オプトエレクトロニクス半導体デバイス100であって、担体1と、少なくとも1つのビーム放射半導体部材2と、ビーム吸収層3とを有しており、前記担体1は、上側11と当該上側11に対向している下側12とを有しており、前記ビーム放射半導体部材2は前記上側11に配置されており、ビーム出射面6を有しており、前記半導体部材2の動作中に生成された電磁ビームの少なくとも一部が当該ビーム出射面6を通って当該半導体部材2を離れ、前記ビーム吸収層3は、前記デバイス100に入射する周辺光を吸収するように構成されており、これによって、前記担体1の側と反対側にある、前記デバイス100の外面101が少なくとも部分的に黒く見え、ここで、前記ビーム吸収層3は前記ビーム放射半導体部材2を横方向Lにおいて完全に包囲しており、かつ、前記ビーム放射半導体部材2の側面23と少なくとも部分的に直接的に接触接続しており、前記ビーム出射面6には、前記ビーム吸収層3は設けられていない、ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記半導体デバイスの前記外面101は少なくとも部分的に、前記ビーム吸収層3の外面31によって形成されている、請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記ビーム吸収層3は注封コンパウンドであり、当該注封コンパウンドは前記半導体部材2の前記側面23を少なくとも部分的に形状接続によって包囲している、請求項1または2記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記ビーム吸収層3は、垂直方向Vにおいて前記半導体部材2を超えない、請求項1から3までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。垂直方向Vにおいて、前記担体1と前記ビーム吸収層3との間にビーム反射層5が配置されており、当該ビーム反射層5は前記半導体部材2の前記側面を部分的に覆っている、請求項1から4までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記半導体部材2から放射される電磁ビーム全体のうちの少なくとも20が前記側面23を通って前記半導体部材2から出射し、かつ、ビーム反射層5によって少なくとも部分的に反射される、請求項1から5までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記担体1の側とは反対側にある、前記ビーム吸収層3の外面31上に、および/または、前記ビーム出射面6上に、少なくとも部分的にビーム透過層4が被着されている、請求項1から6までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記担体1の少なくとも1つの接続箇所13上に配置されている少なくとも1つの層開口部32を有しており、当該層開口部32は前記ビーム吸収層3を貫通し、かつ、前記担体1の側とは反対側にある、前記ビーム吸収層3の上側31から、前記担体1の下側12の方向へと延在しており、ここで前記層開口部32は横方向Lにおいて、前記半導体部材2と間隔をあけて配置されており、前記層開口部32内には少なくとも部分的に導電性材料7が配置されており、前記導電性材料7は少なくとも部分的に、前記担体1の側とは反対側の、前記デバイス100の前記外面101上に配置されており、前記導電性材料7は前記接続箇所13と、前記半導体部材2とを導電性接続する、請求項1から7までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記接続箇所13と前記担体1の上側に設けられているさらなる接続箇所2Aとの間の少なくとも1つの導電性接続は、前記上側11に対向している、前記担体1の下側12に設けられているコンタクト面14A、14Bによって、ビア15を用いて形成されている、請求項1から8までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記層開口部32は付加的に前記ビーム反射層5および/または前記ビーム透過層4を貫通している、請求項1から9までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記担体1の上側11において横方向Lで並列に配置されている少なくとも2つのビーム放射半導体部材2を有しており、ここで当該ビーム放射半導体部材2の少なくとも2つは異なる色の光を放射する、請求項1から10までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記半導体部材2のボンディングワイヤーコンタクト9は、少なくとも部分的に、前記ビーム吸収層3によって覆われている、請求項1から11までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記担体1の上側11に配置されておりかつ完全に前記ビーム吸収層3によって覆われている、少なくとも1つの電子部品20を有している、請求項1から12までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記導電性材料7は部分的に直に前記ビーム吸収層3と接している、請求項1から13までのいずれか一項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。