"光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物であって、環状エーテル基を有する化合物と、硬化剤と、酸化チタンとを含み、前記環状エーテル基を有する化合物が、メチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位、及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有し、前記酸化チタンが、金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されている、光半導体装置用硬化性組成物。前記金属酸化物又は金属水酸化物が、アルミニウムを含有する金属化合物である、請求項1に記載の光半導体装置用硬化性組成物。光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物である、請求項1又は2に記載の光半導体装置用硬化性組成物。請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置用成形体。プリント配線板又はリードフレームと、前記プリント配線板上又は前記リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、前記プリント配線板上又は前記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、前記成形体が、請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる、光半導体装置。前記成形体が、前記光半導体素子の側方に配置されており、前記成形体の内面が前記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部である、請求項5に記載の光半導体装置。特許文献1に記載のような従来の硬化性組成物では、流動性が悪いことがある。このため、上記硬化性組成物の成形性が悪く、良好な成形体が得られないことがある。また、上記成形体の内面は、光半導体素子から発せられた光を反射するために、光の反射率が高いことが望ましい。さらに、光半導体装置は使用時などに高温下に晒されることが多いので、上記成形体の耐熱性は高いことが望ましい。しかしながら、従来の硬化性組成物を硬化させた成形体では、該成形体の光の反射率及び耐熱性が低いことがある。成形体の光の反射率が低いと、光半導体素子から発せられた光が成形体の表面に到達したときに、光が充分に反射されず、光半導体装置から取り出される光の明るさが低くなる。成形体の耐熱性が低いと、光半導体装置の耐熱信頼性が低くなり、光半導体装置を長期間使用したときに光半導体装置から取り出される光の明るさが低下することがある。本発明の目的は、流動性に優れている光半導体装置用硬化性組成物、並びに該光半導体装置用硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。本発明の限定的な目的は、流動性に優れているだけでなく、光の反射率が良好な成形体を得ることができる光半導体装置用硬化性組成物、並びに該光半導体装置用硬化性組成物を用いた成形体及び光半導体装置を提供することである。本発明の広い局面によれば、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物であって、環状エーテル基を有する化合物と、硬化剤と、酸化チタンとを含み、上記環状エーテル基を有する化合物が、メチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位、及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有し、上記酸化チタンが、金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されている、光半導体装置用硬化性組成物が提供される。上記金属酸化物又は金属水酸化物は、アルミニウムを含有する金属化合物であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる。本発明に係る光半導体装置は、プリント配線板又はリードフレームと、該プリント配線板上又は該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記プリント配線板上又は上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上述した光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる。本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部である。本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、環状エーテル基を有する化合物と硬化剤と酸化チタンとを含むので、更に上記環状エーテル基を有する化合物が、メチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有し、かつ上記酸化チタンが、金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されているので、流動性を良好にすることができる。以下、本発明を詳細に説明する。光半導体装置用硬化性組成物本発明は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物である。上記成形体は、所定の形状に成形された硬化物である。