複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における半導体装置の製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズルから希ガスを供給する半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズルからアルゴンガスを供給する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルの形状は被加熱体の内周に沿うように湾曲した形状である半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルが円筒形である半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルが多角形である半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルの一部に円弧を有する形状である半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給口は、前記第2のガス供給ノズルが設置されている方向に設けられ、前記第2のガス供給口は、前記第1のガス供給ノズルが設置されている方向に設けられる半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給口と前記第2のガス供給口が対向した位置にそれぞれ設けられる半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給口の高さ位置と前記第2のガス供給口の高さ位置とが異ならせてそれぞれ設けられている半導体装置の製造方法。請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給口の高さ位置と前記第2のガス供給口の高さ位置とが前記基板の半径方向の位置を同じにして、前記基板の上下方向の位置を異ならせて設けられている半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応室の外側に設けられ、電磁誘導加熱する磁場発生部を有する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記反応室を形成する反応管と前記被加熱体の間に断熱材を設ける半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1のガス供給ノズルは、前記第1のガス供給口が設けられ、前記基板の表面と平行方向に延びた複数の第1分岐管を有し、前記第2のガス供給ノズルは、前記第2のガス供給口が設けられ、前記基板の表面と平行方向に延びた複数の第2分岐管を有し、前記複数の第1分岐管と前記複数の第2分岐管は、前記複数の基板の積層方向に並んで配置される半導体装置の製造方法。複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記反応室内に少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを供給する第1のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを供給する第2のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも不純物ガスを供給する第3のガス供給系と、前記第1のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第1のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記第2のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第2のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、前記第1のガス供給系から前記第1のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガスと前記塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給系から前記第2のガス供給口から少なくとも前記炭素含有ガスと前記還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第3のガス供給系から前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から、少なくとも前記不純物ガスを前記反応室内へ供給して前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜が形成されるよう制御するコントローラと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するよう設けられている基板処理装置。複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における基板製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する基板製造方法。しかしながら、従来の技術においては、いくつかの問題点がある。まず、多数枚の基板を処理する場合や、図18に示すように基板の径が大きくする場合にサセプタを大きくする必要があり、反応室の床面積が増大すること、また原料ガスは一箇所から供給される構成となっているため、反応室中のガス濃度分布が均一でなく、ウエハに成膜される膜の厚さが不均一になること、更に炭化珪素膜を成長する際に1500°C~1800°Cと高温で行われるため、ウエハ面内の温度制御が困難であること、炭化珪素膜中に不純物を均一に添加ドーピング、dopingさせることが困難であること等が挙げられる。本発明は上述の問題点を解決し、基板に均一に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体装置の製造方法及び基板製造方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における半導体装置の製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。本発明の他の態様によれば、複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記反応室内に少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを供給する第1のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを供給する第2のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも不純物ガスを供給する第3のガス供給系と、前記第1のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第1のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記第2のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第2のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、前記第1のガス供給系は、前記第1のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガスと前記塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給系は、前記第2のガス供給口から少なくとも前記炭素含有ガスと前記還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第3のガス供給系は、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から、少なくとも前記不純物ガスを前記反応室内へ供給して前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜が形成されるよう制御するコントローラと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するよう設けられている基板処理装置を提供する。更に本発明の他の態様によれば、複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における基板製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する基板製造方法を提供する。本発明によれば、基板に均一不純物がドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる基板処理装置を提供することができる。第1実施形態次に本発明の第1実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10の一例であり、斜視図にて示す。この基板処理装置としての半導体製造装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筐体12を有する。半導体製造装置10には、例えば、シリコンSi又は炭化珪素SiC等で構成された基板としてのウエハ14を収納する基板収納器としてフープ以下、ポッドという16が、ウエハキャリアとして使用される。この筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されており、このポッドステージ18にポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハ14が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18にセットされる。