一の光透過特性を持ち、一の発光面として機能する一のカソード構造と、一の光反射性を持ち、前記カソード構造の反対に配設される一のアノード構造と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配設される一の蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、前記カソードに複数の電子を均一に射出させる役割を果たす一の低圧ガス層と、を含み、前記低圧ガス層は一の大きな電子平均自由行程alargeelectronmeanfreepathを有し、前記大きな電子平均自由行程は、一の動作電圧下で複数の電子を前記蛍光層に直接衝突させて複数の望ましい光を生成する、光源装置。二次電子生成層は、複数の電子を容易に生成することのできる一の材料を含む、請求項1に記載の光源装置。前記複数の電子を容易に生成することのできる材料は、MgO、Tb2O3、La2O3、あるいはCeO2を含む、請求項2に記載の光源装置。前記低圧ガス層の一のガス圧は10~10-3torrの範囲である、請求項1に記載の光源装置。前記カソード構造と前記アノード構造とを隔て、一の封止空間を構成することで前記低圧ガス層を形成する一の側壁構造をさらに含む、請求項1に記載の光源装置。前記カソード構造上に配設される一の二次電子生成層をさらに含む、請求項1に記載の光源装置。前記アノード構造は、一の電極層および一の光反射層を含む、請求項1に記載の光源装置。前記アノード構造は、一の光反射性を有する一の金属材料からなる、請求項1に記載の光源装置。一の光透過特性を有する一のカソード構造と、一の光透過反射性を有し、前記カソード構造の反対に配設される一のアノード構造と、前記カソード構造および前記アノード構造の少なくとも一方に配設される一の放電層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配設される一の蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、前記カソードに複数の電子を均一に射出させる役割を果たす一の低圧ガス層と、を含み、前記低圧ガス層は一の大きな電子平均自由行程を有し、前記大きな電子平均自由行程は、一の動作電圧下で複数の電子を前記蛍光層に直接衝突させて複数の望ましい光を生成する、光源装置。前記放電層は前記カソード構造上に配設される、請求項9に記載の光源装置。前記放電層は前記アノード構造上に配設される、請求項9に記載の光源装置。前記放電層は、前記カソード構造上および前記アノード構造上に配設される、請求項9に記載の光源装置。前記放電層は、容易に放電できる一の材料を含む、請求項9に記載の光源装置。前記容易に放電できる材料は、一の金属を含む、請求項13に記載の光源装置。前記容易に放電できる材料は、カーボンナノチューブ、カーボンナノウォール、あるいはカーボンナノ材料を含む、請求項13に記載の光源装置。前記容易に放電できる材料は、柱状ZnOcolumnZnOあるいはZnOフィルムを含む、請求項13に記載の光源装置。前記低圧ガス層の一のガス圧は10~10-3torrの範囲である、請求項9に記載の光源装置。前記カソード構造と前記アノード構造とを隔て、一の封止空間を構成することで前記低圧ガス層を形成する一の側壁構造をさらに含む、請求項9に記載の光源装置。前記蛍光層と前記アノード構造との間に配設される一の反射層をさらに含む、請求項9に記載の光源装置。少なくとも一つの動作電圧を提供する少なくとも一つの電力制御器と、一の動作電圧で制御される少なくとも一つの発光パネルを含む一の発光ユニットと、を含み、前記発光パネルは、一のカソード構造と、前記カソード構造の反対に配設される一のアノード構造と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配設される一の蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、前記カソードに複数の電子を均一に射出させる役割を果たす一の低圧ガス層と、を含み、前記低圧ガス層は一の大きな電子平均自由行程を有し、前記大きな電子平均自由行程は、一の動作電圧下で複数の電子を前記蛍光層に直接衝突させる、バックライト源装置。