"熱分解性の樹脂層を、半導体ウェハと基材との間に配置して、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと前記基材とを固定し、積層体を形成する工程と、前記積層体の前記半導体ウェハを加工する工程と、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる工程と、前記半導体ウェハと、前記基材とを分離する工程とを含み、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、前記積層体が配置された容器中の気体を吸引することで前記容器内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、100Pa以下の雰囲気下で、前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法。請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法において、前記基材は、半導体ウェハと略同一形状の擬似ウェハであり、前記半導体ウェハの熱分解性の樹脂層側の面を保護するものである半導体装置の製造方法。請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂層を介して、半導体ウェハと基材とを固定し、積層体を形成する前記工程では、前記熱分解性の樹脂層を構成する樹脂組成物を前記半導体ウェハまたは前記基材上にスピンコートにより塗布し、前記樹脂層を形成し、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと基材とを固定する半導体装置の製造方法。請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法において、前記積層体の前記半導体ウェハを加工する前記工程では、前記半導体ウェハを研磨する半導体装置の製造方法。請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記熱分解性の樹脂層は、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、メタアクリル系樹脂からなる群から選ばれる1種以上を含む半導体装置の製造方法。請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、前記基材は、透明基材であり、前記積層体の前記半導体ウェハを加工する前記工程と、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程との間で、前記積層体の前記透明基材を介して、前記熱分解性の樹脂層に活性エネルギー線を照射し、前記熱分解性の樹脂層の熱分解温度を低下させる工程を実施する半導体装置の製造方法。請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記熱分解性の樹脂層は、ノルボルネン系樹脂を主成分とする半導体装置の製造方法。特許文献1,2で開示された半導体装置の製造方法では、粘着層901を分解して、層900とドナー基板902とを分離していたが、粘着層901の分解残渣が層900およびドナー基板902に多量に残ってしまうという課題がある。残渣が多い場合には、念入りに層900の洗浄を行わなければならない。さらに、ドナー基板902を再利用する際に、ドナー基板902を念入りに洗浄する必要があり、半導体装置の製造に手間を要する。本発明によれば、熱分解性の樹脂層を、半導体ウェハと基材との間に配置して、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと前記基材とを固定し、積層体を形成する工程と、前記積層体の前記半導体ウェハを加工する工程と、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる工程と、前記半導体ウェハと、前記基材とを分離する工程とを含み、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、前記積層体が配置された容器中の気体を吸引することで前記容器内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法が提供される。この発明によれば、減圧下で、積層体を加熱し、熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させている。これにより、熱分解性の樹脂層のガス化がすすみ、熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる。そのため、半導体ウェハの洗浄工程を簡略化したり、省略したりすることができ、半導体装置の製造に手間を要しない。本発明によれば、熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる半導体装置の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。はじめに、図1~4を参照して、本実施形態の概要について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、熱分解性の樹脂層1を、半導体ウェハ2と、基材3との間に配置して、樹脂層1を介して、半導体ウェハ2と基材3とを固定し、積層体4を形成する工程と、積層体4の半導体ウェハ2を加工する工程と、積層体4を加熱して、熱分解性の樹脂層1を熱分解してガス化させる工程と、半導体ウェハ2と、基材3とを分離する工程とを含む。積層体4を加熱して、熱分解性の樹脂層1を熱分解する前記工程では、積層体4が配置された容器5中の気体を吸引することで容器5内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体4を加熱する。次に、本実施形態の半導体装置の製造工程について詳細に説明する。まず、図1Aに示すように、基材3を用意する。基材3は、半導体ウェハ2と略同一形状の擬似ウェハであることが好ましく、たとえば、シリコン基板、ガラス基板等で構成される。基材3は、半導体ウェハ2と同じ大きさであってもよいが、半導体ウェハ2よりもひとまわり程度大きなものであってもよい。