"高周波電場が印加される線形多重極電極と、前記線形多重極電極の軸方向の両端に配置され前記線形多重極電極の軸上に穴を具備し直流電圧が印加されて壁電場を生成する壁電極を有する線形イオントラップと、前記線形多重極電極の軸と同軸を含む磁場を発生し、前記線形イオントラップを取り囲む筒型の磁場発生手段と、前記線形多重極電極とは前記壁電極を挟んで反対側に設けられた電子源とを有し、前記電子源の電子発生部位が、前記筒型の磁場発生手段の端面かそれよりも内側で前記磁場発生手段の発生する磁場の内部に設置され、前記電子源側ではない壁電極に隣接して四重極偏向器を備え、前記電子源側ではない壁電極からイオンが導入及び排出される電子捕獲解離反応装置と、前記四重極偏向器の第1の口に配置されたイオン源と、前記四重極偏向器の第2の口に配置されたイオン検出器とを備えていることを特徴とする質量分析装置。高周波電場が印加される線形多重極電極と、前記線形多重極電極の軸方向の両端に配置され前記線形多重極電極の軸上に穴を具備し直流電圧が印加されて壁電場を生成する壁電極を有する線形イオントラップと、前記線形多重極電極の軸と同軸を含む磁場を発生し、前記線形イオントラップを取り囲む筒型の磁場発生手段と、前記線形多重極電極とは前記壁電極を挟んで反対側に設けられた電子源とを有し、前記電子源の電子発生部位が、前記筒型の磁場発生手段の端面かそれよりも内側で前記磁場発生手段の発生する磁場の内部に設置され、前記電子源側ではない壁電極に隣接して四重極偏向器を備え、前記電子源側ではない壁電極からイオンが導入及び排出される電子捕獲解離反応装置と、前記四重極偏向器の第1の口に配置されたイオン源と、線形イオントラップ質量分析手段と、前記四重極偏向器の第2の口に配置された第2の質量分析手段とを備えていることを特徴とする質量分析装置。本発明では線形イオントラップを採用したECD反応手段について課題とその解決手段を開示する。3次元イオントラップを用いず、線形イオントラップを採用する理由は、特許文献5及び非特許文献4に示されているように、3次元イオントラップにおいては電子がECDとして利用できるエネルギーでイオントラップに導入される効率が大変に低いからである。すなわちイオントラップ高周波振幅が0V付近を通過するごくわずかの時間に導入された電子のみが低エネルギーでトラップ内部に存在しうるためである。一方線形イオントラップにおいては、電子は高周波電圧の印加されない中心軸上にそって導入されるために、3次元トラップで問題となるイオントラップ高周波の位相の問題がなく、100の電子を反応に関与させることができるため、原理的に反応効率が高いものと考えられるからである。高周波電場と磁場を用いてECD反応の原理実験が報告されたけれども、3次元イオントラップおよび線形イオントラップを用いた両方式とも産業応用に耐えうるSNがよい高品質なスペクトルの高速取得には至っていない。現時点での報告では、3次元イオントラップにおいてはSNのよい信号がえられておらずノイズをのぞくデータ処理の後にECDフラグメントピーク様の信号が得られる程度であり、また線形イオントラップにおいては約30秒から600秒の多数のスペクトルの蓄積によりSNのよいスペクトルとなっている。実際の高スループットなタンパク質分析のためには、ECDとは相補的な情報が得られるCIDと同程度の時間、すなわち数10-数100ミリ秒での高品質なスペクトルが取得できることが望ましい。スペクトル高速化取得のためには、ECD反応の高速化、およびイオン利用効率の向上の2つの課題がある。ECD反応の高速化のためには、反応装置を通過する電子電流の強度を向上させることが有効である。なぜなら、ECD反応効率は一般に電子の強度に比例するためである。強い電子電流を利用することができれば反応速度が増大し、高速なスペクトル取得につなげることができる。また、ECD反応装置へのイオン導入効率が低いために、イオン利用効率が低くなっている。そのために長時間の積算が必要となり、高速なスペクトル取得が実現できていなかった。しかし、両者は背反する相容れない側面を持つ。すなわち線形イオントラップを用いた方式における現実は、電子電流の強度の増加に対しイオンの導入効率が減少する傾向が見られている。それは、強い電子電流により壁電極などの表面状態が変化を受け、電子が表面に充電されてイオン制御ための電圧が適正に印加されないためである。非特許文献4においては典型的に電子照射によりイオンの導入効率が10分の1程度に減少する現象が観察されている。本発明は、線形高周波イオントラップを用いたECD反応装置において、以上の課題を解決し、CIDと同等な高速なECD反応を実現できる反応装置、およびそれを備えた質量分析装置を開示する。合わせて、高速になったECDと、CIDを組み合わせて有効な解析情報を得る装置と操作方法を開示する。スペクトル取得の高速化への課題のうちの1つ、すなわち強い電子電流を得るために、線形多重極電極と壁電極からなる線形イオントラップにその中心軸に平行な磁場を印加した線形結合型イオントラップと電子源を用い、とくに電子源の設置位置が壁電極に対し線形多重極電極の外側でありかつ線形多重極電極内部に印加されている磁力線を外側にたどっていったとき、その磁力線の延長上に電子源を設置する。また、スペクトル取得の高速化への課題のうちの1つ、イオンの高い導入効率を得て、さらに電子電流のイオントラップ効率への影響を回避するために、線形高周波イオントラップへの電子の導入口とイオンの導入口を別とする。このとき、線形イオントラップのイオン導入側の壁電極はイオントラップ内部を通過する磁力線が分布する空間の内部に設置する。この配置により、ECD反応に寄与しなかった電子は壁電極の線形多重極イオントラップ側の面で吸収される。つまり、イオンは線形イオントラップ内部に導入される前には、電子が関与するイオン操作のための電圧の変動を受けることはない。さらに、イオントラップ内部の電子を吸収する面には金メッキなどを付して電子の吸収効率を上げ、さらに電子照射による表面の化学変化を避けて電気伝導性を確保することが有効となる。特許文献5において、イオントラップ機能を持たないイオンガイドに電子を導入するときにフィラメントからなる電子源、もしくは円筒状のディスペンサーカソードからなる電子源がイオンガイドに印加されている磁力線の延長上に設置されている実施例が開示されている。電子源はイオンの導入を妨げないために、中心軸を囲む円、もしくは円筒形状となっている。しかし、この方式では原理的に高強度の電子線を得ることはできない。なぜなら、フィラメントもしくはディスペンサーカソードの表面で発生させた熱電子を真空中に引き出すための電極が存在しないからである。もし電子を引き出すために電子源を線形電極に対してバイアスすると、電子は加速されるので、低エネルギー電子を線形電極内に導入することはできない。さらに、この方式では電子源は高周波にさらされる。そこで、この方式では電子の加熱を免れず、1電子ボルト程度の電子エネルギーが必要なECDの実施は困難である。