基板上に誘電体膜を堆積する方法であって:プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程;前記プロセスチャンバを400°C乃至650°C未満の堆積温度にまで加熱する工程;前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程;前記プロセスチャンバへジクロロシランを含む第2プロセスガスを流入させる工程;ガス圧力を2Torr未満に設定する工程;及び、前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程;を有する方法。前記水蒸気を水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。前記シリコン酸化膜の生成後、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、及び又は水のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項3に記載の方法。前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、一酸化窒素を含む第3プロセスガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程;及び前記シリコン酸化膜と前記第3プロセスガスとを反応させることで、前記基板上にシリコン酸窒化膜を生成する工程;をさらに有する、請求項1に記載の方法。NOを含む前記第3プロセスガスが、前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる、請求項6に記載の方法。前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程;及び前記シリコン酸化膜へのNの導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら、第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程;をさらに有する、請求項6に記載の方法。前記シリコン酸窒化膜の生成後、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、及び又は水のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程をさらに有する、請求項6に記載の方法。前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項9に記載の方法。前記シリコン酸窒化膜は、前記シリコン酸化膜よりも低い界面トラップ密度を有する、請求項6に記載の方法。基板上に誘電体膜を堆積する方法であって:プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程;前記プロセスチャンバを400°C乃至650°C未満の堆積温度にまで加熱する工程;前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって、前記水蒸気は水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される、工程;前記プロセスチャンバへジクロロシランを含む第2プロセスガスを流入させる工程;前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程;前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程;並びに、前記シリコン酸化膜の生成後、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、及び又は水のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸化膜を有する前記基板を熱処理する工程であって、前記熱処理は前記堆積温度よりも高い温度で実行される、工程;を有する方法。前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程をさらに有する、請求項12に記載の方法。