"リッジ型半導体レーザであって、n型半導体を含む第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の表面に設けられた第1の電極と、前記第1の半導体層の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する活性層と、前記活性層の上に設けられp型半導体を含む第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に設けられ半導体を含むリッジ部と、前記活性層及び前記第2の半導体層の上に設けられており前記活性層に電流を供給するための第2の電極、第3の電極及び第4の電極と、を備え、前記活性層は、第1の領域、第2の領域及び第3の領域からなり、前記第1の領域、第2の領域及び第3の領域は、前記第1の半導体層の表面に沿って順に配置されており、前記リッジ部と前記第2の半導体層とは、前記第2の領域の上において接続されており、前記第2の領域は、前記リッジ部に沿って延びており、前記第3の電極は、前記リッジ部に接続しており、前記第2の電極と前記第2の半導体層とは、前記第1の領域の上において接続されており、前記第4の電極と前記第2の半導体層とは、前記第3の領域の上において接続されている、ことを特徴とするリッジ型半導体レーザ。前記第2の半導体層の上に設けられ半導体を含む第1の凸部及び第2の凸部を更に備え、前記第1の凸部と前記第2の半導体層とは、前記第1の領域の上において接続されており、前記第2の凸部と前記第2の半導体層とは、前記第3の領域の上において接続されており、前記第2の電極は、前記第1の凸部に接続し、前記第4の電極は、前記第2の凸部に接続している、ことを特徴とする請求項1に記載のリッジ型半導体レーザ。前記活性層の材料は、アルミニウムを含む、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のリッジ型半導体レーザ。請求項1~請求項3の何れか一項に記載のリッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験方法であって、前記リッジ型半導体レーザを光通信モジュールの支持部に実装するステップと、前記リッジ型半導体レーザに設けられたスクリーニング試験用の前記第2の電極及び前記第3の電極と、前記支持部に設けられており電流源と電気的に接続されたスクリーニング試験用の導体パターンとを、ワイヤを介して接続するステップと、前記導体パターン及び前記ワイヤを介して前記リッジ型半導体レーザに電流を供給することによって前記リッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験を実施するステップと、スクリーニング試験の終了後に、前記導体パターンを切断することによって、前記第2の電極及び前記第3の電極と前記電流源とを電気的に絶縁するステップと、を備える、ことを特徴とするスクリーニング試験方法。半導体レーザ等の半導体光素子の通電による特性変動は、活性層にある結晶欠陥が成長することによって生じる場合がある。リッジ型の半導体レーザの場合、活性層は、基板の表面に沿って順に配置されている第1の領域、第2の領域及び第3の領域からなる。リッジ部は第2の領域の上に設けられている。第1の領域は第2の領域に接し、第2の領域は第3の領域に接している。基板の表面及びリッジ部の上から見て、第2の領域と、第2の領域の上に設けられたリッジ部とは重なっており、そして、第1の領域と第3の領域との間にある。活性層において、第1の領域及び第3の領域は、第2の領域と比較して、リッジ部から離れている。リッジ部から活性層に電流を流入すると、第2の領域だけでなく、リッジ部から比較的に離れている第1の領域及び第3の領域にも、電流が流れ、よって、第1の領域及び第3の領域においても発光が生じる。このため、半導体レーザの長期通電によって、第1の領域及び第3の領域にある結晶欠陥が成長して第2の領域に到達し、半導体レーザの特性劣化の原因となる場合がある。従来のリッジ型半導体レーザのスクリーニング試験においては、リッジ部上に設けられた電極を介して活性層に電流を流入し、スクリーング試験前後での特性変動を観察することで、長期通電により特性劣化を引き起こす信頼性に低い素子を選別する。しかし、この方法では、リッジ部から比較的に離れている第1の領域及び第3の領域に結晶欠陥が存在したとしても、この結晶欠陥に起因して特性劣化する素子を選別することは困難である。すなわち、リッジ型半導体レーザの長期寿命を保証するためには、第2の領域にある結晶欠陥の他に、第1の領域及び第3の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を、あらかじめ選別し、取り除く必要がある。このような第1の領域及び第3の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別する方法としては、例えば、従来行われているスクリーニング試験において、適用される温度、電流、及び光出力を、比較的に高い値に設定することが考えられる。つまり、スクリーニング試験において、リッジ型半導体レーザに比較的高い負荷を印加することで、リッジ型半導体レーザの第1の領域及び第3の領域まで電流を注入し、加速試験する。この結果、これらの第1~第3の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別することができると考えられる。しかしながら、スクリーニング試験に適用される温度、電流及び光出力が比較的に高い値に設定されている状況において、試験時間を比較的に長い値に設定すると、第1の領域及び第3の領域にある結晶欠陥が成長して第2の領域に至る、という複合的な特性劣化の現象が生じる可能性がある。さらに、この現象とは異なる他の現象も誘引される可能性もある。すなわち、このような高い負荷を半導体レーザ素子に印加するスクリーニング試験では、かえって本来の特性劣化を引き起こすメカニズムとは異なる、より複雑な劣化モードを誘引する可能性がある。また、従来行われているスクリーニング試験と同じ条件で試験した場合は、第1の領域及び第3の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別するためには、試験時間を相当長い時間に設定する必要があると考えられる。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供することである。本発明に係るリッジ型半導体レーザは、n型半導体を含む第1の半導体層と、前記第1の半導体層の一方の表面に設けられた第1の電極と、前記第1の半導体層の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する活性層と、前記活性層の上に設けられp型半導体を含む第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に設けられ半導体を含むリッジ部と、前記活性層及び前記第2の半導体層の上に設けられており前記活性層に電流を供給するための第2の電極、第3の電極及び第4の電極と、を備え、前記活性層は、第1の領域、第2の領域及び第3の領域からなり、前記第1の領域、第2の領域及び第3の領域は、前記第1の半導体層の表面に沿って順に配置されており、前記リッジ部と前記第2の半導体層とは、前記第2の領域の上において接続されており、前記第2の領域は、前記リッジ部に沿って延びており、前記第3の電極は、前記リッジ部に接続しており、前記第2の電極と前記第2の半導体層とは、前記第1の領域の上において接続されており、前記第4の電極と前記第2の半導体層とは、前記第3の領域の上において接続されている、ことを特徴とする。第3の電極を介してリッジ部から活性層の第2の領域に電流が流入すると、第2の領域において発光が生じる。また、第2の電極を介して活性層の第1の領域に電流が流入すると、第1の領域において発光が生じる。更に、第4の電極を介して活性層の第3の領域に電流が流入すると、第3の領域において発光が生じる。従って、スクリーニング試験において、第2~第4の電極に電流を流せば、リッジ部に比較的に近い位置にある第2の領域だけでなく、第2の電極及び第4の電極を介して、リッジ部から比較的に離れた位置にある第1の領域及び第3の領域にも、独立して電流を流入することができる。従ってリッジ部に比較的に近い位置にある第2の領域に結晶欠陥が存在する場合だけでなく、第2の領域の両側に設けられておりリッジ部から比較的に離れた位置にある第1の領域及び第3の領域に結晶欠陥が存在する場合でも、これらの結晶欠陥に起因して引き起こされる特性劣化を特定することができる。第2の領域に存在する結晶欠陥の他に、これらの第1の領域及び第3の領域に存在する結晶欠陥も、リッジ型半導体レーザの長期信頼性に影響を与える。故に、本発明に係るリッジ型半導体レーザでは、スクリーニング試験において、第2~第4の電極を介して、第1~第3の領域の活性層に電流を流すことにより、リッジ部に比較的に近い位置にある第2の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子の他に、リッジ部から比較的に離れた位置にある第1の領域及び第3の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を容易に選別することができる。