処理容器内で被処理体の表面にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内へシラン系ガスよりなるシードガスを供給して前記被処理体の表面に前記シードガスを吸着させる吸着工程と、前記処理容器内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して前記不純物の添加されたシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜に変換する酸化工程とを有することを特徴とする成膜方法。前記吸着工程と膜形成工程と酸化工程の各工程を、この順序で繰り返し行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。前記シリコン膜は、アモルファス状態になされていることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜方法。前記シードガスは、アミノシラン系ガス又は高次シラン系ガスよりなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜方法。前記シリコン含有ガスは、シラン系ガスよりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜方法。前記添加ガスは、酸化窒素系ガス又は炭化水素系ガスよりなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜方法。前記酸化工程は、少なくとも酸素の活性種を用いて行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜方法。被処理体の表面にシリコン酸化膜を形成する成膜装置において、排気可能になされた処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように装置全体を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。ところで、半導体集積回路の高集積化、高微細化及び薄膜化の更なる要請がなされている結果、線幅やパターン幅やウエハ表面の凹凸幅がより微細化されており、これらの設計寸法を数十nm程度まで微細化することが求められている。そして、例えばウエハ表面の微細な凹凸面にシリコン酸化膜を堆積させて微細な凹部を埋め込むような処理も行われることもあるが、この場合、シリコン酸化膜自体の有する応力によって、上記凹凸面のパターンが変形する、といった問題が発生している。この点について詳しく説明すると、図6は表面に凹凸を有する半導体ウエハの表面にシリコン酸化膜を形成する時の状態を示す拡大図である。図6Aは例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハWの一部を示す拡大図であり、このウエハWの表面には微細な凹部2及び凸部4が連続的に形成されている。これらの凹部2の幅L1や凸部4の幅L2は、共に20~30nm程度、或いはそれ以下であり、非常に微細な寸法となっている。そして、上記したようなウエハWの凹凸表面に通常の熱CVD法や原料ガスと反応ガスとを交互に流して成膜するALD法等を用いて、図6Bに示すように、シリコン酸化膜6を形成すると、このシリコン酸化膜6の有する応力によって上記凸部4が折れ曲がったりして凹凸パターンが変形してしまう、といった問題があった。このように、凹凸パターンが変形すると、隣り合う凸部4同士が接触して短絡が生じたり、或いは凹部2内を十分に埋め込むことができなくなる、という不都合があった。特に、シリコン上にALD法やCVD法によりシリコン酸化膜を成膜した場合には、結晶核が分散的に成長する傾向が生ずることから、表面粗さを示すラフネスが悪化する、といった問題があった。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能な成膜方法及び成膜装置である。請求項1に係る発明は、処理容器内で被処理体の表面にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内へシラン系ガスよりなるシードガスを供給して前記被処理体の表面に前記シードガスを吸着させる吸着工程と、前記処理容器内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して前記不純物の添加されたシリコン膜を形成する膜形成工程と、前記シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜に変換する酸化工程とを有することを特徴とする成膜方法である。