"下記一般式1で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩を繰り返し単位として有することを特徴とする高分子化合物。[式中、R1は、下記式で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はW1との結合を表す。R2は、フッ素原子又は含フッ素アルキル基を表し、W1は、2価の有機基を表し、Qは、下記一般式aもしくは下記一般式bで示されるスルホニウムカチオン、又は下記一般式cで示されるヨードニウムカチオンを示す。前記一般式aにおいて、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記一般式bにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。前記一般式cにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。]上記一般式1で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記一般式2式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。R8は水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位であり、重量平均分子量が1,000~50,000である請求項1記載の高分子化合物。上記一般式2で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記式で表される2,2-ジフルオロ-3-メタクリロイルオキシペンタン酸トリフェニルスルホニウム塩である請求項2に記載の高分子化合物。式中、Meはメチル基を示す。更に、極性を持つことによって高分子化合物に密着性を与える単位として、下記一般式3~7で示される単位を少なくとも1つ含有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高分子化合物。式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。A1は単結合、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。sは0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。式中、R9は水素原子、メチル基又はカルボキシメチル基を示す。B1は単結合又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよいアルキレン基を示し、C1は単結合、又は炭素数1~14の2価の芳香環又は2価の脂環式骨格を示す。uは0又は1の整数である。但し、uが1である場合、B1とC1が同時に単結合になることはなく、また、uが0、B1が単結合である場合、C1は単結合であるか2価の芳香環である。式中、R10は水素原子又はメチル基を示す。E1は炭素数1~15のフルオロアルコールを有する置換基を示す。式中、R11は水素原子又はメチル基を示す。また、R12、R13は水素原子又は水酸基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。酸性官能基を持つ繰り返し単位を有し、水性アルカリ性現像液に可溶性である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高分子化合物。酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位を有して水性アルカリ性現像液に不溶性であり、かつ酸触媒により上記保護基が脱保護され、水性アルカリ性現像液に可溶性となる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高分子化合物。酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位が、下記一般式8で示される単位である請求項6に記載の高分子化合物。式中、F1は単結合、又はエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R14は水素原子又はメチル基を表す。R15はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。Xはdが1の場合には酸不安定基を、dが2以上の場合には水素原子又は酸不安定基を表すが、少なくとも1つは酸不安定基である。また、aは0~4の整数、cは0又は1であり、dは1~3の整数である。vは0又は1を表す、wは0~2の整数を表す。酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位が、下記一般式12で示される単位である請求項6に記載の高分子化合物。式中、R18は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。XAは酸不安定基を示す。請求項5乃至8のいずれか1項に記載の高分子化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物。更に高エネルギー線の照射により、スルホン酸化合物を発生する酸発生剤を含有する請求項9に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。被加工基板上に請求項9又は10に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法。上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項11に記載のパターン形成方法。上述の超微細加工技術として利用されている電子線リソグラフィーは、半導体製造用のフォトマスクを作製する際のフォトマスクブランクの加工方法としても不可欠となっている。このフォトマスクブランクの加工における電子線によるパターン描画は、一般に電子線ビームにより行われ、マスクを用いず、ポジ型の場合、レジスト膜の残したい領域以外の部分を、微細面積の電子線ビームで順次照射していくという方法が採られる。そこで、加工面の微細に区切った全領域上を送引していくという作業となるため、フォトマスクを用いる一括露光に比べ時間がかかる。更に、描画でスループットを落とさないためにはレジスト膜が高感度であることが求められる。また描画時間が長くかかるため、初期に描画された部分と後期に描画された部分の差が生じ易く、露光部分の真空中での経時安定性、及びパターンの微細化により生じるラインエッジラフネスの低減は重要な性能要求項目である。更に、描画後に行うポストエクスポージャーベーク時においても温度依存性の大きな線幅変動を与えることは、微細なパターンを形成する上でマスク加工に不利であり、より温度依存性の小さい化学増幅型レジスト組成物の開発が望まれている。また、ArFリソグラフィープロセスにおいても、解像性、特に疎密依存性、微細化におけるマスク忠実性を向上させることが望まれている。ところで、上記のようなレジスト感度やパターンプロファイルの制御はレジスト組成物に使用する材料の選択や組み合わせ、プロセス条件等によって種々の改善がなされてきた。その改良の一つとして、化学増幅型レジスト組成物の解像性に重要な影響を与える酸の拡散の問題がある。リソグラフィー加工では、上述のように得られるレジストパターンの形状が、露光後、露光後加熱までの時間に依存して変化しないことが求められているが、時間依存性変化の大きな原因は露光により発生した酸の拡散である。この酸の拡散の問題は、単に発生した酸の移動能だけでなく、酸の強度や保護基とのマッチングによっても異なる結果を与え、フォトマスク加工に限らず、一般のレジスト組成物においても感度と解像性に大きな影響を与えることがある。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、フッ素化アルキレン置換スルホン酸よりも酸強度が低く、かつ十分な保存安定性を持つ、高分子化合物高分子性新規酸発生剤、及び、それを用いた、ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動の低減が実現され、また高解像性を与える化学増幅ポジ型レジスト組成物、更に、これを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般式1で示される繰り返し単位を構成成分として持つ高分子化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることにより、ラインエッジラフネス、温度依存性の低減、更に解像性が向上することを見出し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は下記の高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法を提供する。請求項1:下記一般式1で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩を繰り返し単位として有することを特徴とする高分子化合物。[式中、R1は、下記式で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はW1との結合を表す。R2は、フッ素原子又は含フッ素アルキル基を表し、W1は、2価の有機基を表し、Qは、下記一般式aもしくは下記一般式bで示されるスルホニウムカチオン、又は下記一般式cで示されるヨードニウムカチオンを示す。前記一般式aにおいて、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記一般式bにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。前記一般式cにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。]請求項2:上記一般式1で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記一般式2式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。R8は水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位であり、重量平均分子量が1,000~50,000である請求項1記載の高分子化合物。請求項3:上記一般式2で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記式で表される2,2-ジフルオロ-3-メタクリロイルオキシペンタン酸トリフェニルスルホニウム塩である請求項2に記載の高分子化合物。式中、Meはメチル基を示す。請求項4:更に、極性を持つことによって高分子化合物に密着性を与える単位として、下記一般式3~7で示される単位を少なくとも1つ含有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高分子化合物。式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。A1は単結合、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。sは0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。式中、R9は水素原子、メチル基又はカルボキシメチル基を示す。B1は単結合又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよいアルキレン基を示し、C1は単結合、又は炭素数1~14の2価の芳香環又は2価の脂環式骨格を示す。uは0又は1の整数である。但し、uが1である場合、B1とC1が同時に単結合になることはなく、また、uが0、B1が単結合である場合、C1は単結合であるか2価の芳香環である。式中、R10は水素原子又はメチル基を示す。E1は炭素数1~15のフルオロアルコールを有する置換基を示す。式中、R11は水素原子又はメチル基を示す。また、R12、R13は水素原子又は水酸基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。請求項5:酸性官能基を持つ繰り返し単位を有し、水性アルカリ性現像液に可溶性である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高分子化合物。請求項6:酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位を有して水性アルカリ性現像液に不溶性であり、かつ酸触媒により上記保護基が脱保護され、水性アルカリ性現像液に可溶性となる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の高分子化合物。請求項7:酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位が、下記一般式8で示される単位である請求項6に記載の高分子化合物。式中、F1は単結合、又はエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R14は水素原子又はメチル基を表す。R15はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。Xはdが1の場合には酸不安定基を、dが2以上の場合には水素原子又は酸不安定基を表すが、少なくとも1つは酸不安定基である。また、aは0~4の整数、cは0又は1であり、dは1~3の整数である。vは0又は1を表す、wは0~2の整数を表す。請求項8:酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位が、下記一般式12で示される単位である請求項6に記載の高分子化合物。式中、R18は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。XAは酸不安定基を示す。請求項9:請求項5乃至8のいずれか1項に記載の高分子化合物を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物。請求項10:更に高エネルギー線の照射により、スルホン酸化合物を発生する酸発生剤を含有する請求項9に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。請求項11:被加工基板上に請求項9又は10に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法。