"基板と、前記基板に設けられた一対の駆動電極と、前記基板に固定された一対の固定部と、前記一対の固定部にそれぞれ接続された一対の弾性部と、前記一対の弾性部によって揺動可能に支持された接続部と、前記接続部に固定された支柱と、前記支柱に固定された可動板とを有し、前記可動板は、前記駆動電極に対向するように前記基板から間隔を置いて支持され、前記駆動電極に対向する第一の面に対向電極を有し、前記第一の面の反対側の第二の面に反射面を有し、前記駆動電極と前記固定部と前記弾性部と前記接続部は同一の層から形成されている光偏向器。前記基板は、前記接続部と前記弾性部を取り囲む貫通口を有している、請求項1記載の光偏向器。基板と、前記基板に設けられた二対の駆動電極と、前記基板に固定された一対の固定部と、前記一対の固定部にそれぞれ接続された一対の第一の弾性部と、前記一対の第一の弾性部によって第一の軸の周りに揺動可能に支持された可動枠と、前記可動枠にそれぞれ接続された一対の第二の弾性部と、前記一対の第二の弾性部によって第二の軸の周りに揺動可能に支持された接続部と、前記接続部に固定された支柱と、前記支柱に固定された可動板とを有し、前記可動板は、前記駆動電極に対向するように前記基板から間隔を置いて支持され、前記駆動電極に対向する第一の面に対向電極を有し、前記第一の面の反対側の第二の面に反射面を有し、前記駆動電極と前記固定部と前記第一の弾性部と前記可動枠と前記第二の弾性部と前記接続部は同一の層から形成されている、光偏向器。前記基板は、前記第一の弾性部と前記可動枠と前記第二の弾性部と前記接続部を取り囲む貫通口を有している、請求項3に記載の光偏向器。前記基板は第一の平面部と第二の平面部を有しており、前記第一の平面部は前記第二の平面部よりも前記可動板の近くに位置しており、前記駆動電極と前記固定部は前記第一の平面部上に配置されている、請求項1~4のいずれかひとつに記載の光偏向器。1次元的に配列された複数の光偏向器を有している光偏向器アレイであって、各光偏向器は、請求項1~5のいずれかひとつに記載の光偏向器で構成されている、光偏向器アレイ。2次元的に配列された複数の光偏向器を有している光偏向器アレイであって、各光偏向器は、請求項1~5のいずれかひとつに記載の光偏向器で構成されている、光偏向器アレイ。前述の光偏向器では、二つの可動板の間に存在するブレースとヒンジが反射面として機能しないうえ、二つの可動板がそれぞれ独立に動くことができない。したがって、この光偏向器は、二つの可動板の上面に反射面を設けることができるが、有効な反射面は片方の可動板の上面のみとなるため、小型化に適していない。本発明は、この点に着目してなされたものであり、その目的は、小型化に適した光偏向器を提供することである。本発明による光偏向器は、基板と、前記基板に設けられた一対の駆動電極と、前記基板に固定された一対の固定部と、前記一対の固定部にそれぞれ接続された一対の弾性部と、前記一対の弾性部によって揺動可能に支持された接続部と、前記接続部に固定された支柱と、前記支柱に固定された可動板とを有している。前記可動板は、前記駆動電極に対向するように前記基板から間隔を置いて支持され、前記駆動電極に対向する第一の面に対向電極を有し、前記第一の面の反対側の第二の面に反射面を有している。前記駆動電極と前記固定部と前記弾性部と前記接続部は同一の層から形成されている。本発明によれば、小型化に適した光偏向器が提供される。以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。<第1の実施の形態>構成図1は、第1の実施の形態の光偏向器の斜視図である。図2は、図1に示す線B-Bにおける図1の光偏向器の垂直断面図である。図1と図2に示すように、第1の実施の形態の光偏向器は、基板150と、基板150に設けられた一対の駆動電極120A,120Bと、基板150に固定された一対の固定部107と、一対の固定部107にそれぞれ接続された一対のヒンジ110と、一対のヒンジ110によって揺動可能に支持された接続部105と、接続部105に固定された支柱102と、支柱102に固定された可動板101とを有している。可動板101は、駆動電極120A,120Bに対向するように基板150から間隔を置いて支持されている。可動板101は、駆動電極120A,120Bに対向する第一の面に対向電極を有し、第一の面の反対側の第二の面に反射面103を有している。可動板101は、例えば、単結晶シリコンから構成されており、それ自体が対向電極として機能し得る。反射面103は、可動板101の上面に金などの金属を成膜することにより設けられる。支柱102は、例えば、可動板101と同様に、単結晶シリコンから構成される。可動板101と支柱102と接続部105は可動部106を構成している。接続部105はヒンジ110を介して固定部107に接続されている。ヒンジ110は、ねじり軸141を軸としてねじれ変形可能な弾性部いわゆるトーションバーとして機能する。その結果、可動部106は、ヒンジ110によって、ねじり軸141を軸として傾斜可能に基板150に支持されている。基板150は、接続部105とヒンジ110を取り囲む貫通口190を有している。この貫通口190は、接続部105とヒンジ110の可動空間を与える。固定部107とヒンジ110と接続部105は、同一の層から形成されている。この層は、例えば、単結晶シリコンで構成され、支柱102を介して可動板101と電気的に接続される。駆動電極120A,120Bは、固定部107とヒンジ110と接続部105と同一の層から形成されている。駆動電極120A,120Bは、ねじり軸141を間に挟んでねじり軸141の両側に設けられている。なお、図示していないが、例えば、駆動電極120A,120Bに電圧を供給するための配線が、駆動電極120A,120Bと同一の層で一体的に形成されている。さらに、駆動電極120A,120Bに電圧を供給するための配線は図示しない駆動回路に電気的に接続されている。駆動原理以下に駆動原理を説明する。図1に示すように、駆動電極120A,120Bは、ねじり軸141を間に挟んでねじり軸141の両側に設置されている。駆動電極120A,120Bには独立して電圧を印加することができる。