半導体からなる活性層に積層されたn型またはp型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも2層の第1メタル層と、該第1メタル層と交互に積層された第2メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第2メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第2メタル層以外の第2メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第2メタル層を構成する第2メタル材料は該第1メタル層を構成する第1メタル材料よりも導電率は低いが該第1メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている、半導体発光素子。前記メタル多層膜においては、前記第1メタル層の各々の層厚が0.5μm以下、かつ、前記第1メタル層の総層厚が1.0μm以上である、請求項1に記載の半導体発光素子。前記メタル電極の前記延伸部と前記半導体層との間に挟まれたTCO膜を有する、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第1メタル層の材料がAu、AgまたはCuである、請求項1~3のいずれかに記載の半導体発光素子。前記第1メタル層の材料がAuであり、前記第2メタル層の材料がNi、Cr、Ti、およびWから選ばれる一以上の金属を含む、請求項4に記載の半導体発光素子。電極パッドとして使用されるメタル電極の表層部には、しばしば、Au金の厚膜が設けられる。ボンディングワイヤとして一般的に使用されているAuワイヤのボンダビリティが良好になるからである。表層がAuの厚膜であるメタル電極は、また、汎用のハンダ材料であるAu-Sn合金との接合性も良好である。Auは最も高い導電率を有するメタル材料のひとつであるから、接続部と延伸部を設けたメタル電極において、延伸部も接続部と同様に表層部をAu厚膜とすることは、活性層に平行な方向に電流を拡げる目的にとっては有用である。しかし、短絡の防止その他の目的のために延伸部の表面はシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜で覆うべきであるところ、Auに対してはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜が強く密着しないという問題がある。更に、延伸部は、抵抗値を小さくする必要がある一方、光取り出し効率を低下させないためには、幅をできる限り狭くしなければならない。これらの2つの要求を満たすためには、延伸部に十分な厚さを持たせればよいといえる。しかし、延伸部の表層をAuで形成する場合、その厚さを増大させることは、絶縁膜が延伸部から剥がれる可能性を高め、発光素子の信頼性を低下させる。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体発光素子を提供することを、主たる目的とする。上記目的を達成するために、本発明の実施形態に係る半導体発光素子は、半導体からなる活性層に積層されたn型またはp型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも2層の第1メタル層と、該第1メタル層と交互に積層された第2メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第2メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第2メタル層以外の第2メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第2メタル層を構成する第2メタル材料は該第1メタル層を構成する第1メタル材料よりも導電率は低いが該第1メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。前記メタル多層膜においては、前記第1メタル層の各々の層厚が0.5μm以下、かつ、前記第1メタル層の総層厚が1.0μm以上であってもよい。前記半導体発光素子は、前記メタル電極の前記延伸部と前記半導体層との間に挟まれたTCO膜を有していてもよい。前記第1メタル層の材料はAu、AgまたはCuであることが好ましい。前記半導体発光素子においては、前記第1メタル層の材料がAuであり、前記第2メタル層の材料がNi、Cr、Ti、およびWから選ばれる一以上の金属を含んでもよい。上記実施形態に係る半導体発光素子は、メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制されているので、信頼性に優れたものとなる。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。図1は、本発明の好適な実施形態の半導体発光素子100の平面図である。