"ペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法であって、ブタンスルホニルフルオライド、テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホラン、および2,5-ジヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホレンのうち一種または二種以上からなる電解原料を、反応槽内で、無水フッ化水素からなる電解液中で電解フッ素化することにより、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを含む液相成分および気相成分を生成する電解フッ素化工程と、前記反応槽内に前記電解フッ素化工程にて生成する、前記液相成分を抜き出し、前記液相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを加水分解することで、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、前記反応槽から排出される、前記電解フッ素化工程で生成された前記気相成分を捕集し、前記気相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを加水分解することで、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、を備え、前記電解フッ素化工程において、前記反応槽内から前記液相成分を抜き出すことにより、電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドの含有量を500ppm以下となるように制御することを特徴とするペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法。請求項1に記載のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法であって、前記第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程が、前記液相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドの加水分解前に、前記液相成分を蒸留することにより、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを精製するペルフルオロブタンスルホニルフルオライド精製過程を備え、精製されたペルフルオロブタンスルホニルフルオライドは、アルカリ水溶液により加水分解されるペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法。請求項1または2記載のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法であって、前記第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程が、前記気相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドの加水分解前に、前記気相成分からフッ化水素ガスを除去するフッ化水素ガス除去過程を備え、フッ化水素ガスが除去された前記気相成分中のペルフルオロブタンスルホニルフルオライドは、アルカリ水溶液に気液接触することにより加水分解され、前記第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分は、上記アルカリ溶液に捕集されるペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法。請求項1から3のいずれか一項に記載のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法であって、前記第一及び第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中の、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、それぞれ50ppm以下であるペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法。請求項1から3のいずれか一項に記載のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法であって、前記第一及び第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中の、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、それぞれ10ppm以下であるペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法。請求項1から3のいずれか一項に記載の方法により製造されたペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物であって、前記ペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物に含まれるペルフルオロブタンスルホン酸塩の濃度が質量比で99以上であり、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、50ppm以下であることを特徴とするペルフルオロブタンスルホン酸塩。請求項1から3のいずれか一項に記載の方法により製造されたペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物であって、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、10ppm以下であることを特徴とするペルフルオロブタンスルホン酸塩。請求項1から3のいずれか一項に記載の方法により製造されたペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物であって、一般式CnF2n1SO3Mnは1~3の整数、Mはカチオン成分で表されるペルフルオロアルカンスルホン酸塩類を200ppm以下含有することを特徴とするペルフルオロブタンスルホン酸塩。しかしながら、特許文献4に記載の製造方法では、POFの存在により、ペルフルオロブタンスルホン酸塩の収率の向上は認められるものの、その効果は十分ではないという問題があった。また、特許文献4に記載の製造方法では、生成したPBFがPOFとの混合物として得られるため、PBFの精製が困難となり、生成したペルフルオロブタンスルホン酸塩中にペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩が不純物として混入するという問題があった。PFOS塩は非常に安定な化合物であり、環境中で分解されにくいため、環境蓄積性が懸念されている。このため、近年、新しい環境汚染物質として国際的な規制への対応として、ペルフルオロブタンスルホン酸塩中のPFOS塩含有量の低減が要求されている。