"支持部と該支持部に揺動自在に支持されたカンチレバー部とを備えたベース基板と、前記カンチレバー部に形成され該カンチレバー部の振動に応じて交流電力を発生する発電部とを備えた振動発電素子であって、前記発電部は、前記ベース基板の一表面側における前記カンチレバー部に重なる部位において互いに並置された第1の圧電変換部と第2の圧電変換部とを有し、前記第1の圧電変換部および前記第2の圧電変換部は、それぞれ、前記カンチレバー部側の下部電極と、該下部電極における前記カンチレバー部側とは反対側に形成された圧電層と、該圧電層における前記下部電極側とは反対側に形成された上部電極とを備え、前記ベース基板の前記一表面側に、前記第1の圧電変換部の前記上部電極または前記下部電極のいずれか一方と前記第2の圧電変換部の前記上部電極または前記下部電極のいずれか一方とが電気的に接続された共通電極と、前記第1の圧電変換部および前記第2の圧電変換部のそれぞれ他方の前記上部電極または前記下部電極が個別に接続された個別電極とを有することを特徴とする振動発電素子。前記第1の圧電変換部の前記上部電極と、前記第2の圧電変換部の前記上部電極とが空間的に分離された2つの電極として形成され、前記第1の圧電変換部の前記下部電極と、前記第2の圧電変換部の前記下部電極とが共通の1つの電極として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の振動発電素子。前記第1の圧電変換部の前記上部電極と、前記第2の圧電変換部の前記上部電極とが共通の1つの電極として形成され、前記第1の圧電変換部の前記下部電極と、前記第2の圧電変換部の前記下部電極とが空間的に分離された2つの電極として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の振動発電素子。前記第1の圧電変換部と、前記第2の圧電変換部とは、前記カンチレバー部の揺動方向において歪量を同じくする対称な位置に配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の振動発電素子。前記カンチレバー部は、前記支持部から揺動自在に延出するように形成され、前記第1の圧電変換部および前記第2の圧電変換部は、前記カンチレバー部の延出方向に対して垂直方向に並置されていることを特徴とする請求項4に記載の振動発電素子。前記第1の圧電変換部の前記圧電層と、前記第2の圧電変換部の前記圧電層とが空間的に分離されてなることを特徴とする請求項1に記載の振動発電素子。請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の振動発電素子と、該振動発電素子の前記共通電極および前記各個別電極から出力される二相交流を整流する二相全波整流回路部とを備えたことを特徴とする振動発電装置。実施形態1以下、本実施形態の振動発電素子について図1A及び図1Bを用いて説明し、図2を用いて振動発電素子10を用いた振動発電装置20について説明する。本実施形態の振動発電素子10は、図1A及び図1Bに示すように、支持部2aと支持部2aの内側に配置され支持部2aに揺動自在に支持されたカンチレバー部2bとを備えたベース基板1と、ベース基板1の一表面1b側においてカンチレバー部2bに形成されカンチレバー部2bの振動に応じて交流電力を発生する発電部3とを備えている。特に、本実施形態の振動発電素子10は、発電部3が、ベース基板1の一表面1b側におけるカンチレバー部2bに重なる部位において互いに並置された第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとを有している。また、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bは、それぞれ、カンチレバー部2b側の下部電極4と、該下部電極4におけるカンチレバー部2b側とは反対側に形成された圧電層5と、該圧電層5における下部電極4側とは反対側に形成された上部電極6a,6bとを備えている。さらに、本実施形態の振動発電素子10は、ベース基板1の一表面1b側に、第1の圧電変換部3aの下部電極と第2の圧電変換部3bの下部電極とを共通に用いた下部電極4が電気的に接続された下部電極用パッドたる共通電極8cと、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bのそれぞれの上部電極6a,6bが個別に接続された上部電極用パッドたる個別電極8a,8bとを有する。なお、ベース基板1の一表面1b側には、各上部電極6a,6bと接続配線7a,7bを介してそれぞれ電気的に接続された個別電極8a,8bが、支持部2aに対応する部位に形成されている。同様に、ベース基板1の一表面1b側には、下部電極4と接続配線7cを介して電気的に接続された共通電極8cが、支持部2aに対応する部位に形成されている。また、ベース基板1は、平面視において、カンチレバー部2bを介して、支持部2aと対向する側に錘部2cを備えており、錘部2cが貫通孔1dを介して支持部2aから延在するC字状のフレーム部2dの内側に囲まれて配置される構成としている。