"1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3現像工程を含むパターン形成方法であって、上記3現像工程における現像液中に有機溶媒を80質量以上含有し、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とするパターン形成方法。上記構造単位Iが、下記式1で表される請求項1に記載のパターン形成方法。式1中、R1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2~R4はそれぞれ独立して炭素数1~20のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。但し、R3とR4とは互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、環を形成していてもよい。Aは酸解離性基でないn1価の炭素数3~20の脂環式基である。Xは単結合、炭素数1~20のアルカンジイル基又は炭素数1~20のオキシアルカンジイル基である。nは1~3の整数である。但し、nが2以上の場合、複数のR2~R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式1におけるAが、アダマンタン又はノルボルナンから2~4個の水素原子を除いた基である請求項2に記載のパターン形成方法。上記感放射線性樹脂組成物が、さらに[C][A]重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体を含有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載のパターン形成方法。4エッチング工程をさらに含む請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3現像工程を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、上記3現像工程における現像液中に有機溶媒を80質量以上含有し、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感度、解像性等の一般的なレジスト特性に優れ、エッチング耐性がより向上し、リソグラフィー特性に優れるレジスト膜のトレンチパターン及び/又はホールパターンの形成方法、並びに感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3現像工程を含むパターン形成方法であって、上記3現像工程における現像液中に有機溶媒を80質量以上含有し、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体以下、[A]重合体と称することもある。、及び[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体と称することもある。を含有することを特徴とするパターン形成方法である。当該パターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物の[A]重合体は、酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体である。そのため、酸の作用により酸解離性基が解離した後であっても重合体中に炭素原子含有率の高い脂環式骨格が残存し、エッチング耐性に優れるレジスト膜を形成することができる。[A]重合体は、下記式1で示される構造単位Iを有することが好ましい。式1中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。R2~R4はそれぞれ独立して炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。但し、R3とR4は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、環を形成していてもよい。Aは酸解離性基でないn1価の炭素数3~20の脂環式基である。Xは単結合、炭素数1~20のアルキレン基又はオキシアルキレン基である。nは1~3の整数である。但し、nが2以上の場合、複数のR2~R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。[A]重合体が上記特定の構造を有することで、脂環式基が重合体分子鎖の近傍に配置されるため、当該パターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜のエッチング耐性が向上する。またこのような構造単位を与える単量体は合成が容易であり、また共重合性にも優れるため、このような構造単位の含有率を向上させることができ、その結果、得られるレジスト膜のエッチング耐性をさらに高めることができる。上記式1におけるAが、アダマンタン又はノルボルナンから2~4個の水素原子を除いた基であることが好ましい。[A]重合体が酸解離性基と共にアダマンタン又はノルボルナンから2~4個の水素原子を除いた脂環式基を有していると、酸の作用により酸解離性基が解離した後に、炭素含有率の高い構造が残存するので、得られるレジスト膜はエッチング耐性に優れる。一方、炭素原子含有率が高過ぎると[A]重合体の現像液への溶解性が高くなりすぎるために、露光部と未露光部間の十分な溶解コントラストを付与することが難しくなるが、Aが上記構造である場合には、このような不都合は起こりにくい。上記感放射線性樹脂組成物が、さらに[C][A]重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体以下[C]重合体と称することもある。を含有することが好ましい。当該パターン形成方法で用いられる感放射線性樹脂組成物は[C]重合体を含有することによって、レジスト膜を形成した際に、膜中の[C]重合体の低表面自由エネルギーという特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向がある。そのため、液浸露光時に酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制でき好ましい。また、この[C]重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。当該パターン形成方法は、さらにエッチング工程を含むことが好ましい。上記感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜は、優れたエッチング耐性を有しているため、リソグラフィー特性に優れたパターンを形成することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3現像工程を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、上記3現像工程における現像液中に有機溶媒を80質量以上含有し、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。当該感放射線性樹脂組成物によれば、エッチング耐性に優れるレジスト膜を形成することができる。本発明のパターンの形成方法によれば、感度、解像性等のレジスト膜の一般的特性に優れ、エッチング耐性がより向上したレジスト膜を形成することができ、リソグラフィー特性に優れるパターンを形成することができる。