"原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを触媒にて再結合させる放射性気体廃棄物処理方法において、前記放射性気体廃棄物に含まれる不純物を、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材と接触させて除去する工程と、前記不純物を除去した後、前記放射性気体廃棄物を前記触媒と接触させて前記水素と前記酸素とを再結合させる工程と、を備えることを特徴とする放射性気体廃棄物処理方法。前記不純物は、少なくともケイ素化合物を含む請求項1記載の放射性気体廃棄物処理方法。前記不純物除去材は、100°Cから500°Cの温度域で使用する請求項1記載の放射性気体廃棄物処理方法。前記不純物除去材は、少なくともミクロ孔またはメソ孔を有する請求項1記載の放射性気体廃棄物処理方法。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる不純物を除去する不純物除去材であって、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする不純物除去材。少なくともミクロ孔またはメソ孔を有する請求項5記載の不純物除去材。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを再結合させる再結合触媒層を有する再結合器を備える放射性気体廃棄物処理設備において、前記再結合器の前段で前記放射性気体廃棄物を加熱する排ガス予熱器と、前記排ガス予熱器と前記再結合器との間に、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材を充填した不純物除去層と、を備えることを特徴とする放射性気体廃棄物処理設備。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを再結合させる再結合触媒層を有する再結合器を備える放射性気体廃棄物処理設備において、前記再結合器は、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材を充填した不純物除去層を備え、前記不純物除去層と前記再結合触媒層は、前記放射性気体廃棄物が前記再結合器の中をこの順で通過するように配置されたことを特徴とする放射性気体廃棄物処理設備。前記不純物は、少なくともケイ素化合物を含む請求項7または8記載の放射性気体廃棄物処理設備。前記不純物除去材は、少なくともミクロ孔またはメソ孔を有する請求項7または8記載の放射性気体廃棄物処理設備。前記放射性気体廃棄物を100~200°Cに加熱する加熱設備を備え、前記加熱設備で加熱された前記放射性気体廃棄物により、前記不純物除去層の温度を100~200°Cにする請求項7または8記載の放射性気体廃棄物処理設備。シロキサンを分解除去する方法において、シロキサン含有ガスを、水蒸気の存在下で、ZrO2とTiO2のうち少なくとも1つを含む不純物除去材と接触させて分解することを特徴とするシロキサンの分解除去方法。請求項12記載のシロキサンの分解除去方法において、前記シロキサン含有ガスを前記不純物除去材と180°C以上で接触させるシロキサンの分解除去方法。原子力発電プラントにおいて、原子炉から排出される放射性気体廃棄物には、原子炉内や原子炉より上流の機器の運転条件により不純物が含まれ、この不純物により再結合装置の再結合触媒が被毒されることが判明した。近年、特に、シロキサンなどのケイ素化合物により再結合触媒が被毒して性能が低下し、再結合器から排出される排ガス中にH2が高濃度で残存することがわかった。以前は、再結合器より上流側の設備には異なる材料が使用されていたため、再結合触媒の被毒を考慮する必要がなかった。従って、不純物の除去については考慮されていない。そこで、排ガス中のH2濃度の上昇を防ぎ、原子力発電プラントを安全に運転するためには、放射性気体廃棄物に含まれる不純物を除去し、再結合装置の再結合触媒の被毒と性能低下を防止することが新たな課題となっている。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、再結合器からの排出ガス中のH2濃度の異常上昇を起こさずに原子力発電プラントを運転することができる放射性気体廃棄物の処理方法、処理設備、及び不純物除去材を提供する。