整流によってマイクロ波場強度を検出することができる少なくとも1つの整流素子を含むマイクロ波場検出ニードルアセンブリと、前記マイクロ波場検出ニードルアセンブリと動作可能に通信する制御装置と、前記制御装置と動作可能に通信する電気外科手術用電力発生源と、前記電気外科手術用電力発生源に動作可能に接続されたエネルギー伝達装置と、を含むマイクロ波焼灼制御システム。前記整流素子は交流電流ACを直流電流DCに変換することができる、請求項1に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記整流素子がダイオードである、請求項2に記載のマイクロ波焼灼制御装置システム。前記マイクロ波場検出ニードルアセンブリは、ニードルアセンブリを含み、前記ニードルアセンブリは、遠位部分と、近位部分と、前記遠位部分と前記近位部分との間に配置され、かつその中に画定された少なくとも1つの凹部を含む接合部材であって、前記少なくとも1つの凹部は、前記少なくとも1つの整流素子をその中に受け入れるように構成された接合部材と、を含む、請求項1に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記ニードルアセンブリの近位端に動作可能に接続されたハンドルアセンブリをさらに含む、請求項4に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記ハンドルアセンブリ内に配置された電気回路をさらに含む、請求項5に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記電気回路は、前記ハンドルアセンブリ内に配置された電源を含む、請求項6に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記電気回路は、視覚信号および音声信号のうちの少なくとも1つを生成するように構成されたインジケータ装置を含む、請求項6に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記マイクロ波場検出ニードルアセンブリは、前記制御装置への接続に適した近位端を有するケーブルアセンブリをさらに含み、前記ケーブルアセンブリは、前記ハンドルアセンブリを介して前記ニードルアセンブリに電気的に接続されている、請求項4に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記遠位部分は第1の外側導体構造を含む、請求項4に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記第1の外側導体構造は、前記第1の外側導体構造の遠位端に配置された第1のチャンバ部を画定している、請求項10に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記電気外科手術用電力発生源はプロセッサを含む、請求項1に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記プロセッサは、前記マイクロ波場検出ニードルアセンブリによって伝達される少なくとも1つの電気信号に基づいて前記電気外科手術用電力発生源に関連する少なくとも1つの動作パラメータを調整するように構成されている、請求項12に記載のマイクロ波焼灼制御システム。前記電気外科手術用電力発生源に関連する前記少なくとも1つの動作パラメータは、温度、インピーダンス、電力、電流、電圧、動作モードおよび電磁エネルギーの照射期間からなる群から選択される、請求項13に記載のマイクロ波焼灼制御システム。以下、本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態、その製造方法、それを用いた組織内照射焼灼領域の調節方法およびそれを含むシステムについて、添付の図面を参照しながら説明する。図の説明全体にわたって、同様の符号は、同様もしくは同一の要素を指すものとする。図面に示しかつ本説明で使用され、かつ従来同様に、対象上の相対的な位置づけについて述べる場合、近位という用語は、使用者に近い方の本装置またはその部品のその部分を指し、遠位という用語は、使用者から遠い方の本装置またはその部品のその部分を指す。本説明は、一実施形態では、実施形態では、いくつかの実施形態では、あるいは、他の実施形態ではという語句を用いる場合があるが、これらの語句はそれぞれ、本開示に係る同一または異なる実施形態の1つまたは複数を指すものとする。本説明のためのA/Bという形態の語句は、AまたはBを意味する。本説明のためのAおよび/またはBという形態の語句は、A、BまたはAおよびBを意味する。本説明のためのA、BまたはCのうちの少なくとも1つという形態の語句は、A、B、C、AおよびB、AおよびC、BおよびCまたはA、BおよびCを意味する。電磁エネルギーは一般に、エネルギーの増加または波長の減少によって、電波、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、X線およびガンマ線に分類される。本説明において使用されるマイクロ波とは一般に、300メガヘルツMHz3×108サイクル/秒~300ギガヘルツGHz3×1011サイクル/秒の周波数範囲の電磁波を指す。本説明において使用される伝送線路とは一般に、ある点から別の点までの信号の伝播のために使用することができる任意の伝送媒体を指す。本説明において使用される焼灼処置とは一般に、任意の焼灼処置、例えば、マイクロ波焼灼、高周波RF焼灼またはマイクロ波もしくは高周波焼灼による切除を指す。本説明において使用されるエネルギー照射装置は一般に、マイクロ波もしくはRF電気外科手術用発生器などの電力発生源からのエネルギーを組織に移動させるために使用することができる任意の装置を指す。本明細書における目的では、エネルギー照射装置という用語は、エネルギー伝達装置という用語と同義である。本説明で使用される整流器とは一般に、他方向よりも一方向に多くの電流を流すことができる回路素子を指す。整流器は、固体ダイオード、真空管ダイオード、水銀アーク弁および他の素子で作られていてもよい。整流器を利用するプロセスとしては整流が挙げられ、整流とは、単純に定義されているように、交流電流ACを直流電流DCに変換することである。本説明で使用されるダイオードとは一般に、他方向への電流を阻止しながら、電流を一方向のみに流すことができる電子素子を指す。本明細書における目的では、ダイオードという言葉は、整流器という用語と同義である。本説明で使用されているプリント回路基板またはPCBとは一般に、とりわけ、電気部品に対する機械的な支持やこれらの電気部品およびそれらの組み合わせなどの間およびそれらに対する電気的接続を提供する任意のあらゆるシステムを指す。