基板上に形成された第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成された一導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された真性半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された前記第1の半導体層とは逆の導電型を有する第3の半導体層と、前記第3の半導体層上に形成された第2の導電層と、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝と、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第2の分離溝と、前記第2の導電層を複数に分離する第3の分離溝と、を有し、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥、及び前記第1の分離溝には、絶縁樹脂が充填されており、前記第2の分離溝には前記第2の導電層が形成されていることを特徴とする光電変換装置。基板上に形成された第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成された一導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された真性半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に形成された前記第1の半導体層とは逆の導電型を有する第3の半導体層と、前記第3の半導体層上に形成された第2の導電層と、前記第2の導電層上に形成された第3の導電層と、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝と、前記第2の導電層を複数に分離する第2の分離溝と、前記第3の導電層が前記第1の導電層と接続する接続溝と、を有し、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥、及び前記第1の分離溝には、絶縁樹脂が充填されており、前記第2の分離溝には前記第2の導電層が形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1または2において、前記第2の半導体層は非晶質シリコンであることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記絶縁樹脂はポジ型の感光性樹脂であることを特徴とする光電変換装置。基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に前記第1の半導体層とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝を形成し、前記第3の半導体層を覆い、かつ前記第1の分離溝を充填する様に絶縁樹脂を形成し、前記絶縁樹脂の不要な領域を除去し、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第2の分離溝を形成し、前記第3の半導体層、及び前記絶縁樹脂を覆い、かつ前記第2の分離溝を充填する様に第2の導電層を形成し、前記第2の導電層を複数に分離する第3の分離溝を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項5において、前記絶縁樹脂は、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を含む領域、またはその領域の一部に存在する構造欠陥に充填されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項5または6において、前記絶縁樹脂はポジ型の感光性樹脂であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。基板上に第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、前記第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、前記第2の半導体層上に前記第1の半導体層とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、前記第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝を形成し、前記第3の半導体層を覆い、かつ前記第1の分離溝を充填する様に第1の絶縁樹脂を形成し、前記第1の絶縁樹脂の不要な領域を除去し、前記第3の半導体層上に第2の絶縁樹脂を島状に形成し、前記第3の半導体層、前記第1の絶縁樹脂、前記第2の絶縁樹脂上に第2の導電層を形成し、前記第2の導電層を複数に分割する第2の分離溝を形成し、前記第2の分離溝上に第3の絶縁樹脂を島状に形成し、前記第2の導電層上に第3の導電層を形成し、前記第3の導電層と前記第1の導電層を電気的に接続する接続溝を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項8において、前記第1の絶縁樹脂は、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥に充填されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項8または9において、前記第1の絶縁樹脂はポジ型の感光性樹脂であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項8乃至10のいずれか一項において、前記第2の絶縁樹脂及び前記第3の絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。