"銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーであって、酸化剤0~25重量、砥粒0.1~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.001~10重量、式式中、nは、少なくとも5の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.001~5重量、アミノ酪酸0.005~1重量、リン含有化合物0.01~5重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含む水性スラリー。ホルムアミジン、ホルムアミジン誘導体、ホルムアミジン塩、グアニジン、グアニジン誘導体及びグアニジン塩ならびにそれらの混合物から選択される少なくとも一種を0.1~5重量含む、請求項1記載の水性スラリー。コロイダルシリカ砥粒を1~40重量含む、請求項1記載の水性スラリー。銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーであって、酸化剤0~20重量、砥粒0.5~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.005~10重量、式式中、nは、少なくとも10の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.005~5重量、アミノ酪酸0.01~0.75重量、リン含有化合物0.02~3重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含み、少なくとも8のpHを有する水性スラリー。ホルムアミジン、ホルムアミジン誘導体、ホルムアミジン塩、グアニジン、グアニジン誘導体及びグアニジン塩ならびにそれらの混合物から選択される少なくとも一つを0.01~3重量含む、請求項4記載の水性スラリー。シリカ砥粒を1~40重量含む、請求項4記載の水性スラリー。塩化アンモニウムを0.0001~1重量含む、請求項4記載の水性スラリー。銅錯化剤を0.01~5重量含む、請求項4記載の水性スラリー。銅層、TEOS層及びlowk絶縁材層を有する半導体基材を研磨する方法であって、酸化剤0~25重量、砥粒0.1~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.001~10重量、式式中、nは、少なくとも5の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.001~5重量、アミノ酪酸0.005~1重量、リン含有化合物0.01~5重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含む組成を有する研磨スラリーを研磨パッド上に導入する工程、前記半導体基材を前記研磨パッドに押し当てる工程、及び前記研磨パッドと前記半導体基材との間で動きを生じさせて、バリヤ層を、毎分オングストローム単位で計測して炭素ドープ酸化物層に対して少なくとも1:1の選択比で除去する工程を含む方法。Åmin単位で計測して炭素ドープlowk絶縁材層よりも高い速度で窒化タンタル層を除去する、請求項9記載の方法。本発明の態様は、銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーであって、酸化剤0~25重量、砥粒0.1~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.001~10重量、式式中、nは、少なくとも5の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.001~5重量、アミノ酪酸0.005~1重量、リン含有化合物0.01~5重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含む水性スラリーを提供する。本発明のもう一つの態様は、銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーであって、酸化剤0~20重量、砥粒0.5~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.005~10重量、式式中、nは、少なくとも10の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.005~5重量、アミノ酪酸0.01~0.75重量、リン含有化合物0.02~3重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含み、少なくとも8のpHを有する水性スラリーを提供する。