"支持体と、該支持体上に下記一般式Iで示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。一般式I中、R1は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数1以上8以下のアルキル基を表し、Arは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。支持体と、該支持体上に下記一般式II-1で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体。一般式II-1中、Y1は、各々独立に、置換又は未置換の2価の炭化水素基を表し、A1は下記一般式II-2で示される基を表し、R2は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数1以上6以下の1価の直鎖状炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数2以上10以下の1価の分枝状炭化水素基を表す。mは各々独立に1以上5以下の整数を表し、pは5以上5,000以下の整数を表す。一般式II-2中、Arは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。請求項1又は請求項2に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、及び前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも1つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジ。請求項1又は請求項2に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。本発明の課題は、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体を提供することにある。上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、請求項1に係る発明は、支持体と、該支持体上に下記一般式Iで示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。一般式I中、R1は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数1以上8以下のアルキル基を表し、Arは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。請求項2に係る発明は、支持体と、該支持体上に下記一般式II-1で示される化合物を含有する感光層と、を有する画像形成装置用像保持体である。一般式II-1中、Y1は、各々独立に、置換又は未置換の2価の炭化水素基を表し、A1は下記一般式II-2で示される基を表し、R2は、各々独立に、水素原子、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数1以上6以下の1価の直鎖状炭化水素基、又は置換若しくは未置換の炭素数2以上10以下の1価の分枝状炭化水素基を表す。mは各々独立に1以上5以下の整数を表し、pは5以上5,000以下の整数を表す。一般式II-2中、Arは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。請求項3に係る発明は、請求項1又は請求項2に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段、及び前記画像形成装置用像保持体を清掃する清掃手段から選ばれる少なくとも1つと、を少なくとも有するプロセスカートリッジである。請求項4に係る発明は、請求項1又は請求項2に記載の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電手段と、帯電された前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光手段と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体に転写する転写手段と、を備える画像形成装置である。請求項1に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。請求項2に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による残留電位の変動が低い画像形成装置用像保持体が提供される。請求項3に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、画像形成装置で使用した際に、繰り返し使用による細線再現性に優れるプロセスカートリッジが提供される。請求項4に係る発明によれば、特許文献1に記載の発明に比べて、繰り返し使用による細線再現性に優れる画像形成装置が提供される。以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本実施形態では、下記一般式Iで示される化合物及び下記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を、電荷輸送材料として用いることにより、画像形成装置用像保持体が提供される。すなわち、支持体例えば導電性支持体上に感光層が形成された画像形成装置用像保持体であって、当該感光層は下記一般式Iで示される化合物及び下記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有する。なお、本実施形態における導電性支持体とは、JISK7194導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法に基づき測定した、表面の体積抵抗率が107Ωcm未満である支持体を指す。すなわち導電性支持体は、上記方法に基づき測定した体積抵抗率が107Ωcm未満である導電性材料で形成された支持体ものであってもよく、基材表面に前記導電性材料で形成された導電層を有する支持体であってもよい。該画像形成装置用像保持体における感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一層に含む単層型感光層、又は電荷発生材料を含む層と電荷輸送材料を含む層とが隣接するように別個に設けられている機能分離型感光層のいずれでもよく、電荷輸送材料として下記一般式Iで示される化合物及び下記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有させるものである。また、電荷発生材料としては、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン又はヒドロキシガリウムフタロシアニン等の公知の電荷発生材料を用いうる。なお、該画像形成装置用像保持体は、最表面上導電性支持体から最も離れた位置に保護層を備えたものであってもよく、この場合における保護層は、電荷輸送性を有する架橋性シリコーン樹脂を含んでなることが好ましい。画像形成装置用像保持体本実施形態に係る画像形成装置用像保持体は、支持体上に、下記一般式Iで示される化合物及び下記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有する感光層が形成された画像形成装置用像保持体である。<一般式Iで示される化合物>以下、下記一般式Iで示される化合物について、詳細に説明する。一般式I中、R1は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数1以上8以下のアルキル基を表し、Arは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。一般式I中のR1について説明する。上記の通り、一般式I中のR1は、各々独立に、置換又は未置換の直鎖又は分岐の炭素数1以上8以下のアルキル基を表す。R1で表されるアルキル基は、各々独立に、炭素数1以上6以下であることが好ましく、炭素数1以上4以下であることがより好ましい。R1で表されるアルキル基は、直鎖状又は分岐状であり、結晶性維持および溶解性の観点からは、好ましくは直鎖状アルキル基である。一般式I中において、R1で表されるアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としては、アリール基又は複素環基が挙げられる。前記置換基としてのアリール基は、炭素数6以上20以下のものが好ましく、例えば、フェニル基、トルイル基、又はナフチル基等が挙げられる。前記置換基としての複素環基とは、炭素と水素以外の元素を含む環すなわち複素環を有する基を表す。複素環は、その環骨格を構成する原子数Nrが、5又は6であることが好ましい。環骨格を構成する炭素原子以外の原子異種原子の種類及び数は特に限定されないが、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、珪素、リン原子等が好ましく用いられ、前記環骨格中には2種類以上の異種原子が含まれてもよく、また2個以上の異種原子が含まれてもよい。5員の複素環としては、例えば、チオフェン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又は前記化合物の3位及び4位の炭素を窒素で置き換えた複素環が好ましく用いられる。5員の複素環を有する芳香族複素環としては、他に、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドールなどを含む。6員の複素環としては、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジンが好ましく用いられる。なお、前記置換基としての複素環基は、該複素環に芳香環が置換しているものを包含し、また、芳香環に複素環が置換しているものも含まれる。一般式IにおけるR1で表されるアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基,プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、を挙げられ、メチル基、エチル基,プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、又はn-オクチル基であることが好ましく、メチル基、ブチル基がより好ましく、メチル基又はブチル基であることが製造容易性、結晶性維持の観点から更に好ましく、入手の容易性の観点からはメチル基が更に好ましい。なお、R1は、置換若しくは未置換の直鎖若しくは分岐の炭素数1以上8以下のアルキル基であり、この範囲内ではアルキル基の種類の違いによるイオン化ポテンシャルや電荷輸送性に与える影響は少ない。また、一般式I中に複数存在するR1は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式I中のArについて説明する。一般式I中、Arは、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表す。ここで多核芳香族炭化水素基及び縮合芳香族炭化水素基は、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる2以上の環が存在する基であり、具体的には以下の通りである。多核芳香族炭化水素基とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる2以上の環が存在し、環同士が炭素-炭素結合によって結合している炭化水素基を表す。具体的には、芳香環を構成する炭素同士が直接炭素-炭素結合によって結合している炭化水素基や、芳香環同士が炭素数1以上18以下の炭素鎖アルキル鎖又はアルキレン鎖によって連結されている炭化水素基等が挙げられる。多核芳香族炭化水素基としては、具体的には、例えば、ビフェニル、ターフェニル、スチルベン、トリフェニルエチレン等が挙げられる。そして、多核芳香族炭化水素基は、多核芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばビフェニルからなる置換基、すなわちビフェニレン基等が挙げられる。なお、上記多核芳香族炭化水素基を構成する環は、後述する縮合芳香族炭化水素基であってもよく、芳香族複素環であってもよい。多核芳香族炭化水素基を構成する縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環の具体例としては、例えば後述する具体例の化合物と同様のものが挙げられる。