"導電性パターンを含む補助電極、および前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を含む電極。前記電極上に備えられる要素の許容厚さ偏差がβである場合、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角αは、下記数学式1で表されることを特徴とする、請求項1に記載の電極。[数学式1]0≦α<Arc[1-0.01×β]前記電極上に備えられる要素の許容厚さ偏差は、10以下であることを特徴とする、請求項2に記載の電極。前記補助電極の導電性パターンのテーパー角は、0度超過25度以下であることを特徴とする、請求項1~3の何れか1項に記載の電極。前記補助電極の導電性パターンは、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデンまたはこれらの合金を含むことを特徴とする、請求項1~4の何れか1項に記載の電極。前記主電極は、透明導電性材料を含むことを特徴とする、請求項1~5の何れか1項に記載の電極。前記主電極は、補助電極の上部面および側面を全て覆った構造であることを特徴とする、請求項1~6の何れか1項に記載の電極。請求項1~7のいずれか1項に記載の電極を含む電子素子。前記電子素子は、タッチパネル、有機発光素子または表示装置であることを特徴とする、請求項8に記載の電子素子。1基材上に導電性パターンを含む補助電極を形成するステップ、および2前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を形成するステップを含む電極の製造方法。前記電極上に備えられる要素の許容厚さ偏差がβである場合、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角αは、下記数学式1で表されることを特徴とする、請求項10に記載の電極の製造方法。[数学式1]0≦α<Arc[1-0.01×β]前記補助電極の導電性パターンのテーパー角は、0度超過25度以下であることを特徴とする、請求項11に記載の電極の製造方法。前記補助電極はフォトリソグラフィ法によって形成され、前記補助電極の形成時、フォトレジスト材料のソフトベーク温度を110°C以下に調節することを特徴とする、請求項10~12の何れか1項に記載の電極の製造方法。前記補助電極は間接印刷法によって形成され、前記補助電極の形成時、フォトレジスト材料のソフトベーク温度を80~90°Cに調節することを特徴とする、請求項10~12の何れか1項に記載の電極の製造方法。前記補助電極はフォトリソグラフィ法または間接印刷法によって形成され、前記補助電極の形成時、前記補助電極の材料が銅を含む場合、エッチング液としてオキソンOxxon系エッチング液を用いることを特徴とする、請求項10~12の何れか1項に記載の電極の製造方法。前記補助電極は、リバースオフセット印刷法またはグラビアオフセット印刷法によって形成されることを特徴とする、請求項10~12の何れか1項に記載の電極の製造方法。当技術分野では、性能に優れ、且つ、製造方法が容易な電極とこれを含む電子素子および電極の製造方法に関する研究が必要である。本発明は、導電性パターンを含む補助電極、および前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を含む電極を提供する。本発明において、前記電極上に備えられる要素の許容厚さ偏差がβである場合、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角αは、下記数学式1で表されることができる。[数学式1]0≦α<Arc[1-0.01×β]また、本発明は、前記電極を含む電子素子を提供する。また、本発明は、1基材上に導電性パターンを含む補助電極を形成するステップ、および2前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を形成するステップを含む電極の製造方法を提供する。本発明の一実施状態によれば、導電性などの性能に優れた電極およびこれを含む電子素子を容易に提供することができる。以下、本発明をより詳細に説明する。本発明による電極は、導電性パターンを含む補助電極、および前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を含むことを特徴とする。本発明では、従来とは異なり、補助電極が主電極の下段部に位置する埋め型構造を有することを特徴とする。従来は、主電極の導電度を向上させるために補助電極を用いる場合、前記主電極上に備えられる要素の安定性および層間の界面特性を考慮して、主電極を先に形成し、その上に補助電極を形成することが一般的であった。しかし、本発明では、補助電極パターンのテーパー角を調節する場合、具体的には、そのテーパー角を下げる場合は、補助電極上に主電極を形成しても電極上に備えられる要素の安定性を保障することができ、むしろ層間の界面特性にもより優れるという事実を見出した。本発明において、前記電極上に備えられる要素の許容厚さ偏差がβである場合、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角αは、下記数学式1で表されることができる。[数学式1]0≦α<Arc[1-0.01×β]図1に本発明の一実施状態による電極の側面構造を例示する。前記補助電極の導電性パターンのテーパー角をαとし、その上に備えられる主電極の平坦面における厚さをT0とすると、前記補助電極の導電性パターンによって傾斜した領域slopeにおける主電極の厚さTはT=T0cosαと定義される。同じ数式により、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角をαとし、主電極、例えばITO主電極上に備えられる要素、例えば有機発光素子の有機物層の平坦面における厚さをD0とすると、前記補助電極の導電性パターンによって傾斜した領域slope上に備えられるOLED物質の厚さDはD=D0cosαと定義される。前記主電極上に位置する要素、例えば有機発光素子の場合は、有機物層またはタッチパネルの場合は、また他の電極の許容厚さ偏差をβと仮定すると、下記数学式2のように表されることができる。[数学式2]1-0.01×β×D0≦D=D0cosα≦D0したがって、前記補助電極の導電性パターンの許容可能なテーパー角は、前記数学式1のように表すことができるという事実を見出した。前記数学式1によれば、結局、主電極の上層部に位置する要素の許容厚さ偏差は、下部の補助電極の導電性パターンのテーパー角に依存する。例えば、上層部に位置する要素の厚さ偏差が10以下になるように適用する場合、前記補助電極の導電性パターンの許容可能なテーパー角は約0超過25度以下の値を有する。また、本発明者は、補助電極パターンのテーパー角を調節することができる、好ましくは下げることができる方法を見出した。本発明の一実施状態によれば、前記補助電極パターンのテーパー角の調節は、フォトリソグラフィ法または間接印刷法を利用することができる。この方法において、ソフトベーク温度を調節するか、エッチング液の組成を調節することにより、補助電極パターンのテーパー角を調節することができる。一例として、本発明により、補助電極パターンのテーパー角を下げるために、前記フォトレジスト材料のソフトベーク温度を110°C以下に調節することができる。図2にフォトリソグラフィ法を利用して補助電極を形成する例を図示する。図2は、本発明を例示するためのものであり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。図2は、基材上に補助電極形成用導電性層を形成するステップと、前記導電性層上にフォトレジストをコーティングするステップと、選択的な露光および現像によってフォトレジストパターンを形成するステップ、および前記フォトレジストパターンにより、塗布されない導電性層をエッチングして導電性パターンを形成するステップを含むフォトリソグラフィ工程を示すものである。前記フォトレジストをコーティングした後、110°C以下でソフトベークを実施することによって補助電極パターンのテーパー角を下げることができる。105°Cでソフトベークを実施した場合と115°Cでソフトベークsoftbakeを実施した場合の各々のパターン形成された写真を図3および図4に例示する。この時、フォトレジストパターンは、厚さ1マイクロメーターに形成した。この時、好ましいソフトベーク温度は、フォトレジストの構成樹脂および組成物の種類、例えば溶媒の種類など、コーティング厚さなどに応じて当業者が実験を通じて選択適用することができるが、低いテーパー角taperangleのためには、素材の硬化温度より低いソフトベークsoftbake温度が有利である。図5に間接印刷法を利用して補助電極を形成する例を図示する。図5は、本発明を例示するためのものであり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。