"昇温速度が100°C/分以上の急速加熱を適用した封着に用いられる封着材料ペーストであって、封着ガラスと低膨張充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとの混合物を含有し、上記封着材料ペースト中の水分量が2体積以下であることを特徴とする封着材料ペースト。レーザ加熱、赤外線加熱、誘電加熱、誘導加熱、又は抵抗加熱による封着に用いられることを特徴とする請求項1に記載の封着材料ペースト。前記封着材料は、レーザ吸収材を0~20質量の範囲で含有し、レーザ加熱による封着に用いられることを特徴とする請求項1に記載の封着材料ペースト。前記低膨張充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化錫系化合物、石英固溶体、及びマイカからなる群から選ばれる少なくとも1種からなり、前記封着材料は前記低膨張充填材を0.1~40質量の範囲で含有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。前記封着ガラスは、酸化物換算表示で、70~90質量の範囲のBi2O3、1~20質量の範囲のZnO、及び2~18質量の範囲のB2O3を含むビスマス系ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の封着材料ペースト。第1の封止領域を備える第1の表面を有する第1のガラス基板を用意する工程と、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える第2の表面を有する第2のガラス基板を用意する工程と、封着ガラスと低膨張充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとの混合物を含有し、上記封着材料ペースト中の水分量が2体積以下である封着材料ペーストを、前記第1の封止領域および/又は前記第2の封止領域に塗布した後、前記封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層を形成する工程と、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを、前記第1の表面と前記第2の表面とが対向するように前記封着材料層を介して積層する工程と、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との積層物を100°C/分以上の昇温速度で加熱し、前記封着材料層を溶融させて前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間に設けられる電子素子部を封止する封着層を形成する工程とを具備することを特徴とする電子デバイスの製造方法。前記封着材料層をレーザ加熱、赤外線加熱、誘電加熱、誘導加熱、又は抵抗加熱により溶融させることを特徴とする請求項6に記載の電子デバイスの製造方法。前記封着材料は、レーザ吸収材を含有すると共に、前記第1のガラス基板又は前記第2のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射して溶融させることを特徴とする請求項6に記載の電子デバイスの製造方法。前記低膨張充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化錫系化合物、石英固溶体、及びマイカからなる群から選ばれる少なくとも1種からなり、前記封着材料は前記低膨張充填材を0.1~40質量の範囲で含有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法。前記封着ガラスは、70~90質量の範囲のBi2O3、1~20質量の範囲のZnO、及び2~18質量の範囲のB2O3を含むビスマス系ガラスからなることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法。本発明の目的は、2枚のガラス基板間の封着に、昇温速度が100°C/分以上の急熱急冷プロセスを適用するにあたって、急熱急冷プロセスに起因して封着層に生じる泡を再現性よく抑制することを可能にした封着材料ペーストと、そのような封着材料ペーストを用いることによって、封止性やその信頼性を向上させることを可能にした電子デバイスの製造方法を提供することにある。