"成長面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有し、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域と、前記電極に接し、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域とを有する、窒化物系半導体素子。前記高濃度領域の厚さは0.5nm以上10nm以下である、請求項1記載の窒化物系半導体素子。前記コンタクト層において、前記ボディ領域と前記高濃度領域との間には、2×1020cm3より高く1×1021cm3より低い濃度のMgを含む遷移領域が設けられている、請求項1または2に記載の窒化物系半導体素子。前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、請求項1から3のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。前記電極のうち前記高濃度領域と接する部分は、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層である、請求項1から4のいずれか記載の窒化物系半導体素子。前記電極は、前記第1の層の上に形成された第2の層を含む、請求項5記載の窒化物系半導体素子。前記第2の層は、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属である、請求項6記載の窒化物系半導体素子。前記電極はAg層である、請求項1記載の窒化物系半導体素子。前記第1の層はアイランド状である、請求項5から7のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。前記p型半導体領域は、さらに、1×1018cm3以上1×1019cm3以下のMgを含むAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されているp型半導体層を含む、請求項1から9のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。前記p型半導体領域の厚さは100nm以上500nm以下である、請求項10に記載の窒化物系半導体素子。窒化物系半導体発光素子と、前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部とを備える光源であって、前記窒化物系半導体発光素子は、成長面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有し、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域と、前記電極に接し、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域とを有する、光源。前記高濃度領域の厚さは0.5nm以上10nm以下である、請求項12記載の光源。前記コンタクト層において、前記ボディ領域と前記高濃度領域との間には、2×1020cm3より高く1×1021cm3より低い濃度のMgを含む遷移領域が設けられている、請求項12または13に記載の光源。前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、請求項12記載の光源。基板を用意する工程aと、成長面がm面であり、p型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程bと、前記半導体積層構造における前記p型半導体領域の前記成長面上に電極を形成する工程cとを含み、前記工程bは、前記p型半導体領域の一部として、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を形成する工程b1を含み、前記工程b1は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域を形成する工程と、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域を形成する工程とを有し、前記工程cにおいては、前記高濃度領域に接する前記電極を形成する、窒化物系半導体素子の製造方法。前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、請求項16記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記工程cにおいては、前記高濃度領域上に、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層を有する前記電極を形成する、請求項16または17記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記工程cにおいては、前記第1の層と、前記第1の層の上に位置し、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる第2の層とを有する前記電極を形成する、請求項18記載の窒化物系半導体素子の製造方法。前記工程cの後に、加熱処理する工程を実行する、請求項16から19のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。上述のように、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子は、c面基板上で成長させたものと比較して顕著な効果を発揮し得るが、次のような問題がある。すなわち、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子は、c面基板上で成長させたものよりもコンタクト抵抗が高く、それが、m面基板上で成長させたGaN系半導体素子を使用する上で大きな技術的な障害となっている。そのような状況の中、本願発明者は、非極性面であるm面上に成長させたGaN系半導体素子が持つコンタクト抵抗が高いという課題を解決すべく検討した結果、コンタクト抵抗を低くすることができる手段を見出した。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、m面基板上で結晶成長させたGaN系半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減できる構造および製造方法を提供することにある。本発明の窒化物系半導体素子は、成長面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有し、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域と、前記電極に接し、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域とを有する。ある実施形態において、前記高濃度領域の厚さは0.5nm以上10nm以下である。ある実施形態の前記コンタクト層において、前記ボディ領域と前記高濃度領域との間には、2×1020cm3より高く1×1021cm3より低い濃度のMgを含む遷移領域が設けられている。ある実施形態において、前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む。ある実施形態において、前記電極のうち前記高濃度領域と接する部分は、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層である。