"導電性高分子及び金属塩を反応させるステップを含むことを特徴とする金属ナノベルトの製造方法。前記反応ステップは、1乃至70°Cの温度及び1乃至2気圧の圧力で、0.1時間乃至14日間進行することを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記反応ステップにおいて、導電性高分子上に金属が還元及び配列されて金属ナノベルトが形成されることを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記反応ステップにおいて、500nm以上の長さを有し、長さ/幅の比が10以上であり、幅/厚さの比が3以上である金属ナノベルトが形成されることを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記金属ナノベルトは、1μm~2000μmの長さ、30nm~100μmの幅及び10~500nmの厚さを有することを特徴とする請求項4に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記金属ナノベルトは、実質的に金属酸化物を含まないことを特徴とする請求項4に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記金属ナノベルトは、金Au、銀Ag、銅Cu、、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ロジウムRh及びルテニウムRuからなる群より選択された1種以上の金属を含むことを特徴とする請求項4に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記金属塩は、金Au、銀Ag、銅Cu、、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ロジウムRh及びルテニウムRuからなる群より選択された金属の塩であることを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。導電性高分子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの共重合体からなる群より選択される1つ以上の高分子を含むことを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記反応ステップは、還元剤の存在下で進行されることを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記還元剤は、多価フェノール系化合物、アミン系化合物、ピリジン系化合物及び多価アルコール系化合物からなる群より選択される1種以上であることを特徴とする請求項10に記載の金属ナノベルトの製造方法。前記反応ステップは、水、アルコール、アセトン、メチルエチルケトンMEK、エチレングリコール、ホルムアミドHCOOH、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミドDMAc、ジメチルスルホキシドDMSO、N-メチルピロリドンNMPからなる群より選択される溶媒または1つ以上の混合溶媒内で進行されることを特徴とする請求項1に記載の金属ナノベルトの製造方法。本発明は、低温焼成が要求される環境下でも優れた導電性を示す導電性パターンまたは導電膜などの形成を可能にするなどの多様な適用性を有する金属ナノベルトを単純な工程で常温及び常圧で容易に製造することのできる金属ナノベルトの製造方法を提供するものである。そこで、本発明は、導電性高分子及び金属塩を反応させるステップを含む金属ナノベルトの製造方法を提供する。前記製造方法において、前記反応ステップは、1乃至70°Cの温度及び1乃至2気圧の圧力で、0.1時間乃至14日間進行することができる。このような製造方法によると、前記反応ステップにおいて、導電性高分子上に金属が還元及び配列されて金属ナノベルトが形成される。また、前記反応ステップで形成された金属ナノベルトは、500nm以上の長さを有し、長さ/幅の比が10以上であり、幅/厚さの比が3以上のものであってもよく、より具体的に、前記金属ナノベルトは、1μm~2000μmの長さを有し、30nm~100μmの幅を有し、10~500nmの厚さを有してもよい。