本発明の封着材料ペーストは、昇温速度が100°C/分以上の急速加熱を適用した封着に用いられる封着材料ペーストであって、封着ガラスと低膨張充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとの混合物を含有し、上記封着材料ペースト中の水分量が2体積以下であることを特徴としている。本発明の電子デバイスの製造方法は、第1の封止領域を備える第1の表面を有する第1のガラス基板を用意する工程と、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える第2の表面を有する第2のガラス基板を用意する工程と、封着ガラスと低膨張充填材とを含有する封着材料と、有機樹脂を有機溶剤に溶解してなるビヒクルとの混合物を含有し、上記封着材料ペースト中の水分量が2体積以下である封着材料ペーストを、前記第1の封止領域及び/又は前記第2の封止領域に塗布した後、前記封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層を形成する工程と、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを、前記第1の表面と前記第2の表面とが対向するように前記封着材料層を介して積層する工程と、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との積層物を100°C/分以上の昇温速度で加熱し、前記封着材料層を溶融させて前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間に設けられる電子素子部を封止する封着層を形成する工程とを具備することを特徴としている。本発明の封着材料ペースト及び電子デバイスの製造方法によれば、昇温速度が100°C/分以上の急速加熱に起因する封着層の泡の発生を再現性よく抑制することができる。従って、電子デバイスの封止性やその信頼性を向上させることが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図1ないし図5は本発明の実施形態による電子デバイスの製造工程を示す図である。ここで、本発明の実施形態の製造方法を適用する電子デバイスとしては、OELD、PDP、LCD等のFPD、OEL素子等の発光素子を使用した照明装置、あるいは色素増感型太陽電池のような封止型の太陽電池が挙げられる。まず、図1aに示すように、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とを用意する。第1及び第2のガラス基板1と2には、例えば各種公知の組成を有する無アルカリガラスやソーダライムガラス等で形成されたガラス基板が用いられる。無アルカリガラスは35~40×10-7/°C程度の熱膨張係数を有している。ソーダライムガラスは80~90×10-7/°C程度の熱膨張係数を有している。第1のガラス基板1は、図2及び図3に示すように、素子領域3が設けられた表面1aを有している。素子領域3には対象物である電子デバイスに応じた電子素子部4が設けられる。電子素子部4は、例えばOELDやOEL照明であればOEL素子、PDPであればプラズマ発光素子、LCDであれば液晶表示素子、太陽電池であれば色素増感型太陽電池素子色素増感型光電変換素子を備えている。OEL素子のような発光素子や色素増感型太陽電池素子等を備える電子素子部4は各種公知の構造を有している。この実施形態は電子素子部4の素子構造に限定されるものではない。第1のガラス基板1の表面1aには、素子領域3の外周に沿って第1の封止領域5が設けられている。第1の封止領域5は素子領域3を囲うように設けられている。第2のガラス基板2は、第1のガラス基板1の表面1aと対向する表面2aを有している。第2のガラス基板2の表面2aには、図4及び図5に示すように、第1の封止領域5に対応する第2の封止領域6が設けられている。第1及び第2の封止領域5と6は、封着層の形成領域となる。例えば、第2の封止領域6に封着材料層を形成する場合については、封着材料層の形成領域が封止領域となる。電子素子部4は、第1のガラス基板1の表面1aと第2のガラス基板2の表面2aとの間に設けられる。図1に示す電子デバイスの製造工程において、第1のガラス基板1は素子用ガラス基板を構成しており、その表面1aにOEL素子やPDP素子等の素子構造体が電子素子部4として形成される。第2のガラス基板2は第1のガラス基板1の表面1aに形成された電子素子部4の封止用ガラス基板を構成するものである。ただし、電子素子部4の構成はこれに限られるものではない。