方法であって、計算プラットフォームのメモリモジュール上にある複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の熱管理制御を構成するための手法を実現する工程を備え、前記手法が、前記メモリモジュールの温度を監視するための熱センサを含む、前記メモリモジュールの構成と、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールに関連した熱情報と、前記複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の近似温度であって、前記近似温度は、前記熱情報、及び熱センサから得られた温度に基づく近似温度とに基づく方法。請求項1記載の方法であって、前記メモリ装置の熱管理制御を構成するための前記手法を実現する工程が、前記メモリモジュールが、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに一致するか否かを判定する工程と、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに一致しないメモリモジュールに基づいて前記計算プラットフォームによって保持される1つ又は複数の基本入出力システムBIOSテーブルからデフォールトの熱情報を得る工程とを更に備える方法。請求項2記載の方法であって、前記デフォールト情報が1つ又は複数のデフォールト熱特性を含み、前記1つ又は複数のデフォールト熱特性は、前記メモリ装置の高い温度点に関する値と、前記熱センサの精度に関する値と、高ワークロードモードにおけるメモリ装置に関するオフセット値とを含む方法。請求項3記載の方法であって、前記メモリ装置の熱管理制御を構成するための前記手法が、前記1つ又は複数の熱特性に基づいて閾値を判定する工程を更に備え、前記閾値は、前記閾値を満たすか、又は超える、前記熱センサから得られた温度に基づいて前記メモリ装置の熱管理制御の実現を示す方法。請求項1記載の方法であって、前記メモリ装置の熱管理制御を構成するための前記手法を実現する工程が、前記メモリモジュールが、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに一致するか否かを判定する工程と、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに一致するメモリモジュールに基づいて、前記計算プラットフォームによって保持される1つ又は複数の基本入出力システムBIOSから、熱センサ構成を備えた前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報の少なくとも一部分を得る工程とを更に備える方法。請求項5記載の方法であって、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報は、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールの1つ又は複数の熱特性を含み、前記1つ又は複数の熱特性は、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールが計算プラットフォーム上の1つ又は複数の動作モードにある間に情報を収集する工程であって、収集情報が、前記メモリモジュール上にある1つ又は複数のメモリ装置の温度と、前記熱センサの温度と、前記モジュールによって消費される電力とを含む工程と、前記収集された情報に基づいて前記1つ又は複数の熱特性を判定する工程とによって判定される方法。請求項6記載の方法であって、前記メモリ装置の熱管理制御を構成するための前記手法が、前記1つ又は複数の熱特性を含む、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した前記熱情報に基づいて閾値を判定する工程を更に備え、前記閾値は、前記閾値を満たすか、又は超える、熱センサから得られた温度に基づいた、前記メモリ装置の熱管理制御の実現を示す方法。請求項1記載の方法であって、前記メモリモジュールを監視するための熱センサが、前記メモリモジュール上にある熱センサを備える方法。方法であって、計算プラットフォーム上のメモリモジュールを監視する熱センサから温度を得る工程であって、前記メモリモジュールが、複数のメモリ装置を含む、熱センサ構造を有する特定のメモリモジュールにある工程と、前記複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の温度を近似する工程であって、前記近似温度が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報、及び、前記熱センサから得た温度に基づく工程と、前記メモリ装置の熱管理制御を前記近似温度に基づいて実現する工程とを備える方法。請求項9記載の方法であって、前記メモリ装置の熱管理制御を実現する工程は、前記近似温度が閾値を満たすか、又は超えるかを判定する工程を含み、前記閾値が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報に基づく方法。請求項9記載の方法であって、熱管理制御は、前記メモリ装置に対するメモリアクセス要求を抑制する工程、及び、前記メモリ装置に供給される電力を削減する工程の少なくとも一方を含む方法。請求項11記載の方法であって、メモリアクセス要求を抑制する工程は、前記メモリ装置が特定の期間にわたってアクセスされるレートを、前記計算プラットフォームのメモリコントローラが削減する工程を備える方法。請求項11記載の方法であって、前記メモリモジュールに供給される電力を削減する工程は、前記計算プラットフォームのオペレーティングシステムが、前記メモリ装置を、より低い電力状態に移行させる工程を備える方法。