"少なくとも処理対象層、中間層、マスク層が順に積層され、前記マスク層は前記中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記露出する前記中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層及び前記幅が減少した中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、前記露出した中間層のみを選択的に除去して前記処理対象層を部分的に露出させる中間層除去ステップと、前記露出した処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記中間層上の前記マスク層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする基板処理方法。前記中間層はシリコン含有層であり、前記中間層等方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCORChemicalOxideRemoval処理を施すことを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、デポ性ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマによって前記露出する第3の中間層をエッチングして前記第2の中間層の一部を露出させると共に、前記開口部の側面にデポを堆積させるデポ堆積ステップと、前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、前記被覆層を完全に除去して前記被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる被覆層完全除去ステップと、前記第1の中間層エッチングステップ及び前記被覆層除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする基板処理方法。前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする請求項3記載の基板処理方法。少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記マスク層及び前記露出する第3の中間層を等方的に覆う第1の被覆層を形成する第1の被覆層形成ステップと、前記形成された第1の被覆層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記第3の中間層を再び露出させると共に、前記開口部の側面に前記第1の被覆層を残す第1の被覆層エッチングステップと、前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第3の中間層、前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う第2の被覆層を形成する第2の被覆層形成ステップと、前記第2の被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる第2の被覆層除去ステップと、前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、前記第2の被覆層を完全に除去して前記第2の被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる第2の被覆層完全除去ステップと、前記第1の中間層エッチングステップ及び前記第2の被覆層完全除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする基板処理方法。前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする請求項5記載の基板処理方法。しかしながら、フォトレジスト膜におけるパターンの最小寸法はフォトリソグラフィで現像可能となる最小寸法によって規定されるが、焦点距離のばらつきなどに起因してフォトリソグラフィで現像可能な最小寸法は限界がある。例えば、フォトリソグラフィで現像可能な最小寸法は80nmである。一方、半導体デバイスの小型化要求を満たす加工寸法は30nm程度である。したがって、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができなかった。本発明の目的は、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる基板処理方法を提供することにある。請求項1記載の基板処理方法は、少なくとも処理対象層、中間層、マスク層が順に積層され、前記マスク層は前記中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記露出する前記中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層及び前記幅が減少した中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、前記露出した中間層のみを選択的に除去して前記処理対象層を部分的に露出させる中間層除去ステップと、前記露出した処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記中間層上の前記マスク層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする。請求項2記載の基板処理方法は、請求項1記載の基板処理方法において、前記中間層はシリコン含有層であり、前記中間層等方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする。請求項3記載の基板処理方法は、少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、デポ性ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマによって前記露出する第3の中間層をエッチングして前記第2の中間層の一部を露出させると共に、前記開口部の側面にデポを堆積させるデポ堆積ステップと、前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う被覆層を形成する被覆層形成ステップと、前記被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる被覆層除去ステップと、前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、前記被覆層を完全に除去して前記被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる被覆層完全除去ステップと、前記第1の中間層エッチングステップ及び前記被覆層除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする。請求項4記載の基板処理方法は、請求項3記載の基板処理方法において、前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする。