"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記ベース基板は、一表面側に前記固定接点が形成される基板と、前記基板の厚み方向に貫通した開口部の内周面と前記基板の前記一表面側で前記開口部を閉塞する蓋体部とで囲まれ前記電磁石装置が収納される収納部とを有し、前記電磁石装置は、U字状のヨークと、前記ヨークの両側片の間のコイル巻回部に巻回されたコイルとを有し、前記両側片の各先端面が前記蓋体部に接するように前記収納部に収納されてなり、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第1ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部における前記電磁石装置側である一面側に配置され前記ヨークとともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部と、前記アーマチュアにおいて前記ヨークの前記各側片の各々の前記先端面に対向する部位から一体に突設されたストッパ部とを有することを特徴とするMEMSリレー。前記電磁石装置は、前記コイル巻回部の長手方向の中央部に重ねて配置され前記中央部と前記蓋体部との間に介在する永久磁石を備え、前記アーマチュアにおいて前記永久磁石に対向する部位から一体に突設された支点突起を備えることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。上述のマイクロリレーでは、アマチュア130の長手方向の各端部に対応する部位に設けた可動接点基台134のうち、ヨーク120の脚片120bからの吸引力を受けた一端部側の可動接点基台134に設けた可動接点139が対向する一対の固定接点114に接触する。しかしながら、上述のマイクロリレーでは、ヨーク120の脚片120bとアマチュア130との間に、蓋板117と空間とが存在するため、磁気効率が低下し、所望の接圧接触圧を確保するために必要な駆動電圧が高くなってしまい、消費電力が大きくなってしまう。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、駆動電圧の低電圧化を図ることが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記ベース基板は、一表面側に前記固定接点が形成される基板と、前記基板の厚み方向に貫通した開口部の内周面と前記基板の前記一表面側で前記開口部を閉塞する蓋体部とで囲まれ前記電磁石装置が収納される収納部とを有し、前記電磁石装置は、U字状のヨークと、前記ヨークの両側片の間のコイル巻回部に巻回されたコイルとを有し、前記両側片の各先端面が前記蓋体部に接するように前記収納部に収納されてなり、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第1ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部における前記電磁石装置側である一面側に配置され前記ヨークとともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部と、前記アーマチュアにおいて前記ヨークの前記各側片の各々の前記先端面に対向する部位から一体に突設されたストッパ部とを有することを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記電磁石装置は、前記コイル巻回部の長手方向の中央部に重ねて配置され前記中央部と前記蓋体部との間に介在する永久磁石を備え、前記アーマチュアにおいて前記永久磁石に対向する部位から一体に突設された支点突起を備えることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、駆動電圧の低電圧化を図ることが可能となる。実施形態1以下、本実施形態のMEMSリレーについて図1~図5を参照しながら説明する。MEMSリレーは、ベース基板1と、ベース基板1の一表面側に対向配置されたカバー基板3と、ベース基板1に形成された収納部16に収納された電磁石装置4と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された可動部形成基板2とを備えている。このMEMSリレーは、可動部形成基板2に設けられた磁性体板からなるアーマチュア24を電磁石装置4によって動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた固定接点14と可動部形成基板2に設けられた可動接点27とが接離する電磁駆動型のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを、可動部形成基板2の外形サイズと同じ外形サイズに設定してある。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる基板10以下、第1の基板10と称するを用いて形成されている。第1の基板10は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。第1の基板10として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述のベース基板1は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第1の基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、ベース基板1の上記一表面側において第1の基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13の各々の一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13の各々の他端部が、第1の基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15と電気的に接続されている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用することができる。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1において上述の貫通孔配線15が内側に設けられた貫通孔12図5参照は、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線15は、貫通孔12の内面に沿って形成されベース基板1の上記一表面側において貫通孔12を閉塞している。また、ベース基板1は、上述のように電磁石装置4を収納する収納部16が形成されている。ここで、ベース基板1は、第1の基板10の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入され収納される開口部17が形成されている。また、ベース基板1は、第1の基板10における可動部形成基板2側の一表面側に、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間が収納部16を構成している。これにより、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と可動部形成基板2のフレーム部21とカバー基板3とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部18の材料としては、Siを採用しているが、これに限らず、例えば、ガラスを採用してもよい。蓋体部18の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。上述の開口部17は、第1の基板10の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板1は、可動部形成基板2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、第1の基板10の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部17および貫通孔12は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、ヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを備えている。