これにより、被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能となり、この結果、例えば被処理体の表面に微細な凹凸パターンが存在した場合には、その凹凸パターンが変形することを抑制することが可能となる。請求項8に係る発明は、被処理体の表面にシリコン酸化膜を形成する成膜装置において、排気可能になされた処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の成膜方法を実施するように装置全体を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。本発明の成膜方法及び成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能となり、この結果、例えば被処理体の表面に微細な凹凸パターンが存在した場合には、その凹凸パターンが変形することを抑制することができる。以下に、本発明に係る成膜方法及び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の成膜装置の一例を示す構成図である。まずこの成膜装置について説明する。図示するように、この成膜装置12は下端が開放された円筒体状になされた処理容器14を有している。この処理容器14は、例えば耐熱性の高い石英を用いることができる。この処理容器14の天井部には、開口された排気口16が設けられると共に、この排気口16に例えば直角に横方向へ屈曲された排気ノズル18が連設されている。そして、この排気ノズル18には、途中に圧力制御弁20や真空ポンプ22等が介設された排気系24が接続されており、上記処理容器14内の雰囲気を真空排気できるようになっている。尚、処理態様によって、処理容器14内は真空雰囲気や略常圧の雰囲気にすることができる。上記処理容器14の下端は、例えばステンレススチール製の筒体状のマニホールド26によって支持されており、このマニホールド26の下方より多数枚の被処理体としての半導体ウエハWを多段に載置して保持する保持手段としての石英製のウエハボート28が昇降可能に挿脱自在になされている。上記処理容器14の下端と上記マニホールド26の上端との間には、Oリング等のシール部材30が介在されて、この部分の気密性を維持している。本実施例の場合において、このウエハボート28には、例えば50枚程度の直径が300mmのウエハWを略等ピッチで多段に支持できるようになっている。このウエハボート28は、石英製の保温筒32を介してテーブル34上に載置されており、このテーブル34は、マニホールド26の下端開口部を開閉する蓋部36を貫通する回転軸38の上端に支持される。そして、上記蓋部36に対する回転軸38の貫通部には、例えば磁性流体シール40が介設され、この回転軸38を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部36の周辺部とマニホールド26の下端部には、例えばOリング等よりなるシール部材42が介設されており、処理容器14内のシール性を保持している。上記した回転軸38は、例えばボートエレベータ等の昇降機構44より延びるアーム46の先端に取り付けられており、ウエハボート28及び蓋部36等を一体的に昇降できるようになされている。尚、上記テーブル34を上記蓋部36側へ固定して設け、ウエハボート28を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。上記処理容器14の側部には、これを取り囲むようにして例えばカーボンワイヤ製のヒータよりなる加熱手段48が設けられており、この内側に位置する上記半導体ウエハWを加熱し得るようになっている。またこの加熱手段48の外周には、断熱材50が設けられており、この熱的安定性を確保するようになっている。そして、上記マニホールド26には、各種のガスをこの処理容器14内へ導入して供給するためのガス供給手段52が設けられている。具体的には、ガス供給手段52として、このマニホールド26の側壁を貫通させて、図示例では6本のガスノズル54A、54B、54C、54D、54E、54Fが設けられている。各ガスノズル54A~54Fは、処理容器14内を上方に沿って延びており、その長さ方向に沿って所定の間隔で多数のガス噴射孔55A、55B、55C、55D、55E、55Fがそれぞれ設けられ、各ガス噴射孔55A~55Fから水平方向に向けてそれぞれのガスを放出できるようになっている。ここでは一例として、ガスノズル54Aからはシラン系ガスよりなるシードガスが、ガスノズル54Bからは原料ガスであるシリコン含有ガスが、ガスノズル54Cからは不純物を含む添加ガスが、ガスノズル54Dからは水素ガスが、ガスノズル54Eからは酸素ガスが、ガスノズル54Fからはパージガスが、それぞれ必要に応じて、且つ流量制御可能に供給できるようになっている。