"レーザ光を発光するレーザ光源と、透明基板の表面及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第1のマイクロレンズアレイと、透明基板の表面上及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第2のマイクロレンズアレイと、前記レーザ光源からのレーザ光を平行光に整形した後前記第1のマイクロレンズアレイに導く光学系と、を有し、前記第1のマイクロレンズアレイと前記第2のマイクロレンズアレイとは、相互に間隔をおいて平行に配置され、前記第1のマイクロレンズアレイ及び前記第2のマイクロレンズアレイとは、そのマイクロレンズが相互に対応して同軸上に配置されていて、テレセントリック光学系を構成していることを特徴とするレーザアニール装置。レーザ光を発光するレーザ光源と、透明基板の表面及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第1のマイクロレンズアレイと、透明基板の表面上及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第2のマイクロレンズアレイと、前記レーザ光源からのレーザ光を平行光に整形した後前記第1のマイクロレンズアレイに導く光学系と、を有するレーザアニール装置を使用し、前記第1のマイクロレンズアレイと前記第2のマイクロレンズアレイにより、テレセントリックな光学系を構成して、アニール対象物上に焦点を結んだときに像を結像するように前記レーザ光を前記アニール対象物に照射することを特徴とするレーザアニール方法。しかしながら、従来のマイクロレンズアレイを使用したレーザアニール装置は、マイクロレンズ2bから出射したレーザ光の画像の焦点位置が、アニール対象物の照射面4から変動した場合に、照射面における照度が変動すると共に、サイズが変動してしまうという問題点がある。このような照度変動により、アニール対象物に対する加熱熱量が変動し、アニール条件が変動するという問題点がある。即ち、液晶表示装置のTFT基板を熱処理する際、従前は、基板に対してその全面をレーザ光によりスキャンして、基板上に形成されたアモルファスシリコン膜a-Si膜を、溶融凝固により、多結晶シリコン膜に改質していた。しかし、基板全体にレーザ光を照射することは無駄であり、マイクロレンズアレイを使用して、TFTの形成領域のみを多結晶シリコンに改質することが試みられている。このとき、マスクの1個の開口部と、それに対応する1個のマイクロレンズとにより、レーザ光を1個のTFT形成領域に照射するが、従来は、図6に示すように、1枚のマイクロレンズアレイ1によりレーザ光を基板上に照射しているために、非テレセントリックな光学系となり、マイクロレンズの焦点位置から基板表面の被照射面の位置が変動したときに、レーザ光の照射面上での照射領域が広がると共に、照射エネルギ密度の照射面上での分布が不均一となるという問題点がある。そうすると、各TFT形成領域内における投入エネルギの密度が不均一なものとなり、主として、アニール後の多結晶シリコン領域の結晶粒度が、各TFT形成領域内で変動してしまう。そうすると、各TFTのキャリア移動速度が変動してしまうという問題点がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、レーザ光の照射面における照度照射エネルギ分布の変動を防止することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザアニール装置及び方法を提供することを目的とする。本発明に係るレーザアニール装置は、レーザ光を発光するレーザ光源と、透明基板の表面及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第1のマイクロレンズアレイと、透明基板の表面上及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第2のマイクロレンズアレイと、前記レーザ光源からのレーザ光を平行光に整形した後前記第1のマイクロレンズアレイに導く光学系と、を有し、前記第1のマイクロレンズアレイと前記第2のマイクロレンズアレイとは、相互に間隔をおいて平行に配置され、前記第1のマイクロレンズアレイ及び前記第2のマイクロレンズアレイとは、そのマイクロレンズが相互に対応して同軸上に配置されていて、テレセントリック光学系を構成していることを特徴とする。