筐体12内の正面側であって、ポッドステージ18に対向する位置にはポッド搬送装置20が配置されている。また、このポッド搬送装置20の近傍にはポッド搬送装置22、ポッドオープナ24及び基板枚数検知器26が配置されている。ポッド搬送装置22はポッドオープナ24の上方に配置されポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。基板枚数検知器26はポッドオープナ24に隣接して配置される。ポッド搬送装置20はポッドステージ18とポッド搬送装置22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ24はポッド16の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器26は蓋を開けられたポッド16内のウエハ14の枚数を検知する。筐体12内には基板移載機28、基板支持具としてのボート30が配置されている。基板移載機28は、アームツィーザ32を有し、図示しない駆動手段により、上下回転動作が可能な構造になっている。アーム32は例えば5枚のウエハを取り出すことができ、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16及びボート30間にてウエハ14を搬送する。ボート30は例えばカーボングラファイトや炭化珪素等の耐熱性材料で構成されており、複数枚のウエハ14を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持するように構成されている。なお、ボート30の下部には例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成された円盤形状の断熱部材としてのボート断熱部34が配置されており、後述する被加熱体48からの熱が処理炉40の下方側に伝わりにくくなるように構成されている図2参照。筐体12内の背面側上部には処理炉40が配置されている。この処理炉40内に複数枚のウエハ14を装填したボート30が搬入され熱処理が行われる。図2及び図3は炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10の処理炉40の側面断面図及び上面断面図を示す。なお、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを供給する第1のガス供給口68を有するガス供給ノズル60、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとして例えば水素ガスとドーピングガスとして例えばn型不純物を含有するドーピングガスとを供給する第2のガス供給口72を有するガス供給ノズル70、及び排気口90を代表例としてそれぞれが1つずつ図示されている。また反応室を形成する反応管42と断熱材54との間に不活性ガスを供給する第3のガス供給口360、第2のガス排気口390が図示されている。処理炉40は、例えば円筒形状の反応室44を形成する反応管42を備える。反応管42は、石英または炭化珪素等の耐熱材料で構成されており、上端が閉塞し下端が開口した例えば円筒形状に形成されている。反応管42の内側の筒中空部には、反応室44が形成されており、シリコン又は炭化珪素等で構成された基板としてウエハ14をボート30によって水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持した状態で収納可能に構成されている。反応管42の下方には、この反応管42と同心円状にマニホールドが配設されている。マニホールドはたとえばステンレス等で構成されており、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールドは反応管42を支持するように設けられている。なお、このマニホールドと反応管42との間にはシール部材としてOリングが設けられている。このマニホールドが図示しない保持体に支持されることにより、反応管42は垂直に据えつけられた状態になっている。この反応管42とマニホールドにより反応容器が形成されている。処理炉40は加熱される被加熱体48を備える。被加熱体48は反応室44内に配設されており、この被加熱体48は反応管42の外側に設けられた誘導コイル50により発生される磁場によって加熱される構成となっている。被加熱体48が発熱することにより、被加熱体48の内側が加熱される。被加熱体48の近傍には、反応室44内の温度を検出する温度検出体として図示しない温度センサが設けられている。誘導コイル50及び温度センサには、電気的に温度制御部52が接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合を調節することにより被加熱体48の内側の温度が所定の温度分布となるよう所定のタイミングにて制御するように構成されている図4参照。なお、好ましくは、反応室44内において第1及び第2のガス供給ノズル60、70と第1のガス排気口90との間であって、被加熱体48とウエハ14との間には構造物400を設けることが良い。例えば、図3に示すように、対向する位置にそれぞれ構造物400を設ける。構造物400としては、好ましくは、断熱材、一例としてカーボンフェルト等で構成すると、処理炉の耐熱性を向上したり、例えば構造物400が劣化することによるパーティクルが発生したりすることを抑制することができる。尚、本実施形態では、基板の配列領域まで延在された第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルを設け、それぞれ膜形成に寄与するガスを被加熱体48の内側へ供給し、基板であるウエハ14にn型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜を形成しているが、この限りではなく、例えば、第1ガス供給ノズル又は第2のガス供給ノズル、又は第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルについてそれぞれガスを供給する第1のガス供給口又は第2のガス供給口が基板の配列領域の外に設けられ、膜形成に寄与するガスを被加熱体48の内側へ供給し、基板であるウエハ14にn型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜を形成しても良い。被加熱体48と反応管42の間には、例えば、誘導加熱されにくいカーボンフェルト等で構成された断熱材54が設けられ、この断熱材54を設けることにより、被加熱体48の熱が反応管42あるいは反応管42の外側へ伝達するのを抑制することができる。また、誘導コイル50の外側には、反応室44内の熱が外側に伝達するのを抑制するための、例えば水冷構造である外側断熱壁が反応室44を囲むように設けられている。更に、外側断熱壁の外側には、誘導コイル50により発生された磁場が外側に漏れるのを防止する磁気シールドが設けられている。図2に示すように、加熱体48とウエハ14との間に設置され、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを供給しガス供給ノズル60に少なくとも1つ設けられる第1のガス供給口68及び第1のガス供給ノズルとは異なる箇所であり、反応室内に設けられた第2のガス供給ノズル70に少なくとも1つ設けられ、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとして例えば、水素ガスと不純物ガス、例えば、n型不純物ガスとを供給する第2のガス供給口72、第1のガス排気口90、また反応管42と断熱材54との間に、第3のガス供給口360、第2のガス排気口390が配置されている。それぞれについて詳細に説明をする。少なくともシリコン含有ガスとして例えばシランSiH4ガス、塩素含有ガスとして例えば塩化水素HClガスと、を第1のガス供給ノズル60を流通して供給する第1のガス供給口68は、例えばカーボングラファイトで構成され、被加熱体48の内側に設けられており、第1のガス供給ノズル60はマニホールドを貫通するようにマニホールドに取り付けられている。なお、第1のガス供給ノズル60は複数本設けても良い。ガス供給ノズル60は、第1のガスライン222に接続されている。この第1のガスライン222は、例えば、シランガスと塩化水素ガスとをそれぞれに対し流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラMassFlowController、以下、MFCとする。211a、211b及びバルブ212a、212bを介して例えばシランガス源210a、塩化水素ガス源210bに接続されている。この構成により、例えばシランガス、塩化水素ガス、それぞれの供給流量、濃度、分圧を反応室44内において制御することができる。バルブ212a、212b、MFC211a、211bは、ガス流量制御部78によって電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が所定流量となるよう、所定のタイミングにて制御するようにされ図4参照、例えばシランガス、塩化水素ガス、それぞれのガス源210a、210b、バルブ212a、212b、MFC211a、211b、ガスライン222、ガス供給ノズル60、ガス供給ノズル60に少なくとも1つ設けられるガス供給口68によりガス供給系として、第1のガス供給系を構成される。なお、上述の実施形態では、塩素含有ガスとしてHClガスを例示したが塩素Cl2ガスを用いても良い。また、上述で説明された成膜寄与ガスに対し、キャリアガスとして希ガス又は水素含有ガス等を供給しても良い。希ガスとしては、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、アルゴンArガス、クリプトンKrガス、キセノンXeガス等が挙げられ、また、水素含有ガスとして、水素ガスが例示される。好ましくはキャリアガスとして希ガスを供給すると良い。