具体的には、上記各ガスノズル54A~54Fには、マスフローコントローラのような流量制御器や開閉弁を含んだガス制御ユニット56A~56Fがそれぞれ接続されている。このように構成された成膜装置12の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段60により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体62に記憶されている。この記憶媒体62は、例えばフレキシブルディスク、CDCompactDisc、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。具体的には、この制御手段60からの指令により、各ガスの供給の開始と停止及びガス流量をそれぞれ個別に制御できるようになっている。次に、以上のように構成された成膜装置12を用いて行なわれる本発明の成膜方法について説明する。まず、例えばシリコンウエハよりなる半導体ウエハWがアンロード状態で成膜装置12が待機状態の時には、処理容器14はプロセス温度より低い温度に維持されており、常温の多数枚、例えば50枚のウエハWが載置された状態のウエハボート28を処理容器14内にその下方より上昇させてロードし、蓋部36でマニホールド28の下端開口部を閉じることにより処理容器14内を密閉する。そして、処理容器14内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段48への供給電力を増大させることにより、ウエハ温度を上昇させて成膜用のプロセス温度、すなわちシードガスの吸着温度まで昇温して安定させ、その後、各処理工程を行なう毎に必要とされる所定の処理ガスを流量制御しつつガス供給手段52のガスノズル54A~54Fから処理容器14内へ供給する。この処理ガスは各ガス噴射孔55A~55Fより水平方向へ向けて放出されて、回転しているウエハボート28に保持されているウエハWと接触してウエハ表面に対して対応する処理が施されることになる。そして、この処理ガス、或いは反応により生成したガスは処理容器14の天井部の排気口16から系外へ排気されることになる。次に、具体的に半導体ウエハWの表面に施される各処理について図2乃至図4も参照して説明する。ここでは成膜方法について説明する。図2は本発明方法の各工程を示すフローチャート、図3は各ガスの供給のタイミングを示すタイミングチャート、図4は本発明方法の各工程の処理態様を模式的に示す図である。ここでは被処理体である半導体ウエハWの表面にシリコン酸化膜を形成する。具体的には、本発明は、上記処理容器14内へシラン系ガスよりなるシードガスを供給して上記被処理体Wの表面に前記シードガスを吸着させる吸着工程と、上記処理容器14内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して上記不純物の添加されたシリコン膜を形成する膜形成工程と、上記シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜を形成する酸化工程とを有し、上記各工程を上記順序で繰り返し行うようにしている。上記半導体ウエハWとしては、例えば先に図6を参照して説明したようなシリコン基板が用いられる。すなわち、この半導体ウエハWの表面には、例えば先に図6を参照して説明したように、凹部2や凸部4が形成されて凹凸面となっている。その凹部2の幅L1や凸部4の幅L2は、共に20~30nm程度、或いはそれ以下の寸法であり、アスペクト比は例えば1~20程度である。まず、図3A及び図4Aにも示すように、処理容器14内にシラン系ガスよりなるシードガスを供給してこの半導体ウエハWの表面にシードガスを吸着させる吸着工程を行う図2のS1。これにより、ウエハWの表面にシードガスの吸着層70が形成される。この吸着層70の厚さは、シードガスの分子レベルの厚さ程度であって、例えば0.1nm程度の厚さであり、下地の種類に関係なく、ウエハWの表面にほぼ均一に吸着されることになる。特に図6における凹部2内の側面や底面にもほぼ均一に吸着されることになる。この吸着層70は、次工程の膜形成時のシード膜として機能する。上記シードガスは、ガス供給手段52のガスノズル54Aの各ガス噴射孔55Aより処理容器14内へ流量制御されつつ噴射して供給される。このシードガスのシラン系ガスとして、ここでは例えばアミノシラン系ガスが用いられ、具体的にはトリスジメチルアミノシランTDMASが用いられる。この時のプロセス条件は、プロセス温度が300~600°Cの範囲内、プロセス圧力が0.1~5Torr1Torr=133.3Paの範囲内、シードガスの流量が10~500sccmの範囲内である。