アモルファス膜にレーザ光を照射して順次側面結晶化によって結晶化する結晶化方法において、レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって前記膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して、前記膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間を溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化することを特徴とするアモルファス膜の結晶化方法。前記非完全溶融エネルギー領域は、一定の周期を有する波形からなることを特徴とする請求項1記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記レーザ光の後照射における前記非完全溶融エネルギー領域と、前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域とを、振幅方向および波の長さ方向でずれるように位置させることを特徴とする請求項2記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記レーザ光の後照射における前記非完全溶融エネルギー領域は、前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域間の中心に位置し、かつ前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域に対し、波の長さ方向に半周期ずれるように、位置させることを特徴とする請求項3記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記非完全溶融エネルギー領域は、三角波または正弦波状の波形を有していることを特徴とする請求項2~4のいずれかに記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記波形の周期は、結晶化された膜に配置される薄膜トランジスタの配置間隔の整数倍であることを特徴とする請求項2~5のいずれかに記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記波形の周期は、結晶化した膜を基板として用いるフラットパネルディスプレイの画素間隔の整数倍であることを特徴とする請求項2~6のいずれかに記載のアモルファス膜の結晶化方法。前記非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域とを有するレーザパターンで前記アモルファス膜を結晶化することを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のアモルファス膜の結晶化方法。アモルファス膜に照射するレーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光を前記膜に誘導する光学系と、を備え、前記レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域が波形になって振幅方向に間隔を置いて並列し、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって前記膜が溶融する波形の溶融エネルギー領域とするレーザパターンで前記アモルファス膜を結晶化することが可能であることを特徴とする結晶化装置。前記アモルファス膜と前記レーザ光とを相対的に走査する走査装置を備えることを特徴とする請求項9に記載の結晶化装置。従来の結晶成長方法ではいずれも、レーザビームを複数のラインの形に成形してシリコン薄膜を堆積した被照射物に照射し、シリコン薄膜を溶融している。このため、シリコンが液体から固体になる際に生成する突起が線状になって一定間隔に形成される。しかし、ビーム内のエネルギーの差や焦点位置のズレにより、突起の位置に部分的なズレが生じる場合があり、このズレによりムラが発生する。このムラは、結晶化された薄膜をディスプレイに使用したとき、欠陥として現れる。また、レーザ照射する際にはステージを移動させているが、その際にステージの揺れも同様な原因となり、ムラの原因になってしまう。この発明は上記のような従来のものの課題を解決するためになされたもので、結晶の成長を任意的にばらつくようにすることにより、部分的な突起のズレが発生してもムラが発生しないようにできる結晶化方法および結晶化装置を提供することを目的としている。すなわち、アモルファス膜の結晶化方法のうち、第1の本発明は、アモルファス膜にレーザ光を照射して順次側面結晶化によって結晶化する結晶化方法において、レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって前記膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して、前記膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間を溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化することを特徴とする。上記本発明によれば、上記非完全溶融エネルギー領域の形状に応じて形成される固相から、波形状に従って、順次側面結晶化が進むので、結果的に形成される突起部の位置がばらついて、装置や外部影響によって生じる突起部の位置ずれによるムラの発生を抑制する。第2の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第1の本発明において、前記非完全溶融エネルギー領域は、一定の周期を有する波形からなることを特徴とする。