有機基板と、前記有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビアと、前記有機基板の両面に設けられ、前記貫通ビアに電気接続された外部電極及び内部電極と、前記有機基板の一方の主面上に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体素子と、前記半導体素子及びその周辺を封止する絶縁材料層と、前記絶縁材料層内に設けられ、一部が外部表面に露出している金属薄膜配線層と、前記絶縁材料層内に設けられ前記金属薄膜配線層に電気接続している金属ビアと、前記金属薄膜配線層上に形成された外部電極と、を含み、前記金属薄膜配線層が、半導体素子の素子回路面に配置された電極と、前記内部電極と、前記金属ビアと、前記金属薄膜配線層上に形成された外部電極とを電気的に接続した構造を有することを特徴とする半導体装置。絶縁材料層がそれぞれ異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材料層によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。金属薄膜配線層、及びそれと接続する金属ビアが複数層存在することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。半導体素子に対向している有機基板の領域に、絶縁材料層内の前記金属薄膜配線層と電気接続していない貫通ビアを配置したことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。有機基板上に複数個の半導体素子を有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置の複数個を、半導体装置の金属薄膜配線層上に形成された外部電極と他の半導体装置の有機基板上に露出している外部電極とを接続することにより、半導体装置の主平面に垂直な方向に積層したことを特徴とするモジュール構造。半導体装置が請求項4に記載の半導体装置であることを特徴とする請求項6に記載のモジュール構造。有機基板に、該有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビアを形成する工程、有機基板の両面に前記貫通ビアに電気接続する外部電極及び内部電極を形成する工程、前記有機基板の一方の主面に、複数の半導体素子をその素子回路面が上になるように位置合わせして配置し、これらの半導体素子の素子回路面の反対側の面を有機基板に固着する工程、前記半導体素子及びその周辺に絶縁材料層を形成する工程、前記絶縁材料層内に開口を形成する工程、前記絶縁材料層上に一部が前記半導体素子の周辺領域に延出された金属薄膜配線層を形成すると共に、絶縁材料層内の前記開口内に前記半導体素子の前記素子回路面に配置された電極と接続された導電部を形成して金属ビアを形成する工程、前記金属薄膜配線層上に外部電極を形成する工程、及び、所定の位置で前記有機基板、前記絶縁材料層を切断することにより、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を分離する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置の複数個を用い、一つの半導体装置の金属薄膜配線層上に形成された外部電極に他の半導体装置の有機基板上に露出している外部電極を接続して、半導体装置の主平面に垂直な方向に積層することを特徴とする半導体積層モジュールの製造方法。本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、表裏間を貫通する電極を有する構造を有し、POP型構造をはじめ、垂直積層構造とすることが可能であり、かつサイズの異なるLSIチップを容易に垂直積層することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、半導体素子を搭載する支持体として有機基板を用い、この有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビアを設ける共に、有機基板の両面に設けられ前記貫通ビアに電気接続された外部電極及び内部電極を設け、半導体素子の素子回路面に配置された電極と、前記内部電極と、前記内部電極と絶縁材料層内に設けられ金属ビアと、金属薄膜配線層上に形成された外部電極とを絶縁材料層内に設けられた金属薄膜配線層によって電気的に接続することにより、上記課題が解決できることを見出して本発明を完成した。