デバイスであって、第1の金属のリードフレーム、及び前記デバイスの底面の中央部の入力又は出力のための第1の端子、を含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記デバイスの底面にわたって延びる二次元グリッドアレイ状に配置される前記第1の端子を含む第1の複数の端子を更に含む、デバイス。請求項2に記載のデバイスであって、前記デバイスの上面にわたって延びる第2の複数の端子を更に含む、デバイス。請求項3に記載のデバイスであって、前記リードフレームが、端子からデバイス端へ延びるリードを含み、前記リードが前記端子より薄い厚みを有する、デバイス。請求項4に記載のデバイスであって、前記端子が、はんだ付け可能な冶金学的表面構成を有する第2の金属を含む、デバイス。請求項5に記載のデバイスであって、前記リードフレームに取り付けられ、近傍のリードにわたって延びかつ前記リードによって支持されている半導体チップ、及び前記半導体チップから前記リードへ延びる電気的接続を更に含み、前記リードの前記第1の金属が、重合体封止化合物への接着のための親和性を有する表面を更に含む、デバイス。請求項6に記載のデバイスであって、前記半導体チップ及び電気的接続と共に前記リードフレームをパッケージングする重合体封止化合物を更に含み、前記重合体封止化合物が、前記端子の前記はんだ付け可能な表面と前記デバイス端の前記リードの端とをパッケージングされないまま残す、デバイス。請求項7に記載のデバイスであって、パッケージングされた端子表面に取り付けられるはんだボールを更に含む、デバイス。デバイスであって、前記デバイスの底面の中央部に入力又は出力信号のための第1の端子を含む第1の金属のリードフレーム、誘電体媒体で前記第1の端子に取り付けられる半導体チップ、及び前記第1の端子を囲む、前記デバイス底部の4つのエッジ近辺に線形的に配置される第1の複数の端子、を含む、デバイス。請求項9に記載のデバイスであって、前記第1の端子が、前記デバイスの向かい合うエッジに延びる延在リードの一部である、デバイス。デバイスであって、絶縁性媒体で金属のリードフレームに取り付けられる半導体チップ、取り付けサイト及びボンディングサイトを有する、前記リードフレームの各リード、前記デバイスの底部側の中央部に第1の取り付けサイトを備えた第1のリード、前記第1の端子を囲む、前記デバイスの4つのエッジに配置されるグリッドパターンに配される第1の複数の取り付けサイト、及び前記第1のリードの他の部分で金属より厚い、前記第1の取り付けサイトの金属、を含む、デバイス。請求項11に記載のデバイスであって、前記半導体チップを前記リードフレームの前記ボンディングサイトに接続するボンディングワイヤ、及び前記半導体チップを封止する化合物を更に含む、デバイス。図1は、QFNクワッドフラットノーリード又はSONスモールアウトラインノーリードファミリの、全般的に100で示す、例示の半導体デバイスの底面の斜視図を示す。デバイス100のパッケージ140の材料は、デバイス100の内部構造が見えるように透明として示される。図1で示すように、例示のデバイス100は、6つの平面を備えた六面体のアウトラインを有し、底部平面が図1に示され、上部平面が図2に示されている。図1は、パッケージ140の材料の底面上で、複数の端子112がパッケージ材料により封止されないまま残り、そのため、電気的接続のため露出されることを示す。図1は更に、端子112はデバイス100のリードフレーム110の一部であることを示し、リードフレーム110は第1の金属でつくられる。リードフレーム110は、種々の形状の複数のリード111を含む。半導体チップ120が、上部リードフレーム表面に取り付けられ、幾つかの近傍のリードにわたって広がる。この構成において、リードフレーム110は、チップ120の電気的相互接続のためのリード111の構造と、取り付けられたチップ120を支持するロバスト基板の機能との両方を提供する。電気的相互接続のため、リード111は、複数の入力/出力端子112を含むよう構成され、これらは、デバイス100の底部側でパッケージ140の材料から露出される。図1が示すように、例示のデバイス100において、端子112は、リードフレーム110の上面上に取り付けられたチップ120とは反対側の、リードフレーム110の底面上にある。好ましくは各リードが一つの端子を有するが、他のデバイスにおいて、幾つかのリードは端子を有していなくてもよく、他のリードが複数の端子を有していてもよい。端子112は、チップ120のエリアの下の、リードフレームエリアの中央部に端子112aを含む。他のデバイスにおいて、中央デバイスエリアに複数の端子があってもよい。端子112は、はんだ付け可能な冶金学的表面構成、好ましくは、錫又は金などの第2の金属の層、を有する。他のデバイスにおいて、幾つかのリードが、リードフレームの上面その上にチップが取り付けられる上に付加的な端子を有していてもよいことを述べておくべきであろう。これらの付加的な端子もパッケージ材料から露出され、そのため、デバイス100を例えば、はんだによりデバイス100上にスタックされる別のデバイスに接続する手段を提供する。図1が示すように、複数の端子112が、中央エリアを含むデバイスエリアにわたって延びる、二次元グリッドアレイ状に配置される。