被処理体が収容される容器と、前記容器を収容する空間を有し、前記被処理体の表面を処理するためのガスが導入される処理室を有する表面処理ユニットと、被処理体が収容される前記容器を、往復動作または揺動動作の少なくとも一つの動作をさせる容器駆動機構とを具備する表面処理装置。請求項1に記載の表面処理装置において、前記表面処理ユニットは、前記容器と対向する面が平坦な電極板を含み、前記容器駆動機構は、前記容器を、前記電極板にほぼ平行な面内において、前記容器に収容される被処理体を転動させる。請求項1または2のいずれか1項に記載の表面処理装置において、前記表面処理ユニットは、前記容器と対向する面が平坦な電極板を含み、前記容器駆動機構は、前記容器を、前記電極板に垂直な方向に揺動動作させる。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表面処理装置において、前記容器駆動機構は、少なくとも一対のローラと、前記ローラを駆動する駆動ユニットを有する。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表面処理装置において、前記容器駆動機構は、前記容器の移動を停止させるストッパを含む。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表面処理装置において、前記表面処理ユニットは、球状、柱状または多面体の被処理体の表面に薄膜を成膜するためのプラズマ発生ユニットを有する。被処理体が収容される容器を収容する収容工程と、前記容器を往復動作あるいは揺動動作の少なくとも一方の動作をさせて前記被処理体を前記容器内で転動させながら前記被処理体の表面に処理を施す処理工程とを備える表面処理方法。請求項7に記載の表面処理方法において、重力に対してほぼ垂直な面内において、前記容器を往復動作あるいは揺動動作の少なくとも一方の動作をさせる。請求項7または8に記載の表面処理方法において、前記容器を、重力方向に揺動動作させる。上記先行文献に記載された方法では、六角筒型バレル内に収容された被処理体は、六角筒型バレルの回転に伴って上昇し、重力の作用によって落下させながら、被処理体の表面に薄膜を形成するものである。このようにすれば、球状の被処理体は、六角筒型バレルの回転に伴って上昇し、重力の作用によって落下する動作によって回転させ、全表面に薄膜が形成される。しかしながら、被処理体が球状の場合、特に、微小な部材である場合には、被処理体は、六角筒型バレルの回転に追随して上昇する作用が小さくなり、上昇する高さが極めて小さくなってしまう。つまり、被処理体は、六角筒型バレルの最も低い箇所の直ぐ近傍に、ほぼ直線状の厚い層状に集合し、殆ど攪拌作用が行われない状態となる。このため、被処理体に均一な厚さに成膜をすることが困難であった。本発明の表面処理装置は、被処理体が収容される容器と、容器を収容する空間を有し、被処理体の表面を処理するためのガスが導入される処理室を有する表面処理ユニットと、被処理体が収容される容器を、往復動作または揺動動作の少なくとも一つの動作をさせる容器駆動機構とを具備する。本発明の第2の態様による表面処理装置は、第1の態様における表面処理装置において、表面処理ユニットは、容器と対向する面が平坦な電極板を含み、容器駆動機構は、容器を、電極板にほぼ平行な面内において、容器に収容される被処理体を転動させるように構成されている。本発明の第3の態様による表面処理装置は、第1の態様または第2の態様のいずれかの態様における表面処理装置において、表面処理ユニットは、容器と対向する面が平坦な電極板を含み、容器駆動機構は、容器を、電極板に垂直な方向に揺動動作させるように構成されている。本発明の第4の態様による表面処理装置は、第1乃至第3の態様のいずれかの態様における表面処理装置において、容器駆動機構は、少なくとも一対のローラと、ローラを駆動する駆動ユニットを有する。本発明の第5の態様による表面処理装置は、第1乃至第4の態様のいずれかの態様における表面処理装置において、容器駆動機構は、容器の移動を停止させるストッパを含む。