耐クラッシュメモリCPMシステム100であって、第1のメモリ部分116を含むマルチレベルセルMLCメモリモジュール114と、前記MLCメモリモジュールと通信可能に結合されたプロセッサ112と、を備え、前記プロセッサは、前記第1のメモリ部分において、第1のデジタル値を、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの第1のレベルに書き込むことと、前記第1のデジタル値と同じである第2のデジタル値を各データ記憶セルの第2のレベルに書き込むことと、を行うようにプログラムされ、前記プロセッサは、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの各レベルからデジタル値を読み出して、各データ記憶セルに単一のデジタルセル値を決定するようにプログラムされた、システム100。各データ記憶セルの各レベルの値は、前記各セル内の電荷によって決まる、請求項1に記載のシステム100。各データ記憶セルの各レベルの値は、前記各セル内の磁気配向によって決まる、請求項1に記載のシステム100。前記MLCメモリモジュール114は、第2のメモリ部分118を含み、前記プロセッサ112はさらに、前記第2のメモリ部分において、第1のデジタル値を、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの第1のレベルに書き込むことと、前記第1のデジタル値と互いに独立している第2のデジタル値を各データ記憶セルの第2のレベルに書き込むことと、を行うようにプログラムされ、前記プロセッサは、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの各レベルからデジタル値を読み出すようにプログラムされた、請求項1に記載のシステム100。前記プロセッサ112は、前記第1及び第2のレベルの前記デジタル値が同じである場合に、前記第1及び第2のレベルの前記デジタル値と同じであるように、前記第1のメモリ部分116の各データ記憶セルの単一セル値を決定するようにプログラムされた、請求項1に記載のシステム100。前記プロセッサ112は、前記第1及び第2のレベルの前記デジタル値が異なる場合に、前記各セルの前記第1のレベルの前記デジタル値と同じであるように、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの単一セル値を決定することと、前記第1及び第2のレベルの前記デジタル値が異なる場合に、前記各セルの前記第2のレベルの前記デジタル値と同じであるように、前記第1のメモリ部分116の各データ記憶セルの単一セル値を決定することと、を行うようにプログラムされた、請求項1に記載のシステム100。前記プロセッサ112は、前記セルの前記第1及び第2のレベルが00又は01という組み合わせを含む場合に、セル値を0と決定することと、前記セルの前記第1及び第2のレベルが10又は11という組み合わせを含む場合に、セル値を1と決定することと、を行うようにプログラムされた、請求項1に記載のシステム100。前記プロセッサ112はさらに、前記第2のメモリ部分118において、第1のデジタル値を、前記第1のメモリ部分116の各データ記憶セルの第1のレベルに書き込むことと、前記第1のデジタル値と互いに独立している第2のデジタル値を各データ記憶セルの第2のレベルに書き込むことと、を行うようにプログラムされ、前記プロセッサは、前記第1のメモリ部分の各データ記憶セルの各レベルからデジタル値を読み出すようにプログラムされた、請求項1に記載のシステム100。以下の詳細な説明では、限定ではなく例として、本発明の実施形態を示す。本発明は、産業用、商用、及び家庭用の用途においてデータを記憶することの分析的かつ方法論的な実施形態に一般的に応用されることが予想される。本明細書で用いるように、単数形で記載され、単語a又はanに続く要素又はステップは、複数の要素又はステップを除外することが明示的に記載されない限り、複数の要素又はステップを除外しないものと理解されたい。さらに、本発明の一実施形態への参照は、記載された同じ特徴を組み込んだ別の実施形態の存在を除外するものとして解釈されることを意図するものではない。図1は、本発明の一例示的実施形態による耐クラッシュメモリCPMシステム100の概略ブロック図である。本例示的実施形態では、CPMシステム100は、ハウジング102を含み、ハウジング102に含まれる内部空間104が、ハウジング102の外の周囲空間106から密閉可能である。ハウジング102はさらに、周囲空間106にあって、内部空間104内に位置する要素にダメージを与えうる環境的危険から、内部空間104を保護する絶縁システム108を含む。このような危険は、例えば、火災、塩水や真水による水没、打撃、衝撃などであり、これらに限定されない。CPMシステム100は、データ記録装置110を含み、データ記録装置110は、音声信号、映像信号、無線トラフィック信号、例えば、振動、速度、高度、エンジン動作パラメータ、乗り物の1つ以上のシステムからの動作パラメータからのセンサ信号などのデータを受信するように構成されている。CPMシステム100は、プロセッサ112を含み、プロセッサ112は、データ記録装置及びマルチレベルセルMLCメモリモジュール114に通信可能に結合されている。プロセッサ112は、図示したようにCPMシステム100内に位置してもよく、事件後の調査時などにMLCメモリモジュール114の読み出しを行うために用いる外部プロセッサであってもよい。外部プロセッサを、フィードスルーコネクタ113でCPMシステム100と通信可能に結合すること、又は、MLCメモリモジュール114を、CPMシステム100から取り外して、MLCメモリモジュール114の読み出しを行う装置の中に配置することが可能である。本明細書で用いるように、MLCは、メモリセル当たり2ビット以上の情報を含むメモリを示す。各データ記憶セルの各レベルの値は、限定ではなく例として、各セル内の電荷及び各セル内の磁気配向によって決まる。