真空容器と、アノード電極を有し、前記真空容器内にプラズマを照射するプラズマガンと、前記真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材と、前記真空容器内の前記基材の下方に配置され、前記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部を上面に有する蒸着材料収納容器と、前記蒸着材料収納容器を加熱し、蒸着材料を蒸発させる加熱部と、前記蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部と、を備える真空成膜装置。前記基材と前記蒸着材料収納容器との間に、略水平に配設される防着板をさらに備え、前記防着板は、前記被成膜面と対向する位置に、開閉可能な開口部を有する請求項1に記載の真空成膜装置。前記真空容器内に、成膜前の前記基材を巻き出す基材巻き出し部と、前記巻き出しロールから巻き出され、成膜される前記基材を搬送する成膜用ドラムと、前記成膜用ドラムに搬送された成膜後の前記基材を巻き取る基材巻き取り部と、をさらに備える請求項1又は2に記載の真空成膜装置。前記蒸着材料収納容器は、上面に前記蒸着材料を収容するための凹部が形成された黒鉛ルツボを有し、前記加熱部は、前記黒鉛ルツボの外周を覆うように設けられる高周波誘導加熱コイルと、前記高周波誘導加熱コイルに対して高周波電流を供給する高周波電源と、を有する請求項1から3のいずれかに記載の真空成膜装置。前記蒸着材料収納容器は、前記凹部よりも下方に、前記凹部の底面に対向する位置に導電部を有し、前記電位印加部は、前記導電部と前記アノード電極とに正電位を印加する電源であり、前記導電部と前記アノード電極とは可変抵抗を介して電気的に接続される請求項4に記載の真空成膜装置。前記蒸着材料収納容器は、前記凹部の開口縁の上部を覆う絶縁板を有する請求項4又は5に記載の真空成膜装置。前記蒸着材料は、絶縁材料である請求項1から6のいずれかに記載の真空成膜装置。本発明は以上の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、長時間連続して基材上に蒸着材料を蒸着させることができるとともに、品質の高い薄膜を基材上に形成することが可能な真空成膜装置を提供することにある。本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、真空容器と、真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材と、真空容器内の基材の下方に配置され、上記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部を上面に有する蒸着材料収納容器と、アノード電極を有し、真空容器内にプラズマを照射するプラズマガンと、蒸着材料収納容器を加熱し、蒸着材料を蒸発させる加熱部と、蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部と、を備える真空成膜装置であれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は以下のものを提供する。1真空容器と、前記真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材と、前記真空容器内の前記基材の下方に配置され、前記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部を上面に有する蒸着材料収納容器と、アノード電極を有し前記真空容器内にプラズマを照射するプラズマガンと、前記蒸着材料収納容器を加熱し蒸着材料を蒸発させる加熱部と、前記蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部と、を備える真空成膜装置。2前記基材と前記蒸着材料収納容器との間に、略水平に配設される防着板をさらに備え、前記防着板は、前記被成膜面と対向する位置に、開閉可能な開口部を有する1に記載の真空成膜装置。3前記真空容器内に、成膜前の前記基材を巻き出す基材巻き出し部と、前記巻き出しロールから巻き出され、成膜される前記基材を搬送する成膜用ドラムと、前記成膜用ドラムに搬送された成膜後の前記基材を巻き取る基材巻き取り部と、をさらに備える1又は2に記載の真空成膜装置。4前記蒸着材料収納容器は、上面に前記蒸着材料を収容するための凹部が形成された黒鉛ルツボを有し、前記加熱部は、前記黒鉛ルツボの外周を覆うように設けられる高周波誘導加熱コイルと、前記高周波誘導加熱コイルに対して高周波電流を供給する高周波電源と、を有する1から3のいずれかに記載の真空成膜装置。