"リフロー方式で実装される高周波モジュールであって、略正方形状の多層基板の表層に、RFICが実装されるRFIC領域と、入力インピーダンスの整合を行う入力整合回路が実装される入力整合回路領域と、水晶発振器を含む発振回路が実装される発振回路領域と、前記RFIC、前記入力整合回路、前記発振回路を含む回路の電源管理を行う電源回路領域と、を有し、前記RFIC領域は、前記表層の略中央に配置され、前記入力整合回路領域は、前記RFIC領域の2辺と、前記RFIC領域の2辺とそれぞれ対向する前記多層基板の2辺とに沿った略L字形状に配置される高周波モジュール。前記発振回路領域は、前記表層において、前記入力整合回路領域内のRF信号が入力される入力部と対角線上に位置するように配置される請求項1記載の高周波モジュール。前記電源回路領域は、前記入力整合回路領域と対向する位置に配置されており、前記RFIC領域の4辺のうち、前記入力整合回路領域が沿う前記2辺以外の2辺と、前記多層基板の4辺のうち、前記入力整合回路領域が沿う前記2辺以外の2辺と、に沿った略L字形状に配置されている請求項2又は3記載の高周波モジュール。前記多層基板の全ての層において、各領域と重なる位置にグランドパターンが形成されており、前記全ての層の前記グランドパターンにおいて、前記入力整合回路領域と、前記RFIC領域、前記発振回路領域及び前記電源回路領域と、を分断する溝部が形成されている請求項1ないし3の何れか一項に記載の高周波モジュール。前記多層基板の裏面の4隅に隅部グランドパターンが形成されており、前記隅部グランドパターンは、前記裏面の前記グランドパターンと接続されている請求項4記載の高周波モジュール。前記RFIC領域に、前記表層から前記裏層まで貫通するスルーホールが複数形成されており、前記スルーホールは、前記裏層に形成された前記グランドパターンに接続されている請求項4又は5記載の高周波モジュール。前記RFIC領域の4辺のうち、前記RF信号が伝達されていく経路と隣接と1辺を除く3辺を囲い、且つ前記RF信号が伝達されていく経路と重ならないように第一の電源ラインが形成されている請求項1ないし6の何れか一項に記載の高周波モジュール。前記第一の電源ラインの外側であり且つ前記電源回路領域内に第二の電源ラインが形成されている請求項7記載の高周波モジュール。前記表層の下層において、前記前記RF信号が伝達されていく経路と重なる領域に前記グランドパターンが形成されていない請求項7又は8記載の高周波モジュール。前記入力整合回路領域と、前記RFIC領域とに隣接する位置に、当該高周波モジュール毎に異なる情報を表示させる表示領域が形成された請求項1ないし9の何れか一項に記載の高周波モジュール。上記従来の高周波モジュールのように金属のシールドケースが装着されている場合、高周波モジュールを例えば受信装置等の本体基板に実装する際にリフロー方式による半田付けを行うことができない。またシールドケースが装着されている場合、高周波モジュール自体が大きく保管や梱包等のコストが高くなる。本発明は、上記事情を鑑みて、これを解決すべく成されたものであり、リフロー方式の半田付けに対応可能で且つ小型化された高周波モジュールを提供することを目的としている。本発明は、上記目的を達成すべく以下の如き構成を採用した。本発明は、リフロー方式で実装される高周波モジュール100であって、略正方形状の多層基板110の表層110Aに、RFIC120が実装されるRFIC領域121と、入力インピーダンスの整合を行う入力整合回路131、132、133、134が実装される入力整合回路領130と、水晶発振器141を含む発振回路が実装される発振回路領域140と、前記RFIC120、前記入力整合回路131、132、133、134、前記発振回路141を含む回路の電源管理を行う電源回路領域150と、を有し、前記RFIC領域121は、前記表層110Aの略中央に配置され、前記入力整合回路領域130は、前記RFIC領域121の2辺と、前記RFIC領域121の2辺とそれぞれ対向する前記多層基板110の2辺とに沿った略L字形状に配置される。なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。本発明によれば、フロー方式の半田付けに対応可能で且つ小型化された高周波モジュールを提供することができる。本発明は、従来の部品をIC化することで、シールドケースを装着せず、小型化された高周波モジュールを提供する。以下に図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の高周波モジュールを説明する図である。