"成膜対象に薄膜が成膜される雰囲気を生成するスパッタ処理室と、前記雰囲気に配置される荷重測定対象と、前記荷重測定対象から支持部材に印加される荷重を測定するセンサとを具備する成膜装置。請求項1において、前記荷重測定対象は、前記成膜対象に前記薄膜が成膜されるときに、前記成膜対象をクランプするクランプリングである成膜装置。請求項1~請求項2のいずれかにおいて、前記センサは、前記荷重測定対象のうちの互いに異なる複数の位置から前記支持部材にそれぞれ印加される複数の分解荷重をそれぞれ測定する複数のゲージを備え、前記荷重は、前記複数の分解荷重を示す成膜装置。請求項1~請求項3のいずれかにおいて、前記荷重を記録する記憶装置をさらに具備する成膜装置。請求項1~請求項4のいずれかにおいて、前記荷重に基づいて前記雰囲気が適切であるか不適切であるかを判別する制御装置と、前記雰囲気が不適切であるときに、アラームを発する出力装置とをさらに具備する成膜装置。スパッタ処理室により形成される雰囲気で第1成膜対象に第1薄膜を形成するステップと、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成された後に、前記雰囲気に配置されている荷重測定対象から支持部材に印加される荷重を測定するステップと、前記荷重に基づいて前記雰囲気が適切であるか不適切であるかを判別するステップと、前記雰囲気が適切であると判別されたときに、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成された後に、前記雰囲気で前記第1成膜対象と異なる第2成膜対象に第2薄膜を成膜するステップと、前記雰囲気が不適切であると判別されたときにアラームを発するステップとを具備する成膜方法。請求項6において、前記荷重測定対象は、前記成膜対象に前記薄膜が成膜されるときに、前記成膜対象をクランプするクランプリングである成膜方法。請求項6~請求項7のいずれかにおいて、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成される前に前記雰囲気で実行される複数の成膜処理が実行された直後にそれぞれ測定される複数の荷重を記録するステップをさらに具備し、前記雰囲気が適切であるか不適切であるかは、前記複数の荷重にさらに基づいて判別される成膜方法。請求項6~請求項8のいずれかにおいて、前記荷重は、前記荷重測定対象のうちの互いに異なる複数の位置から前記支持部材にそれぞれ印加される複数の分解荷重を示し、前記雰囲気が適切であるか不適切であるかは、前記複数の分解荷重に基づいて判別される成膜方法。スパッタ処理室により形成される雰囲気で第1成膜対象に第1薄膜を形成するステップと、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成された後に、前記雰囲気に配置されている荷重測定対象からセンサに印加される荷重を測定するステップと、前記荷重に基づいて前記雰囲気が適切であるか不適切であるかを判別するステップと、前記雰囲気が適切であると判別されたときに、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成された後に、前記雰囲気で前記第1成膜対象と異なる第2成膜対象に第2薄膜を成膜するステップと、前記雰囲気が不適切であると判別されたときにアラームを発するステップ前記第2成膜対象に前記第2薄膜が形成されたパターンウェハーから複数の半導体装置を作製するステップとを具備する半導体装置製造方法。請求項10において、前記荷重測定対象は、前記成膜対象に前記薄膜が成膜されるときに、前記成膜対象をクランプするクランプリングである半導体装置製造方法。請求項10~請求項11のいずれかにおいて、前記第1成膜対象に前記第1薄膜が形成される前に前記雰囲気で実行される複数の成膜処理が実行された直後にそれぞれ測定される複数の荷重を記録するステップをさらに具備し、前記雰囲気が適切であるか不適切であるかは、前記複数の荷重にさらに基づいて判別される半導体装置製造方法。請求項10~請求項12のいずれかにおいて、前記荷重は、前記荷重測定対象のうちの互いに異なる複数の位置から前記支持部材にそれぞれ印加される複数の分解荷重を示し、前記雰囲気が適切であるか不適切であるかは、前記複数の分解荷重に基づいて判別される半導体装置製造方法。その成膜不良は、その膜剥がれが発生した後に、その雰囲気で成膜処理を実行しないことにより、低減することができる。その膜剥がれを即座に検出することが望まれている。本発明の課題は、膜剥がれによる成膜不良を低減する成膜装置および成膜方法を提供することにある。以下に、発明を実施するための形態実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。本発明による成膜装置1は、スパッタ処理室5と荷重測定対象15とセンサ16-1~16-3とを備えている。スパッタ処理室5は、成膜対象に薄膜が成膜される雰囲気を生成する。荷重測定対象15は、その雰囲気に配置されている。センサ16-1~16-3は、荷重測定対象15から支持部材14に印加される荷重を測定する。