詳しくは後述するが、熱分解性の樹脂層1に対し、活性エネルギー線を照射する必要がある場合には、基材3は、活性エネルギー線を透過する透明基材であることが好ましい。次に、図1Bに示すように、基材3上に、熱分解性の樹脂層1を形成する。熱分解性の樹脂層1としては、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下するような樹脂層が好ましい。たとえば、光酸発生剤と、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、メタアクリレート系樹脂からなる群から選ばれる1種以上の樹脂を含むものであることが好ましい。これらの樹脂成分を含有することで、光酸発生剤の存在下、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層1を形成することが可能となる。ここで、活性エネルギー線とは、g線436nm、h線405nm、i線365nm、X線、可視光線等を含む電磁波、若しくは電子線の総称であり、なかでもi線が好ましい。前記ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、1,2-ポリブチレンカーボネート、1,3-ポリブチレンカーボネート、1,4-ポリブチレンカーボネート、cis-2,3-ポリブチレンカーボネート、trans-2,3-ポリブチレンカーボネート、α,β-ポリイソブチレンカーボネート、α,γ-ポリイソブチレンカーボネート、cis-1,2-ポリシクロブチレンカーボネート、trans-1,2-ポリシクロブチレンカーボネート、cis-1,3-ポリシクロブチレンカーボネート、trans-1,3-ポリシクロブチレンカーボネート、ポリネオペンチルカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリメチルシクロヘキセンカーボネート、ポリビニルシクロヘキセンカーボネート、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ3-フェニルプロピレンカーボネート、ポリ3-トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート、ポリ3-メタクリロイロキシプロピレンカーボネート、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネートから選ばれる1種または2種以上の組み合わせを挙げることができる。これらの中でも、特に、光酸発生剤存在下で、より効果的に熱分解温度を下げることができるという理由から、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート、ポリネオペンチルカーボネートが好ましい。前記ポリエステル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、テレフタル酸又はテレフタル酸ジメチルを主たる酸成分とし、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリメチレングリコール、ブチレングリコールより選ばれる少なくとも1種のアルキレングリコールを主たるグリコール成分とするポリエステル樹脂が挙げられる。上記テレフタル酸成分の一部を芳香族、脂環族又は脂肪族の二官能性カルボン酸成分で置き換えても良い。また、例えば、分子内にカルボン酸成分とアルコール基成分を併せ持つヒドロキシ酸である乳酸を重縮合したポリ乳酸も挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸が好ましい。ポリアミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、アジピン酸、ヘプタンジカルボン酸、オクタンジカルボン酸、ノナンジカルボン酸、ウンデカンジカルボン酸、ドデカンジカルボン酸より選ばれる少なくとも1種のジカルボン酸成分とテトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、ウンデカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミンより選ばれる少なくとも1種のジアミン成分と重縮合反応することによって得られたポリアミド樹脂が挙げられる。また、例えば、ラクタムであるα-ピロリドン、ε-カプロラクタム、ω-ラウロラクタム、ε-エナントラクタムを開環重合させたポリアミド樹脂も挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、6,6-ナイロンが好ましい。ポリイミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、1,4-ビスアミノメチルシクロヘキサン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,5-ペンタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミンより選ばれる少なくとも1種のジアミン酸成分と4,4-ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物、4,4-ビフタル酸無水物、ジフェニル-2,3,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ジフェニル-2,2,3,3-テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物より選ばれる少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物と重付加反応することによって得られたポリイミド樹脂が挙げられる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリ4,4-オキシジフェニレンピロメリットイミドが好ましい。