"非非晶質半導体材料と分子性ガラスとを含むことを特徴とする半導体組成物。半導体層を含む電子デバイスであって、前記半導体層は、非非晶質半導体材料と分子性ガラスとを含むことを特徴とする電子デバイス。高い電界効果移動度と良好な薄膜形成性とを示す半導体組成物の開発が望まれていると考えられる。本発明は、様々な実施の形態において、非非晶質nonamorphous半導体材料と分子性ガラスとを含む半導体組成物を開示する。この半導体組成物を組み込んだ、薄膜トランジスタなどの電子デバイスも開示する。本半導体組成物は、良好な薄膜形成性と高い移動度とを示す。いくつかの実施の形態では、非非晶質半導体材料と分子性ガラスとを含む半導体組成物を開示する。分子性ガラスは、直線構造、T形構造、三脚構造、四面体構造、または超分岐構造を持つ。分子性ガラスは、構造式1または構造式2で示されるスピロ化合物を含むものである。構造式1構造式2式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。いくつかの実施の形態において、分子性ガラスの構造は、構造式3から構造式8のいずれかより選ばれる。構造式3構造式4構造式5構造式6構造式7構造式8式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。別の実施の形態において、分子性ガラスは、構造式9で示されるシランである。構造式9式中、それぞれのRは、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、mおよびnはいずれも整数であって、mn=4である。具体的な実施の形態において、シランは、構造式9aで示される。構造式9a更に別の実施の形態において、分子性ガラスは、構造式10で示されるアダマンタン誘導体である。構造式10式中、それぞれのRは、独立して、ヘテロ原子を含む置換基である。更に別の実施の形態において、分子性ガラスの構造は、構造式11から構造式13のいずれかより選ばれる。構造式11構造式12構造式13式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。更に別の実施の形態において、分子性ガラスは、構造式14で示されるカリックスアレーン誘導体である。構造式14式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、R1は、酸素含有ラジカルで置換したフェニル基である。更に別の実施の形態において、分子性ガラスは、構造式15から構造式24のいずれかより選ばれるアリールアミン誘導体である。構造式15構造式16構造式17構造式18構造式19構造式20構造式21構造式22構造式23構造式24式中、それぞれのR、R1、およびR2置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、nは1から6の整数であり、Arは、独立して、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、および置換ヘテロアリールより選ばれる。具体的な実施の形態において、分子性ガラスは、4,4’-1,4-フェニレンジイソプロピリデンビスフェノール、テトラキス4-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス3-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス2-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス4-ヒドロキシビフェニルシラン、テトラキス[3-3-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-3-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[3-4-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-4-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス3-メトキシフェニルシラン、テトラキス4-メトキシフェニルシラン、テトラキス[3-3-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-3-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[3-4-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-4-メトキシビフェニル]シラン、トリ2-アダマンチルオキシメチルコラートcholate-3-イル-アダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、トリ[2-メチル-2-アダマンチルオキシ]カルボニルメチルコラート}-3-イル-アダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、アダマンタン-1,3,5-トリイルトリスオキシメチレントリコラート、アダマンタン-1,3,5-トリイルトリスオキシメチレントリ-3-2-アダマンチルオキシメトキシコラート、トリ2-メチル-2-アダマンチルアダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、1,3,4-トリ[2-アダマンチルオキシメチルコラート-3-オキシメチルオキシ]アダマンタン、1,2,3,4,6-ペンタ-O-2-アダマンチルオキシメチル-α-D-グルコース、1,2,3,4,6-ペンタ-O-{[2-メチル-2-アダマンチルオキシ]カルボニルメチル}-α-D-グルコース、構造式1a、構造式2a、および構造式aから構造式eで示されるものから成る群より選ばれる。