さらに、イオンガイドを用い、そのなかに捕捉した電子雲のなかをイオンが通過するだけではECD反応に十分な反応時間をとることができないことが報告されている非特許文献5。一方、本開示ではイオントラップの壁電極が存在し、その外側に電子源が設置される。壁電極は高周波電場を遮蔽するので電子は電子源付近では高周波により加熱されることはない。また、壁電極、もしくはさらに設置した電子引き出し電極の設置により、熱電子は電子源から高効率に引き出され、その後イオントラップと壁電極もしくは引き出し電極との電位差により減速され、低エネルギー電子としてイオントラップ内部に導入される。また、イオンの導入口と電子の導入口を分離することにより、中心軸上に電子源を設置することができる。これは電子と線形多重極イオントラップに捕捉されている電子との重なりを大きくする効果があるのでECD反応効率の向上につながる。また、イオンを線形多重極電極内に保持する本開示では、イオンと電子との反応時間を十分にとることが可能である。以上のように本開示に示した磁場を印加したイオントラップ構造が強い電子電流をえるために本質的であることがわかる。一方、非特許文献4においては、線形多重極イオントラップを用いた例を開示しているので、壁電極が存在し、その外部に電子源が設置されている。しかし、磁気シールドを用いて磁場の無い領域をつくり電子源をその内部に設置している。電子は静電レンズ系により集束されて導入することを試みるが、その導入効率は1-10程度にとどまっている。本開示のように線形多重極電極内部に印加されている磁力線を外側にたどっていったとき、その磁力線の延長上に電子源を設置することにより、電子を磁力線に沿って運動させることができるので、電子はほぼ100に近い効率で線形多重極電極内部の親イオンにまで到達することができる。以上のように、磁場中に電子源を設置することは明らかに電子強度をえるために本質的である。以上の課題が解決されたとき、ECDスペクトルの取得時間が100分の1程度となる。なぜなら、反応速度が典型的に10倍、イオンの利用効率が典型的に10倍増加すると予想されるからである。その結果、1枚のECDスペクトルを取得するために時間は約300ミリ秒程度となり、CIDを用いた解離スペクトル取得とほぼ同程度となる。ECDスペクトルとCIDスペクトルをほぼ同程度の時間で取得できるようになった場合、ECDとCIDの組み合わせによる相補的なデータを小型で安価な装置で取得するために、1つの線形多重極電極からなる反応装置の内部でECDとCIDを実施できるようにすることが有効となる。そのためには、CIDのためにおこなうイオンの共鳴振動をおこなう質量分解能を高く確保するために、CIDを実施している時間は磁場の印加を停止することが有効である。なぜなら、磁場により中心軸に垂直な面内のイオンの振動周波数が2つに分離するためである。つまり、ECDのための磁場は電磁石もしくはソレノイドコイルを用いて印加し、ECDを実施する期間は磁場を印加し、CIDを実施する期間は磁場の印加を停止する。特許文献5,非特許文献4ともに、磁場を印加する手段として電磁石の利用、もしくはソレノイドコイルの利用を開示している。しかし、CIDを実施するために磁場印加の停止が必要なことには触れてはいない。以下の発明の実施の形態において、具体的な課題を解決する手段の説明と実施形態の例を説明する。本発明によれば、高周波イオントラップを用いたECD実施手段によるスペクトル取得を高速化し、CIDとの組み合わせを容易にする。結果、アミノ酸配列解析などが高速化し、タンパク質試料、翻訳後修飾を受けたタンパク質試料の構造解析が高速化する。図1は本開示のECD反応装置、すなわちECDセルの実施例を説明する図である。線形多重極イオントラップ部分は線形四重極電極からなる線形多重極電極を構成する電極101-104と2つの壁電極105、106からなる。イオンは、その出し入れを示す矢印109のように線形多重極イオントラップの1つの口から導入される。磁場は円筒形状の永久磁石107でその内部に磁場を発生させる。電子はディスペンサーカソードからなる電子源108で発生させ、電子の入射を表す矢印110のようにイオンの導入口とは反対側の口から導入される。このとき、電子源は線形多重極電極とは反対側で壁電極に隣接して設置される。さらに図2は円筒磁石内部の磁力線と、電子源の設置位置を説明する図である。電子源108で発生させた熱電子は引き出し電極202に印加した電圧により、高強度で引き出され、電子電流となる。電子源201の電子発生部位が、壁電極105の外側であり、さらに円筒形状の磁石の内部を通過する磁力線の存在する領域の内側に設置されることを特徴とする。円筒形状の磁場の内部を通過する磁力線の存在する限界を図2では電子源設置限界として点線で示した。この線よりも壁電極側に電子源の電子発生部を設置させることにより電子の高効率な導入が可能となる。すなわち、磁力線に沿った螺旋運動をしながらイオントラップ内部に電子が輸送される。もし、この線よりも外側に電子発生部が設置されると、そこでの磁力線は円筒磁石107に向かうために、電子はイオントラップには向かわず、電子の高効率の導入はできない。電子源設置限界を決めるために、磁場は磁石の形状ごとにコンピュータで磁場を計算するか、もしくは実測をおこなう。しかし、磁場の計算もしくは磁場の実測する手間を省き、設計を容易にするために、電子源側の壁電極202が円筒の端面の内部となるように円筒形状の磁石が設置され、さらに電子源108の電子発生部位が円筒形状の磁石の端面かそれよりも内側に設置されることで確実に電子源の電子発生部位を円筒形状の磁石の内部を通過する磁力線の存在する領域の内側に設置することが有効である。図3はこのような電子源の配置を説明した図である。壁電極105に開口した電子導入口は電子源201の電子が発生する有効面を通過する磁力線が壁電極105を通過する大きさと同程度に開口する。これにより、電子をほぼ100に線形多重極イオントラップ内部に導入することが可能となる。電子源は高温となるためそこから金属などの蒸着物質が飛散することがあり、それがイオントラップ内部に導入されてトラップの電位を変化させる可能性があるため、上記で説明した開口部の大きさ以上に大きな穴を開けることはイオントラップ性能に対して有効ではない。さらに図2はイオン導入口をもつ壁電極106の有効な設置位置を説明している。すなわち、線形多重極電極が囲むイオントラップ領域を通過する磁力線が存在する限界を壁電極設置限界として図に示している。本開示では、壁電極106の内壁が壁電極設置限界より内側になるように設置して、磁場がその表面を通過するように設置し、さらに外壁が壁電極設置限界よりも外側になるように設置することを特徴としている。この設置位置により、電子源108で発生し線形多重極電極を通過した電子は壁電極106で捕捉されることになる。もし、壁電極の内壁が壁電極設置限界よりも外側に設置されたならば、電子は磁場に巻きついて円筒磁石107もしくは高周波多重極電極102,104に吸収されることになる。