"電極と、前記電極の一主面の上に配され、I-III-VI族化合物半導体を含む半導体層と、を備え、前記半導体層は、前記一主面側に位置するとともに、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層、を有する光電変換装置。前記一主面の法線方向における前記接続層の厚さが、前記法線方向における前記半導体層の厚さの10以上で且つ50以下である請求項1に記載の光電変換装置。前記接続層が、前記一主面に近ければ近いほどI-VI族化合物が占める割合が高まる傾向を有する請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記I-VI族化合物が、銅とセレンとの化合物を含む請求項3に記載の光電変換装置。ルイス塩基性有機化合物とカルコゲン元素を含有する有機化合物とI-B族元素とIII-B族元素とを含有した溶液を用意する工程と、前記溶液を電極の一主面の上に塗布してI-B族元素とIII-B族元素とを含む皮膜を形成する工程と、100°C以上で且つ400°C以下の温度域で前記皮膜を加熱することで、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層を前記一主面側に有し、且つI-III-VI族化合物半導体を含む半導体層を形成する工程と、を備える光電変換装置の製造方法。カルコパイライト系の光電変換装置には、変換効率の向上が常に要求される。そこで、光電変換装置における変換効率の向上を図ることが望まれている。第1の態様に係る光電変換装置は、電極と、前記電極の一主面の上に配され、I-III-VI族化合物半導体を含む半導体層と、を備える。そして、前記半導体層は、前記一主面側に位置するとともに、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層、を有する。また、第2の態様に係る光電変換装置の製造方法は、ルイス塩基性有機化合物とカルコゲン元素を含有する有機化合物とI-B族元素とIII-B族元素とを含有した溶液を用意する工程と、前記溶液を電極の一主面の上に塗布してI-B族元素とIII-B族元素とを含む皮膜を形成する工程と、100°C以上で且つ400°C以下の温度域で前記皮膜を加熱することで、前記一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層を前記一主面側に有し、且つI-III-VI族化合物半導体を含む半導体層を形成する工程と、を備える。本発明の上記態様によれば、接続層の存在によって光電変換装置における変換効率が向上する。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1から図9には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視左右方向をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。<光電変換装置の構成>光電変換装置21は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。図1では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。但し、実際の光電変換装置21には、図面の左右方向に、多数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。各光電変換セル10は、下部電極層2、光電変換層3、上部電極層4、およびグリッド電極5を備えている。光電変換装置21では、上部電極層4およびグリッド電極5が配されている側の主面が受光面となっている。また、光電変換装置21には、第1~3溝部P1,P2,P3が延在している。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。本実施形態では、基板1は、1mm以上で且つ3mm以下程度の厚さを有する青板ガラスソーダライムガラスである。下部電極層2は、基板1のZ側の主面一主面とも言うの上に配されている導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料としては、例えば、Mo、Al、Ti、TaまたはAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成され得る。光電変換層3は、光吸収層31とバッファ層32とを有している。そして、光電変換層3では、光吸収層31とバッファ層32とが積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面一主面とも言うの上に配されており、第1の導電型を有する半導体を含んでいる。ここでは、第1の導電型は、p型である。