上記課題を解決するための手段として、本発明による放射性気体廃棄物処理方法は、基本的には、以下のような特徴を有する。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを触媒にて再結合させる放射性気体廃棄物処理方法において、前記放射性気体廃棄物に含まれる不純物を、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材と接触させて除去する工程と、前記不純物を除去した後、前記放射性気体廃棄物を前記触媒と接触させて前記水素と前記酸素とを再結合させる工程とを備える。本発明による不純物除去材は、原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる不純物を除去する不純物除去材であって、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含むことを基本的な特徴とする。本発明による放射性気体廃棄物処理設備は、基本的には、以下のような特徴を有する。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを再結合させる再結合触媒層を有する再結合器を備える放射性気体廃棄物処理設備において、前記再結合器の前段で前記放射性気体廃棄物を加熱する排ガス予熱器と、前記排ガス予熱器と前記再結合器との間に、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材を充填した不純物除去層とを備える。また、本発明による放射性気体廃棄物処理設備は、基本的には、以下のような特徴を有することもできる。原子力発電所で原子炉から排出される放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素とを再結合させる再結合触媒層を有する再結合器を備える放射性気体廃棄物処理設備において、前記再結合器は、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含む不純物除去材を充填した不純物除去層を備え、前記不純物除去層と前記再結合触媒層は、前記放射性気体廃棄物が前記再結合器の中をこの順で通過するように配置される。本発明により、原子炉から排出される放射性気体廃棄物中に不純物が含まれていても、再結合器出口における排ガス中のH2濃度が上昇することなく、安全に原子力発電プラントを運転することができる。水蒸気を主成分とする放射性気体廃棄物排ガス中に含まれる不純物が再結合器の再結合触媒層に流入し、再結合触媒を被毒すると、再結合器から排出される排ガス中にH2が高濃度で残存する。原子力発電プラントを安全に運転するためには、排ガス中のH2濃度の上昇を防ぐ必要がある。このため、不純物の触媒被毒成分が再結合触媒層に流入する前に、不純物を放射性気体廃棄物中から除去する必要がある。詳細に検討した結果、放射性気体廃棄物が再結合触媒層に流入する前段で、不純物を不純物除去材と適切な条件で接触させることで、不純物を放射性気体廃棄物中から除去することができ、触媒の性能低下を抑制することができることがわかった。本発明による放射性気体廃棄物の処理方法、処理設備、及び不純物除去材は、再結合触媒を変えることなく、種々の触媒に対しても使用できる。不純物除去材としては、高濃度水蒸気雰囲気下でも不純物を除去できるものが最適である。再結合器で処理する放射性気体廃棄物の組成は、水蒸気が約98volと大半を占め、通常の処理ガスとは大きく異なる。残りの数は、放射能で分解されたH2とO2、及び再結合器の前段で添加した空気中のN2などである。このため、不純物除去材としては最適なものがあり、それ以外では逆に触媒性能を低下させる。具体的な不純物除去材の例としては、ZrO2、メソポーラスシリカ、及び活性炭のうち少なくとも一つを含むものが挙げられる。特に、ZrO2とメソポーラスシリカは、炭素を含まないため望ましい。不純物除去材は、適切な温度で使用することが望ましい。運転温度としては、100°C~500°Cの温度域で使用するのが望ましい。100°C以下とすると、放射性気体廃棄物中の水蒸気が凝縮するため、所定性能を発揮しない。使用温度の上限は、使用するシステムに依存するが、放射性気体廃棄物全体を加熱するため、500°C以下で使用するのが望ましい。不純物除去材として、活性炭またはメソポーラスシリカを、再結合器内の再結合触媒層の上部再結合触媒層から見て放射性気体廃棄物の流れの上流側で使用する場合は、200°C以下で使用することが望ましい。