本説明で使用される長さとは、電気的長さまたは物理的長さを指すものとする。一般に、電気的長さは、伝送媒体内を伝播している信号の波長に換算した伝送媒体の長さの表現である。電気的長さは通常、波長、ラジアンまたは度°に換算して表される。例えば、電気的長さは、伝送媒体内を伝搬している電磁波または電気信号の波長の倍数または約数として表すことができる。波長は、ラジアン、または度°などの理論上の角度単位で表すことができる。伝送媒体の電気的長さは、a伝送媒体を通る電気もしくは電磁信号の伝播時間のb伝送媒体の物理的長さに等しい距離にわたる自由空間における電磁波の伝播時間に対する比を乗じたその物理的長さとして表すことができる。電気的長さは一般に物理的長さとは異なる。適当なリアクタンス素子容量性または誘導性の追加によって、電気的長さを、物理的長さよりも著しく短くまたは長くすることができる。本開示の様々な実施形態は、例えば、患者および/または医師の安全性を確保しかつ/または照射されたエネルギーに対する制御を向上させるために、医師がエネルギー伝達装置に近接するマイクロ波場強度を検出することができるように構成されたマイクロ波場検出ニードルアセンブリを提供する。マイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態を、受動装置として実現してもよい。いくつかの実施形態では、マイクロ波場検出ニードルアセンブリを独立型制御装置によって監視してもよい。マイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態をマイクロ波焼灼制御システム内のフィードバック制御ループに組み込んでもよい。マイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態は、観血的手術用途での利用に適するものであってもよい。実施形態を、最小の侵襲的処置、例えば、内視鏡および腹腔鏡外科処置で使用してもよい。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの部分は、使い捨てであっても、取り替え可能および/または再使用可能であってもよい。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの様々な実施形態は、独立型制御装置例えば、図4に示す28と通信接続するように構成されている。様々な実施形態に係るエネルギー伝達装置1つまたは複数および1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリを含む電気外科手術システム本明細書ではマイクロ波焼灼制御システムともいうは、約300MHz~約10GHzの周波数で動作するように設計および構成されている。本開示のマイクロ波焼灼制御システムは、マイクロ波またはRF焼灼に適しており、マイクロ波またはRF焼灼による外科的切除のために組織を予め凝固するのに用いられる。さらに、以下の説明は、マイクロ波周波数で電磁放射線を検出することができるマイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態について説明しているが、本開示の教示を、RF周波数または他の周波数での電磁照射に適用してもよい。図1~図3は、マイクロ波場検出ニードルアセンブリ図1では一般に100で示すの一実施形態を示す。マイクロ波場検出ニードルアセンブリ100は一般に、ハンドルアセンブリ170およびニードルアセンブリ110を含む。図3は、ハンドルアセンブリ170のハンドルハウジング174内に配置された電気回路300図1では想像線で示すの概略図である。ニードルアセンブリ110は、図5では分離部分によって示されている。図1、図2および図5に示すように、ニードルアセンブリ110は一般に、遠位部分130と、近位部分160と、遠位部分130と近位部分160との間に配置された接合部材150とを含む。いくつかの実施形態では、遠位部分130および近位部分160は、一般に誘電体で作られた接合部材150において位置合わせされている。いくつかの実施形態では、接合部材150は、遠位部分130および/または近位部分160に機械的に接続可能例えば螺合可能であるように構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、遠位部分130は第1の外側導体構造30を含み、近位部分160は第2の外側導体構造60を含み、接合部材150は接合構造50を含む。ニードルアセンブリ110およびハンドルアセンブリ170の形状および大きさは、図1に示す構成とは異なっていてもよい。図2および図5に示すように、ニードルアセンブリ110は、内側導体ピン20と、内側導体ピン20の少なくとも一部の周りに配置された管状スリーブ部材40と、第1の外側導体構造30と、第2の外側導体構造60と、第1の外側導体構造30と第2の外側導体構造60との間に配置された接合構造50と、接合構造50内に画定された1つまたは複数の凹部56内に配置された1つまたは複数の整流器58とを含む。内側導体ピン20は、好適な外径D1図5を有する。内側導体ピン20の遠位端22は、保持部23を含む。いくつかの実施形態では、保持部23は、外面にねじ山を有していてもよい。一実施形態では、内側導体ピン20の近位端21は、ハンドルアセンブリ170に接続されている。内側導体ピン20は、電気回路300に電気的に接続されてもよく、電気回路300は、本開示では後で詳述するが、ハンドルアセンブリ170内に配置されている。ニードルアセンブリ110の様々な部品は、好適な導電性材料、例えば、同様の導電率値を有する銅、金、銀または他の導電性金属あるいは金属合金で形成されていてもよい。内側導体ピン20、第1の外側導体構造30および/または第2の外側導体構造60を形成するために使用される導電性材料は、それらの特性を向上させるため、例えば、導電率を向上させるため、およびエネルギー損失を減少させるためなどに、他の材料、例えば、金または銀などの他の導電材料でメッキされていてもよい。いくつかの実施形態では、内側導体ピン20、第1の外側導体構造30および/または第2の外側導体構造60は、ステンレス鋼などの剛性の導電性材料で形成されていてもよい。いくつかの実施形態では、内側導体ピン20は第1の導電性材料例えば、ステンレス鋼で形成されており、第1の外側導体構造30および/または第2の外側導体構造60は第2の導電性材料例えば銅で形成されている。いくつかの実施形態では、内側導体ピン20、第1の外側導体構造30および/または第2の外側導体構造60は、チタンなどの可撓性の導電性材料で形成されていてもよい。