複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置であって、前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、前記複数の絶縁体の上面および前記第1の絶縁膜の上面の上に配された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第2の絶縁膜の上面に接して配された第3の絶縁膜と、を備え、前記複数の絶縁体に入射する光の波長をλ、前記第2の絶縁膜の屈折率をn、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第2の絶縁膜の膜厚をtとしたときに、t<λ/nの関係を満たす、ことを特徴とする固体撮像装置。前記第2の絶縁膜の上面が、滑らかに連続した面である、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の絶縁体の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第2の絶縁膜の膜厚をt1としたときに、更にt1>λ/nを満たす、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記開口部は、前記光電変換素子から離れるにしたがって面積が大きくなるテーパー形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第2の絶縁膜および前記絶縁体は、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンのいずれか1つによって構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第3の絶縁膜の上にカラーフィルタを更に備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の絶縁体の少なくとも一部と、前記第2の絶縁膜とは一体となっていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、を備えることを特徴とする撮像システム。しかしながら、特許文献1に記載された構造では、隣接する光導波路の間の平坦化層の上に配置された高屈折材料層の上面および下面で反射されながら光が伝播し、これにより光導波路、更には光電変換素子に光が入射しうる。これが、混色を引き起こしたり、ノイズ成分となったりしうる。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、混色などのノイズの低減に有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、前記複数の絶縁体の上面および前記第1の絶縁膜の上面の上に配された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第2の絶縁膜の上面に接して配された第3の絶縁膜と、を備え、前記複数の絶縁体に入射する光の波長をλ、前記第2の絶縁膜の屈折率をn、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第2の絶縁膜の膜厚をtとしたときに、t<λ/nの関係を満たす。本発明によれば、混色などのノイズの低減に有利な技術が提供される。以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。<第1実施例>光導波路を形成する技術を開示した文献として特許文献2、3がある。特許文献2には、導波路をテーパー状の形状とすることで上部を大きく開口して集光性を高めることが開示されている。特許文献3には、光導波路の上部に更にレンズを形成して光を光導波路の上部に集光する構造が開示されている。しかしながら、特許文献2の構造では、最上部の集光レンズに対して斜めから入射してくる光や隣り合う集光レンズの間に入射してくる光は、多段開口状の光導波路の開口部に入射しない光となる。そのため、光導波路の開口部に入射しない光が隣接する素子部に入射してしまい、混色やノイズ成分となる場合がある。また、特許文献3の構造では、光導波路の開口上部に光導波路と同一の材料で一体に集光レンズを形成しているが、斜めから入射してくる光で光導波路に集光できない光は隣接する素子部に入射してしまう。そのため、隣接する素子部に入射した光は、解像度を低下させたり、カラーの固体撮像装置の場合には混色を生じさせるなど、ノイズ成分となる場合がある。