"光透過性の基板と、前記基板の上面に積層され、光を放出する活性層を備える半導体物質層と、前記基板の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。前記基板は、背面の一部がエッチングされて形成されたエッチングホールを一つ以上有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記蛍光層は、二重に蒸着されて相異なるパターンに形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記基板は、サファイヤ基板であることを特徴とする請求項1ないし3のうち何れか一項に記載の発光ダイオード。前記半導体物質層は、前記基板の上面に積層される第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層の上面に積層される活性層と、前記活性層の上面に積層される第2化合物半導体層と、よりなることを特徴とする請求項1ないし3のうち何れか一項に記載の発光ダイオード。前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層であることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記活性層は、ブルー光を放出し、前記蛍光層は前記ブルー光の一部をイエロー光に変化させてホワイト光を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記蛍光層は、Y、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体を含む蛍光物質よりなることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオード。前記活性層は、紫外線を放出し、前記蛍光層は前記紫外線を吸収してレッド、グリーンまたはブルー光に変化させてホワイト光を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記蛍光物質は、Y2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含むことを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。光透過性の基板の上面に活性層を有する半導体物質層を積層してパターニングした後に電極を形成する第1段階と、前記基板の背面をエッチングして一つ以上のエッチングホールを形成する第2段階と、前記エッチングホールを充填するように前記基板の背面に蛍光物質を塗布して相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成することによって複数の発光ダイオードを有する発光ダイオード構造体を製造する第3段階と、前記発光ダイオード構造体の連結部分を分離して複数の発光ダイオードを形成する第4段階と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記第1段階において、前記半導体物質層は前記基板の上面に第1化合物半導体層、活性層、第2化合物半導体層を順次に積層して形成することを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層で形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1段階において、前記基板はサファイヤ基板で形成することを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2段階は、前記基板の背面を処理する段階と、前記活性層に対応する背面領域を周辺部に比べて薄くドライエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。前記基板の背面をグラインディング、ラッピングまたはポリシング方法を利用して処理することを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオードの製造方法。前記基板の背面をCl2、BCl3、Ar、O2及びHBrのうち少なくとも一つのガスを含む気体でドライエッチングすることを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層をブルー光を放出する半導体化合物層に形成し、前記蛍光層を前記ブルー光の一部を吸収してイエロー光に変化させる蛍光物質で形成することを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質は、Y、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体で形成することを特徴とする請求項22に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層を紫外線を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記紫外線の一部を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質で形成することを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質は、Y2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含むことを特徴とする請求項24に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第3段階は、前記蛍光物質を前記基板の背面にディスポージングまたはスピンコーティングすることを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードの製造方法。