"露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aを含有するEUV用またはEB用レジスト組成物であって、前記樹脂成分Aが、下記一般式a0-0-1で表される構成単位a0を有する樹脂成分A1を含有することを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R0-1は単結合または2価の連結基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合である。]前記樹脂成分A1が、酸の作用により極性が増大する樹脂成分である、請求項1に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分A1が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項2に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分A1が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位a2を有する、請求項3に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分A1が、さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位a3を有する、請求項3または4に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。支持体上に、請求項1~5のいずれか一項に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUVまたはEBにより露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。下記一般式a0-0-1で表される構成単位a0を有する高分子化合物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R0-1は単結合または2価の連結基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合である。]酸の作用により極性が増大するものである、請求項7に記載の高分子化合物。さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項8に記載の高分子化合物。さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位、およびα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位、からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位a2を有する、請求項9に記載の高分子化合物。さらに、極性基含有炭化水素基を含む構成単位a3を有する、請求項9または10に記載の高分子化合物。EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、EUVやEBに対する感度、ターゲットとする微細なレジストパターンを形成できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。現在、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーにおいて、レジスト材料としては、リソグラフィー特性に優れることから、これまでKrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジストが一般的に用いられている。特に、ベース樹脂としてアクリル系樹脂を含有する化学増幅型レジストは、それらのリソグラフィー特性に優れるとされている。しかし、KrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジストを用いた場合、形成されるレジストパターンの形状が不良となる問題がある。たとえばEUVリソグラフィーにおいては、EUV露光装置の光源から発生する光に含まれている、EUV領域以外の波長の光、いわゆるOoBOutofBand光が問題となっている。OoB光は、同時に発生するフレアFlareとともにレジスト膜の未露光部に入射してつまり、EUV光照射時の露光領域の選択性を失わせ、未露光部においても、酸発生剤成分が分解して酸を発生してしまうため、レジストパターンのコントラストの低下、膜減り、ラフネスパターンの上面や側壁の表面荒れ等を引き起こしてしまう。ラフネスは、レジストパターンの形状不良の原因となる。たとえばパターン側壁表面のラフネスは、ラインアンドスペースパターンにおけるライン幅の不均一、ホールパターンにおけるホール周囲の歪み等に代表される形状不良の原因となる。このOoB光による形状不良の問題は、特に、ベース樹脂としてアクリル系樹脂を含有する化学増幅型レジストを用いた場合に顕著に見られる傾向がある。つまり、該化学増幅型レジストは、一般的に、ArFエキシマレーザー光等のDUV領域の波長の光が照射されると酸発生剤成分から酸が発生し、現像液に対する溶解性が変化する。OoB光はDUV領域の波長の光を含むことから、EUV露光時に本来未露光部となる部分も感光してコントラストの低下が引き起こされる。EBリソグラフィーにおいても、加速電圧等の電子線照射条件によっては電子がレジスト膜表面で拡散散乱し、上記EUVリソグラフィーにおけるOoB光と同様の問題を生じることがある。レジストパターンの形状不良は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがある。そのため、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、リソグラフィー特性の向上とともに、パターン形状の向上が求められる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、及び該レジスト組成物用として有用な高分子化合物を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、レジスト組成物に含まれる成分のうち、酸発生成分のカチオン部位のみが、OoB光に含まれるDUVのうち、特定の波長領域200~400nmの光を吸収する場合たとえばベース樹脂がアクリル系樹脂で、酸発生剤成分がトリフェニルスルホニウム塩等の芳香族基を有するものである場合に、形状不良が生じやすいことを見出した。したがって、OoB光による形状不良への対策としては、DUV光に対して酸発生成分のカチオン部位のみが吸収を持つような組成を避けることが考えられる。このような対策としてより具体的には、ベース樹脂にもDUV光への吸収を持たせ、相対的に酸発生成分のカチオン部位でのDUV光の吸収を減らす方法と、酸発生成分のカチオン部位がDUV光への吸収を持たない構造としてDUV光に対する感光性を低くする方法が考えられる。本発明は、これらの方法のうち、酸発生成分のカチオン部位がDUV光への吸収を持たない構造としてDUV光に対する感光性を低くする方法についてさらに検討を重ねた結果見出されたものであり、以下の態様を有する。すなわち本発明の第一の態様は、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aを含有するEUV用またはEB用レジスト組成物であって、前記樹脂成分Aが、下記一般式a0-0-1で表される構成単位a0を有する樹脂成分A1を含有することを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物である。本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のEUV用またはEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUVまたはEBにより露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本発明の第三の態様は、下記一般式a0-0-1で表される構成単位a0を有する高分子化合物である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R0-1は単結合または2価の連結基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合である。]本明細書および特許請求の範囲において、EUV用またはEB用とは、当該レジスト組成物を用いたレジストパターンの形成が、露光光源放射線源としてEUV極紫外線露光またはEB電子線を用いて行われるものであることを示す。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。