基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第1の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第2の搬送アームとを備え、前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられていることを特徴とする、基板処理システム。前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも2段設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行うことを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の基板処理システム。前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第1の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御することを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の基板処理システム。前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第2の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有することを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の基板処理システム。基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第1の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第2の搬送アームにより行われることを特徴とする、基板搬送方法。前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送することを特徴とする、請求項6に記載の基板搬送方法。前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第1の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行うことを特徴とする、請求項6に記載の基板搬送方法。前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に2段設けられていることを特徴とする、請求項6~8のいずれかに記載の基板搬送方法。請求項6~9のいずかに記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。請求項10に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。ところで、近年、塗布現像処理システムには、当該塗布現像処理システムがクリーンルーム床面積に占める割合であるフットプリントを小さくすることが求められている。フットプリントを小さくするには、各処理ユニットを小型化したり、ウェハの搬送に要するスペースを小さくしたりする必要がある。しかしながら、処理ユニットの小型化には、当該処理ユニットの構成そのものを見直す必要があり制約が多い。一方、ウェハの搬送に要するスペースを小さくする場合、例えば受け渡しブロック212の配置を、例えば従来よりもカセット載置部210寄りに変更することで、処理ステーション202を短縮化することが提案できる。しかしながら、受け渡しブロック212には、各受け渡しユニットの各段の間でウェハを搬送するための他のウェハ搬送機構213を隣接して設ける必要があるため、受け渡しブロック212も配置上の制約をうける。この場合、ウェハ搬送機構211と他のウェハ搬送機構213とを一体化して、ウェハ搬送機構211に他のウェハ搬送機構213機能を持たせることで、配置上の制約となる他のウェハ搬送機構213を設けないようにすることが提案できる。しかしながら、ウェハ搬送機構211と他のウェハ搬送機構213を一体化した場合、例えば各受け渡しユニットの各段の間でのウェハの搬送のタイミングと、カセット載置板210のカセットCと処理ステーション202との間でウェハを搬送するタイミングとが重複すると、いずれか一方のウェハの搬送が待機状態となり、塗布現像処理システム200でのスループットが低下してしまう。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることを目的としている。前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおいて、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記基板搬送機構は、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第1の搬送アームと、前記各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第2の搬送アームとを備えていることを特徴としている。本発明によれば、処理ステーションとカセット載置部との間に配置された基板搬送機構が、第1の搬送アームと第2の搬送アームを有しているので、カセット載置部と受け渡しユニットとの間の基板搬送と、各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送の双方を、基板搬送機構により実施できる。そのため、従来設けられていた、受け渡しユニットの各段の間での基板搬送のために専用で設けられていた基板搬送機構が不要となる。その結果、受け渡しブロックをカセット載置部寄りに配置を変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロックを従来よりもカセット載置部寄りに配置することができる。