"可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した前記蛍光体層からの光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源と前記蛍光体層との間には、偏光手段が設けられており、該偏光手段は、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるように、前記固体光源からの励起光を偏光することを特徴とする光源装置。可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した前記蛍光体層からの光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源に前記固体光源からの励起光自体が偏光しているものを用いる場合、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるように、前記固体光源を設置することを特徴とする光源装置。請求項2記載の光源装置において、前記固体光源からの励起光の偏光比p偏光成分とs偏光成分との比s偏光/p偏光が1以下~5以下であることを特徴とする光源装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光源装置において、n1を入射側の屈折率とし、n2を蛍光体層の屈折率とするとき、前記固体光源からの励起光の前記蛍光体層の入射面への入射角θが、arctann2-0.5/n1<θ<arctann20.5/n1の範囲であることを特徴とする光源装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光源装置において、前記蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面とは反対側に反射面が設けられていることを特徴とする光源装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置。ところで、従来の図1に示すような光半導体固体光源95と蛍光体層92とが直接接合された光源装置では、光半導体固体光源95からの励起光によって励起された蛍光体層92からの発光蛍光のうち光半導体固体光源95側とは反対側に出射する蛍光と、蛍光体層92で吸収されずに蛍光体層92を透過する光半導体固体光源95からの励起光とを用いている。つまり、図1の光源装置は、蛍光体層92を透過する光を利用する透過方式のものとなっている。ここで、蛍光体層92からの出射光を考えると、上記透過光とともに蛍光体層92との界面で反射されて光半導体固体光源95側へ戻って行く光、つまり反射光も存在しており、この光反射光は、光半導体固体光源95に再吸収されるため、照明光として利用できない光となってしまうという問題があった。また、図1の光源装置では、蛍光体層92の熱を光半導体固体光源95側に放散することを意図しているが、光半導体固体光源95の励起光強度を高めた場合、蛍光体層92のみならず光半導体固体光源95でも発熱が起きるため、蛍光体層92の発熱を同じく発熱している光半導体固体光源95の側から放散させることとなり、熱放散の効率が良くないという問題があった。このように、図1の光源装置では、透過方式のものとなっていることと、蛍光体層92の発熱に対する熱放散の効率が良くないということとから、高輝度化に限界があった。光源装置を高輝度化するのに、本願出願人は、本願の先願特願2009-286397に記載のような光源装置を案出した。図2a,bは、本願の先願に記載の光源装置10の構成例を示す図である。なお、図2aは全体の正面図、図2bは蛍光体層が設けられている部分の平面図である。図2a,bを参照すると、この光源装置10では、固体光源5と蛍光体層2を空間的に離して配置し、固体光源5からの励起光を蛍光体層2に入射させて蛍光体層2からの蛍光と励起光とを反射方式で取り出すようにしている。ここで、反射方式とは、前記蛍光体層2の面のうち励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて蛍光と励起光とを取り出す方式であり、反射方式を採用することで、蛍光の反射光と励起光の反射光とを損失が少なく利用できるため高輝度化が可能となる。