"基板と、該基板上に配置された下部電極層及び上部電極層と、該下部電極層と該上部電極層との間に配置された半導体層とを具備し、該半導体層は、入射光を吸収して該半導体層の電子を励起するものであり、該半導体層は、前記下部電極層と前記上部電極層との間にのびて該下部電極層と該上部電極層とを接続する内臓型バイパスダイオードを具備し、該バイパスダイオードは、前記下部電極層と前記上部電極層との間に逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って電流を流すことを特徴とする、光起電力装置。バイパスダイオードは、前記半導体層の上面から該半導体層の反対側のインターフェースまで伸びていることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードは、上部電極層と下部電極層との間の半導体層に配置されることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードを含む前記半導体層の局所的な領域では、該局所的な領域の外側の半導体層の領域よりも、結晶化度が高いことを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードは、前記半導体層の領域よりも、ブレークダウン電圧が小さいことを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードは、前記下部電極層から前記半導体層を通って、該半導体層で光を受け取り、前記上部電極層を部分に分割する光の方向に沿って、該半導体層上に配置されたスクライブラインへと伸びていることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードは、前記半導体層に代わって前記バイパスダイオードに電流を流すことを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。基板上に下部電極層、該下部電極層上に半導体層、該半導体層上に上部電極層を堆積するステップであって、該半導体層は、入射光を吸収して該半導体層の電子を励起するよう構成されていることを特徴とするステップと、内臓型バイパスダイオードを形成するために前記下部電極層と前記上部電極層との間の半導体層の結晶化度又はドーパントの拡散の少なくとも1つを増加させるステップとを具備し、該バイパスダイオードは、前記下部電極層と前記上部電極層との間に逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って電流を流すよう構成されることを特徴とする、光起電力装置を製造する方法。前記増加させるステップは、前記半導体層をエネルギー集束ビームに暴露するステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。前記増加させるステップは、前記上部電極層を別々の部分に分割することも行うエネルギー集束ビームに、前記半導体層を暴露するステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。前記増加させるステップは、前記上部電極層にスクライブラインを形成し、エネルギー集束ビームを該スクライブライン内の半導体層に導くステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。前記スクライブラインは、前記上部電極層を別々の部分に分割し、前記エネルギー集束ビームを間隙を介して別々に分られた半導体層の別個のスクライブマークに導く、長く伸ばした線として形成されることを特徴とする請求項11に記載の方法。前記増加させるステップは、前記半導体層を複数のレーザー光に暴露するステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。前記増加させるステップは、前記半導体層の局所的な領域内の結晶化度又はドーパントの少なくとも1つ拡散を増大させる最初のエネルギー集束ビームに、前記半導体層を暴露し、該局所的な領域内の結晶化度又はドーパントの少なくとも1つをさらに増大させる次のエネルギー集束ビームに、前記半導体層を暴露するステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。前記増加させるステップは、第1のエネルギー集束ビームに前記半導体層を暴露することで該半導体層内に前記バイパスダイオードを形成し、第2のエネルギー集束ビームに該半導体層を暴露することで前記バイパスダイオードの逆ブレークダウン電圧を減少させるステップを具備することを特徴とする請求項8に記載の方法。基板と、該基板上に光起電力電池が入射光を受ける方向に配置され、電気的に接続された複数の光起電力電池であって、該光起電力電池は該光起電力電池が受けた光に基づいて電流を生じさせることを特徴とする光起電力電池と、を具備し、該光起電力電池の各々は、前記基板上に配置された下部電極層及び上部電極層と、該下部電極層と該上部電極層との間に配置された半導体層であって、該半導体層は前記光を吸収して該半導体層の電子を励起することを特徴とする半導体層と、を具備し、前記光起電力電池の少なくとも1つの半導体層は、前記光起電力電池の少なくとも1つの下部電極層と上部電極層との間にのびて該下部電極層と該上部電極層とを接続する内臓型バイパスダイオードを具備し、該バイパスダイオードは、前記光起電力電池の少なくとも1つに逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って該光起電力電池の近傍にある光起電力電池の間に電流を流すことを特徴とする光起電力装置。前記バイパスダイオードは、前記上部電極層と下部電極層との間の少なくとも1つの光起電力電池の半導体層の内部に設置されることを特徴とする請求項16に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードを含む前記少なくとも1つの光起電力電池の半導体層の局所的な領域には、局所的な領域の外側の半導体層の領域より大きな結晶化度を有する前記バイパスダイオードが含まれることを特徴とする請求項16に記載の光起電力装置。前記光起電力電池の前記上部電極層は、スクライブラインにより分割され、前記バイパスダイオードは、該スクライブラインから少なくとも1つの前記光起電力電池内の前記半導体層の前記下部電極層に伸びていることを特徴とする請求項16に記載の光起電力装置。前記バイパスダイオードは、前記少なくとも1つの前記光起電力電池の前記半導体層に代わって前記バイパスダイオードに電流を流すことを特徴とする請求項16に記載の光起電力装置。図1は、一実施形態による光起電力電池PV電池100の概略図である。この電池100は、光起電力モジュールのような光起電力装置PV装置中で電気的に接続された電池100のうちの1つとすることができる。この電池100は、基板102と、上部電極層110及び下部電極層112、すなわち電極110と112との間に配置された上部活性シリコン層スタック106及び下部活性シリコン層スタック108と、を有する。この上部電極層110及び下部電極層112とこの上部層スタック106及び下部層スタック108とは、基板102とカバー層104との間に位置する。電池100は基板構造の光起電力電池である。例えば、電池100の、基板102の反対側にあるカバー層104に入射した光は、電池100の活性シリコン層スタック106、108により電圧に変換される。光は、電池100のカバー層104及び付加的な層及び構成要素を通り抜け上部層スタック106及び下部層スタック108に至る。光は、上部層スタック106及び下部層スタック108で吸収される。上部層スタック106及び下部層スタック108で吸収された入射光の光子は、上部層スタック106及び下部層スタック108中の電子を励起し、上部層スタック106及び下部層スタック108中の原子から電子を分離する。正の電荷、すなわち正孔は、電子が原子から分離するときに発生する。上部層スタック106及び下部層スタック108は、異なるエネルギーバンドギャップを有し、入射光の波長スペクトルの異なる部分を吸収する。電子は、上部層スタック106及び下部層スタック108中にドリフトつまり拡散し、上部電極層110及び下部電極層112の一方に集められる。上部電極層110又は下部電極層112に集まった電子は、電池100に電位差を生じさせる。電池100に生じた電位差は、別の電池不図示に生じた電位差に付加することができる。相互に直列に接続された複数の電池100に生じた電位差は加算されて電池100により生じた合計電位差を増加させる。隣り合う電池100間に電子が流れることにより電流が生じる。電流は電池100から取り出され外部電気負荷に印加することができる。電池100の構成材及び層は、図1に概略的に図示されている。図1に示されている構成材及び層の形状、方向及び相対的大きさは、これに限定することを意図するものではない。基板102は、電池100の底部に位置する。基板102、電池100の他の層及び構成材を機械的に支持する。基板102は、非導電性材料のような誘電材料を有することができる。すなわち、非導電性材料のような誘電材料で形成することができる。基板102は、約750°C未満の軟化点を有する1つ以上の誘電材料のような、比較的低い軟化点を有する誘電体で形成することができる。単なる例として、基板102は、ソーダ石灰フロートガラス、低鉄フロートガラス、又は、少なくとも10重量パーセントの酸化ナトリウムNa2Oを含むガラスで形成することができる。他の例において、基板102は、フロートガラス又はホウケイ酸塩ガラスのような他の種類のガラスで形成することができる。代替的に、基板102は、窒化ケイ素Si3N4又は酸化アルミニウムアルミナ、又はAl2O3のようなセラミックで形成される。他の実施形態において、基板102は、金属のような導電性材料で形成される。単なる例として、基板102は、ステンレススチール、アルミニウム又はチタンで形成することができる。基板102は、電池100の残りの層を機械に支持するのに充分な厚さを有しており、さらに、電池100を製造及び取り扱う間に電池100に機械的安定性及び熱安定性を与える。一実施形態において基板102の厚さは、少なくとも約0.7ミリメートル~5.0ミリメートルである。単なる例として、基板102は、厚さ約2ミリメートルのフロートガラスの層とすることができる。代替的に、基板102は、厚さ約1.1ミリメートルのホウケイ酸ガラスの層とすることができる。他の実施形態において、基板102は、厚さ約3.3ミリメートルの、低鉄フロートガラス又は標準的なフロートガラスの層とすることができる。テクスチャテンプレート層114は、基板102の上に堆積することができる。代替的に、このテンプレート層114が電池100に含まれることはない。テンプレート層114は、電池100においてテンプレート層114の上方に堆積させる1つ以上の層及び構成材にテクスチャを与える、管理された所定の三次元テクスチャを有する層である。一実施形態において、テクスチャテンプレート層114は、2010年4月19日に提出された光起電直電池及び薄膜シリコンの光捕捉を増強する方法と題された同時係属中の米国特許出願番号第12/762,880880出願に記載された実施形態の1つに従って堆積し、形成することができる。880出願に関して、本明細書に記載のテンプレート層114は、880出願に記載のテンプレート層136に類似するものであり、880出願に記載し図示した、配列した1以上の構造300、400、500を有する。図示した実施形態におけるテンプレート層114のテクスチャは、テンプレート層114の1以上の構造200、300、400図2~図4に示すにより、形状及び寸法を定めることができる。テンプレート層114は、基板102上に堆積する。例えば、テンプレート層114は、基板102上に直接堆積することができる。図2は、一実施形態によるテンプレート層114のピーク構造200を概略的に示している。ピーク構造200は、テンプレート層114の上の層に所定のテクスチャを与えるために、ピーク構造200をテンプレート層114に作成する。ピーク構造200は、テンプレート層114の上面202に沿った鋭いピークのようにみえるので、構造200をピーク構造200と称する。ピーク構造200は、ピーク高さHpk204、ピッチ206、移行形状208及び底部幅Wb210を含む1つ以上のパラメータによって定められる。図2に示されているように、ピーク構造200は、基材102から距離が遠くなるにつれて幅が短くなる形状として形成されている。例えば、ピーク構造200は、基板102の位置又は基板102の近くに存在する底212からいくつかのピーク214の方向に行くにつれて寸法が小さくなる。ピーク構造200は、図2の二次元図において三角形として示されているが、代替的に、三次元的にピラミッド又は円錐の形状とすることもできる。ピーク高さHpk204は、ピーク構造200間の移行形状208からピーク214までの距離の平均値又は中央値を意味する。テンプレート層114は、例えば、ピーク214の底212まで又は移行形状208の領域まで、略平坦な層として堆積させることができる。ピーク214を形成するためにテンプレート層114を堆積し続けることができる。底212又は移行形状208とピーク214との間の距離を、ピーク高さHpk204とすることができる。ピッチ206は、2つのピーク構造200のピーク214とピーク214との間の距離の平均値又は中央値を示す。ピッチ206は、2つ以上の方向において略同一とすることができる。例えば、ピッチ206は、基板102に対して平行に伸びる、2つの垂直方向において同一とすることができる。他の実施形態において、ピッチ206は異なる方向では異なることとすることができる。あるいは、ピッチ206は、隣接する2つのピーク構造200の上の他の同様な2つの点の間の距離の平均値又は中央値を示すものであってもよい。移行形状208は、ピーク構造200とピーク構造200との間のテンプレート層114の上面202の一般的な形状である。図示した実施形態に示されているように、移行形状208は、平坦なファセットの形状とすることができる。あるいは、この平坦なファセット形状は、三次元的にみたときに円錐又はピラミッドであってもよい。底部幅Wb210は、ピーク構造200とテンプレート層114の底212との間の界面においてピーク構造200を横切る距離の平均値又は中央値である。底部幅Wb210は、2つ以上の方向において略同一とすることができる。例えば、底部幅Wb210は、基板102に対して平行に伸びる、2つの垂直方向において同一とすることができる。