導電性材料からなる第1の層16が両面に設けられるとともに、少なくとも1つの電子部品20が前記第1の層16の切り抜き18に配置されている導電性のコア層10を備え、前記第1の層16の各々が、電気絶縁性かつ熱伝導性の層34、36で覆われるとともに、導電性材料からなるさらなる層22、26が、前記熱伝導性の層34、36の各々へと設けられ、前記さらなる層の各々が、導電性材料からなる被覆層38で被覆されている電子デバイス50であって、前記被覆層38の材料からなるめっきされた貫通孔24をさらに備え、該孔24が、前記電子部品20との接触を形成する目的で、前記電子部品20を覆う前記電気絶縁性かつ熱伝導性の層36及び導電性かつ熱伝導性の材料からなる前記さらなる層22を貫いて延びている、電子デバイス50。導電性材料からなる第1の層16が両面に設けられるとともに、少なくとも1つの電子部品20が前記第1の層16の切り抜き18に配置されている導電性のコア層10を備え、前記電子部品20の上方の前記第1の層16が、電気絶縁性かつ熱伝導性の層36で覆われるとともに、導電性材料からなるさらなる層22が、前記熱伝導性の層36へと設けられ、前記さらなる層が、導電性材料からなる被覆層38で被覆されている電子デバイス50’であって、前記被覆層38の材料からなるめっきされた貫通孔24をさらに備え、該孔24が、前記電子部品20との接触を形成する目的で、前記電子部品20を覆う前記電気絶縁性かつ熱伝導性の層36及び導電性かつ熱伝導性の材料からなる前記さらなる層22を貫いて延びている、電子デバイス50’。前記切り抜き18の深さdが、前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きい、請求項1又は2に記載の電子デバイス50;50’。電子部品20が2つ以上である場合に、各々の部品20に、熱拡散用の表面が、据え付けられた各々の部品20の前記熱拡散用の表面が実質的に同一になるようなやり方で割り当てられている、請求項1~3のいずれか1項に記載の電子デバイス50;50’。2つの電気絶縁性層36、37の間に位置するさらなる部品60及び/又はインターポーザIPをさらに備えている、請求項1~4のいずれか1項に記載の電子デバイス50;50’。電子デバイス50を製作する方法であって、上面12及び下面14を有する導電性材料からなる基板10を用意し、導電性材料からなる第1の層16を前記基板10の前記上面12及び/又は前記下面14に適用し、電子部品を受け入れるための少なくとも1つの切り抜き18を前記第1の層16に設け、少なくとも1つの部品20を前記少なくとも1つの切り抜き18に挿入することによって、第1の半完成品HZ1を製作する工程と、導電性材料からなる第1の板要素22を用意し、めっきされた貫通孔を後に形成するための孔24を前記第1の板要素22に生成することによって、第2の半完成品HZ2を製作する工程と、導電性材料からなる第2の板要素26を用意することによって、第3の半完成品HZ3を製作する工程と、前記第1の半完成品HZ1を前記第3の半完成品HZ3の上に、また、前記第2の半完成品HZ2を前記第1の半完成品HZ1の上に、間にプリプレグ層34、36をそれぞれ設けつつ位置させることによって、前記3つの半完成品HZ1、HZ2、HZ3を積み重ねられた構造体として配置する工程と、前記構造体を積層する工程と、前記積層する工程の後で、前記第1の板要素22の前記樹脂で満たされた孔24を露出させる工程と、コンタクトを生成する目的で前記孔24を導電性材料で少なくとも部分的に満たす工程とを含む、方法。電子デバイス50’を製作する方法であって、上面12及び下面14を有する導電性材料からなる基板10を用意し、導電性材料からなる第1の層16を前記基板10の前記上面12及び/又は前記下面14へと塗布し/付着させ、電子部品を受け入れるための少なくとも1つの切り抜き18を前記第1の層16に設け、部品20を前記少なくとも1つの切り抜き18に挿入することによって、第1の半完成品HZ1を製作する工程と、導電性材料からなる第1の板要素22を用意し、めっきされた貫通孔を後に形成するための孔24を前記第1の板要素22に生成することによって、第2の半完成品HZ2を製作する工程と、前記第2の半完成品HZ2を前記第1の半完成品HZ1の上に、間にプリプレグ層36を設けつつ位置させることによって、前記2つの半完成品HZ1、HZ2を積み重ねられた構造体として配置する工程と、前記構造体を積層する工程と、前記積層処理の後で、樹脂で満たされた前記第1の板要素22の前記孔24を露出させる工程と、めっきされた貫通孔を形成する目的で、前記孔24を導電性材料38で少なくとも部分的に満たす工程とを含む、方法。前記切り抜き18が、該切り抜き18の深さdが、挿入される前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きくなるようなやり方で、前記第1の層16を選択的に適用することによって形成される、請求項6又は7に記載の方法。