"補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する非所望パターン抽出ステップと、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正するサイズ変更ステップと、を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。前記サイズ変更ステップは、前記非所望転写パターンの位置から所定範囲内にある補助パターンを、前記マスクパターンから抽出する第1のステップと、抽出された前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズに応じたサイズに変更する第2のステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン作成方法。前記サイズ変更ステップは、前記非所望転写パターンの位置から前記非所望転写パターンのサイズに応じた所定範囲内にある補助パターンを、前記マスクパターンから抽出する第3のステップと、抽出された前記補助パターンのサイズを変更する第4のステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン作成方法。前記非所望転写パターンの位置から前記非所望転写パターンのサイズに応じた所定範囲は、前記非所望転写パターンの形状に応じた形状領域であることを特徴とする請求項3に記載のマスクパターン作成方法。前記マスクパターンを補正する際には、所定のリソグラフィマージンを確保できる範囲で前記補助パターンのサイズを変更することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載のマスクパターン作成方法。前記基板上パターンを形成した際に回路パターンとなるメインパターンのうちの1つのメインパターンに対して複数の前記補助パターンが配置される場合、複数の前記補助パターンに対して同じリサイズ量でサイズ変更することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載のマスクパターン作成方法。前記補助パターンのサイズは、前記非所望転写パターンのサイズに応じたリサイズ寸法または前記非所望転写パターンのサイズに応じたリサイズ比率に基づいて変更されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載のマスクパターン作成方法。補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する非所望パターン抽出ステップと、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正するサイズ変更ステップと、補正された前記マスクパターンを用いてマスクを作製するマスク作製ステップと、作製された前記マスクを用いて基板上に基板上パターンを形成するパターン形成ステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する非所望パターン抽出ステップと、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正するサイズ変更ステップと、をコンピュータに実行させることを特徴とするマスクパターン作成プログラム。本発明の一つの実施形態は、所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成する。本発明の一つの実施形態によれば、マスクパターン作成方法が提供される。マスクパターン作成方法では、補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する。そして、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正する。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るマスクパターン作成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン作成プログラムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るマスクパターン作成装置の構成を示すブロック図である。本実施形態に係るマスクパターン作成装置1は、補助パターンSRAFのサイズを補正することによって、所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを作成するコンピュータなどの装置である。本実施形態では、SRAFに起因する不要なパターン転写を消すために、必要とされるリソグラフィマージンを確保可能な範囲で少しずつSRAFのサイズをリサイズする。