半導体ベースの発光デバイスLEDであって、p型窒化物層と、前記p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクトとを備え、前記金属オーミックコンタクトは、約25Å未満の平均厚さおよび約10-3Ωcm2未満の固有接触抵抗率を備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイスLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層のほぼ100を覆っていることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の100未満を覆っていることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、Ptを備えることを特徴とする請求項2に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約20Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約13Åから約18Åの平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約10Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約70未満を覆っていることを特徴とする請求項7に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層の一部を覆い、前記p型窒化物層の残りの部分は前記金属オーミックコンタクトで覆われていないことを特徴とする請求項8に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約5Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約47未満を覆っていることを特徴とする請求項10に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で少なくとも約92を備えることを特徴とする請求項11に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層の一部を覆い、前記p型窒化物層の残りの部分は前記金属オーミックコンタクトで覆われていないことを特徴とする請求項11に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約3Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約28未満を覆っていることを特徴とする請求項14に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約94から約96を備えることを特徴とする請求項15に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層の一部を覆い、前記p型窒化物層の残りの部分は前記金属オーミックコンタクトで覆われていないことを特徴とする請求項15に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約1Åの平均厚さを備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約13未満を覆っていることを特徴とする請求項18に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約98超えることを特徴とする請求項19に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層の一部を覆い、前記p型窒化物層の残りの部分は前記金属オーミックコンタクトで覆われていないことを特徴とする請求項19に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、白金、ロジウム、酸化亜鉛、パラジウム、酸化パラジウム、チタン、ニッケル/金、酸化ニッケル/金、酸化ニッケル/白金、および/またはチタン/金を備えることを特徴とする請求項1に記載のLED。半導体ベースの発光デバイスLEDであって、p型窒化物層と、前記p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクトとを備え、前記金属オーミックコンタクトは、約1Åの平均厚さを備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイスLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約13未満を覆っていることを特徴とする請求項18に記載のLED。半導体ベースの発光デバイスLEDであって、p型窒化物層と、前記p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクトとを備え、前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約13未満を覆う約1Åの平均厚さを備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイスLED。前記金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約98超えることを特徴とする請求項25に記載のLED。半導体ベースの発光デバイスLEDであって、p型窒化物層と、前記p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクトとを備え、前記金属オーミックコンタクトは、約350nmの測定波長で約98超える正規化透過率を実現するのに十分な平均厚さを備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイスLED。前記平均厚さは、1Åを備えることを特徴とする請求項27に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記p型窒化物層の覆われていない部分が前記金属オーミックコンタクトを通して露出されるほどに前記p型窒化物層の約13未満を覆っていることを特徴とする請求項27に記載のLED。半導体ベースの発光デバイスLEDであって、n型半導体基板と、前記基板の上のn型GaNエピ層と、前記n型GaNエピ層の上のp型GaNエピ層と、前記p型GaNエピ層の上の金属オーミックコンタクトであって、約25Å未満の平均厚さおよび約10-3Ωcm2未満の固有接触抵抗率を備える金属オーミックコンタクトと、前記金属オーミックコンタクトの上のボンディングパッドとを備えることを特徴とする半導体ベースの発光デバイスLED。前記平均厚さは、約5Åから約1Åを備えることを特徴とする請求項30に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の約13未満から約47未満を覆っていることを特徴とする請求項30に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約92超えることを特徴とする請求項30に記載のLED。