"下記式1で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、および少なくとも、前記ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアリールアミン由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物。式中、RおよびR′は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、またはアラルキル基を表しただし、RおよびR′の少なくとも一方は水素原子である。、Arは、芳香環および複素環のいずれか一方または双方を含む2価の有機基を表す。前記Arが、式2~18で示される群から選ばれる少なくとも1種を表す請求項1記載の膜形成用組成物。式中、R1~R128は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、W1およびW2は、互いに独立して、単結合、CR129R130R129およびR130は、互いに独立して、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基ただし、これらは一緒になって環を形成していてもよい。を表す。、C=O、O、S、SO、SO2、またはNR131R131は、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基を表す。を表し、X1およびX2は、互いに独立して、単結合、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基、または式19式中、R132~R135は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、Y1およびY2は、互いに独立して、単結合または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基を表す。で示される基を表す。前記Arが、式5~12および14~18で示される群から選ばれる少なくとも1種である請求項2記載の膜形成用組成物。前記Arが、下記式20~22で示される群から選ばれる少なくとも1種である請求項2記載の膜形成用組成物。式中、R32~R37、R69~R80、R129、R130およびR132~R135は、前記と同じ意味を表す。前記繰り返し単位構造が、式23で示される請求項1記載の膜形成用組成物。前記繰り返し単位構造が、式24で表される請求項1記載の膜形成用組成物。式中、RおよびR′は、前記と同じ意味を表す。前記繰り返し単位構造が、式25で示される請求項6記載の膜形成用組成物。少なくとも1つの末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている請求項1~7のいずれか1項記載の膜形成用組成物。少なくとも1つのトリアジン環末端を有し、このトリアジン環末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている請求項8記載の膜形成用組成物。前記溶解促進剤が、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド結合、ウレタン結合、および尿素結合から選ばれる1種または2種以上の基を含む化合物である請求項1~9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。前記溶解促進剤が、水である請求項1~9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。前記溶解促進剤が、酸である請求項1~9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。前記溶解促進剤が、塩基である請求項1~9のいずれか1項記載の膜形成用組成物。請求項1~13のいずれか1項記載の膜形成用組成物から得られる膜。基材と、この基材上に形成された請求項14記載の膜とを備える電子デバイス。基材と、この基材上に形成された請求項14記載の膜とを備える光学部材。請求項14記載の膜を少なくとも1層備える、電荷結合素子または相補性金属酸化膜半導体からなる固体撮像素子。請求項14記載の膜をカラーフィルター上の平坦化層として備える固体撮像素子。請求項1~13のいずれか1項記載の膜形成用組成物からなる、固体撮像素子用レンズ材料、平坦化材料または埋め込み材料。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーを含み、レジスト溶剤をはじめとする有機溶媒に対する溶解性に優れ、低粘度なためハンドリング性およびろ過性が良好な、ろ過後に異物が発生しにくい膜形成用組成物を提供することを目的とする。本発明者らは、トリアジン環および芳香環を有する繰り返し単位を含むハイパーブランチポリマーが1.7を超える屈折率を有し、ポリマー単独で高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、低体積収縮を達成でき、電子デバイスを作製する際の膜形成用組成物として好適であることを既に見出しているPCT/JP2010/057761。このトリアジン環を有するハイパーブランチポリマーは、一般的なレジスト溶剤などに溶解し得るポリマーであるものの、その構造によっては、1溶解するのに時間を要する、2粘度が増加してハンドリング性が悪くなる、3ろ過性が低下する、4ろ過後に異物が発生する、などの問題が発生する場合があることがわかってきた。そこで、本発明者らは、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが、分子間でN-HNの水素結合を形成し易いことに起因して上記各問題が発生するのではないかと推測し、さらなる検討を重ねた結果、このハイパーブランチポリマーに、水素結合を切断可能な化合物を加えることで溶解を促進し、上述した各種問題点を解消でき、これら各成分を含む組成物が、電子デバイスを作製する際の膜形成用組成物としてより好適なものとなることを見出し、本発明を完成した。なお、生体高分子の技術分野では、アデニンとチミンとが分子間でN-HO=C、N-HNによって水素結合を形成し、グアニンとシトシンとが分子間でC=OH-N、N-HN、N-HO=Cによって水素結合を形成しているが、この強固な水素結合も、水、酸、尿素などの添加物によって組み換えが発生し、切断できることが知られている。また、この水素結合を切断する手法を利用したポリアミドの接合方法が報告されており特許文献5、水素結合の切断によって、強固な接合が可能であることが記載されているが、本発明で用いるような、トリアジン環およびアミノ基の双方を有する化合物が上述した各問題点を有していることや、水素結合切断作用を有する溶解促進剤を加えることで、それらの問題点を解消し得ることについては記載されていない。すなわち、本発明は、1.下記式1で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、および少なくとも前記ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアリールアミン由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物。式中、RおよびR′は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、またはアラルキル基を表しただし、RおよびR′の少なくとも一方は水素原子である。、Arは、芳香環および複素環のいずれか一方または双方を含む2価の有機基を表す。2.前記Arが、式2~18で示される群から選ばれる少なくとも1種を表す1の膜形成用組成物、式中、R1~R128は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、W1およびW2は、互いに独立して、単結合、CR129R130R129およびR130は、互いに独立して、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基ただし、これらは一緒になって環を形成していてもよい。を表す。、C=O、O、S、SO、SO2、またはNR131R131は、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基を表す。を表し、X1およびX2は、互いに独立して、単結合、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基、または式19式中、R132~R135は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、Y1およびY2は、互いに独立して、単結合または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基を表す。で示される基を表す。3.前記Arが、式5~12および14~18で示される群から選ばれる少なくとも1種である2の膜形成用組成物、4.前記Arが、下記式20~22で示される群から選ばれる少なくとも1種である2の膜形成用組成物、式中、R32~R37、R69~R80、R129、R130およびR132~R135は、前記と同じ意味を表す。5.前記繰り返し単位構造が、式23で示される1の膜形成用組成物、6.前記繰り返し単位構造が、式24で表される1の膜形成用組成物、式中、RおよびR′は、前記と同じ意味を表す。7.前記繰り返し単位構造が、式25で示される6の膜形成用組成物、8.少なくとも1つの末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている1~7のいずれかの膜形成用組成物、9.少なくとも1つのトリアジン環末端を有し、このトリアジン環末端が、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、またはエステル基でキャップされている8の膜形成用組成物、10.前記溶解促進剤が、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド結合、ウレタン結合、および尿素結合から選ばれる1種または2種以上の基を含む化合物である1~9のいずれかの膜形成用組成物、11.前記溶解促進剤が、水である1~9のいずれかの膜形成用組成物、12.前記溶解促進剤が、酸である1~9のいずれかの膜形成用組成物、13.前記溶解促進剤が、塩基である1~9のいずれかの膜形成用組成物、14.1~13のいずれかの膜形成用組成物から得られる膜、15.基材と、この基材上に形成された14の膜とを備える電子デバイス、16.基材と、この基材上に形成された14の膜とを備える光学部材、17.14の膜を少なくとも1層備える、電荷結合素子または相補性金属酸化膜半導体からなる固体撮像素子、18.14の膜をカラーフィルター上の平坦化層として備える固体撮像素子、19.1~13のいずれかの膜形成用組成物からなる、固体撮像素子用レンズ材料、平坦化材料または埋め込み材料を提供する。本発明によれば、レジスト溶剤をはじめとした各種有機溶媒に素早く溶解し、低粘度でハンドリング性が良く、ろ過性が良好であり、ろ過した後に異物が発生しない、トリアジン環含有重合体および溶解促進剤を含む膜形成用組成物を提供できる。