下記一般式1で表わされるペロブスカイト酸窒化物を含むことを特徴とする圧電材料。式中、xは0≦x≦1、yは0≦y≦1、zは0<z<1/3、wは0<w≦zの数値を表わす。前記一般式1において、zは0.1≦z≦0.2であることを特徴とする請求項1に記載の圧電材料。前記圧電材料が基板上に設けられた厚み200nm以上10μm以下の膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の圧電材料。前記ペロブスカイト酸窒化物が正方晶構造を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の圧電材料。圧電材料と、該圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料が請求項1乃至4のいずれか一項に記載の圧電材料であることを特徴とする圧電素子。請求項5に記載の圧電素子を用いたことを特徴とする液体吐出ヘッド。請求項5に記載の圧電素子を用いたことを特徴とする超音波モータ。請求項5に記載の圧電素子を用いたことを特徴とする塵埃除去装置。しかしながら、前記特許文献1及び特許文献2に記載されたペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料は、N原子がc軸方向に配置された場合を特徴としている圧電材料であり、合成手段が制限されるために、工業生産には困難が伴う。さらに、BaTiO3よりも大きな圧電定数の値を有する非鉛系ペロブスカイト化合物の報告例は、非常に少ない。本発明は、BaTiO3と同程度以上の圧電定数の値を有する非鉛系のペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料を提供するものである。また、本発明は、上記ペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料を用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供するものである。上記の課題を解決する圧電材料は、下記一般式1で表わされるペロブスカイト酸窒化物を含むことを特徴とする。式中、xは0≦x≦1、yは0≦y≦1、zは0<z<1/3、wは0<w≦zの数値を表わす。上記の課題を解決する圧電素子は、圧電材料と、該圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料が上記の圧電材料であることを特徴とする。上記の課題を解決する液体吐出ヘッドは、上記の圧電素子を用いたことを特徴とする。上記の課題を解決する超音波モータは、上記の圧電素子を用いたことを特徴とする。上記の課題を解決する塵埃除去装置は、上記の圧電素子を用いたことを特徴とする。本発明によれば、BaTiO3と同程度以上の圧電定数の値を有する非鉛系のペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料を提供することができる。また、本発明は、上記ペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料を用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供することができる。さらに、本発明の圧電材料は、鉛を使用していないために環境に対する影響がなく、またアルカリ金属を使用していないために、圧電素子に使用した際に、耐久性の面でも有利となる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明に係る圧電材料は、下記一般式1で表わされるペロブスカイト酸窒化物を含むことを特徴とする。式中、xは0≦x≦1、yは0≦y≦1、zは0<z<1/3、wは0<w≦zの数値を表わす。前記一般式1において、Ba1-xSrxは、ABX3型ペロブスカイト構造を形成するAサイトを占める元素を、Ti1-3zNb1-yTay3zは、Bサイトを占める元素を、O1-wNwは、Xサイトを占める元素を、それぞれ意味する。前記ペロブスカイト構造を構成するA:B:Xの理想的な比の値は1:1:3であるが、実際に合成した材料では±5程度の差異を生じることが一般的である。ABX3型ペロブスカイト構造の材料は、前記±5程度の差異を含んでいても、同等の圧電特性を示すことが一般に知られており、一般式1で記述される本発明の圧電材料は、前記差異も含むものである。