"式1で表される化合物。式1において、R1およびR2は独立して、水素、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1、環A2、および環A3は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロヘキセニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;lは1または2であり、mおよびnは独立して、0、1、または2であり、mおよびnの和は1または2であり、l、m、およびnの和は、2または3であり;lおよびmが1であり、nが0であり、環A1が1,4-フェニレンまたは2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;lが2であり、mが1であり、nが0であり、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであり、環A2が1,4-フェニレンであるとき、2つの環A1の他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。式1-1または1-2で表される請求項1に記載の化合物。式1-1および1-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-1において、環A1および環A2のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-2において、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。式1-1-1、1-1-2、および1-2-2のいずれか1つで表される請求項2に記載の化合物。式1-1-1、1-1-2、および1-2-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。式1-3または1-4で表される請求項1に記載の化合物。式1-3および1-4において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1、および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-3において、環A1および環A2のいずれか一方が、1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-4において、2つの環A2のいずれか一方が、1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。式1-3-1~1-3-3、および式1-4-1~1-4-3のいずれか1つで表される請求項4に記載の化合物。式1-3-1~1-3-3、および式1-4-1~1-4-3において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。式1-5で表される請求項1に記載の化合物。式1-5において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり、環A3は、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A3は1,4-シクロヘキセニレンであり;xは1または2である。請求項1~6のいずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。式2、3、4、5、6、および7で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項7に記載の液晶組成物。式2~7において、R3およびR4は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環D1、環D2、環D3、および環D4は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル、またはデカヒドロ-2,6-ナフタレンであり;Z2、Z3、Z4、およびZ5は独立して、-CH22-、-COO-、-CH2O-、-OCF2-、-OCF2CH22-、または単結合であり;L1およびL2は独立して、フッ素または塩素であり;q、r、s、t、u、およびvは独立して、0または1であり、r、s、t、uの和は、1または2である。式8、9、および10で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項7に記載の液晶組成物。式8~10において、R5およびR6は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環E1、環E2、および環E3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、3-フルオロ-1,4-フェニレン、または2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z6およびZ7は独立して、-C≡C-、-COO-、-CH22-、-CH=CH-、または単結合である。請求項9に記載の式8、9、および10で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項8に記載の液晶組成物。少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する、請求項7~10のいずれか1項に記載の液晶組成物。少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤をさらに含有する請求項7~11のいずれか1項に記載の液晶組成物。請求項7~12のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。IPSモードおよびVAモードなどの動作モードの液晶表示素子であっても、CRT表示と比較すれば未だに解決すべき課題があり、例えば、応答時間の向上、コントラストの向上、駆動電圧の低下が望まれている。IPSモード、またはVAモードで動作する表示素子では、主として、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が使われている。表示素子の特性をさらに向上させるためには、この組成物に含まれる液晶性化合物が、下記の1~8で示す物性を有することが必要である。1化学的に安定であること、および物理的に安定であること、2高い透明点液晶相-等方相の転移温度を有すること、3液晶相ネマチック相、スメクチック相などの下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと、4粘度が小さいこと、5適切な光学異方性を有すること、6負に大きな誘電率異方性を有すること、7適切な弾性定数K33K33:ベンド弾性定数を有すること、8他の液晶性化合物との相溶性に優れること。1のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。2および3のように、高い透明点または液晶相の低い下限温度を有する化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度範囲で表示素子として使用することが可能となる。4のように粘度の小さな化合物を含む組成物を表示素子に用いると応答時間を向上することができる。5のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。素子の設計次第では、光学異方性は小さいものから大きなものまで必要である。最近ではセル厚を薄くすることにより応答時間を改善する方法が検討されており、それに伴い、大きな光学異方性を有する液晶組成物も必要となっている。液晶性化合物が負に大きな誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができる。したがって、6のように負に大きな誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力を小さくすることができる。7ついては、小さな弾性定数K33を有する化合物を含む組成物を表示素子に用いることで表示素子の駆動電圧を小さくすることができ、消費電力も小さくすることができる。大きな弾性定数K33を有する化合物を含む組成物を表示素子に用いると応答時間を向上することができる。液晶性化合物は、単一の化合物では達成することが困難な物性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、8のように、他の液晶性化合物との相溶性が良好であることが好ましい。表示素子は、氷点下を含む幅広い温度範囲で使用するので、低い温度でも良好な相溶性を有す化合物であることが好ましい。本発明の第一の目的は、熱、光などに対する高い安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および大きな弾性定数K33を有し、負に大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。本発明の第二の目的は、この化合物を含有し、熱、光などに対する安定性が高く、粘度が低く、適切な光学異方性、および負に大きな誘電率異方性を有し、大きな弾性定数K33を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い液晶組成物を提供することである。本発明の第三の目的は、この組成物を含有し、応答時間が短く、消費電力が小さく、駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である液晶表示素子を提供することである。本発明者らはこれらの課題に鑑み鋭意研究を行った結果、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環またはベンゼン環と、ブテン結合基とを有する2,3-ジフルオロベンゼン誘導体が、熱、光などに対する高い安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、適切な光学異方性、および大きな弾性定数K33を有し、負に大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有していることを見いだした。本発明者らは、この化合物を含有する液晶組成物が、熱、光などに対する高い安定性を有し、粘度が小さく、適切な光学異方性、大きな弾性定数K33、および適切な負の誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いことを見いだした。さらに、本発明者らは、この組成物を含有する液晶表示素子が、応答時間が短く、消費電力が小さく、駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であることを見いだした。本発明者らは、このようにして発明を完成するに到った。本発明は、下記の1~13に記載された項などを包含する。1式1で表される化合物。式1において、R1およびR2は独立して、水素、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1、環A2、および環A3は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロヘキセニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;lは1または2であり、mおよびnは独立して、0、1、または2であり、mおよびnの和は1または2であり、l、m、およびnの和は、2または3であり;lおよびmが1であり、nが0であり、環A1が1,4-フェニレンまたは2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;lが2であり、mが1であり、nが0であり、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであり、環A2が1,4-フェニレンであるとき、2つの環A1の他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。2式1-1または1-2で表される項1に記載の化合物。式1-1および1-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-1において、環A1および環A2のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-2において、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。3式1-1-1、1-1-2、および1-2-2のいずれか1つで表される項2に記載の化合物。式1-1-1、1-1-2、および1-2-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。4式1-3または1-4で表される項1に記載の化合物。式1-3および1-4において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1、および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-3において、環A1および環A2のいずれか一方が、1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-4において、2つの環A2のいずれか一方が、1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。5式1-3-1~1-3-3、および式1-4-1~1-4-3のいずれか1つで表される項4に記載の化合物。式1-3-1~1-3-3、および式1-4-1~1-4-3において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。6式1-5で表される項1に記載の化合物。式1-5において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり、環A3は、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A3は1,4-シクロヘキセニレンであり;xは1または2である。7項1~6のいずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含有する液晶組成物。8式2、3、4、5、6、および7で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、項7に記載の液晶組成物。式2~7において、R3およびR4は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環D1、環D2、環D3、および環D4は独立して、1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4-フェニレン、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル、またはデカヒドロ-2,6-ナフタレンであり;Z2、Z3、Z4、およびZ5は独立して、-CH22-、-COO-、-CH2O-、-OCF2-、-OCF2CH22-、または単結合であり;L1およびL2は独立して、フッ素または塩素であり;q、r、s、t、u、およびvは独立して、0または1であり、r、s、t、uの和は、1または2である。9式8、9、および10で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、項7に記載の液晶組成物。式8~10において、R5およびR6は独立して、炭素数1~10のアルキルまたは炭素数2~10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の-CH2-は-O-で置き換えられてもよく;環E1、環E2、および環E3は独立して、1,4-シクロヘキシレン、ピリミジン-2,5-ジイル、1,4-フェニレン、2-フルオロ-1,4-フェニレン、3-フルオロ-1,4-フェニレン、または2,5-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;Z6およびZ7は独立して、-C≡C-、-COO-、-CH22-、-CH=CH-、または単結合である。10項9に記載の式8、9、および10で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する項8に記載の液晶組成物。11少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する、項7~10のいずれか1項に記載の液晶組成物。12少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤をさらに含有する項7~11のいずれか1項に記載の液晶組成物。13項7~12のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。透明点は、液晶性化合物における液晶相-等方相の転移温度である。ネマチック相の上限温度は、液晶組成物におけるネマチック相-等方相の相転移温度であり、上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。式1で表わされる化合物を化合物1と略すことがある。この略記は、式2などで表される化合物にも適用することがある。