構造式1a構造式2a構造式a構造式b構造式c構造式d構造式e分子性ガラスは、デンドリマーであっても良い。分子性ガラスはまた、それ自体と、あるいは非晶質分子材料と架橋したものであっても良い。非非晶質半導体材料は、構造式Iaまたは構造式Ibで表すことができる。構造式Ia構造式Ib式中、R1およびR2は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、トリアルキルシリル、シアノ、ニトロ、またはハロゲンより選ばれ、R3およびR4は、独立して、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、水素、トリアルキルシリル、シアノ、ニトロ、またはハロゲンより選ばれ、R5およびR6は、独立して、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、またはトリアルキルシリルより選ばれ、Arは、独立して、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、および置換ヘテロアリールより選ばれ、Zは、-CH=CH-、イオウ、酸素、セレン、またはNR式中、Rは、水素、あるいは、アルキルまたはアリールなどの炭化水素を表し、xおよびyは、独立して、0から約6であり、aおよびbは、独立して、0から約3であり、cおよびdは、独立して、0から約4である。いくつかの実施の形態において、非非晶質半導体材料は、構造式25から構造式41のいずれかで表される。構造式25a構造式25b構造式26a構造式26b構造式27a構造式27b構造式28a構造式28b構造式29a構造式29b構造式30a構造式30b構造式31a構造式31b構造式32a構造式32b構造式33a構造式33b構造式34a構造式34b構造式35a構造式35b構造式36a構造式36b構造式37a構造式37b構造式38a構造式38b構造式39a構造式39b構造式40a構造式40b構造式41式中、R7は、独立して、水素、ハロゲン、アルキル、1つのアルキル鎖で置換されたフェニル、またはトリアルキルシリルから成る群より選ばれる。別の実施の形態において、半導体材料は、構造式42から構造式45のいずれかで表される。構造式42構造式43a構造式43b構造式44a構造式44b構造式45式中、R、R’、R1、R2、およびR3は、独立して、アルキル、パーフルオロアルキル、アリール、アルコキシ、およびトリアルキルシリルtrialkysilylから成る群より選ばれ、Xは、O、S、Se、または-NHであり、eおよびfは、独立して、0から約4であり、Ar1およびAr2は、独立して、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、および置換ヘテロアリールより選ばれる。Ar1およびAr2は、独立して、次のものから成る群より選ばれる。、および式中、Zは、CR’R、O、S、Se、NR’、およびSiR’Rから成る群より選ばれ、このとき、R’、R、およびR’は、独立して、水素、アルキル、またはアリールから成る群より選ばれる。Yは、炭素原子または窒素原子である。具体的な実施の形態において、非非晶質半導体材料は、構造式46および構造式47のいずれかで表される。構造式46構造式47a構造式47b非非晶質半導体材料は、結晶性、半結晶性、または液晶性半導体である。別の態様において、半導体材料は小分子であり、高結晶性半導体である。分子性ガラスは、4.0以下の誘電率、例えば、3.5以下の誘電率を持つ。更に、半導体層を含む電子デバイスも開示する。この半導体層は、非非晶質半導体材料と分子性ガラスとを含んでいる。電子デバイスは薄膜トランジスタである。数量に添付して用いられる修飾語の約は、記述されている値を含み、文脈の示す意味を持っている例えば、特定の数量の測定に伴う誤差程度を少なくとも含む。範囲を示す文中で用いられている場合、修飾語約は、2つの終点の絶対値で定められる範囲も示していると考えるべきである。例えば、約2から約10の範囲は、2から10の範囲も示している。本件でいう炭化水素基は、炭素と水素だけから成る化学基である。代表的な炭化水素基としては、アルキル、アリール、アルキルアリール、およびアリールアルキルが挙げられる但し、これらに限定しない。用語アルキルとは、完全に飽和し、CnH2n1の構造式で示される、全てが炭素原子と水素原子から成るラジカルを指す。アルキルラジカルは、直鎖、分枝、または環状である。用語アリールとは、全てが炭素原子と水素原子から成る芳香族ラジカルを指す。用語アルコキシとは、酸素原子に結合したアルキルラジカルを指す。置換アルキル、置換アリール、および置換アルコキシ基は、例えば、アルキル、ハロゲン、-CN、-NO2で置換することができる。代表的な置換アルキル基は、アルキル基中の全ての水素原子が、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子で置換された、パーハロアルキル基である。用語ヘテロ原子含有基とは、直鎖骨格、分枝骨格、または環状骨格を形成している、元々は炭素原子と水素原子から成るラジカルを指す。この元々のラジカルは飽和または不飽和である。次に、骨格内の1つ以上の炭素原子をヘテロ原子、一般には、窒素、酸素、またはイオウで置換して、ヘテロ原子含有基とする。用語ヘテロアリールとは、一般に、炭素原子を置き換えた少なくとも1つのヘテロ原子を含む芳香族化合物を指し、これは、ヘテロ原子含有基の一部と考えることができる。図1は、本発明による、ボトムゲートボトム接触bottomgatebottomcontact型のTFT構造を示したものである。