複数の電極を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板のいずれかの電極に配置された半導体素子と、前記半導体素子の電極と、前記絶縁性基板の他の電極との間、又は前記半導体素子の電極と、前記絶縁性基板の他の電極に配置された他の半導体素子の電極との間を接続する金属接続体とを備え、前記金属接続体は、2層以上の金属層を有しており、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、前記絶縁性基板から遠い側の金属層よりも線膨張係数が小さい、半導体装置。前記金属接続体は、2層の金属層であり、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、ニッケル層であり、前記絶縁性基板から遠い側の金属層は、銅層である、請求項1記載の半導体装置。前記金属接続体は、2層の金属層であり、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、銅層であり、前記絶縁性基板から遠い側の金属層は、アルミニウム層である、請求項1記載の半導体装置。前記絶縁性基板の線膨張率は、3×10-6~7×10-6°Cである、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記ニッケル層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの1以上、47以下である、請求項2記載の半導体装置。前記ニッケル層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの21以上、36以下である、請求項5記載の半導体装置。前記銅層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの30以上、85以下である、請求項3記載の半導体装置。前記銅層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの41以上、67以下である、請求項7記載の半導体装置。このような金属板5は、例えば大電流が流れることや、半導体動作に伴う発熱などにより25°Cから150°Cまで温度上昇した状況になる。このような温度環境下が繰り返されると、絶縁性高熱伝導基板1と金属板5との熱膨張係数の差により接続部6a、6bに繰り返し応力が発生する。これにより、接続部6a、6bの接続部材15a、15bによる接続部分が破壊され接続不良が発生するという課題があった。また、例えば一方の電極が半導体素子3上に設けられており、半導体素子3の材料が窒化ガリウムGaNの薄膜からなる場合、GaNは脆弱なため、応力による負荷によって半導体電極4下のGaN層が破壊される問題が生じる場合もあった。本発明は、上記従来の半導体装置の課題を考慮し、応力を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。上記目的は達成するために、第1の発明は、複数の電極を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板のいずれかの電極に配置された半導体素子と、前記半導体素子の電極と、前記絶縁性基板の他の電極との間、又は前記半導体素子の電極と、前記絶縁性基板の他の電極に配置された他の半導体素子の電極との間を接続する金属接続体とを備え、前記金属接続体は、2層以上の金属層を有しており、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、前記絶縁性基板から遠い側の金属層よりも線膨張係数が小さい、半導体装置である。第2の本発明は、前記金属接続体は、2層の金属層であり、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、ニッケル層であり、前記絶縁性基板から遠い側の金属層は、銅層である、第1の本発明の半導体装置である。第3の本発明は、前記金属接続体は、2層の金属層であり、前記絶縁性基板に近い側の金属層は、銅層であり、前記絶縁性基板から遠い側の金属層は、アルミニウム層である、第1の本発明の半導体装置である。第4の本発明は、前記絶縁性基板の線膨張率は、3×10-6~7×10-6°Cである、第1~3のいずれかの本発明の半導体装置である。第5の本発明は、前記ニッケル層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの1以上、47以下である、第2の本発明の半導体装置である。