"ランバードを切断して透光性基板を取得する透光性基板取得工程と、前記透光性基板取得工程で取得された前記透光性基板の側面をラップ仕上げする側面ラップ工程と、前記ラップ仕上げされた前記透光性基板の角部を面取りする角部面取工程と、前記角部を面取りされた前記透光性基板の主面を研磨する主面研磨工程と、を備え、前記主面研磨工程は、前記透光性基板の前記主面と、前記側面の少なくとも一部と、を覆う弾性の研磨パッドと、前記透光性基板と、を前記主面に沿って相対的に移動させることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項1に記載された光学素子の製造方法において、前記主面研磨工程は、前記透光性基板と、前記透光性基板を挟んで両側に配置されている前記研磨パッドと、を相対的に移動させることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項2に記載された光学素子の製造方法において、前記主面研磨工程は、前記透光性基板の主面を粗仕上げする主面ラップ工程と、前記粗仕上げされた主面を鏡面仕上げする主面ポリッシュ工程と、を備えていることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項3に記載された光学素子の製造方法において、前記主面ラップ工程と、前記主面ポリッシュ工程との間に、前記透光性基板の稜線部を面取りする稜線面取工程を実施することを特徴とする光学素子の製造方法。請求項4に記載された光学素子の製造方法において、前記稜線面取工程は、前記透光性基板を主面の間に固定剤を介して複数積層して形成された積層体の側面を研磨部材の平面に押し当てながら研磨するものであり、前記透光性基板の一方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第一工程と、前記第一工程の後で、前記複数の透光性基板を積層したまま前記透光性基板の他方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第二工程と、を備えていることを特徴とする光学素子の製造方法。請求項2から請求項5のいずれか1項に記載された光学素子の製造方法において、前記研磨パッドと前記透光性基板とを前記主面に沿って相対的に回転させることを特徴とする光学素子の製造方法。特許文献4から特許文献9で示される従来例では、それぞれランバードから光学素子を製造する工程の一部が示されるに過ぎない。即ち、特許文献4の従来例では、ランバードから水晶板を切り出す工程が示されるに過ぎず、水晶板から精度の高い光学素子を製造する具体的な工程については何ら開示されるものではない。特許文献5の従来例では、整形された水晶原石からウエハーを形成し、ウエハーの主面を研削し、ウエハーをダイシングソーにより切断小割して短冊状の水晶片を形成する工程が示されるに過ぎず、水晶片から精度の高い光学素子を製造する工程についての開示はない。特許文献6は、水晶基板のコーナーに面取り加工を施してコーナー面取部を形成した後、水晶基板の稜線部に面取加工を施して稜線面取り部を形成する構成である。稜線面取部は、複数枚の水晶基板を接着剤で接着して積層体を形成するとともに、この積層体を一方の主面に対して斜めにして一方の稜線面取りを実施する。その後、積層体の接着剤を剥がして水晶基板をばらばらにし、再度、積層体を形成し、他方の主面に対して斜めにして他方の稜線面取りを実施する。しかし、特許文献6の従来例では、コーナー面取りと稜線面取りの工程が示されているに過ぎず、しかも、これらの面取りは複雑な手順により実施されるので光学素子の製造工程が煩雑となるという不都合がある。特許文献7、特許文献8及び特許文献9の従来例では、基板を研磨する工程のみ示されるものであり、光学素子を製造するために必要な他の工程が示されていない。本発明の目的は、精度や品質の高い光学素子を効率的に製造できる光学素子の製造方法を提供することにある。[適用例1]本適用例に係る光学素子の製造方法は、ランバードを切断して透光性基板を取得する透光性基板取得工程と、前記透光性基板取得工程で取得された前記透光性基板の側面をラップ仕上げする側面ラップ工程と、前記ラップ仕上げされた前記透光性基板の角部を面取りする角部面取工程と、前記角部を面取りされた前記透光性基板の主面を研磨する主面研磨工程と、を備え、前記主面研磨工程は、前記透光性基板の前記主面と、前記側面の少なくとも一部と、を覆う弾性の研磨パッドと、前記透光性基板と、を前記主面に沿って相対的に移動させることを特徴とする。