Ptが5mol以上60mol以下、残余がFeである組成の金属と金属酸化物からなるFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性の値が25JmolK以下であることを特徴とする請求項1記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。金属酸化物の含有割合が15~70volであることを特徴とする請求項1又は2記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。金属素地中に、0.1~50μmの粒子径の金属酸化物が分散していることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。前記金属酸化物が、Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Gaから選択した一種以上の酸化物であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット相対密度が97以上であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。添加元素として、B、C、Ru、Ag、Au、Cuから選択した1元素以上を、0.5mol以上20mol以下含有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット。上記磁気記録層は、Fe-Pt合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、母材合金の主成分であるFeと濡れ性が良好な金属酸化物を選択することによって、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、かつ高密度なスパッタリングターゲットを作れることを見出した。このようにして作られたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を非常に少なくすることが可能になる。すなわち、濡れ性が高い金属酸化物を用いることにより、パーティクル発生の少ないターゲットが得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1Ptが5mol以上60mol以下、残余がFeである組成の金属と金属酸化物からなるFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット2金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性の値が25JmolK以下であることを特徴とする上記1記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット3金属酸化物の含有割合が15~70volであることを特徴とする上記1又は2記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット4金属素地中に、0.1~50μmの粒子径の金属酸化物が分散していることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。また、本発明は、5前記金属酸化物が、Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Gaから選択した一種以上の酸化物であることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット6相対密度が97以上であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット7添加元素として、B、C、Ru、Ag、Au、Cuから選択した1元素以上を、0.5mol以上20mol以下含有することを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。上記磁気記録層は、Fe-Pt合金などの磁性相と、それを分離している非磁性相から構成されており、非磁性相の材料の一つとして金属酸化物を利用した強磁性材スパッタリングターゲットに関する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ時に金属酸化物の不用意な脱離やターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供できる優れた効果を有する。磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用することができるという効果を有する。本発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、Ptが5mol以上60mol以下、残余がFeである組成の金属と金属酸化物からなる。これが、本発明の基本となるものである。下記実施例に示すように、金属酸化物としては、Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Gaから選択した一種以上の酸化物を添加することにより、Fe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットの密度を高め、パーティクルの発生を大きく抑制できる効果を有するが、これらの酸化物添加の共通する特性として、金属酸化物の溶融金属に対する濡れ性が向上することの知見を得た。母材合金と非磁性材料の濡れ性については、シミュレーションによりCalculatedWettabilityIndex以下CWIという。を用いて予測し、評価することができる。特に、金属酸化物の溶融金属に対するCWIの値が25JmolK以下なお、単位Kは、ケルビンを示す。明細書記載中、同様。であることが、濡れ性を良好にし、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、かつ高密度なスパッタリングターゲットに有効である。このようにして作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。前記濡れ性については、Feと各酸化物同士の、任意の化学平衡状態における自由エネルギーとエンタルピー変化量から濡れ性を計算することができる。計算手順は、まず、任意の酸化物固相とFe液相が酸素を交換する反応における自由エネルギーの変化量ΔG0を算出する。次に、任意の酸化物の金属成分に1モルのFeが溶解する際のエンタルピー変化量ΔHmixを計算する。最後に、ΔG0ΔHmix/RTによって計算される値をCWIとした。このとき、Rは気体常数、Tは反応場の温度である。CWIの値は、任意の酸化物と金属成分同士の接触角と相関関係があることが一般的に知られている。また、本発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、金属酸化物の含有割合を15~70volとすること、さらに金属素地中に、0.1~50μmの粒子径の金属酸化物を分散させることが、特に有効である。これらは、高密度なスパッタリングターゲットを作製することができ、作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。また、前記金属酸化物としては、Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Gaから選択した一種以上の酸化物であることが望ましい。これらは、濡れ性を向上させ、いずれも高密度なスパッタリングターゲットに有効であり、作製されたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を効果的に抑制できる。そして、Fe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットの相対密度97以上を達成できる。また、本発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、添加元素として、B、C、Ru、Ag、Au、Cuから選択した1元素以上を、0.5mol以上20mol以下含有させることができる。これらの元素の添加は、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを使用して成膜した膜の垂直方向の保磁力を高め、Fe-Ptの規則化温度を低下できる効果を有する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製する。作製にあたり、各金属元素の粉末Fe及びPtの粉末と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末B、C、Ru、Ag、Au、Cuの粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりに、これら金属のアトマイズ合金粉末、例えば主成分の金属粉末と必要に応じて投入した添加金属元素との合金粉末を用いることもできる。この場合は平均粒径が10μm~200μmの粒子を使用することが望ましい。そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。金属酸化物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。一方、金属粉が小さ過ぎると、酸化が促進されるなどの問題があるため、0.5μm以上とすることがさらに望ましい。また、金属酸化物粉末は、最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、この金属酸化物粉末は、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域で最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、800~1300°Cの温度範囲とする。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工した後、スパッタリングを実施してパーティクル数をカウントする。以上により、金属酸化物と母材合金との密着性が高く、且つ高密度なFe-Pt-酸化物ターゲットを作製することができる。酸化物の体積率を増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルが少ないという効果を得ることができる。また、必要に応じて予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測し、それを実験により、CWIが25JmolK以下の酸化物が有効であることを確認することができる。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が1μmである酸化ジルコニウムZrO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、ZrO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.60kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.4の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。なお、パーティクル数の評価は、通常、製品で用いる膜厚記録層の厚さは5~10nmではパーティクル数の差が見えにくいため、膜厚を通常の200倍程度に厚膜にして厚さは1000nm、パーティクルの絶対数を増やすことで評価した。以下、同様の処置とした。この表1に示すように、パーティクル数は、12個であった。このときの酸化物ZrO2の体積率は22.5であった。この場合、酸化物ZrO2の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは23.7JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例2本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が0.5μmである酸化マグネシウムMgOを用いた。そして、上記Fe、Pt、MgOの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.6の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、8個であった。このときの酸化物MgOの体積率は30.4であった。この場合、酸化物MgOの体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは18.0JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例3本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化チタンTiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、TiO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.4の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。