"シリコンもしくはシリコン系化合物半導体からなる半導体基板1、10に対して凹部3、13を形成する凹部形成工程と、前記凹部3、13を形成する工程の後に行われ、前記凹部3、13内に存在する保護膜4、14を含む異物を取り除く洗浄工程と、を含み、前記洗浄工程では、キレート剤を添加した過酸化水素水と塩基性薬液と水を混合した混合液を薬液5として用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記洗浄工程において、前記薬液5に含まれる前記塩基性薬液として、アンモニア水またはTMAHを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記凹部形成工程では、幅が10μm以下で、かつ、アスペクト比が5以上となるように前記凹部3、13を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記凹部形成工程では、前記凹部3、13の側壁面を保護膜4、14で覆いながら前記凹部3、13の底面を掘り進める手法によって前記凹部3、13を形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記洗浄工程では、前記過酸化水素水に対して前記キレート剤を0.5~1.5重量添加していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記洗浄工程では、前記薬液5の温度を50°C以上かつ100°C以下にすることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記洗浄工程では、前記薬液5として、前記キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水を混合した混合液の混合比率が、1:1:4~1:1:6の範囲であるものを用いていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記洗浄工程では、前記薬液5として、前記キレート剤を添加した過酸化水素水とTMAHと水を混合した混合液の混合比率が、1:1:4~1:1:6の範囲であるものを用いていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1のように洗浄の薬液として硫酸と過酸化水素水の混合液を用いる場合、次の問題が生じる。すなわち、1混合液の粘度が高いため、混合液をトレンチ底部まで供給することができない、2トレンチ内に存在する反応生成物などの異物をトレンチ内壁面から浮かせるリフトオフ効果が無い、3粘度が高い混合液をトレンチ底部まで浸入させるには超音波洗浄を行う必要があるが微細構造が破壊されるため超音波洗浄を行えない、4異物の凝集防止効果や異物のトレンチ内壁面への再付着防止効果が得られない、という問題がある。また、特許文献2のように洗浄の薬液として過酸化水素水とアンモニア水および水の混合液を用いる場合には、次の問題が生じる。すなわち、1異物の凝集防止効果や異物のトレンチ内壁面への再付着防止効果が不十分であり、2トレンチ底部近傍の異物がトレンチ内壁面に再付着してしまう、3この再付着を防止するためには超音波洗浄が有効であるが微細構造が破壊されるため超音波洗浄を行えない、という問題がある。したがって、特許文献1、2のいずれの薬液を用いる場合にも、大きなアスペクト比のトレンチ底部まで確実に異物の洗浄除去を行うことができなかった。本発明は上記点に鑑みて、ダメージの原因となる超音波等の外力を加えること無く、トレンチ内部の底部までダメージ無しで確実に洗浄することができる洗浄工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、シリコンもしくはシリコン系化合物半導体からなる半導体基板1、10に対して凹部3、13を形成する凹部形成工程と、凹部3、13を形成する工程の後に行われ、凹部3、13内に存在する保護膜4、14を含む反応生成物などの異物4を取り除く洗浄工程と、を含み、請求項1における洗浄工程では、キレート剤を添加した過酸化水素水と塩基性薬液と水を混合した混合液を薬液5として用いることを特徴としている。ここでキレート剤は既知技術である重金属の除去に加えて、パーティクル等の異物の凝集防止と過酸化水素水の劣化防止のために添加している。また、洗浄工程において使用される薬液5に含まれる塩基性薬液としては、例えば、請求項2に記載したようにアンモニア水またはTMAHが挙げられる。このように、凹部3、13を形成した後の洗浄工程の薬液5として、キレート剤を添加した過酸化水素水と塩基性薬液と水の混合液を用いるようにしている。これにより、凹部3、13の内部をダメージ無しで凹部3、13の底部まで確実に清浄化することができる洗浄工程を行うことが可能となる。