"被成膜物に成膜材料を成膜する成膜装置であって、前記被成膜物が通過する真空環境を形成する真空容器と、前記真空容器内の真空度を測定する真空計と、前記真空計への前記成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。前記真空容器と真空計とを連通する連絡通路内に前記付着抑制手段が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記連絡通路は、前記真空容器に対して着脱自在であることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。前記付着抑制手段は、冷媒を流通する冷却管を備えていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の成膜装置。前記真空容器と真空計とを連通する連絡通路を形成する筒体と、前記筒体の側壁から突出し、前記真空計を取り付け可能な複数のノズルと、前記冷却管を前記筒体内に導入するための導入部と、を更に備えることを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。例えば、従来技術に係る蒸着法では、蒸着源成膜材料が、基板の成膜面以外に多量に付着すると、チャンバの圧力監視用の真空計も成膜されてしまい、真空計として機能が損なわれるという問題が生じていた。従来、真空計の誤動作が生じた場合には、運転を停止して真空計フィラメントを交換することで、真空計の機能を回復させていた。成膜材料の付着により真空計が機能しなくなるという不具合を解消することが求められている。本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。本発明による成膜装置は、被成膜物に成膜材料を成膜する成膜装置であって、被成膜物が通過する真空環境を形成する真空容器と、真空容器内の真空度を測定する真空計と、当該真空計へ成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段と、を備えることを特徴としている。このような成膜装置によれば、真空容器内の真空度を測定する真空計への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段を備える構成であるため、真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を緩和することができる。ここで、真空容器と真空計とを連通する連絡通路内に付着抑制手段が配置されていることが好ましい。このように付着抑制手段が、真空容器と真空計とを連通する連絡通路内に配置されていると、連絡通路内で成膜材料を付着させて、真空計へ到達する成膜材料を減らすことができる。そのため、真空計への成膜材料の付着を一層抑制することができる。また、連絡通路は、真空容器に対して着脱自在であることが好適である。このように付着抑制手段が配置される連絡通路が、真空容器に対して着脱自在であると、連絡通路を取外して内部の清掃することが可能であるため、清掃作業を確実に実行することができると共に清掃作業の効率的に行うことができる。また、付着抑制手段は、冷媒を流通する冷却管を備えていることが好ましい。このように冷却管内に冷媒を流通させることで、成膜材料を冷却して、冷却管に堆積させて捕集することができる。例えば、真空計の近傍にヒーターを設置して真空計への成膜材料の付着を防止する方法も考えられるが、ヒーターの熱によって真空計に不具合が生じるおそれがあるため、冷却管を用いて成膜材料を堆積させることが好ましい。なお、冷媒として冷却水を用いることが好適である。例えば、成膜装置が設置された工場内の工業用水を用いることで、既設の成膜装置に対して大きな改良を施すことなく、堆積材料の付着を回避することができる。上記作用を奏する具体的な構成として、真空容器と真空計とを連通する連絡通路を形成する筒体と、筒体の側壁から突出し、真空計を取り付け可能な複数のノズルと、冷却管を筒体内に導入するための導入部と、を更に備える構成が挙げられる。このように、真空計を取り付けためのノズルが複数設置されていると、真空計の取替え作業の迅速化を図ることができるため、真空計の取替えのための運転停止時間を短縮することが可能となる。また、冷却管を筒体内に導入するための導入部を備えているため、冷却管の取替え作業の迅速化を図り、取替え作業のための運転停止時間を短縮することが可能となる。このように運転停止時間の短縮化を図ることで、生産量の増大を図ることができる。本発明によれば、真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を緩和することが可能な成膜装置を提供することができる。本発明に係る成膜装置について図面を参照して説明する。なお、上、下等の方向を示す語は、図面に示される状態に基づいており、便宜的なものである。