管状スリーブ部材40は、内側導体ピン20の少なくとも一部をその中に受け入れるように構成された長手方向に延在する内部穴または内部チャンバ45を画定する本体44を含む。本体44は、図5に示す好適な外径D2を有する。管状スリーブ部材40は、限定されるものではないが、セラミック、水、マイカ、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレンPTFE例えば、テフロン登録商標、米国デラウェア州ウィルミントンのEIduPontdeNemoursandCompany社製、ガラス、金属酸化物または他の好適な絶縁体などの任意の好適な誘電材料で形成されていてもよく、任意の好適な方法で形成されていてもよい。図2に示す実施形態では、管状スリーブ部材40は、保持部23の近位の内側導体ピン20の長さ周りに配置されている。本開示に係る接合部材の実施形態は、その中に画定された1つまたは複数の凹部例えば、図2、図5および図9~図12に示す1つの凹部56または図16に示す複数の凹部1656を有する接合構造を含む。図11に最も良く示されているように、凹部56は、整流器58をその中に受け入れるように構成されている。整流器58は、1つまたは複数のダイオード、例えば、ACをDCに変換することができるツェナーダイオード、ショットキーダイオードおよびトンネルダイオードなどおよび/または他の好適な素子1つまたは複数を含んでいてもよい。接合構造50は、任意の好適なプロセスによって、任意の好適なエラストマーまたはセラミック誘電材料で形成されていてもよい。いくつかの実施形態では、接合構造50は、低導電率を有する複合材料、例えば、ガラス繊維強化ポリマーで形成されていてもよい。いくつかの実施形態では、接合構造50は、オーバーモールドによって形成されており、熱可塑性エラストマー、例えば、ポリエーテルブロックアミド例えば、PEBAX登録商標、フランスのコロンブのArkemaグループ社製、ポリエーテルイミド例えば、ULTEM登録商標および/またはEXTEM登録商標、サウジアラビアのSABICInnovativePlastics社製および/またはポリイミド系ポリマー例えば、VESPEL登録商標、米国デラウェア州ウィルミントンのEIduPontdeNemoursandCompany社製などを含む。接合構造50は、任意の好適な方法によって、任意の好適なオーバーモールド化合物を用いて形成されていてもよく、セラミック基板の使用を含んでいてもよい。一実施形態では、図3に最も良く示されているように、電気回路300は、ハンドルアセンブリ170のハンドルハウジング174内に配置されている。一実施形態では、電気回路300は、その素子がエポキシ樹脂基板上の配線によって接続されているプリント回路基板として形成されていてもよい。ハンドルハウジング174は、回路300用の接地基準Gを提供する。インジケータ装置4またはその部品は、ハンドルハウジング174に接続されている。インジケータ装置4としては、使用者に情報/フィードバックを提供する音声および/または視覚インジケータ装置が挙げられる。図1および図3に示す実施形態では、インジケータ装置4は、視覚信号を生成するように構成されており、発光ダイオード9などの光源を含む。インジケータ装置4は、追加として、または、代わりとして、音声信号を生成するように構成されていてもよく、スピーカ図示せずを含む音声回路を含んでいてもよい。内側導体ピン20の近位端21図3に横断面で示すは、フィルタ回路5の第1の端子に電気的に接続されている。フィルタ回路5は、増幅回路7に電気的に接続された第2の端子を含み、ハンドルハウジング174に電気的に接続された接地端子を含んでいてもよい。フィルタ回路5は、RFフィルタブロックを含んでいてもよい。一実施形態では、フィルタ回路5は、検出されたマイクロ波場強度のDC電圧信号の典型となり得る整流素子58からの整流された正弦波形を電気信号に変換するように構成されたインダクタ-抵抗器-コンデンサLCRローパスフィルタであってもよい。図3に示すように、回路300は、増幅回路7に電気的に接続された電源3を含む。電源3は、ハンドルハウジング174に電気的に接続された接地端子を含んでいてもよい。電源3は、電池、電池パック、燃料電池および/または高エネルギーコンデンサの任意の組み合わせを含んでいてもよい。電池パックは、1つまたは複数の使い捨ての電池を含んでいてもよい。そのような場合、1つまたは複数の使い捨ての電池は、増幅回路7のための一次側電源として使用してもよい。いくつかの実施形態では、伝送線路11図1は、マイクロ波場検出ニードルアセンブリを線源電圧または外部電源図1では一般に2で示すに接続するために設けられており、そのような場合、バックアップ電源として使用される電池パックが設けられていてもよい。図4は、マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400に動作可能に接続された独立型制御装置28を含むマイクロ波場検出システム一般に10で示すの一実施形態を概略的に示す。マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400は、マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400が、ニードルアセンブリ110をケーブルアセンブリ15に動作可能に接続するように構成されたハンドルアセンブリ470を含むこと以外は、図1のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100に類似している。ケーブルアセンブリ15は、任意の好適な伝送線路であってもよい。ケーブルアセンブリ15は、制御装置28への接続に適した近位端14を含んでいてもよい。ハンドルアセンブリ470は、使用者に情報/フィードバックを提供するように好適に構成されたインジケータ装置412を含む。インジケータ装置412は、図3に示すインジケータ装置4に類似しており、そのさらなる説明は簡潔のために省略する。ハンドルアセンブリ470およびインジケータ装置412の形状および大きさは、図4に示す構成とは異なっていてもよい。制御装置28は、プロセッサ29と動作可能に通信するユーザインタフェース27を含んでいてもよい。ユーザインタフェース27は、使用者に情報/フィードバックを提供するための音声および/または視覚インジケータ装置を含んでいてもよい。プロセッサ29は、プロセッサ29に関連づけられたメモリ図示せず内に格納された一連の命令を実行することができる計算装置、計算回路あるいは任意の種類のプロセッサまたは処理回路であってもよい。