半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、前記ボンディングヘッドの先端でワイヤを前記ボンディングパッドに押し付けて接合する実ボンディングの前に、前記実ボンディング時における前記ボンディングヘッドが前記接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもって前記ボンディングヘッドを前記ボンディングパッドに対して下降させて接触させ、前記接地基準位置を予め取得することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記接地基準位置を取得する工程は、前記ボンディングヘッドが前記ボンディングパッドに接触した後、前記ボンディングヘッドを所定時間停止させる待機工程を有し、前記所定時間経過後の前記ボンディングヘッドの位置を、前記接地基準位置として設定することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記接地基準位置を取得する工程において、前記待機時に前記ボンディングヘッドに与える荷重は、前記ボンディングパッドに対して接触する時に前記ボンディングヘッドに与える荷重よりも低いことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。前記半導体装置は、複数の前記半導体チップが積層された構造を有し、少なくとも1つの前記半導体チップは、すべてのボンディングパッドを前記オーバーハング部に有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記オーバーハング部に形成された前記ボンディングパッドに対する前記実ボンディング時の条件を、前記半導体チップにおける前記支持体に支えられた部分に形成されたボンディングパッドに対する実ボンディング時にも適用することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。実施形態によれば、オーバーハング部のボンディングパッドに対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもって前記ボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、前記接地基準位置を予め取得する。前記実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出した前記オーバーハング部に形成された前記ボンディングパッドに対する前記接地基準位置まで前記ボンディングヘッドを下降させて、前記ボンディングヘッドの先端でワイヤを前記ボンディングパッドに押し付けて接合する。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。本実施形態の半導体装置の製造方法はワイヤボンディング工程を有する。図4は、そのワイヤボンディング工程に用いるワイヤボンディング装置の一例を表す。このワイヤボンディング装置は、半導体チップが搭載された基板を供給するローダ部10と、ワイヤボンディング後の基板を収納するアンローダ部30と、ローダ部10からアンローダ部30へと基板を搬送するフィーダ部20と、半導体チップのボンディングパッドにワイヤを接合するボンディング部40とを有する。フィーダ部20にはワークステージが設けられ、ボンディング部40はワークステージ上の半導体チップに対してワイヤボンディングを行う。ボンディング部40は、水平面内で直交するX軸方向及びY軸方向に移動可能なテーブル50上に設けられている。テーブル50は、X軸モータ51によってX軸方向に移動され、Y軸モータ52によってY軸方向に移動される。ボンディング部40は、テンション機構41、クランパ42、圧電体等の振動子図示せず、超音波ホーン44、キャピラリ21、Z軸モータ45などを有する。テンション機構41には、図示しないスプールから引き出されたワイヤが挿入される。また、テンション機構41は、ワイヤ切れ自動復帰機構を有する。テンション機構41内を通されたワイヤは、クランパ42を経てキャピラリ21に供給される。クランパ42は、キャピラリ21の上方でワイヤをクランプする。キャピラリ21にはワイヤが通される。キャピラリ21は、その先端がボンディングパッドに押し付けられるボンディングヘッドとして機能する。キャピラリ21は超音波ホーン44の先端側に取り付けられている。圧電体等の振動子に電圧を印加することで振動子が振動する。この振動は超音波ホーン44を介してキャピラリ21に伝達する。キャピラリ21は超音波ホーン44ごと、Z軸モータ45によって、X軸方向及びY軸方向に直交するZ軸方向に昇降される。Z軸方向の下方が鉛直下方に対応する。また、実施形態のワイヤボンディング装置は、制御部100を有する。制御部100は、ローダ部10、フィーダ部20及びアンローダ部30の動作、各モータ51、52、45の駆動、振動子への電圧印加など、前述した各構成要素の動作を制御する。次に、実施形態のワイヤボンディング方法について説明する。図2aは、接合対象部の模式図を表す。接合対象部は、半導体チップ11におけるオーバーハング部12に形成されたボンディングパッド13である。半導体チップ11は、支持体基板、他の半導体チップ、スペーサチップ、リードフレームなど14上に積層され、その一部が支持体14から張り出してオーバーハング部12となっている。オーバーハング部12は、支持体14に対して片持ち支持された状態になっている。