コイルエレメントが内蔵された支持部材の一端側または他端側の少なくとも一方が開口していることで前記支持部材の内側に中空部分が形成されており、磁気共鳴イメージング装置から前記コイルエレメントに供給される電流に応じた傾斜磁場を前記中空部分に発生させる傾斜磁場コイルユニットであって、前記支持部材内において前記一端側から前記他端側に向けて埋設されており、前記一端側から冷却媒体が流入する第1管部材と、前記中空部分を間に挟んで前記第1管部材に対向するように、前記支持部材内において前記一端側から前記他端側に向けて埋設されており、前記他端側から前記冷却媒体を流出させる第2管部材と、前記支持部材内に埋設され、前記第1管部材の異なる部分にそれぞれ連結していると共に前記第2管部材の異なる部分にそれぞれ連結しており、前記第1管部材から流入する前記冷却媒体を前記第2管部材に流入させる複数の中継管部材とを備えていることを特徴とする傾斜磁場コイルユニット。請求項1記載の傾斜磁場コイルユニットにおいて、前記支持部材は円筒状に形成されており、前記第1管部材および前記第2管部材は、前記円筒の軸方向に沿って延在する棒状であることを特徴とする傾斜磁場コイルユニット。請求項2記載の傾斜磁場コイルユニットにおいて、複数の前記中継管部材は、弧状に延在することを特徴とする傾斜磁場コイルユニット。請求項1記載の傾斜磁場コイルユニットにおいて、前記支持部材内の温度を検出して、検出温度を前記磁気共鳴イメージング装置側に入力する複数の温度検出センサをさらに備え、前記中継管部材は、互いに離間して配置され、前記中継管部材同士の間隔は、前記磁気共鳴イメージング装置のイメージグシーケンス実行時における前記温度検出センサの検出温度が他の前記温度検出センサよりも高くなるところほど、小さいことを特徴とする傾斜磁場コイルユニット。請求項1記載の傾斜磁場コイルユニットにおいて、前記支持部材内では、傾斜磁場コイルユニットの設置状態における鉛直方向の上側において前記第1管部材が埋設されていると共に、前記鉛直方向の下側において前記第2管部材が埋設されていることを特徴とする傾斜磁場コイルユニット。被検体が置かれる撮像空間に静磁場および傾斜磁場を印加すると共に核磁気共鳴を起こすためのRF信号を送信し、核磁気共鳴によって発せられるエコー信号を受信して、前記エコー信号に基づいて前記被検体の画像データを生成する磁気共鳴イメージング装置であって、前記傾斜磁場の印加を担う請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の傾斜磁場コイルユニットを有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。従来技術では、冷却水は、傾斜磁場コイルの入口側から出口側に進むに従って、発熱したコイルエレメントからの熱を吸収し、次第に温度が高くなる。即ち、冷却水の入口に近い箇所ではコイルエレメントや鉄シムを効果的に冷却できるが、冷却水の出口側では冷却水の温度が上がっているため、入口側ほどの冷却効果はない。そうすると、コイルエレメントの温度が位置によってムラが生じ、その近傍の鉄シムの温度も位置によってムラが生じ、鉄シムの透磁率が不均一な分布となる。この結果、実際に得られる傾斜磁場分布は、目標とする直線的な傾斜磁場分布から若干ずれてしまう。このため、MRIにおける傾斜磁場コイルを従来よりも均一に冷却する技術が要望されていた。一実施形態では、傾斜磁場コイルユニットは、支持部材を有する。支持部材は、コイルエレメントを内蔵し、その一端側または他端側の少なくとも一方が開口していることで内側に中空部分が形成されている。この傾斜磁場コイルユニットは、磁気共鳴イメージング装置からコイルエレメントに供給される電流に応じた傾斜磁場を前記中空部分に発生させるものであり、第1管部材と、第2管部材と、複数の中継管部材とを備える。第1管部材は、支持部材内において前記一端側から前記他端側に向けて埋設されており、第1管部材には前記一端側から冷却媒体が流入する。第2管部材は、前記中空部分を間に挟んで第1管部材に対向するように、支持部材内において前記一端側から前記他端側に向けて埋設されており、前記他端側から冷却媒体を流出させる。複数の中継管部材は、支持部材内に埋設され、第1管部材の異なる部分にそれぞれ連結していると共に第2管部材の異なる部分にそれぞれ連結しており、第1管部材から流入する冷却媒体を第2管部材に流入させる。