"絶縁基板上で回路を形成する金属板と半導体素子がはんだ層を介して接合され、半導体素子の表面にテープ状の導線がボンディングされてなる半導体装置であって、半導体素子の表面において前記テープ状の導線がボンディングされる位置は、半導体素子にテープ状の導線がボンディングされていない状態において半導体素子に通電して半導体素子が発熱した際に、相互に接合される金属板と半導体素子の線膨張差によって該半導体素子の内部で生じる内部歪が半導体素子を平面的に見た際にその中央で最も大きく、外側に向かって内部歪が小さくなる歪分布を呈するものにおいて、内部歪の最大値に対する比率が0.84となる位置よりも外側であって該比率が0.84未満となっている位置に設定されている半導体装置。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、回路を形成する金属板と半導体素子をはんだ層が接合し、半導体素子にテープ状の導線テープボンドがボンディングされた構成の半導体装置に関し、半導体素子が発熱した際のはんだ層に生じるストレスが低減され、当該ストレスに起因する破損を抑制することのできる半導体装置を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置は、絶縁基板上で回路を形成する金属板と半導体素子がはんだ層を介して接合され、半導体素子の表面にテープ状の導線がボンディングされてなる半導体装置であって、半導体素子の表面において前記テープ状の導線がボンディングされる位置は、半導体素子にテープ状の導線がボンディングされていない状態において半導体素子に通電して半導体素子が発熱した際に、相互に接合される金属板と半導体素子の線膨張差によって該半導体素子の内部で生じる内部歪が半導体素子を平面的に見た際にその中央で最も大きく、外側に向かって内部歪が小さくなる歪分布を呈するものにおいて、内部歪の最大値に対する比率が0.84となる位置よりも外側であって該比率が0.84未満となっている位置に設定されているものである。本発明の半導体装置は、その構成要素である半導体素子の表面にテープ状の導線テープボンドがボンディングされた構成の装置に関し、テープボンドのボンディング位置を最適な範囲に調整することにより、テープボンドをボンディングすることによって半導体素子が発熱した際にその内部歪非弾性歪が増加した場合であっても、その内部歪の最大値をテープボンドがボンディングされない構成の内部歪の最大値よりも小さくすることのできる装置である。すなわち、半導体素子表面におけるテープボンドのボンディング位置のみを調整しただけの極めて簡易な構造改良により、半導体素子が発熱した際の内部歪に起因する構造弱部であるはんだ層に付与されるストレスを低減するものである。ここで、半導体装置を構成して回路を形成する金属板は、銅やアルミニウム、もしくはこれらの合金から形成できる。また、回路を形成する金属板の下方に位置する絶縁基板には、たとえば純アルミニウムからなる基板と窒化アルミニウムからなる基盤とを積層してなる積層体DBAなどが含まれる。さらに、半導体素子は、ICチップシリコンチップやトランジスタ、ダイオードなどの素子全般を示称している。また、半導体装置には、上記する絶縁基板の下方に、ヒートシンク板や、ヒートシンク板と冷媒還流路を具備する冷却器とのアルミダイキャスト一体成形体を具備するものであってもよく、さらには、半導体素子、回路を形成する金属板、絶縁基板、およびヒートシンク板等の積層体が絶縁素材セラミックス、熱硬化性もしくは熱可塑性の樹脂素材、アルミニウムやその合金素材などのケース内に収容されるものであっても、ケースレス構造のものであってもよい。さらに、半導体素子や金属板の表面に絶縁性を付与するべく、比較的高剛性なポッティング樹脂体、低剛性で可撓性に富むゲル状のポッティング樹脂体などを、半導体素子や金属板の表面上に具備する形態であってもよい。既述するように、テープボンドがボンディングされていない構成の半導体装置を取り上げると、半導体素子が発熱した際には、その中央領域で熱が篭り易く、したがって、発熱時の内部歪分布は中央領域で最も大きくなり、外側に向かって同心円状もしくは略同心円状で内部歪は小さくなる傾向を呈する。