例えば、電子素子部4が色素増感型太陽電池素子等の場合には、第1及び第2のガラス基板1と2の各表面1a及び2aに、素子構造を形成する配線膜や電極膜等の素子膜が形成される。電子素子部4を構成する素子膜やそれらに基づく素子構造体は、第1及び第2のガラス基板1と2の表面1a及び2aの少なくとも一方に形成される。第2のガラス基板2の封止領域6には、図1a、図4、及び図5に示すように、枠状の封着材料層7が形成される。封着材料層7は封着材料の焼成層である。封着材料は主成分としての封着ガラスに低膨張充填材を添加し、さらに必要に応じて封着材料層7の加熱方法に応じた無機充填材を添加したものである。例えば、封着材料層7の加熱にレーザ加熱や赤外線加熱を適用する場合、封着材料にはレーザ吸収材や赤外線吸収材等の電磁波吸収材が添加される。誘電加熱を適用する場合には誘電材料、また誘導加熱や抵抗加熱を適用する場合には、導電材料等の無機充填材が配合される。封着材料は、これら以外の充填材や添加材を必要に応じて含有していてもよい。封着ガラスすなわち、ガラスフリットには、例えばビスマス系ガラス、錫-リン酸系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス等の低融点ガラスが用いられる。これらのうち、ガラス基板1及び2に対する封着性すなわち、接着性やその信頼性例えば、接着信頼性や密閉性、さらには環境や人体に対する影響性等を考慮して、ビスマス系ガラスや錫-リン酸系ガラスからなる低融点の封着ガラスを使用することが好ましい。この実施形態の製造方法は、特に封着ガラスガラスフリットにビスマス系ガラスを使用する場合に好適である。ビスマス系ガラスガラスフリットは、下記酸化物基準の質量百分率表示で、70~90質量、好ましくは72~88質量のBi2O3、1~20質量、好ましくは3~18質量のZnO、及び2~18質量、好ましくは2~15質量のB2O3を含む組成を有することが好ましい。Bi2O3はガラスの網目を形成する成分である。Bi2O3の含有量が70質量未満であるとガラスフリットの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Bi2O3の含有量が90質量を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。ZnOは熱膨張係数等を下げる成分である。ZnOの含有量が1質量未満であるとガラス化が困難になる。ZnOの含有量が20質量を超えるとガラス成形時の安定性が低下し、失透が発生しやすくなって、ガラスが得られないおそれがある。B2O3はガラスの骨格を形成してガラス化が可能な範囲を広げる成分である。B2O3の含有量が2質量未満であるとガラス化が困難になる。B2O3の含有量が18質量を超えると軟化点が高くなりすぎて、封着時に荷重をかけたとしても低温で封着することが困難になる。Bi2O3、ZnO、及びB2O3の3成分基本成分で形成されるガラスは、転移点が低く、低温用の封着材料に適しているが、Al2O3、CeO2、CuO、Fe2O3、Ag2O、WO3、MoO3、Nb2O3、Ta2O5、Ga2O3、Sb2O3、Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、CaO、SrO、BaO、WO3、SiO2、P2O5、SnOxxは1又は2である等の任意成分を含有してもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は30質量以下とすることが好ましく、20質量以下がより好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には100質量となるように調整される。任意成分の含有量は、下記の酸化物基準の質量百分率表示である。上述した任意成分のうち、Al2O3は熱膨張係数を下げ、かつ焼成時の低融点ガラスの安定性を向上させる成分である。Al2O3の含有量は、0~5質量の範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは0.1~5質量の範囲である。Al2O3の含有量が5質量を超えるとガラスの粘性が上がり、低融点ガラス中にAl2O3が未溶融物として残りやすくなる。Al2O3を0.1質量以上含有させることによって、焼成時の低融点ガラスの安定性をより有効に高めることが可能となる。Fe2O3は粘性をほとんど増大させることなく、封着時におけるガラスの結晶化を抑制して封着可能温度域を広げる成分である。