-基材1上に配置された第一の電極2と、-前記第一の電極に面する第一の表面を備える第二の電極5と、-前記第一および第二の電極と電気的に接触している半導体材料層4とを備える、オプトエレクトロニックデバイスであって、前記第二の電極5が、前記第一の表面に隣接し、自己組織化単分子層7SAMの挿入によって前記半導体材料層4で被覆された側壁を備えることを特徴とする、オプトエレクトロニックデバイス。前記第一の表面が、電気絶縁層8、8bで被覆されることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。前記電気絶縁層8が、前記第一の電極2と接触していることを特徴とする、請求項2に記載のデバイス。前記電気絶縁層8bが、半導体材料層8aによって前記第一の電極2から分離されることを特徴とする、請求項2に記載のデバイス。前記半導体材料層4が、異なる半導体材料から製造された2つの副層A、Bを備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。前記第二の電極5が、前記第一の表面と対向し、前記自己組織化単分子層7の挿入によって前記半導体材料層4で被覆された、第二の表面を備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。前記第一の電極2が、電荷注入層3を施されることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。前記半導体材料層4が有機材料であることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。オプトエレクトロニックデバイスを製造するであって、-基材1上に第一の電極2を配置する工程と、-分離層8を形成する工程と、-第二の電極5が前記デバイスの端からオフセットされる側壁を有するように、前記第二の電極を前記分離層上に形成する工程と、-自己組織化単分子層7を前記第二の電極5の前記側壁上に堆積する工程と、-前記第一の電極2および前記自己組織化単分子層7と接触している半導体材料を堆積させる工程とを含む、方法。前記自己組織化単分子層7と前記半導体材料4とが前記第二の電極5の全体にわたって堆積することを特徴とする、請求項9に記載の方法。前記分離層の形成が、半導体材料層8aの堆積を含むことを特徴とする、請求項9に記載の方法。前記分離層の形成が、電気絶縁材料8、8bの堆積を含むことを特徴とする、請求項9~11のいずれか一項に記載の方法。発明の好ましい態様の説明図3には、埋め込み電極を有するオプトエレクトロニックデバイスの態様が示されている。本デバイスは、基材1上に配置された第一の電極2を備える。第一の電極に、好ましくは電荷注入および輸送層3が施される。また、本デバイスは、第一の電極の正面に配置された第二の電極5を備える。電極5はコンパクトな形状であり、デバイスの中心に設置される。電極5は、電極2および基材1の上方に設置され、分離領域8によって電極2から絶縁されている。有機半導体材料から製造された層4は、電極2と電気的に接触するように、例えば注入層3を介して、配置される。上述の通り、電極5の性質を前提として、電極5と有機材料4との接触はSAM層7の挿入によって確立されるべきである。層7は、信頼性の理由から電極5の下部表面上に配置されることができないため、電極5のもう一方の表面上に配置される。そして、電極5は有機材料4で被覆される。そして、電極5は、分離領域8と接触している、電極2と平行な第一の表面を備え、さらに第一の表面に隣接する少なくとも1つの第二の表面は、自己組織化単分子層SAM7および材料4で被覆される。この態様において、分離領域は電気絶縁層8によって形成され、電極2および5の間の短絡を防ぐ。層8が、電極5の横寸法を有するように好ましくは施される。図3に示されるように、電極5は好ましくは有機材料4に埋め込まれる。電極5の側表面および上部表面は、単分子層7および材料4で完全に被覆される。側表面は、電極5の第一の表面に対して実質的に垂直である。図3のデバイスは、発光デバイスまたは受光デバイスとして用いられても良い。例えばそのようなデバイスは、有機発光ダイオードOLED、太陽電池、または有機光検出器である。OLEDの場合、電荷キャリアの有機層4への注入はSAM層7を介して、主に電極5の側表面のレベルで行われる。電子と空孔との再結合率は、電極2および5の近くに設置された有機層4の領域9aおよび9bで最も高い。図4には、分離領域8が有機材料4自体によって形成される他の態様が示されている。