円筒形回転式マグネトロンにおいて使用するための磁気アセンブリであって、前記磁気アセンブリの中心部分に向かって配置されている第1の磁石であって、前記第1の磁石は、第1の磁気配向を有する、第1の磁石と、前記磁気アセンブリの外側部分に向かって配置されている第2の磁石であって、前記第2の磁石は、前記第1の磁気配向と反対の第2の磁気配向を有する、第2の磁石と、前記第1の磁石と前記第2の磁石との間における1つ以上の電磁コイルとを備え、前記1つ以上の電磁コイルは、1つ以上の磁極片の周囲に巻かれ、前記1つ以上の電磁コイルは、前記第1および第2の磁気配向の一方と平行であり、かつ、前記第1および第2の磁気配向のうちの他方と反対である第3の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている、磁気アセンブリ。前記1つ以上の電磁コイルは、前記磁気アセンブリの端部部分に配置されている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記1つ以上の電磁コイルは、前記磁気アセンブリの各端部において、スパッタリング経路に沿って略湾曲様式で配置されている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第1の磁気配向と前記第3の磁気配向とは、平行である、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第2の磁気配向と前記第3の磁気配向とは、平行である、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第1の磁石は、複数の磁石を備えている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第2の磁石は、複数の磁石を備えている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記1つ以上の磁極片の上部に配置されている1つ以上の磁場成形磁極片をさらに備えている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第1および第2の磁石のうちの1つ以上は、永久磁石である、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第2の磁石は、前記第1の磁石の少なくとも一部を囲む、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第1の磁石は、前記第1の磁石の幅より大きい長さを有する、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記第2の磁石は、前記第2の磁石の幅より大きい長さを有する、請求項1に記載の磁気アセンブリ。前記磁気アセンブリは、前記磁気アセンブリの各端部に5つ以上の電磁コイルを備えている、請求項1に記載の磁気アセンブリ。円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置であって、第1の磁石と第2の磁石との間に1つ以上の電磁コイルを有する磁気アセンブリであって、前記1つ以上の電磁コイルは、前記第1および第2の磁石のうちの一方の磁気配向に平行であって、前記第1および第2の磁石のうちの他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている、磁気アセンブリと、前記1つ以上の電磁コイルと電気接触している1つ以上の絶縁ワイヤであって、前記1つ以上の絶縁ワイヤは、電流を前記1つ以上の電磁コイルに提供するように構成されている、1つ以上の絶縁ワイヤと、前記磁気アセンブリを格納するための支持管とを備え、前記支持管は、標的材料を保持するように構成され、前記支持管は、前記磁気アセンブリが静止したままで回転するように構成されている、装置。円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスであって、第1のセットの電磁コイルおよび第2のセットの電磁コイルを有している磁気アセンブリであって、前記第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、第1の磁石と第2の磁石との間に配置され、前記第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、前記第1および第2の磁石のうちの一方の磁気配向に平行であり、かつ、前記第1および第2の磁石のうちの他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている、磁気アセンブリと、前記第1および第2のセットの電磁コイルと電気接触している1つ以上の絶縁ワイヤであって、前記1つ以上の絶縁ワイヤは、電流を前記第1および第2のセットの電磁コイルの各々に提供するように構成されている、1つ以上の絶縁ワイヤと、前記磁気アセンブリを格納するための支持管とを備え、前記支持管は、標的材料を保持するように構成されている、デバイス。