この構成の本適用例では、ランバードを切断して得られた透光性基板をラップ仕上げし、その後、透光性基板の角部を面取りし、角部が面取りされた透光性基板の主面を研磨するという一連の工程によって、光学素子を効率的に製造することができる。その上、透光性基板の主面を研磨するにあたり、主面と側面の少なくとも一部とを覆った研磨パッドと透光性基板とを主面に沿って相対的に移動させることにしたので、透光性基板の主面だけでなく稜線部も合わせて研磨されることになる。そのため、従来実施されていた角部の面取加工の後の稜線部の面取加工が不要とされるので、光学素子の製造を効率的に行える。[適用例2]本適用例に係る光学素子の製造方法では、前記主面研磨工程は、前記透光性基板と、前記透光性基板を挟んで両側に配置されている前記研磨パッドと、を相対的に移動させることを特徴とする。この構成の本適用例では、透光性基板の両方の主面の研磨とこれらの主面に沿った8箇所の稜線部の面取とが同時に行えるので、より、効率的に光学素子を製造することができる。[適用例3]本適用例に係る光学素子の製造方法では、前記主面研磨工程は、前記透光性基板の主面を粗仕上げする主面ラップ工程と、前記粗仕上げされた主面を鏡面仕上げする主面ポリッシュ工程と、を備えていることを特徴とする。この構成の本適用例では、主面の研磨の粗仕上げと鏡面仕上げとを異なる工程で実施することで、大きな研磨量を得ることと鏡面仕上げとすることとを迅速に得ることができる。つまり、主面の粗削りをする主面ラップ工程のみでは、主面の表面粗さが大きくなって、最終的な製品としては精度が十分ではなく、主面の鏡面仕上げをする主面ポリッシュ工程のみでは、主面を精度よく仕上げるには時間がかかり過ぎることになる。[適用例4]本適用例に係る光学素子の製造方法は、前記主面ラップ工程と、前記主面ポリッシュ工程との間に、前記透光性基板の稜線部を面取りする稜線面取工程を実施することを特徴とする。この構成の本適用例では、稜線面取工程を設けることで、稜線部の面取量を大きくすることができる。しかも、稜線面取工程は主面ポリッシュ工程の前に実施されるので、主面の鏡面仕上げを精度よくすることができる。[適用例5]本適用例に係る光学素子の製造方法では、前記稜線面取工程は、前記透光性基板を主面の間に固定剤を介して複数積層して形成された積層体の側面を研磨部材の平面に押し当てながら研磨するものであり、前記透光性基板の一方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第一工程と、前記第一工程の後で、前記複数の透光性基板を積層したまま前記透光性基板の他方の主面が前記研磨部材の主面に対して鋭角となるように前記積層体を変形させて行う第二工程と、を備えていることを特徴とする。この構成の本適用例では、積層体の研磨部材の平面に対する向きを変えることで、透光性基板の互いに両主面の外周縁に形成される稜線部の面取りを効率的に行える。なお、本適用例では、所定温度で積層体の向きを変えられるとともにその温度未満で主面が傾いた姿勢を維持するために、透光性基板同士を固定するための固定剤は所定温度での軟化性と姿勢を維持するための粘着性が必要とされる。この固定剤としては、例えば、パラフィン等の軟化剤とロジン等の粘着付与剤とが含まれる接着剤を例示できる。[適用例6]本適用例に係る光学素子の製造方法は、前記研磨パッドと前記透光性基板とを前記主面に沿って相対的に回転させることを特徴とする。この構成の本適用例では、研磨パッドと透光性基板とを主面に沿って相対的に回転させることで、透光性基板の主面内での互いに交差する稜線部の面取りを同時に実施することができるので、面取工程を効率的に行える。本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1には本実施形態で製造された光学素子が組み込まれた撮像装置が示されている。図1において、撮像装置100はビデオカメラや電子スチルカメラに用いられるものであり、互いに対向配置された撮像アッセンブリー101及び光学ローパスフィルター102を備えている。撮像アッセンブリー101は、セラミック製のパッケージ103と、このパッケージ103の中央部分に設けられた板状の撮像素子104と、この撮像素子104に対向して配置されパッケージ103に外縁部が接着固定されたリッド105とを備えている。