これは水素含有ガスとして、例えば、水素ガスをキャリアガスとして供給した場合、水素ガスの還元効果により、シリコン含有ガスはガス供給ノズル内にて分解してしまい、ガス供給ノズル内にシリコン膜が堆積し、ガス供給ノズル内またはガス供給口の閉塞やパーティクル発生の要因となるためである。更に好ましくは、キャリアガスとしてアルゴンガスを供給することが良い。アルゴンガスは、ヘリウムガス等の他の希ガスよりも安価であるため、炭化珪素エピタキシャル膜を形成する基板処理装置を運用する際のランニングコストを低減することが出来る。なお、本実施形態では、シリコン含有ガスと塩素含有ガスとを供給したが、好ましくは、シリコンと塩素とを含むガス、例えば、テトラクロロシランSiCl4ガス、トリクロロシランSiHCl3ガス、ジクロロシランSiH2Cl2ガスを供給しても良く、更に好ましくは、テトラクロロシランガスを供給することが良く、ガス供給ノズル内に膜が形成されることを抑制でき、ガスの消費を抑制して反応室内へ供給することができる。少なくとも炭素含有ガスとして例えばプロパンC3H8ガスと還元ガスとして水素含有ガス、例えば水素H2ガスとを第2のガス供給ノズル70を流通して供給する第2のガス供給口72は、例えばカーボングラファイトで構成され、被加熱体48の内側に設けられており、第2のガス供給ノズル70はマニホールドを貫通するようにマニホールドに取り付けられている。なお、第2のガス供給ノズル70は複数本設けても良い。第2のガス供給ノズル70は、第2のガスライン260に接続されている。この第2のガスライン260は、炭素含有ガスとして例えばプロパンガス対しMFC211c及びバルブ212cを介してプロパンガス源210dに接続され、還元ガスとして例えば水素ガスに対しMFC211d及びバルブ212dを介して水素ガス源210dに接続されている。この構成により、例えばプロパンガス、水素ガスの供給流量、濃度、分圧を反応室44内において制御することができる。バルブ212c、212d、MFC211c、211dはガス流量制御部78によって電気的に接続されており、供給するガスの流量が所定の流量となるよう、所定のタイミングにて制御するようにされ図4参照、例えばプロパンガス、水素ガスのガス源210c、210d、バルブ212c、212d、MFC211c、211d、ガスライン260、第2のガス供給ノズル70、第2のガス供給口72によりガス供給系として、第2のガス供給系を構成される。なお、本実施形態では、炭素含有ガスとしてプロパンガスを例示したが、エチレンC2H4ガス、アセチレンC2H2ガス等を用いても良い。また、本実施形態では、還元ガスとしてH2ガスを例示したが、これに限らず、水素を含有するガスを供給しても良い。ここで、本実施形態では、シリコン含有ガスを第1のガス供給ノズル60を介して供給し、還元ガスである水素ガスを第2のガス供給ノズル70から供給している。本実施形態のように、ウエハ14間の均一性を向上させる為に反応室44内にガス供給ノズルを配設した場合、シリコン含有ガスと共に還元ガスを供給すると、シリコン含有ガスの分解が促進してしまい、ガス供給ノズル内でシリコン膜が堆積が発生する可能性がある。この場合、上流側でシリコン含有ガスの消費が発生してしまうが、シリコン含有ガスと還元ガスを分離して供給することにより、ガス供給ノズル内の堆積、及び、シリコン含有ガスの消費を抑制できる。また、本実施形態では、更に炭素含有ガスを第2のガス供給ノズル70を介して供給し、シリコン含有ガスと分離して供給している。これにより、ガス供給ノズル内でのSiC膜の堆積を抑制することができ、ガス供給口が閉塞されること、及び、形成された膜が剥れることによるパーティクルや汚染物の発生も抑制することができる。なお、シリコン含有ガスと還元ガスを分離して供給することで充分にガス供給内の堆積を防止できる場合は、シリコン含有ガスと炭素含有ガスとを同じガス供給ノズルを介して供給しても良い。これにより、シリコン含有ガスと炭素含有ガスとを予め混合しておくことができるためウエハ14に均一な膜を形成できる。少なくともn型不純物をドーピングするガスとしてn型不純物ガス、例えば窒素N2ガスは、第2のガス供給ノズル70を流通して反応室44内に供給される。そのため窒素ガス源210fは、流量制御器流量制御手段としてのMFC211f及びバルブ212fを介して第2のガスライン260に接続されている。この構成により、n型不純物ガスとして、例えば窒素ガスの供給流量、濃度、分圧を反応室44内において制御することができる。バルブ212f、MFC211fは、ガス流量制御部78によって電気的に接続されており、それぞれ供給するガスの流量が所定流量となるよう、所定のタイミングにて制御するようにされ図4参照、例えば窒素ガス源210f、バルブ212f、MFC211f、ガスライン260、ガス供給ノズル70、ガス供給ノズル70に少なくとも1つ設けられるガス供給口72によりガス供給系として、第3のガス供給系を構成される。また、上述の実施形態では、n型不純物ガスとして、窒素N2ガスを例示したが、これに限らず、アンモニアNH3ガス等の窒素含有ガスを用いても良く、また、これらのガスを組み合わせて用いても良い。窒素ガスは、水素雰囲気中では不活性なガスであり、例えば、1015cm3~1018cm3程度のドーピング量のn型ドーピング炭化珪素膜を形成する場合に用いやすい。一方、アンモニアガスは気相中で分解されやすい窒素含有ガスの一例であり、このようなガス、若しくはアンモニアガスを含む混合ガス、例えば、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガスを用いることで炭化珪素膜中への不純物のドーピング量を制御することができる。尚、本実施形態では、n型不純物ガスを用いて、基板であるウエハ14にn型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜を形成する方法について説明されているが、p型の不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する場合は、第1のガス供給ノズル60よりシリコン含有ガスと塩素含有ガスとp型不純物を含有するガスであるp型不純物ガスとを供給することが好ましい。これにより後述の詳細説明に示すように、p型不純物が均一にドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜を形成することができる。なお、ボート30に水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持された基板として複数枚のウエハ14毎にガスを供給するために第1のガス供給ノズル60及び第2の供給ノズル70において基板の配列領域にウエハ14毎に第1のガス供給口68及び第2のガス供給口72が設けられても良い。これにより、ウエハ14それぞれに形成される膜の膜厚の面内均一性および不純物濃度の面内均一性を制御しやすくできる。しかし、これに限らず、第1のガス供給ノズル60及び第2のガス供給ノズル70それぞれにおいて、基板の配列領域に第1のガス供給口68、第2のガス供給口72が少なくとも1つ設けられても良い。また、第1のガス供給ノズル、第2のガス供給ノズルそれぞれにおいて、基板の配列領域に第1のガス供給口68、第2のガス供給口72がウエハ数枚ごとに設けても良い。また、本実施形態では、第1のガス供給ノズル60よりシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを、第2のガス供給ノズル70より炭素含有ガスと還元ガスとn型不純物ガスとを供給したが、これに限らず、ガス種ごとにガス供給ノズルを設けて供給してもよい。また、ガス供給源210eより不活性ガスとして希ガスのアルゴンArガスは所定の流量となるように、対応するMFC211eの開度が調整された後、バルブ212eが開かれ、ガス供給管240を流通して、第3のガス供給口360から反応室44内に供給される。第3のガス供給口360から供給された不活性ガスとして希ガスのアルゴンガスは、反応室44内の断熱材54と反応管42との間を通過し、第2のガス排気口390から排気される。また、本実施形態では、不活性ガスとして、アルゴンガスを例示したが、これに限らず、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、クリプトンKr、キセノンXe等の希ガスより少なくとも1つのガス、又はこれらの希ガス群より選択された2以上のガスを供給しても良い。また、本実施形態では、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、還元ガス、n型不純物ガスとをそれぞれ、第1のガス供給口又は第2のガス供給口から被加熱体48の内側に供給しているが、例えば、キャリアガスとして希ガス、例えばアルゴンガスとともに供給しても良い。これにより、原料ガスを反応室内に均一に供給することができる。また、図3に示すように第1のガス排気口90が、第1のガス供給口68に接続されたガス供給ノズル60及び第2のガス供給口72に接続されたガス供給ノズル70の位置に対して対向面に位置するように配置され、マニホールドには、第1のガス排気口90に接続されたガス排気管230が貫通するように設けられている。ガス排気管230の下流側には図示しない圧力検出器として圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCAutoPressureController、以下、APCとするバルブ214を介して真空ポンプ等の真空排気装置220が接続されている。圧力センサ及びAPCバルブ214には、圧力制御部98が電気的に接続されており、この圧力制御部は圧力センサにより検出された圧力に基づいて、APCバルブ214の開度を調整することにより処理炉40内の圧力が所定の圧力になるよう、所定のタイミングにて制御するように構成されている図4参照。また、図3に示すように第3のガス供給口360は反応管42と断熱材54との間に配置されており、マニホールドを貫通するように取り付けられている。