"放射ビームをセンサのビーム経路に沿ってマークに投影するエミッタを備えるセンサと、前記センサのビーム経路に沿って乱流の流体フローを提供する第1の出口と、前記乱流の流体フローを実質的に取り囲む層流の流体フローを提供する第2の出口と、を備えるリソグラフィ装置。前記乱流と層流の少なくとも一方が温度調整される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記乱流の流体フローは、4000を超えるレイノルズ数を有する、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記層流の流体フローは、2300未満のレイノルズ数を有する、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記第2の出口は、未調整流体が前記センサのビーム経路に到達することを前記層流の流体フローが実質的に防止するように構成される、請求項2から5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記第1の出口は、前記乱流の流体フローが前記センサのビーム経路を取り囲むように構成される、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記第1の出口は、前記エミッタとマークの少なくとも一方を取り囲む、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記第2の出口は、前記第1の出口を取り囲む、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記センサは受信機をさらに備え、前記マークが前記エミッタからの放射ビームを前記受信機へ反射する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。基板を支持するテーブルをさらに備え、前記センサが基準点に対する前記テーブルの位置を測定するように構成される、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記エミッタと前記マークの一方が前記テーブル上に装着され、前記エミッタと前記マークの他方が前記基準点に対して固定した位置関係になるように装着される、請求項10に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置の投影システムと基板との間に液浸流体を提供するように構成された液浸流体供給システムをさらに備え、前記第1の出口と第2の出口の少なくとも一方は、前記第1と第2の出口の少なくとも一方から放出される流体が前記マークと前記エミッタの少なくとも一方上の液滴を有効に移動させて前記液滴が放射ビームに干渉しないように構成される、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。投影システムの下に位置するように配置されたテーブルと、前記投影システムと前記テーブルとの間に流体を提供する流体供給システムと、基準位置に対する前記テーブルの位置を測定するセンサであって、前記センサがエミッタと、マークを備えるマーク構造とを備え、前記エミッタが基準位置に対して固定され、前記マークが前記テーブル上に位置するか、又は前記エミッタが前記テーブル上に位置し、前記マークが基準位置に対して固定されるセンサと、前記マーク構造及び/又は前記エミッタ上へ液滴を移動させ、及び/又は液滴が前記マーク構造及び/又は前記エミッタ上へ移動するのを防止するガスのフローを提供する出口と、を備えるリソグラフィ装置。パターン付放射ビームを基板上に投影するステップと、センサのビーム経路に沿ってマークに放射ビームを投影するエミッタを用いて特性を測定するステップと、第1の特性を有する温度調整流体の第1のフローをセンサのビーム経路の少なくとも一部に提供するステップと、前記第1のフロー特性とは異なり、前記第1の出口から放出される前記温度調整流体の隣にある第2のフロー特性を有する温度調整流体の第2のフローを提供するステップと、を含むデバイス製造方法。テーブル上に配置された基板上に液浸液を通してパターン付放射ビームを投影するステップと、マーク構造のマーク上に放射ビームを放出するエミッタを用いて基準位置に対するテーブルの位置を測定するステップであって、前記エミッタが基準位置に対して固定され、前記マークが前記テーブル上に位置するか、又は前記エミッタが前記テーブル上に位置し、前記マークが基準位置に対して固定されるステップと、前記マーク構造及び/又はエミッタ上へ液滴を移動させ、及び/又は液滴が前記マーク構造及び/又はエミッタ上へ移動するのを防止するガスのフローを提供するステップと、を含むデバイス製造方法。0009リソグラフィ分野では、多くの場合、1つ又は複数の特性、例えば位置の測定がセンサによって実行され、放射ビームがエミッタによってマスク上に投影される。ビームは、その経路内で干渉を受けることがある。その結果、読み取り値にエラーが発生し、読み取りが不能になるか又は読み取りが完全に誤りになることがある。0010例えば、センサ読み取り値のエラーのリスクを低減又は解消することが望ましい。0011一態様によれば、放射ビームをセンサのビーム経路に沿ってマークに投影するエミッタを備えるセンサと、センサのビーム経路に沿って乱流の流体フローを提供する第1の出口と、乱流の流体フローを実質的に取り囲む層流の流体フローを提供する第2の出口とを備えるリソグラフィ装置が提供される。