上記ポリマー骨格とすることで、12級アミンをポリマーのスペーサーとして用いる、2末端に1級アミンが置換している、場合においても高耐熱性、高透明性を維持でき、これまで、耐熱性および透明性が損なわれると考えられていたモノマーユニットを用いた場合でも、ポリマー骨格をハイパーブランチ型に変更するのみで物性をコントロールできる可能性がある。本発明に用いるハイパーブランチポリマーが高屈折率を発現するのは、ハイパーブランチ型の構造にすることで、トリアジン環とアリールAr部分とが密に集まり、電子密度が上がっているためであると考えられる。特に、上記Rおよび/またはR′が水素原子の場合、ハイパーブランチ型の構造にすることで、トリアジン環上の窒素原子とアミン部位の水素原子が水素結合し、よりトリアジン環とアリールAr部分が密に集まり、電子密度が上がるものと考えられる。そのため、硫黄原子をその分子中に有しないポリマーであっても、例えば、屈折率1.70550nmにて測定以上の高屈折率を示す。この屈折率の範囲は、使用場面にもよるが、下限値としては、好ましくは1.70以上、より好ましくは1.75以上、さらに好ましくは1.80以上である。上限値は、特に制限されないが、2.00~1.95以下程度である。高屈折率を発現する一方で、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーは分子間でトリアジン環上の窒素原子とアミン部位の水素原子とが水素結合しており、その結合力が強固なとき、レジスト溶剤に溶解させる際に、1溶解するのに時間を要する、2粘度が増加しハンドリング性が悪くなる、3ろ過性が低下する、4水素結合の組み換え再結合により、ろ過した後に異物が発生する、などの問題が発生する場合があるが、溶解促進剤を添加することで、これらの問題を解決することができる。これらの問題を解決できたことで、ポリマーやこれを含む組成物のハンドリング性が向上し、ろ過時間が短縮し、ろ過後に異物が発生しないことから、ワニスの製造時間の短縮、製造マージンの拡大を達成できる。また、安定的にワニスが調製できることで、製造したワニスの品質を安定的に管理できる。さらに、製造したワニスの保存安定性が向上し、異物が発生しないことから、任意の基板に製膜する際の製膜性が安定し、膜質と面内均一性が向上することで、作製する電子デバイスのプロセスマージンを向上できる。作製した電子デバイスは、異物などの欠陥が低減することで、歩留まりが向上し、生産コストの低減、生産スピードの向上が達成できる。そして、金属酸化物を含まず、ポリマー単独で高屈折率を発現できることから、エッチングやアッシングなどのドライプロセスを経る場合でも、エッチレートが一定となり、均一な膜厚の被膜を得ることができ、デバイスを作製する際のプロセスマージンが拡大する。また、本発明で用いるトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーは、合成時の出発原料であるモノマーの種類を変更することで、これが有する諸物性をコントロールできる。以上のような特性を有する本発明のトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーと溶解促進剤とを含む膜形成用組成物を用いて作製した膜は、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスELディスプレイ、光半導体LED素子、固体撮像素子、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池、有機薄膜トランジスタTFTなどの電子デバイスを作製する際の一部材として好適に利用できる。また、高屈折率が求められているレンズ用部材として好適に利用できる。特に高屈折率が求められている固体撮像素子の部材である、フォトダイオード上の埋め込み膜および平坦化膜、カラーフィルター前後の平坦化膜、マイクロレンズ、マイクロレンズ上の平坦化膜およびコンフォーマル膜として好適に利用できる。以下、本発明についてさらに詳しく説明する。本発明に係る膜形成用組成物は、式1で表される繰り返し単位構造を含むトリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、および少なくとも、ハイパーブランチポリマーの分子内および/または分子間で、トリアジン環上の窒素原子とジアリールアミン由来のNH基との間で形成された水素結合を切断する溶解促進剤を含んで構成される。上記式中、RおよびR′は、互いに独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、またはアラルキル基を表す。本発明において、アルキル基の炭素数としては特に限定されるものではないが、1~20が好ましく、ポリマーの耐熱性をより高めることを考慮すると、炭素数1~10がより好ましく、1~3がより一層好ましい。また、その構造は、鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-イソプロピル-シクロプロピル基、2-イソプロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。上記アルコキシ基の炭素数としては特に限定されるものではないが、1~20が好ましく、ポリマーの耐熱性をより高めることを考慮すると、炭素数1~10がより好ましく、1~3がより一層好ましい。また、そのアルキル部分の構造は、鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基等が挙げられる。上記アリール基の炭素数としては特に限定されるものではないが、6~40が好ましく、ポリマーの耐熱性をより高めることを考慮すると、炭素数6~16がより好ましく、6~13がより一層好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基等が挙げられる。アラルキル基の炭素数としては特に限定されるものではないが、炭素数7~20が好ましく、そのアルキル部分は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。その具体例としては、ベンジル基、p-メチルフェニルメチル基、m-メチルフェニルメチル基、o-エチルフェニルメチル基、m-エチルフェニルメチル基、p-エチルフェニルメチル基、2-プロピルフェニルメチル基、4-イソプロピルフェニルメチル基、4-イソブチルフェニルメチル基、α-ナフチルメチル基等が挙げられる。上記Arは、芳香環および複素環のいずれか一方または双方を含む2価の有機基であれば特に限定されるものではないが、本発明においては、式2~18で示される少なくとも1種が好ましく、特に、式5~18で示される少なくとも1種が好ましく、式5、7、8、11、12、14~18で示される少なくとも1種がより好ましい。上記R1~R128は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、W1およびW2は、互いに独立して、単結合、CR129R130R129およびR130は、互いに独立して、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基ただし、これらは一緒になって環を形成していてもよい。を表す。、C=O、O、S、SO、SO2、またはNR131R131は、水素原子または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基を表す。を表す。これらアルキル基、アルコキシ基としては上記と同様のものが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。また、X1およびX2は、互いに独立して、単結合、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基、または式19で示される基を表す。上記R132~R135は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホン基、炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキル基、または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルコキシ基を表し、Y1およびY2は、互いに独立して、単結合または炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基を表す。これらハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基としては上記と同様のものが挙げられる。炭素数1~10の分岐構造を有していてもよいアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等が挙げられる。本発明における好適なArとしては、フルオレン環を含有する2価の有機基等が挙げられ、例えば、下記式20および21で示される2価の有機基が好適である。なお、上記R32~R37、R69~R76、R129、R130およびR132~R135は、上記と同じ意味を表すが、いずれも水素原子が好ましい。上記式2~18で表されるアリール基の具体例としては、下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも、より高い屈折率のポリマーが得られることから、下記式で示されるアリール基がより好ましい。さらに、高屈折率を発現させるという点から、アリールAr部分としては、フルオレン骨格やカルバゾール骨格等の環状骨格を有する剛直な構造が、アリールAr部分が密に集まり易く、電子密度が向上するため好適であり、また、単純なベンゼン環も小さな構造であるため、アリールAr部分が密に集まり易く、電子密度が向上するため好適である。また、W1等のベンゼン環の連結基としては、高い水素結合能を有する、カルボニルを含む基やアミン等の官能基が、アミン部位の水素原子Rおよび/またはR′が水素原子の場合と水素結合を形成してよりアリールAr部分が密に集まり易く、電子密度が向上するため好適である。以上のような観点から、下記式で示されるアリール基が好ましい。より高い屈折率を発現するという点から、下記式で示されるアリール基がより好ましい。好適な繰り返し単位構造としては、下記式23で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、レジスト溶剤等の安全性の高い溶剤に対する上記ハイパーブランチポリマーの溶解性をより高めることを考慮すると、Ar基としては、式22で示されるm-フェニレンジアミン誘導体基が好ましい。上記R77~R80は、上記と同じ意味を表すが、いずれも水素原子が好適である。したがって、溶解性を良好にする好適な繰り返し単位構造としては、下記式24で示されるものが挙げられ、特にRおよびR′が共に水素原子である下記式25で示される繰り返し単位構造を有するハイパーブランチポリマーが最適である。式中、RおよびR′は、上記と同じ意味を表す。