"磁場センサであって、磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントと、前記磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、利得制御信号を受け取るように結合されており、前記利得制御信号に応答する利得を有する利得調節信号を生成するように構成されている、利得調節可能アナログ回路と、複数の利得補正係数を受け取り格納するように構成されている係数テーブルメモリであって、前記複数の利得補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが1対の温度によって境界が定められる、係数テーブルメモリと、温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサと、前記温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、前記温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対の利得補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって、前記1対の利得補正係数間で補間を行い、補間利得補正値を生成するように構成されているセグメントプロセッサであって、前記利得信号が、前記補間利得補正値に関係するアナログ信号である、セグメントプロセッサと、を備えている、磁場センサ。請求項1記載の磁場センサであって、更に、ユーザ利得補正値を受け取るように結合されているユーザ利得補正値レジスタを備えており、前記セグメントプロセッサが、前記ユーザ利得補正値を受け取るように結合されており、前記補間利得補正値を受け取るように結合されており、前記ユーザ利得補正値を前記補間利得補正値と結合して結合利得補正値を生成するように構成されている結合プロセッサを備えており、前記利得制御信号が、前記結合利得補正値に関係するアナログ信号である、磁場センサ。請求項1記載の磁場センサであって、更に、前記磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号を受け取るように結合されており、前記オフセット制御信号に応答するオフセットを有するオフセット調節信号を生成するように構成されているオフセット調節可能アナログ回路を備えており、前記係数テーブルメモリが、更に、複数のオフセット補正係数を受け取り格納するように構成されており、前記複数のオフセット補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、前記セグメントプロセッサが、更に、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって前記1対のオフセット補正係数間で補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されており、前記オフセット制御信号が、前記補間オフセット補正係数に関係するアナログ信号である、磁場センサ。請求項3記載の磁場センサであって、更に、ユーザ利得補正係数を受け取るように結合されているユーザ利得補正値レジスタを備えており、前記セグメントプロセッサが、前記ユーザ利得補正値を受け取るように結合されており、前記補間利得補正値を受け取るように結合されており、前記ユーザ利得補正値を前記補間利得補正値と結合して結合利得補正値を生成するように構成されており、前記利得制御信号が、前記結合利得補正値に関係するアナログ信号である、磁場センサ。請求項4記載の磁場センサであって、更に、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されているユーザオフセット補正値レジスタを備えており、前記結合プロセッサが、更に、前記ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されており、前記補間オフセット補正値を受け取るように結合されており、更に前記ユーザオフセット補正値を前記補間オフセット補正値と結合して結合オフセット補正値を生成するように構成されており、前記オフセット制御信号が、前記結合オフセット補正値に関係するアナログ信号である、磁場センサ。請求項1記載の磁場センサであって、更に、プログラム制御値を受け取るように結合されているプログラム制御レジスタを備えており、前記セグメントプロセッサが、前記プログラム制御値を表す信号を受け取るように結合されており、前記プログラム制御値に応答して、前記セグメントプロセッサが複数の所定の補間形式の中から補間形式を選択するように構成されている、磁場センサ。磁場センサの調節方法であって、現場動作中に前記磁場センサによって温度を測定するステップと、所定の複数の温度セグメントの内どれに前記現場測定温度が入っているか、前記磁場センサによって特定するステップと、前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、前記磁場センサによって特定するステップと、前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の利得較正係数を、前記磁場センサによって特定するステップであって、前記1対の利得較正係数が前記磁場センサに格納されている、ステップと、前記1対の利得較正係数間で、前記磁場センサによって補間を行い、補間利得補正値を確定するステップと、前記補間利得補正値に関係するアナログ信号を、前記磁場センサの中にある利得調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項7記載の方法であって、更に、前記磁場センサによってユーザ利得補正値を受け取るステップと、前記補間利得補正値および前記ユーザ利得補正値を前記磁場センサによって結合して、結合利得補正値を生成するステップと、前記結合利得補正値に関係するアナログ信号を、前記利得調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項7記載の方法であって、更に、前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット較正係数を、前記磁場センサによって特定するステップであって、前記1対のオフセット較正係数が前記磁場センサの中に格納されている、ステップと、前記1対のオフセット較正係数間において、前記磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップと、前記補間オフセット補正値に関係するアナログ信号を、前記磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項9記載の方法であって、更に、ユーザ利得補正値を前記磁場センサによって受け取るステップと、前記補間利得値および前記ユーザ利得補正値を、前記磁場センサによって結合して、結合利得補正値を生成するステップと、前記結合利得補正値に関係するアナログ信号を、前記利得調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項10記載の方法であって、更に、ユーザオフセット補正値を、前記磁場センサによって受け取るステップと、前記補間オフセット補正値および前記ユーザオフセット補正値を、前記磁場センサによって結合して、結合オフセット補正値を生成するステップと、前記結合オフセット補正値に関係するアナログ信号を、前記オフセット調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項7記載の方法であって、更に、プログラム制御値を、前記磁場センサによって受け取るステップと、前記プログラム制御値に応答して、複数の所定の補間形式の中から、1つの補間形式を前記磁場センサによって選択するステップと、を備えている、方法。請求項7記載の方法であって、更に、前記磁場センサの生産中に、前記選択した複数の較正温度の内部分集合において、前記磁場センサの利得を測定するステップと、前記測定にしたがって、前記複数の較正温度の内前記部分集合において、利得補正係数を確定するステップと、前記選択した複数の較正温度の内他のものにおいて、追加の利得補正係数を確定するステップと、前記利得補正係数および前記追加の利得補正係数を前記磁場センサに格納するステップと、を備えている、方法。