図5によれば、基材上に補助電極形成用導電性層を形成するステップと、前記導電性層上にフォトレジストパターンを印刷するステップ、および前記フォトレジストパターンにより、塗布されない導電性層をエッチングして導電性パターンを形成するステップを含む間接印刷工程において、前記フォトレジストパターンを印刷した後、80~90°Cでソフトベークを実施することにより、補助電極パターンのテーパー角を下げることができる。85°Cでソフトベークを実施した場合と115°Cでソフトベークを実施した場合の各々のパターン形成された写真を図6および図7に例示する。この時、フォトレジストパターンは、厚さ0.7マイクロメーターに形成した。前記フォトレジストをコーティングする前に、必要に応じて、前記導電性層を洗浄するステップをさらに含むことができる。また、前記導電性層をエッチングして導電性パターンを形成した後、前記フォトレジストを除去することもできる。また1つの例として、本発明により、補助電極パターンのテーパー角を下げるために、補助電極形成用導電性層のエッチング液を調節することができる。例えば、導電性層の材料が銅Cuである場合、オキソンOxxonエッチング液を用いる場合は、大部分の条件で低いテーパー角を得ることができるが、従来のエッチング液を用いる場合は、ソフトベークおよびハードベークの有無に関係なく高いレベルのテーパー角を示す。オキソンエッチング液を用いた場合および従来の過酸化水素エッチング液を用いた場合の導電性パターンのテーパー角を示す写真を図8に例示する。また、オキソンエッチング液を用いる場合の導電性パターンの厚さに応じたテーパー角を図9に例示し、従来の過酸化水素エッチング液を用いた場合の導電性パターンの厚さに応じたテーパー角を図10に図示する。このようなエッチング液の組成変化およびエッチング温度の変化などを利用して導電性パターンのテーパー角を調節する場合、アルミニウムAl系材料を用いる場合、従来のエッチング液に対する硝酸の含量を従来の2から約5~15内外に増やすか、あるいはエッチング温度を上げることによって実現可能である。本発明のまた1つの実施状態によれば、直接印刷法を利用することができる。この方法において、リバースオフセットやグラビアオフセット印刷法を利用することにより、補助電極パターンのテーパー角を調節することができる。直接印刷法を用いる場合においては、グラビア印刷法やリバース印刷法に関係なく低いテーパー角を有する導電性パターンを得ることができる。これは、接触式パターンの形成から来る現象と考えられる。グラビアオフセット印刷法を利用する工程を図11に図示し、これによって形成された導電性パターンの写真を図12に例示する。また、リバースオフセット印刷法を利用する工程を図13に図示し、これによって形成された導電性パターンの写真を図14に例示する。前述したように、テーパー角の低い導電性パターンを含む補助電極を形成することにより、その上に主電極を形成すると、比較的に緩やかな主電極のスタックカバレッジstackcoverageを有することができる。これにより、主電極上に備えられる要素の安定性を保障することができる。具体的な例として、ガラス基材上に銅Cuを蒸着して補助電極形成用導電性層を形成し、フォトレジストをコーティングした後に選択的露光および現像を行い、次に導電性層をエッチングして導電性パターンを形成し、その上に主電極としてITO層を200nmの厚さで蒸着した後に断面形状を観察した時、ソフトベークまたはエッチングにおいて前述した低いテーパー角の形成条件を導入した場合とそうでない場合の写真を各々図15および図16に示す。図15のようにテーパー角の低い導電性パターンを含む補助電極を形成する場合は、その上に備えられる主電極のスタックカバレッジが比較的に緩やかである反面、図16のようにテーパー角の大きい導電性パターンを含む補助電極を形成する場合は、その上に備えられる主電極のスタックカバレッジが良くない。また、図16では、銅Cuで形成された補助電極の末端部tailが不規則なエッチング形状etchingmorphologyによって不均一な主電極蒸着形状が観察される。前記間接印刷法であるフォトリソグラフィ工程によって補助電極を形成する場合は、補助電極のテーパー角が約45度前後の値を有する。また、前記直接印刷法であるリバースオフセット工程またはグラビアオフセット工程によって補助電極を形成する場合は、補助電極のテーパー角が5~30度の値を有する。本発明において、補助電極の導電性パターンは、導電性材料を蒸着または印刷することによって形成することができる。