ハロゲン化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基であり、フッ素化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。本発明によれば、EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、及び該レジスト組成物用として有用な高分子化合物を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分A以下A成分という。を含有する。そのため露光により現像液に対する溶解性が変化する性質を有しており、該レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてA成分から酸が発生し、該酸がA成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。<A成分>A成分は、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分である。本明細書において、樹脂成分とは、膜形成能を有する有機化合物であって重合体であるものを示す。樹脂成分としては、通常、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすいことから、分子量が500以上、好ましくは1000以上の高分子化合物が用いられる。樹脂成分の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。A成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し且つアルカリ現像液に可溶性の樹脂成分以下、A-2成分ということがある。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光によりA-2成分から酸が発生すると、当該酸が作用してA-2成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A-2成分としては、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の樹脂に、露光により酸を発生する酸発生基を導入したものが挙げられる。アルカリ可溶性樹脂酸発生基の導入前のものとしては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する樹脂成分以下、A-1成分ということがある。が用いられる。A-1成分は露光前後で極性が変化するため、A-1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A-1成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりA-1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A-1成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりA-1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。本発明において、A成分は、A-1成分であることが好ましい。したがって、A1成分は、酸の作用により極性が増大する高分子化合物であることが好ましい。[A1成分]構成単位a0A1成分は、下記一般式a0-0-1で表される構成単位a0を有する。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R0-1は単結合または2価の連結基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合である。]式a0-0-1中、Rにおける炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rにおける炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としてとしては、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。R0-1における2価の連結基としては、特に限定されるものではないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。前記2価の炭化水素基において、置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。前記連結基における2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。R0-1における2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基;前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アルキレン基アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、-O-、-C=O-、-C=O-O-、カーボネート結合-O-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-、-NR04R04はアルキル基、アシル基等の置換基である。-、-NH-C=O-、=N-等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。R0-1における2価の連結基は、その構造中に酸分解性部位を有していてもよいし、有していなくてもよい。酸分解性部位とは、露光により発生する酸たとえば構成単位a0から発生する酸が作用した際に解裂し得る結合が存在する部位をいう。酸分解性部位としては、たとえば、カルボニルオキシ基と、その末端の酸素原子-O-に結合した第三級炭素原子とを有するものが挙げられる。かかる酸解離性部位に酸が作用すると、酸素原子と第三級炭素原子との間の結合が解裂する。R0-1がかかる酸分解性部位を有する場合、露光時に構成単位a0から発生した酸がR0-1中の酸分解性部位を分解させることで極性が増大する。そのため、当該A1成分が構成単位a0のみから構成される場合でも、酸の作用により極性が増大する性質を有するものとなる。R0-1における2価の連結基としては、下記一般式x1、x2またはx3で表される基が好ましい。-C=O-O-R1-...x1-C=O-NRc1-R1-...x2-Aarl-[O-R1]z-...x3[式中、R1は2価の連結基であり;Rc1は水素原子または炭素数1~5のアルキル基であり;Aarlは置換基を有していてもよいアリーレン基であり、zは0または1である。]式x1~x3中、R1における2価の連結基としては、上記R0-1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。R1としては、特に、一般式-A-[CRf1Rf2]m-[式中、Aは2価の連結基または単結合であり、mは1~8の整数であり、Rf1およびRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、Rf1およびRf2のうち少なくとも1つはフッ素原子またはフッ素化アルキル基である。]で表される基が好ましい。式-A-[CRf1Rf2]m-中、Aは2価の連結基または単結合である。Aにおける2価の連結基としては、R0-1における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Aとしては、上記の中でも、アルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基、または単結合が好ましい。前記アルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。前記酸素原子を含む2価の連結基は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合;-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-NH-C=O-、ウレタン結合-NH-C=O-O-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。該組み合わせとしては、たとえば、-X02-NH-C=O-O-R90-、-R91-O-、-R91-O-C=O-、-O-C=O-R92-、-R91-O-C=O-R92-、-C=O-O-R93-O-C=O-等が挙げられる。各式中、X02は単結合または2価の連結基であり、R90~R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。