そして、最終的にはSRAFのリサイズを最小限に抑えつつ必要なリソグラフィマージンを維持し、かつSRAFに起因する不要なパターン転写の発生を防止したマスクパターンを作成する。SRAFは、半導体装置半導体集積回路を製造する際のフォトリソグラフィ工程で用いられるパターンである。具体的には、SRAFは、ウエハなどの基板には転写されないマスク上パターンであり、基板転写時の限界解像度を下回るサイズの補助パターン本来、解像されることのないパターンである。SRAFは、基板に転写すべき回路パターンなどのメインパターンの近傍に配置される。半導体装置のリソグラフィ工程で用いるマスクパターンを生成する際には、設計レイアウトパターンデータ以下、レイアウトパターンLというを用いてリソグラフィターゲットメインパターンが作成される。そして、リソグラフィターゲットにメインパターンのリソグラフィマージンを向上せしめるようにSRAFが配置される。その後、SRAFを配置したマスクパターンレイアウトOPC前マスクパターンにOPCOpticalProximityCorrection処理を施すことによってマスクパターンが作成される。本実施形態のマスクパターン作成装置1は、作成されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に、SRAFに起因するパターン以下、非所望転写パターンというが基板上に転写されないよう、SRAFのサイズをリサイズする。非所望転写パターンは、所望の基板上パターン以外の転写パターン非所望なパターンである。マスクパターン作成装置1は、入力部11、OPC処理部12、基板上パターン形状導出部13、転写判定部14、リサイズ量設定情報記憶部15、リサイズ処理部16、出力部17を備えている。入力部11は、レイアウトパターンLを、外部装置レイアウトパターンデータ作成装置などから入力して、OPC処理部12および転写判定部14に送る。また、入力部11は、非所望転写パターンに応じたSRAFリサイズ量が設定された情報以下、リサイズ量設定情報というを入力して、リサイズ量設定情報記憶部15に送る。リサイズ量設定情報は、非所望転写パターンのサイズ、非所望転写パターンからの距離などに応じて設定される、SRAFのリサイズ量である。例えば、非所望転写パターンが小さい場合には小さいリサイズ量が設定され、非所望転写パターンが大きい場合には大きいリサイズ量が設定される。OPC処理部12は、レイアウトパターンLにOPCを実施してマスクパターンM0図示せずを作成する。また、OPC処理部12は、リサイズ処理部16からSRAFをm回mは0以上の整数リサイズしたマスクパターンレイアウトリサイズされたSRAFが配置されたOPC前マスクパターンが送られてくると、このマスクパターンレイアウトにOPCを実施して新たなマスクパターンMmを作成する。OPC処理部12は、作成したマスクパターンを、マスクパターンMmとして基板上パターン形状導出部13に送る。基板上パターン形状導出部13は、OPC処理部12で作成されたマスクパターンMmを用いてリソグラフィシミュレーションを行うことにより、基板上にパターニングされる基板上パターンレジストパターン形状を導出する。基板上パターン形状導出部13は、導出した基板上パターンを転写判定部14に送る。転写判定部14は、レイアウトパターンLと、転写判定部14が導出した基板上パターンと、に基づいて、基板上パターンに非所望転写パターンが含まれているか否かを判定する。転写判定部14は、基板上パターンに非所望転写パターンが含まれている場合に、基板上パターンから非所望転写パターンの位置、サイズなどを非所望転写パターン情報として取得する。転写判定部14は、非所望転写パターンが無ければ、OPC処理部12から出力部17へマスクパターンMmを送信させる。また、転写判定部14は、非所望転写パターン情報が有れば、非所望転写パターン情報をリサイズ処理部16に送るとともに、OPC処理部12からリサイズ処理部16へレイアウトパターンLとマスクパターンMmを送信させる。なお、転写判定部14は、所定の許容サイズ以下の非所望転写パターンしか存在しなければ許容範囲内非所望転写パターン無しと判定してもよい。リサイズ量設定情報記憶部15は、入力部11から送られてくるリサイズ量設定情報を記憶するメモリなどである。リサイズ処理部16は、リサイズ量設定情報と、非所望転写パターン情報と、レイアウトパターンLと、に基づいて、SRAF毎にSRAFのリサイズ量SRAFリサイズ量を決定する。リサイズ処理部16は、決定したSRAFリサイズ量でマスクパターンMmに対応するマスクパターンレイアウト内の各SRAFをリサイズする。ここでのマスクパターンMmは、SRAFがm回リサイズされたマスクパターンである。リサイズ処理部16は、SRAFをリサイズしたマスクパターンをマスクパターンMm1としてOPC処理部12に送る。出力部17は、OPC処理部12から送られてくるマスクパターンMm1を、必要に応じて外部装置などに出力する。図2は、第1の実施形態に係るマスクパターン作成処理の処理手順を示すフローチャートである。