それぞれが平行な複数の溝部を形成し、前記溝部及び前記溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することを特徴とする電極の作製方法。請求項1において、前記導電性材料が固定化される溝部のうち、最外の溝部においては、該溝部内の一部のみに導電性材料が固定化されることを特徴とする電極の作製方法。請求項1または2において、前記導電性材料の供給は、スクリーン印刷法で行うことを特徴とする電極の作製方法。請求項3において、前記スクリーン印刷法で用いる印刷版の開口部における短軸方向の幅は、前記溝部の幅及び前記溝部で挟まれた領域の幅の総和よりも小さいことを特徴とする電極の作製方法。一導電型を有する結晶性シリコン基板の一方の面に、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域を形成し、前記第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域を形成し、前記第1の領域及び前記第2の領域を含む前記結晶性シリコン基板の一方の面の表層に前記結晶性シリコン基板の導電型とは逆の導電型を付与する第1の不純物を熱拡散させて第1の不純物層を形成し、前記結晶性シリコン基板の他方の面上に前記結晶性シリコン基板と同じ導電型を付与する第2の不純物を含む導電層を形成し、第2の不純物を結晶性シリコン基板の他方の面の表層に熱拡散させて、前記結晶性シリコン基板と同じ導電型を有し、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度が高い第2の不純物層、及び前記導電層からなる裏面電極を形成し、前記第1の不純物層が形成された前記第1の領域及び前記第2の領域が有する前記溝部及び前記溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することによってグリッド電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項5において、前記第1の不純物層上に透光性絶縁膜を形成し、前記第1の不純物層及び前記透光性絶縁膜が形成された前記第1の領域及び前記第2の領域に前記導電性材料を固定化することを特徴とする光電変換装置の作製方法。結晶性シリコン基板の一方の面に、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域を形成し、前記第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び前記第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域を形成し、前記第1の領域及び前記第2の領域を含む結晶性シリコン基板の一方の面上に第1のシリコン半導体層を形成し、前記第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、前記結晶性シリコン基板の他方の面上に第3のシリコン半導体層を形成し、前記第3のシリコン半導体層上に前記第2のシリコン半導体層の導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、前記第2のシリコン半導体層上に透光性導電膜を形成し、前記第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、前記第1のシリコン半導体層、前記第2のシリコン半導体層、及び前記透光性導電膜が積層された前記第1の領域及び前記第2の領域が有する前記溝部及び前記溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することによってグリッド電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項7において、前記第1及び前記第3のシリコン半導体層の導電型はi型、前記第2のシリコン半導体層の導電型はp型またはn型であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項5乃至8のいずれか一項において、前記導電性材料が固定化される溝部のうち、最外部の溝部においては、該溝部内の一部のみに導電性材料が固定化されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項5乃至9のいずれか一項において、前記導電性材料の供給は、スクリーン印刷法で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項10において、前記スクリーン印刷法で用いる印刷版の開口部の短軸の幅は、前記溝部の幅及び前記溝部で挟まれた領域の幅の総和よりも小さいことを特徴とする光電変換装置の作製方法。複数の平行な溝部を充填し、かつ前記平行な溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されていることを特徴とする電極。請求項12において、前記導電性材料が固定化される溝部のうち、最外部の溝部では該溝部内の一部のみに導電性材料が固定化された形状であることを特徴とする電極。第1の複数の平行な溝部及び前記第1の複数の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域、及び前記第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の複数の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域が一方の面に設けられた一導電型を有する結晶性シリコン基板と、前記第1の領域及び前記第2の領域を有する結晶性シリコン基板の一方の面の表層に設けられた前記結晶性シリコン基板の導電型とは逆の導電型を有する第1の不純物層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面の表層に設けられ、前記結晶性シリコン基板と同じ導電型を有し、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第2の不純物層と、前記第2の不純物層と接する裏面電極と、前記第1の不純物層が形成された前記第1の領域及び前記第2の領域が有する溝部及び該溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されたグリッド電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。