"任意の光の波長スペクトルを検出する方法であって、光電変換素子の光電変換領域に前記任意の光を入射可能に構成するとともに前記任意の光の入射方向に電界を印加して光電流を生じさせるように構成し、前記任意の光の入射後若しくは遮断後における光電流の過渡応答Itを測定し、前記過渡応答Itに基づいて、以下の数式1により前記任意の光の波長スペクトルφλを求めることを特徴とする波長スペクトル検出方法。ここで、tは入射時若しくは遮断時からの経過時間、Abλは波長λの光に対する前記光電変換領域の光電変換効率、Bは前記光電変換領域内のキャリア速度、αλは波長λの光に対する前記光電変換領域の光吸収係数。前記波長スペクトルφλを、前記過渡応答Itの測定時刻tiiは1~2nの整数、nは2以上の自然数における光電流値Itiに基づいて、波長λjjは1~nまでの整数にそれぞれ対応する前記任意の光の波長強度φjjは1~nまでの整数を以下のi=1~2nの2n個の数式2から計算することにより求めることを特徴とする請求項1に記載の波長スペクトル検出方法。ここで、Abj=Abλj、αj=αλj。前記波長スペクトルφλを、以下の数式4によりk=1としてIt1=I1t1が成立する測定時刻t1を選定し、前記測定時刻t1に対応するk=1kは1~nの整数とした以下の数式3から波長λ1の光の波長強度φ1=It1/Ab1exp[Bα1t1]を計算し、その後、k=2とした以下の数式4のIt2=I1t2I2t2が成立する測定時刻t2を選定し、k=1とした以下の数式5から得たI1t2=Ab1φ1exp[Bα1t2]の値を用いて、前記測定時刻t2に対応するk=2とした以下の数式3から波長λ2の光の波長強度φ2={It2-I1t2}/{Ab2exp[Bα2t2]}を計算するというように、以下の数式4が成立する測定時刻tkを選定するとともに前記測定時刻tkにおける光電流測定値Itkと数式5から得たk=1からkまでのIktkの値を用いて、kがnnは2以上の自然数となるまで順次に数式3から波長λkにそれぞれ対応する前記任意の光の波長強度φkを計算することにより求めることを特徴とする請求項1に記載の波長スペクトル検出方法。ここで、Abk=Abλk、αk=αλk。しかし、上記した光スペクトルアナライザは大きな構造をとるため、持ち運びや設置に問題があった。そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、小型で持ち運びやすく、設置場所に制限されない装置が実現可能となる、PDを用いた波長スペクトル検出方法を提案することにある。本発明にかかる光電変換素子を用いた波長スペクトル検出方法は、任意の光の波長スペクトルを検出する方法であって、光電変換素子の出力である光電流値の時間的な変化を記録出力できる出力回路を用いて、光電変換素子に、任意の光を入射させたときの光電流値の時間的な変化を検出記録し、後述する数式に基づいて、前記任意の波長スペクトルを検出することを特徴とする。本発明の波長スペクトル検出方法の具体的な構成は、任意の光の波長スペクトルを検出する方法であって、光電変換素子の光電変換領域に前記任意の光を入射可能に構成するとともに前記任意の光の入射方向に電界を印加して光電流を生じさせるように構成し、前記任意の光の入射後若しくは遮断後における光電流の過渡応答Itを測定し、前記過渡応答Itに基づいて、以下の数式1により前記任意の光の波長スペクトルφλを求めることを特徴とする。ここで、tは入射時若しくは遮断時からの経過時間、Abλは波長λの光に対する前記光電変換領域の光電変換効率、Bは前記光電変換領域内のキャリア速度、αλは波長λの光に対する前記光電変換領域の光吸収係数。本発明の第1の方法としては、前記波長スペクトルφλを、前記過渡応答Itの測定時刻tiiは1~2nの整数、nは2以上の自然数における光電流値Itiに基づいて、波長λjjは1~nまでの整数にそれぞれ対応する前記任意の光の波長強度φjjは1~nまでの整数を以下のi=1~2nの2n個の数式2から計算することにより求めることが好ましい。