なお、図2a,bにおいて、符号6は放熱基板、符号7は蛍光体層2と放熱基板6との接合部である。しかしながら、固体光源5と蛍光体層2を空間的に離して配置した反射方式の光源装置10では、蛍光体層2で反射された蛍光例えば黄色光と励起光例えば青色光とを例えばレンズ系を介して照明光として投射面に照射した場合、蛍光体層2で反射された励起光例えば青色光が、投射面に部分的に投影されてしまい、色むらが発生するという問題がある。図3は蛍光体層2で反射された励起光例えば青色光が投射面に部分的に投影され色むら例えば青色が強い色むらが発生するメカニズムを説明するための図である。固体光源5から蛍光体層2に励起光が入射し、蛍光体層2で吸収された励起光は色変換され等方的に放射される。しかし、一部の励起光は蛍光体層2の表面で正反射してしまい、反射方向に正反射成分としてまとまって出射される。蛍光体層2からの反射光を例えばレンズ系15を介して照明光として投射面70に照射した場合には、ある部分71に励起光例えば青色光の正反射成分がまとまって照射されてしまい、この部分71で色むら例えば青色が強い色むらとなり、品質の悪いものとなっていた。本発明は、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、色むらの少ない高品質な光パターンを得ることの可能な光源装置および照明装置を提供することを目的としている。上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した前記蛍光体層からの光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源と前記蛍光体層との間には、偏光手段が設けられており、該偏光手段は、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるように、前記固体光源からの励起光を偏光することを特徴としている。また、請求項2記載の発明は、可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した前記蛍光体層からの光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源に前記固体光源からの励起光自体が偏光しているものを用いる場合、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるように、前記固体光源を設置することを特徴としている。また、請求項3記載の発明は、請求項2記載の光源装置において、前記固体光源からの励起光の偏光比p偏光成分とs偏光成分との比s偏光/p偏光が1以下~5以下であることを特徴としている。また、請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光源装置において、n1を入射側の屈折率とし、n2を蛍光体層の屈折率とするとき、前記固体光源からの励起光の前記蛍光体層の入射面への入射角θが、arctann2-0.5/n1<θ<arctann20.5/n1の範囲であることを特徴としている。また、請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光源装置において、前記蛍光体層の面のうち励起光が入射する側の面とは反対側に反射面が設けられていることを特徴としている。また、請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光源装置が用いられていることを特徴とする照明装置である。請求項1、請求項3乃至請求項6記載の発明によれば、可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源と前記蛍光体層との間には、偏光手段が設けられており、該偏光手段は、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるようにすなわち、p偏光となるように、前記固体光源からの励起光を偏光するので、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、色むらの少ない高品質な光パターンを得ることができる。