半導体装置内に配設され、電流によって溶断されるヒューズの溶断方法であって、前記ヒューズにパルス的に複数回電流を印加するステップを含む、ヒューズの溶断方法。前記ステップは、電流印加開始後、前記ヒューズに流れる電流が前記ヒューズの加熱による抵抗値の増加に伴って所定値まで低下した時点で、電流の印加を所定期間休止するステップと、前記所定期間経過後、前記ヒューズに電流を印加するステップとを含み、前記ステップおよびa-2を、前記ヒューズが溶断するまで繰り返す、請求項1記載のヒューズの溶断方法。前記ステップは、前記所定値として、前記ヒューズが熱的平衡がとれた状態になることによって抵抗値の増加が停止して得られる平衡電流値以上であって、電流印加開始直後に流れる電流よりも小さな値であって、前記ヒューズを少なくとも融点まで加熱する期間電流を流し続ける値を選択するステップを含む、請求項2記載のヒューズの溶断方法。前記ステップは、前記所定期間として、前記ヒューズの温度が電流印加前の温度にほぼ戻るまでの時間を選択するステップを含む、請求項2記載のヒューズの溶断方法。以上説明した特許文献1においては、当該特許文献1の図2に示されるように、クランク部では電流密度が増加するものの、それ以外の部分では電流密度が減少するので、クランク部での電流密度の増加の効果が打ち消されてしまい、直線状のヒューズと比較した場合、顕著な効果が得られないという結果が予想される。また、特許文献2においては、占有面積を小さくするために、ヒューズを蛇行形状としているが、溶断電流の低減効果については明確ではなく、ヒューズ部の長さがある程度以上になれば溶断電流は減少しないと結論しており、ヒューズ構造が最適化されているとは言えない。本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、溶断電流を低減できるように最適化された電流溶断ヒューズの溶断方法を提供することを目的とする。本発明に係る請求項1記載のヒューズの溶断方法によれば、半導体装置内に配設され、電流によって溶断されるヒューズの溶断方法であって、前記ヒューズにパルス的に複数回電流を印加するステップを含んでいる。本発明に係る請求項1記載のヒューズの溶断方法によれば、ヒューズにパルス的に複数回電流を印加することで、同じ電流を同じ時間だけヒューズに与える場合であっても、電流を連続的に印加する場合に比べて、ヒューズにより大きな熱量を与えることができ、ヒューズ溶断に必要な電流を低減することができる。また、電流をパルス的に印加することでヒューズ周囲への熱的な影響も抑制することが可能である。<序論>本発明に係る実施の形態1の説明に先立って、まず、図1に示すようなヒューズ部FPが単純な直線状のヒューズFSを用いた場合の溶断電流の低減について説明する。図1はヒューズFSの平面視形状を示す図であり、ヒューズFSは、ヒューズ部FPの両端部にそれぞれ接続された2つのパッドPDを有している。ここで、ヒューズ部FPの幅が140nm、厚さが225nmであり、材質が銅Cuである場合に、ヒューズ部FPの長さを種々変えた場合に、15mAの電流を流すことで到達する最高温度を有限要素法により計算した結果を図2に示す。図2においては、横軸にヒューズ部FPの長さμmを、縦軸に最高到達温度°Cを示す。図2に示すように、ヒューズ部FPにおける最高到達温度はヒューズ部FPの長さが20μm付近までは比較的急な角度上昇するが、20μmを越えると温度特性曲線が飽和する傾向がある。従って、同じ電流値をヒューズに加えた場合でも、ヒューズ長が短か過ぎるとヒューズ部FPでの温度が溶断に必要な温度に到達できなくなり、ヒューズの切断ができなくなる。一方、ヒューズ長を長くすれば最高到達温度は上がるが、20μmを越えると長さを増やす割には最高到達温度が上がらず、今度は半導体装置の設計上の制約を受けることになる。すなわち、電流溶断ヒューズを半導体装置上に搭載する場合、その最小構成単位としては図3に示すようにヒューズFSと、ヒューズ選択用のMOSトランジスタQ1とで構成されることが考えられる。図3において、電源端子VTと接地との間にヒューズFSとMOSトランジスタQ1とが直列に接続され、MOSトランジスタQ1のゲート電極には制御電圧VDD1が与えられる構成となっている。