集電体上に、シリコンを含むガスと窒素とを用いた減圧化学的気相成長法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1において、前記シリコンを含むガスの流量は、100sccm以上3000sccm以下であり、前記窒素の流量は、100sccm以上1000sccm以下であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。集電体上に、シリコンを含むガスとヘリウムとを用いた減圧化学的気相成長法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項3において、前記シリコンを含むガスの流量は、100sccm以上3000sccm以下であり、前記ヘリウムの流量は、100sccm以上1000sccm以下であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記シリコンを含むガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、又は塩化シリコンを含むことを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記減圧化学的気相成長法において、加熱温度が595°C以上650°C未満であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項6のいずれ一項において、前記減圧化学的気相成長法において、圧力が10Pa以上100Pa以下であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記ウィスカー群は、複数の針状の突起を含むことを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記集電体を、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、又は化学的気相成長法により形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、前記集電体として、チタンを用いることを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記結晶性シリコン層と対向する正極を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項11において、前記結晶性シリコン層と前記正極との間に、セパレータを有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記結晶性シリコン層は、活物質層として機能することを特徴とする蓄電装置の作製方法。しかしながら、シリコンを負極活物質等の活物質に用いても、理論容量ほど高い放電容量を得ることは困難である。そこで、本発明の一態様では、放電容量の増大等により性能を向上させることが可能な構造を有する、蓄電装置及びその作製方法を提供することを課題とする。又は、本発明の一態様では、充放電を繰り返すことによる電極の劣化の抑制等により性能を向上させることが可能な構造を有する、蓄電装置及びその作製方法を提供することを課題とする。本発明の一形態は、集電体上に、活物質層として、シリコンを含むガス及び窒素を用いた減圧化学的気相成長LPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成する蓄電装置の作製方法である。上記において、シリコンを含むガスの流量は、100sccm以上3000sccm以下であり、窒素の流量は100sccm以上1000sccm以下であることが好ましい。上記において、結晶性シリコン層の表面側には、ひげ状の突起以下、ウィスカーともいう。を複数有している。また、複数のウィスカーが群がり集まって、ウィスカー群を構成している。又は、本発明の一形態は、集電体上に、活物質層として、シリコンを含むガス及びヘリウムを用いたLPCVD法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成する蓄電装置の作製方法である。上記において、シリコンを含むガスの流量は100sccm以上3000sccm以下であり、ヘリウムの流量は100sccm以上1000sccm以下であることが好ましい。上記において、結晶性シリコン層の表面側には、ひげ状の突起ウィスカーともいう。を含む突起を複数有している。また、複数のウィスカーが群がり集まって、ウィスカー群を構成している。上記において、シリコンを含むガスは、水素化シリコン、フッ化シリコン、又は塩化シリコンを含むことが好ましい。上記において、LPCVD法における加熱温度は、595°C以上650°C未満であることが好ましい。上記において、LPCVD法における圧力は、10Pa以上100Pa以下であることが好ましい。本発明の一態様により、放電容量の高い蓄電装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、放電容量の高い蓄電装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、充放電を繰り返すことによる電極の劣化が抑制された蓄電装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、充放電を繰り返すことによる電極の劣化が抑制された蓄電装置の作製方法を提供することができる。又は、本発明の一態様により、性能の高い蓄電装置を提供することができる。又は、本発明の一態様により、性能の高い蓄電装置の作製方法を提供することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、蓄電装置の電極の構造及びその作製方法について、図1、図2、及び図10を用いて説明する。まず、集電体101を準備する図1A参照。集電体101は、電極の集電体として機能する。集電体101として、箔状、板状、又は網状の導電性部材を用いることができる。集電体101には、特に限定されないが、白金、アルミニウム、銅、チタン等に代表される導電性の高い金属元素を用いることができる。なお、集電体101として、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン等の耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金を用いてもよい。また、集電体101として、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素を用いてもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。又は、図2に示すように、電極の集電体として、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、化学的気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法等を用いて基板115上に形成した集電体111を用いてもよい。基板115として、例えばガラス基板を用いることができる。次に、集電体101上に、熱CVD法、好ましくはLPCVD法により、結晶性シリコン層を活物質層103として形成する図1A参照。集電体101と、活物質層103として機能する結晶性シリコン層とによって、蓄電装置の電極が構成される。