"基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程と、前記基板構造体の最外層の導体回路を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程と、を備える回路基板の製造方法であって、前記被覆工程において、カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、前記熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれ、前記離型材料は、熱処理手段に向かって順に、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびポリテトラフルオロエチレンフィルムから選択された低摩擦性フィルム、第1のアルミ箔、第1の高密度ポリエチレンフィルム、第2の高密度ポリエチレンフィルム、および第2のアルミ箔で少なくとも構成され、これらが積層されたものであり、前記第1の高密度ポリエチレンフィルム及び第2の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのMD方向が直交した状態で積層されている回路基板の製造方法。請求項1において、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みtcが、回路基板の厚みtに対して、t<tcである回路基板の製造方法。請求項1または2において、高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量が2万~50万であり、低摩擦性フィルムが、粘度平均分子量が100万以上の超高分子量ポリエチレンフィルム、または380°Cにおけるみかけの溶融粘度が1010poise以上であるポリテトラフルオロエチレンフィルムである回路基板の製造方法。請求項1~3のいずれか1項において、導体回路が、第1の差動信号線および第2の差動信号線で構成され、被覆工程前後において、第1の差動信号線および第2の差動信号線間の距離Gの変化率が5以内である回路基板の製造方法。超高分子量ポリエチレンフィルムおよびPTFEフィルムから選択された低摩擦性フィルム、前記低摩擦性フィルムの上に配設された第1のアルミ箔、前記第1のアルミ箔の上に配設された第1の高密度ポリエチレンフィルム、前記第1の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第2の高密度ポリエチレンフィルム、および前記第2の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第2のアルミ箔で少なくとも構成され、前記第1の高密度ポリエチレンフィルム及び第2の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのMD方向が直交した状態で積層されている離型材料。基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成された回路基板であって、前記カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、前記回路基板の厚み断面において、前記カバーフィルムが、略均一な厚みで基板構造体を被覆している回路基板。請求項6において、回路基板の厚み断面において、導体回路は略長方形状の断面を有しており、カバーフィルムがこの略長方形断面を、左右均等に被覆している回路基板。請求項7において、導体回路の長方形断面が厚みtを有しており、前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成され、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt3とした場合、カバーフィルムの厚み偏差単位:が、下記式1を満たす回路基板。[Maxt1-t3-Mint1-t3]/t<301式中、Maxt1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最大値であり、Mint1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最小値であり、tは導体回路の厚みである。請求項6~8のいずれか1項において、導体回路が、差動信号線で構成され、回路基板の厚み断面において、カバーフィルムが、基板構造体を略均一な厚みで被覆している回路基板。請求項6~9のいずれか1項において、導体回路が、第1の差動信号線および第2の差動信号線で構成され、前記2本の差動信号線は、それぞれの信号線の長方形断面において、それぞれ厚みta、tbを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成され、第1の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt3とし、第2の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt4、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt5、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt6とし、第1および第2の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt7としたとき、カバーフィルムの厚み偏差単位:が、下記式2を満たす回路基板。[Maxt1-t7-Mint1-t7]/t<302式中、Maxt1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最大値であり、Mint1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最小値であり、tは、信号線の厚みtaおよびtbの平均値である。請求項6~10のいずれか1項において、カバーフィルムの熱膨張係数αCが、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αMに対して-2から3×10-6cm/cm/°Cの範囲内である回路基板。請求項6~11のいずれか1項において、基板を構成する絶縁体材料が、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなる回路基板。請求項6~12のいずれか1項において、基板を構成する絶縁体材料と、カバーフィルムの誘電率の差が±5以内である回路基板。しかしながら、特許文献1の回路基板では、接着剤層が必須であるため、接着剤層に由来して回路基板の寸法安定性や誘電特性を向上することができないだけでなく、製造工程も煩雑化してしまう。また、特許文献2の回路基板では、液晶ポリマーからなるカバーフィルムの接着面に対して紫外線を照射してフィルムを軟化させているため、熱圧着によってカバーフィルムが変形しやすく、基板上の導体回路を均一な厚みで被覆することが困難である。