縦型半導体装置であって、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えており、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有しており、前記拡散層では、前記縦型半導体装置を平面視したときに、前記セル領域に近い側の端部における不純物面密度が、リサーフ条件を満たす不純物面密度より高く、前記セル領域から遠い側の端部における不純物面密度が、リサーフ条件を満たす不純物面密度より低く、前記拡散層では、前記縦型半導体装置を平面視したときに、リサーフ条件を満たす不純物面密度より低い不純物面密度の領域における不純物面密度の平均勾配に比べて、リサーフ条件を満たす不純物面密度より高い不純物面密度の領域における不純物面密度の平均勾配が大きいことを特徴とする縦型半導体装置。前記拡散層では、前記セル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の深さ方向分布が、表面よりも深い位置で極大値を有することを特徴とする請求項1の縦型半導体装置。前記拡散層の前記セル領域から離れた側の端部の上方にポリシリコン層が積層されており、前記ポリシリコン層の前記拡散層と同一導電型の不純物濃度が、その下方の前記拡散層における不純物濃度の最大値より低いことを特徴とする請求項1の縦型半導体装置。縦型半導体装置であって、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えており、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有しており、前記拡散層では、前記セル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の深さ方向分布が、表面よりも深い位置で極大値を有することを特徴とする縦型半導体装置。縦型半導体装置であって、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えており、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有しており、前記拡散層の前記セル領域から離れた側の端部の上方にポリシリコン層が積層されており、前記ポリシリコン層の前記拡散層と同一導電型の不純物濃度が、その下方の前記拡散層における不純物濃度の最大値より低いことを特徴とする縦型半導体装置。セル領域と、そのセル領域の外側に配置された非セル領域を備える縦型半導体装置では、非セル領域の少なくとも一部に拡散層を配置することで、リサーフ構造を実現する。このような縦型半導体装置では、非セル領域に電圧が印加された場合に、拡散層の界面から広がる空乏層が電圧を分担し、電界の集中を緩和することで、高耐圧を実現している。上記のような縦型半導体装置において、非セル領域の表面に、可動イオンなどの外部電荷が付着することがある。外部電荷が付着すると、非セル領域におけるキャリアの分布が乱されて、空乏層の形成に影響を及ぼす。その結果、縦型半導体装置の耐圧が低減してしまう。外部電荷が付着した場合であっても、耐圧の低下を抑制することが可能な技術が待望されている。本明細書は上記の課題を解決する技術を提供する。本明細書では、リサーフ構造を有する縦型半導体装置において、外部電荷が付着した場合の耐圧の低下を抑制する技術を提供する。本明細書で開示する縦型半導体装置は、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えている。その縦型半導体装置は、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有している。その拡散層では、前記縦型半導体装置を平面視したときに、前記セル領域に近い側の端部における不純物面密度が、リサーフ条件を満たす不純物面密度より高く、前記セル領域から遠い側の端部における不純物面密度が、リサーフ条件を満たす不純物面密度より低い。その拡散層では、前記縦型半導体装置を平面視したときに、リサーフ条件を満たす不純物面密度より低い不純物面密度の領域における不純物面密度の平均勾配に比べて、リサーフ条件を満たす不純物面密度より高い不純物面密度の領域における不純物面密度の平均勾配が大きい。