第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上層に設けられる第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上層に設けられ、前記第2の半導体層より高濃度の第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上層に設けられる第1の電極と、前記第1の半導体層の下層に設けられ、第1の半導体層より高濃度の第4の半導体層と、前記第4の半導体層の下層に設けられる第2の電極と、前記第2の半導体層中で前記第3の半導体層に近接して設けられる局所ライフタイム制御層と、前記第1の半導体層中に選択的に設けられる第2導電型の第5の半導体層と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記第5の半導体層は、前記第2の半導体層の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上層に設けられる第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上層に設けられ、前記第2の半導体層より高濃度の第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上層に設けられる第1の電極と、前記第1の半導体層の下層に設けられ、第1の半導体層より高濃度の第4の半導体層と、前記第4の半導体層の下層に設けられる第2の電極と、前記第2の半導体層中で前記第3の半導体層に近接して設けられる局所ライフタイム制御層と、前記局所ライフタイム制御層より下層側に下端部を有し、選択的に形成された、前記第1の電極と接続されたトレンチ電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記トレンチ電極の下端部は、前記第1の半導体層中に設けられることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。ダイオードにおける逆回復時間の短縮を図るとともに、逆バイアス時のリーク電流を低減することを可能とする。実施形態の半導体装置は、第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層の上層に設けられる第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層の上層に設けられ、第2の半導体層より高濃度の第2導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層の上層に設けられる第1の電極と、第1の半導体層の下層に設けられ、第1の半導体層より高濃度の第2導電型の第4の半導体層と、第4の半導体層の下層に設けられる第2の電極と、第2の半導体層中で前記第3の半導体層に近接して設けられる局所ライフタイム制御層と、第1の半導体層中に選択的に設けられる第2導電型の第5の半導体層と、を備えるものである。また、実施形態の半導体装置は、第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層の上層に設けられる第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層の上層に設けられ、第2の半導体層より高濃度の第2導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層の上層に設けられる第1の電極と、第1の半導体層の下層に設けられ、第1の半導体層より高濃度の第2導電型の第4の半導体層と、第4の半導体層の下層に設けられる第2の電極と、第2の半導体層中で第3の半導体層に近接して設けられる局所ライフタイム制御層と、局所ライフタイム制御層より下層側に下端部を有し、選択的に形成された、第1の電極と接続されたトレンチ電極と、を備えるものである。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1に、本実施形態の半導体装置であるダイオードの断面構造を示す。図1に示すように、例えばN-ベース層11とNカソード層12が形成されたOSLウェハを用い、Nカソード層12側に裏面電極13が、N-ベース層11側に順次Pアノード層14、P高濃度アノード層15、表面電極16が設けられている。Pアノード層14において、P高濃度アノード層15に近接して、蓄積キャリアを減少させるためのライフタイムキラー格子欠陥を有する局所ライフタイム制御層17が設けられている。このようなダイオードにおいて、順バイアスをかけると、N-ベース層11、Pアノード層14において、それぞれ多数キャリアが過剰となるため、PN接合面付近の空乏層は消滅し、アノードからカソードに電流が流れる。一方、逆バイアスをかけると、N-ベース層11、Pアノード層14において、それぞれ多数キャリアが不足し、PN接合面より空乏層が広がり、カソードからアノードへの電流は流れにくくなる。ここで、図2に、従来のダイオードの断面構造を示す。図2に示すように、N-ベース層101と、その裏面側に順次Nカソード層102、裏面電極103が、表面側に順次Pアノード層104、表面電極106が設けられている。局所ライフタイム制御層107は、高濃度の正電荷の注入を制御するために、N-ベース層101中に設けられている。このような構造のダイオードにおいて、逆バイアス時に、図3に示すように、N-ベース層101とPアノード層104のPN接合面から広がる空乏層109が、局所ライフタイム制御層107に到達し、リーク電流が増大する場合がある。特に、高温動作時において、リーク電流はさらに増大する。