X線源と、前記X線源からのX線を回折することで、明部と暗部とが配列された干渉パターンを形成する回折格子と、前記X線を遮蔽する遮蔽部と前記X線を透過する透過部とが配列された遮蔽格子と、前記遮蔽格子を経た前記X線の強度分布を検出する検出器と、前記検出器が検出した前記X線の強度分布に基づいて被検体の位相情報を算出する演算部と、前記回折格子と前記遮蔽格子を移動させる移動部とを備えたX線撮像装置であって、前記干渉パターンと前記遮蔽格子は、前記遮蔽格子の前記遮蔽部が前記干渉パターンの前記明部の半分を遮蔽する第1の相対位置と、前記遮蔽格子と前記干渉パターンの相対位置を前記第1の相対位置から前記遮蔽格子の周期方向に前記遮蔽格子の前記遮蔽部の幅の長さずらした第2の相対位置とをとることが可能であり、前記検出器は、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第1の相対位置を保ちつつ、前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動している間に第1のX線強度分布を検出し、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第2の相対位置を保ちつつ、前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動している間に第2のX線強度分布を検出し、前記演算部は、前記第1のX線強度分布と前記第2のX線強度分布とに基づいて被検体の位相情報を算出することを特徴とするX線撮像装置。前記干渉パターンの前記明部と前記暗部とは一定の周期で配列しており、前記遮蔽格子の前記遮蔽部と前記透過部とは前記干渉パターンと同一の周期、同一の周期方向で配列していることを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。前記演算部は、前記第1のX線強度分布と前記第2のX線強度分布との差を、前記第1のX線強度分布と前記第2のX線強度分布との和で除した値に対して、前記回折格子の周期および前記回折格子と前記遮蔽格子との距離に基づいて決定される係数を乗ずることにより被検体の位相情報を算出することを特徴とする請求項1または2に記載のX線撮像装置。前記第1の相対位置は、前記干渉パターンと前記遮蔽格子の相対位置を変化させて複数の前記相対位置毎にX線強度分布を検出して前記X線強度分布毎にX線の積分強度を計算し、前記X線の積分強度が極大値と極小値の中間値となる前記X線強度分布を検出した前記相対位置であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のX線撮像装置。前記干渉パターンの前記明部と前記暗部との周期方向における幅が、1:1であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のX線撮像装置。前記移動部は、前記回折格子を移動させる第1の移動部と、前記遮蔽格子を移動させる第2の移動部と、を有することを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。X線源と、前記X線源からのX線を回折することで、明部と暗部とが配列した干渉パターンを形成する回折格子と、前記X線を遮蔽する遮蔽部と前記X線を透過する透過部とが配列された遮蔽格子と、前記遮蔽格子を経た前記X線の強度分布を検出する検出器と、前記検出器が検出した前記X線の強度分布に基づいて被検体の位相情報を算出する演算部と、前記回折格子と前記遮蔽格子を移動させる移動部とを備えたX線撮像装置を用いたX線撮像方法であり、前記干渉パターンと前記遮蔽格子の相対位置が前記遮蔽格子の前記遮蔽部が前記干渉パターンの前記明部の半分を遮蔽する第1の相対位置をとるように前記回折格子及び前記遮蔽格子の少なくともいずれか一方の位置を調整する工程と、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第1の相対位置を保ちつつ前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動させている間に前記検出器により第1のX線強度分布を検出する工程と、前記干渉パターンと前記遮蔽格子の相対位置を前記第1の相対位置から前記遮蔽格子の前記遮蔽部の幅の長さずらした第2の相対位置をとるように前記回折格子及び前記遮蔽格子の少なくともいずれか一方の位置を調整する工程と、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第2の相対位置を保ちつつ前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動させている間に前記検出器により第2のX線強度分布を検出する工程と、前記演算部により、前記第1のX線強度分布と前記第2のX線強度分布とに基づいて被検体の位相情報を算出する工程とを有することを特徴とするX線撮像方法。