"単結晶シリコン基板の表面にシリコンに対してエッチング選択性を有し且つエピタキシャルな関係にある犠牲層を設け、該犠牲層上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、該単結晶シリコン薄膜に複数の貫通孔を形成すると共に当該貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングし、単結晶シリコン薄膜を分離することを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記犠牲層を設けた後又は前記犠牲層を設ける前に結晶成長阻害部を形成する工程を実施して前記犠牲層上に部分的に結晶成長阻害部を設け、該結晶成長阻害部を設けた前記犠牲層の上に前記単結晶シリコン薄膜を成長させ、該単結晶シリコン薄膜の前記結晶成長阻害部に対応する部分の結晶欠陥を含んだシリコンを選択的にエッチングして前記貫通孔とすることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項2記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が、非晶質材料もしくはシリコン化合物で構成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項2記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が所定のパターンで設けられていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項2~4の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が、前記単結晶シリコン薄膜の厚さの1倍以上100倍以下の間隔で設けられていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1~5の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記犠牲層が、他元素がドープされた高濃度ドープシリコン、結晶欠陥を含んだシリコン及びフッ化カルシウムCaF2から選択される材料で形成されることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1~6の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記貫通孔の開口面積が、100~10000μm2であることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1~7の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記単結晶シリコン薄膜の厚さが、5~100μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1~7の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記単結晶シリコン薄膜の厚さが、5~50μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法。請求項1~9の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法を用いて単結晶シリコン薄膜デバイスを製造することを特徴とする単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法。請求項1~9の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法を用いて太陽電池用発電層を製造することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法。厚さが5~100μmの単結晶シリコン薄膜であり、複数の貫通孔を具備することを特徴とする単結晶シリコン薄膜。請求項12記載の単結晶シリコン薄膜において、厚さが5~50μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜。請求項12又は13に記載の単結晶シリコン薄膜において、前記貫通孔が所定のパターンで形成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜。請求項12~14の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜において、前記貫通孔の開口面積が、100~10000μm2であり、前記貫通孔の表面がシリコンの111面で構成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜。