"実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下であることを特徴とする酸化物焼結体。酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成される、請求項1記載の酸化物焼結体。チタン酸亜鉛化合物相から構成される、請求項1記載の酸化物焼結体。実質的に酸化チタンの結晶相を含有しない、請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体。チタンの原子価は4価未満である、請求項1~4のいずれかに記載の酸化物焼結体。ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をも含有する、請求項1~5のいずれかに記載の酸化物焼結体。請求項1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下のA及び/またはBを含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を真空中または還元雰囲気あるいは不活性雰囲気中600~1500°Cで焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。A酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉、Bチタン酸亜鉛化合物粉。請求項1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下のA及び/またはBを含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を大気雰囲気中または酸化雰囲気中600~1500°Cで焼結し、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施すことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。A酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉、Bチタン酸亜鉛化合物粉。前記酸化チタン粉が、式:TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンの粉末である請求項7または8記載の方法。前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、アンモニアおよび水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、請求項8または9記載の方法。酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下であることを特徴とする酸化物混合体。前記酸化チタンにおけるチタンの原子価は、4価未満である、請求項11記載の酸化物混合体。ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をも含有する、請求項11又は12に記載の酸化物混合体。請求項11~13のいずれかに記載の酸化物混合体を製造する方法であって、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体に大気雰囲気中または還元雰囲気中50°C以上600°C未満でアニール処理を施すことを特徴とする方法。前記酸化チタン粉が、式:TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンの粉末である請求項14記載の酸化物混合体の製造方法。前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、請求項14または15記載の酸化物混合体の製造方法。スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジションPLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、請求項1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体または請求項11~13のいずれかに記載の酸化物混合体を加工して得られることを特徴とするターゲット。しかしながら、これまでの酸化亜鉛系透明導電膜は、導電性の点では優れるものの、耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などの化学的耐久性に劣るといった欠点があった。そこで、本発明の課題は、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体と、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲットとを提供することにある。本発明者らは、前記課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、酸化亜鉛にチタンをドープさせたチタンドープ酸化亜鉛からなる膜において、チタンのドープ量含有量を、これまで低抵抗を実現するうえで最適とされていたドープ量よりも増量し、亜鉛に比べ化学的耐久性に優れるチタンをより多く含有させるようにすれば、化学的耐久性を向上させることができるのではないかと考えるとともに、その際、チタンのドープ量が従来報告されている最適値から外れることで膜の抵抗率は高くなってしまうであろうことも予測した。ところが、検討を重ねたところ、この予測に反し、チタンのドープ量を従来の最適値よりも多い特定範囲に設定したチタンドープ酸化亜鉛の酸化物焼結体や酸化物混合体をターゲットとして用いて成膜すると、得られる膜の導電性低抵抗と化学的耐久性を両立させることが可能になることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、以下の構成からなる。1実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下であることを特徴とする酸化物焼結体。2酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成される、前記1記載の酸化物焼結体。3チタン酸亜鉛化合物相から構成される、前記1記載の酸化物焼結体。4実質的に酸化チタンの結晶相を含有しない、前記1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体。5チタンの原子価は4価未満である、前記1~4のいずれかに記載の酸化物混合体。6ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をも含有する、前記1~5のいずれかに記載の酸化物焼結体。71~6のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下のA及び/またはBを含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を真空中または還元雰囲気あるいは不活性雰囲気中600~1500°Cで焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。A酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉、Bチタン酸亜鉛化合物粉。8前記1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体を製造する方法であって、以下のA及び/またはBを含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を大気雰囲気中または酸化雰囲気中600~1500°Cで焼結し、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施すことを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。A酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉、Bチタン酸亜鉛化合物粉。9前記酸化チタン粉が、式:TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンの粉末である前記7または8記載の方法。10前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、アンモニアおよび水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、前記8または9記載の方法。11酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下であることを特徴とする酸化物混合体。12前記酸化チタンにおけるチタンの原子価は、4価未満である、前記11記載の酸化物混合体。13ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素をも含有する、前記11または12に記載の酸化物混合体。