また、プロセス時間が10~300secの範囲内である。このシラン系ガスの供給の目的の1つは、後工程で形成されるシリコン膜のラフネスの改善にある。次に、図3B、図3C及び図4Bにも示すように、処理容器14内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して不純物の添加されたシリコン膜72を形成する膜形成工程を行う図2のS2。ここでは上記原料ガスであるシリコン含有ガスと添加ガスとが熱分解反応してシリコン膜72が形成されることになり、この際、先のシードガスの吸着層70がシードとなってシリコン膜72が成長して行くことになる。ここでガスの供給方法は、原料ガスであるシリコン含有ガスと添加ガスの同時供給でもよいし、交互供給でもよい。また図3Cの破線に示すように原料ガスの供給の前から添加ガスの供給を開始して原料ガスの供給停止後まで供給するようにしてもよい。また、成膜の際に、添加ガスが熱分解されて、この添加ガス中の不純物の一部が上記シリコン膜72中に取り込まれることになる。このように、成膜の際には、上述のように不純物が取り込まれることにより、堆積膜の結晶化を抑えてアモルファス状態のシリコン膜72を形成することができ、これと同時に、表面のラフネスが悪化しないようにしている。上記原料ガスはガス供給手段52のガスノズル54Bの各ガス噴射孔55Bより処理容器14内へ流量制御されつつ噴射して供給され、上記添加ガスはガスノズル54Cの各ガス噴射孔55Cより処理容器14内へ流量制御されつつ噴射して供給される。この原料ガスであるシリコン含有ガスとしては、シラン系ガスを用いることができ、ここではモノシランを用いている。また上記添加ガスとしては、酸化窒素系ガスの一種であるN2Oガスを用いている。この場合、N2Oガス中の酸素成分が不純物となってこの酸素が僅かな量だけシリコン膜72中に取り込まれることになる。そして、N2Oガス中の窒素成分はガスとなって排気されて行く。このように、シリコン膜72中に僅かな量だけ不純物として例えば酸素成分が取り込まれることにより、上述したように堆積する膜の結晶化が抑制されて、しかもグレインサイズも微細化されてラフネスを改善させることが可能となる。この時のプロセス条件は、プロセス温度が500~600°Cの範囲内、プロセス圧力が0.1~1Torrの範囲内、原料ガスであるシリコン含有ガスの流量が50~5000sccmの範囲内、添加ガスの流量が5~50sccmの範囲内である。またプロセス時間が10~300secの範囲内である。また、ここで形成されるシリコン膜72の厚さは、例えば0.5~2nmの範囲内である。次に、図3D、図3E及び図4Cにも示すように、上記シリコン膜72を全部酸化することによりシリコン酸化膜74を形成する酸化工程を行うS3。これにより、上記シリコン膜72は全て酸化膜に変換されることになる。ここでは上記酸化工程として酸素の活性種を用いた酸化処理を行っている。この酸化処理の方法としては、酸素プラズマを用いる方法やオゾンO3を用いる方法やH2ガスとO2ガスとを減圧雰囲気下で反応させて酸素ラジカルと水酸基ラジカルとを発生する方法等が存在するが、ここではH2ガスとO2ガスとを用いて酸素ラジカルと水酸基ラジカルとを発生させる方法が採用されている。ここでガスの供給方法は、H2ガスとO2ガスの同時供給でもよいし、交互供給でもよい。また図3Eの破線に示すようにH2ガスの供給の前からO2ガスの供給を開始してH2ガスの供給停止後まで供給するようにしてもよい。具体的には、H2ガスはガス供給手段52のガスノズル54Dの各ガス噴射孔55Dより処理容器14内へ流量制御されつつ噴射して供給され、上記O2ガスはガスノズル54Eの各ガス噴射孔55Eより処理容器14内へ流量制御されつつ噴射して供給される。この時のプロセス条件は、プロセス温度が500~600°Cの範囲内、プロセス圧力が0.1~10Torrの範囲内であって、好ましくは1Torr以下、H2ガスの流量が100~1000sccmの範囲内、O2ガスの流量が500~5000sccmの範囲内である。ここで上記吸着工程の温度T1と膜形成工程の温度T2と酸化工程の温度T3はそれぞれ異なっていてもよいが、スループット向上のためには全て同一の温度に設定するのが好ましい。また、上記吸着工程と膜形成工程と酸化工程の各工程との間には、処理容器14内の残留雰囲気を排出するパージ工程を行ってもよいし、行わなくてもよい。更に、ある吸着工程の開始から次の吸着工程の開始までが1サイクルとなる。このように、減圧雰囲気下にて水素と酸素とを別々に処理容器14内へ導入することにより、特開2004-039990号公報にも示されたように、ウエハWの直近にて以下のような水素の燃焼反応が進行する。尚、下記の式中において印を付した化学記号はその活性種を表す。