同一の幅及び同一の厚さを有する導電性誘電体層が互いに平行になるように同一の幅の空隙を介して一方向に繰り返し配列された周期的な構造を備え、前記の導電性誘電体層に垂直な面からなる光の入射面を備え、前記の導電性誘電体層に平行に入射する光のうち、前記の導電性誘電体層及び空隙からなる1周期分の長さ及び前記導電性誘電体の屈折率をパラメータとする関数として、予め実験又はシミュレーションによって導出された、透過率が略ゼロとなる波長領域の上限の波長以上の光を透過させることを特徴とする光学フィルタ。前記の導電性誘電体層の幅が、前記の空隙の幅と略同一であることを特徴とする、請求項1に記載の光学フィルタ。同一の幅及び同一の厚さを有する導電性誘電体層が互いに平行になるように同一の幅の空隙を介して一方向に繰り返し配列された周期的な構造を備え、前記の導電性誘電体層に垂直な面からなる光の入射面を備え、前記の導電性誘電体層に平行に入射する光のうち、前記の導電性誘電体層及び空隙からなる1周期分の長さ及び前記導電性誘電体の屈折率をパラメータとする関数として、予め実験又はシミュレーションによって導出された、透過率が略ゼロとなる波長領域の上限の波長以上の光を透過させることを特徴とする偏光素子。前記の導電性誘電体層の幅が、前記の空隙の幅と略同一であることを特徴とする、請求項3に記載の偏光素子。請求項3又は請求項4に記載の偏光素子を複数個平行以外の角度で重ね合わせたことを特徴とする光学シャッタ。前記のワイヤーグリッド型の偏光子は、光透過性基板上に、複数の金属ワイヤが当該金属ワイヤの長手方向に直交する方向に一定の周期を設けて整列形成されたワイヤーグリッド構造体を有し、特定の直線偏光のみを透過させる。このような機能を確保するため、すなわち、前記ワイヤーグリッドからなる格子の長手方向に対して特定の直線偏光のみを透過させるために、前記ワイヤーグリッドを構成する金属細線の径を充分に細くする必要がある。しかしながら、径が細い金属線は、当該金属線に対して平行方向の偏光にとって薄い金属板と同様、充分な反射率を得ることができない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、分光可能な波長域が広く、かつ、分光された光の透過率が大きい光学フィルタを提供することである。本発明の別の目的は、液晶プロジェクタなどに最適な、可視光領域の広帯域にわたって優れた光学特性、特に優れた消光比を有する偏光素子を提供することである。本発明の更に別の目的は、液晶ディスプレイ画面において白と黒のコントラストの高い領域を広く確保することができる液晶シャッタとして好適な光学シャッタを提供することである。本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、光学膜の特性に依存した従来技術と異なり、交互に配置された導電性誘電体層と空気層からなる周期的構造は、光の透過率が急激に低下する波長領域を有する現象を見出した。また、このような現象は、前記の周期的構造が有する電流遮断効果によって発生するものであって、前記の波長領域の上限となる波長は、主として、導電性誘電体層及び空気層のそれぞれの幅或いは厚さと、前記導電性誘電体の屈折率或いは誘電率によって決定されることが、本発明者の鋭意研究の結果、見出された。更に、前記の波長領域の上限となる波長は、実験又はシミュレーションの結果に基づいて、導電性誘電体層及び空気層のそれぞれの幅或いは厚さと、前記導電性誘電体の屈折率或いは誘電率をパラメータとする関数として表すことが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、上記課題は下記の技術的手段により解決される。