請求項14において、前記第1の不純物層上に透光性絶縁膜が形成されていることを特徴とする光電変換装置。第1の複数の平行な溝部及び前記第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域、及び前記第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び前記第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域が一方の面に設けられた結晶性シリコン基板と、前記第1の領域及び前記第2の領域を有する結晶性シリコン基板の一方の面上に設けられた第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に設けられた透光性導電膜と、前記結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、前記第3のシリコン半導体層上に設けられた前記第2のシリコン半導体層の導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、前記第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、前記第1のシリコン半導体層、前記第2のシリコン半導体層、及び前記透光性導電膜が積層された前記第1の領域及び前記第2の領域が有する前記溝部及び前記溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されたグリッド電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。請求項16において、前記第1及び前記第3のシリコン半導体層の導電型はi型、前記第2のシリコン半導体層の導電型はp型またはn型であることを特徴とする光電変換装置。請求項14乃至17のいずれか一項において、前記導電性材料が固定化される溝部のうち、最外部の溝部において、該溝部内の一部のみに導電性材料が固定化されていることを特徴とする光電変換装置。無電解メッキ法は、メッキ液などからの半導体基板の汚染が懸念される。また、無電解メッキ法は液相プロセスのため、溝部に残存する気泡の影響を受けやすく、断線などの工程不良となりやすい。一方で、スクリーン印刷法は、簡便な工程で大面積にも対応できるなどの利点があるが、上記のような減圧下でのスクリーン印刷は、装置構成や工程が複雑になるばかりでなく、減圧下では印刷版に付着した導電性樹脂の乾燥が早いため、印刷版の開口部の目詰まりを起こしやすいなどの問題がある。したがって、本発明の一態様は、低抵抗かつ線幅の狭い電極、及びその作製方法を提供することを目的の一つとする。また、該電極を有する光電変換装置、及びその作製方法を提供することを目的の一つとする。本明細書で開示する本発明の一態様は、複数の平行な溝部及び該平行な溝部に挟まれる領域に形成された電極、並びに該電極を有する光電変換装置に関する。本明細書に開示する本発明の一態様は、それぞれが平行な複数の溝部を形成し、溝部及び溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することを特徴とする電極の作製方法である。上記複数の溝部のうち、最外部の溝部においては、該溝部内の一部のみに導電性材料が固定化される構成であっても良い。なお、最外部の溝部とは、一電極が形成される領域が有する1乃至nの順に並んだn個の溝部において、1番目の溝部とn番目の溝部のことをいう。上記導電性材料の供給は、スクリーン印刷法で行うことができる。ここで、スクリーン印刷法に用いる印刷版の開口部における短軸方向の幅は、該溝部の幅及び該溝部で挟まれた領域の幅の総和よりも小さいことが好ましい。スクリーン印刷版の開口部の形状をそのようにすることで、該溝部に導電性材料を充填しやすくなる。また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、一導電型を有する結晶性シリコン基板の一方の面に、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域を形成し、第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域を形成し、該第1の領域及び該第2の領域を含む結晶性シリコン基板の一方の面の表層に結晶性シリコン基板の導電型とは逆の導電型を付与する第1の不純物を熱拡散させて第1の不純物層を形成し、結晶性シリコン基板の他方の面上に結晶性シリコン基板と同じ導電型を付与する第2の不純物を含む導電層を形成し、第2の不純物を結晶性シリコン基板の他方の面の表層に熱拡散させて、結晶性シリコン基板と同じ導電型を有し、結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度が高い第2の不純物層、及び前記導電層からなる裏面電極を形成し、第1の不純物層が形成された第1の領域及び第2の領域が有する溝部及び該溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することによってグリッド電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。なお、本明細書等における第1、第2などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、順序や数を限定するものではないことを付記する。