また、請求項2乃至請求項6記載の発明によれば、可視光を励起光として発光する固体光源と、該固体光源からの励起光により励起され該固体光源の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記固体光源と前記蛍光体層とが空間的に離れて配置されており、励起光が入射した光の反射を用いて少なくとも蛍光を取り出すようになっている光源装置であって、前記固体光源に前記固体光源からの励起光自体が偏光しているものを用いる場合、前記固体光源からの励起光の電界ベクトルが、励起光の前記蛍光体層への入射方向と前記蛍光体層の入射面の法線とによりなす平面に平行となるようにすなわち、p偏光となるように、前記固体光源を設置するので、従来に比べて十分な高輝度化を図ることが可能であり、かつ、色むらの少ない高品質な光パターンを得ることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図4a,bは、本発明の光源装置の一構成例を示す図である。なお、図4aは全体の正面図、図4bは蛍光体層が設けられている部分の平面図であり、図4a,bにおいて図2a,bと同様の箇所、対応する箇所には同じ符号を付している。図4a,bを参照すると、この光源装置20は、可視光を励起光として発光する固体光源発光ダイオードや半導体レーザー5と、該固体光源5からの励起光により励起され該固体光源5の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含む蛍光体層2とを備え、固体光源5と蛍光体層2とが空間的に離れて配置されている。ここで、蛍光体層2には、実質的に樹脂成分を含んでいないものが用いられる。また、蛍光体層2の前記励起光が入射する側の面とは反対側には、放熱基板6が設けられており、蛍光体層2は、放熱基板6に接合部7によって接合されている。ここで、接合部7には、後述のように、光反射性を有し光反射面としての機能を有し、かつ、熱伝導率の大きな材料が用いられるのが良い。また、この光源装置20では、図2a,bに示した光源装置10と同様に、蛍光体層2の面のうち固体光源5からの励起光が入射する側の面とは反対側に設けられた反射面による反射を用いて少なくとも蛍光具体的には、蛍光と励起光を取り出す方式以下、反射方式と称すが採用されている。このように、この光源装置20は、基本的には、図2a,bに示した光源装置10と同様に、固体光源5と蛍光体層2とを空間的に離して配置し、発光を反射方式で利用することを特徴としている。すなわち、図1に示した光源装置のように、蛍光体層92が固体光源95と接している場合には、高輝度化しようとしても、蛍光体層92と固体光源95との両方とも加熱されてしまうため、蛍光体層92からの熱放散の効率が悪かったが、図4a、bの光源装置20では、図2a,bに示した光源装置10と同様に、蛍光体層2を固体光源5から離して配置することで、高輝度化する場合にも、蛍光体層2からの熱を、接合部7を介して低温の放熱基板6へ放散させることが可能となり、蛍光体層2からの熱放散効率を、図1に示した従来の光源装置に比べて、著しく高めることができる。また、図1に示した従来の光源装置では、固体光源95からの励起光と蛍光体層92からの蛍光のうち、固体光源95とは反対の側に出射する蛍光と、蛍光体層92で吸収されずに透過する固体光源95からの励起光とを用いている。つまり透過方式を使用している。ここで、透過方式では、蛍光体層92からの出射光を考えると、励起光については上記透過光とともに蛍光体層92との界面で反射されて固体光源95側へ戻っていく発光、つまり反射光も存在しており、この反射光は固体光源95に再吸収されるため照明光として利用できない光となってしまう。また、蛍光体層92からの蛍光は、蛍光体層92の両面から出射するため、やはり固体光源95側に出射する光は利用できない。このように、透過方式では、光の利用効率が低下してしまう。また、透過方式では、目的の色度の照明光を得るためには蛍光体層92の厚みを厚くする必要があり、蛍光体層92から固体光源95までの距離が長くなるため、蛍光体層92からの熱を固体光源95に放散する上で不利であった。これに対して、図4a、bの光源装置20では、固体光源5とは反対の側に出射する光励起光、蛍光を反射面例えば接合部7の反射面接合部7の蛍光体層2と接するところに設けられた反射面で固体光源5側に反射する反射方式を採用しているので、図2a、bに示した光源装置10と同様に、固体光源5からの励起光によって励起された蛍光体層2からの発光蛍光すなわち、固体光源5側に出射する蛍光と、蛍光体層2で吸収されなかった固体光源5からの励起光すなわち、蛍光体層2で吸収されなかった固体光源5からの光の反射光とを少ない損失で照明光として利用できるため、高輝度化が可能となる。