なお、前記製造方法において、前記反応ステップは還元剤の存在下で進められる。以下、発明の具体的な具現例による金属ナノベルト、この製造方法、これを含む導電性インク組成物及び伝導性フィルムなどについて説明する。明示的な他の記載がない限り、本明細書全体において使用されるいくつかの用語は次のように定義される。本明細書全体において、金属ナノベルトは金属及び導電性高分子を含みながら、平面上から見て、いずれか一方向にベルトのように長く連結された形状を帯びているナノ構造体を称する。前記ベルト状で長く連結された方向に、前記金属ナノベルトの一端から反対端までの最長直線距離を長さと定義し、平面上で、長さ方向と垂直する方向に、前記金属ナノベルトの一端から反対端までの最長直線距離を幅と定義する。また、前記長さ方向と幅方向が成す平面と垂直する方向に、ベルト状を帯びている金属ナノベルトの上面と下面との間の最長直線距離を厚さと定義する。このような金属ナノベルトは、長さ、幅または厚さの1つ以上、少なくとも、厚さがナノスケールの大きさを有し、長さが幅に比べて数倍以上大きい値を有し、幅が厚さに比べて数倍以上大きい値を有することによって、薄い厚さの長方形またはこれと類似の多角形などの図形が帯のように長く連結されたベルト状を帯びるものである。また、前記金属ナノベルトが実質的に金属酸化物を含まないというのは、前記金属ナノベルトに含まれている金属が酸化されない状態で存在して、金属ナノベルトが金属酸化物を全く含まなかったり、または、その製造過程または使用過程中に不可避的に微量の金属、例えば、金属ナノベルトの重量に対して1重量未満、あるいは0.1重量未満の金属のみが酸化されて、金属ナノベルトがこれに対応する微量の金属酸化物のみを含む場合を称する。そして、導電性インク組成物とは、比較的に粘度が高いペースト状態であるか、あるいは水と類似して粘度が低い状態であるかにかかわらず、高分子、ガラスまたは金属などからなる任意の基質substrate上に印刷または塗布されて導電性を帯びる膜、フィルムまたはパターンを形成することができる任意の組成物を称する。また、伝導性フィルムとは、高分子、ガラスまたは金属などからなる任意の基質substrate上に形成されて、熱または電気に導電性を帯びる任意の膜、フィルムまたはパターンを称する。そして、ある部分がある構成要素を含む、含有または有するとする場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素の追加を制限することなく任意の他の構成要素がさらに追加可能なことを意味する。一方、発明の一具現例により、導電性高分子及び金属塩を反応させるステップを含む金属ナノベルトの製造方法が提供される。本発明者らの実験結果、前記導電性高分子及び金属塩を反応させる反応工程を通じて、所定の金属ナノベルトが製造できることが明らかになった。つまり、前記反応工程を経ると、導電性高分子上で相対的に高い還元電位を有する金属が金属塩から還元されて、導電性高分子上に配列及び結合されながら、前記金属ナノベルトが製造される。つまり、前記導電性高分子を媒介として金属が還元されながら、その結果形成された微細金属粒子が導電性高分子上に広い幅を有するベルト状に長く連結されて、前記金属ナノベルトが製造される。このような金属ナノベルトが形成される非制限的原理をより具体的に説明する。前記反応工程では、金属塩から金属が還元された後に、この金属ナノ結晶の特定の結晶面に導電性高分子が結合しながら前記金属ナノ結晶の高い表面エネルギを安定化させるようになる。このような安定化エネルギをキャッピングエネルギcappingenergyというが、このようなキャッピングエネルギは、金属ナノベルトに含まれる導電性高分子や金属の種類、その金属ナノ結晶または結晶面の種類などにより変わる。また、このようなキャッピングエネルギの絶対値が大きければ大きいほど導電性高分子が金属ナノ結晶の結晶面に結合して、その表面エネルギをより安定化することができるため、前記導電性高分子は、前記金属ナノ結晶の結晶面の中でも、導電性高分子とのキャッピングエネルギの絶対値が最も大きい特定の結晶面に結合するようになる。このような原理で前記金属ナノ結晶の特定の結晶面が主に導電性高分子と結合しながら他の結晶面例えば、導電性高分子とのキャッピングエネルギの絶対値が小さい結晶面の方向に金属が導電性高分子上に配列され、その結果、前記金属ナノベルトが、前記金属の配列方向が長さ方向に成長及び形成される。