第1の内面と第1の外面を有する第1の支持基板と、前記第1の内面に対向する第2の内面と第2の外面を有する第2の支持基板と、前記第1の内面と前記第2の内面の間に設けられた複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子とを含み、前記第1の内面に形成された第1の接続電極と前記第2の内面に形成された第2の接続電極とによって前記P型熱電素子と前記N型熱電素子が交互に接続された熱電モジュールにおいて、前記第1の内面と前記第2の内面の間に密閉空間を作るシール材を設け、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子のうちの少なくとも一部が前記密閉空間内に設けられたことを特徴とする熱電モジュール。前記密閉空間内の第1内面に、温度検出素子を設けた請求項1に記載の熱電モジュール。前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子の一部が、前記密閉空間内に配置された請求項1又は2に記載の熱電モジュール。前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子の全てが、前記密閉空間内に配置された請求項1又は2に記載の熱電モジュール。前記シール材は、前記密閉空間内に含まれるP型熱電素子及びN型熱電素子のうち、最も外側に位置するP型熱電素子及びN型熱電素子に接するように設けられた請求項3に記載の熱電モジュール。前記シール材は、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子のうち、最も外周に位置するP型熱電素子及びN型熱電素子に接するように設けられている請求項5に記載の熱電モジュール。前記シール材は、隣り合うP型熱電素子間、N型熱電素子間、又はP型とN型熱電素子間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の熱電モジュール。前記シール材は、最も外側に位置して隣り合うP型熱電素子間、N型熱電素子間、又はP型とN型熱電素子間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項4に記載の熱電モジュール。前記シール材は、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子に接することなく離れて設けられた請求項1乃至4のうちのいずれか1つに記載の熱電モジュール。前記シール材は、前記複数の熱電素子のうち、最も外周に位置する熱電素子より外側に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の熱電モジュール。前記シール材の内側に、前記シール材に接して保護層が形成された請求項9に記載の熱電モジュール。前記シール材は、硬度の異なる2以上のシール材からなる請求項1~11のうちのいずれか1つに記載の熱電モジュール。前記第1及び第2の支持基板は方形であり、対向する2辺に対応して設けられたシール材の硬度が等しく、隣接する2辺に対応して設けられたシール材の硬度が異なっている請求項12に記載の熱電モジュール。前記第1及び第2の支持基板は、略長方形であり、前記第1及び第2の支持基板の長辺に対応して設けられたシール材の硬度が、短辺に対応して設けられたシール材の硬度より低い請求項13に記載の熱電モジュール。前記密閉空間内に、乾燥ガスが封入された請求項1乃至14のうちのいずれか1つに記載の熱電モジュール。前記密閉空間内は、減圧されていることを請求項1乃至15のうちのいずれか1つに記載の熱電モジュール。前記シール材が、硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至16のうちのいずれか1つに記載の熱電モジュール。しかしながら、従来の装置では、温度検出素子が被処理物の温度を測定しており、熱電素子と被処理物の間には距離があるため、吸発熱部から温度検出素子に温度が伝わるまで時間差が生じていた。さらに、冷蔵庫などは空気が被処理物であるため、空気の温度伝達が遅く、時間差が大きくなっていた。そのため、熱電モジュールに取り付けられた熱交換器に流れる水や空気が停止した場合には、熱電素子の発熱によりモジュール全体の温度が急激に上昇してしまい、熱電素子が酸化したり、熱電素子と支持基板を接合している半田が溶融することがあった。このため、熱電モジュールの冷却性能が劣化したり、熱電素子が支持基板から外れて断線してしまうという問題があった。かかる場合、被処理物の温度を上昇してしまい、被処理物の性能を劣化させたり、被処理物に接続しているはんだや樹脂などにダメージを与えるという問題があった。また、従来の熱電モジュールでは、熱電素子及びそれを接続する電極部分が結露した場合、電流リークが生じて破壊されることがあるという問題があった。そこで、本発明は、耐久性の優れた熱電モジュールを提供することを目的とする。本発明に係る熱電モジュールは、第1の内面と第1の外面を有する第1の支持基板と、前記第1の内面に対向する第2の内面と第2の外面を有する第2の支持基板と、前記第1の内面と前記第2の内面の間に設けられた複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子とを含み、前記第1の内面に形成された第1の接続電極と前記第2の内面に形成された第2の接続電極とによって前記P型熱電素子と前記N型熱電素子が交互に接続された熱電モジュールにおいて、前記第1の内面と前記第2の内面の間に密閉空間を作るシール材を設け、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子のうちの少なくとも一部が前記密閉空間内に設けられたことを特徴とする。前記熱電モジュールにおいて、前記密閉空間内の第1内面に温度検出素子を設けることが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子の一部が前記密閉空間内に配置されていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子の全てが、前記密閉空間内に配置されていることが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、前記密閉空間内に含まれるP型熱電素子及びN型熱電素子のうち、最も外側に位置するP型熱電素子及びN型熱電素子に接するように設けられていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子のうち、最も外周に位置するP型熱電素子及びN型熱電素子に接するように設けられていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、隣り合うP型熱電素子間、N型熱電素子間、又はP型とN型熱電素子間を埋めるように形成されていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、最も外側に位置して隣り合うP型熱電素子間、N型熱電素子間、又はP型とN型熱電素子間を埋めるように形成されていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、前記複数のP型熱電素子及び複数のN型熱電素子に接することなく離れて設けられていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は、前記複数の熱電素子のうち、最も外周に位置する熱電素子より外側に形成されていてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材の内側に、前記シール材に接して保護層が形成されていることが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材として、硬度の異なる2以上のシール材を用いてもよい。前記熱電モジュールにおいて、前記第1及び第2の支持基板は方形である場合には、対向する2辺に対応して設けられたシール材の硬度が等しく、隣接する2辺に対応して設けられたシール材の硬度が異なっていることが好ましい。前記第1及び第2の支持基板が略長方形である熱電モジュールにおいて、前記第1及び第2の支持基板の長辺に対応して設けられたシール材の硬度が、短辺に対応して設けられたシール材の硬度より低いことが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記密閉空間内に、乾燥ガスが封入されていることが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記密閉空間内は減圧されていることが好ましい。前記熱電モジュールにおいて、前記シール材は硬化性樹脂からなっていてもよい。本発明に係る熱電モジュールでは、熱電素子及びそれを接続する電極部分の結露を防止でき、熱電モジュールの劣化や故障を防ぐことができる。以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態の熱電モジュールについて説明する。尚、本明細書において、N型熱電素子11とP型熱電素子21を区別しないでいうときには、単に熱電素子という。また、第1の支持基板13と第2の支持基板23とを特に区別しないでいうときには、単に、支持基板という。実施の形態1実施の形態1の熱電モジュールは、複数の熱電素子と、熱電素子を電気的に連結する電極を備えた支持基板とを有してなり、複数の熱電素子と温度検出素子とを支持基板に取り付けたものである。すなわち、実施の形態1の熱電モジュールの基本構造は、図1に示すように、第1の支持基板13と第2の支持基板23の間に、N型熱電素子11とP型熱電素子21とが交互に配列されており、第1の支持基板13の内面に形成された第1の接続電極12と第2の支持基板23の内面に形成された第2の接続電極22によって隣接するN型熱電素子11とP型熱電素子21間が接続されている。そして、図1に示すように、第1の支持基板13の内面に温度検出素子14を設け、熱電モジュールにおけるN型熱電素子11又はP型熱電素子21の近傍の異常な温度変化を速やかに検出することができるようにしたことにより、熱電モジュールの劣化や故障を防ぐことができる。尚、図1は、実施の形態1の基本構成を示す断面図であり、15の符号を付して示す部分は、被処理物であり、16の符号を付して示す部分は熱交換器である。また、10の符号を付して示す部分は、2つの第1と第2の支持基板とN型熱電素子11とP型熱電素子21からなる吸発熱部である。本発明に係る実施の形態1の熱電モジュールでは、対向するように設けられた第1の支持基板13と、第2の支持基板23の間に、N型熱電素子13とP型熱電素子23が隣接して配置されるように、複数のN型熱電素子11及び複数のP型熱電素子21が所定の配列で配置されている。そして、図2等に示すように、第1の支持基板13の内面に形成された第1の接続電極12によって隣接するP型熱電素子21とN型熱電素子11が接続され、第2の支持基板23の内面に形成された第2の接続電極22によって隣接するN型熱電素子11とP型熱電素子21が接続される。このようにして、実施の形態1の熱電モジュールでは、N型熱電素子11とP型熱電素子21が交互に接続された直列回路N型熱電素子11―第2の接続電極22―P型熱電素子21―第1の接続電極12―N型熱電素子11―第2の接続電極22―P型熱電素子21―第1の接続電極が第1の支持基板13と第2の支持基板23の間に構成される。ここで、熱電素子と接続電極は、例えば、はんだで接合されている。支持基板として対向して配置した第1と第2の支持基板13、23を用いているので、上下のどちらの支持基板にでも温度検出素子14を取り付けることが可能になり、汎用性が広がる。さらには、熱交換器16及び被処理物の取り付けが容易になるため、性能の信頼性が向上させることができるようになる。以上のように構成された直列回路に電流を流すと、第1の接続電極12及び第2の接続電極22の一方は、N型熱電素子11からP型熱電素子21に電流が流れて冷却側となり、他方は、P型熱電素子21からN型熱電素子11に電流が流れて発熱側となる。そして、実施の形態1の熱電モジュールでは、図2及び図3に示すように、第1の支持基板13の内面において、第1の接続電極12に近接して、配線パターン17を形成して、温度検出素子14を設けている。これにより、第1の支持基板13の内面における温度変化が速やかに温度検出素子14に伝達され、第1の支持基板13の内面の異常な吸熱又は発熱現象が発生するとすぐに温度検出素子14によって検出される。尚、実施の形態1の熱電モジュールでは、温度検出素子14及び配線パターン17を被覆材19で覆って保護している。以下、本実施の形態1の各構成要素について詳細に説明する。<熱電素子>本実施の形態1において、上述したように、第1の支持基板と第2の支持基板の間にP型熱電素子とN型熱電素子が交互に配置されている。熱電素子は、支持基板上において縦横に規則的に配列されていることが好ましい。例えば、第1の支持基板13の上面から透視した平面図である図2等に示すように、碁盤の目状に、P型熱電素子とN型熱電素子が交互に配置された縦の列および横の列がそれぞれ構成される。<支持基板>支持基板は、図1に示すように、対向して配置された一対の第1の支持基板13と第2の支持基板23で構成することが好ましいが、ひとつの支持基板で構成してもよく、その場合その1つの支持基板の接続電極を形成した面に温度検出素子を配置する。ひとつの支持基板とした場合、支持基板の反対側の熱電素子間は、銅チップ等を用いて接続する。前記支持基板として、対向して配置された一対の支持基板を用いると、両方の支持基板に温度検出素子を設けることもでき、これにより、吸熱側及び発熱側に両方で異常な温度変化を検出できる。