"溶媒と、前記溶媒へ分散された非ガラスマトリックス粒子の組と、ドーパントと、を含む高忠実度ドーパントペースト。前記溶媒が、約200°Cより高い沸点を有する有機溶媒である、請求項1に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記溶媒が、直鎖もしくは環式の構造を有する溶媒、飽和もしくは不飽和の炭化水素の部分を有する溶媒、炭化水素をベースとする溶媒すなわち、アルカン、アルケン、アルキン、アルコール、チオール、エーテル、エステル、アルデヒド、ケトン、または、それらと組み合せされた溶媒の1つを含む、請求項1に記載の高忠実度ドーパントペースト。バインダーをさらに含む、請求項1に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記バインダーが、前記有機溶媒に可溶のポリマーである、請求項4に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記バインダーが、ポリアクリレート、ポリアセタール、ポリビニル、セルロース、およびそれらのコポリマーの1つである、請求項4に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記非ガラスマトリックス粒子の組が、少なくともセラミックおよび元素化合物の1つを含む、請求項1に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記セラミックが、Al2O3、MgO、CeO2、TiO2、Y2O3、ZnO、ZrO2、ZrO2~3、およびY2O3の1つである、請求項8に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記元素化合物が、炭素およびシリコンの1つである、請求項8に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記ドーパントが、n型ドーパント前駆体およびp型ドーパント前駆体の1つである、請求項1に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記n型ドーパント前駆体が、n型液体、n型固体、およびn型ポリマーの1つである、請求項10に記載の高忠実度ドーパントペースト。n型液体が、H3PO4およびO=PORXOH3-Xの1つである、請求項11に記載の高忠実度ドーパントペースト。n型固体が、P2O5、Na3PO4、AlPO4、AlPおよびNa3Pの1つである、請求項11に記載の高忠実度ドーパントペースト。n型ポリマーが、ポリホスホン酸エステルおよびポリホスファゼンの1つである、請求項11に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記p型ドーパント前駆体が、p型液体、p型固体、p型二元化合物およびp型ポリマーの1つである、請求項10に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記p型液体が、BOR3である、請求項15に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記p型固体が、BOH3、NaBO2、Na2B4O7、およびB2O3の1つである、請求項15に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記p型二元化合物が、ボロナイトライドboronitride、炭化ホウ素、ホウ素ケイ化物および元素ホウ素の1つである、請求項15に記載の高忠実度ドーパントペースト。前記p型ポリマーが、ポリボラゾールpolyborazoleおよび有機ホウ素-ケイ素の1つである請求項15に記載の高忠実度ドーパントペースト。上記に鑑みて、適切なドーピング温度より相当に高いガラス転移温度を有するドーピングペーストが要望されている。本発明は、一実施形態において、高忠実度ドーパントペーストに関する。高忠実度ドーパントペーストは、溶媒と、溶媒へ分散された非ガラスマトリックス粒子の組と、ドーパントと、を含む。添付図面の各図において、本発明を例として、限定せずに、図示する。図中、同様の参照番号は同様の要素を表す。ここで、本発明を、添付図面に示す本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して詳細に説明する。以下の説明で、本発明についての完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細を述べる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細のうちのいくつかまたはすべてを伴わないでも実行され得ることは、当業者に明白である。他の実例において、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知のプロセスステップ、および/または、構造は詳細には記述していない。1つの有利な手法では、高忠実度のドープされたパターンが、ドーパント源前駆体、および高い融解温度すなわち、拡散温度より相当に高いを有するマトリックス粒子の組を含む高忠実度ドーピングペーストによって基板上で形成され得る。