トリップ機構128と、電気エネルギーを蓄積し、電気エネルギーを前記トリップ機構128に供給するように構成された少なくとも1つのコンデンサ140と、前記少なくとも1つのコンデンサ140に通信的に結合されたコントローラ126であって、前記少なくとも1つのコンデンサ140の充電特性を測定し、前記測定した充電特性を閾値と比較し、前記比較を示す信号を出力するように構成されたコントローラ126とを備える、回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、前記測定した充電特性を第1の閾値と比較し、前記測定した充電特性が前記第1の閾値より大きいときは第1の信号を出力し、前記測定した充電特性を第2の閾値と比較し、前記測定した充電特性が前記第2の閾値より小さいときは第2の信号を出力するように構成された、請求項1記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、前記少なくとも1つのコンデンサ140を通る電流を測定するように構成された、請求項1記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、前記測定した電流を第1の閾値電流と比較し、前記測定した電流が前記第1の閾値電流より大きいときは第1の信号を出力し、前記測定した電流を第2の閾値電流と比較し、前記測定した電流が前記第2の閾値電流より小さいときは第2の信号を出力するように構成された、請求項3記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、前記少なくとも1つのコンデンサ140の静電容量を計算するようにさらに構成された、請求項1記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、前記計算した静電容量を閾値静電容量と比較するように構成された、請求項5記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126が、予め選択した期間内で、前記計算した静電容量が前記閾値静電容量以上でない場合に信号を出力するように構成された、請求項6記載の回路保護デバイス122。前記コントローラ126に通信的に結合された少なくとも1つの出力デバイス144をさらに備え、前記少なくとも1つの出力デバイス144は、前記コントローラ126から前記信号を受け取り、前記信号に基づいて前記回路保護デバイス122の動作状態を示すように構成される、請求項1記載の回路保護デバイス122。トリップ機構128と、前記トリップ機構128によって用いられるためのエネルギーを蓄積するように構成された少なくとも1つのコンデンサ140とを有する回路保護デバイス122と共に用いるための試験回路142であって、前記少なくとも1つのコンデンサ140を通る電流を測定するように構成された電流センサ156と、前記電流センサ156に通信的に結合されたプロセッサ134であって、前記測定した電流を閾値電流と比較し、前記比較を示す信号を出力するように構成されたプロセッサ134とを備える試験回路142。前記プロセッサ134が、前記測定した電流を第1の閾値電流と比較し、前記測定した電流が前記第1の閾値電流より大きいときは第1の信号を出力し、前記測定した電流を第2の閾値電流と比較し、前記測定した電流が前記第2の閾値電流より小さいときは第2の信号を出力するように構成された請求項9記載の試験回路142。前記プロセッサ134が前記少なくとも1つのコンデンサ140の静電容量を計算するようにさらに構成された、請求項9記載の試験回路142。前記プロセッサ134が、前記計算した静電容量を閾値静電容量と比較するように構成された、請求項11記載の試験回路142。前記プロセッサ134が、予め選択した期間内で、前記計算した静電容量が前記閾値静電容量以上でない場合に前記信号を出力するように構成された、請求項12記載の試験回路142。前記電流センサ156は、第1の動作モード時に前記少なくとも1つのコンデンサ140を通る第1の電流を測定し、第2の動作モード時に前記少なくとも1つのコンデンサ140を通る第2の電流を測定するように構成され、前記プロセッサ134は、前記第1の電流と第1の閾値電流との第1の比較を行い、前記第1の比較に基づいて第1の信号を出力し、前記第2の電流と第2の閾値電流との第2の比較を行い、前記第2の比較に基づいて第2の信号を出力するように構成される、請求項9記載の試験回路142。前記プロセッサ134が、前記回路保護デバイス122を前記第1の動作モードと前記第2の動作モードの間で切り換えさせるようにさらに構成された、請求項13記載の試験回路142。