基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備える高周波電力増幅素子。前記第1電極の面積は、前記ゲート電極の面積よりも大きい請求項1に記載の高周波電力増幅素子。前記第1電極及び前記第2電極は、前記ショットキー接合の有するダイオード特性を測定するための電極であり、前記ダイオード特性は、前記ショットキー接合の温度に依存して変化する請求項1または2に記載の高周波電力増幅素子。前記第1電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域に対応して、基板面に平行な方向に複数配置されている請求項1~3のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。2つ以上の前記第1電極は、共通の検出端子に接続されている請求項4に記載の高周波電力増幅素子。前記第1電極は、前記ゲート電極と同一材料で構成されている請求項1~5のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。前記第2半導体層は、前記第1半導体層と同一材料で構成されている請求項1~6のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。前記第2電極は、前記第2半導体層及び前記基板を貫通し、前記基板の下面に露出している請求項1~7のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。前記第1電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接し、かつ、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域以外の領域に配置され、前記第2電極は、前記第1電極に隣接する前記ソース電極または前記第1電極に隣接する前記ドレイン電極である請求項1~8のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。前記第1電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域に配置され、前記第2電極は、前記第1の電極に隣接する前記ソース電極または前記第1の電極に隣接する前記ドレイン電極である請求項1~8のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子。支持基板と、前記支持基板上に接着層を介して配置された請求項1~10のいずれか1項に記載の高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子の入力端子または出力端子に接続されたリードと、前記リードの一部を露出して、前記高周波電力増幅素子を封止する樹脂と、を有する高周波電力増幅器。支持基板と、前記支持基板上に接着層を介して配置された請求項5に記載の高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子の入力端子または出力端子に接続されたリードと、前記リードの一部を露出して、前記高周波電力増幅素子を封止する樹脂と、を有し、前記検出端子は、前記樹脂の外部に配置されている高周波電力増幅器。基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備える高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子を接着層を介して支持する支持基板とを有する高周波電力増幅器の検査方法であって、前記支持基板の裏面側を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の間または前記加熱工程の後、前記第1電極と前記第2電極との間に所定の電圧を印加することにより前記ショットキー接合を介して流れる電流を測定する測定工程とを含む高周波電力増幅器の検査方法。基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備える高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子を接着層を介して支持する支持基板とを有する高周波電力増幅器の検査方法であって、少なくとも前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれか1つに所定の電圧を印加して前記高周波電力増幅素子を発熱させる発熱工程と、前記発熱工程の間または前記発熱工程の後、前記第1電極と前記第2電極との間に所定の電圧を印加することにより前記ショットキー接合を介して流れる電流を測定する測定工程とを含む高周波電力増幅器の検査方法。前記第1電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域に対応して、基板面方向に複数配置され、2つ以上の前記第1電極は、共通の検出端子に接続されており、前記測定工程では、前記検出端子に電圧を印加することにより前記ショットキー接合を介して流れる電流を測定する請求項13または14に記載の高周波電力増幅器の検査方法。前記第1電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接して配置され、前記第2電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極である請求項13~15のいずれか1項に記載の高周波電力増幅器の検査方法。しかしながら、特許文献1に記載された半導体素子のバンプ接合面の裏面温度分布を測定する場合、及び、特許文献2に記載されたパワーアンプ内素子の発光を検出する場合では、光学的に検出する検出装置を用いるため、検査装置が大掛かりになるという課題がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光学的な検出装置を用いず、簡易的な測定手段により接合不良を検出することが可能な高周波電力増幅素子、高周波電力増幅器及び高周波電力増幅器の検査方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る高周波電力増幅素子は、基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備えることを特徴とする。また、本発明の一態様に係る高周波電力増幅器の検査方法は、支持基板と、前記支持基板上に接着層を介して配置された請求項5に記載の高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子の入力端子または出力端子に接続されたリードと、前記リードの一部を露出して、前記高周波電力増幅素子を封止する樹脂とを有し、前記検出端子は、前記樹脂の外部に配置されていることを特徴とする。また、本発明の一態様に係る高周波電力増幅器の検査方法は、基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備える高周波電力増幅素子と、前記高周波電力増幅素子を接着層を介して支持する支持基板とを有する高周波電力増幅器の検査方法であって、前記支持基板の裏面側を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の間または前記加熱工程の後、前記第1電極と前記第2電極との間に所定の電圧を印加することにより前記ショットキー接合を介して流れる電流を測定する測定工程とを含むことを特徴とする。