加熱面と冷却面とを有するナノプラズモン加熱層と、前記冷却面に隣接して設けられている冷却構造体とを備え、前記加熱層は複数の局所エネルギー受信サイトを有し、前記冷却構造体は前記加熱層からの熱を取り除くためのナノ規模構造体を有していることを特徴とするナノプラズモン素子。前記冷却構造体はプラズモン冷却層を備えることを特徴とする請求項1に記載のナノプラズモン素子。前記プラズモン冷却層は、縦方向に交互にあらわれるナノ粒子領域と非ナノ粒子領域とを備えていることを特徴とする請求項2に記載のナノプラズモン素子。前記プラズモン冷却層は所定波長以下の厚みを持つ間隙層とプラズモニック副層とを備えていることを特徴とする請求項2に記載のナノプラズモン素子。前記プラズモン冷却層は、交互にあらわれる間隙層とプラズモニック副層とを備えていることを特徴とする請求項4に記載のナノプラズモン素子。前記冷却構造体はフォノン冷却層を備えていることを特徴とする請求項1に記載のナノプラズモン素子。前記フォノン冷却層は、縦方向に交互にあらわれるナノ粒子領域と非ナノ粒子領域とを備えていることを特徴とする請求項6に記載のナノプラズモン素子。前記フォノン冷却層は所定波長以下の厚みを持つ間隙層とフォノン副層とを備えていることを特徴とする請求項6に記載のナノプラズモン素子。前記フォノン冷却層は交互にあらわれる間隙層とフォノン副層とを備えていることを特徴とする請求項8に記載のナノプラズモン素子。前記冷却構造体はミクロン以下の流路を備え、前記流路は熱を吸収するナノ構造体を有していることを特徴とする請求項1に記載のナノプラズモン素子。前記冷却構造体は前記局所エネルギー受信サイトに局在していることを特徴とする請求項1に記載のナノプラズモン素子。前記素子はデータ記憶装置、光起電力電池及び描画媒体のうちいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載のナノプラズモン素子。このような応用技術では、回析限界を超える小さな光スポットを利用する。これにより、局所的に大きな加熱が起こる。熱は金属バルク層によって取り除くことができるが、これでは熱が広がってしまい、素子の近接場特性を変えてしまう可能性もある。効率的でかつコンパクトな方法によって、十分な冷却効果を得ることは概して困難である。ナノプラズモン素子は、加熱面と冷却面を有するナノプラズモン加熱層と、前記冷却面に隣接して設けられている冷却構造体とを備え、前記加熱層は局所化された複数のエネルギー受信サイトを有し、前記冷却構造体は前記加熱層からの熱を取り除くためのナノ規模構造を有している。図1の一例を参照すると、ナノプラズモニックシステム10は、光源12、ナノトランスジューサ14、ナノプラズモン素子20を備えている。ナノプラズモン素子20は、加熱面24と冷却面26を有する加熱層22と、冷却面26に隣接して設けられている冷却構造体28とを備える。冷却構造体28は、以下でより詳しく説明するようなナノ構造体を備えている。加熱層22は、熱感応型の磁気メモリ材料、光起電力電池、描画材料などとすることができる。作動中、光源12とナノトランスジューサ14との各組み合わせにより、加熱層22に所定波長以下の光学エネルギースポット16を作り出すことが可能である。ナノトランスジューサ14は、入射波を所定波長以下の熱スポットに局在化させるための公知の素子とすることができて、熱スポットとは例えば、ナノ粒子、ナノアンテナ、ナノ導波路を指す。熱スポット16はそれぞれ局所化されたエネルギーの受信サイトに対応する。また単一光源12とナノトランスジューサ14との組み合わせを作り変え、光学スポット16を逐次的に点灯させることも可能である。光源12とナノトランスジューサ16の組み合わせにより作り出される所定波長以下の光学スポット16を結合させるには、ナノスケールでの輻射熱の移動がその本質的な機構となる。例えば2つの物体がある距離だけ離れていて、互いに接触していない場合にも、物体間には輻射熱による熱の移動がある。