"半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、入力信号に応じて前記半導体レーザを発光させるための駆動電流を生成する駆動電流生成部と、前記駆動電流生成部が生成する前記駆動電流のオン期間の初期期間に、前記駆動電流を補助する駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成部と、前記半導体レーザの出力特性から得られる積分光量と、当該積分光量の目標値との比である積分光量比を所定範囲内に収めるための前記駆動補助電流の印加時間又は電流量を表す駆動データを格納する格納部と、前記格納部に格納される前記駆動データに基づき、前記駆動補助電流生成部を駆動する駆動部とを含む、半導体レーザ駆動装置。前記駆動データが表す前記駆動補助電流の印加時間又は電流量は、前記半導体レーザの駆動に用いる配線の寄生容量に基づいて設定される、請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。前記駆動データが表す前記駆動補助電流の印加時間又は電流量は、当該半導体レーザ駆動装置によって駆動される前記半導体レーザの積分光量比に基づいて設定される、請求項1又は2記載の半導体レーザ駆動装置。前記積分光量比は、前記半導体レーザの一周期又は複数周期の点灯パターンに基づいて設定される、請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体レーザ駆動装置。前記駆動データは、複数の前記印加時間と単一の前記電流量とを関連付けたテーブル形式のデータであり、前記複数の印加時間を切り替える切替部をさらに含み、前記駆動部は、前記切替部によって切り替えられた印加時間に基づいて前記駆動補助電流生成部を駆動する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体レーザ駆動装置。前記複数の印加時間は、前記半導体レーザの点灯時間に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記点灯時間に応じて前記複数の印加時間を切り替える、請求項5記載の半導体レーザ駆動装置。前記複数の印加時間は、前記半導体レーザの光量に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記光量に応じて前記複数の印加時間を切り替える、請求項5記載の半導体レーザ駆動装置。前記駆動データは、単一の前記印加時間と複数の前記電流量とを関連付けたテーブル形式のデータであり、前記複数の電流量を切り替える切替部をさらに含み、前記駆動部は、前記切替部によって切り替えられた電流量に基づいて前記駆動補助電流生成部を駆動する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体レーザ駆動装置。前記複数の電流量は、前記半導体レーザの点灯時間に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記点灯時間に応じて前記複数の電流量を切り替える、請求項8記載の半導体レーザ駆動装置。前記複数の電流量は、前記半導体レーザの光量に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記光量に応じて前記複数の電流量を切り替える、請求項8記載の半導体レーザ駆動装置。前記半導体レーザは、LDアレイ又はVCSELである、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体レーザ駆動装置。前記半導体レーザと、請求項1乃至11のいずれか一項記載の半導体レーザ駆動装置とを含む、画像形成装置。しかしながら、上述の静電潜像形成装置では、微分パルスのピークを制御できないため、半導体レーザを破壊する可能性があり、また、その微分パルスを重畳する時間も微分波形に依存するため、初期のごく低濃度の領域は補正できても、その後の階調表現がリニアに増加しない可能性があるという問題点がある。そこで、本発明は、低濃度における階調再現性に優れた半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の一観点の半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、入力信号に応じて前記半導体レーザを発光させるための駆動電流を生成する駆動電流生成部と、前記駆動電流生成部が生成する前記駆動電流のオン期間の初期期間に、前記駆動電流を補助する駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成部と、前記半導体レーザの出力特性から得られる積分光量と、当該積分光量の目標値との比である積分光量比を所定範囲内に収めるための前記駆動補助電流の印加時間又は電流量を表す駆動データを格納する格納部と、前記格納部に格納される前記駆動データに基づき、前記駆動補助電流生成部を駆動する駆動部とを含む。