本発明の高周波電力増幅素子、高周波電力増幅器及び高周波電力増幅器の検査方法によれば、簡易的な電気的測定により半導体素子の接合不良を検出することが可能となる。本発明の一態様に係る高周波電力増幅素子は、基板と、前記基板上に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、前記第1半導体層上であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、前記基板上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にショットキー接合を形成する、前記ゲート電極とは異なる第1電極と、前記第2半導体層上に配置され、当該第2半導体層との間にオーミック接合を形成する第2電極とを備えることを特徴とする。ショットキー接合のダイオード特性は、温度により変化する。本態様によれば、第1電極と第2電極との間のショットキー接合のダイオード特性を測定することにより、第1半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極で構成されたトランジスタの温度を電気的測定により検出することが可能となる。よって、光学的な検出装置を用いず、簡易的な測定手段によりトランジスタの温度を検出することが可能となる。また、前記第1電極の面積は、前記ゲート電極の面積よりも大きいことが好ましい。これにより、当該ショットキー接合を通過する電流が大きくなり、ノイズ等に影響されずに電流検出が可能となるため、温度変化に対する電流値の変化の感度が向上する。また、前記第1電極及び前記第2電極は、前記ショットキー接合の有するダイオード特性を測定するための電極であり、前記ダイオード特性は、前記ショットキー接合の温度に依存して変化する。また、前記第1電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域に対応して、基板面に平行な方向に複数配置されていてもよい。これにより、高周波電力増幅素子上に複数のトランジスタが並列配置されているような場合には、当該高周波電力増幅素子の面内の温度分布を、簡単なダイオード接合の電気的測定により検出することが可能となる。また、2つ以上の前記第1電極は、共通の検出端子に接続されていてもよい。これにより、高周波電力増幅素子の面内の温度分布を、測定箇所を少なくして簡単なダイオード接合の電気的測定により検出することが可能となる。よって、製造工程途中におけるプローブ端子を用いた多点同時測定ではなく、樹脂封止などにより殆どの第1電極が被覆された完成品における簡易的な一点測定に適用できる。また、前記第1電極は、前記ゲート電極と同一材料で構成されていてもよい。また、前記第2半導体層は、前記第1半導体層と同一材料で構成されていてもよい。これにより、半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極からなるトランジスタを形成するための製造工程において、同時に第1電極及び第2半導体層を形成できるので、ショットキー接合を形成するための工程を増加させることなく製造工程を簡略化できる。また、前記第2電極は、前記第2半導体層及び前記基板を貫通し、前記基板の下面に露出していてもよい。これにより、高周波電力増幅素子が接着される導電性の支持基板と第2電極とが電気的に接続されるので、第2電極が共通の接地電極となり、プローブ端子などが第2電極と接触するための電極パッド数を低減できる。また、前記第1電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に隣接し、かつ、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域以外の領域に配置され、前記第2電極は、前記第1電極に隣接する前記ソース電極または前記第1電極に隣接する前記ドレイン電極であってもよい。これにより、第2電極を別途設ける必要が無いので、第1電極と半導体層とで形成されるショットキー接合の面積を大きく確保することができる。ショットキー接合の面積を大きくすることにより、当該ショットキー接合を通過する電流が大きくなり、温度変化に対する電流値の変化の感度が向上する。また、前記第1電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の形成領域に配置され、前記第2電極は、前記第1の電極に隣接する前記ソース電極または前記第1の電極に隣接する前記ドレイン電極であってもよい。これにより、第1電極をトランジスタが構成される領域に形成でき、当該領域以外で第1電極を設けるスペースを確保する必要がないので、高周波電力増幅素子全体のレイアウトの自由度が向上する。さらに、第2電極も別途設ける必要が無いので、第1電極と半導体層とで形成されるショットキー接合の面積を大きく確保することが可能となる。また、本発明は、このような特徴的な手段を備える高周波電力増幅素子として実現することができるだけでなく、当該高周波電力増幅素子を含む高周波電力増幅器として実現することができる。なお、本発明は、上記特徴的な手段を備える高周波電力増幅素子及び高周波電力増幅器として実現することができるだけでなく、上記特徴的な手段を備える高周波電力増幅器の検査方法として実現することができる。以下、本発明の実施の形態における高周波電力増幅素子、高周波電力増幅器及び高周波電力増幅器の検査方法について、図面を参照しながら説明する。また、以下の図面において同一の構成要素には同一の符号を用いている。実施の形態1<高周波電力増幅器1の構成>図1Aは、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器の上面透視図である。また、図1Bは、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器の側面透視図である。図1A及び図1Bに記載された高周波電力増幅器1は、高周波電力増幅素子11と、ワイヤ12と、整合回路13と、樹脂14と、入力側リード端子15と、出力側リード端子16と、放熱板18とを備える。高周波電力増幅素子11及び整合回路13は、それぞれ、接着層であるダイボンド材17を介して放熱板18上に固定され、ワイヤ12により接続されている。また、整合回路13は、ワイヤ12により、リードである入力側リード端子15及び出力側リード端子16に接続されている。樹脂14は、放熱板18の上部に搭載される部品を覆う樹脂材料である。また、樹脂14は、放熱板18の一部及び入力側リード端子15及び出力側リード端子16の一部を露出して、高周波電力増幅素子11を封止する。放熱板18は、底面以外が樹脂14により覆われた支持基板である。また、入力側リード端子15及び出力側リード端子16の一部は樹脂14から露出している。<高周波電力増幅素子11の構成>図2は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅素子の上面図である。また、図3Aは、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅素子のトランジスタ部の構造断面図であり、図3Bは、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅素子の素子分離部の構造断面図であり、図3Cは、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅素子の温度センサ部の構造断面図である。