また、一対の支持基板を用いると、被処理物や熱交換器を固定するための、はんだやグリースがたれ込むことを防止することができる。一対の支持基板を用いると、上述したように、一方が、通電時に低温となり、他方が通電時に高温となる。通電時に低温となる方の支持基板に前記温度検出素子が取り付けられることにより、熱電素子近傍の温度をコントロールできるので、被処理物温度のオーバーシュートを抑えることができ、被処理物の耐久性が向上できると共に熱電モジュールの負荷を軽減できるために熱電モジュールの耐久性を向上させることができる。また、逆に、通電時に高温となる方の支持基板に前記温度検出素子が取り付けられることにより、温度検出素子および該素子からの導電線の部分及びその周りの雰囲気が乾燥して結露し難くなるので短絡しにくくなり、配線部分の耐久性を向上させることができる。これにより、熱電モジュールの温度検出の信頼性を向上させることが可能になる。また、熱電モジュールが熱交換器を有している場合、熱交換器の水や空気が止まり、熱電モジュールが発熱してしまった場合、熱交換器が止まったことをすぐに検知できる。これにより、熱電モジュールの耐久性を上げることも可能である。一対の支持基板面において、温度検出素子を取り付ける位置は、支持基板の裏面であってもよいが、このようにすると、熱交換器や被処理物を設置する際の接触が少なくなり、温度検出素子14の性能低下が生じる。したがって、本発明では、対向する内面の少なくとも一方に温度検出素子が取り付けられていることが好ましく、これにより、組み立ての歩留まりを向上させることもできる。なお、内面とは、熱電素子が配置された支持基板の面のことをいい、裏面とは、熱電素子が配置されていない支持基板の面のことをいう。支持基板の裏面に銅などのはんだに濡れる金属を配置すると、熱交換器16や被処理物15を支持基板にはんだ付けすることが可能になる。支持基板として、例えば、アルミナや窒化アルミなどのセラミック、エポキシポリイミドなどの樹脂基板、またエポキシポリイミドの樹脂にセラミックのフィラーを入れて熱伝導を向上させたものなどを用いることができる。支持基板の周縁部は、図4及び図5に示すように、シール材28によって塞がれていることが好ましい。そうすることで、熱電モジュール回路の結露を防止でき、その結果、熱電モジュールの電流のリークによる被処理物の破壊や漏電を防止することができる。シール材28を設ける部分は、支持基板の周縁部に限られるものではなく、基板の外周であってもよい。シール材28として、低硬度の接着剤を用いることが好ましく、例えば、硬度が軟らかく弾性を有するシリコーン接着剤がより好ましい。シール材28として低硬度の接着剤を用いると、高温側の支持基板と低温側の支持基板の間で発生する熱応力を緩和することができる。シール材28の塗布方法として、例えば、ディスペンサーなどを使用して適量の接着剤を塗布して側面をシールする方法があげられる。シール材28として、少なくとも硬度の異なる2種類以上のシール材を用いることが好ましい。このような少なくとも硬度の異なる2種類以上からなるシール材としては、低硬度のシール材と高硬度のシール材とからなることがより好ましい。ここで、低硬度のシール材としては、シリコーン系材料を主成分とするものが挙げられ、高硬度のシール材としては、エポキシ系材料を主成分とするものが挙げられる。シール材をつける位置として、組み立て時にぶつけて破損し易かったり、熱電モジュールに給電するリード線をつける作業性を考慮して周縁部につけることが好ましい。上下の基板の端面を組み立て時にぶつけたりすると外周部のペルチェ素子が破損するおそれがあり、外周部につけることで、基板の強度を高めることができる。またペルチェモジュールに給電用のリード線を設ける際に外周に設ける方が製造しやすい。外周に設ける際には、はんだごてが接触したり、はんだごての熱によりペルチェ素子に応力が発生するので、シール材をつけることで、強度を高めて応力による割れを防止することができる。また、ペルチェは片面が冷却、片面が加熱されるため、熱膨張差により、基板を湾曲させるように熱応力が発生する。その熱応力による力は外周が最大となるが、支持基板に対して垂直に高硬度なシール材を設けて第1の支持基板と第2の支持基板とを外周部で連結すると、その外周部が固定された状態で変形しようとするために、素子が多く強度の強い基板中央部に最大応力箇所を移行して熱応力による力を分散させることができる。前記周縁部をシール材28により塞いだ支持基板間には、乾燥ガスが封入されていることが好ましい。そうすることにより、低い温度で使用するときでも、結露を防止できるようになるため温度検出の信頼性を向上できる。また、前記周縁部をシール材28により塞いだ支持基板間は、減圧されていることが好ましい。そうすることにより、真空断熱により、上下基板の温度対流を遮断できるため、熱電モジュールの冷却性能向上と長期信頼性が確保できる。周縁部のシール材28は、図5に示すように熱電素子から離れて形成されていてもよいし、図6に示すように、熱電素子に接して形成されていてもよい。シール材28が熱電素子から離れて形成されている場合、ペルチェ素子からシール材への熱引けを抑えることができるため、冷却性能低下及び精度低下を抑えることができる。また、熱電素子に接して形成されている場合、シール部の強度を向上させることができるため、シール内外の気圧差によるシール部の破損を抑えることができる。<温度検出素子>温度検出素子としては、熱電対や抵抗測温体、サーミスタやサーモスイッチなどあげられるが、その中でもサーミスタは、温度により電気抵抗が変化する素子で配線等がないため取り扱いやすく、さらに、小型で熱容量も小さくできるため、吸熱量の小さい熱電モジュールで使っても、吸発熱性能に影響を与えることがない。したがって、温度検出素子としてサーミスタが最も好ましい。図面において温度検出素子は1つしか描かれていないが、温度検出素子は、支持基板の内面に複数取り付けられていることが好ましい。そうすることにより、平均的な温度を測定できるようになる。また、温度検出素子は、とくに、同じ支持基板において複数取り付けられていることが好ましい。そうすることにより、1つの温度検出素子が故障しても他の温度検出素子により正常に温度検出が可能になる。複数の熱電素子が支持基板に縦横に規則的に配列されている場合、温度検出素子14は、図7に示すように、少なくとも2つの熱電素子に隣り合うように配置されることが好ましい。そのように配置されることで、より熱電素子に近い位置で温度を検出することができ、より速やかに異常な温度変化を検出でき、また、周縁部の熱電素子によって風の流れなどの雰囲気の影響を受け難くなるので、常に正確な温度測定が可能とできるようになる。ここで、温度検出素子が少なくとも2つの熱電素子に隣り合うように配置されるとは、温度検出素子が熱電素子と熱電素子の間に挟まれて配置されること、また、支持基板上における複数の熱電素子による縦横の規則的な配列のうち、該配列の隅角に温度検出素子が配置されることをいう。