可動板101は、電気的に接地電位または所定の電位に設定される。駆動電極120Aに電圧を印加すると、可動板101と駆動電極120Aの間に静電引力が発生する。したがって、ねじり軸141を軸としたトルクがヒンジ110にかかり、可動板101が駆動電極120Aに近づくように傾斜する。また、駆動電極120Bに電圧を印加すると、今度は、逆方向のトルクが発生するため、可動板101が駆動電極120Bに近づくように傾斜する。つまり、駆動電極120A,120Bのいずれか一方に電圧を印加することにより、可動板101は、ねじり軸141を軸として、電圧が印加された駆動電極120A,120Bの方に近づくように傾斜する。作製方法以下に作製方法を説明する。図3A~図3Cと図4A~図4Cに、図1に示す光偏向器の作製方法の一例の一連の工程を示す。図3A~図3Cは、図1に示す線A-Aにおける垂直断面図である。図4A~図4Cは、図1に示す線B-Bにおける垂直断面図である。本実施の形態の光偏向器は、図3Aに示すような基板171と基板172を用いて作製される。ここでは、可動板101が形成される基板をミラー基板171と呼び、駆動電極120A,120Bが形成される基板をベース基板172と呼ぶ。ミラー基板171は、3層SOI基板で構成される。3層SOISilicononInsulator基板は、第一の絶縁層185と第二の絶縁層188で挟まれた中間層183がデバイス層181と支持層187の間に挟まれている形態を有している。第一の絶縁層185と第二の絶縁層188は酸化シリコンで構成される。また、中間層183とデバイス層181と支持層187は単結晶シリコンで構成される。ベース基板172はSOI基板で構成される。SOI基板は、絶縁層186がデバイス層182と支持層184の間に挟まれている形態を有している。絶縁層186は酸化シリコンで構成される。また、デバイス層182と支持層184は単結晶シリコンで構成される。図3Aおよび図4Aは、ミラー基板171のデバイス層181および第一の絶縁層185と、ベース基板172のデバイス層182および絶縁層186を加工する工程図である。まず、ミラー基板171のデバイス層181にMEMS分野の加工法であるDRIEDeepReactiveIonEtching法を適用して支柱102を形成する。次に、ミラー基板171の第一の絶縁層185のうち支柱102と接していない領域をエッチングにより取り除く。一方、ベース基板172のデバイス層182にDRIE法を適用して、接続部105とヒンジ110と固定部107と駆動電極120A,120Bとを一括で形成する。続いて、接続部105とヒンジ110と固定部107と駆動電極120A,120B付近の領域以外の絶縁層186をエッチングにより取り除く。図3Bおよび図4Bは、ミラー基板171とベース基板172を接続する工程図である。図3Bおよび図4Bに示すように、ミラー基板171に形成された支柱102の先端とベース基板172に形成された接続部105を、直接接合法または共晶接合法などの電気的接続がとれる接合法により接合する。これにより、ミラー基板171とベース基板172が接続される。また、図3Bおよび図4Bに示す符号191,192は、この後の工程で除去される除去領域を示している。第一の除去領域191は、ベース基板172の支持層184のうち、接続部105およびヒンジ110付近の領域である。一方、第二の除去領域192は、絶縁層186のうち、接続部105およびヒンジ110付近の領域である。図3Cおよび図4Cは、ベース基板172の支持層184を加工する工程および反射面103を形成する工程図である。まず、図3Bおよび図4Bに示す第一の除去領域191をDRIE法により取り除く。次に、第二の除去領域192をRIEReactiveIonEtching法により取り除いて、接続部105およびヒンジ110が可動するための貫通口190を形成する。続いて、図3Bおよび図4Bに示すミラー基板の支持層187と絶縁層188を図3Cおよび図4Cに示すようにエッチングにより取り除く。続いて、可動板101である中間層183の上面に金属を蒸着などにより成膜して反射面103を形成する。作用本実施の形態の光偏向器は、可動板101の反射面103が設けられた面の裏面に支柱102を設け、その下端に接続部105を介してヒンジ110を設けている。つまり従来例とは異なり、可動板の反射面にヒンジがない。したがって、可動板101の上面の全面を反射面として機能させることが可能であるため、反射有効面よりも大きな可動板が不要な光偏向器の構成となっている。また、本実施の形態の光偏向器は、接続部105とヒンジ110と固定部107とを同一の層で一体的に形成しているため、接続部105またはヒンジ110または固定部107を形成するための層を別途に追加する必要がない。したがって、光偏向器の作製工程数を最小限に抑えることが可能である。一般に、MEMS分野の加工法において、層を追加し、その層に構造体を作製するには、層を追加する工程と、層の表面に加工のための保護膜を成膜する工程と、保護膜に構造体の形状を転写する工程と、転写された形状に層を加工する工程と、保護膜を除去する工程といった多数の工程を加える必要があり、光偏向器の作製工程数を大幅に増加させることになる。また、一般に、作製工程数の増加は、寸法のばらつきを助長し、性能のばらつきを引き起こすため、望ましくない。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、ヒンジ110の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層、特に、デバイス層である。当業界において、通常、光偏向器のヒンジは、単結晶シリコンの基板を加工して構造体を作製するバルクマイクロマシニング技術あるいは、基板上に堆積した薄膜を加工して構造体を作製するサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される。また一般に、バルクマイクロマシニング技術により作製される構造体はサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される構造体に比べて、例えば、内部残留応力が小さい。