このときの酸化物TiO2の体積率は27.2であった。この場合、酸化物TiO2の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは16.5JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例4本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が1μmである酸化アルミニウムAl2O3を用いた。そして、上記Fe、Pt、Al2O3の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.9の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、9個であった。このときの酸化物Al2O3の体積率は29.0であった。この場合、酸化物Al2O3の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは15.2JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例5本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化ホウ素B2O3を用いた。そして、上記Fe、Pt、B2O3の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.8の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、10個であった。このときの酸化物B2O3の体積率は46.4であった。なお、この場合の酸化物B2O3は、融点が500°C程度であるため、B2O3を入れてホットプレスすると、ホットプレス中に溶け出してしまい、高密度化が難しくなる虞がある。したがって、B2O3の添加の場合は、体積率を40程度にすることが良い。これによって、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは15.0JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例6本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が0.7μmである酸化タンタルTa2O5を用いた。そして、上記Fe、Pt、Ta2O5の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.5の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。このときの酸化物Ta2O5の体積率は15.4であった。この場合、酸化物Ta2O5の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは14.3JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例7本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が0.9μmである酸化ニオブNb2O5を用いた。そして、上記Fe、Pt、Nb2O5の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.2の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、8個であった。このときの酸化物B2O5の体積率は26.3であった。この場合、酸化物Nb2O5の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは11.8JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例8本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化亜鉛ZnOを用いた。そして、上記Fe、Pt、ZnOの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.5の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、8個であった。このときの酸化物ZnOの体積率は22.2であった。この場合、酸化物ZnOの体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは9.6JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例9本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.8の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。このときの酸化物SiO2の体積率は42.0であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例10本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化クロムCr2O3を用いた。そして、上記Fe、Pt、Cr2O3の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度99.3の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。このときの酸化物Cr2O3の体積率は23.4であった。この場合、酸化物Cr2O3の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは6.2JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例11本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化マンガンMnOを用いた。そして、上記Fe、Pt、MnOの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度99.2の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。このときの酸化物MnOの体積率は24.9であった。この場合、酸化物MnOの体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは6.1JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例12本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が0.9μmである酸化ガリウムGa2O3を用いた。そして、上記Fe、Pt、Ga2O3の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.30kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度99.5の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。このときの酸化物Ga2O3の体積率は19.8であった。この場合、酸化物Ga2O3の体積率を70まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、下記に示す比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。実施例1と同様に、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、濡れ性の評価CWIは1.8JmolKとなった。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。比較例1前記酸化物として、CaOを添加したことを除き、他は実施例2と同条件で、ターゲットを作製した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したCaOを用いた。この予想した濡れ性の評価CWIは32.5JmolKであり、濡れ性は悪かった。焼結体ターゲットの相対密度は95.3となった。金属酸化物と母材合金との密着性が低く、且つ低密度なFe-Pt-酸化物CaOターゲットとなった。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、64個であった。このときの酸化物CaOの体積率は32.1であった。この場合、酸化物CaOの体積率を70まで増やしても、ターゲットは低密度であり、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個を越えるものであり、上記に示す実施例に比べ、常に多くなる結果が得られた。前記濡れ性の低下は、金属酸化物と母材合金との密着性を低下させ、さらに、スパッタリングターゲットを低密度化に大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を増加させ、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を、増加させる原因と考えられる。このように、濡れ性が悪い酸化物CaOを添加した、Fe-Pt-酸化物CaOターゲットは、好ましくないことが分かった。比較例2前記酸化物として、Y2O3を添加したことを除き、他は実施例2と同条件で、ターゲットを作製した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したY2O3を用いた。この予想した濡れ性の評価CWIは27.6JmolKであり、濡れ性は悪かった。焼結体ターゲットの相対密度は96.9となった。金属酸化物と母材合金との密着性が低く、且つ低密度なFe-Pt-酸化物Y2O3ターゲットとなった。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、53個であった。このときの酸化物Y2O3の体積率は24.1であった。この場合、酸化物Y2O3の体積率を70まで増やしても、ターゲットは低密度であり、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個を越えるものであり、上記に示す実施例に比べ、常に多くなる結果が得られた。前記濡れ性の低下は、金属酸化物と母材合金との密着性を低下させ、さらに、スパッタリングターゲットを低密度化に大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を増加させ、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を、増加させる原因と考えられる。このように、濡れ性が悪い酸化物Y2O3を添加した、Fe-Pt-酸化物Y2O3ターゲットは、好ましくないことが分かった。比較例3前記酸化物として、CoOを添加したことを除き、他は実施例2と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したCoOを用いた。この予想した濡れ性CWIは-2.0JmolKであった。焼結体ターゲットの相対密度は99.9であったが、CoOは高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物CoOの体積率は19.8であった。比較例4前記酸化物として、In2O3を添加したことを除き、他は実施例1と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したIn2O3を用いた。この予想した濡れ性の評価CWIは-2.3JmolKであった。焼結体ターゲットの相対密度は99.8であったが、In2O3は高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物In2O3の体積率は18.1であった。比較例5前記酸化物として、GeO2を添加したことを除き、他は実施例1と同条件で、ターゲットの作製を予定した。この場合、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測したGeO2を用いた。この予想した濡れ性の評価CWIは-2.9JmolKであった。焼結体ターゲットの相対密度は99.9であったが、GeO2は高温で熱分解し、この酸化物の形態で焼結体の中に存在することができないので、本願発明の目的とする組成の焼結体ターゲットを得ることができなかった。なお、このときの酸化物GeO2の体積率は20.4であった。