請求項13記載の方法において、前記追加の利得補正係数を確定するステップが、複数の磁場センサの利得対温度の関係を特徴付けるステップを含む、方法。請求項13記載の方法であって、更に、前記磁場センサの生産中に、前記選択した複数の較正温度の内部分集合において、前記磁場センサのオフセットを測定するステップと、前記測定にしたがって、前記複数の較正温度の内前記部分集合において、オフセット補正係数を確定するステップと、前記選択した複数の較正温度の内他のものにおいて、追加のオフセット補正係数を確定するステップと、前記オフセット補正係数および前記追加のオフセット補正係数を前記磁場センサに格納するステップと、を備えている、方法。請求項15記載の方法において、前記追加のオフセット補正係数を確定するステップが、複数の磁場センサの利得対温度の関係を特徴付けるステップと、前記複数の磁場センサのオフセット対温度の関係を特徴付けるステップと、を含む、方法。磁場センサであって、磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントと、前記磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号を受け取るように結合されており、前記オフセット制御信号に応答するオフセットを有するオフセット調節信号を生成するように構成されている、オフセット調節可能アナログ回路と、複数のオフセット補正係数を受け取り格納するように構成されている係数テーブルメモリであって、前記複数のオフセット補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが、1対の温度によって境界を定められている、係数テーブルメモリと、温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサと、前記温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、前記温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、前記特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、前記温度信号にしたがって前記1対のオフセット補正係数間において補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されているセグメントプロセッサであって、前記オフセット制御信号が、前記補間オフセット補正値に関係するアナログ信号である、セグメントプロセッサと、を備えている、磁場センサ。請求項17記載の磁場センサであって、更に、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されているユーザオフセット補正値レジスタを備えており、前記セグメントプロセッサが、前記ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されており、前記補間オフセット補正値を受け取るように結合されており、更に、前記ユーザオフセット補正値を前記補間オフセット補正値と結合して、結合オフセット補正値を生成するように構成されており、前記オフセット制御信号が、前記結合オフセット補正値に関係するアナログ信号である、磁場センサ。磁場センサの調節方法であって、現場動作中に前記磁場センサによって温度を測定するステップと、所定の複数の温度セグメントの内どれに前記現場測定温度が入っているか、前記磁場センサによって特定するステップと、前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、前記磁場センサによって特定するステップと、前記特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット較正係数を、前記磁場センサによって特定するステップであって、前記1対のオフセット較正係数が前記磁場センサに格納されている、ステップと、前記1対のオフセット較正係数間で、前記磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップと、前記補間オフセット補正値に関係するアナログ信号を、前記磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。請求項19記載の方法であって、更に、ユーザオフセット補正値を前記磁場センサによって受け取るステップと、前記補間オフセット補正値および前記ユーザオフセット補正値を、前記磁場センサによって結合して、結合オフセット補正値を生成するステップと、前記結合オフセット補正値に関係するアナログ信号を、前記オフセット調節回路に印加するステップと、を備えている、方法。場合によっては、磁場センサがアナログ補償技術を採用し、例えば、バリスタなどを用いて、温度に関する利得即ち、感度および/またはオフセットを調節することができるものもある。このような技法によって、感度およびオフセットが温度に関してかなり変動がなくなるが、多くの場合感度またはオフセットの常温精度を犠牲にする。更に、アナログ補償技法は、固定されており、補償に対する生産時や現場における変更には適していない。ディジタル回路を有する磁場センサは、アナログ回路を有する磁場センサよりも遅い傾向がある。言い換えると、ディジタル回路を有する磁場センサは、素早く変化する磁場例えば、素早く変化する電流によってにしかるべく応答することができない。アナログ回路の速度の利点がありながら、温度に対する感度およびオフセット補正に異なる技法を用いる磁場センサを提供することが望ましい。本発明は、ディジタル回路によって感度および/またはオフセットが補正されるアナログ信号経路を有する磁場センサを提供する。この構成によって、アナログ回路の素早い応答時間を達成し、特に常温における感度および/またはオフセットの精度を達成し、生産の混乱を起こすことなく、生産または現場で変更を可能にすることを達成する。本発明の一態様によれば、磁場センサは、磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントを含む。また、この磁場センサは、磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、利得制御信号を受け取るように結合されており、利得制御信号に応答する利得を有する利得調節信号を生成するように構成されている、利得調節可能アナログ回路も含む。また、この磁場センサは、複数の利得補正係数を受け取り格納するように構成されている係数テーブルメモリも含む。複数の利得補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが1対の温度によって境界が定められる。また、この磁場センサは、温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサも含む。また、この磁場センサは、温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、特定した温度セグメントと関連付けられた1対の利得補正係数を受け取るように結合されており、温度信号にしたがって、1対の利得補正係数間で補間を行い、補間利得補正値を生成するように構成されているセグメントプロセッサも含み、利得信号は、補間利得補正値に関係するアナログ信号である。実施形態の中には、磁場センサが、更に、ユーザ利得補正値を受け取るように結合されているユーザ利得補正値レジスタも含み、セグメントプロセッサが、ユーザ利得補正値を受け取るように結合されており、補間利得補正値を受け取るように結合されており、ユーザ利得補正値を補間利得補正値と結合して結合利得補正値を生成するように構成されている結合プロセッサを備えており、利得制御信号は、結合利得補正値に関係するアナログ信号である場合がある。