"TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、aガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、b多孔質ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、cフッ素を含有した多孔質ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程と、dフッ素を含有した透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形ガラス体を得る工程と、e成形ガラス体を500°Cを超える温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200°C以上の成形ガラス体を500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程と、を含む製造方法。TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、aガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、b多孔質ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、cフッ素を含有した多孔質ガラス体を、酸素を含む雰囲気下にて300~1300°Cで一定時間保持した後、透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程と、dフッ素を含有した透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形ガラス体を得る工程と、e成形ガラス体を500°Cを超える温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200°C以上の成形ガラス体を500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程と、を含む製造方法。TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、フッ素およびTiO2を含有するシリカガラス体を600°C以上の温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程を含む製造方法。請求項1~3のいずれかに記載の製造方法により得られるTiO2を含有するシリカガラス。請求項4に記載のTiO2を含有するシリカガラスを用いたEUVリソグラフィ用光学部材。EUVL用露光装置光学材は、反射膜などの成膜の際には100°C程度の温度になる。また、露光時に、高エネルギー線が照射されるので、部材の温度が局所的には上昇するおそれがある。このため、EUVL用露光装置光学材は、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度領域が広いことが好ましいが、従来のTiO2-SiO2ガラスでは、熱膨張係数がほぼゼロとなる温度領域が狭く、EUVL用露光装置光学材に用いるには不充分であった。本発明の態様1は、TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、aガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、b多孔質ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、cフッ素を含有した多孔質ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程と、dフッ素を含有した透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形ガラス体を得る工程と、e成形ガラス体を500°Cを超える温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200°C以上の成形ガラス体を500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程と、を含む製造方法を提供する。態様2は、TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、aガラス形成原料を火炎加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質ガラス体を形成する工程と、b多孔質ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質ガラス体を得る工程と、cフッ素を含有した多孔質ガラス体を、酸素を含む雰囲気下にて300~1300°Cで一定時間保持した後、透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明ガラス体を得る工程と、dフッ素を含有した透明ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形ガラス体を得る工程と、e成形ガラス体を500°Cを超える温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程、または、1200°C以上の成形ガラス体を500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程と、を含む製造方法を提供する。