"明細書に記載の発明。第一の態様によれば、水素発生器を開示し、該水素発生器は、反応室及び燃焼室を有する水素膜反応器と、燃料供給と、反応燃料供給ラインと、空気供給と、空気供給ラインと、燃焼燃料供給ラインと、排ガス供給ラインと、燃焼副生成物ラインと、水素を反応室から移送するための反応生成物ラインとを具える。上記水素発生器において、水素膜反応器の反応室は、燃焼室と流体連通し且つ熱交換関係にあり、反応燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から反応室に移送するためのものであり、空気供給ラインは、酸素を空気供給から燃焼室に移送するためのものであり、燃焼燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から燃焼室に移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、排ガスを反応室から移送するためのものであり、燃焼副生成物ラインは、燃焼副生成物を燃焼室から移送するためのものであり、反応生成物ラインは、水素を反応室から移送するためのものである。一の実施態様においては、上記燃料供給が、反応燃料供給及び燃焼燃料供給に置換され、上記反応燃料供給ラインは、反応燃料を反応燃料供給から反応室に移送するためのものであり、上記燃焼燃料供給ラインは、燃焼燃料を燃焼燃料供給から燃焼室に移送するためのものである。第二の態様によれば、水素発生器を開示し、該水素発生器は、水素膜反応器と、末端板と、膜アセンブリと、水素プレナムとを具える。上記水素発生器においては、水素膜反応器が、分離板と、該分離板のそれぞれの側面に二つの室とを具えてなり、一方の室は、多孔性金属基板に被覆した反応触媒を含む反応室を画定し、他方の室は、多孔性金属基板に被覆した燃焼触媒を含む燃焼室を画定する。上記水素発生器において、末端板は、分離板と反対側の燃焼室を閉じるためのものである。上記水素発生器においては、膜アセンブリが、膜及び膜支持体サブアセンブリを含み、分離板と反対側の反応室を閉じ、ここで、該支持体サブアセンブリと接触していない膜表面は触媒基板に近い位置にあるが、該触媒基板から分離している。上記水素発生器において、水素プレナムは、膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する。第三の態様によれば、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成するために、水素プレナムを有する水素発生器の反応室に接合されるべき膜アセンブリを開示する。該膜アセンブリは、膜と、焼結多孔性金属を含む膜支持体とを具える。上記膜アセンブリにおいては、膜が、膜支持体の第一表面とフレームとの間で封止される。上記膜アセンブリにおいて、膜支持体の第二表面は、水素プレナムに連接される。第四の態様によれば、水素発生器を開示する。該水素発生器は、水素膜反応器と、原料前処理室ここでは、予備改質器としても示されると、燃料供給と、反応燃料供給ラインと、原料供給ラインと、空気供給と、空気供給ラインと、燃焼燃料供給ラインと、排ガス供給ラインと、燃焼副生成物ラインと、反応生成物ラインとを具える。上記水素発生器においては、水素膜反応器が、反応室と、燃焼室とを具えてなり、該燃焼室は、該反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある。上記水素発生器において、原料前処理室は、燃焼室と熱交換関係にあり、反応室と流体連通している。上記水素発生器において、反応燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から原料前処理室に移送するためのものであり、原料供給ラインは、処理した燃料を前処理室から反応室に移送するためのものであり、空気供給ラインは、酸素を空気供給から燃焼室に移送するためのものであり、燃焼燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から燃焼室に移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、排ガスを反応室から移送するためのものであり、燃焼副生成物ラインは、燃焼副生成物を燃焼室から移送するためのものであり、反応生成物ラインは、水素を反応室から移送するためのものである。第五の態様によれば、水素発生器を開示し、該水素発生器は、水素膜反応器と、末端板と、前処理室と、膜アセンブリと、水素プレナムとを具える。上記水素発生器においては、水素膜反応器が、分離板と、該分離板のそれぞれの側面に二つの室とを具えてなり、一方の室は、多孔性金属基板に被覆した改質触媒を含む反応室を画定し、他方の室は、多孔性金属基板に被覆した燃焼触媒を含む燃焼室を画定する。上記水素発生器において、末端板は、分離板と反対側の燃焼室を閉じるためのものである。上記水素発生器においては、前処理室が、一方の側の燃焼室と他方の側の底板とにより括られ、多孔性金属基板に被覆した反応触媒を含む。上記水素発生器においては、底板が、外面に巻き金属管材を含み、水蒸気への水の蒸発を促進する。上記水素発生器においては、膜アセンブリが、膜及び膜支持体サブアセンブリを含み、分離板と反対側の反応室を閉じ、ここで、該支持体サブアセンブリに接触していない膜表面は触媒基板に近い位置にあるが、該触媒基板から分離している。上記水素発生器において、水素プレナムは、膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する。第六の態様によれば、水素発生器を開示し、該水素発生器が、水素膜反応器と、内部コネクタと、燃料供給と、反応燃料供給ラインと、空気供給と、空気供給ラインと、燃焼燃料供給ラインと、排ガス供給ラインと、燃焼副生成物ラインと、反応生成物ラインとを具える。上記水素発生器においては、水素膜反応器が、第一反応室と第二反応室に挟まれた燃焼室を有し、ここで、該燃焼室は、該第一及び第二反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある。上記水素発生器において、内部コネクタは、第一反応室と第二反応室を接続し、ここで、第一反応室から出る流体は、第二反応室に流入する。上記水素発生器において、反応燃料供給ラインは、燃料を反応燃料供給から第一反応室に移送するためのものであり、空気供給ラインは、酸素を空気供給から燃焼室に移送するためのものであり、燃焼燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から燃焼室に移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、排ガスを第二反応室から移送するためのものであり、燃焼副生成物ラインは、燃焼副生成物を燃焼室から移送するためのものであり、反応生成物ラインは、水素を第一及び第二反応室から移送するためのものである。第七の態様によれば、膜アセンブリを開示し、該膜アセンブリが、膜支持体サブアセンブリ及び膜を具えてなる。上記膜アセンブリにおいては、膜支持体サブアセンブリが、孔あき金属板に封止した焼結多孔性金属を具え、ここで、ガスケットがフレームと膜の間に配置され、該膜は、該支持体サブアセンブリの第一表面とフレームの間で封止され、該支持体サブアセンブリの第二表面は、水素プレナムに溶接又はろう付けされ、膜アセンブリを形成する。第八の態様によれば、反応器サブアセンブリを開示し、該反応器サブアセンブリが、多孔性金属基板を含む反応室と、二つの膜アセンブリと、燃料供給と、反応燃料供給ラインと、排ガス供給ラインと、反応生成物ラインとを具える。上記反応器サブアセンブリにおいては、基板を具える反応室が、二つの膜アセンブリの間に挟まれ、それによって、水素分離用の二つの膜表面を提供する。上記反応器サブアセンブリにおいて、燃料供給ラインは、原料を含む燃料又は水素を反応室に移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、排ガスを反応室から移送するためのものであり、反応生成物ラインは、純水素を各膜アセンブリから外に移送するためのものである。第九の態様によれば、水素発生器を開示し、該水素発生器が、水素膜反応器と、燃料供給と、反応燃料供給ラインと、空気供給と、空気供給ラインと、燃焼燃料供給ラインと、排ガス供給ラインと、燃焼副生成物ラインと、反応生成物ラインとを具える。上記水素発生器においては、水素膜反応器が、第一反応室と第二反応室との間に挟まれた燃焼室を有し、ここで、該燃焼室は、第一及び第二反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある。上記水素発生器において、反応燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から反応室に移送するためのものであり、空気供給ラインは、酸素を酸素空気供給から燃焼室に移送するためのものであり、燃焼燃料供給ラインは、燃料を燃料供給から燃焼室に移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、排ガスを反応室から移送するためのものであり、燃焼副生成物ラインは、燃焼副生成物を燃焼室から移送するためのものであり、反応生成物ラインは、水素を反応室から移送するためのものである。第十の態様によれば、反応器サブアセンブリを開示し、該反応器サブアセンブリは、反応室及び膜アセンブリを具える。上記反応器サブアセンブリにおいて、膜アセンブリは、反応室の全長の一部にわたり、該反応室の膜のない部分を反応室の入口に配置し、燃料の前処理に使用し、該膜アセンブリに露出した反応室の部分に流入する水素含有ガスを生成する。第十一の態様によれば、反応燃料から水素を発生する方法を開示し、該方法は、反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある燃焼室を有する水素膜反応器を設けること、反応燃料供給を設けること、第一供給ラインを通して反応燃料を反応燃料供給から反応室に移送すること、空気供給を設けること、空気供給ラインを通して酸素を空気供給から燃焼室に移送すること、燃焼燃料供給を設けること、燃焼燃料供給ラインを通して燃焼燃料を燃焼燃料供給から燃焼室に移送すること、燃焼室内で燃焼燃料供給を反応させ、熱と燃焼副生成物を提供すること、反応室内で反応燃料供給を水と反応させ、水と排ガスを提供すること、排ガス供給ラインを通して排ガスを反応室から移送すること、燃焼副生成物ラインを通して燃焼副生成物を燃焼室から移送すること、及び反応生成物ラインを通して水素を反応室から移送することを具える。第十二の態様によれば、反応燃料から水素を発生する方法を開示し、該方法は、水素プレナムを有する水素発生器の反応室に接合されるべき膜アセンブリを設けて、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成することを備えてなり、該膜アセンブリが膜と焼結多孔性金属を含む膜支持体を具え、該膜が膜支持体の第一表面とフレームとの間で封止され、該膜支持体の第二表面が水素プレナムに連接される。上記方法は、更に、反応室内で反応燃料を反応させ、水素及び排ガスを含む反応生成物を提供することと、膜アセンブリを通して該反応生成物中の水素を排ガスから分離することを具える。本発明の他の特徴及び利点は、下記に示す説明及び添付図面に記述されており、本発明の好適な実施態様を説明及び表示する。追加の詳細は、添付図面と併せて取る詳細な説明の試験より当業者に明らかとなり、又は本発明を実施することにより理解することができる。特に特許請求の範囲において指し示した手段や組み合わせによって、本発明の利点を実現及び達成することができる。例えば、本発明は、以下を提供する。項目1反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある燃焼室を有する水素膜反応器と、燃料供給と、上記燃料供給から上記反応室に燃料を移送するための反応燃料供給ラインと、空気供給と、上記空気供給から上記燃焼室に酸素を移送するための空気供給ラインと、上記燃料供給から上記燃焼室に燃料を移送するための燃焼燃料供給ラインと、上記反応室から排ガスを移送するための排ガス供給ラインと、上記燃焼室から燃焼副生成物を移送するための燃焼副生成物ラインと、上記反応室から水素を移送するための反応生成物ラインと、を具える水素発生器。