光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31がカルコパイライト系CIS系とも言うの化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体の層であれば、光吸収層31の厚さが薄くても変換効率が高められ得る。これにより、光吸収層31が少ない材料で安価に生成され得る。本実施形態では、光吸収層31が、p型の導電型を有するI-III-VI族化合物半導体の層である。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、I-III-VI族化合物を70mol以上含む半導体のことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物は、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2CISとも言う、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う等が採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。また、光吸収層31は、薄膜のCuIn,GaSe,S2の層が表面層として配されているCuIn,GaSe2等といった多元化合物半導体の薄膜であっても良い。なお、本実施形態では、光吸収層31が、CIGSを主に含む。図3は、光吸収層31と下部電極層2とに着目した構成を示す模式図である。光吸収層31は、主層31aと接続層31bとを備えている。主層31aは、CIGSを主に含む。そして、主層31aは、光吸収層31のうちのバッファ層32側の部分である。この主層31aでは、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素との間で物質量の比組成比が略一定である。接続層31bは、主層31aと下部電極層2との間に形成されている。つまり、接続層31bは、光吸収層31のうちの下部電極層2の一主面側の部分である。そして、接続層31bは、光吸収層31と下部電極層2とを接続する。また、接続層31bでは、I-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値I-III物質量比とも言うが、下部電極層2の一主面に近ければ近いほど増大する傾向を示す。なお、I-III物質量比が下部電極層2の一主面に近ければ近いほど増大する傾向を示すというのは、主層31a側から下部電極層2側へ向かう方向においてI-III物質量比が増大し続けるものだけに限られず、増大する途中で多少増減するものも許容されることを意味している。例えば、I-III物質量比は、増大する途中で、全増大量に対して±20程度増減していてもよい。詳細には、接続層31bは、I-III-VI族化合物半導体を主に含むとともに、I-B族元素とVI-B族元素との化合物I-VI族化合物とも言うを含む。そして、接続層31bでは、下部電極層2の一主面に近ければ近いほど、I-VI族化合物が存在する量が増加する傾向を示す。具体的には、接続層31bにおいては、例えば、I-B族元素のCuとVI-B族元素のSeとの化合物であるCu2SeまたはCuSeが存在しているか、またはこれらが混在している。この場合、接続層31bでは、下部電極層2の一主面に近ければ近いほど、I-VI族化合物である銅とセレンとの化合物Cu2Seおよび/またはCuSeが占める割合が高まる傾向を示す。I-VI族化合物である銅とセレンとの化合物Cu2Seおよび/またはCuSeは、I-III-VI族化合物半導体であるCIGSよりも導電率が高い。このため、接続層31bは、CIGSにおける光電変換によって生じた電荷を効率良く下部電極層2に伝達し得る。その結果、光電変換装置21における変換効率が向上する。また、接続層31bが若干でも存在すれば、光電変換装置21における変換効率が向上し得る。但し、接続層31bがある程度の厚さを有していれば、接続層31bの存在による変換効率の向上が明確となり得る。一方、主層31aの厚さが厚いほど、主層31aにおける光電変換が促進され得る。つまり、光吸収層31の厚さに占める接続層31bの厚さの割合が、所定の範囲内であれば、光電変換装置21における変換効率が向上し得るとともに、主層31aにおける光電変換が促進され得る。具体的には、例えば、下部電極層2の一主面の法線方向を主層31aおよび接続層31bの厚さ方向として、主層31aの厚さをT31a、接続層31bの厚さをT31bとする。このとき、0.1≦T31b/T31aT31b≦0.5の関係が成立していれば良い。ここで、厚さT31a,T31bは、例えば、下部電極層2の一主面の同一領域上に積層される主層31aおよび接続層31bにおける主層31aの厚さの平均値および接続層31bの厚さの平均値等であれば良い。この同一領域は、下部電極層2の一主面を上方Z側から平面視した場合に、例えば、長方形や正方形等の特定の形状を有する所定面積の領域等であれば良い。また、所定面積は、例えば、数十μm2オーダーから数cm2オーダーの面積であれば良い。