所定波長のレーザ光を透過するセラミックから成るファイバサブマウント本体と、前記ファイバサブマウント本体の上面に設けられるボンディングパッドと、前記ファイバサブマウント本体の下面の少なくとも一部に設けられ、前記所定波長のレーザ光を吸収するレーザ吸収層と、を備えることを特徴とするファイバマウント装置。前記レーザ吸収層は、前記ボンディングパッドからはみ出るように設けられていることを特徴とする請求項1に記載のファイバマウント装置。前記レーザ吸収層の前記ファイバサブマウント本体と反対側に基台が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のファイバマウント装置。前記レーザ吸収層と前記基台との間に、前記ファイバサブマウント本体よりも熱伝導率が低い断熱部材が設けられていることを特徴とする請求項3に記載のファイバマウント装置。前記ファイバサブマウント本体は、前記基台との間が空間により仕切られている梁部を有し、前記ボンディングパッドは、前記梁部の上面に設けられ、前記レーザ吸収層は、前記梁部の下面の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項3に記載のファイバマウント装置。請求項1から5のいずれか1項に記載のファイバマウント装置と、前記ボンディングパッド上において、前記レーザ吸収層に照射された前記所定波長のレーザ光による熱によりはんだ付けされた光ファイバと、を備えることを特徴とする光モジュール。請求項1から5のいずれか1項に記載のファイバマウント装置、及び、光ファイバを準備する準備工程と、前記ボンディングパッド上にはんだ、及び、前記光ファイバを配置する配置工程と、前記レーザ吸収層に前記所定波長のレーザ光を照射して、前記レーザ吸収層を加熱し、この熱により、前記光ファイバを前記ボンディングパッドにはんだ付けするはんだ付け工程と、を備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。しかし、上記特許文献1は、レーザ吸収層以外に熱伝導層を設ける必要があり、構成が複雑という問題がある。そこで、本発明は、簡易な構成で、特性ばらつきの少ない光モジュールを実現可能なファイバマウント装置、及び、それを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明のファイバマウント装置は、所定波長のレーザ光を透過するセラミックから成るファイバサブマウント本体と、前記ファイバサブマウント本体の上面に設けられるボンディングパッドと、前記ファイバサブマウント本体の下面の少なくとも一部に設けられ、前記所定波長のレーザ光を吸収するレーザ吸収層と、を備えることを特徴とするものである。このようなファイバマウント装置によれば、所定波長のレーザ光をファイバサブマウント本体を透過させて、レーザ吸収層に照射することができる。このようにレーザ吸収層にレーザ光を照射することにより、レーザ吸収層は、このレーザ光を吸収して発熱し、この熱はファイバサブマウント本体の下面から上面へと伝導して、ボンディングパッドを加熱する。そして、ファイバサブマウント本体を熱が下面から上面へ伝導する過程において、熱はボンディングパッドの面方向に広がるため、ボンディングパッドにおける熱勾配を抑制することができる。このように特許文献1のように熱伝導層を設ける必要なく、ボンディングパッドの熱勾配を抑制することができるため、簡易な構成にすることができる。そして、このファイバマウント装置を用いて光モジュールを製造する場合、光ファイバをボンディングパッドにはんだ付けする際、ボンディングパッド上の熱勾配が抑制された状態で、はんだ付けをすることができる。従って、光ファイバのはんだ付けのばらつきを抑制することができ、特性ばらつきの少ない光モジュールを実現することができる。さらに上記ファイバマウント装置において、前記レーザ吸収層は、前記ボンディングパッドからはみ出るように設けられていることが好ましい。このようにすることで、ボンディングパッドに遮られることなく、所定波長のレーザ光をファイバサブマウント本体を透過させてレーザ吸収層に容易に照射することができる。また、上記ファイバマウント装置において、前記レーザ吸収層の前記ファイバサブマウント本体と反対側に基台が設けられていることとしても良い。そして、この場合においては、前記レーザ吸収層と前記基台との間に、前記ファイバサブマウント本体よりも熱伝導率が低い断熱部材が設けられていることが好ましい。