-X02-NH-C=O-O-R90-におけるX02は単結合または2価の連結基であり、該連結基としては前記R0-1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。R90~R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1または2が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。式-A-[CRf1Rf2]m-中、mは1~8の整数であり、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。mが2以上である場合、式中の複数のRf1はそれぞれ同じであっても異なってもよい。同様に、nが2以上である場合、式中の複数のRf2はそれぞれ同じであっても異なってもよい。Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。特に、式中の側鎖末端の-SO3-の硫黄原子に直接結合する炭素原子に結合するRf1及びRf2は、共に、フッ素原子であることが好ましい。Rf1、Rf2としては、フッ素原子が特に好ましい。-[CRf1Rf2]m-で表される基の好ましい例として、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等が挙げられる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。-A-[CRf1Rf2]m-で表される基としては、特に、-CH2a-CF2b-、-CH2c-C=O-O-CH2d-CF2e-、-CH2f-NH-C=O-O-CH2g-CF2h-、から選ばれる基が好ましい。各式中、aは1~10の整数であり、bは0~10の整数であり、cは1~10の整数であり、dは1~10の整数であり、eは0~10の整数であり、fは1~10の整数であり、gは1~10の整数であり、hは0~10の整数である。式x2中、Rc1におけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。式x3中、Aarlにおけるアリーレン基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。該アリーレン基として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基が挙げられる。これらの中でも、ベンゼンまたはナフタレンから水素原子を2つ除いた基が好ましく、ベンゼンから水素原子を2つ除いた基が特に好ましい。前記アリーレン基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。構成単位a0としては、下記一般式a0-1~a0-4のいずれかで表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。式a0-1またはa0-2で表される構成単位を有する場合、ラインエッジラフネスLER等のリソグラフィー特性が向上するので好ましい。式a0-3またはa0-4で表される構成単位を有する場合、A1成分が、露光光源放射線源となるEUV光またはEBのエネルギーだけでなく、OoB光をもより吸収しやすくなるため、仮にB成分が配合されていた場合でも、OoB光によるB成分の分解等の悪影響が低減され、結果的にリソグラフィー特性が向上すると考えられるので好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは非芳香族の2価の連結基または単結合であり;R1は2価の連結基であり;Rc1は水素原子または炭素数1~5のアルキル基であり;nは独立に1~4の整数であり;Rc2は、独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のアルコキシ基である。]式a0-1~a0-4中のR、R2、R3、R4、Xはそれぞれ前記式a0-0-1中のR、R2、R3、R4、Xと同じである。R1は前記式x1~x3中のR1と同じであり、Rc1は前記式x2中のRc1と同じである。Rc2におけるハロゲン原子としては、前記式x3中のAarlにおけるアリーレン基が有していてもよい置換基として挙げたハロゲン原子と同様のものが挙げられ、フッ素原子が好ましい。nが2~4の整数である場合、式a0-3またはa0-4中のn個のRc2はそれぞれ同じであっても異なってもよい。構成単位a0としては、上記の中でも、一般式a0-1~a0-3のいずれかで表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、下記一般式a0-1-1~a0-1-3のいずれかで表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは非芳香族の2価の連結基または単結合であり;Rc1は水素原子または炭素数1~5のアルキル基であり;nは独立に1~4の整数であり;Rc2は、独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のアルコキシ基であり;Aは2価の連結基または単結合であり;mは独立に1~8の整数であり;Rf1およびRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、Rf1およびRf2のうち少なくとも1つはフッ素原子またはフッ素化アルキル基である。]式a0-1-1、a0-2-1、a0-3-1中のR、R2、R3、R4、Xはそれぞれ前記式a0-0-1中のR、R2、R3、R4、Xと同じである。Rc1は前記式a0-2中のRc1と同じである。n、Rc2はそれぞれ前記式a0-3~a0-4中のn、Rc2と同じである。A、m、Rf1、Rf2はそれぞれ前記式-A-[CRf1Rf2]m-中のA、m、Rf1、Rf2と同じである。なお、式a0-3-1におけるAについては、-R91-O-C=O-が特に好ましく、この場合のR91におけるアルキレン基の炭素数は、1~15が好ましく、2~12がより好ましい。上記のうち、式a0-1-1で表される構成単位としては、下記一般式a0-1-11、a0-1-12またはa0-1-13で表される構成単位が好ましい。式a0-1-11~a0-1-13中のR、R2、R3、R4、Xはそれぞれ前記式a0-0-1中のR、R2、R3、R4、Xと同じである。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R2、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基であり、R3、R4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく;Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合であり;aは1~10の整数であり、bは0~10の整数であり、cは1~10の整数であり、dは1~10の整数であり、eは0~10の整数であり、fは1~10の整数であり、gは1~10の整数であり、hは0~10の整数である。]次に、構成単位a0におけるカチオン部R2-X-SR3R4について説明する。式a0-0-1中、R2は、非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基である。R2におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれかであってもよい。その炭素数は1~30が好ましい。それらのうち、直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。環状のアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。環状のアルキル基としては、多環式が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。R2におけるアルキル基は、非芳香族の置換基を有していてもよい。非芳香族は、芳香族性を有さないことを示す。非芳香族の置換基としては、構造中に芳香族基芳香族炭化水素基等を含まないものであればよい。該置換基は、アルキル基を構成する水素原子の一部または全部を置換していてもよく、アルキル基を構成する炭素原子の一部を置換していてもよい。前記非芳香族の置換基のうち、アルキル基を構成する水素原子の一部または全部を置換する置換基としては、アルキル基、ヘテロ原子を含む非芳香族の置換基、等が挙げられる。前記アルキル基を構成する水素原子を置換する置換基としてのアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。その炭素数は1~30が好ましい。具体的には、R2における直鎖状、分岐鎖状、環状のアルキル基としてそれぞれ挙げたものと同様のものが挙げられる。