本発明に係るレーザアニール方法は、レーザ光を発光するレーザ光源と、透明基板の表面及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第1のマイクロレンズアレイと、透明基板の表面上及び/又は裏面上に凸レンズ状のマイクロレンズが複数個形成された第2のマイクロレンズアレイと、前記レーザ光源からのレーザ光を平行光に整形した後前記第1のマイクロレンズアレイに導く光学系と、を有するレーザアニール装置を使用し、前記第1のマイクロレンズアレイと前記第2のマイクロレンズアレイにより、テレセントリックな光学系を構成して、アニール対象物上に焦点を結んだときに像を結像するように前記レーザ光を前記アニール対象物に照射することを特徴とする。本発明によれば、第1及び第2のマイクロレンズアレイからなる光学部品により、テレセントリック光学系を構成して、アニール対象物に対し、レーザ光がこのアニール対象物の上で焦点を結んだときに像が結像する条件で、レーザ光をアニール対象物に照射してレーザアニールをするので、各マイクロレンズから出射したレーザ光の焦点位置と、照射面との間の距離が変動しても、照射面上の像がぼけてそのエッジが広がるだけで、各マイクロレンズによる像のピッチは変動しない。このため、マイクロレンズアレイによる照射面上のレーザ光の照射領域の広がりは小さい。従って、照射面上のレーザ光の照度の変動は、従来に比して著しく小さい。以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、本発明の実施形態に係るマイクロレンズアレイ光学部品10を示す斜視図、図2はその各1個のマイクロレンズの光学系を示す断面図、図3は照射面上に結像した画像を示す図である。図1に示すように、この光学部品10は、第1のマイクロレンズアレイ11と第2のマイクロレンズアレイ12とが適長間隔をおいて、相互に平行になるように、配置されている。また、これらの第1及び第2のマイクロレンズアレイ11,12は、基本的には、水平に配置され、水平に搬送されてくるアニール対象の基板例えば、TFT基板の上方に配置される。そして、レーザ光源図示せずから出射したレーザ光は、光学系により、その光軸に垂直方向の強度分布が均一化され、平行光に整形された後、上方のマイクロレンズアレイ11の表面上面に入射する。第1のマイクロレンズアレイ11の表面には、複数個の凸レンズ状のマイクロレンズ13がマトリクス状に配置されて形成されており、第2のマイクロレンズアレイ12の表面には、同様に複数個の凸レンズ状のマイクロレンズ14がマトリクス状に配置されて形成されており、第2のマイクロレンズアレイ12の裏面には、同様に複数個の凸レンズ状のマイクロレンズ15がマトリクス状に配置されて形成されている。これらの第1及び第2のマイクロレンズアレイ11,12に形成されたマイクロレンズ13,14,15は、夫々対応するもの同士が、同一光軸上に整合するように配置されている。従って、第1のマイクロレンズアレイ11のマイクロレンズ13の配列ピッチと、第2のマイクロレンズアレイ12のマイクロレンズ14及び15の配列ピッチとは同一である。第1のマイクロレンズアレイ11の第1のマイクロレンズ13の口径は例えば0.44mm、第2のマイクロレンズアレイ12の第2のマイクロレンズの口径は例えば0.15mm、第3のマイクロレンズの口径は例えば0.15mmである。また、マスク20と照射面21基板面との間の距離は例えば5.23mmであり、第1のマイクロレンズアレイ11と第2のマイクロレンズアレイ12の第2のマイクロレンズ14の先端との間の距離は例えば2.85mmである。また、第3のマイクロレンズ15と照射面21との間の距離は、例えば0.2mm200μmである。第1のマイクロレンズ13は、入射するレーザ光を集光する照明レンズとして機能する。また、第2のマイクロレンズ14及び第3のマイクロレンズ15は、第1のマイクロレンズアレイ11から入射するレーザ光を、照射面21上に結像させる結像レンズとして機能する。この第1のマイクロレンズアレイ11と第2のマイクロレンズアレイ12の構成は、上記実施形態に限らない。これらのレンズ設計において、入射瞳位置と、前側焦点位置とが一致し、像側で主光線と光軸とが平行になる像側テレセントリック光学系を構成すればよい。次に、本実施形態の動作について説明する。上述のように第1のマイクロレンズアレイ11及び第2のマイクロレンズアレイ12により構成された光学部品10は、従来のマイクロレンズアレイを使用したレーザアニール装置のマイクロレンズアレイの代わりに設置される。そして、レーザ光源から、例えば、YAGレーザの第3高調波波長355nm等のレーザ光が出射され、このレーザ光は、ホモジナイザによりその光軸に垂直方向の強度分布を均一化され、コンデンサレンズにより平行光に整形された後、光学部品10に入射する。