基板を縦に配置することが出来る基板設置機構と、蒸発源列を有する真空蒸着装置であって、前記蒸発源列は、二つ以上の縦方向に並んだ蒸発源で構成され、前記蒸発源は、一部が蒸気を放出するために開口され、前記各蒸発源の長軸は、水平方向に対して所定の角度に同一方向に傾いていることを特徴とする真空蒸着装置。前記蒸発源列は、縦配置の基板に対して相対的に1軸移動することができることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装置。前記蒸発源の開口は、水平方向を向いていることを特徴とする請求項1または2に記載の真空蒸着装置。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の装置において、前記蒸発源列は蒸着装置内に二組以上配設しており、交互に使用できるようしたことを特徴とする真空蒸着装置。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の装置において、前記蒸発源列は、真空遮断できるバルブを備えて、真空外で材料交換できる設備を有することを特徴とする真空蒸着装置。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の装置において、前記蒸発源列は、真空内で材料補充できる材料供給機を有することを特徴とする真空蒸着装置。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の装置において、前記蒸発源列は、前記基板の縦方向長さより長い蒸発源列を有することを特徴とする真空蒸着装置。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の装置において、前記蒸発源列は、蒸着室と分離できるゲートバルブを介して真空内を移動することが出来ることを特徴とする真空蒸着装置。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の装置において、前記基板設置機構は蒸着室内に2組以上配設置されていることを特徴とする真空蒸着装置。基板を縦に配置することが出来る基板設置機構と、蒸発源列を有する真空蒸着装置であって、前記蒸発源列は、二つ以上の縦方向に並んだ蒸発源で構成され、前記蒸発源は、一部が蒸気を放出するために開口され、前記各蒸発源の長軸は、水平方向であり、前記開口は前記蒸発源の垂直方向の中央部よりも上側に形成され、かつ、前記開口は、水平方向を向いていることを特徴とする真空蒸着装置。基板を縦に配置することが出来る基板設置機構と、蒸発源列を有する真空蒸着装置であって、前記蒸発源列は、二つ以上の縦方向に並んだ蒸発源で構成され、前記蒸発源は、一部が蒸気を放出するために開口され、前記各蒸発源の軸は、垂直方向であり、前記開口は前記蒸発源の垂直方向の中央部よりも上側に形成され、かつ、前記開口は、水平方向を向いていることを特徴とする真空蒸着装置。前記蒸発源列は、縦配置の基板に対して相対的に1軸移動することができることを特徴とする請求項10または11に記載の真空蒸着装置。薄膜トランジスタ、有機EL層および前記有機EL層を挟む電極層が形成されたTFT基板を封止基板によって封止した有機EL表示装置の製造方法であって、薄膜トランジスタが形成されたTFT基板を真空蒸着装置内の基板設置機構に配置し、前記TFT基板に対向して、前記有機EL層または電極層の材料を収容した蒸発源を縦方向に配列した蒸発源列を配置し、前記蒸発源の軸は、水平方向に対して所定の角度傾いており、前記TFT基板または前記蒸発源列を水平方向に相対的に移動することによって前記有機EL層または、前記電極層を形成することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。特許文献1にはリニア蒸着源を2個以上設置し、蒸発源の内少なくとも一つの蒸発源は地面に対して所定の角度に傾いている蒸着源機構が開示されているが、複数個のリニア蒸着源は同一の基板位置に向かっており、縦方向に大きな面積を蒸着するには上下方向にスキャンする必要がある。前記リニア蒸着源は、アルミ材料を使用した場合、濡れや這い上がりの影響で連続の蒸着が不可能である。また、リニア蒸着源内の材料が消費されれば、蒸着は停止するため、長時間稼動は対処不可能である。