"加工ヘッドによりエッチャントを被加工物の表面に供給し、吸引することにより、該加工ヘッドと被加工物との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャント流路を形成し、前記被加工物を垂直姿勢に保持した状態を維持して、該加工ヘッドと該被加工物とを相対的に走査して被加工物の表面を加工する表面加工方法であって、前記加工ヘッドと前記被加工物との相対走査の際に、前記エッチャント流路を流れるエッチャントを該エッチャント流路の外側から前記エッチャント流路の外周を取り囲むようにして、全周方向からエッチャント流路の中心に向かって流れる乾燥ガスの加圧ガス流で加圧し、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込めることを特徴とする表面加工方法。前記加圧ガス流は、前記加工ヘッドと前記被加工物との間に、大気側に向かって流れる第1のガス流と、前記エッチング領域に向かって流れる第2のガス流を形成し、前記第1のガス流の流路抵抗を前記第2のガス流の流路抵抗よりも大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の表面加工方法。前記被加工物は、矩形平板形状の合成石英ガラスであることを特徴とする請求項1または2に記載の表面加工方法。前記合成石英ガラスは、フォトマスク用のガラス基板であることを特徴とする請求項3に記載の表面加工方法。前記フォトマスク用のガラス基板は、1辺が300mm角以上であることを特徴とする請求項4に記載の表面加工方法。加工ヘッドによりエッチャントを被加工物の表面に供給し、吸引することにより、該加工ヘッドと被加工物との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャント流路を形成し、前記被加工物を基板保持台により垂直姿勢に保持した状態を維持して、該加工ヘッドを該被加工物に対し走査して被加工物の表面を加工する表面加工装置であって、前記加工ヘッドは、中心部に形成したエッチャントの供給口と、該供給口を中心とする同心円上に形成したエッチャントを吸引排出する多数のエッチャント排出孔と、前記多数のエッチャント排出孔よりも外方に配置した多数の加圧ガス孔とを有し、該多数の加圧ガス孔から流出する乾燥した加圧ガスにより、前記多数のエッチャント排出孔の外周に前記加工ヘッドの中心に向かって加圧ガス流を形成して、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込めることを特徴とする表面加工装置。前記加工ヘッドの前端面は平坦面に形成され、前記多数の加圧ガス孔から前記加工ヘッドの外周縁との間に形成される平坦部と前記被加工物との間に形成される外周側空間と、前記多数の加圧ガス孔から前記多数の排出孔との間におけるリング状領域と前記被加工物との間に形成される内周側空間とを形成し、前記外周側空間の流路抵抗を前記内周側空間の流路抵抗よりも大きくしたことを特徴とする請求項6に記載の表面加工装置。上述した特許文献1に開示の技術を大きなサイズの被加工物に適用しようとする場合、この被加工物を収容することができるタンクが必要となり、設備が非常に大きくなり、現実的ではない。これに対し、特許文献2に開示の技術では、基板を不活性なエッチャントが収容されているタンク内に浸漬する必要はないが、本発明者等はこのようなケミカルエッチングによりガラス基板等の表面を平坦化加工することについて実験を行ったところ、目的とする平面形状が得られない場合が生じることを知見した。ここで、ガラス基板等の表面を平坦化加工する手法としては、ガラス基板等の被加工物の表面形状を測定して得られた測定データに基づいて、該被加工物の表面を目的とする形状となるように部分的に加工するという修正加工が用いられている。そこで、この修正加工を上述のケミカルエッチング式の表面加工方法に適用して被加工物の表面を高平坦度に加工するためには、加工ヘッドによりフッ酸等のエッチャントエッチング液をガラス基板、半導体基板等の被加工物の表面に供給し、吸引することにより、該加工ヘッドと被加工物との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャントの流路を形成し、例えば加工ヘッドを表面形状測定データと目的とする形状とにより決定され除去量に応じた走査速度で走査する。