"注入電流によって利得波長特性が変化する第1の波長選択部と、ヒータに印加する電力によって反射波長特性が変化する第2の波長選択部を有する波長可変半導体レーザを制御する方法であって、前記第1の波長選択部における前記注入電流の変化に対する前記発振波長の変化を示す第1の変化率と、前記第2の波長選択部における前記印加電力の変化に対する前記発振波長の変化を示す第2の変化率を取得し、目標発振波長と現在の発振波長との差分を算出し、前記差分がゼロに近づくように偏差が与えられた前記注入電流を、第1の帰還制御によって前記第1の波長選択部に供給し、該注入電流の偏差、該第1の変化率、及び該第2の変化率を基に、前記ヒータに供給する前記印加電力の目標値を決定し、該目標値と現在の前記印加電力との差がゼロに近づくように、第2の帰還制御によって前記第2の波長選択部に供給する電流を調整する、ことを特徴とする波長可変半導体レーザの制御方法。前記第1の帰還制御の時定数は、前記第2の帰還制御の時定数よりも長い、ことを特徴とする請求項1記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記第1の帰還制御の利得は、前記第2の帰還制御の利得より小さい、ことを特徴とする請求項1記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記第1の帰還制御と前記第2の帰還制御とは逐次的に実行される、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記第1の帰還制御と前記第2の帰還制御とは独立して並列に実行される、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記第1、第2の変化率の取得後に、前記ヒータに印加する電力を補正する工程を含む、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記第2の波長選択部に供給する電流を調整後に、前記ヒータに印加する電力を補正する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の波長可変半導体レーザの制御方法。前記印加電力の目標値、及び前記現在の印加電力から前記ヒータに印加する電流の偏差を求め、当該偏差を前記ヒータに加える、ことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の波長可変半導体レーザの制御方法。最近、レーザに対してより高速な波長制御が求められており、例えば、TunableXFPの規格では数十ミリ秒の短時間で波長を変更することが要求されている。これは、波長の制御を高速で行うことが必要となる。しかし、従来のレーザ動作温度の調整による波長制御によれば、TECの応答速度が数秒と遅く、高速に波長を制御することが困難であった。300pinトランスポンダ用途では、この程度の応答時間で発振波長を安定化させれば十分であったが、上記規格の要求に応えるには応答速度が十分ではなかった。そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、発振波長の高速制御を安定的に実現する波長可変半導体レーザの制御方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の波長可変半導体レーザの制御方法は、注入電流によって利得波長特性が変化する第1の波長選択部と、ヒータに印加する電力によって反射波長特性が変化する第2の波長選択部を有する波長可変半導体レーザを制御する方法であって、第1の波長選択部における注入電流の変化に対する発振波長の変化を示す第1の変化率と、第2の波長選択部における印加電力の変化に対する発振波長の変化を示す第2の変化率を取得し、目標発振波長と現在の発振波長との差分を算出し、差分がゼロに近づくように偏差が与えられた注入電流を、第1の帰還制御によって第1の波長選択部に供給し、該注入電流の偏差、該第1の変化率、及び該第2の変化率を基に、ヒータに供給する印加電力の目標値を決定し、該目標値と現在の印加電力との差がゼロに近づくように、第2の帰還制御によって第2の波長選択部に供給する電流を調整する。