"[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]溶媒を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。上記構造単位Iが、下記式1-1で表される構造単位I-1である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式1-1中、R及びR1~R3は、上記式1と同義である。nCは、1~4の整数である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。但し、nSが2以上の場合、複数のRSは同一でも異なっていてもよい。上記構造単位Iが、下記式1-2で表される構造単位I-2である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式1-2中、R及びR1~R3は、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。但し、nSが2以上の場合、複数のRSは同一でも異なっていてもよい。上記[A]重合体が、フッ素原子を有する重合体である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記[A]重合体が、ラクトン構造を含む構造単位VIIをさらに有する重合体である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。[C]感放射線性酸発生体をさらに含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。下記式1で表される構造単位Iを有する重合体。式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。下記式iで表される化合物。式i中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、PEB温度の低温化を図りつつ、パターン形成性、LWR性能、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[A]重合体ともいう。、及び[B]溶媒を含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、上記式1で表される構造単位Iを有する[A]重合体及び[B]溶媒を含有する。上記構造単位Iは、酸解離性基として、RC基と炭素原子Raとから形成される2価の脂肪族環状炭化水素基のエステル基に結合する炭素原子Raに、炭素-炭素二重結合が隣接する構造を含む基以下、二重結合隣接環状炭化水素基ともいう。を有している。この二重結合隣接環状炭化水素基は、Raが上記炭素-炭素二重結合のアリル位となっていることで、酸解離性基の解離反応の際に誘起されるRa上の正電荷を安定化できるため、酸解離性基の解離性が非常に高くなっていると考えられる。従って、当該感放射線性樹脂組成物によれば、PEB温度を従来の温度より下げることができ、その結果、酸の拡散が適正化され、良好なパターン形状及びLWRが小さいレジストパターンを形成することが可能になる。また酸解離性基の解離性が非常に高いことで、PEB温度を低下させても、露光部の重合体がアルカリ現像液に十分に溶解することができるので、現像時等におけるスカムの発生が抑制され、かつブリッジ欠陥の発生が抑制されたレジストパターンの形成が可能になる。上記構造単位Iは、下記式1-1で表される構造単位I-1が好ましい。式1-1中、R及びR1~R3は、上記式1と同義である。nCは、1~4の整数である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。但し、nSが2以上の場合、複数のRSは同一でも異なっていてもよい。上記構造単位Iを単環式脂肪族炭化水素骨格を有する上記特定構造とすると、解離反応によって酸解離性基から生じる分子が揮発し易いものとなりレジスト被膜中に残りにくくなる。その結果、レジスト被膜の可塑性の増大を抑制することができ、酸の拡散長をより適正化することができるので、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能が向上する。上記構造単位Iは、下記式1-2で表される構造単位I-2が好ましい。式1-2中、R及びR1~R3は、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。但し、nSが2以上の場合、複数のRSは同一でも異なっていてもよい。構造単位Iを上記特定構造とすることで、酸解離性基の解離容易性がさらに高まるため、PEB温度をさらに低下させることが可能になり、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性、LWR性能、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性がさらに向上する。当該感放射線性樹脂組成物における上記[A]重合体は、フッ素原子を有する重合体であることが好ましい。[A]重合体はフッ素原子を有すると、フッ素原子による高い疎水性に起因してレジスト被膜において表層部に偏在化する傾向がある。従って、このような[A]重合体は、例えば、液浸露光プロセスにおいて撥水性添加剤としての機能を発揮することができるので、当該感放射線性樹脂組成物によれば、レジスト被膜と液浸媒体を遮断することを目的とした上層膜の別途形成を要することなく、レジスト被膜表面に高い動的接触角を付与して水切れ性能を高め、ウォーターマークの残存防止及び高速スキャン露光を可能にすると共に、レジスト被膜からの酸発生剤等の溶出を抑制することができる。当該感放射線性樹脂組成物によれば、PEB温度を従来の温度より低くした場合でも、レジスト被膜表層における溶け残りが非常に低減される結果、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性がさらに向上すると共に、ブリッジ欠陥発生に起因して起こるLWRの増大をさらに抑制することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物における上記[A]重合体は、ラクトン構造を含む構造単位VIIをさらに有する重合体であることが好ましい。[A]重合体が構造単位VIIをさらに有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性を高めることができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性、LWR性能、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性がさらに向上する。また、[A]重合体が構造単位VIIを有することで、得られるレジスト被膜の基板への密着性を向上させることができる。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]感放射線性酸発生体以下、[C]酸発生体ともいう。をさらに含有することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]酸発生体をさらに含有することで、放射線感度を向上させることができる。本発明の重合体は、下記式1で表される構造単位Iを有する。式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。当該重合体は、酸解離性基として、解離容易性が非常に高い二重結合隣接環状炭化水素基を有している。従って、当該重合体によれば、レジストパターン形成の際におけるPEB温度を従来の温度より低くすることが可能になる。従って、当該重合体は、例えば、リソグラフィー技術に用いられる感放射線性樹脂組成物等の成分として好適である。本発明の化合物は、下記式iで表される。式i中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。本発明の化合物以下、化合物iともいう。は上記式iで表される構造を有するので、当該重合体中に構造単位Iを組み込む単量体化合物として好適に用いることができる。本明細書において、鎖状炭化水素基とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の双方を含むものとする。脂肪族環状炭化水素基とは、環構造としては脂肪族環状炭化水素構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。但し、脂肪族環状炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。芳香族炭化水素基とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂肪族環状炭化水素構造を含んでいてもよい。以上説明したように、本発明の感放射線性樹脂組成物は、レジストパターン形成プロセスにおいて、PEB温度の低温化を図ることができ、加えて、良好な形状及び優れたLWRを有し、スカム発生及びブリッジ欠陥発生が抑制されたレジストパターンを形成することができる。また、PEB温度の低温化によって、製造工程におけるエネルギー使用量の低減化を図ることができる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]溶媒を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[C]感放射線性酸発生体、構造単位Iを有さない[D]他の重合体、[E]酸拡散制御体を含有していてもよい。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、重合体成分として、ベース重合体のみを含有していてもよく、ベース重合体以外に撥水性添加剤を含有することもできる。ベース重合体とは、感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜の主成分となる重合体をいい、好ましくは、レジスト被膜を構成する全重合体に対して50質量以上を占める重合体をいう。また、撥水性添加剤とは、感放射線性樹脂組成物に含有させることで、形成されるレジスト被膜の表層に偏在化する傾向を有する重合体である。ベース重合体となる重合体より疎水性が高い重合体は、レジスト被膜表層に偏在化する傾向があり、撥水性添加剤として機能させることができる。当該感放射線性樹脂組成物は、撥水性添加剤を含有することで、レジスト被膜からの酸発生体等の溶出を抑制できると共に、形成されたレジスト被膜表面が高い動的接触角を示すので、レジスト被膜表面は優れた水切れ特性を発揮することができる。これにより液浸露光プロセスにおいて、レジスト被膜表面と液浸媒体を遮断するための上層膜を別途形成することを要することなく、高速スキャン露光を可能にすると共に、ウォーターマーク欠陥等の発生を抑制することができる。当該感放射線性樹脂組成物において、重合体が撥水性添加剤として良好に機能するには、撥水性添加剤のフッ素原子含有率が、ベース重合体のフッ素原子含有率より高いことが好ましい。撥水性添加剤のフッ素原子含有率がベース重合体よりも大きいと、形成されたレジスト被膜において、撥水性添加剤がその表層に偏在化する傾向がより高まるため、レジスト被膜表面の高い水切れ性等の撥水性添加剤を構成する重合体の疎水性に起因する特性が、より効果的に発揮される。なお、このフッ素原子含有率質量は、13C-NMRの測定により求めた重合体の構造から算出することができる。当該感放射線性樹脂組成物の態様としては、重合体成分として、1ベース重合体としての[A]重合体、2ベース重合体としての[A]重合体及び撥水性添加剤としての[A]重合体、3ベース重合体としての[A]重合体及び撥水性添加剤としての[D]重合体、4ベース重合体としての[D]重合体及び撥水性添加剤としての[A]重合体をそれぞれ含有する場合等が挙げられる。上記2~4の当該感放射線性樹脂組成物がベース重合体及び撥水性添加剤の両方を含有する場合において、[A]重合体が、ベース重合体又は撥水性添加剤の一方のみに用いられる上記3及び4の場合でも、本発明の効果が十分に発揮されるが、[A]重合体をベース重合体及び撥水性添加剤の両方に用いる上記2の場合に、本発明の効果である当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性、LWR性能、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性をさらに高めることができる。以下、当該感放射線性樹脂組成物の各構成成分について順に説明する。<[A]重合体>[A]重合体は、構造単位Iを有する重合体である。また、[A]重合体は、構造単位I以外にも、下記構造単位II~IX及びその他の構造単位を有していてもよい。<構造単位I>構造単位Iは、上記式1で表される構造単位である。構造単位Iは、酸解離性基としての二重結合隣接環状炭化水素基を有している。酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。このような酸解離性基を有する重合体は、酸の作用前はアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、後述の[C]酸発生体から発生する酸等の作用により酸解離性基が脱離するとアルカリ可溶性となる。なお、重合体がアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であるとは、当該感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、レジスト被膜に代えてこのような重合体のみを用いた膜厚100nmのレジスト被膜を現像した場合に、レジスト被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。構造単位Iの有する二重結合隣接環状炭化水素基は、エステル基に結合している炭素原子Raが炭素-炭素二重結合のアリル位となっていることで、酸解離性基の解離反応の際に誘起されるRa炭素原子上の正電荷を安定化できるので、酸解離性基の解離反応が非常に起こり易くなっている。従って、当該感放射線性樹脂組成物によれば、PEB温度を従来の温度より下げることができ、その結果、酸の拡散の影響が低減されて、良好なパターン形状及び小さいLWRを有するレジストパターンを形成することが可能になる。