一実施形態では、MRI装置は、被検体が置かれる撮像空間に静磁場および傾斜磁場を印加すると共に核磁気共鳴を起こすためのRF信号を送信し、核磁気共鳴によって発せられるエコー信号を受信して、エコー信号に基づいて被検体の画像データを生成するものであって、傾斜磁場の印加を担う上記の傾斜磁場コイルユニットを有する。以下、本発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態のMRI装置の全体構成図1は、本実施形態におけるMRI装置20の全体構成を示すブロック図である。図1に示すように、MRI装置20は、静磁場を形成する筒状の静磁場用磁石22と、静磁場用磁石22の内側において軸を同じにして設けられた筒状のシムコイル24および傾斜磁場コイルユニット26と、RFコイル28と、制御系30と、被検体Pが乗せられる寝台32とを備える。ここでは一例として、装置座標系の互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を以下のように定義する。まず、静磁場用磁石22、シムコイル24、傾斜磁場コイルユニット26等から構成されるガントリは、それらの軸方向が鉛直方向に直交するように設置されているものとし、静磁場用磁石22およびシムコイル24の軸方向をZ軸方向とする。また、鉛直方向をY軸方向とし、鉛直方向上向きをY軸正方向、鉛直方向下向きY軸負方向とする。また、寝台32は、その天板の載置用の面の法線方向がY軸方向となるように配置されているものとする。制御系30は、静磁場電源40と、シムコイル電源42と、傾斜磁場電源44と、RF送信器46と、RF受信器48と、冷却制御装置50と、シーケンスコントローラ56と、コンピュータ58とを備える。傾斜磁場電源44は、X軸傾斜磁場電源44xと、Y軸傾斜磁場電源44yと、Z軸傾斜磁場電源44zとで構成されている。また、コンピュータ58は、演算装置60と、入力装置62と、表示装置64と、記憶装置66とで構成されている。静磁場用磁石22は、静磁場電源40に接続され、静磁場電源40から供給された電流により撮像空間に静磁場を形成させる。上記撮像空間とは、例えば、被検体Pが置かれて、静磁場が印加されるガントリ内の空間中空の部分の意味である。ガントリとは、静磁場用磁石22、シムコイル24、傾斜磁場コイルユニット26、RFコイル28を含むように、例えば円筒状に形成された構造体である。被検体Pが乗せられた寝台32がガントリの内部に移動できるように、ガントリおよび寝台32は構成される。なお、図1では煩雑となるので、ガントリ内の静磁場用磁石22、シムコイル24、傾斜磁場コイルユニット26、RFコイル28を構成要素として図示し、ガントリ自体は図示していない。撮像領域は、例えば、1つの画像または1セットの画像の生成に用いるMR信号の収集範囲であって、撮像空間の一部として設定される領域の意味である。シムコイル24は、シムコイル電源42に接続され、シムコイル電源42から供給される電流により、この静磁場を均一化する。静磁場用磁石22は、超伝導コイルで構成される場合が多く、励磁の際に静磁場電源40に接続されて電流が供給されるが、一旦励磁された後は非接続状態とされるのが一般的である。なお、静磁場電源40を設けずに、静磁場用磁石22を永久磁石で構成してもよい。傾斜磁場コイルユニット26は、X軸傾斜磁場コイル26mxと、Y軸傾斜磁場コイル26myと、Z軸傾斜磁場コイル26mzとを有し、静磁場用磁石22の内側で筒状に形成されている。X軸傾斜磁場コイル26mx、Y軸傾斜磁場コイル26my、Z軸傾斜磁場コイル26mzはそれぞれ、X軸傾斜磁場電源44x、Y軸傾斜磁場電源44y、Z軸傾斜磁場電源44zに接続される。X軸傾斜磁場電源44x、Y軸傾斜磁場電源44y、Z軸傾斜磁場電源44zからX軸傾斜磁場コイル26mx、Y軸傾斜磁場コイル26my、Z軸傾斜磁場コイル26mzにそれぞれ供給される電流により、X軸方向の傾斜磁場Gx、Y軸方向の傾斜磁場Gy、Z軸方向の傾斜磁場Gzが撮像空間にそれぞれ形成される。即ち、装置座標系の3軸方向の傾斜磁場Gx、Gy、Gzを合成して、論理軸としてのスライス選択方向傾斜磁場Gss、位相エンコード方向傾斜磁場Gpe、および、読み出し方向周波数エンコード方向傾斜磁場Groの各方向を任意に設定できる。