"少なくともガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層が、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表層部における、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の含有量が、XPSの元素分析測定において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計100原子に対し、炭素原子の含有量が10.0以上28.0以下、ケイ素原子の含有量が18.0以上28.0以下、酸素原子の含有量が48.0以上66.0以下であるものであり、かつ、成形体の、40°C、相対湿度90雰囲気下における水蒸気透過率が5.3g/m2/day以下で、波長550nmにおける全光線透過率が90以上であることを特徴とする成形体。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、イオンが注入されて得られるイオン注入層を有する成形体。前記イオンが、水素、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、および炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項2に記載の成形体。前記イオン注入層が、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、プラズマイオン注入法によりイオンが注入されて得られる層であることを特徴とする請求項2又は3に記載のガスバリア性成形体。前記4官能オルガノシラン化合物が、テトラC1~C10アルコキシシランであることを特徴とする請求項2又は3に記載の成形体。請求項2又は3に記載の成形体の製造方法であって、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする成形体の製造方法。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、および炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する請求項6に記載の成形体の製造方法。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、および炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法により、イオン注入する工程を有する請求項6に記載の成形体の製造方法。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する長尺の成形物を一定方向に搬送しながら、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、イオンを注入することを特徴とする請求項6に記載の成形体の製造方法。請求項1~3のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。請求項10に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、優れたガスバリア性及びフレキシブル性に加えて、極めて高い透明性を有する成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、少なくともガスバリア層を有する成形体において、該ガスバリア層がケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を特定の割合で含む材料から構成されている成形体は、優れたガスバリア性及びフレキシブル性に加えて、極めて高い透明性を有することを見出した。さらに、このような成形体のガスバリア層は、テトラエトキシシラン等の4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、イオンを注入することにより、簡便かつ効率よく形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~6の成形体、7~10の成形体の製造方法、11の電子デバイス用部材、及び12の電子デバイスが提供される。1少なくともガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層が、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表層部における、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の含有量が、XPSの元素分析測定において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計100原子に対し、炭素原子の含有量が10.0以上28.0以下、ケイ素原子の含有量が18.0以上28.0以下、酸素原子の含有量が48.0以上66.0以下であるものであり、かつ、成形体の、40°C、相対湿度90雰囲気下における水蒸気透過率が5.3g/m2/day以下で、波長550nmにおける全光線透過率が90以上であることを特徴とする成形体。24官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、イオンが注入されて得られるイオン注入層を有する成形体。3前記イオンが、水素、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする2に記載の成形体。4前記イオン注入層が、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、プラズマイオン注入法によりイオンが注入されて得られる層であることを特徴とする2又は3に記載のガスバリア性成形体。5前記4官能オルガノシラン化合物が、テトラC1~C10アルコキシシランであることを特徴とする2又は3のいずれかに記載の成形体。62又は3に記載の成形体の製造方法であって、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする成形体の製造方法。74官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する6に記載の成形体の製造方法。84官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合化合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のガスを、プラズマイオン注入法により、イオンを注入する工程を有する6に記載の成形体の製造方法。94官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する長尺の成形物を一定方向に搬送しながら、前記4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層に、イオンを注入することを特徴とする6に記載の成形体の製造方法。101~3のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。11前記10に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明の成形体は、優れたガスバリア性及びフレキシブル性に加えて、極めて高い透明性を有する。本発明の成形体は、フレキシブルなディスプレイや、太陽電池等の電子デバイス用部材例えば太陽電池バックシートとして好適に用いることができる。本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性、透明性、耐折り曲げ性を有する本発明の成形体を簡便かつ効率よく製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性、透明性及び耐折り曲げ性を有するため、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。