また酸解離性基の解離性が非常に高いことで、PEB温度を低下させても、露光量を上げて酸の発生量を増大させることを要することなく、露光部の重合体がアルカリ現像液に十分に溶解することができるので、スカム発生及びブリッジ欠陥の発生が抑制されたレジストパターンの形成が可能になる。上記式1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Raは、炭素原子である。R1~R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。但し、R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成していてもよい。上記RCは、Raと共に2価の脂肪族環状炭化水素基を形成する基である。すなわち、RCが結合するRa炭素原子は、エステル基の酸素原子及び二重結合炭素へそれぞれ結合する2本の結合手を有している。上記RCがRaと共に形成する2価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基、シクロドデカンジイル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基;シクロブテンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロデセンジイル基、シクロドデセンジイル、シクロペンタジエンジイル基、シクロヘキサジエンジイル基、シクロデカジエンジイル基等の単環式脂肪族不飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクタンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクテンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセンジイル基、トリシクロ[3.3.1.1.3,7]デセンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセンジイル基等の多環式脂肪族不飽和炭化水素基等が挙げられる。この中で、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能が向上する観点から、単環式脂肪族飽和炭化水素基、単環式脂肪族不飽和炭化水素基が好ましく、単環式脂肪族飽和炭化水素基がより好ましく、その中でも、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基がさらに好ましい。これらの炭素数5~8の単環式脂肪族飽和炭化水素基を採用することによって、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能が特に向上する理由としては、レジスト被膜内における酸の拡散長が短くなることが考えられる。このように、酸の拡散長が短くなる理由については必ずしも明らかではないが、解離反応によって酸解離性基から生じる低分子量の物質が揮発し易いためレジスト被膜中に残りにくく、その結果、レジスト被膜の可塑性が低くなることで、酸の拡散係数が小さくなること等が考えられる。またこれらの中でも、酸解離性基の解離容易性が特に高い観点から、シクロオクタンジイル基が特に好ましい。また、酸解離性基の解離容易性が向上すると共に、形成されるレジスト被膜のエッチング耐性が向上することから、多環式脂肪族飽和炭化水素基、多環式脂肪族不飽和炭化水素基が好ましく、多環式脂肪族飽和炭化水素基がより好ましく、その中でも、ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクタンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジイル基、アダマンタンジイル基がさらに好ましく、アダマンタンジイル基が特に好ましい。また、RCがRaと共に形成する脂肪族環状炭化水素基は、置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOH以下これらの置換基をまとめてRSともいう。等が挙げられる。ここで、RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。また、RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2の鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。上記脂肪族環状炭化水素基は、上記置換基を1種単独で1つ以上有していてもよいし、上記置換基のうち複数種を各1つ以上有していてもよい。上記R1~R3で表される炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。上記R1~R3で表される炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.2]オクタニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカニル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基等が挙げられる。この中で、構造単位Iを与える単量体化合物の合成容易性の観点から、水素原子、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基が好ましく、それらの中でも、水素原子、メチル基、エチル基がさらに好ましく、水素原子が特に好ましい。上記R1~R3で表される鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基の有する置換基としては、例えば、上述のRCがRaと共に形成する脂肪族環状炭化水素基が有する置換基として例示したものと同様の基等が挙げられる。R1~R3のいずれかが互いに結合して環状構造を形成することにより生じる炭素-炭素二重結合を含む基としては、例えば、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、メチルシクロペンテニル基、メチルシクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基、シクロへキシリデンエテニル基等が挙げられる。それらの中でも、構造単位Iを与える単量体化合物の合成容易性の観点から、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基が好ましい。構造単位Iとしては、例えば、下記式1-1~1-6で表される構造単位以下、構造単位I-1~I-6ともいう。等が挙げられる。上記式1-1~1-6中、R及びR1~R3は、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。上記式1-1中、nCは、1~4の整数である。上記構造単位I-1~I-6において、シクロアルカン骨格、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、ビシクロオクタン骨格、トリシクロオクタン骨格を有する脂肪族環状炭化水素基は、その骨格上の水素原子を置換する置換基RSとして、上記RCがRaと共に形成する脂肪族環状炭化水素基の置換基RSとして列挙される基を有していてもよい。これらの中で、構造単位I-1、構造単位I-2が好ましい。[A]重合体が、シクロアルカン骨格を含む構造単位I-1を有する場合、解離反応によって酸解離性基から生じる分子が揮発し易いものとなるためレジスト被膜中に残りにくくなる。その結果、レジスト被膜の可塑性の低下により、酸の拡散長をより適正化することができるので、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能が向上する。構造単位I-1としては、例えば、下記式1-1-1~1-1-12で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-1-1~1-1-12中、Rは、上記式1と同義である。この中で、レジスト被膜における酸拡散長がより短くなり、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能がさらに向上する観点、及び構造単位Iを与える単量体化合物の合成容易性の観点から、上記式1-1-1~1-1-4でそれぞれ表される構造単位が好ましく、上記式1-1-4で表される構造単位がさらに好ましい。また、[A]重合体が構造単位I-2を有する場合、アダマンタン骨格がエステル基に直接結合することになり、酸解離性基の解離容易性がさらに高まるため、PEB温度をさらに低下させることが可能になり、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性、LWR性能、スカム抑制性、ブリッジ欠陥抑制性がさらに向上する。また、未露光部分においては、アルカリ現像後においてもアダマンタン骨格が側鎖に残り、重合体の剛直性が保持される。その結果、得られるレジスト被膜は、現像後のエッチング工程において、優れたエッチング耐性を発揮することができる。構造単位I-2としては、例えば、下記式1-2-1~1-2-9で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-2-1~1-2-9中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中で、酸解離性基の解離容易性の観点、及び構造単位Iを与える単量体化合物の合成容易性の観点から、上記式1-2-1で表される構造単位が好ましい。上記構造単位I-3~I-6としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-3-1~1-3-3、1-4-1~1-4-3、1-5-1~1-5-3及び1-6-1~1-6-3中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記[A]重合体における構造単位Iの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体となる場合は、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10~100モルが好ましく、20~70モルがより好ましく、25~50モルがさらに好ましい。また、[A]重合体が撥水性添加剤となる場合には、1~60モルが好ましく、3~40モルがより好ましく、5~35モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能をさらに向上させることができる。上記構造単位Iを与える単量体化合物iの合成方法は以下の通りであり、下記のスキームに従い、合成することができる。上記式において、R、RC、Ra及びR1~R3は、上記式1と同義である。環状ケトン化合物と、臭化アルケニルマグネシウムグリニャール試薬とを、テトラヒドロフラン等の溶媒中で反応させることにより、アリルアルコール化合物が得られる。このアリルアルコール化合物に、有機アミン等の塩基存在下で、メタアクリロリルクロライド等を反応させることにより、化合物iを得ることができる。[A]重合体が撥水性添加剤として用いられる場合等において、フッ素原子を有する構造単位として、下記構造単位II~IVを有することが好ましい。また、[A]重合体がベース重合体として用いられる場合にも、これらの構造単位を有することにより、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜の親水性度を適度に調節することができる。<構造単位II>構造単位IIは、下記式2で表される構造単位である。[A]重合体は、構造単位IIを有することで疎水性が高まり、レジスト被膜表面が高い動的接触角を示すので、レジスト被膜からの酸発生体等の溶出が抑制されると共に、レジスト被膜表面は優れた水切れ特性を発揮する。一方、構造単位IIのRf-CO基は、アルカリ現像において加水分解により解離して水酸基を生じ、かつ加水分解するエステル基に脂肪族環状炭化水素基が結合しており、この加水分解反応の速度が高いため、アルカリ現像によってレジスト被膜表面の動的接触角が大きく低下する。その結果、アルカリ現像後においてレジスト被膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いことに起因して起こるレジスト被膜の現像欠陥の発生を抑制することができる。上記式2中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RBは、置換されていてもよい炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。上記Xで表される2価の連結基としては、例えば、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基、これらとエーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基、若しくはアミド基を組み合わせた2価の基等が挙げられる。また、上記Xで表される2価の連結基は置換基を有していてもよい。