更にガス排気口390が、反応管42と断熱材54との間に配置され、第3のガス供給口360に対して対向面に位置するように配置され、マニホールドには第2のガス排気口390に接続されたガス排気管230が貫通するように設けられている。この第3のガス供給口360は不活性ガスとして、例えば、希ガスであるアルゴンガスが供給され、炭化珪素エピタキシャル膜成長に寄与するガスとして、例えばシリコン含有ガス又は炭素含有ガス又は塩素含有ガス又はそれらの混合ガスが反応管42と断熱材54との間に侵入するのを防ぎ、反応管42の内壁又は断熱材54の外壁が劣化したり、副生成物が付着したりすることを抑制することができる。反応管42と断熱材54との間に供給された不活性ガスは、第2のガス排気口390よりガス排気管230の下流側には図示しない圧力検出器として圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCバルブ214を介して真空等の真空排気装置220から排気される。圧力センサ及びAPCバルブ214には、圧力制御部が電気的に接続されており、この圧力制御部は圧力センサにより検出された圧力に基づいて、APCバルブ214の開度を調整することにより反応室44内の圧力が所定の圧力になるよう、所定のタイミングにて制御するように構成されている図4参照。次に処理炉40周辺の構成について説明する。図5は処理炉40及びその周辺構造の概略図を示す。処理炉40の下方には、この処理炉40の下端開口を機密に閉塞するための炉口蓋体としてシールキャップ102が設けられている。シールキャップ102は例えばステンレス等の金属で構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ102の上面には処理炉40の下端と当接するシール材としてのOリングが設けられている。シールキャップ102には回転機218が設けられている。回転機構218の回転軸106はシールキャップ102を貫通してボート30に接続されており、このボート30を回転させることで、ウエハ14を回転させるように構成されている。シールキャップ102は処理炉40の外側に向けられた昇降機構として後述する昇降モータ122によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これにより、ボート30を処理炉40に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構218及び昇降モータ122には、駆動制御部108が電気的に接続されており、所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するよう構成されている図4参照。予備室としてロードロック室110の外面に下基板112が設けられている。下基板112には昇降台114と嵌合するガイドシャフト116及びこの昇降台114と螺合するボール螺子118が設けられている。下基板112に立設したガイドシャフト116及びボール螺子118の上端に上基板120が設けられている。ボール螺子118は上基板120に設けられた昇降モータ122により回転される。ボール螺子118が回転することにより昇降台114が昇降するように構成されている。昇降台114には中空の昇降シャフト124が垂設され、昇降台114と昇降シャフト124の連結部は気密となっている。昇降シャフト124は昇降台114と共に昇降するようになっている。昇降シャフト124はロードロック室110の天板126を遊貫する。昇降シャフト124が貫通する天板126の貫通穴はこの昇降シャフト124に対して接触することがないよう十分な余裕がある。ロードロック室110と昇降台114との間には昇降シャフト124の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてベローズ128がロードロック室110を気密に保つために設けられている。ベローズ128は昇降台114の昇降量に対応できる十分な伸縮量を有し、このベローズ128の内径は昇降シャフト124の外形に比べ十分に大きく、ベローズ128の伸縮により接触することがないように構成されている。昇降シャフト124の下端には昇降基板130が水平に固着されている。昇降基板130の下面にはOリング等のシール部材を介して駆動部カバー132が気密に取り付けられる。昇降基板130と駆動部カバー132とで駆動部収納ケース134が構成されている。この構成により駆動部収納ケース134内部はロードロック室110内の雰囲気と隔離される。また、駆動部収納ケース134の内部にはボート30の回転機構218が設けられ、この回転機構218の周辺は冷却機構136により冷却される。電力ケーブル138は昇降シャフト124の上端からこの昇降シャフト124の中空部を通り回転機構218に導かれて接続されている。また、冷却機構136及びシールキャップ102には冷却水流路140が形成されている。冷却水配管142は昇降シャフト124の上端からこの昇降シャフト124の中空部を通り冷却流路140に導かれて接続されている。昇降モータ122が駆動されボール螺子118が回転することで、昇降台114及び昇降シャフト124を介して駆動部収納ケース134を昇降させる。駆動部収納ケース134が上昇することにより、昇降基板130に気密に設けられているシールキャップ102が処理炉40の開口部である炉口144を閉塞し、ウエハ処理が可能な状態となる。駆動部収納ケース134が下降することにより、シールキャップ102と共にボート30が降下され、ウエハ14を外部に搬出できる状態となる。図4は炭化珪素エピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置10を構成する各部の制御構成を示す。温度制御部52、ガス流量制御部78、圧力制御部98、駆動制御部108は、操作部及び入出力部を構成し、半導体製造装置10全体を制御する主制御部150に電気的に接続されている。これら、温度制御部52、ガス流量制御部78、圧力制御部98、駆動制御部108は、コントローラ152として構成されている。このように、第1のガス供給口68から少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスとn型不純物ガスとを供給し、第2のガス供給口72から少なくとも炭素含有ガスと還元ガスBRニを供給し、供給されたガスはシリコン又は炭化珪素で構成されたウエハ14に対し平行に流れ、第1の排気口90に向かって流れるため、ウエハ14全体が効率的にかつ均一にガスに晒される。次に、上述したように構成された熱処理装置10を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、炭化珪素等で構成されるウエハ14などの基板に、例えばn型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜を形成する方法について説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置10を構成する各部の動作は、コントローラ152により制御される。まず、ポッドステージ18に複数枚のウエハ14を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置20によりポッド16をポッドステージ18からポッド搬送装置20へ搬送し、このポッド搬送装置22にストックする。次に、ポッド搬送装置20により、ポッド搬送装置22にストックされたポッド16をポッドオープナ24に搬送してセットし、このポッドオープナ24によりポッド16の蓋を開き、基板枚数検知器26によりポッド16に収容されているウエハ14の枚数を検知する。次に、基板移載機28により、ポッドオープナ24の位置にあるポッド16からウエハ14を取り出し、ボート30に移載する。複数枚のウエハ14がボート30に装填されると、複数枚のウエハ14を保持したボート30は、昇降モータ122による昇降台114及び昇降シャフト124の昇降動作により反応室44内に搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ102はOリングを介してマニホールドの下端をシールした状態となる。反応室44内が所定の圧力真空度となるように真空排気装置220によって真空排気される。この際、反応室44内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された圧力に基づき第1のガス排気口90及び第2のガス排気口390に連通するAPCバルブ214がフィードバック制御される。また、ウエハ14及び被加熱体48の内側が所定の温度となるように磁場発生部としての誘導コイル50によって誘導加熱された被加熱体48により加熱される。この際、被加熱体48の内側が所定の温度分布となるように温度センサが検出した温度情報に基づき誘導コイル50への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構218により、ボート30が回転されることでウエハ14が周方向に回転される。続いて、n型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜の成長反応に寄与するシリコン含有ガス及び塩素含有ガスはそれぞれ、ガス源210a、210bからガス供給口68より供給され、また炭素含有ガス及び還元ガスであるH2ガス及びn型不純物ガスは、ガス源210c、210d、210fからガス供給口72より供給されて、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜をエピタキシャル成長により形成する。このとき、シリコン含有ガス及び塩素含有ガスは所定の流量となるように、対応するMFC211a、211bの開度が調整された後、バルブ212a、212bが開かれ、それぞれのガスがガス供給管222、第1のガス供給ノズル60と流通して、第1のガス供給口68から供給される。また、炭素含有ガス及び還元ガスであるH2ガス及びn型不純物ガスとは、所定の流量となるように、対応するMFC211c、211d、211fの開度が調整された後、バルブ212c、212d、212fが開かれ、それぞれのガスがガス供給管260流通して、第2のガス供給ノズル70と流通して第2のガス供給口72より供給される。