放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器であって、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率をA[/K]、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率をB[/K]とするとき、下記の式1を満足することを特徴とする放射線検出器。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1請求項1記載の検出器において、A<0、B>0であることを特徴とする放射線検出器。請求項2記載の検出器において、A<-0.2であることを特徴とする放射線検出器。請求項1~3のいずれか1項に記載の検出器において、前記シンチレータがCsIからなり、且つ前記フォトダイオードがアモルファスシリコンからなることを特徴とする放射線検出器。放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器の製造方法であって、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率を測定する工程と、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率がA[/K]であるとき、前記フォトダイオードとして、可視光に対する感度の温度変化率B[/K]が下記の式1を満足するものを選定する工程と、を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1請求項5記載の製造方法において、A<0であるとき、B>0であるフォトダイオードを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項6記載の製造方法において、A<-0.2であるシンチレータを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項5~7のいずれか1項に記載の製造方法において、前記シンチレータとしてCsIを選定し、且つ前記フォトダイオードとしてアモルファスシリコンを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項5~8のいずれか1項に記載の製造方法において、前記シンチレータを750~900°Cの温度範囲で成膜することによって得ることを特徴とする放射線検出器の製造方法。放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器の製造方法であって、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率を測定する工程と、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率がB[/K]であるとき、前記シンチレータとして、可視光に対する感度の温度変化率A[/K]が下記の式1を満足するものを選定する工程と、を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1請求項10記載の製造方法において、B>0であるとき、A<0であるシンチレータを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項11記載の製造方法において、A<-0.2であるシンチレータを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項10~12のいずれか1項に記載の製造方法において、前記シンチレータとしてCsIを選定し、且つ前記フォトダイオードとしてアモルファスシリコンを選定することを特徴とする放射線検出器の製造方法。請求項10~13のいずれか1項に記載の製造方法において、前記シンチレータを750~900°Cの温度範囲で成膜することによって得ることを特徴とする放射線検出器の製造方法。放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器を筐体内に収容して構成される放射線画像撮影装置であって、前記筐体は、放射線照射源に臨む照射面を備え、前記放射線検出器は、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率をA[/K]、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率をB[/K]とするとき、下記の式1を満足するものであり、且つ前記筐体の前記照射面に設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1請求項15記載の撮影装置において、前記放射線検出器として、A<0、B>0であるものを備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。請求項16記載の撮影装置において、前記放射線検出器として、A<-0.2であるものを備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。