"表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、4級アンモニウムヒドロキシドA、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bおよび水を必須成分として含み、そのpHが12.5~14.0であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が30°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。該アルキレンオキサイド付加物Bのオキシアルキレン鎖中に含まれるオキシエチレン鎖の含有量が70~100モルである請求項1記載の銅配線半導体用洗浄剤。該アルキレンオキサイド付加物Bが下記化学式1で表される請求項1または2記載の銅配線半導体用洗浄剤。[式1中R1は炭素数8~18の直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアルケニル基を表す。m1、m2はそれぞれ独立してエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し、1~20の数である。n1、n2はそれぞれ独立にプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し、0~6の数である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する場合は付加形式はブロック状でもランダム状でも差しつかえない。]さらに、脂肪族アミンCを含有する請求項1~3いずれか記載の銅配線半導体用洗浄剤。脂肪族アミンCが、脂肪族モノアミンC1、アルカノールアミンC2、アミノ基を2個以上有する脂肪族ポリアミンC3から選ばれる請求項4記載の銅配線半導体用洗浄剤。そこで、本発明は金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、4級アンモニウムヒドロキシドA、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bおよび水を必須成分として含み、そのpHが12.5~14.0であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が30°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。本発明の半導体用洗浄剤は、表面に結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同時に有する電子基板において、金属配線を腐食させることなく結晶シリコンやアモルファスシリコン上の金属残渣を除去できる。また、本発明の半導体基板又は半導体素子の製造方法によると、接触抵抗に優れ、かつ配線の短絡がない半導体基板又は半導体素子が容易に得られる。本発明の銅配線半導体用洗浄剤は、表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンと銅配線を同時に有する半導体用洗浄剤であり、4級アンモニウムヒドロキシドA、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bおよび水を必須成分として含み、そのpHが12.5~14.0である。さらに、単結晶シリコン表面に洗浄剤を滴下したときの接触角が30°以下であることを必要要件とする。本発明において、第1の必須成分である4級アンモニウムヒドロキシドAは、たとえば下記一般式2で表されるものが挙げられる。[式2中のR2~R5はそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を表す。]具体例としては、炭素数1~4のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を有するテトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキル-ヒドロキシアルキルアンモニウム塩、ジアルキル-ビスヒドロキシアルキルアンモニウム塩及びトリスヒドロキシアルキルアルキルアンモニウム塩などが挙げられる。これらの第4級アンモニウムヒドロキシドAのうち、銅残渣除去性の観点から、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドA1、ヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウムヒドロキシドA2、ビスヒドロキシアルキルジアルキルアンモニウムヒドロキシドA3及びトリスヒドロキシアルキルアルキルアンモニウムヒドロキシドA4が好ましい。また、銅配線耐腐食性の観点から、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドA1及びヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウムヒドロキシドA2が好ましい。より好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、特に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。本発明の洗浄剤は、そのまま、あるいは使用時にさらに水で希釈して使用されるが、使用時の洗浄剤中の4級アンモニウムヒドロキシドAの含有量は、通常0.05~10重量、好ましくは0.1~5.0重量、さらに好ましくは0.5~3.0重量である。0.05重量未満であると銅残渣除去性が不充分であり、10.0重量を超えても経済的にメリットがない。本発明において、第2の必須成分であるオキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bとしては、脂肪族アミンにアルキレンオキサイドの付加物であって、少なくともアルキレンオキサイドとして全部または一部にエチレンオキサイドを用いた付加物である。