"リードフレームの一方の主面上に発光ダイオードチップが搭載され、前記一方の主面側の前記発光ダイオードチップの周囲に、樹脂材料で構成された反射層が形成された構成を具備する発光ダイオードであって、前記反射層は、前記リードフレーム上において前記発光ダイオードチップを囲み、最大高さが前記発光ダイオードチップよりも高く設定された側壁部と、当該側壁部によって囲まれた前記リードフレーム上に形成され、最大高さが前記発光ダイオードチップよりも低く設定され、前記発光ダイオードチップが前記リードフレーム上に搭載される箇所において開口を具備する底面部と、を具備することを特徴とする発光ダイオード。前記リードフレームにおける他方の主面側には貴金属めっき層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード。前記リードフレームには開口部が形成され、前記反射層は、前記開口部を介して前記リードフレームの他方の主面側に達するように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード。前記リードフレームにおける前記開口部の周囲は、前記他方の主面側から薄肉加工が施されていることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオード。前記リードフレームは、第1リードフレームと第2リードフレームで構成され、前記発光ダイオードチップは、前記第1リードフレームと第2リードフレームのいずれかに搭載され、かつ前記発光ダイオードチップから取り出された2つの配線はそれぞれ前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームと接続され、前記底面部は、前記2つの配線と前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームとが接続される箇所における開口を具備することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の発光ダイオード。前記主面側から見て、前記第1リードフレームの一部及び前記第2リードフレームの一部が前記反射層から突出した構成を具備することを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記2つの配線と前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームとが接続される箇所における前記底面部の開口中において、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレーム上に貴金属めっき層が形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の発光ダイオード。前記発光ダイオードチップの周囲の前記側壁部で囲まれた領域に蛍光層が形成されたことを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の発光ダイオード。請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の発光ダイオードを2次元配列した形態で製造する、発光ダイオードの製造方法であって、前記リードフレームが前記2次元配列に対応して配列され、当該2次元配列の外側に外枠部が設けられ、前記リードフレームと前記外枠部とは前記2次元配列の一方向において連結部によって接続され、かつ前記一方向と垂直な他方向においては接続されない構成を具備する集合リードフレームが用いられ、前記集合リードフレーム上において、前記2次元配列に対応した前記反射層を前記一方の主面側にトランスファーモールド成形によって形成する反射層形成工程と、前記2次元配列された前記リードフレーム上に前記発光ダイオードチップを搭載し、当該発光ダイオードチップから取り出された配線を前記リードフレームに接続するチップ搭載工程と、前記他方向において隣接する前記発光ダイオード間の分離を、前記外枠部を前記一方向に沿って切断することによって行う第1切断工程と、前記一方向において隣接する前記発光ダイオード間の分離を、前記連結部を前記他方向に沿って切断することによって行う第2切断工程と、を具備することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。上記の通り、上記の構造においては、発光ダイオードチップ94が発した光のうち、図7中の横方向に発せられた光は、反射層96の内壁で上方に向かって反射される。しかしながら、発光ダイオードチップ94が図7中の下方向に向かって発する光も存在する。この光は、リードフレーム91、92めっき層93の表面に照射される。高い発光効率を得るためには、この光も上方に向かって反射させることが必要である。