すなわち、本発明は以下に記載する通りのものである。1有機基板と、前記有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビアと、前記有機基板の両面に設けられ、前記貫通ビアに電気接続された外部電極及び内部電極と、前記有機基板の一方の主面上に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体素子と、前記半導体素子及びその周辺を封止する絶縁材料層と、前記絶縁材料層内に設けられ、一部が外部表面に露出している金属薄膜配線層と、前記絶縁材料層内に設けられ前記金属薄膜配線層に電気接続している金属ビアと、前記金属薄膜配線層上に形成された外部電極と、を含み、前記金属薄膜配線層が、半導体素子の素子回路面に配置された電極と、前記内部電極と、前記金属ビアと、前記金属薄膜配線層上に形成された外部電極とを電気的に接続した構造を有することを特徴とする半導体装置。2絶縁材料層がそれぞれ異なる絶縁材料からなる複数の絶縁材料層によって形成されていることを特徴とする1に記載の半導体装置。3金属薄膜配線層、及びそれと接続する金属ビアが複数層存在することを特徴とする1または2に記載の半導体装置。4半導体素子に対向している有機基板の領域に、絶縁材料層内の前記金属薄膜配線層と電気接続していない貫通ビアを配置したことを特徴とする1~3のいずれかに記載の半導体装置。5有機基板上に複数個の半導体素子を有することを特徴とする1~4のいずれかに記載の半導体装置。61~5のいずれかに記載の半導体装置の複数個を、半導体装置の金属薄膜配線層上に形成された外部電極と他の半導体装置の有機基板上に露出している外部電極とを接続することにより、半導体装置の主平面に垂直な方向に積層したことを特徴とするモジュール構造。7半導体装置が4に記載の半導体装置であることを特徴とする6に記載のモジュール構造。8有機基板に、該有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビアを形成する工程、有機基板の両面に前記貫通ビアに電気接続する外部電極及び内部電極を形成する工程、前記有機基板の一方の主面に、複数の半導体素子をその素子回路面が上になるように位置合わせして配置し、これらの半導体素子の素子回路面の反対側の面を有機基板に固着する工程、前記半導体素子及びその周辺に絶縁材料層を形成する工程、前記絶縁材料層内に開口を形成する工程、前記絶縁材料層上に一部が前記半導体素子の周辺領域に延出された金属薄膜配線層を形成すると共に、絶縁材料層内の前記開口内に前記半導体素子の前記素子回路面に配置された電極と接続された導電部を形成して金属ビアを形成する工程、前記金属薄膜配線層上に外部電極を形成する工程、及び、所定の位置で前記有機基板、前記絶縁材料層を切断することにより、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を分離する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。91~5のいずれかに記載の半導体装置の複数個を用い、一つの半導体装置の金属薄膜配線層上に形成された外部電極に他の半導体装置の有機基板上に露出している外部電極を接続して、半導体装置の主平面に垂直な方向に積層することを特徴とする半導体積層モジュールの製造方法。本発明の半導体装置は以下に記載する通りの効果を奏することができる。POP型構造をはじめ、垂直積層構造が可能となる。貫通電極を有しないLSIチップを容易に垂直積層することができる。大型パネルスケールアセンブリにより、半導体素子サイズのダウンサイジングによる大幅なコスト削減が実現できる。メモリ等の同一チップ積層時に必須となる層ごとに異なる再配線層の付与が不要となり、製造コストが大幅に削減できる。TSVプロセスを用いるような場合のデバイスへのダメージを防ぐことができる。薄型チップのハンドリングが容易になる。サーマルビアにより熱特性を向上することができる。以下、本発明を実施するための形態について説明する。