前記一般式1におけるxの範囲は0≦x≦1であり、好ましくは0≦x≦0.5である。前記一般式1におけるyの範囲は0≦y≦1であり、好ましくは0≦y≦0.5である。前記一般式1におけるzの範囲は0<z<1/3であるが、圧電定数d33及びd31の絶対値がBaTiO3よりも大きな値を示す0<z<0.23であることが望ましい。より好ましくは、BaTiO3のd33及びd31の絶対値よりも概ね1.5倍以上の値をとる0.05≦z≦0.2である。前記一般式1におけるwの範囲は0<w<1/3であるが、z、wは等しくならない場合が多い。酸窒化物圧電材料は、組成のずれが生じるためである。より好ましくはz=wであるが、z≧wが好ましい。wがzと比べ小さい理由は、窒素原子が導入されにくく、代わりに酸素原子が取り込まれるためである。そのような組成比でも、上記一般式1で表されるペロブスカイト酸窒化物は、圧電材料となる。また、本発明に係る圧電材料は、基板上に設けられた厚み200nm以上10μm以下、より好ましくは250nm以上3μm以下の膜であることが望ましい。圧電材料の膜厚を200nm以上10μm以下とすることで圧電素子として充分な圧電特性を得られるとともに、圧電素子の高密度化を期待できる。また、本発明に係る圧電材料において、一般式1で表されるペロブスカイト酸窒化物の結晶系は、少なくとも正方晶構造を含んでいることが好ましい。正方晶構造をとることで、結晶構造が安定で充分な圧電特性を得られるためである。より好ましい結晶系は、正方晶構造のみからなる結晶系である。本発明に係る圧電材料、N原子を特定の方向に配置させることなく合成が容易であり、かつBaTiO3と同程度以上の圧電定数の値を有する非鉛系のペロブスカイト酸窒化物からなる圧電材料を提供するものである。本発明に係る圧電素子は、圧電材料と、該圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電材料が上記の圧電材料であることを特徴とする。また、本発明の液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置は、上記の圧電素子を用いて構成される。以下、本発明の実施例について、図を参照して詳細に説明する。実施例1実施例1として、一般式1において、正方晶Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3からなる圧電材料に関する実施形態を、図1及び図2に基づいて説明する。本実施例における圧電体材料の組成式は、Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz30≦x≦1、0≦y≦1、0<z≦0.125のように表される。本実施例は、第一原理計算と呼ばれる電子状態計算のシミュレーション結果に基づくものである。まず、電子状態計算シミュレーションの概要について、以下に説明を行う。第一原理計算とはフィッティングパラメータ等を一切使用しない電子状態計算手法の総称であり、単位格子や分子等を構成する各原子の原子番号と座標を入力するだけで、電子状態計算が可能な手法である。第一原理計算手法の一つとして、擬ポテンシャル法と呼ばれる計算手法がある。この手法は、単位格子等を構成する各原子のポテンシャルを予め用意し電子状態計算を行う方法であり、構造最適化の計算も可能であるという利点を有している。また、任意の組成比の原子を含む系の電子状態計算は、仮想結晶近似VirtualCrystalApproximation:VCAと呼ばれる手法により、比較的簡単に且つ高精度に求めることが出来る。このVCAは、複数の原子をある組成比で混合した仮想原子のポテンシャルを予め用意し電子状態計算を行う方法である。従って、VCAを用いた擬ポテンシャル法により電子状態計算を行えば、任意の組成比の原子を含む系の最安定構造での電子状態を計算することが可能となる。このVCAを用いた擬ポテンシャル法の第一原理計算パッケージプログラムとして、コーネルCornell大学のコンズX.Gonze教授が中心となって開発した、ABINITと呼ばれるパッケージプログラムがある。本実施形態で示す電子状態計算結果は、全てABINITを用いて行った結果である。次に、ABINITによるBa1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3の全エネルギーの計算方法、最安定構造の決定方法、及び圧電定数の計算方法について、以下に概要を説明する。