<パターン形成方法>本発明は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3現像工程を含むパターン形成方法であって、上記3現像工程における現像液中に有機溶媒を80質量以上含有し、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]重合体、及び[B]酸発生体を含有することを特徴とするパターン形成方法である。また当該パターン形成方法は、4エッチング工程を好適に含む。以下、各工程を詳述する。なお、当該パターン形成方法の2露光工程における露光方法は、特に限定されるものではないが、本発明において液浸露光が好適に用いられるので、以下に液浸露光方法を用いる場合の各工程について説明する。[工程1]本工程では、本発明に用いられる組成物を、基板上に直接又は下層膜等を介して塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。上記下層膜等としては、特に限定されるものではなく、露光後の現像の際に用いられる現像液に対して不溶性であり、かつ従来のエッチング法でエッチング可能な材料であればよい。例えば半導体素子や液晶表示素子の製造において、下地材として一般的に使用されているものを用いることができる。当該感放射線性樹脂組成物の塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、当該組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト膜上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト膜上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[工程2]本工程では、工程1で形成したレジスト膜の所望の領域にドットパターンやラインパターンなどの特定パターンを有するマスク及び液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンを有するマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、トレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において円形状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザーやKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、当該組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。また、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、当該組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C~200°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。[工程3]本工程は、工程2の露光後に有機溶媒を含有するネガ型現像液を用いて現像を行い、トレンチパターン及び/又はホールパターンなどのパターンを形成する。ネガ型現像液とは低露光部及び未露光部を選択的に溶解除去させる現像液のことである。ネガ型現像液が含有する有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-i-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-i-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、i-ペンタン、n-ヘキサン、i-ヘキサン、n-ヘプタン、i-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、i-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、i-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、i-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-i-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらのうち、酢酸n-ブチル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ペンチル、メチルエチルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトンが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。現像液中の有機溶媒の含有量は、80質量以上であり、好ましくは90質量以上である。最も好ましくは99質量以上である。現像液が有機溶媒を80質量以上含有することにより、良好な現像特性を得ることができ、よりリソグラフィー特性に優れたパターンを形成することができる。尚、有機溶媒以外の成分としては、水、シリコンオイル、界面活性剤等が挙げられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。当該パターン形成方法においては、工程3の現像後にレジスト膜をリンス液により洗浄する工程を行ってもよい。リンス液としては、上記現像液と同様に有機溶媒を含有する液を使用することが好ましく、そうすることにより発生したスカムを効率よく洗浄することができる。リンス液としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が好ましい。これらのうちアルコール系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、炭素数6~8の1価のアルコール系溶媒がより好ましい。炭素数6~8の1価のアルコールとしては直鎖状、分岐状又は環状の1価のアルコールが挙げられ、例えば1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのうち、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、4-メチル-2-ペンタノールが好ましい。上記リンス液の各成分は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。リンス液の含水率は、10質量以下が好ましく、さらにより好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。なお、リンス液には後述する界面活性剤を添加できる。洗浄処理の方法としては、例えば一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。[工程4]エッチング方法は、特に限定されるものではない。例えば、ダウンフローエッチング、ケミカルドライエッチング等の化学的エッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング等の物理的エッチング、プラズマ及び/又は反応性イオンエッチング等の化学的物理的エッチング等の公知の方法を用いることができる。