SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、X線回折におけるバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度が1.40以下であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率が7以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。Crが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoであることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。Crが50mol以下、Ptが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoであることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。Ptが5mol以上60mol以下、SiO2が20mol以下、残余がFeであることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。添加元素として、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Au、Cu、Agから選択した1元素以上を、0.01mol以上10mol以下含有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。SiO2の粉末原料として非晶質SiO2を使用し、このSiO2の粉末原料と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を1120°C以下で焼結することを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられ、無機物としてはSiO2を添加することが行なわれている。本発明の課題は、SiO2を添加した磁気記録膜用スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリング中のパーティクルの発生を抑制し、かつバーンイン時間を短縮化することにある。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、磁気記録膜用スパッタリングターゲットへのSiO2の添加を工夫することにより、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となるクリストバライト形成を抑制できることを見出した。すなわち、ターゲット中にマイクロクラック及びスパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であることが分かった。このような知見に基づき、本発明は、1SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、X線回折におけるバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度が1.40以下であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。2SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率が7以下であることを特徴とする前記1に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットの磁気記録材料については、特に制限はなく、種々の磁気記録材料に適用できるのであるが、次の磁気記録膜用材料からなるターゲットに、特に有用である。すなわち、本願発明は、次の3、4、5のターゲットを提供する。3Crが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoであることを特徴とする前記1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。4Crが50mol以下、Ptが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoであることを特徴とする前記1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。5Ptが5mol以上60mol以下、SiO2が20mol以下、残余がFeであることを特徴とする前記1又は2記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。6さらに、添加元素として、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Au、Cu、Agから選択した1元素以上を、0.01mol以上10mol以下含有することを特徴とする前記1~5のいずれか一に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットを提供する。7また、添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有することを特徴とする前記1~6のいずれか一に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットを提供する。8また、本発明は、SiO2の粉末原料として非晶質SiO2を使用し、このSiO2の粉末原料と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を1120°C以下で焼結することを特徴とする前記1~7のいずれか一に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法を提供するものである。このように調整した本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットターゲットは、ターゲットのマイクロクラックの発生を抑制すると共に、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であるという優れた効果を有する。このようにパーティクル発生が少ないので、磁気記録膜の不良率が減少し、コスト低減化になるという大きな効果を有する。また、前記バーンイン時間の短縮化は、生産効率の向上に大きく貢献するものである。本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、SiO2を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであり、結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度が1.40以下である。すなわち、結晶化したSiO2であるクリストバライトを無くすか、又は極力減少させた磁気記録膜用スパッタリングターゲットである。磁気記録膜用スパッタリングターゲットには、強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられ、無機物としてSiO2を添加することが行なわれている。しかしながら、このSiO2がターゲット中で結晶化したクリストバライトとして存在すると、ターゲットの昇温又は降温過程この温度はおよそ270°C程度において、相転移による体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生する原因となる。これは結果として、スパッタリング中のパーティクル発生の原因となる。したがって、結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させるのが有効である。上記のように、磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしては、磁性材料に特に制限はないのであるが、Crが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoである磁気記録膜用スパッタリングターゲット、また、Crが50mol以下、Ptが50mol以下、SiO2が20mol以下、残余がCoである磁気記録膜用スパッタリングターゲット、さらに、Ptが5mol以上60mol以下、SiO2が20mol以下、残余がFeである磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有用である。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。この場合も、ターゲット中に結晶化したクリストバライトを発生させず、非晶質SiO2としてターゲット中に存在させる必要がある。なお、前記Crは、必須成分として添加する場合は、0molを除く。すなわち、少なくとも分析可能な下限値以上のCr量を含有させるものである。Cr量が50mol以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。前記Ptも同様に、必須成分として添加する場合は、0molを除く。すなわち、少なくとも分析可能な下限値以上のPt量を含有させるものである。Pt量が50mol以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々であるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。この他、添加元素として、B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Au、Cu、Agから選択した1元素以上を、0.01mol以上10mol以下含有させた上記の磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有効である。前記添加元素は、磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。さらに添加材料として、炭素、SiO2を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した1成分以上の無機物材料を含有する前記磁気記録膜用スパッタリングターゲットに有効である。このように、本発明は、SiO2を含有する多くの合金系、例えばCo-Pt-SiO2-X、Co-Cr-Pt-SiO2-X、Co-Cr-SiO2-X、Fe-Pt-SiO2-Xに適用できる。このような磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造に際しては、SiO2の粉末原料として非晶質SiO2を使用し、原料自体から非晶質化を目途とすることが有効である。このSiO2の粉末原料と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を1120°C以下で焼結する。この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに有効である。また、高純度のSiO2を使用することにより、さらに結晶化を抑制することが可能となる。この意味で、4N以上、さらには5N以上の高純度のSiO2を使用することが望ましい。なお、以下に製造方法の詳細を説明するが、この製造方法は、代表的かつ好適な例を示すものである。すなわち、本発明は以下の製造方法に制限するものではなく、他の製造方法であっても、本願発明の目的と条件を達成できるものであれば、それらの製造法を任意に採用できることは容易に理解されるであろう。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。まず、各金属元素の粉末原料磁性金属粉末原料とSiO2粉末原料、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末原料を用意する。