このような波長可変半導体レーザの制御方法によれば、目標発振波長と現在の発振波長との差分がゼロに近づくように、第1の波長選択部に供給する注入電流が第1の帰還制御によって調整され、第1の波長選択部における注入電流の変化に対する発振波長の第1の変化率、第2の波長選択部におけるヒータの電力の変化に対する発振波長の第2の変化率、及び注入電流の偏差を基に、ヒータの電力の目標値が決定され、その電力の目標値が第2の波長選択部に供給されるように、第2の帰還制御によって第2の波長選択部に供給する電流が調整される。このようにすれば、注入電流を調整する第1の帰還制御とヒータの電力を調整する第2の帰還制御とを同時に安定して動作させることができるとともに、レーザの発振波長を短時間で目標値に安定化させることができる。その結果、発振波長の高速制御を安定的に実現することができる。ここで、第1の帰還制御の時定数は、第2の帰還制御の時定数よりも長い、ことが好ましい。この場合、応答特性の異なる波長選択部に対して安定した発振波長の制御が可能になる。また、第1の帰還制御の利得は、第2の帰還制御の利得より小さい、ことも好ましい。そうすれば、この場合、応答特性の異なる波長選択部に対して安定した発振波長の制御が可能になる。さらに、第1の帰還制御と第2の帰還制御とは逐次的に実行される、ことも好ましい。このようにすれば、2つの帰還制御をより安定して動作させることができる。またさらに、第1の帰還制御と第2の帰還制御とは独立して並列に実行される、ことも好ましい。このようにすれば、発振波長の制御動作をより高速化することができる。さらにまた、第1、第2の変化率の取得後に、ヒータに印加する電力を補正する工程を含む、ことも好ましい。この場合、ヒータに経年劣化が生じても安定して所望の波長を出力することができる。また、第2の波長選択部に供給する電流を調整後に、ヒータに印加する電力を補正する工程をさらに含む、ことも好ましい。そうすれば、ヒータ電力を所望の範囲内に収まるように補正してから次の波長制御のステップに進めることで、より確実な発振波長制御を行うことができる。さらに、印加電力の目標値、及び現在の印加電力からヒータに印加する電流の偏差を求め、当該偏差をヒータに加える、ことも好ましい。この場合、ヒータそれ自体の経年変化を補償することができる。本発明の波長可変半導体レーザの制御方法によれば、発振波長の高速制御を安定的に実現することができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による波長可変半導体レーザの制御方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本発明の好適な一実施形態に係る波長可変半導体レーザ用駆動装置の基本構成を示すブロック図である。この駆動装置1は、波長可変半導体レーザ10が載置されたペルチェ素子などの熱電冷却素子TEC:ThermoelectricCooler12と、波長可変半導体レーザ10の周辺温度を検出するサーミスタ等の温度センサ14と、波長可変半導体レーザ10の出力光の強度及び発振波長を検出する波長モニタ16と、波長可変半導体レーザ10の光出力動作を制御するコントローラ制御回路18を含んで構成されている。なお、波長モニタ16は、本実施の形態では波長可変半導体レーザ10の光の出射端面側に配置されているが、光反射端面側に配置されてもよい。波長モニタ16は、波長可変半導体レーザ10の出力光の強度を直接検出する波長特性を有する光学素子を介することなく検出する受光素子と、当該出力光を、エタロンフィルタ等の波長特性を有する光学素子を経由させた後に検出する受光素子とを含む。エタロンフィルタは周期的な波長透過特性を有し、出力光の波長がシフトすると、その透過光強度が変化するため、出力光の波長を間接的に検知することができる。2つの受光素子の出力信号はコントローラ18に提供される。次に、本実施形態の駆動装置1の制御対象である波長可変半導体レーザ10について説明する。