その際、加工ヘッドを静止した状態でエッチング領域によって形成された被加工物の表面に単位となる加工痕形状以下、単位加工痕と称すを測定し、測定結果に基づく単位加工痕に基づいて、加工前における被加工物の表面から加工により除去すべき除去量と加工ヘッドの走査速度を求め、この走査速度により加工ヘッドを駆動する。ところで、ガラス基板の大型化に伴いガラス基板の表面加工処理能力を向上させるために、加工ヘッドの走査速度を高速化することが考えられる。しかしながら、加工ヘッドの走査速度を速めると、計算通りに加工できず、目的とする平面形状が得られないことがあった。つまり、このケミカルエッチング式の加工方法は、数値制御による修正加工であって、本来は平坦化のために算出した目的の除去量で実際の加工が行われるべきであるが、実際の加工による除去量がこの目的の除去量からずれると目的とする平坦形状が得られないことになる。このような除去量のずれが生じる原因として、被加工物としてガラス基板を例えば水平姿勢で保持し、加工ヘッドを水平に走査した際に、走査方向後方にエッチャントが後に引かれるように残る液引きが考えられる。これは、加工ヘッドの高速走査により、加工ヘッドとガラス基板表面との間を流れるエッチャント流路の供給と吸引のバランスがくずれることに基づくものと考えられる。本発明はこのような観点に鑑みなされたもので、走査速度を速めても、平坦化のために算出した目的の除去量計算値と実際の加工における除去量にずれを生じさせることのないガラス基板等の被加工物の表面加工方法及び表面加工装置を提供することを目的とするものである。1本発明の目的を実現する方法としては、加工ヘッドによりエッチャントを被加工物の表面に供給し、吸引することにより、該加工ヘッドと被加工物との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャント流路を形成し、前記被加工物を垂直姿勢に保持した状態を維持して、該加工ヘッドと該被加工物とを相対的に走査して被加工物の表面を加工する表面加工方法であって、前記加工ヘッドと前記被加工物との相対走査の際に、前記エッチャント流路を流れるエッチャントを該エッチャント流路の外側から前記エッチャント流路の外周を取り囲むようにして、全周方向からエッチャント流路の中心に向かって流れる乾燥ガスの加圧ガス流で加圧し、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込めることを特徴とする。2本発明の目的を実現する装置としては、加工ヘッドによりエッチャントを被加工物の表面に供給し、吸引することにより、該加工ヘッドと被加工物との隙間に一定面積のエッチング領域をなすエッチャント流路を形成し、前記被加工物を基板保持台により垂直姿勢に保持した状態を維持して、該加工ヘッドを該被加工物に対し走査して被加工物の表面を加工する表面加工装置であって、前記加工ヘッドは、中心部に形成したエッチャントの供給口と、該供給口を中心とする同心円上に形成したエッチャントを吸引排出する多数のエッチャント排出孔と、前記多数のエッチャント排出孔よりも外方に配置した多数の加圧ガス孔とを有し、該多数の加圧ガス孔から流出する乾燥した加圧ガスにより、前記多数のエッチャント排出孔の外周に前記加工ヘッドの中心に向かって加圧ガス流を形成して、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込めることを特徴とする。本発明によれば、エッチャント流路を取り囲む加圧ガス流を形成して、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込むようにしているので、均一かつコンパクトにエッチャントの封じ込みを行うことができる。以下本発明を図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。本発明の前提技術前提技術図1は本発明の前提技術による加工ヘッドを備えた湿式エッチング加工装置を示す図、図2は図1の加工ヘッドと被加工物としてのガラス基板を垂直姿勢に保持する基板ホルダーとの関係を示す図、図3は加工ヘッドの走査順路を示している。