前記支持管は、前記磁気アセンブリが静止したままで回転するように構成されている、請求項15に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。複数の絶縁ワイヤをさらに備え、第1のサブセットの複数の絶縁ワイヤは、前記第1のセットの電磁コイルと電気接触し、第2のサブセットの複数の絶縁ワイヤは、前記第2のセットの電磁コイルと電気接触している、請求項15に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。前記第1のサブセットおよび前記第2のサブセットの複数の絶縁ワイヤの各々は、別個の電源と電気接触している、請求項17に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。前記1つ以上の絶縁ワイヤは、前記第1および第2のセットの電磁コイルに並列に別個に接続されている一対のワイヤを含む、請求項15に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。前記1つ以上の絶縁ワイヤは、対のワイヤを含み、前記対のワイヤの各々は、前記第1のセットおよび第2のセットの電磁コイルのうちの1つに接続されている、請求項15に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。前記対のワイヤの各々は、別個の電源と電気接触している、請求項20に記載の円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイス。本発明の一側面では、標的材料の早過ぎる溶け落ちを防止する回転式マグネトロンスパッタリングデバイスおよび方法が、提供される。実施形態では、任意の物理的可動部品を利用しない回転式マグネトロンスパッタリングデバイスが、提供される。本発明のある側面では、円筒形回転式マグネトロンにおいて使用するための磁気アセンブリが提供される。磁気アセンブリは、磁気アセンブリの中心部分に向かって配置され、第1の磁気配向を有する第1の磁石を備えている。磁気アセンブリはさらに、磁気アセンブリの外側部分に向かって配置され、第1の磁気配向と反対の第2の磁気配向を有する第2の磁石を備えている。磁気アセンブリはさらに、第1の磁石と第2の磁石との間にあり、1つ以上の磁極片の周囲に巻かれている1つ以上の電磁コイルを備えている。1つ以上の電磁コイルは、第1および第2の磁気配向のうちの一方に平行であり、第1および第2の磁気配向のうちの他方に反対の第3の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている。本発明の別の側面では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置が提供される。円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置は、第1の磁石と第2の磁石との間に、第1および第2の磁石の一方の磁気配向に平行であり、かつ、第1および第2の磁石の他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている1つ以上の電磁コイルを有する磁気アセンブリを備えている。円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置はさらに、1つ以上の電磁コイルと電気接触し、電流を1つ以上の電磁コイルに提供するように構成されている1つ以上の絶縁ワイヤを備えている。円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置はさらに、磁気アセンブリを格納し、標的材料を保持するように構成されている支持管を備えている。支持管は、磁気アセンブリが静止したままで回転するように構成されている。本発明の別の側面では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスが、提供される。