絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。請求項1に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。ところで、上述したエッチング処理においては、絶縁フィルム2上の銅箔層3に対してエッチング液をスプレーし、または銅箔層3の形成された絶縁フィルム2をエッチング液に浸漬して、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する。このエッチング処理では、図6、図7a、図7bに示すように、スプレーまたは浸漬によってエッチング液は銅箔層3表面だけでなく、絶縁フィルム2の側面側や搬送用ホール7内にも流れ、絶縁フィルム2の側面側および搬送用ホール7の内壁面にそれぞれ露出した状態の接着剤層の側面4aおよび内側面4bに直ちに接触する。このエッチング液の接触により、接着剤層4の接着剤アクリル樹脂などは軟化あるいは溶解して溶け出したり、或いはエッチング液と接着剤との化学反応により生成された反応物が溶け出したりする。この溶け出した接着剤または反応物以下、接着剤等というは、絶縁フィルム2や銅箔層3の表面に広がり、またエッチング液に溶け出してエッチング液中に混入する。一般的に、エッチング液はスプレー噴射する場合は回収されて再利用され、浸漬する場合は連続的に使用されるため、エッチング液中に溶け出した接着剤等は銅箔層3に付着する。これら接着剤等の異物が銅箔層3に付着すると、配線パターンの形成を阻害し、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを低下させてしまう。本発明は、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上することを目的とする。本発明の第1の態様は、絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記搬送用ホールを形成する工程後であってかつ前記配線パターンを形成する工程前に、前記搬送用ホールよりも内側の内部領域における前記銅箔層の表面、および前記内部領域の外側の前記搬送用ホールを含む所定の幅の端部領域における、前記接着剤層が露出した面を含む表面にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを露光現像して、前記配線パターンに対応したレジストパターンを形成すると共に、前記接着剤層が露出した面を含む前記端部領域の表面を覆うレジストを形成する工程と、を備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法である。上記記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記フォトレジストがネガ型のフォトレジストであり、前記ネガ型のフォトレジストへの露光は、前記端部領域にもなされることが好ましい。本発明によれば、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上させることができる。本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について図を用いて説明する。図1および図2は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略断面図である。図3は、図2eの平面図である。本実施形態においては、図3に示すような幅広い絶縁フィルム2から3列の半導体装置用キャリアテープ1a、1b、1cを製造する場合について説明する。本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア1の製造方法は、絶縁フィルム2の銅箔層3が形成される面とは反対側の面に接着剤層4を介して絶縁フィルム2に裏打ち層5を貼り合わせ、貼り合わせ基板6を形成する工程と、絶縁フィルム2の長手方向に沿って搬送用ホールとしてガイドホール7aを形成する工程と、ガイドホール7aよりも内側の内部領域6aにおける銅箔層3の表面およびガイドホール7aを有する所定の幅の端部領域6bにおける接着剤層4が露出した面を含む表面にフォトレジスト8を塗布する工程と、フォトレジスト8を露光現像して配線パターン10に対応したレジストパターン9aを形成するとともに、接着剤層4が露出した面を含む端部領域6bの表面を覆うレジスト9bを形成する工程と、レジストパターン9aおよびレジスト9bの形成されたテープキャリアをエッチングして配線パターン10を形成する工程と、絶縁フィルム2から接着剤層4とともに裏打ち層5を剥離する工程と、を含む。まず、図1aに示すように、ポリイミド樹脂からなる厚さ40μm以下例えば38μm程度または25μm程度の絶縁フィルム2の一方の面に、例えば、スパッタリングによりスパッタ層を形成した後に、電解メッキにより銅箔層3を形成する。銅箔層付きの絶縁フィルムは、絶縁フィルムと銅箔層との2層構造に限定されず、接着剤層を介して絶縁フィルムに銅箔層を貼り合わせた3層構造であってもよい。なお、図1中、鎖線により、搬送用ホール7としてのガイドホール7aとスプロケットホール7bとが形成される箇所を示している。ガイドホール7aは絶縁フィルム2の両端部に形成され、3つのテープキャリア形成領域1a、1b、1cを有する幅広の絶縁フィルム2を搬送するために使用される。また、スプロケットホール7bは3つのテープキャリア形成領域1a、1b、1cのそれぞれにおける両端部に形成され、個別に切り離されるテープキャリア形成領域1a、1b、1cのそれぞれの搬送に使用される。次に、図1bに示すように、銅箔層3の形成された絶縁フィルム2のもう一方の面に、ローラ塗布により接着剤粘着剤を塗布して、接着剤層4粘着剤層を形成する。この接着剤層4を介して、絶縁フィルム2に補強用の裏打ち層5を貼り合わせ、貼り合わせ基板6を得る。裏打ち層5は、例えば、PETポリエチレンテレフタレートからなる補強用シート部材であって、その厚さはテープキャリアの搬送時における撓みなどを抑制できる厚さを有していればよい。