ただし、Fe2O3を過剰に添加するとガラス化範囲が狭くなるため、その含有量は0~0.5質量の範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは0.01~0.2質量の範囲である。CuOはガラスの粘性を下げ、特に低温側での封着可能温度域を広げる成分であり、その含有量は0~5質量の範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは0.1~3質量の範囲である。CuOの含有量が5質量を超えると結晶の析出速度が大きくなり、高温側での封着可能温度域が狭くなる。CeO2はガラス組成中のBi2O3がガラス融解時に金属ビスマスとして析出することを抑制し、ガラスの流動性を安定化させる成分である。CeO2の含有量は0~5質量の範囲とすることが好ましく、さらに好ましくは0.1~5質量の範囲である。CeO2の含有量が5質量を超えるとガラスの粘度が高くなり、低温での封着が困難となる。さらに、CeO2はPtやPt合金からなるルツボでビスマス系ガラスを溶解する際に、ルツボの劣化侵食や亀裂を抑制する効果を有する。封着材料は低膨張充填材を含有している。低膨張充填材としては、例えばシリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化錫系化合物、石英固溶体、及びマイカからなる群から選ばれる少なくとも1種が用いられる。リン酸ジルコニウム系化合物としては、ZrO2P2O7、NaZr2PO43、KZr2PO43、Ca0.5Zr2PO43、NbZrPO43、Zr2WO3PO42、これらの複合化合物等が挙げられる。低膨張充填材とは封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。低膨張充填材の含有量は、封着ガラスの熱膨張係数がガラス基板1及び2の熱膨張係数に近づくように適宜に設定される。低膨張充填材は、封着ガラス、ガラス基板1及び2の熱膨張係数にもよるが、封着材料に対して0.1~40質量の範囲で含有させることが好ましく、1~35質量の範囲で含有させることがより好ましい。低膨張充填材の含有量が0.1質量未満であると、封着材料の熱膨張率を調整する効果を十分に得ることができないおそれがある。一方、低膨張充填材の含有量が40質量を超えると、封着材料の流動性が悪化して接着強度が低下するおそれがある。上述したように、封着材料は必要に応じて加熱方法に応じた無機充填材を含有している。封着材料層7の加熱にレーザ加熱や赤外線加熱等の電磁波による加熱を適用する場合、封着材料はレーザ吸収材や赤外線吸収材等の電磁波吸収材例えば、レーザ光や赤外線のような電磁波を吸収して発熱する材料を含有することが好ましい。レーザ加熱や赤外線加熱以外の加熱方法を適用する場合にも、封着材料は加熱方法に応じた無機充填材を含有することが好ましい。ただし、封着ガラス自体がレーザ光や赤外線等の電磁波を吸収する場合には、その限りではない。他の加熱方法を適用する場合も同様である。電磁波吸収材としては、Fe、Cr、Mn、Co、Ni、及びCuからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、又は前記金属を含む酸化物等の化合物が用いられる。これら以外の顔料であってもよい。電磁波吸収材の含有量は、封着材料100質量に対して0~20質量の範囲とすることが好ましく、0~15質量の範囲がより好ましい。電磁波吸収材の含有量が20質量を超えると、第2のガラス基板2との界面近傍で局所的に発熱したり、また封着材料の溶融時の流動性が悪化して接着性が低下するおそれがある。封着ガラス自体がレーザ光や赤外線等の吸収能を有しない場合、封着材料は0.1質量以上の電磁波吸収材を含有することが好ましい。電磁波吸収材の含有量が0.1質量未満であると、封着材料層7を十分に溶融させることができないおそれがある。封着材料層7は以下のようにして形成される。封着材料層7の形成工程について、図6を参照して説明する。まず、封着ガラスに低膨張充填材等を配合して封着材料を作製し、これをビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製する。ビヒクルは有機樹脂を有機溶剤に溶解して調製される。ビヒクルはこれら以外の添加剤を含有していてもよい。封着材料ペースト中の有機樹脂の含有量は、0.1~5質量の範囲とすることが好ましく、0.1~4質量の範囲がより好ましい。