基板の上面に活性層を有する半導体物質層を積層してパターニングした後に電極を形成する第1段階と、前記基板の背面に相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成することによって複数の発光ダイオードを有する発光ダイオード構造体を製造する第2段階と、前記発光ダイオード構造体の連結部分を分離して複数の発光ダイオードを形成する第3段階と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記第1段階において、前記半導体物質層は前記基板の上面に第1化合物半導体層、活性層及び第2化合物半導体層を順次に積層して形成することを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成することを特徴とする請求項28に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層で形成することを特徴とする請求項28に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成することを特徴とする請求項28に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1段階において、前記基板はサファイヤ基板で形成することを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2段階は、前記基板の背面に前記蛍光物質をディスポージングまたはスピンコーティングして第1蛍光層を形成する段階と、前記第1蛍光層の上部に所定形態のマスクを位置させ、蛍光物質を塗布して第2蛍光層を形成することによって全体的に相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層をブルー光を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記ブルー光の一部を吸収してイエロー光に変化させる蛍光物質で形成することを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質は、Y、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体で形成することを特徴とする請求項34に記載の発光ダイオードの製造方法。前記活性層を紫外線を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記紫外線の一部を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質で形成することを特徴とする請求項27に記載の発光ダイオードの製造方法。前記蛍光物質は、Y2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含むことを特徴とする請求項36に記載の発光ダイオードの製造方法。本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであって、蛍光層の厚さを調節して波長帯域が多様な光を放出する発光ダイオード及びこれを簡単な工程で製造できる発光ダイオードの製造方法を提供することである。前記課題を達成するために、本発明は光透過性の基板と、前記基板の上面に積層され、光を放出する活性層を備える半導体物質層と、前記基板の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層と、を備えることを特徴とする発光ダイオードを提供する。前記基板は、背面の一部がエッチングされて形成されるエッチングホールを一つ以上有することが望ましい。また、前記蛍光層は二重に蒸着されて相異なるパターンに形成されうる。前記基板は、サファイヤ基板であることが望ましい。前記半導体物質層は、前記基板の上面に積層される第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層の上面に積層される活性層と、前記活性層の上面に積層される第2化合物半導体層と、よりなる。ここで、前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層であり、前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層であることが望ましく、前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層のことが望ましい。前記活性層はブルー光を放出し、前記蛍光層は前記ブルー光の一部をイエロー光に変化させてホワイト光を形成できるが、この場合に前記蛍光層はY、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体を含む蛍光物質よりなる。