第1の導電リングと入れ子になった第1の環状誘導コイルを備える、プラズマチャンバ用のリッドアセンブリ。前記第1の環状誘導コイルが、前記第1の導電リングと入れ子になった絶縁チャンネル内に配設される、請求項1に記載のリッドアセンブリ。前記絶縁チャンネル内側の前記第1の環状誘導コイルの周りに配設されるフィールド集中装置をさらに備える、請求項2に記載のリッドアセンブリ。前記第1の導電リングと入れ子になった第2の絶縁チャンネル内に配設される第2の環状誘導コイルをさらに備える、請求項3に記載のリッドアセンブリ。前記第1および第2の環状誘導コイルのそれぞれが金属管を備え、前記第1の環状誘導コイルが前記導電リングの中央開口の中で入れ子になり、前記第2の環状誘導コイルが前記第1の環状誘導コイルと同心の前記導電リングの周囲端面の周りで入れ子になる、請求項4に記載のリッドアセンブリ。ガス分配器と、前記ガス分配器の周りに配設される支持板と、前記ガス分配器の周りに配設され、前記支持板に連結される導電リングと、前記導電リングと入れ子になった絶縁チャンネル内に配設される環状誘導コイルと、前記誘導コイルの周りの前記絶縁チャンネル内に配設されるフィールド集中装置とを備える、プラズマチャンバ用のリッドアセンブリ。前記絶縁チャンネルが前記導電リングの中央開口の中に同心に配設され、前記支持板に面する開口を有し、前記導電リングの内部端面を覆う延長部を有する、請求項6に記載のリッドアセンブリ。前記支持板が導電性であり、前記導電リングに電気的に結合される、請求項7に記載のリッドアセンブリ。前記ガス分配器が前記支持板の中央開口、前記導電リング、および前記環状誘導コイルを通ってコンジットに連結され、前記支持板が前記導電リングに電気的に結合され、前記環状導電コイルが前記支持板および前記導電リングから電気的に絶縁され、前記環状導電コイルが前記導電リングと実質的に共平面である、請求項6に記載のリッドアセンブリ。前記絶縁チャンネル内に配設されるアイソレータをさらに備え、前記アイソレータが、前記環状誘導コイルがその中に嵌入するチャンネルを有する、請求項6に記載のリッドアセンブリ。前記環状誘導コイルが前記導電リングと実質的に共平面であり、前記環状誘導コイルが熱制御媒体用コンジットを備える、請求項10に記載のリッドアセンブリ。内部領域を画定するチャンバ本体と、前記内部領域内に配設される基板支持体と、前記内部領域内に配設され、前記基板支持体に面するリッドアセンブリであって、ガス分配器、および前記基板支持体に面する第1の導電表面、前記基板支持体から離れる向きである第2の導電表面、および前記第1の表面および前記第2の表面の間の導電性プラズマ源に配設される複数の導電コイルを有するプラズマ源を備えるリッドアセンブリとを備える、半導体基板用処理チャンバ。前記それぞれの導電コイルが前記導電性プラズマ源内に形成されるコンジット内に配設され、前記コンジットが絶縁材料で裏打ちされる、請求項12に記載の処理チャンバ。磁場集中装置が前記コンジット内に配設される、請求項13に記載の処理チャンバ。各導電コイルが熱制御媒体用の内部経路を備えて形成される、請求項14に記載の処理チャンバ。各導電コイルが絶縁体により分離される複数の導電ループを備える、請求項15に記載の処理チャンバ。図1は、一実施形態にしたがう、処理チャンバ100の概略断面の線図である。処理チャンバ100は、チャンバ本体102、基板支持体104、および基板支持体104に面するガス分配器106を備え、チャンバ本体102、基板支持体104、およびガス分配器106は、協働的に処理領域118を画定する。ガス分配器106は、シャワーヘッド108およびシャワーヘッド108を囲むプラズマ源110を備える。プラズマ源110は、導電スペーサ114および導電スペーサ114の内側に配設される導電コイル112を備える。導電スペーサ114内に配設される、1つまたは複数の導電コイル112があって良い。導電スペーサ114は、導電コイル112を収容するチャンネルまたはコンジットを備えるディスク様の部材であって良い。交互に、導電スペーサ114は、導電コイル112を分離し、導電コイル112と入れ子になる複数のリングであって良い。導電コイル112のそれぞれは、絶縁材料で裏打ちされるチャンネルまたは凹部116内に収容される。チャンネルまたは凹部116の絶縁材料は、電流が導電コイル112から導電スペーサ114の中に伝わることを防止する。導電コイル112は、処理領域118内に磁場を作り、磁場は、処理領域118内に配設される処理ガスをイオン化してプラズマを形成する。いくつかの実施形態において、導電コイル112は、図2に関連して下でさらに記載されるように、取外し可能な絶縁部材を特徴として有するコイルアセンブリであって良い。