請求項5記載の基板処理方法は、少なくとも処理対象層、第1の中間層、第2の中間層、第3の中間層及びマスク層が順に積層され、前記マスク層は前記第3の中間層の一部を露出させる開口部を有する基板を処理する基板処理方法であって、前記マスク層及び前記露出する第3の中間層を等方的に覆う第1の被覆層を形成する第1の被覆層形成ステップと、前記形成された第1の被覆層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記第3の中間層を再び露出させると共に、前記開口部の側面に前記第1の被覆層を残す第1の被覆層エッチングステップと、前記マスク層の開口部を介して前記露出した前記第3の中間層、前記第2の中間層及び前記第1の中間層へそれらの厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる中間層異方性エッチングステップと、前記異方性エッチングによって側面が露出した前記第2の中間層の該側面に等方性エッチングを施して前記第2の中間層の幅を減少させる中間層等方性エッチングステップと、前記露出した処理対象層、前記第1の中間層及び前記幅が減少した第2の中間層を覆う第2の被覆層を形成する第2の被覆層形成ステップと、前記第2の被覆層を所定量だけ除去して前記幅が減少した第2の中間層のみを露出させる第2の被覆層除去ステップと、前記露出した第2の中間層のみを選択的に除去して前記第1の中間層を部分的に露出させる第2の中間層除去ステップと、前記露出した第1の中間層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施して前記処理対象層を露出させる第1の中間層エッチングステップと、前記第2の被覆層を完全に除去して前記第2の被覆層に覆われた前記処理対象層を露出させる第2の被覆層完全除去ステップと、前記第1の中間層エッチングステップ及び前記第2の被覆層完全除去ステップにおいて露出した前記処理対象層へその厚み方向に沿う異方性エッチングを施す処理対象層エッチングステップとを有し、前記中間層等方性エッチングステップの開始時には、前記第2の中間層上の前記第3の中間層及び前記マスク層のうち、少なくとも前記第3の中間層が所定の厚さだけ残されていることを特徴とする。請求項6記載の基板処理方法は、請求項5記載の基板処理方法において、前記第2の中間層はシリコン含有層であり、前記中間層方性エッチングステップでは、前記シリコン含有層に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理を施すことを特徴とする。請求項1記載の基板処理方法によれば、異方性エッチングによって側面が露出した中間層の該側面に等方性エッチングが施されて該中間層の幅が減少され、処理対象層及び幅が減少した中間層を覆う被覆層を所定量だけ除去することによって幅が減少した中間層のみを露出させ、さらに、幅が減少した中間層が選択的に除去されることによって被覆層に処理対象層を部分的に露出させる幅の小さい開口部が形成され、該開口部を介して処理対象層へ異方性エッチングが施される。したがって、処理対象層に幅が小さい開口部を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる。また、中間層等方性エッチングステップの開始時には中間層上のマスク層が所定の厚さだけ残されているので、残されたマスク層は中間層等方性エッチングステップにおいて中間層が厚み方向にエッチングされるのを防止して中間層の幅のみを確実に減少させることができる。請求項3記載の基板処理方法によれば、側面にデポが堆積することによって幅が小さくなったマスク膜の開口部を介して第1の中間層へ異方性エッチングが施されて該第1の中間層に幅の小さい第1の開口部が形成される。また、異方性エッチングによって側面が露出した第2の中間層の該側面に等方性エッチングが施されて該第2の中間層の幅が減少され、処理対象層、第1の中間層及び幅が減少した第2の中間層を覆う被覆層を所定量だけ除去することによって幅が減少した第2の中間層のみを露出させ、さらに、幅が減少した第2の中間層を選択的に除去することによって被覆層に第1の中間層を部分的に露出させる幅の小さい開口部が形成され、該被覆層の開口部を介して第1の中間層へ異方性エッチングが施されて該第1の中間層に幅の小さい第2の開口部が形成される。そして、第1の開口部及び第2の開口部を介して処理対象層へ異方性エッチングが施される。したがって、処理対象層に幅が小さい開口部を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる。また、第1の開口部の位置はマスク膜の開口部の位置に対応し、第2の開口部の位置は幅が減少した第2の中間層の位置に対応するので、第1の開口部と第2の開口部は重ならない。その結果、処理対象層における開口部間のピッチを狭めることができる。さらに、中間層等方性エッチングステップの開始時には、第2の中間層上の少なくとも第3の中間層が所定の厚さだけ残されているので、残された第3の中間層は中間層等方性エッチングステップにおいて第2の中間層が厚み方向にエッチングされるのを防止して第2の中間層の幅のみを確実に減少させることができる。請求項5記載の基板処理方法によれば、側面に第1の被覆層が残されて幅が小さくなったマスク膜の開口部を介して第1の中間層へ異方性エッチングが施されて該第1の中間層に幅の小さい第1の開口部が形成される。また、異方性エッチングによって側面が露出した第2の中間層の該側面に等方性エッチングが施されて該第2の中間層の幅が減少され、処理対象層、第1の中間層及び幅が減少した第2の中間層を覆う第2の被覆層を所定量だけ除去することによって幅が減少した第2の中間層のみを露出させ、さらに、幅が減少した第2の中間層を選択的に除去することによって第2の被覆層に第1の中間層を部分的に露出させる幅の小さい開口部が形成され、該第2の被覆層の開口部を介して第1の中間層へ異方性エッチングが施されて該第1の中間層に幅の小さい第2の開口部が形成される。そして、第1の開口部及び第2の開口部を介して処理対象層へ異方性エッチングが施される。したがって、処理対象層に幅が小さい開口部を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる。また、第1の開口部の位置はマスク膜の開口部の位置に対応し、第2の開口部の位置は幅が減少した第2の中間層の位置に対応するので、第1の開口部と第2の開口部は重ならない。その結果、処理対象層における開口部間のピッチを狭めることができる。さらに、中間層等方性エッチングステップの開始時には、第2の中間層上の少なくとも第3の中間層が所定の厚さだけ残されているので、残された第3の中間層は中間層等方性エッチングステップにおいて第2の中間層が厚み方向にエッチングされるのを防止して第2の中間層の幅のみを確実に減少させることができる。請求項2,4,6記載の各基板処理方法によれば、シリコン含有層の側面に弗化水素ガス及びアンモニアガスを用いたCOR処理が施される。該COR処理は、シリコン含有層から化学反応によって生成物を生成することによって該シリコン含有層をエッチングする。化学反応は等方的であるため、COR処理によってシリコン含有層を確実に等方的にエッチングすることができる。以下、本発明の各実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムについて説明する。この基板処理システムは基板としての半導体ウエハW以下、単にウエハWという。にプラズマを用いたエッチング処理やアッシング処理を施すように構成された複数のプロセスモジュールを備える。図1は、本実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの構成を概略的に示す平面図である。図1において、基板処理システム10は、平面視六角形のトランスファモジュール11と、該トランスファモジュール11の一側面に接続する2つのプロセスモジュール12,13と、該2つのプロセスモジュール12,13に対向するようにトランスファモジュール11の他側面に接続する2つのプロセスモジュール14,15と、プロセスモジュール13に隣接し且つトランスファモジュール11に接続するプロセスモジュール16と、プロセスモジュール15に隣接し且つトランスファモジュール11に接続するプロセスモジュール17と、矩形状の搬送室としてのローダーモジュール18と、トランスファモジュール11及びローダーモジュール18の間に配置されてこれらを連結する2つのロードロックモジュール19,20とを備える。トランスファモジュール11はその内部に配置された屈伸及び旋回自在な搬送アーム21を有し、該搬送アーム21は、プロセスモジュール12~17やロードロックモジュール19,20の間においてウエハWを搬送する。プロセスモジュール12はウエハWを収容する処理室容器チャンバを有し、該チャンバ内部に処理ガスとしてCF系デポ性ガス、例えば、CHF3ガス及びハロゲン系ガス、例えば、HBrガスの混合ガスを導入し、チャンバ内部に電界を発生させることによって導入された処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハWにエッチング処理を施す。図2は、図1における線II-IIに沿う断面図である。