固定面、及び前記固定面と反対の面である放熱面を有し、これらの面の少なくとも一方に溝が形成された絶縁基板と、前記固定面に固定されたパワーチップと、前記放熱面を外部に露出させるように、前記パワーチップと前記絶縁基板を覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。前記パワーチップと前記固定面の間に挟まれるように固定されたリードフレームを備え、前記溝は前記リードフレームの直下領域からずらして形成されたことを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。前記溝はV字溝であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール。前記絶縁基板はセラミック基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパワーモジュール。パワーモジュールの絶縁基板の溝が形成された面である放熱面を、冷却器の平面に対して摺動させる工程と、前記放熱面と前記冷却器の平面が向き合った状態でこれらの面が密着するように前記パワーモジュールと前記冷却器を固定する工程と、を備えたことを特徴とするパワーモジュールの冷却器への固定方法。前記放熱面と前記冷却器の平面の間は放熱グリースが埋めていることを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュールの冷却器への固定方法。前記溝は交差するように複数形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載のパワーモジュールの冷却器への固定方法。絶縁基板はパワーチップと冷却器の間に位置し、これらを絶縁している。しかしながら、絶縁基板を冷却器に固定する際にこれらの間に異物が入り込むことがある。異物が入り込んだまま、絶縁基板を冷却器に固定しようとすると絶縁基板に割れが生じることがある。絶縁基板が割れると、パワーチップと冷却器の絶縁を確保できない事態が生じる。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、パワーチップと冷却器の絶縁を確保しつつ、絶縁基板を適正に冷却器に固定できるパワーモジュール及びパワーモジュールの冷却器への固定方法を提供することを目的とする。本願の発明に係るパワーモジュールは、固定面、及び該固定面と反対の面である放熱面を有し、これらの面の少なくとも一方に溝が形成された絶縁基板と、該固定面に固定されたパワーチップと、該放熱面を外部に露出させるように、該パワーチップと該絶縁基板を覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。本願の発明に係るパワーモジュールの冷却器への固定方法は、パワーモジュールの絶縁基板の溝が形成された面である放熱面を、冷却器の平面に対して摺動させる工程と、該放熱面と該冷却器の平面が向き合った状態でこれらの面が密着するように該パワーモジュールと該冷却器を固定する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、絶縁基板に溝を形成するので、絶縁基板を冷却器に固定する際の絶縁基板の割れを防止できる。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールをヒートシンクに固定したことを示す断面図である。パワーモジュール10は、セラミック基板12を備えている。セラミック基板12は、絶縁性及び熱伝導性に優れた材料であるアルミナで形成されている。セラミック基板12の上には接着剤14によりリードフレーム16が固定されている。リードフレーム16にはパワーチップ18が固定されている。このように、セラミック基板12の上面には、リードフレーム16を介してパワーチップ18が固定されるので、セラミック基板12の上面を固定面12sと称する。リードフレーム16はパワーチップ18と固定面12sの間に挟まれるように固定されている。セラミック基板12の固定面12sと反対の面は放熱面12rと称する。パワーモジュール10は、放熱面12rを外部に露出させるように、パワーチップ18、リードフレーム16、及びセラミック基板12を覆うモールド樹脂20を備えている。セラミック基板12の放熱面12rにはV字溝12a、12b、及び12cが形成されている。V字溝12a、12b、及び12cは、リードフレーム16の直下領域からずらして形成されている。つまり、リードフレーム16の直下領域にはV字溝12a、12b、及び12cはない。V字溝12a、12b、及び12cの深さは、セラミック基板12の厚さの1/2である。パワーモジュール10は、ねじ22によりヒートシンク26に固定されている。この固定により、セラミック基板12の放熱面12rは、放熱グリース24を介してヒートシンク26に接している。これによりパワーチップ18の熱が放熱面12rから放出されやすくなる。図2は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの平面図である。