項目2上記水素膜反応器が、分離板のそれぞれの側面に配置された、一方の室が上記反応室を画定し、他方の室が上記燃焼室を画定する二つの室と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、上記分離板と反対側の反応室を閉じる膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用水素プレナムを提供する水素排気室と、を具える項目1に記載の水素発生器。項目3上記膜アセンブリが、一つ以上の管状膜部材を支持する外被を具え、該管状膜部材は、一方の端で行き止まりになっている項目2に記載の水素発生器。項目4管状膜部材の行き止まり部分が、ろう付けにより上記外被の中に封止される一方、管状膜部材の開口部分は、水素出口に近接した収集区域に位置している項目3に記載の水素発生器。項目5上記膜アセンブリが、ろう付け又は溶接により上記反応室に接合され、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成する項目4に記載の水素発生器。項目6上記管状膜部材の末端部分が、水素に対し透過性のない材料で作製される項目4に記載の水素発生器。項目7上記末端板、上記燃焼室を形成するシェル及び上記分離板が、上記反応室を形成するシェルに溶接される項目2に記載の水素発生器。項目8上記膜アセンブリが、膜支持体サブアセンブリ及び膜を具え、該膜支持体サブアセンブリの第一表面が膜の第一表面と接触し、該膜支持体サブアセンブリの第二表面が第一ガスケットと接触して膜支持体サブアセンブリと水素プレナムとの間にシールを形成し、該膜の第二表面が第二ガスケットと接触して上記反応室と膜との間にシールを形成する項目2に記載の水素発生器。項目9上記第一及び第二ガスケットが圧縮され、一方が上記膜と上記水素プレナムとの間に、そして他方が上記膜と上記反応室との間に、漏れ止めシールを形成する項目8に記載の水素発生器。項目10上記膜支持体サブアセンブリが、孔あき金属板を具える項目8に記載の水素発生器。項目11上記膜支持体サブアセンブリが、孔あき金属板の積層を具え、該孔あき金属板が異なる大きさの穿孔を有し、該穿孔の大きさが、上記膜に対し十分な支持と、上記水素排気室に水素を移送するのに十分な気孔体積とを与える項目8に記載の水素発生器。項目12上記孔あき金属板が焼結多孔性金属を支持する項目10又は11に記載の水素発生器。項目13上記第一及び第二ガスケットが、グラフォイル、金属強化グラフォイル、セラミック及ひる石よりなる群から選択される項目8に記載の水素発生器。項目14上記第一及び第二ガスケットが15mm~65mmの範囲の厚みを有する項目13に記載の水素発生器。項目15上記焼結多孔性金属が、オーステナイト鋼、インコネル600シリーズ又はハステロイXで作製される項目12に記載の水素発生器。項目16上記焼結多孔性金属が10mm~65mmの範囲の厚みを有する項目15に記載の水素発生器。項目17上記焼結多孔性金属が10mm~15mmの範囲の厚みを有する項目16に記載の水素発生器。項目18上記焼結多孔性金属が5~58の範囲に及ぶ多孔度を有する項目15に記載の水素発生器。項目19上記焼結多孔性金属が20~50の範囲に及ぶ多孔度を有する項目18に記載の水素発生器。項目20上記孔あき金属板が05mm~15mmの大きさの穿孔を有するオーステナイト鋼で作製される項目12に記載の水素発生器。項目21上記穿孔が約25mm離れて間隔を置かれる項目20に記載の水素発生器。項目22上記孔あき金属板が15~50の開口体積を有する項目20に記載の水素発生器。項目23上記焼結多孔性金属が上記孔あき金属板に接合される項目12に記載の水素発生器。項目24接合が溶接又はろう付けにより行われ、統合された膜支持体サブアセンブリを形成する項目23に記載の水素発生器。項目25上記燃焼室が燃焼室支持体基板を具え、上記反応室が触媒被覆反応室支持体基板を具える項目2に記載の水素発生器。項目26上記支持体基板の近似の孔径又は流れの寸法が02~30mmの範囲内である項目25に記載の水素発生器。項目27上記支持体基板の近似の孔径又は流れの寸法が05~20mmのメソチャンネル幅である項目26に記載の水素発生器。項目28上記支持体基板が、金属フォーム、金属モノリス、金属メッシュ、セラッミクフォーム及びセラミックモノリスよりなる群から選択される形態である項目25に記載の水素発生器。項目29上記支持体基板が、触媒被覆支持体基板である項目25又は28に記載の水素発生器。項目30上記反応室の支持体基板と上記膜表面との間に配置された多孔質セラミックマットを更に具える項目29に記載の水素発生器。項目31上記支持体基板と接触して上記マットを保持し、上記膜表面と上記支持体基板間の接触を排除する保持フレームを更に具える項目30に記載の水素発生器。項目32膜が薄箔の形態である項目2に記載の水素発生器。項目33上記薄箔が、10ミクロン~30ミクロンの範囲の厚みを有する項目32に記載の水素発生器。項目34膜がパラジウム及び銀の合金を含む項目2に記載の水素発生器。項目35パラジウムが70~80の割合である項目34に記載の水素発生器。項目36膜及び触媒支持体基板以外の水素発生器の金属部材が、オーステナイト鋼又はインコネル600シリーズで構成される項目25に記載の水素発生器。項目37上記部材が約25mmの壁厚を有する項目36に記載の水素発生器。項目38上記燃焼室支持体基板及び反応室支持体基板が多孔性金属フォームで作製される項目25に記載の水素発生器。項目39上記多孔性金属フォームが、FeCrAlY、インコネル600シリーズ及びオーステナイト鋼よりなる群から選択される材料で作製される項目38に記載の水素発生器。項目40分離板と、該分離板のそれぞれの側面で、一方の室が多孔性金属支持体基板に被覆した改質触媒を含む反応室を画定し、他方の室が多孔性金属支持体基板に被覆した燃焼触媒を含む燃焼室を画定してなる二つの室とを具える水素膜反応器と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、膜及び膜支持体サブアセンブリを含み、上記分離板と反対側の反応室を閉じるための膜アセンブリであって、該支持体サブアセンブリと接触していない膜表面は反応触媒支持体基板に近い位置にあるが、該触媒支持体基板から分離している膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する水素プレナムと、を具える水素発生器。項目41上記膜支持体サブアセンブリが、ろう付け又は溶接により孔あき金属板に連接される焼結多孔性金属を具え、上記支持体サブアセンブリの第一表面が上記膜の第一表面に接触し、上記支持体サブアセンブリの第二表面がろう付け又は溶接により上記水素プレナムに連接され、上記膜の第二表面が、ガスケットと接触して上記反応室と上記膜の間にシールを形成し、ここで、該ガスケットは圧縮され、上記膜アセンブリと上記反応室との間に漏れ止めシールを形成して反応器サブアセンブリを形成し、上記燃焼室が該反応器サブアセンブリに連接されており、燃焼触媒被覆多孔性金属支持体基板を含む上記燃焼室が、上記反応器サブアセンブリに溶接又はろう付けされ、反応燃料供給ラインは、上記反応室に移送用燃料を移送するためのものであり、燃焼燃料供給ラインは、上記燃焼室に移送用燃料を移送するためのものであり、排ガス供給ラインは、上記反応室から移送用排ガスを移送するためのものであり、反応生成物ラインは、上記水素プレナムから移送用水素を移送するためのものである項目40に記載の水素発生器。項目42上記支持体サブアセンブリと接触していない膜表面が、セラミックマット及び保持フレームを用い、上記触媒支持体基板から分離している項目40に記載の水素発生器。項目43水素プレナムを有する水素発生器の反応室に接合され、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成する膜アセンブリであって、該膜アセンブリが膜、及び焼結多孔性金属を含む膜支持体を具え、上記膜が、上記膜支持体の第一表面とフレームの間で封止され、上記膜支持体の第二表面が上記水素プレナムに連接される膜アセンブリ。項目44上記反応室が、触媒被覆支持体基板を含む項目43に記載の膜アセンブリ。項目45上記膜支持体が、上記膜から水素生成物を移送するための流路として機能し、それによって上記水素プレナムとして機能する焼結多孔性金属を具える項目43に記載の膜アセンブリ。項目46上記膜支持体が、固体金属板のくぼみに位置している項目45に記載の膜アセンブリ。項目47更に、出口に近接して位置するヘッダーを具え、流れの障害を除去する項目45に記載の膜アセンブリ。項目48上記焼結多孔性金属が、オーステナイト鋼、インコネル600シリーズ又はハステロイXで作製される項目45に記載の膜アセンブリ。項目49焼結多孔性金属が、5~58の範囲に及ぶ多孔度を有する項目48に記載の膜アセンブリ。項目50上記焼結多孔性金属が、20~50の範囲に及ぶ多孔度を有する項目49に記載の膜アセンブリ。項目51上記焼結多孔性金属が、機械加工チャンネルを含む項目48に記載の膜アセンブリ。項目52上記焼結多孔性金属が、孔あき金属板に接合される項目43に記載の膜アセンブリ。項目53上記焼結多孔性金属が、多孔性金属フォーム支持体に接合される項目43に記載の膜アセンブリ。項目54反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある燃焼室を有する水素膜反応器と、上記燃焼室と熱交換関係にあり、上記反応室と流体連通する原料前処理室と、燃料供給と、上記燃料供給から上記原料前処理室に燃料を移送するための反応燃料供給ラインと、上記前処理室から上記反応室に処理した燃料を移送するための原料供給ラインと、空気供給と、上記空気供給から上記燃焼室に酸素を移送するための空気供給ラインと、上記燃料供給から上記燃焼室に燃料を移送するための燃焼燃料供給ラインと、上記反応室から排ガスを移送するための排ガス供給ラインと、上記燃焼室から燃焼副生成物を移送するための燃焼副生成物ラインと、上記反応室から水素を移送するための反応生成物ラインと、を具える水素発生器。項目55上記水素膜反応器が、分離板のそれぞれの側面に配置された、一方の室が上記反応室を画定し、他方の室が上記燃焼室を画定する二つの室と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、上記分離板と反対側の反応室を閉じる膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する水素排気室とを具えてなり、上記原料前処理室が、上記分離板と反対側にある燃焼室の側面に配置され、上記燃焼室の末端板と接触する項目54に記載の水素発生器。項目56上記原料前処理室が上記燃焼室と反対側の底板を用いて閉じられ、上記反応燃料供給ラインが上記原料前処理室に燃料を移送するためのものであり、上記原料供給ラインが上記原料前処理室から上記反応室に燃料を移送するためのものであり、上記燃焼燃料ラインが上記燃焼室に燃料を移送するためのものであり、上記排ガス供給ラインが上記反応室から排ガスを移送するためのものであり、上記反応生成物ラインが上記水素排気室から水素を移送するためのものである項目55に記載の水素発生器。項目57上記原料前処理室が、オーステナイト鋼及びインコネル600シリーズよりなる群から選択される材料で構成される項目55に記載の水素発生器。項目58上記原料前処理室が、触媒被覆多孔性金属支持体基板を含む項目55に記載の水素発生器。項目59上記原料前処理室に位置する触媒被覆支持体基板が、上記反応室に位置する触媒と同一である項目58に記載の水素発生器。項目60上記原料前処理室に位置する触媒被覆支持体基板が、上記反応室に位置する触媒と異なる項目58に記載の水素発生器。項目61上記原料前処理室が底板を具え、該底板の外面が巻き金属管材料を含む項目55に記載の水素発生器。項目62上記巻き金属管材料が上記底板に直接溶接される項目61に記載の水素発生器。項目63上記巻き金属管材料が、第一に、該管材料を受容するため上記底板に用意されたくぼみに配置され、次いで該底板に溶接される項目61に記載の水素発生器。