"銅及びモリブデンを含む多層膜をエッチングするエッチング液であって、A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、B銅イオン供給源、及びCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5~8であり、Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~20であるエッチング液。A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源が、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸及びこれらのアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種である請求項1に記載のエッチング液。A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~1.5である請求項1又は2に記載のエッチング液。B銅イオン供給源が、銅、硫酸銅、及び硝酸銅から選ばれる少なくとも一種である請求項1~3のいずれかに記載のエッチング液。Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源が、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、及びリンゴ酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種である請求項1~4のいずれかに記載のエッチング液。エッチング対象物を請求項1~5のいずれかに記載のエッチング液に接触させ、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmであることを特徴とする銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法。多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層と、銅または銅を主成分とする化合物の層を積層した二層膜である請求項6に記載のエッチング方法。多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層と、銅または銅を主成分とする化合物の層、およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層を順に積層した三層膜である請求項6に記載のエッチング方法。本発明は、このような状況下になされたもので、銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供することを目的とするものである。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液であって、A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、B銅イオン供給源、及びCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5~8であり、Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比を0.1~20とすることにより、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmであることを特徴とするエッチング液及びエッチング方法を見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明の要旨は下記のとおりである。1銅及びモリブデンを含む多層膜をエッチングするエッチング液であって、A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、B銅イオン供給源、及びCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5~8であり、Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~20であるエッチング液。[2]A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源が、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸及びこれらのアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種である上記1に記載のエッチング液。[3]A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~1.5である上記1又は2に記載のエッチング液。[4]B銅イオン供給源が、銅、硫酸銅、及び硝酸銅から選ばれる少なくとも一種である上記1~3のいずれかに記載のエッチング液。[5]Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源が、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、及びリンゴ酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種である上記1~4のいずれかに記載のエッチング液。[6]エッチング対象物を上記1~5のいずれかに記載のエッチング液に接触させ、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmであることを特徴とする銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法。[7]多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層と、銅または銅を主成分とする化合物の層を積層した二層膜である上記6に記載のエッチング方法。[8]多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層と、銅または銅を主成分とする化合物の層、およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層を順に積層した三層膜である上記6に記載のエッチング方法。本発明によれば、銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング工程において、エッチング残渣や析出物が発生せず、ディスプレイの大型化及び高解像度化に対応しうるエッチング液、及びこれを用いた銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法を提供することができる。