半硬化状態の絶縁基材を準備する工程と、前記絶縁基材に選択的に硬化部を形成する工程と、前記絶縁基材に導通孔を形成する工程と、前記絶縁基材の表面に金属箔を積層し加熱加圧する工程と、前記金属箔に回路を形成する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。内層用回路基板と半硬化状態の層間接続用絶縁基材を準備する工程と、前記層間接続用絶縁基材に選択的に硬化部を形成する工程と、前記層間接続用絶縁基材に導通孔を形成する工程と、前記内層用回路基板と前記層間接続用絶縁基材と最外層に金属箔を積層する工程と、それを加熱加圧する工程と、前記金属箔に回路を形成する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。内層用回路基板は、導通孔を備えた絶縁基材と前記導通孔を介して表裏が電気的に接続された内層用回路とを備え、前記絶縁基材には選択的に硬化部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の回路基板の製造方法。硬化部は線状または帯状に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。硬化部は加圧により凹状に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。回路基板は製品部領域と非製品部領域を有し、硬化部は非製品部領域に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。回路基板は製品部領域と非製品部領域を有し、硬化部は製品部領域と非製品部領域の境界付近に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。製品部領域と非製品部領域の境界は製品部の外形加工線上であることを特徴とする請求項7に記載の回路基板の製造方法。選択的に硬化部を形成する工程は、レーザー加工にて行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。選択的に硬化部を形成する工程は、加熱手段を絶縁基材または層間接続用絶縁基材に加熱加圧して行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板の製造方法。前記内層用回路基板と前記層間接続用絶縁基材と最外層に金属箔を積層する工程は、前記層間接続用絶縁基材に形成された硬化部に張力を加えながら行うことを特徴とする請求項2に記載の回路基板の製造方法。しかしながら、上記の従来の回路基板の製造方法では、回路形成時や加熱加圧時での寸法変化、および貫通孔の加工位置精度のバラツキに加えて、絶縁基材の表面にラミネートしたPETフィルムを剥離する際に絶縁基材の寸法変化等が生じる。これにより、回路形成された接続用のランドと絶縁基材に設けられた導通孔との合致が困難となり、著しく悪い場合は、隣接した回路間で絶縁不良に至る可能性もあった。これを解決するため、上記工程での加工におけるバラツキや絶縁基材の寸法変化を許容できるように、接続用のランド径を大きくすることも考慮されたが、高密度回路の形成や配線の収容性を向上させるうえでは相反するものであった。特に、導通孔の小径化、回路の細線化または絶縁基材の厚みを薄くした場合、上記の問題が顕著となり、高精細な多層の回路基板を製造する際の課題であった。本発明は、上記の従来の課題を解決し、高密度で高い配線収容性を備えた両面あるいは多層構造の回路基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の回路基板の製造方法は、半硬化状態の絶縁基材を準備する工程と、前記絶縁基材に選択的に硬化部を形成する工程と、前記絶縁基材に導通孔を形成する工程と、前記絶縁基材の表面に金属箔を積層し加熱加圧する工程と、前記金属箔に回路を形成する工程とを備えることを特徴とするものである。また、内層用回路基板と半硬化状態の層間接続用絶縁基材を準備する工程と、前記層間接続用絶縁基材に選択的に硬化部を形成する工程と、前記層間接続用絶縁基材に導通孔を形成する工程と、前記内層用回路基板と前記層間接続用絶縁基材と最外層に金属箔を積層する工程と、それを加熱加圧する工程と、前記金属箔に回路を形成する工程とを備えることを特徴とするものである。本発明の回路基板の構造は、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材には選択的に硬化部が形成されていることから、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材の寸法変化等を最小にし、多層構造の回路基板の位置決め積層精度を向上させることができる。