反応ガスが導入される反応室と、前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第1電極及び第2電極とを備え、前記第1電極は、第1端部において電源供給部に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間の距離が、前記第1端部に対向する第2端部側よりも前記第1端部側で狭くなるように、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。前記突出部は、他方の電極に向かって突出する方向の幅が、前記第2端部側から前記第1端部に向かって徐々に広くなるように、他方の電極に向かって傾斜する傾斜面を備えていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記突出部は、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方における、他方の電極に対向する面上に取り付けられた金属部材であることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。前記第1電極及び前記第2電極の組を複数備えていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。1つの前記第1電極と1つの前記第2電極とからなる電極対を複数備えていることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。1つの前記第1電極を、2つの前記第2電極の間に挟むように設け、2つの前記第2電極と1つの前記第1電極とそれぞれの間において、プラズマ放電させることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。請求項1~6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置により製造した半導体装置。プラズマ処理装置において、カソード電極の端部から給電する場合、給電点近傍に定在波が発生し、その影響により給電点近傍の電界強度が低下するという問題が生じる。給電点近傍における電界強度の低下により、電極面上における成膜レートが不均一になる。特に、給電点近傍の膜厚が薄くなってしまう。特許文献1~3においては、給電点近傍の電界強度低下の課題について認識されていない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、給電点近傍の電界強度低下を防止し、良好な成膜が可能なプラズマ処理装置を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、反応ガスが導入される反応室と、前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第1電極及び第2電極とを備え、前記第1電極は、第1端部において電源供給部に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間の距離が、前記第1端部に対向する第2端部側よりも前記第1端部側で狭くなるように、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えていることを特徴としている。上記の構成によれば、電源供給部から電力が供給される給電点側の第1電極と第2電極との間の電極間距離が、第1電極の給電点である第1段部に対向する第2端部側の電極間距離よりも狭くなるので、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、電極面上における成膜レートが均一になる。したがって、良好な成膜が可能である。本発明に係る半導体装置は、上記プラズマ処理装置により製造したことを特徴としている。上記プラズマ処理装置を用いて製造することによって、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、均一に成膜されたものであるので、良好な特性が得られる。また、本発明に係るプラズマ処理装置において、前記突出部は、他方の電極に向かって突出する方向の幅が、前記第2端部側から前記第1端部に向かって徐々に広くなるように、他方の電極に向かって傾斜する傾斜面を備えていることが好ましい。上記の構成によれば、第1電極と第2電極との間の電極間距離が、第2端部側から第1端部に向かって徐々に狭くなるように緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。さらに、本発明に係るプラズマ処理装置において、前記突出部は、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方における、他方の電極に対向する面上に取り付けられた金属部材であることが好ましい。これにより、給電点側の第1電極と第2電極との間の電極間距離が、第1電極の給電点である第1端部に対向する第2端部側の電極間距離よりも狭くなるので、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、良好な成膜が可能である。また、本発明に係るプラズマ処理装置は、前記第1電極及び前記第2電極の組を複数備えていることが好ましい。これにより、複数の基板の処理を同時に行うことが可能である。また、本発明に係るプラズマ処理装置は、1つの前記第1電極と1つの前記第2電極とからなる電極対を複数備えていることが好ましい。これにより、複数の基板の処理を同時に行うことが可能である。さらに、本発明に係るプラズマ処理装置は、1つの前記第1電極を、2つの前記第2電極の間に挟むように設け、2つの前記第2電極と1つの前記第1電極とのそれぞれの間において、プラズマ放電させることが好ましい。