ボンディングパッド13に対して実際にワイヤをボンディングする実ボンディングの前に、接地基準位置の取得が行われる。接地基準位置は、ボンディングパッド13に向けて下降していくキャピラリ21がボンディングパッド13に接触したときのZ軸方向のキャピラリ21の位置である。図3bは、接地基準位置取得工程におけるキャピラリ21に与えられている荷重の時間変化を表す。なお、図3aは、実ボンディング時におけるキャピラリ21に与えられている荷重の時間変化を表す。なお、荷重を測定する荷重計はボンディングパッド側に配置されている。キャピラリ21は、図4に示すZ軸モータ45の駆動により、超音波ホーン44ごとボンディングパッド13に向けて下降していく。このとき、図示しない例えばエンコーダなどにより、キャピラリ21のZ軸方向の現在位置もしくは下降変位量が検出され、この情報は制御部100に入力する。そして、制御部100は、キャピラリ21を下降させる指令値と、現在位置もしくは下降変位量とを比較している。図3bにおいてキャピラリ21はほぼ一定速度で下降し、時刻t0で、キャピラリ21の先端がボンディングパッド13に接触し、接地基準位置のサーチを開始する。図3bに示すように、時刻t0以降、キャピラリ21の下降が阻害されるので、キャピラリ21に与えられる荷重は徐々に増大していくことになる。そして、キャピラリ21の変動量が無くなってから一定時間経過した時時刻t1をキャピラリ21の位置を接地基準位置とする。この時刻t1が、荷重のピーク位置以下、衝撃荷重と称する場合があるとほぼ重なることになる。ただし、ボンディングパッド13はオーバーハング部12に形成されているため、図2bに示すように、オーバーハング部12が下方に撓む。このため、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した後も、キャピラリ21は若干下降が許容される。オーバーハング部12であっても、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触すると、キャピラリ21の現在位置もしくは下降変位量と、指令値との間に差が生じる。この差に基づいて、制御部100は、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触したことを検出する。そして、制御部100は、キャピラリ21の下降を停止させる。本実施形態では、接地基準位置の取得工程におけるキャピラリ21の下降速度及び時刻t1における衝撃荷重を、図3aに示す実ボンディング時におけるキャピラリ21の下降速度及び時刻t1における衝撃荷重と同じに設定している。ここで、図3cは、比較例の接地基準位置取得工程におけるキャピラリ21に与えられている荷重の時間変化を表す。既存の装置の設定上、図3cに示されるように、接地基準位置取得工程におけるキャピラリ21の下降速度及び衝撃荷重が、実ボンディングにおけるキャピラリ21の下降速度及び衝撃荷重よりも大きかった。これは、オーバーハング部のボンディングパッド13において接地基準位置サーチを行うことを想定していないためである。例えば、図3aに示す実ボンディング時における接地基準位置サーチ時時刻t0から時刻t1までの間のキャピラリ21の下降速度は8mm/秒ほどであり、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触したときの衝撃荷重a1は300~400mNほどであった。これに対して、図3cに示す比較例における接地基準位置サーチ時時刻t0から時刻t1までの間のキャピラリ21の下降速度は20mm/秒ほどであり、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触したときの衝撃荷重b1は700mN以上になることもあった。このため、図3cに示す比較例では、オーバーハング部12が、実ボンディング時のときよりも大きく下方に撓む。これは、接地基準位置の誤検出や、オーバーハング部12が破損につながり得る。この場合であっても、ボンディングパッド13の下に支持体が配置されている場合は半導体チップ11の破損を起こす可能性は低い。しかし、ボンディングパッド13の下に支持体がないオーバーハング部12で接地基準位置取得工程を行うと上記問題が発生する可能性が高くなる。これに対して、本実施形態では、実ボンディングの前に予め接地基準位置を取得する時のサーチ条件を、図3aに示す実ボンディング時における接地基準位置サーチ条件と同じにしている。例えば、本実施形態において、接地基準位置サーチ時時刻t0から時刻t1までの間のキャピラリ21の下降速度は、2~20mm/秒の範囲で設定することができる。また、衝撃荷重a1は、50~500mNの範囲で設定することができる。接地基準位置取得時のサーチ条件を、実ボンディング時のボンディング条件下降速度及び衝撃荷重と同じにすることで、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した後のオーバーハング部12の下方への撓みを抑えることができる。これにより、接地基準位置の誤検出によるボンディング不良や、デバイスの破損を防ぐことができる。なお、接地基準位置取得時のサーチ条件が、実ボンディング時のボンディング条件と同じという表現は、まったく同じであることに限らない。実ボンディング時における接地基準位置サーチ時のキャピラリ21の下降速度に対して±プラスマイナス15の範囲内で、接地基準位置取得時のキャピラリ21の下降速度が相違する場合も同じに含まれる。同様に、実ボンディング時における接地基準位置サーチ時にキャピラリ21に与えられる荷重に対して±プラスマイナス15の範囲内で、接地基準位置取得時にキャピラリ21に与えられる荷重が相違する場合も同じに含まれる。前記±プラスマイナス15の範囲内の相違は、実ボンディング時の設定値で許容されているばらつき範囲であり、その範囲内の相違であれば接地基準位置の検出やデバイスに対して影響がないことが経験的に確認されている。接地基準位置の取得工程において、キャピラリ21の変動量が無くなってから一定時間経過した時時刻t1、キャピラリ21の下降は停止される。その後、図3bに示すように、所定時間Tの間、キャピラリ21に一定荷重a2が与えられた状態でキャピラリ21は待機状態をとる。この後、時刻t2でキャピラリ21は上昇され、ボンディングパッド13から離れる。キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した直後は、その衝撃によりオーバーハング部12が上下に振れている場合がある。オーバーハング部12が上下に振れていると、オーバーハング部12がキャピラリ21を上方に押して、キャピラリ21の位置を変動させてしまう可能性がある。そこで、本実施形態では、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した後、オーバーハング部12の振れが収まるまで、荷重a2で所定時間Tの間、キャピラリ21の上昇を待機させる。そして、所定時間T経過後のキャピラリ21の位置Z軸方向の位置を、接地基準位置として設定する。これにより、正確な接地基準位置を取得することができる。図3cに示す比較例では、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した後、キャピラリ21に荷重b2を与えて、キャピラリ21の上昇を待機させているが、そのときの荷重b2は500mNと大きかった。そのため、その待機中にオーバーハング部12が破損する懸念がある。これに対して、図3bに示す本実施形態では、待機中にキャピラリ21に与える荷重a2は、ボンディングパッド13に対して接触するときにキャピラリ21に与える荷重よりも低く、且つ比較例の待機中の荷重b2よりも低い。実施形態における待機荷重a2は、例えば30mNである。このため、待機中におけるオーバーハング部12の破損を防ぐことができる。また、比較例では大きな待機荷重b2を与えていることから、その荷重b2を与えている待機時間は20m秒ほどであった。これに対して、本実施形態では、より低い待機荷重a2に設定することから、その荷重a2を与えている待機時間を比較例よりも長い100m秒ほどに設定できる。このため、オーバーハング部12の振れを確実に収めることができ、正確な接地基準位置を取得できる。以上説明したようにして、接地基準位置が実ボンディングの前に予め取得される。次に、実ボンディング動作について説明する。キャピラリ21には、例えば金ワイヤ等のワイヤが通される。ファーストボンドの場合には、キャピラリ21に通されたワイヤの先端に、電気トーチなどによりボールが形成される。ボールを形成した後、キャピラリ21を接合対象のボンディングパッド13の上方に移動させる。そして、その位置からキャピラリ21を高速下降させる。そして、キャピラリ21が、前述した方法により予め設定された接地基準位置に達すると、下降速度を変更する。そして、キャピラリ21がボンディングパッド13に接触した後、超音波ホーン44を介して、キャピラリ21に超音波振動を加える。接地基準位置は、例えば、制御部100に設けられた記憶装置に格納されている。そして、キャピラリ21の現在位置Z軸方向の位置は制御部100に入力され、制御部100は記憶装置から接地基準位置を読み出して、キャピラリ21の現在位置と接地基準位置とを比較して、キャピラリ21が接地基準位置に達したどうかを判定する。キャピラリ21がボンディングパッド13と接触したときの衝撃荷重は、図3aに示すようにa1に設定されている。キャピラリ21がボンディングパッド13と接触した位置で、キャピラリ21はその先端で、ボールをボンディングパッド13に押し付けている。その後、図3aに示す荷重a3で所定時間、キャピラリ21はボールをボンディングパッド13に対して押し付ける。なおかつ、ボールとボンディングパッド13との接合面に超音波振動が加えられる。これにより、ワイヤの先端に形成されたボールが、ボンディングパッド13に接合される。なお、荷重a3は、キャピラリ21をボンディングパッド13に対して押し付けるため、一定荷重a2よりも大きくなる場合が多い。このワイヤボンディング後、キャピラリ21は、次の接合対象のボンディングパッドの上方に移動し、そのボンディングパッドに対してワイヤをボンディングする。本実施形態によれば、前述したように、ボンディングパッド13がオーバーハング部12に形成されていても、接地基準位置を正確に検出できるので、実ボンディング時においてもその接地基準位置に基づいて、正確な位置でワイヤボンディングを行うことができる。図5aは、オーバーハング部63を有する半導体装置の一例を表す側面図であり、図5bは、その上面図である。この半導体装置は、基板60上に、複数の半導体チップ61a~61dが積層された構造を有する。半導体チップ61aは、基板60の上面に積層されている。基板60の上面における相対向する2縁部近傍にはそれぞれ、複数のボンディングパッド62が形成されている。そのボンディングパッド62よりも内側の領域に、半導体チップ61aは積層されている。