項目64上記巻き金属管材料が蒸気発生器として機能する項目61に記載の水素発生器。項目65分離板及び該分離板のそれぞれの側面に配置された二つの室を具え、一方の室が多孔性金属支持体基板に被覆した反応触媒を含む反応室を画定し、他方の室が多孔性金属支持体基板に被覆した燃焼触媒を含む燃焼室を画定する水素膜反応器と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、一方の側の上記燃焼室と他方の側の底板とにより括られ、多孔性金属支持体基板に被覆した反応触媒を含み、該底板が水蒸気への水の蒸発を促進するために外面に巻き金属管材料を含む前処理室と、膜及び膜支持体サブアセンブリを含み、上記分離板と反対側の反応室を閉じるための膜アセンブリであって、上記支持体サブアセンブリと接触していない膜表面が上記触媒支持体基板に近い位置にあるが、該触媒支持体基板から分離している膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する水素プレナムと、を具える水素発生器。項目66上記膜支持体サブアセンブリが、孔あき金属板に連接された焼結多孔性金属を具え、上記支持体サブアセンブリの第一表面が、上記膜の第一表面と接触し、上記支持体サブアセンブリの第二表面が、上記水素プレナムに連接され、上記膜の第二表面が、ガスケットと接触して上記反応室と上記膜との間にシールを形成し、該ガスケットが圧縮され、上記膜アセンブリと上記反応室との間に漏れ止めシールを形成して反応サブアセンブリを形成し、上記燃焼室が該反応サブアセンブリに連接される項目65に記載の水素発生器。項目67上記支持体サブアセンブリと接触していない膜表面が、セラミックマット及び保持フレームを用い、上記触媒支持体基板から分離している項目65に記載の水素発生器。項目68第一反応室と第二反応室との間に挟まれた燃焼室を有する水素膜反応器であって、上記燃焼室が上記第一及び第二反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある水素膜反応器と、二つの第一及び第二反応室を接続する内部コネクタであって、上記第一反応室から出る流体が上記第二反応室に流入する内部コネクタと、燃料供給と、上記燃料供給から上記第一反応室に燃料を移送するための反応燃料供給ラインと、空気供給と、上記空気供給から上記燃焼室に酸素を移送するための空気供給ラインと、上記燃料供給から上記燃焼室に燃料を移送するための燃焼燃料供給ラインと、上記第二反応室から排ガスを移送するための排ガス供給ラインと、上記燃焼室から燃焼副生成物を移送するための燃焼副生成物ラインと、上記第一及び第二反応室から水素を移送するための反応生成物ラインと、を具える水素発生器。項目69上記水素膜反応器が、分離板のそれぞれの側面に配置された、一方の室が上記反応室を画定し、他方の室が上記燃焼室を画定する二つの室と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、上記分離板と反対側の反応室を閉じる膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置し、水素収集用プレナムを提供する水素排気室とを具え、第二反応室が、上記分離板と反対側にある燃焼室の面に配置され、上記燃焼室の末端板と接触し、上記第二反応室が、上記燃焼室と反対側の第二膜アセンブリを用いて閉じられ、上記燃料供給ラインが、上記第一反応室の出口端部に位置した内部コネクタにより第二反応室に連接する第一反応室に燃料を移送するためのものであり、第二燃料ラインが、上記燃焼室に燃料を移送するためのものであり、上記排ガス供給ラインが、上記第二反応室から排ガスを移送するためのものであり、上記反応生成物ラインが、各反応室と付随した水素排気区域から水素を移送するためのものである項目68に記載の水素発生器。項目70上記膜アセンブリが膜支持体サブアセンブリ及びフレームを含み、該膜支持体アセンブリが孔あき金属板に封止した焼結多孔性金属を具え、上記膜が上記膜支持体サブアセンブリの第一表面と上記フレームとの間でろう付けにより封止され、上記膜アセンブリを具えてなり、上記支持体サブアセンブリの第二表面が、上記水素プレナムに連接され、上記膜アセンブリを形成し、上記膜アセンブリが、触媒被覆支持体基板を含む反応室に接合され、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成する項目69に記載の水素発生器。項目71上記膜支持体サブアセンブリが、上記膜から水素生成物を移送するための流路として機能し、それによって上記水素プレナムとして機能する焼結多孔性金属を具える項目70に記載の水素発生器。項目72上記膜支持体サブアセンブリが、固体金属板のくぼみに位置している項目70に記載の水素発生器。項目73上記膜支持体サブアセンブリが、孔あき金属板に封止される項目70に記載の水素発生器。項目74上記膜アセンブリが孔あき金属板上に支持された焼結多孔性金属を具え、該焼結多孔性金属が該孔あき金属板に封止され、上記支持体サブアセンブリの第一表面が、上記膜の第一表面と接触し、上記支持体サブアセンブリの第二表面が、上記水素プレナムに封止され、上記膜の第二表面がガスケットと接触し、上記反応室と上記膜アセンブリとの間にシールを形成し、該ガスケットが圧縮され、膜と反応室との間に漏れ止めシールを形成し、反応サブアセンブリを形成する項目69に記載の水素発生器。項目75上記燃焼室の外部表面が巻き金属管材料を具えてなり、該金属管材料が原料予熱器又は蒸気発生器として機能するために提供される項目69に記載の水素発生器。項目76膜支持体サブアセンブリ及び膜を具える膜アセンブリであって、上記膜支持体サブアセンブリが孔あき金属板に封止した焼結多孔性金属を具え、ガスケットがフレームと上記膜の間に配置され、上記膜が上記支持体サブアセンブリの第一表面と上記フレームとの間で封止され、上記支持体サブアセンブリの第二表面が、水素プレナムにろう付け又は接合され、膜アセンブリを形成する膜アセンブリ。項目77多孔性金属支持体基板を含む反応室、二つの膜アセンブリ、燃料供給、反応燃料供給ライン、並びに排ガス供給ライン及び反応生成物ラインを具える反応器サブアセンブリであって、上記反応支持体基板が上記二つの膜アセンブリに挟まれ、それによって、水素分離用の二つの膜表面を提供し、上記燃料供給ラインが、上記反応室に原料を含む燃料又は水素を移送するためのものであり、上記排ガス供給ラインが、上記反応室から排ガスを移送するためのものであり、上記反応生成物ラインが、各膜アセンブリから外に純水素を移送するためのものである反応器サブアセンブリ。項目78上記反応室内の多孔性金属支持体基板は、燃料が水素を発生するために改質する必要がある場合に触媒被覆される項目77に記載の反応器アセンブリ。項目79上記反応室内の多孔性金属支持体基板は、燃料が純水素を生成するために精製する必要がある水素含有混合物である場合に触媒被覆されない項目77に記載の反応器アセンブリ。項目80第一反応室と第二反応室の二つの間に挟まれた燃焼室を有する水素膜反応器であって、上記燃焼室が上記第一及び第二反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある水素膜反応器と、燃料供給と、上記燃料供給から上記反応室に燃料を移送するための反応燃料供給ラインと、空気供給と、酸素空気供給から上記燃焼室に酸素を移送するための空気供給ラインと、上記燃料供給から上記燃焼室に燃料を移送するための燃焼燃料供給ラインと、上記反応室から排ガスを移送するための排ガス供給ラインと、上記燃焼室から燃焼副生成物を移送するための燃焼副生成物ラインと、上記反応室から水素を移送するための反応生成物ラインと、を具える水素発生器。項目81上記水素膜反応器が、分離板のそれぞれの側面に配置された、一方の室が上記反応室を画定し、他方の室が上記燃焼室を画定する二つの室と、上記分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、上記分離板と反対側の反応室を閉じるための膜アセンブリと、上記膜アセンブリの他の側面に位置する水素排気室とを具え、第二反応室が上記分離板と反対側にある燃焼室の面から離れて配置され、上記燃焼室の末端板と接触し、該第二反応室が、上記燃焼室と反対側の第二膜アセンブリを用いて閉じられる項目80に記載の水素発生器。項目82上記水素膜反応器が、分離板のそれぞれの側面に配置された、一方の室が上記反応室を画定し、他方の室が上記燃焼室を画定する二つの室と、該分離板と反対側の燃焼室を閉じるための末端板と、該分離板と反対側の反応室を閉じるための二つの膜を含む膜アセンブリと、該膜アセンブリの他の側面に位置する排ガス区域とを具え、第二反応室が、上記分離板と反対側にある燃焼室の面に配置され、上記燃焼室の末端板と接触し、該第二反応室は、上記燃焼室と反対側の第二膜アセンブリを用いて閉じられ、上記燃料供給ラインが上記反応室に燃料を移送するためのものであり、第二燃料ラインが、上記燃焼室に燃料を移送するためのものであり、上記排ガス供給ラインが、上記反応室から排ガスを移送するためのものであり、上記反応生成物ラインが、各反応室と付随した水素排気区域から水素を移送するためのものである項目80に記載の水素発生器。項目83上記膜アセンブリが、膜支持体サブアセンブリ及び二つの膜を具え、該膜支持体サブアセンブリが、金属外被の内側に嵌め込まれた焼結多孔性金属を該多孔性金属のそれぞれの表面に配置された膜と共に具え、それぞれの膜は、それと接触している支持体の表面とフレームとの間でろう付けにより封止され、上記支持体サブアセンブリの一の表面は、排ガスプレナムに溶接又はろう付けされ上記膜アセンブリを形成し、上記膜アセンブリが、触媒被覆支持体基板を含む反応室に接合され、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成し、上記支持体と接触していない膜の表面が、上記反応室から排ガス室への排ガス流を可能にする内部コネクタを通して互いに流体連通しており、上記多孔性金属支持体が、上記膜表面から上記反応生成物ラインに純水素を移送するための流路としても機能し、上記排ガスが、排ガス供給ラインを通って排ガスプレナムから出る項目82に記載の水素発生器。項目84幾つかの膜アセンブリが、積層のかたちで離れて配置され、水素発生器のフットプリントを増加させることなく、水素生成速度を増大させる項目83に記載の水素発生器。項目85反応室及び膜アセンブリを具える反応器サブアセンブリであって、上記膜アセンブリが、上記反応室の全長の一部にわたり、上記反応室の膜のない部分が、該反応室の入口に配置され、燃料の前処理に使用され、上記膜アセンブリに露出した反応室の部分に流入する水素含有ガスを生成する反応器サブアセンブリ。項目86反応燃料から水素を発生する方法であって、反応室と流体連通し且つ熱交換関係にある燃焼室を有する水素膜反応器を設けること、反応燃料供給を設けること、第一供給ラインを通して上記反応燃料供給から上記反応室に反応燃料を移送すること、空気供給を設けること、空気供給ラインを通して上記空気供給から上記燃焼室に酸素を移送すること、燃焼燃料供給を設けること、燃焼燃料供給ラインを通して上記燃焼燃料供給から上記燃焼室に燃焼燃料を移送すること、上記燃焼室内で燃焼燃料を反応させ、熱と燃焼副生成物を提供すること、上記反応室内で反応燃料を水と反応させ、水素と排ガスを提供すること、排ガス供給ラインを通して上記反応室から排ガスを移送すること、燃焼副生成物ラインを通して上記燃焼室から燃焼副生成物を移送すること、及び反応生成物ラインを通して上記反応室から水素を移送すること、を具える方法。項目87第一反応燃料から水素を発生する方法であって、水素プレナムを有する水素発生器の反応室に接合されるべき膜アセンブリを設けて、漏れ止め反応器サブアセンブリを形成し、該膜アセンブリが膜及び焼結多孔性金属を含む膜支持体を具えてなり、該膜が膜支持体の第一表面とフレームとの間で封止され、該膜支持体の第二表面が該水素プレナムに連接されること、上記反応室内で第一反応燃料を反応させ、水素と排ガスを含む反応生成物を提供すること、及び上記膜アセンブリを通して反応生成物中の水素を排ガスから分離すること、を具える方法。