上記炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基、デカンジイル基、ウンデカンジイル基、ヘキサデカンジイル基、イコサンジイル基等の鎖状飽和炭化水素基;エテンジイル基、プロペンジイル基、ブテンジイル基、ペンテンジイル基、ヘキセンジイル基、オクテンジイル基、デセンジイル基、ウンデセンジイル基、ヘキサデセンジイル基、イコセンジイル基、エチンジイル基、プロピンジイル基、ブチンジイル基、オクチンジイル基、ブタジエンジイル基、ヘキサジエンジイル基、オクタトリエンジイル基等のアルキンジイル基等の鎖状不飽和炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基、メチルシクロヘキサンジイル基、エチルシクロヘキサンジイル基等の単環式飽和炭化水素基;シクロブテンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロヘプテンジイル基、シクロオクテンジイル基、シクロデセンジイル基、シクロペンタジエンジイル基、シクロヘキサジエンジイル基、シクロオクタジエンジイル基、シクロデカジエンジイル基等の単環式不飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプタンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクタンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の多環式飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクテンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセンジイル基等の多環式不飽和炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ベンジレン基、フェニレンエチレン基、フェニレンシクロへキシレン基、ナフチレン基等が挙げられる。また、上記Xで表される2価の連結基としては、例えば、下記式X-1~X-6で表される基等も挙げられる。上記式X-1~X-6中、Rx1は、それぞれ独立して、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。は、上記式2のRBに結合する結合部位を示す。上記RBで表されるn1価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタンなどの多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式不飽和炭化水素等の炭素数3~30の環状炭化水素等からn1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。これらの中で、アルカリ解離性基であるフッ素含有基の加水分解速度が向上すると共に、形成されるレジスト被膜のエッチング耐性が向上することから、炭素数4~30のn1価の脂肪族多環式炭化水素基が好ましく、炭素数6~15の2価又は3価の脂肪族多環式炭化水素基がより好ましく、炭素数8~12の2価の脂肪族多環式炭化水素基が特に好ましい。また、RBは、置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、上記構造単位Iにおける置換基RSと同様の基等が挙げられる。RBは、上記置換基を1種単独で1つ以上有していてもよいし、上記置換基のうちの複数種を各1つ以上有していてもよい。上記Rfで表される基においては、炭化水素基が有するフッ素原子の数は1~10個である。Rfで表される基が有するフッ素原子の数が上記範囲であると、撥水性添加剤としての[A]重合体の疎水性の高さが適度なものとなり、これを含む当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜表面の動的接触角が、良好な水切れ性を有する程度に高く、かつバブル欠陥の発生が抑制される程度に高度にバランスされて制御される。その結果、バブル欠陥の発生を確実に抑制することができる。Rfで表される基が有するフッ素原子の数が10個を超えると、[A]重合体の疎水性が高くなり過ぎるため、形成されるレジスト被膜表面の前進接触角が高くなり過ぎ、バブル欠陥が発生し易くなる。またRfで表される基がフッ素原子を有しないと、[A]重合体の疎水性が不足し、形成されるレジスト被膜表面の後退接触角が低くなると共に、Rf-COで表される基の加水分解性が低下し、アルカリ現像による疎水性の低下も小さいものとなる。Rfで表される基が有するフッ素原子の数の上限は9個が好ましく、8個がより好ましく、7個がさらに好ましい。一方、このフッ素原子の数の下限は、2個が好ましく、3個がより好ましく、5個がさらに好ましい。上記Rfで表される1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば、炭素数1~30の鎖状炭化水素基の水素原子のうち1~10個がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。このような鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、イコサニル基等が挙げられる。上記Rfで表される1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、炭素数3~30の脂肪族環状炭化水素基の水素原子のうち1~10個がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。このような脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等が挙げられる。Rfで表される基としては、これらの中でも、形成されるレジスト被膜表面の現像前の動的接触角が大きい観点から、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基、炭素数2~5のモノパーフルオロアルキルメチレン基、炭素数3~5のジパーフルオロアルキルメチレン基が好ましく、それらの中でも、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロピル基が特に好ましい。上記構造単位IIとしては、例えば、下記式2-1~2-4で表される構造単位以下、構造単位II-1~II-4ともいう。等が挙げられる。上記式2-1~2-4中、R、X、Rf及びnは、上記式2と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。但し、RP1及びRP2における鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。上記構造単位II-1~II-4において、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、ビシクロオクタン骨格、トリシクロデカン骨格を有する脂肪族環状炭化水素基は、その骨格上の水素原子を置換する置換基RSとして、上記構造単位Iにおける置換基RSとして列挙される基を有していてもよい。これらの中で、構造単位II-1が好ましい。構造単位II-1を有する[A]重合体を撥水性添加剤として含有する当該感放射線性樹脂組成物によれば、アダマンタン骨格にアルカリ解離性基であるフッ素含有基が結合していることで、その加水分解速度が高く、レジスト被膜のアルカリ現像後の動的接触角の低下が大きくなることと共に、形成されるレジスト被膜のエッチング耐性が向上する。また、構造単位II-1としては、下記式2-1a、2-1b、2-1cで表される構造単位が、アダマンタン構造の特定の位置にアルカリ解離性基が結合していることから、加水分解速度が一段と高くなり、レジスト被膜のアルカリ現像後の動的接触角の低下がさらに大きくなる観点からより好ましい。上記式2-1a、2-1b及び2-1c中、R、X、Rf、RS及びnSは、上記式2-1と同義である。上記式2-1aで表される構造単位において、Xとしては、単結合、炭素数1~5のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1~5のアルカンジイル基がさらに好ましい。Xが炭素数1~5のアルカンジイル基であることによって、アルカリ解離性基が、[A]重合体の主鎖から一定距離離れるので、アルカリ現像液による加水分解が起こり易くなり、その速度がさらに増大するため、動的接触角の低下がさらに大きくなる。上記Xで表される2価の連結基は、水酸基を有していてもよい。上記式2-1aで表される構造単位としては、例えば、下記式2-1a-1~2-1a-9で表される構造単位等が挙げられる。上記式2-1a-1~2-1a-9中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。また、上記式2-1b及び2-1cにおいて、Xとしては、上記2-1aの場合と同様の理由から、単結合、炭素数1~5のアルカンジイル基、炭素数1~5のアルカンジイルオキシ基、炭素数1~5のアルカンジイルカルボニルオキシ基が好ましい。上記Xで表される2価の連結基は、水酸基を有していてもよい。上記式2-1bで表される構造単位としては、例えば、下記式2-1b-1~2-1b-9で表される構造単位等が挙げられる。また、上記式2-1cで表される構造単位としては、例えば、下記式2-1c-1~2-1c-6で表される構造単位等が挙げられる。上記式2-1b-1~2-1b-9中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式2-1c-1~2-1c-6中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中では、構造単位IIを与える単量体の合成容易性の観点から、上記式2-1b-1で表される構造単位が好ましい。上記構造単位II-2、II-3及びII-4で表される構造単位としては、例えば、下記式2-2a、2-2b、2-3a、2-4aで表される構造単位等が挙げられる。上記式2-2a、2-2b、2-3a及び2-4a中、R及びRfは、上記式2と同義である。上記[A]重合体における構造単位IIの含有割合は、[A]重合体がベース重合体である場合、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0~30モルが好ましく、0~20モルがより好ましい。このような含有割合にすることによって、得られるレジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性を高めることができる。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合、構造単位IIの含有割合は、30~90モルが好ましく、50~90モルがさらに好ましい。このような含有割合にすることによって、得られるレジスト被膜は、液浸露光時における高い動的接触角と共に、現像による動的接触角の十分な低下を達成することができる。なお、[A]重合体は構造単位IIを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。<構造単位III>構造単位IIIは、下記式3で表される構造単位である。[A]重合体が撥水性添加剤として用いられる場合等において、[A]重合体がフッ素原子を含有する構造単位IIIをさらに有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。上記式3中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R4は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。上記R4で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基としては、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロn-プロピル基、パーフルオロi-プロピル基、パーフルオロn-ブチル基、パーフルオロi-ブチル基、パーフルオロt-ブチル基、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。また、上記R4で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、モノフルオロシクロペンチル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロペンチル基、モノフルオロシクロヘキシル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシルメチル基、フルオロノルボルニル基、フルオロアダマンチル基、フルオロボルニル基、フルオロイソボルニル基、フルオロトリシクロデシル基、フルオロテトラシクロデシル基等が挙げられる。上記構造単位IIIを与える単量体としては、例えば、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、モノフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、モノフルオロシクロヘキシルメタアクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、フルオロノルボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロアダマンチルメタアクリル酸エステル、フルオロボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロイソボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロトリシクロデシルメタアクリル酸エステル、フルオロテトラシクロデシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。これらの中で、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステルが好ましい。上記[A]重合体における構造単位IIIの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合は、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0~30モルが好ましく、0~20モルがより好ましい。このような含有割合とすることによって、得られるレジスト被膜の親水性度をより適度に調整することができる。また、得られるレジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性を高めることができる。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合は、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、30~90モルが好ましく、50~90モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって液浸露光時においてレジスト被膜表面のより高い動的接触角を発現させることができる。