第1実施例は、光を効率的に取り込むことが可能で、隣接する光電変換素子への光の入射を抑制可能な固体撮像装置及び該固体撮像装置を有する撮像システムを提供する。<第1実施例の固体撮像装置の構成例>図1に、第1実施例の固体撮像装置の断面模式図を示す。第1実施例はCMOS型固体撮像装置であって、図1は2画素分の断面を示している。図1の画素が2次元アレイ状に複数個配列され、図4で後述する、例えばデジタルカメラやカムコーダなどの撮像システムに用いられる。図1において、光電変換素子2と素子分離領域3とが、半導体基板1の上面に形成されている。光電変換素子2が形成された半導体基板1の上には、光電変換素子2の上に配置された開口部101を有する第1の絶縁膜100が配されている。第1の絶縁膜100は、図1に示す例では、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8を含み、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8は、それぞれ、開口部101を構成する開口部を有する。具体的には、光電変換素子2上に開口部を有する第1の絶縁層4が形成されている。この第1の絶縁層4上には、第1の配線層5と該第1の配線層5を覆い光電変換素子2上に開口部を有する第2の絶縁層6とが形成されている。この第2の絶縁層6の中に第2の配線層7が形成されている。第2の配線層7はダマシン構造である。そして、第2の絶縁層6を覆う光電変換素子2上に開口部を有する第3の絶縁層8が形成されている。第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8の、光電変換素子2に対応した開口部は、光電変換素子2から離れるにしたがって面積が大きくなるテ-パー形状となっている。開口部内に、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8の構成材料よりも屈折率が高い材料からなる高屈折率部である絶縁体が配され、該絶縁体によって光導波路9a及び9bが形成されている。光導波路9bの上方に高屈折率部と屈折率が同じかあるいはそれより大きい材料からなる第2の絶縁膜であるパッシベーション膜10a及び10bが設けられている。ここで、光導波路絶縁体に入射する光の波長をλ、パッシベーション膜の屈折率をnとする。光導波路の上面の全体又は少なくとも一部の領域は、パッシベーション膜10aの膜厚をt1としたときに、t1>λ/nの関係を満たす厚みのパッシベーション膜10aで覆われている。ここで、光導波路の上面のうちパッシベーション膜10aで覆われている領域を、第1の領域と言う。また、パッシベーション膜10aの間に位置する第1の絶縁膜100あるいは第3の絶縁層8の上面の少なくとも一部の領域は、パッシベーション膜10bの膜厚をt2としたときに、t2<λ/nの関係を満たす厚みのパッシベーション膜10bで覆われている。ここで、第1の絶縁膜100あるいは、第3の絶縁層8の上面のうちパッシベーション膜10bで覆われている領域を、第2の領域と言う。図1に示す例では、パッシベーション膜10a及び10bは同一の膜から形成されており、それぞれt1及びt2の一定の厚みを持った膜で形成されている。パッシベーション膜10a及び10b上には、例えば屈折率1.5の透明高分子樹脂からなる第3の絶縁膜である平坦化層11が設けられる。さらに、平坦化層11上には、画素に対応して屈折率1.55の透明高分子樹脂からなる赤のカラーフィルタ層12Rや緑のカラーフィルタ層12Gが設けられている。カラーフィルタ層12R及び12G上に例えば屈折率1.6の透明高分子樹脂からなるオンチップマイクロレンズ13が設けられている。もちろん、カラーフィルタ層は青のカラーフィルタ層12Bであってよく、補色のカラーフィルタ層等でも良い。従って、カラーフィルタ層は、パッシベーション膜の上部であってマイクロレンズの下部にあると言える。なお、カラーフィルタ層の上に更に平坦化層が形成されていてもよい。前述のt1>λ/nおよびt2<λ/nは、好ましくは、カラーフィルタ層が透過して光導波路絶縁体に入射する光の帯域の全域について満たされる。各要素の具体的な材料例光電変換素子2としては、例えば、PN接合またはPIN接合を有するフォトダイオードや、フォトトランジスタ等を用いることができる。これらの素子の半導体接合に光が入射すると、入射光によって光電変換が生じ電荷が発生する。各光電変換素子2の周囲の素子分離領域3は、選択酸化によるフィールド酸化膜と接合分離のための拡散層、埋め込み素子分離法等により形成された領域である。なお、素子分離領域3はPD接合による不純物拡散による分離であってもよい。