"誘電体部材に囲まれた環状チャンバと、前記環状チャンバに連通する開口部と、前記環状チャンバの内部にガスを導入するためのガス供給配管と、前記環状チャンバの近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記環状チャンバが、長尺な形状であり、前記開口部が、長尺で線状であり、前記コイルが、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材の内部に、前記開口部の長手方向に対して平行に冷媒流路が設けられている、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記開口部の長手方向に対して平行で、内部が冷媒流路となっている誘電体管が、前記誘電体部材に接合されている、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記誘電体部材は、内部誘電体ブロックが外部誘電体ブロックに挿入されることによって構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記環状チャンバと前記開口部とを連通させる通路が、1mm以下の隙間から成る、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記環状チャンバの太さが、1mm以上10mm以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記環状チャンバの外径が、10mm以上である、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記環状チャンバと前記開口部とを連通させる通路が、前記開口部の長手方向に対して平行に設けられている、請求項2記載のプラズマ処理装置。誘電体部材で囲まれた環状チャンバ内にガスを供給しつつ、前記環状チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記環状チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術に見られるような誘導結合型の高周波プラズマトーチにおいては、円筒型のものが分析用、或いは、溶射用に実用化されているが、プラズマの発生効率が悪く、ガス流量を増すと放電が不安定化するという欠点があった。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、プラズマを安定的かつ効率的に発生させることができ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、誘電体部材に囲まれた環状チャンバと、前記環状チャンバに連通する開口部と、前記環状チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記環状チャンバ近傍に設けられたコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台とを備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、プラズマを安定的かつ効率的に発生させることができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記環状チャンバが、長尺な形状であり、前記開口部が、長尺で線状であり、前記コイルが、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えることが望ましい。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することができる。また、この場合、好適には、前記誘電体部材の内部に、前記開口部の長手方向に対して平行に冷媒流路が設けられていることが望ましい。或いは、前記開口部の長手方向に対して平行で、内部が冷媒流路となっている誘電体管が、前記誘電体部材に接合されていてもよい。このような構成により、簡単な構成で冷却性に優れたプラズマ処理装置を実現できる。また、本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体部材は、内部誘電体ブロックが外部誘電体ブロックに挿入されることによって構成されていることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記環状チャンバと前記開口部とを連通させる通路が、1mm以下の隙間から成ることが望ましい。このような構成により、より安定なプラズマ発生が可能となる。また、好適には、前記環状チャンバの太さが、1mm以上10mm以下であることが望ましい。このような構成により、より安定なプラズマ発生が可能となる。また、好適には、前記環状チャンバの外径が、10mm以上であることが望ましい。このような構成により、より安定なプラズマ発生が可能となる。また、好適には、前記環状チャンバが、長尺な形状であり、前記開口部が、長尺で線状であり、前記コイルが、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、かつ、前記環状チャンバと前記開口部とを連通させる通路が、前記開口部の長手方向に対して平行に設けられていることが望ましい。このような構成により、より効率的なプラズマ発生が可能となる。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、誘電体部材で囲まれた環状チャンバ内にガスを供給しつつ、前記環状チャンバに連通する開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記環状チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記基材の表面を処理することを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、プラズマを安定的かつ効率的に発生させることができ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、プラズマを安定的かつ効率的に発生させることができ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1b及びcは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1aは、図1bの破線A-A’で切った断面図である。