なお、ここでいう不純物面密度とは、拡散層における不純物濃度を拡散層の深さ方向に積分した値をいい、縦型半導体装置を平面視したときの、単位面積当たりの不純物注入量に相当する。半導体材料にシリコンが用いられている場合には、リサーフ条件を満たす不純物面密度は約1×1012[cm2]である。なお、上記の拡散層における不純物面密度は、最大でも5×1013[cm2]以下であることが好ましい。上記の縦型半導体装置では、非セル領域に電圧が印加された場合に、拡散層の界面から広がる空乏層が電圧を分担し、電界の集中を緩和する。拡散層は、セル領域に近い側の端部における不純物面密度がリサーフ条件を満たす不純物面密度より高く、セル領域から遠い側の端部における不純物面密度がリサーフ条件を満たす不純物面密度より低く形成されている。すなわち、拡散層の不純物面密度は、セル領域に近い側の端部からセル領域から遠い側の端部に向けて減少しており、その間にリサーフ条件を満たす不純物面密度となる部位が存在する。拡散層がこのような不純物面密度の分布を有する場合、外部電荷の付着により拡散層のキャリアの分布が乱された場合でも、形成される空乏層には大きな変化が生じない。上記の縦型半導体装置によれば、外部電荷の付着による耐圧低下を抑制することができる。また、上記の縦型半導体装置では、拡散層やその下方の半導体層の不純物濃度が製造時にばらつき、その不純物濃度のばらつきに起因して拡散層やその下方の半導体層のキャリアの分布が乱れた場合でも、形成される空乏層に大きな変化を生じない。上記の縦型半導体装置は、製造時の不純物濃度のばらつきに対して、耐圧の変動が少ない。また上記の縦型半導体装置では、リサーフ条件を満たす不純物面密度より低い不純物面密度の領域が、不純物面密度の平均勾配が小さい緩勾配領域となっており、リサーフ条件を満たす不純物面密度より高い不純物面密度の領域が、不純物面密度の平均勾配が大きい急勾配領域となっている。急勾配領域には、空乏層の形成に関与しない余剰のキャリアが多く存在する。従って、拡散層の表面に外部電荷が付着して、その外部電荷の影響で拡散層のキャリアが減少した場合でも、急勾配領域に存在する余剰のキャリアによって、拡散層のキャリアの減少を補償することができる。外部電荷の付着に起因する耐圧の低下を抑制することができる。本明細書が開示する他の縦型半導体装置は、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えている。その縦型半導体装置は、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有している。その拡散層では、前記セル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の深さ方向分布が、表面よりも深い位置で極大値を有する。なお、キャリア濃度が極大値となる深さは、好ましくは表面から0.5[μm]以上の深さである。この縦型半導体装置では、非セル領域に電圧が印加された場合に、拡散層の界面から広がる空乏層が電圧を分担し、電界の集中を緩和する。この空乏層の広がり方は、拡散層のセル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度に応じて変化しており、縦型半導体装置の耐圧は、拡散層のセル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の最大値に依存する。上記の縦型半導体装置では、拡散層のセル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の極大値が、表面よりも深い位置に存在しており、表面に外部電荷が付着した場合でもキャリア濃度の極大値が変化しにくい。上記の縦型半導体装置によれば、外部電荷の付着による耐圧低下を抑制することができる。本明細書が開示する他の縦型半導体装置は、セル領域と、前記セル領域の外側に配置された非セル領域を備えている。その縦型半導体装置は、前記非セル領域の少なくとも一部に拡散層を有している。その拡散層の前記セル領域から離れた側の端部の上方には、ポリシリコン層が積層されている。そのポリシリコン層の前記拡散層と同一導電型の不純物濃度は、その下方の前記拡散層における不純物濃度の最大値より低い。