好ましくは、これらの端子のグリッドアレイは規則的であり、更に好ましくは、これらの端子は均等に空間が空けられる。しかし、他のデバイスにおいて、グリッドアレイは、空きの位置を含んでいてもよく、又は単調アレイの他の変形を含んでいてもよい。リードの形、アウトライン、及び配置は、図4に関連して後に更に詳細に説明する。図1は、デバイス100の側面150がリードの金属性端面111aを示し、これらは、フレームがリードからトリムされた後露出された状態となる。端面111aは、パッケージのサイドバイサイドの整合など、外部部品への導電性相互接続のために用いることができる。ロバスト基板としてチップ120を支持するため、リードフレーム110は、約150~250μmの第1の金属シートのスタンピング又はエッチングにより形成されることが好ましいが、より厚い及びより薄いリードフレームを用いることもできる。好ましい第1の金属は、銅、銅合金、鉄ニッケル合金、アルミニウム、及びKovar商標含む。その後、リードフレームは、或るリード部分の厚みがエッチングにより例えば、50だけ低減されるようにハーフエッチングされる一方、残りの部分は元の金属厚みを保つ。封止プロセスの間、低減された厚み部分は、パッケージ140の重合体材料で置き換えられて、リードフレームの機械的強度を著しく強化する。端子112の好ましいはんだ付け可能な冶金学的表面構成は、金又は錫などのはんだ付け可能な第2の金属の層によって達成され得る。この金属層は、実際は、第1の金属に接するニッケル層、ニッケルに接するパラジウム層、及びパラジウムに接する金層などの積層としてもよい。図2は、QFNクワッドフラットノーリード又はSONスモールアウトラインノーリードファミリの六面体形状の例示の半導体デバイス100の上部面表面の斜視図を示す。デバイス100のパッケージ140の材料は、デバイス100の内部構造が見えるように透明として示される。リードフレーム110の複数のリード111は、図2では上面から見える。リードフレーム110の上面に取り付けられるのはチップ120である。図2の例示のデバイス100において、近傍のリード111にわたってチップ120を取り付けるために電気的絶縁性接着性層が用いられる。この構成において、リードフレーム110は、取り付けられたチップ120を支持するロバスト基板の機能を提供する。リードフレーム110は更に、チップ120の電気的相互接続のためのリード111の構造も提供する。図2は、リード111の或る部分111bが、ボンディングワイヤ223のスティッチボンド223aのための取り付けサイトとして機能するように形作られ、チップ120の入力/出力パッド222のリードフレーム110のそれぞれのリードへの接続を可能にする。部分111bはタイバーと呼ばれる場合がある。これは、それらが、リードの端面111aを露出する封止プロセス後にフレームがトリムにより外される前に、リードフレーム110のフレームに実際につながれるためである。図3で全般的に300で示す他のデバイスでは、半導体チップ320が、金属バンプ323によりリードフレームにフリップ取り付けされ、好ましくはバンプ323は金又は銅でつくられ、これらは、リードフレームの第1の金属に取り付けられる。フリップチップデバイス300は、底部表面上で露出されるはんだ付け可能な端子312を有するだけでなく、デバイス300の上面上で露出される付加的な端子330をたいてい有する。端子330は、端子312と同じリードフレームのハーフエッチングプロセスでつくられ、好ましくは、それらの露出された表面上にはんだ付け可能な第2の金属を含む。図4は、QFN/SONタイプのボールグリッドアレイデバイスに適した端子の規則的な二次元グリッドアレイを可能にするための金属リードフレームのリードの構成を図示するため、封止なしの図1の例示のリードフレームを底部から見る。図4が示すように、例示のBGAリードフレームのリードは、端子がチップの下のエリアを含む全リードフレームエリアを充分に利用するように、共通の及び非共通のネットアサイメントで機能する従来とは異なる構成をとる必要がある場合がある。図4の例示の実施例において、BGAデバイスは、1.5×1.5mm辺長401で示すの寸法を有し、リードフレームは、3×3マトリックスに配置される9つの端子を有する。リードフレーム端子のうち、4つのコーナー端子411、413、431、及び433及びエッジ端子の2つ412及び432は、短いリード図2では111bで示すに接続され、これは、ワイヤスティッチパッドとして機能する。これに対し、中央端子422は、パッケージの向かい合うエッジへのタイバーとして延びる延在リード440に属し、タイバー端部はワイヤスティッチパッドとして機能する。そのため、チップの下に位置するパッケージ中央エリアが、ネットアサイメントを備えた端子422として利用される。残りの2つの端子421及び423は、各々中間の長さのタイバーに接続され、これらのタイバーは、2つの向かい合うリードフレームエッジに延び、ワイヤスティッチパッドとして機能する。図4の例示のリードフレームにおいて、リードフレームの各リードは、一つの端子を含み、リードは、一つの端子から少なくとも一つのデバイスエッジへ延び、幾つかのリードは一つ以上のデバイスエッジへ延びていてよい。他のリードフレームは、一つ以上の端子を備えたリードを含み得、これらのリードも少なくとも一つのデバイスエッジへ延びる。