このような断熱部材を設けることにより、レーザ吸収層で発生した熱が、基台側に伝導することを抑制して、この熱をファイバサブマウント本体を介して、より効率的に、ボンディングパッドに伝導させることができる。或いは、前記ファイバサブマウント本体は、前記基台との間が空間により仕切られている梁部を有し、前記ボンディングパッドは、前記梁部の上面に設けられ、前記レーザ吸収層は、前記梁部の下面の少なくとも一部に設けられていることが好ましい。このような構成にすることにより、レーザ吸収層で発生した熱が、空間により、基台側に短絡的に伝導することが抑制され、この熱をファイバサブマウント本体を介して、より効率的に、ボンディングパッドに伝導することができる。また、本発明の光モジュールは、上記のいずれかのファイバマウント装置と、前記ボンディングパッド上において、前記レーザ吸収層に照射された前記所定波長のレーザ光による熱によりはんだ付けされた光ファイバと、を備えることを特徴とするものである。このような光モジュールは、光ファイバが、熱勾配が抑制されたボンディングパッド上にはんだ付けされるため、特性ばらつきを少なくすることができる。また、本発明の光モジュールの製造方法は、上記のいずれかのファイバマウント装置、及び、光ファイバを準備する準備工程と、前記ボンディングパッド上にはんだ、及び、前記光ファイバを配置する配置工程と、前記レーザ吸収層に前記所定波長のレーザ光を照射して、前記レーザ吸収層を加熱し、この熱により、前記光ファイバを前記ボンディングパッドにはんだ付けするはんだ付け工程と、を備えることを特徴とするものである。このような光モジュールの製造方法は、光ファイバが、熱勾配が抑制されたボンディングパッド上にはんだ付けされるため、特性ばらつきの少ない光モジュールを製造することができる。以上のように、本発明によれば、簡易な構成で、ばらつきの少ない光モジュールを実現可能なファイバマウント装置、及び、それを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法が提供される。以下、本発明に係るファイバマウント装置、及び、それを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る光モジュールである。図1に示すように、光モジュール1は、基台20と、基台20上に配置されるレーザサブマウント91と、レーザサブマウント91上に配置される半導体レーザ素子92と、基台20上に配置されるファイバサブマウント30と、ファイバサブマウント30上にはんだ50によりはんだ付けされている光ファイバ10とを主な構成として備える。このように本実施形態の光モジュール1は、半導体レーザ素子92から出力されるレーザ光を光ファイバ10により外部に出力する光モジュールである。なお、本実施形態においては、基台20及びファイバサブマウント30により、ファイバマウント装置2とされている。光モジュール1は、金属等から成る図示しない筐体内に収められている。基台20は、例えば、金属やセラミック製の板状の部材から構成されている。基台20を構成する材料が金属である場合、この金属としては、特に制限されないが、例えば、銅、銅タングステンを挙げることができ、基台20を構成する材料がセラミックである場合、このセラミックとしては、特に制限されないが、例えば、窒化アルミニウムAlNや酸化アルミニウムAl2O3等を挙げることができる。また、基台20は、筐体と同じ材料である場合には、筐体の一部から構成されても良い。基台20上に配置されているレーザサブマウント91は、略直方体の形状をしており、図示しないはんだ材料により基台20上に固定されている。このレーザサブマウント91を構成する材料としては、特に制限されないが、例えば、AlNやAl2O3等のセラミックを挙げることができ、中でも、熱伝導性に優れる観点からAlNが好ましい。また、基台20とレーザサブマウント91とが同様のセラミックから成る場合には、基台20とレーザサブマウント91とを一体成型により構成しても良い。半導体レーザ素子92は、レーザサブマウント91上に図示しないはんだ材料により固定されている。この半導体レーザ素子92においては、複数の半導体層が積層されており、これらの半導体層により共振器構造が形成されている。そして、半導体レーザ素子92の光ファイバ10側の面から、例えば、波長が900nm帯のレーザ光を出力する。