中でも、プラズマ及び/又は反応性イオンエッチングが好ましい。プラズマ及び/又は反応性イオンエッチングにおいて使用されるガスは、ドライエッチング分野で通常用いられているガスであれば、特に限定されるものではない。例えば、酸素、ハロゲン、二酸化硫黄等を挙げることができるが、得られるパターンの解像度が高いこと、汎用性の観点から、酸素を含むプラズマ及び/又は反応性イオンを用いることが好ましい。最も一般的なドライエッチングとしては、平行平板型RIEが挙げられる。この方法では、先ずRIE装置のチャンバーにレジストパターンが形成された積層体を入れ、必要なエッチングガスを導入する。チャンバー内において、上部電極と平行に置かれたレジスト積層体のホルダーに高周波電圧を加えると、ガスがプラズマ化される。プラズマ中には、正負のイオンや電子などの電荷粒子、中性活性種などがエッチング種として存在している。これらのエッチング種が被エッチング物に吸着すると、化学反応が生じ、反応生成物が表面から離脱して外部へ排気され、エッチングが進行する。<感放射線性樹脂組成物>本発明に用いられる感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、及び[B]酸発生体を含有する。さらに[C]重合体を好適に含む。また、本発明の効果を損なわない限りさらに任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位Iを含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体である。なお、酸解離性基とは、極性官能基中の水素原子を置換する基であって、露光により[B]酸発生体から発生した酸の作用により解離する基を意味する。また、酸の作用により脂環式基が分子鎖から解離しないとは、重合体に酸が作用した後においても、上記式1中のAで表される脂環式基が重合体に含まれることを意味する。[A]重合体が有している上記酸解離性基は、露光により[B]酸発生体から発生した酸の作用により解離して、重合体の極性が増し、露光部における[A]重合体の現像液に対する溶解性が低下する。さらに[A]重合体は、酸の作用により分子鎖から解離しない脂環式基を有しているため、酸解離性基が解離した後も高い炭素含有率が保持され、得られるレジスト膜は優れたエッチング耐性を有する。ここで、酸の作用により解離しないとは上記酸解離性基の性質を有しないことと同義であり、露光により[B]酸発生体から発生した酸の作用によって解離しないことである。[A]重合体は、上記式1で示される構造単位Iを有することが好ましく、さらに構造単位I以外の他の構造単位を有してもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iは上記式1で示される構造単位である。式1中、R1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2~R4はそれぞれ独立して炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。但し、R3とR4は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、環を形成していてもよい。Aは酸解離性基でないn1価の炭素数3~20の脂環式基である。Xは単結合、炭素数1~20のアルカンジイル基又は炭素数1~20のオキシアルカンジイル基である。nは1~3の整数である。但し、nが2以上の場合、複数のR2~R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。R2~R4が表す炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-ヘプチル基、i-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オクチル基、n-ノニル基、i-ノニル基、n-デシル基、i-デシル基、n-ラウリル基、i-ラウリル基、n-ドデシル基、i-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-エイコシル基等が挙げられる。中でもメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基が好ましく、特にメチル基又はエチル基が好ましい。R2~R4が表す炭素数3~20のシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルカン骨格を有する単環のシクロアルキル基;アダマンチル基、ノルボルニル基等の多環のシクロアルキル基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、の1種以上で置換されていてもよい。これらのうち、R2~R4がメチル基であるか、R2が炭素数1~4のアルキル基であり、R3及びR4が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数4~8のシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。それぞれが結合している炭素原子とともに形成する2価のシクロアルカン基としては、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基等が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。上記式1中、Aは酸解離性基でないn1価の炭素数3~20の脂環式基である。このn1価の炭素数3~20の脂環式基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、ノルボルナン、アダマンタン等の多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式不飽和炭化水素基からn1個の水素原子を除いた基が挙げられる。中でもアダマンタン、ノルボルナン等の有橋式骨格を有する多環式飽和炭化水素基、シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環式飽和炭化水素基が好ましい。特にアダマンチル基又はノルボルニル基が好ましい。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。上記式1中、Xは単結合、炭素数1~20のアルカンジイル基又はオキシアルカンジイル基である。炭素数1~20のアルカンジイル基としては、例えば、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、イソプロパンジイル基、ブタンジイル基、イソブタンジイル基等が挙げられる。炭素数1~20のオキシアルカンジイル基としては、例えばオキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、イソオキシプロピレン基、オキシブチレン基、イソオキシブチレン基等が挙げられる。中でも、単結合、オキシエチレン基又はオキシメチレン基が好ましい。構造単位Iとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R1は上記式1と同義である。構造単位Iを与える単量体としては、例えば下記式M-1~M-8で表される単量体等が挙げられる。