ZnOとMgOを含有するZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体であって、MgがMgO換算で3~50mol含有し、MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が10μm以下で、均一に分散した組織を有することを特徴とするZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体。MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体。MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体。MgO相200に相当するX線回折ピークの最大強度をI1とし、ZnO相101に相当するX線回折ピークの最大強度をI2とした場合、I1/I2が0.02以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体。相対密度が95以上であることを特徴とする請求項4に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体。本発明は、スパッタの際のノジュールやパーティクル発生の少ない、ZnO-MgO系スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記課題の解決のために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、原料粉末作製時の粉砕と焼結時の焼結温度を調整することにより、MgO相MgOリッチ固溶相の結晶粒径が微細なZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体を製造することができること、そして、そのようなターゲットを使用した場合、スパッタの際ノジュールやパーティクルの発生が少ないことを見出し、本発明を完成するに至った。すなはち、本発明は、1.ZnOとMgOを含有するZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体であって、MgがMgO換算で3~50mol含有し、MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が10μm以下で、均一に分散した組織を有することを特徴とするZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体、2.MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が5μm以下であることを特徴とする上記1に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体、3.MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が2μm以下であることを特徴とする上記1に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体、4.MgO相200に相当するX線回折ピークの最大強度をI1とし、ZnO相101に相当するX線回折ピークの最大強度をI2とした場合、I1/I2が0.02以下であることを特徴とする上記1~3のいずれかに記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体、5.相対密度が95以上であることを特徴とする上記4に記載のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体、を提供する。本発明に係るZnO-MgO系スパッタリングターゲットは、長時間スパッタしてもノジュールやパーティクルの発生がほとんどなく、さらに、膜組成の面内均一性に優れた膜を製造することができるという優れた効果を有する。本願発明のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体におけるMgの含有量は、MgO換算で3~50molとする。Mgの含有量が、MgO換算で3mol未満又は50molを超えると、太陽電池の窓層材料として十分な機能を発揮することができないからである。なお、MgO換算とは、原料粉末であるMgO粉末で調合することを意味する。本願発明のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体の重要な点の一つは、MgO相MgOリッチ固溶相を含むの最大結晶粒径が10μm以下、好ましくは5μm以下、より好ましくは2μm以下とすることである。最大結晶粒径が大き過ぎると、表面に大きな凹凸が生じ易く、そこを起点とする異常放電によって、パーティクル発生が増加し易くなる。MgO相MgOリッチ固溶相を含むの結晶粒径を小さくするためには、適切に粉砕した原料粉末を作製した後、適切な温度で焼結することが必要である。なお、結晶粒径は、焼結体の任意の箇所から採取したサンプル表面を研磨した後、電子線マイクロアナライザーElectronProbeMicroAnalyser:以下、EPMAと称する。の面分析で、MgO相MgOリッチ固溶相を含むの大きさを測定した。また、異常放電等の状況については、焼結体を、例えば直径6インチ、厚み6mmに加工して、バッキングプレートにインジウム等をロウ材として貼り付けて、これをスパッタリングすることにより実際にその状況を調べることができる。本願発明のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体の重要な点の一つは、MgO相MgOリッチ固溶相を含むが均一分散した組織とすることである。MgO相MgOリッチ固溶相を含むが局所的に凝集していると、異常放電や膜組成ずれ等の問題となるため好ましくないからである。本願発明のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体の重要な点の一つは、MgO相200に相当するX線回折ピークの最大強度をI1とし、ZnO相101に相当するX線回折ピークの最大強度をI2とした場合、I1/I2が0.02以下とすることである。なお、X線回折ピークの強度は、焼結体の任意の箇所から採取したサンプル表面を、X線回折法X-RayDifraction:以下、XRDを称する。によって測定した。強度比I1/I2が0.02を超えると、長時間スパッタ時のノジュールや異常放電、膜組成ずれ等の問題となるために好ましくない。本願発明のZnO-MgO系スパッタリングターゲット用焼結体の、さらに重要な点の一つは、焼結体の相対密度を95以上とすることである。なお、相対密度は、アルキメデス法で測定した焼結体ターゲットの実際の絶対密度を、その組成のターゲットの理論密度で除した値の比である。ターゲットの相対密度が低いということは、ターゲット中に内部空孔が多数存在することを意味するので、スパッタリング中の内部空孔の表出時に、空孔周辺を起点とするスプラッシュや異常放電が発生し易くなる。そのため、膜へのパーティクル発生数が増加し、また表面の凹凸化が早期に進行して、表面突起ノジュールを起点とする異常放電等が起き易くなる。これは、CIGS太陽電池の変換効率の低下の一因になる。次に、本願発明の実施例及び比較例について説明する。なお、以下の実施例は、あくまで代表的な例を示しているもので、本願発明はこれらの実施例に制限される必要はなく、明細書の記載される技術思想の範囲で解釈されるべきものである。実施例1純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を97mol、MgO粉末を3molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、仮焼せずに、粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。このスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1200°C、焼結保持時間を5時間とした。焼結は、1200°C~1500°Cで行うことが望ましい。この温度範囲外では、密度が上がり難くなるためである。特に、焼結温度が低い場合には、MgO相が凝集した状態で存在し易くなるからである。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は5μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.01、相対密度は99.5であった。この焼結体を直径6インチ、厚み6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行った。スパッタパワーは500W、雰囲気ガスはアルゴンでガス流量は50sccm、スパッタ時圧力は0.5Paとした。