また、第2~第4の電極を介して、第1~第3の領域の活性層に、独立に電流を流し、その電流値を制御すことができるので、第1~第3の領域の活性層に流すべき最適な電流値を選択することができる。本発明に係る半導体レーザでは、前記第2の半導体層の上に設けられ半導体を含む第1の凸部及び第2の凸部を更に備え、前記第1の凸部と前記第2の半導体層とは、前記第1の領域の上において接続されており、前記第2の凸部と前記第2の半導体層とは、前記第3の領域の上において接続されており、前記第2の電極は、前記第1の凸部に接続し、前記第4の電極は、前記第2の凸部に接続している構成であることができる。第1の凸部及び第2の凸部上に設けられた第2の電極及び第4の電極から、第1の凸部及び第2の凸部を介して、活性層の第1の領域および第3の領域に電流が注入されるので、より確実に、かつ精度よく第1の領域および第3の領域にそれぞれ電流を注入することができ、また、他の領域に広がることを制限することができる。従って、第1~第3の領域の活性層に存在する結晶欠陥の特定およびこの結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を、少ない負荷で、かつ短い時間で、確実に選別することができる。さらに、第2の電極及び第4の電極から注入された電流が、他の領域に広がって、新たな劣化モードを誘引することも回避することができる。本発明に係る半導体レーザでは、前記活性層の材料は、アルミニウムを含むことができる。アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られている。本発明に係る半導体レーザによれば、活性層における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行えるので、このような活性層の材料にアルミニウムを含むリッジ型半導体レーザに好適である。本発明に係るスクリーニング試験方法は、上記の何れかのリッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験方法であって、前記リッジ型半導体レーザを光通信モジュールの支持部に実装するステップと、前記リッジ型半導体レーザに設けられたスクリーニング試験用の前記第2の電極及び前記第3の電極と、前記支持部に設けられており電流源と電気的に接続されたスクリーニング試験用の導体パターンとを、ワイヤを介して接続するステップと、前記導体パターン及び前記ワイヤを介して前記リッジ型半導体レーザに電流を供給することによって前記リッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験を実施するステップと、スクリーニング試験の終了後に、前記導体パターンを切断することによって、前記第2の電極及び前記第3の電極と前記電流源とを電気的に絶縁するステップと、を備える。従って、スクリーニング試験終了後に、リッジ型半導体レーザを駆動する際は、リッジ型半導体レーザのスクリーニング用の第1及び第2の電極には電流源からの電流の供給が遮断される。更に、導体パターンの切断部は、支持部に固定されているので、導体パターンを切断する際に、他のワイヤや導体パターン等に接触し、これらのワイヤや導体パターン等を破損等することを回避することができる。本発明によれば、リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供できる。以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。第1の実施形態図1は、実施形態に係る半導体レーザ1aの構成を説明するための図である。図1のa部は、半導体レーザ1aのp側の表面の構成を示す図である。図1のa部に示すp側の表面は、図中に示すx-y平面に沿って延びている。図1のb部は、図1のa部に示す面A1に沿ってとられた半導体レーザ1aの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図1のb部に示す断面は、図中に示すz-x平面に沿って延びている。半導体レーザ1aは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ1aは、n型半導体層3第1の半導体層、活性層5、p型半導体層7第2の半導体層、コンタクト層9a、コンタクト層9b、コンタクト層9c、絶縁膜11a、絶縁膜11b、絶縁膜11c、絶縁膜11d、スクリーニング用電極13a第2の電極、p側電極13b第3の電極、スクリーニング用電極13c第4の電極、及び、n側電極15第1の電極、及び、リッジ部17を備える。n側電極15、n型半導体層3、活性層5、及び、p型半導体層7は、z軸方向に沿って、順に配置されている。n型半導体層3は、基板図示略とn型半導体のクラッド層図示略とを含む。n側電極15は、n型半導体層3の一方の表面に設けられている。活性層5は、n型半導体層3の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する。活性層5は、半導体からなり、活性層5の材料は、アルミニウムを含むことができる。活性層5の上には、p型半導体層7が設けられている。p型半導体層7は、p型半導体のクラッド層を含む。リッジ部17は、p型半導体層7の上に設けられ半導体を含む。リッジ部17の幅は、例えば、1.5μm程度である。スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及び、スクリーニング用電極13cは、活性層5及びp型半導体層7の上に設けられている。スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及び、スクリーニング用電極13cは、活性層5に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cは、半導体レーザ1aに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cに電流は流されない。活性層5は、第1の領域5a、第2の領域5b及び第3の領域5cからなる。第1の領域5a、第2の領域5b及び第3の領域5cは、n型半導体層3の表面に沿って順に配置されている。第1の領域5aは第2の領域5bに接しており、第2の領域5bは第3の領域5cに接している。リッジ部17は、第2の領域5bの上に設けられている。リッジ部17とp型半導体層7とは、第2の領域5bの上において接続されている。第2の領域5bは、リッジ部17に沿って延びている。リッジ部17の上から見てz軸の方向から見て、第2の領域5bと、第2の領域5bの上に設けられたリッジ部17とは重なっており、そして、第1の領域5aと第3の領域5cとの間にある。活性層5において、第1の領域5a及び第3の領域5cは、第2の領域5bと比較して、リッジ部17から離れている。p側電極13bは、リッジ部17に接続している。p側電極13bは、コンタクト層9bを介してリッジ部17に電気的に接続している。p側電極13bは、コンタクト層9b及びリッジ部17を介して、p型半導体層7に電気的に接続している。スクリーニング用電極13aとp型半導体層7とは、第1の領域5aの上において接続されている。スクリーニング用電極13aとp型半導体層7とは、コンタクト層9aを介して電気的に接続されている。スクリーニング用電極13aとp型半導体層7との接続部P1は、第1の領域5aの上にある。接続部P1絶縁膜11aおよび11bの開口部とリッジ部17との距離、及び接続部P1の開口部の幅は、半導体レーザ1aの動作時に活性層に電流を注入したときに、リッジ部17を介して、電流が第2の領域5bの両側に拡がる範囲および電流注入により発光する範囲を考慮して決定される。例えば、接続部P1絶縁膜11aおよび11bの開口部とリッジ部17との距離は、例えば、0.2μm以上1.5μm以下である。また、接続部P1において、絶縁膜が設けられていない開口部の幅は、例えば、0.5μm以上10μm以下である。スクリーニング用電極13cとp型半導体層7とは、第3の領域5cの上において接続されている。スクリーニング用電極13cとp型半導体層7とは、コンタクト層9cを介して電気的に接続されている。スクリーニング用電極13cとp型半導体層7との接続部P2は、第3の領域5cの上にある。接続部P2絶縁膜11cおよび11dの開口部とリッジ部17との距離、及び接続部P2の開口部の幅は、接続部P1と同様に、半導体レーザ1aの動作時に活性層に電流を注入したときに、リッジ部17を介して、電流が第2の領域5bの両側に拡がる範囲および電流注入により発光する範囲を考慮して決定される。例えば、接続部P2絶縁膜11cおよび11dの開口部とリッジ部17との距離は、例えば、0.2μm以上1.5μm以下である。また、接続部P2において、絶縁膜が設けられていない開口部の幅は、例えば、0.5μm以上10μm以下である。更に、詳細に半導体レーザ1aの構成を説明する。コンタクト層9aは、第1の領域5aの上において、p型半導体層7の表面に設けられている。