"ワークの凹凸を有する入射面側からワークの分割予定ラインに沿った位置の内部に集光点を位置付け、ワークに対して透過性を有するレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の後に該改質層に外力を加えてワークを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む分割方法であって、該改質層形成工程の前に、該入射面にワークに対して吸収性を有するレーザー光線を照射して該凹凸を除去することによって該入射面を平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする分割方法。該平坦化工程において照射するレーザー光線の断面エネルギー分布が、加工進行方向に直交する方向において一定であることを特徴とする請求項1に記載の分割方法。しかしながら、上述のレーザー加工方法によれば、エッチングや粗い砥石による研削加工によって半導体ウエーハの表面に凹凸が形成されている場合、半導体ウエーハの表面においてレーザー光線が散乱されることによって分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光することができず、結果として、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って精度高く分割できないことがあった。本発明は、上記に鑑みて為されたものであり、分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光可能な分割方法を提供することを目的とする。上記した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る分割方法は、ワークの凹凸を有する入射面側からワークの分割予定ラインに沿った位置の内部に集光点を位置付け、ワークに対して透過性を有するレーザー光線を照射して改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程の後に該改質層に外力を加えてワークを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む分割方法であって、該改質層形成工程の前に、該入射面にワークに対して吸収性を有するレーザー光線を照射して該凹凸を除去することによって該入射面を平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする。また、本発明に係る分割方法は、上記発明において、該平坦化工程において照射するレーザー光線の断面エネルギー分布が、加工進行方向に直交する方向において一定であることを特徴とする。本発明に係る分割方法によれば、分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光させることができる。以下、図面を参照して、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置の構成及びこのレーザー加工装置を用いたワークの分割方法について説明する。レーザー加工装置の構成始めに、図1を参照して、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置の構成について説明する。図1は、本実施の一実施形態であるレーザー加工装置の構成を示す概略斜視図である。図1に示すように、本発明の一実施形態であるレーザー加工装置は、ワーク1を保持するための保持機構2と、保持機構2を加工送り方向であるX方向及び割り出し送り方向であるY方向に移動させるためのXY駆動機構4と、保持機構2によって保持されたワーク1にレーザー光線を照射するためのレーザー照射機構5と、レーザー加工装置を構成する各部の動作を制御してレーザー加工装置を統括的に制御する制御装置6とを備えている。ワーク1は、略円板形状の板状物により構成されている。ワーク1の表面側は互いに直交する分割予定ライン11によって格子状に区画され、区画された領域内にはデバイスが形成されている。ワーク1としては、特に限定されないが、例えばシリコンウエーハ,GaAsウエーハ,SiCウエーハ等の半導体ウエーハ、チップ実装用としてウエーハの裏面側に設けられるDAFDieAttachFilm等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミックス,ガラス,サファイアAl2O3等の無機材料基板、液晶ディスプレイドライバー等の各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料等を例示できる。保持機構2は、ワーク1に応じた大きさのチャックテーブルを主体とするものであり、図示しない吸引手段によって上面である保持面21上に載置されたワーク1を吸引保持する。ワーク1は、図示しない搬送手段によって例えば表面側を上にして保持機構2に搬入され、保持面21上に吸引保持される。このようにワーク1を保持面21上で保持する保持機構2は、円筒部材22の上端に設けられ、円筒部材22内に配設された図示しないパルスモータによってZ方向鉛直方向を軸中心として回転自在な構成となっている。XY駆動機構4は、2段の滑動ブロック41,42を備えている。保持機構2は、円筒部材22を介して2段の滑動ブロック41,42の上に搭載されている。XY駆動機構4は、ボールネジ431やパルスモータ432等によって構成された加工送り機構43を備え、滑動ブロック41は、この加工送り機構43によってX方向への移動が自在である。そして、加工送り機構43が駆動して滑動ブロック41が移動し、レーザー照射機構5に対して保持機構2がX方向に移動することによって、滑動ブロック41に搭載された保持機構2とレーザー照射機構5とをX方向に沿って相対的に移動させる。XY駆動機構4は、ボールネジ441やパルスモータ442等で構成された割り出し送り機構44を備え、滑動ブロック42は、割り出し送り機構44によってY方向への移動が自在である。そして、割り出し送り機構44が駆動して滑動ブロック42が移動し、レーザー照射機構5に対して保持機構2がY方向に移動することによって、滑動ブロック42に搭載された保持機構2とレーザー照射機構5とをY方向に沿って相対的に移動させる。本実施形態では、保持機構2をX方向及びY方向に移動させることによって保持機構2とレーザー照射機構5とを相対的に移動させる構成とした。これに対して、保持機構2を移動させずにレーザー照射機構5をX方向及びY方向に移動させる構成としてもよい。また、保持機構2及びレーザー照射機構5の双方をX方向に沿って逆方向に移動させ、保持機構2及びレーザー照射機構5の双方をY方向に沿って逆方向に移動させてこれらを相対移動させる構成としてもよい。加工送り機構43に対しては、保持機構2の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段45が付設されている。