なお、[A]重合体は、構造単位IIIを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。<構造単位IV>構造単位IVは、下記式4で表される構造単位である。[A]重合体が疎水性添加剤として用いられる場合等において、フッ素原子を含有する構造単位IVをさらに有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。上記式4中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R5は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R5のR6側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。但し、R’は、水素原子又は1価の有機基である。R6は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR-、-CO-O-又は-SO2-O-である。但し、Rは、水素原子又は1価の有機基である。は、R7に結合する結合部位を示す。R7は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR6、X2、A及びR7は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R7が水素原子である場合には、[A]重合体のアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる点で好ましい。また、上記R7で表される1価の有機基としては、例えば、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基等が挙げられる。上記R7が酸解離性基の場合、構造単位IVは、酸の作用によってこの酸解離性基が解離し、極性基を生じることとなる。従って、上記R7が酸解離性基の場合には、後述するレジストパターン形成方法における露光工程において露光された部分のアルカリ現像液に対する溶解性を高くすることができる点で好ましい。アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下例えば、23°Cのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量水溶液中で解離する基をいう。上記R7がアルカリ解離性基の場合には、構造単位IVは、アルカリの作用によってこのアルカリ解離性基が解離し、極性基を生じることとなる。従って、上記R7がアルカリ解離性基の場合には、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させられると共に、現像後におけるレジスト被膜表面の疎水性をより低下させられる点で好ましい。酸解離性基としては、例えば、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等が挙げられる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシ基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシ基等が挙げられる。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基等が挙げられる。また、酸解離性基としては、後述する構造単位Vの項に記載した式Y-1で表される基であってもよい。これらの中でも、上記Aが酸素原子又は-NR-の場合は、t-ブトキシカルボニル基又はアルコキシ置換メチル基が好ましい。また、上記Aが-CO-O-の場合、後述する構造単位Vの項に記載した式Y-1で表される基が好ましい。アルカリ解離性基としては、例えば、下記式W-1~W-5で表される基等が挙げられる。これらの中でも、上記Aが酸素原子又は-NR-の場合は、下記式W-1で表される基が好ましい。また、上記Aが-CO-O-の場合、下記式W-2~W-5でそれぞれ表される基が好ましい。上記式W-1及びW-5中、Rfは、上記式2と同義である。上記式W-2及びW-3中、R41は、それぞれ独立して、置換基である。m1は、0~5の整数である。m2は、0~4の整数である。このR41が複数ある場合、複数のR41は同一でも異なっていてもよい。上記式W-4中、R42及びR43は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。但し、R42及びR43は、互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に2価の炭素数4~20の脂肪族環状炭化水素基を形成してもよい。上記R41で表される置換基としては、例えば、上記構造単位Iにおける置換基RSと同様の基等が挙げられる。また、R42及びR43が互いに結合してそれらが結合する炭素原子と共に形成する2価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンタンジイル基、メチルシクロペンタンジイル基、2-エチルシクロペンタンジイル基、3-エチルシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、メチルシクロヘキサンジイル基、2-エチルシクロヘキサンジイル基、3-エチルシクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、メチルシクロヘプタンジイル基、2-エチルシクロヘプタンジイル基、3-エチルシクロヘプタンジイル基、ノルボルナンジイル基等が挙げられる。上記式W-4で表される基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等が挙げられる。これらの中でもメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。上記X2で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、下記式X2-1~X2-6で表される基等が挙げられる。上記X2としては、上記Aが酸素原子の場合には上記式X2-1で表される基が好ましい。また、上記Aが-CO-O-の場合には、上記式X2-2~X2-6で表される基が好ましく、上記式X2-2で表される基がさらに好ましい。なお、上記式4中、mは、1~3の整数である。従って、構造単位IVにはR7が1~3個導入される。mが2又は3の場合、複数のR6、R7、X2及びAはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。すなわち、mが2又は3の場合、複数のR7は同じ構造のものであってもよいし異なる構造のものであってもよい。また、mが2又は3の場合、複数のR6がR5の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記構造単位IVとしては、例えば、下記式4-1a~4-1cで表される構造単位等が挙げられる。上記式4-1a~4-1c中、R8は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。X2、R7及びmは、上記式4と同義である。mが2又は3である場合、複数のX2及びR7はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。構造単位IVを与える単量体としては、例えば、下記式4m-1~4m-6で表される化合物等が挙げられる。上記式4m-1~4m-6中、R及びR7は、上記式4と同義である。但し、R7が複数ある場合、複数のR7は同一でも異なっていてもよい。構造単位IVを与える単量体としては、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜表面の動的接触角がより大きくなる観点から、上記式4m-6で表される化合物が好ましい。上記式4m-6におけるRとしては、メチル基が好ましい。また、上記式4m-6におけるR7としては、炭素数1~4のアルキル基、フェニル基、ベンジル基が好ましく、エチル基、t-ブチル基、ベンジル基がより好ましい。上記[A]重合体における構造単位IVの含有割合は、[A]重合体がベース重合体である場合、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0~30モルが好ましく、0~15モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって得られるレジスト被膜の親水性度をより適度に調整することができる。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、30~100モルが好ましく、50~100モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、レジスト被膜表面は、高い動的接触角を発揮することができる。[A]重合体は、構造単位IVを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<構造単位V>[A]重合体は、下記式5で表される構造単位Vをさらに有していてもよい。但し、構造単位Vは、構造単位Iを除く。[A]重合体が構造単位Vを有することにより、得られるレジストパターンの形状をより改善させることができる。上記式5中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Yは、酸解離性基である。上記Yで表される酸解離性基としては、下記式Y-1で表される基が好ましい。上記式Y-1中、R9、R10及びR11は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。但し、R10及びR11は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基を形成してもよい。上記R9~R11で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。また、上記R9~R11で表される炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基若しくはR10及びR11が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に形成される炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂肪族環状炭化水素骨格を有する基等が挙げられる。これらの中でも、現像後のレジストパターンの形状をより改善させることができる点でシクロアルカン骨格を有する基が好ましい。上記構造単位Vとしては、例えば、下記式5-1~5-4で表される構造単位等が挙げられる。上記式5-1~5-4中、Rは、上記式5と同義である。R9~R11は、上記式Y-1と同義である。rは、それぞれ独立して、1~4の整数である。これらの中で、上記式5-1で表される構造単位、上記式5-2で表される構造単位が好ましい。また、上記式5-1及び5-2におけるR9としては、メチル基、エチル基、i-プロピル基が好ましい。上記式5-2におけるrとしては、酸解離性基の解離容易性の観点から、1又は4が好ましい。上記[A]重合体における構造単位Vの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合及び撥水性添加剤である場合とも、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、50モル以下が好ましく、5~50モルがさらに好ましく、10~40モルが特に好ましい。このような含有割合とすることによって、得られるレジストパターンの形状をさらに改善することができる。なお、[A]重合体は、構造単位Vを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<構造単位VI>[A]重合体は、アルカリ可溶性基を有する構造単位VIを有していてもよい。[A]重合体が構造単位VIを含むことにより得られるレジスト被膜の現像液に対する親和性を向上させることができる。上記構造単位VIにおけるアルカリ可溶性基としては、現像液に対する溶解性向上の観点から、pKaが4~11の水素原子を有する官能基が好ましい。このような官能基としては、例えば、下記式6s-1及び6s-2で表される官能基等が挙げられる。上記式6s-1中、R12は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基である。上記R12で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基としては、炭素数1~10の炭化水素基における一部又は全部の水素原子がフッ素原子に置換されたものであれば特に限定されない。例えば、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。これらの中でも、トリフルオロメチル基等が好ましい。上記構造単位VIを与える単量体としては、特に限定されるものではないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、α-トリフルオロアクリル酸エステルが好ましい。上記構造単位VIとしては、例えば、下記式6-1及び6-2で表される構造単位等が挙げられる。上記式6-1及び6-2中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R12は、上記式6s-1と同義である。R13は、単結合、又は炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。上記式6-2中、R14は、2価の連結基である。kは、0又は1である。上記R14で表される2価の連結基としては、例えば、上記式2における2価の連結基Xとして例示したものと同様の基等が挙げられる。構造単位VIとしては、例えば、下記式6-1a、6-1b、6-2a~6-2eで表される構造単位等が挙げられる。