有機樹脂の含有量が0.1質量未満であると、封着材料ペーストの塗布層の形状を維持することが困難になるおそれがあり、5質量を超えると、その後の焼成工程で有機樹脂を十分に除去することができず、残渣としてのカーボンが増加するおそれがある。ビヒクルの有機樹脂成分すなわち、バインダ成分としては、メチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリテート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート等が例示される。有機樹脂成分を溶解する有機溶剤としては、ターピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールモノイソブチレート、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールジノイソブチレート、ジエチレングリコールモノ-2-エチルヘキシルエーテル、1,3-ブチレングリコールジアセテート等を使用することができる。有機溶剤は2種以上を混合して使用してもよい。上記したようなビヒクルと封着材料とを混合して封着材料ペーストを調製する。封着材料ペーストの粘度は、ガラス基板2に塗布する装置に対応した粘度に合わせればよく、有機樹脂と有機溶剤の割合や封着材料とビヒクルとの割合により調整することができる。封着材料ペーストは希釈用の有機溶剤、さらに消泡剤や分散剤のようなガラスペーストで公知の添加物を含有していてもよい。封着材料ペーストの調製には、攪拌翼を備えた回転式の混合機やロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。上述した封着材料ペーストを、図6aに示すように第2のガラス基板2の封止領域6に塗布することによって、封着材料ペーストの塗布層8を形成する。封着材料ペーストは第1のガラス基板1の封止領域5に塗布してもよい。あるいは、第2のガラス基板2の封止領域6と第1のガラス基板1の封止領域5の双方に封着材料ペーストを塗布してもよい。封着材料ペーストは、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を適用して封止領域6上に塗布したり、あるいはディスペンサ等を用いて封止領域6に沿って塗布する。ここで、封着材料ペーストの塗布層8を形成するにあたって、水分量を低減した封着材料ペーストを使用する。後述するように、封着材料ペーストの塗布層8は焼成され、さらに昇温速度が100°C/分以上となる加熱工程を適用して溶融される。塗布層8を焼成して封着材料層7を形成する際には、一般的な焼成炉が用いられるため、封着材料ペースト中の水分量はあまり影響せず、泡の発生等は見られない。しかし、封着材料層7を100°C/分以上の昇温速度で急速加熱して封着層9を形成する場合には、封着材料ペースト中の水分量が悪影響を及ぼす。すなわち、封着材料層7の昇温及び降温速度が速くなるため、封着材料層7中に残留した水分が昇温時に急激に加熱されて気泡が発生し、これが急冷時に内部に閉じ込められることによって、封着層9に泡が生じやすくなるものと考えられる。このような点に対して、水分量を低減した封着材料ペーストを使用することによって、封着材料層7を100°C/分以上の昇温速度で加熱して封着層9を形成する場合においても、封着層9の泡の発生を抑制することができる。具体的には、封着材料ペーストの水分量を2体積以下とすることによって、封着材料層7中に残留する水分量が低減されるため、封着材料層7を100°C/分以上の昇温速度で加熱しても泡の発生を抑制することが可能となる。水分量が2体積以下の封着材料ペーストは、特に封着ガラスガスフリットとしてビスマス系ガラスを使用する場合に有効である。ビスマス系ガラスからなる封着ガラスを含有する封着材料を、ビヒクルと混合して調製した封着材料ペーストの水分量を2体積以下とすることで、昇温速度が100°C/分以上の加熱工程を適用して封着層9を形成する際の泡の発生を再現性よく抑制することができる。封着材料ペーストの水分量は1.5体積以下とすることがより好ましい。封着材料ペーストの水分量は実質的に零とすることで、泡の発生をより確実に防ぐことができるが、水分量を零に近付けると、封着材料ペーストの粘度の挙動に悪影響を及ぼすおそれがある。このため、封着材料ペーストの水分量は0.1体積以上とすることが好ましい。本特許ではカールフィッシャー水分計で封着材料ペーストの水分量の測定を行った。