この縦型半導体装置では、非セル領域に電圧が印加された場合に、拡散層の界面から広がる空乏層が電圧を分担し、電界の集中を緩和する。この空乏層の広がり方は、拡散層のセル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度に応じて変化しており、縦型半導体装置の耐圧は、拡散層のセル領域から離れた側の端部におけるキャリア濃度の最大値に依存する。上記の縦型半導体装置では、拡散層のセル領域から離れた側の端部の上方にポリシリコン層が積層されており、拡散層のセル領域から離れた側の端部においてキャリア濃度が最大値となる位置が、ポリシリコン層の膜厚の分だけ、ポリシリコン層の表面から離されている。ポリシリコン層の表面に外部電荷が付着した場合でも、拡散層の端部におけるキャリア濃度の最大値が変化しにくい。上記の縦型半導体装置によれば、外部電荷の付着による耐圧低下を抑制することができる。また上記の縦型半導体装置では、縦型半導体装置の裏面側から非セル領域を流れて拡散層のセル領域から離れた側の端部の近傍に流れこむキャリアが、ポリシリコン層によってトラップされる。拡散層のセル領域から離れた側の端部の近傍におけるキャリアの集中を抑制し、縦型半導体装置の破壊耐量を向上することができる。以下、図面を参照して実施例を説明する。以下の実施例では、半導体材料にシリコンが用いられた例を説明するが、その例に代えて、炭化シリコン、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等の半導体材料を用いてもよい。実施例1図1に示すように、本実施例の半導体装置10は、半導体素子が形成されている半導体素子領域100セル領域に相当すると、半導体素子領域100の周囲を取り囲む周辺耐圧領域200非セル領域に相当するを備える縦型半導体装置である。本実施例では、半導体素子領域100内に、IGBTが形成されている。なお、他の例においては、半導体素子領域100内に、例えば、MOSFETやダイオード等の他のパワー半導体素子が形成されていてもよい。半導体素子領域100は、半導体層20の略中央部に形成されており、周辺耐圧領域200は、半導体層20の外周端22に沿って形成されている。周辺耐圧領域200は、半導体層20の外周端22と半導体素子領域100との間の耐圧を確保するための領域である。図2に示すように、半導体装置10は、主に半導体層20と、絶縁層40と、中央電極50と、外周電極60と、裏面電極80から構成されている。半導体層20は、シリコンにより構成されている。図1、2に示すように、中央電極50は、半導体素子領域100内の半導体層20の上面24に形成されている。中央電極50は、IGBTのエミッタ電極である。外周電極60は、半導体層20の上面24に形成されており、半導体層20の外周端22に沿って伸びている。外周電極60は、チャネルストップ電極である。絶縁層40は、中央電極50と外周電極60の間の半導体層20の上面24に形成されている。裏面電極80は、半導体層20の下面26に形成されている。裏面電極80は、IGBTのコレクタ電極である。半導体層20の内部には、低濃度n型領域30、中央電極コンタクト領域32、リサーフ領域34、外周電極コンタクト領域36、裏面電極コンタクト領域38が形成されている。裏面電極コンタクト領域38は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。裏面電極コンタクト領域38は、半導体層20の下面26側の表層領域下面26を含む下面26近傍の領域の全域に形成されている。裏面電極コンタクト領域38は、裏面電極80に対してオーミック接続されている。裏面電極コンタクト領域38は、半導体素子領域100内のIGBTのコレクタ領域である。中央電極コンタクト領域32は、p型不純物濃度が高いp型半導体により構成されている。中央電極コンタクト領域32は、半導体層20の上面24側の表層領域上面24を含む上面24近傍の領域であって、半導体素子領域100内に形成されている。中央電極コンタクト領域32は、中央電極50に対してオーミック接続されている。中央電極コンタクト領域32は、半導体素子領域100内のIGBTのボディ領域である。なお、中央電極コンタクト領域32とリサーフ領域34の間に、両者を分離する分離領域が形成されていてもよい。