"サブフィールド駆動法により画像の階調表示を行うプラズマディスプレイパネルを備え、前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を有し、前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを有し、前記保護層は、前記誘電体層上に形成された下地層および前記下地層の全面に亘って分散配置した複数の凝集粒子を含み、前記凝集粒子は、複数の凝集した金属酸化物結晶粒子からなり、さらに、右目用画像信号を表示する右目用フィールドおよび左目用画像信号を表示する左目用フィールドによって画像を構成し、前記右目用フィールドおよび前記左目用フィールドは、複数のサブフィールドを有し、所定の階調以上において、前記右目用フィールドおよび前記左目用フィールドにおける最後に配置されたサブフィールドを除く、少なくとも一つ以上のサブフィールドにより階調が表示される、プラズマディスプレイ装置。サブフィールド駆動法により画像の階調表示を行うプラズマディスプレイパネルを備え、前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前記前面板と対向配置された背面板と、を有し、前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを有し、前記保護層は、前記誘電体層上に形成された下地層と、前記下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第1の粒子と、前記下地層の全面に亘って分散配置した複数個の第2の粒子と、を含み、前記第1の粒子は、金属酸化物結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子であり、前記第2の粒子は、酸化マグネシウムからなる立方体形状の結晶粒子であり、さらに、右目用画像信号を表示する右目用フィールドおよび左目用画像信号を表示する左目用フィールドによって画像を構成し、前記右目用フィールドおよび前記左目用フィールドは、複数のサブフィールドを有し、所定の階調以上において、前記右目用フィールドおよび前記左目用フィールドにおける最後に配置されたサブフィールドを除く、少なくとも一つ以上のサブフィールドにより階調が表示される、プラズマディスプレイ装置。前記サブフィールドは、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電により選択された放電セルに維持放電を発生させる維持期間とを有し、前記所定の階調以上を表示する場合は前記右目用フィールドおよび前記左目用フィールドの最後に配置されたサブフィールドの書込み放電を発生させない、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。前記凝集粒子の平均粒径は0.9μm以上2.0μm以下である、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。前記金属酸化物結晶粒子は、7面以上の面を有する多面体形状である、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。前記下地層は、酸化マグネシウムを含む、請求項1または2のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。[1.PDP1の構成]PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオンNeおよびキセノンXeなどの放電ガスが53kPa400Torr~80kPa600Torrの圧力で封入されている。前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6とブラックストライプ7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成される。さらに誘電体層8の表面に酸化マグネシウムMgOなどからなる保護層9が形成されている。走査電極4および維持電極5は、それぞれインジウム錫酸化物ITO、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnOなどの導電性金属酸化物からなる透明電極上にAgからなるバス電極が積層されている。背面ガラス基板11上には、表示電極6と直交する方向に、銀Agを主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極12が、互いに平行に配置されている。データ電極12は、下地誘電体層13に被覆されている。さらに、データ電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝には、データ電極12毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15、緑色に発光する蛍光体層15および青色に発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。表示電極6とデータ電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。なお、本実施の形態において、放電空間16に封入する放電ガスは、10体積以上30体積以下のXeを含む。図2に示すように、PDP1は、長辺方向に延伸して配列されたn本の走査電極SC1~SCnを有する。さらに、PDP1は、長辺方向に延伸して配列されたn本の維持電極SU1~SUnを有する。PDP1は、短辺方向に延伸して配列されたm本のデータ電極D1~Dmを有する。走査電極SC1および維持電極SU1とデータ電極D1とが交差した部分に放電セルが形成されている。放電セルは放電空間内にm×n個形成されている。放電セルが配置された領域が画像表示領域である。走査電極および維持電極は、前面板の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子に接続されている。データ電極は、背面板の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子に接続されている。[2.プラズマディスプレイ装置100の構成]図3に示すように、プラズマディスプレイ装置100は、PDP1、画像信号処理回路21、データ電極駆動回路22、走査電極駆動回路23、維持電極駆動回路24、タイミング発生回路25および電源回路図示せずを備えている。画像信号処理回路21は、右目用画像信号と左目用画像信号とをフィールド毎に交互に入力する。さらに、画像信号処理回路21は、入力した右目用画像信号をサブフィールド毎の発光または非発光を示す右目用画像データに変換する。