導電スペーサ114は、基板支持体104に面する、大きな表面積の接地電極をもうける。大きな接地電極によって、より低い電力レベルを使用して、基板支持体において、より高い電圧を生成することが可能になる。導電スペーサ114内に導電コイル112を配設することによって、同様に、プラズマ源を処理領域118のプラズマ生成区域に近づけて、プラズマとの結合効率を改善する。加えて、導電スペーサ114の大きな接地表面積によって、チャンバ内のプラズマシース電圧を減少させ、このことがチャンバ壁およびチャンバリッド構成要素のスパッタリングを減少させ、基板支持体上に配設される被加工物の汚染を減少させる。複数の導電コイル112を使用することによって、同様に、処理領域118内のプラズマプロファイルを調整するため、コイルに異なる電力レベルを使用する可能性をもたらす。図2は、別の実施形態にしたがう、リッドアセンブリ200の概略断面の線図である。図1のガス分配器106と同様に、リッドアセンブリ200はシャワーヘッド202およびプラズマ源204を備える。ガスコンジット206は、ガス源図示せずをシャワーヘッド202に接続し、ガス源をシャワーヘッド202内の開口208を介して処理チャンバと流体連結の状態にする。プラズマ源204は、導電性ガス分配部材214間に形成されるチャンネル212内に配設される導電コイル210を備える。いくつかの実施形態において、ガス分配部材214は、金属または金属合金であって良く、所望であれば、誘電体材料で、またはイットリアなどの化学的耐性のあるまたはプラズマ耐性のある材料でコーティングすることができる。導電コイル210は、1つより多い導電コイル210が存在して良いが、同様に金属、金属合金、または金属でコーティングされた誘電体もしくは異なる導電率を有する金属を特徴として有する金属複合物などの、導電性複合物であって良い。導電コイル210のための材料の選択は、一般的に、所望の熱伝導率および電気伝導率に依存する。より低い電気伝導率を有する材料は、一般的にコストがより低いが、より低い伝導率の材料から作られた導電コイルは、不要な熱を生成する場合があり、動作させるために過剰な電力が必要な場合がある。銅および銀などの、より導電性の高い材料は、導電コイル用にうまく使用することができる。アルミニウム、亜鉛、またはニッケルなどの導電性が低く、より低コストの材料を、合金または層の構成要素として含むことができる。水などの冷却液体または窒素などの冷却ガスであって良い熱制御媒体用のコンジットを備える導電コイル210を形成することにより、熱を放散することができる。導電コイル210は、いくつかの実施形態において、環状またはトロイダル状の管であって良い。管壁の厚さは、必要な熱伝導率および電気伝導率に基づいて規定することができる。冷却は、例えば約500Wを超える大電力が、導電コイル210に印加されるときに有用な場合がある。一実施形態において、導電コイルは、銅の層および銀の層を備えるトロイダル管である。チャンネル212は、一般的に、セラミックまたはプラスチック、例えばテフロン登録商標であって良い、絶縁部材216で裏打ちされる。絶縁部材216は、電流を導電コイル210に閉じ込める。絶縁材料は、チャンネル212内に嵌入する挿入物であって良く、または他の実施形態では、チャンネル212の内部表面に付着されるライナであって良い。図2の実施形態は、2つの絶縁部材216を特徴として有し、絶縁部材216のそれぞれは、それぞれのチャンネルの内側に嵌合する環状部材であり、絶縁部材216のうちの1つは、図2の実施形態内の第1のチャンネルである、最内チャンネル212の内側に嵌合し、他の絶縁部材216は、図2の実施形態内の第2のチャンネルである、最外チャンネル212の内側に嵌合する。チャンネル212のそれぞれは、チャンネル212の中に配設される導電コイル210を有する。図2の実施形態において、各導電コイルは、2つの導電ループ218を備える。1対の導電ループ218が、それぞれの絶縁部材216により形成される凹部の内側に載る。2つの導電ループ218は、それぞれの導電ループ218を囲むように働く、それぞれのアイソレータ220によって、お互いが電気的に隔離される。図2の実施形態において、各アイソレータ220は、導電ループ218が嵌入する凹部224を有する環状の誘電体部材である。アイソレータ220の凹部224とアイソレータ220が嵌入するチャンネル212は、一般的に、反対方向に向く。したがって、各導電ループは、アイソレータ220により3つの側を、絶縁部材216により1つの側を囲まれる。