ポリウレタン系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、1,1,1-トリメチロールプロパン、1,2,5-ヘキサントリオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、4,4-ジヒドロキシフェニルプロパン、4,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールより選ばれた少なくとも1種のポリオールと2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、4,4-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4-ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートより選ばれる少なくとも1種のイソシアネートと重付加反応することによって得られたポリウレタン樹脂が挙げられる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリエチレングリコール-alt-4,4-フェニレンイソシアネートが好ましい。前記メタアクリル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート等から選ばれるメタアクリル系モノマーの共重合体等を挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルが好ましい。前記樹脂成分の重量平均分子量Mwは、1,000~1,000,000であることが好ましく、5,000~800,000であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、基材3に対する濡れ性が向上する効果、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、熱分解性を向上するという効果を得ることができる。前記樹脂成分は、樹脂層1の全量溶媒、希釈剤を除くの10重量~99重量以下の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、20重量以上で配合することが好ましい。樹脂成分の含有量を上記下限値以上とすることで、樹脂層1が基材3に残留することを防止できるとともに基材3上に厚膜を形成できるという理由からである。前記光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPB、トリス4-t-ブチルフェニルスルホニウムテトラキス-ペンタフルオロフェニルボレートTTBPS-TPFPB、トリス4-t-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートTTBPS-HFP、トリフェニルスルホニウムトリフレートTPS-Tf、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフレートDTBPI-Tf、トリアジンTAZ-101、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートTPS-103、トリフェニルスルホニウムビスパーフルオロメタンスルホニルイミドTPS-N1、ジ-p-t-ブチルフェニルヨードニウム、ビスパーフルオロメタンスルホニルイミドDTBPI-N1、トリフェニルスルホニウム、トリスパーフルオロメタンスルホニルメチドTPS-C1、ジ-p-t-ブチルフェニルヨードニウムトリスパーフルオロメタンスルホニルメチドDTBPI-C1、及びこれらの2種以上の組合せを挙げることができる。これらの中でも特に、前記樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPBが好ましい。前記光酸発生剤は、樹脂層1の全量溶媒、希釈剤を除くの0.01重量~50重量の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、0.1重量~30重量の割合で配合することが好ましい。上記下限値以上とすることで、前記樹脂成分の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで樹脂層1が残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。樹脂層1を構成する材料の組み合わせとして、特に好ましいものとしては、ポリプロピレンカーボネート、1,4-ポリブチレンカーボネート、又はポリネオペンチルカーボネートのいずれか1種以上と、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPBとの組み合わせである。前記ポリカーボネート系樹脂は、前記光酸発生剤の存在下で、ポリカーボネート系樹脂の主鎖の熱切断が容易となる構造を形成するため、又は、ポリカーボネート系樹脂自身が容易に熱分解する熱閉環構造を形成する熱閉環反応ため、熱分解温度を下げることができると考えられる。下記の反応式Iは、ポリプロピレンカーボネート樹脂の主鎖の熱切断及び熱閉環構造の形成のメカニズムを示す。先ず、前記活性剤由来のHが、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体[A]及び[B]を生じる。次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体[A]は、アセトン及びCO2として断片化する。熱閉環構造の形成a又はbの場合には、中間体[B]は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはCO2及びプロピレンオキシドとして断片化される。また、前記樹脂層1は、酸化防止剤を含んでいてもよい。前記酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。前記酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのCibaFineChemicals社から入手可能なCibaIRGANOX登録商標1076およびCibaIRGAFOS登録商標168が好適に用いられる。また、他の酸化防止剤としては、例えば、CibaIrganox129、CibaIrganox1330、CibaIrganox1010、CibaCyanox登録商標1790、CibaIrganox3114、CibaIrganox3125等を用いることもできる。