第1導電型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の拡散層と、前記拡散層に接して複数形成された収集電極と、前記収集電極に接続されたインターコネクタとを有し、前記収集電極は、離間して形成され、前記収集電極のピッチをA、前記インターコネクタ幅をB、面積S=A×B、前記インターコネクタに接続する収集電極の面積をz、面積率Z=z/Sとしたとき、Z≧0.4である太陽電池。前記面積率Zは、Z≧0.5である請求項1に記載の太陽電池。前記インターコネクタに接続する収集電極のうち、前記ピッチに対する、前記ピッチ方向の前記収集電極の幅の比率が100以下である請求項1または2に記載の太陽電池。前記収集電極は、銀を含む請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池。前記インターコネクタと前記収集電極は、導電性を有した接着層を介して接続されている請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池。太陽電池モジュールの電気特性は、短絡電流密度Jsc、開放電圧Voc、及び曲線因子FFと称される電気抵抗成分で決まる。このうち、短絡電流密度と開放電圧は、個々の太陽電池特性によるところが大きいが、曲線因子における曲線因子損失は、銀電極である表面バスバー電極または裏面バスバー電極と、インナーリード本願のインターコネクタに対応。以下同様。とを接続する半田の溶着面積と相関があり、半田の溶着面積が大きいほど曲線因子損失は減少する傾向にある。さらに、表面バスバー電極または裏面バスバー電極と、インターコネクタとの接続強度本願の接着強度に対応。も同様に上記の半田の溶着面積と相関があり、半田の溶着面積が一定水準に達するまでは、半田の溶着面積が大きいほど、表面バスバー電極または裏面バスバー電極と、インターコネクタとの接続強度は大きくなる。一方、太陽電池素子のコスト低減のために、電極材料の銀使用量の低減を考えると、銀使用量が多い表面バスバー電極及び/または裏面バスバー電極の面積の低減が考えられるが、表面バスバー電極及び/または裏面バスバー電極の面積を低減すると、インターコネクタとの接続面積、すなわち半田の溶着面積が低減し、曲線因子損失が増加、接続強度も小さくなってしまう。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、インターコネクタと接続する、太陽電池素子の受光面の電極面積を低減しても、曲線因子損失の低減を抑制し、電極とインターコネクタとの接着強度の低減を抑制することが可能な太陽電池素子の電極構造を提供することにある。本発明の太陽電池は、第1導電型のシリコン基板と、シリコン基板の受光面に形成された第2導電型の拡散層と、拡散層に接して複数形成された収集電極と、収集電極に接続されたインターコネクタとを有し、収集電極は、離間して形成され、収集電極のピッチをA、インターコネクタ幅をB、面積S=A×B、インターコネクタに接続する収集電極の面積をz、面積率Z=z/Sとしたとき、Z≧0.4である。ここで、本発明の太陽電池は、面積率Zは、Z≧0.5であってもよい。また、本発明の太陽電池は、インターコネクタに接続する収集電極のうち、ピッチに対する、ピッチ方向の前記収集電極の幅の比率が100以下であってもよい。また、本発明の太陽電池は、収集電極は、銀を含んでもよい。また、本発明の太陽電池は、インターコネクタと前記収集電極は、導電性を有した接着層を介して接続されていてもよい。本発明によれば、インターコネクタと接続する、太陽電池の受光面の電極面積を低減しても、曲線因子損失の増加を抑制し、電極とインターコネクタとの接着強度の低減を抑制することができるので、電極材料である銀使用量を低減して、コスト低減することが可能な太陽電池を提供することができる。図1は、本発明の太陽電池素子の一例を表す模式的な図である。図1aは、太陽電池素子の入射光側の面である受光面の図であり、図1bは、図1aの点線の楕円で囲んだ箇所を拡大した図である。図1aに示すように、太陽電池素子32の受光面には、反射防止膜3、収集電極6が形成されている。