1接着剤層と、2支持体から構成される金属支持フレキシブル基板において、2支持体が金属箔にて構成されており、かつ、1接着剤層が、Aダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂および、Bフェノール樹脂を含有する事を特徴とする金属支持フレキシブル基板。2支持体の1接着剤層側および/またはその反対側に3支持体被覆層が構成されている事を特徴とする請求項1に記載の金属支持フレキシブル基板。3支持体被覆層が2支持体に対して剥離性を有する事を特徴とする請求項2に記載の金属支持フレキシブル基板。3支持体被覆層の厚みが2μm以上100μm以下である事を特徴とする請求項2または3に記載の金属支持フレキシブル基板。3支持体被覆層がポリアミドイミド樹脂を含有する事を特徴とする請求項2~4のいずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。Aダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂のアミン価が、0.5~10である事を特徴とする請求項1~5いずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。2支持体が、銅箔、ステンレス箔、アルミニウム箔およびニッケル箔から選ばれる一つである事を特徴とする請求項1~6いずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。請求項1~7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、テープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ。請求項1~7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、LED実装用金属支持フレキシブル回路基板。請求項1~7いずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板であって、回路形成用の金属層によって形成された回路が、フライングリード構造を有している事を特徴とする、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板。本発明は、優れた絶縁性および打ち抜き特性を維持しつつ、優れたワイヤーボンディング性や低カール性を持つ事から、リールtoリールで加工が可能で、パッケージング設計と放熱設計が容易な金属支持フレキシブル基板を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の金属支持フレキシブル基板は、支持体が金属箔にて構成されており、かつ、1接着剤層が、Aダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂および、Bフェノール樹脂を含有している。本発明によれば、優れた絶縁性および打ち抜き特性を維持しつつ、優れたワイヤーボンディング性や低カール性を持つ事から、容易なパッケージング設計と放熱設計が可能となる。本発明の金属支持フレキシブル基板を用いた電子部品は、回路加工に必要な耐薬品性や金属支持基板回路での高電圧駆動を可能にする絶縁性を有し、リールtoリールの加工や打ち抜き加工、フライングリードの形成が容易で、従来の電子部品に比べて簡素かつ低コスト放熱設計が可能となる。以下、本発明について詳細に説明する。本発明の金属支持フレキシブル基板は、1接着剤層が、Aダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂を含有している。Aダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂におけるダイマー酸は、工業的には最高分子量領域の二塩基酸であり、嵩高い炭化水素基を有するため疎水性が大きい。よって、ダイマー酸から誘導されるダイマー酸ポリアミド樹脂は、結晶性が小さいため強靱で柔軟性に富み低吸水率性を維持しつつ本発明の金属支持フレキシブル基板を実現するのに必要な有機溶剤への溶解性を有する。さらに、アミド結合の強い結合力に由来する耐加水分解性や難燃性を有する。したがって、ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂を用いることにより、フレキシブル基板として要求される耐薬品性、難燃性および低カール性を維持しつつ、テープオートメーテッドボンディング工法及びその類似工法における打ち抜き性を良好に維持する。また、打ち抜き後に回路用金属層を配してから接着剤を完全硬化させる際の樹脂吸湿水分による発泡を良好に抑制する事が可能である。炭素数36のジカルボン酸残基を有するポリアミド樹脂が、強靱性や製膜性および加工性の点で好ましい。ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂であれば、公知の種々のものを使用することができ、2種以上用いてもよい。ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際に、ダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸およびセバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンとしては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンおよびピペラジン等の公知のものを使用することができ、2種以上用いてもよい。本発明において、ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂のアミン価は、0.5~10であることが好ましく、0.5~8である事がより好ましい。