気相成長反応を行う反応室と、前記反応室に載置される基板を加熱するヒータと、前記基板の温度を測定する温度測定部と、前記基板の周辺にガス噴出部が設けられたガス流路と、前記ガス流路に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、前記温度測定部での測定結果に応じて、前記ガス供給部から前記ガス流路に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部とを有することを特徴とする気相成長装置。前記基板が載置されるサセプタと、前記サセプタを上部で支持し、前記ヒータを内部に配置する回転筒と、前記反応室の下部に配置されて前記回転筒を回転させる回転軸とを有し、前記ガス流路は、前記回転筒の周囲に配置されており、前記ガス噴出部は、前記ガスが前記サセプタの外周部から前記反応室の内壁へ向かう方向に噴出するよう設けられていることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。前記ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の気相成長装置。基板を加熱して前記基板の上に所定の膜を形成する気相成長方法において、前記基板を昇温する際には、前記基板の周辺部にアルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を供給し、前記基板を降温する際には、前記基板の周辺部に水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を供給することを特徴とする気相成長方法。前記基板の温度を測定し、この測定結果に基づいて前記基板の周辺部に供給するガスの種類と供給の有無を制御することを特徴とする請求項4に記載の気相成長方法。本発明は、上記点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明の第1の態様は、気相成長反応を行う反応室と、反応室に載置される基板を加熱するヒータと、基板の温度を測定する温度測定部と、基板の周辺にガス噴出部が設けられたガス流路と、ガス流路に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、温度測定部での測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部とを有することを特徴とする気相成長装置に関する。本発明の第1の態様において、気相成長装置は、基板が載置されるサセプタと、サセプタを上部で支持し、ヒータを内部に配置する回転筒と、反応室の下部に配置されて回転筒を回転させる回転軸とを有し、ガス流路は、回転筒の周囲に配置されており、ガス噴出部は、ガスがサセプタの外周部から反応室の内壁へ向かう方向に噴出するよう設けられていることが好ましい。本発明の第1の態様において、ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部とを有することが好ましい。本発明の第2の態様は、基板を加熱して基板の上に所定の膜を形成する気相成長方法において、基板を昇温する際には、基板の周辺部にアルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を供給し、基板を降温する際には、基板の周辺部に水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を供給することを特徴とするものである。本発明の第2の態様においては、基板の温度を測定し、この測定結果に基づいて基板の周辺部に供給するガスの種類と供給の有無を制御することが好ましい。本発明の第1の態様によれば、基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置が提供される。本発明の第2の態様によれば、基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長方法が提供される。図1は、本実施の形態の気相成長装置の模式的な断面図である。尚、この図では、説明のために必要な構成以外を省略している。また、縮尺についても、各構成部を明確に視認できるよう原寸大のものとは変えている。