図1に示す湿式エッチング加工装置1は、破線で囲ったエッチャント循環装置1Aと、エッチャント循環装置1Aと接続した加工ヘッド2を備え、被加工物としてのガラス基板3の表面に対して加工ヘッド2を直交する2方向に移動させる加工ヘッド走査装置1Bと、により構成している。被加工物としてのガラス基板3は、例えば合成石英ガラス板,フォトマスク基板,大型フォトマスク基板等が例示でき、大型基板としては一辺が300mm角以上のものを指す。また、加工物はガラス基板に限らず、シリコンウエハー等であっても良い。エッチャント循環装置1Aは、密閉構造のエッチャントタンク4内にフッ酸等のエッチャント5が収容され、このエッチャントタンク4内のエッチャント5をエッチャント供給系6により加工ヘッド2に供給する。また、加工ヘッド2とエッチャントタンク4とはエッチャント回収管7により接続され、加工ヘッド2からガラス基板3の表面に供給されたエッチャント5を吸引してエッチャント回収管7からエッチャントタンク4に戻す。また、エッチャントタンク4にはガス排気管8が接続され、吸引ポンプを兼ねるガス排気ポンプ9によりエッチャントタンク4内のガスを排気する。エッチャントタンク4のエッチャント5の濃度が低下あるいは増加した場合、またエッチャントの収容量が減少した場合に、濃度コントローラ10から、水11、エッチャント5を個々にあるいは混合してエッチャントタンク4内に補給管12を介して供給するようになっている。エッチャント供給系6は、エッチャントタンク4側から順に、送液ポンプ13、熱交換器14、送液されるエッチャント5の温度を計測するための測温体15、送液されるエッチャント5の流量を調節する流量調節バルブ16、送液されるエッチャント5の流量を計測する流量計17、フッ酸濃度センサー18が配置され、フッ酸濃度センサー18から下流側に設けられたフレキシブル管からなる供給管19が加工ヘッド2に接続されている。熱交換器14は、測温体15の測温情報に基づいて送液されるエッチャント5の温度が所定の温度となるように、温調ユニット20によりエッチャント5を加熱或いは冷却する。また、流量調節バルブ16は、流量計17の流量情報に基づいて送液されるエッチャント5の流量が所定の流量となるように、流量を調節する。フッ酸濃度センサー18は、測定した濃度値を濃度コントローラ10へフィードバックし、エッチャントタンク4内を設定した濃度にコントロールする。吸引ポンプを兼ねるガス排気ポンプ9は、エッチャントタンク4内の気体を吸引して排気することによりエッチャントタンク4内を負圧状態とし、加工ヘッド2とガラス基板3との間に供給されたエッチャント5及びエッチャント5の一部から気化したガスを加工ヘッド2より吸引し、回収管7を通してエッチャントタンク4内に回収する。ガラス基板3の表面に供給されたエッチャント5の一部から気化したガスが拡散するとガラス基板3の表面を腐食して表面粗さを悪化させる原因の一つとなるが、この気化ガスを加工ヘッド2により吸引して排気することにより、ガラス基板3の表面における表面粗さを維持することができる。なお、エッチャント循環装置1Aにおける上述の各種制御は不図示の制御装置により実行される。図2に示すように、加工ヘッド走査装置1Bは、被加工物であるガラス基板3を垂直姿勢に保持する不図示の基板保持台を装置基台31に固定し、該基板保持台に保持されたガラス基板3の表面に沿って垂直方向と水平方向の直交する2方向に移動可能な2方向移動ステージ32に加工ヘッド2を取付け、加工ヘッド2を水平方向に移動させる主走査速度と、垂直方向に所定ピッチで送る副走査方向の送り量を制御する加工ヘッド走査速度制御部33とにより構成しており、この加工ヘッド走査速度制御部33を除く前記基板保持台と2方向移動ステージ32を装置カバー34により覆い、室内にエッチャント5が飛散し、気化ガスが放散されるのを防いでいる。2方向移動ステージ32は、門型に形成された、例えばアルミ製の垂直フレーム35を構成する一対の垂直フレーム部材36にそれぞれ直線移動案内機構37を取り付け、この一対の直線移動案内機構37に水平フレーム部材38を取り付け、水平フレーム部材38を超高精度に垂直方向に移動可能としている。また、水平フレーム部材38には主走査方向駆動用のボールねじ39を走査方向に沿って取り付け、このボールねじ39のナット部に加工ヘッド2を取り付けている。