低濃度n型領域30は、n型不純物濃度が低いn型半導体により構成されている。低濃度n型領域30は、主に、半導体層20の深さ方向の中間部に形成されている。半導体素子領域100内においては、低濃度n型領域30は、裏面電極コンタクト領域38と中央電極コンタクト領域32の間に形成されている。半導体素子領域100内の低濃度n型領域30は、IGBTのドリフト領域として機能する。なお、図示していないが、半導体素子領域100内の半導体層20内には、中央電極コンタクト領域32、低濃度n型領域30及び裏面電極コンタクト領域38の他にも、種々のn型またはp型の領域例えば、エミッタ領域等が形成されている。また、図示していないが、半導体素子領域100内には、ゲート電極が形成されている。半導体素子領域100内のIGBTは、中央電極50と、裏面電極80と、ゲート電極と、半導体素子領域100内の種々のn型またはp型の半導体領域によって形成されている。外周電極コンタクト領域36は、n型不純物濃度が高いn型半導体により構成されている。外周電極コンタクト領域36は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、周辺耐圧領域200の最も外周側に形成されている。すなわち、外周電極コンタクト領域36は、半導体層20の外周端22に露出する位置に形成されている。外周電極コンタクト領域36は、外周電極60に対してオーミック接続されている。外周電極コンタクト領域36は、チャネルストップ領域である。リサーフ領域34拡散層に相当するは、p型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。リサーフ領域34は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、周辺耐圧領域200内に形成されている。リサーフ領域34の一方の端部は、中央電極コンタクト領域32に接している。外周電極コンタクト領域36とリサーフ領域34の間には、上述した低濃度n型領域30が存在している。低濃度n型領域30によって、外周電極コンタクト領域36はリサーフ領域34から分離されている。次に、半導体装置10の周辺耐圧領域200の機能について説明する。半導体素子領域100内のIGBTがオンしている場合には、半導体装置10の各電極間に高い電位差は生じない。IGBTがオフすると、外周電極60及び裏面電極80の電位が、中央電極50の電位に対して上昇する。すると、中央電極コンタクト領域32から低濃度n型領域30内に空乏層が伸びる。周辺耐圧領域200内においては、空乏層は、半導体層20の上面24側の表層領域内を中央電極コンタクト領域32から外周側に向かって伸びる。このとき、リサーフ領域34は、空乏層が外周側に向かって伸びるのを促進する。これによって、中央電極コンタクト領域32の近傍で電界が集中することが抑制される。周辺耐圧領域200の空乏層は、外周電極コンタクト領域36に到達する。外周電極コンタクト領域36はn型不純物濃度が高いので、空乏層は外周電極コンタクト領域36の内部には伸展しない。すなわち、空乏層は、図2の点線90に示すように、外周電極コンタクト領域36と低濃度n型領域30の境界部で停止する。したがって、空乏層は、外周電極コンタクト領域36より外周側へは伸展しない。これによって、空乏層が半導体層20の外周端22まで伸展することが防止される。このように、IGBTがオフしている状態においては、中央電極コンタクト領域32と外周電極コンタクト領域36の間の領域すなわち、低濃度n型領域30とリサーフ領域34に空乏層が形成される。中央電極50と外周電極60の間の電圧の大部分は、この空乏化された領域が分担する。図3はリサーフ領域34におけるp型不純物の面密度分布を示している。リサーフ領域34におけるp型不純物は、中央側半導体素子領域100に近い側の端部Bから外周側半導体素子領域100から遠い側の端部Aに向けて、面密度が徐々に減少する面密度分布を有している。リサーフ領域34のp型不純物面密度は、中央側端部Bと外周側端部Aの中間の位置よりもやや中央側端部Bに近い位置において基準面密度となる。基準面密度はいわゆるリサーフ条件を満たす面密度であり、本実施例では基準面密度はN0=1×1012[cm2]である。