本実施の形態では、活物質層103として、LPCVD法により結晶性シリコン層を形成する場合について説明する。なお、図1Aでは、集電体101の一表面に活物質層103を形成する例を示しているが、活物質層として結晶性シリコン層を集電体の両面に形成してもよい。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用い、希釈ガスとして窒素を混合させて行う。シリコンを含むガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、塩化シリコン等のガスがあり、代表的には、シランSiH4、ジシランSi2H6、四フッ化珪素SiF4、四塩化珪素SiCl4、六塩化二珪素Si2Cl6等を用いることができる。なお、結晶性シリコン層に、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素を添加してもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素を添加することで結晶性シリコン層における導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成において、加熱温度は、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置及び集電体101が耐えうる温度以下、好ましくは595°C以上650°C未満とする。また、シリコンを含むガスの流量は100sccm以上3000sccm以下、窒素の流量は100sccm以上1000sccm以下とする。また、LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、10Pa以上100Pa以下の圧力において行う。なお、活物質層103として、LPCVD法で形成した結晶性シリコン層を用いることで、集電体101と活物質層103との界面における電子の移動が容易になると共に、密着性を高めることができる。これは、結晶性シリコン層の堆積工程において、材料ガスの活性種が常に堆積中の結晶性シリコン層に供給され、結晶性シリコン層に低密度な領域が形成されにくくなるためである。また、気相成長により集電体101上に結晶性シリコン層を形成するため、蓄電装置の生産性を向上させることができる。また、LPCVD法を用いることにより、一回の堆積工程によって、集電体101の表面及び裏面に対して結晶性シリコン層を形成することができる。そのため、集電体101及びその両面に形成した活物質層として結晶性シリコン層を用いて蓄電装置の電極を構成する場合に、工程数を削減することができる。例えば、積層型の蓄電装置を作製する場合に有効である。図1Aの破線で囲まれた領域105における、集電体101及び活物質層103を拡大した図を図1Bに示す。シリコンを含むガスに窒素を混合させてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成することで、図1Bのように、活物質層103にウィスカー群を形成することができる。活物質層103は、結晶性シリコン領域103aと、結晶性シリコン領域103a上に形成されたウィスカー群からなる結晶性シリコン領域103bとを有する。なお、結晶性シリコン領域103aと結晶性シリコン領域103bとの境界は、明確ではない。そのため、本実施の形態では、結晶性シリコン領域103bの複数の突起の間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ集電体101の表面と平行な平面を、結晶性シリコン領域103aと結晶性シリコン領域103bとの境界として扱う。結晶性シリコン領域103aは、集電体101を覆うように設けられている。結晶性シリコン領域103bにおいて、複数のひげ状の突起ウィスカーともいう。が群がり集まって、ウィスカー群を構成している。ウィスカー群を構成する複数のウィスカーの大部分は、針状の突起円錐状の突起や角錐状の突起を含むであり、その頂部は尖っている。ウィスカー群を構成する複数のウィスカーの大部分が針状の突起であることにより、活物質層103における単位質量当たりの表面積を大きくすることができる。表面積を大きくすることで、蓄電装置の反応物質リチウムイオン等が結晶性シリコンに吸蔵される速度、又は反応物質が結晶性シリコンから放出される速度が、単位質量当たりで増大する。反応物質の吸蔵又は放出の速度が増大することで、高電流密度での反応物質の吸蔵量又は放出量が増大するため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。このように、活物質層がウィスカー群からなる結晶性シリコン層を有し、ウィスカー群に針状の突起を多く含ませることで、蓄電装置の性能を向上させることができる。また、複数のウィスカーが群がり集まって構成されたウィスカー群は、複数のウィスカーが密集しておりウィスカー群を構成するウィスカーの数が多く、また、ウィスカー群の大部分を占める針状の突起はその形状が細長いため、突起同士を絡ませることができる。そのため、蓄電装置の充放電において突起が脱離するのを防ぐことができる。よって、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減し、蓄電装置を長時間使用することができる。また、複数のウィスカーが群がり集まって構成されたウィスカー群は、複数のウィスカーが密集することにより、ウィスカーの形状が細長くても折れにくくなる。そのため、厚さ方向における活物質層の強度が高くなる。活物質層の強度が高くなることで、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減することができる。また、活物質層の強度が高くなることで、振動等による電極の劣化を低減することができる。よって、蓄電装置の耐久性等の性能を向上させることができる。なお、複数の突起は、柱状の突起円柱状の突起や角柱状の突起を含むを含んでいてもよい。また、枝分かれした部位を有する突起や、屈曲した部位を有する突起を含んでいてもよい。針状の突起の径は、5μm以下である。また、針状の突起の軸における長さは、5μm以上30μm以下である。なお、針状の突起の軸における長さとは、突起の頂点を通る軸における、突起の頂点と結晶性シリコン領域103aとの距離に相当する。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bの厚さは、5μm以上20μm以下である。なお、結晶性シリコン領域103bの厚さとは、突起の頂点から結晶性シリコン領域103aの表面までの垂線の長さに相当する。図1Bにおいて、ウィスカー群を構成する複数の突起は、長手方向が揃っていない。そのため、図1Bでは、突起の長手断面形状の他に突起の輪切り断面形状が混在している状態を、円形の領域103dで示している。ここで、長手方向とは、針状の突起が結晶性シリコン領域103aから伸張する方向であり、長手断面形状とは、長手方向に沿った断面形状という。また、輪切り断面形状とは、長手方向に垂直な方向に沿った断面形状をいう。図1Bのように、複数の突起の長手方向が不揃いであると、突起同士が絡みやすくなり、蓄電装置の充放電において突起が脱離しにくく、充放電特性を安定させることができる。なお、図1Bに示すように、集電体101と活物質層103との間に、層107物質層ともいう。を形成してもよい。層107を設けることで、集電体101と活物質層103との界面における抵抗を低減することができるため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。また、層107によって集電体101と活物質層103との間の密着性を高めることができるため、蓄電装置の劣化を低減することができる。例えば、層107は、集電体101を構成する金属元素と活物質層103を構成するシリコンとの混合層であってもよい。この場合、LPCVD法により結晶性シリコン層を活物質層103として形成する際の加熱により、結晶性シリコン層に含まれるシリコンを集電体101に拡散させることで、層107を形成することができる。また、層107は、集電体101を構成する金属元素と活物質層103を構成するシリコンとの化合物層シリサイドを有する層であってもよい。この場合、集電体101を構成する金属元素は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素とする。シリサイドとしては、ジルコニウムシリサイド、チタンシリサイド、ハフニウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ニオブシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、ニッケルシリサイド等がある。なお、図1Bに示すように、集電体101と活物質層103との間に、金属酸化物層109を形成してもよい。金属酸化物層109は、集電体101を構成する金属元素の酸化物層である。なお、層107を有する場合、金属酸化物層109は層107上に設けられる。金属酸化物層109を設けることで、集電体101と活物質層103との間の抵抗を低減することができるため、電極の導電率を高めることができる。そのため、反応物質が吸蔵又は放出する速度を増大させることができ、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。金属酸化物層109は、LPCVD装置の石英製のチャンバーから酸素が脱離し、集電体101が酸化されることで形成される。なお、LPCVD法により結晶性シリコン層を形成する際、チャンバー内に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガスを充填すると、金属酸化物層109は形成されない。例えば、集電体101を、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タングステン等で形成する場合、金属酸化物層109は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化タングステン等の酸化物半導体で形成される。なお、活物質層103として結晶性シリコン層を用いると、当該結晶性シリコン層の表面に導電性の低い自然酸化膜などの酸化膜が形成されてしまう場合がある。そして、充放電の際に、この自然酸化膜などの酸化膜に過剰な負荷が掛かると、電極の機能が低下して、蓄電装置のサイクル特性の向上を妨げる可能性がある。この場合、活物質層103の表面に形成される自然酸化膜などの酸化膜を除去し、当該自然酸化膜などの酸化膜が設けられていない活物質層103の表面に、導電性を有する層1000を形成するとよい図10参照。自然酸化膜などの酸化膜は、フッ酸を含む溶液、又はフッ酸を含む水溶液をエッチャントとするウェットエッチング処理によって除去することができる。また、自然酸化膜などの酸化膜が除去できるのならば、ドライエッチング処理を用いても良い。また、ウェットエッチング処理とドライエッチング処理とを組み合わせて用いてもよい。ドライエッチング処理としては、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法などを用いることができる。導電性を有する層1000は、自然酸化膜などの酸化膜よりも導電性の高いものを用いる。これにより、活物質層103の表面が自然酸化膜などの酸化膜に覆われている場合と比較して、蓄電装置の電極表面の導電性が向上する。よって、充放電の際に、自然酸化膜などの酸化膜に過剰な負荷が掛かって電極の機能が低下するのを防ぐことができるため、蓄電装置のサイクル特性を向上させることができる。導電性を有する層1000は、銅、ニッケル、チタン、マンガン、コバルト、鉄などに代表される、導電性の高い金属元素を用いて形成することができる。特に、銅又はニッケルを用いて形成するのが好ましい。導電性を有する層1000は、上記の金属元素の一以上を含めば良く、金属層としてもよいし、化合物層としても良いし、活物質層103のシリコンとシリサイドを形成しても良い。例えば、導電性を有する層1000としてリン酸鉄などの化合物を用いても良い。なお、導電性を有する層1000として、銅又はニッケルなどの、リチウムとの反応性が低い元素を用いるのが好ましい。銅又はニッケルなどを用いた導電性を有する層1000で活物質層103を覆うことにより、リチウムイオンの吸収放出による体積変化によって剥離するシリコンを活物質層103にとどめておくことができる。よって、充放電を繰り返しても活物質層103が壊れるのを防ぐことができるため、蓄電装置のサイクル特性を向上させることができる。また、導電性を有する層1000は、CVD法やスパッタ法を用いて形成することができる。特に、有機金属気相成長MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いるのが好ましい。以上により、蓄電装置の電極を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態2本実施の形態では、蓄電装置の電極の構造及びその作製方法について、図11及び図12を用いて説明する。まず、集電体1101を準備する図11A参照。集電体1101は、電極の集電体として機能する。集電体1101として、実施の形態1で説明した集電体101と同様の材料を用いることができる。又は、実施の形態1で図2を用いて説明したのと同様に、電極の集電体として、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、CVD法等を用いて基板上に形成した集電体を用いてもよい。基板として、例えばガラス基板を用いることができる。次に、集電体1101上に、熱CVD法、好ましくはLPCVD法により、結晶性シリコン層を活物質層1103として形成する図11A参照。集電体1101と、活物質層1103として機能する結晶性シリコン層とによって、蓄電装置の電極が構成される。本実施の形態では、活物質層1103として、LPCVD法により結晶性シリコン層を形成する場合について説明する。なお、図11Aでは、集電体1101の一表面に活物質層1103を形成する例を示しているが、活物質層として結晶性シリコン層を集電体の両面に形成してもよい。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用い、希釈ガスとしてヘリウムを混合させて行う。シリコンを含むガスとしては、実施の形態1で説明した材料ガスを用いることができる。なお、希釈ガスとして、ヘリウム以外の希ガス例えば、アルゴンを用いてもよい。