ある実施形態において、前記電極は、前記第1の層の上に形成された第2の層を含む。ある実施形態において、前記第2の層は、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属である。ある実施形態において、前記電極はAg層である。ある実施形態において、前記第1の層はアイランド状である。ある実施形態において、前記p型半導体領域は、さらに、1×1018cm3以上1×1019cm3以下のMgを含むAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されているp型半導体層を含む。ある実施形態において、前記p型半導体領域の厚さは100nm以上500nm以下である。本発明の光源は、窒化物系半導体発光素子と、前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部とを備える光源であって、前記窒化物系半導体発光素子は、成長面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有し、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域と、前記電極に接し、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域とを有する。ある実施形態において、前記高濃度領域の厚さは0.5nm以上10nm以下である。ある実施形態の前記コンタクト層において、前記ボディ領域と前記高濃度領域との間には、2×1020cm3より高く1×1021cm3より低い濃度のMgを含む遷移領域が設けられている。ある実施形態において、前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む。本発明の窒化物系半導体素子の製造方法は、基板を用意する工程aと、成長面がm面であり、p型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程bと、前記半導体積層構造における前記p型半導体領域の前記成長面上に電極を形成する工程cとを含み、前記工程bは、前記p型半導体領域の一部として、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を形成する工程b1を含み、前記工程b1は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域を形成する工程と、1×1021cm3以上のMg濃度を有する高濃度領域を形成する工程とを有し、前記工程cにおいては、前記高濃度領域に接する前記電極を形成する。ある実施形態において、前記ボディ領域は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む。ある実施形態の前記工程cにおいては、前記高濃度領域上に、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層を有する前記電極を形成する。ある実施形態の前記工程cにおいては、前記第1の層と、前記第1の層の上に位置し、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる第2の層とを有する前記電極を形成する。ある実施形態の前記工程cの後に、加熱処理する工程を実行する。本発明の他の実施形態の窒化物系半導体素子は、表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含み、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有する。ある実施形態において、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、厚さ30nm以上45nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されていてもよい。ある実施形態において、前記電極のうち前記コンタクト層と接する部分は、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層であってもよい。ある実施形態において、前記電極は、前記第1の層の上に形成された第2の層を含んでいてもよい。ある実施形態において、前記第2の層は、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属であってもよい。ある実施形態において、前記電極はAg層であってもよい。ある実施形態において、前記第1の層はアイランド状であってもよい。ある実施形態において、前記p型半導体領域は、さらに、1×1018cm3以上1×1019cm3以下のMgを含むAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されているp型半導体層を含んでいてもよい。ある実施形態において、前記p型半導体層の厚さは100nm以上500nm以下であってもよい。本発明の他の実施形態の光源は、窒化物系半導体発光素子と、前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部とを備える光源であって、前記窒化物系半導体発光素子は、表面がm面であるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、前記p型半導体領域上に設けられた電極とを備え、前記p型半導体領域は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含み、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されているコンタクト層を有する。ある実施形態において、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、厚さ30nm以上45nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されていてもよい。本発明の他の窒化物系半導体素子の製造方法は、基板を用意する工程aと、表面がm面であり、AlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体からなるp型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程bと、前記半導体積層構造の前記p型半導体領域の前記表面上に電極を形成する工程cとを含み、前記工程bは、4×1019cm3以上の2×1020cm3以下のMgを含み、厚さ26nm以上60nm以下のコンタクト層を有する前記p型半導体領域を形成する。ある実施形態において、前記コンタクト層は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下のMgを含む、厚さ30nm以上45nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0半導体から形成されていてもよい。ある実施形態において、前記工程cは、前記p型半導体領域の前記表面上に、Mg、ZnおよびAgのうち少なくともいずれか1つを含む第1の層を有する前記電極を形成してもよい。ある実施形態において、前記工程cは、前記第1の層と、前記第1の層の上に位置し、Ag、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される少なくとも1種の金属からなる第2の層とを有する前記電極を形成してもよい。ある実施形態において、前記工程cの後に、加熱処理する工程を実行してもよい。