前記少なくとも1つの電子部品20を挿入する工程の後で、前記切り抜き18の前記部品20の周囲の凹所が、加圧段階の前に充填される、請求項6~8のいずれか1項に記載の方法。チャネルK1、K2、K3が、前記第1の層16及び前記基板10に生成され、該チャネルが、前記積層する工程の後に取り除かれる保持スタッドSを有する、請求項6~9のいずれか1項に記載の方法。前記配置する工程において、2つのプリプレグ層36、37が前記第1の半完成品HZ1と前記第2の半完成品HZ2との間に配置され、さらなる部品60及び/又はインターポーザIPが、前記2つのプリプレグ層36、37の間に配置され、該部品又はインターポーザへの接触が、加圧の工程の後にめっきされた貫通孔62、72によって行われる、請求項6~10のいずれか1項に記載の方法。前記さらなる部品60及び/又は前記インターポーザIPへの接触のための前記孔62、72が、レーザ穿孔及びその後のめっきによって生成される、請求項11に記載の方法。前記第2の半完成品HZ2を製作する工程の際に、前記さらなる部品60及び/又は前記インターポーザIPへの接触のための貫通孔が設けられる、請求項11又は12に記載の方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の電子デバイス50;50’を有する、プリント基板LP;LP’。プリント基板LP;LP’の表面が前記電子デバイス50;50’と同一面で終わっている、請求項14に記載のプリント基板LP;LP’。ヒートシンク120が、当該プリント基板LP;LP’及び前記電子デバイス50;50’の同一面な接合部へと接続されている、請求項15に記載のプリント基板LP;LP’。熱伝導率の低い層114が、前記電子デバイス50;50’と、上方に位置する当該プリント基板LP;LP’の導電路113との間に設けられている、請求項14~16のいずれか1項に記載のプリント基板LP;LP’。電子デバイス50、50’をプリント基板へと一体化させるための方法であって、請求項1~6のいずれか1項に記載の電子デバイス50、50’を用意する工程と、前記電子デバイス50;50’を受け入れるための凹所を備えるプリント基板を用意する工程と、熱伝導率の低い層114を前記凹所へと挿入する工程と、前記電子デバイス50、50’を、前記プリント基板の前記凹所へと、前記熱伝導率の低い層114の上に挿入する工程と、上述のように生成された積み重ねの構造体を押し合わせる工程と、前記電子デバイス50、50’を前記プリント基板LP、LP’に接触させるようにも機能する共通の外側層を形成する導電層118を適用する工程とを含む、方法。ヒートシンク120が、前記電子デバイス50、50’の領域において共通の外側層118を形成している前記層上に取り付けられている、請求項36に記載の方法。TIM層119が、熱的な途切れのない接合部を形成すべく前記導電層118と前記ヒートシンク120との間に配置されている、請求項19に記載の方法。熱伝導性の誘電体116が、電子デバイスが挿入された前記プリント基板と、前記共通の外側層118との間に配置されている、請求項18~20のいずれか1項に記載の方法。請求項6~13のいずれか1項に記載の方法に従って製造された、電子デバイス50;50’。2つ以上の電子部品20を備え、各々の部品20に、放熱用の表面が、各々の部品20の前記放熱用の表面が基本的に同一であるようなやり方で、割り当てられている、請求項22に記載の電子デバイス50;50’。請求項22又は23に記載の電子デバイス50;50’を備えている、プリント基板LP。プリント基板LP;LP’の表面が前記電子デバイス50;50’と同一面で終わっている、請求項24に記載のプリント基板LP;LP’。ヒートシンク120が、当該プリント基板LP;LP’及び前記電子デバイス50;50’の同一面な接合部へと接続されている、請求項25に記載のプリント基板LP;LP’。熱伝導率の低い層114が、前記電子デバイス50;50’と、上方に位置する当該プリント基板LP;LP’の導電路113との間に設けられている、請求項24~26のいずれか1項に記載のプリント基板LP;LP’。これとは対照的に、本発明は、請求項1及び2の特徴をもつ電子デバイス、請求項6及び7の特徴をもつその製作方法、請求項14の特徴をもつ本発明に係るデバイスを備えているプリント基板、及び電子デバイスを請求項18の特徴をもつプリント基板に一体化させるための方法を提案する。本発明に係る該デバイスはセラミックスで製作されたものよりも低価格な代替物である。また該デバイスはセラミックスで製作されたものに比べると、著しく破損しにくい。一般に使用されていた長いアルミニウムのボンドワイヤは銅の短いビアに取って代わっているため、ON状態の抵抗は著しく減少している。