スライス選択方向、位相エンコード方向、および、読み出し方向の各傾斜磁場は、静磁場に重畳される。RF送信器46は、シーケンスコントローラ56から入力される制御情報に基づいて、核磁気共鳴を起こすためのラーモア周波数のRFパルスRF電流パルスを生成し、これを送信用のRFコイル28に送信する。RFコイル28には、ガントリに内蔵されたRFパルスの送受信用の全身用コイルwholebodycoilや、寝台32または被検体Pの近傍に設けられるRFパルスの受信用の局所コイルなどがある。送信用のRFコイル28は、RF送信器46からRFパルスを受けて被検体Pに送信する。受信用のRFコイル28は、被検体Pの内部の原子核スピンがRFパルスによって励起されることで発生したMR信号高周波信号を受信し、このMR信号は、RF受信器48により検出される。RF受信器48は、検出したMR信号に前置増幅、中間周波変換、位相検波、低周波増幅、フィルタリングなどの各種の信号処理を施した後、A/Danalogtodigital変換を施すことで、デジタル化された複素データである生データrawdataを生成する。RF受信器48は、生成したMR信号の生データをシーケンスコントローラ56に入力する。冷却制御装置50は、シーケンスコントローラ56の制御に従って、傾斜磁場コイルユニット26内に冷却媒体を循環させることで、傾斜磁場コイルユニット26の発熱を抑制する。ここでは一例として、冷却媒体は冷却水であるものとするが、冷却媒体は蒸留水や精製水などの水に限定されるものではない。冷却媒体は例えば、不凍液などの液体や、空気、窒素などの気体であってもよい。但し、液体の方が気体よりも傾斜磁場コイルユニット内の周囲の熱をおおく吸収できるので、液体の方が望ましい。冷却制御装置50は、例えばホースによって傾斜磁場コイルユニット26の接続チューブ76、78後述の図2参照にそれぞれ接続され、不図示の熱交換器および循環ポンプを備える。循環ポンプは、冷却媒体を傾斜磁場コイルユニット26と熱交換器との間で循環させる。熱交換器は、傾斜磁場コイルユニット26を冷却することで暖まった冷却媒体を冷やす。演算装置60は、MRI装置20全体のシステム制御を行うものである。シーケンスコントローラ56は、演算装置60の指令に従って、傾斜磁場電源44、RF送信器46、RF受信器48および冷却制御装置50を駆動させるために必要な制御情報を記憶する。ここでの制御情報とは、例えば、傾斜磁場電源44に印加すべきパルス電流の強度や印加時間、印加タイミング等の動作制御情報を記述したシーケンス情報である。シーケンスコントローラ56は、記憶した所定のシーケンスに従って傾斜磁場電源44、RF送信器46およびRF受信器48を駆動させることにより、X軸傾斜磁場Gx、Y軸傾斜磁場Gy、Z軸傾斜磁場GzおよびRFパルスを発生させる。また、シーケンスコントローラ56は、RF受信器48から入力されるMR信号の生データrawdataを受けて、これを演算装置60に入力する。本実施形態の傾斜磁場コイルユニットの構成以下、図2~図6を参照しながら、本実施形態の特徴である傾斜磁場コイルユニット26の構造について詳細に説明する。図2は、傾斜磁場コイルユニット26の冷却管系統の概略構成を示す模式的斜視図である。図2に示すように、傾斜磁場コイルユニット26は、接続チューブ76、78と、こここでは一例として円筒状であって内側に中空部分が形成された支持部材80とを有する。支持部材80内には、配給チューブ84と、複数の中継チューブ86図2では煩雑となるので10本のみ図示と、収集チューブ88とが埋設されている。図中の一点鎖線は、円筒状の支持部材80の中心軸である。配給チューブ84は、ここでは一例として横断面が長方形の棒状長尺状である。配給チューブ84は、傾斜磁場コイルユニット26の正常な設置状態において傾斜磁場コイルユニット26内で鉛直方向に上側に位置するように、且つ、Z軸方向に沿うように延在する。配給チューブ84は、接続チューブ76に連結されており、冷却制御装置50から接続チューブ76を介して流入する冷却媒体を各々の中継チューブ86に流入させる。収集チューブ88は、ここでは一例として横断面が長方形の棒状長尺状である。収集チューブ88は、傾斜磁場コイルユニット26の正常な設置状態において傾斜磁場コイルユニット26内で鉛直方向に下側に位置するように、且つ、Z軸方向に沿うように延在する。