また、光吸収層31は、いわゆる塗布法または印刷法と称されるプロセスによって形成され得る。塗布法では、まず、光吸収層31の主な構成元素の錯体が含まれている溶液半導体形成用溶液とも言うが下部電極層2の上に塗布された後に、乾燥処理が施されることで、溶媒成分が除去された、半乾き状態の皮膜が形成され得る。そして、該皮膜に対する熱処理が施される。バッファ層32は、光吸収層31の一主面の上に配されている半導体層である。この半導体層は、光吸収層31の導電型とは異なる導電型を有している。ここでは、異なる導電型は、n型である。また、バッファ層32と光吸収層31とが、ヘテロ接合領域を形成している。光電変換セル10では、光吸収層31とバッファ層32とが積層された光電変換層3において光電変換が生じる。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体のことである。また、光吸収層31の導電型がp型であれば、バッファ層32の導電型はn型でなく、i型であっても良い。さらに、光吸収層31の導電型がn型またはi型であれば、バッファ層32の導電型はp型であっても良い。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32の抵抗率が1Ωcm以上であれば、リーク電流が低減され得る。なお、バッファ層32は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成され得る。また、バッファ層32の厚さ方向は、光吸収層31の一主面に垂直な方向一主面の法線方向とも言うと略一致する。バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下であれば良い。バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、高温高湿の条件下における変換効率の低下が顕著に低減され得る。上部電極層4は、バッファ層32のZ側の主面一主面とも言うの上に配されている。この上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電膜である。そして、上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極である。また、上部電極層4に主に含まれる材料は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電膜とが含まれていても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、In2O3およびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Al、B、Ga、InおよびF等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、AZOAluminumZincOxide、GZOGalliumZincOxide、IZOIndiumZincOxide、ITOIndiumTinOxide、FTOFluorinetinOxide等がある。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。上部電極層4の厚さは、0.05μm以上で且つ3μm以下であれば良い。ここで、上部電極層4が、例えば、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められるとともに、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。グリッド電極5は、上部電極層4のZ側の主面一主面とも言うの上に配されている導電性を有する線状の電極部である。このグリッド電極5は、複数の集電部5aと連結部5bとを備えている。複数の集電部5aは、Y軸方向に離間して設けられ、それぞれがX軸方向に延在する。連結部5bは、各集電部5aが接続されており、Y軸方向に延在する。グリッド電極5の材料としては、例えば、Ag等の金属が採用され得る。また、グリッド電極5に含まれる金属は、例えば、Cu、Al、Ni等であっても良い。集電部5aは、光電変換層3において発生した後に上部電極層4によって取り出された電荷を集電する。集電部5aが配されていれば、上部電極層4の薄層化が可能となる。上部電極層4は、光吸収層31の上方Z側に配されているので、上部電極層4が出来るだけ薄く形成されれば、上部電極層4における光透過性が高められ得る。但し、上部電極層4では、該上部電極層4の厚さが薄くなれば薄くなるほど抵抗が大きくなり、電荷の取り出し効率が低下する。そこで、集電部5aが配されることで、電荷の取り出し効率が確保され、上部電極層4の薄層化による光透過性の向上が可能となる。グリッド電極5および上部電極層4によって集電された電荷は、第2溝部P2に配されている接続部45を通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。