撮像素子104はCCDやC-MOS等から構成されるものである。光学ローパスフィルター102は、複屈折板106、赤外線吸収ガラス107、1/4波長板108及び複屈折板106等から構成される。リッド105、複屈折板106及び1/4波長板108等は本実施形態の光学素子1である。図2には本実施形態で製造された光学素子1が示されている。図2Aは光学素子1の正面図、図2Bは光学素子1の側面図である。図2において、光学素子1は、光が透過する面である主面1Mと、この主面1Mの外縁に形成される所定幅の側面1Nとを有する平面矩形状の結晶性板材である。光学素子1の強度を向上させるため、主面1Mの4箇所の角部にはそれぞれ面取部1Bが形成され、主面1Mと交差する側面1Nの8箇所の稜線部にはそれぞれ面取部1Cが形成されている。光学素子1の厚さは、適用される製品によって異なるが、例えば、0.5mm~1.0mmである。主面1Mの大きさは、例えば、27.5mm~50.0mm×33.5mm~50.0mmである。角部の面取部1Bは、例えば、45°傾斜したものであり、面取り量は0.5mm~1.5mmである。これらの面取り量は4箇所同じにしてもよいが、一部の面取り量を他の面取り量より大きくしてもよい。これにより、光学素子1の向きを特定することができる。稜線部の面取部1Cは、例えば、45°傾斜したものであり、面取り量は0.2mmである。光学素子1は図3で示される結晶性基板1Aを加工して形成されており、この結晶性基板1Aは、水晶の透光性基板である。図3には結晶性基板1Aが示されている。図3Aは結晶性基板1Aの正面図、図3Bは結晶性基板1Aの側面図である。図4には角部にのみ面取りした結晶性基板1Aが示され、図4Aは結晶性基板1Aの正面図、図4Bは結晶性基板1Aの側面図である。図3で示される結晶性基板1Aは面取りがされておらず、主面1Mの4箇所の角部や稜線部が直角に形成されている。この結晶性基板1Aは、図4で示される通り、主面1Mの4角に面取部1Bが形成され、その後、図2で示される通り、8つの稜線に稜線部の面取部1Cが形成される。光学素子1の製造方法を図5から図15に基づいて説明する。図5Aには、ランバード10が示されている。ランバード10は水晶原石をランバード加工して成形される。ランバード加工は水晶原石の結晶軸の方向を明確にするための表面研削加工である。結晶軸は、電気軸を示すX軸、機械軸を示すY軸、光学軸を示すZ軸である。ランバード加工を行うために、例えば、ロータリー平面研削盤が用いられる。ロータリー平面研削盤の砥石の粒度は♯80である。図5Bには、ランバード10を切断して結晶性基板1Aを取得する工程が示されている。図5Bにおいて、ワイヤーソー11が示されており、このワイヤーソー11は、3本のローラー11A,11B,11Cに複数本のワイヤー11Wが架け渡された構造である。ローラー11A,11B,11Cが回転することで、複数のワイヤー11Wで基台11Dの上に配置されたランバード10を結晶軸に対して所定角度で切断する。例えば、リッド105等の光線の分離機能を有しない光学素子1では光学軸であるZ軸に対して平行に切断し図10A参照、光学ローパスフィルター102を構成する複屈折板106等の光線の分離機能を有する光学素子1では、Z軸にたいして45°の角度で切断する図11A参照。隣合うワイヤー11Wの間隔は図3で示される結晶性基板1Aの厚さと同じである。なお、本実施形態では、ランバード10を直接切断するものでもよいが、ランバード10をブロック状に予め切断したものを切断するものでもよい。ランバード10はワイヤーソー11で切断されて複数の結晶性基板1Aに分けられる。結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して積層した積層体2を形成する。図10にはリッド105等の光線の分離機能のない光学素子1を製造するための積層体を成形する手順が示されている。図10Aに示される通り、複数のワイヤー11Wでランバード10を光学軸であるZに対して平行に切断し、図10Bに示される通り、結晶性基板1Aを得る。この結晶性基板1Aは、その切断面の角部が直角とされている。そして、図10Cに示される通り、結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して複数枚積層して積層体2を得る。