本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、環状エーテル基を有する化合物Aと、硬化剤Bと、酸化チタンCとを含む。本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物では、上記環状エーテル基を有する化合物Aはメチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位、及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有する。酸化チタンCは、金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されている。本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物における上記組成の採用によって、硬化性組成物の流動性を良好にすることができる。このため、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は成形性に優れており、均質なかつ良好な形状を有する成形体を容易に得ることができる。また、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物における上記組成の採用によって、光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体の光の反射率を高めることができる。得られる成形体は、光の反射率が高いので、光半導体素子から発せられる光が成形体に到達したときに光を効果的に反射させる。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさを明るくすることができる。さらに、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物における上記組成の採用によって、上記成形体の耐熱性も高めることができる。また、上記成形体は、耐熱性が高いので高温下に晒されても変色し難い。このため、光半導体装置の耐熱信頼性を高めることができ、高温下に晒されたときの光半導体装置から取り出される光の明るさの低下を抑制できる。上記金属酸化物又は金属水酸化物は、アルミニウムを含有する金属化合物であることが好ましい。この特定の金属化合物により表面処理された酸化チタンの使用により、上記光半導体装置用硬化性組成物の流動性及び上記成形体の耐熱性をより一層良好にすることができる。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化剤は、ジシアンジアミド又はフェノール化合物であることが好ましい。この特定の硬化剤の使用は、成形体の耐熱性の向上に大きく寄与する。また、ジシアンジアミド又はフェノール化合物の使用は、上記光半導体装置用硬化性組成物のポットライフの向上にも寄与する。以下、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。[環状エーテル基を有する化合物A]上記光半導体装置用硬化性組成物は、熱の付与によって硬化可能であるように、環状エーテル基を有する化合物Aを含む。また、熱硬化性化合物として環状エーテル基を有する化合物Aを用いることにより、成形体の耐熱性が高くなる。また、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物では、環状エーテル基を有する化合物Aは、メチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位、及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有する環状エーテル基を有する。この特定の構造単位の存在は、上記光半導体装置用硬化性組成物の流動性及び成形体の耐熱性の向上に大きく寄与する。環状エーテル基を有する化合物Aは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。環状エーテル基を有する化合物Aにおける環状エーテル基としては、エポキシ基及びオキセタニル基等が挙げられる。なかでも、硬化性を高め、かつ耐熱性により一層優れた成形体を得る観点からは、上記環状エーテル基はエポキシ基であることが好ましい。環状エーテル基を有する化合物Aは、環状エーテル基を2個以上有することが好ましい。エポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールS型エポキシ化合物、ジグリシジルフタレート化合物、トリグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ化合物、ビキシレノール型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、テトラグリシジルキシレノイルエタン化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、水添ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールA型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ化合物、キレート型エポキシ化合物、グリオキザール型エポキシ化合物、アミノ基含有エポキシ化合物、ゴム変性エポキシ化合物、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ化合物、シリコーン変性エポキシ化合物及びε-カプロラクトン変性エポキシ化合物等が知られている。オキセタニル基を有する化合物としては、例えば、特許第3074086号公報に例示されている化合物が知られている。