図1に示すように、気相成長装置100は、反応室としてのチャンバ1と、チャンバ1の内部を仕切る中空筒状のライナ2と、チャンバ1を冷却する冷却水の流路3と、反応ガス4を導入する供給口5と、反応後の反応ガス4を排気する排気部6と、基板7を支持するサセプタ8と、チャンバ1の上下部を連結するフランジ10と、フランジ10をシールするパッキン11と、排気部6と配管12を連結するフランジ13と、フランジ13をシールするパッキン14とを有する。パッキン11、14には、耐熱温度が300°Cのフッ素ゴムを用いることができる。ライナ2は、チャンバ1の内壁1aと、基板7上への気相成長反応が行われる空間Aとを仕切る目的で設けられる。チャンバ1の内壁1aは、例えばステンレスで構成されるので、ライナ2を設けることで、内壁1aが反応ガスによって腐食されるのを防ぐことができる。気相成長反応は高温下で行われるので、ライナ2は、高い耐熱性を備える材料によって構成される。例えば、SiC部材またはカーボンにSiCをコートして構成された部材の使用が可能である。本実施の形態では、便宜上、ライナ2を胴部2aと頭部2bの2つの部分に分けて称する。胴部2aは、内部にサセプタ8が配置される部分であり、頭部2bは、胴部2aより内径の小さい部分である。胴部2aと頭部2bは、一体となってライナ2を構成しており、頭部2bは胴部2aの上方に位置する。頭部2bの上部開口部には、シャワープレート15が設けられている。シャワープレート15は、基板7の表面に反応ガス4を均一に供給するガス整流板として働く。シャワープレート15には、複数個の貫通孔15aが設けられており、供給口5からチャンバ1に導入された反応ガス4は貫通孔15aを通って基板7の方へ流下する。ここで、反応ガス4は、無駄に拡散することなく、効率よく基板7の表面に到達することが好ましい。このため、頭部2bの内径は胴部2aより小さく設計されている。具体的には、頭部2bの内径は、貫通孔15aの位置と基板7の大きさを考慮して決められる。基板7を支持するサセプタ8は、胴部2aに配置される。例えば、基板7の上にSiCをエピタキシャル成長させる場合、基板7は1500°C以上の高温にする必要がある。このため、サセプタ8には高耐熱性の材料を用いる必要があり、具体的には、等方性黒鉛の表面にCVDChemicalVaporDeposition法によってSiCを被覆したものなどが用いられる。サセプタ8の形状は、基板7を載置可能な形状であれば特に限定されるものではなく、リング状や円盤状などから適宜選択して用いられる。ライナ2の胴部2aには、回転軸16と、回転軸16の上端に設けられた回転筒17とが配置されている。サセプタ8は、回転筒17に取り付けられており、回転軸16が回転すると、回転筒17を介してサセプタ8が回転するようになっている。気相成長反応時においては、基板7をサセプタ8上に載置することにより、サセプタ8の回転とともに基板7が回転する。一方、シャワープレート15を通過した反応ガス4は、頭部2bを通って基板7の方へ流下する。基板7が回転していることにより、反応ガス4は基板7に引きつけられ、シャワープレート15から基板7に至る領域で縦フローになる。基板7に到達した反応ガス4は、基板7の表面で乱流を形成することなく、水平方向に略層流となって流れる。このようにして、基板7の表面には、新たな反応ガス4が次々と接触する。そして、基板7の表面で熱分解反応または水素還元反応を起こしてエピタキシャル膜を形成する。尚、気相成長装置100では、基板7の外周部からライナ2までの距離を狭くして、基板7の表面における反応ガス4の流れがより均一になるようにしている。反応ガス4の内で気相成長反応に使用されなかったガスや、気相成長反応により生成したガスは、チャンバ1の下部に設けられた排気部6から排気される。以上の構成とすることで、基板7を回転させながら気相成長反応を行うことができる。つまり、基板7を回転させることにより、基板7の表面全体に効率よく反応ガス4が供給され、膜厚均一性の高いエピタキシャル膜を形成することが可能となる。また、新たな反応ガス4が次々と供給されるので、成膜速度の向上が図れる。ところで、基板7の表面にエピタキシャル膜を形成するには、基板7を加熱する必要がある。特に、SiCエピタキシャル膜を形成する場合などは、基板7を例えば1650°C以上の高温に加熱する必要がある。本実施の形態では、ヒータ9によって基板7を加熱する。