なお、接着剤層4に用いられる接着剤の種類は特に限定されないが、アクリル樹脂が好ましい。また、接着剤の形成方法はローラ塗布に限定されない。また、接着剤層4を絶縁フィルム2ではなく、裏打ち層5に塗布ローラにより塗布して形成するようにしてもよい。次に、図1cに示すように、打ち抜き加工により、貼り合わせ基板6の幅方向の両端部に、貼り合わせ基板6を貫通させて搬送用ホールとして円形状のガイドホール7aを形成する。ここで、ガイドホール7aよりも内側を内部領域6a、内部領域6aの外側のガイドホール7aを含む所定の幅の領域を端部領域6bとする。内部領域6aは3列のテープキャリア形成領域1a、1b、1cを含み、その表面の銅箔層3はエッチングされ配線パターン10が形成される。端部領域6bは内部領域6aの外側である貼り合わせ基板6の両端部に位置しており、ガイドホール7aを含む。この端部領域6bにおいて、接着剤層4は、貼り合わせ基板6の側面に位置する接着剤層の側面4aおよびガイドホール7a内に位置する接着剤層の内側面4bで露出している。なお、形成されるガイドホール7aの径は、搬送する絶縁フィルム2の幅にもよるが、少なくとも1mmとなっている。続いて、図2dに示すように、貼り合わせ基板6の表面にロールコータなどにより液状のネガ型のフォトレジスト8を塗布する。この時、液状のフォトレジスト8は、内部領域6aの銅箔層3上だけでなく、内部領域6aの外側の端部領域6bにまで塗布される。液状のフォトレジスト8は貼り合わせ基板6の側面およびガイドホール7a内に回り込むため、貼り合わせ基板6のエッチング液に晒される表面全てに対して、フォトレジスト8が塗布されることになる。すなわち、液状のフォトレジスト8は接着剤層の側面4aおよび接着剤層の内側面4bを覆って塗布される。なお、本実施形態においては、液状のフォトレジストを用いることが好ましい。これは、内部領域および端部領域に一括してフォトレジストを塗布できるだけでなく、ガイドホールの内壁面に一様にフォトレジストを塗布することができるからである。また、液状のフォトレジストに、フィルム状のフォトレジストを組み合わせて用いることも可能である。具体的には、内部領域にフィルム状のフォトレジストを形成するとともに、端部領域に液状のフォトレジストを形成することができる。続いて、塗布されたネガ型のフォトレジスト8に対して、所定の露光および現像を行う。ネガ型のフォトレジスト8は、露光された部分が現像液に対して難溶性となり、レジスト層として残存してエッチング液から保護する。このため、本実施形態においては、ガイドホール7aの内側の内部領域6aおよび内部領域6aの外側の端部領域6bに対して露光現像を行う。この露光現像により、図2e、図3に示すように内部領域6aにおいては配線パターン10に対応したレジストパターン9aが形成されるとともに、端部領域6bにおいては銅箔層3の表面のみならず貼り合わせ基板6の側面およびガイドホール7aの内壁面の表面も被覆するレジスト9bが形成される。すなわち、本実施形態においては、接着剤層の側面4aおよび内側面4bがレジスト9bにより被覆され露出していない。続いて、レジストパターン9aおよびレジスト9bの形成された貼り合わせ基板6に対して、エッチング液をスプレー噴射してエッチング処理を行い、内部領域6aに、図2fに示すような所定の配線パターン10を形成する。本実施形態においては、3列のテープキャリア形成領域1a、1b、1cを同時に製造するため、配線パターン10が絶縁フィルム2の長手方向に繰り返されたものが3列配列されている。本実施形態においては、図3および図4に示すように、端部領域6bの表面を被覆するレジスト9bを形成して、接着剤層の側面4aおよび内側面4bはレジスト9bにより被覆され、表面に露出せずエッチング液に晒されない。この構成により、配線パターン10を形成する上記エッチング工程において、エッチング液が接着剤層の側面4aおよび接着剤層の内側面4bに接触することを防止して、接触にともなう接着剤等の溶け出しを抑制することができる。このように、接着剤のエッチング液への溶出を防止し銅箔層3への接着剤の付着を抑制することで、テープキャリアの歩留まりを向上することができる。次に、レジストパターン9aおよびレジスト9bを剥離して、3列のテープキャリア形成領域1a、1b、1cのそれぞれの両端部にスプロケットホール7bを打ち抜き加工で形成する。その後、裏打ち層5とともに接着剤層4を剥離し、幅広の絶縁フィルム2を長手方向に切断することにより、3つの半導体装置用テープキャリア1を得る。なお、幅広の絶縁フィルム2を長手方向に切断した後に、裏打ち層5とともに接着剤層4を剥離してもよい。上記実施形態においては、フォトレジスト8としてネガ型のフォトレジストを用いたが、未露光部分が現像液に対して難溶性となってレジスト層として残存してエッチング液から保護するポジ型のフォトレジストを用いることも可能である。ポジ型のフォトレジストを用いる場合、ネガ型のフォトレジストと同様に内部領域6aおよび端部領域6bに塗布するが、露光は従来と同様に端部領域には行わず、内部領域6aのみに所定のレジストパターン9aを形成するように露光、現像し、接着剤層の側面4aおよび内側面4bがレジスト層で覆われて露出しないようにする。また、エッチング工程前の打ち抜き加工において、ガイドホール7aのみを形成したが、ガイドホール7aおよびスプロケットホール7bを同時に形成しても良い。その場合においては、スプロケットホール7bの内壁面に臨む接着剤層4からの接着剤等の溶け出しなどを抑制するため、フォトレジスト8は、ガイドホール7aと同様にして、スプロケットホール7bの内壁面に塗布され、レジスト9bが形成されることが好ましい。また、幅広の絶縁フィルム2から3列のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、絶縁フィルム2に1列または2列以上のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアに適用することが可能である。