請求項9記載の方法であって、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報、及び前記熱センサから得られた温度に基づいて前記メモリ装置の温度を近似する工程は、前記熱情報が熱特性を含める工程を備え、前記熱特性が、前記熱センサの分解能と、前記熱センサの精度と、低ワークロードモードにおける前記メモリ装置に関する第1のオフセット値と、高ワークロードモードにおける前記メモリ装置に関する第2のオフセット値と、前記低ワークロードモードと前記高ワークロードモードとの間のワークロードモードにおける前記メモリ装置に関する第3のオフセット値を判定するためのシータ値とを含み、前記シータ値は、前記メモリ装置によって消費される電力における特定の増加に対する、温度における特定の増加に関する方法。請求項14記載の方法であって、前記低ワークロードモードと前記高ワークロードモードとの間のワークロードモードが、前記メモリ装置によって消費される電力に基づいて判定される方法。請求項9記載の方法であって、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールにおける前記メモリモジュールは、スモールアウトラインデュアルインラインメモリモジュールであって、前記SODIMM上に前記熱センサがあるSODIMMとしての前記メモリモジュールを有する方法。装置であって、計算プラットフォームの熱マネージャであって、前記熱マネージャは、複数のメモリ装置を含むメモリモジュールを監視する熱センサから温度を得る手段であって、前記メモリモジュールが、熱センサ構造を有する特定のメモリモジュールにある手段と、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報、及び、前記熱センサから得た温度に基づいて、複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の温度を近似する手段と、該メモリ装置の熱管理制御を前記近似温度に基づいて実現する手段とを備える装置。請求項17記載の装置であって、前記メモリ装置の熱管理制御を実現する手段は、前記近似温度が閾値を満たすか、又は超えるかを判定する手段を含み、前記閾値が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報に基づく装置。請求項17記載の装置であって、前記熱管理制御を実現する手段は、前記メモリ装置に対するメモリアクセス要求を抑制させる手段、及び、前記メモリ装置に供給される電力を減少させる手段の少なくとも一方を含む装置。計算プラットフォームであって、複数のメモリ装置を含むメモリモジュールであって、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールにあるメモリモジュールと、前記メモリモジュールのメモリコントローラと、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールにおける前記メモリモジュールの熱センサから温度を得る手段と、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報、及び、前記熱センサから得た温度に基づいて、前記複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の温度を近似する手段と、該メモリ装置の熱管理制御を近似温度に基づいて実現する手段とを含む熱マネージャとを備える計算プラットフォーム。請求項20記載の計算プラットフォームであって、前記メモリ装置の熱管理制御を実現するために前記熱マネージャに含まれる手段は、前記近似温度が閾値を満たすか、又は超えるかを判定する手段を含み、前記閾値が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報に基づく計算プラットフォーム。請求項21記載の計算プラットフォームであって、熱管理制御を実現するために前記熱マネージャに含まれる手段は、メモリコントローラによる、前記メモリ装置へのメモリアクセス要求の抑制、及び、前記計算プラットフォームのオペレーティングシステムによる、前記メモリ装置に供給する電力の削減の少なくとも一方を行わせる手段を備える計算プラットフォーム。請求項22記載の計算プラットフォームであって、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールにおける前記メモリモジュールは、スモールアウトラインデュアルインラインメモリモジュールSODIMMであって前記SODIMM上に前記熱センサがあるSODIMMとしてのメモリモジュール、並びに、ダブルデータレートの第2世代シンクロナスランダムアクセスメモリDDR2SDRAM装置、及び、ダブルデータレートの第3世代シンクロナスランダムアクセスメモリDDR3SDRAM装置のうちの一方を含む1つ又は複数のメモリ装置を有する計算プラットフォーム。計算プラットフォーム上にあるマシンによって実行されると前記マシンに、前記計算プラットフォーム上のメモリモジュールを監視する熱センサから温度を得る機能であって、前記メモリモジュールが、複数のメモリ装置を含む、熱センサ構造を有する特定のメモリモジュールにある機能と、前記複数のメモリ装置のうちの1つのメモリ装置の温度を近似する機能であって、前記近似温度が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報、及び、前記熱センサから得た温度に基づく機能と、前記メモリ装置の熱管理制御を前記近似温度に基づいて実現する機能とを行わせるコンテンツを備えるマシンアクセス可能な媒体。請求項24記載のマシンアクセス可能な媒体であって、前記メモリ装置の熱管理制御を実現する機能は、前記近似温度が閾値を満たすか、又は超えるかを前記マシンが判定する機能を含み、前記閾値が、熱センサ構成を有する前記特定のメモリモジュールに関連した熱情報に基づくマシンアクセス可能な媒体。