図1bは、図1aの破線B-B’で切った断面図、図1cは図1aの破線C-C’で切った断面図、また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、導体製のソレノイドコイル3が第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5の近傍に配置される。誘電体製の長尺チャンバは、第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5によって囲まれた空間長尺チャンバ内部の空間7により画定される。長尺チャンバのソレノイドコイル3に近い側の内壁面は、ソレノイドコイル3と平行な曲面である。このような構成では、ソレノイドコイル3の任意の部位において、ソレノイドコイル3から長尺チャンバまでの距離が等しくなるので、小さい高周波電力で誘導結合性プラズマの発生が可能となり、効率の良いプラズマ生成が実現できる。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、内部誘電体ブロックとしての第二石英ブロック5の外壁面と、これが挿入された外部誘電体ブロックとしての第一石英ブロック4の内壁面に囲まれている。つまり、長尺チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。また、長尺チャンバ内部の空間7は環状である。ここでいう環状とは、一続きの閉じたヒモ状をなす形状を意味し、円形に限定されるものではない。本実施の形態においては、レーストラック形2つの長辺をなす直線部と、その両端に2つの短辺をなす円、楕円、または直線が連結されてなる、一続きの閉じたヒモ状の形状の長尺チャンバを例示している。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマPは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。第二石英ブロック5の内部にプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二石英ブロック5に設けられたガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。プラズマガス供給穴11は、丸い穴状のものを長手方向に複数設けたものであるが、長尺のスリットであってもよい。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガス供給口としてのシールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、或いは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。なお、シールドガス供給口は、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつスリットであってもよいし、或いは、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに並んだ多数の穴であってもよい。ソレノイドコイル3は中空の銅管からなり、内部が冷媒流路となっている。すなわち、水などの冷媒を流すことで、冷却が可能である。また、第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5には、プラズマ噴出口8の長手方向に対して平行に冷媒流路15が設けられている。また、第一石英ブロック4には、プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きにも冷媒流路15が設けられ、プラズマ噴出口8の長手方向に対して平行な冷媒流路15と立体的に交差し、外部との間で冷媒の給排水が行われる。また、第二石英ブロック5内においては、図1cに示すように、冷媒流路が合流して束ねられ、外部との冷媒の給排水が行われる。これらの冷媒流路は、その断面が円であるから、大量の冷媒を流した際もその内圧によって構成部材の変形が起きにくい。つまり、本実施の形態においては、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が可能である。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりソレノイドコイル3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマPを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bcの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、ソレノイドコイル3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマPを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。プラズマ発生の条件としては、プラズマ噴出口8と基材2間の距離=3~50mm、走査速度=50~3000mm/s、プラズマガス総流量=1~100SLM、ArH2ガス中のH2濃度=0~10、シールドガスN2流量=1~100SLM、高周波電力=0.5~10kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、プラズマ噴出口8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、プラズマ噴出口8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、本実施の形態においては、長尺チャンバ内部の空間7は環状である。