以下、本発明を、1成形体、2成形体の製造方法、並びに、3電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。1成形体本発明の第1は、少なくともガスバリア層を有する成形体であって、前記ガスバリア層が、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含む材料から構成されてなり、該ガスバリア層の表層部における、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の含有量が、XPSの元素分析測定において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計100原子に対し、炭素原子の含有量が10.0以上28.0以下、ケイ素原子の含有量が18.0以上28.0以下、酸素原子の含有量が48.0以上66.0以下であるものであり、かつ、前記成形体の、40°C、相対湿度90雰囲気下における水蒸気透過率が、5.3g/m2/day以下であり、かつ、波長550nmにおける全光線透過率が90以上であることを特徴とする成形体以下、成形体1という。である。本発明の成形体1は、表層部において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を上記の範囲で含有してなるガスバリア層を有するため、優れたガスバリア性及びフレキシブル性に加えて、極めて高い透明性を有する。ここで、ガスバリア層の表層部とは、ガスバリア層の表面から、該表面の深さ方向に対して15nmまでの領域をいう。また、ガスバリア層の表面には、他の層との境界面を含む。本発明の成形体1においては、前記ガスバリア層の表層部における、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の含有量が、XPSの元素分析測定において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計100原子に対し、炭素原子の含有量が12以上28以下、ケイ素原子の含有量が19以上28以下、酸素原子の含有量が50以上64以下であるのが好ましく、炭素原子の含有量が12以上21以下、ケイ素原子の含有量が19以上26以下、酸素原子の含有量が59以上64以下であるのがより好ましい。本発明の第2は、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層以下、シリケート層ということがある。に、イオンが注入されて得られるイオン注入層を有する成形体である以下、成形体2という。。本発明の成形体2のイオン注入層は、シリケート層に、イオンが注入されて得られるものであればよいが、イオン注入層の表層部における、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の含有量が、XPSの元素分析測定において、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計100原子に対し、炭素原子の含有量が12.0以上27.0以下、ケイ素原子の含有量が19.0以上24.7以下、酸素原子の含有量が50.0以上63.3以下であることが好ましい。シリケート層は、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層である。シリケート層中の4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物の含有量は、優れたガスバリア性及び透明性を有するイオン注入層を形成できる観点から、50重量以上であるのが好ましく、70重量以上であるのがより好ましい。本発明に用いる4官能オルガノシラン化合物は、ケイ素元素に4個の加水分解性基が結合した化合物であり、具体的には、式A:SiX4で表される化合物である。式A中、Xは加水分解置換基を表し、互いに同一であっても相異なっていてもよい。Xとしては、式:ORRは炭素数1~10の炭化水素基、又はアルコキシ基を表す。で表される基、式:OSiRaRbRcで表される基Ra、Rb、Rcはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、又はフェニル基を表す。、ハロゲン原子等が挙げられる。前記式:ORで表される基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、t-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数1~10C1~C10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基等の炭素数2~10のアルコキシアルコキシ基;等が挙げられる。式:OSiRaRbRcで表される基の具体例としては、シリルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、フェニルジメチルシリルオキシ基、t-ブチルジメチルシリルオキシ基等が挙げられる。又はロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。4官能オルガノシラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシラン、テトラブトキシシラン等のテトラC1~C10アルコキシシラン;トリメトキシクロロシラン、トリエトキシクロロシラン、トリプロポキシクロロシラン等のトリC1~C10アルコキシハロゲノシラン;ジメトキジシクロロシラン、ジエトキシジクロロシラン、ジプロポキシジクロロシラン等のジC1~C10ジハロゲノアルコキシシラン;メトキシトリクロロシラン、エトキシトリクロロシラン、プロポキシトリクロロシラン等のモノC1~C10アルコキシトリハロゲノシラン;テトラクロロシラン、テトラブロモシラン等のテトラハロゲノシラン;が挙げられる。ここで、C1~C10は炭素数が1~10であることを表す。これらの4官能オルガノシラン化合物は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、取り扱い性に優れ、優れたガスバリア性及びフレキシブル性に加え、特に透明性に優れたイオン注入層を形成できる観点から、テトラC1~C10アルコキシシランが好ましい。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物は、適当な溶媒中、水及び必要に応じて触媒の存在下に、4官能オルガノシラン化合物を加水分解脱水縮合することにより得ることができる。用いる水の量は、加水分解性基Xに対する水H2Oのモル当量、すなわちモル比[H2O]/[X]が1.0以上であることが好ましく、1.0以上5.0以下であるのがより好ましい。1.0未満では未反応な加水分解性基の量が多くなり、硬化被膜の屈折率を高くするといった悪影響を及ぼすおそれがあり、逆に5.0より多いと縮合反応が極端に進み、ゲル化を招くおそれがある。用いる触媒としては特に限定されず、酸性触媒及び塩基性触媒のいずれもが使用可能である。酸性触媒としては、例えば、酢酸、クロロ酢酸、クエン酸、安息香酸、ジメチルマロン酸、蟻酸、プロピオン酸、グルタール酸、グリコール酸、マレイン酸、マロン酸、トルエンスルホン酸、シュウ酸等の有機酸;塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ハロゲン化シラン等の無機酸;酸性コロイダルシリカ、酸化チタニアゾル等の酸性ゾル状フィラー;等が挙げられる。これらの酸性触媒は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。