重量比で阻害剤0.01~2、酸化剤0~5、研磨剤0.1~10、錯化剤0.001~10、及び残部の水の各成分を含み、pH値はpH値調整剤により3~5に調整されているコバルトの化学機械研磨用スラリーであって、前記阻害剤は硫黄原子と窒素原子の両方、或いは硫黄原子か窒素原子のいずれかを含む五員複素環化合物の1種類又は複数種類から選択され、前記酸化剤はH2O2、NH42S2O8、KIO4、及びKClO5の1種類又は複数種類から選択され、前記研磨剤はSiO2、CeO2、及びAl2O3の1種類又は複数種類から選択され、前記錯化剤はアミノ酸及びクエン酸の1種類又は複数種類から選択される、コバルトの化学機械研磨用スラリー。重量比で阻害剤0.01~1、酸化剤0.5~2、研磨剤1~5、錯化剤0.4、及び残部の水の各成分を含む、請求項1に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。阻害剤として選択される前記五員複素環化合物は、環中に2個のヘテロ原子を有する、請求項1又は2に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。前記阻害剤は、ベンゾトリアゾール、2-メルカプトチアゾール、2-メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾール、2-アミノベンゾイミダゾール、2-メルカプトベンゾイミダゾール及び2-メチルベンゾイミダゾールの1種類又は複数種類から選択される、請求項3に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。前記阻害剤はベンゾトリアゾールと2-メルカプトチアゾールとの混合物である、請求項4に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。上記研磨剤の粒径が10~100nmの範囲である、請求項1、2、4、又は5のいずれか1項に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。前記錯化剤は、グリシン酸、グルタミン酸、ロイシン酸及びアルギニン酸の1種類又は複数種類から選択される、請求項1、2、4、又は5のいずれか1項に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。前記錯化剤がグリシン酸である、請求項7に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。前記pH値調整剤は、硝酸、硫酸、希酢酸、塩酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸水素ナトリウムから選択される1種又は複数種類である、請求項1に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリー。請求項1に記載のコバルトの化学機械研磨用スラリーの、研磨プロセスにおける利用。本発明は、マイクロエレクトロニクス技術における化学機械研磨に用いられる或る種のスラリーを提供することを目的とする。本発明のスラリーは、酸性スラリー中におけるコバルトの腐食を効果的に抑制することができ、これにより過剰研磨に起因する信頼性の低下を防ぐことができる。上記目的を達成するために、本発明は、コバルトの化学機械研磨用の或る種のスラリーを提供するものであり、重量比で阻害剤0.01~2、酸化剤0~5、研磨剤0.1~10、錯化剤0.001~10、及び残部の水の各成分を含む。スラリーのpH値はpH値調整剤により3~5に調整する。上記阻害剤は、硫黄原子と窒素原子の両方、或いは硫黄原子か窒素原子のいずれかを含む、1種類又は複数種類の五員複素環化合物、およびその誘導体から選択される。阻害剤の役割は、スラリー中における銅およびコバルトの腐食速度を減じることにあり、これによって平坦化の効率を高め、ディッシング不良を低減し、配線構造の側壁部における溶解を防止することができる。上記酸化剤は、H2O2、NH42S2O8、KIO4、及びKClO5の1種類又は複数種類から選択される。酸化剤の役割は、銅、コバルト、及びバリアメタルを酸化してそれぞれの金属酸化物、水酸化物、又はイオンに変化させることにある。これらの酸化剤の中では、H2O2が最も優れる。スラリー中における酸化剤の重量比は0~5の範囲であり、0.5~5が最も好ましい。上記研磨剤は、SiO2、CeO2、及びAl2O3の1種類又は複数種類から選択される。研磨剤の役割は、その粒子と接触する金属又は金属反応生成物を機械的な摩擦力によって除去することにある。