このためには、リードフレーム金属の表面の反射率を高くすることが必要である。これに対して、例えば銀めっきがされた銅の表面においては、硫化物が形成される場合が多いため、一般には、反射率を高く保つことは困難である。アルミニウムにおいても、はんだ付けが容易なように貴金属めっきが施された表面においては、同様である。また、リードフレームを構成する金属の表面に対して鏡面研磨等の処理を行えば反射率を高めることはできるが、この発光ダイオードの製造時においてこの高い反射率鏡面の状態を維持することは困難である。すなわち、一般的なリードフレームを構成する材料の表面においては、高い反射率を安定して得ることが困難であった。このため、高い発光効率と高い信頼性をもった発光ダイオードを得ることは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の発光ダイオードは、リードフレームの一方の主面上に発光ダイオードチップが搭載され、前記一方の主面側の前記発光ダイオードチップの周囲に、樹脂材料で構成された反射層が形成された構成を具備する発光ダイオードであって、前記反射層は、前記リードフレーム上において前記発光ダイオードチップを囲み、最大高さが前記発光ダイオードチップよりも高く設定された側壁部と、当該側壁部によって囲まれた前記リードフレーム上に形成され、最大高さが前記発光ダイオードチップよりも低く設定され、前記発光ダイオードチップが前記リードフレーム上に搭載される箇所において開口を具備する底面部と、を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードにおいて、前記リードフレームにおける他方の主面側には貴金属めっき層が形成されていることを特徴とする。本発明の発光ダイオードにおいて、前記リードフレームには開口部が形成され、前記反射層は、前記開口部を介して前記リードフレームの他方の主面側に達するように形成されていることを特徴とする。本発明の発光ダイオードにおいて、前記リードフレームにおける前記開口部の周囲は、前記他方の主面側から薄肉加工が施されていることを特徴とする。本発明の発光ダイオードにおいて、前記リードフレームは、第1リードフレームと第2リードフレームで構成され、前記発光ダイオードチップは、前記第1リードフレームと第2リードフレームのいずれかに搭載され、かつ前記発光ダイオードチップから取り出された2つの配線はそれぞれ前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームと接続され、前記底面部は、前記2つの配線と前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームとが接続される箇所における開口を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記主面側から見て、前記第1リードフレームの一部及び前記第2リードフレームの一部が前記反射層から突出した構成を具備することを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記2つの配線と前記第1リードフレーム、前記第2リードフレームとが接続される箇所における前記底面部の開口中において、前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレーム上に貴金属めっき層が形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードは、前記発光ダイオードチップの周囲の前記側壁部で囲まれた領域に蛍光層が形成されたことを特徴とする。本発明の発光ダイオードの製造方法は、前記発光ダイオードを2次元配列した形態で製造する、発光ダイオードの製造方法であって、前記リードフレームが前記2次元配列に対応して配列され、当該2次元配列の外側に外枠部が設けられ、前記リードフレームと前記外枠部とは前記2次元配列の一方向において連結部によって接続され、かつ前記一方向と垂直な他方向においては接続されない構成を具備する集合リードフレームが用いられ、前記集合リードフレーム上において、前記2次元配列に対応した前記反射層を前記一方の主面側にトランスファーモールド成形によって形成する反射層形成工程と、前記2次元配列された前記リードフレーム上に前記発光ダイオードチップを搭載し、当該発光ダイオードチップから取り出された配線を前記リードフレームに接続するチップ搭載工程と、前記他方向において隣接する前記発光ダイオード間の分離を、前記外枠部を前記一方向に沿って切断することによって行う第1切断工程と、前記一方向において隣接する前記発光ダイオード間の分離を、前記連結部を前記他方向に沿って切断することによって行う第2切断工程と、を具備することを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、高い発光効率と高い信頼性をもった発光ダイオードを得ることができる。