上記式6-1a、6-1b及び6-2a~6-2e中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記[A]重合体における構造単位VIの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合及び撥水性添加剤である場合とも、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~30モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、液浸露光時における撥水性の確保と現像時における現像液への親和性向上をバランス良く達成することができる。なお、[A]重合体は、構造単位VIを1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。<構造単位VII>[A]重合体は、ラクトン構造を含む構造単位VIIを有することが好ましい。[A]重合体は、構造単位VIIを有することで、レジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性が向上する。また、レジスト被膜の基板への密着性を向上させることができる。上記構造単位VIIとしては、例えば、下記式7で表される構造単位等が挙げられる。上記式7中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL1は、単結合又は2価の連結基である。RLcは、ラクトン構造を有する1価の有機基である。上記RL1で表される2価の連結基としては、例えば、上記構造単位IIにおける2価の連結基Xとして例示したものと同様の基等が挙げられる。上記RLcで表されるラクトン構造を有する1価の有機基としては、例えば、下記式Lc-1~Lc-6で表される基等が挙げられる。上記式Lc-1~Lc-6中、RLc1は、それぞれ独立して、酸素原子又はメチレン基である。RLc2は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は、それぞれ独立して、0又は1である。nLc2は、0~3の整数である。は、上記式L-1中のRL1に結合する結合部位を示す。また、式Lc-1~Lc-6で表される基は置換基を有していてもよい。上記式Lc-1~Lc-6で表される基が有する置換基としては、例えば、上記構造単位Iにおける置換基RSと同様の基等が挙げられる。構造単位VIIとしては、例えば、特開2007-304537号公報[0054]~[0057]段落に記載の構造単位、特開2008-088343号公報[0086]~[0088]段落に記載の構造単位、下記式7-1~7-12で表される構造単位等が挙げられる。上記式7-1~7-12中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。これらの中で、レジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性及びレジスト被膜の基板への密着性がより向上する観点から、上記式7-1で表される構造単位が好ましい。なお、[A]重合体は、上記構造単位VIIを1種単独で又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。上記構造単位VIIを与える好ましい単量体としては、国際公開第2007/116664号の[0043]段落に記載の単量体が挙げられる。上記[A]重合体における構造単位VIIの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5~75モルが好ましく、15~65モルがさらに好ましく、25~55モルが特に好ましい。含有割合が5モル未満であるとレジストとして基板との密着性が不十分となりパターンが剥がれてしまうおそれがある。一方、含有割合が75モルを超えると、溶解した後のコントラストが損なわれ、パターン形状の良好性が低下するおそれがある。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合、構造単位VIIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~40モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることにより、レジスト被膜表面のアルカリ現像液に対する親和性をさらに高めることができる。<構造単位VIII>[A]重合体は、環状カーボネート構造を有する構造単位VIIIを有していてもよい。[A]重合体は、構造単位VIIIを有することで、レジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性が向上する。また、レジスト被膜の基板への密着性を向上させることができる。構造単位VIIIとしては、例えば、下記式8で表される構造単位等が挙げられる。上記式8中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Dは、炭素数1~30の3価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の3価の脂肪族環状炭化水素基又は炭素数6~30の3価の芳香族炭化水素基である。Dは、その骨格中に酸素原子、カルボニル基、-NH-を有していてもよい。また、Dは、置換基を有していてもよい。上記Dが有していてもよい置換基としては、例えば、上記構造単位Iにおける置換基RS等が挙げられる。上記式8で表される構造単位を与える単量体は、例えば、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された従来公知の方法により合成することができる。上記構造単位VIIIとしては、下記式8-1~8-22で表される構造単位が好ましい。上記式8-1~8-22中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における構造単位VIIIの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5~75モルが好ましく、15~65モルがさらに好ましく、25~55モルが特に好ましい。含有割合が5モル未満であるとレジスト被膜と基板との密着性が不十分となりパターンが剥がれてしまうおそれがある。一方、含有割合が75モルを超えると、溶解した後のコントラストが損なわれ、パターン形状の良好性が低下するおそれがある。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合、構造単位VIIIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~40モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、レジスト被膜表面のアルカリ現像液に対する親和性をさらに高めることができる。<構造単位IX>上記[A]重合体は、下記式9で表される構造単位IXを有していてもよい。[A]重合体が構造単位IXを有することにより、レジスト被膜の現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式9中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R91は、フッ素原子を有さない2価の連結基である。R92は、アルカリ解離性基である。上記R91で表されるフッ素原子を有さない2価の連結基としては、例えば、上記式2における2価の連結基Xとして例示した基でフッ素原子を有さないもの等が挙げられる。上記R92で表されるアルカリ解離性基としては、例えば、上記式W-2~W-4で表される基等が挙げられる。構造単位IXとしては、例えば、下記式9-1~9-6で表される構造単位等が挙げられる。上記式9-1~9-6中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における構造単位IXの含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合及び撥水性添加剤である場合とも、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~40モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、レジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性を高めることができる。<他の構造単位>[A]重合体は、上記以外の他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位を与える重合性不飽和単量体としては、例えば、国際公開第2007/116664A号[0065]~[0085]段落に開示されている単量体等が挙げられる。上記他の構造単位としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルに由来する構造単位、下記式o-1で表される構造単位が好ましく、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチルに由来する構造単位がより好ましい。上記式o-1中、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ro1は、2価の連結基である。上記Ro1で表される2価の連結基としては、例えば、上記式2における2価の連結基Xとして例示したものと同じ基等が挙げられる。上記式o-1で表される構造単位としては、例えば、下記式o-1a~o-1hで表される構造単位等が挙げられる。上記式o-1a~o-1h中、Rは、それぞれ独立して水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体がベース重合体である場合及び撥水性添加剤である場合とも、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~40モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有割合とすることによって、レジスト被膜のアルカリ現像液に対する親和性を高めることができる。上述したように、当該感放射線性樹脂組成物において、[A]重合体は、フッ素原子を有する重合体とすることが好ましい。[A]重合体がフッ素原子を有する重合体であることで、高い疎水性を有し、撥水性添加剤として機能することができる。加えて、この重合体は、構造単位Iを有することで、PEB温度を従来に比べて低くした場合であっても、良好なパターン形状及びLWRの小さいレジストパターンを得ることができると共に、レジスト表層に偏在する撥水性添加剤のアルカリ現像液への溶け残りが抑制されるので、スカム及びブリッジ欠陥の発生が大幅に抑制される。[A]重合体にフッ素原子を与える構造単位としては、例えば、上記構造単位II~IV及び構造単位o-1、構造単位II~IXにおけるいてRがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であるものやフッ素原子を含む置換基を有するもの、また、構造単位IにおけるRCの置換基がフッ素原子を有するもの、構造単位I~IXにおけるRがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であるもの等が挙げられる。また、上述したように、当該感放射線性樹脂組成物において、[A]重合体は、ラクトン構造を含む構造単位VIIを有する重合体であることが好ましい。[A]重合体がラクトン構造を含む構造単位VIIを有していることで、レジスト被膜のアルカリ現像液との親和性が高まるので、露光部の重合体の溶け残りがさらに減少し、当該感放射線性樹脂組成物によれば、スカム及びブリッジ欠陥の発生をさらに抑制することができる。また、それらの発生抑制に起因して、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性及びLWR性能をさらに向上させることができる。このような重合体は、ベース重合体としても撥水性添加剤としても好適である。また、[A]重合体が構造単位VIIを有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜の基板への密着性が向上する。従って、このような[A]重合体はベース重合体としてさらに好適である。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体として、上記フッ素原子を有する重合体及び構造単位VIIを有する重合体を共に含有することが特に好ましい。当該感放射線性樹脂組成物が、上記2種の重合体を共に含有すると、構造単位VIIを有する[A]重合体がベース重合体として、フッ素原子を有する[A]重合体が撥水性添加剤として機能する。そして、その両方の成分が、PEB温度を低くしても、酸解離性基が十分に解離する特性を有しているので、形成されるレジスト被膜のアルカリ現像液への溶け残り等がさらに抑制される。その結果、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性、LWR性能、スカム抑制性及びブリッジ欠陥抑制性を特に向上させることができる。当該感放射線性樹脂組成物における[A]重合体の含有量としては、[A]重合体と必要に応じて含有される[D]他の重合体とを合わせた全重合体に対して、通常、2質量以上であり、20~100質量が好ましく、30~100質量がさらに好ましい。[A]重合体の含有量が2質量未満であると、当該感放射線性樹脂組成物から得られるレジストパターンのパターン形状等が悪化するおそれがある。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等で合成することができる。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量としては、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上が好ましく、50モル以上がより好ましく、70モル以上がさらに好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよく、通常、30°C~150°Cであり、40°C~150°Cが好ましく、50°C~140°Cがさらに好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がさらに好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~12時間であり、45分~12時間が好ましく、1時間~10時間がさらに好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等が挙げられる。