上述したエポキシ基を有する化合物及びオキセタニル基を有する化合物の中で、メチレン基を介して2つの芳香環が結合した第1の構造単位、及びオキシメチレン基と芳香環とがエーテル結合した第2の構造単位の内の少なくとも1つの構造単位を有する環状エーテル基を有する化合物が適宜選択して用いられる。また、上述したエポキシ基を有する化合物及びオキセタニル基を有する化合物以外の特定の上記構造単位を有する環状エーテル基を有する化合物を用いてもよい。上記第1の構造単位における2つの芳香環は、ベンゼン環又は置換基を持つベンゼン環であることが好ましい。上記第1の構造単位は、下記式11で表される構造単位であることが好ましい。下記式11中に示す共有結合は、フェニレン基に対してどの位置に結合していてもよい。また、フェニレン基は置換されていてもよい。上記第2の構造単位における芳香環は、ベンゼン環又は置換基を持つベンゼン環であることが好ましい。上記第2の構造単位は、下記式12で表される構造単位であることが好ましい。下記式12中に示された共有結合は、フェニレン基に対してどの位置に結合していてもよい。また、フェニレン基は置換されていてもよい。上記成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル骨格を有する化合物Aは、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有することが好ましい。さらに、上記光半導体装置用硬化性組成物は、上記環状エーテル骨格を有する化合物Aとして、ビスフェノール骨格又はノボラック骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。環状エーテル基を有する化合物Aの配合量は、熱の付与により適度に硬化するように適宜調整され、特に限定されない。上記光半導体装置用硬化性組成物100重量中、環状エーテル基を有する化合物Aの含有量は好ましくは3重量以上、より好ましくは5重量以上、更に好ましくは10重量以上、好ましくは99重量以下、より好ましくは95重量以下、更に好ましくは80重量以下である。化合物Aの含有量が上記下限以上であると、熱の付与により硬化性組成物がより一層効果的に硬化する。化合物Aの含有量が上記上限以下であると、成形体の耐熱性がより一層高くなる。[硬化剤B]上記光半導体装置用硬化性組成物は、熱の付与によって効率的に硬化可能であるように、硬化剤Bを含む。硬化剤Bは、環状エーテル基を有する化合物Aを硬化させる。硬化剤Bとしては、ジシアンジアミド、フェノール化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、トリアジン環を有する化合物、メチルメタアクリレート樹脂又はスチレン樹脂等により形成されたシェルにより、トリフェニルホスフィン硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤例えば、日本化薬社製EPCAT-P及びEPCAT-PS、ポリウレア系重合体又はラジカル重合体により形成されたシェルにより、アミンなどの硬化剤が被覆されている潜在性硬化剤特許第3031897号公報及び特許第3199818号公報に記載、変性イミダゾールなどの硬化剤をエポキシ樹脂中に分散させて閉じ込め、粉砕することにより得られた潜在性硬化剤旭化成イーマテリアルズ社製ノバキュアHXA3792及びHXA3932HP、熱可塑性高分子内に硬化剤を分散させ、含有させた潜在性硬化剤特許第3098061号公報に記載、並びにテトラキスフェノール類化合物などにより被覆されたイミダゾール潜在性硬化剤例えば、日本曹達社製TEP-2E4MZ及びHIPA-2E4MZ等が挙げられる。これら以外の硬化剤Bを用いてもよい。上記フェノール化合物の具体例としては、レゾール型フェノール化合物、ノボラック型フェノール化合物、ビフェノール型フェノール化合物、ナフタレン型フェノール化合物、ジシクロペンタジエン型フェノール化合物、アラルキル型フェノール化合物及びジシクロペンタジエン型フェノール化合物等が挙げられる。上記フェノール化合物の市販品としては、レゾール型フェノール化合物昭和電工社製BKM-2620、ノボラック型フェノール化合物DIC社製TD-2091、ビフェニルノボラック型フェノール化合物明和化成社製MEH-7851及びアラルキル型フェノール化合物明和化成社製MEH-7800等が挙げられる。上記硬化剤Bは、ジシアンジアミド又はフェノール化合物であることが好ましい。硬化剤Bはジシアンジアミドであることが好ましく、フェノール化合物であることも好ましい。ジシアンジアミド又はフェノール化合物の使用は、硬化性組成物の流動性及びポットライフを良好にし、かつ成形体の耐熱性及び光の反射率を高めることに大きく寄与する。上記フェノール化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物である。環状エーテル基を有する化合物Aと硬化剤Bとの配合比率は特に限定されない。環状エーテル基を有する化合物A100重量部に対して、硬化剤Bの含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、特に好ましくは3重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは100重量部以下である。また、硬化剤Bがジシアンジアミドである場合には、環状エーテル基を有する化合物A100重量部に対して、ジシアンジアミドの含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは1重量部以上、更に好ましくは2重量部以上、好ましくは60重量部以下、より好ましくは50重量部以下、更に好ましくは40重量部以下である。