前記平均厚さは、約13Åから約18Åを備えることを特徴とする請求項30に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトを横切って延びる前記ボンディングパッド上の電流拡散指状部をさらに備えることを特徴とする請求項30に記載のLED。前記電流拡散指状部は、直線の指状部または曲がった指状部を備えることを特徴とする請求項35に記載のLED。半導体ベースのフリップチップ型発光デバイスLEDであって、n型半導体基板と、前記基板の上のn型GaNエピ層と、前記n型GaNエピ層の上のp型GaNエピ層と、前記p型GaNエピ層の上の金属オーミックコンタクトp電極であって、約25Å未満の平均厚さを備える金属オーミックコンタクトp電極と、前記金属オーミックコンタクトp電極の上の反射材と、前記反射材の上の金属スタックと、前記n型GaNエピ層の反対側で前記基板に接するn電極と、前記n電極の上のボンディングパッドとを備えることを特徴とする半導体ベースのフリップチップ型発光デバイスLED。前記金属オーミックコンタクトは、約20Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約13Åから約20Åの平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約15Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項42に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約10Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。約25Å以上を備える平均厚さを金属オーミックコンタクトp電極が備え、前記金属オーミックコンタクトp電極は前記p型GaNエピ層の約67未満を覆っていることを特徴とする請求項41に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約5Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。約25Å以上を備える平均厚さを金属オーミックコンタクトp電極が備え、前記金属オーミックコンタクトp電極は前記p型GaNエピ層の約47未満を覆っていることを特徴とする請求項43に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約3Å未満の平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。約25Å以上を備える平均厚さを金属オーミックコンタクトp電極が備え、前記金属オーミックコンタクトp電極は前記p型GaNエピ層の約28未満を覆っていることを特徴とする請求項45に記載のLED。前記金属オーミックコンタクトは、約1Åの平均厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。約25Å以上を備える平均厚さを金属オーミックコンタクトp電極が備え、前記金属オーミックコンタクトp電極は前記p型GaN層の約13未満を覆っていることを特徴とする請求項47に記載のLED。前記反射材は、約300Åを超える厚さを備えることを特徴とする請求項37に記載のLED。前記反射材は、アルミニウムおよび/または銀を備えることを特徴とする請求項49に記載のLED。半導体ベースの発光デバイスLEDを形成する方法であって、n型基板の上にp型窒化物層を形成するステップと、前記p型窒化物層の上に金属オーミックコンタクトを、前記金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定された前記p型窒化物層の100未満の被覆率に形成するステップと、前記金属オーミックコンタクトの形成を中止するステップとを備えることを特徴とする方法。金属オーミックコンタクトを形成する前記ステップは、さらに、ある時間にわたってある速度で前記p型窒化物層および確認スライドガラスの上に金属を堆積して、前記金属オーミックコンタクトのために第1の平均厚さを有する金属層を設けること、前記確認スライドガラスの上の前記金属層の厚さの表示を監視すること、前記表示が所定の表示閾値より上である場合には、次の時間および/または次の速度に関して金属をさらに堆積して平均厚さを増すこと、および、前記表示が前記所定の表示閾値にほぼ等しいか、それより下である場合には、金属の堆積を中止することを備えることを特徴とする請求項51に記載の方法。前記確認スライドガラスの上の前記金属層の厚さの表示を監視する前記ステップは、前記金属層の透過率、シート抵抗率、キャパシタンス、反射率、および/または共振周波数を測定することを備えることを特徴とする請求項52に記載の方法。約350nmの測定波長で約92の透過率は、厚さが約5Å未満の平均厚さを備えることを示し、約350nmの測定波長で約94から約96の透過率は、厚さが約3Å未満の平均厚さを備えることを示し、約350nmの測定波長で約98を超える透過率は、厚さが約1Åの平均厚さを備えること示すことを特徴とする請求項53に記載の方法。金属をさらに堆積する前記ステップは、前記表示が前記所定の表示閾値を超えるまで金属の堆積を続けることを備えることを特徴とする請求項52に記載の方法。前記速度は、毎秒約0.1Åから約0.5Åを備えることを特徴とする請求項52に記載の方法。金属オーミックコンタクトを形成する前記ステップは、さらに、ある時間にわたってある速度で前記p型窒化物層および確認スライドガラスの上に金属を堆積して、前記金属オーミックコンタクトのために第1の平均厚さを有する金属層を設けること、前記確認スライドガラスの上の前記金属層の厚さの表示を監視すること、前記表示が所定の表示閾値にほぼ等しいか、それより上である場合には、金属の堆積を中止すること、および、前記表示が前記所定の表示閾値より下である場合には、前記p型窒化物層および前記確認スライドガラスから前記金属層を除去し、前記p型窒化物層および前記確認スライドガラスの上に次の時間にわたっておよび/または次の速度で金属をさらに堆積することを備えることを特徴とする請求項51に記載の方法。前記関連した表示が前記所定の表示閾値にほぼ等しいか、それより上であるように前記金属層が形成されるまで、除去後に金属の次の再堆積のために前記次の時間および/または次の速度を調整することをさらに備えることを特徴とする請求項57に記載の方法。金属オーミックコンタクトを形成する前記ステップは、さらに、ある時間にわたってある速度で第1の試験基板の上に金属を堆積して、第1の金属層を設けること、前記第1の金属層の厚さの表示を監視すること、前記表示が前記金属オーミックコンタクトの厚さ許容誤差の範囲内にある場合には、前記時間にわたって前記速度で前記p型窒化物層の上に金属を堆積して、前記平均厚さを有する前記金属オーミックコンタクトを設けること、前記表示が前記厚さ許容誤差の範囲内にない場合には、第2の時間にわたっておよび/または第2の速度で第2の試験基板の上に金属を堆積して、第2の金属層を設けること、前記第2の金属層の厚さの表示を監視すること、および、前記第2の金属層の厚さの前記表示が前記厚さ許容誤差の範囲内にある場合には、前記第2の時間にわたっておよび/または前記第2の速度で前記p型窒化物層の上に金属を堆積して、前記平均厚さを有する前記金属オーミックコンタクトを設けることを備えることを特徴とする請求項51に記載の方法。