これらの中で、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートが好ましい。これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、上記単量体を溶解可能な溶媒であれば使用することができ、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステルラクトン類、ニトリル類及びその混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類、アルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、[A]重合体がベース重合体である場合、3,000~300,000が好ましく、4,000~200,000がより好ましく、4,000~100,000がさらに好ましい。Mwが3,000未満であると、得られるレジスト被膜の耐熱性が低下するおそれがある。一方、Mwが300,000を超えると、得られるレジスト被膜の現像性が低下するおそれがある。また、[A]重合体が撥水性添加剤である場合、[A]重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~40,000がさらに好ましく、1,000~30,000が特に好ましい。[A]重合体のMwが1,000未満であると、十分な動的接触角を有するレジスト被膜を得ることができないおそれがある。一方、[A]重合体のMwが50,000を超えると、レジスト被膜の現像性が低下するおそれがある。また、上記[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、[A]重合体がベース重合体である場合、及び撥水性添加剤である場合とも、通常、1.0~5.0であり、1.0~4.0が好ましく、1.0~2.0がさらに好ましい。なお、本明細書において、Mw及びMnは、東ソー製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、流量が1.0mL/分、溶出溶媒がテトラヒドロフラン、カラム温度が40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするGPCにより測定した。<[B]溶媒>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[B]溶媒を含有する。当該感放射線性樹脂組成物の調製に用いることができる[B]溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。[B]溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等が挙げられる。アルコール類としては、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;エーテル類としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル;ジイソプロピルエーテル、ジn-ブチルエーテル、ジn-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn-ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等;ジエチレングリコールアルキルエーテル類としては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類としては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;プロピレングリコールモノアルキルエーテル類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;芳香族炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等;ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2-ヘプタノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン等;エステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸プロチル、3-ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-メトキシプロピオン酸ブチル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル等が挙げられる。これらの中でも、[B]溶媒としては、溶解性又は分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成が容易であることの観点から、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類が好ましく、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンがさらに好ましい。これらの溶媒は、単独で又は混合して用いることができる。また、当該感放射線性樹脂組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上塗布ムラを抑制する観点からは、これらの溶媒の中でも、エーテル類が好ましく、ジアルキルエーテルがより好ましく、ジイソプロピルエーテル、ジn-ブチルエーテル、ジn-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn-ヘキシルエーテルがさらに好ましく、ジイソペンチルエーテルが最も好ましい。上記した[B]溶媒に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。当該感放射線性樹脂組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める[B]溶媒以外の成分すなわち[A]重合体及びその他の任意成分の合計量の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは5~50質量、より好ましくは10~40質量、さらに好ましくは15~35質量である。<[C]酸発生体>[C]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体、[D]他の重合体等の重合体中に存在する酸解離性基を解離させる。その結果、レジスト被膜の露光部が現像液に可溶となる。[C]酸発生体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤以下、適宜[C]酸発生剤ともいうの形態でも、[A]重合体や[D]他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。当該感放射線性樹脂組成物において好適に用いられる[C]酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩化合物、、N-スルホニルオキシイミド化合物、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類やジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物等が挙げられる。このような[C]酸発生剤としては、例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物等が挙げられる。また、[C]酸発生剤としては、上記ヨードニウム塩として、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。上記テトラヒドロチオフェニウム塩として、例えば、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。上記N-スルホニルオキシイミド化合物として、例えば、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。[C]酸発生体としては、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、トリフェニルスルホニウムパーフルオロアルカンスルホネートがさらに好ましく、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートが特に好ましい。[C]酸発生体は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。[C]酸発生体の含有量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[C]酸発生体が[C]酸発生剤の場合、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましく、0.1~20質量部がさらに好ましい。酸発生体の含有量が0.1質量部未満では、当該感放射線性樹脂組成物の感度及び現像性が低下する傾向があり、一方、含有量が30質量部を超えると、当該感放射線性樹脂組成物の放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。<[D]他の重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、重合体成分として、[A]重合体以外に、構造単位Iを有さない[D]他の重合体を含有していてもよい。[D]他の重合体としては、例えば、上記構造単位II~構造単位IX及び上記他の構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位を有する重合体等が挙げられる。<[E]酸拡散制御体>本発明の感放射線性樹脂組成物は、好適成分として、[E]酸拡散制御体を含有することができる。[E]酸拡散制御体を含有すると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性や寸法忠実度を向上させることができる。[E]酸拡散制御体としては、例えば、下記式10で表される化合物以下、含窒素化合物Iともいう。、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIともいう。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIともいう。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。[E]酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[E]酸拡散制御剤ともいう。でも、[A]重合体や[D]他の重合体等の重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。上記式10中、R15~R17は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。含窒素化合物Iとしては、例えば、n-ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン等の芳香族アミン類等が挙げられる。含窒素化合物IIとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン等が挙げられる。含窒素化合物IIIとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン等のピリジン類;ピラジン、ピラゾール、イミダゾール等の複数窒素原子含有化合物等の芳香族複素環化合物、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン等の脂肪族複素環化合物等が挙げられる。また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N―t-ブトキシカルボニルピペリジン、N―t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N―t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等が挙げられる。これらの中で、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピペリジンが好ましく、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジンがより好ましい。また、[E]酸拡散制御剤としては、上記化合物以外にも、下記式11で表される化合物を用いることもできる。XZ-11上記式11中、Xは、下記式11-1-1又は11-1-2で表されるカチオンである。Z-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン又はRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである。但し、RD1は、置換されていてもよいアルキル基、1価の脂肪族環状炭化水素基又はアリール基である。RD2は、一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基若しくは1価の脂肪族環状炭化水素基である。上記式11-1-1及び式11-1-2中、RD3~RD7は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基又はハロゲン原子である。上記化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御体以下、光分解性酸拡散制御体ともいう。として用いられるものである。