これにより、導通孔や配線回路の形成位置を安定させることができ、高精細な全層IVH構造の配線基板を提供することができる。さらに、導電体を微小化し絶縁基材を薄手化した際でも同様の効果を得ることが可能である。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1a~iは本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す工程断面図である。まず、図1aに示すように半硬化状態Bステージ状態の絶縁基材1を準備する。本実施の形態では絶縁基材1として60μm厚のガラス繊維の織布とエポキシ樹脂の複合材料を用いる。絶縁基材1としてはガラス繊維の他に、アラミドの織布や不織布の基材に熱硬化樹脂との複合材料等を用いることができる。またポリイミドフィルム、アラミドフィルム、液晶ポリマーフィルムなどを用いてもよい。なお絶縁基材1は、後述するように、多層構造の回路基板の製造において層間接続用絶縁基材2として用いることもできる。次に図1bに示すように、絶縁基材1に選択的に硬化部3を形成する。硬化部3は、レーザー加工にて行うことも可能であり、線状または帯状に形成されることが望ましい。この場合のレーザー加工条件は、絶縁基材1中のガラス繊維等の基材を破壊しない程度のレーザーエネルギー条件、あるいは、焦点をずらし帯状に樹脂のみを硬化させる条件で行う。これにより、半硬化状態の絶縁基材1の一部が硬化されることにより、寸法を安定させることができ、寸法の歪みを防止することもできるという効果を有する。また、硬化部3は、加熱手段にて絶縁基材1または層間接続用絶縁基材2に加熱加圧して凹状に形成することが可能であり、これにより、寸法の安定化を図るとともに後述する積層、加熱加圧工程において、樹脂の流れを防止し、いわゆる、ビア倒れ樹脂の流れによる導通孔の傾き変形のない導通孔を形成することができ、層間接続を安定させることができるという効果を有する。また、半硬化状態の絶縁基材1または層間接続用絶縁基材2に硬化部3が存在することにより、後述する積層工程において、前記基材に張力をかけても歪みや変形が生じにくくなる。すなわち、樹脂が硬化された硬化部3の存在により、前記基材全体の弾性率が低下し、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材1あるいは層間接続用絶縁基材2の寸法変化等を最小にすることができる。さらに、本発明の実施の形態における回路基板は製造用ワークでの過程において、図2に示すように、電子部品等が実装される製品となる製品部領域Pと製造工程の終盤工程での外形加工にて除去あるいは、部品実装後に電子機器に組み込まれる前に除去される非製品部領域Rとに区分され、硬化部3は非製品部領域Rに形成することが望ましい。これにより、硬化部3が形成されることによる回路や導通孔への影響を除くことができる。特に、硬化部3は製品部領域Pと非製品部領域Rの境界付近に形成することにより、少ない面積で効率的に、かつ製品部領域P内の寸法を安定させるうえでも効果的である。なお、境界付近とは、製品部領域Pと非製品部領域Rの境界線Q上を含むものの、製品部領域Pには属さない領域とする。前記の境界が製品部の外形加工線上である場合、その付近に硬化部3を形成することにより、より効果的に製品部領域P内の寸法を安定させることができる。製品部の外形加工線上の付近に硬化部3を形成するうえにおいて、前述のレーザー加工を用いることで容易にかつ正確な位置で精度良く形成することができる。次に図1cに示すように、硬化部3を有する絶縁基材1の両側にPETフィルム4をラミネートによって貼り付ける。このラミネートの際に、絶縁基材1とPETフィルム4は高温状態で接着するため、両者の界面には絶縁基材1とPETフィルム4の熱膨張係数の違いに起因する応力が発生する。しかしながら、硬化部3の存在により応力の値は減少する。次に図1dに示すように、レーザー加工等により絶縁基材1とPETフィルム4に貫通孔5を形成する。次に図1eに示すように、貫通孔5に導電性ペースト6を充填する。このPETフィルム4は絶縁基材1の表面に導電性ペースト6が残存しないようにする役割を果たす。なお、導電性ペースト6は、銅粉等の金属フィラーと熱硬化性樹脂を主体とするものである。次に図1fに示すように、両側のPETフィルム4を剥離し、貫通孔5に導電性ペースト6を充填された硬化前の状態の導通孔7を形成する。この剥離工程において、PETフィルム4を絶縁基材1に形成する際に発生したPETフィルム4と絶縁基材1の間の応力が開放されるため、通常は絶縁基材1に寸法変化がおこるものの、硬化部3の存在によりその変化の値は減少する。