基板の一主面に第1の半導体薄膜を、前記基板の他の主面に第2の半導体薄膜をに形成する半導体薄膜の製造方法であって、前記基板の一主面を加熱し、かつ、前記一主面上に第1の原料ガスを導入し、前記一主面上に第1の半導体薄膜を成長させ、前記第1の半導体薄膜を成長させることと同時に、前記基板の他の主面上に第2の原料ガスを導入し、前記他の主面上に第2の半導体薄膜を成長させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。前記加熱は、赤外線加熱であることを特徴とする請求項1記載の半導体薄膜の製造方法。前記第1の半導体薄膜は立方晶炭化ケイ素薄膜であり、前記第2の半導体薄膜は多結晶シリコン薄膜であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体薄膜の製造方法。前記立方晶炭化珪素薄膜は、モノメチルシランを含むガスを用いて形成することを特徴とする請求項3記載の半導体薄膜の製造方法。前記基板の反りを、レーザ変位計を用いて測定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項記載の半導体薄膜の製造方法。基板の一主面に第1の半導体薄膜を、前記基板の他の主面に第2の半導体薄膜をに形成する半導体薄膜の製造装置であって、基板を収納する真空室と、前記基板を加熱する加熱部と、を含み、前記真空室の前記基板の一主面側を第1の結晶成長部とし、前記真空室の前記基板の他の主面側を第2の結晶成長部としたとき、前記第1の結晶成長部に第1の原料ガスを導入する第1のガス導入部と、前記第2の結晶成長部に第2の原料ガスを導入する第2のガス導入部と、をさらに含むことを特徴とする半導体薄膜の製造装置。前記基板の一主面と前記加熱部との間の位置に配置される赤外線透過部材をさらに含み、前記加熱部から発せられる赤外線を、前記赤外線透過部材を透過させて前記基板の一主面に照射することを特徴とする請求項6記載の半導体薄膜の製造装置。さらに、前記基板の反りを測定するレーザ変位計を含むことを特徴とする請求項6または7記載の半導体薄膜の製造装置。しかしながら、上述した従来の立方晶炭化珪素膜をシリコン基板の両面に同時に結晶成長させる方法では、シリコン基板の両面に同じ膜厚で同じ内部応力の立方晶炭化珪素膜を結晶成長させることが難しいという問題点があった。その理由は、シリコン基板の表面温度や結晶成長用の原料ガスの供給量を精度良く制御することが難しいことにある。また、この方法では、立方晶炭化珪素膜を何らかの方法、例えばサイドエッチングでシリコン基板から剥離させる必要があるが、この剥離工程が非常に複雑で、歩留まりも悪いという問題点があった。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、基板の両面に、欠陥等が無く均質化され、同じ内部応力の半導体薄膜を結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の半導体薄膜の製造方法及び製造装置を採用した。すなわち、本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板の一主面に第1の半導体薄膜を、前記基板の他の主面に第2の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であって、前記基板の一主面を加熱するとともに前記一主面上に第1の原料ガスを導入し、前記一主面上に第1の半導体薄膜を成長させ、同時に、前記基板の他の主面上に第2の原料ガスを導入し、前記他の主面上に第2の半導体薄膜を成長させることを特徴とする。この半導体薄膜の製造方法では、基板の一主面を加熱するとともに前記一主面上に第1の原料ガスを導入し、前記一主面上に第1の半導体薄膜を成長させ、同時に、前記基板の他の主面上に第2の原料ガスを導入し、前記他の主面上に第2の半導体薄膜を成長させる。これにより、基板の一主面の温度と、第1の原料ガス及び第2の原料ガスの供給量を制御するだけで、基板の両面に同時に半導体薄膜を結晶成長させることができる。しかも、得られた半導体薄膜は、欠陥等が無く、均質化されており、かつ同じ内部応力を有するものであり、歩留まりも高い。ここで、同時とは、完全に同じ時刻を意味するのみならず、無視できる程度の誤差を含んでいてもよい。少なくとも基板の一主面上に第1の半導体薄膜を成長させる時間と、基板の他の主面上に第2の半導体薄膜を成長させる時間とが、重複していればよい。本発明の半導体薄膜の製造方法は、前記加熱は、赤外線加熱であることを特徴とする。この半導体薄膜の製造方法では、加熱を、赤外線加熱としたことにより、基板の一主面の温度の制御性が高まり、基板の両面に成長する第1及び第2の半導体薄膜の膜厚及び内部応力の制御性も高まる。本発明の半導体薄膜の製造方法は、前記第1の半導体薄膜は立方晶炭化ケイ素薄膜であり、前記第2の半導体薄膜は多結晶シリコン薄膜であることを特徴とする。