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、コイル巻回部40aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。そして、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を備えている。しかして、電磁石装置4は、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。上述の電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、当該電磁力によって、矩形板状のアーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石41は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、上述の電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。しかして、MEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、ヨーク40および永久磁石41それぞれとアーマチュア24との間の各ギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板43を備えている。このプリント基板43は、絶縁性基板43aの一表面における長手方向の両端部それぞれに導体パターン43b,43bが形成されており、各導体パターン43b,43bにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極43ba,43baを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部43bb,43bbを構成している。ここにおいて、コイル接続部43bb,43bbには、コイル42,42の端末が接続される。コイル42,42は、外部接続用電極43ba,43ba間に電源を接続してコイル42,42へ励磁電流を流したときにヨーク40の両側片40b,40bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。可動部形成基板2は、高抵抗率のシリコン基板からなる半導体基板20を用いて形成されている。ここで、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。半導体基板20は、高抵抗率のシリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよいが、各シリコン層は高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。可動部形成基板2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在するフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置されフレーム部21に4つの第1ばね部支持ばね部22を介して揺動自在に支持された可動部23とを有している。また、可動部形成基板2は、可動部23における一面側電磁石装置4側に配置され電磁石装置4とともに磁気回路を構成する上述のアーマチュア24と、アーマチュア24の中央部との間に可動部23を挟んで配置されたプレート25とを有している。上述の可動部形成基板2は、フレーム部21が、矩形枠状に形成され、可動部23が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア24は、可動部23よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート25は、長手方向の寸法が可動部23の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート25は、可動部23の長手方向の中央部において、当該プレートの長手方向を可動部23の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート25の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。アーマチュア24を構成する磁性体板の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。また、プレート25の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。プレート25は、可動部23の厚み方向に貫通した貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。プレート25をアーマチュア24に溶接するにあたっては、可動部23の上記一面側にアーマチュア24を配置し他面側にプレート25を配置した状態で、プレート25において貫通孔29に対応する部分にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてアーマチュア24に溶接させるようにしている。要するに、プレート25は、アーマチュア24にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、YAGレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート25の材料に応じて適宜変更してもよい。可動部23には、上述の貫通孔29が2つ形成されている。これら2つの貫通孔29は、可動部23の長手方向の中央部において可動部23の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔29は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート25は、長手方向の寸法が、可動部23の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート25は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔29の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔29の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート25の短手方向の寸法は、可動部23の上記他面における貫通孔29の最大寸法可動部23の長手方向における貫通孔29の最大寸法よりも大きな値であればよい。そして、プレート25は、可動部23の各貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。要するに、プレート25は、アーマチュア24に2箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、2箇所に限定するものではない。ところで、可動部形成基板2は、可動部23とアーマチュア24とプレート25とを含む部分が、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、可動部23の上記一面におけるアーマチュア24の配置領域を規定し、可動部23の上記他面におけるプレート25の配置領域を規定している。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部23の重心とアーマチュア24およびプレート25各々の重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように設計してある。また、可動部形成基板2は、可動部23に、可動部23の上記一面から突設されアーマチュア24を位置決めする第1突起23g図3、図4参照と、可動部23の上記他面から突設されプレート25を位置決めする第2突起23f図2、図4参照とが一体に設けられている。