基台20上に配置されているファイバサブマウント30は、ファイバサブマウント本体31と、ファイバサブマウント本体31の下面に設けられたレーザ吸収層32と、ファイバサブマウント本体31の上面に設けられたボンディングパッド33とを備えている。ファイバサブマウント本体31は、略直方体の形状をしている。そして、ファイバサブマウント本体31は、所定波長のレーザ光を透過する。この所定の波長は、特に制限されないが、例えば、約800nm~約10μmの少なくとも一部の波長とされる。ファイバサブマウント本体31を上面から下面に透過するレーザ光の透過率Tは、αを吸光係数として、tをファイバサブマウント本体31の厚さとする場合に、T=e-αtで表され、透過率Tが25以上であることが好ましい。このようなファイバサブマウント本体31を構成する材料としては、ファイバサブマウント本体31の厚さにもより、特に制限されないが、例えば、AlNや、Al2O3や、酸化亜鉛ZnOや、石英ガラスSiO2等のセラミックを挙げることができる。中でも、熱伝導率が比較的大きいことからAlNが好ましい。AlNであれば、波長が約300nm~6000μmの光が透過することができ、例えば、波長が808nmのレーザ光が、厚さ0.3mm当たり約25の透過率で透過することができる。レーザ吸収層32は、ファイバサブマウント本体31の下面全体に設けられている。このレーザ吸収層32は、ファイバサブマウント本体31を透過する所定波長のレーザ光を吸収するように構成されている。このようなレーザ吸収層32は、レーザ光吸収する限りにおいて、特に限定されないが、例えば、ファイバサブマウント本体31側が、チタンTiや、ニッケル等がめっきされた金属層から成り、この金属層のファイバサブマウント本体31側と反対側にAuが積層された積層体から構成されている。ファイバサブマウント本体31側の金属層は、Tiから成ることが、レーザ光の吸収率が高く、発熱の効率が良いため好ましい。例えば、ファイバサブマウント本体31側の金属層がTiから成る場合、波長が808nmのレーザ光を約100吸収して、熱に変換することができる。Au層は、レーザ光を主に吸収する、ファイバサブマウント本体31側の金属層を保護するために設けられた保護層である。ボンディングパッド33は、ファイバサブマウント本体31の上面の一部に設けられており、略四角形状をしている。このボンディングパッド33は、はんだが固定可能なように構成されており、例えば、ファイバサブマウント本体31側にチタンTi層が積層されており、Ti層上に白金Pt層が積層されており、Pt層上に金Au層が積層されており、このAu層の表面が、ボンディングパッド33のファイバサブマウント本体31側と反対側の表面とされている。なお、上述のように、レーザ吸収層32がファイバサブマウント本体31の下面全体に設けられており、ボンディングパッド33は、ファイバサブマウント本体31の上面の一部に設けられているので、レーザ吸収層32は、ボンディングパッド33からはみ出るように設けられている。言い換えると、レーザ吸収層32は、レーザ光の光源が位置する上面から見て、ボンディングパッド33の陰に隠れることが無い領域を有している位置関係にある。このファイバサブマウント30は、レーザ吸収層32の下面ファイバサブマウント本体31側と反対側が、レーザサブマウント91と同様にして、基台20上に固定されている。ボンディングパッド33上には、はんだ50が固定されている。このはんだ50としては、例えば、金錫系の共晶はんだを挙げることができ、Auと錫Snの比としては、Au80-Sn20や、Au10-Sn90を挙げることができる。はんだ50がAu80-Sn20である場合、はんだ50の融点は約280度とされる。図2は、光モジュール1における光ファイバ10の長手方向に垂直な断面の構造を示す図である。図2に示すように、光ファイバ10は、コア11と、コア11の外周面を囲むクラッド12とから構成されている。クラッド12の屈折率はコア11の屈折率よりも低くされており、コアは、例えば、ゲルマニウム等の屈折率を上げるドーパントが添加されたガラスから成り、クラッドは、例えば、何らドーパントが添加されない純粋な石英から構成される。また、特に図示しないが、クラッド12は、光モジュール1の外部においては、紫外線硬化樹脂等から成る被覆層で被覆されている。また、本実施形態においては、光ファイバ10の端部が、先細りに加工されており、レンズとしての機能を有している。