コンタクト層9aは、リッジ部17の上から見て、第1の領域5aを覆うように設けられている。コンタクト層9aは、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。スクリーニング用電極13aとp型半導体層7とは、コンタクト層9aを介して、第1の領域5aの上の接続部P1において、電気的に接続されている。接続部P1において、コンタクト層9aの表面には、絶縁膜11a、絶縁膜11b及び絶縁膜11c等の絶縁膜が設けられていない。コンタクト層9bは、第2の領域5bの上において、リッジ部17の表面に設けられている。コンタクト層9bは、リッジ部17の上からみて、第2の領域5b及びリッジ部17を覆うように設けられている。コンタクト層9bは、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。p側電極13bは、コンタクト層9bを介してリッジ部17に電気的に接続されている。p側電極13bは、コンタクト層9b及びリッジ部17を介して、第2の領域5bの上において、p型半導体層7に電気的に接続されている。コンタクト層9cは、第1の領域5cの上において、p型半導体層7の表面に設けられている。コンタクト層9cは、リッジ部17の上から見て、第1の領域5cを覆うように設けられている。コンタクト層9cは、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。スクリーニング用電極13cとp型半導体層7とは、コンタクト層9cを介して、第1の領域5cの上の接続部P2において、電気的に接続されている。接続部P2において、コンタクト層9cの表面には、絶縁膜11a、絶縁膜11b及び絶縁膜11c等の絶縁膜が設けられていない。第2の領域5b及びリッジ部17は、何れも、第1の領域5a及びコンタクト層9aと、第3の領域5c及びコンタクト層9cと、の間にある。絶縁膜11a及び絶縁膜11bは、第1の領域5aの上において、接続部P1を除き、コンタクト層9aを覆う。絶縁膜11c及び絶縁膜11dは、第3の領域5cの上において、接続部P2を除き、コンタクト層9cを覆う。絶縁膜11b及び絶縁膜11cは、リッジ部17及びコンタクト層9bの側面z軸に沿って延びている面を覆う。リッジ部17及び第2の領域5bは、y軸に沿って延びている。リッジ部17と第2の領域5bとは、リッジ部17の上から見てz軸方向からみて、重なっている。p側電極13bは、第2の領域5b及びリッジ部17の上に設けられており、リッジ部17に沿って延びている。スクリーニング用電極13aは、第1の領域5aの上に設けられており、リッジ部17に沿って延びている。スクリーニング用電極13cは、第3の領域5cの上に設けられており、リッジ部17に沿って延びている。スクリーニング試験において、p側電極13bを介してリッジ部17から活性層5の第2の領域5bに電流が流入すると、リッジ部17から比較的に離れている第1の領域5a及び第3の領域5cにも、電流が流れ、よって、第1の領域5a及び第3の領域5cにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13aを介して活性層5の第1の領域5aに電流が流入すると、第1の領域5aにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13cを介して活性層5の第3の領域5cに電流が流入すると、第3の領域5cにおいて発光が生じる。このように、半導体レーザ1aによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bだけでなく、第1の領域5aの上のスクリーニング用電極13a、及び、第3の領域5cの上のスクリーニング用電極13c、を介して、リッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cにも電流を、それぞれ独立に流入することができる。故に、リッジ部に比較的に近い位置にある第2の領域に結晶欠陥が存在する場合だけでなく、第2の領域の両側に設けられておりリッジ部から比較的に離れた位置にある第1の領域及び第3の領域に結晶欠陥が存在する場合でも、これらの結晶欠陥に起因して引き起こされる特性劣化を特定することができる。第2の領域に存在する結晶欠陥の他に、これらの第1の領域及び第3の領域に存在する結晶欠陥も、リッジ型半導体レーザの長期信頼性に影響を与える。本実施形態の半導体レーザ1aにおいては、スクリーニング試験の際に、p側電極13b、スクリーニング用電極13a、及び、スクリーニング用電極13cを介して、第1の領域5a、第2の領域5b、及び第3の領域5cの活性層に電流を流すことができる。これにより、リッジ部に比較的に近い位置にある第2の領域5bに存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子の他に、リッジ部から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cに存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を容易に選別することができる。また、p側電極13b、スクリーニング用電極13a、及び、スクリーニング用電極13cを介して、第1の領域5a、第2の領域5b、及び第3の領域5cの活性層に、独立に電流を流し、その電流値を制御すことができる。これにより、第1~第3の領域の活性層に流すべき最適な電流値を選択することができる。また、例えば、AlGaInAs半導体からなる活性層のように、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られている。本実施形態の半導体レーザ1aによれば、アルミニウムを含有する活性層5における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及びスクリーニング用電極13cは、例えば、Ti/Pt/Auからなるオーミック電極である。n型半導体層3は、例えばn型InPからなる。なお、n型半導体層3は、n型の半導体基板であることができる。活性層5は、例えば、アルミニウムAl元素を含むAlGaInAs半導体からなる量子井戸構造を有する。また、GaInAsP半導体からなる量子井戸構造を有していてもよい。また、AlGaInAs半導体、またはGaInAsP半導体からなる単層の半導体層から構成されていてもよい。p型半導体層7は、例えば、p型InPからなる。コンタクト層9a、コンタクト層9b、コンタクト層9cは、例えば、p型InGaAsからなる。絶縁膜11a、絶縁膜11b、絶縁膜11c及び絶縁膜11dは、例えば、SiO2,SiN等の誘電体膜からなることができる。第2の実施形態図2は、実施形態に係る半導体レーザ1bの構成を説明するための図である。図2のa部は、半導体レーザ1bのp側の表面の構成を示す図である。図2のa部に示すp側の表面は、図中に示すx-y平面に沿って延びている。図2のb部は、図1のa部に示す面A2に沿ってとられた半導体レーザ1bの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図2のb部に示す断面は、図中に示すz-x平面に沿って延びている。半導体レーザ1bは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ1bは、n型半導体層3第1の半導体層、活性層5、p型半導体層7第2の半導体層、コンタクト層9b、絶縁膜11a、絶縁膜11b、絶縁膜11c、絶縁膜11d、スクリーニング用電極13a第2の電極、p側電極13b第3の電極、スクリーニング用電極13c第4の電極、及び、n側電極15第1の電極、及び、リッジ部17を備える。図2に示す半導体レーザ1bは、図1に示す半導体レーザ1aのコンタクト層9a及びコンタクト層9cを含まない。半導体レーザ1aの構成と半導体レーザ1bの構成とは、この点においてのみ、相違する。半導体レーザ1bの場合、p型半導体層7とスクリーニング用電極13aとは、コンタクト層9aを介さずに、第1の領域5aの上の接続部P3において、直接に接している。半導体レーザ1bの場合、p型半導体層7とスクリーニング用電極13cとは、コンタクト層9cを介さずに、第3の領域5cの上の接続部P4において、直接に接している。半導体レーザ1bの場合、絶縁膜11aとp型半導体層7とは、コンタクト層9cを介さずに、直接に接している。半導体レーザ1bの場合、絶縁膜11dとp型半導体層7とは、コンタクト層9cを介さずに、直接に接している。スクリーニング試験において、p側電極13bを介してリッジ部17から活性層5の第2の領域5bに電流が流入すると、リッジ部17から比較的に離れている第1の領域5a及び第3の領域5cにも、電流が流れ、よって、第1の領域5a及び第3の領域5cにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13aを介して活性層5の第1の領域5aに電流が流入すると、第1の領域5aにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13cを介して活性層5の第3の領域5cに電流が流入すると、第3の領域5cにおいて発光が生じる。