基材と、該基材の上方に設けられた中間層と酸化物超電導層とAg又はAg合金の保護層とを備え、前記保護層上に金属安定化層が形成された酸化物超電導線材であって、前記保護層の表面粗さRz最大高さが1500nm以上であることを特徴とする酸化物超電導線材。前記金属安定化層の厚みが20μm~300μmであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材。基材の上方に中間層と酸化物超電導層を形成した後、酸化物超電導層上にAg又はAg合金からなるプレ保護層を成膜法により形成し、さらに酸素雰囲気下においてAgが再結晶する温度で酸素アニーリングを行うことにより、表面粗さRz最大高さが1500nm以上であるAg又はAg合金の保護層を形成し、次いで前記保護層上に金属安定化層を形成することを特徴とする酸化物超電導線材の製造方法。前記酸素アニーリングの温度が300~600°Cであることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導線材の製造方法。前記酸素アニーリングを10時間以上行うことを特徴とする請求項3又は4に記載の酸化物超電導線材の製造方法。しかしながら、特許文献1に開示されている従来方法では、補強材の端部を折り曲げてテープ状の超電導線材の両端を挟んでいるのみなので、安定化層を保護層に単に押し付けているに過ぎない。よって線材全長にわたり押し付け力を作用させることは難しく、線材の曲げなどにより押し付け力を一定にすることはできない。このため、安定化層と保護層との本質的な密着性を向上させることが求められていた。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、酸化物超電導層の上のAg又はAg合金からなる保護層と金属安定化層との密着性を向上させた酸化物超電導線材及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の請求項1に記載の酸化物超電導線材は、基材と、該基材の上方に設けられた中間層と酸化物超電導層とAg又はAg合金の保護層とを備え、前記保護層上に金属安定化層が形成された酸化物超電導線材であって、前記保護層の表面粗さRz最大高さが1500nm以上であることを特徴とする。Ag又はAg合金の保護層の表面粗さRzが1500nm以上であると、該保護層上に密着される金属安定化層が、保護層の表面に形成された微小な凹凸に食い込み易くなるアンカー効果により、保護層と金属安定化層との密着性接着性を向上させることができる。本発明の請求項2に記載の酸化物超電導線材は、請求項1において、前記金属安定化層の厚みが20μm~300μmであることを特徴とする。金属安定化層の厚みが上記範囲であると、該金属安定化層の剥離を防止することが一層容易となる。金属安定化層の厚みが上記範囲の上限値以下であると、金属安定化層の剛性が過度に高くなることを防ぎ、使用時の応力によって保護層から金属安定化層が剥離することを抑制できる。本発明の請求項3に記載の酸化物超電導線材の製造方法は、基材の上方に中間層と酸化物超電導層を形成した後、酸化物超電導層上にAg又はAg合金からなるプレ保護層を成膜法により形成し、さらに酸素雰囲気下においてAgが再結晶する温度で酸素アニーリングを行うことにより、表面粗さRz最大高さが1500nm以上であるAg又はAg合金の保護層を形成し、次いで前記保護層上に金属安定化層を形成することを特徴とする。酸素アニーリングを行うことによって、保護層を成すAgが再結晶することにより、保護層の表面を表面粗さRzが1500以上となるように粗くすることができる。このため、アンカー効果によって金属安定化層を保護層の表面により強力に密着できるので、保護層と金属安定化層との接合界面の全面における密着性を向上させることができる。また、酸素アニーリングによって、酸化物超電導層に酸素を供給して超電導特性を向上させることもできる。本発明の請求項4に記載の酸化物超電導線材の製造方法は、請求項3において、前記酸素アニーリングの温度が300~600°Cであることを特徴とする。上記温度範囲の下限値以上であると、酸化物超電導層に酸素を充分に供給することができると共に、保護層に含まれるAgを再結晶させることがより容易となり、保護層の表面粗さRzを粗くすることができる。上記温度範囲の上限値以下であると、酸化物超電導層が熱によって劣化することを防止できる。本発明の請求項5に記載の酸化物超電導線材の製造方法は、請求項3又は4において、前記酸素アニーリングを10時間以上行うことを特徴とする。