半導体チップ61aの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド64が形成されている。半導体チップ61aの上面には、半導体チップ61bが積層されている。半導体チップ61bは、下の半導体チップ61aのボンディングパッド64に重ならないように、図において右方にずれて、半導体チップ61aの上面に積層されている。そのため、半導体チップ61bは、下の半導体チップ61aから張り出したオーバーハング部63を有する。そのオーバーハング部63には、複数のボンディングパッド64が形成されている。半導体チップ61bの上面には、半導体チップ61cが積層されている。半導体チップ61cは、下の半導体チップ61bのボンディングパッド64に重ならないように、図において左方にずれて、半導体チップ61bの上面に積層されている。そのため、半導体チップ61cは、下の半導体チップ61bから張り出したオーバーハング部63を有する。そのオーバーハング部63には、複数のボンディングパッド64が形成されている。半導体チップ61cの上面には、半導体チップ61dが積層されている。半導体チップ61dは、下の半導体チップ61cのボンディングパッド64に重ならないように、図において右方にずれて、半導体チップ61cの上面に積層されている。そのため、半導体チップ61dは、下の半導体チップ61cから張り出したオーバーハング部63を有する。そのオーバーハング部63には、複数のボンディングパッド64が形成されている。特に、半導体チップの片側にボンディングパッド64を1列に配置した場合、半導体チップ61b、半導体チップ61cおよび半導体チップ61dは、すべてのボンディングパッド64がオーバーハング部63に形成されることになる。半導体チップ61a~61dに形成された各ボンディングパッド64と、基板60に形成されたボンディングパッド62とは、ワイヤ65で接続されている。次に、図1のフローチャートを参照して、図5a及びbに示す半導体装置に対するワイヤボンディング方法について説明する。まず、基板60上に1番目の半導体チップ61aをダイボンディングするステップS1。次に、1番目の半導体チップ61a上に、2番目の半導体チップ61bをダイボンディングするステップS2。次に、1番目の半導体チップ61aに形成されたボンディングパッド64に対してキャピラリ21を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行うステップS3。次に、1番目の半導体チップ61aに形成されたボンディングパッド64に対するワイヤ65のボンディングを行うステップS4。この実ボンディング時における接地基準位置のサーチには、ステップS3で取得した接地基準位置が用いられる。次に、2番目の半導体チップ61bのオーバーハング部63に形成されたボンディングパッド64に対してキャピラリ21を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行うステップS5。次に、2番目の半導体チップ61bに形成されたボンディングパッド64に対するワイヤ65のボンディングを行うステップS6。この実ボンディング時における接地基準位置のサーチには、ステップS5で取得した接地基準位置が用いられる。この半導体装置のワイヤボンディング工程において、接地基準位置の取得を同じ高さの位置にあるボンディングパッドで行うことにより、正確にボンディングすることができる。なお、ステップS2~ステップS6の順序は上述した順序に限られない。ステップS3とステップS5を連続して行い、それぞれの接地基準位置を記憶しておくことにより、製造工程を簡略化することも可能である。1番目の半導体チップ61a及び2番目の半導体チップ61bを、それぞれ基板60に対してワイヤボンディングした後、2番目の半導体チップ61bの上に3番目の半導体チップ61cをダイボンディングするステップS7。次に、3番目の半導体チップ61cのオーバーハング部63に形成されたボンディングパッド64に対してキャピラリ21を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行うステップS8。次に、3番目の半導体チップ61cに形成されたボンディングパッド64に対するワイヤ65のボンディングを行うステップS9。1番目乃至3番目の半導体チップ61a~61cのボンディングが終了した後、3番目の半導体チップ61cの上に4番目の半導体チップ61dをダイボンディングするステップS10。次に、4番目の半導体チップ61dのオーバーハング部63に形成されたボンディングパッド64に対してキャピラリ21を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行うステップS11。次に、4番目の半導体チップ61dに形成されたボンディングパッド64に対するワイヤ65のボンディングを行うステップS12。このように、すべてのボンディングパッド64がオーバーハング部上に形成されている半導体チップ61b~61dを有する半導体装置において、本実施形態の接地基準位置取得方法は有効である。図6aは、オーバーハング部を有する半導体装置の他の具体例を表す側面図であり、図6bは、その上面図である。この半導体装置は、基板70上に、複数の半導体チップ71a~71gが積層された構造を有する。基板70の上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド72が形成されている。