式1から式10において、六角形で囲んだD、Eなどの記号はそれぞれ環D、環Eなどに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率重量である。R1、環A1、Z1などの記号を同一の式または異なった式に記載した。これらの化合物において、任意の2つのR1が表わす2つの基は同一であってもよいし、異なってもよい。このルールは、環A1、Z1などの記号にも適用される。任意のは、元素または官能基の位置だけなく、その数においても制限なく選択できることを意味する。任意のAが、B、CまたはDで置き換えられてもよいという表現は、任意のAがBで置き換えられる場合、任意のAがCで置き換えられる場合、および任意のAがDで置き換えられる場合に加えて、複数のAがB~Dの少なくとも2つで置き換えられる場合をも含むことを意味する。例えば、任意の-CH2-が-O-または-CH=CH-で置き換えられてもよいアルキルには、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルなどが含まれる。なお、連続する2つの-CH2-が-O-で置き換えられて、-O-O-のようになることは好ましくない。末端メチル基-CH2-Hの-CH2-が-O-で置き換えられて-O-Hになることも好ましくない。本発明の液晶性化合物は、熱、光などに対する高い安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数K33K33:ベンド弾性定数を有し、負に大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有している。この液晶性化合物は、ネマチック相の上限温度が低下せず、粘度が大きくなることなく、光学異方性が大きくなる傾向にある、という点で特に優れている。本発明の液晶組成物は、粘度が小さく、大きな光学異方性、適切な弾性定数K33、および負に大きな誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。この液晶組成物は大きな光学異方性を有するため、大きな光学異方性が必要な表示素子に有効である。本発明の液晶表示素子は、応答時間が短く、消費電力が小さく、駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能である。したがって、IPSモード、VAモード、またはPSAモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができる。本発明の化合物、液晶組成物、液晶表示素子について、さらに具体的に説明する。化合物1本発明の化合物は、式1で示される構造を有する。まず、化合物1の末端基、環構造、結合基について説明する。式1において、R1およびR2は独立して、水素、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。R1またはR2は、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、またはアルケニルが好ましく、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルがさらに好ましい。R1およびR2が、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルである場合には、この化合物の液晶相の温度範囲を広げることができる。アルキルの具体例としては、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-C6H13、および-C7H15を挙げることができる。アルコキシの具体例としては、-OCH3、-OC2H5、-OC3H7、-OC4H9-OC5H11、および-OC6H13を挙げることができる。アルコキシアルキルの具体例としては、-CH2OCH3、-CH2OC2H5、-CH2OC3H7、-CH22OCH3、-CH22OC2H5、-CH22OC3H7、-CH23OCH3、-CH24OCH3、および-CH25OCH3を挙げることができる。アルケニルの具体例としては、-CH=CH2、-CH=CHCH3、-CH2CH=CH2、-CH=CHC2H5、-CH2CH=CHCH3、-CH22CH=CH2、-CH=CHC3H7、-CH2CH=CHC2H5、-CH22CH=CHCH3、および-CH23CH=CH2を挙げることができる。アルケニルオキシの具体例としては、-OCH2CH=CH2、-OCH2CH=CHCH3、および-OCH2CH=CHC2H5を挙げることができる。R1およびR2の具体例の中でも、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-C5H11、-OCH3、-OC2H5、-OC3H7、-OC4H9、-OC5H11、-CH2OCH3、-CH22OCH3、-CH23OCH3、-CH2CH=CH2、-CH2CH=CHCH3、-CH22CH=CH2、-CH2CH=CHC2H5、-CH22CH=CHCH3、-CH23CH=CH2、-CH23CH=CHCH3、-CH23CH=CHC2H5、-CH23CH=CHC3H7、-OCH2CH=CH2、-OCH2CH=CHCH3、および-OCH2CH=CHC2H5が好ましく、-CH3、-C2H5、-C3H7、-OCH3、-OC2H5、-OC3H7、-OC4H9、-CH22CH=CH2、-CH22CH=CHCH3、および-CH22CH=CHC3H7がより好ましい。これら基中の炭素-炭素結合の鎖は、直鎖であることが好ましい。炭素-炭素結合の鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。R1およびR2のいずれかが光学活性基である場合には、キラルドーパントとして有用である。この化合物を液晶組成物に添加することにより、液晶表示素子に発生するリバースツイストドメインReversetwisteddomainを防止することができる。アルケニルには、アルケニル中の二重結合の位置に依存して、-CH=CH-の好ましい立体配置がある。-CH=CHCH3、-CH=CHC2H5、-CH=CHC3H7、-CH=CHC4H9、-C2H4CH=CHCH3、または-C2H4CH=CHC2H5などのように奇数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はトランス配置が好ましい。一方、-CH2CH=CHCH3、-CH2CH=CHC2H5、-CH2CH=CHC3H7などのように偶数位に二重結合を有するアルケニルでは、立体配置はシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、液晶相の温度範囲が広く、大きな弾性定数比K33/K11K33:ベンド弾性定数、K11:スプレイ弾性定数を有し、粘度を小さい。この化合物を液晶組成物に添加すると、上限温度を高くすることができる。式1において、環A1、環A2、および環A3は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロヘキセニレンであり;lおよびmが1であり、nが0であり、環A1が1,4-フェニレンまたは2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであるとき、環A2および環A3の少なくとも1つは1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;lが2であり、mが1であり、nが0であり、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであり、環A2が1,4-フェニレンであるとき、2つの環A1の他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。これら環の中でも、1,4-シクロへキシレンおよび1,4-フェニレンがより好ましく、環A1が1,4-フェニレンであり、環A2が1,4-シクロヘキシレンである組み合わせが最も好ましい。これら環のうち少なくとも1つの環が、1,4-シクロヘキシレンであるときには、粘度を小さくすることができる。この化合物を液晶組成物に添加すると、上限温度を高くすることができる。これら環のうち少なくとも1つの環が、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであるときには、誘電率異方性を負に大きくすることができる。この化合物を液晶組成物に添加すると、光学異方性を大きくすることができる。化合物の安定性を考慮すると、Z1の-CH=CH-に結合した環には1,4-シクロヘキシレン、1,4-シクロヘキセニレンが好ましく、1,4-シクロヘキシレンがさらに好ましい。1,4-シクロへキシレンには、シス-1,4-シクロへキシレン、およびトランス-1,4-シクロへキシレンの2種類の立体配置がある。液晶組成物に添加したとき、上限温度を高くするという観点から、トランス-1,4-シクロへキシレンが好ましい。式1において、Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-である。Z1が、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であるので、化合物の粘度を小さくすることができ、透明点を高くすることができる。式1において、lは1または2であり、mおよびnは独立して、0、1、または2であり、mおよびnの和は1または2であり、l、m、およびnの和は、2または3でありる。化合物1は、2位および3位の水素がフッ素で置き換えられた1,4-フェニレンを有する。このような構造の効果により、適切な光学異方性、適切な弾性定数K33、大きな負の誘電率異方性を有する。結合基が-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であるので、化合物1は、他の液晶性化合物との優れた相溶性、高い弾性定数、低い粘度を有する。化合物1は、ネマチック相の上限温度が低下せず、他の液晶性化合物との相溶性が高く、粘度が低い、という点で特に優れている。以上述べたように、化合物1では、R1、R2、環A1、環A2、環A3、およびZ1を適宜選択することにより、誘電率異方性などの物性を目的とする値に調整することが可能である。化合物の物性に大きな差異がないので、化合物1は、2H重水素、13Cなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。化合物1の好ましい例として、化合物1-1および、化合物1-3および1-4、および化合物1-5が挙げられる。化合物1-1~1-5についてを順を追って説明する。これらの化合物において、R1、R2、環A1、環A2および環A3の好ましい例は、化合物1の場合と同様である。化合物1-1およびは、次のとおりである。式1-1および1-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A2は1,4-シクロヘキセニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-1において、環A1および環A2のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-2において、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。化合物1-1および1-2の好ましい例として、化合物1-1-1、1-2-1、および1-2-2が挙げられる。式1-1-1、1-2-1、および1-2-2において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。化合物1-1、1-2、1-1-1、1-2-1、および1-2-2は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-を有するので、非対称である。さらに、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、および1,4-フェニレンから選択された3つの環が非対称に配置されている。従って、これらの化合物は、熱や光に対する高い安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、透明点をより高く、および大きな弾性定数K33を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。式1-3および1-4において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1および環A2は独立して、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;Z1は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-であり;式1-1において、環A1および環A2のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり;式1-2において、2つの環A1のいずれか一方が1,4-フェニレンであるとき、他方は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンである。化合物1-3および1-4の好ましい例として、化合物1-3-1~1-3-3および化合物1-4-1~1-4-3が挙げられる。化合物1-3-1~1-3-3および化合物1-4-1~1-4-3において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシである。化合物1-3および1-4、化合物1-3-1~1-3-3、および化合物1-4-1~1-4-3は、-CH22-CH=CH-、または-CH=CH-CH22-を有するので、非対称である。さらに、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、および1,4-フェニレンから選択された4つの環が非対称に配置されている。従って、これらの化合物は、熱や光に対する高い安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、透明点をより高く、適切な光学異方性および大きな弾性定数K33を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。式1-5において、R1およびR2は独立して、炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数1~9のアルコキシ、炭素数2~9のアルコキシアルキル、または炭素数2~9のアルケニルオキシであり;環A1は1,4-シクロへキシレンまたは1,4-シクロヘキセニレンであり、環A3は、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、または1,4-フェニレンであり;環A1が1,4-シクロへキシレンであるとき、環A3は1,4-シクロヘキセニレンであり;xは1または2である。化合物1-5は、-CH=CH-CH22-を有するので非対称である。さらに、2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレン、1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、および1,4-フェニレンから選択された3つまたは4つの環が非対称に配置されている。従って、これらの化合物は、熱や光に対する高い安定性を有し、液晶相の下限温度をより低く、適切な光学異方性および大きな弾性定数K33を有し、粘度を小さくできるという観点でより好ましい。以上で述べたように、化合物1は、適切な負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する高い安定性を有し、粘度が小さく、大きな光学異方性、および大きな弾性定数K33を有している。この化合物を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶またはスメクチック相として析出することがない。したがって、化合物1は、IPS、VA、またはPSAなどの動作モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、好適に適用することができる。化合物1の合成化合物1は、有機合成化学の方法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環、および結合基を導入する方法は、例えば、オーガニックシンセシスOrganicSynthesesJohnWileySonsInc、オーガニックリアクションズOrganicReactionsJohnWileySonsInc、コンプリヘンシブオーガニックシンセシスComprehensiveOrganicSynthesisPergamonPress、新実験化学講座丸善などの成書に記載されている。<結合基Z1の生成>結合基Z1を生成する方法を下のスキームに示す。このスキームにおいて、MSG1またはMSG2は1価の有機基である。複数のMSG1またはMSG2が表わす1価の有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物1Aは液晶性化合物1に相当する。<-CH22-CH=CH-、および-CH=CH-CH22-の生成>有機ハロゲン化合物a1を、ブチルリチウム、またはマグネシウムで処理して得られる中間体を、N,N-ジメチルホルムアミドDMFなどのホルムアミドと反応させて、アルデヒド誘導体a2を得る。