態様3は、TiO2を含有するシリカガラスの製造方法であって、フッ素およびTiO2を含有するシリカガラス体を600°C以上の温度にて5時間以上保持した後に500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行う工程を含む製造方法を提供する。態様4は、態様1~3のいずれかの製造方法により得られるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様5は、態様4において、仮想温度が1000°C以下であり、F濃度が100ppm以上であり、かつ0~100°Cでの熱膨張係数が0±150ppb/°CであるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様6は、態様4において、仮想温度が1000°C以下であり、F濃度が100ppm以上であり、かつ-50~150°Cでの熱膨張係数が0±200ppb/°CであるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様7は、態様4~6のいずれかにおいて、熱膨張係数が0±5ppb/°Cとなる温度幅が4.5°C以上であるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様8は、態様4~7のいずれかにおいて、F濃度が500ppm以上であるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様9は、態様4~7のいずれかにおいて、F濃度が1000ppm以上であるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様10は、態様4~9のいずれかにおいて、少なくとも1つの面内における30mm×30mmの範囲での屈折率の変動幅Δnが2×10-4以下であるTiO2を含有するシリカガラスを提供する。態様11は、態様4~10のいずれかのTiO2を含有するシリカガラスを用いたEUVリソグラフィ用光学部材を提供する。本発明によれば、熱膨張係数の温度変化が小さい、つまり熱膨張係数がほぼゼロとなる温度範囲が広く、またガラス中の熱膨張係数および機械的特性の均質性に優れたTiO2-SiO2ガラスを得ることができる。したがって、EUVLに使用される光学系を構成する部材の素材としてきわめて好適である。TiO2-SiO2ガラスは、含有するTiO2濃度により、熱膨張係数が変化することが知られており、室温付近ではTiO2を約7質量含むTiO2-SiO2ガラスの熱膨張係数がほぼゼロとなる。本発明のTiO2-SiO2ガラスとはTiO2を1~12質量含有するシリカガラスのことが好ましい。TiO2の含有量が1質量未満であるとゼロ膨張にならないおそれがあり、12質量を超えると熱膨張係数が負となる可能性があるからである。TiO2の含有量は、より好ましくは5~9質量である。本発明において仮想温度は1000°C以下とすることが好ましい。発明者は、仮想温度とゼロ膨張の温度範囲の広さに関連があることを見出した。その結果に基づくと、仮想温度が1000°Cを超えるとゼロ膨張の温度範囲が狭く、EUVL用露光装置光学材に用いる材料には不充分になるおそれがある。なお、本明細書中では、ガラスの熱膨張係数がほぼゼロとなる温度範囲をゼロ膨張の温度範囲とも称する。ゼロ膨張の温度範囲を広げるには、仮想温度は950°C以下が好ましく、900°C以下であることがより好ましい。本発明における仮想温度を得るには、例えば、600~1200°Cの温度にて5時間以上保持した後、10°C/hr以下の平均降温速度で500°Cまで降温する方法が効果的である。上記に従い、TiO2-SiO2ガラス体を900°Cで100時間保持した後、10°C/hrの速度で500°Cまで降温し、大気放冷したところ、TiO2-SiO2ガラス体の仮想温度は860°Cとなった。仮想温度は以下のように測定する。鏡面研磨されたTiO2-SiO2ガラスについて、吸収スペクトルを赤外分光計Nikolet社製Magna760を用いて取得する。この際、データ間隔は約0.5cm-1にし、吸収スペクトルは、64回スキャンさせた平均値を用いる。このようにして得られた赤外吸収スペクトルにおいて、約2260cm-1付近に観察されるピークがTiO2-SiO2ガラスのSi-O-Si結合による伸縮振動の倍音に起因する。このピーク位置を用いて、仮想温度が既知で同組成のガラスにより検量線を作成し、仮想温度を求める。あるいは、表面の反射スペクトルを同様の赤外分光計を用いて、同様に測定する。このようにして得られた赤外反射スペクトルにおいて、約1120cm-1に観察される最も大きなピークがTiO2-SiO2ガラスのSi-O-Si結合による伸縮振動に起因する。このピーク位置を用いて、仮想温度が既知で同組成のガラスにより検量線を作成し、仮想温度を求める。本発明において、Fは100ppm以上であり、好ましくは200ppm以上である。より仮想温度を下げ、ゼロ膨張の範囲を広げるには、Fは500ppm以上であることが好ましく、1000ppm以上であることがより好ましく、2000ppm以上であることが特に好ましく、5000ppm以上であることが最も好ましい。F濃度がガラスの構造緩和に影響を及ぼすことは以前から知られておりJournalofAppliedPhysics918、48862002、これによればFにより構造緩和時間が促進され、仮想温度が低いガラス構造が実現しやすくなる第1の効果。