請求項12:上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項11に記載のパターン形成方法。本発明によれば、上記一般式1で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩を繰り返し単位として含有する高分子化合物を、特に化学増幅ポジ型レジスト組成物に配合することで、保存安定性に優れ、かつ超微細パターンが要求されるポジ型レジストパターンの形成において、酸の拡散をより均一かつ低拡散にすることができ、ラインエッジラフネスが改善され、温度依存性が低減され、パターンの基板依存性が小さい化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供することができる。本発明の高分子化合物は、下記一般式1[式中、R1は、下記式で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はW1との結合を表す。R2は、フッ素原子又は含フッ素アルキル基を表し、W1は、2価の有機基を表し、Qは、下記一般式aもしくは下記一般式bで示されるスルホニウムカチオン、又は下記一般式cで示されるヨードニウムカチオンを示す。前記一般式aにおいて、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記一般式bにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。前記一般式cにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。]で表される含フッ素カルボン酸オニウム塩構造を側鎖に持つ繰り返し単位として有することを特徴とする高分子化合物である。上記一般式1中にFで示されたフッ素原子により、スルホニウム塩としての熱安定性が向上し、また、高エネルギー線照射によりスルホニウム部分が光分解すると、通常のカルボン酸よりも強く、スルホン酸よりは弱い酸性度の酸性側鎖を発生する。上記式1中、R1は上記式のいずれかの構造であり、重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造、即ちビニルエーテル構造、アリルエーテル構造、アクリル酸エステル構造、メタクリル酸エステル構造、ノルボルネンエーテル構造、スチレンエーテル構造より選ばれる1つである。R2はフッ素原子又は含フッ素アルキル基である。このような含フッ素アルキル基としては、特に限定されないが、炭素数1~12のものであり、炭素数1~3のものが好ましく、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、n-ヘプタフルオロプロピル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基などを挙げることができる。R2はフッ素原子又はトリフルオロメチル基が更に好ましい。また、W1は、単結合、又は、重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来の構造である上記R1とα-位炭素が1つ以上のフッ素原子で置換されているカルボキシレート構造をつなぐ連結基である2価の有機基を表す。上記W1の2価の有機基は、非置換又は置換メチレン基-CRxRy-:但し、RxとRyは同一でも異なっていてもよい有機基又は水素原子であるが、少なくとも一方は有機基である。、非置換又は置換の2価の脂環式炭化水素基、非置換又は置換の2価の芳香族炭化水素基、非置換又は置換の2価のヘテロ環基などの連結基、又は、これらの連結基とエーテル結合性酸素原子、エーテル結合性硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、ウレア基などの連結基からなる群から選ばれた1種又は2種以上が相互に結合してなる2価の連結基であって、この2価の連結基内の炭素原子に結合する任意の数の水素原子はフッ素原子で置換していてもよく、連結基内で置換基を含めた構成する2価以上の原子の1組以上が結合を形成することで環を形成してもよい。また、上記W1として、もしくはその一部として、置換メチレン基が選択される場合の置換基Rx及びRyは、好ましくはハロゲン原子もしくはヒドロキシ基もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは非置換の脂環式炭化水素基、アルコキシ基、置換もしくは非置換のアリール基及び置換もしくは非置換の縮合多環式芳香族基から選ばれた炭素数1~30の1価の基であって、これらの1価の基はフッ素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、又は炭素-炭素二重結合を有することができる。また、Rx、Ryは、それぞれを構成する2価以上の原子の一組以上が結合を形成することにより環を形成してもよく、この環は脂環式炭化水素構造であることが好ましい。Rx、Ryで表される1価の好ましい有機基として次のものが挙げられる。Rx、Ryにおける非環式のアルキル基としては、炭素数1~30のものであり、炭素数1~12のものがより好ましい。例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、i-ヘキシル基、n-オクチル基、i-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基等を挙げることができ、低級アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基などを特に好ましいものとして挙げることができる。Rx、Ryとして非環式の置換アルキル基が選択される場合の例としては、アルキル基が有する水素原子の1個又は2個以上を炭素数1~4のアルコキシル基、ハロゲン原子、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等により置換されたものが挙げられ、フッ素原子で置換されたフルオロアルキル基が好ましく、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、n-ヘプタフルオロプロピル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基などの低級フルオロアルキル基を挙げることができる。Rx、Ryとして脂環式炭化水素基、あるいは、Rx、Ryそれぞれを構成する2価以上の原子の一組以上が結合を形成することにより環を形成した脂環式炭化水素基が選択される場合の例としては、単環式のものでも、多環式のものでもよく、具体的には、炭素数3以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は3~30が好ましく、特に炭素数3~25が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。単環式基としては、環炭素数3~12のものが好ましく、環炭素数3~7のものが更に好ましい。例えば、好ましいものとしてシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、4-tert-ブチルシクロヘキシル基を挙げることができる。また、多環式基としては、環炭素数7~15のアダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基等を挙げることができる。脂環式炭化水素基はスピロ環であってもよく、炭素数3~6のスピロ環が好ましい。好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基などである。これらの有機基の環炭素又は連結基の水素原子の1個又は2個以上がそれぞれ独立に前記の炭素数1~30のアルキル基もしくは置換アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基又はそれらに含まれる1個又は2個以上の水素原子がフッ素原子もしくはトリフルオロメチル基で置換した単環式基を挙げることができる。ここで、炭素数1~30のアルキル基としては、低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基よりなる群から選択されたアルキル基である。また、置換アルキル基の置換基としては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルコキシル基を挙げることができる。アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4のものを挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基を挙げることができる。Rx、Ryとしてアルコキシル基が選択される場合の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4のものを挙げることができる。Rx、Ryとして置換もしくは非置換のアリール基が選択される場合の例としては、芳香環中の炭素数が6~14の単環式基が挙げられ、環炭素数6~10のものが更に好ましい。例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、o-フルオロフェニル基、m-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-トリフルオロメチルフェニル基、m-トリフルオロメチルフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、2,3-ビストリフルオロメチルフェニル基、2,4-ビストリフルオロメチルフェニル基、2,5-ビストリフルオロメチルフェニル基、2,6-ビストリフルオロメチルフェニル基、3,4-ビストリフルオロメチルフェニル基、3,5-ビストリフルオロメチルフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、p-ヨードフェニル基等を挙げることができる。また、芳香環中の炭素数が30以下の置換もしくは非置換の、縮合多環式芳香族基も好ましく用いることもでき、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランセン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ヘプタセン、ピラントレン、オヴァレン等から1個の水素原子を除いて得られる1価の有機基を挙げることができ、これらの1個又は2個以上の水素原子がフッ素原子、炭素数1~4のアルキル基又は含フッ素アルキル基で置換したものを好ましいものとして挙げることができる。Rx、Ryとして単環式又は多環式のヘテロ環基が選択される場合の例としては、環原子数3~25、特に4~14の単環式又は多環式のヘテロ環基を挙げることができ、例えば、ピリジル基、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピロリル基、チアントレニル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基等を挙げることができる。また、これらの環を構成する原子の1個又は2個以上の水素原子がアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基で置換されていてもよい。Rx、Ryとして特に好ましく選択できるものとして、単環式又は多環式のエーテル環、ラクトン環を有するものが挙げられ、具体例を次に例示する。式中、Ra、Rbはそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。eは2~4の整数を表す。連結基W1として、もしくはその一部として、2価の脂環式炭化水素基が選択される場合には、単環式のものでも、多環式のものでもよい。具体的には、炭素数3以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は3~30が好ましく、特に炭素数3~25が好ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。単環式基としては、環炭素数3~12のものが好ましく、環炭素数3~7のものが更に好ましい。例えば、好ましいものとしてシクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、シクロドデカニレン基、4-tert-ブチルシクロヘキシレン基を挙げることができる。また、多環式基としては、環炭素数7~15のアダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカリンの2価の残基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、セドロールの2価の残基を挙げることができる。脂環式炭化水素基はスピロ環であってもよく、その際、炭素数3~6のスピロ環が好ましい。また、環炭素又は連結基の水素原子の1個又は2個以上がそれぞれ独立に、炭素数1~30のアルキル基もしくは置換アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基で置換したものを挙げることができる。ここで、炭素数1~30のアルキル基としては、低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基よりなる群から選択されたアルキル基である。置換アルキル基の置換基としては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルコキシル基を挙げることができる。アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4のものを挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基を挙げることができる。連結基W1として、もしくはその一部として、2価の芳香族炭化水素基が選択される場合には、炭素数6~30の単環式基又は多環式芳香族基が例示され、単環式基としては、環炭素数6~14のものが好ましく、環炭素数6~10のものが更に好ましい。例えば、ベンゼン、ビフェニル、ターフェニル、トルエン、フェノール、アニソール、メシチレン、クメン、2,3-キシリレン、2,4-キシレン、2,5-キシレン、2,6-キシレン、3,4-キシレン、3,5-キシレン、フルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、o-ビストリフルオロメチルベンゼン、m-ビストリフルオロメチルベンゼン、p-ビストリフルオロメチルベンゼン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン等から2個の水素原子を除いて得られる2価の基を挙げることができる。