"リソグラフィ装置であって、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターンを前記パターニングデバイスから前記基板のターゲット部分上に転写するように構成されたパターニングシステムと、1つ又は複数の基準基板からベースライン制御パラメータを定義する測定値を周期的に検索することで前記支持体、基板テーブル又はパターニングシステムのうちの少なくとも1つの制御を支援し、前記ベースライン制御パラメータからのパラメータのドリフトを決定し、前記ドリフトを許容及び/又は修正する動作が可能な制御モジュールであって、前記基準基板が前記ベースライン制御パラメータを決定するパターニングを初期に実行している制御モジュールと、前記制御モジュールと他方のリソグラフィ装置との間のインタフェースと、を備え、前記インタフェースのパラメータ化が、前記制御モジュールの制御パラメータ化と異なるリソグラフィ装置。前記インタフェースのパラメータ化が、複数の周知のリソグラフィ装置に対して汎用性がある、請求項1に記載の装置。前記インタフェースのパラメータ化が、レチクル状態のエンコーダマップ、dxとdyの両方の成分内の平均スリット記述及びY位置のスリット依存性のうちの1つ以上を含むフィールド内効果を記述できる、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。前記インタフェースのパラメータ化が、前記リソグラフィ装置によって導入される変形を表すフィールド内基準格子を画定することで実現する、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。異なるターゲット部分にわたってフィールド内フィンガープリントの可能な変化を記述するために前記基準格子のフィールド内パラメータが、異なるターゲット部分にわたって変化できる、請求項4に記載の装置。前記インタフェースのパラメータ化が、前記ターゲット部分の中心座標と共に前記基板上にパターニングされたすべての前記ターゲット部分のターゲット部分ごとの垂直及び水平の寸法を指定し、ターゲット部分ごとの露光方向及び露光速度を指定し、及び/又は基準格子上でターゲット部分ごとのフィールド内フィンガープリントを指定する、請求項4又は5に記載の装置。共通の基準格子がすべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が前記リソグラフィ装置のための可及的に最大のターゲット部分上の絶対位置にリンクされるように動作可能な、請求項4、5又は6に記載の装置。共通の基準格子がすべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記ターゲット部分上の相対座標系を用いてターゲット部分のサイズに合わせることができる、請求項4、5又は6に記載の装置。前記インタフェースのパラメータ化が各パラメータが少なくとも複数の自由度を有するように実行される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。前記少なくとも複数の自由度が、8又は16を含む、請求項5に記載の装置。すべてのウェーハステージのパターニング側格子パラメータが、適宜、1次元多項式又は2次元多項式のいずれか、あるいは1次元フーリエ変換又は2次元フーリエ変換によって記述されるように動作可能な、請求項6に記載の装置。すべてのフィールド内パラメータが、1次元多項式又は1次元フーリエ変換によって記述される、請求項5から8のいずれか1項に記載の装置。前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、前記リソグラフィ装置に必要なできるだけ少数の自由度を用いて定義される、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。放射ビームを調節するように構成された照明システムと、前記パターニングシステム内に備えられる投影システムとをさらに備え、前記パターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することが可能で、前記投影システムが前記基板の前記ターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影して前記パターニングを実行するように構成された投影リソグラフィを実行可能な、前記請求項のいずれか1項に記載の装置。制御モジュールを用いてリソグラフィ装置のスキャン/ステップ機能を制御する方法であって、基準基板を露光してスキャン/ステップ機能に対するベースライン制御パラメータを決定するステップと、前記基準基板から前記ベースライン制御パラメータを周期的に検索するステップと、前記ベースライン制御パラメータからパラメータのドリフトを決定するステップと、前記決定に基づいて修正動作を行うステップとを含み、前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信とは異なるパラメータ化を前記制御モジュールの制御に用いて実行される方法。前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、複数の周知のリソグラフィ装置に対して汎用性がある、請求項15に記載の方法。