円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスは、磁気アセンブリを備え、磁気アセンブリは、第1のセットの電磁コイルおよび第2のセットの電磁コイルを有し、第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、第1の磁石と第2の磁石との間に配置され、第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、第1および第2の磁石の一方の磁気配向に平行であり、かつ、第1および第2の磁石の他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている。円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスはさらに、第1および第2のセットの電磁コイルと電気接触し、電流を第1および第2のセットの電磁コイルそれぞれに提供するように構成されている1つ以上の絶縁ワイヤを備えている。円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスはさらに、磁気アセンブリを格納し、標的材料を保持するように構成されている支持管を備えている。本発明の種々の目的、特徴、および利点は、図面のいくつかの図中に例証される、好ましい実施形態の以下の発明を実施するための形態を熟読後、当業者に明白となるであろう。参照による引用本明細書に記載されるすべての刊行物、特許、および特許出願は、各個々の刊行物、特許、または特許出願が、参照することによって組み込まれるように具体的かつ個々に示される場合と同様に、参照することによって、本明細書に組み込まれる。本発明の新規特徴は、添付の請求項において、特異点とともに記載される。本発明の特徴および利点のさらなる理解は、本発明の原理が利用される、例証的実施形態を記載する、以下の発明を実施するための形態と、必ずしも、正確な縮尺で描かれていない、付随の図面を参照することによって得られるであろう。本発明の好ましい実施形態が、本明細書に図示および説明されるが、そのような実施形態は、一例として提供されているに過ぎないことは、当業者には明白となるであろう。ここで、多数の変形例、変更、および代用が、本発明から逸脱することなく、当業者に想起されるであろう。本発明を実践する際、本明細書に説明される本発明の実施形態の種々の代替を採用することができることを理解されたい。本発明の側面では、マグネトロンスパッタリングデバイスおよび方法が、提供される。本発明の実施形態のマグネトロンスパッタリングデバイスは、特定の標的材料の蒸着が所望される材料を有する超高真空UHVチャンバを含む物理気相成長PVDシステムと動作するように構成されている。実施形態では、標的材料の早過ぎる溶け落ちを防止するための円筒形回転式マグネトロンが提供される。種々の実施形態では、任意の物理的可動部品を利用しない、早過ぎる溶け落ちに対する解決策が提供される。本発明の実施形態の方法およびデバイスは、標的にわたって、均一スパッタリング速度を提供することによって、標的溶け落ちを排除しないまでも、低減させる。ある実施形態では、これは、他よりある場所において高速であるスパッタリング速度を提供することによって、達成される。例えば、標的の端部から離れたスパッタリング速度は、より高速であり、したがって、標的にわたって、略均一または実質的に均一スパッタリングを提供することができる。本発明の実施形態の方法およびシステムは、現在のマグネトロンスパッタリングシステムおよび方法と関連付けられた問題が存在するという認識に基づく。現在のシステムおよび方法に関する問題の1つは、スパッタリングの間、標的が、他よりある点例えば、端部において、より急速に枯渇し、いわゆる溶け落ち問題をもたらすことである。これは、高処理コストをもたらし得る。実施形態では、非機械的マグネトロンスパッタリング装置および方法が、提供される。本発明の実施形態の装置および方法は、現在のマグネトロンスパッタリング装置および方法と関連付けられた溶け落ち問題を排除しないまでも、低減させる。マグネトロンスパッタリング装置本発明のある側面では、マグネトロンスパッタリング装置が、提供される。実施形態では、マグネトロンスパッタリング装置は、磁気アセンブリを含む。実施形態では、磁気アセンブリは、円筒形回転式マグネトロン等の回転式マグネトロンにおいて使用するために構成されている。ある実施形態では、マグネトロンスパッタリング装置の磁気アセンブリは、磁気アセンブリの中心部分に向かって配置され、第1の磁気配向を有する第1の磁石を備えている。磁気アセンブリはさらに、磁気アセンブリの外側部分に向かって配置され、第1の磁気配向と反対の第2の磁気配向を有する第2の磁石を備えている。磁気アセンブリはさらに、第1と第2の磁石との間に1つ以上の電磁コイルまた、本明細書では、電気コイルと称されるを備えている。