端子の高さ450は、それからリードフレームが形成される金属シートの元の厚みを保つ。タイバーを含むリードの低減された高さ451は、リードフレームの金属を部分的にエッチング又はハーフエッチングすることにより形成される。多くのリードフレームでは、高さ451は高さ450の約50である。従って、これらの端子は、第1の金属と呼ばれる同じ金属でつくられたそれぞれのリードから生じる金属性円柱形又は六面体に似たバンプである。先に示したように、第1の金属の好ましい選択肢は、銅、アルミニウム、及び鉄ニッケル合金を含む。金属性リードフレームから金属性端子バンプをつくるためにハーフエッチングプロセスを用いることにより、まず重合体又はセラミック基板を介してスルーホールをつくり、その後これらのホールを金属などの導電性材料で充填する従来の問題を避ける。ハーフエッチングプロセスは更に、いわゆるアンダーバンプメタライゼーションを付加することにより、端子に取り付けられるはんだボールに対する応力を低減及び吸収する従来の技術的課題を避ける。図4において、幾つかの近傍のリードにわたって広がる端子とは反対側の表面上のリードフレーム中央部で半導体チップ120がリードフレームに取り付けられる。図4の例において、この取り付けは、絶縁性接着性フィルムを用い、チップコンタクトパッドがリードにワイヤボンディングされる。フリップチップ取り付けの代替の方法は図3に示され、チップは、幾つかの近傍のリードにわたって広がる。図5Aは、QFN/SONタイプのボールグリッドアレイデバイスに適した端子の規則的な二次元グリッドアレイを可能にするための金属リードフレームのリードの構成を図示するため、封止なし及び取り付けられた半導体チップなしの図1の例示のリードフレームを上部から見る。図5Aの切断線5B-5Bが、図5Bのリード部分及び端子の断面となる。リードの上面は501で示し、反対側で端子の表面は502で示す。端子の高さは、リードフレームが形成される金属シートの元の厚みを保ち、450で示され、ハーフエッチングされたリードの高さは451で示す。図6に図示するように、例示のデバイス100のすべての端子の表面502及びすべてのリード端の面111aは、デバイスの封止化合物150から露出される。露出された端子表面502は好ましくは、はんだボール取り付けを容易にする冶金学的構成を有する。端子表面の第1の金属上に金又は錫などのはんだ付け可能な第2の金属の層を堆積することにより、この構成を達成することが好ましい。代替として、例えば、第1の金属に接するニッケルの層約0.5~2.0μmの厚み、ニッケルに接するパラジウムの層約0.01~0.1μmの厚み、及びパラジウムに接する金の層約0.003~0.009μmの厚みなどの金属層のスタックが第1の金属の上に堆積されてもよい。これに対し、リード端面111aは、フレームを切り取るトリミング工程によってつくられ、そのため、リードフレームの第1の金属を露出する。金属性リードフレームと重合体封止化合物との間の接着を向上させるため、エポキシベースのモールディング化合物に対し広く用いられている方法が、リードフレーム表面に窪み、溝、又は突起などの設計特徴を付加する。一例は、金属内の窪みのパターンを生成することによるリード表面の機械的ディンプリングである。他の方法は、金属表面を酸化することにより又は化学的エッチングによりこの表面を粗化することによりリードフレーム表面を化学的に改変する。更に別の方法は、粗いニッケル層を堆積する特殊なニッケルめっき槽を用いる。重合体製剤と特定の金属との接着のベースとして重合体封止化合物が選択され得る他のデバイスでは、リードフレーム全体がはんだ付け可能な第2の金属上記参照でフラッドめっきされ得る。はんだ付け可能な金属と封止化合物との信頼性の高い接着は、選択された化合物の特定の重合体構成によって達成される。図7は、QFN/SONファミリのリードフレームベースのボールグリッドアレイデバイス701が、はんだ本体710により別のリードフレームベースのBGAデバイス702にどのようにスタックされ得るか、及びそのスタックがその後、はんだ本体711によって基板又はボード720にどのように取り付けられるかの一例を図示する。図7において、BGAデバイス701及び702は、図3に示した例示のデバイスに類似するフリップ組み立てされたチップを含むように示されている。他のデバイスにおいて、BGAデバイスの少なくとも一つにおいてワイヤボンディングされたチップを備えた類似のアッセンブリが可能である。図7に示すように、デバイス中央エリアにおけるはんだ接続は、基板アッセンブリに充分に関与している。同様の原理が、均等に空間が空けられたグリッドアレイ状に端子を備えたリードフレームベースのBGAデバイスに、及び不均等に空間が空けられたグリッドアレイ状に端子を備えたデバイスに適用される。これらの原理は、行及び列に均一に配置される端子を備えたデバイスに、及び選択端子位置が空けられたデバイスに適用される。当業者であれば、本発明が請求する範囲内で多くの他の実施例及びその変形が可能であることが分かるであろう。例示の実施例の文脈で説明したような特徴又は工程の全て又はその幾つかを有する例示の実施例の文脈で説明した一つ又はそれ以上の特徴又は工程の異なる組み合わせを有する実施例も、本明細書に包含されることも意図している。