または、前記活性層は紫外線を放出し、前記蛍光層は前記紫外線を吸収してレッド、グリーンまたはブルー光に変化させてホワイト光を形成できるが、この場合に前記蛍光物質はY2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含む。前記課題を達成するために本発明は、光透過性の基板の上面に活性層を有する半導体物質層を積層してパターニングした後に電極を形成する第1段階と、前記基板の背面をエッチングして一つ以上のエッチングホールを形成する第2段階と、前記エッチングホールを充填するように基板の背面に蛍光物質を塗布して相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成することによって複数の発光ダイオードを有する発光ダイオード構造体を製造する第3段階と、前記発光ダイオード構造体の連結部分を分離して複数の発光ダイオードを形成する第4段階と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。前記第1段階において、前記半導体物質層は、前記基板の上面に第1化合物半導体層、活性層及び第2化合物半導体層を順次に積層して形成する。ここで、前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成し、前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層で形成することが望ましい。前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成する。前記第1段階において、前記基板はサファイヤ基板で形成することが望ましい。前記第2段階は、前記基板の背面を処理する段階と、前記活性層に対応する背面領域を周辺部に比べて薄くドライエッチングする段階と、を含むが、前記基板の背面をグラインディング、ラッピングまたはポリシング方法を利用して処理し、Cl2、BCl3、Ar、O2及びHBrのうち少なくとも一つのガスを含む気体でドライエッチングする。ここで、前記活性層をブルー光を放出する半導体化合物層に形成し、前記蛍光層を前記ブルー光の一部を吸収してイエロー光に変化させる蛍光物質で形成できるが、前記蛍光物質はY、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体で形成することが望ましい。または、前記活性層を紫外線を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記紫外線の一部を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質で形成できるが、前記蛍光物質はY2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含むことが望ましい。前記第3段階は、前記蛍光物質は前記基板の背面にディスポージングまたはスピンコーティングすることが望ましい。前記課題を達成するために本発明はまた、光透過性の基板の上面に活性層を有する半導体物質層を積層してパターニングした後に電極を形成する第1段階と、前記基板の背面に蛍光物質を塗布して相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成することによって複数の発光ダイオードを有する発光ダイオード構造体を製造する第2段階と、前記発光ダイオード構造体の連結部分を分離して複数の発光ダイオードを形成する第3段階と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。前記第1段階において、前記半導体物質層は前記基板の上面に第1化合物半導体層、活性層及び第2化合物半導体層を順次に積層して形成する。前記第1化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成し、前記第2化合物半導体層は、GaN系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、p型物質層で形成する。前記活性層は、InxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1系列のIII-V族窒化化合物半導体層であって、n型物質層またはドーピングされていない物質層で形成する。前記第1段階において、前記基板はサファイヤ基板で形成することが望ましい。前記第2段階は、前記基板の背面に前記蛍光物質をディスポージングまたはスピンコーティングして第1蛍光層を形成する段階と、前記第1蛍光層の上部に所定形態のマスクを位置させ、蛍光物質を塗布して第2蛍光層を形成することによって全体的に相異なる厚さ分布を有する蛍光層を形成する段階と、を含むことが望ましい。ここで、前記活性層をブルー光を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記ブルー光の一部を吸収してイエロー光に変化させる蛍光物質で形成できるが、前記蛍光物質はY、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含むCeに活性化されたガーネット系蛍光体で形成することが望ましい。