"金属粉を導電成分とする導電性ペーストにおいて、前記金属粉は、鱗片状金属粉を含んでおり、該鱗片状金属粉は、結晶子径が200nm~400nmである金属粉を含んでいる導電性ペースト。前記鱗片状金属粉は、結晶子径が20nm~100nmである金属粉を含んでいる請求項1記載の導電性ペースト。前記金属粉は、球状金属粉を含んでいる請求項1又は2記載の導電性ペースト。前記球状金属粉は、結晶子径が100nm~300nmである請求項1~3のいずれかに記載の導電性ペースト。請求項1~4のいずれかに記載の導電性ペーストを使用して外部電極を形成したセラミックス電子部品である。しかしながら、特許文献1の導電性ペーストは、鱗片状金属粉が含まれていたので、積層体に塗布された導電性ペーストは、密になっていた。従って、この導電性ペーストは緻密性が高くなるが、反面、このペーストを焼結させる際に、樹脂バインダの燃焼ガスが、導電性ペーストの外部に抜けにくくなっていた。よって、焼結し終わった外部電極には、ブリスタ外部電極表面の膨れが発生しやすい、という問題点があった。本発明は、金属粉を導電成分とする導電性ペーストにおいて、前記金属粉が、鱗片状金属粉を含んでおり、該鱗片状金属粉が、結晶子径が200nm~400nmである金属粉を含んでいる導電性ペーストである。本発明は、上述の導電性ペーストを使用して外部電極を形成したセラミックス電子部品である。本発明の導電性ペーストによれば、200nm以上である結晶子径の大きい金属粉を含有するので、化学的安定性が高くなって焼結しにくくなり、焼結が遅くなる。よって、焼結時にペースト内からボイドが抜けやすくなるので、このペーストを使用して外部電極を形成する際、緻密性が良好であり、かつ、ブリスタの抑制を可能とすることができる。本発明のセラミックス電子部品によれば、ブリスタが抑制された外部電極を有することができる。導電性ペースト中の金属粉として鱗片状金属粉を含むものは、焼結後の緻密性が高くなるので、小型の電子部品における厚みの薄い膜厚:約5~25μm外部電極の形成に好適に使用される。半面、そのような導電性ペーストを使用すると、ペーストの密度が密となることから、焼付け時に樹脂バインダの燃焼ガスが導電性ペーストの外部に抜けにくくなり、ブリスタが生じやすくなっていた。本発明は、そのような導電性ペーストであっても、鱗片状金属粉を特定の結晶子径に設定することにより、焼き付けにより外部電極を作製する際に、ブリスタの発生を抑制できる、という知見に基づく。本発明の導電性ペーストは、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、又はアクチュエータ等のセラミックス電子部品の外部電極の形成に用いられるものである。以下に、本発明に係る、セラミックス電子部品用の導電性ペーストの実施形態を説明する。本明細書において結晶子径とは、金属粉末のX線回折測定において、111反射のピーク2θ:約38.1°付近のピークの半値幅から下式Scherrerの式によって計算される値である。D=Kλ/βcosθ但し、D:結晶子径λ:測定X線波長β:半値幅ラジアンθ:回折角K:Scherrer定数0.9本発明で規定される結晶子径は、λ測定X線波長として、CuKα=1.54056Åを用いた場合の値である。結晶子径の測定装置については特に限定されず、市販の装置を用いることができる。本願においては、測定装置によって結晶子径に有意差が生じる場合には、マックサイエンス社製、X線回折装置、MXP18VAHFで測定された値を採用する。本発明において、金属粉は、鱗片状金属粉を含み、その鱗片状金属粉は、結晶子径が200nm~400nmである金属粉を含んでいる。結晶子径が200nm以上であれば、化学的安定性が高く焼結しにくくなるので、焼結時に導電性ペースト内からボイドが抜けやすくなる。よって、このペーストを使用して外部電極を形成する際、ブリスタの抑制を可能とすることができる。また、結晶子径が400nm以下であれば、焼結しにくくなり過ぎることを抑制できる。よって、焼結を完全に終わらせることが容易となり、外部電極の緻密性を向上させることができる。以上のように、本発明の導電性ペーストによれば、ブリスタが有効に抑制でき、かつ、緻密性が良好な外部電極を形成することができる。また、鱗片状金属粉は、結晶子径が200nm~400nmである金属粉を含むことに加えて、結晶子径が20nm~100nmである金属粉を含んでいることが好ましい。結晶子径が20nm以上であれば、化学的安定性が低くなり過ぎることを抑制し、ブリスタ抑制の効果が低下するのを防ぐことができる。また、結晶子径が100nm以下であれば、化学的安定性が適度に低くなり焼結を完全に終わらせることが容易となり、外部電極の緻密性を向上させることができる。