第1のガス供給口68及び第2のガス供給口72より供給されたガスは、反応室44内の被加熱体48の内側を通り、ガス排気口90からガス排気管230を通り排気される。第1のガス供給口68及び第2のガス供給口72より供給されたガスは、被加熱体48の内側を通過する際に炭化珪素等で構成されるウエハ14と接触しウエハ14の表面にn型不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜の成長がなされる。また、ガス供給源210eより不活性ガスとして希ガスのアルゴンガスは所定の流量となるように、対応するMFC211eの開度が調整された後、バルブ212eが開かれ、ガス供給管240を流通して、第3のガス供給口360から反応室44内に供給される。第3のガス供給口360から供給された不活性ガスとして希ガスのアルゴンガスは、反応室44内の断熱材54と反応管42との間を通過し、第2のガス排気口390から排気される。以上のように、第1のガス供給ノズルよりシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、第2のガス供給ノズルより炭素含有ガスと還元ガスである水素含有ガスとn型不純物ガスとを供給し、第1及び第2のガス供給ノズルにウエハの積層間隔と同一の間隔で高さ方向に設けられたガス供給口から供給され、炭化珪素SiC等で構成された基板としてウエハ14に、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成している。また、図6に示すように、第1のガス供給口68と第2のガス供給口72を夫々から噴出したガス流が交差するような方向に向けるとガスの混合が促進される。図7では、本実施形態における反応室構成にて反応ガスを供給した際の基板であるウエハ14上のアセチレンC2H2ガスのモル分率の分布を示している。図7に点線にて示した部分モニタラインにおける、シリコンガス及びアセチレンガスの濃度分布を図8に示す。図7および図8に示すように、第1のガス供給口及び第2のガス供給口から供給されたガスは、ウエハ14表面を流れることでウエハ14に所望の膜を形成するのであるが、ウエハを流れる間に、第1のガス供給口より供給されるシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、第2のガス供給ノズルより供給される炭素含有ガスと還元ガスとして水素ガスとn型ドーピングガスとして例えば窒素ガスとがうまく混合しない為にウエハ14において、第1のガス供給ノズルが配置された箇所に近い領域は気相中に含有するシリコン濃度が高くシリコンリッチ、第2のガス供給ノズルが配置された箇所に近い領域は炭素濃度が高く炭素リッチになっている。図9は第1実施形態における反応室構成においてウエハを回転させずに成膜した際のa形成された膜の膜厚の面内分布を示し、bはaに点線にて示されたモニタライン上の膜厚分布を示している。図9に示されるように、ウエハ14表面に原料ガスの濃度分布に偏差が生じることによって、形成される膜の膜厚に大きく影響することがわかり、ウエハ14の中央部が凸の膜厚分布になり、半導体装置の製造において、歩留まりの低下を招く要因となる。また、炭化珪素膜を形成するプロセスでは、形成される膜の電気抵抗率を制御するため、n型不純物として例えば窒素等を、p型不純物として例えばアルミニウム等を原料ガスに添加し、膜中に窒素やアルミニウムを取り込ませ、膜中に取り込ませた不純物の濃度を制御することにより、形成される不純物がドーピングされた炭化珪素膜の電気抵抗率等の物性値を制御している。しかし、上述のようなウエハ面内においてシリコンと炭素との濃度分布に偏差を生じている場合、炭化珪素膜にn型不純物またはp型不純物をドーピングする際に問題になり、不純物の濃度分布に影響する。ここで、炭化珪素膜に不純物が取り込まれる際のメカニズムについて説明する。不純物が炭化珪素膜中に取り込まれるとき、不純物は、炭化珪素膜に於ける炭素サイトか、シリコンサイトのどちらかに取り込まれることが知られており、n型不純物として、例えば、窒素がドーピングされる場合は、炭化珪素膜のシリコンサイトに吸着し炭化珪素膜に取り込まれようとする炭素と置き換わることで、窒素が炭化珪素膜中に取り込まれ、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜が形成される。また、p型不純物として、例えば、アルミニウムがドーピングされる場合は、炭化珪素膜の炭素サイトに吸着し炭化珪素膜に取り込まれようとするシリコンと置き換わることで、アルミニウムが膜中に取り込まれ、p型不純物がドーピングされた炭化珪素膜が形成される。これらはサイトコンペティションの原理と云われている。ここで、例えばn型不純物として例えば窒素をドーピングするとき、ウエハ14の表面に接する成膜寄与ガスに含有する炭素の濃度分布とシリコンの濃度分布との比であるCSiの値が形成されるn型不純物がドーピングされた炭化珪素膜の面内分布に偏差を生じる場合、膜の面内分布においてCSiの値が大きい部分、つまり相対的にシリコンより炭素の濃度が高い場合では、相対的に気相中の窒素原料例えば、N2やN原子の濃度が小さくなるため、炭化珪素膜面において窒素の吸着種である炭素の吸着種と置き換わる確率が小さくなり、炭化珪素膜中に取り込まれる窒素の数が少なくなる。つまり、C/Siの値が大きい部分ではn型不純物はドーピングされにくいことが分かる。また、p型不純物として例えばアルミニウムをドーピングする場合は、n型不純物をドーピングする場合と逆の傾向となる。図17に、成膜寄与ガスの主成分である炭素含有ガスの濃度分布とシリコン含有ガスの濃度分布の比であるCSiの値と炭化珪素膜中にドーピングされたn型ドーピング原子との関係を示すSiC半導体の基礎と応用、著者奥村元、児島一聡、福田憲司、発行所EDリサーチ社、27ページ、図45より出展。これより、原料ガス中のC/Siの値が大きくなる場合、炭化珪素膜ではn型不純物のドーピングが阻害されることが分かる。以上のことから、ウエハ14の面内分布においてn型不純物がドーピングされた炭化珪素膜中の窒素濃度を均一にするためには、ウエハ14に形成されている炭化珪素膜の各部分におけるC/Siの値の偏差が小さいことが好ましい。又は、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成するために、n型不純物ガスとして例えば、窒素N2ガスを供給する際に、または、p型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成するために、p型不純物ガスとして例えば、トリメチルアルミニウムガスを供給する際に、これらの不純物ガスを供給する方法に関し、工夫が必要となることが分かる。発明者は上述のことを考慮し、本発明は、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する際に、n型不純物ガスまたはp型不純物ガスの供給方法に関して発明したものである。例えば、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜の場合、炭素含有ガスが供給される第2のガス供給ノズルより炭素含有ガスと共にn型不純物ガス、例えば窒素ガスを供給する。これにより、ウエハ14において、C/Siの値が大きい部分、つまり、相対的に炭素濃度の大きい部分に積極的に窒素ガスを供給して窒素濃度が高い状態とし、炭素サイトへの窒素の置き換わりを促進することで、ウエハ14においてC/Siの値が小さい部分との相対的な窒素濃度分布を均一にすることが出来る。これにより、ウエハ14に形成されるn型不純物がドーピングされた炭化珪素膜におけるn型不純物の濃度分布の面内均一性を向上することを図る。一方、p型不純物がドーピングされた炭化珪素の場合においては、シリコン含有ガスが供給される第1のガス供給ノズルよりシリコン含有ガスと共にp型不純物ガス、例えばトリメチルアルミニウムガスを供給する。これにより、ウエハ14において、C/Siの値が小さい部分、つまり、相対的にシリコン濃度の大きい部分に積極的にトリメチルアルミニウムガスを供給してアルミニウム濃度が高い状態とし、シリコンサイトへのアルミニウムの置き換わりを促進することで、ウエハ14においてC/Siの値が大きい部分との相対的なアルミニウム濃度分布を均一にすることができる。これにより、ウエハ14に形成されるp型不純物がドーピングされた炭化珪素膜におけるp型不純物の濃度分布の面内均一性を向上することを図る。炭化珪素エピタキシャル膜の成長は、予め設定された時間が経過すると、上述のガスの供給を停止し、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、反応室44内が不活性ガスで置換されると共に、被加熱体48の内側の圧力が常圧に復帰される。その後、昇降モータ122によりシールキャップ102が下降されて、マニホールドの下端が開口されると共に、処理済ウエハ14がボート30に保持された状態でマニホールドの下端から反応管42の外部に搬出ボートアンローディングし、ボート30に支持された全てのウエハ14が冷えるまで、ボート30を所定位置で待機させる。次に、待機させたボート30のウエハ14が所定温度まで冷却されると、基板移載機28により、ボート30からウエハ14を取り出し、ポッドオープナ24にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。その後、ポッド搬送装置20により、ウエハ14が収容されたポッド16をポッド搬送装置22、またはポッドステージ18に搬送する。このようにして半導体製造装置10の一連の作用が完了する。これにより、ガス供給ノズル内での堆積膜の成長を抑制し、被加熱体48の内側ではガス供給ノズルより供給されるシリコン含有ガス及び炭素含有ガス及び塩素含有ガス及び還元ガスである水素ガス及び不純物ガスが反応することで、炭化珪素等から構成される複数枚のウエハ14を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に積み上げて保持される場合において、不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜の成長を行うことができる。