よってTiO2-SiO2ガラスにFを含有させることは、仮想温度を低くして、ゼロ膨張の温度範囲を広げる効果がある。しかしながら、Fを含有させることは、仮想温度を下げる以上にゼロ膨張の温度範囲を広げる効果第2の効果があると考えられる。発明者は、合成石英ガラスについて、F濃度による熱膨張係数の温度変化への影響について調べたところ、仮想温度が等しい、Fを含有したガラスとFを含有しないガラスとでは、Fを含有したガラスの方が-50~150°Cの温度域において、熱膨張係数の温度変化が小さくなることを見出した。具体的には図1に示すように、-50~150°Cの温度域において、合成石英ガラスの熱膨張係数は150~630ppb/°Cの範囲で変動するのに対して、Fを10000ppm含有した合成石英ガラスは230~500ppb/°Cでの範囲でのみ熱膨張係数が変化しており、熱膨張係数の温度変化が小さくなる。ガラスにおいて組成と物性との間に加成性が成立する観点から、このFを含有させることによる第2の効果は、合成石英ガラスのみならず、TiO2-SiO2ガラスについても同様に成り立つと考えられる。このことは、熱膨張係数がゼロに近いTiO2-SiO2ガラスにおいては、Fを含有させることによって、-50~150°Cの温度域における熱膨張係数の温度変化が小さくなり、ゼロ膨張を示す温度範囲が広がることを意味する。また、熱膨張係数がゼロに近いTiO2-SiO2ガラスにおいて、Fを含有させることによって、熱膨張係数が0±5ppb/°Cとなる温度幅が大きくなることも同様に成り立つと考えられる。EUVL用露光装置光学材に用いる材料としては、熱膨張係数が0±5ppb/°Cとなる温度幅が、4.5°C以上であることが好ましく、5.0°C以上であることがより好ましく、6.0°C以上であることが特に好ましい。また、F以外のハロゲンを含有させることも、Fと同様にTiO2-SiO2ガラスについて、-50~150°Cの温度域における熱膨張係数の温度変化を小さくし、ゼロ膨張を示す温度範囲を広げる効果があると思われる。Fを含有させたTiO2-SiO2ガラスの製造方法としては以下のようないくつかの方法がある。ひとつに、スート法により、ガラス形成原料となるSi前駆体とTi前駆体を火炎加水分解もしくは熱分解させて得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子スートを堆積、成長させて、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体をF含有雰囲気にて処理した後、透明ガラス化温度以上まで加熱してFを含有させたTiO2-SiO2ガラス体を得る製造方法がある。スート法はその作り方により、MCVD法、OVD法、およびVAD法などがある。本明細書では、透明ガラス化温度とは、光学顕微鏡で空隙が確認できなくなるまで多孔質ガラス体を緻密化できる温度をいう。スート法では、ガラス形成原料となるSi前駆体とTi前駆体にFを含むものを用いたり、Si前駆体とTi前駆体をF含有雰囲気にて火炎加水分解もしくは熱分解させてFを含有した多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得て、Fを含有したTiO2-SiO2ガラス体を得る製造方法もある。また、直接法により、ガラス形成原料となるSi前駆体とTi前駆体にFを含むものを用いたり、Si前駆体とTi前駆体をF含有雰囲気にて1800~2000°Cの酸水素火炎中で加水分解酸化させることで、Fを含有させたTiO2-SiO2ガラス体を得る製造方法がある。F濃度の測定法は以下の通りである。透明TiO2-SiO2ガラスを無水炭酸ナトリウムにより加熱融解し、得られた融液に蒸留水および塩酸を融液に対する体積比でそれぞれ1ずつ加えて試料液を調整する。試料液の起電力をフッ素イオン選択性電極および比較電極としてラジオメータトレーディング社製No.945-220およびNo.945-468をそれぞれ用いてラジオメータにより測定し、フッ素イオン標準溶液を用いてあらかじめ作成した検量線に基づいて、フッ素含有量を求める日本化学会誌、19722,350。なお本法による検出限界は10ppmである。本発明によれば、0~100°Cの広い温度域においてTiO2-SiO2ガラスを熱膨張係数が0±150ppb/°Cの範囲内であるゼロ膨張ガラスとなし得る。またTiO2-SiO2ガラスの仮想温度が1000°C以下の場合は、熱膨張係数がほぼゼロを示す温度域がより広くなり、-50~150°Cの範囲において、熱膨張係数を0±200ppb/°Cの範囲内となし得る。熱膨張係数は、レーザー干渉式熱膨張計ULVAC社製レーザー膨張計LIX-1を用いて-150~200°Cの範囲で測定する。本明細書では、仮想温度のばらつきを少なくとも1つの面内における30mm×30mm内での仮想温度の最大値と最小値の差と定義する。仮想温度のばらつきは100°C以内であることが好ましく、特に好ましくは70°C以内である。仮想温度のばらつきが上記範囲を超えると、場所により、熱膨張係数に差を生じるおそれがある。仮想温度のばらつきは以下のように測定できる。所定のサイズに成形した透明TiO2-SiO2ガラス体をスライスし、50mm×50mm×10mmのTiO2-SiO2ガラスブロックとする。このTiO2-SiO2ガラスブロックの50mm×50mm面について、10mmピッチの間隔で前述の方法に従い仮想温度の測定を行うことで、成形TiO2-SiO2ガラス体の仮想温度のばらつきを求める。