1つの構成において、マトリックス粒子の組は、非ガラス形成粒子を含む。別の構成において、マトリックス粒子の組は、200°Cを超える沸点を有する溶媒中に分散される。そのような溶媒の例として、直鎖もしくは環式の構造を有する溶媒、飽和もしくは不飽和の炭化水素の部分を有する溶媒、炭化水素をベースとする溶媒すなわちアルカン、アルケン、アルキン、アルコール、チオール、エーテル、エステル、アルデヒド、ケトン、または、それらと組み合せされた溶媒が挙げられる。別の構成において、マトリックス粒子の組の平均直径は、25ミクロン未満である。別の構成において、バインダーも溶媒に付加される。別の構成において、バインダーは、ポリアクリレート、ポリアセタール、ポリビニル、セルロースそのエーテルおよびエステルを含めて、およびそれらのコポリマーの1つである。一般に、典型的なドーパントのドライブインdrivein:追い込み温度は、約800°Cと約1050°Cとの間すなわち、対応するドーパントが、結晶シリコン内で置換型の結合のために基板にドライブインされる温度にある。したがって、拡散プロセス中において、堆積されたパターンの形状または解像度のいかなる変化も最小限に抑えるために非ガラスマトリックス材料の融解温度は、1050°Cより高くあるべきである。非ガラスマトリックス粒子の例として、セラミックすなわちAl2O3、MgO、CeO2、TiO2、Y2O3、ZnO、ZrO2、ZrO2-3、Y2O3、WおよびWC、ならびに炭素およびシリコンのような元素の化合物が挙げられる。前述したドーパント前駆体の付加は、非ガラスマトリックス粒子の融解温度に極めてわずかしか影響を及ぼさない。例えば、結晶シリコンは、約1440°Cの高い融解温度を有し、固溶限までのホウ素の添加は、融点を50°Cと80°Cとの間に下げることができるだけであるR.W.OlesinskiおよびG.J.Abbaschian,TheB-SiSystem,BullAlloy.PhaseDiagrams,5no.5,1984,p478-484;A,I.ZaitsevおよびA.A.Koentsov,ThermodynamicPropertiesandPhaseEquilibriaintheSi-BSystemJ.PhaseEquilib.22no.2,2001,pl26-135。同様に、シリコン基板マトリックスへのリンの原子の添加同じく固溶限までは、融解温度を1180°Cに下げる傾向がある。[R.W.Olesinski,N.Kanani,G.J.Abbaschian,TheP-SiSystem,BullAlloyPhaseDiagrams6no.3,1985]。さらに、典型的なゾル-ゲルドーピングペーストと異なり、ミクロンおよびサブミクロンの粒径を含む高忠実度ドーピングペーストは、強いずり減粘非ニュートン挙動を示す傾向もある。前述したように、非ニュートン流体とは、その流動性が単一の粘度の定数値によっては記述されない流体を指す。ずり減粘とは、その粘度がずり速度の増加とともに減少する流体を指す。ここで図3A~Dを参照すると、ドープされたガラスの組従来のドーピングペーストにおいて用いられているのシリコン基板上のリフローを、本発明によるシリコンインクを含む高忠実度ドーピングペーストと比較した、簡略図の組が示されている。一般に、シリコンインクは、非ニュートンシリコンナノ粒子コロイド分散体である。より詳細な情報は、2009年6月29日出願の、Sub-CriticalShearThinningGroupIVBasedNanoparticleFluid、と題する米国特許出願第12/493,946号明細書に記載され、参照によりその特許出願の開示全体を本明細書に組み込む。図3Aは、ドープされたガラスの組に対して、リフロー角度φをリフロー温度°Cに対して比較する。リフロー温度は、単位°Cで、水平軸302に沿って示し、リフロー角度φは垂直軸に沿って示す。堆積に際して、リフロー角度φは、流体の、空気-ガラス境界とガラス-基板境界との間で形成される。定義によって、流体が広がるにつれて、対応するリフロー角度φは減少する。ドープされたシリコンガラスは堆積され、次いで、約810°Cから約890°Cに加熱される。第1のシリコンガラス308は、5のリンおよび3のホウ素で構成される。第2のシリコンガラス310は、5のリンおよび4のホウ素で構成される。第3のシリコンガラス312は、5のリンおよび5のホウ素で構成される。図から分かるように、810°C~約890°Cの流動範囲内の任意の所与の温度に対して、より高いドーパント濃度は、より小さなリフロー角度φに対応する。すなわち、基板表面上のより高い濡れ、およびパターン忠実度の劣化に。図3Bは、ドープされたガラスの同一の組の正規化された線幅を、本発明によるドープされたシリコンインクと比較する。リフロー角度からの、正規化された線幅の導出は、下記に、図3Cで説明される。第1のシリコンガラス328は、5のリンおよび3のホウ素で構成される。第2のシリコンガラス330は、5のリンおよび4のホウ素で構成される。第3のシリコンガラス332は、5のリンおよび5のホウ素で構成される。さらに、シリコンインク326は、10のリンのドーパント濃度で構成される。