基板に一方の面から他方の面に形成された電極にまで貫通するホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内に有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、前記ホール内の側壁部の前記有機絶縁膜を残し、前記ホール内の底部の前記有機絶縁膜の少なくとも一部を除去して前記電極に貫通させる工程と、前記電極の露出面を不活性ガスのプラズマによってクリーニングするクリーニング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程と、酸素プラズマを作用させて前記有機絶縁膜の表面層の少なくとも一部を除去する表面層除去工程と、前記基板を非酸化性雰囲気で熱処理する熱処理工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、前記有機絶縁膜は、ポリイミド膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2記載の半導体装置の製造方法であって、前記ポリイミド膜は、蒸着重合によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~3いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、不活性ガスのプラズマとしてArプラズマを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~4いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、有機絶縁膜表面層除去工程は、ダウンフロープラズマを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~5いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、前記熱処理工程では、前記基板を200°C~400°Cに加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~6いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、前記表面層除去工程では、前記ポリイミド膜を、少なくとも表面から0.1μm除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2~5いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、前記熱処理工程では、前記基板を200°C~300°Cに加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。上述した半導体装置の製造方法において、ホール底部の絶縁膜の除去を行った後、ホール底部に露出した配線部に形成された酸化膜の除去等のクリーニングを行うため、Arプラズマ等の不活性ガスのプラズマを照射する工程等を設ける場合がある。しかしながら、ホール内に形成する絶縁膜としてポリイミド膜等の有機膜を使用した場合、このようなクリーニングを行うと、有機膜がArプラズマによって損傷を受け、絶縁性が低下してしまうという問題がある。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、絶縁膜としてポリイミド膜等の有機膜を用いても、不活性ガスのプラズマの照射によるクリーニングに起因する絶縁膜の絶縁性の低下を回復することができ、リーク電流の発生を抑制した良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、基板に一方の面から他方の面に形成された電極にまで貫通するホールを形成するホール形成工程と、前記ホール内に有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、前記ホール内の側壁部の前記有機絶縁膜を残し、前記ホール内の底部の前記有機絶縁膜の少なくとも一部を除去して前記電極に貫通させる工程と、前記電極の露出面を不活性ガスのプラズマによってクリーニングするクリーニング工程と、前記ホール内に導体金属を充填する導体金属充填工程と、酸素プラズマを作用させて前記有機絶縁膜の表面層の少なくとも一部を除去する有機絶縁膜表面層除去工程と、前記基板を非酸化性雰囲気で熱処理する熱処理工程とを具備したことを特徴とする。本発明によれば、絶縁膜としてポリイミド膜等の有機膜を用いても、不活性ガスのプラズマの照射によるクリーニングに起因する絶縁膜の絶縁性の低下を回復することができ、リーク電流の発生を抑制した良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供できる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図4は、本発明の一実施形態における工程の概略を説明するための模式図であり、後述するポリイミド膜の絶縁特性を測定した測定サンプルを作成した工程を示している。まず、図4aに示すようにシリコン基板400上に蒸着重合によってポリイミド膜401を成膜する。次に、図4bに示すように、実際の半導体装置におけるクリーニング処理と同様に、ポリイミド膜401の表面にArプラズマを照射する。図4cは、クリーニング処理後のポリイミド膜401の状態を示しており、ポリイミド膜401の表面には、Arプラズマが照射されたことにより、イミド環が消滅する変化が起こった層402が生じている。次に、図4dに示すように、このイミド環が消滅する変化が起こった層402を、酸素プラズマを用いて除去する。