p型不純物面密度が基準面密度となる位置を基準位置Pとする。本実施例では、基準位置Pよりも中央側におけるp型不純物面密度の平均勾配は、基準位置Pよりも外周側におけるp型不純物面密度の平均勾配よりも急峻に設定されている。具体的には、基準位置Pよりも中央側におけるp型不純物面密度の平均勾配は、基準位置Pよりも外周側におけるp型不純物面密度の平均勾配の1.3倍に設定されている。以下ではp型不純物面密度の平均勾配が急峻な領域を急勾配領域といい、p型不純物面密度の平均勾配が緩やかな領域を緩勾配領域という。なお、本実施例では、リサーフ領域34におけるp型不純物の面密度は、最大でも5×1013[cm2]以下である。図4はIGBTがオフしている状態で、中央電極50と外周電極60の間に電圧を印加した場合の、空乏層での電界強度分布を示している。図4において、実線はリサーフ領域34におけるp型不純物面密度が図3に示す分布を有する場合を示しており、破線はリサーフ領域34におけるp型不純物面密度が基準面密度N0で一定である分布を有する場合を示している。リサーフ領域34におけるp型不純物面密度が基準面密度N0で一定の場合、空乏層における電界強度分布は一様となる。従って、p型不純物濃度のばらつきがない理想的な状況の下では、半導体装置10の耐圧を最も高くすることができる。しかしながら、p型不純物濃度にばらつきが生じると、リサーフ領域34のp型不純物面密度が全体に亘ってリサーフ条件から外れてしまい、空乏層における電界強度分布が大きく変動してしまう。半導体装置10の耐圧に大きな影響を及ぼしてしまう。これに対して、本実施例の半導体装置10では、リサーフ領域34におけるp型不純物面密度が図3に示す分布を有しており、空乏層における電界強度分布は基準位置Pの近傍において最大値をとる分布となる。従って、p型不純物濃度のばらつきがない理想的な状況では、p型不純物面密度を基準面密度N0で一定とした場合に比べて、半導体装置10の耐圧が低い。しかしながら、本実施例の半導体装置10では、p型不純物濃度にばらつきが生じた場合でも、p型不純物面密度が基準面密度N0となる位置、すなわち基準位置Pが中央側または外周側に移動するものの、空乏層における電界強度分布はそれほど大きく変動せず、半導体装置10の耐圧にはほとんど影響しない。p型不純物濃度のばらつきに対してロバスト性の高い半導体装置10を実現することができる。次に、IGBTのオフ時に、可動イオン等の外部電荷が半導体装置10の耐圧に与える影響について検討する。絶縁層40の表面に外部電荷が付着すると、半導体層20におけるキャリアの分布が乱され、空乏層の形成に影響を及ぼす。例えば、外部電荷として正電荷が付着する場合、外部電荷に半導体層20の電子が引き寄せられる結果、リサーフ領域34の正孔が減少してしまう。逆に、外部電荷として負電荷が付着する場合、外部電荷に半導体層20の正孔が引き寄せられる結果、リサーフ領域34の正孔が増加してしまう。いずれの場合についても、空乏層の形成に影響を及ぼし、半導体装置10の耐圧を低減させてしまう。本実施例の半導体装置10では、リサーフ領域34の基準位置Pよりも中央側の範囲に急勾配領域が形成されている。この急勾配領域には、空乏層の形成に関与しない余剰の正孔が多く存在する。この急勾配領域の正孔が移動することで、正電荷の付着による正孔の減少が補償される。従って、本実施例の半導体装置10によれば、外部電荷として正電荷が付着した場合に耐圧に及ぼす影響を抑制することができる。図5に、リサーフ領域34のp型不純物面密度を図3に示す分布とした場合Aと、リサーフ領域34のp型不純物面密度の勾配を一定とした場合Bについて、半導体装置10の正電荷付着時の耐圧と負電荷付着時の耐圧の関係を示している。一般に、正電荷付着時の耐圧と負電荷付着時の耐圧はトレードオフの関係となる。リサーフ領域34のp型不純物面密度の勾配を一定とした場合、その勾配を大きくすることで正電荷付着時の耐圧は向上するものの、負電荷付着時の耐圧は低下してしまう。リサーフ領域34のp型不純物面密度を図3に示す分布とすると、負電荷付着時の耐圧を低下させることなく、正電荷付着時の耐圧を向上することができる。リサーフ領域34のp型不純物面密度の勾配を一定とした場合のトレードオフの限界を超えて、正電荷付着時の耐圧と負電荷付着時の耐圧を向上することができる。