"透明基板、導電膜、短絡防止層、半導体層及び対向電極がこの順に積層される光応答素子であって、上記半導体層が、上記短絡防止層の表面に配設される多孔質体、及びこの多孔質体の表面に付着した色素を有するn型半導体部と、このn型半導体部及び対向電極の間に配設されるp型半導体部とを備え、上記n型半導体部の多孔質体がチタン酸化物又は亜鉛酸化物から形成され、上記p型半導体部が金属酸化物から形成されることを特徴とする光応答素子。上記p型半導体部を形成する金属酸化物のバンドギャップが3eV以上4eV以下である請求項1に記載の光応答素子。上記p型半導体部がニッケル酸化物又はビスマス酸化物から形成され、上記ニッケル酸化物が、ニッケル1原子に対して、酸素を0.8原子以上1.2原子以下含み、上記ビスマス酸化物が、ビスマス1原子に対して、酸素を1.3原子以上1.7原子以下含む請求項1又は請求項2に記載の光応答素子。上記p型半導体部がスパッタ法により形成されている請求項1、請求項2又は請求項3に記載の光応答素子。上記p型半導体部が非多孔質状である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光応答素子。上記p型半導体部が層状に形成されている請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光応答素子。上記n型半導体部が、平均孔径が10nm以上50nm以下の多孔質状である請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光応答素子。上記n型半導体部の多孔質体の形成に、チタン酸化物又は亜鉛酸化物からなる平均粒径50nm以上100nm以下の粒子を用いる請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光応答素子。上記チタン酸化物が、チタン1原子に対して、酸素を1.8原子以上2.2原子以下含み、上記亜鉛酸化物が、亜鉛1原子に対して、酸素を0.8原子以上1.2原子以下含む請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光応答素子。上記n型半導体部が層状に形成され、このn型半導体部の膜厚が2μm以上10μm以下である請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光応答素子。本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、耐久性及び光応答性に優れる光応答素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するためになされた発明は、透明基板、導電膜、短絡防止層、半導体層及び対向電極がこの順に積層される光応答素子であって、上記半導体層が、上記短絡防止層の表面に配設される多孔質体、及びこの多孔質体の表面に付着した色素を有するn型半導体部と、このn型半導体部及び対向電極の間に配設されるp型半導体部とを備え、上記n型半導体部の多孔質体がチタン酸化物又は亜鉛酸化物から形成され、上記p型半導体部が金属酸化物から形成されることを特徴とする。当該光応答素子によれば、電解液の代わりに金属酸化物から形成されるp型半導体部を用いているため、耐久性に優れ、かつ優れた光応答性を発揮することができる。上記p型半導体部を形成する金属酸化物のバンドギャップが3eV以上4eV以下であることが好ましい。このように上記p型半導体部として上記範囲のワイドギャップな半導体を用いることで、励起された色素の電子がn型半導体部側のみへ流れやすくなり、当該光応答素子の光応答性をさらに高めることができる。上記p型半導体部がニッケル酸化物又はビスマス酸化物から形成され、上記ニッケル酸化物が、ニッケル1原子に対して、酸素を0.8原子以上1.2原子以下含み、上記ビスマス酸化物が、ビスマス1原子に対して、酸素を1.3原子以上1.7原子以下含むことが好ましい。このような組成からなるニッケル酸化物又はビスマス酸化物は好ましいバンドギャップを有し、当該光応答素子の光応答性をより高めることができる。