そして、テープボンドがボンディングされると、このボンディング位置で半導体素子の内部歪が増加することになるが、本発明者等によれば、このボンディング位置が半導体素子の中央領域に近い一定の範囲にある場合は、テープボンドがボンディングされていない場合の最大値よりも大きな内部歪となることが実証されている。本発明者等によれば、テープボンドがボンディングされていない状態での半導体素子において、その中央位置の最大の内部歪で各部位の内部歪を規格化各部位の内部歪を最大値で除するした値が0.84よりも小さな範囲にテープボンドをボンディングすることにより、半導体素子表面にテープボンドをボンディングした場合であっても内部歪の最大値は増加しないことが見出されている。そこで、テープボンドのボンディング位置を、半導体素子が発熱した際に、相互に接合される金属板と半導体素子の線膨張差によって該半導体素子の内部で生じる内部歪が半導体素子を平面的に見た際にその中央で最も大きく、外側に向かって内部歪が小さくなる歪分布を呈するものにおいて、内部歪の最大値に対する比率が0.84となる位置よりも外側であって該比率が0.84未満となっている位置に設定することにより、当該ボンディングに起因する半導体素子の内部歪の増大を抑止することができ、構造弱部であるはんだ層に付与されるストレスの増加を抑止することでそのクラック等の破損の抑制を図ることが可能となる。上記する半導体装置によれば、その小型化と高電流密度化に対応するべく、テープボンドを介して半導体素子に通電がおこなわれる構成の半導体装置であっても、半導体素子が発熱した際のはんだ層の破損は効果的に抑制されていることから、その車載機器に高性能かつ高耐久が要求される、近時のハイブリッド車や電気自動車に車載されるインバータ等への適用に最適である。以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置によれば、半導体素子の表面にテープボンドがボンディングされた構成の装置であっても、テープボンドのボンディング位置が最適な範囲に調整されていることにより、テープボンドをボンディングすることに起因する半導体素子発熱時の内部歪非弾性歪の増加によってもその内部歪の最大値をテープボンドがボンディングされない構成の場合の内部歪よりも小さくすることができ、半導体素子の内部歪によって付与されるはんだ層のストレスが増加することを抑止することができ、もってはんだ層の破損を効果的に抑止して半導体装置の耐久低下を防止することができる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置の実施の形態を説明する。図1は本発明の半導体装置の一実施の形態の縦断面図であり、図2は図1のII-II矢視図であってその平面図となっている。図1,2で示す半導体装置10は、回路を形成する金属板2の一側面にはんだ層3を介して半導体素子1が接続され、半導体素子1の表面には幅広のテープ状の導線テープボンド4が2つのボンディング位置P,Pでボンディングされてその全体が大略構成されている。なお、テープボンド4のボンディング位置の基数は図示例に何等限定されるものではない。回路を形成する金属板2は、銅やアルミニウム、もしくはこれらの合金を素材とするものであり、その下方には、不図示の絶縁基板やさらに不図示の応力緩和基板等が設けられており、この絶縁基板には、たとえば純アルミニウムからなる基板と窒化アルミニウムからなる基盤とを積層してなる積層体DBAなどが含まれる。一方、半導体素子1には、ICチップシリコンチップやトランジスタ、ダイオードなどのいずれか一種が適用できる。はんだ層3は、Pb系はんだ、Pbフリーはんだのいずれであってもよいが、環境影響負荷低減を図るべく、Sn-Ag系はんだ、Sn-Cu系はんだ、Sn-Ag-Cu系はんだ、Sn-Zn系はんだ、Sn-Sb系はんだなどのPbフリーはんだからなるものが好ましい。図2で示すように、半導体素子1の表面でテープボンド4がボンディングされるボンディング位置Pは、最適なボンディング位置を規定する環状ラインQよりも外側となるように設定される。この環状ラインQは、後述する本発明者等による温度応力解析結果に基づいて半導体素子1が発熱した際に生じる非弾性歪の最大値が、テープボンドを具備しない構造の半導体装置の場合の非弾性歪の最大値よりも小さくなる、もしくはこの最大値以下となる境界ラインであり、この環状ラインQよりも外側にボンディング位置Pを設定するようにしたものである。