一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置された複数の放射線吸収部及び放射線透過部と、前記放射線透過部同士を連結する複数の透過部用ブリッジ部と、を備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記放射線透過部は、前記配列方向の複数本ごとに前記透過部用ブリッジ部によって連結されていることを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記配列方向に対して斜めに設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記配列方向で隣接する透過部用ブリッジ部間の前記延伸方向の間隔がランダムになるように配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部の前記延伸方向の配列ピッチを、ランダムにしたことを特徴とする請求項5記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部の前記延伸方向の配列ピッチを、中心値に対しある範囲で分布する値としたことを特徴とする請求項5記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部の前記延伸方向の配列ピッチを、素数の値としたことを特徴とする請求項5記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部の前記延伸方向の配列ピッチは、前記放射線吸収部の前記配列方向の幅の5倍以上であることを特徴とする請求項1~8いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記放射線透過部の間に配置されていることを特徴とする請求項1~9いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記放射線透過部と一体に設けられていることを特徴とする請求項10記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記配列方向に沿って前記放射線吸収部及び前記放射線透過部を貫通していることを特徴とする請求項1~9いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記延伸方向及び前記配列方向に直交する放射線透過方向の幅が前記放射線透過部よりも狭いことを特徴とする請求項10~12いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記放射線吸収部を跨いで前記放射線透過部を連結することを特徴とする請求項1~9いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記透過部用ブリッジ部は、前記延伸方向及び前記配列方向に直交する放射線透過方向において前記放射線透過部の端部を連結している連結部と、前記連結部を補強する補強部材とからなることを特徴とする請求項1~9いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部同士を連結する複数の吸収部用ブリッジ部を備えたことを特徴とする請求項1~15いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線吸収部と、不純物がドープされた一導電型半導体からなる放射線透過部とを備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部及び前記放射線透過部からなるグリッド層の一方の面に、不純物のドープにより前記一導電型半導体基板と反対の導電型を有する反対導電型半導体基板が接合されていることを特徴とする請求項17記載の放射線画像撮影用グリッド。前記反対導電型半導体基板は、前記反対導電型半導体からなる導電性薄膜と、支持基板とからなることを特徴とする請求項18記載の放射線画像撮影用グリッド。前記一導電型半導体は、n型半導体からなることを特徴とする請求項17~19いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。不純物のドープにより一導電型の半導体とされた一導電型半導体基板と、前記一導電型半導体基板上に設けられた放射線吸収部とを備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記一導電型半導体は、p型半導体からなることを特徴とする請求項21記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線吸収部及び放射線透過部を有するグリッド層と、前記グリッド層に接合された支持層と、前記グリッド層と支持層との少なくとも一方の接合面に設けられた複数の凹部と、を備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記凹部の大きさは、前記放射線画像撮影用グリッドを通過した放射線を検出する放射線画像検出器の画素サイズ以下であることを特徴とする請求項23記載の放射線画像撮影用グリッド。前記凹部は、前記配列方向に延伸されたライン状の溝からなることを特徴とする請求項23記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線吸収部及び放射線透過部と、前記放射線吸収部及び前記放射線透過部を支持する支持面が粗面であるアンカー層と、を備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。放射線吸収部及び放射線透過部を有するグリッド層と、前記グリッド層を支持する支持層とを有し、放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に接合され、湾曲されていることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記支持層は、無機材料からなり、前記グリッド層と前記支持層との総厚が200μm未満であることを特徴とする請求項27記載の放射線画像撮影用グリッド。