発電部3は、圧電層5の平面サイズが、下部電極4よりも小さくなるように設計している。また、発電部3は、上部電極6a,6bの各平面サイズがそれぞれ圧電層5よりも小さくなるように設計している。更に、発電部3は、ベース基板1の一表面1b側であって、ベース基板1の他表面1a側に設けられた窪み部1cと対向するように配置してある。ここで、発電部3は、平面視において、下部電極4における外周縁の内側に圧電層5が位置し、該圧電層5における外周縁の内側に該圧電層5と接する各上部電極6a,6bを並置している。また、発電部3は、上部電極6a,6b側と下部電極4側との短絡を防止する絶縁層9が、下部電極4および圧電層5それぞれの周部を覆う形で形成されている。絶縁層9は、平面視において、ベース基板1の一表面1b側で圧電層5と各上部電極6a,6bとの接するエリアをそれぞれ規定している。すなわち、絶縁層9の平面視形状は、各上部電極6a,6bの周部に沿った枠状となっている。これにより、絶縁層9は、各上部電極6a,6bとそれぞれ電気的に接続された接続配線7a,7bと下部電極4との短絡を防止する。なお、本実施形態の振動発電素子10における絶縁層9は、シリコン酸化膜により構成しているが、シリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜により構成してもよいし、単層膜だけでなく多層膜の構造としてもよい。本実施形態の振動発電素子10では、カンチレバー部2bの上側に形成される絶縁層9が、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜により形成されているので、絶縁層9をそれぞれレジストにより形成させた場合と比較して絶縁性および耐熱性を向上させることができる。また、ベース基板1は、一表面1b側および他表面1a側それぞれにシリコン酸化膜からなる絶縁膜12e,12aを形成しており、発電部3とベース基板1とが一表面1b側の絶縁膜12eにより電気的に絶縁されている。本実施形態の振動発電素子10では、発電部3が、下部電極4と圧電層5と上部電極6aとで構成される第1の圧電変換部3aと、下部電極4と圧電層5と上部電極6bとで構成される第2の圧電変換部3bとにより構成されている。そのため、カンチレバー部2bの振動によって発電部3の第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bがそれぞれ応力を受け各別に発電する。すなわち、第1の圧電変換部3aは、下部電極4と上部電極6aとの間の圧電層5の部位に電荷の偏りが発生し交流電力が発生する。同時に、第2の圧電変換部3bは、下部電極4と上部電極6bとの間の圧電層5の部位に電荷の偏りが発生し交流電力が発生する。本実施形態における振動発電素子10は、圧電層5の圧電材料として、変形方向と電界方向とが平行となるd31モードを利用したPZTを用いている。なお、振動発電素子10の圧電層5は、圧電材料としてPZTに限らず、たとえば、PZT-PMN:PbMn,NbO3、PLZTPb,LaZr,TiO3やSBTSrBi2Ta2O9などを用いてもよい。また、本実施形態の振動発電素子10は、単結晶シリコン基板12bと、単結晶のシリコン層活性層12dとの間にシリコン酸化膜からなる埋込酸化膜12cを挟んだ構造のSOISilicononInsulator基板を用いてベース基板1を形成している。なお、ベース基板1となるSOI基板としては、シリコン層12dの表面が100面のものを用いている。また、本実施形態の振動発電素子10では、ベース基板1として、SOI基板を用いているので、後述する製造時において、SOI基板の埋込酸化膜12cをカンチレバー部2bの形成時におけるエッチングストッパ層として利用することができる。これにより、振動発電素子10は、カンチレバー部2bの厚さの高精度化を図れるとともに、信頼性の向上および低コスト化を図ることが可能となる。なお、ベース基板1は、SOI基板に限らず、たとえば、単結晶のシリコン基板などを用いてもよい。また、本実施形態の振動発電素子10では、下部電極4をPt膜により構成している。また、各上部電極6a,6bは、それぞれTi膜とAu膜との積層膜により構成している。振動発電素子10の下部電極4および上部電極6a,6bは、これらの材料や層構造を特に限定するものではなく、下部電極4および上部電極6a,6bそれぞれを単層構造としてもよいし多層構造としてもよい。下部電極4の電極材料としては、たとえば、Au,Al,IrやInなどを採用してもよく、各上部電極6a,6bの材料としては、たとえば、Mo,AlやPtなどを採用してもよい。本実施形態の振動発電素子10では、下部電極4の厚みを100nm、圧電層5の厚みを600nm、上部電極6a,6bの厚みを100nmに設定してある。なお、振動発電素子10の下部電極4、圧電層5や上部電極6a,6bの厚みは、上述の厚みだけに限定するものではなく適宜に設定すればよい。