分離膜で素子分離されたシリコン基板上にゲート電極を有する半導体装置であって、該シリコン基板の分離膜が、酸化物層の上に酸化剤を透過させにくい材料層を積層した構造を有することを特徴とする、半導体装置。前記ゲート電極は、その一部が前記酸化剤を透過させにくい材料層の上に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。前記酸化剤を透過させにくい材料層は、窒化膜又は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置。前記ゲート電極は、高誘電率ゲート絶縁膜を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の半導体装置。前記分離膜の側面方向に延在するシリコン基板と、該分離膜の下方に存在するシリコン基板との間に、境界面を有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載の半導体装置。前記分離膜の側面方向に延在するシリコン基板は、前記分離膜の下方に存在するシリコン基板の上に、エピタキシャル成長により形成されたものであることを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。分離膜で分離されたシリコン基板上にゲート電極を有する半導体装置の、該分離膜の製造方法であって、シリコン基板の分離膜を構成する酸化物層及び酸化剤を透過させにくい材料層を、この順で基礎シリコン体の上に積層形成する工程と、該酸化物層及び酸化剤を透過させにくい材料層を、分離膜としての所定の形状を残して除去する工程と、該残された酸化物層及び酸化剤を透過させにくい材料層の周囲を埋めるように、シリコン基板となるシリコン層を形成する工程と、を含むことを特徴とする、シリコン基板分離膜の製造方法。前記シリコン層を形成する工程は、前記基礎シリコン体の上にエピタキシャル成長により形成する工程であることを特徴とする、請求項7に記載の製造方法。前記酸化剤を透過させにくい材料層は、窒化膜又は酸化アルミニウム膜であることを特徴とする、請求項7又は8に記載の製造方法。上記のように、High-k膜ゲート電極又はHKMG構造を有する例えばMOS型トランジスタでは、後工程において酸化剤がHigh-k膜部へ侵入するという問題があるが、その酸化剤の侵入経路は複数存在することが知られている。その中でも、STIShallowTrenchIsolation部からの侵入は、従来のSTI構造では抑制しにくいという問題があった。これは、従来のSTI構造では、酸化膜等で形成したSTIの直上にHigh-k膜であるゲート絶縁膜が成膜されるため、STIから酸化剤が侵入することを防止できなかったためである。本発明は、上記の構造を有する半導体装置において、STI部からHigh-k膜部への酸化剤の侵入を効果的に抑制することを課題とする。第1の視点において、本発明に係る半導体装置は、分離膜で素子分離されたシリコン基板上にゲート電極を有する半導体装置であって、該シリコン基板の分離膜が、酸化物層酸化膜の上に酸化剤を透過させにくい材料層窒化膜等を積層した構造を有することを特徴とする。第2の視点において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、分離膜で分離されたシリコン基板上にゲート電極を有する半導体装置の、該分離膜の製造方法であって、シリコン基板の分離膜を構成する酸化物層酸化膜及び酸化剤を透過させにくい材料層窒化膜等を、この順で基礎シリコン体の上に積層形成する工程と、該酸化物層及び酸化剤を透過させにくい材料層を、分離膜としての所定の形状を残して除去する工程と、該残された酸化物層及び酸化剤を透過させにくい材料層の周囲を埋めるように、シリコン基板となるシリコン層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。このような構成により、STI部からHigh-k膜部への酸化剤特に酸素の侵入を効果的に抑制するための構造を有する半導体装置を提供することができる。本発明の実施形態を説明する前に、従来技術のHKMG構造の半導体装置のSTI分離膜の製造方法例と、この構造が有する問題について説明する。図2、3は従来の典型的なHKMG構造を有する半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。まず図2aに示すように、シリコン基板10の上にパッド酸化膜12及びマスク窒化膜14を順に積層したのち、トレンチ形成のためのレジスト16を配置する。次に図2bに示すように、マスク窒化膜14、パッド酸化膜12、さらにシリコン基板10をドライエッチし、シリコン基板10にトレンチ18を形成する。次に図2cに示すように、全面にSTIのための酸化膜20を成長させる。次に、図3dに示すように、STI酸化膜20をCMPChemicalMechanicalPolishingによりマスク窒化膜14が露出するまで平坦化するか、又はSTI酸化膜20のみをウェットエッチする。次に図3eに示すようにマスク窒化膜14をウェットエッチにて除去する。さらに図3fに示すように、上面が平坦になるようにパッド酸化膜12を除去した後、STI酸化膜20を含む表面上にHigh-kゲート絶縁膜22、ゲートメタル24、ポリシリコン電極26を順に形成して完成する。