この半導体薄膜の製造方法では、第1の半導体薄膜を立方晶炭化ケイ素薄膜とし、第2の半導体薄膜を多結晶シリコン薄膜としたことにより、欠陥等が無く、均質化され、かつ同じ内部応力を有する立方晶炭化ケイ素薄膜及び多結晶シリコン薄膜を成長させることができる。本発明の半導体薄膜の製造方法は、前記立方晶炭化珪素薄膜は、モノメチルシランを含むガスを用いて形成することを特徴とする。この半導体薄膜の製造方法では、立方晶炭化珪素薄膜をモノメチルシランを含むガスを用いて形成することにより、得られた立方晶炭化珪素層の膜質が均質化され、欠陥等も少ない。これにより、欠陥等が無く、均質化された立方晶炭化珪素層を形成することができる。本発明の半導体薄膜の製造方法は、前記基板の反りを、レーザ変位計を用いて測定することを特徴とする。この半導体薄膜の製造方法では、基板の反りを、レーザ変位計を用いて測定することにより、リアルタイムで基板の反りを測定することができる。本発明の半導体薄膜の製造装置は、基板の一主面に第1の半導体薄膜を、前記基板の他の主面に第2の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造装置であって、基板を収納する真空室と、前記基板を加熱する加熱部と、を含み、前記真空室の前記基板の一主面側を第1の結晶成長部とし、前記真空室の前記基板の他の主面側を第2の結晶成長部としたとき、前記第1の結晶成長部に第1の原料ガスを導入する第1のガス導入部と、前記第2の結晶成長部に第2の原料ガスを導入する第2のガス導入部と、をさらに含むことを特徴とする。この半導体薄膜の製造装置では、真空室に基板を収納し、この真空室のうち基板の一主面側を第1の結晶成長部とし、前記基板を加熱する加熱部を設け、第1の原料ガスを導入する第1のガス導入部を設ける。そして、この真空室のうち基板の他の主面側を第2の結晶成長部とし、該第2の結晶成長部に第2の原料ガスを導入する第2のガス導入部を設ける。これにより、基板の一主面の温度と、第1の原料ガス及び第2の原料ガスの供給量を制御するだけで、基板の両面に同時に半導体薄膜を結晶成長させることができる。しかも、得られた半導体薄膜は、欠陥等が無く、均質化されており、かつ同じ内部応力を有するものであり、歩留まりも高い。本発明の半導体薄膜の製造装置は、前記基板の一主面と前記加熱部との間の位置に配置される赤外線透過部材をさらに含み、前記加熱部から発せられる赤外線を、前記赤外線透過部材を透過させて前記基板の一主面に照射することを特徴とする。この半導体薄膜の製造装置では、第1の結晶成長部のうち基板の一主面と加熱部との間の位置に赤外線透過部材を設けたことにより、加熱部から発せられる赤外線は、高い赤外線透過率を持つ赤外線透過部材を透過した後、基板の一主面に照射される。これにより、基板の一主面の温度を精度良く制御することができる。本発明の半導体薄膜の製造装置は、さらに、前記基板の反りを連続的または間欠的に測定するレーザ変位計を含むことを特徴とする。この半導体薄膜の製造装置では、基板の反りを連続的または間欠的に測定するレーザ変位計を含むことにより、基板の反りを、レーザ変位計を用いてリアルタイムで測定することができる。本発明の半導体薄膜の製造方法及び製造装置を実施するための形態について説明する。本実施形態においては、発明の内容の説明を容易にするために、構造上の各部分の形状等については、適宜、実際の形状と異ならせてある。図1は、本発明の一実施形態の半導体薄膜の製造装置1を示す断面図である。本実施形態の半導体薄膜の製造装置1は、基板の両面に同時に半導体薄膜を形成する装置であり、チャンバー真空室2の中央部の内壁に基板3を水平に支持する支持部4が設けられ、この基板3及び支持部4によりチャンバー2内が第1の結晶成長部11と第2の結晶成長部12とに区画されている。これら第1の結晶成長部11と第2の結晶成長部12とは、基板3及び支持部4により完全に仕切られており、互いに連通しない構成となっている。このように、結晶成長部11、12を互いに連通しない構成とすることにより、結晶成長部11、12各々の真空度、原料ガス圧、原料ガスの流量を、互いに独立して制御することができるようになっている。第1の結晶成長部11には、第1の原料ガスg1を導入する第1の配管13及び真空引き用配管14が設けられ、この第1の結晶成長部11の上方には、基板3を加熱する赤外線ランプ加熱手段15が複数個設けられるとともに、基板3の反りを連続的または間欠的に測定するレーザ変位計16が設けられている。このレーザ変位計16は、基板3の表面3a上を縦横に移動する間に、この表面3aにレーザー光を照射し、この表面3aからの戻り光を検出することにより、表面3aの反りを測定するようになっている。そして、この第1の結晶成長部11の天板には、選択的に成長しない材質、例えば、サファイアまたは石英ガラスからなる赤外線透過部材17が設けられ、赤外線ランプ15から発せられる赤外線を透過させて基板3の表面3aに照射するようになっている。