"コアロッドをクラッド管に挿入する工程と前記クラッド管を縮径して前記コアロッドと前記クラッド管とを一体化する工程とを有するロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法であって、前記コアロッドをクラッド管に挿入する工程の前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面の少なくとも一方にガラス層を堆積形成する工程と、前記ガラス層を堆積形成する工程に引き続いて該ガラス層の表面をドライエッチングする工程とを有し、前記ガラス層は、前記コアロッドを構成するガラスの粘性率と前記クラッド管を構成するガラスの粘性率との中間の粘性率を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。コアロッドをクラッド管に挿入する工程と前記クラッド管を縮径して前記コアロッドと前記クラッド管とを一体化する工程とを有するロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法であって、前記コアロッドをクラッド管に挿入する工程の後で、前記クラッド管を縮径してコアロッドとクラッド管とを一体化する工程の前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面の少なくとも一方にガラス層を堆積形成する工程と、前記ガラス層を堆積形成する工程に引き続いて該ガラス層の表面をドライエッチングする工程とを有し、前記ガラス層は、前記コアロッドを構成するガラスの粘性率と前記クラッド管を構成するガラスの粘性率との中間の粘性率を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。請求項1または請求項2に記載のガラス光ファイバ母材の製造方法において、前記ガラス層を堆積形成する工程と前記ガラス層の表面をドライエッチングする工程とを対にして複数回繰り返すことを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガラス光ファイバ母材の製造方法において、前記ガラス層は、その平均表面粗さが005μm以下であり、かつ含有するOH基の濃度が01ppm以下であり、前記ガラス層の粘性率が、前記コアロッドの側から前記クラッド管の側に向かって、減少する分布または増加する分布を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のガラス光ファイバ母材の製造方法において、前記ガラス層は、その平均表面粗さが005μm以下であり、かつ含有するOH基の濃度が01ppm以下であり、前記ガラス層の粘性率が、前記コアロッドの側から前記クラッド管の側に向かって、一旦減少した後に増加する分布を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のガラス光ファイバ母材の製造方法において、前記ガラス層の粘性率は、F、B、P、Ge、Cl、Na、Mg、K、Ca、Sr、Baのいずれか一つの元素の添加量によって制御されることを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のガラス光ファイバ母材の製造方法において、前記ガラス層を堆積形成する工程前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面を清浄化する工程を更に有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法。しかしながら、従来のロッドインチューブ法でガラス光ファイバ母材を製造した場合、該ガラス光ファイバ母材から線引きするとガラス光ファイバのコアクラッド界面の揺らぎ構造不整が増大し、その結果、ガラス光ファイバの製造歩留まりの低下や伝送損失の増大という問題があった。また、従来のロッドインチューブ法では、コアロッドとクラッド管との間にOH基を取り込んだ状態でそれらを一体化してしまうことがあり、該OH基が光を吸収してガラス光ファイバの伝送損失が更に増大するという問題もあった。したがって、本発明の目的は、母材製造工程後の線引き工程におけるコアとクラッドとの構造不整の増大を抑制することができると共に、コアクラッド間のOH基濃度を低く抑えることができるロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法を提供することにある。