なお、上記光電変換装置の作製方法において、第1の不純物層上に透光性絶縁膜を形成し、第1の不純物層及び透光性絶縁膜が形成された第1の領域及び第2の領域に導電性材料を供給し、固定化する方法を用いても良い。本明細書に開示する本発明の他の一態様は、結晶性シリコン基板の一方の面に、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域を形成し、該第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域を形成し、該第1の領域及び該第2の領域を含む結晶性シリコン基板の一方の面上に第1のシリコン半導体層を形成し、該第1のシリコン半導体層上に一導電型を有する第2のシリコン半導体層を形成し、結晶性シリコン基板の他方の面上に第3のシリコン半導体層を形成し、該第3のシリコン半導体層上に該第2のシリコン半導体層の導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層を形成し、該第2のシリコン半導体層上に透光性導電膜を形成し、該第4のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、該第1のシリコン半導体層、該第2のシリコン半導体層、及び該透光性導電膜が積層された該第1の領域及び該第2の領域が有する溝部及び溝部で挟まれた領域に導電性材料を供給し、固定化することによってグリッド電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。上記第1及び第3のシリコン半導体層の導電型はi型、上記第2のシリコン半導体層の導電型はp型またはn型とする。また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、複数の平行な溝部を充填し、かつ該平行な溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されていることを特徴とする電極である。上記導電性材料が固定化される溝部のうち、最外部の溝部では該溝部内の一部のみに導電性材料が供給され、固定化された形状であっても良い。また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、第1の複数の平行な溝部及び該第1の複数の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域、及び第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の複数の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域が一方の面に設けられた一導電型を有する結晶性シリコン基板と、該第1の領域及び該第2の領域を有する結晶性シリコン基板の一方の面の表層に設けられた結晶性シリコン基板の導電型とは逆の導電型を有する第1の不純物層と、結晶性シリコン基板の他方の面の表層に設けられ、結晶性シリコン基板と同じ導電型を有し、結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第2の不純物層と、第2の不純物層と接する裏面電極と、第1の不純物層が形成された第1の領域及び第2の領域が有する溝部及び該溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されたグリッド電極と、を有することを特徴とする光電変換装置である。上記の構成においては、第1の不純物層上に透光性絶縁膜が形成されていても良い。該透光性絶縁膜は、反射防止効果や、第1の不純物層の表面欠陥を低減させる効果を有する。また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれる領域を有する第1の領域、及び該第1の領域と交わり、第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれる領域を有する第2の領域が一方の面に設けられた結晶性シリコン基板と、該第1の領域及び第2の領域を有する結晶性シリコン基板の一方の面上に設けられた第1のシリコン半導体層と、該第1のシリコン半導体層上に設けられた一導電型を有する第2のシリコン半導体層と、該第2のシリコン半導体層上に設けられた透光性導電膜と、該結晶性シリコン基板の他方の面に設けられた第3のシリコン半導体層と、該第3のシリコン半導体層上に設けられた該第2のシリコン半導体層の導電型とは逆の導電型を有する第4のシリコン半導体層と、該第4のシリコン半導体層上に設けられた裏面電極と、該第1のシリコン半導体層、該第2のシリコン半導体層、及び該透光性導電膜が積層された該第1の領域及び第2の領域が有する溝部及び該溝部で挟まれた領域を覆う導電性材料で形成されたグリッド電極と、を有することを特徴とする光電変換装置である。本発明の一態様を用いることにより、低抵抗かつ線幅が狭い電極を提供することができる。また、該電極を生産性良く、高歩留まりで形成することができる。また、電気特性が向上した光電変換装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。実施の形態1本発明の一態様である基板に設けた溝部、及び該溝部を充填する電極の構成を図1に示す。なお、図1Aは断面図であり、平面図である図1Bの線分A-Bの断面に相当する。なお、本発明の一態様における電極とは、その用途を限定するものではない。従って、例えば、電子デバイスの電極などに限らず、配線としても適用可能である。基板100には、第1の溝部110及び第2の溝部120が平行して設けられており、第1の溝部110及び第2の溝部120で挟まれた領域150が形成されている。また、第1の溝部110、第2の溝部120及び領域150を覆うように導電性材料が固定化され、電極200が形成されている。なお、導電性材料としては、例えば導電性樹脂を用いることができる。また、該導電性樹脂を固定化する方法は該導電性樹脂の材料によって異なり、加熱、光照射、溶媒揮発などの方法を適宜用いることにより行うことができる。