また、前記駆動データが表す前記駆動補助電流の印加時間又は電流量は、前記半導体レーザの駆動に用いる配線の寄生容量に基づいて設定されてもよい。また、当該半導体レーザ駆動装置によって駆動される前記半導体レーザの積分光量比に基づいて設定されてもよい。また、前記積分光量比は、前記半導体レーザの一周期又は複数周期の点灯パターンに基づいて設定されてもよい。また、前記駆動データは、複数の前記印加時間と単一の前記電流量とを関連付けたテーブル形式のデータであり、前記複数の印加時間を切り替える切替部をさらに含み、前記駆動部は、前記切替部によって切り替えられた印加時間に基づいて前記駆動補助電流生成部を駆動してもよい。また、前記複数の印加時間は、前記半導体レーザの点灯時間に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記点灯時間に応じて前記複数の印加時間を切り替えてもよい。また、前記複数の印加時間は、前記半導体レーザの光量に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記光量に応じて前記複数の印加時間を切り替えてもよい。また、前記駆動データは、単一の前記印加時間と複数の前記電流量とを関連付けたテーブル形式のデータであり、前記複数の電流量を切り替える切替部をさらに含み、前記駆動部は、前記切替部によって切り替えられた電流量に基づいて前記駆動補助電流生成部を駆動してもよい。また、前記複数の電流量は、前記半導体レーザの点灯時間に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記点灯時間に応じて前記複数の電流量を切り替えてもよい。また、前記複数の電流量は、前記半導体レーザの光量に応じて複数の値を有するように構成されており、前記切替部は、前記光量に応じて前記複数の電流量を切り替えてもよい。また、前記半導体レーザは、LDアレイ又はVCSELであってもよい。本発明の実施の形態の一観点の画像形成装置は、前記半導体レーザと、前記いずれか記載の半導体レーザ駆動装置とを含む。低濃度における階調再現性に優れた半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置を提供できる。以下、本発明の半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置を適用した実施の形態について説明する。画像形成装置としては、例えば、レーザプリンタ、デジタル複写機等が挙げられる。<実施の形態1>図1は、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置を含む画像形成装置を示す図である。画像形成装置500は、被射体510にレーザ520を照射するレーザ照射装置530を含む。画像形成装置500がレーザプリンタ又はデジタル複写機である場合は、被射体510は、例えば感光体ドラムである。以下、レーザ照射装置530が含む半導体レーザ駆動装置について説明するが、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置について説明する前に、半導体レーザの光波形の問題点等について説明する。まず、本実施の形態における積分光量比について説明する。点灯光量レベルPで画素単位毎に点灯、消灯を繰り返す理想的なレーザを考える。このときレーザの応答が入力信号のH/Lの切り替えの通りに点灯/消灯する場合には、1画素点灯、1画素消灯を繰り返す光波形が得られる。このときの光量信号を積分した場合、その積分光量は点灯光量レベルPの半分であるP/2に相当する大きさとなる。このため、P/2の光量で連続点灯したときの光量を理想積分光量とする。積分光量比は、実際のレーザの出力光波形の点灯部分の積分光量の理想積分光量に対する割合を表す。ただし、実際のレーザでは、発振遅延や波形鈍りの影響により、積分光量比は1より小さい値となり、これが画像の濃度低下や濃度ばらつき等の要因となる。図2は、半導体レーザに矩形波の駆動電流を印加したときの出力光波形を示す図である。図2において、破線で示す光波形は理想の出力光波形を示し、実線は実際の出力光波形を示す。ここで、半導体レーザの入力信号となる駆動電流の波形が矩形波であるのに対し、半導体レーザの出力光波形は立ち上がりが鈍り、さらに発振遅延が生じる。図2に実線で示す光波形の理想積分光量破線に対する積分光量比は、0.79程度であり、理想的な出力状態に比べて光量を補償しきれていない状態である。