請求項12~15の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜を用いたことを特徴とする単結晶シリコン薄膜デバイス。請求項12~15の何れか1項に記載の単結晶シリコン薄膜を用いたことを特徴とする太陽電池デバイス。本発明は、ELOを利用して単結晶シリコン薄膜を製造するに際し、犠牲層のエッチングを容易にする単結晶シリコン薄膜の製造方法、単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法及び太陽電池デバイスの製造方法並びに単結晶シリコン薄膜及びそれを用いた単結晶シリコン薄膜デバイス及び太陽電池デバイスを提供することを目的とする。前記目的を達成する本発明の第1の態様は、単結晶シリコン基板の表面にシリコンに対してエッチング選択性を有し且つエピタキシャルな関係にある犠牲層を設け、該犠牲層上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、該単結晶シリコン薄膜に複数の貫通孔を形成すると共に当該貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングし、単結晶シリコン薄膜を分離することを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第2の態様は、第1の態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記犠牲層を設けた後又は前記犠牲層を設ける前に結晶成長阻害部を形成する工程を実施して前記犠牲層上に部分的に結晶成長阻害部を設け、該結晶成長阻害部を設けた前記犠牲層の上に前記単結晶シリコン薄膜を成長させ、該単結晶シリコン薄膜の前記結晶成長阻害部に対応する部分の結晶欠陥を含んだシリコンを選択的にエッチングして前記貫通孔とすることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第3の態様は、第2の態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が、非晶質材料もしくはシリコン化合物で構成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第4の態様は、第2の態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が所定のパターンで設けられていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第5の態様は、第2~4の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記結晶成長阻害部が、前記単結晶シリコン薄膜の厚さの1倍以上100倍以下の間隔で設けられていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第6の態様は、第1~5の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記犠牲層が、他元素がドープされた高濃度ドープシリコン、結晶欠陥を含んだシリコン及びフッ化カルシウムCaF2から選択される材料で形成されることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第7の態様は、第1~6の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記貫通孔の開口面積が、100~10000μm2であることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第8の態様は、第1~7の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記単結晶シリコン薄膜の厚さが、5~100μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第9の態様は、第1~7の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記単結晶シリコン薄膜の厚さが、5~50μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜の製造方法にある。本発明の第10の態様は、第1~9の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法を用いて単結晶シリコン薄膜デバイスを製造することを特徴とする単結晶シリコン薄膜デバイスの製造方法にある。本発明の第11の態様は、第1~9の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜の製造方法を用いて太陽電池用発電層を製造することを特徴とする太陽電池デバイスの製造方法にある。