収集電極6は、キャリアを収集する電極であり、離間して複数形成されている。また、各々の収集電極6には、インターコネクタを接続するため、一部電極幅が広くなっている。この一部電極幅が広い箇所をパッド部とする。図1bに示すように、パッド部の、収集電極6の長さ方向と垂直方向の幅をx、パッド部の、収集電極6の長さ方向の幅をyとする。図2は、図1aで示したL-L′の断面を示す模式的な図である。第1導電型であるp型のシリコン基板1の入射光側の面である受光面以下p型シリコン基板の受光面という。に第2導電型であるn型拡散層2が形成され、p型シリコン基板1の表面はテクスチャ構造である凹凸構造となっている。その上には窒化シリコン膜からなる反射防止膜3が形成され、反射防止膜3を貫通して収集電極6がn型拡散層2と接している。また、p型シリコン基板1の受光面の反対の面である裏面以下p型シリコン基板の裏面という。には、p拡散層8が形成され、p拡散層8上にはアルミニウム電極5が形成されている。4は裏面銀電極である。なお、図2では、受光面表面の凹凸構造を省略している。図3は、本発明の太陽電池の一例を表す模式的な図である。太陽電池31には、太陽電池素子32の受光面に形成された収集電極6のパッド部に、インターコネクタ21が接続されている。なお、図3では、収集電極6のパッド部の幅yは、インターコネクタ21の幅よりも小さい。ここで、収集電極6のパッド部の幅yは、必ずしもインターコネクタ21の幅以下でなくてよい。図4は、本発明の太陽電池の製造方法の一例である。まず、図4aに示すように、p型シリコン基板1を用意しエッチング処理によりp型シリコン基板1の表面に凹凸構造を形成する。なお、図4では、p型シリコン基板1の表面の凹凸構造を省略している。次に、図4bに示すように、n型不純物を有した拡散材料を用い熱処理してn型拡散層2を形成する。次に、図4cに示すように、n型拡散層2の受光面にプラズマCVD法により、ガス種としてシランおよびアンモニアを用いて、膜厚約70nmの窒化シリコン膜を反射防止膜3として形成する。次に、図4dに示すように、スクリーン印刷法を用いて、銀粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなる銀ペースト4aをパターニングし、その後、乾燥する。次に、図4eに示すように、スクリーン印刷法を用いて、アルミニウム粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなるアルミニウムペースト5aをパターニングし、その後、乾燥する。次に、図4fに示すように、スクリーン印刷法を用いて、銀粉末、ガラスフリット、樹脂、有機溶媒等からなる銀ペースト6aをパターニングし、その後、乾燥する。次に、図4gに示すように、p型シリコン基板1を700°C以上で焼成して、p型シリコン基板1の受光面には、n型拡散層2上に収集電極6を形成する。焼成の際に、銀ペースト6aはファイヤースルーにより反射防止膜3を貫通して収集電極6を形成しn型半導体層2と接続する。また、上記焼成によって、p型シリコン基板1の裏面に、アルミニウム電極5、裏面銀電極4、p拡散層8を形成する。次に、図4hに示すように、収集電極6にインターコネクタ21を熱処理により接続する。接続にはインターコネクタ21にコーティングされた導電性を有した接着層である半田を用いる。このようにして、太陽電池31を作製する。次に、インターコネクタに接続する収集電極6の大きさを検討する。図5は、複数並んだ収集電極6を拡大しインターコネクタ21との関係を示した図である。インターコネクタ21の下の収集電極6は、わかりやすくするために点線で示している。収集電極ピッチをA、インターコネクタ21の幅をB、パッド部以外の部分の収集電極の電極幅をCとする。収集電極6ピッチAに対するパッド部の幅xの比率を比率X、インターコネクタ21幅Bに対するパッド部の幅yの比率を比率Yと定義する。比率X=x/A1比率Y=y/B2また、インターコネクタ21に接する収集電極6は、インターコネクタ21にコーティングされた半田によって、インターコネクタ21と接続している。