上記p型半導体部がスパッタ法により形成されていることが好ましい。このようにスパッタ法でp型半導体部を形成することで、この形成の際、n型半導体部における色素の付着状態を保持することができ、当該光応答素子の耐久性及び光応答性をさらに高めることができる。上記p型半導体部が非多孔質状であることが好ましい。このようにp型半導体部が非多孔質状、すなわち、緻密な形状からなることで、n型半導体部と対向電極との間の短絡を抑制することができ、光応答性をより高めることができる。上記p型半導体部は層状に形成することができる。このようにp型半導体部を層状にすることで、n型半導体部と対向電極との間の短絡を抑制することができ、光応答性をより高めることができる。上記n型半導体部が、平均孔径が10nm以上50nm以下の多孔質状であることが好ましい。このようにn型半導体部を上記範囲の細孔を有する多孔質状とすることで、n型半導体部の表面積及びn型半導体部とp型半導体部との接触面積が拡大し、光応答性等をより高めることができる。上記n型半導体部の多孔質体の形成に、チタン酸化物又は亜鉛酸化物からなる平均粒径50nm以上100nm以下の粒子を用いることが好ましい。このように、n型半導体部の多孔質体を上記サイズの粒子から形成することで、好ましい多孔質状とすることができ、より優れた耐久性及び光応答性を発揮することができる。上記チタン酸化物が、チタン1原子に対して、酸素を1.8原子以上2.2原子以下含み、上記亜鉛酸化物が、亜鉛1原子に対して、酸素を0.8原子以上1.2原子以下含むとよい。このような組成からなるチタン酸化物又は亜鉛酸化物を用いることで、バンドギャップが好適な範囲となり、光応答性をより高めることができる。上記n型半導体部が層状に形成され、このn型半導体部の膜厚が2μm以上10μm以下であるとよい。このようにn型半導体部を上記範囲の膜厚を有する層状とすることで、光応答性をさらに高めることができる。以上説明したように、本発明の光応答素子は耐久性及び光応答性に優れる。従って、当該光応答素子は、光センサーや太陽電池等として好適に用いることができる。以下、適宜図面を参照にしつつ、本発明の光応答素子の実施の形態を詳説する。図1の光応答素子10は、透明基板1、導電膜2、短絡防止層3、半導体層4及び対向電極5がこの順に積層されてなる。また、上記半導体層4は、n型半導体部6及び金属酸化物から形成されるp型半導体部7を備える。当該光応答素子10は、従来の色素増感型太陽電池が有する電解液の代わりに金属酸化物から形成されるp型半導体部7を備えている。従って、当該光応答素子10は、液漏れ等の発生が無く、耐久性に優れる。また、当該光応答素子10は、上記構造を有することで、優れた光応答性を発揮することができる。透明基板1は、透明な材料から形成されている。透明基板1の材料としては、例えば、ケイ酸アルカリガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラスや、アクリル樹脂、PET等の合成樹脂などを用いることができる。これらの中でも、強度や熱安定性等の点から、ガラスが好ましい。また、このガラスは、化学的に又は熱的に強化されたものが好ましい。透明基板1の厚さとしては、特に限定されないが、通常0.1mm以上10mm以下程度である。なお、この透明基板1は、例えば合成樹脂製で、かつ厚さを薄くしたフレキシブル基板であってもよい。導電膜2は、透明基板1の表面に積層されている。この導電膜2は、導電性を有する透明材料から形成されている。導電膜2の材料としては、例えばFTO、ITO、SnO:FFTO、In2O3:SnITO、SnO2:Sb、SnO2:F、ZnO:Al、ZnO:F、CdSnO4等の金属酸化物などを挙げることができる。これらの中でも、導電性及び透明性の観点から、FTO及びITOを含む材料が特に好ましい。導電膜2の厚さとしては、特に限定されず、例えば100nm以上10μm以下とすることができる。短絡防止層3は、導電膜2の表面に積層されている。