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、ペルフルオロブタンスルホン酸塩の収率を向上させると共に、ペルフルオロブタンスルホン酸塩中のペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩含有量を低減させることが可能なペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明者らは鋭意研究した結果、電解フッ素化によって生成したPBFの沸点は約65°Cであるため、その一部が副生した水素ガスとともに排出ガスとして系外へ排出されていることを突き止めた。また、電解液中のPOF含有量を所定値以下に低減することにより、気相中に混入するPOFを抑制することができることを見出して、本願を完成させた。本発明の第一の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法は、ブタンスルホニルフルオライド、テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホラン、および2,5-ジヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホレンのうち一種または二種以上からなる電解原料を、反応槽内で、無水フッ化水素からなる電解液中で電解フッ素化することにより、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを含む液相成分および気相成分を生成する電解フッ素化工程と、前記反応槽内に前記電解フッ素化工程にて生成する、前記液相成分を抜き出し、前記液相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを加水分解することで、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、前記反応槽から排出される、前記電解フッ素化工程で生成された前記気相成分を捕集し、前記気相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを加水分解することで、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、を備え、前記電解フッ素化工程において、前記反応槽内から前記液相成分を抜き出すことにより、電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドの含有量を500ppm以下となるように制御するペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法である。本発明の第一の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法では、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程は、前記液相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドの加水分解前に、前記液相成分を蒸留することにより、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを精製するペルフルオロブタンスルホニルフルオライド精製過程を備え、精製されたペルフルオロブタンスルホニルフルオライドは、アルカリ水溶液により加水分解されてもよい。第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程は、前記気相成分に含まれるペルフルオロブタンスルホニルフルオライドの加水分解前に、前記気相成分からフッ化水素ガスを除去するフッ化水素ガス除去過程を備え、フッ化水素ガスが除去された前記気相成分中のペルフルオロブタンスルホニルフルオライドは、アルカリ水溶液に気液接触することにより加水分解され、前記第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分は、上記アルカリ溶液に捕集されてもよい。前記第一及び第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中の、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、それぞれ50ppm以下であってもよい。前記第一及び第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中の、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、それぞれ10ppm以下であってもよい。本発明の第二の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物は、の本発明の一態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩製造方法により製造されたペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物であって、前記ペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物に含まれるペルフルオロブタンスルホン酸塩の濃度が質量比で99以上であり、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、50ppm以下であるペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物である。本発明の第二の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物は、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量が、10ppm以下であってもよい。本発明の第二の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物は、一般式CnF2n1SO3Mnは1~3の整数、Mはカチオン成分で表されるペルフルオロアルカンスルホン酸塩類を200ppm以下含有してもよい。本発明の第一の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法は、反応槽に生成する液相成分を抜き出して、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製するペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、反応槽から排出される気相成分を捕集して、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製するペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、を備える。