上記時間範囲の下限値以上であると、保護層の表面粗さRzを1500nm以上とすることが確実にできる。本発明の酸化物超電導線材は、金属安定化層が、ハンダを介して又は直接に、表面粗さ最大高さRz1500nm以上の保護層に密着しているため、金属安定化層が剥離し難い。この結果、保護層及び酸化物超電導層を外乱から物理的に保護することができると共に、外乱によって超電導状態から常電導状態に転移した場合にも電流を安定に流すことができる。本発明の酸化物超電導線材の製造方法によれば、Agが再結晶する温度で酸素アニーリングして保護層の表面粗さ最大高さRzを1500nm以上とするので、金属安定化層のアンカー効果が向上し、金属安定化層を保護層の表面に強力に密着させることができる。また、酸素雰囲気において酸素アニーリングすることによって酸化物超電導層に充分に酸素を供給できるので、超電導特性を一層向上させることができる。さらに、<酸化物超電導線材>以下、本発明に係る酸化物超電導線材の実施形態について図面に基づいて説明するが、本発明は係る実施形態に限定されるものではない。図1は本発明に係る第1実施形態の酸化物超電導線材1を模式的に示す概略断面図である。この実施形態の酸化物超電導線材1は、テープ状の基材2の上方に、下地層3と配向層4とキャップ層5からなる中間層が形成され、その上方に酸化物超電導層6と保護層7と金属安定化層8がこの順に積層されてなる。さらに、この酸化物超電導線材1の周面を絶縁被覆層9が覆っている。基材2は、長尺のケーブルとするためにテープ状やシート状あるいは薄板状であることが好ましく、耐熱性の金属からなるものが好ましい。例えば、ハステロイ等のニッケル合金、銅合金、ステンレス鋼等の各種耐熱性金属材料、又はこれら各種金属材料上にセラミックスを配したもの等が挙げられる。各種耐熱性金属の中でもニッケル合金が好ましく、市販品であれば、ハステロイ米国ヘインズ社製商品名が好適である。モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。また、基材2として、ニッケル合金に集合組織を導入した配向Ni-W合金テープ基材等を使用することもできる。基材2の厚みは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10~500μmの範囲とすることができる。下地層3は、以下に説明する拡散防止層とベッド層の複層構造又は、これらのうちどちらか1層からなる構造とすることができる。下地層3として設けられる拡散防止層は、通常、構成元素拡散を防止する目的又はその上に形成される他の層の膜質を改善する目的で形成される。下地層3として拡散防止層を設ける場合、該拡散防止層は、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、アルミナとも呼ぶ又はGZOGd2Zr2O7等から構成される単層構造又は複層構造の層であることが好ましい。前記拡散防止層の厚みは特に制限されず、例えば10~400nmとすることができる。拡散防止層の厚みが10nm未満となると、拡散防止層のみでは基材2の構成元素の拡散を十分に防止できなくなる虞がある。一方、拡散防止層の厚みが400nmを超えると、拡散防止層の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が基材2から剥離しやすくなる虞がある。また、拡散防止層の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。下地層3として設けられるベッド層は、通常、界面反応性を低減する目的又はその上に配される膜の配向性を得る目的で形成される。下地層3としてベッド層を設ける場合、該ベッド層は、耐熱性の高い材料で形成されることが好ましい。このような材料としては、例えば、Y2O3、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3などの希土類酸化物が挙げられる。その層構造は単層構造でも良いし複層構造でも良い。前記ベッド層の厚みは特に制限されず、例えば10~100nmとすることができる。また、ベッド層の結晶性は特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すれば良い。なお、下地層3は拡散防止層とベッド層の2層構造でも、これらのどちらかからなる単層構造でも良く、場合によっては下地層3を省いても良い。