それらの中でも、置換基としての直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。置換基としての分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。水素原子がアルキル基で置換されたアルキル基としては、たとえば、少なくとも1つの水素原子が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基で置換された環状のアルキル基、水素原子が環状のアルキル基で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基、等が挙げられる。水素原子が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基で置換された環状のアルキル基としては、たとえば後述する構成単位a1の説明中で挙げる式1-1~1-9で表される基等が挙げられる。水素原子が環状のアルキル基で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、たとえば後述する構成単位a1の説明中で挙げる式2-1~2-6で表される基等が挙げられる。前記アルキル基を構成する水素原子を置換する置換基としてのヘテロ原子を含む非芳香族の置換基におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。該置換基は、ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、ヘテロ原子と、ヘテロ原子以外の原子または基とから構成される基であってもよい。前記水素原子を置換するヘテロ原子を含む非芳香族の置換基として具体的には、ハロゲン原子、オキソ基=O、シアノ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9等が挙げられる。R7、R8、R9は、それぞれ独立に、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基である。前記水素原子を置換するハロゲン原子としては、前記と同様のものが挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記水素原子を置換するアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-CR47R48-O-R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1~15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。R49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。R49における環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。前記水素原子を置換するアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-R50-C=O-O-R56[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。R50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R56における第3級アルキル基としては、2-メチル-2-アダマンチル基、2-2-プロピル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-エチル-1-シクロヘキシル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルプロピル基、1-1-アダマンチル-1-メチルブチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルブチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルブチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルペンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘキシル基などが挙げられる。さらに、前記一般式:-O-R50-C=O-O-R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述の式L1~L5、S1~S4で表される基等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子がオキソ基=Oに置換されたもの等が挙げられる。-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9におけるR7、R8、R9は、それぞれ独立に、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基である。飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基の炭素数は1~25が好ましく、1~15がより好ましく、4~10がさらに好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、前記R56の説明で挙げた第3級アルキル基が挙げられる。また、第3級アルキル基以外の分岐鎖状の飽和炭化水素基として、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R7、R8、R9における環状の飽和炭化水素基の炭素数は、3~20が好ましい。環状の飽和炭化水素基は、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合-C=O-O-を有していてもよい。具体的には、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、炭素数1~5のアルキル基等が挙げられる。R7、R8、R9における飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と、環状の飽和炭化水素基との組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と環状の飽和炭化水素基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基に置換基として環状の飽和炭化水素基が結合した基例えば1-1-アダマンチルメチル基、環状の飽和炭化水素基に置換基として直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基が結合した基等が挙げられる。R7、R8、R9における脂肪族不飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。これら直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7、R8、R9としては、それぞれ、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、水素原子、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、または炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。アルキル基を構成する水素原子を置換する非芳香族の置換基としては、上記の中でも、アルキル基、ハロゲン原子、オキソ基=O、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’から選ばれる少なくとも1種が好ましい。前記非芳香族の置換基のうち、アルキル基を構成する炭素原子の一部を置換する置換基としては、ヘテロ原子を含む非芳香族の2価の置換基が挙げられる。該置換基におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。該置換基は、ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、ヘテロ原子と、ヘテロ原子以外の原子または基とから構成される基であってもよい。前記炭素原子を置換するヘテロ原子を含む非芳香族の2価の置換基として具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。ヘテロ原子を含む非芳香族の2価の置換基のうち、環状のアルキル基の環骨格を構成する炭素原子の一部を置換する置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-または-S=O2-O-が好ましい。