本発明による成膜方法は、スパッタ処理室5により形成される雰囲気で第1成膜対象に第1薄膜を形成するステップと、その第1成膜対象にその第1薄膜が形成された後に、その雰囲気に配置されている荷重測定対象15から支持部材14に印加される荷重を測定するステップと、その荷重に基づいてその雰囲気が適切であるか不適切であるかを判別するステップと、その雰囲気が適切であると判別されたときに、その第1成膜対象にその第1薄膜が形成された後に、その雰囲気でその第1成膜対象と異なる第2成膜対象に第2薄膜を成膜するステップと、その雰囲気が不適切であると判別されたときにアラームを発するステップとを備えている。本発明による半導体装置製造方法は、スパッタ処理室5により形成される雰囲気で第1成膜対象に第1薄膜を形成するステップと、その第1成膜対象にその第1薄膜が形成された後に、その雰囲気に配置されている荷重測定対象15からセンサ16-1~16-3に印加される荷重を測定するステップと、その荷重に基づいてその雰囲気が適切であるか不適切であるかを判別するステップと、その雰囲気が適切であると判別されたときに、その第1成膜対象にその第1薄膜が形成された後に、その雰囲気でその第1成膜対象と異なる第2成膜対象に第2薄膜を成膜するステップと、その雰囲気が不適切であると判別されたときにアラームを発するステップその第2成膜対象にその第2薄膜が形成されたパターンウェハーから複数の半導体装置を作製するステップとを備えている。本発明による成膜装置および成膜方法は、成膜処理が実行される雰囲気に配置されている荷重測定対象の荷重を測定することにより、その雰囲気に配置される物体に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちる膜剥がれを検出することができ、その雰囲気の成膜処理に対する適否を判別することができる。このため、本発明による成膜装置および成膜方法によれば、その雰囲気が不適切と判別されたときにその雰囲気で成膜処理を実行しないことにより、成膜不良を防止することできる。図面を参照して、本発明による成膜装置の実施の形態を記載する。その成膜装置1は、図1に示されているように、成膜装置本体2と制御装置3とを備えている。成膜装置本体2と制御装置3とは、双方向に情報を伝送することができるように、互いに接続されている。図2は、成膜装置本体2を示している。成膜装置本体2は、スパッタ処理室5と複数のピン6とアーム7とウェハーリフター8とウェハーヒーター11とヒーターリフター12とを備えている。スパッタ処理室5は、内部を環境から密閉することにより、成膜処理に適した雰囲気を内部に生成する容器である。アーム7は、スパッタ処理室5の内部に配置され、鉛直方向に平行に移動することができるように、スパッタ処理室5に支持されている。複数のピン6は、それぞれ、棒状に形成されている。複数のピン6は、スパッタ処理室5の内部に配置され、その棒が鉛直方向に沿うように、かつ、その棒の鉛直上側の端が1つの水平面に沿うように、アーム7に固定されている。ウェハーリフター8は、制御装置3に制御されることにより、アーム7を鉛直方向に平行に移動させる。ウェハーヒーター11は、平坦面が形成され、その平坦面に複数の孔が形成されている。ウェハーヒーター11は、その平坦面が水平面に平行になるように、かつ、その平坦面が鉛直上方を向くように、かつ、その複数の孔の内部に複数のピン6が配置されるように、スパッタ処理室5の内部に配置されている。ウェハーヒーター11は、さらに、鉛直方向に平行に移動することができるように、スパッタ処理室5に支持されている。ウェハーヒーター11は、さらに、制御装置3に制御されることにより、その平坦面に乗せられるウェハーを加熱する。ヒーターリフター12は、制御装置3に制御されることにより、ウェハーヒーター11を鉛直方向に平行に移動させる。スパッタ処理室5は、図示されていないゲートバルブを備えている。そのゲートバルブは、スパッタ処理室5とロードロックチャンバーとの間に介設され、そのロードロックチャンバーの内部とスパッタ処理室5の内部とを接続するゲートを形成している。そのゲートバルブは、制御装置3により制御されることにより、そのゲートを閉鎖し、または、そのゲートを開放する。そのロードロックチャンバーは、搬送ロボットを備えている。その搬送ロボットは、ウェハーを掬うことによりそのウェハーを保持することができる。その搬送ロボットは、そのゲートバルブが開放されているときに、制御装置3により制御されることにより、そのロードロックチャンバーに配置されたウェハーをスパッタ処理室5に搬送し、または、スパッタ処理室5に配置されたウェハーをそのロードロックチャンバーに搬送する。成膜装置本体2は、さらに、ターゲット13とシールド14とクランプリング15と複数の歪ゲージ16-1~16-3とを備えている。ターゲット13は、成膜物質から形成され、その成膜物質としては、タングステンシリサイドWSiが例示される。スパッタ処理室5の内部に配置され、スパッタ処理室5の内部の鉛直上側に配置されている。シールド14は、図3に示されているように、円筒部分18と円盤部分19とを含んでいる。