請求項15~17のいずれか1項に記載の撮影装置において、前記放射線検出器として、前記シンチレータがCsIからなり、且つ前記フォトダイオードがアモルファスシリコンからなるものを備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。特許文献1記載の従来技術では、放熱部を設けることが必要であるために部品点数が増加し、このために装置構成が複雑となるとともに重量化を招く。また、コスト上昇の一因ともなる。さらに、放熱部を設ける場合、放射線画像撮像装置の内部の最高温度を低くすることは可能であると考えられるものの、例えば、放熱部から離間し、このために放熱が困難である部位と、放熱部に近接して放熱が容易である部位とで温度差が生じてしまう。この温度差、換言すれば、放射線画像撮像装置の内部に生じた温度分布の偏りに起因して、アーチファクトが発生する懸念がある。未だ高温である部位と、低温となった部位とでは、半導体の特性に差異があるからである。一方、特許文献2記載の従来技術のように補正を行う場合、補正プログラムを作成するという繁雑な作業を行わなければならない。その上、補正プラグラムを実行する制御回路が必要となるので、装置構成が複雑となる。加えて、アーチファクトは、上記したように温度分布の偏りに起因して発生するが、温度分布の偏りには時間依存性があるので、必ずしも補正ができるとは限らない。しかも、温度分布の偏りによる感度の変動は、放射線を照射したときにはじめて分かる換言すれば、温度分布の偏りによる感度の変動は、放射線を照射するまで把握することができない場合があるので、オフセット画像から必ずしも補正できるとも限らない。本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、部品点数が増加することが回避され、このため、装置構成が簡素であり、しかも、補正プログラムを不要としながらも、アーチファクトが発生することを有効に抑制することが可能な放射線検出器及びその製造方法と、それを備える放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。前記の目的は、以下の[1]~[4]の構成により達成される。[1]放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器であって、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率をA[/K]、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率をB[/K]とするとき、下記の式1を満足することを特徴とする放射線検出器。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1[2]放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器の製造方法であって、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率を測定する工程と、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率がA[/K]であるとき、前記フォトダイオードとして、可視光に対する感度の温度変化率B[/K]が下記の式1を満足するものを選定する工程と、を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1[3]放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器の製造方法であって、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率を測定する工程と、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率がB[/K]であるとき、前記シンチレータとして、可視光に対する感度の温度変化率A[/K]が下記の式1を満足するものを選定する工程と、を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1[4]放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電荷に変換するフォトダイオードとを有する放射線検出器を筐体内に収容して構成される放射線画像撮影装置であって、前記筐体は、放射線照射源に臨む照射面を備え、前記放射線検出器は、前記シンチレータの放射線に対する感度の温度変化率をA[/K]、前記フォトダイオードの可視光に対する感度の温度変化率をB[/K]とするとき、下記の式1を満足するものであり、且つ前記筐体の前記照射面に設けられることを特徴とする放射線画像撮影装置。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1すなわち、本発明においては、シンチレータとフォトダイオードとして、互いの感度の温度変化率の和が所定の数値範囲内であるものが選定される。