高温赤外反射フィルターコーティングを有する熱保護グレージングであって、該熱保護グレージングが、4.2×10-6/K未満の線熱膨張係数αを有するガラス板又はガラスセラミック板を含み、前記ガラス板又はガラスセラミック板の少なくとも一方の表面が、少なくとも1つの遷移金属化合物、好ましくは遷移金属酸化物でドープされた二酸化チタン層で、前記二酸化チタン層のシート抵抗が2MΩ以下となるようにコーティングされ、前記二酸化チタン層が、400°C~3000°Cの温度での黒体放射体の最大値の4分の1波長に相当する光学的厚さの層厚を有する、熱保護グレージング。前記二酸化チタン層が少なくとも1つの結晶相を含む、請求項1に記載の熱保護グレージング。前記二酸化チタン層がアナターゼ結晶相を含む、請求項2に記載の熱保護グレージング。前記二酸化チタン層がX線非晶質相を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の熱保護グレージング。前記X線非晶質相の物質量分率が、前記アナターゼ結晶相の物質量分率よりも大きい、請求項4に記載の熱保護グレージング。前記アナターゼ結晶相が、少なくとも他の結晶相より優勢であり、好ましくは前記アナターゼ結晶相が前記二酸化チタン層の存在する唯一の結晶相である、請求項5に記載の熱保護グレージング。前記二酸化チタン層に、遷移金属Nb、Ta、Mo、Vの少なくとも1つの化合物でドープされる、請求項1~6のいずれか一項に記載の熱保護グレージング。前記ガラス板又はガラスセラミック板上に中間層として純二酸化チタンコーティングを備え、少なくとも1つの遷移金属化合物がドープされた前記二酸化チタン層が、前記中間層上に堆積されている、請求項1~7のいずれか一項に記載の熱保護グレージング。前記二酸化チタン層上に堆積され、30ナノメートル~90ナノメートルの範囲の層厚を有する単一の反射防止SiO2層を備える、請求項1~8のいずれか一項に記載の熱保護グレージング。高温領域と、請求項1~9のいずれか一項に記載の熱保護グレージングを備える、前記高温領域を閉鎖する窓とを有する熱処理ユニット。前記二酸化チタン層が、少なくとも前記高温領域とは反対側の前記ガラス板又はガラスセラミック板の表面上に配置される、請求項10に記載の熱処理ユニット。高温赤外反射フィルターコーティングを有する熱保護グレージングを作製する方法であって、遷移金属でドープされた二酸化チタン層をガラス板又はガラスセラミック板上に堆積させ、前記層のシート抵抗が2MΩ以下であり、前記層が400°C~3000°Cの温度での黒体放射体の最大値の4分の1波長に相当する光学的厚さを有するようにドーピングを行う、方法。前記二酸化チタン層をスパッタリングによって堆積させる、請求項12に記載の方法。ドープされた二酸化チタン層でコーティングされ、4.2×10-6/K未満の線熱膨張係数αを有するガラスセラミック板が得られるように、前記二酸化チタン層をガラス板上に堆積させ、続いてコーティングされたガラス板をセラミック化する、請求項12又は13に記載の方法。前記二酸化チタン層を80ナノメートル~250ナノメートル、好ましくは100ナノメートル~150ナノメートルの範囲の層厚で堆積させる、請求項12~14のいずれか一項に記載の方法。前記二酸化チタン層を、少なくとも250°Cに予熱したガラス板又はガラスセラミック板上にアナターゼ含有層として堆積させる、請求項12~15のいずれか一項に記載の方法。前記ガラス板又はガラスセラミック板を、前記高温赤外反射フィルターコーティングの堆積後に変形させる、請求項12~16のいずれか一項に記載の方法。遷移金属化合物が1重量パーセント~10重量パーセントの範囲でドープされた二酸化チタン層を堆積させる、請求項12~17のいずれか一項に記載の方法。したがって、非常に長期にわたる熱負荷の下であっても安定し、かつ、効果的であるが、可視スペクトル領域では透明である、耐熱透明基板に対する低コストの赤外反射コーティングの要求がある。本発明のこの目的は、独立請求項の主題によって達成される。本発明の有益な実施の形態及び変更形態は、それぞれの従属請求項に記載される。