Pdを主要成分として含有するPd合金系スパッタリングターゲットであって、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量が2000質量ppm以下であることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。請求項1において、ターゲット全体に対する窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下であることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。請求項1または2において、前記V、Nb、Taのうち、前記Pd合金系スパッタリングターゲットに含まれる金属は、Pdと固溶していることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。請求項1~3のいずれかにおいて、前記V、Nb、TaのうちVのみを含有することを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。請求項4において、不可避的不純物を含むV単体相が不可避的不純物を含むPdV合金マトリックス中に分散していることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。請求項1~5のいずれかにおいて、垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲット。V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7において、得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を2000質量ppm以下とすることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7または8において、得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量をそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下とすることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7~9のいずれかにおいて、前記V、Nb、Taのうち、前記アトマイズ法で作製した前記Pd合金粉末に含まれる金属は、Pdと固溶していることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7~10のいずれかにおいて、前記Pd合金粉末はV、Nb、TaのうちVのみを含有することを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7~11のいずれかにおいて、前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7~12のいずれかにおいて、得られるPd合金系スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項7~13のいずれかに記載の製造方法により製造されるPd合金系スパッタリングターゲット。前述したように垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層として用いられている層は多種あるところ、PdはRuと同じく貴金属であり、また、Pdの原子番号は46であってRuの原子番号44と近く、原子半径等の特性がPdはRuと近似しているので、Ru層と基材との間の下地層の1つとしてPd合金層を適用することによりRu層の結晶配向性を向上させることができ、ひいては垂直磁気記録方式ハードディスクの記録密度のさらなる向上につなげることができる可能性がある。一方、磁性記録層の結晶配向性を厳密に制御する必要のある垂直磁気記録方式ハードディスクにおいては、下地層における酸素等の不純物を低減させることが求められている。しかしながら、Pd単体粉末と他の金属単体粉末を混合して粉末冶金法を用いて作製したPd合金系スパッタリングターゲットには酸素等の不純物が多く含まれてしまう。このため、スパッタリングをして得られるPd合金層にも酸素等の不純物が多く含まれてしまい、垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層として用いる際に問題となる。また、スパッタリングターゲット中に酸素等の不純物が多く含まれていると、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合が発生しやすくなる。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、酸素等の不純物の含有量の少ないPd合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、前記課題を解決するため鋭意研究開発を行った結果、以下のPd合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法により、前記課題を解決できることを見出し、本発明をするに至った。即ち、本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットの第1の態様は、Pdを主要成分として含有するPd合金系スパッタリングターゲットであって、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量が2000質量ppm以下であることを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットである。前記Pd合金系スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット全体に対する窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下であることが好ましい。前記V、Nb、Taのうち、前記Pd合金系スパッタリングターゲットに含まれる金属は、Pdと固溶していることが好ましい。主要成分であるPdと固溶することにより、より良好なスパッタリングが可能となるからである。前記V、Nb、TaのうちVのみを含有するようにしてもよく、この場合、不可避的不純物を含むV単体相が不可避的不純物を含むPdV合金マトリックス中に分散している構造としてもよい。前記Pd合金系スパッタリングターゲットの中には、垂直磁気記録媒体用として好適に用いることができるものがある。本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法は、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とするPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法である。得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を2000質量ppm以下とすることが好ましい。また、得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量をそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下とすることが好ましい。前記V、Nb、Taのうち、前記アトマイズ法で作製した前記Pd合金粉末に含まれる金属は、Pdと固溶していることが好ましい。前記Pd合金粉末はV、Nb、TaのうちVのみを含有するようにしてもよい。前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことが好ましい。得られるPd合金系スパッタリングターゲットの中には、垂直磁気記録媒体用として好適に用いることができるものがある。