14前記11~13のいずれかに記載の酸化物混合体を製造する方法であって、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体に大気雰囲気中または還元雰囲気中50°C以上600°C未満でアニール処理を施すことを特徴とする方法。15前記酸化チタン粉が、式:TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンの粉末である前記14記載の酸化物混合体の製造方法。16前記アニール処理の雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、前記14または15記載の酸化物混合体の製造方法。17スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジションPLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、前記1~6のいずれかに記載の酸化物焼結体または前記11~13のいずれかに記載の酸化物混合体を加工して得られることを特徴とするターゲット。本発明によれば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法によって、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を形成することができる。しかも、このようにして形成された透明導電膜は、希少金属であり毒性を有するインジウムを必須としないという利点も有するので、工業的に極めて有用である。酸化物焼結体本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなるチタンドープ酸化亜鉛の焼結体である。ここで、実質的とは、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタンまたは酸素からなることを意味する。本発明の酸化物焼結体においては、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ti/ZnTiが0.02を超え0.1以下である。このTi/ZnTiの値が0.02以下となるチタン含有量であると、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不充分となり、しかも、酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物が形成されにくくなるため焼結体の強度が低下し、ターゲットへの加工が困難になる。一方、Ti/ZnTiの値が0.1を超えるチタン含有量であると、後述するように酸化物焼結体中に含まれないことが望まれる酸化チタン結晶相の形成が避けられなくなり、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が低下する。好ましくは、チタンの含有量は、原子数比でTi/ZnTi=0.03~0.09となる量であり、より好ましくは、原子数比でTi/ZnTi=0.04~0.08となる量である。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成されるか、または、チタン酸亜鉛化合物相から構成されることが好ましい。このように酸化物焼結体中にチタン酸亜鉛化合物相が含まれていると、焼結体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件高電力などで成膜してもクラックを生じることがない。なお、チタン酸亜鉛化合物相とは、具体的には、ZnTiO3、Zn2TiO4のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Zn/Ti比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。また、酸化亜鉛相とは、具体的には、ZnOのほか、これにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。本発明の酸化物焼結体は、実質的に酸化チタンの結晶相を含有しないことが好ましい。酸化物焼結体に酸化チタンの結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗などの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがある。本発明の酸化物焼結体は、上述したTi/ZnTiの値が0.1以下であるので、通常、チタンが酸化亜鉛に完全に反応し、酸化物焼結体中に酸化チタン結晶相は生成されにくい。なお、酸化チタンの結晶相とは、具体的には、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。なかでも、酸化チタンの結晶相は、Ti2O3、TiOを含むのが好ましい。本発明の酸化物焼結体は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素以下、これらを添加元素と称することもあるをも含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、この酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗に加え、酸化物焼結体自体の比抵抗も低下させることができる。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存し、酸化物焼結体自体の比抵抗を下げることにより、成膜時の生産性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、酸化物焼結体をターゲットとして形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。前記添加元素は、酸化物の形態で酸化物焼結体中に存在していてもよいし、前記酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよいし、前記チタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび/または亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよい。本発明の酸化物焼結体は、必須元素である亜鉛およびチタンや前記添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.5以下であることが好ましい。本発明の酸化物焼結体の比抵抗は、5kΩcm以下であることが好ましい。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化物焼結体の比抵抗に依存するので、酸化物焼結体の比抵抗が5kΩcmを超えると、直流スパッタで安定的な成膜を行えないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、本発明の酸化物焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には100Ωcm以下であるのがよい。以上のような本発明の酸化物焼結体は、後述する本発明の酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末として得られたものであってもよい。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。酸化物焼結体の製造方法本発明の酸化物焼結体の製造方法は、以下のA及び/またはBを含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上述した本発明の酸化物焼結体を得る方法である。A酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉もしくは酸化チタン粉と水酸化亜鉛粉との混合粉、Bチタン酸亜鉛化合物粉。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉の混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含むものであればよく、酸化チタン粉と酸亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。上述したように、例えば、チタン金属と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とを組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属とを組み合わせたものを原料粉末としても、本発明の酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。前記酸化チタン粉としては、3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3、2価のチタンからなる酸化チタンTiO等の低原子価酸化チタンの粉末を用いることができ、特にTi2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ti2O3の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。