基板70の上面には、半導体チップ71aが積層されている。半導体チップ71aは、下の基板70のボンディングパッド72に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71aの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71aの上面には、半導体チップ71bが積層されている。半導体チップ71bは、下の半導体チップ71aのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71bの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71aから張り出している。半導体チップ71bの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71bの上面には、半導体チップ71cが積層されている。半導体チップ71cは、下の半導体チップ71bのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71cの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71bから張り出している。半導体チップ71cの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71cの上面には、半導体チップ71dが積層されている。半導体チップ71dは、下の半導体チップ71cのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71dの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71cから張り出している。半導体チップ71dの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71dの上面には、半導体チップ71eが積層されている。半導体チップ71eは、下の半導体チップ71dのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71eの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71dから張り出している。半導体チップ71eの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71eの上面には、半導体チップ71fが積層されている。半導体チップ71fは、下の半導体チップ71eのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71fの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71eから張り出している。半導体チップ71fの上面における1縁部図において左側の縁部の近傍には、複数のボンディングパッド74が形成されている。半導体チップ71fの上面には、半導体チップ71gが積層されている。半導体チップ71gは、下の半導体チップ71fのボンディングパッド74に重ならない位置に積層されている。半導体チップ71gの一端部図において右端部は、下の半導体チップ71fから張り出している。半導体チップ71aのボンディングパッド74は、基板70のボンディングパッド72とワイヤ75で接続されている。半導体チップ71a~71fのそれぞれのボンディングパッド74は、すぐ上に積層された半導体チップのボンディングパッド74とワイヤ75で接続されている。この半導体装置において、例えば上側3つの半導体チップ71e、半導体チップ71fおよび半導体チップ71gに形成されたボンディングパッド74の下方には、基板70との間に空間が存在する。すなわち、半導体チップ71e、半導体チップ71fおよび半導体チップ71gのボンディングパッド74は、片持ち支持された部分の上に存在し、それらの半導体チップ71e、71f、71gのボンディングパッド74は、オーバーハング部に形成されている。したがって、この半導体装置においても、オーバーハング部に形成されたいずれかのボンディングパッド74で接地基準位置の取得を行うことになり、その接地基準位置に基づいて実ボンディングを行う。図7は、オーバーハング部を有する半導体装置のさらに他の具体例を表す側面図である。この半導体装置は、複数の半導体チップ81a~81pが積層された構造を有する。下側に積層された半導体チップ81a~81iのそれぞれの一端部図において右端部は、下の半導体チップから右方に張り出している。上側に積層された半導体チップ81j~81pのそれぞれは、下の半導体チップのボンディングパッドに重ならない位置に積層され、半導体チップ81j~81pのそれぞれの一端部図において右端部は、下の半導体チップの右端から左方にずれている。この半導体装置において、上側の半導体チップ81i~81pのそれぞれの右端部に形成されたボンディングパッドは上方に露見し、その下方には空間が存在する。すなわち、上側の半導体チップ81i~81pのそれぞれのボンディングパッドは、オーバーハング部Aに形成されている。したがって、この半導体装置においても、オーバーハング部Aに形成されたいずれかのボンディングパッドで接地基準位置の取得を行い、その接地基準位置に基づいて実ボンディングを行う。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。