図2に記載された高周波電力増幅素子11は、トランジスタ部20と、素子分離部30と、温度センサ部40とで構成されている。トランジスタ部20は、直線状の単位電極が幅方向に複数並んで構成されたフィンガー状のゲート電極101、ドレイン電極103及びソース電極102で構成され、1組のゲート電極、ドレイン電極及びソース電極からなる単位トランジスタセルが並列接続された構成である。ソース電極102はビアによって接地されている。図3Aは、図2に記載されたトランジスタ部20のX-X’における断面図である。図3Aに示されるように、トランジスタ部20は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ゲート電極101と、ソース電極102と、ドレイン電極103とで構成されている。エピタキシャル層104は、エピタキシャル層105とともにトランジスタ部における第1半導体層、及び温度センサ部における第2半導体層を構成し、ゲート電極101と接していることにより、ゲート電極101との界面においてショットキー接合を形成する。エピタキシャル層104は、例えば、AlGaN等からなる。エピタキシャル層105は、エピタキシャル層104とともにトランジスタ部における第1半導体層、及び温度センサ部における第2半導体層を構成し、エピタキシャル層104との層間には、2次元電子ガス層が形成されている。また、エピタキシャル層105は、ソース電極102及びドレイン電極103と接していることにより、ソース電極102及びドレイン電極103との界面においてオーミック接合を形成する。エピタキシャル層105は、例えば、GaN等からなる。ゲート電極101は、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。また、ソース電極102及びドレイン電極103は、エピタキシャル層105との界面においてオーミック接合を形成するような金属で構成される。ここで、ゲート電極101は、エピタキシャル層104の一部を掘り込み、エピタキシャル層105に接触しない程度にエピタキシャル層104内に埋め込まれる構成であってもよい。また、図示していないが、ゲート電極101上には保護膜が設けられている。また、一般的には、ゲート電極101上の保護膜の上にソース電極102をかぶせる構成が用いられる。なお、図3Aでは、ソース電極102及びドレイン電極103は、エピタキシャル層104を貫通し、側面がエピタキシャル層104と接触し、底面がエピタキシャル層105と接触する構成となっている。これに対し、ソース電極102及びドレイン電極103は、エピタキシャル層104を貫通せず、底面がエピタキシャル層104と接触する構成としても良い。Si基板106は、高周波電力増幅素子11を形成するための基板であり、Si基板のほか、エピタキシャル層105との間に形成されるバッファ層を含む。温度センサ部40は、当該温度センサ部40に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部20において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。この配置により、温度センサ部40は、単位トランジスタセルごとの温度を検出することが可能となる。温度センサ部40には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極107及び108が配置されている。図3Cは、図2に記載された温度センサ部40のZ-Z’における断面図である。図3Cに示されるように、温度センサ部40は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極107及び108とで構成されている。ダイオード電極107は、温度センサを構成する第1電極であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極107とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。ダイオード電極108は、温度センサを構成する第2電極であり、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。本実施の形態では、ダイオード電極108は、ビアを通りSi基板106の下面のグランドに接続される。これにより、高周波電力増幅素子11が接着される放熱板18とダイオード電極108とが電気的に接続されるので、ダイオード電極108が共通の接地電極となり、プローブ端子などがダイオード電極108と接触するための電極パッド数を低減できる。ここで、ダイオード電極107は、トランジスタ部20のゲート電極101と同一材料であり、同時に形成されることが好ましい。また、ダイオード電極108は、トランジスタ部20のソース電極102及びドレイン電極103と同一材料であり、同時に形成されることが好ましい。これにより、温度センサ部40を形成するために半導体プロセスを増加させることなく、製造工程を簡略化できる。上記構成により、ダイオード電極107とダイオード電極108との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。ダイオード電極107及び108は、上記ショットキー接合の有するダイオード特性を測定するための電極である。上記ダイオード特性は、前記ショットキー接合の温度に依存して変化する。上記ダイオード特性の温度依存性については、図5を用いて後述する。ダイオード電極107及び108のパッド表面に、例えば、プローブ端子を接触することにより、一組のダイオード電極107及び108における電圧-電流特性を測定することが可能である。素子分離部30は、トランジスタ部20と温度センサ部40とを電気的に分離する機能を有する。図3Bは、図2に記載された素子分離部30のY-Y’における断面図である。図3Bに示されるように、素子分離部30は、Si基板106と、エピタキシャル層105と、保護層109と、ドレイン電極103とで構成されている。素子分離部30には、エピタキシャル層104が無く、また、ドレイン電極103が保護層109の上に形成されていることから、トランジスタ部20と温度センサ部40とは電気的に分離されている。なお、本実施の形態では、高周波電力増幅素子11としてGaN-HFETを用いた増幅素子を例示したが、高周波電力増幅素子11としてGaAs-HFETであってもよい。この場合でも、GaN-HFETの場合と同様に、ゲート電極101、ソース電極102及びドレイン電極103の形成プロセスと同時に、温度センサ部40を作成することが可能である。また、MOS-FETやGaAsHBTの場合のように、増幅素子の製造工程の中にpn接合領域を作成する工程がある場合は、温度センサ部40のショットキー接合の代わりに、p-n接合を用いることにより、ダイオード特性を構成しても良い。この場合には、図3A及び図3Cにおいて、エピタキシャル層104がn層となり、エピタキシャル層105がp層となる。<高周波電力増幅器1の検査方法>次に、製造工程における高周波電力増幅器1の検査方法について説明する。図4は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器の検査方法を説明する図である。