チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を備え、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備えることを特徴とする熱電変換素子。チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を備え、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備えることを特徴とする熱電変換素子。ペロブスカイト構造をとる前記ノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜において、前記ストロンチウムとランタンがAサイトに配置され、前記チタンとニオブがBサイトに配置される場合に、A/Bサイト比が0.5~0.9または1.05~1.2となるように前記ニオブおよびランタンをドープしたことを特徴とする請求項2に記載の熱電変換素子。チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を形成し、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成して熱電変換素子を形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を形成し、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成して熱電変換素子を形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。熱電変換素子は、環境負荷が小さい熱電変換材料であるSrTiO3チタン酸ストロンチウム:以下STOと言うを用いて作ることができる。しかしながら、STO薄膜は高い熱電特性を示すことが報告されているが、その作製方法には高い結晶性が必要となることからSTO等の単結晶基板を必要とする。そして、単結晶基板は非常に熱伝導率が高いため、熱電変換素子の性能指数が比較的低く、温度の傾斜がつきにくくなっていた。性能指数Zは、σを電気伝導率、Sをゼーベック係数、Kを熱伝導率として、Z=σS2/Kで表されるものである。上述の関連技術の問題に鑑み、本出願は上述の関連技術に記載の熱電変換素子に比べて起電力が高く、電気伝導率が高く、且つ熱伝導率が低い特性を備え、熱電変換素子の性能指数が高い熱電変換素子及びその製造方法を提供することを目的とする。実施形態の一観点によれば、チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を備え、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備える、若しくはニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備えることを特徴とする熱電変換素子を提供する。実施形態の他の観点によれば、チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を形成し、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成する、若しくはニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成して熱電変換素子を形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法を提供する。以下、添付図面を用いて本出願の実施の形態を、具体的な実施例に基づいて詳細に説明する。図1は、本出願の熱電変換素子を作るための装置である成膜チャンバー1の構成を示すものである。成膜チャンバー1の内部にはターゲット7を保持するターゲットホルダ4と基板9を保持する基板ホルダ5があり、ターゲットホルダ4と基板ホルダ5の間には、成膜チャンバー1の外部に設けられた電源6から直流高電圧、或いは高周波高電圧が印加される。基板ホルダ5には図示しないがヒーターが内蔵されている。成膜チャンバー1には真空ポンプ2が接続されていると共に、成膜チャンバー1の内部に不活性ガス、この例ではアルゴンガスを導入するアルゴンガス源図面にはArガス源と記載3が接続されている。本出願では熱電変換素子を作るために、ターゲット7として多結晶体SrTi098Nb002O3を使用し、このターゲット7の上に金属ニオブチップ8を配置し、基板9にはSTO結晶方位基板を使用している。ここで、チップとは、ターゲット上に配置可能な形状であり、例えばインゴットを個片化したもののことである。そして、真空ポンプ2で成膜チャンバー1の内部を真空にし、基板ホルダ5によりSTO基板9を600°Cまで加熱した後、アルゴンガス源3からアルゴンガスを成膜チャンバー1の内部に導入する。この状態で電源6から高周波電圧を印加してアルゴンガスイオン10をターゲット7に衝突させるスパッタリング法により、アルゴンガスが10mTorrの圧力で膜厚300~400nmのニオブドープSTO薄膜を作製した。図2aは図1の基板ホルダ5に置かれたSTO基板9の断面図であり、図2bは図2aのSTO基板9の上にニオブドープSTO薄膜11が形成された状態を示すものである。この後、ニオブドープSTO薄膜11に対して酸素雰囲気中アニールを行う。