"セラミック部材及び/又はガラス部材を含む側壁と電極とを含んで構成された筒状容器を備える電子管において、前記筒状容器の内面が、前記側壁上の面及び前記電極上の面を含んで無機絶縁膜で成膜されている、ことを特徴とする電子管。前記筒状容器の外面も、前記側壁上の面及び前記電極上の面を含んで無機絶縁膜で成膜されている、ことを特徴とする請求項1記載の電子管。前記電子管は、入射光を光電子に変換する光電陰極と、前記光電陰極から放出された光電子を増倍する電子増倍部と、前記電子増倍部によって増倍された電子を受けて蛍光を発する蛍光面と、を備えるイメージインテンシファイアである、ことを特徴とする請求項1又は2記載の電子管。しかしながら、上述した従来のイメージ増強管では、電極に印加する電圧によっては耐電圧特性が十分に向上できない傾向にあった。そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、耐電圧特性を十分に向上させることが可能な電子管を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の一側面に係る電子管は、セラミック部材及び/又はガラス部材を含む側壁と電極とを含んで構成された筒状容器を備える電子管において、筒状容器の内面が、側壁上の面及び電極上の面を含んで無機絶縁膜で成膜されている。なお、ここでいう筒状容器とは、筒状部材を含む中心軸方向に細長い形状の容器の他、中心軸に垂直な方向の幅が大きい薄型の形状の容器も含む。このような電子管によれば、筒状容器内面の電極部分及び電極と側壁との境界面からの電子放出が低減され、出力特性が良好に維持される。その結果、電子管の耐電圧特性を十分に向上させることができる。ここで、筒状容器の外面も、側壁上の面及び電極上の面を含んで無機絶縁膜で成膜されている、ことが好適である。こうすれば、電子管の外面の耐電圧特性も向上させることができ、例えば、高温多湿状態の環境下でも特性を安定化させることができる。また、電子管は、入射光を光電子に変換する光電陰極と、光電陰極から放出された光電子を増倍する電子増倍部と、電子増倍部によって増倍された電子を受けて蛍光を発する蛍光面と、を備えるイメージインテンシファイアである、ことも好適である。イメージインテンシファイアでは容器内での電子放出が出力に影響を与えやすいが、筒状容器の内面を無機絶縁膜で成膜することによって出力特性を十分に安定化させることができる。本発明によれば、耐電圧特性を十分に向上させることが可能な電子管を提供できる。以下、図面を参照しつつ本発明に係る電子管の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本発明の好適な一実施形態に係る電子管であるイメージインテンシファイアの内部構成を示す一部断面図、図2は、図1の側管の断面図である。このイメージインテンシファイア1は、セラミック製の側管を含む真空容器の内部で光電面、MCPマイクロチャンネルプレート:電子増倍部、及び蛍光面を近接して配置した近接型映像増強管である。図1に示すように、イメージインテンシファイア1の内部は、両端が解放された略中空円筒状の側管2の両開口端部を略円板状の入射窓3及び略円板状の出射窓4によって気密に封止することにより、高真空に保持されている。すなわち、側管中空状の筒、tube2、入射窓3、及び出射窓4によって真空容器が構成されている。この入射窓3の真空側表面の中央領域には光電面5が形成されている。入射窓3と光電面5とで光電陰極6が構成される。また、出射窓4の真空側表面の中央領域には、蛍光面7が形成されている。さらに、光電面5と蛍光面7との間には、円板状のMCP8が、光電面5及び蛍光面7に対向して所定の間隙をそれぞれ保持した状態で配置されている。このMCP8は、側管2の一部を構成する2つの略リング状のコバール金属製の電極9B,9Cによって挟まれることによって側管2内に保持されている。詳細には、MCP8は、その光電面5側表面が導電性のスペーサ10及び導電性のスプリング11を介して電極9Bによって押さえつけられ、その蛍光面7側表面が導電性のスペーサ12を介して電極9Cによって押さえつけられることによって、側管2内に保持される。入射窓3の真空側表面の周辺領域には、金属製の導電膜図示せずが光電面5と電気的に接触した状態で形成されている。この導電膜は、側管2と入射窓3とを接合するための略リング状のコバール金属製部材であって側管2の一部を構成する電極9Aと、接合部材であるインジウム13を介して電気的に接触している。出射窓4の真空側表面の周辺領域には、金属製の導電膜図示せずが蛍光面7と電気的に接触して形成されている。