または、前記活性層を紫外線を放出する半導体化合物層で形成し、前記蛍光層を前記紫外線の一部を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質で形成できるが、この場合に前記蛍光物質はY2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含むことが望ましい。本発明は基板の背面をエッチングするか、またはエッチングせずに背面上に蛍光層を相異なる厚さで塗布した発光ダイオードを提供し、活性層で生成されたブルー光が発光する比率及び蛍光層からブルー光を吸収してイエロー光に発光する比率を蛍光層の相異なる厚さ分布に調節して均一なプロファイルのホワイト光を出射できる。ここで、活性層でブルー光の代わりに紫外線を発光する場合、紫外線を発光する比率及び紫外線を吸収してレッド、グリーン及びブルー光に変化させる蛍光物質を含む蛍光層からレッド、グリーン及びブルー光が発光する比率を調節して均一なプロファイルのホワイト光を出射できる。本発明の発光ダイオードは、基板を相異なる厚さ分布にエッチングして基板上に蛍光物質を相異なる厚さ分布に塗布するか、あるいは同じ厚さを有する基板上に蛍光物質を相異なる厚さ分布に形成して、活性層で生成される光を蛍光層の厚さによって相異なる波長帯域の光が出射される比率を変化させて均一なプロファイルのホワイト光を生成できる。また、本発明の発光ダイオードの製造方法は基板の背面をエッチングするか、あるいはその上部に蛍光物質を全体的にディスポージングまたはスピンコーティングする簡単な工程を通じて発光ダイオードを量産できる。以下、本発明の実施例による発光ダイオード及びその製造方法を図面を参照して詳細に説明する。図3は、本発明の実施例による発光ダイオードの構造を示す断面図である。図3を参照すれば、本発明の実施例による発光ダイオード50は、基板51と、基板51の上面に順次に積層された第1化合物半導体層53、活性層57及び第2化合物半導体層55を備える。第1化合物半導体層53の段差が形成された部分にはn型電極54が位置し、第2化合物半導体層55の上面にはp型電極52が位置して電子及び正孔を各々活性層57に供給する。基板51は、高抵抗で、光透過性の基板であり、このような基板としてサファイヤ基板が主に利用される。基板51の背面は所定領域で基板51の厚さが薄くエッチングされる。望ましくは基板51の背面をエッチングしてエッチングホール56aを形成して基板51に相異なる厚さ分布を有させる。すなわち、エッチングホール56aの周辺部56bは基板51が相対的に厚い分布を有する。基板51の厚さ分布を相異ならしめることによって基板51の背面にスピンコーティングされる蛍光層59の厚さ分布が相異になる。第1化合物半導体層53は、レージングできるGaN系列のIII-V族の窒化物半導体層であって、直接遷移型であることが望ましいが、導電性の不純物がドーピングされる場合、GaN層を使用することが望ましくて、導電性不純物がドーピングされていない場合、第2化合物半導体層55と同じ物質を使用することが望ましい。第1化合物半導体層53は、第1クラッド層図示せずがその上面にさらに積層でき、第1クラッド層としては所定の屈折率を有するn-AlGaN/GaN層が望ましいが、レージングのための他の化合物半導体層でありうる。第2化合物半導体層55は、GaN系列のIII-V族の窒化物半導体層であって、p型導電性不純物がドーピングされた直接遷移型であることが望ましくて、そのうち特にp-GaN層が望ましい。導電性不純物がドーピングされていない場合、GaN層、AlまたはInを所定割合で含有したAlGaN層やInGaN層を使用できる。活性層57は、第1化合物半導体層53の上面に積層される。活性層57は電子-正孔のキャリヤ再結合によってレージングが起こる物質層であって、多重量子ウェル構造を有するGaN系列のIII-V族の窒化物半導体層であることが望ましく、そのうち特にInxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1そしてxy≦1であるGaN系列のIII-V族の窒化物半導体層であって、多重量子ウェルMQW:MultiQuantumWell構造であることがさらに望ましい。活性層57の上下には第1導波路層及び第2導波路層図示せずがさらに積層されて活性層57から放出される光を増幅させることによって増加した光強度を有する光に発振させうる。第1及び第2導波路層は、活性層57より屈折率が小さな物質に形成するが、例えば、GaN系列のIII-V族化合物半導体層で形成することが望ましい。第1導波路層はn-GaN層で、第2導波路層はp-GaN層で形成する。活性層57は、望ましくは臨界電流値が小さくて、横モードの特性が安定した光を発振できる物質層を使用する。活性層57としてAlが所定比率含まれたAlGaN層を使用することが望ましい。第2化合物半導体層55は、活性層57の上面に積層され、第2導波路層より屈折率が低い第2クラッド層図示せずが第2化合物半導体層55及び活性層57間にさらに形成されうる。第2クラッド層は、第1クラッド層がn型化合物半導体層であれば、p型化合物半導体層で形成し、第1クラッド層がp型化合物半導体層であれば、n型化合物半導体層で形成する。すなわち、第1クラッド層がn-AlGaN/GaN層であれば、第2クラッド層はp-AlGaN/GaN層で形成する。第1化合物半導体層53の段差が形成された二つの部分にn型電極54が対に配線され、第2化合物半導体層55の上面にはp型電極52が配線されて各々第1化合物半導体層53には電子を注入し、第2化合物半導体層55には正孔を注入する。