これにより、外部電極にめっきを施す際に、外部電極中にめっき液が侵入することを防ぐことができる。よって、めっき液が外部電極中から内部電極を伝ってセラミックス電子部品の内部に侵入することを防げるので、電子部品の絶縁性の低下を防ぐことができる。従って、小型のセラミックス電子部品の外部電極であって、厚みが薄い膜厚:約5~25μmものであっても、めっき液侵入を有効に抑制することができる。また、外部電極の緻密性を向上させることにより、外部電極内部の空孔を減らせるので、外部電極を他の端子に半田付けする際、空孔の内部の空気が膨張して突沸爆ぜする可能性を抑制できる。また、金属粉は、球状金属粉を含んでいることが好ましい。これにより、導電性ペーストを焼結させて形成する外部電極の膜厚が非常に薄い場合膜厚:5~25μmであっても、その膜厚を容易に制御することができる。ここで、膜厚制御が容易であるとは、所定の膜厚で導電性ペーストを塗布して焼結させた際、得られた外部電極の膜厚のバラつきが小さい、ということである。さらに、その球状金属粉は、結晶子径が100nm~300nmであることが好ましい。当該範囲による効果は、上述の結晶子径が200nm~400nmである鱗片状金属粉と同様である。また、金属粉の合計量を100wtとしたとき、結晶子径が200nm~400nmである鱗片状金属粉は、25~225wtであり、結晶子径が20nm~100nmである鱗片状金属粉は、25~225wtであり、結晶子径が100nm~300nmである球状金属粉は、65~85wtであることが好ましい。金属粉は、その特徴に応じて、種々の方法により多種類の粒子が作製される。金属粉の生成方法は大別して、機械的方法による場合と物理化学的方法による場合とに分けられる。機械的方法には機械粉砕法、溶融粉化法、噴霧法、衝撃法などがあり、物理化学的方法としては、還元法、電解法などがある。本発明に適用される金属粉には、Cu、Ni等又それらの合金などの卑金属が用いられるが、本発明では特にCuが好適である。Cuは卑金属の中でも比較的軟度の高い金属であり、展延性に優れている。また、Cuは卑金属の中で最も導電性が高い金属でもある。Cuの球状金属粉は、噴霧法及び衝撃法により作製される。また、結晶子径が20nm~100nmである鱗片状金属粉は、球状金属粉から機械的方法により作製される。また、結晶子径が200nm~400nmである鱗片状金属粉は、湿式還元法により作製される。また、本発明はAu,Pt,Ag,Pd,Rh,Ru等及びそれらの合金などの貴金属も適用され、例えばAgが好適である。Agは化学的安全性と安定性に優れた金属で、Auに次いで高い展延性を有する。Agの球状金属粉は、噴霧法及び衝撃法により作製される。また、結晶子径が20nm~100nmである鱗片状金属粉は、球状金属粉から機械的方法により作製される。また、結晶子径が200nm~400nmである鱗片状金属粉は、湿式還元法により作製される。本発明では、球状金属粉の粒径は0.5~3μmの範囲で使用されることが好ましい。粒径を0.5μm以上とすれば、外部電極の膜厚の制御が容易となり、3μm以下とすれば電極膜の膜厚を小さくできる。また、球状金属粉を押し潰して製造される鱗片状金属粉は、膜厚が0.05~0.3μmの範囲で使用されることが好ましい。膜厚を0.05μm以上とすれば、導電性ペーストが密になり過ぎることを抑制でき、また、ペースト内で凝集することを防ぐことができる。また、膜厚を0.3μm以下とすれば導電性ペーストの緻密性を向上させることができる。また、鱗片状金属粉の扁平長は1~20μmのものが本発明には好ましい。本発明の導電性ペーストは主成分である金属粉にガラス粉末が混合され、分散、均一性を得るために有機溶剤が用いられる。例えば、この有機溶剤として、アルコール、アセトン、プロパノール、エーテル、石油エーテル、ベンゼン、酢酸エチル、その他の石油溶剤、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ブチルカルビトール、セロソルブ類、芳香族類、ジエチルフタレート等が使用される。また、場合によっては分散剤、活性剤、その他の助剤を加えることもある。また、本発明の導電性ペーストは、適度の粘性を調整する為に、有機樹脂が添加される。この有機樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、ブチラール、アクリルコパイバルサム、ダンマーなどが使用できる。有機溶剤と有機樹脂の添加量は、導電性ペーストを形成した時に、金属粉とガラス粉末の一様分散性と、所望のペーストの粘性の程度に依存する。