第1の溝部110、第2の溝部120、及び第1の溝部110及び第2の溝部120で挟まれた領域150のそれぞれの幅及び深さは、基板100の強度を低下させない範囲で任意であり、実施者が自由に決定すれば良い。ただし、後述するスクリーン印刷法の工程を容易にするためには、領域150の幅を第1の溝部110もしくは第2の溝部120の幅よりも広くすることが好ましい。なお、溝部は複数であれば良く、図2に示すような3つ以上の溝部を有する構成であっても良い。また、図1A及び図2において溝部は、その断面が溝部の幅が深さ方向において均一なU字型である場合を例示しているが、図3に示すような、溝部の上方より下方の方が幅が狭いV字型であっても良い。U字型の溝部は、導電性材料の充填量を多くできるので、電極の抵抗を下げやすく、V字型の溝部は、その溝部を覆うような膜を形成するときに、被覆性を向上させることができる。また、図1Aにおいては、溝部に導電性材料が完全に充填される構成を例示しているが、図4に示すように溝部の一部に導電性材料が供給及び固定化される構成であっても良い。図4Aは溝部の数が2つの構成を例示しており、図4Bは更に溝部の数を増やした構成を例示している。溝部の数が3つ以上の構成では、最外部の溝部図4Bの構成では左端と右端の溝部の一部に導電性材料が供給及び固定化され、それ以外の溝部図4Bの構成では中央の2つの溝部には満たされるように導電性材料が充填される。ここで、スクリーン印刷法を用いて電極を形成する場合の従来の問題点を説明する。図5は、スクリーン印刷法を用いて、平面を有する基板101上に導電性材料からなる電極240を形成した構成を従来例として示したものである。図5Aは断面図であり、平面図である図5Bの線分C-Dの断面に相当する。スクリーン印刷法に用いられる印刷樹脂ここでは導電性樹脂は、印刷版の開口部から抜き出しやすく、かつ印刷版の開口形状と同等の形状となるように印刷に適した特性に調整されている。しかしながら、印刷樹脂は印刷工程時に液状であるため、印刷直後から少なからず形状が変化し、実際の寸法が、設計された幅X3の許容値以上に異なってしまうことがある。図5Aに示すように、印刷版から印刷樹脂が抜き出された直後は、印刷版の開口部とほぼ同等の幅X3を有する形状の初期形状220点線であるが、焼成までの間に矢印の方向に樹脂が変形し、幅がX4に広がってしまう。この現象は、印刷樹脂を薄く印刷することで極力抑えることができるが、導電性樹脂は金属膜と比べて抵抗が高く、低抵抗が望まれる電極や配線などは厚膜で形成しなければならない。従って、印刷と焼成を複数回繰り返して行うなどの方法を用いなければならず、工程を増加させる問題があった。また、実質的に厚膜を形成する方法として、基板に溝部を形成し、該溝部に導電材料を充填して形成する、所謂埋め込み電極が知られている。しかしながら、埋め込み電極は溝部に導電材料を均一に充填しなければならず、比較的粘度の高い樹脂を用いるスクリーン印刷法は不向きであった。スクリーン印刷では、印刷版に充填された樹脂を被印刷面に接触させることで印刷版から樹脂を抜き出すため、溝部のような空間に直接樹脂を落とし込むことはできない。また、溝部の周辺を利用して印刷版から樹脂を抜き出したとしても、粘度の高い樹脂では流動性が乏しく、発生した気泡を排除できないなどの問題があり、溝部の充填が困難となる。これらを解決する手段として、真空下でスクリーン印刷を行う方法も提案されているが、装置や工程を複雑するなどの問題点を有している。従って、埋め込み電極の形成に、生産性の良い条件でスクリーン印刷法が用いられることはなかった。一方、本発明の一態様における電極は、複数の溝部及び該複数の溝部に挟まれた領域に対して適量の導電性材料を供給することで形成するため、最外部にある溝部が端となり、導電性材料は該最外部にある溝部より外側に広がらず、設計された寸法の幅X1で形成することができる。また、被印刷領域に複数の溝部に挟まれた平面の領域が含まれることから、印刷版からの樹脂の抜き出しが容易であり、特殊の装置、及び複雑な工程を必要としないスクリーン印刷法を用いることができる。次に、本発明の一態様における電極の作製方法を図6の断面工程図を用いて説明する。まず、基板100に第1の溝部110及び第2の溝部120を平行に形成し、第1の溝部110及び第2の溝部120に挟まれた領域150を設ける図6A参照。第1の溝部110及び第2の溝部120は、ダイシング加工、またはレーザ加工で形成することができる。図6Aにおける溝部は、ダイシング加工を用いた場合の形状U字型を示しているが、V字型であってもよい。レーザ加工を行った場合には、V字型またはU字型となりやすい。また、周囲がV字型またはU字型に加工されたダイシングブレードを用い、溝部の底部のみをV字型またはU字型としても良い。ここで、第1の溝部110、第2の溝部120、及び第1の溝部110及び第2の溝部120に挟まれた領域150の幅の総和をX1とする。X1は電極の幅として、予め設計された許容値を含む幅である。次に、スクリーン印刷法で第1の溝部110、第2の溝部120、及び第1の溝部110及び第2の溝部120に挟まれた領域150の上方より、導電性材料として導電性樹脂201を供給する。なお、ディスペンス法やインクジェット法においても導電性樹脂201の供給を行うことができるが、生産性に優れたスクリーン印刷法を用いることが好ましい。図6Bは、スクリーン印刷による導電性樹脂201の供給の過程を図示したものである。印刷版500の開口部を第1の溝部110、第2の溝部120、及び第1の溝部110及び第2の溝部120に挟まれた領域150と重なる位置に設置し、スクレーパーで印刷版500の開口部に導電性樹脂201を充填し、印刷版に接したスキージ510を矢印方向に動かすことで領域150に導電性樹脂201を接触させる。その後、印刷版500を移動させると、図6Cに示すように印刷版500から抜き出された樹脂が第1の溝部110及び第2の溝部120に流れるように変形し、やがて導電性樹脂201は第1の溝部及び第2の溝部を充填し、図1Aに示すような電極200が形成される。