"設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第1および第4の磁気抵抗効果素子と、上記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第2および第3の磁気抵抗効果素子と、上記設置基板上に配置され、上記第1から第4の磁気抵抗効果素子を接続することにより、上記第1および第2の磁気抵抗効果素子による第1のハーフブリッジ回路、および上記第3および第4の磁気抵抗効果素子による第2のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線を備え、さらに第1から第4の磁気抵抗効果素子の上方、または下方、または両方に絶縁層を介して磁気抵抗効果素子に対し一部磁気平衡動作を伴わないように配置された補償導電線とを備えたことを特徴とする電流センサ。一部磁気平衡動作を伴わないように配置された補償導電線は、設置基板の中心点に対して相互に線対称に等しく構成されたことを特徴とする請求項1記載の電流センサ。一部磁気平衡動作を伴わないように配置された補償導電線は、設置基板の中心点に対して相互に点対称に等しく構成されたことを特徴とする請求項1記載の電流センサ。外乱電界を除去する電界シールドカバーを備えたことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の電流センサ。平行に配置され、且つ互いに逆方向に同じ大きさの電流が流れる2本の被測定電流線が、請求項1から4記載の電流センサの設置基板の中心線に対して対称となり、且つそれら2本の被測定電流線の軸方向とその設置基板の中心線が略平行になるように、その電流センサを設置基板の中心点で固定することを特徴とする電流センサの設置方法。従来の電流センサは以上のように構成されており、成膜時の応力やバイアス磁界を印加することによる磁歪現象等によって発生する正負感度差は、補償導電線から磁気抵抗効果素子に印加される磁界がブリッジ回路を構成する全ての磁気抵抗素子に均一なために低減できないという問題点があった。また、上記より発生する正負感度差は、測定する磁界すなわち測定する電流が大きくなると誤差が拡大する傾向にあり大電流測定が困難になるなどの問題点もあった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、成膜時の応力やバイアス磁界を印加することによる磁歪現象等により発生する正負感度差を低減する電流センサおよびその設置方法を得ることを目的とする。この発明に係わる電流センサは、補償導電線から発生する磁界がブリッジ回路を構成する全ての磁気抵抗素子に均一ではなく、一部の磁気抵抗効果素子に印加されないように補償導電線を設置したものである。以上のように、この発明によれば、補償導電線から発生する磁界がブリッジ回路を構成する全ての磁気抵抗素子に均一ではなく、一部に印加されないように補償導電線を設置することで、成膜時の応力やバイアス磁界を印加することによる磁歪現象等により発生する正負感度差を補正し、誤差を低減することができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による電流センサの被測定電流検出部を示す平面図であり、図において、被測定電流検出部1は、設置基板2の中心線3上の中心点4に対して、設置基板2上に各回路部品が相互に点対称に等しく構成され、配置されたものからなる。4つの磁気抵抗効果素子第1から第4の磁気抵抗効果素子5a~5dは、設置基板2の中心線3に対して相互に平行方向に配置され、磁気抵抗効果素子5a,5dは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子5b,5cは、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有するように、バーバーポール電極構造が形成されている。なお、4つの磁気抵抗効果素子5a~5dでは、それぞれ3本の磁気抵抗効果素子をクランク形状に形成し、磁界を受ける線路長を長くすることで、磁界の変化を検知しやすくしている。接続電流線6は、4つの磁気抵抗効果素子5a~5d間を接続することにより、ブリッジ回路を構成する。磁気抵抗効果素子5a,5bの直列接続からなるハーフブリッジ回路第1のハーフブリッジ回路、および磁気抵抗効果素子5c,5dの直列接続からなるハーフブリッジ回路第2のハーフブリッジ回路の並列接続によってブリッジ回路を構成するものである。接続エリア第1の接続エリア8aは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5a,5c間の接続電流線6に接続され、接続エリア第2の接続エリア8bは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5b,5d間の接続電流線6に接続され、接続エリア8a,8bからブリッジ回路に電圧が供給されるものである。接続エリア第3の接続エリア8cは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5a,5b間の接続電流線6に接続され、接続エリア第4の接続エリア8dは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5c,5d間の接続電流線6に接続され、接続エリア8c,8dからブリッジ回路の出力電圧が検出される。さらに、補償電流線7a,7bは4つの磁気抵抗効果素子5a~5dと絶縁層を介して上方、または下方、または両方に設置され、被測定電流から4つの磁気抵抗効果素子第1から第4の磁気抵抗効果素子5a~5dに受ける磁界に対して逆方向で同強度な磁界が発生するように電流を流すための電流線であり、被測定電流検出部1の外部の制御装置によって流す電流を制御され、接続エリア第5の接続エリア8eおよび接続エリア第6の接続エリア8fから供給されるものである。