なお、結晶性シリコン層に、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素を添加してもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素を添加することで結晶性シリコン層における導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成において、加熱温度は、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置及び集電体1101が耐えうる温度以下、好ましくは595°C以上650°C未満とする。また、シリコンを含むガスの流量は100sccm以上3000sccm以下、ヘリウムの流量は100sccm以上1000sccm以下とする。また、LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、10Pa以上100Pa以下の圧力において行う。なお、活物質層1103として、LPCVD法で形成した結晶性シリコン層を用いることで、集電体1101と活物質層1103との界面における電子の移動が容易になると共に、密着性を高めることができる。これは、結晶性シリコン層の堆積工程において、材料ガスの活性種が常に堆積中の結晶性シリコン層に供給され、結晶性シリコン層に低密度な領域が形成されにくくなるためである。また、気相成長により集電体1101上に結晶性シリコン層を形成するため、蓄電装置の生産性を向上させることができる。また、LPCVD法を用いることにより、一回の堆積工程によって、集電体1101の表面及び裏面に対して結晶性シリコン層を形成することができる。そのため、集電体1101及びその両面に形成した活物質層として結晶性シリコン層を用いて蓄電装置の電極を構成する場合に、工程数を削減することができる。例えば、積層型の蓄電装置を作製する場合に有効である。図11Aの破線で囲まれた領域1105における、集電体1101及び活物質層1103を拡大した図を図11Bに示す。シリコンを含むガスにヘリウムを混合させてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成することで、図11Bのように、活物質層1103にウィスカー群を形成することができる。活物質層1103は、結晶性シリコン領域1103aと、結晶性シリコン領域1103a上に形成されたウィスカー群からなる結晶性シリコン領域1103bとを有する。なお、結晶性シリコン領域1103aと結晶性シリコン領域1103bとの境界は、明確ではない。そのため、本実施の形態では、結晶性シリコン領域1103bの複数の突起の間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ集電体1101の表面と平行な平面を、結晶性シリコン領域1103aと結晶性シリコン領域1103bとの境界として扱う。結晶性シリコン領域1103aは、集電体1101を覆うように設けられている。結晶性シリコン領域1103bにおいて、複数のひげ状の突起ウィスカーともいう。が群がり集まって、ウィスカー群を構成している。ウィスカー群を構成する複数のウィスカーの大部分は、針状の突起円錐状の突起や角錐状の突起を含むであり、その頂部は尖っている。なお、ウィスカー群は、針状の突起の他に、柱状の突起円柱状の突起や角柱状の突起を含むを含んでいてもよい。ウィスカー群を構成する複数のウィスカーの大部分が針状の突起であることにより、活物質層1103における単位質量当たりの表面積を大きくすることができる。表面積を大きくすることで、蓄電装置の反応物質リチウムイオン等が結晶性シリコンに吸蔵される速度、又は反応物質が結晶性シリコンから放出される速度が、単位質量当たりで増大する。反応物質の吸蔵又は放出の速度が増大することで、高電流密度での反応物質の吸蔵量又は放出量が増大するため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。このように、活物質層がウィスカー群からなる結晶性シリコン層を有する。そして、ウィスカー群に針状の突起を多く含ませることで、蓄電装置の性能を向上させることができる。また、複数のウィスカーが群がり集まって構成されたウィスカー群は、複数のウィスカーが密集しておりウィスカー群を構成するウィスカーの数が多く、また、ウィスカー群の大部分を占める針状の突起はその形状が細長いため、突起同士を絡ませることができる。そのため、蓄電装置の充放電において突起が脱離するのを防ぐことができる。よって、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減し、蓄電装置を長時間使用することができる。また、複数のウィスカーが群がり集まって構成されたウィスカー群は、複数のウィスカーが密集することにより、ウィスカーの形状が細長くても折れにくくなる。そのため、厚さ方向における活物質層の強度が高くなる。活物質層の強度が高くなることで、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減することができる。また、活物質層の強度が高くなることで、振動等による電極の劣化を低減することができる。よって、蓄電装置の耐久性等の性能を向上させることができる。なお、複数の突起は、枝分かれした部位を有する突起や、屈曲した部位を有する突起を含んでいてもよい。針状の突起の径は、5μm以下である。また、突起の軸における長さは、5μm以上30μm以下である。なお、針状の突起の軸における長さとは、突起の頂点を通る軸における、突起の頂点と結晶性シリコン領域1103aとの距離に相当する。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域1103bの厚さは、5μm以上20μm以下である。なお、結晶性シリコン領域1103bの厚さとは、突起の頂点から結晶性シリコン領域1103aの表面までの垂線の長さに相当する。図11Bにおいて、ウィスカー群を構成する複数の突起は、長手方向が揃っていない。そのため、図11Bでは、突起の長手断面形状の他に突起の輪切り断面形状が混在している状態を、円形の領域1103dで示している。ここで、長手方向とは、針状の突起が結晶性シリコン領域1103aから伸張する方向であり、長手断面形状とは、長手方向に沿った断面形状という。また、輪切り断面形状とは、長手方向に垂直な方向に沿った断面形状をいう。図11Bのように、複数の突起の長手方向が不揃いであると、突起同士が絡みやすくなり、蓄電装置の充放電において突起が脱離しにくく、充放電特性を安定させることができる。なお、図11Bに示すように、集電体1101と活物質層1103との間に、層1107物質層ともいう。を形成してもよい。層1107を設けることで、集電体1101と活物質層1103との界面における抵抗を低減することができるため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。また、層1107によって集電体1101と活物質層1103との間の密着性を高めることができるため、蓄電装置の劣化を低減することができる。層1107としては、実施の形態1で説明した層107と同様の材料を用いることができる。また、層1107は、実施の形態1で説明した層107と同様の方法で形成することができる。なお、活物質層1103として結晶性シリコン層を用いると、当該結晶性シリコン層の表面に導電性の低い自然酸化膜などの酸化膜が形成されてしまう場合がある。そして、充放電の際に、この自然酸化膜などの酸化膜に過剰な負荷が掛かると、電極の機能が低下して、蓄電装置のサイクル特性の向上を妨げる可能性がある。