特に、このような反応工程では高温及び高圧の反応条件が要求されることなく、例えば、常温及び常圧の分散液状態で反応物が単一のステップで反応するため、前記金属ナノベルトが単純な過程を通じて製造され、ひいては、後述するように、常温、常圧あるいはこれに準ずる低い温度及び圧力で容易に製造できる。一方、このような製造方法で、前記反応ステップは、約1乃至70°Cの温度及び約1乃至2気圧の圧力で、約0.1時間乃至14日間進められ、好ましくは、約1乃至65°Cの温度及び略常圧で、約10時間乃至7日間進められる。このように、前記反応ステップを常温及び常圧下で進行したり、これに準ずる比較的低い温度及び圧力で進行することによって、前記導電性高分子上で金属が徐々に均一に還元及び配列されながら金属ナノベルトが適切に製造される。これとは異なり、反応温度または圧力を非常に低くする場合などには、金属ナノベルトが正しく形成されない可能性もある。また、反応温度または圧力を過度に高くする場合などには、導電性高分子と金属塩の反応速度が速くなりすぎることによって、導電性高分子上に金属が均一に配列及び結合されにくくなり、表面エネルギの安定化による導電性高分子の結晶面に対するキャッピングcapping効果が減少する。このため、金属または導電性高分子が互いにかたまるようになって、ベルト状の金属ナノベルトより他の形状の金属ナノ構造体、例えば、球形の金属ナノ粒子がより多く形成されるため、金属ナノベルトの収率が低くなる可能性がある。一方、上述した製造方法によって製造された金属ナノベルトは、以下で具体的に説明する形状、スケール及び特性を有する。前記製造方法によって製造された金属ナノベルトは、約500nm以上の長さを有し、長さ/幅の比が約10以上であり、幅/厚さの比が約3以上のものであってもよい。より具体的な一実施例によれば、このような金属ナノベルトは、約1μm~2000μmの長さ、好ましくは、約2μm~1000μmの長さ、さらに好ましくは、約2μm~100μmの長さを有してもよい。また、前記金属ナノベルトは、約30nm~100μmの幅、好ましくは、約100nm~10μmの幅、さらに好ましくは、約100nm~2μmの幅を有してもよい。そして、前記金属ナノベルトは、約10~500nmの厚さを有してもよく、好ましくは、約10~300nmの厚さ、さらに好ましくは、約20~250nmの厚さを有してもよい。また、前記金属ナノベルトは、長さ/幅の比が約10乃至20000であってもよく、好ましくは、約10乃至1000、さらに好ましくは約10乃至200であってもよい。また、前記金属ナノベルトの幅/厚さの比は、約3乃至6000であってもよく、好ましくは、約3乃至500、さらに好ましくは約3乃至50であってもよい。つまり、本発明者らの研究結果、導電性高分子及び金属塩を適切な速度で反応させる方法によって、導電性ナノ構造体として適切なナノスケールの厚さを有しながら、比較的に広い幅を有し、最小約500nmから100μm以上、最大約2000μmに達する長さを有するベルト状のナノ構造体、すなわち、前記金属ナノベルトが得られることが明らかになった。このような金属ナノベルトは、以前に知られた導電性ナノ構造体または導電性ナノ粒子に比べて、長い長さで連結されたものであり、ある程度の広い幅を有することによってベルト状を帯びているものである。また、前記金属ナノベルトは常温及び常圧下での上記反応工程で製造することができ、実質的に金属酸化物を含まないものになり得る。言い換えれば、上述した製造方法で製造された金属ナノベルトは、少なくともナノスケールの厚さを有する微細な金属粒子が広い幅及び十分に長い長さで連結された状態で得られ、実質的に金属酸化物を含まないことがある。したがって、このような金属ナノベルトを含む導電性インク組成物を基板上に印刷すると、導電性ナノ粒子などを還元または溶融連結させるために適用されていた高温焼成工程を別途に進行しなくても、これから形成された伝導性フィルム、例えば、導電膜または導電性パターンが十分に優れた導電性を示すことができる。また、前記金属ナノベルトは、金Au、銀Agまたは銅Cuのような単一の金属成分のみを含むように形成されることもある。したがって、前記金属ナノベルトがより低い抵抗を示す金Au、銀Agまたは銅Cu等の単一の金属成分のみを含むように形成し、これから形成された伝導性フィルムがより優れた導電性を示すようにすることができる。