項目88更に、上記反応室内の第一反応燃料を第二反応燃料と置換することを具え、第一反応燃料を第二反応燃料と置換することにより、連続的な水素の生成をもたらす項目87に記載の方法。説明の簡潔さと明瞭さのために、図に示す要素が必ずしも縮尺どおりに描かれていない場合があることを認識すべきである。例えば、一部の要素の寸法が明瞭さのために相互に比例して誇張される。図1は、膜反応器サブアセンブリ10の一実施態様の断面図を示す。膜反応器サブアセンブリ10は、反応室2、水素排気室又はプレナム4、及び室2とプレナム4との間に設置された膜アセンブリ3を含む。上記反応室2は、触媒を含み、反応器の入口14とリジェクト口16を具える。上記プレナム4は、出口18を含む。上記膜アセンブリ3は、膜箔8の形態の水素分離膜と、穿孔7を有する膜支持体6及び金属保持フレーム12を含む膜支持体サブアセンブリとを具える。上記膜アセンブリ3において、膜箔8は、膜支持体6により支持され、金属保持フレーム12を用いて膜支持体板6上の所定の位置に保持される。箔8の形態の水素分離膜は、触媒含有反応室2の真上に離れて配置される。原料は、反応器の入口14を通して反応室2に入る。水素は、該反応室内で発生し、膜支持体板6の穿孔7を通ってプレナム4に流入し、水素出口18を通って反応室から出る。膜によりはねられた気体混合物を構成する反応器室の排ガスは、リジェクト口16を通って出る。上記膜箔8は、パラジウム又はパラジウムの合金で構成されることが好ましく、70~80のパラジウムを含有するパラジウムと銀の合金で構成されることがより好ましい。膜箔の厚さは、他の厚さの箔を使用することもできるが、10~30ミクロンの範囲であることが好ましい。また、上記膜支持体6及び金属保持フレーム12を具える膜支持サブアセンブリは、焼結多孔性金属基板、又は焼結多孔性金属基板と穿孔を含む固体金属板の組み合わせ、又は金属フレームに収容される焼結多孔性金属基板の組み合わせで構成される場合がある。該基板は、金属フォーム、金属モノリス、金属メッシュ、セラミックフォーム及びセラミックモノリスの形態を成すことができる。好ましくは、オーステナイトステンレス鋼例えば、等級303、304及び316又は高温ニッケル系合金例えば、インコネル登録商標600シリーズ等の金属を用い、図1に組み込まれる金属部材を加工する。該部材は、約25mmの壁厚を有することができる。かかる金属の使用は、水素の生成に望ましい高温450°C~700°Cでの作動を可能にする。一般に薄箔膜は固体金属板の素材に穿孔を機械加工するコストの20未満であるので、好ましくは、MottCorp.ファーミントン、CT又はPallCorporationイーストヒルズ、NYにより供給されるもの等の焼結多孔性金属基板を用いて薄箔膜を支持し、孔あき板に比較して改良された水素移送を提供する。上記焼結多孔性金属は、10mm~65mm、より好ましくは10mm~15mmの範囲の厚さを有することができる。上記孔あき金属板は、異なる大きさの穿孔を有することができ、該穿孔の大きさは、膜に十分な支持と、水素を水素排気室に移送するのに十分な気孔体積とを提供する。その多孔度は5~58、好ましくは20~50の範囲とすることができる。穿孔は、約25mm離れて間隔を置かれることが好ましい。上記孔あき金属板は、15~50の開口体積を有することができ、焼結多孔性金属を該孔あき金属板に封止することができる。上記膜箔8は、ろう付け、溶接TIG、MIG、電子ビーム、レーザー又は拡散接合等の方法を用い、フレーム12と支持体6の間で接合され封止できる。より好ましくは、該膜箔は、OmleyIndustriesグランツパス、OR及びAmericanBrazingウィロビ、OHにより行われるろう付けにより接合される。ろう付け過程に好適な合金は、一般に高性能航空宇宙用途に用いられるWesgo,Inc.ベルモント、CAにより供給されるNioro登録商標合金等の82金/18ニッケルである。ろう付けの形態は、押出し可能なペーストであることが好ましいが、箔、フレキブレイズflexibraze又は粉体の形態でもよい。1時間当たり200°Cのランプ速度で960°Cのピーク温度の真空炉において、ろう付けを行うことが好ましい。ろう付け過程時に、重りを保持フレームに適用し、箔と支持体間の接触を維持し、該箔の周りを囲むように漏れ止めシールを提供する。また、箔と支持体間のシールは、金属フレームを使用せずに達成され得る。例えば、ろう付けに耐性がある黒鉛取付け具又は他の材料を用い、ろう付け過程時に圧力を当てることができ、その後に取り除く。後の図では、膜アセンブリ内にフレームを示していない場合があるが、金属フレームはろう付け時に使用してもよいし、使用しなくてもよく、そして使用する場合においては、膜アセンブリの名残のように存在するだけであることを理解すべきである。即ち、一旦膜アセンブリを反応室に封止し、反応器サブアセンブリを形成すれば、該フレームは少しも役に立たない。支持体として孔あき板又は多孔性金属を用いる場合のろう付け時の関心は、気孔の中へのろう付け合金の吸上げ、浸透経路の閉塞、及びろう付け材料の欠乏である。この問題を取り除くための好適な方法は、WallColmonoyCorp.マディソンHts、MIにより生産されるNicrobraz登録商標グリーンストップオフ等のストップオフ材料をろう付け区域と孔あき又は多孔性支持体との間に適用することである。多孔性部材へのろう付け流れを防ぐための他の方法は、ろう付け区域と孔あき又は多孔性支持体間のチャンネルを機械加工し、過剰のろう付け用の溜めを提供し、該孔あき又は多孔性支持体自体に流入することなく流出させることである。薄い膜箔8として、水素分離膜を上述しているが、上記の方法は、必ずしも箔に限定される必要はない。例えば、堆積技術を用い、多孔性基板の表面に水素分離膜を適用することができる。それらの方法では、パラジウム又はパラジウム膜の先駆物質を該基板の表面に適用し、次いでそれらの金属成分に分解し、欠陥のない膜フィルムを得る。その後、これらの基板を含む薄膜は、ろう付け、溶接、拡散溶接等の適切な接合技術を用い、装置に組み入れることができる。多孔性セラミックマットを反応室内の基板と膜表面の間に配置することができる。また、保持フレームを具え、基板と接触して該マットを保持し、膜表面と基板間の接触を除去することができる。上記反応室2は、適切な触媒材料を含み、炭化水素又はアンモニア等の非炭化水素又はアルコール等の酸素化物から水素を発生する。炭化水素の場合、蒸気改質が好適な経路であり、典型的な作動条件は、575~650°C、5~10barである。触媒は、粉末の形態45~140メッシュとし、反応器本体中に機械加工され得るメソチャンネルに装填することができる。メソチャンネルの流れの寸法は、一般に05~2mmである。より好ましくは、触媒材料が、Porvairヘンダーソンビル,NCにより供給されるフェクラロイ登録商標又はインコネル登録商標等の合金の金属フォーム等の基板上に被覆され、該フォームの不規則な流路の寸法は、依然として05~2mmのメソ規模の範囲内である。次に、触媒被覆基板は、反応器本体の中に挿入される。好ましくは、多孔性で柔軟な材料が触媒と膜箔表面の間にあり、薄い膜箔への損傷掻ききず、孔きず等をいずれも防ぐ。柔軟な材料の好適な候補は、3MCorporationミネアポリス、MNにより供給されるInteramTM1101HTセラミックマットである。後述する例1は、孔あき板の所定の位置に多孔性金属支持体を含み、膜箔を支持する図1に示す反応器サブアセンブリを用いて、純水素の生成を実証する。後述する例2は、該箔用の支持体として孔あき板を含む図1に示す反応器サブアセンブリを用いて、純水素の生成を実証する。例1及び2に示される結果は、焼結多孔性金属基板が水素分離膜箔を支持するための好適な支持体であることを教示する。図1中の入口及び出口の位置は、単に例でのみ示されるものである。反応器アセンブリ内の触媒、パラジウム及び/又は任意の他の成分は、ここに参照することにより組み込まれるPCT/US04/37620に記載の低温吹付け技術等の技術を用い、表面に堆積できる。図2は、反応器サブアセンブリ10の両面変異形である反応器サブアセンブリ20の断面図を示す。反応器サブアセンブリ20においては、膜支持体サブアセンブリ及び箔8からなる膜アセンブリが、触媒を含む反応室2の両側に位置している。反応室で発生した水素は、膜箔8及び支持体6を透過し、支持体の穿孔7を流れ、反応室2のそれぞれの側面の水素プレナム4に集められる。膜を通る水素の透過速度は、与えられた一組の作動条件について利用可能な膜の表面積と共に増加するので、この実施態様は、図1の反応器サブアセンブリと比較した場合に30だけ単位質量を増加させるが、効率よく水素透過に利用可能な表面積を100増加させる。従って、この実施態様は、基本単位のフットプリントを増加させることなく、水素生成速度を増大させることを可能にする。図2の入口と出口の位置は、単に例でのみ示されるものであり、他のバリエーションが可能である。図3A分解斜視図及び3B小さくまとめた斜視図は、例示的な両面水素分離膜アセンブリ30を説明する。上記膜アセンブリ30において、焼結した支持体24及び外被26を含む膜支持体サブアセンブリは、二つ以上の膜22と統合する。外被26は、水素出口28を含む。膜アセンブリ30において、焼結多孔性支持体24は、外被26の内側に嵌め込まれ、それぞれの側面の膜22の間に挟まれる。適切な作動条件下、水素含有ガスが膜表面にさらされる場合、水素は、膜表面を透過し、多孔性支持体を通って、水素出口28により外被から流れ出る。支持体24は、膜用支持体として機能するだけでなく、水素を膜の表面から出口28に移送するための流路の目的に役立つ。この膜アセンブリの実施態様の明確な利点は、その部材の両側が同じ圧力であり、従って、支持体の強度が、金属やセラミックの引張強さに比べて非常に高い支持体の圧縮降伏強さのみに制限されるという点にある。このように配置された膜アセンブリは、膜の支持体の応力を両側の圧力により均等化するので、高圧での適用に非常に適している。上記支持体24は、本来、多孔性の焼結した金属又は多孔性の金属フォーム等、本質的に多孔性であることが好ましい。多孔性金属基板は、ろう付け、溶接等の通常の技術を用いて部材を容易に接合することができるため、セラミック基板が好まれる。膜アセンブリを構成する外被、フレーム及び箔は、ろう付け、溶接、拡散溶接又は他の適用できる接合技術等の技術を用いて漏れ止めのかたちで接合できる。図4は、図3A及び3Bの断面図に示される両面膜アセンブリ30を組み込む、図2に示す反応器サブアセンブリ20の例示的な変異形を構成する反応器サブアセンブリ40を示す。上記反応器サブアセンブリ40においては、反応器室2の両側に両面膜アセンブリ30を設置し、排ガスプレナムを含む二つのプレナム34から反応器室2を分離する。従って、該膜アセンブリ30のそれぞれは、反応器室に面する第一膜22aと、プレナム34に面する第二膜22bとを具える。改質される必要がある水素含有原料又は燃料は、入口14を通して反応器室2に入る。水素と、場合によりCO、CH4、CO2等の他の成分を含む排ガスが反応室2内で発生し、膜22aを通って膜サブアセンブリ30を透過する。入口14と反対側の端部から反応室を出る代わりに、内部リジェクト口を通って排ガスを送り、第二組の膜表面22bと接触する。該膜を透過することにより収集され続ける水素は、多孔性支持体24に流入し、水素出口を通って出る。膜22a及び22bによりはねられた排ガスは、各膜アセンブリに位置したリジェクト出口を通って出る。上記反応器サブアセンブリ40は、図2に示す反応器サブアセンブリ20と比べて、反応器フットプリントの最小限の増加で、純水素生成速度の更なる増加をもたらす。支持体材料により膜を通る流れの制限又は障害を防ぐため、焼結多孔性基板の多孔度は、好ましくは20~50であるべきである。加えて、該支持体の厚さを増大し、膜を分離する大きな流れ領域を許容することができる。図4に示す反応器サブアセンブリ40の二つの膜アセンブリ30のそれぞれは、四つの膜箔表面を組み込んでおり、従って、図1に示す反応器サブアセンブリに比べて、40だけ重量を増大させるが、露出した膜区域を400増大させる。また、図1、2及び4に示す反応器サブアセンブリは、後述される例1により実証するように、独立型水素精製器として使用できる。