上記構造欠陥は、光電変換層となる領域に偶発的に形成されるものであったが、光電変換装置を集積化するための加工領域にも構造欠陥が発生する場合もある。なお、本明細書において構造欠陥とは、膜の一部が欠損する欠陥のことを言い、結晶構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。例えば、光電変換層をレーザで分離加工した領域において、その加工時の残渣物や飛散物などが残存している場合や、分離加工領域の底に露出した材質とその上部に形成される膜との密着性が低い場合には、膜剥がれによる構造欠陥が発生することがある。また、分離加工領域は、その壁面が基板に対して略垂直になっており、その領域に形成される膜の被覆性が不良となることがある。この場合は、被覆性の不良部分が構造欠陥となってしまう。この様な現象で発生した構造欠陥は、光電変換装置の上下の電極間でのショートやリーク等を助長させる。すなわち、低照度下における電気特性を悪化させてしまう。従って、本発明の一態様は、光電変換装置の光電変換層となる領域、及び集積化するための加工領域に形成された構造欠陥を不活性化させ、上下の電極間でのショートやリークを補修することを目的とする。本発明の一態様は、光電変換層を分離加工する領域及び半導体層に不本意に形成される構造欠陥に対して絶縁樹脂を充填する構造の光電変換装置及びその作製方法に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、基板上に形成された第1の導電層と、第1の導電層上に形成された一導電型を有する第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された真性半導体からなる第2の半導体層と、第2の半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層と、第3の半導体層上に形成された第2の導電層と、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝と、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第2の分離溝と、第2の導電層を複数に分離する第3の分離溝と、を有し、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥、及び第1の分離溝には、絶縁樹脂が充填されており、第2の分離溝には第2の導電層が形成されていることを特徴とする光電変換装置である。本明細書において第1、第2等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。また、基板上に形成された第1の導電層と、第1の導電層上に形成された一導電型を有する第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された真性半導体からなる第2の半導体層と、第2の半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層と、第3の半導体層上に形成された第2の導電層と、第2の導電層上に形成された第3の導電層と、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝と、第2の導電層を複数に分離する第2の分離溝と、第3の導電層が第1の導電層と接続する接続溝と、を有し、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥、及び第1の分離溝には、絶縁樹脂が充填されており、第2の分離溝には第2の導電層が形成されていることを特徴とする光電変換装置である。ここで、上記真性半導体層からなる第2の半導体層は、非晶質シリコンで形成されていることが好ましい。また、上記絶縁樹脂は、ポジ型の感光性樹脂であることが好ましい。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝を形成し、第3の半導体層を覆い、かつ第1の分離溝を充填する様に絶縁樹脂を形成し、絶縁樹脂の不要な領域を除去し、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第2の分離溝を形成し、第3の半導体層、及び絶縁樹脂を覆い、かつ第2の分離溝を充填する様に第2の導電層を形成し、第2の導電層を複数に分離する第3の分離溝を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電層を形成し、第1の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第3の半導体層を形成し、第1の導電層、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する第1の分離溝を形成し、第3の半導体層を覆い、かつ第1の分離溝を充填する様に第1の絶縁樹脂を形成し、第1の絶縁樹脂の不要な領域を除去し、第3の半導体層上に第2の絶縁樹脂を島状に形成し、第3の半導体層、第1の絶縁樹脂、第2の絶縁樹脂上に第2の導電層を形成し、第2の導電層を複数に分割する第2の分離溝を形成し、第2の分離溝上に第3の絶縁樹脂を島状に形成し、第2の導電層上に第3の導電層を形成し、第3の導電層と第1の導電層を電気的に接続する接続溝を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。ここで、上記感光性樹脂は、第1の半導体層、第2の半導体層、及び第3の半導体層の少なくとも一つ以上に存在する構造欠陥にも充填される。また、上記絶縁樹脂、または第1の絶縁樹脂は、ポジ型の感光性樹脂であり、第2の絶縁樹脂は熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。本発明の一態様によって、低照度下においても安定な電力を供給できる光電変換装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法について説明する。