図2に示すような光波形になる理由として、半導体レーザを駆動回路とともに基板上に実装した場合、半導体レーザと駆動回路の間の配線や半導体レーザのパッケージ内の配線の寄生容量、インダクタンス、及び抵抗成分等の光波形の応答特性に関係する要因変動要因が複数あることが考えられる。特に、パッケージの大きい半導体レーザでは、配線長の増大による寄生容量の増大や、波長帯によっては抵抗成分が増大すること等、様々な光波形の応答特性の変動要因がある。例えば、波長が780nm帯の赤外線の半導体レーザと比較して、波長が650nm帯の赤色の半導体レーザは、一般的に微分抵抗が大きいため、駆動回路や基板等に含まれる変動要因により、常に光波形の高速な応答特性が得られるわけではなく、光波形の鈍りが発生する場合がある。また、赤外のレーザでもVCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLASER:垂直共振器面発光レーザ等のような半導体レーザは、構造の違いにより、微分抵抗が数百Ω程度と、端面型レーザに比較して、非常に大きい微分抵抗を持っている。このため、VCSELの端子の寄生容量やVCSELを搭載している基板の寄生容量やドライバの端子の寄生容量等と、VCSELの微分抵抗により、CRの時定数が発生して、VCSEL自体は高速に変調できる素子特性やカットオフ周波数Ftを持っていても、基板に搭載すると期待通りの高速の応答波形が得られないという課題がある。ここで、光源に対する電流の印加方式を変えることにより、光波形の立ち上がり鈍りと発振遅延の影響を低減する手法がある。具体的には、駆動電流がONとなるタイミングで初期の短い時間1.0ns~数ns程度に初期ON電流以下、オーバーシュート電流又は補助電流と称すを駆動電流に加える重畳する。ここで、オーバーシュート電流は、補助電流印加時間と補助電流量の2つのパラメータを有する場合を考える。図3は、例示的な駆動電流の波形を示す図であり、aは補助電流印加時間と補助電流量による補正がない場合の駆動電流の波形を示し、bは補助電流印加時間と補助電流量による補正がある場合の駆動電流の波形を示す。図3aに示すように、補助電流印加時間と補助電流量による補正がない場合の駆動電流の波形は、単なるパルス状の波形であるが、図3bに示すように、補助電流印加時間と補助電流量による補正がある場合の駆動電流の波形は、図3aと同様のパルスAがONになる初期の期間に、オーバーシュート電流Bが重畳されている。図3bにおいて、時間t1は補助電流印加時間であり、電流I1は補助電流量を示す。図4は、オーバーシュート電流を加えた駆動電流図3b参照を半導体レーザに印加したときの出力の光波形を示す図である。図4において、破線は理想の光波形を示し、実線は実際の光波形を示す。図4に示すように、図2に示す光波形に比べて、光波形の立ち上がりの鈍りと発振遅延量が改善されていることが分かる。また、積分光量比は、図2に示す光波形の0.79に対して、0.95程度まで改善されており、オーバーシュート電流により光量を補償することができることが分かる。図5は、オーバーシュート電流による積分光量比の補正効果を示す図である。図5に示す積分光量比は、2パターンのLD1の光量1mW、6mWとLD1の点灯時間10ns,20nsの条件を組み合わせて、補助電流印加時間を1.0ns、1.5ns、2.0ns、2.5nsの4パターンに設定し、補助電流量を0~15mAの範囲で変化させることによって得られるものである。図5aは光量が1mWで点灯時間が10nsの場合の積分光量比を示し、図5bは光量が6mWで点灯時間が10nsの場合の積分光量比を示し、図5cは光量が1mWで点灯時間が20nsの場合の積分光量比を示し、図5dは光量が6mWで点灯時間が20nsの場合の積分光量比を示す。ここで、補助電流量0とは、従来方式の矩形波電流図3a参照を半導体レーザに印加した場合の積分光量比を示す。また、グレーに塗り潰して示す帯状の領域は、理想の積分光量比1.00の±5の範囲積分光量比が0.95~1.05の範囲を示す。補助電流量を1mA、2mAと徐々に増やしていくと、光波形の立ち上がり部の光量が増加して発振鈍りや発振遅延が改善されることにより、積分光量比が補助電流に比例して増大する。また、補助電流印加時間が長くなると補正量は増大することになる。図5a~dに示すように、光量が小さい場合1mWの光出力の方が、光量が大きい場合6mWの光り出力に比べて、積分光量比が小さくなっている。また、点灯時間が短いほど積分光量比が小さくなっている。オーバーシュート電流による補正効果については、矩形波電流量との比になるため、光量が小さいほど大きく、また点灯時間が短いほど大きくなる傾向がある。ところで、近年の半導体レーザは、微分抵抗のばらつきが約3未満と、個体差が少なくなっている。