以下、本発明の実施の形態となる発光ダイオード、及びその製造方法について説明する。この発光ダイオードにおいては、リードフレーム上に発光ダイオードチップが搭載される。また、リードフレーム上には樹脂材料からなる反射層が形成されている。この反射層は、発光ダイオードチップが横方向に発した光を上方に向かって反射させる側壁部と、発光ダイオードチップが下方向に発した光を上方に向かって反射させる底面部とで構成される。また、この発光ダイオードは、基板上にはんだ付けして実装することができる面実装型の発光ダイオードである。図1は、この発光ダイオード10の構成を示す上面からの透視図a、そのA-A方向の断面図b、下面図cである。この発光ダイオード10においては、2分割されたリードフレームである第1リードフレーム111、第2リードフレーム112が用いられる。これらの下面側には、めっき層12が形成されている。第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の上面側には、反射層13が形成されている。また、第2のリードフレーム112には、発光ダイオードチップ14が搭載されている。発光ダイオードチップ14における2つの電極は、それぞれ2本のボンディングワイヤ15によって、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に接続されている。反射層13は、その最大高さが発光ダイオードチップ14の頂面よりも高く、かつ発光ダイオードチップ14の周囲を環状に取り囲む側壁部131と、側壁部131の内側の底部に形成され、その最大高さが発光ダイオードチップ14の頂面よりも低い略平面形状の底面部132で構成される。後述するように、この形状の反射層13は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂をトランスファーモールドすることによって形成することができる。図1abに示されるように、底面部132には、3箇所で開口底面開口133、134、135が形成されている。第2リードフレーム112上の底面開口133中において、発光ダイオードチップ14が第2リードフレーム112上に搭載されている。第1リードフレーム111上の底面開口134、第2リードフレーム112上の底面開口135中においては、ボンディングワイヤ15がそれぞれ第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に接続されている。また、側壁部131が取り囲む内部底面部132上には、蛍光層16が形成されており、発光ダイオードチップ14等はこの蛍光層16内部に封止されている。蛍光層16は、発光ダイオードチップ14が発した単色の光を吸収してこれと異なる波長の光を発する。発光ダイオードチップ14が発した光と蛍光層16が発した光は、共に反射層13側壁部131、底面部132表面で反射され、外部に発せられる。この際、異なる2種類の波長の光が同時にこの発光ダイオード10から発せられ、例えば疑似白色光を発することができる。この構成においては、発光ダイオードチップ14が図1b中の横方向斜め上方に発した光は、反射層13の側壁部131により、上方に向かって反射される。発光ダイオードチップ14が図1b中の下方向水平方向よりも下方向に発した光は、反射層13の底面部132により、上方に向かって反射される、あるいはこの反射光が更に側壁部13で反射されて上方に向かって反射される。なお、発光ダイオードチップ14が図1b中の上方に向かって発した光は、反射層13に当たらずにそのまま上方に発せられる。このように、反射層13を設けることによって、高い発光効率を得ることができる。特に、発光ダイオードチップが下方向に発した光を、従来はリードフレームが反射していたのに対し、この発光ダイオード10においては、底面部132によってこれを反射している。樹脂材料で構成された反射層13の表面状態は安定であり、リードフレーム表面の反射率がその表面状態によって低下するような問題は発生しない。また、後述する製造方法によれば、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面は、この製造工程の初期においてその大部分を反射層13底面部132によって保護される。このため、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面の反射率の劣化も生じにくい。底面部132の表面で反射されずにこれを透過した光は、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面で反射されるが、この際の反射率も高く保つことができる。