例えば、粘性の高い溶液状ペーストを作製する際には、相対的に有機樹脂を少なくして粘性を調整する。導電性ペーストには、前述したように、ガラス粉末が混入される。ガラス粉末の粒径は0.5~5μmの範囲が、セラミックスへの接着性の観点から好ましい。また、金属粉の合計量を100wtとしたとき、ガラス粉末の添加量は5~15wtである。5wt以上とすれば、セラミックスへの接着性を向上させることができ、15wtとすれば、外部電極の導通性を向上させ、かつ、外部電極表面にガラス粒子が析出することを抑制できる。使用されるガラス粉末の主成分は、Zn,Ba,Zr,B,Si,Al,Tiなどで、これら成分の結晶体又は非結晶体が用いられる。本発明のセラミックス電子部品は、上述した導電性ペーストを使用して外部電極が形成される。上述した導電性ペーストを使用することにより、緻密性が良好となり、かつ、ブリスタの抑制が可能である外部電極を有するセラミックス電子部品を提供することができる。セラミックス電子部品の種類としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、又はアクチュエータ等が挙げられる。例えば、コンデンサは、基本的な構成として、積層体と、内部電極と、外部電極とを具備している。積層体は、複数の誘電体層が積層されて成る。この積層体は、1層当たり例えば1~5μmの厚みに形成された矩形状の複数の誘電体層を、例えば20~2000層積層して成る直方体状の誘電体ブロックである。また、積層体の寸法は、積層体の長辺の長さを、例えば04~32mmとし、積層体の短辺の長さを、例えば02~16mmとする。誘電体層の材料としては、例えば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3またはCaZrO3等が挙げられる。なお、他の例としては、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3またはCaZrO3などを主成分とし、Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等が添加されたものであってもよい。内部電極は、一方の外部電極に接続される内部電極と、他方の外部電極に接続される内部電極とが、積層方向に沿うように誘電体層を介して交互に配置されている。内部電極は、積層体の誘電体層間に20~2000層形成されている。この内部電極の材料としては、例えばNi、Cu、Ag、Pd、Au等の金属、またはこれらの金属の一種以上を含む、Ag-Pd合金などの合金などが挙げられる。全ての内部電極は、同一の金属または合金により形成されていることが好ましい。内部電極の全体の寸法は、積層体の長辺方向に例えば039~31mmであり、積層体の短辺方向に例えば019~15mmである。内部電極の厚さは、特に限定されない。内部電極の厚さは、例えば、03~2μm程度であってもよい。外部電極は、積層体の両端部に1つずつ設けられる。外部電極は、内部電極にそれぞれ接続される。外部電極は、厚みが5~25μm程度で形成されている。外部電極は、配線基板上の電極パッドに電気的に接続されて、配線基板との電気的な導通を確保する役割を果たす。外部電極の表面には、外部電極の保護、及び実装性の向上等のために、例えば、Niめっき膜やSnめっき膜などの1または複数のめっき膜が形成されていることが好ましい。例えば、外部電極の表面に、Niめっき膜とSnめっき膜との積層体を形成してもよい。外部電極を配線基板に接合する方法は、特に限定されない。例えば、Sn-Sb系高温半田などの高温半田、Sb-Pb共晶半田、Sn-Ag-Cu系Pbフリー半田、Sn-Cu系Pbフリー半田、導電性微粒子を含む樹脂などの適宜の接合部材を用いて外部電極と配線基板とを接合することができる。以上のような構成のコンデンサは、以下に示すようなセラミックグリーンシート積層法によって作製される。具体的には、誘電体層となる複数のグリーンシートを用意する。この工程において、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末と有機バインダに適当な有機溶剤等を添加し混合することによって泥漿状のセラミックスラリーを作製し、これをドクターブレード法等によって成形することによって得られる。次に、グリーンシート上に、内部電極を形成する。この工程においては、得られたセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等によって、内部電極のパターンとなる導体材料を形成する。なお、1枚のグリーンシートから多数個のコンデンサが得られるように、この1枚のグリーンシートに複数の内部電極のパターンを印刷する。