硬化剤Bがフェノール化合物である場合には、環状エーテル基を有する化合物A100重量部に対して、フェノール化合物の含有量は、好ましくは1重量部以上、より好ましくは3重量部以上、更に好ましくは5重量部以上、好ましくは500重量部以下、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは100重量部以下である。酸化チタンC上記光半導体装置用硬化性組成物は酸化チタンを含むので、光の反射率が高い成形体を得ることができる。上記光半導体装置用硬化性組成物に含まれている酸化チタンCは、金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されている。酸化チタンCが金属酸化物又は金属水酸化物により表面処理されていることによって、上記光半導体装置用硬化性組成物の流動性及び成形体の耐熱性が高くなり、高温に晒されても成形体が黄変し難くなる。酸化チタンCは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記金属酸化物又は金属水酸化物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記酸化チタンCの使用によって、酸化チタンC以外の他の無機フィラーを用いた場合と比較して、光の反射率が高い成形体が得られる。上記酸化チタンCは、ルチル型酸化チタン又はアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。ルチル型酸化チタンの使用により、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。上記アナターゼ型酸化チタンは、ルチル型酸化チタンよりも、硬度が低い。このため、アナターゼ型酸化チタンの使用により、上記硬化性組成物の成形性がより一層高くなる。上記金属酸化物又は金属水酸化物は、酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物であってもよく、塩基性金属酸化物又は塩基性金属酸化物であってもよい。成形体の耐熱性をより一層高くし、高温下での成形体の黄変をより一層抑制する観点からは、上記金属酸化物又は金属水酸化物は、アルミニウムを含有する金属化合物であることが好ましい。上記金属酸化物又は金属水酸化物は、アルミニウム、マグネシウム、ジルコニウム、セリウム、ストロンチウム、アンチモン、バリウム又はカルシウムを含有する金属化合物であることが好ましい。成形体の耐熱性をより一層高くし、高温下での成形体の黄変をより一層抑制する観点からは、上記金属酸化物又は金属水酸化物は、塩基性金属酸化物又は塩基性金属水酸化物であることも好ましい。上記酸性金属酸化物又は酸性金属水酸化物としては、アルミニウム、珪素、亜鉛、スズ又は鉛等を含有する金属化合物が挙げられる。本明細書において、珪素は金属元素に含まれることとする。上記塩基性金属酸化物又は塩基性金属水酸化物としては、マグネシウム、ジルコニウム、セリウム、ストロンチウム、アンチモン、バリウム又はカルシウム等を含有する金属化合物が挙げられる。高温下での成形体の黄変をより一層抑制できるので、上記塩基性金属酸化物又は塩基性金属水酸化物を構成する金属元素は、マグネシウム、ジルコニウム、セリウム、ストロンチウム、アンチモン、バリウム又はカルシウムであることが好ましい。高温下での成形体の黄変をさらに一層抑制できるので、酸化チタンCは、酸化ジルコニウムを含む被覆材料により被覆されていることが好ましい。上記塩基性金属酸化物又は塩基性金属水酸化物として、酸化ジルコニウムが好適に用いられる。上記金属酸化物又は金属水酸化物により被覆された酸化チタンCは、例えば以下のようにして得ることができる。水又は水を主成分とする液中に酸化チタンを分散させ、スラリーを得る。必要に応じてサンドミル又はボールミル等により、酸化チタンを粉砕する。次いで、スラリーのpHを中性又はアルカリ性、場合によっては酸性にする。その後、被覆材料の原料となる水溶性塩をスラリーに添加し、酸化チタンの表面を被覆する。その後、スラリーを中和し、酸化チタンを回収する。回収された酸化チタンは、乾燥又は乾式粉砕されてもよい。上記酸化チタンCは、酸性部位を有し、酸化チタンCの酸性部位と反応可能な化合物により表面処理されていることが好ましい。上記酸化チタンCの酸性部位と反応可能な化合物は、塩基性化合物であることが好ましい。また、上記塩基性化合物は、多価アルコール、アルカノールアミン又はアルコキシシランであることがより好ましい。また、上記酸化チタンCは、アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンを含むことが好ましい。上記酸化チタンC100重量中、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの含有量は好ましくは10重量以上、より好ましくは30重量以上、100重量以下である。上記酸化チタンCの全量が、上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンであってもよい。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンの使用により、成形体の耐熱性がより一層高くなる。上記アルミニウム酸化物により表面処理されたルチル型酸化チタンとしては、例えば、ルチル塩素法酸化チタンである石原産業社製の品番:CR-58や、ルチル硫酸法酸化チタンである石原産業社製の品番:R-630等が挙げられる。上記光半導体装置用硬化性組成物100重量中、酸化チタンCの含有量は、好ましくは3重量以上、より好ましくは10重量以上、更に好ましくは15重量以上、好ましくは80重量以下、より好ましくは75重量以下、更に好ましくは70重量以下である。