また、もし、壁電極の外壁が壁電極設置限界よりも内側に設置されると、電子は、壁電極106に開口したイオン導入口から外に漏れ出し、壁電極の外側で吸収されることになる。このことは壁電極外側の静電位を変化させる可能性があり、イオンを導入する効率に影響を与える可能性がある。また、この壁電極106には流入する電子電流を検知する電流計が接続されていることを特徴とする。壁電極106においてほぼ100捕捉された電子電流はECD反応効率を最適化する上で重要なパラメータであり、この電極に電流計を接続することはその測定を可能にする。また、壁電極106は金メッキなどを付し化学的に安定とし、電子照射による表面の変化を回避することがイオンの高効率な導入、および、電子強度の安定モニターに対して有効である。なお、線形四重極高周波イオントラップにおけるイオン捕捉の原理と高周波電場による電子の影響の理論的考察については非特許文献4に記載されているため、ここでの記載は省略する。図4は四重極偏向器を備えたECDセルの実施例を説明する図である。ECDセル部分の構成は図1と等しいので説明を省略する。本実施例では電子源側ではない壁電極106に隣接して四重極偏向器409-412を備えていることを特徴とする。本開示では、イオンはイオン源部で生成された親イオンが矢印415に示したように1つの壁電極106からECDセルに導入され,反応後生成イオンが416に示した矢印のように同一の開口から出し入れ、質量分析手段に導入される。イオン源部と質量分析手段が共存し得ない場合、たとえばESIイオン源とTOF質量分析手段が接続される場合には、矢印414で示したイオン源からのイオンの入射と、矢印417で示したような質量分析手段への入射は共存できない。そのために、四重極偏向器を導入している。四重極偏向器とは、図4に示すように4つの電極409-412からなり、その対向する電極対409と411のペア、410と412のペアに適当な異なる静電圧を印加することにより入射する荷電粒子の運動を90度偏向する原理である。これを設置することによりイオンをECDセルに導入するタイミングでは、イオン源から入射してくるイオン414を90度偏向してECDセルに導入し、またイオンを取り出すタイミングではECDセルから排出されたイオン416を90度偏向して417とし、質量分析手段に導入する。本方式のように四重極偏向器をECDセルに接続することによりECD機能を備えた質量分析装置を構成することができる。図5は四重極偏向器とイオンガイドを備えたECDセルの実施例を説明する図である。すなわち、図4に示した四重極偏向器を備えたECDセルにおいて、ECDセルと四重極偏向器の間に高周波電圧を印加した高周波多重極電極513-516により生成される高周波イオンガイドを挿入している。イオンガイドを導入する必然性は、他の質量分析手段への磁場の影響を回避する目的である。すなわち、ECDセルの磁場発生手段として永久磁石もしくは常時動作している電磁石もしくはソレノイドコイルを用いる場合、磁場がECDセル外部に漏れ出すことになる。磁場は他の分析手段とくにイオントラップへ影響を与え、質量分析を行うとき、親イオンを単離するとき、CIDを実施するときなど、そのイオンの振動周波数を変化させる可能性がある。そのために、常時磁場を発生させるECDセルを他の質量分析手段から離して設置するために、イオンガイドを挿入することにより四重極偏向器が設置されるイオン源と質量分析手段が設置されるラインとECDセルの間の距離を得る。この目的のために、典型的に四重極偏向器部分での磁場の強度が1mT以下まで減衰する長さとする。磁場の強度が1mTまで減衰すれば、イオンの振動周波数への影響が1以下まで低減することができることがシミュレーションにより確認されており、質量分析装置の運転上、支障を与えない。本実施例では、イオン源から発生されたイオンは矢印518のように四重極偏向器に導入され90度変更されて矢印519のようにイオンガイドの中を通過する。そのイオンは矢印520のようにECDセルに導入されてトラップされる。そこに、電子線を517のように照射して、ECD反応により解離イオンを生成する。解離イオンは矢印521のようにECDセルから取り出され、イオンガイドを通過して、四重極偏向器に至る。四重極偏向器で質量分析手段の設置されている方向に偏向され、522のように質量分析手段に導入される。以上のECDセルに採用される磁場の発生手段を以下で説明する。図6は円筒永久磁石601による磁場発生手段を説明する図であり、図1-4で採用し例示した方式である。磁化の方向を602で示した。その内部に発生する磁場は図2,3に示されている。磁場の発生手段として永久磁石を用いることの効果は、安価であること、電磁石やソレノイドコイルのように電流源やコイルの冷却系を必要としないことが上げられる。ECDセルをCIDを実施しないECD手段として用いる場合に有効な方法である。図7は電磁石により円筒磁石を形成した磁場発生手段を説明する図である。円筒磁芯701704、磁極709-710、コイル705-708からなる。各円筒磁芯発生するそれぞれ磁化の方向が平行となるようにコイルが巻かれる。それにより磁極にはちょうど円筒永久磁石と同様な磁化が発生し、図7の電磁石の中心軸に沿って内部に磁場が発生する。また、図8はソレノイドによる磁場発生手段を説明する図である。真空槽803の外部に設置したソレノイド802により磁場を発生させることが特徴である。ソレノイドに電流を流すことにより中心軸付近に磁場を発生させる。ソレノイドは磁心を持たないことからECDに必要な磁場を発生させるためには大きな電流を必要とし、コイルの冷却が必須となる。真空外部にソレノイドを設置することにより、水冷のための手段との結合を容易にする。以上の図7,8に示した電磁的磁場発生手段は、電流源や冷却手段を必要とするけれども、磁場の強度を変化させることができることが永久磁石との大きな違いである。CIDをECDセル内部で実施するためには、磁場の停止が必須であり、そのための手段を供給する。図9はソレノイドによる磁場発生手段を備えた電子捕獲解離セルの実施例を説明する図であり、CID機能を備えていることを特徴としている。すなわち、図8のソレノイドを用いた磁場発生手段のなかに、線形四重極イオントラップ101-105と電子源108が設置されている。線形四重極電極にはその内部に双極交流電場が発生させるために交流電源913が接続されている。912はソレノイドに電流を供給する電流源であり、スイッチ操作をおこなうことができる。さらに、線形四重極イオントラップにはHeガスを導入するための配管911が設置されている。少量のHeガスの導入でその分圧を高くするために、線形四重極イオントラップに覆いを設けることが有効である図9では簡略化のために図示していない。本ECDセル内部でCIDを行うためには、交流電源913で発生させる交流電圧の周波数は対象となるイオンに共鳴振動を励起させる値とする。とくに、そのとき、電磁石の動作を停止して磁場を印加しないことを特徴とする。この場合、イオンの共鳴周波数はいわゆる擬ポテンシャル内部での永年運動振動数に対応する周波数となる。