そして電極5は、埋め込み電極のように有機材料4で被覆される。SAMで被覆された電極5の側表面および上部表面は、下部表面と比較して、材料4とのより良好な電気的接触を形成する。実際、層7によって、電極材料の仕事関数は有機材料のLUMOレベルに近くなり、接触抵抗が減少する。そして、電荷キャリアは優先的に、SAMで被覆された表面を通じて注入される。他の態様において、層4は、図4のAおよびBで示される、異なる半導体材料からなる少なくとも2つの副層から形成されてもよい。例えば、ポリマー発光ダイオードPLEDの場合、デバイスの効率を向上するために、半導体材料Aが電子ブロッキング層または、上部電極がアノードの場合、正孔ブロッキング層として用いられてもよい。光検出器の場合、層3と接触している半導体材料Aが電子受容体材料p型であってよく、さらに層7と接触している半導体材料Bが電子供与体材料n型であってもよいまたは電極の性質によっては、逆であってもよい。この構造によって、もはや基材からではなく、通常達成が困難である上部から光検出器を照らすことが可能となるであろう。層4のこの構造は、オプトエレクトロニックデバイスの異なる態様と組み合わせて使用されても良い。また、バルクなヘテロ接合を形成するために、層4はp型半導体およびn型半導体の混合物によって形成されてもよい。p型ポリマー材料は、例えば、ZnOのようなn型無機材料のナノ粒子と混合されてもよい。図5には、オプトエレクトロニックデバイスの好ましい態様の断面図が示されている。分離領域は2つの積層8aおよび8bを備える。有機材料4で形成された層8aは、層3と接触しており、層8bは電気的に絶縁され、電極5と接触している。図2の場合、電流はSAM層7を介してのみ注入される。図6および7には、オプトエレクトロニックコンポーネントの典型的な態様の正面断面図および上面断面図がそれぞれ示されている。上部電極5は格子形状である。格子5は、電極2の上方に、一定間隔で好ましくは平行に配置された金属のトラックを備える。この格子は、有機層4における電子輸送を均一にし、OLEDの光パワーを増すことを目的としている。図6から、各トラックが分離領域8によって電極2から電気的に絶縁され、SAM層7で被覆されていることが分かる。有機層4は金属トラックを全て覆い、2つの連続するトラック間のスペースを塞ぐ。カプセル化層9は有機材料4を完全に取り囲んで環境、特に空気および湿気、から保護する。図7において、デバイスは電極5の接触領域11aおよび電極2の接触領域11bを備え、外部回路へのデバイスの電気的接続を保証する。図8には、三次元効果を有するオプトエレクトロニックデバイスの具体的態様が示されている。図3~7の平面的な構造と異なり、電極2はボウル形状である。SAMで被覆された電極5が電極2で形成されたボウルの内側に設置され、有機材料4で満たされる。そして、電極5の側表面はボウル2の両面に向かい合い、一方で、電極5の下部表面はボウルの底に向き合う。この構造では、有機層4が光子発生の大部分を担い、OLEDの効率を向上させる。図3のオプトエレクトロニックデバイスを製造する方法について、以下に説明する。第一工程において、電極2を基材1上に形成する。電極2は、好ましくは、基材全体上にITOインジウムスズ酸化物の物理的気相成長法PVDによって形成したアノードである。そして電極2を基材1上に、例えばフォトリソグラフィーによって、構築する。基材1は、OLEDによって発せられる放射に対して透明であり、例えば、ガラスかプラスチックで製造されてデバイスをフレキシブルにする。電気伝導性を向上するために、電極2を電荷注入および輸送層3で被覆してもよい。層3を、例えば、正孔注入の場合はPEDOT:PSSから製造してもよく、電子注入の場合はZnOまたはTiO2から製造してもよく、電極機能に適応するSAM層の形態で製造してもよい。層3を、好ましくはスピンコーティングによって形成してもよい。そして、例えば150°Cで10分間乾燥する。次工程は、層3上への電極分離層8の形成からなる。層8の形成には、例えば、電気絶縁層の島の形状または格子の形状図3および6での堆積が含まれる。層8を、好ましくはインクジェット印刷によって堆積させる。変型によれば、層8の形成には、単独図4または絶縁層の堆積に先立つ図5、半導体材料の堆積が含まれていてもよい。そのようなフルプレートな堆積は、スピンコーティングによって好ましくは行われる。そして、電極5を分離層8上に形成する。この工程は、ステンシルマスクを用いてPVDによって行ってもよい。電極5は、デバイスの端から離れた少なくとも1つの側表面を有する。