図4には、加熱器201上に、製造工程における仕掛品である高周波電力増幅器1が配置され、高周波電力増幅素子11の有するダイオード電極107及びダイオード電極108にプローブ端子が接触している様子が表されている。つまり、加熱器201から放熱板18に熱を加えて高周波電力増幅器1の裏面から高周波電力増幅素子11を暖め、高周波電力増幅素子11の温度分布をプローバにより測定している。高周波電力増幅器1の検査方法は、加熱器201により放熱板18の裏面側を加熱する加熱工程と、加熱工程の間または加熱工程の後、ダイオード電極107とダイオード電極108との間に所定の電圧を印加することによりショットキー接合を介して流れる電流を測定する測定工程とを含む。高周波電力増幅素子11を加熱すると、ダイボンド材17にボイドが無く高周波電力増幅素子11と放熱板18とが完全に密着している部分では、高周波電力増幅素子11の裏面からの熱が均一に高周波電力増幅素子11に伝わる。一方、ダイボンド材17にボイドがある直上の高周波電力増幅素子11の部分では、熱伝導が悪くなるため、他の部分より温度上昇が低くなり、高周波電力増幅素子11の面内において温度分布が生じる。ここで、測定用プローブ群であるプローブ端子302を、ダイオード電極107に接触させ、グランド用プローブであるプローブ端子303を、ダイオード電極108に接触させる。そして、プローバから所定の電圧を印加し、当該電圧の印加によりダイオード電極107及び108の間に流れる電流をプローバにて測定することにより、高周波電力増幅素子11の面内の温度分布を取得する。ここで、プローバから印加される電圧は、ダイオード電極107及び108の間に現れるダイオード特性における逆方向電圧である。なお、上記プローバによる測定期間において、高周波電力増幅素子11の表面に空気を当て冷却してもよい。高周波電力増幅素子11の表面を冷却することで、高周波電力増幅素子11内で熱が拡散して温度分布が平滑化されることを防止できる。図5は、温度センサ部におけるダイオード特性の温度依存性を表すグラフである。同図において、横軸は印加電圧を示し、縦軸は電流を示す。また、特性A、B及びCは、それぞれ、ダイオード特性を示す接合部の温度がT1低温度、T2中温度及びT3高温度の時の印加電圧と電流のカーブを示す。電圧の正方向領域は、順方向電圧を印加した場合を示しており、電流の電圧依存性が大きい。このため、例えば、ショットキー接合ダイオードは閾値電圧自体のばらつきが大きいため、順方向電圧印加時の電流で温度の違いを検出するのは困難である。そこで、本発明の高周波電力増幅器の検査方法では、逆方向電圧を印加した時の電流を測定する。逆方向電圧を印加した場合のダイオードの電流は、以下の式1で表される逆方向飽和電流Isに近似できる。Is=αexp-Eg/kT式1ここで、Egはバンドギャップ、kはボルツマン定数、Tは温度、αは比例定数を示す。式1の関係から、T1<T2<T3の場合、T1、T2及びT3での逆方向飽和電流を、それぞれ、Is1、Is2及びIs3とすると、|Is1|<|Is2|<|Is3|の関係となる。上述した温度と逆方向飽和電流との関係を用いて、高周波電力増幅素子11の温度分布を検出する原理を説明する。まず、高周波電力増幅素子11の初期温度をT1とする。この時、ダイオードに一定の逆方向電圧を印加すると、逆方向飽和電流はIs1となる。次に、放熱板18を加熱する。実装不良がなく高周波電力増幅素子11に均一に熱が伝わるとした場合、高周波電力増幅素子11の面内温度分布は均一となる。この時の温度をT3とすると、各ダイオードの逆方向飽和電流は全てIs3となる。ここで、実装不良等があり高周波電力増幅素子11の所定の部分において熱が伝わりにくい箇所があった場合、加熱直後の当該部分の温度は周囲の温度よりも低く、例えば、当該部分のみ逆方向飽和電流はIs2となる。以上の検出プロセスにより、高周波電力増幅素子11を加熱した場合の逆方向飽和電流の変化が各ダイオードで一様であった場合は良品、逆方向飽和電流の変化がダイオード毎で大きくばらついた場合は不良と判定する。以上説明したように、本実施の形態の高周波電力増幅素子11、高周波電力増幅器1及び高周波電力増幅器1の検出方法によれば、高周波電力増幅素子11と放熱板18との接着部において、ダイボンド材の一部にボイドが生じた場合、また、ワイヤの一部が接触不良で温度分布が生じた場合などの不良を、高周波電力増幅素子11を構成する半導体層及び各電極を流用した簡単なダイオード接合の電気的測定により検出することが可能となる。実施の形態2実施の形態1では、高周波電力増幅素子11に複数のダイオード接合を形成することにより、高周波電力増幅素子11の面内分布を測定したが、本実施の形態では、温度センサ部に配置された複数のダイオード電極を単一の検出端子に接続し、高周波電力増幅素子11の良否判定を行うための電流値を当該検出端子にて測定する。以下、実施の形態1と異なる構成を中心に説明する。<高周波電力増幅器2の構成>図6は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器の上面透視図である。図6に記載された高周波電力増幅器2は、高周波電力増幅素子51と、ワイヤ12と、整合回路13と、樹脂14と、入力側リード端子15と、出力側リード端子16と、放熱板18と、信号線52と、検査用リード端子53を備える。高周波電力増幅素子51及び整合回路13は、それぞれ、ダイボンド材を介して放熱板18上に固定され、ワイヤ12により接続されている。<高周波電力増幅素子51の構成>図7は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅素子の上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子51は、トランジスタ部20と、素子分離部30と、温度センサ部41とで構成されている。温度センサ部41は、当該温度センサ部41に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部20において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。温度センサ部41には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極107及び108が配置されている。温度センサ部41は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極107及び108とで構成されている。ダイオード電極107は、温度センサを構成する第1電極であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極107とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。本実施の形態では、ダイオード電極107は、ゲート電極101、ソース電極102及びドレイン電極103の形成領域に対応して、Si基板106の主面に平行な方向に複数配置されている。ダイオード電極108は、温度センサを構成する第2電極であり、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。本実施の形態では、ダイオード電極108は、ビアを通りSi基板106の下面のグランドに接続される。ここで、ダイオード電極107は、トランジスタ部20のゲート電極101と同一材料であり同時に形成されることが好ましい。