プロセッサ29は、オペレーティングシステムプラットホームおよびアプリケーションプログラムを実行するように構成されていてもよい。マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400および制御装置28は、有線通信および/または無線通信を利用してもよい。図4に示す実施形態では、マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400は、ケーブルアセンブリ15を介してコネクタ16に電気的に接続されており、それにより、マイクロ波場検出ニードルアセンブリ400が制御装置28の端子19にさらに動作可能に接続されている。図5は、本開示に係る分離部分によってニードルアセンブリ110を示す。図2を参照しながら上述したように、ニードルアセンブリ110は、内側導体ピン20、第1の外側導体構造30、第2の外側導体構造60、管状スリーブ部材40、接合構造50および1つまたは複数の整流器58を含む。図5に示すように、第1の外側導体構造30は、第1のチャンバ部36および第2のチャンバ部35を画定している。第1のチャンバ部36は、第1の外側導体構造30の遠位端32に配置されている。第2のチャンバ部35は、第1のチャンバ部36に連通して配置されており、第1の外側導体構造30の近位端31に配置された開口部を含む。いくつかの実施形態では、第1のチャンバ部36は、内側導体ピン20の保持部23に嵌合的に係合例えば螺合するように構成されており、第2のチャンバ部35は、管状スリーブ部材40の少なくとも一部をその中に受け入れるように構成されている。第1の外側導体構造30には、エンドキャップ37が設けられていてもよい。エンドキャップ37は一般に、テーパー部33を含み、テーパー部33は、最小の抵抗で組織内への挿入を可能にする鋭い先端34で終端していてもよい。テーパー部33は、例えば、円形、平坦状、四角形、六角形またはシリンドロコニカル形の先端34のような他の形状を有していてもよい。エンドキャップ37は、高誘電率を有する材料で形成されていてもよく、外套針例えばジルコニアセラミックであってもよい。第1の外側導体構造30およびエンドキャップ37を、互いに別々に形成し、例えば、接着剤または半田を用いて2つを接続してもよい。第1の外側導体構造30およびエンドキャップ37は、単一の一体的構造をなしていてもよい。第1の外側導体構造30およびエンドキャップ37の形状および大きさは、図5に示す構成とは異なっていてもよい。第2の外側導体構造60は、第2の外側導体構造60の近位端61から遠位端62まで延在する長手方向に延在する内部穴または内部チャンバ65を画定している。チャンバ65は、管状スリーブ部材40の少なくとも一部をその中に受け入れるように構成されている。接合構造50は、長手方向に延在する内部穴または内部チャンバ55をその中に画定しており、一般に、第1の外側導体構造30への接続のために構成された遠位端52と、第2の外側導体構造60への接続のために構成された近位端51とを含む。いくつかの実施形態では、接合構造50は、第1の外側導体構造30の近位端31に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられた遠位端52と、第2の外側導体構造60の遠位端62に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられた近位端51とを含む。接合構造50の形状および大きさは、図5に示す構成とは異なっていてもよい。図6~図13は、本開示に係るニードルアセンブリ110を形成する部品の順次に図示された組み立てを示す。図6は、内側導体ピン20を示す。上述したように、内側導体ピン20は、任意の好適な長さの任意の好適な導電性材料例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、チタン、銅などの金属で形成されていてもよい。内側導体ピン20の形状および大きさは、図6に示す構成とは異なっていてもよい。図6および図7に連携させて示すように、内側導体ピン20は、第1の外側導体構造30に例えば電気的および機械的に接続可能であるように構成された保持部23を含む遠位端22を含む。いくつかの実施形態では、保持部23には、第1の外側導体構造30の第1のチャンバ部36内に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられている。あるいは、メカニカルファスナ、溝、フランジ、接着剤および溶接法例えばレーザ溶接または他の好適な接合方法を使用して、内側導体ピン20を第1の外側導体構造30に取り付けまたはクリップ、接続、結合、固着、固定などしてもよい。図7に示すように、長手軸A-Aは、内側導体ピン20によって画定されている。図8および図10に連携させて示すように、管状スリーブ部材40は、第1の外側導体構造30の第2のチャンバ部35、接合構造50のチャンバ55および第2の外側導体構造60のチャンバ60内に受容可能であるように構成されている。図8は、管状スリーブ部材40が保持部23の近位の内側導体20の長さ周りに同軸に配置され、かつ第1の外側導体構造30の第2のチャンバ部35内に少なくとも一部が配置されるように内側導体ピン20および第1の外側導体構造30に接合された管状スリーブ部材40を示す。一実施形態では、例えば図8に示すように、保持部23をエンドキャップ37に接続した後に、管状スリーブ部材40を内側導体ピン20の周りに配置する。あるいは、内側導体ピン20を第1の外側導体構造30の第2のチャンバ部35に導入する前に、管状スリーブ部材40を、内側導体ピン20の少なくとも一部の周りに配置、形成、接着またはそれ以外の方法で配置してもよい。図9は、管状スリーブ部材40の一部の周りに配置され、かつ第1の外側導体構造30に接続された接合構造50と共に示されている図8のニードルアセンブリの一部を示す。接合構造50は、任意の好適な接続方法によって、第1の外側導体構造30に接続されていてもよい。図9に示す実施形態では、接合構造50は、第1の外側導体構造30の近位端31に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられた遠位端52を含む。接合構造50および第1の外側導体構造30ならびに本明細書に記載されている他の部品は、組み立てのために単独であるいは組み合わせて利用される位置合せピン、スナップ式接続部、舌状および溝状接続部、ロックタブ、接着ポートなどを用いて一緒に組み立てられていてもよい。