したがって、前記金属ナノベルトは、特に低温焼成が要求される環境下で各種半導体素子、表示装置または太陽電池などの導電性パターンまたは導電膜などを形成するための導電性インク組成物に非常に好ましく用いることができる。加えて、金Au、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ロジウムRhまたはルテニウムRu等の貴金属を用いて、上述した方法で金属ナノベルトを製造する場合、このような金属ナノベルトを多様な触媒として好ましく用いることができる。つまり、以前に知られた貴金属触媒の場合、主に粒子形態を帯びていることから、広い表面積を具現するのに限界があったのに比べて、前記貴金属で形成された金属ナノベルトを用いる場合、貴金属の使用量を少なくしてもベルト状に起因した広い表面積を具現することができる。また、金属ナノベルトの表面に露出される貴金属の特定の結晶面の広さを極大化することができるため、前記貴金属で製造された金属ナノベルトを触媒として用いるようになると、より少ない量の貴金属を用いても反応物と触媒との接触面積を増やして、触媒の活性をより向上させ、効率的でかつ経済的である触媒を提供するのに大きく寄与することができる。このように、前記金属ナノベルトは低温熱処理の環境下でも優れた導電性を示す導電性パターンまたは導電膜を形成させたり、優れた活性を有する触媒を形成させるなどの多様な適用性を有する。発明の一具現例によれば、このような多様な適用性を有する金属ナノベルトを導電性高分子と金属塩を反応させる単純な工程で、比較的低い温度及び圧力で容易に製造することができるようになる。一方、前記金属ナノベルトは実質的に金属酸化物を含まない場合がある。このとき、実質的に金属酸化物を含まないというのが意味するところは、既に説明した通りである。既に上説したように、前記金属ナノベルトは、常温、常圧あるいはこれに準ずる低い温度及び圧力下で金属塩及び導電性高分子の反応によって形成できるため、以前に導電性ナノ粒子の製造のための高温反応工程などによって引き起こされる金属の酸化が最小化し、実質的に金属酸化物を含まないこともある。これにより、従来に、導電性インク組成物を印刷した後に、これに含まれている導電性ナノ粒子などを還元させるために進行していた高温焼成工程を別途に進行しなくても、これから形成された伝導性フィルムが優れた導電性を示すことができる。そして、前記金属ナノベルトは、優れた導電性を示したり触媒として使用可能な任意の導電性金属、貴金属またはこれらの合金を含むことができ、例えば、金Au、銀Ag、銅Cu、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ロジウムRh及びルテニウムRuからなる群より選択された1種以上の金属を含むことができる。よって、前記金属ナノベルト及びこれを含む導電性インク組成物から形成された各種導電性パターンまたは導電膜がより優れた導電性を示したり、前記金属ナノベルトが触媒などとしてより適合に用いられる。これにより、前記金属ナノベルトは、これを成す金属成分を多様に調節して、伝導性フィルムの形成のための導電性インク組成物または触媒など多様な分野に適合に適用される。また、前記金属ナノベルトは、導電性高分子上に金属が還元及び配列されながらベルト状を帯びられるため、単一の金属成分、例えば、金Au、銀Ag、銅Cu、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ロジウムRhまたはルテニウムRuのある1種の金属のみを含んで構成される。つまり、前記導電性高分子上に金属が配列されながらベルト状の金属ナノベルトが形成されるため、2種以上の金属成分が含まれて、このうち1種以上の金属成分がベルト状の骨格または基本的鋳型などを成す必要がなく、前記金属ナノベルトが単一の金属成分のみを含むことができる。このため、各適用分野に適した金属成分のみからなる金属ナノベルトを容易に得ることができ、このような金属ナノベルトを伝導性フィルムまたは触媒などの多様な分野により適合に適用することができる。上述した金属ナノベルトはこれを含む導電性インク組成物を高分子、ガラスまたは金属などからなる任意の基質または基板上に印刷した後、高温焼成が適用されなくても優れた導電性を示す各種導電性パターンまたは導電膜などの伝導性フィルムを形成することができる。