真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、および前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子の製造方法であって、前記電子放出源に対して実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程とを備える電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値よりも高い電流が、実駆動時の電流値の1.2倍~10倍である請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値と同等の電流が、実駆動時の電流値の0.9倍~1.1倍である請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程において、前記電流が一定電流値となるように電圧を調整する請求項1~3のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値よりも高い電流を、該電流が一定電流値となるように電圧を調整しながら流す工程において、前記電圧の変化が一定となるまで電流を流し続ける請求項4記載の電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程において、前記電流が一定電流値となるように電圧を調整する請求項1~5のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。前記実駆動時の電流値と同等の電流を、該電流が一定電流値となるように電圧を調整しながら流す工程において、前記電圧の変化が一定となるまで電流を流し続ける請求項6記載の電子放出素子の製造方法。しかしながら、従来のような活性化方法では、電子放出特性の均一性は向上するものの、高い電圧によってカーボンナノチューブが実質的にダメージを受けており、活性化後の駆動電圧が高くなってしまうといった課題を有していた。本発明は、上記課題に着目し、活性化前後における駆動電圧の変化がほぼ無く、かつ電子放出特性を均一化できる電子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、および前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子の製造方法であって、前記電子放出源に対して実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程とを備える電子放出素子の製造方法である。本発明によれば、活性化前後における駆動電圧変化がほぼ無く、かつ電子放出特性が均一な電子放出素子を得ることができる。本発明は、真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、および前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子の製造方法であって、前記電子放出源に対して実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程とを備える電子放出素子の製造方法に関する。以下、具体的な実施形態に基づいて本発明を詳細に説明する。<電子放出源>本発明の電子放出素子の製造方法を用いることができる電子放出源としては、電子放出材料としてモリブデンに代表される金属材料や、炭素系材料を含んで構成されるなど公知の材料であれば特に制限はないが、電子放出材料として炭素系材料を含むことが好ましい。炭素系材料の電子放出材料としては、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノコイル、カーボンナノツイスト等の針状炭素系材料、ダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン、グラファイト、カーボンブラック、フラーレン等のその他の炭素系材料などが挙げられる。針状炭素系材料は、低い仕事関数特性によって低電圧駆動が可能であることから好ましい。針状炭素系材料の中でも、カーボンナノチューブは高アスペクト比であるために良好な電子放出特性を持つことからより好ましい。また、炭素系材料を含む電子放出源に対し、実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程を実施すると、電子放出源がより活性化される。また、電子放出源の製造方法は特に制限はないが、電子放出材料を含む電子放出源用ペーストを用いて、カソード電極上に形成されることが好ましい。