"少なくとも2つの物体を加熱及び加圧して接合する加熱加圧システムであって、前記2つの物体の一方を加熱する第一のヒーター部と、他方を加熱する第二のヒーター部と、前記物体の加熱加圧の条件を入力する入力部と、前記入力された条件に基づいて、前記二つの物体の接合面の温度が目標温度になるように前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部と、を備える加熱加圧システム。前記条件は、前記第一のヒーター部および前記第二のヒーター部の温度、前記一方の物体と前記第一のヒーター部との間または前記他方の物体と前記第二のヒーター部との間に配置される構成部材同士の接触部分に存在する接触熱抵抗または熱伝導率、前記構成部材と前記物体との接触部分に存在する接触熱抵抗または熱伝導率、前記接触部分の接触面の面粗さ、前記接触面の硬度、前記2つの物体が加圧される加圧力、前記2つの物体が配置される気体の熱伝導率の少なくとも一つを含む請求項1に記載の加熱加圧システム。前記気体の熱伝導率は、前記加圧加熱システム内の気体の熱伝導率、及び、真空状態の熱伝導率を含む請求項2に記載の加熱加圧システム。前記条件に基づいて前記接合面の温度を予測する温度予測部を備え、前記温度制御部は、前記温度予測部により予測された温度に基づいて前記第一のヒーター部および前記第二のヒーター部を制御する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記構成部材同士の接触部分、又は、前記構成部材と前記物体との接触部分に接触熱抵抗モデルを生成して前記接触熱抵抗又は前記熱伝導率を算出する接触熱抵抗算出部を有し、前記温度予測部は、前記接触熱抵抗算出部で算出された前記接触熱抵抗又は前記熱伝導率に基づいて前記接合面の温度を予測する請求項4に記載の加熱加圧システム。前記接触熱抵抗モデルは、前記構成部材の表面粗さ、接触圧力、前記構成部材の熱伝導率、前記構成部材の硬度、及び前記接触部分の面積の少なくとも一つを含む請求項5に記載の加熱加圧システム。前記第一のヒーター部の付近、前記第一のヒーター部と前記一方の物体との間、前記第二のヒーター部の付近、及び前記第二のヒーター部と前記他方の物体との間の少なくとも一カ所に配置された温度センサーを備え、前記温度制御部は、前記温度センサーからの情報を参照し、前記接触熱抵抗モデルの計算精度を向上させる学習機能を持つ請求項5又は請求項6に記載の加熱加圧システム。前記温度制御部は、前記温度予測部により予測された温度と前記ヒーター部の温度とに基づいて前記ヒーター部を制御する請求項4から請求項7のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記第一のヒーター部の付近、前記第一のヒーター部と前記一方の物体との間、前記第二のヒーター部の付近、及び前記第二のヒーター部と前記他方の物体との間の少なくとも一カ所に配置された温度センサーを備え、前記温度制御部は、前記温度センサーで測定された温度と前記接合面の温度とに基づいて前記ヒーター部を制御する請求項8に記載の加熱加圧システム。前記接合面の温度を予測する温度予測部を備え、前記温度予測部は、実験で得られた結果を記憶する記憶部を有し、前記結果に基づいて、前記物体の接合面の温度を予測する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記温度予測部は、温度予測のための計算モジュールを有する請求項4から請求項10のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記第一のヒーター部の付近、前記第一のヒーター部と前記一方の物体との間、前記第二のヒーター部の付近、及び前記第二のヒーター部と前記他方の物体との間の少なくとも一カ所に配置された温度センサーを備え、前記温度予測部は、前記温度センサーが配置された箇所の温度を予測し、前記箇所の予測温度と前記温度センサーの温度とが異なる場合、計算モジュールを補正する請求項11に記載の加熱加圧システム。前記温度予測部は、時間成分を考慮した熱特性計算を前記計算モジュールにより行い、前記物体の目標温度到達時間又は冷却完了時間を予測する請求項11または12に記載の加熱加圧システム。前記温度予測部は、前記時間成分により前記2つの物体を加熱し且つ加圧し一体物に加工するスループット予測を行い、生産管理情報として出力する請求項13に記載の加熱加圧システム。