前記支持層は、有機材料からなることを特徴とする請求項27記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部及び前記放射線透過部は、一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に複数個が配置されていることを特徴とする請求項17、21、23、24、27いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線吸収部と前記放射線透過部とのいずれか一方は、略十字格子状に配置されており、前記放射線吸収部と前記放射線透過部との他方は、略十字格子状に配置された前記放射線吸収部または前記放射線透過部の間に配置されていることを特徴とする請求項17、21、23、26、27いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線を透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置され、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1のグリッドと、前記第1の周期パターンに対して位相が異なる少なくとも1つの相対位置で前記第1の周期パターン像に強度変調を与える強度変調手段と、前記強度変調手段により前記相対位置で生成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器と、前記放射線画像検出器により検出された少なくとも1つの前記第2の周期パターン像に基づいて、位相情報を画像化する演算処理手段と、を備えた放射線画像撮影システムに用いられる放射線画像撮影用グリッドであって、前記第1のグリッドに用いたことを特徴とする請求項1、17、21、23、26、27いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記強度変調手段は、前記第1の周期パターンを透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置された第2のグリッドと、前記第1及び第2のグリッドのいずれか一方を、前記第1及び第2のグリッドのグリッド構造の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、前記走査手段により移動される各位置が前記相対位置に対応する請求項32記載の放射線画像撮影システムであって、前記第2のグリッドに用いたことを特徴とする請求項1、17、21、23、26、27いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。前記放射線源と前記第1のグリッドとの間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数の線光源とする第3のグリッドをを備えた請求項32または33記載の放射線画像撮影システムであって、前記第3グリッドに用いたことを特徴とする請求項1、17、21、23、26、27いずれか記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線透過性を有する第1基板と、導電性及び放射線透過性を有する第2基板とを接合する接合工程と、前記第1基板にエッチングマスクを介してエッチングを行い、溝と、前記溝の間に配された複数の放射線透過部とを形成するエッチング工程と、前記第2基板を電極として用いる電解メッキ法により、前記溝内に放射線吸収材料を充填して複数の放射線吸収部を形成するメッキ工程と、を備えたことを特徴とする放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチングは、深堀用ドライエッチングによって行なわれることを特徴とする請求項35記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、前記第1基板と同程度の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項35または36記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、前記電極として用いられる導電性薄膜と、前記導電性薄膜が設けられた支持基板とからなることを特徴とする請求項35~37いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、前記第1基板と同じ材質であり、かつ半導体であることを特徴とする請求項35または36記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、前記電極として用いられる前記半導体と、絶縁体からなる支持基板とからなることを特徴とする請求項39記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板は、不純物のドープにより一導電型を有する一導電型半導体であり、前記第2基板の半導体は、不純物のドープにより前記一導電型半導体と反対の導電型を有する反対導電型半導体であることを特徴とする請求項39または40記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記一導電型半導体は、n型半導体からなることを特徴とする請求項41記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板は、前記エッチング工程後に、少なくとも表面が絶縁性を有することを特徴とする請求項35~42いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板は、比抵抗値が100Ωcm以上であることを特徴とする請求項43記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチング工程後に、前記第1基板の表面の全部または一部に絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項44記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記絶縁層は、親水性を有することを特徴とする請求項45記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチング工程後に、前記第1基板にイオン注入を行なって比抵抗値を高くする工程を有することを特徴とする請求項43記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記メッキ工程の後に、前記第1基板の少なくとも一方の面の所定厚み分を除去することを特徴とする請求項35~47いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板から、前記第2基板が接合されている面の所定厚み分を除去する際に、前記第2基板を除去することを特徴とする請求項48記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板の両面の所定厚み分を除去する際に、前記第2基板が接合されていない面の所定厚み分を除去した後に当該面に保護層を形成し、その後に前記第2基板が接合されている面の所定厚み分を除去することを特徴とする請求項49記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記メッキ工程の後に、前記第1基板にエッチングを行なって、前記放射線吸収部の間の前記放射線透過部を除去することを特徴とする請求項35~48いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記接合工程の前に、前記第1基板と前記第2基板との少なくとも一方の接合面に、多数の凹部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項35~51いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記接合工程の前に、前記第1基板の接合面を粗面にする工程と、前記粗面に放射線透過性及び導電性を有するアンカー層を形成する工程と、前記アンカー層を研磨して平滑化する工程と、を含むことを特徴とする請求項35~52いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記放射線吸収部及び前記放射線透過部は、一方向に延伸されかつ前記延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置されており、前記メッキ工程の前に、前記放射線透過部を前記配列方向において連結する透過部用ブリッジ部が形成されることを特徴とする請求項35~53いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチングマスクは、前記延伸方向に延伸されかつ前記配列方向に沿って配置された複数のラインパターンと、前記ラインパターンを前記配列方向において連結する複数のブリッジパターンを有し、前記エッチングマスクを介して前記第1基板をエッチングすることにより、前記溝内に前記透過部用ブリッジ部が形成されることを特徴とする請求項54記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記ブリッジパターンは、前記マスクパターンよりも薄くされており、前記マスクパターンと前記ブリッジパターンとのエッチング速度差により、前記溝の底部に前記透過部用ブリッジ部が形成されることを特徴とする請求項55記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチングマスクは、前記延伸方向に延伸されかつ前記配列方向に沿って配置された複数のラインパターンを有し、前記第1基板上に設けられており、前記透過部用ブリッジ部は、前記ラインパターンを前記配列方向において連結するように前記エッチングマスクに設けられたブリッジパターンからなることを特徴とする請求項54記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板上に前記配列方向に沿って、前記透過部用ブリッジ部を構成する複数のブリッジ用マスクを形成する工程と、前記ブリッジ用マスクを介して前記第1基板を所定深さまでエッチングする工程と、エッチング後の前記第1基板上に、前記延伸方向に延伸されかつ前記配列方向に沿って配置された複数のラインパターンと、前記ラインパターン間を連結し、かつ前記ブリッジ用マスクを覆う複数のブリッジパターンとを備えた前記エッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを介して前記第1基板をエッチングすることにより、前記ブリッジ用マスクの下で前記放射線透過部を連結する連結部と、前記ブリッジ用マスク及び前記ブリッジパターンとからなる前記透過部用ブリッジ部を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項54記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板上に、前記配列方向に伸びかつ前記延伸方向に沿って配列された複数の透過部用ブリッジ部を形成する工程と、前記第1基板の前記透過部用ブリッジ部が設けられた面上に膜を形成し、あるいは基板を接合して前記第1基板の厚みを増加させ、前記複数の透過部用ブリッジ部を前記第1基板内に埋め込む工程と、前記エッチングマスクを介して前記第1基板をエッチングし、前記複数の透過部用ブリッジ部が貫通された前記複数の溝と、前記放射線透過部とを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項54記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記透過部用ブリッジ部の前記延伸方向の幅は、前記第1基板のエッチング時に生じるサイドエッチングによって、前記透過部用ブリッジ部の下の前記第1基板が除去可能な大きさであることを特徴とする請求項57~59いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記放射線吸収部を前記配列方向において連結する吸収部用ブリッジ部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項54~60いずれか記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記エッチング工程の後に、前記支持基板及び前記導電性薄膜を透過する第1検査光を照射し、前記溝を通過した前記第1検査光に基づいて前記第1基板のエッチング状態を検査する工程と、前記メッキ工程の後に、前記支持基板、前記導電性薄膜及び前記第1基板を透過する第2検査光を照射し、前記第1基板を透過した前記第2検査光に基づいて前記放射線吸収材料の充填状態を検査する工程とを備えたことを特徴とする請求項38記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第1基板、前記導電性薄膜及び前記支持基板の吸収波長をそれぞれλe、λd、λsとし、前記第1検査光及び前記第2検査光の波長をλm1、λm2としたとき、下記式1及び2の関係を有することを特徴とする請求項62記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。λd、λs<λm1<λe1λd、λs、λe<λm22前記第1検査光λm1は、波長が0.4~0.7μmの可視光であり、前記第2検査光λm2は、波長が0.7μm以上の赤外光であることを特徴とする請求項63記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記導電性薄膜は、ITO、IZO、ZnO等の透明導電膜、もしくは厚みが500Å以下のAu、Pb、Pt、Ni、Cr、Ti等の金属薄膜、あるいは前記金属薄膜を片面あるいは両面に設けた前記透明導電膜からなることを特徴とする請求項64記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記支持基板は、ガラスからなることを特徴とする請求項65記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に前記放射線画像撮影用グリッドを接合して湾曲させる工程を含むことを特徴とする請求項35記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、無機材料からなり、前記第1基板と前記第2基板との総厚が200μm未満であることを特徴とする請求項67記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、有機材料と、前記有機材料に設けられた導電性薄膜とからなることを特徴とする請求項67記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。