"放射アパーチャ109を含む第1の面105を有する第1の集積回路層104と、前記第1の面105に面した第2の面107を有する第2の集積回路層106であって、該第2の面107は、受信アパーチャ113を含むことからなる、第2の集積回路層と、前記放射アパーチャ109において放射された光信号が、前記受信アパーチャ113上にイメージ化されるように、前記第1の面と前記第2の面との間に配置されたスーパーレンズ素子110とを備える、集積回路装置102。装置サイズが縮小し続けているため、第1の集積回路層と第2の集積回路層との間において複数の近傍の光信号が結合される必要があり、且つ、該複数の光信号が、近接した間隔の位置で放射されている時には、1つの問題が生じている。例えば、情報が光学的に転送される、近接して隔置された局所的な電気回路に対応させるために、放射する位置の間隔を接近させることが望ましい場合がある。水平方向の信号漏れの問題この問題によって、システム内における周囲の光学的なノイズが増加する可能性がある及び/又は結合効率の問題を含めて、第1の集積層上の単一の位置から単一の光信号が放射された場合にも、問題が生じる可能性がある。本開示を読み取ると、当業者であれば明らであろうように、他の問題も生じる。一実施形態では、垂直方向の構成の集積回路層を含む光電子集積回路装置において、その第1の集積回路層と、その第2の集積回路層との間で光信号を結合するための方法が提供される。該光信号は、第1の集積回路層と第2の集積回路層との間に配置されたスーパーレンズ素子を介して投射される。第1の集積回路層と第2の集積回路層とを含む集積回路装置もまた提供される。第1の集積回路層は、放射アパーチャを含む第1の面を有し、第2の集積回路層は、該第1の面に面し且つ受信アパーチャを含む第2の面を有する。スーパーレンズ素子は、前記第1の面と前記第2の面との間に配置される。これにより、前記放射アパーチャにおいて放射された光信号が、前記受信アパーチャ上にイメージ化撮像されることになる。第1の光信号が放射される第1の放射アパーチャを含む第1の面を有する第1の集積回路層を備えた装置もまた提供される。該装置は、該第1の面に面し且つ第1の受信アパーチャを含む第2の面を有する第2の集積回路層を更に備える。該装置は、第1の光信号が前記第1の受信アパーチャにおいて受け取られるように、前記第1の放射アパーチャを前記第1の受信アパーチャ上にサブ波長イメージ化させる手段を更に備える。詳細な説明図1は、一実施形態による集積回路装置102の断面を示す。集積回路装置102は、第1の集積回路層104と、第2の集積回路層106とを備える。集積回路層104と、集積回路層106とを、互いに接着されたか又は結合された2つの異なる集積回路チップからなるものとすることができるか、或いは、共通の集積回路チップ上にあるものとすることができる。本明細書内において使用される時には、集積回路層は、集積回路チップの垂直方向に隣接するスラブを指す。集積回路層は、本明細書内においてこの用語が使用される時には、それ自体が、複数の個別の材料層本明細書内においてサブ層と呼ばれるを含むことができることを理解されたい。従って、例えば、集積回路層104及び106は、それぞれ、様々な電気的な、電子光学的な、及び/又は光学的な機能を達成するために形成されるか、処理されるか、パターン形成されるか、或いは別様には製造された様々な材料のいくつかの近隣のサブ層を含むことができる。集積回路層104は、1つか又は複数の光エミッタ108を備えており、該光エミッタの各々は、光信号が放射される放射アパーチャ109を有する。図1の実施形態において、放射アパーチャ109は、集積回路層104の上側面105と一般に共面であり、これにより、該上側面105は、送信面になっている。一実施形態において、光エミッタ108は、光信号を垂直方向に投射する、電気的に駆動される光源を備える。電気的に駆動されることによって、いくつかの地点における電気回路から生じた光信号内に符号化された情報は、使用される特定の変調方法とは無関係であることが示される。