したがって、本発明は、高温赤外反射フィルターコーティングを有する熱保護グレージングであって、この熱保護グレージングが4.2×10-6/K未満、好ましくは更に3.5×10-6/K未満の線熱膨張係数αを有するガラス板又はガラスセラミック板を含み、ガラス板又はガラスセラミック板の少なくとも一方の表面が、少なくとも1つの遷移金属化合物、好ましくは遷移金属酸化物でドープされた二酸化チタン層で、この二酸化チタン層のシート抵抗が2MΩ以下となるようにコーティングされ、この二酸化チタン層が、400°C~3000°Cの温度での黒体放射体の最大値の4分の1波長に相当する光学的厚さの層厚を有する、熱保護グレージングを提供する。驚くべきことに、本発明によってドープされた二酸化チタン層が、高温負荷下での長期動作後であってもヘイズがないままであることが見出された。本発明は更に、高温領域とこの高温領域を閉鎖する窓とを有し、本発明による高温赤外反射フィルターコーティングを有する熱保護グレージングを備える熱処理ユニットに関する。したがって、高温赤外反射フィルターコーティングを有するかかる熱保護グレージングを作製する方法は、遷移金属でドープされた二酸化チタン層をガラス板又はガラスセラミック板上に堆積させることに基づいており、ここでは前記層のシート抵抗が2MΩ以下であり、前記層が400°C~3000°Cの温度での黒体放射体の最大値の4分の1波長に相当する光学的厚さを有するようにドーピングを行う。本発明の第1の実施の形態によると、コーティングは、4.2×10-6/K未満という低い線熱膨張係数αを有するガラス基板又はガラスセラミック基板上に堆積される。別の実施の形態によると、低い熱膨張は堆積後の更なるプロセス工程によって得ることができる。特に、この場合はセラミック化が考えられる。したがって、ドープされた二酸化チタン層でコーティングされ、4.2×10-6/K未満の線熱膨張係数αを有するガラスセラミック板が得られるように、前記二酸化チタン層をガラス板上に堆積させ、続いてコーティングされたガラス板をセラミック化する。ここで非常に驚くべきことに、本発明によるコーティングはセラミック化後もヘイズがないままである。本発明の更に別の実施の形態に従うと、高温赤外反射フィルターコーティングを堆積させた後に、加熱成形工程においてガラス板又はガラスセラミック板を変形することも可能である。本発明のこの実施の形態の変形形態によると、ドープされた二酸化チタン層を、セラミック化可能なガラスの板上に堆積させる。かかるセラミック化可能なガラスのガラス板は、グリーンガラス板としても知られる。この実施の形態によると、加熱成形はセラミック化の際に板を軟化させて達成される。二酸化チタンは化合物半導体であり、好ましくは酸化物の形態で遷移金属を添加することによって、自由キャリアを生じるようになる。その結果、完全に誘電性の酸化チタンから導電性コーティングを得ることができる。遷移金属又は遷移金属化合物がドープされた二酸化チタン層は、非常に温度安定性であると同時に、熱処理ユニットにおける動作に伴う温度作用下でのプラズマ端のシフトによっては実質的に劣化しないことが見出された。加えて、本発明によると、二酸化チタン層はそれに入射する赤外線放射に対するλ/4層として働くことから、この層の光学干渉が利用される。このため、本発明による高温赤外反射フィルターコーティングは、透明導電性酸化物及び光学干渉反射層の両方として働く。400°C~3000°Cの温度での熱放射に対するλ/4層の上述の特性は、通常は80ナノメートル~750ナノメートル、好ましくは80ナノメートル~250ナノメートル、より好ましくは100ナノメートル~150ナノメートルの範囲の層厚で達成され得る。750ナノメートルという層厚は、ドープ層の典型的な屈折率では、400°Cの温度を有する温度放射体のスペクトル強度分布の最大値に適応するλ/4の光学的厚さに相当する。しかしながら、より高い温度に適した層、すなわちより薄い層が好ましい。これは一つには、エネルギー量が波長の減少とともに増大することから、スペクトル強度分布の最大値よりも短い波長への適応が有用であり得るためである。