"排水中の浮遊物質を膜分離する膜分離工程を備えた排水の処理方法であって、該膜分離工程の上流側において処理対象となる排水に塩素成分を含ませた処理水を電気分解する電解工程を備え、該電解工程における印加電圧を調整することにより、前記膜分離工程へ流入する処理水中の遊離塩素濃度を50~500mg/Lの範囲に制御することを特徴とする膜分離を用いた排水の処理方法。前記膜分離工程の上流側において処理液に次亜塩素酸塩を添加し、該次亜塩素酸塩の添加量の調整と前記印加電圧の調整とにより、前記遊離塩素濃度を前記範囲に制御することを特徴とする請求項1記載の膜分離を用いた排水の処理方法。排水中の浮遊物質を膜分離する膜分離器を備えた排水の処理装置であって、該膜分離器の上流側において処理対象となる排水に塩素成分を含ませた処理水を電気分解する電解装置を備え、前記膜分離器へ流入する処理水中の遊離塩素濃度が50~500mg/Lの範囲となるように前記電解装置による印加電圧を調整する制御装置を備えたことを特徴とする膜分離を用いた排水の処理装置。前記膜分離器の上流側において処理液に次亜塩素酸塩を添加する次亜塩素酸塩添加装置を備え、前記制御装置は、次亜塩素酸塩の添加量と、前記印加電圧とを調整することにより、前記遊離塩素濃度を前記範囲に制御するように構成されていることを特徴とする請求項3記載の膜分離を用いた排水の処理装置。しかしながら、上述の如き従来のファウリング防止技術は、何れの方法も煩雑であることには変わりなく、より効果的で且つより簡便な方法が求められている。本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、膜分離によってSSを効率的に除去しつつ、該膜分離装置のファウリングをより簡便に抑制しうる排水の処理方法および処理装置を提供することを目的とする。上記のような課題に鑑み、本発明に係る膜分離を用いた排水の処理方法は、排水中の浮遊物質を膜分離する膜分離工程を備えた排水の処理方法であって、該膜分離工程の上流側において処理対象となる排水に塩素成分を含ませた処理水を電気分解する電解工程を備え、該電解工程における印加電圧を調整することにより、前記膜分離工程へ流入する処理水中の遊離塩素濃度を50~500mg/Lの範囲に制御することを特徴とする。また、本発明に係る処理方法は、好ましくは前記膜分離工程の上流側において処理液に次亜塩素酸塩を添加し、該次亜塩素酸塩の添加量の調整と前記印加電圧の調整とにより、前記遊離塩素濃度を前記範囲に制御することを特徴とする。さらに、本発明に係る膜分離を用いた排水の処理装置は、排水中の浮遊物質を膜分離する膜分離器を備えた排水の処理装置であって、該膜分離器の上流側において処理対象となる排水に塩素成分を含ませた処理水を電気分解する電解装置を備え、前記膜分離器へ流入する処理水中の遊離塩素濃度が50~500mg/Lの範囲となるように前記電解装置による印加電圧を調整する制御装置を備えたことを特徴とする。また、本発明に係る処理装置は、好ましくは前記膜分離器の上流側において処理液に次亜塩素酸塩を添加する次亜塩素酸塩添加装置を備え、前記制御装置は、次亜塩素酸塩の添加量と、前記印加電圧とを調整することにより、前記遊離塩素濃度を前記範囲に制御するように構成されていることを特徴とする。本発明に係る膜分離を用いた排水の処理方法および処理装置によれば、塩素成分が含まれた状態で排水を電気分解して遊離塩素濃度を上記のような範囲に設定するようにしたことにより、膜分離装置の膜に付着した有機物の量を低減し、従来よりも容易にファウリング現象を抑制することが可能となる。また、電解工程を設けることにより、排水中に溶存するタリウムTI等の金属を酸化物として析出させることができ、該排水からの重金属除去を同時に実施することが可能となる。また、本発明に係る上記好ましい態様によれば、電気分解に加えて次亜塩素酸を添加することにより次亜塩素酸の濃度を制御するようにしたので、遊離塩素濃度の制御がより一層容易になるという効果がある。