実施形態の中には、磁場センサが、更に、磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号に応答するオフセットを有するオフセット調節信号を生成するように構成されているオフセット調節可能アナログ回路も含み、係数テーブルメモリが、更に、複数のオフセット補正係数を受け取り格納するように構成されており、複数のオフセット補正係数の対が、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、セグメントプロセッサが、更に、特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、温度信号にしたがって1対のオフセット補正係数間で補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されており、オフセット制御信号が、補間オフセット補正係数に関係するアナログ信号である場合がある。実施形態の中には、磁場センサが、更に、ユーザ利得補正係数を受け取るように結合されているユーザ利得補正値レジスタも含み、セグメントプロセッサが、ユーザ利得補正値を受け取るように結合されており、補間利得補正値を受け取るように結合されており、ユーザ利得補正値を補間利得補正値と結合して結合利得補正値を生成するように構成されており、利得制御信号が、結合利得補正値に関係するアナログ信号である場合がある。実施形態の中には、磁場センサが、更に、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されているユーザオフセット補正値レジスタを含み、結合プロセッサが、更に、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されており、補間オフセット補正値を受け取るように結合されており、更にユーザオフセット補正値を補間オフセット補正値と結合して結合オフセット補正値を生成するように構成されており、オフセット制御信号が、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号である場合がある。実施形態の中には、磁場センサが、更に、プログラム制御値を受け取るように結合されているプログラム制御レジスタも含み、セグメントプロセッサが、プログラム制御値を表す信号を受け取るように結合されており、プログラム制御値に応答して、セグメントプロセッサが複数の所定の補間形式の中から補間形式を選択するように構成されている場合がある。本発明の他の態様によれば、磁場センサの調節方法では、現場動作中に磁場センサによって温度を測定するステップを含む。また、この方法は、所定の複数の温度セグメントの内どれに現場測定温度が入っているか、磁場センサによって特定するステップも含む。また、この方法は、特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、磁場センサによって特定するステップも含む。また、この方法は、特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の利得較正係数を、磁場センサによって特定するステップも含み、1対の利得較正係数は磁場センサに格納されている。また、この方法は、1対の利得較正係数間で、磁場センサによって補間を行い、補間利得補正値を確定するステップも含む。また、この方法は、補間利得補正値に関係するアナログ信号を、磁場センサの中にある利得調節回路に印加するステップも含む。実施形態の中には、前述の方法が、更に、磁場センサによってユーザ利得補正値を受け取るステップと、補間利得補正値およびユーザ利得補正値を磁場センサによって結合して、結合利得補正値を生成するステップと、結合利得補正値に関係するアナログ信号を、利得調節回路に印加するステップとを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット較正係数を、磁場センサによって特定するステップであって、1対のオフセット較正係数が磁場センサの中に格納されている、ステップと、1対のオフセット較正係数間において、磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップと、補間オフセット補正値に関係するアナログ信号を、磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップとを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、ユーザ利得補正値を磁場センサによって受け取るステップと、補間利得補正値およびユーザ利得補正値を、磁場センサによって結合して、結合利得補正値を生成するステップと、結合利得補正値に関係するアナログ信号を、利得調節回路に印加するステップとを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、ユーザオフセット補正値を、磁場センサによって受け取るステップと、補間オフセット補正値およびユーザオフセット補正値を、磁場センサによって結合して、結合オフセット補正値を生成するステップと、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号を、オフセット調節回路に印加するステップとを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、プログラム制御値を、磁場センサによって受け取るステップと、プログラム制御値に応答して、複数の所定の補間形式の中から、1つの補間形式を磁場センサによって選択するステップとを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、磁場センサの生産中に、選択した複数の較正温度の内部分集合において、磁場センサの利得を測定するステップと、測定にしたがって、複数の較正温度の内部分集合において、利得補正係数を確定するステップと、選択した複数の較正温度の内他のものにおいて、追加の利得補正係数を確定するステップと、利得補正係数および追加の利得補正係数を磁場センサに格納するステップとを含む場合がある。前述の方法の実施形態の中には、追加の利得補正係数を確定するステップが、複数の磁場センサの利得対温度の関係を特徴付けるステップを含む場合がある。実施形態の中には、前述の方法が、更に、磁場センサの生産中に、選択した複数の較正温度の内部分集合において、磁場センサのオフセットを測定するステップと、測定にしたがって、複数の較正温度の内部分集合において、オフセット補正係数を確定するステップと、選択した複数の較正温度の内他のものにおいて、追加のオフセット補正係数を確定するステップと、オフセット補正係数および追加のオフセット補正係数を磁場センサに格納するステップとを含む場合がある。前述の方法の実施形態の中には、追加のオフセット補正係数を確定するステップが、複数の磁場センサの利得対温度の関係を特徴付けるステップと、複数の磁場センサのオフセット対温度の関係を特徴付けるステップとを含む場合がある。本発明の他の態様によれば、磁場センサは、磁場信号を生成するように構成されている磁場検知エレメントを含む。また、この磁場センサは、磁場信号を表す信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号を受け取るように結合されており、オフセット制御信号に応答するオフセットを有するオフセット調節信号を生成するように構成されている、オフセット調節可能アナログ回路も含む。また、この磁場センサは、複数のオフセット補正係数を受け取り格納するように構成されている係数テーブルメモリも含む。複数のオフセット補正係数の対は、それぞれの温度セグメントの境界と関連付けられており、各温度セグメントが、1対の温度によって境界を定められている。また、この磁場センサは、温度を表す温度信号を生成するように構成されている温度センサも含む。また、この磁場センサは、温度信号を表す信号を受け取るように結合されており、温度信号が該当する温度セグメントを特定するように構成されており、特定した温度セグメントと関連付けられた1対のオフセット補正係数を受け取るように結合されており、温度信号にしたがって1対のオフセット補正係数間において補間を行って、補間オフセット補正値を生成するように構成されているセグメントプロセッサも含む。オフセット制御信号は、補間オフセット補正値に関係するアナログ信号である。