前記速度で異なる時間にわたって金属を堆積し続けること、および、形成された金属層の厚さを監視して、前記金属層を前記厚さ許容誤差の範囲内に形成するのに十分な時間決定することをさらに備えることを特徴とする請求項59に記載の方法。半導体ベースのフリップチップ型LEDであって、p型窒化物層と、前記p型窒化物層の上の金属オーミックコンタクトp電極であって、約25Å未満の平均厚さを備える金属オーミックコンタクトp電極と、前記金属オーミックコンタクトp電極の上の反射材とを備えることを特徴とする半導体ベースのフリップチップ型LED。高導電性のp型III族窒化物材料GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、およびAlInNなどを作ることは困難である可能性があるために、p型層中に広がる電流が不足していることが、そのような材料で形成されたLEDの性能の制限因子である可能性がある。したがって、電流がデバイスのできるだけ多くの活性領域を通過するようにするために、露出されたp型層のできるだけ多くの表面積を覆うオーミックコンタクトを形成することが望ましい可能性がある。しかし、大きな陽極コンタクトを設けることは、いくつかの点でデバイス性能に有害である可能性がある。発光ダイオードからできるだけ多くの光を取り出すことが一般に望ましい。通常、陽極オーミックコンタクトは金属層を備えるので、LEDの活性領域で発生した光は、一部がオーミックコンタクトで吸収され、デバイスの全体的な発光効率を減少させる可能性がある。いくつのデバイスでは、通常p型層を通過してデバイスを出た光が反射されてデバイスに戻って基板を通して取り出されるように、露出されたp型層を覆って反射金属層を形成することが望ましいことがある。しかし、アルミニウムおよび銀のような高反射金属は、p型窒化物材料に対して良好なオーミックコンタクトを形成しない。したがって、オーミックコンタクトは、一般に、p型窒化物層と反射材の間に設けられる。オーミックコンタクトでの吸収を減少させることは、相変わらずそのようなデバイスの問題である。したがって、改善されたオーミックコンタクト構造およびp型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する方法が必要とされている。本発明に従った実施形態は、p型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法を提供することができる。これらの実施形態に従って、半導体ベースの発光デバイスLEDは、p型窒化物層と、その上の金属オーミックコンタクトとを含むことができ、金属オーミックコンタクトは、約25Å未満の平均厚さおよび約10-3Ωcm2未満の固有接触抵抗率を有する。金属オーミックコンタクトはPtを備えることができる。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約20Å未満の平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約13Åから約18Åの平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約15Åの平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約10Å未満の平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定されたp型窒化物層の約67未満を覆っている。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、p型窒化物層の一部を覆い、p型窒化物層の残りの部分は金属オーミックコンタクトで覆われていない。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約5Å未満の平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定されたp型窒化物層の約47未満を覆っている。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約92である。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、p型窒化物層の一部を覆い、p型窒化物層の残りの部分は金属オーミックコンタクトで覆われていない。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約3Å未満の平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定されたp型窒化物層の約28未満を覆っている。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約94から約96である。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、約1Åの平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定されたp型窒化物層の約13未満を覆っている。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトの正規化透過率は、約350nmの測定波長で約98を超える。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトは、白金、ロジウム、酸化亜鉛、パラジウム、酸化パラジウム、チタン、ニッケル/金、酸化ニッケル/金、酸化ニッケル/白金、および/またはチタン/金であることができる。本発明に係る一実施形態では、LEDは、また、金属オーミックコンタクトの上にボンディングパッドを含むこともできる。本発明に係る一実施形態では、LEDは、p型窒化物層およびその上の金属オーミックコンタクトを含むことができ、金属オーミックコンタクトは約1Åの平均厚さを有する。本発明に係る一実施形態では、LEDは、p型窒化物層およびその上の金属オーミックコンタクトを含むことができる。金属オーミックコンタクトは、金属オーミックコンタクトのオージェ解析によって測定されたp型窒化物層の約13を覆う約1Åの平均厚さを有することができる。本発明に係る一実施形態では、LEDは、p型窒化物層およびその上の金属オーミックコンタクトを含むことができる。金属オーミックコンタクトは、約350nmの測定波長で約98を超える正規化透過率を実現するのに十分な平均厚さを有することができる。本発明に係る一実施形態では、半導体ベースの発光デバイスLEDを形成する方法は、n型基板の上にp型窒化物層を形成すること、p型窒化物層の上に金属オーミックコンタクトを、約25Å未満の平均厚さおよび約10-3Ωcm2未満の固有接触抵抗率に形成すること、および金属オーミックコンタクトの形成を中止すること、によって実現することができる。本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトを形成することは、さらに、ある時間にわたってある速度でp型窒化物層および確認スライドガラスの上に金属を堆積して金属オーミックコンタクトのために第1の平均厚さを有する金属層を設けることを含み、確認スライドガラスの上の金属層の厚さの表示が監視される。