第1の絶縁層4は、各光電変換素子2および素子分離領域3を覆っている。なお、半導体基板1と第1の絶縁層4との間には、図示しないが、例えばゲート絶縁膜およびゲート電極が介在していてもよい。第1の配線層5は、配線パターンをなしている。第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8の材料は、光電変換素子2に吸収され、電気信号に変換される光を透過可能な透明な材料であればよい。例えば、固体撮像装置の多くが、可視光または赤外光の検出用であるので、これらの光に対して透明な材料であればよい。第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8には、一般的に電気的絶縁層またはパッシベーション層として用いられる無機絶縁体や有機絶縁体が用いられる。第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8の材料として、具体的には、酸化シリコンまたは酸化シリコンにリン、ホウ素、フッ素、炭素等をドープしたもの等が挙げられる。第1の配線層b5、第2の配線層7は、例えばアルミニウム、またはダマシンプロセスによって形成される銅パターンであってもよい。また、光導波路9a及び9bを構成する高屈折率部の材料としては、屈折率2.0の窒化シリコンや屈折率1.8の酸窒化シリコン等が挙げられる。なお、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6にはコンタクトプラグ及びビアプラグ不図示が配されている。<第1実施例の光電変換素子の製造工程例>図2のa~dは、光導波路9を形成する製造工程を示す図である。なお、半導体基板1上に、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第1の配線層5、第2の配線層7、コンタクトプラグ、及びビアプラグを形成する工程は既知であるので、ここでは説明を省略する。図2のaにおいて、第1の配線層5と第2の配線層7を形成した後に、フォトレジストを形成しパターニング技術を用いて、光導波路9aを形成するためのフォトレジストパターン14を形成する。次に、プラズマエッチングにより第2の絶縁層6と第1の絶縁層4のエッチングを行う。エッチングによって、第2の絶縁層6と第1の絶縁層4には、光電変換素子2に対応し、第2の絶縁層6と第1の絶縁層4とを貫通する開口部が形成される。その後、フォトレジストパターン14を除去し図2bの構成が得られる。ここで、第2の絶縁層6がプラズマ酸化シリコン、第1の絶縁層4がBPSGの場合には、例えばC4F8、C5F8に代表されるCF系のガスと、O2、Arを用いてプラズマエッチングを行う。また、エッチング条件を選べば、図2のbに示すような上部開口部の面積より下部開口部の面積が小さいテーパー形状にエッチングを行うことも可能である。しかしながら、必ずしも図2のbに示すようなテーパー形状である必要はない。図2のbにおいて、高屈折率材料絶縁体を埋め込むことにより、高屈折率部、即ち、図2cの第1の光導波路9aを形成する。例えば、高密度プラズマCVDによる屈折率2.0の窒化シリコンや屈折率1.8の酸窒化シリコン、スピンコートにより屈折率1.7の高い屈折率材料を開口部に埋め込む。高屈折率材料を埋め込んだ後、必要に応じて、レジストエッチバックやCMPを用いて上部を平坦に加工してもよい。更に、第3の絶縁層8をプラズマ酸化シリコンを堆積し図2cの構成を得る。図2cにおいて、第1の光導波路9aの形成と同様にフォトレジストパターンニングとエッチングと高屈折率材料絶縁体の埋め込みにより高屈折率部、即ち第2の光導波路9bを形成する。第2の光導波路9bの開口部は第3の絶縁層8の開口部である。このとき、第1の光導波路9aと第2の光導波路9bにおいて、光電変換素子に向かうテーパー角度は同一でも、違っていてもかまわない。また、第1の光導波路9aと第2の光導波路9bの高屈折率部は同一屈折率を有する材料からなることが好ましい。両者の高屈折率部の界面での反射が低減されるためである。しかし、同一でなくてもよい。両者の高屈折率部の屈折率が大きく異なる場合には、第1の光導波路9aと第2の光導波路9bとの界面に、反射防止膜を配しても良い。光導波路9bの形成後、パッシベーション膜を屈折率2.0のプラズマ窒化シリコンや屈折率1.8のプラズマ酸窒化シリコンで形成する。その後、フォトレジストを形成する。光導波路9bの上部の全てまたは一部の領域の上のパッシベーション膜を膜厚t1とし、それ以外のパッシベーション膜を膜厚t2とするためである。そして、プラズマエッチングによりパッシベーション膜のエッチングを行い、所望の膜厚になるまでエッチングを行う。