この波長可変半導体レーザ10は、反射領域CSG-DBRChirpedSampledGratingDistributedBraggReflector領域22、活性領域SG-DFBSampledGratingDistributedFeedback領域24、及び光増幅領域SOASemiconductorOpticalAmplifier領域26が順に連結された構造を持つ。ここで、波長可変に寄与し、波長選択部に相当する領域はSG-DFB領域第1の波長選択部24とCSG-DBR領域第2の波長選択部22の二つである。CSG-DBR領域22は、回折格子が形成された領域が所定の間隔で設けられた光導波路を含み、所定の間隔の複数のピークを有する反射スペクトルを示す。ここで、後述するSG-DFB領域24による複数の利得ピークに係る所定の間隔と、CSG-DBR領域22の反射ピーク間隔は僅かに異なっている。そして、SG-DFB領域24に係る複数の利得ピークのうちの一と、CSG-DBR領域22に係る複数の反射ピークのうちの一とが一致する波長で、この波長可変半導体レーザ10が発振する。CSG-DBR領域22には、この領域上にモノリシックに集積されたヒータ28が設けられており、ヒータ28に与える熱量により光導波路の屈折率を変化させることでこの領域22の反射スペクトルのピーク波長を調整する。すなわち、ヒータ28に設けられた電極30に印加する電力により、反射ピーク波長がシフトし、その一のピーク波長をSG-DFB領域24の複数の利得ピークのうちの一に一致させることが可能となる。さらに、この反射スペクトル及び利得スペクトルは波長可変レーザ10の動作温度によっても変化する。SG-DFB領域24をさらに説明する。当該領域にはCSG-DBR領域と同様に回折格子が形成された領域が光軸に沿って所定の間隔で設けられ、かつ上記回折格子が形成された領域に対応する利得領域と、回折格子が形成されていない領域に対応する屈折率調整領域が交互に配置された光導波路を含む。このSG-DFB領域24は全体として所定の間隔で配置された複数のピークを有する利得スペクトルを示す。SG-DFB領域24では、利得領域に対して駆動電流を注入するための電極32と、屈折率調整領域に対して電流を注入するための電極33を備える。屈折率調整領域は、この電極33から注入される電流によって屈折率が変化し、その結果SG-DFB領域24の利得ピーク波長がシフトする。さらに、この利得ピーク波長は、レーザの動作温度によっても変化する。SOA領域26は、光導波路を含んでおり、その光導波路での光増幅率を制御するための電極34を有している。この電極34へのキャリア電流注入量を変更することにより、光増幅率を調整することができる。なお、これらのCSG-DBR領域22、SG-DFB領域24、及びSOA領域26は、それらの光導波路が互いに光結合されている。波長可変半導体レーザ10は、上記のような構造を有することで、レーザの動作温度を一定に保った状態でヒータ28に供給する電力、及び屈折率調整領域への注入電流によってその発振波長を制御できる。図2は、レーザの動作温度を一定とし、注入電流及びヒータ28の平均温度ヒータ温度を変化させた場合の波長可変半導体レーザ10の発振波長Wpの挙動を示す図である。図2左図において、実線は発振波長が不連続に変化する境界線を示している。つまり、実線で囲まれた帯状の領域では、発振波長に寄与する利得ピークと反射ピークの組み合わせが同一であるが、この実線を境に発振波長に寄与する上記ピークの組み合わせが変化することを示している。また、図2右図に示すように、実線で囲まれた帯状の領域では、右下から左上にかけて、発振波長が連続的に長波長側に変化している。例えば、注入電流を30mAで一定に維持したままヒータ温度を21°Cから上げていくと、発振波長が0.01nmも増加しないうちに発振波長に寄与する利得ピークが隣接する次のピークに遷移し、発振波長が不連続に変化してしまう。また、例えば、ヒータ温度を21°Cで一定に維持したまま、注入電流を30mAから徐々に下げていくと、発振波長が0.04nm増加したところで発振波長に寄与する利得ピークが隣接する次のピークに遷移し、発振波長が不連続に変化してしまう。したがって、ヒータ温度、注入電流のうちひとつのみ変化させるだけでは発振波長を安定して変化させることはできない。