ここでいう低原子価酸化チタンとは、TiOII、Ti2O3IIIという整数の原子価を有するチタンの酸化物ばかりでなく、Ti3O5,Ti4O7,Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等も含み、式TiO2XX=0.1~1で表される範囲のものである。式TiO2XX=0.1~1で示される低原子価酸化チタンは、低原子価酸化チタンの混合物であってもよい。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。この低原子価酸化チタンの構造は、X線回折装置X-RayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析の結果によって確認することができる。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。前記チタン酸亜鉛化合物としては、例えば、ZnTiO3、Zn2TiO4等の粉末を用いることができ、特に、Zn2TiO4の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ5μm以下であることが好ましい。前記式TiO2XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。前記原料粉末として酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合もしくは酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるのであるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなるおそれがある。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、エチルセルロース等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、不活性雰囲気窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン等、真空、還元雰囲気二酸化炭素、水素、アンモニア等、大気雰囲気および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中では、600~1500°Cで行ない、特に酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気中では、1000~1500°Cで行なうのが好ましい。そして、大気雰囲気あるいは酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この大気雰囲気中あるいは酸化雰囲気中で焼結した後に施す不活性雰囲気中、真空中または還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。大気雰囲気、不活性雰囲気、または還元雰囲気のいずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、600°Cまでは5~10°C/分とし、600°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等方圧加圧HIP法、冷間等方圧加圧CIP法、マイクロ波焼結法、ミリ波焼結法等を採用することができる。前記アニール処理を施す際の雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、アニール温度が1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成ZnとTiとの原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。酸化物混合体本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛粉末と酸化チタン粉末とからなる。すなわち、本発明の酸化物混合体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなるチタンドープ酸化亜鉛の混合体である。ここで、実質的とは、酸化物混合体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタンまたは酸素からなることを意味する。本発明の酸化物混合体においては、チタンが原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下となるよう含有されていることが重要である。このTi/ZnTiの値が0.02以下となるチタン含有量であると、この酸化物混合体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性など化学的耐久性が不充分となる。好ましくは、チタンの含有量は、原子数比でTi/ZnTi=0.03~0.09となる量であり、より好ましくは、原子数比でTi/ZnTi=0.04~0.08となる量である。酸化チタン粉末としては、3価のチタンからなる酸化チタンTi2O3、2価のチタンからなる酸化チタンTiO等の低原子価酸化チタンの粉末を用いることができ、特に酸化チタンIIIの粉末が好ましい。なぜなら、酸化チタンIIIの結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。ここでいう低原子価酸化チタンとは、酸化物焼結体の製造方法で述べたものと同様の、式TiO2XX=0.1~1で表される範囲のものであり、その構造は、X線回折装置X-RayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析の結果によって確認することができる。酸化亜鉛粉末は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。本発明の酸化物混合体は、酸化亜鉛粉末と酸化チタン粉末とを混合し、これを成形、例えば一軸プレス成形等したものである。なお、前記式TiO2XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンは、酸化物焼結体の製造方法で述べた方法と同様にして作製することができる。酸化物混合体の機械的強度を増すために、成形した酸化物混合体を600°C以下で加熱してもよい。酸化亜鉛と酸化チタンは、600°C以下で加熱すれば、焼結して複合酸化物であるチタン酸亜鉛化合物となることはない。但し、酸化チタン粉末として酸化チタンIIIを用いる場合、酸化チタンIIIは酸素が存在する雰囲気中大気雰囲気、酸化雰囲気で、400°C以上に加熱すると酸化され、酸化チタンIVに変化してしまうが、酸素が存在しない還元雰囲気、不活性雰囲気で、加熱温度が600°C以下で加熱すれば、酸化されず、かつ焼結せずに混合体として存在することができる。なお、酸素が存在する雰囲気酸化雰囲気、大気雰囲気で加熱する場合は、400°C以下である必要がある。このように加熱することにより酸化物混合体の機械的強度を高くすることができる。混合体自体の強度が増すので、例えばターゲットとして過酷な条件高電力などで成膜してもクラックを生じることがない。本発明の酸化物混合体は、前記した酸化物焼結体と同様に、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の添加元素を、酸化物混合体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下で含有していてもよい。また、本発明の酸化物混合体は、前記した酸化物焼結体と同様に、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として、酸化物混合体を構成する全金属元素の総量に対して原子比で0.5以下含有していてもよい。酸化物混合体の製造方法本発明の酸化物混合体の製造方法は、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を成形し、所定条件でアニール処理を施すことにより、上述した本発明の酸化物混合体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉であればよい。好ましくは、酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を含むものがよい。これらの酸化チタン粉、酸化亜鉛粉および水酸化亜鉛粉としては、前記した酸化物焼結体と同様のものを使用することができる。前記原料粉末として酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合もしくは酸化チタン粉と酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物混合体において原子数比でTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型成形体が得にくくなるおそれがある。得られた成形体は、ついで加熱してアニール処理するのが酸化物混合体の機械的強度を高くするうえで好ましい。