次に図1gに示すように、絶縁基材1の両側に金属箔としての銅箔8を積層配置し、図1hに示す加熱加圧することにより、銅箔8を絶縁基材1に接着させる。この際、絶縁基材1が厚み方向に収縮するため、貫通孔5内の導電性ペースト6も厚み方向に圧縮される。これにより、導電性ペースト6中の金属フィラーどうしが高密度に接触し、両側の銅箔8が導通孔7を介して電気的に接続される。次に図1iに示すように、銅箔8に回路9を形成し、両面の回路基板10を得る。なお、導通孔を備えた半硬化状態の絶縁基材1に選択的に形成された硬化部3は、図1hの工程の加熱加圧により、絶縁基材1上の硬化部3と非硬化部の区別がつきにくくなるものと思われるが、実際には、レーザー加工にて線状または帯状の硬化部に形成する際に、加熱し変質されることによって残存させることができ、また、加熱手段にて絶縁基材を加熱加圧して凹状に形成することで残存させることも可能である。次に多層構造の回路基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。図3a~cは本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す工程断面図である。まず、図3aに示すように、両面に回路を有する内層用回路基板11と半硬化状態の層間接続用絶縁基材2を準備する。内層用回路基板11としては、めっき等により両面の導通を図った銅スルーホール配線板でもよいが、図1a~図1hの工程で製造した両面の回路基板10を用いることが望ましい。本実施の形態における内層用回路基板11は、高密度で配線収容性も高く、さらに絶縁基材1に選択的に形成された硬化部3の存在により、寸法も安定したものである。また、層間接続用絶縁基材2は、図1a~図1fの過程、すなわち、絶縁基材1に選択的に硬化部3を形成し、絶縁基材1の両側にPETフィルム4をラミネートした後、貫通孔5を形成し、貫通孔5に導電性ペースト6を充填し、PETフィルム4を剥離して得られた導通孔7を有するものを層間接続用絶縁基材2として用いる。この層間接続用絶縁基材2も前述の絶縁基材1の事例と同様に、PETフィルム4の剥離の際に寸法変化が生ずるものの、硬化部3の存在により、従来に比較して寸法変化の値は小さくなる。次に図3aに示すように、内層用回路基板11としての回路基板の両側に、層間接続用絶縁基材2と金属箔としての銅箔8とを積層する。なお、積層においては、複数の内層用回路基板11と層間接続用絶縁基材2とを準備し、それらを位置合わせしながら交互に積層して、最外層に銅箔8を積層する構成としてもよい。上記の内層用回路基板11に位置決め固定される層間接続用絶縁基材2の導通孔7は、内層用回路基板11に形成されたランド12の位置を認識し、導通孔7がランド12の中心又は少なくともランド12からはみ出さないよう位置決め固定される。また、上記の積層する工程において、図4に示すように、層間接続用絶縁基材2に形成された硬化部3に張力Tを加えながら行うことも可能である。すなわち、内層用回路基板11と層間接続用絶縁基材2に形成された認識マークが互いに合致するように、Bステージ状態の層間接続用絶縁基材2に張力Tを加えることにより、寸法を微調整することができる。特に、硬化部3が形成されていることから、硬化部3が形成されていない場合に比較して張力Tの影響で層間接続用絶縁基材2が大きく伸びることや変形することを防ぐことができる。次に図3bに示すように、加熱加圧することにより、層間接続用絶縁基材2を介して銅箔8と内層用回路基板11とを接着し硬化する。この加熱加圧工程で層間接続用絶縁基材2が厚み方向に収縮するとともに、導通孔7内の導電性ペースト6が厚み方向に圧縮され、銅箔8と内層用回路基板11の回路9とが導通孔7を介して電気的に接続される。次に図3cに示すように、表層の銅箔8を回路形成し、内層用回路基板11と電気的に接続された外層の回路9とすることにより、多層構造の回路基板20を得ることができる。本実施の形態における回路基板20は、内層用回路基板11及び層間接続用絶縁基材2には選択的に硬化部3が形成されていることから、層間の位置精度と層間の電気的接続を安定させることができる。また、層間接続用絶縁基材2の硬化部3が防止壁としての作用を有することから、積層、加熱加圧工程における基材中の樹脂の流れを抑制し、これによる導通孔7の傾きや変形を防ぐことができ、このことからも本発明は多層構造の回路基板の層間の電気的接続を安定させることができる。なお、本実施の形態においては、内層用回路基板として両面の回路基板10を用いた4層の多層構造の回路基板の事例を示したが、本実施の形態の多層構造の回路基板20を内層用回路基板として用いることで、さらに多層化を図ることも可能である。