前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、レチクル状態のエンコーダマップ、dxとdyの両方の成分内の平均スリット記述及びY位置のスリット依存性のうちの1つ以上を含むフィールド内効果を記述できる、請求項15又は16に記載の方法。前記インタフェースのパラメータ化が、前記リソグラフィ装置によって導入される変形を表すフィールド内基準格子を画定することで実現する、請求項15から17のいずれか1項に記載の方法。異なるターゲット部分にわたってフィールド内フィンガープリントの可能な変化を記述するために前記基準格子の前記フィールド内パラメータが異なるターゲット部分にわたって変化できる、請求項18に記載の方法。前記インタフェースのパラメータ化が、ターゲット部分の中心座標と共に前記基板上にパターニングされたすべての前記ターゲット部分のターゲット部分ごとの垂直及び水平の寸法を指定し、ターゲット部分ごとの露光方向及び露光速度を指定し、及び/又は前記基準格子上でターゲット部分ごとの前記フィールド内フィンガープリントを指定する、請求項18又は19に記載の方法。共通の基準格子が、すべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記リソグラフィ装置のための可及的に最大のターゲット部分上の絶対位置にリンクされる、請求項18、19又は20に記載の方法。共通の基準格子が、すべてのターゲット部分に使用され、前記共通の基準格子が、前記ターゲット部分上の相対座標系を用いて前記ターゲット部分のサイズに合わせることができる、請求項18、19又は20に記載の方法。前記制御モジュールと前記リソグラフィ装置の間の通信に使用されるパラメータ化が、少なくとも複数の自由度を有する各パラメータで定義される、請求項15から22のいずれか1項に記載の方法。前記少なくとも複数の自由度が、8又は16を含む、請求項23に記載の方法。すべてのウェーハステージのパターニング側格子パラメータが、適宜、1次元多項式又は1次元多項式のいずれか、あるいは1次元フーリエ変換又は2次元フーリエ変換によって記述される、請求項24に記載の方法。すべてのフィールド内パラメータが、1次元多項式又は1次元フーリエ変換によって記述される、請求項23から25のいずれか1項に記載の方法。前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、前記リソグラフィ装置に必要なできるだけ少数の自由度を用いて定義される、請求項15から26のいずれか1項に記載の方法。前記制御モジュールの前記制御パラメータ化が、使用される特定のリソグラフィ装置及びソフトウェアに依存して実行される、請求項15から27のいずれか1項に記載の方法。前記リソグラフィ装置が、少なくともスキャンモードで動作し、パターン付放射ビームが、基板のターゲット部分全体にわたってスキャンされる、請求項15から28のいずれか1項に記載の方法。図1は、リソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPLとを備える。照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPLを通過し、投影システムPLは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、2Dエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、マスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。図2に示すように、リソグラフィ装置LAは、リソセル又はクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルLCの一部を形成し、それは基板上で露光前及び露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これらはレジスト層を堆積させるスピンコータSC、露光されたレジストを現像する現像器DE、チルプレートCH及びベークプレートBKを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットROは入力/出力ポートI/O1、I/O2から基板を取り上げ、それを様々なプロセス装置間で移動させ、次にリソグラフィ装置のローディングベイloadingbayLBに送出する。多くの場合まとめてトラックと呼ばれるこれらのデバイスは、トラック制御ユニットTCUの制御下にあり、それ自体は監視制御システムSCSによって制御され、それはリソグラフィ制御ユニットLACUを介してリソグラフィ装置も制御する。したがってスループット及び処理の効率を最大化するために様々な装置を動作させることができる。リソグラフィ装置によって露光される基板が正確かつ一貫して露光されるために、露光した基板を検査し、後続層間のオーバレイ誤差、ラインの太さ、クリティカルディメンションCDなどのような特性を測定することが望ましい。誤差が検出された場合は、特に同じバッチの他の基板がまだ露光されないほど十分即座にかつ高速で検査を実行できる場合は、後続基板の露光を調整することができる。