収集チューブ88は、接続チューブ78に連結されており、各々の中継チューブ86から流入する冷却媒体を、接続チューブ78を介して冷却制御装置50側に流出させる。各々の中継チューブ86は、パイプを半円状に湾曲させた形状であり、例えば、傾斜磁場コイルユニット26の軸方向をZ軸方向に合致させて設置した場合に、X-Y平面に平行に延在するように埋設される。各々の中継チューブ86は、一端側が配給チューブ84に連結されていると共に、他端側が収集チューブ88に連結されている。中継チューブ86と配給チューブ84との連結位置は、各々の中継チューブ86毎に異なる共に、中継チューブ86と収集チューブ88との連結位置も、各々の中継チューブ86毎に異なる。従って、冷却媒体の流路は、冷却制御装置50-接続チューブ76-配給チューブ84-いずれかの中継チューブ86-収集チューブ88-接続チューブ78-冷却制御装置50となる。即ち、冷却媒体の流路は、1通りではなく、中継チューブ86の数だけ存在すし、各々の中継チューブ86に流入する冷却水は、他の中継チューブ86を通らずに収集チューブ88に流出する。また、傾斜磁場コイルユニット26の軸方向をZ軸方向に合致させて、鉛直方向Y軸方向の最も上側に配給チューブ84、鉛直方向の最も下側に収集チューブ88が位置する配置を以下、基準設置状態という。この基準設置状態では、冷却媒体は、重力に従って配給チューブ84から中継チューブ86を介して収集チューブ88に向けて落ちるため、上記の経路で無理なく流れる。即ち、配給チューブ84に流入する冷却水は、各々の中継チューブ86に分流後、重力によって下方に落ちることで収集チューブ88に合流して、冷却制御装置50側に流出する。ここで、図2および後述の図3では煩雑となるので、中継チューブ86を10本のみ図示しているが、実際には例えば後述の図4に示すように多数の中継チューブ86が埋設される。中継チューブ86の本数がある程度多い方が、傾斜磁場コイルユニット26をより均一に冷却する観点から好ましいからである。但し、接続チューブ76-接続チューブ78間の冷却媒体の経路を複数にするという新たな発想の観点からは、中継チューブ86の本数が2本以上であれば本実施形態の技術思想に含まれる。配給チューブ84、中継チューブ86、収集チューブ88で構成される冷却管系統のチューブは、例えば銅などの熱伝導率が大きく、加工性に優れた金属で形成することが望ましく、本実施形態では一例として銅で形成されているものとする。但し、冷却チューブを形成する素材は、銅に限定されるものではなく、アルミや銀などの他の金属や、プラスチック、樹脂などで形成してもよい。また、冷却媒体として本実施形態のように水を用いる場合には、水で腐食しない素材であることが望ましい。図3は、傾斜磁場コイルユニット26における冷却管系統の模式的な分解斜視図である。図3に示すように、長尺状の配給チューブ84は、一端側の面には接続チューブ76に連結するための連結口が形成されているが、他端側の面には連結口が形成されていない。また、配給チューブ84の一方の側面には、半数の中継チューブ86に連結するための連結口が形成されており、その反対側の側面には、図3に点線で示すように、残り半分の中継チューブ86に連結するための連結口が形成されている。長尺状の収集チューブ88は、一端側の面には連結口が形成されていないが、他端側の面には接続チューブ78に連結するための連結口が形成されている。また、収集チューブ88の一方の側面には、半数の中継チューブ86に連結するための連結口が形成されており、その反対側の側面には、図3に点線で示すように、残り半分の中継チューブ86に連結するための連結口が形成されている。上記した接続チューブ76、78、配給チューブ84、中継チューブ86、収集チューブ88の連結箇所は、例えば銅ロウや、銀ロウ、リン銅ロウなどを用いてロウ付け鑞付け:brazingされている。なお、連結方法は、上記に限定されるものではなく、例えば高融点半田を用いた半田付けや、ねじ止めなどの他の方法であってもよい。半田付けの場合には、例えば温度検出センサの検出温度が約90°Cに達した時点でMRI装置20の動作を停止させるように演算装置60が各部を制御することが望ましい。傾斜磁場コイルユニット26内の温度が半田の融点に達することを確実に避けることが望ましいからである。ここで、傾斜磁場コイルユニット26は、内部に温度センサを有する。