このような構成において、電源端子VTに電源電圧VDD2を与えた状態でMOSトランジスタQ1のゲート電極に制御電圧VDD1を印加することで、MOSトランジスタQ1をオン状態にしてヒューズFSに溶断電流Iinを流す。この際に、制御電圧VDD1および電源電圧VDD2としてMOSトランジスタQ1に加えることが可能な電圧は、ハードウエア的な制約を受ける。例えば、内部に3.3V系のMOSトランジスタしか有さないロジックICなどでは、制御電圧VDD1および電源電圧VDD2には最大でも3.3Vまでしか印加することができず、この値は、高集積化、大容量化が進むにつれて小さくなる傾向にある。そして、一般にMOSトランジスタは製造時のプロセス変動に起因するトランジスタ特性のばらつきの影響を低減するため、図4に示すようにトランジスタのI-V特性で言うところの飽和領域で使用する。すなわち、図4においては横軸にドレインソース電圧Vdsを、縦軸にドレインソース電流Idsを示し、所望の溶断電流Iinすなわちドレインソース電流Idsが流れるようにドレインソース電圧Vdsを設定するが、飽和領域で使用することと、溶断電流Iinが得られるという条件を考慮して特性曲線を選択する。図4の場合、特性曲線C1は飽和領域に達しても溶断電流Iinを供給することができず、特性曲線C3は飽和領域に達しない状態で溶断電流Iinが供給されるので適切ではなく、特性曲線C2のみが全ての条件を満足することになる。特性曲線C2を使用する場合、溶断電流Iinを得るために必要なドレインソース電圧Vdsの下限値はVLである。MOSトランジスタQ1がこのような特性を有し、3.3V系のトランジスタである場合、ヒューズFSに溶断電流Iinを流した場合に、ヒューズ部で起きる電圧降下ΔVFは、以下の数式1を満足しなければならない。ΔVF<3.3-VL1ヒューズ長はこの条件を満たすように設計することになるので、ヒューズ長を長くするには半導体装置の設計上の制約を受けることになる。以上のように、ヒューズ部FPの長さを最適化することだけでヒューズ溶断電流を低減するには限界があり、本発明においてはそれだけではなく、ヒューズ部をより効率的に加熱できる構造を採用することで、より少ない電流での切断を可能とするものである。<A.実施の形態1><A-1.装置構成>図5には、本発明に係る実施の形態1としてヒューズFS1の平面視形状を示す。図5に示すようにヒューズFS1は、ヒューズ部FP1が2つの折り返し部RPを有して蛇行形状をなすヒューズ部FP1と、ヒューズ部FP1の両端部にそれぞれ接続された2つのパッドPDを有している。なお、図1に示したヒューズFSのヒューズ部FPの全長と、図5に示すヒューズFS1のヒューズ部FP1の全長は同じである。ヒューズFS1の設計にあたっては、まず、ヒューズ溶断電流を低減するための第1段階として、ヒューズ部FP1の長さの最適化を行う。<A-2.ヒューズ長の最適化>ヒューズ部FP1の長さの最適化にあたっては、15mAで切断可能なヒューズを作製するものとし、ヒューズの材質は銅、ヒューズ部FP1の線幅は0.14μm、厚さは0.225μmとする。また、15mAの電流を供給するトランジスタとしては、図6に示すようなI-V特性を有するMOSトランジスタを使用する。すなわち、飽和領域において15mAのドレインソース電流を得るには、ドレインソース電圧が下限電圧VL=1.5となるようなMOSトランジスタを使用する。ここで、図3に示した最小構成単位において、電源電圧VDD2として3.5Vまで印加できるとした場合、MOSトランジスタQ1にはドレインソース電圧として下限電圧VL=1.5V以上を加え続けなければならない。従って、ヒューズ溶断時にヒューズ部FPで許容される電圧降下ΔVFは2.0Vまでとなる。ここで、銅配線のシート抵抗が約0.15Ω/μm2であるので、ヒューズ部FPの長さをLとすると、ヒューズ抵抗値RFは以下の数式2で表される。RF=0.15×L/0.142一方、ヒューズの抵抗値はヒューズの温度に依存して上昇し、表1には代表的なヒューズ材料の電気抵抗率の温度依存性を示す。