本実施形態の振動発電素子10では、カンチレバー部2bの平面視形状が長方形状となっているが、これに限らず、たとえば、支持部2aから離れて錘部2cに近づくほど幅寸法が徐々に小さくなる台形形状でもよい。本実施形態の振動発電素子10では、平面視において、下部電極4の外周縁の内側に圧電層5が位置している。そのため、本実施形態の振動発電素子10は、下部電極4と圧電層5とが略同じ平面サイズである場合に比べて、接続配線7a,7bの下地となる部分の段差の高さを低減できる。これにより、振動発電装置10は、カンチレバー部2bの揺動に伴い発電部3の接続配線7a,7bに断線が生ずる恐れを低減させて、より信頼性の高い振動発電素子10とすることができる。また、振動発電素子10は、下部電極4と、各上部電極6a,6bとの短絡をそれぞれ防止する絶縁層9が、ベース基板1の一表面1b側において支持部2a上まで延設されていてもよい。すなわち、上部電極6a,6bと当該上部電極6a,6bに電気的に接続される個別電極8a,8bとの間の接続配線7a,7bの全ての部位を絶縁層9上に形成し、個別電極8a,8bを絶縁層9の平坦な部位上に形成してもよい図示していない。これにより、振動発電素子10は、接続配線7a,7bの下地となる部分の段差を低減でき、圧電層5の膜厚を大きくしながらも下部電極4と個別電極8a,8bとを電気的に接続する接続配線7a,7bの断線の可能性をより低減することができる。本実施形態の振動発電素子10では、平面視において、第1の圧電変換部3aと、第2の圧電変換部3bとが、カンチレバー部2bの揺動方向において歪量を同じくする略対称な位置に配置させている。これにより振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aと、第2の圧電変換部3bとからそれぞれ出力される電力を略等しくすることが可能となる。第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとは、カンチレバー部2bの揺動に伴い、実質的に同一量の電荷が発生するので発電効率の低下を抑制することが可能となる。特に、本実施形態の振動発電素子10では、平面視において、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bは、カンチレバー部2bが支持部2aから延出する延出方向図1Aの右方向に対して垂直方向に並置されている。これにより効果的に上述の発電効率の低下を抑制することが可能になる。本実施形態の振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aで発電した電力を共通電極8cと個別電極8aとを用いて出力させることができる。同様に、本実施形態の振動発電素子10は、第2の圧電変換部3bで発電した電力を共通電極8cと個別電極8bとを用いて出力させることができる。ここで、本実施形態の振動発電素子10は、図2に示すように、振動発電素子10の共通電極8cおよび各個別電極8a,8bから出力される二相交流を整流する二相全波整流回路部たる整流器D2に接続させて振動発電装置20を構成している。振動発電装置20は、整流器D2の両端間にコンデンサCsを接続させている。また、振動発電装置20は、振動発電装置20に接続される図示しない負荷に応じて、コンデンサCsと負荷との間にDC/DC変換部21を設けて負荷側に供給する電圧を適宜に昇圧または降圧させる構成としている。本実施形態の振動発電素子10を用いた振動発電装置20では、上述した図10Cに示した振動発電装置920とは異なり、振動発電素子10の出力を交流電力から直流電力に整流するに際して、整流器D2における1個のダイオードを通って振動発電素子10から電流が出力されることになる。そのため、本実施形態の振動発電素子10を用いた振動発電装置20は、図10Cに示した振動発電装置920と比較して、整流器におけるダイオードでの損失を低減できるから発電効率を向上させることが可能となる。以下、本実施形態の振動発電素子10の製造方法について図3A~3C、図4A~4C、図5A~5C、及び図6A,6Bを参照しながら説明する。各図における製造工程において、平面図を上側に、要部の略断面図を下側に図示している。まず、ベース基板1となる上述のSOI基板からなる素子形成基板11の一表面側および他表面側それぞれにシリコン酸化膜からなる絶縁膜12e,12aを熱酸化法などにより形成する絶縁膜形成工程図3Aを参照を行う。これにより、素子形成基板11を用いて形成されたベース基板1では、一表面1b側に絶縁膜12eを備え、他表面1aに絶縁膜12aを備えることになる。なお、SOI基板からなる素子形成基板11は、単結晶シリコン基板12bと、単結晶のシリコン層12dとの間にシリコン酸化膜からなる埋込酸化膜12cを挟んだ構造としている。その後、素子形成基板11の一表面側の全面に下部電極4、接続配線7cおよび共通電極8cの基礎となるPt層からなる第1の金属膜24を、たとえば、スパッタ法やCVD法などにより形成する第1の金属膜形成工程を行う。