前記導電性材料7はビーム透過性であり、殊に透けて見え、かつ、透明である、請求項14記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。実施例および図面では、同じまたは同様の作用を有する構成部分には同じ参照符号が付与されている。示されている素子は縮尺通りではなく、むしろ個々の素子はより良い理解のために異なる大きさで示されている。図1Aは、概略的な断面図で、本願に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100の実施例を示している。半導体デバイス100の担体1は、上側11と、この上側11に対向している下側12とを有している。例えば担体1は、プラスチック材料および/またはセラミック材料によって形成されている。さらに、担体1は、接続箇所13を自身の上側11に有している。横方向Lにおいて接続箇所13の隣に配置されている、担体1の接続箇所2A上には、列の形で、横切る方向L1図1Bおよび1Cを参照において、複数のビーム出射半導体部材2が、半導体部材2のそれぞれ対向している2つの主表面のうちの1つで、被着されている。横切る方向L1はここで、担体1の主要延在方向に対して並行しており、横方向Lを横切って延在している。各ビーム放射半導体部材2は、ボンディングワイヤーコンタクト9を用いて、ビーム放射半導体部材2に割り当てられている接続箇所13と電気的に接触接続されている。さらに担体1は、自身の下側12に、横方向Lで並列に配置されているコンタクト面14Aと14Bを有している。これらのコンタクト面14A、14Bと、担体1の上側11にある接続箇所13、2Aとの間の導電性接続は、ビア15によって形成されている。換言すれば、ビア15は、担体1の上側11から、担体1の下側12の方向へ貫通して延在している。ここでこのコンタクト面14Aは自身にそれぞれ割り当てられている接続箇所13との電気的な接触接続のために用いられ、コンタクト面14Bは自身にそれぞれ割り当てられている接続箇所2Aの電気的な接触接続のために用いられる。担体1が、自身のコンタクト面14Aおよび14Bでコンタクト担体上に被着されている場合、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100は、コンタクト面14A、14Bを介して電気的に接触接続される。このオプトエレクトロニクス半導体デバイス100は、この場合には表面実装可能である。さらに、各ビーム放射半導体部材2はビーム出射面6を有しており、このビーム出射面を通って、ビーム放射半導体部材2の動作中に生成された電磁ビームの少なくとも一部が半導体部材2を離れる。ビーム出射面6は、担体1の側とは反対側にある、ビーム放射半導体部材2の主表面である。ビーム放射半導体部材2の側面23は、2つの主表面を相互に接続し、2つの主表面に対して横切る方向で、または実質的に横切る方向で延在している。さらに、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100は、ビーム吸収層3を有している。このビーム吸収層3は、半導体部材2の側面23を完全にかつ形状接続的に覆う。ここで、ビーム吸収層3は、注封コンパウンドである。これは例えば、半導体部材2の注封によって、担体1の上側11の面11Aに被着されている。ここでビーム出射面6には、ビーム吸収層3は設けられていない。ここでこのビーム吸収層3は、ビーム放射半導体部材2を横方向Lで完全に包囲している。ビーム吸収層3は、マトリクス材料で形成される。この中には、ビーム吸収粒子、例えばすす粒子が入れられる。従ってビーム吸収層は黒く見える。例えば、マトリクス材料は、シリコーン、エポキシドまたはシリコーンとエポキシドの混合物である。さらに、ビーム吸収層3は、半導体部材2を垂直方向Vにおいて超えない。換言すれば、ビーム吸収層3は、横方向Lで、半導体部材2のビーム出射面6と同一平面を成している。担体1の側とは反対側にある、ビーム吸収層3の外面31とビーム出射面6は、完全に、ビーム透過層4によって覆われている。例えばビーム透過層4は、シリコーン、エポキシド、またはシリコーンとエポキシドの混合物等のマトリクス材料によって形成されている。オプトエレクトロニクス半導体デバイス100の外面101は完全に、担体1の側とは反対側にある、ビーム透過層4の外面33によって形成されている。さらに、図1Aから、ボンディングワイヤーコンタクト9が完全にビーム吸収層3およびビーム透過層4内に延在していることが見て取れる。換言すれば、ボンディングワイヤーコンタクト9は、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100から突出していない。従ってこのような半導体デバイス100は、特にコンパクトにかつ容易に操作可能である。図1Bは、半導体デバイス100の外面101の概略的な平面図で、図1Aに示されている半導体デバイス100を示している。3つのビーム放射半導体部材2が見て取れる。これらはここで1つの列に配置されている。各ビーム放射性半導体部材2は、異なる色の光を放射する。例えば、1つのビーム放射半導体部材2は赤色の光を放射し、1つのビーム放射半導体部材2は緑色の光を放射し、さらなるビーム放射性半導体部材2は青色の光を放射する。図1Cは、図1Aおよび図1Bに示された半導体デバイス100の概略的な回路図を示している。個々のビーム放射半導体部材2がそれぞれ別個に接触接続されており、自身に割り当てられた接続箇所13を介して別個に駆動制御されることが見て取れる。