また、透過型に対して反射型では、蛍光体層2の厚みが半分以下でも蛍光体層2内の光路長が等しくなり、同じ色度の光が得られるため、蛍光体層2を薄くすることができ、蛍光体層2から基板6までの距離が短くなるので、熱放散の面でも有利である。このように、図4a、bの光源装置20では、基本的には、図2a、bに示した光源装置10と同様に、固体光源5と蛍光体層2とを空間的に離して配置し、発光を反射方式で利用するので、従来方式に比べて高輝度化を図ることができる。さらに、図4a、bの光源装置20では、蛍光体層2には、実質的に樹脂成分を含んでいないものが用いられるので、熱による変色がなく、光の吸収が少ないことから、より一層の高輝度化を図ることができる。ここで、樹脂成分を実質的に含まない蛍光体層2とは、蛍光体層の形成に通常使用される樹脂成分が蛍光体層の5wt以下であるものを意味する。このような蛍光体層を実現するものとして蛍光体粉末をガラス中に分散させたもの、ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体、蛍光体の単結晶や蛍光体の多結晶体以下、蛍光体セラミックスと称すなどが挙げられる。蛍光体セラミックスは、蛍光体の製造過程において、焼成前に材料を任意の形状に成形し、焼成した蛍光体の塊である。蛍光体セラミックスは、その製造工程のうち、成形工程においてバインダーとして有機物を使用する場合があるが、成形後に脱脂工程を設けて有機成分を焼き飛ばすため、焼成後の蛍光体セラミックスには有機樹脂成分は5wt以下しか残留しない。したがって、ここに挙げた蛍光体層は、実質的に樹脂成分を含まず、無機物質のみから構成されているため、熱による変色が発生することがない。また、無機物質のみからなるガラスやセラミックスは、一般に、樹脂よりも熱伝導率が高いため、蛍光体層2から基板6への熱放散においても有利である。特に蛍光体セラミックスは、一般的に、ガラスよりもさらに熱伝導率が高く、単結晶より製造コストが安いため、これを蛍光体層2に用いるのが好適である。また、蛍光体層2は、固体光源5からの励起光により励起され固体光源5の発光波長よりも長波長の蛍光を発光する少なくとも1種類の蛍光体を含んでいる。具体的には、固体光源5が可視光として青色光を発光するものである場合、蛍光体層2は、例えば、緑、赤、黄色などの蛍光体のうち、少なくとも1種類の蛍光体を含んでいる。固体光源5が可視光として青色光を発光するものである場合、蛍光体層2が、例えば、緑、赤色の蛍光体を含んでいるときには緑、赤色の蛍光体のそれぞれが例えば均一に分散されて混合されたものとなっているときには、固体光源5からの青色光を蛍光体層2に照射するとき、反射光として白色などの照明光を得ることができる。また、固体光源5が可視光として青色光を発光するものである場合、蛍光体層2が、例えば、黄色の蛍光体だけを含んでいるときには、固体光源5からの青色光を蛍光体層2に照射するとき、反射光として白色などの照明光を得ることができる。また、図4a,bの光源装置20において、放熱基板6は、蛍光体層2から放散してきた熱を外部へ放散させる役割と、蛍光体層2の支持基板の役割も担うものである。このため、高い伝熱特性、加工性などが求められる。この放熱基板6には、金属基板や、アルミナなどの酸化物セラミックス、窒化アルミニウムなどの非酸化セラミックスなどが使用可能であるが、特に高い伝熱特性、加工性を併せ持つ金属基板が使用されるのが望ましい。また、蛍光体層2と放熱基板6との接合部7には、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、金属金属のろう付けなどを用いることができる。接合部7は、光固体光源5からの励起光によって励起された蛍光体層2からの発光蛍光と、蛍光体層2で吸収されなかった固体光源5からの光に対する反射面の役割と、蛍光体層2から熱を放散させる役割とを担うものであるから、高い光反射特性と高い伝熱特性を併せ持つ金属金属のろう付けが用いられるのが望ましい。もしくは、蛍光体層2と放熱基板6との接合部7には、金属成分を含有する導電性接着剤を用いることもできる。