ここで、Abj=Abλj、αj=αλj。本発明の第2の方法としては、前記波長スペクトルφλを、以下の数式4によりk=1としてIt1=I1t1が成立する測定時刻t1を選定し、前記測定時刻t1に対応するk=1kは1~nの整数とした以下の数式3から波長λ1の光の波長強度φ1=It1/Ab1exp[Bα1t1]を計算し、その後、k=2とした以下の数式4のIt2=I1t2I2t2が成立する測定時刻t2を選定し、k=1とした以下の数式5から得たI1t2=Ab1φ1exp[Bα1t2]の値を用いて、前記測定時刻t2に対応するk=2とした以下の数式3から波長λ2の光の波長強度φ2={It2-I1t2}/{Ab2exp[Bα2t2]}を計算するというように、以下の数式4が成立する測定時刻tkを選定するとともに前記測定時刻tkにおける光電流測定値Itkと数式5から得たk=1からkまでのIktkの値を用いて、kがnnは2以上の自然数となるまで順次に数式3から波長λkにそれぞれ対応する前記任意の光の波長強度φkを計算することにより求めることが好ましい。ここで、mは自然数、Abk=Abλk、αk=αλk。本発明にかかる光電変換素子を用いた波長スペクトル検出方法によれば、小型で持ち運びやすく設置場所に制限されない装置が実現可能となる。本発明の光電変換素子としては、光を吸収してキャリアを生ずる種々の素子を用いることができるが、本発明を実施するための最良の形態としては、pin型PDフォトダイオード、以下同様。を考えている。理由は、光の波長スペクトルを求める数式を立てやすいからである。ただし、その他のPDにおいても、その数式を導く考え方は同じである。本実施形態において光電流の検出に用いる装置素子の概略条件を以下に示す。1.光電変換素子を用いる。高速応答できる素子が望ましい。2.電流値を記録できる装置を用いる。高速で記録できる装置が望ましい。3.光を遮光入光操作できる装置高速で遮光入光操作できる装置が望ましい具体例:上記の1~3で示した装置素子の具体例を以下に示す。1.pin型フォトダイオードpin型PDを利用。2.電流計を利用。3.シャッターを利用。具体例の構成を図1に示す。まず、図1を利用して光が吸収される場所と電流検出の関係を考える。図1では、シャッターが閉まっており、光が入射されていない。図2にシャッターが開いた状態を示す。シャッターから入射された光はpin型PDに吸収され、代わりにキャリヤが発生する。キャリヤは電界の力により、移動し電流計で検出されるキャリヤとしては電子だけ表示している。また白丸印は光子を示しており、黒丸印はキャリヤ電子を示している。このとき、光の入射方向は電界の印加方向とほぼ同じ方向とされる。図2の下部には距離軸が設けられている。光がpin型PDの光吸収層の左端p層とi層の界面をx=0とし、光がキャリヤに変換された場所をx=x1とする。また光吸収層の右端i層とn層の界面をx=wとする。ここで、x方向は光の入射方向であり電界の印加方向でもある。この時、光吸収層だけでの信号の伝達を考えるとx=0では光であった信号は、0<x<wの間でキャリヤに変換され、そのキャリヤがx=wから出ていく。そのため、信号は0<x<wの間で光での移動とキャリヤでの移動の2つの移動方法をとる。具体的に図2の場合で考えると、x=0からx=x1までの間は光での移動となり、x=x1からx=wまでの間はキャリヤでの移動となる。ここで、x=0からx=wまで信号が移動する速度を考える。x=0からx=x1までは、光であるのでvc=2.99979×108[m/s]で移動する。それに対してx=x1からx=wまでは、電界によるドリフトによりキャリヤが移動するのでvSi=μn×Eで表わされる。ここでμnはキャリヤ電子の移動度[m2/Vs]を表わし値は約0.15であるT=300Kで106V/m以下の電界の場合。Eは電界[V/m]を表わす。ここでは、pin-PDの構造をしているため、i層の場所で電界Eの大きさが代わる事が無い。