受光側に配置された第1のガラス板と、前記第1のガラス板と対向するように設けられ、該第1のガラス板よりも面積が小さい第2のガラス板と、前記第1のガラス板と前記第2のガラス板との間に設けられている光起電力装置と、前記光起電力装置を囲むように設けられ、前記第1のガラス板および前記第2のガラス板の間を封止する封止部材と、を備え、前記封止部材は、前記第1のガラス板および前記第2のガラス板との間に挟持されている挟持部と、前記第2のガラス板の側部を覆う保護部とを有し、前記第1のガラス板は、受光面の外縁に、外部から光が入射する入射部を有することを特徴とする太陽電池モジュール。前記保護部は、前記第2のガラス板の裏面の外縁部を覆うように形成されている被覆部を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記被覆部は、前記第2のガラス板の中央部に近付くにつれて厚みが薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池モジュール。前記封止部材は、ブチルゴムを含有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。しかしながら、光電変換装置を2枚のガラスで挟み込んだ構造の場合、そのままではガラスの端面が欠けたり割れたりし易い。そこで、特許文献1に記載の太陽電池モジュールのように、ガラス基板の外縁部をフレームで覆う構造も考案されているが、部品点数が多くなるとともに、重量や体積の増大化を招く。また、フレームによって光が遮られるため、光電変換装置に入射する光が減少するという問題もある。そのため、更なる改善の余地がある。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、太陽電池モジュールを構成するガラスの保護を簡易な構成で実現する技術を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある態様の太陽電池モジュールは、受光側に配置された第1のガラス板と、第1のガラス板と対向するように設けられ、該第1のガラス板よりも面積が小さい第2のガラス板と、第1のガラス板と第2のガラス板との間に設けられている光起電力装置と、光起電力装置を囲むように設けられ、第1のガラス板および第2のガラス板の間を封止する封止部材と、を備える。封止部材は、第1のガラス板および第2のガラス板との間に挟持されている挟持部と、第2のガラス板の側部を覆う保護部とを有する。第1のガラス板は、受光面の外縁に、外部から光が入射する入射部を有する。本発明によれば、太陽電池モジュールを構成するガラスの保護を簡易な構成で実現できる。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。以下の各図に示す各層、各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。第1の実施の形態図1は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールを太陽光受光面とは反対側から見た場合の上面図である。図2は、図1に示す太陽電池モジュールのA-A断面図である。図3は、図2に示す太陽電池モジュールの外縁部近傍の部分断面図である。なお、図1では、封止部材、充填材および裏面ガラス板は省略してある。また、図3では、表面ガラス板を下側裏面ガラス板を上側にした状態で示してある。太陽電池モジュール10は、光起電力装置12、封止部材14、表面ガラス板16、絶縁体20、インターコネクタ22、充填材24および裏面ガラス板26を備える。光起電力装置12は、長方形の平板またはフィルム状のユニットであり、複数の光起電力素子28が整列した状態で配置されている。それぞれの光起電力素子28は、互いに直列または並列に適宜接続されている。表面ガラス板16は、光を透過させる材料で構成されており、受光面16aとは反対側の裏面16b上に、光起電力装置12として複数の光起電力素子28が形成されている。このように、表面ガラス板16は、受光面16aを真正面から見た場合、光起電力装置12を覆うように配設されている。なお、表面ガラス板16としては、特に太陽光に含まれる波長の光に対する透過率が高い材料が好適である。次に、光起電力素子28について説明する。図4は、図1に示す光起電力素子のB-B断面図である。光起電力素子28は、第1電極層30、半導体層32、透明導電膜34および第2電極層36を有する。第1電極層30、半導体層32、透明導電膜34および第2電極層36は、周知のレーザパターニングを施されながら表面ガラス板16上に順次積層される。また、第2電極層36の上には、充填材24、裏面ガラス板26が積層されている。第1電極層30は、表面ガラス板16の面上に形成されており、導電性および透光性を有する。