このように、半導体レーザ1bによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bだけでなく、第1の領域5aの上のスクリーニング用電極13a、及び、第3の領域5cの上のスクリーニング用電極13c、を介して、リッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cにも電流が流入するので、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bの結晶欠陥の存在だけでなく、第2の領域5bの両側に設けられておりリッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ1bによれば、アルミニウムを含有する活性層5における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。第3の実施形態図3は、実施形態に係る半導体レーザ1cの構成を説明するための図である。図3のa部は、半導体レーザ1cのp側の表面の構成を示す図である。図3のa部に示すp側の表面は、図中に示すx-y平面に沿って延びている。図3のb部は、図3のa部に示す面A3に沿ってとられた半導体レーザ1cの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図3のc部は、図3のa部に示す面A4に沿ってとられた半導体レーザ1cの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図3のb部に示す断面、及び、c部に示す断面は、図中に示すz-x平面に沿って延びている。半導体レーザ1cは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ1cは、n型半導体層3第1の半導体層、活性層5、p型半導体層7第2の半導体層、コンタクト層9a1、コンタクト層9b1、コンタクト層9c1、絶縁膜11a1、絶縁膜11b1、絶縁膜11c1、スクリーニング用電極13a1第2の電極、p側電極13b1第3の電極、スクリーニング用電極13c1第4の電極、及び、n側電極15第1の電極、リッジ部17、凸部17a第1の凸部、凸部17b第2の凸部、埋め込み部19a、埋め込み部19b、及び、埋め込み部19cを備える。スクリーニング用電極13a1、p側電極13b1、及び、スクリーニング用電極13c1は、活性層5及びp型半導体層7の上に設けられている。スクリーニング用電極13a1、p側電極13b1、及び、スクリーニング用電極13c1は、活性層5に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極13a1及びスクリーニング用電極13c1は、半導体レーザ1cに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極13a1及びスクリーニング用電極13c1に電流は流されない。凸部17a及び凸部17bは、半導体を含み、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17aとp型半導体層7とは、第1の領域5aの上において接続されている。凸部17bとp型半導体層7とは、第3の領域5cの上において接続されている。スクリーニング用電極13a1は、凸部17aに接続している。スクリーニング用電極13c1は、凸部17bに接続している。リッジ部17と凸部17aとの距離は、例えば、0.2μm以上1.5μm以下である。また、凸部17aの幅は、例えば、0.5μm以上10μm以下とすることができる。同様に、リッジ部17と凸部17bとの距離は、例えば、0.2μm以上1.5μm以下である。また、凸部17bの幅は、例えば、0.5μm以上10μm以下とすることができる。凸部17a及び凸部17bの構成を更に詳しく説明する。凸部17aは、第1の領域5aの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17aは、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17aの上にはコンタクト層9a1が設けられている。コンタクト層9a1の表面は、第1の領域5aの上において、絶縁膜11a1、絶縁膜11b1、絶縁膜11c1、埋め込み部19a、埋め込み部19b及び埋め込み部19c等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P5を有する。コンタクト層9a1の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P5には、スクリーニング用電極13a1の一部が充填されている。スクリーニング用電極13a1は、接続部P5にあるコンタクト層9a1を介して、凸部17a及びp型半導体層7に電気的に接続されている。凸部17bは、第3の領域5cの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17bは、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17bの上にはコンタクト層9c1が設けられている。コンタクト層9c1の表面は、絶縁膜11a1、絶縁膜11b1、絶縁膜11c1、埋め込み部19a、埋め込み部19b及び埋め込み部19c等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない。絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていないコンタクト層9c1の表面には、スクリーニング用電極13c1が直接に接している接続部P6。スクリーニング用電極13c1は、接続部P6にあるコンタクト層9c1を介して、凸部17b及びp型半導体層7に電気的に接続されている。リッジ部17は、凸部17aと凸部17bとの間に配置されている。p側電極13b1は、リッジ部17に接続している。p側電極13b1は、コンタクト層9b1を介してリッジ部17に電気的に接続している。p側電極13b1は、コンタクト層9b1及びリッジ部17を介して、p型半導体層7に電気的に接続している。スクリーニング用電極13a1とp型半導体層7とは、凸部17a及びコンタクト層9a1を介して、第1の領域5aの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13a1と凸部17aとの接続部P5は、第1の領域5aの上にある。スクリーニング用電極13c1とp型半導体層7とは、凸部17b及びコンタクト層9c1を介して、第3の領域5cの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13c1と凸部17bとの接続部P6は、第3の領域5cの上にある。絶縁膜11a1は、第1の領域5aの上において、接続部P5を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17aの表面凸部17aの側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11b1及び絶縁膜11c1は、第3の領域5cの上において、接続部P6を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17bの表面凸部17bの側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11a1及び絶縁膜11b1は、リッジ部17の側面z軸に沿って延びている面を覆う。埋め込み部19aは、第1の領域5aの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a1及びp側電極13b1と、絶縁膜11a1との間に設けられている。埋め込み部19bは、第3の領域5cの上において、絶縁膜11b1の上に設けられている。埋め込み部19cは、第3の領域5cの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13c1と絶縁膜11c1との間に設けられている。p側電極13b1は、第1の領域5aの上に張り出している張り出し領域K1を有する。p側電極13b1にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K1にワイヤが接続される。スクリーニング用電極13c1は、第3の領域5cの上に張り出している張り出し領域K2を有する。スクリーニング用電極13c1にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K2にワイヤが接続される。スクリーニング試験において、p側電極13b1を介してリッジ部17から活性層5の第2の領域5bに電流が流入すると、リッジ部17から比較的に離れている第1の領域5a及び第3の領域5cにも、電流が流れ、よって、第1の領域5a及び第3の領域5cにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13a1を介して活性層5の第1の領域5aに電流が流入すると、第1の領域5aにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13c1を介して活性層5の第3の領域5cに電流が流入すると、第3の領域5cにおいて発光が生じる。