ここで、印刷版500の開口部における短軸方向の幅X2は、第1の溝部110、第2の溝部120、及び第1の溝部110及び第2の溝部120に挟まれた領域150の幅の総和X1よりも小さい値とすることが好ましい。X2がX1よりも大きいと、形成される電極の幅が設計値よりも大きくなるばかりでなく、該溝部を導電性樹脂201で蓋をした形になるため、内部の空気を排気しきれずに充填不良となってしまう。X2をX1よりも小さくすることで、該溝部の空気の排気経路を確保できるため、該溝部に導電性樹脂201を均一に充填することができる。なお、本発明の一態様における電極は、単に埋め込み電極を形成しているだけでなく、溝部に挟まれた領域上にも電極の一部が形成されているため、短軸側の断面積が大きい形状とすることができ、長軸方向を低抵抗とすることができる。以上の方法により、設計された寸法の幅を有する低抵抗の電極を生産性良く、高歩留まりで形成することができる。特に幅の狭い電極を形成する場合において、本方法は有効に作用する。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わすことができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で説明した電極をグリッド電極として有する光電変換装置、及びその作製方法を説明する。本発明の一態様における光電変換装置の斜視図を図7に示す。なお、図7は構成をわかりやすく説明するために、光電変換装置の一部を切り出した図となっている。図7に示す光電変換装置は、結晶性シリコン基板300の一方の面側に形成された第1の不純物層302、第1の不純物層302と接するグリッド電極306及び透光性絶縁膜309、結晶性シリコン基板300の他方の面側に形成された第2の不純物層304、並びに第2の不純物層304と接する裏面電極308を含んで構成される。なお、グリッド電極306が形成された面側が受光面となる。結晶性シリコン基板300の一方の面には、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれた領域を有する第1の領域、及び第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれた領域を有し、第1の領域の溝部と交わる第2の領域が形成されている。また、該第1の複数の平行な溝部及び該第2の複数の平行な溝部を充填し、かつ該第1の領域及び該第2の領域を覆うように導電性樹脂が固定化され、グリッド電極306が形成されている。なお、グリッド電極306の線幅の広い領域がバスバー電極306a、線幅の狭い領域がフィンガー電極306bである。結晶性シリコン基板300は一導電型を有し、第1の不純物層302は、結晶性シリコン基板300の導電型とは逆の導電型を有する層である。従って、第1の不純物層302が形成されている領域の近傍にp-n接合が形成される。また、第2の不純物層304は、結晶性シリコン基板300と同じ導電型を有し、かつキャリア濃度が結晶性シリコン基板300よりも高い層である。したがって、第2の不純物層304が形成されている領域の近傍にはn-n接合、またはp-p接合が形成され、その電界により少数キャリアがp-n接合側にはね返されることから、裏面電極308近傍でのキャリアの再結合を防止することができる。なお、第2の不純物層304は、裏面電極に含まれる不純物を拡散させることで容易に形成することができる。例えば、結晶性シリコン基板300がp型である場合は、アルミニウム膜、またはアルミニウムペーストを裏面電極として形成し、p型を付与する不純物であるアルミニウムを熱拡散させることで第2の不純物層304を形成することができる。また、透光性絶縁膜309は、保護、反射防止、結晶性シリコン基板300の表面欠陥の低減などの効果を付与するものであり、酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。ただし、透光性絶縁膜309を省くこともできる。このような光電変換装置の構成において、実施の形態1で説明した電極をグリッド電極に用いることで、グリッド電極306の微細化にともなう抵抗の増加を抑制することができる。すなわち、グリッド電極306の微細化による弊害抵抗増をともなわず、受光面積を増加することができ、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。以下に図7に示した光電変換装置の作製方法について図8を用いて説明する。なお、図8は、図7に示すE1-F1の線分下の断面に相当する断面図である。本発明の一態様に用いることのできる結晶性シリコン基板300には、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いることができる。これらの結晶性シリコン基板の導電型や製造方法は、特に限定されない。本実施の形態においては、MCZMagneticCzochralski法で製造されたp型の単結晶シリコン基板を用いる。まず、実施の形態1で説明した第1の溝部110及び第2の溝部120の作製方法と同様の方法を用いて、結晶性シリコン基板300の一方の面に第1の溝部311a、第2の溝部312a、及び第1の溝部311a及び第2の溝部312aで挟まれた領域313a、並びに第1の溝部311b、第2の溝部312b、及び第1の溝部311b及び第2の溝部312bで挟まれた領域313bを形成する。ここで、第1の溝部311a、第2の溝部312a、及び第1の溝部311a及び第2の溝部312aで挟まれた領域313aを有する領域を第1の領域、第1の溝部311b、第2の溝部312b、及び第1の溝部311b及び第2の溝部312bで挟まれた領域313bを有する領域を第2の領域とする。なお、第1の領域及び第2の領域は、結晶性シリコン基板300に複数設けられていても良い。例えば、第1の領域は50mm間隔、第2の領域は2mm間隔で設ける。なお、レーザ加工で該溝部を形成する場合は、YAGレーザの基本波波長1064nm、第2高調波波長532nm、第3高調波波長355nm、第4高調波波長266nmなどを用い、ビーム径、出力及び走査速度を調整して所望の形状の溝部を形成することができる。