また、当該エッチング液は、銅及びモリブデンを含む多層膜構造からなる配線を、一括でエッチングを行うことができるので、高い生産性で得ることができる。さらに、当該エッチング液はpHが5~8と中性領域であるためアンモニアの揮発が抑制され、結果としてエッチング液の安定性に優れ、且つ取扱いが容易である。また本発明によれば、エッチング後の配線形状を、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmの範囲内とする良好な配線形状を得ることができるため、ディスプレイの大型化及び高解像度化を達成することができる。[銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液]本発明のエッチング液は銅及びモリブデンを含む多層膜をエッチングするに際し、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmであるエッチング液であって、A分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、B銅イオン供給源、及びCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5~8であり、Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~20であることを特徴とするものである。《A有機酸イオン供給源》本発明のエッチング液で用いられるA有機酸イオン供給源以下、単にA成分ということがある。は分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸構造を含むものである。このA有機酸イオン供給源はエッチング後の基板を水リンスする際、基板上の残渣物や析出物の発生を抑制しうるものである。A有機酸イオン供給源としては、例えばリンゴ酸、酒石酸、シトラマル酸などのモノヒドロキシジカルボン酸;クエン酸、イソクエン酸などのモノヒドロキシトリカルボン酸;グルカル酸、ガラクタル酸などのヒドロキシ糖酸類;ヒドロキシアミンのカルボン酸類などの有機酸が好ましく挙げられ、これらを単独で、又は複数を混合して用いることができる。これらのなかでも、エッチング液中で安定した溶解性を示し、かつ基板上の残渣物や析出物の発生を抑制する観点からは、モノヒドロキシジカルボン酸及びモノヒドロキシトリカルボン酸が好ましく、特にクエン酸、リンゴ酸、及び酒石酸が好ましい。また、A成分としては上記した有機酸のアンモニウム塩、例えばクエン酸アンモニウム、リンゴ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウムなども好ましく挙げられる。なお、これらの有機酸のアンモニウム塩は、A成分としての機能を有しつつ、後述するC成分としての機能も有する。《B銅イオン供給源》本発明のエッチング液で用いられるB銅イオン供給源以下、単にB成分ということがある。は、銅IIイオンを供給できるものであれば特に制限はないが、良好なエッチング速度を得るために銅のほか、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅、塩化第二銅、臭化第二銅、フッ化第二銅、及びヨウ化第二銅などの銅塩が好ましく挙げられ、これらを単独で又は複数を組み合わせて用いることができる。また、クエン酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅などの上記A有機酸イオン供給源の銅塩も好ましく挙げられる。これらのなかで銅、硫酸銅、及び硝酸銅がより好ましく、特に硫酸銅、及び硝酸銅が好ましい。なお、A有機酸イオン供給源の銅塩は、B成分としての機能を有しつつ、A成分としての機能も有する。《Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源》本発明のエッチング液で用いられるCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源以下、単にC成分ということがある。は、アンモニア及び/又はアンモニウムイオンを供給できるものであれば特に制限はなく、アンモニアあるいはアンモニウム塩を用いることができる。アンモニウム塩としては、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウムのほか、A成分の有機酸のアンモニウム塩として例示したクエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、及びリンゴ酸アンモニウムなどのA有機酸イオン供給源のアンモニウム塩なども好ましく挙げられ、これらを単独で又は複数を組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、及びリンゴ酸アンモニウムが好ましイ。なお、A有機酸イオン供給源のアンモニウム塩は、C成分としての機能を有しつつ、A成分としての機能も有する。《エッチング液組成》本発明のエッチング液における有機酸イオンの配合量は、A成分の量、あるイはB成分がA有機酸イオン供給源の銅塩の場合、及び/又はC成分がA有機酸イオン供給源のアンモニウム塩の場合は、A成分の量とこれらB成分及び/又はC成分の量との合計量となる。そして、該有機酸イオンの配合量は、B銅イオン供給源に対する配合比モル比として0.1~1.5倍であることが好ましく、0.2~1.0倍がより好ましイ本発明のエッチング液における有機酸イオンの含有量が上記範囲内であれば、基板上の残渣物や析出物の発生を効率的に抑制することができ、エッチング速度や配線断面形状も良好となる。本発明のエッチング液におけるB銅イオン供給源の配合量は、0.01~1モル/kg-エッチング液の範囲が好ましく、0.02~0.8モル/kg-エッチング液がより好ましい。B成分の配合量が上記範囲内であれば、良好なエッチング速度が得られる。本発明のエッチング液におけるCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源の配合量は、0.15~10モル/kg-エッチング液の範囲が好ましく、0.3~8モル/kg-エッチング液の範囲がより好ましい。また、本発明のエッチング液におけるCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源の配合量は、B銅イオン供給源に対する配合比モル比として、0.1~20であり、好ましくは1~15であり、特に2~12が好ましい。配合比が20を超えると配線断面形状が不良となる。C成分の配合量が上記範囲内であれば、良好なエッチング速度および配線断面形状が得られる。一方で、配合比が0.1未満であるとエッチング液を調製することが困難となる。《DpH調整剤》本発明のエッチング液では、pH調整を行うため、必要に応じてDpH調整剤を配合することができる。