そのため、vSi値は一定となる。また、pin-PDの構造をしていない場合は、vSiの値は一定にならないが、PD中のEの変化を考慮した数式により表現する事ができる。次にx=0からx=wまで信号が移動する時間を考える。光がキャリヤに代わる場所をx1とすると合計時間tx1は以下の数式6に示すようになる。ここで、x1/vcの項はw-x1/vSiの項と比べてとても小さくなるので、無視すると以下の数式7となる。このように光吸収層での信号の伝達には吸収される場所x1が重要となる。吸収される場所が変化するとtx1も変化する。例えば図3、図4のように、吸収される場所x2、x3のように吸収される場所がx=wに近づくほどtx2、tx3は小さくなる。次に光がキャリヤに代わる場所と波長の関係を示す。フォトダイオードへ入射される光は、波長によってPDに吸収される場所が異なる。それはフォトダイオード中での光の減衰特性で表わされる。光はデバイスの中に入ると、デバイスに吸収されながら、自身の強度を弱めていく。この強度を弱めていく過程が光の減衰特性となる。この減衰特性は、入射光の波長ごとに決まっている。この減衰特性は吸収係数αの関数として以下の数式8で表わされる。ここで、数式8はxにおける光強度fxを示す。ここで、吸収係数α、光強度φx=0での光強度である。ここで、キャリヤの生成を考える。キャリヤの数単位膜厚での値faxは光強度に比例するので各場所xで以下の数式9のように表わされる。ここでAは単位膜厚での光電変換効率である。吸収係数αは波長とともに変化する。吸収係数αと波長の関係を図5に示す。波長とともに吸収係数αは固有の値をとっている。このように、光がキャリヤに代わる場所と波長の関係は数式9で表わされる。そして、最後に光の波長と電流検出の時間の関係を示す。光がキャリヤに代わる場所faxが数式9で表わされ、xで発生したキャリヤがx=wまで移動するのに必要となる時間txは数式7で表わされる。数式7ではx=x1としている。数式7を変形すると、xとtの関係は数式10のようになる。これを数式9に代入すると以下の数式11のようになり、これを整理すると以下の数式12のようになる。ここで、以下の数式13及び14とする。このようにすると、以下の数式15が得られる。電流Itを考える場合、数式15にキャリヤの電荷量q、キャリヤの移動速度vSiを乗算する必要があるので、以下の数式16が成立する。ここで、以下の数式17とする。すると、以下の数式18が成立する。したがって、電流Itは吸収係数αの関数として表わされるのがわかる。吸収係数αは波長により一意に決まる値であるので、光の波長と電流検出の時間の関係が数式18で表わされる。ここでAbは光電変換効率となる。ここで、一度発生したキャリヤの密度を変化させないために、光を入射しない状態を作る必要がある。具体的には、一瞬だけ光を入射させ、その後、一定期間は光を入射させないようにしなければならない。このように、光電流を測定することで、波長を導くことが可能となる。この考え方は、入射する波長数が増加した場合でも成り立つ。ここまでは、本願発明に相当する実施形態に係るものであり、上記の第1の方法と第2の方法で共通の内容となる。次に、第1の方法の内容に相当する実施例を説明する。ここで、1つの波長の光が入ってきた場合を考える。数式18では未知の値はφとαである。電流値Itを時間を変えて2回t1,t2測定したときの電流値をIt1,It2とすると、数式18で未知の値であるφαを求める事が出来る。以下に解を示す。It1,It2の値は以下の数19及び20のようになる。数式19より、以下の数式21が得られる。これを数式20へ代入すると、以下の数式22が得られる。これを変形すると以下の数式23乃至25が得られる。数式25を数式21に代入すると、以下の数式27が得られる。このようにαφは数式19と数式20を解くと数式26及び27で表される。これが、入射光の波長が1つの場合の式となる。このように、光電流を測定することで、波長を導くことが可能となる。