アイソレータ220は、任意の都合の良い断面形状を有して良いことに留意されたい。例えば、代替実施形態において、凹部224が丸みのある断面形状を有するように、アイソレータ220は、丸みのある管状の導電ループ218の輪郭にしたがうために丸みをつけることができる。別の実施形態において、各アイソレータ220および/または各凹部224の断面プロファイルは、斜角をつけたコーナを有する矩形であって良い。さらに他の実施形態において、導電ループ218は、ループを隔離するコーティングを用いて形成することができる。アイソレータ220は、セラミック、ガラス、またはプラスチックなどの任意の絶縁材料であって良い。図2の実施形態において、各アイソレータ220は、単一の導電ループ218を覆う単一の部片として示されるが、代替実施形態において、アイソレータは、2つの隣接する導電ループ218を覆うように形成する一方で、2つの隣接する導電ループ218の間に壁を配設することができる。フィールド集中装置222が、各導電コイル210の周りに配設され、各導電コイル210により生成される磁場を増幅する。図2の実施形態において、集中装置222は、1対の導電ループ218および導電ループ218それぞれのアイソレータ220の周りに配設されるが、他の実施形態において、各ループ218をフィールド集中装置222と対にすることができ、または2つより多いループをフィールド集中装置222と結合することができる。フィールド集中装置222は、各導電コイル210により生成される磁場を、処理チャンバのプラズマ生成区域に向けて集束させ、プラズマ生成区域から離れて投射する磁気エネルギーを最小化する。各フィールド集中装置222は、一般的に、フェライトまたは低保持力材料などの他の磁気感受性材料または磁化可能材料を含む。導電コイル210を熱制御することよって、フィールド集中装置222の温度変動を最小化し、導電コイル210により生成される磁場を制御するために、フィールド集中装置222の磁気特性を維持する。誘電コイル210は、絶縁部材216と入れ子になり、協働的にチャンネル212を画定する、ガス分配部材214の中に挿置される。導電部材226も、誘導コイル210およびガス分配部材214と挿置される。一実施形態において、導電部材226は、金属、金属合金、または金属混合物を含むリングであり、導電部材226のそれぞれを支持部材228に取り付けることができる。絶縁部材216は、導電部材226とガス分配部材214の間に嵌合し、導電部材214および226と実質的に共平面構成のチャンネル212をもうけ、そのため、誘導コイル210は、導電部材214および226と実質的に共平面である。支持部材228も一般的に導電性である。いくつかの実施形態において、支持部材228は、金属ブロックである。支持部材228は凹部230を有し、凹部230は導電部材226とともに取込み空間232を画定し、取込み空間232の中に各絶縁部材216の肩の部分234が取り込まれて、絶縁部材216をリッドアセンブリ200の中に固定する。導電部材214および226によって、プラズマの極近傍に大きな接地表面をもたらすことが可能になり、より低い電力レベルおよびより低い熱入力で、基板支持体上で使用されるより高いバイアス電圧を可能にする図1。図2のリッドアセンブリ構成は、同様に、誘導コイル210のプラズマ源エネルギーを処理領域内のガスの極近傍にもたらして、より低い電力レベルでより高いプラズマ密度を生じさせる。誘導コイル210などの複数の誘導コイルを使用することによっても、各個々のコイルに印加される電力レベルを調節することによりチャンバ内で生成されるプラズマプロファイルの調整を可能にする。支持部材228は、プロセスガスを導電性ガス分配部材214にもたらす、1つまたは複数のコンジット236を備える。加えて、いくつかの実施形態において、導電性ガス分配部材214はコンジット図示せずを備え、均一なガス分配のため、ガス分配部材214の周囲の周りにコンジット236からガスを分散させることができる。導電性ガス分配部材214を誘導コイル210で挿置することにより、装置200は、プラズマ源とシャワーヘッドの両方として使用することができる。ガス流は、装置の面にわたって均一に分配され、RF電力は、様々な開口を出るプロセスガスに近接結合される。熱制御は、場合によって支持部材228内に熱制御コンジット240を含むことにより、向上させることができる。支持部材228内に熱制御コンジットを配置することによって、フィールド集中装置222の熱制御を向上させることができ、フィールド集中装置222は、他の場合には、ループ218を通って循環する任意の熱制御流体から少なくとも部分的にアイソレータ220により絶縁される。