さらに、画像信号処理回路21は、左目用画像信号をサブフィールド毎の発光または非発光を示す左目用画像データに変換する。データ電極駆動回路22は、右目用画像データおよび左目用画像データをデータ電極D1~データ電極Dmのそれぞれに対応する書込みパルスに変換する。さらに、データ電極駆動回路22は、データ電極D1~データ電極Dmのそれぞれに書込みパルスを印加する。タイミング発生回路25は、水平同期信号Hおよび垂直同期信号Vに基づいて各種のタイミング信号を発生し、各駆動回路ブロックに供給している。また、シャッタ眼鏡のシャッタを開閉するタイミング信号をタイミング信号出力部に出力する。タイミング信号出力部図示せずは、LED等の発光素子を用いてタイミング信号を、例えば赤外線の信号に変換してシャッタ眼鏡図示せずに供給する。走査電極駆動回路23はタイミング信号に基づいて走査電極のそれぞれに駆動電圧波形を供給する。維持電極駆動回路24はタイミング信号に基づいて維持電極に駆動電圧波形を供給する。シャッタ眼鏡図示せずは、タイミング信号出力部図示せずから出力されたタイミング信号を受信する受信部と右目用液晶シャッタRおよび左目用液晶シャッタLを有する。さらに、シャッタ眼鏡図示せずは、タイミング信号に基づいて右目用液晶シャッタRおよび左目用液晶シャッタLを開閉する。本実施の形態において、1フィールドは、一例として、5つのサブフィールドSF1、SF2、SF3、SF4、およびSF5から構成される。フィールドの最初に配置されたサブフィールドであるSF1の初期化期間では、強制初期化動作が行われる。SF1以降に配置されたサブフィールドであるSF2~SF5の初期化期間では選択初期化動作が行われる。また、SF1の輝度重みは16である。SF2の輝度重みは8である。SF3の輝度重みは4である、SF4の輝度重みは2である。SF5の輝度重みは1である。つまり、SF1に輝度重みの最も大きいサブフィールドが配置されている。し、SF1以降、輝度重みの大きいサブフィールドから順に配置されている。フィールドの最後には、輝度重みが最も小さいサブフィールドが配置されている。[3.PDP1の駆動方法]図4に示すように本実施の形態におけるPDP1は、サブフィールド駆動法により駆動される。サブフィールド駆動法では、1フィールドが複数のサブフィールドにより構成される。サブフィールドは、初期化期間と、書込み期間と、維持期間とを有する。初期化期間は放電セルにおいて初期化放電を発生させる期間である。書込み期間は、初期化期間のあと、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる期間である。維持期間は、書込み期間において選択された放電セルに維持放電を発生させる期間である。[3-1-1.初期化期間]第1サブフィールドの初期化期間では、データ電極D1~Dmおよび維持電極SU1~SUnが0Vに保持される。また、走査電極SC1~SCnに対して放電開始電圧以下となる電圧Vi1Vから放電開始電圧を超える電圧Vi2Vに向かって緩やかに上昇するランプ電圧が印加される。すると、全ての放電セルにおいて1回目の微弱な初期化放電が発生する。初期化放電によって、走査電極SC1~SCn上に負の壁電圧が蓄えられる。維持電極SU1~SUn上およびデータ電極D1~Dm上に正の壁電圧が蓄えられる。壁電圧とは保護層9や蛍光体層15上などに蓄積した壁電荷により生じる電圧である。その後、維持電極SU1~SUnが正の電圧Ve1Vに保たれる。走査電極SC1~SCnに電圧Vi3Vから電圧Vi4Vに向かって緩やかに下降するランプ電圧が印加される。すると、すべての放電セルにおいて2回目の微弱な初期化放電が発生する。走査電極SC1~SCn上と維持電極SU1~SUn上との間の壁電圧が弱められる。データ電極D1~Dm上の壁電圧が書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して強制的に初期化放電を行う強制初期化動作が終了する。[3-1-2.書込み期間]続く書込み期間では、維持電極SU1~SUnに電圧Ve2が印加される。走査電極SC1~SCには電圧Vcが印加される。次に、走査電極SC1に負の走査パルス電圧VaVが印加される。さらに、データ電極D1~Dmのうち1行目に表示すべき放電セルのデータ電極Dkk=1~mに正の書込みパルス電圧VdVが印加される。このときデータ電極Dkと走査電極SC1との交差部の電圧は、外部印加電圧Vd-VaVにデータ電極Dk上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧とが加算されたものとなる。つまり、データ電極Dkと走査電極SC1との交差部の電圧は、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Dkと走査電極SC1との間および維持電極SU1と走査電極SC1との間に書込み放電が発生する。書込み放電が発生した放電セルの走査電極SC1上には正の壁電圧が蓄積される。書込み放電が発生した放電セルの維持電極SU1上には負の壁電圧が蓄積される。書込み放電が発生した放電セルのデータ電極Dk上には負の壁電圧が蓄積される。一方、書込みパルス電圧VdVが印加されなかったデータ電極D1~Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えない。よって、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作がn行目の放電セルに至るまで順次行われる。書込み期間の終了は、n行目の放電セルの書込み動作が終了したときである。[3-1-3.維持期間]続く維持期間では、走査電極SC1~SCnには第1の電圧として正の維持パルス電圧VsVが印加される。維持電極SU1~SUnには第2の電圧として接地電位、すなわち0Vが印加される。このとき書込み放電が発生した放電セルにおいては、走査電極SCi上と維持電極SUi上との間の電圧は維持パルス電圧VsVに走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が発生する。維持放電により発生した紫外線により蛍光体層が励起されて発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積される。維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。データ電極Dk上には正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは、維持放電は発生しない。よって、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極SC1~SCnには第2の電圧である0Vが印加される。維持電極SU1~SUnには第1の電圧である維持パルス電圧VsVが印加される。すると、維持放電が発生した放電セルでは、維持電極SUi上と走査電極SCi上との間の電圧が放電開始電圧を超える。したがって、再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に維持放電が発生する。つまり、維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積される。走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1~SCnと維持電極SU1~SUnとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルス電圧VsVが印加されることにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。所定の数の維持パルス電圧VsVの印加が完了すると維持期間における維持動作が終了する。維持期間の最後には電圧Vrに向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧が走査電極SC1~SCnに印加される。データ電極Dk上には、正の壁電圧を残したまま、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。こうして維持期間における維持動作が終了する。[3-1-4.第2サブフィールド以降]選択初期化動作を行うSF2の初期化期間では、維持電極SU1~SUnに電圧Ve1が印加される。データ電極D1~Dmに電圧0Vが印加される。走査電極SC1~SCnには電圧Vi4に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧が印加される。すると直前のサブフィールドであるSF1で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Dkに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Dk上に十分な正の壁電圧が蓄積されている。壁電圧の過剰な部分が放電されることにより、書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電圧が保たれる。選択初期化動作は、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み動作を行った放電セル、したがって維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。続く書込み期間の動作はSF1の書込み期間の動作と同様である。よって詳細な説明は省略される。続く維持期間の動作も、維持パルスの数を除いてSF1の維持期間の動作と同様である。続くSF3~SF5の動作は、維持パルスの数を除いてSF2の動作と同様である。なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、一例として、電圧Vi1=145V、電圧Vi2=335V、電圧Vi3=190V、電圧Vi4=-160V、電圧Va=-180V、電圧Vc=-35V、電圧Vs=190V、電圧Vr=190V、電圧Ve1=125V、電圧Ve2=130V、電圧Vd=60Vである。これらの電圧値は、PDP1の特性やプラズマディスプレイ装置100の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定し得る。[3-1-5.サブフィールド構成]図5に示すように、本実施の形態においては立体画像を表示するために、フィールド周波数は通常の2倍の120Hzに設定されている。さらに、右目用フィールドと左目用フィールドとが交互に配置される。シャッタ眼鏡の右目用液晶シャッタRおよび左目用液晶シャッタLは、タイミング信号出力部から出力されるタイミング信号を受信して、シャッタ眼鏡を以下のように制御する。シャッタ眼鏡の右目用液晶シャッタRは、右目用フィールドのSF1の書込み期間の開始に同期してシャッタを開き、左目用フィールドのSF1の書込み期間の開始に同期してシャッタを閉じる。また左目用液晶シャッタLは、左目用フィールドのSF1の書込み期間の開始に同期してシャッタを開き、右目用フィールドのSF1の書込み期間の開始に同期してシャッタを閉じる。このようにサブフィールドを配置するとともにシャッタ眼鏡を制御することにより、右目用画像と左目用画像とのクロストークが抑制される。また、書込み放電を安定させて、品質の高い立体画像を表示することができる。蛍光体の残光の強さは、蛍光体の発光時の輝度に比例する。また、蛍光体の残光の強さは、一定の時定数で減衰する。維持期間における発光輝度は輝度重みの大きいサブフィールドほど高い。よって、残光を弱くするためにはフィールドの早い時期に輝度重みの大きいサブフィールドを配置することが望ましい。したがって本実施の形態においては、残光によるクロストークの抑制のため、輝度重みの最も大きいサブフィールドから輝度重みが軽いサブフィールドへ順番に配置されている。[3-1-6.階調表示方法]図6に示すように、表示すべき階調とそのときのサブフィールドの書込み動作の有無との関係以下、コーディングと称するにおいて、1は書込み動作が行われることを示す。0は書込み動作が行われないことを示す。上述したコーディングに従って、例えば階調0、すなわち黒を表示する放電セルでは、SF1~SF5の全てのサブフィールドで書込み動作が行われない。するとその放電セルは一度も維持放電せず、輝度は最も低くなる。また階調1を表示する放電セルでは、輝度重み1をもつサブフィールドであるSF5でのみ書込み動作が行われる。さらに、SF1~SF4では書込み動作が行われない。したがって、その放電セルは、輝度重み1に応じた回数の維持放電を発生することによって1の明るさを表示される。また階調7を表示する放電セルでは輝度重み4をもつSF3と、輝度重み2をもつSF4と、輝度重み1をもつSF5とで書込み動作が行われる。するとその放電セルはSF3の維持期間に輝度重み4に応じた回数の維持放電が発生する。SF4の維持期間には、輝度重み2に応じた回数の維持放電が発生する。SF5の維持期間には、輝度重み1に応じた回数の維持放電が発生する。よって、合計で7の明るさが表示される。他の階調の表示も同様である。つまり、図6に示すコーディングに従い、それぞれのサブフィールドにおける書込み動作の有無によって維持放電の有無が制御される。本実施の形態においては、図6に示すように、あらかじめ定められた閾値である階調16以上の階調を表示する放電セルでは、フィールドの最後に配置されたサブフィールドであるSF5で書込み動作をしないように制御されている。