a第1面、第2面および前記第1面に配置された複数の導電領域を含んだキャリア基板と、b前記キャリア基板の前記第1面上の光エミッタデバイスと、c前記キャリア基板の前記第1面上の光受信デバイスと、d前記キャリア基板の前記第1面上において、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイスの周りに配置され、そのキャリア基板の前記第1面上に高さを有するダム構造と、e前記ダム構造の内側であって、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイス間に配置され、前記キャリア基板の前記第1面上に高さがあるドーム形状を有する光透過性媒体と、f前記キャリア基板の前記第1面の前記導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成され、前記キャリア基板の前記第1面上に高さを有する複数の半田ボールを有し、この複数の半田ボールと前記光透過性媒体間に配置される前記ダム構造であって、前記光透過性媒体の高さは、前記半田ボールの高さを越えず、かつ、前記ダム構造の高さよりも高い、光結合素子パッケージ。前記ダム構造は前記光透過性媒体の前躯体を閉じ込め、この前躯体は複数の前記半田ボールが配置される前記導電領域には達しない、請求項1に記載の光結合素子パッケージ。複数の前記半田ボールにおけるその各々の半田ボール寸法は、前記光エミッタデバイスおよび前記光受信デバイスの厚さよりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載の光結合素子パッケージ。さらに、前記光透過性媒体上に反射性コーティングを施していることを特徴とする、請求項1に記載の光結合素子パッケージ。前記キャリア基板上において、前記光エミッタデバイスを複数の導電領域のうちの1つに連結する第1ワイヤと、前記光受信デバイスを導電領域のうちの1つに連結する第2ワイヤをさらに備えていることを特徴とする、請求項1に記載の光結合素子パッケージ。a第1面、第2面および前記第1面に配置された複数の導電領域を含んだキャリア基板と、b前記キャリア基板の前記第1面上の光エミッタデバイスと、c前記光エミッタデバイスを複数の導電領域のうちの少なくともその1つに連結する第1ワイヤと、d前記光エミッタデバイスからの放射線を受け取るようにされた、前記キャリア基板の前記第1面上の光受信デバイスと、e前記光受信デバイスを導電領域のうちの少なくともその1つに連結する第2ワイヤと、f前記キャリア基板の前記第1面上において、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイスの周りに配置され、そのキャリア基板の前記第1面上に高さを有するダム構造と、g前記ダム構造の内側であって、前記光エミッタデバイスおよび前記光受信デバイス上や、これらの間に光透過性媒体が配置され、前記キャリア基板の前記第1面上に高さを有するドーム形状を有する前記光透過性媒体と、h前記キャリア基板の前記第1面に、そして、複数の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田ボールとによって構成され、この半田ボールの各々が前記光受信デバイスおよび前記光エミッタデバイスの厚さよりも大きな寸法を有し、前記半田ボールは、前記キャリア基板の前記第1面上に高さを有し、前記ダム構造は、この複数の半田ボールと前記光透過性媒体間に配置され、前記光透過性媒体の高さは、前記半田ボールの高さを越えず、かつ、前記ダム構造の高さよりも高い、光結合素子パッケージ。光透過性媒体はシリコンからなることを特徴とする、請求項6に記載の光結合素子パッケージ。複数の半田ボールが、光エミッタデバイス、光受信デバイス、および光透過性媒体の周りに配置されることを特徴とする、請求項6に記載の光結合素子パッケージ。キャリア基板はセラミック材料からなることを特徴とする、請求項6に記載の光結合素子パッケージ。