該精製器を利用し、半導体産業等の用途のために不純水素原料例えば99未満から純水素を生成することができる。かかる用途においては、触媒を、触媒被覆を含まない多孔性媒質に置換することができる。図5は、図1に示す反応器サブアセンブリ10の例示的なプレナムのない変異形を構成する反応器サブアセンブリ50を示す。ここで、膜アセンブリ55は、板38に挿入される焼結多孔性金属支持体42上に支持される膜箔44からなる。焼結多孔性金属支持体42は、膜用の支持体を提供することと、水素を膜表面から出口48に移送するためのチャンネルとして機能することとの二重の目的の役に立つ。追加の収集チャンネル46を板38内に含むことができる。従って、結果として生じる反応器サブアセンブリは非常に小型である。図6は、多孔性金属基板44を受けるためのくぼみと、多孔性金属基板に面する板の表面に機械加工した水素収集チャンネル46とを含む板38の例示的な変異形を示す。そのチャンネルの模様は、単に例でのみ示されるものである。図5に示す反応器サブアセンブリ50においては、改質される必要がある水素含有原料又は燃料を入口14を通して反応室2に入れる。水素を反応室内で発生させ、膜箔44を透過し、多孔性金属挿入部分42を通して流れ、板38の中に機械加工したチャンネル46を通って送る。純水素は、出口48の一つ又は両方を通って反応器サブアセンブリから出る。膜によりはねられた排ガスは、口16を通して反応室から出る。反応器サブアセンブリ50に類似のプレナムのない変異形は、本開示の内容に基づき、当業者によって、反応器アセンブリ20、30及び40等の他の反応器サブアセンブリから引き出すことができるが、ここで更に詳細には記載しない。図7は、図5に示すプレナムのない反応器サブアセンブリの変異形を構成する反応器サブアセンブリ60を示す。反応器サブアセンブリ60において、ヘッダー52が、反応器サブアセンブリの水素出口48に位置している。このヘッダーは、該出口に密接して水素収集用の大きな体積を作ることにより水素の除去を促進する。また、一部の実施態様において、ヘッダーは流れの障害の除去を許容する。当業者に知られているように、パラジウム系膜を通る水素の分離は、350°Cを超える温度で達成される。蒸気改質又は他の方法を経由する水素の発生は、350°Cを超える温度、好ましくはおよそ550~650°Cの温度を必要とする。従って、熱が、上記した反応器サブアセンブリに供給される必要がある。熱は、抵抗線又は他の電気的手段例1及び2等を用いて外部から供給できる。代替の好適な実施態様は、燃焼室を反応器サブアセンブリと統合し、膜反応器を形成することになる。ここに記載された開示では、水素発生器は、膜反応器の内や外に適した流れの移送のために、空気供給、反応燃料供給及び燃焼燃料供給等の関連した流体ラインを具える膜反応器からなる。図8は、燃焼室62と統合した図1に示す反応器サブアセンブリ10を含む例示的な膜反応器70を説明する。反応器サブアセンブリ内の反応室2及び燃焼室62が、分離板15のそれぞれの側面に配置される。末端板17は、分離板15と反対側の燃焼室を閉じる。膜反応器70において、燃焼室62は、熱を供給し、水素の発生及び分離を駆動する。燃焼室62は、燃焼室基板を具え、反応室2は、膜8により形成される触媒被覆反応室基板を具える。該基板の近似の孔径又は流れの寸法は、02~30mmの範囲内にすることができる。燃焼燃料及び空気は、入口64で燃焼室に入り、熱を発生しながらCO2及びH2Oに転化される。反応室への燃料例えば、炭化水素の蒸気改質の場合の燃料及び水、アンモニアの分解の場合のアンモニアは、入口14を通って反応室2に入り、反応の排ガスは口16を通って出る。発生した水素は、膜8を通り、多孔性支持体7、支持体7への孔あき板6からなる膜支持体サブアセンブリを通って、プレナム4の中に透過し、出口18を通ってユニットから出る。燃焼室からの排ガス又は燃焼副生成物ガスは、出口66を通って出る。燃焼は、触媒燃焼に限定されることが好ましく、それによって、熱は、無炎のかたちで発生する。この方法は、本質的に安全であり、広範な用途、特に携帯サービス用の燃料電池の用途に適している。触媒は、粉末の形態45~140メッシュとすることができ、反応器本体中に機械加工され得るメソチャンネルに装填してもよい。メソチャンネルの流れの寸法は、一般に05~2mmである。より好ましくは、触媒材料は、Porvairヘンダーソンビル,NCにより供給されるフェクラロイ登録商標、FeCrAlY、オーステナイト鋼又はインコネル登録商標等の合金の金属フォーム等の基板上に被覆され、該フォーム中の不規則な流路の寸法は、依然として05~2mmの範囲内である。次に、触媒含有基板は、反応器本体の中に挿入される。反応室と対照的に、セラミックマットは、該触媒と、燃焼室と接触した反応室の表面との間に配置される必要がない。触媒燃焼は、特定の触媒について一般にライトオフ温度として示される温度で開始される。炭化水素では、このライトオフ温度が、一般に150~350°Cの範囲にあり、例えば、貴金属含有触媒上でのプロパンのライトオフ温度は、およそ175°Cである。該触媒は、電池又は他の電源により電力を供給される抵抗線を通す等の補助的加熱法を用いて、この温度に加熱できる。或いは、水素は特定の貴金属含有触媒上で室温にてライトオフすることができるので、小さい水素化物用缶内に、圧縮シリンダー内に又は液化した状態で貯蔵する水素を用い、触媒の温度を始動時に室温からライトオフ温度に上昇させることができる。燃焼用の燃料は、水素発生用原料として使用されるものと同一の燃料の一部分を構成することができる。或いは、外部燃料又は補助的燃料を供給することもできる。また、反応室と燃焼室の両方に燃料を供給する燃料供給を提供することができる。或いは、反応燃料供給を燃焼燃料供給から分離して提供することができる。より好ましくは、図8の口16を通って出る、膜によりはねられたH2及びCO、炭化水素等の可燃物を含む反応室の排ガスを、口64を通して燃焼室に送ることができる。従って、反応室の排ガスは、吸熱水素発生反応用の唯一の熱の供給源として、又はシステム効率を改良するための既存の第二燃料源の補助として利用できる。図9は、燃焼室62と統合した図2に示す反応器サブアセンブリ20を含む例示的な膜反応器80を説明する。膜反応器80において、燃焼室62は、二つ以上の膜表面を水素分離に提供する形状で二つの反応室2a及び2bの間に位置している。特に、この実施態様において、燃焼室62は、熱を発生し、図8に示す膜反応器70に比べて100より大きい膜表面積で水素発生及び分離の両方を駆動するコンパクトな形で二つの反応室2の間に挟まれる。燃焼燃料及び空気は、入口64を通って入る。燃焼室からの排ガスは、出口66を通って出る。図10は、図9に示す膜反応器80の例示的な変異形である膜反応器90を説明し、ここで、膜箔8及び支持体板6により構成される膜アセンブリは、図3A及び3Bに記載された膜アセンブリ30に置換される。膜反応器90の膜表面積を膜反応器80のものに対し増加させる効果がある。実際には、反応器フットプリントの極わずかな増加だけを保障するが、水素分離に利用できる膜表面積は、図9に示す膜反応器80の表面積の二倍である。図11は、図8に示す膜反応器70の変異形を構成する膜反応器100を説明する。膜反応器100において、膜箔8及び支持体板6により構成される膜アセンブリは、積層のかたちで配置された、図3A及び3Bに示す幾つかの膜アセンブリ30に置換される。この形で、膜反応器100の膜表面積を膜反応器70のものに対して増加させ、反応器の寸法を増大することなく、すっきりと増大した水素の発生及び生成速度を提供することがことができる。膜アセンブリの数を選択し、標的とする純水素の生成速度を満足させることができる。原料と生成物の流路は、原料流れを導入し膜反応器から生成物流れを取り除くため、適当にマニホールド化されるべきである。図12は、二つの反応室2a及び2bの間の反応器の内部に位置した内部コネクタ112を含む図9に示す膜反応器80の例示的な好ましい変異形を構成する膜反応器110を示す。上記膜反応器80において、二つの反応室2a及び2bは、燃焼室62の両側に位置しており、分かれた入口14と出口16を有する。従って、上記膜反応器80では、反応室2a及び2bが、相互に流体連通していない。上記膜反応器110においては、内部コネクタ112が、燃焼室62を通して反応室2a及び2bを接続し、二つの反応室間での流体連通を容易にする。上記膜反応器110において、内部コネクタ112は、流れを図9に示す膜反応器80等の膜反応器の反応室に送り込む際に、その他の点で必要とされる均等な部分に分けることの必要性を取り除く。加えて、内部コネクタ112は、反応室から出る反応室の排ガス流れをマニホールド化する必要性も取り除く。上記膜反応器110において、反応室2a及び2bは、燃焼室の周りを実質的に包み、燃焼ユニット62の両方の熱面を使用し、該燃焼ユニットは露出した熱面を低減し、それにより、周囲への熱損失を最小限に抑える。燃焼用の燃料は、炭化水素例えば、プロパン、メタン、ブタン、ガソリン、ディーゼル燃料、灯油、バイオディーゼル等又はアンモニア等のあらゆる可燃性燃料からなることができ、反応室に送ったものと同じでもよい。燃焼用の一次燃料を反応室2a及び2bからの排ガス流れで構成することができ、外部又は内部から燃焼室62に送り込む。燃焼用の燃料及び空気は、口64を通って燃焼室に入り、燃焼室の反対端で出口66を通って出る。水素を生成することになる燃料原料は、入口14を通って反応室に送られる。それを入口14に送り込む前に、分離した加熱ユニットを通し又は熱交換器により外部から予熱することが好ましい。反応室内の適した触媒の存在下、該燃料を水素含有流れに転化する。水素含有ガスは、反応室2aを通り、次いでコネクタ112を通り、第二反応室2b中に流れ込むが、ここで、さらに未反応の原料を水素に転化する。このコネクタは、反応室と燃焼室との間で共通の接触と分離の仕切りとして機能する別の固体壁面の一部である。コネクタ112は、別の固体隔壁中に機械加工した孔に挿入される管で構成される場合があり、溶接又はろう付けよりなる技術を用いて封止される。また、コネクタは、反応物質流れが漏れなしに燃焼室を内部で迂回するとができる限り、製造/機械加工過程時に反応室の中に機械加工され、又は別の方法で形成されるチャンネルとすることができる。また、反応器コネクタ112は、二つの反応室2a及び2b間に外部から配管することもあり得る。ガスが反応室を流れるにつれて、水素は膜を通って分離され、反応室の排ガスはリジェクト口16を通って該室から出る。上記膜反応器110において、反応室2a及び2bと燃焼室62の間の隔壁と反対にある反応器室2a及び2bの側面は、膜支持体サブアセンブリ上に支持された膜8からなる膜アセンブリを含む。箔の形態とし得る膜が、穿孔7を含む支持板6からなるか、好ましくは更に孔あき金属支持体中に固定され、追加の構造的剛性を与える多孔性金属板からなる膜支持体サブアセンブリにより支持される。また、上記膜は、無電解めっき、電気めっき、スパッタリング、回転塗布、化学気相堆積若しくは他の技術又はそれらの技術の組み合わせの手段により、多孔性金属、セラミック又は複合金属/セラミック支持体上に堆積した複合膜からなる場合がある。この複合膜は、同様に穿孔した、又は他の方法による巨大な透過性の支持体構造により更に支持されることになる。この場合、膜は、酸化層、セラミック若しくは耐熱金属層、又は膜中の支持体から不要な拡散を防ぐのに適した他の材料で構成される障壁からなる拡散障壁により、支持体金属から分離することが好ましい。上記膜アセンブリ中の膜は、反応器の全長にわたり、反応室内で生成した水素を活発に取り除くことになる。膜を透過した水素は、水素プレナム4で収集され、そのユニットを通って二つの出口18から出て、その後、例えばPEM燃料電池を用い電気を発生させるか、貯蔵容器に送るか、又は別の方法で利用するのに使用できる。図13は、図5に記載された膜アセンブリを含む膜反応器110の例示的なプレナムのない変異形である膜反応器120を示す。該膜反応器は、別の点では図12に記載された膜反応器110と類似している。膜反応器120の二つの反応室2a及び2bは、相互に内部流体連通している。後述する例4は、図13に示す膜反応器120を含む水素発生器を用いて、原料75H225N2からの種々の速度を有する純水素の生成方法の例を示す。