図3Aに見られるように、ガラスの組に対して810°C~約890°Cの流動範囲内の任意の所与の温度にわたって、より高いドーパント濃度は、正規化された線幅においてより大きい差異に対応する。しかしながら、1つの有利な手法では、シリコンインク326は、同一の温度領域にわたって正規化された線幅において本質的な変化を示さない。図3C~Dは、リフロー角度から正規化された線幅への変換を導出する。J.E.Tongらの、SolidStateTech.,Jan1984,p161、を参照されたい。一般に、堆積されたペーストまたはシリコンインクなどの、堆積された流体の小滴344は、円筒の側面の一切れ342としてモデル化されてもよい。以下の導出は、図3A内のリフロー角度φの、図3B内の公称の線幅314への変換を示す。堆積された流体の形状を円筒の一切れとしてモデル化し、半径Rが計算され得る。レオロジー流動性比較実験1ここで図4A~Bを参照すると、簡略図の組は、従来のドーピングペーストを、本発明による高忠実度ドーピングペーストと比較する。図4Aは、n型Ferroドーピングペースト406ガラス、および本発明によるn型シリコンインクベースの高忠実度ドーピングペースト408非ガラスの両方に対して粘度対ずり速度を示す。単位1/秒でずり速度の対数402を水平軸に沿って示し、一方、25°Cにおいて単位cPで測定された粘度の対数404を、垂直軸に沿って示す。シリコンナノ粒子のペーストの流動挙動への影響を示すために、粘度をずり速度の関数として測定した。図から分かるように、従来のドーピングペースト406は、ゾル粒子の低い表面相互作用のために典型的な近ニュートン挙動を示す。したがって、流体の粘度は、異なるずり速度の下でわずかに変化する。しかしながら、シリコンインクベースの高忠実度ドーピングペースト408は、著しい粒子-粒子相互作用で特徴づけられ、はるかに強いずり減粘挙動を示す。増加したずり減粘挙動は、スクリーンを通るよりよいインク流動の結果をもたらし、図4Bで見られるように、対象面上で、印刷された形状の広がりが低減される。図4Bは、同一のスクリーンを用いた堆積の後の、従来のFerron型ペースト、およびシリコンインクベースの高忠実度ドーピングペーストに対して線幅403を示す。2つのp型基板を、ペースト堆積前にフッ化水素酸と塩酸との混合物を用いて各々洗浄した。両方のペーストを175μmのスクリーンマスク開口部を用いて堆積し、次いで、溶媒を除去し、かつ堆積されたペーストの密度を高めるために200°Cで約3分間ベークした。図から分かるように、より強いずり減粘挙動により、高忠実度ドーピングペーストは、従来のドーピングペーストより小さな絶対線幅で堆積することができる。メジアン線幅は、従来のドーピングペーストでは約365μmであり、対して、高忠実度ドーピングペーストでは224μmのメジアン線幅である。175μmのフィンガー開口部に対して、従来のドーピングペーストの190μm拡大と比較して、高忠実度ペーストは約50μmの拡大である。実験2図5は、従来のFerron型ドーピングペーストMatthewEdwards,y,JonathanBocking,JeffreyE.CotterおよびNeilBennett;Prog.Photovolt:Res.Appl.161pp31-45,2008、を参照されたいと、本発明によるISOのテクスチャー付き基板上でのn型高忠実度ドーピングペーストとの間で、異なる処理段階における平均線幅を比較する。従来のドーパントペーストを、400μm504aのスクリーン開口部を通して印刷し、約520μm506aの印刷された線幅を結果として得て、次いで、溶媒を除去し、かつ堆積されたペーストの密度を高めるために300°Cで1~2分間ベークし、約570μm508aの線幅を結果として得たが、スクリーンマスク開口部より約40の増加した。ドーパントを基板へ拡散するため、従来のドーパントペーストを、950°Cの温度に90分間加熱し、約870μm510aの、または元のスクリーン開口部の217.5のドーパント幅を結果として得た。高忠実度ドーピングペーストに対して、175μm504bのスクリーンマスク開口部をペーストを堆積するために用いて、約220μm506bの堆積された幅を結果として得たが、約20の増加となった。次いで、溶媒を除去し、かつ堆積されたペーストの密度を高めるために,従来のドーパントペーストを200°Cで約3分間ベークした。しかしながら、結果として得られた線幅は、スクリーン開口部508bより約20の拡大にとどまった。次いで、基板へドーパントを拡散するために、高忠実度ドーパントペーストを950°Cの温度に90分間加熱した。前述同様に、また従来のドーピングペーストと異なり、結果として得られた線幅はスクリーン形状開口部510bの約120にとどまった。ドーピング比較図6は、本発明による、高忠実度ドーピングペーストとともに使用する背中合わせのドーパント拡散構成の簡略図を示す。ドーピング環境中にドーピングペーストから揮発性になる環境ドーパントの影響を最小限に抑えるために、シリコン基板604を背中合わせの構成で垂直に置く。N2環境において、堆積されたFerroドーピングペースト、および高忠実度ドーピングペースト606を、それぞれに見合って対応する基板で覆うために、p型シリコン基板604を背中合わせで、横型拡散炉内の石英チューブ内に垂直に置いた。