内部残留応力が小さいことは構造体に生じる初期歪みが小さいことを意味する。したがって、単結晶シリコンからなるSOI基板の一層に作製された本実施の形態のヒンジ110は初期歪が少ないため、光偏向器の初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器では、接続部105とヒンジ110の可動空間を与える貫通口190は基板150を貫通しているため、支柱102と接続部105を接合した後に、接続部105とヒンジ110付近の基板150を取り除いて形成することが可能である。したがって、接合時の応力による接続部105とヒンジ110の破損を防ぐことが可能となる。さらに、本実施の形態の光偏向器では、駆動電極120A,120Bは接続部105とヒンジ110と固定部107と同一の層で一括に作製可能である。つまり、駆動電極120A,120Bを設置するための工程を別途に追加しなくてよい。もちろん、駆動電極120A,120Bに電圧を供給するための配線も接続部105とヒンジ110と固定部107と同一の層で一括に作製可能である。効果以上の様に、本実施の形態の光偏向器は、可動板の上面の全面を反射面として機能させることができるため、光偏向器の小型化が実現できるという効果を有する。また、ヒンジと接続部と固定部を同一の層で一体的に作製することにより、光偏向器作製の工程数を最小限に抑えることが可能であるため、歩留まりの向上を図りやすく、ばらつきが少なく量産性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、ヒンジ110の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層であるため、初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器では、基板を貫通した空間を設けることで、支柱と接続部を接合した後に接続部とヒンジを基板から解放ことが可能であるため、歩留りが高い量産性に優れる。さらに、本実施の形態の光偏向器は、特に、可動板と対向するように基板上に駆動電極を設けることで、駆動電極を接続部とヒンジと同一層で一括に作製可能であるため、ばらつきの少ない量産性に優れる。バリエーションなお、本実施の形態においては可動板101の反射面103を設ける一面の形状を矩形としたが、その形状は、反射面103に入射する光のスポットよりも大きい面積を得ることができればよく、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、支柱102の断面形状は、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、本実施の形態においては偏向器の作製にSOI基板を用いたが、例えば、シリコン、ガラスなど、MEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である基板の一面に、多結晶シリコン、窒化ケイ素、有機物、金属などのMEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である材料を堆積した基板を用いることができる。また、本実施の形態においては可動板101と支柱102とは別層に作製したが、可動板101と支柱102とを同一層で作製することが可能である。また、本実施の形態においてはミラー基板とベース基板を接合する手段として直接接合を用いたが、例えば、共晶接合、陽極接合などのMEMS分野で利用されている他の接合方法を用いることが可能である。また、本実施の形態としては静電駆動の例を示したが、もちろん可動板101の一面等に複雑なコイルを形成する必要があるものの電磁駆動方式を採用することも可能であり、もちろん圧電材料をヒンジ110上などに設置する必要があるものの圧電駆動方式を採用することも可能である。<第2の実施の形態>構成図5は、第2の実施の形態の光偏向器の斜視図である。図6は、図5の光偏向器の中心付近の拡大図である。図7は、図5に示す線C-Cにおける図5の光偏向器の垂直断面図である。図5,6,7に示すように、第2の実施の形態の光偏向器は、基板250と、基板250に設けられた二対の駆動電極221A,221B,222A,222Bと、基板250に固定された一対の固定部207と、一対の固定部207にそれぞれ接続された一対の第一のヒンジ212と、一対の第一のヒンジ212によって第一のねじり軸242の周りに揺動可能に支持された可動枠215と、可動枠215にそれぞれ接続された一対の第二のヒンジ211と、一対の第二のヒンジ211によって第二のねじり軸241の周りに揺動可能に支持された接続部205と、接続部205に固定された支柱202と、支柱202に固定された可動板201とを有している。可動板201は、駆動電極221A,221B,222A,222Bに対向するように基板250から間隔を置いて支持されている。可動板201は、駆動電極221A,221B,222A,222Bに対向する第一の面に対向電極を有し、第一の面の反対側の第二の面に反射面203を有している。可動板201は、例えば、単結晶シリコンから構成されており、それ自体が対向電極として機能し得る。反射面203は、可動板201の上面に金などの金属を成膜することにより設けられる。支柱202は、例えば、可動板201と同様に、単結晶シリコンから構成される。可動板201と支柱202と接続部205は可動部206を構成している。また、第一のヒンジ211と可動枠215と第二のヒンジ212はジンバル構造体230を構成している。接続部205はジンバル構造体230を介して固定部207に接続されている。具体的には、接続部205は第一のヒンジ211を介して可動枠215に接続され、可動枠215は第二のヒンジ212を介して固定部207に接続されている。第一のヒンジ211は、ねじり軸241を軸としてねじれ変形可能な弾性部いわゆるトーションバーとして機能する。またヒンジ212は、ねじり軸242を軸としてねじれ変形可能な弾性部いわゆるトーションバーとして機能する。