図1は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。本実施の形態における光電変換装置は集積化構造をしており、基板100、第1の電極120、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160、第2の電極180、及び絶縁樹脂190を含んで構成される。ここでは、3つに分割されたセルを第1の電極120及び第2の電極180を用いて直列に接続された例を示している。もちろん、セルは3つに限らず、所望の電力が得られる様に実施者が適宜決定すれば良い。ここで、第1の半導体層140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160の少なくとも1つ以上には、ピンホールや傷などの構造欠陥200a、200bがあり、それを充填する絶縁樹脂190が形成されている。この絶縁樹脂190が形成されていることにより、構造欠陥200a、200bは不活性化し、上下の電極層間のショートやリークを防ぐことができる。また、第1の電極120、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160を分離する第1の分離溝220a、220b、220c、220dにも絶縁樹脂190が形成されている。なお、絶縁樹脂190は図示した形状に限らず、構造欠陥200a、200bの壁面や第1の分離溝220a、220b、220c、220dの壁面が覆われていれば良い。従来、第1の電極120を形成するための分離溝は、導電膜のみを分離加工するものであった。この場合には、分離溝に残存する分離加工時の残渣物や飛散物などが影響して、その上部に形成された半導体膜が剥がれやすい状態となっていた。また、分離加工によって露出した基板表面とその上部に形成される半導体膜との密着性が低い場合も同様であり、膜剥がれが起きた領域は構造欠陥となっていた。また、導電膜のみを分離加工した分離溝は、基板に対してその壁面が略垂直になっており、その領域に形成される半導体膜の被覆性が不良となることがある。また、該壁面の上部には、金属加工のバリの様な突起が形成されることもあり、この部分も被覆性の不良が起こりやすい。これら場合は、被膜性の不良部分が構造欠陥となってしまう。なお、5インチ角のガラス基板上に透光性導電膜、該透光性導電膜を縦断する分離溝、及びその上部に半導体膜を形成すると、分離溝1本あたり、φ20μm前後の構造欠陥が2乃至6個形成される。従って、本発明の一態様では、第1の分離溝220a、220b、220c、220dは、第1の電極120となる透光性導電膜が分離加工されている領域から連続する様に第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160にも形成し、絶縁樹脂190を充填して、該分離溝内に該半導体層が形成されない構成とする。この様にすることで、第1の電極120と第2の電極180の間の絶縁性を高め、ショートやリークを防止することができる。基板100には、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、または結晶化ガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本実施の形態では、基板100にガラス基板を用い、該基板側を光入射側とする。また、基板100には、樹脂基板を用いることもできる。例えば、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。第1の電極120には、例えば、インジウム錫酸化物ITO、珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、酸化亜鉛ZnO、亜鉛を含むインジウム錫酸化物IZO、ガリウムを含む酸化亜鉛GZO、アルミニウムを含む酸化亜鉛AZO、酸化錫SnO2、フッ素を含む酸化錫FTO、またはアンチモンを含む酸化錫ATO等の透光性導電膜を用いることができる。上記透光性導電膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ITOとAZOの積層や、ITOとFTOの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上1000nm以下とし、好ましくは400nm以上1000nm以下とする。また、図示はしていないが、光閉じ込め効果を付与するために第1の電極120の表面をテクスチャ構造としても良い。また、第2の電極180には、アルミニウム、チタン、ニッケル、銀、モリブデン、タンタル、タングステン、クロム、銅またはステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ステンレスとアルミニウムの積層や、銀とアルミニウムの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上600nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下とする。また、カーボンペースト、ニッケルペースト、銀ペースト、モリブデンペースト、銅ペースト等の導電ペーストを用いることもできる。なお、第2の電極180は、上記透光性導電膜と金属膜の積層であっても良い。この場合は、半導体層と接する側を透光性導電膜とすることで、第2の電極180に到達した光の反射率を向上させることができる。このとき、該透光性導電膜の膜厚は、10nm以上100nm以下とすることが好ましい。例えば、基板側からアルミニウム、銀、ITOの順で形成した積層を用いることができる。本実施の形態では、基板100側を光入射側とするため、第1の電極120には透光性導電膜であるITO、第2の電極180にはステンレスとアルミニウムの積層を用いる構成とする。