また、縮合芳香族炭化水素基とは、炭素と水素から構成される芳香環及び後述する複素環からなる群より選ばれる2以上の環が存在し、これらの環同士が隣接して結合する1対の炭素原子を共有している炭化水素基を表す。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、フルオレン等が挙げられる。そして、縮合芳香族炭化水素基は、縮合芳香族炭化水素基からなる置換基であり、例えばナフタレンからなる置換基、すなわちナフチル基等が挙げられる。また、芳香族複素環は、炭素と水素以外の元素も含む芳香環を表す。そして、芳香族複素環基は、芳香族複素環からなる置換基である。芳香族複素環の環骨格を構成する原子数Nrとしては、例えば、Nr=5、又はNr=6等が挙げられる。また、環骨格を構成する炭素原子以外の原子異種原子の種類及び数は限定されない。異種原子の種類としては、例えば、硫黄原子、窒素原子、酸素原子、セレン原子、珪素原子、りん原子等が挙げられる。また芳香族複素間は、環骨格中に2個以上の異種原子が含まれていてもよく、2種以上の異種原子が含まれていてもよい特に、Nr=5の環骨格構造すなわち5員環構造を有する複素環としては、例えば、チオフェン、チオフィン、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、セレノフェン、チアゾール、チアジアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、シロール、又はこれらの3位及び4位の炭素をさらに窒素で置換した複素環等が挙げられる。また5員環構造を有する複素環としては、上記のほかに、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、インドール等も挙げられる。またNr=6の環骨格構造すなわち6員環構造を有する複素環としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン等が挙げられる。上記フェニル基、多核芳香族炭化水素基、縮合芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を置換する置換基としては、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アリール基、アラルキル基、置換アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、その中でも特に、例えば水素原子、アルキル基、又はアルコキシ基等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えば炭素数1以上10以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば炭素数1以上10以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。前記アリール基としては、例えば炭素数6以上20以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基等が挙げられる。前記アラルキル基としては、例えば炭素数7以上20以下のものが挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。置換アミノ基の置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基が挙げられ、アルキル基、アリール基、及びアラルキル基の具体例は前述の通りである。また置換アミノ基の具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。上記一般式I中のArとしては、上記の中でも、移動度及びハンドリングしやすさの観点から、置換若しくは未置換のフェニル基又は置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基が好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基又は縮合芳香族炭化水素基及び芳香族複素環を含まない置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基がより好ましく、置換若しくは未置換のフェニル基又は芳香環を構成する炭素同士が直接炭素-炭素結合によって結合した置換若しくは未置換の多核芳香族炭化水素基、がさらに好ましい。また上記一般式I中のArにおける芳香環数としては、樹脂との相溶性及び合成しやすさの観点から、1以上6以下が好ましく、1以上3以下がより好ましく、1又は2がさらに好ましい。すなわち、上記一般式I中のArとしては、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のビフェニル基、又は置換若しくは未置換のターフェニル基がより好ましく、未置換のフェニル基、未置換のビフェニル基、又は未置換のターフェニル基がさらに好ましい。一般式I中のnについて説明する。一般式I中のnは、各々独立に0以上7以下である。一般式Iにおける2つのnは、同一であってもよく、異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式I中のnは、電荷輸送性の観点からは小さいほうが好ましいが、nが小さすぎるとカルボニル基の双極子モーメントの影響により電荷移動度が下がるため、1以上3以下が好ましく、1が最も好ましい。前記一般式Iで示される化合物は、ジベンゾチオフェンジオキサイド骨格を有するため、電荷輸送性が良好であるとともに、樹脂との相溶性も良好であると考えられる。以下に、一般式Iで示されるジベンゾチオフェンジオキサイド化合物の具体例化合物1から30下記表における具体例化合物番号1から具体例化合物番号30の化合物を下記に示すが、これらに限定されるものではない。なお、具体例化合物1から30におけるR1、Ar、及びnは、上記一般式IにおけるR1、Ar、及びnを意味する。<一般式Iで示される化合物の製造方法>以下、一般式Iで示される化合物の製造方法について具体的に説明する。本実施形態においては、例えば、下記一般式IIIで示されるハロゲン化合物と下記一般式IVで示されるアセトアミド化合物を銅触媒でカップリング反応を行うか、又は下記一般式Vで示されるアセトアミド化合物と下記一般式VIで示されるハロゲン化合物を銅触媒でカップリング反応を行うことにより、下記一般式VIIで示されるジアリールアミンが得られる。次いで下記一般式VIIで示されるジアリールアミンと下記一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物とを銅触媒でカップリング反応を行うことにより、一般式Iで示されるジベンゾチオフェンオキサイド化合物が得られる。一般式III中、R1は一般式I中のR1と同様であり、Gは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を示す。また、一般式IV中、Arは一般式I中のArと同様であり、Acはアセチル基を示す。一般式V及びVI中、R1、Ac、Ar、及びGは前述と同様である。一般式VII中、Ar及びR1は前述と同様である。一般式VIII中、Gは前述と同様である。上記カップッリング反応は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1当量に対して、一般式III又はVIで示されるハロゲン化合物を、例えば1.0当量以上1.5当量以下、好ましくは1.0当量以上1.2当量以下で用いられる。上記カップリング反応に用いられる上記銅触媒としては、例えば、銅紛、酸化第一銅、硫酸銅等が挙げられる。また上記銅触媒は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1質量部に対して、例えば0.001質量部以上3重量部以下、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下で用いられる。上記カップリング反応においては塩基が用いられるが、用いる塩基の具体例としては、例えば、リン酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。また上記塩基は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1当量に対して、例えば0.5当量以上3当量以下、好ましくは0.7当量以上2当量以下で用いられる。上記カップリング反応においては、溶媒を用いてもよいし、溶媒を用いなくても良い。溶媒を用いる場合、用いられる溶媒としては、例えば、n-トリデカン、テトラリン、p-シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤や、o-ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤等が挙げられる。上記溶媒は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1質量部に対して、例えば0.1質量部以上3質量部以下、好ましくは0.2質量部以上2質量部以下の範囲で使用される。また、上記反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば100°C以上300°C以下、好ましくは150以上270°C以下、さらに好ましくは180°C以上230°C以下の温度範囲で、効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。反応終了後には、必要に応じて冷却した後、例えばメタノール、エタノール、n-オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等の溶剤、及び水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の塩基を用いて、加水分解を行う。上記加水分解における溶剤の使用量は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1質量部に対して、例えば0.5質量部以上10質量部以下、好ましくは1質量部以上5質量部以下が挙げられる。また上記加水分解における塩基の使用量は、一般式IV又はVで示されるアセトアミド化合物1質量部に対して、例えば0.2質量部以上5質量部以下、好ましくは0.3質量部以上3質量部以下が挙げられる。また、上記加水分解反応は、例えば、前記カップリング反応を行った後、その反応溶液中に直接上記溶剤及び上記塩基を加え、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、50°C以上かつ用いる溶剤の沸点以下の温度範囲において、攪拌しながら行う。また、この場合、カップリング反応でカルボン酸塩が生成して固化するため、反応温度を上げるためには、例えば、溶剤として沸点が150°C以上ものを用いる。加水分解反応の終了後、反応生成物を水に注入し、さらに塩酸等で中和することにより一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物を遊離させる。この加水分解反応の後処理において、水に注入した後、さらに塩酸等で中和することにより一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物を遊離させるためには、例えば、水溶性のエチレングリコール、プロピレングリコール、又はグリセリン等を添加することが特に好ましい。一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物を遊離させた後、次いで、洗浄し、必要に応じて、溶剤に溶解させた後、シリカゲル、アルミナ、活性白土、活性炭、又はカラム等で精製を行なうか、又は溶液中にこれら吸着剤を添加して不要分を吸着させる等の処理を行う。さらにアセトン、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から再結晶して精製を行うか、又はメチルエステル若しくはエチルエステル等のアルキルエステル等にエステル化した後、同様の再結晶の操作を行ってもよい。次いで、上記で得られた一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物と一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物とを銅触媒によってカップリング反応を行い、必要に応じてメチルエステル若しくはエチルエステル等のアルキルエステルにエステル化することで、一般式Iで示される化合物が得られる。