本実施の形態に係る第1電極層30としては、透明導電性酸化物TCOが用いられ、特に、高い光透過性、低抵抗性を有し、低価格である酸化亜鉛ZnOが用いられる。半導体層32は、第1電極層30側からの入射光により電荷電子および正孔を生成する。半導体層32としては、例えば、pin接合またはpn接合を基本構造として有するアモルファス非晶質シリコン半導体層や微結晶シリコン半導体層の単層体あるいは積層体を用いることができる。本実施の形態に係る半導体層32は、第1電極層30側からそれぞれアモルファスシリコン半導体、微結晶シリコン半導体が積層されたものとして構成されている。なお、本明細書において、微結晶の用語は、完全な結晶状態のみならず、部分的にアモルファス状態を含む状態をも意味するものとする。透明導電膜34は、半導体層32上に形成されている。透明導電膜34には、酸化亜鉛ZnOなどの透明導電性酸化物TCOが用いられる。透明導電膜34により、半導体層32と第2電極層36が合金化することが防止され、半導体層32と第2電極層36との接続抵抗を減少させることができる。第2電極層36は、透明導電膜34上に形成される。第2電極層36には、銀Agなどの反射性金属が用いられる。一の光起電力素子28の透明導電膜34と第2電極層36は、隣接する他の光起電力素子28の第1電極層30に接触する。これにより、一の光起電力素子28と他の光起電力素子28とが電気的に直列に接続される。インターコネクタ22は、このように直列に接続された複数の光起電力素子28によって生成される電荷を、太陽電池モジュール10の外部に導く。インターコネクタ22は、直列に接続された複数の光起電力素子28のうち両端にある光起電力素子28と導通する導通部22aを有する。インターコネクタ22としては、銅Cuなどの低抵抗率の材料が好ましい。なお、インターコネクタ22と複数の光起電力素子28との間の所定の領域には絶縁体20が配置され、インターコネクタ22の引き出し配線22bと複数の光起電力素子28とが部分的に絶縁される。充填材24は、光起電力装置12およびインターコネクタ22を、表面ガラス板16と裏面ガラス板26との間に封止し、光起電力素子28に加えられる衝撃を緩衝するように配置される。本実施の形態では、充填材24としてエチレン酢酸ビニルEVAを用いる。また、本実施の形態では、裏面ガラス板26として廉価な青板ガラスフロートガラスを用いている。なお、青板ガラスは、不純物イオンとして、例えば、ナトリウムNaなどのアルカリ金属を含んでいる。裏面ガラス板26は、太陽電池モジュール10全体の強度を向上するとともに、太陽電池モジュール10の裏面側からの水分や不純物の侵入を防止する。充填材24および裏面ガラス板26には貫通孔38が設けられている。インターコネクタ22の引き出し配線22bの一方の端部は、貫通孔38から外部に引き出され、端子ボックス40に接続されている。封止部材14は、詳細は後述するが、表面ガラス板16および裏面ガラス板26との間に挟持されている挟持部14cと、裏面ガラス板26の側部26bを覆う保護部14dとを有する。また、保護部14dは、裏面ガラス板26の裏面受光面側と反対側の面の外縁部26aを覆うように形成されている被覆部14eを有する。太陽電池モジュールの製造方法次に、上述の太陽電池を備える太陽電池モジュールの製造方法について説明する。なお、以下では、光起電力素子28を複数備える太陽電池モジュールについて説明するが、光起電力素子28を一つ備える太陽電池モジュールであってもよい。図5乃至図8は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造方法の工程を説明するための断面の模式図である。はじめに、図5aに示すように、4mm厚のガラスからなる表面ガラス板16上に、スパッタリングにより600nm厚の酸化亜鉛ZnOからなる第1電極層30を形成する。そして、表面ガラス板16の第1電極層30側からYAGレーザを照射して、第1電極層30を短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのNdネオジム:YAGレーザを使用する。次に、図5bに示すように、プラズマ処理装置プラズマCVDにより半導体層32を形成する。半導体層32は、膜厚15nmのp型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚200nmのi型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚30nmのn型アモルファスシリコン半導体膜、膜厚30nmのp型微結晶シリコン半導体膜、膜厚2000nmのi型微結晶シリコン半導体膜および膜厚30nmのn型微結晶シリコン半導体膜を、第1電極層30上に順次積層したものである。p型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシランSiH4、メタンCH4、水素H2およびジボランB2H6との混合ガスを原料ガスとして形成される。