特に、このような金属ナノベルト及びこれを含む導電性インク組成物は高温焼成工程の必要性がないことから、いかなる材質からなる基板にも適用されて、多様な導電性パターンまたは導電膜を形成することができる。したがって、このような金属ナノベルトは、PDPまたはLCDなどの各種表示装置、半導体素子または太陽電池などに含まれる多様な伝導性フィルム、例えば、各種電極、配線または電磁波遮蔽フィルムなどの多様な導電膜または導電性パターンを形成するためのインク組成物にさらに好ましく適用できる。例えば、前記金属ナノベルトは、透明基板上に印刷されてタッチパネルに含まれる透明導電膜などの透明伝導性フィルムを形成するために適用されたり、半導体基板の各種配線パターンまたは電極を形成するために適用されたり、各種表示装置の各種配線パターン、電極または電磁波遮蔽フィルタなどを形成するために適用される。また、前記金属ナノベルトは、多様な熱に対しても優れた伝導性を示すことができるため、様々な熱伝導性フィルムを形成するために適用されることもある。特に、前記金属ナノベルトは低温焼成が要求される環境下でさらに好ましく適用される。加えて、前記金属ナノベルトを貴金属で製造するとき、このような金属ナノベルトを各種反応の触媒として非常に好ましく適用することができる。つまり、このような貴金属ナノベルトは導電性高分子上に貴金属成分が配列されてベルト状を帯びているため、貴金属の含有量が比較的低い状態でもベルト状に起因して貴金属成分の広い表面積を具現することができる。また、このようなナノベルトの表面で貴金属の配列または結合状態を調節することによって、ナノベルトの表面に露出される貴金属の特定の結晶面の広さを極大化することができる。したがって、前記貴金属ナノベルトを触媒として用いるようになると、より少ない量の貴金属を含有しても反応物と触媒成分つまり、貴金属成分との接触面積が増えて、触媒の活性及び効率性が向上することができる。一方、上述した金属ナノベルトの製造のための一具現例の製造方法では、導電性高分子と金属塩とが混合された分散液を形成した後、このような分散液を一定の温度及び圧力下で維持することによって前記導電性高分子と金属塩の反応ステップを進行することができる。このような反応ステップの進行後、形成された金属ナノベルトを分離して、最終的に金属ナノベルトを得ることができる。このとき、前記反応ステップが常温及び常圧やこれに準ずる低い温度及び圧力で進行できることは既に上述した通りである。このような製造方法において、前記導電性高分子としては、以前から知られた任意の導電性高分子、例えば、ポリピロール、ポリアニリンまたはポリチオフェンやこれらの共重合体などを用いることができる。また、前記金属塩としては、導電性を示す金属または貴金属などの任意の塩として、従来から金属ナノ粒子を形成するための前駆体として用いられていた通常形態の金属塩を特別な制限なく用いることができる。例えば、前記金属塩としては、導電性金属または貴金属の硝酸塩、硫酸炎、酢酸炎、ハロゲン化塩、炭酸塩、乳酸塩、シアン化塩、シアン酸塩またはスルホン酸塩などを用いることができる。より具体的に、金属成分として優れた導電性を有する銀Agを含む金属ナノベルトを製造する場合、前記金属塩としては、硝酸銀AgNO3、硫酸銀Ag2SO4、酢酸銀AgCH3COOや、フッ化銀AgF、塩化銀AgCl、臭素化銀AgBrまたはヨード化銀AgIのハロゲン化銀、シアン化銀AgCN、シアン酸銀AgOCN、乳酸銀AgCH3CHOHCOO、炭酸銀Ag2CO3、過塩素酸銀AgClO4、三フッ化酢酸銀AgCF3COOまたは三フッ化メチルスルホン酸銀AgCF3SO3等を用いることができる。そして、上記で例示した導電性高分子または金属塩の他にも任意の導電性高分子または導電性金属または貴金属の多様な塩を使用可能なことはもちろんである。また、前記金属ナノベルトの製造のために、金属塩及び導電性高分子のみを反応させることもできるが、前記金属塩の金属成分、つまり、金属ナノベルトに含まれる金属成分の還元電位が比較的低い場合、還元剤の存在下で前記金属塩及び導電性高分子の反応ステップを進行すると、導電性高分子上で金属塩から金属成分をより効果的に還元させ、反応が速くなり、収率がより高くなる。これにより、金属ナノベルトをより容易に高い収率で得ることができる。