円筒部分18は、概ね円筒状に形成されている。円盤部分19は、円盤状に形成され、凹部底21と開口部22とが形成されている。凹部底21は、平坦に形成されている。円盤部分19は、凹部底21が水平面に平行になるように、外周が円筒部分18の鉛直下側の端に接合されている。開口部22は、円盤部分19の中央に円形に形成され、その円の直径がウェハーヒーター11の直径より大きくなるように、かつ、その円の直径がウェハーヒーター11に乗せられるウェハーの直径より大きくなるように、形成されている。このとき、シールド14は、円筒部分18の円筒の軸が鉛直方向に平行になるように、かつ、ターゲット13が円筒部分18の内側に配置されるように、スパッタ処理室5の内部に配置されている。シールド14は、ウェハーヒーター11が鉛直方向に移動するときにウェハーヒーター11が開口部22を通り抜けることができるように、円筒部分18の鉛直上側の端がスパッタ処理室5に接合されることにより、スパッタ処理室5に固定されている。クランプリング15は、円筒部分25と引っかかり部分26とフランジ部分27とから形成されている。円筒部分25は、円筒状に形成され、その円筒の直径がウェハーヒーター11の直径より大きくなるように、かつ、その円筒の直径がウェハーヒーター11に乗せられるウェハーの直径より大きくなるように、形成されている。引っかかり部分26は、リング状に形成され、円筒部分25の一端に接合されている。引っかかり部分26は、引っかかり部分26の開口部の直径がウェハーヒーター11に乗せられるウェハーの直径より少し小さくなるように、形成されている。フランジ部分27は、リング状に形成され、円筒部分25の他端に接合されている。フランジ部分27は、平坦面28が形成されている。クランプリング15は、平坦面28がシールド14の凹部底21に対向するように、スパッタ処理室5の内部に配置されている。複数の歪ゲージ16-1~16-3の各歪ゲージ16-ii=1,2,3は、シールド14の凹部底21に固定されている。複数の歪ゲージ16-1~16-3は、クランプリング15が複数の歪ゲージ16-1~16-3に乗せられることにより、凹部底21と平坦面28との間に挟まれ、クランプリング15を支持する。複数の歪ゲージ16-1~16-3は、図4に示されているように、それぞれ、互いに均等な間隔で離れるように、すなわち、正三角形の3頂点に重なるように、配置されている。複数の歪ゲージ16-1~16-3は、正三角形状に配置されることにより、クランプリング15を支持するときに、それぞれ、クランプリング15から概ね等しい荷重が印加される。歪ゲージ16-iは、さらに、クランプリング15から印加される荷重を測定し、その荷重を示す電気信号を制御装置3に出力する。成膜装置本体2は、さらに、図示されていないスパッタ装置を備えている。そのスパッタ装置は、制御装置3に制御されることにより、スパッタ処理室5の内部に減圧雰囲気を生成する。そのスパッタ装置は、さらに、制御装置3に制御されることにより、ターゲット13をスパッタリングする。制御装置3は、コンピュータであり、図5に示されているように、シーケンサ31と記憶装置32と複数のモニター機器33-1~33-3とアラーム装置34とを備え、図示されていない複数のインターフェースを備えている。シーケンサ31は、制御装置3にインストールされるコンピュータプログラムを実行して、記憶装置32と複数のモニター機器33-1~33-3とアラーム装置34とそのインターフェースとを制御する。記憶装置32は、シーケンサ31により生成される情報を一時的に記録する。複数のモニター機器33-1~33-3の各モニター機器33-iは、歪ゲージ16-iから出力された電気信号が示す荷重をシーケンサ31に出力する。アラーム装置34は、シーケンサ31により生成される音声をユーザに認識可能に出力する。なお、アラーム装置34は、音声と異なる他の情報を出力する出力装置に置換されることができる。その出力装置としては、シーケンサ31により生成される映像を表示するディスプレイが例示される。その複数のインターフェースは、制御装置3に接続される複数の外部機器により生成される情報をシーケンサ31にそれぞれ出力し、シーケンサ31により生成された情報をその複数の外部機器にそれぞれ出力する。その複数の外部機器は、ウェハーリフター8とウェハーヒーター11とヒーターリフター12とそのスパッタ装置とそのゲートバルブとその搬送ロボットとを含んでいる。制御装置3にインストールされるコンピュータプログラムは、制御装置3に複数の機能をそれぞれ実現させる複数のコンピュータプログラムから形成されている。その複数の機能は、図6に示されているように、成膜部41とモニター値収集部42と堆積膜剥がれ検出部43とを含んでいる。成膜部41は、ウェハーに薄膜が成膜されるように、成膜装置本体2を制御する。すなわち、成膜部41は、まず、複数のピン6がピン待機位置に配置されるようにウェハーリフター8を制御する。そのピン待機位置は、スパッタ処理室5の内部のうちのその搬送ロボットが配置され得る位置より十分に鉛直下方である。