その計算方法は本分野の技術者ならば基礎知識であるため、ここでの掲載は割愛する。さらに、本ECDセルを用いて、ECDとCIDを任意に組み合わせてシーケンシャルに反応をすすめていくことも実施可能である。その際、ECDもしくはCIDによって生成された複数の解離イオンのうち、任意の1つを選び出してそれに対してさらにECDもしくはCIDを実施していく。この解離イオンの単離の操作を行うとき、目的イオン以外のイオンを永年運動の共鳴により排出することが行われる。この単離操作のとき、電磁石の動作を停止して磁場を印加しないことを特徴とする。この操作により、単一解離イオンの単離操作が可能となる。さらに、本ECDセルを質量分析手段として用いることも可能である。すなわち、双極交流電場をトラップしているイオンに印加し、その周波数を走査させる。共鳴条件を満たしたイオンは順次、イオントラップからイオン排出口を通してECD装置外部に排出させる。このとき、電磁石の動作を停止して磁場を印加しないことを特徴とする。この磁場を切るという操作により、従来から知られている線形イオントラップ質量分析手段を実施可能となる特許文献6,7。ECD反応手段を備えた質量分析装置の実施形態1図10にはソレノイドによる磁場発生手段を備えた電子捕獲解離セルをECDおよびCIDの手段とし、さらに反応セルを質量分析手段として採用した質量分析装置の実施例を説明する図である。四重極偏向器の1つのイオン導入口にイオン源、他の口にイオン検出器を備えていることを特徴とする。ECDおよびCID反応の手段は、線形多重極電極を構成する電極101-104、そこにイオントラップ高周波を印加するための高周波電源1027とイオンを共鳴させるための交流電源913、壁電極105,106、ソレノイドコイル802とその駆動電流源912、フィラメントからなる電子源1008、ヘリウムガス導入管911、そして四重極偏向器409-412からなる。本ECDおよびCID手段に加え、質量分析装置を形成するために、キャピラリー電極1023と細孔電極1022からなるESIイオン源と、イオンガイド1021を備えた差動排気部真空ポンプによる排気を矢印1026で示したと、イオン検出器1017と、装置を制御するコンピュータ1028からなる。イオン源で発生させた親イオンはECD-CID反応部分を構成する線形イオントラップ電極101-104に対し、2つの壁電極の電圧を正にとることにより線形イオントラップ内部に捕捉することができる。もしくは、イオンガイドをイオントラップとして動作させ、排出されたイオンが壁電極106を通過するタイミングでは壁電極106への電圧を線形四重極電極101-104とほぼ同じかもしくは低い電圧値とし、イオンが線形四重極電極101-104に位置するタイミングにおいて、壁電極106へのバイアスを線形四重極電極101-104よりも高い値とすることにより、壁をつくり、イオンを捕捉することが可能となる。図15は図10に示したECDを備えた質量分析装置の基本的な操作を説明する図である。試料イオンに含まれる全イオンを質量分析する操作であるMSモード、ECDを実施するECDモード、CIDを実施するCIDモード、ECDとCIDを組み合われたDCDCIDモードについて説明する。各モードを構成する2つの点線枠のうち、左の点線枠はイオン源を示し、イオン源で発生したイオンとして、A、B,C,D,Eの5種のイオンが含まれている例を示している。左の点線枠はECD-CID機能を備えた反応部分の操作を示す。MSモードでは、試料イオンの質量スペクトルを得る。まず、イオン源で発生させたイオンはECD-CID反応部にトラップされる。磁場印加を停止した状態で、質量分析操作させて、試料イオンのスペクトルをえる。ここで得られた質量スペクトルを参照して、配列構造を解析する親イオンを選択する。ECD-CID反応部を構成する線形イオントラップ部分は、JWHagerRapidcommunMassSpectorm2002vol16p512526に示されている方法を一例とした線形イオントラップ質量分析手段として動作する。すなわち、質量選択的にイオンを線形イオントラップから排出し、そのイオンを四重極偏向器を通過させ、イオン検出器1017で検出する。ECDモードを実施する方法を説明する。ECDモードでは単離された親イオンのECD反応による解離イオンスペクトルを得る。フィラメント1008には常に電流を流しておき、加熱状態にしておく。イオン源で発生させたイオンABCDEはECD-CID反応部に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。この操作の際には、磁場の印加を停止する。単離したイオンに対し、ECDを実施する。ECDを実施する期間、ソレノイドに電流を供給する電流源912を動作させ、反応セル内部に磁場を発生させる。電子源の静電圧を線形四重極電極101-104よりも0V以上高い電位とすると、ECD手段に導入される。低エネルギー電子の導入によりECD反応が進行し、ECDによる解離イオンd1、d2、d3が生成される。再び、磁場の印加を停止して、質量分析操作を行い、解離イオンのスペクトルを得る。CIDモードを実施する方法を説明する。ECDモードでは単離された親イオンのCID反応による解離イオンスペクトルを得る。CIDを実施する期間、ECD-CID反応手段にはヘリウムガスを導入する。このガスと振動する親イオンとの衝突によりCIDを発生させるためである。なお、ECDを実施する期間においても、Heガスを導入しておいてもよい。イオン源で発生させたイオンABCDEはECD-CID反応部に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。この操作の際には、磁場の印加を停止する。単離したイオンに対し、CIDを実施する。CIDを実施する期間は、ソレノイドに電流を供給する電流源912を停止させる。以上の状況において、質量の分かっている選択された親イオンDの線形イオントラップ電極101-104内部での永年運動振動数に対応する周波数をもつ交流電圧を交流電源913を用いて印加する。もしくは、周波数を一定にしている交流電圧により共鳴振動が発生するように、高周波電源1027で発生させているイオントラップ高周波の振幅を設定する。以上により、CIDによる解離イオンD1、D2,D3が生成される。再び磁場の印加を停止し、質量分析操作をおこなう。解離イオンは質量選択的にECD-CID質量分析手段から排出され、イオン検出器で検出され質量スペクトルが得られる。ECD-CIDモードを実施する方法を説明する。このモードではECDを実施して生成した解離イオン種にCIDを生成させ、複合的な解離イオンを生成させることを目的とする。本操作により、質量の等しいアミノ残基であるロイシンとイソロイシンの区別、もしくは、翻訳後修飾された分子を備えたECD解離イオンに対し、CIDを実施して、翻訳後修飾分子を分離し、翻訳後修飾分子の同定ができるようになる。ECDモードと同様にECD解離イオンを発生させる。