少なくともAuとSnを含む半田粉と、金属粉と、を有する半田であって、該半田を加熱固化した状態で、AuがSnよりも多い第一相と、前記第一相よりもSnの比率が多い第二相と、の2相以上の相に分離されてなり、前記第一相中に前記金属粉が固溶されてなることを特徴とする半田。請求項1に記載の半田であって、前記金属粉が、Ag、Fe、Mg、Al、Si、Ti、Co、Ni、Cu、Mo、W、Ge、Sbよりなる群から選択された少なくとも一を含むことを特徴とする半田。請求項1又は2に記載の半田であって、前記金属粉の平均粒子径が110μm以下であることを特徴とする半田。請求項1~3のいずれか一に記載の半田であって、前記金属粉がCuであることを特徴とする半田。Auを50~74wt、Snを19~33wt、含む半田粉と、金属粉としてCuと、を含み、該半田粉を加熱固化した状態で、AuがSnよりも多い第一相と、前記第一相よりもSnの比率が多い第二相と、の2相以上の相に分離されてなり、前記第一相中に前記Cuが固溶されてなることを特徴とする半田。請求項1~5のいずれか一に記載の半田であって、前記金属粉に、さらにAgが0.01~3wt含まれてなることを特徴とする半田。請求項1~6のいずれか一に記載の半田であって、さらに、ジエチレングリコールモノヘキシエーテルが2~3wt、ロジンが4~6wt、それぞれ含まれてなることを特徴とする半田。請求項1~7のいずれか一に記載の半田であって、前記半田がペースト状であることを特徴とする半田。ヒートシンクが接合された半導体装置であって、該ヒートシンクと半導体装置との接合部は、請求項1~8のいずれか一に記載の半田により接合されていることを特徴とする半導体装置。半導体素子と基板とを有する半導体装置であって、前記半導体素子と基板とが請求項1~9のいずれか一に記載の半田により接合されていることを特徴とする半導体装置。少なくともAuとSnを含む半田粉と、金属粉と、フラックスを含む半田を加熱溶融する工程と、加熱後、前記半田を冷却して固化させる工程と、を含んでなり、加熱固化後の半田組成が、AuがSnよりも多い第一相と、前記第一相よりもSnの比率が多い第二相の2相以上の相に分離され、前記第一相中に前記金属粉が固溶されてなることを特徴とする半田付け方法。本発明は、このような背景に鑑みてなされたものである。本発明の主な目的は、半田の再溶解を防止でき半田付けの接合信頼性に優れた半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法を提供することにある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法を例示するものであって、本発明は半田及び半田を用いた半導体装置並びに半田付け方法を以下のものに特定しない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。また、一部の実施例、実施形態において説明された内容は、他の実施例、実施形態等に利用可能なものもある。実施例1図1及び図2に、本発明の実施例1に係る半導体パッケージの半田付けの一例として、半導体発光素子100、ここではLEDのパッケージに適用する例を説明する。図1は、LEDのパッケージを示す分解斜視図、図2は図1の側面図を、それぞれ示している。この半導体パッケージは、ヒートシンクであるベース材1と、セラミックス製のパッケージ部材2と、半導体素子4と、ガラス製のレンズを有する光学部材5とを備える。図2に示すように、まずベース材1にパッケージ部材2を接合した後、半導体素子4を接合する。その後、光学部材5をパッケージ部材2上に接合する。このように、半導体パッケージの構成には、複数回の接合を行う必要がある。この場合に、同一種類の半田材を使用すると、再加熱時に、先に半田付けした半田材が再溶融して、半田付けの際に位置決めされていた部材がずれてしまうおそれがある。そこで、先の半田付けには高温半田合金を用いて、後の半田付けにはこれよりも融点の低い低温半田合金を用いることで、後の半田付けの際に再融解が生じないようにできる。このため、電子部品をプリント基板等に接続する際に使用する半田に関して、従来のSn63-Pb37、融点183°Cの鉛入り半田の代替材料として、Sn-Ag-Cu系の半田材料が開発され実用化が進んでいる。一方で電子部品パッケージの内部の接合には、プリント基板に半田付けした電子部材が再溶融しないよう融点の高いSn-Pb系半田錫10~5、鉛90~95、融点314~320°Cが使用されているが、このような大量の鉛を含む高温半田の代替となる無鉛の半田材料の開発がされていなかったため、高温で利用可能な温度階層接続に適した鉛フリー半田が求められていた。ところで、半田用組成物には、半田粉に金属粉が含まれている場合がある。図3aに、半田粉にSn-Ag、金属粉としてCuを用いた複合体半田ペーストの溶融前の概略図を示す。この半田組成物を、リフローなどにより加熱すると、図3bのように半田粉が溶融し、Sn以外にCu-Snの金属間化合物が形成されると共に、Cu粉は粉体状のままこの金属間化合物中に存在する状態となる。この状態では、Cu6Sn5等のCu-Sn金属間化合物によって固定されることとなる。しかしながら、後工程の二次加熱によっては、半田の溶融が生じたり、また半田の表面にCu粉の凹凸が生じ、あるいはCu粉が経時劣化し半田母材から剥離する等の問題があった。そこで、本発明者は、金属粉を固溶させることができれば、さらなる強度が得られ、また高融点化できるのではとの仮説に基づき、様々な半田組成物について検討して、本願発明を得た。