また、既に露光した基板を歩留まりを改善するために取り外して再加工するか、又は廃棄し、それにより欠陥があることが分かっている基板で露光を実行するのを回避することができる。基板の幾つかのターゲット部分のみに欠陥がある場合、良好であるそれらのターゲット部分のみでさらなる露光を実行することができる。基板の特性を、特に異なる基板又は同じ基板の異なる層の特性が層ごとにいかに変化するかを決定するために、検査装置が使用される。検査装置をリソグラフィ装置LAに組み込むことができる、又はリソセルLCは独立型デバイスとすることができる。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は露光直後に露光したレジスト層の特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射に露光してあるレジストの部分と露光していない部分との間には屈折率の非常に小さい差しかない全ての検査装置が、潜像を有用に測定するほど十分な感度を有しているわけではない。したがって、露光後ベークステップPEBの後に測定を実行することができ、これは通常は露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分との間のコントラストを増大させる。この段階で、レジストの像を半潜像と呼ぶことができる。現像したレジスト像でその時点でレジストの露光部分又は非露光部分は除去されている又はエッチングなどのパターン転写ステップの後で測定することも可能である。後者の見込みは、欠陥がある基板を再加工する見込みを制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。図3は、本発明に使用できるスキャトロメータを示す。これは、放射を基板Wに投影する広帯域白色光放射プロジェクタ2を備える。反射した放射はスペクトロメータ検出器4へと渡され、これは鏡面反射した放射のスペクトル10波長の関数としての強度を測定する。このデータから、検出されるスペクトルを生じる構造又はプロファイルを処理ユニットPUによって、例えばRCWARigorousCoupledWaveAnalysis及び非線形回帰によって、又は図3の下部に図示されたようなシミュレートしたスペクトルのライブラリとの比較によって再構築することができる。概して、再構築するために構造の全体的形状を知り、幾つかのパラメータは、構造を作成したプロセスの知識から仮定して、スキャトロメータのデータから決定するべき構造のパラメータはわずかしか残らない。このようなスキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータ又は斜め入射スキャトロメータとして構成することができる。本発明と併用することができる別のスキャトロメータを図4に示す。このデバイスでは、放射源2によって放出された放射はレンズシステム12を用いて平行になり、干渉フィルタ13及び偏光子17を通して透過され、部分的に反射する表面16に反射し、開口数NAが大きい、好ましくは少なくとも0.9、より好ましくは少なくとも0.95の顕微鏡対物レンズを介して基板W上に合焦する。液浸スキャトロメータは、開口数が1を超えるレンズを有することさえある。反射した放射は次に、散乱スペクトルを検出させるために部分反射面16を通って検出器18内に伝達される。検出器は、レンズシステム15の焦点距離にある逆投影された瞳面11に位置付けることができるが、瞳面は、代わりに補助光学系図示せずで検出器に再結像することができる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を画定し、角度位置が放射の方位角を画定する面である。検出器は、基板ターゲット30の2次元角度散乱スペクトルを測定できるように、2次元検出器であることが好ましい。検出器18は、例えばCCD又はCMOSセンサのアレイでよく、例えば1フレーム当たり40ミリ秒の積分時間を使用することができる。例えば、入射放射の強度を測定するために、基準ビームを使用することが多い。そのために、放射ビームがビームスプリッタ16に入射すると、その一部がビームスプリッタを通って基準ビームとして基準ミラー14に向かって伝達される。次に、基準ビームは同じ検出器18の異なる部分へと投影される次に、基準ビームは、同じ検出器18の別の部分上あるいは別の検出器図示せず上に投影される。例えば405~790nm又はさらに低く、200~300nmなどの範囲の対象となる波長を選択するために、1組の干渉フィルタ13が使用可能である。干渉フィルタは、1組の様々なフィルタを備えるのではなく、調整可能とすることができる。干渉フィルタではなく格子を使用することができる。検出器18は、1つの波長又は狭い波長範囲で散乱光の強度を、複数の波長で別個に、又はある波長範囲にわたって積分された強度を測定することができる。さらに、検出器は横方向磁気光及び横方向電気分極光の強度及び/又は横方向磁気光と横方向電気分極光の位相差を別個に測定することができる。広帯域光源すなわち光の周波数又は波長、したがって色の範囲が広い光源を使用することが可能であり、これは大きいエタンデュを生じ、複数の波長を混合できるようにする。広帯域の複数の波長は、好ましくはそれぞれΔλの帯域幅及び少なくとも2Δλすなわち帯域幅の2倍の間隔を有する。