このように、半導体レーザ1cによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bだけでなく、第1の領域5aの上のスクリーニング用電極13a1、及び、第3の領域5cの上のスクリーニング用電極13c1、を介して、リッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cにも電流が流入するので、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bの結晶欠陥の存在だけでなく、第2の領域5bの両側に設けられておりリッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。特に、凸部17a及び凸部17b上に設けられたスクリーニング用電極13a1及びスクリーニング用電極13c1から、凸部17a及び凸部17bを介して、活性層の第1の領域5aおよび第3の領域5cに電流が注入されるので、より確実に、かつ精度よく、第1の領域5aおよび第3の領域5cにそれぞれ電流を注入することができとともに、他の領域に広がることを制限することができる。従って、第1の領域5a、第2の領域5b、及び第3の領域5cの活性層に存在する結晶欠陥の特定およびこの結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を、少ない負荷で、かつ短い時間で、確実に選別することができる。さらに、スクリーニング用電極13a1及びスクリーニング用電極13c1から注入された電流が、他の領域に広がって、新たな劣化モードを誘引することも回避することができる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ1cによれば、アルミニウムを含有する活性層5における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極13a1、p側電極13b1、及びスクリーニング用電極13c1は、例えば、Ti/Pt/Auからなるオーミック電極である。コンタクト層9a1、コンタクト層9b1、及びコンタクト層9c1は、例えば、p型InGaAsからなる。絶縁膜11a1、絶縁膜11b1、絶縁膜11c1は、例えば、SiO2,SiN等の誘電体膜からなる。埋め込み部19a、埋め込み部19b、及び埋め込み部19cは、例えば、ポリイミド樹脂やBCB樹脂ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂からなることができる。第4の実施形態図4は、実施形態に係る半導体レーザ1dの構成を説明するための図である。図4のa部は、半導体レーザ1dのp側の表面の構成を示す図である。図4のa部に示すp側の表面は、図中に示すx-y平面に沿って延びている。図4のb部は、図4のa部に示す面A5に沿ってとられた半導体レーザ1dの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図4のc部は、図4のa部に示す面A6に沿ってとられた半導体レーザ1dの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図4のb部に示す断面、及び、c部に示す断面は、図中に示すz-x平面に沿って延びている。半導体レーザ1dは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ1dは、n型半導体層3第1の半導体層、活性層5、p型半導体層7第2の半導体層、コンタクト層9a2、コンタクト層9b2、コンタクト層9c2、絶縁膜11a2、絶縁膜11b2、絶縁膜11c2、スクリーニング用電極13a2第2の電極、p側電極13b2第3の電極、スクリーニング用電極13c2第4の電極、及び、n側電極15第1の電極、リッジ部17、凸部17a1第1の凸部、凸部17b1第2の凸部、埋め込み部19a1、埋め込み部19b1、及び、埋め込み部19c1を備える。スクリーニング用電極13a2、p側電極13b2、及び、スクリーニング用電極13c2は、活性層5及びp型半導体層7の上に設けられている。スクリーニング用電極13a2、p側電極13b2、及び、スクリーニング用電極13c2は、活性層5に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極13a2及びスクリーニング用電極13c2は、半導体レーザ1dに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極13a2及びスクリーニング用電極13c2に電流は流されない。凸部17a1及び凸部17b1は、半導体を含み、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17a1とp型半導体層7とは、第1の領域5aの上において接続されている。凸部17b1とp型半導体層7とは、第3の領域5cの上において接続されている。スクリーニング用電極13a2は、第1の領域5aの上の接続部P7において、コンタクト層9a2を介して、凸部17a1に電気的に接続している。接続部P7には、絶縁膜11a2及び埋め込み部19a1が設けられていない。スクリーニング用電極13c2は、第3の領域5cの上の接続部P8において、コンタクト層9c2を介して、凸部17b1に電気的に接続している。接続部P8には、絶縁膜11c2及び埋め込み部19c1は設けられていない。凸部17a1及び凸部17b1の構成を更に詳しく説明する。凸部17a1は、第1の領域5aの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17a1は、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17a1の上にはコンタクト層9a2が設けられている。コンタクト層9a2の表面は、第1の領域5aの上において、絶縁膜11a2、絶縁膜11b2、絶縁膜11c2、埋め込み部19a1、埋め込み部19b1及び埋め込み部19c1等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P7を有する。コンタクト層9a2の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P7には、スクリーニング用電極13a2の一部が充填されている。スクリーニング用電極13a2は、接続部P7にあるコンタクト層9a2を介して、凸部17a1及びp型半導体層7に電気的に接続されている。凸部17b1は、第3の領域5cの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17b1は、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17b1の上にはコンタクト層9c2が設けられている。コンタクト層9c2の表面は、絶縁膜11a2、絶縁膜11b2、絶縁膜11c2、埋め込み部19a1、埋め込み部19b1及び埋め込み部19c1等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P8を有する。コンタクト層9c2の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P8には、スクリーニング用電極13c2の一部が充填されている。スクリーニング用電極13c2は、接続部P8にあるコンタクト層9c2を介して、凸部17b1及びp型半導体層7に電気的に接続されている。リッジ部17は、凸部17a1と凸部17b1との間に配置されている。p側電極13b2は、リッジ部17に接続している。p側電極13b2は、コンタクト層9b2を介してリッジ部17に電気的に接続している。p側電極13b2は、コンタクト層9b2及びリッジ部17を介して、p型半導体層7に電気的に接続している。スクリーニング用電極13a2とp型半導体層7とは、凸部17a1及びコンタクト層9a2を介して、第1の領域5aの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13a2と凸部17a1との接続部P7は、第1の領域5aの上にある。スクリーニング用電極13c2とp型半導体層7とは、凸部17b1及びコンタクト層9c2を介して、第3の領域5cの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13c2と凸部17b1との接続部P8は、第3の領域5cの上にある。絶縁膜11a2は、第1の領域5aの上において、接続部P7を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17a1の表面凸部17a1の側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11b2及び絶縁膜11c2は、第3の領域5cの上において、接続部P8を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17b1の表面凸部17b1の側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11a2及び絶縁膜11b2は、リッジ部17の側面z軸に沿って延びている面を覆う。