光入射側を基板100側とは逆の面とした場合は、それぞれの電極に用いる材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。第1の半導体層140には一導電型を有する半導体膜を用いることができ、第3の半導体層160には第1の半導体層140とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の形態では、第1の半導体層140にはp型のシリコン半導体膜を用い、第3の半導体層160にはn型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いても良い。なお、第1の半導体層140の膜厚は、5nm以上30nm以下、第3の半導体層160の膜厚は、10nm以上30nm以下とすることが好ましい。また、第1の半導体層140及び第3の半導体層160には非晶質シリコンを用いることもできるが、より低抵抗の微結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることが好ましい。第2の半導体層150には、真性半導体を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の不純物元素が含まれるものであっても良い。なお、第2の半導体層150の膜厚は、100nm以上600nm以下とすることが好ましい。第2の半導体層150に用いる真性半導体には、非晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコンなどを用いることができる。蛍光灯下の様な低照度の環境で用いる場合は、可視光線に対する光電変換能力が高い非晶質シリコンを用いることが好ましい。第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を含む領域に形成された構造欠陥200a、200b、及び第1の分離溝を充填する絶縁樹脂190には、感光性樹脂を用いる。ここで、構造欠陥200a、200bは、該半導体層を形成する過程において、パーティクル等によって不本意に形成されたピンホールである。なお、図1では、第1の半導体層140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160の3層の半導体層を貫く形で構造欠陥200a、200bを図示しているが、構造欠陥形成過程は様々な現象によるものであり、これに限らない。例えば、第2の半導体層150より上に構造欠陥が形成される場合や、第1の電極120を含んだ形で構造欠陥が形成される場合などがある。いずれにしても構造欠陥は、本来形成されるべき層が欠損している領域であり、別の層がその領域に入り込む可能性が高い。従って、ショートやリークなどの電気特性を悪化させる要因となってしまう。なお、膜面に形成された傷も構造欠陥の1つであり、ピンホールと同様に不具合の原因となる。膜面の傷は、主に他の物体との接触で形成される。次に、本発明の一態様における光電変換装置の作製方法を詳細に説明する。なお、ここでは、構造欠陥の一例として、ピンホールが形成される場合について説明する。まず、ガラス基板等の基板100上に第1の電極120となる透光性導電膜320を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、ITOを500nmの厚さに形成する。このとき、透光性導電膜320上には、偶発的にパーティクル110a、110bが付着している図2A参照。次に、第1の半導体層140として、膜厚30nmのp型の微結晶シリコンを成膜する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、p型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してp型の微結晶シリコンを形成する。p型を付与する不純物としては、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第1の半導体層140は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗で、かつ透光性導電膜320との密着性が良好な微結晶シリコンで形成することが好ましい。続いて、プラズマCVD法を用いて、第2の半導体層150として膜厚600nmのi型の非晶質シリコンを成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりi型に近づくように0.001at.以上0.1at.以下のホウ素Bを添加しても良い。更に、プラズマCVD法を用い、第3の半導体層160として膜厚30nmのn型の微結晶シリコンを成膜する。n型の微結晶シリコンは、n型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。n型を付与する不純物としては、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、n型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第3の半導体層160は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗となる微結晶シリコンで形成することが好ましい。ここで、透光性導電膜320上に付着したパーティクル110a、110bは、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160に構造欠陥200a、200bを形成する図2B参照。なお、図2Bでは、該パーティクル及びその上に形成された該半導体層が除去された状態を図示している。