この考え方は、入射する波長数が増加した場合でも成り立つ。次に、入射する波長数が2つの場合を考える。以下に数式28~31を示す。ここでt1,t2,t3,t4は電流測定を行う時間である。数値を置き換えて整理すると、C1=It1、C2=It2、C3=It3、C4=It4、D1=Bt1,D2=Bt2,D3=Bt3,D4=Bt4,x1=Ab1φ1,x2=Ab2φ2,y1=α1,y2=α2として、以下の数式32乃至35が成立する。このように数式32乃至35として、4つの未知数x1,x2,y1,y2があり、その方程式が4つある式を導く事ができるため、それぞれの未知数を明らかにすることが可能となる。次にn個の波長をもつ光が入射された場合を考える。このとき、数式18は数式36のようになる。この場合は、未知数の数がAb1×φ1からAbn×φnのn個とα1からαnのn個となり、2n個の未知数がある。これらの2nの未知数の解は、電流値Itを時間を変えて2n回t1,t2、t2n-1,t2n測定し、上記と同様に2n個の連立方程式を立てる事で、導く事ができる。数値を置き換えて整理すると、C1=It1、C2=It2、C3=It3、C4=It4,,Cn=Itn,,C2n=It2n、D1=Bt1,D2=Bt2,D3=Bt3,D4=Bt4,,Dn=Btn,,D2n=It2n、x1=Ab1φ1,x2=Ab2φ2,,xn=Abnφn、y1=α1,y2=α2,,yn=αnとして、最初の4つの式は以下の数式37乃至40のようになり、数式41を含み、数式42までの全体として2n個の式が得られる。以上が第1の方法の内容に対応する実施例である。ここで、これまでの記述は、上記シャッターが閉じた状態から開いた状態に変化した場合を想定している。しかし、上記シャッターが開いた状態から閉じた状態に変化した場合でも同様の原理が利用できる。また、それ以外にも、光に対する応答の過渡応答が得られる環境であれば、同様の原理が利用できる。この点は以下の第2の方法についても同様であり、本願発明の全ての実施形態において共通である。次に、以下に第2の方法の内容に相当する実施例を説明する。この実施例では上記第1の方法で示した内容に相当する実施例と異なる方法で、入射光の波長光量を求める。以下に、図6を用いて吸収係数αおよび光強度φを電流値Itから求める方法を説明する。まず図6aから図6dの説明を行う。図6aは、pin型PDに電圧V逆バイアスを印加した状態で、1波長の光photonが入射一瞬だけした時の、電流Itを測定しているイメージである。図6bは、光の強度がp層とi層の界面の場所でφの値を取る時の、xに対する光強度の減衰光の吸収の仕方を表したイメージである。この光強度の減衰の仕方は吸収係数αにより表す事ができる。ここで、xは距離を示しており、p層とi層の界面をx=0としn層に向かってxは増加し、そしてi層とn層の界面をx=Wとする値である。この減衰を表す関数fxはφexp-αxで表わされる。図6cは、図6aに示す電流計で図6bのような光の吸収を行った場合の、光電流値Itの変化光入射直後の過渡特性を示した図である。またtに対する値はφexpBαtとなる。図6dは、図6cで示した光電流値を微分するイメージである。微小電流変化dItを微小時間dtで割る事で微分を行う。数式18に示した光電流Itの式はαを含む関数である。このαの値は図5に示したように入射光波長毎に固有の値を持つ。そのためαの値を求める事で入射光波長を求める事が出来る。入射光が1波長の場合を考える。このときの吸収係数α、光強度φの求め方を次に示す。図6bに入射光のPD中での強度の変化fxを示している。数式で表すと数式8のようになる。また図6cは、その際に流れる過渡状態での電流Itを示している。数式で表すと数式18のようになる。吸収係数αを数式18より求める。そのために数式18を微分すると数式43の様になる。数式43に対して数式18にBを掛けた値で割り算すると数式44のようになる。