このアルデヒドa2と、ホスホニウム塩a3をカリウムt-ブトキシドなどの塩基で処理して得られるリンイリドを反応させ、化合物1Aを合成する。この反応では、反応条件によってシス体が生成する場合もあるので、公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。別の方法は、次のとおりである。有機ハロゲン化合物a1とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。このグリニャール試薬と、アルデヒド誘導体a4とを反応させることにより、アルコール誘導体を合成する。p-トルエンスルホン酸などの酸触媒を用いて、アルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、化合物1Aを合成する。<環A1、環A2または環A3の生成>1,4-シクロへキシレン、1,4-シクロヘキセニレン、1,4-フェニレン、または2,3-ジフルオロ-1,4-フェニレンなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。化合物1の合成例を示す。アルデヒドb1とジエチルホスホノ酢酸エチルとをナトリウムエトキシドの存在下、反応させ、Pd/Cなどの触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物b2を得る。化合物b2を水素化リチウムアルミニウムなどで還元して化合物b3を得る。四臭化炭素、トリフェニルホスフィンを用いて、化合物b3を臭素化することにより化合物b4を得る。これをトリフェニルホスフィンと反応させることにより化合物b5を得る。別途、ジフルオロベンゼン誘導体b6とsec-BuLiとを反応させリチウム塩を調製する。このリチウム塩とカルボニル誘導体b7とを反応させ、得られたアルコール誘導体の脱水反応をp-トルエンスルホン酸などの酸触媒の存在下で行う。この生成物をPd/Cなどの触媒存在下、水素添加反応を行うことにより、化合物b8を得る。化合物b8をギ酸などで反応させて、カルボニル誘導体b9を得る。カルボニル誘導体b9を、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドと、カリウムt-ブトキシドt-BuOKなどの塩基とから調製されるリンイリドと、Wittig反応させ、さらにギ酸などで反応させて、アルデヒド誘導体b10を得る。アルデヒド誘導体b10とカリウムt-ブトキシドt-BuOKなどの塩基とから調製されるリンイリドと、先に得られた化合物b5とをWittig反応させ、ベンゼンスルホン酸ナトリウムと塩酸の存在下で異性化反応させることにより、本発明の化合物1の一例である化合物b11を合成する。組成物1本発明の液晶組成物1について説明をする。この組成物1は、少なくとも1つの化合物1を成分として含む。組成物1は、2つ以上の化合物1を含んでいてもよく、液晶性化合物の成分が化合物1のみであってもよい。組成物1は、化合物1の少なくとも1つを1~99重量の範囲で含有することが、優良な特性を発現させるために好ましい。より好ましい割合は、5~60重量の範囲である。組成物1は、化合物1と、本明細書中に記載しなかった種々の液晶性化合物とを含んでもよい。好ましい組成物は、以下に示す成分Dおよび成分Eから選ばれた化合物を含む。組成物1を調製するときには、例えば、化合物1の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を適切に選択した組成物は、粘度が低く、負に大きな誘電率異方性を有し、適切な弾性定数K33を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。成分Dは、化合物2、3、4、5、6、および7である。成分Dは、垂直配向モ-ドVAモ-ド、高分子支持配向モードPSAモ-ドなどの用途に用いられる、誘電率異方性が負の組成物を調製する場合に好ましい。成分Eは、化合物8、9および10である。成分Eを添加することにより、組成物のしきい値電圧、液晶相の温度範囲、光学異方性、誘電率異方性および粘度などを調整することができる。化合物2~7成分Dの好適例として、化合物2-1~2-6、化合物3-1~3-15、化合物4-1、5-1~5-3、化合物6-1~6-11、および化合物7-1~7-10を挙げることができる。式中、R3およびR4は前記と同じ定義である。成分Dは、誘電率異方性の値が負であるVAモ-ド、PSAモード用の液晶組成物に添加される。成分Dの含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。したがって、誘電率異方性の絶対値が5程度であることを考慮すると、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が40重量以上であることが好ましい。成分Dのうち化合物2は2環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度の調整または光学異方性の調整の効果がある。化合物3および4は3環化合物であるので、上限温度を高くする、しきい値電圧を低くする、光学異方性を大きくするなどの効果が得られる。化合物5、6および7はしきい値電圧を低くするなどの効果が得られる。成分Dの含有量は、VAモ-ド用、PSAモード用の組成物を調製する場合には、組成物の全重量に基づいて、好ましくは40重量以上、より好ましくは50~95重量の範囲である。成分Dを添加することにより、弾性定数をコントロ-ルし、電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Dを誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、成分Dの含有量が組成物の全重量に基づいて30重量以下が好ましい。化合物8、9および10成分Eの好適例として、化合物8-1~8-11、化合物9-1~9-19、および化合物10-1~10-6を挙げることができる。式中、R5およびR6は前記と同じ定義である。化合物8~10成分Eは、誘電率異方性の絶対値が小さいので、中性に近い化合物である。化合物8は主として粘度の調整または光学異方性の調整の効果がある。化合物9および10は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学異方性の調整の効果がある。成分Eの含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなるが、粘度が低くなるので、しきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。VAモード用またはPSAモード用の組成物を調製する場合には、成分Eの含有量は、組成物の全重量に基づいて、好ましくは30重量以上、より好ましくは40重量以上である。組成物1の調製は、必要な成分を高い温度で溶解させるなどの既知の方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、重合可能な化合物、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。組成物1は、少なくとも1つの光学活性化合物をさらに含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド-プ剤を添加することができる。このキラルド-プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。キラルド-プ剤の例として下記の光学活性化合物Op-1~Op-13を挙げることができる。組成物1は、通常このような光学活性化合物を添加して、らせんピッチを調整する。らせんピッチは、TFTモード用およびTNモード用の組成物であれば40~200μmの範囲に調整するのが好ましい。STNモード用の組成物であれば6~20μmの範囲に調整するのが好ましい。双安定TNBistableTNモ-ド用の組成物の場合は、1.5~4μmの範囲に調整するのが好ましい。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で2つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。組成物1は、重合可能な化合物を添加することによってPSAモード用の組成物として使用することもできる。重合可能な化合物の例はアクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ、ビニルケトン、オキセタンなどである。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でUV照射などにより重合する。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例は、2,6-ジ-tert-ブチル-4-アルキルフェノールなどである。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。立体障害のあるアミンのような光安定剤もまた好ましい。組成物1は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、GHモード用の液晶組成物として使用することもできる。組成物1の特性組成物1では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによってネマチック相の上限温度を70°C以上とすること、ネマチック相の下限温度は-20°C以下とすることができるので、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この組成物を含む液晶表示素子は広い温度範囲で使用することが可能である。組成物1では、成分化合物の種類と割合とを適切に調整することによって、光学異方性を0.10~0.13の範囲、または0.05~0.18の範囲とすることができる。同様にして、誘電率異方性を-5.0~-2.0の範囲に調整することができる。好ましい誘電率異方性は、-4.5~-2.5の範囲である。この範囲の誘電率異方性を有する組成物1は、IPSモード、VAモード、またはPSAモードで動作する液晶表示素子に好適に使用することができる。液晶表示素子組成物1は、PCモード、TNモード、STNモード、OCBモード、PSAモードなどの動作モードを有し、アクティブマトリックスAM方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、PCモード、TNモード、STNモード、OCBモード、VAモード、IPSモードなどの動作モードを有しパッシブマトリクスPM方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらのAM方式およびPM方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型のいずれのタイプにも適用ができる。組成物1は、導電剤を添加させることによってDSdynamicscatteringモード素子に使用できる。組成物1は、組成物をマイクロカプセル化して作製したNCAPnematiccurvilinearalignedphase素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたPDpolymerdispersed素子、例えばPNpolymernetwork素子にも使用できる。組成物1は、負の誘電率異方性を有するので、VAモード、IPSモード、またはPSAモードなどの動作モードを有し、AM方式で駆動する液晶表示素子に好適に用いることができる。この組成物は、VAモードを有し、AM方式で駆動する液晶表示素子に、特に好適に用いることができる。TNモード、VAモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、IPSモードなどで動作する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。VAモードで動作する液晶表示素子の構造は、KOhmuroSKataokaTSasakiandYKoikeSID’97DigestofTechnicalPapers28845に報告されている。IPSモードで動作する液晶表示素子の構造は、国際公開91/10936号パンフレットファミリー:米国特許第5576867明細書に報告されている。化合物1の実施例実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限されない。特に断りのない限り、は重量である。合成した化合物は、1H-NMR分析などの方法により同定した。1H-NMR分析測定装置は、DRX-500ブルカーバイオスピン株社製を用いた。試料を、CDCl3などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、500MHz、積算回数32回の条件で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、sはシングレット、dはダブレット、tはトリプレット、qはカルテット、quinはクインテット、sexはセクステット、mはマルチプレット、brはブロードであることを意味する。テトラメチルシランを内部標準として用いた。測定試料相構造および転移温度を測定するときには、液晶性化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、低温相溶性、粘度、光学異方性などの物性を測定するときには、化合物を母液晶に混合して調製した組成物を試料として用いた。化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、下記の方法で測定を行った。化合物15重量と母液晶85重量とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、下記の式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。外挿値=100×試料の測定値-母液晶の重量×母液晶の測定値/化合物の重量化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が25°Cで析出する場合には、化合物と母液晶との割合を10重量:90重量、5重量:95重量、1重量:99重量の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が25°Cで析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、15重量:85重量である。母液晶としては、下記の母液晶iを用いた。母液晶iの成分の割合を重量で示す。測定方法化合物の物性は下記の方法で測定した。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格StandardofElectronicIndustriesAssociationofJapanEIAJED-2521Aに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたTN素子またはVA素子には、TFTを取り付けなかった。1相構造偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートメトラー社FP-52型ホットステージに試料化合物を置き、3°C/分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。2転移温度°Cパーキンエルマー社製走査熱量計DSC-7システム、またはDiamondDSCシステムを用いて、3°C/分速度で昇降温し、試料化合物の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。結晶はCと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれC1またはC2と表した。スメクチック相はS、ネマチック相はNと表した。スメクチック相の中で、スメクチックB相、またはスメクチックA相の区別がつく場合は、それぞれSB、またはSAと表した。液体アイソトロピックはIと表した。転移温度は、例えば、C50.0N100.0Iのように表記され、これは結晶からネマチック相への転移温度CNが50.0°Cであり、ネマチック相から液体への転移温度透明点が100.0°Cであったことを示す。3低温相溶性化合物の割合が、20重量、15重量、10重量、5重量、3重量、および1重量となるように母液晶と化合物とを混合した試料を調製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、-10°Cまたは-20°Cのフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶またはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。4ネマチック相の上限温度TNIまたはNI;°C偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1°C/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を上限温度と略すことがある。