特許文献2には複数坩堝を直線配置し、蒸着源のAL合金をスキャン蒸着する技術、および、基板は水平に設置して、上向きに蒸着源を向けて蒸着する機構が開示されている。しかし、縦型に設置している基板に対しての蒸着方法および長時間稼動については開示されていない。特許文献3には複数の坩堝を配置し、基板に対して斜めスキャン蒸着する製造装置が開示されている。しかし、縦型に設置している基板に対しての蒸着方法および長時間稼動については開示されていない。本発明の目的は、上記した従来技術の課題を解決して、同一方向に並ぶ複数の蒸発源を設けた蒸発源列を用いて、縦置きの大型基板に対応し、アルミ材料を主とした金属薄膜を高速成膜し、連続成膜することが可能な真空蒸着方法及びその装置を提供することである。本発明は、セラミック製の坩堝を用いて、アルミの這い上がりを防止し、縦型大型基板に対応するため、同一方向に所定の角度で傾いた蒸発源を少なくとも2つ以上、縦方向に並べて蒸着する機構をもつことを最も主要な特徴とする。本発明によれば、アルミ蒸着で問題となる濡れや這い上がりを防止するため、一体ものの坩堝構造を採用し、材質はアルミ材料と反応しない熱分解性窒化硼素PBNで、PBN坩堝を所定の角度で、複数個の蒸発源を斜めに配設した蒸発源列を基板に対して相対的に横方法に移動させることにより、縦型配置の基板への蒸着をしている。そのため、大型基板でも、蒸発源列の蒸発源数を増加させるだけで、いかなる大きさでも蒸着可能となる。また、蒸発源列を真空蒸着室内に複数個用意し、切り替えて蒸着することにより、長時間稼動に対応できる。本発明にかかる真空蒸着装置の一例として、有機ELデバイスの製造に適用した例を説明する。有機ELデバイスの製造装置は、金属電極層陽極の上に正孔注入層や正孔輸送層、発光層有機膜層、金属電極層陰極、上部電極の下に電子注入層や電子輸送層をなど様々な材料の薄膜層を真空蒸着により多層積層して形成する装置である。本発明にかかる有機ELデバイス製造装置は、蒸着室にセラミック製の坩堝を用いて、アルミの這い上がりを防止し、縦型大型基板に対応するため、同一方向に所定の角度で傾けた蒸発源を少なくとも2つ以上、縦方向に並べて蒸着する機構をもつことを特徴とする。以下に、実施例および図を用いて本発明の内容を詳細に説明する。図1は、本発明における真空蒸着装置の基本構成の模式図と動作を説明する図である。本発明の蒸着装置は、蒸着室5内には、基板1-1、蒸発源3-1、蒸発源列3-2、膜厚モニター7から構成されており、蒸着室外には膜厚を制御するための膜厚制御計8、蒸発源の温度を制御するための蒸発源電源9、膜厚制御計8と蒸発源電源9を連動させて制御し、蒸着データを記録するための制御用パソコン10から構成されている。蒸発源3-1は、クヌードセンセルと呼ばれるもので、PBN坩堝とそれを加熱するためのヒーター、坩堝温度を制御するための熱電対、熱を外部に漏らさないようにするための熱シールド、水冷シールドから構成されている。図2aに蒸発源3-1、基板1-1、蒸着薄膜6-1の構成を現す、横から見た断面図を示す。図2aには従来例として、蒸発源3-1を1個の場合を示す。縦型に配置した基板1-1に対して、蒸発源3-1から斜め方向に放出された、蒸着材料の蒸気2は基板に堆積し、蒸着薄膜6-1が成膜される。図2aに示すように、蒸着薄膜6-1は斜めから蒸着された膜のため、上下方向で非対称の膜厚分布となり、基板1-1の周辺部は蒸着薄膜6-1の膜厚は薄くなり、基板中央付近において、膜厚分布6-4は大きくなり、有機薄膜や金属薄膜に使用するにはバラツキの大きい膜となり、デバイス特性が悪くなる。本実施例では、図1および図2bに示すように、同一方向に所定の角度で傾いた蒸発源3-1を少なくとも2つ以上、縦方向に並べて蒸着する。言い換えると、蒸発源列3-2の核上発言3-1の長軸は、水平方向に対して所定の角度同一方向に傾いている。本実施例では、基板1-1の上下方向の長さと同等の蒸発源列3-2を用いることにより、蒸着薄膜6-1は1個の場合では上下方向で非対称の膜厚分布となり、膜厚分布6-4は大きくなったが、縦方向に並べることにより、上下方向で非対称の膜厚分布が隣接する蒸発源3-1の膜厚分布と重なりあって、基板上に成膜された膜厚分布6-5は小さくできる。図1の実施例では、膜厚モニター7は蒸発源列3-2に対して、1個で膜厚制御したが、各蒸発源3-1の坩堝温度は電源パワーに対して違うため、各蒸発源3-1の蒸気2の量が変化し、膜厚分布がさらに大きくなる可能性がある。