表1においては、アルミニウムAl、タングステンW、銅CuおよびコバルトCoを例に採って、温度が-195°C、0°C、100°C、300°C、700°Cおよび1200°Cの場合の電気抵抗率を示している。表1に示されるように、銅においては融点に近い1200°Cまで加熱された場合、その電気抵抗率は0°Cの場合の約13倍になることが判る。そして、実際にヒューズの設計を行う場合は、ヒューズ抵抗が最も高くなった場合を想定して設計を行う必要があり、上述したように、1200°Cの場合では約13倍となるので、ヒューズ溶断時にヒューズ部FPで発生する電圧降下ΔVFは、溶断電流が15mAの場合、以下の数式3で表されることになる。ΔVF=0.15×L×0.015×13/0.143そして、先に説明したように電圧降下ΔVFが2.0V以下になる必要があるので、ヒューズ部FPの長さLはL<9.57μmとなり、ヒューズ長の上限が決まる。また、ヒューズ長の下限は、図2に示した最高到達温度の特性から2.0μm以上は必要と考えられるので、ヒューズ部FP1の長さは2.0~9.5μmの範囲に設定することが望ましい。このようにヒューズ部FP1の長さを設定することで、ヒューズ溶断電流を低減することができる。<A-3.蛇行形状の最適化>次に、上記手法により決定したヒューズ部FP1の長さ2.0~9.5μmに基づいて、ヒューズ部FP1の蛇行形状の最適化を行う。図7は、ヒューズ部の折り返し数と最高到達温度との関係を示す図であり、横軸にヒューズ部の折り返し数を示し、縦軸に最高到達温度を示しており、ヒューズ長が8μmの場合○で表示と12μmの場合□で表示とについて示している。なお、ヒューズの材質、線幅および厚さは先に説明したものと同じであり、流す電流は15mAである。図7においては、ヒューズ部が直線状、すなわち折り返し数が0である場合と、返し数が2である場合と、返し数が4である場合とを示しており、折り返し数が0である場合は、ヒューズ長が12μmでも最高到達温度は2200°C程度であるのに対し、返し数が2である場合には、ヒューズ長が8μmの場合でも最高到達温度は2200°Cに到達することが判る。なお、ヒューズ長12μmは最適化された長さではないが、比較のために示している。このように、ヒューズ長が同じであっても、折り返し部を設けて蛇行形状とすることで、同じ電流を加えた場合でも、より効率的にヒューズを加熱できることが判る。この理由について、図8および図9を用いて説明する。図8は直線状のヒューズ部を模式的に示す図であり、このようなヒューズ部に電流を流すと、一般的に中央部で溶断が起きる。なお、ヒューズ部の中央の熱は、中央部を中心にして上下左右に放散されることになる。一方、図9は2つの折り返し部を有した蛇行形状のヒューズ部を模式的に示す図であり、このようなヒューズ部でも中央部で溶断が起きるが、ヒューズ部の中央ラインL1の両サイドにはサイドラインL2が存在するので、サイドラインL2がヒータの役割を果たすとともに、中央ラインL1からの熱の放散を抑制するので、中央ラインL1が加熱されやすい状態となり、ヒューズ部をより高い温度まで加熱することが可能となる。このことは、ヒューズ溶断に必要な電流値を低減できることを意味している。なお、中央ラインL1とサイドラインL2との間は、ヒューズ配線の幅1本分程度とすることが望ましい。また、ヒューズ部FPで局所的に熱を発生させるためには、ヒューズ部FPでの急激な電流密度の増加が必要である。そのために、図5に示すようにヒューズ引き出し部であるパッドPDは、ヒューズ部FP1よりも断面積ヒューズ部幅方向の断面積を広くしている。このような構成を採る場合、パッドPDとヒューズ部FP1との位置関係に留意しなければならない。すなわち、パッドPDはヒューズ部FPと比較して容積が大きいので、ヒューズ部FPから放散される熱のヒートシンクとして機能し、ヒューズ部FP1での温度上昇を抑制する役割を果たす。従って、パッドPDとヒューズ部FP1との距離を適切に保たないと、設計通りの電流ではヒューズ部FP1を溶断できないこととなり、電流を増加させる必要が生じる。