埋め込み部19a1は、第1の領域5aの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a2及びp側電極13b2と、絶縁膜11a2との間に設けられている。埋め込み部19b1は、第3の領域5cの上において、絶縁膜11b2の上に設けられている。埋め込み部19c1は、第3の領域5cの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13c2と絶縁膜11c2との間に設けられている。p側電極13b2は、第1の領域5aの上に張り出している張り出し領域K3を有する。p側電極13b2にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K3にワイヤが接続される。スクリーニング用電極13c2は、第3の領域5cの上に張り出している張り出し領域K4を有する。スクリーニング用電極13c2にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K4にワイヤが接続される。スクリーニング試験において、p側電極13b2を介してリッジ部17から活性層5の第2の領域5bに電流が流入すると、リッジ部17から比較的に離れている第1の領域5a及び第3の領域5cにも、電流が流れ、よって、第1の領域5a及び第3の領域5cにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13a2を介して活性層5の第1の領域5aに電流が流入すると、第1の領域5aにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13c2を介して活性層5の第3の領域5cに電流が流入すると、第3の領域5cにおいて発光が生じる。このように、半導体レーザ1dによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bだけでなく、第1の領域5aの上のスクリーニング用電極13a2、及び、第3の領域5cの上のスクリーニング用電極13c2、を介して、リッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cにも電流が流入するので、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bの結晶欠陥の存在だけでなく、第2の領域5bの両側に設けられておりリッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ1dによれば、アルミニウムを含有する活性層5における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極13a2、p側電極13b2、及びスクリーニング用電極13c2は、例えば、Ti/Pt/Auからなるオーミック電極である。コンタクト層9a2、コンタクト層9b2、及びコンタクト層9c2は、例えば、p型InGaAsからなる。絶縁膜11a2、絶縁膜11b2、及び絶縁膜11c2は、例えば、SiO2,SiN等の誘電体膜からなる。埋め込み部19a1、埋め込み部19b1、及び、埋め込み部19c1は、例えば、ポリイミド樹脂やBCB樹脂ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂からなることができる。第5の実施形態図5は、実施形態に係る半導体レーザ1eの構成を説明するための図である。図5のa部は、半導体レーザ1eのp側の表面の構成を示す図である。図5のa部に示すp側の表面は、図中に示すx-y平面に沿って延びている。図5のb部は、絶縁膜の形状を示す図である。図5のb部に示す絶縁膜の形状は、図5のa部に示す表面と平行な面における形状である。図5のc部は、図5のa部に示す面A7に沿ってとられた半導体レーザ1eの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図5のd部は、図5のa部に示す面A8に沿ってとられた半導体レーザ1eの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図5のe部は、図5のa部に示す面A9に沿ってとられた半導体レーザ1eの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図5のc部、d部、及び、e部に示す断面は、図中に示すz-x平面に沿って延びている。半導体レーザ1eは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ1eは、n型半導体層3第1の半導体層、活性層5、p型半導体層7第2の半導体層、コンタクト層9a3、コンタクト層9b3、コンタクト層9c3、絶縁膜11a3、絶縁膜11b3、スクリーニング用電極13a3第2の電極、及び、第4の電極、p側電極13b3第3の電極、及び、n側電極15第1の電極、リッジ部17、凸部17a2第1の凸部、凸部17b2第2の凸部、埋め込み部19a2、及び、埋め込み部19b2を備える。スクリーニング用電極13a3、及び、p側電極13b3は、活性層5及びp型半導体層7の上に設けられている。スクリーニング用電極13a3、及び、p側電極13b3は、活性層5に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極13a3は、半導体レーザ1dに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極13a3に電流は流されない。凸部17a2及び凸部17b2は、半導体を含み、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17a2とp型半導体層7とは、第1の領域5aの上において接続されている。凸部17b2とp型半導体層7とは、第3の領域5cの上において接続されている。スクリーニング用電極13a3は、第1の領域5aの上の接続部P9において、コンタクト層9a3を介して、凸部17a2に電気的に接続している。接続部P9には、絶縁膜11a3及び埋め込み部19a2が設けられていない。スクリーニング用電極13a2は、第3の領域5cの上の接続部P10において、コンタクト層9c3を介して、凸部17b2に電気的に接続している。接続部P10には、絶縁膜11b3及び埋め込み部19b2は設けられていない。凸部17a2及び凸部17b2の構成を更に詳しく説明する。凸部17a2は、第1の領域5aの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17a2は、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17a2の上にはコンタクト層9a3が設けられている。コンタクト層9a3の表面は、第1の領域5aの上において、絶縁膜11a3、絶縁膜11b3、埋め込み部19a2及び埋め込み部19b2等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P9を有する。コンタクト層9a3の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P9には、スクリーニング用電極13a3の一部が充填されている。スクリーニング用電極13a3は、接続部P9にあるコンタクト層9a3を介して、凸部17a2及びp型半導体層7に電気的に接続されている。凸部17b2は、第3の領域5cの上において、p型半導体層7の上に設けられている。凸部17b2は、リッジ部17に沿ってy軸に沿って延びている。凸部17b2の上にはコンタクト層9c3が設けられている。コンタクト層9c3の表面は、絶縁膜11a3、絶縁膜11b3、埋め込み部19a2及び埋め込み部19b2等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P10を有する。コンタクト層9c3の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P10には、スクリーニング用電極13a3の一部が充填されている。スクリーニング用電極13a3は、接続部P10にあるコンタクト層9c3を介して、凸部17b2及びp型半導体層7に電気的に接続されている。リッジ部17は、第2の領域5bの上において、p型半導体層7の上に設けられている。リッジ部17の上にはコンタクト層9b3が設けられている。コンタクト層9b3の表面は、絶縁膜11a3、絶縁膜11b3、埋め込み部19a2及び埋め込み部19b2等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分接続部P11を有する。コンタクト層9b3の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部P11には、p側電極13b3の一部が充填されている。