200°Cより高温で使用すると、再結合触媒に流入する放射性気体廃棄物の温度が高くなり、再結合反応による発熱で再結合触媒が劣化する場合がある。不純物除去材は、再結合触媒上の再結合反応熱の輻射に注意する必要がある。輻射により不純物除去材の温度が上昇する場合は、捕捉した不純物を脱離する恐れがある。また、不純物除去材を再結合器の外に設置する場合には、不純物除去材の耐熱温度以下で使用することができる。ただし、放射性気体廃棄物全体を加熱するため、500°C以下で使用することが望ましい。200°C以上で使用する場合は、再結合器に放射性廃棄物を流入させる前に熱交換器などの冷却器を、不純物除去層と再結合触媒層の間に設置することが望ましい。また、不純物除去材として、ZrO2またはTiO2を含む材料を使用する場合は、180°C以上で使用するとシロキサンを分解することができる。水蒸気が存在すれば、加水分解することができる。例えば、シロキサンの一種であるC10H30O5Si5D5の分解反応は次式のようになる。C10H30O5Si55H2O→5SiO210CH4高温での使用は、不純物除去材表面に存在するSiO2が重合して被膜を形成しやすくなり、700~750°Cでは被膜を形成してしまうため、700°C未満で使用することが望ましい。再結合器内の再結合触媒層の上部で使用する場合は、200°Cより高温で使用すると、再結合触媒に流入する放射性気体廃棄物の温度が高くなり、再結合反応による発熱で再結合触媒が劣化する場合がある。再結合触媒は600°C以下で使用することが望ましく、500°C以下で使用することがさらに好ましい。600°C以上で使用すると、触媒活性成分のシンタリングが促進しやすくなり、性能が低下する。再結合触媒に流入するH2の量により、再結合反応による発熱は異なる。処理するH2の量を考慮し、再結合触媒の使用温度が600°C以下となるよう不純物除去材の温度を設定することができる。不純物除去材を、再結合器の外に設置する場合には、200°C以上で使用することができる。その場合は、再結合器に放射性廃棄物を流入させる前に、熱交換器などの冷却器を、不純物除去層と再結合触媒層の間に設置することが望ましい。ZrO2と同様に使用温度を上げると捕捉後に分解特性を示す材料としては、化学的性質として酸点を有することが必要である。また、酸点は、単位表面積あたりに多く存在していることが望ましい。材料中の酸量を測定する一般的な方法として、NH3吸着法がある。NH3吸着法から求められた酸点量と、BET法により測定した材料の比表面積から、単位表面積あたりの酸点量を算出すると、前述のZrO2は0.0064μmol/m2であり、これより多い値を持つ材料が望ましい。また、TiO2は、0.0051μmol/m2とZrO2よりは少ないが、同様の効果を示すと考えられる。また、ZSM-5は0.0017mol/m2だが、この程度までは、使用温度によるが同様の効果が得られると考えられる。0.0017mol/m2以上となるのは、他には活性アルミナなどがある。これらに第二成分を添加して酸点量を向上させて使用してもよい。なお、上記の酸点量は次のように測定した。不純物除去材の酸点量は、金属露出度分析装置日本ベル株式会社製BELCAT-Aを用いて測定した。不純物除去材は、0.5~1.0mm径の粒子を乳鉢で粉末にして用いた。試料量は0.05gである。測定は、前処理工程、NH3吸着工程、及び昇温脱離工程からなる。前処理工程では、処理ガスとしてHeを50ml/minで流通させ、室温から500°Cまで10°C/minで昇温し、500°Cで60min保持した。その後、自然冷却により100度まで温度を下げた。NH3吸着工程では、NH3濃度が5volのHe50ml/minを、100°Cで30min流通させた。NH3を吸着させた後、ガスをHeに切り替え、50ml/minで15min流通させた。昇温脱離工程では、Heを30ml/minで流通させ、100°Cから700°Cへ10°C/minで昇温した。700°C到達後、2時間保持した。なお昇温時に脱離するNH3は、ガスクロマトグラフ分析計で測定した。ガスクロマトグラフ分析計は、キャリアガスとしてHeを30ml/minで流通させた。充填材カラムを使用せず、測定ガスはそのままTCD検出器に導入した。検出器温度は100°Cとした。