第6の本発明は、前記ニッケル層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの21以上、36以下である、第5の本発明の半導体装置である。第7の本発明は、前記銅層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの30以上、85以下である、第3の本発明の半導体装置である。第8の本発明は、前記銅層の厚さは、前記金属接続体の全体の厚さの41以上、67以下である、第7の本発明の半導体装置である。本発明によれば、応力を低減することが可能な半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の半導体装置の一実施の形態であるパワーモジュールについて説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。実施の形態1以下、本発明にかかる実施の形態1について、主に図1、図2、図3、及び図4を参照しながら説明する。図1aは、本実施の形態1におけるパワーモジュールの斜視構成図であり、図1bは、本実施の形態1におけるパワーモジュールの正面構成図であり、図1cは本実施の形態1におけるパワーモジュールの平面構成図である。はじめに、図1a、b、cを用いて本実施の形態1のパワーモジュールの構成の概略について説明する。図1a、b、cに示すように、本実施の形態1のパワーモジュールには、絶縁性高熱伝導基板1と、絶縁性高熱伝導基板1の上に配置された複数の基板電極2が設けられている。この複数の基板電極2は、基板電極2aと、基板電極2bを有しており、基板電極2a上に半導体素子3が実装されている。半導体素子3の上面には半導体電極4が配置されており、半導体電極4と基板電極2bを電気的に接続する金属接続体7が設けられている。そして、半導体電極4と金属接続体7は、接続部6aにおいて接続部材15aによって電気的に接続されており、金属接続体7と基板電極2bは、接続部6bにおいて接続部材15bによって電気的に接続されている。尚、図示していないが、半導体素子3、や金属接続体7などは、一般的に保護や絶縁のために、エポキシ樹脂、あるいはシリコーン樹脂などからなる樹脂により覆われている。尚、本発明の絶縁性基板の一例は、本実施の形態1の絶縁性高熱伝動基板1に対応し、本発明の複数の電極の一例は、本実施の形態1の複数の基板電極2基板電極2a、2bに対応する。又、本発明の半導体素子の電極の一例は、本実施の形態1の半導体電極4に対応する。次に、本実施の形態1のパワーモジュールの各構成について詳細に説明する。絶縁性高熱伝導基板1の説明絶縁性高熱伝導基板1は、基板電極2を保持する役目と、半導体素子3の発熱を効率よく放熱する役目と、電気的絶縁を保つ役目がある。絶縁性高熱伝導基板1としては、例えば、窒化アルミニウムAlN、窒化珪素Si3N4、アルミナAl2O3などからなるセラミックを用いることができ、絶縁性高熱伝導基板1の線膨張係数は、3×10-6~7×10-6°Cの範囲となる。基板電極2の説明基板電極2は絶縁性高熱伝導基板1の上に設置されている。基板電極2は、例えば電流を流す、所定の電圧を保つなど電気的な役割を担う。基板電極2の材質としては、銅にニッケルめっきをしたものが一般的である。ニッケルめっき上にさらに銀めっきあるいは金めっきが施されたものが用いられても良い。半導体素子3の説明半導体素子3は、素子面を上面にした形で基板電極2a上に実装されている。半導体素子3はパワー半導体として、パワーMOSFET、IGBT、バイポーラトランジスタ、ダイオードを、代表的に挙げることが出来る。近年はより効率がよいSiCシリコンカーバイド、GaN窒化ガリウム材料を用いたパワーデバイスが開発されている。また構造としては縦型、横型に分類することができる。代表的な例として、本実施の形態では、半導体素子3が縦型IGBTの場合で説明する。半導体素子3の裏面コレクタ電極は基板電極2aと電気的に接続している。例えば、はんだ、導電性ペースト、などで電気的に接続され、且つ固定されている。半導体素子3の上面にはエミッタ用の半導体電極4とゲート用の電極図示せずがある。このエミッタ用の半導体電極4と基板電極2bは金属接続体7を介して電気的に接続されている。金属接続体7の説明図2は、本実施の形態1の金属接続体7の正面構成図である。図2に示すように、金属接続体7は、上層金属層71と下層金属層72からなる2層構造である。そして、金属接続体7には、基板電極2bと接続される端部分7bよりに段差7dが形成されている。