酸化チタンCの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の光の反射率がより一層高くなり、更に成形体の耐熱性が高くなって、成形体が高温に晒されたときに黄変し難くなる。硬化促進剤上記光半導体装置用硬化性組成物は、硬化促進剤を含むことが好ましい。該硬化促進剤の使用により、上記光半導体装置用硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に成形体の耐熱性をより一層高めることができる。上記硬化促進剤としては、例えば、ウレア化合物、オニウム塩化合物、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、ウレア、脂肪族ウレア化合物及び芳香族ウレア化合物等が挙げられる。上記ウレア化合物の具体例としては、ウレア、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア及びトリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。これら以外のウレア化合物を用いてもよい。上記オニウム塩化合物としては、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びスルホニウム塩化合物等が挙げられる。上記イミダゾール化合物としては、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2-フェニル-4-メチル-5-ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。上記リン化合物は、リンを含有し、リン含有化合物である。上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n-ブチルホスホニウム-o,o-ジエチルホスホロジチオエート、テトラ-n-ブチルホスホニウム-テトラフルオロボレート、及びテトラ-n-ブチルホスホニウム-テトラフェニルボレート等が挙げられる。これら以外のリン化合物を用いてもよい。上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び4,4-ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルトII及びトリスアセチルアセトナートコバルトIII等が挙げられる。上記光半導体装置用硬化性組成物の硬化性をより一層高め、更に成形体の耐熱性をより一層高める観点からは、上記硬化促進剤は、ウレア化合物、オニウム塩化合物又はリン化合物であることが好ましい。上記硬化促進剤は、ウレア化合物であることが好ましく、オニウム塩化合物であることも好ましく、リン化合物であることも好ましい。環状エーテル基を有する化合物Aと硬化促進剤との配合比率は特に限定されない。環状エーテル基を有する化合物A100重量部に対して、硬化促進剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、更に好ましくは1重量部以上、好ましくは100重量部以下、より好ましくは70重量部以下、更に好ましくは50重量部以下である。シリカ上記光半導体装置用硬化性組成物は、シリカを含むことが好ましい。シリカの使用により、成形体の強靭性がより一層良好になる。上記光半導体装置用硬化性組成物100重量中、上記シリカの含有量は、好ましくは3重量以上、より好ましくは5重量以上、好ましくは50重量以下、より好ましくは40重量以下である。上記シリカの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、成形体の強靭性がより一層良好になる。他の成分上記光半導体装置用硬化性組成物は、必要に応じて、酸化防止剤、酸化チタン以外の他の充填剤、離型剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、抗菌剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、カップリング剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含んでいてもよい。上記酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びアミン系酸化防止剤等が挙げられる。上記フェノール系酸化防止剤の市販品としては、IRGANOX1010、IRGANOX1035、IRGANOX1076、IRGANOX1135、IRGANOX245、IRGANOX259、及びIRGANOX295以上、いずれもBASF社製、アデカスタブAO-30、アデカスタブAO-40、アデカスタブAO-50、アデカスタブAO-60、アデカスタブAO-70、アデカスタブAO-80、アデカスタブAO-90、及びアデカスタブAO-330以上、いずれもADEKA社製、SumilizerGA-80、SumilizerMDP-S、SumilizerBBM-S、SumilizerGM、SumilizerGSF、及びSumilizerGP以上、いずれも住友化学工業社製、HOSTANOXO10、HOSTANOXO16、HOSTANOXO14、及びHOSTANOXO3以上、いずれもクラリアント社製、アンテージBHT、アンテージW-300、アンテージW-400、及びアンテージW500以上、いずれも川口化学工業社製、並びにSEENOX224M、及びSEENOX326M以上、いずれもシプロ化成社製等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤としては、シクロヘキシルフォスフィン及びトリフェニルフォスフィン等が挙げられる。