ここでいうアミン価とは、ポリアミド樹脂1gを滴定する際に要する塩酸に当量の水酸化カリウムのmg数量を示すものである。ポリアミド樹脂を2種以上含む場合は、各ポリアミド樹脂を1接着剤層中の含有量比で混合した樹脂混合物1gを滴定する際に要する塩酸に当量の水酸化カリウムのmg数量で示されたアミン価を指す。アミン価が0.5以上であれば、1接着剤層の架橋密度が高くなり、得られるフレキシブル基板のアルカリ溶液や有機酸混合液に対する耐薬品性や絶縁耐久性が向上するだけでなく、IC実装時のワイヤーボンディングやフリップチップ熱圧力に対して樹脂変形を最小限に留める事が可能であり、金属支持層とワイヤーの接触を避ける事が可能となる。また、アミン価が10以下であれば、加工後に得られる配線板のカール量の絶対値を低減することが可能で、かつ接着剤の架橋反応速度を適正に保つ事が出来る為、接着剤半硬化状態での保存安定性、加工工程での安定性を確保する事が可能となる。ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂は、190°Cにおける溶融粘度が10Pas以上である事が好ましく、20Pas以上であれば更に好ましい。190°Cにおける溶融粘度が10Pas以上であれば、1接着剤層の造膜性や、1接着剤層の本硬化時における吸湿水分発泡に対する耐久性が得られる為、より安定した加工が可能となる。また、190°Cにおける溶融粘度が190Pas以下であることが好ましく、100Pas以下であれば更に好ましい。190°Cにおける溶融粘度が190Pas以下であれば、回路形成用金属層を配する際に高温で処理する必要がないため、回路層の熱劣化や熱応力発生を最小限に抑えることが可能となる。ここで、190°Cにおける溶融粘度は、JISK7210-1999附属書C記載のみかけの粘度測定によって測定することができる。ポリアミド樹脂を2種以上含む場合は、各ポリアミド樹脂を1接着剤層中の含有量比で混合した樹脂混合物を用いて測定する。また、ダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂は、ポリエーテルアミド樹脂を含むことが好ましい。ポリエーテルアミド樹脂は高分子量化した際にも可撓性に富み、加工後に得られた配線板のカール量の絶対値を低減することが可能となる。また、本発明の金属支持フレキシブル基板は、1接着剤層がBフェノール樹脂を含有している。フェノール樹脂は、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を含有するものであれば特に限定されず、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。具体的には、例えば、フェノール、クレゾール、p-t-ブチルフェノール、ノニルフェノール、p-フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。また、上記を2種以上用いても良く、絶縁信頼性の観点からレゾール型フェノール樹脂を用いることが好ましい。本発明の1接着剤層において、Bフェノール樹脂の含有量はAダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂100重量部に対して10重量部以上が好ましく、30重量部以上がさらに好ましい。また、200重量部以下が好ましく、160重量部以下がさらに好ましい。Bフェノール樹脂の含有量が10重量部以上であれば、絶縁信頼性、高温高湿処理下における接着力耐久性が向上し、200重量部以下であれば、可撓性に優れる。本発明において、1接着剤層はCエポキシ樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂としては、2つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテル、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、シクロヘキセンオキシド、ビシクロヘプテンオキシド、シクロペンテンオキシド等の化学構造をもつものが好ましい。また、エポキシ基の他にアリル基、メタリル基、アミノ基、水酸基およびカルボキシル基からなる群より選ばれる化学反応部位を計3個以上有するものも好ましい。2種以上の異なった化学反応部位を含む場合は、単位分子内に有する全種類の化学反応部位数を総計したものが3個以上あればよい。化学反応部位の位置は特に制限されることはないが、少なくとも側鎖に化学反応部位を有していることが好ましい。また、上記エポキシ樹脂を2種以上用いてもよい。本発明において、1接着剤層はD硬化促進剤を含有してもよい。例えば、芳香族ポリアミン、2-アルキル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが例示できる。これらを2種以上用いてもよい。本発明において、1接着剤層はE充填剤を含有してもよい。充填剤は接着剤の特性を損なうものでなければ特に限定されないが、無機充填剤としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウムなどの金属微粒子、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、カルシウムアルミネート水和物等の金属水酸化物、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭化珪素、炭化チタンシリカ、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化珪素、あるいは炭酸カルシウム等の無機塩、カーボンブラック、シリカ、ガラス等が挙げられる。中でも、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等が好ましく用いられる。ここで、シリカは非晶、結晶のいずれであってもよく、それぞれのもつ特性に応じて適宜使いわけることを限定するものではない。