このような構成とすることにより、互いの感度の温度依存性が相殺される。従って、放射線の透過量に応じた量の電荷がフォトダイオードにて生成されるので、アーチファクトが出現することを有効に抑制することができる。なお、感度の温度変化率A、Bは、シンチレータとフォトダイオードを組み合わせる前に予め測定すればよい。そして、例えば、所定の感度の温度変化率Aを示すものをシンチレータとして選定した場合、上記式1を満足する温度変化率Bを示すフォトダイオードを選定するようにすればよい。勿論、その逆に、所定の感度の温度変化率Bを示すものをフォトダイオードとして選定した場合、上記式1を満足する温度変化率Aを示すシンチレータを選定するようにしてもよい。シンチレータ及びフォトダイオードの組み合わせの好適な一例としては、各々がCsI、アモルファスシリコンからなるものを挙げることができる。勿論、これらCsI、アモルファスシリコンは、感度の温度変化率A、Bが上記式1を満足するものである。本発明によれば、シンチレータとフォトダイオードとして、互いの感度の温度変化率の和が所定の数値範囲内であるものを選定するようにしている。この構成において温度が上昇した場合、互いの感度の温度依存性が相殺されるので、フォトダイオードでは、放射線の透過量に応じた量の電荷が生成される。このため、アーチファクトが出現することを有効に抑制することができる。従って、診断精度が低下する懸念が払拭される。また、互いの感度の温度依存性を相殺するようにしているので、たとえ放射線検出器に温度分布の偏りが生じたとしても、そのことに起因してアーチファクトが出現することが回避される。従って、放熱部を設ける必要は特にない。さらに、アーチファクトを低減するための補正プログラムも特に必要ないので、装置構成を簡素化することも可能である。以下、本発明に係る放射線検出器及びその製造方法につき、該放射線検出器を備える放射線画像撮影装置との関係で好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は、放射線画像撮影システム10の概略構成図である。この放射線画像撮影システム10は、ベッド等の撮影台12に横臥した患者等の被写体14に対して放射線16を照射する放射線出力装置18と、被写体14を透過した放射線16を検出して放射線画像に変換する本実施の形態に係る電子カセッテ20放射線画像撮影装置と、放射線画像撮影システム10全体を制御するとともに、入力操作を受け付けるコンソール22と、撮影した放射線画像等を表示する表示装置24とを備える。この中、放射線出力装置18は、放射線16を照射する放射線源26と、放射線源26を制御する放射線制御装置28と、放射線スイッチ30とを備える。放射線源26は、被写体14、ひいては電子カセッテ20に対して放射線16を照射する。なお、放射線源26が照射する放射線16は、例えば、X線、α線、β線、γ線、電子線等である。放射線スイッチ30は、いわゆる半押と全押の2段階のストロークを持つように構成される。すなわち、放射線制御装置28は、放射線スイッチ30が医師ないし放射線技師によって半押されたときに放射線16を照射する準備を行い、その後、全押されたときに放射線源26から放射線16を照射する。コンソール22には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像や、その他の情報を統括的に管理する放射線科情報システムRIS32が接続される。さらに、RIS32には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システムHIS34が接続される。以上の構成において、放射線出力装置18、電子カセッテ20、コンソール22及び表示装置24間では、例えば、UWBUltraWideBand、IEEE802.11.a/b/g/n等の無線LAN、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。信号の送受信は、放射線スイッチ30が半押状態又は全押状態となったときに行われることがある。例えば、放射線スイッチ30が半押状態となったときには、照射準備を示す信号が放射線出力装置18からコンソール22等に送信され、また、放射線スイッチ30が全押状態となったときには、放射線16の照射開始を示す信号が放射線出力装置18からコンソール22等に送信される。前記電子カセッテ20は、図2に示すように、電子カセッテ20全体の制御を行う制御部40と、被写体14が載置されるパネル部42とを備える。なお、パネル部42の厚みは、制御部40の厚みに比して小さく設定されている。制御部40は、放射線16に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体44を有する。該筐体44は、パネル部42の照射面46の一端に沿って延在しており、照射面46における撮影可能領域48の外に制御部40が配設される。この場合、筐体44の上面には、撮影された放射線画像等を表示可能である一方で、医師又は放射線技師が種々の情報を入力可能なタッチパネル方式の表示操作部50と、医師又は放射線技師に対する各種の通知を音として出力するスピーカ52とが配設されている。