従って、本発明の目的は、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムを備えているとともに、カバーフィルムがほぼ均一な厚みで隙間なく導体回路を被覆している回路基板およびその製造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、水バリア性に優れるだけでなく、ノイズの発生を効果的に抑制することができる回路基板およびその製造方法を提供することにある。本発明のさらに別の目的は、低損失で信号歪の少ない回路基板を低コストで製造できる方法を提供することにある。本発明の発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、1液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いて熱融着させた場合、回路基板の電気特性例えば、誘電率、誘電正接が劣化するのを防ぐためには、回路基板を構成する最外層の基板と導体回路が、カバーフィルムで隙間なく満たされる必要があるだけでなく、基板上の凹凸に対して、カバーフィルムを均一な厚みで被覆する必要があることを見出した。そして、2溶融流動性の高い液晶ポリマーフィルムをこのような均一な厚みで被覆するにあたって、従来離型フィルムとして使用していた超高分子量ポリエチレンフィルムでは、離型性および耐熱性に優れるものの、分子量が大きいために溶融時の分子鎖の動きが制限されて基板上の凹凸に対して追従性が阻害されること、3一方、高密度ポリエチレンフィルムをアルミ箔で挟む場合、分子鎖が動きやすいために追従性はでるものの、フィルムの異方性が高いため、その異方性によりすでに設けられている導体回路を変形させる虞が高いことを見出した。これらの知見に基づいてさらに検討した結果、5超高分子量ポリエチレンフィルムと、アルミ箔で挟まれた2枚の高密度ポリエチレンフィルムとを組み合わせ、さらに前記高密度ポリエチレンフィルムの機械軸方向以下、MD方向と略すを互いに直交させて離型材料として用いることにより、液晶ポリマーフィルムを熱処理によってカバーフィルムとして被覆した場合、カバーフィルムが基板上の導体回路を均一な厚みで被覆できることを見出しただけでなく、6さらに、低摩擦性の超高分子量ポリエチレンフィルムに代えて、同じく低摩擦性のポリテトラフルオロエチレンフィルム以後、PTFEフィルムと略記する場合があるを用いた場合でも、超高分子量ポリエチレンフィルムと同様の働きが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成された回路基板であって、前記カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、前記回路基板の厚み断面において、前記カバーフィルムが、略均一な厚みで基板構造体を被覆している回路基板である。前記回路基板の厚み断面において、導体回路は略長方形状の断面以下、長方形断面と略記するを有しており、カバーフィルムがこの略長方形断面を、左右均等に被覆しているのが好ましい。例えば、このような回路基板においては、導体回路の長方形断面が厚みtを有しており、前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成され、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt3とした場合、カバーフィルムの厚み偏差単位:は、下記式1を満たしていてもよい。[Maxt1-t3-Mint1-t3]/t<301式中、Maxt1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最大値であり、Mint1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最小値であり、tは導体回路の厚みである。また、導体回路は差動信号線で構成されていてもよく、この場合、回路基板の厚み断面において、カバーフィルムが、基板構造体を略均一な厚みで被覆しているのが好ましい。例えば、この場合、導体回路が、第1の差動信号線および第2の差動信号線で構成され、前記2本の差動信号線は、それぞれの信号線の長方形断面において、それぞれ厚みta、tbを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成され、第1の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt3とし、第2の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みをt4、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みをt5、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt6とし、第1および第2の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みをt7とした場合、カバーフィルムの厚み偏差単位:が、下記式2を満たしていてもよい。[Maxt1-t7-Mint1-t7]/t<302式中、Maxt1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最大値であり、Mint1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最小値であり、tは、信号線の厚みtaおよびtbの平均値である。好ましくは、前記カバーフィルムの熱膨張係数αCは、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αMに対して-2から3×10-6cm/cm/°Cの範囲内であってもよい。また、基板を構成する絶縁体材料が、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなっていてもよい。さらに、基板を構成する絶縁体材料と、カバーフィルムの誘電率の差は±5以内であるのが好ましい。また、本発明は、このような回路基板の製造方法についても包含し、前記製造方法は、基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程と、前記基板構造体の最外層の導体回路を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程と、を備えており、前記被覆工程において、カバーフィルムは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、前記熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれ、前記離型材料は、カバーフィルムから熱処理手段に向かって順に、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびPTFEフィルムから選択された低摩擦性フィルム、第1のアルミ箔、第1の高密度ポリエチレンフィルム、第2の高密度ポリエチレンフィルム、および第2のアルミ箔で少なくとも構成され、これらが積層されたものであり、前記第1の高密度ポリエチレンフィルム及び第2の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのMD方向が直交した状態で積層されている。