"外部雰囲気中の第1の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第2の気体を吐出する吐出管とを備えるとともに所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続されるプローブに対し、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続されるプローブ接続部と、気体吸引側から第3の気体を吸引するとともに前記第3の気体からダストを取り除いた第4の気体を気体排気側から排気する吸引機と、前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とを接続して密閉する密閉栓と、前記プローブの一部を包囲する筐体と前記筐体の周辺に配置される放電電極および接地電極とを有したイオナイザと、を備え、前記プローブを洗浄する際に、前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され、且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され、且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成され、前記吸引機は、前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスが前記吐出管から前記密閉栓を介して前記吸引管に送られると前記第3の気体として前記吸引管から吸引し、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第4の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記クリーニングガスは、不活性ガスであり且つ帯電させられたドライアイスの粉末粒子を含むとともに、前記ドライアイスの粉末粒子が揮発しないよう、前記ガス供給源から前記吐出管の後端部までが前記外部雰囲気よりも冷却され、前記プローブを洗浄する際には、前記プローブの一部を包囲するよう前記筐体を配置するとともに前記イオナイザによって前記筐体内に放電を発生させることを特徴とするプローブ洗浄装置。外部雰囲気中の第1の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第2の気体を吐出する吐出管とを備えるとともに所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続されるプローブに対し、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続されるプローブ接続部と、気体吸引側から第3の気体を吸引するとともに前記第3の気体からダストを取り除いた第4の気体を気体排気側から排気する吸引機と、を備え、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成され、前記吸引機は、前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスを前記第3の気体として前記吸引管から吸引し、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第4の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送ることを特徴とするプローブ洗浄装置。前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とを接続して密閉する密閉栓をさらに備え、前記プローブを洗浄する際には、前記クリーニングガスが、前記吐出管から前記密閉栓を介して前記吸引管に送られることを特徴とする請求項2に記載のプローブ洗浄装置。前記プローブの一部を包囲する筐体と、前記筐体の周辺に配置される放電電極および接地電極と、を有したイオナイザをさらに備え、前記プローブを洗浄する際には、前記プローブの一部を包囲するよう前記筐体を配置するとともに、前記イオナイザによって前記筐体内に放電を発生させることを特徴とする請求項2または3に記載のプローブ洗浄装置。前記クリーニングガスは、不活性ガスであることを特徴とする請求項2~4のいずれか1つに記載のプローブ洗浄装置。前記クリーニングガスは、ドライアイスの粉末粒子を含んだガスであることを特徴とする請求項2~5のいずれか1つに記載のプローブ洗浄装置。前記ドライアイスの粉末粒子が揮発しないよう、前記ガス供給源から前記吐出管の後端部までが前記外部雰囲気よりも冷却されていることを特徴とする請求項6に記載のプローブ洗浄装置。本発明が解決しようとする課題は、短時間でプローブを洗浄することができるプローブ洗浄装置を提供することである。