TFT10は、ゲート電極30とゲート誘電体層40とに接した基材20を含んでいる。ここで、ゲート電極30は基材20の中に描かれているが、必ずしもそうである必要はない。しかし、ゲート誘電体層40が、ゲート電極30を、ソース電極50、ドレイン電極60、半導体層70と隔てていることが重要である。半導体層70は、ソース電極50およびドレイン電極60の上とその間にある。半導体は、ソース電極50とドレイン電極60との間にチャネル長さ80を備えている。図2は、本発明による、別の、ボトムゲートトップ接触bottomgatetopcontact型TFT構造を示したものである。TFT10は、ゲート電極30とゲート誘電体層40とに接した基材20を含んでいる。半導体層70は、ゲート誘電体層40の上にあり、ゲート誘電体層40をソース電極50およびドレイン電極60と隔てている。図3は、本発明による、ボトムゲートボトム接触型TFT構造を示したものである。TFT10は、ゲート電極としても働き、ゲート誘電体層40に接している基材20を含んでいる。ソース電極50、ドレイン電極60、半導体層70は、ゲート誘電体層40の上にある。図4は、本発明による、トップゲートトップ接触型TFT構造を示したものである。TFT10は、ソース電極50、ドレイン電極60、半導体層70と接している基材20を含んでいる。半導体層70は、ソース電極50およびドレイン電極60の上とその間にある。ゲート誘電体層40は半導体層70の上にある。ゲート電極30はゲート誘電体層40の上にあるが半導体層70とは接していない。薄膜トランジスタや発光ダイオードLEDなどの電子デバイスの半導体層を、非非晶質半導体材料と分子性ガラスとを含む半導体組成物から作ることができる。この半導体組成物は、分子性ガラスとしても知られる、非晶質amorphous分子材料を含んでいる。いくつかの実施の形態において、分子性ガラスは架橋していない。別の実施の形態において、分子性ガラスは架橋してマトリックスまたは網目構造体を形成している。更に別の実施の形態では、分子性ガラスと共に架橋剤を使用し、分子性ガラスと架橋剤の両方を含む、半導体層のためのマトリックスまたは網目構造体を形成する。別の実施の形態において、分子性ガラスは、自己架橋して半導体層のための網目構造体を形成する。別の実施の形態において、分子性ガラスは別の分子性ガラスと架橋して、半導体層のための網目構造体を形成する。官能基間の化学反応、および/または、一部の小分子成分の脱離のため、分子性ガラスの化学構造は、架橋後、僅かに変化することが分かる。分子性ガラスは非晶質分子材料であり、これは、融点ではなく、ガラス転移温度望ましくは、室温よりもかなり高いを示す。他の小分子と異なるこの特徴的なガラス形成性は、結晶化できないことによる。このため本件に開示の分子は、動力学的に安定な非晶質状態に留めておくことができる。つまりこれは、非晶質薄膜の形成が可能な小分子である。分子性ガラスは、例えば、X線回折技術を用いて調べたところ、分子間距離および/または配向がいずれも無秩序で、自由体積が存在するという特徴を持つことが分かった。本件に開示の非晶質分子性ガラスは、小分子の特長に加え、ポリマーの好ましい特長の多くも備えている。このような非晶質分子材料は、ポリマー材料とは異なり、明確な構造を持っていて、例えば、95以上、99以上、または99.5以上の純度を持つ、電子グレードの高純度とすることができる。更に、非晶質分子材料は、例えば、高い熱安定性、薄膜形成能など、ポリマー材料に類似したいくつかの長所を備えている。非晶質分子性ガラスおよび架橋剤中に官能基が均一に分散していることで、半導体層中において高い架橋密度が可能である。適当であればどのような非晶質分子材料を用いても良い。分子の3次元構造を見た場合、本件に開示の非晶質分子材料は、以下に示すような、直線構造I、T形構造II、三脚構造III、または四面体構造IVを持つことができる。分子の形状は、分子の柔軟性と充填能力を決定する。具体的な実施の形態において、非晶質分子材料は、三脚構造IIIまたは四面体構造IVを持っている。分子自体が、対称軸C2およびC3対称など、対称面、または対称中心などの分子対称性を持つと考えられる。しかし、半導体層中固体状態では、ガラスのように、広範囲での規則性は欠けている。非晶質分子材料は、-OHヒドロキシル、-NH2アミノ、-CNOイソシアナト、-COOHカルボン酸、-OR’、-COOR’、-OCOOR’、エポキシなど式中、R’はアルキルの官能基を持っていても良い。これらの官能基は、構造Iから構造IVに示されている、長方形および/または正方形の部分に存在できる。非晶質分子材料上の官能基から、非晶質分子材料は、例えば、フェノール分子性ガラス、アミノ分子性ガラス、カルボン酸分子性ガラス、エポキシ分子性ガラス、メトキシ分子性ガラス、エステル分子性ガラス、イソシアナト分子性ガラスなどに分類できる。実施の形態において、非晶質分子材料はまた、コア構成要素によって、スピロ系誘導体、ビスフェノールA系誘導体、四面体アリールシラン系誘導体、アダマンタン系誘導体、環または縮合環系誘導体、トリアリールアミン系誘導体など、様々なカテゴリーに分類できる。具体的な実施の形態において、非晶質分子材料は、スピロビスインダン化合物またはスピロビ[クロマン]化合物などのスピロ化合物の誘導体である。スピロ化合物のそれぞれの環には、少なくとも1つの官能基がある。具体的な実施の形態において、非晶質分子材料は、構造式1のスピロビスインダン化合物、または構造式2のスピロビ[クロマン]化合物である。構造式1構造式2式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。具体的な実施の形態において、それぞれのR置換基は、独立して、水素、-OH、-NH2、-OC2H5、-OCH3、-OCOOC4H9、-CNO、-NHCOOR’、-C6H4OHヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれる。更に別の実施の形態において、これらの具体的な化合物は、各スピロ化合物のそれぞれの環に、2つ以上のヒドロキシル基または保護ヒドロキシル基例えば、メトキシ基、メトキシシクロヘキシル基などで保護されたを備えている。構造式1で示される代表的な化合物は、5,5’,6,6’-テトラヒドロキシ-3,3,3’,3’-テトラメチル-1,1’-スピロビスインダン式中、それぞれのRはヒドロキシルである。構造式2で示される代表的な化合物は、6,6’,7,7’-テトラヒドロキシ-4,4,4’,4’-テトラメチル-2,2’-スピロビス[クロマン]式中、それぞれのRはヒドロキシルである。これら2つの代表的な化合物は、構造式1aおよび構造式2aで表される。構造式1a構造式2a他の実施の形態において、非晶質分子材料の構造は、ビスフェノールAの誘導体である。代表的な誘導体としては、構造式3から構造式8で示される化合物が挙げられる。構造式3構造式4構造式5構造式6構造式7構造式8式中、それぞれのRは、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。更に別の実施の形態において、R基は、-OH基、または、保護-OH基-OCH3、-OCOOC4H9、メトキシシクロヘキシル基などである。構造式4で示される代表的な化合物は、4,4’-1,4-フェニレンジイソプロピリデンビスフェノールのヒドロキシフェニル誘導体である。他の代表的なビスフェノールA系分子性ガラスとしては、構造式aから構造式eで示されるものが挙げられる。abcde他の実施の形態において、非晶質分子材料は、構造式9で示されるシランである。構造式9式中、それぞれのRは、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、mおよびnはいずれも整数で、mn=4である。具体的な実施の形態において、構造式9で示されるシランは、構造式9aの構造を持つ。構造式9a式中、それぞれのRは、独立して、水素、-OH、-NH2、-OCH3、-OC2H5、-OCOOC4H9、-CNO、-NHCOOR’、-C6H4OHヒドロキシフェニル、-COOH、エポキシ基などから成る群より選ばれる。構造式9で示される代表的な実施の形態としては、例えば、テトラキス4-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス3-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス2-ヒドロキシフェニルシラン、テトラキス4-ヒドロキシビフェニルシラン、テトラキス[3-3-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-3-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[3-4-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-4-ヒドロキシビフェニル]シラン、テトラキス3-メトキシフェニルシラン、テトラキス4-メトキシフェニルシラン、テトラキス[3-3-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-3-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[3-4-メトキシビフェニル]シラン、テトラキス[4-4-メトキシビフェニル]シラン、およびこれらの混合物が挙げられる。別の実施の形態において、非晶質分子材料は、構造式10で示されるアダマンタン系分子性ガラスである。構造式10式中、それぞれのRは、独立して、酸素や窒素などのヘテロ原子を含む置換基である。更に別の実施の形態において、Rは、アセタールおよび/またはエステル部分を含む基、例えば、グルコースである。別の実施の形態において、Rは、1つ以上のコール酸基を含んでいる。代表的なR基としては、例えば、構造式fから構造式hのものが挙げられる。fgh代表的なアダマンタン系分子性ガラスとしては、トリ2-アダマンチルオキシメチルコラート-3-イル-アダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、トリ{[2-メチル-2-アダマンチルオキシ]カルボニルメチルコラート}-3-イル-アダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、アダマンタン-1,3,5-トリイルトリスオキシメチレントリコラート、アダマンタン-1,3,5-トリイルトリスオキシメチレン-トリ-3-2-アダマンチルオキシメトキシコラート、トリ2-メチル-2-アダマンチルアダマンタン-1,3,5-トリカルボキシラート、1,3,4-トリ[2-アダマンチルオキシメチルコラート-3-オキシメチルオキシ]アダマンタン、1,2,3,4,6-ペンタ-O-2-アダマンチルオキシメチル-α-D-グルコース、1,2,3,4,6-ペンタ-O-{[2-メチル-2-アダマンチルオキシ]カルボニルメチル-α-D-グルコースなどが挙げられる。別の実施の形態において、非晶質分子材料は、環または縮合環系誘導体である。環または縮合環コアは、例えば、ベンゼン、ヘキサフェニルベンゼン、トリフェニルベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセンphenanthracene、ピレンなどである。環系または縮合環系を持つ代表的な分子性ガラスとしては、構造式11から構造式13の構造を持つものが挙げられる。