MLCメモリモジュール114は、個別アドレス指定可能な複数のセルを、データ記憶用として含む。本例示的実施形態では、MLCメモリモジュール114は、各セルに2ビット以上のデータ限定ではなく例として、2ビットのデータを記憶する。例えば、各セルは、00、01、10、又は11という各組み合わせとしてデジタルに表現されるデータを記憶することが可能である。各セルの各レベルは、プロセッサ112による個別アドレス指定も可能である。MLCメモリモジュール114は、第1の部分116及び第2の部分118に分割可能である。第1の部分116は、非クリティカルデータ及び/又は記憶することを監督官庁から要求されないデータのためのMLCメモリモジュールとして使用可能である。第1の部分116及び第2の部分118の相対的なサイズは、CPMシステム100の様々な記憶需要に応じて動的に調節可能である。第2の部分118は、MLCメモリモジュール114においてシングルレベルセルに似た方法を利用しており、これは、セル当たり3ビット以上を用いるMLC素子上での使用に拡張可能である。バイナリ値00、01、10、又は11をセルに書き込むことは、MLC素子としては典型的であるが、MLCメモリモジュール114では、そうせずに、第2の部分118においてデータを記憶する各セルに00又は110又は3をプログラムする。従って、時間及び温度による電荷漏洩の、データに対する影響は、以下のルールで読み出しを行った場合には小さくなる。00又は01は、0として読み出す10又は11は、1として読み出すこの方法は、記憶容量を犠牲にして、SLC素子が利用できる設計マージンをほぼ確保する。CPMシステム100はまた、内部空間104内に位置する電源120を含む。電源120は、CPMシステム100の外部からの電力が失われた場合に、一定期間にわたり、CPMシステム100に電力を供給するように構成されている。一実施形態では、電源120は、乗り物からの供給電力が失われた場合に、少なくとも20分間にわたり、CPMシステム100に電力を供給するように構成されている。本明細書で用いるプロセッサという用語は、中央処理装置、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定用途向け集積回路ASIC、論理回路、及び他の任意の、本明細書に記載の機能を実行できる回路又はプロセッサを意味する。本明細書で用いるソフトウェア及びファームウェアという用語は、互換性があり、プロセッサ112による実行に備えて、RAMメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、不揮発性RAMNVRAMメモリなどのメモリに記憶される任意のコンピュータプログラムを含む。上述のメモリタイプは、一例に過ぎず、従って、コンピュータプログラムの記憶用メモリのタイプを限定するものではない。前述の明細に基づいて理解されるように、本開示の前述の実施形態は、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はこれらの任意の組み合わせ又はサブセットを含むコンピュータプログラミング技法又はエンジニアリング技法を用いて実装可能であり、その技術的効果は、読み出し時にデータに対する時間及び温度の影響が小さくなるように記憶セルの電荷漏洩効果を改善する方法を用いて、高密度用に設計されたメモリにデータを記憶することである。コンピュータ可読コード手段を有する、そのような任意のプログラム成果物を、1つ以上のコンピュータ可読媒体内で具体化又は提供することが可能であり、これによって、本開示に記載の実施形態に従うコンピュータプログラム製品すなわち、製造物を製造することが可能である。コンピュータ可読媒体は、例えば、固定ハードドライブ、ディスケット、光ディスク、磁気テープ、半導体メモリ読み出し専用メモリROMなど、及び/又は任意の送信/受信媒体インターネット又は他の通信ネットワーク又はリンクなどであってよく、これらに限定されない。コンピュータコードを収容した製造物は、1つの媒体から直接コードを実行すること、又は、1つの媒体から別の媒体にコードをコピーすること、又は、コードをネットワーク経由で送信することにより、製造及び/又は使用することが可能である。データを記憶する方法及びシステムの上述の実施形態は、耐クラッシュメモリCPM設計においてMLC素子の使用を可能にする。記憶容量の需要が増え続けているために、フラッシュメモリ市場全体におけるSLC素子の割合が小さくなりつつある。そのため、SLC素子は、より不足し、より高価になりつつある。MLCメモリモジュール114を使用することにより、CPMシステム100は、00/11記憶方法を用いない場合には、より高いロー容量で非必須クラッシュデータを記憶することが可能になる。言い換えると、より多くの非クリティカルデータをMLCのロー容量で記憶することが可能になるが、その場合、電荷漏洩の影響から良好に保護される恩恵はなくなる。MLC技術は、CPM記憶容量を増やしながらCPMコストを下げる、コスト効率及び信頼性の高い手段を提供する。より具体的には、本明細書に記載の方法及びシステムは、クリティカルデータの記憶を、MLCメモリの、時間及び温度に対する性能を改善する方式で行うことを促進し、一方で、非クリティカルデータの記憶を、より高密度で行うことを可能にする。結果として、本明細書に記載の方法及びシステムは、コスト効率及び信頼性の高い方式でのデータの記憶を促進する。本明細書は、実施例を使用して、最良の形態を含む本発明を開示し、更にあらゆる装置又はシステムを製作且つ使用すること及びあらゆる組み込まれた方法を実行することを含む本発明の実施を当業者が行なうのを可能にする。本発明の特許性がある技術的範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が想到するその他の実施例を含むことができる。そのようなその他の実施例は、それらが特許請求の範囲の文言と相違しない構造的要素を有する場合、又はそれらが特許請求の範囲の文言と本質的でない相違を有する同等な構造的要素を含む場合には、特許請求の範囲の技術的範囲内に属することになるものとする。