この表示が所定の表示閾値より上である場合には、平均厚さを増すように次の時間および/または次の速度に関して金属がさらに堆積される。表示が所定の表示閾値にほぼ等しいか、それより下である場合には、金属の堆積は中止される。本発明に係る一実施形態では、厚さの表示の監視は、金属層の透過率、シート抵抗率、キャパシタンス、反射率、および/または共振周波数を測定することによって行われる。本発明に係る一実施形態では、表示が所定の表示閾値を超えるまで金属がさらに堆積される。本発明に係る一実施形態では、堆積の速度は、毎秒約0.1Åから約0.5Åである。ここで本発明の実施形態が示されている添付の図面を参照して、以下で本発明をより完全に説明する。本発明は、本明細書に示される実施形態に限定されるように解釈されるべきでない。それどころか、これらの実施形態は、この開示が徹底的で完全であり本発明の範囲を当業者に完全に伝えるように与えられている。全体を通して、同様な数字は同様な要素を参照する。さらに、図に示された様々な層および領域は模式的に示されている。また当業者は理解するように、本発明は半導体ウェーハおよびダイシングされたチップに関して説明されているが、そのようなチップは、任意の大きさにダイシングされる可能性がある。したがって、本発明は、添付の図に示された相対的な大きさおよび間隔に限定されない。その上、層の厚さおよび特徴の大きさのような図面の特定の特徴は、図面をはっきりさせ説明を容易にするために誇張された寸法で示されている。本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明する目的のためだけのものであり、本発明を限定するように意図されていない。本明細書で使用されるとき、単数形ひとつのおよびそのは、文脈が特に明らかに指示しない限り、複数形も含む意図である。さらに理解されることであろうが、用語備えるおよび/または備えているは、本明細書で使用されるとき、述べられた特徴、完全体、ステップ、動作、要素、および/または部品の存在を明示するが、1つまたは複数の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、部品、および/またはこれらのグループの存在または追加を排除しない。理解されることであるが、要素または層が、他の要素または層の上にある、または他の要素または層に接続されてまたはに結合されていると呼ばれるとき、それは、他の要素または層の直ぐ上にあり、または他の要素または層に直接接続または結合されていることがあり、または介在する要素または層が存在することがある。対照的に、要素が、他の要素または層の直ぐ上にある、他の要素または層に直接に接続されてまたはに直接に結合されていると呼ばれるとき、存在する介在する要素または層はない。全体を通して同様な数字は同様な要素を参照する。本明細書で使用されるとき、用語および/またはは、関連した列挙されたものの1つまたは複数のどのような組合せも含む。理解されることであるが、第1、第2、その他の用語は、様々な要素、部品、領域、層および/または部分を記述するために本明細書で使用されることがあるが、これらの要素、部品、領域、層および/または部分は、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、1つの要素、部品、領域、層または部分を他の要素、部品、領域、層または部分と区別するために使用されているだけである。したがって、以下で述べる第1の要素、部品、領域、層または部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、部品、領域、層または部分と呼ぶことができる。さらに、より下のまたは底およびより上のまたは頂上などの相対的な用語は、図に示されているような1つの要素の他の要素に対する関係を記述するために本明細書で使用されることがある。理解されることであるが、相対的な用語は、図に示された向きの外にデバイスの異なる向きを含むことを意図する。例えば、図のデバイスがひっくり返された場合、他の要素のより下の側にあると記述された要素は、そのとき、他の要素のより上の側に位置するだろう。したがって、例示的な用語より下のは、図の特定の向きに依存してより下のとより上のの両方の向きを含むことができる。同様に、図の1つのデバイスがひっくり返された場合、他の要素より下にまたはの真下にと記述された要素は、他の要素より上に位置するだろう。したがって、例示的な用語より下にまたはの真下には、上側と下側の両方を含むことができる。オーミックコンタクトの厚さに関係して本明細書で使用されるときに、用語約は/-1Åの許容誤差の範囲内を意味する。特に定義されなければ、本明細書で使用される全ての用語技術的および科学的用語を含むは、この発明が属する当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有している。さらに理解されることであるが、一般に使用される辞書で定義されている用語のような用語は、関連した技術分野および本明細書の背景におけるそれの意味と一致した意味を持つものとして解釈されるべきであり、本明細書で明確にそのように定義されない限り、理想化されたまたは過度に形式的な意味で解釈されるべきでない。本発明の実施形態は、本発明の理想的なものと考えられる実施形態の模式的な説明図である断面説明図を参照して、本明細書で説明される。したがって、例えば製造技術および/または許容誤差の結果としてこれらの説明図の形の変形物が予想される。したがって、本発明の実施形態は、本明細書で示される領域の特定の形に限定されるように解釈されるべきでなく、例えば製造に起因する形のずれを含むことになっている。例えば、矩形として示された領域には、1つの領域から次の領域への離散的な変化でなく、一般に、丸くなった、曲がったまたは傾斜した特徴が縁部にある。したがって、図に示された領域は、本質的に模式的であり、その形は、デバイスの領域の正確な形を示す意図でなく、また本発明の範囲を限定する意図でない。ここで、本発明の実施形態は、全体的に、炭化珪素ベースの基板の上の窒化ガリウムベースの発光ダイードに関連して説明される。しかし、当業者は理解することであろうが、本発明の多くの実施形態は、基板およびエピタキシャル層の多くの異なる組合せで使用することができる。例えば、組合せには、GaP基板上のAlGaInPダイオード、GaAs基板上のInGaAsダイオード、GaAs基板上のAlGaAsダイオード、SiCまたはサファイアAl2O3基板上のSiCダイオード、および/または、窒化ガリウム、炭化珪素、窒化アルミニウム、サファイア、酸化亜鉛および/または他の基板の上の窒化物ベースのダイオードがあり得る。GaNベースの発光デバイスは、一般的に、SiCまたはサファイアのような絶縁性、半導体性、または導電性基板を備え、この基板の上に複数のGaNベースのエピタキシャル層が堆積される。エピタキシャル層は、通電されたとき光を発するp-n接合を有する活性領域を備えている。本明細書で開示されたLEDの様々な実施形態は基板を含むが、当業者は理解するであろうが、LEDを備えるエピタキシャル層が成長された結晶エピタキシャル成長基板を切り取ることができ、独立したエピタキシャル層を、元の基板よりも優れた熱的、電気的、構造的および/または光学的特性を有する可能性のある代わりのキャリア基板またはサブマウントsubmountに取り付けることができる。