次に、透光性導電膜320、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を複数に分離する第1の分離溝220a、220b、220c、220dを形成する図2C参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザ波長1064nmを用い、ビーム径30μm、出力0.5W、発振周波数25kHz、スキャン速度20cm/secで加工することができる。なお、ここで該分離溝の一部が基板100に達しても良い。また、この段階で透光性導電膜320が分離加工されることにより第1の電極120が形成される。この様に、透光性導電膜と半導体層を積層状態で加工することにより、工程を削減することができる、また、レーザ加工時に発生するパーティクルを低減することもできる。また、透光性導電膜と半導体層を別々に分離加工しても良い。この場合は、透光性導電膜320の形成後にレーザ加工を行って第1の分離溝を形成し、その上部に第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を形成した後に、第1の分離溝に形成された該半導体層に対して再度レーザ加工を行う。この様な工程を行うことで、図2Cと同様な形状を得ることができる。なお、上記第1の分離溝220a、220b、220c、220dを形成する工程は、半導体層の形成後でなければならない。半導体層上に導電層を形成し、その後に該分離溝を形成する工程とした場合は、構造欠陥200a、200bに該導電層が形成され、ショートやリークの不良となってしまう。次に、第3の半導体層160を覆い、構造欠陥200a、200b、及び第1の分離溝220a、220b、220c、220dを充填する様に絶縁樹脂190を形成する図2D参照。絶縁樹脂には感光性樹脂を用いる。例えば、フォトレジストや感光性のポリイミドなどがあり、両者ともその一部を感光させることによって、所望の形状を得ることができる。本実施の形態では、フォトレジストを用いる。フォトレジストにはポジ型とネガ型があり、どちらを用いても良い。フォトレジストをスピンコータやスリットコータを用いて、0.5μm以上5μm以下の厚さに形成し、プリベーク後、使用するフォトレジストが感光する波長の光で露光する。例えば、300nm以上400nm以下の紫外光を用いることができる。ポジ型フォトレジストの場合は、フォトレジスト側から露光を行い、第3の半導体層表面までのフォトレジストが感光する様に露光時間を調整する。この場合、露光されなかった部分は固定化され、露光された部分は非固定化される。ネガ型フォトレジストの場合は、基板側から露光する。構造欠陥や分離溝の領域は、透光性基板または透光性導電膜を介して露光を行うことができる。この場合、露光された部分が固定化され、露光されなかった部分が非固定化される。なお、ネガ型の感光性樹脂を使用する場合は、第1の電極120が透光性導電膜でなければならない。第1の電極120に金属膜を用いると、第1の分離溝220a、220b、220c、220d以外は遮光されてしまうため、構造欠陥200a、200bに充填された感光性樹脂を露光することができなくなってしまう。また、構造欠陥が半導体層の上層のみに形成されている場合などにおいても、下層の半導体層で遮光されてしまうため、感光性樹脂を露光することができなくなってしまう。また、基板100側から露光を行うため、第1の電極120である透光性導電膜を通して半導体層に紫外光を照射することになる。本実施の形態では、第2の半導体層150に非晶質シリコンを用いているため、紫外光の照射は光劣化を助長させることになり、好ましくない。従って、絶縁樹脂190として用いる感光性樹脂は、ポジ型であることが好ましい。次に、現像液で現像することによって、構造欠陥200a、200b、及び第1の分離溝220a、220b、220c、220dに固定化されたフォトレジスト絶縁樹脂190を残して、上記非固定化されたフォトレジストを除去することができる図3A参照。その後、ポストベークを行い、フォトレジストを化学的に安定化させる。次に、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160を複数に分離する第2の分離溝260a、260b、260cを形成する図3B参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、可視光領域または赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの第2高調波波長532nmを用い、ビーム径30μm、出力0.05W、発振周波数20kHz、ステージスキャン速度50cm/secで加工することができる。次に、第2の電極180となる導電膜380を形成する。ここでは、膜厚5nmのステンレスと膜厚300nmのアルミニウムの積層を用いる。なお、第3の半導体層160と接する側をステンレスとする図3C参照。そして、導電膜380を複数に分離する第3の分離溝280a、280b、280cを形成する図3D参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、可視光領域または赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの第2高調波波長532nmを用い、ビーム径30μm、出力0.05W、発振周波数20kHz、ステージスキャン速度50cm/secで加工することができる。なお、この段階で導電膜380が分離加工されることにより第2の電極180が形成される。ここで、上記レーザ加工時にレーザが照射される領域の半導体層が除去されても良い。なお、第2の電極180はスクリーン印刷で形成しても良い。その場合は、カーボンペースト、ニッケルペースト、銀ペースト、モリブデンペースト等の導電ペーストを用いることができる。また、スクリーン印刷では所望の形状を直接形成することができるため、上記レーザ加工を行わなくとも第3の分離溝280a、280b、280cは形成される。