構造式11構造式12構造式13式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルである。別の実施の形態において、非晶質分子材料は、構造式14に示すようなカリックスアレーン誘導体である。構造式14式中、それぞれのR置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、それぞれのR1は、酸素含有ラジカルで置換されたフェニル基である。代表的なR1基としては、ヒドロキシフェニル、メトキシフェニル、ブトキシカルボニルオキシベンジル基などが挙げられる。更に別の実施の形態において、R基は、独立して、-OH基、または、保護-OH基-OCH3、-OCOOC4H9、メトキシシクロヘキシル基などである。分子性ガラスは、デンドリマー、即ち、Rがコアと同じ構造を持つものでも良い。いくつかの実施の形態において、デンドリマーは、G1、G2、またはG3デンドリマーである。デンドリマーの命名において、GXはデンドリマーの世代を示し、Xはデンドリマー世代数である。デンドリマー世代数が1とは、分子性ガラスコア構造体が同じ構造体から成るひとつのシェルで囲まれていることを指している。構造式14-1のG1デンドリマーと、これとは異なる、構造式14-2、構造式14-3、および構造式14-4のデンドリマーを以下に示す。構造式14-1構造式14-2構造式14-3構造式14-4コアを取り囲む4つの部分がシェルを構成している。G2デンドリマーでは、構造式14-1のR1基が、構造式14に示す構造体、あるいはいくつかの実施の形態では、異なる分子性ガラス構造体であり、これが第2のシェルを構成していると考えられる。構造式14-2から構造式14-4は別の代表的なデンドリマーであり、構造式14には相当しない。いくつかの実施の形態において、非晶質分子材料は、次の構造式15から構造式24で示されるアリールアミン誘導体である。構造式15構造式16構造式17構造式18構造式19構造式20構造式21構造式22構造式23構造式24式中、それぞれのR、R1、およびR2置換基は、独立して、水素、炭素数約1から約18のアルキル、炭素数約3から約18のアリールまたは置換アリール、ヒドロキシル、保護ヒドロキシル、アミノ、保護アミノ、-OR’、-OCOOR’、-CNO、-NHCOOR’、ヒドロキシフェニル、-COOH、およびエポキシから成る群より選ばれ、R’はアルキルであり、nは1から6の整数であり、Arは、独立して、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、および置換ヘテロアリールより選ばれる。非晶質分子材料は、約200から約1万の分子量、例えば、約250から約5000の分子量を持つ。これは、典型的なポリマー材料の分子量Mwよりもかなり小さい。ポリマー材料の分子量は異なる長さのポリマー鎖の平均値であるが、分子性ガラスでは全ての分子が同じ分子量を持つことに注意すべきである。このため、この分子量は分子自体のものであり、質量平均分子量や数平均分子量などのポリマーの概念は分子性ガラスには適用されない。実施の形態において、分子性ガラスは、ほぼ室温25°Cから約350°Cのガラス転移温度、例えば、約50から約200°Cのガラス転移温度を持つ。架橋後、分子性ガラスの網目構造体は、ガラス転移温度を持つことも、持たない場合もある。実施の形態において、分子性ガラスは、4.0以下の誘電率、例えば、3.5以下の誘電率を持つ。いくつかの実施の形態において、非晶質分子材料は架橋していない。別の実施の形態では、非晶質分子材料は架橋して、より頑丈な層となる。先に述べた官能基-OH、-NH2、-OCH3、-OC2H5、-OCOOC4H9、-CNO、-NHCOOR’、-C6H4OHヒドロキシフェニル、-COOH、メトキシフェニル、ブトキシカルボニルオキシベンジル、エポキシ基などによって、非晶質分子材料は半導体層中で、光化学的に、または架橋剤を用いて架橋し、マトリックスを形成する。非晶質分子材料は、それ自体で架橋し、あるいは他の非晶質分子材料と架橋して、半導体層の網目構造体またはマトリックスを形成することができる。マトリックスは、非晶質分子材料と架橋した架橋剤を含んでいても良い。一般的に言えば、架橋剤は、アミノ、ヒドロキシル、アルコキシなどの、少なくとも2つの架橋基を含んでおり、これらは非晶質分子材料の官能基と反応して、架橋剤または架橋剤の一部を含む、架橋した網目構造体またはマトリックスを形成することができる。代表的な架橋剤としては、メラミン-ホルムアルデヒド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、および1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリルが挙げられる。理想的なメラミン-ホルムアルデヒド樹脂を構造式Aに示し、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリルを構造式Bに示す。他の架橋剤、例えば、少なくとも2つのイソシアナト基、アミン基、カルボン酸基などを含む化合物も使用可能である。構造式A構造式B一般に、非晶質分子材料と架橋剤のモル比は、非晶質分子材料と架橋剤の全ての架橋基が反応して、できるだけ架橋密度が高くなるよう計算する。例えば、非晶質分子材料が4つのヒドロキシル基を持ち、架橋剤が4つの架橋基を持つならば、非晶質分子材料と架橋剤とのモル比は1:1である。別の例として、非晶質分子材料が4つのヒドロキシル基を持ち、架橋剤が3つの架橋基を持つならば、非晶質分子材料と架橋剤とのモル比は3:4である。半導体組成物は、非非晶質nonamorphous半導体材料も含んでいる。半導体層中において、半導体材料は、分子性ガラスで形成された非晶質薄膜内/全体に分散している。