そこで、注入電流とヒータ温度について所定の割合をもってそれぞれ変化させると、例えば、注入電流を所定値だけ減少させ、ヒータ温度をこの所定値に対応する温度だけ上昇させると、発振波長についての動作点は図2の実線で示した境界線に対して平行に移動することになり、発振波長に寄与する利得ピークと反射ピークの組み合わせを一定に保ったまま、発振波長を連続的に安定して変化せることが可能となる。本実施形態は、かかる注入電流とヒータ温度、すなわちヒータ印加電力について、可変の所定条件下に設定することで、波長可変半導体レーザ10の発振波長を制御することを意図する。コントローラ18は、CPU中央演算処理装置等の演算回路と、RAMRandomAccessMemory、ROMReadOnlyMemory等の記憶手段と、電源回路と、A/Dコンバータを含むモニタ回路とを含んで構成されている。あるいは、これら各機能ブロックを個別に設けてもよい。記憶手段は、波長可変半導体レーザ10の各設定波長に対応する各種制御パラメータの初期設定値、制御目標値を格納しているルックアップテーブルを含む。このコントローラ18の出力は、電極30,32,33,34等の電極を介して、波長可変半導体レーザ10の各領域22,24,26に提供されている。まず、駆動装置1を起動した後の動作として、コントローラ18は、温度センサ14のモニタ値を用いて、波長可変半導体レーザ10の動作温度が目標値になるようにTEC12を制御し、設定波長に寄らずレーザ動作温度を常に一定温度に維持する。次いで、コントローラ18は、電極30、32、33、34にそれぞれLUT20に保持されている所定のバイアス信号を設定することにより、波長可変レーザ10の出力光の波長を所定の波長付近に設定する。それぞれの信号は、波長可変半導体レーザ10を所定の波長で動作させた時のバイアス条件として予め求めておいたものである。しかしながら、動作時の環境温度、波長可変半導体レーザ10の経時変化劣化等で、上記所定のバイアス信号を与えたとしても、波長可変半導体レーザ10の発振波長は、所定波長付近に設定はされるが、たとえば、波長分割多重通信システムの仕様で要求される誤差内に収斂している補償は無い。そこで、コントローラ18は、波長可変半導体レーザ10の発振波長が許容される誤差内で所定の波長に一致するように負帰還制御を施して微調整を行う。図3は、この負帰還制御の制御ブロック図を示す。図3に示すように、制御ループは第1の帰還ループL1と第2帰還ループL2を含む。第1の帰還ループL1は、波長モニタ16から出力される2つの受光素子の出力信号の比IPD2/IPD1を算出する除算器40と、発振波長の目標値t_lambdaと上記出力信号の比IPD2/IPD1との差を出力する減算器42と、この差t_lambda-IPD2/IPD1を利得G1で増幅する増幅器44と、増幅器44から出力された値に応じて屈折率調整領域に注入する電流ITuneを、初期値ITune_iniを基準として増減する加算器46とを含む。ここで、IPD1は波長可変半導体レーザ10の出力光強度をモニタする受光素子が出力する信号、IPD2はエタロンフィルタを通過させた後の光強度をモニタする受光素子が出力する信号である。目標値t_lambdaはこの二つの信号の比IPD2/IPD1について、波長可変半導体レーザ10が所定の波長の光を出力している時の比に相当する。従って、減算器42は、目標の発振波長所定の発振波長と波長可変半導体レーザ10の現在の発振波長との差分を算出することになる。ただし、波長可変半導体レーザ10の初期動作時には、二つの受光素子は微弱な光信号を検知しているにすぎず、その出力信号の比は不定となるため、制御信号CTRL1により減算器42はゼロを出力する。増幅器44は、その利得G1が十分大きな増幅器もしくは積分器とすることもできる。初期動作時には減算器42の出力がゼロとなるので、この増幅器44の出力もゼロに設定され、第1のループL1の出力には、初期電流値ITune_iniがそのまま出力される。波長可変半導体レーザ10が所定のバイアス信号を設定されて実際に光出力を生ずると、制御信号CTRL1を解除して減算器42を動作させる。