次に、複数のセラミックグリーンシートを積層しかつプレスした後に、多数個分が一体となった生の積層体を作製する。この積層体をカットして、単体分の積層体として、コンデンサ本体の生の状態のものを得る。次に、生の状態のコンデンサ本体を焼成して積層体を得る。この工程においては、例えば800~1050°Cで焼成することによって積層体を得る。この工程によって、グリーンシートは誘電体層となり、導体材料は、内部電極となる。次に、前述した本発明の導電性ペーストを積層体の両端部に塗布し、600~750°C程度で焼き付けることにより外部電極を形成する。このようにして得られる外部電極の材料は、前述したように、銅以外に銀,ニッケル,パラジウムまたはこれらの合金等の金属材料であってもよい。次に、得られた外部電極の表面に、必要に応じてニッケルNiメッキ層,金Auメッキ層,スズSnメッキ層あるいは半田メッキ層等のメッキ層を形成して、コンデンサを得る。実施例1結晶子径が150~450nmである鱗片状金属粉のみを使用し、この金属粉100wtに対して、ガラス粉5wtを添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。上記導電性ペーストを外部電極用ペーストとして使用する。即ち、内部電極を形成した積層セラミックス中間部品の側面に塗着して、外部電極を形成した。この中間部品を、N2雰囲気中、900°Cの焼成温度で焼成し、セラミックスコンデンサを作製した。これにより、試料1~7のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個作製した。そして、各試料のコンデンサそれぞれ100個につき、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性を評価した。その結果として、○△×良可不可の判定を、表1に示す。なお、ブリスタ抑制の効果についてのみ、◎○△×優良可不可で判定した。なお、外部電極の緻密性については、外部電極中のボイド率が、5より小さければ、判定は○であるとする。また、ボイド率が、5~20であれば、判定は△であるとする。また、ボイド率が、20より大きければ、判定は×であるとする。また、ボイド率とは、外部電極の断面における全断面積に対するボイドの占める面積比率である。具体的な測定方法としては、まず、コンデンサの積層方向に平行な断面が露出するように、外部電極を公知の研磨手段を用いて研磨した。この研磨手段は、研磨機KEMET-V-300を用いたダイヤモンドペーストによる研磨であった。この研磨処理により露出した断面を、100倍の倍率に調節した金属顕微鏡で観察して断面画像を得、この断面画像を画像処理することによって金属層のボイド率を測定した。具体的には、前述の手段で得た画像において、空隙部分を黒色に塗りつぶし、空隙以外の部分を白色に塗りつぶし、黒色部分の比率、即ち、黒色部分の面積/黒色部分の面積白色部分の面積を求め、百分率で表すことによりボイド率を算出した。なお、ブリスタ抑制の効果については、外部電極表面の膨れの数が、5個以下であれば、判定は◎であるとする。また、膨れの数が、6個~10個であれば、判定は○であるとする。また、膨れの数が、11個~15個であれば、判定は△であるとする。また、膨れの数が、16個以上であれば、判定は×であるとする。膨れの数の算定は、100倍の倍率に調節した金属顕微鏡を用いて行った。なお、算定にあたっては、直径5μm以上の隆起を、膨れとみなすこととした。結果、表1において、鱗片状金属粉の結晶子径が200nm~400nmである試料2~6においては、ブリスタ抑制が○であり、かつ、緻密性が△であった。一方、鱗片状金属粉の結晶子径が200nmより小さい試料1では、ブリスタ抑制が困難だった。これは、鱗片状金属粉の結晶子径が小さ過ぎ、焼結が早く進んでしまったからである。また、鱗片状金属粉の結晶子径が400nmより大きい試料7は、ブリスタ抑制は良好であったが、緻密性が低かった。これは、鱗片状金属粉の結晶子径が大き過ぎ、焼結が終わるのが遅すぎたためである。実施例2結晶子径が10~110nmである鱗片状金属粉を50wt、結晶子径が300nmである鱗片状金属粉を50wtとして、合計の配合量が100wtとなるように、それぞれの金属粉を適宜調整した。この混合金属粉100wtに対して、ガラス粉5wtを添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。そして、実施例1と同様に、試料8~18のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個作製し、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性を評価した。