そして、光ファイバ10は、はんだ50を貫通しており、光ファイバ10の先細りに加工された端部が、半導体レーザ素子92の出射面に向けられており、半導体レーザ素子92から出力されるレーザ光がコア11に入力するように配置されている。さらに光ファイバ10は、少なくともはんだ50内において、メタライズ層15により被覆されており、このメタライズ層15がはんだ50に固定されている。このメタライズ層15は、はんだ50に濡れやすく、固定され易い構成とされている。メタライズ層の構成としては、特に限定されないが、Ni層とAu層の積層体から成り、Ni層がクラッド12の外周面を被覆しており、Au層がNi層の外周面を被覆している。また、Ni層、Au層の厚さは、特に限定されないが、例えば、Ni層が2μm~3μmであり、Au層が0.1μm~0.2μmとされる。一般に光モジュールにおいては、はんだ付けは、フラックス無しで行うため、メタライズ層15の表面は、濡れ性を高めるためAuであることが好ましい。光ファイバ側のNi層は、Auの石英に対する密着性を高めるために下地層として形成されているものである。従って、本実施形態においては、ボンディングパッド33の表面、及び、はんだ50、及び、メタライズ層15の表面が共にAuを含んで構成されている。このような光モジュール1は、図示しない外部からの電力の供給により、半導体レーザ素子92からレーザ光が出力される。出力されるレーザ光の波長は、上述のように、例えば、900nm帯とされる。出力されたレーザ光は、光ファイバ10のコア11に入力して、コア11を伝播して、光モジュール1の外部に出力される。なお、レーザ光が光ファイバ10に入力するとき、レーザ光は、上述のようにコア11に入力するが、光ファイバ10の端面における屈折や、光ファイバ10及び半導体レーザ素子92における光軸のずれ等により、レーザ光の一部がクラッド12に漏れ光として入力する場合がある。この場合、漏れ光は、主にクラッド12を伝播して、光ファイバ10がメタライズ層15で被覆されている部分に到達して、漏れ光の少なくとも一部がメタライズ層15に吸収され、熱に変換される。このとき生じる熱は、はんだ50、ファイバサブマウント30、及び、基台20を介して、外部に放出される。次に光モジュール1の製造方法について説明する。図3は、図1の光モジュール1の製造方法の工程を示すフローチャートである。図3に示すように、光モジュール1の製造方法は、ファイバマウント装置2、及び、光ファイバ10、及び、はんだ50を準備する準備工程P1と、光ファイバ10、及び、はんだ50をボンディングパッド33上に配置する配置工程P2と、はんだ50により光ファイバ10をボンディングパッド33にはんだ付けするはんだ付け工程P3と、を備える。<準備工程P1>まず、ファイバマウント装置2、及び、光ファイバ10、及び、はんだ50を準備する。ファイバマウント装置2の準備においては、基台20、及び、ファイバサブマウント30を準備する。ファイバサブマウント30の準備においては、ファイバサブマウント本体31を準備して、ファイバサブマウント本体31の上面にボンディングパッド33を設ける。ボンディングパッド33は、蒸着法、スパッタ法、めっき法等の成膜加工により設ければ良い。また、ファイバサブマウント本体31の下面にはレーザ吸収層32を設ける。レーザ吸収層32は、ボンディングパッド33と同様の方法により設ければ良い。そして、ファイバサブマウント30のレーザ吸収層32を図示しないはんだにより基台20にはんだ付けして、ファイバサブマウント30を基台20に固定する。また、本工程において、基台20にレーザサブマウント91を図示しないはんだによりはんだ付けして固定すると共に、レーザサブマウント91上に半導体レーザ素子92を図示しないはんだ材料により固定する。光ファイバ10においては、ボンディングパッド33にはんだ付けされる領域を含んで、この領域よりも長く上述のメタライズ層15を設ける。具体的には、はんだ付けされる領域の両側にはみ出すようにして、メタライズ層15を設ける。このはんだ付けされる領域の長さは、図1に示すように光ファイバ10がボンディングパッド33にはんだ付けされる場合において、ボンディングパッド33における光ファイバ10の長手方向に沿った幅と同じと考えれば良い。従って、この場合には、メタライズ層15の長さが、ボンディングパッド33における光ファイバ10の長手方向に沿った幅よりも長くなるようにして、メタライズ層15を設ければ良い。