また、複数の熱電素子が支持基板に縦横に規則的に配列されている場合、温度検出素子は、図7に示すように、少なくとも三方が熱電素子により囲まれた位置に配置されることがより好ましく、よりいっそう好ましくは、4に示すように四方が熱電素子により囲まれた位置に配置する。このように、温度検出素子を熱電素子により囲まれた位置に配置されることにより、雰囲気の影響が更に小さくでき、更に正確な温度測定が可能になる。図7に示す具体例では、熱電素子の配置に対応して規則的マトリクス状に形成された第1の接続電極21のうち、最も外側にある1つの第1の接続電極21を形成しないようにして、その位置に温度検出素子14を設けるようにしている。この際、温度検出素子14の両側に位置するN型熱電素子11とP型熱電素子21は、第2の支持基板に形成された接続電極22aによって接続される。図8に示す具体例では、熱電素子の配置に対応して規則的マトリクス状に形成された第1の接続電極21のうち、最も外側を除く内側にある1つの第1の接続電極21を形成しないようにして、その位置に温度検出素子14を設けている。この際、温度検出素子14の両側に位置するN型熱電素子11とP型熱電素子21は、第2の支持基板に形成された接続電極22bによって接続される。ここで、図7及び図8では、シール材28を形成した構成において、温度検出素子14を三方又は四方を熱電素子により囲まれた位置に配置した例を示しているが、本発明はこれに限られるものではなく、シール材28を備えていない構成において、温度検出素子14を三方又は四方を熱電素子に囲まれた位置に配置しても同様の効果が得られる。尚、シール材28を形成した構成において温度検出素子14を三方又は四方を熱電素子に囲まれた位置でかつシール材28の内部に配置すると、図7及び図8に示すように、温度検出素子14を被覆材よって覆うことなく、温度検出素子14を保護することができる。このように、図7や図8のように、温度検出素子を熱電素子により囲まれた位置に配置し、さらに、支持基板の周縁部をシール材により塞ぐことにより、熱電モジュールの電極及び熱電素子の結露を防止できて熱電モジュールの電流のリークを防止すると同時に結露による温度検出素子及び配線パターンのショートを防ぐことが可能になるので温度検出の信頼性も向上させることができる。<配線パターン>配線パターン17は、図2~4のように温度検出素子に接続されるものである。配線パターン17は、支持基板の表面に形成されていることが好ましい。支持基板表面に熱電素子の電極を形成するエッチング工程で、前記配線パターンを同時に形成することにより工程を簡略化でき、温度検出素子の取り付けを非常に容易にすることが可能となる。例えば、図2において、温度検出素子14は、第1の支持基板13の内面に形成された配線パターン17上の温度検出素子配置部にはんだや導電性接着剤で接続される。温度検出素子14の末端部分には電気給電部があり、この電気給電部にリード線が接合されるが、このようにリード線と温度検出素子14の位置を離すことにより、リード線を介する熱引けが小さくなり、測温のばらつきを小さくすることができる。図2及び図3に示すように、シール材28の外側にある温度検出素子14及び配線パターン17は、絶縁性および耐湿性を有する被覆材19により被覆されていることが好ましい。絶縁性および耐湿性を有する被覆材料として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、アクリル樹脂等があげられる。絶縁性および耐湿性を有する材料による被覆は、図2に示すように、配線パターンのうち支持基板から露出している箇所を覆うことをいう。また、温度検出素子がサーミスタやサーモスイッチなどの場合は支持基板に配置された配線パターンと温度検出素子とを電気的な接続する必要がある。その電気接続部には、はんだや導電性接着剤を用いることができる。その接続部分も配線パターン及び温度検出素子を被覆材19で被覆する際に同時に被覆する。例えば、図1の場合には、電気接続部は温度検出素子14と支持基板3との界面にある。被覆材により配線パターンが被覆されることにより、結露による温度検出素子24及び配線パターンのショートを防ぐことができ、温度検出差素子14の正しい抵抗値が検出できるので、正確な温度を検出できる。結露すると正しく温度測定ができなくなるのは、温度検出素子24及び配線パターンに結露による水が付着するとサーミスタなどの抵抗を正しく測定できないなるためである。被覆材料による配線パターンの被覆方法として、温度検出素子24を接続した後に接着性を有する樹脂をディスペンサーなどで塗布して樹脂を硬化させること方法などがあげられる。前記被覆は、配線パターンのみならず、温度検出素子に対してもおこなうことが好ましい。本発明の熱電モジュールは、前記熱電素子、支持基板、温度検出素子および配線パターンのほかに、一対の支持基板のうちの少なくとも一方の外面に、流体を所定方向に流すことにより熱交換を行う熱交換器が取り付けられていることが好ましい。図1には、吸発熱部10の第2の支持基板23の外面に、熱交換器16を設けた例を示している。また、本発明において、温度検出素子14は、流体の出口側に取り付けられていることが好ましい。熱電素子の異常発熱は流体の温度にも現れるため、このように、出口側に温度検出素子14を取り付けると、温度検知精度を向上させることができる。例えば、熱電モジュールの片側又は両側に熱交換フィンを取り付け、側面より空気を流して空気を冷却するシステムにおいて、支持基板の流体の出口側に対応する位置に温度検出素子を取り付けることで冷却した空気の温度検知精度を向上させることができる。<熱交換器>本発明の好ましい例では、前記一対の支持基板のうちの少なくとも一方の外面側には、例えば、冷媒となる流体が流れる流路を有し、流体を所定方向に流して熱交換を行うための熱交換器が取り付けられている。このように、熱交換器は、一対の支持基板のうちの少なくとも一方に具えられるものであり、水や空気などの媒体で熱電モジュールの発熱分を放熱して熱電モジュールの片方の支持基板13温度を一定に保つはたらきをする。この熱交換器としては、銅やアルミなどの高熱伝導の金属の中に流路を設けて、そこへ水などの冷媒を流して放熱するものと、銅やアルミなどの高熱伝導の金属を蛇腹のように折り曲げたり、複雑なリブを設けて、そこへ空気などの気体を吹き付けて放熱させるものがある。一対の支持基板のうちの一方に熱交換器が設けられた場合、図1に示すように、他方の支持基板に、冷却又は温度コントロールされるべき被処理物15が設けられる。また、図9に示すように、本発明では、一対の支持基板の両側に熱交換器を設けることもできる。具体的には、熱電モジュールの両側に熱交換器として、例えば、波形のフィンを取り付け、側面から空気を流しつつ熱電モジュールに通電すると片面に冷たい風、片面に暖かい風が発生する。