I本発明は、上記目的を達成するため、コアロッドをクラッド管に挿入する工程と前記クラッド管を縮径して前記コアロッドと前記クラッド管とを一体化する工程とを有するロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法であって、前記コアロッドをクラッド管に挿入する工程の前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面の少なくとも一方にガラス層を堆積形成する工程と、ガラス層を堆積形成する前記工程に引き続いて該ガラス層の表面をドライエッチングする工程とを有し、前記ガラス層は、前記コアロッドを構成するガラスの粘性率と前記クラッド管を構成するガラスの粘性率との中間の粘性率を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法を提供する。IIまた、本発明は、上記目的を達成するため、コアロッドをクラッド管に挿入する工程と前記クラッド管を縮径して前記コアロッドと前記クラッド管とを一体化する工程とを有するロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法であって、前記コアロッドをクラッド管に挿入する工程の後で、前記クラッド管を縮径してコアロッドとクラッド管とを一体化する工程の前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面の少なくとも一方にガラス層を堆積形成する工程と、ガラス層を堆積形成する前記工程に引き続いて該ガラス層の表面をドライエッチングする工程とを有し、前記ガラス層は、前記コアロッドを構成するガラスの粘性率と前記クラッド管を構成するガラスの粘性率との中間の粘性率を有することを特徴とするガラス光ファイバ母材の製造方法を提供する。本発明は、上記の本発明に係るガラス光ファイバ母材の製造方法I,IIにおいて、以下のような改良や変更を加えることができる。iガラス層を堆積形成する前記工程と該ガラス層の表面をドライエッチングする前記工程とを対にして複数回繰り返す。ii前記ガラス層は、その平均表面粗さが005μm以下であり、かつ含有するOH基の濃度が01ppm以下であり、前記ガラス層の粘性率が、前記コアロッドの側から前記クラッド管の側に向かって、減少する分布または増加する分布を有する。iii前記ガラス層は、その平均表面粗さが005μm以下であり、かつ含有するOH基の濃度が01ppm以下であり、前記ガラス層の粘性率が、前記コアロッドの側から前記クラッド管の側に向かって、一旦減少した後に増加する分布を有する。iv前記ガラス層の粘性率は、Fフッ素、Bホウ素、Pリン、Geゲルマニウム、Cl塩素、Naナトリウム、Mgマグネシウム、Kカリウム、Caカルシウム、Srストロンチウム、Baバリウムのいずれか一つの元素の添加量によって制御される。v前記ガラス層を堆積形成する工程の前に、前記コアロッドの外表面および前記クラッド管の内表面を清浄化する工程を更に有する。本発明によれば、母材製造工程後の線引き工程におけるコアクラッド間の構造不整の増大を抑制するとともに、コアクラッド間のOH基濃度を低く抑えるロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法を提供することができる。その結果、伝送損失の少ないガラス光ファイバ例えば、02dBkm以下を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態について、詳細に説明する。ただし、本発明は、ここに取り上げる実施の形態に限定されるものではなく、要旨を変更しない範囲で適宜組み合わせや改良が可能である。本発明者は、ロッドインチューブ法で製造したガラス光ファイバ母材から線引き加工したガラス光ファイバで伝送損失を生じる因子について精力的に調査検討を行った。その結果、ガラス光ファイバ母材を製造する段階において、コアを構成するガラスの粘性率とクラッドを構成するガラスの粘性率との間に大きな差異があると、コアクラッド界面で急峻な粘性率変化に起因した応力が発生し、それによって、線引き工程でコアクラッド間の構造不整が増大することを見出した。構造不整は、伝送損失増大の大きな要因として知られている。