レリーフテクスチャード加工の透明カバープレート7、700nm未満の層厚さを有する透明導電性酸化物の層、光吸収活性層2及び反射性背面電極3を含む薄膜光起電力素子であって、前記透明導電性酸化物の層が非テクスチャード加工の層6である、前記薄膜光起電力素子。反射性背面電極3がテクスチャード加工されていない、請求項1に記載の素子。透明カバープレート7のみがテクスチャード加工されている、請求項1又は2に記載の素子。透明カバープレート7の受光面がレリーフテクスチャード加工されている、請求項1から3までのいずれか1項に記載の素子。透明カバープレート7が、底面、頂部、並びに底面と頂部とを接続する表面一式を含有する、幾何光学的レリーフ構造の配列を含むことによってレリーフ構造化されている、請求項1から4までのいずれか1項に記載の素子。幾何光学的レリーフ構造の配列が、少なくとも3つのn-多角形表面nは4以上であるによって接続された底面と頂部を有する単一の光学的レリーフ構造を含む、請求項5に記載の素子。レリーフテクスチャード加工の透明カバープレート7がポリマー材料で作られている、請求項1から6までのいずれか1項に記載の素子。レリーフテクスチャード加工のカバープレート7がガラスプレートに適用される、請求項1から7までのいずれか1項に記載の素子。透明導電性酸化物の層がアルミニウムドープ酸化亜鉛で作られている、請求項1から8までのいずれか1項に記載の素子。反射性背面電極3が銀で作られている、請求項1から9までのいずれか1項に記載の素子。光吸収活性層2が複数の異なる吸収材料の層を含む、請求項1から10までのいずれか1項に記載の素子。光吸収活性層2が非晶質シリコンの層と微結晶シリコンの層を含む、請求項11に記載の素子。