ペロブスカイト構造をとるSTOは、ストロンチウムSrとランタンLaがAサイトに配置され、チタンTiとニオブNbがBサイトに配置されて結晶が構成されるため、モル比A/B=1の時がストイキオメトリ組成となる。従って、A/B=1でない状態がノンストイキオメトリ組成となる。一方、ターゲット7の上に配置する金属ニオブチップ8のチップ数を増大させると、チタンTiとストロンチウムSrとニオブNbの薄膜組成が図4aに示すように変化する。この時のA/B比の変化が図4bに示され、A/B比は0.9~0.5まで変化することが分かる。そして、ターゲット7の上に配置する金属ニオブチップ8のチップ数をこれ以上増加させた場合には、エピタキシャル成長できなかった。このため、A/B比の下限は0.5であると考えられる。また、図1に示したターゲット7の上にランタンチップを配置する場合は、ランタンチップ数を増加させた場合のA/B比の変化が図4cに示すようになる。図4cから、ターゲット7の上に配置するランタンチップの数を増加させることにより、A/B比が1.1程度まで変化することが分かる。上述のスパッタリング法で作製したニオブドープSTO薄膜は、A/B比が大きくストイキオメトリA/B=1からずれていると、バルク結晶としては存在できないことが今回わかった。ノンストイキオメトリ組成のニオブドープSTOは、バルク結晶としては成長しにくいためと考えられる。しかし、STO単結晶基板上に薄膜として形成すれば、エピタキシャル成長させることができることが今回わかった。また、更に、前述のようにして作製したノンストイキオメトリ組成のニオブドープSTO薄膜の上では、更にエピタキシャル成長した熱電薄膜層を形成することができることがわかった。図2cは図2bに示したニオブドープSTO薄膜11の上に熱電薄膜層12が形成されて、本出願の熱電変換素子20を形成した状態を示す断面図である。このような3層構成では、ニオブドープSTO薄膜11は中間層或いはバッファーと呼ばれる。熱電薄膜層12は、図1に示した成膜チャンバー1において、基板温度600°C、アルゴン2.5mTorrの圧力で3時間スパッタリングを行って膜厚300nmに作製することができる。図5aは以上のようにして構成されたバッファー層であるニオブドープSTO薄膜11をX線回折した結果であり、薄膜の結晶構造を調べたXRD結果である。角度が45度の近傍にあるピークP1はSTO基板ののX線のピークである。また、これより低いピークP2~P4は、それぞれニオブの含有量が1.3、18、27の場合のニオブドープSTO薄膜11のピークを示している。ニオブNbの含有量が多くなるに従い、格子定数は変化している。しかし、ニオブNbの含有量が異なっても、ニオブドープSTO薄膜11のピークがほぼ同じような角度の位置にあるということは、STO基板とニオブドープSTO薄膜11の結晶構造が近似していることを示している。これにより、ニオブドープSTO薄膜11がエピタキシャル成長していることが確認できる。図3は以上のようにして構成した熱電変換素子20の熱電薄膜層12の上に、高温部13と低温部14を設けて、高温部13から低温部14へのSTO基板9と中間層11の伝熱特性を調べる構成を示すものである。STO基板9は熱伝導率Kが11~12W/Kmであり、ノンストイキオメトリ組成のSTO層から構成される中間層11は熱伝導率Kが1.3W/Kmであった。このように、これら陽イオンのノンストイキオメトリ組成のSTO薄膜では、非常に低い熱伝導率Kを示した。ここで陽イオンとは、例えば、上述のランタンLaやニオブNb等である。更に、VanderPauw法を用いたホール移動度を測定すると、図5bに示すように、0.6cm2/Vs以下と非常に低いホール移動度を示すことが分かった。なお、単結晶バルクのホール移動度は5.8cm2/Vsである。これはノンストイキオメトリ組成により多数の欠陥が薄膜中に存在することにより、電子の移動が著しく阻害されていると考えられる。加えてこれらのサンプルを400°Cで酸素雰囲気中アニールすることにより1MΩ以上の高い抵抗値を示し、導電性を確認できなかった。前述のように、作製したニオブNb又はランタンLaをドープしたSTO薄膜の熱伝導率Kについて3ω法を用いて測定した結果、その熱伝導率Kは1.3W/mKと非常に小さいことが分かった。これはSTO単結晶の熱伝導率11.2W/mKの1/10程度であり、またSTO薄膜の報告値3~4W/mKと比べても非常に小さいものである。図6は本出願で製作した熱電変換素子を3ω法で励振した時の温度上昇を示しており、横軸が周波数0の位置が周波数1Hzを示す、縦軸が温度上昇ΔTを示している。破線で示す特性がSTO単結晶基板のみの場合の温度上昇を示し、直線がSTO単結晶基板上にランタンLaおよびニオブNbをドープしたノンストイキオメトリ組成のバッファー層がある場合を示している。薄膜表面の温度上昇ΔTは下記の式を使用して計算することができる。ここで、Tは温度、Rは配線パターンの抵抗値、Vは印加電圧、V3は高感度な交流電圧計であるロックインアンプで検出される3ωの電圧である。また、ランタンLaおよびニオブNbをドープしたノンストイキオメトリ組成のバッファー層の熱伝導率は以下の式から計算することができる。ここで、dFは薄膜の膜厚、v3ωはロックインアンプで検出される3ωの電圧、bは配線幅、lは配線長、pは印加電力、Crtは熱容量、vlωは印加電圧である。以上のことから、バッファー層がある場合には約0.7°Cの温度上昇効果が見られることが分かる。