詳しくは、装置は三菱化学アナリテック社製の微量水分測定装置CA-100型、及び、水分気化装置VA-100型を使用した。電量滴定法で測定を行い、陽極液にアクアミクロンAXを、陰極液にはアクアミクロンCXUを使用した。封着材料ペーストを300°Cに加熱して測定を行った。アクアミクロンは三菱化学株式会社の登録商標。なお、ここでは封着ガラスとしてビスマス系ガラスを用いる場合について主に説明したが、封着材料の主成分となる封着ガラスはビスマス系ガラスに限られるものではない。ビスマス系ガラス以外の封着ガラスを用いた封着材料においても、封着材料ペースト中の水分量を低減することによって、封着層9の泡の発生を抑制することができる。水分量を低減した封着材料ペーストは、例えばペーストを低湿度の環境下で調製する、封着ガラスや低膨張充填材等の封着材料の構成材の水分量を低減する、有機樹脂や有機溶剤等のビヒクルの構成材の水分量を低減する、ペーストを調製した後に脱水処理を施す、等により得ることができる。例えば、封着材料ペーストは絶対湿度が8g/m3以下の環境で調製することが好ましい。封着材料の構成材の水分量は、例えば200°C以上の温度で仮焼することにより低減できる。仮焼の上限温度は封着ガラスの転移点以下であることが好ましく、この温度以上で仮焼をすると封着性に悪影響を及ぼす可能性がある。ビヒクルの構成材の水分量は、例えば-0.08MPa以下に減圧処理することにより低減できる。ペースト調製後の脱水処理も同様である。ペーストの脱水処理とは、撹拌が可能な密閉容器でペーストを、例えば、-0.08MPa以下に減圧しながら30分間撹拌することであり、この操作によりペースト中に含まれる水分を低減することができる。これらは原料中の水分量やペーストの調製環境等に応じて適宜に組合せて適用することができる。なお、上記した封着材料の構成材とは、封着ガラス、低膨張充填材および必要に応じて封着材料に使用できる電磁波吸収材を意味し、ビヒクルの構成材とは、有機樹脂、有機溶剤および必要に応じてビヒクルに使用できる添加剤を意味する。封着材料層7を形成するにあたって、封着材料ペーストの塗布層8を120°C以上の温度で10分以上乾燥させることが好ましい。乾燥工程は塗布層8内の有機溶剤を除去するために実施するものである。塗布層8内に有機溶剤が残留していると、その後の焼成工程で有機樹脂成分を十分に除去できないおそれがある。次いで、封着材料ペーストの塗布層塗布層を乾燥した場合には、乾燥膜8を焼成して封着材料層7を形成する。焼成工程は、塗布層8を封着材料の主成分である封着ガラスガラスフリットのガラス転移点以下の温度に加熱し、塗布層8内の有機樹脂成分を除去した後、封着ガラスガラスフリットの軟化点以上の温度に加熱し、封着ガラスを溶融してガラス基板2に焼き付ける。このようにして、図6bに示すように、封着材料の焼成層からなる封着材料層7を形成する。次に、封着材料ペーストの塗布層8を焼成して封着材料層7を形成した第2のガラス基板2と、それとは別に作製した第1のガラス基板1とを用いて、OELD、PDP、LCD等のFPD、OEL素子を用いた照明装置、色素増感型太陽電池のような太陽電池等の電子デバイスを作製する。すなわち、図1bに示すように、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2とを、それらの表面1aと表面2aとが対向するように封着材料層7を介して積層する。第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間には、封着材料層7の厚さに基づいて電子素子部4の形成領域となる間隙が形成される。なお、本明細書のおいては、便宜上上記したような電子素子部が形成される側のガラス基板を第1のガラス基板として説明しており、これが通常の形態であるが、第1及び第2のガラス基板の呼び方は、この逆であってもよい。次いで、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との積層物を昇温速度が100°C/分以上となる加熱工程を適用して加熱し、封着材料層7中の封着ガラスを溶融固化させることによって、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間に設けられる電子素子部を封止する封着層9を形成する。昇温速度が100°C/分以上となる加熱工程としては、前述したようにレーザ加熱、赤外線加熱、誘電加熱、誘導加熱、抵抗加熱等が挙げられる。