"光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の一端と出力端子との間を接続する電気線路とを備え、この電気線路の特性インピーダンスは、前記出力端子に接続される負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とする光受信回路。光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の一端と出力端子との間を接続する第1の電気線路と、前記受光素子の他端と接地との間を接続する第2の電気線路とを備え、この第2の電気線路の特性インピーダンスは、前記出力端子に接続される負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とする光受信回路。請求項1記載の光受信回路において、前記電気線路は、前記受光素子の一端と出力端子との間に直列に設けられた複数の電気線路からなり、これら複数の電気線路のうち、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスが前記負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とする光受信回路。請求項2記載の光受信回路において、前記第2の電気線路は、前記受光素子の他端と接地との間に直列に設けられた複数の電気線路からなり、これら複数の電気線路のうち、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスが前記負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とする光受信回路。以上のように、従来の技術を用いて光受信回路の広帯域化を図る場合、受光素子の直近にインダクタンス素子を配置しなければならないという問題点があった。そのため、光入射位置と電気出力位置とを近接させなければならず、レイアウト上の制約が生じるという問題点があった。また、複数の受光素子からの電気信号を電気線路で引き出す必要がある場合、光受信回路の広帯域化を図ることが困難であるという問題点があった。また、インダクタンス素子としてボンディングワイヤを用いる場合、インダクタンス値がワイヤ長に依存するため、光受信回路の所望の周波数特性を得るために実装時のワイヤ長を正確に制御しなければならないという問題点があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、受光素子の直近にインダクタンス素子を配置することなしに光受信回路を広帯域化することを目的とする。本発明の光受信回路は、光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の一端と出力端子との間を接続する電気線路とを備え、この電気線路の特性インピーダンスは、前記出力端子に接続される負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とするものである。また、本発明の光受信回路は、光信号を電気信号に変換する受光素子と、この受光素子の一端と出力端子との間を接続する第1の電気線路と、前記受光素子の他端と接地との間を接続する第2の電気線路とを備え、この第2の電気線路の特性インピーダンスは、前記出力端子に接続される負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とするものである。また、本発明の光受信回路の1構成例において、前記電気線路は、前記受光素子の一端と出力端子との間に直列に設けられた複数の電気線路からなり、これら複数の電気線路のうち、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスが前記負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とするものである。また、本発明の光受信回路の1構成例において、前記第2の電気線路は、前記受光素子の他端と接地との間に直列に設けられた複数の電気線路からなり、これら複数の電気線路のうち、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスが前記負荷抵抗の抵抗値よりも高いことを特徴とするものである。本発明によれば、受光素子の一端と出力端子との間を接続する電気線路の特性インピーダンスを、出力端子に接続される負荷抵抗の抵抗値よりも高くするか、あるいは受光素子の他端と接地との間を接続する第2の電気線路の特性インピーダンスを、負荷抵抗の抵抗値よりも高くすることにより、受光素子の直近にインダクタンス素子を配置することなしに光受信回路を広帯域化することができる。本発明では、光入射位置と出力端子の位置のレイアウトの自由度を向上させることができ、また受光素子からの電気信号を電気線路で引き出す必要がある場合にも広帯域化が可能になる、という効果がある。また、本発明では、ボンディング時のワイヤ長を調整する必要がなくなり、ワイヤ長が最短となるように実装すればよくなるため、実装による周波数特性のばらつきが低減して安定化する、という効果がある。以下、本発明の実施の形態の詳細を図面を用いて説明する。図1は本発明の実施の形態に係る光受信回路の構成例を示す図、図2は図1の光受信回路の実装例を示す断面図である。光受信回路は、PDチップ1と、サブマウント2とからなる。PDチップ1は、フォトダイオード等の受光素子3と、第1の端子が受光素子3のアノードに接続された電気線路4と、受光素子3のカソードを交流的に接地すると共に、カソードに直流バイアスを印加するバイアス分離回路5とを有する。図2に示すように、PDチップ1は表面を下にしてサブマウント2上にフリップチップ実装されており、PDチップ1の裏面から受光素子3に光が入射するようになっている。PDチップ1の表面には、サブマウント2と電気的に接続するための端子8が形成されている。サブマウント2は、PDチップ1を搭載するための部材であるが、回路基板としても利用することが可能である。サブマウント2上には、PDチップ1の端子8と接続されるボンディングパッド9が形成されている。さらに、サブマウント2上には、第1の端子がPDチップ1の端子8とボンディングパッド9を介して電気線路4の第2の端子に接続され、第2の端子が光受信回路の出力端子10に接続された電気線路6が形成されている。出力端子10には、負荷抵抗7が接続される。受光素子3のカソードには、サブマウント2上に形成されたバイアス印加端子11からボンディングパッド9とPDチップ1の端子8とバイアス分離回路5とを介して直流バイアスが印加される。本実施の形態は、電気線路4,6の特性インピーダンスをZ0、負荷抵抗7の値をRLとしたときに、Z0>RLとなる電気線路4,6を用いることを特徴とする。図3は本実施の形態の光受信回路の回路図であり、図4は本実施の形態の光受信回路と図5A、図5Bに示した回路A,Bから得られる周波数特性の計算例を示す図である。なお、図3では、負荷抵抗7を含めて光受信回路として記載している。また、図3は、交流の等価回路図を示している。図4の横軸は周波数、縦軸はO/E応答である。図4における60は図5A、図5Bに示す回路A,Bの周波数特性、63は本実施の形態の光受信回路の周波数特性である。ここでは簡単のために、負荷抵抗7,101の抵抗値RL=50Ωとし、受光素子3,100には、RL=50Ωの時に25GHzの3dB帯域が得られるモデルを用いた。また、電気線路4,6,102の電気長は全て1.5mmとした。図4から明らかなように、本実施の形態によれば、受光素子3の直近にインダクタンス素子を配置することなしに光受信回路を広帯域化することが可能であり、λ/20λは信号の波長を超える電気長を持つ電気線路を用いても広帯域受光回路を実現できることが分かる。なお、本実施の形態では、受光素子3と負荷抵抗7との間に存在する全ての電気線路の特性インピーダンスZ0が、Z0>RLを満たすものとして説明したが、受光素子3のアノードと負荷抵抗7との間に複数の電気線路が直列に接続されている場合には、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスZ0が、Z0>RLを満たすものとしても良い。また、本実施の形態では、受光素子3の他端にバイアス分離回路5を接続したが、バイアス分離回路5をPDチップ1の外部に設置して電気線路で受光素子3と接続してもよく、この受光素子3とバイアス分離回路5との間の電気線路の特性インピーダンスZ0が、Z0>RLを満たすようにしてもよい。バイアス分離回路5は、受光素子3のカソードと接地との間を交流的に接続するものである。したがって、図3に示す受光素子3のカソードと接地との間に、電気線路を設け、この電気線路の特性インピーダンスZ0が、Z0>RLを満たすようにすればよい。上記と同様に、受光素子3のカソードと接地との間に複数の電気線路が直列に接続されている場合には、少なくとも1つの電気線路の特性インピーダンスZ0が、Z0>RLを満たすものとしても良い。"