実験3ここで図7を参照すると、本発明による、2ohm-cm/180μm/切断損傷エッチング済みp型シリコン基板の組の上のHFドーピングペーストのシート抵抗を、Ferron型ドーピングペーストと比較する簡略図。発明者らは、Ferroドーピングペーストのドーピングプロファイルは、ほとんどのドーピングペーストに相当に類似していると考える。テルピネオール溶媒中に1.5重量のエチルセルロースバインダー、および8重量のシリコンナノ粒子を含有するSiナノ粒子ペーストに、10のリン酸を付加することによって、高忠実度ドーピングペーストを調製し、続けて、遊星型ミキサーで完全に混合した。従来のFerroドーピングペーストは未変更で用いた。p型シリコン基板の組を、ペースト堆積前にフッ化水素酸と塩酸との混合物でおのおの洗浄した。Ferroペーストおよび高忠実度ドーピングペーストを3つの独立した基板下位組の上におのおの堆積した。次いで、高忠実度ドーピングペーストを有する基板下位組を、薄膜の密度を高めるため、かつリン酸を脱水するために、N2環境において200°Cで3分間ベークした。次いで、リンのドーパントをドライブインするためにすべての基板下位組を、N2環境を備えた石英チューブ内で30分間加熱した。第1の下位組は860°Cに加熱し、第2の下位組は900°Cに加熱し、第3の下位組は1000°Cに加熱した。次いで、すべての基板下位組を、10分間のBOEで洗浄し、インク領域の下のシート抵抗を、4探針を用いて測定した。一般に、4探針は、外側の2つの探針を通る高インピーダンスの電流源を供給すること、および内側の2つの探針の両端の電圧を測定することによってサンプルの抵抗率を測定する。860°Cのドライブイン温度で、Ferroペーストを有する基板のシート抵抗は、約330ohm/sqであり、一方、HFドーピングペーストを有する基板のシート抵抗は、約237ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、Ferroペーストを有する基板のシート抵抗は、約372ohm/sqであり、一方、HFドーピングペーストを有する基板のシート抵抗は、約161ohm/sqである。また1000°Cのドライブイン温度で、Ferroペーストを有する基板のシート抵抗は、約224ohm/sqであり、一方、HFドーピングペーストを有する基板のシート抵抗は、約75ohm/sqである。図から分かるように、任意の所与の温度に対して、より低いシート抵抗、したがって、より高いドーパント濃度が基板にドライブインされている。実験4ここで図8を参照すると、本発明による、2ohm-cm/180μm/切断損傷エッチング済みp型シリコン基板の組の上の、様々なn型高忠実度ドーピングペースト構成のシート抵抗を比較する簡略図。シート抵抗ohm/sq802を垂直軸に沿って示し、一方、露出804、ドーピング濃度806、およびドライブイン温度°C808を、水平軸に沿って示す。前述したように、テルピネオール溶媒中に1.5重量のエチルセルロースバインダー、および8重量のシリコンナノ粒子を含有するSiナノ粒子ペーストに、5、10、または18のリン酸を付加することによって、高忠実度ドーピングペーストを調製し、続けて、遊星型ミキサーで完全に混合した。従来のFerroドーピングペーストは未変更で用いた。p型シリコン基板の組を、ペースト堆積前にフッ化水素酸と塩酸との混合物でおのおの洗浄した。次いで、基板下位組を、溶媒を除去するために、200°Cで3分間ベークした。次いで、すべての基板下位組を、リン酸を脱水するために、かつリンのドーパントをドライブインするために、N2環境を備えた石英チューブ内で加熱した。覆われたウエハーは、加熱された石英チューブ内に、図6に説明した背中合わせの構成を用いて置いた。さらされたウエハーは、加熱された石英チューブ内に、インク領域がN2環境に直接さらされたまま置いた。860°Cのドライブイン温度、および5のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約267ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約162ohm/sqである。860°Cのドライブイン温度で、および10のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約237ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約127ohm/sqである。860°Cのドライブイン温度で、および18のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約126ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約83ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および5のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約198ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約112ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