仮想ポートの反射係数との間には、次の式1、式2a~2dに示す一定の関係があることが公知である例えば、TwoPorttoThreePortNoiseWaveTrasformationforCADapplicationsIEEETRANSACTIONSONMICROWAVETHEORYANDTECHNIQUESVOL41No9September1993参照。すなわち、ポートmに反射係数Γxを接続した場合のm-1ポートのSパラメータは、次の式1のように表すことができる。式1において、Sijは実測モデルのSパラメータであり、Sijは仮想モデルのSパラメータである。また、SOという特性を持つm-1ポートのデバイスをmポートに拡張する場合、次の式2a~2dのように表すことができる。式2a~2dにおいて、SOijは実測モデルのSパラメータであり、Sijは仮想モデルのSパラメータである。実測モデルと仮想モデルとの間には、式1又は式2a~2dの関係があるので、仮想ポートの反射係数Γx又はΓmが決まれば、式1又は式2a~2dを用いて、試験治具で測定するときの仮想モデルのパラメータから、基準治具で測定するときの実測モデルのパラメータを算出することができる。すなわち、試験治具を用いて測定したときの実測値試験治具実測値から、基準治具を用いて測定したならば得られる電気特性の推定値基準治具推定値を算出することができる。しかし、仮想ポートの反射特性は、そもそも計測対象ではないため、計測できない。また、シミュレーション等で精度よく推定することも困難である。このため、仮想ポートの反射係数は、標準試料について試験治具と基準治具を用いて測定した結果から、式1又は式2a~2dを満たす最適値を計算機を用いて推定し、その推定値を用いる。具体的には、次の手順によって、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する。以下の手順は、1ポート以上を測定する場合、すなわち式1及び式2a~2dにおいてmが2以上の整数である場合に適用することができる。まず、同一の特性とみなせる複数個の標準試料を準備する。例えば、製品サンプルを測定し、同一の特性とみなせる複数個を選択する。また、同一の特性となるように本体、基板及び同軸コネクタを有する治具を作製し、そのうちの一つを基準治具とし、他の治具の基板上に位置決め部材を固定して試験治具とする。次いで、標準試料を、試験治具と基準治具を用いて測定する。試験治具を用いて測定するとき、標準試料を試験治具の基板に配置した状態で、m-1ポートの電気特性を測定する。このとき、位置決め部材を用いて標準試料を位置決めし、押圧部材を用いて標準試料を基板に押し付けた状態、すなわち標準試料の周囲に構造物を配置した状態で測定を行う本発明の第1のステップ。基準治具を用いて標準試料を測定するとき、標準試料は基準治具の基板に実装した状態で、m-1ポートの電気特性を測定する。このときは、標準試料の周囲には、位置決め部材や押圧部材といった構造物がない状態で測定する本発明の第2のステップ。次いで、標準試料について基準治具を用いて測定したときの測定値基準治具測定値と、試験治具を用いて測定したときの測定値試験治具測定値とから、式2a~2dを満たすように、最適な仮想ポートの反射係数Γmを決める本発明の第3のステップ。例えば、仮想ポートの反射係数は複素数で表され、0~1∠-180°~180°の範囲の値のみをとり得るので、この範囲で任意サイズのグリッドを生成し、各グリッドの値を反射係数として仮定して式1又は式2a~2dを適用する。そして、反射係数として適切なグリッド反射係数の最適値に近いと思われるグリッドを選択する。次いで、選択したグリッドの周辺の狭い範囲についてグリッドのサイズを小さくし、同様に適切なグリッドを選択する。これを繰り返し、グリッドの範囲を絞り込むことによって、反射係数Γmの最適値を決定する。式2a~2dを用いる場合、SOijは基準治具測定値、Sijは試験治具測定値に対応するため、反射係数Γmを仮定し、式2a~2cのSOijに基準治具測定値を代入して仮想ポートに関連するパラメータSmm,Sim,Smjを求め、それらの値と式2dから、仮想ポートに関連するパラメータSmm,Sim,Smjを除くパラメータSij試験治具測定値の計算値を算出し、これと実際に測定した試験治具測定値実測値と一致するように、反射係数Γmを決定する。