少なくとも一部の知られている回路保護デバイスは、二次アークフラッシュによって放出されるエネルギーを安全に抑制するように設計されたエンクロージャ内で、二次アークフラッシュを開始するのに用いるための1つまたは複数の高電圧かつ高エネルギーのコンデンサを含む。これらのコンデンサは、複数の電極の間のギャップにプラズマを放出して二次アークフラッシュの形成を容易にする、アブレーションプラズマガンにエネルギーを供給するために用いることができる。同様に、少なくとも一部の知られている回路保護デバイスは、導電性接点アームの分離を引き起こすことによって回路保護デバイスを通る電流の流れを遮断するのに用いるための、1つまたは複数の高電圧かつ高エネルギーのコンデンサを含む。少なくとも一部の知られているコンデンサは、たとえば回路保護デバイス内に発生される熱により時間とともに故障または性能の劣化を経験する。しかし、これらのコンデンサの充電状態を観察することは難しい。コンデンサが充電された状態または充電している状態でこれらの回路保護デバイスをラックから取り外すことは、作業者がコンデンサと接触したならば、激しい電気ショックまたは火傷となり得る。したがって、コンデンサの充電状態を監視および表示する手段、および/またはコンデンサの充電状態を変える手段を提供することが望ましい。一態様では、回路保護デバイスは、トリップ機構と、電気エネルギーを蓄積し、電気エネルギーをトリップ機構に供給するように構成された少なくとも1つのコンデンサとを含む。回路保護デバイスはまた、少なくとも1つのコンデンサに通信的に結合され、少なくとも1つのコンデンサの充電特性を測定し、測定した充電特性を閾値と比較し、比較を示す信号を出力するように構成されたコントローラを含む。他の態様では、トリップ機構と、トリップ機構によって用いられるためのエネルギーを蓄積するように構成された少なくとも1つのコンデンサとを有する回路保護デバイスと共に用いるための試験回路が提供される。試験回路は、電流センサと、電流センサに通信的に結合されたプロセッサとを含む。電流センサは、少なくとも1つのコンデンサを通る電流を測定するように構成される。プロセッサは、測定した電流を閾値電流と比較し、比較を示す信号を出力するように構成される。他の態様では、回路保護デバイス内で用いるためのコンデンサの動作を監視する方法が提供される。方法は、コンデンサを通る電流を測定するステップと、測定した電流に基づいてコンデンサの動作状態を判定するステップと、動作状態を示す信号を出力するステップとを含む。本明細書では、回路保護デバイス内のコンデンサの静電容量を監視するのに用いるためのシステム、方法、および装置の例示的実施形態について述べる。これらの実施形態は、コンデンサによる電流消費を監視することによって、コンデンサまたはコンデンサのバンクが十分な静電容量を有するかどうかを監視することを容易にする。測定は、初期充電時間の間などの単一の測定でもよく、周期的測定などの反復した測定でもよい。コンデンサによる電流消費のほぼ連続した監視を可能にすることにより、続いて起こる回路保護デバイスのリセットの前に、コンデンサの故障またはコンデンサの劣化を検出することが容易になる。さらに本明細書で述べる実施形態は、複数の動作モード時にコンデンサおよび/または他の回路構成要素の電流消費を監視するのを容易にする。たとえば、回路保護デバイスの第1の動作モードはコンデンサに第1の電流レベルを引き出させ、第2の動作モードはコンデンサに第2の電流レベルを引き出させる。第1および第2の電流レベルを各動作モードに対するそれぞれの電流プロファイルと比較することによって、回路保護デバイスは、コンデンサまたは任意の他の回路構成要素が望むように機能しているかどうかを判定することが可能になる。図1は、機器保護システム102と、分配システム104とを含む、例示の電力システム100の概略ブロック図を示す。例示的実施形態では、分配システム104は、複数の開閉装置ユニット106を含む。保護システム102は、プロセッサ110と、プロセッサ110に結合されたメモリ領域112とを含む中央コントローラ108を含む。プロセッサ110は、開閉装置ユニット106の動作を制御および/または監視する。より具体的には、プロセッサ110は、開閉装置ユニット106内の複数の回路遮断器およびトリップユニットいずれも図1には示さずの動作を制御および/または監視する。プロセッサ110は、ネットワーク114を通じて開閉装置ユニット106と通信する。たとえば中央コントローラ108は、ネットワーク114を通じてプロセッサ110と開閉装置ユニット106の間で、データおよび/またはコマンドを送信および受信することを可能にする中央通信ユニット116を含む。