a第1の複数導電領域から成る回路基板と、bi第1面および第2面を有するキャリア基板、ii前記キャリア基板の前記第1面上の第2の複数導電領域、iii前記キャリア基板の前記第1面上の光受信デバイス、iv前記キャリア基板の前記第1面上の光エミッタデバイス、v前記キャリア基板の前記第1面上において、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイスの周りに配置され、そのキャリア基板の前記第1面上に高さを有するダム構造、vi前記ダム構造の内側であって、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイス間に配置され、前記キャリア基板の前記第1面上に高さがあるドーム形状を有する光透過性媒体、vii前記キャリア基板の前記第1面に前記第2複数導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田ボールであって、前記光透過性媒体の高さは、前記半田ボールの高さを越えず、かつ、前記ダム構造よりも高い高さを有する光結合素子パッケージであって、この光結合素子パッケージは、前記回路基板と前記キャリア基板間に配置された前記光エミッタデバイスおよび前記光受信デバイスと共に前記回路基板にマウントがなされる、光結合装置。光透過性媒体と回路基板間にはギャップすき間があることを特徴とする、請求項10に記載の光結合装置。a第1面の反対面に第2面を有し、キャリア基板の前記第1面上に配置された高さを有するダム構造および前記第1面上に複数の導電領域を有するキャリア基板の前記第1面上に光エミッタデバイスをマウントし、b前記キャリア基板の前記第1面上に光受信デバイスをマウントし、前記ダム構造は前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイスの周りに配置され、c前記ダム構造の内側であって、前記光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上に光透過性媒体を形成し、その光透過性媒体は前記キャリア基板の前記第1面上に高さがあるドーム形状を有し、そしてd前記キャリア基板の前記第1面に導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に複数の半田ボール若しくは導電性カラムを形成し、複数の前記半田ボール若しくは前記導電性カラムは前記キャリア基板の前記第1面上に高さを有し、前記ダム構造は、この複数の半田ボール若しくは導電性カラムと前記光透過性媒体間に配置され、前記光透過性媒体の高さは、前記半田ボール若しくは前記導電性カラムの高さを越えず、かつ、前記ダム構造の高さよりも高い、光結合素子パッケージを形成する方法。複数の半田ボールの形成は、前記キャリア基板の前記第1面上の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に複数の半田デポジットを堆積させ、その半田デポジットをリフローすることから成ることを特徴とする、請求項12に記載の方法。ステップdはステップcの後に実行されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。a請求項12の方法に従って光結合素子パッケージを形成し、b該光結合素子パッケージを回路基板にマウントすることから成る、光結合装置を形成する方法。a第1面、第2面および前記第1面に配置された複数の導電領域を含んだキャリア基板と、b前記キャリア基板の前記第1面上の光エミッタデバイスと、c前記キャリア基板の前記第1面上の光受信デバイスと、d前記キャリア基板の前記第1面上において、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイスの周りに配置され、そのキャリア基板の前記第1面に高さを有するダム構造と、e前記ダム構造の内側であって、前記光エミッタデバイスと前記光受信デバイス間に配置される光透過性媒体と、f前記キャリア基板の前記第1面に導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上の複数の導電性カラムによって構成され、前記キャリア基板の前記第1面上に高さがあるドーム形状を有する前記光透過性媒体と、前記光透過性媒体の高さは、前記半田ボールの高さを越えず、かつ、前記ダム構造の高さよりも高く、そして、回路基板に対向する複数の導電性カラムによって構成される回路構造にマウント可能である、表面実装可能な光結合素子パッケージ。前記回路構造はプリント回路基板であることを特徴とする、請求項16に記載の表面実装可能な光結合素子パッケージ。