請求項24記載のマシンアクセス可能な媒体であって、熱管理制御を実現する機能は、前記メモリ装置に対するメモリアクセス要求を前記マシンに抑制させる機能、及び、前記メモリ装置に供給される電力を前記マシンに減少させる機能の少なくとも一方を含むマシンアクセス可能な媒体。背景において述べたように、冷却の制約は、コンパクトな計算プラットフォーム又はモバイル計算プラットフォームにおける課題であり、メモリ装置の温度が高精度であることが、前述の課題を満たすうえで重要である。最大メモリケース温度又はハイポイント高温点メモリケース温度は通常、最大メモリ装置温度を超えないことを確実にするために、バッファ又はガードバンドと関連している。通常、得られるメモリ装置温度が高精度なほど、メモリ装置は効率的であり、障害を受けにくいことがあり得る。前述の高精度によって、ガードバンドがより小さくなるか、又はより狭くなり得る。よって、メモリ装置は、熱管理制御例えば、メモリアクセスの抑制が起動される前に、より高い温度に達し得る。しかし、各メモリ装置上に熱センサを直接配置してその精度を高めることのコスト、及び複雑度の増大は、問題となり得る。一例では、計算プラットフォームのメモリモジュール上にあるメモリ装置の熱管理制御を構成するための手法が実現される。例えば、ランタイム環境では、構成された熱管理制御が実現される。一例では、温度が、メモリモジュールを監視する熱センサから得られる。メモリモジュールは例えば、メモリ装置を含む、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールにある。メモリ装置の温度の近似は、例えば、メモリモジュールの特定の構成、及び得られた温度に関連した熱情報に基づいて行われる。この例によれば、メモリ装置の構成された熱管理制御は、近似温度に基づいて実現される。[実施例]図1は、計算プラットフォーム例100の構成要素を示す図である。図1に表す一例では、計算プラットフォーム100は、熱マネージャ110、ネットワークインタフェース120、処理エレメント130、メモリコントローラ140、熱センサ150、及びメモリモジュール160を含む。図1に示していないが、計算プラットフォーム100は更に、他のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又は前述の構成要素の組み合わせを含み、計算装置の一部であり得る。この計算装置は、ウルトラモバイルコンピュータUMC、ノートブック型コンピュータ、ラップトップ型コンピュータ、タブレット型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、ディジタルブロードバンド電話装置、ディジタルホームネットワーク装置例えば、ケーブル/衛星/セットトップボックス等、携帯情報端末PDA、シャシー及び/又はラック内のシングルブレードコンピュータ、サーバ等であり得る。一例では、後述するように、熱マネージャ110は、計算プラットフォーム100のメモリモジュール160上にある1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を構成するための手法を実現する。例えば、ランタイム環境では、構成された熱管理制御は、計算プラットフォーム110の熱マネージャ110及び/又は他の構成要素例えば、メモリコントローラや処理エレメント130の構成によって実現される。一例では、熱マネージャ110は、1つ又は複数の通信リンクを介して計算プラットフォーム100の他の構成要素に結合される。前述の通信リンクは例えば、通信リンク112、114、116及び118として図1に表す。後述するように、熱マネージャ110は例えば、メモリモジュール上にある1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を実現するか、又は実現させるための前述の他の構成要素との適切なインタフェースを含む。一例では、ネットワークインタフェース120は、ネットワークリンク101例えば、有線又は無線のローカルエリアネットワークLAN/WLAN、ワイドエリアネットワークWAN/WWAN、メトロポリタンエリアネットワークMAN、パーソナルエリアネットワークPAN、及び、セルラ又は無線のブロードバンド電話ネットワークを介してネットワークに結合される。ネットワークインタフェース120は例えば、このネットワークとの間でデータを送受信するためのハードウェア、ソフトウェア又はファームウェアを含む。これは、ネットワークリンク101を介してデータを送受信するために1つ又は複数のネットワークインタフェースカード、又は他のエレメントを含み得る。一例では、通信リンク122をネットワークインタフェース120のエレメントによって用いて、メモリコントローラ140へのメモリ読み出し/書き込み要求を行うことができる。前述の要求によって、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dとの間でデータの送出/取り出しを行うことができる。一例では、処理エレメント130は、計算プラットフォーム100上の1つ又は複数の処理動作をサポートするためのソフトウェア、ハードウェア、及び/ファームウェアを含む。これは、ソフトウェアオペレーティングシステム及び/アプリケーションなど、ハードウェアマイクロプロセッサ、ネットワークプロセッサ、サービスプロセッサ、マイクロコントローラ、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、特定用途向集積回路ASICなど、並びに、ファームウェア基本入出力システムBIOSの起動及び/又は計算プラットフォーム100の構成要素の起動を仮想化動作のために行うための実行可能なコードを含むを含み得る。一例では、通信リンク132を処理エレメント130によって用いて、メモリコントローラ140に対するメモリ読み出し/書き込み要求を行うことができる。