そして、環状チャンバと開口部としてのプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間図1aの寸法gを0.5mmとしている。このような長尺チャンバの構造がもたらす効果について、以下で説明する。従来例に示した特許文献6には、プラズマトーチ内部の構造は詳細に開示されていないが、一般的な円筒型の誘導結合型プラズマトーチと同様、一塊の直方体形状の空間であるものと推察される。このような空間に大気圧誘導結合型プラズマを発生させると、円環状のドーナツ形状のプラズマがチャンバ内に発生しやすい。すなわち、直方体形状のチャンバ内に円環状のプラズマが発生するので、チャンバ内はその一部のみが非常に高密度のプラズマとなり、長尺方向に均一な処理を行うことが困難である。一方、本実施の形態においては、長尺の環状チャンバを構成しているため、その形状に沿ってレーストラック形の細長い長尺プラズマPが発生する。したがって、従来例に比べて、格段に長尺方向に均一な処理を行うことができる。また、チャンバの体積が従来例に比べて小さくなることから、単位体積当たりに作用する高周波電力が増すので、プラズマ発生効率がよくなるという利点もある。また、従来の一般的な誘導結合型プラズマトーチにおいては、ガス流量を増すと放電が不安定になることが指摘されている例えば、HironobuYabutaetal.,DesignandevaluationofdualinletICPtorchforlowgasconsumption,JournalofAnalyticalAtomicSpectrometry,1720021090-1095頁を参照。これは、チャンバ内で環状プラズマが揺動した際に、ガス流れの下流域において環状プラズマとコイルとの距離が離れすぎて誘導結合を維持できなくなり、プラズマが失火してしまうためと考えられる。一方、本実施の形態においては、環状チャンバと開口部としてのプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間gを0.5mmと極めて狭く構成しているため、環状プラズマPがこの通路に侵入することができず、環状チャンバ内通路よりも上流の領域にとどまる。したがって、ガス流量を増しても環状プラズマPの揺動が起きず、極めて安定した長尺の環状プラズマPが維持される。したがって、従来例に比べて、格段に安定したプラズマ発生が可能となる。なお、環状チャンバと開口部としてのプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間gについて詳細に調べたところ、gが1mm以下である場合に環状プラズマPの揺動を抑制できることがわかった。gがあまりに小さいと、長尺方向の部品加工や組立精度の影響が増し、また、通路を通過して基材2に到達するプラズマ流が弱まるため、0.1mm以上、好ましくは0.3mm以上に構成することが望ましい。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。図3は、本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図3において、円筒状に成形された導体製のソレノイドコイル3は、第一石英ブロック4の内部に第二石英ブロック5が挿入されてなる石英ブロック群の周辺に配置される。第二石英ブロック5には、プラズマガス供給配管10が設けられる。なお、誘導結合型プラズマトーチユニットの断面図は、図1aと同様である。つまり、円形の環状チャンバを構成しているため、その形状に沿って円形のドーナツ状プラズマPが発生する。したがって、チャンバの体積が従来例に比べて小さくなることから、単位体積当たりに作用する高周波電力が増すので、プラズマ発生効率がよくなる。また、環状チャンバと開口部としてのプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間gを0.5mmと極めて狭く構成しているため、環状プラズマPがこの通路に侵入することができず、環状チャンバ内通路よりも上流の領域にとどまる。したがって、ガス流量を増しても環状プラズマPの揺動が起きず、極めて安定した円形の環状プラズマPが維持される。したがって、従来例に比べて、格段に安定したプラズマ発生が可能となる。なお、図3においては冷媒流路については省略しているが、実施の形態1と同様の構成を採用することも可能であるし、或いは、従来の円筒型誘導結合型プラズマトーチと同様、第一石英ブロック4を二重管構造として、その間に冷媒を流す方式を採用することも可能である。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。図4aは本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図4bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図4aは図4bの破線で切った断面図、図4bは図4aの破線で切った断面図である。図4において、内部が冷媒流路を構成する石英管16が、第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5に接着剤17により接合されている。第一石英ブロック4に対しては、その外壁面に石英管16が接合され、第二石英ブロック5に対しては、その内部に設けた凹部に石英管16が接合される。また、ソレノイドコイル3が第一石英ブロック4の外壁面に接合されており、ソレノイドコイル3自身と第一石英ブロック4の両方を冷却することができる構造である。また、第二石英ブロック5の凹部においては、石英管16が波型に折り曲げられて収納され、第二石英ブロック5の上方より冷媒の給排水を行っており、凹部全体を効果的に冷却するとともに、プラズマPに接する第二石英ブロック5の外壁面長尺チャンバの内壁面を効果的に冷却することができる。