この場合、活物質層1103の表面に形成される自然酸化膜などの酸化膜を除去し、当該自然酸化膜などの酸化膜が設けられていない活物質層1103の表面に、導電性を有する層2000を形成するとよい図12参照。自然酸化膜などの酸化膜は、フッ酸を含む溶液、又はフッ酸を含む水溶液をエッチャントとするウェットエッチング処理によって除去することができる。また、自然酸化膜などの酸化膜が除去できるのならば、ドライエッチング処理を用いても良い。また、ウェットエッチング処理とドライエッチング処理とを組み合わせて用いてもよい。ドライエッチング処理としては、平行平板型RIE法や、ICPエッチング法などを用いることができる。導電性を有する層2000としては、実施の形態1で説明した導電性を有する層1000と同様の材料を用いることができる。また、導電性を有する層2000は、実施の形態1で説明した導電性を有する層1000と同様の方法で形成することができる。以上により、蓄電装置の電極を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態又は実施例と適宜組み合わせて実施することができる。実施の形態3本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図3を用いて説明する。はじめに、蓄電装置の一例として、二次電池の構造について、以下に説明する。二次電池の中でも、LiCoO2等のリチウム含有金属酸化物を用いたリチウムイオン電池は、放電容量が高く、安全性が高い。ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について、説明する。図3Aは、蓄電装置151の平面図であり、図3Aの一点鎖線A-Bの断面図を図3Bに示す。図3Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、端子部159を有する。外装部材153には、ラミネートフィルム、高分子フィルム、金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図3Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163と正極165との間に設けられたセパレータ167と、外装部材153中に満たされる電解質169と、で構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質層173で構成される。負極163として、実施の形態1に示す電極、又は、実施の形態2に示す電極を用いることができる。負極活物質層173には、実施の形態1に示す結晶性シリコン層で形成される活物質層103、又は、実施の形態2に示す結晶性シリコン層で形成される活物質層1103を用いることができる。なお、結晶シリコン層にリチウムをプリドープしてもよい。また、LPCVD装置において、負極集電体171の両面を用いて電極を構成する場合に、負極集電体171を枠状のサセプターで保持しながら結晶性シリコン層で形成される負極活物質層173を形成することで、負極集電体171の両面に同時に負極活物質層173を形成することが可能であるため、工程数を削減することができる。正極165は、正極集電体175及び正極活物質層177で構成される。負極活物質層173は、負極集電体171の一方又は両方の面に形成される。正極活物質層177は、正極集電体175の一方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部159と接続する。また、正極集電体175は、端子部157と接続する。また、端子部157、端子部159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、密封された薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置、角型蓄電装置等、様々な形状の蓄電装置を用いることができる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。正極集電体175には、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175には、箔状、板状、網状等の形状を適宜用いることができる。正極活物質層177には、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、V2O5、Cr2O5、MnO2、その他のリチウム化合物を材料として用いることができる。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンなどの場合、正極活物質層177として、上記リチウム化合物においてリチウムの代わりに、アルカリ金属例えば、ナトリウムやカリウム等、又はアルカリ土類金属例えば、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等、ベリリウム、マグネシウムを用いることもできる。電解質169の溶質には、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質169の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオン、又はアルカリ土類金属イオンの場合、電解質169の溶質として、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等のアルカリ土類金属塩、又はベリリウム塩、マグネシウム塩等を適宜用いることができる。また、電解質169の溶媒としては、リチウムイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つ又は複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒として、ゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167には、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、放電容量が大きい。また、動作電圧が高い。これらのため、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電を繰り返すことによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置の他の一例として、キャパシタについて以下に説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図3Aに示す二次電池の正極活物質層177の代わりに、リチウムイオン及び/又はアニオンを可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。当該材料の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。負極163に実施の形態1に示す負極を用いることで、放電容量が高く、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減した蓄電装置を作製することができる。