また、基板搬送機構を上下方向に複数設けているので、例えば各受け渡しユニットの各段の間での基板の搬送のタイミングと、カセットと処理ステーションとの間で基板を搬送するタイミングとが重複した場合であっても、複数の基板搬送機構のうち、基板搬送のタイミングになっていない基板搬送機構により基板を搬送することができるので、基板が待機状態となることを防止できる。したがって本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、上下方向に少なくとも2段設けられていてもよい。前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、基板が待機状態となる時間が最小限となるように、いずれか一方の搬送アームにより優先して基板を搬送する制御を行ってもよい。前記基板搬送機構の動作を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第1の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先するように制御し、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間で搬送を行うように制御してもよい。前記搬送機構は、前記第1の搬送アーム及び前記第2の搬送アームを水平方向及び上下方向に移動させるアーム駆動部を有していてもよい。別な観点による本発明は基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理ステーションと前記カセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記基板搬送機構は、上下方向に複数並べて設けられ、前記処理ステーションと前記基板搬送機構との間には、前記カセット載置部と前記処理ステーションとの間で搬送される基板、及び前記処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられ、前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送は、前記基板搬送機構の第1の搬送アームにより行われ、前記各受け渡しユニットの各段の間での基板搬送は、前記基板搬送機構の第2の搬送アームにより行われることを特徴としている。前記第1の搬送アームによる基板搬送のタイミングと、前記第2の搬送アームによる基板搬送のタイミングが重複した場合には、前記第1の搬送アームによる前記カセット載置部と前記各受け渡しユニットとの間の基板搬送を優先して行い、基板を搬送していない他の基板搬送機構により、前記各受け渡しユニットの各段の間における搬送を行ってもよい。前記複数の処理ユニットは、当該処理ユニットで処理される基板の搬送経路が最短となるように上下方向に基板の処理順に並べて配置され、前記処理ステーションには、前記処理順に配置された処理ユニット群が、少なくとも上下方向に2段設けられてもよい。さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。本発明によれば、基板処理システムのスループットを低下させることなく、当該基板処理システムのフットプリントを小さくすることができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理システム1の内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3は、基板処理システム1の内部構成の概略を示す側面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム1が、例えば基板のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。基板処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハWが収容されたカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハWに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション3と、処理ステーション3に隣接する露光ユニット4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。また、基板処理システム1は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置6を有している。カセットステーション2は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11により構成されている。カセット搬入出部10は、例えば基板処理システム1のY方向負方向図1の左方向側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置部としてのカセット載置台12が設けられている。カセット載置台12上には、カセット載置板13が例えば4つ設けられている。カセット載置板13は、水平方向のX方向図1の上下方向に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板13には、基板処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。ウェハ搬送部11には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路20上を移動自在な、複数のウェハ搬送機構21a、21bと、受け渡しブロック22が設けられている。複数のウェハ搬送機構21a、21bは、図2及び図3に示すように、上下方向に多段に設けられている。