アニール処理は、大気雰囲気、不活性雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等または酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、50°C以上600°C未満のアニール温度で行なう。そして、酸化雰囲気または大気雰囲気中でアニール処理した場合、400°C以下で行うことが望ましい。アニール温度が400°Cより高いと、TiO,Ti2O3がTiO2に酸化されてしまうからである。アニールすることにより、混合成形体の機械的強度を高めることができる。いずれの雰囲気中でアニールする際も、アニール時間すなわち、アニール温度での保持時間は、1時間~15時間とすることが好ましい。アニール時間が1時間未満であると、機械的強度の向上が十分ではない。アニールを行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧アニール法、ホットプレス法、HIP法、CIP法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。ターゲット本発明のターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことをタブレットと称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含めターゲットと称することとする。本発明のターゲットは、上述した本発明の酸化物焼結体または酸化物混合体を所定の形状および所定の寸法に加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化物焼結体または酸化物混合体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体または酸化物混合体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。本発明の酸化物焼結体もしくは酸化物混合体または本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などとを兼ね備えたものであるので、例えば、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、本発明の酸化物焼結体もしくは酸化物混合体または本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。<耐湿性>透明導電性基板を、温度60°C、相対湿度90の雰囲気中に1000時間保持する耐湿試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐湿試験後の表面抵抗が、耐湿試験前の表面抵抗の2倍以下であると、耐湿性に優れると言える。<耐熱性>透明導電性基板を、温度200°Cの大気中に5時間保持する耐熱試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐熱試験後の表面抵抗が、耐熱試験前の表面抵抗の1.5倍以下であると、耐熱性に優れると言える。<耐アルカリ性>透明導電性基板を、3のNaOH水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。<耐酸性>透明導電性基板を、3のHCl水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。実施例1<酸化物混合体の製造>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が94:6となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、大気雰囲気中、300°Cにて1時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体1を得た。得られた酸化物混合体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=94:6であったTi/ZnTi=0.06。この酸化物混合体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOと酸化チタンTi2O3の結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体1を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=94:6であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.8×104Ωcmであり、表面抵抗は11.6Ω/□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例2<酸化物混合体の製造>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が95:5となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、500°Cで1時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体2を得た。得られた酸化物混合体2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=95:5であったTi/ZnTi=0.05。この酸化物混合体2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOと酸化チタンTi2O3の結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体2を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=95:5であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.9×104Ωcmであり、表面抵抗は9.8Ω/□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。比較例1<酸化物混合体の製造>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が99:1となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、500°Cで1時間保持することによりアニール処理を施して、酸化物混合体C1を得た。得られた酸化物混合体C1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=99:1であったTi/ZnTi=0.01。次に、得られた酸化物混合体C1を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電性基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力100W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=99:1であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は1.2×103Ωcmであり、表面抵抗は24Ω/□であった。なお、透明導電性基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均90、赤外領域780nm~2700nmで平均70であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の2.3倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の2.0倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性に劣る透明導電膜であることが明らかである。実施例3<酸化物焼結体の製造>実施例1と同様にして得た円盤状成形体を、大気雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1500°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1500°Cで5時間保持することにより焼結し、その後、不活性雰囲気100Ar雰囲気にて1300°Cで5時間アニール処理を行い、酸化物焼結体3を得た。得られた酸化物焼結体3をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=93:7であったTi/ZnTi=0.07。この酸化物焼結体3の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体3を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて実施例1と同様にして、スパッタリング法により基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=93:7であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態を調べところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は6.2×104Ωcmであり、表面抵抗は12.