そこで、パッドPDとヒューズ部FP1との位置関係の最適化について図10~図13を用いて説明する。図10および図11は、パッドPDに対するヒューズ部FP1のレイアウトの一例をそれぞれ示しており、図10は、ヒューズ部FP1の折り返し方向がパッドPDの配列方向と平行となるようにヒューズ部FP1がレイアウトされたヒューズFS2を示しており、図11は、ヒューズ部FP1の折り返し方向がパッドPDの配列方向と垂直になるようにヒューズ部FP1がレイアウトされたヒューズFS3を示している。ここで、パッドPDとヒューズ部FP1との距離は、パッドPDのヒューズ部FP1に対面する側の辺と、当該辺に対面する直近のヒューズ部FP1との距離で定義する。例えば、図10のヒューズFS2においては、ヒューズ部FP1の折り返し部RPと直近のパッドPDとの距離D1がパッドPDとヒューズ部FP1との距離であり、図11示すヒューズFS3においては、ヒューズ部FP1の直線部分SPと直近のパッドPDとの距離D1がパッドPDとヒューズ部FP1との距離である。この距離D1の決定にあたっては、ヒューズ部FP1から周囲に放散される熱の、熱伝導を考慮しなければならない。一般に、ヒューズ部FP1は半導体基板上に形成されるシリコン酸化膜等の絶縁膜中に形成されるので、ヒューズ部FP1の周囲の絶縁膜において、銅の融点に近い1100°Cに到達する時間を計算することで、パッドPDとヒューズ部FP1との最適な距離を決定することができる。図12はヒューズ部FP1が絶縁膜中に設けられている状態で、その平面方向の周囲の各点で1100°Cに到達する時間のシミュレーション結果を示す図であり、横軸に時間nsecを示し、縦軸にヒューズ部FP1からの距離μmを示す。なお、図12における距離は、ヒューズ部FP1を構成する銅線の幅方向の端面からの距離であり、距離と時間との間には線形の関係が成り立つことが判る。従って、時間が経過すれば、遠くの位置であっても1100°Cに到達するが、ヒューズの切断に要する時間が1μsec1000nsec程度であり、この時間で1100°Cに到達する位置よりも遠くにパッドPDを配置すれば、パッドPDに熱が流れて、ヒューズ部FPの温度が上がらないという状態を防止できる。図12においては100nsecで0.25μmの位置まで1100°Cに到達することが判るが、これ以上の時間経過に対する到達距離は外挿法により求めた。この結果を図13に示す。図13においては、横軸に0~1000nsecまでの時間を示し、縦軸に0~2.0μmまでの距離を示し、図12に示したシミュレーション結果を示し、その線形特性から得られる直線を用いて1000nsec経過後の到達距離を外挿した。その結果、1000nsec経過後にはヒューズ部FP1から約1.8μmの位置まで1100°Cに到達することが判った。この値は、融点に近い1100°Cに到達する距離であり、これより低い温度であれば同じ時間でもっと離れた位置でも、その温度に到達することになるし、ヒューズの切断に要する時間が増減すれば、この距離も増減することになる。従って、パッドPDとヒューズ部FP1との最適な距離としては、上記値に1~2割のマージンを見越して、1.5~2.0μmの範囲とする。ここで、上述した1.5~2.0μmのという値は、ヒューズ部FP1の線幅0.14μmの約10倍~14倍に相当するので、パッドPDとヒューズ部FP1との間はヒューズの幅10本分以上離すということになる。このように、パッドPDとヒューズ部FP1との間はヒューズの幅10本分以上離すことで、ヒューズ部FP1から放散される熱がパッドPDに吸収されてヒューズ部FP1の温度上昇が抑制されるという状態を防止することができる。なお、図10に示したレイアウトでは、ヒューズ部FP1の折り返し部RPがパッドPDに対面するので、パッドPDに対面するヒューズ部FP1の長さは、折り返し部RPの長さとなり、それは直線部に比べてはるかに短いので、折り返し部RPから放散される熱量も少なく、パッドPDに吸収される熱量が少なくて済むので、より効率的にヒューズ部FP1を加熱することができる。また、図11に示したレイアウトでは、ヒューズ部FP1の直線部分SPがパッドPDに対面するので、パッドPDに対面するヒューズ部FP1の長さは、直線部分SPの一部の長さとなる。