前記温度予測部は、前記2つの物体が重ね合わされた状態で前記接合面の温度を予測する請求項4から請求項14のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記2つの物体を加圧する加圧部を備え、前記温度予測部は、前記2つの物体が前記加圧部により加圧された状態で前記接合面の温度を予測する請求項4から請求項15のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記加圧部の加圧力は、前記温度予測部により予測された温度に基づいて可変である請求項16に記載の加熱加圧システム。前記構成部材は、重ね合わされた前記2つの物体を保持し、前記加圧加熱システムに搬送される物体ホルダーであり、前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部は、前記物体ホルダーを介して前記物体を加熱する請求項2から請求項17のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記物体ホルダーは、セラミック材料から構成される請求項18に記載の加熱加圧システム。前記温度制御部は、前記二つの物体の前記接合面の温度がそれぞれ同一の温度になるように前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部をそれぞれ制御する請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。前記2つの物体を張り合わせる張り合わせ装置であって、前記2つの物体をアライメントするアライメント装置と、前記アライメント装置でアライメントされた前記2つの物体を加熱及び加圧して接合する加熱加圧システムと、を備え、前記加熱加圧システムは、請求項1から請求項20のいずれか一項に記載の加熱加圧システムである張り合わせ装置。前記2つの物体を保持する物体ホルダーと、前記2つの物体を保持した前記物体ホルダーを前記アライメント装置から搬送するローダーと、所定の気体内又は真空内で、前記ローダーにより搬送された前記物体ホルダーを支えるプレートと、を備え、前記第一のヒーター部および前記第二のヒーター部は、前記プレートおよび前記物体ホルダーを介して前記物体を加熱する請求項21に記載の張り合わせ装置。しかしながら、半導体ウエハの接合面が均一な温度分布となったとしても実際の接合面の温度が目標値に達していなかったり、目標値を超えてしまっていたりすることがある。具体的には、半導体ウエハ同士の加圧力によっても接触熱抵抗を含む界面が影響を受けるため、ヒーターの温度管理をしていても接合面の温度が実際にどれくらいの温度に達しているかはわからない。また、製品となる半導体ウエハの接合面に温度センサーを取り付けることはできないから、温度センサーを取り付けるにしても半導体ウエハ同士の接合面から離れたヒーター周辺に設置しなければならないことが多い。従って、温度センサーとウエハ同士の接合面との間には複数の接触熱抵抗を含む界面が介在することになるため、温度センサーで計測した温度とウエハ同士の接合面の温度とには大きくズレが生じることが多い。なお、接触熱抵抗=1/接触熱伝達率とは物体同士の接触面が完全に密着しないことにより生じる熱抵抗のことであり、接触熱抵抗は加圧力や物体同士の表面粗さなどによって変化する。接触熱抵抗を含む界面とは、接触熱抵抗が発生している物体と物体との界面を意味する。本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、接触熱抵抗を考慮してヒーター制御を行うことにより、半導体ウエハ同士の接合面の温度を制御するようにして、より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる加熱加圧システムを提供することを目的としている。本観点に係る加熱加圧システムは、少なくとも2つの物体を加熱及び加圧して接合する加熱加圧システムであって、2つの物体の一方を加熱する第一のヒーター部と、他方を加熱する第二のヒーター部と、物体の加熱加圧の条件を入力する入力部と、入力された条件に基づいて、二つの物体の接合面の温度が目標温度になるように第一のヒーター部及び第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部と、を備える。このような構成によれば、2つの物体が接合する面の温度が目標温度になるように制御することができるため、物質同士の接合不良が極めて少なくすることができる。本発明の加熱加圧システムは、半導体ウエハの接合面が目的温度になるように、さらに目的温度で所定時間できるように半導体ウエハを温度制御できるためという利点がある。