以上のように、本発明に係る膜分離を用いた排水の処理方法および処理装置によれば、膜分離によって排水中のSSを効率的に除去することが可能であり、同時に該膜分離装置のファウリングを抑制することも可能となる。以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態である膜分離を用いた排水の処理方法および処理装置以下、単に処理方法および処理装置という場合もあるについて説明する。図1は、本実施形態の膜分離を用いた排水の処理装置を模式的に示した図である。本実施形態の処理装置は、セメント製造設備において排出される脱塩ダストを塩素含有廃棄物Dとして受入れ、脱塩された処理物をセメント原料として利用する場合に適用したものである。該処理装置は、具体的には、塩素含有脱塩廃棄物Dに水Wを添加して該廃棄物Dを流動化させて塩素を溶解させる溶解槽1と、該溶解槽1で生成したスラリーS1を固液分離してセメント原料として用いる固形ケークC2と濾液F2とに分離する濾過装置2と、該濾過装置2からの濾液F2をpH5~6に調整し且つ還元剤を添加してセレンを析出させる反応槽3と、該反応槽3から排出され析出したセレンを含むスラリーS3からセレンを沈降させる凝集槽4と、該凝集槽24からの上澄み液F4をpH9~10に調整して還元剤を添加して重金属を析出させる反応槽5と、該反応槽5から排出され重金属析出物を含むスラリーS5に高分子凝集剤Fを添加して重金属を凝集させてフロックを沈降させる凝集槽6と、該フロックおよび前記凝集槽4で生成した沈殿物を固液分離してセメント原料となる固形ケークC7と前記反応槽25へ循環させる上澄み液F7とに分離する濾過装置7と、前記凝集槽6からの上澄み液F6に直流電流を印加して電解により金属酸化物を析出させる電解槽8と、該電解槽8で生成され金属酸化物を含むスラリーS8を固液分離により濾過して、前記凝集槽6に循環させる固形分M10と、濾液F10とに分離する濾過装置10と、濾液F10を再度濾過する活性炭吸着塔11とを備える。斯かる構成の処理装置を用いた一実施形態の排水の処理方法は、具体的には、塩素含有廃棄物Dに水Wを添加して該廃棄物Dを流動化させることによって塩素を溶解させたスラリーS1とし、該スラリーS1を濾過して濾液F2と固形ケークC2とに固液分離する水洗濾過工程と、濾液F2をpH5~6に調整し且つ還元剤を添加してセレンを析出させ、析出したセレンを含むスラリーS3を凝集させてセレン含有物S4を沈降させて分離するセレン除去工程と、該セレン除去工程で分離された上澄み液F4をpH9~10に調整して還元剤を添加して重金属を析出させ、重金属析出物を含むスラリーS5に高分子凝集剤Fを添加して重金属を含むフロックを凝集沈降させる重金属除去工程と、前記セレン除去工程で分離されたセレン含有沈降物S4および該重金属除去工程で凝集沈降したフロックS6を固液分離してセメント原料となる固形ケークC7と上澄み液F7とに分離し、分離した上澄み液F7を前記該重金属除去工程へと返送する固液分離工程と、前記重金属凝集工程で分離した上澄み液F6に直流電流を印加して電気分解することにより金属酸化物を析出させる電解工程と、該電解工程で生成され金属酸化物を含むスラリーS8を濾過して濾液F10と固形分M10とに固液分離する膜分離工程と、濾液F10を活性炭処理して放流する活性炭処理工程とを備える。該方法においては、塩素含有廃棄物Dたる脱塩ダストは、固形ケークC2およびC7として排出され、セメント原料として使用されることとなる。以下、各工程についてより具体的に説明する。水洗濾過工程該水洗濾過工程では、塩素含有廃棄物Dである脱塩ダストを溶解槽1に投入し、該脱塩ダストが流動化する程度の水Wを添加して撹拌し、スラリー化するとともに、該脱塩ダストに含まれる塩素化合物等の可溶成分を溶出させてリパルプさせる。添加する水Wの量としては、脱塩ダストDに対して2~10質量倍の量が好ましく、また、該水Wとしては、工業用水や、製造工程等から排出される二次排水や上水道等が用いられる。