なお、図示はしないが、信頼性を向上させるための保護絶縁層を電力を外部に取り出すための端子部分第2の電極180の一部を除いて、第2の電極180を覆い、第3の分離溝280a、280b、280cを充填するように形成しても良い。該保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。以上の工程により、構造欠陥が少なく、低照度下においても安定に発電することのできる光電変換装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1とは異なる光電変換装置及びその作製方法について説明する。なお、本実施の形態では、実施の形態1で説明した例とは異なり、基板側とは逆側を光入射側とする構成を例として説明する。本実施の形態で説明する光電変換装置の構成に用いることのできる材料は、実施の形態1で説明した光電変換装置と同じ材料を用いることができる。また、本実施の形態においても、構造欠陥の一例としてピンホールを用いた説明を行うが、傷に対する対処も同様である。まず、基板100上に第1の電極420となる導電膜380を形成する。ここでは、基板100に樹脂材料のポリエチレンナフタレートPEN基板を用いる。基板100の厚さは特に限定しないが、例えば100μm前後の薄いものを用いれば、Roll-to-Rollプロセスを行うことができる。Roll-to-Rollプロセスには、スパッタ法やプラズマCVD法などの成膜工程だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換装置のほぼ全ての製造工程をRoll-to-Rollプロセスで行うこともできる。また、途中までの工程をRoll-to-Rollプロセスで行い、シート状に分断して、その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り扱うことができる。導電膜380はスパッタ法で形成する。導電膜380には、実施の形態1に示した第2の電極180と同様の材料を用いることができる。ここでは、導電膜380に、膜厚300nmのアルミニウム、膜厚5nmのステンレスを基板100側から順に積層した金属膜を用いる。以降、導電膜380が形成された後に、パーティクル110が偶発的に導電膜380上に付着する例として説明する図4A参照。パーティクル110は一例として球状のものを図示したが、サイズ、形状、材料を問わず、様々な形態がある。次に、第1の半導体層440として、膜厚30nmのn型の微結晶シリコン、第2の半導体層450として、膜厚600nmのi型の非晶質シリコン、第3の半導体層460として膜厚30nmのp型の微結晶シリコンを順にプラズマCVD法を用いて成膜する。ここで、パーティクル110が妨げとなって構造欠陥500が形成される。パーティクル110は、不安定な状態で第1の電極420に付着しているため、僅かな振動や気流などによって移動することがある。また、洗浄工程などを経て意図的に取り除かれることもある。この様な状態が、図4Bに相当する。次に、導電膜380、第1の半導体層440、第2の半導体層450及び第3の半導体層460を複数に分離する第1の分離溝520a、520b、520cを形成する図4C参照。該分離溝は、実施の形態1の第1の分離溝220a、220b、220c、220dを形成するレーザ加工法で形成することができる。なお、ここで該分離溝の一部が基板100に達しても良い。また、この段階で導電膜380が分離加工されることにより第1の電極420が形成される。次に、第3の半導体層460を覆い、構造欠陥500及び第1の分離溝520a、520b、520cを充填する様に第1の絶縁樹脂490を形成する図4D参照。第1の絶縁樹脂490には、実施の形態1で示した絶縁樹脂190を用いることができる。本実施の形態では、実施の形態1と同様に、フォトレジストを形成し、感光及び現像を行うことによって、不要なフォトレジストを除去する。その後ポストベークを行うことによって、構造欠陥500及び第1の分離溝520a、520b、520cに充填されたフォトレジスト第1の絶縁樹脂490を安定化する図5A参照。次に、第3の半導体層460上に第2の絶縁樹脂600a、600b、600cを形成する図5B参照。第2の絶縁樹脂600a、600b、600cは、その上部に形成する透光性導電膜をレーザ加工する際のストッパーとして作用する。該絶縁樹脂はスクリーン印刷法で形成することが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。本実施の形態では、エポキシ樹脂を用いる。また、該樹脂は、上述したレーザ光の吸収を助長させるために黒色であることが好ましい。次に、第3の半導体層460、第1の絶縁樹脂490及び第2の絶縁樹脂600a、600b、600c上に透光性導電膜320をスパッタ法で形成する図5C参照。透光性導電膜320には、実施の形態1に示した第1の電極120と同様の材料を用いることができる。ここでは、膜厚100nmのITOを用いる。次に、第2の絶縁樹脂600a、600b、600cと透光性導電膜320の積層部に対してレーザ加工を行い、第2の分離溝640a、640b、640cを形成する図5D参照。該分離溝は、実施の形態1の第1の分離溝220a、220b、220c、220dを形成するレーザ加工法で形成することができる。なお、ここで第2の絶縁樹脂600a、600b、600cの一部に溝が形成されても良い。また、この段階で透光性導電膜320が分離加工されることにより第2の電極480が形成される。次に、第2の分離溝640a、640b、640cを封止する第3の絶縁樹脂660a、660b、660cを形成する図6A参照。該絶縁樹脂は、第2の絶縁樹脂600a、600b、600cと同様の方法及び材料で形成することができる。次に、第2の電極480と接する様に第3の電極680a、680b、680cを形成する図6B参照。第3の電極680a、680b、680cは、スクリーン印刷法で形成することができる。