5ネマチック相の下限温度TC;°Cネマチック相を有する試料を0°C、-10°C、-20°C、-30°C、および-40°Cのフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が-20°Cではネマチック相のままであり、-30°Cでは結晶またはスメクチック相に変化したとき、TCを≦-20°Cと記載した。ネマチック相の下限温度を下限温度と略すことがある。6粘度バルク粘度;η;20°Cで測定;mPasE型回転粘度計を用いて測定した。7粘度回転粘度;γ1;25°Cで測定;mPas測定は、MImaietalMolecularCrystalsandLiquidCrystalsVol25937、に記載された方法に従った。2枚のガラス基板の間隔セルギャップが20μmのVA素子に試料を入れた。この素子に30ボルトから50ボルトの範囲で1ボルト毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波矩形パルス;0.2秒と無印加2秒の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流transientcurrentのピーク電流peakcurrentとピーク時間peaktimeを測定した。これらの測定値とM.Imaiらの論文、40頁の計算式8とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した値を用いた。8光学異方性屈折率異方性;25°Cで測定;Δn測定は、25°Cの温度下で、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n∥は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性Δnの値は、Δn=n∥-n⊥の式から計算した。9誘電率異方性Δε;25°Cで測定負の誘電率異方性は、次の方法によって測定した。よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン0.16mLのエタノール20mL溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150°Cで1時間加熱した。2枚のガラス基板から、間隔セルギャップが20μmであるVA素子を組み立てた。このVA素子に試料を入れ、0.5V1kHz、サイン波を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率ε∥を測定した。同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。この配向膜にラビング処理をした後、2枚のガラス基板の間隔が9μmであり、ツイスト角が80度であるTN素子を組み立てた。このTN素子に試料を入れ、0.5V1kHz、サイン波を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率ε⊥を測定した。誘電率異方性の値は、Δε=ε∥-ε⊥の式から計算した。10電圧保持率VHR;25°Cと100°Cで測定;ポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔セルギャップが6μmであるセルに試料を入れてTN素子を作製した。25°Cにおいて、このTN素子にパルス電圧5Vで60マイクロ秒を印加して充電した。TN素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期16.7ミリ秒における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。TN素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率の値は、電圧保持率=TN素子がある場合の面積値/TN素子がない場合の面積値×100、の式から算出した。このようにして得られた電圧保持率をVHR-1として示した。つぎに、このTN素子を100°C、250時間加熱した。このTN素子を25°Cに戻したあと、上述した方法と同様の方法により電圧保持率を測定した。この加熱試験をした後に得た電圧保持率をVHR-2として示した。なお、この加熱テストは促進試験であり、TN素子の長時間耐久試験に対応する試験として用いた。11弾性定数K11、K33;25°Cで測定測定には株式会社東陽テクニカ製のEC-1型弾性定数測定器を用いた。2枚のガラス基板の間隔セルギャップが20μmである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に20ボルトから0ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量Cと印加電圧Vの値を液晶デバイスハンドブック日刊工業新聞社、75頁にある式2.98、式2.101を用いてフィッティングし、式2.100から弾性定数の値を得た。原料ソルミックスA-11は、エタノール85.5,メタノール13.4とイソプロパノール1.1の混合物であり、日本アルコール販売株から入手した。E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロヘキシルベンゼンNo.2の合成第1工程窒素雰囲気下、反応器へ4-プロピルベンズアルデヒドs110.0g、ジエチルホスホノ酢酸エチル18.2g、トルエン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。20ナトリウムエトキシドエタノール溶液27.6gをこの温度で加え、2時間攪拌させた。反応混合物を25°Cに戻し、さらに2時間攪拌した。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、2-プロパノール150mlに溶解させ、さらにPd/Cを0.91g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4-プロピルフェニルプロピオン酸エチルs214.2gを得た。化合物s1からの収率は95.5であった。第2工程水素化リチウムアルミニウム2.9gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に3-4-プロピルフェニルプロピオン酸エチルs214.2gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、3-4-プロピルフェニルプロパノールs311.0gを得た。化合物s2からの収率は95.7であった。第3工程3-4-プロピルフェニルプロパノールs311.0gおよびトリフェニルホスフィン24.3gを塩化メチレン200mlに溶解した。この溶液に、四臭化炭素24.5gを塩化メチレン100mlに溶解した溶液を、室温下ゆっくりと滴下し、さらに室温下3時間攪拌した。反応混合物を飽和重曹水で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、順次、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣をn-ヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4-プロピルフェニルブロモプロパンs414.5gを得た。化合物s3からの収率は97.4であった。第4工程窒素雰囲気下、反応器へ3-4-プロピルフェニルブロモプロパンs414.0g、トルエン100mlおよびトリフェニルホスフィン31.5gを入れ、5時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで3回未反応の原料を洗い流した。得られた無色の固体を乾燥させ、3-4-プロピルフェニルプロピルトリフェニルホスホニウムブロミドs530.0gを得た。化合物s-4からの収率は99.1であった。第5工程窒素雰囲気下の反応器へ、1-エトキシ-2,3-ジフルオロベンゼンs6102.8gとTHF1000mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00Msec-ブチルリチウム,n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液780mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いて1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-8-オンs7を101.5g含んだTHF500ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を塩化アンモニウム水溶液で処理し、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、p-トルエンスルホン酸3.0g、およびトルエン500mlを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、トルエン250ml、ソルミックスA-11250mlとの混合溶媒に溶解させ、さらにPd/Cを5.0g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、8-2,3-ジフルオロ-4-エトキシフェニル-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカンs8136.1gを得た。化合物s6からの収率は70.2であった。第6工程化合物s8136.1g、87蟻酸105.0ml、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、1-2,3-ジフルオロ-4-エトキシフェニル-シクロヘキサン-4-オンs9102.7gを得た。化合物s8からの収率は88.5であった。第7工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド166.1gとTHF500mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK54.4gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF100mlに溶解した化合物s9102.7gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し1-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-4-メトキシメチレンシクロヘキサンを得た。この化合物に、87蟻酸55.8g、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-シクロヘキサンカルボアルデヒドs1054.6gを得た。化合物s9からの収率は50.4であった。第8工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた3-4-プロピルフェニルプロピルトリフェニルホスホニウムブロミドs511.3gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK2.5gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s105.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物6.1g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液20mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらに、酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロヘキシルベンゼンNo.25.0gを得た。化合物s10からの収率は65.0であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.09s,4H,6.83t,1H,6.66t,1H,5.50-5.37m,2H,4.09q,2H,3.22m,1H,2.74tt,1H,2.63t,2H,2.56t,2H,2.29m,2H,1.95m,1H,1.84m,4H,1.62quin,2H,1.52-1.41m,4H,1.28-1.18m,2H,0.94t,3H.化合物No.2の物性は、次の通りであった。転移温度:C88.5N96.5I.TNI=93.3°C,Δε=-4.83,Δn=0.141,η=41.0mPas.E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルベンゼンNo.42の合成第1工程化合物s1150.0g、87蟻酸54.0g、テトラブチルアンモニウムブロミド15.0g、およびトルエン500mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、2-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルアセトアルデヒドs1246.0gを得た。化合物s11からの収率は98.4であった。第2工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド69.4gとTHF300mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK22.7gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF100mlに溶解した化合物s1231.2gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-3-メトキシアリルベンゼンを得た。この化合物に、6N-HCl溶液78ml、およびTHF100mlを混合し、この混合物を、室温で8時間攪拌させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロパナールs1315.8gを得た。化合物s12からの収率は43.7であった。第3工程窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム14.5gとTHF100mlとを入れ、40°Cまで加熱した。そこへ、THF300mlに溶解した1-ブロモ-4-プロピルベンゼンs14100.0gを、40°Cから60°Cの温度範囲でゆっくり滴下し、さらに60分攪拌した。THF150mlに溶解した1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-8-オンs778.4gを、-5°Cから0°Cの温度範囲でゆっくり滴下し、さらに60分攪拌した。反応混合物を室温に戻した後、3塩化アンモニウム水溶液で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、p-トルエンスルホン酸3.9g、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、トルエン250ml、ソルミックスA-11250mlとの混合溶媒に溶解させ、さらにPd/Cを5.0g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、8-4-プロピルフェニル-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカンs1568.0gを得た。化合物s14からの収率は52.0であった。第4工程化合物s1568.0g、87蟻酸60.0ml、およびトルエン200mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、1-4-プロピルフェニル-シクロヘキサン-4-オンs1654.0gを得た。化合物s15からの収率は95.6であった。第5工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド47.5gとTHF200mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK15.6gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF100mlに溶解した化合物s1625.0gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-4-プロピルフェニル-4-メトキシメチレンシクロヘキサンを得た。この化合物に、87蟻酸25.0g、テトラブチルアンモニウムブロミド37.3g、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、トランス-4-4-プロピルフェニル-シクロヘキサンカルボアルデヒドs1724.4gを得た。化合物s16からの収率は91.7であった。第6工程水素化リチウムアルミニウム2.4gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液にトランス-4-4-プロピルフェニル-シクロヘキサンカルボアルデヒドs1724.4gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、トランス-4-4-プロピルフェニル-ヒドロキシメチルシクロヘキサンs1822.9gを得た。化合物s17からの収率は93.0であった。第7工程窒素雰囲気下、トルエン200mlへ化合物s1822.9g、およびトリフェニルホスフィンPPh331.0gを加え、5°Cで攪拌した。