水の添加量が塩素含有廃棄物Dの2~10質量倍とすることにより、塩素含有廃棄物D中の可溶成分を十分に溶出させて脱塩ケークC2中に残存する塩素成分を低減することができ、また、スラリーをポンプ輸送が容易な粘度とすることができる。上記のリパルプでは、可溶成分の溶解速度を高めるため、溶解槽1内の温度を40°C以上に高めてもよい。また、攪拌時間は10時間以内とすることが好ましい。さらに、該水洗濾過工程では、リパルプにより生成したスラリーS21を、濾過機22に投入し、圧搾して固液分離を行い、脱水ケークC2と濾液F2とに分離する。該濾過機2としては、フィルタープレスやベルトフィルターが用いられる。また必要に応じて、濾過機2内に水Wを導入し、固形分C2に残留する可溶成分を洗浄してもよい。洗浄のために使用する水Wは、脱塩洗浄に供する廃棄物量に対して0.5~2.0質量倍が好ましい。得られた脱水ケークC2はセメント原料として有効利用される。具体的には、固形分C2を直接セメント製造設備に送り、他のセメント原料と混合された後、乾燥粉砕等の工程を経て粉末セメント原料としてセメント焼成工程に供給され、セメントクリンカとして焼成される。セレン除去工程濾過機2から排出された濾液F2には、脱塩ダストD中の塩素が溶出しているほか、セレン、重金属等が含まれている。そこで、セレン除去工程では、この濾液F2に含まれているセレンを選択的に除去する。具体的には、先ず、濾液F2を反応槽3に送り、該濾液F2にpH調整剤A1を添加してpHが5~6程度に調整する。pH調整剤A1としては、炭酸、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸が好適に用いられる。該反応槽3では、前記pH調製剤A1を添加してpHを上記範囲に調整するとともに、反応槽3中の濾液F2に、さらに鉄粉や塩化第一鉄等の還元剤A2を添加し、撹拌混合することによりスラリーS3とする。濾液F2のpHが上記範囲であれば、鉄粉や塩化第一鉄等の還元剤A2を加えた際にセレンの還元反応が生じ、セレンを沈殿させて除去することが可能となる。鉄粉や塩化第一鉄等の還元剤A2の添加量は、濾液F2に含まれるセレンを還元して沈殿させることができる量であればよく、濾液F2に対して、例えば0.5質量以上かつ4質量以下が好ましく、1質量以上2質量以下がより好ましい。また、スラリーS3は加温してもよく、加温の際の温度は、45°C~60°Cが好ましい。該セレン除去工程では、セレンは鉄粉又は塩化第一鉄等の還元剤A2により還元されて析出する一方、鉄粉又は塩化第一鉄はその一部がセレンによりイオン化され第二鉄イオンとしてスラリーS3中に溶出することとなる。重金属除去工程凝集槽4で分離した上澄み液F4には、脱塩ダストD中の塩素が溶出しているほか、重金属等も含まれている。そこで、該上澄み液F4にpH調整剤B1を添加し、さらに高分子凝集剤Fを添加して、該上澄み液F4に含まれる重金属を沈殿させ、この沈殿物を濾過により分離する。具体的には、凝集槽4の上澄み液F4を反応槽5に移送し、該上澄み液F4に、例えば、硫酸第一鉄FeSO4や塩化第一鉄FeCl2等の還元剤B2を添加して反応させ、スラリーS5を生じさせる。例えば、重金属類については、上澄み液F4のpHを9~10.5程度にして重金属の水酸化物を沈殿させることにより、効率良く取り除くことができる。この際に用いるpH調整剤B1としては、アルカリ性であればよく、中でもNaOHが好ましい。次いで、凝集槽6では、反応槽5からのスラリーS5に高分子凝集剤Fを添加することにより、スラリーS5中の重金属、または微粒子化した重金属、あるいは水酸化物の重金属を凝集させて、沈降させる。固液分離工程凝集槽6の沈殿物S6、および、前記凝集槽4の沈殿物S4は、例えば、フィルタープレス等の濾過機7を用いて固液分離し、脱水ケーキC7として排出する。ここで、必要に応じて濾過機7内に水を導入し、該沈殿物を水で洗浄してもよい。該濾過装置7で得られた脱水ケークC7は、セメント原料として有効利用できる。