テープボンド4をボンディングすることにより、半導体素子1が発熱した際には、この半導体装置1にはテープボンド4とはんだ層3を介して金属板2とから拘束を受け、非弾性歪み分布は、半導体素子1の中央とテープボンド4のボンディング位置で歪みのピークを有する歪分布を呈することになる。その際に、ボンディング位置が環状ラインQよりも内側に存在すると、ボンディング位置における非弾性歪のピーク値が半導体素子の中央位置におけるピーク値よりも高くなってしまう。そこで、ボンディング位置を環状ラインQよりも外側に設定することにより、テープボンド4をボンディングした構成の半導体装置10においても、テープボンドをボンディングしない構成の半導体装置よりも半導体素子1が発熱した際に生じる非弾性歪内部歪を小さくすることができる。そして、このように非弾性歪が小さくなることにより、この半導体素子1内で生じる非弾性歪に起因してはんだ層3に付与されるストレスを低減することができ、このストレスに起因して生じ得るクラック等の破損を抑制することができる。そしてこのことは、テープボンドをボンディングしたことに起因する半導体装置の耐久低下を抑制することに繋がるものである。なお、この環状ラインQは、後述する解析結果に基づき、図2で示すように半導体装置10を平面的に見た際に、テープボンドがボンディングされていない構成の場合の中央位置における非弾性歪の最大値に対して比率0.84の非弾性歪を与える部位から構成されるラインとなっている。テープボンドのボンディング位置を規定するための温度応力解析とその結果本発明者等は、図3aで示すように金属板モデルM2と半導体素子モデルM1がはんだ層モデルM3を介して接続され、半導体素子モデルM1にテープボンドモデルM4がボンディングされた解析モデルM、および、この解析モデルMからテープボンドを廃した別途の解析モデル不図示をコンピュータ内で作成し、それぞれの解析モデルに対して図3bで示す温度履歴を半導体素子モデルに付与して各解析モデルの半導体素子に生じる非弾性歪を求めた。図4aは、テープボンドをボンディングしていない解析モデルの温度応力解析結果の非弾性歪の歪分布を示す図であり、図4bは、図4aの解析結果を用いて、中央の最大値で各部位を規格化した規格化後の歪分布を示す図である。一方、図5aは、テープボンドがボンディングされた図3aで示す解析モデルの温度応力解析結果の非弾性歪の歪分布を示す図であり、図5bは、図5aの解析結果を用いて、中央の最大値で各部位を規格化した規格化後の歪分布を示す図である。図5a,bより、テープボンドのボンディング位置によっては、中央の非弾性歪の値よりもボンディング位置における非弾性歪の値が高くなっている。一方、図4aで示す温度応力解析の結果に基づき、非弾性歪の値が最大となる中央位置の値で他の部位の値を除して規格化し、図4bで示す結果を得ている。この図4b、図5bの各規格化後の結果に基づき、それぞれの解析モデルの半導体素子において共通した複数点での各規格値を求め、テープボンドがボンディングされた解析モデルの規格値の結果を縦軸に、テープボンドがボンディングされていない解析モデルの規格値の結果を横軸とし、複数点本解析では4点の結果をプロットしてその近似直線を求めたものを図6に示している。なお、各プロットから近似直線もしくは回帰直線を作成する方法としては、直線方程式:y=axbを仮に設定し、最小二乗法にてa,bを求める方法などを使用できる。同図において、縦軸の1に対応する近似直線の横軸を読んで0.84が特定される。縦軸で1よりも大きな範囲はテープボンドがボンディングされた構成の半導体装置においてボンディング位置の非弾性歪の値が中央位置の値よりも高くなる範囲を示しており、縦軸で1以下の範囲はボンディング位置の非弾性歪の値が中央位置の値以下となる範囲を示している。したがって、縦軸1に対応する横軸0.84以下もしくは0.84未満の範囲に相当する半導体素子の平面位置を特定し、この範囲よりも外側図2の環状ラインQの外側にボンディング位置を設定することにより、テープボンドをボンディングしたことによる半導体素子における内部歪の増加とこれに起因するはんだ層のストレス増加の問題は解消され、テープボンドがボンディングされてなる半導体装置においてもその耐久低下という課題が解消されるものとなる。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。"