5前記蒸着材料収納容器は、前記凹部よりも下方に、前記凹部の底面に対向する位置に導電部を有し、前記電位印加部は、前記導電部と前記アノード電極とに正電位を印加する電源であり、前記導電部と前記アノード電極とは可変抵抗を介して電気的に接続される4に記載の真空成膜装置。6前記蒸着材料収納容器は、前記凹部の開口縁の上部を覆う絶縁板を有する4又は5に記載の真空成膜装置。7前記蒸着材料は、絶縁材料である1から6のいずれかに記載の真空成膜装置。本発明の真空成膜装置によれば、長時間連続して、基材上に蒸着材料を蒸着させることができ、且つ基材上に形成される薄膜によるバリア性向上の効果も高い。以下本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。<真空成膜装置>図1は本実施形態の断面を模式的に示す図である。図1に示すように、本実施形態の真空成膜装置1は、真空容器10、基材11、基材巻き出し部12、成膜用ドラム13、基材巻き取り部14、搬送ロール15、16、防着箱17、蒸着材料収納容器18、蒸着材料2、プラズマガン3、加熱部4、電位印加部5を備える。図1に示すように、真空容器10内の上部に、成膜用ドラム13に巻き掛けられた基材11がその被成膜面を下向きにして配設される。成膜用ドラム13は、基材巻き出し部12と基材巻き取り部14との間に配置される。また、基材巻き出し部12と成膜用ドラム13との間には搬送ロール15が配置され、成膜用ドラム13と基材巻き取り部14との間には搬送ロール16が配置される。また、真空容器10内の成膜用ドラム13より下部に、電気的に接地された防着箱17が配設される。防着箱17は底面に蒸着材料収納容器18が配置される。蒸着材料収納容器18の上面と一定の間隔を空けて対向する位置に、成膜用ドラム13に巻き掛けられた基材11の被成膜面が位置するように、蒸着材料収納容器18は上記底面に配置される。また、防着箱17の内部にプラズマを照射するプラズマガン3が配置される。蒸着材料収納容器18には、蒸着材料収納容器18を加熱する加熱部4、蒸着材料収納容器18に正電位を印加する電位印加部5が接続されている。本発明の真空成膜装置の特徴の一つは、プラズマガン3、加熱部4、電位印加部5を備える点である。以下、本実施形態の真空成膜装置1の各構成について、真空容器10、基材11、基材巻き出し部12、成膜用ドラム13、基材巻き取り部14、搬送ロール15、16、防着箱17、蒸着材料収納容器18、蒸着材料2、の順で説明した後、プラズマガン3、加熱部4、電位印加部5について説明する。真空容器10は、真空雰囲気中で薄膜を形成するために外部と隔離するための部位である。真空容器10は、真空成膜装置1の外部にある真空ポンプ図示せずと連結している。この真空ポンプにより真空容器10内の真空度を調整することができる。なお、本発明において、真空容器10内の真空度は、特に限定されず、真空容器10の大きさ、蒸着材料2の種類等に応じて適宜変更できる。基材11は、薄膜を形成する対象となる部位であり、本実施形態においては長尺のフィルム状である。基材11は被成膜面110を有する。被成膜面110は、基材11において薄膜が形成される部位である。図1に示すように、被成膜面110を下向きにして、成膜用ドラム13の周面の一部に巻き掛けられるように、基材11は配設される。本実施形態において、基材11は透明なポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムである。なお、本発明において、基材11は、一般的な樹脂フィルムからなるものであれば特に限定されない。従来公知の樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリアリレート樹脂等からなるフィルムが挙げられる。被成膜面110上にはアンカーコート剤層が形成されていてもよいし、平坦化層等の他の層が形成されていてもよい。被成膜面にアンカーコート剤層等の他の層が形成されている場合、当該他の層上に薄膜が形成される。本発明においては、アンカーコート剤層が形成されているものが好ましい。アンカーコート剤層の形成に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル系樹脂、イソシアネート系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレンビニルアルコール系樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ系樹脂、変性スチレン系樹脂、変性シリコン系樹脂、及びアルキルチタネート等を、1又は2種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。アンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により被成膜面110上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、0.1g/m2以上5g/m2以下乾燥状態程度が好ましい。また、基材11の厚みは、特に限定されないが、例えば、5μm以上500μm以下の範囲で適宜好適なものを使用可能である。基材巻き出し部12、成膜用ドラム13、基材巻き取り部14、搬送ロール15、16は、RollToRoll方式で基材上に薄膜を成膜するために必要となる。これらは、Y方向に延びる円柱状の形状を有し、中心軸Y方向に延びるを中心に回転するように、真空容器10の側面図示せずに軸受け支持される。各構成について簡単に説明すると、基材巻き出し部12は、周面にロール状に巻かれた基材11を巻き出し、搬送ロール15に基材11を送るための部位であり、成膜用ドラム13は、成膜時に基材11の被成膜面110が蒸着材料収納容器18の上面と対向するように基材11を保持する部位であり、基材巻き取り部14は、成膜後の基材11を巻き取るための部位であり、搬送ロール15は、基材巻き出し部12から巻き出された基材11を成膜用ドラム13に送るための部位であり、搬送ロール16は、成膜用ドラム13で成膜された基材11を、基材巻き取り部14に送るための部位である。特に成膜用ドラム13は、蒸着材料収納容器18から受ける熱により基材11の物性が影響を受けないよう-20°C程度に冷却されている。防着箱17は、真空容器1内に配置される。防着箱17は、開閉可能な開口部172を備えた防着板171を有する。真空成膜装置1において、防着板171は、防着箱17の上板にあたる。開口部172は、開口1721とシャッター1722から構成される。開口1721は、成膜用ドラム13に巻きかけられた基材11の被成膜面110と対向する位置に設けられる。シャッター1722は、水平方向±X方向に移動して、開口1721の開閉を行なうための部位である。また、防着箱17は電気的にアース接地されている。蒸着材料収納容器18について、図2を用いて説明する。図2は、外周に高周波誘導加熱コイル41を有する蒸着材料収納容器18を模式的に示す図でありaは斜視図であり、bは断面図である。蒸着材料収納容器18は、黒鉛ルツボ181、カーボンウール182、セラミック容器183を備える。黒鉛ルツボ181は、上面に凹部を有する有底円筒状であり、この凹部が蒸着材料収納容器開口部に該当する。なお、電位を印加できるものであればよいため、本発明は黒鉛ルツボを使用するものに限定されない。カーボンウール182は、黒鉛ルツボの外周面及び底面を被覆する部品である。なお、本実施形態ではカーボンウールを使用しているが、熱伝導性が低く、電気伝導性が高い被覆材料を用いればよい。セラミック容器183は、凹部を有する有底円筒状の部品であり、凹部内にカーボンウール182に被覆された黒鉛ルツボ181が収容される。セラミック容器183は、導電部の一例であるイオン化電極1831と、絶縁版1832とを有する。イオン化電極1831は凹部の底に配置される。絶縁板1832は、凹部の開口縁に形成され、カーボンウール182に被覆された黒鉛ルツボ181の開口縁の上部を覆う。なお、セラミック容器183の外周に高周波誘導加熱コイル41が配置される。また、イオン化電極1831と電位印加部5の正電位側とがカーボンウール182を介して電気的に接続されている。蒸着材料2は、上記反応ガスと反応して、基材11の被成膜面110に形成される薄膜の原料である。本実施形態において、蒸着材料2はSiOである。なお、本発明において、蒸着材料2の種類は特に限定されないが、使用可能な蒸着材料2として、例えば、SiO2、Al、Al2O3、SiN、SiOZn等を挙げることができる。プラズマガン3は、防着箱17の内部にプラズマを照射する部位である。プラズマガン3はアノード電極31と、プラズマ照射口32とを有する。アノード電極31は、プラズマ照射口32に隣接する位置に設けられる。本実施形態において、プラズマガン3は、Arプラズマを放出するアノード電極を有する圧力勾配型のプラズマ発生装置である。加熱部4は、蒸着材料収納容器18内の黒鉛ルツボ181を加熱し、蒸着材料2を蒸発させる部位である。