さらに、一対の垂直フレーム部材36の間に、垂直方向に沿って副走査方向用のボールねじ40を取り付け、このボールねじ40のナット部に水平フレーム部材38を取り付けている。主走査方向駆動用のボールねじ39と副走査方向用のボールねじ40はそれぞれのねじ部材を回転駆動する不図示のモータを有し、これらのモータを加工ヘッド走査速度制御部33により駆動制御して走査を行う。また、上記した構成の加圧ヘッド2は、2方向移動ステージ32により、図3中矢印で示すように、垂直姿勢に保持されたガラス基板3の上端の水平方向一端側から他端側に向けて水平に移動する主走査を行い、該他端側の所定位置に到達すると、所定量だけ下方に送られる副走査を行った後、一端側に向けて主走査を行うというラスタースキャン方式により加工を行う。そして、この一連の主走査と副走査をガラス基板3の上端から下端に渡り行ってガラス基板3の表面をエッチング処理により平坦化する。エッチング処理を行う前に、ガラス基板3の表面の形状を測定し、測定結果に基づいて目的の形状に最も近づくように、加工前形状と加工ヘッド2で加工してできる静止加工痕形状から加工除去量と加工ヘッドの主走査速度を演算する。例えば、凸形状の大きい部分はエッチング量を多く、凸形状の小さい部分や凹形状の部分はエッチング量を少なくするように加工ヘッド2の主走査速度を制御する。ガラス基板3の表面の形状測定は、レーザー等を用いた非接触方式、触針等の接触方式の測定手段を用いて行うことができる。なお、測定はガラス基板3を垂直姿勢に保持して行うため、ガラス基板3の自重たわみの影響を排除することができる。また、エッチング領域をなすエッチャントの供給と吸引のバランスにずれが生じた場合、エッチャントである例えばフッ酸濃度に変化が生じた場合にも平坦度に影響を与えることが本発明等により解明されている。図1に戻り、加工ヘッド2は、円筒形状に形成した外筒51と、外筒51内に中心軸を一致させて内装される円筒形状の内筒52と、外筒51の内周部と内筒52の外周部との間に配置される円盤形状に形成されたガイド部材53と、同心状に配置された外筒51と内筒52の背面側ガラス基板3とは反対側に当接する円盤形状の背面板54とにより構成している。外筒51は、外径をD0、内径をD1、前面の開口51aの開口径をD2D1>D2とし、内筒52は外径をD3D2>D3としている。また、外筒51は背面側の端部にフランジ部51bを有し、このフランジ部51bには凹部51cが形成されている。一方、内筒52の背面側の端部には、フランジ部52aが形成され、このフランジ部52aが外筒51の凹部51cにガタなく嵌合している。そして、内筒52のフランジ部52aの前面が外筒51の凹部51cの背面に当接した状態において、内筒52の前端面と外筒51の前端面とが段差なく同じレベルに一致するように内筒52と外筒51の全長を設定している。また、内筒52の先端において、内筒52と外筒51との間に、D2-D32=d1の隙間を有する環状の排出孔55を形成している。ここで、内筒52はエッチャントをガラス基板3との間に供給するエッチャント供給ノズル部として用いられ、環状の排出孔55は、供給されたエッチャントを吸引して排出するのに用いられる。したがって、エッチング領域は、環状の排出孔55の外周にて形成される円内となる。ガイド部材53は、内筒52の外周に同心に外装され、且つ外筒51の内周に同心に内装されることにより、内筒52を外筒51に対して同一軸心を保持し、前記環状の排出孔55の隙間d1を全周にわたって維持できるようにしている。なお、ガイド部材53が装着されている外筒51の内周部分には、環状の排出孔55から吸引したエッチャントが通過するための開口部53aを適宜に形成している。同様に、内筒52のフランジ部52aに、複数の液孔52bが周方向に同一円周上に形成されている。背面板54は、中央に内筒52の中空孔部58に接合する接続孔56を有し、前面側に複数の液孔52bに対応して凹状の周溝57が形成され、径方向に沿って該周溝57に連通する排出路59が複数形成されている。そして、これら複数の排出路59の排出端に回収管7が接続されている。また、エッチャント循環装置1Aの供給管19が接続孔56に接続される。背面板54は固定ねじ43により、外筒51のフランジ部51bに締結され、内筒52のフランジ部52aに当接して内筒52の軸方向移動を規制し、外筒51と内筒52と背面板54とを一体的に固定する。