複数のスイッチ素子により構成されるブリッジ回路の前記スイッチ素子の温度を、前記複数のスイッチ素子のそれぞれに近接して設置された検温素子により検出する温度検出回路であって、前記検温素子に定電流を供給したとき前記検温素子の各々に生じる端子電圧を入力信号として、前記検温素子が検出する最高温度に対応する最大電圧または最小電圧を選択して出力する理想ダイオードを備えたことを特徴とする温度検出回路。前記検温素子は、温度検出用ダイオード素子であることを特徴とする請求項1に記載の温度検出回路。前記検温素子は、金属抵抗であることを特徴とする請求項1に記載の温度検出回路。前記検温素子は、サーミスタであることを特徴とする請求項1に記載の温度検出回路。前記検温素子は、温度検出用ダイオード素子、金属抵抗、またはサーミスタと抵抗が直列接続されたものであることを特徴とする請求項1に記載の温度検出回路。前記理想ダイオードに増幅機能をもたせたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の温度検出回路。前記複数の検温素子を直列接続して一つの定電流源から電流を供給すると共に、前記理想ダイオードに差動増幅機能をもたせ、前記各検温素子の端子電圧信号を前記理想ダイオードに入力信号として加えるようにしたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の温度検出回路。モータを制御する複数のスイッチ素子により構成されるブリッジ回路を搭載したパワーブロックと、前記スイッチ素子のゲートを制御するプリドライバ回路及びマイコンを搭載した制御ブロックとを別々に備え、前記パワーブロックには前記スイッチ素子の温度を検出する請求項1に記載の温度検出回路を搭載し、前記温度検出回路の出力信号を前記制御ブロックの前記マイコンに供給し、前記マイコンは前記出力信号に基づいて温度推定、過熱判定を行い、その結果を前記プリドライバ回路に与えるようにしたことを特徴とする温度検出装置。しかしながら、前記特許文献1には、スイッチ素子であるパワーMOSと同一チップ上に温度検出用ダイオード素子を構成し、そのダイオード素子のアノードとカソード間順方向電圧の温度特性を利用してスイッチ素子の温度検出を行う手法について開示されているが、複数の発熱箇所を有する被検出対象物の温度検出方法について開示されていない。また、前記特許文献2には、複数の発熱箇所を有する被検出対象物の温度検出方法が開示されているが、この特許文献2に開示された技術は、サーミスタによる温度検出であり、さらに複数個所の発熱検出のために設置したサーミスタを並列接続して、合成抵抗で検出する方法であるため、半導体のチップ温度を検出する方法としては検出精度が低いという問題点がある。また、前記特許文献3では温度センサで検出された最も高い温度を選択するフローチャート選択手段が示されているが、具体的な選択方法が開示されていない。また、前記特許文献4では複数の温度検出用ダイオード素子を直列接続し、端子間におけるダイオード複数個分の電圧特性が出力されることとなるため、精度を確保するためには接続個数を制限する必要が生じる。さらに、図6に示す従来例について説明すると、第1のモジュール202に搭載された、モータ201駆動用のスイッチ素子107~112の各々のチップ上には、検温素子である温度検出用ダイオード素子7~12が構成されている。温度検出用ダイオード素子7~12には定電流源1~6から電流が供給される。温度検出用ダイオード素子7~12の各々の端子電圧はモジュール203に入力され、AD変換された信号に基づいて第2のモジュール203に搭載されたマイコンで温度推定114され、過熱判定115及びブリッジ制御116が行なわれ、プリドライバ回路117がスイッチ素子107~112のゲート回路を制御することにより、スイッチ素子107~112の過熱を防止する。一般にマイコン及びAD変換器は高温環境下では信頼性が著しく劣化するため、比較的温度環境の低い箇所に搭載する必要がある。図6では温度推定114及び過熱判定115を行なうマイコンを、高温環境下にあるパワーブロックである第1のモジュール202とは別の制御ブロックである第2のモジュール203に搭載し、両モジュール間を信号線で結ぶようにしている。このようにして、第2のモジュール203は第1のモジュール202に対し温度環境が低くなるよう工夫されている。ところで、図6のように、全てのスイッチ素子の温度をAD入力しマイコンで検出しようとすれば、第1のモジュール203と第2のモジュール202間をつなぐ信号線は温度検出部の総数分だけ必要になり、信号線の本数が増え接続信頼性が悪化し、工作性の悪化および部品の大型化により高価となる。