また、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面の平均表面粗さが大きいと、構造不整の増大が助長されることを確認した。また、従来のロッドインチューブ法では、コアロッドとクラッド管との間にOH基を取り込んだ状態でそれらを一体化してしまうことがあることを確認した。本発明は、それらの知見に基づいて完成されたものである。前述したように、本発明に係るガラス光ファイバ母材の製造方法は、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面の少なくとも一方に、コアロッドを構成するガラスの粘性率とクラッド管を構成するガラスの粘性率の中間の粘性率コアロッドの粘性率より小さくクラッド管の粘性率より大きい粘性率を有するガラス層を堆積形成することを特徴とする。こうすることにより、ガラス層がコアロッドとクラッド管との間で生じる応力を緩和し、コアクラッド間の構造不整の増大を抑制することができる。また、コアロッドの外表面やクラッド管の内表面にガラス層を堆積形成することで、コアロッドの外表面やクラッド管の内表面に存在する凹凸を埋めて平均表面粗さを小さくすることができる。ガラス層としては少なくとも1層のガラス層を設ければよいが、複数層の場合は単層の場合よりも、コアロッドとクラッド管との間の応力をより緩和させることができる。さらに、本発明に係るガラス光ファイバ母材の製造方法は、ガラス層を堆積形成した後に該ガラス層の表面に対してドライエッチングを行うことを特徴とする。そうすることにより、堆積形成したガラス層の平均表面粗さがより小さくなり、構造不整を更に抑制することができる。ガラス層の堆積形成工程と該ガラス層表面のドライエッチング工程とを対にして複数回繰り返すことは好ましい。それにより、ガラス層が複数層存在することによる効果と表面平坦化のポジティブフィードバック効果が得られる。なお、繰り返し回数に特段の限定はなく、費用対効果の観点から適宜設定すればよい例えば、3回が好ましい。ガラス層の堆積形成方法に特段の限定はないが、例えば、CVD法ChemicalVaporDepositionを好適に利用できる。ガラス層を設ける場所は、コアロッドの外表面でもクラッド管の内表面でもよく、またその両方でもよい。コアロッドの外表面およびまたはクラッド管の内表面に対して、別々にガラス層を堆積形成してからコアロッドをクラッド管に挿入してよい。また、コアロッドをクラッド管に挿入した状態で、コアロッドの外表面とクラッド管の内表面にガラス層を同時に堆積形成してもよい。上述したように、本発明に係るガラス光ファイバ母材の製造方法では、コアロッドクラッド管の界面でガラスの粘性率が急激に変化することを避けられればよい。具体的には、コアロッドとクラッド管との間に形成したガラス層は、コアロッドの側からクラッド管の側に向かって、その粘性率が減少する分布であってもよいし、増加する分布であってもよいし、一旦減少した後に増加する分布であってもよい。ガラス層の粘性率は、F、B、P、Ge、Cl、Na、Mg、K、Ca、Sr、Baのいずれか一つの元素の添加量によって制御することができる。F元素を添加する場合を例として、ガラス層の粘性率制御について以下に説明する。CVD法によってガラス層を堆積形成する際、SiCl4四塩化ケイ素とO2酸素とを主原料ガスとし、SiF4四フッ化ケイ素を副原料ガスとして用いる。SiCl4ガスとO2ガスとの流量を一定にし、SiF4ガスの流量を調整することによってガラス層中のF元素の添加量を変化させることができる。SiF4ガスの流量を増加させると、ガラス膜中のF元素の添加量が増大し粘性率が小さくなる。一方、SiF4ガスの流量を減少させると、ガラス膜中のF元素の添加量が減少し粘性率が大きくなる。このとき、成膜温度は1800~2200°C、SiCl4ガスの流量は100~2000sccm、O2ガスの流量は300~6000sccm、SiF4ガスの流量は50~500sccmが好ましい。また、堆積形成するガラス層の厚さは、05~50μmが好ましい。上記のようにして堆積形成したガラス層は、膜中のOH基濃度を01ppm以下にすることができる。ガラス層を堆積形成する工程の前に、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面を清浄化する工程を実施することが好ましい。