MFPMultiFunctionPeripheral:多機能周辺装置やコピー機の中速機の書込み光学系に、上述のように微分抵抗のばらつきが少ない半導体レーザを用いたとき、機種毎に使用条件に応じて最適な補助電流量や補助電流印加時間を演算しなくても、予め設定した固定の補助電流で、各機種で使用する光量及び点灯時間の範囲内で、積分光量を精度良く補償することが可能である。すなわち、実施の形態1では、補助電流量や補助電流印加時間を1つの固定値に設定することで、例えば、半導体レーザの発光量や目標の発光量等を用いて、機器の使用状態に応じて最適な補助電流量や補助電流印加時間を演算しながら機器を動作させる必要がなくなり、複雑な処理機構や検出機構が不要になる。従って、回路がシンプルになり、かつ、調整時間が不必要になり、コストダウンを図れるとともに、起動時間や待ち時間を低減できる。以下、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置について説明する。図6は、実施の形態1におけるオーバーシュート電流による補正の有無の違いによる積分光量比の違いを示す図である。図6に示す特性のうち、補正有りの積分光量比の特性は、補助電流量を3mA、補助電流印加時間を1.5nsに固定することによって得た特性である。図6において、横軸は設定光量mW、縦軸は積分光量比を示す。グレーに塗り潰して示す帯状の領域は、理想の積分光量比1.00の±5の範囲積分光量比が0.95~1.05の範囲を示す。実施の形態1は、理想積分光量比が1.00に近いほど、本来求めるべき光エネルギーが得られるとの考えに基づいており、目標仕様を理想積分光量比が1.00の±5に設定している。図6aは、LD1の点灯時間10ns、bはLD1の点灯時間20nsのときの積分光量比の特性を示す図である。図6a、bに示すように、補正無しの場合は、特に光量が低い領域において、光量を増やすと積分光量比は増える傾向にある。光量が低いほど、また点灯時間が短いほどその傾向が顕著に出る。特に、光量1mW、点灯時間10nsの時の積分光量比は0.79であり、とても小さい。一方、補正有りの場合の積分光量比は、図6a、bに示すように、すべての場合において理想積分量比1.00の±5以下に収まっている。光量が低い1mW時の積分光量比も1.01となり、±5以内に入る良好な値が得られている。画像の濃度変動として、積分光量比の変化量が理想積分量比1.00の±5以内であれば、出力画像ムラとしては認識しにくい。図6に示す結果から、補助電流量を3mA、補助電流印加時間を1.5nsに設定し、積分光量比が±5以内に収められるので、点灯時間及び光量に応じて補正量補助電流量、補助電流印加時間を変える必要がなく、予め固定した設定値を用いることで良好な積分光量比が得られることが分かる。このようにすることにより、最適な補助電流量や補助電流印加時間を機器の使用状態に応じて演算等するための複雑な機構を備える必要はなくなり、回路をシンプルにすることができ、調整時間を短縮することができる。なお、補助電流量と補助電流印加時間を表すデータは、半導体レーザ駆動装置100によって駆動されるLD1の積分光量比に基づいて設定されてもよい。この場合は、機種毎に補助電流量と補助電流印加時間を設定できるため、より精度よく補助電流量と補助電流印加時間を設定することができる。また、積分光量比は、LD1の一周期又は複数周期の点灯パターンに基づいて設定されてもよい。例えば、2ドットラインの画像パターンを基準とすれば、より安定した画像形成が可能となる。次に、図7を用いて実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100について説明する。図7は、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100を示す図である。図7は、実施の形態の半導体レーザ駆動装置の構成を示す図である。本実施の形態の半導体レーザ駆動装置100は、変調信号、閾値ON信号、及び初期ON変調信号がスイッチを介してLDの駆動電流とする構成を示している。本実施の形態の半導体レーザ駆動装置100は、PD2、閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13、初期ON変調電流源14、コンパレータ15、抵抗器16、信号生成部20、スイッチ21~23、メモリ30、DACDigitalAnalogConverter31、及び初期ON変調信号生成部32を含む。なお、抵抗器16及びメモリ30を除いた閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13、初期ON変調電流源14、コンパレータ15、信号生成部20、スイッチ21~23、DAC31、及び初期ON変調信号生成部32については、例えば、ASICで構成することができる。また、ここでは、半導体レーザ駆動装置100に、半導体レーザを加えたものを半導体レーザ装置と称す。