実施形態では、1つ以上の電磁コイルが、1つ以上の磁極片の周囲に巻かれている。1つ以上の電磁コイルは、好ましくは、第1および第2の磁気配向のうちの一方に平行であり、第1および第2の磁気配向のうちの他方に反対または、逆平行または反転平行の第3の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている。実施形態では、電磁コイルまた、本明細書では、コイルと称されるは、導体から形成することができる。実施形態では、コイルは、銅Cu等の1つ以上の電気的に伝導性金属から形成することができる。ある実施形態では、コイルは、絶縁されたCuワイヤから形成することができる。実施形態では、伝導性ワイヤを磁極片または、コアの周囲に巻くことは、伝導性ワイヤを通る電流例えば、DC電流に応じて、磁または、電磁場を産生するように構成されている誘導子または電磁石を提供する。ある実施形態では、磁気アセンブリはさらに、1つ以上の磁極片の上部に配置されている1つ以上の磁場成形磁極片を備えている。磁場成形磁極片は、所定の形状を有する、正味磁場を産生するように構成することができる。ある実施形態では、1つ以上の電磁コイルは、磁気アセンブリの端部部分に配置されている。ある実施形態では、1つ以上の電磁コイルは、磁気アセンブリの各端部において、スパッタリング経路に沿って、略湾曲様式に配置されている。別の実施形態では、1つ以上の電磁コイルは、磁気アセンブリの各端部において、スパッタリング経路に沿って、実質的に湾曲様式に配置されている。ある実施形態では、磁気アセンブリは、磁気アセンブリの幅より長い長さを有する。そのような場合、磁気アセンブリは、円筒形または略円筒形である。ある実施形態では、磁気アセンブリの第1および第3の磁気配向は、平行である。別の実施形態では、第2および第3の磁気配向は、平行である。ある実施形態では、磁気アセンブリの第1の磁石は、複数の磁石を備えている。そのような場合、複数の磁石は、所定の磁場を産生するように配置することができる。別の実施形態では、磁気アセンブリの第2の磁石は、複数の磁石を備えている。実施形態では、第1および第2の磁石のうちの1つ以上は、永久磁石である。ある実施形態では、第2の磁石は、第1の磁石の少なくとも一部を囲む。好ましい実施形態では、第2の磁石は、第1の磁石全体を囲む。ある実施形態では、第1の磁石は、第1の磁石の幅より大きい長さを有する。実施形態では、第1および第2の磁石は、個々のより小さい磁石から成ることができる。ある実施形態では、個々の磁石は、長さ約0.5インチから2インチ、幅約0.1インチから1インチであることができる。ある実施形態では、個々の磁石は、長さ約1インチおよび幅約0.5インチ未満を有することができる。ある実施形態では、磁気アセンブリは、各端部に、1つ以上の電磁コイル、2つ以上の電磁コイル、3つ以上の電磁コイル、4つ以上の電磁コイル、5つ以上の電磁コイル、6つ以上の電磁コイル、7つ以上の電磁コイル、8つ以上の電磁コイル、9つ以上の電磁コイル、10以上の電磁コイル、11以上の電磁コイル、12以上の電磁コイル、13以上の電磁コイル、14以上の電磁コイル、15以上の電磁コイル、16以上の電磁コイル、17以上の電磁コイル、18以上の電磁コイル、19以上の電磁コイル、20以上の電磁コイル、または30以上の電磁コイルを備えている。実施形態では、回転式マグネトロンスパッタリング装置または、デバイスは、第1の磁石と第2の磁石との間に1つ以上の電磁コイルを備えている磁気アセンブリを有するように提供される。ある実施形態では、回転式マグネトロンスパッタリング装置は、回転式マグネトロンスパッタリング装置の少なくとも1つの断面に沿って円筒形であり、その場合、回転式マグネトロンスパッタリング装置は、円筒形回転式マグネトロンスパッタリング装置と称される。ある実施形態では、第1および第2の磁石の一方または両方とも、永久磁石であることができる。実施形態では、1つ以上の電磁コイルは、好ましくは、第1および第2の磁石の一方の磁気配向に平行であり、第1および第2の磁石の他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている。実施形態では、磁気アセンブリはさらに、1つ以上の電磁コイルと電気接触また、本明細書では、電気的接触と称されるする1つ以上の絶縁ワイヤを備えている。1つ以上の絶縁ワイヤは、電流を1つ以上の電磁コイルに提供するように構成されている。ある実施形態では、1つ以上の絶縁ワイヤは、直流DC電源等の1つ以上の電源と電気連通する。ある実施形態では、磁気アセンブリはさらに、磁気アセンブリを格納し、標的材料を保持するように構成されている支持管を備えている。