そのため、膜厚モニター7は、蒸発源列3-2の蒸発源3-1にそれぞれに1個づつ蒸気出口付近に設置することにより、高精度な膜厚制御が可能である。図2bでは、基板1-1の上下方向の長さと同等の蒸発源列3-2を用いているため、膜厚分布6-5は膜厚分布6-4よりは小さくできているが、基板1-1の上下の端部では、膜厚が薄くなっている。図3にさらに膜厚分布を改善する構成を示す。図3に蒸発源3-1、基板1-1、蒸着薄膜6-3の構成を現す、横から見た断面図を示す。基板1-1の上下方向長さ以上の蒸発源列3-3にすることで、基板1-1の上下端部で、膜厚の減少を抑えて、さらに膜厚分布6-6は改善できている。但し、この場合、基板上下方向の基板がない部分へも蒸気2は放出されるため、蒸着材料の消費量は大きくなり、装置内への無駄な蒸着材料の放出となるので、遮蔽板等を利用して、蒸着室5内への汚染を防ぐ必要がある。本実施例では、基板1-1は固定して、蒸発源列3-2が左右に移動することにより基板全体への成膜を実施したが、蒸発源列3-2を固定して、基板1-1を横方向に移動させて蒸着させても同じ効果が得られる。図1では図示していないが、基板1-1は蒸着室5の外部から連続して真空内に供給できる搬送機構を備えた設備を用いることにより、バッチ式で基板供給しながら、連続して成膜できるようになっている。また、基板1-1と蒸発源列3-2の間にはマスクを設置することにより、パターン形成を行うことができる。実施例1においては基板1-1が蒸着室5内に1枚設置して蒸着する構成を説明したが、図4に基板1-1交換時に他の基板1-2を隣接する位置に準備して、蒸発源列3-2が蒸着していない時間を少なくして、蒸発源3-1の坩堝内の蒸着材料を有効活用する装置構成を図4に示す。基板1-1と基板1-2を蒸発源列3-2に対向する位置において、蒸発源列3-2の待機位置を基板1-1と基板1-2の間として、右へ横方向に1軸の往復移動させて基板1-1を成膜し、その成膜中に基板1-2の設置を実施する。基板1-1を成膜後、次は左へ横方向に1軸の往復移動させて基板1-2を成膜する。基板1-2を成膜している間に基板1-1の側のガラス基板を次の基板へと交換して準備をすることにより、稼働時間の損失なく、複数の基板を成膜できる。蒸発源3-1はいったん坩堝温度を蒸発温度まで上昇させると、常時、蒸着材料を放出しているため、長時間稼動させて内部の蒸着材料を損出なく使用するには、本実施例のように蒸着していない時間を減少させることが有効な手法である。本実施例では、基板2枚を交互に蒸着する例であったが、複数枚にしても有効である。また、本実施例のバッチ式ではなく、枚葉式で蒸発源3-1を固定して、基板を連続して横方向に移動させながら蒸着させることにより蒸着装置の利用効率を向上できる。また、図4では図示していないが、基板1-1と基板1-2は蒸着室5の外部から連続して真空内を供給できる搬送機構を備えた設備を用いることにより、バッチ式で基板供給しながら、連続して成膜できるようになっている。実施例1、2においては、蒸着材料4は坩堝内に投入できる量を放出してしまうと、一旦装置を停止させて、蒸着材料4を補充する必要があり、蒸着装置の連続稼動には制限がある。本実施例では、図5に示すように、蒸着室5内に材料供給機11を備えて、真空装置を停止させることなく、蒸着材料の補充ができるようにした構成を示す。蒸着材料4は、アルミ材料の場合、数mmサイズのショット状の粒を主に使用する。蒸発源列3-2を材料供給機11の位置に移動させ、斜め上部方向から粒状の材料を材料供給機11から真空内で投入することにより、真空装置の連続稼動が可能となる。但し、蒸発源列3-2が加熱中は材料投入できないので、一旦蒸発源温度を蒸気が出ない温度まで下げる必要がある。図5には示していないが、蒸発源列3-2を1列だけではなく、2列以上の蒸発源列を蒸着室5内に配設することにより、2列以上の蒸発源列を交換しながら蒸発源温度を制御して、材料供給することにより、蒸着の連続稼動が可能となる。材料供給量は、各蒸発源列3-2の重量を計測できる機構を設けて、材料の消費量に合わせて決定する。実施例1から3においては、蒸発源3-1は、円筒状で、ビーカ形状のPBN坩堝を用いたが、この場合、斜め設置して使用するため、図6aに示すように、蒸着材料4は、坩堝容量の最大量まで入れることは不可能である。