本発明の窒化物系半導体素子によれば、バルク抵抗の上昇を抑制し、かつ、コンタクト抵抗を低減することができる。また、p型電極における光吸収損失を低減することができる。第1の実施形態以下、図面を参照しながら、本発明による第1の実施形態の窒化物系半導体発光素子を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。図3aは、第1の実施形態に係る窒化物系半導体発光素子100の断面構成を模式的に示している。図3aに示した窒化物系半導体発光素子100は、GaN系半導体からなる半導体デバイスであり、窒化物系半導体積層構造を有している。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100は、m面を表面成長面12とするGaN系基板GaN基板10と、GaN系基板10の上に形成された半導体積層構造20と、半導体積層構造20の上に形成された電極30とを備えている。本実施形態では、半導体積層構造20は、m面成長によって形成されたm面半導体積層構造であり、その表面成長面はm面である。なお、r面サファイア基板上にはa面GaNが成長するという事例もあることから、成長条件によっては必ずしもGaN系基板10の表面がm面であることが必須とならない。本発明の構成においては、少なくとも半導体積層構造20のうち、電極と接触するp型半導体領域の表面がm面であればよい。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100は、半導体積層構造20を支持するGaN系基板10を備えているが、GaN系基板10に代えて他の基板を備えていても良いし、基板が取り除かれた状態で使用されることも可能である。図3bは、表面成長面がm面である窒化物系半導体の断面基板表面に垂直な断面における結晶構造を模式的に示している。Ga原子と窒素原子は、m面に平行な同一原子面上に存在するため、m面に垂直な方向に分極は発生しない。すなわち、m面は非極性面であり、m面に垂直な方向に成長した活性層内ではピエゾ電界が発生しない。なお、添加されたInおよびAlは、Gaのサイトに位置し、Gaを置換する。Gaの少なくとも一部がInやAlで置換されていても、m面に垂直な方向に分極は発生しない。m面を表面成長面に有するGaN系基板は、本明細書ではm面GaN系基板と称される。m面に垂直な方向に成長したm面窒化物系半導体積層構造を得るには、典型的には、m面GaN基板を用い、その基板のm面上に半導体を成長させればよい。GaN系基板の表面成長面の面方位が、半導体積構造の面方位に反映されるからである。しかし、前述したように、基板の表面がm面である必要は必ずしもなく、また、最終的なデバイスに基板が残っている必要も無い。参考のために、図3cに、表面がc面である窒化物系半導体の断面基板表面に垂直な断面における結晶構造を模式的に示す。Ga原子と窒素原子は、c面に平行な同一原子面上に存在しない。その結果、c面に垂直な方向に分極が発生する。c面を表面に有するGaN系基板を、本明細書ではc面GaN系基板と称する。c面GaN系基板は、GaN系半導体結晶を成長させるための一般的な基板である。c面に平行なGaの原子層と窒素の原子層の位置がc軸方向に僅かにずれているため、c軸方向に沿って分極が形成される。再び、図3aを参照する。m面GaN系基板10の表面m面12の上には、半導体積層構造20が形成されている。半導体積層構造20は、AlaInbGacN層abc=1,a≧0,b≧0,c≧0を含む活性層24と、AldGaeN層de=1,d≧0,e≧025とを含んでいる。AldGaeN層25は、活性層24を基準にしてm面12の側とは反対の側に位置している。ここで、活性層24は、窒化物系半導体発光素子100における電子注入領域である。本実施形態の活性層24は、Ga09In01N井戸層例えば、厚さ9nmとGaNバリア層例えば、厚さ9nmとが交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造例えば、厚さ81nmを有している。活性層24の上には、p型のAldGaeN層25が設けられている。p型のAldGaeN層25の厚さは、例えば、0.2~2μmである。活性層24とAldGaeN層25との間には、アンドープのGaN層を設けてもよい。本実施形態の半導体積層構造20には、他の層も含まれており、活性層24とGaN系基板10との間には、AluGavInwN層uvw=1,u≧0,v≧0,w≧022が形成されている。本実施形態のAluGavInwN層22は、第1導電型n型のAluGavInwN層22である。AldGaeN層25において、Alの組成比率dは、厚さ方向に一様である必要は無い。AldGaeN層25において、Alの組成比率dが厚さ方向に連続的または階段的に変化していても良い。すなわち、AldGaeN層25は、Alの組成比率dが異なる複数の層が積層された多層構造を有していても良いし、ドーパントの濃度も厚さ方向に変化していてもよい。AldGaeN層25の最表面近傍には、p-AldGaeNコンタクト層26が形成されている。AldGaeN層25のうちp-AldGaeNコンタクト層26以外の領域の厚さは例えば10nm以上500nm以下であり、この領域のMg濃度は例えば1×1018cm3以上1×1019cm3以下である。p-AldGaeNコンタクト層26は、AldGaeN層25のうちp-AldGaeNコンタクト層26以外の領域よりも、高いMg濃度を有する。p-AldGaeNコンタクト層26における高い濃度のMgは、Gaの拡散を促進する点で効果的に働く。AldGaeN層25のうちp-AldGaeNコンタクト層26以外の領域を100nm以上500nm以下の厚さで設けた場合には、p-AldGaeNコンタクト層26に高い濃度のMgが含まれていても、Mgが活性層24側に拡散するのを抑制することができる。p-AldGaeNコンタクト層26のMg濃度は、具体的には、4×1019cm3以上2×1020cm3以下である。より好ましくは、1×1020cm3以下である。p-AldGaeNコンタクト層26において、Mgの濃度が4×1019cm3より低ければ、十分にコンタクト抵抗を低下させることができない。一方、p-AldGaeNコンタクト層26において、Mgの濃度が1×1020cm3を超えると、p-AldGaeNコンタクト層26のバルク抵抗が上昇し始め、2×1020cm3を超えるとより顕著にバルク抵抗が上昇する。p-AldGaeNコンタクト層26の厚さは26nm以上60nm以下であることが好ましい。より好ましくは、30nm以上45nm以下である。p-AldGaeNコンタクト層26の厚さが26nmより小さければ、十分にコンタクト抵抗を低下させることができない。一方、p-AldGaeNコンタクト層26の厚さが45nmを超えると、p-AldGaeNコンタクト層26のバルク抵抗が上昇し始め、60nmを超えると、バルク抵抗がより顕著に上昇してしまう。コンタクト抵抗を十分に低下させるためには、p-AldGaeNコンタクト層26におけるMg濃度と厚さの両方が前述の範囲に収まっていることが重要である。例えば、Mg濃度が4×1019cm3以上2×1020cm3以下であっても、厚さが10nmであれば、コンタクト抵抗は十分に低下しない。p-AldGaeNコンタクト層26の不純物濃度および厚さについては、後に測定結果を用いて詳細を説明する。コンタクト抵抗低減の観点から、p-AldGaeNコンタクト層26は、Alの組成比率dがゼロである層GaN層から構成されていることが好ましい。また、Al組成dはゼロでなくてもよい。例えば、p-AldGaeNコンタクト層26として、Al組成dを0.05程度としたAl005Ga095Nを用いることもできる。