例えば、前記高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は2万~50万程度であってもよく、超高分子量ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は100万以上であってもよい。また、PTFEフィルムは380°Cにおけるみかけの溶融粘度が1010poise以上であってもよい。また、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みtcは、回路基板の厚みtよりも大きいのが好ましい。導体回路が、第1の差動信号線および第2の差動信号線で構成されている回路基板の製造方法では、前記被覆工程前後において、第1の差動信号線および第2の差動信号線間の距離Gの変化率が5以内であるのが好ましい。さらに、本発明は、前記離型材料についても包含し、離型材料は、超高分子量ポリエチレンフィルムおよびPTFEフィルムから選択された低摩擦性フィルム、前記低摩擦性フィルムの上に配設された第1のアルミ箔、前記第1のアルミ箔の上に配設された第1の高密度ポリエチレンフィルム、前記第1の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第2の高密度ポリエチレンフィルム、および前記第2の高密度ポリエチレンフィルムの上に配設された第2のアルミ箔で少なくとも構成され、前記第1の高密度ポリエチレンフィルム及び第2の高密度ポリエチレンフィルムは、互いのMD方向が直交した状態で積層されている。なお、本発明において、略長方形状とは、全ての角が略90°すなわち、88~92°、好ましくは89~91°の範囲内で構成された四角形、および全体として丸みを帯びた長方形や、角部が丸みを帯びた長方形等を意味している。また、請求の範囲および/または明細書および/または図面に開示された少なくとも2つの構成要素のどのような組み合わせも、本発明に含まれる。特に、請求の範囲に記載された請求項の2つ以上のどのような組み合わせも本発明に含まれる。本発明では、液晶ポリマーフィルムを用いて、均一な厚みで基板構造体を被覆できるため、耐熱性、水蒸気バリア性、耐薬品性および電気特性に優れるだけでなく、信頼性の高い回路基板を得ることができる。また、導体回路を左右均等に被覆することができる場合、電気特性誘電率、誘電正接を良好に維持して、ノイズの発生を低減することができる。また、導体回路が、差動信号線で構成される場合、低損失でノイズの少ない回路基板を低コストで実現し、良好な高速信号特性と低コストを両立することができる。特に、導体回路および基板を十分な密着性をもって左右均等に被覆することができる場合、信号の周波数が1ギガbps程度以上であっても、低損失でノイズの少ない回路基板を低コストで実現することができる。また、本発明の回路基板の製造方法では、特定の離型材料を利用することにより、熱処理により簡便に上述の優れた特性を有する回路基板を製造することができる。本発明の回路基板は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバーフィルムで少なくとも構成され、前記カバーフィルムは、略均一な厚みで基板構造体を被覆している。カバーフィルムカバーフィルムは熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成される。熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する1から4に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。1芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物代表例は表1参照2芳香族または脂肪族ジカルボン酸代表例は表2参照3芳香族ヒドロキシカルボン酸代表例は表3参照4芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸代表例は表4参照これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表5および6に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。これらの共重合体のうち、p―ヒドロキシ安息香酸および/または6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、ip-ヒドロキシ安息香酸と6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、iip-ヒドロキシ安息香酸および6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、4,4’-ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および2,6-ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。例えば、iの重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともp-ヒドロキシ安息香酸と6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位Aのp-ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位Bの6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸とのモル比A/Bは、液晶ポリマー中、A/B=10/90~90/10程度であるのが望ましく、より好ましくは、A/B=50/50~85/15程度であってもよく、さらに好ましくは、A/B=60/40~80/20程度であってもよい。また、iiの重合体の場合、p-ヒドロキシ安息香酸および6-ヒドロシキ-2-ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸Cと、4,4’-ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールDと、テレフタル酸、イソフタル酸および2,6-ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸Eの、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸C:前記芳香族ジオールD:前記芳香族ジカルボン酸E=30~80:35~10:35~10程度であってもよく、より好ましくは、C:D:E=35~75:32.5~12.5:32.5~12.5程度であってもよく、さらに好ましくは、C:D:E=40~70:30~15:30~15程度であってもよい。また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、D/E=95/100~100/95であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。