[A]重合体において、構造単位Iの含有率は[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位Iの総量としては、10モル~100モルが好ましく、30モル~60モルがより好ましい。なお、[A]重合体は、構造単位Iを1種又は2種以上有してもよい。[構造単位II][A]重合体としては下記式2で示される構造単位IIを有していてもよい。式2中、R5は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは酸解離性基である。Rpで示される酸解離性基としては下記式3で表される基が好ましい。式3中、Rp1は炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~20の1価の脂環式基である。Rp2及びRp3はそれぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式基である。なお、Rp2及びRp3は相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともに炭素数3~20の2価の脂環式基を形成してもよい。Rp1、Rp2及びRp3で示される炭素数1~10のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。Rp1、Rp2及びRp3で示される炭素数3~20の1価の脂環式基としては、例えばアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。これらのうち、Rp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともにアダマンタン骨格又はシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。構造単位IIとしては、例えば下記式2-1~2-4で表される構造単位が挙げられる。式2-1~2-4中、R5は上記式2と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は上記式3と同義である。npは1~3の整数である。上記式2又は2-1~2-4で示される構造単位としては、例えば下記式で表される構造単位が挙げられる。式中、R5は上記式2と同義である[A]重合体において、構造単位IIの含有率は、[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位IIの総量が通常0モル~60モル、好ましくは20モル~60モルである。なお、[A]重合体は構造単位IIを1種、又は2種以上を有してもよい。[構造単位III][A]重合体は、ラクトン環を含む構成単位IIIを有することが好ましい。構成単位IIIを有することで、レジスト膜の基板への密着性を向上できる。ここで、ラクトン環とは、-O-CO-構造を含むひとつの環を示す。ラクトン環を1つめの環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。構成単位IIIとしては、例えば下記式で表される構造単位が挙げられる。式中、RL1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。ラクトン構造を含む構造単位を生じさせる単量体の具体例としては、例えば、下記式L-1で表されるものが挙げられる。式L-1中、RL1は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL2は単結合又は2価の連結基である。RL3はラクトン構造を有する1価の有機基である。RL2が表す2価の連結基としては、例えば炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐状の炭化水素基等が挙げられる。RL3が表すラクトン構造を有する1価の有機基としては、例えば下記式L3-1~L3-6で表される基が挙げられる。式L3-1~L3-6中、RLc1は酸素原子又はメチレン基である。RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は0又は1である。nLc2は0~3の整数である。は上記式L-1中、RL2に結合する結合手を示す。なお、式L3-1~L3-6で示される基は置換基を有していてもよい。上記ラクトン構造を有する構造単位を与える好ましい単量体としては、例えば国際公開2007/116664号パンフレット段落[0043]に記載の単量体が挙げられる。[A]重合体において、構造単位IIIの含有率は[A]重合体を構成する全構造単位に対する構造単位IIIの総量が、30モル~80モルであることが好ましい。なお、[A]重合体は、構造単位IIIを1種、又は2種以上を有してもよい。[構造単位IV][A]重合体は、上記構造単位I~III以外のその他の構造単位を有することができる。その他の構造単位は、現像液への溶解速度の調節やエッチング耐性を付与する等の目的で使用することができる。その様なその他の構造単位としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸の他、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、アミド基などの極性基を有する炭化水素基を含む重合性単量体に由来する構造単位IVをあげることができる。そのような構造単位IVとしては、例えば下記式4-1~4-11で表される基等が挙げられる。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば所定の各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は2種以上を混合して使用してもよい。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法によるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~30,000がより好ましく、1,000~20,000が特に好ましい。[A]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[A]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ酸を発生させる。その結果、[A]重合体が現像液に難溶性となる。当該組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム-1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、及びトリフェニルスルホニウム-1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[B]酸発生剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上20質量部以下、好ましくは0.5質量部以上15質量部以下である。この場合、[B]酸発生剤の使用量が0.1質量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方20質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<[C]重合体>[C]重合体は、[A]重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体である。