このとき、使用可能な還元剤の種類は、前記金属塩の金属成分の種類によって変わることがあり、該当金属塩を還元させることができるようにこのような金属塩またはこれに対応する金属イオンよりも標準還元電位が低いものを選択して、使用することができる。このような還元剤としては、各金属成分の種類によって通常知られた還元剤を特別な制限なく使用可能であり、例えば、ヒドラジン、アスコルビン酸、ハイドロキノン、レゾルシノールまたはカテコールなどの多価フェノール系化合物;トリエチルアミンのようなアミン系化合物;ジメチルアミノピリジンのようなピリジン系化合物;またはエチレングリコールなどの多価アルコール系化合物やこれらの中から選択された2種以上の混合物を使用することができる。そして、前記金属塩及び導電性高分子の反応は、水、アルコール、アセトン、メチルエチルケトンMEK、エチレングリコール、ホルムアミドHCOOH、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミドDMAc、ジメチルスルホキシドDMSO及びN-メチルピロリドンNMPからなる群より選択される溶媒または1つ以上の混合溶媒内で進行される。例えば、ポリアニリンのような水溶性導電性高分子の場合、これを水に分散させ、この分散液に金属塩を添加して、前記反応ステップを進行することができる。また、各導電性高分子と金属塩の種類によって、上記で並べたり以前に知られている多様な溶媒を用いて導電性高分子及び金属塩の分散液を得て、前記導電性高分子と金属塩の反応ステップを進行することができる。このとき、前記金属塩は固体状態で加えることもでき、溶液状態で作った後添加することもできる。このように作られた混合分散液を上述した温度及び圧力条件下に一定時間以上維持すると、前記分散液内で金属ナノベルトが形成される。このような反応工程で各反応物の添加順序や分散液の形成方法及び混合順序などは通常の範囲内で当業者によって自明に変更可能なことはもちろんである。上述した方法で製造された金属ナノベルトは溶媒と混合されて印刷可能な導電性インク組成物として提供されるか、または反応の触媒などとして提供できる。このうち、前記導電性インク組成物は実質的に金属酸化物を含まないながら低抵抗金属成分からなり得、ナノスケールの大きさ厚さを有する微細な金属粒子が広い幅で長く連結されたベルト形態の金属ナノベルトを含む。したがって、このようなインク組成物を基板上に印刷した後、以前に導電性ナノ粒子を還元または溶融連結させるために進められていた高温焼成工程を適用しなくても、優れた導電性を示す各種導電膜または導電性パターンなどの伝導性フィルムの形成が可能になる。つまり、このような導電性インク組成物の場合、これを基板上に印刷またはコーティングした後、前記溶媒などを除去するために低温で乾燥または熱処理のみを行っても、実質的に金属酸化物を含まずにナノスケールの厚さを有する金属膜が広い幅で長く連結された形態の多数のナノベルトが含まれている伝導性フィルム、例えば、各種導電膜または導電性パターンが形成できるため、このような導電膜または導電性パターンが非常に優れた導電性を示すことができる。したがって、このような導電性インク組成物は、PDPまたはLCDなどの各種表示装置、半導体素子または太陽電池に含まれる各種電極、配線または電磁波遮蔽フィルムなどの多様な導電膜または導電性パターンや、熱伝導性フィルムのような多様な伝導性フィルムを形成するために好ましく適用される。例えば、前記導電性インク組成物は、透明基板上に印刷されてタッチパネルに含まれる透明導電膜を形成するために適用されたり、半導体基板の各種配線パターンまたは電極を形成するために適用されたり、各種表示装置の各種配線パターン、電極または電磁波遮蔽フィルタなどを形成するために適用される。特に、前記導電性インク組成物は、低温焼成が要求される環境下でさらに好ましく適用され、高温焼成が要求されないことにより、適用可能な基板種類の限界などを克服することができるようにする。また、前記金属ナノベルトは各種反応で触媒として提供可能であり、各反応に応じて適した貴金属成分を含むことができる。このような触媒は一般的な貴金属微細粒子貴金属ナノ粒子の代わりに貴金属成分を含む金属ナノベルトを含むことによって、触媒活性を有する貴金属成分と反応物との接触面積を相対的に増加させることができる。したがって、低い含有量の貴金属成分を含む場合にも、相対的により優れた活性を示すことができる。