ある実施形態では、支持管は、磁気アセンブリが静止したまま回転するように構成されている。実施形態では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスは、第1のセットの電磁コイルおよび第2のセットの電磁コイルを有する、磁気アセンブリを備えている。第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、第1の磁石と第2の磁石との間に配置されている。ある実施形態では、第1および第2の磁石の一方または両方とも、永久磁石であることができる。実施形態では、第1および第2のセットの電磁コイルの各々は、第1および第2の磁石の一方の磁気配向に平行であり、第1および第2の磁石の他方の磁気配向と反対の磁気配向を有する磁場を提供するように構成されている。円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスはさらに、第1および第2のセットの電磁コイルと電気接触する1つ以上の絶縁ワイヤを備えている。1つ以上の絶縁ワイヤは、電流を第1および第2のセットの電磁コイルの各々に提供するように構成されている。ある実施形態では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスはさらに、磁気アセンブリを格納するための支持管を備えている。支持管は、標的材料を保持するように構成されている。ある実施形態では、支持管は、磁気アセンブリが静止したまま回転するように構成されている。ある実施形態では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスはさらに、複数の絶縁ワイヤを備えている。第1のサブセットの複数の絶縁ワイヤは、第1のセットの電磁コイルと電気接触することができる。第2のサブセットの複数の絶縁ワイヤは、第2のセットの電磁コイルと電気接触することができる。ある実施形態では、第1のサブセットおよび第2のサブセットの複数の絶縁ワイヤの各々は、別個の電源と電気接触することができる。代替実施形態では、第1のサブセットおよび第2のサブセットの複数の絶縁ワイヤは、同一電源と電気接触することができる。ある実施形態では、円筒形回転式マグネトロンスパッタリングデバイスの1つ以上の絶縁ワイヤは、第1および第2のセットの電磁コイルに並列に、別個に接続されている一対のワイヤを含むことができる。別の実施形態では、1つ以上の絶縁ワイヤは、対のワイヤを含むことができ、対のワイヤの各々は、第1のセットおよび第2のセットの電磁コイルのうちの1つに接続される。ある実施形態では、対のワイヤの各々は、別個の電源と電気接触することができる。図6を参照すると、ある実施形態では、マグネトロンスパッタリング装置または、デバイスが、示される。マグネトロンスパッタリング装置は、それぞれ、透過性磁極片16aおよび16bで冠着される、永久磁石14aおよび14b、すなわち、中心極および外側極を含む。実施形態では、スパッタリング装置は、高透過性磁極片17の周囲に円周方向に巻かれている、単一電磁コイルまた、本明細書では、コイルと称される15を含む。中心極14aおよび外側極14bの磁気配向は、矢印によって示されるように、反対の磁気向きに配向される。図6の例証される実施形態では、Aragonの2つの中心コイル43および44ならびにその関連付けられた磁極片は、単一コイル15で置換される。図6を継続して参照すると、ある実施形態では、磁極片17は、単一コイル15を通る電流例えば、直流に応じて産生される、磁場を集結するのに有用である。ある実施形態では、磁極片17の高さは、総磁場強度を調節するように可変であることができる。ある実施形態では、磁極片17の高さは、所望または、所定の磁場強度を提供するように、選択することができる。ある実施形態では、該高さは、利用可能な磁場強度を最も効率的に利用するために、永久磁石14aおよび14bならびに磁極片と略同一であることができる。図6を継続して参照すると、ある実施形態では、永久磁石14aに対して、反対の向きまたは、配向を有するように、永久磁石14bを配向することは、永久磁石14aからの磁力線17aを外側極14bを通る閉鎖経路へと向かわせる。しかしながら、コイル15を通るDC電流の方向に応じて、磁極片17内の組み合わせられた磁場およびコイル15自体からの磁場の誘発される方向は、極14aおよび極14bの一方の磁場の方向に一致し、極14aおよび極14bの他方に反対となるように、変更することができる。例証される実施形態では、磁極片17内の磁場の方向は、磁極片17から広がる磁力線17bも14bにおける閉鎖に向かい得るように、中心極14a内のものと一致するかつ、外側極14b内の磁力線と反対となる。