かかる置換基を有する環状のアルキル基の好ましい具体例として、たとえば下記式L1~L6、S1~S4で表される基等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94-または-S-R95-であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記Aにおける2価の連結基の説明で挙げたR90~R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの環状のアルキル基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が、非芳香族の置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。式a0-0-1中、Xは、非芳香族の2価の連結基または単結合である。Xにおける2価の連結基としては、R0-1の説明で挙げた2価の連結基として挙げたものと同様のものただし芳香族炭化水素基を有するものは除く。が挙げられる。Xとしては、上記の中でも、酸素原子を含む2価の連結基、または単結合が好ましい。酸素原子を含む2価の連結基の具体例としては、前記式a0-1~a0-3中のR1の説明中、一般式-A-[CRf1Rf2]m-におけるAの2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられ、特に、-O-C=O-R5-が好ましい。R5のアルキレン基は、前記Aにおける2価の連結基の説明で挙げた-O-C=O-R92-におけるR92のアルキレン基と同様である。式a0-0-1中、R3、R4はそれぞれ独立に、非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基である。該アルキル基としては、前記R2と同様のものが挙げられる。R3およびR4は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。該環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。たとえば環を形成する2つのうちの一方または両方が環状のアルキル基である場合、それらが結合すると、多環式の環縮合環が形成される。R3およびR4が結合して環を形成する場合、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3~10員環であることが好ましく、5~7員環であることが特に好ましい。本発明において、式a0-0-1中のカチオン部R2-X-SR3R4としては特に、下記一般式I-1、I-2、I-3またはI-4で表されるものが好ましい。[式中、uは1~3の整数であり、R5は非芳香族の置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R6は非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基であり、R7は、非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基もしくはアルコキシ基、または水酸基であり、R8は、非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基であり、R9a~R9cはそれぞれ独立に非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基である。]式I-1~I-3中、uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。R5のアルキレン基としては、前記一般式-A-[CRf1Rf2]m-中のAの説明で挙げた-O-C=O-R92-におけるR92のアルキレン基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1または2が特に好ましい。該アルキレン基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、前記R2の説明でアルキル基が有してもよい非芳香族の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R6おける非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基、該アルキル基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、それぞれ、前記R2の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。R6は、酸解離性基であることが好ましい。これにより、極限解像性能が向上する。該酸解離性基としては、後述する構成単位a1の説明中で挙げるものと同様のもの、たとえば第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基等が挙げられる。それらのなかでも、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましく、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が特に好ましい。R7における非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基、該アルキル基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、それぞれ、前記R2の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。非芳香族の置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、前記非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基に-O-が結合したものが挙げられる。R8における非芳香族の置換基を有していてもよいアルキル基、該アルキル基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、それぞれ、前記R2の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。R9a~R9cにおけるアルキル基としては、それぞれ、前記R2の説明で挙げたものと同様のものが挙げられ、その炭素数は、5~15が好ましい。該アルキル基は、鎖状であっても環状であってもよい。環状のアルキル基である場合、リソグラフィー特性が向上すると考えられ好ましい。鎖状アルキル基、特に直鎖状のアルキル基は、合成容易の点で好ましい。該アルキル基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、前記R2の説明でアルキル基が有してもよい非芳香族の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。A1成分が有する構成単位a0は、1種でも2種以上でもよい。A1成分中、構成単位a0の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~30モルが好ましく、5~20モルがより好ましい。該割合が5モル以上であると感度が向上する。20モル以下であると、レジスト溶剤後述するS成分に対する充分な溶解性が確保できる。A1成分が、酸の作用により極性が増大する高分子化合物である場合、A1成分は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むことが好ましい。酸分解性基は、酸露光により構成単位a0から発生する酸や、任意成分である後述するB成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸分解性基について、詳しくは、後述する構成単位a1で説明する。構成単位a0が、酸解離性基を含む場合たとえばR1がその構造中に酸分解性部位を有する場合や、前記式I-1中のR6が酸解離性基である場合、A1成分は、構成単位a0のみからなるものであってもよく、さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有してもよい。構成単位a0として、酸解離性基を含むものを有さない場合、A1成分は、構成単位a0以外に、さらに、構成単位a1を有する必要がある。