半導体積層構造20の上には、電極30が形成されている。本実施形態の電極30は、Mg層32と、Mg層32の上に形成されたAg層34から構成されている。電極30におけるMg層32は、半導体積層構造20のp-AldGaeNコンタクト層26に接触しており、p型電極p側電極の一部として機能する。電極30において、Mg層32およびAg層34の少なくとも一部は、互いに合金化していてもよい。すなわち、Mg層32とAg層34との境界部分のみが合金化されていてもよいし、電極30全体が合金化されていてもよい。図4aからcは、Mg層32とAg層34との間の合金化を説明するための図である。図4aは、Mg層32およびAg層34の一部が合金化した状態を示している。この場合、図4aに示すように、電極30Aは、p-AldGaeNコンタクト層26に接するMg層32と、Mg層32の上に存在するMg-Ag合金層61Aと、Mg-Ag合金層61Aの上に存在するAg層34とから構成されている。図4bは、MgとAgとの合金化がp-AldGaeNコンタクト層26に接する部分まで進行した状態を示している。図4bに示す状態において、電極30BにおけるMg層32電極30Bのうちp-AldGaeNコンタクト層26と接触する部分は、Mg-Ag合金から形成されている。図4bに示す電極30Bの例では、Mg層32の上には、Ag層34が存在している。図4cに、Mg層およびAg層の全体が合金化されている状態の電極30Cを示す。この場合、電極30Cは、Mg-Ag合金層61Cのみから構成されている。図4aからcに示すMg-Ag合金は、MgおよびAgから構成されている主成分がMgおよびAgである。図4aからcに示す構造は、Mg層の上にAg層を形成した後に、熱処理を行うことによって形成することができる。なお、図4cに示す構造は、MgとAgとの混合物または化合物を蒸着源として蒸着を行った後に熱処理を行うことによって形成してもよい。Ag層34は、Agを主成分として微量の他の金属例えば、Cu、Au、Pd、Nd、Sm、Sn、In、Bi等を一種類以上添加して合金化したものであってもよい。これらの金属によって合金化したAg層34は、Agと比較して耐熱性や信頼性等において優れている。上記の各電極30A、30B、30Cの上には、Mg層32およびAg層34とは別に、これらの金属以外の金属または合金からなる電極層や配線層が形成されていても良い。なお、Mg層32の少なくとも一部は、積層後の熱処理によってアイランド状島状に凝集を起こし、p-AldGaeNコンタクト層26の表面上に、互いに間隔を置いて形成されていてもよい。このとき、Ag層34を構成するAgは各アイランド状Mg層32の間に入り込んでいる。Ag層34の少なくとも一部がアイランド状に凝集されていてもよい。本実施形態の電極30の厚さは、例えば、10nm以上200nm以下である。電極30におけるMg層32の厚さは、例えば、2nm以上45nm以下である。なお、ここでのMg層32の厚さは、熱処理後のMg層の厚さである。Ag層34の厚さは、例えば、200nm以下または、10nm以上200nm以下である。なお、Mg層32の厚さは、Ag層34の厚さよりも薄いことが好ましい。Mg層32とAg層34との歪みのバランスが崩れることによるMg層32とp-AldGaeNコンタクト層26との間での剥離が生じないようにするためである。第1の実施形態では、電極30が、p-AldGaeNコンタクト層26に接する部分であるMg層32第1の層と、Mg層32の上に設けられたAg層34第2の層とから構成されている。第1の層は、Znから形成されていてもよい。また、第1の層は、MgとZnとの合金であってもよいし、MgまたはZnと、これら以外の金属との合金であってもよい。第2の層は、Ag以外の金属例えば、Pt、Pd、Moから形成されていてもよい。また、電極30は、必ずしも第1の層と第2の層との積層構造である必要はなく、1層のみから構成されていてもよい。m面の表面12を有するGaN系基板10の厚さは、例えば、100~400μmである。これはおよそ100μm以上の基板厚であればウエハのハンドリングに支障が生じないためである。なお、本実施形態のGaN系基板10は、GaN系材料からなるm面の表面12を有していれば、積層構造を有していても構わない。すなわち、本実施形態のGaN系基板10は、少なくとも表面12にm面が存在している基板も含み、したがって、基板全体がGaN系であってもよいし、他の材料との組み合わせであっても構わない。本実施形態の構成では、GaN系基板10の上に、n型のAluGavInwN層例えば、厚さ0.2~2μm22の一部に、電極40n型電極が形成されている。図示した例では、半導体積層構造20のうち電極40が形成される領域は、n型のAluGavInwN層22の一部が露出するように凹部42が形成されている。その凹部42にて露出したn型のAluGavInwN層22の表面に電極40が設けられている。電極40は、例えば、Ti層とAl層とAg層との積層構造から構成されており、電極40の厚さは、例えば、100~200nmである。図5に、p-AldGaeNコンタクト層26を有するAldGaeN層25のMg原子の深さ方向のプロファイルを、SIMSを用いて測定した結果を示す。横軸の原点0μmは、p-AldGaeNコンタクト層26の表面にほぼ相当する。横軸の数値がの領域はp-AldGaeNコンタクト層26の表面よりも基板側の領域を示し、値が大きいほど深い位置を示している。なお、縦軸に示した1.0E17は1.0×1017を意味し、1.0E18は1.0×1018を意味している。すなわち、1.0EXは、1.0×10Xの意味である。図5に示す測定結果は、AlGaN層25の上に電極を形成しない状態で測定したものである。このような状態で測定を行ったのは、電極を形成することによる影響を排除するためである。No.1は、AldGaeN層25内にp-AldGaeNコンタクト層26を形成していない試料である。No.2からNo.5の試料では、AldGaeN層25を形成する工程において、p-AldGaeNコンタクト層26の形成を開始するタイミングが各々異なる。No.2のp型コンタクト層Mg不純物濃度が4×1019cm3以上の厚さは3nm程度である。No.3のp型コンタクト層Mg不純物濃度が4×1019cm3以上の厚さは5nm程度である。No.4のコンタクト層Mg不純物濃度が4×1019cm3以上の厚さは15nm程度である。No.5のコンタクト層Mg不純物濃度が4×1019cm3以上の厚さは26nm程度である。図6Aから図6Eは、図5に示すNo.1からNo.5の試料の上にMg/Ag層を含む電極を形成し、電流-電圧特性およびコンタクト抵抗を測定した結果を示す。図6Aから図6Eに示すコンタクト抵抗は、TLMTransmissionLineMethod法を用いて評価した。図6Aから図6Eに示す電流-電圧特性の各曲線は、図6Fに示すTLM電極パターンの電極間距離に対応したものである。図6Fは、100μm×200μmの複数の電極が、8μm、12μm、16μm、20μmだけ間隔を空けて配置された状態を示している。コンタクト抵抗は、一般に、コンタクトの面積Scm2に反比例する。ここで、コンタクト抵抗をRΩとすると、R=Rc/Sの関係が成立する。比例定数のRcは、固有コンタクト抵抗と称され、コンタクト面積Sが1cm2の場合のコンタクト抵抗Rに相当する。すなわち、固有コンタクト抵抗の大きさは、コンタクト面積Sに依存せず、コンタクト特性を評価するための指標となる。以下、固有コンタクト抵抗をコンタクト抵抗と略記する場合がある。p-AldGaeNコンタクト層26を有していない試料No.1の固有コンタクト抵抗は、図6Aに示すように、3.7×102Ωcm2である。