縮合多環式芳香族基としては、置換もしくは非置換であることができ、炭素数8~30が好ましく、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アズレン、ヘプタレン、ビフェニレン、インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、フルオランセン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ヘプタセン、ピラントレン、オヴァレン等から2個の水素原子を除いて得られる2価の有機基を挙げることができ、これらの1個又は2個以上の水素原子がフッ素原子、炭素数1~4のアルキル基又は含フッ素アルキル基で置換したものであることができる。連結基W1として、もしくはその一部として、ヘテロ環基が選択される場合には、環を構成する原子数3~25、特に4~14の単環式又は多環式ヘテロ環基が例示され、芳香環でも非芳香環でもよく、例えば、ピリジン、フラン、チエニン、ピラニン、ピロリン、チアントレン、ピラゾン、イソチアゾン、イソオキサゾン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、テトラヒドロピラニン、テトラヒドロフラニン、テトラヒドロチオピラニン、テトラヒドロチオフラン等から2個の水素原子を除いて得られる2価の有機基及びこれらの環を構成する原子の1個又は2個以上の水素原子がアルキル基低級アルキル基が好ましい。、脂環式炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基で置換したヘテロ環基を挙げることができる。これらのうち、単環式又は多環式のエーテル環が好ましく、それらを次に例示する。連結基W1としては、上で具体的に例示した2価の基を組み合わせたものであってもよい。また、前記した連結基と、エーテル結合性酸素原子、エーテル結合性硫黄原子、カルボニル基、エステル基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、ウレア基などの連結基からなる群から選ばれた1種又は2種以上が相互に結合してなる2価の連結基であってもよく、以下の構造が例示できる。なお、下記例中、O、Cをもってそれぞれ置換メチレン基に隣接する酸素原子及び炭素原子を表示する。連結基W1としては、前記した置換メチレン基-CRxRy-:但し、RxとRyは同一でも異なっていてもよく、一方は水素原子であってもよい。が最も好ましい。該置換メチレン基として好ましい具体例を次に示す。なお、下記例中、O、Cをもってそれぞれ置換メチレン基に隣接する酸素原子及び炭素原子を表示する。上記一般式1中、Qは上述の通り、下記一般式aもしくは下記一般式bで示されるスルホニウムカチオン、又は下記一般式cで示されるヨードニウムカチオンを示し、カルボキシレートアニオン構造に対するカウンターカチオンである。前記一般式aにおいて、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記一般式bにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。前記一般式cにおいて、R6は置換もしくは非置換の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~14のアリール基を示す。mは1~5の整数、nは0又は1を示す。R6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル構造、ラクトン構造、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。上記構造式a~c中のR3~R6は上述の通り置換基を有していてもよいが、置換基が置換されている場合の好ましい置換基としては、ヒドロキシル基、アミノ基や、エステル構造、ラクトン構造、アミド基、エーテル結合性酸素原子を介したアルキル基やアリール基からなる置換基を用いることができる。上記Qは、高エネルギー線の照射を受けると、芳香環の転位によりプロトンと中性化合物となるが、上記一般式1中にFで示されたフッ素原子により、オニウム塩としての熱安定性が向上し、また、高エネルギー線照射によりスルホニウム部分が光分解すると、通常のカルボン酸よりも強く、スルホン酸よりは弱い酸性度の酸性側鎖を発生する。[一般式aで示されるスルホニウムカチオン]一般式aにおけるR3、R4及びR5としては、具体的に以下のものが挙げられる。アルキル基として、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、4-メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、n-オクチル基、n-デシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル基、1-アダマンタンメチル基、2-アダマンタンメチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オキソアルキル基としては、2-オキソシクロペンチル基、2-オキソシクロヘキシル基、2-オキソプロピル基、2-オキソエチル基、2-シクロペンチル-2-オキソエチル基、2-シクロヘキシル-2-オキソエチル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-オキソエチル基等を挙げることができる。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、チエニル基等やp-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-エトキシフェニル基、p-tert-ブトキシフェニル基、m-tert-ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、エチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナフチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、ジエチルナフチル基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基、1-フェニルエチル基、2-フェニルエチル基等が挙げられる。アリールオキソアルキル基としては、2-フェニル-2-オキソエチル基、2-1-ナフチル-2-オキソエチル基、2-2-ナフチル-2-オキソエチル基等の2-アリール-2-オキソエチル基等が挙げられる。また、R3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して硫黄原子を介して環状構造を形成する場合には、1,4-ブチレン、3-オキサ-1,5-ペンチレン等が挙げられ、更には下記構造の環状構造も挙げられる下記式中、破線はR3、R4及びR5の残りの1つの置換基を示す。更には、置換基としてアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の重合可能な置換基を有するアリール基が挙げられ、具体的には4-アクリロイルオキシフェニル基、4-メタクリロイルオキシフェニル基、4-ビニルオキシフェニル基、4-ビニルフェニル基等が挙げられる。より具体的に一般式aで示されるスルホニウムカチオンを示すと、トリフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、3-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブチルフェニルスルホニウム、3,4-ジtert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジtert-ブチルフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジtert-ブチルフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジtert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジtert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジtert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、2-オキソ-2-フェニルエチルチアシクロペンタニウム、ジフェニル2-チエニルスルホニウム、4-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-n-ブトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、4-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム、2-メトキシナフチル-1-チアシクロペンタニウム等が挙げられる。より好ましくはトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、5-フェニルジベンゾチオフェニウム、5-4-ヒドロキシフェニルジベンゾチオフェニウム、5-4-メチルフェニルジベンゾチオフェニウム、5-4-t-ブチルフェニルジベンゾチオフェニウム、10-フェニルフェノキサチイニウム、10-4-ヒドロキシフェニルフェノキサチイニウム、10-4-tert-ブトキシフェニルフェノキサチイニウム、下記構造のスルホニウムカチオン等が挙げられる。更には、4-メタクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム、4-アクリロイルオキシフェニルジメチルスルホニウム等が挙げられる。これら重合可能なスルホニウムカチオンに関しては、特開平4-230645号公報、特開2005-84365号公報等を参考にすることができる。[一般式bで示されるスルホニウムカチオン]一般式bにおけるR6-On-基の置換基位置は特に限定されるものではないが、フェニル基の4位あるいは3位が好ましい。より好ましくは4位である。ここでnは0又は1である。R6としては、具体的に、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル基、フェニル基、4-メトキシフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、10-アントラニル基、2-フラニル基、更にn=1の場合に、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基が挙げられる。具体的なスルホニウムカチオンとしては、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-エチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-ヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム、4-n-オクチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-エトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-シクロヘキシルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-トリフルオロメチルフェニルジフェニルスルホニウム、4-トリフルオロメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム等が挙げられる。[一般式cで示されるヨードニウムカチオン]一般式cにおけるR6-On-基の置換基位置は特に限定されるものではないが、フェニル基の4位あるいは3位が好ましい。より好ましくは4位である。ここでnは0又は1である。R6の具体例は上述した一般式bにおけるR6と同じものを再び挙げることができる。具体的なヨードニウムカチオンとしては、ビス4-メチルフェニルヨードニウム、ビス4-エチルフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、ビス4-1,1-ジメチルプロピルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-アクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メタクリロイルオキシフェニルフェニルヨードニウム等が挙げられるが、中でもビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムが好ましく用いられる。上記R1で表される構造を与える重合活性基本構造を持つ単量体を用いる重合反応は、いずれも化学増幅型レジスト組成物に適用される高分子化合物の合成に関する多数の公知例が知られているが、特にアクリル酸エステル構造や、メタクリル酸エステル構造を有するものは、容易に好ましいポリマーを得ることができることから、好ましい構造である。即ち、本発明の高分子化合物が有する上記一般式1で示される繰り返し単位のより好ましい構造として、下記一般式2で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を挙げることができる。式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。R8は水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR3、R4及びR5のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。上記一般式2中、R7は水素原子又はメチル基を示す。R8は水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示すが、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基とその構造異性体より選択される。更に、R3、R4及びR5と硫黄原子からなるスルホニウムカチオン部は、レジスト用材料として多数公知となった酸発生剤としてのスルホニウム塩に用いられたものが基本的にはいずれも使用でき、好ましいいくつかの例については、後述する酸発生剤の欄に記述する。上記一般式1で示される繰り返し単位は、紫外線、KrFやArFエキシマレーザー光を始めとする遠紫外光、電子線、EUV光等の高エネルギー線の照射を受けると、スルホニウム構造が分解し、中性物質とα位炭素がフッ素化された比較的強い酸強度を持つ高分子化合物に結合されたカルボン酸を与える。