フィールド集中装置222の近傍の熱制御は、フィールド集中装置222の電磁特性を維持するのに有利な場合がある。また場合によっては、クッション238がフィールド集中装置222と支持部材228の間に配設されて、フィールド集中装置222への任意の損傷を回避することができる。フィールド集中装置222は、支持部材228の金属表面と直接接触することにより容易に損傷を受ける可能性がある。クッション238は、GrafTechInternationalの子会社であり、オハイオ州Lakewoodの、NaturalGraphiteOperationsにより製造され、テキサス州DeerParkのLeaderGlobalTechnologiesにより流通される、可撓性黒鉛シーリング材料である、Grafoil登録商標などの、熱的に伝導性の材料であって良い。一般に、リッドアセンブリ200は、任意の寸法の基板を処理するための、任意の都合の良い形状またはサイズを有することができる。リッドアセンブリ200は、円形、矩形または任意の多角形形状であって良い。リッドアセンブリ200は、任意の種類の半導体チップを作るための半導体ウエハを処理するために適合されるサイズおよび形状であって良く、またはリッドアセンブリ200は、大画面ディスプレイまたは太陽パネルなどの半導体パネルを処理するために適合されるサイズおよび形状であって良い。LED基板または磁気媒体基板などの他のタイプの基板も、本明細書に記載のリッドアセンブリを使用して処理することができる。いくつかの実施形態において、導電コイルまたは複数のコイル210は、同心の円形形状で、同心の非円形矩形、多角形、正方形、または不規則形状で、または牛耕式またはジグザグパターンなどの非同心の形状で配設することができる。別の非同心の実施形態において、導電コイルまたは複数のコイル210は、螺旋パターンで配設することができる。いくつかの実施形態において、リッドアセンブリは、いくつかの差異を備えるが、図2のリッドアセンブリ200に類似することができる。一実施形態において、リッドアセンブリは、基板支持体に向いた曲がった表面を有することができ、曲がったとは、凸状または凹状の意味である。一態様において、プラズマ源全体が曲がっていて良いすなわち、基板支持体に向いたプラズマ源の表面および基板支持体から離れる向きの表面が両方とも凸状または凹状である。別の態様において、基板支持体に向いたリッドアセンブリの表面のみが曲がっていて良い。一実施形態において、特に大面積リッドアセンブリ用に、複数のシャワーヘッドがもうけられて良い。一実施形態において、支持部材228を通して1つまたは複数のコンジットをもうけることによって、導電部材226を通してガスを注入することができる。他の実施形態において、複数のディスクリート回路ではなく、単一の電気回路を備える導電コイルをもうけることができる。例えば、一実施形態において、導電コイルを、相補的な導電部材と入れ子になる、または相補的な導電部材内に配設される、平坦な、円形のまたは矩形の螺旋形状に配置し、そのため、導電部材および導電コイルが実質的に平坦なプラズマ源を形成することができる。そのような螺旋形状を、zにずらし、そのため、プラズマ源が平坦でなく、凸状または凹状という意味で、z次元を有することもできる。図3は、別の実施形態にしたがう、リッドアセンブリ300の分解図である。リッドアセンブリ300は、図2のリッドアセンブリ200と大部分に関して同様であり、同一の特徴は、同じ識別ラベルで標示される。リッドアセンブリ300は、リッドアセンブリ300が設置されるチャンバのプロセス領域にガスを送達するためのコンジット206を備える。リッドアセンブリ300は、第1のRFコイル302および第1のRFコイルと同様の第2のRFコイル304をさらに備え、第1のRFコイル302は、分解された形で示される。第1のRFコイル302は、絶縁チャンネル308内に配設される複数の導体306を備える。図3の実施形態において、導体306は、円形かつ同心であるが、代替実施形態において、導体306は、本明細書に記載するように、任意の都合の良い構成に配設することができる。導体306のそれぞれは、導体306に電力を供給するための接点310を有する。本明細書の他の場所に記載のように、導体306は、電力に加えて冷却剤を運ぶように構成される導電管であって良い。したがって、接点310も、導体306に冷却剤を提供するために使用することができる。導体306は、一般的に金属または他の電気的に導電性の材料である。金属は、単一の金属、合金、混合物、または金属の別の組合せであって良い。