p側電極13b3は、接続部P11にあるコンタクト層9b3を介して、リッジ部17及びp型半導体層7に電気的に接続されている。リッジ部17は、凸部17a2と凸部17b2との間に配置されている。p側電極13b3は、リッジ部17に接続している。p側電極13b3は、コンタクト層9b3を介してリッジ部17に電気的に接続している。p側電極13b3は、コンタクト層9b3及びリッジ部17を介して、p型半導体層7に電気的に接続している。スクリーニング用電極13a3とp型半導体層7とは、凸部17a2及びコンタクト層9a3を介して、第1の領域5aの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13a3と凸部17a2との接続部P9は、第1の領域5aの上にある。スクリーニング用電極13a3とp型半導体層7とは、凸部17b2及びコンタクト層9c3を介して、第3の領域5cの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極13a3と凸部17b2との接続部P10は、第3の領域5cの上にある。絶縁膜11a3は、第1の領域5aの上において、接続部P9を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17a2の表面凸部17a2の側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11a3及び絶縁膜11b3は、第3の領域5cの上において、接続部P10を除き、p型半導体層7の表面、及び、凸部17b2の表面凸部17b2の側面z軸に沿って延びている面を含む、を覆う。絶縁膜11a3は、第2の領域5bの上において、接続部P11を除き、リッジ部17の表面リッジ部17の側面z軸に沿って延びている面を含むを覆う。埋め込み部19a2は、第1の領域5aの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a3及びp側電極13b3と、絶縁膜11a3との間に設けられている。埋め込み部19a2は、第2の領域5bの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a3と絶縁膜11a3との間に設けられている。埋め込み部19a2は、第3の領域5cの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a3と絶縁膜11a3との間に設けられている。埋め込み部19b2は、第3の領域5cの上において、少なくとも、スクリーニング用電極13a3と絶縁膜11b3との間に設けられている。p側電極13b3は、第1の領域5aの上に張り出している張り出し領域K5を有する。p側電極13b3にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K5にワイヤが接続される。スクリーニング用電極13a3は、第3の領域5cの上に張り出している張り出し領域K6を有する。スクリーニング用電極13a3にワイヤを接続する場合、この張り出し領域K6にワイヤが接続される。スクリーニング試験において、p側電極13b3を介してリッジ部17から活性層5の第2の領域5bに電流が流入すると、リッジ部17から比較的に離れている第1の領域5a及び第3の領域5cにも、電流が流れ、よって、第1の領域5a及び第3の領域5cにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13a3を介して活性層5の第1の領域5aに電流が流入すると、第1の領域5aにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極13a3を介して活性層5の第3の領域5cに電流が流入すると、第3の領域5cにおいて発光が生じる。このように、半導体レーザ1eによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bだけでなく、第1の領域5a及び第3の領域5cの上のスクリーニング用電極13a3、を介して、リッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cにも電流が流入するので、リッジ部17に比較的に近い位置にある第2の領域5bの結晶欠陥の存在だけでなく、第2の領域5bの両側に設けられておりリッジ部17から比較的に離れた位置にある第1の領域5a及び第3の領域5cの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ1eによれば、アルミニウムを含有する活性層5における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極13a3、及びp側電極13b3は、例えば、Ti/Pt/Auからなるオーミック電極である。コンタクト層9a3、コンタクト層9b3、コンタクト層9c3は、例えば、p型InGaAsからなる。絶縁膜11a3、及び絶縁膜11b3は、例えば、SiO2,SiN等の誘電体膜からなる。埋め込み部19a2、及び埋め込み部19b2は、例えば、ポリイミド樹脂やBCB樹脂ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂からなることができる。以上のように、第1~第5の実施形態のそれぞれに係る半導体レーザ1a,1b,1c,1d,1eの構成について説明したが、以下では、半導体レーザが光通信モジュールに搭載された場合の構成について、説明する。図6は、一例として、半導体レーザ1aを搭載する光通信モジュール51の構成を説明するための図である。半導体レーザ1aに対するスクリーニング試験は、半導体レーザ1aが光通信モジュール51に搭載された後に行われる。なお、半導体レーザ1aだけではなく、半導体レーザ1b,1c,1d,1eのそれぞれに対するスクリーニング試験も、半導体レーザ1b,1c,1d,1eのそれぞれが光通信モジュール51に搭載された後に行われる。光通信モジュール51は、ステム31、リード端子33a、リード端子33b、リード端子33c、支持部35、ベース37、フォトダイオード39、及び、半導体レーザ1aを備える。リード端子33a、リード端子33b及びリード端子33cは、ステム31に設けられている。支持部35、ベース37、フォトダイオード39、及び、半導体レーザ1aは、ステム31の上に搭載されている。リード端子33aは、ワイヤWa等を介して、半導体レーザ1aのn側電極15と電気的に接続されている。リード端子33bは、ワイヤWbを介してフォトダイオード39の一方の電極に接続されている。リード端子33cは、ワイヤWc等を介してフォトダイオード39の他方の電極と電気的に接続されている。フォトダイオード39は、支持部41に固定されており、支持部41は、ステム31に固定されている。半導体レーザ1aは、支持部35の表面に固定されており、支持部35は、ベース37に固定されており、ベース37は、ステム31の表面に固定されている。半導体レーザ1aは、支持部35の表面に設けられた導体パターンL1に固定されている。導体パターンL1は、半導体レーザ1aのn側電極15に接している。また、支持部35が固定されているベース37の表面は、半導体レーザ1aに電流を供給する電流源と電気的に接続された導体となっており、後述するワイヤW4等を介して、支持部35の導体パターンL3と電気的に接続されている。半導体レーザ1aが支持部35に搭載されている態様を図7に示す。支持部35の一の表面には、導体パターンL1,L2,L3,L4が設けられている。半導体レーザ1aは、導体パターンL1に接続されている。導体パターンL1には、半導体レーザ1aのn側電極15が接している。半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13aは、ワイヤW2を介して導体パターンL2と電気的に接続されている。半導体レーザ1aのp側電極13bは、ワイヤW1を介して、導体パターンL3と電気的に接続されている。半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13cは、ワイヤW3を介して、導体パターンL2と電気的に接続されている。導体パターンL4は、導体パターンL2と導体パターンL3とを接続する。スクリーニング試験の実行時には、ワイヤW4、導体パターンL3、導体パターンL4、導体パターンL2、ワイヤW2、ワイヤW3を介して、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cに対して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の実行時には、p側電極13bに対しても、ワイヤW4、導体パターンL3、ワイヤW1を介して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の終了後、導体パターンL4の一部図中符号E1に示す箇所は切断され、導体パターンL2と導体パターンL3とは電気的に絶縁される。