また、この発光ダイオード10の信頼性を高めるためには、反射層13と第1リードフレーム111、第2リードフレーム112との間が高い機械的強度で接合されていることが必要である。特許文献1に記載の構造と比べて、この発光ダイオード10においては、底面部132の存在によって、反射層13と第1リードフレーム111、第2リードフレーム112との間の接触面積が大きくなる。このために、この機械的強度も高めることができる。この発光ダイオード10が基板上に実装される使用される際には、図1cに示された下面において露出した第1リードフレーム111、第2リードフレーム112がはんだ付けによって基板に接合される。この下面にはめっき層12が形成されているため、このはんだ付けを特に容易に行うことができる。このはんだ付けを行う際には、基板上において、下面側における第1リードフレーム111、第2リードフレーム112がある箇所に充分にはんだが乗っていることが必要である。一般に、この状況を発光ダイオード10の上面側から目視で確認することは困難である。これに対して、上記の発光ダイオード10においては、上面側から見て、反射層13の左右両端に第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の端部がそれぞれ突出している。このため、この突出した箇所におけるはんだの有無を目視で確認することにより、この状況を確認することができる。すなわち、上記の発光ダイオード10をはんだ付けで実装することを容易かつ確実に行うことができる。また、上記の構造においては、図1cに示されるように、その下面側において、第1リードフレーム111,第2リードフレーム112が広い面積で露出している。このため、上記の形態でこの発光ダイオード10が実装された場合には、高い熱伝導率をもつ第1リードフレーム111,第2リードフレーム112を介して基板側へ高効率で放熱がなされる。以下に、この発光ダイオード10を製造する製造方法について説明する。まず、図2は、この発光ダイオード10を製造する際に用いられるリードフレーム11の上面図a、そのB-B方向の断面図bである。断面図bにおける上側の面に発光ダイオードチップ14が搭載される。なお、図2は単一の発光ダイオード10の構成に対応した領域の図であり、実際には、図2に示された構成のリードフレーム11が多数配列されて一体化された構成の集合リードフレームが用いられ、この上に多数の発光ダイオードチップ14が搭載され、多数個の発光ダイオード10が同時に製造される。その後、この構成を分割することによって、個々の発光ダイオード10が得られる。以下では、この1個の発光ダイオード10が製造される領域についてのみ説明する。集合リードフレームの構成については後述する。図2において、このリードフレーム11は、第1リードフレーム111と第2リードフレーム112に分離されて構成される。第1リードフレーム111においては、その上下に連結部113、114がそれぞれ接続され、第2リードフレーム112においては、その上側に連結部115、116が、その下側に連結部117、118が接続されている。実際には発光ダイオード10は2次元配列されて製造され、これに対応して図2の構成が2次元配列された集合リードフレームが用いられる。この際に図2の構成のリードフレーム11は、その上下方向に設けられたリードフレーム11と、連結部113~118によって図2a中の上下方向で接続され、集合リードフレームとされる。集合リードフレームの外枠においては、図2a中の左右方向においても接続されることにより、一体化された集合リードフレームとされる。また、第1リードフレーム111には矩形状の開口部119が設けられ、第2リードフレーム112には矩形状の開口部120が設けられている。また、断面図図2bに示されるように、これらの肉厚は一様ではなく、その裏面発光ダイオードチップが搭載される側と反対側の面側には段差が設けられている。第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の端部、あるいはこれらに設けられた開口部119、120の周辺の肉厚が薄くなるように、これらの段差は形成されている。また、連結部113~114においてもこの肉厚が薄くされている。一方、上面側においては、開口部119、120以外の第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面は、同一平面を構成するように設定される。なお、図2bにおけるリードフレーム112の上面一方の主面側に発光ダイオードチップ14は搭載される。前記の薄肉化加工は、その反対側の下面他方の主面側から施されている。このリードフレーム11集合リードフレームの材質としては、銅系銅、銅合金、アルミニウム系アルミニウム、アルミニウム合金、鉄系等、従来よりリードフレームを構成する材質として知られるものを用いることができる。