コーティングの良好な導電性は特に、格子内の陽イオンをより高原子価のイオンに置き換えることによって達成され、それによって、電子が伝導帯へと放出され、導電性が生じる。形状及びサイズの点でチタンとそれほど大きくは異ならないドーパントが、高いドーピング効率すなわち不純物原子当たりの放出される電子の数が多いを達成するのに特に好適であることが判明している。これらの条件は、特に遷移金属Nb、Ta、Mo、Vの少なくとも1つの化合物によって満たされる。上述の遷移金属の中でも、ニオブ及びタンタルが、低いシート抵抗又は高い導電性を達成するドーパントとしてとりわけ好適である。これらの金属又はその化合物によるドーピングの場合に、2×10-3Ωcm未満、特に約1×10-3Ωcmの電気抵抗率を達成することができる。本発明による層のシート抵抗は、それにより1kΩ未満となり得る。このように低いシート抵抗は、他の遷移金属又はその化合物をドーパントとして使用した場合にも達成され得る。二酸化チタン層を堆積させるには、スパッタプロセスが特に好適である。スパッタプロセスは金属ターゲットを用いた反応性スパッタリングを含み得る。別の実施の形態によると、セラミックターゲットが使用される。ドーパントを組み込む最も簡単な方法は、遷移金属でドープされたターゲットを使用することである。酸化セラミックターゲットの場合、これは堆積される層に対応したターゲットの十分な導電性を更にもたらす。また、2つのターゲットからの同時堆積が同様に可能である。2MΩ以下の二酸化チタン層のシート抵抗は、通常は遷移金属化合物を1重量パーセント~10重量パーセント、好ましくは3重量パーセント~6重量パーセントの量でドープすることによって得ることができる。さらに、かかるドーピング範囲では、層の良好な透明性が達成される。より多量のドーピングは格子間位置の占有率の増大、ひいては透明性の低下をもたらす。例えば、1重量パーセント~10重量パーセントの酸化ニオブがドープされた酸化チタンターゲットを、この目的で使用することができる。代替的には、ドープされた二酸化チタン層を、酸素含有雰囲気での反応性スパッタリングによって形成することができる。さらに、二酸化チタン層が結晶相を含有していれば特に有益であることが見出されている。アナターゼ結晶相は特に有利な特性を示す。これは高温でアナターゼがルチルに転移するという点で驚くべきことである。そのため、アナターゼ含有層はあまり温度安定性でないと予想され得るが、堆積された層は膜形態が大幅に変化することなく高い長期安定性を示す。その上、アナターゼ含有層は、達成であるそれらの良好な導電性に有益であることが判明している。同じドーピングでは、アナターゼ含有層のシート抵抗が、例えばルチル含有層のシート抵抗よりも低いことが見出されている。しかしながら、二酸化チタン層は完全に結晶性でないことが好ましい。むしろ、温度安定性及び導電性の点での最良の結果は、二酸化チタン層がX線非晶質相も含んでいる場合に得られる。これも、相間の平衡が温度の作用によって変化する可能性があるため、驚くべきことである。そのため、本発明の特に有益な実施の形態によると、高い導電性及び高い温度安定性を達成するために、二酸化チタン層は結晶相及びX線非晶質相を含有する。さらに、アナターゼ結晶相が少なくとも他の結晶相より優勢であり、好ましくはアナターゼ結晶相が二酸化チタン層の存在する唯一の結晶相であれば有益である。本願におけるX線非晶質という用語は、この相がX線回折測定において、いかなる明確なX線回折最大値も示さないことを意味する。また、X線回折スペクトルに基づいて徹底的に調査した層は、特にX線非晶質相の物質量分率が、アナターゼ結晶相の物質量分率よりも大きいという特性を示す。他の結晶相は、好ましくは、上述のように存在しないか、又はアナターゼ相と比較して少量でしか存在しない。言い換えると、これらの層はアナターゼ相のごく一部で部分的に非晶質である。ここで驚くべきは、非晶質材料は通常は比較的低い導電性を示すが、かかる層は良好な導電性を有することである。