このようなアルキレンオキサイド付加物Bとしては、たとえば下記一般式1で表されるものが挙げられる。[式1中R1は炭素数8~18の直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアルケニル基を表す。m1、m2はそれぞれ独立してエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し、1~20の数である。n1、n2はそれぞれ独立にプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し、0~6の数である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する場合は付加形式はブロック状でもランダム状でも差しつかえない。]式1中R1は炭素数8~18の直鎖もしくは分岐のアルキル基またはアルケニル基を表す。これらのR1のうち、銅残渣除去性の観点から炭素数8~15の直鎖アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数8~12の直鎖アルキル基である。炭素数が7以下の場合銅残渣除去性が不充分であり、炭素数が19以上の場合単結晶シリコン上に残留して新たな残渣の原因となる。オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bの原料である脂肪族アミンaとしては、飽和又は不飽和の炭素数8~18の脂肪族炭化水素基を有する1級アミンが挙げられる。具体的にはオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、ステアリルアミン等の飽和脂肪族アミン;オレイルアミン等の不飽和脂肪族アミンが挙げられ、これらの1種又は2種以上の混合物を用いることができる。また、牛脂等の動物油や、ヤシ油、パーム油等の植物油等から誘導された脂肪族アミンも用いることができる。これらの1級アミンのうち、結晶シリコンもしくはアモルファスシリコン上への残留の観点からオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヤシ油誘導脂肪族アミンが好ましい。また、銅残渣除去性の観点からオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ヤシ油誘導脂肪族アミンが好ましい。より好ましくは、ドデシルアミン、ヤシ油誘導脂肪族アミン。特に好ましくは、ヤシ油誘導脂肪族アミンである。m1、m2はそれぞれ独立してエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し、1~20の数である。n1、n2はそれぞれ独立にプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し、0~6の数である。m1、m2は、脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bの水への溶解性の観点から3~20が好ましい。また、銅残渣除去性の観点から3~14が好ましく、さらに好ましくは3~10である。m1、m2が1以下の場合水に溶解せず、20以上の場合は銅残渣除去性が不充分である。n1、n2は脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bの水への溶解性の観点から0~4が好ましい。また、銅配線耐腐食性の観点から0~2が好ましい。また、水への溶解性の観点から脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bのオキシアルキレン鎖中に含まれるオキシエチレン鎖の含有量が70~100モルであることが好ましい銅残渣除去性の観点からオキシアルキレン鎖中に含まれるオキシエチレン鎖の含有量は80~100モルが好ましく、より好ましくは85~100モル、特に好ましくは90~100モルである。オキシアルキレン鎖中に含まれるオキシエチレン鎖の含有量が70モル未満であると水への溶解性が不充分である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する場合は付加形式はブロック状でもランダム状でも差しつかえない。本発明の洗浄剤は、そのまま、あるいは使用時にさらに水で希釈して使用されるが、使用時の洗浄剤中の脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物Bの含有量は、通常0.001~1重量、好ましくは0.005~0.5重量、さらに好ましくは0.01~0.2重量である。0.001重量未満であると接触角が30°以下にならないため銅残渣除去性が不充分であり、1.0重量を超えても経済的にメリットがない。本発明の洗浄剤は、必須成分の第4級アンモニウムヒドロキシドA、脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物B、水以外に、銅残渣除去性を向上の目的で、脂肪族アミンCをさらに含有することが好ましい。脂肪族アミンとしては銅残渣除去性の観点から脂肪族モノアミンC1、アルカノールアミンC2、アミノ基を2個以上有する脂肪族ポリアミンC3が好ましい。脂肪族モノアミンC1としてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン;ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、トリn-プロピルアミン、トリn-ブチルアミン等のトリアルキルアミン等が挙げられる。アルカノールアミンC2としてはモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、2-アミノ-2-メチル-1-プロパノール、N-アミノエチルエタノールアミン、N,N-ジメチル-2-アミノエタノール、2-2-アミノエチルアミノエタノール等が挙げられる。