そして、このような洗浄工程を行えることから、大きなアスペクト比の凹部3、13を形成しても、確実に凹部3、13の底部まで保護膜4、14を含む異物の除去を行うことができる。特に、請求項3に記載したように、凹部形成工程で幅が10μm以下かつアスペクト比が5以上となるような凹部3、13が形成される場合に、請求項1または2に記載した薬液5を用いて洗浄工程を行うと有効である。例えば、請求項4に記載したように、凹部3、13の側壁面を従来の洗浄液に対して難溶性の保護膜4、14で覆いながら凹部3、13の底面を掘り進める手法が採用される場合に、請求項1または2に記載した薬液5を用いて洗浄工程を行うと有効である。キレート剤の添加量は任意であるが、例えば請求項5に記載したように、過酸化水素水に対してキレート剤を0.5~1.5重量添加することができる。請求項6に記載の発明では、薬液5の温度を50°C以上かつ100°C以下にすることを特徴としている。このように、薬液5を50°C以上に加熱することにより、凹部3、13の深い部分の保護膜4、14を含む異物の洗浄を確実に行うことが可能となるという効果を得ることもできる。また、薬液5を構成する各液の混合比率についても任意であるが、請求項7または8に記載したように、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水又はキレート剤を添加した過酸化水素水とTMAHと水を混合した薬液5の混合比率が、少なくともキレート剤を添加した過酸化水素水:アンモニア水:水又はキレート剤を添加した過酸化水素水:TMAH:水が1:1:4~1:1:6の範囲であれば、請求項1または2に記載の効果を得ることができる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付してある。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、半導体基板に対して大きなアスペクト比のトレンチを形成する半導体装置の製造方法について説明するが、半導体装置の製造方法のうち、大きなアスペクト比のトレンチを形成した後に実施するトレンチ内の洗浄工程以外については、従来と同様であるため、ここではその洗浄工程について説明する。洗浄工程は、トレンチ内に存在する異物を洗浄除去することで、異物の無いクリーンなトレンチを形成する工程である。半導体基板に対して例えばBOSCHプロセスを用いたトレンチ形成工程を行ったのち、トレンチ内に存在する異物を取り除く洗浄工程を行うことで、半導体基板に対して大きなアスペクト比のトレンチを形成する。BOSCHプロセスでは、トレンチの内壁面をフロロカーボン系ポリマーで構成される保護膜で覆った状態となっているため、この保護膜を含む異物を取り除くように洗浄工程を行っている。そして、トレンチ内を埋め込むようなエピタキシャル成長工程を行うなどにより、半導体装置を製造することができる。例えば、トレンチ内に半導体基板とは異なる導電型の半導体層を形成することでPN接合を繰り返し構成するスーパージャンクション構造や、半導体基板を貫通するようなトレンチ内に電極を形成した貫通電極、トレンチを利用してキャパシタを構成するトレンチキャパシタ、トレンチを利用した梁構造体などで構成される微小電気機械素子MEMSなどを備える半導体装置を製造できる。この洗浄工程について、図1を参照して説明する。図1は、本実施形態の半導体装置の製造方法におけるトレンチ内の洗浄工程の様子を示した概略断面図である。まず、図1aに示すように、半導体基板となるシリコン基板1に対してマスク2を配置した状態でエッチングすることでトレンチ3を形成しておく。このエッチングプロセスは、トレンチ3の側壁面を保護膜4で覆いながらトレンチ3の底面を掘り進めるBOSCHプロセスにて行うことができ、このプロセスにより、アスペクト比の大きいトレンチ3を形成することができる。そして、トレンチ3内に残った保護膜4を含む反応生成物などの異物を取り除くために、図1bに示すように、トレンチ3を形成した複数枚のシリコン基板1を50°C以上に加熱した薬液5に浸漬させることにより、トレンチ3内に薬液5を入り込ませる。このとき、薬液5として、キレート剤を添加した過酸化水素水にアンモニア水と水を加えた混合液を用いている。キレート剤としては、EDTAエチレンジアミン四酢酸、HPヘキサメタリン酸、HDP1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、NTPOニトリロトリスメチレンホスホン酸、EDTPOエチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ETPPOジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、CyDTAシクロヘキサンジアミン四酢酸、TTHAトリエチレンテトラアミン六酢酸、MDPメチレンジホスホン酸などを適用することができるし、これらいずれか複数を混合したものを適用することもできる。