半導体素子が半導体パッケージに搭載された半導体装置であって、前記半導体パッケージは、前記半導体素子が実装される基板を具備し、前記基板内に、多孔質部材から構成された冷却層が設けられていることを特徴とする半導体装置。前記基板に、前記冷却層に冷却剤を供給する流体流入部材と、前記冷却層から前記冷却剤を排出する流体排出部材とが接続されており、前記冷却層は、前記流体流入部材から前記流体排出部材に向かって前記冷却剤が流れる層を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献1の構成では、基板に大きな空間からなる流路が形成されているため基板の機械的強度が弱く、基板に割れや反りが発生しやすいことから半導体装置の信頼性が低下してしまうといった問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体パッケージの基板の機械的強度を低下させることなく、半導体素子を確実に冷却することができる構成を具備する半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため本発明の一態様による半導体装置は、半導体素子が半導体パッケージに搭載された半導体装置であって、前記半導体パッケージは、前記半導体素子が実装される基板を具備し、前記基板内に、多孔質部材から構成された冷却層が設けられている。本発明によれば、半導体パッケージの基板の機械的強度を低下させることなく、半導体素子を確実に冷却することができる構成を具備する半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。図1は、本実施の形態の半導体装置の断面図、図2は、図1の半導体素子と冷却層との間にサーマルビアを設けるとともに、封止枠の内周面に傾斜面を設けた変形例を示す断面図、図3は、封止樹脂を用いずに、平板にて封止枠内に半導体素子を封止する変形例を示す断面図である。図1に示すように、半導体装置1は、基板2と封止枠3とを有する半導体パッケージ10と、該半導体パッケージ10に搭載された半導体素子5とを具備して主要部が構成されている。基板2は、熱伝導性の良い部材、例えばセラミックやガラスエポキシ樹脂から構成されており、高さ方向Hの上面2jにおいて幅方向Bの中央領域を除く部位、側面2s、高さ方向Hの底面2tにおける幅方向Bの中央領域を除く部位に電極6が形成されている。封止枠3は、例えばセラミックやガラスエポキシ樹脂から構成されており、基板2の上面2jにおいて、電極6が形成された領域、具体的には上面2jにおける外周縁の近傍に固定されている。尚、封止枠3の内周面3nは、半導体素子5が発光素子等の光を出射するものから構成されている場合には、発光素子から発光された光のリフレクタとして機能させるため、図2に示すように傾斜面に形成されていても構わない。半導体素子5としては、例えば、発光素子や、フォトダイオード、固体撮像素子、パワー半導体等が挙げられるがこれらに限定されない。半導体素子5は、封止枠3内において、基板2の上面2jにおける電極6の非形成領域に実装されている。具体的には、半導体素子5は、基板2の上面2jに対して、透明樹脂接着剤、白色樹脂接着剤、Agペースト、共晶等により、ダイボンドによって固定されている。尚、半導体素子5の固定方法はダイボンドに限定されない。また、基板2の上面2jには、同一種類の半導体素子5を複数個実装しても構わないし、異なる種類の半導体素子を複数個実装しても構わない。また、半導体素子5に形成された図示しないボンディングパッドは、電極6に対して、例えばボンディングワイヤ7によって電気的に接続されている。尚、ボンディングワイヤ7の材質としては、Au、Al、Cu等の金属細線が挙げられる。また、電極6に対する半導体素子5のボンディングパッドの接続は、ボンディングワイヤ7に限定されず、フリップチップ方式や、TABTapeAutomatedBonding等であっても良い。さらに、半導体素子5は、封止枠3内において、封止枠3内に充填された封止樹脂8によって封止されている。尚、封止樹脂8は、透明樹脂、遮光樹脂のどちらでも良く、樹脂の材質としては、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系等が挙げられる。尚、半導体素子5が、発光素子や、フォトダイオード、固体撮像素子等から構成されている場合には、封止樹脂8は透明樹脂から構成されていることが好ましく、また、封止樹脂8上に、光学部品としてレンズやプリズム等が設けられていても構わない。また、封止枠3内における半導体素子5の封止は、封止樹脂8を用いずに、図3に示すように、封止枠3の高さ方向Hの上端に設けられる平板15を用いた気密封止であっても構わない。