本実施形態において、加熱部4は、高周波誘導加熱コイル41と、高周波電源42とを有する。高周波誘導加熱コイル41は水冷コイルであり、蒸着材料収納容器18の外周に配置される。高周波電源42は、高周波誘導加熱コイル41と電気的に接続されている。電位印加部5は、電源であり、黒鉛ルツボ181に対して、正電位を印加する部位である。電位印加部5の正電位側は、カーボンウール182、イオン化電極1831を介して黒鉛ルツボ181と電気的に接続されている。本実施形態においては、電位印加部5の正電位側は、プラズマガン3のアノード電極31とも電気的に接続されている。また、蒸着材料収納容器18とアノード電極31との間は可変抵抗を介して電気的に接続されている。なお、電位印加部5の負電位側は、プラズマガン3の有する電極図示せずと電気的に接続されている。<真空成膜装置の使用方法>本実施形態の真空成膜装置の使用方法の一例について説明する。図1に示す真空成膜装置1において、シャッター172を閉じた状態で真空容器10に接続された真空ポンプを作動させ、真空容器10内の真空度を1×10-4Pa以上1×10-1Pa以下の範囲に調整する。真空度を調整した後、プラズマガン3のスイッチを入れ、防着箱17内にプラズマを数分程度1分以上10分以下照射する。この時はプラズマが防着箱17内に広く拡散し電子がアノ-ド電極31に還流するよう可変抵抗を操作する。プラズマガン3でプラズマを数分照射後、プラズマを照射した状態で高周波電源42から高周波誘導加熱コイル41に高周波電流を送る。電流値は適宜調整可能であるが、12A以上22A以下に調整することが好ましい。高周波誘導加熱コイルに高周波電流が流れると黒鉛ルツボ181自体が渦電流によってジュ-ル熱を発する。このジュール熱は、黒鉛ルツボ181の温度を上昇させ、黒鉛ルツボ181内にある蒸着材料2を蒸発させる。蒸着材料2が蒸発していることは、真空容器10内の圧力の低下やプラズマの発光色により確認できる。なお、真空容器10内の圧力の低下とは、真空度が高くなることを意味する。蒸着材料2の蒸発が盛んになると、真空容器10内のガスと蒸発した蒸着材料2とが化合するため、真空容器10内のガスが減り真空度が高まる。この結果、蒸発の程度を、真空容器10内の圧力の低下から確認できる。蒸着材料2が蒸発していることを確認後、可変抵抗を操作し、プラズマガン3から放出された電子が、黒鉛ルツボ181の凹部内に流れ込むように調整する。電子が黒鉛ルツボ181に流れ込むと、黒鉛ルツボ181の有する電気抵抗により黒鉛ルツボ181の温度はさらに上昇する。プラズマガン3から放出された電子が、黒鉛ルツボ181の凹部内に流れ込むように調整した後、基材巻き出し部12を矢印Aの方向に、成膜用ドラム13を矢印B方向に、基材巻き取り部14を矢印C方向に、搬送ロール15を矢印D方向に、搬送ロール16を矢印E方向に、それぞれの中心軸を中心に回転させ、基材巻き出し部12の周面にロール状に巻かれた基材11を、基材巻き取り部14まで連続的に送る。基材11の搬送速度が0.1m/分以上600m/分以下特に好ましくは1m/分以上300m/分以下になるように、基材巻き出し部12等の回転速度を調整することが好ましい。この基材11の搬送を始めた状態でシャッター1722を開く。この基材11を搬送する過程で、被成膜面110に薄膜が形成される。具体的には、以下のようにして薄膜が形成される。基材巻き出し部12の周面にロール状に巻かれた基材11が、基材巻き出し部12の矢印A方向への回転により、白抜き矢印F図1に記載の方向に巻き出される。基材巻き出し部12から巻き出された基材11は、搬送ロール15の矢印D方向への回転により、白抜き矢印G図1に記載の方向に搬送され、成膜用ドラム13まで送られる。成膜用ドラム13まで送られた基材11は、成膜用ドラム13の矢印B方向への回転により、成膜用ドラム13上を白抜き矢印H方向に搬送される。この際、被成膜面110が防着箱17の上面にある開口1721の上を通過する。この通過の際に、被成膜面110に薄膜が形成される。成膜用ドラム13から離れた基材11は、搬送ロール16が矢印E方向に回転することにより、白抜き矢印I図1に記載の方向に搬送される。そして、基材11は、搬送ロール16の周面を沿うように送られる。搬送ロール16の周面を沿うように搬送された基材11は、基材巻き取り部14の周面にロール状に巻かれるように巻き取られる。<真空成膜装置の効果>本実施形態の真空成膜装置1によれば以下の効果が奏される。本実施形態の真空成膜装置1は、蒸着材料収納容器18に加熱部4が接続されている結果、蒸着材料収納容器18を加熱することができる。