さらに、使用されたガルバニック接触部は、一般に使用されていたボンドワイヤより小さな表面積を必要とするため、本発明の設計はチップサイズの減少を可能にする。また、対称的な層構造を有するため、該デバイスは平面性も向上している。チップと該接触部の間の熱膨張係数の違いは減少しており、その結果、信頼性が向上している。さらなる利点は、電気絶縁部、例えば、モータハウジングからの電気絶縁部は誘電体を介して該デバイスモジュールに既に一体化されている。これにより製作された該デバイスは、直接プリント基板に一体化することができ、費用効果の高い包括的な解決策を提示している。本発明の追加的な利点及び態様については、明細書及び添付図面から理解されうる。上述した特徴及び後述される特徴は、本発明の範囲内において、示された組合せに適用されるだけでなく、他の組合せ又は個別にも適用されることは自明である。本発明は、図示する目的のために、概略図一定の縮尺ではないで表された例示態様によって示され、図面を参照しつつ以下のように詳細に説明される。本発明に係る方法においては、上面12及び下面14を有する導電性材料からなる基板10が用意される図1。この基板は、例えば、銅シートとすることができ、当業者に知られた他の導電性材料でも可能である。銅は、3つの有用な特性、すなわち、高い導電性、高い熱伝導性をもち、また同様の伝導性を示す他の材料に比べて、リーズナブルなコストで入手することができる。基板10の寸法は、所定の要件を考慮して、特定のケースに対して当業者が適当に選択することができる。典型的な寸法は、例えば、0.2から1mmの厚さで、600mm×600mmである。任意に、支持体のみが選択的にエッチングされるように、堆積金属とは異なるエッチング特性を示す、より安価な金属を使用することができる。したがって、支持体の材料として、前述した銅をめっきしたアルミニウムを使用することができる。これにより、コストと重量の両方で節約することが可能になるであろう。次の工程において、導電性材料からなる第1の層16を基板10に適用する。第1の層16は、基板10の上面12及び/又は下面14に適用する。この適用は、当業者に知られた、例えば、堆積めっき、ガルバニック/電気化学的堆積又は他の適切な技術手段スパッタリング、真空蒸着等を介して行うことができる。本発明において、基板10への第1の層16の適用は、少なくとも1つの切り抜き18が形成されるようにして行われる。切り抜き18の寸法底面積及び深さは、切り抜き18が所望する電子部品20を受け入れることができるように選択され図3、次の工程では、電子部品20は切り抜き18に挿入され、基板10に配置される。この電子部品20は、例えば、出力半導体又は他の類似の部品でありうる。切り抜き18の深さdは、例えば、挿入される電子部品20の高さと、基板10と電子部品20の下面の間に設けられる接続層19の高さの合計が、該切り抜きの深さdよりもいくらか小さくなるように選択される。あるいは、別の言い方をするならば、板要素層22は、挿入される該部品と該接続層の合計よりもいくらか厚くなる。接続層19は、例えば、ソルダー層、有機層、又は適切な接着剤とすることができる。切り抜き18の領域内の基板10の表面には、部品との接触面を形成するために、任意に適切な貴金属例えば、Ag、Au、Sn又は同等物を設けることができる。電子部品又はチップ20及び基板10の表面の被覆のための被覆材料の適当な組合せを通じて、ソルダリング前よりもソルダリング後に、より高い融点を示す化合物を形成しうる。これは、例えば、該部品への金Auと該基板へのスズSnの組合せで達成しうる。Snは232°Cで溶融し、該温度でソルダリング工程が起こる。この工程の際に、232°Cを超える融点をもつAuSn中間相が形成される。これにより、さらなる工程の際に後の再溶融が防止される。電子部品の表面は、その下面が意図した接着方法に対して有効であるように形成される。例えば、ソルダリングが意図されているのであれば、ソルダリング可能な表面である。該部品の上面は、後のガルバニックgalvanic接触部形成に適したやり方で形成される。例えば、接触部表面に銅めっきすることである。チップ又は他の部品を受け入れるための切り抜きを設ける本発明の既述した工程には、機械的圧力の効果により、押し合わせる/積層する後の処理工程の際に部品が保護されるという利点がある。めっきの高さしたがって切り抜きの深さdは、部品の厚さと接続層の合計よりもいくらか大きくなるように選択されるからである。このことは、部品の表面が十分に層22の表面の下に配置され、押圧の際に部品に損害を与える圧力がかからないようにする。切り抜きの周囲に導電層を適用することにより切り抜きを形成することは、切り抜きが直角の角度と垂直面それ以外の方法では、これは大変な困難さでのみ達成することができるが、エッチングではできないをもつという利点があり、その結果、挿入される部品の寸法に対して非常に精確に適合するように切り抜きを形成することができる。