この短絡防止層3は、導電膜2とp型半導体部7との間の微短絡を防止する。すなわち、p型半導体部7の少なくとも一部が導電膜2まで到達することによる短絡を防止する。なお、この短絡が生じると光応答性が低下する。この短絡防止層3は、非多孔質状、すなわち実質的に空隙を有さない緻密な膜であることが好ましい。短絡防止層3を形成する材料としては、チタン酸化物例えば、TiO2や亜鉛酸化物等を挙げることができる。また、短絡防止層の厚さとしては、特に限定されず、例えば10nm以上1μm以下とすることができる。短絡防止層3の積層方法としては、特に限定されず、公知の方法、例えばスパッタ法、スプレー法、スピンコート法、化学浴析出法等を用いることができる。n型半導体部6は、短絡防止層3の表面に層状に配設されている。n型半導体部6は、n型の性質を示す多数キャリアが自由電子である半導体を備える。このn型半導体部6は、短絡防止層3の表面に配設される多孔質体8n型半導体、及びこの多孔質体8の表面に付着した色素9を有する。n型半導体部6は、多孔質状である。このn型半導体部6の平均孔径としては、10nm以上50nm以下が好ましく、20nm以上40nm以下がさらに好ましい。当該光応答素子10によれば、n型半導体部6を上記範囲の空隙を有する多孔質形状とすることで、n型半導体部6の表面積及びn型半導体部6とp型半導体部7との接触面積が拡大し、光応答性等をより高めることができる。n型半導体部6の平均孔径が上記下限未満の場合は、表面積が小さくなるため、十分な光応答性を発揮できなくなる場合がある。逆に、この平均孔径が上記上限を超える場合は、n型半導体部6の強度が低下する等のおそれがある。なお、この平均孔径平均細孔直径は、JIS-K1150に記載の水銀圧入法で測定した値である。n型半導体部6の膜厚平均膜厚としては、特に限定されないが、2μm以上10μm以下が好ましく、4μm以上8μm以下がさらに好ましい。n型半導体部6の膜厚を上記範囲とすることで、光応答性をさらに高めることができる。この膜厚が上記下限未満の場合は、色素9が十分に吸着できるだけの表面積が足りず、光吸収の効率が低下し、十分な光応答性が発揮できないおそれがある。逆に、この膜厚が上記上限を超える場合は、光吸収率が頭打ちになる一方、直列抵抗が増加することで、光応答性が低下するおそれがある。多孔質体8は、多孔質状であり、チタン酸化物又は亜鉛酸化物から形成されている。上記チタン酸化物は、チタン1原子に対して、酸素酸素原子を1.8原子以上2.2原子以下含むことが好ましい。上記組成を有するチタン酸化物としては、TiO2等を挙げることができる。また、上記亜鉛酸化物は、亜鉛1原子に対して、酸素酸素原子を0.8原子以上1.2原子以下含むことが好ましい。上記組成を有する亜鉛酸化物としては、ZnO等を挙げることができる。当該光応答素子10によれば、n型半導体部6の多孔質体8において、上記組成からなるチタン酸化物又は亜鉛酸化物を用いることで、バンドギャップが好適な範囲となり、光応答性をより高めることができる。また、適当な範囲のバンドギャップを有し、光応答性をより高めることができる点や、経済性等を考慮すると、多孔質体8としては、チタン酸化物を用いることが好ましい。多孔質体8の形成方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いることができるが、チタン酸化物又は亜鉛酸化物からなる粒子のペーストを短絡防止層3の表面に塗布し、焼結させることが好ましい。上記塗布の方法としては、例えばスクリーン印刷法等を用いることができる。多孔質体8の形成にチタン酸化物又は亜鉛酸化物からなる粒子を用いることで、容易に多孔質状の多孔質体8n型半導体部6を形成することができる。この粒子の平均粒径としては、50nm以上100nm以下が好ましく、60nm以上90nm以下がさらに好ましい。上記粒子の平均粒径を上記範囲とすることで、多孔質体8及び、結果としてn型半導体部6を好ましい多孔質状とすることができ、より優れた耐久性及び光応答性を発揮することができる。