これは、磁場の中心が、その中心位置から離れ、最大スパッタリング速度が生じ得る新しい位置18へと歪められるようにする。代替実施形態では図示せず、コイル15内の電流の方向は、磁極片17内の組み合わせられた磁場の誘発された方向が、外側極14bのものと平行であり、極14aの磁場方向と反対となるように、逆にすることができる。そのような場合、最大スパッタリング速度の位置は、磁極片17の他側に移動することができる。実施形態では、コイル15を通る電流の方向を変更することによって、最大スパッタリングの位置は、任意に選択することができる、印加されるDC電流の交互する頻度に等しい速度において、磁極片17およびコイル15のいずれの側にも掃引することができる。ある実施形態では、DC電流は、基板が蒸着チャンバを通過する時間にわたって、蒸着を平均化するように選択される頻度において、交互にされる。本新しい配置もまた、通常の円形平面マグネトロンの標的利用を改善するであろうが、静止円形基板上に蒸着されるコーティングの均一性は、もとの反転磁場の実施形態ほど良好ではないであろう。図7を参照すると、本発明のある実施形態による、円形平面マグネトロンスパッタリング装置の上面図が、描写されている。円形マグネトロンの別個の半区画が、示されており、各半体は、円筒形回転式マグネトロンの磁気アセンブリの任意に長い直線区分の端部に取り付けられる。図6は、図7の右下に示される半区画の断面側面図である。図7の円形マグネトロンは、磁石5を含む。ある実施形態では、磁石5は、図1の図1aおよび1bに示されるものと同一であることができ、他の要素は、図6のものと一致するように標識される。当業者は、コイル15が半分に切断された場合、これが電流を防止するであろうため、磁場および、後続スパッタリングを生成することができないことを理解するであろう。図8を参照すると、本発明のある実施形態による、図6の円形平面設計と同一磁場切替機能を達成するであろう、円筒形回転式マグネトロン磁気アセンブリの端部のための構造が、示される。磁気アセンブリ8aは、図1の図1bに説明されるものに類似し得るが、コイル22を伴う磁極片21が、折り返し領域内のスパッタリング経路10に沿って、追加される。ある実施形態では、コイル22は、磁極片21の周囲に巻かれている。実施形態では、磁極片21の各々は、磁場を生成するように構成されている。ある実施形態では、磁極片21の各々は、図6の磁極片17のように機能することができる。磁極片およびコイルの数ならびにサイズは、円形平面例から導出された略半円形幾何学形状を達成するために、磁気アセンブリの端部区分の幾何学形状に最良適合するように調節され得る。例えば、アセンブリが、アセンブリ8bに示されるように、より広い場合、中心磁極片24は、他の磁極片に対して、より長く作製され得る。代替として、中心磁極片24は、2つのより短い磁極片から作製することができる。いずれの場合も、好ましい実施形態では、コイルはすべて、直流の印加に応じて、磁極片21から結果として生じた磁場ベクトルが、互に平行であるように、矢印25に示されるものと同一向きに巻かれているべきである。ある実施形態では、磁極片21は、電流源への配線を簡略化するために、直列に、電気的に接続することができる。ある実施形態では、直列接続によって、全5つのコイルは、単一対のワイヤによって、便利に給電されることができる。コイルが、独立であり、いくつかのセットのワイヤによって給電される場合、全コイルを通る電流は、適切な磁場を産生するように、同一方向にあり得る。ある実施形態では図示せず、磁場をさらに平滑化および成形するために、随意の連続湾曲磁極片を、コイルの上部上部磁極片、コイルの下底面磁極片、または両方に追加することができる。上部および/または底面磁極片は、永久磁場形状を提供することができ、該形状は、正確にコイルの区分的パターンに従う必要はない。実施形態では、磁気アセンブリは、各端部に、1つ以上、または2つ以上、または3つ以上、または4つ以上、または5つ以上、または6つ以上、または7つ以上、または8つ以上、または9つ以上、または10以上、または15以上、または20以上の磁極片を備えていることができる。図8の例証される実施形態では、磁気アセンブリは、磁気アセンブリの各端部部分に、5つの磁極片21およびコイル22を備えている。本発明の実施形態の磁気アセンブリおよび、マグネトロンは、2つの端部また、本明細書では、端部部分と称されるを有する。ある実施形態では、磁極片21は、中心磁石5に関連して、円周方向に配置することができる。図9は、本発明のある実施形態による、磁極片21のコイルに印加されるDC電流を伴う、円筒形回転式マグネトロン磁気アセンブリを例証する、平面概略図である。反対の端部は、構造上、対称であるため、マグネトロンの一端のみ、描写される。