前記一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物と一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物とのカップリング反応においては、一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物1当量に対して、例えば1.5当量以上5当量以下、好ましくは1.7当量以上4当量以下で、一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物が用いられる。上記カップリング反応に用いられる上記銅触媒としては、例えば、銅紛、酸化第一銅、硫酸銅等が挙げられる。また上記銅触媒は、一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物1質量部に対して、例えば0.001質量部以上3重量部以下、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下で用いられる。上記カップリング反応においても塩基が用いられるが、用いる塩基の具体例としては、例えば、リン酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。また上記塩基は、一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物1当量に対して、例えば1当量以上6当量以下、好ましくは1.4当量以上4当量以下で用いられる。上記カップリング反応においては、必要に応じて溶媒を用いるが、用いられる溶媒としては、例えば、n-トリデカン、テトラリン、p-シメン、テルピノレン等の高沸点の非水溶性炭化水素系溶剤や、o-ジクロロベンゼン、クロロベンゼン等の高沸点のハロゲン系溶剤等が挙げられる。上記溶媒は、一般式VIIで示されるジアリールアミン化合物1質量部に対して、例えば0.1質量部以上3質量部以下、好ましくは0.2質量部以上2質量部以下の範囲で使用される。また、上記反応は、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において、例えば100°C以上300°C以下、好ましくは150以上270°C以下、さらに好ましくは180°C以上250°C以下の温度範囲で、効率よく攪拌しながら行い、さらに反応中に生成する水を除去しながら反応させることが好ましい。反応終了後には、例えば、反応生成物をトルエン、アイソパー、又はn-トリデカン等の溶剤に溶解させ、必要に応じて、水洗またはろ過により、不要物を除去し、さらに、シリカゲル、アルミナ、活性白土、又は活性炭等で、カラム精製を行うか、又は溶液中にこれらの吸着剤を添加し、不要分を吸着させる等の処理を行う。さらに、例えば、エタノール、酢酸エチル、トルエン等の溶剤から、再結晶させて精製を行ってもよい。また、一般式Iで示される化合物は、パラジウム触媒を用いたアミノ化反応において合成してもよい。すなわち、一般式Iで示される化合物の合成法としては、例えば、一般式VIIで示されるジアリ-ルアミン化合物と一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物とを、三級ホスフィン類、パラジウム化合物、及び塩基の存在下で反応させて合成する方法も挙げられる。上記パラジウム触媒を用いたアミノ化反応における一般式VIIで示されるジアリ-ルアミンの使用量としては、一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物1質量部に対して、例えばモル比で0.5質量部以上4.0質量部以下の範囲が挙げられ、より好ましくは0.8質量部以上2.0質量部以下の範囲である。上記三級ホスフィン類としては、特に限定されるものではなく、例えば、トリフェニルホスフィン、トリターシャリ-ブチルホスフィン、トリp-トリルホスフィン、トリm-トリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン等の三級アルキルホスフィン類が挙げられ、好ましくはトリターシャリ-ブチルホスフィンである。上記三級ホスフィンの使用量は特に限定されるものではないが、パラジウム化合物に対して、例えば0.5倍モル以上10倍モル以下が挙げられ、より好ましくはパラジウム化合物に対して2.0倍モル以上8.0倍モル以下の範囲である。上記パラジウム化合物としては、特に限定されるものではなく、例えば、酢酸パラジウムII、塩化パラジウムII、臭化パラジウムII、パラジウムトリフルオロアセテ-トII等の2価パラジウム化合物類、トリスジベンジリデンアセトン二パラジウム0、ジベンジリデンアセトン二パラジウム0、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、パラジウム-カ-ボン等の0価パラジウム化合物類が挙げられ、特に好ましくは酢酸パラジウム、トリスジベンジリデンアセトン二パラジウム0である。上記パラジウム化合物の使用量は、特に限定されるものではないが、一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物に対してパラジウム換算で、例えば0.001モル以上10モル以下が挙げられ、より好ましくは、パラジウム換算で0.01モル以上50モル以下である。上記塩基としては、特に限定されるものではなく、例えば、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、タ-シャリ-ブトキシカリウム、タ-シャリ-ブトキシナトリウム、ナトリウム金属、カリウム金属、水素化カリウム等が挙げられ、好ましくは炭酸ルビジウム、タ-シャリ-ブトキシナトリウムである。上記塩基の使用量は、一般式VIIIで示されるジハロゲン化合物に対して、例えばモル比で0.5以上4.0以下の範囲であり、より好ましくは1.0以上2.5以下の範囲である。前記アミノ化反応は、例えば不活性溶媒下で実施される。使用される溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエ-テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ-テル溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらのうち、より好ましくは、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒である。また前記アミノ化反応は、例えば常圧下大気圧下、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下において実施されるが、加圧条件下において実施してもよい。反応温度としては、例えば20°C以上300°C以下の範囲が挙げられるが、より好ましくは50°C以上180°C以下の範囲である。反応時間は、反応条件により異なるが、例えば数分具体的には5分以上20時間以下の範囲から選択すればよい。前記アミノ化反応の反応後は、例えば、反応溶液を水中に投入後、攪拌し、反応生成物が結晶の場合は吸引ろ過でろ取することにより粗生成物が得られる。反応生成物が油状物であれば、酢酸エチル又はトルエン等の溶剤で抽出することにより粗生成物が得られる。このようにして得られた組成生物を、例えば、シリカゲル、アルミナ、活性白土、若しくは活性炭等でカラム精製するか、又は溶液中にこれらの吸着剤を添加し、不要分を吸着させる等の処理を行い、さらに、反応生成物が結晶の場合には、例えば、ヘキサン、メタノール、アセトン、エタノール、酢酸エチル、又はトルエン等の溶剤から再結晶させて精製する。但し、本実施形態における合成法としてはこれらに限定されるものではない。<一般式II-3で示される構造単位を含む化合物ポリエステル>以下、下記一般式II-3で示される構造単位を含む化合物について詳細に説明する。なお本実施形態では、下記一般式II-3で示される構造単位を含む化合物として、下記一般式II-1で示されるポリエステルを用いる。一般式II-3中、Y1は、各々独立に、置換若しくは未置換の2価の炭化水素基を表し、mは1以上5以下の整数を表し、A1は下記一般式II-2で示される基を表す。一般式II-2中、Arは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。前記一般式II-3で示される構造単位を含むポリエステルは、一般式Iで示されるベンゾビスチアゾール化合物を由来とする構造単位A1を含む。また前記一般式II-3で示される構造単位を含むポリエステルはポリマーであることから、低分子化合物であるN,N’-ジフェニル-N,N’-ジm-トリルベンジジン等の電荷輸送材料よりも高い耐熱性を有する。よって、前記一般式II-3で示される構造単位を含むポリエステルは、画像形成装置用の像保持体に用いるのに好適である。更に、一般式II-3で示される構造単位を含むポリマーをエステル構造とすることで、一般式Iで示される化合物を由来とする構造単位A1が導入されたポリマーを合成製造し易い。以下、一般式II-3について詳細に説明する。一般式II-3中、Y1は、各々独立に、置換若しくは未置換の2価の炭化水素基を表す。Y1で表される2価の炭化水素基は、2価のアルコール残基であり、アルキレン基、ポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、アリーレン基、2価の複素環基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。Y1で表される2価の炭化水素基は、樹脂との相溶性及び電荷輸送性の観点から、炭素数の少ない連結基が好ましい。具体的には炭素数1以上18以下の範囲が好ましく、炭素数1以上6以下の範囲がより好ましい。またY1で表される2価の炭化水素基は、電荷輸送性の観点から双極子モーメントの小さな連結基が好ましい。具体的には、炭素原子及び水素原子以外の原子例えば、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を含まない連結基が好ましい。すなわち、Y1で表される2価の炭化水素基としては、炭素数1以上10以下のアルキレン基、又は炭素数6以上18以下のアリーレン基が好ましく、炭素数1以上6以下のアルキレン基がより好ましい。またY1で表される2価の炭化水素基は、樹脂との相溶性の観点から、立体的なかさ高さが小さい基がより好ましい。立体的なかさ高さが小さい2価の炭化水素基としては、例えば環構造を有さない基が挙げられ、具体的には、例えば、炭素数1以上10以下のアルキレン基が挙げられ、炭素数1以上5以下のアルキレン基がさらに好ましい。また樹脂との相溶性に加えて、分子量の大きな高分子化合物を合成しやすい観点から、炭素数2のアルキレン基が最も好ましい。一般式II-3におけるY1は、具体的には下記の式1から8から選択される基が挙げられる。式1及び2中、d及びeは、各々独立に、1以上10以下の整数を示す。式5及び6中、R4及びR5は、各々独立に、炭素数1以上4以下のアルキル基、炭素数1以上4以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。式5及び6中、f及びgはそれぞれ0、1、又は2の整数を示し、h及びiはそれぞれ0又は1を示し、Vは下記式9から29から選択される基を表す。式9中、bは1以上10以下の整数を表し、好ましくは1以上6以下の整数を表し、より好ましくは1以上4以下の整数を表す。式15中、R6は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシアノ基を表す。式26及び29中、R7は、各々独立に、水素原子、炭素数1以上10以下のアルキル基、炭素数1以上10以下のアルコキシル基、置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換のアラルキル基、又はハロゲン原子を表す。式15、16、及び25から29中、cは各々独立に、0以上10以下の整数を表し、好ましくは0以上6以下の整数を表し、より好ましくは1以上3以下の整数を表す。一般式II-3で示される構造単位を含む化合物に複数存在するY1は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式II-3中、mは、1以上5以下の整数を表す。溶解性と高分子量化の両立の観点からは、mは1以上3以下の整数であることが好ましく、高分子量化の観点からは1以上2以下の整数であることがより好ましい。