板状の電極を設けた基材表面を対向させて配置した一対の基材と、前記一対の基材の間に設けられ、半田付けにより前記電極と接合されるP型熱電素子およびN型熱電素子と、を備え、前記P型熱電素子および前記N型熱電素子が前記電極と電気的に接続される熱電モジュールにおいて、前記電極における前記P型熱電素子と前記N型熱電素子との中間部位となる電極中間部に孔が形成され、前記孔は、前記電極における前記P型熱電素子および前記N型熱電素子の平面視投影域と離れていることを特徴とする熱電モジュール。前記孔は前記電極を貫通する貫通孔である請求項1記載の熱電モジュール。複数の前記孔が前記電極中間部に形成される請求項1又は2記載の熱電モジュール。しかしながら、図8aに開示された熱電モジュールでは、P型熱電素子53およびN型熱電素子54が、半田流れ発生時に半田Sの表面張力の影響を受けて水平方向に回転し、位置ずれする場合がある。図8bに示すように、特に、電極61における切り込み62が小さく、電極61の中間部位の幅が大きくなる程、半田流れ発生時にP型熱電素子53およびN型熱電素子54が回転し易い。P型熱電素子53およびN型熱電素子54が回転した状態で電極61に半田付けされると、半田Sにおける応力集中による半田Sの疲労破壊を生じる可能性が高い。図8cに示すように、切り欠き62を大きくして電極61の中間部位の幅を十分小さくすることで、半田流れ発生時における熱電素子53、54の回転を防止することは可能である。しかし、この場合、電極61の中間部位の幅を狭くする程、通電時におけるジュール損が大きくなり、電極61としての性能が低下するという問題が生じる。また、特許文献2に開示された熱電装置では、図9に示すように、半田Sの一部がオーバーハング状態で溝Cを跨ぐことになり、半田Sにおける溝Cを跨ぐ部位Soは強度不足の構造にある。このため、例えば、熱電装置において熱膨張と熱収縮が繰り返されると、半田Sに亀裂が入るおそれがある。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、半田流れ発生時に電極に対する熱電素子の位置ずれを抑制することができ、強度に優れた熱電モジュールの提供にある。上記の課題を解決するために、本発明は、板状の電極を設けた基材表面を対向させて配置した一対の基材と、前記一対の基材の間に設けられ、半田付けにより前記電極と接合されるP型熱電素子およびN型熱電素子と、を備え、前記P型熱電素子および前記N型熱電素子が前記電極と電気的に接続される熱電モジュールにおいて、前記電極における前記P型熱電素子と前記N型熱電素子との中間部位となる電極中間部に孔が形成され、前記孔は、前記電極における前記P型熱電素子および前記N型熱電素子の平面視投影域と離れていることを特徴とする。本発明によれば、P型熱電素子およびN型熱電素子と電極との半田付けの際、P型熱電素子側の半田またはN型熱電素子側の半田流れが生じても、孔の内側に半田は流れ込まない。半田は孔の周囲で留まり、P型熱電素子およびN型熱電素子が孔に引き寄せられても、孔を越えて移動することはないことから、P型熱電素子およびN型熱電素子の電極に対する位置ずれが抑制される。また、本発明では、P型熱電素子およびN型熱電素子を電極に接合する半田において、従来のような強度不足の部位が生じることはないから、本発明の熱電モジュールは強度に優れている。また、本発明は、上記の熱電モジュールにおいて、前記孔は前記電極を貫通する貫通孔であってもよい。この場合、電極が薄板であっても電極に孔を形成することができる。また、本発明は、上記の熱電モジュールにおいて、複数の前記孔が前記電極中間部に形成されてもよい。この場合、複数の孔を設けることから、半田において表面張力が小さくなる部位を増やすことができ、半田における熱電素子の位置ずれをより確実に抑制することができる。本発明によれば、半田流れ発生時に電極に対する熱電素子の位置ずれを抑制することができ、強度に優れた熱電モジュールを提供することができる。第1の実施形態以下、第1の実施形態に係る熱電モジュールについて図面に基づいて説明する。図1および図2に示すように、熱電モジュール10はペルチェ素子であり、互いに対向する第1基材11および第2基材12と、複数の板状の第1電極13および第2電極14と、熱電素子であるP型熱電素子15およびN型熱電素子16と、通電のためのリード線17を備えている。この実施形態の第1基材11および第2基材12は、窒化アルミニウムAlNにより形成されたセラミック基板の両面にアルミニウム層が形成されてなる。第1基材11および第2基材12は一対の基材に相当する。第1基材11の第1電極13は、第1基材11のアルミニウム層をエッチング処理することにより形成されている。第1基材11において第1電極13が形成されている表面は第1表面であり、この第1表面の反対の面は第1裏面である。