図10は、管状スリーブ部材40の一部の周りに配置され、かつ接合構造50の近位端51に接続された第2の外側導体構造60と共に示されている図9のニードルアセンブリの一部を示す。図10に示す実施形態では、第2の外側導体構造60は、接合構造50の近位端51に配置された一連の雄ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雌ねじが設けられた遠位端62を含む。図11は、接合構造50内の整流器受容凹部56の上に配置された整流素子58と共に示されている図10のニードルアセンブリの一部を示す。整流素子58は、第1のリード線またはピン59a本明細書では端子ともいうおよび第2のリード線またはピン59bを含む。整流器受容凹部56は、第1のピン59aおよび第2のピン59bが内側導体ピン20によって画定された長手軸A-Aに実質的に位置合わせされるように整流素子58を受け入れるように構成されていてもよい。図12は、整流器受容凹部56内に配置された整流素子58と共に示されている図11のニードルアセンブリの一部を示す。第1のピン59aは、任意の好適な電気的接続方法、例えば、半田付け、溶着またはレーザ溶接によって、第1の外側導体構造30に電気的に接続されている。第2のピン59bは、任意の好適な電気的接続方法によって、第2の外側導体60に電気的に接続されている。図13は、第1の外側導体構造30、第2の外側導体構造60および接合構造50の周りに配置された外側ジャケット90と共に示されている図12のニードルアセンブリの一部を示す。外側ジャケットは、例えば、ポリマーまたはセラミック材料などの任意の好適な材料で形成されていてもよい。外側ジャケット90は、例えば、熱収縮、押出成形、成形、被覆、吹付け、浸漬、粉末被覆、焼付けおよび/または膜蒸着などの任意の好適な方法または他の好適なプロセスによって装着されていてもよい。一実施形態では、図13のニードルアセンブリの一部の横断面を示す図14に最も良く示されているように、外側ジャケット90は、整流素子58を覆っている。他の実施形態では、外側ジャケット90は、整流素子58および/または接合構造50またはそれらの部分を露出させるように構成された開口部図示せずを含んでいてもよい。例えば、先端34に対する接合構造50および整流素子58の位置は、所与の物質例えば組織におけるマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100の動作周波数を決定する1つの要因である。所望の周波数を有するマイクロ波場検出ニードルアセンブリを得るために、接合構造50は、図15に例示として示されているように、プローブ上に接続する期待される定常波に沿って高圧位置に配置されていてもよい。処置例えば焼灼処置の間、場1501、1502は、エネルギー伝達装置例えば、図18に示す12例えば、マイクロ波焼灼プローブによって供給されたエネルギーからマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100上に接続する。図16および図17は、多重周波数動作および/または多波長動作が可能であるように構成された本開示の一実施形態に係るニードルアセンブリ一般に1610で示すを示す。ニードルアセンブリ1610は、接合構造1650、第1の外側導体構造1630、第2の外側導体構造1660および複数の凹部1656内に配置された複数の整流器1658の構成以外は、図1、図2および図5に示すニードルアセンブリ110に類似している。ニードルアセンブリ1610は、第1の外側導体構造1630および第2の外側導体構造1660を対角線状に分離するように構成された接合構造1650を含む。第1の外側導体構造1630および第2の外側導体構造1660は、任意の好適な導電性材料、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、チタンまたは銅などの金属で形成されていてもよい。いくつかの実施形態では、第1の外側導体構造1630は、ステンレス鋼で構成され、高導電率の防腐金属例えば銀などで被覆されていてもよい。図16に最も良く示されているように、接合構造1650は、その中に画定された複数の凹部1656を含み、ここでは、各凹部1656は、接合構造1650の異なる外周部内に画定され、かつ整流器1658をその中に受け入れるように構成されている。整流器1658は、図2に示す整流器58に類似しており、そのさらなる説明は簡潔のために省略する。各整流器1658は、多重周波数でのプローブの使用を可能にする個別の周波数で効率的に動作するように構成されていてもよい。図18は、電気外科手術用電力発生源26に動作可能に接続されたエネルギー照射装置またはプローブ12を含む本開示の一実施形態に係る電気外科手術システム1800を示す。いくつかの実施形態では、プローブ12は、冷却液供給システム図示せずに流体連通するように接続されていてもよい。電気外科手術システム1800本明細書ではマイクロ波焼灼制御システムともいうは一般に、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100と、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100と動作可能に通信する制御装置24とを含む。制御装置24および1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100は、有線通信および/または無線通信を利用してもよい。制御装置24は、図4に示す制御装置28に類似しており、そのさらなる説明は簡潔のために省略する。様々な実施形態に係る電気外科手術システム1800は、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される1つまたは複数の電気信号に基づいてエネルギー照射装置またはプローブ12を制御する際の使用に適したフィードバックループ18を含んでいてもよい。フィードバックループ18は、ケーブル接続および/または無線接続例えば、高周波または赤外線リンクを利用してもよい。いくつかの実施形態では、マイクロ波焼灼制御システム1800は、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される1つまたは複数の電気信号に基づいて、電気外科手術用電力発生源26に関連する1つまたは複数の動作パラメータを調節することによって、組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を調整してもよい。図18に示す実施形態では、制御装置24と動作可能に通信する複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100は、フィードバックループ18を介して電気外科手術用電力発生源26に動作可能に接続されている。