第3の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第2の本発明において、前記レーザ光の後照射における前記非完全溶融エネルギー領域と、前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域とを、振幅方向および波の長さ方向でずれるように位置させることを特徴とする。上記本発明によれば、先のレーザ光照射による波形の固相と、後のレーザ光照射による波形の固相の位置をずらして順次側面結晶化を行うので、結果的に形成される突起部の位置をばらつかせて、装置や外部影響によって生じる突起部の位置ずれによるムラの発生を抑制する。第4の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第3の本発明において、前記レーザ光の後照射における前記非完全溶融エネルギー領域は、前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域間の中心に位置し、かつ前記レーザ光の先照射における前記非完全溶融エネルギー領域に対し、波の長さ方向に半周期ずれるように、位置させることを特徴とする。上記本発明によれば、先のレーザ光照射による波形の固相と、後のレーザ光照射による波形の固相の位置を適切にずらして順次側面結晶化を行うことができ、突起部の位置を効果的にばらつかせて、装置や外部影響によって生じる突起部の位置ずれによるムラの発生を抑制する。第5の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第2~第4の本発明のいずれかにおいて、前記非完全溶融エネルギー領域は、三角波または正弦波状の波形を有していることを特徴とする。上記本発明によれば、波形の非完全溶融エネルギー領域にしたがって、順次側面結晶化が異なる向きで所定の方向に進行し、順次側面結晶化を略均等に行うことができ、良質な結晶化が可能になる。第6の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第2~第5の本発明のいずれかにおいて、前記波形の周期は、結晶化された膜に配置される薄膜トランジスタの配置間隔の整数倍であることを特徴とする。上記本発明によれば、非完全溶融エネルギー領域の周期に依存して突起の形成位置が定めるため、突起を薄膜トランジスタ間の間隙など、支障のない場所に位置するように薄膜トランジスタの配置位置の設計を行うことができる。第7の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第2~第6の本発明のいずれかにおいて、前記波形の周期は、結晶化した膜を基板として用いるフラットパネルディスプレイの画素間隔の整数倍であることを特徴とする。上記本発明によれば、非完全溶融エネルギー領域の周期に依存して突起の形成位置が定めるため、突起をフラットパネルディスプレイの画素に支障のない場所に位置するように薄膜トランジスタの配置位置の設計を行うことができる。第8の本発明のアモルファス膜の結晶化方法は、前記第1~第7の本発明のいずれかにおいて、前記非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域とを有するレーザパターンで前記アモルファス膜を結晶化することを特徴とする。上記本発明によれば、上記で定めた前記非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域のイメージに従って、アモルファス膜に前記非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域を与えてレーザ光照射を行うことで、順次側面結晶化を効率よく行うことができる。なお、前記レーザパターンは、レーザ光遮蔽またはレーザ光低透過部とレーザ光透過部とを有する光学部材や光学系回折格子などによる成形などにより得ることができる。ただし、本発明としては、レーザパターンを得る手段がこれらに限定されるものではない。上記本発明によれば、上記レーザ光遮蔽または低透過部およびレーザ光透過部を有するレーザパターンにより所定配置形状で非完全溶融エネルギー領域と溶融エネルギー領域とを膜に与えることができる。先のレーザ光照射と、後のレーザ光照射とで、非完全溶融エネルギー領域の位置を異なるようにするには、先のレーザ光照射と後のレーザ光照射でレーザ光を異なる形状に成形してもよく、また成形したレーザ光をレーザ光照射に際し前記位置が異なる分、相対的に移動させても良い。さらに、例えば、レーザ光に先の照射用と、後の照射用とに位置をずらしてレーザ光遮蔽またはレーザ低透過部とレーザ光透過部とが横方向に並ぶように設けておき、先の照射と後の照射とで、相対的に横方向に移動させて、レーザ光を照射するようにしても良い。第9の本発明のアモルファス膜の結晶化装置は、アモルファス膜に照射するレーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光を前記膜に誘導する光学系と、を備え、前記レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域が波形になって振幅方向に間隔を置いて並列し、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって前記膜が溶融する波形の溶融エネルギー領域とするレーザパターンで前記アモルファス膜を結晶化することが可能であることを特徴とする。上記本発明によれば、前記した本発明の結晶化方法を確実かつ効率的に実行することができる。