成膜装置図1は、本発明の実施形態に係る成膜装置を示す概略側面図である。図1に示す成膜装置100は、被成膜物である基板例えばガラス基板に対して成膜等の処理を施すためのものである。成膜装置100は、セレンの真空蒸着法セレン化法を用いて、基板上に薄膜層を形成可能な装置である。成膜装置100は、例えばCIGS系の太陽電池の製造に適用可能なものである。CIGS系の太陽電池は、ガラス基板上に、裏面電極層、CIGS層発電層、バッファ層、透明電極層が順に積層されて構成されている。ガラス基板は、ナトリウムNaを含むソーダガラスを用いることができる。CIGS層は、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGa、セレンSeを含む半導体からなる発電層である。成膜装置100は、複数の真空チャンバ真空容器121~125を備えている。真空チャンバのサイズは、長さ2m程度、幅2m程度、高さ300mm程度とされている。本実施形態の成膜装置100では、例えば18個の真空チャンバを備える構成とされ、連続する複数の真空チャンバ121~125の全長は20m程度である。なお、図1では、複数の真空チャンバのうちの一部を図示し、その他の真空チャンバの図示を省略している。各真空チャンバ121~125には、内部を適切な圧力とするための真空ポンプ不図示が接続されている。また、各真空チャンバ121~125には、チャンバ内の圧力を監視するための真空計1図2参照が複数例えば2個設置されている。成膜装置100では、複数の真空チャンバ121~125として、ロードロックチャンバ121、バッファチャンバ122、成膜チャンバ成膜室123、バッファチャンバ124、ロードロックチャンバ125を備えている。これらの真空チャンバ121~125は、この順に並んで配置されている。真空チャンバ121~125の基板搬送方向の両端部には基板の出入口が設けられ、この出入口には開閉ゲート131~136が設けられている。なお、開閉ゲートは、隣接する真空チャンバ間の全てに設置されていない構成でもよい。例えば、複数の真空チャンバのうち、最初の真空チャンバの入口側と、最後の真空チャンバの出口側とにのみ設置されている構成でもよい。真空環境と大気圧環境との縁切り箇所に開閉ゲートが設けられている構成でもよい。また、成膜装置100には、基板を搬送するための搬送装置不図示が設けられている。搬送装置は例えば公知のローラーとこのローラーを回転させる駆動機構とから構成されている。そして、基板は、搬送装置によって搬送され、チャンバ内を順次通過する。ロードロックチャンバ121は、入口側に設けられた開閉ゲート131を開放することで、大気開放され、処理される基板が導入されるチャンバである。本実施形態の成膜装置100は、1個のロードロックチャンバ121を備えている。ロードロックチャンバ121の出口側は、開閉ゲート132を介して、バッファチャンバ122の入口側に接続されている。成膜装置100の運転中において、開閉ゲート132は開放状態とされ、隣接する真空チャンバ同士は連通された状態となる。バッファチャンバ122は、ロードロックチャンバ121を通過した基板が導入される中間チャンバである。本実施形態の成膜装置100は、5個のバッファチャンバ122を備えている。バッファチャンバ122の出口側は、開閉ゲート133を介して、成膜チャンバ123の入口側に接続されている。成膜装置100の運転中において、開閉ゲート133は開放状態とされ、隣接する真空チャンバ同士は連通された状態となる。また、バッファチャンバ122には、基板を加熱するためのヒータ不図示が設けられている。このヒーターは、基板の上下両面を加熱すべく、上下方向の両側に各々設置されている。バッファチャンバ122では、基板温度が例えば400°C程度になるように加熱される。成膜チャンバ123は、バッファチャンバ22を通過した基板が導入され、基板に薄膜層を成膜する処理チャンバである。本実施形態の成膜装置100は、6個の成膜チャンバ123を備えている。成膜チャンバ123の出口側は、開閉ゲート134を介して、バッファチャンバ124の入口側に接続されている。成膜装置100の運転中において、開閉ゲート134は開放状態とされ、隣接する真空チャンバ同士は連通された状態となる。成膜チャンバ123内には、薄膜層を成膜するための成膜材料図示せずが設置されている。また、成膜チャンバ123には、基板を加熱するためのヒータ不図示が設けられている。このヒーターは、基板の上下両面を加熱すべく、上下方向の両側に各々設置されている。成膜チャンバ123では、基板温度が例えば600°C以上700°C~800°C程度に維持されている。バッファチャンバ124は、成膜チャンバ123と連通され、成膜チャンバ123によって成膜された基板が導入される中間チャンバである。本実施形態の成膜装置100は、5個のバッファチャンバ124を備えている。バッファチャンバ124の出口側は、開閉ゲート135を介して、ロードロックチャンバ125の入口側に接続されている。