下地層3を省く場合は、基材2上に直接、以下に説明する配向層4が形成される。配向層4は、酸化物超電導層6の結晶配向性を制御するバッファー層として機能し、酸化物超電導層6と格子整合性の良い金属酸化物からなるものであることが好ましい。また、配向層4は、IBAD法イオンビームアシスト蒸着法によって形成されたものであることが好ましい。IBAD法によって形成された配向層は配向性に優れる。配向層4の好ましい材料としては、例えば、Gd2Zr2O7、MgO、ZrO2-Y2O3YSZ、SrTiO3、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等の金属酸化物が挙げられる。配向層4は、単層でも良いし、複層構造でも良い。キャップ層5は、配向層4の表面に対してエピタキシャル成長し、その後、結晶粒が面内方向に選択成長するという過程を経て形成されたものが好ましい。このようなキャップ層5は、配向層4よりも高い面内配向度が得られる可能性がある。キャップ層5の好ましい材料としては、例えば、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等が挙げられる。キャップ層5の材料がCeO2である場合、キャップ層5は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンMで置換されたCe-M-O系酸化物を含んでいても良い。キャップ層5は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができる。CeO2からなるキャップ層5の膜厚は、通常50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましい。但し、厚すぎると結晶配向性が悪くなる場合があるので、50~5000nmの範囲とすることが好ましい。酸化物超電導層6は、公知の酸化物超電導体に使用されている材料を広く適用することができ、例えばReBa2Cu3O7-xReはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素を表す。の化学式で表されるものが好ましい。より具体的には、Y123YBa2Cu3O7-x又はGd123GdBa2Cu3O7-xが好適なものとして例示できる。また、Bi2Sr2Can-1CunO42nδの化学式で表される、臨界温度の高い酸化物超電導体に使用されている材料を用いても良い。酸化物超電導層6の厚みは、500~5000nm程度が好ましく、均一な厚みであることが好ましい。なお、酸化物超電導層6は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法等の物理的蒸着法PVD法、化学気相成長法CVD法、有機金属塗布熱分解法MOD法等で形成できる。保護層7は、酸化物超電導層6の上面を覆うように形成されていて、Ag又はAg合金からなる。本実施形態のAg又はAg合金の保護層7は、後述するように、スパッタ法などの物理的蒸着法によって、プレ保護層として形成された後、酸素雰囲気中で300~600°C程度の高温で熱処理酸素アニーリング処理されて形成されたものが好ましい。酸素アニーリングによって、保護層7を構成する銀粒子が再結晶することにより、保護層7の表面に微小な凹凸が形成され、その表面粗さRz最大高さが1500nm以上とされたものが好ましい。ここで、本明細書及び特許請求の範囲において、表面粗さRzとは、JISB0601:2001で説明された最大高さを意味する。本発明に係る酸化物超電導線材における保護層7の上面の表面粗さRzは1500nm以上とされ、表面の凹凸がアンカー効果を発揮するので、保護層7に対する金属安定化層8の密着性接着性が高められる。金属安定化層8がCu等の金属箔である場合、当該金属箔はハンダを介して保護層7と密着する。この場合、ハンダが保護層7の表面の凹凸に食い込むアンカー効果が発揮され、当該ハンダを介して保護層7の上方に貼られた金属安定化層8金属箔8と保護層7との密着性が向上する。金属安定化層8がCu等からなるめっき層である場合、当該めっき層が保護層7の表面の凹凸に食い込むアンカー効果が発揮され、めっき層からなる金属安定化層8と保護層7との密着性が向上する。表面粗さRzが大きいほど、ハンダがその表面に食い込んで密着性が一層向上する傾向がある。表面粗さRzの上限は特に制限されず、例えば2500nm程度が適当な上限である。保護層7の表面粗さRzは、1500nm~2000nmが好ましく、1500nm~1660nmがより好ましい。