これらの無機質充填剤に接着性や充填性等の向上を目的としてシランカップリング剤等を用いて表面処理を施してもよい。無機質充填剤の粒子径は特に限定されないが、分散性および塗工性、透明性等の点で、平均粒子径0.02~30μmが好ましい。有機充填剤としては、スチレン、NBRゴム、アクリルゴム、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン等の架橋ポリマが例示される。微粒子状の有機充填剤の平均粒子径は、分散安定性を考慮すると、0.2~5μmが好ましい。以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などを含有することは何ら制限されるものではない。酸化防止剤としては、酸化防止の機能を付与するものであれば特に限定されず、フェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等の公知の酸化防止剤を使用できる。これらを2種以上用いてもよい。本発明の金属支持フレキシブル基板は、2支持体が金属箔で構成されている。支持体に金属箔を用いる事で回路基板の熱伝導性が向上し、放熱板サイズを極小化する事が可能である。さらに、本発明の金属支持フレキシブル基板は、打ち抜き加工等によるデバイスホールの形成が容易である事から、ICやLED素子等の被実装部品をデバイスホールを用いて回路形成面の裏面から実装する事により、2支持体そのものを放熱板として用いたり、ヒートシンクへの熱伝導性を向上させたりする事が可能である。金属としては銅箔、ステンレス箔、アルミニウム箔が好ましく用いられるが、リン青銅等の他銅合金箔、ニッケル箔、マグネシウム箔、チタン箔または、これらを含む合金箔等を用途要求機能に応じて用いても良く、パッケージング全体のバランスに合わせて、熱膨張係数が10~30ppm/°Cの金属箔を好適に選択する事ができる。2支持体の厚みは、求めるフレキシブル性、引き裂き強度に合わせて適に選択可能であるが、12μm~150μmが好ましく用いられ、12μm~75μmがより好ましく用いられる。また、2支持体である金属箔は、1接着剤層の易接着性や絶縁性の付与、外観光沢性の変更、回路形成時の薬品暴露を避ける事などを目的として、有機無機カップリング処理や、鍍金、樹脂被覆、セラミック層形成等の表面処理を施して、2支持体の1接着剤層側および/またはその反対側に3支持体被覆層が構成されていても良い。3支持体被覆層の厚みは、被覆強度とリール取り扱い性のバランスや、2支持体と回路導体層の絶縁信頼性強化の観点から下限として2μm以上が好ましく2.5μm以上である事がより好ましい。また上限としては100μm以下である事が好ましく、10μm以下であることがより好ましい。さらに好ましくは、5μm未満である。また3支持体被覆層の層構成は単一層であっても複数層で構成されていても良い。3支持体被覆層に樹脂を用いる場合、特に限定されるものではないが、耐熱性耐薬品性に優れたポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂が好ましく用いられ、特にポリアミドイミド樹脂が耐薬品性付与や易接着性付与の点から好ましく用いられる。ポリアミドイミド樹脂は特に本発明のAダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂およびBフェノール樹脂を含有する1接着剤層との高い接着力を得ることができるため好ましい。3支持体被覆層に用いられるポリアミドイミド樹脂は、耐熱性耐薬品性の点からTgガラス転移温度が300°C以上であること、重量平均分子量が10000以上であることが好ましく、本発明の1接着剤層との高い接着力を得るためにはエポキシ樹脂が5重量以上混合硬化されていることが好ましい。また、3支持体被覆層は目的に応じて1接着剤層側およびその反対側のどちらにでも必要に応じて配する事ができ、そのどちらか一方または両方に、剥離性を付与してもよい。剥離性とは、3支持体被覆層を配した2支持体から、2支持体の一部が剥がれたり、逆に2支持体の表面に3支持体被覆層の一部が残ったり、また他の界面での剥離を起こすことなく、3支持体被覆層を剥離できることを言う。1接着剤層側の3支持体被覆層に剥離性を付与した場合は、加工後製品の基材レス化が可能となり、1接着剤層側の反対側の3支持体被覆層に剥離性を付与した場合には、既存の回路加工ラインに対する薬液耐性を保持したまま、2支持体を生かした高放熱性基板を得ることが可能となる。この場合、3支持体被覆層が二層以上の層構造を有し、2支持体に接する第一の層が粘着材および/または熱可塑性樹脂であって、第一の層以外の少なくとも1つの層がポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミドおよびポリメチルメタクリレートから選ばれた1以上であることが好ましい。これにより第一の層は剥離性を有し、また上記第一の層以外の少なくとも1つの層は、回路加工時の薬液耐性を確保しつつ剥離時の引張り強度を確保し易剥離化することができる。また、打ち抜き等によってデバイスホールやスプロケットホール等を形成した際のホール断面に、絶縁保護や回路形成時の薬品暴露を避けることを目的として、電着等による樹脂被覆や、酸化皮膜形成等の処理を施して4ホール断面被覆層を更に追加しても良い。4ホール断面被覆層に樹脂を用いる場合は、絶縁性、耐熱性、耐薬品性に優れたエポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂が好ましく用いられる。また、回路形成時においては、2支持体やパンチングにより形成したデバイスホール断面やスプロケットホール断面への薬品暴露を避けることを目的として、金属支持フレキシブル基板全面にフォトレジストを塗布することが好ましく、また裏止め材を2支持体の1接着剤層の反対側全面に塗布することが好ましい。