具体的な方法としては、スクリーン印刷法等を用いて電極基板上に電子放出源用ペーストを印刷し、必要に応じて熱風乾燥機等で乾燥した後、大気中または窒素等の不活性ガス雰囲気中で、500°C以下の温度で焼成する。焼成した電子放出源は、必要に応じて起毛処理を行い、表面から電子放出材料が突出した電子放出源とする。起毛処理を行う場合には、粘着性を有するテープまたはローラーを用いた剥離法やレーザー処理法などを使用できる。起毛処理を行わない場合には、前記熱処理によって電子放出源内に亀裂などが生じて、亀裂内部に電子放出材料を突出させることができるような電子放出源用ペーストを用いることが好ましい。<第1の実施形態>本発明の電子放出素子の製造方法について、第1の実施形態としてトライオード型電子放出素子を例に挙げて説明する。図1は本発明の電子放出素子の製造方法を用いて製造されるトライオード型電子放出素子の一例を示す断面図である。まず、電子放出素子の組み立て工程を説明する。トライオード型電子放出素子3は、カソード基板1とアノード基板2とを対向させ、スペーサー26を介して貼り合わせることで得られる。カソード基板1の作製方法は、まず、ソーダガラス等の基板10上にITO、クロム、金、銀や銅などの導電性膜をスパッタ法や印刷法によって成膜し、カソード電極12を形成する。次いで、カソード電極12上にガラス等の絶縁材料を印刷法または真空蒸着法などにより成膜し、絶縁層30を形成する。次いで、絶縁層30上にクロムやモリブデンなどの導電性膜を真空蒸着法などにより形成し、ゲート電極32を形成する。次いで、ゲート電極32上にレジスト材料をスピンコーター法などで塗布、乾燥し、フォトマスクを通じて紫外線を照射してパターンを転写した後、アルカリ現像液などで現像する。現像によって開口した部分からゲート電極32および絶縁層30をエッチングすることで、絶縁層30内に溝を形成する。次いで、電子放出源用ペーストを用いて溝内部に電子放出源14を作製し、カソード基板1が得られる。次に、アノード基板2の作製方法は、ソーダガラス等の基板20上にITO等の透明導電性膜をスパッタ法などによって成膜しアノード電極22を形成する。アノード電極22上に蛍光体層24を印刷法によって形成し、アノード基板2が得られる。そして、カソード基板1およびアノード基板2を、電子放出源14と蛍光体層24が対向するようにスペーサー26を挟んで貼り合わせ、容器とする。容器に接続した排気管図示せずから真空排気して、内部の真空度が1×10-3Pa以下の状態で、スペーサー26と基板20および、スペーサー26とゲート電極32もしくは絶縁層30を融着することによってトライオード型電子放出素子3が得られる。スペーサー26を構成する絶縁材料としては、セラミックス、ガラス等が挙げられる。次に前記トライオード型電子放出素子3の電子放出源14に対して、実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程を説明する。これらの操作を行うことによって、活性化前後における電圧変化がほぼ無く、かつ電子放出特性が均一な電子放出素子を得ることができる。ここで言う、実駆動時の電流値とは、実際のパネルにおいて蛍光体を発光させている時の電流値であって、目的とする輝度に応じて適宜設定される。このとき電流は、カソード電極上に形成された電子放出源とアノード電極間に流れており、電子放出源の単位面積当たりの電流密度mA/cm2として表される。電流は以下のように電圧を印加することで流すことができる。前記カソード基板1とアノード基板2の間は真空に保たれており、カソード電極12とゲート電極32、カソード電極12とアノード電極22との間にそれぞれ電位差が生じるように、カソード電圧Vc、ゲート電極Vgとアノード電圧Vaを印加する。通常はVa>Vg>Vcとなるように電圧を印加する。ここで、電子放出源14が閾値以上の電圧となるようなゲート電極Vgを印加すると、電子放出源14から電子が放出される。まず、実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程では、電子放出素子が過電流によって破壊しない程度に高い電流を流す。具体的には、実駆動時の電流値に対して1.2倍~10倍であることが好ましく、1.5倍~7倍であることがより好ましい。さらに、電子放出源面内に均一に負荷がかかるようにするために、一定電流値となるように電圧を調整することが好ましい。ここでいう一定電流値とは、一般的な電圧印加装置で制御できる程度の電流値変動を有しており、好ましくはそのバラツキが±1以内である。一定電流値となるように電圧を変化させようとすると、通常、電圧は図3に示すように時間とともに大きくなるが、その上がり幅は徐々に小さくなる。この電圧の変化が一定となる、すなわち図3のV-tの関係がほぼ直線関係となりその傾きがほぼ一定となるまで電流を流すことが好ましい。