不純物除去材は、原子力プラントの再結合触媒のシロキサンによる被毒抑制、電気リレー部へのシロキサン付着による絶縁不良抑制、光学製品のシロキサン付着によるもや抑制、及び塗装表面へのシロキサン付着による塗料弾き抑制に使用することができる。また、シロキサンは、ドライクリーニング洗浄用薬品、シャンプー、化粧品、シリコンチューブやシリコングリースに含まれており、これらを使用する環境でもシロキサン含有物が発生する可能性があるため、前述のような事象抑制に不純物除去材を用いることができる。図7にシステムの処理フロー図を示す。シロキサンを含む流体またはシロキサン発生源100を通過する流体を、シロキサンにより被毒させたくない装置102に流入させる前に、不純物除去材を含む不純物除去層101を通過させてから、シロキサンにより被毒させたくない装置102へ流入させ、排出させる。放射性気体廃棄物に含まれる不純物としては、ケイ素化合物があり、一例としてシロキサンがある。シロキサンは、-OSiCH32-という基準構造が連続して結合し、最終的に環状となっている化合物である。基準構造の数により化合物の大きさが決まり、例えば、D5と記載する場合は、前述の基準構造が5つの環状化合物である。通常はD3~D8程度の化合物が対象となるが、本発明では、基準構造が2つ以下の化合物も不純物として対応可能である。基準構造が2つ以下の化合物では、環状構造を作れないため、直鎖状の構造となり、末端は-OHとなっていると推定される。ケイ素化合物以外の不純物としては、炭化水素、硫酸化合物、塩素化合物、フッ素化合物がある。以下に述べる実施例では、代表例としてケイ素化合物にて試験を行ったが、本発明は、他の不純物についても同様の効果がある。不純物除去材は、比表面積が大きいほうが望ましい。不純物除去材は、ミクロ孔、メソ孔を有する構造であると比表面積が大きくなり、捕捉する不純物量が増加する。また、ZrO2などの不純物除去材を、アルミナ、TiO2、ゼオライト、メソポーラスシリカなどの高比表面積を持つ材料の上に担持させてもよい。これらの成分と複合化させ、複合酸化物化させて高比表面積化してもよい。また、不純物除去材は、表面の疎水性や親水性を制御すると、シロキサン捕捉性能が向上する。例えば、ZrO2やメソポーラスシリカの表面性質を制御するために、Ni、Zn、W、Fe、Co、Ce、Tiなどの親水性成分を担持させてもよい。また、F、メチル基などの有機基などの疎水性成分を担持させてもよい。シロキサンは親水性のSi基と疎水性の有機基を有するため、親水性を上げるとSi基の捕捉性能が向上し、疎水性を向上させると有機基の捕捉性能が向上する。疎水性成分と塩基成分の両方を担持させてもよい。図5に、原子炉からの排ガス処理フローを示す。原子炉で発生した放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気H2とO2を含むは、タービンを回すために使用される。タービンを回した後の放射性気体廃棄物排ガスは、排ガス予熱器で所定温度まで加熱され、再結合器に導入される。再結合器では、H2とO2が結合してH2O水蒸気に変化する。再結合器を通過した後の排ガスは、復水器で水蒸気が水に戻され、さらに除湿冷却器で水分が除去される。以下、実施例にて本発明を説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。本実施例では、不純物除去材として、ZrO2材料1、メソポーラスシリカ材料2、及び活性炭材料3を調製した。さらに、比較例として用いる不純物除去材として、TiO2比較1とZSM-5比較2を調製した。<材料1>ZrO2硝酸ジルコニル二水和物市販品、和光純薬工業株式会社製試薬を大気中で、500°Cで2時間焼成し、ZrO2を調製した。焼成後の粉末は、500kgf/cm2でプレス成型し、乳鉢で破砕し、0.5~1.0mmに整粒した。<材料2>メソポーラスシリカメソポーラスシリカ市販品、ズードケミー触媒株式会社製を120°Cで2時間乾燥させた。乾燥後の粉末は、200kgf/cm2でプレス成型し、乳鉢で破砕し、0.5~1.0mmに整粒した。<材料3>活性炭活性炭市販品、武田薬品工業株式会社製、球状白鷺DX7-30.5~3.0mm径を120°Cで2時間乾燥させた。乾燥後、乳鉢で破砕し、0.5~1.0mmに整粒した。<比較1>TiO2粒径2~4mmのTiO2市販品、堺化学工業株式会社製CS-200S-24を、乳鉢で破砕し、0.5~1.0mmに整粒した。