すなわち、複数のピン6は、そのピン待機位置に配置されたときに、その搬送ロボットに接触しないで、その搬送ロボットに搬送されるウェハーに接触しない。成膜部41は、さらに、ウェハーヒーター11がヒーター待機位置に配置されるようにヒーターリフター12を制御する。そのヒーター待機位置は、スパッタ処理室5の内部のうちのその搬送ロボットが配置され得る位置より十分に鉛直下方である。すなわち、ウェハーヒーター11は、そのヒーター待機位置に配置されたときに、その搬送ロボットに接触しないで、その搬送ロボットに搬送されるウェハーに接触しない。成膜部41は、さらに、スパッタ処理室5のゲートバルブが開放されるようにそのゲートバルブを制御する。成膜部41は、複数のピン6がそのピン待機位置に配置され、かつ、ウェハーヒーター11がそのヒーター待機位置に配置され、かつ、スパッタ処理室5のゲートバルブが開放されているときに、そのロードロックチャンバーに配置されていた成膜前ウェハーが搬送位置に配置されるように、その搬送ロボットを制御する。その搬送位置は、そのピン待機位置に配置される複数のピン6の鉛直上方であり、そのヒーター待機位置に配置されるウェハーヒーター11の鉛直上方である。成膜部41は、その成膜前ウェハーがその搬送位置に配置されているときに、その成膜前ウェハーが複数のピン6に保持されるように、かつ、その成膜前ウェハーがピン支持位置に配置されるように、ウェハーリフター8を制御する。そのピン支持位置は、その搬送位置の鉛直上方である。すなわち、その搬送ロボットは、その成膜前ウェハーがそのピン支持位置に配置されたときに、その成膜前ウェハーに接触しない。成膜部41は、その成膜前ウェハーがそのピン支持位置に配置されているときに、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーに配置されるように、その搬送ロボットを制御する。成膜部41は、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーに配置されているときに、そのゲートバルブが閉鎖されるようにそのゲートバルブを制御する。成膜部41は、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーに配置されているときに、さらに、その成膜前ウェハーがウェハーヒーター11に支持されるように、かつ、その成膜前ウェハーが成膜位置に配置されるように、ヒーターリフター12を制御する。その成膜位置は、そのピン支持位置より鉛直上方である。クランプリング15は、その成膜前ウェハーがその成膜位置に配置されたときに、引っかかり部分26がその成膜前ウェハーに引っかかることにより、その成膜前ウェハーをクランプする。クランプリング15は、その成膜前ウェハーがその成膜位置に配置されたときに、引っかかり部分26がその成膜前ウェハーに引っかかることにより、クランプ位置に持ち上げられ、複数の歪ゲージ16-1~16-3から離れる。成膜部41は、そのゲートバルブが閉鎖され、かつ、その成膜前ウェハーがその成膜位置に配置されているときに、その成膜前ウェハーが加熱されるように、ウェハーヒーター11を制御し、ターゲット13がスパッタリングされるようにそのスパッタ装置を制御する。成膜部41は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、その薄膜が形成された成膜後ウェハーが加熱されないようにウェハーヒーター11を制御する。成膜部41は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、さらに、スパッタ処理室5のゲートバルブが開放されるようにそのゲートバルブを制御する。成膜部41は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、さらに、ウェハーヒーター11がそのヒーター待機位置に配置されるように、ヒーターリフター12を制御する。成膜部41は、ウェハーヒーター11がそのヒーター待機位置に配置されるときに、その成膜後ウェハーが複数のピン6に支持されるように、かつ、その成膜後ウェハーがそのピン支持位置に配置されるように、ウェハーリフター8を制御する。成膜部41は、スパッタ処理室5のゲートバルブが開放され、かつ、その成膜後ウェハーがそのピン支持位置に配置されているときに、その成膜後ウェハーの鉛直下方にその搬送ロボットが配置されるように、その搬送ロボットを制御する。成膜部41は、その成膜後ウェハーの鉛直下方にその搬送ロボットが配置されているときに、その成膜後ウェハーがその搬送位置に配置されるように、すなわち、その成膜後ウェハーがその搬送ロボットに支持されるように、ウェハーリフター8を制御する。成膜部41は、その搬送ロボットにその成膜後ウェハーが支持されているときに、その成膜後ウェハーがそのロードロックチャンバーに配置されるように、その搬送ロボットを制御する。モニター値収集部42は、クランプリング15がクランプリング待機位置に配置されているときに、複数の歪ゲージ16-1~16-3からモニター値を収集する。