および10のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約160ohm/sqであり、基板の覆われたシート抵抗が約89オーム/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および18のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約89ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約57ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および5のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約114ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約42ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および10のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約75ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約52ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および18のリンのドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約36ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約41ohm/sqである。図から分かるように、任意の所与の温度に対して、より低いシート抵抗、したがって、より高いドーパント濃度が基板にドライブインされている。実験5ここで図9A~Bを参照すると、本発明による、2ohm-cm/180μm/切断損傷エッチング済みn型シリコン基板の組の上の、様々なp型ホウ素高忠実度ドーピングペースト構成のシート抵抗を比較する簡略図の組。図9Aは対数目盛上にデータを表示し、一方、図9Bは均等目盛上にデータを表示する。シート抵抗ohm/sq902を垂直軸に沿って示し、一方、露出904、ドーピング濃度906、およびドライブイン温度°C908を、水平軸に沿って示す。前述したように、テルピネオール溶媒中に1.5重量のエチルセルロースバインダー、および8重量のシリコンナノ粒子を含有するSiナノ粒子ペーストに、5、10、または19のホウ酸トリエチルを付加することによって、高忠実度ドーピングペーストを調製し、続けて、遊星型ミキサーで完全に混合した。3つの高忠実度ドーピングペーストホウ素濃度を調製した5、10および19。n型シリコン基板の組を、ペースト堆積前にフッ化水素酸と塩酸との混合物によりおのおの洗浄した。次いで、薄膜の密度を高めるため、基板下位組を、N2環境において200°Cで3分間ベークした。次いで、すべての基板下位組を、ホウ素のドーパントをドライブインするために、N2環境を備えた石英チューブ内で30分間加熱した。860°Cのドライブイン温度で、および5のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約1588ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約431ohm/sqである。860°Cのドライブイン温度で、および10のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約889ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約268ohm/sqである。860°Cのドライブイン温度で、および19のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約629ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約247ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および5のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約1232ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約231ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および10のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約603ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約171ohm/sqである。