"スイッチング素子と、該スイッチング素子に逆並列に接続された環流用整流素子と、によって構成されるスイッチング回路が複数個並列接続された回路ブロックを備えた電力変換器において、前記スイッチング素子の駆動を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、電力変換効率が最大となるように単一又は複数個のスイッチング素子を時系列で選択する選択方法を決定し、該選択方法に従って、前記スイッチング素子を選択して駆動させることを特徴とする電力変換器。前記制御装置に入力される指令電流の瞬時値の変化に対応して、駆動させる前記スイッチング素子の個数が変化するように前記スイッチング素子を選択する選択形式が、前記制御装置に予め設定され、該選択形式の中から前記選択方法が決定されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換器。前記制御装置に入力される指令電流の振幅値に対応して、駆動させる前記スイッチング素子の個数が変化するように前記スイッチング素子を選択する選択形式が、前記制御装置に予め設定され、該選択形式の中から前記選択方法が決定されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換器。駆動させる前記スイッチング素子を、一定時間ごとに切り替える選択形式が、前記制御装置に予め設定され、該選択形式の中から前記選択方法が決定されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換器。駆動させる前記スイッチング素子を、前記制御装置に入力される指令電流の周期ごとに切り替える選択形式が、前記制御装置に予め設定され、該選択形式の中から前記選択方法が決定されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換器。前記制御装置は、前記回路ブロックを構成する複数の前記スイッチング素子の単位時間当たりの駆動時間が均等になるように、前記選択方法を決定することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電力変換器。前記指令電流は、前記電力変換器の負荷側に出力される電流を計測することによって得られる計測値に基づいて、前記制御装置に入力されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電力変換器。しかしながら、特許文献1に記載の技術では、負荷に供給される電流の実効値の大きさに応じて電流利用率の改善を図っているため、交流出力電流の一周期内の時間領域における電流利用率の改善を図ることはできない。つまり、指令電流の瞬時値に応じて駆動するスイッチング素子の個数を変化させることができない。また、特許文献1に記載の技術は、電力変換システムにおける個々のUPSモジュール単位で起動/停止の制御を行っているため、きめ細かく電流利用率を改善するためには、小容量のUPSモジュールを多数並列接続して冗長化する必要がある。また、特許文献2に記載の技術は、力行動作モード及び回生動作モードに応じて並列接続数の異なるスイッチング素子を使い分けるものであり、直流電流成分を導通する零相電力変換器のみに適用可能な電流利用率の改善策である。また、特許文献2に記載の技術では、負荷に供給される電流の実効値に応じて、電力変換装置を構成するスイッチング素子の並列数を予め設計しておく必要がある。以上のように、特許文献1や特許文献2で記載された技術では、スイッチング素子の並列接続数を変更する場合の変更の仕方や、並列接続数を変更する場合の適用条件低負荷時や動作モード等に所定の制約がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電力変換効率の改善を図った電力変換器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、スイッチング素子の駆動を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、電力変換器が達成すべき所定の電力変換効率が外部から入力されると、前記電力変換効率に対応して、単一又は複数個のスイッチング素子を時系列で選択する選択方法を決定し、該選択方法に従って、前記スイッチング素子を選択して駆動させることを特徴とする。本発明によれば、電力変換効率の改善を図った電力変換器を提供することができる。