また、画像形成装置用像保持体の電気特性を良好にする観点から、上記一般式II-3中、mは1が最も好ましい。一般式II-3中、A1は下記一般式II-2で示される基を表す。一般式II-2中、Arは置換若しくは未置換のフェニル基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、又は置換若しくは未置換の1価の芳香族複素環基を表し、nは各々独立に0以上7以下を表す。一般式II-2におけるAr及びnは、それぞれ一般式IにおけるAr及びnと同義であり、好ましい範囲も同様である。一般式II-3で示される構造単位を含む化合物に複数存在するA1は、すべて同一であっても、2種類以上が含まれていてもよい。前記一般式II-3で示される構造単位を含むポリエステルとしては、例えば、下記一般式II-1で示されるポリエステル及び下記一般式II-4で示されるポリエステル等が挙げられる。いずれも一般式Iに由来する構造単位A1すなわち、上記一般式II-2で示される基を含むため、電荷輸送性が良好であるとともに、樹脂との相溶性も良好であり、画像形成装置用像保持体に適する。なお、下記一般式II-1で示されるポリエステルは、カルボン酸残基としてA1を有し、下記一般式II-4で示されるポリエステルでは、A1とZ1とをカルボン酸残基として有する。よって、下記一般式II-1で示されるポリエステルは合成の簡便さの観点で優れており、下記一般式II-4で示されるポリエステルは、組み合わせるカルボン酸残基Z1によって更に画像形成装置用像保持体に適したものとなり得る。一般式II-1中、Y1は、各々独立に、置換又は未置換の2価の炭化水素基を表し、A1は上記一般式II-2で示される基を表し、R2は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数1以上6以下の1価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数2以上10以下の1価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。mは各々独立に1以上5以下の整数を表し、pは5以上5,000以下の整数を表す。すなわち一般式II-1中、Y1、A1、及びmは、上記一般式II-3中のY1、A1、及びmとそれぞれ同義である。一般式II-4中、Y1、A1、m、及びpは、一般式II-1におけるY1、A1、m、及びpとそれぞれ同義である。R8は、各々独立に、-O-Y1-Om-Hまたは-O-Y1-Om-CO-Z1-CO-OR2で示される基を表す。ここでR2は、一般式II-1におけるR2と同義であり、mは、一般式II-1におけるmと同義である。Z1は2価の炭化水素基すなわちカルボン酸残基を表す。一般式II-1及びII-4中、pは5以上5,000以下の整数を表す。塗膜組成物塗布液として用いる際の一般的な溶媒に対しての溶解性を考慮すると、pは5以上2000以下の整数であることが好ましく、合成の容易さの観点からは5以上600以下の整数であることがより好適であり、分子分散性Mw/Mnの観点からは5以上500以下の整数であることが更に好適である。なお、pが5以上5,000以下の範囲であれば、pの数によってイオン化ポテンシャルは殆ど影響を受けず、大きくとも0.1eV程度の変動と推測される。一般式II-1中、R2は、各々独立に、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の多核芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香環数2以上10以下の1価の縮合芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数1以上6以下の1価の直鎖状炭化水素基、置換若しくは未置換の炭素数2以上10以下の1価の分枝状炭化水素基、又は水素原子を表す。一般式II-4中のR8で表される基に含まれるR2も、一般式II-1中のR2と同様である。上記のなかでも、R2としては、水素原子又はフェニル基であることが好適であり、低コスト化、製造容易性の観点から水素原子であることがより好適である。一般式II-1及びII-4における2つのR2は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式II-4における2つのR8も、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式II-4におけるZ1は、2価のカルボン酸残基を表す。具体的には、一般式II-3におけるY1で挙げた2価の連結基と同様であり、好適な範囲も同様である。一般式II-4における複数のZ1は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式II-1及び一般式II-4における複数のA1は、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。また一般式II-1及び一般式II-4における複数のmは、同一でも異なっていてもよいが、製造上の観点から同一であることが好ましい。一般式II-1又は一般式II-4など、一般式Iで示される化合物を由来とする構造単位を含むポリエステルは、重量平均分子量Mwが、5000以上300000以下の範囲にあるものが好ましく、一般に塗布液として用いる際の溶媒に対しての溶解性を考慮すると、重量平均分子量は、10000以上200000以下であることが好ましく、30000以上150000以下であることが更に好ましい。尚、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーキャリア:テトラヒドロフランにより測定されるポリスチレン換算の平均分子量である。以下に、一般式II-1で示されるポリエステルの具体例ポリマー1から30すなわち、具体例ポリエステル1から30を示すが、本実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。尚、具体例ポリマーにおけるモノマーの欄A1の構造番号の欄の番号は、前記一般式Iで示される化合物の具体例化合物番号に対応している。以下、各番号を付した具体例化合物、例えば15の番号を付したA1の構造は、具体例化合物15に由来する構造を意味する。また、具体例ポリマーにおけるY1、m、p、及びR2は、それぞれ一般式II-1におけるY1、m、p、及びR2を表す。<一般式II-1で示される化合物の製造方法>上記一般式II-3で示される構造単位を含むポリエステルの合成方法は、所望する構造に応じて公知の方法を組み合わせて利用される。その合成方法は特に限定されるものではないが、本実施形態の画像形成装置用像保持体に用いられるジベンゾチオフェンオキサイド含有ポリエステルの合成方法の一例を以下に説明する。前記一般式II-1で示されるポリエステルは、下記一般式I-3で示されるモノマーを、例えば、第4版実験化学講座第28巻丸善,1992等に記載された公知の方法で重合することで得られる。前記一般式I-3において、A1は前記一般式Iで示される化合物から選択された少なくとも1種に由来する部分構造を表し、前記一般式II-1中のA1と同義である。A2は水酸基、ハロゲン原子、又は-O-R9を表し、R9はアルキル基、置換若しくは未置換のアリール基、又はアラルキル基を表す。すなわち、前記一般式II-1で示されるポリエステルは、次のようにして合成される。1A2が水酸基の場合前記一般式I-3で示される化合物に、HO-Y1-Om-Hで示される2価アルコール類を例えば当量混合し、酸触媒を用いて重合する。なお、Y1は2価のアルコール残基を表し、一般式II-1中のY1と同義である。mは1以上5以下の整数を表し、一般式II-1中のmと同義である。前記酸触媒としては、硫酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等、通常のエステル化反応に用いるものが使用され、モノマーすなわち一般式I-3で示される化合物であり、以下同様である1質量部に対して、1/10,000質量部以上1/10質量以下部、好ましくは1/1,000質量以上1/50質量部以下の範囲で用いられる。重合中に生成する水を除去するために、水と共沸する溶剤を用いることが好ましい。水と共沸する溶剤としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン、1-クロロナフタレン等が挙げられ、モノマー1質量部に対して、1質量部以上100質量部以下、好ましくは2質量部以上50質量部以下の範囲で用いられる。反応温度は条件に応じて設定されるが、重合中に生成する水を除去するために、溶剤の沸点で反応させることが好ましい。反応終了後、溶剤を用いなかった場合には溶解する溶剤に溶解させる。溶剤を用いた場合には、反応溶液をそのまま、メタノール、エタノール等のアルコール類や、アセトン等のポリマーが溶解しにくい貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させ、ポリエステルを分離した後、水や有機溶剤で洗浄し、乾燥させる。更に、必要であれば有機溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下し、ポリエステルを析出させる再沈殿処理を繰り返してもよい。再沈殿処理の際には、メカニカルスターラー等で、効率よく撹拌しながら行うことが好ましい。再沈殿処理の際にポリエステルを溶解させる溶剤は、ポリエステル1質量部に対して、1質量部以上100質量部以下、好ましくは2質量部以上50質量部以下の範囲で用いられる。また、貧溶剤はポリエステル1質量部に対して、1質量部以上1,000質量部以下、好ましくは10質量部以上500質量部以下の範囲で用いられる。2A2がハロゲンの場合前記一般式I-3で示される化合物に、HO-Y1-Om-Hで示される2価アルコール類を例えば当量混合し、ピリジンやトリエチルアミン等の有機塩基性触媒を用いて重合する。なお、Y1は2価のアルコール残基を表し、一般式II-1中のY1と同義である。mは1以上5以下の整数を表し、一般式II-1中のmと同義である。前記有機塩基性触媒は、モノマーすなわち一般式I-3で示される化合物1当量に対して、1当量以上10当量以下、好ましくは2当量以上5当量以下の範囲で用いられる。溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフランTHF、トルエン、クロロベンゼン、1-クロロナフタレン等が挙げられ、モノマー1質量部に対して、1質量部以上100質量部以下、好ましくは2質量部以上50質量部以下の範囲で用いられる。反応温度は条件に応じて設定される。重合後、前述のように再沈殿処理し、精製する。また、ビスフェノール等の酸性度の高い2価アルコール類を用いる場合には、界面重合法を用いてもよい。すなわち、2価アルコール類を水に加え、当量の塩基を加えて溶解させた後、激しく撹拌しながら2価アルコール類と当量のモノマー溶液を加えることによって重合する。この際、水は2価アルコール類1質量部に対して、1質量部以上1,000質量部以下、好ましくは2質量部以上500質量部以下の範囲で用いられる。モノマーを溶解させる溶剤としては、例えば、塩化メチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トルエン、クロロベンゼン、1-クロロナフタレン等が挙げられる。反応温度は条件に応じて設定され、反応を促進するために、アンモニウム塩、スルホニウム塩等の相間移動触媒を用いてもよい。相間移動触媒は、モノマー1質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下、好ましくは0.2質量部以上5質量部以下の範囲で用いられる。3A2が-O-R9の場合前記一般式I-3で示される化合物に、HO-Y1-Om-Hで示される2価アルコール類を過剰に加え、硫酸、リン酸等の無機酸、チタンアルコキシド、カルシウム若しくはコバルト等の酢酸塩又は炭酸塩、亜鉛や鉛の酸化物等を触媒として用いて加熱し、エステル交換により合成される。なお、Y1は2価のアルコール残基を表し、一般式II-1中のY1と同義である。mは1以上5以下の整数を表し、一般式II-1中のmと同義である。前記2価アルコール類はモノマー一般式I-3で示される化合物1当量に対して、2当量以上100当量以下、好ましくは3当量以上50当量以下の範囲で用いられる。前記触媒はモノマー1質量部に対して、1/10,000質量部以上1質量部以下、好ましくは1/1,000質量部以上1/2質量部以下の範囲で用いられる。反応は、反応温度200°C以上300°C以下で行い、-O-R9から-O-Y1-Om-Hへのエステル交換終了後は、HO-Y1-Om-Hの脱離による重合を促進するため、減圧下で反応させることが好ましい。