また、好ましくは、第1ガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルは、第1及び第2のガス供給口68、72それぞれをウエハ14中心に向けてガスを噴出可能なように配置し、第1のガス供給ノズルと第2のガス供給ノズルを交互に設けることが良い。これにより、供給ガスの偏りを抑制し、より一層、膜厚面内均一性が向上する。また、本実施形態では、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルは、円筒形状であったが、これに限らず、角筒形状、多角形の形状であっても良く、好ましくは、ガス供給ノズルの形状は、その一部が被加熱体の内周面に沿うような形状であることが良い。これにより、ガス供給ノズルと被加熱体との間の隙間に膜を形成することを抑制することができ、この形成された膜が起因となるパーティクルが発生する虞を低減することができる。なお、本実施形態では、不活性ガスとして希ガスのアルゴンガスを用いることが好ましいが、これに限らず、ヘリウムHeガス、ネオンNeガス、クリプトンKrガス、キセノンXeガスを用いても良い。本実施形態によれば、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する。1形成される炭化珪素膜を構成するシリコンと炭素との比が、炭化珪素膜の面内分布に偏差を生じた場合において、不純物をドーピングする際に、不純物と置き換わる元素が含有される反応ガスとともに不純物ガスを供給することで、ウエハに形成される不純物がドーピングされた炭化珪素膜の不純物濃度の均一性を向上することが出来る。2p型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する際に、第1のガス供給ノズルから少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスとp型不純物ガスとを反応室44内へ供給し、第2のガス供給ノズルから少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを反応室44内へ供給して、ウエハに形成されるp型不純物がドーピングされた炭化珪素膜におけるp型不純物の濃度の面内均一性を向上することが出来る。3n型不純物原子がドーピングされた炭化珪素膜を形成する際に、第1のガス供給ノズルから少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを反応室44内へ供給し、第2のガス供給ノズルから少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとn型不純物ガスとを反応室44内へ供給して、ウエハに形成されるn型不純物がドーピングされた炭化珪素膜におけるn型不純物の濃度の面内均一性を向上することが出来る。41~3により、シリコン含有ガスと炭素含有ガスとを異なるガス供給ノズルによりそれぞれ反応室44内へ供給することができるので、ガス供給ノズル内での炭化珪素膜の形成を抑制することができる。54により、堆積する炭化珪素膜によるノズル内の閉塞を抑制することができる。64により、堆積する炭化珪素膜に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。71~3により、シリコン含有ガスと還元ガスとを異なるガス供給ノズルによりそれぞれ反応室44内供給することができるので、ガス供給ノズル内でのシリコン含有ガスの分解を抑制することができる。87により、ガス供給ノズル内でのシリコン含有ガスの消費を抑制することができる。97により、シリコン含有ガスのガス供給ノズル内でのシリコン膜の堆積を抑制することができる。107により、堆積するシリコン膜に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。11上記の効果により、一度の処理にての基板に対して不純物がドーピングされた炭化珪素エピタキシャル膜の成長を行うことができる。第2実施形態次に第2実施形態について説明する。第1実施形態では、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルを設けることでノズル内での堆積膜の成長を抑制し、反応室44内では面内分布の良好な不純物がドーピングされた炭化珪素膜の成長を行っていたが、第2実施形態では、更に効率良く反応室44内で炭化珪素エピタキシャル膜の成長を行う為に、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルの設置する数や配置について検討した。図10及び図11は形成される不純物がドーピングされた炭化珪素膜の不純物のドーピング量の面内均一性を良くする目的で、複数本のガス供給ノズルを基板として、例えば炭化珪素等で構成されたウエハ14に対し円周方向に配置した反応室構成の上面図を示したであり、図10は第1のガス供給ノズル及び第2の供給ノズルを交互に偶数本のガス供給ノズルを配置した場合の反応室構成の上面図を示し、図11は、1つの第2のガス供給ノズルを中心に第1のガス供給ノズル、第2のガス供給ノズルと、第1のガス供給ノズルと第2の供給ノズルとを交互に奇数本のガス供給ノズルを配置した反応室構成の上面図の一例を示している。図12は、図10の反応室構成において、成膜した際の形成される炭化珪素膜の膜厚の面内分布を示している。図12に示すように。本実施形態により、被加熱体48の内側に第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルをそれぞれ複数本配置することにより、第1のガス供給ノズルから供給されるシリコン含有ガスと第2のガス供給ノズルから供給される炭素含有ガスとを効率良く混合するため、形成される炭化珪素膜の膜厚均一性が向上することができる。これにより、形成される炭化珪素膜の膜厚の面内均一性を向上させるとともに、炭化珪素膜の面内におけるC/Siの値の偏差が小さくなるため、不純物ガスを添加して不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する際においても、均一に不純物をドーピングすることが容易にでき、不純物がドーピングされた炭化珪素膜における不純物濃度の面内均一性を向上することができる。第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルには、ウエハの積層間隔と同一の間隔で高さ方向に1以上の第1のガス供給口及び第2のガス供給口が設けられることにより、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて積み上げて保持された複数枚のウエハ14に対し、効率良くガスを供給することができるので複数枚のウエハ14に形成される炭化珪素の膜厚の面間均一性を向上することができ、複数枚のウエハに成膜された不純物がドーピングされた炭化珪素膜の膜厚の面間均一性を向上することができる。また、図11に示すように、好ましくは複数本の第1及び第2のガス供給ノズルで構成し、第2のガス供給ノズルを両端に設けることが良い。これにより、第2のガス供給ノズルから供給される還元ガス、例えば水素ガスにより、シリコン含有ガスと炭素含有ガスと不純物含有ガスとは、ウエハ14上を流れるように誘導されるので、ウエハ14上に成膜が行われやすくなり、また、ウエハ14上以外、例えば、被加熱体48等に成膜されることを抑制することができ、ウエハ14以外に炭化珪素膜等が形成されないので、これが起因となるパーティクルの発生を抑制することができる。本実施形態によれば、第1実施形態で説明した効果に加えて、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する。1第1及び第2のガス供給ノズルを複数本設けられた反応室構成にすることで、供給されるシリコン含有ガスと炭素含有ガスとを効率良く混合することができる。21により、シリコン含有ガスと炭素含有ガスとの混合する箇所が増えるので、形成される不純物がドーピングされた炭化珪素膜の膜厚の面内均一性を向上することができる。31により、形成される膜のC/Siの値の面内分布が均一になるため、不純物の面内均一性を向上することができる。41において、被加熱体48の内側に複数の第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルとを交互に並べて設ける際に、第2のガス供給ノズルを両端に設けることにより、シリコン含有ガスと炭素含有ガスと不純物含有ガスとをウエハに効率的に供給することができる。54において、ウエハ以外の反応室内で膜を形成することを抑制することができる。64において、ウエハ以外の反応室内に形成される膜が起因となるパーティクルの発生を抑制することができる第3実施形態次に第3実施形態について説明する。第3実施形態では、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルから供給されるシリコン含有ガスと炭素含有ガスとを効率良く混合し供給するため、第1のガス供給口及び第2のガス供給口とを設ける位置について検討した。図13a~cに示すように、第1のガス供給ノズルから供給されるシリコン含有ガスと第2のガス供給ノズルから供給される炭素含有ガスとをウエハ14に到達する前に効率良く混合してから、ウエハへ供給するための反応室構成の例を示す。図13aは対向する第1及び第2のガス供給口の高さ位置を異ならせて設けた場合、図13bは円筒状のガス供給ノズルを適用した場合、図13cは多角形状のガス供給ノズルを適用した場合を示している。図13に示すように、好ましくは、対向する第1のガス供給口と第2のガス供給口の高さを異ならせて設けることが良い。図14は、本実施形態の反応室構成において、第1のガス供給口の高さ位置と第2のガス供給口の高さ位置とを異ならせて設けた場合の、反応ガスの流れ計算の結果を示している。