以下、本発明に係る電力変換器の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。《第1実施形態》図1は、本発明の第1実施形態に係る電力変換器の構成を示す図である。図1に示すように、電力変換器100は、電圧型2レベルフルブリッジ電力変換器として構成されている。IGBT素子Q11,Q12,...,Q1N,Q21,Q22,...,Q2Nにおいて、スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nのエミッタとスイッチング素子Q21,Q22,...,Q2Nのコレクタとがそれぞれ接続され、各接続線に負荷LDが接続されている。また、各スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1N,Q21,Q22,...,Q2Nには、それぞれ環流用整流素子であるダイオードD11,D12,...,D1N,D21,D22,...,D2Nが逆並列接続されている。同様にして、スイッチング素子Q31,Q32,...,Q3N,Q41,Q42,...,Q4Nにおいて、スイッチング素子Q31,Q32,...,Q3Nのエミッタとスイッチング素子Q41,Q42,...,Q4Nのコレクタとがそれぞれ接続され、その接続線に負荷LDが接続されている。また、各スイッチング素子Q31,Q32,...,Q3N,Q41,Q42,...,Q4Nには、それぞれ環流用整流素子であるダイオードD31,D32,...,D3N,D41,D42,...,D4Nが逆並列接続されている。なお、Vは直流電源であり、Cは平滑コンデンサである。図1に示すように、スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nのそれぞれのゲートへの入力信号は、制御装置CT1によって制御される。スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nには、素子選択スイッチS11,S12,...,S1Nがそれぞれ接続されている。また、各素子選択スイッチS11,S12,...,S1Nを介して、各スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nを駆動する駆動信号P1が、例えばPWM変調PulseWidthModulationに基づいて入力される。また、素子選択スイッチS11,S12,...,S1Nのオン/オフを制御する制御装置CT1の素子選択制御部M1には、指令電流i1と、更新信号H1とが外部から入力される。更新信号H1は一定周期の矩形波信号であり、更新信号H1の立ち上がり又は立ち下がりに同期して、素子選択スイッチS11,S12,...,S1Nのオン/オフを更新することによって、スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nの動作中にゲート信号の遮断が起こることを防止するために入力される。また、図1に記載の指令電流i1は、外部から入力されるものとする。ただし、電力変換器100の起動時では、指令電流i1を外部から入力し、所定時間が経過した後は、負荷LDに対して出力される電流の計測値を指令電流i1として、素子選択制御部M1に入力してもよい。なお、指令電流i1として、その実効値及び位相を素子選択制御部M1に入力してもよい。同様にして、スイッチング素子Q21,Q22,...,Q2Nの各ゲートへの入力信号は制御装置CT2によって制御され、スイッチング素子Q31,Q32,...,Q3Nの各ゲートへの入力信号は制御装置CT3によって制御され、スイッチング素子Q41,Q42,...,Q4Nの各ゲートへの入力信号は制御装置CT4によって制御される。図2aは図1に示す電力変換器の構成を示す概略図であり、bはaに示すG1の構成を示す図である。図2bに示すように、並列接続されたスイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nと、各スイッチング素子に逆並列接続されたダイオードD11,D12,...,D1Nからなる構成を、回路ブロックG1とする図1参照。同様にして、回路ブロックG2,G3,G4を定義すると、図1に示す回路は、図2aに示す構成として表される。なお、以下の記載では、各スイッチング素子を指す場合に、単にスイッチング素子Qと記載することがあるものとする。同様にして、ダイオードD、制御装置CT、素子選択スイッチS、指令電流i、回路ブロックG等と記載することがあるものとする。