実施形態によれば、プローブ洗浄装置が提供される。プローブ洗浄装置は、プローブに接続されるプローブ接続部を備えている。前記プローブは、外部雰囲気中の第1の気体を吸引する吸引管と前記外部雰囲気中に第2の気体を吐出する吐出管とを備えている。また、プローブは、所定サイズ以上のダスト数を表面粒子測定器本体が測定する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部が前記表面粒子測定器本体に接続される。前記プローブ接続部は、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部および前記吐出管の後端部に接続される。また、前記プローブ洗浄装置は、気体吸引側から第3の気体を吸引するとともに前記第3の気体からダストを取り除いた第4の気体を気体排気側から排気する吸引機を備えている。そして、前記プローブを洗浄する際に前記吸引管の後端部と前記気体吸引側とが接続され且つ前記吐出管の後端部と前記気体排気側とが接続され且つ前記吸引管の先端部と前記吐出管の先端部とが接続されると、前記吸引機、前記吐出管および前記吸引管を用いた閉ループが構成される。また、前記吸引機は、前記プローブを洗浄する際に前記閉ループが構成されると、ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送り、前記吐出管から吐出されたクリーニングガスを前記第3の気体として前記吸引管から吸引する。さらに、前記吸引機は、吸引したクリーニングガスからダストを取り除いたクリーニングガスを前記第4の気体として排気し、排気したクリーニングガスおよび前記ガス供給源から送出されたクリーニングガスを前記吐出管に送る。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るプローブ洗浄装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図1では、プローブ洗浄装置1Xと、プローブ洗浄装置1Xに接続されるプローブ2Xと、ダスト測定を行う際にプローブ2Xに接続される本体ユニット30Xと、クリーニングガス供給装置15と、を示している。本実施形態のプローブ洗浄装置1Xは、プローブ2Xと接続することにより、プローブ洗浄装置1Xとプローブ2Xとで閉ループの配管を構成し、閉ループの配管内に気体を流すことによってプローブ2Xを洗浄する。プローブ2Xは、吸引吐出部21と、接続部22と、樹脂管23A,23Bと、金属管4A,4Bと、コネクタ12と、を備えている。吸引吐出部21は、プローブ2Xの一方の端部側に配置されており、外部からの気体ダストを含むなどを吸引するとともに外部に対して気体などを吐出する。吸引吐出部21は、接続部22を介して樹脂管23A,23Bに接続され、樹脂管23A,23Bは、それぞれ金属管4A,4Bに接続されている。また、プローブ2Xの他方の端部側には、プローブ洗浄装置1Xおよび後述するコネクタ31Xに対して着脱自在に接続可能なコネクタ12が設けられている。コネクタ12は、金属管4A,4Bに接続されている。コネクタ12は、プローブ2Xをクリーニングする際には、プローブ洗浄装置1Xに接続され、半導体製造装置例えば真空チャンバ内のダスト数を測定する際には、本体ユニット30Xに接続される。これにより、プローブ2Xは、プローブ洗浄装置1Xによって洗浄される際にプローブ洗浄装置1Xに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に本体ユニット30Xに接続される。金属管4Bは、本体ユニット30Xまたはプローブ洗浄装置1Xから送られてくる気体を樹脂管23Bに送る。樹脂管23Bは、金属管4Bからの気体を吸引吐出部21側に送る。吸引吐出部21は、吸引した気体を、樹脂管23Aに送り、樹脂管23Aは、吸引吐出部21からの気体を金属管4Aに送る。金属管4Aは、樹脂管23Aからの気体を本体ユニット30Xまたはプローブ洗浄装置1X側に送る。樹脂管23A,23Bは、例えば管状の柔軟性のある樹脂部材を用いて形成されており、金属管4A,4Bは、例えば管状の導電性部材を用いて形成されている。吸引吐出部21は、吸引した気体を樹脂管23Aに送る第1の配管後述する吸引配管25Aと、樹脂管23Bからの気体を外部に吐出する第2の配管後述する吐出配管25Bと、を備えており、第1および第2の配管を用いた2重構造となっている。接続部22は、吸引配管25Aと樹脂管23Aとを接続し、吐出配管25Bと樹脂管23Bとを接続している。吸引吐出部21は、気体の吸引と吐出とを同時に行なう。ここで、プローブ2Xの構成について説明する。図2は、第1の実施の形態に係るプローブの構成を示す図である。