電気外科手術用電力発生源26に関連する動作パラメータの例としては、温度、インピーダンス、電力、電流、電圧、動作モードおよび電磁エネルギーの照射期間が挙げられる。1つのエネルギー照射装置12および3つのマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100が図18に示されているが、電気外科手術システムの実施形態は、単一もしくは複数のエネルギー照射装置または照射装置アレイおよび1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリを利用し得ることを理解されたい。単一もしくは複数のエネルギー照射装置および1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリは、任意の好適な構成で配置されていてもよい。電気外科手術用電力発生源26は、電気外科手術装置と共に使用するのに適した任意の発生器であってもよく、様々な周波数の電磁エネルギーを供給するように構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、電力発生源26は、約300MHz~約10GHzの動作周波数でマイクロ波エネルギーを供給するように構成されている。他の実施形態では、電力発生源26は、約400KHz~約500KHzの動作周波数で電気手術用エネルギーを供給するように構成されている。いくつかの実施形態では、電気外科手術用電力発生源26は、所定の設定で構成または設定されている。例えば、電気外科手術用電力発生源26は、痛みの治療のために使用し得る温度例えば、約42°Cまたは約80°Cなどの所定の温度、所定の波形、所定のデューティサイクル、所定の作動期間もしくは持続時間などに設定されていてもよい。電気外科手術用電力発生源26は、プロセッサ82図19と動作可能に通信するユーザインタフェース25図19を含んでいてもよい。プロセッサ82は、図19に関してより詳細に説明するが、メモリに格納された一連の命令を実行することができる任意の種類の計算装置、計算回路あるいは任意の種類のプロセッサまたは処理回路であってもよい。一実施形態では、医師は、ユーザインタフェース25を介して選択した電力出力を入力してもよく、マイクロ波焼灼制御システム1800は、例えば、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される少なくとも1つの電気信号に基づいてプローブ12の動作周波数を変更することによって焼灼体積を自動的に調整するようにプローブ12を制御する。一実施形態では、医師は、ユーザインタフェース25を介して選択した電力出力を入力してもよく、マイクロ波焼灼制御システム1800は、大血管、健康な臓器または生体膜障壁などの繊細な構造への焼灼を回避するための指向性放射線パターンによるエネルギー照射装置の回転によって、および/またはエネルギー照射装置12に動作可能に関連づけられた電気外科手術用電力発生源26を制御することによって、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される1つまたは複数の電気信号に基づいて組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を制御する。マイクロ波焼灼制御システム1800を用いたマイクロ波焼灼の間、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を組織Tに挿入し、かつ/または繊細な構造Sに隣接して配置してもよく、かつ/または、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を、腹壁Wおよび/または腹腔Cに挿入してもよい。プローブ12を、組織Tに挿入しかつ/または病変Lに隣接して配置する。超音波またはコンピュータ断層撮影CT誘導を用いて、プローブ12を治療される組織の領域内に正確に誘導してもよい。例えば、手術スタッフによる従来の外科的技術を用いて、プローブ12および1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を経皮的または外科的に配置してもよい。1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100およびプローブ12を配置した後、マイクロ波エネルギーをプローブ12に供給する。臨床医は、マイクロ波エネルギーが照射される時間の長さを予め定めてもよい。照射持続時間は、腫瘍の大きさおよび位置などの多くの要因ならびに腫瘍が続発性もしくは原発性癌であるか否かによって決められてもよい。プローブ12を用いるマイクロ波エネルギー照射の持続時間は、破壊される組織領域および/または周囲組織における熱分配の進行によって決められてもよい。特定の腫瘍の治療では、例えば、腫瘍がプローブよりも大きい場合や入手可能なプローブ形状または放射パターンに一致しない形状を有する場合に、焼灼処置中にプローブを再配置することがある。図19は、図18の電気外科手術用電力発生源26の一実施形態を示すブロック図である。一実施形態では、発生器モジュール86は、約915MHzのエネルギーを供給するように構成されている。発生器モジュール86は、追加として、あるいは、代わりとして、約2450MHz2.45GHzのエネルギーを供給するように構成されていてもよい。本開示は、発生器モジュール286が約915MHzまたは約2450MHz以外の周波数を生成するように構成された実施形態および発生器モジュール86が可変周波数エネルギーを生成するように構成された実施形態を意図している。電気外科手術用電力発生源26は、ユーザインタフェース25に動作可能に接続されたプロセッサ82を含む。プロセッサ82は、メモリ例えば、記憶装置88または外部装置91に格納された一連の命令を実行することができる任意の種類の計算装置、計算回路あるいは任意の種類のプロセッサまたは処理回路を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、記憶装置88は、プロセッサ82に動作可能に接続され、ランダムアクセスメモリRAM、リードオンリーメモリROMおよび/または不揮発性メモリNV-RAM、フラッシュおよびディスクベースの記憶装置を含んでいてもよい。記憶装置88は、本開示に係る焼灼パターンの表示および制御方法を実行するためにプロセッサ82上で実行可能な1組のプログラム命令を含んでいてもよい。