正方晶のBa1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3の安定構造を求めるには、然るべき正方晶構造を初期構造として用意し、構造最適化を含む電子状態計算を行えばよい。但し、Ba1-xSrx、Ti1-3zNb1-yTay3z及びO1-zNzには前記VCAを適用する。係る電子状態計算から求めた安定構造の格子定数a及びcの値を評価することが出来る。さらに上記構造最適化で求めた安定構造を初期構造とし、格子の微小歪みを強制的に加え、その際の全エネルギーの微小変化から、圧電e定数及び弾性コンプライアンス等を計算することが出来る。これらの値を用いて、圧電d定数も導出することが出来る。図1は、上記一般式1に対応する正方晶Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0、0<z<1/3の圧電定数であるd33及びd31の値とBaTiO3のd33及びd31の値との差の値であるΔd33及びΔd31を、zの関数として示したものである。これらの圧電定数は、前記第一原理計算プログラムABINITにより求めた計算結果である。いずれの圧電材料においても、圧電定数の絶対値は、0<z≦0.125付近で増大し、0.125≦z<1/3付近で減少する。即ち、zが0.125付近のある組成比zに向かい、圧電定数の絶対値が正の極大値を示す。圧電定数の絶対値が極大値を示すのは、結晶相境界MorphotropicPhaseBounbary:MPB領域が存在する際の大きな特徴であり、図1の圧電定数の計算結果から、zが0.125付近のある組成比zにMPB領域が存在することが推測される。図2は、正方晶Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0、0<z<1/3におけるc/aの値とzとの関係を示したものである。この圧電材料は、zが0.125付近において、c/aの値は極小になる。MPB領域が存在する場合、正方晶構造のc/aの値が極小となる領域がMPB領域となることは、一般によく知られている。即ち、図2の結果からも、前記圧電材料のいずれにおいても、zが0.125付近のある組成比zにMPB領域が存在することが推測される。図1及び図2の結果を鑑みると、zが0.125付近のある組成比に、正方晶構造から正方晶以外の結晶構造への構造相転移を起こすMPB領域が推測される。実際、実験的にも、室温において、BaTiO3はc/a=1.022の正方晶構造をとり、一方、BaTiO2Nは立方晶構造をとることが知られている。以上の知見を鑑みると、上記正方晶圧電材料において、zが0.125付近で圧電定数の絶対値が増大するのは、正方晶BaTiO3よりも組成比がMPB領域に近づいた圧電材料であるためである、と説明出来る。図1より、Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0の0<z<1/3において、d33及びd31の絶対値がBaTiO3のd33及びd31の絶対値よりも大きくなっているが、より好ましくは0<z<0.23においてである。なお、BaTiO3のd33の値は85.6pC/N、d31の値は-34.5pC/Nである。特に、Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0の0<z≦0.125においては、いずれも室温付近での最安定構造が正方晶構造となるため、正方晶BaTiO3よりもd33及びd31の絶対値よりも大きな正方晶圧電材料を得ることが可能となる。前記正方晶圧電材料において、本実施例に該当するzの範囲は、0<z≦0.125であるが、より好ましくはBaTiO3のd33及びd31の絶対値よりも概ね1.5倍以上の値をとるzの範囲である。即ち、BaTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0では0.1≦z≦0.125であり、Ba0.85Sr0.15Ti1-3zNb3zO1-zNz3x=0.15では0.05≦z≦0.125である。本実施例の圧電材料の薄膜の製法は特に限定されず、スパッタリング法、ゾルゲル法、レーザーアブレーション法、CVD法などの公知の方法を用いることにより、容易に成膜が可能である。但し、本発明では、概ね200nm以上10μm以下の厚みの膜を薄膜と呼ぶことにする。