"シリコン基板上に密部スペース幅20nm以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Cl2ガスとN2ガスの混合ガスを用い、01Pa以下の圧力で、デューティー比5~50の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。シリコン基板上に密部スペース幅20nm以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Cl2ガスとO2ガスの混合ガスを用い、01Pa以下の圧力で、デューティー比5~50の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。シリコン基板上に作製される半導体デバイスの高集積化や高性能化に伴って、デバイスを構成する半導体素子は約07倍のスケーリング則で微細化している。そして、現在の半導体製品に適用されている32nm,22nmのデザインルール設計基準は次世代の開発製品では20nm以下となり、STIのスペース幅の縮小がますます進む。STIのプラズマエッチングにおいては、プラズマエッチング処理中に被エッチング材のシリコンの反応生成物例えば、SiCl,SiBr等の再付着が発生するが、スペース幅が広い従来のデザインルールにおいては大きく問題となることは無かった。しかしながら、密部のスペース幅が20nm以下のSTIのプラズマエッチングにおいては、図3に示すように、微量の反応生成物がマスク側壁に堆積することでスペース幅が狭まるか、もしくはスペースが塞がるため、エッチングの進行が困難になるという問題が発生した。上記の反応生成物の堆積量はガス圧力の影響を強く受ける。すなわち、ガス圧力が高くなると衝突散乱が頻繁になって、反応生成物の再入射量が増加するため、マスク側壁の堆積量が非常に大きくなることが分かっている。従来のドライエッチング技術では、高エッチングレートを考慮しているため、一般的に05Pa~20Paの処理室の圧力領域でSTIにおいてシリコンのプラズマ処理を行っている。しかし、密部のスペース幅が20nm程度のパターンでは、前述したようにマスク側壁に反応生成物が堆積し、スペース幅が狭まるか、スペースが塞がってしまう。その結果、密部パターンではエッチングが進行せず、密部パターンで最もエッチング量が少なかったトレンチの深さと、疎部パターンの最もエッチング量が多かったトレンチの深さの差である疎密マイクロローディングが大きくなる。本発明は、上記課題を鑑みて、密部スペース幅20nm以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。本発明は、シリコン基板上に密部スペース幅20nm以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Cl2ガスとN2ガスの混合ガスを用い、01Pa以下の圧力で、デューティー比5~50の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。また、本発明は、シリコン基板上に密部スペース幅20nm以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Cl2ガスとO2ガスの混合ガスを用い、01Pa以下の圧力で、デューティー比5~50の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。本発明により、密部スペース幅20nm以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングを低減することができる。以下、本発明を実施するための形態について添付図面を参照しながら説明する。図1に本実施例で使用するプラズマエッチング装置を示す。上部が開放された真空容器101の上部に、真空容器101内に処理ガスを導入するためのシャワープレート104例えば石英製,誘電体窓105例えば石英製を設置し、密封することにより処理室106を形成する。シャワープレート104には処理ガスを流すためのガス供給装置107が接続される。また、真空容器101には真空排気口108を介し真空排気装置図示せずが接続されている。プラズマを生成するための電力を処理室106に伝送するため、誘電体窓105の上方には電磁波を伝送する導波管109を設けている。導波管109へ伝送される電磁波プラズマ生成用高周波は電磁波発生用電源103から発振させる。電磁波の周波数は特に限定されないが、本実施例では245GHzのマイクロ波プラズマ生成用高周波を使用する。処理室106の外周部には、磁場を形成する磁場発生用コイル110が設けてあり、電磁波発生用電源103より発振された電力は、形成された磁場との相互作用により、処理室106内に高密度プラズマを生成する。また、シャワープレート104に対向して真空容器101の下部にはウエハ載置用電極102を設けている。ウエハ載置用電極102は電極表面が溶射膜図示せずで被覆されており、高周波フィルタ114を介して直流電源115が接続されている。