本実施形態において、内筒52の中空孔部58を通してガラス基板3との隙間にエッチャント5が供給され中空孔部58の周囲に同心上に形成された環状の排出孔55に吸引されて排出され、ガイド部材53に形成した開口部53aを通し、さらに内筒52のフランジ部52aに形成した液孔52bを通して凹状の周溝57に集められ、さらに四方に設けた排出路59を通して回収される。なお、環状の排出孔55の隙間d1に比較して、外筒51の内径D1と内筒52の外径D3との隙間D1-D32=d2を大きくする。隙間d2が隙間d1と等しいと、液孔52bを通して回収管7へ至る管路抵抗の影響で排出孔55から充分にエッチャントを吸引排出できなくなるため、隙間d2を隙間d1よりも大きくして排出孔55よりエッチャントを充分に吸引排出できるようにしている。本前提例において、加工ヘッド2を構成する外筒51の外周部にエッチャントを封じ込むための加圧ガスノズル61を取り付け、不図示の加圧ガス供給装置からガス供給管62を通して供給されたエッチャント封じ込み用の加圧ガスとしての窒素ガス63を加圧ガスノズル61のノズル端61aからガラス基板3に向けて流れるようにしている。本前提例では一対の加圧ガスノズル61を加工ヘッド2の走査方向本実施形態では水平方向に沿って対向配置しており、各加圧ガスノズル61のノズル端61aを加工ヘッド2の中心側に向けて例えば傾斜配置することでノズル端61aからの窒素ガス63を加工ヘッド2の中心側に向けて流れるようにしている。なお、エッチャント封じ込み用ガスとしては、窒素ガスを用いているが、これ以外に空気等も用いることができ、乾燥ガスを用いることが好ましい。加圧ガスに水分を含むと、ガラス基板の表面でフッ酸が凝集し、表面が荒れるが、乾燥ガスとすることによりこれを防止することができる。図1bに示すように、加工ヘッド2の外筒51の外周部に対向配置した一対の加圧ガスノズル61を内筒52の両側に配置している。加圧ガスノズル61のノズル形状を加工ヘッド2の前面に沿って拡がった扁平状に形成し、ノズル端61aからは、窒素ガス63の加圧ガス流として、内筒52の中心に向かう中心加圧ガス流走査方向と同方向と、該中心加圧ガス流に対して上下方向に傾斜した側方加圧ガス流とをそれぞれ形成している。すなわち、ガラス基板3の表面に供給されたエッチャントは、吸引による減圧と大気圧との差により同心状に形成されている排出孔55に向けて流れており、エッチャント流路を流れるエッチャントをエッチャント流路の外側から一対の加圧ガスノズル61からの加圧ガス流で加圧することでエッチャントの吸引排出に対して大気圧側の圧力を高め、エッチャント流路内にエッチャントを封じ込め、エッチャントのはみだしを防止する。特に、本前提例では、加工ヘッド2の走査方向に沿って一対の加工ヘッド2を対向して設けているので、加工ヘッド2の走査方向である水平方向におけるエッチャントのはみ出しを防止できる。このため、加工ヘッド2を走査してガラス基板3をエッチャントにより加工する際、走査速度が速くなると液引きが生じやすくなるが、一対の加圧ガスノズル61からの加圧窒素ガス53によってエッチャント流路を流れるエッチャントを加圧しているので、エッチャントのはみ出しが抑制され、加工ヘッド2の走査速度を速くしてもエッチャントの液引きを防止することができる。ここで、加工ヘッド2の走査速度の高速化とガラス基板1枚の加工時間との関係を図4を参照して説明する。このガラス基板の加工は修正加工であり、図4中、加工前におけるガラス基板3の符号Q2で示す部分は凹凸が存在する部分であって、平坦化のためにはより多く除去すべき部分である。また、Q1は修正加工において、設定した最高速度で加工ヘッド2を走査させたときに除去される部分を示している。修正加工部分Q1はガラス基板上の最も凹の部分を含んだ全面が加工対象となるので、この修正加工部分Q1の加工量をできるだけ少なくすることが加工時間の短縮につながり、そのため走査速度のより高速化を図る必要がある。加工ヘッド2の走査によりエッチャントでガラス基板3の表面を加工するに際し、ガラス基板3の表面には所定幅で所定深さの加工を行い、1走査を終了すると所定の送りピッチだけ上下方向に加工ヘッドをずらして次の走査を行う。また、走査速度を速くすると、接触時間が短くなり加工深さも浅くなる。