図2ではパワーモジュール10の内部を示すために、モールド樹脂20は輪郭のみ示している。パワーチップ18は、IGBT18aとFWDi還流ダイオード18bを有している。パワーモジュールは、IGBT18aとFWDi18bがリードフレーム16やワイヤ30で接続されることで、3相ブリッジ回路を形成している。また、IGBT18aのオンオフは、駆動用IC32により制御される。図3は、セラミック基板12の放熱面12rを示す斜視図である。V字溝12a、12b、及び12cは、放熱面12rの短手方向に直線的に形成されている。パワーモジュールをヒートシンクに取り付ける際に、これらの間に異物が入り込むことがあった。そして、この異物によりセラミック基板が割れてパワーチップとヒートシンクの間の絶縁を確保できないことがあった。ところが、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュール10によれば、セラミック基板12とヒートシンク26の間に異物があると、V字溝12a、12b、及び12cを基点としてセラミック基板12がたわむ。そのため、セラミック基板12にかかる応力を緩和できる。このことについて図4を参照して説明する。図4は、異物によりセラミック基板がたわむことを示す断面図である。セラミック基板12の放熱面12rとヒートシンク26の間に異物50が入り込んでいるが、V字溝12a、12b、及び12cを基点にセラミック基板12がたわみ、セラミック基板12にかかる応力を緩和している。よって、セラミック基板12の割れを防止し、パワーチップ18とヒートシンク26の間の絶縁を確保できる。これに加えて、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュール10によれば、万一異物によりセラミック基板が割れても、パワーチップとヒートシンクの間の絶縁を確保できる。このことについて、図5を参照して説明する。図5は、異物によりセラミック基板が割れたことを示す断面図である。たとえば異物50が大型であった場合には、セラミック基板12のたわみではセラミック基板の応力緩和が不十分で、セラミック基板12が割れることも考えられる。この場合、いずれかのV字溝に沿ってセラミック基板12が割れる。図5ではV字溝12bの部分に割れ52が生じている。V字溝12bはリードフレーム16の直下領域からずらして形成されているため、割れ52はリードフレーム16からずれた場所に生じる。従って、割れ52に放熱グリース24が侵入してもパワーチップ18とヒートシンク26の間の絶縁を確保しうる。このように、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュール10によれば、異物によるセラミック基板の割れを回避できる。また、万一セラミック基板が割れてもパワーチップ18とヒートシンク26が導通することは回避できる。従って、パワーチップ18とヒートシンク26の絶縁を確保しつつ、セラミック基板12にヒートシンク26を固定することができる。本発明の実施の形態1に係るパワーモジュール10は、溝によりセラミック基板12がたわんで異物を原因とするセラミック基板に対する応力を緩和することが特徴である。この特徴を有する限りにおいて様々な変形が可能である。たとえば、セラミック基板12は、絶縁性及び熱伝導性に優れた材料で形成された絶縁基板である限り特に限定されない。従って、セラミック基板12を形成する材料はアルミナに限定されない。また、セラミック基板12に形成した溝はV字溝に限らない。溝の形状は、セラミック基板が溝を基点にたわむことができるように形成されていれば特に限定されない。しかしながら、溝を起点として絶縁基板が割れる場合は、割れの位置を制御しやすいV字溝が好適である。また、セラミック基板12に形成したV字溝12a、12b、及び12cはリードフレーム16の直下領域からずらして形成することとしたが、本発明はこれに限定されない。V字溝がセラミック基板のどこに形成されていても、セラミック基板の割れを抑制する効果を得ることができる。また、セラミック基板12に形成したV字溝12a、12b、及び12cの深さはセラミック基板12の厚さの1/2としたが、パワーチップ18とヒートシンク26の絶縁を確保できる限りこれに限定されない。また、ヒートシンク26は、水冷装置などの冷却器であれば特に限定されない。さらに、リードフレーム16は必須でない。リードフレーム16がなくても、セラミック基板12の上に発熱体であるパワーチップ18があれば本発明の効果を得ることができる。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールをヒートシンクに固定したことを示す断面図である。本発明の実施の形態1で説明済みの構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。以後の実施の形態についても同様である。セラミック基板62の固定面62sにはV字溝62a、62b、及び62cが形成されている。V字溝62a、62b、及び62cはリードフレーム16の直下領域からずらして形成されている。