一方、上述した金属ナノベルトを含む導電性インク組成物または触媒などは、通常の金属ナノ粒子またはその他他の形態の金属ナノ構造体の代わりに金属ナノベルトを含むことを除いては、当業者に一般に知られた導電性インク組成物または貴金属触媒の構成を有することができる。上述したように、本発明によると、高温焼成工程の適用がなくても、優れた導電性を示す各種導電性パターンまたは導電膜の形成を可能にしたり、低い貴金属の含有量でも優れた活性を有する触媒の提供を可能にするなどの多様な適用性を有する金属ナノベルトの製造方法が提供される。特に、本発明の製造方法によると、前記金属ナノベルトを非常に単純な工程を通じて、低い温度及び圧力で容易に製造して、多様な分野に適用することができる。以下、本発明の具体的な実施例を通じて、本発明の作用及び効果をより詳述する。ただし、このような実施例は本発明の例示として提示されたものに過ぎず、これによって、本発明の権利範囲が定められるのではない。A.試薬準備後述する銀ナノベルトの製造に使用された試薬は次の通りであり、特別な精製なしに購入した状態で使用した。anilinehydrochlorideAldrich、97、2-aminobenzoicacidAldrich、99、2-aminophenolAldrich、97、1,3-phenylenediamineAldrich、99、1,3-propanesultoneAldrich、97、pyrrole1,3-phenylenediamineAcros、99、ammoniumpersulfateAcros、98、HClDUKSAN、HNO3DUKSAN、AgNO3Acros、99B.導電性高分子の合成合成例1.N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonateの合成1Lフラスコにm-phenylenediamine54.07g0.500molと1,3-propanesultone61.07g0.500molをTHF500mlに溶かして、24時間還流及び攪拌した。室温で冷やしてガラスフィルタで濾過した後、THF:n-Hex1:1v/v混合溶媒1000mlで洗浄し、真空乾燥して、灰青色の粉末108.52g0.472mol、94.3yieldを得た。このように得られたN-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonateは、下記反応式aの反応結果物のような化学構造を有している。合成例2.P[anthranilicacid]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5の合成Anthranilicacid3.43gとN-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate5.75gを0.2MHCl溶液300mlとEtOH100mlの混合溶液に溶かし、ammoniumpersulfate14.21gが溶解された0.2MHCl溶液200mlを10分にわたって添加した後、24時間攪拌した。この溶液をアセトン3.6Lに加えて、ポリアニリン高分子沈澱を得て、4000rpm及び1時間の条件で遠心分離して、沈澱を分離した。この後、アセトン/0.2MHCl混合溶液6:1v/vで3回洗浄し、乾燥して、6.12gのP[anthranilicacid]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5を得た。66.4yieldこのように得られたポリアニリンの2繰り返し単位の組成比は52:48であることが確認されsolidstateNMRで分析、重量平均分子量は2830程度GPC分析に確認された。このような導電性高分子のsolidstate炭素NMRスペクトルを図1に示した。また、このようなP[anthranilicacid]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5の導電性高分子は、下記反応式bの反応結果物のような化学構造を有するものと確認された。合成例3.P[ANi]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5の合成Anthranilicacid3.43gを使用する代わりに、Anilinehydrochloride3.24gを使用すること以外は合成例2と同様な方法で合成して、P[ANi]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.54.72gを得た。