ドープされた二酸化チタン層を高い温度耐性のアナターゼ含有層として堆積させるためには、ガラス板又はガラスセラミック板を層の堆積の際に少なくとも250°Cに予熱することが有利であると判明している。ここで、本発明を例示的な実施形態により、添付の図面を参照して説明する。図1は、壁11に囲まれた高温領域12と、高温領域12を閉鎖する窓13とを備え、この窓が本発明による熱保護グレージング1を備える熱処理ユニット10を示す。熱処理ユニットは、例えばオーブン又は薪ストーブであり得る。熱保護グレージング1は、二酸化チタン層5が上に堆積したガラス板又はガラスセラミック板3を含む。二酸化チタン層5には、電荷キャリアが伝導帯へと導入され、それにより二酸化チタン層のシート抵抗が2MΩ以下となるように、少なくとも1つの遷移金属化合物、好ましくは遷移金属酸化物がドープされる。ガラス板又はガラスセラミック板が4.2×10-6/K未満の熱膨張係数αを有することにより、熱保護グレージングの良好な耐熱衝撃性とともに高い温度安定性が達成される。二酸化チタン層5の厚さは、自由電荷キャリアによる反射に加えて、光学干渉反射効果が存在するように選ばれる。そのために、二酸化チタン層の厚さを、入射する赤外線放射のスペクトルに適応させる。特に、光学的厚さは適切には、放射スペクトルの最大値又は重心の波長が層厚の4倍に近いか又は等しくなり、層が放射スペクトルの最高エネルギー部で反射光学干渉効果を有するように選択される。好ましくは、熱放射の光学干渉反射のためには、層厚は80ナノメートル~250ナノメートル、より好ましくは100ナノメートル~150ナノメートルの範囲で選択される。図1に示す簡単な例では、二酸化チタン層は少なくとも高温領域12とは反対側のガラス板又はガラスセラミック板の表面上に施される。本発明のこの実施形態は、板自体の放射率を低減するのに有益である。熱処理ユニット10の動作時には、熱保護グレージング1自体が数百度にまで熱されることが多い。この場合、高温領域12とは反対側の表面上の本発明の赤外反射フィルターコーティングが、熱保護グレージング1からの赤外線放射を低減する。二酸化チタンコーティング5の層厚を設計する際には、ガラス板又はガラスセラミック板3から放出される赤外線放射のスペクトル分布が特に考慮され得る。通常は、ガラス板又はガラスセラミック板3は、高温領域12と比較してより長い波長の赤外線放射を放出する。したがって、この場合、所望の効率に応じて、層の厚さを高温領域からのスペクトル放出の最大値への適応と比較して幾らか大きくなるように任意で設計することができる。一方、とりわけ長波長赤外線放射範囲では、導電性による反射が特に効果的である。したがって、二酸化チタン層5に入射する全赤外線放射に対する良好な反射率は、短波長赤外線放射範囲又は近赤外線放射範囲に合わせて設計された層厚によっても得られる。このことから、光学干渉層と、自由電荷キャリアにより反射する層とを組み合わせることによって、広帯域反射効果を達成することができることは明らかである。図1に示す例以外に、高温領域12に面するガラス板又はガラスセラミック板3の表面が、代替的又は付加的に本発明による二酸化チタンコーティング5を備えていてもよい。本発明の一実施形態によると、遷移金属としてニオブが使用され、ニオブは酸化ニオブの形態で二酸化チタン層に組み込まれる。ニオブがドープされた二酸化チタン層を含む本発明による熱保護グレージングによる熱放射の全反射を、ドープされていないTiO2層と比較して2倍向上させることができると実証することができた。図2は対応する反射スペクトルを示す。実地試験では、ニオブがドープされたTiO2を用いた実験では、熱放射の反射が純TiO2と比較して2倍増大し得ることが示された。これは図2の反射スペクトルに基づいて説明することができる。図2の実線は、純二酸化チタンコーティングを有するガラス板のスペクトル反射を表す。比較のために、破線は、4重量パーセントの酸化ニオブがドープされた同じ厚さの本発明による二酸化チタン層5を有するガラス板のスペクトル反射を表す。スペクトルから、同程度の層厚で反射率を大幅に増大することができることが明らかである。