半導体組成物には、適当であればどのような半導体材料も使用できる。実施の形態において、非非晶質nonamorphous半導体材料は、結晶質、半結晶質、または液晶半導体である。更に別の実施の形態において、半導体材料は、高結晶質分子半導体である。望ましい材料としては、移動度の高い小分子半導体が挙げられる。いくつかの実施の形態において、半導体組成物は、分子性ガラスと非非晶質半導体材料とから成る。いくつかの実施の形態において、半導体材料は、構造式Iで示されるビスエチニルヘテロアセンである。構造式Ia構造式Ib式中、R1およびR2は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、トリアルキルシリル、シアノ、ニトロ、またはハロゲンより選ばれ、R3およびR4は、独立して、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、水素、トリアルキルシリル、シアノ、ニトロ、またはハロゲンより選ばれ、R5およびR6は、独立して、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルコキシ、置換アルキル、置換アリール、置換アルコキシ、またはトリアルキルシリルより選ばれ、Arは、独立して、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、および置換ヘテロアリールより選ばれ、Zは、-CH=CH-、イオウ、酸素、セレン、またはNR式中、Rは、水素、あるいは、アルキルまたはアリールなどの炭化水素を表し、x、y、a、b、c、およびdは、側鎖、環、または芳香族基の数を示す整数である。いくつかの実施の形態では、Zを、中心部分の2つの端が5員環となるよう選ぶ。すなわち、Zは、-CH=CH-ではない。変数xおよびyは、独立して、0から約6または0から約2である。xとyの和は、0から約12、0から約6、または0から約4である。変数cおよびdは、独立して、0から約4である。変数aおよびbは、独立して、0から約3である。具体的な実施の形態において、aとbはいずれも少なくとも1、あるいは1である。それぞれのArは、次の基から成る群より選ばれる。および、式中、Zは、CR’R、O、S、Se、NR’、またはSiR’Rであり、式中、R’、R、およびR’は、独立して、水素、アルキル、またはアリールであり、Yは炭素原子または窒素原子である。実施の形態において、ビスエチニルヘテロアセンは、次の構造式の1つで表される。構造式25a構造式25b構造式26a構造式26b構造式27a構造式27b構造式28a構造式28b構造式29a構造式29b構造式30a構造式30b構造式31a構造式31b構造式32a構造式32b構造式33a構造式33b構造式34a構造式34b構造式35a構造式35b構造式36a構造式36b構造式37a構造式37b構造式38a構造式38b構造式39a構造式39b構造式40a構造式40b構造式41式中、R7は、アルキル、1つのアルキル鎖で置換されたフェニル、またはトリアルキルシリルである。代表的なアルキル鎖は、3から18個の炭素原子を含んでいる。フェニル基上のアルキル鎖も、3から18個の炭素原子を含んでいる。シリル基上の3つのアルキル鎖は、それぞれ、1から12個の炭素原子を含むことができ、3つの鎖は同じものである。ビスエチニルヘテロアセンのR1、R2、R3、R4、R5、R6、およびR7基は、独立して、水素、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンである。アルキル鎖は、約1から約25個の炭素原子、例えば、約4から約18個の炭素原子、約6から約16個の炭素原子を含んでいる。これには、これらのアルキル鎖の直鎖状のものと異性体が含まれる。アルコキシ鎖は、約1から約30個の炭素原子、例えば、約2から約18個の炭素原子を含んでいる。アリール基には、約6から約48個の炭素原子を含む芳香環、例えば、約6から約36個の炭素原子または約12から約24個の炭素原子を含む芳香環が含まれる。これらの炭素原子の範囲は、芳香環自体の中の炭素原子の数を指しており、側鎖を含むと考えてはいけないことに注意すべきである。例えば、メチルフェニル基は7個の炭素原子を含んでいるが、アリール基とは見なさない。用語ハロゲンとは、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素を指す。実施の形態のビスエチニルヘテロアセン類は、一般的なコーティング溶媒に可溶または実質的に可溶であって、例えば、実施の形態において、これらは少なくとも約0.1から約95質量の溶解度を持ち、より具体的には、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの溶媒に、約0.5から約5質量の溶解度を持つ。更に、本発明のポリ[ビスエチニルヘテロアセン]類を、実施の形態において、TFTデバイス中の半導体チャネル層とすると、安定した伝導率、例えば、従来型の4プローブ伝導率測定法による測定で、約10-9S/cmから約10-4S/cm、より具体的には約10-8S/cmから約10-5S/cmの伝導率となる。他の実施の形態において、半導体材料は、構造式42から構造式45のものより選ばれる。構造式42構造式43a構造式43b構造式44a構造式44b構造式45式中、R、R’、R1、R2、およびR3は、独立して、アルキル、パーフルオロアルキル、アリール、アルコキシ、およびトリアルキルシリルから成る群より選ばれ、Xは、O、S、Se、または-NHであり、eおよびfは、独立して、0から約4であり、Ar1およびAr2は、独立して、次のものから成る群より選ばれる。および、式中、Zは、CR’R、O、S、Se、NR’、およびSiR’Rから成る群より選ばれ、このとき、R’、R、およびR’は、独立して、水素、アルキル、またはアリールから成る群より選ばれ、Yは炭素原子または窒素原子である。