一方、図1に示すような本実施形態のダイオードにおいては、逆バイアスを印加すると、逆バイアスを印加すると、図4に示すように、局所ライフタイム制御層17より下層の、Pアノード層14とN-ベース層11とのPN接合面より、空乏層19が広がる。しかし、Pアノード層14の下側のN-ベース層11に形成された選択的P層18により、空乏層19のPアノード層14内への拡大を抑制する。すなわち、選択的P層18の形成により、空乏層19が形成されるPN接合面は、選択的P層18とN-ベース層11とにより形成されるPN接合面になるため、Pアノード層14内への空乏層19の広がりは選択的P層18間の間隙を通して拡大するが、全体としては選択的P層18の存在によって、抑制される。したがって、空乏層19は局所ライフタイム制御層17に到達しなくなり、リーク電流の増大を抑えることができる。本実施形態によれば、局所ライフタイム制御層を設け、蓄積キャリアを減少させることにより、逆回復時間の短縮を図ることができるとともに、局所ライフタイム制御層をP高濃度アノード層近傍のPアノード層に設け、PN接合面を局所ライフタイム制御層より下層に設け、かつN-ベース層のPアノード層近傍に選択的P層を設けることにより、逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能となる。従って、特に、ハイブリッド車などの車載用といった高温動作が想定される場合などにおいて、高温リーク電流を大きく低減することができる。なお、選択的P層18は、N-ベース層11内においてPアノード層14の近傍に紙面に垂直な方向に延長配置される。本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、逆回復時間の短縮を図ることができるとともに、逆バイアス印加時の局所ライフタイム制御層への空乏層の広がりを、より効果的に抑えることができ、逆バイアス時のリーク電流、特に高温リーク電流をより抑えることが可能となる。第2の実施形態本実施形態おいては、第1の実施形態と同様の構成であるが、さらにPアノード層の局所ライフタイム制御層の下層に到達するトレンチ電極が設けられている。図5に本実施形態の半導体装置であるダイオードの断面構造を示す。第1の実施形態と同様に、N-ベース層21と、その裏面側に順次Nカソード層22、裏面電極23が、表面側に順次Pアノード層24、P高濃度アノード層25、表面電極26が設けられている。Pアノード層24において、第1の実施形態と同様に、P高濃度アノード層25に近接して、局所ライフタイム制御層27が設けられている。そして、P高濃度アノード層35を貫通してPアノード層24の局所ライフタイム制御層27より下層に到達し、表面電極26と一体形成された、或いは表面電極26と接続された、Alなどからなるトレンチ電極28が設けられている。このような構造のダイオードにおいて、逆バイアスを印加すると、図6に示すように、局所ライフタイム制御層27より下層の、Pアノード層24とN-ベース層21とのPN接合面より空乏層29が広がる。しかしながらPアノード層24内における空乏層29の拡大は、トレンチ電極28により抑制される。すなわち、トレンチ電極28は表面電極26と同じ負電位にバイアスされた導電層であるため、空乏層29の拡大はトレンチ電極28の下端で阻止され、この結果、隣接するトレンチ電極28間においても一定の範囲に抑制される。したがって、空乏層29は局所ライフタイム制御層27にまで到達しなくなり、リーク電流の増大を抑えることができる。本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、逆回復時間の短縮を図ることができるとともに、逆バイアス印加時の局所ライフタイム制御層への空乏層の広がりを抑えることができ、逆バイアス時のリーク電流、特に高温リーク電流をより抑えることが可能となる。第3の実施形態本実施形態おいては、第2の実施形態と同様の構成であるが、さらにN-ベース層に到達するトレンチ電極が設けられている。図7に本実施形態の半導体装置であるダイオードの断面構造を示す。第1の実施形態と同様に、N-ベース層31と、その裏面側に順次Nカソード層32、裏面電極33が、表面側に順次Pアノード層34、P高濃度アノード層35、表面電極36が設けられている。Pアノード層34において、第1の実施形態と同様に、P高濃度アノード層35に近接して、局所ライフタイム制御層37が設けられている。そして、P高濃度アノード層35、Pアノード層34を貫通して、N-ベース層31に到達し、表面電極36と一体形成された、或いは表面電極36と接続された、Alなどからなるトレンチ電極38が設けられている。このような構造のダイオードにおいて、逆バイアスを印加すると、図8に示すように、局所ライフタイム制御層37より下層の、Pアノード層34とN-ベース層31とのPN接合面より空乏層39が広がる。しかしながらPアノード層24内における空乏層29の拡大は、トレンチ電極38により抑制される。すなわち、トレンチ電極38は表面電極36と同じ負電位にバイアスされた導電層であるため、空乏層39の拡大はトレンチ電極38の下端で阻止され、この結果、隣接するトレンチ電極28間においても一定の範囲に抑制される。したがって、空乏層39は局所ライフタイム制御層37に到達しなくなり、リーク電流の増大を抑えることができる。本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、逆回復時間の短縮を図ることができるとともに、逆バイアス印加時の局所ライフタイム制御層への空乏層の広がりを抑えることができ、逆バイアス時のリーク電流、特に高温リーク電流をより抑えることが可能となる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。