当該パターン形成方法で用いられる感放射線性樹脂組成物は[C]重合体を含有することによって、レジスト膜を形成した際に、膜中の[C]重合体の低表面自由エネルギーという特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向がある。そのため、液浸露光時に酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制でき好ましい。また、この[C]重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。ここで、[C]重合体としては、上記性質を有する限り特に限定されないが、フッ素化アルキル基を有することが好ましい。[C]重合体が構造中にフッ素化アルキル基を有すると、上記特性がさらに向上する。本発明における[C]重合体は、フッ素を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成される。フッ素を構造中に含む単量体としては、主鎖にフッ素原子を含むもの、側鎖にフッ素原子を含むもの、主鎖と側鎖にフッ素原子を含むものが挙げられる。主鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、α-フルオロアクリレート化合物、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-フルオロアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-フルオロアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素或いはトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。また、側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、ノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素或いはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸或いはメタクリル酸のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素或いはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。さらに、主鎖と側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、α-フルオロアクリル酸、β-フルオロアクリル酸、α,β-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素或いはトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素或いはフルオロアルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をフッ素原子或いはトリフルオロメチル基等で置換し、且つ側鎖がフルオロアルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。尚、ここの脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。本発明においては、[C]重合体にフッ素を付与する構造単位は、特に限定されるものではないが、下記式5で表される構造単位以下、構造単位Vともいう。をフッ素付与構造単位として用いることが好ましい。式5中、R6は水素、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Pは連結基である。R7は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含有する、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。上記式5中、Pで表される連結基としては、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。上記構造単位Vを与える好ましい単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。上記[C]重合体は、この構造単位Vを1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。この構造単位Vの含有率は、[C]重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常5モル以上、好ましくは10モル以上、更に好ましくは15モル以上である。この構造単位Vの含有率が5モル未満であると、後退接触角が70度未満となり、レジスト被膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できないおそれがある。[C]重合体には、前述のフッ素を構造中に含有する構造単位以外にも、例えば、現像液に対する溶解速度をコントールするために酸解離性基を有する構造単位、ラクトン骨格、水酸基、カルボキシル基等を有する構造単位、脂環式化合物を有する構造単位、基板からの反射による光の散乱を抑えるために芳香族化合物に由来する構造単位等の他の構造単位を1種類以上含有させることができる。上記酸解離性基を有する他の構造単位としては、[A]重合体の構造単位IIと同様のものを使用することができる。[C]重合体が含有する上記構造単位IIとしては、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が好ましい。上記ラクトン骨格を含有する他の構造単位としては、[A]重合体の構造単位IIIと同様のものを使用することが出来る。上記脂環式化合物を含有する他の構造単位としては、例えば、下記式6で表される構造単位VIを挙げることができる。一般式6において、R8は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示し、Qは炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。上記式6のQが表す、炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等のシクロアルカン類に由来する脂環族環からなる炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカン類由来の脂環族環が有する水素原子の一分又は全部が置換基で置換されていてもよい。上記置換基としては、炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基及び酸素が挙げられる。上記構造単位VIを与える単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が好ましい。また、上記芳香族化合物に由来する構造単位VIIを与える単量体としては、例えばスチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。本発明における[C]重合体において、上記他の構造単位は、1種のみ含有されていてもよいし、2種以上が含有されていてもよい。