電気外科手術用電力発生源26は、外部装置91との通信リンクを提供するように構成されたデータインタフェース90を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、データインタフェース90は、USBインタフェース、メモリカードスロット例えば、SDスロットおよび/またはネットワークインタフェース例えば、100BaseTイーサネット登録商標インタフェースまたは802.11Wi-Fiインタフェースのうちのいずれかであってもよい。外部装置91は、USB装置例えばメモリスティック、メモリカード例えばSDカードおよび/またはネットワーク接続した装置例えば、コンピュータまたはサーバのうちのいずれかであってもよい。電気外科手術用電力発生源26は、エネルギー照射装置データ、例えば、1つまたは複数のエネルギー照射装置例えば、図18および図19に示す12に関連するパラメータを格納しかつ読み出すように構成されたデータベース84を含んでいてもよい。エネルギー照射装置またはエネルギー照射装置アレイに関連するデータベース84に格納されたパラメータとしては、エネルギー照射装置または照射装置アレイの識別子、エネルギー照射装置または照射装置アレイの寸法、周波数、焼灼長さ、焼灼直径、時間係数、形状測定基準および/または周波数測定基準が挙げられるが、これらに限定されない。一実施形態では、焼灼パターン位相、例えば、照射装置アレイのワイヤーフレームモデルおよび/またはそれに関連する焼灼パターンおよび/または1つまたは複数のエネルギー照射装置に接続して使用されるマイクロ波場検出ニードルアセンブリの配置がデータベース84に含まれていてもよい。データベース84の少なくとも一部を、データインタフェース90を介して外部装置91によって提供されるデータによって維持してもよい。例えば、限定されるものではないが、エネルギー照射装置12に関連するデータを、データインタフェース90を介して外部装置91からデータベース84にアップロードしてもよい。追加として、あるいは、代わりとして、外部装置91に格納されているデータおよび/または命令に従って、エネルギー照射装置データを処理例えば、追加、修正または削除してもよい。一実施形態では、データベース84に表示されるエネルギー照射装置データのセットは、データインタフェース90に接続例えば、物理的接続および/または論理的接続されている外部装置91に応答して外部装置91に含まれている対応するデータと自動的に同期される。様々な実施形態に係るプロセッサ82は、使用者が、ユーザインタフェース25および/またはディスプレイ装置図示せずを介して、エネルギー照射装置または照射装置アレイに対応する少なくとも1つの焼灼パターンおよび/または他のデータを観察することができるようにプログラムされている。例えば、医師は、ほぼ球状の焼灼パターンが必要であると判断する場合がある。医師は、電気外科手術用電力発生源26のための焼灼形状を選択するという動作モードを作動させ、グラフィックおよび文字で示されるデータを見直すことによってエネルギー照射装置アレイをプレビューし、任意に、あるいは、代わりとして、例えば、画像を回転させることによってグラフィック画像を操作し、表示されたパラメータに基づいてエネルギー照射装置または照射装置アレイを選択する。次いで、選択したエネルギー照射装置1つまたは複数を、それと共に使用される電気外科手術用電力発生源26に電気的に接続してもよい。電気外科手術用電力発生源26は、アクチュエータ87を含んでいてもよい。アクチュエータ87は、任意の好適なアクチュエータ、例えば、フットスイッチ、ハンドスイッチ、口作動式スイッチ例えば、噛み作動式スイッチおよび/または呼吸作動式スイッチなどであってもよい。アクチュエータ87は、ケーブル接続例えば、図18に示す83または無線接続例えば、高周波または赤外線リンクによってプロセッサ82に動作可能に接続されていてもよい。一実施形態では、医師は、電気外科手術用電力発生源26がそれに対応する1つまたは複数の電磁エネルギー伝達装置および/またはそれと共に使用される1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリを示すように、ユーザインタフェース25を介して照射装置アレイパラメータを入力してもよい。例えば、医師は、3.0cm×3.0cm×3.0cmの焼灼パターンを求め、それに対応する入力を行ってもよい。それに応答して、電気外科手術用電力発生源26は、入力されたパラメータに一致または相関する利用可能な電磁エネルギー伝達装置の対応するサブセットをプレビューしてもよい。一実施形態では、医師は、ユーザインタフェース25を介して選択した電力出力を入力してもよく、電気外科手術システム1800は、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリによって伝達される少なくとも1つの電気信号に基づいて組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を調整するように、エネルギー照射装置12を制御する。以下、本開示に係るニードルアセンブリの製造方法を図20を参照しながら説明し、本開示に係るマイクロ波場検出ニードルアセンブリの製造方法を図21を参照しながら説明し、組織内照射焼灼領域の調節方法を図22を参照しながら説明する。本明細書で提供される方法の工程は、本開示の範囲から逸脱することなく、組み合わせでも本明細書に示されているものとは異なる順序でも実施可能であることを理解されたい。図20は、本開示の一実施形態に係るニードルアセンブリの製造方法を示すフローチャートである。工程2010では、内側導体ピン20を用意する。保持部23を内側導体ピン20の遠位端22に配置する。工程2020では、第1の外側導体構造30を保持部23に接合する。工程2030では、管状スリーブ部材40を、保持部23の近位の内側導体ピン20の長さを覆うように配置する。管状スリーブ部材40は、内側導体ピン20の少なくとも一部をその中に受け入れるように構成された長手方向に延在する内部チャンバ45を含む。工程2040では、接合構造50を第1の外側導体構造30の近位端31に接合し、それにより、接合構造50を管状スリーブ部材40の一部の周りに配置する。接合構造50は、その中に画定された凹部56を含む。接合部材50の遠位端52には、第1の外側導体構造30の近位端31に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられていてもよい。工程2050では、第2の外側導体構造60を、接合構造50の近位端51に接合する。