H2O2→HHO2O2H→OHOH2O→HOHH2OH→HH2Oこのように、H2及びO2を別々に処理容器14内に導入すると、水素の燃焼反応過程中においてO酸素活性種とOH水酸基活性種とH2O水蒸気が発生し、これらによりウエハ表面のシリコン膜72の酸化が行なわれてシリコン酸化膜74が形成される。この様に活性酸化種を含むガスを用いて酸化する理由は、500~600°Cという比較的低温で酸化することにより、シリコン膜形成温度に近付け一連の操作を同一の処理容器内で行なう場合、温度変更時間を少なくすることができるためである。またデバイス製造のサーマルバジェトの低減にも効果がある。次に、上記ステップS1~S3を、この順序で所定の回数だけ繰り返し行ったか否かが判断されS4、NOの場合にはS4のNO、ステップS1に戻って上記各ステップS1~S3を再度行う。そして、ステップS1~S3を繰り返してこのサイクルを所定の回数行ったならばS4のYES、成膜処理を終了することになる。上記ステップS1~S3の繰り返し回数サイクル数は、成膜すべき膜厚にもよるが、例えば25~100回程度であり、この時に得られるシリコン酸化膜74の膜厚は、例えば5~20nmの範囲内である。これにより、図6において示した凹部2内が十分に埋め込まれた状態でシリコン酸化膜74を形成することができる。また、このように形成されたシリコン酸化膜74の膜質は非常に高密度であり、しかも膜自体の応力を例えば約200MPa以上にまで向上させることができた。この点に関して、従来の熱CVD法やALD法等の化学気相法により成膜したシリコン酸化膜の応力はせいぜい100MPa程度なので、膜自体の応力を従来の成膜方法で形成したシリコン酸化膜よりも、ほぼ2倍以上向上させることができた。この結果、成膜途中で図6に示すように、凸部4の側面、すなわち凹部2の内壁面に堆積するシリコン酸化膜自体の応力を上述のように2倍以上向上させることができるので、凸部4の両側面が応力の大きいシリコン酸化膜により強固に突っ張られた状態になり、この凸部4が屈曲したり変形したりすることを阻止して凹凸パターンが変形することを防止することができる。また、成膜に先立って、吸着工程でシードガスをウエハWの表面に均一に吸着させるようにしたので、シリコン膜形成工程において分散的に、薄膜が付着することを防止することができ、表面のラフネスの改善に寄与することができる。また、膜形成工程でシリコン膜72を形成する際に、原料ガス中に不純物を含む添加ガスを僅かに加えるようにしたので、この不純物の作用によってシリコン膜72の結晶化を抑制してアモルファス状態を維持することができ、先の吸着工程において吸着した原料ガスのシード作用との相乗効果によって表面のラフネスの改善に一層寄与することができる。また、上記吸着工程、膜形成工程及び酸化工程の各プロセス温度を例えば550°Cなどの同一温度に設定すれば、各工程毎にウエハWの昇降温の操作をする必要がなくなるので、その分、スループットを向上させることができる。以上のように、本発明によれば、被処理体Wの表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能となり、この結果、例えば被処理体Wの表面に微細な凹凸パターンが存在した場合には、その凹凸パターンが変形することを抑制することができる。<本発明方法の評価>次に、本発明の成膜方法により、シリコン酸化膜を形成して評価を行ったので、その評価結果について説明する。ここでは先に説明したような成膜方法を用いてシリコン酸化膜を形成した。評価に用いたガス種やプロセス条件は先に説明した通りである。また半導体ウエハ上の凹凸の凹部2図6参照の幅L1は10~30nm、凸部4の幅L2は10~30nm、アスペクト比は1~20程度である。また比較例として、図2及び図4において説明した成膜方法から吸着工程を省略して成膜した。すなわち、ウエハ表面にシードガスを吸着させることなく直接的にシリコン膜を形成し、これを酸化してシリコン酸化膜を形成した。この結果を図5に示す。図5は本発明方法と比較例を用いて成膜した時の評価結果を模式的に示す図である。図5Aに示すように、比較例の場合には、ウエハの表面に形成されたシリコン酸化膜の表面には、微少な凹凸が発生しており、表面ラフネスが悪化している。これに対して、本発明方法の場合には、図5Bに示すようにシリコン酸化膜の表面は比較的平面状態になっており、表面ラフネスの悪化を防いで表面ラフネスが改善されている。また、本発明の成膜方法を行う際に、アモルファスのシリコン膜の膜厚を10~60nmまで種々変更した場合プロセス温度:565°Cと、ALD法及びCVD法における成膜温度を種々変更してシリコン酸化膜を形成した場合膜厚:30nmについて実験を行ったので、その時の膜ストレスの結果を説明する。