本明細書で説明される本発明は、結晶エピタキシャル成長基板を有する構造に限定されず、エピタキシャル層が元の成長基板から切り取られ、代わりのキャリア基板に結合された構造に関係して使用することができる。本発明の実施形態で使用する発光デバイスは、ノースカロライナ州ダラムのCreeInc.が製造販売しているデバイスのような炭化珪素基板に作られた窒化ガリウムベースの発光ダイオードまたはレーザであってもよい。例えば、本発明は、特許文献1から19に記載されているLEDおよび/またはレーザで使用するのに適している。他の適切なLEDおよび/またはレーザは、GROUPIIINITRIDEBASEDLIGHTEMITTINGDIODESTRUCTURESWITHAQUANTUMWELLANDSUPERLATTICEGROUPIIINITRIDEBASEDQUANTUMWELLSTRUCTURESANDGROUPIIINITRIDEBASEDSUPERLATTICESTRUCTURESという名称の特許文献20、2004年7月27日出願のGROUPIIINITRIDEBASEDQUANTUMWELLLIGHTEMITTINGDEVICESTRUCTURESWITHANINDIUMCONTAININGCAPPINGSTRUCTUREという名称の特許文献21、2004年6月30日出願のLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGCURRENTBLOCKINGSTRUCTURESANDMETHODSOFFABRICATINGLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGCURRENTBLOCKINGSTRUCTURESという名称の特許文献22、2004年7月27日出願のLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGAREFLECTIVEBONDPADANDMETHODSOFFABRICATINGLIGHTEMITTINGDEVICESHAVINGAREFLECTIVEBONDPADという名称の特許文献23に記載されている。本発明の特定の実施形態では、発光デバイスは、活性領域で発生した光を元のデバイスを通すように反射する反射層を実現するp電極を含むことができる。反射p電極および関連した構造は、LIGHTEMITTINGDIODESINCLUDINGSUBSTRATEMODIFICATIONSFORLIGHTEXTRACTIONANDMANUFACTURINGMETHODSTHEREFORという名称の特許文献24およびREFLECTIVEOHMICCONTACTSFORSILICONCARBIDEINCLUDINGALAYERCONSISTINGESSENTIALLYOFNICKELMETHODSOFFABRICATINGSAMEANDLIGHTEMITTINGDEVICESINCLUDINGTHESAMEという名称の特許文献25に記載されている。本明細書で使用されるときに、用語オーミックコンタクトは、それに関連したインピーダンスが、実質的に全ての予想される動作周波数において、インピーダンス=V/Iの関係で実質的に与えられるコンタクトを意味するすなわち、オーミックコンタクトに関連したインピーダンスは全ての動作周波数で実質的に同じである。ここでVはコンタンクトの両端間の電圧であり、Iは電流である。例えば、本発明に係る一実施形態では、オーミックコンタクトは、約10-03Ωcm2未満、別の実施形態では約10-04Ωcm2未満の固有接触抵抗率を有するコンタクトであることができる。したがって、整流性のコンタクト、または高い固有接触抵抗率、例えば約10-03Ωcm2を超える固有接触抵抗率を有するコンタクトは、本明細書でいうところのオーミックコンタクトではない。LEDは、金属板、プリント回路基板またはリードフレームこれらの全ては本明細書でサブマウントと呼ばれるのようなサブマウントに基板側を下にして取り付けることができる。図1は、n型SiC基板10を有するLED1を模式的に示し、活性領域12は、基板上に成長されメサにパターン形成されたn-GaNベースの層14およびp-GaNベースの層16を備える。金属p電極18は、p-GaN層16に堆積されかつ電気的に結合されており、ワイヤボンディング接続28がp電極18の上のボンディングパッド20に行われている。導電性基板の上にあり電気的に結合されたn電極22は、導電性エポキシ26を使用して導電性サブマウント24に取り付けられている。エポキシ26は、熱硬化され、それによってエポキシは硬くなり、LEDチップの安定した導電性取付けを実現する。活性領域12で発生した光は、デバイスの上方外側に向けられる。しかし、発生した光の一部は、オーミックなp電極18本明細書でときどきオーミックコンタクト18と呼ばれるで吸収される可能性がある。p電極18による光の吸収を減少させおよび/または最小限にするために、p電極の厚さは、本発明の一実施形態では25Åより下に減少させることができる。本発明の一実施形態は、再現可能で制御可能な、かつ製造可能な方法で堆積することができる極薄pコンタクト金属を実現する。一実施形態では、オーミックコンタクト18は白金を含む。他の材料もオーミックコンタクト18に使用することができる。例えば、オーミックコンタクト18は、ロジウム、酸化亜鉛、パラジウム、酸化パラジウム、チタン、ニッケル/金、酸化ニッケル/金、酸化ニッケル/白金、および/またはチタン/金を備えることができる。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は25Å未満の平均厚さを有する。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は20Å未満の平均厚さを有する。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は、13から18Åの平均厚さを有することができる。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は約15Å/-1Åの平均厚さを有することができる。ある実施形態では、オーミックコンタクト18は10Å未満の平均厚さを有する。別の実施形態では、オーミックコンタクト18は5Å未満の平均厚さを有し、さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は3Å未満の平均厚さを有する。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクトは約1Åの平均厚さを有する。当業者は理解することであろうが、10Å未満の膜厚、特に5Å未満の膜厚は、部分単分子層またはサブモノレーヤsub-monolayerの表面被覆率を表す可能性がある。したがって、たとえ結果として得られた層が膜と呼ばれても、その膜は、p型GaN層の表面をただ部分的に覆っているだけである可能性がある。さらに、p型GaN層の未被覆部分のいくつかは、それらの部分が金属オーミックコンタクトの最小平均厚さよりも厚い膜で覆われていないので、露出されているとして特徴付けることができる例えば、露出された部分は、金属オーミックコンタクトのサブモノレーヤで覆われている。