そこで、感光性樹脂や、高分子化合物に固定化されたフッ素化カルボン酸のプレカーサーとして用いることが可能であると共に、この発生する酸によりアセタール基のような活性化エネルギーの低い酸分解性保護基の脱保護反応を行うための光官能性酸発生剤とすることができる。なお、重合により上述の一般式1で示される繰り返し単位を与えるモノマーは上述の通りフッ素化カルボン酸誘導体のオニウム塩であるが、フッ素化カルボン酸及びオニウム塩類の合成法はすでに種々の方法が公知であり、それらを組み合わせることにより上記モノマーを得ることができる。例えば特開2009-19199号公報は、フルオロカルボン酸側鎖を有するアクリル酸誘導体の合成法を開示しており、ここではエチルエステル化されたフッ素化カルボン酸をマイルドな加水分解によりカルボン酸に加水分解している。また、スルホニウム塩の塩交換による新たなスルホニウム塩の合成法の例は、特開平9-309874号公報等に開示されている通り、塩化スルホニウムあるいは臭化スルホニウムと、スルホン酸ナトリウム塩あるいはスルホン酸カリウム塩との間で塩交換をする方法が知られている。そこで、必要なフッ素化カルボン酸側鎖を有する単量体を用い、アルカリ金属塩としたのち、望みの構造を持つスルホニウム塩との間で塩交換をすることで上述のモノマーを得ることができる。感光性樹脂として最も単純な使用法は、簡単な感光性樹脂としての使用である。例えば上記一般式1で示される繰り返し単位によるホモポリマーで樹脂層を形成し、紫外線照射を行うと、紫外線が照射された部分の上記一般式1で示される繰り返し単位から親水性の高いフッ素置換カルボン酸誘導体側鎖が得られる。そこで、十分な露光を行ってやれば、露光された部分のみが水溶性化し、水現像することにより露光パターンに応じた樹脂パターンを形成することができる。第1のレジスト組成物上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物の、より有用な用途として、半導体等の微細加工に用いる化学増幅型レジスト組成物用酸発生剤を挙げることができる本発明の第1のレジスト組成物。既に高分子に結合された形の強酸性官能基が発生する化学増幅型レジスト用酸発生剤としては、スルホン酸が発生するタイプのものは公知例えば特許文献4であるが、それより弱い酸を発生し、熱安定性の高いものは知られていなかった。一方、高分子化合物に結合されていないフッ素置換カルボン酸誘導体を発生する酸発生剤の例は、特許文献3等でいくつかみられるが、高分子化合物に結合されることにより、酸性官能基の移動能を抑制したフッ素置換カルボン酸を発生することができる本発明の高分子化合物のような例はなかった。一方、レジスト組成物として常用されるアセタール保護基のうち、特にアセタール骨格の2つの酸素原子に挟まれた炭素の置換基が1級アルキル基である場合、脱保護反応の活性化エネルギーが低いことから、プロセス依存性変化が大きすぎることが問題になる場合がある。このようなスルホン酸よりやや弱い、揮発性を持たない酸を発生する酸発生剤は活性化エネルギーの低い保護基との組み合わせにおいて、酸発生剤自体も拡散能が制御された材料として有用である。化学増幅ポジ型レジスト組成物に、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物を酸発生剤として添加する場合、上記一般式1で示される繰り返し単位はレジストパターンを形成しようとする基板に対する密着性への寄与が非常に小さくなる。また、上記一般式1で示される繰り返し単位を含まない高分子化合物とを混合して用いる場合には、高分子化合物間の相溶性を確保する必要がある。このことから、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、下記に示すような基板に対する密着性を与える繰り返し単位を同時に有することが好ましい。即ち、上記一般式1で示される繰り返し単位と好ましく共重合される繰り返し単位としては、下記一般式3式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。A1は単結合、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。sは0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。で示されるフェノール性水酸基を側鎖に有する繰り返し単位や、下記一般式4式中、R9は水素原子、メチル基又はカルボキシメチル基を示す。B1は単結合又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよいアルキレン基を示し、C1は単結合、又は炭素数1~14の2価の芳香環又は2価の脂環式骨格を示す。uは0又は1の整数である。但し、uが1である場合、B1とC1が同時に単結合になることはなく、また、uが0、B1が単結合である場合、C1は単結合であるか2価の芳香環である。で示されるカルボン酸側鎖を有する繰り返し単位、更に下記一般式5式中、R10は水素原子又はメチル基を示す。E1は炭素数1~15のフルオロアルコールを有する置換基を示す。で示される繰り返し単位であり、水酸基の結合する炭素に結合する1以上の炭素上に合計で2個以上のフッ素原子が置換されていることにより水酸基が高い分極性を示すフルオロアルコール基を有する置換基を持つ繰り返し単位、更に、下記一般式6で示されるヒドロキシ基や下記一般式7で示されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。式中、R11は水素原子又はメチル基を示す。また、R12、R13は水素原子又は水酸基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。これらの単位については、KrFエキシマレーザー露光用やEB露光用のレジスト組成物用として開発された高分子化合物や、ArFエキシマレーザー露光用のレジスト組成物用として開発された高分子化合物として多数の公知例が知られており、それらはいずれも適用可能であるが、その好ましいいくつかについては後述する。上記高分子化合物に密着性を与えるための上記一般式3~7で示される繰り返し単位の必要量は、実際に用いる繰り返し単位の脂溶性等の構造因子に依存して調整をする必要があり、また、高分子化合物を単一種類で使用するか、混合して使用するかによっても異なる比を選択しうる。しかし、目安として、上記一般式3~7で示される繰り返し単位の合計量が、用いる高分子化合物の全繰り返し単位に対して30モル以上を占めるよう設計することで、好ましい密着性を得ることができる。但し、繰り返し単位の組成比の決定には、後述の現像液に対する溶解性も考慮する必要があり、例えば上記一般式4で示される繰り返し単位は単独で用いることは好ましくない場合もある。また、上限は後述の他の機能を与える単位との間で調整して決める必要があるが、異なる種類の高分子化合物を混合して用いる場合には、少量添加されるものの場合最大99モルまでが密着性を与える単位であってもよい。なお、全体の調整法については後述する。また、上記高分子化合物の繰り返し単位の設計を行う場合、現像後の残渣発生を防止するため、現像時にはアルカリ性現像液に対して可溶性であることが望ましい。そこで、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、アルカリ性現像液に可溶性であるか、あるいは、アルカリ性現像液に不溶であるが、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つことにより、酸触媒反応後にアルカリ性現像液に可溶性となる高分子化合物であることが好ましい。そこで、上記一般式1で示される繰り返し単位のようなアクリル酸誘導体を含有する高分子化合物を、アルカリ性現像液に可溶性とするためには、上記一般式1で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、ポリオキシアルキレン側鎖のような水溶性側鎖を持つ繰り返し単位を共重合するか、酸性官能基を有する繰り返し単位を共重合することでアルカリ可溶性とすることができる。これらのうち、エッチング耐性や溶解性変化の設計をする上では、酸性官能基を有する繰り返し単位を用いる方が好ましく、このような酸性官能基を有する繰り返し単位はすでに多数知られている。例えば、密着性を与える単位としても挙げた、上記一般式3、4、5あるいは、これらの酸性官能基が酸分解性保護基により保護された繰り返し単位を共重合することが好ましい。上記酸性官能基が酸分解性保護基により保護された繰り返し単位の好ましい例については後述する。具体的なアルカリ性現像液に可溶な高分子化合物の設計は、実際に用いる繰り返し単位の脂溶性等の構造因子に依存して調整をする必要があるが、目安として、上記一般式1で示される繰り返し単位が、それを含む高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対して70モル以下であれば、上述の一般式3~5で示される酸性繰り返し単位と組み合わせることでアルカリ性現像液に可溶性とすることができる。また、上述の一般式3又は5で示される繰り返し単位が、上記一般式1の繰り返し単位を含有する高分子化合物の全繰り返し単位に対して30モル以上、好ましくは40モル以上含有されれば、上記一般式1で示される繰り返し単位以外の酸性を示さない繰り返し単位を加えることもできる。一方、上記一般式4で示される繰り返し単位の場合、上記一般式3又は5で示される繰り返し単位よりも酸性度が高く、この場合、上記高分子化合物の全繰り返し単位に対して15モル以上とすれば、アルカリ性現像液に可溶性な高分子化合物とすることができる。なお、有用に用いることができる上記酸性を示さない繰り返し単位については、後述する。一方、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を、アルカリ性現像液に不溶であるが、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を持つことにより、酸触媒反応後にアルカリ性現像液に可溶性となるように設計するためには、上記一般式3~5で示される繰り返し単位が、上述のアルカリ可溶性を与えることができる範囲において、その一部もしくは全部が酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された状態である繰り返し単位として高分子化合物に組み込めばよい。この際、一般式1で示される繰り返し単位より発生するフッ素化カルボン酸を触媒として十分な脱保護反応を得るためには、保護基はアセタールであることが好ましい。なお、保護基として用いるアセタールについては後述する。周知の通り、化学増幅ポジ型レジスト組成物の構成成分は、アルカリ性現像液に不溶性であり、酸触媒による反応でアルカリ可溶性となるベースポリマーと、高エネルギー線の照射によって酸を発生する酸発生剤を必須成分とするが、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を酸発生剤として用いる化学増幅ポジ型レジスト組成物は、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物をベースポリマーの一部のみとしてもよく、あるいは全部として使用することもできる。ベースポリマーとして単一の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物のみを用いる場合、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量は、上記ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、1~20モルとすることが好ましい。上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量が1モル未満である場合には、必要な感度を得にくい場合があり、一方20モルを超えると、パターン剥がれの原因になる可能性がある。また、ベースポリマーのその他の成分としては、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を有する単位、基板に密着性を与える単位が必須であり、更に溶解性を制御する単位、エッチング耐性を与える単位等を組み合わせてもよい。これらの各単位の具体例は後述するが、上記基板に密着性を与える単位は、ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、30~80モル、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を有する単位は、2~50モル、より好ましくは5~45モルの範囲に、良好なパターンを与える組成が通常見出される。一方、ベースポリマーとして、複数の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いる場合や、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と上記一般式1で示される繰り返し単位を含まない公知の一般的な化学増幅ポジ型レジスト組成物用高分子化合物を組み合わせて用いる場合には、ベースポリマー全体としてのバランスを取る設計をすればよく、次のように設計される。即ち、上記一般式1で示される繰り返し単位のベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対する含有比は上記単一の高分子化合物の場合と同様、1~20モルとすることが好ましい。また、上述の通り、単一の高分子化合物に含まれる一般式1で示される繰り返し単位の含有比は0含まない場合以上70モル以下であることから、高分子化合物の組み合わせにおいて、上記範囲即ち1~20モルとなるような混合比とする。また、その他の繰り返し単位についても同様、ベースポリマー全体における上記各機能を有する繰り返し単位の含有比を適切な範囲に入るようにすると同時に、個々の高分子化合物は、アルカリ性現像液に対する溶解性を確保するため、酸性官能基を持つ繰り返し単位と保護基で保護された酸性官能基の合計の量を、個々の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対し、少なくとも10モル以上になるようにすることが好ましい。なお、その際に用いることのできる具体的な繰り返し単位については、多数の公知例から明らかであるが、詳細については後述する。また、上述の一般式1で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を酸発生剤とする化学増幅型レジスト組成物は、上記ベースポリマーを後述する有機溶剤と合わせることで基本的構成が完成するが、組成物としての物性を微調整するため、塩基性化合物、界面活性剤等の公知の添加剤を加えることができる。