実施形態の中には、前述の磁場センサが、更に、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されているユーザオフセット補正値レジスタも含み、セグメントプロセッサが、ユーザオフセット補正値を受け取るように結合されており、補間オフセット補正値を受け取るように結合されており、更に、ユーザオフセット補正値を補間オフセット補正値と結合して、結合オフセット補正値を生成するように構成されており、オフセット制御信号が、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号である場合がある。本発明の他の態様によれば、磁場センサの調節方法では、現場動作中に磁場センサによって温度を測定するステップを含む。また、この方法は、所定の複数の温度セグメントの内どれに現場測定温度が入っているか、磁場センサによって特定するステップも含む。また、この方法は、特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対の所定の較正温度を、磁場センサによって特定するステップも含む。また、この方法は、特定した温度セグメントの境界と関連付けられた1対のオフセット較正係数を、磁場センサによって特定するステップも含み、1対のオフセット較正係数が磁場センサに格納されている。また、この方法は、1対のオフセット較正係数間で、磁場センサによって補間を行い、補間オフセット補正値を確定するステップも含む。また、この方法は、補間オフセット補正値に関係するアナログ信号を、磁場センサの中にあるオフセット調節回路に印加するステップも含む。実施形態の中には、前述の方法が、更に、ユーザオフセット補正値を磁場センサによって受け取るステップと、補間オフセット補正値およびユーザオフセット補正値を、磁場センサによって結合して、結合オフセット補正値を生成するステップと、結合オフセット補正値に関係するアナログ信号を、オフセット調節回路に印加するステップも含む場合がある。本発明の以上の特徴、そして本発明自体は、以下の添付図面の詳細な説明から、一層深く理解されよう。本発明について述べる前に、いくつかの導入概念および用語について説明する。本明細書において用いる場合、磁場検知エレメントという用語は、磁場を検知することができる様々な種類の電子エレメントを記述するために用いられる。磁場検知エレメントは、ホール効果エレメント、磁気抵抗エレメント、または磁気トランジスタとすることができるが、これらに限定されるのではない。周知のように、ホール効果エレメントには異なる種類、例えば、平面ホールエレメント、垂直ホールエレメント、および円形ホールエレメントがある。また、周知のように、磁気抵抗エレメントには異なる種類、例えば、巨大磁気抵抗GMRエレメント、異方性磁気抵抗AMRエレメント、トンネリング磁気抵抗TMRエレメント、アンチモン化インジウムInSbセンサ、および磁気トンネル接合MTJエレメントがある。周知のように、前述の磁場検知エレメントの一部は、磁場検知エレメントを支持する基板に対して平行に、最大感度の軸を有することが多く、前述の磁場検知エレメントの他のものは、磁場検知エレメントを支持する基板に対して垂直に最大感度の軸を有することが多い。具体的には、殆どの種類の磁気抵抗エレメントは基板に対して平行に最大感度の軸を有することが多く、殆どの種類のホールエレメントは、基板に対して垂直に感度の軸を有することが多い。本明細書において用いる場合、磁場センサという用語は、磁場検知エレメントを含む回路を記述するために用いられる。磁場センサは、種々の用途において用いられ、電流搬送導体によって搬送される電流によって発生する磁場を検知する電流センサ、強磁性体の物体の近接を検知する磁気スイッチ、通過する強磁性体の物品、例えば、リングマグネットの磁気ドメインを検知する回転検出器、ならびに磁場の磁場密度を検知する磁場センサが含まれるが、これらに限定されるのではない。以下の例では、ホール効果エレメントを有する磁場センサを示しこれについて説明するが、同じ技術は、いずれの種類の磁場検知エレメントを有する磁場センサにも適用することができる。しかしながら、ホール効果エレメントは、温度の偏移によってホール効果エレメントに分与される応力および歪みに対して特に敏感である傾向があり、応力および歪みはホール効果エレメントの感度に変化を及ぼす傾向があることは周知である。以下の例では、電流センサを示しこれについて説明する。しかしながら、同じ技法は、いずれの磁場センサにも適用することができ、そして望ましくは、温度偏移が生ずるあらゆる磁場センサにも適用することができる。以下の例では、磁束集中器がない電流センサを示しこれについて説明する。尚、磁束集中器の使用は、磁場センサの感度を高める傾向があることは理解されよう。以下で説明する回路および技法は、磁束集中器を有する磁場センサとでも用いることができる。本発明に該当する電流センサの他の構成については、2004年8月24日に発行された米国特許第6,781,359号、および2007年9月4日に発行された米国特許第7,265,531号に記載されている。これらの双方は、本発明の譲受人に譲渡されており、ここで引用したことにより、双方共その内容全体が本願にも含まれるものとする。図1を参照すると、磁場センサ10は、電流源14によって駆動されるホール効果エレメント12を含む。ホール効果エレメント12は、例えば、ホール効果エレメント12に近接する電流搬送導体16を通過する電流16aによって生成されると考えられる磁場に応答する。電流搬送導体16は、磁場センサ10の一部とすることができ、または磁場センサ10とは外部であることもできる。磁場センサ10は、アナログ信号経路を含む。このアナログ信号経路は、増幅器18、プログラマブルフィルタとすることができるフィルタ20、加算回路22、および増幅器24を含む。ホール効果エレメント12は、磁場に応答して磁場信号12aを生成するように構成されている。増幅器18利得調節可能なアナログ回路は、磁場信号12aを受け取り、利得制御信号26aを受け取るように結合されており、そして利得調節信号18aを生成するように構成されている。フィルタ20は、利得調節信号18aを受け取るように結合されており、そしてフィルタ処理信号20aを生成するように構成されている。加算回路22オフセット調節可能なアナログ回路は、フィルタ処理信号20aを受け取り、オフセット制御信号28を受け取るように結合されており、そしてオフセット調節信号22aを生成するように構成されている。増幅器24aは、オフセット調節信号22aを受け取るように結合されており、そして利得およびオフセット補正を有する出力信号24aを生成するように構成されている。また、磁場センサ10は温度センサ30も含む。温度センサ30は、磁場センサ10の他の回路と同じ基板上に配置されていることが好ましい。温度センサ30は、温度センサ30が受ける温度に応答して、温度信号30aを生成するように構成されている。アナログ-ディジタル変換器ADC32は、温度信号30aを受け取るように結合されており、そして温度信号30aを表すディジタル温度信号32aを生成するように構成されている。磁場センサ10は、ディジタル温度信号32aを受け取るように結合されているセグメントプロセッサ34を含むことができる。尚、以下の論述から、セグメントプロセッサ34は様々な機能を実行するように構成されていることは明白になるであろう。セグメントプロセッサ34は、ディジタル温度信号32a即ち、温度信号30aが該当する温度セグメントを特定するように構成されている。また、セグメントプロセッサ34は、特定した温度セグメントと関連付けられた、1対の利得補正係数52aおよび/または1対のオフセット補正係数52bを受け取るように結合することもできる。1対の利得補正係数52aおよび/または1対のオフセット補正係数52bは、特定された温度セグメントの境界を定める温度と関連付けられている。1対の利得補正係数52aおよび/または1対のオフセット補正係数52bは、セグメントプロセッサ34によって要求することができる。セグメントプロセッサ34は、ディジタル温度信号32aにしたがって1対の利得補正係数52a間で補間を行い、センサ利得補正値40aを生成するように構成することができる。利得制御信号26aは、センサ利得補正値40aに関係があり、これによって決定されるアナログ信号である。また、セグメントプロセッサ34は、ディジタル温度信号32aにしたがって、1対のオフセット補正係数52b間で補間して、センサオフセット補正値42aを生成するように構成することもできる。