複数の導電性カラムのその各々の高さは、前記光エミッタデバイスおよび前記光受信デバイスよりも高いことを特徴とする、請求項16に記載の表面実装可能な光結合素子パッケージ。図1に示した光結合素子パッケージ10に対する改善がいくつか可能である。例えば、光結合素子パッケージ10は、費用および時間のかかるオーバーモールド工程を必要とする。オーバーモールド工程において、成形コンパウンド26は光結合素子パッケージ10の他の部分を封止する。オーバーモールド工程これ自体に加えて、余分な成形コンパウンド除去する目的にて成形材料除去工程例えば、不純物除去工程および鋳ばり除去工程が用いられるため、それが光結合素子パッケージの形成時間および費用に加算される。さらには、異なる形状因子例えば4、6、あるいは8ピンのパッケージのモールド成形品を作り出すのに必要な金型にかなりの設備投資を要する。従って、オーバーモールディング工程を削除することが出来れば、光結合素子パッケージ製造に関わる時間およびコストを削減することが可能である。光結合素子パッケージ10への改善はまだ他にも可能である。光結合素子パッケージ10は温度サイクリングにより故障する傾向がある。例えば、成形コンパウンド18と光透過性媒体16が加熱および冷却されると、これらは熱膨張特性における差によって異なる比率にて膨張と収縮を行う。成形コンパウンド18と光透過性媒体16は分離する可能性もあり、構造的に弱いパッケージとなる。温度サイクリングにおいてはまた、リードフレーム24が成形コンパウンド18を出るポイントにおいて例えばポイントAにて応力が発生する。この応力により、リードフレームが損傷した、もしくは弱化したりする。また、ワイヤ11、13は成形コンパウンド18および光透過性媒体16を通ることがある。成形コンパウンド18と光透過性媒体16の熱膨張特性における差から、ワイヤ11、13に応力が生じ、これらを損傷する場合がある。従来の光結合素子パッケージの高さを減じることもまた望ましい。図1に示した光結合素子パッケージ10は比較的高い。例えば、一般的DIPパッケージの正味の高さは約3.5から4.0mmである。光結合素子パッケージがより低形状となるよう、光結合素子パッケージの高さを減じることが望ましい。そうすることによって、より小型の電子部品を作り出すことが可能である。本発明の実施形態はこれらおよび他の問題を個々にかつ集約的に解決に導くものである。本発明の実施形態を、光結合素子パッケージ、光結合素子アセンブリ、およびこれらを作り出す方法に導く。本発明の一実施形態により、a複数の導電領域を含んだキャリア基板と、bキャリア基板上の光エミッタデバイスと、cキャリア基板上の光受信デバイスと、d光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置される光透過性媒体と、eキャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とによって構成される光結合素子パッケージが提供される。本発明のまた別の実施形態により、a複数の導電領域を含んだキャリア基板と、bキャリア基板上の光エミッタデバイスと、cエミッタデバイスを複数の導電領域のうちの少なくともその1つに連結する第1ワイヤと、dエミッタデバイスからの放射線を受け取るようにされた、キャリア基板上の光受信デバイスと、e光受信デバイスを導電領域のうちの少なくともその1つに連結する第2ワイヤと、f光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上や、これらの間に配置される光透過性媒体と、e各々の半田構造寸法が光受信デバイスおよび光エミッタデバイスの高さよりも大きい、複数の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上に形成された複数の半田構造とによって構成される光結合素子パッケージが提供される。本発明のまた別の実施形態により、a第1の複数導電領域から成る回路基板と、biキャリア基板、iiキャリア基板上の第2の複数の導電領域、iiiキャリア基板上の光受信デバイス、ivキャリア基板上の光エミッタデバイス、v光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体、viキャリア基板の該第2複数導電領域のうちの少なくともその一部の領域上の複数の半田構造とにより構成されており、回路基板にマウントがなされる光結合素子パッケージとによって構成される光結合装置が提供される。