図4eは、イミド環が消滅する変化が起こった層402を除去し、ポリイミド膜401の膜厚が減少した状態を示している。この後、図4fに示すように、シリコン基板400全体を加熱雰囲気405中に配置し、加熱して、図4gに示すように、一連の処理を終了する。以下、各処理の時点で図5に示す方法で行うポリイミド膜の絶縁性能を確認するリーク電流測定の結果と、XPSによる組成分析の結果とを交えて説明する。図5はクリーニング処理前後を例にとって、リーク電流の測定を行う方法を説明した図である。この測定方法では、シリコン基板400を接地し、ポリイミド膜401又はイミド環が消滅する変化が起こった層402の表面に、電圧を印加可能な電流を測定する端子410を当て、印加する電圧を0から徐々に上げながら、それぞれの電圧において検出した電流値を記録する。図6のグラフは、図4bのクリーニング処理前後、すなわち図4aおよび図4cの状態における、印加電圧に対するリーク電流の変化を示している。図6に示されるように、リーク電流が1.0×10-12A/cm2以下であったポリイミド膜が、Arプラズマ照射によるクリーニング処理後は1.0×10-10A/cm2以上のリーク電流が発生するようになっており、絶縁膜としての性能が低下していることが分かる。例えば、図6の横軸に示す印加電圧が10Vの場合、クリーニング処理前はリーク電流が1.2×10-13A/cm2であったのに対し、クリーニング処理後は3.6×10-9A/cm2であった。図6のグラフに測定結果を示したサンプルのポリイミド膜表面をXPSによって分析したところ、図7に示すように、結合エネルギーが288.6eV付近に現れるイミド環由来のピークが、クリーニング処理によって減少していることが明らかになった。図7のグラフの横軸は照射したX線を基準としたときの光電子のエネルギー、縦軸は観測された光電子の個数を示している。なお、後述する図8~10のグラフも同じである。次に、図4dに該当する、損傷を受けたポリイミド膜イミド環が消滅する変化が起こった層402をO2プラズマによって除去する処理を行い、その特性を測定した。成膜したポリイミド膜の厚さは1μmであるが、表面から0.1μm図8、0.3μm図9、0.6μm図10と除去する深さを変え、それぞれ除去後の表面をXPSによって分析を行った。図8に示すように、損傷を受けたポリイミド膜を表面から0.1μm除去すれば、図中円で囲んだ部分に示されるように、288.6eVに現れるイミド環由来のピークが再び現れるようになった。しかしながら、各サンプルのリーク電流を測定すると、図11に示すように、リーク電流値は1.0×10-11A/cm2を下回ることはなく、絶縁膜としての性能は低下したまま、元の状態に戻っていないことが分かる。更に続いて、損傷を受けたポリイミド膜をO2プラズマによって除去したサンプルを、400°Cで加熱処理を行った。その結果、ポリイミド膜を表面から0.1μm以上除去していれば、図12に示すように、リーク電流値は、クリーニング処理を行う前と同じ1.0×10-13A/cm2レベル指数に戻ることが確認できた。また、温度を変えて熱処理を行ったところ、図13に示すように、温度が200°C以上であれば、表面から0.1μmまでポリイミド膜を除去しておくことによって、クリーニング処理前の絶縁性能に回復できることが分かる。三次元実装は、既に半導体装置を形成した半導体ウエハに対して行う。半導体装置には様々な材料を使用しており、中には高温に耐えられない物性を有するものもある。したがって、高温ではなく、可能な限り低温での処理を行うことが好ましい。ここでは低温とは300°C以下の温度を意味し、300°C以下で処理を行えることは、半導体ウエハに形成した半導体装置への損傷を防ぐ意味で非常に重要である。続いて、本発明の詳細を、別の実施形態を用いて説明する。図1A~図1Hは、被処理基板としての半導体ウエハWの要部断面構成を拡大して模式的に示し、本実施形態の工程を示すものである。図1A~図1Hに示す半導体ウエハWは、シリコン製の半導体ウエハWに半導体回路を形成した後、裏面側からグラインディングによって薄化処理を行ったものである。この半導体ウエハWをトレイ等に仮貼り合わせを行った後、裏面側を上向きににし、所定のリソグラフィ工程を行って、図1Aに示すように、半導体ウエハWを貫通して配線部電極パッド100に通じるホール101を形成し、ホール101の底部101a及び側壁部101bを含めて、半導体ウエハWの表面に有機絶縁膜、本実施形態では、ポリイミド膜102を形成する。上記ポリイミド膜102は、例えば蒸着重合によって形成することができる。ポリイミド膜102を蒸着重合によって形成する場合、例えば、PMDA及びODAをモノマー原料として半導体ウエハW上で共蒸着重合反応を起こすことによって、半導体ウエハW上に均一なポリイミド膜102を形成することができる。このポリイミド膜102の膜厚は、例えば1.0μm程度とする。次に、図1Bに示すように、ホール101の側壁部101bに形成されたポリイミド膜102を残し、ホール101の底部101aに形成されたポリイミド膜102のみを除去して配線部100に貫通させる。この工程は、例えば、ホール101の側壁部101bに形成されたポリイミド膜102を保護するマスク等を用いた周知の方法で行うことができる。次に、図1Cに示すように、半導体ウエハに、不活性ガスのプラズマ、本実施形態ではArプラズマを照射して、露出した配線部100の表面に形成された酸化膜等の除去のため等のクリーニング処理を行う。このArプラズマの照射によって、ポリイミド膜102が損傷を受け、その絶縁性が低下してしまう。次に、図1Dに示すように、ホール101内にバリアシード層103、例えばCu/TiN/Tiのスパッタ膜を形成する。