また、HO-Y1-Om-Hと共沸する1-クロロナフタレン等の高沸点溶剤を用いて、常圧下大気圧下でHO-Y1-Om-Hを共沸で除きながら反応させてもよい。また、次のようにしてポリエステルを合成してもよい。上記それぞれの場合において、2価アルコール類を過剰に加えて反応させることによって下記一般式I-4で示される化合物を生成した後、この化合物を前記一般式I-3で示したモノマーの代わりとして用いて、2価カルボン酸又は2価カルボン酸ハロゲン化物等と反応させることで、一般式II-1で示されるポリエステルが得られる。一般式I-4中、A1は前記一般式Iで示される化合物から選択された少なくとも1種に由来する部分構造を表し、前記一般式II-1におけるA1と同義である。Y1は2価のアルコール残基を表し、前記一般式II-1におけるY1と同義である。mは1以上5以下の整数を表し、前記一般式II-1におけるmと同義である。また、前記ポリエステルの末端に分子を導入することを行ってもよい。その場合、次の方法が挙げられる。すなわち、A2が水酸基の場合、末端導入化合物のモノカルボン酸を共重合させるか、ポリマーの重合反応後の電子輸送性化合物にモノカルボン酸を仕込んで反応させ導入する。また、A2がハロゲンの場合、末端導入化合物のモノ酸塩化物を共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノ酸塩化物を仕込んで反応させ導入する。A2が-O-R9の場合には、末端導入化合物のモノエステルを共重合させるか、ポリマーの重合反応後、末端導入化合物のモノエステルを仕込んで反応させ導入する。本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記の通り、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方が、感光層に含まれる。そして、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方が高い電荷輸送性を有することにより、電荷発生層からの電荷注入性特に正電荷の注入性が良好となると考えられる。その結果、例えばチャージアップ現象等が起こりにくく、繰返し使用による残留電位の変動が低くなり、優れた環境維持性を発揮すると考えられる。また本実施形態の画像形成装置用像保持体では、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方が樹脂との相溶性に優れるため、感光層の膜厚むらが少なくなる。その結果、像保持体の繰り返し使用による残留電位の変動が低くなると考えられる。さらに本実施形態の画像形成装置及びプロセスカートリッジでは、本実施形態の画像形成装置用像保持体を用いるものであるために、長期にわたって良好な画質が得られ、環境負荷の低減や大幅なコストダウンにもなる。<画像形成装置用像保持体の構成>以下、本実施形態の画像形成装置用像保持体の構成について説明する。本実施形態の画像形成装置用像保持体は、支持体上に感光層を有する画像形成装置用像保持体であって、該感光層に上記した一般式Iで示される化合物及び一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする。図1から図3は、それぞれ本実施形態の画像形成装置用像保持体の第1から第3実施形態を示す模式断面図である。いずれも画像形成装置用像保持体1を導電性支持体2及び感光層3の積層方向に沿って切断したものである。図1及び図2に示す、第1及び第2実施形態に係る画像形成装置用像保持体1は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが異なる層に含有される機能分離型感光層を備えるものである。すなわち、感光層3中において、電荷発生物質を含有する層電荷発生層5と電荷輸送物質を含有する層電荷輸送層6とが別個に形成され、それらが隣接するように積層されている。一方、図3に示す、第3実施形態に係る画像形成装置用像保持体1は、電荷発生物質と電荷輸送物質とが同一の層に含有される単層型感光層を備えるものである。すなわち、感光層3中において、電荷発生物質と電荷輸送物質と含有する電荷発生輸送層8が一層形成されている。より詳しくは、第1実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4、電荷発生層5、及び電荷輸送層6がこの順で積層されて感光層3が構成されており、第2実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4、電荷発生層5、電荷輸送層6、及び保護層7がこの順で積層されて感光層3が構成されている。また、第3実施形態に係る画像形成装置用像保持体1においては、導電性支持体2上に下引き層4及び電荷発生輸送層8がこの順で積層されて感光層3が構成されている。なお、図示を省略するが、第2実施形態の変形態様として、第2実施形態における電荷発生層5と電荷輸送層6との積層順を逆にした態様や、第3実施形態の変形態様として、第3実施形態の電荷発生輸送層8上に、第2実施形態において用いられる保護層7を形成させた態様も挙げられる。導電性支持体2としては、アルミニウムがドラム状、シート状、又はプレート状等の形状のものとして使用されるが、これらに限定されるものではない。導電性支持体2には陽極酸化処理や、ベーマイト処理、又はホーニング処理等を行ってもよい。導電性支持体2と感光層3で挟まれる領域又は導電性支持体2と電荷発生輸送層8で挟まれる領域には、図1から図3に示すように下引き層4が設けられる。下引き層4としては、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、又はジルコニウムカップリング剤等の有機ジルコニウム化合物;チタンキレート化合物、チタンアルコキシド化合物、又はチタネートカップリング剤等の有機チタン化合物;アルミニウムキレート化合物、又はアルミニウムカップリング剤等の有機アルミニウム化合物のほか;アンチモンアルコキシド化合物、ゲルマニウムアルコキシド化合物、インジウムアルコキシド化合物、インジウムキレート化合物、マンガンアルコキシド化合物、マンガンキレート化合物、スズアルコキシド化合物、スズキレート化合物、アルミニウムシリコンアルコキシド化合物、アルミニウムチタンアルコキシド化合物、又はアルミニウムジルコニウムアルコキシド化合物、等の有機金属化合物が用いられる。特に有機ジルコニウム化合物、有機チタニル化合物、又は有機アルミニウム化合物は好ましく使用される。また、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス2メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、γ-2-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、又はβ-3,4-エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を更に含有させて使用する。更に、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ-N-ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン-アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、又はポリアクリル酸等の公知の結着樹脂を更に含有させ得る。これらの混合割合は、必要に応じて設定される。また、下引き層4中には電子輸送性顔料を混合又は分散して使用し得る。電子輸送性顔料としては、特開昭47-30330号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、又はキナクリドン顔料等の有機顔料が挙げられる。また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、又はハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等の有機顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタン等の無機顔料が挙げられる。これらの顔料の中では、ペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、酸化亜鉛、又は酸化チタンが好ましい。またこれらの顔料の表面は、上記カップリング剤や、バインダ等で表面処理してもよい。電子輸送性顔料の含有量は、下引き層4全量中95重量以下、好ましくは90重量以下で使用される。下引き層4中に電子輸送性顔料を混合又は分散する方法は、ボールミル、ロールミル、サンドミル、又はアトライター、超音波等を用いる常法が適用される。混合及び分散は有機溶剤中で行われるが、有機溶剤としては、有機金属化合物や樹脂を溶解し、また、電子輸送性顔料を混合又は分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。下引き層4の厚みは、0.1μm以上30μm以下が好ましく、より好ましくは0.2μm以上25μm以下が適当である。また、下引き層4を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。前記成分を含有する下引き層形成用組成物を塗布して形成された塗膜を乾燥させて下引き層4を得るが、通常、乾燥は溶剤を蒸発させ、製膜され得る温度で行われる。特に、酸性溶液処理、ベーマイト処理を行った基材は、基材の欠陥隠蔽力が不十分となり易いため、下引き層4を形成することが好ましい。電荷発生層5に含有される電荷発生材料は、ビスアゾ、又はトリスアゾ等のアゾ顔料;ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料;ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、又はフタロシアニン顔料等既知のものを使用し得るが、とくに金属及び無金属フタロシアニン顔料が好ましい。その中でも、特開平5-263007号公報及び、特開平5-279591号公報に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平5-98181号公報に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平5-140472号公報及び、特開平5-140473号公報に開示されたジクロロスズフタロシアニン、又は特開平4-189873号公報及び、特開平5-43813号公報に開示されたチタニルフタロシアニンが特に好ましい。電荷発生層5は、電荷発生材料と結着樹脂とを混合して形成するが、このような結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、又はポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択し得る。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、又はポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは2種以上混合して用いる。なお本実施形態における絶縁性樹脂とは、JISK7194導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法に基づき測定した体積抵抗率が1012Ωcm以上であるような絶縁性樹脂を指す。電荷発生材料と結着樹脂の配合比重量比は10:1から1:10の範囲が好ましく、より好ましくは8:3から3:8である。またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、又はサンドミル分散法等の通常の方法を用いるが、この際、分散によって電荷発生材料の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本実施形態で用いた前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。更にこの分散の際、電荷発生材料の粒子を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.15μm以下の粒子サイズにすることが有効である。電荷発生層5の厚みは0.1μm以上5μm以下が好ましく、より好ましくは0.2μm以上2.0μm以下である。また、電荷発生層5を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。