また、ダイオード電極108は、トランジスタ部20のソース電極102及びドレイン電極103と同一材料であり同時に形成されることが好ましい。これにより、温度センサ部41を形成するために半導体プロセスを増加させることなく、製造工程を簡略化できる。上記構成により、ダイオード電極107とダイオード電極108との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。さらに、温度センサ部41には、複数のダイオード電極107を接続する共通電極141と、共通電極に接続された検査パッド142が配置されている。検査パッド142は、共通の検出端子であり、信号線52に接続されている。信号線52は、検査用リード端子53に接続されている。検査用リード端子53は、樹脂14から露出している。図8は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅素子の共通電極を含む構造断面図である。共通電極141は、複数のダイオード電極107を電気的に接続する電極であり、検査パッド142に電気的に接続されている。共通電極141を含む温度センサ部41は、図8に示されるように、共通電極141が保護層109上に形成されている構成となっている。<高周波電力増幅器2の検査方法>次に、高周波電力増幅器2の検査方法について説明する。図9は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器の検査方法の一例を説明する図である。図9には、加熱器201上に、製造工程の仕掛品である高周波電力増幅器2が配置され、高周波電力増幅素子51の有する検査パッド142及びダイオード電極108にプローブ端子が接触している様子が表されている。つまり、加熱器201から放熱板18に熱を加えて高周波電力増幅器1の裏面から高周波電力増幅素子11を暖め、高周波電力増幅素子11の温度分布をプローバにより測定している。高周波電力増幅素子51を加熱すると、ダイボンド材にボイドが無く高周波電力増幅素子51と放熱板18とが完全に密着している部分では、高周波電力増幅素子51の裏面からの熱が均一に高周波電力増幅素子51に伝わる。一方、ダイボンド材にボイドがある直上の高周波電力増幅素子51の部分では、熱伝導が悪くなるため、他の部分より温度上昇が低くなり、高周波電力増幅素子51の面内において温度分布が生じる。実施の形態1では、複数のショットキー接合に対し、それぞれプローブを接続していたが、本実施の形態ではダイオード電極107が一つの検査パッド142にまとめられている。よって、測定用プローブ群であるプローブ端子304を、検査パッド142に接触させ、グランド用プローブであるプローブ端子305を、ダイオード電極108に接触させる。そして、プローバから所定の電圧を印加し、当該電圧の印加により個々のショットキー接合に流れる電流の総和をプローバにて測定することにより、高周波電力増幅素子51の総電流値を取得することが可能となる。ここで、プローバから印加される電圧は、ダイオード電極107及び108の間に現れるダイオード特性における逆方向電圧である。高周波電力増幅素子51の良否は、実装が正常な状態のサンプルの加熱温度に対する上記総電流値を参照電流値として取得しておき、当該参照電流値と、対象となるサンプルの加熱温度に対する上記総電流値とを比較することにより判断する。図10Aは、高周波電力増幅素子の温度上昇と温度センサ部における総電流値との関係を表すグラフである。同図において、横軸は加熱温度を示し、縦軸は温度センサ部で検出される総電流値を示す。また、図10Bは、高周波電力増幅素子の温度上昇と規格化総電流値との関係を表すグラフである。同図において、横軸は加熱温度を示し、縦軸は温度センサ部で検出される総電流値を参照電流値で規格化した規格化総電流値を示す。つまり、図10Bに表されたグラフの縦軸は、高周波電力増幅素子51の全てのショットキー接合の総電流値を、実装が正常である場合の高周波電力増幅素子の総電流値で除算したものである。図10A及び図10Bでは、実装が正常である場合の総電流値を参照総電流値Irefとし、高周波電力増幅素子51の面内において実装不良がある場合の総電流値をDとして示している。ここで、理想的な逆方向飽和電流を考えると、ショットキーダイオードで構成されるN個の温度センサの総電流値は、実装不良がない場合には、以下の式2で表される。Iref=αNexp-Eg/kTΔT式2なお、式2において、αは比例定数である。これに対し、N個のショットキーダイオードの中で一カ所温度上昇が低い箇所のある場合には、総電流値Icは、以下の式3で表される。Ic=αN-1exp-Eg/kTΔTαexp-Eg/kTΔTR式3ここで、Tは放熱板を加熱する前の定常状態の温度、ΔTは加熱温度であり、Rは、正常な実装状態と不良の実装状態との温度の伝わり易さの比とする。なお、R<1であるため、実装不良がある場合、正常実装の場合と比較して、温度上昇に伴う総電流値の上昇は緩やかになる。これにより、例えば、ある温度での、温度変化に対する総電流値Icの傾きを、参照総電流値Irefの傾きと比較して、判定基準値以下であれば不良とすることで、不良の選別が可能となる。また、上述した規格化総電流値Ic/Irefは、以下の式4で近似できる。Ic/Iref={N-1/N1/N}×exp{EgΔT1-R/kTΔTTΔTR式4図10BのDは、実装不良がある場合のデータを表しており、上記式4を反映した特性となっている。式4より、Ic/IrefはΔTが小さい時は傾きの絶対値が大きく、ΔTが大きくなると傾きの絶対値が小さくなる。よって、ΔTが小さい時のIc/Irefの傾きと、ΔTが大きい時のIc/Irefの傾きとの比により良否判断することが可能となる。以上説明したように、本実施の形態の高周波電力増幅素子51、高周波電力増幅器2及び高周波電力増幅器2の検出方法によれば、高周波電力増幅素子51と放熱板18との接着部において、ダイボンド材の一部にボイドが生じた場合、また、ワイヤの一部が接触不良で温度分布が生じた場合などの不良を、測定箇所を少なくして、高周波電力増幅素子51を構成する半導体層及び各電極を流用した簡単なダイオード接合の電気的測定により、検出することが可能となる。なお、本実施の形態では、検査パッド142及びダイオード電極108に直接プローブ端子を接触させている例を説明したが、高周波電力増幅器2の完成品を検査することも可能である。つまり、樹脂14の成形後においても、樹脂14から露出した検査用リード端子53及び接地端子図示せずに対して、電圧を印加し、当該印加電圧により流れる電流を検出してもよい。実施の形態3本実施の形態に係る高周波電力増幅器の検出方法では、実施の形態1及び2のように外部から加熱することにより高周波電力増幅素子の温度分布を取得するのではなく、高周波増幅動作により高周波電力増幅素子の内部で発生した熱により高周波電力増幅素子の温度分布を取得する。以下、実施の形態1及び2と異なる構成を中心に説明する。<高周波電力増幅器2の検査方法>図11は、本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器の検出方法を説明する測定システムの斜視図である。同図には、製造工程において樹脂封止された高周波電力増幅器2の完成品が冷却器202の上に配置されている状態が示されている。実施の形態2で説明したように、検査用リード端子53は、樹脂14内部に封止された信号線52を介して、ダイオード電極107が共通化された検査パッド142に接続されている。