つまりこのようなコーディングを用いることにより右目用画像と左目用画像とのクロストークをさらに抑制することができる。SF5はフィールドの最後に配置されるサブフィールドであり、図7に示したように維持期間終了からシャッタの切換時刻までの間の時間が最も短いサブフィールドである。上述したように、蛍光体の残光の強さは蛍光体の発光時の輝度に比例し、一定の時定数で減衰するという特性を示す。そのため、輝度重みが最も小さくフィールドの最後に配置されるSF5は、表示輝度に対する寄与が小さい割には残像に対する寄与が大きいサブフィールドである。そのため閾値以上の階調で発光させる放電セルでは、輝度重みが最も小さくフィールドの最後に配置されるサブフィールドSF5の書込み動作をしないことで、表示画像に大きな影響を与えることなく残像を効果的に抑制することができる。したがって、より高品質の立体画像を表示することができる。なお、図6に示したコーディングによれば、例えば、階調17、19、21などの階調が表示できない。しかし、例えば誤差拡散法やディザ法を用いて画像信号処理を行うことで擬似的にこれらの階調を表示することができる。なお上記では、閾値以上の階調を表示する際に、輝度重みが最も小さくフィールドの最後に配置されるSF5のみでの書込み動作をしないコーディングについて説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではない。つまり、階調表示に複数の閾値が設けられる場合がある。その場合、以下のように設定することもできる。一例として、第1の閾値以上では、フィールドの最後に配置されるサブフィールドと最後から2番目のサブフィールドの書き込み動作をしないように設定される。第2の閾値以上ではフィールドの最後に配置されるサブフィールドの書き込み動作をしないように設定される。[4.PDP1の製造方法][4-1.前面板2の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。図8に示すように、走査電極4および維持電極5は、導電性を確保するための銀Agを含む金属バス電極4b、5bを有する。また、走査電極4および維持電極5は、透明電極4a、5aを有する。金属バス電極4bは、透明電極4aに積層される。金属バス電極5bは、透明電極5aに積層される。透明電極4a、5aの材料には、透明度と電気伝導度を確保するためITOなどが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ITO薄膜が前面ガラス基板3に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極4a、5aが形成される。金属バス電極4b、5bの材料には、銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む金属バス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、金属バス電極ペーストが、前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、金属バス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、金属バス電極ペーストが露光される。次に、金属バス電極ペーストが現像され、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極4b、5bが形成される。ブラックストライプ7は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、誘電体層8となる膜を形成することもできる。次に、誘電体層8上に保護層9が形成される。保護層9の詳細は、後述される。以上の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成を有する前面板2が完成する。[4-2.背面板10の製造方法]フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、データ電極12が形成される。データ電極12の材料には、導電性を確保するための銀Agと銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、データ電極12が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極12が形成された背面ガラス基板11上にデータ電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットがする。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVDChemicalVaporDeposition法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットがする。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。[4-3.前面板2と背面板10との組立方法]次に、前面板2と、背面板10とが組み立てられる。まず、ディスペンス法によって、背面板10の周囲に封着材図示せずが形成される。封着材図示せずの材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極6とデータ電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。[5.誘電体層8の詳細]誘電体材料は、以下の成分を含む。酸化ビスマスBi2O3が20重量~40重量、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも1種が0.5重量~12重量、酸化モリブデンMoO3、酸化タングステンWO3、酸化セリウムCeO2、二酸化マンガンMnO2から選ばれる少なくとも1種が0.1重量~7重量、酸化亜鉛ZnOが0重量~40重量、酸化硼素B2O3が0重量~35重量、二酸化硅素SiO2が0重量~15重量、酸化アルミニウムAl2O3が0重量~10重量である。誘電体材料は、実質的に鉛成分を含まない。また、誘電体層8の膜厚は、40μm以下である。誘電体層8の比誘電率εは、4以上7以下である。誘電体層8の比誘電率εが4以上7以下である効果は、後述される。これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm~2.5μmとなるように粉砕されて誘電体材料粉末が作製される。次にこの誘電体材料粉末55重量~70重量と、バインダ成分30重量~45重量とが三本ロールでよく混練してダイコート用、または印刷用の第1誘電体層用ペーストが完成する。バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量~20重量を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノールKaoコーポレーション社製品名、アルキルアリル基のリン酸エステルなどが添加されてもよい。分散剤が添加されると、印刷性が向上される。[6.保護層9の詳細]保護層には、主に4つの機能がある。1つめは、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護することである。2つめは、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することである。3つめは、放電を発生させるための電荷を保持することである。4つめは、維持放電の際に二次電子を放出することである。イオン衝撃から誘電体層が保護されることにより、放電電圧の上昇が抑制される。初期電子放出数が増加することにより、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスが低減される。電荷保持性能が向上することにより、印加電圧が低減される。二次電子放出数が増加することにより、維持放電電圧が低減される。初期電子放出数を増加させるために、たとえば保護層のMgOに珪素SiやアルミニウムAlを添加するなどの試みが行われている。しかし、MgOに不純物を混在させることにより、初期電子放出性能を改善した場合、保護層に蓄積された電荷が時間と共に減少する減衰率が大きくなってしまう。よって、減衰した電荷を補うために印加電圧を大きくするなどの対策が必要になる。保護層は、高い初期電子放出性能を有するとともに、電荷の減衰率を小さくする、すなわち高い電荷保持性能を有するという、相反する二つの特性を併せ持つことが要求されている。さらに、右目用フィールドと左目用フィールドとを交互に繰り返して表示するような書込み期間の短い高速駆動時に、放電遅れが生じると書込み不良、つまり画像のちらつきが発生する。[6-1.保護層9の構成]図9に示すように、保護層9は、下地層である下地膜91と第1の粒子である凝集粒子92と第2の粒子である結晶粒子93とを含む。下地膜91は、一例として、アルミニウムAlを不純物として含有する酸化マグネシウムMgO膜である。凝集粒子92は、MgOの結晶粒子92aに、結晶粒子92aより粒径の小さい結晶粒子92bが複数個凝集したものである。結晶粒子93は、MgOからなる立方体形状の結晶粒子である。形状は走査型電子顕微鏡SEMによって確認することができる。本実施の形態においては、複数個の凝集粒子92が、下地膜91の全面に亘って分散配置されている。複数個の結晶粒子93が、下地膜91の全面に亘って分散配置されている。結晶粒子92aは平均粒径が0.9μm~2μmの範囲の粒子である。結晶粒子92bは平均粒径が0.3μm~0.9μmの範囲の粒子である。なお、本実施の形態において、平均粒径とは、体積累積平均径D50のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置MT-3300日機装株式会社製が用いられた。図10に示すように、保護層9の表面は、下地膜91上に、多面体形状の結晶粒子92aに多面体形状の結晶粒子92bが数個凝集した凝集粒子92と、立方体形状の結晶粒子93とが分散配置されている。立方体形状の結晶粒子93には、粒径が約200nmの粒子と、粒径が100nm以下のナノ粒子サイズの粒子とが存在する。実際のPDP1の観察によると、立方体形状の結晶粒子93どうしが凝集しているもの、多面体形状の結晶粒子92aまたは多面体形状の結晶粒子92b、あるいは多面体形状の結晶粒子92a、92bの凝集粒子92に、MgOの立方体形状の結晶粒子93が付着しているものが存在していた。また、多面体形状の結晶粒子92a、92bは、液相法により作製された。立方体形状の結晶粒子93は、気相法により作製された。なお立方体形状とは幾何学的な意味での厳密な立方体を指すものではない。電子顕微鏡写真を目視で観察することによりおおよそ立方体と認識可能な形状を指す。なお多面体形状とは、電子顕微鏡写真を目視で観察することによりおおよそ7面以上の面を有すると認識可能な形状を指す。[6-2.凝集粒子92]凝集粒子92とは、図11に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子92a、92bが複数個凝集した状態のものである。あるいは、凝集粒子92は、所定の一次粒径の結晶粒子92aが複数個凝集した状態のものである。凝集粒子92は、固体として強い結合力によって結合しているのではない。凝集粒子92は、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合したものである。また、凝集粒子92は、超音波などの外力により、その一部または全部が一次粒子の状態に分解する程度の力で結合している。凝集粒子92の粒径としては、約1μm程度のもので、結晶粒子92a、92bとしては、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有する。また、結晶粒子92a、92bは、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのMgO前駆体の溶液を焼成することにより生成する液相法により作製された。液相法による焼成温度や焼成雰囲気を調整することにより、粒径の制御ができる。焼成温度は700°C程度から1500°C程度の範囲で選択できる。焼成温度が1000°C以上では、一次粒径を0.3~2μm程度に制御可能である。結晶粒子92a、92bは液相法による生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集した凝集粒子92の状態で得られる。一方、立方体形状の結晶粒子93は、マグネシウムを沸点以上に加熱してマグネシウム蒸気を発生させ、気相酸化する気相法により得られるものである。粒径が200nm以上BET法による測定結果の立方体形状の単結晶構造を有する結晶粒子や、結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造のものが得られる。例えば、この気相法によるマグネシウム粉末の合成方法については、学会誌材料の第36巻第410号の気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質などで知られている。なお、平均粒径が200nm以上の立方体形状の単結晶構造の結晶粒子を形成する場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くし、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さを長くする。