さらに、ウエハ載置用電源102には、マッチング回路112を介してバイアス用高周波電源である高周波電源113が接続される。ウエハ載置用電極102には、温度調節器図示せずも接続されている。処理室106内に搬送された試料であるウエハ111は、直流電源115から印加される直流電圧の静電気力でウエハ載置用電極102上に吸着,温度調節され、ガス供給装置107によって所望の処理ガスを供給した後、真空容器101内を所定の圧力とし、処理室106内にプラズマを発生させる。ウエハ載置用電極102に接続された高周波電源113から高周波電力を印加することにより、プラズマからウエハへイオンを引き込み、ウエハ111がプラズマ処理される。また、高周波電源113は、パルス発振器を備えるため、ウエハ載置用電極に時間変調された間欠的な高周波電力または、連続的な高周波電力を印加することができる。以下、本プラズマエッチング装置を用いた本発明のプラズマ処理方法について説明する。搬送手段図示せずにより、ウエハ111を真空容器101に搬送し、ウエハ載置用電極102に載置する。ウエハ載置用電極102に載置されたウエハは、図2に示すように、シリコン基板201上に所定の形状にパターンニングされた、フォトレジストマスク図示せずまたは、ハードマスク202が成膜されている。また、所定の形状にパターニングされたハードマスク202のパターンの密部のスペース幅は、従来の半導体デバイスより極めて狭い10nm程度である。ウエハ111をウエハ載置用電極102に載置した後、表1に示すように、CF4ガスとN2ガスをガス供給装置107より真空容器101内に供給し、真空排気装置を介して処理室106内の圧力を04Paに制御し、電磁波発生用電源から800Wの高周波電力を処理室106内に供給してプラズマを発生させ、高周波電源113からウエハ載置用電極102に80Wの連続的な高周波電力を印加しながら、前記の処理室106内に発生させたプラズマにより、ハードマスク202のパターンに沿ってシリコン基板201をエッチングする。また、上記のエッチング中はウエハ載置用電極102の温度を30°Cに温調している。このエッチングステップは、シリコン基板201のエッチングのブレイクスルーを行う第1ステップである。次に、表1に示すように、Cl2ガスとN2ガスをガス供給装置107より真空容器101内に供給し、真空排気装置を介して処理室106内の圧力を008Paに制御し、電磁波発生用電源から400Wの高周波電力を処理室106内に供給してプラズマを発生させ、高周波電源113からウエハ載置用電極102に300Wのデューティー比30の時間変調された間欠的な高周波電力を印加しながら、前記の処理室106内に発生させたプラズマにより、シリコン基板201をエッチングする。また、上記のエッチング中はウエハ載置用電極102の温度を30°Cに温調している。このエッチングステップはシリコン基板のメインエッチングを行う第2ステップである。尚、デューティー比とは、時間変調された間欠的な高周波電力のオン時間をTon、オフ時間をToffとした場合、デューティー比=Ton/TonToffとなる。次に第2ステップのエッチングが終了した後、ウエハ111を搬送手段図示せずにより、真空容器101より搬出して、本発明のプラズマ処理を終了する。上述の2ステップでウエハ111のエッチング処理を行った結果、図4に示すように、ハードマスク202の側壁にSiClやSiBr等の反応生成物203が堆積させずにシリコン基板201のエッチングを行うことができ、疎密マイクロローディングを低減した所望のエッチング形状を得ることができた。この効果は以下の理由と考えられる。処理室106内の圧力を01Pa以下の圧力領域でプラズマエッチングを行うことで、ハードマスク202側壁への反応生成物203の堆積を抑制することができ、ハードマスク202のスペース幅を維持することが可能となった。また、ウエハ載置用電極102に時間変調された間欠的な高周波電力を印加したことによって、ウエハ載置用電極102に印加された高周波電力の平均値は同じでもオン時間の高周波電力が高くなり、かつ、オフ時間中に反応生成物203の排気を促進することにより、狭いスペース幅でもプラズマエッチングが可能となった。また、本実施例の第2ステップでは、Cl2ガスとN2ガスの混合ガスであったが、Cl2ガスとO2ガスの混合ガスを用いても、本実施例と同様の効果を得ることができる。また、本実施例の第2ステップでは、処理室106内の圧力を008Paとしたが、001Pa~01Paでも本実施例と同様の効果を得ることができる。また、本実施例の第2ステップでのデューティー比は、30としたが、5~50でも本実施例と同様の効果を得ることができる。また、本実施例ではプラズマエッチング用ガスに反応生成物203の飽和蒸気圧が低いCl2ガスを使用し、N2ガスを含む混合ガスとしたが、プラズマエッチング用ガスとしてはHBrガスまたは、HBrガスおよびCl2ガスの混合ガスにN2またはO2を添加した混合ガスを使用した場合HBrとN2の混合ガス、HBrとO2の混合ガス、Cl2とHBrとN2の混合ガス、Cl2とHBrとO2の混合ガスにおいても、本実施例と同様に疎密マイクロローディングを改善できる。"