キレート剤の過酸化水素水への添加量については、0.5~1.5重量とするのが好ましく、1以下であっても構わない。また、薬液5を構成する混合液におけるキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水との混合比率は、例えば1:1:4~1:1:6としている。このとき、上記薬液5を用いることにより、超音波等の外力無しで、トレンチ3の底部まで薬液5が入り込むようにできる。すなわち、上記薬液5を用いた場合、薬液5が低粘度であることから、トレンチ3内の深い位置まで薬液5が入り込み易い。そして、さらに薬液5を50°C以上に加熱しているため、薬液5に含まれる過酸化水素水が活性化し、酸化作用が強くなるため、トレンチ3内を含めたシリコン基板1の表面が酸化され、ヌレ性親水性が向上してより薬液5が入り込み易くなる。このようなメカニズムにより、超音波等の外力無しで、トレンチ3の底部まで薬液5を入り込ませることが可能となる。そして、トレンチ3内に入り込んだ薬液5により、図1cに示すように、保護膜4を含む異物がトレンチ3の内壁面から剥離させられる。すなわち、トレンチ3内を含むシリコン基板1の表面が酸化されて酸化膜6が形成されることで、保護膜4を含む異物とシリコン基板1との間に酸化膜6が配置された状態となる。この酸化膜6の表面がアンモニア水でライトエッチングされることで、保護膜4を含む異物がリフトオフ効果によって剥がし取られる。このようなメカニズムにより、トレンチ3の内部の保護膜4を含む異物をトレンチ3の内壁面から剥離させることが可能となる。さらに、このようにトレンチ3の内壁面から保護膜4を含む異物が剥離させられると、キレート剤が過酸化水素水に添加してあるため、キレート剤が有する機能として、トレンチ3内への保護膜4を含む異物の再付着や凝集を抑制することができる。また、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水とが含まれる薬液5のζ電位の反発効果により、図1dに示すように、よりトレンチ3からの保護膜4を含む異物の排出が容易に行われるようにできる。つまり、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水とが含まれる薬液5を用いることで、薬液5の種類によって決まる保護膜4を含む異物の表面での帯電極性とシリコン基板1の表面トレンチ3の内壁表面の帯電極性とが同極性となり、互いに反発するようにできる。そして、キレート剤が有する再付着の抑制効果と相まって、ζ電位の反発効果により、トレンチ3からの保護膜4を含む異物の排出を確実に行うことが可能となる。この後、薬液5からシリコン基板1を取り出したのち、薬液5を流水洗浄等によりリンスしたのち乾燥させる。これにより、洗浄工程が完了する。この後、シリコン基板1に対して形成したトレンチ3内を埋め込むようなエピタキシャル成長工程を行うなどにより、半導体装置を製造することができる。以上説明したように、トレンチ3を形成した後の洗浄工程の薬液5として、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を用いるようにしている。これにより、トレンチ3の内部を低ダメージでトレンチ3の底部まで確実に洗浄することができる洗浄工程を行うことが可能となる。そして、このような洗浄工程を行えることから、大きなアスペクト比のトレンチ3を形成しても、確実にトレンチ3の底部まで異物の洗浄除去を行うことができる。また、キレート剤には重金属の除去効果があるため、この薬液5を用いることで重金属除去効果も同時に期待できる。例えば、実験によれば、トレンチ3を少なくとも幅が2μm、深さが47μmというアスペクト比が20以上となる大きなアスペクト比のものにおいて、上記洗浄工程により、確実にトレンチ3の底部まで保護膜4を含む異物の洗浄除去がされることを確認している。図2は、従来のように硫酸と過酸化水素水の混合液を薬液として用いた場合と本実施形態のようにキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を薬液5として用いた場合、それぞれの洗浄工程後の様子を示した断面図である。図2aに示すように、従来の薬液を用いた場合には、洗浄時に保護膜4を含む異物がトレンチ3の開口側近辺で詰まってしまい、保護膜4を含む異物によってトレンチ3が閉塞されるために、薬液5がトレンチ3の底部まで入り込むことができなくなる。