このように、本発明のある実施形態は、70未満の被覆率を有するコンタクト層を実現する。本発明のさらに他の実施形態は、50未満の被覆率を有するコンタクト層を実現する。本発明のさらに他の実施形態は、30未満の被覆率を有するコンタクト層を実現する。本発明の他の実施形態は、20未満の被覆率を有するコンタクト層を実現する。本明細書で使用されるように、金属オーミックコンタクトがp型窒化物層の特定の割合だけ例えば、70を覆うと説明されるとき、p型窒化物層の残りの部分例えば、30は、覆われていないかすなわち、露出されている、またはp型窒化物層を覆う金属オーミックコンタクトの平均厚さよりも薄い金属オーミックコンタクトの部分で覆われていることがあることは理解されるだろう。さらに、被覆率のこれらの割合は、金属オーミックコンタクトの外縁の下にないp型窒化物の部分例えば、大きすぎるp型窒化物層を含むように解釈することはできない。本発明のいくつかの実施形態に従ったオーミックコンタクトは、電子ビームe-ビーム蒸着によって、または原子レベルに薄い金属膜を制御可能に形成するのに適したどんな他の技術よっても形成することができる。例えば、適切なプロセス制御が維持される限りにおいて、電気メッキによってオーミックコンタクトを形成することが可能である可能性がある。電子ビーム蒸着において、金属ソースターゲットは、真空チャンバ中で、ターゲットの領域を融解する高強度電子ビームによって気化点まで加熱される。チャンバ内に置かれたエピタキシャルウェーハは、気化された金属で制御可能に覆われる。e-ビーム蒸着および他の膜堆積方法は、非特許文献1に説明されている。このプロセスの堆積速度は、電子ビームの電流およびエネルギーを変えることによって制御することができる。一実施形態では、膜厚の適切な制御を維持するために、堆積速度は、低い速度、例えば毎秒0.1~0.5Åの範囲に維持される。その上、膜堆積は、オーミック金属膜が同時に堆積される確認スライドガラスの透過特性を監視することによって、堆積中に制御することができる。確認スライドガラスは、サファイア、石英、または金属膜を堆積することができる任意の他の光学的に透明な材料であってもよい。金属膜厚に対する透過感度は、監視プロセスで使用される光の波長に依存している。すなわち、透過感度は、より短い波長で高くなる可能性がある。したがって、いくつかの実施形態では、350nm以下の波長の光を放射することができるUV分光光度計などのUV光源を使用する監視システムによって、サファイア確認スライドガラスの透過特性が、膜堆積中および膜堆積後に測定される。遅い堆積速度は、薄い層の再現可能で制御可能な堆積を可能にすることができる。オーミックコンタクト18は、1~25Åの厚さの範囲を有することができる。フリップチップ型デバイスの白金コンタクトの場合、好ましい厚さは1~5Åである。フリップチップ型デバイスは、一般に、オーミックコンタクトの上に一面に堆積された追加の金属層を含む。金属スタック32を形成する障壁層、ボンディング層および/または付着層だけでなく、例えば、図3に示す反射層30がある可能性がある。したがって、電流の広がりは、反射層30および/または金属スタック32で起こる可能性がある。非フリップチップ型デバイスの白金コンタクトの場合、好ましい厚さは13~18Åであり、金属の電流拡散指状部を含むボンディングパッドがオーミックコンタクト18の上に形成される。一旦堆積されると、オーミックコンタクト18は、堆積されたままでオーミックコンタクト、すなわち非整流性コンタクトを実現する。すなわち、p型GaN層16に対して準理想的電気コンタクトを実現するために、さらなる処理またはアニールは必要でない可能性がある。しかし、いくつかの場合には、オーミック特性を改善するために例えば、コンタクト層の固有接触抵抗を減少させるためなど、オーミックコンタクト18をアニールするか、他の堆積後処理を行うことが必要であるか、または望ましいことがある。いくつかの実施形態では、本発明に従った方法は、基板の上にn型エピタキシャル層を形成すること、n型エピタキシャル層の上にp型エピタキシャル層を形成してデバイス予備構造を実現すること、デバイス予備構造をe-ビーム蒸着システムに配置すること、確認スライドガラスを蒸着システムに配置すること、および確認スライドガラス上の金属膜の透過率を同時に監視しながらデバイス予備構造および確認スライドガラスの上に白金の層を形成することを含む。いくつかの実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で98より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で96より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。さらに他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で92より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。図5に示すように、確認スライドガラス上に堆積された金属膜の正規化透過率は、膜の厚さおよび測定に使用される光の波長に依存して変化する。言い換えると、金属膜の吸収率は、膜厚とその膜を通過する光の波長の両方の関数である。図5のグラフから明らかなように、厚さの関数としてみた場合の吸収率の最も大きな変化は、より短い波長で起こる。例えば、350nmの波長において、1Åの白金膜は、98から100の透過率を示すが、一方で、3Åの平均厚さを有する膜は94から96の透過率を示し、5Åの平均厚さを有する膜は約92の透過率を示す。この効果は、より短い波長でさらにいっそう顕著である。したがって、いくつかの実施形態では、350nm以下の波長で光を放射することができるUV光源を使用する監視システムによって、膜堆積中に、サファイア確認スライドガラスの透過特性が監視される。較正された確認スライドガラスの上に形成された金属膜の透過率をその場で監視することによって、金属膜の透過率が所定の閾値レベルに達する前に、または達した後で、堆積プロセスを停止させることができる。したがって、極薄金属膜の堆積は、本発明の実施形態に従って高い精度で制御することができる。いくつかの実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で98より下に落ちる前に、オーミックコンタクトの堆積を停止させることができる。他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で96より下に落ちる前に、オーミックコンタクトの堆積を停止させることができる。さらに他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で92より下に落ちる前に、オーミックコンタクトの堆積を停止させることができる。堆積された金属膜の厚さを監視する他の方法を使用することができる。例えば、膜厚に従って変化する膜または、膜が堆積される材料の他の物理的、電気的または光学的特性を測定し、知られている標準と比較して、膜厚を決定することができる。そのような特性には、膜のシート抵抗率、キャパシタンス、または反射率がある可能性があるが、これらに限定されない。1つの実施形態では、堆積中に、蒸着材料で覆われる石英結晶の共振周波数が監視される。石英結晶の共振周波数は、堆積された膜の厚さに比例してシフトし、膜厚の十分に正確な基準を与えることができる。