クランプリング15は、そのクランプリング待機位置に配置されているときに、複数の歪ゲージ16-1~16-3に支持され、ウェハーヒーター11に支持されるウェハーに接触していないで、複数の歪ゲージ16-1~16-3のみに接触している。そのモニター値は、歪ゲージ16-1により測定された第1荷重と歪ゲージ16-2により測定された第2荷重と歪ゲージ16-3により測定された第3荷重とを示している。モニター値収集部42は、さらに、その第1荷重とその第2荷重とその第3荷重とに基づいてクランプリング15の重量を算出する。その重量は、その第1荷重とその第2荷重とその第3荷重とを加算した和を示している。モニター値収集部42は、さらに、複数の重量を複数の成膜処理に対応づけて記憶装置32に記録する。その複数の重量のうちのある成膜処理に対応する重量は、その成膜処理が実行された直後に複数の歪ゲージ16-1~16-3により測定されたモニター値に基づいて算出された重量を示している。堆積膜剥がれ検出部43は、モニター値収集部42により算出された複数の重量に基づいて成膜処理の適否を判別する。堆積膜剥がれ検出部43は、ある成膜処理に対応する重量がその成膜処理の直前の直前成膜処理に対応する重量より所定の重量だけ重いときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが適切であると判別する。堆積膜剥がれ検出部43は、ある成膜処理に対応する重量がその成膜処理の直前の直前成膜処理に対応する重量より小さいときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが不適切であると判別する。堆積膜剥がれ検出部43は、さらに、適切と判別されたときに、その成膜処理が実行された後にさらに成膜部41により他の成膜処理が実行されるように、成膜装置本体2を制御する。堆積膜剥がれ検出部43は、さらに、不適切と判別されたときに、アラームが発報されるようにアラーム装置34を制御し、その成膜処理が実行された後に成膜部41により他の成膜処理が実行されないように、成膜装置本体2を制御する。図7は、そのピン支持位置に配置されたウェハーを示している。そのウェハー45は、複数のピン6のみに接触し、複数のピン6により支持されている。ウェハー45は、さらに、その搬送ロボットが配置され得る位置より十分に鉛直上方である。このとき、ウェハー45は、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーからスパッタ処理室5に進入したり、その搬送ロボットがスパッタ処理室5からそのロードロックチャンバーに退避したりするときに、その搬送ロボットに接触しない。このとき、クランプリング15は、ウェハー45に接触しないで、そのクランプリング待機位置に配置され、複数の歪ゲージ16-1~16-3に支持されている。このため、クランプリング15がそのクランプリング待機位置に配置されているときに複数の歪ゲージ16-1~16-3によりそれぞれ測定された第1荷重と第2荷重と第3荷重との和は、クランプリング15の重量を示している。図8は、その成膜位置に配置されたウェハーを示している。そのウェハー46は、ウェハーヒーター11により支持され、クランプリング15によりクランプされている。このとき、クランプリング15は、そのクランプ位置に配置され、ウェハー46のみに接触することによりウェハー46に支持され、複数の歪ゲージ16-1~16-3に接触していない。すなわち、ウェハー46は、クランプリング15によりクランプされることにより、シールド14の開口部22に鉛直上方に向かって気体が流れているときでも、移動することが防止され、より確実にウェハーヒーター11に保持されることができる。本発明による成膜方法は、成膜装置1により実行され、半導体装置を生産する半導体装置製造方法に適用されている。その半導体装置製造方法は、前工程と後工程とを備えている。その前工程は、複数の工程を備え、その複数の工程は、本発明による成膜方法を含んでいる。本発明による成膜方法では、制御装置3は、まず、図9に示されているように、ウェハーに薄膜が成膜されるように、成膜装置本体2を制御するステップS1。すなわち、制御装置3は、ウェハーリフター8を制御することにより、複数のピン6をそのピン待機位置に配置する。制御装置3は、ヒーターリフター12を制御することにより、ウェハーヒーター11をそのヒーター待機位置に配置する。制御装置3は、スパッタ処理室5のゲートバルブを開放する。制御装置3は、複数のピン6がそのピン待機位置に配置され、かつ、ウェハーヒーター11がそのヒーター待機位置に配置され、かつ、スパッタ処理室5のゲートバルブが開放されているときに、その搬送ロボットを制御することにより、そのロードロックチャンバーに配置されていた成膜前ウェハーをその搬送位置に配置する。制御装置3は、その成膜前ウェハーがその搬送位置に配置されているときに、ウェハーリフター8を制御することにより、その成膜前ウェハーを複数のピン6に保持させ、その成膜前ウェハーをそのピン支持位置に配置する。制御装置3は、その成膜前ウェハーがそのピン支持位置に配置されているときに、その搬送ロボットをそのロードロックチャンバーに配置する。