よって、面積率Zを、インターコネクタの接続可能面積SS=A×Bに対する、インターコネクタ21に接する収集電極6の面積zと定義する。なお、図5より、パッド部の幅yがインターコネクタ21幅Bよりも小さい場合、収集電極6のパッド部は、インターコネクタ21と接続する箇所の一部であることがわかる。インターコネクタ21に接続する収集電極6の適切な大きさを検討するため、パッド部の幅x、yを変化させて、以下の検討を実施した。aインターコネクタ21接続前後の曲線因子FFを測定して曲線因子損失を求めるbインターコネクタ21を引っ張ることで、収集電極6との接着強度Fをみる具体的には、厚み約180μm、幅、長さ共に156.5mmのp型シリコン基板1を使用して、太陽電池素子32を作製し、銅板に半田をコーティングした総厚0.2mm、幅2.0mmのインターコネクタ21を収集電極6に接続した。図5における、収集電極ピッチAは、2.1mm、インターコネクタ幅Bは、2.0mm、電極幅Cは、0.1mmである。なお、bについての検討は、インターコネクタ21を収集電極6に接続した後、インターコネクタの、太陽電池素子32と接続している箇所と、それ以外の箇所との間の角度を45°にして引張試験機を用いて接着強度Fをみた。収集電極6のパッド部のx、yを、それぞれ次のようにした。x値は、x値のうち電極幅C以外を、0mm、0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mmと変化させた。それぞれに対する比率Xは、5、29、52、76、100になる。比率Xが100の場合、接続箇所はx方向に全て繋がっていることになる。また、y値は、0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mmと変化させた。それぞれに対する比率Yは、25、50、75、100になる。なお、比率Xが5の場合は、パッド部が無い収集電極である。表1に結果を示す。実施例、比較例のすべての場合において、それぞれ5サンプルに対して、曲線因子FFの測定、および接着強度Fをみるための引張試験を行った。曲線因子損失の欄は、5サンプルの曲線因子FFの測定値から平均値を求め、比率Xが100、かつ比率Yが100の場合を、曲線因子損失100とした場合に、100以上110未満を○、110以上130未満を△、130以上を×とした。また、接着強度Fの欄は、5サンプルの引張試験で示された引張強度の平均値を求め、引張強度が200gf以上を○、引張強度が200gf未満を×とした。表1の結果から、面積比率Zが40以上である場合に、曲線因子損失:△、接着強度F:○である結果が得られ、接着強度Fで良好な結果が得られた。また、面積比率Zが50以上である場合に、曲線因子損失:○、接着強度F:○である結果が得られ、曲線因子損失、及び接着強度Fで良好な結果が得られた。ここで、比率Xが100で、収集電極6のパッド部はx方向に全て繋がっていることから、比率Xが100よりも大きな値は存在しない。これから、比率Xは100以下である必要がある。また、比率Yが100で、収集電極6のパッド部yの幅はインターコネクタ21の幅と同じになる。そして、比率Yが100よりも大きな場合は、曲線因子損失、接着強度F共、比率Yが100の場合と同じ値になる。ただ、比率Yが100よりも大きな値の場合、すなわち、パッド部の幅yがインターコネクタ21幅Bよりも大きな値の場合、太陽電池31の受光面積は減少する。これから、比率Yは100以下であることが好ましい。よって、面積比率Zを40以上にするように収集電極を形成すると、曲線因子損失の増加を抑制し、収集電極とインターコネクタとの接着強度Fの低減を抑制しながら、電極材料である銀使用量を低減して、コスト低減することが可能な太陽電池を提供することができる。また、面積比率Zを50以上にするように収集電極を形成すると、さらに曲線因子損失の増加を抑制することができる。また、本実施例ではp型シリコン基板について記載したが、n型シリコン基板でも同様の結果が得られた。さらに、本実施例では導電性を有した接着層として半田を使用したが、導電性フィルム等を使用することも可能である。