マスクパターン作成装置1の入力部11へは、予めリサイズ量設定情報を入力しておき、リサイズ量設定情報記憶部15で記憶しておくステップS100。リサイズ量設定情報は、非所望転写パターンのサイズやSRAFの非所望転写パターンからの距離などに応じて、予めユーザなどが作成する情報である。図3は、非所望転写パターンのサイズ毎に設定されるSRAFリサイズ量を説明するための図である。SRAF3xのSRAFリサイズ量縮小量は、実験結果などによって得られた非所望転写パターンのサイズ面積に基づいて設定される。例えば、実験結果から小量のSRAFリサイズが必要な非所望転写パターン、中量のリサイズが必要な非所望転写パターン、大量のリサイズが必要な非所望転写パターンの、各サイズを導出しておく。そして、導出した非所望転写パターンのサイズを元に、非所望転写パターンのグループ分類の設定を行っておく。換言すると、各グループに分類すべき非所望転写パターンのサイズを求めておく。例えば、小さい非所望転写パターン2Sには、小さいSRAFリサイズ量が設定される。非所望転写パターンが小さい場合、SRAF3xへの小さなリサイズで非所望転写パターンが消える可能性が高いからである。また、大きい非所望転写パターン2Lには、大きいSRAFリサイズ量が設定される。非所望転写パターンが大きい場合、SRAF3xを大きくリサイズしないと、非所望転写パターンが消えない可能性が高いからである。また、小さい非所望転写パターン2Sと大きい非所望転写パターン2Lの間の非所望転写パターン2M中くらいの非所望転写パターンには中くらいのSRAFリサイズ量が設定される。ここでの、非所望転写パターン2S~2Lのサイズは、それぞれ面積の範囲とする。例えば、非所望転写パターンの面積Sが0よりも大きくa以下である場合0<S≦aに、非所望転写パターンを小さい非所望転写パターン2Sとする。また、非所望転写パターンの面積Sがaよりも大きくb以下である場合a<S≦bに、非所望転写パターンを中くらいの非所望転写パターン2Mとする。また、非所望転写パターンの面積Sがbよりも大きい場合b<Sに、非所望転写パターンを大きい非所望転写パターン2Lとする。小さい非所望転写パターン2Sには、小さいSRAFリサイズ量例えば1nmが設定されるので、小さい非所望転写パターン2Sの近傍に配置されているSRAF3xは、少しだけリサイズされる。これにより、SRAF3xは、SRAF3xよりも少しだけ小さいSRAF3Aにリサイズ補正される。また、大きい非所望転写パターン2Lには、大きいSRAFリサイズ量例えば5nmが設定されるので、大きい非所望転写パターン2Lの近傍に配置されているSRAF3xは、大きくリサイズされる。これにより、SRAF3xは、SRAF3xよりもかなり小さいSRAF3Cにリサイズされる。また、中くらいの非所望転写パターン2Mには、中くらいのSRAFリサイズ量例えば3nmが設定されるので、中くらいの非所望転写パターン2Mの近傍に配置されているSRAF3xは、中くらいの量だけリサイズされる。これにより、SRAF3xは、SRAF3Aよりも大きくSRAF3Cよりも小さいSRAF3Bにリサイズされる。なお、非所望転写パターンのサイズの範囲は2つ大と小でもよいし、4つ以上でもよい。また、非所望転写パターンのサイズ毎に、所定の算出式を用いてSRAFリサイズ量を算出してもよい。また、SRAFリサイズ量は、非所望転写パターンのサイズに応じたリサイズ寸法であってもよいし、非所望転写パターンのサイズに応じたリサイズ比率であってもよい。例えば、SRAFリサイズ量にリサイズ寸法が設定されている場合、非所望転写パターン2S,2M,2Lの場合のSRAFリサイズ量を、それぞれR1nm、R2nm、R3nmR1<R2<R3のように設定する。これにより、非所望転写パターン2S,2M,2Lの近傍に配置されているSRAF3xの周縁部が、それぞれR1,R2,R3ずつ縮小されて、SRAF3A,3B,3Cとなる。また、SRAFリサイズ量にリサイズ比率が設定されている場合、非所望転写パターン2S,2M,2Lの場合のSRAFリサイズ比率を、それぞれR4、R5、R6R4<R5<R6のように設定する。これにより、非所望転写パターン2S,2M,2Lの近傍に配置されているSRAF3xが、それぞれR4、R5、R6に縮小されて、SRAF3A,3B,3Cとなる。このように、SRAF3xが1回のループでどれだけリサイズされるかについては、リサイズ対象として選択されるもととなった非所望転写パターンのサイズに応じて決定される。これにより、精度の高いSRAFのリサイズが実現できる。なお、SRAFリサイズ量は、必要なリソグラフィマージンを確保できる範囲内としておく。換言すると、NILS正規化イメージログスロープを改善できる範囲内でSRAFをリサイズする。例えば、予め必要なリソグラフィマージンを確保可能な最小のSRAFサイズ以下、最小SRAFサイズというを確認しておく。