図2において、プロセスモジュール12は、処理室チャンバ22と、該チャンバ22内に配置されたウエハWの載置台23と、チャンバ22の上方において載置台23と対向するように配置されたシャワーヘッド24と、チャンバ22内のガス等を排気するTMPTurboMolecularPump25と、チャンバ22及びTMP25の間に配置され、チャンバ22内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのAPCAdaptivePressureControlバルブ26とを有する。載置台23には高周波電源27が整合器Matcher28を介して接続されており、該高周波電源27は高周波電力を載置台23に供給する。これにより、載置台23は下部電極として機能する。また、整合器28は、載置台23からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の載置台23への供給効率を最大にする。載置台23は高周波電源27から供給された高周波電力を処理空間Sに印加する。シャワーヘッド24は円板状の下層ガス供給部29及び円板状の上層ガス供給部30からなり、下層ガス供給部29に上層ガス供給部30が重ねられている。また、下層ガス供給部29及び上層ガス供給部30はそれぞれ第1のバッファ室31及び第2のバッファ室32を有する。第1のバッファ室31及び第2のバッファ室32はそれぞれガス通気孔33,34を介してチャンバ22内に連通する。第1のバッファ室31はCHF3ガス供給系図示しないに接続されている。該CHF3ガス供給系は第1のバッファ室31へCHF3ガスを供給する。該供給されたCHF3ガスはガス通気孔33を介してチャンバ22内へ供給される。また、第2のバッファ室32はHBrガス供給系図示しないに接続されている。HBrガス供給系は第2のバッファ室32へHBrガスを供給する。該供給されたHBrガスはガス通気孔34を介してチャンバ22内へ供給される。シャワーヘッド24には高周波電源35が整合器36を介して接続されており、該高周波電源35は高周波電力をシャワーヘッド24に供給する。これにより、シャワーヘッド24は上部電極として機能する。また、整合器36は整合器28と同様の機能を有する。シャワーヘッド24は高周波電源35から供給された高周波電力を処理空間Sに印加する。このプロセスモジュール12のチャンバ22内では、上述したように、載置台23及びシャワーヘッド24が処理空間Sに高周波電力を印加することにより、シャワーヘッド24から処理空間Sに供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオンやラジカルによってウエハWにエッチング処理を施す。また、シャワーヘッド24には載置台23に載置されたウエハWを上方から観測して、ウエハWのエッチングの終点を検出する電子顕微鏡を有する終点検出装置図示しないが配設されている。図1に戻り、プロセスモジュール13はプロセスモジュール12においてエッチング処理が施されたウエハWを収容する処理室チャンバを有し、該チャンバ内部に処理ガスとしてCl2ガス及びN2ガスの混合ガスを導入し、チャンバ内部に電界を発生させることによって導入された処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハWにエッチング処理を施す。なお、プロセスモジュール13は、プロセスモジュール12と同様の構成を有し、CHF3ガス供給系及びHBrガス供給系の代わりに、Cl2ガス供給系及びN2ガス供給系いずれも図示しないを備える。プロセスモジュール14はプロセスモジュール13においてエッチング処理が施されたウエハWを収容する処理室チャンバを有し、該チャンバ内部に処理ガスとしてO2ガスを導入し、チャンバ内部に電界を発生させることによって導入された処理ガスからプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハWにアッシング処理を施す。なお、プロセスモジュール14も、プロセスモジュール12と同様の構成を有し、円板状の下層ガス供給部29及び円板状の上層ガス供給部30からなるシャワーヘッド24の代わりに、O2ガス供給系がバッファ室に接続された円板状のガス供給部のみからなるシャワーヘッドいずれも図示しないを備える。トランスファモジュール11、プロセスモジュール12~17の内部は減圧状態に維持され、トランスファモジュール11と、プロセスモジュール12~17のそれぞれとは真空ゲートバルブ12a~17aを介して接続される。基板処理システム10では、ローダーモジュール18の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファモジュール11の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロードロックモジュール19,20は、それぞれトランスファモジュール11との連結部に真空ゲートバルブ19a,20aを備えると共に、ローダーモジュール18との連結部に大気ドアバルブ19b,20bを備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロードロックモジュール19,20はローダーモジュール18及びトランスファモジュール11の間において受渡されるウエハWを一時的に載置するためのウエハ載置台19c,20cを有する。ローダーモジュール18には、ロードロックモジュール19,20の他、25枚のウエハWを収容する容器としてのフープFrontOpeningUnifiedPod37がそれぞれ載置される3つのフープ載置台38と、フープ37から搬出されたウエハWの位置をプリアライメントするオリエンタ39とが接続されている。ロードロックモジュール19,20は、ローダーモジュール18の長手方向に沿う側壁に接続されると共にローダーモジュール18を挟んで3つのフープ載置台38と対向するように配置され、オリエンタ39はローダーモジュール18の長手方向に関する一端に配置される。ローダーモジュール18は、内部に配置された、ウエハWを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム40と、各フープ載置台38に対応するように側壁に配置されたウエハWの投入口としての3つのロードポート41とを有する。搬送アーム40は、フープ載置台38に載置されたフープ37からウエハWをロードポート41経由で取り出し、該取り出したウエハWをロードロックモジュール19,20やオリエンタ39へ搬出入する。また、基板処理システム10は、ローダーモジュール18の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル42を備える。オペレーションパネル42は、例えばLCDLiquidCrystalDisplayからなる表示部を有し、該表示部は基板処理システム10の各構成要素の動作状況を表示する。図3Aは、図1の基板処理システムにおいてプラズマ処理が施される半導体ウエハの構成を概略的に示す断面図である。図3Aにおいて、ウエハWはシリコン基材図示しないの表面に形成されたTEOSTetraEthylOrthoSilicate膜51下地層と、該TEOS51上に形成されたTiN膜52処理対象層と、該TiN膜52上に形成された反射防止膜BARC膜53中間層、第1の中間層と、該反射防止膜上に形成されたフォトレジスト膜54マスク層、第1のマスク層とを有する。シリコン基材はシリコンからなる円板状の薄板であり、CVD処理等が施されて表面にTEOS膜51が形成される。TEOS膜51は不純物を含む酸化膜であり、絶縁膜として機能する。TEOS膜51はCVD処理又はPVD処理等が施されて表面にTiN膜52が形成され、TiN膜52は導電膜として機能する。反射防止膜53は或る特定の波長の光、例えば、フォトレジスト膜54に向けて照射されるArFエキシマレーザ光を吸収する色素を含む高分子樹脂からなり、フォトレジスト膜54を透過したArFエキシマレーザ光がTiN膜52によって反射されて再びフォトレジスト膜54に到達するのを防止する。フォトレジスト膜54はポジ型の感光性樹脂からなり、ArFエキシマレーザ光に照射されるとアルカリ可溶性に変質する。ウエハWでは、反射防止膜53が塗布処理等によって形成された後、フォトレジスト膜54がスピンコータ図示しないを用いて形成される。さらに、所定のパターンに反転するパターンに対応したArFエキシマレーザ光がステッパー図示しないによってフォトレジスト膜54に照射されて、該フォトレジスト膜54の照射された部分がアルカリ可溶性に変質する。その後、フォトレジスト膜54に強アルカリ性の現像液が滴下されてアルカリ可溶性に変質した部分が除去される。