SnO220~45wtを含有し、残部がIn2O3及び不可避的不純物であって、焼結密度が7.10g/cm3以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。不可避的不純物であるジルコニウムの濃度が500wtppm以下であることを特徴とする請求項1に記載のITOスパッタリングターゲット。マクロポア密度が1500個/mm2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のITOスパッタリングターゲット。比表面積が4.0~5.7m2/gのSnO2粉スラリーを微粉砕して比表面積を1.9~2.4m2/g増加させ、次に、このSnO2粉スラリーと比表面積が5.0~7.0m2/gのIn2O3粉スラリーとを混合し、次に、得られた混合スラリーを微粉砕して比表面積を2.0~3.0m2/g増加させ、次に、得られた粉砕スラリーにバインダーを加えた後、造粒乾燥させ、次に、これを成形し、常温焼結することを特徴とするITOスパッタリングターゲットの製造方法。本発明は、SnO2濃度が高いITOスパッタリングターゲットにおいて、製造時微粉砕条件を最適化することで、ITOターゲット密度を高めつつ、ジルコニウム不純物の混入を抑制でき、焼結中や焼結後の保管中に発生する焼結体の割れやひびを抑制することによりITOターゲットの生産性や信頼性を向上することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。1SnO220~45wtを含有し、残部がIn2O3及び不可避的不純物であって、焼結密度が7.10g/cm3以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット、2不可避的不純物であるジルコニウムの濃度が500wtppm以下であることを特徴とする上記1に記載のITOスパッタリングターゲット、3マクロポア密度が1500個/mm2以下であることを特徴とする上記1又は2に記載のITOスパッタリングターゲット、4比表面積4.0~5.7m2/gのSnO2粉スラリーを微粉砕して比表面積を1.9~2.4m2/g増加させ、次に、このSnO2粉スラリーと比表面積5.0~7.5m2/gのIn2O3粉スラリーとを混合し、次に、得られた混合スラリーを微粉砕して比表面積を2.0~3.0m2/g増加させ、次に、得られた粉砕スラリーにバインダーを加えた後、造粒乾燥させ、次に、これを成形し、焼結することを特徴とするITOスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。本発明のSnO2濃度が高いITOスパッタリングターゲットは、製造時の微粉砕条件を強化することで、ITOターゲット密度を高めつつ、ジルコニウム不純物の混入を抑制できるので、焼結中や焼結後の保管中に発生する焼結体の割れやひびを抑制することができる。これによりITOターゲットの生産性や信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。本発明において、ITOスパッタリングターゲットの組成は、SnO220~45wtを含有し、残部がIn2O3及び不可避的不純物とする。このようなターゲットを使用することにより、抵抗膜式タッチパネルなどに好適な、高い表面抵抗率を有する透明導電膜を得ることができる。また、本発明において、ITOスパッタリングターゲットは、焼結密度が7.10g/cm3以上と高いことが特徴である。これは従来の常圧焼結で得られていた密度5.5~6.9g/cm3程度のITOターゲットよりも高い密度を有するものであり、これによって、従来発生していた焼結体内部のマクロポアやマイクロクラックの発生を抑制でき、焼結体の加工中や加工終了後の保管中に発生していた焼結割れや放置割れを防止することが可能となった。なお、特許文献1では、密度7.16g/cm3を達成しているが、加圧焼結は製造コストが極めて高く量産に適していないため、本発明の対象外である。また、本発明において、不可避的不純物であるジルコニウムの濃度を500wtppm以下とすることが好ましい。本発明は、焼結体の高密度化による焼結割れを防止することを目的として微粉砕条件の強化を実施しているが、この微粉砕の際に粉砕メディアとして使用するジルコニウムビーズは粉砕中に磨耗していき、その一部が原料粉末中に混入してしまう問題がある。このように、原料粉の微粒化は、焼結体の高密度化を可能とする一方で原料粉末の汚染の問題が発生するため、ジルコニウムのコンタミ量とのバランスをみながら微粉砕条件を決定することが重要である。また、本発明において、マクロポア密度が1500個/mm2以下であることが好ましい。マクロポアとは、焼結体中に存在する微小径の空孔で大きさが2~20μmのポアである。このマクロポアを起点として、焼結体の割れやひびが発生するため、マクロポア数を少なくすることで、焼結体の割れ率を低減することができる。