1つか又は複数の実施形態の利点に従って、光エミッタ108を、例えば、λ/4のオーダか又はそれよりも短い間隔におけるサイズ及び相互中心間隔中心間の間隔の状態で、極めて小さく且つ互いに極めて近接して作成することができ、ここでλは、放射された光の波長である。適合可能な電気的に駆動される光源の例には、近接場レーザ、シリコンナノワイヤレーザ、及び酸化亜鉛ナノワイヤレーザが含まれる但し、これらに限定されない。放射される波長λについての適合可能な値は、光源に極めて依存し、約300nm~1600nmの範囲に及ぶ。より幅広い光学スペクトラムが可能とされる場合には、ナノスケール発光ダイオードLEDを使用することができる。しかしながら、本実施形態の範囲を逸脱することなく、様々な他の既知の光源か又は後述の発展した光源を使用することもできることを理解されたい。他の実施形態において、光エミッタ108の1つか又は複数が、光学的に駆動されることが可能である。適合可能な光学的に駆動される光源の例には、フォトニック結晶欠陥レーザが含まれる但し、これに限定されない。更に他の実施形態において、1つか又は複数の光エミッタ108には、図1のx-y平面に沿って光を伝搬させる受動的横方向光学導波路図示せずを、それに沿った垂直方向のマイクロ結合位置に対応する放射アパーチャ109と共に、含めることができる。垂直方向のマイクロ結合位置は、光信号の少なくとも一部分を伝搬面から垂直方向に射出させる特定の種類の格子45度の反射構造か、又はそれに類するものが光導波路内に形成された位置を指す。光導波路に結合された光源において、光信号を、電気的にか又は光学的にのいずれかによって変調させることができる。代替的には、伝搬する光信号を、例えば、垂直方向のマイクロ結合位置において1つか又は複数の材料特性を電気的に変化させることによって、垂直方向の投射において変調される未変調の搬送信号とすることができる。集積回路層106は、光信号が受信されることが可能な受信アパーチャ113をそれぞれが有する1つか又は複数の光レシーバ112を備える。図1の実施形態において、受信アパーチャ113は、集積回路層106の下側面107と一般に共面であり、それにより、該下側面107が受信面になっている。一実施形態において、光レシーバ112は、シリコンフォトダイオードのような光-電気変換デバイスを備える。他の実施形態において、光レシーバ112は、受け取った光を集積回路装置102内の他の位置に導くように結合された受動的導波路を備える。受け取った信号を集積回路装置102内の他の位置に転送するために、増幅、光-電気-光O-E-O:opticalelectricaloptical再生成及び/又は多重化を、用いることができる。1つか又は複数の実施形態の利点に従って、光レシーバ112を、光エミッタ108のサイズと相互中心間隔とに類似したサイズ及び相互中心間隔の状態で、極めて小さく且つ極めて互いに近接して作成することができる。好適には、光レシーバ112は、それぞれ、光エミッタ108と垂直方向に位置合わせされた状態にある。本明細書内において説明される実施形態のうちのいくつかは、光エミッタ108と光レシーバ112の高密度なアレイが存在する時に特に有利であるが、その実施形態の範囲は、そのような場合に限定されない。例えば、他の実施形態において、単一の光エミッタ108と単一の光レシーバ112とが存在することができ、更に他の実施形態では、光エミッタ108と光レシーバ112とのまばらなアレイが存在することができ、各々のそのような実施形態によって提供されている結合効率か又は低減された光漏れのような1つか又は複数の利点を該実施形態は有している。集積回路装置102は、第1の集積回路層104の上側面105と、第2の集積回路層106の下側面107との間に配置されたスーパーレンズ素子110を更に備える。本明細書内において使用される時には、スーパーレンズ素子は、入射光をサブ波長解像度でイメージ化することが可能な撮像デバイスを指す。パーフェクトレンズ、負屈折レンズ、複合材料レンズ、フラットレンズ、及びメタマテリアルレンズのような様々な他の名前で頻繁に言及される、適切な条件下でのスーパーレンズ素子は、一般に、正の屈折率の光学レンズに関連した回折制限を受けず、従って、光を波長λよりも細かい解像度にイメージ化することができる。