ヒータ9は、抵抗加熱型のヒータとすることができる。ヒータ9は、回転筒17の内部に配置されて、基板7をその下方から加熱する。また、ヒータ9は、円盤状のインヒータ9aと、環状のアウトヒータ9bとを有する。インヒータ9aは、基板7に対応する位置に配置される。アウトヒータ9bは、インヒータ9aの上方であって、基板7の外周部に対応する位置に配置される。基板7の外周部は中央部に比べて温度が低下しやすいため、アウトヒータ9bを設けることで外周部の温度低下を防ぐことができる。インヒータ9aとアウトヒータ9bは、アーム形状をした導電性のブースバー20によって支持されている。ブースバー20は、例えば、カーボンをSiCで被覆してなる部材によって構成される。また、ブースバー20は、インヒータ9aとアウトヒータ9bを支持する側とは反対の側で、石英製のヒータベース21によって支持されている。そして、モリブデンなどの金属からなる導電性の連結部22によって、ブースバー20と電極棒23が連結されることにより、電極棒23からインヒータ9aとアウトヒータ9bへ給電が行われる。具体的には、電極棒23からこれらのヒータの発熱体に通電がされて発熱体が昇温する。基板7の表面温度は、温度測定部としての放射温度計24a、24bによって測定することができる。図1において、放射温度計24aは、基板7の中央部付近の温度を測定するのに用いられる。一方、放射温度計24bは、基板7の外周部の温度を測定するのに用いられる。これらの放射温度計は、図1に示すように、チャンバ1の上部に設けることができる。この場合、シャワープレート15を透明石英製とすることにより、放射温度計24a、24bによる温度測定がシャワープレート15によって妨げられないようにすることができる。測定した温度データは、図示しない制御機構に送られ、インヒータ9aとアウトヒータ9bの各出力制御にフィードバックされる。一例として、SiCエピタキシャル成長を行う場合、各ヒータの設定温度は次のようにすることができる。これにより、基板7を1650°C程度に加熱することが可能である。インヒータ9aの温度:1680°Cアウトヒータ9bの温度:1750°C気相成長装置100には、回転筒17の周囲にガス流路18が設けられている。このガス流路18へは、供給口25から所定のガスが供給される。供給されたガスは、ガス流路18を通ってガス噴出部19から噴出する。ここで、ガス噴出部19は基板7の周辺部に設けられており、ガスは、サセプタ8の外周部からチャンバ1の内壁1aへ向かう方向に噴出する。供給口25には、ガス供給管30が接続している。また、ガス貯蔵部28には、熱伝導率の低いガスが貯蔵されており、ガス貯蔵部29には、熱伝導率の高いガスが貯蔵されている。本実施の形態では、ガス供給管30に供給されるガスをバルブ31で選択できるようになっている。すなわち、バルブ31により、ガス貯蔵部28およびガス貯蔵部29のいずれか一方のガスが、ガス供給管30を通じて、供給口25からガス流路18へ供給される。本実施の形態においては、ガス貯蔵部28、29と、バルブ31と、ガス供給管30と、供給口25とによって、ガス流路18に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部が構成される。本実施の形態では、基板7を昇温する際に、供給口25からガス流路18へ熱伝導率の低いガスを供給する。具体的には、ガス貯蔵部28からガス供給管30へガスが供給されるようにバルブ31を調整し、供給口25を通じてガス流路18へガスを供給する。熱伝導率の低いガスとしては、ArアルゴンおよびN2窒素などが挙げられる。本実施の形態では、これらのガスの内の1種類を供給してもよく、あるいは、これらの混合ガスを供給してもよい。尚、300Kにおいて、Arガスの熱伝導率は、17.72×10-3W/mKであり、N2ガスの熱伝導率は、25.83×10-3W/mKである。供給口25から供給された熱伝導率の高いガスは、ガス流路18を通ってガス噴出部19から噴出する。その後、チャンバ1の下部に設けられた排気部6から排気される。上記構成によれば、ヒータ9によって基板7を昇温している際に、基板7の周辺部に熱伝導率の低いガスが噴き出し、基板7の周辺部には熱伝導率の低いガスが充満することになる。熱伝導率の低いガスは、基板7から熱を奪う効果が小さいので、基板7が目的の温度に加熱されるまでの時間を短くすることができる。