すると第1の帰還ループL1が動作し、その出力である屈折率調整領域に注入する電流値ITuneは、二つの受光素子の出力信号の比IPD2/IPD1が所定の発振波長に対する値t_lambdaに収斂する様な値に設定されてSG-DFB領域24に印加される。第2の帰還ループL2は、現在ヒータに供給されている電流IHeater及びその時の印加電圧VHeaterをモニタしてヒータに供給している電力ヒータ電力を算出する乗算器48と、ヒータ電力の目標値と乗算器48から出力される現在のヒータ電力との差をとる減算器50と、減算器50の出力を利得G2で増幅する増幅器52と、増幅器52の出力に応じてヒータに供給するヒータ電流値IHeaterをその初期値IHeater_iniを基準として増減する加算器54を含む。ここで、増幅器52は、その利得G2が十分大きな増幅器もしくは積分器とすることもできる。第2のループL2が最初に動作する初期応答時には、制御信号CTRL2を減算器50に提供しその出力をゼロに設定する。この場合、増幅器50の出力もゼロとなるため、ヒータ電流初期値IHeater_iniがヒータ電流IHeaterとして出力される。ヒータに対する初期電流を設定後、制御信号CTRL2を解除して減算器50による減算を実行し、第2の帰還ループL2によるヒータ電力についての負帰還制御を実行する。すなわち、現在のヒータ電力について目標電力との差に基づくヒータ印加電流が増幅器52により設定され、その初期値IHeater_iniに対して偏差として加減された後、ヒータ印加電流IHeaterとして、CSG-DBR領域22上のヒータに印加される。ヒータ印加電力を基準とするのは、当該ヒータに印加する電流もしくは電圧の一方のみの制御では、ヒータそれ自体の経年変化を補償できないためである。制御フローについて説明する。コントローラ18はまず、LUTから取得した、設定波長に対応する初期電流値IDFB_ini、初期電流値ISOA_ini、初期電流値IHeater_ini、及び初期電流値ITune_iniを、波長可変半導体レーザ10に供給しレーザ発振させる。この初期電流値IDFB_iniは、SG-DFB領域24の利得領域に注入する電流値であり、初期電流値ISOA_iniは、SOA領域26に注入する電流値であり、初期電流値IHeater_iniは、CSG-DBR領域22内のヒータ28に供給する初期電流値であり、初期電流値ITune_iniは、SG-DFB領域24の屈折率調整領域に対する注入電流値である。この時、注入電流とヒータ電流については、図3中の制御信号CTRL1、CTRL2をセットし、第1の帰還ループL1、第2の帰還ループL2の帰還動作を遮断しておく。また、コントローラ18は、二つのPDの出力信号の比IPD2/IPD1についての目標値t_lambdaと、ヒータに与える電力目標値、およびその印加電流の初期値t_PHeater、IHeater_iniも同時に取得する。このように、設定波長に対応する初期電流値が設定されると、波長可変半導体レーザ10の発振波長が所定の波長の近傍に設定される。このとき、波長モニタ16から出力される2つの受光素子の検出電流信号の比IPD2/IPD1は、発振波長の変化状態を示し、目標値t_lambdaに近い値となっている。この初期動作完了後に制御信号CTRL1、CTRL2を解除し、第1、第2の帰還ループL1、L2を動作させ波長制御を開始する。第2の帰還ループL2には、第1の帰還ループL1の制御状態に応じてヒータ電力の目標値を決定するための増幅器56及び加算器58も備えられている。この増幅器56には、LUTから取得される増幅率αが予め設定される。この増幅率αは、2つのパラメータa、bからα=b/aとして算出される。すなわち、図2に示したような波長可変半導体レーザ10の発振波長特性に基づいて、目標発振波長における注入電流値に対する発振波長の変化率a=Δλ/ΔITuneと、目標発振波長におけるヒータ電力値に対する発振波長の変化率b=Δλ/ΔPHeaterとが予め測定され、増幅率αとしてLUTに保持されている。増幅器56は、第1の帰還ループL1にて決定された現在の注入電流値ITuneの初期値ITune_iniからの偏差に増幅率αを乗じ、第2の帰還ループL2の目標値t_PHeaterに加える。