次に、図1Eに示すように、ホール101内に導体金属104充填して、配線部100と電気的に導通したウエハWを貫通する電極を形成する。次に、図1Fに示すように、バリアシード層103を除去して半導体ウエハWを貫通する電極が完成する。次に、図1Gに示すように、酸素プラズマを作用させて、ポリイミド膜102の表面層の少なくとも一部を除去する表面層除去工程を行う。この表面層除去工程は、半導体ウエハWにバイアスを印加せず、ダウンフロープラズマを用いて酸素のラジカルを作用させて行うことが好ましい。この場合、ポリイミド膜102を表面から0.1μm以上除去することが好ましい。次に、図1Hに示すように、半導体ウエハWを非酸化性雰囲気、例えば窒素雰囲気で熱処理する熱処理工程を行う。この熱処理工程における加熱温度は、例えば、200°C以上程度とすればよく、200°C~400°C程度とすることが好ましく、200°C~300°C程度とすることがさらに好ましい。また、加熱処理時間は、例えば、30分程度とすることが好ましい。上記の酸素プラズマによる表面層除去工程と、熱処理工程とを行うことによって、ポリイミド膜102の絶縁性を回復させることができる。上記の工程では、絶縁膜としてポリイミド膜のような有機膜を用いても、ウェット洗浄等を用いることなく、Arプラズマの照射によるドライ工程による洗浄を行うことができ、かつ、絶縁膜の絶縁性を回復させて絶縁性の低下を抑制することができる。縦軸を単位面積当たりのリーク電流値A/cm2、横軸を電界強度MV/cmとした図2のグラフは、Arプラズマの照射によるクリーニング処理の有無、上記したダメージ回復処理の後におけるポリイミド膜の絶縁性を測定した結果を示している。この図2のグラフのクリーニング処理前とクリーニング処理後とを比較すると分かるように、Arプラズマの照射によって、ポリイミド膜の絶縁性が低下し、Arプラズマの照射前と比べて4桁以上リーク電流が増加する。上記のリーク電流の測定は、半導体ウエハに、図3に示すような貫通電極TSVthroughsiliconvia構造を模擬したサンプルを作成して行った。以下、図3を参照してサンプルの製造方法について説明する。まず、図3aに示すように、シリコン基板200にホール201を形成し、ホール201内を含めて表面にポリイミド膜202厚さ約1.0μmを形成した。このポリイミド膜202の形成は、PMDA及びODAをモノマー原料とした共蒸着重合反応によって行った。次に、図3bに示すように、Arプラズマの照射を行った。このArプラズマの照射は、高周波電力を200Wとして、60秒行った。次に、図3cに示すように、バリアシード層203を形成した。このバリアシード層203は、Cu/TiN/Ti膜厚さ1000nm/35nm/35nmをスパッタにより成膜して形成した。次に、図3dに示すように、フォトレジストマスク204を形成し、Sn/Cuメッキによって、ホール201の底部から側壁部及び上部開口周辺に至るように電極205を形成した。次に、図3eに示すように、剥離液によってフォトレジストマスク204を剥離し、この後、図3fに示すように、バリアシード層203を除去した。上記の工程で製造したサンプルについて、図3gに示すように、電極205にプローブ210を当接させ、シリコン基板200の裏面側を接地電位としてリーク電流の測定を行った。この測定結果が、図2のグラフ中クリーニング処理後として示されている。また、図3bに示すように、Arプラズマの照射を行った後、酸素のダウンフロープラズマによりポリイミド膜の表面層を除去したサンプルについても、同様にリーク電流の測定を行った。この測定結果が、図2のグラフ中O2プラズマ処理後として示されている。さらに、上記のように酸素のダウンフロープラズマによりポリイミド膜の表面層を除去した後、加熱処理を行ったサンプルについても、同様にリーク電流の測定を行った。この測定結果が、図2のグラフ中加熱処理後として示されている。図2のグラフに示すように、クリーニング処理前の場合に比べて、Arプラズマ照射を行った場合図2に示すクリーニング処理後は、リーク電流が4桁以上増え、絶縁性が大きく低下する。そして、ダメージ回復処理として、酸素のダウンフロープラズマによりポリイミド膜の表面層を除去すると、ある程度絶縁性が改善され、リーク電流は、ダメージ回復前より低下するが、クリーニング処理前の状態に比べて、リーク電流が多く、完全には回復していない図2に示すO2プラズマ処理後。そして、上記の酸素のダウンフロープラズマによる処理の後、加熱処理を行うと、クリーニング処理前と同様なレベルにまでリーク電流が減少し、ダメージを回復して絶縁性をクリーニング処理前の状態と同等にすることができた図2に示す加熱処理後。これらの結果をまとめたものが図14である。図14には各操作を行った後の、実サンプルを用いて測定した、電界強度が0.10MV/cmの場合のリーク電流と、それぞれの特徴を示している。O2プラズマ処理によって、クリーニング処理前のリーク電流値よりも1桁大きい数値になっているが、加熱処理を加えた回復処理を行う事で、元の桁に戻っている。リーク電流値が1桁大きくなるだけで、全体の消費電力が増加し、許容することは好ましくない。なお、図14の結果は、図3に示す実サンプルでの測定結果なので、図5における測定用サンプルの結果とはリーク電流の数値、特に桁orderが異なっているが、得られた結果の傾向は同等であり、技術の内容は同一である。以上のとおり、本発明の実施形態によれば、絶縁膜としてポリイミド膜等の有機膜を用いても、不活性ガスのプラズマの照射によるクリーニングに起因する絶縁膜の絶縁性の低下を回復することができ、リーク電流の発生を抑制した良質な半導体装置を製造することができる。なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。