ここでは、AAu-Sn系半田ペースト、BSn-Ag系Cu粉20添加半田ペーストの2種類の半田を、混合比A:B=90:10で混合して用いる。上記の混合半田を用いた場合は、図4aの状態から、加熱固化後は、図4bに示すように、金属粉末であるCu粉が消失して、AuがSnよりも多い第一相Au:Sn=5:1、第一相よりもSnの比率が多い第二相Au:Sn=1:1に分離し、第一相にCuが固溶していたことが確認できた。第一相でのCuの比率は、Au:Sn:Cu=70:14:17であった。より詳細に検討すると、加熱温度が285°CのときはCu粉が未溶融状態となり、Cu粉が球状のまま2相のAu:Sn相に分離していた。また、温度をさらに上昇させると、Cu粉が第一相に固溶することが確認された。半導体パッケージの試作次に、再溶解の有無を確認するため、実施例1に加え、これと混合比率の異なる半田として実施例2、3をそれぞれ作成し、各半田を用いてそれぞれ半導体パッケージを作成し、さらに各パッケージをヒートシンクに接合した。ここでは、3種類の半田の混合比率を、以下のように設定した。実施例1A:B=90:10実施例2A:B=80:20実施例3A:B=70:30また、実施例1及び3の加熱前後における組成比を表1に示す。また、半導体パッケージとして図1に示すLEDを作成した。このLEDパッケージの作成において、接合する部材に、ペースト状の半田を塗布し、300°C~400°Cに加熱して接合する。なお半導体パッケージを構成するベース材1はMo-Cu板とし、パッケージ部材2はセラミックス製とした。さらに各LEDへのヒートシンクの接合は、大気炉で行い、設定温度を320°C実温300°Cとした。また加熱おもりを載せ、90秒保持した。この結果、接合状態は良好で再融解による位置ずれは見られなかった。また、接合部分の密着性を確認するために、密着性評価試験リークチェックを行った。ここでは、密閉した系内に水素-窒素混合ガスを流し、水素ガスのリーク量を水素ガス濃度計により計測した。計測の結果、リークは確認されず、十分な密着性を得ていることが確認された。このように、実施例に係る半田を用いて固定した半導体パッケージは、加熱固化後に十分な強度を発揮し、また融点を高めたことから、再融解を防止できることが確認できた。さらに、実施例1~3の半田の融点を確認すべく、TG-DTA示差熱分析を行った結果を図5に示す。ここでは比較例1として、Au-20Snを100とした半田を用いた。実施例1~3及び比較例1の、温度と熱電対の起電力差μVの関係を図5のグラフに示している。各波形のピークボトムから得られる融点は、比較例1が284.2°Cであるのに対し、実施例1で311.1°C、実施例2で325.0°C、実施例3で352.2°Cとなり、半田ペーストの混合比が、Bの比率が大きくなるほど融点が高くなることが確認できた。ただし、Bの比率を30よりも多くすると、半田の品質が悪くなるため、好ましくは1~30とする。このように、金属粉を固溶させることで、固化後に十分な強度を発揮し、また再融解を防止できる半田が得られた。特に、従来は残留していた金属粉を半田相に固溶させることで、半田の融点を上昇できるので、再溶融を回避し、位置決めしていた部材が再加熱時に動いてしまう問題が解決され、半導体パッケージの製造多段階化が容易に行えるようになった。Cuを含有すると、一般的には放熱性の向上が期待されるところ、本発明者が行った試験によれば、半田中にCuを含有したことで放熱性の目立った改善は確認できなかった。このことから、技術常識として放熱性の向上が得られない以上Cuを添加することの動機付けは与えられないところ、本発明においては上述の通り、融点を高くできるという優れた作用効果を達成している。特に、Au、Sn及びCuの混合比率の調整によって、融点を調整できるため、半田付けを多段化した製造においては有利となる。さらに金属粉にAgを0.01~3wt含めることができる。このようにAgを添加することで、半田接合時の濡れ性を向上させ、また熱疲労強度も改善できる。特にAgは、結晶粒界に高濃度に存在し、結晶粒界の移動を抑えるため疲労強度が向上する。ただSn-Ag合金は、Sn-3.5wtAgにおいて共晶点共晶温度221°Cを有し、Ag添加により溶融点の低下をもたらすので、Cuの添加により溶融点を高めて溶融点の低下を補うことができる。このようにCuの添加は、半田の濡れ性を損なうことなく、Sn中に固溶して耐熱性と合金強度を向上させる。さらに、得られたLEDの信頼性試験を行った。ここでは、-40°Cから100°Cの間の熱衝撃試験を行った。1000サイクルまでは、通常の金属粉を含まないAu-20Sn半田とほぼ同じ結果となり、Cuを混入させることで信頼性の低下が見られないことが確認された。以上の実施例では、金属粉としてCuを使用したが、他の金属粉も利用でき、例えば、Ag、Fe、Mg、Al、Si、Ti、Co、Ni、Mo、W、Ge、Sb等が挙げられる。これらの金属を第一相中に固溶させることで、半田の融点を上昇させて再溶解を阻止できる。また、金属粉の平均粒子径は110μm以下とすることが好ましい。上記実施例では140メッシュアンダーとした。このように平均粒径を小さく抑えることで、第一相中に固溶させ易くできる。なお上記の例では、半導体パッケージとしてLEDを説明したが、本発明はLEDに限られず、他の半導体素子、例えば半導体レーザやCCD、C-MOS等の受光素子、トランジスタ等のスイッチング素子等にも適用できることは言うまでもない。