火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、より粒径の大きい気相法によるMgOの結晶粒子が得られる。多面体形状の結晶粒子92a、92bと、立方体形状の結晶粒子93について、カソードルミネッセンスCL発光特性が測定された。図12に示すように、細い実線がMgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bの発光強度、すなわち凝集粒子92のカソードルミネッセンス発光強度である。太い実線がMgOの立方体形状の結晶粒子93のカソードルミネッセンス発光強度である。図12に示すように、多面体形状の結晶粒子92a、92bが数個凝集した凝集粒子92は、波長200nm以上300nm以下、特に波長230nm以上250nm以下の波長領域に発光強度のピークを有する。MgOの立方体形状の結晶粒子93は、波長200nm以上300nm以下の波長領域に発光強度のピークを有さない。しかし波長400nm以上450nm以下の波長領域に発光強度のピークを有する。すなわち、下地膜91上に付着させた、MgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bが数個凝集した凝集粒子92と、MgOの立方体形状の結晶粒子93とは、発光強度ピークの波長に対応したエネルギー準位を有する。[7.試作品評価結果][7-1.試作品の構成]まず、構成の異なる保護層を有する複数のPDPが試作された。試作品1は、MgO膜のみからなる保護層を有するPDPである。試作品2は、Al,Siなどの不純物がドープされたMgOにのみからなる保護層を有するPDPである。試作品3は、MgOからなる下地膜91上に金属酸化物からなる結晶粒子の一次粒子のみが分散配置されたPDPである。試作品4は、MgOからなる下地膜91上に、同等の粒径を有するMgOの結晶粒子同士を凝集させた凝集粒子92を全面に亘って分布するように付着させたPDP1である。つまり、試作品4は、複数個の凝集粒子92が下地膜91上に、全面に亘って分散配置されたPDP1である。試作品5は、MgOからなる下地膜91上に、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にあるMgOの結晶粒子92aの周囲に、結晶粒子92aよりも小さい粒径を有するMgOの結晶粒子92bが凝集した多面体形状の凝集粒子92と、立方体形状のMgOの結晶粒子93とを全面に亘って分布するように付着させた保護層9を有する。PDPである。つまり、試作品5は、複数個の凝集粒子92と、複数個の結晶粒子93とが下地膜91上に、全面に亘って分散配置されたPDP1である。なお、複数個の凝集粒子92と、複数個の結晶粒子93とが下地膜91上に、全面に亘って均一に分散配置されたPDP1は、より好ましい。PDP1の面内で放電特性のばらつきを抑制できるからである。[7-2.性能評価]これらの5種類の保護層の構成を有するPDPについて、電子放出性能と電荷保持性能が測定された。なお、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値である。電子放出性能は、放電の表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量として表現される。初期電子放出量は、表面にイオンあるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できる。しかし、非破壊で実施することが困難である。そこで、特開2007-48733号公報に記載されている方法が用いられた。つまり、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値が測定された。統計遅れ時間の逆数を積分することにより、初期電子の放出量と線形対応する数値になる。放電時の遅れ時間とは、書込み放電パルスの立ち上がりから書込み放電が遅れて発生するまでの時間である。放電遅れは、書込み放電が発生する際のトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。また、電荷保持性能は、その指標として、PDPとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧以下Vscn点灯電圧と称するの電圧値が用いられた。すなわち、Vscn点灯電圧の低い方が、電荷保持能力が高いことを示す。Vscn点灯電圧が低いと、PDPが低電圧で駆動できる。よって、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子には、耐圧150V程度の素子が使用されている。Vscn点灯電圧としては、温度による変動を考慮し、120V以下に抑えることが望ましい。図13から明らかなように、試作品4、5は、電荷保持性能の評価において、Vscn点灯電圧を120V以下にすることができた。試作品4、5は、しかも電子放出性能は6以上の良好な特性を得ることができた。一般的にはPDPの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の成膜条件の変更、あるいは、保護層中にAlやSi、Baなどの不純物をドーピングして成膜することにより、電子放出性能を向上することは可能である。しかし、副作用としてVscn点灯電圧も上昇してしまう。本実施の形態の保護層を有するPDPにおいては、電子放出能力としては、6以上の特性で、電荷保持能力としてはVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることができる。すなわち、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるPDPに対応できるような電子放出能力と電荷保持能力の両方を備えた保護層を得ることができる。ここで、保護層9の電子放出性能の経時変化について検討した結果について述べる。PDPの長寿命化のためには、保護層9の電子放出性能が経時的に劣化しないことが要求される。図13において良好な特性を得た試作品4、5の電子放出性能の経時劣化を調べた結果として、PDPの点灯時間に対する電子放出性能の推移を図14に示している。図14に示すように、MgOを含む下地膜91上に、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にあるMgOの結晶粒子92aの周囲に、結晶粒子92aよりも小さい粒径を有するMgOの結晶粒子92bが凝集した多面体形状の凝集粒子92と、立方体形状のMgOの結晶粒子93とを全面に亘って分散配置した試作品5は、試作品4よりも、電子放出性能の経時劣化が少ない。