本発明で用いるハイパーブランチポリマーの重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、500~500,000が好ましく、500~100,000がより好ましく、より耐熱性を向上させるとともに、収縮率を低くするという点から、2,000以上が好ましく、より溶解性を高め、得られた溶液の粘度を低下させるという点から、50,000以下が好ましく、30,000以下がより好ましく、10,000以下がさらに好ましい。なお、本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、GPCという分析による標準ポリスチレン換算で得られる平均分子量である。本発明で用いるトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーの製造法について一例を挙げて説明する。なお、製造方法は、スキーム1、2および3に分類し、各スキームをさらに分類する場合は、aおよびb等で示した。例えば、下記スキーム1-aに示されるように、繰り返し構造23’を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル26およびアミノ基を有するビスアミノフェニルフルオレン化合物27を適当な有機溶媒中で反応させて得ることができる。下記スキーム1-bに示されるように、繰り返し構造24’を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル26およびm-フェニレンジアミン化合物28を適当な有機溶媒中で反応させて得ることができる。式中、Xは、互いに独立してハロゲン原子を表す。Rは上記と同じ意味を表す。また、下記スキーム2-aに示されるように、繰り返し構造23’を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル26およびアミノ基を有するビスアミノフェニルフルオレン化合物27を適当な有機溶媒中で等量用いて反応させて得られる化合物29から合成することもできる。下記スキーム2-bに示されるように、繰り返し構造24’を有するハイパーブランチポリマーは、ハロゲン化シアヌル26およびm-フェニレンジアミン化合物28を適当な有機溶媒中で等量用いて反応させて得られる化合物30から合成することもできる。式中、Xは、互いに独立してハロゲン原子を表す。Rは上記と同じ意味を表す。以上の方法を用いることで、本発明のハイパーブランチポリマーを、安価に、しかも簡便かつ安全に製造することができる。この製造方法は、一般的なポリマーを合成する際の反応時間よりも著しく短いことから、近年の環境への配慮に適合した製造方法であり、CO2排出量を低減できる。また、製造スケールを大幅に増加させても安定製造することが可能であり、工業化レベルでの安定供給体制を損なわない。特に、原料である塩化シアヌルの安定性および工業的観点を考慮すると、スキーム2による製法がより好ましい。スキーム1および2の方法の場合、各原料の仕込み量としては、目的とするハイパーブランチポリマーが得られる限りにおいて任意であるが、ハロゲン化シアヌル261当量に対し、ジアミノ化合物27,280.01~10当量が好ましい。特に、スキーム1の方法の場合、ハロゲン化シアヌル262当量に対して、ジアミノ化合物27,28を3当量用いることを避けることが好ましい。官能基の当量をずらすことで、ゲル化物の生成を防ぐことができる。種々の分子量のトリアジン環末端を多く有するハイパーブランチポリマーを得るために、ハロゲン化シアヌル262当量に対して、ジアミノ化合物27,28を3当量未満の量で用いることが好ましい。一方、種々の分子量のアミン末端を多く有するハイパーブランチポリマーを得るために、ジアミノ化合物27,283当量に対して、ハロゲン化シアヌル26を2当量未満の量で用いることが好ましい。例えば、薄膜を作製した場合に、優れた透明性や耐光性を有するという点では、トリアジン環末端を多く有するハイパーブランチポリマーが好ましい。このように、ジアミノ化合物27,28やハロゲン化シアヌル26の量を適宜調節することで、得られるハイパーブランチポリマーの分子量を容易に調節することができる。上記有機溶媒としては、この種の反応において通常用いられる種々の溶媒を用いることができ、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド;N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチル-2-ピロリドン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピペリドン、N,N-ジメチルエチレン尿素、N,N,N’,N’-テトラメチルマロン酸アミド、N-メチルカプロラクタム、N-アセチルピロリジン、N,N-ジエチルアセトアミド、N-エチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルプロピオン酸アミド、N,N-ジメチルイソブチルアミド、N-メチルホルムアミド、N,N’-ジメチルプロピレン尿素等のアミド系溶媒、およびそれらの混合溶媒が挙げられる。中でもN,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、およびそれらの混合溶媒が好ましく、特に、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドンが好適である。スキーム1の反応およびスキーム2の第2段階の反応において、反応温度は、用いる溶媒の融点から溶媒の沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、0~150°C程度が好ましく、60~100°Cがより好ましい。特にスキーム1の反応では、リニア性を抑え、分岐度を高めるという点から、反応温度は60~150°Cが好ましく、80~150°Cが好ましく、80~120°Cが好ましい。スキーム2の第1段階の方法において、反応温度は、用いる溶媒の融点から溶媒の沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、-50~50°C程度が好ましく、-20~50°C程度がより好ましく、-10~50°C程度がより一層好ましく、-10~10°Cがさらに好ましい。特にスキーム2の方法では、-50~50°Cで反応させる第1工程と、この工程に続いて60~150°Cで反応させる第2工程とからなる2段階工程を採用することが好ましい。上記各反応において、各成分の配合順序は任意であるが、スキーム1の反応においては、ハロゲン化シアヌル26またはジアミノ化合物27,28および有機溶媒を含む溶液を60~150°C、好ましくは80~150°Cに加熱し、この温度で、当該溶液中に、ジアミノ化合物27,28またはハロゲン化シアヌル26を加える方法が最適である。この場合、予め溶媒に溶かしておく成分および後から加える成分はどちらでもよいが、ジアミノ化合物27,28の加熱溶液中に、ハロゲン化シアヌル26を添加する手法が好ましい。また、スキーム2の反応において、予め溶媒に溶かしておく成分および後から加える成分はどちらでもよいが、ハロゲン化シアヌル26の冷却溶液中に、ジアミノ化合物27,28を添加する手法が好ましい。後から加える成分は、ニートで加えても、上述したような有機溶媒に溶かした溶液で加えてもよいが、操作の容易さや反応のコントロールのし易さなどを考慮すると、後者の手法が好適である。また、添加は、滴下等によって徐々に加えても、全量一括して加えてもよい。スキーム1において、加熱した状態で、両化合物を混合した後は、段階的に温度を上げることなく一段階で反応させた場合でも、ゲル化することなく、目的とするトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーを得ることができる。また、上記スキーム1の反応およびスキーム2の第2段階の反応では、重合時または重合後に通常用いられる種々の塩基を添加してもよい。この塩基の具体例としては、炭酸カリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウムエトキシド、酢酸ナトリウム、炭酸リチウム、水酸化リチウム、酸化リチウム、酢酸カリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、水酸化バリウム、リン酸三リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、フッ化セシウム、酸化アルミニウム、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N-メチルピペリジン、2,2,6,6-テトラメチル-N-メチルピペリジン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、N-メチルモルホリン等が挙げられる。塩基の添加量は、ハロゲン化シアヌル261当量に対して1~100当量が好ましく、1~10当量がより好ましい。なお、これらの塩基は水溶液にして用いてもよい。得られるポリマーには、原料成分が残存していないことが好ましいが、本発明の効果を損なわなければ一部の原料が残存していてもよい。いずれのスキームの方法においても、反応終了後、生成物は再沈法等によって容易に精製できる。なお、本発明においては、少なくとも1つの末端トリアジン環のハロゲン原子の一部を、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、エステル基等でキャップしてもよい。これらの中でも、アルキルアミノ基、アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、アリールアミノ基が好ましく、アルキルアミノ基、アリールアミノ基がより好ましく、アリールアミノ基がさらに好ましい。エステル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。アルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、n-プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、n-ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、s-ブチルアミノ基、t-ブチルアミノ基、n-ペンチルアミノ基、1-メチル-n-ブチルアミノ基、2-メチル-n-ブチルアミノ基、3-メチル-n-ブチルアミノ基、1,1-ジメチル-n-プロピルアミノ基、1,2-ジメチル-n-プロピルアミノ基、2,2-ジメチル-n-プロピルアミノ基、1-エチル-n-プロピルアミノ基、n-ヘキシルアミノ基、1-メチル-n-ペンチルアミノ基、2-メチル-n-ペンチルアミノ基、3-メチル-n-ペンチルアミノ基、4-メチル-n-ペンチルアミノ基、1,1-ジメチル-n-ブチルアミノ基、1,2-ジメチル-n-ブチルアミノ基、1,3-ジメチル-n-ブチルアミノ基、2,2-ジメチル-n-ブチルアミノ基、2,3-ジメチル-n-ブチルアミノ基、3,3-ジメチル-n-ブチルアミノ基、1-エチル-n-ブチルアミノ基、2-エチル-n-ブチルアミノ基、1,1,2-トリメチル-n-プロピルアミノ基、1,2,2-トリメチル-n-プロピルアミノ基、1-エチル-1-メチル-n-プロピルアミノ基、1-エチル-2-メチル-n-プロピルアミノ基等が挙げられる。