電圧の変化が一定となった状態は電子放出源面内の負荷が均一となったこと、すなわち電子放出特性が均一化されたことを表す。前記工程で活性化された電子放出源は、実駆動時の電流値で駆動させた場合に不安定な電流値の変動が生じる。そこで、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程によって、前記工程で活性化された電子放出源からの電子放出を安定化させることができる。ここで、前記実駆動時の電流値と同等の電流が、実駆動時の電流値に対して0.9倍~1.1倍であると、電子放出源からの電子放出を安定化させる効果が大きくなるため好ましい。さらに、電子放出源面内を均一に安定化するために、一定電流値となるように電圧を調整することが好ましい。ここでいう一定電流値も、一般的な電圧印加装置で制御できる程度の電流値変動を有しており、好ましくはそのバラツキが±1以内である。一定電流値となるように電圧を変化させようとすると、この工程の場合は、通常、電圧は図4に示すように時間とともに小さくなり、その下がり幅は徐々に小さくなる。この電圧の変化が一定となる、すなわち図4のV-tの関係がほぼ直線関係となりその傾きがほぼ一定となるまで電流を流すと、電子放出源からの電子放出が安定化されるため好ましい。実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程は、連続的に行ってもよいし、前の工程を終了してから後の工程を行ってもよい。また、これらの電流を流す工程は、前記電子放出素子の製造工程の中で、真空排気した状態で行っても良いし、封着した後に行ってもよい。完成した電子放出素子において、電子放出源から放出された電子は、カソード電極12とアノード電極22との間の電位差によってアノード電極22方面へ加速され、蛍光体層24へ衝突し、発光を得ることができる。具体的には、カソード電極とアノード電極間に5~30kV、カソード電極とゲート電極間に10~500Vの電圧を供給することで、電子放出材料から電子が放出されて蛍光体にぶつかり、蛍光体の発光を得ることができる。<第2の実施形態>次に、本発明の電子放出素子の製造方法について、第2の実施形態としてダイオード型電子放出素子を例に挙げて説明する。図2は本発明の電子放出素子の製造方法を用いて製造されるダイオード型電子放出素子の一例を示す断面図である。ダイオード型電子放出素子4は、カソード基板1とアノード基板2とを対向させ、スペーサー26を介して貼り合わせることで得られる。カソード基板1の作製方法は、まず、ソーダガラス等の基板10上にITO、クロム、金、銀や銅などの導電性膜をスパッタ法や印刷法によって成膜し、カソード電極12を形成する。次いで、カソード電極12上に電子放出源用ペーストを用いて電子放出源14を作製し、カソード基板1が得られる。次に、アノード基板2の作製方法は、ソーダガラス等の基板20上にITO等の透明導電性膜をスパッタ法などによって成膜しアノード電極22を形成する。アノード電極22上に蛍光体層24を印刷法によって形成し、アノード基板2が得られる。そして、カソード基板1およびアノード基板2を、電子放出源14と蛍光体層24が対向するようにスペーサー26を挟んで貼り合わせ、容器とする。容器に接続した排気管から真空排気して、内部の真空度が1×10-3Pa以下の状態で、スペーサー26と基板10および、スペーサー26と基板20を融着することによってダイオード型電子放出素子4が得られる。スペーサー26を構成する絶縁材料としては、セラミックス、ガラス等が挙げられる。次に前記ダイオード型電子放出素子4の電子放出源14に対して、前記トライオード型電子放出素子3に対して行ったものと同様にして、実駆動時の電流値よりも高い電流を流す工程と、実駆動時の電流値と同等の電流を流す工程を行う。これによって、活性化前後における電圧変化がほぼ無く、かつ電子放出特性が均一な電子放出素子を得ることができる。前記カソード基板1とアノード基板2の間は真空に保たれており、カソード電極12とアノード電極22との間に電位差が生じるように、それぞれカソード電圧Vcとアノード電圧Vaを印加する。通常はVa>Vcとなるように電圧を印加する。ここで、電子放出源14が閾値以上の電圧となるようなアノード電圧Vaを印加すると、電子放出源14から電子が放出される。前記電子放出源から放出された電子は、カソード電極12とアノード電極22との間の電位差によってアノード電極22方面へ加速され、蛍光体層24へ衝突し、発光を得ることができる。具体的には、カソード電極とアノード電極間に0.1~30kVの電圧を供給することで、電子放出材料から電子が放出されて蛍光体にぶつかり、蛍光体の発光を得ることができる。前記ダイオード型電子放出素子ならびにトライオード型電子放出素子は、例えば、面状に配列することによって、面状の発光装置を形成できる。