オフセット制御信号46aは、センサオフセット補正値42aに関係があり、これによって決定されるアナログ信号である。尚、セグメントプロセッサ34は、ディジタル信号またはディジタル値を処理するディジタル回路であることは言うまでもない。セグメントプロセッサ34は、前述のアナログ回路の利得および/またはオフセットを制御する。磁場センサ10は、複数の利得補正係数および/または複数のオフセット補正係数を保持するように構成されているEEPROM52を含むことができる。各係数は、複数の選択された温度のそれぞれと関連付けられている。実施形態の中には、5つの選択された温度があり、各々が、それぞれの利得補正係数TDSenseおよびそれぞれのオフセット補正係数DQVOと関連付けられている。複数の利得補正係数および複数のオフセット補正係数は、磁場センサ10の製造の時点で、またはその後のいずれかの時点で、通信リンク48上の信号48aによってEEPROM52に格納することができる。通信リンク48は、シリアル通信リンクとすることができる。複数の利得補正係数および複数のオフセット補正係数を確立する方法については、図5と関連付けて以下で説明する。また、磁場センサ10は、ユーザ利得補正EEPROM54も含むことができる。ユーザ利得補正EEPROM54は、ユーザ利得補正値54aをセグメントプロセッサ34に供給するように結合されている。また、磁場センサ10は、ユーザオフセットEEPROM56も含むことができる。ユーザオフセットEEPROM56は、ユーザオフセット補正値56aをセグメントプロセッサ34に供給するように結合されている。ユーザ利得EEPROM54は、ユーザ利得補正値54aを通信リンク上の信号48cによって受け取ることができる。ユーザオフセットEEPROM56は、ユーザオフセット補正値56aを通信リンク上の信号48dによって受け取ることができる。また、磁場センサ10は、プログラム制御EEPROM50も含むことができる。プログラム制御EEPROM50は、補間制御信号50aをセグメントプロセッサ34に供給するように結合されている。補間制御については、以下で更に詳しく説明する。プログラム制御EEPROM50は、補間制御信号50aを通信リンク上の信号48bによって受け取ることができる。セグメントプロセッサ34は、補間プロセッサ36を含むことができる。補間プロセッサ36は、ディジタル温度信号32aを受け取るように結合されており、更に1対の利得補正係数52aおよび/または1対のオフセット補正係数52bを受け取るように結合されている。実施形態の中には、補間プロセッサ36が制御信号50aも受け取るように結合することができる場合もある。制御信号50aは、補間プロセッサ36によって実行しようとする利得および/またはオフセット補間の種類を決定することができる。補間の種類については、以下で更に説明する。補間プロセッサ36は、補間利得補正値36aおよび/または補間オフセット補正値36bを生成するように構成されている。このために、補間プロセッサ36は、ディジタル温度信号32aを受け取るように結合されており、更にディジタル温度信号32a即ち、温度信号30aが該当する、前述の温度セグメントを特定するように構成されている。また、補間プロセッサ36は、特定した温度セグメントの境界を定める2つの温度と関連付けられた、前述の1対の利得補正係数52aおよび/または前述の1対のオフセット補正係数52bも受け取るように結合されている。補間プロセッサ36は、ディジタル温度信号32aを用いて、複数の温度セグメントの内どれに、測定した温度が入るか特定することができる。したがって、適正な1対の利得補正係数52aおよび/または1対のオフセット補正係数52bを、補間プロセッサ36によって要求することができる。磁場センサ10は、結合プロセッサ38を含むことができる。結合プロセッサ38は、補間利得補正値36aおよび/または補間オフセット補正値36bを受け取るように結合されており、更にユーザ利得補正値54aおよび/またはユーザオフセット補正値56aを受け取るように結合されている。この結合プロセッサは、補間利得補正値36をユーザ利得補正値54aと結合するように、および/または補間オフセット補正値36bをユーザオフセット補正値56aと結合するように構成されている。したがって、結合プロセッサ38は、結合利得補正値38aおよび/または結合オフセット補正値38bを生成するように構成されており、これらの補正値は、それぞれ、利得調節レジスタ40およびオフセット調節レジスタ42に格納することができる。ディジタル-アナログ変換器DAC44は、格納されている利得補正値40aを受け取るように結合され、利得補正信号44aを生成するように構成することができる。利得補正信号44aは、利得調節回路26によって受け取られ、利得調節回路26は、それに応じて利得制御信号26aを生成するように構成されている。DAC46は、格納されているオフセット補正値42aを受け取るように結合され、オフセット補正信号46aを生成するように構成することができる。オフセット補正信号46aは、オフセット調節回路28によって受け取られ、オフセット調節回路28は、それに応じてオフセット制御信号28aを生成するように構成されている。特定的な一実施形態では、補間利得補正値36aを得るために補間プロセッサ36によって実行される利得補間は、次の形式の線形補間である。ここで、CoeffAおよびCoeffBは、特定された温度セグメントの境界を定める1対の利得補正係数52aであり、temp40は、ディジタル温度信号32aの最下位5ビットを表す。ディジタル温度信号は、7ビット値とすることができる。実施形態の中には、補間プロセッサ36が、複数の利得感度処理選択肢を保持し、制御信号50aにしたがって、処理選択肢補間の種類、即ち、上の式が選択される場合もある。実施形態の中には、結合プロセッサ38が、以下の式にしたがって補間利得補正値36aをユーザ利得補正値54aに結合し、結合利得補正値38aを得る場合もある。ここで、SENSFINEは、ユーザ利得補正値54aであり、KDEVは、個々の種類の磁場センサの感度を表すデバイス特定定数例えば、十進数74または十進数206である。特定的な一実施形態では、補間プロセッサ36によって補間オフセット補正値36bを得るために実行されるオフセット補間は、以下の形式の線形補間である。ここで、CoeffAおよびCoeffBは、特定された温度セグメントの境界を定める1対のオフセット補正係数52bであり、temp40は、ディジタル温度信号32aの最下位5ビットを表す。ディジタル温度信号は、7ビット値とすることができる。実施形態の中には、補間プロセッサ36が複数のオフセット処理選択肢を保持し、処理選択肢補間の種類、即ち、上の式が制御信号50aにしたがって選択される場合もある。実施形態の中には、この選択が、以下の線形補間の形式の間で選択できる場合もあり、各々、2倍ずつ異なる1ビットシフト。実施形態の中には、結合プロセッサ38が、以下の式にしたがって、補間オフセット補正値36bをユーザオフセット補正値56aと結合し、組み合わせオフセット補正値38aを得る場合もある。ここで、QVOは、ユーザオフセット補正値56aである。尚、以上の利得およびオフセットの式から、ユーザ利得補正値54aは積において適用され、ユーザオフセット補正値56aは和において適用されることは、予期されたように、明白なはずである。代替実施形態の中には、例えば、磁場センサ10が強磁性物体の近接に応答する磁気スイッチとして用いられるとき、磁場センサ10は比較器58を含むことができる場合もあり、この比較器58は、信号24aを受け取るように結合され、閾値信号60を受け取るように結合され、そして比較信号58aを生成するように構成される。比較信号58aは、強磁性物体への近接、または近接がないことを示す二状態信号とすることができる。これより、図2を参照すると、グラフ100は、パーセントを単位とする感度変化を目盛りとした縦軸108を有する。第1横軸110は、磁場センサ例えば、図1の温度センサ30が受ける、摂氏を単位とした温度の目盛りを有し、第2横軸112は、温度を表す7ビットディジタルコードに対応する単位であるが、0から127までの十進数の単位とした目盛りを有する。軸112は、図1のディジタル温度信号32aに対応する。