電力変換器100は、図2aに示すように、回路ブロックG1と回路ブロックG2とを直列接続し、CT1,CT2によって各回路ブロックに設置されたスイッチング素子Qのオン/オフを制御することによって、単相交流電圧を発生させる。また、回路ブロックG3と回路ブロックG4とを直列接続し、CT3,CT4によって各回路ブロックに設置されたスイッチング素子Qのオン/オフを制御することによって、上記の単相交流電圧とは位相が異なる単相交流電圧を発生させる。さらに回路ブロックG1,G2と、回路ブロックG3,G4とを直流電源Vに対して並列接続することで、2レベルフルブリッジ回路の構成となっている。なお、一つの制御装置CTによって回路ブロックG1,G2を一括して制御してもよい。回路ブロックG3,G4についても同様である。本実施形態に係る電力変換器100の制御装置CTには、当該制御装置CTが各スイッチング素子Qを駆動させる際の選択形式が少なくとも一つ、その製造段階で設定され、制御装置CTの図示しない記憶部に記憶されている。ここで、選択形式とは、スイッチング素子Qを選択する際の選択モードであり、例えば指令電流iの瞬時値に応じて、駆動するスイッチング素子Qの個数を変化させる選択形式等がある選択形式の詳細については後記する。また、以下に記載する選択方法とは、特定の選択形式を採用した場合に、スイッチング素子Qを選択する具体的な方法を指すものとする。例えば、指令電流iの瞬時値に応じて、駆動するスイッチング素子Qの個数を変化させる選択形式を採用した場合でも、スイッチング素子Qの具体的な選択方法は複数ある選択方法の詳細については後記する。<選択形式1>次に、スイッチング素子Qを選択する際の各選択形式について説明する。まず、選択形式1として、指令電流iの瞬時値に応じて、駆動するスイッチング素子Qの個数を変化させる場合について説明する。この場合、図2に示す回路ブロックG1を構成するスイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nに関して、オンするスイッチング素子Qのオン時間を制御することによって負荷LDに流れる正の電流を制御し、その個数を制御することによってその駆動個数に応じた電流が、選択された各スイッチング素子Q11,Q12,...,Q1Nに導通される。回路ブロックG2,G3,G4についても上記と同様である。図3は、図2aに示す電力変換器の構成のうち、回路ブロックG1及び制御装置CT1を取り出した部分構成図であり、N=4の場合である。図1を参照すると、回路ブロックG1は、N個のスイッチング素子Qと、これに対応するN個のダイオードDからなる構成となっているが、図3では4個のスイッチング素子Q11,Q12,Q13,Q14と、これに対応する4個のダイオードD11,D12,D13,D14を備える構成となっている。なお、各スイッチング素子Q11,Q12,Q13,Q14へのゲート信号は、制御装置CT1の素子選択制御部M1から出力される。次に、選択形式1を採用した場合に、図3に示す回路ブロックG1を制御する際の具体的な選択方法について説明する。図4は、電力変換器のスイッチング素子を制御する制御装置の動作タイミングを示す図であり、aは制御装置に入力される指令電流の瞬時値を示す図であり、bは前記指令電流の奇数周期目における素子選択スイッチのオン/オフ制御を示す図であり、cは前記指令電流の偶数周期目における素子選択スイッチのオン/オフ制御を示す図である。図4aに示すimaxとは、各スイッチング素子Qの定格電流から、安全性を考慮して所定の余裕をとった値である。つまり、imaxは、各スイッチング素子Qに流れる電流の最大許容値である。図4aに示すように、例えば、時間0~t1では、指令電流の瞬時値i1が0~imaxの値をとっている。したがって、時間0~t1では、図3に示す回路ブロックG1のスイッチング素子Qのうち少なくとも1個を駆動させなければならない。つまり、図3に示す回路ブロックG1のスイッチング素子Qのうち4個、3個、2個、1個のいずれを駆動させてもよい。この場合に制御装置CT1が、駆動させるスイッチング素子Qを選択する仕方として、4C44C34C24C1通りの選択方法がある。制御装置CT1は予め決定された処理手順に従って、この中から一つ選択方法を決定する。なお、上記処理手順の詳細については後記する。図4bでは、時間0~t1では、制御装置CT1は、Q11のみを選択し、Q12,Q13,Q14を非選択としている。また、図4aに示すように、時間t1~t2では、指令電流の瞬時値i1がimax~2imaxの値をとっている。したがって、時間t1~t2では、駆動させるスイッチング素子として、4C44C34C2通りの選択方法がある。