そこへヨウ素30.0gを5分割して、5~10°Cの温度範囲で加え、さらに3時間攪拌し、GC分析により反応が終了していることを確認した。反応混合物を濾過により析出物を取り除き、濾液から減圧下で溶媒を留去した。残渣を、ヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、トランス-4-4-プロピルフェニル-ヨードメチルシクロヘキサンs1919.7gを得た。化合物s18からの収率は58.5であった。第8工程窒素雰囲気下、反応器へ化合物s1913.2g、トルエン50mlおよびトリフェニルホスフィン12.1gを入れ、5時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで3回未反応の原料を洗い流した。得られた無色の固体を乾燥させ、トランス-4-4-プロピルフェニルメチルトリフェニルホスホニウムヨージドs2019.2gを得た。化合物s19からの収率は82.3であった。第9工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたトランス-4-4-プロピルフェニルメチルトリフェニルホスホニウムヨージドs2019.2gとTHF200mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK3.5gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s135.7gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。0°Cで30分攪拌した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物6.1g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液20mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらに、酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルベンゼンNo.424.6gを得た。化合物s13からの収率は41.9であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.10m,4H,6.80td,1H,6.65td,1H,5.46-5.34m,2H,4.09q,2H,2.65t,2H,2.54t,2H,2.42tt,1H,2.27q,2H,2.00-1.86m,3H,1.83-1.77m,2H,1.63quin,2H,1.52-1.41m,4H,1.24-1.13m,2H,0.94t,3H.化合物No.42の物性は、次のとおりであった。転移温度:C64.8N82.1I.TNI=79.9°C,Δε=-4.06,Δn=0.136,η=34.8mPas.E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-4-トランス-4-4-ブトキシ-2,3-ジフルオロフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルベンゼンNo.82の合成第1工程水素化リチウムアルミニウム1.7gをTHF100mlに懸濁した。この懸濁液に3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロパナールs139.6gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロパノールs219.4gを得た。化合物s13からの収率は97.0であった。第2工程3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロパノールs219.4gおよびトリフェニルホスフィン17.1gを塩化メチレン100mlに溶解した。この溶液に、四臭化炭素17.3gを塩化メチレン100mlに溶解した溶液を、室温下ゆっくりと滴下し、さらに室温下3時間攪拌した。反応混合物を飽和重曹水で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、順次、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣をn-ヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルブロモプロパンs2211.5gを得た。化合物s21からの収率は94.8であった。第3工程窒素雰囲気下、反応器へ3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルブロモプロパンs2211.5g、トルエン100mlおよびトリフェニルホスフィン21.6gを入れ、5時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで3回未反応の原料を洗い流した。得られた無色の固体を乾燥させ、3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロピルトリフェニルホスホニウムブロミドs2317.6gを得た。化合物s22からの収率は78.9であった。第4工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド43.6gとTHF300mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK14.3gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF100mlに溶解した化合物s2430.0gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-4-ブトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-4-メトキシメチレンシクロヘキサンを得た。この化合物に、87蟻酸30.0ml、テトラブチルアンモニウムブロミド10.3g、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、トルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、トランス-4-4-ブトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-シクロヘキサンカルボアルデヒドs2526.9gを得た。化合物s24からの収率は85.4であった。第5工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた3-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルプロピルトリフェニルホスホニウムブロミドs236.6gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK1.4gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s253.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。0°Cで30分攪拌した後、反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物6.1g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液20mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-4-トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルベンゼンNo.824.6gを得た。化合物s13からの収率は41.9であった。化学シフトδppm;CDCl3:6.82m,2H,6.66m,2H,5.46-5.33m,2H,4.09q,2H,4.02t,2H,2.72tt,1H,2.65t,2H,2.27q,2H,1.94m,1H,1.88-1.75m,6H,1.54-1.41m,7H,1.26-1.16m,2H,0.97t,3H.化合物No.82の物性は、次のとおりであった。転移温度:C63.8N90.8I.TNI=87.9°C,Δε=-7.79,Δn=0.141,η=69.6mPas.E-2’,3’-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-4-ビニル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.102の合成第1工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた1,3-ジオキソラン-2-イルメチルトリフェニルホスホニウムブロミドs27108.8gとTHF500mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK28.4gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した2,3-ジフルオロベンズアルデヒドs2630.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、トルエン250ml、ソルミックスA-11250mlとの混合溶媒に溶解させ、さらにPd/Cを1.5g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、2-2,3-ジフルオロフェネチル-1,3-ジオキソランs2837.9gを得た。化合物s26からの収率は83.8であった。第2工程化合物s2868.0g、87蟻酸60.0ml、およびトルエン200mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、1-4-プロピルフェニル-シクロヘキサン-4-オンs2954.0gを得た。化合物s28からの収率は95.6であった。第3工程水素化リチウムアルミニウム33.4gをTHF500mlに懸濁した。この懸濁液にトランス-4-プロピルシクロヘキシルカルボン酸s3050.0gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、トランス-4-プロピルシクロヘキシルメタノールs3145.0gを得た。化合物s30からの収率は98.1であった。第4工程窒素雰囲気下、化合物s3145.0g、1-フェニル-5-メルカプト-1H-テトラゾールPTSH56.5g、およびトリフェニルホスフィンPPh383.1gをTHF300ml中に混合し、0°Cまで冷却した。アゾジカルボンサンジエチルDEADの40トルエン溶液144.0gを0°C~5°Cの温度範囲で、滴下した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-フェニル-5--1H-テトラゾールs3287.6gを得た。化合物s31からの収率は96.1であった。第5工程窒素雰囲気下、化合物s3287.6gをソルミックスA-11300ml中に混合した。30過酸化水素水251mlに溶解した、七モリブデン酸六アンモニウム四水和物17.1gを35°C~40°Cの温度範囲で、滴下した。さらにこの温度範囲で8時間攪拌した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-フェニル-5--1H-テトラゾールs3373.0gを得た。化合物s32からの収率は75.7であった。第6工程窒素雰囲気下、化合物s2924.6gと化合物s3310.0gをジメトキシエタンDME100mlを混合し、-60°Cまで冷却した。カリウムヘキサメチルジシラザンKHMDSの0.91M-THF溶液97.0mlを-60°C~-55°Cの温度範囲で、滴下した。-60°Cで2時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、ヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、-1,2-ジフルオロ-3-ブト-3-エン-1-イルベンゼンs346.3gを得た。化合物s29からの収率は36.7であった。第7工程窒素雰囲気下の反応器へ、化合物s343.3gとTHF100mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00M-sec-ブチルリチウム、n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液13mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いてトランス-4-ビニルシクロヘキサノンs34を1.7g含んだTHF20ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、メトキシカルボニルスルファモイルトリエチルアンモニウムヒドロキシド分子内塩Burgess試薬2.8g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、50°Cで2時間攪拌した。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらにソルミックスA-11からの再結晶により精製し、E-2’,3’-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-4-ビニル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.1021.4gを得た。化合物s33からの収率は31.1であった。化学シフトδppm;CDCl3:6.85m,2H,5.94m,1H,5.88m,1H,5.36m,2H,5.06d,1H,4.98d,1H,2.67t,2H,2.53-2.42m,1H,2.42-2.29m,3H,2.26q,2H,2.05m,1H,1.96-1.87m,1H,1.86-1.76m,1H,1.72d,2H,1.66d,2H,1.53m,1H,1.29m,2H,1.14m,3H,1.00m,2H,0.87m,5H.化合物No.102の物性は、次のとおりであった。転移温度:C20.2N77.4ITNI=71.9°C,Δε=-2.06,Δn=0.128,η=23.6mPas.E-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.38の合成第1工程窒素雰囲気下、反応器へ4-ヒドロキシシクロヘキシルカルボン酸エチルs3626.0g、2,6-ルチジン23.3g、塩化メチレン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。トリフルオロメタンスルホン酸トリイソプロピルシリル50gを0°C~5°Cの温度範囲で、滴下した。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にメタノールを加えて反応を停止した。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で3回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルカルボン酸エチル3743.4gを得た。化合物s36からの収率は87.5であった。第2工程水素化リチウムアルミニウム6.0gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルカルボン酸エチル3743.4gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で濃縮をして、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルメタノールs3837.1gを得た。化合物s37からの収率は97.9であった。第3工程窒素雰囲気下、反応器へ4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルメタノールs3837.1g、塩化メチレン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。デスマーチンペルヨージナンDMP60.4gを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にセライトを加えて不要物を除去した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルカルボアルデヒドs3936.3gを得た。化合物s38からの収率は98.7であった。第4工程窒素雰囲気下、反応器へ4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルカルボアルデヒドs3936.3g、ジエチルホスホノ酢酸エチル34.3g、トルエン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。20ナトリウムエトキシドエタノール溶液52.1gをこの温度範囲で加え、2時間攪拌させた。反応混合物を25°Cに戻し、さらに2時間攪拌させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、ソルミックスA-11150mlに溶解させ、さらにPd/Cを1.8g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルプロピオン酸エチルs4021.3gを得た。