図2は、図1におけるA-A’線で切断した半導体発光素子100の部分的な断面図である。図3は、図1におけるB-B’線で切断した半導体発光素子100の部分的な断面図である。図4は、図1におけるC-C’線で切断した半導体発光素子100の部分的な断面図である。図2に示すように、半導体発光素子100は、サファイア基板10の上に、窒化物半導体からなるn型層20、活性層30およびp型層40を含む半導体積層体STを有する。p型層40の上には透明電極50が配置され、その透明電極50の一部上にはp側メタル電極600が配置されている。透明電極50はTCOで形成されている。一部露出するn型層20の表面には、オーミック電極と電極パッドを兼用するn側メタル電極70が配置されている。p側メタル電極600は、1つの接続部610および2つの延伸部620を有している。接続部610は電極パッドとして使用される部分である。つまり、半導体発光素子100を実装するときには、ボンディングワイヤ、ハンダ、メタルバンプのような電流伝送部材が、接続部610の表面に接合される。延伸部620は、電流伝送部材から接続部610に流れる電流を、活性層30に平行な方向層厚方向に直交する方向に拡げる目的で設けられている。図2~4に示すように半導体発光素子100は、その表面を保護するための絶縁膜80を備えている図1では図示を省略している。絶縁膜80は、p側メタル電極の接続部610の側面SS1と、延伸部620の上面TSおよび側面SS2とを覆っている。絶縁膜80はまた、透明電極50の上面や、半導体積層体STの側面などを覆っている。絶縁膜80には、p側メタル電極600の接続部610の上面と、n側メタル電極70の上面とが露出されるように、開口部が設けられている。絶縁膜80の材料には、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、スピネル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のような、金属の酸化物または窒化物が用いられる。好ましい材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素が挙げられる。p側メタル電極600は多層膜構造を有しており、透明電極50側から順に第2メタル層612c、第1メタル層611c、第2メタル層612b、第1メタル層611b、第2メタル層612aを有している。接続部610では、更に第2メタル層612aの上に第1メタル層611aが積層されている。延伸部620では第2メタル層612aが最上層である。第1メタル層611の材料はAuである。一方、第2メタル層612の材料は、Auよりも導電率は低いが、絶縁膜80との密着強度がAuよりも高いメタル材料、例えば、Ni、Cr、Ti、W、TiW合金などである。第2メタル層612の材料はAlであってもよいが、Alは耐熱性が低いため、半導体発光素子100が放熱の十分でない環境で使用される場合には適さない。接続部610の側面SS1には、第2メタル層612a、612b、612cのそれぞれの端面が露出し、絶縁膜80に接している。また、延伸部620では一番上の第2メタル層612aが表層として露出しているとともに、他の2つの第2メタル層612bおよび612cの各端面が該延伸部の側面SS2に露出し、絶縁膜80に接している。このように、p側メタル電極600の表面のところどころに露出した第2メタル層612が絶縁膜80を繋ぎ止める働きをするので、p側メタル電極600からの絶縁膜80の剥離が抑制される。延伸部620に含まれる2つの第1メタル層611bおよび611cを厚くすると、p側メタル電極600の側面SS1およびSS2に露出する、第2メタル層612a、612bおよび612cの端面間の間隔が広くなるために、絶縁膜80の剥離抑制効果が低くなる傾向が生じる。したがって、第1メタル層611bおよび611cの各々の厚さは、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。第1メタル層611bおよび611cの厚さは異なっていてもよいが、好ましくは、同じか、または略同じ厚さ一方の厚さが他方の厚さの2/3~3/2とする。第1メタル層611bおよび611cの厚さが同じであると、電極600の側面SS1に露出する第2メタル層612a、612bおよび612cの端面が等間隔となるので、絶縁膜80の剥離を好ましく防止することができる。延伸部620に含まれる2つの第1メタル層611bおよび611cの厚さの合計第1メタル層の総層厚が1.0μm未満では、電流を活性層30に平行な方向に拡げる効果が小さいことから、この総層厚は好ましくは1.0μm以上、より好ましくは1.5μm以上、特に好ましくは2μm以上である。通常、この総層厚を10μmより大きくする必要はない。延伸部620に含まれる第1メタル層611の層数を調整することにより、第1メタル層611の各々の厚さと総層厚の両方を上記の好ましい範囲内とすることができる。