接続部45は、上部電極層4の延在部分4aと、その上に配されている連結部5bからの垂下部分5cとを有している。これにより、光電変換装置21においては、隣り合う光電変換セル10の一方の下部電極層2と、他方の上部電極層4およびグリッド電極5とが、第2溝部P2に設けられている接続部45によって電気的に直列に接続されている。グリッド電極5の幅は、50μm以上で且つ400μm以下であれば、良好な導電性が確保されつつ、光吸収層31への光の入射量を左右する受光面積の低下が低減され得る。なお、グリッド電極5のうちの少なくとも連結部5bの表面は、例えば、光吸収層31が吸収する波長帯域の光を反射する材料によって形成され得る。この場合、光電変換装置21がモジュール化された際に、連結部5bが反射した光を、このモジュール内で再び反射させて光吸収層31に再度入射させることが可能となる。これにより、光吸収層31への光の入射量が増大し、光電変換装置21における変換効率が向上する。このような表面が形成されるためには、例えば、光透過性を有する樹脂に光反射率が高いAg等の金属粒子が添加されたペーストが、上部電極層4の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることでグリッド電極5が形成されれば良い。また、例えば、Al等の光反射率の高い金属がグリッド電極5の表面に蒸着されても良い。<光電変換装置の製造方法>図4から図9で示される各断面図は、図2で示された光電変換装置21の断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。まず、図4で示されるように、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法等が用いられて、Mo等を主に含む下部電極層2が形成される。そして、下部電極層2の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、第1溝部P1が形成される。第1溝部P1は、例えば、YAGレーザー等によるレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで形成され得る。図5は、第1溝部P1が形成された後の状態を示す図である。第1溝部P1が形成された後、下部電極層2の上に、光吸収層31とバッファ層32とが順に形成される。図6は、光吸収層31およびバッファ層32が形成された後の状態を示す図である。光吸収層31が形成される際には、まず、光吸収層31を形成するための半導体形成用溶液が準備される。この半導体形成用溶液は、光吸収層31を形成するための原料となる金属元素原料金属元素とも言うと、カルコゲン元素を含有する有機化合物カルコゲン元素含有有機化合物とも言うと、ルイス塩基性有機化合物とを含む。原料金属元素は、I-III-VI族化合物半導体に含まれる金属元素である。原料金属元素には、例えば、I-B族元素とIII-B族元素とが含まれる。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物である。カルコゲン元素は、VI-B族元素のうちのS、Se、Teである。カルコゲン元素としてSeが採用される場合であれば、カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシドおよびセレノン等が採用され得る。ルイス塩基性有機化合物は、ルイス塩基となり得る官能基を有する有機化合物である。ルイス塩基となり得る官能基としては、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素とも言うを具備した官能基、および非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基等が採用され得る。これらの官能基の具体例としては、例えば、アミノ基1~3級アミンの何れでも良い、カルボニル基およびシアノ基等がある。ルイス塩基性有機化合物の具体例としては、ピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン、2,4-ペンタンジオン、3-メチル-2,4-ペンタンジオン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、アセトニトリル、ベンジル、ベンゾイン等およびこれらの誘導体がある。そして、上記の半導体形成用溶液は、例えば、下記工程[A]~[D]が順に行われることで作製される。[A]第1錯体溶液の調製:ルイス塩基性有機化合物第1ルイス塩基性有機化合物とも言うと、I-B族元素を含む有機金属錯体第1有機金属錯体とも言うとが、有機溶媒第1有機溶媒とも言うに溶解されることで、第1錯体を含む溶液第1錯体溶液とも言うが調製される。このとき、攪拌が行われ、第1ルイス塩基性有機化合物と第1有機金属錯体との反応によって第1錯体が生成される。