ねじり軸241とねじり軸242は例えば互いに直交している。これにより、接続部205は、ねじり軸241を軸として可動枠215に対して傾斜可能である。接続部205はまた、可動枠215と一緒に、ねじり軸242を軸として基板250に対して傾斜可能である。したがって、可動板201は、ジンバル構造体230によって、第一のねじり軸241と第二のねじり軸242を軸として傾斜可能に基板250に支持されている。基板250は、第一のヒンジ212と可動枠215と第二のヒンジ211と接続部205を取り囲む貫通口290を有している。この貫通口290は、ジンバル構造体230と接続部205の可動空間を与える。固定部207と第一のヒンジ212と可動枠215と第二のヒンジ211と接続部205は同一の層から形成されている。この層は、例えば、単結晶シリコンで構成され、支柱202を介して可動板201と電気的に接続される。駆動電極221A,221B,222A,222Bは、固定部207と第一のヒンジ212と可動枠215と第二のヒンジ211と接続部205は同一の層から形成されている。基板250には、第一の基板平面部251と、第二の基板平面部252と、第一の基板平面部251と第二の基板平面部252をつなぐ斜面253で構成された段差が設けられている。この段差は、第一の基板平面部251と可動板201との間隔が、第二の基板平面部252と可動板201との間隔よりも狭くなるように形成されている。したがって、第一の基板平面部251は第二の基板平面部252よりも可動板201の近くに位置している。第一の基板平面部251は、可動板201への投影において、可動板201の内側に位置している。駆動電極221A,221B,222A,222Bと固定部207は第一の基板平面部251上に配置されている。図8は、図5に示す可動板201と支柱202を除いた状態における図5の光偏向器の上面図である。図5,6,7に示すように、第一の駆動電極221A,221Bと第二の駆動電極222A,222Bは、基板250の第一の基板平面部251上に、ジンバル構造体230と同一の層で一括に形成されている。また、第一の駆動電極221A,221Bは可動板201と対向するように、ねじり軸241を間に挟んでねじり軸241の両側に設けられている。同様に、第二の駆動電極222A,222Bは、可動板201と対向するように、ねじり軸242を間に挟んでねじり軸242の両側に設けられている。また、第一の駆動電極221A,221Bと第二の駆動電極222A,222Bは、四つの点245’,246’,247’,248’で形成される四角形の内側に設けられている。点245’,246’は第一のねじり軸241上に位置し、点247’、248’は第二のねじり軸242上に位置している。また、点245’は、可動板201が第一の駆動電極221Aに近づくように傾斜した状態におけるPull-in限界線245と第一のねじり軸241の交点であり、点246’は、可動板201が第一の駆動電極221Bに近づくように傾斜した状態におけるPull-in限界線246上と第一のねじり軸241の交点である。同様に、点247’は、可動板201が第一の駆動電極222Aに近づくように傾斜した状態におけるPull-in限界線247と第二のねじり軸242の交点であり、点248’は、可動板201が第一の駆動電極222Bに近づくように傾斜した状態におけるPull-in限界線248と第二のねじり軸242の交点である。駆動原理以下に駆動原理を説明する。図5,8に示すように、第一の駆動電極221A,221Bは、第一のねじり軸241を間に挟んで第一のねじり軸241の両側に設置されている。第一の駆動電極221A,221Bには独立して電圧を印加することができる。可動板201は、電気的に接地電位または所定の電位に設定される。第一の駆動電極221Aに電圧を印加すると、可動板201と第一の駆動電極221Aの間に静電引力が発生する。したがって、第一のねじり軸241を軸としたトルクが第一のヒンジ211にかかり、可動板201が駆動電極221Aに近づくように傾斜する。また、第一の駆動電極221Bに電圧を印加すると、今度は、逆方向のトルクが発生するため、可動板201が駆動電極221Bに近づくように傾斜する。つまり、第一の駆動電極221A,221Bのいずれか一方に電圧を印加することにより、可動板201は、第一のねじり軸241を軸として、電圧が印加された駆動電極221A,221Bの方に近づくように傾斜する。一方、第二の駆動電極222A,222Bは、第二のねじり軸242を間に挟んで第二のねじり軸242の両側に設置されている。第二の駆動電極222A,222Bには独立して電圧を印加することができる。第二の駆動電極222Aに電圧を印加すると、可動板201と第二の駆動電極222Aの間に静電引力が発生する。したがって、第二のねじり軸242を軸としたトルクが第二のヒンジ212にかかり、可動板201が駆動電極222Aに近づくように傾斜する。また、第二の駆動電極222Bに電圧を印加すると、今度は、逆方向のトルクが発生するため、可動板201が駆動電極222Bに近づくように傾斜する。つまり、第二の駆動電極222A,222Bのいずれか一方に電圧を印加することにより、可動板201は、第二のねじり軸242を軸として、電圧が印加された駆動電極222A,222Bの方に近づくように傾斜する。したがって、第一の駆動電極221A,221Bと第二の駆動電極222A,222Bに任意の電圧を加えることにより、可動板201は、第一のねじり軸241および第二のねじり軸242の二本の軸を軸として傾斜する。作用本実施の形態の光偏向器は、可動板201の反射面203が設けられた面の裏面に支柱202を設けているため、ジンバル構造体230を支柱202の下端に設けることができる。つまり従来例とは異なり、可動板の反射面にジンバル構造体がない。したがって、可動板201の上面の全面を反射面として機能させることが可能であるため、反射有効面よりも大きな可動板が不要な光偏向器の構成となっている。また、本実施の形態の光偏向器は、接続部205と第一のヒンジ211と可動枠215と第二のヒンジ212と固定部207とを同一の層で一体的に形成しているため、接続部205または第一のヒンジ211または可動枠215または第二のヒンジ212または固定部207を作製するための層を別途に追加する必要がない。