図2のaでは、プローブ2Xの斜視図を示しており、図2のbでは、吸引吐出部21の断面図を示している。プローブ2Xは、第1の配管としての吸引配管25Aと、第2の配管としての吐出配管25Bと、を備えている。吸引配管25Aは、吐出配管25Bよりも小さな径を有しており、吐出配管25B内に配置されている。換言すると、吐出配管25Bは、吸引配管25Aよりも大きな径を有しており、その内部に吸引配管25Aが配置されている。吸引吐出部21では、例えば、吸引配管25Aの中心軸と吐出配管25Bの中心軸とが同軸となるよう、吸引配管25Aと吐出配管25Bが形成されている。吸引吐出部21では、真空チャンバ内などから吸引した気体を吸引配管25Aの内側領域から吸引する。また、吸引吐出部21では、真空チャンバ内などに吐出する気体を吐出配管25Bの内側領域であって且つ吸引配管25Aの外側領域となる領域から吐出する。別言すれば、吸引吐出部21では、中心軸近傍の領域から気体を吸引するとともに、前記中心軸近傍の領域よりも外側の領域外周部近傍の領域から気体を吐出する。プローブ洗浄装置1Xは、密閉栓3と、プローブ用コネクタ13と、配管7A,7B,8B,9と、吸引機10と、開閉バルブ11と、を備えている。配管7A,7B,8B,9は、例えば管状の導電性部材金属部材などを用いて形成されている。密閉栓3は、プローブ2Xを洗浄する際に、プローブ2Xの一方の端部吸引吐出部21側に接続されてプローブ2Xの一方の端部を密閉する。具体的には、密閉栓3は、吸引配管25Aと吐出配管25Bとが所定の空間を介して繋がるよう、プローブ2Xの一方の端部を密閉する。換言すると、吸引配管25Aと吐出配管25Bとは、密閉栓3によって接続されるとともにその周囲が密閉される。密閉栓3がプローブ2Xの一方の端部を密閉することにより、吐出配管25Bから吐出されたクリーニングガスは、密閉栓3によって設けられた所定の空間を介して吸引配管25Aに吸引される。プローブ用コネクタ13は、コネクタ12に対して着脱自在に接続可能なコネクタである。プローブ用コネクタ13は、プローブ2Xをクリーニングする際にプローブ2Xのコネクタ12に接続される。また、プローブ用コネクタ13は、配管7Aに接続され、配管7Aは、吸引機10に接続されている。吸引機10は、例えばサイクロン式の吸引機などであり、配管7Aを介して気体を吸引する。なお、吸引機10は、フィルタなどを備えた吸引機であってもよい。吸引機10は、配管7Aと配管8Bに接続されており、配管7Aを介して吸引したクリーニングガスを配管8Bから排気する。配管8Bは、配管7Bに接続され、配管7Bは、プローブ用コネクタ13に接続されている。したがって、プローブ用コネクタ13は、コネクタ12に接続されることにより、金属管4Aと配管7Aとを接続するとともに、金属管4Bと配管7Bとを接続する。また、配管8Bと配管7Bとの接続位置には、配管9が接続されている。そして、配管9は、クリーニングガス供給装置15に接続されている。したがって、配管8Bと配管9クリーニングガス供給装置15と配管7Bとが接続されている。この構成により、クリーニングガス供給装置15から送出されたクリーニングガスは、配管9および配管7Bを介してプローブ用コネクタ13側に送られる。配管9には開閉バルブ11が設けられており、クリーニングガス供給装置15から配管7Bへのガス供給量が、開閉バルブ11の開閉によって調整される。クリーニングガス供給装置15は、クリーニングガスを供給するガスボンベなどを備えて構成されている。ここでのクリーニングガスは、例えば、窒素N2などの不活性ガス、ドライエアーなどである。クリーニングガスは、常温であってもよいし、室温よりも低い温度であってもよい。また、クリーニングガスには、ドライアイスの粉末粒子などを含めてもよい。クリーニングガス内にドライアイスの粉末粒子を含めておくことにより、プローブ2X内に残留している有機物などにドライアイスが付着し、昇華する際に除去される。したがって、プローブ2X内に残留している有機物などを効率良く除去することが可能となる。また、ドライアイスの粉末粒子を帯電させておいてもよい。これにより、プローブ2X内に残留しているダストのうち帯電しているダストを効率良く除去することが可能となる。なお、クリーニングガス内にドライアイスの粉末粒子を含める場合には、ドライアイスがプローブ2Xに到達する前に揮発しないようプローブ洗浄装置1Xやクリーニングガスを冷却しておいてもよい。また、効率良くダストを除去できるよう、プローブ2Xは温めておいてもよい。例えば、プローブ洗浄装置1Xの配管9および配管7Bとクリーニングガスを冷却しておき,プローブ2Xの金属管4A,4B、樹脂管23A,23B、吸引吐出部21を温めておく。プローブ2Xをクリーニングする際には、クリーニングガス供給装置15から送出された気体クリーニングガスが、配管9と、配管7Bと、金属管4Bと、樹脂管23Bと、を介して、吐出配管25Bに送られる。