第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域の表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティング電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して設けられた、前記フローティングゲートと容量結合しているコントロールゲート電極と、前記ドレイン領域表面から掘り下げられて、前記ドレイン領域の一部に設けられた微細な穴である微細穴と、前記微細穴に埋め込まれる形で配置された、前記フローティングゲート電極の一部である突出部と、前記微細穴の表面と前記突出部の表面の間に設けられたトンネル絶縁膜と、前記微細穴の周囲に配置された、前記トンネル領域を画定するトンネル防止領域と、を有する電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル防止領域が、前記微細穴に接する前記ドレイン領域の表面付近に設けられた、電気的にフローティング状態である第1導電型の領域である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域の、前記微細穴の底面に接する領域には、さらに、電気的にフローティング状態である第1導電型の第2のトンネル防止領域が設けられている請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル絶縁膜あるいは前記コントロール絶縁膜の少なくとも一方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域の、前記微細穴の底面に接する領域は、角が丸められた形状である請求項2記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル防止領域が、前記微細穴に接する前記ドレイン領域の表面付近に設けられた、電気的にフローティング状態である第2導電型の高不純物濃度領域と前記突出部との間に設けられた、前記トンネル領域のトンネル絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第2のトンネル絶縁膜である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記膜厚が、前記ドレイン領域と前記フローティングゲート電極との間に印加される最大電界によっても電子のトンネリング現象を発生することのない膜厚である請求項6記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記ドレイン領域の、前記微細穴の側面に接する領域は、全て前記高不純物濃度領域によって覆われており、前記微細穴に接する前記ドレイン領域内の前記トンネル領域は前記微細穴の底面部分にのみ形成されている請求項6記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記トンネル絶縁膜あるいは前記コントロール絶縁膜の少なくとも一方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である請求項6記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。しかしながら、改善例のようにドレイン領域と別に専用のトンネル領域を設ける半導体装置においては、占有面積が増大し半導体装置のコストアップに繋がるなどの問題点があった。占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを課題とする。上記問題点を解決するために、本発明は半導体装置を以下のように構成した。第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域の表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティング電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極と、前記ドレイン領域表面から掘り下げられて、前記ドレイン領域の一部に設けられた微細な穴である微細穴と、前記微細穴に埋め込まれる形で配置された、前記フローティングゲート電極の一部である突出部と、前記微細穴の表面と前記突出部の表面の間に設けられたトンネル絶縁膜と、前記微細穴の周囲に配置された、前記トンネル領域を画定するトンネル防止領域と、を有する電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。ここで、前記トンネル防止領域が、前記微細穴に接する前記ドレイン領域の表面付近に設けられた、電気的にフローティング状態である第1導電型の領域である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、ここで、前記トンネル防止領域が、前記微細穴に接する前記ドレイン領域の表面付近に設けられた、電気的にフローティング状態である第2導電型の高不純物濃度領域と前記突出部との間に設けられた、前記トンネル領域のトンネル絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第2のトンネル絶縁膜である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。以上説明した手段によって、占有面積が小さく微細で、データ書き換え時により低い電圧で効率よく書き換えができ、トンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。以下では図面を参考に発明を実施するための様々な形態を実施例に基づいて説明する。図1は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第1の実勢例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域と、ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501の上面にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロール絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ここで、ドレイン領域202の一部には、直径が4000オングストロームであり深さが3000オングストロームの、ドレイン領域202表面から掘り下げた微細な穴である微細穴120が形成されており、フローティングゲート電極501は、突出部502を有しており、突出部502が微細穴120に埋め込まれる形で形成されている。ドレイン領域202内のトンネル領域801と微細穴120に埋め込まれる形で形成されたフローティングゲート電極501の突出部502の表面との間には、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなる膜厚が80オングストロームのトンネル絶縁膜401が設けられている。