電荷輸送層6としては、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有する他は、公知の技術によって形成されたものを使用し得る。電荷輸送層6は、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含有すれば、その他の電荷輸送材料、結着樹脂等を含有して形成されてもよい。なお、前記一般式Iで示される化合物を用いて前記一般式II-1で示される化合物を用いない場合は、前記一般式Iで示される化合物を結着樹脂等に分散させて用いることが望ましい。また前記一般式II-1で示される化合物を用いる場合は、その他の樹脂を用いなくても電荷輸送層6が形成されるが、低コストの観点から、その他の樹脂と混合して用いることが望ましい。その他の電荷輸送材料としては、例えば、p-ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物、2,4,7-トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物といった他の電荷輸送材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。電荷輸送層6全量中、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の含有量は、5質量以上70質量以下が好ましく、より好ましくは10質量以上60質量以下であり、更に好ましくは20質量以上50質量以下である。また前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物以外の化合物を電荷輸送材料として併用する場合は、電荷輸送材料全量中、前記一般式Iで示される化合物及び前記一般式II-1で示される化合物の含有量は、1質量以上であるのが好ましく、5質量以上であるのがより好ましい。電荷輸送層6に結着樹脂を用いる場合、結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン-ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン-アルキッド樹脂、フェノール-ホルムアルデヒド樹脂、スチレン-アルキッド樹脂や、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリシラン、又は特開平8-176293号公報や特開平8-208820号公報に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等高分子電荷輸送材が挙げられる。これらの結着樹脂は単独あるいは2種以上混合して用いる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比重量比は10:1から1:10が好ましく、より好ましくは8:3から3:8である。電荷輸送層6の厚みは5μm以上50μm以下が好ましく、より好ましくは10μm以上30μm以下である。塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、又はカーテンコーティング法等の通常の方法を用いる。また、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加してもよい。また、少なくとも1種の電子受容性物質を含有してもよい。本実施形態の画像形成装置用像保持体は、保護層7表面層を備えるようにしてもよいが、保護層7を高強度保護層高強度表面層とすることが好ましい。この高強度保護層としては、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散したもの、通常の電荷輸送層材料にフッ素樹脂、アクリル樹脂等の潤滑性粒子を分散したもの、シリコーンや、アクリル等のハードコート剤等が使用される。高強度保護層は、電荷輸送性を有し、架橋構造を有するシロキサン系樹脂を含むものが好ましい。保護層7は、他のカップリング剤、フッ素化合物を混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。保護層7の形成に用いる塗布液の調整は、無溶媒で行うか、必要に応じて溶媒を用いてもよい。反応温度及び時間は原料の種類によっても異なるが、通常、0°C以上100°C以下、好ましくは10°C以上70°C以下、特に好ましくは、15°C以上50°C以下の温度で行う。反応時間に特に制限はないが、反応時間は10分から100時間の範囲で行うことが好ましい。硬化触媒としては、塩酸、酢酸、リン酸、又は硫酸等のプロトン酸、アンモニア、又はトリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、又はオクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ-n-ブチルチタネート、又はテトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、アルミニウムトリブトキシド、又はアルミニウムトリアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、又はジルコニウム塩等が挙げられるが、金属化合物が好ましく、更に、金属のアセチルアセトナート、あるいは、アセチルアセテートが好ましく、特にアルミニウムトリアセチルアセトナートが好ましい。硬化触媒の使用量は必要に応じ設定されるが、加水分解性ケイ素置換基を含有する材料の合計量に対して0.1重量以上20重量以下が好ましく、0.3重量以上10重量以下がより好ましい。硬化温度は、必要に応じ設定されるが、所望の強度を得るためには60°C以上、より好ましくは80°C以上に設定される。硬化時間は、必要に応じ設定されるが、10分から5時間が好ましい。また、硬化反応を行ったのち、高湿度状態に保つことも有効である。更に、用途によっては、ヘキサメチルジシラザンや、又はトリメチルクロロシラン等を用いて表面処理を行い、疎水化する。画像形成装置用像保持体の保護層7には、酸化防止剤を添加することが好ましい。また画像形成装置用像保持体の保護層7には、アルコールに溶解する樹脂を加えてもよい。更に、保護層7に各種粒子を添加してもよい。それらは、単独で用いてもよいが、併用してもよい。粒子の一例として、ケイ素含有粒子、フッ素系粒子、半導電性金属酸化物粒子等が挙げられる。また、保護層7にシリコーンオイル等のオイルを添加し得る。なお単層型感光層の場合、当該単層型感光層は、上記電荷発生物質、上記電荷輸送物質本実施形態の一般式Iで示される化合物、及び一般式II-1で示される化合物の少なくとも一方を含む。及び結着樹脂を含有して形成され得る。なお、電荷輸送物質は高分子電荷輸送物質を含有してもよい。上記結着樹脂としては、上記電荷発生層5及び電荷輸送層6に用いられる結着樹脂として列挙されたものが用いられる。単層型感光層中の電荷発生物質の含有量は、10重量以上85重量以下、好ましくは20重量以上50重量以下である。また、単層型感光層中の電荷輸送物質の含有量は5重量以上50重量以下とすることが好ましい。塗布に用いる溶剤や塗布方法は、前述のものが用いられる。単層型感光層の膜厚は5μm以上50μm以下が好ましく、10μm以上40μm以下がより好ましい。画像形成装置本実施形態の画像形成装置は、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体と、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置と、を備えることを特徴とする。図4は、本実施形態の画像形成装置の好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。図4に示す画像形成装置200は、本実施形態の画像形成装置用像保持体207と、画像形成装置用像保持体207を接触帯電方式により帯電させる帯電装置208と、帯電装置208に接続された電源209と、帯電装置208により帯電される画像形成装置用像保持体207を露光して静電潜像を形成する露光装置210と、露光装置210により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置211と、現像装置211により形成されたトナー像を被転写体500に転写する転写装置212と、クリーニング装置213と、除電器214と、定着装置215とを備える。図4に示した帯電装置208は、画像形成装置用像保持体207の表面に接触型帯電部材例えば、帯電ロールを接触させて像保持体に電圧を印加し、像保持体表面を帯電させるものである。接触型帯電部材としては、芯材の外周面に弾性層、抵抗層、保護層等を設けたローラ状のものが好適に用いられる。なお、接触型帯電部材の形状は、上記したローラ状の他、ブラシ状、ブレード状、又はピン電極状等何れでもよく、画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。ローラ状の接触型帯電部材における芯材の材質としては、導電性を有するもの、例えば、鉄、銅、真鍮、ステンレス、アルミニウム、又はニッケル等が用いられる。また、導電性粒子等を分散した樹脂成形品等が用いられる。弾性層の材質としては、導電性あるいは半導電性を有するもの、例えば、ゴム材に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが使用される。抵抗層及び保護層の材質としては結着樹脂に導電性粒子あるいは半導電性粒子を分散し、その抵抗を制御したものである。これらの接触型帯電部材を用いて像保持体を帯電させる際には、接触型帯電部材に電圧が印加されるが、かかる印加電圧は直流電圧、直流電圧に交流電圧を重畳したもののいずれでもよい。なお、図4における接触型帯電部材の代わりに、コロトロン、又はスコロトロン等の非接触方式のコロナ帯電装置も用いられる。これらは画像形成装置の仕様や形態に合わせて選択される。露光装置210としては、画像形成装置用像保持体表面に、半導体レーザー、LEDlightemittingdiode、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光する光学系装置等が用いられる。現像装置211としては、一成分系、二成分系等の正規または反転現像剤を用いた従来より公知の現像装置等が用いられる。現像装置211に使用されるトナーの形状は特に限定されないが、球形トナーが好ましい。転写装置212としては、ローラ状の接触帯電部材の他、ベルト、フィルム、又はゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、あるいはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。クリーニング装置213は、転写工程後の画像形成装置用像保持体の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された画像形成装置用像保持体は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。クリーニング装置としては、クリーニングブレードの他、ブラシクリーニング、又はロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、又はシリコーンゴム等が挙げられる。上記実施形態は1つの画像形成ユニットを有するものであるが、他の実施形態に係る画像形成装置は、この画像形成ユニットを複数有するタンデム型画像形成装置である。例えば、画像形成ユニットが4つである場合、4つの画像形成ユニットの各現像装置においては、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブランクの4色の色成分トナーを使用する。また、タンデム型画像形成装置は、4つの画像形成ユニットに共通し記録材料を搬送するベルトと、このベルトを搬送する搬送装置と、各現像装置にトナー像を供給するトナー供給装置と、カラートナー像を記録材料に定着させる定着装置とを備えていることが好ましい。また、本実施形態の画像形成装置は像保持体を200000サイクル以上、更に、250000サイクル、あるいは、300000サイクル以上も使用する場合には、トナーのみを単独に補給する機構を有するものが好ましい。