例えば、レーザ加熱や赤外線加熱のような電磁波を用いた加熱工程を適用する場合には、図1cに示すように、第2のガラス基板2又は第1のガラス基板1を通して封着材料層7にレーザ光や赤外線等の電磁波10を照射する。電磁波10としてレーザ光を使用する場合には、レーザ光は枠状の封着材料層7に沿って走査しながら照射される。レーザ光は特に限定されるものではなく、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、HeNeレーザ等の各種レーザ光源から出射されるレーザ光を使用することができる。電磁波10として赤外線を使用する場合には、例えば封着材料層7の形成部位以外を、例えば赤外線反射膜Ag膜等でマスキングすることによって、封着材料層7に赤外線を選択的に照射することが好ましい。例えば、電磁波10としてレーザ光を使用した場合、封着材料層7はそれに沿って走査されるレーザ光が照射された部分から順に急熱されて溶融し、レーザ光の照射終了と共に急冷固化されて第1のガラス基板2に固着する。封着材料層7の全周にわたってレーザ光を照射することによって、図1dに示すように第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間を封止する封着層9が形成される。電磁波10として赤外線を使用した場合、封着材料層7は赤外線の照射に基づいて急熱されて溶融し、赤外線の照射終了と共に急冷固化されて第1のガラス基板1に固着する。これによって、図1dに示すように封着層9が形成される。他の加熱工程を適用した場合も同様である。封着材料層7にレーザ光や赤外線等の電磁波10を照射して加熱した場合、封着材料層7は急熱急冷プロセスにより溶融固化される。この際に封着材料層7中の残留水分量が多いと、前述したように急熱急冷プロセスに基づいて封着層9に泡が生じやすい。このような点に対して、この実施形態では水分量を減少させた封着材料ペーストを使用し、封着材料層7中の残留水分量を低減しているため、急熱急冷プロセスで封着材料層7を溶融固化しても、封着層9の泡の発生を抑制することができる。誘電加熱、誘導加熱、抵抗加熱等の昇温速度が100°C/分以上となる加熱工程を適用した場合も同様である。このようにして、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2と封着層9とで構成したガラスパネルで、第1のガラス基板1と第2のガラス基板2との間に配置される電子素子部4を気密封止した電子デバイス11を作製する。そして、急熱急冷プロセスに基づく封着層9中の泡の発生が抑制されるため、泡に起因する封着層9の剥離や割れ、それらに基づく封着不良の発生等を再現性よく抑制することができる。すなわち、封止性やその信頼性に優れる電子デバイス11を再現性よく作製することが可能となる。なお、この実施形態のガラスパネルは、電子デバイス11の構成部品に限らず、電子部品の封止体、あるいは複層ガラスのようなガラス部材建材等にも応用することができる。次に、本発明の具体的な実施例及びその評価結果について述べる。なお、以下の説明は本発明を限定するものではく、本発明の趣旨に沿った形での改変が可能である。実施例1下記酸化物基準で、Bi2O383質量、B2O35質量、ZnO11質量、Al2O31質量の組成を有し、水粉砕で作製された平均粒径が1.2μmのビスマス系ガラスフリットガラス転移点=358°C、軟化点=412°Cと、低膨張充填材として平均粒径が2.0μmのコージェライト粉末と、レーザ吸収材としてFe2O3-MnO-CuO-Al2O3組成を有し、平均粒径が1.0μmの黒色顔料とを用意した。上記したビスマス系ガラスフリット82.7質量とコージェライト粉末11.6質量と黒色顔料5.7質量とを、ビニール袋に入れ、手で混合して封着材料粉末材料を作製した。また、有機樹脂成分バインダ成分としてのエチルセルロース5質量を、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオールモノイソブチレートからなる有機溶剤95質量に溶解してビヒクルを作製した。次いで、封着材料90質量とビヒクル10質量とを、絶対湿度が7g/m3の環境下で、プラネタリーミキサーで混合し、3本ロールで精密分散をして封着材料ペーストを調製した。封着材料ペーストは、粘度が100Pasとなるように前記有機溶剤で希釈した。このようにして得た封着材料ペーストの水分量をカールフィッシャー水分計加熱条件:300°Cで測定したところ、ペースト中の水分量は1.7体積0.58質量であった。