本発明の第12の態様は、厚さが5~100μmの単結晶シリコン薄膜であり、複数の貫通孔を具備することを特徴とする単結晶シリコン薄膜にある。本発明の第13の態様は、第12の態様に記載の単結晶シリコン薄膜において、厚さが5~50μmであることを特徴とする単結晶シリコン薄膜にある。本発明の第14の態様は、第12又は13の態様の単結晶シリコン薄膜において、前記貫通孔が所定のパターンで形成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜にある。本発明の第15の態様は、第12~14の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜において、前記貫通孔の開口面積が、100~10000μm2であり、前記貫通孔の表面がシリコンの111面で構成されていることを特徴とする単結晶シリコン薄膜にある。本発明の第16の態様は、第12~15の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜を用いたことを特徴とする単結晶シリコン薄膜デバイスにある。本発明の第17の態様は、第12~15の何れかの態様の単結晶シリコン薄膜を用いたことを特徴とする太陽電池デバイスにある。以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。図1は、一実施形態に係る単結晶シリコン薄膜の製造方法の工程を示す断面図である。まず、図1aに示すように、単結晶シリコン基板1を用意する。単結晶シリコン基板1は、例えば、100単結晶シリコンウエハであり、例えば、400~700μmの厚さのものを用いることができる。次に、図1bに示されるように、単結晶シリコン基板1の表面に、犠牲層2をエピタキシャル成長させる。ここで、犠牲層2は、シリコンに対してエッチング選択性を有するものであればよく、製造する単結晶シリコン薄膜や単結晶シリコン基板に金属元素を混入させないものが好ましい。好適には、他元素が高濃度ドープされた高濃度ドープシリコン、結晶欠陥を含んだシリコン及びフッ化カルシウムCaF2から選択される材料を用いることができる。ここで、高濃度ドープシリコンは、III族ないしV族元素から選択される他元素を高濃度でドープしたシリコンであり、単結晶シリコン基板1表面にシリコン源とドーパント源を所定比率で供給することにより、高濃度にドープされた単結晶シリコンからなる犠牲層2を形成することができる。ここで、他元素として、好ましくは、ホウ素BやリンPを挙げることができる。また、高濃度とは、ドーパント濃度が1018原子/cm3以上であることをいう。また、高濃度ドープシリコンは、III族ないしV族元素から選定される他元素を、熱拡散法ないしイオン注入法により単結晶シリコン基板1表面にドープすることでも形成することができる。この方法の詳細は後述する。また、結晶欠陥を含んだシリコンは、結晶欠陥を含んでシリコンに対してエッチング選択性を有するものであり、結晶欠陥としては、双晶、空孔、格子間原子、刃状転位、螺旋転位などを挙げることができる。ここで、結晶欠陥は、数密度が単結晶シリコン基板1と犠牲層2との界面において、1/μm2~1/nm2であれば、シリコンに対するエッチング選択性を有することになる。このような結晶欠陥を含んだシリコンからなる犠牲層2を形成する方法は、例えば、残留ガス圧が比較的高く、かつ比較的低温下の成膜条件で、シリコンをエピタキシャル成長させることにより、双晶の入った単結晶シリコンからなる犠牲層2を成長させることができる。なお、このような結晶欠陥を含むシリコンからなる犠牲層2の場合、後述するように、犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させる前に、還元性雰囲気下でのアニールにより、双晶などの結晶欠陥を含むシリコンからなる犠牲層2の表面の双晶を消失させるのが好ましい。また、フッ化カルシウムからなる犠牲層2とする場合には、例えば、フッ化カルシウムを原料とした真空蒸着により形成することができる。ここで、犠牲層2の厚さは、例えば、100nm~1000nmとするのが好ましい。次に、図1cに示すように、所定のパターンで、例えば、所定間隔の格子状に配置された結晶成長阻害部3を設ける。ここで、結晶成長阻害部3は、非晶質材料もしくはシリコン化合物からなるものであり、例えば、SiOX、SiNx、SiC、SiOxNyなどを挙げることができる。結晶成長阻害部3は、犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させた際に、エピタキシャル成長を阻害して結晶欠陥を含むシリコンを形成するものであればよく、単結晶シリコンと格子定数が合わない結晶でもよい。このような所定のパターンで配置された結晶成長阻害部3を設ける方法の例を図2及び図3に示す。