あるいは、底部幅Wb210は、異なる方向では異なる幅とすることができる。図3は、一実施形態によるテンプレート層114の谷構造300を示している。谷構造300の形状は、図2に示されているピーク構造200の形状とは異なるが、図2に関する上記パラメータの1つ又はそれ以上によって決定することができる。谷構造300は、例えば、ピーク高さHpk302、ピッチ304、移行形状306、及び底部幅Wb308により定めることができる。谷構造300は、谷構造300の上面310からテンプレート層114に伸びる凹部又はくぼみとして形成されている。谷構造300は、図3の二次元図において放物形を有するものとして示されているが、三次元的に、円錐、ピラミッド、又は、放物面の形状を有していてもよい。実施において、谷構造300は、理想的な放物線の形状とわずかに異なっていてもよい。一般に、谷構造300は、上面310から基材102の方向にテンプレート層114に伸びるくぼみを有する。谷構造300は、2つの移行形状306の間に位置するテンプレート層114の低点312すなわち底へと伸びている。ピーク高さHpk302は、上面310と低点312との間の距離の平均値又は中央値を示す。ピッチ304は、2つの谷構造300の同じ位置又は共通する2つの位置の間の距離の平均値又は中央値を示す。ピッチ304は、例えば、2つの谷構造300の間に伸びる移行形状306の中央点の間の距離であってもよい。ピッチ304は、2つ以上の方向において略同一であってもよい。ピッチ304は、例えば、基板102に対して平行に伸びる2つの垂直方向において同じとすることができる。他の実施形態において、ピッチ304は、異なる方向では異なるピッチとすることができる。あるいは、ピッチ304は、2つの谷構造300の2つの低点312の間の距離を表すものであってもよい。あるいは、ピッチ304は、隣接する2つの谷構造300の上の他の同様な2つの点の間の距離の平均値又は中央値を表すものであってもよい。移行形状306は、谷構造300の間の上面310の一般的な形状である。図示されている実施形態に示されているように、移行形状306は、平坦なファセットの形状とすることができる。あるいは、この平坦なファセット形状は、三次元的にみたときに円錐又はピラミッドであってもよい。底部幅Wb308は、隣接する2つの谷構造300の低点312の間の距離の平均値又は中央値を示す。あるいは、底部幅Wb308は、2つの移行形状306の2つの中央点の間の距離を表すものであってもよい。底部幅Wb308は、2つ以上の方向において略同一であってもよい。底部幅Wb308は、例えば、基材102に対して平行に伸びる2つの垂直方向において同じとすることができる。あるいは、底部幅Wb308は、異なる方向では異なる幅とすることができる。図4は、一実施形態によるテンプレート層114の円形構造400を示している。円形構造400の形状は、図2に示されているピーク構造200の形状及び図3に示されている谷構造300の形状とは異なるが、図2及び図3に関する上記パラメータの1つ以上によって定めることができる。円形構造400は、例えば、ピーク高さHpk402、ピッチ404、移行形状406及び底部幅Wb408によって定めることができる。円形構造400は、テンプレート層114の上面414の突部であって、テンプレート層114の基層膜410から上方に伸びる突部として形成される。円形構造400は、略放物線又は略円形の形状を有していてもよい。実施において、円形構造400は、理想的な放物線の形状とはわずかに異なっていてもよい。円形構造400は、図4の二次元図において放物線として示されているが、代替的に、円形構造400は、放物面、ピラミッド又は円錐の三次元の形状であって、基板102から離れるように上方に伸びた形状としてもよい。一般に、円形構造400は、基層膜410から上方に、かつ、基板102から遠ざかるように円形の高点412又は円形の頂点の方に突出する。ピーク高さHpk402は、基層膜410と高点412との間の距離の平均値又は中央値を示す。ピッチ404は、2つの円形構造400の同じ位置又は共通する2つの位置の間の距離の平均値又は中央値を示す。ピッチ404は、例えば、2つの高点412の間の距離であってもよい。ピッチ404は、2以上の方向において略同一であってもよい。ピッチ404は、例えば、基板102に対して平行に伸びる2つの垂直方向において同一とすることができる。あるいは、ピッチ404は、異なる方向では異なっていてもよい。他の例において、ピッチ404は、円形構造400の間に伸びる2つの移行形状406の2つの中央点の間の距離を表すものであってもよい。あるいは、ピッチ404は、隣接する2つの円形構造400上の他の同様な2つの位置の間の距離の平均値又は中央値を表すものであってもよい。移行形状406は、円形構造400の間の上面414の一般的な形状である。図示した実施形態に示されているように、移行形状406は、平坦なファセットの形状をとることができる。あるいは、この平坦なファセット形状は、三次元的にみたときに円錐又はピラミッドであってもよい。底部幅Wb408は、1つの円形構造400の両側の2つの移行形状406の間の距離の平均値又は中央値を示す。あるいは、底部幅Wb408は、2つの移行形状406の2つの中央点の間の距離を表すものであってもよい。一実施形態によれば、構造200、300、400のピッチ204、302、402、及び/又は、底部幅Wb210、308、408は、約400ナノメートル乃至約1500ナノメートルである。テンプレート層114の中の構造200、300、400のパラメータは、PV電池100図1に示されているが二重接合又は三重接合部の電池100であるかどうか、及び/又は、上部層スタック106及び/又は下部層スタック108図1に示されているの中の半導体の膜又は層のどれが電流制限層であるかに応じて異なってもよい。例えば、上部シリコン層スタック106及び下部シリコン層スタック108は、N-I-P及び/又はP-I-Nのドープ非晶質又はドープ微晶質のシリコン層の2つ以上のスタックを含んでいてもよい。上述の1つ以上のパラメータは、N-I-P及び/又はP-I-Nスタック中の半導体層のどれが電流制限層であるかに基づいたものとすることができる。例えば、N-I-P及び/又はP-I-Nスタック中の層の1つ以上は、光がPV電池100にぶつかるときにPV電池100によって生じる電流の量を制限することができる。構造200、300、400のパラメータの1つ以上は、これらの層のどれが電流制限層であるかに基づいていてもよい。一実施形態において、PV電池100図1に示されているが上部シリコン層スタック106及び/又は下部シリコン層スタック108の中に微晶質シリコン層を含んでおり、かつ、その微晶質シリコン層が上部シリコン層スタック106及び下部シリコン層スタック108の流制限層である場合には、その微晶質シリコン層より下のテンプレート層114の中の構造200、300、400のピッチ206、304、404は、約500ナノメートル~1500ナノメートルとすることができる。微晶質シリコン層は、約500ナノメートル~1500ナノメートルの波長を有する赤外線に対応するエネルギーバンドギャップを有する。例えば、ピッチ206、404、504がこの波長にほぼ一致する場合には、構造200、300、400は、500ナノメートル~1500ナノメートルの波長を有する赤外線をより多く反射することができる。構造200、300、400の移行形状208、306、406は、平坦なファセットであってもよい。また、底部幅Wb210、308、408は、ピッチ206、304、404の60乃至100とすることができる。ピーク高さHpk204、302、402は、ピッチ206、304、404の25乃至75とすることができる。例えば、ピッチ206、304、404に対するピーク高さHpk204、302、402の比率により、上部シリコン層スタック106及び/又は下部シリコン層スタック108の中に他の比率に比べてより多くの光を戻すように反射するような、構造200、300、400における散乱角を定めることができる。他の例において、PV電池100図1に示されているが、1つの非晶質シリコンである層スタック106又は108とその他の微晶質半導体層である層スタック106又は108とを含む場合には、テンプレート層114のピッチ206、304、404の範囲は、上部層スタック106及び下部層スタック108のどれが電流制限スタックであるかに基づいて変化させることができる。上部層スタック106が、微晶質のN-I-P又はP-I-Nのドープ半導体層スタックを含み、下部層スタック108が、非晶質のN-I-P又はP-I-Nのドープ半導体層スタックを含む場合は、ピッチ206、304、504は、約500ナノメートル~1500ナノメートルとすることができる。一方、下部層スタック108が、電流制限スタックである場合は、ピッチ206、304、504は、約350ナノメートル~1000ナノメートルとすることができる。図1に示されている電池100の説明に戻ると、テンプレート層114は、880出願に記載されている実施形態の1つ以上に従って形成することができる。例えば、テンプレート層114は、基板102の上に非晶質シリコン層を堆積させ、その後、その非晶質シリコンの上面に置いた二酸化ケイ素球体による反応性イオンエッチングを使用して非晶質シリコンにテクスチャを形成することによって、形成することができる。あるいは、テンプレート層114は、基板102の上にアルミニウム及びタンタルの二重層をスパッタリングし、次に、テンプレート層114を陽極処理することによって形成することができる。他の実施形態において、テンプレート層は、凹凸フッ素ドープ酸化スズSnO2:Fの膜を、常圧化学堆積を使用して堆積させることによって形成することができる。テンプレート層114のこれらの膜の1つ以上は、アサヒガラス社又はピルキントンガラスのような業者から入手することができる。他の実施形態において、テンプレート層114は、基板102に静電荷を付加し、次に、その帯電した基板102を反対に帯電した粒子が存在する環境に置くことによって形成することができる。静電力により、基板102に荷電粒子を引きつけることによってテンプレート層114を形成する。粒子は、次の堆積ステップにおいて、その粒子の上に粘着性の接着剤層不図示を堆積させることによって、又は、粒子及び基板102をアニーリングすることによって、基板102に永続的に付着する。微粒子材料の例には、炭化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンド及びCVDダイヤモンドなどのような、ファセットセラミックス及びダイヤモンド様物質粒子が含まれる。下部電極層112は、テンプレート層114の上に堆積させる。下部電極層112は、導電性反射層116と導電性緩衝層118とで構成される。反射層116は、テンプレート層114の上に堆積させる。例えば、反射層116は、テンプレート層114の上に直接堆積させてもよい。反射層116は、テンプレート層114により決定される、テクスチャ化された上面120を有する。反射層116は、例えば、反射層116が大きさ及び/又は形状においてテンプレート層114の構造200、300、400図2乃至図4に示されているに類似した構造となるように、テンプレート層114の上に堆積させてもよい。反射層116は、銀及び/又はチタンのような、反射性の導電性材料を含んでもよいし、又は該材料で形成されてもよい。あるいは、反射層116は、アルミニウム又は銀若しくはアルミニウム又は銀を含む合金を含んでいてもよいし、又は、又は該材料で形成されてもよい。反射層116は、厚さが約100ナノメートル~300ナノメートルであり、テンプレート層114の上に反射層116の材料をスパッタリングすることによって堆積させることができる。反射層116は、上部活性シリコン層スタック106及び下部活性シリコン層スタック108の中へ上方に光を反射させるための導電層及び反射面を提供する。例えば、カバー層104に入射して上部活性シリコン層スタック106及び下部活性シリコン層スタック108を通る部分の光は、上部層スタック106及び下部層スタック108によって吸収されない可能性がある。この部分の光は、反射した光が上部層スタック106及び/又は下部層スタック108で吸収されるように、反射層116で反射して、上部層スタック106及び下部層スタック108の中に戻るようにすることができる。反射層116のテクスチャ化された上面120は、上部活性シリコン層スタック106及び下部活性シリコン層スタック108の中に光を部分的に又は完全に散乱することによって、吸収又は補足される光の量を増やす。ピーク高さHpk204、302、402、ピッチ206、304、404、移行形状208、306、406、及び/又は底部幅Wb210、308、408図2乃至図4に示されているは、入射光の波長の所望の又は所定の範囲に対して上部層スタック106及び下部層スタック108の中に補足される光の量を増やすために、変更することができる。緩衝層118は、反射層116の上に堆積させるものであり、反射層116の上に直接堆積させることができる。緩衝層118は、下部活性シリコン層スタック108に電気的な接触を与える。例えば、緩衝層118は、下部活性シリコン層スタック108の活性シリコン層と電気的に結合した透明な導電性酸化物TCO材料を含んでいてもよいし、又は、該材料から形成することができる。一実施形態において、緩衝層118は、アルミニウムをドープした酸化亜鉛、酸化亜鉛、及び/又はインジウムスズオキシドを含む、一実施形態において、緩衝層118は、SnO2:Fを含む。緩衝層118は、約50ナノメートル~500ナノメートルの厚さで堆積させることができるが、異なる厚さを用いてもよい。一実施形態において、緩衝層118は、反射層116と下部活性シリコン層スタック108との間で化学的バッファとなる。例えば、緩衝層118は、電池100の加工中及び製造中に反射層116による下部活性シリコン層スタック108に対する化学攻撃を防ぐことができる。緩衝層118は、下部層スタック108におけるシリコンの汚染を遅延又は防止し、下部層スタック108におけるプラズモン吸収ロスを低減することができる。緩衝層118は、反射層116と下部活性シリコン層スタック108との間で光学的バッファとなる。例えば、緩衝層118は、反射層116で反射される所定の範囲の波長に基づく厚さで堆積させた光透過層とすることができる。緩衝層118の厚さは、特定の波長の光が、緩衝層118を通過し、反射層116に反射されて、緩衝層118を通って下部層スタック108の中へ戻るようにすることができる。