1同一の幅及び同一の厚さを有する導電性誘電体層が互いに平行になるように同一の幅の空隙を介して一方向に配列された構造を備え、前記の導電性誘電体層に垂直な面からなる光の入射面を備え、前記の誘電体層に平行に入射する光のうち、前記の導電性誘電体層及び空隙からなる1周期分の長さ及び前記導電性誘電体の屈折率をパラメータとする関数として、予め実験又はシミュレーションによって導出された、透過率が略ゼロとなる波長領域の上限の波長以上の光を透過させることを特徴とする光学フィルタ。本発明の光学フィルタによれば、導電性誘電体層及び空隙の幅と当該光学フィルタへの入射光の波長との関係によって、前記入射光の透過率が決まる。前記の周期的な配列構造は、半導体プロセスによって極めて正確に作製することができる。従って、本発明の光学フィルタは、生産性が高く且つ個々の製品間における光学特性の違いが極めて低減されている。2前記の導電性誘電体層の幅が、前記の空隙の幅と略同一であることを特徴とする、前記1に記載の光学フィルタ。本発明の光学フィルタによれば、所定の大きさの誘電率を有する導電性誘電体を利用することによって、前記の導電性誘電体と空隙からなる周期の10倍以上の波長の光を透過するように制御することができる。3同一の幅及び同一の厚さを有する導電性誘電体層が互いに平行になるように同一の幅の空隙を介して一方向に配列された構造を備え、前記の導電性誘電体層に垂直な面からなる光の入射面を備え、前記の誘電体層に平行に入射する光のうち、前記の導電性誘電体層及び空隙からなる1周期分の長さ及び前記導電性誘電体の屈折率をパラメータとする関数として、予め実験又はシミュレーションによって導出された、透過率が略ゼロとなる波長領域の上限の波長以上の光を透過させることを特徴とする、偏光素子。前記の周期的な配列構造は、前記の導電性誘電体層の配列方向に対して磁場ベクトルの振動方向が平行な電磁波、すなわち、TM波TraverseMagneticWaveのみを透過する。一方、前記の周期的な配列構造は、前記の導電性誘電体層の配列方向に対して電場ベクトルの振動方向が平行な電磁波、すなわち、TE波TraverseElectricWaveを透過しない。そこで、所定の大きさの誘電率を有する導電性誘電体を利用することによって、導電性誘電体と空隙の周期の略10倍以上の波長領域の電磁波に対して、本発明の光学フィルタを偏光素子として利用することができる。4前記の導電性誘電体層の幅が、前記の空隙の幅と略同一であることを特徴とする、前記3に記載の偏光素子。本発明の偏光素子は、所定の大きさの誘電率を有する導電性誘電体を利用することによって、前記の空隙の幅の略10倍以上の波長を有する入射光に対して高い消光比を有する。5前記3または4に記載の偏光素子を複数個平行以外の角度で重ね合わせたことを特徴とする光学シャッタ。本発明の偏光素子は高い消光比を有するため、本発明の偏光素子を複数個組み合わせることによって光学シャッタを構成することができる。本発明の光学フィルタ、偏光素子及び光学シャッタは簡易な構造であり、導電性誘電体を所定の間隔で一定幅の空隙を形成すれば良いので、その生産性及び効率性は、極めて高い。また、本発明において利用される前記の電流遮断効果は、原理的に無限大の波長においても得られるので、原理的に透過できる波長の上限に制限が無い。そのため、本発明によれば、可視光領域の広帯域にわたって優れた光学特性を有する光学フィルタ、優れた偏光度及び消光比を有する偏光素子を提供することができる。また、本発明の光学フィルタ及び偏光素子を構成する周期的な配列構造における空隙の幅の略1/5以下の波長の電磁波は、隣接する導電性誘電体層の間の空隙のみを透過し、導電性誘電体層を透過することができない。そこで、本発明によれば、所定の大きさの誘電率を有する導電性誘電体を利用することによって、導電性誘電体と空隙の周期の略1/10から10倍の波長の電磁波を遮断する光学フィルタを提供することができる。第1の実施の形態次に、本発明の光学フィルタ及び偏光素子以下、光学フィルタ等という。の基本構造を本発明の実施形態1として具体的に説明するが、以下に示す実施形態はいずれも本発明の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。