清浄化工程を実施することにより、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面に存在する可能性のある不純物例えば、水分や有機不純物を除去することができ、ガラス光ファイバ母材中にそれらが取り込まれることを防ぐことができる。加えて、清浄化工程を実施することで、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面の平均表面粗さを小さくするという効果も得られる。平均表面粗さが小さいほど、構造不整を抑制することができる。清浄化工程としては、コアロッドの外表面およびクラッド管の内表面への水分吸着を防ぐ観点から、ドライエッチングが好ましい。エッチングガスとしては、例えばC2F6六フッ化エタンとO2との混合ガスを用いることができる。以下、本発明を実施例に基づいて、図面を参照しながらより具体的に説明する。ただし、本発明はここで取り上げた実施例に限定されるものではない。[実施例1]コアロッドをクラッド管に挿入する工程図1Aは、コアロッドをクラッド管に挿入する工程の1例を示す斜視模式図である。コアロッド101として、外径13mm、長さ650mmの高純度石英からなる円柱体を準備した。コアロッド101の一方の端部の端面から50mmまでの部分には、芯出し用のテーパー加工とガス流通用の溝加工とを施した図示せず。また、外径13mm、長さ300mmの石英からなる支持棒102を準備し、コアロッド101の他方の端部に接続した。クラッド管103としては、コアロッド101よりも屈折率が低くなるように、F元素を添加した石英管外径35mm、内径15mm、長さ600mmを準備した。また、第1支持管104として外径35mm、内径20mm、長さ300mmの石英管を準備し、第2支持管105として外径35mm、内径10mm、長さ300mmの石英管を準備した。第1支持管104をクラッド管103の一方の端部に接続し、第2支持管105をクラッド管103の他方の端部に接続した。図1Aに示したように、コアロッド101の一方の端部支持棒102の反対側をクラッド管103の第1支持管104側から挿入する。コアロッド101の一方の端部にはテーパー加工が施され、第2支持管105の内径10mmはコアロッド101の外径13mmよりも小さくなっているので、コアロッド101をクラッド管103に挿入した際に、第2支持管105は、コアロッド101の芯出しおよびストッパとして機能する。清浄化工程図1Bは、コアロッドを組み込んだクラッド管を加熱装置に設置した様子の1例を示す斜視模式図である。まず、コアロッド101とクラッド管103との隙間へ第1の回転支持管106および第2の回転支持管107を介してガスが流通可能になるように、第1の回転支持管106と支持棒102とを接続し、第2の回転支持管107と第2支持管105とを接続した。図1Bに示したように、第1の回転支持管106および第2の回転支持管107を接続したコアロッド101クラッド管103を加熱装置の移動式ヒータ110内に挿入した後、第1の回転支持管106を回転用第1チャック108a,108bで固定し、第2の回転支持管107を回転用第2チャック109a,109bで固定した。次に、コアロッド101とクラッド管103との隙間へエッチングガスを流しながら移動式ヒータ110で加熱して、コアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面に対してドライエッチングによる清浄化工程を行った。エッチングガスにはC2F6とO2を用いた。ガス流量はC2F6:200sccmとO2:2000sccmとした。エッチング時間については、事前検討におけるエッチングレートから、エッチング厚さが10μmとなるように調整した。移動式ヒータ110の温度は2000°Cとし、移動式ヒータ110の移動速度は3mmminとした。清浄化工程を施したコアロッド101クラッド管103に対して、コアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面の平均表面粗さRaを、表面粗さ測定装置株式会社キーエンス、型式:VK8510を用いて別途測定した。その結果、コアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面の平均表面粗さRaは01μmであった。清浄化工程を施すことにより、コアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面が平滑化されることが確認された。