前記酸化防止剤の含有量は、前記樹脂成分100重量部に対して、0.1~10重量部であるのが好ましく、0.5~5重量部であるのがより好ましい。また前記樹脂層1は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビストリエトキシプロピルテトラスルフィド、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも2種以上混合して用いてもよい。前記樹脂層1がシランカップリング剤を含むことにより、半導体ウェハ2または基材3との密着性を向上することが可能となる。なお、樹脂層1として、活性エネルギー線を照射しても、熱分解温度が低下しないようなものを使用してもよく、たとえば、ノルボルネン系樹脂を含有するものとしてもよい。ノルボルネン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式1で示される構造単位を含むものを挙げることができる。式1において、R1~R4は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記置換基2のいずれかである。また、mは0~4の整数である。式2において、R5は、水素、メチル基またはエチル基のいずれかであり、R6、R7およびR8は、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかである。また、nは0~5の整数である。前記直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。これらの中でも、樹脂層1を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらに、半導体ウェハ2と基材3とを固定した際の機械物性に優れるブチル基、デシル基が好ましい。前記芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、半導体ウェハと基材を固定した際の機械物性に優れるフェネチル基、ナフチル基が好ましい。前記脂環族基としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。これらの中でも、半導体ウェハと基材を仮固定した際の機械物性、さらには、加熱工程における熱分解性に優れるシクロヘキシル基、ノルボルネニル基が好ましい。前記置換基2中のR5は、水素、又はメチル基またはエチル基であれば、特に限定されるものではないが、加熱工程における熱分解性に優れる水素原子が好ましい。前記置換基2中のR6、R7およびR8は、それぞれ、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかであれば、特に限定されるわけではない。そのような置換基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、t-ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられ、これらの中でも、基材に対する密着性、半導体ウェハ加工時の機械特性に優れるメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が好ましい。前記一般式1中のmは、0~4の整数であり、特に限定されるわけではないが、0または1が好ましい。mが0または1である場合、前記一般式1で示される構造単位は、下記一般式3または4で示すことができる。前記式3及び4において、R1~R4は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、置換基2のいずれかである。前記置換基2中のnは、0~5の整数であり、特に限定されるわけではないが、nは0であることが好ましい。nが0である時、シリル基はケイ素-炭素結合を介して多環式環に直接結合しており、樹脂層1の熱分解性および半導体ウェハ2加工時の機械特性を両立することができる。前記一般式1で示される構造単位は、特に限定されるわけではないが、ノルボルネン、5-メチルノルボルネン、5-エチルノルボルネン、5-プロピルノルボルネン、5-ブチルノルボルネン、5-ペンチルノルボルネン、5-ヘキシルノルボルネン、5-へプチルノルボルネン、5-オクチルノルボルネン、5-ノニルノルボルネン、5-デシルノルボルネン、5-フェネチルノルボルネン、5-トリエトキシシリルノルボルネン、5-トリメチルシリルノルボルネン、5-トリメトキシシリルノルボルネン、5-メチルジメトキシシシリルノルボルネン、5-ジメチルメトキシノルボルネン、5-グリシジルオキシメチルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得ることができる。前記ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーの中でも、半導体ウェハ2と基材3とを固定した際の機械物性に優れる5-ブチルノルボルネン、5-デシルノルボルネン、5-フェネチルノルボルネン、5-トリエトキシシリルノルボルネン、5-グリシジルオキシメチルノルボルネンが好ましい。前記ノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではなく、前記一般式1で示される単一の構造単位で形成されていてもよく、また、複数の構造単位で形成されていても良い。前記ノルボルネン系樹脂は、より具体的には、ポリノルボルネン、ポリメチルノルボルネン、ポリエチルノルボルネン、ポリプロピルノルボルネン、ポリブチルノルボルネン、ポリペンチルノルボルネン、ポリヘキシルノルボルネン、ポリへプチルノルボルネン、ポリオクチルノルボルネン、ポリノニルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリフェネチルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリトリメチルシリルノルボルネン、ポリトリメトキシシリルノルボルネン、ポリメチルジメトキシシシリルノルボルネン、ポリジメチルメトキシノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン等の単一重合体、ノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-ブチルノルボルネン-フェネチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体等の共重合体、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン-ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体が挙げられる。