非非晶質半導体材料の具体例としては、構造式46および構造式47で表されるものが挙げられる。構造式46構造式47a構造式47b実施の形態において、分子性ガラスは、半導体層の約1から約60質量、例えば、半導体層の約10から約50質量を占めている。半導体材料は、半導体層の約40から約99質量、例えば、半導体層の約50から約90質量を占めている。具体的な実施の形態において、分子性ガラスと非非晶質半導体材料の質量比は約1:1である。半導体層は約5から約1000nmの厚さ、例えば、約20から約100nmの厚さである。図1および図4に示されている構造のようなある特定の構造において、半導体層は、ソース電極とドレイン電極を完全に覆っている。半導体層は、当該技術で公知の従来の方法を用いて形成することができる。実施の形態において、半導体層は、液体堆積法を用いて形成する。適当であればどのような液体堆積法を用いても良い。代表的な液体堆積法としては、ブランケットコーティングblanketcoatingスピンコーティング、ブレードコーティング、ロッドコーティング、ディップコーティングなどと、印刷スクリーン印刷、インクジェット印刷、スタンプ印刷、ステンシル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷などが挙げられる。詳細には、半導体層の形成に用いられる液体組成物は、非晶質分子材料と、半導体材料と、必要に応じた架橋剤と、必要に応じた触媒とを含んでいる。必要に応じた触媒は酸である。代表的な酸触媒としては、トルエンスルホン酸TSAが挙げられる。光酸発生体、即ち、光の照射によって酸を発生する化合物を酸触媒として使用すると、半導体層を所望の構造パターンとすることができる。代表的な光酸発生体としては、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム=パーフルオロ-1-ブタンスルホナート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム=p-トルエンスルホナート、boc-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム=トリフラート、ジフェニルヨードニウム=9,10-ジメトキシアントラセン-2-スルホナート、ジフェニルヨードニウム=p-トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウム=トリフラート、N-ヒドロナフタルイミド=トリフラート、4-ヨードフェニルジフェニルスルホニウム=トリフラート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム=トリフラート、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム=トリフラート、トリアリールスルホニウム=ヘキサフルオロリン酸塩などが挙げられる。必要に応じた触媒は塩基であっても良い。代表的な塩基触媒としては、トリエチルアミンなどの有機アミン類、ホスファン類、カルボニル、ニトロシル、N-複素環カルビンcarbine配位子、イミダゾリジノンおよびピロリジン誘導体などが挙げられる。溶液に用いられる代表的な溶媒としては、アルコール類プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、テトラデカノール、ヘキサデカノールなど;ジオールヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなど;不飽和二重結合を持つアルコールファルネソール、デデカジエノールdedecadienol、リナロオール、ゲラニオール、ネロール、ヘプタジエノール、テトラデセノール、ヘキサデセノール、フィトール、オレイルアルコール、デデセノールdedecenol、デセノール、ウンデシレニルアルコール、ノネノール、シトロネロール、オクテノール、ヘプテノールなど;不飽和二重結合を含む、または含まない脂環式アルコールメチルシクロヘキサノール、メントール、ジメチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘキセノール、テルピネオール、ジヒドロカルベオール、イソプレゴール、クレゾール、トリメチルシクロヘキセノールなどなど、またこれらの混合物および異性体;炭化水素または芳香族炭化水素ヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン、メシチレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼンなど、塩素化溶媒クロロベンゼン、クロロトルエン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタンなど;ケトン類アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど;アセタート類プロピレングリコールモノエチルエーテルアセタート、酢酸エチルなど;ピリジン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。溶液中の分子性ガラスの濃度は、約2質量から約60質量、例えば、約5質量から約30質量または約8質量から約20質量である。液体組成物は、例えば、約2cPから約1000cPの粘度、例えば、約5cPから約500cPの粘度を持つ。更に別の実施の形態において、液体組成物は、インクジェットで噴射することが可能で、約2cPから約20cPの粘度、例えば、約5cPから12cPの粘度を持つ。