一方、この発光ダイオード10の上面側においては、前記の通り、反射層13の底面部132で光が反射される。しかしながら、底面部132で反射されずにこれを透過した光は、リードフレーム11の表面に達する。このため、リードフレーム11の上面側は鏡面であることが反射率の観点からは好ましい。一方、底面部132と第1リードフレーム111、第2リードフレーム112との間の接合強度を高めるためには、底面部132が形成される領域における第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面は粗面化されていることが好ましい。このため、底面部132に開口が設けられ発光ダイオードチップ14が接合される箇所においては第2リードフレーム112の表面が鏡面であり、他の箇所は粗面化されていることが特に好ましい。ただし、反射層13による反射率と反射層13とリードフレーム11との接合の機械的強度に応じて、これらは適宜設定することが可能である。すなわち、機械的強度よりも反射率を重視する場合には鏡面が好ましく、反射率よりも機械的強度を重視する場合には粗面が好ましい。図3a~dは、このリードフレーム11を用いて発光ダイオード10を製造する際のダイシング前までの形態を示す上面からの透視図左側、その断面図右側である。ここで、断面図は、図2bと同様の箇所に対応する。まず、図3aに示されるように、下面側にめっき層12が形成されたリードフレーム11第1リードフレーム111、第2のリードフレーム112が用いられる。なお、前記の通り、第1リードフレーム111と第2のリードフレーム112とは集合リードフレームとして一体化されているため、以降の工程においても、第1リードフレーム111と第2のリードフレーム112との間の位置関係は固定される。なお、断面図に示されるように、実際には平面図におけるリードフレーム11の端部にもめっき層12は形成されているが、以降においてその記載は省略されている。次に、図3bに示されるように、反射層13を第1リードフレーム111、第2のリードフレーム112上に形成する反射層形成工程。反射層13は、前記の通り、最大高さの高い側壁部131と、側壁部131に囲まれた領域窓部136の底面に底面部132を具備する。底面部132には、発光ダイオードチップ14が搭載される箇所に対応した底面開口133と、ボンディングワイヤ15が接続される箇所に対応した底面開口134、135が設けられている。底面開口134においては第1リードフレーム111が、底面開口133、135においては第2リードフレーム112が露出する。反射層13の材料としては樹脂材料例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、その成型はトランスファーモールドによる。この形状で反射層13を形成するためには、例えば、下金型に集合リードフレームをセットし、この上に、この材料が図3bの反射層13に示された形状となるような空洞部をもった上金型をセットし、この空洞部に材料を加圧供給した後に加熱させることによって固化させる。この際、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に設けられた開口部119、120や裏面の段差部にも反射層13を構成する材料は充填される。これにより、反射層13は、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に設けられた開口部119、120を介してそれぞれ第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の他方の主面側に達するように形成される。このため、反射層13の断面形状は、図3b右側に示されるように、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112との接合部でくさび型となる。これにより、反射層13とこれらとの間での接合の機械的強度を高くすることができる。また、例えばリードフレーム11がアルミニウムで構成される場合、反射層13熱硬化性エポキシ樹脂は、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112を構成するアルミニウムとの間での密着性は高くないが、下面側におけるめっき層12との間の密着性はこれよりも高い。従って、この構造によっても、反射層13と第1リードフレーム111、第2リードフレーム112との間の接合の機械的強度を高めることができる。側壁部131の内面は、この中に収容される発光ダイオードチップが発する発光を上側に反射するように、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112の表面に対して傾斜角をもつように設定される。