また、蒸気2は斜め方向に放出されるため、図2aに示したように基板1-1の上下方向で非対称の膜厚分布となり、膜厚分布の広がりを少なくするためには限界がある。本実施例では、蒸発源3-1の坩堝構造を図6b~dに示す断面構造にすることにより、蒸着材料4の投入量を増加させ、膜厚分布の改善することができた。図6bは、坩堝を横向きにして、出口部分の首周りを下部より絞り、横向きにしても蒸着材料4が流失しない構造となっており、蒸気方向も横向きとなるため、基板1-1の上下方向で膜厚分布も対称となり、複数個の蒸発源3-1を並べることにより、全体の膜厚分布も改善できた。図6bの蒸発源3-1は、長軸が水平方向であり、蒸気を噴出する開口は、蒸発源の垂直方向の中心よりも上方に形成されている。図6cは、坩堝を縦向きにして、出口部分だけを横向きにした構造となっており、蒸着材料4の投入量を増加させ、蒸気方向も横向きとなるため、基板1-1の上下方向で膜厚分布も対称となり、複数個の蒸発源3-1を並べることにより、全体の膜厚分布も改善できた。図6cの蒸発源3-1は、長軸が垂直方向であり、蒸気を噴出する開口は、蒸発源の垂直方向の中心よりも上方に形成されている。但し、図6c場合、縦方向に複数個の蒸発源3-1を並べるには、坩堝が縦方向に伸びているので、蒸発源同士の間隔を狭くできないため、膜厚分布が広がる場合がある。図6dは、坩堝を斜め方向に傾けて、出口部分だけを横向きにした構造となっており、蒸着材料4の投入量は図6aの場合とそれ程変わらないが、蒸気方向は横向きとなるため、基板1-1の上下方向で膜厚分布も対称となり、複数個の蒸発源3-1を並べることにより、全体の膜厚分布も改善できた。一方、図6b~dの坩堝構造をPBNで作成する場合、CVD成膜でPBN坩堝を作製するため、複雑な構造の場合、時間がかかり、坩堝製造コストが高くなるため、膜厚分布の広がりが大きい薄膜でもかまわない場合は、坩堝製造コスト低減ができる図6aの坩堝構造を採用してもよい。実施例3においては材料供給機11を用いることによって、連続稼動を可能としたが、本実施例では、2つ以上の蒸発源列を設置して、連続稼動とした場合を図7に示す。図7は装置構成を模式的に上から見た図である。蒸発源列3-3と蒸発源列3-4の2つを設置し、各蒸発源はゲートバルブ12で分離できる真空内移動機構13を備えており、蒸着室5内で基板1-1に対して、横方向に移動可能である。図7においては、蒸発源列3-3は加熱中で蒸気が出ている状況であり、成膜を実施している。蒸発源列3-4は、ゲートバルブ12で蒸着室5とは真空分離しており、真空内移動機構13内で停止した状態である。蒸発源列3-4は、ゲートバルブ12を閉じていれば、この状態で大気中に取り出して、材料交換、メンテナンスが可能である。蒸発源列3-3の材料が少なくなってくると、図7の状態で、蒸発源列3-4を蒸着できる状態に立ち上げて、ゲートバルブ12の開閉により、蒸発源列3-3と蒸発源列3-4を蒸着できる状態で切り替えることが可能となる。したがって、上記手順で繰り返せば、長時間の連続稼動が可能である。真空内移動機構13は、本実施例の図7ではベローズ方式を示しているが、大気ボックス方式などの他の方法でもかまわない。図7では、基板1-1は1枚設置する方式を説明したが、実施例2で示したように、2枚以上の基板を設置することにより、基板交換時の蒸着材料損失を低減できる。実施例5において、真空内移動機構13は基板1-1の横幅以上の伸縮が必要となるため、装置フットプリントが大きくなる。本実施例では装置フットプリントを小さくするため、基板交換をバッチ式から枚葉式に変えた実施例を図8に示す。図8はa上面図とb側面図からなり、装置構成の模式図を示す。蒸発源列3-3と蒸発源列3-4はゲートバルブ12で分離できる真空内移動機構13を用いて、実施例5と同様に切り替えて使用することにより、連続稼動が可能となる。真空内移動機構13は、蒸発源列3-3と蒸発源列3-4を蒸着室5内への出し入れできる移動距離で、大きさは問題ないため、実施例5よりは装置フットプリントを小さくできている。但し、基板1-1は枚葉式で基板交換するため、縦型配置で基板搬送する機構が必要となる。図8では図示していないが図8aの基板1-1の上部から蒸着前基板を搬送して、蒸着後、基板1-1の下部から搬出する構成となる。