したがって、光偏向器の作製工程数を最小限に抑えることが可能である。一般に、MEMS分野の加工法において、層を追加し、その層に構造体を作製するには、層を追加する工程と層の表面に加工のための保護膜を成膜する工程と保護膜に構造体の形状を転写する工程と転写された形状に層を加工する工程と保護膜を除去する工程といった多数の工程を加える必要があり、光偏向器の作製工程数を大幅に増加させることになる。また、一般に、作製工程数の増加は、寸法のばらつきを助長し、性能のばらつきを引き起こすため、望ましくない。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、第一のヒンジ211および第二のヒンジ212の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層、特に、デバイス層である。当業界において、通常、光偏向器のヒンジは、単結晶シリコンの基板を加工して構造体を作製するバルクマイクロマシニング技術あるいは、基板上に堆積した薄膜を加工して構造体を作製するサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される。また一般に、バルクマイクロマシニング技術により作製される構造体はサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される構造体に比べて、例えば、内部残留応力が小さいという特徴を有する。内部残留応力が小さいことは構造体に生じる初期歪みが小さいことを意味する。したがって、単結晶シリコンからなるSOI基板の一層に作製された本実施の形態のヒンジ211,212は初期歪が少ないため、光偏向器の初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、第一のねじり軸241と第二のねじり軸242の2つのねじり軸を軸として傾斜する。可動板を2軸に駆動するためのジンバル構造は、可動板を1軸に駆動するためのヒンジを2組使用する。つまり、一般に、可動板を2軸に駆動するための機構は、可動板を1軸に駆動するための機構よりも寸法が大きく複雑である。本実施の形態の光偏向器は、可動板201の反射面203が設けられた一面の裏面に支柱202を設けているため、ジンバル構造体230を支柱202の先端に設けることができる。つまり従来例とは異なり、可動板201の反射面203が設けられている面にジンバル構造体230がない。したがって、光偏向器の駆動軸を2軸にしても反射面203の面積が減少しない光偏向器の構成となっているのである。また、本実施の形態の光偏向器では、ジンバル構造体230の可動空間を得るために設けられている貫通口290は基板250を貫通しているため、支柱202と接続部205を接合した後に、ジンバル構造体230付近の基板250を取り除くことが可能である。したがって、接合時の応力によるジンバル構造体230の破損を防ぐことが可能となる。さらに、本実施の形態の光偏向器の基板250には、可動板201と第一の基板平面部251との間隔が、可動板201と第二の基板平面部252との間隔よりも狭くなるような段差が設けられている。基板250の中央付近の第一の基板平面部251のみを可動板201に近づけることにより、可動板201の可動空間を確保しながら支柱202を短くすることができる。支柱202を短くできるため、可動板201と支柱202とジンバル構造体230を含む可動部の重心と回転中心との距離が近くなり、第一のねじり軸241および第二のねじり軸242まわりの慣性モーメントが小さくなる。第一のねじり軸241および第二のねじり軸242まわりの慣性モーメントが小さくなるため、可動部のねじり軸まわりの固有振動数が高まる。効果以上の様に、本実施の形態の光偏向器は、可動板の上面の全面を反射面として機能させることができるため、光偏向器の小型化が実現できるという効果を有する。また、ヒンジと接続部と可動枠と固定部を同一の層で一体的に作製することにより、光偏向器作製の工程数を最小限に抑えることが可能であるため、歩留まりの向上を図りやすく、ばらつきが少なく量産性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、ヒンジ211,212の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層であるため、初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、可動板の下面に支柱を設けているため、ジンバル構造体を支柱の先端に設けることができる。したがって、2軸駆動の光偏向器であっても、小型化が実現できる。また、本実施の形態の光偏向器では、基板を貫通した空間を設けることで、支柱と接続部を接合した後にジンバル構造体230を基板から解放ことが可能であるため、歩留りが高く量産性に優れる。さらに、本実施の形態の光偏向器は、特に、基板に段差を設けているため支柱を短くできる。したがって、外からの衝撃などの外乱があっても姿勢が変化しにくい安定的な光偏向器を得ることができる。バリエーションなお、本実施の形態においては可動板201の反射面203を設ける一面の形状を矩形で示したが、その形状は、反射面203に入射する光のスポットよりも大きい面積を得ることができればよく、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、支柱202の断面形状は、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、本実施の形態においては偏向器の作製にSOI基板を用いたが、例えば、シリコン、ガラスなど、MEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である基板の一面に、多結晶シリコン、窒化ケイ素、有機物、金属などのMEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である材料を堆積した基板を用いることができる。