この他の構造単位の含有率は、[C]重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常80モル以下、好ましくは75モル以下、更に好ましくは70モル以下である<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用されるラジカル重合開始剤及び溶媒としては、例えば[A]重合体の合成方法で挙げたものと同様の溶媒が挙げられる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[C]重合体のGPC法によるMwとしては、1,000~100,000が好ましく、1,000~50,000がより好ましく、1,000~30,000が特に好ましい。[C]重合体のMwを上記範囲とすることで、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤及び現像液への溶解性があり、かつ耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好となる。[C]重合体のMwとMnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。<任意成分>当該組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]重合体に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分として酸拡散制御体、溶媒、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。[酸拡散制御体]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御体の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式7で示されるスルホニウム塩化合物、下記式8で表されるヨードニウム塩化合物が挙げられる。式7及び式8中、R12~R16はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、-S-R17、-SO2-R17、又は-OSO2-R17である。R17は炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基又は炭素数6~20のアリール基である。また、式7及び式8中、Z-はOH-、RA-COO-、RB-SO2-N-―RA、RA-SO3-又は下記式9で示されるアニオンである。但し、RAは炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアルカリール基である。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RBは、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有してもいてもよい炭素数3~20のシクロアルキル基である。上記アルキル基及びシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。但し、Z-がRA-SO3-の場合、SO3-が結合する炭素原子にフッ素原子が結合する場合はない。式9中、R18は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。uは0~2の整数である。上記光崩壊性塩基としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。これらの酸拡散抑制剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、1質量部以上10質量部以下が好ましい。合計使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。[溶媒]当該組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体、[B]酸発生体、[C]重合体、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。溶媒の具体例としては、上述のパターン形成工程3で列挙した有機溶媒と同様のものが挙げられる。これらのうち酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン及びγ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物の調製>当該組成物は、例えば有機溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、必要に応じて[C]重合体、及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該組成物は、適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。[C]重合体の含有割合としては、[A]重合体100質量部に対して、1質量部~15質量部が好ましく、2質量部~10質量部がより好ましい。以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。重合体のMw及びMnは、GPCカラム東ソー社、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、以下の条件により測定した。カラム温度:40°C溶出溶媒:テトラヒドロフラン和光純薬工業社流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン1H-NMR分析及び13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子社、JNM-EX270を使用し測定した。<[A]重合体の合成>[合成例1]下記式M-1で示される単量体19.1g50mol及び式M-14で示される単量体10.9g50molを、2-ブタノン60gに溶解し、さらにジメチルアゾビスイソブチロニトリル0.32gを投入した溶液を調製した。次に、30gの2-ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷し30°C以下に冷却し、600gのメタノールへ投入して、析出した白色粉末を濾別した。濾別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度濾別し、50°Cにて17時間乾燥して白色粉末のA-1重合体を得たMw=16,800、Mw/Mn=1.59、収率=80。A-1中のM-1/M-14単量体に由来する構造単位の割合は、48/52molであった。[合成例2~15]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、合成例1と同様に操作して重合体A-2~A-15を得た。また、得られた各重合体のMw、Mw/Mn、収率及び各重合体における各単量体に由来する構造単位の含有率をあわせて表1に示す。なお、使用した単量体の構造は下記式で示される。<[B]感放射線性酸発生体>当該組成物の調製で使用した[B]感放射線性酸発生体は下記のとおりである。B-1:下記式B-1~B-3で示される化合物<[C]重合体の合成>[合成例16]下記式M-17で示される単量体35.8g70mol及び式M-18で示される単量体14.2g30molを、2-ブタノン50gに溶解し、さらにジメチル-2.2’-アゾビスイソブチレート5.17gを投入した溶液を調製した。