基板上に誘電体膜を堆積する方法であって:プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程;前記プロセスチャンバを400°C乃至650°C未満の堆積温度にまで加熱する工程;前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程であって、前記水蒸気は水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成される、工程;前記プロセスチャンバへジクロロシランを含む第2プロセスガスを流入させる工程;前記プロセスチャンバ内でのガス圧力を2Torr未満に設定する工程;前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸化膜を熱的に堆積する工程;並びに、前記シリコン酸窒化膜の生成後、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、及び又は水のうちの少なくとも1つを有する熱処理ガス内において上に前記シリコン酸窒化膜を有する前記基板を熱処理する工程;を有する方法。前記熱処理が、前記堆積温度よりも高い温度で実行される、請求項14に記載の方法。前記水蒸気を水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって前記プロセスチャンバの外部で生成する工程をさらに有する、請求項14に記載の方法。前記シリコン酸化膜の成長速度を制御するように前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、第1希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程;及び前記シリコン酸化膜への窒素の導入を制御するように前記第3プロセスガスを流しながら、第2希釈ガスを前記プロセスチャンバへ流入させる工程;をさらに有する、請求項14に記載の方法。NOを含む前記第3プロセスガスが、前記プロセスチャンバの外部で前記第1プロセスガスに加えられる、請求項14に記載の方法。半導体処理方法の熱収支を減少させることを必要とする半導体デバイスの小型化及び先端材料の利用に起因して、酸化膜の成長速度を制御しながら、制御された深さで窒素を導入してシリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜を低温で堆積する新たな処理方法が必要とされている。本発明の一の実施例は、ジクロロシランと水蒸気を用いることによってバッチ処理システム内での複数の基板上でのシリコン酸化膜の低温CVD方法を供する。当該方法は、プロセスチャンバ内に複数の基板を設置する工程、前記プロセスチャンバを400°C乃至650°C未満の堆積温度にまで加熱する工程、前記プロセスチャンバへ水蒸気を含む第1プロセスガスを流入させる工程、前記プロセスチャンバへジクロロシランを含む第2プロセスガスを流入させる工程、ガス圧力を2Torr未満に設定する工程、及び、前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスとを反応させて前記複数の基板上にシリコン酸化物膜を熱的に堆積する工程を有する。他の実施例はさらに、前記第1プロセスガスと前記第2プロセスガスを流しながら、前記プロセスチャンバへ一酸化窒素を含む第3プロセスガスを流入させる工程、及び、前記酸化膜と前記第3プロセスガスとを反応させることで、前記基板上にシリコン酸窒化物膜を生成する工程を有する。本発明の実施例は、半導体デバイスの誘電体膜を生成する低温堆積プロセスを供する。一の実施例では、ジクロロシランと水蒸気を用いたシリコン酸化膜の非プラズマCVD法が供される。他の実施例では、DCS、水蒸気、及び一酸化窒素ガスを用いたシリコン酸窒化膜の非プラズマCVD法が供される。本発明の実施例は、基板上でのジクロロシランと亜酸化窒素との反応に依拠した業界標準の高温酸化プロセスよりも低温を利用しながら、良好な材料及び電気特性を備える二酸化シリコン膜とシリコン酸窒化膜の高い堆積速度を実現する。本願発明者等は、シリコン酸窒化膜を生成するため、N2O酸化剤を水蒸気酸化剤と任意でNOガスに置き換えることで、基本的なHTOプロセスに匹敵する低い湿式エッチング速度を含む良好な材料特性をシリコン酸窒化膜に供しながら、100°Cよりも高い堆積温度、200°Cよりも高い堆積温度、またさらには300°Cよりも高い堆積温度たとえば350°Cを低下させることを可能にすることを発見した。このように堆積温度を低下させることで、先端集積回路に必要とされる熱収支を要求される程度に低下させる。その理由は、熱収支が抑制されることで基板温度を上昇させることが許されなくなり、かつ、処理時間が長くなることは、大容量の半導体デバイスの製造において費用対効果が良くないからである。水蒸気酸化剤を用いることで、同程度のシリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜の電気的特性を供しながら、同一の低堆積温度でN2Oを用いるときよりも高い堆積速度が供される。