図4は、傾斜磁場コイルユニット26内の温度センサの配置の一例を示す模式的斜視図である。ここでは一例として、傾斜磁場コイルユニット26内には、10個の温度センサ94a、94b、94c、94d、94e、94f、94g、94h、94i、94jが埋設されている。温度センサ94a~94jは、個別にシーケンスコントローラ56に接続されており、温度を検出してシーケンスコントローラ56に入力する。傾斜磁場コイルユニット26の軸方向図中の一点鎖線をZ軸方向に合致させて設置させた場合に、温度センサ94a、94c、94e、94g、94iがZ軸方向に等間隔で1直線状に並ぶように配置される。同様に、温度センサ94b、94d、94f、94h、94jが軸方向に等間隔で1直線状に並ぶように配置される。ここでは一例として、温度センサ94a、94bは、基準設置状態において同じX-Y平面上に位置するように、且つ、支持部材80の互いに反対側に位置するように配置される。温度センサ94c、94dについても同様であり、温度センサ94e、94fについても同様であり、温度センサ94g、94hについても同様であり、温度センサ94i、94jについても同様である。本実施形態では、上記の傾斜磁場コイルユニット26と同型かつ同サイズのもの冷却管系統を除くを製造後、これを用いてイメージングのシーケンスを実行することで傾斜磁場コイルユニットの各部の温度を計測する。次に、かかる計測結果に基づいて、温度が上昇し易い部分を予め特定する。そして、温度が上昇し易い部分で中継チューブ86同士の間隔が小さくなるように、即ち、温度が上昇し易い部分で中継チューブ86の本数が大きくなるように傾斜磁場コイルユニット26を構成する。このように、温度が上昇し易い部分ほど中継チューブ86の配管数を多くすることで、傾斜磁場コイルユニット26をより均一に冷却する。なお、単位体積当たりにおけるコイルエレメントX、Y、Z軸傾斜持場コイル26mx、26my、26mzの巻き数が周囲よりも多い部分において、中継チューブ86同士の間隔を周囲より小さくしてもよい。コイルエレメントの巻き数が多い箇所ほど、発熱量が大きいと考えられるからである。図5は、本実施形態における傾斜磁場コイルユニット26の冷却管系統の配管の詳細を示す模式的斜視図である。図5において、配給チューブ84および収集チューブ88は最も太い実線で示し、接続チューブ76、78は次に太い実線で示す。また、基準設置状態において配給チューブ84および収集チューブ88を含むZ-Y平面で支持部材80を2等分した場合に、片側に配置される半分の中継チューブ86を実線で示し、反対側に配置される残り半分の中継チューブ86を点線で示す。ここでは上記の計測結果の一例として、温度センサ94c、94d、94g、94hにおいて他の温度センサ94a、94b、94e、94f、94i、94jよりも温度が上昇したものとする。図5は、かかる計測結果に基づいて、支持部材80内における温度センサ94c、94dを中央に含む領域100cdと、温度センサ94g、94hを中央に含む領域100ghとで、中継チューブ86同士の間隔が他の部位よりも小さくなるように製造された傾斜磁場コイルユニット26を示す。なお、図5は、どこで中継チューブ86同士の間隔を小さくするかの一例にすぎず、温度が上昇し易い部分、および、中継チューブ86同士の間隔を小さくする領域は、上記に限定されるものではない。図6は、上記の傾斜磁場コイルユニット26の部分的な断面模式図であり、基準設置状態において中継チューブ86を含むように、X-Y平面に平行に横断した断面を示す。なお図6は、基準設置状態における鉛直方向上側の断面のみを示すため、配給チューブ84は図示されているが、収集チューブ88は図示されていない。図6に示すように、傾斜磁場コイルユニット26は、アクティブシールドを用いた多層構造である。即ち、傾斜磁場コイルユニット26は、内側から順に、メインコイル層26m、クーリング層26c、シールドコイル層26sからなる3層構造である。メインコイル層26mは、X軸傾斜磁場コイル26mx、Y軸傾斜磁場コイル26my、Z軸傾斜磁場コイル26mzを例えば樹脂で円筒状にモールドして形成され、前述のように傾斜磁場Gx、Gy、Gzを撮像領域に形成する。シールドコイル層26sは、X軸シールドコイル26sx、Y軸シールドコイル26sy、Z軸シールドコイル26szを例えば樹脂で円筒状にモールドして形成される。