単なる例として、緩衝層118は、約75ナノメートル~80ナノメートルの厚さで堆積させることができる。下部活性シリコン層スタック108は、緩衝層118の上方に堆積させるか、又は、緩衝層118の上に直接堆積させることができる。一実施形態において、下部層スタック108は、約1マイクロメートル~3マイクロメートルの厚さで堆積させることができるが、下部層スタック108は、これとは異なる厚さで堆積させることもできる。下部層スタック108は、シリコンの3つの副層122、124、126を含む。一実施形態において、副層122、124、126は、それぞれ、n-ドープ微晶質シリコン膜、真性微晶質シリコン膜、及び、p-ドープ微晶質シリコン膜であり、比較的低い堆積温度でプラズマ強化化学蒸着法PECVDを使用して堆積させることができる。例えば、副層122、124、126は、約160°C~250°Cの範囲の温度で堆積させることができる。比較的低い堆積温度での副層122、124、126の堆積により、1つの副層122、124、126から他の副層122、124、126へのドーパントの拡散を低減することができる。加えて、副層122、124、126に比較的低い堆積温度を用いることで、上部層スタック106及び下部層スタック108中のそれぞれに内在する副層122、124、126からの水素放出を防ぐのを助けることができる。あるいは、下層スタック108は、比較的高い堆積温度で堆積させることもできる。例えば、下層スタック108は、約250°C~350°Cの範囲内の温度で堆積させることができる。堆積温度が上昇するにつれて、下層スタック108中の平均粒子サイズが大きくなり、下部層スタック108における赤外線の吸収が増加する可能性がある。したがって、下部層スタック108においてシリコン結晶の平均粒子サイズを大きくするために、下部層スタック108をより高い温度で堆積させることができる。加えて、より高い温度で下部層スタック108を堆積させることは、その後の上部層スタック106の堆積中に、下部層スタック108を熱的により安定にすることができる。以下に説明するように、上部副層126は、p-ドープシリコン膜であってもよい。そのような実施形態においては、約150°C~250°Cの範囲内の比較的低い温度で上部副層126を堆積させる一方で、約250°C~350°Cの範囲内の比較的高い堆積温度で下部副層122及び中間副層124を堆積させることができる。あるいは、上部副層126は、少なくとも160°Cの温度で堆積させることができる。p-ドープ上部副層126と真性中間副層124との間の相互拡散の量を低減するために、p-ドープ副層126をより低い温度で堆積させる。あるいは、p-ドープ上部副層126は、例えば、約250°C~350°Cのようなさらに高い堆積温度で堆積させる。副層122、124、126は、少なくとも10ナノメートルの平均粒子サイズを有することができる。他の実施形態において、副層122、124、126における平均粒子サイズは、少なくとも約20ナノメートルである。あるいは、副層122、124、126における平均粒子サイズは、少なくとも約50ナノメートルである。他の実施形態において、平均粒子サイズは、少なくとも約100ナノメートルである。任意的に、平均粒子サイズは、少なくとも約1マイクロメートルとすることができる。副層122、124、126における平均粒子サイズは、様々な方法によって測定することができる。例えば、透過型電子顕微鏡TEMを使用して平均粒子サイズを測定することができる。そのような一例において、副層122、124、126の薄いサンプルを得る。例えば、副層122、124、126の1つ以上のサンプルであって、約1マイクロメートル以下の厚さを有するサンプルを得る。電子ビームをサンプルに透過させる。サンプルの全体又は一部分を電子ビームで走査することができる。電子がサンプルを通過するとき、電子はサンプルの結晶構造と相互作用する。電子の透過経路はサンプルによって変化することがある。電子がサンプルを通過した後にその電子を集めて、集めた電子に基づいて画像を生成する。その画像は、サンプルの二次元表示を提供する。サンプル中の結晶粒子は、そのサンプルの非晶質部分とは異なるように見えることがある。この画像に基づいてサンプル中の結晶粒子の大きさを測定することができる。例えば、画像中に出現するいくつかの結晶粒子の表面積を測定して平均することができる。この平均値は、サンプルが得られた位置におけるそのサンプルの結晶粒子サイズの平均値である。この平均値は、例えば、サンプルを得た副層122、124、126における平均結晶粒子サイズとすることができる。下部副層122は、n-ドープシリコンの微晶質層であってもよい。一実施形態において、下部副層122は、約2~3トールの真空圧力で、かつ、約500~1000ワットのエネルギーで、水素HとシランSiH4とホスフィン又は三水素化りんPH3との組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバにおいて堆積させる。下部副層122を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約200~300の水素ガスに対して約1のシラン、約0.01の部ホスフィンとすることができる。中間副層124は、真性シリコンの微晶質層であってもよい。中間副層124は、例えば、ドープされていないか、又は1018/cm3未満のドーパント濃度を有するシリコンを含んでいてもよい。一実施形態において、中間副層124は、約9~10トールの真空圧力で、かつ、約2~4キロワットのエネルギーで、水素HとシランSiH4との組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバにおいて堆積させる。中間副層124を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約50~65の水素ガスに対して約1のシランとすることができる。上部副層126は、p-ドープシリコンの微晶質層とすることができる。あるいは、上部副層126は、p-ドープシリコンのプロト結晶層とすることができる。一実施形態において、上部副層126は、約2~3トールの真空圧力で、かつ、約500~1000ワットのエネルギーで、水素HとシランSiH4とトリメチルホウ素B3又はTMBとの組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバ内で堆積させる。上部副層126を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約200~300の水素ガスに対して約1のシラン、約0.01のホスフィンとすることができる。上部副層126のシリコンにホウ素をドープするためにTMBを使用することができる。上部副層126のシリコンにドープするためにTMBを使用することによって、三フッ化ホウ素BF3又はジボランB2H6のような異なる種類のドーパントを使用するよりも優れた熱安定性を与えることができる。例えば、シリコンをドープするためにTMBを使用することによって、三フッ化ホウ素又はジボランを使用した場合と比較して、その後の層の堆積中に上部副層126から中間副層124などの隣接層の中へ拡散するホウ素をより少なくすることができる。単なる例として、上部副層126にドープするためにTMBを使用することによって、上部副層126にドープするために三フッ化ホウ素又はジボランを使用する場合に比べて、上部層スタック106の堆積中に中間副層124の中へ拡散するホウ素を少なくすることができる。3つの副層122、124、126がN-I-P接合部又は活性シリコン層のN-I-Pスタックを形成する。下部層スタック108と同様に、3つの副層122、124、126は、約1.1eVのエネルギーバンドギャップを有する。あるいは、下部層スタック108は、異なるエネルギーバンドギャップを有することもできる。下部層スタック108は、以下に説明する通り、上部層スタック106とは異なるエネルギーバンドギャップを有することができる。上部層スタック106及び下部層スタック108が異なるエネルギーバンドギャップを有することにより、上部層スタック106及び下部層スタック108は、異なる波長の入射光を吸収することができる。一実施形態において、中間反射層128は、上部層スタック106と下部層スタック108との間に堆積させる。例えば、中間反射層128は、下部層スタック108の上に直接堆積させることができる。あるいは、電池100に中間反射層128は含まれず、上部層スタック106が下部層スタック108上に堆積される。中間反射層128は光を部分的に反射させて上部層スタック106に向かわせ、光の一部を中間反射層128及び下部層スタック108を通り抜けさせる。例えば、中間反射層128は、電池100に入射した、光の波長のスペクトルの部分スペクトルを反射させ上部層スタック106中に戻す。中間反射層128は、部分反射材料を含むか、又は、該材料で形成される。中間反射層128は、例えば、二酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、アルミニウムをドープした酸化亜鉛AZO、インジウムスズオキシドITO、ドープシリコン酸化物又はドープシリコン窒化物から形成することができる。一実施形態において、中間反射層128は、厚さ約10ナノメートル~200ナノメートルであるが、異なる厚さを使用することもできる。上部活性シリコン層スタック106は、下部活性シリコン層スタック108の上に堆積させる。例えば上部層スタック106は、中間反射層128又は下部層スタック108上に直接堆積させることができる。一実施形態において、上部層スタック106は、厚さ約200ナノメートル~400ナノメートルで堆積されるが上部層スタック106を異なる厚さで堆積させてもよい。上部層スタック106は、シリコンの3つの副層130、132、134を有する。一実施形態において、副層130、132、134はそれぞれ、比較的低い堆積温度でプラズマ強化化学蒸着法PECVDを使用して堆積させた、n-ドープの非晶質a-Si:Hシリコン膜、真性の非晶質a-Si:Hシリコン膜、及び、p-ドープの非晶質シリコンa-Si:H膜である。例えば、副層130、132、134は、約185°C~250°Cの温度で堆積させることができる。他の例において、副層130、132、134は、約185°C~225°Cの温度で堆積させることができる。代替的に、p-ドープの副層134は、n-ドープの副層130及び真性の副層132を堆積させる温度より低い温度で堆積させる。例えば、p-ドープの副層134は、約120°C~200°Cの温度で堆積させる一方、真性の副層132及び/又はn-ドープの副層130少なくとも200°Cの温度で堆積させる。単なる例として、真性の副層132及び/又は、n-ドープの副層130約250°C~350°Cの温度で堆積させることができる。副層130、132、134比較的低い堆積温度で堆積させることによって、下部層スタック108中の副層122、124126の間でのドーパントの相互拡散、及び/又は、上部層スタック106中の副層130、132、134の間でのドーパントの相互拡散を低減することができる。副層122、124、126の中及びこれらの間のドーパントの拡散、及び、副層130、132、134の中及びこれらの間のドーパントの拡散は、副層122、124、126、及び130、132、134を加熱する温度に基づく。例えば、副層122、124、126、130、132、134の間の相互拡散は、照射する温度が高くなるにつれて増大する。低い堆積温度を用いることにより、副層122、124、126の中、及び/又は副層130、132、134の中へのドーパントの拡散量が減少させることができる。所定の副層122、124、126、130、132、134において低い堆積温度を用いることにより、それぞれ上部層スタック106及び下部層スタック中の副層122、124、126、130、132、134に内在する水素放出を低減することができる。副層130、132、134の、比較的低い堆積温度における堆積は、より高い堆積温度で堆積させた非晶質シリコン層と比較して、上部層スタック106のエネルギーバンドギャップを高めることができる。あるいは、上部層スタック106は、比較的高い堆積温度で堆積させることができる。例えば、上部層スタック106は、約250°C~350°Cの温度で堆積させることができる。非晶質シリコンの堆積温度が上昇するにつれて、シリコンのエネルギーバンドギャップが減少する。例えば、層中にゲルマニウムが比較的少ないか又は全くない非晶質シリコン層として副層130、132、134を約250°Cと350°Cとの間の温度で堆積させた場合、上部層スタック106のバンドギャップは、少なくとも1.65eVとなる。シリコン中のゲルマニウム含有量が0.01以下の非晶質シリコンで形成された上部層スタック106のバンドギャップは、1.65eV~1.80eVである。ゲルマニウム含有量は、上部層スタック106中のシリコンなどの他の材料に対する上部層スタック106中のゲルマニウムの割合又はパーセンテージを表すものとすることができる。上部層スタック106のバンドギャップを減少させることにより、副層130、132、134が入射光中の波長のスペクトルの多くの部分を吸収できるようにし、電気的に直列に相互に連結された複数の電池100によって生じる電流を大きくすることができる。比較的高い堆積温度で上部層スタック106を堆積させることは、上部層スタック106の水素含有量を測定することによって確認することができる。一実施形態において、上部層スタック106が約250°C以上の温度で堆積された場合は、上部層スタック106の最終的な水素含有量は約8原子パーセント未満である。上部層スタック106のサンプルはSIMSに入れられる。そして、そのサンプルをイオンビームでスパッタする。イオンビームはサンプルから二次イオンを放出させる。二次イオンを集めて質量分析計を使用して分析する。次いで、質量分析計によってサンプルの分子組成を決定する。質量分析計によってそのサンプル中の水素の原子パーセントを決定することができる。あるいは、フーリエ変換赤外分光法FTIRを使用して、上部層スタック106の最終水素濃度を測定することができる。FTIRにおいて、次に、赤外線のビームを上部層スタック106のサンプルに通す。サンプルの分子構造及び種が異なれば、赤外線の吸収の程度も異なる。サンプル中の異なる分子種の相対濃度に基づいて、サンプル中の分子種のスペクトルが得られる。このスペクトルからサンプル中の水素の原子パーセントを決定することができる。