セラミック基板62の放熱面62rは全面が放熱グリース24を介してヒートシンク26と接している。図7は、本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールの平面図である。図7ではパワーモジュール60の内部を示すために、モールド樹脂20は輪郭のみ示している。セラミック基板62の固定面62sにはV字溝62a、62b、及び62cが固定面62sの短手方向に直線的に形成されている。本発明の実施の形態2に係るパワーモジュール60によれば、実施の形態1に係るパワーモジュール10の効果を得つつ、パワーモジュールの放熱性を高めることができる。すなわち、セラミック基板62の放熱面62rが全面で放熱グリース24を介してヒートシンク26と接しているので、パワーチップ18の熱を速やかにヒートシンク26へ放出できる。本発明の実施の形態2に係るパワーモジュール60は、少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係るパワーモジュールをヒートシンクに固定したことを示す断面図である。パワーモジュール70はセラミック基板72を備えている。セラミック基板72の固定面72sにはV字溝72a、72b、及び72cが形成されている。セラミック基板72の放熱面72rにはV字溝72d、72e、及び72fが形成されている。V字溝72a、72b、及び72cの直下にはそれぞれV字溝72d、72e、及び72fが形成されている。本発明の実施の形態3に係るパワーモジュール70の特徴は、セラミック基板72の固定面72sと放熱面72rの両方にV字溝が形成されていることである。この特徴により、セラミック基板72とヒートシンク26の間に異物が入り込んだ場合にセラミック基板72がたわみやすくなる。よってセラミック基板72への応力を緩和し、セラミック基板72の割れを防止できる。また、セラミック基板72が万一割れる場合でも、V字溝72a、72b、及び72cの直下にそれぞれV字溝72d、72e、及び72fを形成しているため、割れの位置をリードフレーム16からずれた場所に限定できる。つまりリードフレーム16の直下でセラミック基板72が割れてパワーチップ18とヒートシンク26が導通することは回避できる。本発明の実施の形態1乃至3ではセラミック基板の固定面及び固定面と反対の放熱面の少なくとも一方に溝が形成されることを示した。このような構成により、パワーチップ18とヒートシンク26の間の絶縁を確保できる。なお、本発明の実施の形態3に係るパワーモジュール70は、少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールのセラミック基板の放熱面を示す斜視図である。セラミック基板80の放熱面80rには以下のようにV字溝が形成されている。V字溝80a、80b、80c、80d、及び80eは、放熱面80rの短手方向に直線的に形成されている。V字溝80f、及び80gは、放熱面80rの長手方向に直線的に形成されている。V字溝80a、80b、80c、80d、及び80eと、V字溝80f、及び80gは交差するように形成されている。図10は、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールの冷却器への固定方法を示す図である。図10ではパワーモジュール82の内部を示すために、モールド樹脂20は輪郭のみ示している。また、配線の記載は省略した。この図中、V字溝の位置は破線で示している。V字溝80a、80b、80c、80d、及び80eは、リードフレーム16の直下領域からずらして形成されている。また、V字溝80f、及び80gは、パワーチップ1818a又は18bの直下領域からずらして形成されている。この固定方法では、まずパワーモジュール82のセラミック基板80の放熱面80rを、ヒートシンク26の平面に対して摺動させる。この摺動は、セラミック基板80の放熱面80rとヒートシンク26の平面の間を放熱グリース24が埋めている状態で行われる。図10の両方向矢印は、摺動方向が上下左右方向であることを示す。この摺動により、セラミック基板80の放熱面80rとヒートシンク26の間の異物90はいずれかのV字溝に捕捉される。次に、放熱面80rとヒートシンク26の平面が向き合った状態でこれらの面が密着するようにねじ22を締めてパワーモジュール82とヒートシンク26を固定する。本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールの冷却器への固定方法によれば、異物をV字溝80a、80b、80c、80d、80e、80f、又は80gに捕捉するので、異物によりセラミック基板80に及ぼされる応力を低減しその割れを防止できる。また、全てのV字溝80a、80b、80c、80d、80e、80f、及び80gはパワーチップ18の直下領域からずらして形成されている。よって、パワーモジュール82の良好な放熱性を確保できる。なお、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールは、少なくとも実施の形態1と同程度の変形は可能である。