この数式44にあるように、電流値Itと、その電流値の微分値dIt/dtを測定する事で、吸収係数αを求める事ができる。ここでB=vsi数式14である。またvSiは上で述べたようにμnとEを乗じた値であるため、デバイスに印加する電圧Vと、デバイスの空乏層幅i層の膜厚、そしてデバイス材料が決まれば求められる。また、数式18の値Itは図6aの測定系により求める事が可能である。次に、φをもとめるために数式43をAb×expBαtで割る。またαの値は数式44より求められている。φを求める数式は数式45の様になる。ここでAbの値は数式17より求められる。このAbの値はαの値を用いる必要があるが、数式44で求めた値を用いる。このように1波長の光の場合、α、φφ:光強度は数式44及び45により求める事が出来る。これによりλ:αに対応した波長とΦ:その波長での光強度が導き出される。次に、2波長の光が入射した場合を考える。図7aは、pin型PDに電圧V逆バイアスを印加した状態で、2波長の光photonが入射した時の、電流Itを測定しているイメージである。図7bは、光の強度がp層とi層の界面の場所x=0でφ1、φ2の値を取る時の、xに対する光強度の減衰光の吸収の仕方を表したイメージである。ここで、φ1に対応する光波長の方がφ2に対応する光波長より短いとする。この光強度の減衰の仕方は吸収係数α1、α2により表す事ができる。ここで、xは距離を示しており、p層とi層の界面をx=0としn層に向かって増加しi層とn層の界面をx=Wとする値である。この減衰を表す関数f1xは数式8と同様に数式46に示される。また、この減衰を表す関数f2xも同様に数式47に示される。図7cは、図7aに示す電流計で図7bのような光の吸収を行った場合の、光電流値Itの変化光入射直後の微小時間を示した図である。Itの値はI1tとI2tの合計である。I1tの値は数式18と同様に数式48に示される。I2tの値も同様に数式49に示される。ここで、Bの値は波長が変わっても同じ値をとる。また、Abの値は波長が変わるとαが変化するためAb1とAb2のように違う値をとる。数式18と同様に光電流I1tはα1を含む関数となる。また、光電流I2tはα2を含む関数となる。このα1、α2の値は図5に示したように入射光波長毎に固有の値を持つ。そのためαの値を求める事で入射光波長を求める事が出来る。図7dは、図7cで示した光電流値を微分するイメージである。微分を行う時間t1の時間には、条件がある。1つ目の微分dIt1dt1を行う時間t1では、図7cのI2t1が十分小さい必要がある。入射光が2波長の場合の吸収係数α1、α2、光強度φ1、φ2の求め方を次に示す。図7bに入射光のPD中での強度の変化f1x、f2xを示している。また図7cは、その際に流れる過渡状態での電流Itを示している。数式で表すと数式50のようになる。ここで、上で示した条件を考える。時間t1ではI2t1の影響を受けない時間に設定される。例えば、α1<α2やφ1>φ2であることなどによりI1t1>>I2t1である時間t1を選定する。そのためIt1を考えたときI2t1は十分小さい。このとき、It1は数式51で表わされる。数式51に数式48を代入すると次の数式52が得られる。また、It2は数式53で表わされる。ここから、2つの吸収係数α1とα2を求める方法を説明する。まず、吸収係数α1を数式52より求める。そのために数式52を微分すると数式54の様になる。数式54に対して数式52にBを掛けた値で割り算すると数式55のようになり、吸収係数α1を求める事ができる。ここで数式52の値は図7aの測定系により求める事が可能である。また、φ1をもとめるために数式52をAb1expBα1t1で割る。またα1の値は数式55より求められている。φ1を求める式は数式56の様になる。次に吸収係数α2を数式49より求める。さて、数式49に数式52を応用すると、数式57のようになる。また、数式57を時間t2で微分すると数式58の様になる。数式58に数式52を応用すると数式59の様になる。