化合物s39からの収率は42.2であった。第5工程水素化リチウムアルミニウム2.7gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルプロピオン酸エチルs4021.3gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で濃縮をして、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルプロパノールs4118.3gを得た。化合物s40からの収率は97.4であった。第6工程窒素雰囲気下、反応器へ4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルプロパノールs4118.3g、塩化メチレン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。デスマーチンペルヨージナンDMP32.0gを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にセライトを加えて不要物を除去した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキシルエチルカルボアルデヒドs4213.6gを得た。化合物s41からの収率は74.8であった。第7工程窒素雰囲気下、化合物s3319.7gと化合物s4213.6gをジメトキシエタンDME100mlを混合し、-60°Cまで冷却した。カリウムヘキサメチルジシラザンKHMDSの0.91M-THF溶液77.0mlを-60°C~-55°Cの温度範囲で、滴下した。-60°Cで2時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。GC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し残渣を、ヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、E-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルトリイソプロピルシリルオキシシクロヘキサンs438.3gを得た。化合物s42からの収率は43.9であった。第8工程窒素雰囲気下、反応器へE-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-4-トリイソプロピルシリルオキシシクロヘキサンs438.3g、THF50mlを入れ、0°Cまで冷却した。テトラブチルアンモニウムフルオリドTBAFの1.0M-THF溶液38.0mlを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。GC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、E-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキサノールs444.7gを得た。化合物s43からの収率は88.4であった。第9工程窒素雰囲気下、反応器へE-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキサノールs444.7g、塩化メチレン100mlを入れ、0°Cまで冷却した。デスマーチンペルヨージナンDMP9.3gを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にセライトを加えて不要物を除去した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、E-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキサノンs454.6gを得た。化合物s44からの収率は98.6であった。第10工程窒素雰囲気下の反応器へ、化合物s332.6gとTHF50mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00M-sec-ブチルリチウム、n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液18.0mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いてE-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキサノンs45を4.6g含んだTHF20ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、p-トルエンスルホン酸p-TsOH0.14g、およびトルエン50mlを混合し、2時間加熱還流した。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、ヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらにソルミックスA-11からの再結晶により精製し、E-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.382.2gを得た。化合物s33からの収率は31.8であった。化学シフトδppm;CDCl3:6.86td,1H,6.65td,1H,5.89m,1H,5.37m,2H,4.10q,2H,2.45-2.25m,3H,2.04m,2H,1.90-1.77m,3H,1.72m,4H,1.61m,1H,1.44t,3H,1.41-1.24m,5H,1.19-1.11m,3H,1.10-1.00m,2H,0.90td,2H,0.87t,3H.化合物No.38の物性は、次のとおりであった。転移温度:C75.8N119.6I.TNI=115.3°C,Δε=-4.99,Δn=0.136,η=41.6mPas.E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキサ-3-エン-1-イルブト-3-エン-1-イル-1,1’-ビフェニルNo.152の合成第1工程窒素雰囲気下、反応器へ4-ホルミルフェニルボロン酸s4775.9g、4-ブロモ-2,3-ジフルオロエトキシベンゼンs48100.0g、リン酸カリウム269.0g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムIIPdPh3P2Cl28.9gおよび、1,4-ジオキサン500mlを入れ、2時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比からの再結晶により精製し、4-エトキシ-4’-ホルミル-2,3-ジフルオロ-1,1’-ビフェニルs49102.8gを得た。化合物s48からの収率は92.9であった。第2工程窒素雰囲気下、反応器へ4-エトキシ-4’-ホルミル-2,3-ジフルオロ-1,1’-ビフェニルs4930.0g、ジエチルホスホノ酢酸エチル30.8g、トルエン200mlを入れ、0°Cまで冷却した。20ナトリウムエトキシドエタノール溶液46.7gをこの温度で加え、2時間攪拌させた。反応混合物を25°Cに戻し、さらに2時間攪拌後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、2-プロパノール150mlに溶解させ、さらにPd/Cを1.5g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルプロピオン酸エチルs5028.9gを得た。化合物s49からの収率は75.6であった。第3工程水素化リチウムアルミニウム3.3gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に化合物s5028.9gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、3-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルプロパノールs5125.0gを得た。化合物s50からの収率は98.9であった。第4工程化合物s5125.0gおよびトリフェニルホスフィン33.6gを塩化メチレン200mlに溶解した。この溶液に、四臭化炭素34.0gを塩化メチレン100mlに溶解した溶液を、室温下ゆっくりと滴下し、さらに室温下3時間攪拌した。反応混合物を飽和重曹水で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、順次、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮して残渣を得た。残渣は淡黄色の固体であり、この残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=1:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルブロモプロパンs5228.3gを得た。化合物s51からの収率は93.5であった。第5工程窒素雰囲気下、反応器へ化合物s5228.3g、トルエン100mlおよびトリフェニルホスフィン41.8gを入れ、5時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、析出物をろ過し、トルエンで3回未反応の原料を洗い流した。得られた無色の固体を乾燥させ、3-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルプロピルトリフェニルホスホニウムブロミドs5348.3gを得た。化合物s52からの収率は98.0であった。第6工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s5316.4gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK2.9gを-10°C~-5°Cの温度範囲で投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s396.7gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、トリイソプロピルシリルオキシ-4-ブト-1-エン-1-イルシクロヘキサンs5410.5gを得た。化合物s39からの収率は82.1であった。第7工程窒素雰囲気下、反応器へ化合物s5410.5g、THF100mlを入れ、0°Cまで冷却した。テトラブチルアンモニウムフルオリドTBAFの1.0M-THF溶液39.0mlを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。GC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を酢酸エチルとトルエンの混合溶媒酢酸エチル:トルエン=10:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-ブト-1-エン-1-イルシクロヘキサノールs557.4gを得た。化合物s54からの収率は99.0であった。第8工程窒素雰囲気下、反応器へ化合物s557.4g、塩化メチレン100mlを入れ、0°Cまで冷却した。デスマーチンペルヨージナンDMP9.7gを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にセライトを加えて不要物を除去した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-4-4’-エトキシ-2’3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルブト-1-エン-1-イルシクロヘキサノンs567.2gを得た。化合物s55からの収率は97.8であった。第9工程窒素雰囲気下の反応器へ、2.0M-n-プロピルマグネシウムクロリドジエチルエーテル溶液14mlとTHF50mlとを入れ、0°Cまで冷却した。そこへ、化合物s56を7.2g含んだTHF20ml溶液0°Cから5°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、p-トルエンスルホン酸p-TsOH0.22g、およびトルエン100mlを混合し、2時間加熱還流した。反応混合物を30°Cまで冷却した後、を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣にベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物11.2g、ソルミックスA-1150mlを混合した。6N-HCl溶液28mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、さらにソルミックスA-11からの再結晶により精製し、E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキサ-3-エン-1-イルブト-3-エン-1-イル-1,1’-ビフェニルNo.1522.2gを得た。化合物s56からの収率は29.0であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.41d,2H,7.24d,2H,7.08t,1H,6.78t,1H,5.46m,2H,5.36m,1H,4.15q,2H,2.70t,2H,2.33m,2H,2.14m,1H,2.10-1.88m,5H,1.84-1.70m,2H,1.48t,3H,1.44-1.30m,3H,0.86t,3H.化合物No.152の物性は、次のとおりであった。転移温度:C56.0N96.2I.TNI=90.6°C,Δε=-5.00,Δn=0.176,η=56.6mPas.E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-1,1’-ビフェニルNo.182の合成第1工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s5325.4gとTHF200mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK4.6gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s177.9gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物27.4g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液23mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-1,1’-ビフェニルNo.18212.5gを得た。化合物s17からの収率は74.6であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.42d,2H,7.25d,2H,7.14-7.06m,5H,6.78t,1H,5.52-5.40m,2H,4.15q,2H,2.71t,2H,2.55t,2H,2.43tt,1H,2.34m,2H,1.97m,1H,1.90m,2H,1.83m,2H,1.62quin,2H,1.52-1.42m,5H,1.27-1.16m,2H,0.94t,3H.化合物No.182の物性は、次のとおりであった。この化合物では、物性を測定する試料として、化合物No.18210重量と母液晶i90重量との混合物を用いた。転移温度:C135.1N209.8I.TNI=199.6°C,Δε=-4.01,Δn=0.217,η=51.6mPas.E-4-4-トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-4’-プロピル-1,1’-ビフェニルNo.162の合成第1工程窒素雰囲気下、反応器へ4’-プロピル-4-ホルミル-1,1’-ビフェニルs5630.0g、ジエチルホスホノ酢酸エチル36.0g、トルエン300mlを入れ、0°Cまで冷却した。20ナトリウムエトキシドエタノール溶液54.6gをこの温度で加え、2時間攪拌させた。反応混合物を25°Cに戻し、さらに2時間攪拌した。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、2-プロパノール300mlに溶解させ、さらにPd/Cを1.5g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=2:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4’-プロピル-1,1’-ビフェニル-4-イルプロピオン酸エチルs5729.8gを得た。化合物s56からの収率は75.2であった。第2工程水素化リチウムアルミニウム4.6gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に化合物s5729.8gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、減圧下で濃縮をして、3-4’-プロピル-1,1’-ビフェニル-4-イルプロパノールs5823.4gを得た。化合物s57からの収率は91.5であった。第3工程窒素雰囲気下、反応器へ化合物s5810.0g、塩化メチレン100mlを入れ、0°Cまで冷却した。