これらの粉末原料は、最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりに、これら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることがさらに望ましい。そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。無機物粉末としては炭素粉末、SiO2以外の酸化物粉末、窒化物粉末または炭化物粉末を用意するが、無機物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。この場合、上記の通り、焼結温度を1120°C以下で焼結する。この焼結温度の低温化は、SiO2の結晶化を抑制するのに必要な温度である。また、成型焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、900~1120°Cの温度範囲とするのが良い。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1実施例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径1μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2molとなるように、Co粉末70.76wt、Cr粉末9.6wt、Pt粉末15.01wt、SiO2粉末4.62wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°CSiO2粉の結晶化を避けるため、1120°C以下の温度とした。、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットを得た。クリストバライトのピーク強度は、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。この結果、2θ:21.98°に出現するピーク強度は35となり、またバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。バックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.26となった。この結果を、図1の下のXRDの測定結果に示す。SiO2原料はアモルファスであり、焼結後のターゲットには、2θ:21.98にクリストバライトのピークは現れなかった。対比として、同図の上に、下記比較例1のX線回折強度を示すが、2θ:21.98にクリストバライトのピークが現れた。以下の実施例及び比較例においても、図1に示すものと同様の結果となった。なお、測定装置としてリガク社製UltimaIVを用い、測定条件は管電圧40kv、管電流30mA、スキャンスピード4°/min、ステップ0.02°とした。又熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.6であった。図2に、実施例1と下記比較例1のCo-Cr-Pt-SiO2ターゲットを用いてスパッタリングした場合の、ターゲットライフとパーティクル数の対比を行った結果を示す。スパッタリング条件は、パワー:1kW、時間20秒、圧力Ar雰囲気1.7Paで実施した。実施例1のターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.8個であった。また、スパッタリング開始時に発生する初期パーティクル数が30個以下となる時間をバーンイン時間とした場合、バーンイン時間は0.37kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。以下の実施例及び比較例においても、図2に示すものと、同様の結果となった。比較例1比較例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉末、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2molとなるように、Co粉末70.76wt、Cr粉末9.6wt、Pt15.01wt、SiO2粉末4.62wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。この製作したCo-Cr-Pt-SiO2ターゲットをSi基板ウエハへスパッタリングし、パーティクルの状況を調べた。基板上に成膜したウエハの断面とEDXによる元素分析結果を図3に示す。この図3の左側はパーティクルを示すが、同図右の元素分析結果から明らかなように、ほぼ全てのパーティクルが、SiO2であった。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。この結果を図2に示す。SiO2原料はアモルファスであるが、焼結後のターゲットには、このように、2θ:21.98にクリストバライトのピークが現れた。下の線はSiO2原料のX線回折強度であり、参考までに示す。2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果、2θ:21.98°に出現するピーク強度は56となり、バックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.42となった。これらは、実施例1に比べていずれも大きくなった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.5であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は6.7個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.42kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。比較例2比較例2では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末84.11wt、Cr粉末10.73wt、SiO2粉末5.17wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は129と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.92となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は11.2であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は8.7個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.75kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例2実施例2では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が83Co-12Cr-5SiO2molとなるように、Co粉末84.11wt、Cr粉末10.73wt、SiO2粉末5.17wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1060°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は31となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.13となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は5.5であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.5個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.53kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例3実施例3では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのCo-B粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-15Cr-12Pt-2B-5SiO2molとなるように、Co粉末53.05wt、Cr粉末10.64wt、Pt粉末31.93wt、B粉末0.29wt、SiO2粉末4.10wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度900°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は30となり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.04となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.8であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は0.4個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.21kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例4実施例4では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が67Co-10Cr-15Pt-3TiO2-2Si02-3Cr2O3molとなるように、Co粉末48.09wt、Cr粉末6.33wt、Pt粉末35.64wt、TiO2粉末0.69wt、SiO2粉末0.67wt、Cr2O3粉末1.07wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は32であった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.18となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.3であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.2kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例3比較例3では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が82Co-10Cr-3TiO2-2SiO2-3Cr2O3molとなるように、Co粉末78.35wt、Cr粉末8.43wt、TiO2粉3.88wt、SiO2粉末1.95wt、Cr2O3粉末7.39wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は317と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は4.71となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は8.5であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は13.5個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は2kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。