しかしながら、この非特許文献1による方法で得られるX線強度分布には、被検体のX線透過率分布とX線源のX線照射むらに起因した不要な成分が含まれることとなる。そのため、被検体を透過したX線の位相分布を正確に計測することはできないという課題を有している。本発明は上記課題に鑑み、SDG法によるX線撮像の際に被検体の透過率分布と光源の照明むらに起因した不要な成分を減じ、より確度の高い位相分布の計測を可能とするX線撮像装置およびX線撮像方法の提供を目的とする。その目的を達成するために、本発明の一側面としてのX線撮像装置は、X線源と、前記X線源からのX線を回折することで、明部と暗部とが配列された干渉パターンを形成する回折格子と、前記X線を遮蔽する遮蔽部と前記X線を透過する透過部とが配列された遮蔽格子と、前記遮蔽格子を経た前記X線の強度分布を検出する検出器と、前記検出器が検出した前記X線の強度分布に基づいて被検体の位相情報を算出する演算部と、前記回折格子と前記遮蔽格子を移動させる移動部とを備えたX線撮像装置であって、前記干渉パターンと前記遮蔽格子は、前記遮蔽格子の前記遮蔽部が前記干渉パターンの前記明部の半分を遮蔽する第1の相対位置と、前記遮蔽格子と前記干渉パターンの相対位置を前記第1の相対位置から前記遮蔽格子の周期方向に前記遮蔽格子の前記遮蔽部の幅の長さずらした第2の相対位置とをとることが可能であり、前記検出器は、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第1の相対位置を保ちつつ、前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動している間に第1のX線強度分布を検出し、前記干渉パターンと前記遮蔽格子とが前記第2の相対位置を保ちつつ、前記移動部によって前記回折格子と前記遮蔽格子が前記遮蔽格子の周期方向に移動している間に第2のX線強度分布を検出し、前記演算部は、前記第1のX線強度分布と前記第2のX線強度分布とに基づいて被検体の位相情報を算出することを特徴とする。本発明のその他の側面については、以下で説明する実施の形態で明らかにする。本発明によれば、SDG法によるX線撮像の際に、被検出物の透過率分布と光源の照明むらに起因した不要な成分を減じ、精度良く微分位相を算出して正確に位相分布を計測することが可能となるX線撮像装置およびX線撮像方法を実現することができる。つぎに、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1に本実施形態のX線撮像装置を示す。本実施形態のX線撮像装置は、X線源1と、X線源からのX線を回折することによって明部と暗部が配列された干渉パターンを形成する回折格子3を備える。加えて、X線を遮蔽する遮蔽部と、X線を透過する透過部が配列された遮蔽格子4を備える。この遮蔽格子4は、X線源から干渉パターンが形成される位置までの間に被検体が置かれていない時に回折格子3によって形成される干渉パターンと、同一の周期と同一の周期方向で遮蔽部と透過部が配列されている。更に移動部12を備えており、移動部12は回折格子を移動させる第1の移動部6と、遮蔽格子を移動させる第2の移動部7を有する。更に、回折格子3および遮蔽格子4のそれぞれの移動量を検出する測長装置8を備えている。更に、遮蔽格子4を透過したX線の強度分布を検出する検出器5と、検出器5で得た第1のX線強度分布と第2のX線強度分布から被検体の微分位相像を算出するための演算装置9を備える。尚、第1のX線強度分布と第2のX線強度分布については後で説明をする。演算装置9と検出器5はケーブル10によって接続されている。以下で各構成について説明をする。X線源1から出射されるX線は、回折格子3に回折されることによって干渉パターンを形成する。そのためにはX線が可干渉性を有することが必要であり、X線源1はλ×R/sが回折格子3の周期dに対して十分大きくなるよう設計される。但し、λはX線の波長、RはX線源1と回折格子3との距離、sはX線源1のX線発生領域のサイズである。図1では被検体2がX線源1と回折格子3の間に配置されているが、回折格子3と遮蔽格子4の間に配置されても良い。回折格子3は、照射したX線の位相を周期的にπラジアンまたはπ/2ラジアン変調する周期構造を有する1次元位相変調格子である。1次元位相変調格子の代わりに周期的にX線を遮蔽する1次元遮蔽格子を用いても良いが、検出器に入るX線量の点で位相変調格子の方が好ましい。回折格子3の干渉パターンは、明部と暗部が一定の周期で配列しており、式0を満たす位置に生じる。