試作品4では、PDPセル内での放電で発生するイオンが保護層に衝撃を与えることで、凝集粒子92が剥離したと推測される。一方、試作品5では、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にあるMgOの結晶粒子92aの周囲に、さらに小さい平均粒径を有するMgOの結晶粒子92bが凝集している。つまり、小さい粒径を有する結晶粒子92bは表面積が大きいため、下地膜91との接着性を高めており、イオン衝撃により凝集粒子92が剥離することが少ないと推測される。試作品5のPDPにおいては、電子放出能力としては、6以上の特性で、電荷保持能力としてはVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることができる。すなわち、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるPDPに対応できるような電子放出能力と電荷保持能力の両方を備えた保護層を得ることができる。さらに電子放出性能の経時劣化が小さいため、長期にわたって安定した画質を得ることができる。本実施の形態においては、凝集粒子92と結晶粒子93は、下地膜91上に付着させる場合、10以上20以下の範囲の被覆率でかつ全面に亘って分布するように付着している。被覆率とは、1個の放電セルの領域において、凝集粒子92と結晶粒子93が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したもので、被覆率=a/b×100の式により求めたものである。実際の測定方法は、例えば図15に示すように、隔壁14により区切られた1個の放電セルに相当する領域の画像が撮影される。次に、画像がx×yの1セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに2値化される。次に、2値化されたデータに基づき凝集粒子92および結晶粒子93による黒エリアの面積aを求める。最後に、a/b×100により演算される。次に、多面体形状の結晶粒子92a、92bと立方体形状の結晶粒子93とを付着させた保護層を有するPDPの効果を確認するために、さらに試作品を作製し、維持放電電圧を調べた。図16に示すように、試作品AはMgOによる下地膜91上に200nm以上300nm以下の波長領域にCL発光のピークを有するMgOの結晶粒子92a、92bからなる凝集粒子92のみを散布し、付着させたPDPである。試作品B、Cは、MgOによる下地膜上に平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にあるMgOの多面体形状の結晶粒子92aの周囲に、前記結晶粒子92aよりも小さい粒径を有するMgOの多面体形状の結晶粒子92bが凝集した凝集粒子92と、立方体形状のMgOの結晶粒子93とを全面に亘って分散配置したPDPである。なお、試作品Bと試作品Cは、誘電体層8の比誘電率εが異なる。つまり、試作品Bは、誘電体層8の比誘電率εが9.7程度である。試作品Cは、誘電体層8の比誘電率εが7である。被覆率については、いずれも20以下の13程度である。図16に示すように、試作品B、Cは、試作品Aに対して維持放電電圧を低下させることができる。すなわち、200nm以上300nm以下の波長領域にピークを有するCL発光を行う特性のMgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bの凝集粒子92と、400nm以上450nm以下の波長領域にピークを有するCL発光を行う特性のMgOの立方体形状の結晶粒子93とを付着させた保護層を有するPDPは、維持放電電圧を低下させることができる。すなわち、PDPの低消費電力化を図ることができる。さらに、試作品B、Cの特性から明らかなように、誘電体層8の比誘電率εを小さくした方が、より維持放電電圧を低下させることができる。特に、本発明者らの実験によれば、誘電体層8の比誘電率εを4以上7以下とすることにより、より顕著に効果が得られることがわかった。図17は、保護層において、MgOの凝集粒子92の平均粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。図15において、凝集粒子92の平均粒径は、凝集粒子92をSEM観察することにより測長された。図17に示すように、平均粒径が0.3μm程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得られる。放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層9上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましい。本発明者らの実験によれば、保護層9と密接に接触する隔壁14の頂部に相当する部分に結晶粒子92a、92b、93が存在すると、隔壁14の頂部を破損させる場合がある。この場合、破損した隔壁14の材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯または消灯しなくなる現象が発生することがわかった。隔壁破損の現象は、結晶粒子92a、92b、93が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子数が多くなれば、隔壁14の破損発生確率が高くなる。図18に示すように、粒径が2.5μm程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなる。しかし、2.5μmより小さい粒径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。以上の結果に基づくと、凝集粒子92は、平均粒径が0.9μm以上2.5μm以下のものが望ましいと考えられる。PDPとして実際に量産する場合には、結晶粒子の製造上でのばらつきや保護層を形成する場合の製造上でのばらつきを考慮する必要がある。このような製造上でのばらつきなどの要因を考慮するために、粒径分布の異なる結晶粒子を用いて実験を行った結果、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にある凝集粒子92を使用すれば、上述した効果を安定して得られることがわかった。[8.保護層9の形成方法]図19に示すように、誘電体層8を形成する誘電体層形成工程A1を行った後、下地膜蒸着工程A2では、Alを含むMgOの焼結体を原材料とした真空蒸着法によって、不純物としてAlを含むMgOからなる下地膜91が誘電体層8上に形成される。その後、未焼成の下地膜91上に、複数個の凝集粒子92と、複数個の結晶粒子93が離散的に散布され、付着する。