実施例13本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.70kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.4の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。以上により、金属酸化物と母材合金との密着性が高く、且つ高密度なFe-Pt-酸化物SiO2ターゲットを作製することができた。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、19個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を62.8まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例14本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.12kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度99.2の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を22.5まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例15本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化チタンTiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、TiO2の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、1.00kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.2の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、16個であった。この場合、酸化物TiO2の体積率を55.5まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは16.5JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例16本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPt粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化クロムCr2O3を用いた。そして、上記Fe、Pt、Cr2O3の粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、1.00kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.9の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、8個であった。この場合、酸化物Cr2O3の体積率を50.5まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは6.2JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例17本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とAu粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Auの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.40kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.8の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を49.7まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例18本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とAg粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Agの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.01kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.1の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、10個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を54.5まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例19本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とCu粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Cuの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.10kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.3の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を51.9まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例20本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とCu粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Cuの粉末を、それぞれ0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.20kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.8の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を38.4まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例21本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とRu粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Ruの粉末を、それぞれ0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.10kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.9の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を52.6まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例22本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とC粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Cの粉末を、それぞれ0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.01kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.0の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、18個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を45.5まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例23本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末とB粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が2μmである酸化ケイ素SiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、SiO2、Bの粉末を、それぞれ0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.01kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度97.9の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、11個であった。この場合、酸化物SiO2の体積率を42.7まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは7.3JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例24本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化チタンTiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、TiO2の粉末を、それぞれ1.20kg、0.30kg、0.10kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度99.1の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、6個であった。この場合、酸化物TiO2の体積率を37.3まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは16.5JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。実施例25本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製するが、作製にあたって、Fe粉末とPtの粉末を準備した。これらの粉末は、いずれも最大粒径が10μmの粉末を用いた。また、金属酸化物粉末としては、最大粒径が3μmである酸化チタンTiO2を用いた。そして、上記Fe、Pt、TiO2の粉末を、それぞれ0.35kg、2.38kg、0.15kgとなるように秤量し、ボールミル法を用い、粉砕を兼ねて混合した。このように、添加する金属酸化物粉末を、金属粉末と同時に混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800~1300°Cの温度範囲で適宜選択し、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件でホットプレスして、焼結体を得た。焼結性は良好であり、相対密度98.9の焼結体を得ることができた。さらに、これを旋盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットに加工した。そして、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、パーティクル数をカウントした。スパッタリングによるパーティクルの発生数を表1に示す。この表1に示すように、パーティクル数は、7個であった。この場合、酸化物TiO2の体積率を42.7まで増やしても、ターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは20個以下であり、比較例に比べ、常に少ないという結果が得られた。一方、予め母材合金と非磁性材料の濡れ性を、シミュレーションで予測した。この結果、すなわち濡れ性の評価CWIは16.5JmolKとなった。この数値が小さいほど、濡れ性は良好となる以下同様。この濡れ性は、金属酸化物と母材合金との密着性を高め、さらに、スパッタリングターゲットを高密度化させることに大きく影響していると考えられる。また、この濡れ性は、スパッタリング時に金属酸化物の不用意な脱離を抑制し、さらにターゲットに内包される空隙を起点とする異常放電によるパーティクルの発生を抑制していると考えられる。以上の結果を、表1に示す。このようにして製造した本願発明のFe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にグラニュラー型の磁気記録層の成膜に使用するターゲットとして有用である。特に、母材合金と酸化物相互の選択と特性が重要であり、酸化物を含有するスパッタリングターゲットの成膜時に発生し易いパーティクルの発生を抑制できるという優れた効果を得ることが可能となった。