そして、吐出配管25Bからクリーニングガスが吐出され、密閉栓3内に送り込まれる。密閉栓3内に送り込まれたクリーニングガスは、吸引配管25Aから吸引され、樹脂管23Aと、金属管4Aと、配管7Aと、を介して吸引機10に送られる。そして、吸引機10内でクリーニングガス内のダストが取り除かれた後、配管8Bにクリーニングガスが排気される。さらに、配管8Bに排気されたクリーニングガスと、クリーニングガス供給装置15から送出されたクリーニングガスと、が配管7Bに送り込まれる。このように、プローブ2Xを洗浄する際には、プローブ2Xの一方の端部が密閉栓3で密閉されるとともに、プローブ2Xの他方の端部がプローブ洗浄装置1Xに接続される。これにより、プローブ2Xとプローブ洗浄装置1Xとで配管の閉ループを形成している。そして、プローブ洗浄装置1Xでは、プローブ2Xにクリーニングガスを送出するとともにプローブ2Xからクリーニングガスを吸引し、クリーニングガスからダストを取り除いて再びプローブ2Xにクリーニングガスを送出している。これにより、プローブ洗浄装置1Xでは、閉ループ内でクリーニングガスを循環させている。具体的には、プローブ2Xをクリーニングする際には、配管7B、金属管4B、樹脂管23B、吐出配管25B、吸引配管25A、樹脂管23A、金属管4A、配管7A、吸引機10によって閉ループが形成され、閉ループ内をクリーニングガスが循環する。なお、配管8Bに排気装置を設けてもよい。この排気装置は、吸引機10から配管8Bに排気したクリーニングガスの一部をプローブ洗浄装置1Xの外部に排出する装置である。配管8Bに排気装置を設けることにより、効率良くプローブ2Xを洗浄することが可能となる。本体ユニット30Xは、吸引した気体内に含まれる所定サイズ以上のダスト数を測定する表面粒子測定器などの本体部である。本体ユニット30Xは、気体の送出機能を有した気体送出部図示せずと、気体の吸引機能を有した気体吸引部図示せずと、を備えている。また、本体ユニット30Xは、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に、プローブ2Xのコネクタ12に接続されるコネクタ31Xを備えている。コネクタ31Xは、コネクタ12に着脱自在に接続可能なコネクタである。半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、気体送出部が気体を送出し、気体吸引部が気体を吸引する。気体送出部から送出された気体は、金属管4Bと、樹脂管23Bと、を介して、吐出配管25Bに送られる。そして、吐出配管25Bから気体が吐出され、気体が半導体製造装置例えば真空チャンバの内壁面に吹き付けられる。これにより、真空チャンバの内壁面などに付着しているダストが舞い上がる。真空チャンバ内のダストや気体は、吸引配管25Aから吸引され、樹脂管23Aと、金属管4Aと、を介して気体吸引部に吸引される。本体ユニット30Xによる半導体製造装置のダスト測定は、種々の半導体製造装置に対し、種々のタイミングで行なわれる。また、プローブ洗浄装置1Xによるプローブ2Xの洗浄は、種々のタイミングで行なわれる。例えば、プローブ2Xを用いてダスト数を測定した後に、プローブ2Xは、プローブ洗浄装置1Xによって洗浄される。プローブ洗浄装置1Xによってプローブ2Xが洗浄された後、プローブ2Xを用いて半導体製造装置のダスト測定が行なわれる。そして、ダスト測定で合格となった半導体製造装置を用いて、半導体装置半導体集積回路が製造される。半導体製造装置は、例えば、成膜装置、レジスト塗布装置、露光装置、現像装置、エッチング装置などである。半導体装置を製造する際には、ダスト測定で合格となった半導体製造装置を用いて、基板ウエハ上に半導体膜、金属膜、絶縁膜などが成膜される。そして、このウエハ上にレジストが塗布され、マスクを用いた露光が行なわれる。その後、ウエハが現像されウエハ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターン上からウエハの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する基板上パターンがウエハ上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述したダスト測定、プローブ2Xの洗浄、成膜処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などが繰り返される。なお、本実施の形態では、金属管4Aとプローブ用コネクタ13とを接続するコネクタと、金属管4Bとプローブ用コネクタ13とを接続するコネクタと、を1つのコネクタ12で構成する場合について説明したが、金属管4Aとプローブ用コネクタ13とを接続するコネクタと、金属管4Bとプローブ用コネクタ13とを接続するコネクタと、を別々のコネクタで構成してもよい。