なお、上記レーザパターンは、前記したように結晶化装置に、レーザ光遮蔽またはレーザ光低透過部とレーザ光透過部とを有する光学部材や、光学系回折格子などなどの成形手段を設けることにより得ることができる。第10の本発明のアモルファス膜の結晶化装置は、前記第9の本発明において、前記アモルファス膜と前記レーザ光とを相対的に走査する走査装置を備えることを特徴とする。上記本発明によれば、前記成形手段の相対的な移動や、膜の移動により膜全般に亘る結晶化処理をおこなうことができる。すなわち、本発明のアモルファス膜の結晶化方法によれば、レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって前記膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して、前記膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、非完全溶融エネルギー領域を波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間を溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化するので、波形の結晶成長時に発生する突起の間隔をランダムに制御することができ、装置性能や外乱影響による突起のずれによるムラが発生しない効果がある。参考形態1以下に、本発明の一参考形態を説明する。図1aは、結晶化装置を示すものであり、シリコン膜10が形成された基板1を載置するステージ2と、該ステージをXYZ軸方向に移動可能とした移動装置3と、所定波長のレーザ光4aを出力するレーザ光源4とを備えている。上記シリコン膜10は、処理前においてアモルファスの状態にある。レーザ光源としては、例えばコヒレント社のレーザ発振器LS20001もしくはLSX315波長308nm、繰り返し発振数300Hzを用いることができる。但し、本発明としてはレーザ光源4が特定のものに限定されるものではない。レーザ光源4で発振されたレーザ光4aは、ミラー5、結像レンズ6などにより構成される光学系を通して誘導され、基板1のシリコン膜10に照射される。また、レーザ光4aの光路結像レンズ6の入射側には、レーザ光遮蔽またはレーザ光低透過部とレーザ光透過部とを有する光学部材7が配置されて、レーザ光4aの整形がなされ、前記結合レンズ6側に至る。また、前記移動装置3によってステージ2を移動させることで、レーザ光4aとシリコン膜10との相対的な位置を変更することができる。したがって、移動装置3は、本発明の走査装置に相当する。なお、この形態では、シリコン膜を処理の対象としているが、本発明は、アモルファス膜を結晶膜に処理するものであり、その材料がシリコンに限定されるものではない。光学部材7は、図1bに示すように、複数の円形のレーザ光遮蔽部7aが行方向および列方向においてそれぞれ等間隔で、かつ行方向および列方向で直線状に揃うように並列して点在しており、該レーザ光遮蔽部7a、7a間がレーザ光透過部7bとなっている。また、該レーザ光遮蔽部7a、7aの間隔は、アモルファス膜を結晶化させて薄膜トランジスタを配置する際に、該薄膜トランジスタの配置間隔の整数倍になるように、また、これをフラットパネルディスプレイに用いる際の画素の間隔の整数倍になるように、設定されている。なお、光学部材としては、必ずしも円形のレーザ光遮蔽部が、行方向および列方向で直線状に位置するように並列していることが必要とされるものではない。図1cは、光学部材の変更例を示すものであり、円形のレーザ光遮蔽部70a...70aの配置位置が各行で異なる光学部材70の平面図と一部拡大図を示している。そして、レーザ光遮蔽部70a以外の部分は、レーザ光透過部70bとなっている。レーザ光遮蔽部70aは、図示行方向、列方向でそれぞれ等間隔行方向と列方向の間隔は異なるで配列されており、行方向で直線状に配列されているものの、列方向では各行毎に位置がずれている。そのずれ量は、レーザ光遮蔽部70a、70a間の間隔の半分に設定されている。この結果、レーザ光遮蔽部70aは、一行置きに列方向での位置が揃うように配列されている。この例では、隣接するレーザ光遮蔽部70a、70aの間隔は、図1cで示すようにレーザ光遮蔽部70aの径Aと同じ距離Aか、これよりも大きな距離Bを有している。この間隔設定により先のレーザ光照射と後のレーザ光照射とで非完全溶融エネルギー領域が重ならないようにレーザ光の照射を行うことができる。なお、前記した光学部材7では、隣接するレーザ光遮蔽部7a同士が矩形状の角部に位置することになる。一方、光学部材70では、隣接するレーザ光遮蔽部70a同士が3角形状の頂点に位置することになる。このため光学部材7では、結晶が固相成長する際、矩形内の対角線上の半分まで成長しなければならずレーザ光遮蔽部70aに比べて相対的に距離が長く結晶化されない部分が残りやすいので、レーザ光遮蔽部7a同士の間隔を狭くせざるを得ない。一方、光学部材70では、結晶が固相成長する際に、三角形の中心まで成長すれば良く前記レーザ光遮蔽部7aに比べて相対的に距離が短く、より結晶化されやすいので、レーザ光遮蔽部70a同士の間隔を前記光学部材7よりも広くすることができる。なお、三角形状に位置する際に、各レーザ光遮蔽部70a同士の間隔が各辺で同一になるように、行間隔を設定するのが望ましい。これにより、各レーザ光遮蔽部70aから三角形の中心までの距離が同一になり、固相成長による結晶化がより均一になされる。ただし、以下では、光学部材7を用いた装置について説明する。以下、光学部材7を備える上記装置を用いて前記基板1にレーザ光を照射して結晶化させる際の作用について説明する。上記光学部材7を通して、レーザ光源4から出力されたレーザ光4aをシリコン膜10の一部領域に照射する。