その後、1つの解離イオンを単離し図14ではd2イオンを模式的に単離している、CIDを適用する。CIDによる解離イオンは質量分析操作により、質量選択的にECD-CID反応手段から排出され、イオン検出器で検出される。この単離、CID、質量分析の実施期間は磁場の印加を停止する。図14には示していないけれども、容易にわかるように、以上の手続きを複数回繰り返すことにより、ECDとCIDを任意に組み合わせた多段解離イオンのスペクトルを取得することができる。本実施形態では、イオン源と、質量分析手段をかねたECD-CID反応装置と、イオン検出器からなるシンプルな構成の実施例である。ただし、次に示すTOF質量分析手段を備えた実施形態のように、高質量分解能を有する質量スペクトルの取得は困難である。ECD反応手段を備えた質量分析装置の実施形態2図11はソレノイドによる磁場発生手段を備えた電子捕獲解離セルを電子捕獲解離手段と、線形イオントラップ質量分析手段質量分析手段と、飛行時間型質量分析手段とを備えた質量分析装置の実施例を説明する図である。ソレノイドが磁場発生手段でありさらに四重極偏向器を備えた形態のECD-CID反応装置に加え、四重極偏向器の1つのイオン導入口にイオン源と線形イオントラップ質量分析手段を備え、他の1つの口に質量分析手段を備えていることを特徴とする。質量分析手段としては質量分解能の高い飛行時間型質量分析手段TOF-MSを採用している。本実施形態は実施形態1にくらべ、得られるスペクトルの質量分解能が高いことにより、分子の同定能がより高くなることを特徴としている。本実施例はECD-CID反応装置と四重極変更器の間にイオンガイドを挿入し、ソレノイドコイルによる磁場がTOF-MSや線形イオントラップ部分1018-1020へ影響を与えることを回避している。ECDおよびCID反応の手段は、線形多重極電極を構成する電極101-104、そこにイオントラップ高周波を印加するための高周波電源1027とイオンを共鳴させるための交流電源913、壁電極105,106、ソレノイドコイル802とその駆動電流源912、ディスペンサーカソード108と引き出し電極202からなる電子源、ヘリウムガス導入管911、そして四重極偏向器409-412からなる。本ECDおよびCID手段に加え、質量分析装置を形成するために、キャピラリー電極1023と細孔電極1022からなるESIイオン源と、イオンガイド1021を備えた差動排気部真空ポンプによる排気を矢印1026で示したと、線形四重極高周波質量分析手段1019と2つの壁電極1018,1020からなる線形イオントラップによるイオン単離手段と、ガスを導入したイオンガイド部1135-1136、TOF-MS1130-1133、および装置を制御するコンピュータ1028からなる。本実施形態のイオン源、線形四重極高周波質量分析手段1019の操作と機能は実施形態1と同じである。ECD-CID反応部は、ECD反応、CID反応および、多段階反応を実施する際の解離イオンの単離の機能を担当し、実施形態1と異なり質量スペクトルを得るための質量分析操作は行わない。質量スペクトルを得るための質量分析操作はTOF-MS部分が担当する。ECD-CID反応部で解離され、質量スペクトルとして測定されるイオンはECD-CID反応部から取り出され、四重極偏向器でTOF-MS部分に向けて偏向される。これらのイオンはガスを導入したイオンガイド部1134-1135に導入される。このイオンガイド部でガスとの衝突によりイオンは運動エネルギーを失い、結果として四重極電極の中心部に集束される。そのイオンは出口電極1136から出射されるとき、TOF-MSと出口電極1136との間の静電圧により加速されて、TOF-MSに導入される。このとき、一般には出口電極1136とTOF-MSとの間にはレンズ電極や進行方向を調整するために偏向電極が挿入される。図11には、レンズ電極と偏向電極は記載していない。TOF-MSに導入されたイオンはプッシャー1132に印加したパルス電圧により加速されリフレクター1131を経由して、イオン検出器1133により検知される。プッシャーにパルス電圧を印加した時刻とイオンがイオン検出器で検知された時刻との間の時間を測定することにより、イオンの質量が計算される。本実施例で採用したTOF-MSは一般に用いられているTOF-MSの形態と等しいので、ここでは詳細な記載はしない。図14は図11に示したECDを備えた質量分析装置の基本的な操作を説明する図である。試料イオンに含まれる全イオンを質量分析する操作であるMSモード、ECDを実施するECDモード、CIDを実施するCIDモード、ECDとCIDを組み合われたDCDCIDモードについて説明する。各モードを構成する4つの点線枠のうち、左の点線枠はイオン源を示し、イオン源で発生したイオンとして、A、B,C,D,Eの5種のイオンが含まれている例を示している。中央左の点線枠は線形イオントラップ質量分析部の動作を示す。中央右の点線枠はECD-CID機能を備えた反応部分の操作を示す。左の点線枠はTOF質量分析部分における質量分析により得られた質量スペクトルの模式図を示す。MSモードでは、試料イオンの質量スペクトルを得る。まず、イオン源で発生させたイオンは線形イオントラップ質量分析手段にトラップされる。トラップされたイオンは直接TOF-MSへ導入され、質量分析操作させて、試料イオンのスペクトルをえる。ここで得られた質量スペクトルを参照して、配列構造を解析する親イオンを選択する。ECDモードを実施する方法を説明する。ECDモードでは単離された親イオンのECD反応による解離イオンスペクトルを得る。ディスペンサーカソードは常にヒータ電流を流しておき、加熱状態にしておく。イオン源で発生させたイオンABCDEは線形イオントラップ質量分析手段に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。単離したイオンは排出してCD-CID反応装置に導入し、ECDを実施する。ECDを実施する期間、ソレノイドに電流を供給する電流源912を動作させ、反応セル内部に磁場を発生させる。電子源の静電圧を線形四重極電極101-104よりも0V以上高い電位とすると、ECD手段に導入される。低エネルギー電子の導入によりECD反応が進行し、ECDによる解離イオンd1、d2、d3が生成される。解離イオンはECD-CID反応手段から排出し、TOF質量分析手段に導入し、TOF質量分析を適用して解離イオンのスペクトルを得る。CIDモードを実施する方法を説明する。CIDモードでは単離された親イオンのCID反応による解離イオンスペクトルを得る。CIDを実施する期間、ECD-CID反応手段にはヘリウムガスを導入する。このガスと振動する親イオンとの衝突によりCIDを発生させるためである。なお、ECDを実施する期間においても、Heガスを導入しておいてもよい。イオン源で発生させたイオンABCDEは線形イオントラップ質量分析部に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。単離したイオンはECD-CID反応部に導入する。