試料No.2、No.3、No.4のp-AldGaeNコンタクト層26の厚さは、それぞれ3nm、5nm、15nmであり、それぞれの固有コンタクト抵抗は、図6Bから図6Dに示すように、7.1×102Ωcm2、2.0×103Ωcm2、1.6×103Ωcm2である。この結果から、p-AldGaeNコンタクト層26が厚くなるほど、固有コンタクト抵抗の値は小さくなっていることがわかる。試料No.5のp-AldGaeNコンタクト層26の厚さは26nmであり、試料No.5の固有コンタクト抵抗は、図6Eに示すように、1.1×103Ωcm2である。この結果から、p-AldGaeNコンタクト層26AldGaeN層25のうち4×1019cm3以上のMg不純物を含む領域の厚さが26nmのときに固有コンタクト抵抗は1.1×103Ωcm2となり、この値は、p-AldGaeNコンタクト層26が厚くなるほど小さくなることがわかる。本願発明者は、先願PCTJP2010001920等において、m面のp型窒化物半導体層の上にMg層を含む電極を形成することにより、固有コンタクト抵抗の低下が可能であることを示している。図6Aから図6Eに示す結果から分かるように、Mg層32がp-AldGaeNコンタクト層26と接する構成において、p-AldGaeNコンタクト層26のMg濃度プロファイルを最適化することにより、コンタクト抵抗のさらなる低下が可能である。図7は、図5に示すNo.4およびNo.5の上にMg/Ag層からなる電極30を形成した試料において、Ga原子とMg原子の深さ方向のプロファイルを、SIMSを用いて測定した結果を示す。熱処理前における電極30のMg層の厚さは7nmであり、Ag層の厚さは75nmである。グラフの縦軸には、SIMSの検出器で検出された信号強度と、この信号強度と比例関係にある原子濃度とを示している。図7に示すプロファイルは、いずれも、電極30を形成した状態で600°C10分の熱処理を行った試料の測定結果である。図7に示すように、横軸の深さの値が0.09近傍の値が、電極30におけるMg層32と、p-AldGaeNコンタクト層26との界面を示している。この界面よりも横軸が大きい値の位置は、p-AldGaeNコンタクト層26内であり、この界面よりも横軸が小さい値の位置は電極30内である。図7に示すように、試料No.4およびNo.5のいずれにおいても、電極30内にGaが存在することが観測されている。試料No.4では、電極30内におけるGa濃度は1×1019cm3以下である。一方、試料No.5では、電極30内におけるGa濃度は2×1019cm3以上である。このように、試料No.4では、試料No.5と比較して電極30へのGaの拡散量は少ない。この結果から、本願発明者は、p-AldGaeNコンタクト層26の厚さを増加させるとGaの拡散量は増加することを見出した。また、図6D、図6Eに示す結果から、試料No.5よりも試料No.4のほうがより低いコンタクト抵抗を示す。これらの結果から、その原因の詳細は不詳ではあるが、電極30中のGa拡散量とコンタクト抵抗との間の相関があることが確認された。p型GaNにおいてGa原子が電極側に拡散すると、p型GaNの最表面でGa原子が不足する状態、すなわちGa空孔が形成される。Ga空孔はアクセプター的性質を有するため、電極とp型GaNとの界面の近傍でGa空孔が増加すると、この界面のショットキー障壁を正孔がトンネリングによって通過しやすくなる。本実施形態では、p-AldGaeNコンタクト層26の上にMg層32を形成し、かつ、p-AldGaeNコンタクト層26のMg濃度プロファイルを最適化している。これにより、Gaの移動が促進され、コンタクト抵抗が低下すると考えられる。MgによってGa空孔が形成される原理は、先願PCTJP2009002532で説明した原理と同様であると考えられる。これに対し、Ga原子とともにN原子も電極側に拡散すると、p型GaNの最表面にNが不足する状態、すなわちN空孔も形成される。N空孔はドナー的性質を有するため、p型GaNの最表面では、Ga空孔とN空孔との間で電荷補償が起こる。また、N原子が抜けることによってGaN結晶の結晶性は悪化すると考えられる。そのため、Ga原子とともにN原子も電極側に拡散した場合には、p型GaN層と電極との間のコンタクト抵抗は高い。なお、本願発明者は、本実施の形態においては、N原子は電極側にほとんど拡散していないことを別の実験によって確認している。このような各元素の挙動は、p-AldGaeNコンタクト層26において、Gaの一部がInで置換されていても同様に生じると推定される。また、電極30の第1の層としてZn層を用いた場合、MgとZnとの合金を用いた場合、MgまたはZnと、これら以外の金属との合金を用いた場合、および第2の層にAg以外の金属を用いた場合であっても同様であると推定される。次に、引き続き図3aを参照しながら、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100の製造方法を説明する。まず、m面GaN系基板10を用意する。本実施形態では、GaN系基板10として、GaN基板を用いる。本実施形態のGaN基板は、HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法を用いて得られる。例えば、まずc面サファイア基板上に数mmオーダの厚膜GaNを成長する。その後、厚膜GaNをc面に垂直方向、m面で切り出すことによりm面GaN基板が得られる。GaN基板の作製方法は、上記に限らず、例えばナトリウムフラックス法などの液相成長やアモノサーマル法などの融液成長方法を用いてバルクGaNのインゴットを作製し、それをm面で切り出す方法でも良い。GaN系基板10の代わりに、例えば、酸化ガリウム、SiC基板、Si基板、サファイア基板などを用いることができる。基板上にm面から成るGaN系半導体をエピタキシャル成長するためには、SiCやサファイア基板の面方位もm面である方が良い。ただし、r面サファイア基板上にはa面GaNが成長するという事例もあることから、成長条件によっては必ずしも成長用表面がm面であることが必須とならない場合もあり得る。少なくとも半導体積層構造20の表面がm面であれば良い。本実施形態では、GaN系基板10の上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により結晶層を順次形成していく。具体的には、m面GaN系基板10の上に、AluGavInwN層22を形成する。AluGavInwN層22として、例えば、厚さ3μmのAlGaNを形成する。AlGaNを形成する場合には、m面GaN系基板10の上に、1100°CでTMGGaCH33、TMAAlCH33およびNH3を供給することによってAlGaN層を堆積する。次に、AluGavInwN層22の上に、活性層24を形成する。この例では、活性層24は、厚さ9nmのGa09In01N井戸層と、厚さ9nmのGaNバリア層が交互に積層された厚さ81nmのGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を有している。Ga09In01N井戸層を形成する際には、Inの取り込みを行なうために、成長温度を800°Cに下げることが好ましい。次に、活性層24の上に、例えば厚さ30nmのアンドープGaN層を堆積する。次いで、アンドープGaN層の上に、AldGaeN層25を形成する。AldGaeN層25として例えば厚さ0.5μmのp-Al014Ga086Nを形成する場合には、950°Cの成長温度で、TMG、NH3、TMA、およびp型不純物としてCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを供給する。