<ウエハ張り合わせ装置の全体構成>図1はウエハ張り合わせ装置100の全体斜視図であり、図2はウエハ張り合わせ装置100の上面概略図である。ウエハ張り合わせ装置100は、ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLを有している。ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLは、多関節ロボットであり六自由度方向X,Y,Z,θX,θY,θZに移動可能である。さらにウエハローダーWLはレールRAに沿ってY方向に長い距離移動可能であり、ウエハホルダローダーWHLはレールRAに沿ってX方向に長い距離移動可能である。ウエハ張り合わせ装置100は、その周辺に半導体ウエハWを複数枚収納するウエハストッカー10を有している。ウエハ張り合わせ装置100は、第1の半導体ウエハWと第2の半導体ウエハWとを張り合わせるため、第1の半導体ウエハWを収納するウエハストッカー10-1と第2の半導体ウエハWを収納するウエハストッカー10-2とが用意されている。また、ウエハストッカー10の近郊に半導体ウエハWをプリアライメントするウエハプリアライメント装置20が設けられている。ウエハローダーWLによりウエハストッカー10から取り出された半導体ウエハWがウエハプリアライメント装置20に送られる。ウエハ張り合わせ装置100は、ウエハホルダWHを複数枚収納するウエハホルダストッカー30を有している。ウエハホルダWHは第1の半導体ウエハWに対しても第2の半導体ウエハWに対しても共用して使用することができるため、ウエハホルダストッカー30は一箇所である。また、ウエハホルダストッカー30の近郊にウエハホルダWHをプリアライメントするウエハホダルプリアライメント装置40が設けられている。ウエハホルダローダーWHLによりウエハホルダストッカー30から取り出されたウエハホルダWHがウエハホルダプリアライメント装置40に送られる。ウエハホルダプリアライメント装置40では、プリアライメントされたウエハホルダWHに対して、プリアライメントされた半導体ウエハWがウエハローダーWLにより載置される。ウエハ張り合わせ装置100は、一対の半導体ウエハWを載置したウエハホルダWHをアライメントし、2枚の半導体ウエハWを半導体装置の線幅精度で重ね合わせるアライナー50を有している。アライナー50にはウエハホルダプリアライメント装置40から半導体ウエハWを載置したウエハホルダWHがウエハホルダローダーWHLにより送られてくる。また、重ね合わされた半導体ウエハWを載置したウエハホルダWHはウエハホルダローダーWHLにより加熱加圧装置70に送られる。ウエハ張り合わせ装置100の加熱加圧装置70は、ウエハホルダWHを介してアライナー50で重ね合わされた半導体ウエハW同士を加熱し加圧し接合する。加熱加圧装置70は、ヒーターにより半導体ウエハWで所定温度まで加熱し、且つ加圧アクチュエータにより所定の圧力を所定の時間加えることで、半導体ウエハW上の電極であるCuなどの金属バンプ同士を接合する。この時半導体ウエハW間に樹脂を封入して加熱することもある。また、加熱加圧装置70内は真空状態又は窒素雰囲気に保持されている。加熱加圧装置70については図3を使って詳述する。ウエハ張り合わせ装置100は加熱加圧装置70の隣に分離ユニット80を有している。分離ユニット80は、張り合わされた半導体ウエハWをウエハホルダWHから外す。冷却された半導体ウエハWはウエハローダーWLにより分離冷却ユニット80から取り出され、張り合わせウエハ用ストッカー85に送られる。冷却されたウエハホルダWHはウエハホルダローダーWHLにより分離冷却ユニット80から取り出され、再びウエハホルダストッカー30に戻される。張り合わされた半導体ウエハWはその後ダイシングされ個々の半導体装置に切り取られる。ウエハ張り合わせ装置100は、ウエハ張り合わせ装置100全体の制御を行う主制御装置90が設けられている。主制御装置90は、ウエハローダーWL、ウエハホルダローダーWHL、ウエハプリアライメント装置20、及びウエハホルダプリアライメント装置40などの各装置を制御する制御装置と信号の受け渡しを行い全体の制御を行う。<加熱加圧装置70の構成>図3は加熱加圧装置70を示した側面の概念図である。加熱加圧装置70はアライナー50で位置合わして重ね合わされた第1半導体ウエハW1及び第2半導体ウエハW2を加熱加圧する。第1半導体ウエハW1は第1ウエハホルダWH1にて-Z方向に保持されている。第1ウエハホルダWH1は第1トッププレートTP1に支えられている。第1トッププレートTP1はヒーターHT及び冷却管CLを備えた高熱伝導の高い材料で構成された第1温度調整プレートAT1に支えられている。