この検査用リード端子53と、接地端子となるダイオード電極108が接続された接地用リード端子接続関係を図示せずとは、高周波電力増幅素子51の温度を反映した電気信号を外部へ伝達する検査用プローブ308を構成している。なお、信号線52及び検査用リード端子53は、整合回路13を形成する基板と同一の基板上に導体パターンで構成してもよい。本実施の形態では、高周波電力増幅素子51に増幅動作をさせることで発生する熱による温度情報を取得するため、入力側リード端子15及び出力側リード端子16には、一対の電源306及び307が接続されている。高周波電力増幅器2の検査方法は、少なくともゲート電極101、ソース電極102及びドレイン電極103のいずれか1つに所定の電圧を印加して高周波電力増幅素子を発熱させる発熱工程と、発熱工程の間または発熱工程の後、ダイオード電極107とダイオード電極108との間に所定の電圧を印加することによりショットキー接合を介して流れる電流を測定する測定工程とを含む。上記構成によれば、実施の形態1及び2のように放熱板18の裏面から加熱するのではなく、高周波電力増幅器2にパッケージ外から所定の電圧をかけて高周波電力増幅素子を自己発熱させるとともに、パッケージ下面からの冷却器202により冷却することにより、高周波電力増幅器の良否判定を実施することが可能となる。本実施の形態に係る高周波電力増幅器の検査方法では、実装不良がある場合には、高周波電力増幅素子51から発生した熱を冷却器202から逃がしにくくなるため、不良箇所の周囲温度が正常箇所の周囲温度と比べて上昇する。よって、N個のダイオード接合の中で、一カ所温度が高い箇所がある場合の総電流値Irefは上記式3で表される。この場合にはR>1となる。図12Aは、高周波電力増幅素子の温度上昇と規格化総電流値との関係を表すグラフである。同図において、横軸は加熱温度を示し、縦軸は温度センサ部で検出される総電流値を参照電流値で規格化した規格化総電流値を示す。つまり、図12Aに表されたグラフの縦軸は、自己発熱により高周波電力増幅素子51の全てのショットキー接合で発生した総電流値を、実装が正常である場合の高周波電力増幅素子の総電流値で除算したものである。図12Aでは、実装が正常である場合の総電流値を参照総電流値Irefとし、高周波電力増幅素子51の面内において実装不良がある場合の総電流値をEとして示している。これにより、例えば、ある温度での、温度変化に対する総電流値Icの傾きを、参照総電流値Irefの傾きと比較して、判定基準値以下であれば不良とすることで、不良の選別が可能となる。また、図12Aより、Ic/IrefはΔTが小さい時は傾きが大きく、ΔTが大きくなると傾きが小さくなる。よって、ΔTが小さい時のIc/Irefの傾きと、ΔTが大きい時のIc/Irefの傾きとの比により良否判断することが可能となる。上記構成により、高周波電力増幅器の外部からワイヤ12を通して高周波電力増幅素子51に電圧をかけることで、樹脂封止時にワイヤ12の一部が接触不良となり高周波電力増幅素子51の発熱に温度分布が生じる不良が生じた場合、及び、ダイボンド不良が生じた場合でも、高周波電力増幅器2の不良を識別することが可能となる。以上説明したように、本実施の形態の高周波電力増幅素子51、高周波電力増幅器2及び高周波電力増幅器2の検出方法によれば、高周波電力増幅素子51と放熱板18との接着部において、ダイボンド材の一部にボイドが生じた場合、また、ワイヤの一部が接触不良で温度分布が生じた場合などの不良を、自己発熱により、測定箇所を少なくして、高周波電力増幅素子51を構成する半導体層及び各電極を流用した簡単なダイオード接合の電気的測定により、検出することが可能となる。なお、実施の形態2のように外部から加熱した場合と、本実施の形態のように高周波電力増幅素子51を自己発熱させた場合との2態様を用いて、高周波電力増幅器2の良否判定を行っても良い。図12Bは、外部加熱と自己発熱との2態様における高周波電力増幅素子の温度上昇と規格化総電流値との関係を表すグラフである。同図には、面内において実装不良がある高周波電力増幅素子51を外部加熱した場合に得られる特性Dと、面内において実装不良がある高周波電力増幅素子51を自己発熱させた場合に得られる特性Eとが示されている。つまり、特性D及びEは、それぞれ、式3においてR<1及びR>1を示しており、両態様の検査方法を採用することにより、特性DとEとの差分が一定以上の値となる場合に実装不良と判断してもよい。上述したいずれかの1態様を実施して、測定された総電流値と参照総電流値との差のみで良否判定する場合、ショットキー接合自体のばらつきにより判定が困難となることが想定される。これに対し、外部加熱による測定と、自己発熱による測定とを兼用する場合には、総電流値の相対的な傾向の違いを利用できるため、参照総電流値のばらつきに影響されにくいという効果がある。この方法により、良否判定の精度を高めることが可能となる。また、本実施の形態の検出方法においても、高周波電力増幅素子51を樹脂モールドした後においても、簡単な電気的測定により高周波電力増幅器2の良否判定を実行することが可能となる。実施の形態4本実施の形態に係る高周波電力増幅素子は、温度センサ部が各ショットキー接合の温度を検出するダイオード電極と、各ダイオード電極が1つにまとめられた検出電極とが併存した構成となっている。以下、実施の形態1及び2と異なる構成を中心に説明する。<高周波電力増幅素子61の構成>図13は、本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅素子の上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子61は、トランジスタ部20と、素子分離部30と、温度センサ部42とで構成されている。温度センサ部42は、当該温度センサ部42に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部20において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。温度センサ部42には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極107及び108が配置されている。温度センサ部42は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極107及び108とで構成されている。さらに、温度センサ部42には、上記複数配置されたダイオード電極107及び108に隣接して、共通電極141で電気的に接続された複数のダイオード電極である共通電極パッド143が並列配置されている。共通電極141は、検査パッド142に電気的に接続されている。上記構成により、実施の形態1のように個々のダイオード接合における電流-電圧特性を測定する場合には、共通電極141により接続されていない個々のダイオード電極にプローブ端子を接触させればよい。一方、実施の形態2のように高周波電力増幅素子61の総電流値を測定する場合には、検査パッド142にプローブ端子を接触させればよい。よって、実装不良を有する高周波電力増幅素子61を選別すること、及び、高周波電力増幅素子61の実装不良部位を特定すること、の双方が可能となり検査の利便性が向上する。なお、本実施の形態では、複数のダイオード電極により個々のダイオード特性を測定する構造と、共通電極により高周波電力増幅素子61としての特性を測定する構造とが併存する構成としたが、上記2つの構造を併存させるのではなく、共通電極141とダイオード電極107との接続を、ワイヤまたはスイッチ素子などにより切り換える構成をとってもよい。