アラルキルアミノ基の具体例としては、ベンジルアミノ基、メトキシカルボニルフェニルメチルアミノ基、エトキシカルボニルフェニルメチルアミノ基、p-メチルフェニルメチルアミノ基、m-メチルフェニルメチルアミノ基、o-エチルフェニルメチルアミノ基、m-エチルフェニルメチルアミノ基、p-エチルフェニルメチルアミノ基、2-プロピルフェニルメチルアミノ基、4-イソプロピルフェニルメチルアミノ基、4-イソブチルフェニルメチルアミノ基、ナフチルメチルアミノ基、メトキシカルボニルナフチルメチルアミノ基、エトキシカルボニルナフチルメチルアミノ基等が挙げられる。アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、メトキシカルボニルフェニルアミノ基、エトキシカルボニルフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、メトキシカルボニルナフチルアミノ基、エトキシカルボニルナフチルアミノ基、アントラニルアミノ基、ピレニルアミノ基、ビフェニルアミノ基、ターフェニルアミノ基、フルオレニルアミノ基等が挙げられる。アルコキシシリル基含有アルキルアミノ基としては、モノアルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、ジアルコキシシリル基含有アルキルアミノ基、トリアルコキシシリル基含有アルキルアミノ基のいずれでもよく、その具体例としては、3-トリメトキシシリルプロピルアミノ基、3-トリエトキシシリルプロピルアミノ基、3-ジメチルエトキシシリルプロピルアミノ基、3-メチルジエトキシシリルプロピルアミノ基、N-2-アミノエチル-3-ジメチルメトキシシリルプロピルアミノ基、N-2-アミノエチル-3-メチルジメトキシシリルプロピルアミノ基、N-2-アミノエチル-3-トリメトキシシリルプロピルアミノ基等が挙げられる。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、ナフトキシ基、アントラニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、ターフェニルオキシ基、フルオレニルオキシ基等が挙げられる。アラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、p-メチルフェニルメチルオキシ基、m-メチルフェニルメチルオキシ基、o-エチルフェニルメチルオキシ基、m-エチルフェニルメチルオキシ基、p-エチルフェニルメチルオキシ基、2-プロピルフェニルメチルオキシ基、4-イソプロピルフェニルメチルオキシ基、4-イソブチルフェニルメチルオキシ基、α-ナフチルメチルオキシ基等が挙げられる。その他、アルキル基、アラルキル基、アリール基としては上述した基と同様のものが挙げられる。これらの基は、トリアジン環上のハロゲン原子を対応する置換基を与える化合物で置換することで容易に導入することができ、例えば、下記式スキーム3-a,bに示されるように、アニリン誘導体を加えて反応させることで、少なくとも1つの末端にフェニルアミノ基を有するハイパーブランチポリマー31,32が得られる。式中、XおよびRは上記と同じ意味を表す。この際、有機モノアミンの同時仕込みを行う、すなわち、有機モノアミンの存在下で、ハロゲン化シアヌル化合物と、ジアミノアリール化合物とを反応させることで、ハイパーブランチポリマーの剛直性が緩和された、分岐度の低い柔らかいハイパーブランチポリマーを得ることができる。この手法によって得られたハイパーブランチポリマーは、溶剤への溶解性凝集抑制や、架橋剤との架橋性に優れたものとなるため、後述する架橋剤と組み合わせた組成物として用いる場合に特に有利である。ここで、有機モノアミンとしては、アルキルモノアミン、アラルキルモノアミン、アリールモノアミンのいずれを用いることもできる。アルキルモノアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、s-ブチルアミン、t-ブチルアミン、n-ペンチルアミン、1-メチル-n-ブチルアミン、2-メチル-n-ブチルアミン、3-メチル-n-ブチルアミン、1,1-ジメチル-n-プロピルアミン、1,2-ジメチル-n-プロピルアミン、2,2-ジメチル-n-プロピルアミン、1-エチル-n-プロピルアミン、n-ヘキシルアミン、1-メチル-n-ペンチルアミン、2-メチル-n-ペンチルアミン、3-メチル-n-ペンチルアミン、4-メチル-n-ペンチルアミン、1,1-ジメチル-n-ブチルアミン、1,2-ジメチル-n-ブチルアミン、1,3-ジメチル-n-ブチルアミン、2,2-ジメチル-n-ブチルアミン、2,3-ジメチル-n-ブチルアミン、3,3-ジメチル-n-ブチルアミン、1-エチル-n-ブチルアミン、2-エチル-n-ブチルアミン、1,1,2-トリメチル-n-プロピルアミン、1,2,2-トリメチル-n-プロピルアミン、1-エチル-1-メチル-n-プロピルアミン、1-エチル-2-メチル-n-プロピルアミン、2-エチルヘキシルアミン等が挙げられる。アラルキルモノアミンの具体例としては、ベンジルアミン、p-メトキシカルボニルベンジルアミン、p-エトキシカルボニルベンジルアミン、p-メチルベンジルアミン、m-メチルベンジルアミン、o-メトキシベンジルアミン等が挙げられる。アリールモノアミンの具体例としては、アニリン、p-メトキシカルボニルアニリン、p-エトキシカルボニルアニリン、p-メトキシアニリン、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アントラニルアミン、1-アミノピレン、4-ビフェニリルアミン、o-フェニルアニリン、4-アミノ-p-ターフェニル、2-アミノフルオレン等が挙げられる。この場合、有機モノアミンの使用量は、ハロゲン化シアヌル化合物1当量に対して、0.05~500当量が好ましく、0.05~120当量がより好ましく、0.05~50当量がより一層好ましい。この場合の反応温度も、リニア性を抑え、分岐度を高めるという点から、60~150°Cが好ましく、80~150°Cが好ましく、80~120°Cが好ましい。ただし、有機モノアミン、ハロゲン化シアヌル化合物、ジアミノアリール化合物の3成分の混合は、低温下で行ってもよく、その場合の温度としては、-50~50°C程度が好ましく、-20~50°C程度がより好ましく、-20~10°Cがさらに好ましい。低温仕込み後は、重合させる温度まで一気に一段階で昇温して反応を行うことが好ましい。また、ハロゲン化シアヌル化合物とジアミノアリール化合物の2成分の混合を低温下で行ってもよく、その場合の温度としては、-50~50°C程度が好ましく、-20~50°C程度がより好ましく、-20~10°Cがさらに好ましい。低温仕込み後、有機モノアミンを加え、重合させる温度まで一気に一段階で昇温して反応を行うことが好ましい。また、このような有機モノアミンの存在下で、ハロゲン化シアヌル化合物と、ジアミノアリール化合物とを反応させる反応は、上述と同様の有機溶媒を用いて行ってもよい。上述したトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーは、完全に乾燥させた固体の状態では、分子内および分子間で媒体となる化合物がないため、強力な水素結合を形成する。具体的な水素結合としては、トリアジン環含有重合体のトリアジン環上の窒素原子とジアリールアミン由来のアミン部位の水素原子との水素結合や、ポリマー末端をアミンでキャップした場合における末端アミン同士の水素結合などが挙げられ、これらの水素結合では、非共有結合性の引力的相互作用により結合を形成している。この固体状態における強力な水素結合によって、本来、それ自体は溶解する性質を有するポリマーであるにも関わらず、溶剤を用いた溶液調製時にも当該水素結合が維持されて、ポリマーが溶剤に溶解しにくくなる場合がある。このような観点から、本発明の膜形成用組成物には、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが分子内および/または分子間で形成した水素結合を切断する作用を有する化合物である溶解促進剤を添加する。溶解促進剤を添加することによって、上記水素結合が切断され、またはそれが一旦切断後に組み変えられ、固体の状態での水素結合の環境が変化し、溶剤に対する溶解性が飛躍的に向上し、また、一旦、溶液の状態になると水素結合の環境が飽和し、高溶解性が発現されるようになる。なお、溶解促進剤は、上述した各部位の水素結合の少なくとも一部を切断する作用を有していればよく、また、切断後、再度水素結合を組み換える作用を有していてもよい。すなわち、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーが固体であったときの水素結合の環境を、溶剤に溶解する際や、溶解後に異なった環境とし得るものであればよい。このような溶解促進剤としては、上記作用を有しているものであれば、特に限定されるものではないが、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド結合、ウレタン結合、および尿素結合から選ばれる1種または2種以上の基を含む化合物が好ましい。このような基結合を含む溶解促進剤の具体例としては、水、酸、塩基、酸と塩基とから形成される塩が挙げられる。水としては、イオン交換水、超純水などを用いることができる。水は、溶解促進剤として作用する最も小さなユニットであるため、本発明のトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーの分子間等に入り込みやすく、また、新たな水素結合を形成し易いため、最適な溶解促進剤である。酸としては、広義にはルイス酸、無機酸、有機酸などが挙げられる。その具体例としては、塩酸、過塩素酸、塩素酸、ホウ酸、臭素酸、ヨウ素酸、過臭素酸、メタ過ヨウ素酸、過マンガン酸、チオシアン酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、蟻酸、炭酸、シュウ酸、クエン酸、アミノ酸、ヒアルロン酸、安息香酸、サリチル酸、アクリル酸、メタクリル酸、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、カンファスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-アミノ安息香酸、アントラニル酸、5-メチルイソフタル酸、p-トルイル酸、m-トルイル酸、o-トルイル酸、p-トリル酢酸、2-ヒドロキシアセトフェノン、2-フェニルアセトアミド、3-フェニルプロピオン酸、4-アミノフェネチルアルコール、3-フェニル-1-プロパノール、4-ヒドロキシメチル安息香酸、テレフタルアルデヒド酸、3,5-ジメチル安息香酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール、1-オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、シクロヘキサノール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、γ-ブチロラクトン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert-ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、2-メチル-2-ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、2-メチル-1-プロパノール、2-メチル-1-ブタノール、1-ペンタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-エチルヘキサノール、1-メトキシ-2-ブタノール、ジアセトンアルコール、イソプロピルエーテル、1,4-ジオキサンなどが挙げられる。