シールドコイル層26sは、傾斜磁場電源44から供給される電流により、メインコイル層26mからの漏洩磁場を遮蔽する磁場を発生させる。即ち、X軸シールドコイル26sx、Y軸シールドコイル26sy、Z軸シールドコイル26szは、メインコイル層26mから発生する傾斜磁場Gx、Gy、Gzにそれぞれ対応した磁場をメインコイル層26mの外側に発生させて、漏洩磁場を遮蔽する。なお、X軸、Y軸、Z軸傾斜磁場コイル26mx、26my、26mz、および、X軸、Y軸、Z軸シールドコイル26sx、26sy、26szの構成は、従来技術と同様でよい。クーリング層26cは、メインコイル層26mとシールドコイル層26sとの間に配設され、略円周形状を有する帯状領域である。クーリング層26cは、配給チューブ84、中継チューブ86、収集チューブ88の配設層を内側に有すると共に、その外側に複数のシムトレイ104の配設層を有する二層構造である。なお、この配置は一例にすぎず、例えば、配給チューブ84、中継チューブ86、収集チューブ88の配設層を外側に、シムトレイ104の配設層を内側にしてもよい。各々のシムトレイ104は、略等間隔で配設され、例えば非磁性かつ非電導性の樹脂によって、Z軸方向に延在した概略棒状に形成される。各々のシムトレイ104には、所定数の鉄シム図示せずが収納される。そして、配給チューブ84、中継チューブ86、収集チューブ88内を冷却媒体が循環するため、メインコイル層26mおよびシールドコイル26sによって発生する熱がシムトレイ104に伝わりにくくなる。なお、前述の温度センサ94a~94jは、例えばY軸傾斜磁場コイル26myの層内に埋設されるが、これは一例にすぎず、Z軸傾斜磁場コイル26mz或いはシールドコイル26sの層内に埋設してもよい。以上が本実施形態の傾斜磁場コイルユニット26の構造の説明である。本実施形態の動作説明以下、上記MRI装置20によるイメージング動作の一例について説明する。寝台32に被検体Pがセットされ、静磁場電源40により励磁された静磁場用磁石22によって撮像空間に静磁場が形成される。また、シムコイル電源42からシムコイル24に電流が供給されて、撮像空間に形成された静磁場が均一化される。冷却制御装置50は、例えば静磁場の印加開始と同時に、或いは、MRI装置20の電源オンと同時に、シーケンスコントローラ56の制御に従って、傾斜磁場コイルユニット26への冷却水の循環を開始させる。これと同時に、冷却制御装置50は、循環によって傾斜磁場コイルユニット26の熱を吸収した冷却水を冷却し、温度センサ94a~94jは、検出した温度をシーケンスコントローラ56にそれぞれ入力する。これにより、以下のイメージングの期間中において、傾斜磁場コイルユニット26の冷却が行われる。そして、入力装置62から演算装置60に撮像開始指示が入力されると、演算装置60は、パルスシーケンスを含む撮像条件をシーケンスコントローラ56に入力する。シーケンスコントローラ56は、入力されたパルスシーケンスに従って傾斜磁場電源44を駆動させることで、撮像領域に傾斜磁場を形成させると共に、RF送信器46からRFコイル28にRFパルスを供給させ、これにより、被検体PにRF信号を送信する。このため、被検者Pの内部の核磁気共鳴により生じたMR信号エコー信号が、RFコイル28により受信され、RF受信器48により検出される。RF受信器48は、検出したMR信号に所定の信号処理を施した後、これをA/D変換することで、デジタル化したMR信号である生データを生成する。RF受信器48は、生成した生データをシーケンスコントローラ56に入力する。シーケンスコントローラ56は、生データを演算装置60に入力し、演算装置60は、その内部のk空間データベースにおいて、生データをk空間データとして配置する。演算装置60は、k空間データにフーリエ変換を含む画像再構成処理を施すことで画像データを再構成し、これを一旦保存後、これに所定の画像処理を施すことで表示用画像データを生成し、この表示用画像データを記憶装置66に保存する。そして、発熱した傾斜磁場コイルユニット26の温度温度センサ94a~94jの検出温度が規定値に下がるまで、冷却制御装置50は、シーケンスコントローラ56の制御に従って、傾斜磁場コイルユニット26への冷却水の循環および冷却水の冷却を行う。