また、筐体44の側面には、外部から充電を行うためのACアダプタの入力端子54と、外部機器例えば、コンソール22等との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのUSB端子56とが設けられている。一方、パネル部42は、放射線16図1参照に対して透過可能な材料からなる略矩形状の筐体58を有し、パネル部42の表面上面である照射面46に放射線16が照射される。照射面46の略中央部には、被写体14の撮影領域及び撮影位置を示すガイド線60が形成されている。ガイド線60の外枠が、放射線16の照射野を示す撮影可能領域48になる。また、ガイド線60の中心位置ガイド線60が十字状に交差する交点は、撮影可能領域48の中心位置である。制御部40側の側面には、医師又は放射線技師等が把持可能な取手62が配設されている。医師は、取手62を把持することにより電子カセッテ20を所望の場所例えば、撮影台12に搬送することが可能となる。すなわち、電子カセッテ20は、可搬型の放射線画像撮影装置である。図2のIII-III線矢視断面図である図3に示すように、筐体58は、下半部となる第1ケーシング64と、前記照射面46を含む上半部としての第2ケーシング66とを有する。この中、第2ケーシング66における照射面46の裏面以下、内部天井面という68には、放射線16を放射線画像に変換する放射線検出器70が設けられている。図4に詳細を示すように、放射線検出器70は、内部天井面68から離間する下方から、シンチレータ支持基板72、シンチレータ74、フォトダイオード76を備えた光検出基板78をこの順序で有し、シンチレータ74と光検出基板78は第1接着層80を介して接合されている。また、放射線検出器70自体は、第2接着層82を介して内部天井面68に接合される。なお、図4中の参照符号84は、シンチレータ74の柱状結晶構造を示す。図3に示すように、筐体58内には、放射線検出器70の他、回路基板支持板100が収容される。この回路基板支持板100は、例えば、放射線検出器70に接合される。回路基板支持板100には、バッテリ102、回路基板104、チャージアンプIC106等が設けられる。この中の回路基板104には、無線又は有線にて通信を行うための通信部108が設けられ、また、チャージアンプIC106は、フレキシブル回路110を介してフォトダイオード76に電気的に接続されている。なお、図5に示すように、回路基板支持板100を設けることなく、放射線検出器70から離間した位置にバッテリ102、回路基板104通信部108、チャージアンプIC106を配設するようにしてもよい。周知の通り、シンチレータ74は、被写体14を透過した放射線16を可視光領域に含まれる蛍光すなわち、可視光に変換する。また、フォトダイオード76は、可視光としての前記蛍光を電荷に変換する機能を営む。このことから諒解されるように、放射線16が被写体14を透過すると、その透過量に対応してシンチレータ74から蛍光が生じ、さらに、蛍光の発光量に応じて電荷が生じる。この電荷を電気信号として検出することにより、放射線画像が得られる。ここで、シンチレータ74がCsI:Tlタリウムが添加されたヨウ化セシウムからなる場合、このシンチレータ74の感度は、温度が上昇するに従って低下する。すなわち、放射線16の透過量が増加した場合に、その増加量に対応する量の蛍光が生じ難くなる。一方、フォトダイオード76は、一般的に温度が上昇するに従って感度が上昇する。すなわち、蛍光が増加した場合に、その増加量に対応する量を上回る量の電荷が生じ易くなる。このため、図6に示すように、例えば、温度上昇に伴う感度低下が小さいシンチレータ74と、温度上昇に伴う感度上昇が大きいフォトダイオード76とを選定した場合には、放射線検出器70が高温となったとき、シンチレータ74での蛍光発光量が若干低下するのに対して、フォトダイオード76での電荷生成量が大きく増加する。このような蛍光発光量と電荷生成量との不均衡が、アーチファクトが発生する一因となる。以上のように、アーチファクトは、放射線検出器70の面内方向での温度分布が生じる場合に発生する。温度分布を生じる要因としては、外部から伝達される熱や、放射線検出器70を含む筐体58の内部で発生する熱の影響を受けることが挙げられる。なお、外部から伝達される熱の熱源としては、電子カセッテ20に接触する患者や、電子カセッテ20に近接又は接触して発熱する他の装置が例示され、筐体58の内部で発生する熱の熱源としては、前記バッテリ102、回路基板104、チャージアンプIC106、及び無線又は有線通信用の通信部108等が例示される。図5に示す形態では、熱源バッテリ102やチャージアンプIC106等が放射線検出器70から離間しているものの、旧来のフイルム/スクリーン撮影用、又はイメージングプレートを用いた撮影用のカセッテ用スタンド等に挿入可能なカセッテ型DRパネルにおいては、筐体58の厚み方向寸法が小さく設定される。換言すれば、厚み方向寸法が制約を受ける。