部品20の周囲に設けられた凹所は、実装許容差を補償するために、据え付け及びソルダリング工程の完了後に、適切な材料、例えば、標準的な流延材料を用いて充填することができる。前述したように、指定された切り抜き18への部品20の挿入の後、第1の半完成品HZ1が完成する。1つの態様においては、第1の半完成品には、チャネルK1、K2、K3によって規定されたフィールド又はアレイF1、F2、F3、F4を設けてもよい図4。これらのフィールドF1、F2、F3、F4は、完成後、互いに電気的に絶縁することを意図されている。この目的のために、チャネルK1、K2、K3が、例えば、エッチングの手段により、第1の層16及び基板10に生成される。この時点では、チャネルK1、K2、K3を横方向に貫いて延び、機械的にそれらを接続するスタッドSを該チャネルはまだ有する。このスタッドは安定性を付与する保持スタッド。積層する工程後述の後に、この保持スタッドは適切な処理、例えば、ドリリング、ルーティング、スタンピングにより除去される。こうして、該電子デバイスに電位が分割された領域が形成される。半円形又は部分的に円形の凹所28は、図4に示す第1の半完成品HZ1の下部領域に、完成されたデバイスの貫通穴のための電位分割電位分離を供給する。前述したように形成されたフィールドF1、F2、F3、F4は、本発明において、電子部品20に放熱用の表面を供給する。各フィールドF1、F2、F3、F4のサイズは、据え付けられた各々の部品に割り当てられた放熱用の表面が実質的に同一であるようなやり方で選択される。前述したチャネルは、加圧工程前に層構造に注入しなければならない樹脂の量を減らすため、実際の積層工程の前に埋めることができる図6。このことは、例えば、一方で、3つの半完成品の間に非常に狭い絶縁クリアランスHZ1、HZ2、HZ3が所望され、他方、長くて幅の広いチャネルが埋められるときに必要であるかもしれない。これは例えば、印刷工程又はローラーコーターの手段により達成しうる。樹脂は特に熱伝導性である必要はない。上述したフィールド又はアレイは、本発明において、フィールド/アレイに配列される部品に左右対称の熱拡散のための同一のデバイス面を割り当てるのに役立つ。この点において、左右対称のは、図9を参照して後でも説明されるように、それぞれに割り当てられた同一サイズの面により、操作中の部品によって生成される熱が等しく伝えられることを意味する。本発明の1つの態様においては、基板10は、図2に示した処理工程の後に、図2aに示したように、単数にする又は分割することができる。図2aは、左が、デバイスに取り付けられる複数示された該例示の態様では91のデバイスカードをもつ基板10の平面図である。図2aの右の図示からわかるように、挿入の目的のために、ストリップ10’又は個々のカード10のように単数化を行うことができる。この例示態様においては、個々のカード10クローズアップして図示は6つの切り抜き18を有している。挿入されるべき部品が該切り抜きに挿入された後、ストリップ又は個々のカードは、例えば適切のトレー図示せずに配置することにより、再び再アセンブルされる。本発明に基づいて第2の半完成品HZ2を製作するため、導電性材料からなる第1の板要素22が供給される図5。この第1の板要素は、平面要素であり、例えば、適切な導電性材料からなるシートである。使用される材料は、前述した理由から銅とすることができる。第1の板要素の寸法は、後述するさらなる処理工程に関係する理由のため、基板10の寸法に基づく。既述した例示態様においては、この寸法は約600mm×600mmである。該板要素の厚さは、約0.2mmであるが、各所定のケースでの要件に応じて、当業者はより厚い又は薄い板要素を選択することができる。前記供給の工程の後、1又はそれ以上の場所において貫通孔24を板要素に穿孔し、その後、めっきされた貫通孔フィードスルーを形成する。該フィードスルー孔24は、ドリリング、スタンピング、エッチング、レーザの利用、又は当業者にとって知られた他の方法により形成することができる。この工程の後、本発明においては、第2の半完成品HZ2が完成する。次いで、第3の半完成品HZ3として、導電性材料からなる第2の板要素26が供給される分割して図示されていない。層構造を形成するときに、当業者に本質的に知られている、該2つの半完成品を互いに整列させるのに役立つ位置揃え要素を、第1の半完成品HZ1と第3の半完成品HZ3に設けることができる。使用される積層樹脂のより良い接着を確実にするために、半完成品HZ1、HZ2、HZ3の全部又は個別の上面を適切な方法手段により粗くし、及び/又は引き続く工程で層をアセンブルする前に、接着促進層結合材で被覆してもよい。第1の半完成品の場合、適切な結合材は半完成品の表面と電子部品の表面に同時に適用することができる。図6は、今までに製作された3つの半完成品HZ1、HZ2、HZ3の配置を図示している。