実施の形態5本実施の形態では、温度センサ部のダイオード電極108として、トランジスタ部のドレイン電極103の一部を用いる。以下、実施の形態1と異なる構成を中心に説明する。<高周波電力増幅素子71の構成>図14は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅素子の上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子71は、トランジスタ部20と、素子分離部30と、温度センサ部43とで構成されている。温度センサ部43は、当該温度センサ部43に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部20において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。図15は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅素子の温度センサ部の構造断面図である。図15は、図14に記載された温度センサ部43のU-U’における断面図である。温度センサ部43には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極171及びドレイン電極103が配置されている。温度センサ部43は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極171と、ドレイン電極103とで構成されている。ダイオード電極171は、温度センサを構成する第1電極であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極171とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。ドレイン電極103は、トランジスタ部20及び素子分離部30を構成する電極であり、かつ、温度センサを構成する第2電極である。ドレイン電極103は、実施の形態1で説明したように、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。つまり、温度センサ部43は、トランジスタ部20の外側に設けられたダイオード電極171と、トランジスタ部20を構成するドレイン電極103の一部とにより構成される。上記構成により、ダイオード電極171とドレイン電極103との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。上記構成により、ダイオード電極の一方を別途設ける必要が無いので、温度センサ部43のショットキー接合の面積を大きく取ることができる。なお、ここでは、温度センサ部43のダイオード電極108については、実施の形態1と同様な構成をとったが、ダイオード電極108を実施の形態2のように、単一の検査パッド142に接続したり、実施の形態4のように各ダイオード電極108と、検査パッド142とが併存する構成であってもよい。また、上記実施の形態では、ダイオード電極108としてドレイン電極103を用いる構成をとったが、ダイオード電極108としてソース電極102を用いる構成も可能である。以下、ダイオード電極108としてソース電極102を用いる構成を説明する。図16は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅素子の変形例を示す温度センサ部の上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子72は、トランジスタ部20と、素子分離部30と、温度センサ部44とで構成されている。温度センサ部44は、当該温度センサ部44に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部20において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。温度センサ部44には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極172及びソース電極102が配置されている。温度センサ部44は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極172と、ソース電極102とで構成されている。ダイオード電極172は、温度センサを構成する第1電極であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極172とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。ソース電極102は、トランジスタ部20を構成する電極であり、かつ、温度センサを構成する第2電極である。ソース電極102は、実施の形態1で説明したように、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。つまり、温度センサ部44は、トランジスタ部20の外側に設けられたダイオード電極172と、トランジスタ部20を構成するソース電極102の一部とにより構成される。上記構成により、ダイオード電極172とソース電極102との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。上記構成においても、ダイオード電極の一方を別途設ける必要が無いので、温度センサ部44のショットキー接合の面積を大きく取ることができる。実施の形態6本実施の形態では、温度センサ部のダイオード電極として、ソース電極で囲まれた領域に作成されたダミーのゲート電極を用いる構成を説明する。以下、実施の形態1と異なる構成を中心に説明する。<高周波電力増幅素子81の構成>図17は、本発明の実施の形態6に係る高周波電力増幅素子の上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子81は、トランジスタ部21と、温度センサ部45とで構成されている。トランジスタ部21は、直線状の単位電極が幅方向に複数並んで構成されたフィンガー状のゲート電極101、ドレイン電極103及びソース電極102で構成され、1組のゲート電極、ドレイン電極及びソース電極からなる単位トランジスタセルが並列接続された構成である。ソース電極102はビアによって接地されている。温度センサ部45は、ソース電極102に周囲を囲まれており、当該温度センサ部45に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部21において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。温度センサ部45には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、ダイオード電極181及びその周囲にソース電極102が配置されている。温度センサ部45は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極181及びソース電極102とで構成されている。