これにより、フォトレジスト膜54から所定のパターンに反転するパターンに対応した部分が取り除かれるため、ウエハW上には所定のパターンを呈する、例えば、ビアホールを形成する位置に開口部55第1の開口部を有するフォトレジスト膜54が残る。ところで、半導体デバイスの小型化要求を満たすためには、小さい寸法、具体的には幅CDCriticalDimension値が30nm程度の開口部ビアホールやトレンチをエッチング対象の膜に形成する必要がある。しかしながら、フォトリソグラフィで現像可能な最小寸法は80nmであるため、ウエハWのエッチング処理において、半導体デバイスの小型化要求を満たす幅が30nm程度の開口部をエッチング対象の膜に形成することができなかった。本発明者は、上述した要求を満たす開口部の形成方法を見出すべく、各種実験を行ったところ、処理対象層としてのTiN膜52、反射防止膜BARC膜53、該反射防止膜53の一部を露出させる開口部55を有するフォトレジスト膜54が順に積層されたウエハWにおいて、CF系デポ性ガスであるCHF3ガスから生成されたプラズマによって露出する反射防止膜53をエッチングしてTiN膜52の一部を露出させ、反射防止膜53のエッチング終了後、そのまま開口部55を当該生成されたプラズマに晒すと、開口部55の側面にデポが堆積して開口部55の幅が小さくなることを発見した。そして、本発明者は、上記発見から開口部55の幅は上記生成されたプラズマに晒した時間が経過するに連れて小さくなると推測し、開口部55をプラズマに晒した時間をパラメータとして開口部55の幅を測定した結果、図5に示すように、開口部55の幅はプラズマに晒した時間が経過するに連れて所定の変化率で小さくなることを確認すると共に、開口部55の幅は30nmまで小さくなることを確認した。よって、本発明者は、反射防止膜53のエッチング終了後の開口部55をプラズマに晒す時間を任意に制御すれば、開口部55の幅を30nmに調整することができることを発見した。以下、本実施の形態に係る基板処理方法について説明する。図3は、図1の基板処理システムが実行する基板処理方法を示す工程図である。まず、シリコン基材上にTEOS膜51、処理対象層としてのTiN膜52、反射防止膜53及びフォトレジスト膜54が順に積層され、フォトレジスト膜54が反射防止膜53の一部を露出させる開口部55を有するウエハWを準備する図3A。そして、該ウエハWをプロセスモジュール12のチャンバ22内に搬入し、載置台23上に載置する。次いで、チャンバ22内の圧力をAPCバルブ26等によって2.6Pa20mTorrに設定する。そして、シャワーヘッド24の下層ガス供給部29からCHF3ガスを流量100~300sccm、好ましくは200sccmでチャンバ22内へ供給すると共に、上層ガス供給部30からHBrガスを流量300sccm以下、好ましくは100sccmでチャンバ22内へ供給する。そして、載置台23に100Wの高周波電力を供給すると共に、シャワーヘッド24に600Wの高周波電力を供給する。このとき、CHF3ガス及びHBrガスが処理空間Sに印加された高周波電力によってプラズマになり、イオンやラジカルが発生する。これらのイオンやラジカルは反射防止膜53におけるフォトレジスト膜54によって覆われていない部分と衝突、反応し、当該部分をエッチングする図3B。当該部分の反射防止膜53はTiN膜52が露出するまでエッチングされるが、このとき、シャワーヘッド24に配設された終点検出装置は当該部分の反射防止膜53のエッチングの終点を検出する。当該終点の検出後、フォトレジスト膜54の開口部55を上記生成されたプラズマに晒し続ける。このとき、CHF3ガスはデポ性ガスであるため開口部55の側面にデポ56が堆積し、開口部55の幅が小さくなる図3Cデポ堆積ステップ、第1のデポ堆積ステップ。なお、載置台23には100Wの高周波電力が供給されているため、イオン等がウエハWに引き込まれ、スパッタリングによってフォトレジスト膜54の表面及び開口部55の底面にはデポが堆積しない。なお、上述したように、開口部55の幅はプラズマに晒した時間が経過するに連れて所定の変化率で小さくなる。したがって、プラズマに晒す時間を制御することにより開口部55の幅を調整することができる。本処理では、基板処理システム10の記憶媒体図示しないが予め開口部55の幅が30nmとなる所定の時間を記憶しており、基板処理システム10のコンピュータ図示しないが当該記憶媒体から当該所定の時間を読み出す。そして、基板処理システム10のコンピュータの制御の下、所定の時間だけ開口部55を上記生成されたプラズマに晒す。CHF3から生成されたプラズマを用いたエッチングでは、開口部55の側面に荒れが生ずるが、HBrガスから生成されたプラズマはフォトレジスト膜54のスムージング効果を有するので、開口部55の側面に荒れが生ずるのを防止する。次いで、ウエハWをプロセスモジュール12のチャンバ22内から搬出し、トランスファモジュール11を経由してプロセスモジュール13のチャンバ内に搬入する。このとき、ウエハWを載置台上に載置する。次いで、チャンバ内の圧力をAPCバルブ等によって5.3Pa40mTorrに設定する。そして、シャワーヘッドの下層ガス供給部からCl2ガスを流量100sccmでチャンバ内へ供給すると共に、上層ガス供給部からN2ガスを流量50sccmでチャンバ内へ供給する。そして、載置台に150Wの高周波電力を供給すると共に、シャワーヘッドに300Wの高周波電力を供給する。このとき、Cl2ガス及びN2ガスが処理空間Sに印加された高周波電力によってプラズマになり、イオンやラジカルが発生する。これらのイオンやラジカルはTiN膜52におけるフォトレジスト膜54及び該フォトレジスト膜54の開口部55の側面に堆積したデポ56によって覆われていない部分と衝突、反応し、当該部分をエッチングする図3Dエッチングステップ、第1のエッチングステップ。当該部分のTiN膜52はTEOS膜51が露出するまでエッチングされて、処理対象層としてのTiN膜52に幅が30nmの開口部第2の開口部が形成される図3E。次いで、ウエハWをプロセスモジュール13のチャンバ内から搬出し、トランスファモジュール11を経由してプロセスモジュール14のチャンバ内に搬入する。このとき、ウエハWを載置台上に載置する。次いで、チャンバ内の圧力をAPCバルブ等によって1.3×10Pa100mTorrに設定する。そして、シャワーヘッドのガス供給部からO2ガスを流量400sccmでチャンバ内へ供給する。そして、載置台に30Wの高周波電力を供給すると共に、シャワーヘッドに600Wの高周波電力を供給する。これにより、O2ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってTiN膜52に積層されている反射防止膜53並びにフォトレジスト膜54及び該フォトレジスト膜54の開口部55の側面に堆積したデポ56をアッシングするアッシング処理を施す図3Fアッシングステップ。これにより、TiN膜52に積層されている反射防止膜53並びにフォトレジスト膜54及び該フォトレジスト膜54の開口部55の側面に堆積したデポ56が除去される図3G。次いで、ウエハWをプロセスモジュール14のチャンバから搬出し、本処理を終了する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、CHF3ガスから生成されたプラズマによって反射防止膜53におけるフォトレジスト膜54によって覆われていない部分がエッチングされてTiN膜52の一部が露出された後、フォトレジスト膜54の開口部55の側面にデポ56が堆積し、その後、露出したTiN膜52がエッチングされる。フォトレジスト膜54の開口部55の側面にデポ56が堆積すると、開口部55の幅が小さくなる。したがって、処理対象層としてのTiN膜52に幅が小さい開口部を形成することができる。例えば、フォトレジスト膜54の開口部55の側面にデポ56を堆積させて開口部55の幅を30nmに調整すれば、処理対象層としてのTiN膜52に幅が30nmの開口部を形成することができ、もって、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部を処理対象層としてのTiN膜52に形成することができる。また、本実施の形態に係る基板処理方法によれば、反射防止膜53のエッチングの終点が検出される。CHF3ガスから生成されたプラズマに晒されることにより開口部54の側面に堆積するデポ56は反射防止膜53のエッチング終了後に堆積し始める。