本発明の第6の態様による表面処理装置は、第1乃至第5の態様のいずれかの態様における表面処理装置において、表面処理ユニットは、球状、柱状または多面体の被処理体の表面に薄膜を成膜するためのプラズマ発生ユニットを有する。本発明の第7の態様による表面処理方法は、被処理体が収容される容器を収容する収容工程と、容器を往復動作あるいは揺動動作の少なくとも一方の動作をさせて被処理体を容器内で転動させながら被処理体の表面に処理を施す処理工程とを備えている。本発明の第8の態様による表面処理方法は、第7の態様の表面処理方法において、重力に対してほぼ垂直な面内において、容器を往復動作あるいは揺動動作の少なくとも一方の動作をさせる。本発明の第9の態様による表面処理方法は、第7の態様または第8の態様における表面処理方法において、容器を、重力方向に揺動動作させる。この発明によれば、容器を往復動作または揺動動作させることにより、被処理体の表面を均一に処理することができるという効果を奏する。以下、この発明の表面処理装置および表面処理方法の一実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態を示すインライン式プラズマCVDChemicalVaporDeposition装置のブロック図ある。プラズマCVD装置1は、ロード室10、加熱室20、成膜室30を備えている。ロード室10は、被処理体が収容された容器51を、カート41上に取り付けるための室である。容器51には、上面から厚さ方向に開口された収容部52が形成されている。収容部52は底面が平坦状とされ、この収容部52内には、球状、円柱状または多面体等の微小な被処理体が収容される。ロード室10には、搬送機構60Aが設けられている。搬送機構60Aは多数のローラ11を備えている。このローラ11上に、カート41が搭載される。搬送機構の詳細については、後述する。加熱室20は、被処理体を予備加熱するための室である。加熱室20には、ランプヒータ22、搬送機構60Bが設けられている。搬送機構60Bは多数のローラ21を備えている。被処理体はランプヒータにより加熱される。また、ガスバルブ27および配管を介して、加熱室20内のガスを排気する真空ポンプ25が設けられている。成膜室30は、被処理体の表面に処理を施すための室である。成膜室30には、搬送機構60Cが設けられている。搬送機構60Cは多数のローラ31を備えている。ローラ31上にはカート41が搭載され、このカート41の下面に、カート41を介して容器51内に収容された被処理体を加熱するシーズヒータ33が設けられている。シーズヒータ33およびローラ31の上方には、電極板34が設けられている。電極板34にはRF電源35が接続されている。また、成膜室30内に供給される原料ガスの流量を調整するマスフローコントローラ36および導入ガスバルブが設けられている。成膜時にマスフローコントローラ36およびガス導入バルブ37を通して流れるガスを排気するための排気バルブ39及び真空ポンプ38が設けられている。図2は、図1の成膜室30内の搬送機構60Cおよびシーズヒータ33を含む領域をII―II線で切断した断面図であり、図3は、カート41、容器51および搬送機構60Cの斜視図である。但し、図3においては、図面の都合上、基台61、支持機構等は図示を省略されている。搬送機構60Aおよび60Bも搬送機構60Cと同様な構造を有する。搬送機構60Cは、ローラ31およびローラ31を駆動する機構が左右に対称に形成されている。各ローラ31は、図1では、二対のみが図示されているが、実際には、左右の1個ずつを一対として多数対が配置されている。図3では四対が図示されているが、これは一例であって、適宜の数量とすることができる。各ローラ31は、その回転軸77が基台61図2参照に回転可能に支持されている。基台61の外側にはモータ62が配置されており、モータ62の回転軸63は、傘歯車64に結合されている。傘歯車64には、傘歯車72が噛合っている。傘歯車64と傘歯車72との軸角は90度である。傘歯車72の中心には、軸71が設けられている。軸71には、4個の傘歯車73が設けられている。各傘歯車73は、ローラ31の回転軸77に対応する領域に配置されており、各傘歯車73に噛合う傘歯車74が各ローラ31の回転軸77に設けられている。