第1の半完成品HZ1は第3の半完成品HZ3上に配置され、第1の半完成品HZ1の面には上向きに、したがって、第3の半完成品から外方の向きに挿入された部品20が設けられている。互いに配置される前に、2つの半完成品の間に第1のプリプレグ層34が設置される。この第1のプリプレグ層34は、存在する位置揃え要素の対向するインターロック部分内に延びないようなやり方で設計することができる。第2のプリプレグ層36を所定の位置に配置した後、第2の半完成品HZ2の貫通孔24が電子部品20の上方で所望する向きとなるように、第2の半完成品HZ2を、第1の半完成品HZ1の上面12上の第1の層16に配置させ、その結果、該孔は次いで部品20に対するめっき貫通孔又はフィードスルーとしての役割を果たすことができる。任意に、該プリプレグを、将来のフィードスルー貫通孔24の領域内で前もって孔を空けておいてもよい。この目的のため、予備成形された孔の領域内のガラスメッシュは除去され、プリプレグを所定の位置に配置し、フィードスルー孔24と整列させるときに、レーザは積層工程後に樹脂を除去だけする必要があるため、続くレーザ穿孔工程が容易となる。プリプレグ層を選択する場合、該材料の好ましい熱伝導性は重要な考慮すべき事項である。例えば、高い熱伝導性材料を使用することができる。高い伝導性フィラーを含む樹脂を有するプリプレグ、例えば、A1203又はTiNを使用しうる。プリプレグ層の厚さは必要な熱伝導性と他のパラメータ、例えば、絶縁耐力に基づいて選択される。このようにして形成された図6に示したサンドイッチ構造層状構造は、次いで、当業者に知られた工程パラメータの下、押し合わされ、又は積層される。後続する処理工程においては、積層処理の際にプリプレグ樹脂で充填されたフィードスルー孔24は露出される存在するあらゆるガラス繊維を含む。これは当業者に知られた適当な手段、例えば、図7に示した定型化レーザフラッシュのようなレーザによって行うことができる。貫通孔24から誘電体を除去した後、プリプレグ層36のため、電子部品20の上方の該孔24の誘電体の壁の上に薄い導電性の層を公知の方法で直接形成させる。この層は、例えば、銅の化学堆積によって形成することができる。次いで、導電性材料からなる被覆層38は、上記のように形成された中間の積層構造の一番上の層22に適用される。この導電性材料は、例えば、ガルバニックに適用された銅にすることができ、フィードスルー孔24が完全に充填されるか、あるいは少なくとも下方に位置する電子部品20と良好な接触が確実となるように十分に充填されるやり方で適用される。また該被覆層は、図8の例示態様に示したように、中間の積層構造の底面底層26に適用することができる。図9は、本発明に係る電子デバイス50の断面図を示しており、基板10の銅又は前述した金属コアとその上に堆積されたガルバニック銅又は金属層16からなり、その上に上方及び下方に熱伝導性の誘電体層34、36が配置され、また、その上に上方及び下方に、さらなる銅又は金属層22、26、38が順に配置され、金属/銅ビア24によって接触される埋め込まれた部品又はチップ20を備えている。本発明に係る電子デバイスのこの構造は安定で熱的に非常に効率の高い設計であり、類似の性能のセラミック基板と比較して、製作費が顕著に安くすみ、下位拡張性が高く、破損に対する抵抗性が高い。ボンディングのための太いワイヤを考慮する必要がないため、ガルバニック接触方法はより小さいチップを可能にする。図9においては、デバイス50の熱放散路を各種の熱抵抗Rth1からRth4と結びつけて点線の矢印で示している。この図からわかるように、本発明に従って製作されたデバイス50は、電子部品で生成された熱を逃がすのに特に役立ついくつかの熱放散路を示している。これは、とりわけ電気及び熱の接続のための2つの銅水平面を使用することによって達成される。これにより、同一の表面積に対してより高性能の部品の使用より高い性能密度、及び/又は過熱の危険なく、熱放散路の設計において利用可能な表面の増加が可能となる。この効果は、熱拡散のために使用され、すなわち、熱抵抗は断面積の増加に比例して減少する。本発明で使用される材料は、特に有利な熱伝導係数によって特徴づけることが好ましい。標準的なプリプレグ樹脂材料は、熱伝導率が約0.2から0.3W/mKである。しかしながら、0.8から2.0W/mKの熱伝導率をもつ材料は使用可能である。フィールド又はアレイF1、F2、F3の表面及びフィールドF4の表面の三分の一は同じ大きさであり図4、その結果、各部品は熱拡散のために同一の表面を利用することができる。本発明によって意図された熱伝導を確実に行うため、ここでは、フィールドに複数の部品があるため、多数の部品/チップが配置されるフィールドは、1つの部品をもつフィールドのために供給された表面の同数倍大きい表面を必要とすることが考慮されている。