0012一態様によれば、投影システムの下に位置するように配置されたテーブルと、投影システムとテーブルとの間に流体を提供する流体供給システムと、基準位置に対するテーブルの位置を測定するセンサであって、センサがエミッタと、マークを備えるマーク構造とを備え、エミッタが基準位置に対して固定され、マークがテーブル上に位置するか、又はエミッタがテーブル上に位置し、マークが基準位置に対して固定されるセンサと、マーク構造及び/又はエミッタ上へ液滴を移動させ、及び/又は液滴がマーク構造及び/又はエミッタ上へ移動するのを防止するガスのフローを提供する出口とを備えるリソグラフィ装置が提供される。0013一態様によれば、パターン付放射ビームを基板上に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、センサのビーム経路に沿って放射ビームをマークに投影するエミッタを用いて特性が測定され、第1の特性を有する温度調整流体の第1のフローがセンサのビーム経路の少なくとも一部に提供され、第1のフロー特性とは異なる第2のフロー特性を有する温度調整流体の第2のフローが第1の出口から放出される温度調整流体の隣に提供されるデバイス製造方法が提供される。0014一態様によれば、テーブル上に配置された基板上に液浸液を通してパターン付放射ビームを投影するステップを含むデバイス製造方法であって、マーク構造のマーク上に放射ビームを放出するエミッタを用いて基準位置に対するテーブルの位置が測定され、エミッタが基準位置に対して固定され、マークがテーブル上に位置するか、又はエミッタがテーブル上に位置し、マークが基準位置に対して固定され、ガスのフローが提供されてマーク構造及び/又はエミッタ上で液滴を移動させ、及び/又は液滴が移動するのを防止するデバイス製造方法が提供される。0026図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、0027-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、0028-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、0029-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0030-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備える。0031照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0032支持構造MTはパターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0033本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0034パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0035本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0036本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0037リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0038図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0039イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源SOと同様、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILをその上に装着できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータILは着脱式であり、別に提供されてもよい例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって。0040放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0041図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00421.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00432.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。00443.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0045上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0046投影システムPSの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は2つの一般的カテゴリに分類される。