次に、無アルカリガラス基板旭硝子社製、AN100熱膨張係数:38×10-7/°Cからなる第2のガラス基板寸法縦×横×板厚:90mm×90mm×0.7mmを用意し、このガラス基板の封止領域に封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した後、120°Cで、10分の条件で乾燥させた。この塗布層を460°Cで、10分の条件で焼成することによって、膜厚が12μm、線幅が1mmの封着材料層を形成した。次いで、上述した封着材料層を有する第2のガラス基板と素子領域すなわち、OEL素子等を形成した領域を有する第1のガラス基板第2のガラス基板と同組成であり、同形状の無アルカリガラス基板とを積層した。その後、第2のガラス基板を通して封着材料層に対して、温度モニタリング機能付き半導体レーザ加熱装置浜松ホトニクス社製、LD-HEATERL10060を用いて、波長940nm、出力37W、スポット径1.6mmのレーザ光半導体レーザを10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を急熱急冷して溶融固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。なお、レーザ光を照射した際の封着材料層の昇温速度は、レーザ加熱装置に付随している温度計の値によると100°C/秒以上であった。具体的には、レーザを走査して照射した時、瞬時1秒以下に軟化点412°Cのビスマス系ガラスフリットが軟化し、かつ加熱スポットを温度モニタリングしている温度計の値は約800°Cであることから、昇温速度は少なくとも100°C/秒以上であると判断した。このようにして作製したガラスパネルを有する電子デバイスを後述する特性評価に供した。実施例2封着材料ペーストの調製に用いる粉末材料ガラスフリット、コージェライト粉末、及び黒色顔料を300°Cで、2時間の条件で仮焼すると共に、調製後の封着材料ペーストを密閉容器に入れて、-0.096MPaの減圧下で撹拌しながら1時間保持する以外は、実施例1と同様にして封着材料層の形成、及びレーザ光による第1のガラス基板と第2のガラス基板との封着を実施した。減圧処理後の封着材料ペーストの水分量は1.2体積0.42質量であった。このようにして作製したガラスパネルを有する電子デバイスを後述する特性評価に供した。比較例1封着材料ペーストを絶対湿度が11g/m3の環境下で調製する以外は、実施例1と同様に封着材料層の形成、レーザ光による第1のガラス基板と第2のガラス基板との封着を実施した。封着材料ペーストの水分量は2.2体積0.78質量であった。このようにして作製したガラスパネルを有する電子デバイスを後述する特性評価に供した。比較例2封着材料ペーストを絶対湿度が15g/m3の環境下で調製する以外は、実施例1と同様に封着材料層の形成、レーザ光による第1のガラス基板と第2のガラス基板との封着を実施した。封着材料ペーストの水分量は2.8体積0.96質量であった。このようにして作製したガラスパネルを有する電子デバイスを後述する特性評価に供した。上述した実施例1及び2で作製したガラスパネルについて、封着層の剥離や割れ、封着層の接合状態等を光学顕微鏡で観察して評価したところ、いずれも良好であることが確認された。ガラスパネルの気密性をヘリウムリークテストで測定したところ、良好な気密状態が得られていることが確認された。また、各例の封着層における泡の発生を評価するために、実施例1~2及び比較例1~2と同一条件にて、封着材料層の形状を長さ30mm×幅1mmのラインパターン3本に変更してレーザ加熱したサンプルを作製した。レーザ加熱した3本のライン中の泡の発生状態をレーザ顕微鏡で観察し、大きさが100μm以上の泡の個数を測定した。その結果を表1に示す。上記した表1の中で、ペーストは、封着材料ペーストを意味する。表1から明らかなように、比較例1及び2では封着層中の泡の発生量が多いのに対し、水分量を低減した封着材料ペーストを使用した実施例1~2では、泡の発生が抑制されていることが分かった。その結果として、実施例1~2では、封着層の剥離や割れ等の発生が抑制され、良好な封止状態が得られているものと考えられる。なお、比較例1と同様にして封着材料層を形成した第2のガラス基板と第1のガラス基板とを積層し、これを焼成炉内に配置して480°Cで、3時間の条件昇温速度:10°C/分で熱処理して封着層を形成したところ、封着層の泡の発生量は実施例1と同程度であった。このことから、基本的な泡の発生原因は、レーザ加熱等の急熱急冷プロセスによるものと考えられる。"