プロセッサという用語は、一般に、本明細書で述べられる機能を実行することが可能な、システムおよびマイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定用途向け集積回路ASIC、プログラマブル論理回路、および任意の他の回路またはプロセッサを含む、任意のプログラマブルシステムを指すことを理解されたい。上記の例は例示のみであり、したがってプロセッサという用語の定義および/または意味を何ら限定するものではない。さらに、メモリ領域112は、開閉装置ユニット106を制御および/または監視するためにプロセッサ110によって実行可能なプログラムコードおよび命令を記憶する。メモリ領域112は、1つのまたは2つ以上の形態のメモリを含むことができる。たとえばメモリ領域112は、不揮発性RAMNVRAM、磁気RAMMRAM、強誘電体RAMFeRAM、および他の形態のメモリを含み得る、ランダムアクセスメモリRAMを含むことができる。メモリ領域112はまた、読み出し専用メモリROM、フラッシュメモリ、および/または電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリEEPROMを含むことができる。任意の他の適当な磁気、光、および/または半導体メモリを、それ自体で、または他の形態のメモリと組み合わせてメモリ領域112内に含むことができる。メモリ領域112はまた、適当なカートリッジ、ディスク、CD-ROM、DVD、またはUSBメモリを非限定的に含む取り外し可能またはリムーバブルなメモリとすることができ、あるいはそれらを含むことができる。さらに図1の例示的実施形態では、保護システム102は、保護システム102を用いて分配システム104を監視および制御するためのユーザインターフェースを提供する、ディスプレイ装置118およびユーザ入力デバイス120を含む。ディスプレイ装置118は、非限定的に、モニタ、テレビジョンディスプレイ、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、発光ダイオードLEDをベースとするディスプレイ、複数の有機発光ダイオードOLEDをベースとするディスプレイ、ポリマー発光ダイオードPLEDをベースとするディスプレイ、複数の表面伝導型電子放出素子SEDに基づくディスプレイ、投射型および/または反射型画像または任意の他の適当な電子デバイスまたは表示機構を含むディスプレイを含むことができる。一実施形態では、ディスプレイ装置118は、付随するタッチスクリーンコントローラを有するタッチスクリーンを含む。ディスプレイ装置118は、正方形、矩形、または細長い矩形などの任意の適当な構成のものとすることができる。図2は、電力分配システム104の概略ブロック図である。例示的実施形態では、開閉装置ユニット106はまた、複数の回路保護デバイス122を含む。各回路保護デバイス122は、開閉装置ユニット106内に着脱可能に結合され、1つまたは複数の負荷124への電力を制御するように構成される。負荷124は、機械、モータ、照明装置、および/または他の、製造または発電または配電施設の電気機器および機械機器を含むことができ、それらのみを含むことに限定されない。電力は、やはり回路保護デバイス122に結合された主給電部126から開閉装置ユニット106に供給される。次いで電力は、負荷124に電力を供給するために回路保護デバイス122を用いて複数の分岐回路内へ分割される。各回路保護デバイス122は、コントローラ126と、回路遮断器またはアーク抑制デバイスなどのトリップ機構128とを含む。例示の回路遮断器は、たとえば回路スイッチおよび/または、回路遮断器を通る電流の流れを遮断する回路安全装置を含む。例示のアーク抑制デバイスは、たとえば抑制組立体、複数の電極、プラズマガン、およびプラズマガンに電極間のギャップへアブレーションプラズマを放射させて、回路上で検出された他の電気的障害のアークから抑制組立体内へエネルギーを迂回させるトリガ回路を含む。例示的実施形態では、コントローラ126はまた、中央コントローラ108に通信的に結合される。たとえばコントローラ126は、中央コントローラ108との通信のために直接結合することができ、または中央コントローラ108との通信のために通信ユニット130を通じて結合することができる。さらに、コントローラ126と中央コントローラ108の間の通信は、ハードワイヤード通信リンクを通じて、または無線通信リンクを通じて行うことができる。コントローラ126は、対応するトリップ機構128に関する動作データを収集する。たとえばコントローラ126は、回路保護デバイス124によって監視される回路の導体を通る電流レベル、回路保護デバイス124によって監視される回路の複数の導体を跨がる電圧レベル、および/または回路保護デバイス124の遮断器状態を取得することによって動作データを集めることができる。