実施の形態において、液体組成物はニュートン流体である。別の実施の形態において、液体組成物は非ニュートン流体である。液体組成物はコーティングおよび印刷法に適した表面張力を備えている。例えば、いくつかの実施の形態において、液体組成物は、約22mN/mから約38mN/mの表面張力、例えば、約25mN/mから約32mN/mの表面張力を持つ。薄膜トランジスタは一般に、半導体層の他に、基材と、必要に応じたゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、誘電体層とを含んでいる。基材は、ケイ素、ガラス板、プラスチックフィルムまたはシートなど但し、これらに限定しないの材料から成る。構造の柔軟なデバイスには、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドシートなどのプラスチック基材が望ましい。基材の厚さは約10μmから10mm以上で、代表的な厚さは、特に、可撓性プラスチック基材では約50から約100μm、ガラスまたはケイ素などの硬い基材では約0.5から約10mmである。誘電体層は一般に、無機材料フィルム、有機ポリマーフィルム、または有機-無機複合材フィルムとすることができる。誘電体層に適した無機材料の例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムジルコニウムなどが挙げられる。適当な有機ポリマーの例としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリビニルフェノール、ポリイミド類、ポリスチレン、ポリメタクリラート類、ポリアクリラート類、エポキシ樹脂などが挙げられる。誘電体層の厚さは使用する材料の誘電率に応じて変わり、例えば、約10nmから約500nmとすることができる。誘電体層は、例えば、約10-12ジーメンス/cmS/cm以下の伝導率を持つ。誘電体層は、ゲート電極の形成で述べた方法など、当該技術で公知の従来の方法を用いて形成する。ゲート電極は導電性材料で出来ている。これは、金属箔、導電性ポリマーフィルム、導電性インクまたはペーストから作った導電性フィルムであっても良く、あるいは、基材自体、例えば、大量にドープしたケイ素でも良い。ゲート電極材料の例としては、アルミニウム、金、銀、クロム、酸化インジウムスズ、導電性ポリマーポリスチレンスルホナートをドープしたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPSS-PEDOTなど、カーボンブラック/グラファイトを含む導電性インク/ペーストが挙げられる但し、これらに限定しない。ゲート電極は、真空蒸着、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング、従来のリソグラフィおよびエッチング、化学蒸着、スピンコーティング、キャスティング、または印刷、あるいは他の堆積法で調製される。ゲート電極の厚さの範囲は、例えば、金属箔では約10から約200nm、導電性ポリマーでは約1から約10μmである。ソースおよびドレイン電極としての使用に適した典型的な材料としては、ゲート電極材料として挙げられたもの、例えば、アルミニウム、金、銀、クロム、亜鉛、インジウム、導電性金属酸化物酸化亜鉛ガリウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウムアンチモンなど、導電性ポリマー、導電性インクなどが挙げられる。ソースおよびドレイン電極の典型的な厚さは、例えば、約40nmから約1μm、より具体的な厚さは、約100から約400nmである。ソースおよびドレイン電極としての使用に適した典型的な材料としては、ゲート電極材料として挙げられたもの、例えば、金、銀、ニッケル、アルミニウム、白金、導電性ポリマー、導電性インクなどが挙げられる。具体的な実施の形態において、電極材料は、半導体に対して低接触抵抗となる。典型的な厚さは、例えば、約40nmから約1μm、より具体的な厚さは約100から約400nmである。本発明のOTFTデバイスは、半導体チャネルを備えている。半導体チャネル幅は、例えば、約5μmから約5mm、具体的なチャネル幅は約100μmから約1mmである。半導体チャネル長さは、例えば、約1μmから約1mm、より具体的なチャネル長さは約5μmから約100μmである。ソース電極は接地しており、例えば、約0Vから約80のバイアス電圧をドレイン電極に印加して、例えば、約10Vから約-80Vの電圧をゲート電極に印加した際に、半導体チャネルを通って移動する電荷キャリアを集める。電極は、当該技術で公知の従来の方法を用いて形成または堆積する。所望ならば、TFTの上に更に障壁層を堆積して、その電気的性質を損なうおそれのある、光、酸素、湿気などの環境条件からこれを保護する。このような障壁層は、当該技術において公知であり、単にポリマーから成るものでも良い。OTFTの様々な構成要素は、どのような順で基材上に堆積しても良い。しかし一般的には、ゲート電極と半導体層はいずれもゲート誘電体層と接していなければならない。更に、ソースおよびドレイン電極はいずれも半導体層と接していなければならない。語句どのような順でもには、順次的形成と同時形成が含まれる。例えば、ソース電極とドレイン電極を、同時に、あるいは順次的に形成することができる。用語、基材の上onまたはuponとは、基材に対する様々な層および構成要素を指し、基材は底となっており、あるいは、その上にある層および構成要素を支えている。言い換えると、全ての構成要素は、たとえ全てが基材と直接接触していなくても、基材の上にある。例えば、誘電体層と半導体層は、一方の層が他方の層よりも基材の近くあるとしても、いずれも基材の上にある。生成するTFTは良好な移動度と良好な電流オン/オフ比を持つ。"