図4bでは時間t1~t2において、制御装置CT1は素子選択スイッチS11,S12をオンにし、素子選択スイッチS13,S14をオフとしている。時間t2以後についても同様である。本実施形態では、上記のように、制御装置CT1が、指令電流iの瞬時値に応じて駆動するスイッチング素子Qの個数を制御する。したがって、制御装置CT1に入力される指令電流の瞬時値i1の値に関わらず、常に全てのスイッチング素子Qを駆動する場合と比較して、各スイッチング素子Qの電流利用率を向上させることができる。したがって、電力変換器100の電力変換効率を向上させることができる。また、電力変換器100の制御装置CT1において、常に図4bのような制御を行った場合には、スイッチング素子Q11の負担が過大となる一方、スイッチング素子Q14の負担は過少となり、各スイッチング素子Qの負担が不均衡となる。また、このような不均衡は、時間が経過するにつれて顕著になり、熱の発生が特定のスイッチング素子Qに集中することとなる。したがって、例えば、制御装置CT1は、入力される電流i1の奇数周期目には、図4bのような制御を行い、入力される電流i1の偶数周期目には、図4cのような制御を行うこととすると、各スイッチング素子Qの駆動が均等化される。結果的に、スイッチング素子Qにおける熱の発生を分散させることができる。なお、図3、図4を用いた上記の説明では、指令電流の瞬時値i1に対して必要最小限の個数のスイッチング素子Qを駆動させることとしたが、必ずしも必要最小限の個数である必要はない。また、駆動させるスイッチング素子Qの選択方法や、各スイッチング素子Qの駆動を均等化する方法についても、上記に限定させるものではなく、種々の方法が考えられる。また、上記の説明では、電力変換器100によって出力される電流のうち、制御装置CT1が回路ブロックG1を制御することによって、正の値の交流電流が出力される場合について説明したが、制御装置CT2が回路ブロックG2を制御することによって、負の値の交流電流を出力することができる。ちなみに、負荷LDに流れる電流が正の場合には回路ブロックG1,G4が使用され、負の時には回路ブロックG2,G3が使用される。なお、上記では制御装置CT1,CT2がそれぞれ回路ブロックG1,G2を制御することとしたが、回路ブロックG1,G2を一つの制御装置CTで一括して制御することとしてもよい。また、上記では、1つの回路ブロックG1が4個のスイッチング素子を備える場合について説明したが図3、図4参照、一般に、回路ブロックGがN個のスイッチング素子Qを備える場合には、次のように考えることができる。すなわち、制御装置CTに指令電流iの瞬時値が入力された場合に、|i/imax|以上である最小の整数をnとするとiは指令電流の瞬時値を指すことがあるものとする。、駆動すべきスイッチング素子Qの個数は、n≦x≦Nを満たす整数値である必要がある。例えば、制御装置CTに入力される指令電流iの瞬時値が9Aであり、10個のスイッチング素子Qのそれぞれの許容電流値imaxを2Aとすると、|i/imax|=4.5であるので、n=5となる。すなわち、この場合には、少なくとも5個のスイッチング素子Qを駆動させる必要がある。したがって、駆動すべきスイッチング素子の個数xは、5≦x≦10の範囲となる。一方、制御装置CTは、NCNNCN-1...NCn通りの組み合わせで存在するスイッチング素子Qの選択方法の中から一つを選択し、素子選択スイッチS1,S2,...,SNをON/OFF制御する。ここで、NCNの組み合わせに該当する選択方法は1通りであり、これは並列接続されたスイッチング素子Q1,Q2,...QNを全て駆動する場合である。一方、入力される指令電流iの瞬時値に対応して、少なくとも1個のスイッチング素子Qをオフとする場合には、NCN-1...NCn通りの選択方法が存在する。制御装置CTが、上記選択方法の中からどの選択方法を採用するかは、電力変換器100が達成すべき電力変換効率により決定され、当該電力変換効率はユーザによって入力される。当該電力変換効率が入力されると、制御装置CTは、電力変換器100の回路配置、スイッチング素子Qの特性、入力される指令電流iの値等に従って、所定の選択方法を決定する詳細については後記する。なお、上記のNCNNCN-1...NCn通りの選択方法からは、N個のスイッチング素子Qからn個を選択する場合において、スイッチング素子Qの電流利用率が最も高くなる。ただし、|i/imax|以上である最小の整数nは、指令電流の瞬時値iに対応して刻々と変化するものであり、nの値の変化に対応して、駆動されるスイッチング素子Qの個数も変化するものとする。