接続部610にのみ最上層として含まれる、Auからなる第1メタル層611aの厚さは、例えば0.1μm~10μmであり、好ましくは0.2μm~1.0μmである。3つの第2メタル層612a、612bおよび612cの材料は異なっていてもよいが、使用する材料の種類が増加すると製造コストが上昇することから、好ましくは同一とする。第2メタル層612a、612bおよび612cのそれぞれの厚さは、0.01μm~1.0μmとすることができ、好ましくは0.1~0.5μmである。第2メタル層612a、612bおよび612cの厚さの合計第2メタル層の総層厚は、延伸部620における第1メタル層の総層厚の1~100とすることができ、好ましくは10~50である。第1メタル層611および第2メタル層612の各々の形成方法に特に限定はなく、蒸着法、スパッタ法、CVD法など、公知の方法を適宜用いることができる。p側メタル電極600のパターニングはリフトオフ法により行うことが好ましい。第1メタル層611と第2メタル層612を含む積層膜を一括してパターニングすることができる他、第1メタル層611および第2メタル層612の各々を個別にリフトオフ法を用いてパターニングしてもよい。接続部610の直径は例えば60μm~120μmであり、好ましくは80μm~100μmである。延伸部620の幅ストライプ幅は例えば3μm~30μmであり、好ましくは5μm~20μm、特に好ましくは7μm~15μmである。接続部610と延伸部620に共通する第1メタル層611bおよび611cの材料には、Auよりも高い導電率を有するAgやCuを用いてもよい。Alを用いることもできるが、Alは耐熱性が低いため、耐熱性が低いため、半導体発光素子100が放熱の十分でない環境で使用される場合には適さない。第2メタル層612の材料を選択するにあたっては、ガラス板などの表面に絶縁膜80と同じ材料で形成した薄膜を下地層とし、該下地層上に形成した第1メタル層611と同じメタル材料からなる薄膜の剥離強度と、第2メタル層612の候補メタル材料からなる薄膜の剥離強度とを比較して、絶縁膜80との密着強度の優劣を評価することができる。保護膜80がp側メタル電極600の接続部610の側面SS1を覆う構成は必須ではない。接続部610の側面SS1は露出していてもよい。すなわち、保護膜80に設ける開口部の内側に接続部610全体が収まるように構成してもよい。この場合、延伸部620の一番上の層である第2メタル層610aの厚さは5nm以下まで薄くすることができる。p側メタル電極600の接続部610の直下の領域から透明電極50の一部または全部を取り除くことができる。すなわち、該接続部610はその一部または全部がp型層40に接していてもよい。また、該接続部610の直下には、p型層40と透明電極50との間に挿入される電流ブロック層を設けることができる。該電流ブロック層は絶縁膜80の材料として例示した金属の酸化物または窒化物を用いて形成することができる。該電流ブロック層を設けるとともに、該電流ブロック層と該接続部610の間に挟まれる透明電極50の一部を取り除くことができる。図5は、変形例を示す図であり、図1におけるB-B’線で切断した発光素子100の部分的な断面図である。この変形例では、接続部610から一番上の第2メタル層612aを取り除き、その表面にAuからなる第1メタル層611bを露出させている。半導体発光素子100を実装するときには、この第1メタル層611bの露出面にボンディングワイヤ等を接合することから、この第1メタル層611bの厚さは好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.2μm以上とする。図6は、他の変形例を示す図であり、図1におけるB-B’線で切断した発光素子100の部分的な断面図である。この変形例では、接続部610から第2メタル層612a、第1メタル層611bおよび第2メタル層612bを取り除き、その表面にAuからなる第1メタル層611cを露出させている。半導体発光素子100を実装するときには、この第1メタル層611cの露出面にボンディングワイヤ等を接合することから、この第1メタル層611cの厚さは好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.2μm以上とする。上記の半導体発光素子100が有するp側メタル電極600の構造は、n側メタル電極が接続部と延伸部とを有する半導体発光素子における、該n側メタル電極の構造にも好ましく適用しうる。その場合、少なくとも延伸部に含まれる一番下の第2メタル層を、当該n側メタル電極を形成するn型半導体層n型コンタクト層とオーミック接触するメタル材料で形成するか、あるいは、該第2メタル層と該n型コンタクト層との間に、該n型コンタクト層とオーミック接触するメタル膜またはTCO膜を挿入する。以上、本発明を具体的な実施形態に即して説明したが、本発明は本明細書に明示的に記載された実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を損なわない範囲内で種々の変形が可能である。