これにより、従来反応槽から気相成分として水素と共に系外に排出されていたペルフルオロブタンスルホニルフルオライドを捕集することができるため、ペルフルオロブタンスルホン酸塩の収率を向上させることができる。また、反応槽の電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOFの含有量が、500ppm以下となるように、反応槽から液相成分を抜き出すため、気相成分に混入するPOF含有量を低減することができる。これにより、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中のペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量を10ppm以下に抑制することができる。本発明の第二の態様のペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物は、上記第一の態様の製造方法により製造されるため、上記ペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物に含まれるペルフルオロブタンスルホン酸塩の濃度を質量比は99以上とし、さらに、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量を50ppm以下、あるいは10ppm以下にとどめることができる。以下、本発明の一実施形態であるペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法ついて説明する。本実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法は、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドPBFを生成する工程電解フッ素化工程と、反応槽に生成する液相成分を抜き出して、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する工程第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、反応槽から排出される気相成分を捕集して、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する工程第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程と、を備えている。さらに、反応槽から液相成分を抜き出すことにより、反応槽の電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOFの含有量は、500ppm以下となるように制御される。以下、各工程について、図1を用いて詳細に説明する。原料本実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法は、電解原料としてブタンスルホニルフルオライドC4H9SO2F、テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホラン、2,5-ジヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホレン又はこれらの混合物を用いることができる。上記電解原料として、例えば、ブタンスルホニルフルオライドは、下記式1に示すように、ブタンスルホニルクロライドをフッ化カリウム等によりフッ素置換して容易に製造することができる。C4H9SO2ClKF→C4H9SO2FKCl式1電解フッ素化工程電解フッ素化工程は、上記原料からペルフルオロブタンスルホニルフルオライドC4F9SO2F;PBFを生成する工程である。具体的には、例えば、原料としてブタンスルホニルフルオライドを用い、これを無水フッ化水素と共に電解槽に装入し、常圧下、窒素ガス雰囲気中で電解する。これにより、下記式2に示すように、ブタンスルホニルフルオライドのアルキル基がフッ素置換されて、PBFが生成される。C4H9SO2F9HF→C4F9SO2F9H2↑式2原料にテトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシドスルホランを用い、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドC4F9SO2F:PBFを生成させる場合の反応式を下記式3に示す。C4H8SO210HF→C4F9SO2F9H2↑式3生成したPBFの一部は、第一の気相成分として、副生する水素や分解生成物であるペルフルオロアルカン類、スルホニルジフルオライド、置換ガスである窒素、電解溶媒である無水フッ化水素とともに電解槽から系外にガスとして排出される。ここで、この第一の気相成分を-10~-40°Cの冷媒が循環するコンデンサーを通過させることにより、電解槽からガスとして排出されたPBFの一部は、同伴するフッ化水素と共に液化されて電解槽に戻る。そして、液化され電解槽に戻ったPBFは、電解槽中で電解液の下層に液相を形成する。しかしながら、生成したPBFの一部は、上記コンデンサーを通過した後も液化されずに、第二の気相成分として生成した水素ガスともに系外に排出される。本発明者らが検討した結果、PBFの生成比重量比は、液相:気相=3:2程度であることが確認されている。電解フッ素化工程では、副反応として、ペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドC8F17SO2F;POFが生じる。また、原料の炭素鎖が切断されることによって、一般式CnF2n1SO2Fnは1~3の整数で表されるペルフルオロアルカンスルホニルフルオライドが生じる。さらに、原料や中間体および生成したPBFが分解することによって、CnF2n2で表されるペルフルオロアルカン類やスルホニルジフルオライドSO2F2が生じる。電解フッ素化工程では、フッ化水素が水素に同伴されて電解槽から抜け出すため、電解槽には、原料と、無水フッ化水素を連続供給することが好ましい。第一のペルフルオロブタンスルホン酸画分調製工程第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程は、反応槽に生成する液相成分を抜き出して、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する工程である。具体的には、反応槽に生成した液相成分を抜き出す過程と、抜き出した上記液相成分を蒸留してペルフルオロブタンスルホニルフルオライドPBFを精製する過程と、精製後のPBFをアルカリ水溶液で加水分解してペルフルオロブタンスルホン酸塩を生成する過程と、を備える。先ず、反応槽に生成した液相成分を抜き出す。上記コンデンサーによって冷却されたPBFは、電解槽中では電解液と分離しており、電解液の下層側に液相として存在する。したがって、電解槽の下部に設けた取り出し口より、液相成分を抜き出す。次に、抜き出した液相成分を蒸留してPBFを精製する。具体的には、例えば蒸留塔を用いて液相成分を60~90°Cに加熱する。ここで、PBFの沸点が約65°Cであるのに対して、PBF中に溶解しているペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOFの沸点は約160°Cである。