実施例6において、真空内移動機構13は蒸発源坩堝の長手方向に移動させて、ゲートバルブ12で分離できる移動距離が必要であった。本実施例では、蒸発源坩堝の蒸着方向と垂直方向の短い移動距離を移動させる機構により、実施例6よりさらに小さい装置フットプリントを実現できた。図9に上から見た模式図を示す。蒸着室5の蒸発源導入部分を内側に絞り込むことにより、さらに装置フットプリントの縮小化を実現できた。蒸発源列3-3と蒸発源列3-4を蒸着室5内への出し入れできる移動距離は図9の上下方向であるので、実施例6と比較して、さらに短くできることがわかる。また、枚葉式であるため、蒸発源の移動距離は、蒸発源列3-3と蒸発源列3-4の蒸着室5内への出し入れできる移動距離で可能なため、実施例5よりは装置フットプリントを小さくできている。但し、基板1-1は枚葉式で基板交換するため、縦型配置で基板搬送する機構が必要となる。図9では図示していないが9の基板1-1の上部から蒸着前基板を搬送して、蒸着後、基板1-1の下部から搬出する構成となる。図10は、有機ELディスプレイ生産工程の一例を示した工程図である。実施例1~7では、この生産工程の金属蒸着の工程のみを主に説明した。図10において、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタTFTが形成されたTFT基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板は別々に形成され、封止工程において組み合わされる。図10のTFT基板の製造工程において、ウェット洗浄された基板に対してドライ洗浄を行う。ドライ洗浄は紫外線照射による洗浄を含む場合もある。ドライ洗浄されたTFT基板に先ず、TFTが形成される。TFTの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機EL層の下部電極が形成される。下部電極はTFTのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ITOIndiumTinOxide膜が使用される。下部電極の上に有機EL層が形成される。有機EL層は複数の層から構成される。下部電極がアノードの場合は、下から、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。このような有機EL層は蒸着によって形成され、その上に上部電極層が形成される。上部電極層は、実施例1~実施例7で述べたような蒸着装置あるいは蒸着方法によって形成する。有機EL層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が形成される。有機EL表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはIZO等の透明電極が使用され、有機EL表示装置がボンディングボムエミッションの場合は、Al等の金属膜が使用される。図10の封止基板工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント乾燥剤が配置される。有機EL層は水分があると劣化をするので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることが出来るが、有機EL表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。このように、別々に製造されたTFT基板と封止基板は封止工程において、組み合わされる。TFT基板と封止基板を封止するためのシール材は、封止基板に形成される。封止基板とTFT基板を組み合わせた後、シール部に紫外線を照射して、シール部を硬化させ、封止を完了させる。このようにして形成された有機EL表示装置に対して点灯検査を行う。点灯検査において、黒点、白点等の欠陥が生じている場合でも欠陥修正可能なものは修正を行い、有機EL表示装置が完成する。本発明により、複数の層によって形成される有機EL層を異物による汚染を抑え、かつ、短いタクト時間で形成することができるので、有機EL表示装置の製造コストを低下させ、歩留まりを向上させることが出来る。さらに、有機EL層の各層の成分を正確に制御することが出来るので、特性の再現性が高く、かつ、信頼性の高い有機EL表示装置を製造することが出来る。