一部の実施形態では、コントローラ126は、予め選択した頻度で周期的に動作データを受け取る。さらにコントローラ126は、短絡、アーク、または過電流などの回路上の障害を検出し、トリップ機構128をトリップさせ、または回路および/または負荷124を保護するために障害のエネルギーを迂回させる。図3は、回路保護デバイス122と共に用いることができる、例示の電気的構成132の概略ブロック図である。例示的実施形態では、コントローラ126は、通信バス138を通じて相互接続されたプロセッサ134とメモリ領域136とを含む。代替実施形態では、各コントローラ126は、複数のプロセッサ134を含む。さらに別の代替実施形態では、各コントローラ126は、複数のメモリ領域136を含む。プロセッサ134は、本明細書で述べられる機能を実行することが可能な、システムおよびマイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定用途向け集積回路ASIC、プログラマブル論理回路、または任意の他の回路またはプロセッサを含む、任意のプログラマブルシステムとすることができる。メモリ領域136は、コントローラ126および/またはトリップ機構128のための動作データを記憶する。メモリ領域136は、1つのまたは2つ以上の形態のメモリを含むことができる。たとえばメモリ領域136は、不揮発性RAMNVRAM、磁気RAMMRAM、強誘電体RAMFeRAM、および他の形態のメモリを含み得る、ランダムアクセスメモリRAMを含むことができる。メモリ領域136はまた、読み出し専用メモリROM、フラッシュメモリおよび/または電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリEEPROMを含むことができる。任意の他の適当な磁気、光、および/または半導体メモリを、それ自体で、または他の形態のメモリと組み合わせてメモリ領域136内に含むことができる。メモリ領域136はまた、適当なカートリッジ、ディスク、CD-ROM、DVD、またはUSBメモリを非限定的に含む取り外し可能またはリムーバブルなメモリとすることができ、あるいはそれらを含むことができる。さらに例示的実施形態では、回路保護デバイス122は、1つまたは複数のコンデンサ140を含む。一部の実施形態では、コンデンサ140は、本明細書では活動化コンデンサとも呼ばれる場合があり、アーク抑制デバイス図示せず内のアークの生成に用いるために、回路保護デバイス122のプラズマガン図示せずに電力を供給するために用いられる。あるいはコンデンサ140は、活動化コンデンサとして、およびトリップ機構128に電力を供給するために用いることができる。さらに一部の実施形態では、コンデンサ140は、本明細書ではパルスコンデンサとも呼ばれる場合があり、プラズマガンに電力が供給された後に、プラズマガンにパルス信号を供給するために用いられる。パルス信号は、プラズマガンに、アーク抑制デバイス内にアークプルームを生成させる。例示的実施形態では、コントローラ126は、コンデンサ140の充電状態の監視に用いるためにコンデンサ140に通信的に結合された試験回路142を含む。試験回路142は、コンデンサ138の充電特性を測定し、測定した充電特性を閾値と比較し、比較を示す信号を出力する。たとえば、試験回路142は、測定した充電特性を第1の閾値と比較し、測定した充電特性が第1の閾値より大きいときは第1の信号を出力する。さらに試験回路142は、測定した充電特性を第2の閾値と比較し、測定した充電特性が第2の閾値より小さいときは第2の信号を出力する。具体的には試験回路142は、コンデンサ140を通る電流を測定し、測定した電流を第1の閾値電流と比較し、測定した電流が第1の閾値電流より大きいときは第1の信号を出力する。さらに試験回路142は、測定した電流を第2の閾値電流と比較し、測定した電流が第2の閾値電流より小さいときは第2の信号を出力する。それに加えて試験回路142は、測定した電流に基づいてコンデンサ140の静電容量を計算する。試験回路142は、計算した静電容量を閾値静電容量と比較し、予め選択した期間内で、計算した静電容量が閾値静電容量以上でない場合は信号を出力する。一部の実施形態では、試験回路142はプロセッサ134を含む。あるいは試験回路142は、通信バス138を通じてプロセッサ134と通信する。さらに一部の実施形態では、コントローラ126は、作業者にコンデンサ140の充電状態を示す、少なくとも1つの出力デバイスを含む。たとえば一実施形態では、コントローラ126は、第1の出力デバイス144、第2の出力デバイス146、および第3の出力デバイス148を含む。