なお、この平均粒径は、X線回折測定から得られた回折ピークの半値幅を用いて、下記のSherrerの式:d=0.9λ/Bcosθd:平均粒径、λ:X線波長、B:回折ピークの半値幅、θ:回折角から算出した値である。なお、チタン酸化物又は亜鉛酸化物からなる上記粒子として、粒径が50nm以上100nm以下のものを用いることで、焼結温度を500°C程度まで下げることが可能となる。このような温度で焼結することで、透明基板1として、ガラス基板や合成樹脂基板等を用いることができ、その結果、材料の選択性が高まり、また、製造コストを下げることができる。色素9は、色素増感型太陽電池に使用される公知のものを用いることができる。この色素9としては、例えばRu金属錯体、Os金属錯体、Cu金属錯体等の金属錯体色素や、その他、メチン色素、フタロシアニン色素等の有機色素を挙げることができる。これらの中でも、当該光応答素子10が高い光応答性等を発揮できる点から、金属錯体色素が好ましく、Ru金属錯体がさらに好ましい。色素9は、多孔質体8チタン酸化物又は亜鉛酸化物の表面への吸着性の点から、COOH基、OH基、SO3H基、NCS基、-POOH2基、-OPOOH2基等の極性基を有していることが好ましい。これらの基の中でも、COOH基又はNCS基を有していることがさらに好ましい。これらの基は、アルカリ金属等と塩を形成していてもよく、分子内で塩を形成していてもよい。また、色素9の最大吸収波長としては、450nm以上650nm以下が好ましく、500nm以上600nm以下がさらに好ましい。この範囲の最大吸収波長を有する色素9を用いることで、当該光応答素子の光応答性をより高めることができる。色素9としての好ましいRu金属錯体の市販品としては、SOLARONIX社製のRuthenizer535-bisTBAcis-diisothiocyanato-bis2,2’-bipyridyl-4,4’-dicarboxylatorutheniumuIIbistetrabutylammoniumu、Ruthenizer535、Ruthenizer620-1H3TBA、Ruthenizer520-DN等を挙げることができる。色素9の付着方法としては、色素9を含む溶液に多孔質体8焼結後のチタン酸化物等を浸漬し、その後乾燥させること等により行うことができる。p型半導体部7は、上記n型半導体部6の表面に層状に配設されている。p型半導体部7は、p型の性質を示す多数キャリアが正孔である半導体である。このp型半導体部7を形成する金属酸化物p型半導体としては、p型半導体として機能するものであれば特に限定されず、銅酸化物、パラジウム酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、ニッケル酸化物、ビスマス酸化物等を挙げることができる。これらの金属酸化物の中でも、バンドギャップが3eV以上4eV以下であるものが好ましく、3.5eV以上であるものがより好ましく、3.7eV以上であるものがさらに好ましい。上記p型半導体部7として上記範囲のワイドギャップな半導体を用いることで、励起された色素9の電子がn型半導体部6側のみへ流れやすくなり、当該光応答素子の光応答性をさらに高めることができる。このバンドギャップが3eV未満の場合は、色素9からp型半導体部7への逆電子移動が生じ、光応答性が低下する場合がある。逆に、このバンドギャップが4eVを超える場合も、光応答性等の性能が低下する場合がある。なお、n型半導体部6として、バンドギャップが1.4~1.7eVである色素例えばRu金属錯体等が付着したチタン酸化物等バンドギャップ3~4eVを用い、上記範囲のバンドギャップを有するp型半導体部7を用いた場合、上記効果がより顕著になる。このような好ましいバンドギャップを有する金属酸化物としては、具体的には、ニッケル酸化物NiO等や、ビスマス酸化物Bi2O3等を挙げることができ、ニッケル酸化物がより好ましい。上記ニッケル酸化物は、ニッケル1原子に対して、酸素酸素原子を0.8原子以上1.2原子以下含むことが好ましい。このようなニッケル酸化物としては、NiOを挙げることができる。