ガラス層の堆積形成工程およびドライエッチング工程引き続いて、清浄化した表面を大気に触れさせないようにコアロッド101クラッド管103を加熱装置内に設置したまま、コアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面にガラス層を堆積形成する工程を行った。本実施例では、コアロッド101をクラッド管103に挿入した状態で、ガラス層の堆積形成をCVD法により行った。主原料ガスとしてSiCl4およびO2を用い、ドーパントがFとなるように副原料ガスとしてSiF4を用いた。堆積時間は、事前検討における堆積レートから、膜厚が15μmとなるように調整した。移動式ヒータ110の温度は2000°Cとし、移動式ヒータ110の移動速度は3mmminとした。上記のガラス層堆積形成工程に続けて、該ガラス層表面のドライエッチングを行った。エッチングガスとしてC2F6を用いた。このドライエッチング工程では、目標エッチング厚さを2μmとした。温度条件は、先のガラス層堆積形成工程と同様に、移動式ヒータ110の温度を2000°Cとし、移動式ヒータ110の移動速度を3mmminとした。ガラス層堆積形成工程とガラス層表面のドライエッチング工程との組を3回繰り返したすなわち、3層のガラス層を形成した。形成した3層のガラス層の総膜厚は39μmであった。なお、ガラス層内のFドーパント濃度は、層毎に順次高くなるように制御した。図2は、ガラス層堆積形成工程とドライエッチング工程との組を3回繰り返した後のコアロッドの外表面およびクラッド管の内表面の1例を示す部分拡大断面模式図である。図2に示したように、コアロッド101の外表面に3層のガラス層201a~201cが堆積形成され、クラッド管103の内表面に3層のガラス層203a~203cが堆積形成される。ガラス層堆積形成工程とドライエッチング工程との組毎に、各ガラス層の平均表面粗さRaを、表面粗さ測定装置株式会社キーエンス、型式:VK8510を用いて別途測定した。その結果、各ガラス層の平均表面粗さは、下地であるコアロッド101の外表面およびクラッド管103の内表面の平均表面粗さよりも小さく、かつ1層目から3層目に向かって徐々に小さくなっていた図2参照。また、3層目のガラス層201c、203cの平均表面粗さRaは004μmであった。このことから、ガラス層の堆積形成とドライエッチングとを繰り返すことにより、平均表面粗さを減少させられることが確認された。また、形成した各ガラス層中のOH基濃度を、フーリエ変換型赤外分光FTIR装置株式会社島津製作所社、型式:FTIR8700を用いて別途測定した。その結果、形成した各ガラス層中のOH基濃度は、いずれも009ppmであった。これは、ガラス層の堆積形成に高純度原料ガスを用いたことと、一連の工程を大気に触れないように行ったことが寄与したものと考えられる。また、コアロッド101を構成するガラス、クラッド管103を構成するガラス、および堆積形成する各ガラス層201a~201cの2000°Cにおける粘性率を繊維引き伸ばし法により別途測定したガラス層203a~203cは、それぞれガラス層201a~201cと同じと考えられる。その結果、コアロッド101を構成するガラスの粘性率は1×1035Pasであり、クラッド管103を構成するガラスの粘性率は1×1025Pasであり、堆積形成するガラス層201a~201cの粘性率はそれぞれ1×1033Pas、1×103Pas、1×1028Pasであった。言い換えると、ガラス層201a~201cは、その粘性率がコアロッド101を構成するガラスの粘性率とクラッド管103を構成するガラスの粘性率との間に入るように、添加するF量を制御しながら堆積形成したものである。脱水処理工程脱残留ガス工程次に、Cl2塩素ガスを用いて、堆積形成したガラス層201a~201c,203a~203cの脱水処理を行った。Cl2ガス流量は100sccmとし、処理時間は1時間とした。続いて、十分に乾燥したN2窒素ガスを用いて、バッチパージ処理を行った。N2ガス流量を500sccmとしてバッチパージを10回行った。本工程は、清浄化工程ガラス層堆積形成工程ドライエッチング工程脱水処理工程で使用したガス成分を十分に除去するために行うものである。コアロッドクラッド管の一体化工程最後に、クラッド管103を縮径してコアロッド101とクラッド管103とを一体化する工程を行った。