つまり下地膜91の全面に亘って、凝集粒子92と結晶粒子93とが分散配置される。この工程においては、まず、所定の粒径分布を持つ多面体形状の結晶粒子92a、92bを溶媒に混合した凝集粒子ペーストが作製される。また、立方体形状の結晶粒子93を溶媒に混合した結晶粒子ペーストが作製される。つまり、凝集粒子ペーストと結晶粒子ペーストとは別々に準備される。その後、凝集粒子ペーストと結晶粒子ペーストとが混合されることにより、多面体形状の結晶粒子92a、92bと結晶粒子93とを溶媒に混合した混合結晶粒子ペーストが作製される。その後、結晶粒子ペースト塗布工程A3において、混合結晶粒子ペーストが下地膜91上に塗布されることにより、平均膜厚8μm~20μmの混合結晶粒子ペースト膜が形成される。なお、混合結晶粒子ペーストを下地膜91上に塗布する方法として、スクリーン印刷法、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法、スリットコート法なども用いることができる。ここで、凝集粒子ペーストや結晶粒子ペーストの作製に使用する溶媒としては、MgOの下地膜91や凝集粒子92や結晶粒子93との親和性が高く、かつ次工程の乾燥工程A4での蒸発除去を容易にするため常温での蒸気圧が数十Pa程度のものが適している。例えばメチルメトキシブタノール、テルピネオール、プロピレングリコール、ベンジルアルコールなどの有機溶剤単体もしくはそれらの混合溶媒が用いられる。これらの溶媒を含んだペーストの粘度は数mPas~数十mPasである。混合結晶粒子ペーストが塗布された基板は、直ちに乾燥工程A4に移される。乾燥工程A4では、混合結晶粒子ペースト膜が減圧乾燥される。具体的には、混合結晶粒子ペースト膜は真空チャンバ内で、数十秒以内で急速に乾燥される。よって、加熱乾燥では顕著である膜内の対流が発生しない。したがって、凝集粒子92および結晶粒子93がより均一に下地膜91上に付着する。なお、この乾燥工程A4における乾燥方法としては、混合結晶粒子ペーストを作製する際に用いる溶媒などに応じて、加熱乾燥方法を用いてもよい。次に、保護層焼成工程A5では、下地膜蒸着工程A2において形成された未焼成の下地膜91と、乾燥工程A4を経た混合結晶粒子ペースト膜とが、数百°Cの温度で同時に焼成される。焼成によって、混合結晶粒子ペースト膜に残っている溶剤や樹脂成分が除去される。その結果、下地膜91上に複数個の多面体形状の結晶粒子92a、92bからなる凝集粒子92と、立方体形状の結晶粒子93とが付着した保護層9が形成される。この方法によれば、下地膜91に凝集粒子92と結晶粒子93とを全面に亘って分散配置することが可能である。なお、このような方法以外にも、溶媒などを用いずに、粒子群を直接にガスなどと共に吹き付ける方法や、単純に重力を用いて散布する方法などを用いてもよい。なお、所定の粒径分布を持つ多面体形状の結晶粒子92a、92bを溶媒に混合した凝集粒子ペーストのみを用いることにより、下地膜91に結晶粒子92a、92bが凝集した凝集粒子92を全面に亘って分散配置することが可能である。さらに、結晶粒子92aを溶媒に混合した凝集粒子ペーストのみを用いることにより、下地膜91に複数の結晶粒子92aが凝集した凝集粒子92を全面に亘って分散配置することが可能である。[9.まとめ]本実施の形態にかかる第1のプラズマディスプレイ装置100は、はサブフィールド駆動法により画像の階調表示を行うPDP1を備える。PDP1は、前面板2と、前面板2と対向配置された背面板10と、を有する。前面板2は、表示電極6と表示電極6を覆う誘電体層8と誘電体層8を覆う保護層9とを有する。保護層9は、誘電体層8上に形成された下地層である下地膜91および下地膜91の全面に亘って分散配置された複数の凝集粒子92を含む。凝集粒子92は、複数の凝集した金属酸化物の結晶粒子92aからなる。さらに、プラズマディスプレイ装置100は、右目用画像信号を表示する右目用フィールドおよび左目用画像信号を表示する左目用フィールドによって画像を構成する。右目用フィールドおよび左目用フィールドは、複数のサブフィールドを有する。所定の階調以上において、右目用フィールドおよび左目用フィールドにおける最後に配置されたサブフィールドを除く、少なくとも一つ以上のサブフィールドにより階調が表示される。本実施の形態にかかる第2のプラズマディスプレイ装置100は、サブフィールド駆動法により画像の階調表示を行うPDP1を備える。PDP1は、前面板2と、前面板2と対向配置された背面板10と、を有する。前面板2は、表示電極6と表示電極6を覆う誘電体層8と誘電体層8を覆う保護層9とを有する。保護層9は、誘電体層8上に形成された下地膜91と、下地膜91の全面に亘って分散配置された複数個の第1の粒子と、下地層の全面に亘って分散配置された複数個の第2の粒子と、を含む。第1の粒子は、金属酸化物の結晶粒子92aが複数個凝集した凝集粒子92である。第2の粒子は、酸化マグネシウムからなる立方体形状の結晶粒子93である。さらに、プラズマディスプレイ装置100は、右目用画像信号を表示する右目用フィールドおよび左目用画像信号を表示する左目用フィールドによって画像を構成する。右目用フィールドおよび左目用フィールドは、複数のサブフィールドを有する。所定の階調以上において、右目用フィールドおよび左目用フィールドにおける最後に配置されたサブフィールドを除く、少なくとも一つ以上のサブフィールドにより階調が表示される。本実施の形態にかかるプラズマディスプレイ装置100は、高い初期電子放出性能と、高い電荷保持性能を有する。さらに、右目用フィールドと左目用フィールドとを交互に繰り返して表示するような書込み期間の短い高速駆動時に、発生する放電遅れが抑制される。よって書込み不良による画像のちらつきの発生が抑制される。さらに、右目用画像と左目用画像とのクロストークが抑制される。なお、以上の説明では、下地膜91として、MgOを例に挙げた。しかし、下地膜91に要求される性能はあくまでイオン衝撃から誘電体を守るための高い耐スパッタ性能を有することである。従来のPDPでは、一定以上の電子放出性能と耐スパッタ性能という二つを両立させるため、MgOを主成分とした保護層を形成する場合が非常に多かった。本実施の形態においては、電子放出性能が凝集粒子92によって支配的に制御される構成を取るため、MgOである必要は全くなく、Al2O3等の耐衝撃性に優れる他の材料を用いても全く構わない。また、本実施の形態では、単結晶粒子としてMgO粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、MgO同様に高い電子放出性能を持つSr、Ca、Ba、Alなどの金属の酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、粒子種としてはMgOに限定されるものではない。"