これらは、基板Wの全体と任意選択として基板テーブルWTの一部が液体の浴内に浸漬される浴タイプ構成と、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する、いわゆる局所液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板Wがその領域の下を移動する間、投影システムPSに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図2~図5の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図2~図5には、4つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図2~図4に開示された液体供給システムについては上述の通りである。0047提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を提供する構成である。液体閉じ込め部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在している。そのような構成を図5に示す。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向には相対的に多少動くことができる。液体閉じ込め部材と基板表面との間には封止が形成されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触シールであってもよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。0048図5は、バリア部材12、IH、を備えた局所液体供給システムを概略的に示す。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルWT又は基板Wとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。以下の説明で、基板Wの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も意味することに留意されたい。バリア部材12は、投影システムに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、バリア部材と基板Wの表面との間には封止が形成され、封止は流体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールであってもよい。0049バリア部材12は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間内に閉じ込められるように、基板Wへの非接触シール16を投影システムのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムPSの最終要素の下に位置しそれを取り囲むバリア部材12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムの下の空間、及び液体入口13によってバリア部材12内に流し込まれる。液体は、液体出口13によって除去することができる。バリア部材12は、投影システムの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、バリア部材12は、上端で、投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。0050ある実施形態では、液体は、使用時に、バリア部材12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、N2又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール内のガスは、入口15を介してバリア部材12と基板Wとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口14を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフロー16が存在するように、ガス入口15上の過圧、出口14上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。バリア部材12と基板Wとの間の液体上のガスの力で、液体は空間11内に封じ込められる。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフロー16は、液体を空間11内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。0051図5の例は、液体が任意の一時点で基板Wの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開US2006-0038968号に開示された単相抽出器又は2相抽出器を使用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器又は2相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。