"反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。前記電磁波遮蔽箔体はアルミニウム箔からなることを特徴とする請求項1に記載の堆積膜形成装置。前記電磁波遮蔽箔体は複数回折りたたまれた状態で前記空隙に詰め込まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の堆積膜形成装置。前記反応容器構成体はゲートバルブおよび排気バッファを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の堆積膜形成装置。上述の導電性テープを使用した堆積膜形成装置では導電性テープが比較的高価であり、また一旦剥がした導電性テープを再使用することは事実上困難であるため、頻繁に分解組立を繰り返すと結果的にコスト高になるという課題があった。またメンテナンスなどで電磁波遮蔽筐体を分解する場合、導電性テープを剥がす必要があるが、粘着成分が装置表面に残存してしまう場合があった。またテープ貼り付け個所に曲線部分がある場合、曲線に沿うように且つ電磁波が漏洩しないように導電性テープを確実に貼ることは生産の手数を増大する要因となっていた。本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、電磁波を用いる堆積膜形成装置における電磁波の漏洩を確実に防止するための簡便な手段を安価に提供することを目的とする。上記課題を解決するための手段は、反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置である。安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供することができる。以下本発明の具体的な実施形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な断面図である。本発明の堆積膜形成装置1は反応容器本体4および反応容器構成体32からなる減圧可能な反応容器20を有している。反応容器構成体32は底部材2、ゲートバルブ3、および排気バッファ13を含み、それぞれ絶縁部材5、6および14を介して反応容器本体4から電気的に絶縁されている。反応容器本体4には、マッチングボックス21を介して電源22の励起電力を供給することができるようになっている。堆積膜形成装置1は反応容器20の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体30を有している。電磁波遮蔽筐体30は架台12に固定され接地電位とされている。電源22から反応容器本体4に供給された電磁波のほとんどは電磁波遮蔽筐体30によって遮蔽され、外部に漏洩しない。ただし、反応容器構成体であるところのゲートバルブ3および排気バッファ13は、電磁波遮蔽筐体30の開口部から外部に露出しており電磁波遮蔽筐体30との間には空隙を有している。堆積膜形成装置1はこの空隙を塞ぐように、この空隙に電磁波遮蔽箔体31が詰め込まれている。図1に示す例では入れていないが、底部材2と電磁波遮蔽筐体30の間にも電磁波遮蔽箔体31を入れてもよい。図2は本発明の堆積膜形成装置の模式的な斜視図で、電磁波遮蔽箔体31をランダムに複数回折りたたんでくしゃくしゃにして棒状となし、空隙を埋めるように詰め込む構成を示している。このような構成によりゲートバルブ3および排気バッファ13を接地電位に落とすと同時に、反応容器20からの電磁波漏洩を確実に防止することができる。複数回折りたたんでくしゃくしゃにするとは、例えば、図3に示すように、山折りと谷折りを繰り返して所謂蛇腹構造にすることである。図3では作図が容易であるという作図上の都合で山折りと谷折りが規則正しく繰り返されたものが示されているが、これは単なる一例であって、このように規則正しく繰り返されていなくても良い。また、蛇腹構造でなくても良い。折りたたんだ後に外力が作用していない状態を図3aに示す。折りたたんだ後に外力を作用させることによって山41と山41が接近し、かつ谷42と谷42が接近している状態を図3bに示す。図3bに示すような状態の電磁波遮蔽箔体31を空隙に詰め込むと、蛇腹は図3bに矢印43で示す方向に広がろうとし、その結果、電磁波遮蔽箔体31は電磁波遮蔽筐体30の開口部にも、ゲートバルブ3および排気バッファ13にも隙間なく接した状態となる。さらにメンテナンスのためにゲートバルブ3や排気バッファ13を取り外す場合その周囲に詰め込まれている電磁波遮蔽箔体31も一旦取り外す必要があるが、再度組み立て時に取り外した電磁波遮蔽箔体31を再利用することができる。電磁波遮蔽箔体31としては金、銀、銅、アルミニウムなどの材料を用いることができる。特にアルミニウム箔は非常に安価であるため電磁波遮蔽箔体31の材料として好適である。