さらに、トンネル電流が流れるトンネル領域の大きさを画定するために、微細穴120に接するドレイン領域202の表面付近には、ドレイン領域202表面から深さ800オングストロームの位置に至るまで、不純物濃度を1立方センチメートル当たり1019atmsにした電気的にフローティング状態であるP型の領域であるトンネル防止領域921が設けられている。微細穴120側面に形成されるトンネル領域801は微細穴120の底面からP型のトンネル防止領域921の底面までの部分となるため、実質的なトンネル領域801の深さは僅かに2200オングストロームとなり、微細穴の直径は4000オングストロームであるので、微細穴120の底面部分を加味しても微少な面積のトンネル領域801およびトンネル絶縁膜401を得ることができる。従来、トンネル絶縁膜401は、ドレイン領域202表面のトンネル領域801表面に形成されていたが、本発明による実施例によれば、微細穴120の側面および底面にのみ形成されている。これによって、従来の平面的なアライメント加工精度では達成できなかった、微細な面積のトンネル領域801およびトンネル絶縁膜401を形成することが可能となる。微細な面積のトンネル領域801を形成することにより、コントロール絶縁膜601を介してコントロールゲート電極701とフローティングゲート電極501との間に設けられる容量と、フローティングゲート電極501とトンネル絶縁膜401を介してドレイン領域202との間に設けられる容量との対比指標である、いわゆるカップリングレシオを大きくすることができる。また、微細穴120の深さは、図1に示した第1の実施例では、3000オングストロームに設定したが、これは、微細穴120側面に形成されるトンネル領域801は、微細穴120の底面からP型のトンネル防止領域921の底面までの部分となるため、微少な面積のトンネル領域801を形成するために浅いほうが良く、好ましくは3000オングストローム以下が望ましいためであるが、加工装置などの制限から難しい場合には、5000オングストローム以下にすることでも従来に比べて大きな効果を奏することができる。また、微細穴120の底面もトンネル領域801の一部となるので、微細穴120の直径も小さいほど良い。そのため微細穴120の直径は、望ましくは5000オングストローム以下に形成し、もし微細穴掘り加工装置などの制限がある場合には、次善の策として10000オングストローム以下に形成することで、微細な面積を有するトンネル領域801を作ることに効果を奏する。カップリングレシオを大きくすることにより、コントロールゲート電極701に印加した電圧が効率よくフローティングゲート電極501に伝達されるため、最終的に、トンネル絶縁膜401を介したフローティングゲート電極501とドレイン領域202間の電位差を得ることが容易となることから、データの書き換え動作に必要なコントロール電極701への印加電圧を従来に比べてより小さくすることができる。また、カップリングレシオを確保するためにフローティングゲート電極501およびコントロール電極701を従来のように大きく形成する必要もなくなり、メモリセル全体を微細化することが可能になる。また、微細穴120に接するドレイン領域202の表面付近には、表面からの深さが500オングストローム以上になる電気的にフローティング状態であるP型のトンネル防止領域921を設け、その不純物濃度は1立方センチメートル当たり1018atms以上なので、ドレイン領域202やフローティングゲート電極501に高い動作電圧が印加された場合にも容易に反転層や空乏層が形成されない濃度である。ドレイン領域202表面付近の欠陥の発生しやすい領域はトンネル領域801として使われることがなく、欠陥の少ない良質な結晶性を有する内部領域に形成されたトンネル絶縁膜401を介して、ドレイン領域202とフローティングゲート電極501との間で電子のやりとりトンネリングを行うことができる。また、トンネル絶縁膜401あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜として、さらに信頼性を向上させている。図2は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第2の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第1の実施例と異なる点は、ドレイン領域202内の微細穴120の底面に接する領域に、電気的にフローティング状態であるP型のトンネル防止領域921を追加して設けてある点であり、これによって、微細穴120底面部のトンネル領域801の形成を防止することができる。図1に示した第1の実施例に比べて、トンネル領域801の面積をさらに小さくすることができ、カップリングレシオをさらに増大させることが可能となる。その他の説明については、図1と同一の符号を付記することで説明に代える。図3は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第3の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第1の実施例と異なる点は、ドレイン領域202内の微細穴120の底面に接する領域が、角が丸められた形状となっている点である。フローティングゲート電極501が埋め込まれた微細穴202の底部を丸めた形状とすることにより、データ書き換えに際するフローティングゲート電極501への電子の注入や、トンネル領域801への電子の引き抜き時に高電界が局所に集中することが防止でき、データ書き換え可能回数を増大させて信頼性の高い半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。その他の説明については、図1と同一の符号を付記することで説明に代える。これらの手段によって、占有面積が小さく微細で、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置におけるデータ書き換え時により低い電圧で効率よく書き換えができ、トンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。図4は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第4の実施例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域と、ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501の上面にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロール絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ここで、ドレイン領域202の一部には、直径が4000オングストロームであり深さが3000オングストロームの、ドレイン領域202表面から掘り下げた微細な穴である微細穴120が形成されており、フローティングゲート電極501は、突出部502を有しており、突出部502が微細穴120に埋め込まれる形で形成されている。