さらに、形状体積Q2は凹凸が存在し、凹の部分は少ない加工量で良く、凸の部分では大きな加工量を要するので、凹の部分での走査速度を速く、凸の部分での走査速度を遅くすることで加工量の大小を調整することができる。ここで、単位時間当たりの体積加工速度をV1mm3minライン加工幅をw1パス当たりの加工深さをdmm送りピッチをp最高走査速度をVmax最低加工深さをdminガラス基板の面積をSmm2Q1は最低加工体積mm3Q2は形状堆積mm3Q3はトータル除去堆積=Q1Q2トータル加工時間をTminとすると、単位時間当たりの体積加工速度V1は、V1=wdVmax→d=V1=V1=V1最低加工体積Q1は、Q1=Sdmin=V1Sトータル除去体積Q3は、Q3=Q1Q2=V1SQ2したがって、トータル加工時間Tは、下記の式で表わされる。T=Q3V1=Q1Q2V1=SQ2V1すなわち、単位時間当たりの体積加工速度が速いほど、最高走査速度が速く、送りピッチが広いほどトータルの加工時間は短縮される。図5は最高走査速度と加工時間との関係を示す。単位時間当たりの体積速度V1を5mm3min送りピッチpを8mmガラス基板の面積Sを1000000mm21000mm角基板形状体積Q2を3000mm3基板面積×3μmの体積で、平坦度では約6μm相当とする。そして、最高走査速度をVmaxを変化させた場合におけるトータル加工時間hを示す。図5より、最高走査速度を速めるとトータル加工時間が短縮されることが明らかとなる。上述のように加工ヘッド2の走査速度を速めるとトータル加工時間の短縮が図れるが、その際、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合と窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合におけるライン断面積比計算により得られる加工断面の断面積に対して実際の加工により得られた断面積との比を求めることにより液引き等の影響の有無を実験により求めた。なお、前提例においてはガラス基板3を垂直に保持し、加工ヘッド2を水平に走査する場合を例にして説明したが、この実験ではガラス基板3を水平に保持し、加工ヘッド2をガラス基板3の下側に配置してエッチャントを上方のガラス基板に向けて供給するようにしながら水平方向に走査した。実験結果を図6に示す。この実験における加工条件は以下の通りである。加工ヘッド2のノズル直径φ:15mm加工ヘッド2とガラス基板3とのギャップ:025mmフッ酸濃度:25wtフッ酸循環流量:28Lhフッ酸の吸引流量:314Lminフッ酸温度:25°C窒素ガス流量:8Lminなお、加圧ガスノズル61のノズル端61aのサイズを13mm×1mmとした。図6は横軸を走査速度、縦軸をライン断面積比とし、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合と窒素ガスの加圧ガス流による加圧なしの場合での断面積比を示す。窒素ガスの加圧ガス流による加圧がない場合、走査速度が500mmminを超えると、ライン断面積比が急激に増加する。これは、走査速度が500mmminを超えて速くなると、液引きが発生し、ガラス基板に接触するエッチャントの面積が増加して、ガラス基板に対するエッチャントの接触時間が長くなることによるものと思われる。これに対し、窒素ガスの加圧ガス流による加圧がある場合には、走査速度が500mmminを超えてもライン断面積比は殆ど1と変わらず、エッチャントの液引きが発生していないことを示す。図7に走査速度1000mmminでのライン断面形状について、計算値での形状と、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合の形状と、窒素ガスの加圧ガス流による加圧なしの場合の形状を示す。計算値の形状と窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合の形状とは略同形状であるのに対し、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合でのライン断面形状は計算値よりも深くまた底が狭い断面形状に加工されている。