又は、負極163に実施の形態2に示す負極を用いることで、放電容量が高く、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減した蓄電装置を作製することができる。また、蓄電装置の一形態である空気電池の負極に実施の形態1に示す集電体及び活物質層を用いることで、放電容量が高く、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減した蓄電装置を作製することができる。又は、蓄電装置の一形態である空気電池の負極に実施の形態2に示す集電体及び活物質層を用いることで、放電容量が高く、充放電を繰り返すことによる電極の劣化を低減した蓄電装置を作製することができる。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態3で説明した蓄電装置の応用形態について、図4及び図5を用いて説明する。実施の形態3で説明した蓄電装置は、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう。、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等の電子機器に用いることができる。また、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等の電気推進車両に用いることができる。ここでは、携帯情報端末の例として電子辞書と、電気推進車両の例として車椅子について説明する。図4は電子辞書の斜視図である。なお、図4Bは、図4Aの裏側を示している。電子辞書の本体420は、筐体400、表示部402、表示部404、記録媒体挿入部406、外部接続用端子部408、スピーカー410、操作キー412、電池取り付け部418を有している。また、本体420には、イヤホン416を取り付けるための端子部や、スタイラスペン414を本体420とともに持ち運ぶための収納部等が設けられていてもよい。本体420の電池取り付け部418には、電子辞書の電源として、充電可能な電池又は電池パックを取り付ける。当該電池は繰り返し充電して用いることができるため、乾電池のように使い捨てることがなく、経済的である。電池の充電は、電池を本体420に取り付けたままで行うことができる。この場合、外部の電源装置と接続するためのコネクタを外部接続用端子部408に差し込み、外部接続用端子部408を介して外部の電源装置によって電池を充電することができる。又は、電池を本体420から取り外して充電器に取り付けることで、電池を充電する構成としてもよい。表示部402又は表示部404には、バッテリー残量を表示してもよい。又は、本体420にライトを設けて、バッテリー残量に応じてライトの状態を点灯/非点灯としてもよい。使用者は、バッテリー残量を確認して電池を充電するタイミングを判断することができる。実施の形態3で説明した蓄電装置を、電池又は電池パックに用いることができる。図5は電動式の車椅子501の斜視図である。電動式の車椅子501は、使用者が座る座部503、座部503の後方に設けられた背もたれ505、座部503の前下方に設けられたフットレスト507、座部503の左右に設けられたアームレスト509、背もたれ505の上部後方に設けられたハンドル511を有する。アームレスト509の一方には、車椅子501の動作を制御するコントローラ513が設けられている。座部503の下方のフレーム515を介して、座部503の前下方には、一対の前輪517が設けられ、座部503の後下方には、一対の後輪519が設けられている。後輪519は、モータ、ブレーキ、ギア等を有する駆動部521に接続される。座部503の下方には、バッテリー、電力制御部、制御手段等を有する制御部523が設けられている。制御部523は、コントローラ513及び駆動部521と接続しており、使用者によるコントローラ513の操作により、制御部523を介して駆動部521が駆動し、電動式の車椅子501の前進、後進、旋回等の動作、及び速度を制御する。実施の形態3で説明した蓄電装置を、制御部523のバッテリーに用いることができる。制御部523のバッテリーは、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により、充電をすることができる。なお、電気推進車両が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により、バッテリーの充電をすることができる。実施の形態5本実施の形態では、本発明の一態様に係る蓄電装置の一例である二次電池を、無線給電システム以下、RF給電システムともいう。に用いた場合の一例を、図6及び図7のブロック図を用いて説明する。なお、各ブロック図では、受電装置及び給電装置内の構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。はじめに、RF給電システムの一例について図6を用いて説明する。受電装置600は、給電装置700から供給された電力で駆動する電子機器又は電気推進車両に適用される。その他にも、受電装置600を電力で駆動する装置に適宜適用することができる。電子機器の代表例としては、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう。、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、表示装置、コンピュータ等がある。また、電気推進車両の代表例としては、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、車椅子等がある。また、給電装置700は、受電装置600に電力を供給する機能を有する。図6において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604とを少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702とを少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、又は、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する機能を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、及び二次電池604から電源負荷部610への電力の供給を制御する機能を有する。また、信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602の動作を制御する機能を有する。このようにして、受電装置用アンテナ回路602が発信する信号の強度、周波数等を制御することができる。電源負荷部610は、二次電池604から電力を受け取り、受電装置600を駆動する駆動部である。電源負荷部610の代表例としては、モータ、駆動回路等がある。その他にも、電源負荷部610として、電力を受け取って受電装置600を駆動する装置を適宜用いることができる。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、又は、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る機能を有する。信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701が受信した信号を処理する機能を有する。