"オプトエレクトロニクス素子2上に変換材3を設ける方法であって、放射主面20を有する前記オプトエレクトロニクス半導体チップ2を準備するステップと、前記変換材3を準備し、当該変換材3を支持体4の支持体主面40に設けるステップと、前記変換材3が前記放射主面20の側に来るように、かつ、当該放射主面20との間に間隔Dを空けるように、当該変換材3を配置するステップと、前記支持体4を透過するパルス状のレーザ光6を、前記変換材3の吸収材成分36に、および/または、前記変換材3と前記支持体4との間にある剥離膜5に照射して、当該吸収材成分36または剥離膜5を加熱することにより、前記変換材3を前記支持体4から剥離して前記放射主面20に被着するステップとを有することを特徴とする方法。前記変換材4は、母材としてシリコーンを含み、前記シリコーンは不完全に架橋および/または硬化された状態で前記支持体4に設けられ、前記半導体チップ2上に被着した後に初めて完全に硬化および/または架橋される、請求項1記載の方法。前記変換材3を順次、複数の連続する層7を成すように前記半導体チップ2上に被着し、前記複数の層7のうち少なくとも1つを被着した後、前記半導体チップ2と、前記半導体チップ2上にすでに被着した前記変換材3とによって放出される放射の色座標を求め、前記色座標に依存して、前記変換材3のさらに別の層7を前記半導体チップ2上に被着する、請求項1または2記載の方法。前記変換材3の剥離時に、前記剥離膜5の剥離材料56の少なくとも一部を前記レーザ光6によって気相に移行させ、前記剥離材料56の少なくとも一部を前記半導体チップ2上の前記変換材3上に堆積させるか、または当該半導体チップ2上の前記変換材3中に侵入させる、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記レーザ光6は最大410nmの波長を有し、前記剥離膜5、前記変換材3、または、当該変換材3の少なくとも前記吸収体成分36は、前記レーザ光6の波長を吸収する作用を有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記剥離膜5はプラスチックを含むか、またはプラスチックから成り、前記剥離膜5の厚さは10nm~75nmであり、前記レーザ光6に対する前記剥離膜5の光学密度は少なくとも0.5である、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記支持体主面40を上から見た場合、前記レーザ光6が照射される領域は線状であり、前記変換材3を列ごとに、前記放射主面20上に被着する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。放射主面20を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ2と、前記放射主面20上に、相互に少なくとも部分的に重なり合う少なくとも2つの連続する同様の層7を成すように被着された変換材3と、前記半導体チップ2の動作時に生成された放射を吸収する作用を有さない、前記変換材3に含まれた添加成分36,56とを備えたオプトエレクトロニクス素子1であって、前記放射主面20から離れていく方向で見て、各2つの相互に隣接する前記層7の境界領域70では、前記添加成分36,56の各濃度は、前記層7の中心領域75と比較して変化していることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子1。各層7の厚さT7は1μm~10μmであり、前記変換材3全体の厚さT3は、15μm~200μmである、請求項8記載のオプトエレクトロニクス素子1。前記境界領域70の厚さT6は10nm~250nmである、請求項8または9記載のオプトエレクトロニクス素子1。前記境界領域70における前記添加成分36,56の平均濃度は、前記中心領域75より高くされている、請求項8から10までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子1。前記添加成分36は少なくとも、前記層7の中心領域75に含まれており、かつ、各中心領域75において均質に分布しており、前記添加成分36は、動作中の前記半導体チップ2によって生成される放射の波長の変化の点で、変換物質と異なる、請求項8から11までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子1。横方向と、前記放射主面20に対して垂直な方向とにおいて、前記層7のうち少なくとも2層が連続し、かつ相互に重なっており、前記層7のうち少なくとも1つの層の、前記放射主面20と反対側の境界面78は、凸形である、請求項8から12までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子1。請求項1から7までのいずれか1項記載の方法を用いて製造された、請求項8から13までのいずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子1。"