図7には、半導体レーザとしてLD1光源を1つのみ示すが、本実施の形態における半導体レーザは、VCSELやLDアレイのように複数の光源を有するものであってもよい。半導体レーザ装置としては、一又は複数のLD1、PD2、閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13、初期ON変調電流源14、コンパレータ15、抵抗器16、信号生成部20、スイッチ21~23、メモリ30、DAC31、及び初期ON変調信号生成部32を含むことになる。LD1が複数ある場合は、PD2、閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13、初期ON変調電流源14、コンパレータ15、抵抗器16、スイッチ21~23、DAC31、及び初期ON変調信号生成部32は、各LD1に対して1つずつ設けられる構成になる。なお、信号生成部20は、複数のLD1で共通となる。また、LD1が複数ある場合は、メモリ30は、各LD1に対して共通であっても、各LD1に対して1つずつ設けられていてもよい。各LD1に対して1つずつメモリ30を設ける場合は、各メモリ30に格納するデータは、それぞれ、各LD1に対して最適化した個別のデータであってもよい。また、PD2は、複数のLD1で共通であっても、各LD1に対して1つずつ設けられていても、どちらでもよく、半導体レーザ又は半導体レーザ装置の構成に合わせて、半導体レーザ駆動装置を構成することができる。閾値電流源11は、閾値電流を流す電流源であり、バイアス電流源12は、バイアスレベルの電流を流す電流源である。また、変調電流源13は、入力信号としての変調信号に応じてLD1を発光させるための駆動電流としての変調電流を生成する駆動電流生成部である。初期ON変調電流源14は、変調電流源13が生成する変調電流駆動電流のオン期間の初期期間に、変調電流駆動電流を補助する駆動補助電流としてのオーバーシュート電流を生成する駆動補助電流生成部である。ここで、発光指令信号とは、画像データとクロック信号とに基づき、LD1を発光させるための信号として、図3に示す信号生成部20よりも前段にある別の主制御IC図示せずによって生成される信号である。コンパレータ15は、抵抗器16の電圧値を基準値発光制御電圧と比較し、閾値電流源11の閾値電流を制御する。スイッチ21~23は、それぞれ、LD1と閾値電流源11、変調電流源13、及び初期ON変調電流源14との間に配設されており、例えば、トランジスタで構成される。スイッチ21、22は、信号生成部20によってオン/オフの制御が行われ、スイッチ23は、初期ON変調信号生成部32によってオン/オフの切り替えが行われる。信号生成部20は、主制御ICから入力される発光指令信号に基づき、変調信号と閾値ON信号とを生成する。メモリ30は、オーバーシュート電流の生成のために用いる予め設定した固定の補助電流量と補助電流印加時間を表すデータを格納するためのメモリである。DAC31は、メモリ30と初期ON変調電流源14との間に接続されており、オーバーシュート電流を生成する際に、メモリ30に格納された補助電流量を表すデータをアナログ変換して初期ON変調電流源14に出力する。初期ON変調信号生成部32は、メモリ30とスイッチ23との間に接続されており、メモリ30に格納された補助電流印加時間を表すデータに基づき、スイッチ23のオン/オフの切り替えを行う。初期ON変調信号生成部32は、例えば、シーケンサで構成されており、補助電流印加時間を表すデータがHレベルであればスイッチ23をオンにし、補助電流印加時間を表すデータがLレベルであればスイッチ23をオフにする。ここで、DAC31と初期ON変調信号生成部32は、駆動補助電流生成部としての初期ON変調電流源14を駆動する駆動部の一例である。このような実施の形態の半導体レーザ駆動装置100は、信号生成部20でスイッチ21、22のオン/オフを制御することにより、閾値電流、変調電流の制御を行う際に、メモリ30に格納されたデータのうちの補助電流量を表すデータがDAC31でアナログ信号に変換されて初期ON変調電流源14に供給されるとともに、補助電流印加時間を表すデータに基づいて初期ON変調信号生成部32がスイッチ23のオン/オフを切り替える。これにより、固定の補助電流量と固定の補助電流印加時間のオーバーシュート電流が初期ON変調電流源14から出力され、閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13からそれぞれ出力される閾値電流、バイアスレベルの電流、変調電流に重畳され、LD1が点灯する。すなわち、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100におけるオーバーシュート電流は、PD2で検出されるLD1の光量を表す信号を用いずに生成される。