したがって、デポ56の堆積の始点を検出することができ、もって、開口部55の幅の調整を精度よく行うことができる。なお、本実施の形態に係る基板処理方法では、反射防止膜53のエッチングにおいて、CHF3ガスから生成されたプラズマ中のイオンやラジカルがフォトレジスト膜54の開口部55の側面と衝突、反応し、当該側面を荒らすが、HBrガスから生成されたプラズマはフォトレジスト膜54のスムージング効果を有するので、当該側面の荒れを平滑化する。これにより、開口部55の側面に荒れが生じたまま、当該開口部55を有するフォトレジスト膜54をマスクとしたTiN膜52のエッチングが行われて、TiN膜52におけるエッチングによって形成された開口部の側面に縞状模様ストライエーションが形成されることを防止することができる。また、本実施の形態に係る基板処理方法が適用されるウエハWは、処理対象層がTiN膜52であったが、処理対象層はこれに限られず、CHF3ガス及びHBrガスから生成されたプラズマによってエッチングされない膜、例えばSiO2膜、SiON膜であってもよい。また、本実施の形態に係る基板処理方法では、CF系デポ性ガスとしてCHF3ガスを用いたが、反射防止膜53をエッチング可能なCF系デポ性ガスであればよく、例えば、CH2F2ガス、CH3Fガス、C5F8ガス、C4F6ガスであってもよい。また、本実施の形態に係る基板処理方法では、反射防止膜53のエッチングの終点検出後、予め記憶媒体に記憶されている所定の時間だけプラズマに晒すことにより開口部55の幅を30nmに調整したが、プロセスモジュール12にCD測定モジュールを搭載して、開口部55をプラズマに晒しながらオプティカルデジタルプロフィロメトリODP:OpticalDigitalProfilometry技術によりリアルタイムで開口部55の幅CD値をモニタリングすることによって開口部55の幅を30nmに調整してもよい。これにより、さらに精度よく開口部55の幅を30nmに調整することができる。次に、本実施の形態に係る基板処理方法の変形例について説明する。図4は、図1の基板処理システムが実行する基板処理方法の変形例を示す工程図である。まず、図3の基板処理方法が実行された後のウエハW上に反射防止膜61第2の中間層及びフォトレジスト膜62第2のマスク層が順に積層され積層ステップ、フォトレジスト膜62は反射防止膜61の一部をTiN膜52に形成されている開口部上以外で露出させる開口部63第3の開口部を有するウエハWを準備する図4A。そして、該ウエハWをプロセスモジュール12のチャンバ22内に搬入し、載置台23上に載置する。次いで、プロセスモジュール12では図3の処理と同様に、反射防止膜61におけるフォトレジスト膜62によって覆われていない部分をエッチングする図4B。このとき、図3の処理と同様に、開口部63の側面にデポ64が堆積し、開口部63の幅CD値が小さくなる図4C第2のデポ堆積ステップ。次いで、ウエハWをプロセスモジュール12のチャンバ22内から搬出し、トランスファモジュール11を経由してプロセスモジュール13のチャンバ内に搬入する。このとき、ウエハWを載置台上に載置する。次いで、プロセスモジュール13では図3の処理と同様に、TiN膜52におけるフォトレジスト62及び該フォトレジスト膜62の開口部63の側面に堆積したデポ56によって覆われていない部分をエッチングする図4D第2のエッチングステップ。当該部分のTiN膜52はTEOS膜51が露出するまでエッチングされて、処理対象層としてのTiN膜52にさらに幅が30nmの開口部が形成される。これにより、TiN膜52には、図3の基板処理方法により形成された開口部に加えて新たな開口部が形成され、結果として、ピッチがつめられた開口部がTiN膜52に形成される図4E。次いで、ウエハWをプロセスモジュール13のチャンバ内から搬出し、トランスファモジュール11を経由してプロセスモジュール14のチャンバ内に搬入する。このとき、ウエハWを載置台上に載置する。次いで、プロセスモジュール14では図3の処理と同様に、ウエハWに積層されている反射防止膜61並びにフォトレジスト膜62及び該フォトレジスト膜62の開口部63の側面に堆積したデポ64をアッシングするアッシング処理を施す図4F。これにより、ウエハWに積層されている反射防止膜61並びにフォトレジスト膜62及び該フォトレジスト膜62の開口部63の側面に堆積したデポ64が除去される図4G。次いで、ウエハWをプロセスモジュール14のチャンバから搬出し、本処理を終了する。本変形例によれば、CHF3ガスから生成されたプラズマによって反射防止膜61におけるフォトレジスト膜62によって覆われていないTiN膜52に形成されている開口部上以外の部分がエッチングされてTiN膜52の一部が露出された後に、フォトレジスト膜62の開口部63の側面にデポ64が堆積し、その後、露出したTiN膜52がエッチングされる。フォトレジスト膜62の開口部63の側面にデポ64が堆積すると、開口部63の幅が小さくなる。したがって、処理対象層としてのTiN膜52に図3の基板処理方法により形成された開口部に加えて幅が小さい開口部を形成することができ、開口部間のピッチを狭めることができる。例えば、フォトレジスト膜62の開口部63の側面にデポ64を堆積させて、開口部63の幅を30nmに調整すれば、処理対象層としてのTiN膜52にさらに30nmの開口部を形成することができ、もって、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をさらにTiN膜52に形成することができ、結果として、開口部間のピッチを狭めることができる。次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。図6は、本実施の形態に係る基板処理方法を示す工程図である。本実施の形態に係る基板処理方法は上述した図1の基板処理システム10に類似した構成を有する基板処理システムによって実行される。本実施の形態に係る基板処理方法では、図6Aに示す、シリコン基材65処理対象層、例えば、厚さが100nmの熱酸化珪素膜66中間層、反射防止膜BARC膜67及びKrFからなるフォトレジスト膜68マスク膜が順に積層されたウエハWにおいて、シリコン基材65に幅が、例えば、30nm程度の開口部ホールやトレンチを形成する。該ウエハWにおいて、フォトレジスト膜68は所定のパターンに従って形成されて反射防止膜67を部分的に露出させる。また、フォトレジスト膜68の幅図中横方向の長さは、例えば、130nmである。図6において、まず、ウエハWを準備し図6A、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってフォトレジスト膜68に覆われていない反射防止膜67及び熱酸化珪素膜66をエッチングする中間層異方性エッチングステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、反射防止膜67及び熱酸化珪素膜66に施されるエッチングは、それらの厚み方向図中上下方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、シリコン基材65が部分的に露出するとともに、反射防止膜67及び熱酸化珪素膜66の側面が露出する図6B。また、このとき、フォトレジスト膜68も若干エッチングされるが、該フォトレジスト膜68が少なくとも所定の厚さだけは残るように上記異方性エッチングの時間が調整される。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す中間層等方性エッチングステップ。COR処理は、酸化珪素と処理ガス弗化水素やアンモニアを化学反応させて生成物を生成し、該生成物を気化昇華させて除去する処理である。具体的には以下の化学反応式で示される。SiO24HF→SiF42H2O↑SiF42NH32HF→NH42SiF6NH42SiF6→SiF4↑2NH3↑2HF↑COR処理は、上述したように、化学反応を用いる処理であり、化学反応は等方的に進行するため、熱酸化珪素膜66を確実に等方的にエッチングするが、上述したように、フォトレジスト膜68が所定の厚さだけ残されているため、該フォトレジスト膜68は熱酸化珪素層66を覆って熱酸化珪素膜66が厚さ方向にエッチングされるのを防止する。したがって、熱酸化珪素膜66はCOR処理によって側面のみがエッチングされ、これにより、熱酸化珪素膜66の幅のみを確実に減少させることができる図6C。