次に、図5、図6を用いて、駆動させるスイッチング素子Qの他の選択形式について説明する。図5は、図1に示す電力変換器の構成のうち、一相分を供給する回路を取り出した部分構成図であり、N=4の場合である。図5に示す回路のうち、スイッチング素子Q11,Q21,ダイオードD11,D12に相当する部分をアームA1とする。同様にして、アームA2,A3,A4を定義する。<選択形式2>図6は、電力変換器の制御装置によるスイッチング素子の選択形式を示す図であり、aは指令電流の振幅値でアーム数を選択する場合である。選択形式2では、図6aに示すように、指令電流iの振幅値がi1maxのように大きい場合には、図5に示すアームA1,A2,A3,A4の各スイッチング素子Qを駆動する。一方、指令電流iの振幅値がi2maxのように小さい場合には、図5に示すアームA1,A2の各スイッチング素子Qを駆動する。なお、上記の駆動するアームAの数は例示であり、指令電流の瞬時値に応じて適宜変更することができる。上記のような選択形式は、例えば、電力変換器100が、風力発電システムや太陽光発電システムなどのように、出力電力が変動する電源等に用いられる場合に有効である。このような場合、発電システム全体の効率向上の観点から考えると、定格負荷時の電力変換効率のみならず定格負荷以外の部分負荷状態での電力変換効率も重要となるからである。<選択形式3>図6bは、駆動するアームを一定時間ごとに変更する選択形式を示す図である。図6bに示すように、例えば、駆動するアーム図5参照を、制御装置CTに入力する指令電流iの1/8周期ごとに変更する選択形式を採用してもよい。このような選択形式は、主に、制御装置CTに入力する指令電流iが低周波である場合に有効であり、導通するスイッチング素子Qを分散させることによって、スイッチング素子Qの発熱を低減させることができる。なお、駆動するアームAを変更する時間は例示であり、適宜変更することができる。また、変更周期ごとに駆動させるアームの個数は1つである必要はなく、複数でもよい。<選択形式4>図6cは駆動するアームを一定周期ごとに変更する場合を示す図である。図6cに示すように、例えば、制御装置CTに入力される指令電流iの奇数周期目はアームA1,A2を駆動させ、偶数周期目にはA3,A4を駆動させる選択形式をとる。このような選択形式を採用することによって、各スイッチング素子Qの駆動が均等化される。したがって、スイッチング素子Qにおける熱の発生を分散させることができる。なお、上記では、電流iの各周期ごとに2つのアームを交互に駆動させているが、駆動させるアームの数や各アームを駆動する時間は、適宜変更することができる。また、例えば、アームA1,A2を駆動させる場合に、制御装置CTに入力される指令電流iの瞬時値の値に応じて、駆動させるアームAの個数を調整してもよい。<選択形式及び選択方法について>以上のように、駆動させるスイッチング素子Qを選択する方式として、種々の選択形式が考えられる。その中の一つ又は複数の選択形式例えば、図3~図6を用いて説明した4つの選択形式が、電力変換器100の製造段階で予め設定され、制御装置CTの記憶部図示せずに記憶されている。また、各々の選択形式において、電力変換器100の回路配置や、その回路に設置されたスイッチング素子Q図1ではIGBT素子の素子特性スイッチング損失や導通損失、入力される指令電流の値等に応じて、電力変換効率の値に対応したスイッチング素子Qの選択方法が設定されている。つまり、ある選択形式を採用し、外部から指令電流iが入力される場合に所定の電力変換効率を実現するためには、何個のスイッチング素子Qを、どのタイミングで駆動させればよいかという選択方法について例えば図4b、c参照、予め設定されているものとする。このような電力変換効率の計算は、使用するスイッチング素子例えば、図1ではIGBT素子の素子特性に対応して、数式から求めることができる。また、予めシミュレーション又は実験を行うことによって、電力変換効率を求めることもできる。電力変換器100の製造段階において、電力変換器100の用途等に応じて一つ又は複数の選択形式図4、図6参照が予め設定されている。制御装置CTは、設定された選択形式について電力変換効率が最大となるようにスイッチング素子Qを時系列で選択する選択方法を決定する。なお、上記の電力変換効率は、その回路で実現される電力変換効率の最高値の他、当該最高値より小さい所定の値も含んでいる。また、制御装置CTの設定においては、スイッチング素子Qの選択方法に対応して、オン/オフ制御を行うためのプログラムが、制御装置CTの記憶部図示せずに記述される。