幾つかの放射源は、ファイバ束を使用して分割されている延在した放射源の様々な部分でもよい。この方法で、角度分解散乱スペクトルを複数の波長で平行して測定することができる。3次元スペクトル波長と2つの異なる角度を測定することができ、これは2次元スペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、それはメトロロジープロセスのロバスト性を高める。このことは、EP1,628,164Aでさらに詳細に説明されている。基板W上のターゲット30は、現像後にバーが実線のレジスト線で形成されるように印刷される1D格子であってもよい。ターゲット30は、現像後に格子が実線のレジストピラー又はレジスト内のビアで形成されるように印刷される2D格子であってもよい。あるいはバー、ピラー又はビアを基板内にエッチングしてもよい。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムPL内の色収差の影響を受けやすく、このような収差の照明対称と存在は印刷された格子の変化に現れる。したがって、印刷された格子のスキャトロメトリデータを用いて格子が再構築される。線幅及び形状などの1D格子のパラメータ、又はピラー又はビア幅又は長さ又は形状などの2D格子のパラメータを、印刷ステップ及び/又はその他のスキャトロメトリ工程の情報から、処理ユニットPUによって実行される再構築工程に入力することができる。正確なリソグラフィの主要なコンポーネントの1つがリソグラフィスキャナとスキャン機能の制御能力の向上であるスキャナと言う場合、本明細書に記載するスキャンモードすべてと、機能並びにその他のスキャン機能を含むと解釈されたい。スキャナの合焦とオーバレイ層同士のアライメントの均一性が本出願人のBaseliner商標スキャナ安定性モジュールによって最近改良され、所与のフィーチャサイズとチップ用途のための工程ウィンドウが最適化され、より小さくより先進のチップの継続的な作成が可能になった。リソグラフィシステムを最初に設置した時には、最適な動作を確実に行うために較正しなければならない。しかし、時間が経つにつれて、システムの性能パラメータがドリフトする。少量のドリフトは、許容範囲であるがドリフトが大きすぎるとシステムは仕様から逸脱する。したがって、製造業者は、再較正のために周期的に生産を中止しなければならない。システムの較正をより頻繁にすれば工程ウィンドウは大きくなるが停止時間の予定が増えるという欠点がある。スキャナ安定性モジュールは、これらの生産の停止を大幅に低減する。その代わりに、スキャナ安定性モジュールは、定期的に通常は数日ごとに予め画定したベースラインの方へシステムを自動的に駆動する。これを実行するために、スキャナ安定性モジュールは、メトロロジーツールを用いて1つ又は複数のモニタウェーハから得た標準測定値を検索する。モニタウェーハは、特別のスキャトロメトリマークを含む特別のレチクルを用いて露光される。当日の測定値から、スキャナ安定性モジュールは、システムがそのベースラインからどの位ドリフトしたかを決定する。次にスキャナ安定性モジュールは、ウェーハレベルのオーバレイと合焦修正セットを計算する。次にリソグラフィシステムは、これらの修正セットを後続の量産ウェーハ上の露光ごとの特定の修正値に変換する。大量生産の場合、スキャナに露光のための層を割り当てる際に十分な融通性を有することが望ましい。代替案の層とスキャナの専用使用によって毎月の出力容量は危険に曝される。これは、リソクラスタのほんのわずかな擾乱のその月の出力に直接出現するからである。このリスクを克服する周知の方法の1つは、いわゆるオーバレイ格子マッチングである。すべてのスキャナがオーバレイに多少とも同じ平均格子を有するように、すべてのスキャナ格子は、意図的にわずかにオフセットされている。この格子は、多くの場合、ホリー又はゴールデン格子と呼ばれる。これで各々の製品層を同じタイプの各スキャナ上で露光することができる。ゴールデン格子は露光され、いわゆる基準ウェーハ上にエッチングされる。これらのゴールデンマッチングウェーハがランダムモニタリングウェーハの代わりにオーバレイ安定性制御のためのベースラインとして使用される場合、オーバレイ格子マッチング及び長期安定性は単一の自動化ステップで達成することができる。図5は、スキャナ安定性モジュール500この例では基本的にサーバ上で実行されるアプリケーションを組み込んだ総合リソグラフィ及びメトロロジー方法を示す。図はまた、3つのメイン工程制御ループを示す。第1のループは、スキャナ安定性モジュール500とモニタウェーハを用いた局所スキャナ制御を提供する。図示のモニタウェーハ505は、メインリソグラフィユニット510から渡され、露光されて合焦及びオーバレイのベースラインパラメータを設定する。後で、メトロロジーユニット515は、これらのベースラインパラメータを読み込み、これらのパラメータはスキャナ安定性モジュール500によって解釈され、修正ルーチンが計算され、スキャナフィードバック550が提供され、これがメインリソグラフィユニット510へ渡され、さらに露光が実行される際に使用される。第2のAPCループは、製品上の局所スキャナ制御合焦、ドーズ量、及びオーバレイを決定する用である。