次に、AldGaeN層25の上部に、例えば厚さ26nmのp-AldGaeNコンタクト層26を堆積する。このとき、Cp2Mgの供給量を増加させることにより、p-AldGaeNコンタクト層26のMg濃度をAldGaeN層25の他の部分のMg濃度よりも高くする。p-AldGaeNコンタクト層26として、4×1019cm3のMg濃度を有する厚さ26nmのGaN層を形成する場合には、例えば成長温度を950°Cに保ち、流量8sccmのTMG、流量7.5slmのNH3、および流量400sccmのCp2Mgを供給すればよい。例えば、原料ガス結晶および不純物の原料ガスの流量の合計に対するMgの原料ガスの流量の比が5以上であれば、p-AldGaeNコンタクト層26の不純物濃度を4×1019cm3以上にすることができる。p-AldGaeNコンタクト層26の成長温度は、900°C以上1000°C以下であることが好ましい。成長温度が900°Cよりも低ければ成長レート低下による結晶性の低下という問題点があり、1000°Cよりも高ければ、窒素の脱離によって表面荒れを起こす。その後、塩素系ドライエッチングを行うことにより、p-GaNコンタクト層、AldGaeN層25、アンドープGaN層および活性層24の一部を除去して凹部42を形成し、AluGavInwN層22のn型電極形成領域を露出させる。次いで、凹部42の底部に位置するn型電極形成領域の上に、n型電極40として、Ti/Pt層を形成する。さらに、p-AldGaeNコンタクト層26の上に、Mg層32を形成し、さらにMg層32の上にAg層34を形成する。これにより、p型電極30を形成する。なお、Mg層32は、緻密で良質な膜を形成するため、パルス蒸着によって形成することが好ましいが、熱CVD法や分子線エピタキシMBEなどによって形成してもよい。Ag層34は、通常の蒸着等によって形成することができる。その後、600°Cの温度で10分間の熱処理を行う。電極30を形成した状態で行う熱処理の温度が500°C以上になると、コンタクト抵抗は急に低下した。そして、600°Cではさらにコンタクト抵抗は低下した。さらに昇温して700°Cの温度では、コンタクト抵抗は600°Cの温度のときよりも上昇するものの、従来よりも低いコンタクト抵抗が得られた。熱処理温度としては、例えば、500°C以上が好ましい。700°Cを超えて所定温度例えば800°C以上になると、電極やGaN層の膜質の劣化が進むため、上限は700°C以下が好ましいPCTJP2010001920。なお、その後、レーザリフトオフ、エッチング、研磨などの方法を用いて、GaN系基板10、AluGavInwN層22の一部までを除去してもよい。この場合、GaN系基板10のみを除去してもよいし、GaN系基板10およびAluGavInwN層22の一部だけを選択的に除去してもよい。もちろん、GaN系基板10、AluGavInwN層22を除去せずに残してもよい。以上の工程により、本実施形態の窒化物系半導体発光素子100が形成される。本実施形態の窒化物系半導体発光素子100において、n型電極40とp型電極30との間に電圧を印加すると、p型電極30から活性層24に向かって正孔が、n型電極40から活性層24に向かって電子が注入され、例えば450nm波長の発光が生じる。c面を表面とするp型の窒化物系化合物半導体層に4×1019cm3以上のMgが含まれている場合、層内の抵抗の増大が原因で、p型の窒化物系化合物半導体層と電極との間のコンタクト抵抗が増加してしまう。またc面の場合、MgがGaの拡散を促進する効果も小さい。c面を表面とするp型の窒化物系化合物半導体層においては、層内の抵抗を低減するために、p型の窒化物系化合物半導体層をできるだけ薄く例えば10nm程度することが好ましいと考えられる。本実施形態における、m面を表面とするp-AldGaeNコンタクト層26においても、Mg不純物が高くなることによって層内の抵抗は増加するが、コンタクト抵抗は低下する。なお、c面成長によって形成する点を除いては本実施の形態と同じ条件で形成されたc面窒化物系半導体発光素子比較例の場合、p型窒化物系半導体層c面とMgAg電極とのコンタクト抵抗は、およそ8.0×103Ωcm2であることが確認された。この値は、m面成長した場合のコンタクト抵抗と比較して高い値である。これは、c面窒化物系半導体発光素子では、Ga原子とともにN原子もMgAg電極側に拡散しているためと考えられる。第2の実施形態以下、図面を参照しながら、本発明による第2の実施形態の窒化物系半導体発光素子を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。図8は、第2の実施形態に係る窒化物系半導体発光素子101の断面構成を模式的に示している。図8に示した窒化物系半導体発光素子101では、電極31が、Ag層のみから構成されている。それ以外の構成は、第1の実施形態における窒化物系半導体発光素子100と同様であるため、その詳細な説明を省略する。電極31のAg層は、例えば100nm以上500nm以下の厚さを有する。Ag層は、Agを主成分として微量の他の金属例えば、Cu、Au、Pd、Nd、Sm、Sn、In、Bi等を一種類以上添加して合金化したものであってもよい。これらの金属によって合金化したAg層は、Agと比較して耐熱性や信頼性等において優れている。本実施形態の試料の固有コンタクト抵抗を測定した結果を説明する。この測定に用いられた試料は、p-AldGaeNコンタクト層26の厚みを26μmとし、p-AldGaeNコンタクト層26に含まれるMg濃度プロファイルを図5に示す試料No.5と同様とした。この試料のp-AldGaeNコンタクト層26の上には、厚さ100nmのAg層からなる電極31を形成した。本実施形態の試料では、80×104Ωcm2~1.0×103Ωcm2の固有コンタクト抵抗が得られることが確認された。このように、本実施形態においても、コンタクト抵抗が十分に低減できていることが確認された。本願発明者は、p-AldGaeNコンタクト層26を形成した状態の本実施形態の試料を大気中に放置した場合、p-AldGaeNコンタクト層26の表面に、1原子層0.2nm程度の塩化マグネシウムの層が析出することを確認した。この塩化マグネシウムは、p-AldGaeNコンタクト層26中のMgが950°C程度の高温p-AldGaeNコンタクト層26をエピタキシャル成長させるときの温度中においてp-AldGaeNコンタクト層26の最表面側に析出し、このMg層が塩素と反応することによって発生したと考えられる。また、炉内の雰囲気中に存在するMgが、p-AldGaeNコンタクト層26の表面に堆積する現象が寄与する場合もあると考えられる。なお、1原子層程度の薄さのMg析出層をSIMSによって観測するのは困難である。Mg析出層の厚さや形態は、p-AldGaeNコンタクト層26に含まれるMgの濃度、p-AldGaeNコンタクト層26の厚さ、電極31を形成した後の熱処理の条件等によって変動する。Mg析出層は、Mgを主成分とする層であってもよいし、Mgと、電極31の金属との合金であってもよい。また、半導体積層構造20におけるGa等を含んでいてもよい。Mg析出層は、必ずしも層状である必要はなく、アイランド状であってもよい。本実施形態においては、Mg析出層が存在する状態で、電極31を形成した後の熱処理を行うことによって、p-AldGaeNコンタクト層26から電極31にGaが移動し、p-AldGaeNコンタクト層26内にGa空孔が発生すると考えられる。そして、N原子は電極31側に殆ど移動していないと考えられる。以上の原理により、コンタクト抵抗が低下すると考えられる。なお、c面成長によって形成する点を除いては本実施の形態と同じ条件で形成されたc面窒化物系半導体発光素子比較例でも、Mg析出層が存在している可能性が考えられる。