発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードを測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマルコーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記測定ステップは、前記発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードの製造方法。前記コンフォーマルコーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオードの製造方法。前記領域は、パラフィンワックス、シルクスクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードの製造方法。前記コンフォーマルコーティングは、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備える蛍光体の配合比を有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマルコーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含み、前記配合比は、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。前記コンフォーマルコーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7または8に記載の発光ダイオードの製造方法。前記領域は、パラフィンワックス、シルクスクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。発光ダイオードにおいて、発光部と、前記発光部から出力される光が白色光に変換されるように、前記発光部から出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光部の上部に塗布されるコンフォーマルコーティング部と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。前記蛍光体の配合比は、黄色、緑色、赤色のうち少なくとも一つの色を備えることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。本発明の目的は、収率の高い白色光を放出する発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。本発明の他の目的は、製造コストを節減することができる白色光を放出する発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。本発明のさらに他の目的は、色座標上で同一のターゲットの白色光を出力することができる発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。本発明による発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードを測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマルコーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法によって達成されることができる。ここで、前記発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップを含むことができる。また、前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることができる。そして、前記コンフォーマルコーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことができる。また、前記領域は、パラフィンワックス、シルクスクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることができる。ここで、前記コンフォーマルコーティングは、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備える蛍光体の配合比を有することができる。ここで、前記発光ダイオードは、複数の他の発光ダイオードと共にウエハー上に配置されており、前記コンフォーマルコーティングは前記ウエハーに塗布されることができる。また、前記目的は、本発明によって、発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマルコーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含み、前記配合比は、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法によっても達成されることができる。ここで、前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることができる。また、前記コンフォーマルコーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことができる。ここで、前記領域は、パラフィンワックス、シルクスクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることができる。前記目的は、本発明によって、発光ダイオードにおいて、発光部と、前記発光部から出力される光が白色光に変換されるように、前記発光部から出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光部の上部に塗布されるコンフォーマルコーティング部と、を備えることを特徴とする発光ダイオードによっても達成されることができる。ここで、前記蛍光体の配合比は、黄色、緑色、赤色のうち少なくとも一つの色を備えることができる。本発明の白色発光ダイオードの製造方法は、チップ単位のパッケージング方法と異なり、ウエハーレベルで白色発光ダイオードの製造工程が行われ、ウエハーレベルでそれぞれのすべての単位チップ別に波長データを予め測定して、それぞれの単位チップに該当波長別に蛍光体黄色yellow:Y、緑色green:G、赤色red:Rの配合比を正確に制御して、ウエハー上のそれぞれのチップに蛍光体をディスフェンシングする。