第1の方法では、図2aに示すように、単結晶シリコン基板1の上に、犠牲層2を設け、次いで、図2bに示すように、レジストなどからなる所定パターンで設けられた開口6aを有するマスク6を設けた後、図2cに示すように、SiO2などの材料をスパッタリング等により開口6a内に成膜して、図2dに示すように、所定のパターンで結晶成長阻害部3を形成する。第2の方法では、図3aに示すように、単結晶シリコン基板1の上に、犠牲層2を設け、次いで、図3bに示すように、SiO2などの結晶成長阻害膜30を全面に設けた後、フォトリソグラフィーによりパターニングされたドット形状のパターン7aのレジストマスク7を設けた後、表面が露出している結晶成長阻害膜30をエッチングで除去し、図3dに示すように、所定のパターンで結晶成長阻害部3を形成する。結晶成長阻害部3の形成方法はこれに限定されるものではなく、所定のパターンで形成できれば、特に形成方法は限定されるものではない。例えば、インクジェット法にて結晶成長阻害部3を犠牲層2の上にパターン印刷しても良い。また、結晶成長阻害部3は、ランダムに配置されていてもよい。例えば、シリカゾルを犠牲層2上に噴霧することにより、ランダムに配置されたSiO2からなる結晶成長阻害部3を形成することができる。このように犠牲層2上に結晶成長阻害部3を設けた後のプロセスを説明する。図1dに示すように、結晶成長阻害部3を設けた犠牲層2上に、結晶欠陥の少ない高純度の単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させて形成する。単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させる方法として、物理蒸着PVD;PhysicalVaporDeposition法がある。一般的には、実験室で理想的環境超高真空等下、低温でゆっくりとシリコンを成長させる方法として用いられている。一方、生産プロセスでは、化学気相成長CVD;ChemicalVaporDeposition法が、高温で高速に半導体層を堆積させる方法として用いられる。CVD法により単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させると、例えば、クロロシランを原料にした場合は、成膜速度はSiCl2やHCl等の化学種の脱離が律速となり、1200°C付近では1-10μm/minの成長速度が限界となる。高温にすることにより速度を上げられるが、しかし原料供給律速となり易く、数μm/minが実用上の上限となる。これは、犠牲層2の劣化を防ぐ成膜速度の下限とほぼ同程度の速度となってしまい、CVD法では犠牲層2の劣化抑制が困難である。また、犠牲層2として、ドープシリコンを用いた場合、ドープシリコンの犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜をCVD法により成長させると、上記した成長速度では10μmの単結晶シリコン薄膜を形成するのに1-10分かかってしまい、その時間内にドーパントが単結晶シリコン薄膜40中に拡散してしまうため、犠牲層2を維持できないという問題がある。一方、PVD法ではシリコンのみが吸着するため、化学種の脱離がない。そのため、脱離律速の上限を超え、成膜速度を任意に増大させることができる。ただし、成膜速度を上げすぎると、低温ではシリコンがエピタキシャル成長せずに、多結晶もしくは非晶質となってしまう。しかしながら、例えばシリコンの融点1410°Cでの融液成長では、10mm/s、即ち、600,000μm/minもの速度でエピタキシャル成長することが知られている。そこで、温度を融点近くまで上げれば、急速蒸着RVD;RapidVaporDeposition法でもエピタキシャル成長できる。RVD法の特徴について、犠牲層2としてBやPを用いた高濃度ドープシリコンを用いた場合について具体的に説明する。目的の単結晶シリコン薄膜40の厚さが10μmとすると、犠牲層2の厚さとしては1/10以下、即ち1μm以下が望ましい。ドーパントB,Pが1μm拡散すると、犠牲層2の構造が劣化してしまうが、その時定数は、拡散係数をDとすると、1μm2/Dで表される。この時間内に、単結晶シリコン薄膜40が10μm以上成長する必要があるため、成膜速度GRは、GR>10D/1μmが必要となる。既知の拡散係数Dと温度Tの関係を用いることにより、GR>2×1012exp-325[kJ/mol]/8.31[J/molK]/T273[K]の関係式が得られる。実際に、基板温度800°C、シリコン融液温度1800°CにてPVDを行ったところ、10μm/minで単結晶シリコン薄膜40のエピタキシャル成長に成功した。これは目標の成膜速度より20000倍も速く成長できたこととなり、犠牲層2の構造劣化の抑制が容易となることが明らかである。このように単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長する際、結晶成長阻害部3の上にはエピタキシャル成長しないので、結晶欠陥を多く含む多結晶シリコン部41が形成される。