注入された電子及び正孔は活性層57で合って消滅しつつ短波長帯域の光を発振させる。波長帯域によって発光する光の色合いが変わるが、波長帯域は発光ダイオード50を形成する物質による伝導帯及び価電子帯間のエネルギー幅によって決定される。III-V窒化物は、青色、緑色及び紫外線領域の光を放出する半導体物質層として使われる。本発明はIII-V窒化物のうち特にGaN系半導体を使用して活性層57からブルー波長帯域420~470nmの光または紫外線を生成し、放出されたブルー光を基板51の背面に塗布された蛍光層59に通過させる。生成されたブルー光の一部は蛍光層59に吸収されて吸収されたブルー光の波長とは異なる波長帯域、例えば、イエロー光に放出され、吸収されていない光は固有の波長帯に放出される。蛍光物質は、所望の光の波長帯域によって多様に使用できる。発光ダイオードがブルー波長帯域の光を生成する窒化物半導体で形成される場合、イエロー光に変化させる蛍光物質ではY、Lu、Sc、La、Gd、Smのうち一つ以上の元素及びAl、Ga、Inのうち一つ以上の元素を含み、Ceに活性化されたガーネット系蛍光体を含む物質を使用する。発光波長を調節するためにY、Al、ガーネット系蛍光体において、Yの一部がGaに置換され、置換量が相異なる第1蛍光体及び第2蛍光体を含みうる。波長が420~470nm程度のブルー光を放出する活性層を備える発光ダイオードでは、レッド光610~625nmに変化させる蛍光物質としてY2O2S:Eu3、Bi3、YVO4:Eu3、Bi3、SrS:Eu2、SrY2S4:Eu2、CaLa2S4:Ce3、Ca、SrS:Eu2を使用でき、グリーン光530~555nmに変化させる蛍光物質としてYBO3:Ce3、Tb3、BaMgAl10O17:Eu2、Mn2、Sr、Ca、BaAl、Ga2S4:Eu2の物質を使用できるが、この以外にレッド光またはグリーン光を放出するいかなる蛍光物質も使用できる。発光ダイオードが紫外線を生成する窒化物半導体で形成される場合、前記蛍光物質はY2O3Eu3Bi3、Y2O2Sを含むレッド蛍光体、Ba1xyzCaxSryEuzMg1wZnwSi2O7、ZnS:Cuを含むグリーン蛍光体、SECASr、Ba、Ca5PO43Cl:Eu2、BAMBaMgAl10O17:Eu2を含むブルー蛍光体を含ませて相異なる厚さ分布を有する基板の背面領域にエッチングできる。活性層57から放出される紫外線は蛍光層59を過ぎつつレッド、グリーン及びブルー光に変化し、発光ダイオードを出射する最終光はホワイト光となる。本発明では蛍光層59が塗布される基板51の背面を図3に示されたようにエッチングしてエッチングホール56aを形成するので、エッチングホール56aに充填される蛍光層59は周辺部56bに比べてさらに厚く塗布される。活性層57から放出された光は厚い蛍光層59を通過しつつ、蛍光物質にさらに多く吸収されうるので、周辺部56bに比べて波長帯域が変換された光がさらに多く放出される。従来の発光ダイオードでは蛍光層を形成する物質を変化させることによって光の波長帯域を調節したが、本発明では蛍光層57の厚さを適切に変化させて多様な波長帯域の光を発生できる。また、基板51のエッチングホール56aの形態を変形させて光輝度を向上できる。すなわち、エッチングホール56aの傾斜面の角度及び面曲率を調節して基板51を通過して蛍光層59に入射する光の入射量を調節できる。図4は、本発明の第2実施例による発光ダイオードを示す断面図であって、エッチングホールの数を複数に増加させた場合を示す。図4を参照すれば、基板61の背面はエッチングされて複数のエッチングホール66aが形成されており、基板61のエッチングホール66aを充填できるように蛍光層69を塗布すれば、示されたような発光ダイオードの構造が形成される。半導体物質層65の活性層67で生成されるブルー光または紫外線は、基板62を通過して蛍光層69に入射するが、エッチングホール66a側に入射した光は周辺部66bに入射した光より厚い蛍光層69を通過するので、蛍光層69に含まれた蛍光物質を励起させる確率が大きい。すなわち、エッチングホール66aに充填された蛍光層69を通過して出射する光は元来の光、すなわちブルー光または紫外線が他の波長帯域の光、すなわちイエロー光またはレッド、グリーン、ブルー光に変化して出射する確率が大きい。周辺部66bの上面に塗布された蛍光層69を通過する光は元来の光、すなわちブルー光または紫外線に通過する確率が大きい。したがって、エッチングホール66aの数及び深さを適切に調節して蛍光層69の厚さ分布を調節して半導体物質層65の活性層67で生成される元来の光を他の波長帯域の光に変化させて均質のホワイト光を生成できる。図4において、62はp型電極、64はn型電極であり、発光ダイオードを構成する各化合物半導体層の材料、性質及び機能は、本発明の第1実施例による発光ダイオードについての説明と同じである。図5は、本発明の第3実施例による発光ダイオードの構造を示す断面図である。図面を参照すれば、基板71は同じ厚さ分布を有し、基板71の背面に第1蛍光層79aが塗布され、第1蛍光層79aの一部領域に第2蛍光層79bが形成されて、蛍光層は全体的に相異なる厚さ分布を有する。72はp型電極、74はn型電極、75は半導体物質層である。図6は、本発明の第4実施例による発光ダイオードの構造を示す断面図である。図面を参照すれば、基板81は同じ厚さ分布を有し、基板81の背面に第1蛍光層89aが塗布され、第1蛍光層89aの一部領域に第2蛍光層89bが複数のストライプ型に形成されて、蛍光層は全体的に相異なる厚さ分布を有する。