このような熱可塑性液晶ポリマーを押出成形し、熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムを得ることができる。任意の押出成形法がこの目的のために使用されるが、周知のTダイ法、インフレーション法等が工業的に有利である。特にインフレーション法では、フィルムの機械軸方向以下、MD方向と略すだけでなく、これと直交する方向以下、TD方向と略すにも応力が加えられるため、MD方向とTD方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムを得ることができるので、より好適に用いることができる。熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムの融点以下、Mpと称する場合があるは、200~400°Cの範囲であってもよく、好ましくは250~360°Cの範囲であり、さらに好ましくはMpが260~350°Cである。なお、Mpは示差走査熱量計株島津製作所DSCにより主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。なお、カバーフィルムと基板構造体との接合を熱圧着によって行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Mpは、基板を構成する材料の融点に対し、同程度の温度例えば、Mpと基板を構成する材料の融点の差が-5°C~5°Cの範囲内であっても、一定の差が設けられていても、どちらでもよい。差が設けられている場合は、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムと基板とを熱圧着する際、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Mpは、基板を構成する材料の融点よりも15°C以上低く、特に25°C以上低く設定されていてもよい。なお、熱可塑性液晶ポリマーからなるフィルムとしてより高い耐熱性や融点を必要とする場合には、一旦得られたフィルムを加熱処理することによって、耐熱性や融点を高めることができる。加熱処理の条件の一例を説明すれば、一旦得られたフィルムの融点が283°Cの場合でも、260°Cで5時間加熱すれば、融点は320°Cになる。また、本発明の適用分野によって、必要とされる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの分子配向度SORは当然異なるが、SORが1.5程度の場合は熱可塑性液晶ポリマー分子の配向の偏りが著しいためにフィルムが硬くなり、かつMD方向に裂け易い。加熱時の反りがないなどの形態安定性が必要とされるプリント配線板や多層プリント配線板等の場合には、SOR1.3以下であることが望ましい。特に、SOR1.3以下の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、MD方向とTD方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスが良好であるので、より実用性が高い。また、加熱時の反りをほとんど無くす必要がある精密プリント配線板や多層プリント配線板等の場合には、SOR1.03以下であることが望ましい。ここで、分子配向度SORSegmentOrientationRatioとは、分子配向の度合いを与える指標をいい、従来のMORMolecularOrientationRatioとは異なり、物体の厚さを考慮した値である。この分子配向度SORは、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。本発明において、カバーフィルムとして用いられる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、回路基板の種類に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数αcが、導体回路を構成する導体の熱膨張係数αMに対して-2から3×10-6cm/cm/°Cの範囲内であってもよく、より好ましくは、-1から2×10-6cm/cm/°Cの範囲内であってもよい。なお、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数αcは、熱処理することにより所定の値にすることが可能である。この熱処理は、導体回路を形成した基板とカバーフィルムとを接合する前に行ってもよいし、基板と接合した後に行ってもよい。熱処理の手段としては特に制限はなく、熱風循環炉、熱ロール、セラミックヒーター、熱プレスなどを例示することができる。カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚さtcは、導体回路の厚みtに応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではないが、基板構造体の全体を均一に被覆する観点から、t<tcであるのが好ましく、より好ましくはt×1.1≦tcであり、さらに好ましくはt×1.5≦tcである。また、回路基板の屈曲性を向上させる観点から、tc≦t×4であるのが好ましい。基板構造体基板構造体は、基板と、基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含んでいればよく、導体回路は、基板の片面に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。また、基板構造体は、複数の基板を含んでいてもよい。具体的には、基板構造体としては、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板、多層プリント配線板などが例示できる。特に、基板構造体は、導体回路として差動信号線を有しているのが好ましい。差動信号とは、2本の信号線を用いて一つの信号を伝送する方式であり、差動信号線間の電圧が正または負-のいずれにあるかによってHレベルとLレベルの識別を行う。この方式では、2本の信号線間の電圧差を利用するので、これらの線にノイズが混入してもキャンセルでき、シングルエンド信号に比べてノイズに強い。そのため、データの高速伝送を可能とする。例えば、このような差動信号線は、PCIExpressバスやUSBなどの高速インターフェースに用いることができる。基板構造体は、基板の少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板構造体を準備する基板構造体準備工程により準備すればよく、基板構造体準備工程は、基板を準備する基板準備工程と、前記基板の少なくとも一方の面に導体回路を形成する回路形成工程で構成されていてもよい。基板は、その少なくとも一方の表面に導体回路を有する単層基板、この単層基板を複数枚積層した多層基板のいずれであってもよい。基板を構成する絶縁体材料に特に制限は無く、エポキシ系、ビスマレイミド系、ポリイミド系、熱可塑性液晶ポリマーを含むポリエステル系およびポリエステルアミド系の材料を例示することができる。これらのなかでも、基板を構成する絶縁体材料は、電気特性、低吸水性、耐熱性、寸法安定性等に優れている熱可塑性液晶ポリマーを含むのが好ましい。