あるいは、いくつかのスペクトルを得て、このスペクトルのグループからサンプル中の水素の原子パーセントを決定する。以下に説明するように、上部副層134は、p-ドープシリコン膜であってもよい。そのような実施形態において、上部副層134は、約150°C~200°Cの範囲内の比較的低い温度で堆積させる一方で、下部副層130及び中間副層132は、約250°C~350°Cの範囲内の比較的高い堆積温度で堆積させることができる。p-ドープ上部副層134は、p-ドープ上部副層134と真性中間副層132との間の相互拡散の量を減らすために、低い温度で堆積させる。低い温度でp-ドープ上部副層134を堆積させることによって、上部副層134のバンドギャップを高めることができ、及び/又は、上部副層134が可視光を透過しやすくするようにできる。下部副層130は、n-ドープシリコンの非晶質層であってもよい。一実施形態において、下部副層130は、約1~3トールの真空圧力で、かつ、約500~1000ワットのエネルギーで、水素H2とシランSiH4とホスフィン又は三水素化リンPH3との組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバ内で堆積させる。下部副層130を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約200~300の水素ガスに対して、約1のシラン、約0.01部のホスフィンとすることができる。中間副層132は、真性シリコンの非晶質層であってもよい。あるいは、中間副層132は、真性シリコンの多形性層であってもよい。一実施形態において、中間副層132は、約1~3トルの真空圧力で、かつ、約200~400ワットのエネルギーで、水素HとシランSiH4との組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバ内で堆積させる。中間副層132を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約4~12の水素ガスに対して約1のシランとすることができる。一実施形態において、上部副層134は、p-ドープシリコンのプロト結晶層である。あるいは、上部副層134は、p-ドープシリコンの非晶質層であってもよい。一実施形態において、上部副層134は、約2~3トールの真空圧力で、かつ、約500~1000ワットのエネルギーで、水素HとシランSiH4と三フッ化ホウ素BF3、TMB又はジボランB2H6との組み合わせの原料ガスを使用して、約13.56MHzの動作周波数のPECVDチャンバ内で堆積させる。上部副層136を堆積させるために使用される原料ガスの比率は、約100~2000の水素ガスに対して約1のシラン、約0.01のドーパントガスであってもよい。3つの副層130、132、134は、活性シリコン層のNIP接合部を形成する。3つの副層130、132、134は、下部層スタック108のエネルギーバンドギャップとは異なるエネルギーバンドギャップをもつ。例えば、上部層スタック106のエネルギーバンドギャップは、下部層スタック108より少なくとも約50大きくなることがある。他の例において、上部層スタック106は、下部層スタック108のエネルギーバンドギャップより少なくとも約60大きなエネルギーバンドギャップをもつことがある。あるいは、上部層スタック106は、下部層スタック108のエネルギーバンドギャップより少なくとも約40大きくなることがある。上部層スタック106と下部層スタック108との間でエネルギーバンドギャップが異なることにより、上部層スタック106及び下部層スタック108は異なる波長の入射光を吸収することができ、電池100の入射光を電位及び/又は電流に変換する効率を増大させることができる。上部層スタック106及び下部層スタック108のエネルギーバンドギャップは、偏光解析法を使用して測定することができる。あるいは、上部層スタック106及び下部層スタック108のエネルギーバンドギャップを得るために、外部量子効率EQE測定値を使用することができる。EQE測定値は、半導体の層又は層スタックの上に入射する光の波長を変化させ、入射する光子を外部回路に届く電子に変換する際の、層又は層スタックの効率を測定することにより取得する。異なる波長において入射光を電子に変換する際の上部層スタック106及び下部層スタック108の効率に基づいて、上部層スタック106及び下部層スタック108のエネルギーバンドギャップを導き出すことができる。例えば、上部層スタック106及び下部層スタック108のそれぞれは、上部層スタック106又は下部層スタック108のバンドギャップより大きいエネルギーを有する入射光を変換する場合は、別のエネルギーを有する光を変換する場合よりも、効率がよくなることがある。上部電極層110は、上部層スタック106の上に堆積させる。例えば、上部電極層110は、上部層スタック106の上に直接堆積させることができる。上部電極層110は、導電性かつ光透過の材料を含むか、又は、該材料から形成される。例えば、上部電極層110は、透明な導電性酸化物から形成することができる。そのような材料の例には、酸化亜鉛ZnO、酸化スズSnO2、フッ素をドープした酸化スズSnO2:F、スズをドープしたインジウムオキシドITO、二酸化チタンTiO2、及び/又は、アルミニウムをドープした酸化亜鉛Al:ZnOが含まれる。上部電極層110は、様々な厚さで堆積させることができる。いくつかの実施形態において、上部電極層110は、厚さが約50ナノメートルから2マイクロメートルである。一実施形態において、上部電極層110は、厚さが60ナノメートル~90ナノメートルのITO又はAl:ZnOの層で形成される。上部電極層110は、電池100の上部電極層110において反射防止AR効果を生じさせる厚さを有する導電性材料と光透過材料との両方として機能することができる。例えば、上部電極層110は、上部電極層110により反射され、電池100の活性層から離れてゆく波長の光の割合を比較的少なくするよう入射光を反射させる一方で、伝播する波長の光の割合を比較的大きくするよう入射光を上部電極層110を通って伝播させるようにできる。単なる例として、上部電極層110は、1つ以上の波長の入射光の約5以下を反射させてもよい。他の例においては、上部電極層110は、入射光の約3以下を反射させてもよい。他の実施形態においては、上部電極層110は、入射光の約2以下を反射させてもよい。さらに他の例においては、上部電極層110は、入射光の約0.5以下を反射させてもよい。上部電極層110の厚さは、上部電極層110を通って上部層スタック106及び下部層スタック108へと伝搬する入射光の量を増加させるために調整することができる。比較的薄い上部電極層110のシート抵抗は、約20~50オーム/スクエアのように比較的高くてもよいが、このように上部電極層110の比較的高いシート抵抗は、以下に説明する通り、上部電極層110の幅を減少させることにより補うことができる。粘着層136は、上部電極層110の上に堆積させる。例えば、粘着層136は、上部電極層110の上に直接堆積させてもよい。あるいは、粘着層136は電池100に含まれない。粘着層136は、カバー層104を上部電極層110に固定する。粘着層136は、電池100の中へ湿気が進入するのを防ぐことができる。粘着層136は、例えば、ポリビニルブチラールPVB、surlynサーリン、又は、エチレン酢酸ビニルEVA共重合体などの材料を含むことができる。カバー層104は粘着層136の上に配置される。あるいは、カバー層104は、上部電極層110の上に配置される。カバー層104は、光透過材料を含むか又は光透過材料で形成される。一実施形態において、カバー層104は1枚の強化ガラスである。カバー層104において強化ガラスを使用することによって、電池100を物理的なダメージから保護するのを助けることができる。例えば、強化ガラスカバー層104は、雹や他の環境ダメージから電池100を保護するのに役立てることができる。他の実施形態において、カバー層104は、ソーダ石灰ガラス、低鉄強化ガラス又は低鉄焼きなましガラスのシートである。透明の高い低鉄ガラスカバー層104を使用することにより、シリコン層スタック106及び108への光の透過を高めることができる。選択的に、カバー層104の上部に反射防止ARコーティング図示せずを設けることができる。図5は、一実施形態による基材構造の光起電装置500の概略図、及び、その装置500の拡大図502である。この装置500は、互いに電気的に直列に結合された複数の光起電力電池504を含む。この電池504は、電池100図1に示されているに類似するものであってもよい。例えば、それぞれの電池504は、それぞれ、異なる波長スペクトル部分の光を吸収するタンデム型配置を有していてもよい。図1の概略図は、図5の線1-1に沿った装置500の横断面図である。装置500は、互いに電気的に直列に接続された多数の電池504を含んでいてもよい。単なる例として、装置500は、25個、50個、100個、又は、さらに多くの、互いに直接に接続された電池504を有していてもよい。最も外側の電池504のそれぞれは、複数のリード506、508の1つに電気的に接続されていてもよい。リード506及び508は、装置500の両側の端部510と512との間に延在する。リード506及び508は、外部の電気負荷542に接続される。装置500によって生じる電流は、外部の負荷542に流される。上述したように、電池504のそれぞれは、いくつかの層を含む。例えば、電池504のそれぞれは、基板102図1に示されているに類似した基板512、下部電極層112図1に示されているに類似した下部電極層514、半導体材料のタンデム型層スタック516、上部電極層112図1に示されているに類似した上部電極層518、直列シリコン層スタック516、上部電極層110図1に示されているに類似した上部電極層518、粘着層136図1に示されているに類似した粘着層520、及び、カバー層104図1に示されているに類似したカバー層522を含む。直列シリコン層スタック516は、装置500に入射する光の波長のスペクトルの異なる部分をそれぞれ吸収又は捕捉する活性シリコン層の上部と下部の接合体スタックを含んでいてもよい。例えば、タンデム型層スタック516は、上部活性シリコン層スタック106図1に示されているに類似した上部層スタック、及び、下部活性シリコン層スタック108図1に示されているに類似した下部層スタックを含んでいてもよい。タンデム型層スタック516中の上部層スタック及び下部層スタックは、中間反射層128図1に示されているに類似した中間反射層により、お互いに分離していてもよい。1つの電池504の上部電極層518は、近隣の又は隣接する電池100の下部電極層514と電気的に接続されている。上述したように、上部電極層518及び下部電極層514における電子及び正孔の集合は、電池504のそれぞれにおいて電位差を生じさせる。電池504における電位差は、装置500の複数の電池504にわたる累積的なものであろう。電子及び正孔は、1つの電池504の上部電極層518及び下部電極層514を通って、隣接する電池504の対向電極層518、514へ流れる。例えば、光がタンデム型層スタック516に当たったときに、第1の電池504の中の電子が下部電極層514に流れたならば、その電子は、次に、第1の電池504の下部電極層514を通って、第1の電池504に隣接する第2の電池504の上部電極層518へ流れる。同様に、正孔が第1の電池504の上部電極層518へ流れる場合には、その正孔は、第1の電池504の上部電極層518から第2の電池504の下部電極層514へ流れる。電流及び電圧は、上部電極層518及び下部電極層514を通った電子及び正孔の流れによって生じる。電流は外部荷重542に流れる。装置500は、2009年9月29日に提出されたモノリシック構造の統合されたソーラーモジュールMonolithicallyIntegratedSolarModule510出願と題された同時係属中の米国出願番号第12/569,510に記載されている1つ又はそれ以上の実施形態に類似した一体的に統合されたソーラーモジュールであってもよい。510出願の全開示内容は、参照として本明細書に組み込まれるものとする。例えば、装置500の中の下部電極層514及び上部電極層518の形状、並びに、タンデム型層スタック516を作るために、510出願に記載されているようなモノリシック構造の統合されたモジュールとして装置500を作成することができる。一実施形態において、下部電極層514の一部分は、下部分離ギャップ524を作るために除去される。下部電極層514の一部分は、下部電極層514に対してパターニング技術を使用して除去することができる。下部分離ギャップ524を作るために、例えば、下部電極層514において下部分離ギャップ524を削るレーザー光を使用することができる。下部分離ギャップ524を作るために下部電極層514の一部分を除去した後に、下部電極層514の残りの部分は、拡大図502の平面に対して横方向に延在する線形の細長片として配置される。タンデム型層スタック516は、タンデム型層スタック516が下部分離ギャップ524を埋めるように、下部電極層514の上に堆積させる。その後、タンデム型層スタック516の一部分を除去して、タンデム型層スタック516の中に中間層ギャップ526を設けるために、タンデム型層スタック516を、レーザー光線のようなエネルギーを集束させたビームに暴露させる。中間層ギャップ526は、隣接する電池504のタンデム型層スタック516を分離する。中間層ギャップ526を作るためにタンデム型層スタック516の一部分を除去した後に、タンデム型層スタック516の残りの部分は、拡大図502の平面に対して横方向に延在する直鎖細長片として配置される。上部電極層518は、タンデム型層スタック516に、及び、中間層ギャップ526における下部電極層514に堆積させる。一実施形態においては、反射防止AR効果が得られるように調節又は調整された厚さを有する、比較的薄い上部電極層518を堆積させることによって、装置500の変換効率を高めることができる。例えば、上部電極層518の厚さ538は、上部電極層518を通ってタンデム型層スタック516の中へ透過する可視光の量が増えるように調節することができる。上部電極層518を通って透過する可視光の量は、入射光の波長及び上部電極層518の厚さによって変化する。上部電極層518の厚さを、1つの波長の光は他の波長の光より多く上部電極層518を通って伝播するように定めることができる。単なる例として、上部電極層518は、約60ナノメートル~90ナノメートルの厚さで堆積させることができる。