例えば、基板7の周辺にH2水素ガスが充満している場合の基板7の昇温速度は、100°C/分である。これに対して、基板7の周辺にArアルゴンガスが充満している場合の基板7の昇温速度は、150°C/分である。また、本実施の形態では、基板7を降温する際に、供給口25からガス流路18へ熱伝導率の高いガスを供給する。具体的には、ガス貯蔵部29からガス供給管30へガスが供給されるようにバルブ31を調整し、供給口25を通じてガス流路18へガスを供給する。熱伝導率の高いガスとしては、H2水素およびHeヘリウムなどが挙げられる。本実施の形態では、これらのガスの内の1種類を供給してもよく、あるいは、これらの混合ガスを供給してもよい。尚、300Kにおいて、H2ガスの熱伝導率は、0.1805W/mKであり、Heガスの熱伝導率は、0.1513W/mKである。供給口25から供給された熱伝導率の低いガスは、ガス流路18を通ってガス噴出部19から噴出する。その後、チャンバ1の下部に設けられた排気部6から排気される。上記構成によれば、ヒータ9によって基板7を降温している際に、基板7の周辺部に熱伝導率の高いガスが噴き出し、基板7の周辺部には熱伝導率の高いガスが充満することになる。熱伝導率の高いガスは、基板7から熱を奪う効果が大きいので、基板7が目的の温度まで冷却されるまでの時間を短くすることができる。例えば、基板7の周辺にArアルゴンガスが充満している場合の基板7の降温速度は、50°C/分である。これに対して、基板7の周辺にH2水素ガスが充満している場合の基板7の降温速度は、100°C/分である。次に、図1を参照しながら、本実施の形態における気相成長方法の一例について述べる。本実施の形態の気相成長装置100は、例えば、SiCエピタキシャル成長膜の形成に好適である。そこで、以下では、SiCエピタキシャル膜の形成を例にとる。基板7としては、例えば、SiCウェハを用いることができる。但し、これに限られるものではなく、場合に応じて、他の材料からなるウェハなどを用いてもよい。例えば、Siウェハ、SiO2石英などの他の絶縁性基板、高抵抗のGaAsなどの半絶縁性基板などを用いることもできる。反応ガス4としては、例えば、プロパンC3H8、シランSiH4およびキャリアガスとしての水素ガスを用いることができる。この場合、シランに代えて、ジシランSiH6、モノクロロシランSiH3Cl、ジクロロシランSiH2Cl2、トリクロロシランSiHCl3、テトラクロロシランSiCl4などを使用することも可能である。まず、サセプタ8の上に基板7を載置する。次に、チャンバ1の内部を常圧または適当な減圧にした状態で、基板7を回転させる。基板7が載置されたサセプタ8は、回転筒17の上端に配置されている。したがって、回転軸16を通じて回転筒17を回転させると、サセプタ8が回転し、同時に基板7も回転する。回転数は、例えば50rpm程度とすることができる。次に、ヒータ9によって基板7を加熱する。SiCエピタキシャル成長では、基板7は、例えば、1500°C~1700°Cまでの間の所定の温度に加熱される。またこのとき、ガス貯蔵部28からガス供給管30にガスを流し、供給口25を通じてガス流路18へ熱伝導率の低いガスが供給されるようにする。供給口25から供給されたガスは、ガス流路18を通ってガス噴出部19から噴出する。すると、基板7の周辺部に熱伝導率の低いガスが噴き出し、基板7の周辺部には熱伝導率の低いガスが充満する。これにより、基板7が上記温度に達するまでの時間を短くすることができる。尚、基板7の加熱によってチャンバ1内は高温になるので、チャンバ1の壁に設けた流路3に冷却水を流す。これにより、チャンバ1が過度に昇温するのを防止できる。放射温度計24a、24bにより、基板7の温度が例えば1650°Cに達したことを確認した後は、供給口25へのガスの供給を停止する。本実施の形態では、放射温度計24a、24bで測定した温度データを制御部26へ送り、制御部26によって供給口25へのガス供給を停止する。ここで、制御部26は、放射温度計24a、24bからのデータに基づいて、供給口25からガス流路18へ供給されるガスの種類と供給の有無を制御するものである。具体的には、制御部26でバルブ31の開閉を制御し、ガス貯蔵部28からガス供給管30へガスが流れないようにする。尚、ガス貯蔵部29からガス供給管30へガスが流れないようにするのは当然である。