露光された製品ウェーハ520は、メトロロジーユニット515へ渡され、そこでクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関連する情報が決定され先進的プロセス制御APCモジュール525上へ渡される。このデータは、スキャナ安定性モジュール500へも渡される。製造実行システムMES535が引き継ぐ前に工程修正540が実行され、スキャナ安定性モジュール500と連通するメインリソグラフィユニット510へのスキャナ制御が提供される。第3のループは、第2のAPCループへのメトロロジーの統合例えば、二重パターニングのためのを可能にする。エッチング後のウェーハ530は、メトロロジーユニット515へ渡され、メトロロジーユニット515は、ウェーハから読み取ったクリティカルディメンション、側壁角及びオーバレイに関する情報を再度先進的プロセス制御APCモジュールへ渡す。ループは、第2のループ同様に連続する。図6は、装置がデュアル基板支持体と別々のメトロロジー及び露光ステーションを有するタイプの図1の装置の一実施形態の構成を概略的に示す。ベースフレームFBは、地上の装置を支持し取り囲む。装置内には、正確な位置基準としての役割を果たすメトロロジーフレームFMがそれを環境内の振動から隔離するエアベアリング602上に支持されている。このフレーム上には露光ステーションEXPの中核を当然に形成する投影システムPSと、メトロロジーステーションMETの機能要素である測定装置604、606、608が装着されている。これらのステーションの上方にマスクテーブルMTとマスクMAが投影システムPSの上方に装着されている。第1のポジショナPMは、上記のロングスロー粗調整アクチュエータ610と、ショートスロー微調整アクチュエータ612、614とを備える。これらは、アクティブフィードバック制御によって動作して投影システムPS、したがって、メトロロジーフレームFMに対するマスクMAの所望の位置を得る。この測定の概略を616に示す。マスクMAの位置決め機構全体は、アクティブエアベアリング618などを介してベースフレームのBで支持されている。少なくともマスクテーブルMTの粗運動と位置決めとを模倣してフレーム及びその他のコンポーネントに伝達される振動を低減するためにバランスマス620が提供される。低周波サーボ制御が、バランスマス620を所望の平均位置に保持する。投影システムの下に示すウェーハテーブルWTも同様に投影システムPSの出口レンズに対して基板Wを正確に位置決めする粗調整アクチュエータ622と、微調整アクチュエータ624、626とを有する。さらに、この例のデュアルステージ構成によれば、重複ウェーハテーブルWT’及び位置決め機構PW’が提供される。図示のように、これらの重複要素はメトロロジーステーションMETで第2の基板W’を支持する。ウェーハテーブルWT、WT’及びそれぞれのポジショナPW及びPW’は共有のバランスマス628上に担持され接続されている。さらに、例えば、630に、エアベアリング又は磁気、静電などのその他の好適なベアリングの概略が示されている。ウェーハW及びW’の位置の粗調整及び微調整に使用されるウェーハテーブルの位置の測定がメトロロジーステーションの要素606及び露光ステーションのPSに対して実行され、これらは両方共最終的にメトロロジーフレームFMを参照する。図7は、図6のツインステージ装置内で基板W上でダイを露光するステップを示す。点線で囲んだボックス内の左側にはメトロロジーステーションMET測定側で実行されるステップが示され、右側は露光ステーションEXP露光側で実行されるステップを示す。基板Wは、露光ステーション内にロードされている。新しい基板W’は、ステップ700である機構図示せずによって装置にロードされる。これら2つの基板は、メトロロジー工程全体のスループットを上げるために並列に処理される。最初に新たにロードされた基板W’を参照すると、これは装置内で最初の新しいフォトレジストで作成された以前に未処理の基板であってもよい。しかし、一般に、上記のリソグラフィ工程は一連の露光及び処理ステップ中の1ステップに過ぎず、基板W’はこの装置及び/又は他のリソグラフィをすでに数回通過しており、同様に実行される後続の工程を有していてもよい。702において、基板マークP1などと画像センサIAS1などを使用するアライメント測定を用いて基板テーブルWTに対する基板のアライメントが測定され記録される。実際、基板W’全体にわたるいくつかのマークが測定され、基板全体にわたって公称上の正規の格子に対するあらゆる変形を含むマークの分布を極めて正確にマッピングするウェーハ格子が確立される。ステップ704において、露光されたパターンの正確な合焦で使用するX-Y位置に対するウェーハ高さのマップも測定される。基板W’がロードされた時に、レシピデータ706が受け取られ、実行する露光と、ウェーハの特性と以前に作成されまたその上に作成されるパターンが画定される。これらのレシピデータに702、704において実行される測定値が追加され、したがって、レシピとメトロロジーデータ708の完全なセットを露光ステージに渡すことができる。710において、ウェーハW’及びWはスワップされ、測定された基板W’は露光装置に進入する基板Wになる。