本発明のもう一つの態様は、銅層、TEOS層及びlowk絶縁材層を有する半導体基材を研磨する方法であって、酸化剤0~25重量、砥粒0.1~50重量、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.001~10重量、式式中、nは、少なくとも5の値を有するを有し、水溶性であるポリメチルビニルエーテル0.001~5重量、アミノ酪酸0.005~1重量、リン含有化合物0.01~5重量、銅錯化剤0~10重量及び残余としての水を含む組成を有する研磨スラリーを研磨パッド上に導入する工程、半導体基材を研磨パッドに押し当てる工程、及び研磨パッドと半導体基材との間で動きを生じさせて、バリヤ層を、毎分オングストローム単位で計測して炭素ドープ酸化物層に対して少なくとも1:1の選択比で除去する工程を含む方法を提供する。詳細な説明ポリメチルビニルエーテルを銅バリヤスラリーに加えると、半導体基材の銅除去速度に対して悪影響を及ぼすことなく炭素ドープ酸化物除去速度を下げることができるということがわかった。本明細書に関して、半導体基材は、特定の電気信号を発することができるようなやり方で絶縁層によって分けられた金属導体配線及び絶縁材料を有するウェーハを含む。さらには、これらのスラリーは、砥粒含量の増加を可能にして、lowk又は銅除去速度にマイナスの影響を及ぼすことなくバリヤ除去速度をさらに増すことを許す。最後に、これらのスラリーは、多様な厳しい半導体用途を満足させるためにバリヤ、銅及び絶縁材除去速度を調節するためのプラットフォームを提供する。水溶性ポリメチルビニルエーテルが、炭素ドープ酸化物のようなlowk絶縁材の除去速度の低下に対して強い影響を及ぼすということが見いだされた。ポリメチルビニルエーテルは以下の式を有する。nは、少なくとも5、好ましくは少なくとも10、もっとも好ましくは少なくとも20の値を有する。nが大きすぎるならば、ポリメチルビニルエーテルはその水溶性を失う。加えて、コポリマー配合物は有害な研磨結果を有することがあるため、ポリメチルビニルエーテルポリマーは偶発的な不純物しか含有しないことが重要である。ポリメチルビニルエーテルは、0.001~5重量の濃度で有効であることができる。本明細書は、特に断りない限り、すべての濃度を重量で表す。有利には、スラリーは、0.005~5重量のポリメチルビニルエーテル濃度を有する。もっとも有利には、スラリーは、0.01~1重量のポリメチルビニルエーテル濃度を有する。スラリーはまた、銅、TEOS及びlowk絶縁材膜の安定的な除去のために、アミノ酪酸を0.005~1重量含有する。好ましくは、スラリーはまた、銅、TEOS及びlowk絶縁材膜の安定的な除去のために、アミノ酪酸を0.01~0.75重量含有する。もっとも好ましくは、スラリーはまた、銅、TEOS及びlowk絶縁材膜の安定な除去のために、アミノ酪酸を0.05~0.5重量含有する。スラリーは、場合によっては、リン含有化合物を0.01~5重量含有する。本明細書に関して、リン含有化合物とは、リン原子を含有する任意の化合物である。場合によっては、スラリーはリン含有化合物を0.02~3重量含有する。たとえば、スラリーは、場合によっては、リン含有化合物を0.05~2重量含有する。たとえば、リン含有化合物としては、ホスフェート、ピロホスフェート、ポリホスフェート、ホスホネート、ホスフィンオキシド、ホスフィンスルフィド、ホスホリナン、ホスホネート、ホスファイト及びホスフィネートならびにそれらの酸、塩、混合酸塩、エステル、部分エステル、混合エステル及びそれらの混合物、たとえばリン酸がある。特に、研磨スラリーは、以下のような具体的なリン含有化合物、すなわち、リン酸亜鉛、ピロリン酸亜鉛、ポリリン酸亜鉛、ホスホン酸亜鉛、リン酸アンモニウム、ピロリン酸アンモニウム、ポリリン酸アンモニウム、ホスホン酸アンモニウム、リン酸二アンモニウム、ピロリン酸二アンモニウム、ポリリン酸二アンモニウム、ホスホン酸二アンモニウム、リン酸カリウム、リン酸二カリウム、リン酸グアニジン、ピロリン酸グアニジン、ポリリン酸グアニジン、ホスホン酸グアニジン、リン酸鉄、ピロリン酸鉄、ポリリン酸鉄、ホスホン酸鉄、リン酸セリウム、ピロリン酸セリウム、ポリリン酸セリウム、ホスホン酸セリウム、リン酸エチレンジアミン、リン酸ピペラジン、ピロリン酸ピペラジン、ホスホン酸ピペラジン、リン酸メラミン、リン酸ジメラミン、ピロリン酸メラミン、ポリリン酸メラミン、ホスホン酸メラミン、リン酸メラム、ピロリン酸メラム、ポリリン酸メラム、ホスホン酸メラム、リン酸メレム、ピロリン酸メレム、ポリリン酸メレム、ホスホン酸メレム、リン酸ジシアノジアミド、リン酸尿素ならびにそれらの酸、塩、混合酸塩、エステル、部分エステル、混合エステル及びそれらの混合物を含むことができる。好ましいリン含有化合物としては、リン酸アンモニウム及びリン酸がある。