材料としては、熱硬化性の導電ペーストを用いることが好ましく、例えば、銀ペースト等を用いることができる。その後、第3の電極680a、680b、680c上からレーザ光を照射し、接続溝700a、700b、700cを形成する図6C参照。該接続溝は、各セルの第3の電極680a、680b、680cのそれぞれと第1の電極420を溶着して電気的に接続する領域である。なお、該接続溝は、第1の電極420、第1の半導体層440、第2の半導体層450及び第3の半導体層460に分離溝を形成し、該分離溝を充填するように第3の電極680a、680b、680cを形成したものであっても良い。ここで、第3の電極680aは、隣接するセルの第1の電極420を表面側に取り出すための取り出し電極として作用する。また、第3の電極680bは、隣接するセルを直列に接続する接続電極として作用する。そして、第3の電極680cは、該電極が接続されたセルの第2の電極480の取り出し電極として作用する。ここで、接続溝700cは形成しなくても取り出し電極として作用するが、第3の電極680cの一部は、第1の電極420と接続することで抵抗を下げることができるため、接続溝700cを形成することが好ましい。なお、本実施の形態では、2つのセルを直列に接続する集積化工程を例として説明しているが、集積化するセルの数はこれに限らず、実施者が適宜決定できる。また、図6Dに示す様に、第3の電極680b及び第3の電極680cのそれぞれの一部を隣接するセルの方向に向かって延在させたグリッド電極720を形成しても良い。グリッド電極720を形成することで抵抗損失を低減でき、特に高照度下での電気特性を向上させることができる。なお、グリッド電極720は、図面の奥行き方向に間隔を空けて形成するため、受光面の全体を覆うものではない。図6Dは、グリッド電極720が形成されている領域の断面図を示したものである。また、図示はしないが、信頼性を向上させるために封止樹脂として、透光性絶縁樹脂を受光面側に設けても良い。該封止樹脂は、スクリーン印刷法で形成することができ、熱硬化性のエポキシ樹脂やフェノール樹脂などを用いることができる。以上の工程をもって、高歩留まりでショートやリークなどの不良を極力抑えることのできる集積型の光電変換装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本明細書に開示する光電変換装置は、さまざまな電子機器に用いることができる。本実施の形態では、その一例として、電子書籍の電源として用いる例を説明する。図7Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、光電変換装置9633、充放電制御回路9634を有することができる。図7Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図7Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637を有する構成について示している。光電変換装置9633として、他の実施の形態で示した光電変換装置を用いることにより、低照度下でも効率良く発電することができるため、屋内においても商用電源が不要な電子書籍を構成することができる。図7Aに示す電子書籍は、表示部9631を半透過型または反射型の液晶表示装置とすることで、消費電力を抑えることができる。なお、光電変換装置9633は、図示した領域に限らず、筐体9630の空きスペース表面や裏面に適宜設けることができる。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また、図7Aに示す充放電制御回路9634の構成及び動作について、図7Bのブロック図を用いて説明する。図7Bには、光電変換装置9633、充放電制御回路9634、表示部9631について示している。ここで、充放電制御回路9634は、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3を含んでいる。まず、外光により光電変換装置9633が発電する場合の動作の例について説明する。光電変換装置で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための好適な電圧となるよう、DCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631で表示を行う際には、スイッチSW1をオンし、DCDCコンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧して、表示部9631に電力供給を行う。一方、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフ、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。次いで、外光が乏しく、光電変換装置9633による発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでDCDCコンバータ9637により表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧がなされ、表示部9631に供給される。なお、本実施の形態では、光電変換装置と表示部との間にDCDCコンバータを2つ設けた構成としているが、光電変換装置から表示部への電源供給、光電変換装置からバッテリーへの充電、またはバッテリーから表示部への電源供給が直接行える様な構成では、その間のDCDCコンバータを省いても良い。なお、発電手段の一例として光電変換装置9633のみを用いる例を示したが、光電変換装置9633と構成の異なる光電変換装置との組み合わせによりバッテリー9635を充電する構成であっても良い。また、光電変換装置9633と他の発電手段との組み合わせであっても良い。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。