また、信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701の動作を制御する機能を有する。このようにして、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号の強度、周波数等を制御することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図6で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができるため、何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動するための蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。次に、RF給電システムの他の例について図7を用いて説明する。図7において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604と、整流回路605と、変調回路606と、電源回路607とを、少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702と、整流回路703と、変調回路704と、復調回路705と、発振回路706とを、少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、又は、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する機能を有する。給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受電装置用アンテナ回路602が受け取る場合、整流回路605は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号から直流電圧を生成する機能を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、及び、二次電池604から電源回路607への電力の供給を制御する機能を有する。電源回路607は、二次電池604が蓄電している電圧を、電源負荷部610に必要な電圧に変換する機能を有する。変調回路606は、受電装置600から給電装置700へ信号を送信する何らかの応答をする場合に使用される。電源回路607を有することで、電源負荷部610に供給する電力を制御することができる。このため、電源負荷部610に過電圧が印加されることを低減することが可能であり、受電装置600の劣化や破壊を低減することができる。また、変調回路606を有することで、受電装置600から給電装置700へ信号を送信することが可能である。このため、受電装置600の充電量を判断し、一定量の充電が行われた場合に、受電装置600から給電装置700に信号を送信し、給電装置700から受電装置600への給電を停止させることができる。この結果、二次電池604の充電量を100としないことで、二次電池604の充電回数を増加させることが可能である。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、又は、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る機能を有する。受電装置用アンテナ回路602に信号を送る場合、信号処理回路702は、受電装置600に送信する信号を生成する機能を有する。発振回路706は、一定の周波数の信号を生成する機能を有する。変調回路704は、信号処理回路702が生成した信号と発振回路706で生成された一定の周波数の信号に従って、給電装置用アンテナ回路701に電圧を印加する機能を有する。これにより、給電装置用アンテナ回路701から信号が出力される。一方、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る場合、整流回路703は受け取った信号を整流する機能を有する。復調回路705は、整流回路703が整流した信号から受電装置600が給電装置700に送った信号を抽出する機能を有する。信号処理回路702は、復調回路705によって抽出された信号を解析する機能を有する。なお、RF給電を行うことができれば、各回路の間に他の回路が設けられていてもよい。例えば、受電装置600が信号を受信し整流回路605で直流電圧を生成したあとに、後段に設けられたDC-DCコンバータやレギュレータといった回路によって、定電圧を生成してもよい。これにより、受電装置600内部に過電圧が印加されることを抑制することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図7で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて蓄電量を増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができるため、何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動するための蓄電量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。なお、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用し、受電装置用アンテナ回路602と二次電池604を重ねる場合は、二次電池604の充放電による二次電池604の形状の変形と、当該変形に伴うアンテナの形状の変化によって、受電装置用アンテナ回路602のインピーダンスが変化しないようにすることが好ましい。アンテナのインピーダンスが変化してしまうと、十分な電力供給がなされない可能性があるためである。これを防ぐために、例えば、二次電池604を、金属製又はセラミックス製の電池パックに装填するようにすればよい。なお、その際、受電装置用アンテナ回路602と電池パックは数十μm以上離れていることが望ましい。また、本実施の形態では、充電用の信号の周波数に特に限定はなく、電力が伝送できる周波数であればどの帯域であっても構わない。充電用の信号は、例えば、135kHzのLF帯長波、13.56MHzのHF帯、900MHz~1GHzのUHF帯、又は2.45GHzのマイクロ波帯であってもよい。また、信号の伝送方式としては、電磁結合方式、電磁誘導方式、共鳴方式、マイクロ波方式等様々な種類があるが、適宜選択すればよい。ただし、雨や泥等の、水分を含んだ異物によるエネルギーの損失を抑えるためには、周波数が低い帯域、具体的には、短波である3MHz~30MHz、中波である300kHz~3MHz、長波である30kHz~300kHz、及び超長波である3kHz~30kHzの周波数を利用した電磁誘導方式や共鳴方式を用いることが望ましい。本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成した場合のウィスカー群の形状について、図8及び図9を用いて説明する。<結晶性シリコン層の作製工程>まず、本発明の一態様である結晶性シリコン層の作製工程について説明する。当該結晶性シリコン層については、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により形成する際に、希釈ガスとして窒素を混合した。ガラス基板上に、スパッタリング法により厚さ500nmのチタン膜を形成した。