TiO2-SiO2ガラスをEUVL用露光装置光学材として使用するときに、ガラス中におけるTiO2/SiO2組成比を均一にすることは、基板内での熱膨張係数の分布を小さくするという点で極めて重要である。このTiO2/SiO2組成比の変動は、ガラスの屈折率に影響を及ぼすので、TiO2-SiO2組成均一性の指標として、屈折率の変動幅Δnを用いることができる。本発明においてΔnは少なくとも1つの面内における30mm×30mm内での屈折率の最大値と最小値の差と定義する。Δnは2×10-4以内が好ましく、特に好ましくは1.5×10-4以内である。Δnが上記範囲を超えると、熱膨張係数のばらつきが大きくなるおそれがある。このようなΔnを得るためには、スート法を用いることが効果的である。Δnは以下のように測定する。40mm×40mm×40mmの立方体に成形した透明TiO2-SiO2ガラス体から、立方体の各面より厚さ1mmでスライスし、38mm×38mm×1mmの板状TiO2-SiO2ガラスブロックを得る。フィゾー干渉計にて、オイルオンプレート法で、本ガラスブロックの38mm×38mmの面にヘリウムネオンレーザ光を垂直にあて、38mm×38mm面内での屈折率の変動幅を測定する。本発明により得られるTiO2-SiO2ガラスにおいて、仮想温度のばらつきが100°C以内,OH基濃度のばらつきが50ppm以内、Δnが2×10-4以内の場合、熱膨張係数分布を少なくとも1つの面内における30mm×30mm内で30ppb/°C以内となし得、EUVL用露光装置光学材として適している。OH基濃度は以下のように測定する。赤外分光光度計による測定を行い、2.7μm波長での吸収ピークからOH基濃度を求めるJ.P.Wiiliamset.al.,AmericanCeramicScietyBulletin,555,524,1976。本法による検出限界は0.1ppmである。熱膨張係数分布は以下のように測定する。所定のサイズに成形した透明TiO2-SiO2ガラス体を切断し、10mm×10mm×10mmのTiO2-SiO2ガラス小片となるよう分割する。この各小片について前述の方法に従い、熱膨張係数の測定を行うことで、成形TiO2-SiO2ガラスブロックの熱膨張係数のばらつきを求める。本発明のTiO2-SiO2ガラスを製造するためには、以下の製法が採用できる。a工程ガラス形成原料であるSi前駆体およびTi前駆体を火炎加水分解させて得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成させる。ガラス形成原料としては、ガス化可能な原料であれば特に限定されないが、Si前駆体としては、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Clなどの塩化物、SiF4、SiHF3、SiH2F2などのフッ化物、SiBr4、SiHBr3などの臭化物、SiI4などのヨウ化物といったハロゲン化ケイ素化合物、またRnSiOR4-nここにRは炭素数1~4のアルキル基、nは0~3の整数で示されるアルコキシシランが挙げられ、またTi前駆体としては、TiCl4、TiBr4などのハロゲン化チタン化合物、またRnTiOR4-nここにRは炭素数1~4のアルキル基、nは0~3の整数で示されるアルコキシチタンが挙げられる。また、Si前駆体およびTi前駆体として、シリコンチタンダブルアルコキシドなどのSiとTiの化合物を使用することもできる。前記基材としては石英ガラス製の種棒例えば特公昭63-24937号公報記載の種棒を使用できる。また棒状に限らず板状の基材を使用してもよい。b工程a工程で得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体をフッ素含有雰囲気下にて保持し、フッ素を含有した多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る。このフッ素含有雰囲気としては、含フッ素ガス例えばSiF4、SF6、CHF3、CF4、C2F6、C3F8、F2を0.1~100体積含有する不活性ガス雰囲気が好ましい。これらの雰囲気下、圧力10000~100000Pa1気圧程度で数十分~数時間の処理を、室温もしくは後述する透明ガラス化温度以下の高温で行うことが好ましい。また、同じフッ素ドープ量を得る場合において処理温度を下げたい時は、処理時間を延ばし5~数十時間保持するようにすればよい。透明ガラス化温度以上の温度を用いた場合、多孔質TiO2-SiO2ガラス体の緻密化が進行し、多孔質TiO2-SiO2ガラス体内部にまでフッ素を含有させることが困難になるため好ましくない。例えば、フッ素含有雰囲気としてSiF4を用いる場合、多孔質TiO2-SiO2ガラス体にドープさせたいフッ素量に合わせ、以下のように処理温度、処理時間を設定すればよい。フッ素ドープ量を1000ppm未満としたい場合は、SiF4を1~10体積含む不活性ガス雰囲気にて、室温で2~数十時間保持すればよい。フッ素ドープ量を1000~5000ppmとしたい場合は、SiF4を2~10体積含む不活性ガス雰囲気にて、500~1000°Cで2~数十時間保持すればよい。フッ素ドープ量を5000ppm~10000ppmとしたい場合は、SiF4を5~数十体積含む不活性ガス雰囲気にて、1000~1300°Cで2~数十時間保持すればよい。なお、本明細書におけるPaは、ゲージ圧ではなく絶対圧の意である。従来のようにスート法で合成された合成石英ガラスにフッ素をドープする場合は、高温でフッ素をドープすると酸素欠乏欠陥が生じて光透過率低下の原因になることが指摘されている。