単相抽出器の実施形態では、多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、ガスから液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば5~300μm、望ましくは5~50μmの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性例えば、親水性であり、すなわち、水などの液浸液に対して90°未満の接触角を有する。0052可能な別の構成は、気体抗力原理で動作する構成である。いわゆる気体抗力原理は、例えば、米国特許出願公開US2008-0212046号、US2009-0279060号及びUS2009-0279062号に記載されている。そのシステムでは、抽出孔が、望ましくは、角を有する形状に配置されている。角は、ステップ及びスキャン方向に位置合わせすることができる。これによって、2つの出口がスキャン方向に垂直に位置合わせされていた場合と比較して、ステップ又はスキャン方向の所与の速度について流体ハンドリング構造の表面の2つの開口の間のメニスカスにかかる力が低減する。0053US2008-0212046号には、主液体回収フィーチャの半径方向外側に配置されたガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収フィーチャより先に進むいかなる液体も捕捉する。そのようなガスナイフは、いわゆる気体抗力原理構成US2008-0212046号に開示するような、単相抽出器又は2相抽出器構成米国特許出願公開US2009-0262318号に開示するような又はその他の任意の構成内にあってもよい。0054その他の多くのタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、特定のタイプの液体供給システムに限定されない。以下の説明から明らかなように、本発明のある実施形態は、任意のタイプの局所液体供給システムを使用できる。本発明のある実施形態は、特に液体供給システムとして任意のタイプの局所液体供給システムとの併用に関連する。さらに、本発明は、液浸流体又は液浸液を通して結像が実行されるリソグラフィ装置に限定されない。0055リソグラフィ装置で使用される多くのセンサは、エミッタからマスクへ通過する放射ビームに依存する。マークは、センサであっても、センサ前面のマークであっても、又はエミッタから受信機へ放射されるビームを再誘導する例えば、反射し、屈折させ、回折させるマークであってもよい。このタイプのセンサは、ビームがセンサからマークへさらにその先へたどるセンサのビーム経路が完全には均一な材料でないことの結果としてエラー及び/又は不正確さを有することがある。例えば、センサのビーム経路内の埃、例えば、液浸流体供給システムからの液体、又は温度及び/又は組成及び/又は湿度が変動する流体例えば、ガスはすべてセンサの読み取り値の不正確さ及び/又はエラーを引き起こす可能性がある。不均一な流体の場合、流体の組成及び/又は温度及び/又は湿度の変化によって屈折率が変化し、それにより、センサの読み取り値にエラー又は不正確さが導入されることがある。0056エミッタとマークの間のまたマークと受信機の間の流体を調整してセンサビームが通過する流体の屈折率の変化を低減し又は最小限にすることができる。一例では、ガスの乱流を用いて温度調整ガスを混合することができる。こうして、温度、湿度又は圧力の局所差が調整されたガスの全容量にわたって分割されセンサのビーム経路長に沿って、センサのビーム経路の全長にわたってガス特性が実質的に一定になる。0057乱流の欠点は、それがセンサに隣接する環境からの未調整ガスと混合することである。この未調整ガスは、次に、センサのビーム経路に侵入してエラーを引き起こす。これは、未調整ガスが温度、湿度及び/又は組成ガスのが異なるか、又は微粒子を含むことがあるからである。未調整ガスの調整ガスとの混合は、センサのビーム経路内のガスの屈折率の安定性に悪影響を与えることがある。このためにセンサの精度が低減される。0058乱流の結果、センサのビーム経路内の屈折率の均一性は高くなる。乱流の基本的な欠点は乱流に同伴する大量の未調整ガスの存在で、このために絶対屈折率の安定性が低下する。0059屈折率の高い安定性は、センサのビーム経路内にガスの層流を形成することで得られる。ガスの層流は、未調整ガスを実質的に同伴させることがない。そのためにセンサノイズは低下し、静止状態で高い安定性が得られる。しかし、センサの別のコンポーネントに対するセンサのコンポーネントの移動中にリソグラフィ投影装置で使用されるセンサの、層流が系統的な測定誤差につながる高屈折率勾配不均一性を生み出すことがある。0060本発明のある実施形態は、層流の低い静的ノイズ特性と乱流の高い動的混合特性とを組み合わせる。0061参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第US2010/0157263号に記載するようなセンサを参照しながら本発明のある実施形態を以下に記載する。しかし、本発明のある実施形態は、エミッタがマークに放射ビームを投影する任意のセンサに適用できる。そのようなセンサは、放射ビームBをマーク30上に投影するエミッタ20を備える。マーク30は、エミッタ20によって投影された放射ビームBをある実施形態ではエミッタ20の隣に配置された受信機40へ再誘導する。放射ビームBの経路破線で示されたセンサのビーム経路は、図6に実線の矢印によって示す流体のフローによって調整される。以下の説明では流体をガスと仮定するが、同様に液体であってもよい。