ある実施形態では、DC電流の方向は、スパッタリング領域が、その通常中心位置の周囲で交互に移動され、それによって、標的材料の端部における侵食深度の速度を減速させるように、変更される例えば、制御またはコンピュータシステムの支援によって。図9aでは、DC電流の方向は、磁極片21内でN極である、外側セットの磁石に一致する極を産生するように選択される。これは、スパッタリング経路10によって示されるように、中心S極に向かって、磁場を内方に歪ませる。電流方向が、逆になると、図9bに示されるように、誘発される極は、反転され、S極になる。これは、磁場を反対の方向に歪ませる。すなわち、磁場は、新しいスパッタリング経路10によって示されるように、外側極に向かって、外方に押しやられる。ある実施形態では、例証される実施形態9aおよび9bの両方における位置26での磁場の強度は、定位置のコイルを伴わないのと略同一である。したがって円筒形回転式マグネトロン磁気アセンブリの端部における、スパッタリング速度は、Hartigにおけるように、位置に伴って変化せず、スパッタリング開始時の磁場強度が、侵食に伴って増加するが、標的がスパッタリングされるまでに異なる位置に移動する。図9を継続して参照すると、永久磁石5の配向は、固定される。すなわち、内側磁石は、外側磁石の配向に対して反転された配向を有する。例証されるように、磁石外側から内側へのの配向は、N-N-S図9aおよびN-S-S図9bであるが、他の配向も可能である。例えば、磁石は、外側から内側への極性が、S-S-NまたはS-N-Nであるように配向することができる。ある実施形態では、制御システムが、本発明の実施形態の磁気アセンブリの電磁コイルへの電力例えば、DC電力の供給を制御するために提供される。制御システムは、1つ以上のコイルへのDC電力の供給を交互または、変調させることができる。加えて、制御システムは、コイルへのDC電流の方向を変化させることができる。制御システムはさらに、回転式マグネトロンの支持管上に配置されている標的が、回転する速度を制御することができる。加えて、制御システムは、コイルに供給される電流および/または電圧を制御することができる。ある実施形態では、制御システムは、コイルと電気接触する1つ以上の電源をオンおよびオフにすることによって、コイルへの電力の供給を制御することができる。スパッタリング本発明のある側面では、本発明の実施形態の磁気配置を使用するスパッタリング装置が提供される。ある実施形態では、円筒形回転式マグネトロン磁気アセンブリのコイルが、各端部において、同一向きに巻かれており、かつ、各端部が、1対の入力ワイヤから並列に給電される場合、DC電流の所与の方向に対して、両スパッタリング溝は、一緒に、同時にかつ、同じ速度で、内方または外方のいずれかに移動する。故に、スパッタリング溝の総長は、電流が方向を変化させるのに伴って、幾分、より長く、次いで、より短くなるであろう。別の実施形態では、円筒形回転式マグネトロン磁気アセンブリのコイルが、互に対して反対の向きに巻かれ、かつ、同様に給電される場合、全体のスパッタリング溝は、一定長のままであるが、電流方向が変化するのに伴ってマグネトロンの長さに沿って前後に移動するであろう。溝の運動量は、ワイヤ定格の限界までのコイルを通る電流のレベルに依存する。ある対称溝運動が、説明されたが、そのような対称溝運動は、他の方法でも得ることができることを理解されるであろう。例えば、各セットのコイルは、2つの対称運動を産生するように動作され得る別個の源によって給電され得る。しかしながら、任意の数の非対称運動もまた、達成され得るが、対称なものほど有用ではない場合がある。電流方向の変化の頻度は、幾分、任意であるが、基板が、マグネトロンのコーティング面積を通過するのにかかる時間の間、適切な平均化を保証するように選択されるべきである。図10は、本発明のある実施形態による、円筒形マグネトロンスパッタリング装置を例証する。例証される実施形態は、DC電流源を円筒形マグネトロンのコイルにもたらす、一アプローチを示す。図10のある要素は、図1および2に照らして前述されている。端部キャップ27および28は、支持管2の端部を密閉する。その延長管27aを伴うキャップ27は、真空壁29を通して、構造上および回転上の支持を提供する一方、端部キャップ28は、マグネトロンの長さおよび重量に応じて、場所30における軸受け上に片持固定または支持され得る。標的材料1は、その支持管および端部キャップ陰影部とともに、回転する一方、管3aおよび3bならびに磁気アセンブリ4は、静止のままである。分割された図は、コイルへのDC電流の印加前左およびその後のある時点右における標的材料1を示す。