本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットの第2の態様は、前記製造方法により製造されるPd合金系スパッタリングターゲットである。本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットは、ターゲット全体に対する酸素含有量が2000質量ppm以下であるので、本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットを用いて形成したPd合金層は垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層の1つとして好適に用いることができる。また、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合が発生しにくい。本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法によれば、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形するので、ターゲット中の酸素等の不純物の量を少なくすることができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。1.スパッタリングターゲットの構成成分および構造本発明の実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットは、Pdを主要成分として含有するPd合金系スパッタリングターゲットであって、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量が2000質量ppm以下であることを特徴とする。1-1.Pdについて垂直磁気記録方式ハードディスクの磁性記録層の結晶配向性を制御する上で最も重要な役割を果たす下地層は磁性記録層の直下に配置されるRu層であるが、PdはRuと同じく貴金属であり、また、Pdの原子番号は46であってRuの原子番号44と近く、原子半径等の特性がPdはRuと近似している。このため、Ru層と基材との間の下地層としてPd合金層を設けることにより、Ru層の結晶配向性を良好に制御し易くなる。Ru層の結晶配向性が良好になれば、Ru層の上に積層される磁気記録層の結晶配向性も良好になり、垂直磁気記録方式ハードディスクの情報記録密度をさらに向上させることができる。したがって、PdはRu層と基材との間の下地層の主要成分になるという役割を有する。1-2.V、Nb、TaについてV、Nb、Taは、面心立方構造fccであるPdの結晶構造に積層欠陥を導入して、スパッタリングにより得られるPdの結晶構造を、六方最密充填構造hcpであるRuの結晶構造に近づけるという役割を有する。V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金層をRu層と基材との間の下地層として用いることにより、Ru層の結晶配向性を良好に制御し易くなる。ターゲット全体に対するV、Nb、Taの合計の含有量は1~60atであることが必要である。V、Nb、Taの合計の含有量が1at未満であると、該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成される下地層において、Pdの結晶構造中へ導入される積層欠陥の量が少なすぎ、該下地層におけるPdの結晶構造がRuの六方最密充填構造hcpに近づかず、該下地層よりも上方に位置するRu層は良好にc軸配向しにくくなる。なお、該下地層はRu層と基材との間に位置すればよく、Ru層の直下に位置しなくてもよい。また、V、Nb、Taの合計の含有量が1at未満であると、Pd合金溶湯の粘性が十分には低くならず、アトマイズをしにくくなる。一方、V、Nb、Taの合計の含有量が60atを上回ると、該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成される下地層においてV、Nb、Taの特性の影響が大きくなりすぎ、該下地層よりも上方に位置するRu層は良好にc軸配向しにくくなる。また、アトマイズをする際に用いるルツボからの不純物の混入が多くなる。以上述べたPdの結晶構造中へ導入する積層欠陥の量の観点、Pd合金溶湯の粘性の観点、アトマイズをする際に用いるルツボからの不純物の混入の観点から見て、ターゲット全体に対するV、Nb、Taの合計の含有量は1~60atであることが必要であるが、20~58atであることが好ましく、25~56atであることがより好ましく、30~55atであることがさらに好ましい。1-3.PdとV、Nb、Taとの固溶についてターゲットに含まれるV、Nb、Taがターゲットの主要成分であるPdと固溶することにより、ターゲット全体において構成元素が均等に分布することとなり、スパッタリングにおいて、特定の箇所の削られる速度が極端に大きくなるということがなくなり、スパッタリングは良好なものとなる。ただし、ターゲットに含まれるV、Nb、Taのうちの少量が単体としてターゲットに分散していても、スパッタリングの際に実質的な悪影響は生じず、得られるPd合金膜も良好なものであることを確認している。即ち、後述する実施例2で作製したターゲットでは、PdとVが固溶したPd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっているが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができることを確認している。2.製造方法について本発明の実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法は、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とする。このような製造方法を採ることにより、得られるターゲットは、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるものとすることができ、さらに、得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を2000質量ppm以下に抑えることが可能となる。また、得られるPd合金系スパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量をそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下に抑えることも可能となる。2-1.Pd合金粉末の作製についてV、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなる溶湯に、アトマイズ法を適用して、該溶湯と同一組成のPd合金粉末を作製する。本実施形態ではアトマイズ法によりPd合金粉末を作製するため、原料金属はいったん高温まで加熱されて溶湯となるので、その段階で、Na、K等のアルカリ金属やCa等のアルカリ土類金属、酸素や窒素等のガス不純物は外部に揮発して除去される。また硫黄も外部に揮発して除去される。このため、得られるPd合金粉末中の不純物量は少なくなる。したがって、アトマイズ法により得られたPd合金粉末を用いて得られるターゲット中の不純物量も少なくなり、酸素含有量は2000質量ppm以下に抑えることができる。また、窒素、炭素、硫黄の含有量もそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下に抑えることができる。このため、該ターゲットを用いてのスパッタリングは良好となり、得られるPd膜も良好なものとなる。該ターゲットを用いてのスパッタリングをより良好にするとともに、得られるPd膜もより良好なものとする観点から、Pd合金系スパッタリングターゲット中の酸素含有量は1500質量ppm以下に抑えることがより好ましく、窒素、炭素、硫黄の含有量はそれぞれ70質量ppm以下、160質量ppm以下、10質量ppm以下に抑えることがより好ましい。