第1の金属膜24は、Pt膜に限らず、たとえば、Al膜やAl-Si膜でもよいし、Au膜と該Au膜と絶縁膜12eとの間に介在させる密着性改善用の密着膜としてTi膜を備えた構成してもよい。ここで、図示していない密着膜の材料は、Tiに限らず、たとえば、Cr、Nb、Zr、TiNやTaNなどを用いてもよい。続いて、素子形成基板11の一表面側の全面に圧電材料たとえば、PZTなどからなる圧電層5の基礎となる圧電膜たとえば、PZT膜など25を、たとえば、スパッタ法、CVD法、ゾルゲル法や転写法などにより形成する圧電膜形成工程を行う図3Bを参照。次に、圧電膜形成工程後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して圧電膜25を所定の形状にパターニングすることで圧電膜25の一部からなる圧電層5を形成する圧電膜パターニング工程を行う図3Cを参照。なお、本実施形態の振動発電素子10では、下部電極4上に圧電層5を形成しているが、圧電層5と下部電極4との間に、圧電層5の成膜時の下地となるシード層を介在させることで圧電層5の結晶性を向上させてもよい。シード層の材料としては、たとえば、導電性酸化物材料の一種であるPLTPb,LaTiO3、PTOPbTiO3やSROSrRuO3などが挙げられる。また、所定の形状の圧電層5を転写法で形成することで、圧電膜パターニング工程を省略することもできる。たとえば、予め、図示しない圧電膜形成用基板の一表面上にスパッタ法、CVD法やゾルゲル法などを用いて強誘電体薄膜からなる圧電膜を成膜させておく。次に、圧電膜形成用基板の圧電膜と、素子形成基板11に上述の第1の金属膜形成工程で形成された下部電極4の基礎となる金属膜とを対向配置させた状態で、透光性の圧電膜形成用基板の他表面側からレーザ光を照射させる。レーザ光は、圧電膜形成用基板と、圧電膜との界面で吸収するように照射させる。これにより、圧電膜形成用基板から圧電膜の一部が剥離される。また、剥離した圧電膜は、素子形成基板11の下部電極4の基礎となる金属膜側に転写されて圧電層5となる。レーザ光の照射する領域を制御することで、圧電膜を平面視において後に下部電極4となる金属膜上に下部電極4の外形よりも小さい形状に転写することができる。なお、圧電膜形成用基板は、ベース基板1よりも圧電層5の基礎となる圧電膜との格子定数差が小さく、格子整合性のよい基板を用いることが好ましい。たとえば、圧電膜の材料としてPZTを用いた場合、圧電膜形成用基板としては、単結晶MgO基板や単結晶STOSrTiO3基板などを用いることができる。また、圧電膜形成用基板から圧電膜の一部を転写させるレーザ光は、たとえば、KrFエキシマレーザから照射させることができる。さらに、圧電膜形成用基板と、圧電膜との間に、圧電膜の結晶配向を制御するためのPLT、PTOやSROなどのシード層を設けてもよい。シード層は、圧電膜の一部を剥離するに際し、圧電膜の転写時にレーザ光を吸収させて除去される犠牲層として利用することもできる。圧電膜の転写に伴い圧電膜形成用基板の不要な破片が素子形成基板11側に付着した場合は、適宜エッチャントにより除去してもよい。このような別途に形成させた圧電膜を転写して圧電層を形成する転写法を用いることにより、振動発電素子10の製造時間を短縮させることが可能となる。すなわち、上述の金属膜の形成後に圧電層5を成膜して振動発電素子10を製造する方法と比較して、圧電膜の形成に時間のかかる圧電膜形成工程を金属膜と圧電層とで別途に並行して行うことができる。次に、図3Cに示した圧電層5を形成後、第1の金属膜24をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して所定の形状にパターニングすることで、第1の金属膜24の一部からなる下部電極4、接続配線7cおよび共通電極8cをそれぞれ形成する金属膜パターニング工程を行う図4Aを参照。本実施形態の振動発電素子10の製造方法では、下部電極4と併せて接続配線7cおよび共通電極8cを同時に形成している。ここで、下部電極4、接続配線7cおよび共通電極8cは、金属膜パターニング工程で第1の金属膜24をパターニングすることで、全てを同時に形成するものだけでなく、下部電極4のみを形成してもよい。この場合、下部電極4を形成後、接続配線7cおよび共通電極8cを別途に形成する配線形成工程を設ければよい。同様に、接続配線7cを形成する接続配線形成工程と、共通電極8cを形成する共通電極形成工程とを別々に設けてもよい。なお、第1の金属膜24のエッチングにあたっては、たとえば、RIE法やイオンミリング法などを適宜に採用すれることができる。本実施形態の振動発電素子10の製造方法では、図4Aの金属膜パターニング工程において、第1の金属膜24の加工により、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bに共通の下部電極4を形成している。金属膜パターニング工程により、下部電極4、接続配線7c、および共通電極8cを形成した後、素子形成基板11の上記一表面側に絶縁層9を形成する絶縁層形成工程を行う図4Bを参照。