導電性材料としては、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデンまたはこれらの合金のような金属を用いることができる。補助電極および主電極からなる全体電極の面抵抗値に応じて主電極の厚さを増加させるか、あるいは補助電極の厚さを増加させて形成することができるが、スパッタリングsputtering工程によって補助電極を形成する場合、一般的に補助電極の厚さが50nm~2,000nm内外であることが好ましい。このような補助電極の平面形状は、規則パターン構造あるいは不規則パターン構造などの様々なパターン形態を有してもよい。本発明において、主電極は、透明導電性材料で形成することができる。例えば、ITO、IZO、透明導電性インクAgnanowireink、透明導電性高分子などなどを用いることができる。前記主電極は、前述したように当業者の要求抵抗値に合わせて形成することができ、スパッタリング工程を利用して形成する場合、一般的に厚さが50nm~2,000nmであることが好ましい。本発明において、前記補助電極および主電極は、透明基板上に形成されることができる。前記透明基板は特に限定されず、当技術分野で知られた材料を用いることができる。例えば、ガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを用いることができるが、これらのみに限定されるものではない。本発明の一実施状態によれば、前記主電極は、補助電極の上部面および側面を全て覆う構造であることが好ましい。すなわち、本発明において、前記補助電極は、埋め型構造を有する補助電極であってもよい。また、本発明は、前記電極を含む電子素子を提供する。前記電子素子は、タッチパネル、有機発光素子および表示装置などを含む。本発明による電子素子がタッチパネルである場合、前記主電極上に位置する要素は、また1つの電極であってもよい。必要な場合、前記主電極とまた1つの電極との間に絶縁層が備えられることができる。この時、前記また1つの電極の許容厚さ偏差は、構成成分、例えば金属の剛性Stiffnessに応じて異なるが、通常、要求厚さにおいてクラックcrackが発生しないレベルの偏差を有することが好ましく、これにより、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角を実験的に決めることができる。本発明による電子素子が有機発光素子である場合、前記主電極上に位置する要素は、有機物層および上部電極であってもよい。前記有機物層の厚さ偏差が大きい場合、素子寿命に悪影響を及ぼし得る。前記有機物層の好ましい厚さ偏差は0~10であるため、前記補助電極の導電性パターンのテーパー角は0~25度であることが好ましい。また、本発明は、基材上に導電性パターンを含む補助電極を形成するステップ、および前記補助電極の少なくとも一部上に備えられ、前記補助電極と電気的に接続された主電極を形成するステップを含む電極の製造方法を提供する。本発明による方法においては、フォトリソグラフィ法、間接印刷法または直接印刷法を利用することができ、具体的な内容は前述した通りである。以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。但し、以下の実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がこれによって限定されるものではない。<実施例>Cu金属をスパッタリング工程を利用して約100nm厚さで蒸着した後、この上にLG412DFPRを利用して厚さ1マイクロメーターのフォトレジストを形成した。その次、前記フォトレジストを約125°Cの温度でソフトベークした後、各々、オキソンOxxon系エッチング液自体製造および過酸化水素水を基にしたエッチング液ENF社のCuetchantでエッチングした後、LGS100ストリッパーstripperで洗浄した。その次、ITOスパッタsputter装置を利用してITOを各々の基板に約200nmの厚さで蒸着し、その結果は図15に示す通りである。エッチング液を調整して導電性パターンのテーパー角が小さくなるように調節した場合、図15のようにITOのスタックカバレッジが優れていた。<比較例>エッチング液として、過酸化水素を基にしたエッチング液ENF社のCuetchantを用いたことを除いては、実施例と同様に実施した。その結果を図16に示す。図15に比べてITOのスタックカバレッジが良くなく、銅Cuで形成された補助電極の末端部tailが不規則なエッチング形状etchingmorphologyによって不均一な主電極蒸着形状が観察された。"