第1突起23gの突出寸法は、第1突起23gがアーマチュア24の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア24の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア24の厚さ寸法が100μmの場合、第1突起23gの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2突起23fの突出寸法は、第2突起23fがプレート25の揺動範囲を狭めないように、プレート25の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート25の厚さ寸法が100μmの場合、第2突起23fの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、可動部形成基板2は、第1突起23gおよび第2突起23fの各々を複数備え、複数の第1突起23gが、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第2突起23fが、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、可動部形成基板2は、複数の第1突起23gが、アーマチュア24の外周に沿って配置され、複数の第2突起23fが、プレート25の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第1突起23gの数を8個、第2突起23fの数を6個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。ただし、第1突起23gは、可動部23の上記一面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第2突起23fは、可動部23の上記他面側において、可動部23の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部23の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。各第1突起23gおよび各第2突起23fは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第1突起23gは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第2突起23fは、全てが同じ形状である必要はない。また、第1突起23gについては、可動部23の上記一面側においてアーマチュア24の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第2突起23fについては、可動部23の上記他面側においてプレート25の規定の配置領域を囲む枠状の形状として1個だけにしてもよい。また、第1突起23gは、アーマチュア24の規定の配置領域との間に所定の第1隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア24の配置が容易になるとともに、アーマチュア24の寸法公差などに起因してアーマチュア24を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第2突起23fは、プレート25の規定の配置領域との間に所定の第2隙間例えば、10μm程度を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート25の配置が容易になるとともに、プレート25の寸法公差などに起因してプレート25を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。可動部形成基板2は、可動部23の厚みがフレーム部21の厚みよりも薄く、アーマチュア24の厚み寸法を、可動部形成基板2とベース基板1とを固着した状態においてアーマチュア24とベース基板1との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート25の厚み寸法は、可動部23とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。本実施形態では、フレーム部21の厚さを200μm、可動部23の厚さを50μm、アーマチュア24の厚さを100μm、プレート25の厚さを100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、半導体基板20としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、半導体基板20の厚さ寸法に基づいて、可動部23の厚さ、アーマチュア24の厚さ、およびプレート25の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア24の厚さ寸法は、電磁石装置4による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、可動部23およびプレート25それぞれの厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。第1ばね部22は、可動部23の短手方向の両側縁側の各々において可動部23の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第1ばね部22は、一端部が可動部23に連結され他端部がフレーム部21の内周面に連結されている。各第1ばね部22は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、可動部形成基板2は、可動部23が揺動する際に各第1ばね部22の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第1ばね部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。また、可動部形成基板2は、フレーム部21の内周面において可動部23の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片21aが1つずつ延設されている。すなわち、可動部形成基板2は、1対1で対応する第1突片23aと第2突片21aとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部23から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、凸部23bが形成されている。一方、フレーム部21から延設された各第2突片21aの各々の先端面には、凸部23bが入り込む凹部21bが形成されている。したがって、可動部形成基板2は、凸部23bが凹部21bの内周面に当接することにより、フレーム部21の厚み方向に直交する面内における可動部23の移動が規制される。可動部23の同一の側縁側にある2つの第1ばね部22は、同一の側縁から延設されている第1突片23aの両側に位置している。可動部形成基板2は、可動部23の各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、支点突起23cが突設されている。この支点突起23cは、可動部23が当該可動部23に一体化されているアーマチュア24とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、可動部形成基板2は、可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがベース基板1の上記一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。また、可動部形成基板2は、可動部23の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、一対の第2ばね部接圧ばね部26,26を介して可動部23に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の厚み方向において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。