N2Oを利用するHTOプロセスとは異なり、本発明の実施例は、シリコン酸窒化膜へのNの導入を正確に制御する機構を供する。さらに堆積温度よりも高温での堆積後熱処理が任意で、シリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜の材料特性と電気的特性をさらに改善するように実行されて良い。理論に拘泥するものではないが、本願発明者等は、基板表面上でのみ起こると考えられているDCSとN2Oとの間での反応とは異なり、DCSと水蒸気との間での気相反応は、基板表面との相互作用の前に、DCSの分解又はポリマーの生成に起因する基板表面上でのDCS種の核化を改善することを可能にすると考えている。図1は、複数の基板20が内部に設けられたプロセスチャンバ12を有するバッチ処理システム10の断面図を表している。当業者には明らかなように、バッチ処理システム10が例示及び記載されているが、当該方法は、複数の基板が一度で一枚処理される単一の基板処理にも適用されて良い。図2Aと図2Bは、図1の基板20上での酸化膜と酸化窒化膜を生成するためのプロセスフローダイアグラムをそれぞれ表している。ここで図1と図2の両方を参照すると、方法200の一の実施例において、202では、複数の基板20がプロセスチャンバ12内に設けられる。基板20は回転可能な基板ホルダ13上に設けられて良い。当業者には明らかなように、バッチ処理システム10内部での基板20の設置又はバッチ処理システム10内部への基板20の搬入は、排出ポート15を介してプロセスチャンバ12を空にする工程、及び、基板20の挿入に続いて真空ポート14を介してプロセスチャンバ12を排気する工程を有して良い。それに加えて、バッチ処理システム10内での基板20の設置はまた、不活性ガス-たとえば窒素-によってプロセスチャンバ12をパージすることで、そのプロセスチャンバ12内部の有機不純物を希釈又は減少させる工程をも有して良い。204では、プロセスチャンバ12は、400°C~650°C未満の堆積温度にまで加熱される。プロセスチャンバ12の加熱中、加熱速度は数°C分~100°C分以上であって良い。加熱に続いて206では、水蒸気を含む第1プロセスガスが、流入ポート16を介してプロセスチャンバ12へ導入される。第1プロセスガスは水蒸気を含むが、窒化ガスを含まない。208では、DCSと任意で希釈ガスを含む第2プロセスガスが、流入ポート17を介してプロセスチャンバ12へ導入される。210では、プロセスチャンバ内でのプロセスガス圧力が2Torr未満に設定される。212では、水蒸気からの酸素と気体状態のDCSとが反応して、基板20の各々の上にシリコン酸化膜が堆積される。ここで図1と図3を参照すると、方法300の他の実施例において、302では、複数の基板20がプロセスチャンバ12内に設置される。基板20は回転可能な基板ホルダ13上に設置されて良い。当業者には明らかなように、バッチ処理システム10内部での基板20の設置又はバッチ処理システム10内部への基板20の搬入は、排出ポート15を介してプロセスチャンバ12を空にする工程、及び、基板20の挿入に続いて真空ポート14を介してプロセスチャンバ12を排気する工程を有して良い。それに加えて、バッチ処理システム10内での基板20の設置はまた、不活性ガス-たとえば窒素-によってプロセスチャンバ12をパージすることで、そのプロセスチャンバ12内部の有機不純物を希釈又は減少させる工程をも有して良い。それに加えて、バッチ処理システム10内での基板20の設置はまた、不活性ガス-たとえば窒素-によってプロセスチャンバ12をパージすることで、そのプロセスチャンバ12内部の有機不純物を希釈又は減少させる工程をも有して良い。304では、プロセスチャンバ12は、400°C~650°C未満の堆積温度にまで加熱される。プロセスチャンバ12の加熱中、加熱速度は数°C分~100°C分以上であって良い。加熱に続いて306では、水蒸気を含む第1プロセスガスが、流入ポート16を介してプロセスチャンバ12へ導入される。308では、DCSと任意で希釈ガスを含む第2プロセスガスが、流入ポート17を介してプロセスチャンバ12へ導入される。310では、NOと任意で希釈ガスを含む第3プロセスガスが、流入ポート17を介してプロセスチャンバ12へ導入される。312では、プロセスチャンバ内でのプロセスガス圧力が2Torr未満に設定される。314では、NOからの窒素がシリコン酸化膜に導入されるように水蒸気からの酸素と気体状態のDCSとが反応することで、基板20の各々の上にシリコン酸化膜が堆積される。処理雰囲気を生成する、第1プロセスガス、第2プロセスガス、及び任意の第3プロセスガスの流れが一つになることで、処理雰囲気は処理圧力を有する。