PV装置500により生じる全電力を高めることに関して、上部電極層518を薄くすることにより得られる反射防止効果により出力電力が増加するので、上部電極層518で生じることがあるエネルギー損失のすべてではないまでも、少なくとも一部のエネルギー損失を十分に打ち消すことができる。例えば、電池504により生じる光電流のI2R損失の内のいくらかは、上部電極層518の抵抗により、比較的薄い上部電極層518にて生じるかもしれない。しかし、光電流の量が増加するのは、上部電極層518を通り抜ける入射光の量を増加させる波長の入射光に基づいて定めた厚さの上部電極層518により生じた光電流だからかもしれない。光電流の量が増加するのは、上部電極層518を通り抜ける入射光の量が増えたことによる結果であろう。光電流の増加により、薄い上部電極層518の比較的高いシート抵抗によるI2R電力損失を克服又は補償することができる。単なる例として、タンデム型層スタック516中に1つの非晶質シリコン接合部層スタックと1つの微晶質シリコン接合部とを連続して積み重ねた電池504において、約1.25~1.5ボルトの出力電圧と、1平方センチメートル当たり約10~15ミリアンペアの範囲の電流密度を得ることができる。上部電極層518が比較的高いシート抵抗を持っていたとしても、電池504の幅540を増加することができるので、電池504の薄い上部電極層518でのI2R損失は十分小さくすることができる。例えば、上部電極層518のシート抵抗が、約15~30オーム/スクエア以上のように、10オーム/スクエア以上であっても、電池504の幅540が約0.4~1センチメートルに増やすことができる。装置500において電池504の幅540を制御することができるので、薄い上部電極層518の上部に導電グリッドを追加又は使用することなく、上部電極層518におけるI2R電力損失を低減することができる。上部電極層518の一部分は、上部電極層518の中に上部分離ギャップ528を作るために除去される。上部分離ギャップ528は、電池504に隣接する上部電極層518の一部を電気的に分離する。上部分離ギャップ528は、レーザー光のようなエネルギー収束ビームに上部電極層518を暴露することにより作ることができる。上部分離ギャップ528の近傍にあるタンデム型層スタック516の結晶化度を、エネルギー収束ビームにより局所的に増大させることができる。例えば、上部電極層518と下部電極層514との間に伸びる垂直部分530におけるタンデム型層スタック516の結晶化の割合を、エネルギー収束ビームに暴露することにより増大させることができる。加えて、エネルギー収束ビームにより、タンデム型層スタック516内のドーパントの拡散を生じさせることができる。タンデム型層スタック516の垂直部分530は、上部電極層518と下部電極層514との間で、かつ、上部電極層518の左端534の下部に配置される。図5に示すように、上部電極層518の各ギャップ528は、この左端534と隣の電池504における上部電極層518の右端で囲まれている。タンデム型層スタック516と垂直部分530の結晶化の割合は様々な方法によって測定することができる。例えば、タンデム型層スタック516と垂直部分530とにおける、結晶質材料に対する非晶質材料の相対的な体積の比較を得るために、例えば、ラマン分光法を使用することができる。試験を行うことが求められるタンデム型層スタック516及び垂直部分530の1つ以上を、例えば、レーザー装置からの単色光に暴露させることができる。タンデム型層スタック516及び垂直部分530の化学物質含有量及び結晶構造に応じて単色光が散乱することになる。光が散乱さするときに、光の周波数及び波長が変化する。例えば、散乱光の周波数がずれることがある。散乱光の周波数を測定及び分析する。散乱された光の強度及び/又は周波数のずれに基づいて、試験を行っているタンデム型層スタック516及び垂直部分530の非晶質材料及び結晶質材料の相対的な体積を決定することができる。これらの相対的な体積に基づいて、検査しているタンデム型層スタック516及び垂直部分530における結晶化の割合を測定することができる。タンデム型層スタック516及び垂直部分530のいくつかのサンプルを試験する場合には、この結晶化の割合は、測定したいくつかの結晶化の割合の平均値であってもよい。他の例において、タンデム型層スタック516及び垂直部分530の結晶化の割合を測定するために、複数層スタック516及び垂直部分530の1つ以上のTEM画像を得ることができる。検査しているタンデム型層スタック516及び垂直部分530の1枚以上の薄片を得る。各TEM画像中の結晶質材料を表す表面積の割合を各TEM画像について測定する。次に、検査しているタンデム型層スタック516及び垂直部分530における結晶化の割合を測定するために、TEM画像中のその結晶質材料の割合を平均化することができる。一実施形態において、タンデム型層スタック516の残りの部分と比較して高められた垂直部分530の結晶化度及び/又は拡散は、図5に示されている図形中のタンデム型層スタック516の厚さの端から端まで垂直に延在する内臓型バイパスダイオード532を形成する。例えば、垂直部分530の中のタンデム型層スタック516の結晶化の割合及び/又は相互拡散を、タンデム型層スタック516の残り部分における結晶化の割合及び/又は相互拡散より大きくすることができる。エネルギー集束ビームのエネルギー及びパルス幅の制御を通じて、個々の電池504において電気的短絡を生じさせることなく、個々の電池504のいたるところに、内臓型バイパスダイオード532を形成することができる。内臓型バイパスダイオード532は、装置500中の電池のいたるところに電気的バイパスを提供する。内臓型バイパスダイオード532がなければ、他の電池504が光に暴露されている間に、陰になっているか又はもはや光に暴露されていない電池504は、暴露されている電池504によって生じる電圧によって逆バイアスされる可能性がある。例えば、光に暴露された電池504によって生じる電圧は、陰になった電池504の上部電極層518及び下部電極層514において、陰になった電池504の両端で高まる可能性がある。結果として、陰になった電池504の温度が上昇し、その陰になった電池504の温度が著しく上昇する場合には、その陰になった電池504が永続的に破損及び/又は灰になってしまう可能性がある。加えて、内臓型バイパスダイオード532を具備しない陰になった電池504は、装置500全体で電圧又は電流が生じることを妨げる可能性がある。内臓型バイパスダイオード532により、光に暴露された電池504によって生じる電位は、陰になった電池504の上部分離ギャップ528の両端に形成されたバイパスダイオード532を通って、陰になった電池504を迂回することができる。タンデム型層スタック516の結晶化度が高められた部分530、び/又は、上部電極層518と複数層スタック516との間の複数層スタック516の部分530の高められた結晶化度、及び/又は、上部電極層518と複数層スタック516の中の部分530との間の相互拡散により、陰になった電池504が逆バイアスされたときに電流が通過するための経路ができる。例えば、バイパスダイオード532は、逆バイアスにおいて陰になった電池504の大部分よりも低い電気抵抗特性を有するので、陰になった電池504の両端の逆バイアスは、バイパスダイオード532を通って消散させることができる。内臓型バイパスダイオードの有無は、個々の電池504を遮光する前と後における装置500の電気出力を比較することによって判断することができる。例えば、装置500に光を当てて、装置500によって生じる電圧を測定する。1つ又はそれ以上の電池504を遮光しながら、残りの電池504に光を当てることができる。装置500は、リード506、508を連結することによって短絡させることができる。そして、1時間のような所定時間にわたって装置500を光に暴露することができる。その後、遮光した電池504と遮光しなかった電池504との両方に再度光を当てて、装置500によって生じる電位を測定する。電池504の遮光前後における電位差が約100ミリボルト以内である場合には、装置500が内臓型バイパスダイオード532を含んでいる可能性がある。あるいは、電池504を遮光した後の電位が電池504を遮光する前の電位より約200ミリボルト~1500ミリボルトぐらい低い場合には、装置500は、内臓型バイパスダイオード532を含んでいない可能性がある。他の実施形態において、特定の電池504が内臓型バイパスダイオード532を有するかどうかは、電池504を電気的に調べることによって判断することができる。光が当らなくて電池504が逆バイアスされたときに、その電池504が可逆的で非永続的なダイオード降伏を示す場合には、その電池504は、内臓型バイパスダイオード532を含む。例えば、光を当てずに約-5~-8ボルトの逆バイアスを電池504の上部電極層514及び下部電極層518の両端にかけたときに、電池504が平方センチメートル当たり約10ミリアンペアを超えるリーク電流を示す場合には、その電池504が内臓型バイパスダイオード532を含む。図6は、一実施形態による光起電力装置を製造するプロセス600のフローチャートである。602において基板を提供する。例えば、基板102図1に示されているのような基板を提供することができる。604において基板の上にテンプレート層を堆積させる。例えば、基板102の上にテンプレート層114図1に示されているを堆積させることができる。あるいは、プロセス600のフローは、光起電力装置がテンプレート層を含まないようにするように、経路606に沿って604を迂回することができる。608においてテンプレート層又は基板の上に下部電極層を堆積させる。例えば、テンプレート層114又は基材102の上に下部電極層112図1に示されているを堆積させることができる。610において、装置中の各電池の下部電極層を互いから分離するために、下部電極層の一部分を除去する。上述したように、レーザー光線のようなエネルギー集束ビームを使用して下部電極層の一部分を除去することができる。612において下部活性シリコン層スタックを堆積させる。例えば、下部電極層112図1に示されているの上に、下部層スタック108図1に示されているのようなシリコン層のN-I-P下部スタックを堆積させることができる。614において下部層スタックの上に中間反射層を堆積させる。例えば、下部層スタック106の上に中間反射層128図1に示されているを堆積させることができる。あるいは、プロセス600のフローは、614における中間反射層の堆積を経路616に沿って迂回する。618において中間反射層又は下部層スタックの上に、活性シリコン層スタックを堆積させることができる。例えば、一実施形態において、中間反射層128の上に上部層スタック106図1に示されているを堆積させる。あるいは、下部層スタックの上に、上部層スタック106を堆積させる。620において、装置中の隣接する電池の間において上部層スタック及び下部層スタックの一部分を除去する。例えば、上述したように、隣接する電池504図5に示されているの間において、上部層スタック106及び下部層スタック108図1に示されているの一部分を除去することができる。622において、上部層スタック及び下部層スタックの上に上部電極層を堆積させる。例えば、上部層スタック106及び下部層スタック108の上に上部電極層110図1に示されているを堆積させることができる。624において、上部電極層の一部分を除去する。例えば、装置500図5に示されている内の隣接する電池504の上層電極層110を互いから分離するために、上部電極層110の一部分を除去する。上述したように、上部電極層110の一部分を除去することによって、上部層スタック106内に内臓型バイパスダイオードを形成することができる。626において、装置内の最も外側の電池に導電リードを電気的に接続する。例えば、装置500図5に示されている内の最も外側の電池504図5に示されているとリード506、508図5に示されているを電気的に接続することができる。628において、上部電極層の上に粘着層を堆積させる。例えば、上部電極層110図1に示されているの上に粘着層136図1に示されているを堆積させることができる。630において、粘着層にカバー層を貼り付ける。例えば、粘着層136によって、カバー層104図1に示されているを、電池100図1に示されているの、内在する層及び構成材に連結することができる。632において、装置にジョイントボックスを取り付ける。例えば、装置500から1つ以上のコネクタへ電圧及び/又は電流を送るように構成されたジョイントボックスを、装置500に取り付けて電気的に接続することができる。図7は、光起電力装置700の概略図、及び他の実施形態による装置700の拡大図である。装置700は、相互に電気的に直列接続された複数の光起電力電池704を含む。電池704は、電池100及び/又は電池504図1および図5に示されているに類似するものとすることができる。例えば、各電池704は、各々異なるスペクトル波長部分の光を吸収する活性半導体層又は接合部である上部層スタック106及び下部層スタック108図1に示されているのタンデム型構成を有することができる。あるいは、各電池704は、光を吸収する単一の半導体層又は接合部を有することもできる。図1に示した概略説明図は、図7の線1-1に沿った断面図である。装置700は、相互に電気的に直列接続された多数の電池704を含む。単なる例として、装置700は、相互に直列接続された、25、又は50、又は100以上の電池704を有することができる。最も外側の電池704の各々に複数のリード線706、708の一方を電気的に接続することもできる。リード線706、708は、リード線506、508図5に示されているに類似したものであり、装置700の両端710、712間の、装置700の長さ方向724に平行な方向に伸びるものとすることができる。リード線706、708は、装置700の両端728、730に沿ってリード線706、708が伸びるように、装置700の幅方向726に沿って相互に分離されている。リード線706、708は、外部の電気負荷702に接続される。装置500で生じた電流は外部負荷542に流される。電池704には、光起電力装置700中に、相互に堆積方向732に積み重ねられたいくつかの層が含まれる。堆積方向732は、光起電力装置700中の種々の層又は構成要素が堆積される方向、及び/又は、光起電力装置700が受光する光の方向を表すことができる。図解した実施形態において、これらの層には、基板712、下部電極層714、半導体層716、上部電極層718、粘着層720、及びカバー層722が含まれる。