さらに第1温度調整プレートAT1は第1ベースプレートBP1に支えられて、この第1ベースプレートBP1は加熱加圧装置70のフレーム71に備え付けられている。一方、第2半導体ウエハW2は第2ウエハホルダWH2にてZ方向に保持されている。第2ウエハホルダWH2は第2トッププレートTP2により着脱可能に支えられ、この第2トッププレートTP2はヒーターHT及び冷却管CLを備えた高熱伝導の高い材料で構成された第2温度調整プレートAT2に支えられている。さらに第2温度調整プレートAT2は第2ベースプレートBP2に備え付けられている。第2ベースプレートBP2は、内側加圧アクチュエータ73と外側加圧アクチュエータ75とで支えられている。第1半導体ウエハW1及び第2半導体ウエハW2はそれぞれ第1温度調整プレートAT1及び第2温度調整プレートAT内のヒーターで加熱されるようになっている。また第1半導体ウエハW1及び第2半導体ウエハW2は内側加圧アクチュエータ73と外側加圧アクチュエータ75により半導体ウエハWに均等に圧力がかかるように加圧される。図4aは第2半導体ウエハW2から第2ベースプレートBP2の構成を示した概念図である。なお第1半導体ウエハW1から第1ベースプレートBP1の構成も、第2半導体ウエハW2から第2ベースプレートBP2の構成と同じであるので説明を割愛する。本実施形態の第2ウエハホルダWH2は、アルミナAl2O3又は窒化アルミニウムAlNなどのセラミック材料から構成される。特に窒化アルミニウムは熱伝導率が高いので半導体ウエハWの加熱又は冷却には適している。第2トッププレートTP2は、耐摩耗用又は耐衝撃用に優れている合金から構成されている。また、ヒーターHTの近傍には温度センサーTSが配置されている。温度センサーTSの温度出力によってヒーターHTのフィードバック制御を行うことができる。なお、温度センサーTSは、第2温度調整プレートAT2に設けても良い。第2温度調整プレートAT2は、ヒーターHTから又は第2冷却管CL2への熱伝達を向上させるために高熱伝達率の材料、例えば銅又はアルミニウム合金から構成される。第2ベースプレートBP2は、耐摩耗用又は耐衝撃用に優れている合金から構成されている。第2温度調整プレートAT2には、複数のヒーターHTが均等に配置されており、また、複数の第2冷却管CL2が配置されている。不図示のバルブを開閉することにより第2冷却管CL2には例えば20°Cの純水などの冷媒が流れたり止まったりする。第2冷却管CL2は半導体ウエハWを加熱加圧して接合した後、接合した半導体ウエハWを冷却するために使われる。ベースプレートBP2には、複数の第1冷却管CL1が配置されている。第1冷却管CL1にも例えば20°Cの純水などの冷媒が流れている。第1冷却管CL1はヒーターHTによる半導体ウエハWの加熱中にその熱が内側加圧アクチュエータ73と外側加圧アクチュエータ75に伝達しないようにしている。さて、第2半導体ウエハW2から第2ベースプレートBP2の構成においては、図4bからeに示すような接触熱抵抗を含む界面が存在する。図4bは第2半導体ウエハW2と第2ウエハホルダWH2との界面であり、この界面における接触熱伝達率=1/接触熱抵抗をKw、whとする。cは第2ウエハホルダWH2と第2トッププレートTP2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をKwh、tpとする。dは第2トッププレートTP2と第2温度調整プレートAT2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をKtp、atとする。eは第2温度調整プレートAT2とヒーターHTとの界面であり、この界面における接触熱伝達率をKat、htとする。本実施形態に示した簡単な構造であっても、ヒーターHTから半導体ウエハWに至るまでには複数の接触熱抵抗を含む界面が存在する。従って、温度センサーTSの温度出力と半導体ウエハWの接合面の温度とには温度差があり、また半導体ウエハWが所定の温度に至るまでの時間にも時間差が生じてしまう。<熱流体解析システム>図5は、主制御装置90のうちの熱流体解析システムを示したブロック図である。熱流体解析システムは、バスBで相互に接続されている表示部91と、キーボード及びマウス等で構成された入力部92と、接触熱抵抗算出部93と、接触熱抵抗モデルテーブル94と、温度予測部95と、温度制御部96と、記憶部99とを有している。熱流体解析システムは、記憶部99に予めインストールされた熱流体解析プログラムを格納するとともに、熱流体解析プログラムの処理に必要な各種のデータを格納する。