受け渡しブロック22には、カセット載置板13と処理ステーション3との間で搬送される基板を一時的に収容する受け渡しユニット30~35が、図2及び図3に示すように、下から上に向かって順に多段に設けられている。ウェハ搬送機構21a、21bの動作は、制御装置6によって制御される。ウェハ搬送機構21a、21bは、上下方向及び鉛直軸周りθ方向にも移動自在であり、各カセット載置板13上のカセットCと受け渡しブロック22の各受け渡しユニット30~35との間、及び各受け渡しユニット30~35の各段の間でウェハWを搬送できる。なお、ウェハ搬送機構21a、21b及び受け渡しユニット30~35の詳細な構成については後述する。カセットステーション2に隣接する処理ステーション3には、各種ユニットを備えた複数例えば3つのブロックG1、G2、G3が設けられている。処理ステーション3の正面側図1のX方向負方向側には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側図1のX方向正方向側には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側図1のY方向正方向側には、第3のブロックG3が設けられている。例えば第1のブロックG1には、複数の液処理ユニットがウェハWの処理順に沿って下から上の順で、且つカセットステーション2側からインターフェイスステーション5側図1のY方向正方向側の順に積層して配置されている。具体的には、例えば図2に示すように、ウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜以下下部反射防止膜というを形成する下部反射防止膜形成ユニット40が最下段に配置されている。その上の段には、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット41と、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜以下上部反射防止膜というを形成する上部反射防止膜形成ユニット42が水平方向に並んで配置されている。上部反射防止膜形成ユニット42は、レジスト塗布ユニット41よりも処理ステーション3のインターフェイスステーション5側図1のY方向正方向側に設けられている。また、下部反射防止膜形成ユニット40とレジスト塗布ユニット41の上の段には、露光後のウェハWを現像処理する現像処理ユニット43が配置されている。これらの各処理ユニット40~43により処理ユニット群Aが構成されており、処理ユニット群Aの上方には、処理ユニット群Aと同様の構成の処理ユニット群Bが配置されている。なお、上部反射防止膜形成ユニット42に代えて、例えばレジスト膜の上層に撥水性の保護膜を形成する保護膜塗布ユニットを配置してもよい。上述の各処理ユニット40~43は、図2に示すように処理時にウェハWを収容するカップFを水平方向に複数有しており、複数のウェハWを並行して処理することができる。例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの熱処理を行う熱処理ユニット50~52や、ウェハWを疎水化処理するアドヒージョンユニット53、ウェハWの外周部を露光する周辺露光ユニット54が、上記の各処理ユニット40~43と同様に、ウェハWの処理順に沿って鉛直方向と水平方向に並べて配置されている。これら処理ユニット50~54により処理ユニット群Cが構成されており、処理ユニット群Cの上方には、処理ユニット群Cと同様の構成の処理ユニット群Dが配置されている。なお、熱処理ユニット50~52は、ウェハWを載置して加熱する熱板と、ウェハWを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡しユニット60~65が下から順に設けられている。図1に示すように受け渡しブロック22及び第1のブロックG1~第3のブロックG3に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えば図3に示すように複数のウェハ搬送機構70~75が下から順に設けられている。各ウェハ搬送機構70~75は、例えばY方向、X方向、θ方向及び鉛直方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構70~75は、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の受け渡しブロック22、第1のブロックG1、第2のブロックG2及び第3のブロックG3内の同程度の高さの所定のユニットにウェハWを搬送できる。インターフェイスステーション5には、ウェハ搬送機構90が設けられている。ウェハ搬送機構90は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送機構90は、例えば搬送アームにウェハWを支持して、第3のブロックG3内の各受け渡しユニットと露光ユニット4との間でウェハWを搬送できる。次に、上述したウェハ搬送機構21a、21bと、受け渡しユニット30~35の構成について説明する。図4は、ウェハ搬送機構21a、21bの構成の概略を示す斜視図であり、図5はウェハ搬送機構21a、21bの構成の概略を示す側面図である。ウェハ搬送機構21aは、図4及び図5に示すように、上下方向に並べて配置された第1の搬送アーム100と、第2の搬送アーム101を有している。第1の搬送アーム100は、その先端が2本に分岐した略U字形状を有しており、カセットCと受け渡しブロック22との間でウェハWを搬送することができる。第1の搬送アーム100の上面には、ウェハWを吸着保持するための吸引孔図示せずが設けられている。第2の搬送アーム101は、ウェハWよりも直径の大きい略3/4円環系状C字形状を有しており、受け渡しブロック22の各段の間で上下方向にウェハWの受け渡しを行うことができる。第2の搬送アーム101には、当該第2の搬送アーム101の内側に向かって突出する保持部102が例えば4箇所に設けられている。