これにより、1つの第1電極と2つの第2電極により、2つの被処理体を同時に処理することが可能である。本発明に係るプラズマ処理装置は、反応ガスが導入される反応室と、前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第1電極及び第2電極とを備え、前記第1電極は、第1端部において電源供給部に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間の距離が、前記第1端部に対向する第2端部側よりも前記第1端部側で狭くなるように、前記第1電極及び前記第2電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えているので、給電点近傍の電界強度低下を防止し、良好な成膜が可能である。実施形態1以下、本発明の一実施形態について、図1~4に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。図2は、本発明のプラズマ処理装置における電極の一実施形態を示す概略図であり、図3は、本発明のプラズマ処理装置における電極の他の実施形態を示す概略図である。図4は、従来のプラズマ処理装置において、給電点近傍における電界強度の低下を示す電界強度分布図である。図1に示すように、プラズマ処理装置10は、カソード電極第1電極1、アノード電極第2電極2、及び反応チャンバ反応室3を備えている。さらにプラズマ処理装置10は、電源部電源供給部5、ガス導入管7及び排気管8を備えていてもよい。プラズマ処理装置10においては、反応ガス雰囲気下においてカソード電極1又はアノード電極2との間に高電圧を印加することによってプラズマ放電を生じさせる。そして、カソード電極1とアノード電極2との間の空間において生じたプラズマ放電によって、カソード電極1又はアノード電極2上の基板4の表面に成膜又はエッチング処理する。本実施の形態においては、アノード電極2上に設けられた基板4表面に成膜する構成を例として説明する。プラズマ処理装置10において、カソード電極1及びアノード電極2は、反応チャンバ3内に平行に対向して配設されている。カソード電極1はその端部第1端部において電源部5に接続されており、アノード電極2は、アース6に接続されている。アノード電極2には、処理を行う基板4の温度を調整するために、ヒータ図示せず及び冷却管図示せずが内蔵されている。カソード電極1及びアノード電極2は、例えば、ステンレススチール、アルミ合金などの金属材料により形成されている。カソード電極1及びアノード電極2の大きさは、プラズマ処理の対象となる基板4の大きさに併せて適宜設定される。プラズマ処理の対象となる基板4として、ガラス基板、シリコン基板等が挙げられるが、これに限定されない。本実施の形態においては、反応チャンバ3内にカソード電極1及びアノード電極2を1組のみ設けているが、これらの電極を反応チャンバ3内に複数組設けて、同時に複数の基板4上に成膜する構成であってもよい。カソード電極1及びアノード電極2の組を複数設ける構成の詳細については、後述する。反応チャンバ3は密封可能な縦型チャンバであり、その内部に、ガス導入管7を介して反応ガスが導入され、排気管8を介して内部のガスを排気する。縦型の反応チャンバ3内に、1対のカソード電極1及びアノード電極2が、反応チャンバ3の底面に対して略垂直に配置されている。なお、図1において、基板4は、アノード電極2のカソード電極1に対向する面に、その一面が接するように設けられ、基板保持部図示せずによって保持されている。反応チャンバ3は、横型チャンバであってもよく、この場合も、1対のカソード電極1及びアノード電極2は、反応チャンバ3の底面に対して略垂直に配置される。ガス導入管7及び排気管8には、反応チャンバ3内のガスの導出入に用いられるポンプ図示せず、及び反応チャンバ3内の圧力を制御する圧力制御部図示せずが設けられていてもよい。なお、本実施形態において、ガス導入管7からカソード電極1内のガスラインに反応ガスを供給し、アノード電極2上に設けられた基板4の上方から反応ガスを噴出するようになっている。また、反応チャンバ3内の反応ガスは、排気管8内を減圧して真空引きし、排気する。電源部5は、例えば、RF1.00MHz~60MHzの周波数で10W~100kWの電力、具体的には、11.00MHz~60MHzで10W~10kWの電力をカソード電極1に供給するプラズマ励起電源である。電源部5は、給電ケーブルを介してカソード電極1の端部に接続されており、この端部からカソード電極1に給電する。したがって、当該端部が給電点となる。このように、カソード電極1の端部から給電するとき、図4に示すように、給電点近傍に定在波が発生する。図4は、1200mm角の基板に、従来のプラズマ処理装置を用いて、周波数13.56MHzで電力を供給した時の電界強度を示している。図4に示すように定在波が発生した箇所においては、定在波の影響により給電点近傍の電界強度が低下する。このような給電点近傍における電界強度の低下により、電極面内における成膜レートが不均一になる。したがって、特に給電点近傍の膜厚が薄くなってしまう。プラズマ処理装置10においては、カソード電極1において、アノード電極2に対向する面は、カソード電極1とアノード電極2との間の距離が、給電点に対向する端部第2端部側すなわち、電源部5に接続されていないほうの端部側よりも、電源部5に接続された端部給電点側がより狭くなるように、アノード電極2に向かって突出している。カソード電極1において、アノード電極2に対向する面の、アノード電極2に向かって突出している部分を、突出部と称する。これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。