傘歯車73と傘歯車74の軸角は90度である。ローラ31上にはカート41が搭載される。このカート41は、モータ62を駆動してローラ31を回転することによりローラ31の回転方向に移動される。カート41上には、容器51が固定具により固定されている。従って、容器51は、カート41と一体的にローラ31によって移動される。搬送機構60Cは、このように構成されており、図3に示すように、モータ62の回転軸63が→印に示すように時計方向に回転すると、傘歯車64-傘歯車72-軸71-傘歯車73-傘歯車74を介してローラ31の回転軸77を反時計方向に回転し、ローラ31上に搭載されたカート41を左側方向に搬送する。また、モータ62の回転軸63を反時計方向に回転すると、同じ伝達経路を経て、ローラ31の回転軸77を時計方向に回転し、ローラ31上に搭載されたカート41を右側方向に搬送する。カート41の下面における左右のローラ31間には、シーズヒータ33が設けられている。シーズヒータ33は、金属ケース81の中に、ニクロム線等の発熱体82を保持し、両者間に無機絶縁材料が強固に充填された構造を有する。このシーズヒータ33は、カート41の下面に、カート41に接近して配置されており、カート41および容器51を介して、容器51の収容部52内に収容された被処理体を速やかに加熱する。次に、このプラズマCVD装置1により被処理体の表面に薄膜を形成する方法について説明する。先ず、ロード室10のローラ11上に搭載されたカート41に、収容部52内に被処理体が収容された容器51を取り付ける。容器51が取り付けられたカート41をローラ11上に配置して、容器51の収容部52内に被処理体を収容するようにしてもよい。被処理体の一例として、球状のp型シリコンの表面にn型拡散層を有する太陽電池用素子を挙げることができる。太陽電池用素子は、直径が0.5~1.0mm程度の球状体である。この例示は、本発明を限定する意味ではなく、理解を明確にすることを目的とするものである。仕切弁2を開き、モータを駆動してローラ11を回転することにより、カート41および容器51を加熱室20に搬送する。仕切弁2を閉じ、真空ポンプ25により加熱室20を真空にして、ランプヒータ22により容器51の収容部52内に収容された被処理体を予備加熱する。次に、仕切弁3を開き、モータを駆動してローラ21を回転することにより、カート41および予備加熱された被処理体が収容された容器51を成膜室30に搬送する。仕切弁3を閉じ、真空ポンプ38により、成膜室30内を真空にする。シーズヒータ33により、容器51の収容部52内の被処理体を加熱しながらマスフローコントローラ36により流量を調整して原材料を成膜室30内に導入する。また、RF電源35から電極板34に電力を供給する。カート41がカーボン等により形成されていると、電極板34を陰極、カート41を陽極として、プラズマが発生する。被処理体である球状の太陽電池用素子の表面にパッシベーション膜としてSiNxを形成する一例について説明する。この例では、原料ガスとして、SiH4シラン、NH3アンモニア、N2窒素ガスを供給する。この成膜工程中、モータ63を駆動してカート41および容器51を、図1において、左右方向に往復移動させ、容器51の収容部52内に収容された被処理体を収容部52内において転動させる。図4A~Cは、搬送機構60Cにより搬送されるカート41と容器51の移動状態を示す側面図であり、図5A~Cは、それぞれ、図4A~Cに対応する位置における容器51の収容部52内に収容された被処理体55の転動の状態を示すための図である。図4Aは、モータ62が回転する前の状態を示す。この状態では、カート41および容器51は静止しており、容器51の収容部52の底面はほぼ平坦とされているので、容器51の収容部52内に収容された被処理体55は、図4Aに図示されるように、収容部52の底面の全面にほぼ一様に分散している。図4Aの状態から、モータ62を駆動して回転軸63を時計方向に回転させ、傘歯車64-傘歯車72-軸71-傘歯車73-傘歯車74の伝達経路を介してローラ31を反時計方向に回転させる。