一般的に言うと、λ/10以下の解像度にまで、より細かな解像度を達成することができる。集積回路装置102は、スーパーレンズ素子110と、面107及び105のそれぞれとの間に配置されたスペーサ層114と116とを更に備える。光エミッタ108と光レシーバ112の特定の形状ジオメトリと性質に依存して、スペーサ層114と116とのうちの一方か又は両方を場合によっては省略することができる。好適には、スペーサ層114及び116は、ポリメチルメタクリレートPMMAのような低屈折率材料を含むか、或いは、物理的に許容可能な場合には、空気か又は低屈折率液体を含む。一実施形態によれば、スーパーレンズ素子110は、スペーサ層114及び116と共に、図1内において点線及び矢印によって示されるように、各放射アパーチャ109を、その関連付けられた受信アパーチャ113上にイメージ化撮像させるよう構成され且つ寸法付けられる。1つか又は複数の利点が提供される。例えば、様々な光信号間のクロストークが回避される。更にまた、スーパーレンズ素子110は回折制限がないので、クロストークが依然として避けられている状態で、光エミッタ108と光レシーバ112のサイズ、並びにそれらの間の横方向の距離を、例えば実質的には1波長未満に極めて短くすることができる。スーパーレンズ素子110は、放射アパーチャ109を、受信アパーチャ113上へと、完全な実像化リアルイメージングを行わせることを容易にする。従って、光エミッタ108と光レシーバ112とを、集積回路装置上における絶えず縮小され続ける局所的な電気回路構成に対応する非常に高密度なアレイ内へと詰め込むことができる。更には、スーパーレンズ素子は一般には光学軸が無いので、スーパーレンズ素子110によるアライメント問題が一般には存在せず、光エミッタ108及び光レシーバ112は、x-y平面内における光学的な位置合わせだけしか必要とされない。一実施形態において、放射アパーチャ108と受信アパーチャ112との間の垂直方向の距離は、放射された光の1波長未満であり、各々が、スーパーレンズ素子110に対して近接場近接フィールド内にある。この実施形態の場合には、スーパーレンズ素子110は、銀のような高導電性金属の薄いスラブを含むことができる。当該技術分野において既知のように、近接場の状況では、材料の電気応答と磁気応答は結合されず、従って、横方向の磁界TM波についての誘電率だけしか考慮される必要がない。このことは、銀のような金属を、光学スーパーレンズ素子の良好な候補にさせる。何故ならば、伝導電子の一括的な励起の結果として負の誘電率が容易に達成可能であるからである。有利なことに、銀スラブのスーパーレンズ素子の製造は、一般に、簡単明瞭である。限定することが目的ではなく、例示を目的として、銀スラブは、35nmの厚みとすることができ、上側スペーサ層114と下側スペーサ層116はそれぞれ、40nmのPMMA層を含むことができる。化学蒸着CVD法、有機金属CVDMOCVD法、プラズマ化学気相成長PECVD法、化学溶液堆積CSD法、ゾルゲルベースのCSD法、有機金属分解MOD法、ラングミュアブロジェットLB技法、熱蒸発/分子ビームエピタキシMBE法、スパッタリングDC、マグネトロン、RF法、及びパルスレーザ堆積PLD法などの堆積法と、光リソグラフィ、極紫外線EUVリソグラフィ、X線リソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、集束イオンビームFIBリソグラフィ、及びナノインプリントリソグラフィなどのリソグラフィ法と、ウェットエッチング等方性、異方性、ドライエッチング、リアクティブイオンエッチングRIE、イオンビームエッチングIBE、反応性IBERIBE、化学的支援IBECAIBE、及び化学機械研磨CMPなどの除去法と、放射線処理、熱アニーリング、イオンビーム処理、及び機械的改質などの改質法と、ウェーハボンディング、面実装、及び他の配線及びボンディング法などの組み立て法とを含む但し、これらに限定されない既知の集積回路製造法を用いて、集積回路装置102の製造を達成することができる。本実施形態は、特に、全てのエミッタが一方の集積回路層上にあり且つ全てのレシーバが他方の集積回路上にある、一方向のシナリオに限定されない。