次に、フォトリソグラフィ法によりチタン膜を選択的にエッチングして島状のチタン膜を形成し、これを電極の集電体とした。集電体である島状のチタン膜上に、シリコンを含むガスに窒素を混合させてLPCVD法により、活物質層として結晶性シリコン層を形成した。シリコンを含むガスとしてシランSiH4を用いた。シランの流量を300sccm、窒素の流量を300sccmとして反応室内に導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を600°Cとして、結晶性シリコン層の形成を行った。成膜時間は2時間15分とした。形成された本発明の一態様である結晶性シリコン層のSEMScanningElectronMicroscope写真を図8に示す。図8Aは倍率を1000倍、図8Bは倍率を10000倍に設定して観察した写真である。図8に示すように、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有する突起の径は、最も大きい部分根元部分でおおよそ1.1μm以下であり、ほとんどの突起は尖った頂部を有していた。また、複数のウィスカーが密集してウィスカー群を成していることが確認された。また、ウィスカーの軸における長さは、大きいもので約19μmであった。なお、図8Bより、ウィスカーの本数は、100μm2当たり30本前後であった。<比較用の結晶性シリコン層の作製工程>次に、比較用の結晶性シリコン層の作製工程について説明する。本発明の一態様である結晶性シリコン層と比較用の結晶性シリコン層とは、LPCVD法による形成時の雰囲気ガスが異なり、比較用の結晶性シリコン層の形成時の雰囲気ガスに、窒素を含まない。それ以外の構成は共通しているため、集電体の構成の説明は省略する。集電体である島状のチタン膜上に、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により、活物質層として結晶性シリコン層を形成した。シリコンを含むガスとしてシランSiH4を用いた。シランの流量を300sccmとして反応室内に導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を600°Cとして、結晶性シリコン層の形成を行った。成膜時間は2時間15分とした。形成された比較用の結晶性シリコン層のSEM写真を図9に示す。図9Aは倍率を1000倍、図9Bは倍率を10000倍に設定して観察した写真である。図9に示すように、比較用の結晶性シリコン層が有する突起は、その径が最も大きい部分根元部分でおおよそ1.5μm以下であり、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有する突起と比べて、先端が丸まったものが多かった。また、比較用の結晶性シリコン層では、本発明の一態様である結晶性シリコン層と比較して、全体的に、ウィスカーの本数が少なく、ウィスカーの軸における長さが短いことが確認された。図8及び図9より、本発明の一態様である結晶性シリコン層は、比較用の結晶性シリコン層が有するウィスカーと比べて、細長いウィスカーを多く有していた。また、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有する突起として、比較用の結晶性シリコン層が有する突起よりも径が小さく、先端が鋭く、形状が細長いものが多く観察された。また、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有するウィスカー群を構成する複数のウィスカーは、比較用の結晶性シリコン層のものよりも、密集していることが確認された。以上により、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成する際に、希釈ガスとして窒素を混合することにより、複数のウィスカーが密集したウィスカー群を結晶性シリコン層に設けることができることが示された。本実施例では、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成した場合のウィスカー群の形状について、図13及び図14を用いて説明する。<結晶性シリコン層の作製工程>まず、本発明の一態様である結晶性シリコン層の作製工程について説明する。当該結晶性シリコン層については、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により形成する際に、希釈ガスとしてヘリウムを混合した。ガラス基板上に、スパッタリング法により厚さ500nmのチタン膜を形成した。次に、フォトリソグラフィ法によりチタン膜を選択的にエッチングして島状のチタン膜を形成し、これを電極の集電体とした。集電体である島状のチタン膜上に、シリコンを含むガスにヘリウムを混合させてLPCVD法により、活物質層として結晶性シリコン層を形成した。シリコンを含むガスとしてシランSiH4を用いた。シランの流量を300sccm、ヘリウムの流量を300sccmとして反応室内に導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を600°Cとして、結晶性シリコン層の形成を行った。成膜時間は2時間15分とした。形成された本発明の一態様である結晶性シリコン層のSEM写真を図13に示す。図13Aは倍率を1000倍、図13Bは倍率を3000倍に設定して観察した写真である。図13に示すように、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有する突起の径は、最も大きい部分根元部分でおおよそ1.4μm以下であった。また、複数のウィスカーが密集してウィスカー群を成していることが確認された。また、ウィスカーの軸における長さは、大きいもので約19μmであった。なお、図13Bより、突起の本数は、100μm2当たり40本前後であった。<比較用の結晶性シリコン層の作製工程>比較用の結晶性シリコン層は、実施例1で説明した比較用の結晶性シリコン層と同様の方法により作製した。形成された比較用の結晶性シリコン層のSEM写真を図14に示す。図14Aは倍率を1000倍、図14Bは倍率を3000倍に設定して観察した写真である。図14に示すように、比較用の結晶性シリコン層が有する突起は、その径が最も大きい部分根元部分でおおよそ1.5μm以下であった。また、比較用の結晶性シリコン層では、本発明の一態様である結晶性シリコン層と比較して、全体的に、ウィスカーの本数が少なく、ウィスカーの軸における長さが短いことが確認された。図13及び図14より、本発明の一態様である結晶性シリコン層は、比較用の結晶性シリコン層が有するウィスカーと比べて、細長いウィスカーを多く有していた。また、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有する突起として、比較用の結晶性シリコン層が有する突起よりも、形状が細長いものが多く観察された。また、本発明の一態様である結晶性シリコン層が有するウィスカー群を構成する複数のウィスカーは、比較用の結晶性シリコン層のものよりも、密集していることが確認された。以上により、材料ガスとしてシリコンを含むガスを用いてLPCVD法により結晶性シリコン層を形成する際に、希釈ガスとしてヘリウムを混合することにより、複数のウィスカーが密集したウィスカー群を結晶性シリコン層に設けることができることが示された。