デスマーチンペルヨージナンDMP18.7gを0°C~5°Cの温度範囲で、加えた。0°Cで1時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。反応混合物にセライトを加えて不要物を除去した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、3-4’-プロピル-1,1’-ビフェニル-4-イルプロピルカルボアルデヒドs597.1gを得た。化合物s58からの収率は71.6であった。第4工程水素化リチウムアルミニウム1.7gをTHF200mlに懸濁した。この懸濁液に化合物s1020.0gを、-20°Cから-10°Cの温度範囲で滴下し、さらにこの温度範囲で2時間攪拌した。GC分析により反応終了を確認した後、氷冷下、反応混合物に、順次、酢酸エチル、飽和アンモニア水溶液を加えていき、析出物をセライト濾過により除去した。濾液を酢酸エチルにより抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和食塩水で順次洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。さらにヘプタンからの再結晶により精製し、トランス-4-4-ブトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-シクロヘキシルメタノールs6019.8gを得た。化合物s10からの収率は98.3であった。第5工程窒素雰囲気下、化合物s6019.8g、1-フェニル-5-メルカプト-1H-テトラゾールPTSH14.3g、およびトリフェニルホスフィンPPh321.1gをTHF200ml中に混合し、0°Cまで冷却した。アゾジカルボンサンジエチルDEADの40トルエン溶液36.6mlを0°C~5°Cの温度範囲で、滴下した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-フェニル-5--1H-テトラゾールs6129.7gを得た。化合物s60からの収率は94.2であった。第6工程窒素雰囲気下、化合物s6129.7gをソルミックスA-11200ml中に混合した。30過酸化水素水63.0mlに溶解した、七モリブデン酸六アンモニウム四水和物4.3gを35°C~40°Cの温度範囲で、滴下した。さらにこの温度範囲で8時間攪拌した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、1-フェニル-5-シクロヘキシルメチルスルホニル-1H-テトラゾールs6229.0gを得た。化合物s61からの収率は90.9であった。第7工程窒素雰囲気下、化合物s5924.6gと化合物s627.1gをジメトキシエタンDME100mlを混合し、-60°Cまで冷却した。カリウムヘキサメチルジシラザンKHMDSの0.91MTHF溶液19.6mlを-60°C~-55°Cの温度範囲で、滴下した。-60°Cで2時間攪拌した後、室温に戻し、さらに8時間攪拌した。LC分析により反応が終了していることを確認した後、反応混合物を水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=1:1体積比を展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、E-4-4-トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-4’-プロピル-1,1’-ビフェニルNo.1621.2gを得た。化合物s59からの収率は20.7であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.50d,4H,7.24d,4H,6.83t,1H,6.65t,1H,5.52-5.39m,2H,4.08q,2H,2.78-2.68m,3H,2.62t,2H,2.34q,2H,1.96m,1H,1.85m,4H,1.67sext,2H,1.52-1,41m,5H,1.30-1,19m,2H,0.97t,3H.化合物No.162の物性は、次のとおりであった。転移温度:C73.4SB92.8N214.3I.TNI=205.9°C,Δε=-4.40,Δn=0.220,η=55.7mPas.E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキシルベンゼンNo.202の合成第1工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s209.8gとTHF200mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK1.8gを-10°C~-5°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s637.4gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物5.4g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液16mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-1-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-4-トランス-4-4-プロピルフェニルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルシクロヘキシルベンゼンNo.2022.1gを得た。化合物s63からの収率は31.5であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.11q,4H,6.84t,1H,6.66t,1H,5.41m,2H,4.08q,2H,2.74m,1H,2.54m,2H,2.43m,1H,2.07-2.01m,2H,2.00-1.81m,9H,1.63sext,2H,1.53-1.38m,7H,1.34-1,18m,5H,1.07m,2H,0.94t,3H.化合物No.202の物性は、次のとおりであった。転移温度:C83.8SB139.0N222.5I.TNI=189.3°C,Δε=-4.09,Δn=0.154,η=63.3mPas.E-2’,3’-ジフルオロ-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシル-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.284の合成第1工程窒素雰囲気下の反応器へ、化合物s342.7gとTHF100mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00M-sec-ブチルリチウム,n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液11mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いてトランス-4’-ペンチル-1,1’-ビシクロヘキサン-4-オンs64を2.8g含んだTHF20ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去した。残渣に、p-トルエンスルホン酸p-TsOH0.08g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、50°Cで2時間攪拌した。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらにソルミックスA-11からの再結晶により精製し、E-2’,3’-ジフルオロ-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシル-4’-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イル-2,3,4,5-テトラヒドロ-1,1’-ビフェニルNo.2840.9gを得た。化合物s34からの収率は18.6であった。化学シフトδppm;CDCl3:6.87t,1H,6.81t,1H,5.94m,1H,5.42-5.30m,2H,2.66t,2H,2.48-2.30m,2H,2.29-2.18m,3H,1.99-1.86m,2H,1.86-1.63m,9H,1.46-1.19m,10H,1.19-1.07m,7H,1.07-0.93m,4H,0.93-0.82m,10H.化合物No.284の物性は、次のとおりであった。転移温度:C25.9SB131.4SA163.5N215.0I.TNI=203.3°C,Δε=-2.33,Δn=0.106,η=33.1mPas.E-トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-トランス-4’-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサンNo.222の合成第1工程窒素雰囲気下の反応器へ、3-エトキシ-1,2-ジフルオロベンゼンs6510.0gとTHF200mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00Msec-ブチルリチウム,n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液64.0mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いて4-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカ-8-イル-シクロヘキサノンs66を12.8g含んだTHF50ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を3塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、4-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカ-8-イル-1-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-シクロヘキサノールを得た。この化合物に、p-トルエンスルホン酸0.68g、およびトルエン200mlを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、Pd/Cを0.3g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣をTHFとヘプタンの混合溶媒THF:ヘプタン=1:9体積比からの再結晶により精製し、8-[4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-シクロヘキセニル]-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカンs677.7gを得た。化合物s65からの収率は35.2であった。第2工程化合物s677.7g、87蟻酸8.7g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をヘプタン溶媒からの再結晶により精製し、トランス-4’-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-ビシクロヘキシル-4-オンs686.8gを得た。化合物s67からの収率は99.0であった。第3工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド7.9gとTHF100mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK2.6gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、4回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF35mlに溶解した化合物s686.8gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-4’-メトキシメチレン-ビシクロヘキシルを得た。この化合物に、87蟻酸8.4g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をヘプタンとTHFの混合溶媒ヘプタン:THF=9:1体積比からの再結晶により精製し、トランス-4’-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-ビシクロヘキシル-トランス-4-カルボアルデヒドs696.0gを得た。化合物s68からの収率は82.5であった。第4工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s56.9gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK1.5gを-10°C~-5°Cの温度範囲で投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s684.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物22.8g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液19mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-トランス-4-4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニル-トランス-4’-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イル-1,1’-ビシクロヘキサンNo.2221.5gを得た。化合物s68からの収率は26.6であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.09s,4H,6.83t,1H,6.66t,1H,5.60m,2H,4.08q,2H,2.72tt,1H,2.62t,2H,2.56t,2H,2.27m,2H,1.90-1.79m,5H,1.78-1.71m,4H,1.61sext,2H,1.46-1.36m,5H,1.22-1.11m,3H,1.04m,5H,0.94t,3H.化合物No.222の物性は、次のとおりであった。転移温度:C74.2SB155.2N228.8I.TNI=205.3°C,Δε=-4.55,Δn=0.153,η=55.7mPas.E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロヘキシル-1,1’-ビフェニルNo.242の合成第1工程窒素雰囲気下、反応器へ8-4-ブロモフェニル-1,4-ジオキサスピロ4.5デカ-7-エンs7130.0g、4-エトキシ-2,3-ジフルオロフェニルボロン酸s7024.6g、リン酸カリウムK3PO464.7g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムIIPdPh3P2Cl22.1g、1,4-ジオキサン300mlを入れ、2時間加熱還流させた。反応混合物を25°Cまで冷却後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、Pd/Cを1.5g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。さらに、トルエンとヘプタンの混合溶媒トルエン:ヘプタン=1:1体積比からの再結晶により精製し、8-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-1,4-ジオキサスピロ4.5デカンs7228.8gを得た。化合物s71からの収率は75.7であった。第2工程化合物s7228.8g、87蟻酸17.7g、およびトルエン200mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をヘプタン溶媒からの再結晶により精製し、4-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルシクロヘキサノンs7322.2gを得た。化合物s72からの収率は87.4であった。第3工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド18.7gとTHF200mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK6.1gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF20mlに溶解した化合物s7315.0gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルメトキシメチレンシクロヘキサンを得た。この化合物に、87蟻酸7.2g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をヘプタンとTHFの混合溶媒ヘプタン:THF=9:1体積比からの再結晶により精製し、4-4’-エトキシ-2’,3’-ジフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イルシクロヘキサンカルボアルデヒドs749.8gを得た。化合物s73からの収率は62.7であった。