マスクパターン作成装置1では、SRAFをリサイズした場合に、リサイズ後のSRAFが最小SRAFサイズよりも小さくなることがないよう、SRAFをリサイズする。最小SRAFサイズは、例えばリサイズ量設定情報内に格納しておく。SRAF3xのうち、リサイズ対象とするSRAF3xは、非所望転写パターン2S~2Lの位置から所定範囲内にあるSRAF3xとする。この所定範囲は、非所望転写パターン2S~2Lに関わらず一定の範囲としてもよいし、非所望転写パターン2S~2Lのサイズに応じた範囲としてもよい。ここで、非所望転写パターン2S~2Lのサイズに応じたリサイズ対象領域SRAFリサイズの対象領域を設定する場合について説明する。図4は、非所望転写パターンからの距離毎に設定されるリサイズ対象領域を説明するための図である。図4では、非所望転写パターン2S,2Lからの距離が近い順番で、SRAF3xとしてのSRAF31,32,33,34,35が配置されている場合について説明する。リサイズ対象となるSRAF3xは、例えば非所望転写パターン2S,2Lからの距離に基づいて設定される。例えば、図4のaに示す小さい非所望転写パターン2Sには、非所望転写パターン2Sからの距離が短いSRAF3xがリサイズ対象に設定される。非所望転写パターンが小さい場合、非所望転写パターンの近くのSRAF3xをリサイズすれば、非所望転写パターン2Sが消える可能性が高いからである。また、図4のbに示す大きい非所望転写パターン2Lには、非所望転写パターン2Lからの距離が短いSRAF3xと距離が長いSRAFがリサイズ対象に設定される。非所望転写パターンが大きい場合、非所望転写パターンから遠く離れたSRAF3xまでリサイズしなければ、非所望転写パターン2Lが消えない可能性が高いからである。図4のaでは、小さい非所望転写パターン2Sに対応するリサイズ対象領域として、狭い領域a1中心からの距離が短い円形領域を設定する場合を示している。例えば、SRAF3xのうち、一部でも領域a1内に含まれるSRAF3xをリサイズ対象とする。ここでは、SRAF31,32の少なくとも一部が領域a1内に含まれている。このため、小さい非所望転写パターン2Sに対しては、SRAF31,32がリサイズ対象となる。また、図4のbでは、大きい非所望転写パターン2Lに対応するリサイズ対象領域として、広い領域a2中心からの距離が長い円形領域を設定する場合を示している。例えば、SRAF3xのうち、一部でも領域a2内に含まれるSRAF3xをリサイズ対象とする。ここでは、SRAF31~33の少なくとも一部が領域a2内に含まれている。このため、大きい非所望転写パターン2Lに対しては、SRAF31~33がリサイズ対象となる。このように、非所望転写パターンのサイズに応じた所定範囲がリサイズ対象領域に設定される。これは、一般的に非所望転写パターンが小さくなる方向にSRAF3xをリサイズすると、メインパターンのリソグラフィマージンが落ちてしまうので、修正の必要がないSRAF3xはそのままにしておきたいからである。また、大きい非所望転写パターン2Lの場合、広めにリサイズ対象領域を設定しておかないと、狭いリサイズ対象領域内のSRAF3xしか選択できない。この場合、狭いリサイズ対象領域内で選択されたSRAF3xを大幅にリサイズしなければならなくなる。このため、マスク制約の限界までリサイズしてSRAF3xを小さくしても、大きい非所望転写パターン2Lが消えないという事態が起こり得る。このため、本実施形態では、非所望転写パターンのサイズに応じて、リサイズ対象領域とするSRAF3xの選択範囲を変える。なお、リサイズ対象領域の範囲は、2つ大と小でもよいし、4つ以上でもよい。また、非所望転写パターンのサイズ毎に、所定の算出式を用いてリサイズ対象領域の面積を算出してもよい。また、ここでは、リサイズ対象領域内に、SRAF3xの全部または一部が含まれている場合に、このSRAF3xをリサイズ対象としたが、リサイズ対象とするSRAF3xとリサイズ対象領域との位置関係は、これに限らない。図5は、リサイズ対象とするSRAFとリサイズ対象領域との位置関係を説明するための図である。図5のaは、リサイズ対象領域として領域a3が設定され、SRAF3xが領域a3に接している場合を示している。例えば、SRAF3xが領域a3に接していれば、このSRAF3xをリサイズ対象としてもよい。図5のbは、リサイズ対象領域として領域a4が設定され、SRAF3xが領域a4と一部だけ重なっている場合を示している。例えば、SRAF3xが領域a4に一部だけでも重なっていれば、このSRAF3xをリサイズ対象としてもよい。図5のcは、リサイズ対象領域として領域a5が設定され、SRAF3xの全部が領域a5に内包される場合を示している。例えば、SRAF3xが領域a5に全て内包されている場合に、このSRAF3xをリサイズ対象としてもよい。また、SRAF3xのリサイズ量を、リサイズ対象領域内での位置に基づいて決定してもよい。