このため、筐体58内での放射線検出器70と熱源との離間距離は小さく、従って、この場合においても、放射線検出器70が熱分布の影響を受け易い。放射線検出器70と熱源との間に熱拡散部材等を設置することも可能ではあるが、熱分布を完全に均一化することは困難である。そこで、本実施の形態では、シンチレータ74及びフォトダイオード76として、互いの感度の温度依存性を相殺し得るものが選定される。すなわち、シンチレータ74の放射線16に対する感度の温度変化率をA[/K]、前記フォトダイオード76の可視光に対する感度の温度変化率をB[/K]としたとき、図7に示すように、ABの和が0に近いもの同士であることが好ましい。具体的には、ABは、下記の式1を満足する。-0.35[/K]<AB<0.35[/K]...1なお、例えば、A=-0.1[/K]は、温度が1K変化したときに感度が0.1低下することを意味する。Bについても同様に、B=0.1[/K]は、温度が1K変化したときに感度が0.1上昇することを表す。この場合、放射線検出器70が高温となったとき、シンチレータ74での蛍光発光量が低下した分が、フォトダイオード76での電荷生成量が増加することで補われる。このため、放射線16の透過量に見合った量の電荷が生成し、その結果、アーチファクトが発生することが抑制される。上記したように、一般的なシンチレータ74では、温度上昇に伴って感度が低下する。一方、一般的なフォトダイオード76では、温度上昇に伴って感度が上昇する。従って、A<0、B>0である。また、シンチレータ74の感度の温度変化率Aは、該シンチレータ74を成膜する際の温度等に依存して変化する。例えば、CsI:Tlからなるシンチレータ74の成膜温度が700°C、800°C、900°Cであるとき、感度の温度変化率Aは、それぞれ、-0.12[/K]、-0.22[/K]、-0.34[/K]となる。従って、例えば、A=-0.12[/K]、B=0.51[/K]であるときにはABは0.39であり、式1を満足しない。一方、A=-0.22[/K]、又は-0.34[/K]であり、B=0.51[/K]であるとき、ABの値は、それぞれ、0.29、0.17であり、式1を満足する。このようにABの値を算出した結果、式1を満足しないシンチレータ74とフォトダイオード76の組み合わせが除外される。換言すれば、本実施の形態に係る放射線検出器70においては、式1を満足するシンチレータ74とフォトダイオード76の組み合わせのみが採用される。シンチレータ74がCsI:Tl以外の物質からなる場合であっても、感度に温度依存性がある場合には、上記のようにしてABの値を算出し、式1を満足するシンチレータ74とフォトダイオード76の組み合わせを採用すればよい。勿論、シンチレータ74に代替し、フォトダイオード76の感度の温度依存性を変化させるようにしてもよい。本実施の形態に係る電子カセッテ20は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、その作用効果について説明する。放射線画像を取得するためには、はじめに、撮影台12上に被写体14を横臥させる図1参照。その後、医師又は放射線技師が放射線スイッチ30を半押すると、放射線制御装置28は、放射線16の照射準備を行うとともに、照射準備を通知する通知信号をコンソール22に無線により送信する。この信号を受けたコンソール22は、放射線源26からの放射線16の照射と同期させるための同期制御信号を無線により電子カセッテ20に送信する。電子カセッテ20の制御部40は、前記同期制御信号を受信すると、照射準備に入ったことを示す情報を表示操作部50図2参照に表示させるとともに、スピーカ52を介して外部に音として通知する。その後、医師又は放射線技師が放射線スイッチ30を全押すると、放射線制御装置28は、予め設定された所定時間だけ、放射線源26から放射線16を被写体14の撮影部位に照射する。この場合、放射線制御装置28は、放射線16の照射開始と同時に、照射開始を通知する通知信号を無線によりコンソール22に送信してもよい。コンソール22は、受信した前記通知信号を電子カセッテ20に転送し、該電子カセッテ20の制御部40は、前記通知信号を受信すると、照射中であることの情報を表示操作部50に表示させるとともに、スピーカ52を介して外部に音として通知してもよい。放射線16は、被写体14の撮影部位を透過して電子カセッテ20の照射面46及び内部天井面68を通過し、放射線検出器70に到達する。放射線16は、さらに、光検出基板78を通過してシンチレータ74の柱状結晶構造84に至る。柱状結晶構造84は、放射線16の透過量に応じた量の蛍光可視光を発光する。この蛍光は、シンチレータ74から光検出基板78に入射する。光検出基板78に設けられたフォトダイオード76では、光検出基板78に入射した蛍光の量発光量に応じた量の電荷が生成蓄積される。次いで、この電荷に関する情報が制御部40から読み出されることにより、被写体14の撮影部位の放射線画像が得られる。以上の操作が繰り返されることに伴い、放射線検出器70の温度が上昇し、シンチレータ74の感度が低下する一方、フォトダイオード76の感度が上昇する。