この発明は、このような問題を解決するためになされたもので、複数の発熱箇所を有するスイッチ素子の温度検出において、簡素で安価かつ確実にスイッチ素子温度を検出する温度検出回路及び温度検出装置を提供するものである。この発明に係る温度検出回路は、複数のスイッチ素子により構成されるブリッジ回路の前記スイッチ素子の温度を、前記複数のスイッチ素子のそれぞれに近接して設置された検温素子により検出する温度検出回路であって、前記検温素子に定電流を供給したとき前記検温素子の各々に生じる端子電圧を入力信号として、前記検温素子が検出する最高温度に対応する最大電圧または最小電圧を選択して出力する理想ダイオードを備えている。また、この発明に係る温度検出装置は、モータを制御する複数のスイッチ素子により構成されるブリッジ回路を搭載したパワーブロックと、スイッチ素子のゲートを制御するプリドライバ回路及びマイコンを搭載した制御ブロックとを別々に備え、パワーブロックにはスイッチ素子の温度を検出する請求項1に記載の温度検出回路を搭載し、温度検出回路の出力信号を制御ブロックのマイコンに供給し、マイコンは出力信号に基づいて温度推定、過熱判定を行い、その結果をプリドライバ回路に与えるようにしたものである。この発明によれば、理想ダイオードを温度検出部に配置することによりスイッチ素子の最高温度を簡単に検出できる。また、パワーブロックから制御ブロックへのAD入力線を低減でき、高信頼性かつ安価にスイッチ素子の温度検出が可能となる。さらにまた、温度検出部を直列配線すれば各温度検出部への定電流ばらつきを低減することができ、定電流回路数も低減できる。以下、この発明の実施の形態に係る温度検出回路及び温度検出装置について図に基づいて説明する。なお、図においては、温度検出部を3箇所としているが、6箇所、12箇所等、3箇所以外としてもよく、また、この発明は、この発明の範囲内において、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変更または省略することが可能である。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1に係る温度検出回路の回路構成を示す図である。図において、検温素子である温度検出用ダイオード素子7~9の各々は、モータ制御を行なうスイッチ素子図示省略のチップ上に構成されている。温度検出用ダイオード素子7~9の各々は、抵抗25~27を介して定電流源1~3に接続されている。温度検出用ダイオード素子7~9と抵抗25~27の直列回路の一端はそれぞれ理想ダイオード101~103に接続されている。理想ダイオード101~103はそれぞれ、オペアンプ13~15とダイオード16~18で構成されている。温度検出用ダイオード素子7~9側からの信号はオペアンプ13~15の非反転端子に入力されている。オペアンプ13~15の反転端子は相互に接続された出力端子となって後段のAD変換器へ接続されるが、この出力端子には、抵抗40を介して電圧Vc2が印加されている。次に動作を説明する。検温素子は3個設けられているが、その一つについて詳しく説明し、同じ動作の他の二つについては詳しい説明は省略する。まず、理想ダイオード101の入力電圧Vi1の温度特性について述べる。図1において、定電流源1より供給される定電流I1は抵抗25及び温度検出用ダイオード素子7に与えられる。このとき、抵抗25の抵抗値をR25とすると、抵抗25での電圧降下VR25はVR25=R25×I1で表され、R25及びI1が温度に対して変化しなければ、VR25も温度に対して変化しない。ところで、図1では検温素子として負の温度特性を持つ温度検出用ダイオード素子7を用いており、被温度検出部のスイッチ素子が高温になるほど温度検出用ダイオード素子7による電圧降下VF7は小さくなる。これより、抵抗25と温度検出用ダイオード素子7との直列回路で発生する電圧降下Vi1はVi1=VR25VF7となるため、Vi1は高温になるほど低電位となる負の温度特性を呈す。以上は抵抗25及び温度検出用ダイオード素子7についてのみ述べたが、抵抗26及び温度検出用ダイオード素子8、抵抗27及び温度検出用ダイオード素子9についても同様のことが当てはまる。なお、検温素子はNCTサーミスタのように負の温度特性を持つものでもよい。次に、理想ダイオード101の動作について述べる。図1において、理想ダイオード101はオペアンプ13とダイオード16で構成される。