これに対して、本実施形態のようにキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液を薬液5として用いると、トレンチ3の底部まで確実に保護膜4を含む異物が洗浄除去されていることが判る。このように、キレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水を混合した薬液5を用いることにより、確実にトレンチ3の底部まで保護膜4を含む異物の洗浄除去を行うことが可能となる。また、本実施形態では、洗浄工程の際に薬液5を50°C以上に加熱している。ここで薬液5を50°C以上に加熱するのは、上述したように、薬液5に含まれる過酸化水素水を活性化させることで酸化作用が強くなるようにし、トレンチ3内を含めたシリコン基板1の表面を酸化することで、ヌレ性親水性を向上させ、より薬液5が入り込み易くなるようにするためである。図3は、薬液5の温度とトレンチ3内への薬液5の浸入深さの関係を調べた結果を示す図である。この図に示される浸入深さは、シリコン基板1に対して幅2μm、深さ47μmのトレンチ3を形成し、薬液5がトレンチ3内のどの深さまで浸入するかを確認した結果を表している。この図に示されるように、薬液5が40°C以下のときには、トレンチ3内への薬液5の浸入深さが12μm程度であった。これに対して、薬液5が50°C以上になると、薬液5が40°C以下の場合と比較してトレンチ3内への薬液5の浸入深さが大幅に大きくなっており、40μm以上まで浸入していることが判る。また、図4は、薬液5の温度とトレンチ3内の残渣数保護膜4を含む異物の数を調べた結果を示した図である。この図に示される残渣数は、シリコン基板1に対して幅2μm、深さ47μmのトレンチ3を2307本を断面観察したときに、保護膜4を含む異物が残っていたトレンチ3の数を示したものであり、トレンチ3の上部、中央部および底部それぞれに対する数を示してある。この図に示されるように、薬液5が50°C以上のときには、トレンチ3内の残渣数がほとんど0となった。これに対して50°C以下になると、2307本のトレンチ3のうち700本以上のトレンチ3で保護膜4を含む異物が確認された。断面観察した2307本のうちの1/3以下であるため、薬液5を加熱しなくても、保護膜4を含む異物の洗浄効果はあると言えるが、薬液5を50°C以上に加熱することにより、顕著に保護膜4を含む異物の洗浄効果が現れるということが判る。このように、薬液5を50°C以上に加熱することにより、よりトレンチ3内への薬液5の浸入深さを深くできると共に、よりトレンチ3からの保護膜4を含む異物の洗浄除去を確実に行うことが可能となるという効果を得ることもできる。また、上記したように、本実施形態では、薬液5に含まれるキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合比率を1:1:4~1:1:6としている。ここで示した混合比率以外であっても、上記効果を得ることができるが、少なくともここで示した混合比率については、上記効果を特に得ることができることを確認している。図5は、薬液5に含まれるキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合比率を変化させた場合にトレンチ3内の残渣数保護膜4を含む異物の数を調べた結果を示した図である。この図に示される残渣数は、シリコン基板1に対して幅2μm、深さ47μmのトレンチ3を2307本を断面観察したときに、保護膜4を含む異物が残っていたトレンチ3の数を示したものであり、トレンチ3の上部、中央部および底部それぞれに対する数を示してある。この図に示されるように、多少、1:1:2、1:1:3、1:1:7、1:1:8の場合には残渣数が認められたが、上述した混合比率1:1:4~1:1:6の範囲内では、ほとんど残渣数が無かった。混合比率が1:1:4と1:1:6のときに、保護膜4を含む異物が確認されているが、2307本のトレンチ3のうちの1本のみで確認されたに過ぎず、上記混合比率において完全に保護膜4を含む異物を洗浄除去することができると言える。また、洗浄効果とアスペクト比、、つまりトレンチ3の開口幅に対する深さの比との関係についても調べた。図6は、本実施形態で説明したキレート剤を添加した過酸化水素水とアンモニア水と水の混合液からなる薬液5と、従来より洗浄液として用いられている硫酸と過酸化水素水の混合液とについて、アスペクト比を変えた場合における保護膜除去率を調べた結果を示している。この図に示される保護膜除去率は、シリコン基板1に対して幅2μm、深さ47μmのトレンチ3を2307本を断面観察したときに、保護膜4を含む異物が完全に除去されていたトレンチ3の数の割合を示している。