この状態が図2のdに示す構造となる。ここで、パッシベーション膜の形成方法は、具体的には、パッシベーション膜を全面に膜厚t1で形成した後、フォトレジストパターンを第1の領域のマスクとし、第2の領域にエッチングを行うことで、膜厚t1及び膜厚t2のパッシベーション膜が得られる。また、パッシベーション膜を膜厚t1よりも厚く形成した後、所望のフォトレジストパターン及びエッチングを行うことで、膜厚t1とt2のパッシベーション膜を得ることも可能である。更には、別の2つの膜からパッシベーション膜を形成してもよい。例えば、プラズマ酸窒化シリコンで膜厚t2の膜を形成した後に、プラズマ窒化シリコンで膜厚t1の膜を形成し、プラズマ窒化シリコンをパターニングしてもよい。光導波路9a及び9bは、第1~第3の絶縁層と高屈折率材料との界面を有する。よって、光導波路9a及び9b内部に入射した光が、スネルの法則により側面で全反射する。例えば、光導波路9a及び9bの高い屈折率が、屈折率2.0のプラズマSiN膜とする。また、第1の絶縁層4、第2の絶縁層6、第3の絶縁層8を形成する材料が、それぞれ、屈折率1.46のBPSGホウ素リンシリケートガラス、屈折率1.46のSiO酸化シリコン、屈折率1.46のSiO酸化シリコンであるとする。この場合、光導波路9a及び9bの側壁に対して46.9°以上の入射角で入射する光であれば、光導波路9a及び9bの側壁で全反射される。側壁で全反射された光は、最終的に光電変換素子2に入射することになる。したがって、光導波路9a及び9bを形成することによって、光を有効に光電変換素子2に入射させ、光電変換に寄与させることができる。パッシベーション膜10a及び10bは、光導波路上及びその他の部分を覆うように形成される。光導波路9bの上部は、厚さt1、屈折率2.0のプラズマシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜10aで被覆される。一方、光導波路の上部以外は、厚さt2、屈折率2.0のプラズマシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜10bで被覆されている。従って、平坦化層11は、パッシベーション膜10aより低い屈折率となる。このときt1は、入射する光の波長が380nm青またはそれ以上の波長となることから380/2.0=190nmより厚ければ良い。より好ましくは、入射する光の波長の実質的な上限付近である600nm赤に対し、600/2.0=300nmより厚いことが好ましい。また、t2は、入射する光の波長を380nm青として380/2.0=190nmより薄ければ良い。より好ましくは、パッシベーション膜の機能としての水素終端による暗電流の低減効果が発揮される30nm以上で190nm以下であることが好ましい。第1実施例による集光効果は、入射光の斜め成分が多い場合ほど顕著となる。<第1実施例の効果>図3は、第1実施例の光電変換素子の効果を明示的に説明するための比較例の図である。図3は、パッシベーション膜10が一定の膜厚で形成された以外は、第1実施例の光電変換素子と同様の構成の構造を有する、隣り合う2画素の断面図である。図3の比較例において、符号C1で示した入射光は、マイクロレンズ13の表面の左側に、左斜め方向に傾斜して入射する光である。この光はマイクロレンズ13によって屈折されて光導波路9bの上部の開口に入射した後、光電変換素子2に入射する。一方、符号C2によって示す、マイクロレンズ13の表面の右側に、左斜め方向に傾斜して入射した光は、光導波路9bの上部の開口に入射せず、光導波路9aから外れて集光できない。光電変換素子2に導かれなかった光は、検出に有効に利用できないばかりか、隣接画素の光電変換素子2に入射し混色の原因となる。また、光電変換素子2に導かれなかった光は、パッシページョン膜10中を反射しながら進み、他の光電変換素子2に入射してしまう可能性がある。一方、図1に示す第1実施例の構成では、符号C1で示す光線はもちろん、符号C2によって示す入射光であっても、パッシベーション膜10aと平坦化層11との屈折率差により全反射で光導波路9b上部の開口に導くことができる。その後、光導波路9aの側壁で全反射されて、光電変換素子2に集光することが可能となる。更に、C3によって示す入射光であっても、パッシベーション膜10bの膜厚がt2<λ/nの関係を満たしているため、パッシベーション膜10aから10bに入射してくる光はパッシベーション膜10b内を進むことができない。すなわち、第1実施例の固体撮像装置によれば、膜厚の異なるパッシベーション膜10a、10bと光導波路9を用いることによって、従来集光できなかった入射光を光電変換素子に導くことが可能となる。