図11には光線の分離機能がある光学素子1を製造するための積層体を形成する手順が示されている。図11Aに示される通り、複数のワイヤー11Wでランバード10を光学軸であるZに対して45°の角度となるように切断し、図11Bに示される通り、結晶性基板1Aを得る。この結晶性基板1Aは、その切断面の互いに対向する一対の角部が鋭角とされ他の一対の角部が鈍角とされる。そして、図11Cに示される通り、結晶性基板1Aをそれぞれ主面の間に仮止め用固定剤2Aを介して複数枚積層して積層体2を得る。仮止め用固定剤2Aは、透明で主成分が樹脂のガラス転移温度が-50°C~-130°Cの範囲にあるポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸2-エチルへキシルを使用したアクリル酸エステル系、ポリイソブチレン系、SBR系、天然ゴム系、ウレタンーアクリル系、エポキシーアクリレート系、シリコーンゴム系、塩化ビニール系又は酢酸ビニール含有量が15~40のエチレン-酢酸ビニール系が好ましい。更に、粘着付与剤としては、ロジン、ロジンエステル及びその誘導体、テルペン樹脂、炭化水素樹脂などが使用され、更に軟化剤として脂肪酸エステル、動植物油脂、ワックス、石油重質留分が用いられ透明で主成分樹脂との相溶性より適宜選択される。この構成の仮止め用固定剤2Aを転写印刷、ナイフコーター、ロールコーター、グラビアコーター等の塗布方法により、結晶性基板1Aの主面に塗布し、赤外線、熱風,蒸気等により加熱乾燥する。仮止め用固定剤2Aを塗布する厚さは5μm~100μmの範囲である。図6Cには積層体2の側面2Bを研削する研削工程が示されている。図6Cにおいて、研削装置13は、それぞれ砥石が設けられた一対の研削盤13A図6Cでは一方の研削盤のみ示すが積層体2を挟んで対向配置されており、これらの研削盤13Aに積層体2の主面1Mを結晶軸に対して所定の角度、つまり、光学軸であるZ軸と平行、あるいは、45°となるように側面2Bを所定の位置Lまで研削する。そして、積層体2の外周断面は、その角部が直角となるように研削する。研削盤13Aの砥石の粒度は♯80~♯1000である。図6Dには、研削工程で研削された積層体2の面取りをする面取工程が示されている。面取工程は積層体2の主面1Mの4箇所の角部に面取りをする工程である。図6Dにおいて、角部面取装置14は、積層体2の角部を研磨する研磨盤14Aと、1つの角部が研磨盤14Aに当接するように積層体2を保持する保持部材14Bとを備え、回転する研磨盤14Aに積層体2の角部を押し当てて面取りするものである。研磨盤14Aには研磨パッドが設けられ、この研磨パッドの粒度は♯3000程度である。4箇所の角部のうち1つの角部の面取りが終了したなら、異なる角部が研磨盤14Aに当接するように積層体2を保持部材14Bにセットし直し、角部の面取り作業を行う。なお、積層体2を研磨盤14Aに押し付ける押圧部材や錘を必要に応じて設けてもよい。図6Eには面取工程で面取りされた積層体2の側面2Bをラップ仕上げする側面ラップ工程が示されている。図6Eにおいて、側面ラップ装置15は、一対の研磨盤15A,15Bが角部の面取りがされた積層体2を挟んで対向配置されており、これらの研磨盤15Aにはそれぞれ研磨パッドが設けられている。この研磨パッドの粒度は♯1000~♯3000である。積層体2の側面のうち互いに反対側に位置する面が側面ラップ装置15でラッピングされる。図7には積層体の前記主面の外周寸法が規定寸法内にあるか否かの検査する検査工程が示されている。検査工程では、図12に示される検査治具を用いる。図12には、検査治具が示されている。図12Aは検査治具の正面図、図12Bは検査治具の側面図である。図12において、検査治具は、積層体2の規定寸法の開口16Aが形成された平面矩形状の検査用ゲージ16であり、この検査用ゲージ16の材料は、合成樹脂や金属等からなる板材である。開口16Aは、その縦横寸法が光学素子1の主面1Mの最大許容外周寸法とされた平面矩形状に形成されている。検査用ゲージ16を用いて積層体2を検査するには、まず、図7Fに示される通り、検査用ゲージ16の開口16Aに主面1Mを臨ませるように積層体2を配置し、その後、図7Gに示される通り、検査用ゲージ16と積層体2とを結晶性基板1Aが積層される方向Pに相対移動させる。積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの一部に主面1Mの外周寸法が規定寸法より大きいものがある場合には、図7Gの想像線の符号16で示される通り、検査用ゲージ16と積層体2との相対移動が規制される。