メタライズ層15は、上述のように、例えば、Ni層とAu層との積層体である場合、めっき法により設けられることが好ましい。めっき法によれば、長さ方向に垂直な断面が円形である光ファイバ10の側面に対して、より均一な厚さでメタライズ層15を設けることができるためである。はんだ50は、光ファイバ10をファイバサブマウント30上に固定するために、適切な量を準備して、必要な分のはんだをファイバサブマウント30上に配置できるように、一塊にしておく。なお、はんだ50にはフラックスが添加されていないことが、光ファイバ10の先細りした端部や半導体レーザ素子92の出射面にフラックスが付着することを防止でき、また、はんだ50の酸化や硫化を防止でき、光モジュール1の信頼性を向上させることができる観点から好ましい。<配置工程P2>次に準備したファイバサブマウント30上に、光ファイバ10、及び、はんだ50を配置する。図4は、配置工程P2後の様子を示す図である。具体的には、図4のAは、光ファイバ10の軸方向からファイバサブマウント30を見る図であり、図4のBは、ボンディングパッド33を平面視する図である。なお、図4のBにおいて、基台20の記載は省略されている。図4に示すように、本工程においては、ボンディングパッド33上の端にはんだ50を配置する。また、光ファイバ10の中心軸が、半導体レーザ素子92から出射されるレーザ光の光軸と合うようにして、光ファイバ10を配置する。この光ファイバ10の配置においては、図示しない治具を用いて、図4のAに示すように、光ファイバ10がボンディングパッド33から僅かに浮くようにして、光ファイバ10の位置を固定する。この固定位置において、図4のBに示すように、メタライズ層15の両方の端部が、ボンディングパッド33からはみ出ることになる。こうして、図4に示すように、ファイバサブマウント30上に、光ファイバ10、及び、はんだ50が配置される。<はんだ付け工程P3>次に、ボンディングパッド33上に配置されたはんだ50を加熱により溶融して、ボンディングパッド33及びメタライズ層15に付着させる。図5は、はんだ付け工程P3の様子を図4のAと同じ視点から見た図である。図5に示すように、はんだの加熱は、レーザ光Lの照射により行われる。レーザ光Lは、ファイバサブマウント本体31の上面のボンディングパッド33が無い領域に照射される。このレーザ光Lは、ファイバサブマウント本体31を透過することができる所定波長の光と同じ波長を含むレーザ光とされる。従って、レーザ光Lの少なくとも一部は、ファイバサブマウント本体31を透過して、レーザ吸収層32に到達し、レーザ吸収層32に吸収されて熱になる。レーザ光Lは、例えば、半導体レーザから出力される波長808nmのレーザ光である。なお、本実施形態においては、図5に示すように、レーザ光Lは、ファイバサブマウント本体31の上面のボンディングパッド33が無い領域から、レーザ吸収層32におけるボンディングパッド33の下の領域に照射されることが好ましい。このようにレーザ光が照射されることにより、後述のボンディングパッド33における熱勾配をより抑制することができる。或いは、本実施形態のように、レーザ吸収層32がボンディングパッド33からはみ出すように設けられている場合、ボンディングパッド33に遮られることなく、レーザ光Lをファイバサブマウント本体31を介してレーザ吸収層32に容易に照射することができる観点から、レーザ光Lは、ファイバサブマウント本体31の上面のボンディングパッド33が無い領域から、レーザ吸収層32におけるボンディングパッド33からはみ出している領域に照射されることとしても良い。レーザ吸収層32で発生した熱は、ファイバサブマウント本体31を拡散しながら伝導して、ボンディングパッド33に到達する。このようにレーザ吸収層32からの熱伝導により、ボンディングパッド33が加熱されて、更にこの熱がはんだ50に伝導して、はんだ50が溶融する。なお、本工程は、はんだ50の酸化を防止する観点から不活性ガス雰囲気下において行うことが好ましい。溶融したはんだ50は、ボンディングパッド33の露出している表面全体に濡れ広がり、ボンディングパッド33に付着すると共に、光ファイバ10のメタライズ層15を巻き込むようにしてメタライズ層15に濡れ広がり付着する。そして、レーザ光Lの照射が終了後に、溶融したはんだ50が固化して、光ファイバ10がファイバマウント装置2のファイバサブマウント30に固定され、図1に示す光モジュール1を得る。