同様に、配管7Aとコネクタ12とを接続するコネクタと、配管7Bとコネクタ12とを接続するコネクタと、を別々のコネクタで構成してもよい。また、樹脂管23A,23Bを金属管で構成してもよい。また、金属管4A,4Bを樹脂管で構成してもよい。また、プローブ洗浄装置1Xが密閉栓3を備える構成としてもよいし、プローブ洗浄装置1Xと密閉栓3とを別構成としてもよい。このように第1の実施形態によれば、プローブ2Xとプローブ洗浄装置1Xとで配管の閉ループを形成し、閉ループ内でクリーニングガスを循環させながらクリーニングガスからダストを取り除いているので、短時間でプローブ2Xを洗浄することが可能となる。第2の実施形態つぎに、図3を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、プローブ2Xの周辺にイオナイザを配置し、イオナイザを用いてプローブ2X内のダストを除去する。また、プローブ洗浄装置とプローブ2Xとを接続した状態でプローブ洗浄装置と本体ユニット30Xとを接続できるよう、プローブ洗浄装置を構成しておく。図3は、第2の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図3では、プローブ洗浄装置1Yと、プローブ2Xと、プローブ2Xの周辺に配置されるイオナイザユニット50と、本体ユニット30Xと、クリーニングガス供給装置15と、を示している。なお、図3の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態のプローブ洗浄装置1Xやプローブ2Xと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。本実施形態のプローブ洗浄装置1Yは、プローブ2Xと接続した状態で本体ユニット30Xとも接続できるよう構成されている。プローブ洗浄装置1Yは、プローブ2Xと本体ユニット30Xの両方に接続された状態で、プローブ2Xを洗浄する。また、本体ユニット30Xは、プローブ洗浄装置1Yがプローブ2Xと本体ユニット30Xの両方に接続された状態で半導体製造装置内のダスト数を測定する。また、プローブ洗浄装置1Yは、プローブ洗浄装置1Yとプローブ2Xとで閉ループの配管を構成し、閉ループの配管内に気体を流すことによってプローブ2Xを洗浄する。プローブ洗浄装置1Yは、プローブ洗浄装置1Xの構成要素に加えて、配管16A,16Bと、開閉バルブ切替えバルブ17A,17B,18A,18Bと、本体用コネクタ19と、を備えている。配管16Aの一方の端部は配管7Aに接続され、他方の端部は本体用コネクタ19に接続されている。また、配管16Bの一方の端部は配管7Bに接続され、他方の端部は本体用コネクタ19に接続されている。配管16A,16Bは、例えば管状の導電性部材金属部材などを用いて形成されている。配管16Aには開閉バルブ17Aが設けられており、配管16Bには開閉バルブ17Bが設けられている。また、本体用コネクタ19は、本体ユニット30Xのコネクタ31Xに接続されている。また、配管7Aのうち、配管16Aに接続されている位置と、プローブ用コネクタ13と、の間の配管上には、開閉バルブ18Aが設けられている。また、配管7Bのうち、配管16Bに接続されている位置と、プローブ用コネクタ13と、の間の配管上には、開閉バルブ18Bが設けられている。プローブ2Xを洗浄する際には、開閉バルブ18A,18Bが開けられ、開閉バルブ17A,17Bが閉じられる。そして、プローブ2Xの先端部吸引吐出部21側に密閉栓3が装着される。これにより、プローブ2Xを洗浄する際には、プローブ洗浄装置1Yとプローブ2Xとの間でクリーニングガスが流される。また、本体ユニット30Xを洗浄する際は、開閉バルブ18A,18Bが閉じられ、開閉バルブ17A,17Bが開けられる。これにより、本体ユニット30Xを洗浄する際には、プローブ洗浄装置1Yとプローブ2Xとの間でクリーニングガスが流される。一方、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、プローブ2Xのコネクタ12をプローブ洗浄ユニット1Yのコネクタ13から切り離し、本体ユニット30Xのコネクタ31Xと接続する。開閉バルブ18A,18Bと開閉バルブ17A,17Bと、がともに開けられる。これにより、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、本体ユニット30Xからの気体がプローブ2Xを介して半導体製造装置内に吐出されるとともに半導体製造装置内の気体がプローブ2Xを介して本体ユニット30Xに吸引される。