前記発光パネルの一の裏面に配設される一のヒートシンク機構をさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記発光パネルの一の発光面に配設される一の輝度向上フィルムをさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記発光パネルは、前記カソード構造上に配設される一の二次電子生成層をさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記発光パネルは、前記カソード構造および前記アノード構造の少なくとも一方に配設される一の放電層をさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記発光ユニットは前記発光パネルを複数含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記発光パネルの発光面の片面に配設される一の輝度向上フィルムをさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記複数の発光パネルと輝度向上フィルムとの間に配設される一の拡散モジュールをさらに含む、請求項20に記載のバックライト源装置。前記カソード構造および前記アノード構造の一方は一の光透過特性を備え、他方は一の光反射性を備える、請求項20に記載のバックライト源装置。前記少なくとも一つの発光パネルは、それぞれ光を射出して一の発光面を形成する複数の発光パネルからなる一のアレイである、請求項20に記載のバックライト源装置。前記少なくとも一つの発光パネルは、複数の発光パネルが形成する一の積層構造である、請求項20に記載のバックライト源装置。以下に、本発明の好ましい実施形態を詳述するが、付随する図面にはその例示がなされている。可能な場合、同じ参照番号を図面に付し、同じまたは同様の部材についての記載としている。以下に、本発明の特徴を例示する目的から幾らかの実施形態を記載するが、これらは本発明の範囲を限定することを意図していない。第一実施形態図3は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図3を参照すると、光源装置は、カソード構造302a、アノード構造304a、蛍光層306、二次電子生成層308、および低圧ガス層310を含む。カソード構造302aの材料は、金属層あるいは透過性導電材料が蒸着したガラス基板である。アノード構造304aはカソード構造302aの反対に配設される。アノード構造304aは光透過構造であり、その材料はインジウム錫酸化物ITO、フッ素をドープした錫酸化物FTO、あるいは別の透明導電性酸化物TCO材料である。カソード構造302aおよびアノード構造304aは例えば基板および当該基板上の電極層を基本的に含む。カソード構造302aおよびアノード構造304aの実際の構造は実際の設計により変わり得、これは当業者には明白であるのでここでは記載しない。蛍光層306はカソード構造302aとアノード構造304aとの間に配設され、一般的には例えばアノード構造304a上に配設される。二次電子生成層308はカソード構造302a上に配設される。二次電子生成層308はMgO、Tb2O3、La2O3、あるいはCeO2であってよい。低圧ガス層310は、カソード構造302とアノード構造304との間であって、低圧ガスが10~10-3torrの範囲である箇所に配設され、電子平均自由行程electronmeanfreepathを略カソード―アノード間の距離とする。一実施形態においては、図3の光源装置がさらに、カソード構造302aとアノード構造304aとの間を隔て、且つその内部が低圧ガスで充たされる低圧ガス層310を形成するよう封止する側壁構造312を有する。本発明の本実施形態においては、希薄ガスthingasを利用して充分な電子320を容易に均一に生じさせる。電界放出機構を利用して、イオン化した電子320を蛍光層306に衝突させて望ましい光を生成する。ガス内のイオン化した陽イオン322は二次電子生成層308に衝突し得るので、陽イオンが二次電子生成層308に衝突すると、さらなる二次電子324が生成されて蛍光層306に衝突して、発光効率を向上させ得る。本実施形態においては、アノード構造304aは光透過構造であり、電子320が蛍光層306に衝突すると、生成された光330はアノード構造304aを通過する。この光源装置は透過型光源装置とも称される。さらに、透過型光源装置においては、カソード構造302aは、反射性を向上させ輝度および発光効率を増加させる高反射金属であってよい。ここで、充填ガスはカソードに均一に電子を放出させるのに利用されるので、選択するガスに特に制限はなく、大気、He、Ne、Ar、Kr、Xe、H2、あるいはCO2などの任意のガスあるいはガス混合体であってよい。