第一の面と第二の面とを有する3次元構造のデバイスを半導体基板上に製造する為に用いられるイオン注入方法であって、各面へのイオン注入に先立って、前記第二の面上にブロッキングマスク材料を配置するマスク配置工程と、前記第一の面へのイオン注入処理を行う第一のイオン注入工程と、前記第一のイオン注入工程に引き続き、前記ブロッキングマスク材料を取り除くマスク取り除き工程と、前記第二の面へのイオン注入処理に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程と、当該角度が所定の範囲内にあるかどうかを判別する判別工程と、前記広がり角度計測判別工程で前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内にないと判断されたとき、前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程と、前記判別工程にて、前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内にあると判別された後、第二の面へのイオン注入処理を行う第二のイオン注入工程とを有していることを特徴とするイオン注入方法。特許文献1に記載されているようにFin型デバイスの構造は、デザインルールが32nmの場合、幅が10~20nm、高さが約60nm、Fin間のピッチが約64nmになるものと推定されている。その為、イオン注入時に不純物が注入される深さは従来の半導体デバイスに比べると極めて浅いものになる。注入深さは、イオンビームの照射角度とエネルギーによって決定される。フィン側面へのイオン注入時に照射されるイオンビームの照射角度イオン注入される面に対する法線とそこに照射されるイオンビームの進行方向とが成す角度はフィン上面へのイオン注入時に照射されるイオンビームの照射角度に比べて非常に大きなものになる。その為、特許文献1の図7に開示されているようにフィン上面とフィン側面に同程度の深さでイオン注入することを考えた場合、フィン側面への注入時のイオンビームのエネルギーに比べて、フィン上面への注入時のイオンビームのエネルギーは低くなる。イオンビームのエネルギーが低くなると、ビーム経路中の電子の存在量にもよるが、一般的に空間電荷効果の影響が強く現れてイオンビームが発散してしまう。このフィン上面へのイオン注入時におけるイオンビームの発散について、特許文献1では想定されていなかった。イオンの注入量分布に着目すると、基板上に製造されるデバイスの特性のバラツキを抑える為に、通常、フィン上面とフィン側面へのドーズ量は略均一例えば、3~5パーセント程度となることが望まれる。特許文献1の技術では、初めにフィン上面をマスクしておき、フィン側面に対してイオン注入を行い、続いてフィン上面のマスクを取り去ってフィン上面に対してイオン注入を行うことになるが、フィン上面へイオン注入を行う際、前述したような発散がイオンビームに強く生じると、フィン側面へもイオン注入されてしまうことが懸念される。ただし、イオンビームが発散して、フィン上面へのイオン注入時にフィン側面にイオンビームが照射されたとしても、即座に問題になるという訳ではない。イオンビームが照射される面に対するイオンビームの照射角度が非常に大きい場合、イオンはフィンの内側に注入されずにフィン表面で反射されることになる。その為、イオンビームの照射角度が非常に大きい場合には、ほとんど問題にならない。しかしながら、イオンビームの照射角度がある程度の大きさであれば、フィン上面へのイオン注入時にフィン側面にも注入されてしまう。この場合、フィン側面への注入量がフィン上面への注入量よりも多くなってしまうことが懸念される。基板よりも大きな寸法を有するリボン状のイオンビームを用いて基板へのイオン注入処理を行う場合、リボン状のイオンビームの長さ方向における両端部には空間電荷効果による発散の影響が強く現れるので、両端に近づくほどイオンビームの発散角度は大きくなる。この様子が図6に描かれている。図中、矢印はリボン状のイオンビームを構成する個々のビームレットである。この図より理解できるように、イオンビームの両端部が位置する基板端部ではフィン側面にイオンビームが照射され、イオンビームの中央部が位置する基板中央部ではフィン上面のみにイオンビームが照射される。