この段差7dは、基板電極2aと接続される端部分7aに比べて、基板電極2bが接続される端部分7bの方が、絶縁性高熱伝動基板1に近くなるように形成されている。下層金属層72の線膨張係数は、上層金属層71の線膨張係数より小さい構成となっている。又、本発明の絶縁性基板に近い側の金属層の一例は、本実施の形態1の下層金属層72に対応し、本発明の絶縁性基板から遠い側の金属層の一例は、本実施の形態1の上層金属層71に対応する。本実施の形態1の金属接続体7では、下層金属層72の材料としてニッケルが用いられており、上層金属層71の材料として銅が用いられている。尚、ニッケルの線膨張係数は、12.8×10―6/°Cであり、銅の線膨張係数は、16.8×10―6/°Cである。さらに、ニッケル層である下層金属層72の厚さt2は、金属接続体7の厚さtの1~47に設定されており、好ましくは、21以上、36以下であり、更に好ましくは30に設定されている。金属接続体7と半導体電極4の接続の説明再び図1を用いて説明する。金属接続体7と半導体電極4の電気的な接続は接続部材15aを介して行われており、この接続部材15aとしては、例えば、はんだ、導電性ペースト等を用いることが出来る。尚、超音波と加圧を用いる超音波法などで金属接続体7を半導体電極4に直接接続する方法もあるが、この場合、半導体電極4および半導体電極4下の半導体素子3に超音波や加圧によりダメージを与える場合がある。そのため、金属接続体7と半導体電極4の接続部6aには、接続部材15aとして、はんだや、導電性ペーストを用いて接続する方が、接続時にこのようなダメージを半導体素子3に与えることがないため、より好ましい。尚、はんだを用いて接続する利点としては、抵抗を低くできることである。また、導電性ペーストを用いて接続する利点は、導電性ペーストは弾性率が低いため、接続部6aに発生する応力を低減することができ、より高信頼性のパワーモジュールを提供できることである。金属接続体7と基板電極2bの接続の説明金属接続体7と基板電極2bの電気的な接続は接続部材15bを介して行われている。この接続部材15bとしては、はんだや、導電性ペースト等を用いる方法や、超音波と加圧を用いる超音波法などで金属接続体7を基板電極2bに直接接続する方法もある。尚、はんだ、あるいは、超音波法を用いて接続する利点としては、抵抗を低くできることである。また、導電性ペーストを用いて接続する利点は、導電性ペーストは弾性率が低いため、接続部6bに発生する応力を低減することができ、より高信頼性のパワーモジュールを提供できることである。応力を低減するメカニズムの説明次に、本実施の形態1の金属接続体7が、温度上昇により発生する応力を低減するメカニズムについて図3a~cを用いて説明する。図3aは、絶縁性高熱伝導基板1の正面構成図であり、図3bは従来の金属板5の正面構成図であり、図3cは本実施の形態1の金属接続体7の正面構成図である。この絶縁性高熱伝導基板1としては、一例として窒化アルミニウムが用いられる。従来の金属板5としては、銅によって形成されたものを用いて、半導体素子3の半導体電極4と基板電極2bとを電気的に接続しており、金属板5としては、例えば長さLが40mm、幅4mm、厚さが0.2mmのものが用いられる。本実施の形態1の金属接続体7としては、長さLが40mm、幅4mmとし、厚さは従来と同等の導電性をもたすように、金属層の厚さを変化させる。これは、従来の金属板5と同量の電流量を流せるようにするためである。このようなモデルにおいて、従来の金属板5と絶縁性高熱伝動基板1の間の線膨張係数の差によって、接続部6a及び接続部6bに発生する熱応力は、金属板5の弾性率×金属板5と絶縁性高熱伝導基板1との熱膨張の差×上昇温度に比例する。同様に、本実施の形態1の金属接続体7と絶縁性高熱伝動基板1の間の線膨張係数の差によって、接続部6a及び接続部6bに発生する熱応力は、金属接続体7の弾性率×金属接続体7と絶縁性高熱伝導基板1との熱膨張の差×上昇温度に比例する。図3a、図3b、図3cにおいて、熱膨張した状態が点線で示されている。すなわち、図3aでは、絶縁性高熱伝動基板1が長手方向にΔLa分熱膨張した状態が点線で示されており、図3bでは、従来の金属板5が長手方向にΔLb分熱膨張した状態が点線で示されており、図3cでは、従来の金属板5が長手方向にΔLc分熱膨張した状態が点線で示されている。図3aと図3bに示すように、絶縁性高熱伝動基板1と金属板5では、金属板5の方が、線膨張係数が大きいため、金属板5の方が膨張する程度が大きくなる。一方、図3cに示すように、本実施の形態1の金属接続体7は、下層金属層72の線膨張係数を、上層金属層71の線膨張係数より小さい構成としているため、温度が上昇すると、絶縁性高熱伝動基板1と反対側に向けて凸状に反ることになる。