本実施形態の高周波モジュール100は、例えば地上デジタルテレビ放送の受信装置等に実装される。本実施形態の高周波モジュール100は、基板110にRFRadioFrequencyIC120が実装されている。RFIC120は、例えば地上デジタルテレビ放送等の受信を行う。また本実施形態の高周波モジュール100では、基板110に入力整合回路が実装される入力整合回路領域130、発振回路が実装される発振回路領域140、IC用の電源回路が実装される電源回路領域150が設けられている。本実施形態の基板110は、略正方形の多層基板であり、RFIC120は基板110の略真ん中に配置される。また本実施形態のRFIC120も略正方形である。本実施形態では、高周波モジュール100において主要となるRFIC120を基板110の略真ん中中央に配置することで、基板110も正方形とすることができ、高周波モジュール100の特性を安定させることができる。また本実施形態の高周波モジュール100では、基板110の形状を正方形とすることで、受信装置等の本体基板に実装を容易にしている。本実施形態の基板110は、例えば4層基板とした。また本実施形態の入力整合回路領域130は、RFIC120の2辺と基板110の2辺とに沿う略L字状となるように配置されている。入力整合回路領域130は、RF信号の入力部と、入力整合バランIC131、分配IC132、入力フィルタ部133図2参照、静電気保護ダイオード134図2参照等を含む入力整合回路が実装されている。本実施形態の発振回路領域140には、クロック信号を生成する水晶発振器141を含む発振回路が実装されている。電源回路領域150には、基板110に実装された各種ICを含む回路の電源管理を行う電源回路が実装されている。本実施形態の電源回路領域150は、基板110において、入力整合回路領域130と対向する位置へ略L字状となるように配置される。すなわち電源回路領域150は、基板110において入力整合回路領域130が沿う2辺の対辺と、RFIC120において入力整合回路領域130が沿う2辺の対辺とに沿うように配置される。さらに本実施形態の基板110には、高周波モジュール100を上から見たとき1番ピンマーク161が左下に来るように配置された状態で、1番ピンマーク161の左隣に製造密番が表示される表示領域162が形成されている。そして表示領域162の左隣に型番163が表示される。以下に図2ないし図5を参照して実施形態の基板110の各層のレイアウトについて説明する。図2は、本実施形態の基板の表層のレイアウトを説明する第一の図である。本実施形態の基板110の表層110Aでは、入力整合回路領域130には、入力整合回路として、入力整合バランIC131を含む入力整合バラン回路部131A、分配IC132を含む分配回路部132A、入力フィルタ部133、静電気保護ダイオード134が実装される。本実施形態の高周波モジュール100では、受信したRF信号は入力フィルタ部133を介して入力整合回路に入力される。すなわち入力フィルタ部133は、RF信号入力部に相当する。表層110Aの発振回路領域140において水晶発振器141は、信号入力部に相当する入力フィルタ部133と対角線上となる位置に配置される。すなわち水晶発振器141は、少なくとも基板110において入力整合回路領域130が沿う一辺と対向する辺に沿うように配置される。本実施形態では、このように水晶発振器141を配置することで、水晶発振器141を含む発振回路から出力されるクロック信号に対するRF信号の影響が抑制される。また表層110AにおいてRFIC120が実装されるRFIC領域121に、後述する裏層110Dまで貫通するスルーホール122が形成されている。スルーホール122は、主にRFIC120から発生する熱を放熱させるためのものである。本実施形態では、スルーホール122を複数個設けることで、RFIC120からの熱がスルーホール122を介して高周波モジュール100が実装される受信装置等の本体基板側へ放熱される。尚RFIC領域121は、RFIC120の形状と同様に略正方形である。また本実施形態では、表層110Aから裏層110Dまでの全ての層において、入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断するようにグランドパターンGに溝が形成されている。本実施形態では、入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断することで、入力整合回路とRFIC120との干渉を抑制し、RFIC120の特性を良好に保つことができる。本実施形態の表層110Aには、溝171が形成されている。