なお、以下の記載では実施形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。実施形態1図1は本発明に係る半導体装置の基本的な構成を示す実施形態1を示す縦断面図である。半導体装置20は、樹脂硬化体から構成される有機基板1を備えており、その一方の主面に、半導体素子2が電極図示せずを有する素子回路面を上にして配置され、素子回路面と反対側の面裏面が接着剤3により有機基板1に固着されている。有機基板1には有機基板を厚さ方向に貫通する貫通ビア4が設けられ、かつ、有機基板1の両面には貫通ビア4に電気接続された内部電極5a及び外部電極5bが設けられている。有機基板1には上記のように貫通ビア4を設けるために貫通孔が形成されるので有機基板の材料としては加工強度が高い有機材料を用いることができる。このような有機基板1としては、例えばガラスクロスに樹脂を含浸させた複合材料を用いることができる。また、有機基板の両面は銅箔によって被覆されている。そして、有機基板1の主面全体には、半導体素子2の素子回路面を覆うようにして絶縁材料層6が形成されている。この絶縁材料層6の上には、銅等の導電性金属から成る金属配線を構成する金属薄膜配線層以下配線層ともいう7が形成されており、その一部は半導体素子2の周辺領域にまで引き出されている。半導体素子2の電極面上にはビア部8が設けられ配線層7と電極とが電気的に接続されている。配線層7の所定の位置には半田ボール等の外部電極9が複数個形成されている。絶縁材料層6内には配線層7と貫通ビア4に電気接続された内部電極5aとを電気接続するための金属ビア10が設けられている。絶縁材料層6の上、および外部電極9の接合部を除く配線層7の上には、配線保護膜11を形成する。配線保護膜11は絶縁材料層の絶縁材料と同種の材料で形成しても良いし、異種の材料で形成しても良い。上記半導体装置20は、半導体素子2上の電極が金属薄膜配線層7を介して、金属ビア10と電気的に接続され、又同金属ビア10は有機基板1上の内部電極5a及び、外部電極9と電気的に接続されている。半導体装置20はこのような構造のため、半導体素子2の端子が半導体装置の表裏両面の外部電極5b、9と電気的につながることにより、同一構造のパッケージの積層実装が可能となる。このような実施形態1の半導体装置20の製造方法を以下に示す。以下に説明する製造方法では、有機基板1を本発明の半導体素子2のサイズよりも極めて大きいものとし、複数の半導体素子2をそれぞれ間隔を置いて有機基板1に搭載して、所定の処理工程によって複数の半導体装置を同時に製造し、最終的に個々の半導体装置に分割して複数の半導体装置を得ることができるようにしている。このように、複数の半導体装置を同時に製造することにより製造コストを大幅に抑制する事が可能となる。また、本実施形態では有機基板上に一つの半導体素子を有する半導体装置について述べたが、有機基板上に複数個の半導体素子を有する場合も本発明の実施形態である。以下では半導体の製造工程を図2~図4に基づいて説明する。図2aは貫通ビア形成前の有機基板1を示す図である。有機基板1としてはガラスクロスを基材としこれにエポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂を含浸させて硬化させた基板12を用いることができる。基板12の表裏両面には銅箔13が貼り付けられて固着されている。図2bは有機基板1に貫通ビアを形成するための貫通穴4′を形成した状態を示す図である。貫通穴4′は微細ドリルを用いて形成する。本図では銅箔12および基板12をドリルで一括加工しているが、貫通穴直上の銅箔13を薬液などで先に除去しておくことにより、レーザーでの貫通穴形成も可能である。図2cは電解めっき等を用いて、貫通穴4′の側壁にめっき層14を形成して貫通ビアを形成した状態を示す図である。この時、側壁のめっき層14は銅箔13と電気的に導通がとれた状態である。図2dは貫通ビア4内に導電材料15が充填された状態を示す。導電材料15はめっきで形成されても良いし、めっき層14を形成した後に導電ペーストを充填することによって形成しても良い。めっき層14の厚みが充分あり、めっき層のみで電気的接続が良好である場合には、導電材料を充填することを省略することができる。また、貫通ビアの剛性を高めると共に、金属電極の形成を容易にするために、導電材料を充填することに代えて穴埋め材を充填することができる。