また、本実施例の圧電材料のセラミックスの製法も特に限定されず、従来の焼結法を適宜用いるとよい。例えば、複数の材料の粉末をよく混合した後に、必要に応じてバインダー等を添加した後、プレス成形し、焼結炉で焼結させる粉末冶金の方法等が挙げられる。この際、配向制御により方位を一定方向に制御することが望ましい。次に、本実施例の具体例として、薄膜及びセラミックスによる合成例を示す。合成例1BaTi0.745Nb0.255O0.915N0.0853薄膜の合成x=0、y=0、z=0.085、w=0.085の例スパッタ装置による成膜の場合を示す。O2ガス、N2ガス及びArガスの比が1:20:20、圧力が0.5Paのガスが流入しているチャンバー内に、例えばBa、Ti及びNbの金属ホルダー、及び、例えばLa-SrTiO3100単結晶基板を用意する。基板としては、膜の配向性が向上することで圧電特性も向上するため、単結晶基板を用いることが好ましい。所望とする元素組成が得られるように成膜条件を設定し、前記ホルダー上にArビームを照射することで、Arビームにより叩き出された各金属が前記基板上に飛翔し、目的とする厚さ200nm以上10μm以下の膜状の圧電材料を得ることが出来る。前記圧電材料の結晶格子中における窒素の含有は、X線光電子分光XPS法により確認することが可能である。また、窒素含有量の同定は、例えばHORIBA社製の酸素窒素分析装置EMGAにより同定することが可能である。さらに、蛍光X線分析XRF法により、結晶中の酸素および窒素以外の各構成元素の含有量を同定することが可能である。合成例2Ba0.90Sr0.10Ti0.70Nb0.50Ta0.500.30O0.90N0.103セラミックスの合成x=0.10、y=0.50、z=0.10、w=0.10の例炭酸バリウムBaCO3、炭酸ストロンチウムSrCO3、窒化チタンTi3N4、酸化ニオブNb2O5及び酸化タンタルTa2O5を54:6:14:9:9のモル比で混合した後、微量のKClO4を酸化剤として添加する。酸性水溶液に加熱し、懸濁、溶解させた後、アルカリ処理により析出物をろ過、採取、乾燥し、Ba0.90Sr0.10Ti0.70Nb0.50Ta0.500.30O0.90N0.103を合成する。その後、ボールミルで粉砕、大気中1100°Cで加熱処理を行い、加圧形成機で成形した後、10MPaの窒素雰囲気、10時間、1250°Cの条件で焼結を行うことで、本合成例の圧電材料を得る。さらに、前記焼結体を研磨処理し、電極付けした後5kV/cmの電界強度で分極処理を行うことで、本合成例の圧電素子を得る。前記圧電材料の結晶格子中における窒素の含有は、X線光電子分光XPS法により確認することが可能であり、また、窒素含有量の同定は、例えばHORIBA社製の酸素窒素分析装置EMGAにより同定することが可能である。さらに、蛍光X線分析XRF法により、結晶中の酸素および窒素以外の各構成元素の含有量を同定することが可能である。上記合成例1及び合成例2で表記した酸窒素数は3と表記したが、焼成条件、成膜条件等により3.0未満になってもよい。しかしながら、酸素欠陥が多くなると、材料の抗電界が大きくなり、低電界での圧電性が発現しなくなる。そのため、本実施例の酸素数は、2.9以上が望ましい。実施例2次に、一般式1において、正方晶Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3からなる圧電材料に関する実施形態を、図1及び図2を参考にして説明する。本実施例における圧電体材料の組成式は、Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz30≦x≦1、0≦y≦1、0.125≦z<1/3のように表される。図1は、正方晶Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0、0<z<1/3の圧電定数であるd33及びd31を値を、zの関数として示したものである。これらの圧電定数は、第一原理計算プログラムABINITにより求めた計算結果である。図1より、Ba1-xSrxTi1-3zNb3zO1-zNz3x=0および0.15、y=0の0<z<1/3において、d33及びd31の絶対値がBaTiO3のd33及びd31の絶対値よりも大きくなっているが、より好ましくは0<z<0.23においてである。