絶縁層形成工程では、圧電層5が形成された素子形成基板11の上記一表面側にレジスト膜を塗布した後、該レジスト膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングする。続いて、素子形成基板11の上記一表面側の全面に絶縁膜をCVD法などにより成膜した後、レジスト膜を剥離するリフトオフ法を利用することで絶縁層9を形成している。絶縁層形成工程では、絶縁層9を形成させるために、リフトオフ法を用いるだけに限られずフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすればよい。素子形成基板11の上記一表面側には、絶縁層9の形成により、平面視矩形状であって略同一形状の開口部9aが2個並んで形成されることになる図4Bの上側を参照。次に、上部電極6a,6bを形成する上部電極形成工程は、絶縁層9の形成を行った素子形成基板11の上記一表面側にレジスト膜を塗布した後、該レジスト膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングする。続いて、金属膜を蒸着して、レジスト膜を剥離するリフトオフ法を行うことにより、上部電極6a,6bと併せて接続配線7a,7bおよび個別電極8a,8bを形成させる上部電極形成工程を行う図4Cを参照。なお、上部電極6a,6bは、EB蒸着法やスパッタ法やCVD法などの薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術を利用して形成する上部電極形成工程により、接続配線7a,7bおよび個別電極8a,8bと同時に形成させてもよい。また、本実施形態の振動発電素子10の製造方法では、上部電極形成工程において、上部電極6a,6bと併せて接続配線7a,7bおよび個別電極8a,8bを形成しているが、これに限らず、上部電極形成工程と配線形成工程とを別々に行うようにしてもよい。また、配線形成工程は、接続配線7a,7bを形成する接続配線形成工程と、個別電極8a,8bを形成する個別電極形成工程とを別々に行ってもよい。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、素子形成基板11を加工することで、支持部2aおよびカンチレバー部2bを備えたベース基板1を形成する素子形成基板加工工程を行う。フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、素子形成基板11の上記一表面側から支持部2a、カンチレバー部2bおよび錘部2cとなる部位以外の絶縁膜12eをBHFなどによりエッチングする。これにより、素子形成基板11のシリコン層12dを露出させる表面絶縁膜除去工程を行う図5Aを参照。次に、RIE法により、素子形成基板11における上記一表面側の絶縁膜12eを除去した部位のシリコン層12dをエッチングにより除去する。これにより、埋込酸化膜12cを露出させて貫通孔1dの一部となる表面溝12fを形成する表面溝形成工程を行う図5Bを参照。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用し、素子形成基板11の上記他表面側から支持部2a、カンチレバー部2bおよび錘部2cとなる部位以外の絶縁膜12aをBHFなどを用いてエッチングする。これにより、絶縁膜12aの一部を除去して単結晶シリコン基板12bを露出させる図5Cを参照。絶縁膜12aの一部を除去した後、素子形成基板11の上記他表面側から絶縁膜12aを除去した部位をDeep-RIE法により、埋込酸化膜12cに達する所定深さまで素子形成基板11をエッチングする。これにより、素子形成基板11における他表面側の埋込酸化膜12cを露出させて、貫通孔1dの一部となる裏面構を形成する裏面構形成工程を行う図6Aを参照。裏面構形成工程は、裏面構を形成すると同時に素子形成基板11の他表面側に窪み部1cを形成している。続いて、埋込酸化膜12cの不要部分をRIE法によるエッチングにより除去して、表面溝12fと裏面溝12gとを連通させた貫通孔1dを形成させる酸化膜エッチング工程とを行う図6Bを参照。これにより、カンチレバー部2bと併せて錘部2cが形成された振動発電素子10を製造することができる。本実施形態の振動発電素子10では、貫通孔1dを形成することにより、カンチレバー部2bを介して支持部2aと対向する側に錘部2cを備え、錘部2cが貫通孔1dを介して支持部2aから延在するC字状のフレーム部2dの内側に囲まれて配置される構成となる。本実施形態の振動発電素子10は、カンチレバー部2bを介して支持部2aと対向する側に錘部2cを備えているので、錘部2cを有していない場合に比べて、発電量を大きくすることができる。なお、振動発電素子10は、支持部2aに揺動自在に支持するカンチレバー部2bを備えていればよく、必ずしも錘部2cやフレーム部2dを形成させる必要もない。