接触熱抵抗算出部93は、接触熱抵抗モデルごとにその接触面における接触熱抵抗又は熱伝導率Kを算出し、その算出結果を接触熱抵抗モデルテーブル94に記録する。温度予測部95は、接触熱抵抗モデルテーブル94に記憶された接触熱抵抗又は熱伝達率、及びヒーター温度などに基づいて、半導体ウエハWの接合面の温度を予測する。接触熱抵抗が変化し、またヒーターHTの温度も変化することがあるため、半導体ウエハWの接合面の温度は定常的な場合だけでなく過渡的熱特性の変化もある。定常的又は過渡的熱特性の変化も考慮して、温度予測部95は、半導体ウエハWの接合面の温度を予測する。また、温度予測部95は、ヒーターHTの加熱能力、第2冷却管CL2の冷却能力などから半導体ウエハWを接合するサイクル時間を計算する。また、温度予測部95は、トッププレートTPに配置された温度センサーTSの温度変化と温度予測部95が予測したトッププレートTPの温度変化とが異なる場合には、温度予測部95内の計算モジュールのパラメータなどを補正する学習機能を備えることが好ましい。より正確な半導体ウエハWの接合面の温度を予測することができる。温度制御部96は、入力部92で入力された接合面の目標温度H1及び加圧力などに基づいて、ヒーターHTの供給電流、第2冷却管CL2などのバルブ開閉を行う。なお、表示部91に表示された熱流体解析プログラムによるGUIGraphicUserInterfaceに従って、操作者は接合面の目標温度、使用するウエハホルダWHの種類などを入力部92により入力する。ところで、接触熱抵抗算出部93による接触熱抵抗の算出は、接触面における接触部材の材料、接触圧力、仕上げ面表面粗さ等の接触条件に基づいて算出される。その算出方法は所定のものに限定されない。周知の方程式に基づいて算出してもよいし、試験用半導体ウエハの実験で得られた結果をルックアップテーブルとして記憶部99に蓄積し、そのルックアップテーブルに基づいて算出してもよい。本実施の形態では、接触熱抵抗の推定式として橘の式を用いた例を説明する。<接触熱抵抗の算出>図6は、橘の式を用いて接触熱抵抗を算出する例である。図6aは橘の式を示す。この橘の式において、各パラメータの意味は以下の通りである。K:接触熱伝達率W/m2°Cδ1:接触面を構成する一方の部材の表面粗さμmδ2:接触面を構成する他方の部材の表面粗さμmδ0:接触相当長さ=23μmλ1:接触面を構成する一方の部材の熱伝導率W/m°Cλ2:接触面を構成する他方の部材の熱伝導率W/m°CP:接触圧力MPaH:接触面を構成する部材のうち軟らかい方の硬度HBλf:介在流体熱伝導率W/m°C。接触面の隙間にできる空気の熱伝導率を想定している。真空中であれば流体熱伝導率は0として考える。なお、上記の算出方法において、トップテーブルTP、温度調整プレートATなど予め測定して表面粗さδ1及びδ2、熱伝導率λ1及びλ2などを記憶部99に記憶しておいてもよい。また、介在流体熱伝導率λfは真空と窒素雰囲気とを選択できるようにしておく。さらに、表示部91に表示された熱流体解析プログラムによるGUIに基づいて操作者がδ1、δ2、λ1、λ2、P、H、及びλfの値を入力部92で入力してもよい。例えば、接触圧力Pは接合するバンプの材料等により最適加圧力は異なるため操作者が適宜入力する必要がある。また接触圧力Pもどのようなタイミングで加圧するかも入力することができる。半導体ウエハWの表面粗さδ1は、接合する半導体ウエハWの種類毎に異なる可能性あり、これも操作者が適宜入力できるようにしておくことが好ましい。また操作者の都合によりウエハホルダWHを、操作者が独自に製作又は使用する可能性もある。図6bは、図4bで示した半導体ウエハWとウエハホルダWHとの接触熱伝達率Kw、whを接触熱抵抗算出部93が算出した例である。本実施形態では450°Cで半導体ウエハW同士の接合を行う。図6bの表に示す値を使って接触熱伝達率Kw、whを算出すると73.2W/m2°Cとなった。約10回の実験を行った結果は60W/m2°Cから94W/m2°Cであったため、橘の式の算出結果ときわめて実験結果となった。なお、図4cに示した半導体ウエハWとトッププレートTPとの接触熱伝達率Kwh、tp、dに示したトッププレートTPと温度調整プレートATの接触熱伝達率Ktp、at、及びeに示した温度調整プレートATとヒーターHTとの接触熱伝達率Kat、htも、同様に接触熱抵抗算出部93で算出される。<加圧力と半導体ウエハWの温度との関係>接触熱抵抗は加圧力の影響を受けるため、半導体ウエハW同士の加圧力によって半導体ウエハの温度が変わってしまうことを説明する。