回路形成時には薬品を使用することが多いが、フォトレジストを金属支持フレキシブル基板の全面に塗布することで、2支持体上において1接着剤層が無く2支持体が露出している部分が薬品の暴露を受けることを避けられ、それにより金属支持フレキシブル基板の損傷を防止することができる。また裏止め材を2支持体の1接着剤層の反対側全面に塗布することで、デバイスホール断面やスプロケットホール断面の薬品暴露を避けることができる。本発明の金属支持フレキシブル基板は、回路形成用金属層を配する前に、1接着剤層を半硬化状態で維持し、5保護フィルムを配する事で、金属支持キャリアテープとしても良い。保護フィルムは、1接着剤層の形態および機能を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等のプラスチックフィルム、これらにシリコーンあるいはフッ素化合物等の離型剤のコーティング処理を施したフィルムおよびこれらのフィルムをラミネートした紙、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティングした紙等が挙げられる。金属支持キャリアテープは、打ち抜き加工等によって、必要なデバイスホールを形成した後に保護フィルムを剥離し、回路形成用金属層をラミネート法やプレス法によって配する事により、デバイスホール内に中空配線フライングリードを形成する事が可能となる。フライングリードを用いた実装であれば、ICやLED素子等を金属支持キャリアテープの表裏どちらからでも実装する事が可能となる為、被実装部品のレイアウト性放熱設計性が向上するだけでなく、ワイヤーボンディング法で課題となる絶縁層の圧縮破壊による支持体金属層-回路形成層の絶縁破壊を更に避ける事が出来る。次に、本発明の金属支持フレキシブル基板を製造する方法について、例を挙げて説明する。a1接着剤層を構成する樹脂組成物を溶剤に溶解して接着剤塗料とし、2支持体上に塗布、乾燥し1接着剤層を形成することで本発明の金属支持フレキシブル基板を得る。1接着剤層の膜厚は、接着性絶縁性熱伝導性等の各要求機能を満たせば特に限定はされないが、フレキシブル性を維持する為に2~200μmとなるように塗布することが好ましく、2~50μmとなる様に塗布する事がより好ましい。塗布方法は特に限定されないが、コンマ方式、リップ方式、ロール方式、メイヤーバー方式、グラビア方式等の一般的な塗布設備を塗料性状に合わせて適に用いて良い。乾燥条件は、通常100~200°C、1~5分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Nメチルピロリドン等の非プロトン系、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、Nブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶剤が好適であり、これらを2種以上用いてもよい。また、溶剤に不溶なD硬化促進剤やE充填剤を用いる場合には、ホモミキサーや、ビーズミル、サンドミル、キャビテーション方式による分散装置等を用いて、予め溶剤に分散しておく方法や、1接着剤層を構成する各樹脂のいずれか一つ以上に、エクストルーダーやバンバリーミキサー等を用いて混練分散しておく方法などを好適に用いる事が出来る。baに記載の方法で形成した1接着剤層に、必要により離型性を有する5保護フィルムをラミネートして本発明の金属支持フレキシブル基板を得ても良い。さらに接着剤厚みを増す場合は、再度塗料を重ねて塗工するか、形成した1接着剤層を複数回積層すればよい。また、予め5保護フィルム上に1接着剤層を形成しておき、2支持体をラミネートして本発明の金属支持フレキシブル基板を得てもよい。2支持体に3支持体被覆層を配する場合には、予め3支持体被覆層となる樹脂を有機溶剤に溶解または分散した塗料を作成し、2支持体に所定の厚みで塗布乾燥して3支持体被覆層を形成しておく事が好ましく、また、剥離性を有する3支持体被覆層を配する場合には、剥離性樹脂層を剥離に必要な引張り強度を保持する為のフィルムに塗布乾燥して得た複層構成体を、予め2支持体にラミネート法などで貼り合わせておく事が好ましい。2支持体への1接着剤層のラミネート条件は、通常温度50~160°C、押圧0.1~0.5MPaである。ラミネート温度は140°C以下である事が好ましく、120°C以下であれば良好、100°C以下であれば極めて良好と判断できる。また2支持体の1接着剤層側に3支持体被覆層が構成されている場合は、2支持体に3支持体被覆層が配されたものに1接着剤層をラミネートすることになるが、その場合も2支持体へ1接着剤層を直接ラミネートする場合と同様の条件でラミネートすることが好ましい。本発明の金属支持フレキシブル基板を得た後に、例えば40~100°Cで20~300時間程度熱処理して1接着剤層の硬化度を調節してもよい。硬化度を調節することにより、金属支持フレキシブル基板に回路形成用金属層を配する際の接着剤のフロー過多を防止するとともに、加熱硬化時の水分による発泡を防止する効果がある。本発明の金属支持フレキシブル基板を用いた回路加工の際、形成されるデバイスホールやスプロケットホールに4ホール断面被覆層を配する場合は、打ち抜き等によりホールを形成した後、電着塗装法により形成させることが好ましい。電着塗装法としては、2支持体に負電圧を印加し、正に分極したエポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系等の電着塗料を2支持体のホール断面に析出させるカチオン電着塗装法を採用することが好ましい。また電着塗装を施した後、その電着塗料を加熱定着させることが好ましい。本発明の金属支持フレキシブル基板を用いた電子部品は、回路加工に必要な耐薬品性や金属支持基板に必要な絶縁性を有し、リールtoリールの加工や打ち抜き加工、フライングリードの形成が容易で、従来の電子部品に比べて簡素かつ低コスト放熱設計が可能となる。