特性曲線102は、利得補正値が適用されていない磁場センサの相対的感度常温106における感度に対するを表す。尚、特性曲線102によって表されている相対的感度は、低い温度では低くなり、高い温度では高くなる傾向があることが分かる。第1温度、摂氏-40度では、利得補正係数104aTDsense0は、特性曲線102の相対的感度の低下とは逆になっている。磁場センサが-40度の温度を受けたときに、利得補正係数104aを磁場センサに適用し、常温106における感度から本質的に感度が変化しないようにすることができることは理解されよう。同様に、他の利得補正係数104b、104c、104d、104eそれぞれ、TDSense1、TDSense2、TDSense3、TDSense4は、それらが関連付けられている他の温度において適用され、それぞれの特定の温度において、常温106における感度から感度が変化しないようにすることができる。5つの温度セグメント、即ち、摂氏-40.00度から11.25度、11.25度から62.5度、62.5度から113,75度、および113.75度から165.00度が示されている。いずれの温度セグメント内においても、例えば、図1のディジタル温度信号32aによって表される、磁場センサが受ける実際の測定温度にしたがって特定された11.25度から62.5度までの温度セグメントにおいても、補間プロセッサ36図1は、特定された温度セグメントの境界と関連付けられている利得補正係数例えば、104b、104c間で補間を行い、特定の測定温度において用いられる補間利得補正値例えば、図1の36aを確定することができる。この補間利得補正値は、磁場センサ10に適用し、磁場センサの感度を、常温106における感度から本質的に不変のままにすることができる。先に示しそして説明したように、感度の補間は線形補間とすることができる。しかしながら、他の実施形態では、利得補間は、他の形式、例えば、二次補間にすることもできる。5つの利得補正係数104a~104eを、5つの関連付けられた温度セグメントと共に示したが、他の実施形態では、利得補正係数および関連付けられた温度セグメントは、5つよりも多いことも、5つよりも少ないことも可能である。利得補正係数および関連付けられた温度セグメントの数は、所望の精度に応じて、そして利得補正係数を格納するEEPROM52図1の所望の最大物理的サイズに応じて選択することができる。一般に、EEPROM52に格納される利得補正係数の数が多い程、補間利得補正係数は精度が高くなり、磁場センサの補正された相対的感度も一層精度が高くなる。温度セグメントは、温度数が等しいものとして示したが、他の実施形態では、温度セグメントは、温度数が等しくないことも可能である。例えば、実施形態の中には、常温106に近い温度セグメントの方が、常温106から遠い温度セグメントよりも大きなまたは小さな温度範囲を有することができる。特定の種類の磁場センサであっても、その1つ1つには、以下で図5と関連付けて更に詳しく説明するプロセスによって、異なる利得補正係数104a~104eを生成することができる。しかしながら、実施形態の中には、特定の種類の磁場センサの各々が、同じ利得補正係数104a~104eを有することができる場合もある。図5と関連付けて以下で更に説明するが、利得補正係数104a~104eの一部または全部を、磁場センサの生産中にまたはその後に、特定の利得補正係数104a~104eが格納される複数の磁場センサの内特定の1つの複数の温度における相対的感度の直接測定によって選択する即ち、測定することができる。しかしながら、実施形態の中には、利得補正係数104a~104eの内全て未満が直接測定から得られ、利得補正係数104a~104eの他のものは、感度特性曲線102から導かれる場合もある。言い換えると、例えば、利得補正係数104aは、-40.00度および常温106における相対的感度測定によって生成することができ、利得補正係数104b~104eの内他のものは、感度特性曲線102の形状の知識から推論することができる。図示のような特性曲線102は、同じ種類の複数の磁場センサから取られた平均感度特性を表すことができる。他の種類の磁場センサは、他の形状の特性曲線を有する可能性がある。特性曲線102を用いて特定の磁場センサについて利得補正係数104a~104eの内一部または全部を導き出す際に、特性曲線102は、同じ種類の磁場センサ全てに共通の同じ形状を保持することができるが、同じ種類の個々の磁場センサ毎に、振幅を拡大または縮小することができることは言うまでもない。例えば、個々の磁場センサの相対的感度を常温において、そして-40度においても測定した場合、そして-40度における相対的感度が特性曲線102によって表されるそれよりも低い場合、測定されている磁場センサの特性曲線が、-40度においてより下方に湾曲し、165度においてより上方に湾曲するが、それ以外では同じ形状を維持すると想定することができる。つまり、常温における感度測定、および他のいずれかの温度における相対的感度測定常温における感度に対するのみを行うことによって、特性曲線102と同様な同じ形状の特性曲線しかし目盛りのつけ方は異なるを導き出すことができ、他の利得補正係数を推論することができる。尚、感度特性曲線102の特定の形状は、個々の種類の磁場センサによって左右されることは言うまでもない。更に、特性曲線102は、特定の種類の磁場センサであっても、個々の異なる1つ1つでは多少異なる目盛りのつけ方可能性がある。したがって、特定の種類の磁場センサについて、複数の異なる個々の1つ1つを特徴付け、平均を取って特性曲線102の形状を特定し、その後同じ種類の個々の磁場センサ各々に合うように拡大または縮小することができるのが、有利であると考えられる。これより図3を参照すると、グラフ100は、9ビットディジタル値によって表される線形単位のDCオフセット電圧変化を単位とする目盛りがある縦軸128を有する。第1横軸130は、磁場センサ例えば、図1の温度センサ30が受ける温度の、摂氏を単位とした目盛りを有し、第2横軸132は、温度を表す7ビットディジタルコードに対応する単位であるが、0から127までの十進単位とした目盛りを有する。軸132は、図1のディジタル温度信号32aに対応する。特性曲線122は、オフセット補正値が適用されていない磁場センサの相対的オフセット常温126におけるオフセットに対するを表す。尚、特性曲線122によって表されるオフセットは、常温におけるオフセット名目上2.5Vに対して低い温度では1方向に向く傾向があり、常温におけるオフセットに対して高い温度では、他の方向に向く傾向があることが分かる。第1温度である摂氏-40度では、オフセット補正係数124aDQV00は、特性曲線122の相対的オフセットの低下とは逆になる。尚、オフセット補正係数124aは、磁場センサが-40度の温度を受けるときに、この磁場センサに適用することができ、その結果、常温106におけるオフセット2.5Vからのオフセットの変化を本質的になくすことができることは言うまでもない。同様に、他のオフセット補正値124b、124c、124d、124eそれぞれ、DQV01、DQV02、DQV03、DQV04も、これらが関連付けられている他の温度それぞれ、摂氏11.25度、62.5度、113.75度、165.00度において適用することができ、これらの個々の温度において、常温106におけるオフセットからのオフセット変化をなくすることができる。図2におけると同様、5つの温度セグメント、即ち、摂氏-40.00度から11.25度、11.25度から62.5度、62.5度から113.75度、および113.75度から165.00度が示されている。いずれの温度セグメント内においても、例えば、図1のディジタル温度信号32aによって表される、磁場センサが受ける実際の測定温度にしたがって特定される、11.25度から62.5度の温度セグメントにおいて、補間プロセッサ36図1が、この温度セグメントの境界と関連付けられているオフセット補正係数例えば、124b、124c間で補間を行い、特定の測定温度において用いられる、補間オフセット補正値例えば、図1の36bを確定することができる。補間オフセット補正値を磁場センサに適用して、磁場センサのオフセットを、常温106におけるオフセットから本質的に不変に保つことができる。先に図示し説明したように、オフセット補間は線形補間とすることができる。