各保持部102の上面には、ウェハWを吸着保持するための吸引孔図示せずが設けられている。第1の搬送アーム100と第2の搬送アーム101の基端部には、アーム駆動部110が設けられている。このアーム駆動部110により、各搬送アーム100、101はそれぞれ独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム100、101とアーム駆動部110は、基台111に支持されている。基台111の下方には、回転駆動部112が設けられている。基台111は、当該基台111の下面に設けられたシャフト113を介して回転駆動部112に接続されている。この回転駆動部112により、基台111及び各搬送アーム100、101はシャフト113を中心軸として回転できる。なお、ウェハ搬送機構21bの構成は、ウェハ搬送機構21aの構成と同様である。また、ウェハ搬送機構21a、21bは、例えば図6に示すように、鉛直方向に平行に延伸する直動レール120、120に対し、鉛直方向に摺動自在に設けられた昇降基台121、122によりそれぞれ支持されている。各昇降基台121、122は、直動レール120、120に沿って並行に設けられた昇降機構123、124によりそれぞれ独立して昇降できる。昇降機構123、124は、例えば、モータ125とプーリ126とを組み合わせて構成され、モータ125の正転逆転を制御することで、昇降基台121、122の上昇下降を制御できる。各昇降基台121、122の上面には、各ウェハ搬送機構21a、21bの回転駆動部112、112がそれぞれ支持されている。これにより、ウェハ搬送機構21a、21bの各搬送アーム100、101は、独立して回転動作及び昇降動作ができ、且つ水平方向に移動できる。次に、受け渡しユニット30の構成について説明する。図7は受け渡しユニット30の構成の概略を示す側面図であり、図8及び図9は、受け渡しユニット30の構成の概略を示す横断面図である。受け渡しユニット30は、例えば図7に示すように、ウェハ搬送機構21及び処理ステーション3側の面が開口した角柱形状の筐体130を有している。ウェハ搬送機構21の各搬送アーム100、101とウェハ搬送機構70~75の各搬送アームは、この開口から受け渡しユニット30の内部にアクセス自在となっている。筐体130の内側には、ウェハWを保持する複数のプレート140~146が鉛直方向に積層して設けられている。プレート140は、例えばウェハWを載置して温度調整する温度調整板である。プレート140は、例えば図8に示すように、略円盤形状を有している。プレート140は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸着保持するための吸引孔図示せずが設けられている。プレート140の内部には、温度調整用として例えばペルチェ素子などの温度調整部材図示せずが内蔵されており、プレート140に載置されるウェハWの温度を所望の温度、例えば23°Cに調整することができる。プレート140には、上下方向に貫通する複数の貫通孔150が形成されている。貫通孔150には、昇降ピン151が設けられている。昇降ピン151は、シリンダなどの昇降駆動機構図示せずによって上下動できる。昇降ピン151は、貫通孔150内を挿通してプレート140の上面に突出し、ウェハWを支持して昇降できる。したがって、第1の搬送アーム100が上下動することによって、ウェハWを第1の搬送アーム100と昇降ピン151との間で受け渡しすることができる。プレート141、142の構成もプレート140と同様である。プレート143は、例えばウェハWを載置して冷却する冷却板である。プレート140の内部には、冷却用の冷媒を流通させる冷媒流路図示せずが形成されており、プレート140に載置されるウェハWを冷却することができる。プレート143の外周縁部には、例えば図9に示すように、平面視において第2の搬送アーム101の保持部102の形状に対応して凹状に窪んだ窪み部143aが、周方向に沿って所定の間隔で設けられている。したがって、第2の搬送アーム101がプレート143に対して相対的に上下動することによって、第2の搬送アーム101とプレート143との間でウェハWの受け渡しをすることができる。プレート144~146の構成もプレート143と同様である。受け渡しユニット33の構成は、受け渡しユニット30の構成と同様であるので、説明を省略する。受け渡しユニット31、34には、プレート143と同様の構成のプレートのみが例えば7枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット30と同様である。この場合、受け渡しユニット31、33内のウェハWは、第1の搬送アーム100によりカセットCとの間で搬送されることはなく、第2の搬送アーム101による受け渡しブロック22内の各段の間での搬送のみが行われる。また、受け渡しユニット32、35は、プレート140と同様の構成のプレートのみが例えば7枚設けられており、その他の構成については、受け渡しユニット30と同様である。この場合、受け渡しユニット32、35内のウェハWは、第1の搬送アーム100により、カセットCとの間の搬送のみが行われる。即ち、上述のような構成を有するウェハ搬送機構21a、21b及び受け渡しブロック22においては、ウェハ搬送機構21a、21bの第1の搬送アーム100により、カセットCと受け渡しユニット30、33間のウェハ搬送、及びカセットCと受け渡しユニット32、35間のウェハ搬送が行われる。また、第2の搬送アーム101により、受け渡しユニット30、33と受け渡しユニット31、34との間でウェハ搬送が行われる。なお、受け渡しブロック22の構成については、本実施の形態に限定されるものではなく、受け渡しブロック22内の各受け渡しユニット30~35の配置や数、また、各受け渡しユニット30~35内の各プレート140~146の配置や数についても任意に決定が可能である。