保護層7の厚みは特に制限されないが、好ましくは1μm~30μmである。保護層7の材料は、Ag又はAg合金である。これらは、金属保護層8又はハンダとの密着性が良好であり、酸素アニーリングによって表面を粗くすることができるので好ましい。金属安定化層8は、良導電性の金属材料の箔やめっき層等からなり、酸化物超電導層6が超電導状態から常電導状態に遷移しようとした時に、保護層7とともに、酸化物超電導層6の電流が転流するバイパスとして機能する。金属安定化層8を構成する金属材料は、薄い箔に成形できる良導電性のもの又はめっき形成できるものであれば良く、特に限定されないが、銅、NiCrNiCr合金、ステンレス、黄銅CuZn合金やCuNi合金等の銅合金が好ましく、これらのなかでも高い導電性を有し、安価である銅合金がより好ましい。なお、酸化物超電導線材1を超電導限流器に使用する場合、金属安定化層8は高抵抗の金属材料であることが好ましく、例えばNiCr等のNi系合金などが好適である。金属安定化層8の厚みは特に限定されないが、10μm~500μmであることが好ましく、20μm~300μmであることがより好ましい。金属安定化層8の厚みが上記範囲の下限値以上であると、酸化物超電導層6及び保護層7を外乱などから物理的に保護すると共に、製造時や使用時にピンホールや破れが生じること防止できる。金属安定化層8の厚みが上記範囲の上限値以下であると、金属安定化層8の剛性が過度に高くなることを防ぎ、使用時の応力によって保護層7から金属安定化層8が剥離することを抑制できる。金属安定化層8の剛性が高くなり過ぎると、曲げや捻りなどの外力が加わった際に、金属安定化層8の変形度と保護層7の変形度が大きく解離して、金属安定化層8が保護層7から剥離し易くなる場合がある。第1実施形態の酸化物超電導線材1の外周は、絶縁被覆層9で被覆されている。絶縁被覆層9は、絶縁テープを巻き回して形成されたものでも良いし、絶縁性樹脂がコーティングされたものでも良い。絶縁被覆層9は、必ずしも設けられていなくても良いが、本発明に係る酸化物超電導線材を外乱から保護して、保護層7と金属安定化層8とを物理的に押し付けて密着させることができる。前記絶縁テープ及び絶縁性樹脂の材料は特に制限されず、例えばポリイミド樹脂等の公知の材料を適用できる。絶縁被覆層9の厚みも特に制限されず、用途に応じて適宜調整すれば良く、例えば100μm~1mmとすることができる。<酸化物超電導線材の製造方法>以下に、本発明に係る酸化物超電導線材1の製造方法を説明する。まず、基材2の上方に下地層3と配向層4とキャップ層5とからなる中間層及び酸化物超電導層6を形成する。ハステロイ等の基材2の上に下地層3を形成する方法は、前述のようにスパッタリング等の公知の成膜方法が適用できる。下地層3の上に、IBAD法によって配向層4を形成する方法としては、例えばターゲットにイオンビームを照射して、ターゲットの構成粒子を基材2上に飛来させて堆積させるとともに、基材2に対し所定の入射角度でアシスト用のイオンビームを照射する方法が挙げられる。この方法は公知のイオンビームアシストスパッタ装置で実現できる。下地層3の表面に、ターゲットの構成粒子を堆積させつつ、所定の入射角度でイオン照射を行うと、形成されるスパッタ膜の特定の結晶軸がイオンの入射方向に固定され、結晶のc軸が金属基板の表面に対して垂直方向に配向するとともに、結晶のa軸どうしあるいはb軸どうしが面内において一定方向に配向した2軸配向した配向層4を得ることができる。このため、IBAD法によって下地層3上に形成された配向層4は、高い面内配向度を示す。つづいて、キャップ層5及び酸化物超電導層6を形成する。良好な配向性を有するキャップ層5上に酸化物超電導層6を形成すると、酸化物超電導層6もキャップ層5の配向性に整合するように結晶化する。従って得られた酸化物超電導層6は、結晶粒界における量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣化が殆どないので、基材2の長さ方向に電気を流し易くなり、十分に高い臨界電流が得られ、優れた超電導性を発揮する。つぎに、酸化物超電導層6の上面を覆うように、Ag又はAg合金からなるプレ保護層を成膜法により形成する。前記プレ保護層は、Ag又はAg合金をターゲットとして用いてスパッタリングすることによって形成することができる。つづいて、前記プレ保護層を備えた酸化物超電導層6を酸素雰囲気下で加熱する処理酸素アニーリングを行う。