また、上記ビスマス酸化物は、ビスマス1原子に対して、酸素酸素原子を1.3原子以上1.7原子以下含むことが好ましい。このようなビスマス酸化物としては、Bi2O3を挙げることができる。上記組成からなるニッケル酸化物又はビスマス酸化物は、上記範囲の好ましいバンドギャップを有し、当該光応答素子10の光応答性をより高めることができる。上記p型半導体部7が非多孔質状であることが好ましい。当該光応答素子10によれば、p型半導体部7が非多孔質状、すなわち緻密な形状からなることで、n型半導体部6と対向電極5との間の短絡を抑制することができ、光応答性をより高めることができる。上記p型半導体部7の膜厚平均膜厚としては、特に限定されないが、例えば10nm以上1μm以下が好ましく、30nm以上300nm以下がより好ましい。このp型半導体部7の膜厚が上記下限未満の場合は、この膜に孔が生じ、短絡が発生するおそれなどがある。逆に、このp型半導体部7の膜厚が上記上限を超える場合は、直列抵抗が高くなり、光応答性が低下するおそれがある。上記p型半導体部7の形成方法n型半導体部6表面への積層方法としては、特に限定されず、例えばスパッタ法、化学浴析出法、電解析出法、めっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化又は硫化する方法等を挙げることができる。これらの中でも、スパッタ法が好ましい。n型半導体部6における多孔質体8と色素9との結合は、中性条件下で安定である。また、この結合は、熱に弱く、熱分解されやすい。しかしながら、スパッタ法を用いる場合は、pH変化や加熱がないため、色素9が吸着された状態を維持しつつ、p型半導体部7を形成することができる。このスパッタ法としては、金属ターゲットを用いた酸素との反応性スパッタや、金属酸化物ターゲットを用いたスパッタで行うことができる。なお、化学浴析出法や、めっき法により金属膜を形成し、この金属膜を酸化又は硫化する方法も、容易にp型半導体部7を形成することができる点では好ましい。電解析出法も、容易に形成でき、成膜レートが速い点で好ましい。さらに、これらの化学浴析出法、めっき法を用いる方法及び電解析出法は、n型半導体部6の多孔質内部にまでp型半導体部を形成することができる点で好ましい。一方、これらの方法は、pH変化や加熱が伴うため、色素9の脱離が生じやすくなる。このため、所望する性能等に応じて、p型半導体部7の形成方法を適宜選択するとよい。対向電極5は、p型半導体部7半導体層4の表面に層状に積層されている。この対向電極5を形成する材料としては導電性を有する限り特に限定されないが、Pt、Al、Au、Cu、Ti、Ni等の金属、金属酸化物、炭素等を用いることができる。この対向電極5は、スパッタ法や、蒸着法等の公知の方法で形成することができる。また、この対向電極5の膜厚平均膜厚としては、例えば10nm以上1μm以下とすることができる。当該光応答素子10は、太陽光等の光が照射されることで、両電極導電膜2及び対向電極5間で電位差が生じ、光を電力に変換することができる。具体的には、光の照射により、色素9が光を吸収し、電子と正孔とが発生する。電子は色素9から多孔質体8チタン酸化物又は亜鉛酸化物及び短絡防止層3を経由して導電膜2へ移動する。一方、正孔は色素9からp型半導体部7を経由して対向電極5へ移動する。この両電極間を導線で接続することにより、電流が流れることとなる。当該光応答素子10は、上述のとおり、耐久性及び光応答性に優れる。従って、当該光応答素子10は、光センサーや太陽電池等として好適に用いることができる。当該光応答素子10の製造方法としては、特に限定されず、例えば、各層を順に公知の方法で積層させることで得ることができる。なお、各層の具体的な積層方法としては上述したとおりである。図2の光応答素子20は、透明基板1、導電膜2、短絡防止層3、半導体層14及び対向電極5を備える。透明基板1、導電膜2、短絡防止層3及び対向電極5は、図1の光応答素子10と同様なので、同一番号を付して説明を省略する。