図7は上述のようにシリコン膜の膜厚を変えた時と成膜温度を変えた時の膜ストレスの結果を示すグラフである。図7中において、左側が膜厚を種々変更した時の膜ストレスを示し、右側が成膜温度を種々変えた時の膜ストレスを示している。また図7中の右側にはHTO法SiH4とN2Oの反応によるCVD酸化膜によりシリコン酸化膜を形成した時の膜ストレスを参考として記載している。図7中の左側部分に示すように、アモルファスのシリコン膜を10nm、20nm、30nm、60nmのように変化させて成膜している。そして、この結果、全ての膜厚において膜ストレスは-210~-190MPa程度の値を示しており、膜厚に関係無く高いストレス応力が加わって好ましいことが判る。また、図7中の右側部分に示すように、成膜温度が300°Cの場合には膜ストレスが-30MPa程度であるのに対して、550°Cの場合には膜ストレスが-110MPa程度まで増加している。尚、成膜温度が780°CでHTO法で成膜した場合には膜ストレスが-150MPa程度に達している。この結果、従来方法のALD法によるSiO2膜やHTO法によるSiO2膜に比べて本発明の成膜方法では高い膜ストレスが得られることが判った。ここで上記実施例にあっては、各工程を繰り返し行って薄膜を積層させるALD法による成膜を例にとって説明したが、これに限定されず、各工程を繰り返さずに1回のみ行って成膜するようにしてもよいのは勿論である。尚、上記実施例において、吸着工程ではシードガスのシラン系ガスとしてトリスジメチルアミノシランTDMASを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、アミノシラン系ガス又はジシラン、トリシラン、テトラシラン等の高次シランを用いることができる。ここで上記アミノシラン系ガスとしては、TDMASトリジメチルアミノシラン、BASブチルアミノシラン、BTBASビスターシャリブチルアミノシラン、DMASジメチルアミノシラン、BDMASビスジメチルアミノシラン、DEASジエチルアミノシラン、BDEASビスジエチルアミノシラン、DPASジプロピルアミノシラン、及びDIPASジイソプロピルアミノシランよりなる群から選択される1以上の原料を用いることができる。また、先の膜形成工程では、原料ガスであるシリコン含有ガスとしてシラン系ガスの1つであるモノシランを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、先のトリスジメチルアミノシラン等の上述したようなアミノシラン系ガスやモノシランに加えて、ジシラン、トリシラン、テトラシラン等の高次シランやSiH2Cl2やSi2Cl6等を用いることができる。更には、上記膜形成工程では添加ガスとしては、酸化窒素系ガスの1つであるN2Oガスを用いたが、これに限定されず、他の酸化窒素系ガス又は炭化水素系ガスを用いることができる。ここで他の酸化窒素系ガスとしてはNOガスを用いることができる。また炭化水素系ガスとしてはアセチレン、エチレン、メタン、エタン、プロパン、ブタン等を用いることができ、この場合、不純物は炭素Cとなる。また、先の酸化工程では、シリコン膜を酸化するためにH2とO2とより発生させた酸素ラジカル及び水酸基ラジカルを用いた場合を例にとって説明したが、前述したように、酸素プラズマを用いる方法やオゾンを用いる方法を採用してもよい。ここで上記酸素プラズマを用いる方法の場合には、例えば特開2006-287194号公報に開示されているような処理装置を用いて酸素を高周波電力でプラズマ化して活性種を生成するリモートプラズマ方式を採用することができる。この場合、例えば高周波の周波数は13.56MHzを用い、高周波電力は50~500Wワットの範囲内である。またプロセス圧力は0.1~10Torrの範囲内、酸素の供給量は500~10000sccmの範囲内である。またオゾンを用いる方法の場合には、酸素流量を1~10slmにしてオゾンO3濃度が50~500g/Nm3の範囲内、プロセス圧力が0.1~10Torrの範囲内に設定する。また図1に示す成膜装置は、処理容器14が1つの筒体状の構造物で形成された単管式の成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、内筒とこれを覆う外筒とよりなる二重管構造の処理容器を用いた成膜装置にも本発明を適用できるのは勿論である。更には、本発明は成膜装置としては、一度に複数枚の半導体ウエハを処理できる、いわゆるバッチ式の成膜装置に限定されず、半導体ウエハを1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の処理装置にも適用することができる。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。