プロセスカートリッジ本実施形態のプロセスカートリッジは、既述の本実施形態の画像形成装置用像保持体を少なくとも有し、かつ、前記画像形成装置用像保持体を帯電させる帯電装置、帯電した前記画像形成装置用像保持体を露光して静電潜像を形成させる露光装置、前記静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置、前記トナー像を被転写体に転写する転写装置、および前記画像形成装置用像保持体をクリーニングするクリーニング装置から選ばれる少なくとも1つと、を備えることを特徴する。図5は、本実施形態の画像形成装置用像保持体を備えるプロセスカートリッジの好適な一実施形態の基本構成を概略的に示す断面図である。プロセスカートリッジ300は、画像形成装置用像保持体207とともに、帯電装置208、現像装置211、クリーニング装置クリーニング手段213、露光のための開口部218、及び、除電露光のための開口部217を取り付けレール216を用いて組み合わせ、そして一体化したものである。そして、このプロセスカートリッジ300は、現像装置211により形成されたトナー像を被転写体500に転写する転写装置212と、定着装置215と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成するものである。以上、本実施形態を説明したが、本実施形態は、その要旨の範囲内で様々な変形や変更がされ得る。以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また本実施例において、目的物の同定には、1H-NMRスペクトル溶媒:CDCl3、VARIAN株式会社製、UNITY-300、300MHz、及びIRスペクトルKBr法にてフーリェ変換赤外分光光度計株式会社堀場製作所、FT-730、分解能4cm-1を用いた。さらに本実施例において、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCによって測定した。一般式I又はII-1で示される化合物の合成[合成例1-具定例化合物6の合成]アセトアニリド25.0g、4-ヨードフェニルプロピオン酸メチル64.4g、炭酸カリウム38.3g、硫酸銅5水和物2.3g、n-トリデカン50mlを500mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、230°Cで20時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム15.6gをエチレングリコール300mlに溶解したものを加え、窒素気流下で3.5時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、反応液を1Lの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、1Lのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸1.5mlのメタノール300ml溶液を加え、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記DAA-1を36.5g得た。次に、500ml三口フラスコ中、ジベンゾチオフェン18.4gと酢酸200mlとの混合物に、30過酸化水素水34.0gを20分かけて滴下し、90°Cで9時間磁気攪拌した。反応終了後,氷浴600mlに投入し、クロロホルム800mlで抽出した。有機層を水200ml、飽和硫酸鉄水溶液80ml、10炭酸ナトリウム100ml、水200ml、飽和食塩水200mlで順次洗浄し、塩化カルシウムで乾燥した。有機溶媒を留去して、無色の結晶物を得た。これを再結晶クロロホルム150ml、エタノール200mlして、ジベンゾチオフェンジオキサイドジオキサイドを18.2g得た。500ml三口フラスコ中、ジベンゾチオフェンジオキサイドジオキサイド18gを硫酸250mlに溶解し、N-ブロモこはく酸イミド29.6gを加えた。25°Cで18時間攪拌後、反応溶液を氷水800mlにゆっくりと投入し、析出した沈殿物を吸引ろ過し、水200ml、10NaOH水溶液100ml、水200mlで洗浄し、塩化カルシウムで乾燥した。クロロホルム700mlで再結晶して、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイドを20.1g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-18.0g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-1のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を18時間行い、具体例化合物64.8gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物6であることを確認した。[合成例2-具体例ポリマー10の合成]合成例1において得られた具体例化合物6を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物6が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで16時間真空乾燥させ、0.5gの重合体具体例ポリマー10を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=5.6×104スチレン換算、Mw/Mn=2.3であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは78であった。[合成例3-具定例化合物7の合成]4-メチルアセトアニリド21.0g、4-ヨードフェニルプロピオン酸メチル64.4g、炭酸カリウム38.3g、硫酸銅5水和物2.3g、n-トリデカン50mlを500mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、230°Cで15時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム15.6gをエチレングリコール300mlに溶解したものを加え、窒素気流下で3.5時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、反応液を1Lの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、1Lのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸1.5mlのメタノール300ml溶液を加え、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することにより下記DAA-2を34.1g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-28.0g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-2のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を18時間行い、具体例化合物75.1gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物7であることを確認した。[合成例4-具体例ポリマー12の合成]合成例3において得られた具体例化合物7を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物7が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで18時間真空乾燥させ、0.5gの重合体具体例ポリマー12を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=5.4×104スチレン換算、Mw/Mn=2.2であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは72であった。[合成例5-具定例化合物17の合成]1-アセトアミドナフタレン250g、4-ヨードフェニルプロピオン酸メチル644g、炭酸カリウム383g、硫酸銅5水和物23g、n-トリデカン50mlを500mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、230°Cで18時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム156gをエチレングリコール300mlに溶解したものを加え、窒素気流下で35時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、反応液を1Lの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、十分に水洗した後、1Lのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸15mlのメタノール300ml溶液を加え、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機層を純水で十分に洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりDAA-3を365g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-39.2g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-3のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を19時間行い、具体例化合物175.6gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物17であることを確認した。[合成例6-具体例ポリマー20の合成]合成例5において得られた具体例化合物17を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物17が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで16時間真空乾燥させ、0.7gの重合体具体例ポリマー20を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=5.7×104スチレン換算、Mw/Mn=2.2であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは69であった。[合成例7-具定例化合物19の合成]4-2-チエニルアセトアニリド30.0g、4-ヨードフェニルプロピオン酸メチル28.5g、炭酸カリウム13.6g、硫酸銅5水和物2.0g、1,2-ジクロロベンゼン50mlを500mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、230°Cで20時間加熱攪拌した。反応終了後、水酸化カリウム15.6gをエチレングリコール300mlに溶解したものを加え、窒素気流下で3.5時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、反応液を1Lの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和し、結晶を析出させた。結晶を吸引ろ過によりろ取し、水洗した後、1Lのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加え、加熱還流し、共沸により水を除去した後、濃硫酸1.5mlのメタノール300ml溶液を加え、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、有機相を純水で洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧下留去し、ヘキサンから再結晶することによりDAA-4を17.9g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-410.1g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-4のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を17時間行い、具体例化合物196.2gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物19であることを確認した。