基板を構成する熱可塑性液晶ポリマーと被覆する熱可塑性液晶ポリマーは特に制限されるものではないが、良好な接着性を得る観点から、基板を形成する熱可塑性液晶ポリマーは、カバーフィルムを形成する熱可塑性液晶ポリマーと同じ化学組成を有するのが好ましい。基板として、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、カバーフィルムと基板とをそれぞれ構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの誘電率の差は、5以内、好ましくは2以内であることが望ましい。ここで、誘電率の差は、カバーフィルムの誘電率をPc、基板の誘電率をPBとしたとき、|PB-Pc|/PBをパーセント表示したもので表わされる。特に、導体回路が差動回路である場合、差動信号線間が形成する電界は差動配線間に集中するため、該差動配線間にある誘電体が差動信号の誘電損失に大きく寄与する。そのため、基板と被覆する液晶ポリマーフィルムとの間で誘電率の差が少なければ、上下で電界の不平衡を生じにくくなり、信号の歪を防止して伝送損失を小さくすることができる。導体回路または導電体は、基板の少なくとも一方の面に形成され、所定のパターンの信号ラインを構成している。このような導体の形成は、公知又は慣用の方法により行なわれ、スパッタリング法、メッキ法などを用いてもよい。また、例えば、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、導体シートを熱圧着などの公知又は慣用の方法により貼り付けた後、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を経て、所定のパターンの信号ラインを、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成してもよい。なお、導体としては、電気的接続に使用されるような金属が好適であり、銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどを挙げることができる。銅箔は圧延法、電気分解法などによって製造される何れのものでも用いることができるが、表面粗さの大きい電気分解法によって製造されるものが好ましい。金属箔には、銅箔に対して通常施される酸洗浄などの化学的処理が施されていてもよい。これらの金属のうち、銅が好ましく用いられる。カバーフィルムで被覆される導体または導電体の厚さは、回路基板の種類や、回路基板内部での役割に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、1~150μmの範囲内であってもよく、5~100μmの範囲内が好ましく、10~80μmの範囲内がより好ましい。本発明の回路基板は、基板構造体のうち、少なくとも導体回路側を、カバーフィルムにより被覆する被覆工程を経て得ることができる。被覆工程では、前記カバーフィルムは、熱処理により基板構造体に融着され、この熱処理は、少なくともカバーフィルムと熱処理手段との間に離型材料を介して行なわれる。図1は、離型材料を用いた被覆工程の一例を説明するための概略断面図である。回路基板10の厚み断面において、基板構造体11は、基板12と、その上面に配設された複数の導体13,13とで構成されている。図1に示す被覆工程では、この基板構造体11の導体13側に対して、カバーフィルムとして用いられる液晶ポリマーフィルム14が重ね合わされ、重ね合わされた基板構造体11と液晶ポリマーフィルム14は、離型材料15,15を介して熱プレスなどの熱処理手段により加熱され、回路基板10が形成される。離型材料15は、回路基板10から外方に向かって順に、低摩擦性フィルムとしての超高分子量ポリエチレンフィルム16、第1のアルミ箔17、第1の高密度ポリエチレンフィルム18a、第2の高密度ポリエチレンフィルム18b、および第2のアルミ箔19で少なくとも構成されている。ここで、第1の高密度ポリエチレンフィルム18a及び第2の高密度ポリエチレンフィルム18bは、互いのMD方向が直交した状態で積層されている。なお、低摩擦性フィルムとして、超高分子量ポリエチレンフィルムに代えて、PTFEフィルムを用いてもよい。図1では、基板12の一方の面に配設された導体回路13,13を液晶ポリマーフィルム14で被覆するにあたって、回路基板10の両面に離型材料15,15を用いて被覆工程を行っている。ただし、加熱手段に応じて離型材料は適宜使用することができ、例えば、図1の構成において、液晶ポリマーフィルム14側のみに離型材料15を用いて被覆工程を行ってもよい。また、図示はしないが、基板12の両面に、導体回路13が形成されてもよく、適宜当業者の技術常識に基づいた変形がなされていてもよい。離型材料を構成する低摩擦性フィルムとしては、JISK7125で定義される静摩擦係数が0.30以下好ましくは、0.05~0.25程度の低い摩擦係数を有するフィルムが挙げられ、具体的には、超高分子量ポリエチレンフィルム、PTFEフィルムなどが例示できる。例えば、超高分子量ポリエチレンフィルムは、静摩擦係数が0.10~0.25程度であり、その粘度平均分子量が、例えば100万以上、好ましくは200万~700万程度、更に好ましくは300万~600万程度であってもよい。なお、粘度平均分子量の算出に使用する極限粘度数の測定方法は、JISK7367-3:1999に準拠して測定できる。また、PTFEフィルムは、静摩擦係数が0.08~0.12程度であり、その溶融粘度は、380°Cにおいて、1010poise以上、好ましくは1010~1011poiseの範囲内であってもよい。また、離型材料を構成する高密度ポリエチレンフィルムの粘度平均分子量は、例えば2万~50万、好ましくは5万~30万程度、更に好ましくは10万~20万程度であってもよい。また、高密度ポリエチレンフィルムは、粘度平均分子量に代えてメルトフローインデックスで評価してもよく、高密度ポリエチレンフィルムのメルトフローインデックスは、例えば0.03~0.08程度、好ましくは0.04~0.06程度であってもよい。メルトフローインデックスの測定方法は、JISK7210に準拠して測定できる。このような離型材料を用いて熱処理を行うことにより、カバーフィルムが基板構造体を略均一な厚みで被覆することができる。さらに、あらかじめ基板構造体に形成された導体回路構造を変形させることなく、カバーフィルムで基板構造体を被覆することも可能となる。また、カバーフィルムは、基板構造体に対して隙間を作ることなく被覆してもよく、カバーフィルムと基板構造体との間の接着強度は、例えば、0.4~3.0kN/m程度、好ましくは0.5~2.5kN/m程度、より好ましくは0.6~1.5kN/m程度であってもよい。ここで、接着強度は、後述する実施例に記載した方法により測定される値である。図2は、本発明の一実施形態に係る回路基板20を示す概略断面図である。回路基板20は、その厚み断面において、基板22と、その上に配設された導体回路23とで構成された基板構造体21、および基板構造体21の導体回路23側を被覆するカバーフィルム24を備えている。導体回路23は略長方形状の断面を有しており、カバーフィルム24が導体回路23の略長方形断面を、左右均等に被覆している。なお、図示していないが、回路基板20は必要に応じてグラウンドプレーンを配設していてもよい。