また、アルゴンガスまたは窒素ガスを使用したガスアトマイズ法で作製すると、得られるPd合金粉末において、酸素含有量をより低く抑えることができ、より良好な原料粉末となる。なお、適用可能なアトマイズ法としては、例えばガスアトマイズ法、遠心力アトマイズ法等がある。次に、Pd合金溶湯の組成の数値限定理由について説明する。Pd合金溶湯にV、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有させることによる製造方法上の利点は、前述したように、Pd合金溶湯の粘性が小さくなり、アトマイズを行いやすくなる点と、ルツボからPd合金溶湯中への不純物の混入が少量にとどめられる点にある。Pd合金溶湯中のV、Nb、Taの合計の含有量が1atを下回ると、Pd合金溶湯の粘性が十分には小さくならず、アトマイズを行いにくくなる。一方、Pd合金溶湯中のV、Nb、Taの合計の含有量が60atを上回ると、ルツボからPd合金溶湯中への不純物の混入が多くなってしまう。Pd合金溶湯にV、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1~60at含有させると、得られるPd合金粉末も同様の組成を有することとなり、該Pd合金粉末を用いて得られるターゲットにおいて、V、Nb、Taがターゲットの主要成分であるPdと固溶することになる。これにより、ターゲット全体においてV、Nb、Taが均等に分布することとなり、スパッタリングにおいて、特定の箇所の削られる速度スパッタリングレートが極端に大きくなるということがなくなり、スパッタリングが良好なものとなる。2-2.成形方法について前記のようにしてアトマイズ法により作製したPd合金粉末を加圧下で加熱して成形する方法は特に限定されず、例えば、ホットプレス法、熱間等方圧プレス法HIP法、放電プラズマ焼結法SPS法等を用いることができる。3.用途について本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットを用いて作製したPd合金層は、酸素等の不純物量が少なくなるため、垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層の1つとして好適に用いることができる。ただし、本実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体用という用途に限定されず、Pd合金層が用いられている用途であれば、垂直磁気記録媒体用以外の用途にも用いることができる。例えば、Pd合金膜は水素分離膜として一般的に用いられているが、本発明に係るPd合金系スパッタリングターゲットを用いて作製したPd合金膜は、酸素等の不純物量が少なくなるため、水素分離膜としても好適に用いることができると考えられる。実施例1本実施例1では、ターゲット組成の目標を45atPd-55atVに設定してターゲットの作製を行った。まず、合金組成がPd:45at、V:55atとなるようにバルク状の各金属を秤量し、高周波で加熱して1800°CのPd-V合金溶湯とし、アルゴンガスを用いたガスアトマイズ法により45atPd-55atV合金粉末を作製した。得られたPd-V合金粉末の平均粒径を日機装株式会社製のマイクロトラックMT3000により測定したところ、50μmであった。得られたPd-V合金粉末を、温度:1270°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。サンプル数は1とした。得られた焼結体の構造は、日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察したところ、Pd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっていた。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表1に示す。次に、得られた焼結体を、直径180.0mm、厚さ5.0mmに加工し、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表2のようになった。下記の表2において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。実施例2本実施例2では、ターゲット組成の目標を50atPd-50atVに設定してターゲットの作製を行った。合金組成がPd:50at、V:50atとなるように各金属を秤量し、50atPd-50atV合金粉末を作製した点、ホットプレス温度を1260°Cとした点、およびターゲットの厚さを6mmとした点以外は、実施例1と同様にして、焼結体、スパッタリングターゲットを作製するとともに、それらについて評価を行った。サンプル数は5とした。得られた50atPd-50atV合金粉末の平均粒径は50μmであり、得られた焼結体の構造は、日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察したところ、Pd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっていた。作製した5サンプルの焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表3に示す。次に、得られた焼結体を、直径180.0mm、厚さ6.0mmに加工し、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表4のようになった。下記の表4において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。実施例3本実施例3では、ターゲット組成の目標を55atPd-45atVに設定してターゲットの作製を行った。合金組成がPd:55at、V:45atとなるように各金属を秤量し、55atPd-45atV合金粉末を作製した点、ホットプレス温度を1270°Cとした点、およびターゲットの厚さを7mm、直径を180mmとした点以外は、実施例2と同様にして、焼結体、スパッタリングターゲットを作製するとともに、それらについて評価を行った。サンプル数は2とした。得られた55atPd-45atV合金粉末の平均粒径は50μmであった。得られた焼結体の構造は、日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察したところ、Pd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっていた。作製した2サンプルの焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表5に示す。得られた焼結体の断面を日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察した。図1、図2に該電子顕微鏡により撮像した組織写真を示す。図1は低倍率の組織写真であり、図2は高倍率の組織写真である。図1、図2において、黒い部分がV粒子であり、灰色の部分がPd-V合金であり、得られた焼結体は、Pd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっていることがわかる。次に、得られた焼結体を、直径180.0mm、厚さ7.0mmに加工し、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表6のようになった。下記の表6において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。実施例4本実施例4では、ターゲット組成の目標を70atPd-30atVに設定してターゲットの作製を行った。合金組成がPd:70at、V:30atとなるように各金属を秤量し、70atPd-30atV合金粉末を作製した点、およびホットプレス温度を1270°Cとした点以外は、実施例1と同様にして、焼結体、スパッタリングターゲットを作製するとともに、それらについて評価を行った。