i型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシランSiH4と水素H2との混合ガスを原料ガスとして形成される。n型アモルファスシリコン半導体膜は、モノシランSiH4、水素H2およびホスフィンPH3との混合ガスを原料ガスとして形成される。また、p型微結晶シリコン半導体膜は、モノシランSiH4、水素H2およびジボランB2H6との混合ガスを原料ガスとして形成される。i型微結晶シリコン半導体膜は、モノシランSiH4と水素H2との混合ガスを原料ガスとして形成される。n型微結晶シリコン半導体膜は、モノシランSiH4、水素H2およびホスフィンPH3との混合ガスを原料ガスとして形成される。以下にプラズマ処理装置による各膜の成膜条件の詳細を表1に示す。なお、n型アモルファスシリコン半導体膜とp型微結晶シリコン半導体膜との間に、中間層として、膜厚30nmの酸化シリコンSiOxを設けてもよい。こうした中間層は、スパッタリング等により形成される。積層された半導体層32、第1電極層30のパターニング位置から外れた位置に表面側表面ガラス板16側からYAGレーザを照射することにより表面ガラス板16の裏面側に形成された半導体層32を分離するように除去し、短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、波長532nm第2高調波、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数3kHzのNdネオジム:YAGレーザを使用する。次に、図5cに示すように、酸化亜鉛ZnOからなる透明導電膜34を半導体層32上にスパッタリングにより形成する。透明導電膜34は、半導体層32がパターニングにより除去された領域や側端部にも成膜される。そして、図6aに示すように、200nm厚の銀Ag膜を透明導電膜34上にスパッタリングにより成膜し、第2電極層36を形成する。このとき、第2電極層36は、半導体層32がパターニングにより除去された領域内の透明導電膜34上にも成膜される。次に、図6bに示すように、半導体層32のパターニング位置からずれた部分に、表面側表面ガラス板16側からYAGレーザを照射することにより半導体層32、透明導電膜34および第2電極層36を分離し、短冊状にパターニングする。当該レーザ分離加工には、波長532nm、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのNdネオジム:YAGレーザを使用する。これにより、複数の光起電力素子28が形成される。次に、図6cに示すように、第1電極層30や半導体層32の側部最外周に回り込んだ透明導電膜34と第2電極層36は、表面側表面ガラス板16側から照射されるレーザにより除去される。当該レーザ除去加工には、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのNdネオジム:YAGレーザを使用する。以上により、互いに直列接続された複数の光起電力素子28が表面ガラス板16上に形成される。その結果、図7に示すように、表面ガラス板16上に光起電力装置12が設けられたパネルが作製される。次に、図8に示すように、表面ガラス板16の外縁部16cに、光起電力装置12を囲むようにテープ状のブチルゴム14aを配置する。また、光起電力装置12の上にエチレン酢酸ビニルEVAからなるシート状の充填材24を配置する。そして、ブチルゴム14aおよび充填材24を表面ガラス板16との間に挟むように、裏面ガラス板26を配置する。また、裏面ガラス板26の外縁部26aには、裏面ガラス板26の端部を保護するためのテープ状のブチルゴム14bが4辺に配置されている。図9は、図8に示す各部材の配置を模式的に示した断面図である。この状態で表面ガラス板16と裏面ガラス板26とを真空雰囲気で圧着しながら加熱することで太陽電池モジュール10が作製される図3参照。図2や図3に示すように、本実施の形態に係る太陽電池モジュール10は、受光面16a側に配置された第1のガラス板である表面ガラス板16と、表面ガラス板16と対向するように設けられ、表面ガラス板16と面積の異なる第2のガラス板である裏面ガラス板26と、表面ガラス板16と裏面ガラス板26との間に設けられている光起電力装置12と、光起電力装置12を囲むように設けられ、表面ガラス板16および裏面ガラス板26第の間を封止する封止部材14と、を備える。封止部材14は、表面ガラス板16および裏面ガラス板26との間に挟持されている挟持部14cと、裏面ガラス板26の側部26bを覆う保護部14dとを有する。このような構成を有する太陽電池モジュール10は、裏面ガラス板26の側部が封止部材14の保護部14dで覆われているため、太陽電池モジュール10の運搬や設置において表面ガラス板16や裏面ガラス板26が他の部材とぶつかって割れたり欠けたりすることが抑制される。