この化合物を含有することによって、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストが優れるすなわち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、当該感放射線性樹脂組成物のLWR、MEEFMaskErrorEnhancementFactorの改善に有効である。上記RD3~RD5としては、上記化合物の現像液に対する溶解性を低下させる効果があることから、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子が好ましい。また、上記RD6及びRD7としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子が好ましい。また、上記Z-におけるRD1としては、上記化合物の現像液に対する溶解性を低下させる効果があることから、脂肪族環状炭化水素基、アリール基が好ましい。上記RD1で表される置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシ基;シアノ基;シアノメチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上有する基等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。上記RD1で表される置換されていてもよい脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂肪族環状炭化水素骨格等の脂肪族環状炭化水素由来の1価の基等が挙げられる。これらの中でも、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。上記RD1で表される置換されていてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの基を、ヒドロキシル基、シアノ基等で置換したもの等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ベンジル基、フェニルシクロヘキシル基が好ましい。上記Z-としては、下記式11-2-1で表されるアニオン上記RD1がフェニル基であるRD1-COO-で表されるアニオン、下記式11-2-2で表されるアニオン上記RD1が1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基であるRD1-SO3-で表されるアニオン、下記式11-2-3で表されるアニオン上記RD1がブチル基であり、RD2がトリフルオロメチル基であるRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンが好ましい。上記光分解性酸拡散制御体としては、スルホニウム塩化合物として、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート等が挙げられる。また、ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホナート等が挙げられる。[E]酸拡散制御体は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。[E]酸拡散制御体の含有量としては、[E]酸拡散制御体が[E]酸拡散制御剤の場合、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、10質量部以下が好ましく、5質量部以下がさらに好ましい。[E]酸拡散制御体が過剰に含有されると、得られるレジスト被膜の感度が低下するおそれがある。<[F]添加剤>当該感放射線性樹脂組成物は、上記成分の他、必要に応じ[F]添加剤として、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤、架橋剤等を含有することができる。偏在化促進剤偏在化促進剤は、当該感放射線性樹脂組成物が含有する撥水性添加剤を、より効率的にレジスト被膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで、撥水性添加剤の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、レジスト被膜からの液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行うことが可能になり、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト被膜表面の疎水性を向上させることができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、例えば、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。上記ラクトン化合物としては、例えば、γ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。上記カーボネート化合物としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等が挙げられる。上記ニトリル化合物としては、例えば、スクシノニトリル等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、例えば、グリセリン等が挙げられるこれらの中で、ラクトン化合物、カーボネート化合物が好ましく、γ-ブチロラクトン、プロピレンカーボネートがより好ましく、γ-ブチロラクトンがさらに好ましい。当該感放射線性樹脂組成物における偏在化促進剤の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の総量100質量部に対して、通常、10~500質量部であり、好ましくは30~300質量部である。上記偏在化促進剤としては、1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。界面活性剤界面活性剤は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、市販品としては、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子製等が挙げられる。これらの界面活性剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。界面活性剤の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の総量100質量部に対して、通常、2質量部以下である。脂環式骨格含有化合物脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格含有化合物としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-[2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチル]テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。脂環式骨格含有化合物の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含有される重合体の総量100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは30質量部以下である。増感剤増感剤は、[C]酸発生体に吸収される放射線のエネルギー以外のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを例えばラジカルのような形で[C]酸発生体に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えば、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤当該感放射線性樹脂組成物をネガ型感放射性樹脂組成物として用いる場合においては、アルカリ現像液に可溶な重合体を、酸の存在下で架橋しうる化合物以下、架橋剤という。を配合しても良い。架橋剤としては、例えば、アルカリ現像液に可溶な重合体との架橋反応性を有する官能基以下、架橋性官能基ともいうを1種以上有する化合物等が挙げられる。上記架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等が挙げられる。架橋剤としては、例えば、WO2009/51088の[0169]~[0172]段落に記載の化合物等が挙げられる。上記架橋剤としては、特に、メトキシメチル基含有化合物が好ましく、その中でも、ジメトキシメチルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリルがより好ましい。上記ネガ型感放射線性樹脂組成物において、架橋剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤の含有量としては、アルカリ現像液に可溶な重合体100質量部に対して、好ましくは5~95質量部、さらに好ましくは15~85質量部、特に好ましくは20~75質量部である。架橋剤の含有量が5質量部未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。[F]添加剤としては、上記以外に、染料、顔料、接着助剤等を用いることもできる。例えば、染料又は顔料を用いることによって、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を配合することによって、基板との接着性を改善することができる。上記以外の添加剤としては、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等が挙げられる。なお、[F]添加剤は、以上説明した各種添加剤1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物の調製>本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が1~50質量、好ましくは3~25質量となるように[B]溶媒に溶解した後、例えば、孔径0.02μm程度のフィルターでろ過することにより調製される。なお、当該感放射線性樹脂組成物は、ハロゲンイオン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないと、レジスト被膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物に含有させる上記[A]重合体や[D]他の重合体等の重合体は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等によって精製することが好ましい。<レジストパターンの形成方法>レジストパターン形成方法は、例えば、1当該感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト被膜を形成する工程工程1、2形成されたレジスト被膜に必要に応じて液浸媒体を介し、所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射して露光する工程工程2、露光されたレジスト被膜を加熱する工程工程3、及び4加熱されたレジスト被膜を現像する工程工程4を有する。以下、各工程について説明する。工程1では、当該感放射線性樹脂組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、基板シリコンウエハ、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハ等上に塗布することにより、レジスト被膜を形成する。具体的には、得られるレジスト被膜が所定の膜厚となるように当該感放射線性樹脂組成物を塗布した後、ソフトベークSBすることにより塗膜中の溶媒を気化させ、レジスト被膜を形成する。工程2では、工程1で形成されたレジスト被膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し、露光させる。なお、この際には、所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選択して照射する。これらの中でも、ArFエキシマレーザー光波長193nm、KrFエキシマレーザー光波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー光が好ましい。工程3は、PEBポストエクスポージャーベーク工程であり、工程2でレジスト被膜の露光された部分において、[C]酸発生体から発生した酸等の作用により、[A]重合体等の酸解離性基を脱保護する工程である。露光された部分露光部と露光されていない部分未露光部のアルカリ現像液に対する溶解性に差が生じる。PEBは、従来90°Cから180°Cの範囲で適宜選択して実施されるが、本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、PEB温度を90°C以下に下げることが可能になる。工程4では、工程3で露光されたレジスト被膜を、現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。また、液浸露光を行う場合は、当該感放射線性樹脂組成物が、撥水性添加剤を含有することが好ましい。しかし、当該感放射線性樹脂組成物が撥水性添加剤を含有しない場合においては、工程2の前に、液浸液とレジスト被膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト被膜上に設けることもできる。液浸用保護膜としては、工程4の前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜特開2006-227632号公報参照、及び工程4の現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜国際公開第2005/69076号、国際公開第2006/35790号参照のいずれを用いてもよい。但し、スループットの観点からは、現像液剥離型保護膜を用いることが好ましい。