これらについては後述する。第2のレジスト組成物ところで、上記一般式1で示される繰り返し単位は、近傍にスルホン酸がある場合、スルホン酸の水素とスルホニウムカチオンの交換が起こり、スルホン酸-スルホニウム塩とα位がフッ素置換されたカルボン酸側鎖を持つ高分子化合物が形成される。そこで、アセタール基の2つの酸素に挟まれた炭素原子の置換基が1級アルキル基であるアセタールよりも活性化エネルギーの高い保護基で酸性官能基が保護されたタイプのポジ型レジスト用高分子化合物とスルホン酸を発生する酸発生剤を含むポジ型レジスト組成物に、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を加えた場合、微量のスルホン酸が発生した領域では、スルホン酸は一般式1で示される繰り返し単位によって中和され、活性化エネルギーの高い保護基の脱保護反応は起こらなくなる。従って、ここでは上記一般式1で示される繰り返し単位は、見掛け上塩基として機能することになる。また、活性化エネルギーの低い保護基が使用された場合にも、酸触媒種がスルホン酸からポリマーに結合されたカルボン酸となることで、触媒機能を示す領域の制限と合わせ、酸触媒機能の抑制が生じ、実質的塩基効果が発生するとみなすことができる。そこで、本発明の第2のレジスト組成物は、上記一般式1で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を一部もしくは全部とする、アルカリ性現像液に不溶性であり、酸による触媒作用によってアルカリ性現像液に可溶性となるベースポリマーと、スルホン酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物である。この第2のレジスト組成物では、上記一般式1で示される繰り返し単位を有する高分子化合物の設計は、基本的には第1のレジスト組成物と同じであるが、事実上の酸発生剤はスルホン酸を発生するものであるため、酸性官能基の保護基として使用する保護基に特に制限はなく、公知の全てのものが基本的には使用可能である点で異なる。また、上記一般式1で示される繰り返し単位を有する高分子化合物は、ベースポリマーの一部として用いてもよく、また、ベースポリマーが全て上記一般式1で示される繰り返し単位を含有していてもよい。そこで、上記保護基が異なる点と、後述するベースポリマー全体に占める上記一般式1で示される繰り返し単位の構成比が異なる点を除けば、上述の設計に基づきベースポリマーを構成する高分子化合物を設計することができる。以下にKrFエキシマレーザーや電子線、EUV等による露光用として用いることができる芳香族骨格を含有するベースポリマーを使用した本発明の第2のレジスト組成物について詳述する。本発明の第2のレジスト組成物の調製に使用する上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、アルカリ性現像液に可溶性とするため、上記第1のレジスト組成物の場合と同様、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量は、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対して70モル以下とすることが好ましい。また、その下限は、通常0.1モル以上、特に0.5モル以上である。高分子化合物に芳香族骨格を与える場合、基板に密着性を与える単位、及びエッチング耐性を与える単位として、下記一般式3式中、R7は水素原子又はメチル基を示す。A1は単結合、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。sは0又は1を表し、tは0~2の整数を表す。で示される繰り返し単位を有利に用いることができる。この繰り返し単位は、上述の先行技術を含め、既に多くのKrFエキシマレーザー用レジスト組成物や電子線レジスト組成物で用いられている。上記一般式3中、A1は単結合、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。好ましいアルキレン基の例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体等が挙げられ、エーテル性酸素を含む場合には、上記一般式3中のsが1である場合には、エステル酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、sが0である場合には、主鎖との結合する原子がエーテル性酸素となり、該エーテル性酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に第2のエーテル性酸素が入ってもよい。また、上記アルキレン基の炭素数が10を超える場合はアルカリ性現像液に対する溶解性が低くなり好ましくない。R8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。炭素数1~6のアルキル基の好ましい例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体が挙げられ、炭素数が6を超えると、アルカリ性現像液に対する溶解性が低くなり、好ましくない。aは0~4の整数、bは1~5の正の整数であるが、tが0の場合、好ましくはaは0~3の整数、bは1~3の正の整数であり、tが1又は2の場合、好ましくはaは0~4の整数、bは1~5の正の整数である。更に、tは0~2の整数を表し、0の場合はベンゼン骨格、1の場合はナフタレン骨格、2の場合はアントラセン骨格をそれぞれ示す。上記一般式3で示される繰り返し単位のうち、sが0かつA1が単結合である場合、つまり芳香環が高分子化合物の主鎖に直接結合した、即ちリンカーのない場合の繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン単位に代表される水酸基が置換された芳香環に1位置換あるいは非置換のビニル基が結合されたモノマーに由来する単位であるが、好ましい具体例としては、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、5-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン等を挙げることができる。また、sが1である場合、つまりリンカーとしてエステル骨格を有する場合の繰り返し単位は、メタアクリル酸エステルに代表される、カルボニル基が置換したビニルモノマー単位である。メタアクリル酸エステル由来のリンカー-CO-O-A1-を持つ場合の一般式3の好ましい具体例を以下に示す。また、酸分解性保護基で保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位としては、下記一般式8で示される単位が有用に用いられる。式中、F1は単結合、又はエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。R14は水素原子又はメチル基を表す。R15はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。Xはdが1の場合には酸不安定基を、dが2以上の場合には水素原子又は酸不安定基を表すが、少なくとも1つは酸不安定基である。また、aは0~4の整数、cは0又は1であり、dは1~3の整数である。vは0又は1を表す、wは0~2の整数を表す。上記一般式8中、F1は単結合、又はエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1~10のアルキレン基を示す。好ましいアルキレン基としては、上記A1として例示したものと同様の基を挙げることができる。R15はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~6のアルキル基を示す。好ましいアルキル基としては、上記R8として例示したものと同様の基を挙げることができる。一般式8は、上記一般式3で示される単位の芳香環に置換したフェノール性水酸基の少なくとも1つを酸不安定基に置換したもの、あるいは、フェノール性水酸基がカルボキシル基に置換され、カルボン酸が酸不安定基で保護されたものであり、酸不安定基としては、既に公知の多数の化学増幅型レジスト組成物で用いられてきた、酸によって脱離して酸性基を与えるものを、基本的にはいずれも使用することができる。上記のフェノール性水酸基、カルボキシル基のいずれの場合にも、特に酸不安定基の選択として、3級アルキル基による保護は、レジスト膜厚を10~100nmといった薄膜で、例えば45nm以下の線幅を持つような微細パターンを形成した場合にも、エッジラフネスパターンの端部が不整形状になる現象が小さなパターンを与えるため好ましい。更に、その際使用される3級アルキル基としては、得られた重合用のモノマーを蒸留によって得るために、炭素数4~18のものであることが好ましい。また、該3級アルキル基の3級炭素が有するアルキル置換基としては、炭素数1~15の、一部エーテル結合やカルボニル基のような酸素含有官能基を含んでいてもよい、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を挙げることができ、置換基間で結合し、環を形成していてもよい。上記3級アルキル基の3級炭素の好ましい置換基は、酸素官能基を持っていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を挙げることができ、3級炭素の置換アルキル基同士が結合して環を形成していてもよい。好ましい置換基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、テトラヒドロフラン-2-イル基、7-オキサノルボルナン-2-イル基、シクロペンチル基、2-テトラヒドロフリル基、トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、3-オキソ-1-シクロヘキシル基を挙げることができ、また、3級アルキル基として具体的には、t-ブチル基、t-ペンチル基、1-エチル-1-メチルプロピル基、1,1-ジエチルプロピル基、1,1,2-トリメチルプロピル基、1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、1-メチル-1-7-オキサノルボルナン-2-イルエチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-シクロペンチルシクロペンチル基、1-シクロヘキシルシクロペンチル基、1-2-テトラヒドロフリルシクロペンチル基、1-7-オキサノルボルナン-2-イルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-シクロペンチルシクロヘキシル基、1-シクロヘキシルシクロヘキシル基、2-メチル-2-ノルボニル基、2-エチル-2-ノルボニル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル基、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125,1710]ドデシル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-3-オキソ-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-テトラヒドロフラン-2-イルエチル基、5-ヒドロキシ-2-メチル-2-アダマンチル基、5-ヒドロキシ-2-エチル-2-アダマンチル基を例示できるが、これらに限定されない。また、上述の第1のレジスト組成物において用いられるアセタールも、ここでは有用な酸分解性保護基であり、特に下記一般式9式中、R16は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、Zは炭素数1~30の直鎖状、分岐状又は環状多環式のものを含むのアルキル基を示す。で示されるアセタール基はよく利用され、比較的パターンと基板の界面が矩形であるパターンを安定して与える酸不安定基として有用な選択肢である。特に、より高い解像性を得るためには炭素数7~30の多環式アルキル基が含まれることが好ましい。またZが多環式アルキル基を含む場合、該多環式環構造を構成する2級炭素とアセタール酸素との間で結合を形成していることが好ましい。なぜなら、環構造の3級炭素上で結合している場合、ポリマーが不安定な化合物となり、レジスト組成物として保存安定性に欠け、解像力も劣化することがあるためである。逆にZが炭素数1以上の直鎖状のアルキル基を介在した1級炭素上で結合した場合、ポリマーのガラス転移温度Tgが低下し、現像後のレジストパターンがベークにより形状不良を起こすことがある。なお、上記一般式9の具体例としては、下記のものを例示することができる。なお、R16は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であるが、酸に対する分解性基の感度の設計に応じて適宜選択される。例えば比較的高い安定性を確保した上で強い酸で分解するという設計であれば水素原子が選択され、比較的高い反応性を用いてpH変化に対して高感度化という設計であれば直鎖状のアルキル基が選択される。レジスト組成物に配合する酸発生剤や塩基性化合物との組み合わせにもよるが、第1のレジスト組成物用として用いる場合には上述の通り、R16がアセタール炭素との結合を持つ炭素は1級炭素であるものが好ましく、第2のレジスト組成物用として用いる場合には、脱保護の活性化エネルギーの点で、R16としてアセタール炭素との結合を持つ炭素が2級炭素であるものか、水素原子であることが好ましい。2級炭素によってアセタール炭素と結合するR16の例としては、イソプロピル基、sec-ブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等を挙げることができる。その他の酸不安定基の選択としては、フェノール性水酸基に-CH2COO-3級アルキル基を結合させるという選択を行うこともでき、これそのものは水酸基の保護基ではない点で酸不安定基の例外的構造である。この場合に使用する3級アルキル基は、上述のフェノール性水酸基の保護に用いる3級アルキル基と同じものを使用することができる。ベースポリマーとして単一の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いる場合、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量は、上記ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、0.005~10モルとすることが好ましく、より好ましくは0.01~7モル、更に好ましくは0.1~5モルである。