基板7が所定の温度に達した後は、基板7の回転数を徐々に上げていく。例えば、900rpm程度の回転数まで上げることができる。また、供給口5より反応ガス4を導入する。反応ガス4は、シャワープレート15の貫通孔15aを通り、基板7への気相成長反応が行われる空間Aへ流入する。シャワープレート15を通過することで、反応ガス4は整流され、下方で回転する基板7へ向かって略鉛直に流下して、いわゆる縦フローを形成する。基板7の表面に到達した反応ガス4は、この表面で熱分解反応または水素還元反応を起こしてSiCエピタキシャル膜を形成する。気相成長反応に使用されなかった反応ガス4や、気相成長反応により生成したガスは、チャンバ1の下方に設けられた排気部6を通じて外部に排気される。基板7の上に、所定の膜厚のSiC膜を形成した後は、反応ガス4の供給を終了する。続いて、ヒータ9による加熱を停止し、基板7が所定の温度まで下がるのを待つ。このとき、ガス貯蔵部29からガス供給管30にガスを流し、供給口25を通じてガス流路18へ熱伝導率の高いガスが供給されるようにする。供給口25から供給されたガスは、ガス流路18を通ってガス噴出部19から噴出する。すると、基板7の周辺部に熱伝導率の高いガスが噴き出し、基板7の周辺部には熱伝導率の高いガスが充満する。これにより、基板7が冷却されるまでの時間を短くすることができる。尚、基板7が所定の温度以下となるまで、供給口5からキャリアガスの供給を続けてもよい。放射温度計24a、24bにより、基板7の温度が所定の温度まで冷却されたことを確認した後は、供給口25へのガスの供給を停止する。本実施の形態では、放射温度計24a、24bで測定した温度データを制御部26へ送り、制御部26によって供給口25へのガス供給を停止する。具体的には、制御部26でバルブ31の開閉を制御し、ガス貯蔵部29からガス供給管30へガスが流れないようにする。尚、ガス貯蔵部28からガス供給管30へガスが流れないようにするのは当然である。その後、チャンバ1の外部に基板7を搬出する。本実施の形態では、昇温時に基板の周囲に熱伝導率の低いガスを供給することにより、基板の昇温速度を速めることができる。また、降温時に基板の周囲に熱伝導率の高いガスを供給することにより、基板の降温速度を速めることができる。したがって、本実施の形態によれば、基板の昇温時間と降温時間を短縮して、気相成長膜形成にかかる時間全体を短くすることができる。本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上述の実施の形態では、基板を回転させながら基板上に膜を形成する例について述べたが、本発明では、基板を回転させない状態で膜を形成してもよい。また、上記実施の形態では、気相成長装置の一例としてエピタキシャル成長装置を挙げ、SiC結晶膜の形成について説明したが、これに限られるものではない。反応室内に反応ガスを供給し、反応室内に載置される基板を加熱して基板の表面に膜を形成するものであれば、他の気相成長装置であってもよく、また、他のエピタキシャル膜の形成に用いることもできる。また、上記実施の形態では、気相成長反応時における供給口25へのガス供給を停止したが、これに限られるものではない。すなわち、気相成長反応時においても、熱伝導率の低いガスの供給を続けることができる。これにより、気相成長反応時に基板7の温度が低下するのを防ぐことができる。この場合、気相成長反応を終えた後は、バルブ31によってガス供給管30へ供給されるガスを熱伝導率の高いものに切り替える。尚、ガス噴出部19からは、サセプタ8の外周部からチャンバ1の内壁1aへ向かう方向にガスが噴出する。この方向は、基板7の表面に供給された反応ガス4や、反応ガス4の内で気相成長反応に使用されなかったガス、気相成長反応により生成したガスが流れる方向に沿うものである。したがって、気相成長反応中に供給口25へのガス供給を続けても、それによって反応ガス4の流れなどが変わることはほとんどないと考えられ、気相成長反応へ及ぼす影響を無視することができる。さらに、装置の構成や制御の手法など、本発明に直接必要としない部分などについては記載を省略したが、必要とされる装置の構成や、制御の手法などを適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更し得る全ての気相成長装置および各部材の形状は、本発明の範囲に包含される。