このイオンに対し、CIDを実施する。CIDを実施する期間は、ソレノイドに電流を供給する電流源912を停止させる。以上の状況において、質量の分かっている選択された親イオンDの線形イオントラップ電極101-104内部での永年運動振動数に対応する周波数をもつ交流電圧を交流電源913を用いて印加する。もしくは、周波数を一定にしている交流電圧により共鳴振動が発生するように、高周波電源1027で発生させているイオントラップ高周波の振幅を設定する。以上により、CIDによる解離イオンD1、D2,D3が生成される。解離イオンはTOF質量分析手段に導入され質量スペクトルが得られる。なお、従来法どおり、CIDを線形イオントラップ質量分析手段において実施することも可能である。ECD-CIDモードを実施する方法を説明する。このモードではECDを実施して生成した解離イオン種にCIDを生成させ、複合的な解離イオンを生成させることを目的とする。本操作により、質量の等しいアミノ残基であるロイシンとイソロイシンの区別、もしくは、翻訳後修飾された分子を備えたECD解離イオンに対し、CIDを実施して、翻訳後修飾分子を分離し、翻訳後修飾分子の同定ができるようになる。ECDモードと同様にECD解離イオンを発生させる。その後、1つの解離イオンを単離し図14ではd2イオンを模式的に単離している、CIDを適用する。この単離、CIDの実施期間は磁場の印加を停止する。CIDによる解離イオンはTOF質量分析手段の導入し質量分析操作により、質量スペクトルを得る。また、図13は高度な質量分析操作を説明する図である。すなわち、ECD実施期間中、線形イオントラップ質量分析部をCID手段として動作させる方法である。ECDは反応速度が遅いといわれているため、長いECD実施期間が必要になる場合がある。このECD実施期間の間に複数のCIDスペクトルを取得することにより、分析のスループットを上げて分析能を向上させる。本実施形態の装置では、ECD反応部分が線形イオントラップ質量分析部とTOF質量分析部のラインから切り離し可能であることにより可能となる操作である。図13に示したように、はじめにMSモード実施する。つづいて、ターゲットとした単離イオン図ではDイオン種をECD反応部に導入し、ECDを実施する。その間に、線形イオントラップをCID実施手段として動作させ、複数のCIDスペクトルを得る。図では、BイオンのCIDスペクトル、Eイオン、EイオンのCIDスペクトルを得ている。このCID期間中に電子が照射されECD解離イオンが多数生成される。最後にそのイオンがTOF-MSに導入されて、ECD解離スペクトルd1-d3が得られる。本実施形態は、TOF質量分析手段を備えた高い質量分解能をもち、しかも、ECDとCIDを実施可能な最も多機能な装置の例である。ECD反応手段を備えた質量分析装置の実施形態3図12は永久磁石による磁場発生手段を備えた電子捕獲解離セルを電子捕獲解離手段と、線形イオントラップ質量分析手段質量分析手段と、飛行時間型質量分析手段とを備えた質量分析装置の実施形態を説明する図である。永久磁石が磁場発生手段でありさらに四重極偏向器を備えた形態の電子捕獲解離装置に加え、四重極偏向器の1つのイオン導入口にイオン源と線形イオントラップ質量分析手段を備え、他の1つの口に質量分析手段を備えていることを特徴とする。本実施例は、永久磁石を採用し、安価で簡単な装置構成となることが特徴である。ただし、磁場の制御ができないため、ECD反応部でのCIDの実施は困難である。しかし、線形イオントラップ質量分析手段によりCIDの実施は可能である。つまり、CIDかECDを選択して実施できる質量分析装置の構成である。装置構成の実施形態2との違いは、磁場発生手段としてソレノイドコイルに代えて永久磁石を採用していること、また、ECD反応部においてCIDを実施しないため、交流電源を備えていないことである。図20は図12に示したECDを備えた質量分析装置の基本的な操作を説明する図である。試料イオンに含まれる全イオンを質量分析する操作であるMSモード、ECDを実施するECDモード、CIDを実施するCIDモード、ECDとCIDを組み合われたDCDCIDモードについて説明する。各モードを構成する4つの点線枠のうち、左の点線枠はイオン源を示し、イオン源で発生したイオンとして、A、B,C,D,Eの5種のイオンが含まれている例を示している。中央左の点線枠は線形イオントラップ質量分析部の動作を示す。中央右の点線枠はECD-CID機能を備えた反応部分の操作を示す。左の点線枠はTOF質量分析部分における質量分析により得られた質量スペクトルの模式図を示す。MSモードでは、試料イオンの質量スペクトルを得る。まず、イオン源で発生させたイオンは線形イオントラップ質量分析手段にトラップされる。トラップされたイオンは直接TOF-MSへ導入され、質量分析操作させて、試料イオンのスペクトルをえる。ここで得られた質量スペクトルを参照して、配列構造を解析する親イオンを選択する。ECDモードを実施する方法を説明する。ECDモードでは単離された親イオンのECD反応による解離イオンスペクトルを得る。ディスペンサーカソードは常にヒータ電流を流しておき、加熱状態にしておく。イオン源で発生させたイオンABCDEは線形イオントラップ質量分析手段に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。単離したイオンは排出してCD-CID反応装置に導入し、ECDを実施する。電子源の静電圧を線形四重極電極101-104よりも0V以上高い電位とすると、ECD手段に導入される。低エネルギー電子の導入によりECD反応が進行し、ECDによる解離イオンd1、d2、d3が生成される。解離イオンはECD-CID反応手段から排出し、TOF質量分析手段に導入し、TOF質量分析を適用して解離イオンのスペクトルを得る。CIDモードを実施する方法を説明する。CIDモードでは単離された親イオンのCID反応による解離イオンスペクトルを得る。イオン源で発生させたイオンABCDEは線形イオントラップ質量分析部に導入されて、単離される。図ではイオン種Dを単離した。単離したイオンに対し、線形質量分析手段内部でCIDが実施される。以上の状況において、質量の分かっている選択された親イオンDの線形イオントラップ電極101-104内部での永年運動振動数に対応する周波数をもつ交流電圧を交流電源913を用いて印加する。もしくは、周波数を一定にしている交流電圧により共鳴振動が発生するように、高周波電源1027で発生させているイオントラップ高周波の振幅を設定する。以上により、CIDによる解離イオンD1、D2,D3が生成される。解離イオンは質量選択的にECD-CID質量分析手段から排出され、TOF質量分析手段で検出され質量スペクトルが得られる。ECD-CIDモードを実施する方法を説明する。このモードではECDを実施して生成した解離イオン種にCIDを生成させ、複合的な解離イオンを生成させることを目的とする。