本発明の光学フィルタ等は、図1に示すように、同一の幅WD及び同一の厚さTを有する複数の導電性誘電体層2が互いに平行になるように、同一の幅WSの空隙3を介して一方向に配列された周期構造1を備える。図1に示された周期構造1の導電性誘電体2及び空隙3がそれぞれ同一の幅になるように形成されている場合、すなわち、幅WD及び幅WSが略同一である場合、前記の周期構造1は、導電性誘電体2及び空隙3が交互に繰り返す周期的な構造の1周期Pの略1/10以下の波長を有する電磁波を透過させる。その一方、前記の周期的な構造の1周期Pの略1/10よりも長い所定の波長領域の電磁波は、前記の周期構造1を有する光学フィルタ等を透過することができない。このように前記の周期構造1によって遮断される電磁波の波長領域が存在するのは、前記の導電性誘電体2と空隙3とからなる1周期Pよりも十分に短い波長を有する電磁波は、空隙3を透過する一方、導電性誘電体層2の内部の電場が極めて小さいために導電性誘電体層2の内部へ侵入できないからである。前記したように、周期構造1の空隙3の幅の略1/5以下の波長の電磁波は、空隙3のみを透過し、導電性誘電体層を透過することができない。そのため、導電性誘電体2と空隙3とからなる1周期Pの略1/10以下の波長を有する電磁波の光透過率は、略WS/WSWDと表すことができる。空隙3の幅WSと導電性誘電体層2の幅WDが略同一であれば、前記の周期Pの略1/10以下の波長を有する電磁波の光透過率は、0.5となる。但し、前記の周期構造1は、所定の波長λcut-off以上の波長の電磁波に対して平均化された一様な物質として振る舞う。従って、前記の周期構造1は、前記の周期Pの略1/10以下から前記の波長λcut-off以下のまでの長さの波長を有する電磁波に対してショートパスフィルタとして機能する。前記の波長λcut-off以上の電磁波は、前記の周期構造1の内部を次のように透過すると考えられる。図2aは、本発明の光学フィルタ等に入射した波長λcut-off以上の波長のTM波の電場ベクトルETMを示し、図2bは、本発明の光学フィルタ等に入射した波長λcut-off以上の波長のTE波の電場ベクトルETEを示す。前記したように、波長λcut-off以上の電磁波に対して、前記の周期構造1は平均化された一様な物質として振る舞う。TM波の電場ベクトルETMは導電性誘電体層2に対して垂直方向に発生するが図2a、前記の導電性誘電体層2の両側が空隙3であるために、ETMと同一方向に電流は流れない。従って、波長λcut-off以上の波長のTM波は、導電性誘電体層2において流れる電流による損失が無いので減衰しない。一方、TE波の電場ベクトルETMは導電性誘電体層2内に発生し図2b、ETMと同一方向に電流が流れるため、導電性誘電体層2内でエネルギー損失が生じるために光が減衰する。すなわち、波長λcut-off以上の波長のTM波のみが本発明の光学フィルタ等を透過して、波長λcut-off以上の波長のTE波は本発明の光学フィルタ等を透過しない。尚、前記の波長λcut-offは、前記の1周期Pの長さと、導電性誘電体の誘電率又は屈折率をパラメータとする関数として、実験またはシミュレーションによって予め算出することができる。尚、前記のシミュレーションは、実験によって得られた測定結果に基づいて論理的に構築されたモデルやコンピュータプログラムを用いることができる。或いは、前記の1周期Pの長さと、導電性誘電体の誘電率又は屈折率等をパラメータとして、物性理論及び電磁気学の理論に基づいて、透過率が略ゼロとなる波長領域が導出されるように構築された理論式を用いても良い。コンピュータシミュレーションによって得られた、波長λcut-offと、導電性誘電体2と空隙3からなる1周期の長さP及び導電性誘電体の屈折率との関係を図3及び表1に示す。図3及び表1によれば、使用する導電性誘電体の屈折率が3の場合、波長λcut-offと前記の1周期の長さPとの比は約6.3:1である。