以下に、本発明の実施形態の一例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。まず、実施例および比較例における評価方法を説明する。1金属支持フレキシブル回路基板の絶縁信頼性評価各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板導体幅50μm、導体間距離50μmに130°C、85RH環境下で100V電圧を印加し、抵抗値が106Ω以下まで低下するまでの時間を絶縁耐久時間とした。絶縁耐久時間は250時間以上であることが好ましい。2金属支持フレキシブル基板のカール量評価各実施例および比較例において得られた回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板の回路形成用銅箔を、塩化第二鉄を用いたサブトラクティブ法エッチングにて取り除いた後、35mm×190mmに裁断しカール量評価用金属支持フレキシブル基板とした。カール量評価用金属支持フレキシブル基板を23°C/55RHにて24時間調湿を行った後、カールした基板の端部を上向きにガラスプレート上に静置した状態で、硬化済みカバーレイフィルム被着回路基板のガラスプレートからの最高高さ位置を計測しカール量とした。カール量は7mm以下であれば良好、3mm以下であれば極めて良好と判断できる。3金属支持フレキシブル基板の発泡評価上記2カール量評価用金属支持フレキシブル基板の1接着剤層を、金属顕微鏡にて観察し発泡評価を行った。直径5μm以上のものを発泡とし、全く発泡の無かったものを○、直径5μm以上50μm未満の発泡が1~10個以内で確認されたものを△、直径50μm以上の発泡が確認されたか、直径5μm以上50μm未満の発泡が11個以上確認されたものを×とした。△以上であれば良好判断出来、○であれば極めて良好と判断できる。4金属支持フレキシブル回路基板の耐圧接性評価各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板導体幅50μm、導体間距離50μmにACFボンダーTCW-125、日本アビオニクス株式会社製で、200°C、1秒間、ツール圧力は配線一本当たり50g/2500μm2となるように熱圧を与え、ワイヤーボンディング等の耐圧接性評価を行った。耐圧接用サンプルのツール圧接面の回路パターン銅の沈み込み量を計測し、3.0μm以内であれば合格、2.0μm以内であれば良好、1.0μm以内であれば極めて良好であると判断できる。5金属支持フレキシブル基板の打ち抜き性評価各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル基板を、プレス金型にて0.250mmφ、0.350mmφ、0.500mmφの丸穴を開け、その切断面を観察し、打ち抜き性評価とした。穴の断面に、長さ10μm以上の1接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ10μm以上の1接着剤層割れや欠け、穴の周囲に2支持体との剥がれが無ければ、フライングリード形成やデバイス設計性の為にデバイスホールやビアホールを良好に形成する事が極めて良好、長さ20μm以上の1接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ20μm以上の1接着剤層割れや欠け、穴の周囲に2支持体との剥がれが無ければ良好、穴の断面に、長さ20μm以上の1接着剤層ダレやバリ、もしくは長さ20μm以上の1接着剤層割れや欠け、穴の周囲に2支持体との剥がれ、が生じた場合には不良と判断できる。6金属支持フレキシブル基板およびスプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の薬液耐性評価各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル基板、スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板を、1、塩化第二鉄溶液40°C、37、2、水酸化ナトリウム液30°C、1N、3、無電解錫めっき液70°C、TimpositLT-34、ロームアンドハース社製にそれぞれ浸漬した後の外観を観察する事で薬液耐性評価とした。判断基準は以下のとおりである。6-1金属支持フレキシブル基板の場合Aランク:1の薬液に5分間、次に2の薬液に5分間、さらに3の薬液に5分間順次浸漬した際に、下記iおよびiiの要件をいずれも満たす場合。Bランク:上記Aランクの要件は満たさないが、1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記iおよびiiの要件をいずれも満たす場合。Cランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記iの要件は満たすが、下記iiの要件は満たさない場合。Fランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記iおよびiiの要件をいずれも満たさない場合。i1接着剤層の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。ii3支持体被覆層を2支持体の1接着剤層の反対側に形成していない場合は、2支持体の1接着剤層と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。また3支持体被覆層を2支持体の1接着剤層の反対側に形成している場合は、2支持体の1接着剤層の反対側に形成した3支持体被覆層の2支持体と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。6-2スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の場合Aランク:1の薬液に5分間、次に2の薬液に5分間、さらに3の薬液に5分間順次浸漬した際に、下記i~iiiの要件を全て満たす場合。