ドレイン領域202内のトンネル領域801と微細穴120に埋め込まれる形で形成されたフローティングゲート電極501の突出部502の表面との間には、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなる膜厚が80オングストロームのトンネル絶縁膜401が設けられている。さらに、トンネル電流が流れるトンネル領域の大きさを画定するために、微細穴120に接するドレイン領域202の表面付近には、ドレイン領域202表面から深さ2000オングストロームの位置に至るまで、不純物濃度を1立方センチメートル当たり1019atmsにしたN型の高不純物濃度領域222が設けられている。微細穴120に接する不純物濃度を1立方センチメートル当たり、1019atmsとしたN型の高不純物濃度領域222表面には、ドレイン領域202とフローティングゲート電極501との間に印加される最大電界によっても電子のトンネリング現象を発生することのない厚い膜厚を有する第2のトンネル絶縁膜が形成されていて、トンネル防止領域を形成している。これは、N型の高不純物濃度領域222の不純物濃度を1立方センチメートル当たり1019atms以上としているので、表面を熱酸化した場合には他のドレイン領域202に比べて厚いシリコン酸化膜が形成されるからであり、特別な工程を必要としないという製造上の利点もある。微細穴120側面に形成されるトンネル領域801は、微細穴120の底面からN型の高不純物濃度領域222の底面までの部分となるため、実質的なトンネル領域801の深さは僅かに1000オングストロームとなり、微細穴の直径は4000オングストロームであるので、微細穴120の底面部分を加味しても微少な面積のトンネル領域801およびトンネル絶縁膜401を得ることができる。従来、トンネル絶縁膜401は、ドレイン領域202表面のトンネル領域801表面に形成されていたが、本発明による実施例によれば、微細穴120の側面および底面にのみ形成されている。これによって、従来の平面的なアライメント加工精度では達成できなかった、微細な面積のトンネル領域801およびトンネル絶縁膜401を形成することが可能となる。微細な面積のトンネル領域801を形成することにより、コントロール絶縁膜601を介してコントロールゲート電極701とフローティングゲート電極501との間に設けられる容量と、フローティングゲート電極501とトンネル絶縁膜401を介してドレイン領域202との間に設けられる容量との対比指標である、いわゆるカップリングレシオを大きくすることができる。また、微細穴120の深さは、図1に示した第1の実施例では、3000オングストロームに設定したが、これは、微細穴120側面に形成されるトンネル領域801は、微細穴120の底面からN型の高不純物濃度領域222の底面までの部分となるため、微少な面積のトンネル領域801を形成するために浅いほうが良く、好ましくは3000オングストローム以下が望ましいためであるが、加工装置などの制限から難しい場合には、5000オングストローム以下にすることでも従来に比べて大きな効果を奏することができる。また、微細穴120の底面もトンネル領域801の一部となるので、微細穴120の直径も小さいほど良い。そのため微細穴120の直径は、望ましくは5000オングストローム以下に形成し、もし微細穴掘り加工装置などの制限がある場合には、次善の策として10000オングストローム以下に形成することで、微細な面積を有するトンネル領域801を作ることに効果を奏する。カップリングレシオを大きくすることにより、コントロールゲート電極701に印加した電圧が効率よくフローティングゲート電極501に伝達されるため、最終的に、トンネル絶縁膜401を介したフローティングゲート電極501とドレイン領域202間の電位差を得ることが容易となることから、データの書き換え動作に必要なコントロールゲート電極701への印加電圧を従来に比べてより小さくすることができる。また、カップリングレシオを確保するためにフローティングゲート電極501およびコントロールゲート電極701を従来のように大きく形成する必要もなくなり、メモリセル全体を微細化することが可能になる。また、微細穴120に接するドレイン領域202の表面付近には、表面からの深さが500オングストローム以上になるN型の高不純物濃度領域222を設けて、その不純物濃度を1立方センチメートル当たり1019atms以上として、N型の高不純物濃度領域222表面には、微細穴120に接する他のドレイン領域202内に形成されるトンネル領域801表面のトンネル絶縁膜401の膜厚よりも膜厚が厚く、動作電圧範囲内でトンネリング現象を発生しない絶縁膜が形成されている。このため、ドレイン領域202表面付近の欠陥の発生しやすい領域はトンネル領域801として使われることがなく、欠陥の少ない良質な結晶性を有する内部領域に形成されたトンネル絶縁膜401を介して、ドレイン領域202とフローティングゲート電極501との間で電子のやりとりトンネリングを行うことができる。また、トンネル絶縁膜401あるいはコントロール絶縁膜601の少なくとも一方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜として、さらに信頼性を向上させている。図5は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第5の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第1の実施例と異なる点は、ドレイン領域202内の微細穴120の側面に接する領域を、全てN型の高不純物濃度領域222によって覆っている点である。これにより、ドレイン領域202のさらなる低抵抗化を図ることができるとともに、微細穴120に接するドレイン領域202内のトンネル領域801が微細穴120の底面部分にのみ形成されるように、N型の高不純物濃度領域222を形成することによって、微細穴120側面部のトンネル領域801の形成を防止し、微細穴120低面部にのみトンネル領域801を形成することができる。その上、図4に示した第4の実施例に比べて、トンネル領域801の面積をさらに小さくすることができ、カップリングレシオをさらに増大させることが可能となる。その他の説明については、図4と同一の符号を付記することで説明に代える。これらの手段によって、占有面積が小さく微細で、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置におけるデータ書き換え時により低い電圧で効率よく書き換えができ、トンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。