上記半導体層14は、n型半導体部6及び金属酸化物から形成されるp型半導体部17を有する。このn型半導体部6は、図1の光応答素子10と同様なので、同一番号を付して説明を省略する。上記n型半導体部17は、図1の光応答素子10のn型半導体部7と異なり、多孔質状のn型半導体部6の孔内部にまで浸透した構造を有している。当該光応答素子20によれば、このように、p型半導体部17がn型半導体部6の孔内部にまで浸透しているため、p型半導体部17とn型半導体部6との接触面積が広く、より高い光応答性を発揮することができる。このような半導体層14は、n型半導体部6の平均孔径の調整やp型半導体部の形成方法の選択等により形成することができる。なお、本発明の光応答素子は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、対向電極として透明導電性材料を用い、両面側からの光を感受する構造を有していてもよい。以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[実施例1]透明な導電膜としてのFTOが300nm積層されたガラス基板透明基板を用意した。この導電膜の表面に、短絡防止層として100nmのTiO2緻密層をスパッタ法により積層した。さらに、この短絡防止層の表面に、平均粒径75nmのTiO2粒子を用い、膜厚2μmの多孔質体を形成した。具体的には、上記TiO2粒子のペーストを短絡防止層表面に塗布し、500°Cで焼結させることにより、多孔質体を形成した。得られた多孔質体を含む部分を色素含有溶液に3時間浸漬し、色素をTiO2表面に吸着させ、n型半導体部膜厚2μmを形成した。上記色素含有溶液としては、Solaronix社製Ruthenizer535-bisTBAの0.05mM溶液を用いた。その後、n型半導体部表面に、酸化物ターゲットを用いたスパッタ法にてNiOバンドギャップ3.88eVを100nm積層し、p型半導体部を形成した。さらに、このp型半導体部表面に対向電極としてスパッタ法によりAuを50nm積層させ、実施例1の光応答素子を得た。図3に実施例1の半導体層n型半導体部及びp型半導体部のSEM写真を示す。[実施例2~4]p型半導体部の形成材料として、NiOの代わりに、それぞれBi2O3バンドギャップ3.81eV:実施例2、PdOバンドギャップ1.6eV:実施例3及びCuOバンドギャップ1.7eV:実施例4を用いたこと以外は、実施例1と同様の操作をして、実施例2~4の光応答素子を得た。[実施例5及び6]n型半導体部多孔質層の膜厚を6μm実施例5及び10μm実施例6としたこと以外は、実施例1と同様の操作をして、実施例5及び6の光応答素子を得た。なお、実施例1、5及び6の光応答素子において、n型半導体部を形成した後、530nmの波長Ruthenizer535-bisTBAの吸収極大波長に対する光吸収率を測定した。測定結果を図4に示す。n型半導体部の膜厚が、2μmから6μmまででは膜厚と共に吸収率が増加したが、6μmで吸収率の増加は頭打ちし、6μmから10μmではほとんど変化しないことがわかる。[評価1]得られた実施例1~4の各光応答素子について、東芝社製クールビームランプ120Wを用い、光照射前及び光照射時の電流値変化を測定した。測定結果を表1に示す。[評価2]得られた実施例1、5及び6の各光応答素子について、東芝社製クールビームランプ120Wを用い、光照射前及び光照射時の電流値変化を測定した。測定結果を表2に示す。表1及び表2に示されるように、いずれの光応答素子も、光応答性を有することがわかる。特に、表1に示されるように、実施例1~4を比較すると、p型半導体材料としてバンドギャップが広いNiO及びBi2O3を用いた場合は、0.1mA以上の電流値が得られている。一方、バンドギャップの狭いPdO及びCuOを用いた場合は、Bi2O3を用いた場合の1/3程度しか電流値が得られない。また、表2に示されるように、実施例1、5及び6を比較すると、電流値は膜厚6μmで最大になることがわかる。これは、色素の光吸収量と抵抗とのバランスが適当となるためであると考えられる。"