本実施例で形成される干渉パターンは、明部と暗部の干渉パターンの幅が1:1配列されているが、これ以外の干渉パターンを形成する場合も本発明を適用することができる。但し、本明細書における干渉パターンの明部及び暗部の幅とは干渉パターンの周期方向における干渉パターンの幅のことを指す。尚本明細書における明部とはX線の強度が大きい部分、暗部とはX線の強度が弱い部分のことを指す。z0はX線源1と回折格子3との距離、zは回折格子3と干渉パターンの距離、dは回折格子3の周期、λはX線波長である。Nは、nを自然数として、π/2ラジアン変調格子の場合でn-1/2、πラジアン変調格子でn/4-1/8、遮蔽格子の場合でnである。なお、回折格子3を構成する材料は、例えばシリコンのようにX線の透過率が高い物質が好ましい。また、位相の変調量はπラジアンやπ/2ラジアンのものが用いられるのが一般的だが、本実施例に用いられる回折格子はこれに限定されない。遮蔽格子4は、X線を遮蔽する遮蔽部と、X線を透過する透過部が1次元周期的に配列された1次元遮蔽格子である。遮蔽格子4の周期と周期方向は、被検体がX線源から遮蔽格子までの間に配置されていない時に回折格子3によって遮蔽格子4が配置された位置に形成される干渉パターンの周期及び周期方向と同じである。尚、本明細書における遮蔽格子の遮蔽部は、X線を完全に遮蔽しなくても良い。また、遮蔽格子4は被検体がX線源から遮蔽格子までの間に配置されていない時に干渉パターンの明部の半分を遮蔽するような位置に配置される。この時の干渉パターンと遮蔽格子4の相対位置を第1の相対位置とする。干渉パターンと遮蔽格子4がこの第1の相対位置にある状態から遮蔽格子4だけを遮蔽格子の周期方向に遮蔽部の幅の長さ移動させると、被検体がX線源から遮蔽格子までの間に配置されていない時に遮蔽格子4は干渉パターンの明部の半分を遮蔽する。この時遮蔽格子4によって遮蔽される干渉パターンの明部は、干渉パターンと遮蔽格子4が第1の相対位置にあるときには遮蔽格子を透過していた明部である。この時の回折格子3と遮蔽格子4の相対位置を、第2の相対位置とする。尚、本実施例では干渉パターンの位置に合わせて遮蔽格子4の位置を調整したが、遮蔽格子4の位置に合わせて干渉パターンの位置を調整しても良い。干渉パターンの位置を調整するためには、回折格子3の位置を調整すればよい。また、本実施例の遮蔽格子4の周期方向における、遮蔽部と透過部の幅の比は1:1であるが、干渉パターンの明部と暗部の幅の比によっては他の比をとることもできる。つまり、遮蔽格子は、干渉パターンの明部の半分を遮蔽し、もう半分を透過させるものであり、且つ、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が、第1の相対位置と、第2の相対位置をとることができれば良い。本実施例の移動部12は第1の移動部6と第2の移動部7を有し、第1の移動部6および第2の移動部7は、それぞれ回折格子3および遮蔽格子4を遮蔽格子の周期方向に移動させる。また、第1の移動部6と第2の移動部7は、干渉パターンと遮蔽格子4の相対位置を第1の相対位置または第2の相対位置に保ちつつ、回折格子3や遮蔽格子4を移動させることができる。干渉パターンと遮蔽格子4の相対位置を保ちつつ回折格子3と遮蔽格子4を移動させるためには、発散X線を用いて撮像を行う場合、回折格子が移動する距離と遮蔽格子が移動する距離の比を、X線源と回折格子との距離とX線源と遮蔽格子との距離の比とすればよい。一方、平行X線を用いて撮像を行う場合、回折格子が移動する距離と遮蔽格子が移動する距離を同じにすれば干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を保ちながら回折格子と遮蔽格子を遮蔽格子の周期方向に移動させることができる。また、移動部は必ずしも第1の移動部と第2の移動部を有する必要はなく、1つの移動部で回折格子3と遮蔽格子4を移動させても良い。夫々の移動部はモータやピエゾアクチュエータなどで駆動する。測長装置8は、回折格子3および遮蔽格子4のそれぞれの移動方向の変位、つまり移動量を検出するための装置であり、必要に応じて設置される。検出器5は、干渉パターンと遮蔽格子4が第1の相対位置を保ちつつ、回折格子3と遮蔽格子4が遮蔽格子の周期方向に移動している時に遮蔽格子4を透過したX線の強度分布を検出する。その後同様に、干渉パターンと遮蔽格子4が第2の相対位置を保ちつつ、回折格子3と遮蔽格子4が遮蔽格子の周期方向に移動している時に遮蔽格子4を透過したX線の強度分布を検出する。本明細書では、第1の相対位置を保ちながら回折格子と遮蔽格子が移動している時に検出されるX線強度分布を第1のX線強度分布、第2の相対位置を保ちながら回折格子と遮蔽格子が移動している時に検出されるX線強度分布を第2のX線強度分布と呼ぶ。