<重合体>本発明の重合体は、上記式1で表される構造単位Iを有する。当該重合体は、酸解離性基として、解離容易性が非常に高い二重結合隣接環状炭化水素基を有している。従って、当該重合体によれば、レジストパターン形成の際におけるPEB温度を従来の温度より低くすることが可能になる。従って、当該重合体は、例えば、リソグラフィー技術に用いられる感放射線性樹脂組成物等の成分として好適である。なお、当該重合体の詳細な説明は、当該感放射線性樹脂組成物に含有される[A]重合体の説明の項で行っているので、ここでは省略する。<化合物>本発明の化合物は、上記式iで表される。当該化合物は上記式iで表される構造を有するので、当該重合体中に構造単位Iを組み込む単量体化合物として好適に用いることができる。なお、当該化合物の詳細な説明は、感放射線性樹脂組成物に含まれる[A]重合体の説明の項で行っているので、ここでは省略する。本発明の感放射線性樹脂組成物を用いることで、パターン形成の際のPEB温度を下げることができ、その場合でも、露光量を上げることを要することなく、パターン形状が良好で、LWRが小さく、スカム及びブリッジ欠陥の発生が抑制されたレジストパターンを得ることができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物は、リソグラフィー技術を応用した微細加工に好適である。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。[1H-NMR分析、13C-NMR分析1H-NMR分析及び13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子製JNM-ECX400を使用して行った。<化合物iの合成>[実施例1]1-ビニル-1-シクロオクチルメタクリレートの合成攪拌機及び滴下ロートを設置した1L反応器内に、シクロオクタノン12.6gとテトラヒドロフランTHF200mLを仕込み、窒素下、滴下ロートから、臭化ビニルマグネシウムのTHF1M溶液120mL120mmolを滴下してから、20°Cで16時間、攪拌しながら反応させた。反応後、反応器内を0°Cに冷却しながら、トリエチルアミン12.1g120mmol及び塩化メタアクリロイル12.5g120mmolの混合物を滴下ロートから滴下した後、20°Cで2時間、攪拌下に反応させた。得られた懸濁液を減圧ろ過し、ろ液を減圧濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶離液:石油エーテル/ジエチルエーテル=20/1質量比で精製することにより、下記式M-17で表される1-ビニル-1-シクロオクチルメタクリレートの無色オイル14.5gを得た収率65。1H-NMRCDCl3δ:1.38-1.71m、10H、CH2、1.80-2.00m、5H、2.23dd、2H、CH2、5.10-5.24m、2H、CH2、5.42-5.57m、1H、CH2、5.98-6.15m、2H、CH13C-NMRCDCl3δ:18.3CH3、21.4、24.7、28.0、32.4CH2、86.0C、113.4、129.5CH2、129.9、141.9CH、164.8CO[実施例2]1-ビニル-1-シクロペンチルメタクリレートの合成実施例1において、シクロオクタノン12.6gの代わりに、シクロペンタノン8.4g100mmolを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式M-15で表される1-ビニル-1-シクロペンチルメタクリレートの無色オイル6.8gを得た収率71。1H-NMRCDCl3δ:1.57-1.86m、4H、CH2、1.87-2.08m、5H、2.12-2.31m、2H、CH2、5.08-5.24m、2H、CH2、5.44-5.59m、1H、CH2、5.98-6.09m、1H、CH、6.19dd、1H、CH213C-NMRCDCl3δ:18.5CH3、23.2、37.6CH2、90.7C、113.1CH2、129.6CH、129.9CH2、140.1CH、165.2CO[実施例3]1-ビニル-1-シクロへキシルメタクリレートの合成実施例1において、シクロオクタノン12.6gの代わりに、シクロヘキサノン9.8g100mmolを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式M-16で表される1-ビニル-1-シクロへキシルメタクリレートの無色オイル7.8gを得た収率62。1H-NMRCDCl3δ:1.25-1.30m、1H、CH2、1.49-1.62m、7H、CH2、1.80-1.94m、3H、2.21-2.24m、2H、CH2、5.10-5.20m、2H、CH2、5.75dd、1H、CH2、6.04m、1H、CH、6.34dd、1H、CH213C-NMRCDCl3δ:18.4CH3、21.8、25.3、34.8CH2、82.0C、113.6、129.7CH2、129.8CH2、141.7CH、164.8CO[実施例4]2-ビニル-2-アダマンチルメタクリレートの合成実施例1において、シクロオクタノン12.6gの代わりに、2-アダマンタノン15.0g100mmolを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式M-18で表される2-ビニル-2-アダマンチルメタクリレートの無色オイル9.3gを得た収率53。1H-NMRCDCl3δ:1.66-2.16m、14H、CH、CH2、1.80-1.94m、3H、5.27dd、1H、CH2、5.33dd、1H、CH2、5.75dd、1H、CH2、6.08dd、1H、CH2、6.35m、1H、CH213C-NMRCDCl3δ:18.1CH3、26.8、27.2CH、32.9、34.3CH2、35.1CH、85.3C、115.7、129.6CH2、130.0、140.6CH、164.5CO<[A]重合体及び[D]他の重合体の合成>合成した化合物i及び下記化合物M-1~M-14を用い、[A]重合体及び[D]他の重合体を合成した。[実施例5]重合体A-1の合成200mL攪拌機付反応器に、2-ブタノン10gを投入し、化合物M-172.20g10mmol、化合物M-50.59g2.5mmol、化合物M-72.20g10mmol及び化合物M-110.33g2.5mmol、並びに重合開始剤として、ジメチル2,2’アゾビス2-メチルプロピオネート0.25gを加えて溶解させ、30分窒素パージした後、攪拌しながら80°Cに加熱した。加熱開始時を重合開始時として重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却してから、重合溶液の質量が7.5gになるまでエバポレーターで減圧濃縮した。得られた濃縮液を、メタノール/水50g/50g混合液中に投入して、スライム状の白色固体を析出させた。デカンテーションにて液体部を取り除き、再度、メタノール/水50g/50g混合液中に投入して、このスライム状の白色固体を繰り返し2回洗浄した。得られた固体を60°C、15時間真空乾燥することにより、重合体A-1の白色粉体3.51gを得た収率66。重合体A-1のMwは5,500であり、Mw/Mnは1.41であった。また、13C-NMR分析の結果、構造単位Iを与える化合物M-17、構造単位Vを与える化合物M-5、構造単位VIIを与える化合物M-7及びその他の構造単位を与える化合物M-11に由来する構造単位の含有割合はそれぞれ40.2モル、8.3モル、40.7モル及び10.8モルであった。[実施例6~21]重合体A-2~A-17の合成用いる単量体の総使用量が25mmolになるようにし、単量体の種類及び使用量モル比を表1又は表2に記載の通りとした以外は実施例5と同様にして、各[A]重合体を合成した。表1及び表2中の-は、対応する構造単位を単量体を用いなかったことを示す。得られた重合体の物性値についても表1及び表2に合わせて示す。重合体A-8~A-17については、フッ素原子含有率質量の値も示す。[合成例1~4]重合体D-1~D-4の合成表1又は表2に示す種類及び使用量の単量体を用いた以外は、実施例5と同様にして、各[D]重合体を合成した。得られた重合体の物性値についても表1及び表2に合わせて示す。なお、上述のように合成した[A]重合体である重合体A-1~A-17において、構造単位Iを与える化合物iが有していた脂肪族環状炭化水素基に隣接するビニル基は、上記重合反応においてはほとんど反応することなく、残存していることがわかった。<感放射線性樹脂組成物の調製>感放射線性樹脂組成物を構成する[B]溶媒、[C]酸発生剤、[E]酸拡散制御剤、及び[F]添加剤について以下に示す。[B]溶媒B-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートB-2:シクロヘキサノン[C]酸発生剤下記に構造式を示す。C-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート[E]酸拡散制御剤下記に構造式を示す。E-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン[F]添加剤偏在化促進剤F-1:γ-ブチロラクトン[実施例22][A]重合体としての重合体A-1100質量部及び重合体A-85質量部、[B]溶媒としてのB-11,500質量部及びB-2650質量部、[C]酸発生剤としてのC-19.9質量部、[E]酸拡散制御剤としてのE-11.5質量部、並びに[F]添加剤としてのγ-ブチロラクトン100質量部を混合して感放射線性樹脂組成物を調製した。実施例23~48、比較例1~4[A]重合体、[D]他の重合体及び[C]酸発生剤として、表3に示す種類及び配合量の各成分を用いたこと以外は、実施例22と同様にして各感放射線性樹脂組成物を調製した。<評価>[パターン形成性]半導体用反射防止コート材ARC66、日産化学製を用いて、下層反射防止膜を形成した12インチシリコンウェハ上に、上記調製した感放射線性樹脂組成物を用いて、膜厚110nmのレジスト被膜を形成し、120°Cで60秒間SBを行った。次に、このレジスト被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON製を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Dipoleの条件により、ターゲットサイズが幅45nmのラインアンドスペース1L1Sのマスクパターンを介して露光した。露光後、80°Cで60秒間PEBを行った。その後、現像液として、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、現像装置LITHIUSPro-i、東京エレクトロン製により、GPノズルによる現像を10秒間実施した後、15秒間水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、幅45nmのラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。この最適露光量にて形成したパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡S-4800、日立ハイテクノロジーズ製にて観察し、図1に示すように、基板1上に形成されたパターン2の上部の線幅をL1、下部の線幅をL2としたとき、L1-L2/L1が-0.15~0.15の範囲になる場合をA、L1-L2/L1が-0.15より小さい場合又は0.15より大きい場合をBとして評価した。[LWR性能]上記パターン形成性の評価と同様にして、ポジ型のレジストパターンを形成した。上記走査型電子顕微鏡を用いて最適露光量にて解像したパターンを、その上方から観察し、線幅を、任意のポイントで10点測定し、その測定値の3σばらつきを、LWR単位:nmとした。LWRの値が5.0nm以下の場合を、LWR性能がA、5.0nmを超える場合をBとして評価を行った。[スカム抑制性]上記パターン形成性の評価における走査型電子顕微鏡による観察において、露光部に溶け残りの発生が認められなかった場合はスカム抑制性をAと、溶け残りが認められた場合はBとした。[ブリッジ欠陥抑制性]マスクとしてターゲットサイズが線幅100nmのラインアンドスペースパターン1L1Sを用いたこと以外は、上記パターン形成性の評価と同様の手順にてラインアンドスペースパターンを形成した。このとき、幅100nmのラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。なお、この際の測長には走査型電子顕微鏡S-9380、日立ハイテクノロジーズ製を用いた。形成した線幅100nmのラインアンドスペースパターン1L1S上の欠陥性能を、欠陥検査装置KLA2810、KLA-Tencor製を用いて測定した。上記欠陥検査装置KLA2810にて測定された欠陥を、上記走査型電子顕微鏡S-9380を用いて観察し、ブリッジ欠陥の数を測定することにより、ブリッジ欠陥防止性能を評価した。ブリッジ欠陥防止性能は、検出されたブリッジ欠陥が50個未満の場合はAと、50個以上100個未満の場合はBと、100個を超えた場合はCとして評価した。評価結果を表3に示す。表3の結果から、本発明に係る[A]重合体を含有する実施例22~48の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト被膜は、[A]重合体がベース重合体のみ、撥水性添加剤のみ、及びベース重合体及び撥水性添加剤の両方のいずれの場合においても、パターン形成性及びLWR性能が良好であり、また、スカム発生及びブリッジ欠陥発生が抑制されることが示された。特に、ベース重合体及び撥水性添加剤の両方が[A]重合体である場合には、これらの特性はより高くなることも示された。一方、ベース重合体及び撥水性添加剤の両方ともが[A]重合体でない比較例1~4の感放射線性樹脂組成物は、実施例の感放射線性樹脂組成物に比べて、これらのレジストパターン特性の全てにおいて劣る結果となった。なお、上記パターン形成性の評価の際の最適露光量は30J/m2であった。一方、比較例1において、PEB温度を80°Cに代えて従来と同様の100°Cとした場合の最適露光量は、32J/m2であった。このことから、実施例の感放射線性樹脂組成物においては、従来に比べ露光量を上げることを要することなく、PEB温度を低くすることが可能であるといえる。"