特に、本発明のコーティングを用いて、2000ナノメートル~7000ナノメートル超の波長範囲での非常に広帯域の反射の増大が達成されることが分かる。その上、加熱基板上に堆積させた場合、層はアナターゼ結晶構造を示し、したがって原理上は、セラミック化の際に変形可能な層系が作製される可能性をもたらす。これに関連して、図3は、種々の熱負荷後にニオブがドープされた酸化チタン層から記録されたX線回折スペクトルを示す。スペクトルから分かるように、ドープ層におけるルチルの顕著な形成は、900°C超でしか起こらない。さらに、アナターゼ相が、X線非晶質相によって生じるバックグラウンドで、高温で形成されるルチルの回折ピークと比較して弱い回折ピークしか示さないことに注目することができる。アナターゼ回折ピークは一方で、アナターゼ相が生じる全温度範囲にわたって実質的にいかなる強度変化も示さない。これは、第一にX線非晶質相が約900°Cまでの範囲でより優勢であり、一方でこれが特に、900°Cの温度までは非常に温度安定であるより少量のアナターゼ相を有するX線非晶質相の層組成であることを示している。ここで、本発明による熱保護グレージングを作製するための2つの例示的な実施形態を下記に説明する。グリーン状態の透明ガラスセラミック上に、ニオブがドープされたTiO2層を、4重量パーセントのニオブドーピングを有するセラミックNb2O5:TiO2ターゲットから、パルスマグネトロンスパッタ法又は非パルスマグネトロンスパッタ法を用いてスパッタ堆積する。このために、キャリア上に置いたガラス質基板を初めに250°C~400°Cの範囲の温度に予熱して、高温状態でスパッタプロセスを開始する。続くスパッタプロセスでは、層は純DCモードすなわち直流を用いる又は5kHz~20kHzの周波数でのパルスモードで作製され、それにより約10-3Ωcmの抵抗率が得られる。これはプラズマ端の形成、ひいては赤外線放射範囲での反射率の増大を伴う。続く冷却、並びに切断及びエッジ研磨等の加工の後、板をセラミック化プロセスにおいてHQMK高石英混晶及び/又はKMKキータイト混晶相へと変換する。板の任意の変形はセラミック化の際にも達成される。Nb:TiO2コーティングは、鋳型に面する表面上、又は鋳型とは反対側の板の表面上、又はその両側に施すことができる。第2の実施形態では、ニオブがドープされたTiO2を、6重量パーセントのドーピングを有する金属Nb:Tiターゲットからスパッタする。この場合、基板を更に加熱することなく、低温状態でコーティングする。コーティングプロセスは、5kHz~20kHzの範囲の中波で、プラズマ放出モニタリングを用いて反応性ガスを制御しながら行う。層の導電性は、続く約400°Cのアニーリングプロセスにおいて得られる。このプロセスによって、同様に10-3Ωcm前後の範囲の抵抗率も達成することができる。概して、上記の例示的な実施形態に限定されるものではないが、このようにして熱保護グレージングを作製する2つの好ましい変形形態が存在する。第1の変形形態によると、層を加熱したガラス板又はガラスセラミック板好ましくは少なくとも250°Cに加熱する上に堆積させる。別の変形形態によると、非晶質層を堆積させ、これを続いて焼き戻しプロセスに供することにより、ドープ層中にアナターゼ相を形成する。ここで、本発明による熱保護グレージングの赤外反射特性の良好な長期安定性を、図4及び図5を参照して説明する。図4は、赤外反射コーティングの効率を容易に測定するための測定装置を概略的に示す。ガラス板又はガラスセラミック板3示した例では、同様にドープされた二酸化チタン層5がその一方の表面にコーティングされた板であるは、赤外線放射源15と温度センサー、例えば表面熱電対17との間に配置する。赤外線放射源15の電源を入れた後、表面熱電対の電圧を、測定装置19を用いて測定及び記録する。板3を通って熱電対17に入射する赤外線放射によって熱電対が熱される。したがって、熱保護グレージング1の赤外反射率がより低いほど、熱電対17がより高い温度読み取りを示す。図5は、種々の板で測定された、時間の関数として記録された温度曲線を示す。