そうなると、基板の場所によって、注入されるドーズ量が異なる為、基板の端部に製造されるデバイスと基板の中央部に製造されるデバイスの特性が大きく異なってしまうことが懸念される。さらに、今後、デバイス構造の微細化が進んで、イオンビームのエネルギーがごく微小なものになった場合、このような問題がより顕著になることが考えられる。そこで、本発明では3次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する3次元構造のデバイスを製造する為のイオン注入方法を提供する。本発明に係るイオン注入方法は、第一の面と第二の面とを有する3次元構造のデバイスを半導体基板上に製造する為に用いられるイオン注入方法であって、各面へのイオン注入に先立って、前記第二の面上にブロッキングマスク材料を配置するマスク配置工程と、前記第一の面へのイオン注入処理を行う第一のイオン注入工程と、前記第一のイオン注入工程に引き続き、前記ブロッキングマスク材料を取り除くマスク取り除き工程と、前記第二の面へのイオン注入処理に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程と、当該角度が所定の範囲内にあるかどうかを判別する判別工程と、前記広がり角度計測判別工程で前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内にないと判断されたとき、前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程と、前記判別工程にて、前記イオンビームの広がり角度が所定範囲内にあると判別された後、第二の面へのイオン注入処理を行う第二のイオン注入工程とを有している。第二の面へのイオン注入処理に先立って、基板に照射されるイオンビームの広がり角度を計測し、これが所定範囲内にあるかどうかを確認して、所定範囲内にないときにその角度を補正するといった工程を設けたので、従来の手法に比べて、基板全域に渡って略均一な特性を有する3次元構造のデバイスを製造することができる。本実施形態では、Z軸の方向をリボン状のイオンビームの進行方向とし、Y軸の方向をリボン状のイオンビームの長さ方向とし、X軸の方向をリボン状のイオンビームの短辺方向としている。ここでリボン状のイオンビームとは、イオンビームの進行方向に対して垂直な平面でイオンビームを切断したとき、その断面が略長方形状を成すイオンビームのことを言う。図1には、本発明に係るイオン注入処理の手順を示したフローチャートが記載されている。このフローチャートを元に、本発明のイオン注入方法について説明した後、当該処理を実現する為に用いられるイオン注入装置の構成についての説明を行う。本発明のイオン注入方法は、2つの異なる注入面第一の面、第二の面を有する3次元構造のデバイスを半導体基板上に製造する為に用いられる。3次元構造のデバイスの例としてはFin型デバイスであって、第一の面はフィン側面を意味し、第二の面はフィン上面を意味する。S1で、各面へのイオン注入処理に先立って、第二の面にブロッキングマスク材料が配置されるマスク配置工程。次に、S2で、第一の面にイオン注入処理が実施される第一のイオン注入工程。その後、S3で、ブロッキングマスク材料が第二の面より取り除かれるマスク取り除き工程。ここまでの工程は特許文献1に挙げられる手法と同等である。特許文献1では次に第二の面へのイオン注入処理を行うが、この注入処理に先立って、本発明ではS4で基板に照射されるイオンビームの広がり角度の計測が行われる計測工程。そして、S5で計測された広がり角度が予め決められた所定範囲内のものであるかの確認が行われる判別工程。ここで計測された広がり角度が所定範囲内にないと判断された場合、S6に進んで所定範囲内に入るようにイオンビームの広がり角度の補正が行われる角度補正工程。一方、計測された広がり角度が所定範囲内にあると判断された場合、S7に進んで、第二の面へのイオン注入処理が実施される第二のイオン注入工程。このようにマスク取り除き工程と第二のイオン注入工程との間に、イオンビームの広がり角度を計測する計測工程と、それが所定範囲内にあるかどうかを確認する判別工程と、所定範囲内にないと判断した場合にはそれを補正する角度補正工程とを備えるようにしたので、ブロッキングマスク材料を取り除いた後に第二の面にイオン注入する際、イオンビームが空間電荷効果により大きく発散したとしてもそれを補正することができる。