成膜装置100の運転中において、開閉ゲート135は開放状態とされ、隣接する真空チャンバ同士は連通された状態となる。また、バッファチャンバ124には、基板を冷却するための冷却板不図示が設けられている。この冷却板は、基板の上下両面を冷却すべく、上下方向の両側に各々設置されている。バッファチャンバ124では、基板温度が例えば400°C程度になるように冷却される。ロードロックチャンバ125は、バッファチャンバ124を通過した基板が導入されるチャンバである。本実施形態の成膜装置100は、1個のロードロックチャンバ125を備えている。ロードロックチャンバ125の出口側には、開閉ゲート36が設けられ、開閉ゲート36を開放することで、ロードロックチャンバ125が大気開放される。セレン化法による成膜を実行する場合には、例えば10枚程度のトレイを連続的に流しながら、トレイ上の基板に成膜処理を連続的に施す。このように、成膜処理を連続的に実行することで、成膜材料が基板以外に付着することを抑制している。これにより、ターゲット成膜材料の損失も少なくすることができる。従って、真空チャンバ間のゲートは、成膜装置100の運転中において、常に開けたままの状態となっている。そのため、ゲートが開放状態であることによって、成膜チャンバ123のほか、成膜チャンバ123に隣接する真空チャンバを始めとして複数の真空チャンバの全域において、成膜材料が付着する。真空計、付着抑制手段真空計1は、上述した通り、各真空チャンバ121~125に対して2個ずつ設けられている。真空計1としては、例えば、電離真空計、ダイアフラム真空計、ピラニ真空計などを用いることができる。ここで、成膜装置100では、真空計1への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段10を備えている。付着抑制手段10は、真空チャンバ121~125に接続された連通管11と、連通管11内に導入された冷却管20とを備えている。連通管11は、真空チャンバ121~125内と真空計1とを連絡する連絡通路である。連通管11は、筒体11aを有する構成とされている。連通管11としては、例えば、ステンレス配管を用いることができる。連通管11のサイズとしては、外径60.5mm、肉厚3.0t、長さ230mm程度の配管を用いることができる。また、連通管11の両端部には、フランジ12,13が設けられている。そして、一方のフランジ12が、真空チャンバ121~125の壁体にボルト固定されている。すなわち、連通管11の一方の開口部11bが、真空チャンバ121~125に接続されている。連通管11は、例えば、真空チャンバ121~125の底板壁体に固定され、上下方向に延在している。連通管11には、外方に張り出す取付ポート15A~15Cが設けられている。取付ポート15A~15Cは、例えばフランジ付の小径ノズルである。取付ポート15A~15Cとしては、例えば、ステンレス配管を用いることができる。取付ポート15A~15Cのサイズとしては、外径27.2mm程度の配管を用いることができる。また、取付ポート15A~15Cは、真空チャンバ121~125の外壁面から距離が例えば170mm程度の位置に設けられている。取付ポート15A~15Cは、連通管11の周方向において、例えば90度ずつずれた位置に設けられている。複数の取付ポート15A~15Cのうち、一つの取付ポート15Aに真空計1が接続され、残りの取付ポート15B,Cは、閉止板16が挿入されて閉止状態となっている。連通管11の他方のフランジ13には、他方の開口部11cを閉止するための閉止フランジ14がボルト固定されている。閉止フランジ14には、冷却管20を挿通させる貫通孔14aが設けられている。開口部11cは、冷却管20を連通管筒体11内に導入するための導入部に相当する。冷却管20は、冷却水冷媒を流通させる配管である。冷却管20としては、例えば外径6.35mm程度のステンレスチューブを用いることができる。冷却管20は、例えば、U字形を成すように湾曲成形されている。冷却管20は、上下方向に延在し上部の湾曲部で折り返されている。すなわち、一方の端部から注入されて、上方へ流れ、湾曲部で折り返され、下方へ流れて、連通管11の外部に導出される。冷却管20の図示上下方向の長さは、例えば151mm程度とされている。冷却管20は、取出ポート15A~15Cの開口部に対面する位置で、上下方向に延在している。本実施形態では、冷却管20は、取付ポート15A~15Cの開口部の位置よりも上方まで配置されている。冷却管20は、連通管11内において、真空計1の取付位置と、真空チャンバ121~125との間に配置されている。冷却管30に導入される冷媒としては、例えば20°C程度の水を用いることができる。連通管11内の温度は、運転中において、100°C以下であり、例えば70°C~80°C程度である。冷却管30の外表面は、内部流体である冷却水によって冷却され、連通管11内に存在する成膜物質を冷却して付着させる。