本願発明者等は、半導体デバイスにとって良好な均一性、並びに、要求される材料及び電気的特性を備えたシリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜を堆積するため、処理圧力は2Torr未満に設定されうることを認識していた。一の実施例によると、処理圧力は、100mTorr~2Torr未満、100mTorr~1Torr未満、1Torr~2Torr未満、1Torr~15Torr未満、又は15Torr~2Torr未満であって良い。本発明の一の実施例によると、堆積処理は、400°C~650°C未満、400°C~450°C未満、400°C~500°C未満、500°C~550°C未満、500°C~600°C未満、550°C~600°C未満、550°C~650°C未満、又は600°C~650°C未満の堆積温度を利用して良い。一の実施例では、処理圧力は、シリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜の堆積速度を制御するように、処理温度と共に設定される。当業者には、ガスの処理圧力と流速が膜の堆積中の任意の時点で変化しうることは明らかである。従って設定という語句は、ガスの処理圧力、流速、又は処理温度を設定する一度の行為に限定されるものではない。むしろ設定とは、シリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜の堆積が、内部制御から得られる基準、業界から得られる基準、又は使用者によって決定される品質の基準に従うように任意の回数の設定又は調節を行うことを指称して良い。第1プロセスガス、第2プロセスガス、及び任意の第3プロセスガスの流速は、10sccm~20slm、NO窒化ガスであれば1~5000sccm、及び、希釈ガスであれば100sccm~20slmの範囲であって良い。本発明の一の実施例によると、水蒸気を含む第1プロセスガスをプロセスチャンバ12へ流入させる前に、水蒸気は、図1に図示されているように、プロセスチャンバ12外部での水素ガスと酸素ガスとの燃焼によって生成される。第1湿式プロセスガスを生成する一の例は、図1に図示されているように、東京エレクトロン株式会社によって開発された高希釈発熱性トーチ18による方法である。高希釈発熱性トーチ18は、水素ガスと酸素ガスのわずかな流れを燃焼させる。よって発熱性トーチ18は、プロセスチャンバ12の外部で水蒸気を生成する。本発明の他の実施例では、希釈ガスは、処理雰囲気中で第1プロセスガスと第2プロセスガスを希釈するのに用いられる。第1プロセスガスと第2プロセスガスの濃度に対する希釈ガスの濃度の比は、シリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜の堆積速度に影響を及ぼしうる。従って希釈ガスは、シリコン酸化膜の成長速度及びシリコン酸窒化膜の成長速度を制御するのに用いられて良い。一の実施例では、希釈ガスは図1に図示されているように窒素を含む。しかし他の非反応性ガス-たとえばアルゴンが用いられても良い。さらに図1を参照すると、当業者は、窒素希釈ガスが、NOをプロセスチャンバへ流すことなく、水蒸気を含む第1プロセスガスを希釈するのに用いられて良い。当該方法の他の実施例では、一旦シリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜が基板20の各々の上に堆積されると、上に膜を有する基板20は、堆積温度よりも高温の熱処理温度で熱処理される。当技術分野において知られているように、基板20上のシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜の熱処理は、その膜の特性-特にその膜の電気的特性-ひいてはその膜を含むデバイスの電気的特性を修正させうる。本発明の実施例によると、熱処理中、処理雰囲気及び処理圧力は修正されて良い。たとえばプロセスチャンバ12での膜の堆積に続いて、プロセスチャンバ12は、場合によっては熱処理前に、第1プロセスガス、第2プロセスガス、並びに、任意の第3プロセスガス及び希釈ガスを含む処理雰囲気を除去するように1回以上真空パージされて良い。一旦処理雰囲気がパージされると、熱処理ガスが導入され、かつ、熱処理温度と熱処理圧力がプロセスチャンバ12内部で設定されて良い。その設定では、圧力を堆積圧力から変化させることが要求されうる。あるいはその代わりに、上にシリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜を有する基板20が、熱処理用の別の処理システムへ搬送されても良い。熱処理圧力は、堆積圧力と同様の範囲を有して良い。一の実施例によると、熱処理ガスは、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、及び又は水のうちの少なくとも1つを有する。