導体からなるリードと、導体からなり、前記リードの一端を埋め込むことにより、前記一端を中心に前記リードが回転可能なように前記リードを支持するリード支持部と、前記リード支持部よりも小さな弾性率を有する絶縁体からなり、前記リード支持部が上面において露出するように前記リード支持部を上部に埋め込む基体とを備えることを特徴とする実装構造体。前記基体は、PDMSを含むシリコーンゴムからなり、上面を酸化処理されることにより、前記基体の上面と、下面の一部に電極を有するセンサ素子の下面とを接合することを特徴とする請求項1に記載の実装構造体。前記一端は、前記リードが前記リード支持部から離脱しないように、前記リードの他所と異なる形状の端部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の実装構造体。前記リードは、前記基体内において線径が細く形成された屈曲部を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の実装構造体。本発明は、上記問題点を鑑み、環境温度変化等による応力の影響を低減できる実装構造体を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、導体からなるリードと、導体からなり、前記リードの一端を埋め込むことにより、前記一端を中心に前記リードが回転可能なように前記リードを支持するリード支持部と、前記リード支持部よりも小さな弾性率を有する絶縁体からなり、前記リード支持部が上面において露出するように前記リード支持部を上部に埋め込む基体とを備える実装構造体であることを要旨とる。また、本発明の第1の態様に係る実装構造体においては、前記基体は、PDMSを含むシリコーンゴムからなり、上面を酸化処理されることにより、前記基体の上面と、下面の一部に電極を有するセンサ素子の下面とを接合することができる。また、本発明の第1の態様に係る実装構造体においては、前記一端は、前記リードが前記リード支持部から離脱しないように、前記リードの他所と異なる形状の端部を有することができる。また、本発明の第1の態様に係る実装構造体においては、前記リードは、前記基体内において線径が細く形成された屈曲部を有することができる。本発明によれば、環境温度変化等による応力の影響を低減できる実装構造体を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施の形態に係る実装構造体は、図1に示すように、下面に電極12a~12dを有する圧力センサ等のセンサ素子11を基板31に実装する実装構造体である。本発明の実施の形態に係る実装構造体は、図1に示すように、リード23a~23dと、リード23a~23dをそれぞれ支持するリード支持部22a~22dと、リード支持部22a~22dをそれぞれ上部に埋め込む基体21とを備える。リード23は、線状の導体からなり、センサ素子11の電極12と基板31に設けられた配線図示省略とを電気的に接続する。リード支持部22は、導体からなり、リード23の一端を埋め込むことにより、リード23の一端を中心にリード23が所定の範囲で回転可能なように、リード23を支持する。リード支持部22は、導電性ゴム等の弾性材料からなり、リード23が所定の範囲で回転可能な程度の弾性率を有する。基体21は、リード支持部22の弾性率よりも小さな弾性率を有する絶縁体からなり、リード支持部22の上面が基体21の上面において露出するようにリード支持部22を上部に埋め込む。基体21の上部に埋め込まれたリード支持部22は、例えば、リード23の他端側が、リード支持部22の下面から下方に延伸するように、リード23の一端を埋め込む。このようにリード23はリード支持部22及び基体21に支持され、リード支持部22に埋め込まれないリード23の他端側は、基体21の下面から下方に延伸している。下面に電極12a~12dを有するセンサ素子11は、下面を基体21の上面に接合される。基体21の上部に設けられたリード支持部22a~22dは、センサ素子11の電極12a~12dと接触するように配置されている。また、下方に延伸するリード23a~23dの他端側が、はんだ、導電性接着剤等の固定材32a~32dにより、基板31に固定され、センサ素子11は、本発明の実施の形態に係る実装構造体を介して基板31に実装される。本発明の実施の形態に係る実装構造体は、図1bに示すように、環境温度の変化等により基板31が伸縮しても、リード23がリード支持部22に支持されている個所を中心に回転運動するので、センサ素子11にかかる応力を低減できる。よって、本発明の実施の形態に係る実装構造体は、センサ素子11の歪みを低減し、センサ特性の劣化を低減できる。また、リード23がリード支持部22より弾性率の小さな基体21内に保持されていることにより、リード23が容易に回転できるとともに、リード支持部22における破損、リード23の抜け落ちの可能性が低減される。基体21は、nmオーダーの微細な加工が可能なポリジメチルシロキサンPDMSを含むシリコーンゴムからなる。基体21は、型に流し込まれたシリコーンゴムから、数10μm程度に成形される。特開2004-325158号公報に記載されるように、基体21は、センサ素子11の下面が、例えば二酸化ケイ素SiO2を含むガラス基板や、PDMSを含むシリコーンゴム等からなる場合、センサ素子11の下面と強固に結合できる。基体21の上面は、図2aに示すように、オルガノシロキシ基が存在する状態の疎水性表面を有している。図2bに示すように、基体21の上面は、酸素O2、またはオゾンO3を含む雰囲気で、紫外線を照射されることにより酸化処理される。或いは、基体21の上面は、酸素プラズマ処理により酸化処理されても良い。酸化処理が水分を含む雰囲気で行われる場合、活性酸素に水素原子Hが結合し、基体21の上面は、図2cに示すように、ケイ素原子Siに水酸基OHが結合した状態となっている。次に、図2cに示すように、基体21の上面に、センサ素子11の、ガラス基板等からなる下面を密着させると、図3dに示すように、水素結合の作用により、センサ素子11と基体21とが強固に接合される。基体21の上面を酸化処理する工程及びセンサ素子11を接合する工程が、アニール等により脱水された乾燥雰囲気で行われる場合、図3eに示すように、基体21とセンサ素子11との間は、共有結合の作用により、より強固に接合される。リード支持部22に埋め込まれるリード23の一端は、線形、形状を変化させることによりリード支持部22から離脱しないようになっている構成としても良い。例えば、図4aに示すように、リード支持部22に埋め込まれるリード23の一端は、球状の端部231となっており、リード23の、端部231に隣接する個所の線径が細くなっている。図4bに示す例では、リード23の一端が、線径が太く形成された端部232となっており、端部232に隣接する個所の線径が細くなっている。また、図4cに示す例では、リード23の一端が、円錐状に形成された端部233となっており、端部233に隣接する個所の線径が細くなっている。リード支持部22に埋め込まれるリード23の端部が、図4a~cに示すように、他所と異なる形状となっていることにより、リード23がリード支持部22から抜けにくく、また、リード23が端部を中心に容易に回転可能となる。また、図5に示すように、リード23は、基体21内において、屈曲する屈曲部235を有しても良い。屈曲部235は、例えば、リード23の他所より線径が細く形成される。図5bに示すように、リード23が屈曲部235において屈曲することにより、センサ素子11にかかる応力を更に低減できる。また、屈曲部235は、基体21内に埋め込まれているため、屈曲部235の破損の可能性を低減できる。その他の実施の形態上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施の形態においては、基体21の上面に接合するのはセンサ素子11に限るものでなく、他の応力の影響を嫌う素子等を接合しても良い。また、リード23は、すべてセンサ素子11と基板31とを電気的に接続するものに限らず、一部が機械的にのみ接続するものであっても良い。また、リード支持部22は、基体21の上面とリード支持部22の上面とに段差を有するように基体21に埋め込まれても良い。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。