この図に示されるように、本実施形態の薬液5を用いた場合には、アスペクト比が大きくなっても、保護膜除去率が100となり、トレンチ3内から異物が完全に除去されていた。これに対して、従来のように硫酸と過酸化水素水の混合液からなる洗浄液では、アスペクト比が小さいときには保護膜除去率が100になるが、アスペクト比が5以上になると徐々に保護膜除去率が低下していくことが分かる。この実験結果から、アスペクト比が5以上の場合において、本実施形態のようにキレート剤を添加した薬液5を用いることが保護膜4を含む異物を完全に除去するために有効であると言える。さらに、除去効果とキレート剤の添加量との関係についても調べた。図7は、キレート剤の過酸化水素水への添加量を変化させたときの保護膜除去率を調べた結果を示している。この図に示される保護膜除去率も、シリコン基板1に対して幅2μm、深さ47μmのトレンチ3を2307本を断面観察したときに、保護膜4を含む異物が完全に除去されていたトレンチ3の数の割合を示している。この図に示されるように、キレート剤の添加量が0のときには、保護膜除去率がほぼ0となっているが、キレート剤を少しでも添加すると保護膜除去率を高くすることができた。特に、キレート剤の添加量が0.5~1.5重量のときに保護膜除去率が100となり、キレート剤を添加した薬液5を用いることで保護膜4を含む異物を完全に除去することができた。このため、キレート剤を添加した薬液5を用いることで、トレンチ3からの保護膜4を含む異物除去が行える高い洗浄効果を得ることができ、キレート剤の添加量を0.5~1.5重量とすることで、その効果を最も発揮させることが可能となる。このため、キレート剤の添加量を0.5~1.5重量とするのが好ましい。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態では、第1実施形態で説明したトレンチ内の洗浄工程が適用される半導体装置の製造方法の一例として、スーパージャンクション構造が備えられる半導体装置の製造方法について説明する。図8および図9に、本実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示した断面図を示し、これらの図を参照して説明する。まず、図8aに示すように、n型シリコン基板10上に、n型エピタキシャル層11を成長させた半導体基板を用意する。次に、図8bに示すようにトレンチマスクとなる酸化膜12を配置したのち、酸化膜12上に図示しないレジストを配置し、レジストをマスクとして反応性イオンエッチングなどによって酸化膜12をパターニングする。これにより、酸化膜12のうちのトレンチ形成予定領域を開口させる。そして、図8cに示すように酸化膜12を用いてトレンチ13を形成する工程を行う。例えばBOSCHプロセスを用いたトレンチ形成工程により、トレンチ13を形成する。これにより、一方向を長手方向する所定間隔毎に所定幅とされた複数本のトレンチ13が形成される。このとき、図8c中に示したようにトレンチ13の内壁面はフロロカーボン系ポリマーで構成される保護膜14で覆われた状態となるため、第1実施形態で説明したキレート剤を添加した過酸化水素水にアンモニア水と水を加えた混合液の薬液を用いて、保護膜14を含む異物を除去する洗浄工程を行う。例えば、過酸化水素水にアンモニア水と水の混合比が1:1:4~1:1:6の範囲、温度80°Cの薬液を用いて洗浄工程を行う。これにより、図8dに示すようにトレンチ13内部から保護膜14を含む異物が完全に除去された状態となる。続いて、トレンチ13の側壁のダメージ層をCDEChemicalDryEtchingによって除去した後、図9aに示すように酸化膜12を希フッ酸によって除去する。そして、図9bに示すようにトレンチ13内を含めた半導体基板の表面全面に減圧CVDなどによりp型シリコン層15を形成することでトレンチ13内を埋め戻す。例えば、シリコンソースガス例えば、SiH2Cl2とハロゲン化物ガス例えば、HClを同時に流して、該混合ガス中で減圧エピタキシャル成長させてトレンチ13を埋め戻すようにしている。これにより、トレンチ13の開口部よりもトレンチ13の底部での成長速度を高くすることができ、トレンチ13の底面からp型シリコン層15を成長させることができるため、p型シリコン層15のボイドや結晶欠陥を少なくすることができる。このようにして、p型シリコン層15のうちトレンチ13内に埋め込まれた部分をp型コラム、n型エピタキシャル層11のうちトレンチ13の間に残された部分をn型コラムとして、p型コラムとn型コラムが交互に繰り返し形成されたスーパージャンクション構造を構成することができる。また、p型シリコン層15のうちスーパージャンクション構造の上部に形成された部分にてp型ベース領域を構成することができる。