本操作により、質量の等しいアミノ残基であるロイシンとイソロイシンの区別、もしくは、翻訳後修飾された分子を備えたECD解離イオンに対し、CIDを実施して、翻訳後修飾分子を分離し、翻訳後修飾分子の同定ができるようになる。ECDモードと同様にECD解離イオンを発生させる。その後、1つの解離イオンを単離し図ではd2イオンを模式的に単離している、CIDを適用する。この単離、CIDの実施期間は磁場の印加を停止する。CIDによる解離イオンはTOF質量分析手段の導入し質量分析操作により、質量スペクトルを得る。本実施形態は、電磁的な磁場発生手段を用いず、永久磁石を用いるのでコイルへの電源や、コイルの冷却設備を必要としない点で簡便となり、安価な装置を供給可能である。ECDとCIDの組み合わせを必要とする翻訳後修飾を対象としない、すなわちトップダウン的なタンパク質構造解析に適した構造である。ECD反応手段を備えた質量分析装置の実施形態4図16はイオン源と、線形質量分析手段と電子捕獲解離セルからなる質量分析装置の実施形態を説明する図である。イオン源と、線形イオントラップ質量分析手段と、請求項1記載の電子捕獲解離装置が直列に配置され、それらの要素の間に必要におうじてイオンガイドを挿入した装置構成を持つ電子捕獲解離機能を備えていることを特徴とする。装置構成は、イオン源細管1623と細口電極1622からなるESIイオン源、線形高周波多重極電極1620と細口電極1621からなるイオンガイドを備えている。以上で発生され真空中に導入されたイオンは線形イオントラップ質量分析手段1614-1616、1618,1619に導入される。本質量分析質量分析手段は非特許文献6に示されている形態である。すなわち、線形四重極電極内部で共鳴振動させたイオンが四重極電極の動径方向に共鳴振動させられ、排出されて、イオン検出器1616および1618で検出される原理である。また、図16は動作原理の基礎に基づいた簡略化した記載となっている。本質量分析部分では、イオンの単離、CID反応、および、質量スペクトルを得るための質量分析操作をおこなう。本線形イオントラップ手段には、イオンガイド1613を介してECD-CID反応部分が接続される。本実施例における基本的な解離と質量分析操作を示す。イオン源で発生させた試料イオンはイオンガイド1620を経て線形イオントラップ質量分析部に導入される。ここで、第1の質量分析操作を行って、試料イオンに含まれるイオンのスペクトルを得る。得られた質量スペクトルを参照し、解離反応により配列構造解析を行うイオンを選択する。再度イオンを導入し、線形イオントラップ質量分析手段により選択したイオンをイオンの共鳴振動により単離する。ここで、ECDを行う場合、単離したイオンはECD-CID手段に導入され、電子を照射してECD反応を発生させる。解離されたイオンはECD-CID手段から排出され、線形イオントラップ質量分析手段に再度導入される。ここで、共鳴振動による質量分析をおこない、質量スペクトルをえる。なお、線形イオントラップ質量分析手段において質量分析操作、単離操作、CID操作を行う場合は、ECD-CID部の磁場を停止させることが質量分解能を得るために有効である。なお、本実施形態を用いて、線形イオントラップ質量分析手段をもちいてCIDのみを行うこと、および、ECDとCIDを組み合われて行うことは容易である。その基本的な操作手順は図13として説明した内容とほとんど一致する。質量分析手段がTOF質量分析手段ではなく、線形イオントラップ質量分析手段を用いる点が異なるのみである。リン酸修飾または糖鎖修飾されたたんぱく質の解析手順の実施形態ECDとCIDを組み合わせて翻訳後修飾されたタンパク質の質量分析的構造解析の手順を説明する。基本となる測定シーケンスを図21に示した。はじめにCIDをもちいて翻訳後修飾がされていることを判定し、修飾されている分子の大きさを得て、つづいてECDをもちいて修飾されている部位を同定する手順である。図21に示したように、測定はまず、試料イオンのMSモードによる測定から開始する。本測定により、試料として質量分析装置に導入されたイオンの分布を知る。測定されたイオンの質量、および、液体クロマトグラフの溶出時間などを参照すれば、配列情報を含め、イオン種同定が可能である場合がある。その場合は、もはや解離反応によりイオン種同定を行う必要はない。溶出時間とイオン質量からなるイオン同定のデータベースを参照し、もし、すでに同定されている場合は、測定を終了する。同定されていない場合は、つぎの分析手続きに移る。つづいて、選択されたイオン種に対し、CIDモードを適用する。CIDにより、翻訳後修飾されているイオンの場合は、ニュートラルロスが発生する。ニュートラルロスとは、反応前後において価数が変化することなく、分子を構成する一部が脱落することをいう。翻訳後修飾されている部位はCIDでは優先的に解離するために、ニュートラルロスが発生しやすくなっている。ニュートラルロスがこのニュートラルロスのうち、リン酸PO4に対応する質量が脱落している場合はリン酸修飾されているものと判定できる。また、単糖の質量の組み合わせで説明できる場合は糖鎖修飾されているものと判定できる。一般に、高い確率でニュートラルロスが発生している場合は、簡単のため、翻訳後修飾された分子であると判定してもよい。高い確率でニュートラルロスが発生しない場合、普通にCIDスペクトルが取得されるので、これをもって、測定を終了する。つづいて、ニュートラルロスと判定されたイオン種に対し、ECDモードを適用する。ECDは翻訳後修飾された部位を保存したままアミノ残基配列からなる主鎖を切断する。そのため、ECDスペクトルをみれば、通常のアミノ残基の配列からなるC,Zフラグメントに加え、翻訳後修飾された分子をともなった大きな値のC,Zフラグメント間の間隔が見出される。この大きな間隔をもたらした部位が翻訳後修飾を受けた部位であると判定できる。ECD反応手段の実施形態5図22、図24は電子強度をモニターする電極とガス室を備えたECD反応手段の実施形態の例であり、図25はそのようなECD反応手段を複数備えた質量分析装置の実施形態である。図22、図24では2001-4で示す線形四重極電極、2005で示す壁電極、2006で示す壁電極、2007で示す電子引き出し電極、2008で示すガス室、2009で示す電子源被い、2010で示すフィラメント、2011ガス導入パイプ、2012で示す円筒磁石、および2013で示す電流モニター電極からなる。電子モニターには、電子強度をモニターすること、および電子のエネルギーをモニターする機能が求められる。とくに電子のエネルギーをモニターするには高周波が印加されていない領域での検知が有効である。そのために、電子モニター電極2013を壁電極5の外側に設置した。電子モニター電極2013に電子を効率よく導くために電子が壁電極5の穴を通過させる。図23に示したような磁場配置を取ることにより電子を効率よく穴を通し、しかも電子モニター電極2013で効率よく捕捉することが可能になる。すなわち、円筒磁石2012に対し、2つの壁電極2005、2006をほぼ対象な位置に磁石の内部に設置する。