また、塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物;アンモニア水;トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン等のアミン類;等が挙げられる。これらの塩基性触媒は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、製造工程に要する時間を短縮する点から、酸性触媒が好ましい。4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合は、必要に応じて、加温して行ってもよい。特に40~100°Cの条件下で2~100時間かけて加水分解反応を促進させると、未反応の加水分解性基を限りなく少なくすることができて好ましい。上記の温度範囲や時間範囲を外れて加水分解すると、未反応の加水分解性基が残留するおそれがある。得られる4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、機械的強度にも優れるシリケート層を得るためには、200~50,000の範囲にあることが好ましく、200~2,000の範囲にあることがより好ましい。重量平均分子量が200より小さいと被膜形成能力に劣るおそれがあり、逆に2,000を超えると硬化被膜の機械的強度に劣るおそれがある。また、シリケート層は、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、他の高分子、硬化剤、老化防止剤、光安定剤、難燃剤、充填剤、顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤、流れ止め剤等が挙げられる。シリケート層を形成する方法としては、シリケート層形成用溶液を、適当な基材層の上に、公知の塗工方法により塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。用いるシリケート層形成用溶液をとしては、ア4官能オルガノシラン化合物、水、触媒、溶媒、及び所望により他の成分を含有する溶液、イ4官能オルガノシラン化合物の部分加水分解生成物、水、触媒、溶媒、及び所望により他の成分を含有する溶液、ウ4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物、水、触媒、溶媒及び所望により他の成分を含有する溶液等が挙げられる。ここで用いる溶媒としては、4官能オルガノシラン化合物、4官能オルガノシラン化合物の部分加水分解生成物、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を安定的に溶解するものが好ましい。例えば、キシレン、トルエン、ブチルカルビトールアセテート、酢酸n-ブチル、酢酸エチル等のエステル類;セロソルブ、セロソルブアセテート等のグリコールエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;これらの二種以上からなる混合溶媒;等が挙げられる。溶媒の使用量割合は、コーティング方法、用いる4官能オルガノシラン化合物等の種類等にもよるが、通常、層形成用溶液の5~99質量、好ましくは5~60質量である。塗工方法としては、特に限定されず、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の塗工装置を使用する方法が挙げられる。得られた塗膜の乾燥、成形体のガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は80~150°Cで、数十秒から数十分行う。このような加熱によって、4官能オルガノシラン化合物、4官能オルガノシラン化合物の部分加水分解生成物、4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物の加水分解脱水縮合反応を十分に進行させることにでき、高品質な硬化膜を形成することができる。形成されるシリケート層の厚みは、特に制限されないが、通常20nm~100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、シリケート層の厚みがナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体2を得ることができる。本発明の成形体2は、上記のようにして形成されたシリケート層中に、イオンが注入されて得られるイオン注入層を有する。注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガス、フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄、ケイ素化合物、炭化水素等のイオン;金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン;が挙げられる。なかでも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と透明性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム及び、ネオン、キセノン、クリプトン、ケイ素化合物、及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。ケイ素化合物としては、シランSiH4及び有機ケイ素化合物が挙げられる。有機ケイ素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラn-プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラn-ブトキシシラン、テトラt-ブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルアルコキシシラン;ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアリールアルコキシシラン;ヘキサメチルジシロキサンHMDSO等のジシロキサン;ビスジメチルアミノジメチルシラン、ビスジメチルアミノメチルビニルシラン、ビスエチルアミノジメチルシラン、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、テトラキスジメチルアミノシラン、トリスジメチルアミノシラン等のアミノシラン;ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン;テトライソシアナートシラン等のシアナートシラン;トリエトキシフルオロシラン等のハロゲノシラン;ジアリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン等のアルケニルシラン;ジ-t-ブチルシラン、1,3-ジシラブタン、ビストリメチルシリルメタン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリストリメチルシリルメタン、トリストリメチルシリルシラン、ベンジルトリメチルシラン等の無置換若しくは置換基を有するアルキルシラン;ビストリメチルシリルアセチレン、トリメチルシリルアセチレン、1-トリメチルシリル-1-プロピン等のシリルアルキン;1,4-ビストリメチルシリル-1,3-ブタジイン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン等のシリルアルケン;フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン等のアリールアルキルシラン;プロパルギルトリメチルシラン等のアルキニルアルキルシラン;ビニルトリメチルシラン等のアルケニルアルキルシラン;ヘキサメチルジシラン等のジシラン;オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン等のシロキサン;N,O-ビストリメチルシリルアセトアミド;ビストリメチルシリルカルボジイミド;等が挙げられる。炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン;エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン;ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン;アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン;ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素;シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン;シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン;等が挙げられる。これらのイオンは一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。イオン注入する方法としては、電界により加速されたイオンイオンビームを照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法プラズマイオン注入法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便に優れたガスバリア性等を有する成形体が得られることから、プラズマイオン注入法が好ましい。プラズマイオン注入法は、例えば、プラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、イオンを注入する層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン陽イオンを、イオンを注入する層の表面部に注入して行うことができる。イオン注入層が形成される部分の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、イオンを注入する層の厚み、成形体の使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、10~1000nmである。イオンが注入されたことは、X線光電子分光分析XPSを用いて、表面から10nm付近の元素分析測定を行うことによって確認することができる。本発明の成形体の形状は、特に制限されず、例えば、フィルム状、シート状、直方体状、多角柱状、筒状等が挙げられる。後述するごとき電子デバイス用部材として用いる場合には、フィルム状、シート状であることが好ましい。該フィルムの厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明の成形体1は、ガスバリア層のみからなるものであってもよいし、さらに他の層を含むものであってもよい。また、他の層は単層であっても、同種又は異種の2層以上であってもよい。また、成形体2は、イオン注入層のみからなるものであってもよいし、さらに他の層を含むものであってもよい。また、他の層は単層であっても、同種又は異種の2層以上であってもよい。本発明の成形体が積層体である場合、積層体の厚みは、特に制限されず、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明の成形体が、他の層を含む積層体である場合、各層の積層順はどのようなものであってもよい。この場合、ガスバリア層イオン注入層の配置位置は特に限定されないが、成形体を効率よく製造できること等の理由から、ガスバリア層イオン注入層を表面に有するのが好ましい。また、ガスバリア層イオン注入層は、他の層の片面のみに形成されていても、他の層の両面に形成されていてもよい。前記他の層としては、基材層、無機化合物層、衝撃吸収層、導電体層、プライマー層等が挙げられる。基材層基材層の素材は、成形体の目的に合致するものであれば特に制限されず、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等が挙げられる。これらの中でも、透明性に優れ、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミド又はシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステル又はシクロオレフィン系ポリマーがより好ましい。ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン共重合体等が挙げられる。シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル三井化学社製のエチレン-シクロオレフィン共重合体、アートンJSR社製のノルボルネン系重合体、ゼオノア日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体等が挙げられる。無機化合物層無機化合物層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物層を構成する無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。本発明においては、これらの中でも、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物が好ましい。無機酸化物としては、一般式MOxで表される金属酸化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。xはMによってそれぞれ範囲が異なり、例えば、Mがケイ素Siであれば0.1~2.0、アルミニウムAlであれば0.1~1.5、マグネシウムMgであれば0.1~1.0、カルシウムCaであれば0.1~1.0、カリウムKであれば0.1~0.5、スズSnであれば0.1~2.0、ナトリウムNaであれば0.1~0.5、ホウ素Bであれば0.1~1.5、チタンTiであれば0.1~2.0、鉛Pbであれば0.1~1.0、ジルコニウムZrであれば0.1~2.0、イットリウムYであれば、0.1~1.5の範囲の値である。これらの中でも、透明性等に優れることから、Mがケイ素であるケイ素酸化物、アルミニウムであるアルミニウム酸化物、チタンであるチタン酸化物が好ましく、ケイ素酸化物がより好ましい。なお、xの値としては、Mがケイ素であれば1.0~2.0が、アルミニウムであれば0.5~1.5が、チタンであれば1.3~2.0の範囲のものが好ましい。無機窒化物としては、一般式MNyで表される金属窒化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。yはMによってそれぞれ範囲が異なり、Mがケイ素Siであればy=0.1~1.3、アルミニウムAlであればy=0.1~1.1、チタンTiであればy=0.1~1.3、すずSnであればy=0.1~1.3の範囲の値である。これらの中でも、透明性等に優れることから、Mがケイ素であるケイ素窒化物、アルミニウムであるアルミニウム窒化物、チタンであるチタン窒化物、スズであるスズ窒化物が好ましく、ケイ素窒化物SiNがより好ましい。なお、yの値としては、Mがケイ素であればy=0.5~1.3、アルミニウムであればy=0.3~1.0、チタンであればy=0.5~1.3、スズであればy=0.5~1.3の範囲のものが好ましい。無機酸化窒化物としては、一般式MOxNyで表される金属酸化窒化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。x及びyの値は、Mによってそれぞれ範囲が異なる。