この沸点の温度差を利用してPBF中のPOFを分離することにより、PBF中のPOF含有量を少なくとも50ppm以下、好ましくは10ppm以下となるようにPBFを精製することができる。次に、精製後のPBFをアルカリ水溶液で加水分解してペルフルオロブタンスルホン酸塩を生成する。上記アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化リチウムLiOH、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOHを用いることができる。アルカリ水溶液による加水分解反応を下記式4に示す。式4の反応で生成されるペルフルオロブタンスルホン酸塩としては、ペルフルオロブタンスルホン酸リチウム塩LFBS塩、ペルフルオロブタンスルホン酸ナトリウム塩、ペルフルオロブタンスルホン酸カリウム塩KFBS塩が挙げられる。下記式4に示すように、PBFは、アルカリ水溶液中の水酸化物MOHと反応して、ペルフルオロブタンスルホン酸塩C4F9SO3Mとなる。C4F9SO2F2MOH→C4F9SO3MMFH2O式4但し、上記式4において、Mは、Li,Na,Kのいずれかである。次に、生成したペルフルオロブタンスルホン酸塩を含む反応液から不純物MFを分離し、得られた結晶を乾燥する。以上の過程により、第第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分が調製される。第二のペルフルオロブタンスルホン酸画分調製工程次に、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程は、反応槽から排出される気相成分を捕集して、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分を調製する工程である。具体的には、反応槽から排出される第二の気相成分からフッ化水素ガスを除去する過程と、フッ化水素ガスを除去した後の第二の気相成分中のペルフルオロブタンスルホニルフルオライドPBFをアルカリ水溶液と気液接触させて、ペルフルオロブタンスルホン酸塩として生成する過程と、を備える。先ず、反応槽から排出される気相成分からフッ化水素ガスを除去する。具体的には、排出した第二の気相成分中には、コンデンサーで液化しきれない無水フッ化水素が含まれるため、好ましくは水または低濃度のアルカリ水溶液のシャワーと気液接触させて洗浄することによりフッ化水素酸を除去する。次に、フッ化水素ガスを除去した後の気相成分中のPBFをアルカリ水溶液と気液接触させて、ペルフルオロブタンスルホン酸塩を生成する。具体的には、フッ化水素ガスを除去した後の気相成分をガス吸収塔に導き、アルカリ水溶液と気液接触させる。これにより、上記式4に示すように、PBFがアルカリ水溶液中のアルカリ化合物と反応して、ペルフルオロブタンスルホン酸塩となり、上記アルカリ水液中に反応吸収される。上記アルカリ水溶液としては、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程で用いたものと同じアルカリ水溶液を用いることができる。また、PBFの生成ガスを効率よくアルカリ水溶液に吸収させるため、アルカリ水溶液に界面活性剤を混ぜてもよい。一方、電解生成ガス気相成分に含まれる副生成物のペルフルオロアルカン類はアルカリ水溶液に吸収されず、系外に排出される。また、同じく電解生成ガスに含まれる副生成物のスルホニルジフルオライドSO2F2はアルカリ水溶液に吸収されて硫酸塩M2SO4とアルカリ金属フッ化物MFを生じる。次に、生成したペルフルオロブタンスルホン酸塩を吸収したアルカリ水溶液を濃縮、乾燥した後、不純物を分離することにより、ペルフルオロブタンスルホン酸塩を精製する。以上の過程により、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分が調製される。電解フッ素化の副反応として生成したペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドC8F17SO2F;POFは、反応槽中において、電解液フッ化水素酸と生成相PBFとに、分配平衡となるように溶解した状態で存在する。そして、POFは、フッ化水素酸よりもPBF中に多く溶解する。電解液中のPOF含有量が500ppmを超えると、電解フッ素化により生成した水素ガスとともにPOFが気相成分として反応槽の系外に排出され易くなる。気相成分は、上記第二のPFBS塩画分調製工程の説明にて述べたように、アルカリ水溶液と気液接触するため、気相成分中のPOFとアルカリ水溶液とが反応して、ペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩が生成する。このため電解液中のPOF含有量が500ppmを超える場合、上記第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程において、生成したペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中にPFOS塩が不純物として多く混入してしまうという問題があった。上記第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程では、PBFを液相として抜き出し、蒸留によってさらに精製するため、PBF中に高濃度のPOFが混入している場合であっても容易に分離、精製することが可能である。これに対して、上記第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程では、PBFではなく、ペルフルオロブタンスルホン酸塩として液体状態で回収されるため、蒸留によるPOFの分離ができない。また、生成したペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中にPFOS塩が不純物として混入した場合も、ペルフルオロブタンスルホン酸塩画分からの分離は困難である。したがって、上記第二のPFBS塩画分調製工程において、気相成分中にPOFが混入しないようにすることが重要である。本実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法においては、反応槽から液相成分を抜き出すことにより、反応槽の電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOFの含有量を500ppm以下となるように制御している。すなわち、第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程において生成した液相成分を抜き出すことにより、この液相成分に多く溶解しているPOFを反応槽から取り除く。電解フッ素化により新たに液相成分としてPBFが生成すると、電解液フッ化水素酸中に溶解しているPOFはPBFを含む液相に移るため、電解液中のPOF含有量は500ppm以下に維持される。これにより、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程において、水素に同伴され反応槽から排気される気相成分中のPOF含有量を10ppm以下に抑制することができる。