このスワップは、装置内で支持体WT及びWT’を交換することで実行され、したがって、基板W、W’はそれらの支持体上に正確にクランプされ位置決めされた状態を保ち、基板テーブルと基板自体との相対的なアライメントを保持する。したがって、テーブルがスワップされ、投影システムPSと基板テーブルWT以前はWT’との相対位置を決定することだけで露光ステップによって制御される基板W以前はW’の測定情報702、704を利用することができる。ステップ712において、マスクアライメントマークM1、M2を用いてレチクルアライメントが実行される図3C。ステップ714、716、718において、基板W全体に連続するダイの場所でスキャン運動と放射パルスとが加えられ、いくつかのパターンの露光が完了する。アライメント及びレベルマップデータのおかげで、これらのパターンは所望の場所に対して、特に同じ基板上に以前に配置されたフィーチャに対して正確に整列する。現在Wのラベルが付いた露光された基板がステップ720において装置からアンロードされ、露光パターンに従ってエッチング又はその他の工程が実行される。別々の基板テーブルを採用することで、比較的時間がかかる測定セットの実行を可能にし、ウェーハとその上に以前に堆積したパターンを特徴付けながら、露光ステージを通した基板のスループットに関する装置の性能が維持される。他方、各々がそれぞれのポジショナPW、PW’センサを備えたデュアルステージの提供は装置のコストを大幅に増加させる。さらに、ステップ702、704における測定の性能と最終的な露光の性能との間には明確な期間例えば、30~60秒があるため、これらの測定値をステップ714、716、718で使用することで、基板とその位置が、共に全体的にかつ局所的に露光の前に変化し格子ドリフト、アライメント時の精度が失われることがあるオーバレイエラー。特に、装置内外の環境の温度は極めて慎重に管理されているが、30秒程度の期間に生起するわずかな温度変化でさえウェーハ上に配置されるパターンの変形を引き起こし得る。図8は、特定の実施形態でスキャナ安定性モジュール修正モデルを構成するパラメータの表である。パラメータはフィールド間2つの上部のグループ又はフィールド内2つの底部のグループパラメータのいずれであるかに基づいて垂直にグループ化されている。またそれらは、焦点左の2つのグループ又はオーバレイ右の2つのグループのどちらに関連するかに従って水平にグループ化されている。現在、スキャナ安定性モジュールオフツール用途サーバ、又はOTAS上で実行されるとスキャナとの間のインタフェースは各スキャナに固有であり、そのパラメータ化はスキャナのそれと同じであるように事前に決定されている。インタフェースには通信機構がないため、これはスキャナが使用するように構成できる新しい修正パラメータを通信できないという重大な欠点を有する。新しい修正パラメータを使用できる新しい機械が開発されると、このことは大きな問題になってくる。図9はこの問題を示す。メトロロジーツール900は、以前に露光されたウェーハから測定値を得る。この情報は、スキャナ安定性モジュール910Baseliner又はGridmapperIntrafieldなどへ渡される。ここで、測定値を用いて特定の所定のスキャナ固有のパラメータk7、k12などが計算され、これらのパラメータはスキャナ固有のインタフェース920を介してスキャナ930へ送信される。このインタフェース920は、インタフェース920/スキャナ930のパラメータ化に含まれると認識されたパラメータのみを受け付ける。異なるパラメータ化が検出されると、インタフェース920はそれらのパラメータを拒否する。受け付けられたパラメータはスキャナ930の必要なスキャナ固有のモデル及びハードウェア950の修正に使用される。特に、現在のインタフェース940は、周知のGridMapper商標インタフェース一方が上方スキャンフィールド用、もう一方が下方スキャンフィールド用の2つの2次元多項式が使用されるから導出される。GridMapperベースのパラメータ化には以下の2つの重大な問題がある。このパラメータ化は、スキャナハードウェアに関連するすべての効果を扱うわけではない。スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はスキャナのフィールド内効果を詳細に扱うことができない。スキャナ安定性モジュール内でフィールド内効果を記述する3次の多項式は、スキャナで使用される1mmピッチのGISMYTX,YTY,YRZRSマップよりもはるかに制約が多い。ある種のリソグラフィ装置TwinscanXTなどと併用する時に、スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はウェーハステージミラーを正確に記述する機能が限られている。スキャナ安定性モジュールでは5次の多項式が使用されるが、ミラードリフトを適切に追跡するためには7次の多項式2DEスキャナの較正で実施されるが必要である。その他のリソグラフィ装置TwinscanNXTなどと併用する時に、スキャナ安定性モジュールのパラメータ化はウェーハステージエンコーダのドリフトを正確に記述する機能が限られている。これはエンコーダドリフトによってウェーハ格子上の非多項式変形が引き起こされるからである象限間の遷移は必ずしも平滑ではないため、NXT象限の各々は専用の多項式で記述しなければならない。