なお、第1ルイス塩基性有機化合物としては、例えば、PC6H53、AsC6H53およびNC6H53等のV-B族元素15族元素ともいうを含む有機化合物等が採用され得る。第1有機金属錯体は、例えば、CuCl、CuCl2、CuBrおよびCuI等のI-B族元素の金属塩第1金属塩とも言うがアセトニトリルCH3CN等の有機溶媒に溶解されることで生成され得る。このとき、例えば、第1有機金属錯体として、I-B族元素の有機金属錯体例えば、CuCH3CN4PF6等が生成され得る。第1有機溶媒としては、例えば、アセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール等が採用され得る。ここで、第1ルイス塩基性有機化合物がLで示され、第1有機金属錯体がMRmで示されれば、第1錯体は[LnMR]で示される。なお、MはI-B族元素を示し、Rは任意の有機配位子を示し、は任意の陰イオンを示す。例えば、LがPC6H53で且つMRmがCuCH3CN4PF6であれば、[LnMR]は{PC6H53}2CuCH3CN2PF6である。[B]第2錯体溶液の調製:金属アルコキシドと、カルコゲン元素含有有機化合物第1カルコゲン元素含有有機化合物とも言うとが、有機溶媒第2有機溶媒とも言うに溶解された後に、III-B族元素の原料が溶解されることで、第2錯体を含む溶液第2錯体溶液とも言うが調製される。このとき、攪拌が行われ、金属アルコキシドと第1カルコゲン元素含有有機化合物との反応によって第1カルコゲン元素含有有機化合物の金属塩第2金属塩とも言うが生成される。さらに、このとき、第2金属塩とIII-B族元素の原料との反応によって第2錯体が生成される。なお、金属アルコキシドは、金属元素と酸素とアルキル基とが結合したものである。金属アルコキシドとしては、例えば、NaOCH3等が採用され得る。第1カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、セレノールおよびテルロール等が採用され得る。チオール、セレノールおよびテルロールでは、例えば、アクリル、アリル、アルキル、ビニル、パーフルオロおよびカルバメート等の有機化合物に、カルコゲン元素が結合している。第2有機溶媒としては、メタノール、エタノールおよびプロパノール等が採用され得る。III-B族元素の原料としては、InCl3およびGaCl3等の金属塩第3金属塩が採用され得る。ここで、カルコゲン元素がEで示され、第2金属塩がAで示され、第3金属塩がM3で示されれば、第2錯体はA[M4]で示される。なお、Rは有機化合物を示し、Aは任意の陽イオンを示し、MはIIIB族元素を示し、Xは任意の陰イオンを示す。例えば、AがNaSeC6H5であり且つM3がInCl3であれば、A[M4]がNaIn4である。また、例えば、AがNaSeC6H5であり且つM3がGaCl3であれば、A[M4]はNaGa4である。ところで、第2錯体溶液には、複数種類のIII-B族元素例えば、InとGaの双方が含有されても良い。この第2錯体溶液は、第3金属塩が複数種類のIII-B族元素の金属塩の混合体とされる方法、あるいはIII-B族元素毎に生成される1種類のIII-B族元素を含む第2錯体溶液が混合される方法によって作製され得る。[C]単一源前駆体を含んだ沈殿物の生成:上記の工程[A],[B]で調製された第1錯体溶液と第2錯体溶液との混合によって、第1錯体溶液と第2錯体溶液とが反応することで、前駆体単一源前駆体とも言うを含む沈殿物が生成される。この前駆体は、Cu等のI-B族元素と、InおよびGa等のIII-B族元素と、Se等のカルコゲン元素とを含有する。なお、第1錯体溶液と第2錯体溶液とを反応させる際の温度は0°C以上で且つ30°C以下であれば良く、反応時間は1時間以上で且つ5時間以内であれば良い。ここでは、[LnMR]で示される第1錯体溶液と、A[M4]で示される第2錯体溶液との反応によって、[LnM2M2]で示される単一源前駆体が生成される。例えば、[LnMR]が{PC6H53}2CuCH3CN2PF6であり、且つA[M4]がNaM4であれば、[LnM2M2]は{PC6H53}2Cu2M2である。この場合、MはInおよび/またはGaである。そして、単一源前駆体を含む沈殿物が生じた溶液は、沈殿物とその沈殿物の上方の溶液部分とに分離される。そして、この溶液部分が排出された後に、半乾き状態の沈殿物が乾燥されることで、単一源前駆体を含む沈殿物が得られる。沈殿物が抽出される際には、少なくとも1回の遠心分離もしくは濾過等によってNaおよびCl等の不純物が取り除かれ得る。[D]半導体形成用溶液の調製:上記の工程[C]で得られた単一源前駆体の沈殿物に有機溶媒例えば、ピリジン等が添加されることで、単一源前駆体の濃度が所定値例えば、5~50質量である溶液が生成される。この溶液に、III-B族元素とセレンとの化合物例えば、Ga2Se3の粉末等が、単一源前駆体の全量に対して、例えば1~10質量となるように添加されて、溶解されることで半導体形成用溶液が調製される。