ここで、直線部分SPの長さは、パッドPDの一辺よりも長いので、パッドPDの一辺のほぼ全面に直線部分SPが対面することになるが、先に説明したパッドPDとヒューズ部FP1との間の最適距離を保つことで、パッドPDに吸収される熱量を低減して、効率的なヒューズ部FP1の加熱をすることができる。なお、図10および図11においては、ヒューズ部FP1を間に挟むように2つのパッドPDが配設された構成を示したが、ヒューズ部の折り返しの個数が偶数である場合は、ヒューズ部の2の端部が同じ方向に並ぶことになるので、2つパッドがヒューズ部の一方の側に並ぶことになるが、そのような構成であっても良いことは言うまでもない。<A-4.効果>以上説明したように、本発明に係る実施の形態1においては、ヒューズ部FP1を蛇行形状に成形することで、ヒューズ長が同じで、流す電流が同じであれば直線状のヒューズに比べて、より効率的にヒューズを加熱できる。また、ヒューズ部FP1の全長の決定にあたっては、ヒューズ材料の電気抵抗率の温度依存性を考慮するので、ヒューズ部FP1の全長が長過ぎる場合に、ヒューズ部FPで発生する電圧降下が大きくなりす過ぎて充分な電流を流すことができないという不具合を防止できる。また、ヒューズ部FP1とパッドPDとの間を、ヒューズの幅10本分以上離すことで、ヒューズ部FPから放散される熱がパッドPDに吸収されてヒューズ部FP1の温度上昇が抑制されるという状態を防止することができる。また、ヒューズ部FP1の折り返し方向がパッドPDの配列方向と平行となるようにヒューズ部FP1をレイアウトすることで、パッドPDに対面するヒューズ部FP1の長さは、折り返し部RPの長さとなり、パッドPDに吸収される熱量が少なくて済むので、より効率的にヒューズ部FP1を加熱することができる。<A-5.変形例>図5、図10および図11に示した、ヒューズFS1~FS3は、半導体基板の主面に対して平行な平面内で折り返した形状であり、いわばヒューズ配線を2次元的に蛇行させた形状であった。しかし、折り返しの方向は平面内に限定されるものではなく、半導体基板の主面に対して垂直な平面内で折り返してヒューズ配線を3次元的に蛇行させた形状としても良い。図14には、ヒューズ配線を3次元的に蛇行させた構成の断面図を示す。図14に示すように、半導体基板SBの主面上に層間絶縁膜ZLが配設され、その表面内にヒューズFS4が配設されている。ヒューズFS4は、最下層に位置する直線状のヒューズ配線L11の一方端がパッドPD1に接続され、他方端の上面にはビアコンタクトC1が接続されている。ビアコンタクトC1は、ヒューズ配線L11の上層においてヒューズ配線L11に沿って配設されたヒューズ配線L12の一方端の下面に接続されている。ヒューズ配線L12の他方端の上面にはビアコンタクトC2が接続され、ビアコンタクトC2は、ヒューズ配線L12の上層においてヒューズ配線L12に沿って配設されたヒューズ配線L13の一方端の下面に接続されている。そして、ヒューズ配線L13の他方端にはパッドPD2に接続されている。なお、層間絶縁膜ZLは便宜的に単層膜のように記載しているが、実際には少なくとも3層の絶縁膜で構成される多層膜であり、半導体基板SBとヒューズ配線L11との間、ヒューズ配線L11とL12との間、およびヒューズ配線L12とL13との間に、それぞれ少なくとも1層の絶縁膜を有している。また、ヒューズFS4は、ヒューズ配線の材質や線幅を統一するため、1つのレイヤー内で形成され、他のレイヤーに跨ることはない。図15は、ヒューズFS4を層間絶縁膜ZLの上方から見た場合の平面図であり、図15におけるA-B線での断面が図14に示す構成に相当する。なお、図15においては、パッドPD1およびPD2は、層間絶縁膜ZLを間に挟んで互いに重ならないように配設された構成を示したが、ヒューズ部の折り返しの個数が偶数である場合は、ヒューズ部の2の端部が同じ方向に並ぶことになるので、2つのパッドが層間絶縁膜ZLを間に挟んで重なるように配設されることになるが、そのような構成であっても良いことは言うまでもない。