この効果はノンストイキオメトリ組成により多数の欠陥が薄膜中に形成されたことにより極端にホール移動度が低下することから、これら欠陥により熱伝導が阻害されたため非常に低い熱伝導率の薄膜が得られたと考えられる。このように、本出願では、STO基板上に、ニオブNbまたはランタンLaをドープした陽イオンノンストイキオメトリー組成のSTOをバッファー層として用いることにより、起電力が高く、電気伝導率が高く、且つ熱伝導特性の低い優れた中間層を形成し、性能指数の優れた熱電変換素子を作製することができるので、これを用いて性能指数の優れた熱電変換モジュールを作製することができる。以上、本出願を特にその好ましい実施の形態を参照して詳細に説明した。本出願の容易な理解のために、本出願の具体的な形態を以下に付記する。付記1チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を備え、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備えることを特徴とする熱電変換素子。付記2チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を備え、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を備えることを特徴とする熱電変換素子。付記3ペロブスカイト構造をとる前記ノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜において、前記ストロンチウムとランタンがAサイトに配置され、前記チタンとニオブがBサイトに配置される場合に、A/Bサイト比が0.5~0.9または1.05~1.2となるように前記ニオブおよびランタンをドープしたことを特徴とする付記2に記載の熱電変換素子。付記4前記ノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜における前記ニオブおよびランタンのドープ量を、10at以上30at未満としたことを特徴とする付記2または3に記載の熱電変換素子。付記5前記ストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜またはノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜は、チタン酸ストロンチウムをターゲットとし、該ターゲット上に金属ニオブまたはランタンを局所的に配置し、アルゴンガス中でスパッタリングによって成膜したことを特徴とする付記1から4の何れかに記載の熱電変換素子。付記6前記ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層は、作製後に酸素雰囲気中アニール処理によって非導電性としたことを特徴とする付記1から5の何れかに記載の熱電変換素子。付記7チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を形成し、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成して熱電変換素子を形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。付記8チタン酸ストロンチウムの単結晶基板上に、ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層を形成し、この薄膜バッファー層の上に、ニオブおよびランタンをドープしたノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜を形成して熱電変換素子を形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。付記9ペロブスカイト構造をとる前記ノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜において、前記ストロンチウムとランタンがAサイトに配置され、前記チタンとニオブがBサイトに配置される場合に、A/Bサイト比が0.5~0.9または1.05~1.2となるように前記ニオブおよびランタンをドープしたことを特徴とする付記8に記載の熱電変換素子の製造方法。付記10前記ノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜における前記ニオブおよびランタンのドープ量を、10at以上30at未満としたことを特徴とする付記8または9に記載の熱電変換素子の製造方法。付記11前記ストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜またはノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム熱電薄膜は、チタン酸ストロンチウムをターゲットとし、該ターゲット上に金属ニオブまたはランタンを局所的に配置し、アルゴンガス中でスパッタリングによって成膜したことを特徴とする付記7から10の何れかに記載の熱電変換素子の製造方法。付記12前記ニオブまたはランタンをドープした非導電性の陽イオンノンストイキオメトリ組成のチタン酸ストロンチウム薄膜バッファー層は、作製後に酸素雰囲気中アニール処理によって非導電性としたことを特徴とする付記7から11の何れかに記載の熱電変換素子の製造方法。