建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、前記構造物の壁や窓の内側面に透明性金属として銅超微粒子とn型半導体として酸化スズまたは酸化インジウムからなる超微粒子を堆積させ、金属n型半導体金属からなるペルチェ素子をポリマーフィルム内に少なくとも1個以上配置し各々のペルチェ素子を回路配線してラミネート構造とし、前記ペルチェ素子の電圧印加方向による電流の流れの方向で熱電能ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにしたことを特徴とする冷暖房装置。建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、建築物や移動体車両の壁や窓の内側面に透明性金属と透明性n型半導体からなる超微粒子を分散堆積させて積層させた金属n型半導体金属からなるサンドイッチ構造のペルチェ素子に電流を流して、熱電能ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにした冷暖房システムに関する。本発明の冷暖房装置は、建築物や移動体車両の壁や窓の内側面に透明性金属と透明性n型半導体からなる超微粒子を分散させ、透明性金属と透明性n型半導体含有薄膜のコート液とし、超微粒子を積層状に堆積させた薄膜とする金属n型半導体金属からなるサンドイッチ構造の薄膜からなるペルチェ素子を構成し、このペルチェ素子に電流を流し、熱電能ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させたものである。本発明は、夏場は建築物や移動体車両の吸熱現象を利用して冷房用とし、冬場は発熱現象を利用した暖房システムを構築する。以上説明したように本発明の冷暖房装置は、建築物や移動体車両の壁や窓に生じる放射や輻射による熱を利用した冷暖房装置において、建築物や移動体車両の壁や窓の内側面に透明性金属と透明性n型半導体からなる超微粒子を積層状に分散堆積させ接合し、この接合させた金属n型半導体金属からなるサンドイッチ構造のペルチェ素子をDC電流の流れる方向で、熱電能ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにした冷暖房システムである。本発明の冷暖房装置は、短時間でかつ製造コストも劇的に低減できるので、その工業的価値は極めて高い。本発明の冷暖房装置は、建築物や移動体車両の壁や窓の内側面に透明性金属と透明性n型半導体からなる超微粒子を積層状に堆積させ接合させた金属n型半導体金属からなるサンドイッチ構造のペルチェ素子にDC電流を流して、熱電能ゼーベック係数の差による吸熱あるいは発熱を発現させるようにしたペルチェ素子を利用するもので、大面積に形成するプリンテッドエレクトロニクスにより、建築物や移動体車両の壁や窓の内側面に印刷した発熱吸熱セルで、夏場は吸熱現象を利用する冷房用、冬場は発熱現象を利用した暖房システムを構築できる。以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の冷暖房装置の断面図である。101は、建築物や移動体車両の窓である。102と106は、ペルチェ素子を挟み込んでいるラミネートである。ペルチェ素子は、ペルチェ効果を発生させる銅超微粒子103と銅超微粒子105でn型半導体104を挟んだサンドイッチ構造を形成している。銅超微粒子103と銅超微粒子105は、波長380nm~780nmの可視光線で透過率が90以上あることから、光に対してほぼ透明とみなせる。この銅超微粒子103と銅超微粒子105は、シート抵抗値が0.2Ω/□以下である。n型半導体104の酸化インジウムは、n型半導体で高い導電性を持っており、かつ可視光領域の吸収も少ない。導電性を改善するため、酸化インジウムにはスズをドープし、ITOインジウムティンオキサイドとしている。この超微粒子は、高分子バインダーに分散、塗布することにより成膜している。ITOは、102~105Ω/□の表面抵抗の導電膜である。膜の熱電能は-130μVKである。この膜の導電性は物理的成膜法に比べて劣るが、可視光透過率が高く透明性に優れ、比較的低コストで大面積に塗布できる。107は、DC電源であり、ペルチェ素子を構成する銅超微粒子103と銅超微粒子105の間に電圧を印加してペルチェ効果を起こさせる。図1の回路接続では、ペルチェ素子は、吸熱108と発熱109を発現する。建築物や移動体車両の窓の内側面に配置されたペルチェ素子のDC電源107を逆にすれば、発熱108と吸熱109となる。室外110の温度が60°Cの場合、室内の温度が20°Cの温度差にするには、ペルチェ素子にジュール熱損失熱伝導損失を含めて、5Wの熱量を供給できれば良い。このときのペルチェ素子の長さは、約1mになる。