上記のようなp型不純物面密度分布を有するリサーフ領域34は、種々の方法により形成することができる。例えば、p型不純物注入時のレジストの開口径を、中央側から外周側に向けて徐々に小さくしていくことによって、上記のようなp型不純物面密度分布を有するリサーフ領域34を形成することができる。あるいは、レジストの開口の間隔を中央側から外周側に向けて徐々に広くしていくことでも、上記のようなp型不純物面密度分布を有するリサーフ領域34を形成することができる。あるいは、レジストの厚みを中央側から外周側に向けて徐々に薄くしていくことで、上記のようなp型不純物面密度分布を有するリサーフ領域34を形成することができる。リサーフ領域34におけるp型不純物面密度の分布は、基準面密度N0を超える範囲における平均勾配が、基準面密度N0に満たない範囲における平均勾配よりも急峻であれば、どのような分布としてもよい。例えば、図6に示すように、基準面密度N0よりも高いp型不純物面密度において、急勾配領域と緩勾配領域が切り替わる分布としてもよいし、図7に示すように、基準面密度N0を下回るp型不純物面密度において、急勾配領域と緩勾配領域が切り替わる分布としてもよい。また、図8に示すように、p型不純物面密度がステップ状に減少していく分布としてもよいし、図9に示すように、p型不純物面密度が曲線状に減少していく分布としてもよい。さらに、図10に示すように、局所的にはp型不純物面密度が増減を繰り返しているものの、全体的にはp型不純物面密度が徐々に減少していく分布としてもよい。また、図11に示すように、中央側の端部Bから外周側の端部Aに向けて、急勾配領域から緩勾配領域に切り替わった後、さらに急勾配領域に切り替わる分布としてもよい。何れの場合についても、基準面密度N0を超える範囲における平均勾配が基準面密度N0に満たない範囲での平均勾配に比べて急峻な分布となっていればよい。なお、図1の周辺耐圧領域200においては、コーナー部210は直線部220に比べて電界集中がしやすく、半導体装置10の耐圧はコーナー部210の電界強度分布に応じて決まることが多い。従って、コーナー部210のリサーフ領域34のみについて図3に示すようなp型不純物面密度分布とし、直線部220のリサーフ領域34についてはp型不純物面密度を一定としてもよい。あるいは、コーナー部210のリサーフ領域34のみについて図3に示すようなp型不純物面密度分布とし、直線部220のリサーフ領域34についてはp型不純物面密度の勾配を一定としてもよい。実施例2本実施例の半導体装置300は、実施例1の半導体装置10とほぼ同様の構成を備えている。以下では実施例1の半導体装置10と同様の構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。図12に示すように、本実施例の半導体装置300は、実施例1のリサーフ領域34の代わりに、リサーフ領域310を備えている。リサーフ領域310は、p型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。リサーフ領域310は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、周辺耐圧領域200内に形成されている。リサーフ領域310の一方の端部は、中央電極コンタクト領域32に接している。外周電極コンタクト領域36とリサーフ領域310の間には、低濃度n型領域30が存在している。低濃度n型領域30によって、外周電極コンタクト領域36はリサーフ領域310から分離されている。リサーフ領域310は、外周側の端部Cにおいて、表面から深さ方向に、図13に示す正孔濃度の分布を有している。外周側の端部Cにおける正孔濃度は、表面から深さ方向に向けて増加した後、深さD0で極大値をとり、その後は深さ方向に向けて減少している。本実施例において、正孔濃度が極大値となる深さD0は、表面から0.5[μm]の深さである。正孔濃度が極大値となる深さD0は、表面からの深さが0.5[μm]以上であることが好ましい。本実施例の半導体装置300では、リサーフ領域310を上記のように形成することで、外部電荷が付着した場合の半導体装置300の耐圧に及ぼす影響を抑制することができる。