ところで、前述したように、固体光源5と蛍光体層2を空間的に離して配置した反射方式の光源装置、例えば図2a,bの光源装置10では、蛍光体層2で反射する励起光例えば青色光が投射面に部分的に投影されてしまい、色むら例えば青色が強い色むらが発生するという問題がある。すなわち、固体光源5から蛍光体層2に励起光が入射し、蛍光体層2で吸収された励起光は色変換され等方的に放射される。しかし、一部の励起光は蛍光体層2の表面で正反射してしまい、反射方向に正反射成分としてまとまって出射される。例えば図3に示したように、蛍光体層2からの反射光をレンズ系15を介して照明光として投射面70に照射した場合には、ある部分71に励起光例えば青色光の正反射成分がまとまって照射されてしまい、この部分71で色むら例えば青色が強い色むらが生じ、品質の悪いものとなっていた。なお、投射面70の部分71以外の部分は、励起光例えば青色光と蛍光体層例えば黄色蛍光体層2からの蛍光例えば黄色光との混色により、普通の色むらのない白色となっている。図4a,bの光源装置20では、色むらをなくすためにすなわち、励起光の正反射成分を低減するために、固体光源発光ダイオードや半導体レーザー5と蛍光体層2との間に、偏光手段例えば偏光子11を設けている。ここで、偏光手段例えば偏光子11は、固体光源5からの励起光の電界ベクトルが、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面に平行となるようにすなわち、図4aの紙面と平行なp偏光となるように、固体光源5からの励起光を偏光して蛍光体層2へ入射させるようになっている。特に、固体光源5に発光ダイオードを用いる場合には、発光ダイオードからの光自体が偏光していないので、固体光源発光ダイオード5と蛍光体層2との間に偏光手段例えば偏光子11を設けることで、偏光を得ることができる。より具体的に、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面と垂直に、p偏光成分だけを透過するように偏光子を配置することにより、励起光の電界ベクトルが励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面に平行な光すなわちp偏光を蛍光体層2への入射光として得ることができる。図5には、励起光の蛍光体層2への入射角θと反射率との関係が示されている。なお、図5において、s偏光とは、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面と垂直な偏光であり、図4a,bの構成では、固体光源5と蛍光体層2との間に、固体光源5からの励起光のp偏光成分だけを透過するように偏光手段例えば偏光子11を配置することからすなわち、固体光源5からの励起光のs偏光成分は透過しないようにしていることから、蛍光体層2へは、p偏光成分だけが入射し、蛍光体層2へのs偏光成分の入射はない。図5からわかるように、励起光の電界ベクトルが、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面に平行な場合すなわちp偏光の場合には、ある入射角θの範囲で反射率がほぼ0になっている。すなわち、n1を入射側の屈折率とし、n2を蛍光体層2の屈折率とするとき、固体光源5からの励起光の蛍光体層2の入射面への入射角θが、次式式1arctann2-0.5/n1<θ<arctann20.5/n1の範囲であるとき、励起光のp偏光成分の反射率は1以下となり励起光の正反射成分を十分に低減させることができ、励起光の正反射成分による色むらを解消することができる。図5の例では、n2が1.8程度となっており、このとき、入射角θが60°を中心とした所定の角度範囲で、励起光のp偏光成分の反射率は1以下となり励起光の正反射成分を十分に低減させることができ、色むらは解消される。図6には、蛍光体層2の屈折率n2に対する上記式1を満たす入射角θの範囲が示されている。図7aは図4a、bの光源装置20の光取り出し方向に蛍光体層2からの反射光を所定のレンズ系を介して照明光として照射した場合の、照射パターンを示している。蛍光体層2に入射する励起光の角度θがarctann2-0.5/n1よりも小さい場合、あるいはarctann20.5/n1よりも大きい場合には、図7aの照射パターンの各点P1からP6における色度は図7bとなり、中心に近いP1からP3の点で昼光色の範囲からはみ出してしまい、色むらとなり、品質の悪いものとなってしまう。