例えば、YAGレーザの第3高調波で、ビーム径φ20μm、パワー密度160kW/cm2、走査速度0.1cm/secで単結晶シリコン基板の加工を行うと、幅30乃至40μm、深さ40乃至70μmの溝部を形成することができる。第1の領域はバスバー電極、第2の領域はフィンガー電極を設けるための領域である。該領域が有する溝部の幅及び深さ、並びに該溝部で挟まれる領域の幅の寸法は、バスバー電極またはフィンガー電極として必要な抵抗を考慮して決定すれば良い。なお、図8Aでは全ての溝部を同様の深さで形成しているが、バスバー電極を形成する領域の溝部と、フィンガー電極を形成する領域の溝部で深さを変えても良い。ただし、基板の強度を考慮し、溝部の深さは基板厚の2/3、好ましくは1/2を上限とする。溝部が深すぎると、基板の強度が保てなくなり、工程途中での破損が起きる場合や、光電変換装置の強度を低下させ、信頼性を悪化させる場合がある。例えば、基板厚が0.5mmの場合、溝部の深さは、約0.25mmから約0.35mmを上限とすることが好ましい。次いで、溝部を形成するためのダイシング加工やレーザ加工では、加工部の表層にダメージ層が発生するため、該ダメージ層をエッチング工程にて取り除く。エッチングには、例えば、酢酸、弗酸、及び硝酸を含むエッチング液を用いることができる。該エッチング液は、それぞれの酸の比率を調整することでダメージ層を優先的にエッチングすることができる。また、アルカリ性のエッチング液例えば、10水酸化カリウム水溶液などを使用して、結晶性シリコン基板300の表面をエッチングすると同時にテクスチャを形成しても良い。テクスチャを形成することによって、反射防止効果や光閉じ込め効果を光電変換装置に付与することができる。なお、このエッチング工程は省くこともできる。次いで、第1の領域、及び第2の領域を含む結晶性シリコン基板300の一方の面の表層に結晶性シリコン基板300とは逆の導電型を有する第1の不純物層302を形成する図8B参照。ここでは、結晶性シリコン基板300の導電型がp型であるため、n型を付与する不純物を結晶性シリコン基板300の表層に拡散させ、第1の不純物層302を形成する。n型を付与する不純物としては、リン、ヒ素、アンチモンなどがあり、例えば、結晶性シリコン基板をオキシ塩化リン雰囲気中で800°C以上900°C以下の温度で熱処理することにより、リンを結晶性シリコン基板の表面から0.5μm程度の深さに拡散させることができる。次いで、第1の不純物層302上に透光性絶縁膜309を形成する。透光性絶縁膜309としては、プラズマCVD法やスパッタ法で成膜される50nm以上100nm以下の膜厚の酸化珪素膜や窒化珪素膜を用いることができる。本実施の形態では、プラズマCVD法により成膜した50nmの窒化珪素膜を透光性絶縁膜309として用いる。なお、透光性絶縁膜309を形成する工程は省いても良い。次いで、第2の不純物層304及び裏面電極308を形成する図8C参照。本実施の形態では、結晶性シリコン基板300の導電型がp型であるため、p型を付与する不純物を含む導電層を結晶性シリコン基板300の他方の面に形成し、該不純物を拡散させてキャリア濃度の高い層を作り、p-p接合を形成する。例えば、アルミニウムペーストを結晶性シリコン基板300の他方の面に塗布し、焼成することによってアルミニウムを結晶性シリコン基板300の他方の面の表層に熱拡散させ、第2の不純物層304と裏面電極308を形成することができる。次いで、スクリーン印刷法を用いて、第1の不純物層302上に透光性絶縁膜309が形成された第1の領域及び第2の領域にグリッド電極306となる導電性樹脂を供給する。スクリーン印刷法の工程の詳細については、実施の形態1の図6Bの説明を参照することができる。なお、ここで用いる導電性樹脂には、銀ペースト、銅ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペーストなどを用いることができる。また、グリッド電極306は銀ペーストと銅ペーストを積層するなど、異なる材料の積層であっても良い。なお、本実施の形態では、焼成することにより固定化される熱硬化型の導電性樹脂を用いることが好ましい。次いで、導電性樹脂の焼成することで、第1の不純物層302とグリッド電極306の接触を行う図8D参照。上述した導電性樹脂を供給した段階では、透光性絶縁膜309が介在しているため、導電性樹脂と第1の不純物層302は接触していない状態であるが、焼成をすることによって導電性樹脂の導体成分は、透光性絶縁膜309を貫通して第1の不純物層302に接触することができる。なお、図8Dにおいては、溝部に形成された透光性絶縁膜309が全て消失しているように図示しているが、部分的に残っていても良い。以上により、微細なグリッド電極を有し、電気特性の優れた光電変換装置を生産性良く、高歩留まりで形成することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わすことができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2で説明した光電変換装置とは異なる構成の光電変換装置、及びその作製方法を説明する。なお、実施の形態1と共通する構成及び作製方法などの詳細な説明は、本実施の形態では省略する。本発明の一態様における光電変換装置の斜視図を図9に示す。なお、図9は構成をわかりやすく説明するために、光電変換装置の一部を切り出した図となっている。図9に示す光電変換装置は、結晶性シリコン基板400に接する第1のシリコン半導体層402a及び第3のシリコン半導体層402b、第1のシリコン半導体層402aと接する第2のシリコン半導体層404a及び第3のシリコン半導体層402bと接する第4のシリコン半導体層404b、第2のシリコン半導体層404aと接する透光性導電膜406、透光性導電膜406と接するグリッド電極408、並びに第4のシリコン半導体層404bと接する裏面電極409を含んで構成される。なお、グリッド電極408が形成された面側が受光面となる。