この冷たい風を利用して冷却するシステムにおいて、支持基板53の流体の出口側に温度検出素子14を取り付けると、冷却された風の温度を正確に測定できるので、風の温度コントロールが容易になる。また、熱電素子により外部環境の影響をうけにくくなるので、外気温の影響を受けることなく、冷却した空気のみに基づく温度を検知できる。以上のように、実施の形態1の熱電モジュールは、少なくとも一方の支持基板の熱電素子が取り付けられる面に、温度検出素子14を取り付けて、熱電素子の異常発熱や異常吸熱を速やかに検出して異常に対処できるようにして、耐久性を向上させている。しかしながら、本発明では、以下の実施の形態で説明するようにして耐久性を向上させるようにしてもよい。実施の形態2本発明に係る実施の形態2の熱電モジュールは、図10に示すように、温度検出素子を取り付けることなく、支持基板の周りをシール材28によって塞ぐことにより耐久性を高めたものである。すなわち、図10に示す熱電モジュールでは、支持基板の周りをシール材28によって塞ぐことにより熱電モジュール回路の結露を防止して、熱電モジュールの電流のリークによる破壊や漏電を防止することができる。尚、本発明では、シール材28を設ける部分は、支持基板の周縁部に限られるものではなく、基板の外周であってもよいし、詳細後述するように、熱電素子の一部を密封するように形成してもよい。シール材28として、低硬度の接着剤を用いることが好ましく、例えば、硬度が軟らく弾性を有するシリコーン接着剤がより好ましい。シール材28として低硬度の接着剤を用いると、高温側の支持基板と低温側の支持基板の間で発生する熱応力を緩和することができる。シール材28の塗布方法として、例えば、ディスペンサーなどを使用して適量の接着剤を塗布して側面をシールする方法があげられる。シール材28として、少なくとも硬度の異なる2種類以上のシール材を用いることが好ましい。この硬度の異なる2種類以上からなるシール材としては、低硬度のシール材と高硬度のシール材とからなることがより好ましい。ここで、低硬度のシール材としては、シリコーン系材料を主成分とするものが挙げられ、高硬度のシール材としては、エポキシ系材料を主成分とするものが挙げられる。なお、上記硬度は、シヨア硬度を指すものであり、JISK6253に基づいてデュロメータ硬さ試験機を用いて、所定形状の押針を一定荷重によるバネの力で樹脂に押し付けた時の押針の押込み深さから算出する。本実施の形態2において、周縁部をシール材28により塞いだ支持基板間の密閉空間には、乾燥ガスが封入されていることが好ましい。そうすることにより、低い温度で使用するときでも、結露を防止できるようになるため温度検出の信頼性を向上できる。また、シール材28により塞いだ支持基板間の密閉空間は、減圧されていることが好ましい。そうすることにより、真空断熱により、上下基板の温度対流を遮断できるため、熱電モジュールの冷却性能向上と長期信頼性が確保できる。周縁部のシール材28は、図11に示すように熱電素子から離れて形成されていてもよいし、熱電素子に接して形成されていてもよい。また、本発明では、図12に示すように、シール材28の内側にシール材を保護する保護層29を形成することが好ましい。これにより、シール材と素子との接触を抑えることにより素子から熱引けの精度劣化を抑えることができる。また、保護層によりシール材の強度が向上するため、シール内外の気圧差によるシール部の破損を抑えることができる。また、本発明では、複数のP型熱電素子と複数のN型熱電素子の一部が、シール材28によって構成された密閉空間内に配置されるようにしてもよい。図13には、その一例として、最も外側に設けられた熱電素子を除いた内側の熱電素子が、密閉空間内に配置されるようにシール材28を設けている。このようにすると、温度検出したい場所を素子の中央部に限定したい場合に有効となる。特に、温度検出素子を中に含んでいる場合はサーミスタ等の素子を重点的に抑えて、シール材への熱引けを最小限にすることができる。尚、図13に示す例では、図14図13におけるE-E’線についての断面図に示すように、シール材28を熱電素子に接することがないように設けているが、本発明はこれに限られるものではなく、シール材28を熱電素子に接するように設けてもよい。その際、シール材28は内側にある熱電素子に接するように形成してもよいし、外側の熱電素子に接するように形成してもよい。さらに、シール材28は内側にある熱電素子と外側にある熱電素子の両方に接するように形成してもよい。また、本発明では、図15に示すように、シール材28の内側及び/又は外側に、保護層29を形成するようにしてもよい。さらに、本発明の熱電モジュールにおいて、シール材28は、隣り合うP型熱電素子間、N型熱電素子間、又はP型とN型熱電素子間を埋めるように形成されていてもよい。図16及び図16の断面図である図17には、その一例として、最も外側に位置して隣り合うP型とN型熱電素子間を埋めるようにシール材28を形成した熱電モジュールを示している。また、図18及び図18の断面図である図19には、他の例として、内側の熱電素子間P型とN型熱電素子間を埋めるようにシール材28を形成した熱電モジュールを示している。尚、図18に示す熱電モジュールでは、外側から2番目に位置して隣り合うP型とN型熱電素子間を埋めるようにシール材28を形成しているが、さらに内側ある熱電素子間にシール材28を形成するようにしてもよい。また、図16又は図18に示す熱電素子において、シール材28として、硬度の異なる2以上のシール材を用いても良い。さらに、図16又は図18に示す熱電モジュールにおいて、シール材28として、支持基板の辺に対応して硬度が異なる樹脂を用いてもよい。また、第1及び第2の支持基板が略長方形である熱電モジュールでは、第1及び第2の支持基板の長辺に対応して設けられたシール材の硬度が、短辺に対応して設けられたシール材の硬度より低いことが好ましい。さらに、図16又は図18に示す熱電モジュールにおいても、密閉空間内に乾燥ガスが封入されるか、または密閉空間内が減圧されていることが好ましい。実施例にもとづいて本発明を説明するが、本発明は該実施例に限定されるものではない。以下に、実施例において使用したNo.1~10の支持基板についての説明を行う。No.1~10の支持基板No.1の支持基板は従来例であり、高温側及び低温側の支持基板の主面には熱電モジュールの電極のみが設けられている。No.2の支持基板において、高温側となる第1の支持基板13の主面内面には、熱電モジュールの第1の接続電極12、その電極の1つに近接するサーミスタ配置部図2等参照、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられており、低温側の第2の支持基板23の主面内面には熱電モジュールの第2の接続電極22が設けられている。