これにより、異なる形状のために1つのチップが他のものよりも過熱しホットスポット効果、全体のシステムの性能が1つの熱いチップを冷却するために低下する状況が回避される。図10に示したように、本発明に従って制作されたデバイス50はプリント基板と一体化することができる。この目的のため、電子デバイス50は、該目的のためのプリント基板の凹所に挿入され、加圧の工程が完了した後に、プリント基板の上面が該デバイスの上面と同一平面となるように、これと押し合わせる。図10では、プリント基板LPの白い層は、絶縁性層110、111を示し、網かけの層は導電層113を示す。2つの引っ込んだスタッドホールは、デバイス50とプリント基板LPを接続させるのに役立つ。低い熱伝導性を有する水平方向に網かけした層114は直接デバイス50の上に配置される。ヒートシンク120とプリント基板LPの下部の銅の外側層118との間に、熱的な途切れのない接合部を形成するために、TIM層119を設けてもよいTIM:熱界面材料thermalinterfacematerial。プリント基板LPに据え付けたとき、第3の半完成品HZ3は、一連の層34、26、38の全体にわたって省略してもよい。この例は図11に示している。ここでは、電子デバイス50’は、第3の半完成品HZ3なしに、直接プリント基板LP’と一体化される。プリント基板LP’は、熱伝導性プリプレグ116が付加的にプリント基板の下面及び一体化したデバイス50’を通って延びている以外は、通常図10に示した構造と同じ構造を呈する。次いで、銅層118がプリント基板とデバイス50’の共通の外側層として適用されるプリント基板の上面のスタッドホール112のめっきされた貫通接触部を形成するための被覆層のガルバニック適用と同時に形成される。プリント基板LP’とデバイス50’の一体化の際に、この熱伝導性の外側誘電体層と共にそれらは押し合わされる。デバイス50’の下には、外側層116の底面に再び、銅層118、TIM層119、及びヒートシンク120が次に続く。代わりとして、図11、12の2つの態様にあるように、プリント基板が該デバイスの下を延び、ヒートシンク120によって実施されるヒートシンク表面の機能図示せずを呈するように設計してもよい。該デバイスの上のプリント基板の領域は、前述したように、上方への低い熱伝導が結果として生じるように設計することができる。プリント基板の温度感受性の高い部品の過熱を防ぐ、又は少なくとも最小とする。この目的のため、図11、12に示された熱伝導性の低い層114の代わりに、あるいは追加して、少なくとも1つのキャビティ図示せずをこの層114上方に設けて、直接該デバイスに隣接させてもよい。次いで、該デバイスのプリント基板に対する電気的及び機械的接続は、側辺及び表面の残りの部分を介して達成される。本発明の1態様においては、2つのプリプレグ層36、37は、第1の半完成品HZ1と第2の半完成品HZ2の間に配置することができ、それらの間に部品が逐次配置される。この部品は、例えば、電流測定又は電流検出のための部品60分流器とすることができる図12の例ではフィルム部品。この部品は、別の文脈において前述したように、例えば、めっきした貫通レーザ孔62によって接触される。別の態様においては、図12に関連して多く述べたように、第1の半完成品HZ1と第2の半完成品HZ2の間にある2つのプリプレグ層36、37の間に、図13に示したように、少なくとも1つの個別受動部品をインターポーザにより配置することができる。その品目の高さに応じて、インターポーザIPを受け入れるために、キャビティ17を第1の半完成品HZ1に設けることができる。めっきした貫通レーザ孔72又は類似の手段によって接触がなされる。本発明の態様は、以下に挙げた態様のリストに要約される。1.導電性材料からなる第1の層16が両面に設けられるとともに、少なくとも1つの電子部品20が前記第1の層16の切り抜き18に配置されている導電性のコア層10を備え、前記第1の層16の各々が、電気絶縁性かつ熱伝導性の層34、36で覆われるとともに、導電性材料からなるさらなる層22、26が、前記熱伝導性の層34、36の各々へと設けられ、前記さらなる層の各々が、導電性材料からなる被覆層38で被覆されている電子デバイス50であって、前記被覆層38の材料からなるめっきされた貫通孔24をさらに備え、該孔24が、前記電子部品20との接触部を形成する目的で、前記電子部品20を覆う前記電気絶縁性かつ熱伝導性の層36及び導電性かつ熱伝導性の材料からなる前記さらなる層22を貫いて延びている、電子デバイス50。2.態様1のデバイス50において、コア層10が、銅又は銅めっきされたアルミニウムからなる。3.態様1又は2のデバイス50において、第1の層16が、ガルバニックに堆積された銅である。4.態様1~3のいずれか1つのデバイス50において、切り抜き18の深さdが、前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きい。5.