また、図1で示した構成は、設置基板2の中心点4に対して、設置基板2上に各回路部品が相互に点対称に等しく構成され、温度等による等方性の伸びまたは歪みによる測定誤差を低減するように配置されたものである。次に、強磁性体である磁気抵抗効果素子は磁化の向きの変化に対して抵抗値が最も変化する角度θが45degの時である。さらに、角度θが45degの時に、角度θの変化に対して抵抗値が最も直線的に変化する。したがって、磁気抵抗効果素子を用いて磁界を検出する場合には、外部磁界が0の時に角度θが45degになるように工夫される。この方法には、バーバーポール電極構造を用いる方法がある。図2はバーバーポール電極構造を示す説明図であり、図において、アルミ電極10は、磁気抵抗効果素子の軸方向に対して45deg傾けて設けられたものである。バーバーポール電極は、磁気抵抗効果素子の表面を流れる電流の向きを45deg傾けるために設けられている。各々のアルミ電極10内では電位が等しく、電流はアルミ電極10に垂直に流れる。強磁性体を軸方向に磁化すると、外部磁界が0の時に磁化の向きと電流の向きとがなす角度θを45degにすることができる。図1に示した被測定電流検出部1では、磁気抵抗効果素子5aと5cおよび5bと5dにアルミ電極10を電流の向きに対してそれぞれ45degと-45degに傾けて設けたものである。このように、バーバーポール電極構造を形成することにより、例えば、図1において、磁気抵抗効果素子5a,5bには、紙面左側より中心線3の向きに外部磁界が加わり、また、磁気抵抗効果素子5c,5dには、紙面右側より中心線3の向きに外部磁界が加わった場合に、磁気抵抗効果素子5a,5dでは、共に外部磁界の増加に応じて抵抗値が増加すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が減少する磁気抵抗効果特性を有するように、また、磁気抵抗効果素子5b,5cでは、逆に外部磁界の増加に応じて抵抗値が減少すると共に、外部磁界の減少に応じて抵抗値が増加する磁気抵抗効果特性を有するように構成することができる。ここではアルミを電極として用いているが、他の抵抗率の低い金属材料を用いてもよい。また、図1における7aおよび7bは磁気抵抗効果素子5a~5dと絶縁層を介して上方、または下方、または両方に設置される補償導電線であり、4つの磁気抵抗効果素子5a~5d近傍に発生する磁界を打ち消すように制御電流を流すためのものである。補償電流線7a、7bから発生する磁界を一部は受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bを設けている。補償電流線7a、7bから発生する磁界を受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bを設けることによる正負感度差の補正効果は、第1から第4の磁気抵抗効果素子5a~5dで構成するブリッジの対向関係にある5aと5d、5bと5cの2つの組のいずれかに、前記補償電流線7a、7bから発生する磁界を受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bを設けることで補正の極性が決定される。例えば、磁気抵抗効果素子5aまたは5dのいずれか、または5aおよび5dの両方に補償電流線7a、7bから発生する磁界を受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bを設けると補正の極性は極性の補正となり、磁気抵抗効果素子5bまたは5cのいずれか、または5bおよび5cの両方に補償電流線7a、7bから発生する磁界を受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bを設けると補正の極性は-極性の補正となる。また、図3に示すように、補正効果の度合いは、補償電流線7a、7bから発生する磁界を受けない磁気抵抗効果素子9aおよび9bの長さに比例関係である。次に電流センサの構成について説明する。図4に示すように、U字型の被測定電流線11上に絶縁性の基台12を設置し、その基台上に被測定電流検出部1と、その被測定電流検出部1を制御する制御回路部13を備える。このときU字型の被測定電流線11および被測定電流検出部1は中心線14に対して対称となり、且つU字型の被測定電流線11の平行部分15は中心線に略平行となるように設置する。次に電流センサの電流測定方法について説明する。図4の電流センサの構成において、被測定電流検出部1は図1の接続エリア8a,8bに制御回路部13から電圧が供給されるものである。接続エリア第3の接続エリア8cは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5a,5b間の接続電流線6に接続され、接続エリア第4の接続エリア8dは、ブリッジ回路の磁気抵抗効果素子5c,5d間の接続電流線6に接続され、U字型の被測定電流線11に印加される電流から発生する磁界によってブリッジ回路の抵抗バランスが変化し、接続エリア8c,8dからブリッジ回路の出力電圧として検出される。また、制御回路部13は、前述の出力電圧が常に0になるように、制御回路部13によって接続エリア8eと8fから補償導電線7aおよび7bに電流が印加される。これは、磁気抵抗効果素子5a~5dが受けるU字型の被測定電流線11からの磁界と、補償導電線7aおよび7b電流が印加されて発生する磁界とは逆方向で且つ同強度の磁界で磁気平衡状態とすることである。このときの補償導電線7aおよび7bはU字型の被測定電流線11に印加される電流と比例関係にあることから、電流センサの出力は補償導電線7aおよび7bに流れる電流または、その電流を電圧変換したものとなる。"