このとき、COR処理の実行時間を調整することによって熱酸化珪素膜66の幅が、例えば、30nmに調整される。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってフォトレジスト膜68及び反射防止膜67を除去し、幅が減少した熱酸化珪素膜66を露出させるマスク層除去ステップ図6D。次いで、スピンコータ等のコーティングモジュールにおいて、シリコン基材65や幅が減少した熱酸化珪素膜66を覆う有機系膜69、例えば、SiLK登録商標やポリイミドからなる膜を形成し図6E被覆層形成ステップ、さらに、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガス、ArガスやN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、有機系膜69を除去する被覆層除去ステップ。このとき、アッシング処理の時間を調整することにより、有機系膜69は幅が減少した熱酸化珪素膜66のみが露出するように所定量だけ除去される図6F。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す中間層除去ステップ。このとき、弗化水素やアンモニアと化学反応を起こすのは熱酸化珪素膜66だけであるため、該熱酸化珪素膜66のみが選択的に除去され、結果として、有機系膜69にシリコン基材65を部分的に露出させる開口部70が形成される図6G。開口部70の幅は除去された熱酸化珪素膜66の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、Cl2ガス及びN2ガスの混合ガス、又はHBrガス及びN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部70を介してシリコン基材65をエッチングする処理対象層エッチングステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、シリコン基材65に施されるエッチングは、その厚み方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、シリコン基材65に幅の小さい開口部71が形成される図6H。その後、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって有機系膜69を除去し図6I、その後、本処理を終了する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、プラズマを用いた異方性エッチングによって側面が露出した熱酸化珪素膜66の該側面にCOR処理が施されて該熱酸化珪素膜66の幅が減少され、シリコン基材65及び幅が減少した熱酸化珪素膜66を覆う有機系膜69を所定量だけ除去することによって幅が減少した熱酸化珪素膜66のみを露出させ、さらに、幅が減少した熱酸化珪素膜66が選択的に除去されることによって有機系膜69にシリコン基材65を部分的に露出させる幅の小さい開口部70が形成され、該開口部70を介してシリコン基材65へプラズマを用いた異方性エッチングが施される。したがって、シリコン基材65に幅が小さい開口部71を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部71をシリコン基材65の膜に形成することができる。上述した図6の基板処理方法では、シリコン基材65に幅が小さい開口部71を形成したが、該開口部71を形成する処理対象層はシリコン基材65に限られず、異方性エッチングにおいて有機系膜69に対して高い選択比を有するものであればよい。また、異方性エッチングとしてのCOR処理によって幅が減少させられる層は熱酸化珪素層66に限られず、酸化珪素及びこれに類する成分を含む層であればよく、例えば、TEOS膜も該当する。さらに、反射防止膜67を覆うマスク膜はフォトレジスト膜68に限られず、ハードマスク膜であってもよい。次に、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。図7及び図8は、本実施の形態に係る基板処理方法を示す工程図である。本実施の形態に係る基板処理方法も上述した図1の基板処理システム10に類似した構成を有する基板処理システムによって実行される。本実施の形態に係る基板処理方法では、図7Aに示す、第1のポリシリコン層72、第1のTEOS膜73、第2のポリシリコン層74処理対象層、第1の窒化珪素膜75第1の中間層、第2のTEOS膜76第2の中間層、第2の窒化珪素膜77第2の中間層、反射防止膜BARC膜78第3の中間層及びフォトレジスト膜79マスク膜が順に積層されたウエハWにおいて、第2のポリシリコン層74に幅が、例えば、30nm程度の複数の開口部ホールやトレンチを、各開口部間のピッチを狭めて形成する。該ウエハWにおいて、フォトレジスト膜79は反射防止膜78を部分的に露出させる開口部80を有する。フォトレジスト膜79の幅図中横方向の長さは、例えば、60nmであり、フォトレジスト膜79の開口部80の幅も、例えば、60nmである。図7及び図8において、まず、ウエハWを準備し図7A、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CHF3ガス及びHBrガスを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってフォトレジスト膜79に覆われていない反射防止膜78をエッチングして該反射防止膜78に第2の窒化珪素膜77を一部露出させる開口部82を形成する。このとき、CHF3ガスはデポ性ガスであるため、開口部82の形成後もプラズマエッチング処理を継続すると該開口部82の側面にデポ81が堆積し、開口部82の幅が小さくなる図7Bデポ堆積ステップ。このとき、デポ81の堆積によって開口部82の幅が、例えば、30nmとなるように、プラズマエッチング処理の実行時間が調整される。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部82を介して露出する第2の窒化珪素膜77、第2のTEOS膜76及び第1の窒化珪素膜75をエッチングする中間層異方性エッチングステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、第2の窒化珪素膜77、第2のTEOS膜76及び第1の窒化珪素膜75に施されるエッチングは、それらの厚み方向図中上下方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、第2のポリシリコン層74を部分的に露出させる開口部83が第1の窒化珪素膜75に形成されるとともに、第2の窒化珪素膜77、第2のTEOS膜76及び第1の窒化珪素膜75の側面が露出する図7B。開口部83の幅は開口部82の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってデポ81を除去するとともに、フォトレジスト膜79をエッチングする図7C。このとき、フォトレジスト膜79が少なくとも所定の厚さだけは残るようにアッシング処理の時間が調整される。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す中間層等方性エッチングステップ。COR処理は、第2のTEOS膜76を確実に等方的にエッチングするが、上述したように、フォトレジスト膜79が所定の厚さだけ残されているため、該フォトレジスト膜79は第2のTEOS膜76を覆って第2のTEOS膜76が厚さ方向にエッチングされるのを防止する。したがって、第2のTEOS膜76はCOR処理によって側面のみがエッチングされ、これにより、第2のTEOS膜76の幅のみを確実に減少させることができる図7D。このとき、COR処理の実行時間を調整することによって第2のTEOS膜76の幅が、例えば、30nmに調整される。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってフォトレジスト膜79、反射防止膜78及び第2の窒化珪素膜77を除去し、幅が減少した第2のTEOS膜76を露出させる図7E第3の中間層除去ステップ。このとき、第1の窒化珪素膜75も部分的に露出する。