以上説明したような構成を採る場合にも、効率的にヒューズを加熱できることは言うまでもない。<B.実施の形態2>以上説明した実施の形態1においては、溶断電流を低減できるように電流溶断ヒューズの構造を最適化することについて説明したが、本発明に係る実施の形態2においては、電流をパルス的に加えることで溶断電流を低減するヒューズの溶断方法について説明する。なお、本実施の形態の方法の適用は、実施の形態1の図5、図10および図11に示した、ヒューズFS1~FS3のような蛇行形状のヒューズに限定されるものではなく、図1に示したヒューズFSのような直線状のヒューズであっても良いので、以下の説明ではヒューズの形状は特に限定せずに行う。<B-1.溶断電流の連続印加>図16はヒューズの溶断に際して一般的に実施される溶断電流の連続印加を模式的に示す図である。図16においては、横軸に経過時間任意単位を、縦軸にヒューズに対する印加電圧任意単位を示す。図16に示すように、一般的にはヒューズの溶断に際しては、溶断に至る時間tまで一定電圧Vinがヒューズに連続的に与えられるようにヒューズ選択用のMOSトランジスタQ1図2を制御するが、この場合にヒューズを流れる電流は図17に示すような特性を示す。図17においては、横軸に経過時間任意単位を、縦軸にヒューズを流れる電流値任意単位を示す。図17に示すように、電流印加直後にはヒューズ中を流れる電流は電流値IPを示す。これは、いわゆる初期瞬間最大電流であり、時間の経過とともにジュール発熱によるヒューズ抵抗の増加により電流が減少し、最終的には熱的平衡がとれた状態になる電流値IS以後、平衡電流値と呼称まで減少する。この値は、ヒューズの材質、線幅や厚さによって変わるので特定はできないが、図17に示すような特性を示すことは共通している。なお、現実的には、平衡状態への移行部分は緩やかな曲線を描くような特性となるが、図17においては便宜的にクリティカルに示している。そして、図17に示すように平衡状態へのクリティカルポイントとなる時間はt1である。図17に示すように溶断電流を連続印加する場合に、ヒューズに与えられる熱量P1は、図17の特性に基づいて以下の数式4で表される。P1=IS×tt1IP-IS/24このように、溶断電流を連続印加する場合には、温度上昇が鈍った平衡電流値の状態で長時間の印加が行われるので、加熱効率が低いものと考えられる。<B-2.溶断電流のパルス印加>そこで発明者らは、温度上昇が急激で電流が減少を続けている状態、すなわち遷移状態では加熱効率が良いものと考え、遷移状態を維持する方策として、電圧をパルス的に印加することで溶断電流をパルス的に印加するという技術思想に到達した。図18には、1回あたりt/nの時間だけ一定電圧Vinをパルス的に印加する状態を示しており、tは溶断電流の連続印加の際の溶断時間であり、nは溶断時間を等分する任意の整数値であるが、t/nが図17に示したt1を越えないように設定される。このように、電圧をパルス的に印加した場合にヒューズを流れる電流は図19に示すような特性を示す。図19に示すように、電流印加直後にはヒューズ中を流れる電流が電流値IPを示し、時間の経過とともにジュール発熱によるヒューズ抵抗の増加により電流が減少することは図17に示す特性と同じであるが、t/nの時間で電圧の印加が一旦終了するので、電流値IDを境にして電流値が0となる。その後、所定の休止期間を経て再び電圧が印加されると、直後には電流値IPが流れ、時間の経過とともに電流が減少し、t/nの時間が経過すると電流値が0となる。この動作を繰り返すことで、溶断電流の連続印加に比べて効率的にヒューズを加熱することが可能となる。図19に示すように溶断電流をパルス的に印加する場合に、ヒューズに与えられる熱量P2は、図19の特性に基づいて以下の数式5で表される。P2=ID×ttIP-ID/25ここで、少なくとも電流IDが電流ISよりも大きくなるように、すなわち、溶断電流が平衡電流値ISになる前にパルスを休止するように設定しておけば、P2>P1となることは明白である。また、ID=ISとなるように設定した場合でも、数式5の第2項の分だけP2はP1よりも大きくなる。