可動接点27は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点27は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点27は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、可動接点27の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。各接点保持部28の厚さ寸法は、フレーム部21の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部23の厚さ寸法よりも小さな値に設定してある。また、接点保持部28の厚み方向において重なる接点保持部28と可動接点27とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部23の長手方向に一致するように配置されている。各第2ばね部26は、一端部が可動部23の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部23の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各第2ばね部26の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各第2ばね部26の長さを適当な長さとして各第2ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。可動部形成基板2は、フレーム部21が、ベース基板1およびカバー基板3と接合されている。これにより、可動部形成基板2は、各可動接点27が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図2において右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a、図2において左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27bと称することもある。可動部形成基板2は、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。ここで、可動部形成基板2の基礎となる半導体基板20として、上述のダブルSOI基板を用いれば、可動部23とベース基板1との距離をベース基板1側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、MEMSリレーは、可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが開放されている状態での可動接点27と一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となり、また、アーマチュア24と電磁石装置4との距離磁気ギャップ長を高精度に設定することが可能となる。また、カバー基板3は、ガラス基板からなる第2の基板30を用いて形成されているが、第2の基板30は、第1の基板10と同様に、ガラス基板に限らず、高抵抗率のシリコン基板や、LTCC基板を用いてもよい。カバー基板3は、可動部形成基板2との対向面に可動部23の揺動空間を確保する凹所31が形成されている。ところで、本実施形態のMEMSリレーでは、例えば、第1の基板10および第2の基板30として、それぞれガラス基板を用い、半導体基板20としてシリコン基板を用いる場合、可動部形成基板2のフレーム部21とベース基板1およびカバー基板3とは、それぞれ、陽極接合法などにより接合すればよい。ここで、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点27が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点27と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、MEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。電磁石装置4が有極型の電磁石装置の場合は、アーマチュア24とヨーク40とを通る磁気回路が構成されるが、アーマチュア24とヨーク40および永久磁石41とを通る磁気回路が構成される。また、電磁石装置4が無極型の電磁石装置の場合は、アーマチュア24とヨーク40とを通る磁気回路が構成される。ところで、可動部形成基板2におけるアーマチュア24およびプレート25以外の構成要素は、半導体基板20半導体基板20の基礎となるウェハに対して、半導体微細加工技術を適用することにより形成してある。これに対して、アーマチュア24およびプレート25については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。また、可動部形成基板2は、アーマチュア24においてヨーク40の各側片40bの各々の先端面に対向する部位から一体に突設されたストッパ部24bを備えている。ストッパ部24bは、アーマチュア24の長手方向の両端部においてアーマチュア24の短手方向に沿って形成されており、ヨーク40との対向面が細長の長方形状となっている。なお、ストッパ部24bは、例えば、磁性体板の一部をエッチング技術などにより加工することによって形成すればよい。このストッパ部24bは、アーマチュア24の揺動範囲を規制する機能を有する。すなわち、これらのストッパ部24bは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、アーマチュア24の変位量を制限する。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、アーマチュア24においてヨーク40の各側片40bの各々の先端面に対向する部位から一体に突設されたストッパ部24bを備えていることにより、磁気効率を向上させることが可能となり、所望の接触圧を確保するために必要な駆動電圧を低減することが可能となって、低消費電力化を図ることが可能となる。実施形態2以下、本実施形態のMEMSリレーについて図6に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と略同じであり、可動部23に支点突起23c図1、図3参照を設ける代わりに、アーマチュア24において永久磁石24に対向する部位から一体に突設された支点突起24cを備えている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。支点突起24cは、アーマチュア24の揺動動作を安定させるうえでは先端面の面積が小さいほうが好ましいが、磁気効率を向上させるうえでは先端面の面積が大きいほうが好ましい。なお、支点突起24cの数は特に限定するものではなく、1つでも複数例えば、2つでもよい。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、電磁石装置4として有極型の電磁石装置を用いた構成において、アーマチュア24からストッパ部24bおよび支点突起24cが突設されていることにより、磁気効率を向上させることが可能となり、所望の接触圧を確保するために必要な駆動電圧を低減することが可能となって、低消費電力化を図ることが可能となる。ところで、実施形態1,2では、2つの可動接点27と、各可動接点27の各々に対して対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点27と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点27と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。また、実施形態1,2では、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを可動部形成基板2の外形サイズと同じ外形サイズに設定してあるが、これに限らない。例えば、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを可動部形成基板2の外形サイズよりも大きく設定し、且つ、カバー基板3に可動部形成基板2を囲む枠状の外側フレーム部を一体に設けてカバー基板3をキャップ状の形状とし、カバー基板3の外側フレーム部をベース基板1に接合するようにしてもよい。"