A’ランク:上記Aランクの要件は満たさないが、1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記i~iiiの要件を全て満たす場合。Bランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記i~iiiの要件のいずれか2つを満たす場合。Cランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記i~iiiの要件のいずれか1つだけを満たす場合。Fランク:1の薬液に3分間、次に2の薬液に3分間、さらに3の薬液に3分間順次浸漬した際に、下記i~iiiの要件を全て満たさない場合。i1接着剤層の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。ii3支持体被覆層を2支持体の1接着剤層の反対側に形成していない場合は、2支持体の1接着剤層と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。また3支持体被覆層を2支持体の1接着剤層の反対側に形成している場合は、2支持体の1接着剤層の反対側に形成した3支持体被覆層の2支持体と反対側の面の表面外観に薬液による著しい損傷が見られない。iiiホール断面に薬液による著しい損傷が見られない。7金属支持フレキシブル回路基板の接着力各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル回路基板導体幅50μmを用いて、導体をテンシロンUTM-11-5HR東洋ボールドウィン社製にて90度方向に50mm/分の速度で引き剥がし、その際の引き剥がし強度を測定した。8N/cm以上であれば極めて良好、6N/cm以上であれば良好と判断できる。実施例1a接着剤層シートの作製Aダイマー酸ポリアミド樹脂サンマイド登録商標HT-100G、エアープロダクツジャパン社製、アミン価1、溶融粘度7.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部に、エタノール/トルエン混合溶剤混合重量比率エタノール1:トルエン4を加え、30°Cで撹拌、混合して固形分濃度25重量接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物をバーコータで、5保護フィルムシリコーン離型剤付きの厚さ25μmのポリエチレンテレフタレートフィルム藤森工業株製フィルムバイナ登録商標GTに約12μmの乾燥厚さとなるように塗布し、150°Cで4分間乾燥した後、形成された1接着剤層面に別の5保護フィルムを貼り合わせる事で両側を5保護フィルムでサンドされた接着剤層シートを作製した。b金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作製上記aに記載の方法で得られた接着剤層シートの5保護フィルムの片側を剥離し、2支持体圧延銅箔BHY-22B-T70μm厚日鉱金属株式会社製線膨張係数16.0ppm/°Cに100°C、0.3MPaの条件でラミネートし、金属支持フレキシブル基板を得た。金属支持フレキシブル基板の5保護フィルムを剥離し、18μmの電解銅箔を、140°C、0.3MPa圧力の条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、80°Cで3時間、100°Cで5時間、150°Cで5時間の順次加熱処理を行い、回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板を作製した。得られた回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板の回路形成用銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行い、配線ピッチ100μm導体幅50μmの対向電極回路を形成した後、ホウフッ酸系ロームアンドハース社製スズメッキ液商品名TINPOSIT登録商標LT-34の無電解スズメッキ液に70°C、5分浸漬処理し、0.5μm厚のメッキを施して、金属支持フレキシブル回路基板を作製した。上記方法によって得られた評価用金属支持フレキシブル基板、回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板を用いて、前記1~7の評価を行った。実施例2接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標TXC-232C、富士化成工業社製、アミン価10.0、溶融粘度24.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例3接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例4接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤混合重量比率エタノール1:トルエン4に、Eアルミナ充填材アドマファイン登録商標AO-502、平均粒径0.7μm、株式会社アドマテックス社製300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例5a接着剤層シートの作製接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で接着剤シートを作製した。b金属支持フレキシブル基板およびスプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作製上記aに記載の方法で得られた接着剤層シートを30mm幅にカットした後、5保護フィルムの片側を剥離し、2支持体アルミ箔50μm厚35mm幅住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmに100°C、0.3MPaの条件でラミネートし、金属支持フレキシブル基板を得た。