一例では、メモリコントローラ140は、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dとの間でのデータの記憶書き込み及び取り出し読み出しを行う旨の要求を処理/完了する。例えば、前述の要求は、通信リンク122又は132を介して受信することができる。一実現形態では、メモリコントローラ140は、例えば、熱マネージャ110によって判定される近似温度に基づいて前述のメモリ要求が処理されるレートを抑制する例えば、メモリバンド幅を抑制することができる。一例では、メモリコントローラ140は、処理エレメント130のうちのエレメントと一体化させることができる。例えば、メモリコントローラ140は、マイクロプロセッサの一体化されたメモリコントローラとしての役目を担い得る。この例では、熱マネージャ110は、例えば、通信リンク112を介して処理エレメント130に結合されたインタフェースを介して、又は、例えば、通信リンク132を介して一体化されたメモリコントローラ140に直結されたインタフェースを介してメモリコントローラ140と通信することができる。一例では、図1に表すように、メモリモジュール160はメモリ装置160A乃至Dを含む。一実現形態では、前述のメモリ装置160A乃至D及びメモリモジュール160は、少なくとも1つのメモリチャネル例えば、データ送信及びデ―タ受信通信リンクを含むを介してメモリコントローラ140に結合する。この結合の例は、図1に表し、メモリチャネル162を含む。各メモリ装置との間で書き込み又は読み出しが行われる対象のデータは、メモリチャネル162によって例えば、シリアル通信リンクを介して、又は、複数のパラレル通信リンクを介してルーティングされる。本明細書及び特許請求の範囲は、図1に示すような、4つのメモリ装置を備えた単一のメモリモジュールのみに限定されず、何れかの数のメモリモジュールを含み得るものであり、何れかの数のメモリ装置及びメモリチャネルも含み得る。図2は、熱マネージャ110のアーキテクチャの例のブロック図である。図2では、熱マネージャ110のアーキテクチャの例は、熱処理ロジック210、制御ロジック220、メモリ230、入出力I/Oインタフェース240を含み、任意的に、1つ又は複数のアプリケーション250を含む。一例では、図2のブロック図において表す構成要素は、本明細書及び特許請求の範囲記載の熱マネージャ110をサポート又はイネーブルするための構成要素であるが、特定の熱マネージャは、図2に表す構成要素に対して、その一部又は全部を含み得るものであり、それ以上の構成要素を含み得る。例えば、熱処理ロジック210及び制御ロジック220はそれぞれ、又は併せて、熱マネージャ110の構成を実現するための広範囲にわたるロジック装置又は実行可能なコンテンツを表し得る。前述のロジック装置は、マイクロプロセッサ、ネットワークプロセッサ、サービスプロセッサ、マイクロコントローラ、FPGA、ASIC、マルチコア/マルチスレッドマイクロプロセッサの隔離スレッド又はコア、プロセッサの特殊動作モード例えば、システム管理モード、又はそれらの組み合わせを含み得る。図2では、熱処理ロジック210は、構成機能212、収集機能214、処理機能216及び抑制機能218を含む。一実現形態では、熱処理ロジック210は前述の機能を用いていくつかの動作を行う。前述の動作は例えば、メモリモジュール上にあるメモリ装置の熱管理制御を構成する動作、メモリ装置の温度を近似するために、メモリモジュール上の熱センサから温度を収集又は取得する動作、及び近似温度に基づいて、メモリ装置へのメモリアクセス及び/電力を抑制するか、又は抑制させる動作を含む。制御ロジック220は、熱マネージャ110の全体動作を制御することができ、前述の通り、熱マネージャ110の制御を実現するための、広範囲にわたるロジック装置又は実行可能なコンテンツの何れかを表し得る。別の例では、制御ロジック220の構成及び機能は、熱処理ロジック210内で実現される。一例では、メモリ230は、実行可能なコンテンツを記憶する。実行可能なコンテンツを、制御ロジック220及び/又は熱処理ロジック210によって用いて、熱マネージャ110の構成又は構成要素を実現するか、又は起動させることができる。以下に更に詳細に説明するように、メモリ230は、計算プラットフォーム100のメモリモジュールの特定の構成に関連した熱情報を一時的に保持することもできる。熱情報は例えば、処理エレメント130例えば、ファームウェアによって保持される1つ又は複数のBIOSテーブルから得ることができる。熱情報は例えば、特定のメモリモジュールの構成の1つ又は複数の特性を含み、メモリモジュールの温度を監視するための熱センサの1つ又は複数の特性も含む。前述しており、更に後述するように、熱情報を用いて、メモリモジュール上にあるメモリ装置の温度を近似することができる。I/Oインタフェース240は、熱マネージャ110と、計算プラットフォーム100上にある構成要素との間の通信媒体又はリンクによってインタフェースを備えることができる。図1について前述したように熱マネージャ110は、通信リンク112、114、116及び118を介して前述の構成要素に結合し得る。I/Oインタフェース240は例えば、前述の通信リンクを介して通信するための種々の通信プロトコルによって動作するインタフェースを含む。例えば、I/Oインタフェース240は、SystemManagementBusSMBusSpecificationversion20August2000、及び/又は後のバージョンなどの技術仕様に記載された通信プロトコルによって動作する。I/Oインタフェース240は、計算プラットフォーム100に対して遠隔にあるエレメントとのインタフェースも設け得る。その結果、I/Oインタフェース240は、一連の命令を前述のエレメントから受信するよう熱処理ロジック210又は制御ロジック220をイネーブルすることができる。一連の命令は、熱マネージャ110の1つ又は複数の機能を実現するよう熱処理ロジック210及び/又は制御ロジック220をイネーブルすることができる。