さらに電子モニター電極2013を図23に示すような壁電極2005の穴を通過した磁力線が透過するように設置する。この設置方法により電子は効率よく電子モニター電極2013に捕捉される。電子のエネルギーをモニタするためには図27の回路を用いる。2001-4で示す線形四重極電極、2005で示す壁電極、2012で示す円筒磁石、2013で示す電流モニター電極、2014で示す磁石の磁化の方向を示す矢印、20202023で示すイオンガイド電極、2022で示す電圧源、2023で示す電流計からなる。電流モニター電極2013に電源2022を用いて四重極電極20012004に対してバイアス電圧を印加する。その電圧値が電子のエネルギー電子ボルト単位で表示よりも高くなると電子が電流モニター電極で電流として検知されるようになる。そこで、バイアス電圧を変化させて電流値を電流計2023にて検知することにより電子のエネルギーとその強度が観測される。電子捕獲解離では電子の運動エネルギーは重要なパラメータなので装置のチューニングにはこの機構を備えることが有効である。本実施例では電子源にはタングステンフィラメント2010を用いている。ECDセルの設置される真空度が10-6Torrよりも悪い真空度の場合ディスペンサーカソードの使用は困難となるので、フィラメントの利用が有効である。電子源部分の構成および駆動電源を図25、26に示した。2001-4で示す線形四重極電極、2006で示す壁電極、2007で示す電子引き出し電極、2010で示すフィラメント、2015,2016で示す電気抵抗器、2017で示す電流源、2018で示す電圧源、および2019で示す電子レンズ電極からなる。フィラメント2010は電流源2017で通電加熱される。フィラメントには中央部分に折れ曲がりを設けている。この部分が高温となり電子はこの先端から強く発生させることができる。フィラメントにはその電気抵抗からフィラメントの長手方向に電位差が発生する。しかし、この形態を用いれば一点から電子が出るためにその運動エネルギーをそろえることが可能となる。フィラメントの中央部分の電位を電源2018を用いて制御するために、フィラメントの両端には電気抵抗器2015、2016を接続し、両者の間に電圧を印加する。この方式によりフィラメントの電子発生点の電位を電源2018の出力値と一致させることができる。2つの実施形態図25、図26のうち、図25は単純な構成からなる形態であり、フィラメント2010で発生させた熱電子を引き出し電極2007で引き出し、壁電極6の穴から導入できるようにしたものである。図26では、電子レンズ電極2019を採用している。この電極の形状は、磁力線がこの電極面にほぼ垂直になるような形状となっている。これによりレンズ電極2019の穴から出てきた電子は磁場と平行に加速される。これにより電子は磁場によるサイクロトロン運動が抑制され電子のイオントラップ中心部での透過率が大きくなる。電子引き出し電極は長時間の電子照射による表面の改変を回避するために、レニウム、モリブデンもしくはレニウムモリブデン合金で作成することが好ましい。もしくは、その表面をグラファイト微粒子などでコーティングして改変を回避することが好ましい。同電極の表面の改変は金属としての表面特性が失われ絶縁体膜が構成されてそこに電子が充電されることにより電子の引き出し効果を著しく低下させる可能性がある。また、電子引き出し電極は、開口部を持つ平板又はメッシュ構造であってもよい。開口部をもつ平板構造は電子がメッシュと衝突して失われる効果がないため、簡便に電子発生効率の高い電子源を構成することができる。またメッシュ構造を採用すると、電子がメッシュに衝突して失われる影響はあるが電子の引き出し方向をほぼ磁力線と平行にすることができるので電子の導入効率の高い電子源を構成することができる。図24はガス室の構成手段として円筒磁石2012を壁面として利用する形態である。この形態を取ることにより円筒磁石内部にガス室壁を設ける必要がないため、円筒磁石を小さくし、装置サイズと価格を低減することが可能となる。図28は図22,24の実施形態の電子捕獲解離手段を複数備えた質量分析装置の実施形態の図である。複数の反応手段を備えることにより反応速度の倍化が可能となる。操作は図12で説明した形態とほとんど等しいのでその詳細説明は前記ECD反応手段を備えた質量分析装置の実施形態3を参照する。なお、本実施例のように四重極偏向器409412に設置する反応手段はECD実施手段に限らず、イオン源、CID実施手段、電子移動解離手段、イオン検出器など任意の質量分析関連手段を接続することが可能である。ECD反応手段の実施形態6電子捕獲解離反応部のガスセルに希ガスを導入すると、反応効率を向上させることができる。ガスセルに導入するガス種はヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスを用いる。そのとき、ガスセル内部のそれらの分圧は01Paから10Paとし、照射する電子のエネルギーは2電子ボルトから10電子ボルトになるように設定する。このとき、大きな反応効率を得ることができ、高速のECDを実現することができる。図29は本発明の形態である結合型線形四重極高周波イオントラップ内に、試料イオンとして2価のサブスタンスPを導入し、さらに、ヘリウムガスを0.76Paの分圧で導入したときの電子捕獲解離スペクトルの測定例である。照射電子のエネルギーは5.6電子ボルトである。反応時間は20ミリ秒であり、十分な高速反応を実現している。ガスを導入しない場合の実施例である図30にくらべてスペクトルの質を表す反応効率と信号ノイズ比が格段に向上している効果がわかる。その解離効率は、図31に示したようにHeガスを導入することにより約1桁向上させることができる。生体高分子配列解析に十分に適用な高速によるECDの実施にガスの導入が大きな効果を実現することを示している。従来のFT-ICRでは実現できないガス圧領域であり、高周波イオントラップでの新たな知見である。ガスの導入による反応効率向上の効果は線形イオントラップ構成に限らず、イオンガイドなどガスを導入できるECD反応を実現する装置の形態で実施可能である。図32にはヘリウムガス圧0.47Paにおいて、電子のエネルギーを変化させたときの電子捕獲解離反応効率を測定した結果である。2電子ボルト以下の電子エネルギーにおいて観測された反応効率のピークが電子捕獲解離であり、2から12電子ボルトで観測された反応効率の分布が高温ECDと呼ばれるECD反応である。とくにガスによる顕著な反応が高温電子捕獲解離において観察された。この領域を利用することにより高い効率での電子捕獲解離が実現される。とくに高速でタンパクを分析するプロテオーム解析分野で有効である。また、とくに2から8電子ボルトの領域では、電子捕獲解離に特徴的なc、zフラグメントが生成され、従来の高温ECDで見られるようなb、yフラグメントが観測されない。このエネルギー領域を利用すればシンプルなスペクトルが取得可能であり、多量のデータが排出されるプロテオーム解析においてそのデータ処理に有利である。"