また、本実施の形態においては可動板201と支柱202とは別層に作製したが、可動板201と支柱202とを同一層で作製することが可能である。また、本実施の形態においてはミラー基板とベース基板を接合する手段として直接接合を用いたが、例えば、共晶接合、陽極接合などのMEMS分野で利用されている他の接合方法を用いることが可能である。また、本実施の形態としては静電駆動の例を示したが、もちろん可動板201の一面等に複雑なコイルを形成する必要があるものの電磁駆動方式を採用することも可能であり、もちろん圧電材料をヒンジなどに設置する必要があるものの圧電駆動方式を採用することも可能である。また、本実施の形態においては駆動電極の材料として単結晶シリコンを用いたが、例えば、多結晶シリコン、金属などのMEMS分野の技術などでエッチング等の加工が可能である導体および半導体材料を用いることができる。駆動電極の材料選定において同一層として形成される固定部と弾性部と接続部への影響を考慮すべきである。特に弾性部の疲労特性や剛性等に留意して設計する必要がある。また、本実施の形態において、基板250は第一の基板平面部251と第二の基板平面部252と第一の基板平面部251と第二の基板平面部252をつなぐ斜面253を有しているが、もちろん基板平面部と斜面は複数設けることも可能である。また、斜面253の一面と第一の基板平面部251とのなす角度は0度から90度までの任意の角度に設定することができる。また、第一の駆動電極221A,221Bおよび第二の駆動電極222A,222Bの可動板201と対向する面の形状は、四つの点245’,246’,247’,248’とで形成される四角形の内側に配置することができればよく、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。<第3の実施の形態>構成図9は、第3の実施の形態の1次元光偏向器アレイの斜視図である。図10は、図9の1次元光偏向器アレイから単一の光偏向器を取り出して示した斜視図である。図11は、図10に示す可動板を除いた状態における図10の光偏向器の中心付近の拡大図である。図9に示すように、本実施の形態の1次元光偏向器アレイは、1次元的に配列された複数の光偏向器を有している。各光偏向器は、例えば、第2の実施の形態の光偏向器と同様に構成されている。すなわち、各光偏向器は、図10に示すように、基板350と、基板350に設けられた二対の駆動電極321A,321B,322A,322Bと、基板350に固定された一対の固定部307と、一対の固定部307にそれぞれ接続された一対の第一のヒンジ312と、一対の第一のヒンジ312によって第一のねじり軸342の周りに揺動可能に支持された可動枠315と、可動枠315にそれぞれ接続された一対の第二のヒンジ311と、一対の第二のヒンジ311によって第二のねじり軸341の周りに揺動可能に支持された接続部305と、接続部305に固定された支柱302と、支柱302に固定された可動板301とを有している。可動板301は、駆動電極321A,321B,322A,322Bに対向するように基板350から間隔を置いて支持されている。可動板301は、駆動電極321A,321B,322A,322Bに対向する第一の面に対向電極を有し、第一の面の反対側の第二の面に反射面303を有している。可動板301は、例えば、単結晶シリコンから構成されており、それ自体が対向電極として機能し得る。反射面303は、可動板301の上面に金などの金属を成膜することにより設けられる。支柱302は、例えば、可動板301と同様に、単結晶シリコンから構成される。可動板301と支柱302と接続部305は可動部306を構成している。また、第一のヒンジ311と可動枠315と第二のヒンジ312はジンバル構造体330を構成している。接続部305はジンバル構造体330を介して固定部307に接続されている。具体的には、接続部305は第一のヒンジ311を介して可動枠315に接続され、可動枠315は第二のヒンジ312を介して固定部307に接続されている。第一のヒンジ311は、ねじり軸341を軸としてねじれ変形可能な弾性部いわゆるトーションバーとして機能する。またヒンジ312は、ねじり軸342を軸としてねじれ変形可能な弾性部いわゆるトーションバーとして機能する。ねじり軸341とねじり軸342は例えば互いに直交している。これにより、接続部305は、ねじり軸341を軸として可動枠315に対して傾斜可能である。接続部305はまた、可動枠315と一緒に、ねじり軸342を軸として基板350に対して傾斜可能である。したがって、可動板301は、ジンバル構造体330によって、第一のねじり軸341と第二のねじり軸342を軸として傾斜可能に基板350に支持されている。基板350は、第一のヒンジ312と可動枠315と第二のヒンジ311と接続部305を取り囲む貫通口390を有している。この貫通口390は、ジンバル構造体330と接続部305の可動空間を与える。固定部307と第一のヒンジ312と可動枠315と第二のヒンジ311と接続部305は同一の層から形成されている。この層は、例えば、単結晶シリコンで構成され、支柱302を介して可動板301と電気的に接続される。駆動電極321A,321B,322A,322Bは、固定部307と第一のヒンジ312と可動枠315と第二のヒンジ311と接続部305は同一の層から形成されている。基板350には、第一の基板平面部351と、第二の基板平面部352と、第一の基板平面部351と第二の基板平面部352をつなぐ斜面353で構成された段差が設けられている。この段差は、第一の基板平面部351と可動板301との間隔が、第二の基板平面部352と可動板301との間隔よりも狭くなるように形成されている。したがって、第一の基板平面部351は第二の基板平面部352よりも可動板301の近くに位置している。段田を構成する第一の基板平面部351と第二の基板平面部352と斜面353は、ねじり軸341に沿って並んでいる。駆動電極321A,321B,322A,322Bと固定部307は第一の基板平面部351上に配置されている。