上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量が0.005モル未満である場合には、酸の拡散を十分に抑制することができなくなる可能性があり、解像性の低下を起こす危険がある。一方10モルを超えると、必要な感度が得られなくなる可能性がある。また、その他の繰り返し単位については、用いられる繰り返し単位の個々の物性にもよるが、上記基板に密着性を与える単位は、ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、30~80モル、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を有する単位は、2~50モル、より好ましくは5~45モルの範囲に、良好なパターンを与える組成が通常見出される。一方、ベースポリマーとして、複数の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いる場合や、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と上記一般式1で示される繰り返し単位を含まない公知の一般的な化学増幅ポジ型レジスト組成物用高分子化合物を組み合わせて用いる場合には、ベースポリマー全体としてのバランスを取る設計をすればよく、次のように設計される。即ち、上記一般式1で示される繰り返し単位のベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対する含有比は、上記単一の高分子化合物の場合と同様、好ましくは0.005~10モル、より好ましくは0.01~7モル、更に好ましくは0.1~5モルとされる。また、上述の通り、単一の高分子化合物に含まれる上記一般式1で示される繰り返し単位の含有比は0含まない場合以上70モル以下であることから、高分子化合物の組み合わせにおいて、ベースポリマー全体において、構成する全ての繰り返し単位に対し、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有比が上記範囲、即ち好ましくは0.005~10モル、より好ましくは0.01~7モル、更に好ましくは0.1~5モルとなるような混合比とする。また、その他の繰り返し単位についても同様、ベースポリマー全体における上記各機能を有する繰り返し単位の含有比を適切な範囲に入るようにすると同時に、個々の高分子化合物は、アルカリ性現像液に対する溶解性を確保するため、酸性官能基を持つ繰り返し単位と保護基で保護された酸性官能基の合計の量を、個々の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対し、少なくとも10モル以上になるようにすることが好ましい。更に、上述の繰り返し単位に加え、上記高分子化合物の主要構成単位として加えることができる単位として、更に下記一般式10及び/又は11式中、kは0~4の整数であり、R17はそれぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1~7のアルキルカルボニルオキシ基、又は炭素数1~6のアルキル基もしくはアルコキシ基又はハロゲン置換されたアルキル基もしくはアルコキシ基を表す。で示される単位を挙げることができる。これらを構成成分として使用した場合には、芳香環が持つエッチング耐性に加えて主鎖に環構造が加わることによるエッチングやパターン検査の際の電子線照射耐性を高めるという効果を得ることができる。上述の主鎖に環構造を与え、エッチング耐性を向上させる単位は、1種のみでも、複数種類を組み合わせて使用してもよく、エッチング耐性を向上させるという効果を得るためにはベースポリマーを構成する全モノマー単位に対して5モル以上40モル以下の導入が好ましい。導入量が40モルを超えると、現像欠陥の原因となることがある。なお、R17が水酸基である場合には、上記現像欠陥を引き起こすことなく40モル以上加えることも可能であり、R17が水酸基である場合の繰り返し単位の量は、90モル以下において上述の基板への密着性を与える繰り返し単位の一部として設計することができる。次に、ArF露光用として用いる場合の例について詳述する。ArF露光用として用いる場合には、周知の通り、KrF、EB、EUV用のような芳香族骨格を有する繰り返し単位を多量に用いることができないため、エッチング耐性を得るために脂環式骨格を有する繰り返し単位を用いる。そこで、本発明においても、上記一般式1で示される繰り返し単位と組み合わせる繰り返し単位の設計は、上記芳香族骨格を有する繰り返し単位を用いる場合と異なる繰り返し単位の組み合わせが用いられる。まず、保護基で保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位としては、既にArFレジスト用高分子化合物用として多数の繰り返し単位が公知であり、それらは基本的には全て、上記一般式1で示される繰り返し単位と組み合わせて利用することができるが、好ましい繰り返し単位として下記一般式12式中、R18は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。XAは酸不安定基を示す。を挙げることができる。上記一般式12で示される繰り返し単位を含有する重合体は、酸の作用で分解してカルボン酸を発生し、アルカリ可溶性となる重合体を与える。酸不安定基XAとしては種々用いることができるが、具体的には下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。ここで、破線は結合手を示す以下、同様。また、式L1において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができる。具体的な直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が例示できる。具体的な置換アルキル基としては、下記のものが例示できる。RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03のうち環形成に関与する基はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。式L2において、RL04は炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。式L3において、RL05は炭素数1~8の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。m’は0又は1、n’は0、1、2、3のいずれかであり、2m’n’=2又は3を満足する数である。式L4において、RL06は炭素数1~8の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の1価の炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16はそれらの2個が互いに結合してそれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合にはその結合に関与するものは炭素数1~15の2価の炭化水素基を示し、具体的には上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。上記式L1で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L1で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記式L2の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。上記式L3の酸不安定基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシ-n-ブチルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、3-メチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-エチル-1-シクロペンテン-3-イル、3-メチル-1-シクロヘキセン-3-イル、3-エチル-1-シクロヘキセン-3-イル等が例示できる。上記式L4の酸不安定基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。上記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。上記一般式L4-1~L4-4は、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在し得るが、上記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。例えば、上記一般式L4-3は下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。また、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2及びL4-4-1~L4-4-4は、それらのエナンチオ異性体及びエナンチオ異性体混合物をも代表して示すものとする。なお、L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2及びL4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される特開2000-336121号公報参照。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する3級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル以上であることが好ましく、exo比率が80モル以上であることが更に好ましい。上記式L4の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。また、炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基としては、具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示できる。上記一般式12で表される繰り返し単位として具体的には下記のものを例示できるが、これらに限定されない。更に、基板への密着性を与えるための単位を1種以上含むことが好ましいが、好ましい基板密着性単位として下記一般式6、7、5、13式中、R11、R10は水素原子又はメチル基を示し、R19は水素原子、メチル基又はカルボキシメチル基を示す。また、R12、R13は水素原子又は水酸基を示す。Yはラクトン構造を有する置換基を示す。E1は炭素数1~15のフルオロアルコールを有する置換基を示す。を挙げることができる。なお、上記一般式5及び13で示される繰り返し単位は、アルカリ性現像液に対して高い溶解性を与える置換基としても機能する。上記一般式6で表される繰り返し単位は、具体的には以下のものである。上記一般式7で表される繰り返し単位の好ましい具体例は以下のものである。上記一般式5及び13で表される繰り返し単位の好ましい具体例は以下のものである。本発明のレジスト組成物に用いられる高分子化合物は、上述した繰り返し単位以外に、炭素-炭素二重結合を含有する単量体から得られる繰り返し単位、例えば、メタクリル酸メチル、クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジメチル等の置換アクリル酸エステル類、ノルボルネン、ノルボルネン誘導体、テトラシクロ[6.2.1.136.027]ドデセン誘導体などの環状オレフィン類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、その他の単量体から得られる繰り返し単位を含んでいてもよい。なお、ArFエキシマレーザー露光用レジスト組成物用のベースポリマーにおいても、芳香環を有するものをベースポリマーに用いる場合と同様、ベースポリマーに含まれる繰り返し単位の設計は下記のように行われる。即ち、ベースポリマーとして単一の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いる場合、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量は、上記ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、0.1~20モルとすることが好ましい。上記一般式1で示される繰り返し単位の含有量が0.1モル未満である場合には、酸の拡散を十分に抑制することができなくなる可能性があり、解像性の低下を起こす危険がある。一方20モルを超えると、必要な感度が得られなくなる可能性がある。また、その他の繰り返し単位については、用いられる繰り返し単位の個々の物性にもよるが、上記基板に密着性を与える単位は、ベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対し、0~80モル、酸触媒により脱保護可能な保護基により保護された酸性官能基を有する単位は、2~50モル、より好ましくは5~45モルの範囲に、良好なパターンを与える組成が通常見出される。一方、ベースポリマーとして、複数の上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用いる場合や、上記一般式1で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と上記一般式1で示される繰り返し単位を含まない公知の一般的な化学増幅ポジ型レジスト組成物用高分子化合物を組み合わせて用いる場合には、ベースポリマー全体としてのバランスを取る設計をすればよく、次のように設計される。即ち、上記一般式1で示される繰り返し単位のベースポリマーを構成する全繰り返し単位に対する含有比は、上記単一の高分子化合物の場合と同様、0.1~20モルとすることが好ましい。また、上述の通り、単一の高分子化合物に含まれる上記一般式1で示される繰り返し単位の含有比は0含まない場合以上70モル以下であることから、高分子化合物の組み合わせにおいて、ベースポリマー全体において、構成する全ての繰り返し単位に対し、上記一般式1で示される繰り返し単位の含有比が上記範囲、即ち0.1~20モルとなるような混合比とする。また、その他の繰り返し単位についても同様、ベースポリマー全体における上記各機能を有する繰り返し単位の含有比を適切な範囲に入るようにすると同時に、個々の高分子化合物は、アルカリ性現像液に対する溶解性を確保するため、酸性官能基を持つ繰り返し単位と保護基で保護された酸性官能基の合計の量を、個々の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対し、少なくとも10モル以上になるようにすることが好ましい。