図7Aaは、加熱加圧装置70の内側加圧アクチュエータ73と外側加圧アクチュエータ75とによる加圧力を示すグラフであり、bは加熱加圧装置70のヒーターHTの温度実線との半導体ウエハWの温度点線とを示す。図7Aaの加圧プロファイルAでは、ヒーターHTの加熱と同時に内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75が半導体ウエハWの接合面に加圧力P0になるように加圧している。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4で加圧力P0から加圧力ゼロになるように減圧している。なお、保持時間TT時刻t1から時刻t3所定の温度で所定の圧力を維持することで、半導体ウエハWの金属バンプ同士を接合する。加圧プロファイルAの場合には、図7Abに示すような温度グラフとなった。ヒーター温度はヒーター近傍の温度センサーから得られたものであり、半導体ウエハWの温度は試験用ウエハを用いて実験により実測したものである。両グラフの間にギャップが生じるのは、前述の通りヒーターHTから半導体ウエハW間には多くの接触熱抵抗が存在したり、また各部での放熱ロスがあったりするためである。しかしながら、トライアンドエラーで試行的に調整すれば、この半導体ウエハWは目標温度H1にまで到達し、加圧力Pの下で保持時間TT保持することができるため、接合の機能的要求を満足させることができる。温度制御部96は時刻t3にヒーターHTへの電源供給を止め、第2冷却管CL2の冷媒のバルブを開放して半導体ウエハWを冷却する。冷却時間TCは時刻t3から時刻t5までである。図7Bcは、接触熱抵抗を考慮しないで、加圧力を図7Aaの加圧プロファイルAから加圧プロファイルBに示すように小さくした場合の半導体ウエハWの温度を示す。操作者は、加圧力のみを変更し他の温度や保持時間TTは変更前の状態を維持したかったにもかかわらず、圧力低下に伴い接触熱伝達率が小さくなるので、実際の半導体ウエハWの温度は一点鎖線で示すようなグラフとなる。つまり、到達温度が温度H1からH2へ低下して接合臨界温度に到達しない場合がある。また、保持時間TTも時刻t1から時刻t3であった期間が時刻t1から時刻t2へ短縮してしまい拡散時間が不足してしまう。またヒーターHTへの電源供給を止め、第2冷却管CL2の冷媒のバルブを開放して半導体ウエハWを冷却する冷却時間TCも時刻t3から時刻t6となり長くなってしまう。つまり十分な冷却を行うために時間LTCが不足してしまう。冷却時間TCが不足したままウエハを取り出すと外気温との差で熱衝撃破壊が生じたりする。試験用ウエハであればウエハ接合面の温度を観察することができるが、製品となる半導体ウエハWでは目標温度H1と実際のウエハ温度の間にここまで大きな乖離が生じていることにすら気づかないことが多い。その結果、接合不良ウエハを生みだしてしまうことになる。図7Bdは、接触熱抵抗を考慮して、加圧力を図7Aaの加圧プロファイルAから加圧プロファイルBに示すように小さくした場合の半導体ウエハWの温度を示す。接触熱抵抗算出部93は加圧プロファイルBになったことによる、半導体ウエハWからヒーターHTまでの接触熱抵抗を算出する。算出結果は接触熱抵抗モデルテーブル94に記録される。温度予測部95は、ヒーターHTの温度及び記録された接触熱抵抗などに基づいて半導体ウエハWの接合面の温度を算出する。接合面の目標温度H1に達しないようであれば温度制御部96はヒーターHTへの供給電力を増大する。また、保持時間TTが確保するため、温度制御部96は時刻t1までに目標温度H1に達するようにヒーターHTへの供給電力を調整する。このようにして補正されたヒーターHTの温度のグラフは、図7Bdの二点鎖線のようになる。半導体ウエハWが目標温度H1になるように、温度制御部96はヒーターHTが温度H3になるように制御するとともに、時刻t1までに目標温度H1に達するようヒーターHTの立ち上がり時刻t0でヒーター温度H3になるようにしている。また温度制御部96は冷却時間TCも確保できるように第2冷却管CL2のバルブを全開にしたりして冷却時刻が時刻t6から時刻t5へと改善される解を求める。以上は図7Aaに示した加圧力の大きな加圧プロファイルAと加圧力の小さな加圧プロファイルBとについて説明した。しかし、操作者は表示部91に表示されたGUIに従って、入力部92で各種の加圧プロファイルを選択することができる。図7Cは、加熱加圧装置70の内側加圧アクチュエータ73と外側加圧アクチュエータ75とによる加圧力を示すグラフである。図7Ceの加圧プロファイルCでは、ヒーターHTの加熱が始まってからしばらくして内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75が半導体ウエハWの接合面に加圧力P0になるように加圧している。