しかし、過剰なリン酸アンモニウムは過剰な量の遊離アンモニウムを溶液中に導入するおそれがある。そして、過剰な遊離アンモニウムは銅を攻撃して粗い金属面を生じさせることがある。添加されるリン酸がインサイチュで遊離アルカリ金属、たとえばカリウムと反応して、特に効果的であるリン酸カリウム及びリン酸二カリウムを形成する。カリウム化合物はまた、攻撃的なCMP後清浄溶液中で銅を保護する保護膜を形成する利点を提供する。たとえば、CMP後ウェーハの膜は、水酸化テトラエチルアンモニウム、エタノールアミン及びアスコルビン酸のような攻撃的な銅錯化剤を有するpH12溶液中でウェーハを保護するのに十分な結着性を有する。任意のタンタルバリヤ除去剤は、アセトアミジン、アセトアミジン塩、アセトアミジン誘導体、アルギニン、アルギニン塩、アルギニン誘導体、ホルムアミジン、ホルムアミジン塩、ホルムアミジン誘導体、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びそれらの混合物であることができる。たとえば、溶液は、場合によっては、ホルムアミジン、ホルムアミジン誘導体、ホルムアミジン塩、グアニジン、グアニジン誘導体及びグアニジン塩ならびにそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも一つのタンタルバリヤ除去剤に依存して、バリヤ除去速度を高める。具体的な例は、グアニジン、塩酸グアニジン、硫酸グアニジン、塩酸アミノグアニジン、グアニジン酢酸、炭酸グアニジン、硝酸グアニジン、ホルムアミジン、ホルムアミジンスルフィン酸、酢酸ホルムアミジン及びそれらの混合物の少なくとも一つを含む。場合によっては、溶液は、バリヤ除去剤を0~12重量含有する。もう一つの代替において、溶液は、場合によっては、バリヤ除去剤を0~10重量含有し、いくつかの配合物に関しては、0.1~5又は0.1~3重量の任意のバリヤ除去剤濃度がバリヤ除去速度を高めることができる。これらのバリヤ除去剤は、固形分濃度が低めの配合物の場合により大きな影響を有する。さらには、pHレベルに依存して、過酸化水素のような酸化剤の添加量を増すと、バリヤ除去速度の影響をさらに増すことができる。たとえば、過酸化水素濃度を増すと、酸性pHレベルにおけるバリヤ除去剤、たとえばホルムアミジン及びグアニジンの有効性を増すことができる。0~25重量の任意の量の酸化剤が、バリヤ層、たとえばタンタル、窒化タンタル、チタン及び窒化チタンの除去を促進することができる。場合によっては、スラリーは酸化剤を0~20重量含有する。もっとも好ましくは、スラリーは酸化剤を0.05~10重量含有する。適切な酸化剤としては、たとえば、過酸化水素、一過硫酸塩、ヨウ素酸塩、過フタル酸マグネシウム、過酢酸及び他の過酸、過硫酸塩、臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、硝酸塩、鉄塩、セリウム塩、マンガンMnIII、MnIV及びMnVI塩、銀塩、銅塩、クロム塩、コバルト塩、ハロゲン、次亜塩素酸塩又は前記酸化剤の少なくとも一つを含む組み合わせがある。好ましい酸化剤は過酸化水素である。酸化剤は通常、使用の直前で研磨組成物に加えられ、そのような場合、酸化剤は、別個のパッケージに収容され、使用の場で混合されるということが留意される。これは、過酸化水素のような不安定な酸化剤の場合に特に有用である。また、酸化剤、たとえば過酸化物の量を調節すると、金属配線除去速度を制御することができる。たとえば、過酸化物濃度の増大は銅除去速度を高める。しかし、酸化剤の過度な増量は研磨速度に対して悪影響を及ぼす。バリヤ金属研磨組成物は、バリヤ材料の機械的除去のための砥粒を含む。砥粒は、好ましくはコロイダル砥粒である。例示的な砥粒としては、無機酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属水酸化物、金属窒化物又は前記砥粒の少なくとも一つを含む組み合わせがある。適切な無機酸化物としては、たとえば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2、セリアCeO2、酸化マンガンMnO2及びそれらの混合物がある。アルミナは、多くの形態で、たとえばα-アルミナ、γ-アルミナ、δ-アルミナ及びアモルファス非晶質アルミナとして利用可能である。アルミナの他の適切な例は、ベーマイトAlOOH粒子及びその混合物である。望むならば、これらの無機酸化物の変性形態、たとえばポリマー被覆無機酸化物粒子を使用してもよい。