この赤外線透過部材17は、サファイアまたは石英ガラスからなる選択的に成長しない材質で構成されているので、基板3の表面3aに形成される半導体薄膜は、選択的に成長せず、一定の結晶成長速度を維持することができる。一方、第2の結晶成長部12には、第2の原料ガスg2を導入する第2の配管21及び真空引き用配管22が設けられている。次に、この半導体薄膜の製造装置1を用いて基板の両面に同時に半導体薄膜を形成する方法について、説明する。まず、表面3a及び裏面3bを洗浄して清浄面とした基板3を支持部4に取り付ける。このとき、基板3の表面3a及び裏面3bは水平面になっている。次いで、真空引き用配管14により第1の結晶成長部11内を、真空引き用配管22により第2の結晶成長部12内を、同時に真空引きし、例えば1×10-3Pa以下の真空度とする。この間に、赤外線ランプ15を用いて基板3の表面3aを加熱し、基板3の表面温度を所定の温度、例えば、1050°Cに保持する。次いで、配管13から第1の結晶成長部11内に原料ガスg1を、例えば1×10-2Pa以下の圧力で導入し、配管22から第2の結晶成長部12内に原料ガスg2を、例えば1×10-2Pa以下の圧力で導入し、基板3の表面3a及び裏面3bそれぞれに同時に半導体薄膜を形成する。ここで、基板3としてシリコン基板を用い、このシリコン基板の表面に立方晶炭化ケイ素3C-SiC薄膜を、裏面に多結晶シリコンポリシリコン薄膜を、それぞれ結晶成長させる場合、原料ガスg1としてはモノメチルシランSiH3CH3が好適に用いられる。このモノメチルシランを流量3sccmで導入した場合、このモノメチルシランの圧力は1×10-2Pa以下である。また、原料ガスg2としてはトリクロルシランSiHCl3が好適に用いられる。このトリクロルシランを流量10sccmで導入した場合も、このトリクロルシランの圧力はモノメチルシランと同様1×10-2Pa以下である。この半導体薄膜を形成する間に、レーザ変位計16を基板3の表面3a上を縦横に移動させて、この表面3aにレーザー光を照射し、この表面3aからの戻り光を検出する。この戻り光の強度を基板3の表面3a上の測定位置に対応させて2次元に表示させることにより、この表面3aにおける基板3の反りをリアルタイムで測定することができる。このレーザー光の照射は、連続的であっても、間欠的であってもよい。いずれにしても、基板3の反りをリアルタイムで測定することが可能である。図2は、このようにして得られた半導体薄膜付きシリコン基板31を示す断面図であり、この半導体薄膜付きシリコン基板31は、シリコン基板32の表面32aに立方晶炭化ケイ素3C-SiC薄膜33が、裏面32bに多結晶シリコンポリシリコン薄膜34が、それぞれ形成されている。この立方晶炭化ケイ素薄膜33は、シリコン基板32の温度を1050°C、モノメチルシランSiH3CH3の流量を3sccm、第1の結晶成長部11内の全圧を1×10-2Pa以下として成長させている。膜厚は10μmである。また、多結晶シリコン薄膜34は、シリコン基板32の温度を950°C、トリクロルシランSiHCl3の流量を10sccm、第2の結晶成長部12内の全圧を1×10-2Pa以下として成長させている。膜厚は4μmである。この半導体薄膜付きシリコン基板31では、立方晶炭化ケイ素薄膜33及び多結晶シリコン薄膜34共に、欠陥等が無く、均質化されており、かつ同じ内部応力を有するものであり、歩留まりも高い。また、シリコン基板32の表面32a及び裏面32bの応力バランスを精度良く調整することにより、反りも無く、従来のような分離工程も必要としない。また、裏面32bに多結晶シリコン薄膜34を形成したので、チップ化する際にも特別な研削処理を施す必要がなく、工程が増加することもない。以上説明したように、本実施形態の半導体薄膜の製造方法によれば、基板3の表面3aの温度と、第1の原料ガスg1及び第2の原料ガスg2の供給量を制御するだけで、基板3の両面に同時に半導体薄膜を結晶成長させることができる。しかも、得られた半導体薄膜は、欠陥等が無く、均質化されており、かつ同じ内部応力を有するものであり、歩留まりも高い。本実施形態の半導体薄膜の製造装置1によれば、基板3の表面3aの温度と、第1の原料ガスg1及び第2の原料ガスg2の流量及び圧力を制御するだけで、基板3の両面に同時に半導体薄膜を結晶成長させることができる。しかも、得られた半導体薄膜は、欠陥等が無く、均質化されており、かつ同じ内部応力を有するものであり、歩留まりも高い。なお、本実施形態では、シリコン基板32の表面32aに立方晶炭化ケイ素薄膜33を、裏面32bに多結晶シリコン薄膜34を、それぞれ形成したが、シリコン基板32の表面32aに立方晶炭化ケイ素3C-SiC横型MOSFETを形成すれば、安価で高性能のパワー素子を製造することができる。また、立方晶炭化ケイ素薄膜33上に窒化ガリウムGaN単結晶膜をエピタキシャル成長させれば、非常に高品質の窒化ガリウムGaN単結晶膜を実現することができる。さらに、この半導体薄膜付きシリコン基板31は、次世代における低損失のパワーデバイス用半導体材料としても利用可能である。