制御装置CTは、当該プログラムを演算部図示せずに読み込ませて実行することによって、例えば図4に示すように各スイッチング素子の駆動を制御する。また、例えば、ユーザが入力部図示せずを介して、所望の電力変換効率を制御装置CTに入力した場合に、制御部図示せずがデータベースを参照することによって、スイッチング素子Qの選択方法として可能なものを一つ又は複数、表示部図示せずに表示させ、ユーザに選択を促すこととしてもよい。上記のデータベースには、スイッチング素子Qの素子特性スイッチング損失や導通損失に対応した所定の数式、及び、電力変換効率に対応したスイッチング素子Qの選択方法等が記憶されている。例えば、ユーザが所望の電力変換効率及び指令電流iの実効値等を制御装置CTに入力すると、指令電流iの瞬時値に対応して何個のスイッチング素子Qを駆動させる必要があるかを制御装置CTに記憶されたデータベースを用いて計算することができる。また、どのスイッチング素子Qをどのタイミングで駆動させればよいかということも、予め設定されたデータベースを参照することによって決定することができる。例えば、図1に示す制御装置CT1に入力される指令電流の瞬時値i1に対応して、駆動するスイッチング素子Q11,Q12,...Q1Nの個数x個とするを変化させる場合、制御器CT1は、N個のスイッチング素子Q1,Q2,...QN中からx個のスイッチング素子Q1,Q2,...Qxを選択して駆動させる。そして、制御装置CT1は、N個のスイッチング素子Q1,Q2,...QNのそれぞれについて、単位時間あたりの駆動時間がほぼ均等になるように、素子選択スイッチS1~SNの動作を制御する。なお、図1に示す制御装置CT1は、N個のスイッチング素子Q11,Q12,...Q1Nのうち、いずれのスイッチング素子Qを選択駆動させるかというアーム選択機能を備えている。しかし、例えば、制御装置CT1からゲートドライバへ一括してゲート信号を送信し、当該ゲートドライバがスイッチング素子Qの選択機能を持つ構成としてもよい。このようにして、本実施形態に係る電力変換装置100は、駆動させるスイッチング素子Qを制限することにより、スイッチング素子Qのスイッチング損失を低減させることができる。<他のスイッチング素子を用いた場合>図7は、本発明の第1実施形態に係る電力変換器の部分構成図であり、aはサイリスタとダイオードによってスイッチング回路を構成した場合であり、bはMOSFETとダイオード寄生ダイオードも含むの組み合わせによってスイッチング回路を構成した場合である。すなわち、図7aでは、図1に示す電圧型2レベルフルブリッジの電力変換器100の構成のうち、各回路ブロックG1,G2,G3,G4が、サイリスタと当該サイリスタに逆並列接続されたダイオードからなる場合を示している。なお、制御装置CTによる制御は、図1~図6で説明したものと同様であるため、説明を省略する。この場合には、例えば、制御装置CTが電力変換装置100に入力される指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチS1~SNを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。また、図7bでは、図1に示す電圧型2レベルフルブリッジの電力変換器100の構成のうち、各回路ブロックG1,G2,G3,G4が、MOSFETと当該MOSFETに逆並列接続されたダイオード寄生ダイオードも含むからなる場合を示している。なお、制御装置CTによる制御は、図1~図6で説明したものと同様であるため、説明を省略する。この場合には、例えば、制御装置CTが電力変換器100に流れる指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチS1~SNを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。本実施形態に係る電力変換器100によれば、入力される指令電流iの瞬時値に応じて、複数のスイッチング素子のうち一部又は全てのスイッチング回路を選択的に駆動する。これにより、電力変換器100の電流実効値や動作モードによらず、各スイッチング素子の電流利用率の改善を図ることができる。特に、指令電流iの瞬時値が小さい時間領域、つまり、出力される交流電流の値がゼロとなる近傍ゼロクロス点付近において、駆動する電力用半導素子の個数を制限することにより、スイッチング素子Qの電流利用率を高くすることが可能となる。