第一の駆動電極321A,321Bと第二の駆動電極322A,322Bは、基板350の第一の基板平面部351上に、ジンバル構造体330と同一の層で一括に形成されている。また、第一の駆動電極321A,321Bは可動板301と対向するように、ねじり軸341を間に挟んでねじり軸341の両側に設けられている。同様に、第二の駆動電極322A,322Bは、可動板301と対向するように、ねじり軸342を間に挟んでねじり軸342の両側に設けられている。また、第一の駆動電極321A,321Bおよび第二の駆動電極322A,322Bの設置されている範囲は、可動板301のへの投影において、可動板301の内側に位置している。図9に示すように、本実施の形態の1次元光偏向器アレイは、可動板301A,301B,301Cが第一のねじり軸342に平行な方向に密に配列されている。可動板301A,301B,301Cは第一のねじり軸342を軸として傾斜可能である。また、可動板301A,301B,301Cは、それぞれ、第二のねじり軸341A,341B,341Cを軸として傾斜可能である。第二のねじり軸341A,341B,341Cは互いに平行である。図12は、第3の実施の形態の2次元光偏向器アレイの斜視図である。この2次元光偏向器アレイは、図9の1次元光偏向器アレイを3アレイ組み合わせて構成されている。図12に示すように、本実施の形態の2次元光偏向器アレイは、可動板301AA,301AB,301ACからなる第一の可動板群と、可動板301BA,301BB,301BCからなる第二の可動板群と、可動板301CA,301CB,301CCからなる第三の可動板群を有している。すなわち、2次元光偏向器アレイは、2次元的に配列された複数の光偏向器を有している。第一の可動板群の可動板301AA,301AB,301ACは第一のねじり軸342Aに平行な方向に密に配列されている。同様に、第二の可動板群の可動板301BA,301BB,301BCは第一のねじり軸342Bに平行な方向に密に配列され、第三の可動板群の可動板301CA,301CB,301CCは第一のねじり軸342Cに平行な方向に密に配列されている。第一のねじり軸342A,342B,342Cは互いに平行となっている。第一の可動板群と第二の可動板群と第三の可動板群は第二のねじり軸341A,341B,341Cに平行な方向に密に配列されている。可動板301AA,301AB,301ACは第一のねじり軸342Aを軸として傾斜可能である。同様に、可動板301BA,301BB,301BCは第一のねじり軸342Bを軸として傾斜可能であり、可動板301CA,301CB,301CCは第一のねじり軸342Cを軸として傾斜可能である。また、可動板301AA,301BA,301CAは、第二のねじり軸341Aを軸として傾斜可能である。同様に、可動板301AB,301BB,301CBは、第二のねじり軸341Bを軸として傾斜可能であり、可動板301AC,301BC,301CCは、第二のねじり軸341Cを軸として傾斜可能である。駆動原理以下に駆動原理を説明する。図10,11に示すように、第一の駆動電極321A,321Bは、第一のねじり軸341を間に挟んで第一のねじり軸341の両側に設置されている。第一の駆動電極321A,321Bには独立して電圧を印加することができる。可動板301は、電気的に接地電位または所定の電位に設定される。第一の駆動電極321Aに電圧を印加すると、可動板301と第一の駆動電極321Aの間に静電引力が発生する。したがって、第一のねじり軸341を軸としたトルクが第一のヒンジ311にかかり、可動板301が駆動電極321Aに近づくように傾斜する。また、第一の駆動電極321Bに電圧を印加すると、今度は、逆方向のトルクが発生するため、可動板301が駆動電極321Bに近づくように傾斜する。つまり、第一の駆動電極321A,321Bのいずれか一方に電圧を印加することにより、可動板301は、第一のねじり軸341を軸として、電圧が印加された駆動電極321A,321Bの方に近づくように傾斜する。一方、第二の駆動電極322A,322Bは、第二のねじり軸342を間に挟んで第二のねじり軸342の両側に設置されている。第二の駆動電極322A,322Bには独立して電圧を印加することができる。第二の駆動電極322Aに電圧を印加すると、可動板301と第二の駆動電極322Aの間に静電引力が発生する。したがって、第二のねじり軸342を軸としたトルクが第二のヒンジ312にかかり、可動板301が駆動電極322Aに近づくように傾斜する。また、第二の駆動電極322Bに電圧を印加すると、今度は、逆方向のトルクが発生するため、可動板301が駆動電極322Bに近づくように傾斜する。つまり、第二の駆動電極322A,322Bのいずれか一方に電圧を印加することにより、可動板301は、第二のねじり軸342を軸として、電圧が印加された駆動電極322A,322Bの方に近づくように傾斜する。したがって、第一の駆動電極321A,321Bと第二の駆動電極322A,322Bに任意の電圧を加えることにより、可動板301は、第一のねじり軸341および第二のねじり軸342の二本の軸を軸として傾斜する。作用本実施の形態の光偏向器は、可動板301の反射面303が設けられた面の裏面に支柱302を設けているため、ジンバル構造体330を支柱302の下端に設けることができる。つまり従来例とは異なり、可動板の反射面にジンバル構造体がない。したがって、可動板301の上面の全面を反射面として機能させることが可能であるため、反射有効面よりも大きな可動板が不要な光偏向器の構成となっている。また、本実施の形態の光偏向器は、接続部305と第一のヒンジ311と可動枠315と第二のヒンジ312と固定部307とを同一の層で一体的に形成しているため、接続部305または第一のヒンジ311または可動枠315または第二のヒンジ312または固定部307を作製するための層を別途に追加する必要がない。したがって、光偏向器の作製工程数を最小限に抑えることが可能である。一般に、MEMS分野の加工法において、層を追加し、その層に構造体を作製するには、層を追加する工程と層の表面に加工のための保護膜を成膜する工程と保護膜に構造体の形状を転写する工程と転写された形状に層を加工する工程と保護膜を除去する工程といった多数の工程を加える必要があり、光偏向器の作製工程数を大幅に増加させることになる。