これらの中でも、半導体ウェハと基材とを固定した際の機械物性に優れるポリブチルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン-ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-ブチルノルボルネン-フェネチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体が好ましい。前記ノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は、10,000~1,000,000であることが好ましく、30,000~800,000であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記範囲とすることで、樹脂層1の熱分解性および半導体ウェハ加工時の樹脂層1の耐熱性を両立することができる。ここで、重量平均分子量は、THFを溶媒としてGPCゲル浸透クロマトグラムにより、ポリスチレン換算値として算出することができる。前記一般式1で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂の合成方法としては、例えば、パラジウムイオン源を含有する触媒、ニッケル源を含有する触媒、白金を含有する触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成することができるが、付加重合する際の反応性に優れるニッケル源を含有する触媒が好ましい。前記ノルボルネン系樹脂の合成は、ノルボルネン系モノマーを溶解することができる有機溶媒中で実施することができる。前記有機溶媒としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素;ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素;メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルクロライド、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエチレン、1-クロロプロパン、2-クロロプロパン、1-クロロブタン、2-クロロブタン、1-クロロ-2-メチルプロパン、1-クロロペンタンの如きハロゲン化極性炭化水素を挙げることができる。前記ノルボルネン系モノマー対するパラジウムを含有する触媒のモル比は、20:1~100,000:1が好ましく、200:1~20,000:1が特に好ましく、1,000:1~10,000:1がさらに好ましい。前記ノルボルネン系モノマーをニッケル触媒で重合する場合、その重合温度は、-100°C~120°Cが好ましく、-60°C~90°Cが特に好ましく、-10°C~80°Cであることがさらに好ましい。前記ノルボルネン系樹脂は、樹脂層1の全量溶媒、希釈剤を除くの10重量~100重量の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、20重量以上で配合することが好ましい。樹脂層1を形成する際には、あらかじめ樹脂層1をフィルム状に形成し、基材3に貼り付けてもよいが、本実施形態では、樹脂層1の平坦性を確保する観点から基材3にスピンコートにより樹脂層1の各成分を含むワニス樹脂組成物を塗布し、乾燥させることで、樹脂層1を形成する。したがって、樹脂層1となるワニスは、上述した各成分に加え、溶媒や、希釈剤を含有していてもよい。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸N-ブチル、乳酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ-ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類、N-メチル-2-ピロリジノン等のアミド/ラクタム類が挙げられる。前記ワニスが溶媒を含有することにより、ワニスの粘度を調整することが容易となり、薄膜を形成するのが容易となる。前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物の全量の5~98重量であることが好ましく、10~95重量であることが特に好ましい。また、前記希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα-ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、[メチレンビス4,1-フェニレンオキシメチレン]ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、1,4-シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等を挙げることができる。前記ワニスが希釈剤を含むことにより、ワニスの流動性を向上することができ、樹脂層1の基材3に対する濡れ性を向上することが可能となる。次に、図2Aに示すように、樹脂層1を介して、半導体ウェハ2と基材3とを固定し、積層体4とする。樹脂層1は、粘着性を有しており、半導体ウェハ2の素子形成面あらかじめ素子が形成されている面に取り付けられる。そして、基材3により、半導体ウェハ2の素子形成面が保護されることとなる。その後、積層体4を図示しない研磨装置にとりつけ、半導体ウェハ2の裏面素子形成面と反対側の面を研磨する。これにより、図2Bに示すように、半導体ウェハ2の厚みは、たとえば、50μm以下、10μm以上となる。また、半導体ウェハ2の裏面に加工を施してバンプ等の電極を形成したり、半導体ウェハ2に貫通孔を形成したりする。なお、この半導体ウェハ2の裏面の加工工程において、積層体4はたとえば、300°C程度に加熱されるが、この熱により樹脂層1が熱分解し難く、半導体ウェハ2が基材3から剥離することがない。