後述する例5は、図13に示す膜反応器120を含む水素発生器を用いてアンモニアの分解から純水素生成速度について説明する。図13に示す膜反応器120は、各膜表面の下流側低圧側に純水素収集プレナムを含む。図5に記載したように、反応器サブアセンブリは、水素プレナムを含むことを必要とせず、ここでは、膜は、金属支持体板により直接支持される多孔性金属基板上に支持され、それによって、多孔性金属基板はまた、純水素を膜表面から反応室の出口に移送するためのコネクタを提供する。図14は、原料予熱器を含む膜反応器120の例示的な変異形を説明する。図14に示す膜反応器120の変異形においては、巻き金属管材料122が、燃焼室の外面の周りに巻かれ、原料予熱器又は蒸気発生器として機能する。該管材料を仮付け溶接し、良好な熱伝導を保障することができる。原料例5の場合ではアンモニアは、反応室に供給する前にこの管材料を流れ、周囲温度から反応温度の近くに加熱される。この実施は、反応器の外部で予熱が達成されるため、水素生成用の触媒体積の最大利用を保障する。上記の例において、膜箔又は堆積した膜を含む多孔性基板は、ろう付け等のガスケットのない接合技術により封止される。一部の実用には、検査、触媒置換、膜置換又は他の目的のために反応室の非破壊開きを可能にするガスケットを用いて膜を封止することが有益な場合がある。ガスケット材料は、弱い酸化条件では600°Cまで耐えることが可能なあらゆる材料から作製できる。候補材料は、Garlockパルミラ、NYにより生産される等の黒鉛、TheFlexitallicGroup,Inc.ヒューストン、TXにより生産される等のひる石、又はCotronics,Corp.,ブルックリン、NYにより生産される等のセラミックである。一般には、ガスケットを施した装置は、ガスケットを収容し圧縮するためにフランジを付けた形状の必要性によって、ガスケットのない装置に比べて重い。図15A分解斜視図、図15B小さくまとめた斜視図及び図16小さくまとめた断面図は、二つの反応サブアセンブリと、相互に流体連通する反応室を具える一つの燃焼室とを組み込んだ膜反応器130を説明し、ここで、膜箔はガスケットを用いて封止される。膜反応器の基礎となる形状は、二つの反応室と一つの燃焼室とを組み込み、該反応室がコネクタ112により相互に流体連通している図13に記載の包まれた膜反応器の形状である。各ガスケット132a及び132bは、膜箔8a及び8bの一つと、それぞれの反応室2a及び2bとの間に配置される。各焼結多孔性支持体42a42bは、箔の一つとそれぞれの孔あき板6a及び6bの一つとの間に離れて配置され、後者は、焼結多孔性支持体に構造的な支持を提供するものである。反応室2a及び2bで生成した水素は、多孔性金属支持体42a及び42bを通り、孔あき支持体板6a及び6bの穿孔7a及び7bを通り、水素プレナム4a及び4bに流れ込む。上記アセンブリは、プレナム外被4a及び4b、孔あき支持体板6a及び6b、ガスケット132a及び132bを貫通するボルト134を用い、一体となって保持され、反応器外被2a及び2bの中に固定される。また、ガスケット132a及び132bを圧縮し、片側にて膜箔8a及び8bと水素プレナム4a及び4bとの間に、そして他の側にて膜箔8a及び8bと水素反応器室との間に、漏れ止めシールを形成することができる。燃焼室62は、吸熱水素発生反応のための熱を提供する。二つの反応室2a及び2bは、ろう付け又は溶接等の接合方法を用い、燃焼器62に接合される。流体の入口及び出口は図16に示されていないが、それらは、この開示において他の場所に記載されているように、適当に位置付けることができる。ガスケット132a及び132bは、グラフォイル、金属強化グラフォイル、セラミック及びひる石よりなる群から選択される材料で作製することができる。また、ガスケット132a及び132bは、15mm~65mmの範囲の厚みを有することができる。後述する例6は、図15A、15B及び16に記載された膜反応器を含む水素発生器を用い、アンモニアからの純水素の生成を説明する。例6において理解できるように、反応器から出る純水素流れ中の不純物として、約4ppmのアンモニアが検出された。このアンモニア不純物は、水素流れがモレキュラーシーブ4A吸着剤2535メッシュ粒子、グレード514、GraceDavisonの層を流れることにより容易に除去された。また、図15A、15B及び16に開示したものと比べて異なる形状で配置される部材を有し、該部材がガスケットを介して封止される反応器アセンブリの変異形を本開示に従い提供することができる。例としては、図8に記載した膜反応器70の基礎となる形状を有するガスケットを施した膜反応器を含む水素発生器を本開示に従い提供することができる。後述する例7は、膜反応器70、即ち、一つの燃焼室と統合した一つの反応器サブアセンブリのガスケットを施した変異形を用いる蒸気改質により、合成の灯油燃料クリアーライトTM、エクソンの製品からの純水素の生成を説明する。例7に教示の説明では、最初に炭化水素原料を膜反応器ユニットの外部に位置した原料前処理室内で処理し、水素含有ガスを生成した。原料前処理室に位置した触媒被覆基板は、反応器室内に位置した触媒と異なってもよい。原料前処理室を膜反応器と統合し、燃焼室から利用できる熱を活用することは有利となる。その上、前処理室に供給する前に水を蒸発させることが有利となる。図17及び18は、水蒸発器及び前処理室を有する図8に記載の反応器サブアセンブリ70を含む、例示的な膜反応器を構成する膜反応器140について説明する。上記膜反応器140は、図8に記載されたものと同一であるが、前処理室142は燃焼室と統合され、燃焼室62から発生した熱を利用し、前処理工程を駆動する。水は、蒸発器管材料から膜反応器に入り、前処理室142の外面に密接したコイルを通過する。このコイルは、ろう付け又は溶接のいずれか一方により接合され、最高の熱伝導のために最も密接した接触を提供する。水は、コイルを通過し、入口147から前処理室に入る。燃料は、燃料入口146を通って前処理室に入る。燃料入口は、蒸発器本体の片側に存在するものとして示されるが、蒸発水の入口点に接近して燃料の注入を提供するあらゆる態様で位置付けることができる。幾らかの水素を含む前処理燃料は、直ちに出口148を通って、前処理室と反応室の接続管材料143に流入する。この管材料は、示されるような反応器の外部か、好ましくは図12、13及び16に示すコネクタ要素112と同様な形態で反応器の内部のいずれか一方に位置付けることができる。図18に記載の膜反応器を含む水素発生器を用いて、後述する例9では灯油からの純水素の生成を実証し、また、後述する例10ではプロパンからの純水素の発生を実証する。例10に記載されたように、図18に記載の膜反応器は、膜反応器の電源を入れたまま一の燃料から他の燃料に変更することを意味する燃料の活性交換hotswapの間でさえ、連続した純水素の生成を可能にする。後述する例11は、図18に記載の膜反応器を含む水素発生器を用いてアルコール-水混合物からの純水素の生成を実証する。図8に示す膜反応器の形状に蒸発器と前処理室を統合し、図18に示す形状を得ることは、単なる例示にすぎない。積層又はモジュールの純水素生成パッケージに続くことができる他の膜反応器の形状では、同一の手段を実行することができる。また、反応室から分離した前処理室の存在は、必須ではない。図19は、図18に示す反応器サブアセンブリ140の例示的な変異形である反応器サブアセンブリ200を示し、ここで、前処理室は、反応器室から分離していない。上記反応器サブアセンブリ200において、改質器室の入口に近い位置にある反応室の一部は、前処理室を構成することができる。反応室の一部であるこの前処理室は、膜がないことで反応室の残部と差異が認められる。言い換えれば、膜を含む膜アセンブリは、図19で説明されるように、前処理室に及ばないことになる。図19に示す膜反応器190において、前処理室部分196は、膜アセンブリ反応領域202に露出する反応室202の前に位置した膜のない部分である。例えば、炭化水素の蒸気改質時に、燃焼室62の外面に接触する金属管材料194を通過することにより水を蒸発させる。この金属管材料は、ろう付け又は溶接のいずれか一方により接合され、最高の熱伝導のために最も密接した接触を提供することができる。金属管材料内で水を蒸発させ、更に標準沸点のコイルを越えて加熱することができ、改質器室196の前処理部分に入る。燃料は、口198を通って改質器室の前処理室に入る。燃料入口は、蒸発器本体の片側に存在するものとして示されるが、蒸発水と燃料が前処理室に入るとすぐに蒸発水と燃料の間に密接な接触を提供するあらゆる態様で位置付けることができる。上記前処理室において、燃料は、水素を含む気体混合物に部分的に転化され、この気体混合物は、膜を含む反応室202に流入する。これは、膜表面が、水素の存在次第で酸化により膜の劣化を防ぐことになる還元混合物にさらされることを保障する。水素は、膜アセンブリを通って流れ、水素プレナム192で収集され、水素出口18から出る。図19に示す膜反応器における膜アセンブリの構成は、図18に記載されたものと同様である。図18に示す膜反応器の形状に蒸発器及び予備改質器を統合し、図19に示す膜反応器を得ることは、単なる例示にすぎない。本開示に記載されている他の膜反応器の形状において同一の手段を実行し、統合した蒸発能及び予備改質能を含む積層又はモジュールの純水素生成パッケージを生産することができる。工業規模で水素分離膜を用いる重大な問題は、信頼性、耐用期間、及び多重熱サイクルに耐える能力に関する熱的問題に関するものである。この開示に教示されるように、ガスケット、ろう付け、溶接電子ビーム、レーザー、TIG又は他のもの、拡散接合によって膜を封止することができる。室温と600~650°C改質時の膜温度との間での熱サイクルは、薄箔の形態となり得る薄膜の応力を増大させる。水素の導入により、パラジウム系の膜は水素を吸収し、体積が膨張体積が増加するため、更なる困難を生み出す。パラジウム箔は、特に接合部外周の周りで巨大な応力を受ける。このことは、特にガスケットとは対照的にろう付け及び溶接等の技術を用いて生じる強固な接合部によく見られる。ガスケットの場合では、薄箔は、フランジを付けたアセンブリに収容される取り外し可能なガスケットを用いることにより封止される。ガスケット材料は全て時間が経つと劣化し特に不活性環境ではないときの黒鉛の酸化の場合、また、ボルトやねじ等の機械的接合部材は、高温で上昇したクリープ速度を経験し、従って、更にシールを弱める。熱サイクルの影響は、ボルト等の機械的締め具に疲れを誘発することにより、破損率を拡大する。ガスケットを用いて封止することは、水素流れを汚染し得るガスケットの周りに幾らかのずれを認める。その上、フランジの使用は、反応器の重量を増大させるので、小型の携帯電力系統に望ましくない。漏れ止めシールと共にガスケットにより与えられる柔軟性と、持続性のある接合技術により与えられる低重量とを組み合わせることが可能である。支持体構造に箔を封止する、この混成接合技術は、膜の破損を低減し、膜と支持体構造との間に信頼できるシールを提供することができる。図20A、20B及び21は、それぞれ膜アセンブリ及び水素プレナム150の分解図、小さくまとめた図及び断面図を示し、ここで、ガスケットは支持体フレームに収容される。黒鉛、セラミック、ひる石又は他の適当な材料等の材料で作製された高温ガスケット158は、膜箔156の接触面に組み込まれ、フレーム162は、支持体に箔を固定する上面に配置される。その後、このアセンブリは、穿孔した、又は他の方法による多孔性の支持体154の上面に配置される。その後、該アセンブリはまた、クランプを用いて圧縮される場合がある。ガスケットの外側領域は、真空ろう付け又は他の適当なろう付け方法を用いてろう付けでき、該ろう付けは、所定の位置にガスケットを圧縮する前に接合されるべき領域に適用される。或いは、膜アセンブリの要素が、箔を破損しないように気を付けながら、適当な溶接技術を用いて外周に溶接される場合がある。封止後、クランプは取り除かれ、膜アセンブリをろう付け又は溶接により水素プレナム152に組み込む。図21は、水素プレナムと統合した膜アセンブリの断面図を示す。