次いで、スピンコータ等のコーティングモジュールにおいて、第2のポリシリコン層74、第1の窒化珪素膜75や幅が減少した第2のTEOS膜76を覆う有機系膜84被覆層、例えば、SiLK登録商標やポリイミドからなる膜を形成し図7F被覆層形成ステップ、さらに、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガス、ArガスやN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、有機系膜84を除去する被覆層除去ステップ。このとき、アッシング処理の時間を調整することにより、有機系膜84は幅が減少した第2のTEOS膜76のみが露出するように所定量だけ除去される図8A。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す第2の中間層除去ステップ。このとき、弗化水素やアンモニアと化学反応を起こすのは第2のTEOS膜76だけであるため、該第2のTEOS膜76のみが選択的に除去され、結果として、有機系膜84に第1の窒化珪素膜75を部分的に露出させる開口部85が形成される図8B。開口部85の幅は除去された第2のTEOS膜76の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部85を介して露出する第1の窒化珪素膜75をエッチングする第1の中間層除去ステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、第1の窒化珪素膜75に施されるエッチングは、その厚み方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、第2のポリシリコン層74を部分的に露出させる開口部86が第1の窒化珪素膜75に形成される図8C。開口部86の幅は開口部85の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって有機系膜84を完全に除去し被覆層完全除去ステップ、該有機系膜84によって覆われていた第2のポリシリコン層74を開口部83を介して露出させる図8D。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、Cl2ガス及びN2ガスの混合ガス、又はHBrガス及びN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部83及び開口部86を介して第2のポリシリコン層74をエッチングする処理対象層エッチングステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、第2のポリシリコン層74に施されるエッチングは、その厚み方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、第2のポリシリコン層74に幅の小さい開口部87が形成される図8E。その後、各開口部87を介して第1のTEOS膜73をエッチングし図8F、本処理を終了する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、側面にデポが堆積することによって幅が小さくなった開口部82を介して第1の窒化珪素膜75へプラズマを用いた異方性エッチングが施されて該第1の窒化珪素膜75に幅の小さい開口部83が形成される。また、プラズマを用いた異方性エッチングによって側面が露出した第2のTEOS膜76の該側面にCOR処理が施されて該第2のTEOS膜76の幅が減少され、第2のポリシリコン層74、第1の窒化珪素膜75及び幅が減少した第2のTEOS膜76を覆う有機系膜84を所定量だけ除去することによって幅が減少した第2のTEOS膜76のみを露出させ、さらに、幅が減少した第2のTEOS膜76を選択的に除去することによって有機系膜84に第1の窒化珪素膜75を部分的に露出させる幅の小さい開口部85が形成され、該有機系膜84の開口部を介して第1の窒化珪素膜75へ異方性エッチングが施されて該第1の窒化珪素膜75に幅の小さい開口部86が形成される。そして、開口部83及び開口部86を介して第2のポリシリコン層74へ異方性エッチングが施される。したがって、第2のポリシリコン層74に幅が小さい開口部87を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部87を第2のポリシリコン層74に形成することができる。また、開口部83の位置は開口部82の位置に対応し、開口部86の位置は幅が減少した第2のTEOS膜76の位置に対応するので、開口部83と開口部86は重ならない。その結果、第2のポリシリコン層74における開口部87間のピッチを狭めることができる。上述した本実施の形態に係る基板処理方法では、第2のTEOS膜76の側面へのCOR処理開始時には、フォトレジスト膜79が所定の厚さだけ残されていたが、上記COR処理開始時において、反射防止膜78が所定の厚さだけ残されていれば、フォトレジスト膜79が完全に除去されていてもよい。上述した本実施の形態に係る基板処理方法では、第2のポリシリコン層74の下に第1のTEOS膜73が形成されていたが、第2のポリシリコン層74の下にゲート酸化膜が形成されていてもよい。この場合、第2のポリシリコン層74の開口部87が形成された後に処理を終了する。次に、本発明の第4の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。図9及び図10は、本実施の形態に係る基板処理方法を示す工程図である。本実施の形態に係る基板処理方法も上述した図1の基板処理システム10に類似した構成を有する基板処理システムによって実行される。本実施の形態に係る基板処理方法では、図9Aに示す、シリコン基材88処理対象層、窒化珪素膜89第1の中間層、TEOS膜90第2の中間層、カーボン膜91第3の中間層、反射防止膜SiARC膜92第3の中間層及びフォトレジスト膜93マスク膜が順に積層されたウエハWにおいて、シリコン基材88に幅が、例えば、30nm程度の複数の開口部ホールやトレンチを、各開口部間のピッチを狭めて形成する。該ウエハWにおいて、フォトレジスト膜93は反射防止膜92を部分的に露出させる開口部94を有する。フォトレジスト膜93の幅図中横方向の長さは、例えば、60nmであり、フォトレジスト膜93の開口部94の幅も、例えば、60nmである。図9及び図10において、まず、ウエハWを準備し図9A、成膜処理を実行するプロセスモジュールにおいて、フォトレジスト膜93及び露出する反射防止膜92を覆うMLDMolecularLayerDeposition酸化膜95を形成する第1の被膜層形成ステップ。MLD酸化膜95は等方的に成長するので、反射防止膜92やフォトレジスト膜93の図中上面だけでなく開口部94の側面にもMLD酸化膜95が形成される図9B。このとき、MLD酸化膜95の成膜厚さが、例えば、15nmとなるように成膜処理の時間が調整される。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってMLD酸化膜95をエッチングする第1の被膜層エッチングステップ図9C。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、MLD酸化膜95に施されるエッチングは、図中上下方向に沿って進行する異方性エッチングである。MLD酸化膜95のエッチングは、開口部94の底部において反射防止膜92が露出した時点で停止される。ここで、図中上下方向に関する厚さに関し、開口部94の側面に形成されたMLD酸化膜95の厚さT図9B参照は開口部94の底部に形成されたMLD酸化膜95の厚さt図9B参照よりも大きいので、MLD酸化膜95がエッチングされて開口部94の底部において反射防止膜92が露出した時点では、開口部94の側面にMLD酸化膜95が残る。これにより、図9Cに示すように、開口部94の幅が小さくなる。MLD酸化膜95の成膜厚さは、例えば、15nmなので、開口部94の幅は、例えば、30nmとなる。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、HBrガス、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部94を介して露出する反射防止膜92をエッチングしてカーボン膜91を露出させ、その後、処理ガス、例えば、HBrガス及びCO2ガスの混合ガス、又はO2ガス及びCH4ガス若しくはCOガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部94を介して露出したカーボン膜91をエッチングしてTEOS膜90を露出させる中間層異方性エッチング図9D。