加工送り量検出手段45は、X方向に沿って配設されたリニアスケールや、滑動ブロック41に配設されて滑動ブロック41と共に移動することによってリニアスケールを読み取る読み取りヘッド等で構成されている。同様に、割り出し送り機構44に対しては、保持機構2の割り出し送り量を検出するための割り出し送り量検出手段46が付設されている。割り出し送り量検出手段46は、Y方向に沿って配設されたリニアスケールや、滑動ブロック42に配設されて滑動ブロック42と共に移動することによってリニアスケールを読み取る読み取りヘッド等によって構成されている。レーザー照射機構5は、保持面21上に吸引保持されたワーク1にレーザー光線を照射し、ワーク1の加工すべき位置に沿ってレーザー加工を施すためのものである。制御装置6は、レーザー加工装置の動作に必要な各種データを保持するメモリを内蔵したマイクロコンピュータ等によって構成されている。レーザー照射機構の構成次に、図2を参照して、レーザー照射機構5の構成について説明する。図2は、図1に示すレーザー照射機構の構成を示すブロック図である。図2に示すように、レーザー照射機構5は、発振器51と、強度調整部アッテネータ52と、エネルギー分布調整部53と、ミラー素子54と、集光レンズ55とを備えている。発振器51は、所定波長のレーザー光線を発振するためのものであり、例えばYAGレーザー発振器やYVO4レーザー発振器等からなるレーザー光線発振器、赤外線波長域のレーザー光線を発振する発振器等によって構成されている。強度調整部52は、1/2波長板521と、モータ522と、偏光ビームスプリッタ523と、アブソーバ524とを備えている。1/2波長板521は、モータ522によって回動可能な状態で発振器51の後段に配設されている。1/2波長板521は、その回動角度に応じて発振器51が発振したレーザー光線LBの直線偏光方向を変化させる。偏光ビームスプリッタ523は、1/2波長板521を通過したレーザー光線のうち、所定の直線偏光方向を有するレーザー光線を偏光方向設定部53に向けて透過すると共に、所定の直線偏光方向以外の直線偏光方向を有するレーザー光線をアブソーバ524側に分岐する。アブソーバ524は、偏光ビームスプリッタ523によって分岐されたレーザー光線を吸収するためのものであり、レーザー光線を良好に吸収すべく例えばつや消し黒色系金属によって構成するとよい。エネルギー分布調整部53は、回折光学素子等を用いた一般周知のホモジナイザーであり、加工進行方向に直交する方向において断面エネルギー分布がガウシアン分布であるレーザー光線を加工進行方向に直交する方向において断面エネルギー分布が加工範囲内で一定であるレーザー光線に変換する。ミラー素子54は、1/2波長板531を通過したレーザー光線を集光レンズ55側に向けて反射させるためのものである。集光レンズ55は、ワーク1と対向するように配設され、ワーク1の内部に集光点を位置付けてミラー素子54によって反射されたレーザー光線を集光するものである。分割方法次に、図3及び図4を参照して、上記レーザー加工装置を用いたワークの分割方法について説明する。図3は、本発明の一実施形態である分割工程の流れを示す断面工程図である。図4は、加工進行方向に直交する方向におけるレーザー光線の断面エネルギー分布を示す図である。上記レーザー加工装置を用いてワーク1を分割する際は、始めに、図3aに示すように、レーザー光線LBの入射面であるワーク1の表面に沿って矢印A1方向ワーク1に対して吸収性を有するレーザー光線LBを照射することによって、ワーク1の表面に存在する凹凸101を除去し、ワーク1の表面を平坦化する平坦化工程。ワーク1がシリコンウエーハである場合、ワーク1に対して吸収性を有するレーザー光線として、波長が355[nm]であるレーザー光線を用いることができる。なお、ワーク1の表面を均一に平坦化するように、平坦化工程において照射するレーザー光線のワーク1表面における断面エネルギー分布は、図4に実線R1で示すように、加工進行方向に直交する方向において加工範囲平坦化範囲内で一定であることが望ましいが、図4に一点鎖線R2で示すように、加工進行方向に直交する方向においてガウシアン分布を形成していてもよい。本願発明の発明者らの検討によれば、ドライエッチング処理によって表面の算術平均粗さRaが0.60[um]程度になったシリコンウエーハの表面を平坦化する場合、加工進行方向に直交する方向において断面エネルギー分布が加工範囲平坦化範囲内で一定である波長355[nm],繰り返し周波数80[kHz],出力0.6[W],送り速度100[mm/s]のレーザー光線を1パス照射することによって、約100[um]幅のシリコンウエーハの表面を平坦化Ra=0.05[um]以内できることが知見された。但し、繰り返し周波数は1~1000[kHz]の範囲内、出力は0.1~4[W]の範囲内、送り速度は20~300[mm/s]の範囲内で適宜条件を組み合わせれば15~150[um]幅ほどのシリコンウェーハの表面を1パス照射で平坦化加工が可能であると考えられる。図3aに示す平坦化工程が完了すると、次に図3bに示すように、ワーク1の表面側からワーク1の分割予定ラインに沿った位置の内部に集光点を位置付け、ワーク1に対して透過性を有するレーザー光線LBを分割予定ラインに沿って矢印A2方向照射して改質層102を形成する改質層形成工程。なお、改質層とは、密度,屈折率,機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域,クラック領域,絶縁破壊領域,屈折率変化領域,及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。図3bに示す改質層形成工程が完了すると、最後に図3cに示すように、ワーク1の裏面側に貼り付けられたダイシングテープ100を分割予定ラインに直交する方向矢印A3方向に拡張することによって、改質層102に外力を加えて分割予定ライン11に沿ってワーク1を個々のデバイスDに分割する。これにより、一連の分割工程は終了する。以上の説明から明らかなように、本発明の一実施形態である分割工程によれば、改質層形成工程を実行する前に、ワーク1の表面にワーク1に対して吸収性を有するレーザー光線LBを照射してワーク1の表面に存在する凹凸101を除去する。これにより、改質層形成工程を実行する際に、ワーク1の表面に存在する凹凸101によってレーザー光線LBが散乱されることにより、分割すべき領域の内部にレーザー光線LBを十分に集光できなくなることを抑制できる。以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、上記実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例、及び運用技術等は、全て本発明の範疇に含まれる。"