次に、樹脂層1として、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層を使用している場合には、積層体4に活性エネルギー線を照射して、樹脂層1の熱分解温度を低下させる。具体的には、積層体4の基材3側から光を照射し、樹脂層1に光を照射する。樹脂層1は、活性エネルギー線照射前に比べ、分解温度が低下することとなる。たとえば、活性エネルギー線を照射した後の樹脂層1の熱分解温度は、200°C以下となる。ここで、熱分解温度とは、樹脂層1を熱重量測定装置を用いて空気気流中で25°Cから10°C/分で昇温したとき50重量が減少した温度をいう。次に、図3に示すように、積層体4を容器5内に設置し、ポンプ圧力調整手段Pにより、容器5内の気体を吸引して積層体4を大気圧よりも気圧が低い減圧下におく。より、好ましくは、100Pa以下、さらに好ましくは真空下5Pa以下の雰囲気とする。なお、容器5内の気圧の下限値は、特に限定されないが、装置の性能との関係上、たとえば、0.01Paとなる。この減圧下で、積層体4を樹脂層1の熱分解温度以上に加熱し、積層体4の樹脂層1を熱分解する。樹脂層1は熱分解し、ガス化することとなる。樹脂層1が熱分解することで、図4に示すように、半導体ウェハ2と基材3とを分離することができる。半導体ウェハ2と基材3とを分離する際には、図4Aに示すように、半導体ウェハ2の周縁部の一部が基材3の表面に対し垂直方向に離れるように、半導体ウェハ2を基材3から引き剥がす方法がある。また、図4Bに示すように、半導体ウェハ2に対するストレスをより低減するために半導体ウェハ2を基材3の表面に沿うようにスライドさせて、半導体ウェハ2を基材3から引き剥がしてもよい。本実施形態では、樹脂層1の残渣が非常に少ない、あるいは全くないため、図4Aのような方法で、半導体ウェハ2と基材3とを分離しても、半導体ウェハ2にクラックが生じてしまうことが抑制される。特に半導体ウェハ2の厚みが非常に薄い場合には、図4Aの方法で半導体ウェハ2と基材3とを分離すると、半導体ウェハ2にクラックが発生することが懸念されるが、本実施形態では、このような問題が生じない。その後、必要に応じて半導体ウェハ2に付着した樹脂層1の残渣を除去するために、半導体ウェハ2のクリーニングを行ってもよい。その後、必要に応じて半導体ウェハ2をダイシングして半導体装置を得る。次に、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態では、減圧下で、積層体4を加熱し、熱分解性の樹脂層1を熱分解してガス化させている。減圧下で積層体4の熱分解を行っているので、熱分解性の樹脂層1がガス化したものが、容器5から排出されることとなり、熱分解性の樹脂層1のガス化がすすむこととなる。これにより、半導体ウェハ2に付着して残る熱分解性の樹脂層1の残渣の量を低減することができる。そのため、半導体ウェハ2の洗浄工程を簡略化したり、省略したりすることができ、半導体装置の製造に手間を要しない。特に半導体ウェハ2の洗浄工程を省略することで、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。また、5Pa以下の雰囲気下で積層体4を加熱して、熱分解性の樹脂層1を熱分解することで、よりいっそう確実に熱分解性の樹脂層1の残渣量を低減させることができる。また、本実施形態では、減圧下で積層体4を加熱し、熱分解性の樹脂層1を熱分解してガス化させているので、基材3に付着して残る熱分解性の樹脂層1の残渣も低減できる。基材3を再利用する場合には、基材3の洗浄工程を省略したり、簡略化したりでき、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。また、本実施形態において、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層1を使用した場合には、半導体ウェハ2への熱による影響を抑制することができる。さらに、本実施形態では、熱分解性の樹脂層1を形成する際に、スピンコート法で熱分解性の樹脂層1の各成分を含むワニスを基材3に塗布している。これにより、非常に平滑性に優れ、厚みばらつきの非常に少ない樹脂層1を形成することができる。従来、半導体ウェハを研磨する場合には、粘着性のフィルムを使用し、半導体ウェハと、基材とを固定していたたとえば、特許文献3。このような粘着性のフィルムを使用する場合、フィルムに厚みむらがあるため、半導体ウェハを非常に薄く研磨すると半導体ウェハに凹凸ができてしまう。そのため、半導体ウェハを非常に薄く研磨することは難しかった。これに対し、本実施形態では、非常に平滑性に優れ、厚みばらつきの非常に少ない樹脂層1を形成することができるので、半導体ウェハ2を非常に薄く研磨しても、半導体ウェハに凹凸が形成されてしまうことが防止できる。さらに、樹脂層1として、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、メタアクリル系樹脂、ノルボルネン系樹脂のいずれかの材料を使用している。これらの樹脂を樹脂層1に使用することで、これらの樹脂は半導体ウェハ2及び基材3よりも柔軟性が高いため、半導体ウェハ2研磨時に半導体ウェハ2にかかる応力を緩和でき、研磨時に半導体ウェハ2が破損することを防止することができる。なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。たとえば、前記実施形態では、基材3に樹脂層1を形成した後、基材3と半導体ウェハ2とを固定していたが、これに限らず、半導体ウェハ2に樹脂層1を形成してもよい。さらに、前記実施形態では、半導体ウェハ2の研磨を実施したが、これに限らず、樹脂層1を介して半導体ウェハ2と基材3とを固定した後、研磨を実施せずに、半導体ウェハ2にバンプ等の電極を形成したり、半導体ウェハに貫通孔を形成してもよい。次に、本発明の実施例について説明する。実験例1樹脂層1を構成するワニスの作成ポリプロピレンカーボネートEMPOWERMATERIALS社製QPAC40100gをγ-ブチロラクトン溶剤310gに溶解した。