また、ウェハ搬送機構21a、21bによるウェハWの搬送は、制御装置6により、基板処理システム1の各処理ユニットでのウェハWの処理効率が最大化するように制御される。具体的には、第1の搬送アーム100による、例えばカセットCと受け渡しユニット30間でのウェハWの搬送のタイミングと、第2の搬送アーム101による受け渡しユニット30から受け渡しユニット32へのウェハWの搬送のタイミングが重複した場合、いずれか一方のウェハWの搬送を優先させ、他方のウェハWは、優先して搬送されるウェハWの搬送が完了するまでは待機状態とする。そしてこの際、制御装置6は、待機状態となる時間が最小となるように、換言すれば、待機状態が生じることによる基板処理システム1のスループットの低下が最小限となるように、優先して搬送するウェハWを選択する。なお、第1の搬送アーム100によるウェハ搬送のタイミングと第2の搬送アーム101による搬送のタイミングが重複した場合の制御は、上記の内容に限定されるものではない。例えばウェハ搬送機構21bにおいてウェハ搬送のタイミングが重複した場合に、ウェハ搬送機構21aがウェハの搬送を行っていない状態であったり、ウェハ搬送機構21aにより搬送を行うほうがウェハWの待機時間が少なくなる場合には、このウェハ搬送機構21aの第2の搬送アーム101で例えば受け渡しユニット30、32の段間での搬送を行い、ウェハ搬送機構21bによりカセットCと受け渡しユニット30との間の搬送を優先的に行うようにしてもよい。こうすることで、基板処理システム1内のウェハWの搬送を滞りなく行うことができる。制御装置6は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置6には、例えば基板処理システム1の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハWの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、基板処理システム1の各種処理ユニットや上述した各ウェハ搬送機構の動作を制御し、基板処理システム1におけるウェハWの各種処理や搬送の制御が行われる。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御装置6にインストールされたものであってもよい。以上のように構成された基板処理システム1では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図10は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。ウェハWの処理にあたっては、先ず、1ロットの複数枚のウェハWを収容した複数のカセットCが、カセットステーション2の所定のカセット載置板13に載置される。その後、ウェハ搬送機構21bの第1の搬送アーム100によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、受け渡しブロック22の例えば受け渡しユニット30に搬送される。受け渡しユニット30に搬送されたウェハWは、例えばプレート140に載置され所定の温度に温度調整処理される図10の工程S1。次にウェハWは、ウェハ搬送機構70によって第1のブロックG1の下部反射防止膜形成ユニット40に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される図10の工程S2。その後ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理ユニット50に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハWは、アドヒージョンユニット53に搬送され、アドヒージョン処理される図10の工程S3。次にウェハWは、ウェハ搬送機構70により受け渡しユニット30に戻され、プレート143に載置される。プレート143に載置されたウェハWは所定の温度に冷却され、その後、ウェハ搬送機構21の第2の搬送アーム101によって同じ受け渡しブロック22の受け渡しユニット31に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送機構71によってレジスト塗布ユニット41に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される図10の工程S4。その後ウェハWは、ウェハ搬送機構71によって熱処理ユニット51に搬送されて、プリベーク処理される図10の工程S5。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構71によって同じ第2のブロックG2の上部反射防止膜形成ユニット42に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される図10の工程S6。その後ウェハWは、ウェハ搬送機構71によって熱処理ユニット51に搬送されて、加熱され、温度調節される。次いでウェハWは、周辺露光ユニット54に搬送され、周辺露光処理される図10工程S7。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構71によって第3のブロックG3の受け渡しユニット61に搬送される。受け渡しユニット61に搬送されたウェハWは、インターフェイスステーション5のウェハ搬送機構90によって露光ユニット4に搬送され、露光処理される図10の工程S8。次に、ウェハWは、ウェハ搬送機構90によって第3のブロックG3の受け渡しユニット62に搬送される。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構72によって第2のブロックG2の熱処理ユニット52に搬送され、露光後ベーク処理される図10の工程S9。