このため、同じ長さの金属板5と比較して、膨張量ΔLcを抑制し、絶縁性高熱伝動基板1との膨張量の差を低減し、発生する応力を従来に比べ小さくすることが出来る。図5は、発生する応力を比較した計算結果を示す図である。図5において、縦軸は発生する応力を、従来比で基準化したものであり、実施の形態1/従来の比で表している。横軸は、実施の形態1においての下層金属層72の厚さの割合ニッケル層である下層金属層72の厚さ/金属接続体7の全体の厚さを表している。温度が125°C下記ΔT上昇する状況を想定している。下層金属層72の厚さが金属接続体7の厚さの1~47の時、発生する応力は従来に比べて小さくなるため、接続部材15a、15bによる接続部6a、6bの信頼性は従来に比べ向上する。具体的には金属接続体7の厚さは0.202mm~0.309mmの範囲で、下層金属層72の厚さは0.02mm~0.145mmとなる。下層金属層72の厚さが金属接続体7の厚さの9~45の時、発生する応力は従来に比べて5小さくなり、接続部6の信頼性は従来に比べより向上する。具体的には金属接続体7の厚さは0.214mm~0.301mmの範囲で、下層金属層72の厚さは0.019mm~0.135mmとなる。また、下層金属層72の厚さが金属接続体7の厚さの21~36の時、発生する応力は従来に比べて20小さくなり、信頼性は従来に比べより向上する。具体的には金属接続体7の厚さは、0.238mm~0.275mmの範囲で、下層金属層72の厚さは0.05mm~0.1mmとなる。更に、最良の形態は、下層金属層72の厚さが金属接続体7の厚さの30の時、発生する応力は最も小さく、接続部の信頼性は最も向上する。具体的には金属接続体7の厚さは0.26mmで下層金属層72の厚さは0.08mmとなる。発生する応力は従来に比べて約25小さくなる。これにより従来よりも上昇温度が高温化していく高効率半導体GaN、SiCにも対応できるようになる。計算方法次に、発生する応力の計算方法について説明する。基準となる従来の方法で発生する応力σb、本発明で発生する応力σcは次の数1の1式及び2式のように計算できる。次に、上記式のEx金属接続体の弾性率を求める方法について説明する。はじめに、金属接続体7の厚さtが次のように求められる。以下の数2の1式に任意のt2を代入すると、tb従来の銅金属板の厚さとc従来の金属板の導電率は予め決まっているため、t1、t2が定められる。そして、求めたt1、t2を2式に代入することによって求められる。金属接続体7の弾性率Exは次式で求める。次に、上記数1の、絶縁性高熱伝導基板1の熱膨張量ΔLa、金属板5の熱膨張量ΔLb、金属接続体7の熱膨張量ΔLcが求められる。温度上昇した時の、絶縁性高熱伝導基板1と金属板5の膨張量は次式1、2になる。そして、金属接続体7の熱膨張量ΔLcは次の数5のように求められる。図4aは、図3cと同じ状態を示す金属接続体7の正面構成図であり、図4bは、金属接続体7を2枚の平板に簡略化して状態を示す正面構成図である。図4bに示すように、金属接続体7を2枚の平板に簡略化してバイメタルモデルとして計算する。以下の数6、数7の式で金属接続体7の曲率半径ρを求め、数8~数10の式で金属接続体7のなす角θを求め、求められた曲率半径ρと角θを数5の式に代入して、金属接続体7の熱膨張量ΔLcが求められる。上記曲率半径ρは、以下の数6のように示される。上記上層金属層の断面積A1、下層金属層の断面積A2、上層金属層の断面2次モーメントI1、及び下層金属層の断面2次モーメントI2は、以下の数7のように示される。又、上記曲率半径ρと、上記θの関係は、以下の数8のように示される。金属接続体の弧の長さZは、以下の数9のように示される。金属接続体の線膨張係数αxは、以下の数10のように示される。実施の形態2次に、本発明にかかる実施の形態2におけるパワーモジュールについて説明する。本実施の形態2のパワーモジュールの基本的な構成は実施の形態1と同じであるが、金属接続体の構成が異なっている。そのため、実施の形態1との相違点である金属接続体を中心に説明する。図6aは、本発明にかかる実施の形態2におけるパワーモジュールの斜視構成図である。図6aに示すように、本実施の形態2におけるパワーモジュールでは、実施の形態1と異なり、半導体電極4と基板電極2bを電気的に接続する金属接続体70が設けられている。金属接続体70の説明図6bは、金属接続体70の正面構成図である。図6bに示すように、金属接続体70は、上層金属層710と下層金属層720からなる2層構造である。