第4工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s57.0gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK1.6gを-10°C~-5°Cの温度範囲で投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s744.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物23.2g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液19mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-4-エトキシ-2,3-ジフルオロ-4’-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロヘキシル-1,1’-ビフェニルNo.2422.9gを得た。化合物s74からの収率は51.1であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.44d,2H,7.27d,2H,7.10s,4H,7.09td,1H,6.78t,1H,5.46m,2H,4.15q,2H,2.65t,2H,2.55t,2H,2.50tt,1H,2.30q,2H,2.03-1.90m,3H,1.85m,2H,1.64sext,2H,1.51dd,2H,1.47t,3H,1.23qd,2H,0.94t,3H.化合物No.242の物性は、次のとおりであった。転移温度:C97.9SB100.7N230.4I.TNI=207.9°C,Δε=-4.32,Δn=0.219,η=56.3mPas.E-4-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-4’-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロへキシル-1,1’-ビフェニルNo.262の合成第1工程窒素雰囲気下の反応器へ、4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニルs7550.0gとTHF500mlとを入れ、-74°Cまで冷却した。そこへ、1.00M-sec-ブチルリチウム,n-ヘキサン、シクロヘキサン溶液222mlを-74°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、さらに2時間攪拌した。続いて1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-8-オンs7を28.8g含んだTHF200ml溶液を-75°Cから-70°Cの温度範囲で滴下し、25°Cに戻しつつ8時間攪拌した。反応混合物を3塩化アンモニウム水溶液で処理した後、水層を酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、8-4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカ-8-オールを得た。この化合物に、p-トルエンスルホン酸1.5g、およびトルエン300mlを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物を、トルエン100ml、ソルミックスA-11100mlとの混合溶媒に溶解させ、さらにPd/Cを2.5g加え、水素雰囲気下、水素を吸収しなくなるまで室温で攪拌した。反応終了後、Pd/Cを除去して、さらに溶媒を留去した。残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにソルミックスA-11からの再結晶により精製し、8-4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカンs7631.9gを得た。化合物s75からの収率は42.0であった。第2工程化合物s7631.9g、87蟻酸10.7g、およびトルエン200mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにヘプタンとトルエンの混合溶媒ヘプタン:トルエン=2:1体積比からの再結晶により精製し、1-4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-シクロヘキサン-4-オンs7721.8gを得た。化合物s76からの収率は76.6であった。第3工程窒素雰囲気下、良く乾燥させたメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド20.4gとTHF200mlを混合し、-30°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK6.7gを-30°C~-20°Cの温度範囲で、2回に分けて投入した。-20°Cで30分攪拌した後、THF35mlに溶解した化合物s7716.8gを-30~-20°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を-10°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-メトキシメチレンシクロヘキサンを得た。この化合物に、87蟻酸4.2g、およびトルエン100mlを混合し、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を30°Cまで冷却した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をヘプタンとTHFの混合溶媒体積比ヘプタン:THF=9:1からの再結晶により精製し、4’-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-1,1’-ビフェニル-4-イル-シクロヘキサンカルボアルデヒドs7811.7gを得た。化合物s77からの収率は67.1であった。第4工程窒素雰囲気下、良く乾燥させた化合物s56.4gとTHF100mlを混合し、-10°Cまで冷却した。カリウムt-ブトキシドt-BuOK1.4gを-10°C~-5°Cの温度範囲で投入した。-10°Cで60分攪拌した後、THF30mlに溶解した化合物s784.0gを-10~-5°Cの温度範囲で滴下した。反応混合物を0°Cで30分攪拌した後、水で処理し、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。この溶液を減圧下で濃縮し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製した。精製物に、ベンゼンスルホン酸ナトリウム二水和物20.2g、ソルミックスA-11100mlを混合した。6N-HCl溶液16.8mlを加えた後、この混合物を、2時間加熱還流させた。反応混合物を水で処理した後、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機層を、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残渣を、トルエンを展開溶媒とし、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに酢酸エチルとソルミックスA-11の混合溶媒酢酸エチル:ソルミックス=1:4体積比からの再結晶により精製し、E-4-エトキシ-2,2’,3,3’-テトラフルオロ-4’-トランス-4-4-4-プロピルフェニルブト-1-エン-1-イルシクロへキシル-1,1’-ビフェニルNo.2623.6gを得た。化合物s78からの収率は65.3であった。化学シフトδppm;CDCl3:7.10s,4H,7.03m,3H,6.80t,1H,5.52-5.38m,2H,4.16q,2H,2.87tt,1H,2.65t,2H,2.56t,2H,2.30m,2H,1.99m,1H,1.92m,2H,1.86m,2H,1.63quin,2H,1.59-1.45m,5H,1.32-1.22m,2H,0.94t,3H.化合物No.262の物性は、次のとおりであった。転移温度:C113.5N198.2I.TNI=175.9°C,Δε=-5.41,Δn=0.194,η=86.8mPas.実施例1~13に記載された合成方法と同様の方法により、以下に示す化合物No.1~No.300を合成することができる。付記したデータは前記した方法に従って求めた。転移温度は化合物自体の測定値で示した。上限温度TNI、誘電率異方性Δε、光学異方性Δn、および粘度ηは、化合物を母液晶iに混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って算出した外挿値である。化合物No.182では母液晶90重量と、化合物10重量とから試料を調製した。残りの化合物では母液晶85重量と、化合物15重量とから試料を調製した。化合物No.38の物性母液晶i85重量と、実施例3で得られた化合物No.38の15重量とから組成物iiiを調製した。組成物iiiの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物No.38の物性を算出した。その外挿値は、次のとおりであった。上限温度TNI=115.3°C;粘度η=41.6mPas.組成物iiiの弾性定数K33は、16.83pNであった。比較例1比較例として、2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシルメトキシ-4’-プロピル-1,1’-ビフェニルC’を合成した。これは、この比較化合物C’が、独国出願公開第3906058号明細書に記載の2,3-ジフルオロ-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシルメトキシ-4’-ペンチル-1,1’-ビフェニルCに類似しているからである。両者の違いは、右末端基だけである。独国出願公開第3906058号明細書に記載の化合物C:比較化合物C’:比較化合物C’の化学シフトδppm;CDCl3:7.43td,1H,7.40d,2H,7.35d,2H,7.08td,1H,4.15q,2H,2.71t,2H,1.93m,1H,1.70-1.41m,19H,0.92-0.88m,6H.比較化合物C’の転移温度は、次のとおりであった。転移温度:C50.4N116.8I.母液晶i85重量と、比較化合物C’の15重量とから組成物iiを調製した。組成物iiの物性を測定し、測定値を外挿することで比較化合物C’の物性を算出した。その外挿値は、次のとおりであった。上限温度TNI=115.3°C;粘度η=61.2mPas.組成物iiの弾性定数K33は、16.67pNであった。表.比較実験-1上の表から分かるように、化合物No.38は、上限温度TNIが大きく、粘度ηが低く、弾性定数K33が大きな化合物であることがわかった。化合物No.38は、比較化合物C’と比較して、上限温度TNIと弾性定数K33は同等であるものの、粘度ηが非常に小さな化合物であることがわかった。化合物No.152の物性母液晶i85重量と、実施例6で得られた化合物No.152の15重量とから組成物vを調製した。組成物vの物性を測定し、測定値を外挿することで化合物No.152の物性を算出した。その外挿値は、次のとおりであった。誘電率異方性Δε=-5.00;粘度η=56.6mPas.組成物vの弾性定数K33は、16.75pNであった。比較例2比較例として、4-ドデシルオキシ-2,3-ジフルオロベンゼンカルボン酸E-4-4-トランス-4-プロピルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルフェニルF’を合成した。これは、この比較化合物F’が、特開平04-330019公報に記載の4-ドデシルオキシ-2,3-ジフルオロベンゼンカルボン酸E-4-4-トランス-4-ペンチルシクロヘキシルブト-3-エン-1-イルフェニルFに類似しているからである。両者の違いは、左末端基だけである。特開平04-330019公報に記載の化合物F:比較化合物F’比較化合物F’の化学シフトδppm;CDCl3:7.83td,1H,7.21d,2H,7.10d,2H,6.81t,1H,5.38m,2H,4.12q,2H,2.61t,2H,1.88quin,2H,1.71m,4H,1.59quin,2H,1.48quin,2H,1.40-1.23m,16H,1.23-1.11m,6H,0.91-0.82m,10H.比較化合物F’の転移温度は、次のとおりであった。転移温度:C57.7SA95.2N114.9I.母液晶i85重量と、比較化合物F’の15重量とから組成物ivを調製した。得られた組成物ivの物性を測定し、測定値を外挿することで比較化合物F’の物性を算出した。その外挿値は、次のとおりであった。誘電率異方性Δε=-3.04;粘度η=100.5mPas.組成物ivの弾性定数K33は、16.00pNであった。表.比較実験-2上の表から分かるように、化合物No.152は、誘電率異方性Δεが負に大きく、粘度ηが低く、弾性定数K33が大きな化合物であることがわかった。比較化合物F’と比較して、誘電率異方性Δεが負に高く、粘度ηが低く、弾性定数K33が大きな化合物であることがわかった。組成物1の実施例実施例により本発明の液晶組成物を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。実施例における化合物は、下記の表の定義に基づいて記号により表す。表において、1,4-シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。-の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合百分率は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率重量である。最後に、組成物の特性値をまとめる。ネマチック相の上限温度、光学異方性などの液晶組成物の特性は、先に記載した方法にしたがって測定した。ここでは、測定値をそのまま記載した。3-B2VHB2F,3F-O2No.243-BHV2B2F,3F-O2No.4233-HH-O18-175-HH-O18-133-HH-48-153-HB2F,3F-O22-1165-HB2F,3F-O22-1213-HHB2F,3F-13-173-HHB2F,3F-O23-1145-HHB2F,3F-O23-120NI=63.2°C;Δn=0.082;η=24.0mPas;Δε=-4.3.3-B2F,3FHV2B2F,3F-O2No.8233-ChV2BB2F,3F-O2No.15273-HB-O18-5153-HH-48-153-HB2F,3F-O22-1125-HB2F,3F-O22-1122-HHB2F,3F-13-163-HHB2F,3F-13-1123-HHB2F,3F-O23-195-HHB2F,3F-O23-1133-HHB-19-16NI=83.5°C;Δn=0.097;η=37.7mPas;Δε=-3.6.3-HV2chB2F,3F-O2No.3843-HV2B2F,3FCh-VNo.10233-HH-48-143-H2B2F,3F-O22-4225-H2B2F,3F-O22-4222-HHB2F,3CL-O23-1223-HHB2F,3CL-O23-1235-HHB2F,3CL-O23-1223-HBB2F,3F-O23-795-HBB2F,3F-O23-79V-HHB-19-163-HHB-39-163-HHEBH-310-633-HHEBH-410-633-HHEBH-510-62NI=92.3°C;Δn=0.104;η=29.9mPas;Δε=-4.2.3-BHV2BB2F,3F-O2No.18233-BHV2HB2F,3F-O2No.20233-BB2VHB2F,3F-O2No.16233-HB-O18-5123-HH-48-143-HB2F,3F-O22-1125-HB2F,3F-O22-1122-HHB2F,3F-13-1103-HHB2F,3F-13-1123-HHB2F,3F-O23-1105-HHB2F,3F-O23-1136-HEB2F,3F-O22-66NI=92.0°C;Δn=0.097;η=37.5mPas;Δε=-3.8.本組成物100重量部に光学活性化合物Op-5を0.25重量部添加したときのらせんピッチは60.1μmであった。3-B2VHHB2F,3F-O2No.22243-B2VHBB2F,3F-O2No.24242-HH-58-133-HH-48-1153-HH-58-143-HB-O28-5123-H2B2F,3F-O22-4155-H2B2F,3F-O22-4153-HHB2F,3CL-O23-1232-HBB2F,3F-O23-733-HBB2F,3F-O23-775-HBB2F,3F-O23-793-HHB-19-133-HHB-O19-13NI=80.3°C;Δn=0.098;η=20.5mPas;Δε=-4.2.3-B2VHB2F,3FB2F,3F-O2No.26253-HV2B2F,3FChH-5No.28433-HB-O18-5153-HH-48-153-HB2F,3F-O22-1125-HB2F,3F-O22-1122-HHB2F,3F-13-1123-HHB2F,3F-13-163-HHB2F,3F-O23-1115-HHB2F,3F-O23-1133-HHB-19-16NI=90.8°C;Δn=0.095;η=38.1mPas;Δε=-3.5."