すると、レーザ光4aは、レーザ光遮蔽部7aに相当する非照射域では、シリコン膜10上で非完全溶融エネルギー領域となり、レーザ光透過部7bに相当する照射領域では、シリコン膜10上で溶融エネルギー領域となるレーザパターンに成形される。この結果、図2aに示すように、非完全溶融エネルギー領域はアモルファスの固相10aとなり、溶融エネルギー領域では液相10bとなる。レーザ光4aの照射後、固液相界面において固相10aから液相10bにかけて順次側面結晶化が生じ、液相部分が結晶化する。図2bは、図2aの部分拡大図であり、該結晶化によって生成されるグレインバウンドリ10cを示している。固相10aの周囲でグレインバウンドリ10cが放射状に形成され、該グレインバウンドリ10cの先端に連なる4角形およびその角部に突起が形成されやすくなる。その後、光学部材7またはステージ2を移動させることで、レーザ光遮蔽部7aに相当する非照射域を、前記固相10a、10aの間で同列に位置させる。また、図2cに示すように、光学部材7に先照射用と後照射用にそれぞれレーザ光遮蔽部7aおよびレーザ光透過部7bが横方向に並べておき、光学部材7またはステージ2を移動させることで、レーザ光遮蔽部7aに相当する非照射域を、前記固相10a、10aの間で同列に位置させるようにしてもよい。上記移動後、レーザ光を照射すると、レーザパターンに従ってレーザ光遮蔽部7aに相当する非照射域では、シリコン膜10上で非完全溶融エネルギー領域となり、レーザ光透過部7bに相当する照射領域では、シリコン膜10上で溶融エネルギー領域となる。この結果、非完全溶融エネルギー領域では、固相10dとなり、溶融エネルギー領域では液相となる。このため、先の照射における固相10aも液相となる。レーザ光4aの照射によって、固液相界面において固相10dから液相にかけて順次側面結晶化が生じ、液相部分が結晶化する。図3aは、該結晶化によって生成されるグレインバウンドリ10eを示している。固相10dの周囲でグレインバウンドリ10eが放射状に形成され、該グレインバウンドリ10eの先端に連なる4角形およびその角部に突起が形成されやすくなる。上記結晶化の結果、図3bに示すように、結晶化したシリコン膜10が得られる。該結晶化シリコン膜10では、上記したように突起部が線状に並ぶことはなく、ランダムに、かつ小さい面積で位置しており、位置ずれによるムラの原因になることがない。実施形態1次に、レーザ光遮蔽またはレーザ光低透過部とレーザ光透過部とを有する光学部材のパターンを有する本発明の一実施形態を説明する。この形態では、図4aに示すように、光学部材17に所定の幅で三角波形状をなすレーザ光遮蔽部17aを有し、他の領域はレーザ光透過部17bとなっている。上記光学部材17を通して、レーザ光源4から出力されたレーザ光4aをシリコン膜10の一部領域に照射する。すると、レーザ光4aは、レーザ光遮蔽部17aに相当する非照射域では、シリコン膜10上で非完全溶融エネルギー領域となり、レーザ光透過部17bに相当する領域では、シリコン膜10上で、溶融エネルギー領域となるレーザパターンに成形される。この結果、図4bに示すように、非完全溶融エネルギー領域は三角波形状のアモルファスの固相100aとなり、溶融エネルギー領域では液相となる。レーザ光4aの照射後、固液相界面において固相100aから液相にかけて順次側面結晶化が生じ、液相部分が結晶化する。図4bには、該結晶化によって生成されるグレインバウンドリ100cを示している。そして固相100a、100a間で、波形状の突起100dが形成されている。次いで、光学部材17またはステージ2を移動させることで、図4aに示すように、レーザ光遮蔽部17aに相当する波形の非照射域が、前記固相100a、100aの間で、波の長さ方向に半周期ずれるように位置させる。また、光学部材17に先照射用と後照射用にそれぞれレーザ光遮蔽部17aおよびレーザ光透過部17bが横方向に並べておき、光学部材17またはステージ2を移動させることで、レーザ光遮蔽部17aに相当する非照射域を、前記固相100a、100aの間で、波の長さ方向に半周期ずれるように位置させるようにしてもよい。上記の状態でレーザ光4aを照射すると、レーザパターンに従って非照射域に相当して三角波状の固相が残り、光学部材17を通した他の領域が液相となる。このため、先の照射における固相100aも液相となる。レーザ光4aの照射によって、固液相界面において固相から液相にかけて順次側面結晶化が生じ、液相部分が結晶化する。図5は、該結晶化がなされた膜を示すものであり、該膜には結晶化によって先の突起100dとともに三角波状に突起100eが形成されている。すなわち先のレーザ光照射により生成された突起100dの中心に後のレーザ光照射により生成する突起100eが入るようにして結晶化を完成する。なお、上記形態では、波形の非完全溶融エネルギー領域に応じて三角波形状のレーザ光遮蔽部を光学部材17に設けたが、三角波形状に変えて正弦波形状とすることもできる。図6は、光学部材27に所定の幅で正弦波状にレーザ光遮蔽部27aを設けたものであり、光学部材27の他部はレーザ光透過部27bとなっている。この光学部材27を通してアモルファス膜にレーザ光を照射することで、正弦波形状の固相を基点にして順次側面結晶化を進行させることができる。その後、図6に示すように、光学部材27またはステージ側を移動させて前記レーザ光遮蔽部27aに相当する非照射領域が前記固相部と固相部の間に位置し、かつ波の長さ方向で半周期ずれる図示で上下反転したものようにしてレーザ光を照射することで、該固相部を含めて結晶化を行うことができる。そして先のレーザ光照射により生成する突起の中心に、後のレーザ光照射により生成する突起が入るようにして結晶化を完成する。