このようなチップの表面に一定のコーティングの厚さを有するようにするコンフォーマルコーティングconformalcoating方法は次のような効果を有する。第一に、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に色座標上の同一のターゲットの白色光に変換するための蛍光体及びSiを含む蛍光物質が決定されてそれぞれのチップに塗布されるため、それぞれのチップに出力される白色光の色偏差が低減する。それにより、白色光ダイオードの工程収率が向上する。第二に、色偏差の最小化により、それぞれの白色光の発光ダイオードチップを用いた光学レンズの設計時、設計余裕が増加する。第三に、ウエハー単位でそれぞれのチップに蛍光体の塗布工程が行われるため、パッケージングステップでそれぞれのチップに類似した範囲の波長を有するLEDを分類するソーティングsorting工程が不要となる。また、パッケージングステップではなく、ウエハーレベルで既にホワイトターゲット色座標が得られるため、別途のパッケージング工程及び材料コストが追加的に発生しない。第四に、ウエハーレベルで白色光チップが製作されるため、生産装備の投資コスト及び白色光ダイオードチップの管理コストが削減され、特にソーティングのためのソーティング装備などのパッケージング工程を行うための装備が不要となる。第五に、ウエハーレベルでチップ別に白色光ダイオードチップが仕上がるため、フリップチップ方式を利用したCOMchiponmodule、COBchiponboardで対応する場合、別途のダイアタッチdieattach、ワイヤリング、蛍光体の塗布などの既存の工程を省略することができるため、工程コスト、材料コストなどを節減することができる。前述のように、本発明は、白色光を出力することができる発光ダイオード及びその製造方法に関する。さらに詳細には、発光ダイオードLED例えば、ブルーLED、紫外線UVLEDから放出される光の波長が、例えば、ウエハーレベルで測定される。前記波長の測定結果に基づいて、コンフォーマルコーティングが前記LEDに塗布される。前記コンフォーマルコーティングは、前記波長に基づく蛍光体の配合比を有する。また、蛍光体の配合比は、黄色、緑色、及び赤色のうち少なくとも一つの色を含む。それにより、前記LEDから出力される光は、コンフォーマルコーティングを使用して白色光に変換される。本発明の実施形態において、それらのステップがウエハーレベルで行われて、さらに良好な均一性及び一貫性が得られることができる。一方、LEDチップのEPI工程中、MOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition工程で工程偏差及び設備偏差によってLEDウエハー内のそれぞれのチップの間に波長撒布が存在する。図1は、任意のLEDウエハー12内のチップ10の青色光の波長を測定した結果を示す。ウエハー12内のチップ10が一つの同一の単一波長を有さずに、チップ10間の波長撒布を有する。通常、チップ10間の波長において5nm以上の差異が発生する場合、人間が肉眼で認知することが可能である。図2は、RGB色座標系を示す。図1に示すように、同一のウエハー12内でチップ10間の波長撒布が存在する状態で、同一のウエハー12上のチップ10を白色光に変換するために、ウエハーレベルで同一の蛍光体を一括して適用する場合、ホワイトターゲット色座標がチップ別に変わる。したがって、それぞれのチップ10の波長によって相異なる蛍光体の配合比を適用して初めて、同一のホワイトターゲット色座標の白色光を具現することができる。図2の色座標系で青色の部分の1番は、チップの波長がaである場合であるが、この場合、ホワイトターゲット色座標を形成するためには、黄色、緑色及び赤色Y、R、Gの蛍光体の配合比はAが適用されねばならない。また、2番及び3番のように、チップの波長がそれぞれb及びcである場合、1番と同一のホワイトターゲット色座標を形成するためには、蛍光体の配合比はAとは異なるそれぞれB及びCが適用されねばならない。ここで、前記配合比の蛍光体はSiと共に配合されることができる。たとえば、波長がa、b、cであり、相異なるチップに対して同一の配合比を有する蛍光体及びSiAの蛍光層が適用されれば、3つのチップが相異なるホワイトターゲット色座標を有する。ホワイトターゲット色座標が変われば、LCDLiquidCrystalDisplay装置に使用されるBLUBackLightUnit、照明などにLEDを使用する際に、色撒布の発生によって製品の構成に困難さがある。このような問題により、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、LEDパッケージ工程の際にそれぞれのチップレベルで行われ、蛍光体をコーティングする工程以前にそれぞれのチップをそれぞれのチップが出力する青色光の波長別にソーティングRANKINGする工程が先に行われる。しかし、パッケージング工程でそれぞれのチップに蛍光体の塗布が行われる場合、前述のソーティング工程以外にも、ソーティングされたそれぞれのチップに保持せねばならず、工程数が多くなり複雑になるため、製品コストの上昇の主な要因となる。図3では、それぞれのチップレベルで蛍光体の塗布が行われる工程を図式的に示す。まず、CUP18が存在するリードフレーム16で、CUP18の中心にLEDチップ10が付着し、前記LEDチップ10のメタルパッド20と前記リードフレーム16の電極ライン22とがワイヤ24によって互いにポンディングされる。ホワイトターゲット色座標を形成するために、前記LEDチップ10の表面に該当チップの波長に合わせて設計されたコーティング層24蛍光物質が分配dispensingされる。前述のチップレベルでの蛍光体塗布技術コーティング技術はいくつかの問題点を有する。第一に、蛍光体及びSiを含む蛍光物質の厚さ最小300um以上が厚いため、LEDチップの表面位置によって平均光路が変わり、色偏差が発生するLEDビニング現象。このような色偏差の発生は、光学設計の際に多くの制限的要素をもたらす。第二に、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、チップレベルで行われるため、パッケージ後にホワイトターゲット色座標の偏差によって不良が発生するとき、チップコスト以外に別途のパッケージ材料及び工程コストが追加的に発生する。第三に、チップレベルのコーティングを行うために、予めウエハー内のチップの波長撒布に対して同一の波長帯別にソーティング工程が伴われるが、この場合、長い工程時間及び設備投資コストなどが発生する。