基板712は、基板102図1に示されている、及び/又は、基板512図5に示されているに類似したものとすることができる。下部電極層714は、下部電極層112図1に示されている、及び/又は、下部電極層514図5に示されているに類似したものとすることができる。半導体層716は、直列シリコン層スタック516図5に示されているに類似したものとすることができる。あるいは、半導体層716は、は、層スタック516とは異なる数の層又は接合部を有することができ、及び/又は、層スタック516とは異なる半導体材料で形成することができる。上部電極層718は上部電極層110図1に示されている、及び/又は、上部電極層518図5に示されているに類似するものとすることができる。粘着層720は、粘着層136図1に示されている、及び/又は、粘着層520図5に示されているに類似するものとすることができる。カバー層722は、カバー層104図1に示されている、及び/又は、カバー層522図5に示されているに類似するものとすることができる。装置500図5に示されていると同様に、510出願に記載された実施形態の1つ以上と類似するモノリシック構造の統合されたソーラーモジュールとすることができる。例えば、下部電極層714、上部電極層718、及び半導体層716の形状を作るために、装置700は、510出願に記載されたモノリシック構造の統合されたソーラーモジュールとして製造することができる。一実施形態において、下部電極層714の一部は、下部電極層714内の下部分離ギャップ734を作り出すために取り除かれる。下部電極層714の一部は、下部電極層714にパターニング技法を用いて取り除くことができる。下部分離ギャップ734は、下部電極層714を相互に電気的に分離又は絶縁された部分に分割し、下部電極層714のこの部分は、各々異なる電池704に生じるようにすることができる。例えば、レーザー光を下部分離ギャップ734を作り出すために用いることができる。図解した実施形態において、下部電極層714の一部を取り除き下部分離ギャップ734を作り出した後、下部電極層714の残りの部分は、長さ方向724に平行な方向に伸びる直線状のストリップとして配置される。半導体層716は、図7に示すように、下部分離ギャップ734に半導体層716を満たすように下部電極層714の上に堆積させる。次いで、半導体層スタック716にスクライビング又はエッチングを行って、中間層分離ギャップ736を作り出す。中間層分離ギャップ736は、レーザー光のような、エネルギー集束ビームに半導体層スタック716を暴露することにより形成することができる。レーザー光は、光起電力装置716の、1以上の他の層又は構成要素より、半導体層スタック716に吸収される波長を有することができる。例えば、レーザー光の波長は355ナノメートル又は1064ナノメートルとすることができる。レーザー光により、半導体層スタック716の一部分を取り除き、半導体層スタック716を相互に分離された部分に分割し、半導体層スタック716のこの部分が、各々異なる電池704に現れるようにする。図解した実施形態において、半導体層スタック716の一部分を取り除き中間層分離ギャップ736を作り出した後、半導体層スタック716の残りの部分は、長さ方向724に平行な方向に伸びる直線状のストリップとして配置される。上部電極層718は、半導体層716上及び中間層ギャップ736内の下部電極層714上に堆積される。一実施形態において、上部電極層718の厚さ寸法738は、装置700が受光する入射光の1以上の波長に基づく。例えば、堆積方向732に平行な方向に測定した上部電極層718の厚さ寸法738は、半導体層716により吸収される光の波長に基づく。一実施形態において、半導体層716は、入射光の波長を吸収する1つ以上のエネルギーバンドギャップを有する1つ以上の薄膜を含む。結果として、厚さ寸法738は、半導体層716のバンドギャップに基づくことができる。上部電極層718は、図7に示すように上部電極層718が中間層分離ギャップ736を満たすように、半導体層716上に堆積させることができる。次いで、上部電極層718にスクライビング又はエッチングを行って、上部分離ギャップ740を作り出す。上部分離ギャップ740は、レーザー光のようなエネルギー集束ビームに上部電極層718を暴露することにより形成売ることができる。レーザー光により、上部電極層718の一部分を取り除き、上部電極層718を相互に分離された部分に分割し、上部電極層718のこの部分が、各々異なる電池704に現れるようにする。図解した実施形態において、上部電極層718の一部分を取り除き上部分離ギャップ740を作り出した後、上部電極層718の残りの部分は、長さ方向724に平行な方向に伸びる直線状のストリップとして配置される。粘着層720及びカバー層722は、図7に示すように、上部電極層718の上に用意される。図8は、一実施形態による光起電力装置700の1以上の分離ギャップ734、736、740図7に示されているを作り出すためのスクライビングシステム800の透視図である。スクライビングシステム800には、電源802と制御モジュール804とが含まれている。電源802は、エネルギー集束ビーム806を照射し、下部電極層714、半導体層716、及び/又は、上部電極層718の1以上の部分を取り除く。一実施形態において、電源802は、光起電力装置700に向けて、エネルギー集束ビーム806としてのレーザービームを照射するレーザー光源である。制御モジュール804は、電源802を制御することのできる装置である。例えば、制御モジュール804は、オペレーターからの入力を受け、電源802をオンオフし、及び/又は、少なくとも1つの電源802又は光起電力装置700を、相手方に対して相対的に動かす、コンピュータによる処理装置とすることができる。図8には、上部分離ギャップ740を作り出すために上部電極層718の一部を取り除くことが示されている。上部分離ギャップ740を作り出すために電源802は、エネルギー集束ビーム806を照射し、電源802又は光起電力装置700のうちの少なくとも1つは、相手方に対して相対的に動く。例えば、コンベア又は他の装置により、光起電力装置700を電源802に対して相対的に動かすことができる。光起電力装置700、及び/又は、電源802が相手方に対して相対的に動いている間、電源802は連続的にエネルギー集束ビーム806を照射することができる。電源802がエネルギーのビーム804を照射している間に、電源802、及び/又は、光起電力装置700が動くことより、上部電極層718中に連続的にスクライブライン808を形成することができる。スクライブライン808が、図7及び図8に示す上部分離ギャップ740を形成する。スクライブライン808が連続的にと称されるのは、一実施形態では、スクライブライン808が少なくとも一方向に伸びてゆくからである。例えば、スクライブライン808は、光起電力装置の後側712から光起電力装置700の前側710に、長さ方向724に概ね平行な方向に伸ばすことができる。あるいは、連続的なスクライブライン808は、前側710と後側712との間の短い距離に、及び/又は、異なる方向に、伸ばすことができる。他の実施形態において、スクライブライン808は不連続とすることができる。例えばスクライブライン808は、1つの側710から他の側712に引き伸ばさないことも可能であり、1つ以上の方向に伸ばさないようにすることもできる。図9は、一実施形態によるスクライビングシステム800の透視図である。上述のように、上部電極層718に上部分離ギャップ740に形成するクライブライン808を連続的に作り出すものとして、図8にスクライビングシステム800が示されている。レーザー光のようなエネルギー集束ビーム900を照射しスクライブマーク902を作り出すものとして、スクライビングシステム800が図9に示されている。スクライブライン808と同様に、電源802がエネルギーのビーム900を光起電力装置700に向けたときスクライブマーク902が形成される。連続的なスクライブライン808及び離散的なスクライブマーク902を形成するために用いるエネルギー集束ビーム806、900図8及び図9に示されているの波長又はエネルギー、お互いに同じとすることも異なるものとすることもできる。図9において、光起電力装置700の離散的な別々の領域を露出させ、スクライブマーク902を形成する、スクライビングシステム800が示されている。例えば、電源802は、電源802、及び/又は、光起電力装置700を相手方に対して相対的に動かすことなく、光起電力装置700に向けてエネルギー集束ビーム900を照射することができる。例えば、エネルギー集束ビーム806図8に示されているはスクライブライン808内の上部電極層718を取り除き、スクライブライン808内の半導体層716の直線状のストリップを露出させることができる。次いで、スクライビングシステム800は、エネルギー集束ビーム900を1つ以上の場所に照射し、スクライブマーク902を形成することができる。一実施形態において、電源802は、エネルギー集束ビーム900を光起電力装置700に向けて照射して第1のスクライブマーク902を形成し、次いで、1以上の電源802又は光起電力装置700が相手方に対して相対的に動き、電源802がエネルギー集束ビーム900を光起電力装置700に向けて照射して第2のスクライブマーク902を形成するなどして、図9に示すスクライブマーク902を形成する。スクライブマーク902は、離散的と称したのは、一実施形態において、スクライブマーク902が、長さ方向724に平行な方向に互いに別々となっているからである。例えば、長さ方向724に連続的に伸びるスクライブライン808とは対照的に、スクライブマーク902は、長さ方向724に連続的に伸びるものではなく、長さ方向724に互いに別々となっている。他の例において、スクライブライン808のそれぞれが幅方向726に平行な方向に相互に別々となっていて長さ方向724に伸びている一方、スクライブマーク902は、長さ方向724及び幅方向726の両方向で相互に別々となっている。図解した実施形態において、スクライブライン808は、スクライブライン808が、隣接する光起電力電池704との外縁を定める点で連続的である。例えば、スクライブライン808は、光起電力装置700の幅方向726に隣り合う光起電力電池704A及び704Bのような光起電力電池704同士の間に配置される。単一のスクライブライン808は、1つの実施形態において、隣り合う光起電力電池704同士を分離する。逆に、複数のスクライブマーク902を、隣り合う光起電力電池704同士の間に配置することができる。例えば、図解した実施形態において、5つのスクライブマーク902が光起電力電池704Aと704Bとの間に配置されている。あるいは、複数のスクライブライン808、及び/又は、単一のスクライブマーク902で隣り合う光起電力電池704同士を分離することもできる。図8及び図9に示したスクライブライン808及びスクライブマーク902の数は、例示のためのもので、本明細書に開示した実施の形態に示した数に限定するためのものではない。エネルギービーム900は、スクライブマーク902にある、及び/又は、その近傍にある半導体層716の結晶化度を増大させる。エネルギービーム900は、半導体層716の結晶質材料のレベル、量、パーセンテージ、割合を局所的に高めることができる。例えば、エネルギービーム900は、スクライブマーク902下の半導体層716の非晶質半導体材料を多結晶の、又は微晶質の、又はプロト結晶の材料に変換することができる。エネルギービーム900は、半導体層716を加熱することにより、半導体層716の結晶化度を増大することができ、それにより、半導体層716中の半導体材料の結晶化度を増大する。半導体層716の結晶化度を、概ね、半導体層716の上面904に露出したスクライブマーク902から、下部電極層716のような、半導体層716と半導体層716の下で露出している層との間の下部インターフェース906まで伸びている領域で増大させることができる。エネルギービーム900は、概ね、上面904のスクライブマーク902から下部インターフェース906まで伸びている領域で、ドーパントを拡散させることができる。例えば、半導体層716は、半導体薄膜のNIP接合部又はPIN接合部又はこれらの積層部を含むことができる。エネルギービーム900は、1つの実施の形態において、NIP接合部又はPIN接合部を加熱し、接合部のn-タイプドーパント及び/又はp-タイプドーパントを接合部の固有層又は固有膜に拡散させる。図10は、一実施形態による、光起電力装置700の図9に示した線10-10に沿った断面図である。以下に説明するように、スクライブライン808内の半導体層716に向けて照射されたエネルギー集束ビーム900図9に示されているは、半導体層716の結晶化度を増大させ、及び/又は、半導体層716内のドーパントを拡散させる。半導体層716での結晶化度の増大、及び/又は、ドーパントの拡散は、概ね、半導体層716の上面904のスクライブマーク902から、半導体層716の下部インターフェース906にまで堆積方向732に伸びる局所的な領域1000に生じる。図解した実施形態において、局所的な領域1000は、この局所的な領域1000及びその周辺で半導体層716の過熱が増大するので、少なくとも幅方向726では、スクライブマーク902、スクライブライン808、及び上部分離ギャップ740より少し幅が広くなっている。逆に、局所的な領域1000は、スクライブマーク902、スクライブライン808、及び/又は、上部分離ギャップ740と同じか又は狭い幅にすることもできる。局所的な領域1000は、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域よりも、結晶化度の量、割合、及びパーセンテージは大きい。例えば、局所的な領域1000の多結晶の、又は微晶質の、又はプロト結晶の量、割合、及びパーセンテージは、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域にある同じ材料の量、割合、及びパーセンテージよりも、5又は10又は15又は20又は25又は35又は50又は75又はそれ以上大きい。半導体層716の局所的な領域1000内に拡散されたドーパントは、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域内に拡散されたドーパントより多い。