これに対し、蛍光体層2に入射する励起光の角度θがarctann2-0.5/n1よりも大きく、かつarctann20.5/n1よりも小さい場合にはすなわち、上記式1を満たす場合には、図7aの照射パターンの各点P1からP6における色度は図7cとなり、点P1から点P6の全てが昼光色の範囲となり、色むらは少なく、高品位な光パターンを得ることができる。このように、図4a,bの光源装置20では、固体光源5と蛍光体層2との間に、偏光手段例えば偏光子11を設け、ここで、偏光手段例えば偏光子11は、固体光源5からの励起光の電界ベクトルが、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線zとによりなす平面に平行となるようにすなわち、p偏光となるように、固体光源5からの励起光を偏光して固体光源5からの励起光のp偏光成分だけを透過し、固体光源5からの励起光のs偏光成分は透過しないように偏光して蛍光体層2へ入射させるようになっており、この際、固体光源5からの励起光p偏光の蛍光体層2の入射面への入射角θを、arctann2-0.5/n1<θ<arctann20.5/n1の範囲にするとき、励起光のp偏光成分の反射率は1以下となり励起光の正反射成分を十分に低減させることができ、励起光の正反射成分による色むらを解消することができる。なお、図4a、bの光源装置20では、固体光源発光ダイオードや半導体レーザー5と蛍光体層2との間に、偏光手段例えば偏光子11を設けたが、固体光源5に半導体レーザーを用いる場合には、半導体レーザーからの光自体が偏光主にp偏光しているので、固体光源5と蛍光体層2との間に偏光手段例えば偏光子を必ずしも設ける必要はない。すなわち、固体光源5に半導体レーザーを用いる場合には、図4a、bの光源装置20の構成のかわりに、図8a、bの光源装置25の構成のものにすることができる。なお、図8a、bにおいて、図4a、bと同様の箇所には同じ符号を付している。図8a、bの光源装置25では、固体光源5に半導体レーザーのように固体光源5からの励起光自体が偏光しているものを用いる場合、固体光源5からの励起光の電界ベクトルが、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線とによりなす平面に平行となるようにすなわち、図8aの紙面と平行なp偏光となるように、固体光源5を設置するようにしている。図9には、固体光源5として半導体レーザーを用いた場合の、固体光源5への入力電流に対する固体光源5からの励起光の偏光比p偏光成分とs偏光成分との比s偏光/p偏光が示されている。ここで、入力電流とは、定格電流に対する入力電流の割合であり、また、偏光比とは、強い偏光方向の強度と、これに直角な偏光方向の強度の比であり、いまの場合、p偏光成分とs偏光成分との比s偏光/p偏光である。図9から、固体光源5として半導体レーザーを用いる場合、固体光源5からの励起光の偏光比s偏光/p偏光は1以下~5以下であり、電流を大きくしていくと、最大入力電流の30以上のところで偏光比s偏光/p偏光が1以下となるので、これ以上の電流で使用し固体光源5からの励起光がほぼp偏光成分だけからなり、s偏光成分はほとんど無いようにし、固体光源5からの励起光の偏光面p偏光面が、励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線とによりなす平面に平行となるようにすなわち、図8aの紙面と平行となるように、固体光源5を設置することにより、励起光の電界ベクトルが励起光の蛍光体層2への入射方向と蛍光体層2の入射面の法線とによりなす平面に平行な光すなわちp偏光を蛍光体層2への入射光として得ることができる。そして、この際、固体光源5からの励起光p偏光の蛍光体層2の入射面への入射角θを、次式式1arctann2-0.5/n1<θ<arctann20.5/n1の範囲にするとき、前述したように励起光p偏光の反射率は1以下となり励起光の正反射成分を低減させることができ、励起光の正反射成分による色むらを解消することができる。このように、図8a,bの光源装置25では、半導体レーザーのような偏光した固体光源5を使用し、固体光源5からの励起光p偏光の蛍光体層2の入射面への入射角θを、式1を満たす範囲すなわち、励起光p偏光の反射率が0に近い範囲とすることにより、正反射成分を低減させ、色むらの少ない高品質な光パタ一ンを得ることができる。