しかしながら、前述の熱処理によってGa原子だけでなくN原子も同時にAg電極側に拡散すると考えられる。これにより、c面窒化物系半導体発光素子比較例では、本実施形態m面と比較して、高いコンタクト抵抗が得られると考えられる。本実施形態の製造方法は、電極31としてAg層を形成する点以外は、第1の実施形態と同様である。Ag層は、通常の蒸着等によって形成することができる。本実施形態においては、p-AldGaeNコンタクト層26の不純物濃度が4×1019cm3以上2×1020cm3以下であり、厚さが26nm以上60nm以下であることにより、コンタクト抵抗を十分に低減することができる。さらに、活性層24において発生した光の電極31による反射率を高めることができる。Agの光の反射率は高いため、光の反射を考慮した場合、p-AldGaeNコンタクト層26の最表面から電極31におけるAg層までの距離が短いことが好ましい。第1の実施形態では、電極31におけるAg層34とp-AldGaeNコンタクト層26との間にMg層32が介在しているが、本実施形態では、第1の実施形態のMg層32の厚さ分だけ、電極31におけるAg層とp-AldGaeNコンタクト層26との間の距離が短くなる。そのため、第1の実施形態よりも活性層24からの光の反射率を高めることができる。本実施形態では、電極31が、Ag層から構成されている。電極31の表面を、Ag以外の金属例えばTi、Pt、Mo、Pd、Au、Wなどからなる保護電極で覆ってもよい。また、電極31を保護するために、誘電体例えばSiO2やSiNなどからなる保護層を形成してもよい。前述の保護電極または保護層の上に、配線用の金属Au、AuSnなどを形成してもよい。電極31は、Ag以外の金属例えば、Pt、Pd、Moから構成されていてもよいし、2種類以上の合金から形成されていてもよい。また、電極31は、複数の層から構成されていてもよい。第3の実施形態本願発明者は、第1の実施形態の窒化物系半導体発光素子100において、p-AldGaeNコンタクト層26の最表面にMg濃度の高い領域を設けることにより、さらにコンタクト抵抗を低減できることを見出した。以下、図面を参照しながら第3の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。図9aは、第3の実施形態に係る窒化物系半導体発光素子102の断面構成を模式的に示す断面図である。図9bは、窒化物系半導体発光素子102のうちAldGaeN層25および電極30を拡大して示す断面図である。本実施形態の窒化物系半導体発光素子102において、AldGaeN層25の最表面近傍には、p-AldGaeNコンタクト層26が形成されている。p-AldGaeNコンタクト層26は、厚さ26nm以上60nm以下のAlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されている。p-AldGaeNコンタクト層26は、4×1019cm3以上2×1020cm3以下のMgを含むボディ領域26Aと、電極30に接し、1×1021cm3以上のMgを有する高濃度領域26Bとを有する。高濃度領域26Bにおいて、Mg濃度は、例えば3.5×1021cm3以下である。Mg濃度が3.5×1021cm3以下であれば、窒化物系半導体発光素子100を大気中に放置した際に過剰なMgの酸化や塩化を抑制することができる。また、Mg濃度が3.5×1021cm3以下であれば、コンタクト抵抗も安定して歩留良く1×103Ωcm2以下とすることができる。図9a、bにおいて、高濃度領域26Bは、電極30に接する部分において層状に設けられている。高濃度領域26Bは、アイランド状に設けられていてもよいし、ポーラス状に設けられていてもよい。p-AldGaeNコンタクト層26の厚さは26nm以上60nm以下である。または、30nm以上45nm以下である。p-AldGaeNコンタクト層26の厚さが26nmより小さければ、十分にコンタクト抵抗を低下させることができない。一方、p-AldGaeNコンタクト層26の厚さが45nmを超えるとp-AldGaeNコンタクト層26のバルク抵抗が上昇し始め、60nmを超えると、バルク抵抗がより顕著に上昇してしまう。ボディ領域26Aの厚さが例えば26nm以上であれば、電極金属側から注入された正孔キャリアがボディ領域26Aでのショックレーリードホール再結合やリーク電流によって消失することを抑制し、正孔キャリアを活性層まで有効に輸送することができる。ボディ領域26Aの厚さが例えば60nm以下であれば、バルク抵抗の値を十分に低くすることができる。ボディ領域26Aにおいて、Mg濃度は、4×1019cm3以上1×1020cm3以下であってもよい。Mg濃度が1×1020cm3を超えるとバルク抵抗が上昇し始めるため、Mg濃度が1×1020cm3以下であれば、バルク抵抗を特に小さい値に抑えることができる。高濃度領域26Bの厚さは例えば10nm以下または5nm以下である。高濃度領域26Bの厚さが10nm以下であれば、バルク抵抗の上昇が抑制される。高濃度領域26Bの厚さが5nm以下であれば、Mgが表面に析出し、金属的振る舞いをすることができる。この金属的振る舞いをすることにより、Mg金属を電極として用いた場合と同様のコンタクト抵抗を低減させる効果が促進される。すなわちGa原子を電極側に拡散させる効果が促進される。高濃度領域26Bの厚さが例えば0.5nm以上であれば、確実にコンタクト抵抗を低減することができる。図9a、bにおいて、ボディ領域26Aと高濃度領域26Bとは接して設けられているが、ボディ領域26Aと高濃度領域26Bとの間に、遷移領域が設けられていてもよい。ここで、遷移領域とは、2×1020cm3より高く1×1021cm3より低い濃度のMgを含んでいる領域のことを指す。窒化物系半導体発光素子102は、高濃度領域26Bが設けられている点以外は第1の実施形態の窒化物系半導体発光素子100の構成と同様の構成を有する。ここでは、第1の実施形態と同様の構成の説明は省略する。また、本実施形態においては、電極30の代わりに第2の実施形態の電極31を形成してもよい。次に、本実施形態の窒化物系半導体発光素子102を形成する方法を説明する。まず、第1の実施形態と同様の方法によってAldGaeN層25まで形成する。次に、AldGaeN層25の上部に、p-AldGaeNコンタクト層26の一部としてボディ領域26Aを堆積する。このとき、Cp2Mgの供給量を増加させることにより、ボディ領域26AのMg濃度をAldGaeN層25の他の部分のMg濃度よりも高くする。ボディ領域26Aとして、4×1019cm3のMg濃度を有するGaN層を形成する場合には、例えば成長温度を950°Cに保ち、流量8sccmのTMG、流量7.5slmのNH3、および流量400sccmのCp2Mgを供給すればよい。例えば、原料ガス結晶および不純物の原料ガスの流量の合計に対するMgの原料ガスの流量の比が5以上であれば、ボディ領域26Aの不純物濃度を4×1019cm3以上にすることができる。さらに、ボディ領域26Aの上に、例えば厚さ1nmの高濃度領域26Bを形成する。このとき、例えば、TMGの供給量に対するCp2Mgの供給量の割合を増加させることにより、高濃度領域26BのMg濃度をボディ領域26AのMg濃度よりも高くする。具体的には、例えば成長温度を950°Cとし、流量1sccmのTMG、流量7.5slmのNH3、および流量800sccmのCp2Mgを供給すればよい。TMGの流量を減少することにより成長速度は低下しMgの取り込み量が増加する。またMgの流量を増加することにより、さらにMgのドープ量を増加することができる。