つまり、X線源と回折格子の間又は回折格子と遮蔽格子の間に被検体が置かれていない時、第1のX線強度分布撮像時には干渉パターンの明部の半分が遮蔽され、第2のX線強度分布撮像時には干渉パターンの明部の反対側の半分が遮蔽されることとなる。但し、X線源と回折格子の間又は回折格子と遮蔽格子の間に被検体が置かれ、微分位相が存在する場合は微分位相量に応じて干渉パターンは周期方向に変化する。また、第1のX線強度分布と第2のX線強度分布を検出する時の遮蔽格子4の移動距離は、遮蔽格子4の周期の、1を含む自然数倍に相当する距離、または遮蔽格子の周期に比べて十分に大きな距離である。これにより、検出器の各画素で位相コントラスト情報を有する第1のX線強度分布と第2のX線強度分布を取得している。得られた第1のX線強度分布と第2のX線強度分布を用いて演算装置の演算部により演算を行うと、被検体の微分位相を得ることができる。検出器5はX線を検出できる撮像素子を有しており、例えば蛍光体でX線を可視光に変換した後CCDやCMOS素子で検出する方式の撮像素子等を用いることができる。演算装置9は、検出器5とケーブル10を介して接続されており、図示しない制御部、記憶部メモリ、演算部、表示部を含む。制御部は、測長装置8が検出した回折格子3および遮蔽格子4の移動量に基づいて、移動部の動作を制御し、回折格子3と遮蔽格子4を移動させる。測長装置8がない場合も移動部による移動量を記憶、演算しておけば回折格子3と遮蔽格子4の移動を適切に行うことができる。この場合の適切とは、干渉パターンと遮蔽格子4の相対位置を第1の相対位置及び第2の相対位置に保ちつつ回折格子3と遮蔽格子4を遮蔽格子の周期方向に移動させることを指す。記憶部は、検出器5で取得されたX線強度分布を格納する。演算部は記憶部に格納されたX線強度分布から、微分位相を算出する。また、必要に応じて被検体の位相像を算出する。演算方法について説明をする。検出器5により取得した第1のX線強度分布と第2のX線強度分布の夫々には前述した通り、微分位相だけでなく、透過率分布や光源の照明むらによる誤差が含まれている。この誤差を減ずるために、第1のX線強度分布と第2のX線強度分布に基づいて微分位相を算出する。第1のX線強度分布IAが次の式1に示すように正の微分位相によって強度が大きくなるとすれば、第2のX線強度分布IBは次の式2に示すように同じ量だけ強度が小さくなる。なお、明部の半分とは、完全に半分である必要はなく、誤差範囲を考慮した上での半分のことを意味する。ここで、Φは回折格子直前のX線位相分布であり、xは回折格子面内における回折格子の周期方向の座標であり、yはその直交方向の座標である。I0は、回折格子および遮蔽格子を設置しない状態で取得したX線強度分布、つまり微分位相がない場合の透過率分布と光源の照明むらの影響を含むX線強度である。次の式3のように、第1と第2のX線強度分布の差である位相コントラスト情報を、第1と第2のX線強度分布の和I0で除することで、すべての画素において微分位相に比例した強度分布を得られる。微分位相をラジアン単位で算出するためには、上記式3に示した、第1と第2のX線強度分布の差を和で除した強度分布に、回折格子の周期と回折格子と遮蔽格子の距離によって決定される係数1/aを乗じればよい。この係数は以下の考察から導くことができる。微分位相がある場合とない場合の干渉パターンの位置を回折格子から見込んだ角度の差つまり、被検体によって干渉パターン位置がずれる角度をθとすると、θは次の式4で表わされる。これは干渉パターンが等位相面となる方向に形成されることを示す。一方、干渉パターンの位置ずれによるX線強度の変化率は、第2の回折格子で遮蔽された干渉パターンの幅p/4と、干渉パターンの位置ずれztanθの比となることから、次の式5が導かれる。zは回折格子3と遮蔽格子4との距離である。但し、本明細書では回折格子の中心と遮蔽格子の中心の距離を回折格子と遮蔽格子の距離とする。式4および式5から係数1/aは、次の式6に示す通りとなる。上記式5において、X線による干渉パターンの位置ずれは小さいという仮定をおいたが、式3~式5を厳密に解いて、より正確に微分位相を算出することは容易に可能である。演算部は、検出器により検出された第1のX線強度分布、第2のX線強度分布と、上述の計算方法を用いることで被検体の微分位相を算出する。また、得られた微分位相から位相像を算出しても良い。微分位相や位相像のことを本明細書では位相情報と呼ぶ。表示部は、検出器により取得されたX線強度分布または演算部による演算結果に基づいた画像を表示する。また、演算部は回折格子3と遮蔽格子4の周期方向を同じ量だけ変化させて取得した複数の微分位相から位相分布を算出して被検体の断層像を得て、これを表示部で表示しても構わない。