なお、図4a,bの光源装置20、図8a,bの光源装置25では、1つの蛍光体層2だけが設けられている構成となっているが、例えば図10、図11に示すように図10、図11はそれぞれ図4、図8に対応、複数の蛍光体層図10、図11の例では、2つの蛍光体層2j,2kが積層された構成にすることもできる。図10、図11の光源装置30、35では、例えば、固体光源5が可視光として青色光を発光するものであるとき、蛍光体層2jには、緑色の蛍光体からなるものを用い、蛍光体層2kには、赤色の蛍光体からなるものを用いれば、反射光として白色などの照明光を得ることができる。次に、上述した光源装置20、25、30、35について、より詳細に説明する。図4a,bの光源装置20、図8a,bの光源装置25、図10の光源装置30、図11の光源装置35において、固体光源5には、可視光領域に発光波長をもつ発光ダイオードや半導体レーザーなどが使用可能であるなお、図8a,bの光源装置25、図11の光源装置35では、可視光領域に発光波長をもつ半導体レーザーなどが使用可能である。より具体的に、図4a,bの光源装置20、図8a,bの光源装置25、図10の光源装置30、図11の光源装置35において、固体光源5には、例えば、GaN系の材料を用いた発光波長が約460nmの青色光を発光する発光ダイオードや半導体レーザーなどを用いることができるなお、図8a,bの光源装置25、図11の光源装置35では、例えば、GaN系の材料を用いた発光波長が約460nmの青色光を発光する半導体レーザーなどを用いることができる。この場合、蛍光体層2の蛍光体としては、波長が約440nmないし約470nmの青色光により励起されるものとして、例えば、赤色蛍光体には、CaAlSiN3:Eu2、Ca2Si5N8:Eu2、KSiF6:Mn4、KTiF6:Mn4等を用いることができ、緑色蛍光体には、Y3Ga,Al5O12:Ce3、Ca3Sc2Si3O12:Ce3、CaSc2O4:Eu2、Ba,Sr2SiO4:Eu2、Ba3Si6O12N2:Eu2、Si,Al6O,N8:Eu2等を用いることができ、黄色蛍光体には、Y3Al5O12:Ce3YAG、Sr,Ba2SiO4:Eu2、CaxSi,Al12O,N16:Eu2等を用いることができる。蛍光体層2としては、これらの蛍光体粉末をガラス中に分散させたものや、ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体、樹脂などの結合部材を含まない蛍光体セラミックス等を用いることができる。蛍光体粉末をガラス中に分散させたものの具体例としては、上に列挙した組成の蛍光体粉末をP2O3、SiO2、B2O3、Al2O3などの成分を含むガラス中に分散したものが挙げられる。ガラス母体に発光中心イオンを添加したガラス蛍光体としては、Ce3やEu2を付活剤として添加したCa-Si-Al-O-N系やY-Si-Al-O-N系などの酸窒化物系ガラス蛍光体が挙げられる。蛍光体セラミックスとしては、上に列挙した組成の蛍光体組成からなり、樹脂成分を実質的に含まない焼結体が挙げられる。これらの中でも透光性を有する蛍光体セラミックスを使用することが望ましい。これは、焼結体中に光の散乱の原因となるポアや粒界の不純物がほとんど存在しないために透光性を有するに至った蛍光体セラミックスである。ポアや不純物は熱拡散を妨げる原因にもなるため、透光性セラミックスは高い熱伝導率を示す。このため蛍光体層として利用した場合には励起光や蛍光を拡散により失うことなく蛍光体層から取り出して利用でき、さらに蛍光体層で発生した熱を効率良く放散することができる。透光性を示さない焼結体でも出来るだけポアや不純物の少ないものが望ましい。ポアの残存量を評価する指標としては蛍光体セラミックスの比重の値を用いることができ、その値が計算される理論値に対して95以上のものが望ましい。ここで、青色励起の黄色発光蛍光体であるY3Al5O12:Ce3蛍光体を例に、透光性を有する蛍光体セラミックスの製造方法を説明する。蛍光体セラミックスは出発原料の混合工程、成形工程、焼成工程、加工工程を経て製造される。出発原料には、酸化イットリウムや酸化セリウムやアルミナ等、Y3Al5O12:Ce3蛍光体の構成元素の酸化物や、焼成後に酸化物となる炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等を用いる。