[合成例8-具体例ポリマー22の合成]合成例7において得られた具体例化合物19を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物19が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで16時間真空乾燥させ、0.6gの重合体具体例ポリマー22を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=4.1×104スチレン換算、Mw/Mn=2.4であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは55であった。[合成例9-具定例化合物23の合成]窒素雰囲気下、2-ヨード-9,9-ジメチルフルオレン31.8g、4-アセトアミノフェニルプロピオン酸メチル20.0g、炭酸カリウム18.8g、硫酸銅5水和物1.2g、トリデカン15mlを300mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、200°Cで13時間加熱攪拌した。この反応後、エチレングリコール150mlおよび水酸化カリウム7.6gを加え、窒素気流下で5時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、これを150mlの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和して、結晶を析出させた。これをろ過し、十分に水洗した後、500mlのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加えて、加熱還流し、水を共沸により除去した後、メタノール100ml、濃硫酸1.0mlを加えて、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、その有機層を蒸留水で十分に洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧留去し、ヘキサンから再結晶することによりDAA-5を25g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-511.2g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-5のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を15時間行い、具体例化合物236.0gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物23であることを確認した。[合成例10-具体例ポリマー23の合成]合成例9において得られた具体例化合物23を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物23が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで16時間真空乾燥させ、0.7gの重合体具体例ポリマー23を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=6.6×104スチレン換算、Mw/Mn=2.3であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは69であった。[合成例11-具定例化合物15の合成]窒素雰囲気下、3-ブロモビフェニル23g、4-アセトアミノフェニルプロピオン酸メチル20g、炭酸カリウム18.8g、硫酸銅5水和物1.1g、トリデカン20mlを300mlの三口フラスコに入れ、窒素気流下、200°Cで24時間加熱攪拌した。この反応後、エチレングリコール150mlおよび水酸化カリウム6.5gを加え、窒素気流下で3時間加熱還流した後、室温25°Cまで冷却し、これを150mlの蒸留水に注ぎ、塩酸で中和して、結晶を析出させた。これをろ過し、十分に水洗した後、500mlのフラスコに移した。これに、トルエン500mlを加えて、加熱還流し、水を共沸により除去した後、メタノール100ml、濃硫酸1.0mlを加えて、窒素気流下で5時間加熱還流した。反応後、トルエンで抽出し、その有機層を蒸留水で十分に洗浄した。次いで、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶剤を減圧留去し、ヘキサンから再結晶することによりDAA-6を25g得た。窒素雰囲気下、200ml三口フラスコに、DAA-69.9g、3,7-ジブロモジベンゾチオフェンジオキサイド5.2g、酢酸パラジウムII150mg、炭酸ルビジウム19.6gを入れ、キシレン50mlに溶解させた。トリ-ターシャリ-ブチルホスフィン420mgをすばやく加え、窒素雰囲気下9時間加熱還流磁気撹拌した。TLCヘキサン/酢エチ=3/1にて、DAA-6のスポットが消失しているのを確認後、室温25°Cまで冷却した。セライト吸引ろ過により無機物を除去した後、希塩酸100ml、水200ml×3、飽和食塩水200ml×1の順に中性になるまで洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン/トルエン=3/1により精製を行い、次いで70°Cで真空乾燥を15時間行い、具体例化合物155.2gを得た。1H-NMRスペクトル測定及びIRスペクトル測定によって、得られた化合物が具体例化合物15であることを確認した。[合成例12-具体例ポリマー18の合成]合成例11において得られた具体例化合物15を1.0g用い、エチレングリコール10ml及びテトラブトキシチタン0.02gとともに50mlの三口ナスフラスコに入れ、窒素雰囲気下、200°Cで5時間加熱攪拌した。原料である上記具体例化合物15が反応して消失したのをTLCにより確認した後、50Paに減圧してエチレングリコールを留去しながら210°Cに加熱し、6時間反応を続けた。その後、室温25°Cまで冷却し、テトラヒドロフラン50mlに溶解し、不溶物を0.5μlのポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルターにてろ過し、ろ液を減圧下留去した後、モノクロロベンゼン300mlに溶解させ、1N-HCl300ml、水500ml×3の順に洗浄した。モノクロロベンゼン溶液を30mlまで減圧下留去して、酢酸エチル/メタノール=1/3:800ml中に滴下し、ポリマーを再沈殿させた。得られたポリマーをろ過し、メタノールで洗浄した後、60°Cで16時間真空乾燥させ、0.6gの重合体具体例ポリマー18を得た。この重合体の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC東ソー社製、HLC-8120GPCにて測定したところ、重量平均分子量Mw=5.1×104スチレン換算、Mw/Mn=2.4であり、原料である低分子化合物の分子量から求めた重合度pは67であった。画像形成装置用像保持体の作製[実施例1]アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物オルガチックスZC540、マツモト製薬社製10質量部及びシラン化合物A1110、日本ユニカー社製1質量部とi-プロパノール40質量部及びブタノール20質量部からなる溶液を浸漬コーティング法にて塗布し、150°Cにおいて10分間加熱乾燥し、膜厚0.6μmの下引き層を形成した。この上に、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度2θ±0.2°の7.4°、16.6°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを持つクロロガリウムフタロシアニン結晶の1質量部を、ポリビニルブチラール樹脂エスレックBM-S、積水化学社製1質量部及び酢酸n-ブチル100質量部と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで1時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、100°Cにおいて10分間加熱乾燥し、電荷発生層を形成した。次に、上記により得られた具定例化合物6を2質量部と、以下に構造を示すビスフェノールZ高分子化合物粘度平均分子量:40,0003質量部と、をクロロベンゼン35質量部に加熱溶解後,室温25°Cに戻した。この塗布液を前記電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、130°C、60分の加熱を行って膜厚20μmの電荷輸送層を形成した。[実施例2から実施例12]実施例1で用いた具定例化合物6に代えて、具体例ポリマー10、具体例化合物7、具体例ポリマー12、具体例化合物17、具体例ポリマー20、具体例化合物19、具体例ポリマー22、具体例化合物23、具体例ポリマー23、具体例化合物15、及び具体例ポリマー18をそれぞれ用いた他は、実施例1と同様にして画像形成装置用像保持体を作製した。[実施例13]実施例1で用いたクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度2θ±0.2°の7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°及び28.3°に強い回折ピークを持つヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用いた他は、実施例1と同様にして、画像形成装置用像保持体を作製した。[比較例1]実施例1で用いた具定例化合物6に代えて、下記構造の化合物Xを用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。[比較例2]実施例1で用いた具定例化合物6に代えて、下記構造の化合物XIp=52を用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。[比較例3]実施例1で用いた具定例化合物6に代えて、下記構造の化合物XIIを用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。[比較例4]実施例1で用いた具定例化合物6に代えて、下記構造の化合物XIIIp=55を用いた他は、実施例1に記載の方法により画像形成装置用像保持体を作製した。評価上記実施例及び比較例で得られた、それぞれの画像形成装置用像保持体を用い、電子写真特性について評価するため、静電複写紙試験装置エレクトロスタティックアナライザーEPA-8100、川口電気社製を用いて、20°C、40RHの環境下、-6KVのコロナ放電を行い、帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800nmの単色光にし、感光体表面上で1μW/cm2になるように調整して、照射した。そして、帯電直後における感光体表面の表面電位V0V、感光体表面の光照射により表面電位が1/2×VOVとなる半減露光量E1/2erg/cm2を測定した初期特性。その後、10ルックスの白色光を1秒間照射し、感光体表面に残留した残留電位VRPVを測定した初期特性。更に上記の帯電、露光800nmの単色光、露光量は半減露光量、及び白色光の照射10ルックスを1000回繰り返した後のV0、E1/2、及びVRPを測定、またその変動量ΔV0、ΔE1/2、ΔVRPを評価した安定性、耐久性。つぎに上記実施例および比較例で得られた画像形成装置用像保持体を用い、画像形成装置を作製した。画像形成装置用像保持体以外の要素は、富士ゼロックス製プリンターDocucenterC6550Iに搭載されたものを用いた。各画像形成装置について、28°C、75RHの環境下で1万枚分の画像形成テスト画像濃度10、シアン100を実施した。なお、本テスト条件においては、各カートリッジのプロセスは通常通り行われるが、シアン以外のカートリッジのトナーは使用供給されない。テスト後、トナーのクリーニング性クリーニング不良による帯電器の汚れや画質劣化、画質プロセスブラック1dotライン斜め45度細線再現性を評価した。クリーニング性及び画質の評価方法及び評価基準は以下の通りであり、得られた結果を表1に示す。クリーニング性は目視にて評価し、以下の評価基準に基づいて評価した。○:良好△:部分的全体の10程度以下にスジ状の画質欠陥あり×:広範にスジ状の画質欠陥あり画質は拡大鏡を用いて判断し、以下の評価基準に基づいて評価した。A:良好B:部分的に欠陥有り実用上は問題なしC:欠陥有り細線が再現されていない上記の結果から、本実施例で得られた画像形成装置用像保持体は、比較例に比べて繰り返し使用による残留電位変動が低いことがわかる。また該画像形成装置用像保持体を有する画像形成装置で得られた画像は、画質も良好であることがわかる。"