また、第2基材12の第2表面における第2電極14は、第2基材12のアルミニウム層をエッチング処理することにより形成されている。第2基材12において第2電極14が形成されている表面は第2表面であり、この第2表面の反対の面は第2裏面である。図3aおよび図3bに示すように、第1電極13は長方形の板状に形成されている。第1電極13の長手方向における両端部には、P型熱電素子15又はN型熱電素子16との接合部である第1電極接合部13Aが形成されている。一方の第1電極接合部13AにP型熱電素子15が半田Sにより接合され、他方の第1電極接合部13AにN型熱電素子16が半田Sにより接合される。P型熱電素子15およびN型熱電素子16は公知の熱電素子である。本実施形態では、P型熱電素子15およびN型熱電素子16は正方形の底面と上面を持つ四角柱であって互いに同一形状である。図3aに示すように、第1電極接合部13AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。両方の第1電極接合部13Aの間となる第1電極13における長手方向の中央付近は第1電極中間部13Bである。第1電極中間部13Bは、第1電極13におけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16との中間部位である。第1電極中間部13Bには、第1の孔18が形成されている。第1の孔18は第1電極13を貫通する長方形の貫通孔であり、第1電極接合部13AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第1電極13において第1の孔18を形成する孔壁は、第1の孔18の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第1電極13の第1表面に対して直角に形成された面により形成されている。第1の孔18の短辺と第1電極13の短辺との間の距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における底面の一辺の長さよりも大きく設定されている。第1の孔18の長辺と第1電極13の長辺との間の距離は、第1電極13の短辺の長さの1/3程度に設定されている。第2電極14は、図3aおよび図3bに示すように長方形の板状に形成されており、第1電極13と基本的に同一構造である。第2電極14の長手方向における両端部には、P型熱電素子15又はN型熱電素子16との接合部である第2電極接合部14Aが形成されている。一方の第2電極接合部14AにP型熱電素子15が半田Sにより接合され、他方の第2電極接合部14AにN型熱電素子16が半田Sにより接合される。図3bに示すように、第2電極接合部14AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。両方の第2電極接合部14Aの間となる第2電極14における長手方向の中央付近は第2電極中間部14Bである。第2電極中間部14Bは、第2電極14におけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16との中間部位である。第2電極中間部14Bには、第2の孔19が形成されている。第2の孔19は第2電極14を貫通する長方形の貫通孔であり、第2電極接合部14AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第2電極14において第2の孔19を形成する孔壁は、第2の孔19の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第2電極14の第2表面に対して直角に形成された面により形成されている。第2の孔19の短辺と第2電極14の短辺との間の距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における上面の一辺の長さよりも大きく設定されている。第2の孔19の長辺と第2電極14の長辺との間の距離は、第2電極14の短辺の長さの1/3程度に設定されている。第1基材11および第2基材12が互いに対向することにより、基材表面としての第1表面および第2表面は対向している。第1電極13の一方の第1電極接合部13Aと第2基材12における第2電極14の他方の第2電極接合部14Aが対向する。そして、第1電極13の他方の第1電極接合部13Aが別の第2電極14における一方の第2電極接合部14Aと対向する。第1電極接合部13Aと第2電極接合部14Aとの間には、P型熱電素子15又はN型熱電素子16が介在されており、P型熱電素子15およびN型熱電素子16は交互に配設されている。本実施形態では、第1基材11および第2基材12の間において、第1電極13、第2電極14、P型熱電素子15およびN型熱電素子16は電気的に直列接続される。