例えば、半導体層716の局所的な領域1000内のNIP接合部、及び/又は、PIN接合部の固有層にある、n-タイプドーパント、及び/又は、p-タイプドーパントの量は、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域内のn-タイプドーパント、及び/又は、p-タイプドーパントの量より、10倍又は100倍又は1000倍又はそれ以上大きい。局所的な領域1000の結晶化度は、種々の方法で測定することができる。例えば、ラマン分光法を、局所的な領域1000のサンプルと、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域内のサンプルとにおける、非晶質材料の結晶質材料に対する相対的体積を比較するために用いることができる。一実施形態において、レーザー光を局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域に向けて照射し、同一波長又は近似する波長の他のレーザー光を局所的な領域1000に向けて照射する。レーザー光は、エネルギー集束ビーム806、900図8及び図9に示されているよりエネルギー量が少なく、レーザー光は、半導体層716又は局所的な領域1000の結晶化度を顕著に増大させることはない。局所的な領域1000の外側と局所的な領域1000内の化学的組成及び結晶構造により、単色のレーザー光が散乱することがある。レーザー光が散乱するとき、レーザー光の周波数及び波長が変化する。例えば、散乱光の周波数がシフトすることがある。散乱光の周波数を測定し分析する。散乱光の強さ、及び/又は、散乱光の周波数のシフトに基づき、局所的な領域1000の外側と局所的な領域1000の内側の半導体層716の非晶質材料及び結晶質材料の相対的体積を測定することができる。これらの非晶質材料及び結晶質材料の相対的体積に基づいて、半導体層716と局所的な領域1000とでの結晶質の割合又はパーセンテージを測定する。他の例において、1つ以上のTEM画像により、局所的な領域1000のサンプルと局所的な領域1000の外側の半導体層716のサンプルとを取得して、半導体層716と局所的な領域1000とでの結晶質の割合を測定することができる。例えば、検査対象の半導体層716と局所的な領域1000の1以上のスライスを取得し、これらのサンプルのTEM画像を取得することができる。各TEM画像中で結晶質材料を表す表面領域のパーセンテージを各TEM画像について測定する。次いで、TEM画像中の結晶質材料のパーセンテージを平均し、半導体層716と局所的な領域1000とにおける結晶質の割合又はパーセンテージを測定する。半導体層716の局所的な領域1000内の結晶化度、及び/又は、ドーパントの拡散度を増大させることにより、半導体層716内に内臓型バイパスダイオード1002を形成する。バイパスダイオード1002は、図10の半導体層716の1つの局所的な領域1000に概略的に示されている。バイパスダイオード1002は、隣接する光起電力電池704の上部電極層718と下部電極層714の間に伸び、これらを電気的に接続する。内臓型バイパスダイオード1002が隣り合う光起電力電池704の間になかったとすると、光に暴露された光起電力電池704の間にあってこれらと電気的に直列に接続された陰になった光起電力電池704は、光に暴露された電池704により生じた電圧により逆バイアスされる可能性がある。例えば、図10において、概略的に示されたバイパスダイオード1002は光起電力電池704B内に設置されている。このバイパスダイオード1002は、光起電力電池704Bの下部電極層714と上部電極層718との間に伸びこれらに接続されている。バイパスダイオード1002は、光起電力電池704Bが逆バイアスされたとき、光起電力電池704Bをバイパスするために電流を流す経路となる。例えば、バイパスダイオード1002は、光起電力電池704Bの半導体層716を通り抜けないで、隣の光起電力電池704Aから光起電力電池704Cへの電流経路となる。動作時、光起電力電池704Bが陰になり、光起電力電池704A及び704Cが光に暴露された場合、逆バイアスが光起電力電池704Bに生じることがある。例えば、光起電力電池704Bの下部電極層714が光起電力電池704Aの上部電極層718に電気的に接続され、光起電力電池704Bの上部電極層718が光起電力電池704Cの下部電極層714に電気的に接続され接続されている。その結果、光起電力電池704A及び704Cで生じた電流により光起電力電池704Bの上部電極層718と下部電極層714との間に逆バイアスが生じる。バイパスダイオード1002は、バイパスダイオード1002の両端の逆バイアスがブレークダウン電圧を越えたとき、バイパスダイオード1002が導通状態となり、逆バイアスでバイパスダイオード1002に電流を流すような、ブレークダウン電圧を有する。バイパスダイオード1002は、局所的な領域1000には、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域よりも低い逆バイアス電圧で局所的な領域1000に電流を流すことができる。例えば、局所的な領域1000において、結晶化度を大きくすること、及び/又は、ドーパントの相互拡散により、逆バイアスされたとき、光起電力電池704内の局所的な領域1000の外側の半導体層716よりも、逆バイアスに対して低い電気抵抗特性を持つ経路ができる。一実施例において、バイパスダイオード1002にかかる逆バイアスがバイパスダイオード1002のブレークダウン電圧を越えた場合、光起電力電池704B内の下部電極層714から上部電極層716へまたはこの反対方向へ、電流がバイパスダイオード1002を通って流れることができる。結果として、光起電力電池704Bにより、光起電力電池704A及び704Cが光に暴露されたことにより生じた逆バイアスが、光起電力電池704Bの半導体層716をバイパスし、光起電力電池704Bの上部電極層716と下部電極層714との間に電流が流れることができるようにする。これにより、光起電力電池704Bを逆バイアスによる焼損又はその他の損傷から保護することができる。さらに、陰になった光起電力電池704は、光起電力装置に生じた電流を装置から取り出すのを別の形態で阻止するかもしれないが、1以上の光起電力電池704が陰になる一方他の光起電力電池704が光に暴露されたとき、このバイパスダイオード1002により、光起電力装置700は、発生した電流を外部負荷700に給電することができる。バイパスダイオード1002及び/又は局所的な領域1000の存在の有無は、個々の光起電力電池704を陰にする前と後での光起電力装置700の電気出力を比較することで判断することができる。例えば、光起電力装置700を光に暴露し光起電力装置700で発生する電流を測定する陰にする前の電流と称する。次いで、1つ以上の光起電力電池704を光の影にし、残りの光起電力電池704を光に暴露することができる。そして、リード線706、708図7に示されているを相互に電気的に接続することにより光起電力装置700を短絡することができる。次に、光起電力装置700を、1時間のような所定の時間光に暴露する。先に陰になっていた光起電力電池704は、他の光に暴露されていた光起電力電池704と共に、光に暴露され、光起電力装置700で発生した電流を再度測定する陰にした後の電流と称する。陰にする前の電流と陰にした後の電流とが、100ミリボルトのような所定の相互の閾値以内であれば、光起電力装置700には、1つ以上の内臓型バイパスダイオード1002及び/又は局所的な領域1000が含まれている可能性がある。逆に、陰にする前の電流と陰にした後の電流とが、所定の相互の閾値以内になければ、光起電力装置700には、バイパスダイオード1002及び/又は局所的な領域1000が含まれていない可能性がある。あるいは、所定の閾値は、10ミリボルト、1000ミリボルト、等々のような別の値とすることもできる。他の実施形態において、陰にした後の電流が陰にする前の電流より、200~1500ミリボルト低かったら、光起電力装置700には、バイパスダイオード1002及び/又は局所的な領域1000が含まれていない可能性がある。1以上の光起電力電池704にバイパスダイオード1002が存在するかどうかは光起電力電池704を電気的に調査することにより判断することができる。光起電力電池704が、光に暴露されないで逆バイアスされたとき光起電力電池704が、可逆的で一時的なダイオードの機能停止を示した場合、光起電力電池704には、バイパスダイオード1002が含まれている可能性がある。例えば、光起電力電池704が、光に暴露されないで光起電力電池704の上部電極層718と下部電極層714との間に約-5~-8ボルトの逆バイアスがかかったとき、1立方センチメーター当たり約10ミリアンペアより大きな漏れ電流を示した場合、光起電力電池704には、バイパスダイオード1002及び/又は局所的な領域1000が含まれている可能性がある。他の実施形態において、半導体層716内の局所的な領域1000は、エネルギー集束ビーム806図8に示されているにより形成することができ、エネルギー集束ビーム806はスクライブライン808を形成するためにも用いることができる。例えば、隣り合う光起電力電池704の間の上部電極層718にスクライブライン808を刻むエネルギー集束ビーム806は、スクライブライン808を作るために光起電力装置700にレーザー光のパルスを放射するピコ秒レーザーとすることができる。ピコ秒レーザーのパルスにより、半導体層716の領域を十分加熱して局所的な領域1000を形成することができる。局所的な領域1000には、スクライブライン808にあって、半導体層716の上部表面904とインターフェース906との間にある、半導体層716の領域を含むことができる。離散的な局所的な領域1000ではなく、エネルギービーム806により形成された局所的な領域1000は、スクライブライン808に類似する連続的及び/又は長く引き伸ばした領域としてもよい。エネルギービーム900図9に示されているのような追加のエネルギー集束ビームを半導体層716に照射し、局所的な領域1000内に結晶化度及び/又はドーパントの相互拡散をさらに増大させることができる。図11は、一実施形態による最初のエネルギー集束ビーム806図8に示されているに半導体層716図7に示されているを暴露した後形成されたバイパスダイオード1002図10に示されているのI-V曲線1100を示す。I-V曲線1100では、水平軸1102が電圧、すなわち、バイパスダイオード1002に加えたバイアスを示し、垂直軸1104がバイパスダイオード1002に流れる電流を示す。I-V曲線1100は、バイパスダイオード1002に流れる電流Iと、バイパスダイオード1002に加わる電圧又はバイアスVの変化との関係を示す。一実施形態において、I-V曲線1100は、バイパスダイオード1002図10に示されている流れる電流Iと、半導体層716図7に示されているが最初のエネルギー集束ビーム806図8に示されている暴露された後ではあるが、次のエネルギー集束ビーム900図9に示されているに半導体層716を暴露する前に隣接する光起電力電池704図7に示されているによりバイパスダイオード1002に加えられる逆バイアスとの関係を示す。図11に示す通り、I-V曲線1100は、バイパスダイオード1002の逆ブレークダウン電圧を示していない。例えば、I-V曲線1100では、バイパスダイオード1002に加わる逆バイアスの負の値が大きくなるになるにつれて、だんだん水平になってゆき水平軸1102と平行な関係に近づいてゆく。バイパスダイオード1002は、比較的大きな逆バイアスVでブレークダウン電圧を持つことがあるが、光起電力電池716内のバイパスダイオード1002及び/又は半導体層716はバイパスダイオード1002がブレークダウン電圧に到達する前に焼損する可能性がある。例えば、バイパスダイオード1002に加わる逆バイアスが大きくなりすぎて、バイパスダイオード1002を加熱しブレークダウン電圧に到達する前に焼損させてしまう可能性がある。バイパスダイオード1002は、局所的な領域1000図10に示されている内の結晶化度及び/又はドーパントの相互拡散が低すぎるために、比較的大きなブレークダウン電圧を有するかあるいはブレークダウン電圧を有しないことがある。その結果、最初のエネルギー集束ビーム900で形成されたバイパスダイオード1002は、バイパスダイオード1002に比較的大きな逆バイアスがかかったとき、半導体層716をバイパスして電流をバイパスダイオード1002に流すことができないかもしれない。図12は、一実施形態による、半導体層716図7に示されているを最初のエネルギー集束ビーム806及びそれに続くエネルギー集束ビーム900図8及び図9に示されているに暴露した後に形成されたバイパスダイオード1002図10に示されているのI-V曲線1200を示す。I-V曲線1100図11に示されていると同様に、I-V曲線1200では、水平軸1202が電圧、すなわち、バイパスダイオード1002に加えたバイアスを示し、垂直軸1204がバイパスダイオード1002に流れる電流を示す。一実施形態において、I-V曲線1200は、バイパスダイオード1002図10に示されているに流れる電流Iと、半導体層716図7に示されているが最初のエネルギー集束ビーム806及びそれに続くエネルギー集束ビーム900図8及び図9に示されているに暴露された後に隣接する光起電力電池704図7に示されているによりバイパスダイオード1002に加えられる逆バイアスとの関係を示す。図12に示すように、I-V曲線1200は、I-V曲線1200は、逆ブレークダウン電圧1206を有している。逆ブレークダウン電圧1206は、I-V曲線1200がさらに垂直になってきたときにバイパスダイオード1002に加えられる逆バイアスを示す。例えば、バイパスダイオード1002に流れる電流Iは、逆バイアスVの増加が比較的少ないのに対して比較的大きく増加する。バイパスダイオード1002を通って流れることができる電流Iは、バイパスダイオード1002に加えられる逆バイアスの負の値が大きくなったとき、著しく大きくなり、バイパスダイオード1002を含む光起電力電池704の半導体層716をバイパスして流れることができる。半導体層716を最初のエネルギー集束ビーム806及びそれに続くエネルギー集束ビーム900に暴露した後、バイパスダイオード1002は、バイパスダイオード1002に少しの逆バイアスがかかったときでも、バイパスダイオード1002を通って電流が半導体層716をバイパスすることができるようにする小さなブレークダウン電圧1206を有することができる。例えば、バイパスダイオード1002を含む局所的な領域1000は、局所的な領域1000の外側にある半導体層716の領域より小さなブレークダウン電圧1206を有することができる。