出発原料の粒径はサブミクロンサイズのものが望ましい。これらの原料を化学量論比となるように秤量する。このとき焼成後のセラミックスの透過率向上を目的として、カルシウムやシリコンなどの化合物を添加することも可能である。秤量した原料は、水もしくは有機溶剤を用い、湿式ボールミルにより十分に分散、混合を行う。次に混合物を所定の形状に成形する。成形方法としては、一軸加圧法、冷間静水圧法、スリップキャスティング法や射出成形法等を用いることができる。得られた成形体を1600~1800°Cで焼成する。これにより、透光性のY3Al5O12:Ce3蛍光体セラミックスを得ることができる。以上のようにして作製した蛍光体セラミックスは、自動研磨装置などを用いて、厚さ数十~数百μmの厚みに研磨し、さらに、ダイアモンドカッターやレーザーを用いたダイシングやスクライブにより、円形や四角形や扇形、リング形など任意の形状の板に切り出して使用する。ここで、蛍光体セラミックスは、空気に対して屈折率が高く、さらに、内部にポアなどの散乱の原因となるものが少なく、光がセラミックス内部を導波するため、板状に成形した場合には側面から出射される発光成分が増加し、正面方向へ出射される発光成分が減少してしまう。この問題を解決するために、セラミックスの表面にエッチングにより凹凸の光取出し構造を設けたり、レンズを実装したり、側面に反射層を設けることで、正面方向へ出射される発光成分を増加させることも可能である。また、放熱基板6には、金属基板や酸化物セラミックス、非酸化セラミックスなどを使用可能であるが、特に高い伝熱特性、加工性を併せ持つ金属基板を使用するのが望ましい。金属としては、Al、Cu、Ti、Si、Ag、Au、Ni、Mo、W、Fe、Pdなどの単体や、それらを含む合金が使用可能である。また、放熱基板6の表面に増反射や腐食防止を目的としたコーティングを施しても良い。また、放熱基板6には、放熱性を高めるために、フィンなどの構造を設けても良い。また、蛍光体層2と放熱基板6との接合部7には、有機接着剤、無機接着剤、低融点ガラス、金属ろう付けなどを用いることができる。これらの中でも、高い反射率と伝熱特性を両立可能な金属ろう付けを用いるのが望ましい。セラミックス蛍光体層2と金属基板放熱基板6との接合は、まず、セラミックス側に金属膜を形成し、その金属膜と金属基板を金属ろう付けすることで可能である。セラミックスへの金属膜の形成は、真空中での蒸着法やスパッタ法、もしくは高融点金属法などが使用可能である。なお、高融点金属法とは、セラミックスの表面に金属微粒子を含む有機バインダーを塗布し、水蒸気と水素を含む還元雰囲気下で1000~1700°Cに加熱する方法である。このとき形成される金属膜には、Si、Nb、Ti、Zr、Mo、Ni、Mn、W、Fe、Pt、Al、Au、Pd、Ta、Cuなどを含む単体や合金が用いられる。また、金属ろう材には、Ag、Cu、Zn、Ni、Sn、Ti、Mn、In、Biなどを含むろう材が使用可能である。必要であれば金属膜と金属の接合面の酸化被膜をフラックスで除去し、接合面に金属ろう材を配置し、200~800°Cに加熱し、冷却することで、接合することができる。また、接合後にセラミックスと金属の膨張係数の差による接合面の破壊を防ぐために、セラミックスと金属の中間の膨張係数を有する物質を介在させて接合を行っても良い。上述したように、本発明では、固体光源5と蛍光体層2を放熱基板6に対して同じ側に設置することで、反射型の光源装置となる。もちろん必要であれば、固体光源5と蛍光体層2との間にレンズなどの光学素子を入れることもできる。また、本発明の上述した光源装置を所定のレンズ系などの光学部品と組み合わせることで、高輝度化が可能な照明装置を提供できる。図12、図13、図14、図15には、図4a,bの光源装置20、図8a,bの光源装置25、図10の光源装置30、図11の光源装置35の光取り出し方向に所定のレンズ系24、29、34、39をそれぞれ設けた照明装置40、45、50、55が示されている。図12、図13、図14、図15の照明装置40、45、50、55では、光源装置20、25、30、35からの照明光をレンズ系24、29、34、39でそれぞれ集光し、照明に利用することができる。この場合、本発明では、前述したように、励起光の正反射成分が低減された色むらの少ない高品質な照明光を得ることができる。"