No.3の支持基板において、高温側となる第2の支持基板23の主面内面には、熱電モジュールの第2の接続電極22が設けられており、低温側となる第1の支持基板13の主面内面には、熱電モジュールの第1の接続電極12、第1の接続電極12の1つに近接するサーミスタ配置部図2参照、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.4の支持基板において、高温側となる第2の支持基板の主面には、熱電モジュールの電極が設けられており、低温側となる第1の支持基板の主面には、熱電モジュールの電極が設けられ、支持基板の裏面には、サーミスタ配置部及びサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.5の支持基板において、高温側となる第1の支持基板13の主面内面には、熱電モジュールの第1の接続電極12、その第1の接続電極12の1つと近接するサーミスタ配置部図2参照、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられており、低温側となる第2の支持基板の主面内面にも熱電モジュールの第2の接続電極22、その第2の接続電極のうちの1つに近接するサーミスタ配置部、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.6の支持基板において、高温側となる第2の支持基板23の主面には、熱電モジュールの第2の接続電極が設けられており、低温側となる第1の支持基板13の主面には、熱電モジュールの第1の接続電極、およびその第1の接続電極のうちの1つに近接するサーミスタ配置部が設けられている。No.7の支持基板において、高温側となる第2の支持基板23の主面には、熱電モジュールの第2の接続電極22が設けられており、低温側となる第1の支持基板13の主面には、熱電モジュールの第1の接続電極、およびその第1の接続電極のうちの1つに近接する熱電対配置部が設けられている。No.8の支持基板において、高温側となる第2の支持基板23の主面には、熱電モジュールの第2の接続電極22が設けられており、低温側となる第1の支持基板13の主面には、熱電モジュールの第1の接続電極12、その第1の接続電極のうちの2つに近接するサーミスタ配置部、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.9の支持基板において、高温側となる第2の支持基板23の主面には、熱電モジュールの第2の接続電極が設けられており、低温側の第1となる支持基板の主面には、熱電モジュールの第1の接続電極、その第1の接続電極のうちの3つに近接するサーミスタ配置部図7参照、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.10の支持基板において、高温側となる第2の支持基板の主面には、熱電モジュールの第2の接続電極が設けられており、低温側となる第1の支持基板の主面には、熱電モジュールの第1の接続電極、その第1の接続電極のうちの4つに近接するサーミスタ配置部図8参照、およびサーミスタ配置部に連結する配線パターンが設けられている。No.1~10の熱電モジュールの作製上記したNo.1~10の支持基板を用いて、No.1~10の熱電モジュールを作製した。まず、一度溶融させて固化したBi、TeおよびSeからなるN型の熱電材料、ならびに、Bi、SbおよびTeからなるP型の熱電材料を、ブリッジマン法により一方向に凝固させ、断面が一辺1.6mm正方形の棒状のN型熱電材料及びP型熱電材料を準備した。それらの側面に、メッキが付着することを防止するレジストをコーティングしたのち、ワイヤーソーにて1.4mm幅で切断し、N型熱電素子及びP型熱電素子を得た。得られたN型熱電素子及びP型熱電素子に電解メッキで切断面のみにニッケル層を形成し、その上にAu層を配設し、レジストを溶解液で剥離してN型熱電素子及びP型熱電素子を得た。高温側支持基板と低温側支持基板の電極及びサーミスタの配置部に、メタルマスクを用いて95Sn-5Sbの半田ペーストを塗布した。この半田ペースト上に、N型熱電素子及びP型熱電素子が電気的に直列になるようにパーツフィーダーを使用して各熱電素子を配設した。また、サーミスタ配置部にはパーツフィーダーを使用してサーミスタを配置した。上記のように配列させたN型熱電素子とP型熱電素子を2枚の支持基板で挟み込むようにし、上下面に圧力をかけながらリフロー炉で加熱処理した。この熱電素子と支持基板が接合されたモジュールを洗浄液に浸積して熱電素子及び支持基板に付着しているはんだペーストに含まれていたフラックスを洗浄した。その後、熱電素子の周縁部全面に対して、シリコーン樹脂によるシールを行い、熱電モジュールに電流を流すためのリード線及びサーミスタと電気的な接続をとるためのリード線を取り付け、No.1~10の熱電モジュールを作製した。なお、No.1~10の熱電モジュールにおいて、温度検出素子は直方体状のものを用いた。上記モジュールを用いて以下の手順にしたがってテスト1および2を行った。テスト1まず、評価ケースの中に熱交換器を配置して、両面に熱伝導グリースを塗布した熱電モジュールを準備し、その熱電モジュールの高温側の支持基板に、熱伝導グリースを用いて熱交換器を取り付けた。また、低温側の支持基板に、熱伝導グリースを用いて、被処理物として熱電モジュールと同じ大きさで厚みが5mmのアルミ製の金属ブロックを配置した。前記熱交換器は内部に水が流れる流路が設けてあり、その流路に25°Cの水を流すことによって熱電モジュールの高温側の支持基板を一定温度に維持するものである。上記評価ケースを閉じて窒素ガスをフローして評価ケース内が結露しない環境にして、熱電モジュールのImaxの電流を流して、被処理物の冷却を行った。なお、従来例であるNo.1では、被処理物の上にサーミスタを接着剤で固定し、そのサーミスタの温度を測定し、No.2~10では、支持基板に取り付けたサーミスタや熱電対の温度検出素子で支持基板の温度を測定した。これらの温度検出素子で測定した温度が、Imaxを流して冷却していた温度より30°C高くなった場合に熱電モジュールの電流が遮断されるように安全回路を設定しておき、熱電モジュールが取り付けられている熱交換器の水を遮断した時に安全回路で熱電モジュールの電流を遮断するテストを行った。そして、熱電モジュールの初期抵抗値を測定しておき、上記テストを10回繰り返した後の熱電モジュールの抵抗値を測定してそのテスト前後の抵抗変化率を求めた。抵抗変化率の合格の上限を0.5以内と設定して、本発明の熱電モジュールの有効性を確認した。試料は各5個使用して結果はそれらの平均値で評価を行った。表1のテスト1での抵抗変化率に結果を示す。テスト2テスト2として、テスト1と同じくNo.1~10のモジュールをもちいて評価ケースの中に熱交換器を配置して、両面に熱伝導グリースを塗布した熱電モジュールを準備し、その熱電モジュールの高温側の支持基板を熱交換器に熱伝導グリースを用いて取り付け、低温側の支持基板側に被処理物として、熱電モジュールと同じ大きさで厚みが5mmのアルミ製の金属ブロックを、熱伝導グリースを用いて配置した。