ここで、カバーフィルム24が、導体回路23の略長方形断面を左右均等に被覆している状態を説明する回路基板の概略断面図を図2に示す。図2に示すように、導体回路23の長方形断面は厚みtを有しており、前記長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成されている。そして、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがt3である。なお、各厚みt1~t3は、実施例に詳述した方法により測定される。カバーフィルム24が、導体回路23の略長方形断面を左右均等に被覆している場合、例えば、カバーフィルム24の厚み偏差単位:は30未満であってもよく、すなわち、下記式1を充足する。[厚み偏差]=[Maxt1-t3-Mint1-t3]/t<301式中、Maxt1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最大値であり、Mint1-t3は、カバーフィルムの厚みt1~t3のうちの最小値であり、tは導体回路の厚みである。図3は、本発明の別の実施形態に係る回路基板30を示す概略断面図である。回路基板30は、基板32と、その上に配設された導体回路33とで構成された基板構造体31、および基板構造体31の導体回路33側を被覆するカバーフィルム34を備えている。導体回路33は、第1の差動信号線33aおよび第2の差動信号線33bで構成されている差動配線回路であり、回路基板30の厚み断面において、カバーフィルム34が、基板構造体31を略均一な厚みで被覆している。また、図3に示すように、2本の差動信号線33a,33bは、それぞれの信号線の長方形断面において、ともに厚みtを有している。なお、2本の差動信号線33a,33bの厚みが異なる場合、それぞれの厚みtaおよびtbの平均値を厚みtとして利用してもよい。また、それぞれの長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成されている。この場合、第1の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがt1、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがt2、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがt3である。また、第2の差動信号線において、カバーフィルム側左端部から測定したカバーフィルムの厚みがt4、カバーフィルム側右端部から測定したカバーフィルムの厚みがt5、カバーフィルム側中央部から測定したカバーフィルムの厚みがt6である。さらに、第1および第2の差動信号線間の中央部から測定したカバーフィルムの厚みがt7である。また、第1の差動信号線33aおよび第2の差動信号線33bの間を表す距離はGで表されている。なお、各厚みt1~t7および差動信号線間距離Gは、実施例に詳述した方法により測定される。カバーフィルム34が、基板構造体31の略長方形断面を左右均等に被覆している場合、例えば、カバーフィルム34の厚み偏差単位:は30未満であってもよく、すなわち、下記式2を充足する。[厚み偏差]=[Maxt1-t7-Mint1-t7]/t<302式中、Maxt1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最大値であり、Mint1-t7は、カバーフィルムの厚みt1~t7のうちの最小値であり、tは導体回路の厚みである。さらに、被覆工程前後において、差動信号線間距離Gは、基板構造体に既に設けられた導体回路のパターン設計を維持する観点から、その変化率が5以内であるのが好ましく、より好ましくは3以内、特に好ましくは2以内である。なお、差動信号線間距離Gの変化率は、被覆前の距離をGa、被覆後の距離をGbとすると、|Gb-Ga|/Gaをパーセント表示したもので表わされる。本発明の回路基板は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いるため、低吸湿性、耐熱性、耐薬品性に優れるとともに、カバーフィルムが基板構造体を略均一な厚みで被覆することが可能である。そのため、信頼性の高い配線板を得ることができる。特に、本発明の回路基板では、伝送される信号が、高周波数化高速化していても、カバーフィルムが、ほぼ左右均等且つ導体回路の変形を抑制した状態で、基板構造体を被覆するため、ノイズの影響を受けにくくなり、伝送特性EMI特性の低下を抑制することができるだけでなく、パターン設計されたインピーダンスを変化させることなく、基板との接続部分におけるインピーダンスマッチングを図ることができる。特に、熱可塑性液晶ポリマーからなるカバーフィルムで被覆しているため、回路基板が高温、高湿下に置かれていたとしても、回路基板の伝送損失が大きくなってしまうのを抑制することが可能となる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。[融点]示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、供試フィルムを20°C/分の速度で昇温して完全に溶融させた後、20°C/分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録した。[膜厚]膜厚は、デジタル厚み計株式会社ミツトヨ製を用い、選られたフィルムをTD方向に1cm間隔で測定し、中心部および端部から任意に選んだ10点の平均値を膜厚とした。[接着強度]基板構造体とカバーフィルムとの積層体から1.0cm幅の剥離用試験片を作製し、カバーフィルムを両面接着テープで平板に固定し、JISC5016に準じて90°法により、基板構造体を50mm/分の速度で剥離したときの強度kN/mを測定した。[伝送損失インピーダンス]マイクロ波ネットワークアナライザーAgilentTechnology社製8722ESを用い、カスケードマイクロテック製プローブACP40250にて0~40GHzで伝送損失とインピーダンスを測定した。なお、伝送損失は、回路基板を温度23°C、湿度60RH環境下で96時間放置した直後、および温度60°C、湿度90RH環境下で96時間放置した直後の双方において測定した。[厚み偏差と差動信号線間Gの間隔]キーエンス製形状測定顕微鏡VK810を用い、測定倍率で、回路基板におけるカバーフィルムの厚みt1~t7、導体回路の厚みtを以下のようにして測定し、カバーフィルムの厚み偏差を算出した。また、差動信号線間の距離Gについても測定した。図3を、回路基板の厚み方向を測定する方法を説明するために利用する。回路基板30は、基板32と、基板32の上に配設された2本の差動信号線からなる導体回路33と、その上に配設されたカバーフィルム34とを備えている。2本の差動信号線33a,33bは、それぞれの信号線の長方形断面において、ともに厚みtを有しているとともに、前記差動信号線の長方形断面は、基板側左端部、基板側右端部、カバーフィルム側左端部、カバーフィルム側右端部の4点で構成されている。