実施例1で説明したように、絶縁層40の表面に外部電荷が付着すると、リサーフ領域310におけるキャリアの分布が乱され、空乏層の形成に影響を及ぼし、半導体装置300の耐圧を低減させてしまう。半導体装置300の耐圧は、リサーフ領域310の外周側の端部Cにおける正孔濃度の最大値に依存している。外部電荷の付着によってリサーフ領域310の外周側の端部Cにおける正孔濃度の最大値が低減してしまうと、半導体装置300の耐圧が低減してしまう。本実施例の半導体装置300では、リサーフ領域310の外周側の端部Cにおいて、深さD0で正孔濃度が極大値をとる分布としているので、外部電荷が付着した場合でも、正孔濃度の最大値はそれほど変化しない。このような構成とすることによって、外部電荷の付着による半導体装置300の耐圧の低下を抑制することができる。なお、リサーフ領域310のp型不純物濃度が最表面で最大値となるようにp型不純物を注入した場合でも、熱印加によるシリコン/酸化膜界面での偏析によって、最終的にp型不純物濃度のピークすなわち正孔濃度のピークは表面から0.4[μm]程度の深さになる。しかしながら、本実施例の半導体装置300では、このような偏析によるピークの移動よりもさらに深い位置にピークを配置することを特徴としている。本実施例の半導体装置300のリサーフ領域310は、例えばp型不純物としてボロンを注入する場合、外周側の端部Cについて、加速エネルギー1[MeV]~5[MeV]で、イオン注入量1×1012[cm2]~5×1013[cm2]とすることで形成することが出来る。このようにリサーフ領域310を形成する場合、リサーフ領域310の外周側の端部Cにおける、表面濃度比キャリア濃度の極大値に対する、表面におけるキャリア濃度の比率は、0.75以下となる。リサーフ領域310における正孔濃度は、外周側の端部Cにおいて、図13に示すような深さ方向分布を有していればよい。例えば、リサーフ領域310の中央側から外周側に亘って、正孔濃度が最大となる深さが一定であってもよい。あるいは、リサーフ領域310の中央側から外周側に向けて、正孔濃度が最大となる深さが徐々に深くなっていてもよい。あるいは、リサーフ領域310の中央側から外周側に向けて、正孔濃度が最大となる深さが不規則に増減していてもよい。あるいは、リサーフ領域310そのものが、半導体層20の表面から離れて、全体的に深い位置に形成されていてもよい。リサーフ領域310の外周側の端部Cにおいて、正孔濃度の深さ方向分布が、表面よりも深い位置で極大値をとるように形成されていればよい。なお、図14に示すように、外周側の端部Cにおいてp型不純物濃度が最表面で最大値となるようにリサーフ領域310を形成した後、リサーフ領域310の外周側の端部Cの上方に低濃度n型領域312をさらに形成してもよい。この場合も、リサーフ領域310の外周側の端部Cにおいて、正孔濃度の深さ方向分布を、表面よりも深い位置で極大値を有するようにすることができる。なお、このようにしてリサーフ領域310と低濃度n型領域312を形成する場合には、低濃度n型領域312におけるn型不純物濃度がリサーフ領域310におけるp型不純物濃度よりも高いと、半導体装置300の耐圧の低下を招くおそれがある。低濃度n型領域312におけるn型不純物濃度は、リサーフ領域310におけるp型不純物濃度よりも低くしておく必要がある。実施例3本実施例の半導体装置400は、実施例1の半導体装置10とほぼ同様の構成を備えている。以下では実施例1の半導体装置10と同様の構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。図15に示すように、本実施例の半導体装置400は、実施例1のリサーフ領域34の代わりに、リサーフ領域410を備えている。リサーフ領域410は、p型不純物濃度が低いp型半導体により構成されている。リサーフ領域410は、半導体層20の上面24側の表層領域であって、周辺耐圧領域200内に形成されている。リサーフ領域410の一方の端部は、中央電極コンタクト領域32に接している。外周電極コンタクト領域36とリサーフ領域410の間には、低濃度n型領域30が存在している。低濃度n型領域30によって、外周電極コンタクト領域36はリサーフ領域310から分離されている。リサーフ領域410の外周側の端部Dの上方にはポリシリコン層412が積層されている。