次に、50gの2-ブタノンを投入した500mLの三口フラスコを30分間窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、溶液を水冷して30°C以下に冷却し、反応溶液を2L分液漏斗に移液した後、150gのn-ヘキサンでその重合溶液を均一に希釈し、600gのメタノールを投入して混合した。次いで、30gの蒸留水を投入し、更に攪拌して30分静置した。その後、下層を回収し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液とした。こうして重合体C-1を得たMw=7,000、Mw/Mn=1.60、収率=66。C-1中のM-17/M-18に由来する構造単位の割合は、71/29molであった。当該組成物の調製で使用した酸拡散抑制剤及び溶媒は下記のとおりである。<酸拡散制御剤>D-1:下記式D-1~D-3で示される化合物<溶媒>E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1]A-1100質量部、C-13質量部、B-112.8質量部、D-15質量部、E-11,646質量部、E-2705質量部、E-330質量部を混合して感放射線性樹脂組成物R-1を調製した。[実施例2~25及び比較例1~3]表2に記載の種類及び量の[A]重合体、[B]酸発生体及び酸拡散制御剤を使用した以外は、実施例1と同様に操作して感放射線性樹脂組成物R-2~R-27を得た。<レジストパターンの形成>[実施例26]ウエハー表面に有機反射防止膜形成剤日産化学社、ARC66を塗布し、膜厚105nmの有機反射防止膜を形成した。感放射線性組成物R-1を上記基板の表面に、クリーントラック東京エレクトロン社、ACT12を用いて上記感放射線性樹脂組成物をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、90°Cで60秒間ソフトベークを行い、膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。液浸液として純水を用いて、このレジスト膜をフルフィールド縮小投影露光装置ニコン社、S610C、開口数1.30,、照明Quadrupoleを用い、ドットパターンマスクとレジスト膜との間に液浸水を介して、形成されるホールパターンのホールの直径が0.055μm、ピッチが0.110μmとなるように縮小投影露光した。その後、105°Cにて60秒間ポストエクスポージャーベークを行った後、酢酸ブチルにより23°Cで30秒間現像し、4-メチル-2-ペンタノール溶媒で10秒間リンス処理を行った後、回転数2,000rpmでウエハを10秒間回転させることによりネガ型のレジストパターンを形成した。[実施例27~77及び比較例4~9]表3に記載の感放射線性組成物及び現像液を用いること以外は、実施例26と同様に操作してレジストパターンを形成した。<評価>形成した上記レジストパターンについて下記の各評価をした。結果を表3に合わせて示す。[感度mJ/cm2]縮小投影露光後のホールパターンの直径が0.055μm、ピッチが0.110μmとなるように、ドットパターンを有するマスクを、液浸水を介して露光し、形成されるホールパターンが直径0.055μmのホールサイズとなるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、CG4000を用いた。[断面形状]上記感度の評価における0.055μmホールパターンの断面形状を観察し日立ハイテクノロジーズ社、S-4800、レジストパターンの中間での線幅Lbと、膜の上部での線幅Laを測り、0.9≦La/Lb≦1.1の範囲内である場合を良好と評価し、範囲外である場合を不良と評価した。[パターンサイズ均一性CDU]上記最適露光量において、基板上のレジスト被膜に形成された0.055μmのホールパターンを、測長SEM日立ハイテクノロジーズ社、CG4000を用いてパターン上部から観察した。直径μmを任意のポイントで測定しその測定ばらつきを3σで評価した。[マスクエラーファクターMEEF]上記最適露光量において、縮小投影露光後のホールパターンのターゲットサイズを0.051μm、0.053μm、0.057μm、0.059μmとするマスクパターンを用いてピッチが0.110μmとなるホールパターンを形成した。縮小投影露光後のホールパターンのターゲットサイズμmを横軸に、縮小投影露光後に基板上のレジスト被膜に形成されたホールパターンのサイズμmを縦軸にプロットした時の直線の傾きをマスクエラーファクターMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好である。[解像性nm]縮小投影露光後のホールパターンの直径が0.055μm、ピッチが0.110μmとなるようなドットパターンを有するマスクを介して露光し、露光量を大きくしていった際に得られるホールの最小寸法nmを測定した。[エッチング耐性]ウエハー表面に有機反射防止膜形成剤日産化学社、ARC66を塗布し、膜厚105nmの有機反射防止膜を形成した。感放射線性組成物を上記基板の表面に、クリーントラック東京エレクトロン社、ACT12を用いて上記感放射線性樹脂組成物をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、90°Cで60秒間ソフトベークを行い、膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。基板上のレジスト膜に50mJ/cm2のドーズ量のArF光を全面露光し、有機溶剤で現像後のレジスト膜のエッチングレートを算出した。エッチングレートが100nm/分未満の場合、エッチング耐性は良好とし、100nm/分以上の場合、エッチング耐性は不良と判断した。エッチング試験では、エッチングシステム東京エレクトロン社、Teliusを用い、下記のエッチング条件で評価を実施した。CF4ガス流量:150sccmチャンバー圧力:100mTorrパワー:300Wupper/300Wbottom時間:20sec[露光余裕度EL]縮小投影露光後のホールパターンの直径が0.055um、ピッチが0.110μmとなるようなドットパターンを有するマスクを介して露光し、形成されるホールパターンの直径が0.055μmとなる時の露光量Eop、直径0.061umとなる時の露光量Emin、直径0.050μmとなる時の露光量Emaxを測定し、次式に従って露光余裕度ELを算出した。露光余裕度=100xEmax-Emin/EopELの値が大きいほど、露光量変化に対するパターニング性能の変量が小さく良好であることを意味する。[フォーカス余裕度DOF]縮小投影露光後のホールパターンの直径が0.055μm、ピッチが0.110μmとなるようなドットパターンを有するマスクを介して露光し、形成されるホールパターンの直径が0.055μmの±10以内となる場合のフォーカスの振れ幅μmをフォーカス余裕度DOFとした。DOFの値が大きいほど、フォーカス変化に対するパターニング性能の変量が小さく良好であることを意味する。表3からわかるように、本発明のパターン形成方法に用いられる組成物からなるレジスト膜は、比較例2及び3と比較して、エッチング耐性に優れる。また形成されたレジストパターンは、感度、解像性等のレジストの一般的特性に優れることがわかった。"