結果的に電力変換器100全体としての電力変換効率を高くすることができる。また、本実施形態に係る電力変換装置100よれば、制御装置CTは、外部から入力される指令電流iの波形に応じて、駆動するスイッチング素子Qの選択形式を設定することができる。また、特定の選択形式を採用した場合にも、所望の電力変換効率に応じてスイッチング素子Qの選択方法を適宜設定することが可能となる。したがって、電力変換器100は操作性を向上させ、ユーザの負担を軽減することができる。さらに、本発明の実施形態によれば、制御装置CTが、並列接続するスイッチング素子Qの駆動タイミングを時間領域で分散させることにより、スイッチング素子Qの熱発生箇所を分散させ、特定のスイッチング素子Qが過度に発熱するという事態を回避することができる。《第2実施形態》図8は、本発明の第2実施形態に係る電力変換器の部分構成図であり、aは逆並列に接続されたサイリスタによってスイッチング回路を構成した場合である。図8aでは、図1に示すような電圧型2レベルフルブリッジの電力変換器100の構成のうち、各回路ブロックG1,G2,G3,G4が、サイリスタの逆並列の組み合わせからなるスイッチング回路SW1,SW2,...,SWNを備える場合を示している。なお、制御装置CTによる制御は、図1~図6で説明したものと同様であるため、説明を省略する。この場合、順方向のサイリスタ群にはそれぞれ素子選択スイッチS1a~SNaが接続され、逆方向のサイリスタ群にはそれぞれ素子選択スイッチS1b~SNbが接続されている。なお、スイッチング回路SW1~SWNにおけるそれぞれの逆方向サイリスタは、半サイクル導通のダイオードとしての機能を果たしている。素子選択制御部Mは、素子選択スイッチS1aS2a,...,SNa,S1bS2b,...,SNbのオン/オフを制御することによって、各スイッチング回路SW1,SW2,...,SWNの動作を制御する。図8aに示す構成の場合にも第1実施形態の場合と同様に、制御装置CTが、例えば、指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチS1aS2a,...,SNa,S1bS2b,...,SNbを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。図8bは、本発明の第2実施形態に係る電力変換器の部分構成図であり、IGBTとサイリスタの組み合わせによってスイッチング回路を構成した場合である。図8bでは、図1に示すような電圧型2レベルフルブリッジの電力変換器100の構成のうち、各回路ブロックG1,G2,G3,G4が、IGBTとサイリスタの組み合わせからなるスイッチング回路SW1,SW2,...,SWNを備える場合を示している。なお、制御装置CTによる制御は、図1~図6で説明したものと同様であるため、説明を省略する。図8bに示す構成の場合にも図8aの場合と同様に、制御装置CTが、例えば、指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチS1a~SNa,S1b~SNbを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。《第3実施形態》図9aは、本発明の第3実施形態に係る電力変換器の構成を示す概略図であり、bはaに示すG1の構成を示す図である。なお、図9aでは、各回路ブロックG1,G2,...,G6を構成するスイッチング素子Qは、それぞれ、図示しない制御装置CT1,CT2,...,CT6によって、その駆動が制御されるものとする。また、図9bでは、図9aの回路ブロックG1の構成を示しているが、他の回路ブロックG2,G3,...,G6も同様の構成を備えている。第1実施形態に係る電力変換器100は、図2aに示すように、単相交流電圧を発生させる2レベルフルブリッジ回路である。これに対して、本実施形態に係る電力変換器100Aは、図9aに示すように、三相交流電圧を発生させる2レベルフルブリッジ回路である。なお、図示しない制御装置CT1,CT2,...,CT6が、各回路ブロックG1,G2,...,G6を構成するスイッチング素子Qの駆動を制御する方法については、第1実施形態で説明したものと同様であるため、説明を省略する。また、各相に対応する回路ブロック例えば、G1,G2を一つの制御装置CTで一括して制御することとしてもよい。また、図9では、各回路ブロックG1,G2,...,G6が、IGBTとダイオードの組み合わせからなる場合について説明したが、図7、図8に示すように他のスイッチング素子によって、各回路ブロックG1,G2,...,G6を構成することとしてもよい。