0062図6で、エミッタ20及び受信機40は、基板テーブルWT上に装着されている。マーク30は、図8に示すように、基準位置に対して、例えば、リソグラフィ装置の投影システムPSに対して固定関係になるように装着されている。エミッタ20及び受信機40は、基準位置に対して固定関係になるように装着でき、マーク30は、例えば図9~図11に示すように基板テーブルWT上に装着できる。さらに、センサを用いて基板テーブル以外のテーブル例えば、1つ又は複数のセンサを担持し、基板テーブルWTとは違って基板を支持しない測定テーブルの位置を測定できる。あるいは、センサを用いてパターニングデバイスMAを支持する支持構造MTの位置を測定できる。さらに、本発明のある実施形態は他の種類のセンサにも適用できる。例えば、本発明のある実施形態は、基板テーブルなどのテーブル又はその他のオブジェクトの位置を測定する干渉センサシステムに適用できる。さらに、本発明のある実施形態は、ドーズセンサ、SMASHセンサ例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする欧州特許出願公開第EP-A-1,148,390号に記載する対称マークを用いたアライメントに使用する自己参照型干渉計、透過イメージセンサ、アライメントセンサ及びレベルセンサを含むその他のタイプのセンサにも適用できる。本発明のある実施形態は、エミッタ20とマーク30及び/又は受信機40とマーク30が数センチメートル、例えば、10cm以下、望ましくは5cm以下しか離れていないセンサに好適である。0063図6のセンサは、XY平面基板テーブルWTの上面の平面内で、またそれに直交するZ方向装置の光軸方向にマーク30に対する基板テーブルWTの位置を測定する。センサは、ナノメートル未満の精度で位置を測定する。センサの作動原理のために、屈折率の変化の感度はZ方向と比較してX及びY方向では異なっている。センサのXY精度はセンサのビーム経路に沿った屈折率の高い均一性に依存するが、Z精度は絶対屈折率の高い安定性を要求する。0064温度調整ガスは、供給源50によって提供される。エミッタ20及び受信機40は移動オブジェクト上に提供されているので、ガスのフローは、格子30に対する最大2m/sの基板テーブルWTの移動中と静止時の両方で均一性と安定性を維持しなければならない。さらに、ガスのフローは、リソグラフィ装置の他のガスの擾乱に耐性がなければならない。0065図6は、センサ、第1の出口110及び第2の出口120を備えるリソグラフィ装置を開示する。センサは、センサのビーム経路に沿って放射ビームBをマーク30に投影するエミッタ20を備える。第1の出口110は、センサのビーム経路に沿って乱流の流体フローを提供する。第2の出口120は、乱流の流体フローを実質的に取り囲む層流の流体フローを提供する。0066第1の出口110は、エミッタ20及び受信機40とに隣接して提供してもよい。第1の出口110は、供給源50からガスを提供するように配置されている。出口110から放出されたガスは、センサのビーム経路へ移動する。ガスはガスの混合物であってもよく、又は単一ガス、例えば、窒素などの不活性ガスであってもよい。ガスは、その温度、湿度及び/又は組成に関して調整できる。第1の出口110は、温度調整ガスを提供するように構築できる。第1の出口110は、ガスに第1のフロー特性を提供するように構築できる。第1の出口110は、第1の流体を乱流として提供するように構成されている。例えば、第1のフロー特性は、4000を超える、望ましくは8000を超えるレイノルズ数であってもよい。0067第1の出口110は、単一の連続した出口又は線上に並んだ離散的出口などの一連の出口であってもよい。第1の出口110は、そこから放出されるガスがセンサのビーム経路を取り囲み、及び/又はセンサのビーム経路内に流入するように構成されている。図7に示すように、一実施形態では、第1の出口110は、エミッタ20及び/又は受信機40を取り囲む。0068第2の出口120が提供される。第2の出口120は、第1の出口110に関連付けられていてもよい。第2の出口120は、供給源50からガスのフローを提供するように構築され配置されている。第2の出口120から放出されたガスは、第1の出口110からのガスの隣に提供してもよい。第2の出口120は、温度調整ガスを提供するように構築し配置できる。第2の出口120は、第2のフロー特性を有するガスを提供するように構築し構成できる。第2のフロー特性は、第1のフロー特性と異なっていてもよい。第2の出口120は、層流としての第2のフロー特性を有するガスを提供するように構成されている。例えば、第2の出口は、2300未満、望ましくは2000未満のレイノルズ数を有するガスを提供するように構成されている。第2の出口120から放出されたガスのフローは、センサの光軸に対して第2の出口120の半径方向外側の未調整ガスが第1のガス出口110から放出されるガスの乱流によって同伴されることを実質的に防止するシールドとして作用する。したがって、第2の出口120は、未調整ガスがセンサのビーム経路に到達することを第2のガスのフローが実質的に防止するように構成されている。非調整ガスは、ビームBを擾乱する可能性がある微粒子、組成、温度及び/又はある量の湿気を有していることがある。0069第2の出口120は、エミッタ20及び受信機40が提供された第1の出口110の側と反対側の第1の出口110の側にある。