スパッタライフが15kWhとなるまで連続スパッタして、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、1.2個/cm2であった。ターゲットの特性及びスパッタ評価を行った結果を表1に示す。実施例2純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を80mol、MgO粉末を20molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、1100°Cで仮焼した。仮焼は、1000°C~1300°Cで行うことが望ましい。温度が低すぎると、仮焼の効果がほとんどなく、一方、温度が高すぎると、粉砕が困難になるからである。仮焼した粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。そのスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1250°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は2μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.02、相対密度は97.5であった。得られたZnO-MgO焼結体の組織に関して、図1にSEM画像を示し、図2にEPMA画像を示す。両画像において、粒状の部分がMgO相MgOリッチ固溶相を含むであり、その最大結晶粒径が10μm以下であって、ターゲット面内に均一に分散していることが分かる。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、1.7個/cm2と非常に少なく、良好な結果であった。実施例3純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を80mol、MgO粉末を20molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、1100°Cで仮焼した。仮焼した粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。そのスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1350°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は0.5μm未満、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.005未満、相対密度は98.2であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、0.5個/cm2と非常に少なく、良好な結果であった。実施例4純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を65mol、MgO粉末を35molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、1100°Cで仮焼した。仮焼した粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。そのスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1350°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は0.5μm未満、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.005未満、相対密度は96.8であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、0.8個/cm2と非常に少なく、良好な結果であった。実施例5純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を50mol、MgO粉末を50molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、仮焼せず、粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。そのスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1500°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は10μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.05、相対密度は95であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、4.8個/cm2と少なく、良好な結果であった。比較例1純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を80mol、MgO粉末を20molで調合した。両粉末を乾式で混合して均一に分散させた後、仮焼せず、粉末を乾式で約20時間以上微粉砕して、1μm以下の粉末を作製した。この粉末を、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1200°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は15μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.08、相対密度は95.5であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、6.3個/cm2と多くなった。比較例2純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径2μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を80mol、MgO粉末を20molで調合した。両粉末を乾式で混合して均一に分散させた後、仮焼せず、粉末を乾式で約20時間以上微粉砕して、1μm以下の粉末を作製した。この粉末を、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1150°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は20μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.1、相対密度は94であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、11.3個/cm2と多くなった。比較例3純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を97mol、MgO粉末を3molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、仮焼せずに、粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。このスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1000°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は10μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.06、相対密度は94.5であった。得られたZnO-MgO焼結体の組織に関して、図3にSEM画像を示し、図4にEPMA画像を示す。両画像において、粒状の部分がMgO相MgOリッチ固溶相を含むであり、その最大結晶粒径が10μmを超えるものもあり、ターゲット面内において一部凝集していることが分かる。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、6.4個/cm2と多くなった。比較例4純度4Nで平均粒径1μmのZnO粉末、純度3Nで平均粒径1μmのMgO粉末を用意し、ZnO粉末を65mol、MgO粉末を35molで調合した。両粉末を湿式ボールミルで混合して均一に分散させた後、仮焼せずに、粉末を湿式ボールミルで約20時間以上微粉砕して、粒径1μm以下のスラリーを作製した。このスラリーをスプレードライヤーで造粒乾燥し、所定形状の200φ金型に充填して冷間成形をし、大気中で常圧焼結した。この際、焼結温度は1100°C、焼結保持時間を5時間とした。得られたZnO-MgO焼結体における最大結晶粒径は10μm、X線回折強度ピーク強度比I1/I2は0.05、相対密度は93であった。実施例1と同じ条件で、焼結体を加工して、スパッタリングターゲットとし、RFスパッタを行い、ターゲット表面に発生した突起物ノジュールの個数をカウントしたところ、15.3個/cm2と多くなった。