それどころか、以下の図5の例において示されるように、集積回路層間の2方向伝達が、エミッタとレシーバとをそれぞれの集積回路層上に配置することによって他の実施形態において達成される。有利な一実施形態において、高密度に詰め込まれた第1の集積回路層上の局所的な電気回路の各々が、該第1の集積回路層上の近くのエミッタ-レシーバ送信-受信対と関連付けられ、対応するレシーバ-エミッタ受信-送信対が、第2の集積回路層のすぐ上に配置されている状態にある。第2の集積回路層は、第1の集積回路層上の様々な局所的な電気回路の間の光学ローカルエリアネットワークとして働くように、各対応するレシーバ-エミッタ受信-送信対に結合された光学相互接続システムを含むことができる。多くの他の有利な構成もまた可能となり、それらは実施形態の範囲内にある。図2は、一実施形態による第1の集積回路層104の斜視図を示す。第1の集積回路層104は、複数の局所的な電気回路202を含み、該複数の局所的な電気回路202は、それぞれ、光エミッタ108のうちの対応する光エミッタ108を駆動する電気-光E-O:electricaltooptical変換回路204に結合されている。局所的な電気回路202の各々は、光レシーバ208において受け取られた光学的に符号化された情報信号の電気バージョンを提供する光-電気O-E変換回路206に更に結合される。従って、局所的な電気回路202の各々は、外界すなわち、装置上の他の局所的な電気回路との光学的な伝達を容易にするため、近くのエミッタ-レシーバ送信-受信対108/208に関連付けられ、これらは、数百ミクロンか又は数ミリメートルか又は数センチメートルも離されることができる。有利なことに、関連した光信号を第2の集積回路層104に結合する問題によって妨害されることなく、局所的な電気回路202の間隔を極めて短くすることができる。図3は、一実施形態において、第1の集積回路層104上の様々な局所的な電気回路間の光学ローカルエリアネットワークとして働く第2の集積回路層106の斜視図を示す。限定することが目的ではなく、例示を目的として、光学相互接続素子は、集積回路層106の最上部にあり、光レシーバ112及び光エミッタ310は、第1の集積回路層104に面する底面層から最上層へと貫くように延在することが、想定される。導波路304を介してアドマルチプレクサ306に結合されたO-E-O再生成器回路302が、各光レシーバ112に関連付けられる。第1の集積回路層104上の局所的な電気回路202によって提供された情報を伝搬する異なる光信号T1、T2、及びT3は、光学バス308によって集積回路装置の離れた部分に運ばれる共通信号T上に多重化される。第1の集積回路層104上の光レシーバ208上記図2を参照に光信号を送信するための複数の光エミッタ312が提供される。該光エミッタは、ドロップマルチプレクサ316に導波路314によって結合されるO-E-O再生成器回路312によって駆動される。離れた電気光回路から提供される多重化情報信号Rを伝搬する光学バス318から、異なる光信号R1、R2、及びR3が多重分離される。他の実施形態において、光学バス308と318とが、共通の光学バスに結合され、アドマルチプレクサ306とドロップマルチプレクサ316は、共通のアド-ドロップマルチプレクサに結合される。距離及び信号強度によって可能にされるのであれば、O-E-O再生成器回路302/312の一方か又は両方を、省略することができる。更に一般的には、任意の様々な異なる装置内の光通信方式を、本実施形態の範囲を逸脱することなく、使用することができる。一実施形態において、上述の米国第2005/0078902A1号に記載された光通信方式は、集積回路装置102上の局所的な電気回路における異なる領域間の情報交換に使用される。図4は、上述の図1に類似した手法で、第1の集積回路層404、第2の集積回路層406、放射アパーチャ409を有する複数の光エミッタ408、受信アパーチャ413を有する複数の光レシーバ412、及びスーパーレンズ素子410を含む、一実施形態による集積回路装置402の断面を示す。