900°Cのドライブイン温度で、および19のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約520ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約154ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および5のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約653ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約58ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および10のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約297ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約43ohm/sqである。1000°Cのドライブイン温度で、および19のホウ素ドーピング濃度で、さらされた基板のシート抵抗は、約105ohm/sqであり、一方、覆われた基板のシート抵抗は、約43ohm/sqである。図から分かるように、任意の所与の温度に対して、より低いシート抵抗、したがって、より高いドーパント濃度が基板にドライブインされている。説明的に本明細書で記述された本発明は、いかなる素子または素子群、限定または限定群が欠けていても、特に本明細書で開示されていなくても、適切に実行されてもよい。したがって、たとえば、用語備える、含む、包含しているなどは、拡張的に、かつ、限定せずに読まれるものとする。さらに、本明細書で使用された用語と表現は、記述の用語として使用されたもので、限定の用語として使用されたものではなく、そのような用語および表現の使用において、示され、記述された特徴およびその特徴の部分の、いかなる均等物も除外する意図はなく、様々な変更が請求された本発明の請求の範囲内で可能であることが認識されるはずである。したがって、本発明を、好ましい実施形態および任意選択的な特徴によって具体的に開示してきたが、本明細書で開示された本発明の修正、改善および変更が当業者によって行使されてもよいこと、および、そのような修正、改善および変更は、本発明の範囲内であると見なされることは、理解すべきである。本明細書で提供される材料、方法、および実施例は、好ましい実施形態の代表的なものであり、例示になるものであり、本発明の範囲に対する限定として意図されたものではない。当業者によって理解される通り、いかなる、かつ、全ての目的に対しても、特に書面による記述の提供の点で、本明細書で開示された全ての範囲はまた、その範囲の、いかなる、かつ、全ての可能な下位の範囲およびそれらの下位の範囲の組み合わせを包含する。いかなる列挙された範囲も、その同じ範囲が少なくとも、等分、3等分、4等分、5等分、10等分などに分割されることを、十分に記述し可能にしているものとして、容易に認めることができる。非限定例として、本明細書で説明された範囲はおのおの、下側の3分の1、中央の3分の1、上側の3分の1へ容易に分割できる。さらに当業者によって理解されるように、まで、少なくとも、より大きい、より小さいおよび同種のものなど、全ての言葉は詳述された数を含み、かつ、上記に説明したとおり、下位の範囲に後で分割することができる範囲を表す。さらに、用語ドーパント、またはドープされたおよびカウンタードーパント、またはカウンタードープされたは反対の型のドーパントの組を表す。すなわち、ドーパントがp型である場合、カウンタードーパントはn型である。さらに、特に断らない限り、ドーパントの型は入れ替えてもよい。さらに、シリコン基板は、単結晶状、または多結晶状でもよい。さらに、無ドープのは、ドーパントが欠如している材料を指す。本明細書に記載の通り、ケトン分子およびアルコール分子は、環式、直線、または、分岐であってもよい。さらに、本発明は、2008年2月12日出願の、MethodsandApparatusforCreatingJunctionsonaSubstrate、と題する米国特許出願第12/029,838号明細書に記載されるような他の太陽電池構造に適用されてもよく、参照によりその特許出願の開示全体を本明細書に組み込む。本明細書で参照された全ての刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献は、おのおのの個別の、刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献を具体的かつ個別に引用した場合その全体を組み込むのと同程度に、参照により、本明細書に組み込む。参照によって組み込まれたテキストに包含されている定義は、本開示中の定義と矛盾する範囲については除外される。本開示の目的のために、および特に指定がない限り、1つは1つまたは複数を意味する。本明細書に引用した全ての特許、特許出願、参考文献、および刊行物は、それらが個別に参照として組み込まれている場合と同程度に、それらの全体を参照として組み込む。さらに、単語組は、1つまたは複数の、品目または物の、集合を指す。本発明の利点は、太陽電池の大量生産におけるスクリーン印刷に対して最適化された高忠実度ドーピングペーストを含む。例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。"