なお、開閉バルブ18Aは、配管7Aのうち、配管16Aに接続されている位置と吸引機10との間の配管上に配置してもよい。また、開閉バルブ18Bは、配管7Bのうち、配管16Bに接続されている位置と吸引機10との間の配管上に配置してもよい。イオナイザユニット50は、吸引吐出部21、接続部22、樹脂管23A,23Bを囲う筐体5と、この筐体5を構成する壁面上に配置された放電電極6Dと、を備えている。筐体5は、例えば、円筒状をなしており、絶縁体を用いて形成されている。また、放電電極6Dは、例えば棒状をなしており、導電性部材を用いて形成されている。放電電極6Dは、筐体5の軸方向と平行な方向が、放電電極6Dの軸方向となるよう筐体5上に配置されている。また、筐体5のうち放電電極6Dに対向する位置には、接地電極6Eが配置されている。プローブ2Xを洗浄する際には、少なくともプローブ2Xの一部吸引吐出部21、接続部22、樹脂管23A,23Bが、筐体5内に格納される。放電電極6Dに電圧を印加することによって、筐体5内で放電が発生し、静電気によって吸引吐出部21、接続部22、樹脂管23A,23B内に付着していたダストを浮かせる。これにより、効率良くプローブ2Xを洗浄することが可能となる。なお、イオナイザユニット50は、金属管4A,4Bを囲う構成であってもよい。また、イオナイザユニット50は、プローブ2X近傍とは異なる位置に配置してもよい。例えば、イオナイザユニット50を、配管9の周辺に配置してもよい。これにより、ドライアイスなどの粉末粒子を帯電させることが可能となる。また、本実施の形態では、イオナイザユニット50とプローブ洗浄装置1Yとを別構成としたが、プローブ洗浄装置1Yがイオナイザユニット50を備える構成としてもよい。また、プローブ2Xがイオナイザユニット50を備える構成としてもよい。また、本実施の形態では、金属管4Aと配管7Aとをコネクタ12とプローブ用コネクタ13とによって接続する場合について説明したが、金属管4Aと配管7Aとを直接接続してもよい。また、金属管4Bと配管7Bとを直接接続してもよい。また、配管16A,16Bと本体ユニット30Xを直接接続してもよい。このように第2の実施形態によれば、イオナイザユニット50を用いてプローブ2Xを洗浄するので、効率良くプローブ2Xを洗浄することが可能となる。また、開閉バルブ17A,17Bの開閉および開閉バルブ18A,18Bの開閉を、切替えることにより、プローブ2Xの洗浄と半導体製造装置内のダスト数測定を切替えることができるので、プローブ2Xの洗浄と、半導体製造装置内のダスト数測定と、を効率良く行なうことが可能となる。第3の実施形態つぎに、図4を用いてこの発明の第3の実施形態について説明する。第3の実施形態では、気体の吐出を行なわず吸引を行なうプローブに対し、プローブの一方の端部と他方の端部とのそれぞれをプローブ洗浄装置に接続することによって、プローブ洗浄装置とプローブとで閉ループの配管を構成する。図4は、第3の実施形態に係るプローブ洗浄装置の構成を示す図である。図4では、プローブ洗浄装置1Zと、プローブ2Yと、プローブ2Yの周辺に配置されるイオナイザユニット50と、本体ユニット30Yと、クリーニングガス供給装置15と、を示している。なお、図4の各構成要素のうちプローブ洗浄装置1X,1Y、プローブ2X、本体ユニット30Xと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。プローブ2Yは、吸引部41と、接続部42と、樹脂管23Cと、金属管4Cと、コネクタ44と、を備えている。吸引部41は、管状部材を用いて形成されている。吸引部41は、プローブ2Yの一方の端部側に配置されており、外部からの気体ダストを含むなどを吸引する。吸引部41は、接続部42を介して樹脂管23Cに接続され、樹脂管23Cは、金属管4Cに接続されている。また、プローブ2Yの他方の端部側には、プローブ洗浄装置1Zおよび後述するコネクタ31Yに対して着脱自在に接続可能なコネクタ44が設けられている。コネクタ44は、金属管4Cに接続されている。コネクタ44は、プローブ2Yをクリーニングする際には、プローブ洗浄装置1Zに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、本体ユニット30Yに接続される。これにより、プローブ2Yは、プローブ洗浄装置1Zによって洗浄される際にプローブ洗浄装置1Zに接続され、半導体製造装置内のダスト数を測定する際に本体ユニット30Yに接続される。また、プローブ2Yを洗浄する際には、吸引部41、接続部42、樹脂管23Cが、筐体5内に格納される。吸引部41は、吸引した気体を、樹脂管23Cに送り、樹脂管23Cは、吸引部41からの気体を金属管4Cに送る。金属管4Cは、樹脂管23Cからの気体を本体ユニット30Yまたはプローブ洗浄装置1Z側に送る。