熱は、電磁輻射を通じて2つの物体間を移動する。古典的には、物体からの電磁輻射はその物体の温度に依存し、これは黒体輻射として知られている。ある物体から別の物体への電磁輻射熱の移動は、輻射体の温度だけでなく、2つの物体間の距離などの他の因子にも依存する。任意の物体からの電磁輻射は、Rを物体からの距離とすると1/Rでスケールする。電磁力は1/R2でスケールする。ところが、ナノスケール所定波長以下のスケールになり、物体同士が所定波長以下のスケールだけ隔てられた場合、物体表面間での輻射熱の移動は、プランク黒体輻射からの予測と比べて数桁高くなりえる。所定波長以下のスケールでの輻射熱の移動は、プランク黒体輻射の予測と比べて3桁高くなりえる。このような増幅効果は、近接場電磁エネルギーのトンネル現象や、構造体表面における表面プラズモンあるいはフォノンポラリトンの励起現象によるものである。物体間において、このように輻射熱の移動を増幅させるための手段としてはいくつか方法がある。物体が互いに所定波長以下の近接場領域まで近づくと、物体と物体との電磁エネルギーエバネセント結合により、物体間の輻射エネルギー輸送が高められる。このような現象は光トンネル現象ともよばれ、物体同士の距離が光波長よりも短く隔てられているときに観測される。さらに、表面プラズモン共鳴やフォノン共鳴によって、電磁エネルギーの輸送効果は改善される。当該構造体によって表面プラズモン共鳴やフォノン共鳴が促進されると、電磁エネルギーの輸送効果は飛躍的に高くなる。ただし、ここでいうプラズモン冷却もしくはフォノン冷却とは、単一のもしくは複数の部品によって表面プラズモン共鳴あるいは表面フォノン共鳴を促し、エネルギー輸送効果を高くすることで物体を冷却させることを意味する。物体間の間隙や空間は、空気や真空などとすることが可能であるが、誘電体などの材質を利用することも可能である。図2を参照すると、ナノプラズモン素子20は基板30に形成された冷却構造体28’と加熱層22とを備え、前記基板は半導体や誘電材料とすることが可能である。前記誘電材料はシリコンやその他の適当な素材例えばセラミックガラスや非結晶質ガラスとすることが可能であり、また前記基板は概して他の層と比べて厚くなっている。当該加熱層は例えば5nmから30nmの厚みを持つことが可能である。冷却構造体28’は例えば5nmから200nmまでの厚みを持つことが可能である。前記冷却構造体28’は誘電体または半導体32から形成され、前記誘電体または前記半導体には、表面プラズモン共鳴もしくはフォノン共鳴を促すためのナノ粒子34が埋め込まれている。ナノ粒子34のサイズは5nmから200nmまでの間とすることが可能である。粒子サイズの規模は5nmから20nmまでの間であることが好ましいと思われる。交互パターンの全幅に対して粒子が占める割合をデューティ比と呼ぶ。当該粒子に対する典型的なデューティ比は50パーセント程度である。誘電体32は、例えば、二酸化ケイ素、二酸化チタン、五酸化チタンなどの酸化物とすることが可能である。ナノ粒子32は、金、銀、アルミ、プラチナ、または銅などの金属から作られており、当該金属は表面プラズモン共鳴を促すようになっている。ナノ粒子32は、表面フォノン共鳴を促すためにSiC、立方晶窒化ホウ素cBN、六方晶窒化ホウ素hBNあるいは炭化ホウ素BCから作ることも可能である。これらの構造体は様々な技術を利用して製造することが可能である。これらの構造体を製造する方法の可能性の1つとして、薄膜堆積技術やパターニング技術があり、当該技術は、半導体メーカーやハードディスクメーカーではよく知られており、また頻繁に利用されている。薄膜層は、スパッタ成膜、熱蒸着、イオンビーム蒸着などの様々な技術を用いて成膜可能である。これらの構造体のパターン形成は、光描画技術を用いて実現可能である。これらの構造体のパターン形成は、自己組織配列技術やナノインプリント描画技術などの近年発達した技術を用いて実現することも可能である。誘電体層や半導体層に埋め込まれているナノ粒子から、様々なパターン形成が可能である。