なお、第3錯体溶液第3錯体を含む溶液に、単一源前駆体の沈殿物が溶解されることで、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素との間における含有量の比が任意に調整された半導体形成用溶液が調製されても良い。第3錯体溶液は、ルイス塩基性有機化合物例えば、ピリジン等と、カルコゲン元素含有有機化合物例えば、HSeC6H5等との混合液にIII-B族元素例えば、金属のインジウム等が溶解されることで生成され得る。次に、半導体形成用溶液が下部電極層2の一主面の上に塗布された後に、乾燥されることで光吸収層31の前駆体としての皮膜前駆体層とも言うが形成され得る。その後、この前駆体層に対して熱処理が施されることで光吸収層31が形成される。半導体形成用溶液の塗布には、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレーおよびダイコータ等が適用され得る。前駆体層を形成するための乾燥は、例えば、不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気において行われれば良い。その乾燥温度は、例えば、50°C以上で且つ300°C以下であれば良い。前駆体層に対して熱処理が施される際の雰囲気は、例えば、窒素ガス雰囲気、水素ガス雰囲気および水素と窒素またはアルゴンとの混合気体の雰囲気のうちの何れかの雰囲気であれば良い。前駆体層の熱処理時の雰囲気にはカルコゲン元素を含んだガスが含まれていてもよい。この場合、I-III-VI族化合物半導体の形成が促進される。前駆体層に対する熱処理では、100°C以上で且つ400°C以下の温度域に所定時間保持される加熱が施されることでI-III-VI族化合物半導体の形成結晶化が行われた後に、自然対流によって冷却自然冷却が行われれば良い。所定時間は、保持温度に応じたI-III-VI族化合物半導体の形成結晶化に必要な時間が確保されるように設定されれば良い。この熱処理では、比較的低温に前駆体層が保持され、前駆体層に含まれる金属錯体が溶融することで液状化し、金属錯体の有機成分が徐々に蒸散する。このとき、液状の金属錯体における溶解度が他の元素III-B族元素およびIV-B族元素よりも相対的に小さなI-B族元素が、下部電極層2の一主面側に移動して優先的に析出し得る。その結果、下部電極層2の一主面に近ければ近いほどI-B族元素の物質量をIII-B族元素の物質量で除した値が増大する傾向を示す接続層31bが形成される。そして、このとき、接続層31bと主層31aとを有し、主にI-III-VI族化合物半導体を含む光吸収層31が形成される。バッファ層32は、溶液成長法CBD法によって形成され得る。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31まで形成された基板1が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。光吸収層31およびバッファ層32が形成された後、バッファ層32の上面のうちのY方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第2溝部P2が形成される。第2溝部P2は、例えば、40μm以上で且つ50μm以下程度のスクライブ幅のスクライブ針を用いたスクライビングが、位置をずらせながら連続して数回行われることで形成される。また、先端形状が第2溝部P2の幅に近い程度にまで広げられたスクライブ針でスクライブされることによって第2溝部P2が形成されても良い。あるいは、2本以上のスクライブ針が相互に当接または近接した状態で固定され、1回から数回のスクライブが行われることによって第2溝部P2が形成されても良い。図7は、第2溝部P2が形成された後の状態を示す図である。第2溝部P2は、第1溝部P1よりも若干X方向図中ではX方向にずれた位置に形成される。第2溝部P2が形成された後、バッファ層32の上に、例えば、ITO等を主成分とする透明の上部電極層4が形成される。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等で形成され得る。図8は、上部電極層4が形成された後の状態を示す図である。上部電極層4が形成された後に、グリッド電極5が形成される。例えば、Ag等の金属粉が樹脂バインダー等に分散している導電性を有するペースト導電ペーストとも言うが所望のパターンを描くように印刷され、これが乾燥によって固化されることで、グリッド電極5が形成される。なお、固化された状態は、導電ペーストに用いられるバインダーが熱可塑性樹脂である場合の熔融後の固化状態、およびバインダーが熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の硬化性樹脂である場合の硬化後の状態の双方を含む。図9は、グリッド電極5が形成された後の状態を示す図である。グリッド電極5が形成された後、上部電極層4の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層2の上面にかけて、第3溝部P3が形成される。