充填ガスは低真空度あるいは中程度の真空度であるので、電子平均自由行程は、電子が電界中の蛍光層306の材料に直接衝突して望ましい光を射出するのに充分な大きさを持つ。図3の実施形態は、図4に示すような別の形態で実施されてもよい。図4は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図4を参照すると、光源装置はカソード構造302b、アノード構造304b、蛍光層306、二次電子生成層308、低圧ガス層310、側壁構造312、および反射層314を含む。図4に示す光源装置は、図3の光源装置に類似しているが、以下の差異を有する。図4の光源装置は、アノード構造304bと蛍光層306との間に配設された反射層314をさらに含む。さらに、カソード構造302bは光透過構造であり、その材料は、例えばインジウム錫酸化物、フッ素をドープした錫酸化物、あるいは別の透明導電性酸化物TCO材料であってよい。アノード構造304bは透過性あるいは不透明な材料である。ガス放電機構により生成された電子320、および陽イオン322が二次電子生成層308に衝突することに生成された追加的な二次電子324が蛍光層306に衝突すると、生成された光330は反射層314で反射してカソード構造302bを通過する。本光源装置は反射型光源装置とも称される。さらに反射型光源装置においては、アノード構造304bが、ガラス上に透過性導電材料を蒸着することにより形成され、反射層314は、反射性向上、輝度および発光効率向上を目的として高反射金属が蒸着した高反射金属あるいは高反射性光学フィルムであってよい。第二実施形態図5は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図5を参照すると、光源装置は、カソード構造402a、アノード構造404a、蛍光層406、放電層408、および低圧ガス層410を含む。カソード構造402aの材料は、金属層あるいは透明導電材料が蒸着したガラス基板である。アノード構造404aはカソード構造402aの反対に配設される。アノード構造404aは光透過構造であり、例えばその材料はインジウム錫酸化物ITO、フッ素をドープした錫酸化物FTO、あるいは別の透明導電性酸化物TCO材料である。カソード構造402aおよびアノード構造404aは例えば基板および当該基板上の電極層を基本的に含む。カソード構造402aおよびアノード構造404aの実際の構造は実際の設計により変わり得、これは当業者には明白であるのでここでは記載しない。蛍光層406はカソード構造402aとアノード構造404aとの間に配設され、一般的には例えばアノード構造404a上に配設される。放電層408はカソード構造402a上に配設される。放電層408の材料は、金属、カーボンナノチューブ、カーボンナノウォール、カーボンナノ材料、柱状ZnOcolumnZnO、あるいはZnOフィルムなどの容易に放電できる材料であってよい。低圧ガス層410は、カソード構造402aとアノード構造404aとの間であって、低圧ガスが10~10-3torrの範囲である箇所に配設され、電子平均自由行程electronmeanfreepathを略カソード―アノード間の距離とする。一実施形態においては、光源装置がさらに、カソード構造402aとアノード構造404aとの間を隔て、且つその内部が低圧ガスで充たされる低圧ガス層410を形成するよう封止する側壁構造412を有する。本発明においては、希薄ガスthingasを利用して充分な電子420を容易に均一に生じさせる。高電圧を利用してイオン化した電子420を蛍光層406に衝突させて望ましい光を生成する。本実施形態においては、放電層408が容易に放電できる材料であるので、動作電圧は減らしてよい。本実施形態においては、アノード構造404aは光透過構造であり、その材料は、例えばインジウム錫酸化物ITO、フッ素をドープした錫酸化物、あるいは別の透明導電性酸化物TCO材料である。従って、電子420が蛍光層406に衝突すると、生成された光430はアノード構造404aを通過する。この光源装置は透過型光源装置とも称される。さらに、透過型光源装置においては、カソード構造402aは、反射性を向上させ輝度および発光効率を向上させる高反射金属であってよい。ここで、充填ガスはカソードに均一に電子を放出させるのに利用されるので、選択するガスに特に制限はなく、大気、He、Ne、Ar、Kr、Xe、H2、あるいはCO2などの任意のガスあるいはガス混合体であってよい。