また従来、隣接画素へ混入してしまうような光を低減することが可能となる。また、高い屈折率である光導波路9a及び9bとパッシベーション膜10a及び10bとが一体の膜からなっていてもよい。<第2実施例>図5に、第2実施例の固体撮像装置の断面模式図を示す。第2実施例の固体撮像装置では、第1実施例の固体撮像装置から第3の絶縁層8およびその開口部に形成された光導波路9bが取り除かれている。また、第2実施例の固体撮像装置では、第2の絶縁膜であるパッシベーション膜が、滑らかに連続した面を上面とする厚さt2のパッシベーション膜10bで構成されている。他の構成は、第1実施例に従いうる。第1の絶縁膜100の上面の全部または少なくとも一部の領域は、パッシベーション膜10bの膜厚をt2としたときに、t2<λ/nの関係を満たす厚みのパッシベーション膜10bで覆われている。図5に示す例では、第1の絶縁膜100の上面および光導波路9aの上面が、滑らかに連続した面を上面とする厚さt2のパッシベーション膜10bで覆われている。ここで、特許請求の範囲では、簡略化のために、t2に代えてtを用いて、t<λ/nとして記載されている。第1の絶縁膜100の上面の全部または少なくとも一部の領域の上にt2<λ/nあるいはt<λ/nを満たす第2の絶縁膜を配置することにより、第2の絶縁膜の上面および下面で反射されながら光が伝播することが抑制される。これにより、そのような光が光導波路9a、更には光電変換素子2に光が入射することが抑制され、混色やノイズが低減される。また、高い屈折率である光導波路9aとパッシベーション膜10bとが一体の膜からなっていてもよい。また、平坦化層11は透明高分子樹脂に限らず酸化シリコンなどの無機材料であってもよい。また、本実施形態の構成によれば、パッシベーション膜10bの上面は平坦であるので、平坦化層11は平坦化の機能を有していなくてもよい。<第3実施例>図6に、第3実施例の固体撮像装置の断面模式図を示す。第3実施例の固体撮像装置では、第2の絶縁膜であるパッシベーション膜が、滑らかに連続した面を上面とする厚さが前述のt2のパッシベーション膜10bで構成されている。他の構成は、第1実施例に従いうる。第1の絶縁膜100の上面の全部または少なくとも一部の領域は、パッシベーション膜10bの膜厚をt2としたときに、t2<λ/nの関係を満たす厚みのパッシベーション膜10bで覆われている。図6に示す例では、第1の絶縁膜100の上面および光導波路9bの上面が、滑らかに連続した面を上面とする厚さt2のパッシベーション膜10bで覆われている。ここで、特許請求の範囲では、簡略化のために、t2に代えてtを用いて、t<λ/nとして記載されている。第1の絶縁膜100の上面の全部または少なくとも一部の領域の上にt2<λ/nあるいはt<λ/nを満たす第2の絶縁膜を配置することにより、第2の絶縁膜の上面および下面で反射されながら光が伝播することが抑制される。これにより、そのような光が光導波路9a、9b、更には光電変換素子2に光が入射することが抑制され、混色やノイズが低減される。また、高い屈折率である光導波路9bとパッシベーション膜10bとが一体の膜からなっていてもよい。また、平坦化層11は透明高分子樹脂に限らず酸化シリコンなどの無機材料であってもよい。また、本実施形態の構成によれば、パッシベーション膜10bの上面は平坦であるので、平坦化層11は平坦化の機能を有していなくてもよい。<回路構成例>図4のaは、第1~第3実施例に係る固体撮像装置100の1つの画素Pの代表的な回路構成例を示す図である。実際の固体撮像装置100では、画素Pが2次元あるいは1次元アレイ状に配置され、アレイの外周部には、画素を駆動する走査回路、読み出し回路、出力増幅回路などが配置される。図4のaの例において、画素Pは、光電変換部31、転送トランジスタ32、フローティングディフュージョン以下FD33、リセットトランジスタ34、増幅トランジスタ36、及び選択トランジスタ35を含む。光電変換部31は、光がその受光面に入射すると、光に応じた電荷ここでは電子を発生して蓄積する。光電変換部31は、例えば、フォトダイオードであり、アノードとカソードとの界面で光電変換を行い発生させた電荷をカソードに蓄積する。転送トランジスタ32は、チャネルが導通した際に以下トランジスタを導通させることをオンする、非導通とさせることをオフすると記載する、光電変換部31で発生した電荷をFD33へ転送する。リセットトランジスタ34は、オンした際にFD33をリセットする。増幅トランジスタ36は、垂直信号線37に接続された定電流源38とともにソースフォロワ動作を行うことにより、FD33の電位に応じた信号を垂直信号線37へ出力する。