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構72によって現像処理ユニット43に搬送され、現像される図10の工程S10。現像終了後、ウェハWは、熱処理ユニット52に搬送され、ポストベーク処理される図9の工程S11。その後、ウェハWは、ウェハ搬送機構72によって受け渡しブロック22の受け渡しユニット32に搬送される。そして、受け渡しユニット32のウェハWはウェハ搬送機構21bの第1の搬送アーム100により、所定のカセット載置板13のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。また、上述のような、処理ユニット群A及び処理ユニット群CにおけるウェハWの処理と並行して、ウェハ搬送機構21aにより、例えば受け渡しユニット33に搬送されたウェハWも処理ユニット群B及び処理ユニット群Dにおいて適宜処理される。この間、ウェハ搬送機構21a及びウェハ搬送機構21bは、上述のとおり、制御装置6によりウェハWの待機時間が最小となるように搬送動作が制御される。以上の実施の形態によれば、処理ステーション3とカセット載置台12との間に配置されたウェハ搬送機構21a、21bが、第1の搬送アーム100と第2の搬送アーム101を有しているので、このウェハ搬送機構21a、21bにより、カセット載置台12上のカセットCと各受け渡しユニット30~35との間のウェハ搬送と、各受け渡しユニット30~35の各段の間でのウェハ搬送とを行うことができる。そのため、従来、受け渡しユニット30~35の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、例えば図12に示される他のウェハ搬送機構213が不要となる。したがって、受け渡しブロック22の配置をカセット載置台12寄りに変更する際の制約がなくなり、受け渡しブロック22を従来よりもカセット載置台寄りに配置することができる。また、複数のウェハ搬送機構21a、21bを上下方向に設けているので、例えばウェハ搬送機構21bによる受け渡しユニット30と受け渡しユニット31との間でのウェハWの搬送のタイミングと、カセットCと受け渡しユニット32との間での搬送のタイミングとが重複した場合であっても、例えばウェハ搬送機構21aがウェハの搬送を行っていない状態にある場合や、ウェハ搬送機構21aにより搬送を行うほうがウェハWの待機時間が少なくなる場合は、このウェハ搬送機構21aの第2の搬送アーム101で例えば受け渡しユニット30、31の段間での搬送を行うことができる。したがって本発明によれば、基板処理システム1のスループットを低下させることなく、当該基板処理システム1のフットプリントを小さくすることができる。また、例えば受け渡しユニット30~35を、温度調整機能や冷却機能を有するプレート140~146により構成したので、ウェハWの搬送の合間に、当該ウェハWの温度調整や冷却を行うことができる。これにより、基板処理システム1におけるウェハ処理のスループットを向上させることができる。また、従来の処理ステーション3に設けられていた温度調整用のユニットや冷却用のユニットを削減することができる。したがって、処理ステーション3を小型化することができ、基板処理システム1のフットプリントをさらに小さくできる。また、複数のウェハ搬送機構21a、21bを設けることで、いずれが一方、例えばウェハ搬送機構21aが故障した場合であっても、故障していない健全なウェハ搬送機構21bによりウェハWの搬送を継続できる。かかる場合、故障したウェハ搬送機構21aは、健全なウェハ搬送機構21bと干渉しないように、例えば直動レール120上端部の退避位置まで移動させることが好ましい。なお、搬送機構21a、21bを上下方向に配置するにあたっては、例えば図2や図6に示すように同一の鉛直線上に配置する必要はなく、例えば上下に配置されたウェハ搬送機構21aとウェハ搬送機構21bとが、平面視において一部重なり合うような配置であってもよい。なお、以上の実施の形態では、例えば第1のブロックG1の場合についていうと、図2に示すように、各処理ユニット40~43がウェハWの処理順に沿って設けられた処理ユニット群Aと処理ユニット群Bが上下に2段配置されていたが、第1のブロックや第2のブロック内の各処理ユニットの配置や設置数についてはウェハ搬送機構21a、21bの設置数や配置などに応じて適宜設定されるものであり、本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えば、図11に示すように、各処理ユニット40~43を上下方向に2段ずつウェハWの処理順に沿って配置し、下方に設けられたウェハ搬送機構21bにより、例えば2段の下部反射防止膜形成ユニット40、40と、1段のレジスト塗布ユニット41及び上部反射防止膜形成ユニット42にかかるウェハWの搬送を行い、上方に設けられたウェハ搬送機構21aにより、1段のレジスト塗布ユニット41及び上部反射防止膜形成ユニット42と、2段の現像処理ユニット43、43にかかるウェハWの搬送を行うようにしてもよい。また、かかる場合、各受け渡しユニット30~35は、対応する各処理ユニットの配置に合わせて、例えば下から上に、受け渡しユニット30、33、31、34、32、35の順で配置される。この場合においても、ウェハW搬送の際のウェハ搬送機構21a、21bの上下方向への移動距離が短くなるので、ウェハWを効率的に搬送できる。なお、以上の実施の形態では、受け渡しブロック22はウェハ搬送部11に設けられていたが、例えば処理ステーション3とカセットステーション2との間に設けられていてもよいし、処理ステーション3に設けてもよい。いずれの場合においても、従来、受け渡しユニット30~35の各段の間でのウェハ搬送のために専用で設けられていた、図12に示される他のウェハ搬送機構213が不要となるので、基板処理システム1のフットプリントを小さくすることができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。