図3は、本実施形態の基板の2層のレイアウトを説明する図である。本実施形態の基板110の2層110Bにも、グランドパターンGにおいて入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断する溝172が形成されている。また本実施形態の2層110Bは、入力整合回路領域120の下層となる。本実施形態の2層110Bでは、入力整合回路領域120において入力整合回路が実装されている領域の下層となる領域にはグランドパターンGを形成しない領域181を形成した。領域181は、RF信号が伝達されていく経路である入力ラインの下層に当たる領域である。通常、入力整合回路においてRF信号の入力インピーダンスの整合をとるために、RF信号の入力ラインとグランドパターンGとの間に一定の距離を設ける必要がある。本実施形態では、入力ラインの下層となる2層110Bにおいて、グランドパターンGを形成しない領域181を設けることで、入力ラインとグランドパターンGとの間に一定の距離を設けることができる。図4は、本実施形態の基板の3層のレイアウトを説明する図である。本実施形態の基板110の3層110Cにも、グランドパターンGにおいて入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断する溝173が形成されている。また本実施形態の3層110Cでは、表層110AのRFIC領域121と重なる領域であるRFIC領域121Cを避けるように電源ライン181、182が形成されている。本実施形態の電源ライン181は、2層110Bと3層110Cとを重ねたとき、RFIC領域121Cの4辺のうち領域181と隣接する辺H1以外の3辺に沿って形成される。また電源ライン181の一方の先端部181Aは、層110Bと3層110Cとを重ねたとき領域181と重ならない位置に形成される。すなわち電源ライン181は、基板110に各種部品が実装されたときにRFIC120と入力ラインとに重ならないように形成される。また本実施形態の電源ライン182は、電源ライン181の外側の電源回路領域150と重なる位置に形成されている。本実施形態では、電源ライン181は、例えば表層110Aに実装される各種IC以外の回路に対して電源を供給するものとした。また電源ライン182は、表層110Aに実装される各種ICに対して電源を供給するIC専用の電源ラインとした。本実施形態では、例えば電源ライン181は3.3Vの電源電圧を供給するものとし、電源ライン182は1.8Vの電源電圧を供給するものとした。本実施形態では、RFIC120とIC専用の電源ライン182との間に、IC以外の回路に対する電源ライン181を形成することで、RFIC120に対する電源ライン182からのノイズを低減でき、RFIC120の特性を良好に保つことができる。尚3層110Cでは、入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断する溝173がグランドパターンGに形成されるものとしたが、RFIC領域120Cの辺H1において入力整合回路領域150と隣接する部分のグランドパターンは分断されていなくても良い。図5は、本実施形態の基板の裏層のレイアウトを説明する図である。本実施形態の基板110の裏層110Dにも、グランドパターンGにおいて入力整合回路領域130と、RFIC領域121とを分断する溝174が形成されている。本実施形態の基板110の裏層110Dは、四隅にグランドパターンGとは別に形成されたグランドパターンG1~G4を有する。グランドパターンG1~G4は、それぞれが裏面110Dにおいて表層100Aの各領域と重なるように形成されたグランドパターンGと接続されている。例えば裏層110DのグランドパターンG1とグランドパターンG4は、入力整合回路領域150と重なる位置に形成されたグランドパターンGとそれぞれ接続されている。また裏層110DのグランドパターンG2とグランドパターンG3は、RFIC領域121、発振回路領域140、電源回路領域150と重なる位置に形成されたグランドパターンGとそれぞれ接続されている。本実施形態では、以上の構成により、高周波モジュール100が受信装置の本体基板等に実装された際に、グランドパターンG1~G4を介して高周波モジュール100内で発生した熱を放射状に本体基板等に拡散でき、効率的に放熱を行うことができる。また本実施形態では、例えば基板110の有する端子のうち、未使用の端子をグランドパターンGへ接続しても良い。例えば図5の例では端子T1,T2が未使用であるから、グランドパターンGへ接続される。