以上、実施の形態1によれば、固定の補助電流量と固定の補助電流印加時間のオーバーシュート電流を駆動電流に加える補正を行うことにより、点灯時間及び光量に応じて補正量補助電流量、補助電流印加時間を変える必要がなく、回路をシンプルにすることができる。また、予め固定した設定値を用いることで良好な積分光量比が得られるので、パルス細りや波形鈍りを改善するとともに、低濃度における階調再現性に優れた高速高精度の描画を行うことができる。また、予め固定した設定値を用いることで良好な積分光量比が得られるので、使用状況に応じて補助電流量や補助電流印加時間を最適に演算等するための処理等は不要になり、調整時間を短縮することができる。また、オーバーシュート機能により、画像を形成する場合に一番必要となる積分光量を適正化及び安定化する構成を実現することができる。なお、図7に示す半導体レーザ駆動装置100のうち、LD1、抵抗器16、及びメモリ30を除いた部分は、例えば、ICIntegratedCircuit:集積回路で構成してもよい。<実施の形態2>実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200は、補助電流印加時間は固定であるが、光量に応じて補助電流量の設定値を変える点が実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100と異なる。表1は、補助電流印加時間が2.0nsの場合に積分光量比が理想値1.00の±5に収まる補助電流量、補助電流印加時間、光量、及び点灯時間の組み合わせを抽出したデータを示す。表1のデータは、補助電流印加時間を2.0nsに固定し、補助電流量と光量を変化させて、様々な組み合わせの補助電流量と光量においての積分光量比を求め、その中から理想値1.00の±5に収まる補助電流量、補助電流印加時間、及び光量の組み合わせを抽出することによって得られるデータである。表1に示すように、光量が1mW~6mWの範囲では、補助電流量を2mAに設定する。また、光量が6mW~15mWの範囲では、補助電流量を5mAに設定する。すなわち、光量6mWを境に、補助電流量を切り替えることにより、補助電流印加時間を2.0nsに固定した条件で、積分光量比を理想値1.00の±5に収めることができる。図8は、表1に示した補正値補助電流量、補助電流印加時間を用いて半導体レーザで得られる積分光量比を示す特性図である。図8aは、LD1の点灯時間10ns、図8bはLD1の点灯時間20nsの場合の特性を示す。横軸は設定光量、縦軸は積分光量比である。また、グレーに塗り潰して示す帯状の領域は、理想の積分光量比1.00の±3の範囲積分光量比が0.97~1.03の範囲を示す。図8a、bともに、6mWで補助電流量を切り替えることで、理想の積分光量比1.00の±3以内のばらつきに抑えることができている。図9は、実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200を示す図である。実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200は、PD2、閾値電流源11、バイアス電流源12、変調電流源13、初期ON変調電流源14、コンパレータ15、抵抗器16、ICIntegratedCircuit:集積回路20、スイッチ21~23、メモリ30、DAC31、初期ON変調信号生成部32、及びマイコン33を含む。すなわち、実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200は、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100にマイコン33を付加した構成を有する。マイコン33は、主制御ICから入力される発光指令信号に基づき、光量に応じて、補助電流量を切り替える。発光指令信号には、光量を制御する信号が含まれている。表1に示すデータとして、2パターンの補助電流量と、1パターンの補助電流印加時間のデータをメモリ30に格納しておき、マイコン33が発光指令信号に応じて光量6mWを境に補助電流量のデータを切り替え、メモリ33からDAC31と初期ON変調信号生成部32がデータを読み出すことにより、初期ON変調電流源14からオーバーシュート電流が出力される。なお、図9に示す半導体レーザ駆動装置200のうち、LD1、抵抗器16、メモリ30、及びマイコン33を除いた部分は、例えば、ICIntegratedCircuit:集積回路で構成してもよい。この場合に、マイコン33を半導体レーザ駆動装置200のICに含ませてもよい。図10は、補助電流量を1つに固定し、LD1の光量の範囲に応じて補助電流印加時間を変化させたときの積分光量比の測定結果を示す図である。図10に示す積分光量比の測定結果から補助電流量を1つに固定し、光量に応じて所望の積分光量比が得られるように、補助電流印加時間の設定値を決定する。