一例では、熱マネージャ110は、制御ロジック220及び/又は熱処理ロジック210に内部命令を供給するための1つ又は複数のアプリケーション250を含む。アプリケーション250は、BIOS情報例えば、熱情報にアクセスしてメモリモジュール上にある1つ又は複数のメモリ装置の熱管理制御の少なくとも一部分を実現するためのドライバも含み得る。前述のドライバは例えば、処理エレメント130によって例えば、ファームウェアハブから、又はオペレーティングシステムOSから備えることができる。図3は、計算プラットフォーム100上のメモリモジュール160の構成例300を示す。一例では、図3に示すメモリモジュール160の構成300は、メモリモジュール160について図1に表す構成と実質的に同じ構成である。図1と同様に、一例では、図3は、メモリ装置160A乃至D、及び熱センサ150を有するメモリモジュール160を表す。メモリモジュール160は例えば、メモリチャネル162を介してメモリコントローラ140に結合され、熱センサ150は、通信リンク118を介して熱マネージャ110のロジック機能に結合される。前述の結合は例えば、図1における結合とも類似している。一例では、メモリモジュール160はデュアルインラインメモリモジュールDIMMであり、メモリ装置160A乃至DはダイナミックランダムメモリアクセスDRAM装置であるが、本明細書及び特許請求の範囲は、このタイプのメモリモジュール及びメモリ装置のみに限定されない。別の例では、メモリモジュール160は、スモールアウトラインDIMMSODIMM又はシングルインラインメモリモジュールSIMMである。DRAM装置は、ダブルデータレートDDRシンクロナスDRAMの世代DDR第1世代、DDR2第2世代やDDR3第3世代などを含み得るが、これらに限定されない。他のタイプのメモリは、DDRや他のメモリ技術の将来の世代も含み得る。一例では、熱マネージャ110のロジック機能は熱センサ150及びメモリコントローラ140と相互作用して、メモリモジュール160上にある1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を実現する。熱マネージャ110の前述のロジック機能は例えば、熱処理ロジック210のロジック機能である。図3に表すように、前述のロジック機能は、構成機能212、収集機能214、処理機能216及び抑制機能218を含む。前述しており、更に後述するように、一例では、図3に表すロジック機能によって、近似温度に基づいてメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を熱マネージャ110が実現するか、又は他のエレメント/エンティティに実現させることが可能になる。熱管理制御を実現させることは、例えば、計算プラットフォーム100のために、又は計算プラットフォーム100に応答して、近似温度を熱管理エンティティに中継することを含む。前述の熱管理エンティティは、メモリコントローラ140又は処理エレメント130例えば、OSの一部であり得る。図4に示すように、テーブル410及び420は、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールの熱特性例、及びデフォールトの熱特性それぞれを記載している。テーブル410に表す熱特性は、例えば、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールに関連した熱情報の少なくとも一部分であり、計算プラットフォームが種々の動作モードにある間に収集され、判定される。前述の動作モードは一例では、最大ワークロードメモリ利用度のハイポイント、及び最小又はアイドル状態のワークロードメモリ利用度のローポイントを含む。テーブル420に表すデフォールト熱特性は例えば、最悪の場合のシナリオをカバーする一般化された情報に基づく。前述の最悪の場合のシナリオは、熱センサ構成を有する通常のメモリモジュールを考慮に入れ、メモリモジュールのメモリ装置及び熱センサがメモリモジュール上で通常ある場所例えば、中央、又は中央付近について仮定し得る。前述のシナリオは、計算プラットフォームの動作モード例えば、最小/低ワークロード及び最大/高ワークロードの通常の動作シナリオも考慮に入れ得る。一実現形態では、テーブル410の熱特性が、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールに関連した熱情報の一部として計算プラットフォームによって例えば、BIOSテーブル及び/又はファームウェアにおいて保持される。テーブル420において表すデフォールト熱特性も計算プラットフォームによって同様に保持される。更に、例えば、テーブル410及び420におけるものと同様な他の熱特性が、熱センサ構成を有する他の特定のメモリモジュールと関連付けられる。例えば、前述の他の熱特性も計算プラットフォームによって保持される。一実現形態では、計算プラットフォームによって保持される熱特性例えば、テーブル410及び/又は420は、通常の、又は標準化された計算プラットフォームが、前述のような種々の動作モードにある間に、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールの検査に基づいて判定される。前述の検査は、メモリモジュールの製造業者によって、又は計算プラットフォーム若しくはチップセットの製造業者によって行うことができる。例えば、検査される場合、検査対象のメモリモジュールの各メモリ装置上に熱センサを含む、検査又は監視の環境が設定される。一例では、メモリ装置の熱センサは各メモリ装置例えば、メモリ装置のケース、又は外部パッケージの外側に結合することができ、前述のセンサから平均気温が収集される。別の熱センサは、メモリモジュールの温度を監視する。例えば、この別の熱センサからの温度の平均も収集される。