ポリシリコン層412には、リサーフ領域410のp型不純物と同一元素のp型不純物が添加されている。ポリシリコン層412におけるp型不純物の濃度は、その下方のリサーフ領域410におけるp型不純物濃度よりも低く設定されている。本実施例の半導体装置400では、ポリシリコン層412を上記のように配置することで、実施例2の半導体装置300と同様に、絶縁層40の表面に外部負荷が付着した場合の半導体装置400の耐圧に及ぼす影響を抑制することができる。リサーフ領域410の外周側の端部Dの上方にポリシリコン層412が積層されているので、リサーフ領域410において正孔濃度が極大値をとる深さを、ポリシリコン層412の厚さの分だけ深い位置とすることができる。これにより、絶縁層40の表面に外部負荷が付着した場合でも、リサーフ領域410の外周側の端部Dにおける正孔濃度の最大値はそれほど変化しない。このような構成とすることによって、外部電荷の付着による半導体装置400の耐圧の低下を抑制することができる。本実施例の半導体装置400は、実施例2の半導体装置300とは異なり、リサーフ領域410およびポリシリコン層412を形成する際に、高エネルギーで不純物を注入する必要がない。このため、不純物注入時にシリコンが受けるダメージを軽減することができる。また、本実施例の半導体装置400では、裏面電極コンタクト領域38から低濃度n型領域30を通過してリサーフ領域410の外周側の端部Dの近傍に流れこむキャリアが、ポリシリコン層412によってトラップされる。リサーフ領域410の外周側の端部Dの近傍におけるキャリアの集中を抑制し、半導体装置400の破壊耐量を向上することができる。ポリシリコン層412は、p型不純物濃度がその下方のリサーフ領域410におけるp型不純物濃度よりも低くなっていれば、どのように構成されていてもよい。例えば、ポリシリコン層412は、リサーフ領域410が含むp型不純物と同一元素のp型不純物のみが添加されて、全体としてp型となっていてもよい。あるいは、ポリシリコン層412は、リサーフ領域410が含むp型不純物と同一元素のp型不純物とともに、より多くのn型不純物が添加されて、全体としてn型となっていてもよい。この場合には、ポリシリコン層412の厚さの分に加えて、ポリシリコン層412のn型不純物がカウンタードープとなって、リサーフ領域410において正孔濃度が極大値となる深さを、より深くすることができる。ポリシリコン層412は、少なくともリサーフ領域410の外周側の端部Dの上方に積層されていればよく、例えば図15に示すようにリサーフ領域410の外周側の端部Dの上方のみに積層されていてもよいし、あるいはリサーフ領域410の全体を覆うようにリサーフ領域410の上方に積層されていてもよいし、あるいはリサーフ領域410の外周側の端部Dの上方に加えて、リサーフ領域410の他の箇所の上方にも部分的に積層されていてもよい。このような場合、ポリシリコン層412におけるp型不純物濃度は、リサーフ領域410の外周側の端部Dの上方で、その下方のリサーフ領域410のp型不純物濃度より低くしてあればよい。それ以外の箇所においては、ポリシリコン層412におけるp型不純物濃度は、その下方のリサーフ領域410のp型不純物濃度より高くしてあってもよい。ポリシリコン層412は、図15に示すように半導体層20の上面24上に積層されていてもよいし、半導体層20の上面24にトレンチを形成しておいて、そのトレンチにポリシリコンを充填することで形成してもよい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。例えば、実施例1と実施例2の特徴を組み合わせた構成とすることもできる。すなわち、図2に示す実施例1の半導体装置10のリサーフ領域34を、その外周側の端部Aにおいて、表面から深さ方向に、図13に示す正孔濃度の分布を有するように形成することもできる。あるいは、実施例1と実施例3の特徴を組み合わせた構成とすることもできる。すなわち、図2に示す実施例1の半導体装置10のリサーフ領域34の外周側の端部Aの上方に、図15に示すポリシリコン層412を積層する構成とすることもできる。あるいは、実施例1、2および3の特徴を全て組み合わせた構成とすることもできる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。