例えば、リサイズ対象領域内の中心から近いSRAF3xには、大きなリサイズ量を設定し、リサイズ対象領域内の中心から遠いSRAF3xには、小さなリサイズ量を設定する。また、SRAF3xのリサイズ量を、SRAF3xとリサイズ対象領域とで重なる部分の面積に基づいて決定してもよい。例えば、SRAF3xとリサイズ対象領域とで重なる部分の面積が大きい場合、大きなリサイズ量を設定し、SRAF3xとリサイズ対象領域とで重なる部分の面積が小さい場合、小さなリサイズ量を設定する。リサイズ量設定情報記憶部15にリサイズ量設定情報を記憶させた後、入力部11は、SRAFの配置されたレイアウトパターンLを、外部装置などから入力してステップS105、OPC処理部12および転写判定部14に送る。レイアウトパターンLに配置されるSRAF3xは、照明形状などの露光条件や基板上に形成したい基板上パターンに対応するレイアウトパターンに基づいて配置される。レイアウトパターンLへのSRAF配置は、ルールベースを用いて行ってもよいし、モデルベースを用いて行ってもよい。また、レイアウトパターンLは、マスク制約を守ったうえで、例えばできるだけリソグラフィマージンを稼いだSRAF配置としておく。また、レイアウトパターンLに配置するSRAFは、例えば、非所望転写パターンが基板上に転写されにくいSRAFにしておく。なお、レイアウトパターンL内のレイアウトパターン形状はラインパターンであってもよいし、コンタクトパターンであってもよい。以下の説明では、レイアウトパターンL内のレイアウトパターン形状がコンタクトパターンである場合について説明する。OPC処理部12は、レイアウトパターンLにOPCを実施してマスクパターンM0を作成するステップS110。OPC処理部12は、作成したマスクパターンM0を基板上パターン形状導出部13に送る。基板上パターン形状導出部13は、OPC処理部12で作成されたマスクパターンM0を用いてリソグラフィシミュレーションを行うことにより、基板上パターンを導出するステップS120。基板上パターン形状導出部13は、導出した基板上パターンを転写判定部14に送る。転写判定部14は、レイアウトパターンLと、転写判定部14が導出した基板上パターンと、に基づいて、基板上パターンに非所望転写パターンが含まれているか否かを判定するステップS130。基板上パターンに非所望転写パターンが含まれている場合ステップS130、Yes、転写判定部14は、基板上パターンから非所望転写パターンの位置、サイズなどを非所望転写パターン情報として取得する。そして、転写判定部14は、取得した非所望転写パターン情報をリサイズ処理部16に送るとともに、OPC処理部12からリサイズ処理部16へレイアウトパターンLとマスクパターンM0を送信させる。リサイズ処理部16は、リサイズ量設定情報と、非所望転写パターン情報と、レイアウトパターンLと、に基づいて、SRAF毎に第1のSRAFリサイズ量1回目のリサイズ量を決定するステップS140。具体的には、リサイズ処理部16は、非所望転写パターンをサイズ毎にグループ分類する。例えば、各非所望転写パターンは、小さい非所望転写パターン2S小さいパターンのグループ、中くらいの非所望転写パターン2M中くらいのパターンのグループ、大きい非所望転写パターン2L大きいパターンのグループの何れかに分類される。なお、SRAFが複数のグループに属することとなった場合、リサイズ処理部16は、例えば非所望転写パターンのサイズが大きい方のグループSRAFリサイズ量の大きいグループに分類する。リサイズ処理部16は、分類された非所望転写パターンのサイズに応じたリサイズ対象領域を設定し、設定したリサイズ対象領域に基づいて、リサイズ対象となるSRAF3xを抽出する。リサイズ対象領域の形状は、例えば、非所望転写パターンの形状に対して相似な形状とする。換言すると、非所望転写パターンを所定の相似比で拡大した領域をリサイズ対象領域とする。リサイズ処理部16は、抽出された各SRAF3xに対し、非所望転写パターンのサイズに応じた第1のSRAFリサイズ量を決定する。そして、リサイズ処理部16は、決定した第1のSRAFリサイズ量でマスクパターンMmに対応するマスクパターンレイアウト内の各SRAFをリサイズするステップS150。このように、本実施形態では、SRAFの修正はサイズのみとし、配置位置は変更しない。リサイズ処理部16は、SRAFをリサイズしたマスクパターンレイアウトをマスクパターンここではマスクパターンM1としてOPC処理部12に送る。そして、マスクパターン作成装置1では、ステップS110~S130の処理を繰り返す。すなわち、OPC処理部12は、マスクパターンMmに対応するマスクパターンレイアウトにOPCを実施してOPC後のマスクパターンMm1を作成するステップS110。このように、本実施形態では、1回のループでOPCの実施は1回のみである。基板上パターン形状導出部13は、OPC処理部12で作成されたOPC後のマスクパターンM0またはOPC後のマスクパターンMm1を用いてリソグラフィシミュレーションを行うことにより、基板上パターンを導出するステップS120。