成膜物質は、冷却管20の外表面に堆積したり、閉止フランジ14上に堆積する。なお、冷却管20の形状は、U字状に湾曲成形されているもの限定されず、らせん状に加工されているものでもよい。また、例えば、フィン付チューブを冷却管20として使用してもよい。なお、冷却管20がU字状に形成されていると、製作が容易であり、内部流体の圧力損失を抑えることができ、エネルギ消費を抑制することができる。このような本実施形態の成膜装置100によれば、真空チャンバ121~125内の真空度を測定する真空計1への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段10を備えているため、真空計1への成膜材料の付着を抑制し、真空計1の機能の低下を緩和することができる。ここで、真空チャンバ121~125と真空計1とを連通する連通管11内に冷却管20が配置されているため、連通管11内で成膜材料を堆積させて、真空計1へ到達する成膜材料を減らすことができる。その結果、成膜物質が真空計1に付着することで発生する不具合を、予防することができる。また、真空計1の誤動作を防止して、安定的に真空度を測定することが可能である。さらに、真空計1のフィラメント交換の頻度を減少させることができるため、ランニングコスト、メンテナンスコストを削減することが可能となる。また、運転停止期間の短縮を図ることが可能であるため、運転時間を増やし、生産量の拡大を図ることが可能である。また、連通管11は、フランジ12を有し、真空チャンバ121~125に対して着脱自在であるため、連通管11を真空チャンバ121~125から取外して連通管11内の清掃を行うことできる。これにより、清掃作業を確実に実行することができると共に清掃作業の効率的に行うことができる。また、付着抑制手段10は、冷却水を流通する冷却管20を備えているため、冷却管20内に冷却水を流通させて、連通管11内に進入した成膜材料を冷却し、堆積、捕集することができる。例えば、真空計1の近傍にヒーターを設置して真空計1への成膜材料の付着を防止する方法も考えられるが、ヒーターの熱によって真空計1に不具合が生じるおそれがあるため、冷却管20を用いて成膜材料を堆積させることが好ましい。なお、冷媒として冷却水を用いることが好適である。例えば、成膜装置が設置された工場内の工業用水を用いることで、既設の成膜装置に対して大きな改良を施すことなく、堆積材料の付着を回避することができる。水冷管を用いる場合には、新たな電源を設置する必要はなく、成膜処理などの運転プロセスに悪影響を及ぼすおそれがない。また、付着抑制手段10は、真空計1を取り付けための取付ポート15A~15Cが複数設置されているため、真空計1の取替え作業の迅速化を図ることができる。例えば、未使用の真空計1を取付ポート15Cに取り付けておき、閉止板16を挿入した状態で、未使用の真空計1の汚れを防止しておく、そして、使用中の真空計1をメンテナンスする場合には、取付ポート15Cに挿入されていた閉止板16を取外して取付ポート15Cに設置されていた真空計1の使用を開始することができる。また、3方向に取付ポート15A~15Cが設けられているため、一方向に、真空計1の設置スペースがない場合でも他の方向に真空計1を設置することができる。また、冷却管20は、閉止フランジ14に固定されて、連通管11のフランジ13に着脱自在に固定されているため、冷却管20を容易に取外すことができ、メンテナンス作業の簡素化を図ることができる。以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、連通管11内に、冷却管20が配置されている構成であるが、連通管11に冷却管20が配置されていない構成でもよい。例えば、連通管11の外面から冷却することで、連通管11の内壁面に成膜材料を付着させる構成でもよい。また、上記実施形態では、連通管11が真空チャンバ121~125に対して着脱自在な構成とされているが、連通管11を真空チャンバ121~125の側壁と一体的に形成してもよい。連通管11を溶接等により真空チャンバ121~125に接合してもよい。また、付着抑制手段10は、冷却管20を備えていない構成でもよい。例えば、伝熱部材を連通管11内に設置することで、成膜物質を伝熱部材に付着、堆積させる構成でもよい。また、連通管11に設けられる取付ポート15A~15Cの数量は、複数に限定されず、一つでもよい。また、成膜装置100は、セレン化法に限定されず、その他の成膜法を用いるものでもよい。成膜材料は、セレンに限定されず、その他の成膜材料でもよい。また、成膜装置100は、基板以外の被成膜物に成膜材料を成膜するものでもよい。また、上記実施形態では、全ての真空チャンバー121~125に対して、付着抑制手段10が設置されているが、例えば、成膜チャンバ123に対してのみに付着抑制手段10を設置してもよい。または、成膜チャンバ123と成膜チャンバ123に隣接するバッファチャンバ122,124とに、付着抑制手段10を設置してもよい。"