しかしながら、他の実施形態では、オフセット補間は、他の形態、例えば、二次補間とすることができる。5つのオフセット補正係数124a~124eおよび5つの関連付けられた温度セグメントを示したが、他の実施形態では、5つよりも多いまたは5つよりも少ないオフセット補正係数および関連付けられた温度セグメントがあることもできる。オフセット補正係数および関連付けられた温度セグメントの数は、所望のオフセット精度にしたがって、そしてオフセット補正係数を格納するEEPROM52図1の所望の最大物理サイズにしたがって選択することができる。一般に、EEPROM52に格納するオフセット補正係数の数が多い程、補間オフセット補正係数は精度が高くなり、磁場センサの補正相対的オフセットも精度が高くなる。温度セグメントは、温度の数が等しいものとして示したが、他の実施形態では、温度セグメントは、温度の数が等しくないことも可能である。例えば、実施形態の中には、常温106に近い温度セグメントの方が、常温106から遠い温度セグメントよりも大きなまたは小さな温度範囲を有することができる。特定の種類の磁場センサであっても、その1つ1つには、以下で図5と関連付けて更に詳しく説明するプロセスによって、異なるオフセット補正係数124a~124eを生成することができる。しかしながら、実施形態の中には、特定の種類の磁場センサの各々が、同じオフセット補正係数124a~124eを有することができる場合もある。図5と関連付けて以下で更に説明するが、オフセット補正係数124a~124eの一部または全部を、磁場センサの生産中にまたはその後に、特定のオフセット補正係数124a~124eが格納される複数の磁場センサの内特定の1つの複数の温度における相対的オフセットの直接測定によって選択する即ち、測定することができる。しかしながら、実施形態の中には、オフセット補正係数124a~124eの内全て未満が直接測定から得られ、オフセット補正係数124a~124eの他のものは、オフセット特性曲線122から導かれる場合もある。言い換えると、例えば、オフセット補正係数124aは、-40.00度および常温106における相対的オフセット測定によって生成することができ、オフセット補正係数124b~124eの内他のものは、オフセット特性曲線122の形状の知識から推論することができる。図示のような特性曲線122は、複数の同じ種類の磁場センサから取られた平均オフセット特性を表すことができる。他の種類の磁場センサは、他の形状のオフセット特性曲線を有することができる。特性曲線122を用いて特定の磁場センサについてオフセット補正係数124a~124eの内一部または全部を導き出す際に、特性曲線122は、同じ種類の磁場センサ全てに共通の同じ形状を保持することができるが、同じ種類の個々の磁場センサ毎に、振幅を拡大または縮小することができることは言うまでもない。例えば、個々の磁場センサの相対的オフセットを常温において、そして-40度においても測定した場合、そして-40度における相対的オフセットが特性曲線122によって表されるそれよりも低い場合、測定されている磁場センサの特性曲線が、-40度においてより下方に湾曲し、165度においてより上方に湾曲するが、それ以外では同じ形状を維持すると想定することができる。つまり、常温におけるオフセット測定、および他のいずれかの温度における相対的オフセット測定常温におけるオフセットに対するのみを行うことによって、特性曲線122と同様な同じ形状の特性曲線しかし目盛りのつけ方は異なるを導き出すことができ、他のオフセット補正係数を推論することができる。尚、オフセット特性曲線122の特定の形状は、個々の種類の磁場センサによって左右されることは言うまでもない。更に、特性曲線122は、特定の種類の磁場センサであっても、個々の異なる1つ1つでは多少異なる例えば、異なる目盛りのつけ方可能性がある。したがって、特定の種類の磁場センサについて、複数の異なる個々の1つ1つを特徴付け、平均を取って特性曲線122の形状を特定し、その後同じ種類の個々の磁場センサ各々に適するように拡大または縮小することができれば、有利であると考えられる。以上の図2および図3の例から、一実施形態では、5つの温度と関連付けられた5つの利得補正係数、同じ5つの温度と関連付けられた5つのオフセット補正係数があることがわかる。しかしながら、利得補正係数およびオフセット補正係数は、同じ温度と関連付けられる必要はない。図1のEEPROM52は、一例である5つの利得補正係数TDSense0からTDSense4および一例である5つのオフセット補正係数DQVO0からDDQVO4を格納することが示されている。これより図4を参照すると、回路150は、図1の磁場センサ10の部分の更なる詳細を示す。ADC156は、図1のADC32に対応する。ADC156は、図1の温度信号30aに対応するアナログ信号154を受け取るように結合されている。ADC156は、図1のディジタル温度信号32aに対応する信号162を生成するように構成されている。セグメントプロセッサ170は、図1のセグメントプロセッサ34に対応する。乗算器および加算器、それぞれ、172,174は、セグメントプロセッサ170の中にあり、図1の結合プロセッサ38に対応する。前述のように、先の式から、ユーザ利得補正値図1の54aは乗算を介して適用され、ユーザオフセット補正値図1の56aは加算を介して適用されることが理解されよう。セグメントプロセッサ170の中にあるレジスタ176は、図1の利得調節レジスタ40に対応する。セグメントプロセッサ170の中にあるレジスタ178は、図1のオフセット調節レジスタ42に対応する。DAC188、190は、それぞれ、図1のDAC44、46に対応する。DAC188は、セグメントプロセッサ170からの信号184を受け取るように結合されている。この信号は、図1の信号40aに対応する。DAC190は、セグメントプロセッサ170からの信号186を受け取るように結合されている。この信号は、図1の信号42aに対応する。EEPROM222は、図1の係数テーブルEEPROM52に対応する。EEPROM222からの双方向信号220は、図1の選択された利得補正値52aの対、および選択されたオフセット補正値52a、52bの対にそれぞれ対応し、更に、図1には示されていない、EEPROM222への選択信号に対応する。この信号は、所望の利得補正値の対および所望のオフセット補正値の対を、ディジタル温度信号162がある、特定された温度セグメントにしたがって選択する。EEPROM222への信号218は、EEPROM222へのライト/リード制御線に対応する。スタティックレジスタ226は、図1のユーザ利得補正値EEPROM54、ユーザオフセット補正値EEPROM56、およびプログラム制御EEPROM50に対応する。スタティックレジスタ226からの信号228は、図1の利得補正値54aおよびユーザオフセット補正値56aに対応する。serialinout通信リンク196は、図1の通信リンク48に対応する。シリアルインターフェース回路198は、シリアル通信リンク196に結合することができ、シリアル通信リンク196からデータを受け取るために、1つ以上のシリアル通信プロトコルを理解することができる。実施形態の中には、シリアル通信プロトコルが、自動車用シリアル通信プロトコル、例えば、CAN通信プロトコルである場合もある。回路230は、制御およびデータ信号202、204によってシリアルインターフェース回路198に結合されているメモリコントローラ206を含むことができる。また、回路230は、データおよび制御信号212、214によってメモリコントローラ206に結合されているEEPROMコントローラ216も含むことができる。EEPROMコントローラ216は、前述した信号218、220によってEEPROM222に結合することができる。また、回路230は、マスタコントローラ152、例えば、プログラマブルプロセッサを含むこともできる。マスタコントローラ152は、データおよび制御信号180、182によってセグメントプロセッサ170に結合されている。実施形態の中には、回路230が、制御線158、160によってADC156に結合されているデュアルスロープADCコントローラ166も含むことができる場合がある。デュアルスロープADCコントローラ166は、ユーザ制御によって、ADC156の傾き即ち、範囲を変化させるように構成することができる。