例えば、特定の構成におけるメモリモジュールによって消費される電力も、動作モード毎に監視、収集、及び平均化される。一例では、構成300は特定の構成であり、この構成は熱センサ150を含む。構成300の検査は例えば、メモリ装置160A乃至Dそれぞれのケース温度を監視するための熱センサ図示せずを含む。メモリモジュール160によって消費される電力は、コンピュータプラットフォーム100が特定の動作モード例えば、最大/高メモリワークロード又は最小/低メモリワークロードにある間に測定される。検査の結果、例えば、図4のテーブル410に表す熱特性が、収集された情報に基づいて判定される。一例では、メモリ装置160A乃至Dの前述の熱特性の少なくとも一部をテーブル410において、最小オフセット及び最大オフセット単位:摂氏°C、並びに、シータワット毎摂氏°CWとして表す。最小オフセットは例えば、メモリ装置が最小低ワークロードモードにある間のオフセットである。最大オフセットは例えば、メモリ装置が最大高ワークロードモードにある間のオフセットである。シータは例えば、メモリモジュール160によって消費される電力単位:ワットが最小低ワークロードから最大高ワークロードに増加するにつれて、メモリ装置毎に温度オフセットがどのようにして変動するかを示す。一実現形態において、ランタイム環境では、前述の熱特性を用いて、メモリモジュール160上にメモリ装置160Bとメモリ装置160Cとの間にある熱センサ150から得られる温度に基づいて1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの温度を近似する。一実施例では、この近似は、各メモリ装置において、又は各メモリ装置上に熱センサを有することの代わりである。近似は、構成300の構成要素の特定の熱特性例えば、熱センサ150の分解能、熱センサ150の精度、及びメモリモジュール160によって消費される電力、1つ又は複数のメモリモジュール160A乃至Dによって消費される電力等を説明する他の熱情報にも基づき得る。1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御は例えば、その場合、近似温度に基づいて実現される。この熱管理制御を構成し、近似温度に基づいて熱管理制御を実現するための手法は、図5及び図6に表す手法例において更に説明する。図5は、メモリモジュール160上の1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を構成するための手法を実現するための方法例のフロー図である。一例では、図1に表す計算プラットフォーム100、及び図3に表す構成300を用いてこの方法を説明する。ブロック510では、例えば、計算プラットフォーム100が、オンにされるか、又はブートアップされる。このブートアップは、電力が、当初、計算プラットフォーム100に供給される際に、又は、計算プラットフォームのリセットに伴って行われ得る。ブロック520において、一例では、計算プラットフォーム100がブートアップされると、熱マネージャ110における熱処理ロジック210が構成機能212を起動させる。構成機能212は一例では、計算プラットフォーム100上にあるメモリモジュールについての構成情報を得る。この構成情報は例えば、メモリコントローラ140から、又は、直接、計算プラットフォーム100上にあるメモリモジュールから例えば、メモリモジュール160に関連した1つ又は複数のケーパビリティレジスタから得ることができる。一実現形態では、得られた構成情報は、図3に表すようにメモリモジュール160が構成300にあることを示す。前述の通り、一例では、構成300はメモリ装置160A乃至Dを含み、メモリセンサ150が、メモリ装置160Bとメモリ装置160Cとの間にある。ブロック530において、一例では、構成機能212は、構成300が、認識された構成であるか否かを判定する。この認識は例えば、熱センサ構成を有する1つ又は複数の特定のメモリモジュールに関連した熱情報の一部として、BIOSテーブル及び/又はファームウェアにおいて計算プラットフォーム100の処理エレメント130によって保持される熱情報に少なくとも部分的に基づく。一実現形態では、前述のBIOSテーブル及び/又はファームウェアは、複数の構成の熱情報を保持することができ、デフォールトの熱情報を保持することもできる。図4について前述したように、この熱情報は、テーブル410及び/又は420において表す熱特性を含み得る。ブロック540において、一例では、構成300は、認識された構成であり、かつ又は、BIOSテーブル及び/又はファームウェアにおいて熱情報を保持させた熱センサ構成を有する1つ又は複数の特定のメモリモジュールの構成に一致する。図4について前述したように、一例では、この熱情報は、テーブル410に表す熱特性を含む。この情報は、熱センサ150の分解能、熱センサ150の精度、並びに、メモリモジュール160及び/又はメモリ装置160A乃至Dによって消費される電力も含み得る。構成機能212は例えば、その熱情報を取得し、前述の熱情報をメモリ例えば、メモリ230に少なくとも一時的に記憶する。ブロック550において、一例では、構成300は、認識された構成でない。この例では、図4について前述したように、デフォールト熱情報は、テーブル420に表す熱特性を含む。この情報は、通常の熱センサの分解能、通常の熱センサの精度、並びに、通常のメモリモジュール及び/又はメモリ装置によって消費される電力も含み得る。構成機能212は例えば、デフォールト熱情報を取得し、そのデフォールト熱情報をメモリ例えば、メモリ230に少なくとも一時的に記憶する。ブロック560において、一例では、メモリ装置160A乃至Dの熱管理制御は、認識されていない構成300に関連したデフォールト熱情報、又は認識された構成300に関連した熱情報に基づいて構成される。