なお、検査用ゲージ16と積層体2とを相対移動させる装置としては、種々のものがあるが、例えば、装置本体に積層体2を載置し、この積層体2に対して検査用ゲージ16を昇降させる昇降装置を装置本体に設けるものでもよく、逆に、装置本体に検査用ゲージ16を固定し、この検査用ゲージ16に対して積層体2を昇降させる昇降装置を装置本体に設けるものでもよい。図8Hには、外周寸法が検査された積層体2の角部を面取りする角部面取工程が示されている。角部面取工程は図6Dで示される面取工程で用いられる同じ装置と同じ方法で実施される。即ち、角部面取装置14の保持部材14Bに積層体2をセットし、回転する研磨盤14Aに積層体2の角部を押し当てて面取りする。研磨盤14Aの研磨パッドの粒度は♯3000程度である。角部の面取りを4箇所の角部の全てに実施する。積層体2の角部が面取りされたら、80°Cを超える温度で積層体2を加熱し、あるいは、溶媒等で仮止め接着剤2Aを溶かして積層体2から個々の面取りがされた結晶性基板1Aに分離する。図8Iには、結晶性基板1Aの主面をラップする主面ラップ工程が示されている。主面ラップ工程は主面研磨工程の1つであり、図13で示される主面研磨装置3で実施される。図13において、主面研磨装置3は、内周面に歯車31Aが形成された円板部31と、この円板部31の中心に回転自在に設けられ外周に歯車32Aが形成された回転軸32と、この回転軸32の歯車32Aと円板部31の歯車31Aとにそれぞれ噛合する外周歯車部33Aを有する円板状の回転体33と、この回転体33の平面にそれぞれ対向配置される上定盤34A及び下定盤34Bと、上定盤34Aに固定された上部研磨パッド35Aと、下定盤34Bに固定された下部研磨パッド35Bとを備えている。円板部31及び回転軸32が図示しない駆動源によって一方向に回転駆動されると、回転体33は、自転しながら、回転軸32の回転軸を中心に公転するようになっている。回転体33は複数の結晶性基板1Aが収納されている図8I参照。なお、図13では、構造をわかりやすくするために、回転体33に1つの結晶性基板1Aが収納された状態が図示されている。回転体33の厚さは結晶性基板1Aの厚さより薄く設定され、結晶性基板1Aの一方の主面1Mが上部研磨パッド35Aに当接し、結晶性基板1Aの他方の主面1Mが下部研磨パッド35Bに当接する。下定盤34Bは回転テーブル36に固定されている。上定盤34Aはポール37Aに沿って上下に移動可能とされており、下定盤34Bの距離を自在に調整できるようになっている。これにより、回転体33に結晶性基板1Aを収納し、あるいはこれらから取り出したり、回転体33に収納保持した結晶性基板1Aに所定の荷重を加えたり、するようになっている。上定盤34Aの上方には、パウダーリング37Bが固定されたリングプレート37Cが配置されている。パウダーリング37Bには、環状の溝部37Dが形成されており、パウダーリング37Bの上方に配置された研磨液供給部材38から吐出された研磨液Wを内部に貯留できるようになっている。リングプレート37Cには、複数の供給ホース37Eの基端側が接続され、これらの供給ホース37Eの他端側が上定盤34Aに接続され、研磨液Wが供給ホース37Eを通って上部研磨パッド35A及び下部研磨パッド35Bに供給される。上部研磨パッド35A及び下部研磨パッド35Bに供給された研磨液Wは、回転テーブル36の下方に配置された収納タンク39に収納される。この収納タンク39に収納された研磨液Wは研磨液供給部材38に戻されて再利用される。上部研磨パッド35Aと下部研磨パッド35Bとは、それぞれ結晶性基板1Aの主面1Mと側面1Nの一部とを覆い弾性を有するウレタンやスウェード等の弾性部材から形成される。なお、研磨パッド35A,35Bの粒度は♯1000~♯3000である。図14には、結晶性基板と研磨パッドとの関係が示されている。主面研磨装置3が作動される前では、図14Aに示される通り、結晶性基板1Aは主面1Mと側面1Nとの交差する線が研磨パッド35A,35Bに食い込むようになっており、主面研磨装置3が作動されると、結晶性基板1Aが研磨パッド35A,35Bと相対的に移動するので、主面1Mがラップ研磨されるとともに稜線部の面取部1Cが形成される。なお、図14Bでは稜線部の面取部1Cを大きく図示しているが、実際は、1μm程度の面取りが実現できる。