上記リン系酸化防止剤の市販品としては、アデアスタブPEP-4C、アデアスタブPEP-8、アデアスタブPEP-24G、アデアスタブPEP-36、アデアスタブHP-10、アデアスタブ2112、アデアスタブ260、アデアスタブ522A、アデアスタブ1178、アデアスタブ1500、アデアスタブC、アデアスタブ135A、アデアスタブ3010、及びアデアスタブTPP以上、いずれもADEKA社製、サンドスタブP-EPQ、及びホスタノックスPAR24以上、いずれもクラリアント社製、並びにJP-312L、JP-318-0、JPM-308、JPM-313、JPP-613M、JPP-31、JPP-2000PT、及びJPH-3800以上、いずれも城北化学工業社製等が挙げられる。上記アミン系酸化防止剤としては、トリエチルアミン、メラミン、エチルジアミノ-S-トリアジン、2,4-ジアミノ-S-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-トリル-S-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-キシリル-S-トリアジン及び第四級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。上記環状エーテル基を有する化合物A100重量部に対して、上記酸化防止剤の含有量は好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは5重量部以上、好ましくは50重量部以下、より好ましくは30重量部以下である。上記酸化防止剤の含有量が上記下限以上及び上限以下であると、耐熱性により一層優れた成形体が得られる。光半導体装置用硬化性組成物の他の詳細及び光半導体装置用成形体本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、光半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上に配置される成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物である。上記リードフレームは、例えば、光半導体素子を支持しかつ固定し、光半導体素子の電極と外部配線との電気的な接続を果たすための部品である。上記成形体は、光半導体装置用成形体であり、光半導体素子搭載用基板であることが好ましい。光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上にかつ上記光半導体素子の側方に配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物であることが好ましい。光の反射率が高い成形体が得られるので、本発明に係る光半導体装置用硬化性組成物は、半導体装置において、光半導体素子が搭載されるプリント配線板上又はリードフレーム上にかつ上記光半導体素子を取り囲むように配置され、上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部を内面に有する成形体を得るために用いられる光半導体装置用硬化性組成物であることが好ましい。上記成形体は、上記光半導体素子を取り囲む外壁部材であることが好ましく、枠状部材であることが好ましい。なお、上記成形体は、光半導体装置において、光半導体素子を接合ダイボンディングするためのダイボンド材とは異なる。上記光半導体装置用硬化性組成物は、環状エーテル基を有する化合物Aと硬化剤Bと酸化チタンCと必要応じて配合される他の成分とを、従来公知の方法で混合することにより得られる。本発明に係る光半導体装置用成形体は、上述した光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる。上記光半導体装置用硬化性組成物は所定の形状に成形される。上記光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる成形体は、光半導体装置において、光半導体素子から発せられた光を反射するために好適に用いられる。上記光半導体装置用硬化性組成物を用いて上記光半導体装置用成形体を得る方法としては、圧縮成形法、トランスファー成形法、積層成形法、射出成形法、押出成形法及びブロー成形法等が挙げられる。なかでも、トランスファー成形法が好ましい。トランスファー成形法では、例えば、成形温度100~200°C、成形圧力5~20MPa及び成形時間60~300秒の条件で、上記光半導体装置用硬化性組成物をトランスファー成形することにより、成形体が得られる。光半導体装置の詳細及び光半導体装置の実施形態本発明に係る光半導体装置は、プリント配線板又はリードフレームと、該プリント配線板上又は該リードフレーム上に搭載された光半導体素子と、上記プリント配線板上又は上記リードフレーム上に配置された成形体とを備え、該成形体が、上記光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる。本発明に係る光半導体装置では、上記成形体は、上記光半導体素子の側方に配置されており、上記成形体の内面が上記光半導体素子から発せられた光を反射する光反射部であることが好ましい。図1a及びbに、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を断面図及び斜視図で示す。本実施形態の光半導体装置1は、リードフレーム2と光半導体素子3と第1の成形体4と第2の成形体5とを有する。光半導体素子3は発光ダイオードLEDであることが好ましい。リードフレーム2にかえて、プリント配線板を用いてもよい。第1の成形体4と第2の成形体5とは一体的に形成されておらず、別の2つの部材である。第1の成形体4と第2の成形体5とは一体的に形成されていてもよい。