しかしながら、本実施の形態においては、シンチレータ74及びフォトダイオード76として、各々の感度の温度変化率A、Bが上記式1を満足するものを選定している。このため、シンチレータ74の感度低下と、フォトダイオード76の感度上昇とが互いに相殺され、その結果、放射線16の透過量に応じた量の電荷が生成される。これにより、放射線画像にアーチファクトが出現することを回避することができる。従って、診断精度が低下する懸念を払拭することもできる。以上のように、本実施の形態によれば、シンチレータ74及びフォトダイオード76の感度の温度変化率A、Bを適切に設定することにより、アーチファクトが出現することが回避されて視認性が良好な放射線画像を得ることが可能となり、その結果、診断精度が低下する懸念が払拭される。しかも、シンチレータ74の感度低下と、フォトダイオード76の感度上昇とを互いに相殺するので、電子カセッテ20の照射面46に被写体14が触れること等によって放射線検出器70に温度分布の偏りが生じたとしても、この温度分布の偏りに起因してアーチファクトが出現することが回避される。従って、放熱部を設ける必要は特にない。また、アーチファクトを低減するための補正プログラムを作成する必要もない。以上のような理由から、装置構成が簡素となるという利点が得られる。以上の動作は、シンチレータ74及びフォトダイオード76の温度が略同等であることを前提としているが、放射線画像撮影システム10は、シンチレータ74とフォトダイオード76の温度差が所定の閾値を上回った場合、警告が発せられるように構成されている。なお、シンチレータ74及びフォトダイオード76の温度は、各々に設けられた図示しない温度センサによって測定することが可能である。また、閾値は、感度の温度依存性の傾き感度の温度変化率に基づいて設定される。この放射線検出器70は、次のようにして製造することができる。はじめに、シンチレータ支持基板72にシンチレータ74を成膜する。この際には、蒸着や化学的気相成長CVD法等、公知の成膜手法を採用すればよい。成膜時の温度が過度に低いと、成膜速度が遅くなる。一方、過度に高温であると、突沸が起こり、その結果として、シンチレータ74に突起が形成されることがある。このような事態が生じると、前記突起に起因して、補正することが困難な画像欠陥となる。以上の不都合を回避するべく、シンチレータ74の成膜温度は、750~900°Cに設定することが好ましい。シンチレータ74の感度の温度変化率Aは、成膜手法や成膜温度によって異なる。この理由は、不純物準位数等が相違するようになるためであると推察される。従って、例えば、この時点で、感度の温度変化率Aを測定することが好ましい。そして、この温度変化率Aに基づき、上記の式1を満足する感度の温度変化率Bを有するフォトダイオード76を選定する。例えば、感度の温度変化率Aが-0.22[/K]であるシンチレータ74が成膜によって形成された場合、感度の温度変化率Bが0.57[/K]未満であり且つ-0.13[/K]よりも大きいフォトダイオード76を成膜すればよい。なお、感度の温度変化率Aが-0.12[/K]であるシンチレータ74であっても、感度の温度変化率Bが0.47[/K]未満であり且つ-0.23[/K]よりも大きいフォトダイオード76を成膜することにより、上記式1を満足し得る組み合わせとなる。また、酸硫化ガドリニウムGOSからなるシンチレータ74は、感度の温度変化率Aがほとんどゼロであることがある。このような場合には、感度の温度変化率Bが0.35[/K]未満であり且つ-0.35[/K]よりも大きいフォトダイオード76を成膜すればよい。換言すれば、この製造方法では、シンチレータ74の感度の温度変化率Aを基準として、上記式1を満足する感度の温度変化率Bを示すフォトダイオード76を光検出基板78に成膜する。これにより、互いの感度の温度変化率を相殺し得るシンチレータ74とフォトダイオード76の組み合わせが得られる。そして、次に、シンチレータ74と光検出基板78とを第1接着層80によって互いに接合する。これにより、本実施の形態に係る放射線検出器70が得られる。さらに、この放射線検出器70を、第2接着層82を介して第2ケーシング66の内部天井面68に接合する。このようにして放射線検出器70が設けられた第2ケーシング66と、第1ケーシング64とを組み合わせることにより、パネル部42が作製される。このパネル部42を制御部40と組み合わせ、電子カセッテ20が得られるに至る。なお、上記とは逆に、光検出基板78にフォトダイオード76を先ず成膜し、このフォトダイオード76の感度の温度変化率Bを基準として、上記の式1を満足する感度の温度変化率Aを有するシンチレータ74を選定するようにしてもよい。すなわち、例えば、感度の温度変化率Bが0.51[/K]であるフォトダイオード76が成膜によって得られた場合、感度の温度変化率Aが-0.86[/K]よりも大きく且つ-0.16[/K]よりも小さい値のシンチレータ74を成膜すればよい。以降は上記と同様にして、シンチレータ74と光検出基板78とを第1接着層80によって互いに接合する。これにより、本実施の形態に係る放射線検出器70が得られる。さらに、この放射線検出器70を、第2接着層82を介して第2ケーシング66の内部天井面68に接合する。