第1の出力デバイス144は、コンデンサ140が、所望の期間内にトリップ機構128の動作を駆動するのに十分に充電されたことを作業者に示す。第2の出力デバイス146は、コンデンサ140が放電された、または所望の時間内に充電できなかったことを作業者に示す。第3の出力デバイス148は、コンデンサ140が充電しつつあることを作業者に示す。図4は、回路保護デバイス122の概略回路図であり、図5は、回路保護デバイス122の代替実施形態である。例示的実施形態では、図4に示されるように、電源150がコンデンサ140およびプロセッサ134に結合される。電源150は、回路保護デバイス122によって用いられるための入力電圧を受け取り、入力電圧をプロセッサ134が使用するのに適した低電圧に変換する。回路保護デバイス122はまた、光センサ、電流センサ、電圧センサなどのアナログ回路構成要素152を含む。例示的実施形態では、試験回路142は、抵抗器などの抵抗素子154と、電流センサ156とを含む。電流センサ156は、コンデンサ140を通って流れる電流を測定する。代替実施形態では、試験回路142は、抵抗素子154および電流センサ156に加えてまたはそれらの代わりに任意の適当な検出デバイスを含むことができる。たとえば試験回路142は、ホールセンサ図示せずを含むことができる。プロセッサ134は、測定した電流を閾値電流と比較し、比較を示す信号を出力デバイス144、146、および148図3に示されるの1つに出力する。より具体的には、プロセッサ134は、測定した電流を第1の閾値電流と比較し、測定した電流が第1の閾値電流より大きいときは、第1の信号を第1の出力デバイス144に出力する。さらにプロセッサ134は、測定した電流を第2の閾値電流と比較し、測定した電流が第2の閾値電流より小さいときは、第2の信号を第2の出力デバイス146に出力する。一実施形態では、図5に示されるように、回路保護デバイス122は、コンデンサ140への第1の電流を測定する第1の試験回路142と、電源150への第2の電流を測定する第2の試験回路142とを含む複数の試験回路142を含む。プロセッサ134は、第1の電流から第2の電流を減算することによってコンデンサ140を通る電流を求める。同様に、電源150および/または出力デバイス144、146、および148などの、回路保護デバイス122内の電子構成要素の健全性についての情報を求めるために、複数のトリガ回路142を含めることができる。さらに一実施形態では、プロセッサ134は、測定したコンデンサ140を通る電流がたとえばほぼゼロより大きいときに、回路異常または故障を検出する。このような一実施形態では、回路保護デバイス122のパワーアップ動作時、または監視される回路内の障害を回路保護デバイス122が検出したとき以外は、コンデンサ140を通る電流はゼロ近くであることが予想される。したがってプロセッサ134がたとえばコンデンサ140を通る漏洩電流などの電流を検出したときは、プロセッサ134は、出力デバイス144、146、および148の1つまたは複数を用いて警告またはエラー信号を出力することができる。例示的実施形態では、プロセッサ134はまた、コントローラ126および/または回路保護デバイス122の異なる動作モード時の電流を測定する。たとえば、電流センサ156は、第1の動作モード時にコンデンサ140を通る第1の電流を測定し、第2の動作モード時にコンデンサ140を通る第2の電流を測定する。プロセッサ134は、電流センサ140による測定の間に、コントローラ126または回路保護デバイス122を第1の動作モードと第2の動作モードの間で切り換えさせる。さらにプロセッサ134は、第1の電流と第1の閾値電流の間で第1の比較を行い、第1の比較に基づいて第1の信号を出力する。プロセッサ134はまた、第2の電流と第2の閾値電流の間で第2の比較を行い、第2の比較に基づいて第2の信号を出力する。一部の実施形態では、試験回路142はまた、回路保護デバイス122の他の電気的構成要素のための異なる動作モードでの動作を監視するために用いられる。たとえば、プロセッサ134は、アナログ回路構成要素152を異なる動作モードの間で切り換えさせることができる。このような一実施形態では、電流センサ156によって測定された電流は、選択されたアナログ回路構成要素152の動作モードを示す。プロセッサ134は、測定した電流を、選択された動作モードに基づいておよそ既知である閾値電流と比較することにより、選択されたアナログ回路構成要素152が望むように動作しているかどうかを判定する。図6は、試験回路142を用いてコンデンサ140共に図3~5に示されるの動作を監視する例示の方法を示すフローチャート200である。例示的実施形態では、電流センサ156図4および5に示されるは、202でコンデンサ140を通る電流を測定し、測定した電流を示す信号をプロセッサ134図4および5に示されるに送る。