また、図3bに示されるように、反射層13の左右方向には、第1リードフレーム111の左端部と第2リードフレーム112の右端部がそれぞれ突出している。次に、図3cに示されるように、底面開口133で露出した第2リードフレーム112上に発光ダイオードチップ14を搭載するチップ搭載工程。発光ダイオードチップ14における2つの電極は、配線となるボンディングワイヤ15によってそれぞれ第1リードフレーム111、第2リードフレーム112に、底面開口134、135の箇所において接続される。発光ダイオードチップ14と第2リードフレーム112との間の接合は、例えばシリコーン樹脂系接着剤によって行うことができる。次に、図3dに示されるように、この状態で、窓部136内部に蛍光材料を充填し、蛍光層16を形成する蛍光層形成工程。例えば青色発光ダイオードが用いられる場合には、YAGイットリウムアルミニウムガーネット系の蛍光材料を用いれば、この蛍光材料が発する光と青色とが混合された疑似白色の発光を得ることが可能である。図4は、最後に発光ダイオード10を分断して得るためのスクライブラインの位置を示す上面図である。ます、図4に示される2箇所のスクライブライン61に沿ったブレードを用いて、図中の縦方向での切断を行う第1切断工程。次に、図4に示される2箇所のスクライブライン62に沿ったブレードを用いて、図中の横方向での切断を行う第2切断工程。このうち、縦方向のスクライブライン61は、図4中においては、リードフレーム11第1リードフレーム111、第2リードフレーム112とは重複していない。すなわち、図4中に示された範囲内においては、リードフレーム11は縦方向には切断されない。これらの工程の詳細については後述する。第1切断工程と第2切断工程によって、上記の発光ダイオード10を得ることができる。図3、4においては、発光ダイオード10単体に対応する箇所についてのみ記載された。前記の通り、この発光ダイオード10は、集合リードフレーム上で2次元配列された状態で製造される。以下では、上記の製造方法におけるこの2次元配列全体の構成について説明する。図5a~fは、上記の製造方法において、集合リードフレーム上における各発光ダイオード10が得られるまでの形態を示す上面側から見た平面図である。図5aは、集合リードフレーム200の全体の形態を示す。ここで、破線で囲まれた領域が図1に示された発光ダイオード10単体に対応するリードフレーム11となる。集合リードフレーム200においては、外枠部201が設けられており、これによって各リードフレーム11が一体化されている。図5aに示されるように、この集合リードフレーム200においては、第1リードフレーム111、第2リードフレーム112、外枠部201とは、この2次元配列における一方向縦方向においてのみ連結部図2における連結部113~118によって接続され、かつこの一方向と垂直な他方向横方向においては接続されない。この集合リードフレーム200の裏面全面にはめっき層12が形成されている。この構成の集合リードフレーム200は、例えば素材となる銅やアルミニウムの平板を図5aの形状に加工し、一方の主面側をマスキングしてめっきを行うことにより、容易に製造することができる。この集合リードフレーム200を用いて、反射層形成工程が行われた直後の上面側から見た平面図が図5bである。反射層13は、ここで図示されるように集合リードフレーム200上全体にわたり形成される。個々の発光ダイオードに対応して側壁部131、底面部132が配列して形成される。各発光ダイオード10毎の反射層13は、図5b中の上下方向で一体化されるように接続されている。各底面部132中には、底面開口133、134、135が形成され、この中では第1リードフレーム111、第2リードフレーム112が露出している。集合リードフレーム200は全体として一体化されており、トランスファーモールドで形成された反射層13も一体化された状態でこの上に形成されている。このため、図5bに示された状態でこの構造全体を取り扱うことが可能である。この構成から、更にチップ搭載工程、蛍光層形成工程が行われた直後の平面図が図5cである。個々の窓部136中に発光ダイオードチップ14等が搭載され、その後で蛍光層16が形成される。この状態においても、この構造全体を上記と同様に取り扱うことが可能である。次に、図4中のスクライブライン61に沿ったブレード300を用いて、図中の縦方向での切断を行う第1切断工程際の形態が図5dである。この構成において、ブレード300によって切断されるのは、集合リードフレーム200の外枠部201の上下辺、及びその上の反射層13のみであり、図1に示された個々のリードフレーム11に対応する箇所は切断されない。このため、この切断の際の負荷は小さく、この切断を容易に行うことができる。次に、図4中のスクライブライン62に沿ったブレード300を用いて、図中の横方向での切断を行う第2切断工程際の形態が図5eである。