態様1~3のいずれか1つのデバイス50において、電子部品20が2つ以上である場合に、各々の部品20に、熱拡散又は放熱用の表面が、据え付けられた各々の部品20の前記熱拡散又は放熱用の表面が実質的に同一になるようなやり方で割り当てられている。6.導電性材料からなる第1の層16が両面に設けられるとともに、少なくとも1つの電子部品20が前記第1の層16の切り抜き18に配置されている導電性のコア層10を備え、前記電子部品20の上方の前記第1の層16が、電気絶縁性かつ熱伝導性の層36で覆われるとともに、導電性材料からなるさらなる層22が、前記熱伝導性の層36へと設けられ、前記さらなる層が、導電性材料からなる被覆層38で被覆されている電子デバイス50’であって、前記被覆層38の材料からなるめっきされた貫通孔24をさらに備え、該孔24が、前記電子部品20との接触部を形成する目的で、前記電子部品20を覆う前記電気絶縁性かつ熱伝導性の層36及び導電性かつ熱伝導性の材料からなる前記さらなる層22を貫いて延びている、電子デバイス50’。態様6のデバイスは、ここで、及び図11を参照して本明細書で述べるように、例えば、プリント基板に一体化するための中間製品として意図している。7.態様6のデバイス50’において、コア層10が、銅又は銅めっきされたアルミニウムからなる。8.態様6又は7のデバイス50’において、第1の層16が、ガルバニックに堆積された銅である。9.態様6~8のいずれか1つのデバイス50’において、切り抜き18の深さdが、前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きい。10.態様6~9のいずれか1つのデバイス50’において、電子部品20が2つ以上である場合に、各々の部品20に、熱拡散又は放熱用の表面が、据え付けられた各々の部品20の前記熱拡散又は放熱用の表面が実質的に同一になるようなやり方で割り当てられている。11.電子デバイス50を製作する方法であって、上面12及び下面14を有する導電性材料からなる基板10を用意し、導電性材料からなる第1の層16を前記基板10の前記上面12及び/又は前記下面14に適用し、電子部品を受け入れるための少なくとも1つの切り抜き18を前記第1の層16に設け、少なくとも1つの部品20を前記少なくとも1つの切り抜き18に挿入することによって、第1の半完成品HZ1を製作する工程と、導電性材料からなる第1の板要素22を用意し、めっきされた貫通孔を後に形成するための孔24を前記第1の板要素22に生成することによって、第2の半完成品HZ2を製作する工程と、導電性材料からなる第2の板要素26を用意することによって、第3の半完成品HZ3を製作する工程と、前記第1の半完成品HZ1を前記第3の半完成品HZ3の上に、また、前記第2の半完成品HZ2を前記第1の半完成品HZ1の上に、間にプリプレグ層34、36をそれぞれ設けつつ位置させることによって、前記3つの半完成品HZ1、HZ2、HZ3を積み重ねられた構造体として配置する工程と、前記構造体を積層する工程と、前記積層する工程の後で、前記第1の板要素22の前記樹脂で満たされた孔24を露出させる工程と、接触部を生成する目的で前記孔24を導電性材料で少なくとも部分的に満たす工程とを含む、方法。12.態様11の方法において、コア層10が、銅又は銅めっきされたアルミニウムからなる。13.態様11又は12の方法において、第1の層16の適用が、ガルバニック堆積の手段で行われる。14.態様11~13のいずれか1つの方法において、該切り抜き18の深さdが、挿入される前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きくなるようなやり方で、前記第1の層16を選択的に適用することによって形成される。15.態様11~14のいずれか1つの方法において、前記少なくとも1つの電子部品20を挿入する工程の後で、前記切り抜き18の前記部品20の周囲の凹所を、加圧段階の前に充填する。16.態様11~15のいずれか1つの方法において、チャネルK1、K2、K3が、前記第1の層16及び前記基板10に生成され、該チャネルが、前記積層する工程の後に取り除かれる保持スタッドSを有する。17.電子デバイス50’を製作する方法であって、上面12及び下面14を有する導電性材料からなる基板10を用意し、導電性材料からなる第1の層16を前記基板10の前記上面12及び/又は前記下面14へと塗布し/付着させ、電子部品を受け入れるための少なくとも1つの切り抜き18を前記第1の層16に設け、部品20を前記少なくとも1つの切り抜き18に挿入することによって、第1の半完成品HZ1を製作する工程と、導電性材料からなる第1の板要素22を用意し、めっきされた貫通孔を後に形成するための孔24を前記第1の板要素22に生成することによって、第2の半完成品HZ2を製作する工程と、前記第2の半完成品HZ2を前記第1の半完成品HZ1の上に、間にプリプレグ層36を設けつつ位置させることによって、前記2つの半完成品HZ1、HZ2を積み重ねられた構造体として配置する工程と、前記構造体を積層する工程と、前記積層処理の後で、樹脂で満たされた前記第1の板要素22の前記孔24を露出させる工程と、めっきされた貫通孔を形成する目的で、前記孔24を導電性材料38で少なくとも部分的に満たす工程とを含む、方法。