ダイオード電極181は、ソース電極102に挟まれ、トランジスタ部のゲート電極101と同一工程で形成されたものであり、温度センサを構成する第1電極であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極181とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。また、ダイオード電極181とプローブ端子とを接触させるため、検査パッド185がダイオード電極181の表面に設けられている。ソース電極102は、トランジスタ部21を構成する電極であり、かつ、温度センサを構成する第2電極である。ソース電極102は、実施の形態1で説明したように、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。つまり、温度センサ部45は、トランジスタ部のゲート電極101と同一工程で形成されたダイオード電極181と、トランジスタ部21を構成するソース電極102の一部とにより構成される。第1電極であるダイオード電極181は、ゲート電極101、ソース電極102及びドレイン電極103の形成領域に配置され、第2電極は、ダイオード電極181に隣接するソース電極102の一部である。なお、本実施の形態においては、トランジスタ部22におけるエピタキシャル層104及び105第1の半導体層と、温度センサ部45におけるエピタキシャル層104及び105第2の半導体層とは連続していてもよい。上記構成により、ダイオード電極181とソース電極102との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。また、上記構成により、ダイオード電極181は、トランジスタ部21のゲート電極101と同時に形成され、また、ダイオード電極の他方は、トランジスタ部21のソース電極102と同時に形成されるので、温度センサ部45を形成するために半導体プロセスを増加させることなく、製造工程を簡略化できる。さらに、ダイオード電極181を、高周波電力増幅素子81のトランジスタ部が構成される中央部に形成できるため、高周波電力増幅素子81の横方向の寸法を小さくできる。また、ダイオード電極の他方を別途設ける必要が無く、温度センサ部のショットキー接合の面積を大きく確保することが可能となる。なお、本実施の形態においても、実施の形態2と同様に、温度センサ部45の有するダイオード電極181を共通電極で接続する態様であってもよい。以下、この態様について説明する。図18は、本発明の実施の形態6に係る高周波電力増幅素子の第1の変形例を示す上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子82は、トランジスタ部22と、温度センサ部45と、検査パッド182と、共通電極183とで構成されている。トランジスタ部22は、直線状の単位電極が幅方向に複数並んで構成されたフィンガー状のゲート電極101、ドレイン電極103及びソース電極102で構成され、1組のゲート電極、ドレイン電極及びソース電極からなる単位トランジスタセルが並列接続された構成である。ソース電極102はビアによって接地されている。高周波電力増幅素子82には、複数のダイオード電極181を接続する共通電極183と、共通電極に接続された検査パッド182が配置されている。また、上記実施の形態では、ダイオード電極181とソース電極102の一部との間においてダイオード特性を測定する構成をとったが、ダイオード電極181とドレイン電極103の一部との間においてダイオード特性を測定する構成であってもよい。以下、この構成について説明する。図19は、本発明の実施の形態6に係る高周波電力増幅素子の第2の変形例を示す上面図である。同図に記載された高周波電力増幅素子83は、トランジスタ部23と、温度センサ部46と、検査パッド182と、共通電極183とで構成されている。トランジスタ部23は、直線状の単位電極が幅方向に複数並んで構成されたフィンガー状のゲート電極101、ドレイン電極103及びソース電極102で構成され、1組のゲート電極、ドレイン電極及びソース電極からなる単位トランジスタセルが並列接続された構成である。ソース電極102はビアによって接地されている。温度センサ部46は、当該温度センサ部46に形成されたショットキー接合を流れる電流に基づいて、当該接合付近の温度を検出する機能を有する。ショットキー接合は、トランジスタ部23において並列配置された複数の単位トランジスタセルに対応して複数配置されている。温度センサ部46には、上記ショットキー接合を流れる電流を検出するため、複数のダイオード電極184が配置されている。温度センサ部46は、Si基板106と、エピタキシャル層104及び105と、保護層109と、ダイオード電極184とドレイン電極103とで構成されている。ダイオード電極184は、ドレイン電極103に挟まれ、トランジスタ部のゲート電極101と同一工程で形成されたものであり、温度センサを構成するダイオードの電極の一方であり、エピタキシャル層104と接するように形成され、エピタキシャル層104との界面においてショットキー接合を形成する金属で構成される。ダイオード電極184とエピタキシャル層104との間に形成されるショットキー接合の面積は、電流検出を容易にするため、少なくともゲート電極101の面積よりも大きいことが好ましい。また、ダイオード電極184とプローブ端子とを接触させるため、検査パッド186がダイオード電極181の表面に設けられている。ドレイン電極103は、トランジスタ部23を構成する電極であり、かつ、温度センサを構成するダイオードの電極の他方である。ドレイン電極103は、実施の形態1で説明したように、エピタキシャル層104及び105と接するように形成され、エピタキシャル層104及び105との界面においてオーミック接合を形成する金属で構成される。つまり、温度センサ部46は、トランジスタ部のゲート電極101と同一工程で形成されたダイオード電極184と、トランジスタ部23を構成するドレイン電極103の一部とにより構成される。第1電極であるダイオード電極184は、ゲート電極101、ソース電極102及びドレイン電極103の形成領域に配置され、第2電極は、ダイオード電極184に隣接するドレイン電極103の一部である。温度センサ部46には、複数のダイオード電極184を接続する共通電極183と、共通電極に接続された検査パッド182が配置されている。なお、本実施の形態においては、トランジスタ部23におけるエピタキシャル層104及び105第1の半導体層と、温度センサ部46におけるエピタキシャル層104及び105第2の半導体層とは連続していてもよい。上記構成により、ダイオード電極184とドレイン電極103との間では、上記ショットキー接合、エピタキシャル層104及び105の層間、及び、上記オーミック接合を介してダイオード特性を示す電流が流れる。なお、上記高周波電力増幅素子83では、共通電極183及び検査パッド182が用いられているが、実施の形態1のように、共通電極及び検査パッドを用いずに、個々のダイオード電極184により、個々のダイオード特性を測定する構成であってもよい。以上、本発明の高周波電力増幅素子、高周波電力増幅器及び高周波電力増幅器の検査方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、実施の形態5及び6に係る高周波電力増幅素子71、72、81、82及び83において、実施の形態4のように、複数のダイオード電極により個々のダイオード特性を測定する構造と、共通電極により高周波電力増幅素子としての特性を測定する構造とが併存する構成も、本発明の範囲である。