<比較2>ZSM-5ZSM-5市販品、ズードケミー触媒株式会社製H-MFI-240を、500kgf/cm2でプレス成型し、乳鉢で破砕し、0.5~1.0mmに整粒した。本実施例では、反応ガスに不純物としてシロキサンを添加し、実施例1で調製した不純物除去材の効果を調べた。具体的には、シロキサンを添加した反応ガスを、不純物除去層及び再結合触媒層を有する反応管に導入し、反応管の出口でのH2濃度を測定した。反応管の不純物除去層には不純物除去材が、再結合触媒層には再結合触媒が、それぞれ充填されている。反応ガスには、水2.4ml/minを水蒸気発生装置にて水蒸気に気化させ、H297ml/minとO248.3ml/minとを混合し、空気を17.7ml/min添加したものを用いた。この反応ガスを、再結合触媒層に150°Cで流入させた。触媒量と反応ガス量との関係は、式1で示される空間速度が109,400h-1、式2で示される線速度が0.297m/sとした。空間速度h-1=反応ガス量ml/h-1/触媒量ml式1線速度m/s=反応ガス流量m3/s/触媒断面積m2式2反応管には、長さ方向の中央に再結合触媒としてPt/Al2O3担持金属触媒を充填して再結合触媒層とした。さらに、金属触媒の上部反応ガスの流れの上流側に金網を敷き、金網の上に不純物除去材を充填して不純物除去層とした。金網を敷くのは、不純物除去材が下部反応ガスの流れの下流側に落ちないようにするためである。反応管に導入された反応ガスは、まず不純物除去層、次に再結合触媒層を通過し、出口に到達する。再結合触媒層を通過した反応ガス中のH2濃度は、氷冷した冷却槽で水蒸気を水に凝縮させた後のガスをPDDPulsedDischargeDetectorガスクロマトグラフ分析計GLサイエンス株式会社製GC-4000に導入して測定した。PDD検出器のモードは、HIDHeliumIonizationDetectorを使用した。サンプルガス再結合触媒層を通過した反応ガスは、ポンプにて100μlを吸引した。ガスクロマトグラフのガス導入口温度は室温、検出器温度は150°C、オーブン温度は50°Cとした。カラムは、外径1/8インチφ×長さ2mであり、充填材としてMolecularSieve13X-S60~80メッシュを使用した。キャリアガスは、Heを20ml/minで流した。また、放電ガスとしてHeを30ml/minで流した。不純物は、反応ガスを150°Cに加熱し、不純物除去材及び再結合触媒を充填した反応管に導入し、反応管の出口のH2濃度出口H2濃度が安定した時点で、シロキサンの一種であるD5を反応管上部から2.5×10-8リットル/minで滴下した。なお、試験毎に安定となる出口H2濃度が若干異なるため、D5を添加する直前の出口H2濃度を基準とし、D5添加後に上昇した出口H2濃度を比較した。図1は、反応ガスにD5を添加して35分後と60分後の出口H2濃度を比較した図である。反応管に不純物除去材を充填しない場合再結合触媒のみを充填した場合と、不純物除去材としてZrO2材料1、メソポーラスシリカMPS、材料2、活性炭材料3、TiO2比較1、及びZSM-5比較2を充填した場合について、それぞれ比較した。ZrO2は、再結合触媒層の上部反応ガスの流れの上流側の不純物除去層に、1.8ml2.51gを充填した。同様に、メソポーラスシリカMPSは2.7ml1.11gを、活性炭は2.7ml1.63gを、TiO2は1.8ml1.75gを、ZSM-5は2.7ml2.01gを、それぞれ充填した。また、比較のため、反応ガスにD5を添加せず、反応管に再結合触媒のみを充填した場合についても、出口H2濃度を測定した。D5を添加しない場合は、試験の間、出口H2濃度は上昇しなかった図1において、出口H2濃度は、35分後も60分後も0volである。一方、D5を添加し再結合触媒のみを充填した場合不純物除去材を充填しない場合は、出口H2濃度が反応時間とともに上昇した。図1には示していないが、出口H2濃度は、2時間後には3volを超えた。不純物除去材としてZrO2を充填した場合の出口H2濃度は、35分後は再結合触媒のみを充填した場合とほぼ同じだが、60分後は明らかに上昇が抑制された。また、メソポーラスシリカMPSを充填した場合と活性炭を充填した場合も、35分後と60分後の出口H2濃度の上昇が抑制された。一方、不純物除去材としてTiO2を充填した場合とZSM-5を充填した場合は、出口H2濃度は、35分後と60分後のいずれも、不純物除去材を充填しない場合再結合触媒のみを充填した場合よりも高くなった。