ここで、カバーフィルムの厚みt1~t7は、第1の差動信号線において、カバーフィルム側左端部からカバーフィルムに向かって左斜め上45°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがt1、カバーフィルム側右端部からカバーフィルムに向かって右斜め上45°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがt2、カバーフィルム側中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがt3で表される。また、第2の差動信号線において、カバーフィルム側左端部からカバーフィルムに向かって左斜め上45°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがt4、カバーフィルム側右端部からカバーフィルムに向かって右斜め上45°の方向で測定したカバーフィルムの厚みがt5、カバーフィルム側中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがt6で表される。そして、第1および第2の差動信号線間の中央部から垂直上向きに測定したカバーフィルムの厚みがt7で表される。なお、ここで、第1および第2の差動信号線の幅はそれぞれW1およびW2で示され、第1および第2の差動信号線間の距離はGで示されている。このようにして測定された回路基板におけるカバーフィルムの厚みt1~tiおよび導体回路の厚みtを用いて、厚み偏差は下記式3により算出される。厚み偏差=[Maxt1-ti-Mint1-ti]/t3式中、Maxt1-tiは、カバーフィルムの厚みt1~tiのうちの最大値であり、Mint1-tiは、カバーフィルムの厚みt1~tiのうちの最小値であり、iは1~7の整数である。また、tは導体回路の厚みである。厚み偏差は、5以下を◎、5を超えて30未満を○、30以上を×として評価した。[誘電特性]誘電率測定は周波数10GHzで空洞共振器摂動法により誘電体材料計測装置関東電子応用開発株製を使用して実施した。摂動法による誘電率測定方法は、空洞共振器に微小な材料幅:2.7mm×長さ:45mmを挿入し、温度20°C、湿度65RH環境下、96時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率を測定した。[フィルムの熱膨張係数]熱膨張係数は、室温からフィルムの熱変形温度付近まで一定昇温速度で加熱したときの膨張率を温度差で割った係数であり、以下のように算出される。まず、周知の熱機械分析装置を用い、短冊状に切断したフィルムの一端を固定し、もう一端に引張の荷重を付与し、一定昇温速度で加熱した時の膨張量を計測する。フィルムの引張の荷重方向の長さL0mm、加熱時のフィルムの長さをL1mm、温度をT2°Cとし、室温をT1°Cとすると、線膨張係数αは以下の式で算出できる。α=[L1-L0/T2-T1/L0×10-6cm/cm/°Cなお、本発明ではL0=20mm、T2=150°C、T1=25°C、引張荷重を1gとして採用した。[分子配向度SOR]マイクロ波分子配向度測定機において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の電場強度マイクロ波透過強度が測定される。そして、この測定値に基づいて、次式により、m値屈折率と称するが算出される。m=Zo/△zX[1-νmax/νo]ただし、Zoは装置定数、△zは物体の平均厚、νmaxはマイクロ波の振動数を変化させたとき、最大のマイクロ波透過強度を与える振動数、νoは平均厚ゼロのときすなわち物体がないときの最大マイクロ波透過強度を与える振動数である。次に、マイクロ波の振動方向に対する物体の回転角が0°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向と、物体の分子が最もよく配向されている方向であって、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致しているときのm値をm0、回転角が90°のときのm値をm90として、分子配向度SORがm0/m90により算出される。参考例1p-ヒドロキシ安息香酸と6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸の共重合物モル比:73/27を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が280°C、膜厚25μm、SOR1.05、誘電率3.0の熱可塑性液晶ポリマーフィルムAを得た。参考例2p-ヒドロキシ安息香酸と6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸の共重合物モル比:73/27を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が280°C、膜厚50μm、SOR1.05のフィルムを得た。このフィルムを260°Cで7時間加熱することにより、融点が335°C、膜厚が50μm、分子配向度SORが1.05、誘電率3.0の熱可塑性液晶ポリマーフィルムBを得た。参考例3熱可塑性液晶ポリマーフィルムBの片面に厚さ18μmの電解銅箔を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、温度が330°C、圧力が30Kg/cm2の条件で加熱圧着することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと銅箔からなる積層体を作製した。その後、銅箔上にレジスト膜を被覆し、次いで、塩化第2銅水溶液をエッチング液として、前記レジスト膜が被覆形成されていない領域の銅箔を溶解除去することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上に差動信号配線パターンを有する基板を作製した。差動信号配線パターンは、図3の通りであり、差動インピーダンスが100Ωになるように、図3中のW1およびW2の幅が100μm、差動信号線間Gが80μm、信号線の長手方向の長さ:100mmの回路を作製した。参考例4膜厚が50μmであること以外は参考例1と同様にして、融点が280°C、分子配向度SORが1.05、誘電率3.0の熱可塑性液晶ポリマーフィルムCを作製した。実施例1参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例1で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムAの両者を重ね合わせ、図1に示した構成1の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が290°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。なお、図1に示した離型材料は、低摩擦性フィルムとして超高分子量ポリエチレンフィルム16作新工業株製、ニューライトNL-W、厚み50μm、粘度平均分子量500万、静摩擦係数0.14、前記超高分子量ポリエチレンフィルム16の上に配設された第1のアルミ箔17住軽アルミ箔株製、IN50、厚み50μm、前記第1のアルミ箔17の上に配設された第1の高密度ポリエチレンフィルム18a大倉工業株製、HDフィルム、厚み50μm、メルトフローインデックス0.05、前記第1の高密度ポリエチレンフィルム18aの上に配設された第2の高密度ポリエチレンフィルム18b、および前記第2の高密度ポリエチレンフィルム18bの上に配設された第2のアルミ箔19住軽アルミ箔株製、IN50、厚み50μmで構成されており、回路基板から熱処理手段に向かって、超高分子量ポリエチレンフィルム16から第2のアルミ箔19への順に配設されている。