このようにして放射線検出器70が設けられた第2ケーシング66と、第1ケーシング64とを組み合わせることにより、パネル部42が作製される。このパネル部42を制御部40と組み合わせ、電子カセッテ20が得られるに至る。なお、本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上記した実施の形態では、無線通信を行うようにしているが、これに代替し、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行うようにしてもよいことは勿論である。また、シンチレータ74及びフォトダイオード76は、各々の感度の温度変化率A、Bが上記式1を満足する組み合わせであればよく、CsI:Tl、a-Siからなるもの同士の組み合わせに限定されるものではない。さらに、図8に示すように、内部天井面68から離間する下方から、フォトダイオード76を備えた光検出基板78、第1接着層80、シンチレータ74、シンチレータ支持基板72をこの順序で有する放射線検出器90を内部天井面68に接合し、これにより電子カセッテ92を構成するようにしてもよい。ここで、図8では、回路基板支持板100図3参照や、該回路基板支持板100に設けられる各種回路等の図示を省略している。CsI:Tlからなるシンチレータ74を750°Cにて蒸着でシンチレータ支持基板72に形成する一方、a-Siからなるフォトダイオード76を蒸着で光検出基板78に形成した。シンチレータ74及びフォトダイオード76の感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.19[/K]、0.51[/K]であった。すなわち、ABは0.32であった。そして、これらのシンチレータ74及びフォトダイオード76を含む放射線検出器70を構成し、さらに、該放射線検出器70を内部天井面68に接合して電子カセッテを得た。これを実施例1とする。CsI:Tlからなるシンチレータ74を800°Cにて蒸着して得た以外は実施例1に準拠して放射線検出器70を構成し、電子カセッテを得た。これを実施例2とする。なお、シンチレータ74及びフォトダイオード76の感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.22[/K]、0.51[/K]であり、ABは0.29であった。CsI:Tlからなるシンチレータ74を900°Cにて蒸着して得た以外は実施例1、2に準拠して放射線検出器70を構成し、電子カセッテを得た。これを実施例3とする。なお、シンチレータ74及びフォトダイオード76の感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.34[/K]、0.51[/K]であり、ABは0.17であった。CsI:Tlからなるシンチレータを950°Cにて蒸着して得た以外は実施例1~3に準拠して放射線検出器を構成し、電子カセッテを得た。これを実施例4とする。なお、シンチレータ及びフォトダイオードの感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.37[/K]、0.51[/K]であり、ABは0.14であった。CsI:Tlからなるシンチレータを700°Cにて蒸着して得た以外は実施例1~4に準拠して放射線検出器を構成し、電子カセッテを得た。これを比較例1とする。なお、シンチレータ及びフォトダイオードの感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.12[/K]、0.51[/K]であり、ABは0.39であった。GOSからなるシンチレータを形成したことを除いては実施例1~4に準拠して放射線検出器を構成し、電子カセッテを得た。これを比較例2とする。なお、シンチレータ及びフォトダイオードの感度の温度変化率A、Bは、それぞれ、-0.03[/K]、0.51[/K]であり、ABは0.48であった。以上の実施例1~4の各電子カセッテ20、及び比較例1、2の各電子カセッテを用い、図1に示す放射線画像撮影システム10において、25°C、35°Cにて同一の被写体14に放射線16を照射することで放射線画像を得た。これらの視認性を評価した結果を、感度の温度変化率A、B等とともに一括して図9に示す。なお、図9中の○は、濃度差が鮮明で視認性が良好であったことを示し、△は、濃度差が若干不鮮明で視認性が普通であったことを示す。併せて、CsI:Tl成膜時の突沸等に起因して突起が形成された場合、該突起が画像欠陥として画質に及ぼす影響を評価した。画像欠陥のサイズ及び密集具合によって画像欠陥を十分に補正し得ず、ムラとして視認される可能性があるものを△、画像欠陥がない、又は画像欠陥が補正後に視認されないものを○とした。この図9から、実施例1~3の電子カセッテ20において、視認性が良好であり、且つ画像欠陥がないか、又は画像欠陥が生じても補正し得る程度に高画質な放射線画像が得られていることが明らかである。なお、実施例4における画像欠陥は、ムラとして視認される可能性がある程度であり、実使用に差し支えは認められなかった。