以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。[実施例1]実施例1として、本発明を適用したX線撮像装置の説明をする。本実施例のX線撮像装置は、図1で説明したX線撮像装置と基本的に同じ装置構成のX線撮像装置が用いられる。本実施例でのX線源はモリブデンターゲットを有するマイクロフォーカスX線管とし、X線源と回折格子との距離は1000mmである。回折格子31図3参照は、17.5keVのエネルギーを有するX線中心波長0.071nmの位相を6.0μm周期でπ/2変調する1次元位相変調格子であり、周期的に厚みを変えたシリコンにより形成され、X線源で発生したX線が照射される位置に配置する。上述のX線源と回折格子31を用いると、式0よりタルボ位置が340mmN=1/2なので、回折格子から340mmの位置に遮蔽格子41を配置した。また、遮蔽格子は、シリコン基板上に深さ20.0μm、周期8.04μmで形成した凹部分に金めっきを充填することで、17.5keVのエネルギーを有するX線を周期的に遮蔽するよう設計された1次元遮蔽格子を用いた。検出器は、X線を蛍光体で可視光に変換した後CCDで検出する2次元の検出器であり、遮蔽格子にできるだけ接近した位置に配置する。つぎに、図2に示すフローチャートを用いて、本実施例のX線撮像装置を用いた撮像方法の手順について説明する。まず、被検体を、X線源と回折格子の間に配置するステップ101。被検体は回折格子と遮蔽格子の間に配置しても構わないが、その場合は、式6におけるzを被検体と遮蔽格子との距離として、被検体を透過したX線の微分位相を算出する。次に、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が第1の相対位置をとるように、回折格子と遮蔽格子の位置を移動部によって調整するステップ102。本実施例のX線撮像装置は回折格子と遮蔽格子の位置を調整することで干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を調整したが、どちらか一方の格子の位置を調整することで干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を調整しても良い。次に、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を第1の相対位置に保ちつつ、回折格子と遮蔽格子を独立かつ同期させて移動させる間に検出器で第1のX線強度分布を取得するステップ103。ステップ103において、回折格子の移動する距離と遮蔽格子が遮蔽格子の周期方向へ移動する距離の比が、X線源と回折格子との距離とX線源1と遮蔽格子との距離の比となるように、演算装置の制御部が測長装置の計測結果に従って移動部を制御する。また、第1のX線強度分布を検出する間の遮蔽格子の移動量は遮蔽格子の1周期である。次に、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が第2の位置をとるように、回折格子と遮蔽格子の位置を調整するステップ104。その後ステップ103と同様に干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を第2の相対位置に保ちつつ、回折格子と遮蔽格子を独立かつ同期させて移動させている間に第2のX線強度分布を検出するステップ105。演算装置の演算部は、第1のX線強度分布と第2のX線強度分布の差を第1のX線強度分布と第2のX線強度分布の和で除した後に式6で表わされる係数を乗じた微分位相像を算出するステップ106。算出した微分位相像は、演算装置9の表示部によって表示される。干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が第1の相対位置と第2の相対位置をとる時の回折格子31、干渉パターン、遮蔽格子41の相対位置を図3aおよび図3bに示す。図3aは、干渉パターンと遮蔽格子41が第1の相対位置をとる時の回折格子31と遮蔽格子41との相対位置を示す図である。また、図3bは、干渉パターンと遮蔽格子41が第2の相対位置をとる時の回折格子31と遮蔽格子41との相対位置を示す図である。図3aおよび図3bに示されるように、X線源と回折格子の間に被検体が配置されていると、被検体により生じたX線の微分位相の影響を受けた干渉パターンが形成される。図4に、干渉パターンと遮蔽格子が第1の相対位置および第2の相対位置をとるように、回折格子と遮蔽格子を配置するアライメントの手順の一例を示す。図4のアライメント手順は、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置の違いにより検出器に入るX線強度が変化することを利用している。