試験中の再結合触媒層の出口で測定した出口ガス温度は、最大で285°Cであった。これは、再結合触媒上で再結合反応が進行し発熱したためである。ZrO2の場合、35分後では不純物の除去効果はあまり見られていないが、これは、ZrO2表面にD5が付着し始まってから、反応ガス中からの除去効果が向上するためであると考えている。また、ZrO2とTiO2の除去性能の違いは、比表面積と固体酸量の違いによると考えている。D5は除去材表面に吸着し、その吸着量は固体酸量に支配されると推定される。固体酸点は表面上で酸塩基反応が進行する点であり、単位比表面積あたりの固体酸量が吸着率を決定すると考えられる。ZrO2とTiO2の固体酸量を、NH3吸着法で調べた。NH3吸着法は、触媒にNH3を吸着させ、その後、昇温しながら吸着NH3の脱離温度と脱離量を測定する方法である。脱離温度からNH3の吸着力がわかる。反応管に所定量の試料ZrO2またはTiO2を充填し、前処理を行った。前処理では、Heガス流通下で450°Cまで昇温させ、450°Cで30分間保持することで、触媒表面に吸着している水分を除去した。NH3の吸着処理は、Heガスで9.5volに希釈したNH3を反応管に導入して試料に吸着させた。吸着温度は100°Cとした。反応管出口からパルス的に流出する未吸着ガス濃度を定量し、この濃度が一定となった時点で吸着が完了したものと判断した。NH3は、吸着完了後、He気流中で700°Cまで昇温させて昇温脱離し、脱離するNH3量を測定した。反応管出口のNH3濃度は、TCDガスクロマトグラフで測定した。BET法で測定した比表面積を用いると、ZrO2の固体酸量は0.015mol/m2、TiO2の固体酸量は0.012mol/m2であった。このことから、不純物除去材には、少なくとも0.012mol/m2以上の固体酸量が必要であることがわかった。固体酸量が多くなりすぎても、吸着した不純物同士の立体障害から除去性能は制限されると推定している。ZSM-5は、比表面積が大きく固体酸量も多いが、性能は低かった。これは、ZSM-5の耐水熱性の低さが影響していると考えられる。本実施例のような水蒸気が多い雰囲気で使用する場合には、表面の疎水化や、構造的に不安定なSiを含むZSM-5内部の不純物の十分な低減化が必要である。図2は、不純物除去層のZrO2の量を2.7ml3.77gに増やした場合の出口H2濃度の経時変化を示す図である。比較のため、反応ガスにD5を添加せず反応管に再結合触媒のみを充填した場合と、反応ガスにD5を添加して反応管に再結合触媒のみを充填した場合の結果も併せて示した。D5を添加しなかった場合は、出口H2濃度は上昇しなかった。一方、D5を添加して再結合触媒のみの場合では、反応時間とともに出口H2濃度が上昇した。D5を添加し、不純物除去材であるZrO2を不純物除去層に充填した場合では、出口H2濃度は上昇したが、再結合触媒のみの場合と比べて上昇が抑制された。図1に示した場合と図2に示した場合とでは、図2の場合のほうが不純物除去層に充填したZrO2の量が多く、出口H2濃度の上昇が少ない。このことから、ZrO2の充填量を多くすると、出口H2濃度の上昇がさらに抑制されることがわかる。本実施例では、放射性気体廃棄物の処理設備における、不純物除去材の設置例を示す。図3は、放射性気体廃棄物に含まれる水蒸気中の水素と酸素を触媒にて再結合させる再結合器の断面図の例である。再結合器3は、再結合触媒を充填した再結合触媒層2と、不純物除去材を充填した不純物除去層5とを備え、放射性気体廃棄物1が流入する。不純物除去層5は、再結合器3の内部で、再結合触媒層2から見て放射性気体廃棄物1の流れの上流側に設置される。さらに、再結合器3は加熱設備4を備える。加熱設備4には、例えばヒーターを用いる。図3に示した例では、不純物除去層5は、カートリッジ6に充填されており、カートリッジ6は、カートリッジ支え7に保持されている。カートリッジ支え7は、再結合器3の内部に溶接されている。不純物除去層5は、再結合器3の中で温度が100~200°Cとなる部分に設置する。放射性気体廃棄物1の温度は、加熱設備4により、100~200°Cとなるように加熱制御される。加熱された放射性気体廃棄物1により、不純物除去層5の温度は、再結合触媒層2の温度が上昇しても、100~200°Cの範囲内に保つことができる。温度が100°Cより低い部分に不純物除去材を設置すると、水蒸気が凝縮して所定の性能が得られない。