すなわち、x、yは、例えば、Mがケイ素Siであればx=1.0~2.0、y=0.1~1.3、アルミニウムAlであればx=0.5~1.0、y=0.1~1.0、マグネシウムMgであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.6、カルシウムCaであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、カリウムKであればx=0.1~0.5、y=0.1~0.2、スズSnであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.3、ナトリウムNaであればx=0.1~0.5、y=0.1~0.2、ホウ素Bであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、チタンTiであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.3、鉛Pbであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、ジルコニウムZrであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.0、イットリウムYであればx=0.1~1.5、y=0.1~1.0の範囲の値である。これらの中でも、透明性等に優れることから、Mがケイ素であるケイ素酸化窒化物、アルミニウムであるアルミニウム酸化窒化物、チタンであるチタン酸化窒化物が好ましく、ケイ素酸化窒化物がより好ましい。なお、x及びyの値としては、Mがケイ素であればx=1.0~2.0、y=0.1~1.3、アルミニウムであればx=0.5~1.0、y=0.1~1.0、チタンであればx=1.0~2.0、y=0.1~1.3の範囲のものが好ましい。なお、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸化窒化物には、2種類以上の金属が含まれていても良い。無機化合物層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法、ダイナミックイオンミキシング法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア性に優れた積層体が得られることから、マグネトロンスパッタリング法が好ましい。無機化合物層の厚さは、特に限定されないが、ガスバリア性が得られる観点から、10~1000nmであることが好ましく、20~500nmであることがより好ましく、50~200nmであることが特に好ましい。衝撃吸収層衝撃吸収層は、前記無機化合物層に衝撃が加わった際に、割れを防止するためのものであり、衝撃吸収層を形成する素材としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等を用いることができる。これらの中でも、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系材料が好ましい。アクリル系樹脂としては、主成分として、メタアクリル酸エステル単独重合体、2種以上のメタアクリル酸エステル単位を含む共重合体、及びメタアクリル酸エステルと他の官能性単量体との共重合体の中から選ばれた少なくとも1種を含有するものが挙げられる。なお、メタアクリル酸は、アクリル酸又はメタクリル酸の意である以下同様。メタアクリル酸エステルとしては、エステル部分の炭素数が1~20のメタアクリル酸が好ましく、後述する衝撃吸収層の貯蔵弾性率を特定の範囲内とすることが容易であることから、エステル部分の炭素数が4~10のメタアクリル酸エステルを用いることがより好ましい。このようなメタアクリル酸エステルとしては、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸ペンチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸ヘプチル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸2-エチルヘキシル、メタアクリル酸ノニル、メタアクリル酸デシル等が挙げられる。シリコーン系樹脂としては、ジメチルシロキサンを主成分とするものが挙げられる。ゴム系材料としては、イソプレンゴム、スチレン-ブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、スチレン-ブタジエン-スチレンゴム等を主成分とするものが挙げられる。衝撃吸収層には、各種添加剤、例えば、酸化防止剤、粘着付与剤、可塑剤、紫外線吸収剤、着色剤、帯電防止剤等の他の成分を含んでいてもよい。衝撃吸収層を形成する素材は、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリオルガノシロキサン系化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材粘着剤等、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。衝撃吸収層の厚みは、通常1~100μm、好ましくは5~50μmである。導電体層導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、アンチモンをドープした酸化スズATO;フッ素をドープした酸化スズFTO;酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これら金属と導電性金属酸化物との混合物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料;等が挙げられる。導電体層は、これらの材料からなる層が複数積層されてなる積層体であってもよい。これらの中でも、透明性の点から、導電性金属酸化物が好ましく、ITOが特に好ましい。導電体層の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。これらの中でも、簡便に導電体層が形成できることから、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法は、真空槽内に放電ガスアルゴン等を導入し、ターゲットと基板との間に高周波電圧或いは直流電圧を加えて放電ガスをプラズマ化し、該プラズマをターゲットに衝突させることでターゲット材料を飛ばし、基板に付着させて薄膜を得る方法である。ターゲットとしては、前記導電体層を形成する材料からなるものが使用される。導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常10nm~50μm、好ましくは20nm~20μmである。得られる導電体層の表面抵抗率は、通常1000Ω/□以下である。形成された導電体層には、必要に応じてパターニングを行ってもよい。パターニングする方法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザ等を用いた物理的エッチング等、マスクを用いた真空蒸着法やスパッタリング法、リフトオフ法、印刷法等が挙げられる。プライマー層プライマー層は、基材層とイオン注入層との層間密着性を高める役割を果たす。プライマー層を設けることにより、層間密着性及び表面平滑性に極めて優れるガスバリア性フィルムを得ることができる。プライマー層を構成する材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ケイ素含有化合物;光重合性モノマー及び/又は光重合性プレポリマーからなる光重合性化合物、及び少なくとも可視光域の光でラジカルを発生する重合開始剤を含む光重合性組成物;ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂特にポリアクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等とイソシアネート化合物との2液硬化型樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ニトロセルロース系樹脂等の樹脂類;アルキルチタネート;エチレンイミン;等が挙げられる。