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例4<酸化物焼結体の製造>実施例2と同様にして得た円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体4を得た。得られた酸化物焼結体4をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=94:6であったTi/ZnTi=0.06。この酸化物焼結体4の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体4を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=94:6であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.8×104Ωcmであり、表面抵抗は11.6Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。比較例2<酸化物焼結体の製造>比較例1と同様にして得た円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体C2を得た。得られた酸化物焼結体C2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=98.5:1.5であったTi/ZnTi=0.015。次に、得られた酸化物焼結体C2を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=98.5:1.5であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は8.0×104Ωcmであり、表面抵抗は16Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均70であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の2.1倍であり、耐湿性に劣ることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.8倍であり、耐熱性に劣ることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性に劣る透明導電膜であることが明らかである。実施例5<酸化物焼結体の製造ホットプレス法>酸化亜鉛ZnO、キシダ化学株製、酸化チタンTiOII、株高純度化学研究所製を、亜鉛元素とチタン元素の元素数比が97.0:3.0となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に2mmφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体5を得た。得られた酸化物焼結体5をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3であったTi/ZnTi=0.03。この酸化物焼結体5の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体5を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例6<酸化物焼結体の製造ホットプレス法>酸化亜鉛ZnO、キシダ化学株製、酸化チタンTi2O3III、株高純度化学研究所製を、亜鉛元素とチタン元素の元素数比が97.0:3.0となるように秤量し、ポリプロピレン製の容器に入れ、更に2mmφジルコニア製ボールと混合溶媒としてエタノールを入れた。これをボールミルにより混合し、混合粉末を得た。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体6を得た。得られた酸化物焼結体6をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3であったTi/ZnTi=0.03。この酸化物焼結体6の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体6を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.4×104Ωcmであり、表面抵抗は8.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例7<酸化物焼結体の製造TiOIIの常圧焼結法>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体7を得た。得られた酸化物焼結体7をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3であったTi/ZnTi=0.03。この酸化物焼結体7の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体7を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。比較例3<酸化物焼結体の製造TiOIIの常圧焼結法>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が88:12となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体C3を得た。得られた酸化物焼結体C3をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=88:12であったTi/ZnTi=0.12。この酸化物焼結体C3の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体C3を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=88:12であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は2.1×102Ωcmであり、表面抵抗は420.0Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均66であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であるが高抵抗であることが明らかである。実施例8<酸化物焼結体の製造TiOIIの常圧焼結法>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が93:7となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体8を得た。得られた酸化物焼結体8をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=93:7であったTi/ZnTi=0.07。この酸化物焼結体8の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体8を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=93:7であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.9×104Ωcmであり、表面抵抗は11.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例9<酸化物焼結体の製造TiOIIの常圧焼結法>酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が91:9となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に得られた円盤状成形体を、不活性雰囲気100Ar雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体9を得た。得られた酸化物焼結体9をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=91:9であったTi/ZnTi=0.09。この酸化物焼結体9の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体9を50mmφの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=91:9であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は2.2×103Ωcmであり、表面抵抗は44.0Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均65であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。"