本実施例に該当するzの範囲は、0.125≦z<0.23であるが、より好ましくはBaTiO3のd33及びd31の絶対値よりも概ね1.5倍以上の値をとる0.125≦z≦0.2である。本実施例は、実施例1の場合と多少異なる実施形態となる。なぜなら、図1及び図2からも推測されるように、一般式1で表される、Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3は、0.125≦z<1/3での最安定構造が正方晶構造をとらない可能性が存在するからである。従って、本実施例の組成領域である0.125≦z<1/3において、Ba1-xSrxTi1-3zNb1-yTay3zO1-zNz3が正方晶構造領域を有する薄膜を作製するためには、例えば加圧により成型体を合成した後に、該成型体をターゲットとして成膜を行う、などの方法が必要である。また、セラミックスを合成するためには、従来のセラミックスの焼結法ではなく、例えば高圧合成法などが必要である。次に、本実施例の具体例として、薄膜及び高圧合成による合成例を示す。合成例3Ba0.90Sr0.10Ti0.40Nb0.50Ta0.500.60O0.80N0.203薄膜の合成x=0.10、y=0.50、z=0.20、w=0.20の例RFマグネトロンスパッタ装置による成膜の場合を示す。炭酸バリウムBaCO3、炭酸ストロンチウムSrCO3、酸化チタンTiO2、酸化ニオブNb2O5及び酸化タンタルTa2O5を9:1:4:3:3のモル比で混合した粉末を10MPaで一軸加圧した成型体をターゲットとして用意する。O2ガス、N2ガス及びArガスの比が1:20:20、圧力が0.5Paのガスが流入しているチャンバー内で、SrTiO3100単結晶基板上に100配向SrRuO3が成膜された基板を600°Cに加熱する。O2、N2及びAr雰囲気中で前記成型体をターゲットとして基板上に成膜することにより、目的とする厚さ200nm以上10μm以下の膜状の圧電材料を得ることが出来る。前記圧電材料の結晶格子中における窒素の含有は、X線光電子分光XPS法により確認することが可能であり、また、窒素含有量の同定は、例えばHORIBA社製の酸素窒素分析装置EMGAにより同定することが可能である。さらに、蛍光X線分析XRF法により、結晶中の酸素および窒素以外の各構成元素の含有量を同定することが可能である。合成例4Ba0.60Sr0.40Ti0.40Nb0.50Ta0.500.60O0.80N0.203セラミックスの合成x=0.40、y=0.50、z=0.20、w=0.20の例炭酸バリウムBaCO3、炭酸ストロンチウムSrCO3、窒化チタンTi3N4、酸化ニオブNb2O5及び酸化タンタルTa2O5を18:12:4:9:9のモル比で混合する。この混合粉をペレット化して常圧、900°Cで仮焼することで脱炭酸を行う。ペレットの粉砕物を微量のKClO4を酸化剤として敷き詰めた白金カプセルに封入して、1200°C、6GPaの条件で焼結することで、本発明の圧電材料を得る。さらに、焼結体を研磨処理し、電極付けした後5kV/cmの電界強度で分極処理を行うことで、本発明の圧電素子を得る。前記圧電材料の結晶格子中における窒素の含有は、X線光電子分光XPS法により確認することが可能であり、また、窒素含有量の同定は、例えばHORIBA社製の酸素窒素分析装置EMGAにより同定することが可能である。さらに、蛍光X線分析XRF法により、結晶中の酸素および窒素以外の各構成元素の含有量を同定することが可能である。上記合成例3及び合成例4で表記した酸窒素数はすべて3と表記したが、焼成条件、成膜条件等により3.0未満になってもよい。しかしながら、酸素欠陥が多くなると、材料の抗電界が大きくなり、低電界での圧電性が発現しなくなる。そのため、本実施形態の酸素数は、2.9以上が望ましい。実施例3次に実施例3として、本発明の圧電材料を用いた圧電素子、及び該圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、超音波モータ及び塵埃除去装置に関する説明を図3乃至図7を用いて行う。以下に、本発明の圧電材料の薄膜を用いた圧電素子について説明する。本発明に係る圧電素子は、第一の電極、圧電材料の薄膜である圧電薄膜および第二の電極を少なくとも有する圧電素子であって、前記圧電薄膜が上記の圧電薄膜であることを特徴とする。第一の電極および第二の電極は、厚み5nmから2000nm程度の導電層よりなる。その材料は特に限定されず、圧電素子に通常用いられているものであればよい。