図9Jには、主面ポリッシュ工程の後に実施される稜線面取工程が示されている。稜線面取工程は、前述と同様の手順で複数の結晶性基板1Aから積層体2を形成し、この積層体2として稜線部の面取をするものである。図9Jには、稜線面取装置が示されている。稜線面取装置17は積層体2の側面2Bが当接される円板状の研磨部材17Aと、積層体2を研磨部材17A側に付勢する錘17Bとを備え、研磨部材17Aが回転することで、積層体2の1つの側面2Bが研磨される。研磨部材17Aの粒度は♯3000程度である。稜線面取工程の手順が図15に示されている。図15Aに示される積層体は、主面1Mに対して側面2Bが直交している。この状態の積層体2を図示しない加熱装置の載置台に配置し、所定温度、例えば、80°C以上まで加熱する。この状態では、仮止め用固定剤2Aが弾性変形するため、複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの一方の主面1Mが載置台に対して鋭角となるように積層体2を変形させる図15B参照。積層体2が変形したら、温度を室温まで下げる。すると、積層体2は、変形した状態で姿勢が保たれる。そして、図15Bに示される通り、この積層体2を結晶性基板1Aの一方の主面1Mが研磨部材17Aの平面に鋭角となるように配置し、当該平面と対向する側面2Bを研磨する第一工程を実施する。これにより、積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの両面のうち一方の稜線部がそれぞれ面取りされる。その後、積層体2を研磨部材17Aから加熱装置に戻し、積層体2を再度、80°C以上まで加熱し、複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの他方の主面1Mが載置台に対して鋭角となるように積層体2を変形させる。そして、温度を室温まで下げた後、図15Cに示される通り、積層体2を結晶性基板1Aの他方の主面が研磨部材17Aに対して鋭角となるように配置し、当該平面と対向する側面2Bを研磨する稜線面取工程を実施する。これにより、積層体2を構成する複数の結晶性基板1Aの両面のうち他方の稜線部がそれぞれ面取りされる。この工程を4つの側面に対して行う。稜線面取りが終了したら、80°Cを超える温度で積層体2を加熱し、あるいは、溶媒等で仮止め接着剤2Aを溶かして積層体2から個々の面取りがされた結晶性基板1Aに分離する。面取りされた結晶性基板1Aは、その主面1Mをポリッシュする。図9Kには結晶性基板1Aの主面をポリッシュする主面ポリッシュ工程が示されている。主面ポリッシュ工程は主面ラップ工程とともに主面研磨工程をなすものであり、主面ラップ工程で粗仕上げされた主面を鏡面仕上げするものである。主面ポリッシュ工程は、図13で示される主面研磨装置3を用い、主面ラップ工程と同じ手順で実施される。主面ポリッシュ工程においても、稜線面取りが実施されることになる。なお、主面ラップ工程とは異なり、研磨パッド35A,35Bの粒度は♯7000~♯10000である。主面1Mがポリッシュ仕上げされた結晶性基板1Aは必要に応じて、洗浄処理や、フッ素含有化合物からなる異物付着防止膜を設ける等の表面処理を実施し、これにより、光学素子1が完成する。従って、本実施形態では、次の作用効果を奏することができる。1ランバード10を切断して結晶性基板1Aを加工する結晶性基板加工工程と、結晶性基板1Aの側面1Nをラップ仕上げする側面ラップ工程と、側面ラップ工程でラップ仕上げされた結晶性基板1Aの角部を面取りする角部面取工程と、角部面取工程で角部が面取りされた結晶性基板1Aの主面1Mを研磨する主面研磨工程と、を実施して光学素子1を製造するので、これらの一連の工程によって、光学素子1を効率的に製造することができる。しかも、主面研磨工程は、結晶性基板1Aの主面1Mの全体と側面1Nの少なくとも一部とを覆い弾性を有する研磨パッド35A,35Bと結晶性基板1Aとを主面1Mに沿って相対的に移動させることで実施するので、結晶性基板1Aの主面1Mだけでなく稜線部も合わせて研磨されることになるため、稜線部の面取量が小さくてもよい光学素子1であれば、稜線部の面取加工が不要とされるので、光学素子1の製造を効率的に行える。