これにより、図14に示すように、第1のガス供給口から供給されるシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、第2のガス供給口から供給される炭素含有ガスと還元ガスである、例えば水素ガスとn型不純物含有ガスとが、第1のガス供給ノズルと第2のガス供給ノズルの間に渦状のガス流を形成しやすくなるので、上述のガスの混合を促進することができ、この混合されたガスがウエハへ流れることでウエハに形成されるn型不純物がドーピングされた炭化珪素膜の膜厚の膜厚均一性を向上することができ、均一にn型不純物をドーピングすることができる。更に、上述のように第1のガス供給口及び第2のガス供給口の設ける高さを異ならせて設ける理由として、例えば第1のガス供給口と第2のガス供給口との高さを同じ高さにして設けられている場合、いずれかのガス供給口付近で反応することによって、いずれかのガス供給口に例えば炭化珪素膜が形成されることが予想される。これにより第1のガス供給ノズル又は第2のガス供給ノズル又はその両者のガス供給口に膜が形成されることによる閉塞や、形成される膜が起因となるパーティクルが発生する虞があることが挙げられる。また、好ましくは、図13cに示すように適用するガス供給ノズルを多角形状のガス供給ノズルとすることが良い。これは、図13bに示すように例えば円筒状のガス供給ノズルを適用した場合、被加熱体48の内壁とガス供給ノズルの間に隙間があり、その隙間からシリコン含有ガスや炭素含有ガス等の成膜寄与ガス原料ガスが漏れてしまい、十分な混合を促進することができない虞や、隙間から漏れた混合された原料ガスが反応しウエハ以外の反応室内の一部で例えば炭化珪素膜等の膜を形成する虞があり、これによるパーティクル発生の問題となる可能性がある。なお、図13cでは、多角形状のガス供給ノズルの一例として五角形状のガス供給ノズルで説明したが、これに限らず、好ましくは、ガス供給ノズルの形状は筒状の被加熱体48の内壁に対し、内壁に沿うような形状をガス供給ノズルの一部に有するような形状であることが良く、例えば、被加熱体48が円筒形状である場合、ガス供給ノズル形状の一部が円弧を有する形状であっても良い。これにより、被加熱体48とガス供給ノズルとの間に反応ガスが侵入することを低減することができるので、第1のガス供給口68及び第2のガス供給口72から供給された反応ガスは混合された後、効率良く基板へ供給することができる。また、これにより、被加熱体48とガス供給ノズルとの間に、膜が形成されることが抑制され、形成される膜が起因となるパーティクル発生の虞を低減することができる。図15は、本実施形態の反応室構成において、成膜した際に形成される炭化珪素膜のCSiの値の面内分布を示している。図15に示すように、ウエハ14に形成される炭化珪素膜はC/Siの偏差の小さい膜であることがわかり、不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する際に、不純物を均一にドーピングすることができる。図16は、第2実施形態で示されるガス供給ノズルの構成におけるモニタライン上でのC/Si比と、第3実施形態で示されるガス供給ノズルの構成におけるモニタライン上でのC/Si比を示している。図16からもわかるように第2実施形態におけるガス供給ノズル構成と比較して第3実施形態におけるガス供給ノズル構成の方がC/Si比が均一であることがわかる。本実施形態によれば、第1実施形態乃至第2実施形態で説明した効果に加えて、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する。1対向した第1ガス供給口及び第2のガス供給口を設けることにより、ウエハへ到達する前にガスの混合を促進した後、ウエハへ供給することができる。21において、第1のガス供給口及び第2のガス供給口の高さを異ならせて設けることにより、第1のガス供給ノズルと第2のガス供給ノズルの間隙に渦状のガス流を形成しやすくすることができるので、ウエハへ到達する前にガスの混合を促進した後、ウエハへ供給することができる。32において、ウエハの積層方向に対し、第1のガス供給口及び第2のガス供給口を積層方向に交互に設けることにより、渦状のガス流を効率良く形成しやすくすることが出来るので、ウエハへ到達する前にガスの混合を促進した後、ウエハへ供給することができる。41において、ガス供給ノズルの形状を被加熱体の内壁に沿うような形状にすることにより、被加熱体とノズルとの間の隙間に反応ガスが侵入することを抑制することができる。54において、侵入した反応ガスが反応して形成された膜がパーティクルの発生要因になることを抑制する。第4実施形態次に第4実施形態について説明する。第4実施形態では、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルから供給されるシリコン含有ガスと炭素含有ガスとを効率良く混合し供給するため、ガス供給ノズルの構成について検討した。図19に示すように、本実施形態では、基板であるウエハ14の配列された領域に延在されている第1のガス供給ノズル60に、ウエハ14の表面と平行方向であり、第2のガス供給口70の方向へ延在されて分岐される第1の分岐ノズルに1以上設けられた第1のガス供給口68よりシリコン含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、第1のガス供給ノズルと異なる位置に設けられており、ウエハ14の配列された領域に延在されている第2のガス供給ノズル70に、ウエハ14の表面と平行方向であり、第1のガス供給口60の方向へ延在されて分岐される第2の分岐ノズルに1以上設けられた第2のガス供給口72より炭素含有ガスとn型不純物ガスとして例えば、窒素ガスと還元ガスとして例えば、水素ガスとを供給され、ウエハ14に、n型不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成している。図19aに示すようにウエハ14に対し、平行方向にガスを供給することができるため、ウエハ14に形成される炭化珪素膜の膜厚は均一に形成され、また、不純物である窒素を均一にドーピングすることができる。特に、図19bに示すような第1の分岐管、第2の分岐管を介して供給することで、ウエハ14を支えるボート柱30aの影響も軽減できる。具体的に説明すると次の通りである。ウエハ14は、複数のボート柱30aで支持され、面内膜厚の均一化のため回転している。そうすると、ボート柱30aがガス供給口の前を通過することになる。この場合、ボート柱30aによりガス供給が阻害されるが、図19のようにウエハ14に対し並行方向に複数のガス供給口を設けることで、広い範囲での、又は、密にガス供給を実現でき、結果としてボート柱の影響を小さくすることができる。また、更に、ボート柱30aの影響を少なくするために図19cに示すようにウエハホルダ300を用いてボート柱30aからウエハ14を離すようにしてもよい。ウエハホルダ300は、円環状の第1ウエハホルダ300aを有しており、ウエハ14は、第1ウエハホルダ300aに保持される。これにより、ウエハ14とボート柱30aとの距離をウエハホルダ300aの分、離すことができ、ボート柱30aの影響を小さくできる。また、本形態では成膜をする所謂フェースダウン方式を採用し、ウエハ14の上面側を第1ウエハホルダ300aで覆う構成としている。このようにウエハ14の上面を覆うことにより、上部から落下してくるパーティクルの影響を抑制できると共に、第1ウエハホルダ300aをウエハ14の上面側と接触させることにより成膜面と反対側の裏面側への成膜を抑制できる。また、好ましくは、第1の分岐ノズルと第2の分岐ノズルとを交互に配置できるように設けられることが良い。これにより、第1のガス供給から供給されるシリコン含有ガス及び塩素含有ガスと、第2のガス供給ノズルより炭素含有ガスと、n型の不純物原子として窒素ガスと、還元ガスである水素ガスと、の濃度分布をモニタライン上ガスの流れに垂直な方向において均一化することができる。また、一対の第1の分岐ノズルと第2の分岐ノズルが、高さ方向に並んだウエハ14の夫々の間に配置されることが望ましい。これにより、各ウエハ14に対する条件を同一することができ、ウエハ間の均一性が向上させることができる。更に、この場合、ウエハ14の成膜面は、第1のガス供給口68及び第2のガス供給口70のうち、シリコン含有ガスを供給する第1のガス供給口68に近いほうが望ましい。不純物がドーピングされた炭化珪素膜の形成においては、炭素とシリコンの比C/Siが重要となる。特に炭素の濃度が高い場合は、膜質を劣化させる。従って、シリコンリッチとなりやすい環境とするためシリコン含有ガスを供給する第1のガス供給口68を炭素原子含有ガスを供給する第2のガス供給口72よりウエハ14の成膜面に近くするほうが望ましい。そのため、本実施形態では、ウエハ14間の空間に上から第1の分岐ノズル、第2の分岐ノズルの順で並んでいる。また、図19に示すように、ウエハに対し、平行方向に延びた第1の分岐ノズル、第2の分岐ノズルからガスを供給する構成を採用した場合、第1の分岐ノズルから供給されるガスと第2の分岐ノズルから供給されるガスの混合箇所を制御することにより、図19aで示すモニタラインに垂直な方向ガスの流れ方向のウエハ14の成膜面におけるC/Si比を均一化することができる。以下、図19aで示すモニタラインに垂直な方向の成膜面の上のラインを第2モニタラインとして、具体的に説明する。まず、仮にシリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスの比率C/Siを0.5として供給を開始したとする。シリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスをウエハ14に到達する前に完全に混合した場合、ガス消費を考えなければ第2モニタライン上のC/Siは0.5で一定である。しかしながら、ガス消費を考慮に入れるとシリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスは、同じように消費されるため、ガス供給ノズルに近い側と遠い側で混合比率が変わってしまう。