例えば、Ti、Pt、Ta、Ir、Sr、In、Sn、Au、Al、Fe、Cr、Ni、Pd、Ag、Cuなどの金属およびこれらの化合物を挙げることができる。第一の電極および第二の電極は、これらのうちの1種からなるものであっても、あるいはこれらの2種以上を積層してなるものであってもよい。第一の電極と第二の電極が、それぞれ異なる材料であっても良い。第一の電極と第二の電極の製造方法は限定されず、金属ペーストの焼き付けにより形成しても良いし、スパッタ、蒸着法などにより形成してもよい。また第一の電極と第二の電極とも所望の形状にパターニングして用いても良い。図3は、本発明の液体吐出ヘッドの構成の一実施態様を示す概略図である。図3abに示すように、本発明の液体吐出ヘッドは、本発明の圧電素子101を有する液体吐出ヘッドである。圧電素子101は、第一の電極1011、圧電材料の薄膜である圧電薄膜1012、第二の電極1013を少なくとも有する圧電素子である。圧電薄膜1012は、図3bの如く、必要に応じてパターニングされている。図3bは液体吐出ヘッドの模式図である。液体吐出ヘッドは、吐出口105、個別液室102、個別液室102と吐出口105をつなぐ連通孔106、液室隔壁104、共通液室107、振動板103、圧電素子101を有する。図において圧電素子101は矩形状だが、その形状は、楕円形、円形、平行四辺形等の矩形以外でも良い。一般に、圧電薄膜1012は個別液室102の形状に沿った形状となる。本発明の液体吐出ヘッドに含まれる圧電素子101の近傍を図3aで詳細に説明する。図3aは、図3bに示された液体吐出ヘッドの幅方向での圧電素子の断面図である。圧電素子101の断面形状は矩形で表示されているが、台形や逆台形でもよい。図中では、第一の電極1011が下部電極、第二の電極1013が上部電極として使用されている。しかし、第一の電極1011と、第二の電極1013の配置はこの限りではない。例えば、第一の電極1011を下部電極として使用しても良いし、上部電極として使用しても良い。同じく、第二の電極1013を上部電極として使用しても良いし、下部電極として使用しても良い。また、振動板103と下部電極の間にバッファ層108が存在しても良い。なお、これらの名称の違いはデバイスの製造方法によるものであり、いずれの場合でも本発明の効果は得られる。前記液体吐出ヘッドにおいては、振動板103が圧電薄膜1012の伸縮によって上下に変動し、個別液室102の液体に圧力を加える。その結果、吐出口105より液体が吐出される。本発明の液体吐出ヘッドは、プリンタ用途や電子デバイスの製造に用いる事が出来る。振動板103の厚みは、1.0μm以上15μm以下であり、好ましくは1.5μm以上8μm以下である。振動板の材料は限定されないが、好ましくはSiである。振動板のSiにBやPがドープされていても良い。また、振動板上のバッファ層、電極層が振動板の一部となっても良い。バッファ層108の厚みは、5nm以上300nm以下であり、好ましくは10nm以上200nm以下である。吐出口105の大きさは、円相当径で5μm以上40μm以下である。吐出口105の形状は、円形であっても良いし、星型や角型状、三角形状でも良い。次に、本発明の圧電素子を用いた超音波モータについて説明する。図4は、本発明の超音波モータの構成の一実施態様を示す概略図である。本発明の圧電素子が単板からなる超音波モータを、図4aに示す。超音波モータは、振動子201、振動子201の摺動面に不図示の加圧バネによる加圧力で接触しているロータ202、ロータ202と一体的に設けられた出力軸203を有する。前記振動子201は、金属の弾性体リング2011、本発明の圧電素子2012、圧電素子2012を弾性体リング2011に接着する有機系接着剤2013エポキシ系、シアノアクリレート系などで構成される。本発明の圧電素子2012は、不図示の第一の電極と第二の電極によって挟まれた圧電材料で構成される。本発明の圧電素子に位相がπ/2異なる二相の交流電圧を印加すると、振動子201に屈曲進行波が発生し、振動子201の摺動面上の各点は楕円運動をする。この振動子201の摺動面にロータ202が圧接されていると、ロータ202は振動子201から摩擦力を受け、屈曲進行波とは逆の方向へ回転する。不図示の被駆動体は、出力軸203と接合されており、ロータ202の回転力で駆動される。圧電材料に電圧を印加すると、圧電横効果によって圧電材料は伸縮する。