利用方法としては、前記水洗濾過工程により得られた脱水ケークC2と同様である。また、該濾過装置7で得られた脱水ケークC7は、その一部を反応槽3のスラリーに添加する鉄粉等の一部として繰り返し使用することもでき、濾液F7は、反応槽5に循環させて利用することができる。電解工程凝集槽6から排出される上澄水F6は、電解槽8に送られ、電解槽8の電極を介して通電されて電気分解が行われる。上澄み液F6を電気分解することによって、該上澄み液F6中に溶存する金属を酸化物として析出させ、微細な懸濁物質に変化させることができる。また、該電解工程では、図1に示すように、次亜塩素酸ナトリウムGを添加することが好ましい。次亜塩素酸ナトリウムを添加することにより、前記電気分解による溶存金属の析出反応を促進することができ、且つ、後段の膜分離工程におけるファウリング現象を抑制しやすくなるという効果がある。前記上澄水F26溶存する金属がタリウムTlの場合、該電解工程によって容易に懸濁物質となるため、タリウム処理工程を設けることによってタリウムを除去することができる。具体的には、電解槽8で生じた懸濁物質を含むスラリーS8をデカンタ9で静置し、懸濁物質を沈降させてタリウムTlを回収する。該デカンタ9にチオ硫酸ナトリウム等のチオ硫酸塩を添加すると、過剰の次亜塩素酸ナトリウムが除去され、タリウムを回収することが可能となる。膜分離工程電解槽28からの懸濁物質を含む処理液F8は、膜分離装置10に送られ、膜分離によって金属酸化物を含む微細な懸濁物質が取り除かれる。膜分離装置10としては、精密濾過MF膜や、限外濾過UF膜などの膜を用いた膜濾過装置を挙げることができる。膜分離工程によって処理された濾液F10は、懸濁浮遊物質SSの含有量が1mg/L以下であるため、環境的にも問題がなく、下水道等へ放流することができるが、本実施形態の如く該濾液F10を活性炭吸着塔11に導入し、含有された微量成分を取り除くことも可能である。一方、該膜分離装置10で得られた固形分M10は、前記凝集槽6に循環されて再処理される。電解槽8から移送される処理液F8は、遊離塩素濃度が50~500mg/Lとなるように制御され、好ましくは50~200mg/Lとなるように制御される。具体的には、電解槽8と膜分離装置10との間で処理液F8の遊離塩素濃度を測定する濃度測定装置図示せずと、該測定装置によって測定される遊離塩素濃度の値に基づき、電解槽8における印加電圧を制御する制御装置図示せずとを備え、該制御装置によって、遊離塩素の濃度が上記範囲となるように制御される。遊離塩素は、塩素を含んだ状態の処理液、すなわち、前記実施形態では塩素含有廃棄物Dに由来する塩素を含んだ上澄み液F6を電気分解することにより、該処理液中に生成するため、前記電解槽8電解工程における印加電圧を調整することにより、遊離塩素濃度を上記範囲に制御することができる。遊離塩素濃度を上記範囲内に調整することにより、膜分離装置のファウリングを抑制することができ、処理水量の低下を防止することができる。なお、遊離塩素濃度は、例えば、液の酸化還元電位を測定することによって容易に測定することができる。遊離塩素の濃度を上記範囲に制御するという観点から、上澄み液F6中の塩素濃度は、1000mg/L以上であることが好ましく、10,000~50,000mg/Lであることがより好ましい。また、上述のように、該電解槽8電解工程において次亜塩素酸ナトリウム等の次亜塩素酸塩を別途添加するようにしてもよい。該電解槽8電解工程において次亜塩素酸塩を別途添加することにより、溶存金属の析出反応を促進すると同時に、膜分離工程における処理水の遊離塩素濃度を高めてファウリングの防止をも図りうるという効果がある。尚、本発明に係る処理方法および処理装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、塩素含有廃棄物をセメント原料として使用するための処理設備において適用した場合について説明したが、一般的な排水の処理工程や、汚泥の処理工程において適用することも可能である。"