好ましくは、マクロポア密度1000個/mm2以下とする。本発明のITOスパッタリングターゲットは次のような方法で製造することができる。まず、BET比表面積が4.0~5.7m2/gのSnO2粉を純水と混合しスラリーを作製し、次に、作製したスラリーをビーズミルにてBET比表面積の増加分が1.9~2.4m2/gとなるように粉砕する。この時粉砕ビーズは耐摩耗性を考慮してジルコニアビーズYTZを使用するのが好ましい。次に、BET比表面積が4.0~6.0m2/gのIn2O3粉を純水と混合して作製したスラリーを比表面積が5.0~7.5m2gとなるように微粉砕を行った。得られたIn2O3スラリーと前記微粉砕をしたSnO2スラリーをSnO2含有量が20~45wtとなるような比率で混合する。次に、作製したSnO2とIn2O3との混合スラリーをビーズミルにて粉砕し、BET比表面積を2.0~3.0m2/g増加させる。この時も同様にジルコニアビーズを使用するのが好ましい。次に、この粉砕スラリーにバインダーを加えて、造粒乾燥する。その後、この乾燥粉末を金型に充填した後、一定の圧力下で成形する。そして、この成形体を一定の温度下で常圧焼結することによって焼結体を得ることができる。次に、実施例に基づいて本発明を説明する。以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。実施例及び比較例ITOスパッタリングターゲットの原料粉末として、BET比表面積が4.0~5.7m2/gのSnO2粉とBET比表面積が4.0~6.0m2/gのIn2O3粉を使用した。そして、これらの粉末をそれぞれ純水に混合し、SnO2粉スラリーとIn2O3粉スラリーを作製した。次に、これらのスラリーを表1に記載されるBET比表面積の増加分が得られるまでビーズミルにて微粉砕した。粉砕ビーズは、ジルコニアビーズを使用した。このとき、実施例と比較例でSnO2粉スラリーのBET比表面積の増加量を変化させた。次に、SnO2含有量が20~45wtとなるような比率でこれらのスラリーを混合した後、この混合スラリーを表1に記載されるBET比表面積の増加分が得られるまでビーズミルにて微粉砕した。このとき、実施例と比較例で粉砕によるBET比表面積の増加量を変化させた。次に、この粉砕スラリーにバインダーを加え、スプレードライヤーにて造粒乾燥した。そして、この乾燥粉末を金型に充填した後、油圧プレスにて成形した後、さらに冷間等方静水圧にて成形し、成形体を得た。次に、該成形体を焼結温度1560°C、20時間、酸素雰囲気で常圧焼結し、焼結体を得た。次に、該焼結体の表面を平面研削盤でダイヤモンド砥石を用いて研削し、さらに側片をダイヤモンドカッターにより切断した。このターゲット切断ピースを銅製のバッキングプレートにメタルボンディングして、ターゲット表面を研磨仕上げしてITOスパッタリングターゲットとした。表1に、実施例1~3及び比較例1~3の微粉砕条件で作製したターゲットの焼結体密度、ジルコニウム含有量を示す。上記表1に示す通り、実施例1~3では、SnO2含有量が20~45wtといったSnO2濃度が高いITOスパッタリングターゲットにおいても、SnO2粉の微粉砕時のBET比表面積の増加量が1.9~2.4m2/gの範囲内にあり、かつ、混合粉の微粉砕時のBET比表面積の増加量が2.0~3.0m2/gの範囲内にあれば、焼結密度7.10g/cm3以上と高密度のITOスパッタリングターゲットが得られた。一方、比較例1~3では、SnO2粉や混合粉の微粉砕時のBET比表面積の増加量が十分ではなく、密度7.10g/cm3以上のITOスパッタリングターゲットを得ることはできなかった。また、実施例1~3においても、ジルコニウム濃度を500wtppm以下と低く抑制することができた。実施例1~3及び比較例1~3で作製したターゲットを切り出し、電子顕微鏡で組織を観察し、ターゲットの内部に存在するマクロポアの単位面積あたりの個数密度を計測した。またこのとき、実施例1及び比較例1で作製したターゲットについては、その組織写真を撮影した。実施例1のターゲットの組織写真を図1に、比較例1のターゲットの組織写真を図2に示す。また、焼結中及び焼結完了後36時間保管中に発生した焼結体の割れ率焼結体の割れ枚数/焼結体の総数を評価した。表1に、実施例1~3及び比較例1~3の条件で作製したターゲットのマクロポア密度、焼結体の割れ率を示す。図1、2に示す通り、実施例1で得られたターゲットは、比較例1で得られたターゲットに比べて、マクロポアの数が格段に少ないことが確認できた。また、表1に示す通り、実施例1~3ではマクロポア密度がいずれも1500個/mm2以下と、比較例1~3に比べてマクロポアの発生量が少なく良好な結果が得られた。そして、比較例1~3では焼結体の割れ率が0.75、1.00、1.00であったが、実施例1~3では焼結体は観測中一枚も割れることはなく、良好な結果が得られた。