塩基としては、広義にはルイス塩基、無機塩基、有機塩基などが挙げられる。その具体例としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、水酸化トリメチルスルホニウム、水酸化ジフェニルヨードニウム、アンモニア水、ピリジン、トリエチルアミン、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン、ベンズアミド、4-ピコリン、4-アミノピリジン、4-ヒドロキシピリジン、4-メルカプトピリジン、3-ピコリン、3-アミノピリジン、2-ピコリン、2-アミノピリジン、3-ヒドロキシピリジン、2-ヒドロキシピリジン、4-エチルピリジン、3,5-ルチジン、3,4-ルチジン、2,6-ルチジン、2,5-ジメチルピロール、2,6-ジアミノピリジン、3-エチルピリジン、3,4-ジアミノピリジン、4-ピリジンカルボキシアルデヒド、4-メトキシピリジン、4-ピコリルアミン、3-ビニルピリジン、3-エチニルピリジン、2-メチルイミダゾール、2,3,5-トリメチルピラジン、3-アミノピラゾール、2-アミノピリミジン、2-メルカプトピリミジン、2-ヒドロキシピリミジン、4,6-ピリミジンジアミン、2,4-ジアミノピリミジン、4,6-ジヒドロキシピリミジン、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールなどが挙げられる。また、溶解促進剤としては、上述した酸と塩基との組み合わせでもよく、このような組み合わせとしては、アミンのカルボン酸塩、アミンの硫酸塩、アミンの硝酸塩、アミンの亜硝酸塩などが挙げられる。その具体例としては、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライト、ジシクロヘキシルアンモニウムサリシレート、モノエタノールアミンベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウムベンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムベンゾエート、ジイソプロピルアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルアミンカーバメート、ニトロナフタレンアンモニウムナイトライト、シクロヘキシルアミンベンゾエート、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキシルアミンシクロヘキサンカルボキシレート、ジシクロヘキシルアンモニウムアクリレート、シクロヘキシルアミンアクリレートなどが挙げられる。組成物中における溶解促進剤の含有量は、特に限定されるものではないが、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマー100質量部固形分換算に対して、0.01~100質量部が好ましく、0.1~50質量部がより好ましく、1~20質量部がより一層好ましい。溶解促進剤の含有量は組成物の製膜性が良好であり、作製する有機膜の光学特性を著しく変化させない範囲で用いることができる。上述したように、溶解促進剤は、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーを溶剤で溶解させる際にその効力を最も発揮するものである。このような溶剤の具体例としては、トルエン、p-キシレン、o-キシレン、m-キシレン、エチルベンゼン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ-ルモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、1-オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、1-メトキシ-2-ブタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、γ-ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、乳酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、tert-ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、2-メチル-2-ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、2-メチル-1-ブタノール、1-ペンタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-エチルヘキサノール、1-メトキシ-2-プロパノール、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、N-シクロヘキシル-2-ピロリジノン等が挙げられ、これらは単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。この場合、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーと溶剤とを混合し、その後に溶解促進剤を添加しても、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマーと溶解促進剤とを混合し、その後に溶剤を添加しても、溶剤と溶解促進剤とを混合し、その後にトリアジン環含有ハイパーブランチポリマーを添加してもよい。本発明の膜形成用組成物では、本発明の効果を損なわない限りにおいて、トリアジン環含有ハイパーブランチポリマー、および溶解促進剤以外のその他の成分、例えば、レベリング剤、界面活性剤、架橋剤等が含まれていてもよい。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類;ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類;ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類;ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップEF301、EF303、EF352三菱マテリアル電子化成株製旧株ジェムコ製、商品名メガファックF171、F173、R-08、R-30、F-553、F-554DIC株製、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、商品名アサヒガードAG710,サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製、BYK-302、BYK-307、BYK-322、BYK-323、BYK-330、BYK-333、BYK-370、BYK-375、BYK-378ビックケミージャパン株製等が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で使用しても、2種以上組み合わせて使用してもよい。界面活性剤の使用量は、ハイパーブランチポリマー100質量部に対して0.0001~5質量部が好ましく、0.001~1質量部がより好ましく、0.01~0.5質量部がより一層好ましい。架橋剤としては、本発明のハイパーブランチポリマーと反応し得る置換基を有する化合物であれば特に限定されるものではない。そのような化合物としては、メチロール基、メトキシメチル基などの架橋形成置換基を有するメラミン系化合物、置換尿素系化合物、エポキシ基またはオキセタン基などの架橋形成置換基を含有する化合物、ブロック化イソシアナートを含有する化合物、酸無水物を有する化合物、メタアクリル基を有する化合物、フェノプラスト化合物等が挙げられるが、耐熱性や保存安定性の観点からエポキシ基、ブロックイソシアネート基、メタアクリル基を含有する化合物が好ましい。また、ブロックイソシアネート基は、尿素結合で架橋し、カルボニル基を有するため屈折率が低下しないという点からも好ましい。なお、これらの化合物は、ポリマーの末端処理に用いる場合は少なくとも1個の架橋形成置換基を有していればよく、ポリマー同士の架橋処理に用いる場合は少なくとも2個の架橋形成置換基を有する必要がある。エポキシ化合物としては、エポキシ基を一分子中2個以上有し、熱硬化時の高温に曝されると、エポキシが開環し、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で付加反応により架橋反応が進行するものである。架橋剤の具体例としては、トリス2,3-エポキシプロピルイソシアヌレート、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-エポキシエチルシクロヘキサン、グリセロールトリグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、2,6-ジグリシジルフェニルグリシジルエーテル、1,1,3-トリス[p-2,3-エポキシプロポキシフェニル]プロパン、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸ジグリシジルエステル、4,4’-メチレンビスN,N-ジグリシジルアニリン、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ビスフェノール-A-ジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル等が挙げられる。また、市販品として、少なくとも2個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である、YH-434、YH434L東都化成株製、シクロヘキセンオキサイド構造を有するエポキシ樹脂である、エポリードGT-401、同GT-403、同GT-301、同GT-302、セロキサイド2021、同3000ダイセル化学工業株製、ビスフェノールA型エポキシ樹脂である、エピコート現、jER1001、同1002、同1003、同1004、同1007、同1009、同1010、同828以上、ジャパンエポキシレジン株製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂である、エピコート現、jER807ジャパンエポキシレジン株製、フェノールノボラック型エポキシ樹脂である、エピコート現、jER152、同154以上、ジャパンエポキシレジン株製、EPPN201、同202以上、日本化薬株製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である、EOCN-102、同103S、同104S、同1020、同1025、同1027以上、日本化薬株製、エピコート現、jER180S75ジャパンエポキシレジン株製、脂環式エポキシ樹脂である、デナコールEX-252ナガセケムテックス株製、CY175、CY177、CY179以上、CIBA-GEIGYA.G製、アラルダイトCY-182、同CY-192、同CY-184以上、CIBA-GEIGYA.G製、エピクロン200、同400以上、DIC株製、エピコート現、jER871、同872以上、ジャパンエポキシレジン株製、ED-5661、ED-5662以上、セラニーズコーティング株製、脂肪族ポリグリシジルエーテルである、デナコールEX-611、同EX-612、同EX-614、同EX-622、同EX-411、同EX-512、同EX-522、同EX-421、同EX-313、同EX-314、同EX-321ナガセケムテックス株製等を用いることもできる。