測定時に、温度センサー又はこの場合は具体的にはNiCr/Ni表面熱電対17を、ガラス板又はガラスセラミック板5から11ミリメートルの間隔を空けて配置した。赤外線放射源15として、加熱した黒色プレートをガラス板又はガラスセラミック板5から18ミリメートル離して使用した。図5に示す結果の測定に使用した基板は、ROBAXという商品名で販売されている透明なアルミノケイ酸リチウムガラスセラミック板であった。予想されたとおり、最大の温度上昇は、コーティングされていないガラスセラミック板で起こる。ドープされた二酸化チタン層5として、この場合もニオブがドープされたTiO2層を様々なニオブ含量、それに応じて異なるシート抵抗で堆積させた。層のシート抵抗及び測定値から決定される赤外透過の低下率が曲線の各々について図中に示される。1.6MΩのシート抵抗では、コーティングされていない基板と比較して24の赤外透過率の低下という結果である。他の曲線は、それぞれ61kΩ及び28kΩというシート抵抗を有する層についての測定結果を表す。1.6MΩのシート抵抗を有する層と比較して、得られる透過の更なる顕著な低下が見られるが、これは自由電荷キャリアでの反射のより大きな寄与、したがってドーピングのためである。しかしながら、層の反射特性は非常に似ており、28kΩのシート抵抗を有する層は38の赤外透過の低下を示し、これは61kΩのシート抵抗を有する層の値を1パーセントしか上回らない。非常に低いシート抵抗では透明性も減少するため、20kΩ以上のシート抵抗を有するコーティングを使用することが多くの用途で有益である。図6A~図6Cは、例示的な一実施形態による熱保護グレージングの製造を概略的に示す。上述したように、コーティングはグリーンガラスのセラミック化の前に施してもよく、セラミック化後も依然としてその機能を果たす。高温耐性赤外反射フィルターコーティングを備える非平面状のガラスセラミック板を得るために、必要に応じて変形も可能である。図6Aは、スパッタシステムの真空チャンバー20内に配置されたグリーンガラス板30を示す。遷移金属でドープされたターゲット22、例えばニオブがドープされたチタン又は酸化チタンのターゲットを含むマグネトロンスパッタ装置21は、真空チャンバー20内に配置される。このターゲットをスパッタリングすることによって、ドープされた二酸化チタン層5がグリーンガラス板30上に堆積される。上述のように、本発明は、可視スペクトル領域において高い透明性を示す熱保護グレージングにも関する。したがって、本発明によるドープされた二酸化チタン層は、可視スペクトル領域において少なくとも60、好ましくは少なくとも70という平均透過率を示すので好ましい。可視スペクトル領域における透明性を更に改善するために、本発明の一実施形態によると、本発明に従ってドープされた二酸化チタンコーティングを、可視スペクトル領域で効果的な反射防止コーティングと組み合わせることができる。その上、これは二酸化チタンが非常に高い屈折率を有し、これは強い反射、場合によっては反射の妨害をもたらすため好ましい。低屈折率層、好ましくは可視スペクトル領域の波長に対してλ/4の光学的厚さを有するSiO2層が特に好適である。例えば、層は緑色光、すなわち約550ナノメートルの波長に対するλ/4層として設計することができる。この場合、550ナノメートルの波長で効果的なλ/4層については、550/4×nナノメートルという層厚が得られるここで、nは層の屈折率を表す。かかる反射防止コーティングは、特に単層として形成することができる。本発明によるドープされた二酸化チタン層上に堆積されるSiO2の反射防止単層の厚さは、好ましくは30ナノメートル~90ナノメートルの範囲である。図6Aに示される例では、ケイ素ターゲット又は酸化ケイ素ターゲット23をこの目的で配置する。このターゲットを用いると、適切な厚さのSiO2層6が、スパッタ装置21によってドープ二酸化チタンコーティング上に堆積される。本発明の一実施形態によると、ドープされた二酸化チタン層は中波スパッタリングによって堆積される。