このように得られたP[ANi]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5は、下記の化学式cの化学構造を有するものと確認された。合成例4.P[pyrrole]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5の合成Anthranilicacid3.43gを使用する代わりに、pyrrole1.68gを使用すること以外は合成例2と同様な方法で合成して、P[pyrrole]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.54.72gを得た。このように得られたP[ANi]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5は、下記の化学式dの化学構造を有するものと確認された。C.銀Agナノベルトの合成実施例1.銀Agナノベルトの合成合成例2で作られた導電性高分子P[anthranilicacid]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.525mgとAgNO3100mgを蒸溜水50mlに分散させ、25°Cで5日間放置した。底に沈んだ銀ナノベルト塊りを紙フィルタを用いて濾過し、蒸溜水50mlで洗浄した後、よく乾燥して、精製された銀ナノベルト16mgを得た。図2及び図3に実施例1で得られた銀ナノベルトのSEM写真を示し、図4にはTEM写真を示した。このように得られた銀ナノベルトの大きさをSEMを用いて測定した結果、幅約40~60nm、厚さ約10~20nm、長さ約1um以上のスケール但し、幅/厚さの比=3以上を有するベルト状を帯びていることを確認した。実施例2.銀Agナノベルトの合成反応温度を40°Cとし、反応時間を42時間とすることを除いては、実施例1と同様な方法で銀ナノベルト6mgを得た。このように得られた銀ナノベルトのSEM像は図5に示した。このような銀ナノベルトは実施例1と同一のスケールを有することをSEM像で確認した。実施例3.銀Agナノベルトの合成反応温度を60°Cとし、反応時間を10時間とすることを除いては、実施例1と同様な方法で銀ナノベルト3mgを得た。このように得られた銀ナノベルトのSEM像は図6に示した。このような銀ナノベルトは実施例1と同一のスケールを有することをSEM像で確認した。実施例4.銀Agナノベルトの合成合成例3で作られたP[Ani]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5を用いて、実施例1と同様な方法で銀ナノベルト15mgを得た。このように得られた銀ナノベルトのSEM像は図7に示した。このような銀ナノベルトは実施例1とほとんど同一のスケールを有することをSEM像で確認した。実施例5.銀Agナノベルトの合成合成例4で作られたP[pyrrole]0.5-[N-1’,3’-phenylenediamino-3-propanesulfonate]0.5を用いて、実施例1と同様な方法で銀ナノベルト7mgを得た。このように得られた銀ナノベルトのSEM像は図8に示した。このような銀ナノベルトは実施例1とほとんど同一のスケールを有することをSEM像で確認した。D.透明導電膜の製造及び導電性の評価実施例6.導電性インク組成物及び透明導電膜の製造実施例1で得られた銀ナノベルト混合物10mgをエタノール30mlとDMF20mlに混合し、超音波処理を通じて、銀ナノベルトとMWNTの混合分散液、すなわち、導電性インク組成物を得た。この導電性インク組成物を10cm×10cmPET基板上にバーコーティングし、120°Cで乾燥して、溶媒を除去することによって透明導電膜を製造した。このように得られた透明導電膜の透過度はUV/Visspectrophotometerを用いて測定し、導電性は4-probe方法を用いて測定した。測定の結果、85透過度及び360ohm/squareの面抵抗を示した。この例において、銀ナノベルトから透明導電膜を形成する場合、その形成過程中の高温焼成を進行しなくても優れた導電性及び透明度を示す導電膜が形成されることが確認される。"