これにより、デバイスの特性を基板の場所によらず、ほぼ均一なものにすることが可能となる。図2には本発明で用いられるイオン注入装置の一例が描かれている。AはXZ平面での様子を表し、BはYZ平面での様子を表す。図2Aを見れば明らかであるように、イオンビーム2の進行方向はビーム経路の場所によって変化している。その為、図2Aに描かれているX、Y、Z軸もビーム経路の場所によって変化する。なお、図2Aに描かれているX、Y、Z軸はイオン源1より射出した直後のイオンビーム2を基準にして描かれたものである。また、後述する図5に描かれているX、Y、Z軸も図2の場合と同じく、イオン源1より射出した直後のイオンビーム2を基準にして描かれたものであり、ビーム経路の場所に応じて、これらの軸の方向は、適宜、変化する。イオン源1からは長さ方向の両端部が平行なリボン状のイオンビーム2が射出される。このイオンビーム2は質量分析マグネット3とその下流側イオンビーム2の進行方向側に配置された分析スリット4で質量分析された後、基板7例えば、シリコンウェーハが配置される処理室6内に導入される。イオン注入処理時、基板7は図示される矢印の方向へ往復駆動され、基板7の全面にイオンビーム2が照射される。一方、イオン注入処理が行われない時には、基板7は図中に破線で描かれている位置に待機している。その為、イオン注入処理が行われない時には、処理室6内に導入されたイオンビーム2はビーム電流計測器8例えば、多点ファラデーカップに照射される。ビーム電流計測器8にイオンビーム2が照射されることで、イオンビーム2の広がり角度の計測が行われる。そして、その計測結果が制御装置9に送信されて、ここで計測された広がり角度が予め決められた所定範囲内の角度であるかどうかの確認がなされる。制御装置9で所定範囲内にないと判断された場合には、角度補正器5に制御信号が送信され、イオンビーム2の広がり角度の補正が行われる。なお、ここで述べた所定範囲とは、第二の面へのイオン注入処理時に第一の面にイオンビーム2が照射されたとしても、基板7の全域に渡って製造されるデバイスの特性のバラツキが許容範囲内となるようなイオンビーム2の広がり角度の範囲を考慮して設定される。図3A、Bには角度補正器5の一例が描かれている。この角度補正器5は、イオンビーム2をその短辺方向から挟むようにして配置された一対のヨーク11を含んでいる。ヨーク11上にはイオンビーム2の長さ方向に沿って、イオンビーム2側へ突出した2組の磁極対10が形成されていて、各磁極10にはコイル12が巻き回されている。そして、各磁極対10間には、イオンビーム2をその短辺方向に横切るように磁界Bが発生しており、各磁極対10で発生する磁界Bの向きは互いに逆向きとなるように構成されている。図3Bはイオンビーム2側から角度補正器5を構成する一対のヨーク11の一方を見たときの様子を表す。この図において、イオンビーム2を挟んでX軸方向と反対側紙面手前側にも図示されるものと同形状の磁極10とヨーク11が配置されている。また、イオンビーム2はそれを構成する複数の線状のビームレットで描かれている。図示されているように、ヨーク11上の磁極10のイオンビーム2の長さ方向における寸法は、イオンビーム2の長さ方向において異なっている。より具体的には、イオンビーム2の進行方向において、イオンビーム2の中央部が通過する場所に設けられた磁極10の寸法よりもイオンビーム2の端部が通過する場所に設けられた磁極10の寸法の方が長い。上記した構成により、角度補正器5を通過するイオンビーム2にはイオンビーム2の長さ方向において異なるローレンツ力図3Aに記載のF1、F2、F3が発生する。このローレンツ力は、イオンビーム2の長さ方向Y軸方向において、両端部より中央部に向けてその力は徐々に弱くなる。具体的には、図示されるF1、F2、F3の順番にイオンビーム2に作用するローレンツ力は弱い。これは磁極10間を通過するイオンビーム2の距離が異なるように磁極10が構成されている為である。空間電荷効果による発散の影響が大きく現れるイオンビーム2の端部になるほどローレンツ力を強くすることで、空間電荷効果による発散の影響を打ち消して、イオンビーム2の基板7への照射角度を補正することができる。