なお、本実施形態においては、アノード電極2上に設けた基板4に成膜する構成であるため、カソード電極1の給電点近傍がアノード電極2に向かって突出する形状としたが、本発明はこれに限定されず、アノード電極2における、カソード電極1の給電点近傍に対向する面がカソード電極1に向かって突出する形状とし、カソード電極1上に設けた基板4を成膜する構成としてもよい。プラズマ処理装置10において用いられる各電極の形状の具体例としては、図2及び3に示す形状が挙げられる。図2に示すように、カソード電極21において、突出部は、アノード電極に向かって突出する方向の幅が、電源部25に接続されていないほうの端部側から電源部25に接続されている端部に向かって徐々に広くなるように、アノード電極に向かって傾斜する傾斜面を備えている。すなわち、カソード電極21における、反応チャンバ3内に設けられたときにアノード電極に対向する面は、カソード電極21とアノード電極との間の距離が、電源部25に接続されていないほうの端部側から電源部25に接続されている端部に向かって徐々に狭くなるように、アノード電極に向かって傾斜しているとも言える。これにより、カソード電極21とアノード電極との間の電極間距離が緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。なお、カソード電極21における突出部の当該傾斜の開始点、傾斜の角度等の傾斜条件は、カソード電極21とアノード電極との間の電界強度を測定し、電極間の電界強度が均一になるような条件を適宜設定すればよい。図1及び図2には、給電点に対向する端部第2端部より、給電点側の端部第1端部の方へ、当該傾斜の開始点を片寄らせた場合を示しているが、これに限らず、給電点側の端部より給電点に対向する端部の方へ、当該傾斜の開始点を片寄らせてもよいし、第2端部が当該傾斜の開始点であってもよい。また、図3に示すように、カソード電極21において、突出部は、カソード電極21のアノード電極に対向する面上に取り付けられた金属部材39であってもよい。すなわち、カソード電極31における、反応チャンバ3内に設けられたときにアノード電極に対向する面の、電源部35に接続されていないほうの端部側に、金属部材39が取り付けられていてもよい。これにより、カソード電極31とアノード電極との間の距離が、電源部35に接続されていないほうの端部側よりも電源部25に接続されている端部側の方が狭くなる。カソード電極31に取り付ける金属部材39としては、電極を構成する材料と同一材料のものが用いられ得るが、所定の導電性及び耐熱性を有する金属であれば好適に使用可能である。金属部材39は、その長手方向の端部の一方と、カソード電極31の電源部35に接続されている端部とが面一になるように設けられていることが好ましい。金属部材39の大きさは、カソード電極31とアノード電極との間の電界強度を測定し、電極間の電界強度が均一になるような大きさを適宜選択すればよい。なお、金属部材39において、反応チャンバ3内に設けられたときにアノード電極に対向する面は、カソード電極31とアノード電極との間の距離が、電源部35に接続されていないほうの端部側から電源部35に接続されている端部に向かって徐々に狭くなるように、アノード電極に向かって傾斜していてもよい。これにより、カソード電極31とアノード電極との間の電極間距離が緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。プラズマ処理装置10は、成膜レートが均一で、良好な成膜が可能であるため、例えば薄膜太陽電池の光電変換層の製造に好適に用いられる。このような、プラズマ処理装置10により製造した半導体装置についても、本発明の範疇に含まれる。実施形態2本発明の他の実施形態について、図5を参照して説明する。なお、本実施形態においては、上述した実施形態と異なる部分について特に説明し、他の部分については上述の実施形態の説明に準じる。図5は、本発明の他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。図5に示すように、プラズマ処理装置50は、反応チャンバ53内に、複数4つのカソード電極51a~51dと、複数4つのアノード電極52a~52dとを備えている。反応チャンバ53は密閉可能な横型チャンバである。なお、図5においては、カソード電極とアノード電極とが、それぞれ4つずつ設けられた構成を例として説明したが、カソード電極及びアノード電極の数はこれに限定されない。カソード電極51a~51dとアノード電極52a~52dとは、それぞれ一対ずつ対向するように設けられ、4組の放電空間が形成されている。カソード電極51a~51dとアノード電極52a~52dとは、反応チャンバ53の底面に対して略平行に配置されている。そして、それぞれのアノード電極52a~52d上には、プラズマ処理の対象となる基板54a~54dが載置されている。反応チャンバ53内には、各カソード電極51a~51dのそれぞれの電極内に設けられたガスライン図示せずを介して反応ガスが供給され、各基板54a~54dの上方からそれぞれ反応ガスが噴出される。反応チャンバ53からの反応ガスは、排気管図示せず内を減圧して真空引きし、排気する。カソード電極51a~51dは、それぞれ、電力導入線58に接続されており、電力導入線58は、整合器57を介して高周波電源55に接続されている。反応チャンバ53内の4つの放電空間に、高周波電源55からの電力を均等に供給するために、電力導入線58は、整合器57から反応チャンバ53までの間で、2本に分岐され、その後、さらに同様に2本に分岐されている。分岐された部分からは対称に図5において上下線対象に延びている。アノード電極52a~52dは、アース56a~56dにそれぞれ接続されている。また、各アノード電極52a~52dには、処理を行う基板54a~54dの温度を調整するために、ヒータ図示せず及び冷却管図示せずが内蔵されている。