オペアンプ13の非反転端子に入力された信号Vi1は反転端子に入力された信号Vminと比較され、オペアンプ13の出力Vo1は以下のようになる。アVi1>VminのときVo1HHigh出力従って、Vi1からの信号はダイオード16で遮断されるためVminへと伝わらない。イVi1≦VminのときVo1=Vi1-Vf16ただし、Vf16はダイオード16の電圧降下従って、Vmin=Vi1となり、Vi1信号はVminへと伝達される。この関係は、抵抗26と温度検出用ダイオード素子8の電圧Vi2と理想ダイオード102及び抵抗27と温度検出用ダイオード素子9の電圧Vi3と理想ダイオード103の関係にも当てはまる。以上より、各理想ダイオード101~103は、これらに加わる電圧Vi1~Vi3のうちの最小電圧、つまり、温度検出用ダイオード7~9で計測したスイッチ素子の温度のうち最高温度に相当する出力電圧をVminとして出力することになる。この種の温度検出においては、最高温度に達しているスイッチ素子があることが判明すれば、理想ダイオード101~103の出力側のVminの信号をAD変換して別のモジュールに設置されたマイコンに加え、温度推定、過熱判定を行ない、それに基づいてスイッチ素子の制御を行なうことができる。本構成によれば、マイコン、CMOS等を使用することなく最小電圧選択回路を構成できるため、高温環境で信頼性を向上させることができ、また、マイコンまたはAD変換器の入力端子数を大幅に削減できる。また、抵抗25~27を例えばレーザートリミング等でトリミングすれば、各検温素子である温度検出用ダイオード素子7~9にばらつきがあっても、特性を揃えることができるため、特性が揃った検温素子を準備する必要がなく、製造が容易である。実施の形態2.図2は、この発明の実施の形態2に係る温度検出回路の回路構成を示す図である。図2では測温部に設置された検温素子に正の温度特性を持つ金属抵抗22~24を用いている。図2において、図1の要素と同等の要素には同一符号をつけて、説明を省略する。金属抵抗22の抵抗値R22は高温になるほど大きくなる。これより、金属抵抗22の端子に発生する電圧降下Vi4はVi4=VR22=R22×I1となるため、Vi4は高温になるほど高電位となる正の温度特性を呈する。なお、検温素子は金属抵抗の代わりにPCTサーミスタのように正の温度特性を持つものでもよい。図2において、オペアンプ13と、図1とは逆向きに接続されたダイオード19とで構成される理想ダイオード104の動作は、図1と逆の特性となり、オペアンプ13の非反転端子に入力された、金属抵抗22の端子からの信号Vi4は、反転端子に入力された信号Vmaxと比較され、出力Vo4は以下となる。ウVi4<VmaxのときVo4LLow出力従って、Vi4からの信号はダイオード19で遮断されるためVmaxへと伝わらない。エVi4≧VmaxのときVo4=Vi4Vf19ただし、Vf19はダイオード19の電圧降下従って、Vmin=Vi4となり、Vi4信号はVmaxへと伝達される。以上より、Vi4~Vi6のうちの最大電圧、つまり、金属抵抗22~24で計測した温度のうち最高温度に相当する出力電圧をVmaxとして出力する。この関係は、金属抵抗23の信号Vi2と理想ダイオード105及び金属抵抗24の信号Vi3と理想ダイオード106の関係にも当てはまる。なお、20、21はダイオード、41は一端が接地された抵抗である。本構成によれば金属抵抗を用いても最大温度を選択できるため、実施の形態1の効果に加えて、設計自由度を向上させることができるという効果がある。なお、実施の形態1のようにトリミング用抵抗を金属抵抗に直列に挿入してもよい。実施の形態3.図3は実施の形態1の理想ダイオード構成に増幅機能を追加したもので、図1の要素と同等の要素には同一符号を付して説明を省略する。すなわち、図1のオペアンプ13~15とダイオード16~18でそれぞれ構成される理想ダイオードの前記オペアンプ13~15の反転入力側に抵抗28~30及び抵抗34~36を付加し、抵抗28と34、抵抗29と35、及び抵抗30と36のそれぞれの接続点がオペアンプ13、14、15の反転入力端子に接続されている。ここで、抵抗28~30をRs、抵抗34~36をRfとすると、オペアンプ13の非反転端子に入力された信号Vi1は反転端子に入力された信号Vi1mと比較され、出力Vo1は以下となる。オVi1>Vi1m=Vmin×Rs/RsRfのとき、Vo1HHigh出力従って、Vi1からの信号はダイオード16で遮断されるためVminへと伝わらない。