比較例4比較例4では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が67Co-10Cr-15Pt-3TiO2-2SiO2-3Cr2O3molとなるように、Co粉末48.09wt、Cr粉末6.33wt、Pt粉末35.64wt、TiO2粉0.69wt、SiO2粉末0.67wt、Cr2O3粉末1.07wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は62と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.57となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.6であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は7.2個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.42kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例5実施例5では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径8μmのRu粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が67Co-5Cr-18Pt-2Ru-3TiO2-2Si02-3Cr2O3molとなるように、Co粉末45.19wt、Cr粉末2.98wt、Pt粉末40.19wt、Ru粉末2.31wt、TiO2粉末2.74wt、SiO2粉末1.38wt、Cr2O3粉末5.22wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は35であった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.28となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.8であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.2個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.51kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例5比較例5では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-10SiO2molとなるように、Fe粉末21.13wt、Pt粉末73.82wt、SiO2粉末5.05wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は224と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は3.4となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は8.1であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は10.1個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は2.1kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例6実施例6では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-10SiO2molとなるように、Fe粉末21.13wt、Pt粉末73.82wt、SiO2粉末5.05wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は30となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.12となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.7であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.7個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.6kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。実施例7実施例7では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が84Co-10Pt-3TiO2-3SiO2molとなるように、Co粉末67.62wt、Pt粉末26.65wt、TiO2粉末3.27wt、SiO2粉末2.46wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1060°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は30となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.11となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.5であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.4個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.41kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例6比較例6では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が84Co-10Pt-3TiO2-3SiO2molとなるように、Co粉末67.62wt、Pt粉末26.65wt、TiO2粉3.27wt、SiO2粉末2.46wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は55と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.43となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は8.3であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は7.1個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.24kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例8実施例8では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTa2O5粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が72Co-8Cr-13Pt-5Ta2O5-2Si02molとなるように、Co粉末44.55wt、Cr粉末4.37wt、Pt粉末26.63wt、Ta2O5粉末23.2wt、SiO2粉末1.26wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1060°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は32であった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.18となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.6であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.2個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.21kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例7比較例7では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径1μmのTa2O5粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が72Co-8Cr-13Pt-5Ta5O2-2SiO2molとなるように、Co粉末44.55wt、Cr粉末4.37wt、Pt粉末26.63wt、Ta2O5粉23.2wt、SiO2粉末1.26wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は109と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は2.81となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.7であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は9.1個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.83kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例9実施例9では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのCo-B粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCoO粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-5Cr-12Pt-3B-4Si02-5CoOmolとなるように、Co粉末56.30wt、Cr粉末3.50wt、Pt粉末31.50wt、B粉末0.44wt、SiO2粉末3.23wt、CoO粉末5.04wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は33であった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.21となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.6であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.6個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.47kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例8比較例8では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのCo-B粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径○μmのCoO粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が71Co-5Cr-12Pt-3B-4SiO2-5CoOmolとなるように、Co粉末56.30wt、Cr粉末3.50wt、Pt粉末31.50wt、B粉0.44wt、SiO2粉末3.23wt、CoO粉末5.04wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は64と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.67となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.4であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は9.8個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.37kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例10実施例10では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのAu粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が40Fe-40Pt-10Au-10SiO2molとなるように、Fe粉末17.72wt、Pt粉末61.89wt、Au粉末15.62wt、SiO2粉末4.77wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は31となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.13となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.4であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.6個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.52kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例9比較例9では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのAu粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が40Fe-40Pt-10Au-10SiO2molとなるように、Fe粉末17.72wt、Pt粉末61.89wt、Au粉末15.62wt、SiO2粉末4.77wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は70と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.86となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は8.1であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は9.2個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.78kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例11実施例11では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのCu粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が41Fe-41Pt-8Cu-10SiO2molとなるように、Fe粉末18.87wt、Pt粉末64.17wt、Cu粉末12.64wt、SiO2粉末4.82wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は33となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.2となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.5であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.3個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.45kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例10比較例10では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのCu粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が41Fe-41Pt-8Cu-10SiO2molとなるように、Fe粉末18.87wt、Pt粉末64.17wt、Cu粉末12.64wt、SiO2粉末4.82wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は47と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.73となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.9であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は6.9個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.34kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例12実施例12では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのAg粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-2Ag-8SiO2molとなるように、Fe粉末20.96wt、Pt粉末73.23wt、Ag粉末1.8wt、SiO2粉末4.01wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は32となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.18となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.6であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.1個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.39kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例11比較例11では、原料粉末として、平均粒径5μmのFe粉、平均粒径1μmのPt粉、平均粒径5μmのAg粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Fe-45Pt-2Ag-8SiO2molとなるように、Fe粉末20.96wt、Pt粉末73.23wt、Ag粉末1.8wt、SiO2粉末4.01wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は134と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は2.02となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は7.8であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は10.1個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は1.91kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例13実施例13では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Co-40Cr-15SiO2molとなるように、Co粉末47.08wt、Cr粉末36.92wt、SiO2粉末16.00wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1060°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は32となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.15となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は6.1であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.4個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.74kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。比較例12比較例12では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が45Co-40Cr-15SiO2molとなるように、Co粉末47.08wt、Cr粉末36.92wt、SiO2粉末16.00wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1160°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は161と大きくなり、またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は2.41となり、これも増加した。この結果、実施例1に比べ殆どのSiO2が結晶化した。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は9.2であり、実施例1に比べて大きくなり、体積変化を発生し、この体積変化により、ターゲット中にマイクロクラックが発生した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は11.1個と増加した。また、スパッタリングのバーンイン時間は2.32kWhであり、バーンインの時間が長くなった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が大きくなると、スパッタリングのバーンインの時間が長くなり、またスパッタ時のパーティクル発生数が増加する結果となった。実施例14実施例14では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのTiO2粉、平均粒径1μmの非晶質SiO2粉、平均粒径1μmのCr2O3粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が82Co-10Cr-3TiO2-2SiO2-3Cr2O3molとなるように、Co粉末78.35wt、Cr粉末8.43wt、TiO2粉3.88wt、SiO2粉末1.95wt、Cr2O3粉末7.39wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1090°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。クリストバライトのピーク強度は、実施例1と同様に、ターゲットの一部を切出し、X線回折XRD法により、X線回折強度を測定した。すなわち2θ:21.98°に出現するピーク強度及びバックグラウンド強度20.5~21.5°の強度の平均値22.5~23.5°の強度の平均値÷2を測定した。この結果2θ:21.98°に出現するピーク強度は40となった。またバックグラウンド強度に対する結晶化したSiO2であるクリストバライトのピーク強度比クリストバライトピーク強度/バックグラウンド強度は1.20となった。なお、測定装置、測定条件は実施例1と同様とした。又、熱膨張係数の変化率は、ターゲットから20mm×3mm×3mmを切出し、実施例1と同様に、リガク社製Thermoplus2TMA8310を用いて、昇温速度5°C/minにおいて、250°Cから350°Cまでの熱膨張係数変化率を測定した。250°Cから350°Cまで昇温時の熱膨張係数の変化率は3.2であった。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.6個であった。また、スパッタリングのバーンイン時間は0.52kWhであった。このように、クリストバライト結晶化したSiO2のピーク強度が低い場合には、バーンインが短縮化され、パーティクル発生数は少ない結果となった。以上の結果をまとめたものが表1である。表1に示すように、本発明のスパッタリングターゲットの実施例は、いずれもクリストバライトのピーク強度比が1.40以下と本発明の範囲内であり、比較例に比べて常にスパッタリング時に発生するパーティクルが少なく、スパッタリングのバーンイン時間が短縮する結果が得られた。