転写判定部14は、レイアウトパターンLと、転写判定部14が導出した基板上パターンと、に基づいて、基板上パターンに非所望転写パターンが含まれているか否かを判定するステップS130。マスクパターン作成装置1では、基板上パターンに非所望転写パターンが含まれなくなるまでステップS140,S150,S110~S130の処理を繰り返す。例えば、OPC後のマスクパターンMmを用いて導出した基板上パターンに非所望転写パターンが含まれている場合ステップS130、Yes、転写判定部14は、新たな非所望転写パターン情報を取得する。そして、リサイズ処理部16は、リサイズ量設定情報と、新たな非所望転写パターン情報と、レイアウトパターンLと、に基づいて、SRAF毎に第mのSRAFリサイズ量m回目のリサイズ量を決定するステップS140。そして、リサイズ処理部16は、決定したSRAFリサイズ量でマスクパターンMm内の各SRAFをリサイズするステップS150。なお、第1~第m1の各リサイズ量は、異なるリサイズ量であってもよい。例えば、第m1のリサイズ量を、第mのリサイズ量のXに設定してもよい。OPC後のマスクパターンM0,Mm1を用いて導出した基板上パターンに非所望転写パターンが含まれていない場合ステップS130、No、転写判定部14は、OPC処理部12から出力部17へマスクパターンM0,Mm1を送信させる。出力部17は、OPC処理部12から送られてくるマスクパターンM0,Mm1を、必要に応じて外部装置などに出力する。なお、リサイズ処理部16は、決定したSRAFリサイズ量でリサイズした場合に、リサイズ後のSRAF3xが最小SRAFサイズよりも小さくなる場合、SRAF3xのリサイズ処理を行わず、SRAF3xのリサイズ処理を終了する。このように、本実施形態では、リサイズ量の合計値を、リソグラフィマージンを確保できる範囲内とする。SRAF3xのリサイズ処理を終了する場合、リサイズ処理部16は、OPC処理部12から出力部17へ最新のマスクパターンを送信させる。図6は、非所望転写パターンのサイズに応じたSRAFのリサイズ処理を説明するための図である。なお、図6では、メインパターンをコンタクトパターン4で示している。図6のaに示すように、マスクパターン作成装置1では、リサイズ処理部16が非所望転写パターンのサイズ毎にグループ分類を行う。ここでは、非所望転写パターンが、小さい非所望転写パターン2S、中くらいの非所望転写パターン2M、大きい非所望転写パターン2L’に分類されている場合を示している。この後、図6のbに示すように、リサイズ処理部16は、各非所望転写パターン2S,2M,2L’に対応するリサイズ対象領域を選択する。ここでは、非所望転写パターン2Sに対応するリサイズ対象領域として領域a1が設定され、非所望転写パターン2Mに対応するリサイズ対象領域として領域a2が設定され、非所望転写パターン2L’に対応するリサイズ対象領域として領域a3’が設定されている場合を示している。リサイズ処理部16は、領域a1,a2,a3’を設定した後、領域a1,a2,a3’に応じたSRAF3xを選択する。この後、図6のcに示すように、リサイズ処理部16は、選択されたSRAF3xを領域a1,a2,a3’毎にリサイズする。例えば、領域a1に対応するSRAF3xは、小量のリサイズが行われてSRAF3Aとなる。また、領域a2に対応するSRAF3xは、中量のリサイズが行われてSRAF3Bとなる。また、領域a3’に対応するSRAF3xは、大量のリサイズが行われてSRAF3Cとなる。この後、図6のdに示すように、SRAFのリサイズとOPC処理をした後のマスクパターンを用いて基板上パターンを形成した場合に、非所望転写パターン2S’などの非所望転写パターンが残っていれば、リサイズ処理部16は、図6のa~cで説明した処理を繰り返す。マスクパターンの作成は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、作成されたマスクパターンを用いてマスクが作製され、このマスクを用いて半導体装置が製造される。具体的には、レジストの塗布されたウエハにマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターン上からレジストパターンの下層側をエッチングする。これにより、ウエハ上に実パターンを形成する。半導体装置を製造する際には、レイアウトパターンの作成処理、SRAFのリサイズ処理マスクパターンの作成処理、マスクの作製処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。ところで、図2で説明した処理手順により、転写がなくなるまでSRAFを小さくすることが可能となる。そこで、元々転写の出ていないSRAFを転写が出るまで拡大し、その後、図2で説明した処理手順により、転写がなくなるぎりぎりのサイズまでSRAFを小さくしてもよい。