仮想ポートの反射係数Γmの最適値は、種々の基準で決定することができる。例えば、全体的な誤差除去を重視する場合には、式2dから求めたSijの計算値と実測値との誤差ができるだけ小さくなるように、仮想ポートの反射係数Γmを決定する。計算値と実測値との誤差の大小は、Sijごとの計算値と実測値との誤差複素数について、それぞれの和で評価しても、それぞれの絶対値の和で評価してもよい。特定のパラメータについての誤差をできるだけ小さくしたい場合には、特定のパラメータについてのみ誤差を評価し、あるいは特定のパラメータについての誤差の重み付けを他のパラメータよりも大きくして評価し、仮想ポートの反射係数Γmの最適値を決定してもよい。次いで、任意の電子部品を試験治具に配置し、標準試料を測定したとき同じ状態で測定する。すなわち、位置決め部材を用いて電子部品を位置決めし、押圧部材を用いて電子部品の端子を基板の電極に圧着させた状態で測定を行う本発明の第4のステップ。次いで、決定した仮想ポートの反射係数Γmと、任意の電子部品について試験治具を用いて測定した測定値試験治具測定値から、式1を用いて、基準治具を用いて測定したならば得られるであろう測定値基準治具推定値を算出する本発明の第5のステップ。式1において、Sijは基準治具推定値、Sijは試験治具測定値に対応する。Sijと、反射係数Γxとは既知であるので、Sij、すなわち基準治具推定値を算出することができる。なお、式1の右辺は、仮想ポートに関連するパラメータSim,Smj,Smmを含むが、これらはΓxが決まれば簡単に計算できる。なお、式1のΓxは、式2a~2dを用いて決定したΓmと同じ値とする。以上の手順により、構造物の有無による特性変動を計算により除去することができ、基準治具推定値を比較的簡易に得ることができる。また、構造物の有無による特性変動を計算により除去することができるため、治具や構造物の形状や材料選択の自由度が広がり、治具設計上の制約条件を緩和することができる。また、差分補正では製品特性にかかわらず一定値の加減算を行うため、理論上ありえない値に補正される場合があるが、本発明の測定誤差の補正方法では、そのようなことがない。そのため、差分補正と比較して、高アイソレーション部分の補正誤差が小さなり、誤差補正の精度がよい。図6のグラフは、4ポートSAW-DPXについて、上記手順で測定誤差を補正した例である。送受信ポート間のアイソレーション特性の誤差除去を重視するため、S23、S24のそれぞれについて計算値と実測値との誤差が0に近づくように、仮想ポートの反射係数Γmを決定した。図6中の実装特性は、基準治具を用い、標準試料を基準治具に実装した状態で測定した基準治具測定値である。治具特性は、試験治具を用い、位置決め部材を用いて標準試料を試験治具の所定位置に配置し、押圧部材で標準試料を試験治具に押し付けた状態で測定した試験治具測定値である。補正後特性は、標準試料についての基準治具測定値及び試験治具測定値から仮想ポートの反射係数を決定し、決定した反射係数を用いて試験治具測定値から算出した基準治具推定値を示す。図6から分かるように、実装特性基準治具測定値と、補正後特性基準治具推定値とがよく一致しており、構造物の有無に起因する測定誤差が精度よく補正されている。<まとめ>以上に説明したように、実測モデルに、構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続された仮想モデルを想定することによって、試験治具を用いて測定するときに外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。例えば、第3のステップにおいて、式2a~2dの代わりに式1を用いて、反射係数を決めることも可能である。また、第5のステップにおいて、式1の代わりに式2a~2dを用いて、基準治具推定値を算出することも可能である。また、外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正する本発明の誤差補正方法と、治具間の誤差を補正する相対補正法とを組み合わせてもよい。"