プロセッサ134は、測定した電流に基づいてコンデンサ140に対する動作状態を判定する。たとえば、204でプロセッサ134は、測定した電流が第1の閾値電流より大きいかどうかを判定し、206では測定した電流が第2の閾値電流より小さいかどうかを判定する。プロセッサ134はまた、コンデンサ140の動作状態を示す信号を出力する。たとえばプロセッサ134は、測定した電流が第1の閾値電流より大きいときに、208で第1の信号を第1の出力デバイス144図3に示されるに出力し、測定した電流が第2の閾値電流より小さいときに、210で第2の信号を第2の出力デバイス146図3に示されるに出力する。代替実施形態では、回路保護デバイス122は、コンデンサ140への第1の電流を測定する第1の試験回路142、および電源150への第2の電流を測定する第2の試験回路142図4および5に示されるを含む、複数の試験回路142を含む。プロセッサ134は、第1の電流から第2の電流を減算することによってコンデンサ140を通る電流を求める。同様に、電源150および/または出力デバイス144、146、および148などの、回路保護デバイス122内の電子構成要素の健全性についての情報を求めるために、複数のトリガ回路142を含めることができる。一部の実施形態では、電流センサ156は、回路保護デバイス122の第1の動作モード時にコンデンサ140を通る第1の電流を測定し、回路保護デバイス122の第2の動作モード時にコンデンサ140を通る第2の電流を測定する。このような一実施形態では、プロセッサ134は、第1の電流と第1の閾値電流の間で第1の比較を行い、第1の比較に基づいて第1の信号を第1の出力デバイス144に出力する。プロセッサ134は、回路保護デバイス122を第1の動作モードから第2の動作モードの間に切り換えさせ、第2の電流と第2の閾値電流の間で第2の比較を行い、第2の比較に基づいて第2の信号を第2の出力デバイス146に出力する。回路保護デバイスの電力供給の静電容量レベルを監視するためのシステム、方法、および装置の例示的実施形態について、上記で詳細に述べた。システム、方法、および装置は、本明細書に述べられた特定の実施形態に限定されるものではなく、むしろ方法の動作および/または、システムおよび/または装置の構成要素は、本明細書に述べられた他の動作および/または構成要素とは独立におよび別々に利用することができる。さらに述べられた動作および/または構成要素は、他のシステム、方法、および/または装置と組み合わせて定義するまたは用いることもでき、本明細書で述べられたシステム、方法、および記憶媒体のみで実施することに限定されない。本発明について例示の回路保護システムに関連して述べたが、本発明の実施形態は、数多くの他の汎用または専用回路保護システムまたは構成と共に動作可能である。本明細書で述べた回路保護システムは、本発明のいずれの態様の使用または機能の範囲に関して何ら限定を示唆するものではない。さらに本明細書で述べた回路保護システムは、例示の動作環境において示される構成要素のいずれか1つまたは組合せに関する何らかの依存性または要件を有するものと解釈されるべきではない。本明細書で示し説明した本発明の実施形態での動作の実行または実施の順序は、別段の指定がない限り本質的ではない。すなわち別段の指定がない限り、動作は任意の順序で行うことができ、本発明の実施形態は、本明細書で開示されるものへの追加の動作、またはそれより少ない動作を含むことができる。たとえば特定の動作を、別の動作の前、それと同時に、またはその後で実行または実施することは、本発明の態様の範囲内であることが企図される。本発明の態様、またはその実施形態の要素を導入するときの、冠詞aanthe、および前記saidは、1つまたは複数の要素があることを意味するためのものである。用語備えるcomprising、含むincluding、および有するhavingは包含的なものであり、列挙された要素以外の追加の要素もあり得ることを意味する。この文書による説明は、最良の形態を含んで本発明を開示するため、および当業者が任意のデバイスまたはシステムを製造および使用し、任意の組み込まれた方法を行うことを含む、本発明を実施することを可能にするために、実施例を用いている。本発明の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって定義され、当業者が思い付く他の実施例を含み得る。このような他の実施例は、それらが特許請求の範囲の文言と異ならない構造要素を有する場合、またはそれらが特許請求の範囲の文言とわずかな差異を有する等価な構造要素を含む場合は、特許請求の範囲に包含されるものとする。