そのため、屈折率が3である導電性誘電体を用いて、図1の周期構造1が形成される場合、前記の波長λcut-offは前記の周期Pの略6.3倍になる。尚、本発明の光学フィルタ等を構成する導電性誘電体は、特に限定されない。例えば、シリコンに導電性元素をドーピングさせたシリコン系半導体、GaN窒化ガリウム系半導体等を前記の導電性誘電体層2の構成材料として用いることが可能である。また、図1に示される本発明の実施形態1に係る光学フィルタ等は、光の入射面が略平面状に形成されている。しかし、本発明の光学フィルタ等の光の入射面は平面に限定されることなく、曲面形状を有していても、あるいは曲面及び平面がそれぞれ部分的に形成された複合的な曲面形状であっても、入射面とすることができる。第2の実施の形態図6aは、本発明の実施形態2に係る光学シャッタ10の斜視図であり、図6bに示すように、2枚の偏光素子11及び12が張り合わされて構成されている。偏光素子11及び12は、それぞれ図1に示される周期構造1のように、図1に示すように、同一の幅及び同一の厚さを有する複数の導電性誘電体層2が互いに平行になるように、同一の幅の空隙3を介して一方向に配列された周期構造を備える。尚、図中のθは、偏光素子11の導電性誘電体層と偏光素子12の導電性誘電体層との間のなす角度を示す。偏光素子11及び12のそれぞれに用いられる導電性誘電体は、それぞれ異なる材質であっても良い。すなわち、偏光素子11に用いられる導電性誘電体は、偏光素子12に対して誘電率或いは、屈折率が異なるものを用いることができる。また、偏光素子11は、偏光素子12に関して、導電性誘電体層の幅及び厚さと、空隙の幅のうち少なくともいずれか異なるように構成することができる。前記のように、本発明の偏光素子の帯域遮断フィルタとしての光学特性は、誘電率或いは、屈折率と、導電性誘電体層の幅及び厚さと、空隙の幅によって決定される。従って、異なる帯域遮断フィルタとしての光学特性を有する偏光素子を複数枚重ね合わせることによって、光学シャッタ10が遮断可能な電磁波の波長範囲を必要に応じて適宜調整することが可能になる。本発明の光学フィルタ等の基本的構成である前記の周期構造1は、前記の波長λcut-off以上の長さの波長を有する電磁波に対してロングパスフィルタとして機能する一方、空隙3の幅WSの略1/5以下の波長を有する電磁波に対してショートパスフィルタとして機能する。そこで、複素屈折率が4.51.5iである誘電体を用いて、空隙3の幅WS及び導電性誘電体層2の幅WDがいずれも20nmであり、導電性誘電体層2の厚さTが400nmである周期構造1の光学特性をシミュレーションした。図4は、帯域遮断フィルタとしての光学特性をシミュレーションした結果である。図4のシミュレーション結果から分かるように、4nm~400nmの波長の電磁波が遮断されている。すなわち、導電性誘電体2と空隙3とからなる1周期Pの略1/10~10倍の波長の光を遮断する帯域遮断フィルタとして機能していることが分かる。図5は、偏光素子としての光学特性をシミュレーションした結果である。図5のシミュレーション結果から分かるように、可視光領域を含む200nm~1000nmの波長領域において、TE波の透過率は0である。前記したように、従来の偏光素子として、複数の金属線を同一方向に並べたワイヤーグリッド型の偏光子が用いられていた。このような従来のワイヤーグリッド型の偏光素子の消光比は、50~100程度であった。これに対して、図5のシミュレーション結果によると、前記の周期構造1を備えた偏光素子を透過させた200nm以上の波長の電磁波のTM波とTE波の透過率の比、すなわち、消光比TTM/TTEは、340であった。このように、本発明の偏光素子の基本的構造は半導体プロセスによって極めて正確に作製することができるので、図1に示される周期構造1を用いて本発明を偏光素子として用いた場合、従来品よりも格段に高い消光比を得ることができる。