以上説明したように、本実施形態のファイバマウント装置2を用いた光モジュールの製造方法によれば、レーザ吸収層32で発生した熱は、ファイバサブマウント本体31を下面から上面へ伝導する過程において、ボンディングパッド33の面方向に広がるため、ボンディングパッド33の熱勾配を抑制することができる。すなわち、ボンディングパッド33の全面に対して、レーザ光吸収による発熱源からの距離の偏りが小さい位置とすることができるため、ボンディングパッド33と同一面内にレーザ光吸収による発熱源が位置する従来の方法と比較して、ボンディングパッド33上の熱勾配を抑制することができる。このようにボンディングパッド33上の熱勾配が抑制された状態で、はんだ付けを行うことができため、光ファイバ10のはんだ付け位置のばらつきを抑制することができ、特性ばらつきの少ない光モジュール1を実現することができる。また、ファイバマウント装置2は、ファイバサブマウント本体31において、レーザ吸収層32で発生した熱がボンディングパッド33の面方向に広がるため、特に熱伝導層を設ける必要が無く、簡易な構成でばらつきの少ない光モジュールを実現することができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態について図6を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図6は、本発明の第2実施形態に係る光モジュールを示す図である。図6に示すように、本実施形態の光モジュール3は、第1実施形態におけるファイバマウント装置2の代わりにファイバマウント装置4が用いられ、ファイバマウント装置4は、レーザ吸収層32と基台20との間に、ファイバサブマウント本体31よりも熱伝導率が低い断熱部材34が設けられている点において、第1実施形態のファイバマウント装置2と異なる。断熱部材34は、レーザ吸収層32における基台20側の全面に設けられても良く、一部に設けられても良い。断熱部材34の材料としては、ファイバサブマウント本体31よりも熱伝導率が低い限りにおいて、特に限定されないが、例えば、ファイバサブマウント本体31がAlNから構成されている場合には、モリブデンMo、ニッケルNi、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2、ガラス等を挙げることができ、ファイバサブマウント本体31がAl2O3から構成されている場合には、ZrO2、ガラス等を挙げることができ、ファイバサブマウント本体31がZnOから構成されている場合には、ZrO2、ガラス等を挙げることができる。このような光モジュール3は、次のように製造することができる。まず、準備工程P1において、第1実施形態と同様にして、光ファイバ10、及び、はんだ50を準備し、さらに、ファイバマウント装置4を準備する。ファイバマウント装置4の準備においては、第1実施形態と同様にして、ファイバサブマウント本体31にレーザ吸収層32及びボンディングパッド33を設ける。そして、レーザ吸収層32のファイバサブマウント本体31側と反対側の面の少なくとも一部に断熱部材34を設ける。断熱部材34は、例えば、スパッタやめっき法等によりレーザ吸収層32の表面に直接設けても良く、別途用意した断熱部材34をレーザ吸収層32に貼り合せて設けても良い。そして、断熱部材34がレーザ吸収層32の全面に設けられる場合には、断熱部材34を基台20にはんだ付けにより固定し、断熱部材34がレーザ吸収層32の一部に設けられる場合には、断熱部材34及びレーザ吸収層32を基台20にはんだ付けにより固定する。次に、第1実施形態と同様にして、光ファイバ10、及び、はんだ50を準備したファイバマウント装置4上に配置して、配置工程P2を行う。次に、第1実施形態と同様にして、レーザ光Lを照射して、はんだ付け工程P3を行う。このとき、レーザ吸収層32で発生した熱は、断熱部材34により基台20に伝導することが抑制され、ファイバサブマウント本体31に伝導する。従って、レーザ光Lは、レーザ吸収層32における断熱部材34と重なる領域に照射されることが、より効率良く熱をファイバサブマウント本体31に伝導できるため好ましい。本実施形態におけるファイバマウント装置4を用いた光モジュール3の製造方法によれば、断熱部材34を設けることにより、レーザ吸収層32で発生した熱をファイバサブマウント本体31を介して、より効率的にボンディングパッド33に伝導することができる。