リードフレーム2上に、光半導体素子3が搭載され、配置されている。また、リードフレーム2上に、第1の成形体4が配置されている。また、複数のリードフレーム2間とリードフレーム2の下方とには、第2の成形体5が配置されている。第1の成形体4の内側に光半導体素子3が配置されている。光半導体素子3の側方に第1の成形体4が配置されており、光半導体素子3を取り囲むように第1の成形体4が配置されている。第1,第2の成形体4,5は、上述した光半導体装置用硬化性組成物の硬化物であり、上述した光半導体装置用硬化性組成物を硬化させることにより得られる。従って、第1の成形体4は、光反射性を有し、内面4aに光反射部を有する。すなわち、第1の成形体4の内面4aは光反射部である。従って、光半導体素子3の周囲は、第1の成形体4の光反射性を有する内面4aにより囲まれている。第1の成形体4の内面4aは、内面4aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面4aに到達した光Bが内面4aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3は、リードフレーム2上に、ダイボンド材6を用いて接続されている。光半導体素子3に設けられたボンディングパッド図示せずとリードフレーム2とが、ボンディングワイヤー7により電気的に接続されている。光半導体素子3及びボンディングワイヤー7を封止するように、第1の成形体4の内面4aで囲まれた領域内には、封止剤8が充填されている。光半導体装置1では、光半導体素子3を駆動すると、破線Aで示すように光が発せられる。光半導体装置1では、光半導体素子3からリードフレーム2の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第1の成形体4の内面4aに到達した光が矢印Bで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置1から取り出される光の明るさは明るい。なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。実施例及び比較例では、以下の材料1~12を用いた。1YD-013ビスフェノールA型エポキシ樹脂、新日鐵化学社製、上記第2の構造単位を有する2YDCN-704クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、新日鐵化学社製、上記第1,2の構造単位を有する3YX8034水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、三菱化学社製、上記第1,第2の構造単位を有さない4EX-614ソルビトールポリグリシジルエーテル、ナガセケムテックス社製、上記第1,第2の構造単位を有さない5DICY7硬化剤、ジシアンジアミド、三菱化学社製6BKM-2620硬化剤、フェノール化合物、昭和電工社製7U-CAT3512T硬化促進剤、芳香族ジメチルウレア、サンアプロ社製8トリフェニルフォスフィン硬化促進剤、関東化学社製9CR-50塩素法により製造されたルチル型酸化チタン、石原産業社製、酸性部位を有する化合物、Alで表面処理されている10R-102ルチル型酸化チタン、テイカ社製、粒子に多数の酸性部位有り、Alで表面処理されている、トリメチロールプロパンで表面処理されている11CR-97塩素法により製造されたルチル型酸化チタン、石原産業社製、Al及びZrで表面処理されている12CR-90-2ルチル型酸化チタン、石原産業社製、粒子に多数の酸性部位有り、Al及びSiで表面処理されている、トリメチロールプロパンで表面処理されている13JRルチル型酸化チタン、テイカ社製、表面処理なし14E-220Aシリカ粒子、東ソー社製15FB-301シリカ粒子、電気化学社製なお、9CR-50、10R-102、11CR-97及び12CR-90-2は、金属化合物又は金属水酸化物により被覆されている無機フィラーに相当する。酸化チタンを表面処理する際に、金属種がAlの場合は水酸化アルミニウムもしくは酸化アルミニウム、金属種がSiの場合は酸化ケイ素、金属種がZrの場合は酸化ジルコニウムが用いられている。実施例1YD-013ビスフェノールA型エポキシ樹脂、新日鐵化学社製20重量部と、DICY7ジシアンジアミド、三菱化学社製2重量部と、U-CAT3512T芳香族ジメチルウレア、サンアプロ社製0.2重量部と、CR-50酸化チタン、石原産業社製60重量部と、E-220Aシリカ粒子、東ソー社製20重量部とを配合し、混合機ラボプラストミルR-60、東洋精機製作所製にて15分間混合し、硬化性組成物を得た。実施例2~8及び比較例1~3使用した材料の種類及び配合量を下記の表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。評価1流動性スパイラルフローEMMI-1-66の規格に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、流動距離cmを求めた。流動距離が100cm以上、200cm以下である場合を○、100cm未満であるか又は200cmを超える場合を×と判定した。2光の反射率トランスファプレスにて金型温度170°C、トランスファー圧力7MPa及び硬化時間120秒の条件で、得られた硬化性組成物を成形して、縦100mm×横100mm×厚み1mmの板状体を得た。得られた板状体を170°Cで4時間ポストキュアを行い、硬化物である成形体を得た。色彩色差計コニカミノルタ社製、CR-400を用いて、得られた成形体熱処理前の成形体の光の反射率のY値を測定した。成形体のY値が80以上である場合を○、Y値が80未満である場合を×と判定した。上記1流動性スパイラルフロー及び上記2光の反射率の結果を下記の表1に示す。"