これにより、SRAFのサイズを、転写が出るぎりぎりのサイズまで大きくすることが可能となる。換言すると、略最大サイズのSRAFを導出することが可能となる。したがって、リソグラフィマージンを略最大にすることが可能となる。なお、本実施形態では、マスクパターン作成装置1が、OPC処理部12、基板上パターン形状導出部13、転写判定部14、リサイズ量設定情報記憶部15を備える構成としたが、マスクパターン作成装置1の構成はこの構成に限らない。例えば、OPC処理部12、基板上パターン形状導出部13、転写判定部14、リサイズ量設定情報記憶部15と、マスクパターン作成装置1を別構成としてもよい。また、基板上パターン形状導出部13が導出する基板上パターンは、レジストパターン上からエッチングなどの加工処理を行った後の加工後形状であってもよい。この場合、基板上パターン形状導出部13は、マスクパターンを用いてリソグラフィシミュレーションおよび加工シミュレーションを行うことにより、基板上パターンを導出する。また、リサイズ量設定情報に設定するリサイズ量は、非所望転写パターンをサイズ毎にグループ分類するまでに設定すればよい。このように、本実施形態では、SRAFを非所望転写パターンのサイズや位置に基づいてリサイズするので、少ないループ回数のOPC処理でマスクパターンを作成することが可能となる。換言すると、1回のループで1回のOPC処理しか行なわないでよいので、短時間でマスクパターンを作成することが可能となる。また、NILSを改善するようSRAFをリサイズするので、メインパターンの形状例えば、コンタクトを崩してしまうことを防止できる。また、マスク制約を維持しつつリソグラフィマージンが所定値よりも低下しないよう、SARAFの転写を取り除くことができるので、チップ半導体装置の歩留まりと信頼性を向上することが可能となる。このように第1の実施形態によれば、非所望転写パターンのサイズおよび位置に基づいてSRAFをリサイズするので非所望転写パターンを容易に形成することがきる。したがって、所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成することが可能となる。第2の実施形態つぎに、図7および図8を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、メインパターン毎に同じリサイズ量でSRAFをリサイズする。換言すると、1つのメインパターンの近傍に配置されている複数のSRAFに対し、同じリサイズ量でリサイズする。図7は、第2の実施形態に係るSRAFのリサイズ処理を説明するための図である。図7の各構成要素のうち図6に示す第1の実施形態の構成要素と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。なお、図7では、コンタクトパターン4を、コンタクトパターン40~42として図示している。図7のaに示すように、マスクパターン作成装置1では、非所望転写パターンのサイズ毎にグループ分類が行なわれる。ここでは、非所望転写パターンが、小さい非所望転写パターン2S、中くらいの非所望転写パターン2M、大きい非所望転写パターン2L’に分類されている場合を示している。この後、図6のbに示すように、リサイズ処理部16は、各非所望転写パターン2S,2M,2L’に対応するリサイズ対象領域を選択する。ここでは、非所望転写パターン2Sに対応するリサイズ対象領域として領域a1が設定され、非所望転写パターン2Mに対応するリサイズ対象領域として領域a2が設定され、非所望転写パターン2L’に対応するリサイズ対象領域として領域a3’が設定されている場合を示している。リサイズ処理部16は、領域a1,a2,a3’を設定した後、領域a1,a2,a3’に応じたSRAF3xを選択する。さらに、リサイズ処理部16は、選択したSRAF3xに対応するコンタクトパターン40~42を選択する。このコンタクトパターン40~42は、選択したSRAF3xを配置する根拠元となったパターンであり、コンタクトパターン40~42のNILS向上のために配置されたパターンである。SRAF3xは、コンタクトパターン40~42毎に配置されているので、本実施形態では、選択したコンタクトパターン40~42に属しているSRAF3xを全て選択する。ここでは、領域a1に対応するSRAF3xとしてSRAF51,52が選択された場合を示している。また、領域a2に対応するSRAF3xとしてSRAF61,62が選択された場合を示している。また、領域a3’に対応するSRAF3xとしてSRAF71~74が選択された場合を示している。リサイズ処理部16は、SRAF51,52に対応するコンタクトパターンとして、コンタクトパターン40を選択する。また、リサイズ処理部16は、SRAF61に対応するコンタクトパターンとして、コンタクトパターン41を選択し、SRAF62に対応するコンタクトパターンとして、コンタクトパターン42を選択する。