電極5は、例えば、金、銀、白金、ニッケルまたは銅から製造され、厚さが10nm~100μmである。SAM層7を、次いで電極5の側方および上方の自由表面上に堆積する。SAM層は、例えば金カソードに関しては、基材を4-メトキシ-ベンゼンチオールのエタノール溶液に浸漬させることによって、好ましくは電極の自由表面全体にわたって堆積する。他のSAMタイプは、電極材料の性質に従って使用してもよく、例えば、カソードに関してはデカンチオール又は4-メチルベンゼンチオール、あるいは、アノードに関してはペンタフルオロ-ベンゼンチオールまたはペルフルオロデカンチオールタイプのSAMを使用してもよい。他の態様において、絶縁層8を基材全体にわたって堆積させてもよい。そして、電極5およびSAM7を形成する。これらの工程の間、層8は既に形成された下側の層を保護するための層として機能する。そして、電極5の下に設置された部分を除いて、層8の全体を取り除く。電極5は、さらにこのような除去を行う間にマスクとして機能することもできる。次工程は、SAMで被覆された電極5の表面および層3の自由表面上への有機材料層4の堆積からなる。そして、有機材料は、層3を介して電極2と電気的接触を形成、SAM層7を介して電極5と電気的接触を形成する。この堆積は、例えばグローブボックス中のような、制御された雰囲気下で行う。有機材料4は、小分子またはオリゴマーに基づくものであってよく、一般的に真空蒸着によって堆積する。半導体ポリマー、例えばポリ[p-フェニレンビニレン]PPV、から形成されてもよい。ポリマー層は、好ましくはスピンコーティング又は吹き付けによって10nm~1μmの厚さで形成する。最後に、有機層のカプセル化は、例えば、紫外線によって重合可能なエポキシ接着剤を用いて、ガラスプレートを接着することによって行う。他の手法を用いてもよいが、従来の方法であるので、本明細書では詳述しない。図3~8との関係で説明した構造は、有機材料の堆積が電極およびSAM層の形成後に行われるという事実によって、上部電極上にSAM層を容易に統合すること、およびSAM層と有機層との間の密接な接触を提供することの両方を可能にすることを示す。電気的接触および電流注入は、従って大幅に向上する。図3および5~8の態様において、電気絶縁層8または8bは従来技術におけるよりも高いエネルギーで堆積技術を使用することを可能にする。電極5を、PVD型の堆積によって、例えば下方の層の交代のリスク無しに、この絶縁層上に堆積してもよい。そして、絶縁層8bの下に配置された有機材料8aは図5の例において保護される。リーク電流および短絡を引き起こす、有機層中の欠陥が避けられる。さらに、この保護層によって、上部電極はフォトリソグラフィーを用いて形成してもよい。実際、絶縁層8bは、電極5の堆積用のマスクとして使用される樹脂の堆積および除去から、有機層8aを保護する。そして、上部電極の空間分解能が向上することができる。この電極はレーザー切断によって形成してもよい。加えて、有機材料の堆積は、一般的に空気に敏感であるので、工程の最後に後回しにしてグローブボックス中での工程を一工程にしすることで、工程全体をグローブボックス中で行わなくしてもよい。したがって、製造方法は大幅に簡略化される。図3~8に示された電極5は、長方形の断面を有する。図7において、格子5を形成する金属トラックは直方体である。しかし、上部電極の注入表面積を増やしてデバイスの効率を上げるために、他の電極の形状が想定されてもよい。図9に、電極形状のいくつかの例を示す。電極5は、台形の断面図面の左側、多角形の断面中央、または円形の断面図面の右側を有していてもよい。本明細書中で説明されたオプトエレクトロニックデバイスの多数の変型、修正、および改良は、当業者に想起されるであろう。本デバイスの操作はOLEDとの関係で説明した。しかし、本発明は特定のタイプのオプトエレクトロニックデバイスに限定されるものではなく、有機でも無機でもよい。具体的には、層4の材料は無機半導体であってもよい。実際、電荷キャリア注入の問題は、無機半導体の場合であっても生じるものである。したがって、SAM層は、金属の仕事関数を半導体材料の導電帯に近づけるように、同様に使用されるであろう。同様に、本デバイスはカソードを上部電極として説明した。しかしながら、有機材料のHOMOエネルギーレベルまたは無機材料の価電子帯に近づくように調節される仕事関数を有するアノードを使用し、デバイスが逆構造を有すると言われるように想定されてもよい。最後に、2つの電極は、有機材料と接触している自己組織化単分子層を備えていてもよい。そして、下部電極に付随するSAM層は注入層として機能する。