また、半導体素子5が発光素子の場合には、封止樹脂8内に、黄色蛍光体またはRGB蛍光体を混合しても良く、さらには、上述した平板15に蛍光体を混合した蛍光体混合平板または透明平板等によって、半導体素子5を封止しても良い。基板2の内部における高さ方向H及び幅方向Bの略中心部に、無数の微細な孔が連結して形成された多孔質部材から構成された、断面が幅方向Bに沿って細長な略矩形状の冷却層4が設けられている。尚、冷却層4は、積層等によって基板2と一体的に形成されていても構わないし、基板2と冷却層4とを別体で形成し、基板2内の孔に冷却層4を嵌め込んで、その後、孔に基板2と同じ材質で蓋をすることにより、別体に形成されていても良い。冷却層4は、後述する冷却剤Rが流れる層を構成しており、基板2を介して伝熱された半導体素子5の熱を放熱する機能を有している。尚、図2に示すように、基板2の半導体素子5が実装された部位の高さ方向Hの直下に、半導体素子5から冷却層4まで達するサーマルビア14を設け、該サーマルビア14を用いて半導体素子5の熱を、冷却層4に効率良く放熱する構成であっても良い。また、多孔質部材の材質としては、セラミック、炭化ケイ素、ステンレス、チタン、銅、ニッケル、アルミニウム、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。また、多孔質部材の孔は、例えば1μm~1mm程度の大きさに形成されている。さらに、冷却層4は、基板2の略中心部に限らず、半導体素子5の高さ方向Hの直下等、基板2の内部であればどこに形成されていても構わない。さらに、冷却層4の形状は、冷却効果が得られる形状であれば断面略矩形状に限らず、断面が凹凸状や曲線形状等、どのような形状に形成されていても構わない。基板2の底面2tにおいて、電極6が形成されていない領域に、底面2tから冷却層4まで貫通する2本の孔が高さ方向Hに沿って形成されており、該2本の孔に、それぞれ流体流入部材である冷却剤供給パイプ11と、流体排出部材である冷却剤排出パイプ12とが嵌入されて接着剤等で固定されている。尚、冷却剤供給パイプ11及び冷却剤排出パイプ12の各端部11r、12rは、冷却層4の幅方向Bの一端及び他端にて開口されている。尚、冷却剤供給パイプ11及び冷却剤排出パイプ12の固定は、接着剤に限定されず、ロウ付けや、半田付け等であっても構わない。また、冷却剤供給パイプ11、冷却剤排出パイプ12は、それぞれ、金属、樹脂等から構成されている。例えば、金属としては、アルミ、銅、SUS、真鍮等が挙げられ、樹脂としては、テフロン登録商標、ポリカーボネイト、アクリル、ABS、ポリ塩化ビニール等が挙げられる。さらに、冷却剤供給パイプ11、冷却剤排出パイプ12が設けられる位置は、基板2の底面2tに限定されず、側面2sや上面2j等、基板2の外周面から冷却層4まで連通できる位置であればどこでも良い。冷却剤供給パイプ11は、冷却層4に開口する端部11rとは反対側の端部に、冷却剤Rの流入口11sが形成されており、冷却剤排出パイプ12は、冷却層4に開口する端部12rとは反対側の端部に、冷却剤Rの排出口12sが形成されている。尚、冷却剤Rとしては、水、空気、窒素等の流体が好ましいが、これらに限らず、流体であればどのようなものであっても構わない。このような構成を有する半導体装置1においては、冷却剤供給パイプ11の流入口11sから流入された冷却剤Rは、端部11rの開口を介して冷却層4に供給され、冷却層4内を冷却剤供給パイプ11から冷却剤排出パイプ12に向かって幅方向Bに沿って通過した後、冷却剤排出パイプ12の端部12rの開口及び排出口12sを介して、外部に排出されるか、再度、流入口11sを介して冷却層4に供給される。この際、冷却層4を流れる冷却剤Rによって、基板2またはサーマルビア14介して半導体素子5が冷却される、即ち、半導体層素子5の熱を確実に放熱できることにより、半導体素子5を確実に冷却することができる。このように、本実施の形態においては、基板2の内部に、冷却剤Rが流れることにより、半導体素子5を冷却する多孔質部材から構成された冷却層4が形成されていると示した。このような構成によれば、冷却層4は、従来のように大きな空間からなる流路では無く、多孔質部材から構成された流路であることから、基板2内に冷却層4を設けても基板2の機械的な強度が低下してしまうことがない。よって、半導体パッケージ10の基板2の機械的強度を低下させることなく、即ち、半導体装置1の信頼性を低下させることなく、半導体素子5を確実に冷却することができる構成を具備する半導体装置1を提供することができる。