しかしながら、集積回路装置402内において、第2のスーパーレンズ素子418、より幅広いスペーサ層414、及び追加的なスペーサ層420もまた含まれる。集積回路層404と406の対向する面が、波長を越える距離だけ離されている場合には、複数のスーパーレンズ素子を使用して、近接場イメージ化シナリオを維持することができる。これにより、製造が比較的容易な銀スーパーレンズを使用することができることになる。動作中、第1のスーパーレンズ素子410は、各放射アパーチャ409の実像リアルイメージ422を形成し、次いでその実像422が、第2のスーパーレンズ素子418を介して、対応する受信アパーチャ413上に再イメージ化される。他の実施形態において、送信アパーチャ409と受信アパーチャ413との間隙を橋渡しをするために、必要に応じて3つか又は4つ以上の銀スーパーレンズが使用される。従って、先行する各スーパーレンズ素子によって形成された放射アパーチャの実像が、後続する各スーパーレンズ素子によって受信アパーチャ上に再形成されるよう構成され且つ配置された一連のスーパーレンズ素子が提供される。図5は、第1の集積回路層504、第2の集積回路層506、第1の複数の光エミッタ508、第1の複数の光レシーバ512、スーパーレンズ素子510、及びスペーサ層514及び516を含む、一実施形態による集積回路装置502の断面を示す。集積回路装置502は、第2の集積回路層506上に第2の複数の光エミッタ548が提供され、且つ、第1の集積回路層504上に第2の複数の光レシーバ552が提供されていることを除き、上述の図1の集積回路装置に類似している。光エミッタ548は、光レシーバ512によって空間的にインターリーブされており、光レシーバ552は、光エミッタ508によって空間的にインターリーブされている。集積回路層504と506との間で2方向伝達を提供することに加え、受信アパーチャ間の距離を効果的に2倍にすることによって、クロストークに対する更なる堅牢性が提供される。光エミッタ508と548はそれぞれ、送信アパーチャ509と553を備え、一方、光レシーバ512と552はそれぞれ、受信アパーチャ513と553を備える。図5の実施形態において、光エミッタ508と光レシーバ552は、第1の集積回路層504の構成要素であり、そのバルクから外側へと延在し、このことは、ナノワイヤベースの装置が使用される時に必要となるか又は便利な場合がある。関連付けられた送信アパーチャ509と受信アパーチャ553は、スペーサ層516内に延在し、第1の集積回路層504についての平面505において送信面と受信面とが形成されている。光エミッタ548と光レシーバ512は、第2の集積回路層506の構成要素であり、スペーサ層514内に外側へと延在する関連付けられた送信アパーチャ549と受信アパーチャ513とを有し、第2の集積回路層506についての平面507において送信面と受信面とが形成されている。従って、図5内に示されたように、集積回路層の送信面及び/又は受信面は、上述の図1の実施形態の事例のまま、その集積回路層のバルク面と同じ平面にある必要がない。上述の説明を読み取った後には、当業者にとって実施形態の多くの代替及び修正が明らかになってくるであろうことは疑いがないが、例示を目的として図示され且つ説明された特定の実施形態は、限定することを考慮するようには意図されていないことを理解されたい。例示を目的として、1つか又は複数の上記実施形態の光エミッタのアレイは、同じ波長で光を放射することが想定されているが、他の実施形態において、それら光エミッタのアレイは、より短い波長とより長い波長との間の範囲に及ぶ異なる波長における光を放射することができる。そのような事例では、光エミッタのアレイは、該より短い波長よりも短い距離だけ離間されることが可能であり、受信アパーチャのアレイは、スーパーレンズ素子による放射アパーチャの完全なイメージ化に起因して、最小のクロストークで、該より短い波長よりも短い距離だけ離間されることが可能である。更なる例示を目的として、上記の1つか又は複数の実施形態において、高密度な1次元の配列の放射及び受信アパーチャが説明されているが、他の実施形態において、高密度な2次元の配列の放射及び受信アパーチャが提供される。