そして、金属接続体70には、基板電極2bと接続される端部分70bよりに段差70dが形成されている。この段差70dは、基板電極2aと接続される端部分70aに比べて、基板電極2bが接続される端部分70bの方が、絶縁性高熱伝動基板1に近くなるように形成されている。又、下層金属層720の線膨張係数が、上層金属層710の線膨張係数より小さくなるように構成されている。本発明の絶縁性基板に近い側の金属層の一例は、本実施の形態2の下層金属層720に対応し、本発明の絶縁性基板から遠い側の金属層の一例は、本実施の形態2の上層金属層710に対応する。本実施の形態2では、下層金属層720の材料は銅であり、上層金属層710の材料はアルミニウムである。尚、銅の線膨張係数は、16.8×10―6/°Cであり、アルミニウムの線膨張係数は、23.6×10―6/°Cである。そして、下層金属層720の厚さt2は、金属接続体70の全体の厚さtの30~85であり、好ましくは50に設定される。図7は、実施の形態2の金属接続体70において発生する応力を比較した計算結果を示す図である。図7において、縦軸は発生する応力を、従来比で基準化したものであり、実施の形態2/従来の比で表している。横軸は、実施の形態2においての下層金属層720の厚さの割合を表している。下層金属層720の厚さ/金属接続体70の全体の厚さ。尚、計算方法は、実施の形態1で述べた方法を用い、各値を代入することで求めた。実施の形態2では、絶縁性高熱伝導基板1として、窒化アルミニウムを用いる。従来では、金属板5として銅によって形成されたものを用いて、金属板5としては、長さLが25mm、幅4mm、厚さが0.2mmのものを用いる。実施の形態2の方法では、金属接続体70として長さLが25mm、幅4mm、厚さは、従来と同等の導電性をもたすように、各金属層の厚さを変化させる。温度が125°C上記ΔT上昇する状況を想定している。図7に示すように、銅層である下層金属層720の厚さが金属接続体70の厚さの30~85の時発生する応力は従来に比べて小さくなり、信頼性は従来に比べ向上する。具体的には金属接続体70の厚さは0.211mm~0.27mmの範囲で下層金属層720の厚さは0.08mm~0.18mmとなる。銅層である下層金属層720の厚さが金属接続体70の厚さの34~75の時発生する応力は従来に比べて5小さくなり、接続部6a、6bの信頼性は従来に比べより向上する。具体的には金属接続体70の厚さは0.220mm~0.264mmの範囲で、下層金属層720の厚さは0.09mm~0.165mmとなる。また、下層金属層720の厚さが金属接続体70の厚さの41~67の時、発生する応力は従来に比べて10小さくなり、信頼性は従来に比べより向上する。具体的には金属接続体70の厚さは0.229mm~0.255mmの範囲で、下層金属層720の厚さは0.105mm~0.15mmとなる。また最良の形態は、下層金属層720の厚さが金属接続体70の厚さの50の時、発生する応力は最も小さく、信頼性は最も向上する。具体的には金属接続体70の厚さが0.245mmで、下層金属層720の厚さは0.122mmとなる。発生する応力は従来に比べて14小さくなり、高温動作可能で高効率なGaN、SiC半導体により対応できるようになる。以上のように、上記実施の形態1、2の金属接続体では、従来よりも、接続部6a、6bに生じる応力を低減することが出来、接続部の信頼性を向上することが出来る。尚、上記実施の形態1では、接続部6b側の金属接続体7の端部分7bよりに段差7dが形成されていたが、金属接続体7の中央部分に段差が形成されていてもよい。図8は、中央部分に段差7d ́が形成された金属接続体7 ́を用いたパワーモジュールの正面構成図である。このように、半導体素子3に干渉しなければ、金属接続体7のどの位置に段差が形成されていても良い。又、1箇所だけでなく、2箇所に段差が形成された金属接続体が用いられてもよい。図9aは、このような2箇所に段差が形成された金属接続体17を用いたパワーモジュールの正面構成図であり、図9bは、金属接続体17のみの正面構成図である。図9aに示すパワーモジュールは、実施の形態1と基本的な構成は同じであるが、金属接続体の構成が異なっている。図9a、bに示すように、金属接続体17は、上層金属層171と下層金属層172とを有している。この上層金属層171及び下層金属層172としては、実施の形態1、2で説明した金属等を適用出来る。又、金属接続体17には、接続部6b側の端部分17bよりに段差17d1が形成されており、更に、接続部6a側の端部分17aよりにも段差17d2が形成されている。尚、端部分17bの方が、端部分17aよりも絶縁性高熱伝動基板1に近くなるように、段差17d1、17d2が形成されている。