したがって、走査速度を速くすると上述のように液引きの影響によってライン断面が計算値よりも加工深さが深くなり、しかも底が狭い形状となり、目的とする加工形状が得難くなるが、窒素ガスの加圧ガス流による加圧により走査速度を速めても目的とする加工形状が得られることとなる。実施形態本発明の実施形態を図8に示す。本実施形態では、加工ヘッド2の構成が本発明の前提技術の構成と異なり、また窒素ガス加圧ノズルを加工ヘッドに設けた点が異なる他は上述した本発明の前提技術と同様なので、異なる点のみを説明する。本実施形態の加工ヘッド2は、円盤形状に形成されたノズルブロック体41と、ノズルブロック体41の背面側に接合される円盤形状の背面ブロック体42とを固定ねじ43とにより一体化して全体的に円盤形状とした構成としている。ノズルブロック体41は、中心位置にエッチャントを供給する供給ノズル部44を形成し、この供給ノズル部44を中心とする同一円周上にエッチャントを吸引して排出する複数の排出孔45が等ピッチで形成されている。ノズルブロック体41の背面側には、これら複数の排出孔45に対応して背面側に開口する第1周溝46が形成され、これら複数の排出孔45がこの第1周溝46に連通している。背面ブロック体42は、中心部に開口47を有するドーナツ状に形成され、前面には、第1周溝46と同一内外周径を有する第2周溝48が形成され、背面ブロック体42をノズルブロック体41に接合した際に、第1周溝46と第2周溝48とによって複数の排出孔45からのエッチャントを1箇所に集める環状の回収部を形成している。なお、ノズルブロック体41と背面ブロック体42の材料としては、耐エッチャント特性に優れ、曲げ強度、硬度等の機械特性の優れたものを選定することが望ましい。特に、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂,ABS,ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリカーボネイト,メチルペンテン,PEEK等が用いられる。背面ブロック体42の胴部には、第2周溝48に連通する排出路49が複数形成され、これら排出路49の排出端部にエッチャント循環装置1Aの回収管7が接続される。そして、エッチャント循環装置1Aの供給管19が背面ブロック体42の開口47を通してノズルブロック体41のエッチャント供給ノズル部44に接続される。加工ヘッド2のエッチャント供給ノズル部44からガラス基板3の表面に連続的に供給されたエッチャント5は、該エッチャント供給ノズル部44を中心として半径R1の円周上に複数設けられた排出孔45に連続的に吸引排出されるので、ヘッドと被加工物の表面との間におけるエッチャントの流れが形成される一定の領域であるエッチング領域が半径R1で形成されることになる。一方、ノズルブロック体41には、後端面側から第3周溝71を第1周溝46よりも外方に形成され、前端面には半径R2R2>R1の同一円周上に多数の加圧ガス孔72が排出孔45を取り囲むように等ピッチで形成されていて、これらの加圧ガス孔72が第3周溝71に連通している。この第3周溝71は、ノズルブロック体41が背面ブロック体42に接合した状態で後端開口が密閉された状態となる。また、本実施形態では、ノズルブロック体41の前端面は、固定ねじ43の頭部が当接する座面を為す外周フランジ部100と、外周フランジ部100の内側に形成され、外周フランジ部100よりも前方に突出し、排出孔45の開口端面、加圧ガス孔72の開口端面、供給ノズル部45の開口端面が形成されるノズル形成部101が形成されている。ノズル形成部101は、前面が全面に渡って平坦面に形成されている。ノズル形成部101は円形に形成されていて、外周縁と加圧ガス孔72との間に平坦部102が形成されている。したがって、ノズル形成部101とガラス基板3との間に形成される隙間において、加圧ガス孔72から噴射される加圧ガスは、ガラス基板3と平坦部102との間に形成される外周側空間と、加圧ガス孔72と排出孔45との間におけるリング状領域とガラス基板3との間に形成される内周側空間とに分岐して流れる。その際、前記外周側空間は大気圧の正圧が作用し、前記内周側空間は排出孔45からの吸引作用を受けて負圧が作用する。