一実現形態では、図6において表す方法において更に説明するように、熱情報を用いて、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの温度を近似し、近似温度に基づいてメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を実現する。一例では、熱情報を用いて、近似温度に関連した1つ又は複数の特定の閾値を判定することもできる。前述の1つ又は複数の特定の閾値を用いることは、メモリ装置160A乃至Dの熱管理制御の局面であり得る。この局面は例えば、前述のメモリ装置への損傷を阻止するよう機能し、1つ又は複数のメモリ装置の近似温度が、特定の閾値の少なくとも1つを超えた場合、1つ又は複数の熱管理制御動作をトリガする。一閾値は例えば、満たされたか、超えた場合、動作がまもなく必要である旨を示す上閾値であり得る。別の閾値は例えば、満たされたか、超えた場合、動作が直ちに必要である旨を示すクリティカル閾値であり得る。クリティカル閾値は例えば、メモリ装置に損傷及び/又は障害が生じる可能性が高い温度に基づく。一実現形態では、メモリ装置160A乃至D毎の上閾値Memupper及びクリティカル閾値Memcriticalは、テーブル410に示された最大オフセット温度Maxoffset、熱センサ150の精度Tempaccuracy及びガードバンド温度guardbandに基づいて判定される。ガードバンドは例えば、近似温度が特定の閾値を超えた場合に実際のメモリ装置温度が超えない可能性を削減する。表1は、上閾値及びクリティカル閾値を判定するための式の例を表す。UpperThresholdMemupperMaxoffsetTempaccuracyguardbandCriticalThresholdMemcriticalMaxoffsetTempaccuracyguardband一例では、熱センサ150の精度は、1°Cであり、1°Cのガードバンドを用いる。この例では、メモリ装置160A乃至Dの上閾値を判定するために用いる値は85°Cであり、クリティカル閾値を判定するために用いる値は95°Cである。この例では、テーブル410からの、メモリ装置160Aの場合の70°Cの最大オフセット、及び表1における式を用いれば、上閾値及びクリティカル閾値はそれぞれ、760°C及び860°Cである。あるいは、構成300が認識されていない場合、80°Cの最大オフセットを示す、テーブル420からのデフォールト情報を用い、上閾値及びクリティカル閾値はそれぞれ、750°C及び850°Cになる。何れの場合にも、上閾値及びクリティカル閾値は例えば、メモリ例えば、メモリ230における構成機能212によって少なくとも一時的に記憶される。前述の上閾値及びクリティカル閾値の判定は、例えば、熱センサ構成を有する特定のメモリモジュールに基づいて、メモリモジュール上の1つ又は複数のメモリ装置の熱管理制御を構成する一局面に過ぎない。本明細書及び特許請求の範囲は、メモリモジュール上の前述の1つ又は複数のメモリ装置の熱管理制御を構成するための前述の局面に限定されない。一例では、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理の構成は、計算プラットフォーム100の別のブートアップに基づいて、又は計算プラットフォーム100のリセットに伴ってブロック510においてやり直す。図6は、メモリモジュール160上の1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を実現するための方法例のフロー図である。一例では、図1に表す計算プラットフォーム100、及び図3に表す構成300を用いてこの方法を説明する。更に、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの熱管理制御は、図5に表す方法について説明したように構成されている。ブロック610において、一例では、計算プラットフォーム100が、既にブートアップされており、動作中である。一実現形態では、熱処理ロジック210が収集機能214を起動させる。収集機能214は例えば、温度を熱センサ150から通信リンク118を介して取得する。収集機能214は、例えば、温度をメモリ例えば、メモリ230に少なくとも一時的に記憶する。ブロック620において、一例では、熱処理ロジック210が処理機能216を起動させる。処理機能216は例えば、構成300に関連した熱情報へのアクセスを例えば、メモリ230に対して行うか、又は前述の熱情報を例えば、メモリ230から取得する。図5について前述した熱情報は、デフォールト熱情報を含み得るか構成300が認識されなかった場合、又は、構成300に関連した熱情報、若しくは特に構成300の熱情報を含み得る。何れの場合にも、前述の情報、及び収集機能214によって一時的に記憶された温度を用いて、メモリモジュール160上の1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの温度を近似する。この近似は例えば、1つ又は複数の熱特性テーブル410又は420参照、並びに、他の熱情報例えば、熱センサ150の精度、分解能等を含む。ブロック630において、一例では、処理機能216は例えば、近似温度が1つ又は複数の特定の閾値を満たすか又は超えるかを判定する。閾値が満たされないか、又は超えない場合、処理はブロック610に戻り、ブロック610及び620について前述したように、別の温度が得られ、近似される。ブロック640において、一例では、処理機能216は、近似温度が特定の閾値例えば、上閾値及び/又はクリティカル閾値を満たすか又は超える旨を判定する。図5について述べたように、前述の1つ又は複数の特定の閾値の判定は、メモリ装置160A乃至Dの熱管理制御を構成する局面であり得る。一実現形態では、熱処理ロジック210は、抑制機能218を起動させる。抑制機能218は例えば、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dが特定の閾値を満たしているか又は超えており、前述のメモリ装置の熱管理制御が必要である旨をコンピュータプラットフォーム100の構成要素例えば、メモリコントローラ140や、処理エレメント130に通信又は指示する。