価格の一例として、導電銅テープが1mあたり150円であるのに対し、アルミニウム箔300mm幅は同4円である。電磁波遮蔽箔体31は薄すぎると破れやすくなり、再利用が難しくなる。また厚すぎるとくしゃくしゃにして空隙に詰め込むことが困難になり、また材料の価格も上昇してしまう。したがって、電磁波遮蔽箔体31の厚さは0.01から0.05mmが好ましい。以下本発明の堆積膜形成装置を用いて円筒状の基体にアモルファスシリコン膜を形成する場合を例にとって図1を参照して説明する。まず、ゲートバルブ3を開いて円筒状の基体7が装着された基体ホルダ8をホルダ受け10に設置し、ゲートバルブ3を閉じる。真空ポンプユニット不図示により排気バッファ13から排気配管15を通じて反応容器20内を排気する。排気された反応容器20内に、ミキシング装置23、原料ガス流入バルブ24、接続配管25および原料ガス導入管26を介して、基体7の加熱に必要なAr,He等のガスを導入する。そして、反応容器20内を所定の圧力になるように、真空計27を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット不図示のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ11により基体7の温度を例えば100°C~450°C、より好ましくは150°C~350°Cの温度に制御する。堆積膜形成用の複数の原料ガスをミキシング装置23を介して混合して、原料ガス導入管26を介して反応容器20内に導入する。その際、反応容器20内が例えば13.3mPa~1330Paの所望の圧力になるように、真空計27を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット不図示のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、例えばシランSiH4、ジシランSi2H6のごときアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、例えば水素H2、アルゴンAr、ヘリウムHeを用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、例えば窒素N2、アンモニアNH3が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、例えば酸素O2、一酸化窒素NO、二酸化窒素NO2、酸化二窒素N2O、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、例えばメタンCH4、エタンC2H6、エチレンC2H4、アセチレンC2H2、プロパンC3H8が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、例えば四フッ化ケイ素SiF4、六フッ化二ケイ素Si2F6が挙げられる。また、ジボランB2H6、フッ化硼素BF3、フォスフィンPH3などの特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。次に、反応容器20内の圧力が安定した後、電源22を所望の電力に設定して、励起電力をマッチングボックス21を介して反応容器本体4に供給する。すると反応容器本体4と接地されている基体7との間にグロー放電が生起する。励起電力は例えばRF帯やVHF帯の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって反応容器20内に導入された堆積膜形成用ガスが励起されて励起種が生成され、基体7上に所望のケイ素原子を主成分とする堆積膜が形成される。以上のようにして基体7の外周面上に堆積膜が形成される。堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび励起電力の供給および基体の加熱を停止し、反応容器20内を排気する。その後、反応容器20、原料ガス導入管26内をパージガス、例えばAr、He、N2のごとき不活性なガスを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、基体7が所望の温度例えば、室温まで下がったらゲートバルブ3を開き、基体7が装着された基体ホルダ8を反応容器20内から搬出する。その後クリーニング用ダミー基体を装着した基体ホルダ8を反応容器20内に搬入し、ゲートバルブ3を閉じて真空ポンプユニット不図示により反応容器20内を排気する。続いて、反応容器20内にミキシング装置23および原料ガス導入管26を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、反応容器20内を所定の圧力になるように真空計27を確認しながら真空ポンプユニット不図示の排気速度を調整する。クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばCF4、CF4とO2の混合ガス、SF6、NF3、ClF3三フッ化塩素が挙げられる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばHe、Ne、Ar、N2が挙げられるが、なかでもArを用いることが好ましい。反応容器20内の圧力が安定した後、電源22を所望の電力に設定して、励起電力をマッチングボックス21を介して反応容器本体4に供給することで、反応容器20内にグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器20内に導入されたクリーニング性ガスが分解され、堆積膜および副生成物と反応して反応ガスが排気されて反応容器20内がクリーニング処理される。次に、クリーニング処理後に励起電力の供給を停止し、反応容器20内を排気する。その後、反応容器20、原料ガス導入管26内をパージガス、例えば、Ar、He、N2のごとき不活性なガスを用いてパージ処理する。パージ処理完了後、クリーニング用のダミー基体が所望の温度例えば、室温まで下がったら、クリーニング用のダミー基体が装着された基体ホルダ8を反応容器20内から搬出する。本発明の堆積膜形成装置は上述のアモルファスシリコン膜の形成用途に限られるものではなく、たとえばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の形成に適用することもできる。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したものと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。実施例1図1、2に示す堆積膜形成装置1を用いて電子写真感光体のアモルファスシリコン膜を形成した。反応容器20を構成する反応容器本体4はアルミニウムからなる円筒状であり、反応容器本体4にはマッチングボックス21を介して電源22から13.56MHzの高周波電力を供給することができる構成とした。アルミニウムからなる底部2、ゲートバルブ3および排気バッファ13はそれぞれアルミナセラミクスからなる絶縁部材5、6および14を介して反応容器本体4から電気的に絶縁されるようにした。厚さ1mmのステンレスからなる電磁波遮蔽筐体30が反応容器20を取り囲む構成とした。電磁波遮蔽筐体30は架台12にねじ止めし接地電位とした。ゲートバルブ3および排気バッファ13は、電磁波遮蔽筐体30の開口部から外部に露出しており、電磁波遮蔽筐体30との間には約5mmの空隙を有していた。この空隙に幅300mm、厚さ0.012mmの長尺のアルミニウム箔からなる電磁波遮蔽箔体31をくしゃくしゃにして棒状となしたものを詰め込み空隙を埋めると同時に、ゲートバルブ3および排気バッファ13を接地電位とした。このような堆積膜形成装置1を用い、基体7の上に表1に示す条件で下部阻止層、光導電層、表面層の機能を有するシリコン堆積膜を形成して電子写真感光体を作製した。高周波電力を印加している最中に堆積膜形成装置1の周囲で電磁波検知器Narda社製RFradiationmetermodel8520を用いて電磁波の測定を行ったところ、堆積膜形成装置1から漏洩してくる電磁波は検出されなかった。実施例2実施例1の電子写真感光体の作製後、反応容器20のメンテナンスのために電磁波遮蔽箔体31を一旦取り外し、電磁波遮蔽筐体30を分解した。メンテナンス終了後、反応容器20および電磁波遮蔽筐体30を組み立てた。そしてゲートバルブ3および排気バッファ13と電磁波遮蔽筐体30との間の空隙に、先に取り外した電磁波遮蔽箔体31を再利用して詰め込み空隙を埋めた。このようにして再度組み立てられた堆積膜形成装置1を用い、実施例1と同様に電子写真感光体を作製している最中に電磁波の測定を行ったところ、本実施例においても堆積膜形成装置1から漏洩してくる電磁波は検出されなかった。比較例実施例1においてゲートバルブ3および排気バッファ13と電磁波遮蔽筐体30との間の空隙に電磁波遮蔽箔体31を詰め込むかわりに、該空隙を塞ぐように幅25mmの銅製導電性テープを貼り付けた。その際、ゲートバルブ3の曲線に沿って導電性テープを隙間なく貼ることに手数がかかったため、前記空隙を塞ぐ時間が実施例1と比べて2倍の時間を要した。その後、反応容器20のメンテナンスのために導電性テープを剥がしたところ、反応容器20の表面に導電性テープの粘着成分が残存していた。この粘着成分を除去する手番が追加されたため、反応容器20のメンテナンスを開始するまでの時間が実施例2と比べて3倍の時間を要した。また、剥がした導電性テープは粘着力が低減していたため再使用することはできない状態になった。"