制御装置3は、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーに配置されているときに、そのゲートバルブが閉鎖する。制御装置3は、その搬送ロボットがそのロードロックチャンバーに配置されているときに、さらに、ヒーターリフター12を制御することにより、その成膜前ウェハーをウェハーヒーター11に支持させ、その成膜前ウェハーをその成膜位置に配置する。クランプリング15は、その成膜前ウェハーがその成膜位置に配置されたときに、引っかかり部分26がその成膜前ウェハーに引っかかることにより持ち上げられ、複数の歪ゲージ16-1~16-3から離れる。制御装置3は、そのゲートバルブが閉鎖され、かつ、その成膜前ウェハーがその成膜位置に配置されているときに、ウェハーヒーター11を制御することにより、その成膜前ウェハーを加熱し、そのスパッタ装置を制御することにより、ターゲット13をスパッタリングする。このとき、ターゲット13は、スパッタリングされることにより、成膜物質を放出する。その成膜前ウェハーは、ターゲット13に対向する表面にその成膜物質が堆積し、その成膜物質から形成される薄膜が形成される。このとき、シールド14は、ターゲット13に面する面にその成膜物質が堆積し、その成膜物質から形成される付着膜が形成され、その成膜物質がスパッタ処理室5の内壁に堆積することを防止する。クランプリング15は、シールド14と同様にして、ターゲット13に面する面にその成膜物質が堆積し、その成膜物質から形成される付着膜が形成される。制御装置3は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、ウェハーヒーター11を制御することにより、その薄膜が形成された成膜後ウェハーが加熱されないようにする。制御装置3は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、さらに、そのゲートバルブを開放する。制御装置3は、その成膜前ウェハーに所望の薄膜が形成された後に、さらに、ヒーターリフター12を制御することにより、ウェハーヒーター11をそのヒーター待機位置に配置する。制御装置3は、ウェハーヒーター11がそのヒーター待機位置に配置されているときに、ウェハーリフター8を制御することにより、その成膜後ウェハーを複数のピン6に支持させ、その成膜後ウェハーをそのピン支持位置に配置する。制御装置3は、そのゲートバルブが開放され、かつ、その成膜後ウェハーがそのピン支持位置に配置されているときに、その成膜後ウェハーの鉛直下方にその搬送ロボットを配置する。制御装置3は、その成膜後ウェハーの鉛直下方にその搬送ロボットが配置されているときに、ウェハーリフター8を制御することにより、その成膜後ウェハーをその搬送位置に配置し、その成膜後ウェハーをその搬送ロボットに支持させる。制御装置3は、その搬送ロボットにその成膜後ウェハーが支持されているときに、その搬送ロボットを制御することにより、その成膜後ウェハーをそのロードロックチャンバーに配置する。制御装置3は、クランプリング15がそのクランプリング待機位置に配置されているときに、複数の歪ゲージ16-1~16-3を用いてモニター値を測定するステップS2。そのモニター値は、歪ゲージ16-1により測定された第1荷重と歪ゲージ16-2により測定された第2荷重と歪ゲージ16-3により測定された第3荷重とを示している。制御装置3は、そのモニター値に基づいてクランプリング15の重量を算出するステップS3。その重量は、その第1荷重とその第2荷重とその第3荷重とを加算した和を示している。制御装置3は、さらに、その重量をステップS1で実行された成膜処理に対応づけて記憶装置32に記録するステップS4。制御装置3は、ステップS3で算出された重量に基づいて成膜処理の適否を判別するステップS5。すなわち、制御装置3は、その重量がその成膜処理の直前に実行された直前成膜処理に対応する重量より所定の重量だけ重いときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが適切であると判別する。制御装置3は、その重量がその成膜処理の直前に実行された直前成膜処理に対応する重量より小さいときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが不適切であると判別する。制御装置3は、適切と判別されたときにステップS5、OK、ステップS1~S5が繰り返して実行されるように、成膜装置本体2を制御する。制御装置3は、不適切と判別されたときにステップS5、NG、アラーム装置34を制御することによりアラームを発報し、ステップS1~S5が繰り返して実行されないように成膜装置本体2を制御するステップS6。ユーザは、不適切と判別されたときにステップS5、NG、スパッタ処理室5の内部に堆積した付着膜を除去し、本発明による成膜方法を再度開始する。その半導体装置製造方法の前工程では、本発明による成膜方法が実行された後に、複数の工程が実行されることより、本発明による成膜方法により成膜されたウェハーが加工される。