このように未使用の端子をグランドパターンGに接続することで、基板110の各辺から本体基板へ熱を拡散でき、効率的に放熱を行うことができる。また本実施形態では、表層110Aから裏層110Dまで貫通するスルーホール122が形成されており、スルーホール122はグランドパターンGと接続されている。このため、例えばRFIC120で発生した熱は、スルーホール12とグランドパターンGを介して本体基板側へ放熱される。図6は、本実施形態の基板の表層のレイアウトを説明する第二の図である。図6では、表層110Aに1番ピンG1グランドパターンG1の位置を示す1番ピンマーク161、個々の製品を特定する情報が表示される表示領域162、型番163が印刷された状態を示している。本実施形態では、1番ピンマーク161、表示領域162、型番163はシルク印刷シルクスクリーン印刷により表層110Aに印刷される。表示領域162には、例えばスタンプ等により製造密番等が押印されても良い。製造密番とは、例えば高周波モジュール100の製造年月日、製造された工場、ロット数等を含むものである。尚表示領域162にスタンプされる情報は、製造密番に限定されない。例えばスタンプされる情報は、個々の高周波モジュール100を特定するものであり、且つ個々の高周波モジュール100毎に異なる情報等であっても良い。本実施形態では、表層110Aに表示領域162を設けることで、ロットや製造年月等、個々の高周波モジュール100毎に異なる情報を押印させて視認可能に表示させることができる。従来のシールドケースに格納された高周波モジュールでは、製造密番等の個々の製品毎に異なる情報を視認可能とするため、シール等に製造密番等を印刷してシールドケースに貼り付ける等として対応しており、作業が繁雑であった。本実施形態によれば、上記のような繁雑な作業を簡略化することができる。また本実施形態では、1番ピンマーク161Aが左下となるように高周波モジュール100が配置されたとき、1番ピンマーク161Aの左側に表示領域162と型番163とを並べて表示させるレイアウトとしたため、情報を容易に目視することができる。以下に本実施形態の高周波モジュール100の製造方法と高周波モジュール100の実装フローについて説明する。本実施形態の高周波モジュール100は、リフロー方式により、受信装置等の本体基板に半田付けされるものである。本実施形態の高周波モジュール100は、まず、1番ピンマーク161、表示領域162、型番163が予めシルク印刷された基板110を用意し、表層110Aに形成されたランド部に半田クリームを塗布する。半田クリーム塗布後に、RFIC領域121、入力整合回路領域130、発振回路領域140、電源回路領域150に実装される全ての部品を半田クリーム上に実装する。実装される部品は、RFIC領域121に実装されるRFIC120、入力整合回路領域130に実装される入力整合バランIC131及び分配IC132、発振回路領域140に実装される水晶発振器141、電源回路領域150に実装される電源回路用部品を含む。半田クリーム上に実装に実装された部品以下、実装部品は、半田クリームで仮固定された状態となる。その後、部品が実装された基板110は、リフロー炉に通される。このとき半田クリームが溶融し、基板110上の実装部品は全て基板100上に一括で半田接続される。本実施形態の高周波モジュール100は、部品の実装が完了した後に、表示領域162にロットや製造年月等、個々の高周波モジュール100毎に異なる情報を押印して完成する。次に本実施形態の高周波モジュール100を受信装置等の本体基板へ実装する場合を説明する。まず、本体基板上の高周波モジュール100の実装領域に形成されたランドに半田クリームが塗布され、高周波モジュール100が半田クリーム上に実装され仮固定される。尚本体基板のランドは基板110の裏面110Dに形成された端子及びグランドパターンG1~G4の位置に対応しており、仮固定では端子及びグランドパターンG1~G4と本体基板のランドとが半田クリームによって接着された状態となる。このとき本体基板では、高周波モジュール100以外の実装部品も同様に各実装領域において半田クリーム上に実装された状態にあってもよい。その後、高周波モジュール100及びその他の実装部品が仮固定された状態において、本体基板はリフロー炉に通される。そこで半田クリームが溶融し、端子及びグランドパターンG1~G4と本体基板のランドとが半田付けされる。同時に高周波モジュール以外の実装部品も半田付けされ、本体基板の部品実装が完了する。以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。"