金属支持フレキシブル基板に、金型によりスプロケットホール穴径1.98mm×1.98mmの正方形、ピッチ4.75mmを両端各1列パンチングにより形成し、スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板を得た。スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の5保護フィルムを剥離し、18μmの電解銅箔を、140°C、0.3MPa圧力の条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、80°Cで3時間、100°Cで5時間、150°Cで5時間の順次加熱処理を行い、回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板を作製した。得られた回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板の回路形成用銅箔面側の基板全面に常法によりフォトレジスト膜形成、露光、現像を行い、次にその裏面全面に裏止め材をハケで塗布し、スプロケットホールを裏止め材で充填した。その後、エッチング、レジスト剥離、裏止め材剥離を行い、配線ピッチ100μm導体幅50μmの対向電極回路を形成した後、ホウフッ酸系ロームアンドハース社製スズメッキ液商品名TINPOSIT登録商標LT-34の無電解スズメッキ液に70°C、5分浸漬処理し、0.5μm厚のメッキを施して、金属支持フレキシブル回路基板を作製した。上記方法によって得られた評価用金属支持フレキシブル基板、スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板、回路形成用銅箔付き金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板を用いて、前記1~7の評価を行った。実施例62支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの両面を、3支持体被覆層としてTg300°C、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例72支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの両面を、3支持体被覆層としてTg300°C、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10のポリアミドイミド樹脂1.5μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例82支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの両面を、3支持体被覆層としてTg250°C、重量平均分子量8000、エポキシ樹脂混合比率10のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例92支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの両面を、3支持体被覆層としてTg300°C、重量平均分子量12000のポリイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例10接着剤層シートの作製に当たり、A成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標PA-100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pas100重量部を用いた以外は実施例6と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例11接着剤層シートの作製に当たり、A成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標PA-100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pas100重量部を用いた以外は実施例7と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例122支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの1接着剤層側を、3支持体被覆層としてTg300°C、重量平均分子量11000のポリイミド樹脂3μmで被覆し、反対面側をポリエチレンテレフタレートフィルムに粘着剤が構成された裏打ちテープKT-50河村産業社製剥離性粘着剤層20μm、ポリエチレンテレフタレートフィルム50μmを30°Cでロールラミネートしたものを用いた以外は実施例5と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例13スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の作製に当たり、スプロケットホール断面に、樹脂分がエポキシ樹脂系である電着塗料エレコートAMG株式会社シミズ製を膜厚10μmに電着し、100°C、15分の乾燥処理を行い、4ホール断面被覆層を形成した以外は、実施例6と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例14スプロケットホール付き金属支持フレキシブル基板の作製に当たり、4ホール断面被覆層を、樹脂分がポリイミド樹脂系である電着塗料エレコートPI株式会社シミズ製とした以外は、実施例13と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