本発明のまた別の実施形態により、a複数の導電領域を有するキャリア基板上に光エミッタデバイスをマウントし、bキャリア基板上に光受信デバイスをマウントし、c光エミッタデバイスおよび光受信デバイス上に配置される光透過性媒体を形成し、そしてdキャリア基板の複数導電領域のうちの少なくともいくつかの導電領域上に複数の半田構造を形成することからなる、光結合素子パッケージを形成する方法が提供される。本発明のまた別の実施形態より、a上記の方法に従って光結合素子パッケージを形成し、b光結合素子パッケージを回路基板にマウントすることからなる、光結合装置を形成する方法が提供される。本発明のまた別の実施形態を、a複数の導電領域を含んだキャリア基板と、bキャリア基板上の光エミッタデバイスと、cキャリア基板上の光受信デバイスと、d光エミッタデバイスと光受信デバイス間に配置された光透過性媒体と、eキャリア基板の導電領域のうちの少なくともその一部の導電領域上の複数の導電構造とによって構成される、回路構造にマウント可能である、表面実装可能な光結合素子パッケージに導く。本発明のこれらの実施形態および他の実施形態について、図面を参照にしながら以下にさらに詳しく説明するものとする。本発明の一実施形態は光結合素子パッケージに関するものである。光結合素子パッケージは複数の導電領域を有するキャリア基板から成る。光エミッタデバイスおよび光受信デバイスといったような光電子デバイスがキャリア基板上に配置される。光透過性媒体は、光エミッタデバイスと光受信デバイス上や、これらの間に配置される。半田構造あるいは他の導電構造がキャリア基板上の導電領域の少なくともその一部の導電領域上に形成されている。結果作り出されたパッケージは反転され、回路基板サーキットボードといったような回路基板substrateにマウント可能である。半田構造は、回路基板およびキャリア基板のその面する導電領域例えば導電パッドとを接合する。従い、本発明のいくつかの実施形態はBGAボールグリッドアレータイプのパッケージとして使用され得る。図面を参照に行う詳細説明の大部分ではキャリア基板上にて半田構造半田ボールを使用する。しかし、半田構造を、導電性カラム例えば電気メッキした銅カラムといった電気メッキカラムを含む他の好適な導電構造に置き換えることも可能であることが理解されよう。本発明の実施形態において、キャリア基板を回路基板に電気的に連結する目的に、好適などのような導電構造も光結合素子パッケージにおいて使用され得ることが理解されよう。図2は、本発明の実施形態に従った光結合素子パッケージ30を示したものである。光結合素子パッケージ30は、光エミッタデバイス38および光受信デバイス40を配備したキャリア基板32を含んでいる。この例において、光エミッタデバイス38および光受信デバイス40の両方は並列関係にあり、ほぼ同一平面上にある。受信デバイス40がエミッタ装置38からの放射線を受け取れるようにこれらはキャリア基板32上に配置可能である。本発明の実施形態において他の好適な光電子デバイスもまた使用可能である。例えば、光エミッタデバイス40はシリコンまたはガリウムヒ素より製造可能であり、光受信デバイス40によって検知可能な放射線例えば赤外線、可視光線の放射が可能である。光エミッタデバイスの例にLED発光ダイオードデバイスがある。光受信デバイス40の例にはフォトレジスタおよびフォトデテクタダイオードがある。光受信デバイス40はシリコンのような半導体材料からも形成され得る。キャリア基板32および光結合素子パッケージ30はその好適な寸法を有し得る。例えば、キャリア基板32は約10x10mm23.5x3.5mm2未満の平面寸法を有し得る。回路基板上にマウントされるときには、光結合素子パッケージ30の高さは、従来のDIPタイプのパッケージの高さよりも少なく例えば高さが約3.5乃至3.0mm未満になり得る。実施例において、回路基板にマウントされる際の光結合素子パッケージ30の最大高さは、約1.25mmすなわち、キャリア基板の高さ、プラス半田構造の高さもしくは1.0mmにもなり得る。例えば、全体パッケージ高が約1.25mmである場合、キャリア基板32の厚さが約0.25mm、半田構造34の高さが約1.00mmとなり得る。好ましくは、半田構造の高さは光エミッタデバイスと光受信デバイス厚よりも大きい。従来のDIPタイプパッケージと比較して、本発明の実施形態はより低い形状を有しており、スペースもそれほどとらない。