このような構成の金属接続体17を用いることより、半導体素子3側の接続部材15aの量の制御が行いやすくなる。尚、半導体電極4の表面と基板電極2bの表面が実質上同一面である場合には、金属接続体7に段差を設けなくても良い。又、上記実施の形態1、2における金属接続体は、半導体素子3の半導体電極4と、絶縁性高熱伝動基板1の基板電極2bの間を電気的に接続するために用いられていたが、半導体素子の電極同士を電気的に接続するために用いられても良い。図10aは、半導体素子の電極同士が接続されたパワーモジュールの正面構成図である。図10bは、図10aに用いられている金属接続体170の正面構成図である。図10aに示すパワーモジュールは、実施の形態1と基本的な構成は同じであるが、図10aに示すように、基板電極2bの上にも半導体素子30が配置されている。そして、この半導体素子30の半導体電極40と、半導体素子3の半導体電極4とを電気的に接続する金属接続体170が設けられている。又、半導体電極40と金属接続体170の間は、接続部60bにおいて、接続部材150aによって固定されている。この接続部材150aは、接続部材15aと同様にはんだ、導電性ペーストなどを用いることが出来る。又、金属接続体170は、上層金属層1710と下層金属層1720とを有している。この上層金属層1710及び下層金属層1720としては、実施の形態1、2で説明した金属等を適用出来る。又、金属接続体170には、接続部60b側の端部分170bよりに段差170d1が形成されており、更に、接続部6a側の端部分170aよりにも段差170d2が形成されている。尚、本発明の他の半導体素子の一例は、図10aの半導体素子30に対応する。このように、半導体素子の電極同士を接続する際にも、本発明の金属接続体を適用することが出来、応力の低減を図ることが可能となる。尚、金属接続体170では段差が2箇所に設けられているが、半導体素子3、30の高さによっては、段差が1箇所であってもよいし、段差が設けられていなくても良い。又、上記実施の形態1の金属接続体7は上層金属層71と下層金属層72を有する2層構造であり、上層金属層71として銅層、下層金属層72としてニッケル層が用いられ、実施の形態2の金属接続体70は上層金属層710と下層金属層720を有する2層構造であり、上層金属層710としてアルミニウム層、下層金属層720として銅層が用いられていたが、これらの金属に限らなくても良く、下層金属層72、720の方が、上層金属層71、710よりも線膨張係数が小さければよい。又、上記実施の形態1、2では、金属接続体7、70は2層構造であったが、2層よりも多くてもよい。図11は、3層構造である金属接続体700の正面構成図である。図11に示す金属接続体700は、絶縁性高熱伝動基板1から最も遠い側に配置される上層金属層7100と、上層金属層7100の絶縁性高熱伝動基板1側に配置される中層金属層7200と、中層金属層の絶縁性高熱伝動基板1側に配置される下層金属層7300とを有している。アルミニウム、銅、ニッケルの順に線膨張係数が小さくなっているため、上層金属層7100としてアルミニウム層を用い、中層金属層7200として銅層を用い、下層金属層7300としてニッケル層を用いることが出来る。このように、絶縁性高熱伝動基板1に近い金属層の方が、絶縁性高熱伝動基板1から遠い金属層よりも線膨張係数が小さければ金属接続体が、絶縁性高熱伝動基板1と反対側に凸形状に湾曲するため、長手方向における熱膨張量が小さくなる。又、所望の導電率にするためには、各金属層をそれぞれ所定の厚みになるように形成する必要があるが、各金属層の厚み設計の自由度を増すために、より導電率の高い材料例えば、銀等を金属接続体7の上面又は下面に塗布する等して、全体の導電率を所望の導電率にするようにしてもよい。又、製造誤差等により、金属接続体7、17、70、170、700が、絶縁性高熱伝動基板1側に向けて凸状に湾曲している場合、温度が上昇するに伴い一旦、凸形状が緩和する方向、つまり長さが長くなる方向に変形していく。よって、温度上昇の範囲によっては、発生する応力が従来に比べ増大する可能性がでてくる。そのため、金属接続体7、17、70、170、700を、予め、絶縁性高熱伝動基板1の反対側に向かって若干量凸状に湾曲した形状に製造してもよい。上述したように、本実施の形態の金属接続体は、低抵抗で高信頼性な接続を可能とし、パワーモジュール等の接続用途に適用できる。尚、上記実施の形態1、2では、本発明の半導体装置の一例としてパワーモジュールについて説明したが、通常の半導体装置について適用しても良い。