また、リサイズ処理部16は、SRAF71,72に対応するコンタクトパターンとして、コンタクトパターン41を選択し、SRAF73,74に対応するコンタクトパターンとして、コンタクトパターン42を選択する。この後、図6のcに示すように、リサイズ処理部16は、選択されたコンタクトパターン毎にSRAF3xをリサイズする。例えば、コンタクトパターン40に対応するSRAFとして4つのSRAF3xが選択される。そして、各SRAF3xに対し、小さい非所望転写パターン2Sに応じた小量のリサイズが行われて4つのSRAF3Aとなる。また、コンタクトパターン41に対応するSRAFとして4つのSRAF3xが選択され、選択された各SRAF3xに対し、同じサイズのリサイズが行われる。ここでは、選択されたSRAF3xが中くらいの非所望転写パターン2Mと、大きい非所望転写パターン2Lと、の両方に対応しているので、大きい非所望転写パターン2Lに応じた大量のリサイズが行われて4つのSRAF3Cとなる。また、コンタクトパターン42に対応するSRAFとして4つのSRAF3xが選択され、選択された各SRAF3xに対し、同じサイズのリサイズが行われる。ここでは、選択されたSRAF3xが中くらいの非所望転写パターン2Mと、大きい非所望転写パターン2Lと、の両方に対応しているので、大きい非所望転写パターン2Lに応じた大量のリサイズが行われて4つのSRAF3Cとなる。このように、コンタクトパターン41,42は、各々その周囲に配置された4個のSRAF3xのうち2個が大きい非所望転写パターン2Lに属し、1個が中くらいの非所望転写パターン2Mに属し、1個がリサイズ対象となっていない。このような場合であっても、本実施形態では、最も大きいリサイズ量で一律にSRAF3xをリサイズする。換言すると、本実施形態では、リサイズ量の大きい方に合わせて、SRAF3xを同じリサイズ量でリサイズする。このため、例えば、選択されたSRAF3xが小さい非所望転写パターン2Sと、中くらいの非所望転写パターン2Mと、の両方に対応している場合、中くらいの非所望転写パターン2Mに応じた中量のリサイズが行われる。この後、図6のdに示すように、SRAFのリサイズとOPC処理をした後のマスクパターンを用いて基板上パターンを形成した場合に、非所望転写パターン2S’などの非所望転写パターンが残っていれば、リサイズ処理部16は、図7のa~cで説明した処理を繰り返す。つぎに、マスクパターン作成装置1のハードウェア構成について説明する。図8は、マスクパターン作成装置のハードウェア構成を示す図である。マスクパターン作成装置1は、CPUCentralProcessingUnit91、ROMReadOnlyMemory92、RAMRandomAccessMemory93、表示部94、入力部95を有している。マスクパターン作成装置1では、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。CPU91は、コンピュータプログラムであるSRAFリサイズプログラム97を用いてパターンの判定を行う。表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいてSRAF3xが配置されたレイアウトパターン、OPC後SRAFリサイズ前のマスクパターン、SRAF3xがリサイズされたマスクパターン、リサイズ量設定情報、非所望転写パターン、レジストパターンリソグラフィシミュレーション結果などを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報SRAF3xのリサイズに必要なパラメータ等を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。SRAFリサイズプログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図8では、SRAFリサイズプログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。CPU91はRAM93内にロードされたSRAFリサイズプログラム97を実行する。具体的には、マスクパターン作成装置1では、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内からSRAFリサイズプログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。マスクパターン作成装置1で実行されるSRAFリサイズプログラム97は、リサイズ処理部16を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、SRAFリサイズプログラム97に、OPC処理部12、基板上パターン形状導出部13、転写判定部14の機能を持たせてもよい。このように第1および第2の実施形態によれば、所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"