酸無水物化合物としては、2分子のカルボン酸を脱水縮合させたカルボン酸無水物であり、熱硬化の際の高温に曝されると、無水物環が開環し、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で付加反応により架橋反応が進行するものである。また、酸無水物化合物の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、オクチル無水コハク酸、ドデセニル無水コハク酸等の分子内に1個の酸無水物基を有するもの;1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸無水物、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物、ビシクロ[3.3.0]オクタン-2,4,6,8-テトラカルボン酸二無水物、5-2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3-ジメチル-1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物等の分子内に2個の酸無水物基を有するもの等が挙げられる。メタアクリル化合物としては、メタアクリル基を一分子中2個以上有し、そして熱硬化時の高温に曝されると、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で付加反応により架橋反応が進行するものである。メタアクリル基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、エトキシ化グリセリントリメタクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エトキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ポリグリセリンモノエチレンオキサイドポリアクリレート、ポリグリセリンポリエチレングリコールポリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート等が挙げられる。上記メタアクリル基を有する化合物は、市販品として入手が可能であり、その具体例としては、NKエステルA-200、同A-400、同A-600、同A-1000、同A-TMPT、同UA-53H、同1G、同2G、同3G、同4G、同9G、同14G、同23G、同ABE-300、同A-BPE-4、同A-BPE-6、同A-BPE-10、同A-BPE-20、同A-BPE-30、同BPE-80N、同BPE-100N、同BPE-200、同BPE-500、同BPE-900、同BPE-1300N、同A-GLY-3E、同A-GLY-9E、同A-GLY-20E、同A-TMPT-3EO、同A-TMPT-9EO、同ATM-4E、同ATM-35E以上、新中村化学工業株製、KAYARAD登録商標DPEA-12、同PEG400DA、同THE-330、同RP-1040以上、日本化薬株製、M-210、M-350以上、東亞合成株製、KAYARAD登録商標DPHA、同NPGDA、同PET30以上、日本化薬株製、NKエステルA-DPH、同A-TMPT、同A-DCP、同A-HD-N、同TMPT、同DCP、同NPG、同HD-N以上、新中村化学工業株製等が挙げられる。ブロック化イソシアネートを含有する化合物としては、イソシアネート基-NCOが適当な保護基によりブロックされたブロック化イソシアネート基を一分子中2個以上有し、熱硬化時の高温に曝されると、保護基ブロック部分が熱解離して外れ、生じたイソシアネート基が樹脂との間で架橋反応を起こすものであり、例えば、下記式で示される基を一分子中2個以上なお、これらの基は同一のものでも、また各々異なっているものでもよい有する化合物が挙げられる。式中、Rbはブロック部の有機基を表す。このような化合物は、例えば、一分子中2個以上のイソシアネート基を有する化合物に対して適当なブロック剤を反応させて得ることができる。一分子中2個以上のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、イソホロンジイソシアネート、1,6-ヘキサメチレンジイソシアネート、メチレンビス4-シクロヘキシルイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートのポリイソシアネートや、これらの二量体、三量体、および、これらとジオール類、トリオール類、ジアミン類、またはトリアミン類との反応物などが挙げられる。ブロック剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、2-エトキシヘキサノール、2-N,N-ジメチルアミノエタノール、2-エトキシエタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類;フェノール、o-ニトロフェノール、p-クロロフェノール、o-、m-またはp-クレゾール等のフェノール類;ε-カプロラクタム等のラクタム類、アセトンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、メチルイソブチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム等のオキシム類;ピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール、3-メチルピラゾール等のピラゾール類;ドデカンチオール、ベンゼンチオール等のチオール類などが挙げられる。ブロック化イソシアネートを含有する化合物は、市販品としても入手が可能であり、その具体例としては、B-830、B-815N、B-842N、B-870N、B-874N、B-882N、B-7005、B-7030、B-7075、B-5010以上、三井化学ポリウレタン株製、デュラネート登録商標17B-60PX、同TPA-B80E、同MF-B60X、同MF-K60X、同E402-B80T以上、旭化成ケミカルズ株製、カレンズMOI-BM登録商標以上、昭和電工株製等が挙げられる。アミノプラスト化合物としては、メトキシメチレン基を一分子中2個以上有し、そして熱硬化時の高温に曝されると、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で脱メタノール縮合反応により架橋反応が進行するものである。メラミン系化合物としては、例えば、ヘキサメトキシメチルメラミンCYMEL登録商標303、テトラブトキシメチルグリコールウリル同1170、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン同1123以上、日本サイテックインダストリーズ株製等のサイメルシリーズ、メチル化メラミン樹脂であるニカラック登録商標MW-30HM、同MW-390、同MW-100LM、同MX-750LM、メチル化尿素樹脂である同MX-270、同MX-280、同MX-290以上、株三和ケミカル製等のニカラックシリーズ等が挙げられる。オキセタン化合物としては、オキセタニル基を一分子中2個以上有し、そして熱硬化時の高温に曝されると、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で付加反応により架橋反応が進行するものである。オキセタン基を有する化合物としては、例えば、オキセタン基を含有するOXT-221、OX-SQ-H、OX-SC以上、東亜合成株製等が挙げられる。フェノプラスト化合物としては、ヒドロキシメチレン基を一分子中2個以上有し、そして熱硬化時の高温に曝されると、本発明で用いるハイパーブランチポリマーとの間で脱水縮合反応により架橋反応が進行するものである。フェノプラスト化合物としては、例えば、2,6-ジヒドロキシメチル-4-メチルフェノール、2,4-ジヒドロキシメチル-6-メチルフェノール、ビス2-ヒドロキシ-3-ヒドロキシメチル-5-メチルフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3-ヒドロキシメチル-5-メチルフェニルメタン、2,2-ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジヒドロキシメチルフェニルプロパン、ビス3-ホルミル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニルホルミルメタン、α,α-ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-4-ホルミルトルエン等が挙げられる。フェノプラスト化合物は、市販品としても入手が可能であり、その具体例としては、26DMPC、46DMOC、DM-BIPC-F、DM-BIOC-F、TM-BIP-A、BISA-F、BI25X-DF、BI25X-TPA以上、旭有機材工業株製等が挙げられる。これらの架橋剤は単独で使用しても、2種以上組み合わせて使用してもよい。架橋剤の使用量は、ハイパーブランチポリマー100質量部に対して、1~100質量部が好ましいが、溶剤耐性を考慮すると、その下限は、好ましくは10質量部、より好ましくは20質量部であり、さらには、屈折率をコントロールすることを考慮すると、その上限は好ましくは50質量部、より好ましくは30質量部である。架橋剤を用いることで、架橋剤とハイパーブランチポリマーが有する反応性の末端置換基とが反応し、膜密度の向上、耐熱性の向上、熱緩和能力の向上などの効果を発現できる場合がある。なお、上記その他の成分は、本発明の組成物を調製する際の任意の工程で添加することができる。本発明の膜形成用組成物は、基材に塗布し、その後、必要に応じて加熱することで所望の膜を形成することができる。組成物の塗布方法は任意であり、例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、スリットコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等の方法を採用できる。また、基材としては、シリコン、インジウム錫酸化物ITOが成膜されたガラス、インジウム亜鉛酸化物IZOが成膜されたガラス、ポリエチレンテレフタレートPET、プラスチック、ガラス、石英、セラミックス等からなる基材等が挙げられ、可撓性を有するフレキシブル基材を用いることもできる。焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では特に限定されず、例えば40~400°Cで行うことができる。これらの場合、より高い均一製膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で2段階以上の温度変化をつけてもよい。焼成方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、大気、窒素等の不活性ガス、真空中等の適切な雰囲気下で蒸発させればよい。焼成温度および焼成時間は、目的とする電子デバイスのプロセス工程に適合した条件を選択すればよく、得られる膜の物性値が電子デバイスの要求特性に適合するような焼成条件を選択すればよい。このようにして得られた本発明の組成物からなる膜は、高耐熱性、高透明性、高屈折率、高溶解性、および低体積収縮を達成できるため、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスELディスプレイ、光半導体LED素子、固体撮像素子、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池、有機薄膜トランジスタTFTなどの電子デバイスを作製する際の一部材として好適に利用できる。なお、本発明の組成物には、必要に応じてその他の樹脂熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を配合してもよい。樹脂の具体例としては、特に限定されるものではない。熱可塑性樹脂としては、例えば、PEポリエチレン、PPポリプロピレン、EVAエチレン-酢酸ビニル共重合体、EEAエチレン-アクリル酸エチル共重合体等のポリオレフィン系樹脂;PSポリスチレン、HIPSハイインパクトポリスチレン、ASアクリロニトリル-スチレン共重合体、ABSアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体、MSメタクリル酸メチル-スチレン共重合体等のポリスチレン系樹脂;ポリカーボネート樹脂;塩化ビニル樹脂;ポリアミド樹脂;ポリイミド樹脂;PMMAポリメチルメタクリレート等のメタアクリル樹脂;PETポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、PLAポリ乳酸、ポリ-3-ヒドロキシ酪酸、ポリカプロラクトン、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンサクシネート/アジペート等のポリエステル樹脂;ポリフェニレンエーテル樹脂;変性ポリフェニレンエーテル樹脂;ポリアセタール樹脂;ポリスルホン樹脂;ポリフェニレンサルファイド樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;ポリグルコール酸;変性でんぷん;酢酸セルロース、三酢酸セルロース;キチン、キトサン;リグニンなどが挙げられ、熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いても、2種以上組み合わせて用いてもよく、その使用量は、上記ハイパーブランチポリマー100質量部に対して、1~10,000質量部が好ましく、より好ましくは1~1,000質量部である。例えば、メタアクリル樹脂との組成物は、メタアクリレート化合物を組成物に配合し、メタアクリレート化合物を重合させて得ることができる。メタアクリレート化合物の例としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチレングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリオキシエチルメタアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタアクリレート、トリシクロデカニルジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリオキシプロピルメタアクリレート、トリス-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートトリメタアクリレート、トリス-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレートジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、メタアクリル酸アリル、メタアクリル酸ビニル、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらのメタアクリレート化合物の重合は、光ラジカル開始剤や熱ラジカル開始剤の存在下、光照射または加熱して行うことができる。光ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミヒラーのベンゾイルベンゾエート、アミロキシムエステル、テトラメチルチウラムモノサルファイドおよびチオキサントン類等が挙げられる。特に、光開裂型の光ラジカル重合開始剤が好ましい。光開裂型の光ラジカル重合開始剤については、最新UV硬化技術159頁、発行人:高薄一弘、発行所:株技術情報協会、1991年発行に記載されている。市販の光ラジカル重合開始剤としては、例えば、チバジャパン株製商品名:イルガキュア184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI1700、CGI1750、CGI1850、CG24-61、ダロキュア1116、1173、BASF社製商品名:ルシリンTPO、UCB社製商品名:ユベクリルP36、フラテツリランベルティ社製商品名:エザキュアーKIP150、KIP65LT、KIP100F、KT37、KT55、KTO46、KIP75/B等が挙げられる。光重合開始剤は、メタアクリレート化合物100質量部に対して、0.1~15質量部の範囲で使用することが好ましく、より好ましくは1~10質量部の範囲である。重合に用いる溶剤は、上記膜形成用組成物で例示した溶剤と同様のものが挙げられる。以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。[1H-NMR]装置:VarianNMRSystem400NB400MHzJEOL-ECA700700MHz測定溶媒:DMSO-d6基準物質:テトラメチルシランTMSδ0.0ppm[GPC]装置:東ソー株製HLC-8200GPCカラム:ShodexKF-804LKF-805Lカラム温度:40°C溶媒:テトラヒドロフラン以下、THF検出器:UV254nm検量線:標準ポリスチレン[エリプソメーター]装置:ジェーエーウーラムジャパン製多入射角分光エリプソメーターVASE[液中パーティクルカウンター]装置:リオン株式会社製シリンジサンプラー:KZ-30W1、パーティクルセンサー:KS-40B[紫外線可視分光光度計]装置:株島津製作所製SHIMADSUUV-3600[電子顕微鏡]装置:日本電子株製電子顕微鏡S-4800[合成例1]トリアジン環含有ハイパーブランチポリマー[3]の合成空気下、1000mL四口フラスコにm-フェニレンジアミン[2]28.94g、0.27mol、Aldrich社製を加え、N,N-ジメチルアセトアミドDMAc121mLに溶解し、オイルバスで100°Cに加熱した。その後、DMAc261.5mLに溶解した2,4,6-トリクロロ-1,3,5-トリアジン[1]36.91g、0.20mol、東京化成工業株製を加えて重合を開始した。50分後、アニリン56.53g、0.6mol、純正化学株製を加え、1時間撹拌して重合を停止した。室温まで放冷後、28アンモニア水溶液30.4gを水1,600mLおよびメタノール520mLに溶解した混合溶液中に再沈殿させた。沈殿物をろ過し、THF400mL、N,N-ジメチルホルムアミド15mLに再溶解させ、イオン交換水2,100mLに再沈殿した。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で150°C、6時間乾燥し、目的とする高分子化合物[3]以下、HB-TmDA45と略す49.78gを得た。HB-TmDA45の1H-NMRスペクトルの測定結果を図1に示す。得られたHB-TmDA45は式1で表される構造単位を有する化合物である。HB-TmDA45のGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは4,600、多分散度Mw/Mnは2.37であった。得られたHB-TmDA451.0gをシクロヘキサノン以下、CHN9.0gに溶解し、薄黄色透明溶液を得た。得られたポリマーワニスをガラス基板上にスピンコーターを用いて200rpmで5秒間、2,000rpmで30秒間スピンコートし、150°Cで2分間、250°Cで5分間焼成して溶媒を除去し、被膜を得た。得られた被膜の屈折率を測定したところ、550nmにおける屈折率は、1.8030であった。[実施例1]10mLナスフラスコに、HB-TmDA452.00gを加え、次いでCHN7.84g、およびイオン交換水0.16gを加えたイオン交換水:全溶媒量の2質量、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は17時間であった。完全溶解とは、目視で観察し、溶質が一切残っておらず均一な透明溶液になっている状態を指す。[実施例2]10mLナスフラスコに、HB-TmDA452.00gを加え、次いでCHN7.68g、およびイオン交換水0.32gを加えたイオン交換水:全溶媒量の4質量、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。[実施例3]10mLナスフラスコに、HB-TmDA452.00gを加え、次いでCHN7.52g、およびイオン交換水0.48gを加えたイオン交換水:全溶媒量の4質量、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。[実施例4]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN7.20g、および酢酸0.90gの20質量CHN溶液を加えた酢酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。[実施例5]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN7.20g、およびアクリル酸0.90gの20質量CHN溶液を加えたアクリル酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は16時間であった。[実施例6]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN7.20g、およびトリエチルアミン0.90gの20質量CHN溶液を加えたトリエチルアミン量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は12時間であった。