したがって、振動発電素子10は、カンチレバー部2bを備えていれば、貫通孔1dを形成する酸化膜エッチング工程を省略することもできる。また、振動発電素子10は、素子形成基板加工工程が終了するまでをウェハレベルで行ってから、個々の振動発電素子10に分割するダイシンク工程を行うことで、複数個の振動発電素子10を量産性よく形成することができる。なお、図1A及び1Bに示した振動発電素子10は、基本的にベース基板1と発電部3とで構成されているが、ベース基板1の一表面1b側において支持部2aやフレーム部2dに固着させた図示しない第1のカバー基板と、ベース基板1の他表面1a側において支持部2aやフレーム部2dに固着させた図示しない第2のカバー基板とを設けてもよい。たとえば、第1のカバー基板は、ベース基板1側の一表面1bに、カンチレバー部2bおよび錘部2cが揺動する変位空間をベース基板1との間に形成するための凹所を備えたガラス基板やシリコン基板を用いればよい。なお、第1のカバー基板は、ベース基板1の共通電極8c、個別電極8a,8bそれぞれに接合されて外部に出力可能な連絡用電極を適宜に備えればよい。また、第2のカバー基板は、ベース基板1側の他表面1aに、カンチレバー部2bおよび錘部2cが揺動する変位空間をベース基板1との間に形成するための凹所を備えたガラス基板やシリコン基板を用いればよい。ここで、ベース基板1と第1および第2のカバー基板とは、たとえば、常温接合法、エポキシ樹脂などを用いた樹脂接合法や陽極接合法などにより接合することで形成することができる。なお、第1および第2のカバー基板を備えた振動発電素子10を製造するためには、ベース基板1を形成した後、各カバー基板を接合するカバー接合工程を行うようにすればよく、カバー接合工程が終了するまでをウェハレベルで行ってから、ダイシング工程を行うことで個々の振動発電素子10に分割すればよい。以上説明した本実施形態の振動発電素子10では、下部電極4と、上部電極6a,6bとの間に高電界を印加することで、強誘電体薄膜を用いた圧電層5の分極処理を行うことができる。また、本実施形態の振動発電素子10は、強誘電体薄膜を用いた圧電層5内の分極の向きに、ずれが生じたときでも、分極処理により圧電層5内の分極の向きを揃えることができる。同様に、本実施形態の振動発電素子10は、圧電層5の分極の向きとカンチレバー部2bの揺動方向との間に、ずれが生じたときでも、分極処理により圧電層5の分極の向きを揺動方向に揃えることができる。そのため、本実施形態の振動発電素子10は、圧電層5内の分極の向きや、圧電層5の分極の向きとカンチレバー部2bの揺動方向との間でずれが生じることにより、発電効率が低下することを抑制することが可能となる。特に、本実施形態の振動発電素子10は、強誘電薄膜を用いた圧電層5に対し、下部電極4と上部電極6a,6bとの間に高電界を同時に印加する分極処理をそれぞれ行うことができる。これにより、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bにおける圧電層5の分極の向きを、発電部3の厚み方向において同一方向に揃える作業を同時に行うことが可能となる。このように形成された本実施形態の振動発電素子10は、ベース基板1の一表面1b側に第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとがカンチレバー部2bに重なる部において互いに並置させているため、第1の圧電変換部3aの圧電層と第2の圧電変換部3bの圧電層とを共通の圧電層5として同時に形成することが可能となる。そのため、本実施形態の振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aの圧電層と、第2の圧電変換部3bの圧電層とを別途独立に形成する振動発電素子10と比較して、圧電層5の成膜時間を短くすることができる。本実施形態の振動発電素子10は、ベース基板1の一表面1b側におけるカンチレバー部2bに重なる部位において互いに並置された第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとを有し、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bに共通の下部電極4が電気的に接続された共通電極8cと、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bのそれぞれの上部電極6a,6bが個別に接続された個別電極8a,8bとを有することにより、出力電力がより高く小型化することが可能になる。なお、図1A及び1Bの振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bが、共通の下部電極4、共通の圧電層5および空間的に分離された個別の上部電極6a,6bを用いて構成されている。ここで、本実施形態の別の振動発電素子10として、図7A及び7Bに示すごとく、第1の圧電変換部3aおよび図示していない第2の圧電変換部をそれぞれ個別の下部電極と、共通の圧電層5と共通の上部電極6fで構成してもよい。