さらに、スキャナ安定性モジュールのパラメータ化は、扱うことができるスキャナ効果を記述するためのパラメータの数が多すぎて、スキャナ安定性モジュールコントローラの雑音抑止機能が最適下限になるという点で簡潔でない。例えば、スキャナ安定性モジュール内では、スキャンアップ/スキャンダウンが完全2次元多項式総計で120の係数によって効果的に記述されるが、TwinscanXTシステムでは、同じ効果がウェーハステージミラー用の簡単な3次の1次元多項式総計で6つの係数によって記述することができる。別の例では、スキャナ安定性モジュールはウェーハテーブル熱フィンガープリント6つのフィールド内パラメータtx、ty、rs、ra、ms、maのすべてについて5次の2次元多項式が使用されるを記述するのに120の係数を使用する一方、フィールド当たりtx、tyにのみ基づく4次の多項式格子約30の係数で十分であることが知られている。したがって、スキャナ/リソグラフィ装置とスキャナ安定性モジュール/OTASとの間のインタフェースに使用されるパラメータ化をスキャナ安定性モジュールコントローラで使用されるパラメータ化から分離することが提案されている。インタフェースのパラメータ化に関して、これはスキャナ安定性モジュールコントローラ及びスキャナハードウェアのパラメータ化のために独立して改良を間に合わせるようにできるだけ汎用性がある多くの自由度を有するように設計されるのが最善である。また、パラメータ化は機械タイプから独立させるべきであり、現在及び近い将来のリソグラフィ装置及び想定されるスキャナ安定性モジュールコントローラのパラメータ化の両方を扱うように過剰決定されている必要がある。他方、スキャナハードウェアを簡潔に扱ってスキャナ安定性モジュールコントローラの雑音除去機能を最大限にするできるだけ少数の自由度で、スキャナ安定性モジュールコントローラのための簡潔なパラメータ化を定義しなければならない。この例では、スキャナ安定性モジュールコントローラのパラメータ化はリソグラフィ装置及びソフトウェアリリースに依存して実行されるのが最善であり、例えば、XTのためのWSミラーのドリフトの制御は専用のミラーモデル/パラメータ化を用いて達成できるが、他方、NXTエンコーダのドリフトの制御はNXTエンコーダ固有の別のモデル/パラメータ化を用いて実行される。このモジュールコントローラのパラメータ化に関する詳細な記述は内部整理番号P-3590.000D8060の同日共願の出願になされている。そこに開示された方法を本明細書に開示する方法と併用することができる。インタフェースのパラメータ化に関して、以下の具体例が提案されている例のみ。BlueAlignmentOffsets-BAO社:チャック当たりBAO’sは、ウェーハ上の露光されたフィールドの実際の位置と予想位置ステージアライン、ウェーハアライン及びTISアラインデータに基づいて計算され、TISは透過イメージセンサであるとの間の差異を補償する。この補償は10個のパラメータの直線モデルに関して計算されるx軸並進tx、y軸並進ty、対称ウェーハ回転rws、非対称ウェーハ回転rwa、対称ウェーハ倍率mws、非対称ウェーハ倍率mwa、対称フィールド回転rs、非対称フィールド回転ra、対称フィールド倍率ms、非対称フィールド倍率ma。例えば、アライメントモデルはウェーハチャックが測定側から露光側へ移動する時にTIS板が変形しないTIS板は測定側のアライメント用のTISアライメントマークと露光側TISアラインのためのTISセンサ格子及びTISセンサの両方を担持することを前提とするため、露光側と測定側のウェーハチャックTIS板の形状の差によってそのような差異が発生することがある。この差異の別の可能な原因は、TISアライメントマーク間の設計された相対オフセットとTISセンサ格子/センサとの不一致である。ウェーハステージの測定側格子パラメータ高い空間周波数を有する格子マップ例えば、5mmピッチを有する締付け格子マップ測定側格子の状態締付けを含むが測定される時にはサンプリング密度例えば、5mmピッチに関する十分なデータを収集して顧客アライメント方式が測定格子の変化に反応する様子を推定できる。ウェーハステージの露光側格子パラメータミラーミラー当たりチャック当たり:TwinscanXT装置と併用する高次の1次元多項式例えば、16次の多項式。エンコーダ位置チャック当たりエンコーダ当たりの多項式:TwinscanNXT装置と併用する高次の2次元多項式例えば、8次の多項式。2DE熱フィンガープリントチャック当たり:高次の2次元多項式例えば、8次の多項式。SUSD/SLSRチャック当たり:高次の2次元多項式例えば、8次の多項式。SUSDはスキャンアップ/スキャンダウン効果であり、ダウンスキャン方向に露光されるフィールドに対してアップスキャン方向に露光されるフィールドのシフトの尺度である。これはアップ及びダウンの両方の平均に対応する公称格子からのアップ及びダウンフィールドのシフトとしてパラメータ化できる。SUSDは、ウェーハテーブルに対する再現可能なウェーハスリップ、レチクルクランプに対する再現可能なレチクルスリップ、ウェーハテーブル/ウェーハチャック/レチクルステージの非弾性挙動によって引き起こされることがある。SLSRはステップ左/ステップ右効果である:これは右の以前のフィールドからのステップ後に露光されるフィールドに対する左の以前のフィールドからのステップ後に露光されるフィールドのシフトの尺度である。