72はp型電極、74はn型電極、75は半導体物質層である。ここで、第2蛍光層89bはドット状に形成されても良い。前記本発明の第3及び第4実施例において、発光ダイオードを構成する各半導体物質層の材質、性質及び機能についての説明は、本発明の第1実施例による発光ダイオードでの説明と同じであり、蛍光層79a,79b,89a,89bの厚さ分布を相異ならしめることによってホワイト光を形成させる原理も類似している。本発明の第1及び第2実施例による発光ダイオードは、基板をエッチングすることによって蛍光層が相異なる厚さ分布を有するように形成したが、本発明の第3及び第4実施例による発光ダイオードでは蛍光層を第1蛍光層79a,89a及び第2蛍光層79b,89bに形成して相異なる厚さ分布を有するように形成する。本発明の第3及び第4実施例による発光ダイオードで、半導体物質層75,85の活性層77,87で生成されたブルー光または紫外線は、基板71の背面に形成された第1及び第2蛍光層79a,79b,89a,89bを全て通過する場合には第1蛍光層79a,89aだけを通過する場合より波長帯域が変化した光が生成される確率が高くてイエロー光またはレッド、グリーン、ブルー光に変化して出射される確率が大きい。第2蛍光層79b,89bの厚さ及び数を適切に調節して均一なプロファイルを有するホワイト光を生成できる。本発明の第1ないし第4実施例による発光ダイオードで提示された形態は、一例示に過ぎず、エッチングホールの形態や数、蛍光層の厚さ及び形態は多様に形成されうる。図7Aないし図7Dは、本発明の実施例による発光ダイオードの製造方法を示す工程図である。まず、図7Aに示されたように、基板51の上面に順に第1化合物半導体層53、活性層57及び第2化合物半導体層55を積層した後、示されたように第1化合物半導体層53に段差が形成されるようにフォトリソグラフィ工程を実施してパターニングする。次いで、第1化合物半導体層53の上面にn型電極54をストライプ型に配線し、第2化合物半導体層55の上面にp型電極52を配線する。次いで、図7Bに示されたように、基板51の背面にウェット工程を実施して蛍光層57に対応するエッチングホール56aを形成する。基板51をエッチングする前に、まず基板51の背面をグラインディング、ラッピングまたは、ポリシングする。その後、基板51上にマスク層を形成し、エッチングホール56aに対応するマスクパターンを形成する。このマスクパターンをエッチングマスクとして基板51をCl2、BCl3、Ar、O2、HBrのうち少なくとも一つのガスを含む気体でエッチングすれば、示されたようなエッチングホール56aが形成される。図9A及び図9Bは、サファイヤ基板をエッチングして形成されたエッチングホールを示す。図9Aは、サファイヤ基板を広くエッチングして形成されたエッチングホール56cを示し、図9Bはサファイヤ基板を狭くて深くエッチングして形成されたエッチングホール56dを示す。エッチングホール56c,56dは塗布される蛍光層の厚さを考慮して深さ及び幅を決定する。ここでは、基板のエッチングホール56c,56dの後退された深さは約50μm程度、幅は約250~500μm程度にエッチングする。また、図7Cを参照すれば、エッチングホール56aを形成した後、エッチングホール56a及びその周辺部56b上に蛍光物質を全体的にディスポージング法またはスピンコーティング法を利用して示されたような蛍光層59を形成することによって発光ダイオード構造体58を製作する。本発明は、発光ダイオード基板51の全体に一回の工程で蛍光層59を均等に塗布できるので、工程が簡単である。図10A及び10Bは、図9A及び9Bに各々示されたエッチングホール56c,56dが形成された基板の背面上に蛍光物質を塗布した発光ダイオードを有するYAG蛍光層59c,59dの写真である。図面で、エッチングホール内にYAG蛍光層59c,59dが白く示される。最後に、図7Dに示されたように、発光ダイオード構造体58の連結部分を分けて複数の発光ダイオード50を製造する。図8Aないし8Eは、本発明の第2実施例による発光ダイオードの製造方法を示す工程図である。まず、図8Aに示されたように、基板71の上面に順に第1化合物半導体層73、活性層77及び第2化合物半導体層75を積層した後、示されたように第1化合物半導体層73に段差が形成されるようにフォト工程を実施してパターニングする。次いで、第1化合物半導体層73の上面にn型電極74をストライプ型に配線し、第2化合物半導体層75の上面にp型電極72を配線する。次いで、図8Bに示されたように、基板71の背面に第1蛍光層79aをディスポージングまたはスピンコーティングを利用して塗布し、図8Cに示されたようにその上部に所定形態のマスク76を位置させた後、マスク76の上部に第2蛍光層79bを塗布し、図8Dに示されたように相異なる厚さ分布の蛍光層を有する発光ダイオード構造体78が形成される。発光ダイオード構造体78を図8Eに示されたように、分離させれば所望の発光ダイオードを製造できる。前述した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それは特許請求の範囲を限定するものではなく、望ましい実施例の例示として解釈しなければならない。本発明は説明された実施例によってではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決まらなければならない。"