図示のように、実施形態の中には、ディジタル温度信号168が7ビットを有することができ、信号184が9ビットを有することができ、信号186が9ビットを有することができる場合もある。パワーオンリセット信号POR224は、回路230の電源投入時に、機能および種々のレジスタをリセットするために、回路230内において配信することができる。回路150の全て、および/または図1の磁場センサ10の全ては、共通の集積回路基板上に配することができる。尚、図5は、以下で検討され、回路10図1において実施される技法に対応するフローチャートを示すことは認められてしかるべきである。矩形のエレメント図2におけるエレメント254によって例示するは、ここでは処理ブロックと呼ばれ、コンピュータソフトウェア命令または命令の集合を表す。菱形のエレメント図示せずは、ここでは判断ブロックと呼ばれ、処理ブロックによって表されるコンピュータソフトウェア命令の実行に影響を及ぼす、コンピュータソフトウェア命令、または命令の集合を表す。処理および判断ブロックは、ディジタル信号プロセッサ回路または特定用途集積回路ASICのような、機能的に同等な回路によって実行されるステップを表すことができる。流れ図は、いずれかの特定のプログラミング言語の構成規則を図示するのではない。むしろ、流れ図は、当業者が回路を製作するため、または特定の装置に必要とされる処理を実行するコンピュータソフトウェアを生成するために必要な機能的情報を図示する。尚、ループおよび変数の初期化、一時変数の使用というような、多くの慣例的なプログラムエレメントは示されていないことを注記しておく。本明細書において特に示されない限り、記述するブロックの特定のシーケンスは例示に過ぎず、本発明の主旨から逸脱することなく様々に変更可能であることは、当業者には認められよう。つまり、特段述べられていなければ、以下で説明するブロックは順序が決まっておらず、可能であれば、これらのステップは便利な順序または望ましい順序であればいずれでも実行できることを意味する。これより図5を参照すると、方法例250は、1組のブロック252において開始する。これらのブロック252は、図1の磁場センサ10の製造時に工場において実行することができる。ブロック252において、1組の較正温度および関連付けられた温度セグメントを選択する。図1から図3と関連付けて先に示した例では、5つの温度、例えば、摂氏-40.00度、11.25度、62.5度、113.75度、および165.00度、ならびにこれらの選択された温度の隣接する対によって境界が定められる5つの関連温度セグメントを選択することができる。しかしながら、前述のように、5つよりも多いまたは少ない温度および関連付けられた温度セグメントを選択することもでき、選択される温度は、均等な間隔に分ける必要はない。ブロック256において、選択した温度の全てにおいて、または選択した温度の内部分集合、例えば、摂氏-40.00度のみにおいて、相対的利得および相対的オフセット常温における利得およびオフセットに対してを測定することができる。ブロック258において、相対的感度測定値1つまたは複数に基づいて、測定値が得られた温度1カ所または複数の箇所に対して、利得およびオフセット補正係数を確定する。利得およびオフセット補正係数は、測定した相対的感度および相対的オフセットの偏差からは逆にすることができる。ブロック260において、他の利得およびオフセット補正係数を、選択した温度に対して確定することができる。この選択した温度では、相対的感度およびオフセットの直接測定は、考慮対象の特定の磁場センサに対しては行われない。前述のように、他の利得およびオフセット補正係数の確定は、感度特性曲線および/またはオフセット特性曲線の生成にしたがって、同じ種類の複数の磁場センサの測定値の平均から導かれる曲線の形状の知識を用いて行うことができる。同じ形状を用いると、感度利得特性曲線およびオフセット特性曲線は、測定値の平均と同じ形状を有することができるが、ブロック256において行った感度およびオフセットの測定1回または複数回にしたがって、振幅を拡大または縮小することができる。ブロック262において、利得補正係数およびオフセット補正係数例えば、5つの利得補正係数および5つのオフセット補正係数を磁場センサの中、例えば、図1のEEPROM52の中に、シリアル通信リンクを通じて、例えば、図1の通信リンク48を通じて格納する。ブロック264において、実施形態の中には、利得補間方程式および/またはオフセット補間形式方程式を、複数の補間形式から選択できる場合もある。上の方程式1,3,4、および5を参照のこと。ブロック266において、補間形式の選択を数値として、例えば、図1のEEPROM50に、シリアル通信リンクを通じて、例えば、図1の通信リンク48を通じて保存することができる。プロセス250の残りのブロックは、現場における通常動作のときに、連続的にまたはときどき磁場センサによって実行することができる。ブロック268において、磁場センサはその温度を、例えば、図1の温度センサ30によって測定する。ブロック270において、磁場センサは、ブロック254において選択された温度セグメントの内どれに、測定した温度が入るか特定する。ブロック272において、磁場センサ、例えば、図1の補間プロセス272は、測定した温度にしたがって、特定した温度セグメントの境界を定める利得補正係数間で補間を行う。これらの利得補正係数は、ブロック262において格納したものである。こうして、補間利得補正値例えば、図1の36aを確定する。この補間は、先の方程式1に従うことができる。ブロック274またはその前において、磁場センサは、ユーザ利得補正値、例えば、図1のユーザ利得補正値EEPROM54に格納されている値54aを、図1の通信リンク48を通じて受け取ることができる。実施形態の中には、ユーザ利得補正値が、磁場センサの感度を、ユーザの選好にしたがって0.75および1.25の係数の間だけで調整するために用いられる場合もある。ブロック276において、補間利得補正値をユーザ利得補正値と結合し例えば、図1の結合プロセッサ38によって、結合利得補正値例えば、図1の38aを確定する。ブロック278において、結合利得補正値を、例えば、図1の利得調節レジスタ40に格納する。ブロック280において、保存した利得補正値を磁場センサに適用して、図1のDAC44および利得調節回路26によって、その感度即ち、利得を調節する。ブロック282において、磁場センサ、例えば、図1の補間プロセッサ272は、測定した温度にしたがって、特定した温度セグメントの境界を定めるオフセット補正係数間で補間を行う。これらのオフセット補正係数は、ブロック262において格納したものである。こうして、補間オフセット補正値例えば、図1の36bを確定する。この補間は、先の方程式3に従うことができる。ブロック284またはその前において、磁場センサはユーザオフセット補正値、例えば、図1のユーザオフセット補正値EEPROM56に格納されている値56aを、図1の通信リンク48を通じて受け取ることができる。ブロック286において、補間オフセット補正値をユーザオフセット補正値と結合し例えば、図1の結合プロセッサ38によって、結合オフセット補正値例えば、図1の38bを確定する。ブロック288において、結合オフセット補正値を、例えば、図1のオフセット調節レジスタ42に格納する。ブロック290において、保存したオフセット補正値を磁場センサに適用して、図1のDAC46およびオフセット調節回路28によって、そのオフセットを調節する。以上で説明した技法によって、磁場センサは、常温における磁場センサの感度およびオフセットと比較して、磁場センサの温度に関して、変化しない、または殆ど変化しない感度およびオフセットを維持することができる。本明細書において引用した全ての参考文献は、本明細書において引用したことにより、その内容全体が本願にも含まれるものとする。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、これらは本発明の主題である種々の概念、構造、および技法を例示する役割を果たし、これらの概念、構造、および技法を組み込んだ他の実施形態も用いてもよいことは、当業者には今や明白となっているであろう。したがって、本特許の範囲は、記載した実施形態に限定されるのではなく、以下の請求項の主旨および範囲によってのみ限定されてしかるべきである。"