また、200°Cを超えると、再結合触媒層2の温度制御が難しくなる。再結合触媒層2の入口温度が200°Cを超えると、再結合反応により触媒内部の温度が上昇し、触媒の劣化を引き起こす。再結合触媒層2にて水素と酸素の再結合反応を効率良く行うためには、不純物除去層5を通過した放射性気体廃棄物1が140~160°Cで再結合触媒層2に流入するのが望ましい。不純物除去材の形状としては、粒状、柱状、ペレット状などに成型して使用することができる。また、セラミックスハニカム表面にコートしてもよく、金属線表面にコートしてもよい。不純物除去層5は、多孔容器であるカートリッジ6に充填することが望ましい。多孔カートリッジ式とすることで、交換時には不純物除去層5のみを再結合器3から取り外すことができる。カートリッジ6は、カートリッジ支え7により保持されているが、再結合触媒層2の上部にカートリッジ支柱を置いて保持するようにしてもよい。図4は、不純物除去材の別の設置例を示す図であり、再結合器と不純物除去層の断面図の例を示している。図4では、不純物除去材は、再結合器の外で、再結合器の前段に設置されている場合を示している。再結合器3の前段には、通常、排ガス予熱器図5参照が配置されるが、排ガス予熱器と再結合器3との間に、不純物除去材を充填した不純物除去層5を設置してもよい。この場合は、再結合器3は、再結合触媒を充填した再結合触媒層2のみを備える。不純物除去層5は、カートリッジ6に充填されている。放射性気体廃棄物1は、不純物除去層5を通り、再結合器3に流入する。不純物除去層5の周囲には、ヒーターなどの加熱設備4が備えられている。加熱設備4により放射性気体廃棄物1を100~200°Cとなるように加熱し、不純物除去層5の温度を100~200°Cの範囲内に保つことができる。例えば、不純物除去層5の温度が低い場合には、加熱設備4で加熱し、所定の温度へ上げることができる。加熱方法としては、燃料を燃やした高温の排ガスを放射性気体廃棄物に混合してもよい。また、図4に示したように、再結合器3の前段に不純物除去層5を設置する構造にすると、不純物除去層5を2つ以上配置することができる。図3に示した構造では、不純物除去層5は、再結合器3の内部に設置されており、設置する数に制限がある。不純物除去層5を2つ以上配置すると、緊急時や材料交換時にも、放射性気体廃棄物処理設備を運転したままで、作業をすることができるという利点がある。本実施例では、実施例1の再結合触媒を取り除き、材料1ZrO2の前後のシロキサン類を分析し、不純物除去材の効果を調べた。具体的には、シロキサンを添加した反応ガスを、不純物除去層を有する反応管に導入し、反応管の出口でのシロキサン類の濃度を測定した。反応管の不純物除去層には、不純物除去材として材料1を充填した。また、不純物除去層を有しない反応管にも同一の反応ガスを流通させ、反応管の入口でのシロキサン類の濃度を測定した。反応ガスには、水0.8ml/minを水蒸気発生装置にて気化させ、空気を7.5ml/min添加して水蒸気を供給した。40ml/minのH2と20.3ml/minのO2とを混合し、さらにヘリウムを2027.5ml/min添加したものを用いた。ヘリウムの一部は、シロキサンの一種であるD5を供給するために用いた。この反応ガスを、不純物除去層に92~289°Cで流入させた。不純物除去材の量は、2.7ml3.76gとした。反応管には、実施例1と同一の位置に材料1を充填した。材料1の高さ位置を合わせるため、再結合触媒層部分にはアルミナウールを充填した。反応管に導入された反応ガスは、不純物除去層を通過し、出口に到達する。再結合触媒層を通過した反応ガス中のH2濃度は、実施例1と同様に測定した。シロキサン類の測定は、氷冷した冷却槽で水蒸気を水に凝縮させた後のガスを採取し、質量分析計にて測定した。シロキサンの一種であるD5は、液体を一定温度で保温し、ヘリウムをバブリングして供給した。図6は、反応ガスにD5を添加して30分後の、材料1不純物除去材の温度とD5減少率を示した図である。D5減少率は、材料1の温度が92°C実施例1の反応ガス温度150°Cに相当では25.0と低いが、180°Cでは86.8、220°Cでは91.8、257°Cでは96.4となり、289°Cでは99.6となることがわかった。シロキサン類の分析と合わせて、メタンCH4の分析も行ったところ、D5減少量の約10倍のCH4が検出され、D5の分解が示唆された。従って、材料1の効果は、吸着したシロキサンを分解することと考えている。"