特に、本実施形態において、加熱部4は蒸着材料収納容器18の黒鉛ルツボ181を加熱する。このため、仮に蒸発した蒸着材料2が、黒鉛ルツボ181に付着したとしても瞬時に蒸発してしまう。その結果、黒鉛ルツボ181が汚れてしまいイオンプレーティング効果が消失することを抑制することができる。そして、黒鉛ルツボ181に正電位を印加する電位印加部5が接続されている結果、黒鉛ルツボ181内に電子が流れ込みやすくなる。黒鉛ルツボ181内に電子が流れ込むと、黒鉛ルツボ181の有する抵抗により、黒鉛ルツボ181はさらに加熱される。また、電位印加部5が黒鉛ルツボ181に正電位を印加することで、黒鉛ルツボ181内に電子が流れ込み蒸着材料2と激しく衝突する。このように、蒸発した蒸着材料2と、黒鉛ルツボ181内に流れ込む電子との衝突が促進されることにより、蒸発した蒸着材料2のイオン化が促進される。イオン化した蒸着材料2が被成膜面110に衝突することにより、形成される薄膜のバリア性を大幅に向上させることができる。なお、上記のように、黒鉛ルツボ181が加熱される結果、加熱された黒鉛ルツボ181の内側の表面温度は、蒸発材料2の蒸発開始温度より高くなる。また、本実施形態の真空成膜装置1は、防着箱17を備え、防着箱17は、開閉可能な開口部172を備えた防着板171を有する。真空成膜装置1において、防着板171は、防着箱17の上板にあたる。開口部172は、開口1721とシャッター1722から構成される。開口1721及びシャッター1722は、蒸着のタイミングを操作するために用いられる。ところで、従来の真空成膜装置を用いた成膜では、シャッター1722の下面開口1721をシャッター1722で閉じたときに、蒸着材料収納容器18の上面と対向する面は、蒸着材料2の蒸気に長時間曝されるため、蒸着材料2が付着して溜まりやすい。蒸着材料2がシャッター1722の下面に溜まると、溜まった蒸着材料2は自重で蒸着材料2が収容された蒸着材料収納容器開口部に落下する。落下した蒸着材料2は、蒸着材料2が蒸発することを妨げる。その結果、被成膜面110への薄膜の安定した形成が阻害される。このように薄膜の形成が阻害されると、蒸着のやり直しが必要になる等の問題が生じる場合もある。これに対して、本実施形態の真空成膜装置1によれば、上述の通り、蒸発した蒸着材料2のイオン化が促進されているため、蒸着材料2のシャッターに対する密着力が良くなり成膜中に蒸着材料2が剥がれ落下する問題がなくなる。また、本実施形態の真空成膜装置1によれば、成膜前の基材11を巻き出す基材巻き出し部12と、成膜される基材11を搬送する成膜用ドラム13と、成膜後の基材11を巻き取る基材巻き取り部14と、を備えるため、RollToRoll方式で、被成膜面110上に薄膜を形成することが可能である。黒鉛ルツボ181を加熱しない場合、上述の通り、蒸発した蒸着材料2が黒鉛ルツボ181に付着すると、その状態が維持されるため、イオンプレーティング効果が消失してしまい、一定の品質の薄膜を被成膜面110上に成膜することができない。その結果、従来、薄膜の形成を連続して行なうことが困難であった。しかし、本実施形態の真空成膜装置1の場合、上述の通り、蒸発した蒸着材料2が黒鉛ルツボ181に付着しても、黒鉛ルツボ181の有する熱により、直ちに蒸発する。したがって、本実施形態の真空成膜装置1は、RollToRoll方式で成膜を行なう装置とすることで、極めて高い生産性を有する真空成膜装置になる。さらに、上述の通り、本実施形態の真空成膜装置1によれば、従来の真空成膜装置を用いるよりも、バリア性の高い薄膜を被成膜面に形成することができる。したがって、本実施形態の真空成膜装置1によれば、被成膜面110に、高品質な薄膜を、高い生産性で且つ安定した品質で形成することができる。また、本実施形態の真空成膜装置1によれば、蒸着材料収納容器18は、凹部を有し、この内部に蒸着材料2が収容されるようになっている。凹部内に蒸着材料2を収容することで、蒸着材料2の保持が容易になる。そして、凹部内に保持された蒸着材料2を周囲から加熱することで、加熱効率が高まり、蒸着材料2を加熱してから蒸発までの時間が短くなる。特に蒸着材料収納容器18の周囲からの蒸着材料2への加熱を、セラミック容器の外周に設けられた高周波誘導加熱コイルと、高周波誘導加熱コイルに対して高周波電流を供給する高周波電源とを用い、高周波電流を高周波誘導加熱コイルに流す方法で行うことにより、さらに加熱効率が高まる。また、黒鉛ルツボ181は、他の容器等と比較して高周波誘導加熱効率に優れる。