"基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含むことを特徴とする微小機械デバイスの製造方法。前記第三ステップにおいて、前記犠牲層の表面にフォトレジスト層を塗布する第一サブステップと、前記フォトレジスト層に露光、現像を行って、パターン化されたフォトレジスト層を形成し、犠牲層の一部を露出させる第二サブステップと、前記パターン化されたフォトレジスト層及び前記の露出された犠牲層に第二材料層を形成する第三サブステップと、前記構造を有機溶剤に浸漬し、前記パターン化されたフォトレジスト層と、該パターン化されたフォトレジスト層に形成された第二材料層とを除去し、前記犠牲層にパターン化された第二材料層を形成する第四サブステップと、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の微小機械デバイスの製造方法。前記第二材料層の厚さが、前記フォトレジスト層の厚さより、小さいであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の微小機械デバイスの製造方法。しかし、前記凸部の材料は、前記第二材料層の材料と同じであるから、前記第一材料層と前記第二材料層が接着することを良く防止できない。前記犠牲層に凹槽があるから、該犠牲層に前記パターン化された第二材料層を堆積する工程は複雑である。従って、前記隙間を形成する方法は、複雑で、量産に不便である。従って、本発明は、二つの材料層が接着することを良く防止できる微小機械デバイス及び、工程が簡単で、量産に便利であるその製造方法を提供する。微小機械デバイスの製造方法、基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残った前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含む。前記第三ステップにおいて、前記犠牲層の表面にフォトレジスト層を塗布する第一サブステップと、前記フォトレジスト層に露光、現像を行って、パターン化されたフォトレジスト層を形成し、犠牲層の一部を露出させる第二サブステップと、前記パターン化されたフォトレジスト層及び前記の露出された犠牲層に第二材料層を形成する第三サブステップと、前記構造を有機溶剤に浸漬し、前記パターン化されたフォトレジスト層と、該パターン化されたフォトレジスト層に形成された第二材料層とを除去し、前記犠牲層にパターン化された第二材料層を形成する第四サブステップと、を含む。前記第二材料層の厚さが、前記フォトレジスト層の厚さより、小さい。従来の微小機械デバイスと比べると、本発明の微小機械デバイスは、前記パターン化された第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に少なくとも一つの凸部が設置されるため、前記第一材料層と前記パターン化された第二材料層とが接着することを防止できる。前記凸部の材料は、前記第一材料層と前記パターン化された第二材料層との材料と異なるから、該第一材料層と該パターン化された第二材料層とが接着することを良く防止できる。また、前記微小機械デバイスの製造方法は、工程が簡単で、量産に便利である。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。実施形態1図1を参照すると、本実施形態は、微小機械デバイス15を提供する。該微小機械デバイス15は、基板10、第一材料層12及びパターン化された第二材料層16を含む。前記第一材料層12は、前記基板10の表面に設置し、前記パターン化された第二材料層16は、一部の犠牲層14で支持され、前記第一材料層12との間に隙間がある。即ち、前記パターン化された第二材料層16は、前記第一材料層12と分離して設置する。前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に少なくとも一つの凸部22が設置される。前記第一材料層12の材料は、金属、合金又は複合材料である。前記パターン化された第二材料層16の材料は、金属、合金又は複合材料である。本実施形態において、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との材料が同じであり、銅であることが好ましい。該凸部22の材料は、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との材料と異なる。前記微小機械デバイス15において、前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に少なくとも一つの凸部22が設置されるため、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16とが接着することを防止できる。また、前記凸部22の材料は、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との材料と異なるから、該第一材料層12と該パターン化された第二材料層16とが接着することを良く防止できる。図2と図3を参照し、本実施形態は、前記微小機械デバイス15の製造方法を提供する。該製造方法は、下記のステップを含む。第一ステップでは、シリコン基板10を提供し、該シリコン基板10に第一材料層12を形成する。前記第一材料層12の材料は、金属、合金又は複合材料である。該第一材料層12の厚さに制限はない。本実施形態において、前記第一材料層12の材料が銅であることが好ましく、厚さが100ナノメートルである。前記シリコン基板10に第一材料層12を形成する方法は、プラズマ化学気相成長法PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD又は減圧化学気相成長法LowPressureChemicalVaporDeposition,LPCVDである。本実施形態において、プラズマ化学気相成長法を採用する。第二ステップでは、前記第一材料層12に犠牲層14を形成する。前記犠牲層14の材料は、金属又は二酸化珪素である。該犠牲層14の厚さが二つの材料層の間に形成しようとする隙間の高さと関係がある。本実施形態の製造方法で形成された隙間の高さが10ナノメートルであるから、前記犠牲層14の厚さは、10ナノメートル以上である。本実施形態において、前記犠牲層14の厚さが4マイクロメートルである。第三ステップでは、前記犠牲層14にパターン化された第二材料層16を形成する。