第1のシリコン半導体層402a及び第3のシリコン半導体層402bは、水素を含み、欠陥が少ない高品質なi型半導体層であり、結晶性シリコン基板400の表面欠陥を終端することができ、光電変換層における少数キャリアの再結合を低減し、少数キャリアのライフタイムを長くすることができる。なお、本明細書において、i型の半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型を付与する不純物及びn型を付与する不純物がそれぞれ1×1020atoms/cm3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が高い半導体を指す。例えば、第1のシリコン半導体層402a及び第3のシリコン半導体層402bには、プラズマCVD法等で形成される非晶質シリコン半導体を用いることができる。なお、本明細書において光電変換層とは、光電変換に大きく寄与する半導体領域を意味するものである。本実施の形態においては、結晶性シリコン基板及び該結晶性シリコンに接する第1のシリコン半導体層402a及び第3のシリコン半導体層402bが該当する。第2のシリコン半導体層404a及び第4のシリコン半導体層404bは、内部電界形成層であり、一方がp型半導体層、他方がn型半導体層で形成される。該第2のシリコン半導体層404a及び該第4のシリコン半導体層404bは、例えば、導電型を付与する不純物を含む非晶質シリコン層や微結晶シリコン層で形成することができる。結晶性シリコン基板400の一方の面には、第1の複数の平行な溝部及び該第1の平行な溝部で挟まれた領域を有する第1の領域、及び第2の複数の平行な溝部及び該第2の平行な溝部で挟まれた領域を有し、第1の領域の溝部と交わる第2の領域が形成されており、該第1の複数の平行な溝部及び該第2の複数の平行な溝部を充填し、かつ該第1の領域及び該第2の領域を覆うようにグリッド電極408が導電性樹脂により形成されている。なお、グリッド電極408の線幅の広い領域がバスバー電極408a、線幅の狭い領域がフィンガー電極408bである。このような光電変換装置の構成において、実施の形態1で説明した電極をグリッド電極に用いることで、グリッド電極408の微細化にともなう抵抗の増加を抑制することができる。すなわち、グリッド電極408の微細化による弊害抵抗増をともなわず、受光面積を増加することができ、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。以下に図9に示した光電変換装置の作製方法について図10を用いて説明する。なお、図10は、図9に示すE2-F2の線分下の断面に相当する断面図である。本発明の一態様に用いることのできる結晶性シリコン基板400には、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いることができる。これらの結晶性シリコン基板の導電型や製造方法は、特に限定されない。本実施の形態においては、MCZMagneticCzochralski法で製造されたn型の単結晶シリコン基板を用いる。まず、実施の形態1で説明した第1の溝部110及び第2の溝部120と同様の方法を用いて、結晶性シリコン基板400の一方の面に第1の溝部411a、第2の溝部412a、及び第1の溝部411a及び第2の溝部412aで挟まれた領域413a、並びに第1の溝部411b、第2の溝部412b、及び第1の溝部411b及び第2の溝部412bで挟まれた領域413bを形成する。ここで、第1の溝部411a、第2の溝部412a、及び第1の溝部411a及び第2の溝部412aで挟まれた領域413aを有する領域を第1の領域、第1の溝部411b、第2の溝部412b、及び第1の溝部411b及び第2の溝部412bで挟まれた領域413bを有する領域を第2の領域とする。なお、第1の領域及び第2の領域は、結晶性シリコン基板400に複数設けられていても良い。例えば、第1の領域は50mm間隔、第2の領域は2mm間隔で設ける。第1の領域はバスバー電極、第2の領域はフィンガー電極を設けるための領域である。該第1の領域及び該第2の領域が有する溝部の幅及び深さ、並びに該溝部で挟まれる領域の幅の寸法は、バスバー電極またはフィンガー電極として必要な抵抗を考慮して決定すれば良い。次いで、該溝部の表層に発生したダメージ層をエッチング工程にて取り除く。エッチングには、例えば、酢酸、弗酸、及び硝酸を含むエッチング液を用いることができる。また、アルカリ性のエッチング液例えば、10水酸化カリウム水溶液などを使用して、結晶性シリコン基板400の表面をエッチングすると同時にテクスチャを形成しても良い。なお、このエッチング工程は省くこともできる。次いで、該第1の領域及び該第2の領域を有する結晶性シリコン基板400の一方の面上にプラズマCVD法を用いて第1のシリコン半導体層402aを形成する。第1のシリコン半導体層402aの厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第1のシリコン半導体層402aにはi型の非晶質シリコンであり、膜厚は5nmとする。例えば、第1のシリコン半導体層402aの成膜条件は、反応室に流量5sccm以上200sccm以下のモノシランを導入し、反応室内の圧力を10Pa以上100Pa以下、電極間隔を15mm以上40mm以下、電力密度を8mW/cm2以上50mW/cm2以下とすればよい。次いで、第1のシリコン半導体層402a上に第2のシリコン半導体層404aを形成する。第2のシリコン半導体層404aの厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第2のシリコン半導体層404aはp型の微結晶シリコンであり、膜厚は10nmとする。なお、第2のシリコン半導体層404aに、p型の非晶質シリコンを用いてもよい。