これにより、同図に図示の←印方向にカート41と共に容器51が移動されて、図4Bに示す状態となる。この位置で、モータ62を停止すると、図5Bに示すように、容器51の収容部52内に収容されている被処理体55は、慣性力の作用で収容部52の底面を回転しながら移動し、収容部52の左側の内壁に当接する。次に、モータ62の回転軸63を逆方向である反時計方向に回転させ、上述と同じ伝達経路を介して、ローラ31を時計方向に回転させる。これにより、同図に図示の→印方向にカート41と共に容器51が移動されて図4Cに示す状態となる。カート41と容器51が図4Cに示す位置に達したタイミングでモータ62を停止すると、図5Cに示すように、容器51の収容部52内に収容されている被処理体55は、慣性力の作用で収容部52の底面を回転しながら移動し、収容部52の右側の内壁に当接する。図4B~図4Cに図示される駆動を、繰り返し行い、その間、被処理体55への成膜を続けることにより、各被処理体55の全表面に均一に薄膜を形成することができる。例えば、被処理体55が上述した太陽電池用素子の場合、原料ガスとして、SiH4シラン、NH3アンモニア、N2窒素ガスを供給することにより、太陽電池用素子の全表面にSiNxが均一な膜厚に成膜される。上述した実施形態では、容器51を往復動作させることにより、球状の被処理体55を収容部52の底面を転動させながら被処理体55の表面に薄膜を形成するので、被処理体55の全表面に形成される薄膜を均一な厚さにすることができる。また、被処理体55を底面がほぼ平坦状の収容部52内に収容するので、被処理体55は収容部52の底面に広く分散され、転動する領域が広くなるので、被処理体の転動が確実となり、また、収容部52内に収容できる被処理体の量を多くすることができる。なお、容器51に対しては往復動作に変えて他の動作をさせてもよい。以下にその変形例を示す。容器動作の変形例1図6A~Cは、容器51を揺動動作させる方法を説明するための図である。搬送機構60は、基台61の中心に、基台61の揺動の中心となる支軸67を有する。図6Aは、基台61が重力に対してほぼ垂直な方向に静止している状態を示す。この状態から、図示の↑印の如く、基台61を支軸67を中心に時計方向に回転すると、図6Bに図示されているように、カート41と共に容器51が右下がりに傾斜する。このため、容器51の収容部52内に収容された被処理体は、被処理体55が収容部52の底面を回転しながら、右側下方に移動する。次に、図示の↓印の如く、基台61を、支軸67を中心に反時計方向に回転すると、図6Cに図示されているように、カート41と共に容器51が右上がりに傾斜する。このため、容器51の収容部52内に収容された被処理体は、被処理体55が収容部52の底面を回転しながら、左側下方に移動する。図6B~図6Cに図示された動作を繰り返し行いながら、その間、被処理体の表面に薄膜を形成する。このようの被処理体が収容された容器を揺動動作させることによっても、被処理体の表面に均一な厚さの薄膜を形成することができる。なお、基台61を駆動する構造として、基台61の端部に、往復動作するシリンダのロッドを連結する、またはモータにより回転される偏心カムを連結する等、適宜な駆動機構を採用することができる。容器動作の変形例2図7A~Hは、容器に、往復動作と揺動動作の複合的な動作をさせる方法を説明するための図である。図7Aは、基台61を、重力に対して、垂直な状態水平状態に静止している状態を示す。この状態で、モータ62を駆動し、ローラ31を回転させて、←印に示すようにカート41と容器51を左側方向に移動させると共に、↑印に示すように基台61を、支軸67を中心に時計方向に回転させると、図7Bに図示するように容器51は少し右下がりの状態となる。図7Bの状態から、さらに、モータ62を同方向に駆動し、ローラ31を回転させて、←印に示すようにカート41と容器51をさらに左側方向に移動させると共に、↑印に示すように基台61を、支軸67を中心にさらに時計方向に回転させると、図7Cに図示するように容器51はさらに右下がりの状態となる。