例えば、シリコン原子含有ガスを100、炭素原子含有ガスを50で供給したとすると、ガス供給口から遠くなるにつれて、シリコン原子と炭素原子含有ガスは同じように消費され、減少する。ここで、極端な例ではあるが、シリコン原子含有ガスが60まで消費されたとすると、炭素原子含有ガスは、10まで消費されることになる。この時のC/Siは、10/60=0.17となり、ガス供給ノズルに近い側と遠い側とでC/Si比が変わってしまう。一方、シリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスをウエハ14に到達する前に完全に混合せず、第2モニタライン上で徐々に混合されるように制御すると、ガス供給ノズルに近い側と遠い側とのSi/Cが均一にできるようになり、不純物濃度を均一化を実現できる。このことについて、以下、説明する。まず、本形態のように2つのガスを平行に供給した場合、夫々のガスの拡散により2つのガスの混合が生じる。従って、第2モニタラインに近い第1の分岐ノズルから供給されたガス流に徐々に第2の分岐ノズルから供給されたガスの拡散が生じる。そのため、途中でのガス消費を考えなければ、第2モニタライン上の第2の分岐ノズルから供給されたガスの濃度は、分岐ノズルから遠くなるほど高くなる。一方、ガス消費を考慮した場合、C/Siの値を均一化するためには、第2モニタライン上のシリコン原子含有ガスの減少に対し、炭素原子含有ガスの減少を小さくすればよい。従って、拡散により徐々に第2の分岐ノズルから供給された炭素原子含有ガスが第1の分岐ノズルから供給されたシリコン原子含有ガスのガス流に拡散するようにすれば、第2モニタライン上では、徐々に炭素原子含有ガスが拡散により補充されることになり、シリコン原子含有ガスの減少に対し、炭素原子含有ガスの減少を小さくすることができる。このように第2の分岐ノズルから供給されたガスを徐々に第1の分岐ノズルから供給されたガス流に拡散させるためには、第1のガス供給口68から供給されるガス流の流速を第2のガス供給口72から供給されたガスがウエハ14の成膜面を通過する間に徐々に拡散していくような速さとすればよい。なお、一般的にガス流の流速を速くすると他のガスの拡散はしにくい状態となるため、第1のガス供給口から供給されるガスの流速を制御すればよい。第1のガス供給口68から供給されるガス流の流速を制御する方法としては、例えば、シリコン元素含有ガスのキャリアガスの流量を大きくする、又は、第1のガス供給口68の大きさを小さくすることが挙げられる。また、シリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスをウエハ14に到達するまでに混合させない点については、図19cに示されるようなウエハホルダ300を用いる際に、更なる効果を発揮する。即ち、シリコン原子含有ガスと炭素原子含有ガスがウエハ14に到達する前に混合されるとウエハホルダ300上にSiC膜が形成されることになる。SiC膜が形成されるということは、原料ガスが消費されることになり、原料ガスの効率が悪くなる。一方、ウエハ14上で混合が始まる場合は、ウエハホルダ300では成膜されないため、原料ガスの消費が生じない。従って、原料ガスの使用効率が向上する、即ち、成膜レートが向上し、生産性を向上させることができる。なお、図19に示すように、ガス供給口は複数の孔状のガス供給口を設けているが、これに限らず、スリット形状であっても良い。本実施形態によれば、第1実施形態乃至第3実施形態で説明した効果に加えて、以下に示す効果のうち少なくとも1つ以上の効果を奏する。1ガス供給ノズルに設けられた分岐管により、第1のガス供給口と第2のガス供給口を高さ方向に並べることによりウエハへ到達する前にガスの混合を促進した後、ウエハへ供給することができる。21において、分岐管に設けられたガス供給口を密に配置することで、ボート柱の影響を軽減できる。31において、第1のガス供給口をウエハの成膜面に近い側に配置することにより、不純物ドーピングされた炭化珪素膜の均一化を図れる。41において、ガス供給ノズルの形状を被加熱体の内壁に沿うような形状にすることにより、被加熱体とノズルとの間の隙間に反応ガスが侵入することを抑制することができる。なお、本発明は炭化珪素ピタキシャル膜成長に関して説明したが、その他のエピタキシャル膜及びCVD膜等に関しても適用することができる。[付記]以下に、本実施形態に係る好ましい態様を付記する。[付記1]複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における半導体装置の製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。[付記2]複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記反応室内に少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを供給する第1のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを供給する第2のガス供給系と、前記反応室内に少なくとも不純物ガスを供給する第3のガス供給系と、前記第1のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第1のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記第2のガス供給系に接続されるか、若しくは、前記第2のガス供給系及び前記第3のガス供給系に接続されるとともに、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、前記第1のガス供給系は、前記第1のガス供給口から少なくとも前記シリコン含有ガスと前記塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給系は、前記第2のガス供給口から少なくとも前記炭素含有ガスと前記還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第3のガス供給系は、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から、少なくとも前記不純物ガスを前記反応室内へ供給して前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜が形成されるよう制御するコントローラと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するよう設けられている基板処理装置。[付記3]複数の基板が所定の間隔で積層される反応室と、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第1のガス供給口を有する第1のガス供給ノズルと、前記複数の基板が積層される領域に1以上の第2のガス供給口を有する第2のガス供給ノズルと、を備え、前記第1のガス供給口が設けられる方向と前記第2のガス供給口が設けられる方向とが、前記基板に達する前に交差するように設けられた基板処理装置における基板製造方法であって、前記複数の基板を反応室内に搬入する工程と、前記第1のガス供給口から、少なくともシリコン含有ガスと塩素含有ガスと、もしくは、シリコンおよび塩素含有ガスを前記反応室内へ供給し、前記第2のガス供給口から、少なくとも炭素含有ガスと還元ガスとを前記反応室内へ供給し、前記第1のガス供給口または前記第2のガス供給口から更に不純物ガスを前記反応室内へ供給し、前記基板に不純物がドーピングされた炭化珪素膜を形成する工程と、前記複数の基板を前記反応室から搬出する工程と、を有する基板製造方法。[付記4]付記1において、更に第1のガス供給ノズルに希ガスを供給する半導体装置の製造方法。[付記5]付記4において、第1のガス供給ノズルにアルゴンガスを供給する半導体装置の製造方法。[付記6]付記1において、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルの形状は被加熱体の内周に沿うように湾曲した形状である半導体装置の製造方法。[付記7]付記6において、第1のガス供給ノズル及び第2のガス供給ノズルが円筒形である半導体装置の製造方法。[付記8]付記6において、第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルが多角形である半導体装置の製造方法。[付記9]付記6において、第1のガス供給ノズル及び前記第2のガス供給ノズルの一部に円弧を有する形状である半導体装置の製造方法。[付記10]付記1において、第1のガス供給口は第2のガス供給ノズルが設置されている方向に設けられ、第2のガス供給口は第1のガス供給ノズルが設置されている方向に設けられる半導体装置の製造方法。[付記11]付記10において、第1のガス供給口と第2のガス供給口が対向した位置にそれぞれ設けられる半導体装置の製造方法。[付記12]付記10において、第1のガス供給口の高さ位置と第2のガス供給口の高さ位置とが異ならせてそれぞれ設けられている半導体装置の製造方法。[付記13]付記10において、第1のガス供給口の高さ位置と第2のガス供給口の高さ位置とがウエハ14半径方向の位置を同じにして、ウエハ14の上下方向の位置高さを異ならせて設けられている半導体装置の製造方法。[付記14]付記1おいて反応室の外側に設けられ、電磁誘導加熱する磁場発生部を有する半導体装置の製造方法。[付記15]付記1において反応室を形成する反応管と被加熱体の間に断熱材を設ける半導体装置の製造方法。[付記16]付記1において、前記第1のガス供給ノズルは、前記第1のガス供給口が設けられ、前記基板の表面と平行方向に延びた複数の第1分岐管を有し、前記第2のガス供給ノズルは、前記第2のガス供給口が設けられ、前記基板の表面と平行方向に延びた複数の第2分岐管を有し、前記複数の第1分岐管と前記複数の第2分岐管は、前記複数の基板の積層方向に並んで配置される半導体装置の製造方法。