図2eは、銅箔13を任意の形状に加工して配線層と接続するための内部電極5a及び半導体装置の接続部となる外部電極5bを形成した状態を示す図である。銅箔の加工は薬液によるエッチング処理等で行うことができる。また、有機基板1に貫通ビア4を形成したのち、配線を保護する為に基板両面、もしくは片面にソルダーレジストなどの配線保護膜を形成することができる。配線保護膜を付与した場合は、貫通ビア4および配線部に外部電極接続用の開口を設ける。図3fは上記工程によって得られた有機基板に接着剤3を介して、電気特性試験で良品とされた半導体素子2を素子回路面を上にして固着した状態を示す図である。半導体素子2の表層には感光性樹脂膜16が塗布されており、感光性樹脂膜16に設けられた開口17により半導体素子2の電極外部接続用金属電極端子が露出された状態である。感光性樹脂膜16が塗布されない状態で、半導体素子2を基板に固着する場合もある。この時、基板は半導体サイズよりも極めて大きいため、多数の半導体素子2を搭載することができる。図3gは基板上に固着された半導体素子2の周辺部に絶縁性樹脂を供給して絶縁性樹脂層6を形成した状態を示す図である。絶縁性樹脂としては熱硬化型の樹脂を用い、半導体素子2ないしは感光性樹脂膜16との間に極力段差ができないように供給を行う。絶縁性樹脂の供給は、スピンコータを用いて塗布する方法やスキージを用いた印刷法により行なうことができる。絶縁性樹脂としては感光性樹脂を用いる場合もある。また、あらかじめ半導体素子2の回路形成面に感光性樹脂膜16が供給されていない場合は、絶縁性樹脂としての感光性樹脂を半導体素子2の周辺部および回路形成面にも供給することもできる。この時、半導体素子2の回路形成面の電極部は、別工程で露光現像により開口して電極表面の露出をおこなう。この時、同時に樹脂部の金属ビア用の開口図3hの18参照を形成することも可能である。図3hは絶縁材料層6に金属ビアを形成するための開口18を形成した状態を示す図である。開口18はレーザー等で加工され、有機基板の内部電極5aまで貫通している。この開口18は微細ドリルで加工形成される場合も有り、絶縁材料層6が感光性樹脂からなる場合には、露光現像にて開口される場合もある。図3iは開口18が形成された絶縁材料層6、および半導体素子2の表層に金属薄膜配線層7が形成された状態を示す図である。絶縁材料層6の上面全体に、蒸着方式スパッタ、もしくは無電解めっき等で下地シード層を形成したのち、電解めっきを行う。このとき、図に示すように、絶縁材料層6の開口18の側壁にもめっきによって導電性金属層が形成され金属ビア19が形成される。次いで、全面に形成された導電性金属層をフォトリソグラフィーによりパターニングして金属薄膜配線層7を形成する。フォトリソグラフィーによるパターニングは、導電性金属層上に感光性レジスト層を形成し、所定のパターンのマスクを用いて露光現像した後、導電性金属層をエッチングすることにより行なうことができる。このような電解めっきとフォトリソグラフィーによるパターニングにより、半導体素子2の電極と電気的に接続された金属ビア19、配線層7、および後の工程で半田ボール等からなる外部電極9が形成される金属薄膜配線層7の所定部位を、一括して形成することができる。また、金属薄膜配線層7を形成した後に上記下地シード層をエッチングにて除去する。図4jは金属薄膜配線層7上に、ソルダーレジスト等の配線保護膜11を形成した状態を示す図である。ソルダーレジストは液状の場合はロールコーター、フィルム形状の場合はラミネート、圧着プレスなどで供給される。この配線保護膜11を形成した後、配線保護膜に外部金属電極を設けるための開口部を開口する。図4kは金属薄膜配線層7の外部金属電極端子部に、導電材料からなる外部金属電極9を形成した状態を示した図である。導電材料としては半田ボール、導電性ペースト、半田ペーストなど導電がとれる材料を用いる。外部電極9を形成した後、A-A切断線に沿って各個片に分断することにより本発明の実施形態1の半導体装置を得ることができる。実施形態2図5は、本発明の実施形態2を示す断面図である。この実施形態2は実施形態1において、貫通ビアの壁面のみに金属導体を形成し、残りの空洞部分に樹脂等の穴埋め材21を充填した構造を有する。穴埋め材21を充填することにより貫通ビアの剛性を高めることができると共に、貫通ビアの上下面に金属電極導体膜を形成しやすくすることができる。