たとえば、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対する蛍光体の塗布工程が行われれば、別途のソーティング工程が不要であり、パッケージレベルではなく、ウエハーレベルで既にホワイトターゲット色座標が得られるため、不良チップの発生時、別途のパッケージ工程及び材料コストが追加的に発生しない。前述のように、本発明に係る白色発光ダイオードの製造方法は、チップレベルパッケージング方法とは異なり、ウエハーレベルで白色発光ダイオードの製造工程が行われる。特に、前述の相対的に低いステップであるウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に波長データを予め測定して、それぞれの単位チップに該当波長別に同一のターゲットの白色光に変換するために測定された波長に適した蛍光体黄色Y、緑色G、赤色Rの配合比を正確に決定して、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対して前記決定された配合比を有する蛍光体を分配する方法で、単位チップ別にその表面で所定の厚さを有するコーティング層が形成される。このような方式により、前記蛍光物質のコンフォーマルコーティングは、チップレベルで行われるものに比べて、その厚さが相対的に薄い。図4では、本発明に共通的に適用される発光ダイオードの製造方法の蛍光物質のコーティング過程を図式的に示す。ウエハー32内のすべてのチップ30に対して同一のホワイトターゲット色座標を具現するためにすべてのチップ30の波長を測定した結果に基づいて、それぞれの単位チップ30に塗布されるべき適した蛍光体の配合比が決定される。例えば、波長aの場合にはAの配合比、波長bの場合にはBの配合比、そして波長cの場合にはCの配合比が決定されることができる。前記3種類以上の複数の配合比に対して同一の3つのディスペンサー34A、34B、34Cが用意され、それぞれのディスペンサーは配合比を異にした蛍光体を備える。前記複数のディスペンサー34Aないし34Cは、図4に示すように、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに該当する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をディスペンシングして、チップの上面に蛍光体のコンフォーマルコーティングを形成する。それにより、ウエハーレベルで蛍光体のコーティングによる白色光を出力するホワイトLEDが具現されることができる。ここで、前記ウエハー32上の蛍光物質が塗布される前のLEDチップ30は発光部と称することができる。前記発光部は、N層、P層及び活性層から構成され、このような構成は周知であるため、その詳細な説明を省略する。ここで、ウエハーレベルという意味は、ウエハー上に形成されたそれぞれの単位別のLEDチップ30を切り取って分離する前のウエハー工程を意味する。ここで、ディスペンサーの数を増加させれば増加させるほど、ウエハーレベルで形成された多様な波長撒布を有するそれぞれの単位チップにより正確な配合比を有する蛍光物質のコーティングが可能である。場合によって、前述の複数のディスペンサー34Aないし34Cにより任意の配合比を有する蛍光物質をウエハーレベルの単位チップ別に塗布することも可能である。さらに詳細に説明すれば、前記複数のディスペンサー34Aないし34Cのうち、相異なる配合比を有する少なくとも2つ以上のディスペンサーを使用して一つのダンウィチップに相異なる配合比を有する蛍光物質を複数回塗布することによって、所望の任意の配合比を有する蛍光物質をコーティングすることも可能である。すなわち、前記複数回塗布された蛍光物質が最終的に所望の任意の配合比を有する蛍光層になる。以下、本発明では、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ30に蛍光体及びSi蛍光物質が独立的にコーティングされる3つの実施形態を提示する。図5は第1の実施形態を示す。この場合、ウエハー32内のチップ30とチップ30間のスクライブラインscribelineは、パラフィン36を含む物質他のものを含んでもよいで印刷する。それにより、前記蛍光物質が前記スクライブラインにコーティングされることを防止することができる。次いで、メタルパッドの部分もパッドラインに沿ってパラフィン36などを含む物質で印刷されて、メタルパッド35の部分にディスペンサーによってディスフェンシングされるべき蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透することを防止する。この場合、パラフィンなどの物質が印刷される場合、前記蛍光物質コーティング層の厚さは約100umである。パラフィン物質の主な機能は、前記チップ30上にコーティングされる蛍光物質を流動させずにその内部に存在させるガイドダムguidedam38の役割を行う。本実施形態による発光ダイオードの製造方法は次の通りである。1ウエハーレベルでそれぞれのダイオードチップ30の波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に対応する蛍光体Y、G、BとSiの配合比を決定する。3図5に示すように、ウエハー32内のそれぞれのチップ30でスクライブラインとメタルパッド35の部分にパラフィン36などの物質を印刷してガイドダム38を形成する。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー32内でそれぞれのチップ30の波長に対して、該当する配合比を有する蛍光体と、前記蛍光体を前記チップ30の上部に良好に付着させるためのSiから構成された蛍光物質をコーティングする。ここで、前記特定の配合比を有する蛍光体と前記Siを含む蛍光物質が、前述の複数のディスペンサー図4の34Aないし34Cによって分配されることができる。5前記蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬化hardcuringする。6次いで、前記スクライブラインに沿って前記ウエハー32上で蛍光物質のコーティングされた前記チップ30を切り取る。ここで、図5では、それぞれのチップ30にスクライブラインを形成することを説明したが、波長撒布が誤差範囲内に存在して、同一のディスペンサーによって前記蛍光物質の塗布が可能な場合のように、2つのチップ30に同時に一つのディスペンサーにより蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、必要によってスクライブラインも2つのチップ30を取り囲むように形成することも可能である。