これらの材料は一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。プライマー層は、プライマー層を構成する材料を適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を、基材層の片面又は両面に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。プライマー層形成用溶液を基材層に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常、10~1000nmである。また、得られたプライマー層に、後述する、イオン注入層にイオンを注入する方法と同様な方法によりイオン注入を行ってもよい。プライマー層にもイオン注入を行うことにより、より優れたガスバリア性フィルムを得ることができる。本発明の成形体は、優れたガスバリア性、透明性を有し、また、その形状がフィルム状又はシート状以下、フィルム状という。の場合、耐折り曲げ性に優れ、かつ折り曲げ等を行ってもガスバリア性を維持するものが好ましい。本発明の成形体が優れたガスバリア性を有していることは、本発明の成形体の水蒸気等のガスの透過率が、格段に小さいことから確認することができる。例えば、水蒸気透過率は、40°C、相対湿度90雰囲気下で、通常5.3g/m2/day以下、好ましくは1.5g/m2/day以下、より好ましくは1.0g/m2/day以下である。なお、成形体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明の成形体が優れた透明性を有していることは、本発明の成形体の透過率が高いことから確認することができる。可視光透過率は波長550nmにおける全光線透過率であり、90以上である。成形体の可視光透過率は、公知の可視光透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明の成形体が耐折り曲げ性に優れ、折り曲げ等を行ってもガスバリア性を維持できることは、フィルム状の成形体をふたつに折り曲げて圧力をかけ、再び開いたときに折り曲げた部分が劣化しておらず、水蒸気透過率もほとんど低下しないことから確認することができる。本発明のフィルム状の成形体は、同じ厚みの無機膜に比較して、折り曲げ後もガスバリア性を維持することに優れている。例えば、本発明の成形体のガスバリア層面イオン注入層面を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーターの2本のロール間を、一定のラミネート速度及び温度条件で通す試験折り曲げ試験を行った後、折り曲げた部分を顕微鏡で観察しても、クラックの発生は認められない。また、前記折り曲げ試験の前後における水蒸気透過率の変化率下記式1が、12未満であって、その値が極めて小さいものである。2成形体の製造方法本発明の成形体の製造方法は、シリケート層を表面部に有する成形物の、前記シリケート層に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする本発明の成形体の製造方法によれば、本発明の成形体2のみならず、成形体1も簡便且つ効率よく製造することができる。本発明の成形体の製造方法においては、シリケート層を表面部に有する長尺状の成形物を一定方向に搬送しながら、シリケート層にイオンを注入させて成形体を製造するのが好ましい。この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入された成形体を連続的に製造することができる。長尺状の成形物の形状はフィルム状であり、シリケート層のみからなるものでもよいし、シリケート層を表面部に有する、他の層を含む積層体であってもよい。成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、1μm~500μmが好ましく、5μm~300μmがより好ましい。シリケート層に、イオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオン注入層を形成する方法が好ましい。プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、シリケート層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオン注入層を形成する方法である。プラズマイオン注入法としては、A外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又はB外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。前記Aの方法においては、イオンを注入する際の圧力プラズマイオン注入時の圧力を0.01~1Paとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく、ガスバリア性等に優れた均一なイオン注入層を形成することができる。前記Bの方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、radiofrequency高周波、以下、RFと略す。や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。前記A及びBのいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオンを注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは-1kV~-50kV、より好ましくは-1kV~-30kV、特に好ましくは-5kV~-20kVである。印加電圧が-1kVより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量ドーズ量が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、-50kVより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時に成形体が帯電し、また成形体への着色等の不具合が生じ、好ましくない。プラズマイオンを生成する原料ガスとしては、前記1成形体の項で例示したのと同様のものが挙げられる。層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。プラズマイオン注入装置としては、具体的には、αイオンを注入する層に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオンを注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置特開200126887号公報、βチャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオンを注入する層周囲にプラズマが到達後、イオンを注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオンを注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置特開2001-156013号公報、γマイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、δ外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、γ又はδのプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。以下、前記γ及びδのプラズマイオン注入装置を用いる方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、前記γのプラズマイオン注入装置を備える連続的プラズマイオン注入装置の概要を示す図である。