例えば、補助電流量を5mAに固定した場合、光量1mW~6mWの範囲では補助電流印加時間1.0ns、6mW~15mWの範囲では補助電流印加時間2.0nsに設定すればよい。表2は、上述のようにして得られる補助電流量、補助電流印加時間、光量、及び点灯時間の関係を示す。図11は、表2に示した補正値補助電流量、補助電流印加時間を用いて半導体レーザで得られる積分光量比を示す特性図である。図11aはLD1の点灯時間10ns、図11bはLD1の点灯時間20nsのときの特性である。図11a、bともに6mWで補助電流印加時間を切り替えることで積分光量比を±3以内のばらつきに抑えることができている。このため、点灯時間に応じて補助電流量及び補助電流印加時間の両方を変化させたときも同様に考えることができる。なお、図8、表1、図10、表2では、複数の補助電流量又は補助電流印加時間を有しており、光量に応じて補助電流量又は補助電流印加時間を切り替える形態について説明したが、上述のような補助電流量及び/又は補助電流印加時間を切り替える制御は、LD1を駆動するためのクロック信号に応じて行ってもよい。この場合に、切り替えるための補助電流量又は補助電流印加時間の値は、LD1の点灯時間に応じて複数の値を有するように構成されていてもよい。なお、LD1の点灯時間は、例えば、LD1の点灯を制御するためのクロック画素クロックの1周期又は複数周期の時間である。次に、図12を用いて、実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200で用いる補助電流量及び補助電流印加時間を表すデータを予め取得するための手順について説明する。図12は、実施の形態2の半導体レーザ駆動装置200で用いる補助電流量及び補助電流印加時間を表すデータを予め取得するための処理を示すフローチャートである。この処理は、図12に示すフローチャートを実現するためのコンピュータプログラムをコンピュータに実行させることによって実行される。まず、光量を設定するステップS1。これにより、発光指令信号の信号レベルが決定される。次に、点灯時間を設定するステップS2。これにより、LD1の点灯時間が決定される。次に、補助電流量及び補助電流印加時間を設定するステップS3。これにより、オーバーシュート電流による補正量が決定される。次に、積分光量を測定するステップS4。積分光量比の算出に必要なデータを得るためである。次に、測定結果をメモリに一時的に保存するステップS5。このメモリは図12に示す処理を実行するコンピュータのメモリである。次に、すべての補助電流量と補助電流印加時間に設定して測定が終了したか否かを判定するステップS6。判定結果がYESであればフローをステップS7に進行させるが、判定結果がNOであればフローをステップS3にリターンする。次に、すべての点灯時間に設定して測定が終了したか否かを判定するステップS7。判定結果がYESであればフローをステップS8に進行させるが、判定結果がNOであればフローをステップS2にリターンする。次に、すべての光量の設定が終了したか否かを判定するステップS8。判定結果がYESであればフローをステップS9に進行させるが、判定結果がNOであればフローをステップS1にリターンする。次に、メモリに保存したデータから固定値で用いることのできる補助電流量と補助電流印加時間の組み合わせを決定するステップS10。以上により、表1、表2に示すようなデータを作成することができる。なお、図12に示す処理は、実施の形態1の半導体レーザ駆動装置100の固定の補助電流量と補助電流印加時間を表すデータを作成するために用いることもできる。以上、実施の形態2によれば、表1及び表2に示すように補助電流量と補助電流印加時間のうちのいずれか一方を可変にしてオーバーシュート電流を駆動電流に加える補正を行う。従って、点灯時間及び光量に応じて補助電流量又は補助電流印加時間の一方だけを変えるだけで済むため、回路をシンプルにすることができる。また、良好な積分光量比が得られる補助電流量と補助電流印加時間を用いるので、パルス細りや波形鈍りを改善するとともに、低濃度における階調再現性に優れた高速高精度の描画を行うことができる。また、補助電流量と補助電流印加時間のうちのいずれか一方を可変にするだけなので、複雑な処理等は不要であり、調整時間を短縮することができる。また、オーバーシュート機能により、画像を形成する場合に一番必要となる積分光量を適正化及び安定化する構成を実現することができる。実施の形態2によれば、実施の形態1に比べて設定値が1つ増えるため回路が多少複雑化するが、それでも複雑な処理等は不要である。実施の形態2によれば、実施の形態11よりも積分光量比を理想値に近づけることができる。以上、本発明の例示的な実施の形態の半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。"