酸素アニーリングを行うことによって、酸化物超電導層6に酸素を供給して、その超電導特性を向上させる。また、酸素アニーリングにおいて、Agの粒子が再結晶する温度で加熱することによって、保護層7の上面の表面粗さRzを1500nm以上とすることができる。上面の表面が粗くなるメカニズムとしては、Agの再結晶又はAg結晶の粗大化が一因として挙げられ、他の要因としては、スパッタリング時にプレ保護層の内部に蓄積された応力が、酸素アニーリング時の加熱によって開放されることも挙げられる。前記酸素アニーリングの温度は、300~600°Cであることが好ましい。上記温度範囲の下限値以上であると、保護層7に含まれるAgを再結晶させることがより確実にでき、保護層7の表面粗さRzを確実に粗くすることができる。上記温度範囲の上限値以下であると、酸化物超電導層6及び中間層が熱によって劣化することを防止できる。前記酸素アニーリングは、10時間以上行うことが好ましい。上記時間範囲の下限値以上であると、保護層7の表面粗さRzを1500nm以上とすることがより容易となる。10時間未満であると、表面が粗くなった領域と未だ粗くなっていない領域とが混在してしまう場合がある。この場合、保護層7と金属安定化層8との密着性が充分でなくなる虞がある。次いで保護層7にハンダ層付きの金属安定化層8を貼り合せてロール圧着するなどの方法により金属安定化層8を保護層7の上に形成することができる。或いは、公知のめっき法により保護層7上にめっき層からなる金属安定化層8を形成しても良い。まず、ハステロイC-276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚み100μm、長さ1000mmのテープ状の基材本体上に、下地層であるAl2O3の拡散防止層厚み80nmと、下地層であるY2O3のベッド層厚み30nmと、IBAD法で形成したMgOの配向層厚み10nmと、PLD法で形成したCeO2のキャップ層厚み300nmとからなる中間層、及びPLD法で形成したYBa2Cu3O7-xで示される組成の酸化物超電導層厚み1μmを、この順で積層した。つぎに、Ag板をターゲットとして用いたスパッタ法で、酸化物超電導層の上面を覆うようにAgOのプレ保護層厚み10μmを成膜した。形成したプレ保護層の上面の表面粗さ最大高さRzを測定したところ、820nmであった。続いて、プレ保護層を形成したテープ状の基材を、酸素含有雰囲気とした加熱炉内に収容し、500°Cで、表1に示す時間で、複数の試料を用いて酸素アニーリング処理を行った。その後に得られた各試料のAgからなる保護層の上面の表面粗さ最大高さRzを測定した結果を表1に併記する。表面粗さRz最大高さの測定は、以下の方法で行った。酸素アニーリング処理前のプレ保護層又は酸素アニーリング処理後の保護層について、接触式表面粗さ測定器を用いて、10箇所のRzを測定し、その平均値を算出した。なお、本発明に係る酸化物超電導線材について、その内部に配された保護層の表面粗さRzを調べる方法としては、前記接触式表面粗さ測定器を用いる方法が適用できる。次に各試料について、ハンダ層付きのCu箔又はNiCr箔のテープを貼り合せて、Cu又はNiCrを金属安定化層とした酸化物超電導線材を得た。つづいて、図2に示すように、得られた各酸化物超電導線材21をU字状に湾曲させ、一端を台座22に固定し、他端にバネはかり23を接続し、U字状の超電導線材21の中央部を円筒状のロール24に巻き掛けた。ロール24の直径ロール径は表2に示す通りとした。バネはかり23をロール24から離れる方向図中の矢印方向に引っ張り、ロール24の円周面を利用して当該線材に張力を付加するように力を作用させ、剥離試験を行った。バネはかりにより加える張力は5kgfとした。この剥離試験において、剥離が生じるか否かを調べた。評価結果は、金属箔に剥離が生じた場合を×、金属箔が剥離しなかった場合を○として、表2に併記する。以上の結果から、保護層の上面の表面粗さRzが1500nm以上であると、金属箔の密着性が向上することが明らかである。また、金属安定化層金属箔の厚さが厚くなるほど剥離が生じやすくなる原因として、1厚い金属安定化層であるほど、曲げた時にかかる引張モーメントが大きくなるため2基材であるハステロイが硬いので引っ張りの応力はハステロイが保つが、金属安定化層が厚くなると、その応力が金属安定化層にも加わるため、であると考えられる。また、NiCr箔の方がCu箔よりも剥離しやすくなる原因として、NiCr箔の方がCu箔よりも剛性が高いためであると考えられる。