図1aにおいて、1aは4官能オルガノシラン化合物の加水分解脱水縮合物を含む層を表面部に有する長尺フィルム状の成形物以下、フィルムという。、11aはチャンバー、20aはターボ分子ポンプ、3aはイオン注入される前のフィルム1aを送り出す巻き出しロール、5aはイオン注入されたフィルム成形体1aをロール状に巻き取る巻取りロール、2aは高電圧印加回転キャン、6aはフィルムの送り出しロール、10aはガス導入口、7aは高電圧パルス電源、4はプラズマ放電用電極外部電界である。図1bは、前記高電圧印加回転キャン2aの斜視図であり、15は高電圧導入端子フィードスルーである。用いるイオンを注入する層を表面部に有する長尺状のフィルム1aは、基材層上に、シリケート層を形成したフィルムである。図1に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム1aは、チャンバー11a内において、巻き出しロール3aから図1中矢印X方向に搬送され、高電圧印加回転キャン2aを通過して、巻き取りロール5aに巻き取られる。フィルム1aの巻取りの方法や、フィルム1aを搬送する方法等は特に制約はないが、本実施形態においては、高電圧印加回転キャン2aを一定速度で回転させることにより、フィルム1aの搬送を行っている。また、高電圧印加回転キャン2aの回転は、高電圧導入端子15の中心軸13をモーターにより回転させることにより行われる。高電圧導入端子15、及びフィルム1aが接触する複数の送り出し用ロール6a等は絶縁体からなり、例えば、アルミナの表面をポリテトラフルオロエチレン等の樹脂で被覆して形成されている。また、高電圧印加回転キャン2aは導体からなり、例えば、ステンレスで形成することができる。フィルム1aの搬送速度は適宜設定できる。フィルム1aが巻き出しロール3aから搬送され、巻き取りロール5aに巻き取られるまでの間にフィルム1aの表面部シリケート層にイオン注入され、所望のイオン注入層が形成されるだけの時間が確保される速度であれば、特に制約されない。フィルムの巻取り速度搬送速度は、印加電圧、装置規模等にもよるが、通常0.1~3m/min、好ましくは0.2~2.5m/minである。まず、チャンバー11a内をロータリーポンプに接続されたターボ分子ポンプ20aにより排気して減圧とする。減圧度は、通常1×10-4Pa~1Pa、好ましくは1×10-3Pa~1×10-2Paである。次に、ガス導入口10aよりチャンバー11a内に、イオン注入用のガス以下、イオン注入用ガスということがある。を導入して、チャンバー11a内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。なお、イオン注入用ガスはプラズマ生成ガスでもある。次いで、プラズマ放電用電極4外部電界によりプラズマを発生させる。プラズマを発生させる方法としては、マイクロ波やRF等の高周波電力源等による公知の方法が挙げられる。一方、高電圧導入端子15を介して高電圧印加回転キャン2aに接続されている高電圧パルス電源7aにより、負の高電圧パルス9aが印加される。高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧パルスが印加されると、プラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2aの周囲のフィルムの表面に注入され図1a中、矢印Y、フィルム状の成形体1bが得られる。前述のように、イオンを注入する際の圧力チャンバー11a内のプラズマガスの圧力は、0.01~1Paであるのが好ましく、イオンを注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましく、高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧を印加する際の印加電圧は、-1kV~-50kVであるのが好ましい。次に、図2に示す連続的プラズマイオン注入装置を使用して、シリケート層を表面部に有するフィルムの、前記シリケート層にイオンを注入する方法を説明する。図2に示す装置は、前記δのプラズマイオン注入装置を備える。このプラズマイオン注入装置は、外部電界すなわち、図1におけるプラズマ放電用電極4を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみでプラズマを発生させるものである。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルムフィルム状の成形物1cは、前記図1の装置と同様に高電圧印加回転キャン2bを回転させることによって巻き出しロール3bから図2中矢印X方向に搬送され、巻き取りロール5bに巻き取られる。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置では、前記フィルムのシリケート層の表面部へのイオン注入は次のように行われる。まず、図1に示すプラズマイオン注入装置と同様にしてチャンバー11b内にフィルム1cを設置し、チャンバー11b内をロータリーポンプに接続されているターボ分子ポンプ20bにより排気して減圧とする。そこへ、ガス導入口10bよりチャンバー11b内に、イオン注入用ガスを導入して、チャンバー11b内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。イオンを注入する際の圧力チャンバー11b内のプラズマガスの圧力は、10Pa以下、好ましくは0.01~5Pa、より好ましくは0.01~1Paである。次に、フィルム1cを、図2中Xの方向に搬送させながら、高電圧導入端子図示せずを介して高電圧印加回転キャン2bに接続されている高電圧パルス電源7bから高電圧パルス9bを印加する。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧が印加されると、高電圧印加回転キャン2bの周囲のフィルム1cに沿ってプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2bの周囲の成形体フィルム1cの表面に注入される図2中、矢印Y。フィルム1cのシリケート層の表面部にイオンが注入されると、フィルム表面部にイオン注入層が形成され、フィルム状の成形体1dが得られる。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧を印加する際の印加電圧、パルス幅及びイオンを注入する際の圧力は、図1に示す連続的プラズマイオン注入装置の場合と同様である。図2に示すプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、RFやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、フィルムのシリケート層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、フィルムの表面部にイオン注入層が形成された成形体を量産することができる。3電子デバイス用部材及び電子デバイス本発明の電子デバイス用部材は、本発明の成形体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池用バックシート;等として好適である。本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、無機ELディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、本発明の成形体からなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性と透明性を有する。以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。用いたプラズマイオン注入装置、水蒸気透過率測定装置と測定条件、全光線透過率測定装置、表面抵抗値の測定装置、折り曲げ試験の方法、及びXPSによるガスバリア層イオン注入層の表層部の元素分析の測定装置は以下の通りである。