従い、本発明の実施形態を用いる諸電子部品は、従来のDIPタイプパッケージを使用する電子部品よりも小型化される。光透過性媒体48は、光エミッタデバイス38、光受信デバイス40、およびワイヤ52を覆うことが出来る。光透過性媒体48は、光学級、シリコンダイコート材料例えばグロブトップタイプの封止材料から成る。いくつかの実施形態において、光透過性媒体48の広がった領域はミリメータの単位例えば1.6x1.6mm2である。ダム構造36は、光透過性媒体48の液体もしくは半固体前駆体を閉じ込めるために使用出来る。これは光透過性媒体48の周りに、かつ、整列した光エミッタデバイス38と光受信デバイス40の周りにも配置可能である。ダム構造36を光結合素子パッケージ30内に残すことも可能であり、あるいは光透過性媒体48の形成後に取り除くことも可能である。他の実施形態において、光透過性媒体を形成する材料の力学的性質例えば表面張力および粘性が適切な形状例えばドーム形状を形成するのに十分なものであれば、ダムを必要としない場合もある。複数の半田構造34が光エミッタデバイス38と光受信デバイス40の周りに配置される。半田構造34は例えば半田ボールである。典型的な半田ボールは約1mmのオーダ例えば0.75mm乃至はこれ未満の半径を有する。半田構造34は光エミッタデバイス38および光受信デバイス40の入力/出力ターミナルとして作用し得る。キャリア基板32上の半田構造34はその適したピッチを有する。例えば、いくつかの実施形態において、平均ピッチは約2.5mm乃至はこれ未満である。キャリア基板32を反転させて、回路基板にマウントすると、半田構造34によってキャリア基板32に対して回路基板図示せずが間隔を置く。キャリア基板32は複数の導電領域を有する。複数の導電領域には、半田構造34の下、光エミッタデバイス38の下、かつ光受信デバイス40の下の導電領域図示せずと、光エミッタデバイス38および光受信デバイス40に近接した導電領域46とを含む。導電領域のいくつかは、例えば銅、金等からなる導電パッドである。光エミッタデバイス38と光受信デバイス40に近接した導電領域46は、ボンディングワイヤ52によって連結可能である。導電線45は、導電領域46、光エミッタデバイス38、および光受信デバイス40に半田構造34を電気的に連結するために使用され得る。しかし、図2に示した実施形態は、本発明の実施形態の一例である。図2において導電線および導電領域の特定の構成を示しているが、本発明の実施形態において、導電線および導電領域は、その適したいかなるサイズも、いかなる形状もとり得ることが理解されよう。また、図2に示した実施形態においては、1個の光エミッタデバイス38、1個の光受信デバイス40、かつ4個の半田構造34が配備されているが、本発明の実施形態において、好適なあらゆる構成において適したいかなる数量の光電子デバイスも、適したいかなる数量の半田構造も光結合素子パッケージに配備され得ることが理解されよう。図3は、図2に示した光結合素子パッケージ30の横断面図である。図3に示すように、本実施形態における光透過性媒体48の高さは、キャリア基板32の導電領域上の半田構造34の高さを超えない。また、半田構造34は、光受信デバイスおよび光エミッタデバイス38の厚さよりも大きい。光結合素子パッケージ30が回路基板図示せずにマウントされると、半田構造によってキャリア基板32と回路基板との間に間隔があく。図4aから図4dを参照に、図2および図3に示した光結合素子パッケージ30を形成する典型的な方法を説明することが出来る。光結合素子パッケージ30を含んだ光結合装置100を形成する典型的方法は、図4eを参照して説明する。図4aは、キャリア基板32上の導電領域にマウントされた光エミッタデバイス38を示している。好ましくは、キャリア基板32はセラミック材料あるいは金属蒸着セラミック材料からなる。セラミック材料は好ましい構造、熱伝導性、および電気絶縁特性を有する。キャリア基板32は内部回路を含むこともあり、含まないこともある。光受信デバイス図4aには示しておらないは光エミッタデバイス38の横に配置される。光エミッタデバイス38および光受信デバイスは従来技術において公知の適切な方法によりキャリア基板32にマウント可能である。キャリア基板32はその好適な構成において複数の導電領域と導電線をも有する。