また、第二石英ブロック5に上方から凹部を形成しているため、プラズマガスマニホールド9及びプラズマガス供給配管10を、トーチユニットの長尺方向に対して平行に2箇所ずつ設ける構成としている。このような構成では、2つのガス供給系プラズマガスマニホールド9及びプラズマガス供給配管10のガス流量バランスを制御できるという利点もある。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態1、2、3においては、第一石英ブロック4の下方を絞り、狭いスリット状のプラズマ噴出口8にプラズマ流を導く構成としていた。また、第二石英ブロック5は、環状チャンバの内壁面を構成する2つの平行な平面部と、その平面部に繋がり第一石英ブロック4の下方の絞り部を構成する斜面に平行な2つの斜面部を構成していた。つまり、長尺チャンバ内部の空間7は、下方プラズマ噴出口8に近い側に近づくにともない、徐々にチャンバの幅が狭くなっていく構成としていた。実施の形態4においては、第二石英ブロック5の中間部分において内側に溝を形成することで、この溝と第一石英ブロック4の内壁面との間に長尺チャンバ内部の空間7を構成している。つまり、長尺チャンバ内部の空間7は、その断面が直方体に近い形状となっている上下方向において、チャンバの幅がほぼ一定。このような構成により、環状プラズマPの発生位置がより安定化する利点がある。なお、実施の形態4を含め、以下の実施の形態においては、誘導結合型プラズマトーチユニットTの構成部材の冷却を行うための冷媒流路についての説明を省略している。必要に応じて、適宜実施の形態1、3で説明したものと同様の構成を採用することができる。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図6を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態5においては、第一石英ブロック4の下方に、長尺チャンバ内部の空間7の内壁面となる、基材載置台1と平行な内壁面を形成している。また、第二石英ブロック5の形状を、プラズマ噴出口8に近づくにつれて徐々にブロックの幅が狭くなるような、下方に向けて尖った形状に構成している。このような構成により、環状プラズマPの侵入を抑制するための通路が短くなり、より強度の大きいプラズマ噴出を得ることができる。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図7を参照して説明する。図7は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態6においては、第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5において長尺チャンバ内部の空間7の内壁面となる部分を滑らかな曲面で構成している。このような構成により、環状プラズマPの発生位置がより安定化するとともに、各石英ブロックの劣化が特定の部位に集中するのを効果的に抑制できるので、部品寿命が延びるという利点がある。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態7においては、第一石英ブロック4の下方を、基材載置台1に平行な面で切った断面が同じ形状になるよう構成するとともに、第二石英ブロック5の中間部に内側に向けて溝を形成することで、この溝と第一石英ブロック4の内壁面との間に長尺チャンバ内部の空間7を構成している。つまり、長尺チャンバ内部の空間7は、その断面が直方体に近い形状となっている上下方向において、チャンバの幅がほぼ一定。このような構成により、環状プラズマPの発生位置がより安定化する利点がある。また、プラズマ噴出口8の幅を広く構成しているので、基材をより高温に処理したい場合に有利な構成である。実施の形態8以下、本発明の実施の形態8について、図9を参照して説明する。図9は本発明の実施の形態8におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態8においては、第一石英ブロック4を、その断面がL字形となるよう構成し、下方に向けて凸形を構成した第二石英ブロック5との間に長尺チャンバ内部の空間7を形成している。つまり、長尺チャンバ内部の空間7は、その断面が直方体に近い形状となっている上下方向において、チャンバの幅がほぼ一定。このような構成により、環状プラズマPの発生位置がより安定化する利点がある。また、プラズマ噴出口8の幅を比較的広く構成しているので、基材をより高温に処理したい場合に有利な構成である。実施の形態9以下、本発明の実施の形態9について、図10を参照して説明する。図10は本発明の実施の形態9におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態9においては、第二石英ブロック5内に、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10及びプラズマガス供給穴11貫通穴を、トーチユニットの長尺方向に対して平行に2箇所ずつ設ける構成としているプラズマガス供給穴11は、丸い穴状のものを長手方向に複数設けている。このような構成では、2つのガス供給系プラズマガスマニホールド9及びプラズマガス供給配管10のガス流量バランスを制御できる。さらに、追加ガスマニホールド18、追加ガス供給配管19及び追加ガス供給穴20が、第二石英ブロック5内に設けられ、プラズマガスとは同種または別種のガスを、プラズマ噴出口8から基材に向けて供給できる構成としている。このような構成により、エッチングガス、ドーピングガス、デポジションガスなど種々のガスを追加ガスとして供給することで、基材表面において種々の反応を起こすことができる。これら反応性の追加ガスは、プラズマ密度が高い長尺チャンバ内部の空間7に直接供給されると、環状チャンバを構成する第一石英ブロック4及び第二石英ブロック5の激しい変質を引き起こすが、本実施の形態では、こうした変質を避けつつ、効果的に基材表面の反応を促すことができる。実施の形態10以下、本発明の実施の形態10について、図11を参照して説明する。