なお、第1の高密度ポリエチレンフィルム及び第2の高密度ポリエチレンフィルムは、同じ種類のフィルムであり、互いのMD方向が直交した状態で積層されている。実施例2参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例4で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムCの両者を重ね合わせ、図1に示した離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が290°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。実施例3図1に示した構成1の離型材料において、超高分子量ポリエチレンフィルムに代えてPTFEフィルム日東電工株製、ニトフロン900UL、厚み50μm、静摩擦係数0.12を低摩擦性フィルムとして用いる以外は、実施例1と同様にして、参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例4で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムAの両者を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用い、温度が290°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。実施例4参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例2で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムBの両者を重ね合わせ、図1に示した構成1の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が310°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。実施例5参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例2で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムBの両者を重ね合わせ、実施例3と同様の離型材料で真空熱プレス装置を用い、温度が310°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。比較例1参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例1で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムAの両者を重ね合わせ、図4に示した構成2の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が290°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。なお、図4に示した離型材料は、第2の高密度ポリエチレンフィルム18bを設けていない点以外は、図1に示す離型材料と同じ構成である。比較例2参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例4で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムCの両者を重ね合わせ、図4に示した構成2の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が290°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。比較例3参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例1で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムAの両者を重ね合わせ、図4に示した構成2の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が300°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。比較例4参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、参考例1で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバーフィルムAの両者を重ね合わせ、図5に示した構成3の離型材料の構成で真空熱プレス装置を用い、温度が300°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。なお、図5に示した離型材料は、超高分子量ポリエチレンフィルム26およびアルミ箔29が積層されたものである。比較例5参考例3で作製した基板の配線パターンの配置と、ポリイミドカバーフィルム[ニッカン工業株式会社製、ニカフレックスCISVカプトン登録商標厚さ12.5μm、接着剤厚さ25μm]を両者を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用い、温度が200°C、圧力が20Kg/cm2の条件で加熱圧着した。得られた回路基板の物性を、表7に示す。表7に示すように、実施例1から5の回路基板は、カバーフィルムで被覆しても、被覆されたカバーフィルムは、t1~t3の厚み偏差およびt1~t7の厚み偏差のいずれについても5以下であり、伝送損失を小さくすることができる。特に、実施例1から5では、高温、高湿潤下においても、いずれの比較例よりも伝送損失が低い。すなわち、実施例1から5の伝送損失は、すべての比較例の伝送損失に関し、60°C90RH下だけでなく、23°C60RH下においても低い値である。そして、差動信号線間の距離Gを維持できるため、導体回路においてパターン設計された差動インピーダンスが変化することを防止できる。また、実施例1から5の回路基板は、カバーフィルムと基板構造体との接着性にも優れている。一方、比較例1~4の回路基板では、実施例1~5と同じ液晶ポリマーフィルムをカバーフィルムとして用いているにもかかわらず、離型材料が異なるため、カバーフィルムは、t1~t3の厚み偏差およびt1~t7の厚み偏差のいずれについても厚み偏差が30以上となり、伝送損失を小さくすることができない。そして、差動信号線間の距離Gもカバーフィルムの被覆により変化してしまうため、導体回路においてパターン設計された差動インピーダンスが変化してしまう。また、比較例5の回路基板では、カバーフィルムとしてポリイミドフィルムを用いているため、厚み偏差を低減させることができず、その結果、伝送損失が大きくなる。"