構成単位a1構成単位a1は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、上述したとおり、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-O-Hを含有する極性基以下、OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、酸露光により構成単位a0から発生する酸等の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。結果、A1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、アルカリ現像プロセスを適用する場合であれば、相対的に、アルカリ現像液に対する溶解性が増大し、他方、溶剤現像プロセスを適用する場合であれば、有機溶剤を含有する有機系現像液に対する溶解性が減少する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。なお、メタアクリル酸エステルとは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-CO-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基や、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子、化合物B3.8gジクロロメタン及び純水を添加し、室温で30分攪拌した。その後ジクロロメタン層を1塩酸水で洗浄し、さらに中性になるまで純水で水洗を繰り返し、有機層を減圧下で濃縮することにより化合物01を白色固体として4.7g得た。得られた化合物はNMR測定を行い、以下の結果より構造を同定した。1H-NMR400MHz,DMSO-d6:δppm=6.1s,1H,CH2=C,5.74s,1H,CH2=C,4.58-4.67t,2H,CH2,1.89s,3H,CH3。19F-NMR376MHz,DMSO-d6:δppm=-111.3[ポリマー合成例1:高分子化合物1の合成]温度計、還流管、窒素導入管を繋いだセパラブルフラスコに、19.86g62.79mmolの化合物21、31.77g121.09mmolの化合物11、8.37g15.95mmolの化合物01を入れ、79.53gのメチルエチルケトンMEK/シクロヘキサノンCH混合溶媒に溶解させた。この溶液に、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチルV-601を29.97mmol添加し溶解させた。これを、80°Cに加熱した42.28gのMEKに、窒素雰囲気下、4時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を1時間加熱攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。得られた反応重合液を大量のn-ヘプタンに滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別、メタノールにて洗浄、乾燥して、目的物である高分子化合物1を35.47g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,300であり、分子量分散度Mw/Mnは1.87であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.9/44.0/10.1であった。[ポリマー合成例2:高分子化合物2の合成]モノマーとして13.99g82.21mmolの化合物22、36.42g138.79mmolの化合物11、9.59g18.28mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を35.90mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物2を35.47g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,000であり、分子量分散度Mw/Mnは1.89であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.2/44.4/10.4であった。[ポリマー合成例3:高分子化合物4の合成]モノマーとして21.43g82.21mmolの化合物21、34.29g130.68mmolの化合物11、4.28g8.15mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を30.99mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物4を37.50g得た。高分子化合物4の構造式は、前記高分子化合物1と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは3,800であり、分子量分散度Mw/Mnは1.95であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=48.1/46.5/5.4であった。[ポリマー合成例4:高分子化合物5の合成]モノマーとして18.36g58.03mmolの化合物21、29.36g111.91mmolの化合物11、12.28g23.41mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を29.00mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物5を32.82g得た。高分子化合物5の構造式は、前記高分子化合物1と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,400であり、分子量分散度Mw/Mnは1.86であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=42.4/42.9/14.7であった。[ポリマー合成例5:高分子化合物6の合成]モノマーとして16.91g53.47mmolの化合物21、27.06g103.12mmolの化合物11、16.03g30.55mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を28.07mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物6を36.08g得た。高分子化合物6の構造式は、前記高分子化合物1と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,500であり、分子量分散度Mw/Mnは1.87であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=39.9/40.6/19.5であった。[ポリマー合成例6:高分子化合物7の合成]モノマーとして19.86g62.79mmolの化合物21、31.77g121.09mmolの化合物11、8.37g15.95mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を13.99mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物7を36.96g得た。高分子化合物7の構造式は、前記高分子化合物1と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは7,600であり、分子量分散度Mw/Mnは2.00であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.1/44.2/10.7であった。[ポリマー合成例7:高分子化合物8の合成]モノマーとして17.34g54.82mmolの化合物21、27.74g105.72mmolの化合物11、10.54g37.59mmolの化合物31、4.38g8.35mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を30.86mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物8を33.73g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,400であり、分子量分散度Mw/Mnは1.91であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=37.5/37.8/19.7/5.0であった。[ポリマー合成例8:高分子化合物9の合成]モノマーとして16.23g51.32mmolの化合物21、25.97g98.97mmolの化合物11、9.25g32.99mmolの化合物31、8.55g16.29mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を29.94mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物9を32.40g得た。