[実施例7]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN7.20g、および3-アミノピラゾール0.90gの20質量CHN溶液を加えた3-アミノピラゾール量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は13時間であった。[実施例8]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN6.8832g、イオン交換水0.3168g、および酢酸0.90gの20質量CHN溶液を加えた酢酸量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、イオン交換水:全溶媒量の4質量、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は12時間であった。[実施例9]10mLナスフラスコに、HB-TmDA451.80gを加え、次いでCHN6.8832g、イオン交換水0.3168g、およびトリエチルアミン0.90gの20質量CHN溶液を加えたトリエチルアミン量:ポリマー固形分100質量部に対して10質量部、イオン交換水:全溶媒量の4質量、固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は11時間であった。[比較例1]10mLナスフラスコに、HB-TmDA452.00gを加え、次いでCHN8.00gを加えた固形分量:20質量。メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌したところ、完全溶解に要した時間は26時間であった。上述した結果から、HB-TmDA45はCHNに溶解させる際に26時間を要するのに対して、溶解促進剤を加えることで溶解に要する時間を大幅に短縮できることがわかった。溶解に要する時間を短縮できることは、ワニス製造時のコストを削減し、製造のスループットを向上させることができる。また、HB-TmDA45はポリマーの分子内および分子間で強固な水素結合を形成しており、溶解促進剤により水素結合を切断することで溶解を促進できることがわかった。[実施例10]1Lナスフラスコに、HB-TmDA45120.00gを加え、次いで、CHN460.80g、およびイオン交換水19.20gを加え、メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌し、完全に溶解させた。このHB-TmDA45の20質量溶液に、B-882N三井化学ポリウレタン株製の20CHN溶液120.00gポリマー固形分100質量部に対して20質量部、酢酸の20CHN溶液90.00gポリマー固形分100質量部に対して15質量部、商品名メガファックF-554DIC株製の1CHN溶液6.00gポリマー固形分100質量部に対して0.05質量部、およびCHN84.3330gをそれぞれ加え、メカニカルスターラーを用いて30分間撹拌し、均一な18質量のポリマー溶液以下、HB-TmDA45V1と略すを得た。[比較例2]1Lナスフラスコに、HB-TmDA45120.00gを加え、次いで、CHN480.00gを加え、メカニカルスターラーを用いて、50rpmの回転速度で撹拌し、完全に溶解させた。このHB-TmDA45の20質量溶液に、B-882N三井化学ポリウレタン株製の20CHN溶液120.00gポリマー固形分100質量部に対して20質量部、商品名メガファックF-554DIC株製の1CHN溶液6.00gポリマー固形分100質量部に対して0.05質量部、およびCHN74.3333gをそれぞれ加え、メカニカルスターラーを用いて30分間撹拌し、均一な18質量のポリマー溶液以下、HB-TmDA45V2と略すを得た。[実施例11]実施例10で得られた水と酢酸とを含むHB-TmDA45V1はクラス1000のクリーンルーム内で加圧ろ過を行った。ろ過に用いたフィルターは日本インテグリス株製のマイクロリスオプティマイザーDPR/DPR-Lディスポーザブルフィルター、接続方式:コンプレッションシール、タイプ:DPRショートタイプ、孔径:0.05μm、入口出口:6.35mm、ベントドレイン:6.35mmのUPEフィルターを用いた。加圧ろ過を開始し、フィルターを通過したワニスは最初の200gを廃棄し、次の30gからコレクトを開始し、100mLボトル15本にコレクトした。コレクトしている最中は溶液の泡かみに細心の注意を施し、連続して流出している溶液をコレクトした。コレクトに用いたボトルはアイセロ化学株製の洗浄済みクリーンボトルを使用した。ボトルにコレクトした合計15本のワニスは、それぞれ独立して23°C、5°C、-20°Cの環境で0、7、20、30、60日間保存し、液中パーティクルカウンターを用いて、パーティクルを測定した。-20°Cおよび5°Cで保管しておいたワニスは測定前に3時間以上23°Cの条件に放置し、液温が23°Cとなってから測定した。液中パーティクルは、測定する直前に、ブランクとして測定したろ過済みのCHNにおいて、0.50μm≦で1mL中に1個以下であることを確認した後に測定した。液中パーティクルの測定は空吸引量を2mL、測定溶液量を5mL、流速を10mL/minとして測定し、測定直前に測定したブランクの値を差し引き、1mL当たりのパーティクル数に換算した。0.30μm≦、0.50μm≦、1.00μm≦、2.00μm≦の測定範囲において、1mL当たりの液中パーティクルの測定結果を表1~3に示す。表1は23°C保存時の液中パーティクル数を、表2は5°C保存時の液中パーティクル数を、表3は、-20°C保存時の液中パーティクル数を示す。[比較例3]比較例2で得られたHB-TmDA45V2について、実施例11と同様の方法で加圧ろ過を行い、液中パーティクルカウンターを用いて、パーティクルを測定した。その結果、測定中にCellNGのエラーが発生し、パーティクルが多すぎることが原因の測定エラーを示した。実施例11と比較例3とを比較すると、比較例3ではパーティクルが多すぎて測定ができなかったのに対して、実施例11は非常に良好にパーティクルが低減できていることがわかった。また、23°C、5°C、-20°Cの各保存条件下において、液中パーティクルが著しく増加することなく、良好な保存安定性を有していることがわかった。[実施例12]実施例11で調製したHB-TmDA45V1をシリコン基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100°Cのホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200°Cのホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300°Cのホットプレートで5分間の焼成を行って膜以下、HB-TmDA45F1と略すを作製した。HB-TmDA45F1の屈折率を測定した。屈折率は波長が400nmのときに1.8614、波長が550nmのときに1.7642、波長が633nmのときに1.7430となり、400nmから700nmの平均屈折率は1.7742となった。このように、溶解促進剤、架橋剤を含んだ組成物を用いた場合でも、非常に高い屈折率を発現することがわかった。[実施例13]実施例11で調製したHB-TmDA45V1を石英基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100°Cのホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200°Cのホットプレートで5分間の焼成を行って膜以下、HB-TmDA45F2と略すを作製した。HB-TmDA45F2の透過率を測定した結果を図2に示す。[実施例14]実施例11で調製したHB-TmDA45V1を石英基板上にスピンコーターを用いて700nm狙いで塗布し、100°Cのホットプレートで1分間の焼成を行い、次いで、200°Cのホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300°Cのホットプレートで5分間の焼成を行って膜以下、HB-TmDA45F3と略すを作製した。HB-TmDA45F3の透過率を測定した結果を図2に併せて示す。このように、200°C,5分間の焼成時の膜の透過率と、200°C,5分間および300°C,5分間の焼成時の膜の透過率は、いずれも著しく低下することなく、非常に高い耐熱透過率を有していることがわかった。[実施例15]実施例12で得られたHB-TmDA45F1の溶剤耐性試験を行った。HB-TmDA45F1の膜厚は687.9nmであり、これを初期膜厚とした。HB-TmDA45F1を、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、アセトン、乳酸エチルにそれぞれ独立して完全に浸漬し、5分間放置した。次いで、エアーで乾燥後、200°Cのホットプレートで1分間焼成し、残留溶剤を完全に蒸発させた後、膜厚を測定し、初期膜厚と比較した。初期膜厚を100としたとき、プロピレングリコールモノメチルエーテルでは100.0、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートでは100.0、シクロヘキサノンでは100.0、アセトンでは100.0、乳酸エチルでは100.0となり、各種有機溶剤に対して溶剤耐性が良好であることがわかった。なお、溶剤耐性試験とは、本焼成後の被膜が溶剤への接触に対して、不溶化していることを示す試験である。溶剤耐性は被膜の上にレジストなどをリコートし、パターニングする後工程が加わった際に必要になる特性であり、溶剤耐性がない場合、リコートする際のレジスト溶剤に溶解してしまい、被膜とレジストとがミキシングされてしまって、本来の特性が発現しないことがある。[実施例16]実施例11で調製したHB-TmDA45V1を用い、埋め込み性試験を行った。埋め込み性試験に用いた構造物基板は、材質がシリコンで、深さが1.6μm、Via径が400nmである。HB-TmDA45V1を構造物基板に700nm狙いでスピンコート法にて塗布し、100°Cのホットプレートで1分間の仮焼成を行い、次いで、大気下、200°Cのホットプレートで5分間の焼成を行い、最後に300°Cのホットプレートで5分間の本焼成を行った。焼成後の製膜された構造物基板は、ダイアモンドペンを用いて基板の端に傷をつけた後、基板をヘキ開し、SEM観察を行った。観察した画像を図3に示す。図3に示されるように、埋め込み性は良好であり、埋め込み材料として使用できる可能性が示唆された。本発明の高分岐ポリマーをフォトダイオード上の平坦化材とする場合、屈折率が1.7以上と高いことから、光導波路の原理でフォトダイオードまで光を誘導できるため、現行のVia径をより小さく設定することが可能となり、高繊細な固体撮像素子を作製することが可能になる。以上説明したように、本発明のハイパーブランチポリマーと溶解促進剤とを含む組成物はワニスとしての保存安定性が優れており、膜としたときの透明性と耐熱性に優れ、高い屈折率を有し、かつ、様々な溶媒への溶解性に優れているため、液晶表示素子の保護膜、TFTアレイ平坦化膜、カラーフィルター等のオーバーコート、スペーサー材、ELディスプレイの光取り出し向上膜、撮像素子の光取り入れ向上層、LED素子における光取り向上層等に応用可能である。"