本実施形態において、金属剥離技術で前記犠牲層14にパターン化された第二材料層16を形成する。具体的には、前記犠牲層14の表面にフォトレジスト層18を塗布する。該フォトレジスト層18に露光、現像を行って、パターン化されたフォトレジスト層18を形成し、犠牲層14の一部を露出させる。プラズマ化学気相成長法又は減圧化学気相成長法で前記パターン化されたフォトレジスト層18及び前記の露出された犠牲層14に第二材料層16を形成する。前記第二材料層16の厚さが前記パターン化されたフォトレジスト層18の厚さより小さく設定されている。これによって、前記パターン化されたフォトレジスト層18に形成された第二材料層16と、前記犠牲層14に形成された第二材料層16との間に高度差があるので、前記フォトレジスト層18に形成された第二材料層16と、前記犠牲層14に形成された第二材料層16とが接触できないようになる。前記構造を有機溶剤に浸漬する。該有機溶剤がアセトンacetone、テトラクロロメタンtetrachloromethane及びクロロホルムchloroformなど、フォトレジストを溶解できる有機溶剤である。本実施形態において、該有機溶剤がアセトンである。前記パターン化されたフォトレジスト層18がアセトンで溶解された場合、前記パターン化されたフォトレジスト層18に形成された前記第二材料層16と、前記犠牲層14に形成された第二材料層16とが接触できないので、前記パターン化されたフォトレジスト層18に形成された第二材料層16が前記犠牲層14から落ち、該犠牲層14にパターン化された第二材料層16が形成される。同時に、犠牲層14の一部が露出され、ウィンドウ図示せずが形成される。前記第二材料層16の材料は、金属、合金又は複合材料である。該第二材料層16の厚さに制限はない。本実施形態において、前記第二材料層16の材料が銅であることが好ましく、厚さが100ナノメートルである。第四ステップでは、ドライエッチング方法で一部の犠牲層14をエッチングする。反応性イオンエッチング方法でエッチングされたウィンドウを通じて、前記犠牲層14をエッチングし、残る犠牲層14の厚さを前記犠牲層14の厚さの五分の一から三分の二とする。この後、前記犠牲層14に複数の凹槽20が形成される。本実施形態において、まず、所定の時間の間反応性イオンエッチング方法で前記犠牲層14をエッチングする。次に、前記時間及び前記犠牲層14のエッチングされた厚さによって、該反応性イオンエッチングの速度を計算する。該反応性イオンエッチングの速度に応じて、エッチング時間を制御し、前記犠牲層14をエッチングし、該犠牲層14の厚さを二分の一の程度まで減少させる。即ち、反応性イオンエッチングした後、該犠牲層14の厚さを2マイクロメートルにさせる。前記反応性イオンエッチングする過程において、イオンが前記犠牲層14に高エネルギーで衝突するので、衝突された犠牲層14に反応物が形成されて、前記凹槽20の側壁に付着し、該凹槽20の側壁に保護膜図示せずが形成される。また、前記反応性イオンエッチングに制限されず、ケミカリーアシステッドイオンビームエッチングchemicallyassistedbeametching,CAIBE又は磁気強化反応イオンエッチングmagnetronenhancedreactiveionetching,MERIEを利用して、一部の犠牲層14をエッチングすることができる。第五ステップでは、前記犠牲層14をエッチングし、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との間に隙間を形成する。同時に、前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に、該犠牲層14を凸部22に形成させる。前記第四ステップにおいて形成された構造を腐食溶液に置き、3分間~1時間浸漬した後、前記構造を取り出す。該構造を洗浄し、窒素ガスで該構造を吹いて乾燥させる。前記構造を浸漬する過程において、前記犠牲層14が前記腐食溶液でエッチングされ、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との間に隙間が形成される。前記腐食溶液は、緩衝溶液である。該緩衝溶液は、フッ化水素酸hydrofluoricacid,HF溶液、水酸化アンモニウムammoniumhydroxide,NH4OH溶液又はフッ化アンモニウムammoniumfluoride,NH4F溶液の一種又は数種である。該緩衝溶液のPH値は、3~4.5である。本実施形態において、該緩衝溶液は、フッ化水素酸溶液と水酸化アンモニウム溶液の混合溶液であることが好ましく、PH値が4である。前記犠牲層14をエッチングする過程において、前記凹槽20の側壁に保護膜が被覆されるから、前記凹槽20の側壁に隣接する犠牲層14をエッチングする速度が遅くなる。前記凹槽20の側壁に隣接する犠牲層14をエッチングする速度は、前記凹槽20の底部の犠牲層14をエッチングする速度より遅いので、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との間に隙間を形成し、同時に、前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に凸部22を形成することができる。ドライエッチングの速度が一定である場合、前記凸部22の大きさは、前記ドライエッチングの時間と関係がある。即ち、該ドライエッチングの時間が短い場合、形成された凸部22が大きく、該ドライエッチングの時間が長い場合、形成された凸部22が小さい。しかし、該ドライエッチングの時間が短すぎる場合、前記第一材料層12と前記パターン化された第二材料層16との間に隙間を形成することができず、該ドライエッチングの時間が長すぎる場合、前記第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に凸部22を形成することができない。前記微小機械デバイス15の製造方法において、前記犠牲層14をエッチングすることを通じて、二つの材料層の間に隙間を形成するとともに、前記パターン化された第二材料層16の前記第一材料層12に相対する表面に凸部22が形成される。前記第一材料層12と前記第二材料層16との隙間が非常に狭い場合、該凸部22により、該第一材料層12と該第二材料層とが互いに接着することを防止できる。また、前記微小機械デバイス15の製造方法は、工程が簡単で、量産に便利であるという優れた点がある。"