この値は、波長変化Δλを与える注入電流の偏差をΔITune=a×Δλとした場合に、同じ波長変化Δλを与えるヒータ電力の偏差ΔPHeater=b×Δλに等しい。そして、加算器58は、ヒータ電力の目標値t_PHeaterを、増幅器56によって変換された偏差を加えることによって調整し、調整後の目標値t_PHeaterを減算器50に向けて出力する。これにより、この帰還ループL2では、第1の帰還ループL1によって制御される注入電流の偏差に応じてヒータ電力の目標値が決定され、この目標値に従ったヒータ電力の帰還制御が実行されることになる。上記構成のコントローラ18においては、第1の帰還ループL1を利用した帰還制御の時定数が、第2の帰還ループL2を利用した帰還制御の時定数よりも長くなるように設定されている。これは、SG-DFB領域24に関しては、帰還ループL1にて算出した注入電流の偏差を加算器46にてITune_iniに加算して屈折率調整領域に注入するのに対し、CSG-DBR領域22に関しては、第1の帰還ループL1と増幅器56を用いて算出したヒータ電力の偏差をヒータ電力の目標値に加算したうえで第2の帰還ループL2によりヒータ電力の負帰還制御を行なうためである。本実施の形態に係るCSG-DBR領域22に設けられたヒータは、そのサイズが小さいことから印加電力が熱に変換されるまでの応答は速い。従って制御の時定数は、帰還ループL2の他の要素に係る応答速度時定数に律速される。そのため、二つの帰還ループを安定的に動作させるため、第1の帰還ループL1の時定数を、第2の帰還ループL2の時定数よりも長く設定する。そこで、応答特性時間の異なる波長選択部に対して安定した波長制御を行うために、波長選択部毎に異なる時定数が設定されている。具体的には、第1の帰還ループL1のループ利得が、第2の帰還ループL2のループ利得よりも小さく設定されている。SG-DFB領域24の波長制御の応答速度は増幅器44の利得G1等に左右され、一方、CSG-DBR領域22の波長制御の応答速度は増幅器52の利得G2等に左右される。従って、それぞれの応答速度は、第1の帰還ループL1に関しては増幅器44の利得G1、第2の帰還ループ2に関しては増幅器52の利得G2により容易に調整することができる。第1の帰還ループL1では1サイクル内での最大の注入電流の変化量偏差を小さく設定することにより、第1の帰還ループL1の時定数を長くすることができる。また、第1の帰還ループL1における発振波長のモニタリング間隔および当該モニタに基づく算術演算等の処理速度を、第2の帰還ループL2におけるヒータ印加電圧及びヒータ供給電流に基づく算術演算等の処理時間よりも長く設定してもよい。あるいは、第1の帰還ループL1における発振波長のモニタリング間隔を、第2の帰還ループL2におけるヒータ電圧及びヒータ電流のモニタリング間隔と同じくし、第1の帰還ループL1でのモニタリング以後の算術演算等の処理頻度を、第2の帰還ループL2における算術演算処理頻度よりも低下させてもよい。また、このようなループ利得の設定と、2つの帰還制御の処理頻度の設定とは、併用されていてもよい。このように2つの帰還制御の時定数を異なるように設定することで、ヒータ電力の負帰還制御では、その目標電力値t_PHeaterが不安定になることはなく安定した波長制御が実現できる。以下、図4を参照して、波長可変半導体レーザ用駆動装置1による波長可変半導体レーザ10の駆動動作の手順を説明するとともに、本実施形態にかかる波長可変半導体レーザの制御方法について詳述する。図4aは、注入電流を調整する第1の帰還ループL1を用いた帰還制御と、ヒータ電力を調整する第2の帰還ループL2を用いた帰還制御とが順次逐次的に実行される場合の動作手順である。この動作方式は、デジタル動作によって制御ループが構成されることを前提としている。すなわち、第1の帰還ループL1の制御動作を一回行って波長差分Δλに対する注入電流の補償値ΔITuneを見積もり、これを次回の注入電流に設定するとともに、ΔITuneとαから算出したヒータ電力の補償値ΔIHeaterを用いて第2の帰還ループL2におけるヒータ電流の目標値を書き換える。この二つの帰還ループを逐次的に処理する方式である。