充填ガスは低真空度あるいは中程度の真空度であるので、電子平均自由行程は、電子が電界中の蛍光層406の材料に直接衝突して望ましい光を放出するのに充分な大きさを持つ。図5の実施形態は、図6に示すような別の形態で実施されてもよい。図6は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図6に示す光源装置は、図5の光源装置に類似した構造および機能を有するので、ここではさらなる例示はしない。図6を参照すると、図6の光源装置と図5の光源装置との差異は、放電層408がアノード構造404aと蛍光層406との間に配設されていることにある。図5の実施形態は、図7に示すような別の形態で実施されてよい。図7は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図7に示す光源装置は、図5の光源装置に類似した構造および機能を有するので、ここではさらなる例示はしない。図7を参照すると、図7の光源装置と図5の光源装置との差異は、放電層408が、カソード構造402a上と、アノード構造404aと蛍光層406との間の両方に配設されていることにある。図5の実施形態は、図8に示すような別の形態で実施されてよい。図8は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図8を参照すると、光源装置は、カソード構造402a、アノード構造404a、蛍光層406、放電層408、低圧ガス層410、側壁構造412、および反射層414を含む。図8に示す光源装置は、図5の光源装置に類似しているが、以下の差異を有する。図8の光源装置は、アノード構造層上に配設された反射層414をさらに有する。さらに、カソード構造402bは光透過構造であり、その材料は、例えばインジウム錫酸化物、フッ素をドープした錫酸化物、あるいは別の透明導電性酸化物TCO材料である。アノード構造404bは透過性あるいは不透明な材料であってよい。電子420が蛍光層406に衝突すると、生成された光430は反射層414で反射してカソード構造402bを通過する。本光源装置は反射型光源装置とも称される。反射型光源装置においては、アノード構造404bは、好適には、反射性向上、輝度および発光効率向上ができる高反射金属である。図8の実施形態は、図9に示すような別の形態で実施されてもよい。図9は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図9に示す光源装置は、図8の光源装置に類似した構造および機能を有するので、ここではさらなる例示はしない。図9を参照すると、図9の光源装置と図8の光源装置との差異は、放電層408が反射層414と蛍光層406との間に配設されていることにある。図8の実施形態は、図10に示すような別の形態で実施されてよい。図10は、本発明の一実施形態による光源装置の概略断面図である。図10に示す光源装置は、図8の光源装置に類似した構造および機能を有するので、ここではさらなる例示はしない。図10を参照すると、図10の光源装置と図8の光源装置との差異は、放電層408がカソード構造402b上と、反射層414と蛍光層406との間の両方に配設されていることにある。上述の実施形態においては、光反射機構を利用すると、発光表面は片面となる。反対に、光反射機構を利用しない場合、カソード構造およびアノード構造は両方とも透過性導電材料からなり、光透過特性を有し、両面発光効果が得られる。光強度は弱いが、発光面は両面発光面である。両面発光面は、任意の発光面の外側に反射層を追加することで、片面発光面に変更することもできる。例えば、透明基板の片面は透明電極構造であり、もう一方の面は金属蒸着反射層などの反射層である。第三実施形態さらに、上記の光源装置はディスプレイ用のバックライトモジュールとして製造されてよい。図11は、本発明の一実施形態によるバックライトモジュール構造を示す概略図である。図11を参照すると、本発明の実施形態によるバックライトモジュールは、上述の発光デバイスからなる発光パネル1100により形成され、その動作電圧は電力制御器1102により供給される。さらにはヒートシンク機構1104が、例えば、発光パネル1100の裏面に追加されてもよい。本発明の発光デバイスは容易に大面積平面光源として製造して、バックライトモジュールの構造および動作を簡略化して発光効率を増加させることができる。さらに、輝度向上フィルムBEFあるいは両面BEFDBEFを追加して、バックライトモジュールの要件により方向性および輝度を増加させてもよい。