本発明のレジスト組成物に用いる上記繰り返し単位を含有するポリマーは、公知の方法によって、それぞれの単量体を必要に応じて保護、脱保護反応を組み合わせ、共重合を行って得ることができる。共重合反応は特に限定されるものではないが、好ましくはラジカル重合である。上記のベースポリマーの好ましい分子量は、一般的な方法としてポリスチレンを標準サンプルとしてゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって測定した場合、重量平均分子量が1,000~50,000であり、好ましくは2,000~20,000である。重量平均分子量が1,000より小さいと、従来知られているように、パターンの頭が丸くなって解像力が低下すると共に、ラインエッジラフネスが劣化する。一方、上記分子量が必要以上に大きくなった場合、解像するパターンにもよるが、ラインエッジラフネスが増大する傾向を示し、特にパターン線幅が100nm以下のパターンを形成する場合には、上記分子量を20,000以下に制御することが好ましい。更に、上記本発明に用いるポリマーにおいては、分子量分布Mw/Mnが1.0~3.0、特に1.0~2.5と狭分散であることが好ましい。分子量分布が広い場合には、現像後、パターン上に異物が生じたり、パターンの形状が悪化することがある。本発明の第2のレジスト組成物には、更に高エネルギー線の照射によってスルホン酸類を発生する酸発生剤が添加される。このような酸発生剤は既に多数のものが化学増幅型レジスト組成物に用いられるものとして公知であり、好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド型酸発生剤等を挙げることができ、それらは基本的には全て使用可能であり、また同種間あるいは異種間で混合して用いてもよい。上記光酸発生剤は1種を単独で又は2種以上を混合して用いることができる。上記第2のレジスト組成物に対する上記スルホン酸類を発生する光酸発生剤の添加量は、適宜公知例特許文献1~5にも多くの例が挙げられているを参考にして選択することができるが、好ましくはレジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対し0.1~15質量部、より好ましくは2.0~12質量部である。上記スルホン酸類を発生する光酸発生剤の割合が多すぎる場合には、現像時やレジスト剥離時に異物が基板上に残る問題が生じる可能性がある。また、少なすぎる場合には、有効な感度が得られない場合がある。特にスルホニウム系の酸発生剤は安定性や酸発生効率にバランスが取れていることから有用であり、これらについても同様に多数のものが公知である。更に、このスルホニウム系の酸発生剤は、高分子化合物の繰り返し単位中の側鎖に組み込まれたものでもよい。下記に好ましい酸発生剤を例示するが、これに限定されるものではない。高分子化合物の繰り返し単位中の側鎖に組み込まれたものの例は、上記に示したポリマーに加えて下記に示すものも例示できる。更に、特許文献5特開2009-7327号公報記載の化合物も好ましく用いることができる。また、本発明のレジスト組成物は、後述の溶剤を加えることによって基本的なレジスト組成物が得られるが、必要に応じ、分子量1,000以下の塩基性化合物、界面活性剤、溶解阻害剤詳細は省略などを加えることもできる。本発明のレジスト組成物においては、第1のレジスト組成物においては、発生する酸は高分子化合物に結合し、限定された拡散を示すのみであることから基本的には塩基性化合物を必要としないが、高解像度を得るためには塩基性化合物の添加があった方が好ましい。この場合、添加量は用いるベースポリマー総量に対して0.001~10質量で設定されることが好ましい。一方、本発明の第2のレジスト組成物においては、基本的には塩基性化合物の添加は不要であるが、パターンの上部の張り出しや、基板付近の裾引き等のパターンプロファイルの微調整や、あるいは感度の微調整を行うために、分子量1,000以下の塩基性化合物を添加してもよい。その添加量は、上記酸発生剤に対し20分の1モル以下である必要がある。これ以上の添加は、上記一般式1で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物を用いる効果を失わせてしまう危険がある。用いることができる塩基性化合物は多数が知られており特許文献1~5のいずれにも開示がある、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が知られている。これらの具体例は特許文献2に多数例示されているが、基本的にはこれらの全てを使用することができ、また2つ以上の塩基性化合物を選択し、混合して使用することもできる。特に好ましく配合される塩基性化合物としては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミンN-オキサイド、モルホリン誘導体、イミダゾール誘導体などが挙げられる。また、パターン形成時に、パターンが基板界面で溶解しにくくなる現象、いわゆる裾引き形状になり易い基板上、これはクロム系化合物による表面を持つ基板に特に特徴的であるが、このような基板上でパターンを形成する場合、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除くを用いると、パターン形状の改善を図ることができる。上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物は、下記一般式14~16で示される少なくともカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物が好ましいが、これに限られるものではない。式中、R20、R21はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、又は炭素数1~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR20とR21が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。R22は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基、又はハロゲン基のいずれかである。R23は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。R24は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、但し、アルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基-CO-、エーテル基-O-、エステル基-COO-、スルフィド-S-を1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R25は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記の炭素数6~20のアリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ナフタセニル基、フルオレニル基を、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、デカヒドロナフタレニル基を、炭素数7~20のアラルキル基として具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラセニルメチル基を、炭素数2~10のヒドロキシアルキル基として具体的には、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基を、炭素数2~10のアルコキシアルキル基として具体的には、メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、エトキシメチル基、2-エトキシエチル基、プロポキシメチル基、2-プロポキシエチル基、ブトキシメチル基、2-ブトキシエチル基、アミロキシメチル基、2-アミロキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、2-シクロヘキシルオキシエチル基、シクロペンチルオキシメチル基、2-シクロペンチルオキシエチル基及びそのアルキル部の異性体を、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基として具体的には、ホルミルオキシメチル基、アセトキシメチル基、プロピオニルオキシメチル基、ブチリルオキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、シクロヘキサンカルボニルオキシメチル基、デカノイルオキシメチル基を、炭素数1~10のアルキルチオアルキル基として具体的には、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、イソブチルチオメチル基、t-ブチルチオメチル基、t-アミルチオメチル基、デシルチオメチル基、シクロヘキシルチオメチル基を、それぞれ例示できるが、これらに限定されない。一般式14で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。即ち、o-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジメチルアミノ安息香酸、m-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジエチルアミノ安息香酸、p-ジプロピルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジペンチルアミノ安息香酸、p-ジヘキシルアミノ安息香酸、p-ジエタノールアミノ安息香酸、p-ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p-ジメタノールアミノ安息香酸、2-メチル-4-ジエチルアミノ安息香酸、2-メトキシ-4-ジエチルアミノ安息香酸、3-ジメチルアミノ-2-ナフタレン酸、3-ジエチルアミノ-2-ナフタレン酸、2-ジメチルアミノ-5-ブロモ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-クロロ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヨード安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヒドロキシ安息香酸、4-ジメチルアミノフェニル酢酸、4-ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4-ジメチルアミノフェニル酪酸、4-ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4-ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4-ジメチルアミノフェニル乳酸、2-4-ジメチルアミノフェニル安息香酸、2-4-ジブチルアミノ-2-ヒドロキシベンゾイル安息香酸等が挙げられる。一般式15で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物は上記の具体的に例示されたアミン化合物を酸化したものであるが、これらに限定されない。一般式16で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。即ち、1-ピペリジンプロピオン酸、1-ピペリジン酪酸、1-ピペリジンリンゴ酸、1-ピペリジンピルビン酸、1-ピペリジン乳酸等が挙げられる。一般式15で示されるアミンオキシド構造は、既存物質又は新規化合物であり、これらアミンオキシド構造を有する化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造される。例として、窒素含有化合物の酸化剤を使用した酸化反応を用いる方法、あるいは含窒素化合物の過酸化水素水希釈溶液中での酸化反応を用いる方法を例示できるが、これらに限定されない。以下、詳しく説明する。窒素含有アルコール化合物のエステル化反応による製造法は、例えば下記に示す通りであり、一般式15で示される化合物の合成へも適用可能である。上記式中、R20~R23は上記の通りである。上記反応は酸化剤m-クロロ過安息香酸を用いたアミンの酸化反応であり、酸化反応の常法となる他の酸化剤を用いて反応を行うこともできる。反応後は、反応混合物を必要に応じて蒸留、クロマトグラフフィー、再結晶などの常法により精製することができる詳細は特許文献6:特開2008-102383号公報参照。本発明のレジスト組成物には、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤を用いる場合、特許文献1~6にも多数の例が記載されているように多数のものが公知であり、それらを参考にして選択することができる。なお、界面活性剤の添加量としては、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下であり、配合する場合は0.01質量部以上とすることが好ましい。本発明のレジスト組成物の調製に使用される有機溶剤としては、ベースポリマー、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びこれらの混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、ベースポリマー100質量部に対して1,000~10,000質量部、特に2,000~9,700質量部が好適である。このような濃度に調整することにより、回転塗布法を用い、膜厚が10~200nmのレジスト膜を安定して平坦度よく得ることができる。本発明のレジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。一般論としては、集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等、あるいはマスク回路製造用の基板Cr、CrO、CrON、MoSi等にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを用い、あるいはビーム露光により、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法の他、場合によってはマスクとレジスト膜の間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~5分間、好ましくは80~140°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明のレジスト組成物は、特に高いエッチング耐性を持ち、かつ露光後、露光後加熱までの時間が延長された場合にもパターン線幅の変化が小さいことが要求される条件で使用される際に有用である。