18.態様17の方法において、基板10が、銅又は銅めっきされたアルミニウムからなる。19.態様17又は18の方法において、第1の層16の適用が、ガルバニック堆積の手段で行われる。20.態様17~19のいずれか1つの方法において、該切り抜き18の深さdが、挿入される前記電子部品20及び接続層19の合計の高さよりもいくらか大きくなるようなやり方で、前記第1の層16を選択的に適用することによって形成される。21.態様17~20のいずれか1つの方法において、前記少なくとも1つの電子部品20を挿入する工程の後で、前記切り抜き18の前記部品20の周囲の凹所が、加圧段階の前に充填される。22.態様17~21のいずれか1つの方法において、チャネルK1、K2、K3が、前記第1の層16及び前記基板10に生成され、該チャネルが、前記積層する工程の後に取り除かれる保持スタッドSを有する。23.態様1~5のいずれか1つに記載の電子デバイス50を有するプリント基板LP。24.プリント基板LPの表面が前記電子デバイス50と同一面で終わっている態様23のプリント基板LP。25.ヒートシンク120が、当該プリント基板LP及び前記電子デバイス50の同一面な接合部へと接続されている態様24のプリント基板LP。26.熱伝導率の低い層114の設置が、前記電子デバイス50と、上方に位置する当該プリント基板LPの導電路113との間に意図されている態様23~25のいずれか1つのプリント基板LP。27.態様6~10のいずれか1つの電子デバイス50’を有するプリント基板LP’。28.プリント基板LP’の絶縁部分110が前記電子デバイス50’と同一面で終わっている態様27のプリント基板LP’。29.ヒートシンク120が、当該プリント基板LP’及び前記電子デバイス50’の同一面な接合部へと接続されている態様28のプリント基板LP’。30.態様27~29のいずれか1つのプリント基板において、熱伝導率の低い層114が、前記電子デバイス50’と、上方に位置する当該プリント基板LP’の導電路113との間に設けられている。31.態様11~22のいずれか1つの方法において、前記配置する工程において、2つのプリプレグ層36、37が前記第1の半完成品HZ1と前記第2の半完成品HZ2との間に配置され、さらなる部品60及び/又はインターポーザIPが、前記2つのプリプレグ層36、37の間に配置され、該部品又はインターポーザへの接触が、加圧の工程の後にめっきされた貫通孔62、72によって行われる。32.態様31の方法において、前記さらなる部品60及び/又は前記インターポーザIPへの接触のための前記孔62、72が、レーザ穿孔及びその後のめっきによって生成される。33.態様31又は32の方法において、前記第2の半完成品HZ2を製作する工程の際に、前記さらなる部品60及び/又は前記インターポーザIPへの接触のための貫通孔が設けられる。34.態様31~33のいずれか1つの方法において、前記さらなる部品60及び/又は前記インターポーザIPを受け入れるためのキャビティが設けられる。35.態様1~10のいずれか1つの電子デバイス50、50’において、2つの電気絶縁性層36、37の間に位置するさらなる部品60及び/又はインターポーザIPをさらに備えている。36.電子デバイス50、50’をプリント基板へと一体化させるための方法であって、態様1~10のいずれか1つ又は態様35の電子デバイス50、50’を用意する工程と、前記電子デバイス50;50’を受け入れるための凹所を備えるプリント基板を用意する工程と、熱伝導率の低い層114を前記凹所へと挿入する工程と、前記電子デバイス50、50’を、前記プリント基板の前記凹所へと、前記熱伝導率の低い層114の上に挿入する工程と、上述のように生成された積み重ねの構造体を押し合わせる工程と、前記電子デバイス50、50’を前記プリント基板LP、LP’に接触させるようにも機能する共通の外側層を形成する導電層118を適用する工程とを含む、方法。37.態様36の方法において、ヒートシンク120が、前記電子デバイス50、50’の領域において共通の外側層118を形成している前記層上に取り付けられている。38.態様37の方法において、TIM層119が、熱的な途切れのない接合部を形成すべく前記導電層118と前記ヒートシンク120との間に配置されている。39.態様36~38のいずれか1つの方法において、熱伝導性の誘電体116が、電子デバイスが挿入された前記プリント基板と、前記共通の外側層118との間に配置されている。