樹脂管23Cは、例えば管状の柔軟性のある樹脂部材を用いて形成されており、金属管4Cは、例えば管状の導電性部材を用いて形成されている。プローブ洗浄装置1Zは、プローブ用コネクタ61と、配管62~65と、接続部67と、吸引機10と、開閉バルブ66と、を備えている。配管62~65は、例えば管状の導電性部材金属部材などを用いて形成されている。プローブ用コネクタ61は、コネクタ44に対して着脱自在に接続可能なコネクタである。プローブ用コネクタ61は、プローブ2Yをクリーニングする際にプローブ2Yのコネクタ44に接続される。また、プローブ用コネクタ61は、配管62に接続されている。したがって、プローブ用コネクタ61は、コネクタ44に接続されることにより、配管62と金属管4Cとを接続する。本実施形態の吸引機10は、配管62と配管63に接続されており、配管62を介して吸引した気体を配管63から排気する。配管63は、配管64に接続されており、配管64は、接続部67に接続されている。また、配管63と配管64との接続位置には、配管65が接続されている。そして、配管65は、クリーニングガス供給装置15に接続されている。この構成により、クリーニングガス供給装置15から送出されたクリーニングガスは、配管65および配管64を介して接続部67側に送られる。配管65には開閉バルブ66が設けられており、クリーニングガス供給装置15から配管64へのガス供給量が、開閉バルブ66の開閉によって調整される。接続部67は、プローブ2Yを洗浄する際に、配管64と吸引部41とが繋がるよう、プローブ2Yの一方の端部吸引部41側に接続される。配管64と吸引部41とが繋がることにより、配管64から吐出されたクリーニングガスは、吸引部41に吸引される。ここで、プローブ洗浄装置1Z吸引機10の排気側とプローブ2Yの吸引側吸引部41との接続部分の構成について説明する。図5は、第3の実施形態に係るプローブ洗浄装置の排気側とプローブの吸引側との接続部分の構成を示す図である。配管64の先端部には接続部67が配置され、吸引部41の先端部近傍先端部から所定の距離だけ接続部42側の位置にOリング45が設けられている。接続部67を吸引部41に接続する際には、吸引部41の先端部を接続部67に挿し込む。そして、Oリング45と接続部67とで配管64および吸引部41の接続位置を密閉する。プローブ2Yをクリーニングする際には、クリーニングガス供給装置15から送出されたクリーニングガスが、配管65と、配管64と、を介して、吸引部41に送られる。吸引部41で吸引されたクリーニングガスは、樹脂管23Cと、金属管4Cと、配管62と、を介して吸引機10に送られる。そして、吸引機10内でクリーニングガス内のダストが取り除かれた後、配管63にクリーニングガスが排気される。さらに、配管63へ排気されたクリーニングガスと、クリーニングガス供給装置15から送出されたクリーニングガスと、が配管64に送り込まれる。このように、プローブ2Yを洗浄する際には、プローブ2Yの一方の端部がプローブ洗浄装置1Zの一方の端部に接続されるとともに、プローブ2Yの他方の端部がプローブ洗浄装置1Zの他方の端部に接続される。これにより、プローブ2Yとプローブ洗浄装置1Zとで配管の閉ループを形成している。そして、プローブ洗浄装置1Zでは、プローブ2Yにクリーニングガスを送出するとともにプローブ2Yからクリーニングガスを吸引し、クリーニングガスからダストを取り除いて再びプローブ2Yにクリーニングガスを送出している。これにより、プローブ洗浄装置1Zでは、閉ループ内でクリーニングガスを循環させている。具体的には、プローブ2Yをクリーニングする際には、配管63、配管64、吸引部41、樹脂管23C、金属管4C、配管62、吸引機10によって閉ループが形成され、閉ループ内をクリーニングガスが循環する。なお、配管63に排気装置を設けてもよい。本体ユニット30Yは、気体の吸引機能を有した気体吸引部図示せずを備えている。また、本体ユニット30Yは、プローブ2Yのコネクタ44に対して着脱自在に接続されるコネクタ31Yを備えている。半導体製造装置内のダスト数を測定する際には、気体吸引部が気体を吸引する。半導体製造装置内のダストや気体は、吸引部41から吸引され、樹脂管23Cと、金属管4Cと、を介して気体吸引部に吸引される。なお、イオナイザユニット50は、第2の実施形態と同様の構成を有しており、その説明を省略する。このように第3の実施形態によれば、プローブ2Yとプローブ洗浄装置1Zとで配管の閉ループを形成し、閉ループ内でクリーニングガスを循環させながらクリーニングガスからダストを取り除いているので、短時間でプローブ2Yを洗浄することが可能となる。このように第1~第3の実施形態によれば、短時間でプローブを洗浄することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"