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部94を介して露出したTEOS膜90及び窒化珪素膜89をエッチングする中間層異方性エッチング。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、反射防止膜92、カーボン膜91、TEOS膜90及び窒化珪素膜89に施されるエッチングは、それらの厚み方向図中上下方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、シリコン基材88を部分的に露出させる開口部100が窒化珪素膜89に形成されるとともに、カーボン膜91、TEOS膜90及び窒化珪素膜89の側面が露出する図9E。開口部100の幅は開口部94の幅に対応し、例えば、30nmである。このとき、反射防止膜92、カーボン膜91、TEOS膜90及び窒化珪素膜89に施されるエッチングを通じてフォトレジスト膜93及びMLD酸化膜95は除去され、フォトレジスト膜93やMLD酸化膜95に覆われたカーボン膜91も露出してエッチングされるが、図9Eに示すように、TEOS膜90上にカーボン膜91が少なくとも所定の厚さだけは残るようにプラズマエッチング処理の時間が調整される。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す中間層等方性エッチングステップ。COR処理は、TEOS膜90を確実に等方的にエッチングするが、上述したように、カーボン膜91が所定の厚さだけ残されているため、該カーボン膜91はTEOS膜90を覆ってTEOS膜90が厚さ方向にエッチングされるのを防止する。したがって、TEOS膜90はCOR処理によって側面のみがエッチングされ、これにより、TEOS膜90の幅のみを確実に減少させることができる図9F。このとき、COR処理の実行時間を調整することによってTEOS膜90の幅が、例えば、30nmに調整される。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによってカーボン膜91を除去し、幅が減少したTEOS膜90を露出させる第3の中間層除去ステップ。このとき、窒化珪素膜89も部分的に露出する。次いで、スピンコータ等のコーティングモジュールにおいて、シリコン基材88、窒化珪素膜89や幅が減少したTEOS膜90を覆う有機系膜96第2の被覆層、例えば、SiLK登録商標やポリイミドからなる膜を形成し図10A第2の被覆層形成ステップ、さらに、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガス、ArガスやN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、有機系膜96を除去する第2の被覆層除去ステップ。このとき、アッシング処理の時間を調整することにより、有機系膜96は幅が減少したTEOS膜90のみが露出するように所定量だけ除去される図10B。次いで、COR処理を実行するプロセスモジュールにおいて、ウエハWにCOR処理を施す第2の中間層除去ステップ。このとき、弗化水素やアンモニアと化学反応を起こすのはTEOS膜90だけであるため、該TEOS膜90のみが選択的に除去され、結果として、有機系膜96に窒化珪素膜89を部分的に露出させる開口部97が形成される図10C。開口部97の幅は除去されたTEOS膜90の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、CH2F2ガス、CHF3ガス、CH3Fガス、CF4ガス、N2ガスやO2ガスの少なくとも1つを含む混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部97を介して露出する窒化珪素膜89をエッチングする第1の中間層除去ステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、窒化珪素膜89に施されるエッチングは、その厚み方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、シリコン基材88を部分的に露出させる開口部98が窒化珪素膜89に形成される図10D。開口部98の幅は開口部97の幅に対応し、例えば、30nmである。次いで、アッシング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、O2ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって有機系膜96を完全に除去し第2の被覆層完全除去ステップ、該有機系膜96によって覆われていたシリコン基材88を開口部100を介して露出させる図10E。次いで、プラズマエッチング処理を実行するプロセスモジュールにおいて、処理ガス、例えば、Cl2ガス及びN2ガスの混合ガス、又はHBrガス及びN2ガスの混合ガスからプラズマを生じさせ、プラズマ中のイオンやラジカルによって開口部100及び開口部98を介してシリコン基材88をエッチングする処理対象層エッチングステップ。このとき、ウエハWが載置される載置台にはバイアス電圧が印加されてイオン等がウエハWに引き込まれるので、シリコン基材88に施されるエッチングは、その厚み方向に沿って進行する異方性エッチングである。これにより、シリコン基材88に幅の小さい開口部99が形成される図10F。その後、本処理を終了する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、側面にMLD酸化膜95が残されて幅が小さくなった開口部94を介して窒化珪素膜89へプラズマを用いた異方性エッチングが施されて該窒化珪素膜89に幅の小さい開口部100が形成される。また、プラズマを用いた異方性エッチングによって側面が露出したTEOS膜90の該側面にCOR処理が施されて該TEOS膜90の幅が減少され、シリコン基材88、窒化珪素膜89及び幅が減少したTEOS膜90を覆う有機系膜96を所定量だけ除去することによって幅が減少したTEOS膜90のみを露出させ、さらに、幅が減少したTEOS膜90を選択的に除去することによって有機系膜96に窒化珪素膜89を部分的に露出させる幅の小さい開口部97が形成され、該開口部97を介して窒化珪素膜89へ異方性エッチングが施されて該窒化珪素膜89に幅の小さい開口部98が形成される。そして、開口部100及び開口部98を介してシリコン基材88へ異方性エッチングが施される。したがって、シリコン基材88に幅が小さい開口部99を形成することができ、これにより、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部99をシリコン基材88に形成することができる。また、開口部100の位置はフォトレジスト膜93の開口部94の位置に対応し、開口部98の位置は幅が減少したTEOS膜90の位置に対応するので、開口部100と開口部98は重ならない。その結果、シリコン基材88における開口部99間のピッチを狭めることができる。上述した本実施の形態に係る基板処理方法では、TEOS膜90の側面へのCOR処理開始時には、該TEOS膜90上にカーボン膜91のみが所定の厚さだけ残されていたが、上記COR処理開始時において、TEOS膜90上にカーボン膜91だけでなく反射防止膜92やフォトレジスト膜93が所定の厚さだけ残されていてもよい。また、上述し各実施の形態においてプラズマ処理が施される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、LCDLiquidCrystalDisplayやFPDFlatPanelDisplay等に用いる各種基板や、フォトマスク、CD基板、プリント基板等であってもよい。また、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータまたはCPUやMPU等が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVDRW等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSオペレーティングシステム等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。"