その被処理物の上にサーミスタを接着剤で固定して被処理物の温度を測定できるようにした。この熱交換器は内部に水が流れる流路が設けてあり、その流路に25°Cの水を流すことによって熱電モジュールの高温側の支持基板を一定温度に保つようになっている。上記評価ケースを閉じて窒素ガスをフローして評価ケース内が結露しない環境にして、被処理物の温度が-30°Cになるように被処理物側に設けたサーミスタの温度で熱電モジュールの制御を行い、-30°Cを約1分間キープして、1分間電流をOFFする通電試験を10000サイクル行った。支持基板側に温度検出素子を設けた本発明品は被処理物の温度を検出すると同時に基板側に配置した温度検出素子の温度も電源にフィードバックさせて、被処理物の温度のオーバーシュートをできるだけ少なくなるような制御を行った。熱電モジュールの初期抵抗値を測定しておき、上記テストを10000サイクル行った後の熱電モジュールの抵抗値を測定してそのテスト前後の抵抗変化率を求めた。抵抗変化率の合格の上限を0.6以内と設定して、本発明の熱電モジュールの有効性を確認した。試料は各5個使用して結果はその平均値で評価を行った。表1のテスト2での抵抗変化率に結果を示す。また、上記評価で設定値-30°Cのオーバーシュート分を測定ばらつきとして、基板に設けた温度検出素子の温度検出精度を比較した。結果は表1のテスト2での測定温度の測温ばらつきに示す。テスト1および2の試験結果表1において、被処理物に温度検出素子を設けた従来例のNo.1の抵抗変化率テスト1は20と大きいものであるのに対して、支持基板の内面に温度検出素子を配置した本発明品の試料であるNo.2、3、5~10の抵抗変化率テスト1は0.5以下と良好なものであった。これは、本発明の温度検出素子の温度検知速度が速いためであると推測される。また、同様に表1において、No.1の抵抗変化率テスト2は10と大きいものであるのに対して、支持基板の内面に温度検出素子を配置した本発明品の試料であるNo.2、3、5~10テスト2は0.6以下と良好であった。これは、支持基板に配置している温度検出素子からの温度を熱電モジュールの制御にフィードバックさせることにより、設定温度を越えるオーバーシュートが小さくなるため、熱電モジュールの負荷が小さくなるためであると推測される。支持基板の裏面にサーミスタを配置したNo.4と主面に配置したNo.3とを比較すると、主面に配置したNo.3の方がテスト1及びテスト2の抵抗変化率において小さくなっている。これは裏面にサーミスタを配置したNo.4の熱電モジュールの中に、被処理物との組み付け時の接触によりサーミスタが少し破損したものが含まれており、5個の試料の中の結果がばらついていたため、平均の抵抗変化率が悪くなっていたものと推測される。それに対して主面にサーミスタを付けたものはサーミスタに全く破損がなかったため、全てが正常に機能していた。その結果、5個の試料のほとんどが0.2前後であり良好な結果を示していた。高温側の支持基板の主面にサーミスタを配置したNo.2と低温側の支持基板の主面に配置したNo.3を比較すると、テスト2において、低温側に配置したNo.3の方が、小さな抵抗変化率を示すものであった。これは被処理物を急激に冷やす際に被処理物の手前の温度を測定して熱電モジュールの電源にフィードバックをかけるため、熱電モジュールに対する負荷が小さくなるため、抵抗変化率が小さくなっていると思われる。しかし、テスト1においては、高温側にサーミスタを配置したNo.2の方が、わずかに小さな抵抗変化率を示しており、これは熱交換器に近いため、温度検知速度が最も早かったためと考えられる。両側の支持基板にサーミスタを設けたNo.5では、テスト1の抵抗変化率もテスト2の抵抗変化率も小さい結果となっている。熱電素子と1面近接するサーミスタ配置部のNo.3、熱電素子と2面近接するサーミスタ配置部のNo.8、熱電素子と3面近接するサーミスタ配置部のNo.9、および熱電素子と4面近接するサーミスタ配置部のNo.10を比較すると、熱電素子と近接する面が増加するにしたがい、テスト2の抵抗変化率が小さくなっている。これは測温ばらつきの結果と一致しており、これにより熱電素子に囲まれている面が多い方が周縁部の温度の影響を受けないため、温度検出精度が向上する。なお、前記のように熱電子素子と温度検出素子とが1面で近接するとは直方体の4つの側面のうちの1側面と向かい合っていることをいい、熱電子素子と温度検出素子とが2面で近接するとは直方体の4つの側面のうちの2側面と向かい合っていることをいい、熱電子素子と温度検出素子とが3面で近接するとは直方体の4つの側面のうちの3側面と向かい合っていることをいい、熱電子素子と温度検出素子とが4面で近接するとは直方体の4つの側面のうちの4側面全てと向かい合っていることをいう。温度検出素子にサーミスタを使用したNo.6と温度検出素子に熱電対を使用したNo.7とを比較すると、サーミスタを使用したNo.6の方が、テスト1及び2の両方において良好な結果を示すものであった。これは熱電対では、熱引けが大きく、周縁部の温度の影響を受けやすいためであるのに対して、サーミスタは小型で熱容量が小さいため、温度の安定に優れていると考えられる。サーミスタの配線パターンを設けたNo.3と、配線パターンを設けていないNo.6とを比較すると、No.3の方が、テスト1及び2において良好な結果が得られており、この理由としても、サーミスタとサーミスタに電気的な接続をとるリード線の位置を離すことにより、リード線の熱引けが小さくなるためと考えられる。以上のように、本発明の熱電モジュールを使用することで熱電モジュールの耐久性及び測温精度を向上させることができる。No.11~17の熱電モジュールの作製上記No.3で用いた支持基板図2参照を用いてNo.11~13の試料を作製し、また、No.10で用いた支持基板図8参照を用いて、No.14~17の試料を作製した。なお、No.1~10の熱電モジュールの作製で説明した作製方法とは、前記実施例と接合にてモジュールを作製して洗浄を行う工程までの作製方法と同じであり、サーミスタの被覆及び外周シール方法が以下のように個々の試料で異なる。No.11では、素子周縁部のシール材はなく、サーミスタ及びサーミスタの配線パターン上にも絶縁被覆を行っていないものとした。No.12では、素子周縁部のシールはなく、サーミスタ及びサーミスタの配線パターン上にエポキシ系の紫外線硬化接着剤をディスペンサーを用いて塗布して、紫外線硬化を行い、絶縁被覆を行ったものとした。No.13では、素子周縁部のシール材は、湿度40~60の大気中でディスペンサーを用いてシリコーン樹脂を素子周縁部全面に塗布して室温で硬化させて作製し、サーミスタ及びサーミスタの配線パターン上にエポキシ系の紫外線硬化接着剤をディスペンサーを用いて塗布して、紫外線硬化を行い、絶縁被覆を行ったものとした。No.14では、素子周縁部のシールは湿度40~60の大気中でディスペンサーを用いてシリコーン樹脂を塗布して室温で硬化させて作製した。