アミノ基を2個以上有する脂肪族ポリアミンC3としてはエチレンジアミン、1,2‐プロパンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,6-ジアミノヘキサン、1,2-ビスエタン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、イミノビスプロピルアミン、ビスヘキサメチレントリアミン、ペンタエチレンヘキサミン等が挙げられる。本発明の洗浄剤は、そのまま、あるいは使用時にさらに水で希釈して使用されるが、使用時の洗浄剤中の脂肪族アミンCの含有量は、通常0.01~5.0重量、好ましくは0.05~2.0重量、さらに好ましくは0.1~1.0重量である。0.01重量未満であると銅残渣除去性に対して効果がみられず、5.0重量を超えると銅配線耐腐食性が低下する。本発明の洗浄剤に用いられる水としては、半導体への再汚染水中の金属イオンや有機物の再付着防止の観点から電気伝導率μS/cm:25°Cが0.067μS/cm以下の超純水、好ましくは0.057μS/cm以下のものが好ましい。なお、電気伝導率は、JISK0400-13-10:1999に準拠して測定される。本発明の洗浄剤のpHは、通常12.5~14.0、好ましくは13.0~14.0である。pHが12.5未満では金属残渣除去性が不充分である。本発明の洗浄剤の接触角は、通常30°以下、好ましくは25°以下、さらに好ましくは20°以下である。接触角が30°より高い場合単結晶シリコンへの濡れ性が不充分であるため、金属残渣除去性が不充分となる。以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、は重量、部は重量部を示す。実施例1~7、および比較例1~6ポリエチレン製容器内で表1に記載の配合を行い、本発明の銅配線半導体用洗浄剤および比較のための洗浄剤を得た。実施例1~7および比較例1~6の洗浄剤のpHと接触角を測定し、銅残渣除去性と銅表面粗さの性能評価を行った。<接触角の測定>単結晶シリコンの表面に、洗浄剤を滴下したときの接触角は以下に示す手順で測定した。1単結晶シリコンウエハの前処理8インチ単結晶シリコンウエハアドバンテック社製、導電型P、結晶方位100、厚み72±25μmを、縦2.0cm×横2.0cmの切片に切断し、イソプロピルアルコールに1分間浸漬し表面の有機物を除去した後、さらに0.5フッ化水素酸水溶液に3分間浸漬して表面のシリコン酸化物を除去した。純水を10秒間流して表面のフッ化水素酸水溶液を洗い流した後、窒素気流で素早く乾燥させた。2接触角の測定単結晶シリコンウエハ表面は酸化されやすいので、前処理を行なった後1分間以内に単結晶シリコンウエハ上に、洗浄剤0.2μlを滴下して、25°Cでの接触角を測定した。接触角計は協和界面科学製CXDROPMASTERDH-350を用いた。<銅残渣除去性>シリコン上の銅残渣除去性は銅残渣の残留量を、以下に示す手順により測定した。1単結晶シリコンウェハの前処理接触角の測定手順で行ったのと同じ操作で8インチベアシリコンウェハの前処理を行った。2銅汚染液の調製銅粉1級銅粉325メッシュ、キシダ化学製1部、ポリエチレングリコール分子量1000、和光純薬製10部に超純水89部を加え銅汚染液を調製した。3銅汚染液による単結晶シリコンウェハの汚染処理前処理した単結晶シリコンウエハを、上記の銅汚染液に1分間浸漬した後、窒素気流で乾燥させることにより、ウエハの表面に均一に銅粉を付着させた。4汚染後の単結晶シリコンウェハの洗浄汚染処理した単結晶シリコンウェハの切片を、洗浄剤100gに浸漬した。25°Cで3分間静置した後に洗浄剤から取り出し、超純水で洗浄した後、窒素気流でウエハ表面を乾燥させた。5銅残渣残留量の測定と判定ベアシリコン上に残留した銅の量を全反射蛍光X線分析装置TXRF装置TREX-630III、テクノス社製を用いて測定することによって、ベアシリコンウエハ上に渣量した銅残留量を測定した。具体的には、TXRFを用いて、電圧40kV、電流40mAで測定を行い、銅のKα線に由来する8.04KeVにおけるピーク面積値を求めた。ターゲットはタングステンを使用した。TXRF測定で得られた銅残渣残留量の結果から、以下の判定基準でシリコン上の銅残渣除去性を判定した。◎:1.0×1010atomscm2未満○:1.0×1010~1.0×1011atomscm2△:1.0×1011~1.0×1012atomscm2×:1.0×1012atomscm2以上<銅表面粗さ>洗浄後の銅表面粗さは、以下に示す手順により行った。1銅メッキされたシリコンウエハの前処理単結晶シリコンウエハに銅メッキが施されたウエハアドバンスマテリアルテクノロジー社製、Cuメッキ10000AWafer、銅メッキの膜厚=1.0μmを研磨した後、縦1.5cm×横1.5cmに切断し、10酢酸水溶液中に1分間浸漬した後、超純水で洗い流した後、窒素気流で素早く乾燥させた。2銅メッキシリコンウェハの洗浄銅メッキされたシリコンウェハの切片を、半導体用洗浄剤100gに浸漬した。25°Cで1分間静置した後洗浄剤から取り出し、超純水で洗浄した後、窒素気流でウェハ表面を乾燥させた。3銅表面粗さの測定と判定前処理後の銅メッキされたシリコンウエハと、前処理洗浄後の銅メッキされたシリコンウエハのそれぞれを原子間力顕微鏡AFMSIIナノテクノロジー社製;E-Sweepを用いて、それぞれのウエハ表面の二乗平均粗さRSM値を測定した。AFM測定で得られた二乗平均粗さRSM値の測定結果から、以下の数式で銅表面粗さ増加率を算出し、下記の判定基準で銅表面粗さを評価した。銅表面粗さ増加率=RSMA/RSMB但し、RSMAは洗浄後ウエハの二乗平均粗さnm、RSMBは洗浄前のウエハの二乗平均粗さnmを表す。◎:3未満○:3~5△:5~10×:10以上本発明の実施例1~7の洗浄液は、銅残渣除去性、銅表面粗さのいずれも優れた性能を示した。一方、4級アンモニウムヒドロキシドAを用いない比較例1は銅残渣除去性、銅表面粗さが不良であった。また、本発明のアルキレンオキサイド付加物Bを用いない比較例2は銅残渣除去性が不充分である。pHが12.5未満の比較例3は銅残渣除去性が不充分である。"