その評価結果を、表2に示す。なお、評価のための測定方法は、実施例1と同様であるとする。結果、表2において、結晶子径が20~100nmである鱗片状金属粉を含んでいる試料9~17においては、試料2~6と比較して、ブリスタ抑制の効果の判定は○のままであり、かつ、緻密性が△から○に向上した。一方、結晶子径が20nmより小さい鱗片状金属粉を含んでいる試料8では、焼結が早く進んでしまい、ブリスタ抑制の効果が下がった。また、結晶子径が100nmより大きい金属粉を含む試料18では、焼結の進行が遅くなったことから、緻密性の向上は見られなかった。実施例3結晶子径が50nmである鱗片状金属粉を125wt、結晶子径が300nmである鱗片状金属粉を75wt、結晶子径が50~350nmである球状金属粉を125wtとして、合計の配合量が100wtとなるように、それぞれの金属粉を適宜調整した。この混合金属粉100wtに対して、ガラス粉5wtを添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。そして、実施例1と同様に、試料19~25のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個作製し、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性を評価した。その評価結果を、表3に示す。なお、評価のための測定方法は、実施例1と同様であるとする。結果、表3において、結晶子径が100~300nmである球状金属粉を含む試料20~24においては、試料9~17と比較して、緻密性の判定は○のままであり、かつ、ブリスタ抑制が○から◎に向上した。一方、結晶子径が100nmより小さい球状金属粉を含む試料19では、焼結が早く進んでしまい、ブリスタ抑制の効果の向上は見られなかった。また、結晶子径が300nmより大きい球状金属粉を含む試料25では、焼結が遅れるため緻密性が下がった。実施例4結晶子径が310nmである鱗片状金属粉を、0~100wt、結晶子径が52nmである鱗片状金属粉を、0~100wt、結晶子径が140nmである球状金属粉を、0~100wtとして、合計の配合量が100wtとなるように、それぞれの金属粉を適宜調整した。この混合金属粉100wtに対して、ガラス粉5wtを添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。そして、実施例1と同様に、試料26~36のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個作製し、各試料のコンデンサそれぞれ100個につき、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性、膜厚制御の容易性を評価した。その評価結果を、表4に示す。なお、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性の評価のための測定方法は、実施例1と同様であるとする。また、膜厚制御の容易性は、10μmの膜厚で塗布した導電性ペーストを焼結させ、得られた100個のコンデンサのうち、外部電極の膜厚の最大値と最小値との差が、5μmより小さければ、判定は○であるとする。また、誤差が、5μm~20μmであれば、判定は△であるとする。また、誤差が、20μmより大きければ、判定は×であるとする。また、膜厚の測定は、上述したのと同様の研磨手段で研磨を行うことによって、外部電極の断面を露出させ、当該断面を100倍の倍率に調節した金属顕微鏡で観察することによって行った。結果、表4において、球状金属粉が65wt以上であり、結晶子径が310nmである鱗片状金属粉が25wt以上であり、結晶子径が52nmである鱗片状金属粉が25wt以上である試料29~35では、外部電極形成時の膜厚制御が○であり、かつ、ブリスタの抑制に×はなく、かつ、外部電極の緻密性にも×がなかった。一方、球状金属粉が65wtより小さい試料26、27では、外部電極の膜厚制御が困難であり、試料28では、外部電極の膜厚制御がやや困難だった。これは、球状金属粉が少なく、焼結後の膜厚がバラつきやすくなるからである。また、結晶子径が310nmである鱗片状金属粉が25wtより小さい試料26、36では、ブリスタ抑制が困難だった。これは、焼結が早く進み過ぎてしまったからである。また、結晶子径が52nmである鱗片状金属粉が25wtより小さい試料27、36では、緻密性が低かった。これは、焼結が終わるのが遅くなったため、焼結が不十分だったからである。"