必要によって、互いに隣接した3つ以上の複数のチップ3が誤差範囲内の波長撒布を有して、一つのディスペンサーによって蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、前記3つ以上の複数のチップ3を取り囲むようにスクライブラインを形成することも可能である。また、前述のステップ3とステップ4との間に、前記ウエハー32上のそれぞれのチップ30の測定された波長データから、前記それぞれのチップ30にいずれのディスペンサーによって蛍光物質を塗布すべきかを判別するステップをさらに含むことができる。すなわち、前記それぞれのチップ30の波長撒布は多様に表れ得るため、限定されたディスペンサーによって蛍光物質を塗布するためには、それぞれのディスペンサーで補償できる波長撒布の範囲を決定することができる。例えば、Aディスペンサーで蛍光物質を塗布すべき波長の範囲として、a±10nmであることができる。ここで、複数のディスペンサー別に所定の蛍光体の配合比が既に決定されている場合なら、前述のステップ2は、ステップ1を通じて前記ウエハー32上のそれぞれのチップ30の測定された波長データから、前記それぞれのチップ30が前記複数のディスペンサーのうちいずれに適しているかを判別するステップに代替されることも可能である。図6を参照して、本発明の第2の実施形態を説明すれば次の通りである。この場合、チップ30とチップ30間のスクライブラインとメタルパッド35の部分は、ディスフェンシングされるべき蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透できないように、シルクスクリーンsilkscreen40またはメタルマスクmetalmask40などでブロッキングされることができる。ブロッキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハーレベルでそれぞれの単位チップの波長に合わせて蛍光体及びSiを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。さらに詳細には、本発明による発光ダイオードの製造方法を説明すれば次の通りである。1ウエハーレベルでそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に対応する蛍光体Y、G、BとSiの配合比を決定する。3図6に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、スクライブライン37とメタルパッド35の部分をシルクスクリーン40を使用してブロッキングする。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をそれぞれのチップにコーティングする。5蛍光物質を簡易硬貨する。6シルクスクリーン及び/またはメタルマスクブロックを取り除く。7蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。ここで、場合によって前述の5の簡易硬貨ステップは省略してもよい。図7を参照して、本発明の第3の実施形態を説明すれば次の通りである。この場合、チップ30とチップ30間のスクライブライン37とメタルパッド35の部分は、ディスフェンシングされた蛍光体及びSiを含む蛍光物質が侵透できないようにフォトレジストphotoresist:PRの犠牲層42及び/または有機物によってマスキングされる。マスキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハー単位でそれぞれのチップの波長に合わせて蛍光体及びSiを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。本実施形態による発光ダイオードの製造方法をさらに詳細に説明すれば次の通りである。1ウエハー単位でそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。2測定された波長群別にホワイトターゲット色座標に合わせて蛍光体Y、G、RとSiとの配合比を決定する。3図7に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、前記犠牲層を利用してスクライブラインとメタルパッドの部分をマスキングする。4ホワイトターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びSiを含む蛍光物質をコーティングする。5前記蛍光体及びSiを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。6前記スクライブラインとメタルパッドの部分の犠牲層PRなどを取り除く。以下では、図8を参照して本発明の第4の実施形態による発光ダイオードの製造方法を詳細に説明すれば次の通りである。まず、ウエハー上に複数のLEDチップを形成するS10。ここで、前記LEDは、青色または紫外線を出力するブルーLEDまたはUVLEDであってもよい。次いで、前記ウエハー上にそれぞれのLEDチップが出力する固有な波長値を測定するS20。次いで、前記LEDチップの波長撒布を補償するために、ウエハー上にそれぞれのLEDチップの波長値に対応する蛍光体の配合比を決定するS30。ここで、ステップS10で、半導体工程によって形成されたそれぞれのLEDが同一の波長を出力するのではなく、誤差を持って波長が撒布されているため、それぞれのLEDチップが同一の色座標上の白色光を出力するように光変換するために、それぞれのLEDチップの測定された波長に対応する蛍光体の配合比を決定する。次いで、図3に示すように、ウエハー上のそれぞれのLEDチップの測定された波長値に正確に対応する蛍光体の配合比を示すマッチングマップを得るS40。前記マッチングマップの配合比によって配合比の種類別に複数の蛍光体とSiを混合して脱泡するS50。前記マッチングマップによって混合された蛍光物質適切な配合比を有する蛍光体及びSiをウエハー上のそれぞれのLEDチップに塗布するS60。前記ウエハー状態で前記蛍光物質を硬化させるS70。前記ウエハー上のスクライブラインに沿って前記それぞれのLEDチップを切り取ってウエハーから分離するS80。ここで、前記スクライブライン及び前記LEDチップのメタルパッドをマスキングした後に前記蛍光物質を塗布することは、前記第1ないし第3の実施形態で説明したため省略する。