しかしながら、反射光学系に用いる光学部材に使用する場合は光透過率の低下は問題にならない。よって、透明ガラス化温度以下の高温で処理することにより、極めて多いフッ素を含有させることが可能になり、フッ素ドープ量は最大で数千ppm以上とすることができる。さらにb工程においては、多孔質TiO2-SiO2ガラス体へ均一に短時間でフッ素をドープできることから、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下好ましくは13000Pa以下、特に1300Pa以下に置いた後、ついで、含フッ素ガスを常圧になるまで導入し、フッ素含有雰囲気とすることが好ましい。c工程b工程で得られたフッ素を含有した多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、酸素を含む雰囲気にて、ガラス体を緻密化しない程度に、300~1300°Cで5~数十時間保持する。これはその後の熱処理においてガラスの着色を防ぐためである。雰囲気中の酸素は、1~100であることが好ましく、より確実にガラスの着色を防ぐためには、20~100であることがより好ましい。ついで、酸素処理をした多孔質TiO2-SiO2ガラス体を透明ガラス化温度まで昇温して、フッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を得る。透明ガラス化温度は、通常は1250~1700°Cであり、特に1300~1650°Cであることが好ましい。Fの含有量が多い場合は、ガラスの粘性が低下し、透明ガラス化温度が低下するため、1250~1550°Cが好ましく、特に1300~1500°Cであることが好ましい。雰囲気としては、ヘリウムなどの不活性ガス100の雰囲気、またはヘリウムなどの不活性ガスを主成分とする雰囲気であることが好ましい。圧力については、減圧または常圧であればよい。特に常圧の場合はヘリウムガスを用いることができる。また、減圧の場合は13000Pa以下が好ましい。d工程c工程で得られたフッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を、軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、フッ素を含有した成形TiO2-SiO2ガラス体を得る。成形加工の温度としては、1500~1800°Cが好ましい。1500°C以下では、フッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラスの粘度が高いため、実質的に自重変形が行われず、またSiO2の結晶相であるクリストバライトの成長またはTiO2の結晶相であるルチルもしくはアナターゼの成長が起こり、いわゆる失透が生じる。1800°C以上では、SiO2の昇華が無視できなくなる。e工程d工程で得られた成形TiO2-SiO2ガラス体を、600~1200°Cの温度にて5時間以上保持した後、10°C/hr以下の平均降温速度で500°C以下まで降温するアニール処理を行い、TiO2-SiO2ガラスの仮想温度を制御する。あるいは、1200°C以上のd工程で得られた成形TiO2-SiO2ガラス体を500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行い、TiO2-SiO2ガラスの仮想温度を制御する。500°C以下まで降温した後は放冷できる。この場合の雰囲気は、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガス100の雰囲気下、これらの不活性ガスを主成分とする雰囲気下、または空気雰囲気下で、圧力は減圧または常圧が好ましい。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、本実施例では、測定に用いたサンプルのサイズが、例えば、20mm×20mm厚さ2mmと小さく、e工程のアニール処理の際、急冷してもサンプル内に温度分布がほとんどつかない。このため、アニール処理は、500°Cまで10°C/hr以下の平均降温速度で降温する方法を取らず、急冷する方法を採用している。また、急冷することにより、仮想温度の高いサンプルも作成できる。[例1]TiO2-SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を基材に堆積成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成したa工程。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200°Cにて4時間保持したのち、基材から外した。その後、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて10Torrまで減圧した後、He/SiF4=90/10体積比の混合ガスを導入しながら、この雰囲気にて1000°C、常圧下4時間保持し、フッ素ドープを行ったb工程。その後、O2100雰囲気下にて、常圧下30時間保持した後、He100雰囲気下で1570°Cまで昇温した後、この温度で4時間保持しフッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を得たc工程。得られたフッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を、1600°Cに加熱してブロック形状に成形し、フッ素を含有した成形TiO2-SiO2ガラス体を得たd工程。