例えば、第2のシリコン半導体層404aの成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccm以下のモノシラン、流量100sccm以上5000sccm以下の水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのジボラン0.1を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とすればよい。次いで、結晶性シリコン基板400の他方の面にプラズマCVD法を用いて第3のシリコン半導体層402bを形成する。第3のシリコン半導体層402bの厚さは、3nm以上50nm以下とすることが好ましく、本実施の形態において、第3のシリコン半導体層402bはi型であり、膜厚は5nmとする。なお、第3のシリコン半導体層402bは、第1のシリコン半導体層402aと同様の成膜条件にて形成することができる。次いで、第3のシリコン半導体層402b上に第4のシリコン半導体層404bを形成する図10B参照。第4のシリコン半導体層404bの厚さは3nm以上50nm以下とすることが好ましい。本実施の形態において、第4のシリコン半導体層404bはn型の微結晶シリコンであり、膜厚は10nmとする。なお、第4のシリコン半導体層404bに、n型の非晶質シリコンを用いてもよい。例えば、第4のシリコン半導体層404bの成膜条件は、反応室に流量1sccm以上10sccm以下のモノシラン、流量100sccm以上5000sccm以下の水素、流量5sccm以上50sccm以下の水素ベースのホスフィン0.5を導入し、反応室内の圧力を450Pa以上100000Pa以下、好ましくは2000Pa以上50000Pa以下とし、電極間隔を8mm以上30mm以下とし、電力密度を200mW/cm2以上1500mW/cm2以下とすればよい。なお、本実施の形態において、上記非晶質シリコン層及び微結晶シリコン層の成膜に用いる電源には周波数13.56MHzのRF電源を用いるが、27.12MHz、60MHz、または100MHzのRF電源を用いても良い。また、連続放電だけでなく、パルス放電にて成膜を行っても良い。パルス放電を行うことで、膜質の向上や気相中で発生するパーティクルを低減することができる。次いで、第2のシリコン半導体層404a上に透光性導電膜406を形成する。透光性導電膜406には、例えば、インジウム錫酸化物、珪素を含むインジウム錫酸化物、亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、アンチモンを含む酸化錫、またはグラフェン等を用いることができる。また、透光性導電膜406は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、インジウム錫酸化物とアルミニウムを含む酸化亜鉛の積層や、インジウム錫酸化物とフッ素を含む酸化錫の積層などを用いることができる。膜厚は総厚で10nm以上1000nm以下とする。また、透光性導電膜406の表面をテクスチャ構造としても良い。次いで、第4のシリコン半導体層404b上に裏面電極409を形成する図10C参照。裏面電極409には、銀、アルミニウム、銅などの低抵抗金属を用いることができ、スパッタ法や真空蒸着法などで形成することができる。または、スクリーン印刷法を用いて、銀ペーストや、銅ペーストなどの導電性樹脂で形成しても良い。なお、結晶性シリコン基板400の表裏に設ける膜の形成順序は、上記の方法に限らず、図10Cに示した構造が形成できればよい。例えば、第1のシリコン半導体層402aを形成し、その次に第3のシリコン半導体層402bを形成しても良い。次いで、スクリーン印刷法を用いて、第1のシリコン半導体層402a、第2のシリコン半導体層404a、透光性導電膜406が積層された第1の領域及び第2の領域が有する溝部を充填し、かつ該溝部で挟まれた領域を覆うようにグリッド電極408となる導電性樹脂を供給する。スクリーン印刷法の工程の詳細については、実施の形態1の図6Bの説明を参照することができる。その後、導電性樹脂を固定化することでグリッド電極408を形成する。以上により、微細なグリッド電極を有し、電気特性の優れた光電変換装置を生産性良く、高歩留まりで作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わすことができる。本実施例では、実施の形態1に従って形成した電極について説明する。基板には単結晶シリコン基板を用い、溝部はレーザ加工により形成した。レーザ装置にはINNOLIGHT社製のナノ秒パルスレーザμFlarePQGR:波長532nmを用いた。光学系にてビーム径φ20μmに調整し、出力0.36W、走査速度1cm/secにて該単結晶シリコン基板の加工を設計値に従って行った。なお、本実施例における電極の幅の設計値X1:溝部及び該溝部に挟まれた領域の幅の総和は80μmである。続いて、溝部及び該溝部に挟まれた領域に対して、スクリーン印刷法により導電性材料の供給を行った。印刷版には、開口部の幅60μmX2、乳剤厚30μmのメッシュ版、導電性材料には、住友電気工業社製銀ペーストAGEP-201Xを用い、導電性材料の供給後、熱風循環乾燥炉で150°C、30分間の焼成して固定化を行った。図11Aの写真は、比較例として単結晶シリコン基板への溝部の形成を行わずに、上記印刷版及び導電性材料を用いて電極を形成したサンプルの断面SEM写真である。印刷版の開口幅が60μmであるのに対し、形成された電極の幅は、約107μmに広がっている。また、電極中央付近の厚みは約14μmであり、アスペクト比を電極厚:電極幅とすると、約0.13であった。図11Bの写真は、上述した方法で単結晶シリコン基板への溝部の形成を行い、比較例と同様に電極を形成したサンプルの断面SEM写真である。レーザビーム径φ20μmとほぼ同じ幅の約20μmの幅の溝がV字型に形成されている。形成された二つの溝部が端となり、導電性材料が外側に広がらず、電極は設計値X1で形成されていることがわかる。また、電極中央付近の厚みは約20μmであり、アスペクト比を電極厚:電極幅とすると、約0.25であった。以上により、本発明の一態様を用いることで、溝部の幅を設計された寸法の幅X1で形成すること、及び高アスペクト比の電極を形成できることが示された。