金属などの弾性体が圧電素子に接合している場合、弾性体は圧電材料の伸縮によって曲げられる。ここで説明された種類の超音波モータは、この原理を利用したものである。次に、積層構造を有した圧電素子を含む超音波モータを図4bに例示する。振動子204は、筒状の金属弾性体2041に挟まれた積層圧電素子2042よりなる。積層圧電素子2042は、不図示の複数の積層された圧電材料により構成される素子であり、積層外面に第一の電極と第二の電極、積層内面に内部電極を有する。金属弾性体2041はボルトによって締結され、圧電素子2042を挟持固定し、振動子204となる。圧電素子2042に位相の異なる交流電圧を印加することにより、振動子204は互いに直交する2つの振動を励起する。この二つの振動は合成され、振動子204の先端部を駆動するための円振動を形成する。なお、振動子204の上部にはくびれた周溝が形成され、駆動のための振動の変位を大きくしている。ロータ205は、加圧用のバネ206により振動子204と加圧接触し、駆動のための摩擦力を得る。ロータ205はベアリングによって回転可能に支持されている。次に、本発明の圧電素子を用いた塵埃除去装置について説明する。図5aおよび図5bは本発明の塵埃除去装置の一実施態様を示す概略図である。塵埃除去装置310は板状の圧電素子330と振動板320より構成される。振動板320の材質は限定されないが、塵埃除去装置310を光学デバイスに用いる場合には透光性材料や光反射性材料を振動板320として用いることができる。図6は図5における圧電素子330の構成を示す概略図である。図6aとcは圧電素子330の表裏面の構成、図6bは側面の構成を示している。圧電素子330は図5に示すように圧電材料331と第1の電極332と第2の電極333より構成され、第1の電極332と第2の電極333は圧電材料331の板面に対向して配置されている。図6cにおいて圧電素子330の手前に出ている第1の電極332が設置された面を第1の電極面336、図6aにおいて圧電素子330の手前に出ている第2の電極332が設置された面を第2の電極面337とする。ここで、本発明における電極面とは電極が設置されている圧電素子の面を指しており、例えば図5に示すように第1の電極332が第2の電極面337に回りこんでいても良い。圧電素子330と振動板320は、図5a、bに示すように圧電素子330の第1の電極面336で振動板320の板面に固着される。そして圧電素子330の駆動により圧電素子330と振動板320との間に応力が発生し、振動板に面外振動を発生させる。本発明の塵埃除去装置310は、この振動板320の面外振動により振動板320の表面に付着した塵埃等の異物を除去する装置である。面外振動とは、振動板を光軸方向つまり振動板の厚さ方向に変位させる弾性振動を意味する。図7は本発明の塵埃除去装置310の振動原理を示す模式図である。図7aは左右一対の圧電素子330に同位相の交番電界を印加して、振動板320に面外振動を発生させた状態を表している。左右一対の圧電素子330を構成する圧電材料の分極方向は圧電素子330の厚さ方向と同一であり、塵埃除去装置310は7次の振動モードで駆動している。図7bは左右一対の圧電素子330に位相が180°反対である逆位相の交番電圧を印加して、振動板320に面外振動を発生させた状態を表している。塵埃除去装置310は6次の振動モードで駆動している。本発明の塵埃除去装置310は少なくとも2つの振動モードを使い分けることで振動板の表面に付着した塵埃を効果的に除去できる装置である。前述したように本発明の圧電素子は、液体吐出ヘッド、超音波モータや塵埃除去装置に好適に用いられる。本発明のペロブスカイト酸窒化物を含む非鉛系の圧電薄膜を用いることで、鉛を含む圧電薄膜を用いた場合と同等以上のノズル密度、および吐出力を有する液体吐出ヘッドを提供出来る。本発明のペロブスカイト酸窒化物を含む非鉛系の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の駆動力、および耐久性を有する超音波モータを提供出来る。本発明のペロブスカイト酸窒化物を含む非鉛系の圧電材料を用いることで、鉛を含む圧電材料を用いた場合と同等以上の塵埃除去効率を有する塵埃除去装置を提供出来る。本発明の圧電材料は、液体吐出ヘッド、モータに加え、超音波振動子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、強誘電メモリ等のデバイスに用いることが出来る。