また、一般に、作製工程数の増加は、寸法のばらつきを助長し、性能のばらつきを引き起こすため、望ましくない。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、第一のヒンジ311および第二のヒンジ312の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層、特に、デバイス層である。当業界において、通常、光偏向器のヒンジは、単結晶シリコンの基板を加工して構造体を作製するバルクマイクロマシニング技術あるいは、基板上に堆積した薄膜を加工して構造体を作製するサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される。また一般に、バルクマイクロマシニング技術により作製される構造体はサーフェイスマイクロマシニング技術により作製される構造体に比べて、例えば、内部残留応力が小さいという特徴を有する。内部残留応力が小さいことは構造体に生じる初期歪みが小さいことを意味する。したがって、単結晶シリコンからなるSOI基板の一層に作製された本実施の形態のヒンジ311,312は初期歪が少ないため、光偏向器の初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、可動板301の反射面303が設けられた面の裏面に支柱302を設けているため、ジンバル構造体330を支柱302の下端に設けることができる。つまり、可動板301の上面の全面を反射面303として機能させることが可能な構成および隣り合う可動板と可動板の隙間が狭くなるように配列可能な構成を有する。したがって、光偏向器アレイの小型化が狙える。特に、光偏向器を2次元に配列した2次元光偏向器アレイを作製する場合、従来例の光偏向器の構成では、反射面として有効な面積が、可動板上面の面積の約半分となるため、隣り合う反射面と反射面の隙間が狭くなるように2次元に配列することができない。一方、本実施の形態の光偏向器は、隣り合う反射面と反射面の隙間が狭くなるように2次元に配列することが可能な構成となっている。さらに、本実施の形態の光偏向器では、基板350の中央付近の第一の基板平面部351が可動板301に近づけられている。また、駆動電極が第一の基板平面部351のみに設けられているため、駆動電極と可動板301の静電ギャップが狭くなっている。静電ギャップが狭くなったことにより、駆動電極と可動板301の間で発生する力が大きくなるため、その分だけ駆動電極の面積を小さくすることが可能になる。したがって、可動板とその可動板と対向する駆動電極の距離に比べて、隣り合う光偏向器と光偏向器のそれぞれの駆動電極間の距離を離すことができるため、本実施の形態の光偏向器は隣り合う光偏向器間の電気的クロストークが低減されるような構成となっているのである。効果以上の様に、本実施の形態の光偏向器は、可動板の上面の全面を反射面として機能させることができるため、光偏向器の小型化が実現できるという効果を有する。また、ヒンジ311,312と接続部305と可動枠315と固定部307を同一の層で一体的に作製することにより、光偏向器作製の工程数を最小限に抑えることが可能であるため、歩留まりの向上を図りやすく、ばらつきが少なく量産性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、ヒンジ311,312の部材が単結晶シリコンからなるSOI基板の一層であるため、初期姿勢の安定性に優れる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、可動板の下面に支柱を設けているため、ジンバル構造体を支柱の先端に設けることができる。したがって、2軸駆動の光偏向器であっても、小型化が実現できる。また、本実施の形態の光偏向器は、特に、可動板の上面の全面を反射面として機能させることが可能な構成を有すると同時に隣り合う可動板と可動板の隙間が狭くなるように配列可能な構成を有しているため、光偏向器アレイの小型化が実現できる。さらに、本実施の形態の光偏向器は、特に、駆動電極と可動板の静電ギャップが狭くなるように、駆動電極が基板の凸部である第一の基板平面部のみに設けられているため、隣り合う光偏向器間の電気的クロストークが低減される。バリエーションなお、本実施の形態においては可動板301の反射面303を設ける一面の形状を矩形で示したが、その形状は、反射面303に入射する光のスポットよりも大きい面積を得ることができればよく、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、支柱302の断面形状は、例えば、多角形、円形などのMEMS分野の技術で加工が可能である形状とすることができる。また、本実施の形態においては偏向器の作製にSOI基板を用いたが、例えば、シリコン、ガラスなど、MEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である基板の一面に、多結晶シリコン、窒化ケイ素、有機物、金属などのMEMS分野の技術などでエッチング等を含む機械的な加工が可能である材料を堆積した基板を用いることができる。また、本実施の形態においては可動板301と支柱302とは別層に作製したが、可動板301と支柱302とを同一層で作製することが可能である。また、本実施の形態において、基板350は第一の基板平面部351と第二の基板平面部352と第一の基板平面部351と第二の基板平面部352をつなぐ斜面353を有しているが、もちろん基板平面部と斜面は複数設けることも可能である。また、斜面353の一面と第一の基板平面部351とのなす角度は0度から90度までの任意の角度に設定することができる。これまで、図面を参照しながら本発明の実施の形態を述べたが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形や変更が施されてもよい。ここにいう様々な変形や変更は、上述した実施の形態を適当に組み合わせた実施も含む。"