ここで数式57と数式58、また数式52と数式54、Bの値を用いることで、数式60のようにα2を求めることができる。ここで、数式52と数式54に対応する値は、数式55で求めたα1を用いる事で、計算により導かれる。そのため、数式57と数式58に対応するIt2とdIt2dtを測定することにより、α2が求められる。また、φ2を求めるために、数式57と数式52、B、α2、Ab2を用いることで、数式61のようにφ2を求めることができる。ここで、α2の値は数式60で求められた値を用いる。また、数式57に対応するIt2は測定により求められ、数式52に対する値は、数式55で求めたα1及び数式56で求めたφ1を用いる事で計算により求められる。このように2波長の光の場合、α1、φ1φ1:光強度は数式55、数式56より求める事が出来る。またα2、φ2φ2:光強度は数式60、数式61により求める事が出来る。これにより2つの波長に対応したλ:αに対応した波長とφ:その波長での光強度が導き出される。次に、n波長の光が入射した場合を考える。n波長の光の場合に関係するαn、φnを導く式を以下に導出する。n波長の光の場合も2波長の場合と同様の手順を用いる。測定値It1とその微分dIt1dtからα1、φ1を求める。この結果α1、φ1と測定値It2とその微分dIt2dtの値からα2、φ2を求める。最終的にαn、φnの値は、α1、α2αn-1の値と、φ1、φ2、φn-1の値と測定値Itnとその微分dItndtの値から求められる。ここで、Abn、Bも同様である。数式Itnの値は、数式62のように表される。またIxtnの値は、数式63のようにαx、φxの値より求められる。ここでxは0<x<nの整数である。また、φxに対応する光波長はφx1に対応する光波長より短いとする。また、時間txの設定には条件があるため注意しなければならない。時間txはIx1tの影響を受けない時間に設定する必要がある。ここで、I1tnは光強度φ1、吸収係数α1をもつ光に対応する時間tnにおける光電流となる。またI2tnは光強度φ2、吸収係数α2をもつ光に対応する時間tnにおける光電流となる。またIntnは光強度Φn、吸収係数αnをもつ光に対応する時間tnにおける光電流となる。数式64よりαnを求める事ができる。また、数式65よりφnを求める事ができる。これらよりn個の波長に対応したλ:αに対応した波長とφ:その波長での光強度が導き出される。以上が第2の方法の内容に相当する実施例である。応用例発明は、PD及びその電流を検知できる回路であれば用いることができる。応用例の一つとして、図8にイメージセンサに応用した場合の例を示す。図8はイメージセンサの1ピクセルの出力部に微分回路を付け加えた例である。1ピクセルの構造にはAPSactivepixellsensor構造を用いている。APS構造はNチャネルMOSFET6,7,8の素子およびPDフォトダイオード13から出来上がる。また、微分回路にはコンデンサ12,抵抗11の素子および増幅器14から出来上がる。また、APS構造からの出力と微分回路からの出力を分けて取得するために、NチャネルMOSFET9,10の素子を用いて選択できるような構造としてある。イメージセンサの出力は、信号を蓄積して読みだす方法をとる。このような場合でもイメージセンサにはPD13が備わっているため、応用することが可能である。また、この例では微分回路を用いているが、光信号の値を検知することができれば、PCパーソナルコンピュータ等で微分等の演算をすることができるため、微分回路がなくても利用できる。以上本発明につき、好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんである。例えば、上述の実施例では、光電流の過渡応答Itから吸収係数αλ及び波長スペクトルφλを共に求めているが、吸収係数αλを予め測定するなどの方法により予め既知の値として利用することで、波長スペクトルφλを求めるようにしてもよい。"