図4は、本発明の実施例によるシリコン酸化物の堆積速度をDCS流の関数として表している。成膜条件は、発熱性トーチ18及び水蒸気発生装置を流れる100sccmのH2ガス流と100sccmのO2ガス流を含んでいた。その条件により水蒸気が生成される。200sccmのN2希釈ガス流が、水蒸気を含む第1プロセスガスの希釈に用いられた。02Torrの処理圧力がシリコン酸化膜の堆積中に設定された。堆積温度は450°C~600°Cまで変化した。シリコン酸化膜の厚さは約100Å未満だった。DCSのガス流速は10sccm~20sccmまで変化した。図4は、DCS流速が増大する結果、450°C~500°Cの堆積温度でのシリコン酸化物の堆積速度は約34Åmin~約910Åminに増大し、600°Cの堆積温度でのシリコン酸化物の堆積速度は約6Åmin~約11Åminに増大することを示している。さらに比較のため、図4は、シリコン酸化膜の堆積速度が、基板表面上でDCSとN2Oとを反応させる従来のHTOプロセスを用いることによって、810°Cの堆積温度でわずか2Åminであり、かつ、堆積速度はDCSの流速に対して実質的に独立していることを示している。図5は、本発明の実施例による様々なシリコン酸化膜の湿式エッチング速度をN2堆積後温度の関数として表している。湿式エッチング速度はシリコン酸化膜の材料品質の指標である。高品質のシリコン酸化膜は、低品質のシリコン酸化膜よりも遅く湿式エッチングされる。続いて堆積されたシリコン酸化膜は、堆積プロセスチャンバ内で、05Torrの処理圧力かつN2ガスの存在する状態において様々な温度にて1時間熱処理された。熱処理に続いて、二酸化シリコン膜には、希釈HFで25分間の湿式エッチング処理が施される。エッチング速度は、50sccmの流速のDCSガスと100sccmの流速のN2Oガス流を用いることによって、800°Cで堆積された基本となるHTOシリコン酸化膜のエッチング速度に規格化される。図5は、そのまま堆積されたシリコン酸化膜については、堆積温度又はDCSガス流速が大きくなる結果、湿式エッチング速度が増大することを示している。さらに堆積後熱処理温度が増大すればするほど、10sccmのDCSガス流束を用いて堆積されたシリコン酸化膜の湿式エッチング速度は低下する。一例では、600°Cの基板温度で低いDCSガス流速を用いて堆積され、その後N2ガス中において基板温度800°Cで熱処理されたシリコン酸化膜のエッチング速度は、基本となるHTOシリコン酸化膜のエッチング速度よりも小さくなった。図6は、本発明により生成されるシリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜の容量-電圧曲線を表している。シリコン酸化膜はDCSと水蒸気を用いて堆積された。シリコン酸窒化膜は、50sccmのNOガスを100sccmのDCSと水蒸気を加えることによって堆積された。図6と図7は、NOガスを加えることで、Tox、堆積速度、等価酸化膜厚さ、及び誘電率が増大することを示している。図7には図示されていないが、0~50sccmのNOガス流については、界面トラップ密度は、基本となるシリコン酸化膜の界面トラップ密度から約1100に減少する-つまり-約1012eV1cm2から約1010eV1cm2に低下することが予想される。そのようにDitが減少することで、シリコン酸窒化膜の界面には電荷トラップが相対的に存在しないようになり、そのため、電子正孔移動度とピークチャネル駆動電流が顕著に改善された金属-酸化物-半導体電界効果型トランジスタデバイスのゲート誘電体として有利に利用されうる。さらにNOガス流速が50sccmよりも大きな値にまで増大し、かつ、シリコン酸窒化膜中でのN濃度がさらに増大することで、Dit値が増大するにもかかわらず、シリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスたとえばフラッシュトンネルゲートのような不揮発性メモリの信頼性が改善される。Dit値の増大は、界面電荷トラップの可能性の増大とMOSFET閾値電圧のシフトが起こりうることを示唆している一方で、NVMについての信頼性の改善は、Dit値の増大から生じる如何なる不利益をも大きく上回ると考えられる。N濃度の増大は、膜内部での緩やかな原子結合ダングリングボンドをより強く結合する上で有用と考えられる。さらにN濃度の増大は、膜の密度を増大させ、その結果、半導体処理において通常用いられる高電圧での電子衝突に対する耐性が増大する。全体として、結果は、従来のDCSとN2Oとの反応を用いるときとは異なり、DCSとH2Oを用いた成膜中にNOを加えることは、シリコン酸化膜にNを導入することで、半導体デバイス用のシリコン酸窒化膜を生成する上で有効であることを示している。