リード線17を通じて熱電モジュール10に直流電流を通すと、例えば、第1基材11が吸熱体となって第2基材12が放熱体となる。また、通電の向きを逆にすると第1基材11が放熱体となって第2基材12が吸熱体となる。次に、本実施形態の熱電モジュール10の製造方法について説明する。まず、エッチング処理により第1電極13が形成された第1基材11を用意する。エッチング処理は公知の処理方法であり、セラミック基板に形成されたアルミニウム層において第1電極13となる部分についてマスキングを施してからエッチング処理を行う。エッチング処理後の第1基材11には多数の第1電極13が形成されており、各第1電極13には第1の孔18がそれぞれ形成されている。また、エッチング処理により第2電極14が形成された第2基材12を用意する。第2基材12におけるエッチング処理は第1基材11のエッチング処理と同じである。次に、第1基材11における第1電極13の第1電極接合部13Aにスクリーン印刷によりクリーム状の半田Sを塗布し、P型熱電素子15およびN型熱電素子16を予め設定された配置順に従い、第1電極13上に配置する。同様に、第2基材12における第2電極14の第2電極接合部14Aにスクリーン印刷によりクリーム状の半田Sを塗布する。そして、対応する第2電極14が第1基材11に配置されたP型熱電素子15およびN型熱電素子16にそれぞれ配置されるように、P型熱電素子15およびN型熱電素子16の上に第2基材12をセットし、加熱処理前の熱電モジュール10を構成する。P型熱電素子15およびN型熱電素子16が第1基材11および第2基材12に挟み込まれた状態の熱電モジュール10を、リフロー炉等の加熱装置により加熱し、半田Sを溶融する。半田Sの溶融時に、第1基材11では、第1電極接合部13Aにおける半田S上にはP型熱電素子15又はN型熱電素子16が載置された状態にある。第1電極接合部13Aにおける半田Sが半田流れを生じることなく第1電極接合部13Aに留まる状態では、P型熱電素子15およびN型熱電素子16は第1電極接合部13Aに対して移動したり傾いたりすることは殆どない。つまり、P型熱電素子15およびN型熱電素子16の第1電極13に対する位置ずれは殆ど生じない。半田Sの溶融時に、第2基材12では、第2電極接合部14Aにおける半田Sの下側にはP型熱電素子15又はN型熱電素子16が位置する状態にある。第2電極接合部14Aにおける半田Sが半田流れを生じることなく第2電極接合部14Aに留まる状態では、P型熱電素子15およびN型熱電素子16は第2電極接合部14Aに対して移動したり傾いたりすることは殆どない。つまり、P型熱電素子およびN型熱電素子の第2電極14に対する位置ずれは殆ど生じない。次に、熱電モジュール10を冷却し、半田Sを固化させる。半田Sの固化により、第1電極13および第2電極14とP型熱電素子15又はN型熱電素子16との半田接合が完了し、図1に示す熱電モジュール10が得られる。ところで、P型熱電素子15およびN型熱電素子16の半田付けの時に、第1電極13や第2電極14では半田流れが発生する場合がある。電極13において半田流れが生じ、半田ブリッジに至った場合について説明する。図4aは半田Sが塗布された状態にある第1電極13又は第2電極14の平面図である。また、図4bは半田流れが生じた状態にある第1電極13又は第2電極14の平面図であり、図4cは半田ブリッジの状態にある第1電極13又は第2電極14の平面図である。半田Sの第1電極13に対するぬれ性が良好なことから、加熱により半田Sが溶融すると、第1電極接合部13Aの半田Sが第1の孔18の両側を流れて通り、場合によっては一方および他方の第1電極接合部13Aの半田Sが連絡し、半田ブリッジが生じる。半田ブリッジが生じると、溶融状態の半田Sの表面張力により、一方および他方の第1電極接合部13Aから第1電極中間部13Bへ向かう半田Sの流れが強まる。なお、第1基材11に対するぬれ性は高くないので、半田Sは第1の孔18の内側に流れ込まず、第1の孔18の周囲に留まる。電極13において半田流れが生じたとき、例えば、一方の第1電極接合部13AにおけるP型熱電素子15は半田Sの表面張力の影響を受けて第1電極中間部13B側へ引き寄せられようとする。しかし、P型熱電素子15が引き寄せられようとしても第1の孔18を越えて移動することはなく、半田S上におけるP型熱電素子15の回転や第1電極13に対する傾斜も抑制される。他方の第1電極接合部13AにおけるN型熱電素子16は、一方の第1電極接合部13AにおけるP型熱電素子15と同様に、半田流れ発生時において第1の孔18を越えて移動せず、回転したり傾いたりしない。第2電極14におけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16も、第1基材11の第1電極13のP型熱電素子15およびN型熱電素子16と同様に、半田流れ発生時に第2の孔19を越えて移動せず、半田Sにおいて回転したり傾いたりしない。