図4aに示す例において、いくつかの導電領域47はキャリア基板32の縁部の領域にあり、光エミッタデバイス32と光受信デバイス図示せずの周りに配置されている。これら導電領域47は例えばその上に半田構造が形成される導電パッドである。内側の導電領域46もまた導電パッドであり得る。ワイヤ52は内側導電領域46とそして光エミッタデバイス38にも接合可能である。光エミッタデバイス38の下にも導電領域49がある。図4aに示した構造はその適した方法により形成可能である。例えば、いくつかの実施形態においては、複数の光エミッタデバイスは半導体ウェハ図示せずに形成される。光エミッタデバイスの形成後、半導体ウェハは例えばダイシング鋸を用いてダイカットされ得る。光エミッタデバイスを互いに切り離した後、適切な方法により個々の光エミッタデバイスを、キャリア基板のシート、すなわち帯状になったキャリア基板にマウント可能である。例えば、光エミッタデバイスはキャリア基板にダイボンドされ得る。例えばエポキシあるいは半田共晶ダイ接着技術を含むダイボンディング技術が使用され得る。光受信デバイスは同様の方法にて形成され、キャリア基板に接着される。光エミッタデバイスのような光結合デバイスが個々のキャリア基板にマウントされるとき、キャリア基板は、シート状すなわち帯状につながった複数のキャリア基板の中の1つである。タイバーもしくは他の構造によって個々のキャリア基板をシート状すなわち帯状につなげている。ダム構造を形成する、光透過性媒体を形成する、かつ半田構造を形成するこれら全てに関して詳細をさらに後述するといったようなステップの1つ以上のステップの後、タイバーが例えばカッティングブレードのような切断部材にて切断されて、個々のキャリア基板を切り離し、個々の光結合素子パッケージが形成される。説明を簡易にするため、図4aから図4bには1個のみのキャリア基板32を示している。本発明の実施形態に従った光結合素子パッケージは、単一キャリア基板上に連続的に製造されるか、もしくはシート状すなわち帯状になった複数キャリア基板上にて並行して製造され得る。光エミッタデバイス38および光受信デバイスがキャリア基板32にマウントされた後、ワイヤ52例えばゴールドワイヤが光エミッタデバイス38およびその対応する導電領域46に接合される。他のワイヤ図示せずは光受信デバイスおよびその対応する導電領域に接着される。ワイヤ接合方法は従来技術において公知である。例えば、ワイヤは光受信デバイス、光エミッタデバイス、またはキャリア基板の導電領域に、例えば熱圧着工程を用いて接合可能である。図4bを参照に説明すると、ダム構造51をキャリア基板32上に形成することができる。このダム構造51は、光エミッタデバイス38および光受信デバイス図示せずの周りに形成される、好適な材料のリングからなる。ダム構造51は、実質的に被着された光透過性材料もしくは光透過性材料前駆体の物理的バリアとなる。適切などのような材料もダム構造51において使用され得る。いくつかの実施形態において、閉じたジオメトリ例えばサークルのエポキシ材料が、適切なディスペンサにより、キャリア基板32上において、光エミッタデバイス38および光受信デバイスの周りに被着される。それからエポキシ材料は固化される。図4cを参照に説明すると、ダム構造51が形成された後、光透過性材料48がダム構造51内に形成され得る。液体シリコン、シリコンジェルといったような光透過性材料前駆体が、適切なディスペンサを用いて、キャリア基板32上においてダム構造51内に被着される。ディスペンサは例えば、キャリア基板32上に液体シリコンを供給する針である。ダム構造51は光透過性材料前駆体の外側への流れを妨げ、光透過性材料前駆体を閉じ込め、それが外側の導電領域47に達しないようにする。光透過性材料前駆体がキャリア基板32上に堆積された後、被着された液体シリコンは固体の状態に硬化例えば熱硬化され、光透過性材料48を形成する。光透過性材料48が硬化した後、複数の半田構造34が外側の導電領域47上に形成され得る。半田構造は例えば標準的な錫/鉛半田例えば63/37を含み得る。半田構造34は適した方法によって形成可能である。例えば、半田構造34は、導電領域47に例えばステンシルにより半田ペーストを付着することにより形成可能である。導電領域に半田ペーストを堆積した後、半田ペーストをリフローし、半田ボールを形成することが出来る。また別の実施形態において、半田構造は、あらかじめ形成された半田ボールを導電領域47上に配置し、接着することにより形成可能である。