また、本実施の形態に係る太陽電池モジュール10は、2枚のガラス板により光起電力装置12を挟んでいるため、強度が高い。そのため、強度向上のためにフレームを設ける必要がない。その結果、表面ガラス板16は、受光面16aの外縁に、外部から光が入射する入射部16dを有する。これにより、フレームがある場合と比較して、光起電力装置12に外部から光を多く取り込むことができる。本実施の形態では、裏面ガラス板26は、表面ガラス板16よりも面積が小さく、保護部14dは、裏面ガラス板26の側部26bを覆っている。これにより、太陽電池モジュール10の裏面ガラス板26が保護される。また、裏面ガラス板26の面積が表面ガラス板16よりも小さいため、裏面ガラス板26の側部26bを保護部14dで覆っても、太陽電池モジュール10の大型化が抑制される。また、保護部14dが裏面ガラス板26側にあるため、外周がフレームで囲まれている太陽電池モジュールと比較して、表面ガラス板16の受光面16aからの光入射を妨げない。また、保護部14dは、裏面ガラス板26の裏面受光面側と反対側の面の外縁部26aを覆うように形成されている被覆部14eを有する。これにより、裏面ガラス板26の外縁部26aがより保護される。被覆部14eは、裏面ガラス板26の中央部に近付くにつれて矢印C方向に向かうにつれて厚みが薄くなるように形成された傾斜部14e1を有してもよい。これにより、被覆部14eの端部に段差が生じにくくなり、例えば、水滴が留まりにくくなる。その結果、封止部材14と裏面ガラス板26との界面から水分が侵入しにくくなる。なお、本実施の形態に係る封止部材14に用いられるブチルゴムは、ガラスとの密着性がよく、水分を透過しにくい。そのため、表面ガラス板16と裏面ガラス板26との間に封止されている光起電力装置12に外部から水分が到達しにくくなり、光起電力装置12や配線の信頼性がより長期にわたって維持される。図10は、本実施の形態の変形例に係る太陽電池モジュールの外縁部近傍の部分断面図である。図10に示す太陽電池モジュール50は、封止部材14として、光起電力装置12を囲むように配置されているテープ状のブチルゴム14a図9参照を用いている。太陽電池モジュール50においては、封止部材14は、保護部14dの一部および挟持部14cを形成しており、図3に示す被覆部14eの代わりにコーキング用のシリコーンゴム52を有している。シリコーンゴム52は、裏面ガラス板26の裏面受光面側と反対側の面の外縁部26aを覆うように形成されている被覆部52aを有している。被覆部52aは、裏面ガラス板26の中央部に近付くにつれて矢印C方向に向かうにつれて厚みが薄くなるように形成された傾斜部52a1を有する。これにより、被覆部52aの端部に段差が生じにくくなり、例えば、水滴が留まりにくくなる。その結果、シリコーンゴム52と裏面ガラス板26との界面から水分が侵入しにくくなる。図11は、本実施の形態の他の変形例に係る太陽電池モジュールの外縁部近傍の部分断面図である。図11に示す太陽電池モジュール60は、図3に示す太陽電池モジュール10と比較して、封止部材62の保護部14dの側端部と表面ガラス板16の側端部とがほぼ一致している点が大きく異なる。これにより、太陽電池モジュール60は、側部に段差がなくなり他の部品と引っ掛かりにくくなる。また、太陽電池モジュール60の側部に水滴が溜まりにくくなる。図12は、本実施の形態の他の変形例に係る太陽電池モジュールの外縁部近傍の部分断面図である。図12に示す太陽電池モジュール70は、図3に示す太陽電池モジュール10と比較して、封止部材72の保護部14dの側端部と表面ガラス板16の側端部とがほぼ一致している点、および、封止部材72に被覆部がなく、封止部材72の裏面72aと裏面ガラス板26の裏面26cとに段差がない点が大きく異なる。これにより、太陽電池モジュール70は、側部や裏面に段差がなくなり他の部品と引っ掛かりにくくなる。また、太陽電池モジュール70の側部や裏面に水滴が溜まりにくくなる。以上、本発明を上述の実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。上述の実施の形態に係る封止部材14や充填材24としては、ブチルゴムやエチレン酢酸ビニルEVAの他、シリコーンなどのコーキングに用いる材料、ポリビニルブチラールPVBといった充填樹脂材料、エチレンエチルアクリレートコポリマーEEA等のエチレン系樹脂、ウレタン、アクリル、エポキシ樹脂などを用いてもよい。上述の各実施の形態に係る第1電極層30としては、酸化亜鉛ZnOの他、酸化スズSnO2、酸化インジウムIn2O3、酸化チタンTiO2、スズ酸亜鉛Zn2SnO4などの金属酸化物より選択された一種類あるいは複数種類の積層体により構成されていてもよい。なお、これらの金属酸化物には、フッ素F、スズSn、アルミニウムAl、ガリウムGa、ニオブNbなどがドープされていてもよい。