これにより、図1および図2で示された光電変換装置21が得られる。第3溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。また、第3溝部P3は、第2溝部P2と同様に、メカニカルスクライビングによって形成され得る。<具体例>次に、製造条件と接続層31bの発生との関係、ならびに接続層31bによる光電変換装置21の変換効率の向上について、具体例を示して説明する。ここでは、まず、次の工程[a]~[d]が順に行われることで半導体形成用溶液が作製された。[a]I-B族元素の有機金属錯体である10mmolのCuCH3CN4PF6と、ルイス塩基性有機化合物である20mmolのPC6H53とを、100mlのアセトニトリルに溶解させた。このとき、室温例えば25°C程度における5時間の攪拌によって第1錯体溶液が調製された。[b]300mlのメタノールに、金属アルコキシドである40mmolのNaOCH3と、カルコゲン元素含有有機化合物である40mmolのHSeC6H5とを溶解させ、さらに、6mmolのInCl3と4mmolのGaCl3を溶解させた。このとき、室温における5時間の攪拌によって第2錯体溶液が調製された。[c]工程[a]で調製された第1錯体溶液に対して、工程[b]で調製された第2錯体溶液が1分間に10mlの速度で滴下され、白い析出物沈殿物が生じた。この滴下処理の終了後、室温における1時間の攪拌と、遠心分離機による沈殿物の抽出とが、順に行われた。この沈殿物の抽出時には、遠心分離機によって一旦取り出された沈殿物を500mlのメタノールに分散させた後に遠心分離機で沈殿物を再度取り出す工程が2回繰り返され、その後にこの沈殿物が室温で乾燥されることで、単一源前駆体を含む沈殿物が得られた。この単一源前駆体では、1つの錯体分子に、CuとInとSeとが含まれるか、またはCuとGaとSeとが含まれる。[d]工程[c]で得られた単一源前駆体を含む沈殿物に有機溶媒であるピリジンが添加されることで、単一源前駆体の濃度が45質量である溶液が生成された。その後、この溶液に対して、Ga2Se3の粉末が単一源前駆体の全量に対して7質量となるように添加され、80°Cにおける60分間の攪拌によって粉末を溶液中に溶解させることで、半導体形成用溶液が作製された。次に、ガラスを主に含む基板1の表面にMo等を主に含む下部電極層2が形成されたものが用意された。そして、この下部電極層2の上に、半導体形成用溶液がブレード法によって塗布された後に、100°Cに15分間保持される乾燥によって皮膜前駆体層が形成された。前駆体層は、ブレード法による塗布とその後の乾燥とが行われる処理が順に2回実施されることで形成された。その後、水素ガスとセレン蒸気ガスとの混合気体の雰囲気下で熱処理が実施された。この熱処理では、室温付近から400°Cまで5分間で昇温され、400°Cで2時間保持された後に、自然冷却が行われることで、厚さが1.4μmのCIGSを主に含む半導体層が形成された。この半導体層が光吸収層31に相当する。また、上記の実施例としての半導体層の形成時における熱処理の温度および時間を基準として、熱処理の温度および時間を異ならせることで、比較例としての半導体層が形成された。具体的には、比較例に係る熱処理では、室温付近から525°Cまで5分間で昇温され、525°Cで1時間保持された後に、自然冷却が行われる熱処理が施されることで、厚さが1.4μmのCIGSを主に含む半導体層が形成された。さらに、実施例の半導体層までが形成された基板1と比較例の半導体層までが形成された基板1とが、アンモニア水に酢酸亜鉛とチオ尿素が溶解させられた溶液に浸漬されることで、各半導体層の上に厚さが約50nmのZnSを主に含むバッファ層が形成された。そして、このバッファ層の上に、スパッタリング法によってAlがドープされたZnOを主に含む透明の導電膜が形成された。そして、最後に蒸着によってAlを含むグリッド電極が形成されて、実施例および比較例としての光電変換装置がそれぞれ作製された。このようにして作製された実施例および比較例としての各光電変換装置が対象とされて、半導体層に接続層31bが存在しているか否かがそれぞれ調査された。この調査は、実施例および比較例としての各光電変換装置の作製過程において半導体層が形成された時点で、X線光電子分光法XPSを用いた測定および分析によって行われた。具体的には、半導体層のエッチングとXPSによる測定とが繰り返され、4種類の元素具体的にはGa,In,Cu,Seに係る物質量の比率存在比率とも言うの厚さ方向における変化が調査された。また、実施例および比較例としての光電変換装置における変換効率は、いわゆる定常光ソーラシミュレーターが用いられて、光電変換装置の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つAMエアマスが1.5である条件下で測定された。