得られる発光装置は、低コストでかつ均一発光が可能であり、ディスプレイ用バックライト光源、あるいは照明ランプ等に好適に利用される。以下に、本発明を実施例に具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1前記<第1の実施形態>に示したトライオード型電子放出素子の製造方法に基づいて、ソーダガラス基板上にITOを用いたカソード電極、2層カーボンナノチューブ東レ株製を電子放出材料に用いた電子放出源、BSF1100旭硝子株製ガラス粉末を用いた厚み50μmの絶縁層およびクロムを用いたゲート電極を備えたカソード基板と、ソーダガラス基板上にITOを用いたアノード電極およびP22化成オプトニクス株製蛍光体層を備えたアノード基板とを対向させ、10mmのガラススペーサーを介して真空度5×10-4で封着して貼り合わせることでトライオード型電子放出素子を得た。前記作製したトライオード型電子放出素子について、電圧印加装置菊水電子工業株製耐電圧/絶縁抵抗試験器TOS9201によってカソード電極とアノード電極間の電圧を5kVとし、電流値が1mA/cm2に達するときのカソード電極とゲート電極間の電圧を求めたところ、80Vであった。また、そのときに蛍光体面積全体における発光面積の割合を算出したところ46であった。ここでいう発光面積は、CCDカメラによって蛍光体の発光画像を取り込み、1cm×1cm角の蛍光体面積全体における発光面積の割合を算出し、数値化したものである。前記電子放出素子について、以下の活性化処理を行った。まず、電流値が3mA/cm2で一定となるようにカソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。次に、電流値が1mA/cm2で一定となるように、カソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。前記活性化処理を行ったトライオード型電子放出素子について、電圧印加装置によってカソード電極とアノード電極間の電圧を5kVとし、電流値が1mA/cm2に達するときのカソード電極とゲート電極間の電圧を求めたところ84Vであり、活性化の前後でほとんど駆動電圧が変化していなかった。また、そのときの蛍光体面積全体における発光部分の割合を算出したところ92であり、電子放出特性が均一化されて発光均一性が向上したことがわかった。実施例2実施例1と同様にして作製したトライオード型電子放出素子について、以下の活性化を行った。まず、電流値が5mA/cm2で一定となるようにカソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。次に、電流値が1mA/cm2で一定となるように、カソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。前記活性化を行ったトライオード型電子放出素子について、電圧印加装置によってカソード電極とアノード電極間の電圧を5kVとし、電流値が1mA/cm2に達するときのカソード電極とゲート電極間の電圧を求めたところ83Vであり、活性化の前後でほとんど駆動電圧が変化していなかった。また、そのときの蛍光体面積全体における発光部分の割合を算出したところ95であり、電子放出特性が均一化されて発光均一性が向上したことがわかった。実施例3実施例1と同様にして作製したトライオード型電子放出素子について、以下の活性化を行った。まず、電流値が7mA/cm2で一定となるようにカソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。次に、電流値が1mA/cm2で一定となるように、カソード電極とゲート電極間に電圧を印加した。しばらく電圧を印加し続けた後、電圧の変化が一定となったところで電圧を印加するのをやめた。前記活性化を行ったトライオード型電子放出素子について、電圧印加装置によってカソード電極とアノード電極間の電圧を5kVとし、電流値が1mA/cm2に達するときのカソード電極とゲート電極間の電圧を求めたところ86Vであり、活性化の前後でほとんど駆動電圧が変化していなかった。また、そのときの蛍光体面積全体における発光部分の割合を算出したところ94であり、電子放出特性が均一化されて発光均一性が向上したことがわかった。比較例実施例1と同様にして作製したトライオード型電子放出素子について、カソード電極とゲート電極間の電圧が160Vで一定とし、10分間活性化を行った。このときの初期電流値は13mA/cm2であった。前記活性化を行ったトライオード型電子放出素子について、電圧印加装置によってカソード電極とアノード電極間の電圧を5kVとし、電流値が1mA/cm2に達するときのカソード電極とゲート電極間の電圧を求めたところ120Vであり、活性化の後では駆動電圧が高くなっていることがわかった。