換言すれば、各ビーム放射半導体部材2内には、残りのビーム放射半導体部材2とは別個に、それぞれ所定のレベルの電流および/または動作電圧が印加される。図1Dは、概略的な斜視図で、図1A~1Cに記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100を示している。同様に、担体1と、担体1の上側11の面11Aに被着されているビーム吸収層3とが見てとれる。さらに、図1Dから、ビーム透過層4が見て取れる。このビーム透過層4は完全に、ビーム吸収層3の外面31および半導体デバイス2のビーム出射面6を覆っている。図2A~図2Eは、概略図で、ここに記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100の別の実施例を示している。図2Aは、概略的な断面図で、ここに示されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100のさらなる実施例を示している。図1A~1Dに示されているようなボンディングワイヤーコンタクト9は、図2A~2Eに示されている実施例では省かれている。その代わりに、ビーム放射半導体部材2の接触接続は以下のように行われる:垂直方向Vにおいて、担体1の接続箇所13上にそれぞれ1つの層開口部32が配置されている。この層開口部は、担体1の側とは反対側の、ビーム透過層4の外面33から、担体1の下側12の方向において完全に、ビーム透過層4も、ビーム吸収層3も通って延在する。ここで層開口部32はそれぞれ横方向Lにおいて、自身に割り当てられているビーム放射半導体部材2に対して間隔をあけて配置されている。各層開口部32内には、導電性の材料7が配置されている。これは層開口部32を完全に満たしている。ここで、導電性材料7は、層開口部32から、半導体デバイス100の外面101上で、各層開口部32に割り当てられている半導体部材2の方向において延在している。導電性材料7は、ビーム放射半導体部材2を、ビーム透過層4内に垂直方向Vで半導体部材2のコンタクト面2Bを介して埋設されているさらなる層開口部32Aを介して電気的に接触接続する。換言すれば、導電性材料7は接続箇所13を、自身に割り当てられている半導体部材2と導電性に接触接続する。ここで導電性材料7は、横方向Lにおいて、接続箇所13と、自身に割り当てられているビーム放射半導体部材2との間で、直接的にかつ連続して、外面101上に配置されている。有利には、ここに記載されている半導体部材2の接触接続によって、横方向Lにおいて隣接して配置されている半導体部材2の最小間隔が実現される。これによってコンパクトかつ省スペースのオプトエレクトロニクス半導体デバイス100が実現される。図2Bには、外面101の概略的な平面図で、図2Aに示されている半導体デバイス100が示されている。半導体デバイス100は、全部で4つのビーム放射半導体部材2を含んでいる。さらに図2Bから、半導体部材2が2×2のマトリクスの形態で、すなわち複数の列と複数の行の形態で配置されており、ここでは緑色の光を放射する2つの半導体部材2と、赤色の光を放射する1つの半導体部材2と、青色の光を放射する1つの半導体部材とを有していることが見て取れる。ここで、緑色の光を放射する2つの半導体部材2は、相互に対角線状に位置しているベイヤー配列とも称される。同様に、半導体部材2の任意の別の配列も可能である。図1A~1Dに示されているように、線形の配列または三角形の配列これが3つの半導体部材2である場合が可能である。同様に、ここに記載されている全ての実施形態において、全てが同じ色を放射する複数の半導体部材2を使用することができる。図2Cと2Dは、図2Aおよび2Bに示されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100の2つの異なる概略的な回路図を示している。半導体デバイス100が、唯一のコンタクト面14Bと、それぞれ1つの半導体部材2に割り当てられている、ここでは全部で4つのコンタクト面14Aとを有していることが見て取れる。換言すれば、唯一のコンタクト面14Bは第1の電気的なコンタクトを全てのビーム放射半導体部材2に対して形成し、4つのコンタクト面14Aはビーム放射半導体部材2に対してそれぞれ別の電気的なコンタクトを形成している。ここで図2Cでは、これらのコンタクト面14Bは、これらが外部の電気的な接触接続のもとで1つの共通のカソードを形成するように接続されており、図2Dでは、これらのコンタクト面14Bは、外部の接触接続のもとで、全てのビーム放射半導体部材2に対して1つの共通のアノードを形成するように接続されている。すなわち、図1A~1Dに示された半導体デバイス100とは異なり、このビーム放射半導体部材2は、アノードまたはカソードの形態である共通のコンタクト面14Bを介して、全てが共通して電気的に接触接続され、駆動制御可能である。図2Eは、概略的な斜視平面図で、図2A~2Dに示されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100を示している。ここでも、マトリクス状に配置されたオプトエレクトロニクス半導体部材2が見てとれる。これらは、それぞれ導電性材料7を介して導電性に接触接続されている。図3A~3Dには、概略的な図面で、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100のさらなる実施例が示されている。