すなわち、本発明では、単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長すると、単結晶シリコン薄膜40は、結晶成長阻害部3に対応した領域に多結晶シリコン部41が形成される。このような多結晶シリコン部41は、単結晶シリコンに対してエッチング選択性を有するので、図1eに示すように、多結晶シリコン部41のみを、例えば、フッ酸と酸化剤の混合溶液での選択エッチングにより除去し、貫通孔42を形成することができる。なお、結晶成長阻害部3上に形成される多結晶シリコン部41は必ずしも多結晶である必要はなく、結晶欠陥を含むシリコンからなり、単結晶シリコンに対してエッチング選択性を有するものであればよい。次に、図1fに示すように、貫通孔42を介して犠牲層2を選択エッチングして犠牲層2を除去し、貫通孔4aを具備する単結晶シリコン薄膜4を製造することができる。ここで、選択エッチングにより、結晶成長阻害部3も除去されるか、もしくは結晶成長阻害部3と単結晶シリコン薄膜40の境界部がエッチングされ、貫通孔42が犠牲層2に到達する。なお、単結晶シリコン薄膜4を分離した単結晶シリコン基板1は、再利用することができる。ここで、犠牲層2の選択エッチングは、犠牲層2が高濃度ドープシリコンの場合には、例えば、フッ酸硝酸酢酸混合溶液をエッチャントとして容易に実施できる。また、犠牲層2が結晶欠陥を含むシリコンの場合には、多結晶シリコン部41と同様に、例えば、フッ酸と酸化剤の混合溶液での選択エッチングすることができ、この場合には、多結晶シリコン部41の選択エッチングに連続して行うこともできる。また、犠牲層2がフッ化カルシウムからなる場合には、例えば、硝酸を用いて選択エッチングすることができる。本発明において、犠牲層2の選択エッチングは、単結晶シリコン基板1よりも大幅に薄い単結晶シリコン薄膜40に所定のピッチで形成された貫通孔42を介して行うことができるので、非常に効率的に短時間で行うことができる。以上説明した本発明の単結晶シリコン薄膜の製造方法では、単結晶シリコン薄膜40に設けた貫通孔42を介して犠牲層2を効率的に除去できるので、単結晶シリコン薄膜4を短時間、低コストで製造することができる。また、特に、RVD法を採用すると、単結晶シリコン薄膜40のエピタキシャル成長速度を上げることにより生産性が上がるだけでなく、基板全体が高温に曝される時間が短くなるために犠牲層2の構造変化が抑えられ、犠牲層2の選択エッチングによる単結晶シリコン薄膜4と単結晶シリコン基板1との分離が良好となり、結果として高純度で欠陥のない単結晶シリコン薄膜4を得ることができ、非常に有望なプロセスとなる。このようにして形成された単結晶シリコン薄膜4の概略構成を図4に示す。単結晶シリコン薄膜4は、所定パターンで貫通孔4aを有するものである。貫通孔4aは、図示では開口が正方形としているが、実際には、結晶成長阻害部の形状に応じて種々の形状を取る。一方で、貫通孔4aの表面内面は、シリコンの111面5で形成される。ここで、単結晶シリコン薄膜4の厚さは特に限定されず、200μm程度あるいはそれ以上の厚さのものも比較的容易に形成できるが、従来では容易には形成できない5μm~50μmの厚さのフレキシブル単結晶シリコン薄膜も比較的容易に製造できる。ここで、貫通孔4aの大きさや間隔は、単結晶シリコン薄膜4の厚さや犠牲層2の選択エッチングの工程時間、さらには、貫通孔4aを後のデバイス化プロセスで用いる場合にはその配置状態等を考慮して適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。例示すると、貫通孔4aの開口面積は100μm210μm角~10000μm2100μm角で、間隔は10~1000μm、好ましくは100~1000μm、被覆率は0.01~50程度、好ましくは、0.01~10程度である。かかる単結晶シリコン薄膜4は、従来では製造できないものである。また、単結晶シリコン薄膜4を単結晶シリコン薄膜デバイスに用いる際に、貫通孔4aを配線などのために有効利用してもよい。勿論、貫通孔4aを用いることなく単結晶シリコン薄膜デバイスを製造してもよいことはいうまでもない。以上説明した実施形態では、犠牲層2をエピタキシャル成長で形成した例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、単結晶シリコン基板の表面に、他元素を拡散法ないしイオン注入法にてドーピングし、アニールする。これにより、単結晶シリコン基板の表面に犠牲層他元素がドープされた部分を設けることができる。この方法では、単結晶シリコン基板と実質的に連続した結晶構造を有したエピタキシャル関係にある犠牲層となるので、上述した実施形態と同様に、結晶成長阻害部を設けた後、単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、その後、同様に犠牲層を除去することにより、同様な単結晶シリコン薄膜を得ることができる。