よって、スクリーニング試験の終了後には、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cに電流は供給されない。従って、図6及び図7に示す光通信モジュール51の構成は、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cが、スクリーニング試験のためにのみ利用できる構成となる。なお、支持部35に替えて、図8に示す支持部35aを用いることができる。支持部35と支持部35aとは、導体パターンの形状が異なっており、この点を除けば、支持部35と支持部35aの構成は同じである。支持部35aの一の表面には、導体パターンL1,L5,L6,L7が設けられている。半導体レーザ1aは、導体パターンL1に接続されている。導体パターンL1には、半導体レーザ1aのn側電極15が接している。半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13aは、ワイヤW2を介して導体パターンL5と電気的に接続されている。半導体レーザ1aのp側電極13bは、ワイヤW1を介して、導体パターンL6と電気的に接続されている。半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13cは、ワイヤW3を介して、導体パターンL7と電気的に接続されている。導体パターンL7は、導体パターンL5と導体パターンL6とを接続する。スクリーニング試験の実行時には、ワイヤW4、導体パターンL6、導体パターンL7、導体パターンL5、ワイヤW2、ワイヤW3を介して、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cに対して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の実行時には、p側電極13bに対しても、ワイヤW4、導体パターンL6、ワイヤW1を介して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の終了後、導体パターンL7の一部図中符号E2に示す箇所は切断され、導体パターンL5と導体パターンL6とは電気的に絶縁される。よって、スクリーニング試験の終了後には、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cに電流は供給されない。従って、図6及び図7に示す光通信モジュール51の構成は、スクリーニング用電極13a及びスクリーニング用電極13cがスクリーニング試験のためにのみ利用できる構成となる。なお、上記で述べた本実施の形態では、共通の導体パターンL2,L3,L4、または、導体パターンL5,L6,L7から、ワイヤW1、ワイヤW2、及びワイヤW3を介して、スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及びスクリーニング用電極13cに対して、スクリーニング試験用の電流が流されるように構成されるが、スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及びスクリーニング用電極13cに対して、それぞれ配線パターン図示せずを設け、それぞれの電極に別個にスクリーニング試験用の電流を流すようにすることもできる。また、ワイヤW1、ワイヤW2、ワイヤW3と、スクリーニング用電極13a、p側電極13b、及びスクリーニング用電極13cとの間に抵抗を挿入し、抵抗の値を適宜調整することで、それぞれの電極に流れる電流の分岐比を調整することもできる。図9のa部に示すフローチャートを参照して、スクリーニング試験を用いた半導体レーザ1aの検査処理スクリーニング試験方法を説明する。ステップS1では、LDチップとして半導体レーザ1aを光通信モジュール51の支持部35又は支持部35a及びベース37に実装するステップS1。ステップS1において、半導体レーザ1aを支持部35又は支持部35aに実装した後、ステップS2において、ワイヤW1,W2,W3の接続、及び、ワイヤWa,Wb,Wc,W4の接続を行うステップS2。ステップS2において、特に、半導体レーザ1aに設けられたスクリーニング試験用電極13a,13cのそれぞれを、ワイヤW2,W3のそれぞれを介して、支持部35又は支持部35aに設けられたスクリーニング試験用の導体パターンL4又は導体パターンL7に接続する。導体パターンL4又は導体パターンL7は、半導体レーザ1aに電流を供給する電流源と電気的に接続されている。ステップS3では、導体パターンL4又は導体パターンL7及びワイヤW2,W3を介して半導体レーザ1aに電流を供給することによって半導体レーザ1aに対するスクリーニング試験を実施する。スクリーニング試験の条件は、例えば、摂氏100度の恒温槽の中で、電流400mAを24時間通電することで行われる。ステップS4では、スクリーニング試験を終了し、スクリーニング試験による結晶欠陥の評価を行い、半導体レーザ1aの状態を判定するステップS4。半導体レーザ1aの状態の判定は、例えば、スクリーニング試験前後で、室温にて、半導体レーザのしきい値電流Ithの変化を評価することで行われる。具体的には、スクリーニング試験後のしきい値電流の変動率が、スクリーニング試験前のしきい値電流に比較して、5以上のものを、不良品として選別することにより行われる。ステップS5では、スクリーニング試験の終了後に、導体パターンL4特に図中符号E1に示す箇所であり、また、図8に示す支持部35aの場合には導体パターンL7特に図中符号E2に示す箇所を切断することによって、半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13a,13cと電流源とを電気的に絶縁するステップS5。ステップS5の処理によって、半導体レーザ1aのスクリーニング用電極13a,13cには電流源からの電流の供給が遮断される。更に、導体パターンL4又は導体パターンL7の切断部は、支持部35又は支持部35aに固定されているので、導体パターンL4を切断する際に、他のワイヤや導体パターン等に接触し、これらのワイヤや導体パターン等を破損等することを回避することができる。ステップS6では、光通信モジュール51にキャップ図示略を実装しステップS6、この後、他の特性検査を実行するステップS7。以上の通りに、ステップS1~S7に従って、半導体レーザ1aに対する検査処理が行われることができる。なお、スクリーニング試験を用いた半導体レーザ1aの検査処理スクリーニング試験方法は、図9のa部に示すフローチャートに替えて、図9のb部に示すフローチャートに従って行われることができる。ステップS8では、LDチップとして半導体レーザ1aを光通信モジュール51の支持部35又は支持部35a及びベース37に実装するステップS8。ステップS8において、半導体レーザ1aを支持部35又は支持部35aに実装した後、ステップS9において、ワイヤW1,W2,W3の接続、及び、ワイヤWa,Wb,Wc,W4の接続を行うステップS9。ステップS9において、特に、半導体レーザ1aに設けられたスクリーニング試験用電極13a,13cのそれぞれを、ワイヤW2,W3のそれぞれを介して、支持部35又は支持部35aに設けられたスクリーニング試験用の導体パターンL4又は導体パターンL7に接続する。導体パターンL4又は導体パターンL7は、半導体レーザ1aに電流を供給する電流源と電気的に接続されている。ステップS10では、光通信モジュール51にキャップ図示略を実装するステップS10。ステップS11では、スクリーニング試験を行うステップS11。ステップS11では、導体パターンL4又は導体パターンL7及びワイヤW2,W3を介して半導体レーザ1aに電流を供給することによって半導体レーザ1aに対するスクリーニング試験を実施する。スクリーニング試験の条件は、例えば、摂氏100度の恒温槽の中で、電流400mAを24時間通電することで行われる。ステップS12では、スクリーニング試験を終了し、スクリーニング試験による結晶欠陥の評価を行い、半導体レーザ1aの状態を判定しステップS12、この後、他の特性検査を実行するステップS13。以上の通りに、ステップS8~S13に従って、半導体レーザ1aに対する検査処理が行われることができる。また、図9のa部及びb部のそれぞれのフローチャートに示す処理は、半導体レーザ1aに替えて、半導体レーザ1b,1c,1dが用いられてもよい。半導体レーザ1bが用いられる場合、ワイヤW1は半導体レーザ1bのp側電極13bに接続され、ワイヤW2は半導体レーザ1bのスクリーニング用電極13aに接続され、ワイヤW3は半導体レーザ1bのスクリーニング用電極13cに接続される。半導体レーザ1cが用いられる場合、ワイヤW1は半導体レーザ1cのp側電極13b1に接続され、ワイヤW2は半導体レーザ1cのスクリーニング用電極13a1に接続され、ワイヤW3は半導体レーザ1cのスクリーニング用電極13c1に接続される。半導体レーザ1dが用いられる場合、ワイヤW1は半導体レーザ1dのp側電極13b2に接続され、ワイヤW2は半導体レーザ1dのスクリーニング用電極13a2に接続され、ワイヤW3は半導体レーザ1dのスクリーニング用電極13c2に接続される。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。"