この目的のために、板を前処理工程において好ましくは250°C~450°Cの温度で少なくとも3分間、好ましくは10分間にわたって熱前処理するか、又はスパッタリングプロセスの間中、指定の温度に連続的に加熱する。温度処理は好ましくは真空下で行われ、基板表面からの過剰な水分の蒸発が起こる。続いて、板を真空チャンバー20へと移し、酸化チタン層をスパッタ装置に沿った単一パス又は複数パスで反応的に堆積させる。パルス周波数を5kHz~10kHzとなるように設定することができ、15W/cm2という高いスパッタリング出力を選択することができる。これにより達成される高い粒子束のために、また約10-3mbarという低いプロセス圧力下で、上述の特性を有する緻密な酸化チタン層を作製することができる。スパッタプロセスは、金属チタンターゲットから反応的に行うことができる。プロセスを安定させるためには制御方式が有益である。代替的には、スパッタリングはセラミックTiO2ターゲットを用いて行うことができる。この場合、プラズマ強度の複雑な制御を任意で省略することができる。グリーンガラス板をコーティングした後、図6Bに示されるように、セラミック化オーブン25内のキャリア27上に置く。キャリア27の支持面は、平面状の熱保護グレージングを作製するために平坦であってもよい。示した例では、キャリア27は相互に角度の付いた複数の表面部分からなる非平面状の支持面を有する。次いで、グリーンガラス板30を、セラミック化オーブン25内でセラミック化に要する温度に加熱することにより、グリーンガラスにセラミック化が起こる。図6Cに示されるように、それによりグリーンガラス板は軟化し、キャリア27の支持面の形状に適合することができ、その結果変形する。最も簡単な場合には、成形はグリーンガラス板30の適当な重量によって引き起こされる力により達成することができる。また、支持面に対する押圧若しくは吸引、又は例えばガスバーナーを用いた事前の熱間曲げも可能である。結果として、赤外反射二酸化チタンコーティング5と、可視スペクトル領域で効果的な反射防止層6とを備える非平面状のガラスセラミック板3が得られる。同様に、この方法はガラス板を用いた熱保護グレージングの作製にも好適である。この場合、コーティングが堆積されたガラス板を加熱し、セラミック化に至ることなく変形させる。上記に記載の熱保護グレージングの実施形態では、少なくとも1つの遷移金属化合物がドープされた二酸化チタンコーティング5を、ガラス基板又はガラスセラミック基板の表面上に直接堆積させた。本発明の更に別の実施形態によると、中間層を設けてもよい。特に、本発明の変更形態では、好ましくは遷移金属がドープされていない純二酸化チタンコーティングが中間層として使用される。図7は、純二酸化チタンコーティングが、中間層4としてガラス板又はガラスセラミック板3上に堆積され、少なくとも1つの遷移金属化合物がドープされた二酸化チタン層5が、この中間層4上に堆積されるタイプの熱保護グレージングの一実施形態を概略的に示す。有利には、純中間層は、例えばドープされた二酸化チタン層の形態を規定する及び/又は安定させるために、赤外反射ドープされた二酸化チタン層のシード層となり得る。図7の概略図以外にも、中間層4は実質的にドープ二酸化チタンコーティング5よりも薄くてもよい。好ましくは、中間層4の厚さはドープ二酸化チタンコーティング5の厚さの5分の1以下である。中間層は特に、特許文献2に記載の堆積法を用いて作製することができる。二酸化チタン中間層を作製する堆積法に関するこの出願の開示は、その全体を引用することにより本出願の一部をなすものとする。したがって、ガラス板又はガラスセラミック板は、中間層の接着強度を改善するために、中間層を施す前に特に200°C~400°Cに加熱することが好ましい。中間層は好ましくはマグネトロンスパッタリングによって作製され、金属チタンターゲットを用いた反応性スパッタリングが特に好適である。堆積については、電磁場のパルス周波数は5kHz~10kHzの範囲で選択することができ、10W/cm2以上という高いスパッタリング出力を選択することができる。