以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例中、Meはメチル基を示す。また、共重合組成比はモル比であり、重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量を示す。[モノマー合成例1]2,2-ジフルオロ-3-メタクリロイルオキシペンタン酸トリフェニルスルホニウムの製造方法滴下ロートを備えた1Lのガラスのフラスコにメタクリル酸1-ヒドロキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-2-ブチルエステル108g0.486molとクロロホルム108gを加え、0°Cに冷却し、撹拌した。その後10質量水酸化ナトリウム水溶液224g0.560mol/1.15当量を滴下し、室温で1時間撹拌した。その後、トリフェニルスルホニウムブロミド169g0.492mol/1.01当量をクロロホルム432gに溶解させた溶液を加え、更に室温で1時間撹拌した。1HNMRにより反応終了を確認した後、分液して有機層を水300gにより3回洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮し、下記構造モノマーZ-1で示される2,2-ジフルオロ-3-メタクリロイルオキシペンタン酸トリフェニルスルホニウム238g収率81、純度80を得た。[2,2-ジフルオロ-3-メタクリロイルオキシペンタン酸トリフェニルスルホニウムの物性]1HNMR測定溶媒:重クロロホルム、基準物質:テトラメチルシラン;δ=7.67m,15H;Ph基,6.10s,1H;=CH2,5.53m,1H;CH-O,5.47s,1H;=CH2,1.86s,3H;CH3-C,1.84m,1H;CH-CH2CH3のCH2,1.71m,1H;CH-CH2CH3のCH2,0.83t,J=7.6Hz,3H;CH-CH2CH3のCH3.19FNMR測定溶媒:重クロロホルム、基準物質:トリクロロフルオロメタン;δ=-111.52d,J=244Hz,1F,-118.07d,J=244Hz,1F.[ポリマー合成例1]窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4-ヒドロキノンモノメタクリレート13.74g、アセナフチレン3.00g、4-アミロキシスチレン12.47g、上記構造モノマーZ-10.79g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業社製、商品名V601を3.02g、溶媒としてメチルエチルケトンを42g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の200mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを28g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら4時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を600gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン150gで2回洗浄を行い、更に得られた濾別体をメチルエチルケトン70gに溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したメチルエチルケトン溶液をヘキサン600gに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン150gで2回洗浄を行い、乾燥して白色の共重合体を28gで得たポリマー1:Mw=3,530Mw/Mn=1.40。[ポリマー合成例2]窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4-1-エトキシエトキシスチレン25.24g、アセナフチレン4.0g、4-アミロキシスチレン19.48g、上記構造モノマーZ-11.27g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業社製、商品名V601を4.84g、溶媒としてメチルエチルケトンを64g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の300mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを50g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら18時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を濃縮し、得られた重合体にTHFテトラヒドロフラン54g、メタノール18g、シュウ酸二水和物を0.85g加え、50°Cで3時間撹拌した。得られた反応液を360gのヘキサンと360gのジイソプロピルエーテル混合溶媒に滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン150gとジイソプロピルエーテル150gの混合溶液で2回洗浄し、得られた固形物を90gのアセトンに溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したアセトン溶液を水1350gに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体を水200gで2回洗浄を行い、乾燥して白灰色の共重合体を35gで得たポリマー3:Mw=3,840Mw/Mn=1.45。[ポリマー合成例3]ヒドロキシスチレン単位を導入する上で、まず上述した処方により各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例2と同様の手順で得られたポリマー10gをTHF25gに溶解させ、触媒量0.6gのメタンスルホン酸酸性条件下で1-メトキシ-2-メチル-1-プロペン2.8gを0~10°Cで滴下し、0~10°Cで10時間反応させた。反応終了後、メタンスルホン酸の1.05当量分のトリエチルアミンで中和させた。得られた溶液をヘキサン75g、ジイソプロピルエーテル75gの混合溶液に滴下し、析出したアセタール体を濾別した。濾別したアセタール体をジイソプロピルエーテル50gで2回洗浄を行い、得られたアセタール体を50gの酢酸エチルに溶解し、水洗分液を3回行った。分液終了後、有機層である酢酸エチル溶液から酢酸エチルを留去し、得られたアセタール体をアセトン30gに溶解し、1,000gの水に滴下し、析出したアセタール体を濾別した。濾別したアセタール体を水100gで2回洗浄を行い、40°Cで20時間真空乾燥して白色のアセタール修飾体ポリマーを10gで得たポリマー6:Mw=5,500Mw/Mn=1.43。ポリヒドロキシスチレン誘導体の脱保護と保護に関しては特開2004-115630号公報特許文献7、特開2005-8766号公報特許文献8などに詳しい。[ポリマー合成例4]窒素雰囲気としたフラスコに168.6gのメタクリル酸2-エチルアダマンタン-2-イル、85.5gのメタクリル酸3-ヒドロキシ-1-アダマンチル、172.1gのメタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、上記構造モノマーZ-111.3g、510gのPMAプロピレングリコールメチルエーテルアセテートをとり、単量体溶液を調製した。14.86gの2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2.6gの2-メルカプトエタノール、127gのPMAプロピレングリコールメチルエーテルアセテートをとり、開始剤溶液とした。窒素雰囲気とした別のフラスコに292gのPMAプロピレングリコールメチルエーテルアセテートをとり、撹拌しながら80°Cまで加熱した後、上記単量体溶液と開始剤溶液を同時に4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80°Cに保ったまま2時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を、激しく撹拌した12kgのメタノールに滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をメタノール3kgで2回洗浄した後、50°Cで20時間真空乾燥して384gの白色粉末状の共重合体を得たポリマー12:Mw=7,130Mw/Mn=1.60。[ポリマー2,4,5,7~11,13~42の合成]各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例1,2,3又は4と同様の手順により、表1に示した樹脂ポリマーを製造した。表1中、各単位の構造を表2~7に示す。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。ポジ型レジスト組成物の調製上記で合成したポリマ-ポリマー1~42、下記式で示されるポリマーK、ポリマーM、ポリマーN、ポリマーP、ポリマーQ、ポリマーR、ポリマーS、酸発生剤PAG-A、塩基性化合物Base-1を表8,9に示す組成で有機溶剤中に溶解してレジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.02μmサイズのナイロン又はUPEフィルターで濾過することにより、ポジ型レジスト組成物の溶液をそれぞれ調製した。Base-1:ドデカン酸-2-モルホリノエチルBase-2:トリス2-メトキシメトキシエチルアミン-N-オキサイド表8,9中の有機溶剤は、PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、EL乳酸エチル、PGMEプロピレングリコールモノメチルエーテル、CyHOシクロヘキサノンである。また、各組成物には、界面活性剤として3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製構造式を以下に示す。をポリマー100質量部に対して0.1質量部添加した。[実施例1~50、比較例1~3]解像性、露光余裕度及びラインエッジラフネスLERの評価:ArF露光シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜78nm膜厚基板上に、上記で調製した本発明のレジスト組成物実施例29~50及び比較用のレジスト組成物比較例3をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて60秒間ベークし、100nm膜厚のレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナ-株ニコン製、NSR-S307E、NA=0.85、4/5輪帯照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて露光し、100°Cで60秒間ベークPEB:postexposurebakeを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行った。レジストの評価は、80nmのグループのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2として、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅nmを評価レジストの解像度とした。露光余裕度の評価は、上記最適露光量を変化させた際にパターンサイズが80nm±10を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光余裕度が良好である。また、株日立ハイテクノロジーズ製測長SEMS-9380を用いて、80nmラインアンドスペースのラインエッジスラフネスLERを測定した。各レジスト組成物の評価結果を表10に示す。表10中の実施例の結果より、本発明のレジスト組成物が、ArFエキシマレーザー露光において、解像性能に優れると同時に、ラインエッジラフネスが小さく、また露光余裕度も優れていることが確認された。解像性、露光余裕度及びラインエッジラフネスLERの評価:電子ビーム描画上記で調製した本発明のレジスト組成物実施例1~28及び比較用のレジスト組成物比較例1,2を装置ACT-M東京エレクトロン株製を用いて152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で110°Cで600秒間プリベークして60nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペックナノメトリックス社製を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。更に、電子線露光装置株ニューフレアテクノロジー製、EBM-5000plus、加速電圧50keVを用いて露光し、110°Cで600秒間ベークPEB:postexposurebakeを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターンを得ることができた。更に得られたレジストパターンを次のように評価した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、200nmの1:1のラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量μC/cm2とし、200nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における最小寸法を解像度とし、100nmLSのエッジラフネスをSEMで測定した。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。EB描画における本発明のレジスト組成物及び比較用のレジスト組成物の評価結果を表11に示す。上記表11に示す通り、本発明のレジスト組成物は、比較例1,2に挙げられたレジスト組成物と比較して、解像性、ラインエッジラフネスに優れていることを示した。このことから、特に超LSI製造用の電子線リソグラフィーによる微細パターン形成材料、マスクパターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供することができる。"