この場合、第1の圧電変換部3aの下部電極4dと、第2の圧電変換部の図示していない下部電極とは空間的に分離されている。また、第1の圧電変換部3aは、下部電極4dが接続配線7dを介して個別電極8dと電気的に接続されている。第2の圧電変換部は、下部電極4dと空間的に分離された図示していない下部電極が、接続配線7eを介して個別電極8dと電気的に接続されている。第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部に共通に設けられた上部電極6fは、接続配線7fを介して共通電極8fと電気的に接続されている。これにより、図7A及び7Bに示した振動発電素子10は、図1A及び1Bに示した振動発電素子10と同様に、出力電力がより高く小型化することが可能になる。実施形態2本実施形態の振動発電素子10は、実施形態1の振動発電素子10と略同一であり、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bが共通の圧電層5を用いる代わりに、第1の圧電変換部3aの圧電層5aと、第2の圧電変換部3bの圧電層5bとを空間的に分離された個別のものを用いた点が異なる。なお、実施形態1と同様の構成要素には、同一の符号を付して説明を適宜省略する。本実施形態の図8A及び8Bに示す振動発電素子10は、図1A及び1Bと同様に、支持部2aと支持部2aの内側に配置され支持部2aに揺動自在に支持されたカンチレバー部2bとを備えたベース基板1と、ベース基板1の一表面1b側においてカンチレバー部2bに形成されカンチレバー部2bの振動に応じて交流電力を発生する発電部3とを備えている。また、振動発電素子10は、発電部3が、ベース基板1の一表面1b側におけるカンチレバー部2bに重なる部位において互いに並置された第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとを有している。特に、本実施形態の図8A及び8Bに示す振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bが、それぞれ、カンチレバー部2b側の下部電極4と、該下部電極4におけるカンチレバー部2b側とは反対側に形成された圧電層5a,5bと、該圧電層5a,5bにおける下部電極4側とは反対側に形成された上部電極6a,6bとを備えている。さらに、本実施形態の振動発電素子10は、ベース基板1の一表面1b側に、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bに共通の下部電極4が電気的に接続された共通電極8dと、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bのそれぞれの上部電極6a,6bが個別に接続された個別電極8a,8bとを有している。なお、本実施形態の図8A及び8Bに示す振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aの圧電層5aと、該圧電層5aと空間的に分離された第2の圧電変換部3bの圧電層5bとが、共通の下部電極4上にそれぞれ形成されている。なお、ベース基板1の一表面1b側には、下部電極4と接続配線7dを介して電気的に接続された共通電極8dが、支持部2aの対応する部位に形成されている。また、ベース基板1の一表面1b側には、各上部電極6a,6bと接続配線7a,7bを介してそれぞれ電気的に接続された個別電極8a,8bが、支持部2aの対応する部位に形成されている。なお、本実施形態の振動発電素子10は、上部電極6a,6bと電気的に接続される接続配線7a,7bと下部電極4との短絡を防止する絶縁層を、第1の圧電変換部3aにおける圧電層5aの周部をそれぞれ覆う第1の絶縁層9aと、第2の圧電変換部3bにおける圧電層5bの周部をそれぞれ覆う第2の絶縁層9bで形成されている。各絶縁層9a,9bは、平面視において、ベース基板1の一表面1b側で圧電層5a,5bと各上部電極6a,6bとの接するエリアをそれぞれ規定している。なお、第1の絶縁層9aと第2の絶縁層9bとは必ずしも別々に形成する必要もなく一体に形成させてもよい。本実施形態の振動発電素子10では、第1の圧電変換部3aの圧電層5aと、第2の圧電変換部3bの圧電層5bとが空間的に分離されているので、図1A及び1Bに示す実施形態1の振動発電素子10と比較して、第1の圧電変換部3aにおける上部電極6aと、上部電極6aから共通の圧電層5を介して第2の圧電変換部3bにおける上部電極6bとの間に寄生容量が生ずることを抑制することができ、発電効率をより向上させることが可能となる。なお、本実施形態の振動発電素子10は、必ずしも下部電極4を共通に用いる必要もなく、図9A及び9Bに示すように、発電部3が、第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとが、それぞれ個別に空間的に分離されて備えた構成としてもよい。