SLSRは、SLとSRの両方の平均に対応する公称格子からの左からステップしたフィールドと右からステップしたフィールドのシフトとしてパラメータ化できる。SLSRは、ウェーハテーブルに対する再現可能なウェーハスリップ、ウェーハテーブル/ウェーハチャックの非弾性挙動によって引き起こされることがある。フィールド内パラメータレチクル状態エンコーダマップYTX、YTY,YRZ:高次の1次元多項式例えば、16次の多項式平均スリットの記述dxとdx成分の両方:高次の1次元多項式例えば、16次の多項式スリットのY位置依存性dxとdx成分の両方:スリット内の高次の1次元多項式例えば、16次の多項式とスキャン方向の高次の1次元多項式例えば、16次の多項式の積。多項式関数で記述した上記のいかなるパラメータもフーリエ変換又は必要な程度を記述できるその他の好適な基本関数で同様に記述できることを理解されたい。上記実施形態は、ミラー、エンコーダ位置、2DE熱フィンガープリント及びSUSD/SLSR用の高次8~16次の多項式によりウェーハステージ格子パラメータを記述することを提案している。さらに、多項式表現はフィールド内パラメータを表すために推薦される。しかし、別の実施形態では、スキャナの露光格子フィールド間及びフィールド内についてはるかに効率的なかつ簡素なインタフェースのパラメータ化を実現することができる。図10は、この効率的なパラメータ化の概念を示す。ここでも以前に露光されたウェーハから測定値を得るためにメトロロジーツール1000が使用され、この情報はスキャナ安定性モジュール1010Baseliner又はGridmapperIntrafieldなどへ渡される。しかし、この実施形態では、フィールド内基準格子1025例えば、スキャナ1030が導入する可能性があるすべての変形を正確に表すだけの稠密なデカルト格子例えば、13×N個のポイント、Nは19でも可を画定し、フィールド内の基準格子のノード内に画定された未処理のdx,dyオーバレイを用いることでインタフェース1020がパラメータ化される。理想的には、フィールド内パラメータをフィールド間で変化させてフィールド間のフィールド内フィンガープリントの変化例えば、ウェーハ格子の変形によるを記述することで露光格子をパラメータ化できる。したがって、このインタフェース1020のパラメータ化はスキャナ固有ではなく汎用であり、基準格子1025は所望の又は要求された修正のみを、ターゲットスキャナがそのような修正1030を実行できるか否かに関わらず画定する。スキャナ1030は、基準格子1020をその内部スキャナ格子1040上に投影し、スキャナ1030の必ずスキャナ固有のモデルとハードウェア1050への修正を実行することで基準格子1020を使用する。当然ではあるが、要求された修正格子は汎用であるため、スキャナはすべての要求された修正を実行する実際にはそれはあり得ないが機能を有している必要はない。スキャナ1030は基準格子内の情報を用いて可能な修正を実行する。またスキャナは実際のスキャナによって修正された未処理データ、すなわち、修正時にスキャナ1030が使用する機能を有し、実際に使用したデータを含む別の例えば、13×Nの標準化された基準格子1060を出力する。これをフィードバックしてコントローラ1010が用いて、使用中のスキャナ1030へ要求された基準格子1025の修正データを送信することができる。修正データのより簡単な分析を可能にするために、サイドストリーム1070、1075が導出され、そこでアプリケーション1080が基準格子1025、1060上で定義された要求された、及び/又は実際のデータの特定の選択された態様/パラメータのみを使用して経時的な傾向をモニタする。好ましい実施形態では、インタフェースは以下が可能であってもよい。-フィールドの中心座標と共にウェーハ上で露光されるすべてのフィールドのフィールドごとの垂直及び水平の寸法を指定する。-フィールドごとの露光方向及び露光速度を指定する。-基準格子上でフィールドごとのフィールド内フィンガープリントを指定する例えば、固定の13×19ポイントでdx、dyオーバレイを指定する。基準格子はすべてのフィールドで同じであっても異なっていてもよい。実際、すべてのフィールドで共通の格子が使用される傾向がある。異なる寸法を有する露光フィールドを使用する場合、共通の基準格子を可及的に最大のフィールドXT、NXT及びEUVシステム用の26mm×32mmのいわゆるフルフィールドにリンクしてもよいし、あるいはフィールド上の相対座標系を用いてフィールドサイズに合わせてもよい。本稿では投影リソグラフィ装置とスキャン機能について具体的に説明しているが、本明細書に開示する概念は、インプリントリソグラフィ装置露光という用語はインプリントリソグラフィによるパターニングと考えるべきで、投影固有の装置という用語は当業者には明らかなようにインプリントリソグラフィ内の同等物をさすものと考えなければならない及び/又はステッパ機能スキャナ、スキャン又はスキャナ安定性モジュールという用語は当業者には明らかなようにステッパ同等物をさすものと考えるべきであるにも等しく適用可能であることを理解されたい。本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"