その複数の工程には、そのウェハーにフォトレジストパターンが形成されるフォトリソグラフィ工程と、そのフォトレジストパターンを用いてそのウェハーに形成された膜を加工するエッチング工程と、そのウェハーに導電層を形成する不純物添加工程と、凹凸がある膜の表面を研磨することにより平坦にするCMP工程とを含んでいる。その半導体装置製造方法の後工程では、その前工程で作製されたウェハーが複数のLSIチップに切り分けられ、その複数のLSIチップがそれぞれパッケージングされた複数の半導体装置が作製される。図10は、本発明による成膜方法が実行されたときのクランプリング15の重量変化を示している。その重量変化51は、複数のウェハー処理累積枚数に対応する複数の重量を示している。その複数の重量のうちのあるウェハー処理累積枚数に対応する重量は、便宜的に、そのウェハー処理累積枚数に対応するウェハーに対して実行された成膜処理の直後に測定されたクランプリング15の重量から、最初の成膜処理が実行される前に測定されたクランプリング15の重量を減算した差を示している。重量変化51は、そのウェハー処理累積枚数が多いほどその重量が大きいことを示し、成膜処理が実行されるごとにその重量が増加していることを示している。重量変化51は、さらに、その重量がそのウェハー処理累積枚数に概ね比例することを示している。その複数のウェハー処理累積枚数に対応する複数の成膜処理では、400枚目のウェハーに対して実行された成膜処理の直後に、クランプリング15の表面に堆積した付着膜の一部がクランプリング15から剥がれ落ちる膜剥がれが発生している。重量変化51は、さらに、その膜剥がれが発生したときに、その重量が減少することを示している。クランプリング15は、たとえば、成膜物質がタングステンシリサイドWSiである場合で、その付着膜のうちの5mm×1mm×2mmの範囲が剥がれ落ちたときに、0.195gだけ減少する。重量変化51は、さらに、401枚目以降のウェハーに対して成膜処理が実行されていないことを示し、本発明による成膜方法でその重量が減少することが検出された後に成膜処理が実行されないことを示している。図11は、比較例の成膜方法が実行されたときのクランプリング15の重量変化を示している。その重量変化52は、重量変化51と同様にして、複数のウェハー処理累積枚数に対応する複数の重量を示している。すなわち、その複数の重量のうちのあるウェハー処理累積枚数に対応する重量は、便宜的に、そのウェハー処理累積枚数に対応するウェハーに対して実行された成膜処理の直後に測定されたクランプリング15の重量から、最初の成膜処理が実行される前に測定されたクランプリング15の重量を減算した差を示している。重量変化52は、重量変化51と同様に、そのウェハー処理累積枚数が多いほどその重量が大きいことを示し、成膜処理が実行されるごとにその重量が増加していることを示している。重量変化52は、さらに、その重量がそのウェハー処理累積枚数に概ね比例することを示している。その複数の成膜処理では、400枚目のウェハーに対して実行された成膜処理の直後に、クランプリング15の表面に堆積した付着膜の一部がクランプリング15から剥がれ落ちる膜剥がれが発生している。重量変化52は、さらに、その比較例の成膜方法では、401枚目以降のウェハーに対しても、400枚目までのウェハーと同様にして、成膜処理が実行されていることを示している。スパッタ処理室5の内部は、その膜剥がれが発生したときに、パーティクルが飛散することがある。ウェハーは、スパッタ処理室5の内部にパーティクルが飛散しているときに、成膜されると、成膜不良が発生することがある。すなわち、その401枚目以降のウェハーは、400枚目までのウェハーに比較して、成膜不良が発生している可能性が高い。本発明による成膜方法によれば、制御装置3は、クランプリング15の重量を測定することにより、クランプリング15の表面に堆積した付着膜の一部がクランプリング15から剥がれ落ちる膜剥がれが発生したことを検出することができる。本発明による成膜方法によれば、不適切であると判別した後に成膜処理を実行しないことにより、その比較例の成膜方法に比較して、パーティクルが飛散している雰囲気でウェハーが成膜されることがより確実に防止され、そのウェハーに成膜不良が発生することをより確実に防止することができる。なお、堆積膜剥がれ検出部43は、ある成膜処理に対応する重量からその成膜処理の直前の直前成膜処理に対応する重量を減算した差が所定の値より大きいときにも、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが不適切であると判別することができる。シールド14に堆積した付着膜は、一部が剥がれ落ちることがあり、その一部がクランプリング15の上に配置されることがある。シールド14の付着膜が剥がれ落ちる膜剥がれは、クランプリング15の付着膜が剥がれ落ちる膜剥がれと同様にして、スパッタ処理室5の内部にパーティクルを飛散させることがある。