図4aから図4dを参照に、特定の順序において処理工程を説明してきたが、本発明の実施形態はここに記載の特定の工程順序に限定されるものではないことが理解されよう。例えば、いくつかの実施形態において、キャリア基板上に光透過性材料を形成する前に、キャリア基板上に半田構造を形成することが可能である。図4eを参照に説明すると、半田構造34がキャリア基板32の導電領域47上に形成された後、形成された光結合素子パッケージ30は反転され、その表面が回路基板57にマウントされ、光結合装置100を形成する。半田構造34は回路基板57の導電領域59と位置が合わせられて、キャリア基板32を回路基板57に接着可能にする。回路基板57は例えばプリント回路基板である。図示の実施形態において、光透過性媒体48と回路基板57間にギャップすき間がある。このすき間は何ら物質の入っていない空のスペースである。都合良く、光透過性媒体48は温度サイクリングの間、このスペースにより支障なく膨張、収縮を行うことが出来る。例えば、光結合素子パッケージ30の製造中、光透過性媒体48は、例えば半田リフロー工程の間に加熱および冷却がなされる。また、光結合素子パッケージ30が光結合装置100内にあるとき、光結合装置100が使用される電子デバイスの動作中に、光結合素子パッケージ30はさまざまな加熱、冷却サイクルが課される。この両ケースにおいて、光透過性媒体48はオーバーモールディングにより物理的に閉じ込められることなく、支障なく膨張、収縮が可能である。パッケージ内に応力はほとんど生じない。これにより、より信頼性の高いパッケージとなる。他の実施形態において、光透過性媒体48と回路基板47間のギャップには物質が注入され得る。例えば、非反射性物質をこのギャップに供給し、回路基板57内の何らかの回路図示せずからの光が光エミッタデバイスで放射線の潜在的に反射するのを減じることが可能である。あるいは、反射性材料が光透過性媒体48に塗布され、放射された放射線を光透過性媒体48内に保つのに役立つ。こうした反射性コーティングには二酸化チタンのような材料を含む。この方法の適したポイントにて、光結合素子パッケージもしくはその前駆体が試験され、個々分割され、そしてパックされる。シンギュレーション工程において、キャリア基板32が、複数キャリア基板がシート状すなわち帯状になった例えば1枚の、帯状のセラミックその中の1つである場合、キャリア基板32は、シート状すなわち帯状になった他のキャリア基板からカッティングにより切り離すことが出来る。本発明の実施形態は、既に上記において述べた長所に加えて、他の多くの長所を有する。例えば、成形コンパウンドおよびピンは本発明の実施形態において必要ではないことから、ピンや接着ワイヤにおける過度の応力に関する問題がなくなるか、もしくは減じられる。また、本発明の実施形態においては、モールド材料を使用するオーバーモールド工程を必要としない。オーバーモールド工程とオーバーモールド工程に関する工程を削減することで、製造コストを減じ、製造時間を短縮することが出来る。言い換えると、これによってより低コストのパッケージとなる。加えて、本発明の実施形態においては成形された材料およびピンを使用する必要がないことから、異なるタイプの光結合素子パッケージ例えば、4ピン、6ピン、8ピン等の専用の成形を必要としない。それにより、様々に形状因子の異なる多数の光結合素子パッケージのための専用金型を維持する必要が減じられる。さらに、本発明の実施形態において、キャリア基板は在庫として記され、在庫が保たれ、必要に応じて供給可能である。最終的に光結合素子パッケージが回路基板にマウントされるとき、光結合素子パッケージは上記に述べた従来の光結合素子パッケージよりも低形状を有する。従い、従来のDIPタイプの光結合素子パッケージを使用するよりも、本発明の実施形態を用いることによって小型の電子部品を作り出すことが出来る。前述における説明を本発明の特定の好適な実施形態に導いたが、本発明の基本的範囲を逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態が考案され得る。そうした他の実施形態もまた本発明の範囲に含まれることを意図する。さらに、本発明の範囲を逸脱することなく、本発明の1つ以上の実施形態のフューチャは、本発明の他の実施形態の1つ以上のフューチャと組み合わせ可能である。