図7Cの状態で、モータ62を逆方向に回転させて、ローラ31を逆方向に回転し、→印に示すようにカート41と容器51を右側方向に移動させると共に、↓印に示すように基台61を、支軸67を中心に反時計方向に回転させると、図7Dに図示するように容器51は少し右下がりの状態となる。図7Dの状態から、さらに、モータ62を同方向に駆動し、ローラ31を回転させて、→印に示すようにカート41と容器51をさらに右側方向に移動させると共に、↓印に示すように基台61を、支軸67を中心にさらに反時計方向に回転させると、図7Eに図示するように、カート41と容器51は水平状態となる。図7Eの状態から、さらに、モータ62を同方向に駆動し、ローラ31を回転させて、→印に示すようにカート41と容器51をさらに右側方向に移動させると共に、↓印に示すように基台61を、支軸67を中心にさらに反時計方向に回転させると、図6Fに図示するように容器51は少し右上がりの状態となる。図7Fの状態から、さらに、モータ62を同方向に駆動し、ローラ31を回転させて、→印に示すようにカート41と容器51をさらに右側方向に移動させると共に、↓印に示すように基台61を、支軸67を中心にさらに反時計方向に回転させると、図7Gに図示するように容器51はさらに右上がりの状態となる。図7Gの状態から、モータ62を逆方向に駆動し、ローラ31を回転させて、←印に示すようにカート41と容器51を左側方向に移動させると共に、↑印に示すように基台61を、支軸67を中心に時計方向に回転させると、図7Hに図示するように容器51は少し右下がりの状態となる。図7Hの状態から、モータ62を同方向に駆動し、ローラ31を回転させて、←印に示すようにカート41と容器51をさらに左側方向に移動させると共に、↑印に示すように基台61を、支軸67を中心にさらに時計方向に回転させると、図7Aに図示するように容器51は水平状態となる。図7A~図7Hに図示される駆動を、繰り返し行い、その間、被処理体55への成膜を続けることにより、各被処理体55の全表面に均一に薄膜を形成することができる。この容器動作の変形例2では、容器51を水平方向に往復動作させながら、且つ、重力の作用する方向に揺動動作させるので、容器51の収容部52内に収容された被処理体には、水平方向の慣性力と重力とが作用する。このため、被処理体の転動をさらに確実にすることができる。容器動作の変形例3図8A~Cは、被処理体に作用する慣性力を一層大きくすることができる例を示す。この実施例の搬送機構60には、基台61の両端にストッパ68が設けられている。ストッパ68の間隔は、カート41の長さより大きくされ、ストッパ68間でカート41が往復動作可能な長さとなっている。また、容器51の両側の外側面は、カート41に植立されたストップピン56に当接され、長さ方向への移動が規制されている。図8Aは、モータ62が駆動されず、停止した状態である。この状態から、モータ62を駆動して、ローラ31により、カート41と容器51を同図の←印に示された左側方向に移動する。モータ62を駆動し続けると、図8Bに図示されるように、左側のストッパ68にカート41の左端が衝突する。この衝突による衝撃により、容器51の収容部52内に収容されている被処理物は、確実に転動する。図8Bの状態になったら、モータ62の駆動を停止し、直後に、逆方向に回転させる。そして、→印に示されるようにカート41と容器51を右側方向に移動させ、今度は、図8Cに図示されるように、カート41の右端を右側のストッパ68に衝突させる。この後は、モータ62の駆動を停止し、直後に、逆回転をさせる。これにより、図8Aに示す状態を経て、図8Bの状態となる。このように、図8A~図8Cに図示された動作を繰り返し行い、その間、被処理体55への成膜を続けることにより、各被処理体55の全表面に均一に薄膜を形成することができる。この実施形態では、カート41をストッパ68に衝突させ、その際の衝撃力で容器51の収容部52に収容された被処理物55を転動させる方法であり、カート41がストッパ68に衝突する際の衝撃は、モータ62を急に停止するより大きいので、収容部52内の被処理体の転動を確実にする。また、容器51の搬送速度を調整することにより、衝撃力を任意の大きさに設定することが可能である。