0070図7から分かるように、第1の出口110及び第2の出口120の両方は、エミッタ20及び受信機40を取り囲む。第2の出口120は、第1の出口110を取り囲んでいてもよい。第1及び第2の出口110、120は同心であってもよい。エミッタ20及び受信機40は、第1の出口110内に位置する。0071図6に示すように、第1及び第2の出口110、120は、ガスのフローを提供する。ガスのフローは、センサのビーム経路の方向に実質的に平行な方向である。すなわち、フローはマーク30へ向かっている。第1の出口110を通過する内側のフローは乱流である。乱流は、第2の出口120から放出される層流の流体を同伴する。これにより、基板テーブルWTが高速で移動する場合に優れた動的混合特性を確保するのを助ける。そのため、系統的なXY位置測定誤差を低減する助けになる。さらに、乱流のすぐ外側にガスを積極的に供給することで乱流が未調整ガスを閉じ込める問題の解決の一助となる。層流は、調整ガス容積に侵入しようとする未調整ガスをすべて吹き飛ばすことで基本的に封止として作用する。未調整ガスは層流の外側にあり、調整容積に侵入することが実質的に防止される。0072マーク30、基板テーブルWTと第1の出口110の間に画定された容積内の未調整ガスの量の大幅な低減が達成できる。第1の出口110しか提供されていない場合、上記容積はそれぞれ0、0.7及び1.4m/sのスキャン速度に対して51、54及び62の未調整ガスを収容していてもよい。これと対照的に、層流を提供する第2の出口120が提供されると、空間内の未調整ガスの割合は、それぞれ0、0.7及び1.4m/sの移動速度に対して0、2及び5~6まで減少することがある。これは、大幅な改善を示し、すべての方向の測定における測定結果の3倍のノイズ低減を実現する。0073第1及び第2の出口110、120から放出されるガスの半径方向内側のフローは、エミッタ20及び受信機40の半径方向外側に、また第1の出口110の半径方向内側に入口130を提供することで達成される。すなわち、入口130は、エミッタ20及び受信機40と同じセンサの側に提供されるマーク30の隣に提供されるのとは逆に。さらに、入口130は、第1及び第2の出口110、120と同じセンサの側に提供される。0074第1及び第2の出口110、120から放出される流体の様々なフロー特性を達成するために、第1及び第2の出口110、120の断面領域は、両方の出口110、120が同じ供給源に同じ圧力で取り付けられていると仮定して、図示のように違っていてもよい。こうして、第2の出口120から放出されるガスは、第1の出口110から放出されるガスよりも速度が遅く、それにより層流が達成される。乱流は、第1の出口110から放出されるガスの高い放出速度によって達成される。ガスを第1及び第2の出口110、120から異なる圧力で放出するか、又は第1の出口110内にフロー制限又は障害物を配置して乱流を促進するなどの様々なフロー特性を達成するその他の方法も可能である。0075第1の出口110と同様、第2の出口120及び入口130は、1つ又は複数の開口を含んでいてもよい。第1及び第2の出口110、120及び入口130はマークに向かい合い、及び/又はエミッタ20が装着される表面にある。0076図6で、出口110、120から放出されるガスのフローは、出口110、120が形成された表面に垂直に示されている。これは必ずしもそうでなくてもよく、フローは、例えば、センサのビーム経路の方へ半径方向内側に傾いていてもよい。これは、例えば、ガスを出口110、120へ提供する導管を表面の平面に垂直な方向から遠ざけるように傾けることで達成できる。0077窒素の代わりに、アルゴン、又は装置に適用でき、所与の温度で屈折率が実質的に一定の任意のガス又はガス混合物又は流体を使用できる。上記のように、第1及び第2の出口110、120と、異なるフロー特性で放出されるガスとの組合せを他のタイプのセンサに使用できる。例えば、異なるタイプのセンサは、反射マーク30を透過マークと入れ替えてエミッタ20と反対側のマーク30の側に受信機40を提供できる。本明細書に記載するのと同じ原理を、乱流が層流の半径方向内側に提供されて未調整ガスが乱流によってセンサのビーム経路内に吸収されるのが防止されるシステムに適用できる。0078図8は、図6のコンポーネントをリソグラフィ装置に組み上げる方法を示す断面図を示す。図8で、基板テーブルWTは、投影システムPS及び液浸流体供給システム12の下に位置する。エミッタ20及び受信機40は、基板テーブルWTの縁部に位置する。エミッタ20から放射されたビームBは、投影システムPSに対して周知の位置に基板テーブルWTの上に保持されたマーク構造35のマーク30の方へ投影される。例えば、マーク30は、基準フレームRFによって保持されていてもよい。マーク30は、平面視で、投影システムPSを取り囲み、基板テーブルWTは、少なくとも3つのエミッタ20/受信機40の組合せを有し、マーク30、したがって、投影システムPSに対する基板テーブルWTの位置を米国特許出願公開第US2010/0157263号に記載するように測定できる。マーク30は、エミッタ20/受信機40と逆方向を向くマーク構造35の表面に形成されている。したがって、エミッタ20から放射されたビームBは、マーク構造35例えば、平面に平行な石英板であってもよいを通過してからマーク30に入射し、マーク構造35を通して逆方向に再誘導され、大気を通して受信機40へ達する。