その後、図9cに示すように、周知の手法により、トレンチ16の形成工程、ゲート絶縁膜17の形成工程、ゲート電極18の形成工程、n型ソース領域19の形成工程、p型ボディ層20の形成工程を行う。さらに、図示しないが層間絶縁膜の形成工程、ゲート配線およびソース電極の形成工程、ドレイン電極の形成工程等を経て、スーパージャンクション構造が構成された縦型MOSFETを備えた半導体装置が完成する。このように構成された半導体装置は、ゲート電極18に電圧を印加することで、トレンチ16の側面に位置するp型ベース領域にチャネルを形成し、そのチャネルを通じてソース-ドレイン間に電流を流すという動作を行う。以上説明したように、例えば、スーパージャンクション構造を構成するためのトレンチ13の形成の際に、トレンチ13の内壁面に形成された保護膜14を含む異物を除去するために、キレート剤を添加した過酸化水素水にアンモニア水と水を加えた混合液を薬液として用いることができる。このようなトレンチ13は、アスペクト比が高く、トレンチ13の内部に保護膜14を含む異物が残り易いことから、キレート剤を添加した過酸化水素水にアンモニア水と水を加えた混合液を薬液として用いることが有効である。他の実施形態上記実施形態では、BOSCHプロセスによって大きなアスペクト比のトレンチ3を形成した場合について説明した。これは、特にBOSCHプロセスによって大きなアスペクト比のトレンチ3を形成する場合に本発明を適用するのが有効であるという意味で説明を行ったに過ぎず、BOSCHプロセスによらずにトレンチ3を形成し、その後、洗浄工程を行う際に本発明を適用するようにしても勿論良い。特に、BOSCHプロセスによれば、トレンチ3のアスペクト比を大きくできることから、このようなBOSCHプロセスに本発明を適用すると好ましいが、BOSCHプロセスに限らず、薬液が入り込みにくくなる幅10μm以下のトレンチ3においてアスペクト比が5以上となる場合に、本発明を適用すると特に好ましい。また、上記実施形態では、キレート剤を添加した過酸化水素水にアンモニア水と水を混合した混合液を薬液5として使用する場合、つまり薬液5に含まれる塩基性薬液としてアンモニア水を用いる場合について説明したが。他の塩基性薬液を用いることも可能である。例えば、アンモニア水に代えて、TMAHを用いるようにしても良い。この場合でも、薬液5を50°C以上とすることで、よりトレンチ3内への薬液5の浸入深さを深くできると共に、よりトレンチ3から保護膜4を含む異物の洗浄除去を確実に行うことが可能となるという効果を得ることもできる。また、キレート剤を添加した過酸化水素水とTMAHと水の混合比率についても、例えば1:1:4~1:1:6とすることができる。また、他の塩基性薬液としては、有機アミン系薬液やKOH水酸化カリウムなどを用いることも可能である。ただし、KOHなどを用いる場合には、アルカリ金属の汚染が懸念されるため、アルカリ金属による汚染が問題にならない半導体装置を製造する際には、塩基性薬液としてKOHなどを用いることができる。また、ここでは半導体基板としてシリコン基板1を例に挙げて説明したが、過酸化水素水によって酸化されるようなもの、つまり酸化膜6が形成されてアンモニア水等によるライトエッチングによってリフトオフ効果が得られるものであれば、他のシリコン系化合物半導体例えば、炭化珪素SiCなどであっても良い。また、上記実施形態では、薬液内に半導体基板を浸漬することで、洗浄工程を行うようにしたが、スプレー式の洗浄工程、つまり薬液を半導体基板に吹き付けることによって洗浄を行うような洗浄工程としても良い。さらに、上記実施形態では、薬液5の洗浄対象となる凹部の一例としてトレンチ3を例に挙げて説明したが、トレンチ3以外の穴などの洗浄に薬液5を用いることもできる。第2実施形態において、トレンチ3内に半導体基板とは異なる導電型の半導体層を形成することでPN接合を繰り返し構成したスーパージャンクション構造を例に挙げて説明したが、上記したように、半導体基板を貫通するような穴内に電極を形成した貫通電極、トレンチを利用してキャパシタを構成するトレンチキャパシタ、トレンチを利用した梁構造体などで構成される微小電気機械素子MEMSなどを備える半導体装置を製造する際にも、薬液5を用いた洗浄が有効である。例えば、微小電気機械素子を備える半導体装置をSOI基板にて製造する際には、SOI層の表面から埋込酸化膜に達するトレンチを形成したのち、そのトレンチを通じて横方向に埋込酸化膜を除去することで微小電気機械素子を構成する。このときのトレンチの形成の際に、薬液5を用いることができる。なお、貫通電極を形成する半導体装置や微小電気機械素子を備える半導体装置については、上記したアルカリ金属の汚染が問題にならないことから、薬液5に含まれる塩基性薬液としてKOHなどを用いても良い。"