本実施形態の熱電モジュールは以下の作用効果を奏する。1P型熱電素子15およびN型熱電素子16と各電極13、14との半田付けの際、各電極13、14において半田流れが生じても、第1の孔18や第2の孔19の内側に半田Sは流れ込まない。P型熱電素子15およびN型熱電素子16が第1の孔18や第2の孔19を越えて移動することはないことから、各電極13、14に対するP型熱電素子15又はN型熱電素子16の位置ずれが抑制される。2半田流れ発生の有無に関わらず、P型熱電素子15およびN型熱電素子16を各電極13、14に接合する半田Sにおいて、従来のように強度不足の部位が生じることはなく、得られる熱電モジュール10は強度に優れている。3第1の孔18および第2の孔19は貫通孔であるから、第1電極13および第2電極14が薄板であっても、第1電極13に第1の孔18を形成し、第2電極14に第2の孔19を形成することができる。また、半田Sに対する第1基材11及び第2基材12のぬれ性は高くないので、第1の孔18および第2の孔19が貫通孔であることにより、第1の孔18および第2の孔19の内側へ半田Sは流れ込みにくい。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係る熱電モジュールについて説明する。本実施形態は、第1電極の第1の孔および第2電極の第2の孔が円形の貫通孔により形成されている例である。本実施形態では、第1の実施形態と同じ要素については、第1の実施形態の説明を援用し、共通の符号を用いる。図5aおよび図5bに示すように、第1電極23は長方形の板状に形成されている。第1電極23の長手方向における両端部には、P型熱電素子15およびN型熱電素子16との接合部である第1電極接合部23Aが形成されている。一方の第1電極接合部23AにP型熱電素子15が半田Sにより接合され、他方の第1電極接合部23AにN型熱電素子16が半田Sにより接合される。第1電極接合部23AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。第1電極接合部23Aの間の第1電極中間部23Bには、第1の孔25が形成されている。第1の孔25は第1電極23を貫通する円形の貫通孔であり、第1電極接合部23AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第1電極23において第1の孔25を形成する孔壁は、第1の孔25の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第1電極23の第1表面に対して直角に形成された面により形成されている。第1の孔25と第1電極23の短辺との間の最短距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における底面の一辺の長さよりも僅かに大きく設定されている。第2電極24は、図5aおよび図5bに示すように、長方形の板状に形成されており、第1電極23と同一形状である。第2電極24の長手方向における両端部にP型熱電素子15およびN型熱電素子16との接合部である第2電極接合部24Aが形成されている。第2電極接合部24AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。第2電極接合部24Aの間の第2電極中間部24Bには、第2の孔26が形成されている。第2の孔26は第2電極24を貫通する円形の貫通孔であり、第2電極接合部24AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第2電極24において第2の孔26を形成する孔壁は、第2の孔26の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第2電極24の第2表面に対して直角に形成された面により形成されている。第2の孔26と第2電極24の短辺との間の最短距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における上面の一辺の長さよりも僅かに大きく設定されている。本実施形態においても、第1の実施形態の作用効果1~3と同等の作用効果を相する。第3の実施形態次に、第3の実施形態に係る熱電モジュールについて説明する。本実施形態は、第1電極の第1の孔および第2電極の第2の孔が複数の貫通孔により形成されている例である。本実施形態では、第1の実施形態と同じ要素については、第1の実施形態の説明を援用し、共通の符号を用いる。図6aおよび図6bに示すように、第1電極33は長方形の板状に形成されている。第1電極33の長手方向における両端部には、P型熱電素子15およびN型熱電素子16との接合部である第1電極接合部33Aが形成されている。