引き続き加熱装置を用いて、コアロッド101とクラッド管103との隙間を減圧しながら加熱した。コアロッド101とクラッド管103の隙間の真空度は大気圧から130Pa減圧759Torrとし、移動式ヒータ110の温度は2150°Cとし、移動式ヒータ110の送り速度は5mmminとした。図3は、実施例1で製造したガラス光ファイバ母材の斜視模式図および該ガラス光ファイバ母材断面の屈折率分布を示す模式図である。本実施例で製造されたガラス光ファイバ母材301は、長手方向で均一な外径342mmを有し、コアクラッド間に欠陥空隙やクラックの発生は無かった。また、図3に示したように、屈折率分布は、マッチドクラッド型であった。次に、製造したガラス光ファイバ母材301を用いて線引き工程を行い、ガラス光ファイバを製造した。図4は、実施例1で製造したガラス光ファイバ断面の応力分布の1例を示すグラフである。図4に示したように、ガラス光ファイバ母材301を用いて製造されたガラス光ファイバは、応力分布においてコアクラッド間に複数の中間ステップが形成され、コアクラッド間の急峻な応力変化が緩和されている様子が判る。線引きしたガラス光ファイバの特性を調査したところ、波長155μmにおける伝送損失が0175dBkmであり、要求される020dBkmよりも小さな値が得られた。コアクラッド間の急峻な応力変化を緩和したことにより、コアクラッド間の構造不整の増大が抑制されて伝送損失の低減につながったと考えられる。[実施例2]本実施例においては、コアロッド101をクラッド管103に挿入する工程の前に、クラッド管103の内表面に対してのみガラス層の堆積形成工程および該ガラス層表面のドライエッチング工程を繰り返し行い、その後、コアロッド101をクラッド管103に挿入する工程を行った。それ以外の工程は、前述の実施例1と同様に実施した。ガラス層堆積形成工程および該ガラス層表面のドライエッチング工程との組は、3回繰り返して行ったすなわち、3層のガラス層を形成した。形成した3層のガラス層の総膜厚は39μmであった。ガラス層内のFドーパント濃度は、層毎に順次高くなるように制御した。ガラス層堆積形成工程とドライエッチング工程との組毎に、各ガラス層の平均表面粗さRaを、表面粗さ測定装置株式会社キーエンス、型式:VK8510を用いて別途測定した。その結果、実施例1と同様に、各ガラス層の平均表面粗さは、下地であるクラッド管103の内表面の平均表面粗さよりも小さく、かつ1層目から3層目に向かって徐々に小さくなっていた図2参照。3層目のガラス層の平均表面粗さRaは005μmであった。また、形成した各ガラス層中のOH基濃度を、フーリエ変換型赤外分光FTIR装置株式会社島津製作所社、型式:FTIR8700を用いて別途測定した。その結果、形成した各ガラス層中のOH基濃度は、いずれも01ppmであった。図5は、実施例2で製造したガラス光ファイバ母材の斜視模式図および該ガラス光ファイバ母材断面の屈折率分布を示す模式図である。本実施例で製造されたガラス光ファイバ母材501は、長手方向で均一な外径33mmを有し、コアクラッド間に欠陥空隙やクラックの発生が無かった。また、図5に示したように、屈折率分布は、マッチドクラッド型であった。次に、実施例2で製造したガラス光ファイバ母材501を用いて線引き工程を行い、ガラス光ファイバを製造した。図6は、実施例2で製造したガラス光ファイバ断面の応力分布の1例を示すグラフである。図6に示したように、ガラス光ファイバ母材501を用いて製造されたガラス光ファイバは、応力分布においてコアクラッド間に複数の中間ステップが形成され、コアクラッド間の急峻な応力変化が緩和されている様子が判る。線引きしたガラス光ファイバの特性を調査したところ、波長155μmにおける伝送損失が018dBkmであり、要求される020dBkmよりも小さな値が得られた。コアクラッド間の急峻な応力変化を緩和したことにより、コアクラッド間の構造不整の増大が抑制されて伝送損失の低減につながったと考えられる。以上説明したように、本発明により、母材製造工程後の線引き工程におけるコアクラッド間の構造不整の増大を抑制することができると共に、コアクラッド間のOH基濃度を低く抑えることができるロッドインチューブ法によるガラス光ファイバ母材の製造方法が提供される。なお、ガラス層の粘性率を調整する元素としてF以外の元素を用いる場合についても、それぞれ別途実施し、上記実施例と同様の効果が得られることを確認した。"