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物としては、たとえば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素SiCN、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタンならびに前記金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも一つを含む混合物がある。望むならば、ダイヤモンドを砥粒として使用してもよい。また、代替砥粒として、ポリマー粒子及び被覆ポリマー粒子がある。もっとも有利には、砥粒は、アルミナ、セリア及びシリカならびにそれらの混合物からなる群より選択される。コロイダルシリカはlowk絶縁材を低速で侵食するため、コロイダルシリカが好ましい砥粒を代表する。砥粒は、研磨組成物の水相中0.1~50重量の濃度を有する。無砥粒溶液の場合、固定砥粒パッドがバリヤ層の除去を支援する。好ましくは、砥粒濃度は0.5~50重量である。もっとも好ましくは、砥粒濃度は1~40重量である。通常、砥粒濃度の増大は、銅、TEOS及び炭素ドープ酸化物材料の除去速度を高める。たとえば、半導体製造者が除去速度の増大を望むならば、砥粒含量の増加によってそれぞれの除去速度を所望のレベルまで高めることができる。砥粒は、好ましくは、過度の金属ディッシング及び絶縁材エロージョンを防ぐために、250nm未満の平均粒径を有する。本明細書に関して、粒径とは、コロイダルシリカの平均粒径をいう。もっとも好ましくは、シリカは、金属ディッシング及び絶縁材エロージョンをさらに減らすために、150nm未満の平均粒径を有する。特に、75nm未満の平均砥粒粒径が、絶縁材料を過度に除去することなくバリヤ金属を許容しうる速度で除去する。たとえば、20~75nmの平均粒径を有するコロイダルシリカを用いた場合、絶縁材エロージョン及び金属ディッシングがもっとも少ない。コロイダルシリカの粒径を減らすことは、溶液の選択比を改善する傾向を示すが、バリヤ除去速度を下げる傾向をも示す。加えて、好ましいコロイダルシリカは、酸性pH範囲でシリカの安定性を改善するための添加剤、たとえば分散剤を含むことができる。一つのこのような砥粒は、フランスPuteauxのAZElectronicMaterialsFrance社から市販されているコロイダルシリカである。場合によっては、0~10重量の銅錯化剤が非鉄金属の析出を防止する。たとえば、スラリーは銅錯化剤を0.01~5重量含有することができる。好ましくは、銅錯化剤は有機酸である。例示的な銅錯化剤としては、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム、コハク酸、酒石酸、チオグリコール酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、エチレンジアミン、トリメチルジアミン、マロン酸、グルタル酸、3-ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、3-ヒドロキシサリチル酸、3,5-ジヒドロキシサリチル酸、没食子酸、グルコン酸、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸及びこれらの塩がある。好ましくは、銅錯化剤は、酢酸、クエン酸、アセト酢酸エチル、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、シュウ酸からなる群より選択される。もっとも好ましくは、銅錯化剤はクエン酸である。合計0.001~10重量のインヒビターの添加が、銅配線の除去速度を下げ、銅を静的エッチングから保護する。本出願に関して、銅配線とは、偶発的な不純物を有する銅又は銅ベースの合金で形成された配線をいう。インヒビターの濃度を調節することが、静的エッチングから金属を保護することによって銅配線除去速度を調節する。好ましくは、スラリーはインヒビターを0.005~10重量含有する。もっとも好ましくは、溶液はインヒビターを0.01~2重量含有する。インヒビターは、インヒビターの混合物からなることもできる。銅配線にはアゾールインヒビターが特に有効である。一般的なアゾールインヒビターとしては、ベンゾトリアゾールBTA、メルカプトベンゾチアゾールMBT、トリトリアゾール及びイミダゾールがある。銅配線にはBTAが特に効果的なインヒビターであり、イミダゾールは銅除去速度を高めることができる。研磨組成物は、酸性及び塩基性のpHレベルで作用することができる。有利には、少なくとも8のpH及び残余としての水を有する。pHは、好ましくは8~12であり、もっとも好ましくは9~11.5である。加えて、溶液は、もっとも好ましくは、偶発的な不純物を制限するために、残余として脱イオン水に依存する。ヒドロキシイオンの供給源、たとえばアンモニア、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムがpHを塩基性領域に調節する。