同図に示すように、波長可変半導体レーザ10の駆動が開始されると、LUT20から取得した初期値を基に、波長可変半導体レーザ10に対して注入電流等の各種電流やヒータ電力が供給されるステップS01。このステップS01での初期値設定段階では、2つの帰還ループL1,L2は、それぞれの制御信号CTRL1、CTRL2をセットすることにより、これら初期値がフィードフォワードで提供され、独立の開ループ制御を行う。そうすると、波長可変半導体レーザ10のレーザ発振動作が開始され、その発振波長はコントローラ18に対して外部から入力される波長選択信号に応じた目標値に概ね等しい値に設定されるステップS02。次に、波長可変半導体レーザ10に対して初期値が設定された後に、コントローラ18における2つの制御信号CTRL1、CTRL2を解除し、帰還ループL1,L2がそれぞれ閉ループに設定される。ステップS01の処理により発振波長は概ね目標波長に設定されているが、厳密にはWDMシステムで要求される精度では目標波長グリッド波長に一致していない。発振波長を目標波長に厳密に一致させるため、波長可変半導体レーザ用駆動装置1は、2つの帰還ループL1,L2をそれぞれ閉ループに設定した後に、以下のように動作する。すなわち、コントローラ18により、波長モニタ16から検出電流信号IPD2,IPD1がモニタされ、検出電流信号の比IPD2/IPD1を算出することにより波長可変半導体レーザ10の発振波長が特定されるステップS03。その後、コントローラ18により、第1の帰還ループL1を利用した帰還制御が実行され、発振波長が目標波長に近づくように波長可変半導体レーザ10に供給する注入電流が調整されるステップS04。さらに、ステップS04の処理に引き続いて、コントローラ18により、ヒータ電力の目標値が注入電流の設定値の偏差を基に設定され、その目標値を基に第2の帰還ループL2を利用した帰還制御が実行されるステップS05。この帰還制御によって、ヒータ電力が目標値に近づくようにヒータ電流が調整される。このステップS03~ステップS05の処理は、この順番で繰り返し実行される。また、図4bに示すように、本実施形態では、注入電流を調整する第1の帰還ループL1を用いた帰還制御と、ヒータ電力を調整する第2の帰還ループL2を用いた帰還制御とが並列に同時実行される手順が採用されてもよい。この手順は、第1の帰還ループL1の制御動作を行って注入電流の補償値ΔITuneを求め、これをヒータ電力の目標値に設定することは同様であるが、2つの帰還ループL1,L2の制御動作を互いに独立して行う点が異なる。詳細には、図4aに示した手順と同様にして波長可変半導体レーザ10に対する初期値設定、発振波長の検出が行われた後ステップS11~S13、第1の帰還ループL1を利用した注入電流調整及び第2の帰還ループL2を利用したヒータ電力調整が並列に実行されるステップS14,S15。このステップS13,S14,S15の処理は繰り返し実行される。以上説明した波長可変半導体レーザの制御方法によれば、目標発振波長と現在の発振波長との差分がゼロに近づくように、SG-DFB領域24に供給する注入電流ITuneが帰還制御によって調整され、SG-DFB領域24における注入電流の変化に対する発振波長の変化率a、CSG-DBR領域22におけるヒータ電力の変化に対する発振波長の変化率bから算出した係数α=b/a、及びTune電流の偏差を基に、ヒータ電力の目標値t_PHeaterが決定され、その電力の目標値t_PHeaterがCSG-DBR領域22に供給されるように、帰還制御によってヒータ28に供給するヒータ電流IHeaterが調整される。このようにすれば、注入電流を調整する帰還制御とヒータ電力を調整する帰還制御とを同時に安定して動作させることができるとともに、レーザの発振波長を短時間で目標値に安定化させることができる。その結果、発振波長の高速制御を安定的に実現することができる。また、コントローラ18における第1の帰還ループL1による帰還制御の時定数が、第2の帰還ループL2による帰還制御の時定数よりも長く設定されているので、注入電流の調整動作の応答時間とヒータ電力の調整動作の応答時間を近づけることができ、安定した発振波長の制御が可能になる。