プラズマ処理装置50においては、各カソード電極51a~51dにおいて、各アノード電極52a~52dに対向する面は、それぞれのカソード電極51a~51dとアノード電極52a~52dとの間の距離が、給電点に対向する端部側すなわち、高周波電源55に接続されていないほうの端部側よりも、高周波電源55に接続された端部給電点側がより狭くなるように、各アノード電極52a~52dに向かって突出している。すなわち、各カソード電極51a~51dの、アノード電極側の面において、高周波電源55に接続された側には、突出部を備えている。これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。また、プラズマ処理装置50によれば、カソード電極とアノード電極とからなる電極対を複数備えているので、複数の基板54a~54dの処理を同時に行うことが可能である。実施形態3本発明のさらに他の実施形態について、図6を参照して説明する。なお、本実施形態においては、上述した実施形態と異なる部分について特に説明し、他の部分については上述の実施形態の説明に準じる。図6は、本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。図6に示すように、プラズマ処理装置60は、反応チャンバ63内に、2つのカソード電極61a及び61bと、4つのアノード電極62a~62dとを備えている。カソード電極61a及び61bとアノード電極62a~62dとは、1つのカソード電極を2つのアノード電極で挟むように設けられている。すなわち、カソード電極61aをアノード電極62a及び62bで挟み、カソード電極61bをアノード電極62c及び62dで挟むように設けられている。反応チャンバ63は密閉可能な縦型チャンバである。カソード電極61a及び61bとアノード電極62a~62dとは、反応チャンバ63の底面に対して略垂直に、互いに略平行に配置されている。アノード電極62a~62dのカソード電極に対向する面には、それぞれ基板64a~64dが設けられている。基板64a~64dのそれぞれは、その一面が、各アノード電極においてカソード電極に対向する面に接するように設けられ、基板保持部図示せずによって保持されている。カソード電極61aは電力導入線68aに接続されており、電力導入線68aは整合器67aを介して高周波電源65aに接続されている。また、カソード電極61bは電力導入線68bに接続されており、電力導入線68bは整合器67bを介して高周波電源65bに接続されている。したがって、プラズマ処理装置60には、反応チャンバ63内に、同様に構成された2組のプラズマ処理部が設けられていると言える。アノード電極62a~62dは、それぞれ同一のアース66に接続されているが、それぞれ異なるアースに接続されていてもよい。アノード電極62a~62dには、処理を行う基板64a~64dの温度を調整するために、ヒータ図示せず及び冷却管図示せずが内蔵されている。反応チャンバ63内には、カソード電極61aとアノード電極62a及び62bとの間、カソード電極61bとアノード電極62c及び62dとの間のそれぞれにおいて、プラズマ放電し、4つの放電空間が形成される。すなわち、2つのアノード電極が、プラズマ放電の対となるカソード電極を共有している。反応チャンバ63内には、カソード電極61a及び61bのそれぞれの電極内に設けられたガスライン図示せずを介して反応ガスが供給され、カソード電極61a及び61bにおいて、2つのアノード電極に対向する2つの面のそれぞれから反応ガスが噴出される。したがって、基板64a~64dのそれぞれの上方から反応ガスが供給される。反応チャンバ63からの反応ガスは、排気管図示せず内を減圧して真空引きし、排気する。プラズマ処理装置60においては、各カソード電極61a及び61bにおいて、各アノード電極62a~62dに対向する面は、それぞれのカソード電極61a及び61bとアノード電極62a~62dとの間の距離が、給電点に対向する端部側すなわち、高周波電源65a又は65bに接続されていないほうの端部側よりも、高周波電源65a又は65bに接続された端部給電点側がより狭くなるように、各アノード電極62a~62dに向かって突出している。すなわち、カソード電極61a及び61bにおいて、反応チャンバ63の底面に垂直な方向の両面において、高周波電源65a又は65bに接続された側には、突出部を備えている。これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。また、プラズマ処理装置60においては、1つのカソード電極を、2つのアノード電極の間に挟むように設け、2つのアノード電極と1つのカソード電極とのそれぞれの間において、プラズマ放電させるので、1つのカソード電極と2つのアノード電極により、2つの基板を同時に処理することが可能である。以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部について様々な態様が可能であることはいうまでもない。上述したプラズマ処理装置10を用いた一実施例を以下に示す。カソード電極1及びアノード電極2として、サイズ1100mm×1500mm、厚み30mmの電極を用いた。電極間距離を15mmとし、1000mm×1400mmの透明導電膜が堆積されたガラス基板を電極間に設置した。カソード電極1に、周波数11MHzで12kWの電力を導入し、反応チャンバ3内にSiH4ガス1.2slm及びH2ガス80slmを導入して成膜した。その結果、基板上に厚み1.0μmの薄膜が均一に形成された。なお、成膜された薄膜の状態及び厚みは、段差膜厚計や反射分光膜厚計などにより、薄膜の基板面内の複数点を測定して評価した。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。