もっとも好ましくは、ヒドロキシイオンの供給源は水酸化カリウムである。場合によっては、スラリーは、レベリング剤、たとえば塩化物、特に塩化アンモニウム、緩衝剤、分散剤及び界面活性剤を含有することができる。たとえば、スラリーは、場合によっては、塩化アンモニウムを0.0001~1重量含有する。塩化アンモニウムは表面外観の改善を提供し、また、銅除去速度を高めることによって銅除去を促進することができる。特に、0.01~0.1重量の塩化アンモニウムの添加が銅除去速度を高めることができる。研磨組成物はまた、場合によっては、緩衝剤、たとえば8超~12のpH範囲にpKaを有する種々の有機塩基及び無機塩基又はそれらの塩を含むことができる。研磨組成物はさらに、場合によっては、消泡剤、たとえば、エステル、エチレンオキシド、アルコール、エトキシレート、ケイ素化合物、フッ素化合物、エーテル、グリコシド及びそれらの誘導体をはじめとする非イオン界面活性剤を含むことができる。消泡剤はまた、両性界面活性剤であることもできる。研磨組成物は、場合によっては、殺生物剤、たとえば、いずれもDowAdvancedMaterials製のKordek商標MLXメチル-4-イソチアゾリン-3-オン9.5~9.9、水89.1~89.5及び関連反応生成物1.0以下又は有効成分2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オン及び5-クロロ-2-メチル-4-イソチアゾリン-3-オンを含有するKathon商標ICPIIIを含有することもできるKathon及びKordekはDowChemical社又はその子会社の商標である。好ましくは、スラリーは、21kPa以下の下向き力を研磨パッド上に加えることによってスラリーを半導体基材に適用することにより、半導体基材を研磨する。下向き力は、半導体基材に対する研磨パッドの力を表す。研磨パッドは、円形、ベルト形又はウェブ構造を有することができる。この低い下向き力は、半導体基材を平坦化して半導体基材からバリヤ材料を除去するのに特に有用である。もっとも好ましくは、研磨は、15kPa未満の下向き力で実施される。溶液は、ウェーハに対して直角に計測して20.7kPa未満の微孔性ポリウレタン研磨パッドの圧力を用いて、毎分オングストローム単位で計測して炭素ドープ酸化物除去速度よりも高い窒化タンタル除去速度又は毎分オングストローム単位の除去速度で計測して少なくとも1:1の窒化タンタル:炭素ドープ酸化物の選択比を提供する。選択比を決定するのに有用な具体的な研磨パッドは、OptiVision4540微孔性ポリウレタン研磨パッドである。有利には、溶液は、ウェーハに対して直角に計測して20.7kPa未満の微孔性ポリウレタン研磨パッドの圧力を用いて毎分オングストローム単位で計測して少なくとも1.5:1の窒化タンタル:炭素ドープ酸化物の選択比を提供する。もっとも有利には、この範囲は、ウェーハに対して直角に計測して20.7kPa未満の微孔性ポリウレタン研磨パッドの圧力を用いて毎分オングストローム単位で計測して少なくとも2:1である。残余としての脱イオン水と混合した一連の比較スラリーA及び実施例スラリー1~45を以下の表1に示す。すべての試料は、pH10.5で6重量コロイダルシリカ及び0.005重量殺生物剤を含むものであった。BTA=ベンゾトリアゾール。殺生物剤=DowAdvancedMaterials製Kordek商標MLXメチル-4-イソチアゾリン-3-オン9.5~9.9、水89.1~89.5及び関連反応生成物1.0以下。コロイダルシリカ=フランスPuteauxのAZElectronicMaterialsFrance社の163026平均直径30nmコロイダルシリカ粒子。SigmaAldrich社がポリメチルビニルエーテルを供給。研磨試験には、NovellusSystems社のCoral商標炭素ドープ酸化物CDO又はパターン付きウェーハ上のBlackDiamondAppliedMaterialsのCDO商標、TEOS絶縁材、窒化タンタル及び電気めっき銅の200mmシートウェーハを使用した。DowAdvancedMaterialsのIC1010商標及びエンボス加工Politex商標研磨パッドでシートウェーハを研磨することによってトポグラフィーデータを作成した。MIRRA商標回転型研磨プラットフォームによってシートウェーハを研磨した。第一工程銅研磨には、EternalスラリーEPL2360をOptivision商標4540研磨パッドとともに使用した。パッドコンディショナは、KinikAD3CG181060グリッドダイヤモンドコンディショニングディスクであった。研磨条件は、プラテン速度93rpm、キャリヤ速度87rpm及びダウンフォース1.5psi10.3kPaであった。研磨前及び研磨後の膜厚さから除去速度を計算した。