図13は、一実施形態による、光起電力装置を製造するプロセス1300のフローチャートである。このプロセス1300は、光起電力装置100、500、又は700図1、図5、及び図7に示されているを提供するために用いられる。1302にて、基板が提供される。例えば、基板102図1に示されている、基板512図5に示されている、及び/又は、基板712図7に示されているが提供されてもよい。1304にて、テンプレート層を基板の上に堆積させる。例えば、テンプレート層134図1に示されているを基板102、512、712図1、図5、及び図7に示されているの上に堆積してもよい。あるいは、テンプレート層はなしとする。1306にて、下部電極層をテンプレート層又は基板の上に堆積させる。例えば、下部電極層132、514、又は714図1、図5、及び図7に示されているを直接テンプレート層134図1に示されているの上に堆積させることも、直接基板102、512、712図1、図5、及び図7に示されているの上に堆積させることも、テンプレート層134又は基板102、512、712の上に堆積させた他の層又は薄膜の上に堆積させることもできる。1308にて、下部電極層の一部を取り除く。例えば、スクライブライン808図1に示されているのようなスクライブラインを、下部電極層132、514、又は714図1、図5、及び図7に示されているに刻むことができる。スクライブラインは、下部電極層132、514、又は714を別々のセクションに分離する。各セクションは別々の光起電力電池100、504、704図1、図5、及び図7に示されているに位置している。一実施形態において、下部電極層132、514、714の一部分は、下部電極層132、514、714を、電源802図8に示されているからのエネルギービーム806図8に示されているのような、エネルギー集束ビームに暴露することすることで取り除かれる。あるいは、この部分は、化学エッチングのような他のプロセスを用いることにより取り除くことができる。1310にて、半導体層を下部電極層の上に堆積させる。例えば、1以上の半導体層又は半導体薄膜を下部電極層132、514、714図1、図5、及び図7に示されているの上に堆積させて、半導体層スタック108又は516図1及び図5に示されている又は半導体層716図7に示されているを形成することができる。上述の通り、下部電極層132、514、714の上に堆積させた半導体層には、上述したタンデム型構成のような、互いに積層させた1以上のNIP接合部又はPIN接合部を含むことができる。1312にて、半導体層の一部分を取り除く。例えば、スクライブライン808図8に示されているのようなスクライブラインを、半導体層スタック108又は516図1及び図5に示されている又は半導体層716図7に示されているに刻むことができる。スクライブラインは半導体層スタック108、516又は半導体層716を別々のセクションに分離する。各セクションは別々の光起電力電池100、504、704図1、図5、及び図7に示されているに位置している。一実施形態において、半導体層スタック108、516又は半導体層716の一部分は、半導体層スタック108、516又は半導体層716を、電源802図8に示されているからのエネルギービーム806図8に示されているのような、エネルギー集束ビームに暴露することで取り除かれる。あるいは、この部分は、化学エッチングのような他のプロセスを用いることにより取り除くことができる。1314にて、上部電極層を半導体層の上に堆積させる。例えば、上部電極層130、518、又は718図1、図5、及び図7に示されているを、1312にて堆積させた半導体層の上に堆積させることができる。1316にて、上部電極層の一部分を取り除く。例えば、スクライブライン808図8に示されているのようなスクライブラインを、上部電極層130、518、又は718図1、図5、及び図7に示されているに刻むことができる。スクライブラインは上部電極層130、518、又は718を別々のセクションに分離する。各セクションは別々の光起電力電池100、504、704図1、図5、及び図7に示されているに位置している。一実施形態において、上部電極層130、518、又は718の一部分は、上部電極層130、518、又は718を、電源802図8に示されているからのエネルギービーム806図8に示されているのような、エネルギー集束ビームに暴露することで取り除かれる。あるいは、この部分は、化学エッチングのような他のプロセスを用いることにより取り除くことができる。1318にて、1310にて堆積させた半導体層内の結晶化度及び/又はドーパントの相互拡散を増大させる。結晶化度及び/又はドーパントの相互拡散は、半導体層スタック108又は516図1及び図5に示されている又は半導体層716図7に示されているの局所的な領域1000図10に示されているのような、離散的な領域で増大させることができる。一実施形態において、半導体層スタック108又は516又は半導体層716の結晶化及び/又はドーパントの相互拡により、バイパスダイオード1002図10に示されているのような内臓型バイパスダイオードが形成される。1320にて、光起電力装置内の最も外側の光起電力電池に導電リードを電気的に接続する。例えば、光起電力装置500又は700図5及び図7に示されているの側面728、730図7に示されているに沿って、最も外側の光起電力電池504、704図5及び図7に示されているにリード線506、508及び/又はリード線706、708図5及び図7に示されているを電気的に接続することができる。リード線506、508のうちの1つ、又はリード線706、708のうちの1つを、最も外側の光起電力電池504、704うちの1つの上部電極層518、718図5及び図7に示されているに接続することができ、リード線506、508のうちの他方又はリード線706、708のうちの他方は、下部電極層514、714図5及び図7に示されているに接続することができる。1322にて、粘着層を上部電極層の上に堆積させる。例えば、粘着層136、520、又は720図1、図5、及び図7に示されているを上部電極層130、514、又は714図1、図5、及び図7に示されているの上に堆積させることができる。1324にて、カバー層を粘着層に取り付ける。例えば、カバー層104、522、又は722図1、図5、及び図7に示されているは、粘着層136、520、又は720図1、図5、及び図7に示されているに取り付けることができる。カバー層は、光を透過させることができ、入射光を光起電力装置100、500、700図1、図5、及び図7に示されているに導くことができるようにする。1326にて、接合部ボックスを装置に装備する。例えば、光起電力装置100、500、700図1、図5、及び図7に示されているからの電位及び/又は電流を取り出すように作られた接合部ボックスは、光起電力装置100、500、700といっしょになって、リード線506、508及び/又は706、708図5、及び図7に示されていると電気的に接続することができる。接合部ボックスは、光起電力装置100、500、700で生じた電流を外部負荷542、702図5、及び図7に示されているに流すコネクタ又はケーブルを受け入れ又は嵌合するように構成することができる。一実施形態において、光起電力装置は、基板と、該基板上に配置された下部電極層及び上部電極層と、該下部電極層と該上部電極層との間に配置された半導体層とを具備し、該半導体層は、入射光を吸収して該半導体層の電子を励起するものであり、該半導体層は、前記下部電極層と前記上部電極層との間にのびて該下部電極層と該上部電極層とを接続する内臓型バイパスダイオードを具備し、該バイパスダイオードは、前記下部電極層と前記上部電極層との間に逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って電流を流す。他の特徴として、バイパスダイオードは、前記半導体層の上面から該半導体層の反対側のインターフェースまで伸びている。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、上部電極層と下部電極層との間の半導体層に配置される。他の特徴として、前記バイパスダイオードを含む前記半導体層の局所的な領域では、該局所的な領域の外側の半導体層の領域よりも、結晶化度が高い。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、前記半導体層の領域よりも、ブレークダウン電圧が小さい。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、前記下部電極層から前記半導体層を通って、該半導体層で光を受け取り、前記上部電極層を部分に分割する光の方向に沿って、該半導体層上に配置されたスクライブラインへと伸びている。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、前記半導体層に代わって前記バイパスダイオードに電流を流す。他の実施形態において、光起電力装置の製造方法は、基板上に下部電極層、該下部電極層上に半導体層、該半導体層上に上部電極層を堆積するステップであって、該半導体層は、入射光を吸収して該半導体層の電子を励起するよう構成されていることを特徴とするステップと、内臓型バイパスダイオードを形成するために前記下部電極層と前記上部電極層との間の半導体層の結晶化度又はドーパントの拡散の少なくとも1つを増加させるステップとを具備し、該バイパスダイオードは、前記下部電極層と前記上部電極層との間に逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って電流を流すよう構成される。他の特徴として、前記増加させる動作は、前記半導体層をエネルギー集束ビームに前記半導体層を暴露するステップを具備する。他の特徴として、前記増加させる動作は、前記上部電極層を別々の部分に分割することも行うエネルギー集束ビームに暴露するステップを具備する。他の特徴として、前記増加させる動作は、前記上部電極層にスクライブラインを形成し、エネルギー集束ビームを該スクライブライン内の半導体層に導くステップを具備する。他の特徴として、前記スクライブラインは、前記上部電極層を別々の部分に分割し、前記エネルギー集束ビームを間隙を介して別々に分けられた半導体層の別個のスクライブマークに導く、長く伸ばした線として形成される。他の特徴として、前記増加させる動作は、前記半導体層を複数のレーザー光に暴露するステップを具備する。他の特徴として、前記増加させる動作は、前記半導体層の局所的な領域内の結晶化度又はドーパントの拡散の少なくとも1つを増大させる最初のエネルギー集束ビームに、前記半導体層を暴露し、該局所的な領域内の結晶化度又はドーパントの拡散の少なくとも1つをさらに増大させる次のエネルギー集束ビームに、前記半導体層を暴露するステップを具備する。他の特徴として、前記増加させる動作は、第1のエネルギー集束ビームに前記半導体層を暴露することで該半導体層内に前記バイパスダイオードを形成し、第2のエネルギー集束ビームに該半導体層を暴露することで前記バイパスダイオードの逆ブレークダウン電圧を減少させるステップを具備する。他の実施形態において、光起電力装置は、基板と、該基板上に光起電力電池が入射光を受ける方向に配置され、電気的に接続された複数の光起電力電池であって、該光起電力電池は該光起電力電池が受けた光に基づいて電流を生じさせることを特徴とする光起電力電池とを具備し、該光起電力電池の各々は、前記基板上に配置された下部電極層及び上部電極層と、該下部電極層と該上部電極層との間に配置された半導体層であって、該半導体層は前記光を吸収して該半導体層の電子を励起することを特徴とする半導体層とを具備し、前記光起電力電池の少なくとも1つの半導体層は、前記光起電力電池の少なくとも1つの下部電極層と上部電極層との間にのびて該下部電極層と該上部電極層とを接続する内臓型バイパスダイオードを具備し、該バイパスダイオードは、前記光起電力電池の少なくとも1つに逆バイアスが加わったとき、該バイパスダイオードを通って該光起電力電池の近傍にある光起電力電池の間に電流を流す。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、前記上部電極層と下部電極層との間の少なくとも1つの光起電力電池の半導体層の内部に設置される。他の特徴として、前記バイパスダイオードを含む前記少なくとも1つの光起電力電池の半導体層の局所的な領域には、局所的な領域の外側の半導体層の領域より大きな結晶化度を有する前記バイパスダイオードが含まれる。他の特徴として、前記光起電力電池の前記上部電極層は、スクライブラインにより分割され、前記バイパスダイオードは、該スクライブラインから少なくとも1つの前記光起電力電池内の前記半導体層の前記下部電極層に伸びている。他の特徴として、前記バイパスダイオードは、前記少なくとも1つの前記光起電力電池の前記半導体層に代わって前記バイパスダイオードに電流を流す。上記説明が例示的であって限定的でないように意図されていることは理解されるであろう。例えば、上記実施形態又はその態様を互いに組み合わせて使用してもよい。さらに、特定の状況又は材料を、保護対象の教示に適合させるために、その範囲から外ることれなく数多くの変形を行うことができる。寸法、材料の種類、様々な構成要素の方向、並びに、ここに記載されている様々な構成要素の数及び位置は、特定の実施形態のパラメータを定義するように意図されており、決して限定なものではなく、例示的実施形態に過ぎない。特許請求の範囲の精神及び範囲の内の他の多数の実施形態及び修正は、上記説明を参照した当業者に明らかであろう。したがって、本明細書に記載されている保護対象の範囲は、そのような特許請求の範囲に付与される均等物の全範囲と共に、添付された特許請求の範囲を参照して決定されるべきである。添付されている特許請求の範囲において、含むincluding及びここでinwhichという用語は、含むcomprising及びそこにおいてwhereinという各用語の平易な英語の同義語として使用されている。さらに、以下の特許請求の範囲において、第1のfirst、第2のsecond及び第3のthirdなどの用語は、単なるラベルとして使用されており、それらの対象物に数の要件を課すようには意図されていない。さらに、添付の特許請求の範囲はミーンズプラスファンクション形式で書かれてはおらず、特許請求の範囲が特に構成が不明確な機能の記載に続いて手段の語を明らかに用いていない限り、米国特許法35USC§112第6段落に基づいて解釈されることを意図するものではない。"