導体306は、いくつかの実施形態において、セラミックまたはポリマーなどの非導電材料でコーティングすることもできる。一実施形態において、導体306は、銀メッキされた銅管である。使用される金属は、一般的に、特定の実施形態に必要な電気特性および熱特性に依存する。大電力用途では、より高い電気伝導率は、一般的により低いサーマルバジェットをもたらすことになり、そのためより導電性の材料が有利な場合がある。複数のRFコイルが使用されるとき、コイルのそれぞれが異なる組成物を有する場合があることに留意されたい。例えば、銀メッキされた銅管は、銀メッキの異なる厚さまたは異なる管壁厚を有し、管の間で、異なる導電率を実現することができる。他の実施形態において、各RFコイルは、単に1つの導体、または2つより多い導体を有する場合がある。絶縁体312が導体306の上に配設され、そのため、導体306は、絶縁性材料によって囲まれる。このことが、第1のRFコイル302と第2のRFコイル304の間に挿置される導電リング314および316に電力が流れることを防止する。絶縁体312は、図3の上面斜視図では見えない壁を備える。壁は、2つの導体306間に延在して、所与のRFコイル302または304内の導体306間の電気的なクロストークを防止する。したがって、各導体306は、絶縁材料によって囲まれる。導体306に電力が提供されると、導体306によって磁場が生成される。フィールド集中装置318は、部分的に導体306の周りに配設され、効率改善のために磁場を処理ゾーンの方向に集束させ、かつ磁場を処理ゾーンの方向に向ける。絶縁体312は、各接点310用に通路320をさらに備える。通路320は、フィールド集中装置318内の開口を通過して、電力と結合される接点310用の経路を実現すると同時に、接点310とフィールド集中装置318の間が電気的に接触することを防止する。接点は、フィールド集中装置318を通って突出し、そこで接点がRF源と結合することができる。図2の実施形態と同様に、任意の数のRFコイルを、リッドアセンブリ300内に配設することができる。導電リング314および316の中に開口とともにコンジットをもうけてプロセスガスを処理ゾーン内に放出することによって、コンジット206に加えて、またはコンジット206のかわりに導電リング314および316を通して、プロセスガスを提供することもできる。リッドアセンブリ300は、本明細書に記載の実施形態のいずれかにしたがって、湾曲を有して形成することもできる。本明細書に開示の実施形態は、プロセスチャンバ内の基板支持体上の基板を処理する方法も提供する。プラズマ源を、基板支持体に面する位置にもうけ、基板を処理するプラズマを形成することができる。方法は、電極に配設される複数の導電ループを有するプラズマ源をもうけるステップと、チャンバに処理ガスを提供するステップと、電極を接地するステップと、導電ループに電力を印加することにより処理ガスからプラズマを形成するステップとを含む。導電ループは、コーティングすること、ラッピングすること、またはループを電気的な絶縁材料内に据えることにより電極から電気的に絶縁することができ、電気的な絶縁材料は、電極内に形成されるチャンネル、導電ループに塗布されるコーティング、または電極内に形成されるチャンネルの内側に配設されるライナなどの容器であって良い。RF電力がループに印加され、独立に制御されて、プロセスチャンバ内でプラズマ密度を成形することができる。導電ループは、所望であれば、管状導電ループを通して冷却流体などの熱制御媒体を循環させることにより、熱的に制御することができる。導電ループは、いくつかの実施形態において、電極と実質的に共平面であって良い。他の実施形態において、電極は、電極内に配設される導電ループを有する、非平面であって良い。さらに他の実施形態において、導電ループを、部分的には電極の中に配設し、部分的には電極の外側に配設して、電極の外側に配設される導電ループの任意の部分を、絶縁材料の中に含む、または封入することができる。プラズマは、処理チャンバのプラズマ領域内側の場を集中させるために配設されるフィールド集中装置をもうけることによって、さらに強化することができる。例えば、フィールド集中装置は、導電ループがフィールド集中装置と基板支持体の間にあるように、一般的に基板支持体と対向して配設することができる。そのような配置によって、チャンバの外側に磁場の向きの線が展開することを防止し、プラズマ源のエネルギーを処理ガス内に集束させる。上記が本発明の実施形態を対象とする一方、本発明の他のさらなる実施形態が、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲により決定される。