実施形態3図6は、本発明の実施形態3を示す断面図である。この実施形態3では、実施形態1において、半導体素子の周囲の絶縁材料層6として配線層の下側と上側で異なる樹脂を用いる。例えば、樹脂6aとしては、熱硬化性樹脂又は感光性樹脂を用い、一方、樹脂6bとしては、外部電極間を絶縁可能なソルダーレジスト等の絶縁樹脂材料を用いる。この樹脂6aからなる層は配線保護層11を構成する。この様に構成することにより樹脂6aとして熱硬化性樹脂を用いた場合には半導体素子の封止信頼性の向上効果が、樹脂6aとして感光性樹脂を用いた場合にはパターニング性の向上効果が、また樹脂6bとしてソルダーレジストを用いることにより、外部電極間半田ショート防止効果がそれぞれ期待できる。また、図示例では、有機基板の貫通ビアは第2の実施態様と同様に穴埋め材で充填されている。実施形態4図7は、本発明の実施形態4を示す断面図である。この実施形態4は、実施形態3において、有機基板1の半導体素子2に対向する表面部分の銅箔を残してCu電極パッド23とし、このCu電極パッド23の下の有機基板1に、絶縁材料層6内の金属薄膜配線層7と電気接続しないダミーの貫通ビア22を配置し、この貫通ビアをサーマルビアとすることにより、半導体素子2が発生する熱の放熱特性を向上させたものである。この様な構造の半導体装置を積層モジュールに用いることにより縦方向への熱の流れが効率的に行われ、放熱がしやすくなる。実施形態5図8は、本発明の実施形態5を示す断面図である。この実施形態5は、実施形態3において、有機基板の下面を配線24でつないだものである。この様な構造とすることにより、有機基板上の貫通ビアから別のパッド位置への再配線が可能となる。また、パターニング面積を増やすことにより、面内温度分布の均一化による放熱特性の改善が可能となる。実施形態6図9は、本発明の実施形態6を示す断面図である。この実施形態6は、実施形態4の変形例であり、有機基板1の半導体素子2に対向する表面部分の銅箔の面積を広く残してグランド層25としたものである。これにより、放熱特性の改善、グランド層の強化による電気特性の改善が可能となる。実施形態7図10は、本発明の実施形態7を示す断面図である。この実施形態7は、実施形態5において、半導体素子の周囲の絶縁材料層6として最下層を熱硬化性樹脂層6c、その上の層を感光性樹脂層6d、最上層をソルダーレジスト層6eとした構成である。このような構造とすることにより、熱硬化性樹脂層6cによる半導体素子の封止信頼性の向上効果が、感光性樹脂層6dによるパターニング性の向上効果が、ソルダーレジスト層6eによる外部電極間半田ショート防止効果が、それぞれ期待できる。実施形態8図11は、本発明の実施形態9を示す断面図である。この実施形態9は、金属薄膜配線層7及びそれと接続する金属ビア10が複数層図示したものではそれぞれ2層設けたものである。金属薄膜配線層7及びそれと接続する金属ビア10が複数層存在することによって、半導体素子と外部金属電極又は、金属ビアを電気的に接続する配線自由度が増大し、同じ外形サイズの半導体装置に対して、搭載可能な半導体素子サイズの自由度を増大させることができるか、または、搭載可能な半導体素子表面の電極端子数の自由度を増大させることができる。実施形態9図12は、本発明の実施形態9を示す断面図である。この実施形態9は、半導体装置のユニットU1~U4を、半導体装置の金属薄膜配線層上に形成された外部電極と他の半導体装置の有機基板上に露出している外部電極とを接続することにより、半導体装置の主平面に垂直な方向に積層してなる半導体積層モジュール26である。本発明の半導体装置を積層モジュールのユニットとして用いることにより、TSV構造のように半導体素子に貫通電極を設けることなく、また、個々の半導体素子サイズが異なっても、任意の段数の積層モジュールを実現することができる。実施形態10図13は、本発明の実施形態10を示す断面図である。この実施形態10は、図12に示した実施形態9の半導体積層モジュール26の最上層に、図14に示した構造の半導体装置U5を配置することにより半導体積層モジュール28を形成したものである。この半導体装置U5は図14に示されるものにおいて平板31として高熱伝導金属板27を用いたものであり、これにより最上層に高消費電力の半導体素子を搭載可能な高放熱性積層モジュールを実現することができる。