実施例としての光電変換装置が対象とされた接続層31bの有無についての調査結果が図10に示され、比較例としての光電変換装置が対象とされた接続層31bの有無についての調査結果が図11に示されている。図10および図11では、半導体層について、バッファ層32が形成される側の表面からの深さと、存在している4種類の元素Ga,In,Cu,Seに係る物質量の比率存在比率との関係が曲線で示されている。具体的には、III-B族元素GaとInの物質量の合計が1とされ、Gaの存在比率が二点鎖線の曲線LGaで示され、Inの存在比率が一点鎖線の曲線LInで示され、Cuの存在比率が実線の曲線LCuで示され、Seの存在比率が破線の曲線LSeで示されている。図11で示されるように、比較例の半導体層では、半導体層の表面からの深さに拘わらず、4種類の元素Ga,In,Cu,Seの何れの存在比率も略一定であった。一方、図10で示されるように、実施例の半導体層では、表面からの深さが1200nmを超える領域では、下部電極層2の一主面に近ければ近いほど、CuおよびSeの存在比率が高まっていた。実施例の半導体層において、表面からの深さが1200nmを超える領域は、下部電極層2の一主面からの距離が0nm以上で且つ200nm以下の領域と略一致する。詳細には、実施例の半導体層では、半導体層の表面からの深さに拘わらず、GaおよびInの存在比率は略一定であった。また、実施例の半導体層のうち、表面からの深さが1200nm以内である領域では、CuおよびSeの存在比率は略一定であった。これに対して、実施例の半導体層のうち、表面からの深さが1200nmを超える領域では、下部電極層2の一主面に近ければ近いほどCuおよびSeの存在比率が高まっていた。すなわち、比較例の半導体層には、接続層31bが存在せず、実施例の半導体層には、接続層31bが存在することが確認された。なお、接続層31bを対象としてXPS、XRD、SEM-EDSおよびTEM-EDSによって分析したところ、CIGS、Cu2SeおよびCuSeといった化合物の存在が確認された。また、比較例としての光電変換装置における変換効率が8.83であったのに対して、実施例としての光電変換装置における変換効率は10.24であった。以上の調査結果および測定結果から、相対的に低い温度での熱処理によって光吸収層に相当する半導体層が形成されることで、接続層31bが形成されることが分かった。そして、接続層31bの存在によって、光電変換装置における変換効率が向上することが分かった。<変形例>なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。◎例えば、上記一実施形態では、光吸収層に相当する半導体層が形成される際における熱処理温度が調整されることで、接続層31bが形成されたが、これに限られない。例えば、スパッタリングまたは溶液の塗布等によって、I-B族元素とIII-B族元素とVI-B族元素との間における存在比率濃度が深さ方向で異なる前駆体層が形成されることで、接続層31bが形成される態様が採用されても良い。この態様では、前駆体層に対する熱処理によってI-III-VI族化合物半導体の結晶化が進行し、接続層31bを有する半導体層が形成され得る。このような存在比率の変化は、I-B族元素の物質量の増加、およびIII-B族元素の物質量の減少の何れによって実現されても良い。なお、VI-B族元素は、熱処理時において雰囲気中から前駆体層に供給され得る。このため、熱処理前において、前駆体層にVI-B族元素が予め含まれていても良いし、前駆体層にVI-B族元素が予め含まれていなくても良い。◎また、上記一実施形態では、接続層31bに存在している導電率が比較的高い物質が、I-VI族化合物である銅とセレンとの化合物Cu2SeとCuSeであったが、これに限られない。例えば、I-VI族化合物は、銅と硫黄との化合物、銀とセレンとの化合物または銀と硫黄との化合物であっても良い。また、接続層31bにCu等のI-B族元素が単体で存在している場合でも、接続層31bにおける導電率の向上が図られ得る。◎また、上記一実施形態では、光吸収層31に主に含まれるI-III-VI族化合物としてCIGSが採用される場合について主に説明されたが、これに限られない。例えば、I-III-VI族化合物が、CISおよびCIGSS等のその他の組成を有していても良い。この場合も、Cu等のI-B族元素が、接続層31bにおいてVI-B族元素との化合物I-VI族化合物の形態および単体の形態のうちの少なくとも一方の形態で存在していれば、光電変換装置における変換効率が向上し得る。◎また、上記一実施形態では、バッファ層32が配されていたが、これに限られない。例えば、バッファ層32が配されていない光電変換装置であっても、接続層31bの存在によって光電変換装置における変換効率が向上し得る。◎なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部は、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。"