2主面研磨工程は、結晶性基板1Aと、結晶性基板1Aを挟んで両側に配置された研磨パッド35A,35Bとを相対的に移動させることにしたので、結晶性基板1Aの両方の主面1Mの研磨とこれらの主面1Mに沿った8箇所の稜線部の面取とが同時に行えることになり、光学素子1の製造がより効率的になる。3主面研磨工程は、主面1Mを粗仕上げする主面ラップ工程と、主面1Mを鏡面仕上げする主面ポリッシュ工程との双方を実施するので、大きな研磨量を得ることと鏡面仕上げすることとを迅速に得ることができる4主面ラップ工程と主面ポリッシュ工程との間で、結晶性基板の稜線部を面取りする稜線面取工程を実施するから、稜線部の面取量が大きな光学素子1を正確に製造することができる。5研磨パッド35A,35Bと結晶性基板1Aとを主面1Mに沿って相対的に回転させることにしたので、結晶性基板1Aの主面1Mでの互いに交差する稜線部の面取りを同時に実施することができ、面取工程を効率的に行える。6稜線面取工程は、結晶性基板1Aの一方の主面が研磨部材17Aの平面に対して鋭角となるように積層体2を変形させて行う第一工程と、この第一工程の後で複数の結晶性基板1Aを積層したまま結晶性基板1Aの他方の主面が研磨部材17Aの平面に対して鋭角となるように積層体2を変形させて行う第二工程とを備えるから、積層体2の研磨部材17Aの平面に対する向きを変えることで、結晶性基板1Aの外周縁にそれぞれ形成される稜線部の面取りを効率的に行える。つまり、向きを変える際に、積層体2から個々の結晶性基板1Aに分ける必要がないから、稜線面取り作業を効率的に行うことができる。7結晶性基板加工工程と側面ラップ工程との間に、積層体2の主面1Mを光学軸であるZ軸に対して所定の角度となるように主面1Mと交差する方向に延びる側面2Bを研削する研削工程を実施するので、主面1MのZ軸に対する位置決めが正確にされた後に、面取り等の工程が実施されることで、光学素子1を効率よく製造することができる。8研削工程において、積層体2の主面1Mを光学軸のZ軸に対して平行に研削し、あるいは、Z軸に対して45°に沿って研削することで、リッド105等の光線の分離機能のない光学素子1と複屈折板106等の光線の分離機能のある光学素子1とを製造することができる。9側面ラップ工程の後に、積層体2の主面1Mの外周寸法が規定寸法内にあるか否かの検査を検査用ゲージ16で行う検査工程を実施するので、積層体2から分離して得られた光学素子1を個々に検査するよりも、効率的に光学素子1を製造することができる。10検査工程は、検査用ゲージ16に形成された規定寸法の開口16Aに積層体2を挿通し、検査用ゲージ16と積層体2とを結晶性基板1Aが積層される方向に相対移動させるので、積層体2を検査用ゲージ16の開口16Aに挿通した際に、途中で止まることになれば、規定寸法より大きい結晶性基板1Aが積層体2に含まれていることになるので、光学素子の検査を効率的に実施することができる。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、前記実施形態では、ランバード10を切断して結晶性基板1Aを取得する透光性基板取得工程の後に、結晶性基板1Aの主面を結晶軸に対して所定の角度となるように側面2Bを研削する研削工程を設けたが、本発明では、ランバード10自体を、主面が結晶軸に対して所定の角度となるように側面2Bを研削し、その後、ランバード10を切断して結晶性基板1Aを加工するものでもよい。また、本発明では、研磨パッド35A,35Bと結晶性基板1Aとを相対的に回転させるのではなく、互いに直交する2方向に直線的に相対的に往復させる構成でもよい。さらに、研磨パッド35A,35Bは1つのみ設けるものでもよい。さらに、本発明では、図6Dで示される角部の面取工程や図7で示される検査工程を省略するものでもよい。また、本発明では、必ずしも検査工程を設けることを要せず、結晶性基板1Aの主面1Mをラップする工程と主面1Mをポリッシュする工程との少なくとも一方を設けるものであればよく、前記実施形態のように双方設けることを要しない。さらに、側面ラップ工程及び角部面取工程は積層体2の側面2Bに対して実施するのではなく、個々の結晶性基板1Aの側面1Nに対して実施するものでもよい。また、結晶性基板1Aは水晶に限定されるものではなく、サファイヤ等の結晶性材料から形成されるものやガラス等の透光性を有する基板でもよい。前記実施形態では、光学素子1として、撮像装置について用いられるリッド105等を例示したが、本発明では、液晶プロジェクターに用いられる放熱用の水晶板についても製造することができる。"