カVi1≦Vi1m=Vmin×Rs/RsRfのとき、Vo1=Vi1×RsRf/Rs-Vf16ただし、Vf16はダイオード16の電圧降下従って、Vmin=Vi1×RsRf/Rsとなり、Vi1信号はVminへと伝達される。この関係は、抵抗29、35とオペアンプ14及び抵抗30、36とオペアンプ15の関係にも当てはまる。本構成によれば理想ダイオードが信号増幅機能を有するため、Vminとして出力される信号のAD変換時の分解能を、理想ダイオードの増幅度を変えることで任意に設定でき、精度を向上させることができる。実施の形態4.図4はこの発明の実施の形態4に係る温度検出回路を示すもので、図1~図3の要素と同等の要素には同一符号を付している。検温素子である温度検出用ダイオード素子7~9及び抵抗25~27は直列に接続され、一個の定電流源1から電流が供給される。抵抗25~27の一端はバッファ42~44を通して理想ダイオードに接続される。各理想ダイオードは、オペアンプ13~15とダイオード19~21で構成され、差動増幅機能をもたせるため抵抗28~33、抵抗34~39が接続されている。抵抗31と37の接続点、抵抗32と38の接続点、及び抵抗33と39の接続点はそれぞれオペアンプ13~15の非反転入力端子に接続されている。この構成において、抵抗28~33をRs、抵抗34~39をRfとすると、オペアンプ13の非反転端子に入力された信号Vi2pは反転端子に入力された信号Vi1mと比較され、出力Vo1は以下となる。キVi2p=Rs×VrRf×V2/RsRf<Vi1m=Rs×VminRf×V1/RsRfのとき、Vo1LLow出力従って、Vi1、Vi2からの信号はダイオード19で遮断されるためVmaxへと伝わらない。クVi2p=Rs×VrRf×V2/RsRf≧Vi1m=Rs×VminRf×V1/RsRfのとき、Vo1=-Vi1-Vi2×Rf/RsVrVf19ただし、Vf19はダイオード19の電圧降下従って、Vmax=-Vi1-Vi2×Rf/RsVrとなり、Vi1、Vi2の差動信号はVmaxへと伝達される。この関係は、オペアンプ14及びオペアンプ15の関係にも当てはまる。本構成によれば信号増幅器能を有するため、AD変換時の分解能を任意に設定でき、精度を向上させることができるとともに、定電流源を一つで構成できるため各ダイオードに供給される電流のばらつきを低減することができる。さらに、定電流回路数の削減と定電流回路に伴う信号線の削減により、安価で高信頼性な温度選択回路を得ることができる。なお、Rs、Rfの抵抗値を最適化し、I1に対し十分少ない消費電流とすればバッファ42~44を省略してもよい。実施の形態5.図5は実施の形態1~4に示したような温度検出回路を用いた温度検出装置の回路構成を示すものである。5図において、パワーブロックを形成する第1のモジュール202に搭載された、モータ201駆動用スイッチ素子107~112の各々のチップ上には、検温素子である温度検出用ダイオード素子7~12が構成されている。温度検出用ダイオード素子7~12は直列に接続され、一つの定電流源1から定電流が供給される。温度検出用ダイオード素子7~9の各々の出力信号は、図1あるいは図3に示した理想ダイオードを用いた最小電圧選択回路113に入力される。もちろん、最小電圧選択回路113の代わりに、図2あるいは図4に示す最大電圧選択回路を用いてもよい。第1のモジュール202とは別の、制御ブロックを構成する第2のモジュール203にマイコンが搭載され、温度推定114及び過熱判定115が行なわれ、これに基づいてブリッジ制御116を行なう。さらに、プリドライバ回路117がスイッチ素子107~112のゲート回路を制御することにより、スイッチ素子107~112の過熱を防止する。第2のモジュール203に搭載されたマイコンには、最小電圧選択回路113で選択された1本の信号線からVmin信号が供給され、AD変換を行なって温度推定114などの処理を行う。一般にマイコン及びAD変換器は高温環境下では信頼性が著しく劣化するため、比較的温度環境の低い箇所に搭載する必要がある。図5では温度推定114及び過熱判定115を行なうマイコンを、高温環境下にある第1のモジュール202とは別の第2のモジュール203に搭載し、両モジュール間を信号線で結ぶようにしている。このようにして、マイコン及びAD変換器の温度環境が低くなるよう工夫されている。この実施の形態5では、図5のように、全てのスイッチ素子の温度をAD入力しマイコンで検出することなく、最高温度を選択して、1本の信号線で第2のモジュール203と第1のモジュール202間をつなぐだけでよいから、信号線の本数を低減でき、製造が容易となり、部品の小型化並びに低コストを実現できる。