なお、発散の程度に応じて、各磁極10に巻き回されたコイル12に流す電流量は、適宜変化される。図4A、Bには角度補正器5の別の例が描かれている。この角度補正器5は3つの電極対から構成されている。イオンビーム2の図示は省略しているが、イオンビーム2はこれらの電極対間を通過する。電極対はイオンビーム2の進行方向に沿って第一電極対13、第二電極対14、第三電極対15の順に配置されていて、第一電極対13と第三電極対15は電気的に接地されている。そして、第二電極対14は接地電位を基準にして負電位となるように構成されている。このような電極対はアインツェルレンズとして知られている。図4Bには、イオンビーム2側から図4Aに記載の電極対の片方をみた時の様子が描かれている。また、イオンビーム2はそれを構成する複数の線状のビームレットで描かれている。この図4Bに描かれているように第一電極対13と第二電極対14間、第三電極対15と第二電極対14間には電界Eが図示される矢印の向きに発生している。イオンビーム2の長さ方向において、イオンビーム2の中央部から端部に行くほど、電界Eの向きとイオンビーム2を構成するビームレットの進行方向との差が大きくなる。電界Eの向きとイオンビーム2を構成するビームレットの進行方向との差が大きくなるほど、イオンビーム2には電界Eの向きへの偏向作用が強く働く。つまり、イオンビーム2の長さ方向における端部ほど電界Eによる偏向作用が強く働くようになる。このような構成の角度補正器5を用いても、図3の例で説明した角度補正器5と同様に空間電荷効果によるイオンビーム2の端部での発散を抑制させることができる。なお、イオンビーム2の偏向量の調整は、第二電極対14に印加される電圧の値を調整することで行われる。図5A、Bには本発明で用いられるイオン注入装置の別の例が描かれている。イオン源1より射出されたイオンビーム2はここでは長さ方向に発散するリボン状のイオンビームである。このイオンビーム2は質量分析マグネット3とその後段に設けられた分析スリット4によって質量分析され、平行化器16に入射する。例えば、平行化器16は従来から知られているコリメーターマグネットであり、この平行化器16によってイオンビーム2が長さ方向において平行となるように整形される。平行化器16を通過したイオンビーム2は減速器17に入射し、ここでイオンビーム2のエネルギーが低エネルギーに変換される。基板7上に製造されるデバイスの微細化が進むと注入深さも浅くなる為、基板7に照射されるイオンビーム2のエネルギーを小さくしておかなければならない。ただし、イオンビーム2のエネルギーが小さいと、空間電荷効果による影響を強く受けて、イオンビーム2が発散してしまう。イオンビーム2の輸送距離が長いほど、この空間電荷効果による発散の程度は大きくなる。その為、この例で示されているように減速器17を処理室6の近傍に配置して、基板7へイオンが注入される直前にイオンビーム2のエネルギーを低エネルギーに変換することが行われている。イオンビーム2はビーム経路を進行中に、ビーム経路内の残留ガスに衝突して中性化してしまう恐れがある。中性化したイオンはビーム電流計測器8で測定することができない。このような中性化したイオンが基板7に照射されるとイオン注入量に寄与してしまう。中性化したイオンは電荷を有していないので磁場や電場による偏向作用を受けない。その為、このイオン注入装置では処理室6へのイオンビーム2の導入前にイオンビーム2の全体を一方向へ偏向させるエネルギーフィルター18が設けられている。なお、この例では、エネルギーフィルター18はイオンビーム2をその短辺方向から挟むようにして設けられた一対の静電偏向板である。基板7へのイオン注入処理が行われない時には、処理室6内に導入されたイオンビーム2はビーム電流計測器8に入射し、その計測データが制御装置9に送信される。制御装置9で広がり角度が所定範囲よりも大きい場合には、所定範囲内に入るように制御装置9から角度補正器5に制御信号が送信される。このようなイオン注入装置を用いて本発明を実施しても良い。前述した以外に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。