適当な条件で水素含有気体混合物にされされると、水素は膜箔156を透過し、膜支持体板154の穿孔166又は多孔性構造を通り、水素プレナム152に流入する。その後、水素は水素出口164を通ってプレナムから出る。図20A、20B及び21に記載の膜アセンブリは、反応室及び燃焼室と統合され、この開示に記載される膜反応器を得ることができる。図22は、例示的な膜アセンブリ180を示し、ここでは、本開示において他の場所に記載される膜部材を管状部材に置換する。この置換の効果は、非管状の膜部材を含む膜アセンブリに対し、増大した水素生成速度を達成することができることである。図22に示す膜アセンブリ180は、管状膜部材182用の外被184からなり、図23に示すように置かれる管状膜用の閉端空洞181を有する板で構成される。発生した水素は、管の表面を透過し、収集区域186に流入する。該管は、181と反対に位置する開口部183内に置かれ、図23に示す収集ヘッダー186に開口している。水素は、水素出口188から使用する場所に出る。該管は、好ましくは上記した真空ろう付け条件下で、ろう付け法により外被の中に封止される場合がある。図23は、燃焼室と統合した、図22に示す膜サブアセンブリを含む例示的な膜反応器190を示す。膜アセンブリの相違以外、この膜反応器は、図8に示す膜反応器と同様である。図22に示す膜アセンブリは、110cm2の全膜表面積を有する七つの管状要素を含む。管を収容する空間に合わせた大きさの平面の膜は、58cm2の表面積を有することになる。従って、表面積の2倍近い増加が、図22に示す膜アセンブリを用いて実現でき、膜厚が同じであると想定される場合には、水素透過の2倍の増加と言い換えるべきである。管状膜部材の端は、水素に対し透過性のない材料で構成される場合があり、膜アセンブリで管の封止を可能にする。従って、管状膜部材は、該部材の一方の端で行き止まりとするか、閉端とすることができる。以下に教示される例では、水素分離膜は、厚さ25ミクロンのPdAg箔を構成する。また、異なる厚みの膜箔を厚さ25ミクロンの箔について従うものと同じ方法で組み込むことができることをここに主張する。ここに記載される膜反応器、反応器サブアセンブリ及び膜アセンブリを、水素発生器、特にアンモニア系又は炭化水素系の水素反応器に含むことができる。図24は、図8の膜反応器を含む例示的なアンモニア系水素発生器を示す。膜反応器70は、反応燃料供給ライン205を介して燃料供給204に連接され、燃焼供給ライン211を介して燃焼燃料供給207に連接される。また、膜反応器70は、空気供給ライン206を介して空気供給203に連接される。更に、水素発生器は、燃焼副生成物ライン208及び排ガス供給ライン209を含む。図25は、図8の膜反応器を含む例示的な炭化水素系水素発生器を示す。炭化水素系水素発生器では、膜反応器70は、反応燃料供給ライン205を介して燃料供給204に連接され、燃焼供給ライン211を介して燃焼燃料供給207に連接される。また、膜反応器70は、空気供給ライン206を介して空気供給203に連接される。更に、水素発生器の基礎を形成する膜は、燃焼副生成物ライン208及び排ガス供給ライン209を含む。また更に、水供給ライン213を介して膜反応器70に連接した水供給212が含まれる。本発明を更に詳細に説明するために、下記に示す例を提供する。これらの例は、本開示を実施するために現在考慮される特定の形態を示しており、本発明を説明するものであって、限定されないように意図される。例1:膜が焼結多孔性金属基板上に支持される改質器サブアセンブリを通した水素の流れ図1に示す反応室を約450°Cに加熱した後、75H2及び25N2の表示体積比の水素及び窒素からなる気体混合物を1500sccmの表示流量で該反応室に供給した。反応サブアセンブリは、SS304から作製された。その膜は、表示組成75Pd25AgのPdAg箔からなり、23cm2の表面積を有した。膜箔は、表示厚さが25ミクロンであって、41の表示多孔度を有する焼結多孔性ステンレス鋼316L基板MottCorp上に支持された。適した温度制御器Omegaを用いて炉の温度を上昇させることが可能なWatlow電気炉内に反応器サブアセンブリを置いた。反応室は、40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含み、均一な流れと熱分布を提供した。上記気体混合物は、同様にWatlow炉内に置かれた18インチ0.3175cmODSS316管状コイルを流れることにより予備加熱された。反応器サブアセンブリを600°Cの表示温度及び58barの表示圧力で作動させたときの反応器サブアセンブリを通した水素流れsccmcm2を測定した。従って、膜の透過側の圧力を大気圧に維持した。その流れの安定性を測定した。その結果は、図26に報告され、50時間を超える作業時間にわたる試験期間内で観測された安定水素流れを示す。例2:膜が穿孔を含む固体板上に支持される反応器サブアセンブリを通した水素の流れ膜箔が、均等に間隔を開けた直径1320.079375cmの小さな孔を含み、023in21.483868cm2の全露出表面積を有する固体SS304板上に支持されることを除けば、例1で用いたものと同一の反応器サブアセンブリを用い、例1に記載の試験を繰り返し行った。特に、水素流れsccmcm2は、600°C、58barの表示圧力にて、種々の温度サイクルで、同じものとみなされる二つのユニット1及び2を通り抜けた。各温度サイクルは、周囲温度と600°Cの間であった。膜の透過側の圧力は、大気圧で維持された。図27に報告された結果は、時間が経つにつれておよそ30の水素流れの減少を観察したことを示す。水素の純度の減少が観察されないので、膜は周囲温度と600°Cの間の熱サイクルに非常に安定であることが分かった。ShimadzuGC17ガスクロマトグラフィーを用いて評価した表示水素純度は、>9999であることが分かった不純物があったとしてもガスクロマトグラフィーの検出限界より低い。流れの減少は、水素の移送に利用できる膜の有効な表面積の減少をもたらす温度にて、支持体の孔の中に膜箔が緩徐にクリープすることに起因する。試験は、同一のユニット、ユニット2について繰り返し行われ、両ユニットは、上記した評価によると、同一の減少流れの挙動を示した図27参照。例3:膜が焼結多孔性基板上に支持された反応器サブアセンブリを通した水素流れ基板は、装置の出口に水素を移送するための流路としても機能する。反応器を約450°Cに加熱した後の図5に示す反応器サブアセンブリに、3600sccmの表示流量で75H2及び25N2の表示体積比の水素及び窒素からなる気体混合物を供給した。反応器サブアセンブリは、304Lステンレス鋼から作製された。その膜は、表示組成75Pd25AgのPdAg箔からなり、55cm2の表面積を有した。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性316ステンレス鋼基板MottCorp上に支持された。適した温度制御器Omegaを用いて炉の温度を上昇させることが可能なWatlow電気炉内に膜反応器を置いた。反応室は、40ppiインコネル登録商標625金属フォーム基板を含み、均一な流れと熱分布を提供した。上記気体混合物は、同様にWatlow炉内に置かれた18インチ0.3175cmODSS316管状コイルを流れることにより予備加熱され、600°C~625°Cの表示温度及び58barの表示圧力で作動している反応器サブアセンブリに導入された。周囲温度と625°Cの間で四つの熱サイクルを行った。膜の透過側の圧力を大気圧に維持した。図28に示すように、表示純水素生成速度を測定すると、1500sccm27sccmcm2の表示流れであり、周囲温度と625°Cの間での熱サイクルに影響されなかった。ShimadzuGC17ガスクロマトグラフィーを用いて評価した表示水素純度は、>9999であることが分かった不純物があったとしてもガスクロマトグラフィーの検出限界より低い。膜封止方法が熱サイクルに非常に安定であり、水素生成速度と水素純度の両方が経時的に安定のままであることが分かった。例4:図13及び14に示す膜反応器を含む水素発生器を用いたH2N2原料からの純水素の生成反応器を約550°Cに加熱した後の図13及び14に示す膜反応器に、3800sccmの表示流量で75H2及び25N2の表示体積比の水素及び窒素からなる気体混合物を供給した。膜反応器は、304Lステンレス鋼から作製され、相互に流体連通している二つの反応室間に挟まれた燃焼室を含んだ。各反応室は、表示組成75Pd25AgのPdAg箔JohnsonMattheyからなり、55cm2の表面積を有する膜を含んだ。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性SS316基板MottCorp上に支持された。各反応器は、40ppiインコネル登録商標625金属フォーム基板を含んだ。該金属フォーム基板は、アンモニアから分解により水素を生成するのに有効である適当な触媒材料で被覆された。燃焼室は、適当な燃焼触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。38インチ0.9525cmODインコネル登録商標600管材料は、図14に示すように、燃焼室の周りに巻かれて仮付け溶接され、反応室に入る前に原料流れにある程度の予熱を提供した。水素/空気混合物を用いて、室温ライトオフにより燃焼を開始し、触媒温度が約200°Cに達したときに水素燃料をプロパンと置換した。反応室の触媒温度が575~625°Cであるように、プロパンの触媒による無炎の燃焼を行った。ThermodyneCorporationエルクハート、INで販売されるダイナガードTM細孔性シリカ絶縁材を用いて、膜反応器を絶縁した。58barの表示反応器室圧力での試験の間、2400~2700sccmの純水素生成速度を測定した。ShimadzuGC17ガスクロマトグラフィーを用いて評価した表示水素純度は、>9999であることが分かった不純物があったとしてもガスクロマトグラフィーの検出限界より低い。反応室から出る排ガス流れは、体積で30H2及び70N2であった。例5:図13及び14に示す膜反応器を含む水素発生器を用いた無水アンモニアからの純水素の生成例4に記載された原料を含むH2N2からの純水素の生成を実証した後、H2N2原料混合物を無水アンモニアに置換した。アンモニアからの純水素の生成の間、アンモニア原料、膜リジェクト及び純水素の流量は、試験時間に応じて測定された。結果を図29に報告する。図29に示すように、2000sccmの流量での純水素は、非常に安定したかたちで生成された。ShimadzuGC17ガスクロマトグラフィーを用いて評価した表示水素純度は、>9999であることが分かった不純物があったとしてもガスクロマトグラフィーの検出限界より低い。直ちに、水素、窒素及び微量のアンモニア<4000ppmアンモニアを含む反応器排ガスを燃焼室に送り戻し、反応室に熱を供給することができる。この動作は、燃焼室に供給する必要があるプロパン等の外部燃料の量を低減することになる。実際には、アンモニア原料の流量を変更又は調整することにより、水素発生過程の大部分の熱所要量か、又は全体の熱所要量とさえ等しい熱含量の排ガス流れを発生させる可能性がかなり高い。図30は、純水素生成過程時の低位発熱量に基づく膜リジェクト流れの熱含量を示す。図29及び30を比較すると、2000sccmの一定した純水素の生成を維持したときに、約180Wの熱含量を有する排ガス流れを発生できることが明白になる。かかる排ガス流れを燃焼室に送り戻すことにより、全体で60の熱効率が得られ、ここで、熱効率は、反応室と燃焼室の両方についての純水素流れと原料流れの低位発熱量の比と定義される。例6:図15A、15B及び16に示す膜反応器を含む水素発生器を用いた無水アンモニアからの純水素の生成反応器を約575°Cに加熱した後の図17に示す膜反応器に、500sccm~1200sccmの流量で無水アンモニアを供給した。膜反応器は、304Lステンレス鋼から作製され、相互に流体連通している二つの反応室間に挟まれた燃焼室を含んだ。各反応室は、表示組成75Pd25AgのPdAg箔JohnsonMattheyからなり、90cm2の表面積を有する膜を含んだ。膜の表示厚みは、25ミクロンであった。