エミッタ20/受信機40に対向するマーク構造35の表面に液滴又は汚れがあるとビームBに干渉し、それにより誤測定を引き起こすか又は全く測定ができなくなる。上述した原理は図8に示すような構成にも、またマーク30がエミッタ20/受信機40に対向する表面上にある別の構成にも等しく適用できる。0079図9で、マーク30は基板テーブルWT上に提供され、エミッタ20/受信機40の組合せが提供され、投影システムPSに対して固定されている。それ以外の点では、図8及び図9の実施形態は同じである。平面視での基板テーブルWTの占有面積を合理的なサイズに留めるために、マーク30が基板テーブルWTの縁部の周囲に提供されている。マーク30のサイズは十分大きいとは言えないので、単一のエミッタ20/受信機40の組合せが使用できる。したがって、複数のエミッタ20/受信機40の組合せが提供され、任意の所与の時間にマーク30を使用して基板テーブルWTの位置を読み取ることができる。そのようなシステムは、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第US2007/0288121号に記載されている。図11は、エミッタ20/受信機40の組合せの一構成の平面図を示す。0080マーク30を基板テーブルWT上に提供する難しさは、液浸液供給システム12が、ある瞬間に、例えば、投影システムPSの下での基板テーブルスワップの間にマーク30を横切らなければならないということである。この結果、液浸液はマーク30上に残留する。マーク30上に残留したそのような液浸液はセンサの経路内に侵入し、それによりセンサが実行する読み取りに干渉することがある。その結果、センサシステムにエラーが発生することがある。図9に示すガスのフローを用いてマーク30上から液滴をセンサのビーム経路外に移動させることができる。これは、図6に関連して上述した利点に追加できる利点である。0081図10は、以下の点を除いて図9に示す実施形態と同じ別の実施形態の断面図を示す。第1及び第2の出口110、120を提供する代わりに、図10には可能な代替出口180の2つの例が示されている。代替出口180は、マーク30上から液滴を移動させるガスのフローを提供する。一実施形態では、出口180は、エミッタ20/受信機40が提供される表面に提供される。別の実施形態では、基板テーブルWT上に追加の出口180が提供される。出口180は、マーク30の表面に対して90°以外の角度でガスのフローを誘導するように構成してもよい。これは、マーク30上の液滴を移動させる際にさらに有効である。しかし、マーク30の表面に対して垂直方向のガスのフローも有効である。例えば、フローに対する基板テーブルWTの相対移動は、マーク30上の液滴をセンサのビーム経路外に移動させるのに有効である。0082図9のシステムと平面視で同様のシステムを示す図11に別の実施形態を示す。しかし、ガスのフローをマーク30の方へ誘導するために出口200は1つしか提供されていない。単一の出口200はエミッタ20/受信機40の1つ又は複数の組合せを取り囲むことができるが、これはそうでなくてもよい。例えば、各々のエミッタ20/受信機40に個別の出口200を設けてもよい。一実施形態では、出口180/200を通過するガスのフローを切り替えてマーク30が該当するエミッタ20/受信機40の組合せの下にある時にだけガスのフローが発生するようにできる。出口200から放出されるガスのフローは、液滴が経路外へ移動するか又はすでに存在する液滴を経路外へ移動させないようにするバリア例えば、ガスのカーテンを提供する。したがって、出口200から放出されるガスのフローは液滴を移動させ、及び/又は液滴がマーク30上へ移動するのを防止するためのものである。0083ある実施形態では、センサと、第1の出口と、第2の出口とを備えるリソグラフィ装置が提供される。センサは、放射ビームをセンサのビーム経路に沿ってマークに投影するエミッタを備える。第1の出口は、センサのビーム経路に沿って乱流の流体フローを提供する。第2の出口は、乱流の流体フローを実質的に取り囲む層流の流体フローを提供する。乱流と層流の少なくとも一方を温度調整することができる。0084第2の出口は、エミッタ及び/又はマークが提供された第1の出口の側と反対側の第1の出口の側にあってもよい。0085乱流の流体フローは、4000を超えるレイノルズ数を有していてもよい。層流の流体フローは、2300未満のレイノルズ数を有していてもよい。0086第2の出口は、層流の流体フローが、未調整流体がセンサのビーム経路に到達することを実質的に防止するように構成してもよい。0087第1及び第2の出口は、ビームの伝搬方向に実質的に平行な方向に流体を提供するように構成してもよい。0088第1の出口は、乱流の流体フローがセンサのビーム経路を取り囲むように構成してもよい。0089第1の出口は、エミッタとマークの少なくとも一方を取り囲んでいてもよい。第1の出口は、1つ又は複数の開口を含んでいてもよい。第2の出口は、第1の出口を取り囲んでいてもよい。第2の出口は、1つ又は複数の開口を含んでいてもよい。0090センサは受信機をさらに備えていてもよく、マークはエミッタからの放射ビームを受信機へ反射してもよい。0091リソグラフィ装置は、基板を支持するテーブルをさらに備えていてもよい。センサは、基準点に対するテーブルの位置を測定するように構成してもよい。