そして、図2及び図3に示すように、第1のマイクロレンズアレイ11の第1のマイクロレンズ13は、入射するレーザ光を、例えば、光軸に対し3°外側に向いて進行するレーザ光まで、内側に向かわせるように、集光する。そして、この集光されたレーザ光は、第1のマイクロレンズアレイ11から出て、例えば2.85mmの空気層を進行し、第2のマイクロレンズアレイ12の第2のマイクロレンズ14に入射する。第2のマイクロレンズアレイ12は結像レンズとして機能し、第2のマイクロレンズ14から入射したレーザ光は第3のマイクロレンズ15から出射して、TFT基板の表面等の照射面21にて結像する焦点を結ぶ。そのときの照射面21における像は、図3aに矩形ハッチングで示すようになる。本実施形態においては、マスクを通過してきたレーザ光は、第1のマイクロレンズアレイ11と第2のマイクロレンズアレイ12とにより、基板表面等の被照射面21上に照射され、等倍の倒立像を、照射面21上に投影することができる。即ち、これらの第1のマイクロレンズアレイ11及び第2のマイクロレンズアレイ12は像側テレセントリック光学系を構成する。そして、第3のマイクロレンズ15から出射したレーザ光の焦点位置が変動した場合、即ち、アニール対象の基板の表面と、第3のマイクロレンズ15との間の距離が、例えば、当初の0.02mmから外れて、図3bに示すように、基板表面の位置が照射面22に変動しても、照射面22上に結像した像は、図3aに示す像とほぼ同一となる。なお、マイクロレンズ15の焦点深度を超える変動がある場合は、図3bに示すように、焦点位置に結像した小領域の像図3aよりも広がり、輪郭が多少ぼける。しかし、その像の投影パターン間隔ピッチpは照射面21上に結像した場合から変化しない。即ち、本実施形態においては、マイクロレンズをテレセントリック光学系にしたので、マスクパターンを透過したレーザ光をこのテレセントリック光学系により照射面22上に投影した場合に、焦点は照射面22上からずれても、焦点深度の範囲内では、投影パターン間隔は変動することがなく、照度変動も抑制することができる。これにより、基板上のフォーカスずれに起因するアニールむらを抑制することができる。従って、図4に示すように、レーザ光の照度1ショットあたりのエネルギ密度は、照射面の位置が、焦点位置±0mmから0.06mm60μm又は-0.06mm-60μmずれても、その各像の輪郭の位置の照度変動があるだけで、像の大部分の位置における照度は均一である。これは、第1及び第2のマイクロレンズアレイ11,12により、テレセントリックな光学系を構成することができたことによる。このとき、第2のマイクロレンズアレイ12と基板照射面との間の間隔が±50μm変動した場合の照度変動は、5.0に抑制することができる。一方、図6及び図7は、従来のように、非テレセントリック光学系を示す図である。なお、これらの図において、縮小等は考慮に入れていない。図6に示すように、従来、1枚のマイクロレンズアレイ1によりレーザ光を照射面4上に照射した場合、焦点位置に結像すれば、即ち、照射面4が焦点位置にあれば、図6に示すように、マスクパターンを通過したレーザ光が照射面上に投影されたときに、その投影パターンはマスクパターンと一致する。例えば、図7aに示すように、焦点位置が照射面4上に一致している場合、1個のマスクパターンにおける3個の位置が、夫々大きさd、投影パターン間隔pで照射面4上に投影したとすると、この焦点位置が照射面4上からずれた場合には、図7bに示すように、大きさがd ́に大きくなり、投影間隔もp ́に増大する。これは、1枚のマイクロレンズアレイ1により、非テレセントリックな光学系が構成されたからである。この非テレセントリック光学系においては、焦点位置が変動すると、各像の大きさが広がってその輪郭のぼけが大きくなると共に、各像の投影パターン間隔ピッチも変動する。このため、1個のマイクロレンズにより照射される領域内で、照度変動が生じてしまう。即ち、図8に示すように、焦点位置に結像した場合0mmに比して、結像位置が焦点位置から例えば0.01mm又は-0.01mm変動した場合でも、1ショットあたりの照度レーザ光のエネルギ密度が変動してしまう。また、この場合に、像の輪郭位置においても、照度変動が生じている。例えば、図6に示す第1のマイクロレンズ2aの口径が0.25mm、第2のマイクロレンズ2bの口径が0.02mm、マスク3と照射面4との間の距離が1.7mm、マイクロレンズアレイ1の下面と照射面との間の距離が0.2mmの場合、焦点位置が±10μm変動すると、照度変動が13.2発生する。"