以上説明したように、同じ電流を同じ時間だけヒューズに与える場合であっても、電流をパルス的に印加することで、ヒューズにより大きな熱量を与えることができ、ヒューズ溶断に必要な電流を低減することができる。また、電流をパルス的に印加することでヒューズ周囲への熱的な影響も抑制することが可能である。すなわち、図17に示したように電流を連続的に時間tに至るまで印加する場合、ヒューズ周辺の領域において、例えばヒューズ材料の融点に達する位置がS1であるのに対し、電流をパルス的に印加する場合は、ヒューズを加熱しては元の温度に戻るまで休止するという動作を行うので、ヒューズ周辺の領域において、ヒューズ材料の融点に達する位置S2はS2<S1となる。このように、電流をパルス的に印加することでヒューズ周囲への熱的な影響を抑制できるので、半導体装置の回路設計においてはヒューズ領域のシュリンクが可能となる。ただし、ヒューズ周囲へのダメージ回避のためにパルス印加時間を短くし過ぎると、ヒューズを切断できなくなる可能性がある。すなわち、ヒューズを溶断するにはヒューズを少なくとも融点以上に加熱しなければならず、そのためにはパルス印加時間としてヒューズの温度を少なくとも融点までに上昇させることが可能なだけの時間を設定しなければならない。例えば、線幅がWμm、厚さがHμm、長さがLμmの配線をヒューズとして使用する場合、配線材料の比熱をc、密度をρとし、単位時間あたり熱量Qを与えた場合、融点に達する時間Tmは以下の数式6で表される。Tm>{L×W×H×c×ρ}/Q6従ってTm以上の時間、電流を印加し続けなければならないが、パルスを与える時間を長くし過ぎると、電流を連続的に印加することと同じになるので、一旦、融点近くまで上昇させた後はパルスを休止し、ヒューズを冷却した後、再び融点近くまで上昇させるという温度サイクルを繰り返すことで、最終的にヒューズを溶断することができる。以下に示す表2には、ヒューズ材料にAlおよびCuを使用し、線幅W=厚さHのヒューズに電流10mAをパルス的に印加した場合に、ヒューズが融点以上に達するために必要なパルス印加時間を示す。表2より、銅ヒューズの場合は融点に到達するまでに約0.3μsecかかるので、電流を連続的に印加する場合のヒューズ溶断時間が1μsecであることを考えると、電流のパルス的に印加する場合には、3~4回のパルスを加えることで溶断できることになる。また、電流をパルス的に印加する場合には、溶断に必要な印加電圧を低下させることもできる。図20には、印加電圧Vに対するヒューズの抵抗上昇率RWT2/RWT1を表す図であり、電流を連続的に印加するモードSPMと、電流をパルス的に印加するモードMPMについての特性を示している。なお、図20の特性を得るにあたっては、モードSPMとモードMPMとで、ヒューズに電流を印加する合計時間は同じとしている。抵抗上昇率RWT2/RWT1は、ヒューズ溶断直前の抵抗値RWT1と、ヒューズ溶断直後の抵抗値RWT2を測定することによって得られる値であり、ヒューズが溶断すると、抵抗値が急激に増加するので、RWT2/RWT1が急変することで、ヒューズが溶断したことが判る。図20において、印加電圧が3.5Vまでは電流が充分ではないのでヒューズは溶断せず、モードSPMもモードMPMも抵抗上昇率が1のままであるが、印加電圧が3.5Vを越えると、モードMPMではヒューズが溶断して抵抗上昇率が7桁も増加することになる。一方モードSPMでは、印加電圧を5Vにしてもヒューズは溶断せず、ジュール加熱により加熱される分だけ抵抗上昇率が増加するに止まっている。このように、電流をパルス的に印加することで、溶断に必要な印加電圧を低下させることができる。<B-3.効果>以上説明したように、本発明に係る実施の形態2においては、溶断電流をパルス的に複数回渡って印加することで、同じ電流を同じ時間だけヒューズに与える場合であっても、電流をパルス的に印加することで、ヒューズにより大きな熱量を与えることができ、ヒューズ溶断に必要な電流を低減することができる。また、電流をパルス的に印加することでヒューズ周囲への熱的な影響も抑制することが可能である。また、電流をパルス的に印加することで、溶断に必要な印加電圧を低下させることができる。