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性316ステンレス鋼基板MottCorp上に支持された。各反応器は、適切な触媒で被覆した40ppiインコネル登録商標625金属フォーム基板を含んだ。該金属フォーム基板は、アンモニアから分解により水素を生成するのに有効である適当な触媒材料で被覆された。燃焼室は、適当な燃焼触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。まず、その触媒の先端と接触したニクロム抵抗線を用いて触媒の先端を加熱することにより、燃焼を開始した。触媒の先端の温度が約200°Cに達したとき、抵抗線への熱入れを停止し、プロパン及び空気の混合物を燃焼室に供給し、触媒燃焼により熱を提供した。互い違いに、水素/空気混合物を用いて触媒の室温ライトオフを達成し、触媒温度が約200°Cに達したとき、水素燃料をプロパンと置換した。反応室の触媒温度が575~625°Cであるように、プロパンの触媒による無炎の燃焼を行った。ThermodyneCorporationエルクハート、INで販売されるダイナガードTM細孔性シリカ絶縁材を用いて、膜反応器を絶縁した。図31に示すように、58barの表示反応室圧力でのこの試験の間、1500sccmの純水素生成速度を測定した。ShimadzuGC17ガスクロマトグラフィーを用いて評価した表示水素純度は、997であることが分かった。水素流れ中の不純物は、黒鉛ガスケットからのガス発生又はガスケットの周りでの滲出から生ずると信じられている些細なレベルのN22000ppm、CO100ppm、CH4150ppm及びCO2200ppmからなっていた。加えて、4ppmの表示濃度ドレーガー管を用いて測定である微量レベルのアンモニアが水素流れ中に存在した。このアンモニア不純物は、水素流れがモレキュラーシーブ4A吸着剤2535メッシュ粒子、グレード514、GraceDavisonの層を流れることにより容易に除去された。反応室から出る排ガス流れは、体積で22~28H2及び72~77N2と、300~1000ppmのアンモニアとからなっていた。この排ガス流れは、燃焼室に送り戻され、反応室に熱を供給した。かかる排ガス流れを燃焼室に送り戻すことにより、全体で63の熱効率が得られ、ここで、熱効率は、反応室と燃焼室の両方についての純水素流れと原料流れの低位発熱量の比と定義される。例7:図8に示す膜反応器を含む水素発生器における合成灯油からの純水素の生成016mlminの表示供給速度で流れる合成灯油燃料を、055mlminの表示供給速度で流れる蒸留水と接触させ、図8に示す膜反応器の前処理室に供給した。この例の前処理室は、適した触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。前処理室を電熱テープにより加熱し、550~580°C、58barで前処理室を保持した。前処理室を用い、灯油燃料を、軽質炭化水素及び酸化炭素と共に水素を含む混合物に転化した。次に、図8に示されるような形状の膜反応器の反応室に、熱水素含有ガス流れを供給した。反応器内の水素膜は、25ミクロンの表示厚みで45cm2の表面積を有する75Pd25Agの箔JohnsonMattheyで構成された。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性316ステンレス鋼基板MottCorp上に支持された。反応室及び燃焼室は、それぞれ適した触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。610°Cの表示反応温度及び58barで作動しながら、図32に示されるように、1000hを超える時間300sccmの表示流量で純水素を生成した。水素/空気混合物を用いて、室温ライトオフにより燃焼を開始し、触媒温度が約200°Cに達したときに水素燃料をプロパンと置換した。反応室の触媒温度が575~625°Cであるように、プロパンの触媒による無炎の燃焼を行った。メタナイザーの前に反応器から出る純水素は、表1に示されるように微量レベルのCO、CO2及びCH4を含んだ。水素生成物の組成は、パルスヘリウムイオン化検出器及び炎イオン化検出器を用いて評価した。175°C、2000h1の空間速度で維持したメタン化触媒T4308触媒;ズードケミーの層に、水素流れを通したとき、全てのCOと大部分のCO2がCH4に転化され、PEM燃料電池の用途に適した純度9991の水素流れをもたらした。CCOCO2C生成物として算出する炭化水素の転化率は78で、炭素収支は10以内であった。反応器排ガス流れの表示モル組成は、乾燥基準で484H2、37CO、117CH4及び362CO2であった。この排ガス流れは、55~60Wの表示発熱量を有しており、燃焼器に送り戻され、改質反応を駆動するための熱を供給した。従って、純水素流れは、CH4、CO2、CO等の不純物を含んだ。要求に応じて、適当な水素仕上げpolishing工程により、これらの不純物を取り除くことができる。例えば、PEM燃料電池に供給される水素流れ中のCOの存在は、燃料電池の性能の劣化をもたらす場合がある。表1に示されるように、水素ガス流れを流し、反応器の出口の近い位置にあるメタン化触媒の層例えば、ズードケミーにより供給されるT4308触媒を通して反応器から出すことにより、COを排除することができる。約1010hの流れの時間TOSの後、合成灯油原料は遮断され、プロパンに置換された。下記に示す例8は、同一の水素発生器を用いるプロパンからの純水素の生成を示し、複数の燃料改質、即ち、単一の膜反応器ユニットにおける異なる燃料からの水素の生成を実証する。例8.図8に示す膜反応器を含む水素発生器におけるプロパンからの純水素の生成例7に記載されたように、約1010hの灯油からの純水素の生成を実証した後、灯油燃料を遮断し、プロパンに置換した。行った測定の結果を図33に報告する。例7に記載されたのと同じように、100sccmの表示流量で流れるプロパンを07mlminの表示流量で流れる蒸留水と接触させ、前処理室に供給し、次いで反応室に供給した。610°Cの同じ表示反応温度及び58barで作動しながら、図31に示されるように、350sccmの表示流量で純水素を生成し、図8に示す膜反応器を用いて複数燃料の改質能力を実証した。CCOCO2C生成物として算出する炭化水素の転化率は70で、炭素収支は10以内であった。膜リジェクト流れの表示モル組成は、乾燥基準で497H2、42CO、144CH4及び317CO2であった。この膜リジェクト流れは、106~110Wの表示発熱量を有しており、燃焼器に送り戻され、改質反応を駆動するための熱を供給することができた。例9:図17及び18に示す統合した蒸発器及び前処理室を含む膜反応器における灯油からの純水素の生成068mlminの表示流量で流れる水を前処理室の表皮に溶接された管材料中で蒸気に蒸発し、前処理室において022mlminの表示流量で流れる合成灯油燃料と接触させた。この例の前処理室は、適当な触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。前処理室を燃焼室と統合し、燃焼室との熱交換により加熱した。555°Cの平均温度及び58barで原料の予熱及び予備改質を実現した。その後、熱予備改質流れが、図17及び18に示されるような形状の膜反応器の反応室に供給された。反応器の水素膜は、25ミクロンの表示厚み及び45cm2の表面積を有する75Pd25Ag箔JohnsonMattheyで構成された。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性316ステンレス鋼基板MottCorp上に支持された。反応室及び燃焼室は、それぞれ適当な触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。610°Cの表示反応温度及び58barで作動しながら、図34に示されるように、460~470sccmの表示流量で純水素を生成した。水素/空気混合物を用いて、室温ライトオフにより燃焼を開始し、触媒温度が約200°Cに達したときに水素燃料をプロパンと置換した。CCOCO2C生成物として算出する炭化水素の転化率は73で、炭素収支は5以内であった。室内の触媒温度が575~625°Cであるように、プロパンの触媒による無炎の燃焼を行った。表2に示されるように、反応器から出る水素の純度を評価すると99998であって、不純物として微量レベルのCO、CO2及びCH4を含んだ。水素生成物の組成は、パルスヘリウムイオン化検出器及び炎イオン化検出器を用いて評価された。排ガス流れの表示モル組成は、乾燥基準で3833H2、374CO、1698CH4及び4095CO2であった。この排ガス流れは、84Wの表示発熱量を有しており、燃焼器に送り戻され、改質反応を駆動するための熱を供給した。例10:図17及び18に示す統合した蒸発器及び前処理室を含む膜反応器における灯油からプロパンへの活性交換時の純水素の生成例9の続きとして、試験中、約210hで、他の作動パラメータを変更することなく、灯油燃料をプロパンと置換した。即ち、活性交換時に燃料を置換したが、ここで、該活性交換とは、発生器が定常状態にあるときの水素発生燃料の置換である。目的は、燃料として灯油を用いたときに測定されたものと同じレベルで水素生成速度を維持することであった。08mlminの表示流量で流す水を蒸発し、200sccmの表示流量で流すプロパンと接触させた。図35に示されるように、水素生成速度は燃料交換にもかかわらずほとんど維持されていたので、この目的は実現された。水素透過サンプルを集め、MathesonTrigasの研究所に送って分析した。表3に示されるように、水素の純度は、約9999であった。パルスヘリウムイオン化検出器及び炎イオン化検出器を用いて、水素生成物組成を評価した。それらの純度のレベルで、水素生成物ガスをPEM燃料電池に直接供給することができる。CCOCO2C生成物として算出する炭化水素の転化率は58であった。排ガス流れの表示モル組成は、乾燥基準で4219H2、264CO、2482CH4及び3035CO2であった。例11:図17及び18に示す統合した蒸発器及び前処理室を含む膜反応器におけるアルコール-水混合物からの純水素の生成10~15mlminの表示流量で流れるアルコール-水混合物アルコール=エタノール、メタノールを前処理室に供給した。この例の前処理室は、適当な触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。前処理室を燃焼室と統合し、燃焼室との熱交換により加熱した。555°Cの平均温度及び58barで原料の予熱及び予備改質を実現した。その後、熱予備改質流れが、図17及び18に示されるような形状の膜反応器の反応室に供給された。反応器の水素膜は、25ミクロンの表示厚み及び45cm2の表面積を有する75Pd25Ag箔JohnsonMattheyで構成された。膜箔は、41の表示多孔度を有する焼結多孔性316ステンレス鋼基板MottCorp上に支持された。反応室及び燃焼室は、それぞれ適当な触媒で被覆した40ppiFeCrAlY金属フォーム基板を含んだ。625°Cの表示反応温度及び58barで作動しながら、表4に纏めらたように、約400sccmの表示流量で純水素を生成した。表4では、炭化水素の転化率XHCをCCOCO2C生成物として算出した。純水素生成装置にパラジウム系水素分離箔を組み込む方法がこの開示に記載されるが、その手順を多孔性基板、好ましくは多孔性金属基板上に堆積された膜にも適用されるべきである。要約すれば、水素発生器は、水素膜反応器、燃料供給、反応燃料供給ライン、空気供給、空気供給ライン、燃焼燃料供給ライン、排ガス供給ライン、燃焼副生成物を燃焼室から移送するための燃焼副生成物ライン、反応生成物ラインを具える。水素発生器の反応室に接合すべき膜アセンブリは、膜と、焼結多孔性金属を含む膜支持体とを具える。反応器アセンブリは、多孔性金属基板を含む反応室、二つの膜アセンブリ、燃料供給、反応燃料供給ライン、排ガス供給ライン、反応生成物ラインを具える。方法は、水素発生器、膜アセンブリ、反応器アセンブリと関連する。本開示は、特定の実施態様に関して説明した。他の実施態様が、前述の記載を考慮して当業者に明らかになる。本開示の保護の範囲は、特許請求の範囲により明確にされる。"