0092エミッタ及びマークの一方はテーブル上に装着されていてもよい。エミッタ及びマークの他方は、基準点に対して固定関係になるように装着されていてもよい。0093リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の投影システムと基板との間に液浸流体を提供するように構成された液浸流体供給システムをさらに備えていてもよい。第1の出口及び第2の出口の少なくとも一方は、第1及び第2の出口の少なくとも一方から放出される流体がマーク及びエミッタの少なくとも一方上の液滴を有効に移動させて液滴が放射ビームに干渉しないように構成できる。流体はガスであってもよい。0094ある実施形態では、テーブルと、流体供給源と、センサとを備えるリソグラフィ装置が提供される。テーブルは、投影システムの下に位置するように配置されている。流体供給システムは、投影システムとテーブルとの間に流体を提供するためのものである。センサは、基準位置に対するテーブルの位置を測定するためのものである。センサは、エミッタと、マークを含むマーク構造とを備える。エミッタは基準位置に対して固定され、マークはテーブル上に位置するか、又はエミッタはテーブル上に位置し、マークは基準位置に対して固定されている。リソグラフィ装置は、マーク構造及び/又はエミッタ上へ液滴を移動させ、及び/又は液滴がマーク構造及び/又はエミッタ上へ移動するのを防止するガスのフローを提供する出口をさらに備える。ガスのフローは、液滴をマーク構造及びエミッタの一方から移動させてもよい。代替的に又は追加的に、ガスのフローは、液滴がマーク構造及びエミッタの一方へ移動することを防止できる。0095ある実施形態では、パターン付放射ビームを基板上に投影するステップと、センサのビーム経路に沿ってマークに放射ビームを投影するエミッタを用いて特性を測定するステップと、第1の特性を有する温度調整流体の第1のフローをセンサのビーム経路の少なくとも一部に提供するステップと、第2のフロー特性を有する温度調整流体の第2のフローを提供するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。第2のフロー特性は第1のフロー特性とは異なり、第1の出口から放出される温度調整流体の隣に提供される。0096ある実施形態では、テーブル上に配置された基板上に液浸液を通してパターン付放射ビームを投影するステップと、マーク構造のマーク上に放射ビームを放出するエミッタを用いて基準位置に対するテーブルの位置を測定するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。エミッタは基準位置に対して固定され、マークはテーブル上に位置するか、又はエミッタはテーブル上に位置し、マークは基準位置に対して固定されている。上記方法は、マーク構造及び/又はエミッタ上へ液滴を移動させ、及び/又は液滴がマーク構造及び/又はエミッタ上へ移動するのを防止するガスのフローを提供するステップをさらに含む。ガスのフローは、液滴をマーク構造及びエミッタの一方から移動させてもよい。代替的に又は追加的に、ガスのフローは、液滴がマーク構造及びエミッタの一方へ移動することを防止できる。0097本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0098本明細書で使用する放射及びビームという用語は、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0099レンズという用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。00100以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ又は複数の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することができる。00101上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、1つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び/又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。00102本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び/又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び/又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び/又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。00103本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体入口、1つ又は複数の気体入口、1つ又は複数の気体出口、及び/又は液体を空間に提供する1つ又は複数の液体出口の組合せを備えてもよい。実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含むことができる。00104上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"