この構成において、ブレード300によって切断されるのは、集合リードフレーム200の外枠部201の左右辺、個々の連結部113~118、及びその上の反射層13である。ここで、連結部113~118において切断される長さは短いため、この切断の際の負荷も小さい。このため、この切断を容易に行うことができる。特に、前記の通り、連結部113~118が薄肉加工されていれば、この切断の際の負荷も更に小さくすることができる。これにより、図5fに示されるように、複数の発光ダイオード10が分断されて得られる。すなわち、上記の構成の集合リードフレーム200を用いることにより、特に容易に発光ダイオード10を製造することができる。なお、上記の製造方法においては、リードフレーム11集合リードフレーム200の下面側にのみめっき層12が形成された。しかしながら、めっき層12を上面側においても部分的に形成することもできる。例えば、リードフレーム11を、図6に示す形態とすることもできる。図6は、図3aに対応した平面図左、断面図右である。ここでは、底面開口134、135に対応した領域、すなわち、ボンディングワイヤ15が接続される上面側の領域においても、めっき層12が形成されている。この形態とされたリードフレーム11集合リードフレーム200を用いて、図3b以降の工程を同様に行うことができる。これにより、ボンディングワイヤ15による接続の信頼性を高めることができる。めっき層12を図6の構成とすることは、めっきの際に底面開口134、135に対応した箇所が開口されたマスクを上面側に形成することにより、容易に行われる。なお、上記の例では、リードフレーム11の下面側にめっき層貴金属めっき層12を形成したが、この上ではんだ付けが容易である材料でリードフレーム11自身が構成されていれば、めっき層は必ずしも必要ではない。逆に、リードフレーム11の下面側だけでなく、上面側全面にめっき層を形成した場合でも、反射層13底面部132によって高い反射率を得ることができる。この場合においては、めっき層を形成する工程がより簡素化される。また、貴金属めっき層Ni/Auめっき層以外に、この上へのはんだ付けが容易でありかつ上記の製造方法が適用できる層であれば、同様に用いることができる。リードフレームの構成についても、任意である。例えば、上記の例では、1つの発光ダイオードにおいて2分割されたリードフレームが用いられるものとしたが、発光ダイオードチップの構成に応じ、これを3分割以上とすることもできる。その形態も、反射層等を上記と同様に形成できる限りにおいて任意である。また、上記の通り、リードフレームに開口部を設けることによって反射層とリードフレームとの接合強度を高めることができるが、反射層の底面部とリードフレームとの間の接合強度が高ければ、開口部は不要である。あるいは、発光ダイオード単体において複数のリードフレームが用いられる場合には、そのうちの一部のリードフレームにのみ開口部を設けることもできる。また、同様に、開口部を設けた場合においても、図2に示されるようなその周囲の薄肉化加工は必ずしも必要ではない。また、上記の集合リードフレームにおいては、周辺を取り囲む形状の外枠部が用いられたが、この外枠部の形状も、集合リードフレーム全体を一体化した状態で上記の製造方法を実施できる形態であれば、任意である。例えば、図5aに示された形状において、外枠部201の左右辺が存在しない形態とすることも可能である。この場合には、発光ダイオードを最後に分離する切断工程が更に容易となる。反射層側壁部、底面部の形状も、内部に発光ダイオードチップを設けることができ、発光ダイオードチップが発した光を上方に反射できる限りにおいて、任意である。例えば、図5において、集合リードフレーム200上で反射層13が一体化された構成としたが、これを個々の発光ダイオード10毎に予め分離された形態とすることもできる。この場合には、図5deで切断される対象を集合リードフレーム200のみとすることが可能である。この場合、図5に示されたようなブレード300を用いた切断に代えて、プレス金型を用いた切断を用いて図5deの切断を同時に行うことも可能である。また、反射層における底面部の構成も、発光ダイオードチップが発した光を上方に反射させることができる限りにおいて、任意である。例えば、底面部を、発光ダイオードチップ側から離れるに従って厚くなるようなテーパー形状の断面をもつような構成とすることもできる。こうした場合においても、この最低部が発光ダイオードチップの上面よりも低くされれば、底面部で光を上方に反射させることが可能である。また、窓部内における発光ダイオードチップとリードフレームとを接続する配線としてボンディングワイヤが用いられるものとしたが、2つの電極が上記と同様に外部に取り出せる限りにおいて、この配線についても任意である。更に、単色の発光をする発光ダイオードの場合には、蛍光層の代わりに蛍光を発しない透明のモールド層を設けることもできる。"