また、単結晶シリコン基板に他元素をドーピングする方法では、犠牲層を形成するより前に結晶成長阻害部を形成することもできる。この例を図5に示す。この方法では、図5aに示すように、単結晶シリコン基板1上に、所定パターンで結晶成長阻害部3を設けた後、図5bに示すように、他元素をドーピングする。これにより、単結晶シリコン基板1の表層部が犠牲層2Aとなる。この後のプロセスは上述した実施形態と同様に行うことができる。さらに、上述した実施形態では、単結晶シリコン薄膜に貫通孔を形成するために、結晶成長阻害部を設けて単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させて、多結晶シリコン部を設け、この多結晶シリコン部を選択エッチングで除去して貫通孔としたが、単結晶シリコン薄膜に貫通孔を形成する方法は、これに限定されるものではない。図6及び図7には、単結晶シリコン薄膜に貫通孔を形成する他の例を示す。図6の方法は、図6a及びbに示すように、単結晶シリコン基板1の上に犠牲層2を形成し、次いで、図6cに示すように、犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜40Aを形成した後、図6dに示すように、所定パターンで開口8aを有するマスク8を設けた後、図6eに示すように、単結晶シリコン薄膜40Aの開口8aに対応する領域を異方性エッチングすることにより、貫通孔42Aを形成するものである。その後、図6fに示すように、貫通孔42Aを介して犠牲層2を選択エッチングにより除去し、単結晶シリコン薄膜4を製造する。図7の方法は、図7aに示すように、単結晶シリコン基板1上に犠牲層2を設けた後、犠牲層2上に単結晶シリコン薄膜40Bをエピタキシャル成長させ、その後、図7bに示すように、開口9aを有するマスク9を介して他元素をドーピングすることにより、単結晶シリコン薄膜40Bにドープシリコン部41Bを設ける。次いで、図7cに示すように、ドープシリコン部41Bを選択エッチングにより除去し、図7dに示すように、貫通孔42Bを形成する。その後、図7eに示すように、貫通孔42Bを介して犠牲層2を選択エッチングすることにより除去し、単結晶シリコン薄膜4を製造する。実施例1図3及び図1の手順にて行った検討結果を説明する。100単結晶シリコン基板1の表面に、リンをイオン注入によりドープすることにより犠牲層2を形成した。ドープ量は1×1020原子cm3以上とし、犠牲層2の厚さは120nmとなった。犠牲層2の上に、スパッタ法にて厚さ100nmのSiO2膜を形成し、スピンコート法にてレジスト層を形成した。更にUVリソグラフィによりレジストにドット状パターン7aのレジストマスク7を形成した上で、SiO2膜をエッチングすることにより、ドット状の結晶成長阻害部3を形成した。ここで、結晶成長阻害部3は、大きさが20μm角であり、ピッチ100μmで格子状に設けた。この基板の上に、RVD法にて1100°Cにて1min間シリコンを蒸着することで、厚さ約10μmの単結晶シリコン薄膜40をエピタキシャル成長させた。その上で、フッ酸硝酸酢酸の混合溶液で、マイルドにエッチングした結果を図8に示す。図8aは単結晶シリコン薄膜の表面の走査型電子顕微鏡像であり、結晶成長阻害部に対応したパターンで単結晶シリコン薄膜表面のエッチングが始まっていることが分かる。図8bは同じサンプルの断面の走査型電子顕微鏡像であり、阻害部を底辺とした台形状に結晶欠陥を含んだ多結晶シリコンが単結晶シリコン薄膜中に形成されていることが分かる。実施例2ここでは、図3及び図1に示す単結晶シリコン薄膜の製造の手順においてリフトオフ方法を検討した結果について説明する。図1a~図1dに示されている手順にしたがって実施例1と同様に単結晶シリコン基板1上に多結晶シリコン部41を含む単結晶シリコン薄膜40を設けた後、これを、フッ酸、硝酸、酢酸の混合液からなるエッチャント中に浸漬した。このエッチャントは単結晶シリコン薄膜40と多結晶シリコン部41の間にエッチングレートの差があり、多結晶シリコン部41のエッチングレートが高くなるように調整したものである。この結果、多結晶シリコン部41のみがエッチングされ、表面から犠牲層2に通じる貫通孔4aが形成された。続いて、上記エッチャントは形成された貫通孔4aを通して、犠牲層2まで到達し、貫通孔4a周辺の犠牲層2の溶解が始まり、貫通孔4aに対して横方向貫通孔の深さ方向に直交する方向のエッチングが進行する。最終的には単結晶シリコン薄膜40の面内のそれぞれの貫通孔4aから横方向に進行する犠牲層2のエッチングがお互いに結びつきあい、エピタキシャル成長した単結晶シリコン薄膜4が鋳型となる単結晶シリコン基板1から剥離された。図9は、このようにして製造した単結晶シリコン薄膜4を単結晶シリコン基板1から剥離して、ガラス基板上に転写した単結晶シリコン薄膜4の写真である。"