これらの研磨剤の中では、コロイド状SiO2が最も優れる。研磨剤の粒径は、研磨速度と表面粗さに影響を与える。本発明では、研磨剤の粒径を10~100nmの範囲とする。上記錯化剤は、アミノ酸及びクエン酸の1種類又は複数種類から選択される。錯化剤の役割は、金属表面またはスラリー中で金属と反応し、スラリー中の金属粒子を低減させ、金属イオンによる汚染を防ぐことにある。コバルトの化学機械研磨用の上記スラリーは、重量比で阻害剤0.01~1、酸化剤0.5~2、研磨剤1~5、錯化剤0.4、及び残部の水の各成分を含む。コバルトの化学機械研磨用の上記スラリーにおいて、阻害剤として選択された上記五員複素環化合物は、環中に2個のヘテロ原子を有する。より詳しくは、上記阻害剤はベンゾトリアゾール、2-メルカプトチアゾール、2-メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾール、2-アミノベンゾイミダゾール、2-メルカプトベンゾイミダゾール、及び2-メチルベンゾイミダゾールの1種類又は複数種類から選択される。これらの阻害剤の中では、ベンゾトリアゾールと2-メルカプトチアゾールが最も優れる。ベンゾトリアゾールと2-メルカプトチアゾールは、銅及びコバルトの腐食を効果的に防ぐことができる。コバルトの化学機械研磨用の上記スラリーにおいて、選択された錯化剤はグリシン酸、グルタミン酸、ロイシン酸及びアルギニン酸等のアミノ酸の1種類又は複数種類であってよい。錯化剤はまた、クエン酸等の他の有機酸であってもよい。錯化剤としては、グリシンが最も好ましい。上記コバルトの化学機械研磨用スラリーにおいて、上記pH値調整剤は硝酸、硫酸、希酢酸、塩酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸水素ナトリウムの1種類又は複数種類から選択される。硝酸及び水酸化カリウムが最も好ましい。本発明はまた、コバルトの化学機械研磨用技術における上記スラリーの利用も提案する。コバルトは、集積回路中で銅配線の接着層又はバリア層として用いられるが、メモリ素子のナノ結晶体やMOSFETの金属ゲート配線としても用いられる。電子回路中におけるコバルト、コバルト合金、及びコバルト化合物の利用、及び研磨を要するプロセスはすべて、本発明の利用範囲に含まれる。本発明で提供されるスラリーは、pH値が3~5の範囲にある。上記pH値が低すぎると、特に2より低いと、化学機械研磨用スラリーが銅配線や研磨装置の腐食の原因となる。一方、上記pH値が6~8の範囲では、上記SiO2研磨剤が不安定化する。また、上記スラリーのpH値が非常に高い場合、特に9より高い場合、スラリーが上記低誘電率膜にダメージを及ぼす可能性がある。したがって本発明では、上記スラリーのpH値を3~5の範囲に調整する。本発明のコバルトの化学機械研磨用スラリーは、コバルトの腐食を効果的に阻害することができ、コバルトの研磨速度を減ずることができ、これにより研磨プロセス後の欠陥を効果的に減ずることができる。本発明を利用する最良の方法について、実施例にもとづき図面を参照しながら説明する。本発明において上記スラリーを利用する方法は、従来のスラリーを利用する方法と同様である。研磨プロセスでは、研磨パッド上でウェハを研磨ヘッドを用いて下向きに保持し、上記スラリーを該研磨パッド上にポンプで供給し、研磨プラテンの回転により該ウェハ表面に均一に広げる。誘電体膜の上面の銅層及び接着層/バリヤ層は、上記ウェハと研磨パッドとの間に圧力を加えることにより、該研磨パッドとプラテンの回転に伴って研磨除去される。ここで、上述のスラリーの利用方法は、当該技術分野において従来から用いられている研磨装置を想定している。特別な研磨装置を用いる場合は、利用方法を実情に応じて適宜調整すれば、上述の様な化学機械研磨による平坦化を達成することができる。図1aは、研磨前のデュアルダマシン構造を示す模式的断面図である。図1bは、本発明のスラリーを用いた研磨後のデュアルダマシン構造を示す模式的断面図である。図1a及び1bにおいて、誘電体膜10は二酸化シリコン膜、又は低誘電率lowk膜とすることができる。接着層/バリア層20の材料は、コバルトと金属窒化物又は金属炭窒化物とを含む積層体、例えばCo/TaN、Co/TiN、Co/TaCN、Co/TiCNとすることができ、或いは、単層のコバルト合金層、例えばCoMo、CoTa、CoTi、CoWとすることができる。上記接着層/バリア層を被着させる方法としては、物理蒸着PVD、原子層堆積ALD、又は化学蒸着CVDが挙げられる。エッチング停止層30の材料はSiN、SiC、SiCNその他の難エッチング性誘電体材料とすることができる。