図11は本発明の実施の形態10におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態10においては、第二石英ブロック5の中間部に内側に向けて溝を形成することで、この溝と第一石英ブロック4の内壁面との間に長尺チャンバ内部の空間7を構成している点で、実施の形態7と同様であるが、溝をソレノイドコイル3よりも上方にまで延長させている点が異なる。このような構成により、放電の着火がより容易になるという利点がある。実施の形態11以下、本発明の実施の形態11について、図12を参照して説明する。図12は本発明の実施の形態11におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態11においては、第二石英ブロック5の下方を、基材載置台1に平行な面で切った断面が同じ形状になるよう構成するとともに、第一石英ブロック4の中間部に外側に向けて溝を形成することで、この溝と第二石英ブロック5の外壁面との間に長尺チャンバ内部の空間7を構成している。つまり、長尺チャンバ内部の空間7は、その断面が直方体に近い形状となっている上下方向において、チャンバの幅がほぼ一定。このような構成では、長尺チャンバ内部の空間7からプラズマ噴出口8に至るプラズマ流路長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間を短く構成することが可能となり、より高温のプラズマを基材に照射できるという利点がある。さて、長尺の環状チャンバと開口部としてのプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間の寸法については、実施の形態1において詳しく説明したが、ここで、その他の寸法について説明を加える。環状チャンバの太さ環状チャンバを構成する、一続きの閉じたヒモの太さをdとすると、図12においては、第一石英ブロック4に設けられた溝の外側の内壁面と、第二石英ブロック5の外壁面との間の距離dとして表される。また、環状チャンバの外径環状チャンバの全体としての大きさをwとすると、図12においては、互いに向かい合った、第一石英ブロック4に設けられた溝の外側の内壁面の距離wとして表される。環状チャンバは長尺であるので、長辺部と短辺部とでは、環状チャンバの外径wは異なり、長辺部における環状チャンバの外径wの方が小さい。これらの寸法d環状チャンバの太さ、w環状チャンバの外径について実験的に詳細に調べたところ、dが1mm未満であると、環状チャンバ内には高密度の熱プラズマが極めて発生しにくくなることが判明した。また、wが10mm未満の場合も、環状チャンバ内には高密度の熱プラズマが極めて発生しにくくなることが判明した。こうした実験から、環状チャンバの太さは、1mm以上であることが好ましく、環状チャンバの外径は、10mm以上であることが好ましいことがわかった。また、dが太すぎるとプラズマ発生効率が低下するので、環状チャンバの太さdは10mm以下であることが望ましい。実施の形態12以下、本発明の実施の形態12について、図13を参照して説明する。図13は本発明の実施の形態12におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態12においては、長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間を、第一石英ブロック4の最下部の内壁面と、第二石英ブロック5の最下部の外壁面との間に設けており、長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間の長さを極めて短くなるよう構成している。このような構成により、より高温のプラズマを基材に照射することができる。また、トーチユニットが非常に小さくなるという利点がある。実施の形態13以下、本発明の実施の形態13について、図14を参照して説明する。図14は本発明の実施の形態13におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態13においては、実施の形態12と同様、長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間を、第一石英ブロック4の最下部の内壁面と、第二石英ブロック5の最下部の外壁面との間に設けており、長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路の隙間の長さを極めて短くなるよう構成している。さらに、ソレノイドコイル3の代わりに、平面状のスパイラルコイル21を、第二石英ブロック5の上方に設けている。このような構成により、より高温のプラズマを基材に照射することができ、トーチユニットが非常に小さくなる。実施の形態14以下、本発明の実施の形態14について、図15を参照して説明する。図15は本発明の実施の形態14におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図であり、図1bに相当する。実施の形態14においては、長尺チャンバの短辺部に相当する部位において、長尺チャンバ内部の空間7とプラズマ噴出口8とを連通させる通路が無い構成としている。つまり、環状チャンバと開口部とを連通させる通路が、開口部の長手方向に対して平行に設けられている平行でない部位には設けられない。このような構成により、より効率的なプラズマ発生が可能となる。また、プラズマ噴出口8の両端部において噴出されるプラズマ流が過剰になってしまう現象を、簡単な構成で抑制できる。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。また、本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となる。とりわけ、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。或いは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。或いは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で効率よく処理することが可能となる。"