また、容器51の収容部52の形状も、種々、変形することが可能であり、以下に、その変形例を示す。収容部形状の変形例1図9は、容器51の収容部52の変形例の断面図を示す。この変形例では、収容部52の底面52aの両側縁に緩やかな傾斜部52bが形成されている。また、緩やかな傾斜部52bに引き続いて急な傾斜部52cが形成されている。緩やかな傾斜部52bは、微小な被処理体が底面と側面との境界部である垂直な角部に挟まって、転動が規制されるのを防止する。また、急な傾斜部52cは、被処理体が緩やかな傾斜部52bから、収容部52の外部に飛び出すのを防止する。収容部形状の変形例2図10は、容器51の別の変形例の断面図を示す。この変形例においては、収容部52の底面52dが円弧状となっている。収容部52の側面は、端部にRがついた直線状の急傾斜面52eとなっている。また、急傾斜面52eの上部には、オーバーハング部52fが形成されている。オーバーハング部52fは、被処理体が収容部52から飛び出すのを防止する。また、オーバーハング部52fは、それでも、収容部52から飛び出した被処理体を、再び、収容部52内に落下させる。収容部52の底面の粗さも被処理体の転動動作に影響を与える。被処理体が球状であれば、収容部52の底面は鏡面であってもよい。また、被処理体と収容部の底面に多少の摩擦力を付与するために、収容部52の底面に微細な凹凸を形成してもよい。被処理体が多面体の場合は、収容部52の底面が鏡面であると、被処理体の一面が、収容部52の底面上を滑ってしまい、転動しにくくなる。このような場合には、収容部52の底面に微細な凹凸を形成することが推奨される。但し、収容部52の底面に形成される微細な凹凸が、深すぎたり、凹凸のピッチが多面体の各表面サイズより大きいと多面体は凹部内に停留するようになってしまうので留意する必要がある。以上の通り、本発明は、容器51を、往復動作または揺動動作の少なくとも一つの動作をさせることにより、被処理体55を収容部52の底面を転動させながら被処理体55の表面に薄膜を形成するので、被処理体55の全表面に形成される薄膜を均一な厚さにすることができる。また、被処理体55を底面がほぼ平坦状の収容部52内に収容するので、被処理体55は収容部52の底面に広く分散され、転動する領域が広くなり、被処理体の転動動作を一層確実とすることができ、また、収容部52内に収容できる被処理体の量を多くして生産性を向上することができる。なお、上記実施形態では被処理体上に薄膜を形成する場合を例として説明したが、被処理体に不純物イオンを拡散したり、イオンビーム等を照射して、物理的あるいは化学的変化を与えたりする場合等を含め、各種の処理を行う場合に適用することが可能である。被処理体の処理を行う装置についても、プラズマCVD装置に限らず、スパッタ装置等他の装置にも適用が可能である。水平状態において、容器を往復動作させる例で説明したが、水平状態においても、容器を揺動動作させる等、一次元的でなく、二次元的な動作をさせるようにしてもよい。また、容器の動作として、これらの動作と重力方向での揺動動作とを組み合わせた動作とすることもできる。被処理体55は、カート41とは別の容器51に収容する実施形態で説明したが、カート41に被処理体の収容部を設けて、被処理体55を直接カート41の収容部に収容する形態とすることもできる。その他、本発明の表面処理装置は、種々、変形して構成することが可能であり、要は、被処理体が収容される容器と、容器を収容する空間を有し、被処理体の表面を処理するためのガスが導入される処理室を有する表面処理ユニットと、被処理体が収容される容器を、往復動作または揺動動作の少なくとも一つの動作をさせる容器駆動機構とを具備するものであればよい。また、本発明は、被処理体が収容される容器を収容する収容工程と、容器を往復動作あるいは揺動動作の少なくとも一方の動作をさせて被処理体を容器内で転動させながら被処理体の表面に処理を施す処理工程とを備える表面処理方法のいずれにも適用される。以上では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。日本国特許出願2010年第175176号2010年8月4日出願