DpH調整剤としては、該エッチング液の効果を阻害しないものであれば特に制限はなく、アンモニア、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの金属水酸化物、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、及びトリエタノールアミンなどのアミン塩、塩酸、硫酸、及び硝酸などの無機酸などが好ましく挙げられる。なかでも、アンモニア、水酸化カリウム、硫酸がより好ましい。本発明におけるDpH調整剤の配合量は、本発明のエッチング液のpHを5~8とするような量であり、他の成分により決定されるものである。《pH》本発明のエッチング液は、pH5~8であることを要し、より好ましくはpH6~8である。pH5未満であるとエッチング速度が遅くなりすぎる。また、pH8よりも大きいと、配線断面形状が不良となるうえ、エッチング液からアンモニアの揮発が生じるため、エッチング液の安定性や作業環境を損なうおそれがある。《その他の成分》本発明のエッチング液は、上記したA~C成分、及び必要に応じて添加するDpH調整剤のほか、水、その他エッチング液に通常用いられる各種添加剤をエッチング液の効果を害しない範囲で含む。水としては、蒸留、イオン交換処理、フイルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーテイクル粒子などが除去されたものが好ましく、特に純水、超純水が好ましい。《テーパー角》配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度テーパー角は、順テーバ角であることが重要であり、その角度が20~70度であることが好ましく、さらに25~65度が好ましく、特に、25~60度が好ましい。《ボトムCDロス》配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスは0.01~1μmであることが好ましく、さらに0.05~0.9μmが好ましく、特に0.1~0.8μmが好ましい。[銅及びモリブデンを含む多層膜のエッチング方法]本発明のエッチング方法は、銅及びモリブデンを含む多層膜をエッチングする方法であり、本発明のエッチング液、すなわちA分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、B銅イオン供給源、及びCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5~8であり、Cアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源のB銅イオン供給源に対する配合比モル比が0.1~20であるエッチング液を用いることを特徴とし、エッチング対象物と本発明のエッチング液とを接触させる工程を有するものである。本発明のエッチング方法により、ア配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度順テーパー角が20~70度であり、且つイ配線の下層ボトムに設けられるバリア膜の端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスが0.01~1μmである銅及びモリブデンを含む多層膜を一括でエッチングを行うことができ、かつエッチング残渣や析出物が発生しない。本発明のエッチング方法は、銅及びモリブデンを含む多層膜をエッチング対象物とする。本発明においてエッチング対象物となる多層膜は、銅または銅を主成分とする化合物の層およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層を含む多層構造からなる。多層膜としては、銅または銅を主成分とする化合物の層とモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層とを積層した二層膜、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層と銅または銅を主成分とする化合物の層とモリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層とを積層した三層膜などが挙げられる。特に、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層、銅または銅を主成分とする化合物の層、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物の層の順番で積層した三層膜が、本発明のエッチング液の性能が有効に発揮される観点から、特に好ましい。銅または銅を主成分とする化合物としては、銅金属や銅合金あるいは酸化銅、窒化銅などが挙げられる。モリブデンまたはモリブデンを主成分とする化合物としては、モリブデン金属やモリブデン合金、あるイはその酸化物や窒化物などが挙げられる。本発明のエッチング方法においてエッチング対象物は、例えば、ガラス等の基板上に、モリブデンからなる層と、銅からなる層、およびモリブデンからなる層を積層してなる三層膜を形成する。その上に、レジストを塗布し、所望のパターンマスクを露光転写し、現像して所望のレジストパターンを形成したものをエッチング対象物とする。このような銅及びモリブデンを含む多層膜は、フラットパネルディスプレイ等の表示デバイスの配線などに好ましく用いられるものである。エッチング対象物にエッチング液を接触させる方法には特に制限はなく、例えばエッチング液を滴下枚葉スピン処理やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法や、対象物をエッチング液に浸漬させる方法などの湿式ウェットエッチング方法を採用することができる。本発明においては、エッチング液を対象物に滴下枚葉スピン処理して接触させる方法、エッチング液を対象物にスプレーして接触させる方法が好ましく採用される。また、エッチング液を対象物にスプレーして接触させる方法では、対象物の上方からエッチング液を下向きにスプレーする方法、対象物の下方からエッチング液を上向きにスプレーする方法などが挙げられる。エッチング液の使用温度としては、10~70°Cの温度が好ましく、特に20~50°Cが好ましイ。エッチング液の温度が10°C以上であれば、エッチング速度が良好となるため、優れた生産効率が得られる。一方、70°C以下であれば、液組成変化を抑制し、エッチング条件を一定に保つことができる。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。次に、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。