発熱した傾斜磁場コイルユニット26の温度が規定値に下がると、冷却制御装置50は、上記の冷却動作を終了する。このように本実施形態では、配給チューブ84に流入する冷却水は、各々の中継チューブ86に分流後、収集チューブ88に合流して、冷却制御装置50側に流出する。即ち、冷却水の経路の数は、多数の中継チューブ86の本数図5の例では30本と同数となり、各々の中継チューブ86に流入する冷却水は、他の中継チューブ86を通らずに収集チューブ88に流出する。ここで、冷却水が入口側接続チューブ76側から出口側接続チューブ78側に進むに従って、発熱したコイルエレメントの熱を吸収して次第に温度が高くなることは、多少なりとも避けられない。しかし、本実施形態では冷却水の経路が多数に分岐しているため、入口側の中継チューブ86を流れる冷却水と、出口側の中継チューブ86を流れる冷却水とで、流路の差は最大でも配給チューブ84の長さ以下に抑えられるので、両者の温度はあまり変わらない。即ち、各々の中継チューブ86に流れる冷却水の温度をほぼ同じにすることができる結果、従来よりも均一的な冷却が可能となる。さらに本実施形態では、製造前の計測結果に基づいて、イメージングのシーケンス実行時における傾斜磁場コイルユニット26の温度が上昇し易い箇所ほど、中継チューブ86を多く配設する。このため、メインコイル26mやシールドコイル26s、シムトレイ104をほぼ均一に冷却しうる。これに対し従来技術では、例えば特許文献2の図2のように、1本の長いチューブを等間隔になるように螺旋状に巻いたものであり、冷却媒体の流路が一つしかない。かかる従来構造では、冷却水は、傾斜磁場コイルの入口側から出口側に進むに従って、発熱したコイルエレメントの熱を吸収し、次第に温度が高くなるため、出口側では冷却水の温度が上がっているので冷却効果が大きく下がる。また、上記従来技術では、製造工程上、冷却チューブとしての1本の長いパイプをコイル状に巻くため、長いパイプが用いていた。これに対し本実施形態では、長いパイプを要せずとも、図3の分解斜視図に示すように、複数のチューブを連結することによって、十分な冷却機能を備えた傾斜磁場コイルユニットを製造可能である。また、長尺状の配給チューブ84および収集チューブ88を複数の円弧状の中継チューブ86によって互いに連結する本実施形態の手法の方が、従来のように一本の長いパイプを巻くよりも簡易に製造可能である。また、従来の冷却管系統は、1本の長いパイプをコイル状に巻いた構造上、1箇所でも不良が生じた場合には全部を交換していた。これに対し、複数のチューブを連結した本実施形態の構造では、中継チューブ86の1つに不良が生じた場合には当該不良部分を新しい中継チューブ86に交換すればよいため、部分的な修理が可能である。また、本実施形態の傾斜磁場コイルユニット26は、上記のように従来よりも簡易に製造可能であるため、使用されるシーケンス、MRI装置のグレードや、傾斜磁場電源のスペック等に応じて、製造時に中継チューブ86の本数や配置を適切に変更しうる。以上説明した実施形態によれば、MRIにおける傾斜磁場コイルを従来よりも均一に冷却することができる。実施形態の補足事項[1]上記実施形態では、冷却管系統が一層である例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではなく、例えば二層であっても三層以上であってもよい。図7は、冷却管系統を二層とした場合の傾斜磁場コイルユニット26Bの支持部材80bのX-Y平面の断面を前述の図6と同様に示すものである。クーリング層26c’において、シムトレイ104の配設層の内側には、配給チューブ84、中継チューブ86、および、不図示の収集チューブ88からなる第1の冷却管系統の層が配設される。また、クーリング層26c’において、シムトレイ104の配設層の外側には、配給チューブ84b、中継チューブ86b、および、収集チューブ88b図8参照からなる第2の冷却管系統の層が配設される。図8は、図7に示す傾斜磁場コイルユニット26Bの冷却管系統を示す模式的斜視図である。図8において、外側になる上記の第2の冷却管系統は太い実線および点線で示し、内側になる第1の冷却管系統は細い実線および点線で示す。なお、図8では煩雑となるので、第1の冷却管系統、第2の冷却管系統共に中継チューブ8686bの数を18としているが、これは一例にすぎない。中継チューブ8686bの数は、18未満でもよく、19以上でもよい。