この垂直信号線37は列方向の他の画素と接続し、複数の画素で共有化されている。すなわち、増幅トランジスタ36は、リセットトランジスタ34によりFD33がリセットされた状態では、FD33の電位に応じたノイズ信号を垂直信号線37へ出力する。増幅トランジスタ36は、光電変換部31で発生した電荷が転送トランジスタ32によりFD33へ転送された状態では、FD33の電位に応じた光信号を垂直信号線37へ出力する。選択トランジスタ35は、オンした際に画素Pを選択状態にし、オフした際に画素Pを非選択状態にする。なお、FD33の電位により画素Pの選択状態/非選択状態を制御する場合、画素Pは選択トランジスタ35が省略されても良く、1つの増幅トランジスタ36に対して複数の光電変換部31を有する構造でもよい。なお、詳細には示さないが、例えば、読み出し回路39で垂直信号線37の列方向の複数画素の信号は1次元の撮像結果として、あるいは他の垂直信号線37と行方向に合成されて2次元の撮像結果として、固体撮像装置から出力信号として出力される。<撮像システムの構成例>図4のbは、第1~第3実施例の固体撮像装置100を適用した撮像システムの一構成例である。撮像システム90は、主として、光学系、撮像部86及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター91、レンズ92及び絞り93を備える。撮像部86は、本実施例の固体撮像装置100を含む。信号処理部は、主として、撮像信号処理回路95、A/D変換器96、画像信号処理部97、メモリ部87、外部I/F部89、タイミング発生部98、全体制御演算部99、記録媒体88及び記録媒体制御I/F部94を備える。なお、信号処理部は、記録媒体88を備えなくても良い。シャッター91は、光路上においてレンズ92の手前に設けられ、露出を制御する。レンズ92は、入射した光を屈折させて、撮像部86の固体撮像装置100の撮像面に被写体の像を形成する。絞り93は、光路上においてレンズ92と固体撮像装置100との間に設けられ、レンズ92を通過後に固体撮像装置へ導かれる光の量を調節する。撮像部86の固体撮像装置100は、固体撮像装置100の撮像面に形成された被写体の像を画像信号に変換する。撮像部86は、その画像信号を固体撮像装置100から読み出して出力する。撮像信号処理回路95は、撮像部86に接続されており、撮像部86から出力された画像信号を処理する。A/D変換器96は、撮像信号処理回路95に接続されており、撮像信号処理回路95から出力された処理後の画像信号アナログ信号を画像信号デジタル信号へ変換する。画像信号処理部97は、A/D変換器96に接続されており、A/D変換器96から出力された画像信号デジタル信号に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部87、外部I/F部89、全体制御演算部99及び記録媒体制御I/F部94などへ供給される。メモリ部87は、画像信号処理部97に接続されており、画像信号処理部97から出力された画像データを記憶する。外部I/F部89は、画像信号処理部97に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、外部I/F部89を介して外部の機器パソコン等へ転送する。タイミング発生部98は、撮像部86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97に接続されている。これにより、撮像部86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97へタイミング信号を供給する。そして、撮像部86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97がタイミング信号に同期して動作する。全体制御演算部99は、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94に接続されており、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94を全体的に制御する。記録媒体88は、記録媒体制御I/F部94に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、記録媒体制御I/F部94を介して記録媒体88へ記録する。以上の構成により、本実施例の固体撮像装置100において良好な画像信号が得られれば、撮像システムにおいて良好な画像画像データを得ることができる。