エッチング後の銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜の配線断面形状の評価実施例及び比較例で得られたエッチングを行った後の銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜試料の配線断面について、走査型電子顕微鏡S5000H形型番;日立製を用いて観察倍率3万倍加速電圧2kV、エミッション電流10μAで観察した。得られたSEM画像をもとに、配線断面のテーパー角が20~70度の順テーパー形状、およびボトムCDロスが0.01~1μmであるものを合格品とした。参考例1モリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板の作製ガラス基板上にモリブデンをスパッタしてモリブデン金属からなる層モリブデン膜厚:200Åを成膜し、次イで銅をスパッタして銅金属からなる層銅膜厚:5000Åを成膜し、再びモリブデンをスパッタしてモリブデン金属からなる層モリブデン膜厚:200Åを成膜し、モリブデン/銅/モリブデンの三層膜構造とした。さらにレジストを塗布し、ライン状パターンマスクライン幅:20μmを露光転写後、現像することで、レジストパターンを形成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。実施例1容量10Lのポリプロピレン容器に純水7536gとA分子内にカルボキシル基を二つ以上有しかつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源としてクエン酸水溶液濃度:50質量、扶桑化学工業株式会社製、分子量192.1700gと、B銅イオン供給源として硫酸銅五水和物和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量249.7782g、およびCアンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源の一つとして硫酸アンモニウム和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量132.1350gを投入した。攪拌して各成分の溶解を確認した後、DpH調整剤でありかつC成分の一つでもあるアンモニア水溶液濃度:28質量,三菱瓦斯化学株式会社製632gを加えて、再び攪拌し、エッチング液を調製した。得られたエッチング液のA成分の配合量は0.18モル/kg-エッチング液であり、B成分の配合量は0.31モル/kg-エッチング液で、A成分のB成分に対する配合比モル比は0.58である。C成分の配合量は、硫酸アンモニウムの配合量0.26モル/kg-エッチング液の二倍量とアンモニア水溶液の配合量1.04モル/kg-エッチング液との合計で1.57モル/kg-エッチング液であり、C成分のB成分に対する配合比モル比は5.0であった。また得られたエッチング液のpHは7.0であった。得られたエッチング液を用いて、参考例1で得られた、レジストパターンを形成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板に対し、小型エッチング機関東機械工業製を使用して、35°Cでスプレー処理を行った。レジストで覆われてイなイ部分のモリブデン/銅/モリブデン積層膜が消失し、透明なガラス基板が露出するまで時間ジャストエッチング時間は、目視で確認した結果、162秒であった。243秒エッチング50オーバーエッチング条件後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を、水リンスした後、ブロワーで乾燥し、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しのモリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認された。ガラス基板上に、残渣や析出物は確認されなかった。エッチング処理後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度テーパー角は25度の順テーパー形状であり、配線の下層ボトム端部からレジスト端部までの水平距離ボトムCDロスは0.44μmであった。ここで得られた評価結果を表1に示す。実施例2~8実施例1において、エッチング液の組成を第1表に示される組成とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製し、該エッチング液を用いてスプレー処理50オーバーエッチング条件を行った。得られた試料について、上記方法により得られた評価結果ジャストエッチング時間、テーパー角、ボトムCDロスを第1表に示す。また走査型二次電子顕微鏡を用いた配線断面の観察結果の一例として、実施例2の二次電子顕微鏡像を図2に示す。1モル/kg-エッチング液250オーバーエッチング条件実施例9~11実施例1において、エッチング液の組成およびpHを第2表に示される組成とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製し、該エッチング液を用いてスプレー処理50オーバーエッチング条件を行った。得られた試料について、上記方法により得られた評価結果ジャストエッチング時間、テーパー角、ボトムCDロスを第2表に示す。1モル/kg-エッチング液250オーバーエッチング条件本発明のエッチング例を用いた実施例はイずれも、エッチング後の残渣や析出物が確認されず、エッチング時のアンモニア臭気もなかった。比較例1~4実施例1において、エッチング液の組成およびpHを第3表に示される組成とした以外は、実施例1と同様にしてエッチング液を調製し、該エッチング液を用いてスプレー処理50オーバーエッチング条件を行った。得られた試料について、上記方法により得られた評価結果ジャストエッチング時間、テーパー角、ボトムCDロスを第3表に示す。C成分を含まない比較例1水酸化カリウムを用イてpHを調整は、エッチング液の成分が溶解せず調製することができないため、評価できなかった。C成分のB成分に対する配合比モル比を20.5とした比較例2では、エッチング処理後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、良好なテーパー形状が得られなかった比較例2の二次電子顕微鏡像を図3に示す。pHを4.0とした比較例3では、600秒間スプレー処理を行ってもパターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しのモリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全には消失しなかった。pHを9.0とした比較例4では、エッチング処理後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角が90°と大きく、CDロスも4.48μmと大きかった比較例4の二次電子顕微鏡像を図4に示す。1モル/kg-エッチング液250オーバーエッチング条件"