このような製造方法により形成されたHKMG構造では、STI酸化膜20とHigh-kゲート絶縁膜22が直接接しているので、STI酸化膜20から酸化剤がHigh-kゲート絶縁膜22に侵入しやすく、そのEOTが厚膜化するおそれがある。これに対し、本発明における、STI構造を有する半導体基板の製造方法では、シリコン基板上に酸化膜および酸化剤を透過させにくい材料層窒化膜等を順に堆積後、STIとなる領域に当該積層膜を残すようにパターニングする。それをエッチングして露出した基板上にシリコン層を例えばエピタキシャル成長させて積層膜の周囲を埋めることで、STIを形成する。即ち、本発明における製造方法では、最初にシリコン基板を分離するための酸化膜の構造体を先に形成し、その後にシリコン層を形成するという、通常とは逆の手順を用いる。さらにこのとき、分離用の酸化膜の上に酸化剤を透過させにくい材料層窒化膜等を成膜しておく。酸化膜上に形成された、酸化剤、特に酸素の透過率の低い材料層窒化膜等により、酸化膜からの酸化剤の侵入を抑制し、STI上のHigh-k膜の酸化を抑制することができる。なお、本発明において酸化剤とは主に酸化膜から由来する酸素であり、酸化剤を透過させにくい材料層とは、特に酸素を透過させにくい窒化物層シリコン窒化膜等が好適に用いられるが、AlO酸化アルミニウム等でもよい。こうして得られる半導体装置は、シリコン基板を素子分離する分離膜が、酸化物層の上に酸化剤を透過させにくい材料層窒化膜等を積層したものである。そしてその上にHigh-k膜金属膜をさらに有しても良いゲート電極が形成されても、この窒化物層等が、酸化物層からゲート電極への酸化剤の侵入を抑制する。本発明における第1の視点において、前記ゲート電極は、高誘電率ゲート絶縁膜を含むことが好ましい。さらに金属層を含むことも好ましい。また、前記ゲート電極は、その一部が前記酸化剤を透過させにくい材料層の上に形成されていることが好ましい。また、前記酸化剤を透過させにくい材料層は、窒化膜又は酸化アルミニウム膜であることが好ましい。また、前記分離膜の側面方向に延在するシリコン基板と、該分離膜の下方に存在するシリコン基板との間に、境界面を有することが好ましい。これは、分離膜の側面方向に延在するシリコン基板と、分離膜の下方に存在するシリコン基板とは、連続的に形成されたものではなく、別々の工程で形成されたものであることを意味する。なお、分離膜の側面方向とは、シリコン基板面に平行な方向であり、分離膜の下方とは、シリコン基板面に分離膜が現われる側とは反対側の方向である。また、前記分離膜の側面方向に延在するシリコン基板は、前記分離膜の下方に存在するシリコン基板の上に、エピタキシャル成長により形成されたものであることが好ましい。これにより、分離膜の下方に存在するシリコン基板の上にのみ、さらにシリコン層を形成することができる。本発明における第2の視点において、前記シリコン層を形成する工程は、前記基礎シリコン体の上にエピタキシャル成長により形成する工程であることが好ましい。図1は、本発明の一実施例に係る、シリコン基板分離膜構造とゲート電極の構造とその製造方法を示す断面図である。図1に従ってその製造方法を説明する。まず図1aに示すように、基礎シリコン体30分離膜の下方に存在するシリコンに相当の上に、シリコン基板分離膜の下層となるSTI酸化膜32と、分離膜の上層となるSTI窒化膜34をこの順に積層形成する。次いでSTI窒化膜34の上面の、シリコン基板分離膜として残したい範囲にレジスト36を形成する。次に、図1bに示すように、STI酸化膜32とSTI窒化膜34を基礎シリコン体30が露出するまでエッチングする。そしてレジスト36を除去する。図1cに示すように、残したSTI酸化膜32とSTI窒化膜34の周囲を埋めるように、シリコン基板40分離膜の側面方向に延在するシリコンに相当をエピタキシャル成長させる。シリコン基板40をこのように形成することにより、基礎シリコン体30の上にのみシリコン基板40を形成することができる。ここまでで、STI分離されたシリコン基板構造が形成できる。さらに図1dに示すように、STI窒化膜34とシリコン基板40の上にわたってHigh-kゲート絶縁膜42、ゲートメタル44、ポリシリコン電極46を順に形成し、High-k膜/金属ゲート電極が完成する。その後は半導体の公知の構造を必要に応じて形成すればよい。このようにして形成されたHigh-k膜/金属ゲート電極は、STI窒化膜34がシリコン分離膜から酸化剤が進入することを阻止するため、High-k膜のEOTの厚膜化が抑制される。以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態の構成にのみ制限されるものではなく、本発明の全開示請求の範囲を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素各請求項の各要素、各実施例の各要素、各図面の各要素等を含むの多様な組み合わせないし選択が可能である。即ち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正及び開示した要素ないし組成の、目的に応じた任意の選択、組み合わせを含むことは勿論である。