また、第1の冷却管系統と、第2の冷却管系統とで、中継チューブ8686bの数や配置を変えてもよいし、図8のように同じにしてもよい。また、図2~図6で説明した冷却管系統が一層の構成の場合、冷却管系統の層は、シムトレイ104よりもシールドコイル26s側に配置する構成でもよいが、上記実施形態のようにシムトレイ104よりもメインコイル26側の方が望ましい。メインコイル26mの方が、発熱が大きいと考えられるからである。[2]上記実施形態では、傾斜磁場コイルユニット26の軸方向をZ軸方向鉛直方向に直交する方向に合致させる例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。例えば、静磁場用磁石22、シムコイル24、傾斜磁場コイルユニット26、RFコイル28等で構成される円筒状のガントリの軸方向を鉛直方向に合致させて配置可能な構成としてもよい。図9は、この場合における傾斜磁場コイルユニット26Cの冷却管系統の一例を示す模式的斜視図である。この場合、傾斜磁場コイルユニット26Cの軸方向が鉛直方向に合致するため、重力で水が流れ易いように、中継チューブ86を傾けて配置することが望ましい。即ち、中継チューブ86は、配給チューブ84との連結部分において鉛直方向最も上側になり、収集チューブ88との連結部分において鉛直方向最も下側にすればよい。この場合も、重力に従って、接続チューブ76-配給チューブ84-中継チューブ86-収集チューブ88-接続チューブ78の経路で円滑に冷却媒体が流れる。また、図9では煩雑となるので、中継チューブ86の数を18としているが、これも上記同様に一例にすぎない。[3]鉛直方向に水を流す例を述べたが、逆方向に循環させてもよい。但し、上記実施形態のように、鉛直方向に水を流す方が、循環に要する圧力を小さくできる点から望ましい。[4]上記実施形態では、静磁場用磁石22、シムコイル24、傾斜磁場コイルユニット26等から構成される円筒状のガントリの一端側および他端側が開口している例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。例えば、図10に示すように、傾斜磁場コイルユニット26Dの支持部材80dの一端側接続チューブ76側が閉じており、他端側接続チューブ78側のみが被検体の挿入用に開口した形状であってもよい。或いは、傾斜磁場コイルユニット26Dの支持部材80dの形状は、直方体の中央部を被検体が配置される撮像空間となる中空部分として刳り貫いた形状などであってもよい。[5]基準設置状態において傾斜磁場コイルユニット26をY―Z平面で2等分した場合に、中継チューブ86が両側片側は、図5の実線で示す中継チューブ86であり、反対側は点線で示す中継チューブ86にある例を述べた。これは一例にすぎず、例えば、Y―Z平面で2等分した場合に片側のみに中継チューブ86を配置した構造であってもよい。[6]配給チューブ84および収集チューブ88が棒状長尺状である例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。配給チューブ84および収集チューブ86は、例えば、一定軸方向に進行する正弦波の波形のようにうねった湾曲を繰り返した形状であってもよい。[7]温度が上がり易い箇所ほど、中継チューブ86の本数を多くする例を述べた。本発明の実施形態は、かかる態様に限定されるものではない。温度が上がり易い箇所ほど冷却媒体の流量が多くすることで、傾斜磁場コイルユニット26の温度をより均一に近づける観点からは、例えば中継チューブ86を等間隔で埋設すると共に、温度が上がり易い箇所ほど中継チューブ86の内径を大きくしてもよい。或いは、温度が上がり易い箇所ほど、中継チューブ86の本数を多くすると共に中継チューブ86の内径を大きくしてもよい。これらの場合も同様の効果が得られる。[8]請求項の用語と実施形態との対応関係を説明する。なお、以下に示す対応関係は、参考のために示した一解釈であり、本発明を限定するものではない。配給チューブ84は、請求項記載の第1管部材の一例である。収集チューブ88は、請求項記載の第2管部材の一例である。中継チューブ86は、請求項記載の中継管部材の一例である。[9]本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。