なお、断熱部材34が、レーザ吸収層32の全面に設けられている場合、はんだ付け工程P3において、レーザ吸収層32で生じた熱をより効率良くファイバサブマウント本体31側に伝導できるため好ましく、断熱部材34が、レーザ吸収層32の一部に設けられている場合においては、光モジュール3の使用時に光ファイバ10のメタライズ層15で発生した熱が、断熱部材34が設けられていない部分から基台20に伝導し易く、熱放出が効率良くできるため好ましい。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態について図7、8を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図7は、本発明の第3実施形態に係る光モジュールを示す図である。図7に示すように、本実施形態の光モジュールは、第1実施形態におけるファイバマウント装置2の代わりにファイバマウント装置6が用いられ、ファイバマウント装置6は、ファイバサブマウント本体31が、基台20との間が空間により仕切られている梁部36を有し、ボンディングパッド33が、梁部36の上面に設けられ、レーザ吸収層32が、梁部36の下面の少なくとも一部に設けられている点において、第1実施形態のファイバマウント装置2と異なる。ファイバサブマウント本体31は、梁部36と、梁部36よりも厚さが大きな柱部37とから成り、梁部36は、片持ち構造とされている。そして、基台20に柱部37がはんだにより固定されることで、梁部36と基台20との間が空間により仕切られている。このような光モジュールは、以下のように製造する。まず、準備工程P1において、梁部36を有するファイバサブマウント本体31を準備する。梁部36、柱部37は、ファイバサブマウント本体31となる直方体のセラミックを削ることにより形成しても良く、焼成前のセラミックの材料を、梁部36、柱部37を有するファイバサブマウント本体31の形に成型して焼成することにより形成しても良い。次に準備したファイバサブマウント本体31の梁部36の上面に第1実施形態と同様にして、ボンディングパッド33を設ける。さらに、梁部36の下面に第1実施形態と同様にしてレーザ吸収層32を設ける。次に、ファイバサブマウント本体31の柱部37の下面をはんだ付けにより基台20に固定する。こうして梁部36と基台20との間が空間により仕切られたファイバマウント装置6を得る。次に、第1実施形態と同様にして、ボンディングパッド33上に光ファイバ10及びはんだ50を配置して、配置工程P2を行う。次に、図8に示すように、第1実施形態と同様にして、ファイバサブマウント本体31を介して、レーザ吸収層32にレーザ光Lを照射して、はんだ付け工程P3を行う。このとき、レーザ光Lは、ファイバサブマウント本体31の上面のボンディングパッド33が無い領域から、レーザ吸収層32におけるボンディングパッド33の下の領域に照射されても良く、図8に示すようにファイバサブマウント本体31の上面のボンディングパッド33が無い領域から、レーザ吸収層32におけるボンディングパッド33からはみ出している領域に照射されても良い。本実施形態においては、レーザ吸収層32の基台20側が空間であるため、レーザ吸収層32において生じる熱の殆どは、ファイバサブマウント本体31の梁部36を伝導する。そして、梁部36の上面に設けられたボンディングパッド33は、梁部36を伝導した熱により加熱される。こうしてはんだ50が融解して、第1実施形態と同様に光ファイバ10がボンディングパッド33にはんだ付けされる。本実施形態におけるファイバマウント装置6を用いた光モジュールの製造方法によれば、レーザ吸収層32で発生した熱が、空間により、基台20側に伝導することが防止され、この熱をファイバサブマウント本体31の梁部36を介して、より効率的に、ボンディングパッド33に伝導することができる。従って、より効率的にはんだ付け工程を行うことができる。また、光モジュールの使用時においては、光ファイバ10のメタライズ層15で発生した熱は、ファイバサブマウント本体31における梁部36から梁部36以外の部分を介して、基台20に伝導し、熱放出ができる。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態について図9を参照して詳細に説明する。なお、第3実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。