さらに、第1の帰還ループL1による帰還制御と第2の帰還ループL2による帰還制御とが連続的に実行される場合には、ヒータ電力の目標値が現時点での目標波長に確実に対応して設定されるので、2つの帰還制御をより目標発振波長に近づくように安定して動作させることができる。なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、波長可変半導体レーザ用駆動装置1は、ヒータ電力の初期値を補正する機能を有していてもよい。図5a及び図5bは、それぞれ、図4a及び図4bのレーザ駆動動作手順に対してヒータ電力の初期値を補正する動作を追加した場合の動作手順を示している。図5aにおけるステップS21,S22,S25~S27の動作は、図4aにおけるステップS01~S05の動作と同一であり、図5bにおけるステップS41,S42,S45~S47の動作は、図4bにおけるステップS11~S15の動作と同一である。このような補正機能は、ヒータ28の抵抗値が経年劣化で変化する場合を考慮して設けられる。すなわち、ヒータ28の抵抗値がRHeater’に変化した場合には、ヒータ電流の初期値IHeater_iniによって設定される電力PHeater’は、下記式;PHeater’=IHeater_ini×VHeater_ini’=IHeater_ini2×RHeater’によって計算される値に設定され、ヒータ電力の当初の目標値t_PHeaterからずれる結果となる。そこで、図5aのステップS23,24及び図5bのステップS43,44に示すように、コントローラ18が、波長可変半導体レーザ10のレーザ発振を開始させた後に、ヒータ電力が目標範囲内に収まっているか否かを判定し、収まっていない場合にはヒータ電力を目標値まで補正する処理を追加し、その後に発振波長制御を開始する。これにより、ヒータ28に経年劣化が生じても安定して所望の波長を出力することができる。同様に、図5aのステップS28,29及び図5bのステップS48,49に示すように、ヒータ電力の補正処理が、発振波長の帰還制御後に追加されてもよい。このようにヒータ電力を所望の範囲内に収まるように補正してから次の波長制御のステップに進めることで、より確実な発振波長制御を行うことができる。さらに、上記実施の形態では、ヒータ電力を制御するループL2は注入電流を制御するループL1を経た後動作する、いわゆる二重ループ構成を採用している。本発明に係る波長可変半導体レーザ10では、モノリシックに構成されたヒータを採用しているので、ループL2の応答は電力制御ループではあっても比較的速い応答速度を有しているものの、二重ループ構成であることに変わりはない。二つのループを安定に動作させるために、注入電流を制御する第1のループL1の時定数を敢えて第2のループL2の時定数よりも大きくする必要がある。したがって、二重ループ全体の応答速度を速めるためには、ヒータ電力を制御する第2のループL2の応答を速める必要がある。図6はそのための構成の一例を示す機能ブロック図である。図6は図3の構成に加えて加算器60および演算ユニット62を含む。図3の構成では、帰還ループL1の作用によりヒータ電力の偏差ΔPが与えられ、電力目標値t_PHeaterに加算されて新たな目標値が設定されて帰還ループL2を動作させた。ここで、新たな目標値t_PHeaterΔPが設定された場合には、ヒータの抵抗値Rを予め知っておくことで、ヒータに与える電流IHeaterとの関係がPΔP=IHeaterΔIHeater2×Rで表されることから、ヒータ電流の変化量ΔIHeaterはΔIHeater=√{PΔP/R}-√P/R=fPと計算される。このヒータ電流変換量ΔIHEATERをフィードフォワード的に第2の帰還ループL2の出力に加算器60を用いて与えることで、ヒータ電流IHeaterを速く収斂させることができる。機能ブロック62は上記ヒータ電流の偏差ΔIHeaterをヒータ印加電力PΔPから計算するブロックである。この様に構成することにより第2の帰還ループL2の応答速度を速めることが可能となり、その結果注入電流とヒータ電力に係る二重ループの応答速度を速めることができる。"