本発明のスラリーを使用することにより、誘電体膜10上の余分な銅層、接着層及びバリア層20が除去され、図1aに示される構造が図1bに示される構造に変化する。本発明のスラリーを利用する方法について、下記の実施例でより詳細に説明する。スラリー成分:コロイダルシリカ1重量;グリシン0.75重量;2-メルカプトチアゾール0.12重量;残部の水。希硝酸と水酸化カリウムを用いてpH値を3に調整。研磨装置及び機械パラメータ:本実施例では、CETR社製、実験室用研磨装置CP-4を用いる。研磨圧力2psi、流速100ml/分、回転速度は研磨ヘッド、プラテン共に150rpm。スラリーは、2メルカプトチアゾールを含まないこと以外は実施例1で用いたものと同じ。研磨装置および機械パラメータも実施例1に同じ。実施例1と比較例1におけるコバルトの腐食速度と研磨速度を表1にまとめる。実施例1と比較例1におけるコバルトの腐食速度と研磨速度表1に示すように、上記スラリーに2-メルカプトチアゾールを添加すると、コバルトの研磨速度及び腐食速度が顕著に減少する。実際の配線構造中では、接着層の厚さは5nm以下なので、コバルトの腐食を防止することは極めて重要である。実施例1では、スラリーに2-メルカプトチアゾールを添加することにより、コバルトの腐食速度が低い値に抑えられ、コバルトの研磨速度が27nm/分に低下する。これは、2-メルカプトチアゾールがコバルトの腐食に対する有効な阻害剤であることを示している。図2aは、実施例1と比較例1におけるスラリーpH=3中のコバルトの動電位分極曲線を対比して示す図である。図2bは、実施例1と比較例1におけるスラリーpH=5中のコバルトの動電位分極プロットを対比して示す図である。図2aと図2bより、上記スラリーのpH値が3であっても5であっても、0.12重量の2-メルカプトチアゾールを添加すると陽極電流と陰極電流が共に顕著に減少し、腐食電流も顕著に減少することがわかる。0.12重量の2-メルカプトチアゾールを含むスラリー中におけるコバルトの陽極分極曲線には、不動態領域が存在する。このことは、2メルカプトチアゾールがコバルト表面に吸着し、コバルトの腐食を防止していることを示している。スラリー成分:コロイダルシリカ5重量;H2O20.5重量;グリシン0.75重量;ベンゾトリアゾール0~0.24重量;残部の水。pH値は5に調整。全スラリーについて、ベンゾトリアゾール濃度を0.06重量、0.12重量、0.18重量、0.24重量に調整。研磨装置及び機械パラメータ:本実施例では、CETR社製、実験室用研磨装置CP-4を用いる。研磨圧力2psi、流速100ml/分、回転速度は研磨ヘッド、プラテン共に150rpm。様々なベンゾトリアゾール濃度のスラリー中におけるコバルトの腐食速度を表2にまとめる。表2より、ベンゾトリアゾール濃度が高くなるにつれてコバルト腐食速度が低下することがわかる。ベンゾトリアゾール濃度が0.24重量と高い時、コバルト腐食速度は2nm/分に抑えられる。このことは、ベンゾトリアゾールがコバルト腐食の良好な阻害剤であることを示している。ベンゾトリアゾールによるコバルト腐食阻害のメカニズムは、ベンゾトリアゾールがコバルト表面に吸着してコバルトとスラリーの接触を妨げ、結果的にコバルトの腐食を防止するものと考えられる。図3は、実施例2において、コバルト研磨速度を上記スラリー中のベンゾトリアゾール濃度の関数として表す図である。図3に示すように、コバルト研磨速度はベンゾトリアゾール濃度が増大するにつれて単調に減少する。ベンゾトリアゾール濃度が0.24重量と高い時、研磨速度は当初の484nm/分から75nm/分へと減少し、またベンゾトリアゾール濃度が0.24重量の時、コバルト腐食速度も小さくなる2nm/分.75nm/分という研磨速度は、厚さ5nm未満のコバルト又はコバルト合金接着層を研磨するに十分である。実施例3~8のスラリー成分と実験データを表3にまとめる。本発明は、集積回路中で金属層としてコバルト又はコバルト合金を用いた場合の研磨技術も包含する。コバルトは、集積回路中では主として銅配線のバリア層または接着層として用いられる一方、メモリ素子中ではナノ結晶体として、またMOSFETの自己整合シリサイド及び金属ゲート電極として用いられる。電子回路中におけるコバルト、コバルト合金、及びコバルト化合物の利用、該電子回路、及び研磨プロセスを要するプロセスはいずれも、本発明の利用範囲に含まれる。以上、本発明について実施例にもとづき説明したが、本発明に関する上記の記載は本発明を限定するものではない。当業者であれば、上述の内容を読んだ上で本発明を変更したり他に置き換えたりすることができる。したがって、本発明の保護範囲は専ら本発明の特許請求の範囲により規定されるべきものである。