また粒子同士の様々なデューティ比を駆使して、様々なパターンを得ることができる。また、様々なパターンには、層断面の形成が可能なあらゆる形状が含まれる。様々なパターンとはナノ粒子による様々な断面を指し、球形、円筒形、長方形、正方形などが含まれる。また様々なパターンとは粒子同士の相対的な配置を指し、一定のデューティ比を持つ規則的な分布や、ランダムな分布などが含まれる。これは基礎電磁気学と熱現象との融合を応用している。表面プラズモン共鳴やフォノン共鳴を促すことが可能なパターン構造を配置することにより、これら領域周辺での局在化した電磁場や光場の分布が改善される。局所化され改善されたこのような光場は、粒子と加熱層との輻射エネルギー輸送機能を改善し、したがって局在化された加熱/冷却を改善する。図3を参照すると、ナノプラズモン素子20は基板30に形成された冷却構造体28と加熱層22とを備えている。前記基板は半導体や誘電材料とすることができて、前記誘電材料はシリコンやその他の適当な素材例えばセラミックガラスや非結晶質ガラスとすることができ、また前記基板は概して他の層と比べて厚くなっている。前記加熱層は例えば5nmから30nmの厚みを持つことが可能である。冷却構造体28は例えば5nmから200nmまでの厚みを持つことが可能である。冷却構造体28は、加熱層22とポラリトン層38、40、42、44との間に間隙36を備えている。間隙36は層と層の間の輻射エネルギー移動を促進させる。当該構造体間でのフォノントンネル現象あるいはエバネセント結合を促進するためには、この間隙は非常に狭くナノ規模、波長以下のスケールでなければならない。その下にある層は表面フォノン共鳴を促すように選択され、場合によっては表面プラズモン共鳴を促すように選択することも可能である。このようにして、物体間での輻射エネルギーの移動がますます高められる。ポラリトン層38、40、42、44は多層構造をしており、各層はそれぞれ異なる厚み、異なる材料特性を有することが可能である。各層は互いに異なる特性を有することが可能である。この積層体によって、表面プラズモン共鳴あるいは表面フォノン共鳴が促進される。これらは表面波であって、特定の条件の下で励起させることが可能である。当該層は、金や銀などの表面プラズモン共鳴を促すような金属、あるいはSiC、立方晶窒化ホウ素cBN、六方晶窒化ホウ素hBNあるいは炭化ホウ素BCなどの、表面フォノン共鳴を促すような材質とすることが可能である。当該層と当該層の間には誘電体層が設けられる。図4を参照すると、ナノプラズモン素子20は基板30に形成された冷却構造体28’’’と加熱層22とを備えている。冷却構造体28’’’は基板30にミクロン以下の流路46を備え、前記流路は水などの冷却液を循環させるために利用される。各流路46の内部にはそれぞれ、冷却液による熱吸収を改善するためのナノロッド48が備えられている。またロッド以外の形状を採用することも可能である。冷却構造体28’’’は、例えばシリコン基板の中に作ることも可能である。基板30は等分割して陽極接合することで形成可能であり、基板は加熱層22にも同様に接合される。各分割部分の流路の形成には電子ビーム描画技術が利用可能である。接合する前に、ナノ構造体は視射角蒸着法を用いての蒸着が可能である。前記ナノ構造体は銅でできたロッドなどとすることが可能である。注目すべき点は、冷却構造体28’’’は光学スポット16の下に局在化していることである。このような局在化は、ここでの他の実施例においても同様に適応可能である。局在化によって、ナノ規模構造体によるより素早い冷却が可能になるだけでなく、冷却が必要な場所に冷却効果をより集中させることが可能になる。本発明は実施例による開示であり、本発明の細部を追加、変更、削除することによって、本発明範囲及び趣旨を逸脱することなく種々の変更が可能であることは言うまでもない。したがって、以下の請求項が制限されない限り、本発明はこの開示における特定の詳細には限定されない。