一方の第1電極接合部33AにP型熱電素子15が半田により接合され、他方の第1電極接合部33AにN型熱電素子16が半田により接合される。第1電極接合部33AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。第1電極接合部33Aの間は第1電極中間部33Bであり、第1電極中間部33Bには2個の第1の孔35が形成されている。これらの第1の孔35は、第1電極33を貫通する長方形の貫通孔であり、互いに同一形状であって第1電極33の長辺間において並列に形成されている。従って、第1電極中間部33Bには、第1の孔35と第1の孔35との間に一方の第1電極接合部33Aと他方の第1電極接合部33Aを連通する部位が形成されている。第1電極33において第1の孔35を形成する孔壁は、第1の孔35の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第1電極33の第1表面に対して直角に形成された面により形成されている。これらの第1の孔35は、第1電極接合部33AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第1の孔35の短辺と第1電極33の短辺との間の距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における底面の一辺の長さよりも僅かに大きく設定されている。第2電極34は、図6aおよび図6bに示すように、長方形の板状に形成されており、第1電極33と同一形状である。第2電極34の長手方向における両端部にP型熱電素子15およびN型熱電素子16との接合部である第2電極接合部34Aが形成されている。第2電極接合部34AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eは正方形である。第2電極接合部34Aの間の第2電極中間部34Bには2個の第2の孔36が形成されている。これらの第2の孔36は、第2電極34を貫通する長方形の貫通孔であり、互いに同一形状であって第2電極34の長辺との間において並列に形成されている。従って、第2電極中間部34Bでは、第2の孔36と第2の孔36との間に一方の第2電極接合部34Aと他方の第2電極接合部34Aと連通する部位が形成されている。第2電極34において第2の孔36を形成する孔壁は、第2の孔36の内部へ溶融状態の半田Sが流れ込み難くなるように、第2電極34の第2表面に対して直角に形成された面により形成されている。これらの第2の孔36は、第2電極接合部34AにおけるP型熱電素子15およびN型熱電素子16の平面視投影域Eと離れた位置に形成されている。第2の孔36の短辺と第2電極34の短辺との間の距離は、P型熱電素子15およびN型熱電素子16における上面の一辺の長さよりも僅かに大きく設定されている。本実施形態においても、第1の実施形態の作用効果1~3と同等の作用効果を相する。さらに、第1電極33、第2電極34に複数の第1の孔35、第2の孔36を設けることで、第1電極中間部33B、第2電極中間部34Bの導電性の悪化を最小限に保ちつつ、半田SにおけるP型熱電素子15やN型熱電素子16の位置ずれをより確実に抑制することができる。なお、上記の実施形態は、本発明の一実施形態を示すものであり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、下記のように発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能である。○上記の実施形態では、基材として電極としてアルミニウム、絶縁基板として窒化アルミニウムを用いたセラミック基板を用いたが、電極絶縁基板の材料の組み合わせが、例えば、銅アルミナ、銅窒化アルミニウム、銅窒化珪素、アルミニウムアルミナ、アルミニウム窒化珪素、である基板としてもよい。また、電極と絶縁基板の接合方法はロウ付け、スパッタリング、めっきといったメタライングの手法が適用可能である。また、基板には熱伝導性のよい金属たとえば、アルミニウムや銅の板の表面に絶縁樹脂を貼り付けた後、めっき等で電極を形成したものを用いてもよい。○上記の実施形態では、電極に形成された孔を貫通孔としたが、孔の内側に半田が流れ込まない深さの孔を形成することが可能な厚さの電極であれば、孔を有底孔とし貫通孔としなくてもよい。また、孔の形状は方形や円形以外に、例えば、楕円や長円であってもよい。半田における熱電素子の位置ずれを妨げることが可能な孔であれば、孔の形状や数、孔の配置は特に限定されない。○上記の実施形態では、熱電素子の底面および上面を正方形としたが正方形に限定されない。長方形であってもよいし、四角形以外の多角形としてもよい。熱電素子の底面および上面は、半田における熱電素子の移動や回転を規制しやすい直線的な辺を有する形状が好ましい。