成長炉の構成や成長速度、成長温度にも依存するものの、例えば、原料ガス結晶および不純物の原料ガスの流量の合計に対するMgの原料ガスの流量の比が10以上であれば、高濃度領域26Bの不純物濃度を1×1021cm3以上にすることができる。p-AldGaeNコンタクト層26の成長温度は、例えば900°C以上1000°C以下であることが好ましい。成長温度が900°Cよりも低ければ成長レート低下による結晶性の低下という問題点があり、1000°Cよりも高ければ、窒素の脱離によって表面荒れを起こす。その後、第1の実施形態と同様の工程を行うことにより、本実施形態の窒化物系半導体発光素子102を完成させることができる。図10に、Mg原子の深さ方向のプロファイルを、SIMSを用いて得た結果を示す。図10には、本実施形態のプロファイルa、bおよび比較例のプロファイルc、dが示されている。プロファイルaにおいて、深さ0p-AldGaeNコンタクト層26のうち電極30と接する部分におけるMg濃度は、2.5×1021cm3、1.0×1021cm3であり、1.0×1021cm3以上のMg濃度を有する領域の厚さは、1.1nmである。プロファイルbにおいて、深さ0p-AldGaeNコンタクト層26のうち電極30と接する部分におけるMg濃度は1.7×1021cm3であり、1.0×1021cm3以上のMg濃度を有する領域高濃度領域26Bの厚さは、0.8nmである。また、プロファイルa、bにおいて、Mg濃度が4×1019cm3以上の領域p-AldGaeNコンタクト層26の厚さは、それぞれ、35nm、29nmである。一方、プロファイルc、dにおいて、深さ0p-AldGaeNコンタクト層26のうち電極30と接する部分におけるMg濃度は、それぞれ、6×1020cm3、5×1019cm3である。プロファイルc、dにおいて1.0×1021cm3以上のMg濃度を有する領域高濃度領域26Bは存在しない。プロファイルc、dにおいて、Mg濃度が4×1019cm3以上の領域の厚さは、それぞれ、約4nm、約1nmである。上述したように、本実施形態のp-AldGaeNコンタクト層26は26nm以上の厚さを有する。したがって、プロファイルc、dにおいてp-AldGaeNコンタクト層26は設けられていない。プロファイルaからdのコンタクト抵抗をTLMTransmissionLineMethod法を用いて測定した結果、プロファイルa、b、c、dのコンタクト抵抗は、それぞれ、3×104Ωcm2、4×104Ωcm2、2×103Ωcm2、1×102Ωcm2であった。プロファイルa、bでは、プロファイルc、dに比べて低いコンタクト抵抗が得られている。なお、図10のa、bのプロファイルにおいては、Mg濃度が2×1020cm3より大きく1×1021cm3より小さい領域遷移領域が存在する。このような遷移領域が観測されるのは、Mgの供給割合を増加させてから実際に結晶に取り込まれるまでに時間がかかることメモリ効果や、SIMSの測定誤差に起因している。本実施形態のp-AldGaeNコンタクト層26においては、ボディ領域26Aと高濃度領域26Bとの間にこのような遷移領域が配置されていてもよい。図11に、p-AldGaeNコンタクト層26のうち電極30と接する部分最表面の不純物濃度とコンタクト抵抗との関係を示す。プロファイルAはp-AldGaeNコンタクト層26を設けた試料の測定結果である。プロファイルAのうち三角形△によって示される値はp-AldGaeNコンタクト層26の厚さが35nmの試料の値であり、ひし形◆によって示される値はp-AldGaeNコンタクト層26の厚さが30nmの試料の値である。プロファイルBはp-AldGaeNコンタクト層26を設けなかった試料比較例の測定結果である。すなわち、ボディ領域26Aがほとんど存在せず、高濃度領域26Bのみ存在する場合である。図11に示す結果から、高濃度領域26BのMg濃度が同じ場合には、p-AldGaeNコンタクト層26を形成したほうがコンタクト抵抗を低減できることがわかる。特に、最表面のMg濃度が1.2×1021cm3以上3.6×1021cm3以下のときに、コンタクト抵抗が1×103Ωcm2を下回る結果が得られた。表1、表2に、プロファイルA、Bを構成する各プロットの具体的な数値を示す。なお、表中のコンタクト層厚さとはMg濃度が4×1019cm3以上の領域の厚さである。その他の実施形態実施形態に係る上記の発光素子は、そのまま光源として使用されても良い。しかし、実施形態に係る発光素子は、波長変換のための蛍光物質を備える樹脂などと組み合わせれば、波長帯域の拡大した光源例えば白色光源として好適に使用され得る。図9は、このような白色光源の一例を示す模式図である。図9の光源は、図3aに示す構成を有する発光素子100と、この発光素子100から放射された光の波長を、より長い波長に変換する蛍光体例えばYAG:YttriumAlumninumGarnetが分散された樹脂層200とを備えている。発光素子100は、表面に配線パターンが形成された支持部材220上に搭載されており、支持部材220上には発光素子100を取り囲むように反射部材240が配置されている。樹脂層200は、発光素子100を覆うように形成されている。なお、電極30と接触するp型半導体領域がGaN、もしくはAlGaNから構成される場合について説明したが、Inを含む層、例えばInGaNであってもよい。この場合、Inの組成を例えば0.2としたIn02Ga08Nを、電極30と接するコンタクト層に用いることができる。GaNにInを含ませることにより、AlaGabNab=1,a≧0,b>0のバンドギャップをGaNのバンドギャップよりも小さくできるため、コンタクト抵抗を低減することができる。以上のことから、電極30が接するp型半導体領域p-AldGaeNコンタクト層26は、AlxGayInzNxyz=1,x≧0,y>0,z≧0半導体から形成されていればよい。なお、図9に示す白色光源には、図8に示す発光素子101を用いてもよい。コンタクト抵抗低減の効果は、当然に、LED以外の発光素子半導体レーザや、発光素子以外のデバイス例えばトランジスタや受光素子においても得ることが可能である。なお、実際のm面は、m面に対して完全に平行な面である必要はなく、m面から所定の角度で傾斜していてもよい。傾斜角度は、窒化物半導体層における実際の主面の法線とm面傾斜していない場合のm面の法線とが形成する角度により規定される。実際の主面は、m面傾斜していない場合のm面から、c軸方向およびa軸方向によって表されるベクトルの方向に向って傾斜することができる。傾斜角度θの絶対値は、c軸方向において5°以下、好ましくは1°以下の範囲であればよい。また、a軸方向において5°以下、好ましくは1°以下の範囲であればよい。すなわち、本発明においては、m面は、±5°の範囲内でm面傾斜していない場合のm面から所定の方向に傾斜している面を含む。このような傾斜角度の範囲内であれば、窒化物半導体層の主面は全体的にm面から傾斜しているが、微視的には多数のm面領域が露出していると考えられる。これにより、m面から絶対値で5°以下の角度で傾斜している面は、m面と同様の性質を有すると考えられる。なお、傾斜角度θの絶対値が5°より大きくなると、ピエゾ電界によって内部量子効率が低下する。したがって、傾斜角度θの絶対値を5°以下に設定する。なお、第1から第3の実施形態では、AldGaeN層25およびp-AldGaeNコンタクト層26のp型不純物として、Mgがドープされていた。本発明では、Mg以外のp型ドーパントとして、例えばZn、Beなどがドープされていてもよい。第1から第3の実施形態の窒化物系半導体発光素子としては、例えば、紫外から青色、緑色、オレンジ色および白色などの可視域全般の波長域における発光ダイオード、レーザダイオード等を形成することができる。"