図9に示す電力変換器100Aでは、三相交流電圧を発生させることができ、さらに、制御装置CT図示せずが、例えば、指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチSを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。《第4実施形態》図10は、本発明の第4実施形態に係る電力変換器の構成を示す概略図である。本実施形態に係る電力変換装置100Bは、各回路ブロックGを2並列して3相電力変換器を構成した場合を示している。図10に示す回路ブロックG1は、図9bに示す構成を備え、他の回路ブロックG2,G3,...,G12についても同様である。ちなみに、各相に対応する回路ブロック例えば、G1,G2を一つの制御装置CTで一括して制御することとしてもよい。なお、図10では、回路ブロックG1,G3を構成するスイッチング素子Qが、図示しない制御装置CT1によって制御され、回路ブロックG2,G4を構成するスイッチング素子Qが、図示しない制御装置CT2によって制御されるものとし、他の回路ブロックについても同様である。また、図示しない制御装置CTが、各回路ブロックGを構成するスイッチング素子Qの駆動を制御する方法については、第1実施形態で説明したものと同様であるため、説明を省略する。また、図10では、各回路ブロックG1,G2,...,G12が、IGBTとダイオードの組み合わせからなる場合について説明したが、図7、図8に示すように他のスイッチング素子によって、各回路ブロックG1,G2,...,G12を構成することとしてもよい。図10に示す電力変換器100Bによっても、三相交流電圧を発生させることができ、さらに、制御装置CT図示せずが、例えば、指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチSを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。また、本実施形態に係る電力変換器100Bの場合は、図9に示す電力変換器100Aの場合より、さらに大きな電流を出力することができるため、負荷LDが要求する電流が大きくなった場合にも対応することができる。《第5実施形態》図11は、本発明の第5実施形態に係る電力変換器の構成を示す概略図である。本実施形態に係る電力変換装置100Cは、各回路ブロックGを2直列2並列して3相電力変換器を構成した場合を示している。図11に示す回路ブロックG1は、図9bに示す構成を備え、他の回路ブロックGについても同様である。なお、図11では、回路ブロックG1,G2,G3,G4を構成するスイッチング素子Qが、図示しない制御装置CT1によって制御され、回路ブロックG5,G6,G7,G8を構成するスイッチング素子Qが、図示しない制御装置CT2によって制御されるものとし、他の回路ブロックについても同様である。ちなみに、各相に対応する回路ブロック例えば、G1,G2,...,G8を一つの制御装置CTで一括して制御することとしてもよい。また、図示しない制御装置CTが、各回路ブロックGを構成するスイッチング素子Qの駆動を制御する方法については、第1実施形態で説明したものと同様であるため、説明を省略する。また、図11では、各回路ブロックGが、IGBTとダイオードの組み合わせからなる場合について説明したが、図7、図8に示すように他のスイッチング素子によって、各回路ブロックGを構成することとしてもよい。図11に示す電力変換器100Cによっても、三相交流電圧を発生させることができ、さらに、制御装置CT図示せずが、例えば、指令電流iの瞬時値に応じて素子選択スイッチSを個別にオン/オフ制御することによって、電力変換効率を高くすることができる。また、本実施形態に係る電力変換器100Cの場合は、図9に示す電力変換器100Aの場合よりさらに大きな電流を出力することができるとともに、図10に示す電力変換器100Bの場合より、入力電圧が高くなった際にも適切に対応することができる。《他の実施形態について》以上、本発明を各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、図3、図7、又は図8に示す回路ブロックGを任意の数だけ直列接続又は並列接続して例えば図11のX1,X2を参照、各アームを構成してもよい。また、上記では単相電力変換器又は3相電力変換器について説明したが、4相以上の電力変換器や多レベルの電力変換器にも適用することができる。"