サンプル数は1とした。得られた70atPd-30atV合金粉末の平均粒径は50μmであった。得られた焼結体の構造は、日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察したところ、Pd-V合金マトリックス中に少量のV粒子が分散した構造となっていた。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表7に示す。次に、得られた焼結体を、直径180.0mm、厚さ5.0mmに加工し、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表8のようになった。下記の表8において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。比較例1本比較例1では、ターゲット組成の目標を45atPd-55atVに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd-V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径5μmのPd粉末と平均粒径100μmのV粉末とを、実施例1のターゲットの組成と同様の組成である、Pd:45at、V:55atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたPd粉末、V粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例1と同様の条件である、温度:1240°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表9に示す。得られた焼結体を実施例1と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表10のようになった。下記の表10において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。比較例2本比較例2では、ターゲット組成の目標を50atPd-50atVに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd-V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径5μmのPd粉末と平均粒径100μmのV粉末とを、実施例2と同様の比率である、Pd:50at、V:50atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたPd粉末、V粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例2と同様の条件である、温度:1260°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表11に示す。得られた焼結体を実施例2と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表12のようになった。下記の表12において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。比較例3本比較例3では、ターゲット組成の目標を55atPd-45atVに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd-V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径5μmのPd粉末と平均粒径100μmのV粉末とを、実施例3と同様の比率である、Pd:55at、V:45atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたPd粉末、V粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例3と同様の条件である、温度:1270°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表13に示す。得られた焼結体を実施例3と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表14のようになった。下記の表14において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。比較例4本比較例4では、ターゲット組成の目標を70atPd-30atVに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd-V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径5μmのPd粉末と平均粒径100μmのV粉末とを、実施例4と同様の比率である、Pd:70at、V:30atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたPd粉末、V粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例4と同様の条件である、温度:1270°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表15に示す。得られた焼結体を実施例4と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を測定したところ、下記の表16のようになった。下記の表16において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Pd-V合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。考察実施例1~4、比較例1~4におけるターゲット中の酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量の測定結果およびスパッタリング時のノジュール、パーティクルの発生の有無を下記の表17にまとめて示す。実施例1~4では真空ホットプレスに用いた粉末がPd-V合金アトマイズ粉末であるのに対し、比較例1~4では真空ホットプレスに用いた粉末がPd単体粉末とV単体粉末とを混合した混合粉末である点が異なり、その他の点については比較例1~4の実験条件はそれぞれ実施例1~4の実験条件と同一である。アトマイズ法を用いてPd-V合金粉末を作製してホットプレスを行った、本発明の範囲内である実施例1~4においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の酸素含有量が2000質量ppm以下であるのに対し、Pd粉末、V粉末を用いて混合粉末を作製してホットプレスを行った、本発明の範囲外である比較例1~4においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の酸素含有量が2000質量ppmを上回っており、ターゲット中の酸素含有量が高くなっている。また、本発明の範囲内である実施例1~4においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ100質量ppm以下、200質量ppm以下、30質量ppm以下であるのに対し、本発明の範囲外である比較例1~4においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ100質量ppm、200質量ppm、30質量ppmを上回っており、ターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量が高くなっている。また、本発明の範囲内である実施例1~4においては、スパッタリング時にノジュール、パーティクル等の不具合の発生は見られなかったが、本発明の範囲外である比較例1~4においては、いずれも、スパッタリング時にノジュール、パーティクルが見られた。