No.15では、素子周縁部のシールはディスペンサーを用いてシリコーン樹脂を塗布して室温硬化させた後、前記シリコーン樹脂に小さな管を入れてそれを用いて露点-40°Cの乾燥空気をシール内部にフローさせて、再度シリコーン接着剤でシールして作製した。No.16では、素子周縁部のシールはディスペンサーを用いてシリコーン樹脂を塗布して室温硬化させた後、前記シリコーン樹脂に小さな管を入れてそれを用いてそこから真空引きを行い、前記小さな管の周辺に粘度が高いシリコーン接着剤を塗布した後にゆっくり引き抜くことで管の周辺部のシリコーン樹脂が管の開けた穴に入りシールを行い作製した。No.17では、素子周縁部のシールは対向する2面を熱硬化性のエポキシ接着剤をディスペンサーで塗布して120°Cの温度で熱硬化させ、残りの2面を湿度40~60の大気中でディスペンサーを用いてシリコーン樹脂を塗布して室温で硬化させて作製した。以上のように、上記No.11~17までの熱電モジュールに電流を流すためのリード線及びサーミスタと電気的な接続をとるためのリード線を取り付け、熱電モジュールを作製した。上記モジュールを用いて以下の手順にしたがってテスト3を行った。テスト3評価ケースの中に熱交換器を配置して、両面に熱伝導グリースを塗布した熱電モジュールを準備し、その熱電モジュールの高温側の支持基板を熱交換器に熱伝導グリースを用いて取り付け、低温側の支持基板側に被処理物として熱電モジュールと同じ大きさで厚みが5mmのアルミ製の金属ブロックを、熱伝導グリースを用いて配置した。その被処理物の上にサーミスタを接着剤で固定して被処理物の温度を測定できるようにした。この熱交換器は内部に水が流れる流路が設けてあり、その流路に25°Cの水を流すことによって熱電モジュールの高温側の支持基板を一定温度に保つようになっている。上記評価ケースを閉じて、湿度30~60の大気中で評価ケース内を故意に結露する環境にして、被処理物の温度が-30°Cになるように被処理物側に設けたサーミスタの温度で熱電モジュールの制御を行い、-30°Cを約1分間キープして、1分間電流をOFFする通電試験を10000サイクル行った。支持基板側に温度検出素子を設けた本発明品は、被処理物の温度を検出すると同時に基板側に配置した温度検出素子の温度も電源にフィードバックさせて、被処理物の温度のオーバーシュートをできるだけ少なくなるような制御を行った。熱電モジュールの初期抵抗値を測定しておき、上記テストを10000サイクル行った後の熱電モジュールの抵抗値を測定してそのテスト前後の抵抗変化率を求めた。試料は各5個使用し、結果はその平均値で評価を行った。表2のテスト3での抵抗変化率に結果を示す。また、上記評価で、設定値-30°Cのオーバーシュート分を測定ばらつきとして、基板に設けた温度検出素子の温度検出精度を比較した。結果は表2のテスト3での測温ばらつきに示す。さらに、このテストでの熱電モジュールの電圧と電流値の積により消費電力を算出して、消費電力が小さくなることで熱電モジュールの冷却性能が向上したと判断した。以上の結果を表2に示す。表2において、サーミスタ及びサーミスタの配線パターン上にも絶縁被覆を行っていないNo.11とサーミスタ及びサーミスタの配線パターン上にも絶縁被覆を行っているNo.12を比較すると、No.12の方が、測温ばらつきがかなり軽減している。No.11は結露する環境でテストしたことにより、サーミスタ及びその配線パターンが結露してしまい、正確な温度を熱電モジュールの電源側にフィードバックできなかったため、測温ばらつきが大きいのに対して、No.12はサーミスタ及びその配線パターンを絶縁被覆していたため、正確な温度を熱電モジュールの電源側にフィードバックできたため、測温ばらつきの軽減に繋がったと推測される。No.11及び12は、熱電素子の周縁部がシールされていなかったため、結露する環境においては熱電モジュール電極から漏電が発生してしまい、途中でテストは中断した。その一方で、熱電素子の周縁部にシールを施したNo.13は漏電せずに10000サイクル達成でき、抵抗変化率も1以下を達成できた。次に、熱電素子の周縁部をシールしてその外側にサーミスタを配置しているNo.13図2参照と、熱電素子の周縁部をシールしてその内側にサーミスタを配置しているNo.14図8参照とを比較すると、No.14では、No.13よりも10000サイクル後の抵抗変化率も測温ばらつきも平均消費電力も全て軽減している。これは、サーミスタが熱電素子に囲まれた空間に配置されていることにより、周縁部の温度の影響を受けにくくなったために、測温ばらつきが小さくなり、正解に温度を熱電モジュールの電源にフィードバックをかけられるようになったため熱電モジュールの負荷の軽減に繋がり、抵抗変化率と消費電力が軽減されたためであると推測される。熱電素子周縁部のシール内の雰囲気が湿度40~60であるNo.14と、シール内の雰囲気が露点-40°Cの乾燥空気であるNo.15とを比較すると、No.15では、No.14よりも測温ばらつきが軽減されている。これは、シール内部に乾燥空気を導入した方が、より結露しにくくなっているためであると推測される。また、No.14およびNo.15と、シール内を真空にしたNo.16とを比較すると、No.16のほうが、冷却性能も向上して消費電力が軽減されていた。最後に、素子周縁部のシールが4面ともシリコーン接着剤であるNo.14と、素子周縁部のシールが対向する2面エポキシ接着剤と対向する別な2面をシリコーン接着剤としたNo.17とを比較すると、No.17では、No.14よりも抵抗変化率が軽減されている。これは、対向する2面を硬度の硬いエポキシすることにより最も熱応力の大きい支持基板外周が保持され、且つ対向する別な2面をシリコーン接着剤にすることにより熱応力を変形にすることにより逃がすことも可能になるため、抵抗変化率が小さくなったと考えられる。以上のように、本発明の熱電モジュールを使用することで大気中でも結露の影響を受けずに測温でき、熱電モジュールの耐久性及び測定温度の精度を向上させることができる。サーミスタ位置の検討熱電モジュールの両側に熱交換器として、銅製の波形フィンをSn58-Bi42はんだを用いて接合したものを作製した。この熱電モジュールの波形フィンに対して空気が通り抜けられるように側面より空気を流した状態で熱電モジュールに通電することで冷却側の支持基板に接続している波形フィンを通って流れる空気は冷風になる。この冷風の温度制御のために支持基板に温度検出素子を設けるが、その温度検出素子の位置は波形フィンに対する入り口側、中央、出口側の3箇所に設置して測温を行った。また、波形フィンより出てくる冷風の温度を3点測温してその平均温度も同時に測定した。支持基板に設置したサーミスタ温度と冷風の温度差を比較して、冷風を制御するために最も適したサーミスタ位置がどの位置であるか調査を行った。結果を表3に示す。表3より、支持基板に配置するサーミスタは出口側に設けることで冷風の温度と非常に近くなり、冷風の温度を制御することができる。