図3Aは、概略的な断面図で、どのように担体1の上側11の面11Aにオプトエレクトロニクス半導体部材2が被着されているのかを示している。ここではオプトエレクトロニクス半導体部材2は、ビーム放射半導体チップ26によって形成されている。ここでは、担体1の側とは反対側にあるビーム放射半導体チップ26の外面に、変換部材25が被着されている。この変換部材25は、ビーム放射半導体チップ26によって放射された電磁ビームを、別の波長領域にある電磁ビームに少なくとも部分的に変換するために用いられる。ビーム放射半導体部材2の側面23はビーム放射半導体チップ26の側面と変換部材25の側面によって構成されている。従って半導体部材2のビーム出射面6は、担体1の側とは反対側にある、変換部材25の外面である。図1A~1Dに示されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100とは異なり、ビーム透過層4が省かれている。換言すれば、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100の外面101は、完全に、ビーム吸収層3の外面31とビーム出射面6によって形成されている。ビーム吸収層3は垂直方向Vにおいて半導体部材2を超えず、横方向Lにおいて、半導体部材2のビーム出射面6と同一平面を成している。さらに、ボンディングワイヤーコンタクト9が完全にビーム吸収層3内に延在しており、ビーム吸収層3によって包囲されている。図3Bでは、横方向Lに沿った別の概略的な断面図で、図3Aに示されたオプトエレクトロニクス半導体デバイス100が示されている。電子部品20が上側11の面11Aに被着されており、電気的に別のボンディングワイヤーコンタクト91によって、ビーム放射半導体チップ26と例えば逆並列に結線されていることが見て取れる。ここで、電子部品20並びにこの別のボンディングワイヤーコンタクト91は完全にビーム吸収層3によって覆われている。換言すれば、電子部品20は、外部からもはや識別されない。図3Cは、面12Aを下から見た図で、コンタクト面14Aおよび14Bを備えている、図3Aおよび3Bに記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100を示している。さらに、図3Dでは、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100の外面101の概略的な平面図で、ビーム出射面6を除いて、外面101の残りが黒く見えることが見て取れる。換言すれば、この場合には、半導体デバイス100の外面101は、変換部材25の箇所でのみカラーである。なぜなら、変換部材25は、周辺光の照射時に有色光を再反射することができるからである。図4Aおよび図4Bにおいて、概略的な図面において、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体デバイス100の別の実施例が示されている。ここで、図4Aから、半導体デバイス100の外面101のここに示された概略的な平面図において、外面101が、ビーム吸収層3の外面31とビーム放射半導体部材2のビーム出射面6によって形成されていることが見て取れる。ここでビーム出射面6は同様に、担体1の側とは反対側の、変換部材25の外面によって形成されている。しかし、これまでに示した実施例とは異なり、ボンディングワイヤーコンタクト9またはビーム放射半導体部材2に割り当てられている1つの層開口部32の代わりに、ビーム放射半導体部材2は、ビーム吸収層3内に埋設されている、2つのさらなる層開口部32Aを用いて電気的に接触接続されている。電気的な接触接続のために、ビーム放射半導体部材2は2つのコンタクト面2Bを有している。これらのコンタクト面の上に、2つのさらなる層開口部32Aが変換部材25内に設けられている。さらに導電性接続が、それぞれ、層開口部32とこの層開口部32に割り当てられているさらなる層開口部32Aとの間で、導電性材料7によって形成されている。ビーム放射半導体部材2の接触接続は、上述した違いを除いて、図2A~2Eに示された実施例と同様に延在している。図4Bから、オプトエレクトロニクス半導体デバイス100のここに示された概略的な断面図において、垂直方向Vにおいて、ビーム吸収層3と担体1との間に、ビーム反射層5が配置されていることが見て取れる。ビーム反射層5は、半導体部材2の側面23を部分的に覆っている。側面23の、ビーム反射層5によって覆われていない箇所は、ビーム吸収層3によって覆われている。ここでは、ビーム放射半導体部材2によって放射される電磁ビーム全体の少なくとも20が側面23を通って、ビーム放射半導体部材2から出射し、ビーム反射層5によって少なくとも部分的に、半導体部材2内に後方反射され、例えば、ビーム出射面6の方向に偏向される。換言すれば、図4Aおよび4Bに示されている半導体部品2は、バルク放射体である。本願発明は、実施例に基づく説明によって制限されない。むしろ、本願発明は新たな特徴並びに特徴の各組み合わせを含んでいる。これは殊に、これらの特徴またはこれらの組み合わせ自体が明確に特許請求の範囲または実施例内に示されていなくても、特許請求の範囲における特徴の各組み合わせを含んでいる。この特許出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第102010046254.3号の優先権を主張し、この文献の開示内容はこれによって本願発明に参照として取り入れられている。