処理は次いで、ブロック610に戻って、1つ又は複数のメモリ装置160A乃至Dの別の温度を得る。一例では、メモリ装置160Dの近似温度は、1つ又は複数の特定の閾値を満たすか、又は超える。抑制機能218はこのことをメモリコントローラ140に指示する。この指示は例えば、メモリ装置160Dがアクセスされるレートをメモリコントローラ140に抑制させる。この抑制は例えば、メモリ装置160Dの熱管理制御の一部であり、抑制の量は、特定の閾値をどれだけ超えたか、及び/又はどの特定閾値を超えたかに基づき得る。例えば、時間単位毎の特定量のメモリ要求は、メモリ装置160Dの温度に特定量だけ寄与する。一例では、単位時間毎にメモリ要求量を削減又は抑制することは、メモリ装置160Dの温度を、超えた閾値値未満に低減させるという期待された影響を有する。これは、メモリコントローラが熱管理制御を実現してメモリ装置の温度を低減させる方法の一例に過ぎない。本明細書及び特許請求の範囲は、前述の例のみに限定されない。一例では、特定の閾値を、種々の熱管理制御動作と関連付けてメモリ装置160Dを損傷から保護する。一閾値例えば、上閾値は例えば、メモリ装置160Dの温度が上昇しており、動作例えば、メモリ要求の段階的な抑制がまもなく必要である旨の警告としての役目を担う。別の閾値例えば、クリティカル閾値は例えば、メモリ装置160Dの温度が臨界点に達しており、損傷を阻止するか、又は最小にするために動作例えば、メモリ要求全てを停止するか、又はメモリ装置の電源を落とすが直ちに必要である旨の警告としての役目を担う。一実現形態では、抑制機能218は、メモリコントローラ140に加えて、又はメモリコントローラ140の代わりに計算プラットフォーム100の構成要素にメモリ装置160Dの1つ又は複数の特定の閾値を近似温度が満たしたか、又は超えた旨を示す。前述の他の構成要素は、処理エレメント130のソフトウェア構成要素例えば、OSを含み得る。このOSは例えば、メモリ装置160Dの温度を低減させるよう熱管理制御を実現することができる。一例では、OSは、メモリ装置160Dによって消費される特定の電力レベルによって、メモリ装置160Dの温度を特定量だけ上昇させる旨を示す情報を有する。よって、この例では、OSは、メモリ装置160Dの熱管理制御の一部として、メモリ装置160Dによって消費される電力を低減させ、かつ/又はメモリ装置160Dをより低い電力状態に移す。この、電力における低減、又は電力状態遷移は、例えば、メモリ装置160Dの温度を低減させることが期待される。これは、OSが熱管理制御を実現してメモリ装置の温度を低減させることができる方法の一例に過ぎない。本明細書及び特許請求の範囲は、前述の例のみに限定されない。もう一度図1の熱マネージャ110を参照する。熱マネージャ110は例えば、ネットワークインタフェース120、処理エレメント130及びメモリコントローラ140とは別個の、計算プラットフォーム100の構成要素として表す。この例では、熱マネージャ110は、サービスプロセッサなどの専用管理マイクロコントローラの一部であるか、又は前述の専用管理マイクロコントローラ上でホスティングされ得る。別の例では、熱マネージャ110は、メモリコントローラ140を含む計算プラットフォーム100の資源の群例えば、チップセット内にある。熱マネージャ110はこの別の例では、チップセット内の専用管理マイクロコントローラの一部であり得るか、又はメモリコントローラ140内に含まれるか、若しくはメモリコントローラ140上にホスティングされ得る。熱マネージャ110は例えば、熱センサ150から温度を取得し、メモリコントローラ140に結合された種々の通信リンクを介して計算プラットフォーム100の他の構成要素と通信する。図2のメモリ230をもう一度参照すれば、メモリ230は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、フラッシュ、プログラム可能な変数又は状態、ランダムアクセスメモリRAM、リードオンリメモリROM、フラッシュ、又はその他のスタティック記憶媒体若しくはダイナミック記憶媒体を含むが、これらに限定されない広範囲にわたるメモリ媒体を含み得る。一例では、マシン読み取り可能な命令を、マシンアクセス可能な媒体の形態からメモリ230に供給することが可能である。マシンアクセス可能な媒体は、マシン例えば、ASIC、特定用途向のコントローラ又はプロセッサ、FPGAや、その他のハードウェア装置によって読み取り可能な形式において情報を供給すなわち、記憶及び/又は伝送する何れかの機構を表し得る。例えば、マシンアクセス可能な媒体は、ROM、電気的に消去可能なプログラム可能なROMEEPROM、RAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリ装置を含むコンピュータ読み取り可能な媒体を含み得る。マシンアクセス可能な媒体は、伝搬信号例えば、搬送波、赤外信号、ディジタル信号の電気的形式、光学的形式、音響的形式、又はその他の形式を含む通信媒体も含み得る。以上、説明の目的で、本明細書及び特許請求の範囲の理解をもたらすために、数多くの具体的な詳細を記載した。本明細書及び特許請求の範囲は、前述の具体的な詳細なしで実施することが可能である。一方、本明細書及び特許請求の範囲をわかりにくくすることを避けるために、構造及び装置をブロック図で示している。応答するの語への、本明細書及び特許請求の範囲における参照は、特定の機能及び/又は構造のみに対する応答性に限定されない。機能は、別の機能及び/又は構造に対する応答するも有し得るものであり、その機能及び/又は構造内にあることもあり得る。更に、応答するの語は、通信するよう結合された、動作するよう結合されたや、相互作用するなどの他の語と同義であり得るが、上記語はこの点に限定されない。