例15接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤混合重量比率エタノール1:トルエン4に、Eアルミナ充填材アドマファイン登録商標AO-502、平均粒径0.7μm、株式会社アドマテックス社製300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用い、更に2支持体として、SUS316箔70μm厚東洋精箔株式会社製線膨張係数18.5ppmを用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例16接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤混合重量比率エタノール1:トルエン4に、Eアルミナ充填材アドマファイン登録商標AO-502、平均粒径0.7μm、株式会社アドマテックス社製300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用い、更に2支持体として、アルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmを用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例17接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価3、溶融粘度40.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用い、また、エタノール/トルエン混合溶剤混合重量比率エタノール1:トルエン4に、E窒化アルミニウム充填材H、平均粒径1.7μm、株式会社トクヤマ社製300重量部が添加されるよう、予めサンドミルで分散処理した混合溶剤を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例18接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂トーマイド登録商標PA-200、富士化成工業社製、アミン価1、溶融粘度40.0Pasと、ダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標PA-100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pasとダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標535、富士化成工業社製、アミン価50、溶融粘度1.0Pasとの重量比2:1:0.5混合物アミン価7.1溶融粘度80Pasダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂1100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例19接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂マクロメルト登録商標6900、ヘンケルジャパン社製、アミン価0、溶融粘度10Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例20接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標1350、富士化成工業社製、アミン価10、溶融粘度3.0Pas100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。実施例21接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂トーマイド登録商標PA-100、富士化成工業社製、アミン価0、溶融粘度180.0Pas100重量部、Bフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。比較例1接着剤層シートの作製に当たり、A、C、D成分としてAダイマー酸ポリアミド樹脂マクロメルト登録商標6900、ヘンケルジャパン社製、アミン価0、溶融粘度10Pas100重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用い、B成分を用いなかった以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。比較例2接着剤層シートの作製に当たり、A~D成分として、Aアクリロニトリルポリブタジエン樹脂Nipol登録商標1043、日本ゼオン社製、100重量部、Bレゾールフェノール樹脂CKM1634昭和高分子社製50重量部、Cエポキシ樹脂エピコート登録商標YL980、ジャパンエポキシレジン社製80重量部、D硬化促進剤2エチル-4メチルイミダゾール2E4MZ、東京化成社製2重量部を用いた以外は実施例1と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。比較例32支持体としてアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmを用いた以外は比較例2と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。比較例42支持体であるアルミ箔50μm厚住軽アルミ株式会社製線膨張係数22.0ppmの両面を、3支持体被覆層としてTg300°C、重量平均分子量11000、エポキシ樹脂混合比率10のポリアミドイミド樹脂3.0μmで被覆したものを用いた以外は比較例2と同様の方法で作製し、前記1~7記載の評価を行った。各実施例、比較例で使用した1接着剤層、2支持体、3支持体被覆層、4ホール断面被覆層を表1、2に示した。また回路形成用銅箔のラミネート温度および測定結果を表3、4に示した。