この導電膜は、側管2と出射窓4とを接合するための略リング状のコバール金属製部材である電極9Dと電気的に接触している。電極9Dは、略円筒状のコバール金属製部材である電極9Eの内側に嵌め込まれており、電極9Dと電極9Eとは互いに電気的に接触している。さらに、この電極9Dと出射窓4とはフリットガラス14によって封止されている。これらの電極9D,9Eも側管2の一部を構成する。側管2を構成する電極9A,9B,9C,9D,9Eには、図示しないリード線を介して外部電源が接続される。そして、外部電源によって、光電面5と、MCP8の光電面側表面及び蛍光面側表面電子入射側表面及び電子出射側表面と、蛍光面7とに対して必要な電圧が印加される。例えば、光電面5とMCP8の光電面側表面との間には、電位差として約200Vが設定され、MCP8の光電面側表面と蛍光面側表面との間には、電位差として約500V~約900Vが可変に設定され、MCP8の蛍光面側表面と蛍光面7との間には、電位差として約6kV~約7kVが設定されている。さらに、側管2には、略リング状のコバール金属製部材である電極9Fが設けられており、その内側の先端部が出射窓4の側面から所定の距離を空けるように保持されている。この電極9Fは図示しないゲッターの通電用電極である。入射窓3は、大気側及び真空側の各表面の中央領域を共に平面状に合成石英を加工して形成されたガラス面板である。出射窓4は、多数個の光ファイバをプレート状に集束して構成されたファイバプレートである。この出射窓4に形成される蛍光面7は、蛍光体を出射窓4の真空側表面に塗布することにより形成されている。図2に移って、側管2の構造について詳細に説明すると、側管2は、電極9Aと電極9Bとの間、電極9Bと電極9Cとの間、電極9Cと電極9Fとの間、及び電極9Fと電極9Eとの間が、それぞれ、リング状のセラミック部材であるセラミックリング側壁15A,15B,15C,15Dを挟んで接合されたような多段構造を有している。すなわち、側管2は、セラミック部材と金属電極とを組み合わせて構成されている。このような側管2の真空側に露出する全ての内面は、電極9A,9B,9C,9E,9Fの内面、及びセラミックリング15A,15B,15C,15Dの内面を含んで、アルミナAl2O3等の無機絶縁膜16aで成膜されている。さらに、側管2の大気側に露出する全ての外面は、電極9A,9B,9C,9E,9Fの外面、及びセラミックリング15A,15B,15C,15Dの外面を含んで、アルミナAl2O3等の無機絶縁膜16bで成膜されている。なお、電極9Aの内面には、入射窓3の接合のための接合部材であるインジウム13を溜めた状態でインジウム13の上から無機絶縁膜16aが成膜され、入射窓3の接合前に、確実に入射窓3と側管2とを接合するために、インジウム13上の無機絶縁膜16aは除去される。これらの無機絶縁膜16a,16bの厚さは、例えば、20Å~100Åである。次に、イメージインテンシファイア1の製造方法について説明する。セラミックリング15A,15B,15C,15D及び電極9A,9B,9C,9E,9Fを接合して側管2を組み立てる。次に、側管2の電極9Aの内面の段差上に、インジウム13を拡散させて溜めておく。この状態で、側管2をALDAtomicLayerDeposition装置を用いて、原子層堆積法によって成膜処理を行うことによって、側管2の内面及び外面に無機絶縁膜16a,16bを形成する。そして、側管2の内側に導電性スペーサ10,12、スプリング11を用いてMCP8を組み入れた後に、蛍光面7が形成された出射窓4を側管2の一端側に接合する。さらに、側管2内の各部材とリード線との間を継線する。その後、インジウム13上の無機絶縁膜16aを除去してから、活性化した光電面5が形成された入射窓3によって側管2を封止する。次に、側管2、入射窓3、及び出射窓4を含むイメージインテンシファイア1をポッティング加工することによって、その外側を樹脂材料で囲んで固める。本実施形態のイメージインテンシファイア1の動作について説明する。外部電源から光電面5、MCP8、及び蛍光面7に所定の電圧がそれぞれ印加されると、光電面5とMCP8との間隙と、MCP8の電子入射側表面と電子出射側表面との間のチャネル管の内側と、MCP8と蛍光面7との間隙とには、蛍光面7から光電面5に向かう方向の電界がそれぞれ発生する。なお、電極9A,9B,9C,9Eの表面には無機絶縁膜16a,16bが形成されているが、この無機絶縁膜16a,16bは非常に薄いので、無機絶縁膜16a,16bを介した各電極、光電面5、MCP8、及び蛍光面7に対する電圧の印加が可能とされる。このとき、光学像として微弱な入射光が外部から入射窓3を透過して光電面5に入射すると、光電面5によって入射光が光電子に変換されて真空中に放出される。