高分子化合物9の構造式は、前記高分子化合物8と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,400であり、分子量分散度Mw/Mnは1.92であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=36.3/36.0/17.9/9.8であった。[ポリマー合成例9:高分子化合物10の合成]モノマーとして14.98g47.35mmolの化合物21、23.96g91.32mmolの化合物11、8.53g30.44mmolの化合物31、12.53g23.87mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を28.95mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物10を31.44g得た。高分子化合物10の構造式は、前記高分子化合物8と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,100であり、分子量分散度Mw/Mnは1.87であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=34.6/33.7/16.3/15.4であった。[ポリマー合成例10:高分子化合物11の合成]モノマーとして13.78g43.56mmolの化合物21、22.04g84.01mmolの化合物11、7.85g28.00mmolの化合物31、16.32g31.12mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を28.00mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物11を31.12g得た。高分子化合物11の構造式は、前記高分子化合物8と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,500であり、分子量分散度Mw/Mnは1.90であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=32.0/32.4/15.5/20.1であった。[ポリマー合成例11:高分子化合物12の合成]モノマーとして20.36g64.36mmolの化合物21、32.57g124.13mmolの化合物11、7.07g16.35mmolの化合物02を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を30.73mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物12を32.87g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,500であり、分子量分散度Mw/Mnは1.86であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=44.8/44.4/10.8であった。[ポリマー合成例12:高分子化合物13の合成]モノマーとして20.36g64.36mmolの化合物21、32.57g124.13mmolの化合物11、7.07g16.35mmolの化合物02を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を14.34mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物13を34.09g得た。高分子化合物13の構造式は、前記高分子化合物12と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは7,100であり、分子量分散度Mw/Mnは1.99であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.3/44.8/9.9であった。[ポリマー合成例13:高分子化合物14の合成]モノマーとして17.75g56.10mmolの化合物21、28.39g108.19mmolの化合物11、13.87g32.06mmolの化合物02を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を29.45mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物14を33.59g得た。高分子化合物14の構造式は、前記高分子化合物12と同じである。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは3,900であり、分子量分散度Mw/Mnは1.85であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=40.8/39.8/19.4であった。[ポリマー合成例14:高分子化合物15の合成]モノマーとして19.56g61.83mmolの化合物21、31.29g119.25mmolの化合物11、9.15g15.70mmolの化合物03を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を29.52mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物15を34.10g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,400であり、分子量分散度Mw/Mnは1.93であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.7/44.6/9.7であった。[ポリマー合成例15:高分子化合物16の合成]モノマーとして19.99g63.19mmolの化合物21、31.98g121.87mmolの化合物11、8.03g16.05mmolの化合物04を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を30.17mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物16を30.98g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,500であり、分子量分散度Mw/Mnは1.92であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.1/44.8/10.1であった。[ポリマー合成例16:高分子化合物17の合成]モノマーとして19.20g60.68mmolの化合物21、30.71g117.03mmolの化合物11、10.10g15.41mmolの化合物05を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を28.97mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物17を38.44g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは3,700であり、分子量分散度Mw/Mnは1.88であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=45.3/45.1/9.6であった。[ポリマー合成例17:高分子化合物18の合成]モノマーとして17.16g54.24mmolの化合物21、27.45g104.60mmolの化合物11、6.36g30.99mmolの化合物32、9.03g17.22mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を31.06mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物18を33.73g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは4,000であり、分子量分散度Mw/Mnは1.86であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=36.4/35.7/17.5/10.4であった。