銅の場合には170×106Ω、窒化タンタルの場合には28,000×106Ωに設定したTencorSM300楕円偏向計測装置を使用して、すべての光学的に透明な膜を計測した。ウェーハ均一さは、TencorFX200楕円偏向計を使用してらせんパターンから決定した。デフェクト発生率は、TencorSP1光学デフェクトスキャンシステムによって決定した。本明細書において報告されるすべての除去速度はÅmin単位である。実施例1最初の一連のスラリーは、研磨特性を判定するために、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸を変動させたものであった。研磨データを以下の表2に示す。CDOはNovellusのCoralに等しい。高は、少なくとも400Åminの予想タンタル除去速度に等しい。上記データは、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸濃度の変動がTEOS、CDO及び銅除去速度に劇的な影響を及ぼさないことを示す。図1及び2を参照すると、図2は、アミノ酪酸を用いて達成される除去速度安定性を示す。実施例2第二の一連のスラリーは、研磨特性を判定するために、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸を変動させたものであった。研磨データを以下の表3に示す。CDOはNovellusのCoralに等しい。高は、少なくとも400Åminの予想タンタル除去速度に等しい。上記データもまた、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸濃度の変動がTEOS、CDO及び銅除去速度に劇的な影響を及ぼさないことを示す。実施例3第三の一連のスラリーは、銅及びパターン付きウェーハのための炭素ドープ酸化物を含む炭素ドープ酸化物の場合の研磨特性を判定するために、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸を変動させたものであった。研磨データを以下の表4に示す。CDOはNovellusのCoralに等しい。CDOパターン付きウェーハは、AppliedMaterialsからのBlackDiamondに等しく、高は、少なくとも400Åminの予想タンタル除去速度に等しい。上記データは、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸濃度の変動がCDO及び銅除去速度に劇的な影響を及ぼさないことを示す。加えて、上記データは、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸濃度の変動がパターン付きウェーハの場合のCDO除去速度に劇的な影響を及ぼさないことを示す。実施例4一連のスラリーは、炭素ドープ酸化物の場合の研磨特性を判定するために、ポリメチルビニルエーテルを変動させたものであった。研磨データを以下の表5に示す。CDOパターン付きウェーハはAppliedMaterialsのBlackDiamondに等しく、高は、少なくとも400Åminの予想タンタル除去速度に等しい。上記データは、ポリメチルビニルエーテルが、炭素ドープ酸化物除去速度を下げるのに有効な添加剤であることを示す。特に、0.0003重量の添加が、炭素ドープ酸化物除去において測定可能な低下を提供する。実施例5一連のスラリーは、本発明のスラリーによって達成される高いタンタル除去速度を立証するために、アミノ酪酸を変動させたものであった。研磨データを以下の表6に示す。CDOはNovellusのCoralに等しい。CDOパターン付きウェーハはAppliedMaterialsのBlackDiamondに等しい。これらのデータは、本発明のスラリーが効果的なバリヤ除去速度、たとえばタンタル除去速度を提供することを示す。実施例6最後の一連のスラリーは、銅及びパターン付きウェーハのための炭素ドープ酸化物を含む炭素ドープ酸化物の場合の研磨特性を判定するために、BTA、ポリメチルビニルエーテル、リン酸カリウム及びアミノ酪酸を変動させたものであった。研磨データを以下の表7に示す。NAは該当せずに等しい。CDOパターン付きウェーハはAppliedMaterialsのBlackDiamondに等しく、高は、少なくとも400Åminの予想タンタル除去速度に等しい。これらのデータは、本発明のスラリーが、低いデフェクト発生率で効果的なバリヤ除去速度を提供することを示す。要約すれば、本発明は、炭素ドープ酸化物のエロージョンを制御する安定な高速バリヤ配合物を提供する。特に、これらのスラリーは、高いタンタル速度を、安定なTEOS、銅及び炭素ドープ酸化物除去速度とともに有する。加えて、スラリーは、許容しうる銅均一さ及び低いデフェクト発生率を提供する。"