干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を変化させると、遮蔽格子を透過する干渉パターンの幅が遮蔽格子の周期の0~1/2の間で変化し、検出器に入るX線強度が変化することが容易に分かる。この変化するX線強度が中間値をとるときの干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が、第1の相対位置および第2の相対位置である。図4に示すフローチャートを用いて本実施例のX線撮像装置に用いられるアライメント手順の説明をする。本実施例のX線撮像装置を用いて被検体の撮像を行う場合はまず、被検体を配置しない状態で干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を変えて例えば遮蔽格子のみの位置を変えてその相対位置毎にX線強度分布を検出するステップ201。ステップ201においてX線強度分布を検出している間、回折格子と遮蔽格子は、回折格子によって形成される干渉パターンと遮蔽格子の相対位置が変化しないように同期移動させてもよいし、静止させてもよい。ステップ202で、それぞれのX線強度分布毎にX線強度分布からX線の強度を積分して算出したX線の積分強度を、相対位置の関数としてフィッティングする。例えば、遮蔽格子の格子周期を周期とする三角波や正弦関数でフィッティングする。次に、ステップ203で、フィッティングした関数が極大値と極小値の中間値をとる位置を算出し、その位置に回折格子と遮蔽格子を配置する。回折格子と遮蔽格子がこの位置に配置されている時、干渉パターンと遮蔽格子の相対位置は第1の相対位置をとる。図4に示したアライメント手順は必ずしも撮像毎に実施する必要はなく、以前にアライメントした位置に回折格子および遮蔽格子を配置すればよい。図5は、本実施例によるX線撮像装置により撮像した結果をシミュレーションした結果を示す図である。図5aは、被検体の透過率分布やX線源の照明むらが原因で生じた回折格子上のX線強度分布である。図5bは、被検体により生じた、回折格子上のX線位相分布である。図5cは、図5bのX線位相分布を回折格子の周期方向に微分した微分位相で、本実施例のX線撮像装置で取得されるべき位相コントラスト画像である。図5dは、図5a、図5bに示したX線の強度分布と位相分布に基づいて波動光学的な光伝搬計算で算出した第1のX線強度分布である。図5eは、図5a、図5bに示したX線の強度分布と位相分布に基づいて波動光学的な光伝搬計算で算出した第2のX線強度分布である。図5fは、図5d、図5eから算出した、本実施例によるX線撮像装置で取得された微分位相像である。図5fと図5cは、ほぼ一致しており、本実施例のX線撮像装置を用いた撮像により、誤差の少ない位相コントラスト画像が得られることを示している。[実施例2]実施例2として、実施例1と異なる形態の構成例を説明する。図6に、本実施例に用いられるX線撮像装置を示すが、実施例1と差異のある部分に限定して説明する。本実施例では、X線源11と回折格子32の距離を大きくすることで、平行に近いX線を回折格子32に照射する。そのため、回折格子により形成される干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を保ったまま移動させる際、回折格子32と遮蔽格子42を固定して、移動部120で移動させることが可能となる。本実施例では、X線源は高輝度で放射角が小さいことが必要であるため、X線源11として17.7keVのエネルギーを有するシンクロトロン放射光を利用する。回折格子32は、X線源11から150m離れた実験ハッチ内に配置する。回折格子32は17.7keVのエネルギーを有するX線の位相を6.0μm周期でπ/2変調する1次元位相変調格子である。遮蔽格子42は、式0よりタルボ位置が257mmN=1/2なので、回折格子32と257mm離れた状態で板状の部材に固定する。遮蔽格子42の周期も回折格子32と同じ6.0μmで、17.7keVのエネルギーを有するX線を周期的に遮蔽する1次元遮蔽格子である。回折格子32と遮蔽格子42の相対位置を固定する際には、図4で一例を示したアライメントを行い、相対位置を固定する。まず、干渉パターンと遮蔽格子42が第1の相対位置をとるように回折格子32と遮蔽格子42を配置し、この位置で回折格子32と遮蔽格子42の相対位置を固定する。実施例1同様に第1のX線強度分布を検出した後、回折格子32または遮蔽格子42を周期方向に遮蔽格子の透過部の幅の長さ分ずらしてから再び回折格子32と遮蔽格子42の相対位置を固定する。実施例1同様に、第2のX線強度分布を検出した後演算部により微分位相像を算出し、これを表示部で表示する。