このとき、制御装置3は、クランプリング15の重量が所定の値以上に増加したときにも不適切であると判別することにより、シールド14に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちることを検出することができ、パーティクルが飛散している雰囲気でウェハーが成膜されることがより確実に防止され、そのウェハーに成膜不良が発生することをより確実に防止することができる。なお、複数の歪ゲージ16-1~16-3は、荷重を測定する他のセンサに置換されることができる。このようなセンサとしては、1個から形成されるセンサ、シールド14の重量を測定するセンサが例示される。堆積膜剥がれ検出部43は、その1個から形成されるセンサが適用された場合でも、既述の実施の形態における複数の歪ゲージ16-1~16-3が適用された場合と同様にして、ウェハーに成膜不良が発生することをより確実に防止することができる。堆積膜剥がれ検出部43は、シールド14の重量を測定するセンサが適用されたときに、クランプリング15の重量に基づいて次回の成膜処理の適否を判別することに置換して、シールド14の重量に基づいて次回の成膜処理の適否を判別する。スパッタ処理室5の内部は、シールド14に堆積した付着膜が剥がれ落ちた場合でも、クランプリング15に堆積した付着膜が剥がれ落ちた場合と同様にして、パーティクルが飛散する。このため、本発明による成膜装置は、シールド14の重量を測定するセンサが適用された場合でも、既述の実施の形態における成膜装置1と同様にして、ウェハーに成膜不良が発生することをより確実に防止することができる。本発明による成膜装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態におけるモニター値収集部42と堆積膜剥がれ検出部43とが他のモニター値収集部と堆積膜剥がれ検出部とにそれぞれ置換されている。そのモニター値収集部は、複数の歪ゲージ16-1~16-3からモニター値を収集し、その複数のモニター値を複数の成膜処理に対応づけて記憶装置32に記録する。その複数のモニター値のうちのある成膜処理に対応するモニター値は、第1荷重と第2荷重と第3荷重とを示している。その第1荷重は、その成膜処理が実行された直後にクランプリング15が複数の歪ゲージ16-1~16-3に支持されたときに、歪ゲージ16-1に印加された荷重を示している。その第2荷重は、その成膜処理が実行された直後にクランプリング15が複数の歪ゲージ16-1~16-3に支持されたときに、歪ゲージ16-2に印加された荷重を示している。その第3荷重は、その成膜処理が実行された直後にクランプリング15が複数の歪ゲージ16-1~16-3に支持されたときに、歪ゲージ16-3に印加された荷重を示している。その堆積膜剥がれ検出部は、ある成膜処理に対応する第1荷重と第2荷重と第3荷重との比が、その成膜処理の直前の直前成膜処理に対応する第1荷重と第2荷重と第3荷重との比と概ね等しいときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが適切であると判別する。その堆積膜剥がれ検出部は、ある成膜処理に対応する第1荷重と第2荷重と第3荷重との比が、その成膜処理の直前の直前成膜処理に対応する第1荷重と第2荷重と第3荷重との比が所定の値以上に異なっているときに、その成膜処理の後に他の成膜処理が実行されることが不適切であると判別する。その堆積膜剥がれ検出部は、さらに、適切と判別されたときに、その成膜処理が実行された後にさらに成膜部41により他の成膜処理が実行されるように、成膜装置本体2を制御する。その堆積膜剥がれ検出部は、さらに、不適切と判別されたときに、アラームが発報されるようにアラーム装置34を制御し、その成膜処理が実行された後に成膜部41により他の成膜処理が実行されないように、成膜装置本体2を制御する。クランプリング15に堆積した付着膜は、剥がれ落ちた一部がクランプリング15の上に配置されることがある。このとき、クランプリング15は、重量が変化しないで、複数の歪ゲージ16-1~16-3によりそれぞれ測定された第1荷重と第2荷重と第3荷重との比が所定の値以上に変化する。本実施の形態における制御装置は、その比が所定の値以上に異なっているときに不適切であると判別することにより、クランプリング15に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちることを検出することができ、パーティクルが飛散している雰囲気でウェハーが成膜されることが防止され、そのウェハーに成膜不良が発生することを防止することができる。なお、その堆積膜剥がれ検出部は、その第1荷重と第2荷重と第3荷重との比が所定の値以上に異なっているときに、または、クランプリング15の重量が予想された重量から所定の重量以上に異なっているときに、不適切であると判別することができる。このような堆積膜剥がれ検出部が適用された制御装置は、クランプリング15またはシールド14に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちることをより確実に検出することができ、パーティクルが飛散している雰囲気でウェハーが成膜されることがより確実に防止され、そのウェハーに成膜不良が発生することをより確実に防止することができる。"