このため、黒鉛ルツボ181を採用すれば、加熱効率はさらに高まる。また、本実施形態の真空成膜装置1においては、蒸着材料収納容器18がカーボンウール182を備える。カーボンウール182は保温性に優れるため、黒鉛ルツボ181に溜められた熱を保持することができる。また、本実施形態の真空成膜装置1において、蒸着材料収納容器18は、蒸着材料収納容器開口部の底面に対向する位置にイオン化電極1831を有する。電位印加部5は、このイオン化電極1831とアノード電極31とに電圧を印加する電源であり、イオン化電極1831とアノード電極31とは可変抵抗を介して電気的に接続される。可変抵抗を操作することで、アノード電極31に流れ込む電子と黒鉛ルツボ181に流れ込む電子の量を適宜調整することができるので、本実施形態の真空成膜装置1によれば、従来の装置であれば、成膜中にアノード電極に吸収されていた電子の多くを、黒鉛ルツボ181に流し込むことができ、蒸着材料2のイオン化及び加熱効率が高い。また、可変抵抗を調整することにより、黒鉛ルツボ181に流れる電流と、アノード電極31に流れ込む電流との振り分けを自由に行なうことができる。その結果、黒鉛ルツボ181の加熱初期には、防着箱17内に残留した水分を除去するためプラズマを防着箱17内に広く拡散させるのに好適な設定とし、その後、残留水分の除去が進み、黒鉛ルツボ181の加熱が進んだ段階で、プラズマを黒鉛ルツボ181に集中させ蒸着材料2のイオン化を促進するのに最適な設定にすることができる。また、本実施形態の真空成膜装置1において、絶縁板1832は、セラミック容器183の凹部の開口縁に形成され、カーボンウール182に被覆された黒鉛ルツボ181の開口縁の上部を覆う。この絶縁板1832により、蒸着材料収納容器18に流れ込む電子が黒鉛ルツボ181の端部から直接吸収されることを抑え、上記電子を蒸発した蒸発材料2の近傍に収束させることができるため、黒鉛ルツボ181に流れ込む電子による蒸着材料2のイオン化をさらに促進することができる。また、本実施形態において、蒸着材料2は、SiOであり絶縁材料である。蒸着材料2が絶縁材料の場合、黒鉛ルツボ181に蒸発した蒸着材料2が付着すると、その汚れによりイオンプレーティング効果が低下する。しかし、本実施形態の真空成膜装置によれば、黒鉛ルツボ181が加熱されているため、黒鉛ルツボ181に付着した蒸着材料2が直ちに蒸発する結果、蒸着材料2として絶縁材料を採用しても、上記のようなイオンプレーティング効果が低下する問題がほとんど生じない。以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。<材料装置>真空成膜装置1:図1に記載の真空成膜装置蒸着材料:SiO基材1:ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム12μm基材2:アクリル系樹脂を主成分とするアンカーコート剤層0.3μmを有するポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム12μm<実施例、比較例>上記の材料及び装置を用いて、基材への薄膜の形成を行なった。実施例1、比較例1及び2では基材として基材1を使用した。実施例2、比較例3及び4では基材として基材2を使用した。表1には、基材の被成膜面に薄膜を形成する際の基材の搬送速度、真空容器内部の真空度、プラズマを照射する場合のプラズマの照射条件出力、加速電圧、Arガス流量を示した。また、表2には、成膜時にイオン化電極に印加される電位、イオン化電極を流れる電流の電流値、アノード電極を流れる電流の電流値を示した。なお、高周波誘導加熱コイルに供給する電流は、SIOが十分昇華するように調整した。1000mの基材に薄膜を連続して形成した後、薄膜形成の開始位置から900m付近の基材薄膜が形成された基材を切り出し、水蒸気透過度の測定を行なった。水蒸気透過度の測定は、水蒸気透過率測定装置PERMATRAN3/31MOCON社製を用いて、40°C、100RH雰囲気下で行なった。測定結果を表3に示した。実施例1及び比較例1~2の結果、実施例2及び比較例3~4の結果から、黒鉛ルツボを加熱し、プラズマ照射を行ないながら、基材上に薄膜を形成することで、水蒸気バリア性が高くなる。また、12000mの基材に連続して薄膜を形成しても、上記のような高い水蒸気バリア性を実現できることから、薄膜が形成された基材の生産性も高められることが確認された。実施例1の結果、実施例2の結果から被成膜面にアンカーコート剤層を有する基材を使用することで、水蒸気バリア性が非常に高くなることが確認された。