すなわち、正圧が作用する前記外周側空間内の空気抵抗は、負圧の作用する前記内周側空間内の空気抵抗よりも高いため、前記加圧ガス孔72から加圧ガスが噴射されると、噴射ガスの多くは前記内周側空間に向けて流れ、この内周側空間が前記エッチング領域におけるエッチャントの封じ込め作用をなし、液だれ、液引きの発生を防止する。また、ノズルブロック体41の周面には複数個所にガス供給孔73が形成され、これらのガス供給孔73は第3周溝71に連通している。そして、各ガス供給孔73にはガス供給管74が取り付けられ、第3周溝71を通して多数の加圧ガス孔72に連通している。そして、不図示の加圧ガス供給装置からの窒素ガスがこれら複数のガス供給管74を介して多数の加圧ガス孔72からガラス基板3に向かって流出する。本実施形態の加工ヘッド2は、多数の加圧ガス孔72を同一円周上に形成し、その内側にエッチャントを吸引排出する多数の排出孔45を形成した多重ノズル構成としているので、エッチャント流路の外側に半径R2の加圧ガス流からなる加圧ガス領域を形成し、エッチャント流路を流れるエッチャントを半径R1の平面内に封じ込ませることができ、前提技術と同様に加工ヘッド2の走査速度を速めても、目的とする加工を行うことができる。上述のように加工ヘッド2の走査速度を速めるとトータル加工時間の短縮が図れるが、その際、前提技術と同様に窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合と窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合におけるライン断面積比を求めることにより液引き等の影響の有無を実験により求めた。なお、第2実施形態の加工ヘッドを用いた実験では前提技術と同様にガラス基板3を水平に保持し、加工ヘッド2をガラス基板3の下側に配置してエッチャントを上方のガラス基板に向けて供給するようにしながら水平方向に走査した。実験結果を図9に示す。この実験における加工条件は以下の通りである。加工ヘッド2のノズル直径φ:15mm加工ヘッド2とガラス基板3とのギャップ:025mmフッ酸濃度:25wtフッ酸循環流量:30Lhフッ酸の吸引流量:314Lminフッ酸温度:25°C窒素ガス流量:20Lmin図9は図6と同様に横軸を走査速度、縦軸をライン断面積比とし、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合と窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合での断面積比を示す。窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合、走査速度が800mmminを超えると、ライン断面積比が急激に増加する。これは、走査速度が800mmminを超えて速くなると、液引きが発生し、ガラス基板に接触するエッチャントの面積が増加して、ガラス基板に対するエッチャントの接触時間が長くなることによるものと思われる。これに対し、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合には、走査速度が1000mmminまでライン断面積比は殆ど1と変わらず、エッチャントの液引きが発生していないことを示す。図10に走査速度1000mmminでのライン断面形状について、計算値での形状と、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合の形状と、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合の形状を示す。この場合も前提技術の図7と同様に計算値の形状と窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行った場合の形状とは略同形状であるのに対し、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行わなかった場合でのライン断面形状は計算値よりも深くまた底が狭い断面形状に加工されている。したがって、走査速度を速くすると上述のように液引きの影響によってライン断面が計算値よりも加工深さが深くなり、しかも底が狭い形状となり、目的とする加工形状が得難くなるが、窒素ガスの加圧ガス流による加圧を行うことにより走査速度を速めても目的とする加工形状が得られることとなる。"