得られたガラスを900°Cにて100時間保持し、急冷して仮想温度を制御したe工程。[例2]TiO2-SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素火炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を基材に堆積成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成したa工程。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200°Cにて4時間保持したのち、基材から外した。その後、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を雰囲気制御可能なチャンバーに設置し、室温にて10Torrまで減圧した後、O2/SiF4=90/10体積比の混合ガスを導入し、室温にて常圧下24時間保持し、フッ素ドープを行ったb工程。その後、Fを含有した多孔質TiO2-SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、O2100雰囲気下にて1000°Cまで昇温し、常圧下30時間保持した。そしてHe100雰囲気下で1570°Cまで昇温した後、この温度で4時間保持しフッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を得たc工程。得られたフッ素を含有した透明TiO2-SiO2ガラス体を、1650°Cに加熱してブロック形状に成形し、フッ素を含有した成形TiO2-SiO2ガラス体を得たd工程。得られたガラスを900°Cにて100時間保持し、急冷して仮想温度を制御したe工程。[例3]ゼロ膨張TiO2-SiO2ガラスとして知られるCorning社ULE7972を900°Cにて100時間保持し、急冷して仮想温度を制御したe工程。[例4]TiO2-SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を基材に堆積成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成したa工程。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200°Cにて4時間保持したのち、基材から外した。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて10Torrまで減圧した後、He100雰囲気下で1570°Cまで昇温し、この温度で4時間保持し、透明TiO2-SiO2ガラス体を得たc工程。得られた透明TiO2-SiO2ガラス体を、1650°Cに加熱してブロック形状に成形し、成形TiO2-SiO2ガラス体を得たd工程。得られたガラスを1150°Cにて10時間保持し、急冷して仮想温度を制御した工程e。[例5]TiO2-SiO2ガラスのガラス形成原料であるTiCl4とSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合させ、酸水素炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を基材に堆積成長させて、直径約80mm、長さ約100mmの多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成したa工程。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいので、基材に堆積させたままの状態で、大気中1200°Cにて4時間保持したのち、基材から外した。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて10Torrまで減圧した後、He100雰囲気下で1570°Cまで昇温し、この温度で4時間保持し、透明TiO2-SiO2ガラス体を得たc工程。得られた透明TiO2-SiO2ガラス体を、1650°Cに加熱してブロック形状に成形し、成形TiO2-SiO2ガラス体を得たd工程。得られたガラスを1400°Cにて4時間保持し、急冷して仮想温度を制御した工程e。上記例1~例5で作成したガラスの熱膨張係数の温度変化を図2に示す。また、各物性の測定結果を表1および表2にまとめる。なお、評価方法については、それぞれ前述の測定方法に従って行った。また、表2の熱膨張係数が0±5ppb/°Cとなる温度幅は、図2の曲線から熱膨張係数が-5~5ppb/°Cとなる温度の範囲を求め、導出した。ここで、例1~例2は実施例、例3~例5は比較例である。例1、2は、仮想温度が1000°C以下で、F濃度が100ppm以上であるので、熱膨張係数は0~100°Cの温度域において0±100ppb/°Cの範囲内となった。さらに例1は、F濃度が大きいので、熱膨張係数は0~100°Cおよび-50~150°Cの2種の温度域において、ともに熱膨張係数の変化幅が最も小さくなっている。例1、2はF濃度が100ppm以上であるので、仮想温度がほぼ等しくFを含有しない例3に比べ、熱膨張係数が0±5ppb/°Cの範囲での熱膨張係数の温度変化が小さくなっている。例えば、表2の例1と例3の熱膨張係数が0±5ppb/°Cとなる温度幅を比較すると、例3の温度幅が4.2°Cであるのに対し、例1の温度幅は7.6°Cで、温度幅が3.4°C大きくなっており、熱膨張係数の温度変化は小さくなっている。"