電解液中のPOF含有量は100ppm以上、500ppm以下としてもよい。電解液中のPOF含有量を100ppm未満に保つ場合、液相成分の抜き出し以外の手段を用いる必要があり、ペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造コストが上昇する。本実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法によって得られたペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物第一および第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分は、以下の特徴を有する。第一および第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分から得られるペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物に含まれるペルフルオロブタンスルホン酸塩の濃度は質量比で99以上である。第一のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程によって得られるペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物のペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量は、50ppm以下である。一方、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程によって得られるペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物のPFOS塩含有量は、10ppm以下である。また、第二のペルフルオロブタンスルホン酸塩画分調製工程によって得られるペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物は、一般式CnF2n1SO3Mnは1~3の整数、Mはカチオン成分で表されるペルフルオロアルカンスルホン酸塩類を200ppm以下含有する。これは、電解フッ素化工程で副生する、一般式CnF2n1SO2Fnは1~3の整数で表されるペルフルオロアルカンスルホニルフルオライドに起因するものである。以上説明したように、本実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法によれば、電解フッ素化により生成したペルフルオロブタンスルホニルフルオライドPBFのうち、従来排出ガスとして損失していた気相成分中のPBFをアルカリ水溶液との気液接触反応にて捕集する。よって、その後の精製処理により得られるペルフルオロブタンスルホン酸塩C4F9SO3Mの収率を向上させることができる。また、電解フッ素化により副生するペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOFを電解液の下層側に分離するPBFとともに液相として抜き出し、蒸留精製によりPBF中のPOF含有量を10ppm以下とした後、アルカリ水溶液を用いて加水分解する。これにより、ペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物に含まれ、環境への蓄積性が懸念されているペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩の含有量を10ppm以下にすることができる。さらに、電解フッ素化により副生するPOFを、電解液の下層側に分離したPBFとともに液相として定期的に抜き出し、電解液中のPOF含有量を500ppm以下に維持しながら、水素に同伴されたPBFガスを捕集することにより、気相側からPFOS塩含有量が10ppm以下のペルフルオロブタンスルホン酸塩含有組成物を製造することができる。電解液中のPOF含有量は、電解液を処理した後、ガスクロマトグラフィーにて定量することができる。また、ペルフルオロブタンスルホン酸塩画分中のPFOS塩含有量およびCnF2n1SO3Mnは1~3の整数含有量は、イオンクロマトグラフィーにて定量することができる。以下、実施例によって本発明の効果をさらに詳細に説明する。なお、本発明は実施例によって、なんら限定されるものではない。実施例1及び実施例2実施例1及び実施例2では、本発明を適用した上記実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法を行なって、ペルフルオロブタンスルホニルフルオライドPBFの収率及び生成したペルフルオロブタンスルホン酸カリウム塩KFBS塩中のペルフルオロオクタンスルホン酸塩PFOS塩含有量を調査した。具体的には、上記実施形態のペルフルオロブタンスルホン酸塩の製造方法において、先ず、原料としてスルホランを用い、電解フッ素化を行なってPBFを生成した。次に、反応槽から液相成分を定期的に抜き出してPBFを回収することにより、電解液中のペルフルオロオクタンスルホニルフルオライドPOF含有量を500ppm以下に維持するとともに、気相成分としてもPBFを回収した。次に、液相成分及び気相成分として回収したPBFを、アルカリ水溶液として水酸化カリウムKOHを用いて加水分解することにより、それぞれKFBS塩を生成した。なお、電解フッ素化工程におけるコンデンサーの冷媒温度は、-20°Cとした。表1に、原料からのKFBS塩の収率と、電解液中及び生成したKFBS塩中のPFOS塩含有量の結果を示す。比較例1比較例1は、上記実施例1とは、電解フッ素化によって生成したPBFの気相成分を回収しない点で異なる。結果を表1に示す。比較例2及び比較例3比較例2及び比較例3は、上記実施例1とは、電解液中のPOF含有量を500ppm以下に維持しない点で異なる。結果を表1に示す。表1に示すように、実施例1では、電解フッ素化によって生成したPBFを液相成分及び気相成分として回収するため、液相PBFのKFBS塩の収率25と、気相PBF経由のKFBS塩をあわせて収率が44となった。また、実施例2では、同様に収率が42となった。また、実施例1では、液相成分を定期的に抜き出してPBFを回収し、電解液中のPOF含有量を100~300ppmに維持し、実施例2では、電解液中のPOF含有量を300~500ppmに維持したため、液相PBF経由のKFBS塩及び気相PBF経由のKFBS塩中のPFOS塩含有量を10ppm以下に抑制することができた。これに対して、比較例1では、水素に同伴された気体成分のPBFを損失したため、合計収率は、液相PBF経由のみからのKFBS塩の収率25であった。また、比較例2では、電解液中のPOF含有量が500~700ppmであり、500ppmを超えていたため、気相PBF経由のKFBS塩中のPFOS塩含有量が55ppmであった。また、比較例3では、電解液中のPOF含有量が1700~1900ppmであり、500ppmを超えていたため、気相PBF経由のKFBS塩中のPFOS塩含有量が60ppmであった。"