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4で加圧力P0から加圧力ゼロになるように減圧している。図7Ceの加圧プロファイルDでは、ヒーターHTの加熱が始まると同時に加圧していくがちょうど目標温度H1になった時点で加圧力P0になるように徐々に加圧していく。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4から時刻t6にかけて徐々に加圧力P0から加圧力ゼロにしている。図7Cfの加圧プロファイルEでは、ヒーターHTの加熱が始まると同時に加圧していくがちょうど目標温度H1になった時点で加圧力P0になるように徐々に加圧していく。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4で加圧力P0から加圧力ゼロにしている。図7Cfの加圧プロファイルFでは、ヒーターHTの加熱が始まると同時に加圧力P1まで加圧しそのまま加圧力P1で所定時間保持している。そして目標温度H1になると同時に再び加圧して加圧力P0にしている。また、減圧に際しても時刻t4で加圧力P0から加圧力P1にししばらくか圧力P1を保持し時刻t6で加圧力をゼロにしている。操作者は、入力部92から上記加圧プロファイルAないし加圧プロファイルFまでの一つを選択できる。これらは一例であり、別の加圧プロファイルを作成しても良い。このように各種の加圧プロファイルを選択した場合であっても、接触熱抵抗算出部93が接触熱抵抗を算出する。そして、加圧圧力が徐々に変化したりヒーターHTの温度が徐々に変化したりする過渡的熱特性を考慮して、温度制御部96は目標温度H1に達するようにヒーターHTなどを制御する。以上、加圧Pの変更に伴う補正について述べてきたが、他にも接触熱抵抗を変化させる面粗さ、硬度、熱伝導率、介在流体等の要因が変更される場合であっても全く同様に接触熱抵抗算出部93が接触熱抵抗を算出して、適正な半導体ウエハWの接合ができる。<半導体ウエハの接合のフローチャート>図8は、半導体ウエハWの接合のフローチャートである。ステップP31において、操作者は表示部91に表示されたGUIに従って、半導体ウエハ枚数、目標温度H1、加圧力P、加圧プロファイル、半導体ウエハWの面粗さ、保持時間TT、冷却時間TCなどの条件を入力する。これらすべての条件を入力する必要はなく、例えば操作者は導体ウエハ枚数、目標温度H1及び加圧力P以外はデフォルトで設定されている条件を入力するようにしても良い。ステップP32において、接触熱抵抗算出部93は、入力された条件に基づいて接触熱抵抗の界面ごとにその接触面における接触熱抵抗又は接触熱伝導率を算出する。ステップ33において、温度予測部95は、記録された接触熱抵抗などに基づいて所定の計算モジュールに従い半導体ウエハWの接合面の温度を算出する。ステップP34において、加熱加圧装置70はその能力範囲外を超える条件設定はないか判定する。例えば半導体ウエハWの目標温度H1が480°Cで冷却時間が10秒と設定された場合、5秒以内に半導体ウエハWの温度を480°Cから常温に冷却することは第2冷却管CL2の能力から達成することはできない。このような判定の場合にはステップP35に進み、入力された条件が能力範囲内であればステップP36に進む。ステップP35において、表示部91に入力変更を促す入力項目を表示する。例えば冷却時間を20秒以上の値を入れてください。又は目標温度を400°C以下にしてください。と表示したり、目標温度H1及び冷却時間CLの項目を点滅させたりして操作者による条件設定が不備を認識させる。ステップP36において、結合した半導体ウエハWができあがるサイクル時間を表示する。1時間内にできあがる半導体ウエハの枚数スループットであってもよい。ステップP37において、ウエハ張り合わせ装置100を動作させ、加熱加圧装置70の温度制御部96がヒーターHTなどを制御する。ステップP38では、温度センサーTSでヒーターHT近傍の温度を検出する。検出された温度は温度予測部95へフィードバック用として送られる。本実施形態ではトッププレートTPに温度センサーTSが取り付けられているため、温度予測部95はトッププレートTPの温度も予測し、予測されたトッププレートTPの温度と温度センサーTSからのトッププレートTPの温度とを比較する。これによって温度予測部95はトッププレートTPの計算モジュールのパラメータなどを補正する。これを繰り返すことによって温度予測部95は精度を上げていく。"