すなわち、第1の圧電変換部3aの下部電極4d、圧電層5aおよび上部電極6aと、第2の圧電変換部3bの下部電極4e、圧電層5bおよび上部電極6bとが、それぞれ個別に空間的に分離された構成としてもよい。なお、本実施形態の図9A及び9Bに示す振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aの下部電極4dから接続配線7dを介して接続された電極を個別電極8dとしている。また、振動発電素子10は、第2の圧電変換部3aの上部電極6bから接続配線7bを介して接続された電極を個別電極8bとしている。そして、第1の圧電変換部3aの上部電極6aから接続配線7aを介して接続された電極と、第2の圧電変換部3bの図示していない下部電極から接続配線7eを介して接続された電極とを直列接続させて共通電極8gとして用いている。本実施形態の図8A及び8Bや図9A及び9Bに示す振動発電素子10は、いずれも空間的に分離された圧電層5a,5bを用いて第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとを構成している。この場合、それぞれの圧電層5a,5bは、必ずしも同じ材料で形成する必要はない。すなわち、第1の圧電変換部3aからの出力と、第2の圧電変換部3bからの出力とが同等となるように、第1の圧電層5aおよび第2の圧電層5bの面積、厚みや材料を適宜に選択することもできる。また、振動発電素子10は、カンチレバー部2bの揺動方向に対して、第1の圧電変換部3aの圧電層5aと、第2の圧電変換部3bの圧電層5bとで分極の極性を逆方向にすることもできる。このような圧電層5a,5bは、たとえば、実施形態1の振動発電素子10における図3Cの圧電膜パターニング工程時に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bごとに個別に空間的に分離した所定の形状にパターニングすることで形成させることができる。この場合、圧電層5a,5bを個別に空間的に分離して形成させた後、金属膜をエッチングして共通の下部電極4を形成することができる。また、圧電層5a,5bを個別に空間的に分離して形成させた後、第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bの間にあたる金属膜をエッチングして空間的に分離させた個別の下部電極4d,4eを形成してもよい。また、上述の転写法を利用することで、下部電極4,4d,4e上に第1の圧電変換部3aおよび第2の圧電変換部3bごとに圧電層5a,5bを個別に空間的に分離して形成させることもできる。本実施形態の図9A及び9Bに示す振動発電素子10では、カンチレバー部2bの揺動時に下部電極4d,4eおよび上部電極6a,6bに誘起される電荷を逆極性とし、第1の圧電変換部3aと第2の圧電変換部3bとを直列に接続している。これにより、振動発電素子10の発電部3は、第1の圧電変換部3aの圧電層5aや第2の圧電変換部3bの圧電層5bそれぞれの電圧と比較して、各圧電層5a,5bを合わせた厚みとなる圧電層が存在するのと同等の高い電圧を出力することが可能となる。本実施形態の振動発電素子10は、下部電極4e,4dと、上部電極6a,6bとの間にそれぞれ異なる極性の高電界を印加することで、強誘電体薄膜を用いた圧電層5a,5bの分極処理を第1の圧電変換部3a、第2の圧電変換部3bごとに行うことができる。したがって、本実施形態の振動発電素子10は、強誘電体薄膜を用いた第1の圧電変換部3a、第2の圧電変換部3bの各圧電層5a,5b内の分極の向きに、ずれが生じたときでも、分極処理により各圧電層5a,5b内の分極の向きを揃えることができる。同様に、本実施形態の振動発電素子10は、圧電層5a,5bの分極の向きとカンチレバー部2bの揺動方向との間に、ずれが生じたときでも、分極処理により第1の圧電変換部3a、第2の圧電変換部3bの各圧電層5a,5bごとに圧電層5a,5bの分極の向きを互いに逆向きで揺動方向に揃えることができる。そのため、振動発電素子10は、圧電層5a,5bにおける分極の向きとカンチレバー部2bの揺動方向との間でずれが生じることにより、発電効率が低下することを抑制することが可能となる。本実施形態の図9A及び9Bに示す振動発電素子10は、第1の圧電変換部3aで発電した電力を共通電極8gと個別電極8dとを用いて出力させることができる。同様に、本実施形態の振動発電素子10は、第2の圧電変換部3bで発電した電力を共通電極8gと個別電極8bとを用いて出力させることができる。これにより、本実施形態の振動発電素子10は、負荷に供給する電力がより高く小型化が可能な振動発電素子とすることができる。本実施形態の振動発電素子10は、実施形態1の振動発電素子10と同様にして、図2に示す振動発電装置20を構成することができる。本発明を幾つかの好ましい実施形態について記述したが、この発明の本来の精神および範囲、即ち請求の範囲を逸脱することなく、当業者によって様々な修正および変形が可能である。"