プラズマイオン注入装置RF電源:日本電子社製、型番号RF56000高電圧パルス電源:栗田製作所社製、PV-3-HSHV-0835なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオンを注入する装置である。水蒸気透過率の測定水蒸気透過率は、水蒸気透過率測定装置mocon社製、PERMATRANを使用して測定した。なお、測定は、相対湿度90、40°Cの条件下で行った。全光線透過率の測定全光線透過率測定装置日本電色社製、ヘイズメータNDH2000を使用して、波長550nmの全光線透過率を測定した折り曲げ試験得られた成形体のイオン注入面比較例2,3はシリケート層側、比較例4はSiO2膜側を外側にし、中央部分で半分に折り曲げて、ラミネーターフジプラ社製、LAMIPACKERLPC1502の2本のロール間を、ラミネート速度5m/分、温度23°Cの条件で通した後、折り曲げた部分を顕微鏡で観察100倍してクラック発生の有無を観察した。クラックの発生が認められなかった場合をなし、クラックの発生が認められた場合をありと評価した。XPSによる元素分析X線光電子分光XPS:X-rayPhotoelectronSpectroscopyによる元素分析は、XPS測定装置を使用して下記に示す測定条件で行った。測定装置:PHIQuanteraSXMアルバックファイ社製X線源:AlKαX線ビーム径:100μm電力値:25W電圧:15kV取り出し角度:45°真空度:5.0×10-8Pa実施例1基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルム東洋紡績社製、PET50A-4100、厚さ50μm、以下、PETフィルムという。に、テトラエトキシランの加水分解脱水縮合化合物であるシリケートコーティング液コルコート社製、製品名:コルコートN103-X、シリケートの重量平均分子量:1,000~100,000を塗付、乾燥して厚みが75nmの樹脂層を形成して成形物を得た。次に、前記成形物の樹脂層の表面に、図1に示すプラズマイオン注入装置を用いて、アルゴンArを以下に示す条件にてプラズマイオン注入して成形体1を作製した。プラズマイオン注入の条件プラズマ生成ガス:アルゴンガス流量:100sccmDuty比:1.0繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-15kVRF電源:周波数13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.2m/分実施例2実施例1において、プラズマ生成ガスをヘリウムとした以外は、実施例1と同様にして成形体2を作製した。実施例3実施例1において、プラズマ生成ガスをクリプトンとした以外は、実施例1と同様にして成形体3を作製した。実施例4実施例1において、プラズマ生成ガスを窒素とした以外は、実施例1と同様にして成形体4を作製した。実施例5実施例1において、プラズマ生成ガスを酸素とした以外は、実施例1と同様にして成形体5を作製した。実施例6実施例1において、印加電圧を-10kVとした以外は、実施例1と同様にして成形体6を作製した。実施例7実施例1において、印加電圧を-20kVとした以外は、実施例1と同様にして成形体7を作製した。実施例8実施例1において、樹脂層を形成するための塗付液として、テトラエトキシランの加水分解脱水縮合化合物であるシリケートコーティング液コルコート社製、製品名:コルコートPX、シリケートの重量平均分子量:20,000~30,000を用いる以外は、実施例1と同様にして成形体8を作製した。比較例1厚さ50μmのPETフィルム東洋紡績社製、製品名PET50A-4100をそのまま成形体9として用いた。比較例2実施例1において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして得られた成形体を成形体10とした。比較例3実施例8において、プラズマイオン注入を行わない以外は、実施例8と同様にして得られた成形体を成形体11とした。比較例4厚さ50μmのPETフィルム東洋紡績社製、製品名PET50A-4100上に、スパッタリング法により装置、SiO2層厚みを形成して成形体12を得た。比較例5実施例1において、樹脂層を形成するための塗付液として、ポリオルガノシロキサン系化合物のシリコーン剥離剤信越化学工業社製、製品名:KS835、ポリジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン樹脂を用いる以外は、実施例1と同様にして成形物を作製した。次に、実施例6と同様にしてプラズマイオン注入して成形体13を得た。比較例6実施例1において、樹脂層を形成するための塗付液として、フェニルトリメトキシシラン3.97g20mmol、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン東京化成工業社製4.73g20mmol、トルエン20ml、蒸留水10ml及びリン酸関東化学社製0.10g1molを混合し、室温で24時間反応させて得られたポリオルガノシロキサン系化合物を用いる以外は、実施例1と同様にして成形物を作製した。次に、実施例6と同様にしてプラズマイオン注入して成形体14を得た。実施例1~8、比較例1~6で得られた成形体のそれぞれについて、ガスバリア層の形成材料、イオン注入ガス、及び印加電圧を第1表にまとめた。第1表中、A~Eは、以下の意味を表す。A:シリケートコーティング液コルコート社製、製品名:コルコートN103-X、シリケートの重量平均分子量:1,000~100,000から形成されたポリシロキサン層B:シリケートコーティング液コルコート社製、製品名:コルコートPX、シリケートの重量平均分子量:20,000~30,000から形成されたポリシロキサン層C:スパッタリング法によるSiO2膜D:ポリオルガノシロキサン系化合物のシリコーン剥離剤信越化学工業社製、製品名:KS835、ポリジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン樹脂から形成されたポリシロキサン層E:フェニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランを反応させて得られたポリオルガノシロキサン系化合物から形成されたポリシロキサン層実施例1~8、比較例5、6で得られた成形体のそれぞれについて、X線光電子分光分析装置アルバックファイ社製を用いて、表面から10nm付近の元素分析測定を行うことにより、それぞれのイオンが注入されたことを確認した。また、実施例1~8及び比較例2~6の成形体における、イオン注入層ガスバリア層表層部における、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在割合を測定した結果も第1表に併せて示す。次に、実施例1~8、比較例1~6で得られた成形体1~14のそれぞれについて、水蒸気透過率及び波長550nmにおける全光線透過率を測定した。測定結果を下記第2表に示す。また、実施例1~8、比較例1~6で得られた成形体1~14のそれぞれについて折り曲げ試験を行い、クラックの発生の有無を確認した。結果を第2表に示す。さらに、実施例1~8、比較例1~6で得られた成形体1~14のそれぞれについて、折り曲げ試験後における水蒸気透過率を測定した。測定結果を第2表に示す。第2表から、実施例1~8の成形体1~8は、比較例1~3の成形体9~11に比して、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有していた。また、実施例1~8の成形体1~8は、比較例5、6の成形体13、14に比して波長550nmにおける全光線透過率が高く、透明性に優れていた。さらに、実施例1~8の成形体1~8は、折り曲げ試験後においてクラックの発生がみられず、水蒸気透過率の変化率が小さく、耐折り曲げ性に優れていることがわかった。"