このポリプロピレンカーボネート溶液に、活性剤光酸発生剤のRhodosilPhotoinitiator2074ローディアジャパン株社製RhodorsilPhoinitiator20745g、増感剤の1-クロロ-4‐プロポキシチオキサントン英Lambson社製SPEEDCURECPTX商品名1.5gをγ-ブチロラクトン溶剤30gに溶解させた溶液を加えて、攪拌し、樹脂濃度24wtのワニスを作製した。テスト8インチシリコンウェハの上に、樹脂層1を構成するワニスをスピンコートし、120°C、5分で乾燥させた。これにより、厚み5μmの樹脂層1を形成することができた。次に、樹脂層1付き8インチシリコンウェハを、7mm×7mm角の樹脂層1付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層1は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。次に、i線を露光量1000mJ/cm2となるように樹脂層1に照射し、樹脂層1の熱分解温度を低下させた後、樹脂層1およびシリコン板を容器5の中に入れ、容器5内の気体を吸引して、減圧下3Paで200°C、1分加熱した樹脂層1を熱分解してガス化した。その後、容器5からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面樹脂層1が形成されていた側の面を目視にて観察した。図6に示すように、シリコン板の表面には、樹脂層1の残渣が全く確認できず、非常にきれいになっていた。実験例2樹脂層1を構成するワニスの作成十分乾燥させた反応容器に酢酸エチル600g、シクロヘキサン600g、5-デシルノルボルネン265.25g,1.131モルおよび5-グリシジルオキシメチルノルボルネン87.36g,0.485モルを導入した。この系中に乾燥窒素を40°Cで30分流し、溶存酸素を除去した。その後、ビストルエンビスパーフルオロフェニルニッケル6.58g0.0136モルを66.51gのアセトンに溶解したものを反応系中に添加した。上記の系を40°Cから60°Cに10分掛けて昇温し、その温度を保持しながら3時間系中を攪拌した。462.0gの30過酸化水素水を添加した約705.0gの純水に氷酢酸245.0gを溶解させ、これを前記反応系中に添加した。反応系を50°Cで5時間攪拌した後、150gのイソプロピルアルコールを系中に添加した。攪拌を止め、分離した水層を除去したのち、残った有機層を450gの純水と150gのイソプロピルアルコールを3回に分けて添加し、攪拌~除去することで洗浄した。洗浄後の有機層を400mLのシクロヘキサンで希釈し、6倍量のメタノール7200mL中に添加、析出したポリマーをろ過により回収した。得られた固形分を空気中で18時間風乾したのち、1mmHgの減圧下で24時間乾燥することで、284.7g収率95.8の目的物を固形樹脂の形で得た。合成した5-デシルノルボルネン/5-グリシジルオキシメチルノルボルネン=70mol/30molをGPCにより重量平均分子量を測定したところ、72,000であった。得られた5-デシルノルボルネン/5-グリシジルオキシメチルノルボルネン=70mol/30mol共重合体100gを2-ヘプタノン溶剤233.3gに溶解し、樹脂濃度30wtのワニスを作製した。テスト8インチシリコンウェハ上に、樹脂層1を構成するワニスをスピンコートし、120°C、5分で乾燥させた。これにより、厚み5μmの樹脂層1を形成することができた。次に、樹脂層1付き8インチシリコンウェハを7mm×7mm角の樹脂層1付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層1は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。次に、樹脂層1およびシリコン板を容器5の中に入れ、容器5内の気体を吸引して、減圧下3Paで450°C、2分加熱した樹脂層1を熱分解してガス化した。その後、容器5からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面樹脂層1が形成されていた側の面を目視にて観察した。図6に示すように、シリコン板の表面には、樹脂層1の残渣が全く確認できず、非常にきれいになっていた。比較実験例1樹脂層1のワニスの作成実験例1と同様のワニスを作成した。テスト8インチシリコンウェハの上に、樹脂層1を構成するワニスをスピンコートし、120°C、5分で乾燥させた。これにより、厚み5μmの樹脂層1を形成することができた。次に、樹脂層1付き8インチシリコンウェハを7mm×7mm角の樹脂層1付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層1は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。次に、i線を露光量1000mJ/cm2となるように樹脂層1に照射した後、樹脂層1およびシリコン板を容器5の中に入れ、窒素雰囲気下減圧せず、容器5内の気圧は大気圧と等しいで200°C、3分加熱した。その後、容器5からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面樹脂層1が形成されていた側の面を目視にて観察した。図6に示すように、シリコン板の表面には、うすい膜が形成されていることが確認され、これは樹脂層1の残渣であると考えられる。比較実験例2樹脂層1のワニスの作成実験例2と同様のワニスを作成した。テスト8インチシリコンウェハ上に、樹脂層1を構成するワニスをスピンコートし、120°C、5分で乾燥させた。これにより、厚み5μmの樹脂層1を形成することができた。次に、樹脂層1付き8インチシリコンウェハを7mm×7mm角の樹脂層1付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層1は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。次に、樹脂層1およびシリコン板を容器5の中に入れ、窒素雰囲気下減圧せず、容器5内の気圧は大気圧と等しいで450°C、10分加熱した。その後、容器5からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面樹脂層1が形成されていた側の面を目視にて観察した。図6に示すように、シリコン板の表面には、うすい膜が形成されていることが確認され、これは樹脂層1の残渣であると考えられる。"