図10を継続して参照すると、絶縁ワイヤ30は、電流をコイルに搬送するために使用される。ある実施形態では、2つの絶縁ワイヤ30は、電流をコイルに搬送するために使用される。ある実施形態では、ワイヤおよびコイルは、約1000ボルトV以下であり得る、マグネトロンの動作電圧のレベルまで絶縁される。ある実施形態では、ワイヤは、その典型的パターンが、矢印によって示される、水流に任意の有意な干渉を及ぼすことなく、静止管3aと3bとの間の空洞に容易に嵌入することができる。水または、任意の他の冷却流体は、概して、内側管3a内から下流へと、そこから、デバイスの遠位端における支持管2へと流動する。管3bは、外側管3b内の1つまたはいくつかの開口31を通して、反対の端部において、水が戻るように、管3aの端部の周囲で密閉される。ある実施形態では、管間の環帯の断面積は、概して、管3aの断面積より大きい。そのような場合、本環帯面積におけるワイヤの追加は、デバイスを通る水の流動を制限しない。対のワイヤ30は、最初に遭遇するセットのコイルにおいて、並列分裂を有することができる。分裂された対のワイヤは、次いで、第1のセットのコイルに接続するために、管3bならびに板6および7内に作製された小孔を通過させられる。主ワイヤは、次いで、同様の通路を通って、第2のセットのコイルに接続される、磁気アセンブリの端部までの環帯を通過するであろう。スパッタリング溝の対称運動のいずれもが、コイルが、同一に巻かれているかまたは反対の向きに巻かれているかに関わらず、ワイヤ30がコイルに取り付けられる方向によって、選択され得る。明らかに、2つの個々の対のワイヤは、管間の環帯内に十分な空間があるため、各セットのコイルに別個に給電するために使用され得る。特定のマグネトロンが機能している方法の慎重な測定に応じて、デバイスの各端部において、溝運動をより精密に等しくするために、各コイル内に若干異なる電流を有することが有利となる場合、これは、いくつかの用途において望ましいであろう。マグネトロンの構造のこの部品は回転しないので、ワイヤは、動作の間、捻じられないであろう。実施例高エネルギー密度のSmCo磁石の2つの反対の極性の列を、軟鋼支持板上に、1.5インチ離して設置した。100巻コイルが、24ゲージ銅変圧器ワイヤを使用して、長さ2インチ、高さ0.75インチ、および厚さ0.125インチの鋼鉄磁極片上に構築された。完成したコイルは、厚さ約0.25インチであり、2列の磁石間に容易に適合した。磁石ならびにコイルおよび磁極片の上部は、略同一平面であった。磁石の上部から0.5インチ上方の平面では、磁場強度は、スパッタリングのための十分な通常範囲内である、約350ガウスであった。コイルを通過する3アンペアの低電圧DC電流が、スパッタリング溝を0.25インチ移動させるために提供された。電流方向を逆にし、0.5インチの総移動のために、反対の方向に等量だけ溝を移動させた。スパッタリング溝の本程度の移動は、図2に描写される早過ぎる溶け落ち領域11を完全に除去するために十分であった。当業者は、より大きなゲージのワイヤで作製されたコイルが、より高い電流を搬送し、したがって、より大きな磁場を生成することを認識するであろう。より多くの巻きを組み込むことによってもまた、同一電流に対して、より高い磁場を生成するであろう。これらの修正は、スパッタリング溝のより大きな移動が、必要または所望される場合、容易に実装することができる。前述から、特定の実装が、例証および説明されたが、本明細書に種々の修正を行うことができ、本明細書において想定されることを理解されたい。また、本発明は、本明細書内に提供された具体的実施例によって制限されることを意図するものではないない。本発明は、前述の明細書を参照して説明されたが、本明細書の好ましい実施形態の説明および例証は、限定する意味で解釈されることを意図しない。さらに、本発明のすべての側面は、種々の条件および変数に依存する、本明細書に記載される、具体的描写、構成または相対的割合に制限されないことを理解されたい。本発明の実施形態の形態および詳細における種々の修正は、当業者に明白となるであろう。したがって、本発明はまた、いずれのそのような修正、変形例、および均等物も網羅することが想定される。本発明の好ましい実施形態が、本明細書に図示および説明されたが、そのような実施形態は、一例として提供されているに過ぎないことは、当業者には明白となるであろう。ここで、多数の変形例、変更、および代用が、本発明から逸脱することなく、当業者に想起されるであろう。本発明を実践する際、本明細書に説明される本発明の実施形態の種々の代替を採用することができることを理解されたい。以下の請求項は、発明の範囲を定義し、これらの請求項およびその均等物の範囲内の方法および構造は、本明細書によって網羅されることが意図される。