非特許文献1を参照されたい。電流の広がりを容易にするために、ボンディングパッドは、オーミックコンタクトの部分を横切って延びる1つまたは複数の電流拡散指状部を含むことができる。図2Aおよび2Bに示すように、オーミックコンタクト18の上に形成されたボンディングパッド20は、オーミックコンタクト18の部分を横切ってボンディングパッド20から延びる1つまたは複数の電流拡散指状部21を含むことができる。電流拡散指状部21は、図2Aに示すように直線であってもよく、または図2Bに示すように曲がっていてもよい。他の構成が可能である。図2Aおよび2Bに示す実施形態は各々4つの指状部21を含むが、所望の電流広がりの量に依存して、より多くのまたはより少ない指状部21を使用することができる。図3は、本発明のいくつかの実施形態に従った他のLEDを示し、LEDはフリップチップ取付けされるように設計されているすなわち、基板側を上に取り付けられる。図3は、n型SiC基板10を有するLED2を模式的に示し、活性領域12は、基板の上に成長されメサにパターン形成されたn-GaNベースの層14およびp-GaNベースの層16を備えている。金属p電極18がp-GaN層16の上に堆積され、かつp-GaN層16に電気的に結合され、ワイヤボンディング接続28がp電極18の上のボンディングパッド20に対して行われている。導電性基板10の上にあり、かつ導電性基板10に電気的に結合されたn電極22は、ボンディングパッド20を含み、このボンディングパッド20にワイヤボンディング接続28が行われている。図3の実施形態では、LEDは、さらに、反射材30を含む。上で参照した特許文献1に記載されている金属スタックのような金属スタック32が、反射材30の上に形成されて、例えば障壁層、付着層および/またはボンディング層を実現する。次に、デバイス全体が半田34によってサブマウント24に取り付けられる。より多くの光が反射材30で反射されるようにp電極18による光の吸収を減少させ、または最小限にするために、p電極の厚さは、本発明に従って25Åより下に減少される。いくつかの実施形態では、p電極18は白金を備える。オーミックコンタクト18に他の材料を使用することができる。例えば、オーミックコンタクト18は、ロジウム、酸化亜鉛、パラジウム、酸化パラジウム、チタン、ニッケル/金、酸化ニッケル/金、酸化ニッケル/白金、および/またはチタン/金を備えることができる。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は25Å未満の平均厚さを有する。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は20Å未満の平均厚さを有する。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は、13から18Åの平均厚さを有することができる。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は約15Åの平均厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は10Å未満の平均厚さを有する。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は5Å未満の平均厚さを有し、さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は3Å未満の平均厚さを有する。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は約1Åの平均厚さを有する。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は、10Å未満の平均厚さおよび約70未満の被覆率を有する。いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト18は、5Å未満の平均厚さおよび約50未満の被覆率を有し、さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は、3Å未満の平均厚さおよび約30未満の被覆率を有する。さらに他の実施形態では、オーミックコンタクト18は、約1Åの平均厚さおよび約15未満の被覆率を有する。反射材30は、好ましくは、約300Åよりも厚く、かつ好ましくはアルミニウムおよび/または銀を備える。図3の実施形態は、反射材30が薄い透明オーミックコンタクト18の全表面積にわたって薄い透明オーミックコンタクト18に接触しているので、改善された電流広がりを実現することができる。したがって、他の実施形態でそうである可能性があるように、電流は、オーミックコンタクト18を通って水平方向に流れる必要がない。したがって、電流広がりは、この実施形態では高められる。他のコンタクト構造、例えば特許文献1に詳細に記載されているものを使用することができる。上述のように、AlおよびAgのような高反射材料は、p型GaNに対して不満足なオーミックコンタクトを作る可能性がある。現象は十分に調べられていないが、p型GaN層と銀反射材の間に白金の極薄層を設けることで、高い反射率を維持しながらこの反射材とp型GaNの間に満足なオーミックコンタクトを形成することができるほど十分に界面の銀の仕事関数を下げることができるようになると思われる。本発明の実施形態は、pコンタクト金属での吸収に起因するLEDの光損失を減少させることができる。pコンタクト金属は、電圧降下が最小限であるオーミックコンタクトを作るために必要である可能性があるが、一般に、コンタクト金属は光損失を引き起こす。本発明の実施形態は、反射的なp側金属スタックまたは透明なp側金属スタックを使用する高輝度窒化物LEDに適した低光損失、低接触抵抗、および優れた金属-半導体付着性を有するコンタクトを実現することができる。pコンタクト金属を極薄層例えば、Ptの25Åに対して1.5Åに減らすことによって、デバイスの光出力を実質的に増加させることができる。例えば、300×300μm角のチップでほぼ10の光出力の改善が達成され、900×900μm角のチップでほぼ20の改善が達成された。輝度レベルの向上は、一般的な照明用途および自動車のヘッドランプなどの他の特殊照明用途の製品に固体光源を採用することを速める可能性がある。図4は、本発明の方法の実施形態を示す。図4に示すように、方法の実施形態は、ステップ100でGaNベースの発光デバイスの予備構造を製作することを含むことができる。GaNベースの発光デバイスの予備構造を製作するステップは、n型エピタキシャル層を基板の上に形成すること、およびn型エピタキシャル層の上にp型エピタキシャル層を形成することを含むことができる。ステップ105で、本方法は、デバイス予備構造および確認スライドガラスをe-ビーム蒸着システムのような金属膜堆積システムに配置することを含む。ステップ110で続いて、本方法は、デバイス予備構造および確認スライドガラスの上に金属膜を堆積することを含む。ステップ115で、確認スライドガラス上の金属膜の透過率が測定される。膜の透過率が所定の閾値に達するか、または所定の閾値より下に落ちた場合判定ブロック120、プロセスは停止される。そうでなければ、金属膜堆積は続けられるステップ110。