図12は、本発明の一実施形態による別のバックライトモジュール構造を示す概略図である。図11の構造に基づくと、輝度向上フィルム1106は、例えば発光パネル1100の発光面上に配設される。輝度向上フィルム1106は、例えば、BEFあるいはDBEFを含む。さらに必要に応じて、別の光学フィルムを必要とされる場合もある。例えば、輝度向上フィルム1106と発光パネル1100との間に拡散モジュールを追加して、均一な光強度を達成してもよい。上述の実施形態の発光モジュールは、単一の発光パネルにより形成される。しかし、発光モジュールは、複数の発光パネルユニットを含む一のアレイ構造であってもよい。図13は、本発明の一実施形態による、別のバックライトモジュール構造を示す概略図である。図13を参照すると、発光モジュール1101は、例えば、一のアレイに配列される複数の発光パネルユニット1100a、1100b、1100cを含む。発光パネルユニット1100a、1100b、1100cは、例えば、異なる電力制御器1102a、1102b、1102cによりそれぞれ制御される。本実施形態においては、光源は複数の発光パネルユニットを含み、元の光強度は不均一なので、複数の光源を均一に混合するために拡散モジュール1108を一緒に利用する。そして、輝度向上フィルム1106は、拡散した光を発光面に対して最大限に射出して光輝度を増加するのに利用される。さらに、光強度を増す目的から、例えば、複数の発光パネルユニットを積層することができる。さらに、バックライトモジュールの適用においては、単一の発光面を達成する目的上、例えば反射面が最も外側の裏面に形成され、さらに、例えば電極が利用されるあるいは反射層を追加するなどして、反射効果を達成する。上述に鑑みると、本発明の第一実施形態が提供する光源装置は、二次電子生成層を有する。ガス内のイオン化した陽イオンは二次電子生成層に衝突し得るので、陽イオンがカソード構造上の二次電子生成層に衝突すると、さらなる二次電子が生成されて、発光効率を向上させ得る。本発明の第二実施形態が提供する光源装置においては、放電層がカソード構造およびアノード構造の両方に配設され、動作電圧を減らし得る。本発明の第三実施形態においては、上述の実施形態のバックライトモジュールが、向上したバックライトモジュール性能を有し得る。本発明の光源装置は液晶ディスプレイLCDのバックライトモジュールに適用可能である。光源装置は光強度および光均一性を増加させ、さらに冷陰極蛍光ランプCCFLが要する導光板および拡散器のコストを節約することができる。本発明の光源装置は、プラズマおよび電界放出型の光源の利点を含む。本発明の光源装置は、希薄ガスを利用して、カソードから電子を均一に生じさせ、電界放出型光源のカソード生成が困難であるという欠陥を避ける。本発明の光源装置はパソコン、家庭用テレビセット、自動車テレビセット、あるいは相対的機能を持つ薄型LCDのバックライトモジュールを有するその他のデバイスに適合する。この形式の電界放出型の発光デバイスは節電、短いレスポンスタイム、高い発光効率、製造の容易さ、環境に優しいこと水銀を使用しないなどの利点がある。従来の電界放出型光源装置と異なり、本発明の光源装置のカソード構造は、特殊処理あるいは何ら材料提供のない、単なる平面金属あるいは導電フィルム構造であり、よって構造がより簡略化されている。さらに、本発明では高真空度パッケージは必要でないので、製造工程が簡略化され、大量生産を容易に達成できる。透過性構造内のカソード金属構造/高反射性材料、および反射性構造内のアノード金属構造/高反射性材料により、反射性を向上させ、輝度および発光効率を向上させることができる。本発明の発光の波長は蛍光の種類に依るので、異なる照明/ディスプレイ用途によっては、異なる波長を持つ光源あるいはバックライトモジュールを設計することができる。本発明は平面あるいは曲面バックライトモジュールとして設計することができる。本発明においては、反射型の反射層により導光現象が避けられ、輝度および発光効率を向上させることができる。接地回路設計をオプションとして利用して、蛍光体における電荷蓄積を削減してもよい。本発明は上記のように好ましい実施形態により開示されたが、これらは本発明を限定することを意図していない。当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱せずに幾らもの変形、変更を加えることができる。故に、本発明の保護範囲は付随する請求項およびそれらの均等物に存在する。