[ポリマー合成例18:高分子化合物19の合成]モノマーとして16.71g52.83mmolの化合物21、26.74g101.89mmolの化合物11、7.75g33.96mmolの化合物33、8.80g16.77mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を30.82mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物19を33.73g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは3,900であり、分子量分散度Mw/Mnは1.88であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n/o=36.9/36.1/16.9/10.1であった。[ポリマー合成例19:高分子化合物20の合成]モノマーとして23.32g194.09mmolの化合物34、21.59g86.26mmolの化合物12、15.09g28.75mmolの化合物01を用い、アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601の添加量を46.37mmolとした以外は前記ポリマー合成例1と同様にして、目的物である高分子化合物20を31.32g得た。この高分子化合物について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは3,600であり、分子量分散度Mw/Mnは1.95であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=58.8/30.7/10.5であった。[高分子化合物1’~8’比較用]比較用の高分子化合物として以下の構造式A’-1~A’-8で表される共重合体を用意した。[l/m/n=45/45/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.85][l/m/n=45/45/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.80][l/m/n=45/45/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.90][l/m/n=45/45/10、Mw=7,000、Mw/Mn=1.80][l/m/n=45/45/10、Mw=4,000、Mw/Mn=2.00][l/m/n/o=36/36/18/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.80][l/m/n/o=36/36/18/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.85][l/m/n=60/30/10、Mw=4,000、Mw/Mn=1.75][実施例1~26、比較例1~8]表1~3に示す各成分を混合、溶解してレジスト組成物を調製した。表1~3中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[]内の数値は配合量質量部である。A-1~A-20:それぞれ前記高分子化合物1~20。A’-1~A’-8:それぞれ前記構造式A’-1~A’-8で表される共重合体。D-1:トリエタノールアミン。D-2:トリ-n-オクチルアミン。E-1:サリチル酸。S-1:γ-ブチロラクトン/PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=200/2250/1500/1250質量比の混合溶剤。S-2:γ-ブチロラクトン/PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=200/1500/1000/2500質量比の混合溶剤。C-1:下記構造式C-1で表される主鎖分解型ポリマー[Mw=3700、Mw/Mn=1.13。式中のRのうち、2-メチル-2-アダマンチルオキシカルボニルメチル基であるRの数:水素原子であるRの数=25:75]。C-2:下記構造式C-2で表される共重合体[l/m=60/30、Mw=8000、Mw/Mn=1.90]。C-3:下記構造式C-3で表される共重合体[l/m/n/o/p=35/22/18/13/12、Mw=7000、Mw/Mn=1.65]。C-4:下記構造式C-4で表される共重合体[l/m=75/25、Mw=7300、Mw/Mn=1.85]。B-1:下記構造式B-1で表される化合物。得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。[レジストパターンの形成]90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表4に示すPAB温度で60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、電子線描画機HL800DVSBHitachi社製を用い、加速電圧50keVにて描画露光を行い、表4に示すPEB温度で60秒間のベーク処理PEBを行い、さらに23°CにてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて60秒間の現像を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅100nm、ピッチ200nmのラインアンドスペースのレジストパターン以下LSパターンという。が形成された。なお、加速電圧が高いほど、微細パターンの形成に有利と考えられているが、本評価では、OoB光が生じている状態を擬似的に再現するために、比較的低い加速電圧50keVの露光条件を採用した。[感度解像力の評価]前記[レジストパターンの形成]で、ライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンが形成される最適露光量EopμC/cm2を感度として求めた。結果を表4に示す。また、上記Eopにおける限界解像度を求めた。結果を解像力として表4に示す。[ラインエッジラフネスLERの評価]上記[レジストパターンの形成]で形成したLSパターンについて、LERを示す尺度である3σを求めた。3σは、走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名:S-9220、日立ハイテクノロジーズ社製により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差σの3倍値3s単位:nmを示す。この3sの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。結果を表4に示す。[断面形状の評価]走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名:SU8000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いて、前記[レジストパターンの形成]で形成されたライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンの断面形状を観察し、ラインの断面が矩形であるものを○、頭落ち形状であるものを×と評価した。結果を表4に示す。[KrFエキシマレーザー光に対する感度の評価E0測定]90°Cで36秒間のHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表4に示すPAB温度で60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、KrF露光装置S-203BNIKON社製を用いて露光を行い、表4に示すPEB温度で60秒間のベーク処理PEBを行い、さらに23°CにてTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて60秒間の現像を行った。以上の操作を、露光量を変化0から50mJ/cm2まで段階的に増加させて実施し、露光部のレジスト膜がなくなった最初の露光量mJ/cm2をE0感度として測定した。このとき、露光量が50mJ/cm2に達しても露光部のレジスト膜がなくならなかったもの、つまりE0感度が50mJ/cm2超であったものは、KrFエキシマレーザー光に対する感度を有さないと判定した。結果を表4に示す。表4中、N.D.は、KrFエキシマレーザー光に対する感度を有さなかったことを示す。上記結果に示すとおり、A成分として高分子化合物1~20をそれぞれ含有する実施例1~20のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザー光に対する感度を有していない一方で、EBに対して良好な感度を有しており、しかも解像性やパターン形状LER、断面形状が良好であった。C成分をさらに配合した実施例21~25も同様の結果が得られた。B成分をさらに配合した実施例26は、KrFエキシマレーザー光に対する感度を有していたものの、解像性やパターン形状は良好であった。一方、A成分として高分子化合物1’~8’をそれぞれ含有する比較例1~8は、実施例1~26に比べて、解像力が悪く、LERが大きく、断面形状が悪かった。"