いくつかの実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で98より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で96より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。さらに他の実施形態では、確認スライドガラス上の金属膜の正規化透過率が350nmの測定波長で92より下に落ちる前に、オーミックコンタクト金属の堆積を停止させることができる。本発明のいくつかの実施形態は、GaNベースのLEDの予備構造を製作すること、この予備構造を確認スライドガラスのような試験基板と共に金属膜堆積システムに配置すること、所定堆積速度で所定時間にわたって金属膜を予備構造および試験基板の上に堆積すること、および試験基板上の膜の透過率を測定することを含む。膜の透過率が所定閾値より下である場合金属膜が厚すぎることを示す、金属膜は予備構造から除去され、予備構造は再び膜堆積システムに配置され、そして、第2の所定時間および/または堆積速度に関して金属膜が予備構造の上に堆積される。許容可能な厚さが堆積されるまで、任意の回数だけプロセスを繰り返すことができる。図6に示すように、本発明のいくつかの実施形態は、GaNベースのLEDの予備構造を製作するステップステップ200を含む。予備構造は、確認スライドガラスまたは他の試験基板と共に膜堆積システムに配置されるステップ205。次に、金属膜が予備構造および確認スライドガラスの上に堆積されるステップ210。次に、例えば膜の透過率を測定することによって、確認スライドガラスの上の膜の厚さが測定されるステップ215。透過率が所定の閾値より下である場合膜が厚すぎることを示すステップ220、金属膜を構造から除去することができ例えば、エッチングで、予備構造は再び膜堆積システムに配置される。図7に示す他の実施形態では、堆積システム内で試験材料について較正ランを行って堆積ステップの適切な時間および速度を決定することで、膜厚が制御される。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、GaNベースのLEDの予備構造を製作することステップ300、試験基板を膜堆積システムに配置することステップ305、所定の時間にわたって所定の堆積速度で試験基板に金属膜を堆積することステップ310、および結果として得られた膜の厚さを測定することステップ315、を含む。膜厚が所定の望ましい範囲内に入った場合ステップ320、GaNベースのLEDの予備構造が膜堆積システムに配置されステップ325、所定の時間および速度に関して予備構造に金属膜が堆積されるステップ330。膜厚が所定の範囲内にない場合、第2の試験基板再生された第1の試験基板が膜堆積システムに配置される可能性がありステップ305、そして第2の所定の時間および/または速度に関して第2の試験基板に第2の膜が堆積される。さらに他の実施形態では、膜厚が閾値レベルに達したとき、監視システムは信号出力を膜堆積システムに供給することができる。膜堆積システムは、堆積プロセスの自動閉ループ制御を行うように監視システムからの信号出力に応答して、堆積プロセスを停止させることができる。図8は、本発明の実施形態に従った膜堆積システム50の模式図である。システム50は、ウェーハキャリア54が取り付けられた真空チャンバ52を含む。その上に金属膜が堆積されるウェーハ56は、確認スライドガラスまたは試験構造70と共にウェーハキャリア54に取り付けられている。チャンバからガスを汲み出すために、真空ポンプシステム58が真空チャンバ52に結合されている。真空ポンプシステム58は、真空チャンバ52内の圧力を10-3パスカル未満に下げるために、複数のポンプおよびゲージ図示されないを備えることができる。真空チャンバ内のe-ビーム発生器60は所定のエネルギーの電子のビームを発生させ、そのビームをソースターゲット64の方に向ける。e-ビーム発生器60は、e-ビーム制御装置62によって制御される。e-ビーム発生器60で発生された電子ビームがソースターゲット64に衝突するとき、ソース材料はソースターゲット64から蒸発し、ウェーハ56および確認スライドガラス70に再堆積する。膜厚に従って変化し、かつ測定し知られた標準と比較して膜厚を決定することができる確認スライドガラスの物理的、電気的または光学的特性を監視することによって、真空チャンバの内側または外側に取り付けることができるセンサ66が、堆積された膜の厚さを測定する。上で述べたように、そのような特性には、透過率、反射率、導電率、共振周波数または他の特性がある可能性がある。センサ66は、センサ制御装置68これは、実際の応用ではe-ビーム制御装置62と同じである可能性があるによって制御される。堆積された膜厚が所定の閾値に達したことをセンサ66が検出したとき、監視システムは、e-ビーム制御装置62に信号出力を供給して、e-ビーム制御装置が堆積プロセスを停止させるようにすることができる。したがって、本発明の実施形態に従ったシステム50は、堆積プロセスの自動閉ループ制御を行うことができる。コンタクト層は、上述したように、25Å、10Å、3Åおよび1Åの厚さに製作された。コンタクト層は白金であった。25Åの層は、Ptの連続した層であると見なされた。10Å、3Åおよび1Åの層について、STEM像を得た。STEM像を図9A、10Aおよび11Aに示す。STEM像は、10Å図9A被覆率≫50から1Å図11A被覆率≪50までのPtの量の明らかな変化を示している。Ptの量を定量化しようとして、特定の値より上のピクセル値が真白Ptに割り当てられ特定の値より下のピクセル値が真黒に割り当てられるようにグレイスケールを取り除く閾値技術を、STEM像に適用した。閾値化後の像が、図9B、10Bおよび11Bに見られる。閾値の選択は主観的であるが、閾値化された像を元のものと比較すると、整合性を有する一致を見ることができる。黒Ptなしの白Ptに対する比を取ることによって、被覆率の表示を得ることができる。表1は、図9B、10Bおよび11BのSTEM像の解析を示す。また、Pt層についてオージェ表面解析が行われた。オージェ表面解析の結果を表2に示す。表2に見られるように、25Åの層は連続した層であると仮定すると、オージェ解析によって、10Åの層は約67の被覆率を有し、5Åの層は約47の被覆率を有し、3Åの層は約28の被覆率を有し、1Åの層は約13の被覆率を有する。したがって、本発明に係る一実施形態では、金属オーミックコンタクトの平均厚さは、金属オーミックコンタクトで覆われたp型窒化物層のと関係付けられる。本開示の利益が与えられると、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、多くの変更および修正が当業者によって行われる可能性がある。したがって、理解しなければならいことであるが、図示の実施形態は、ただ例の目的のためだけに示され、添付の特許請求の範囲で定義されるような本発明を限定するものとして解釈されるべきでない。したがって、添付の特許請求の範囲は、文字通りに示された要素の組合せだけでなく、実質的に同じやり方で実質的に同じ機能を行って実質的に同じ結果を得る全ての同等の要素も含むように読まれるべきである。したがって、特許請求の範囲は、上で特に図示され説明されたもの、概念的に同等であるもの、および本発明の本質的な観念を含んでいるものを含むように理解されるべきである。