図9は、本発明の第4実施形態に係る光モジュールを示す図である。図9に示すように、本実施形態の光モジュールは、第3実施形態におけるファイバマウント装置6の代わりにファイバマウント装置8が用いられ、ファイバマウント装置8は、ファイバサブマウント本体31が、梁部36が両持ち構造であり、ボンディングパッド33が、ファイバサブマウント本体における梁部36以外の上面に設けられている点において、第3実施形態のファイバマウント装置6と異なる。ファイバサブマウント本体31は、梁部36と、梁部36の両側に接続され、梁部36よりも厚さが厚い一組の柱部37a、37bとから成り、梁部36は、両持ち構造とされている。そして、基台20には、一方の柱部37aがはんだにより固定され、他方の柱部37bは、基台20に固定されずに、基台20から僅かに浮いている。こうして、梁部36と基台20との間が空間により仕切られている。そして、ボンディングパッド33は、基台20から僅かに浮いている柱部37bの上面に形成されている。別言すれば、本実施形態のファイバサブマウント本体31は、第3実施形態の片持ち構造の梁部36におけるボンディングパッドと重なる位置の厚さが、柱部37と略同様とされた構造である。このようなファイバマウント装置によれば、光ファイバ10に外力が加わる場合においても、柱部37bが基台20に当接して、梁部36が破損することを防止することができる。従って、信頼性を向上することができる。このような光モジュール5は、以下のように製造する。まず、準備工程P1において、梁部36を有するファイバサブマウント本体31を準備する。梁部36、柱部37a、37bは、ファイバサブマウント本体31となる直方体のセラミックを削ることにより形成しても良く、焼成前のセラミックの材料を、梁部36、柱部37a、37bを有するファイバサブマウント本体31の形に成型して焼成することにより形成しても良い。次に準備したファイバサブマウント本体31の柱部37b上面に第1実施形態と同様にして、ボンディングパッド33を設ける。さらに、梁部36の下面に第1実施形態と同様にしてレーザ吸収層32を設ける。次に、ファイバサブマウント本体31の柱部37aの部位の下面をはんだ付けにより基台20に固定する。こうして梁部36と基台20との間が空間により仕切られたファイバマウント装置6を得る。次に、第1実施形態と同様にして、ボンディングパッド33上に光ファイバ10及びはんだ50を配置して、配置工程P2を行う。次に、第1実施形態と同様にして、ファイバサブマウント本体31を介して、レーザ吸収層32にレーザ光Lを照射して、はんだ付け工程P3を行う。このとき、レーザ吸収層32の基台20側が空間であるため、レーザ吸収層32において生じる熱の殆どは、ファイバサブマウント本体31の梁部36を伝導する。そして、柱部37bの上面に設けられたボンディングパッド33は、梁部36から柱部37bに伝導した熱により加熱される。こうしてはんだ50が融解して、第1実施形態と同様に光ファイバ10がボンディングパッド33にはんだ付けされる。本実施形態におけるファイバマウント装置6を用いた光モジュール5の製造方法によれば、レーザ吸収層32で発生した熱が、空間により、基台20側に短絡的に伝導することが防止され、この熱をファイバサブマウント本体31の梁部36、柱部37bを介して、より効率的に、ボンディングパッド33に伝導することができる。さらに、柱部37bが、梁部36よりも厚いため、熱容量が大きく、レーザ吸収層32で発生した熱をより溜めることができ、よりボンディングパッド33の熱勾配が少ない状態ではんだ付け工程を行うことができる。以上、本発明について、第1~第4実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、上記実施形態の光モジュールは、半導体レーザ素子92から出力されたレーザ光を光ファイバ10から出力する光モジュールとされたが、本発明はこれに限らず、LiNbO3変調器等の光モジュールにも用いることができ、さらに、半導体レーザ素子92の代わりに受光素子を用いて、光ファイバ10から入力した光を受光素子で受光する光モジュールとしても良い。また、上記実施形態においては、基台20及びファイバサブマウント30により、ファイバマウント装置とされていたが、ファイバサブマウント30単体で用いることができる場合には、基台20を省略して、ファイバサブマウント30のみでファイバマウント装置を構成しても良い。