このようにして光電面5から放出された光電子は、光電面5とMCP8との間隙に発生した電界によって加速され、MCP8の電子入射側表面に入射する。そうすると、MCP8に入射した光電子は、MCP8のチャネル管の内側に発生した電界によって加速され、チャネル管の壁面への衝突を繰り返すことによって二次電子に増倍される。その結果、増倍された二次電子は、入射光の二次元位置情報を保持してMCP8の電子出射側表面から放出される。MCP8から放出された二次電子は、MCP8と蛍光面7との間隙に発生した電界によって加速された後に、蛍光面7に入射する。蛍光面7においては、入射した二次電子に応じて蛍光が発せられ、この蛍光が出射窓4を透過して外部に出射される。このような出射光は、入射光の二次元位置情報を保持した光学像となる。以上説明したイメージインテンシファイア1によれば、真空容器を構成する側管2の内面の電極9A,9B,9C,9E,9Fの部分及び電極9A,9B,9C,9E,9Fとセラミックリング15A,15B,15C,15Dとの境界面からの電子放出が低減され、出力特性が良好に維持される。特に、側管2の内面全体を無機絶縁膜で覆うことで側管2の内面からの電子放出を効果的に減らすことができる。その結果、イメージインテンシファイア1の耐電圧特性を十分に向上させることができる。さらに、側管2の外面もその全体を無機絶縁膜で覆うことで、イメージインテンシファイア1の耐電圧特性をさらに向上させることができる。例えば、ポッティング処理後も水分によるショートの可能性が無くなり信頼性が向上して、高温多湿状態の環境下でも出力特性を安定化させることができる。例えば、側管直径約31mm光電面有効径18mmの側管2を含むイメージインテンシファイア1に対して、膜厚20Å、50Å、100Åの無機絶縁膜16a,16bを形成し、電極9Cと電極9D間に18kVの電圧を印加して、MCP8と蛍光面7との間に電圧を印加したところ、放電は観察されなかった。これに対して、無機絶縁膜16a,16bを形成しない場合には、電極9Cと電極9D間に10.5kVの電圧を印加した場合に、放電が確認された。同様に、側管直径約43mm光電面有効径25mmの側管2を含むイメージインテンシファイア1に対して、膜厚20Å、50Å、100Åの無機絶縁膜16a,16bを形成し、電極9Cと電極9D間に18kVの電圧を印加して、MCP8と蛍光面7との間に電圧を印加したところ、放電は観察されなかった。これに対して、無機絶縁膜16a,16bを形成しない場合には、電極9Cと電極9D間に11kVの電圧を印加した場合に、放電が確認された。この結果から、イメージインテンシファイア1では、より高い電圧を印加することができ、装置の小型化を図りつつ高解像度、高ゲインを達成するためには有利であることがわかった。なお、前述した実施形態においては、無機絶縁膜16a、16bを形成してから導電性スペーサ10、12、スプリング11を用いてMCP8を組み入れたが、導電性スペーサ10、12、スプリング11を側管内部に固定した状態で無機絶縁膜を形成しても良いし、無機絶縁膜を形成した導電性スペーサ10、12、スプリング11を用いてMCP8を組み入れても良い。このようにすることで、より放電防止の効果が向上する。なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明の対象としては、イメージインテンシファイアには限定されず、その他の電子管であってもよい。例えば、光電子増倍管、電子増倍管、X線イメージインテンシファイア、X線管、各種光源装置等の電子管或いは真空管を含む装置であってもよい。また、本実施形態の側管2に成膜する無機絶縁膜としては、アルミナのような酸化膜以外に、Si3N4等の窒化膜を用いてもよい。また、無機絶縁膜の成膜方法としては、気相によるALD法には限定されず、液相によるMOD有機金属塗布熱分解法:MetalOrganicDeposition法のような成膜方法を用いてもよい。ただし、ALD法による成膜方法のほうが、膜厚がより均一でピンホールも無い無機絶縁膜を形成できるためにより好適である。また、ALD法によれば製造工程を効率化することもできるため好ましい。また、本実施形態の真空容器は、両端面の形状、すなわち、側管2の両開口端、入射窓3、及び出射窓4の形状が円形である場合には限定されず、四角形等の多角形であってもよい。また、本実施形態の側管2は、セラミック部材と金属電極とを組み合わせて構成されているが、このセラミック部材に替えて側壁としてガラス部材を用いてもよい。或いは、金属電極に対してセラミック部材とガラス部材の両方を組み合わせて側壁を構成してもよい。"