接合部材50の近位端51には、第2の外側導体構造60の遠位端62に配置された一連の雌ねじに嵌合的に係合するように構成された一連の雄ねじが設けられていてもよい。工程2060では、整流素子58を凹部56内に配置する。いくつかの実施形態では、整流素子58は、第1の端子59aおよび第2の端子59bを含む。そのような場合、例えば、半田または他の好適な電気的接続によって、第1の端子59aを第1の外側導体構造30に電気的に接続し、第2の端子59bを第2の外側導体構造60に電気的に接続してもよい。図21は、本開示の一実施形態に係るマイクロ波場検出ニードルアセンブリの製造方法を示すフローチャートである。工程2110では、ハンドルアセンブリ170を用意する。電気回路300をハンドルアセンブリ170内に配置する。工程2120では、ニードルアセンブリ110を用意する。ニードルアセンブリ110は、内側導体ピン20に接続された第1の外側導体構造30と、第1の外側導体構造30と第2の外側導体構造60との間に配置された接合構造50と、接合構造50内に画定された凹部56内に配置された整流素子58とを含む。整流素子58の第1の端子59aを第1の外側導体構造30に電気的に接続し、第2の端子59bを第2の外側導体構造60に電気的に接続する。工程2130では、内側導体ピン20および第2の外側導体構造60を、ハンドルアセンブリ170内に配置された電気回路300に電気的に接続する。図22は、本開示の一実施形態に係る、組織内照射焼灼領域の調節方法を示すフローチャートである。工程2210では、エネルギー照射装置12を用意する。工程2220では、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を用意する。各マイクロ波場検出ニードルアセンブリ100は、整流によってマイクロ波場強度を検出することができる1つまたは複数の整流素子58を含む。工程2230では、エネルギー照射装置12および1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を組織内に配置する。エネルギー照射装置12を、組織内に直接挿入するか、あるいは、外科手術中に臨床医によって体内に配置されたか当該技術分野で知られている他の好適な方法によって体内に配置された内腔例えば、静脈、針、内視鏡またはカテーテルを介して挿入してもよい。エネルギー照射装置12は、指向性放射パターンによって動作するように構成されていてもよい。1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100を任意の好適な方法によって物質例えば組織内に配置し、任意の構成例えば、図18に示す構成で配置してもよい。工程2240では、組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を生成するために、エネルギー源26からエネルギー照射装置12までエネルギーを伝達する。エネルギー源26は、出力信号を生成するための任意の好適な電気外科手術用発生器であってもよい。いくつかの実施形態では、エネルギー源26は、マイクロ波エネルギー源であり、約300MHz~約10GHzの動作周波数でマイクロ波エネルギーを供給するように構成されていてもよい。工程2250では、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される少なくとも1つの電気信号に基づいて、組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を調節する。いくつかの実施形態では、工程2250において組織内のエネルギー照射装置12の少なくとも一部の周りの照射焼灼領域を調節する工程は、1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリ100によって伝達される少なくとも1つの電気信号に基づいて、エネルギー源26に関連する少なくとも1つの動作パラメータを調節する工程を含む。エネルギー源26に関連する動作パラメータの例としては、温度、インピーダンス、電力、電流、電圧、動作モードおよび電磁エネルギーの照射期間が挙げられる。本開示の様々な実施形態によれば、上記マイクロ波場検出ニードルアセンブリによって、医師はエネルギー伝達装置に近接する場強度を検出することができる。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態によって、医師は、マイクロ波場が意図した目的にとって、または所望の手術結果を達成するのに十分に強力であるか否かを判断することができる。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態は、最小の侵襲的処置例えば、内視鏡および腹腔鏡外科的処置での利用に適したものであってもよい。上記マイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態は、観血的手術用途での利用に適したものであってもよい。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの実施形態の様々な実施形態によって、医師は、マイクロ波焼灼プローブを組織内の適切な深さに挿入したときを判断し、例えば、焼灼部位の位置に到達させ、かつ/または意図しない場への曝露を回避することができる。本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリの様々な実施形態は、独立型制御装置と通信接続するように構成されている。本開示の実施形態に係る1つまたは複数のマイクロ波場検出ニードルアセンブリを含む電気外科手術システムは、繊細な構造を保護し、期待される場パターンを確保し、かつ/または流れ込んできたマイクロ波場から腹壁を保護することができる。上記マイクロ波場検出ニードルアセンブリを、エネルギー照射装置によって放射されたマイクロ波場強度を検出するために使用してもよく、本開示のマイクロ波場検出ニードルアセンブリから伝達される電気信号を使用して、電気外科手術装置の配置例えば、大血管、健康な臓器または生体膜障壁などの繊細な構造の焼灼を回避するための指向性放射パターンによるエネルギー照射装置の回転を制御し、かつ/または、エネルギー照射装置に動作可能に関連づけられた電気外科手術用電力発生源を制御してもよい。例示および説明のために添付の図面を参照しながら実施形態について詳細に説明してきたが、本発明の方法および装置はそれらによって限定されるものとして解釈されるべきでないことを理解されたい。本開示の範囲から逸脱することなく、上記実施形態に対する様々な修正が可能であることは当業者に明らかとなるであろう。