従って、記載された実施形態の詳細部の参照は、それらの範囲を限定することを意図していない。以下に、本発明の実施態様を列挙する。1.放射アパーチャ109を含む第1の面105を有する第1の集積回路層104と、前記第1の面105に面した第2の面107を有する第2の集積回路層106であって、該第2の面107は、受信アパーチャ113を含むことからなる、第2の集積回路層と、前記放射アパーチャ109において放射された光信号が、前記受信アパーチャ113上にイメージ化されるように、前記第1の面と前記第2の面との間に配置されたスーパーレンズ素子110とを備える、集積回路装置102。2.前記スーパーレンズ素子110が、a前記光信号の波長において負の誘電率を示す高導電性金属薄膜と、b前記波長において負の有効透過率と負の有効誘電率とのちの少なくとも1つを示すメタマテリアルと、のうちの一方を備える、前項1に記載の集積回路装置。3.前記第1の面105と前記第2の面107とが、前記光信号の波長よりも短い距離だけ離されている、前項1又は2に記載の集積回路装置。4.前記放射アパーチャ109が、a前記第1の集積回路層に関連付けられた電気的に駆動される光源と、b前記第1の集積回路層内の受動的横方向光導波路の垂直方向のマイクロ結合位置と、のうちの一方に関連付けられている、前項1乃至3のいずれか1項に記載の集積回路装置。5.前記放射アパーチャ109が第1の放射アパーチャであり、前記受信アパーチャ113が第1の受信アパーチャであり、前記第1の放射アパーチャを含む前記第1の面上の第1の複数の放射アパーチャ109であって、第1の複数の光信号を放射し、該光信号の最短波長よりも短い距離だけ離間された、第1の複数の放射アパーチャと、前記第1の受信アパーチャを含む前記第2の面上の、対応する第1の複数の受信アパーチャ113であって、前記最短波長よりも短い距離だけ離間された、第1の複数の受信アパーチャとを更に備え、前記第1の複数の受信アパーチャが、前記スーパーレンズ素子110による前記第1の複数の放射アパーチャのイメージ化に起因して最小のクロストークの状態で、前記第1の複数の光信号を受け取ることからなる、前項1乃至4のいずれか1項に記載の集積回路装置。6.第1の光信号が放射される第1の放射アパーチャ509を含む第1の面505を有する第1の集積回路層504と、前記第1の面に面した第2の面507を有する第2の集積回路層506であって、該第2の面が第1の受信アパーチャ513を含むことからなる、第2の集積回路層と、前記第1の光信号が前記第1の受信アパーチャ513に受け取られるように、前記第1の放射アパーチャ509を、前記第1の受信アパーチャ513上にサブ波長イメージ化させるための手段とを備える、装置502。7.前記第1の放射アパーチャ509と前記第1の受信アパーチャ513とが、それぞれ、前記第1の光信号の波長よりも小さく、前記サブ波長イメージ化させる手段が、前記第1の面と前記第2の面との間に配置されたスーパーレンズ素子510を含むことからなる、前項6に記載の装置。8.前記スーパーレンズ素子110が、a前記光信号の波長において負の誘電率を示す高導電性金属薄膜と、b前記波長において負の有効透過率と負の有効誘電率とのうちの少なくとも1つを示すメタマテリアルと、のうちの一方を含む、前項6又は7に記載の装置。9.集積回路層の垂直方向の構成を含む光電子集積回路装置102内において、その第1の集積回路層104,404と、その第2の集積回路層106,406との間において光信号を結合させるための方法であって、該第1の集積回路層と該第2の集積回路層との間に配置されたスーパーレンズ素子110,410を介して該光信号を投射することを含むことからなる、方法。10.前記光信号が、前記第1の集積回路層404の送信面上の放射アパーチャ409から放射され、前記第2の集積回路層406の受信面上の受信アパーチャ413において受け取られ、各スーパーレンズ素子によって形成された、放射アパーチャの実像422が、後続するスーパーレンズ素子によって前記受信面の前記受信アパーチャ413上に再形成されるように配置された少なくとも1つの追加的なスーパーレンズ素子416を介して該光信号を投射することを更に含むことからなる、前項9に記載の方法。"