前記第2基板は、導電性薄膜と、前記導電性薄膜が設けられた支持基板とからなり、前記支持基板は、前記エッチング工程及び前記メッキ工程時に撓まない剛性を備えた補強基板と、前記補強基板上に成膜された有機材料膜とからなり、前記補強基板は、前記メッキ工程後に除去され、または薄層化されることを特徴とする請求項67記載の放射線画像撮影用グリッドの製造方法。特許文献1のグリッド製造方法は、感光性樹脂層を用いてX線吸収部を形成しているが、加工精度の点で感光性樹脂の影響を大きく受けるため、精度の高いグリッドを製造することができない。また、指向性の高いシンクロトロン放射光で露光、現像して溝を形成しているが、樹脂は柔らかいため、板状のパターンが基板に垂直に立っているような格子パターンは現像中の溶液の揺動あるいは乾燥時の水の表面張力によるスティッキング隣接するパターンがくっつく現象による変形が起こり易く、高い精度での格子の幅、高さの維持が難しい。また樹脂よりもAuの方が剛性があるため、Auメッキの成長度合いによっては樹脂の変形が起こり易く、グリッドとしての性能を著しく劣化させる。加えてシンクロトロン放射光による露光が可能な露光設備は、国内でもごく限られた施設にしかなく、その露光には長時間を要するためスループットが悪く製造には適さない。感光性樹脂層に代えて、基板上にシリコンの層を形成することも考えられるが、シリコン層を感光性樹脂層と同様に塗布によって形成するには、1400°c以上の高温でシリコンを溶融させなければならないため技術的に難しい。また、特許文献1の別のグリッド製造方法は、厚さが50μmの薄板状シリコン層にエッチングによって溝部を形成しているが、通常、エッチング装置への搬送を含め、取り扱い可能なシリコン基板の厚みは200μm程度が下限である。また、チタンあるいはシリコンの層を蒸着により形成しても、その厚みは1μm程度にしかならないため、板状シリコン層の補強にはならない。したがって、50μmの板状シリコン層にエッチングによって溝を形成するのは現実性が低い。更に、厚みが1μm程度のチタンまたはシリコンの層は、板状シリコン層の溝内で浮いているような状態となり、その後の電解メッキ工程等の取り扱い時に剥がれてしまうことが容易に予想されるので、溝部内への電解メッキは困難である。特許文献2及び非特許文献3記載の発明は、X線吸収部に相当する格子線の間を梁によって接続しているため、格子線の構造強化には効果がある。しかし、特許文献2及び非特許文献3に記載の梁は、例えば特許文献1の手法を用いて格子線を形成する際に、感光性樹脂層のスティッキング防止には効果がない。本発明の目的は、アスペクト比の高いX線吸収部を有するグリッドと、そのグリッドを精度よく製造する方法とを提供することにある。本発明の放射線画像撮影用グリッドは、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置された複数の放射線吸収部及び放射線透過部と、放射線透過部同士を連結する複数の透過部用ブリッジ部とを備えている。放射線透過部は、配列方向の複数本ごとに透過部用ブリッジ部によって連結されるように構成してもよい。透過部用ブリッジ部は、千鳥状に配列してもよいし、配列方向に対して斜めに配置してもよい。また、配列方向で隣接する透過部用ブリッジ部間の延伸方向の間隔がランダムになるように配置してもよい。透過部用ブリッジ部の延伸方向の配列ピッチは、ランダムにしてもよいし、中心値に対しある範囲で分布する値としてもよい。また、透過部用ブリッジ部の延伸方向の配列ピッチは、素数の値を用いてもよい。また、透過部用ブリッジ部の延伸方向の配列ピッチは、放射線吸収部の配列方向の幅の5倍以上であることが好ましい。透過部用ブリッジ部は、放射線透過部の間に配置させてもよい。この場合、透過部用ブリッジ部は、放射線透過部と一体に設けられていてもよいし、放射線透過部と別部材から構成し、配列方向において、放射線透過部及び放射線吸収部を貫通するように設けてもよい。また、透過部用ブリッジ部は、延伸方向及び配列方向に直交する放射線透過方向の幅が、放射線透過部よりも狭いことが好ましい。透過部用ブリッジ部は、放射線吸収部を跨いで放射線透過部を連結するように設けられていてもよい。透過部用ブリッジ部は、延伸方向及び配列方向に直交する放射線透過方向において、放射線透過部の端部を連結している連結部と、連結部を補強する補強部材とから構成してもよい。また、本発明の更に別の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収部同士を連結する複数の吸収部用ブリッジ部を設けてもよい。本発明の別の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収部と、不純物がドープされた一導電型半導体からなる放射線透過部とから構成してもよい。放射線吸収部及び放射線透過部からなるグリッド層の一方の面に、不純物のドープにより一導電型半導体基板と反対の導電型を有する反対導電型半導体基板が接合されていてもよい。また、反対導電型半導体基板は、反対導電型半導体からなる導電性薄膜と、支持基板とから構成してもよい。また、一導電型半導体は、n型半導体としてもよい。また、本発明の更に別の放射線画像撮影用グリッドは、不純物のドープにより一導電型の半導体とされた一導電型半導体基板と、一導電型半導体基板上に設けられた放射線吸収部とから構成してもよい。一導電型半導体は、p型半導体としてもよい。更にまた別の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収部及び放射線透過部を有するグリッド層と、グリッド層に接合された支持層と、グリッド層と支持層との少なくとも一方の接合面に設けられた複数の凹部とから構成してもよい。凹部の大きさは、放射線画像撮影用グリッドを通過した放射線を検出する放射線画像検出器の画素サイズ以下であること好ましい。また、凹部は、配列方向に延伸されたライン状の溝により構成してもよい。また、別の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収部及び放射線透過部と、放射線吸収部及び放射線透過部を支持する支持面が粗面であるアンカー層とを備えていてもよい。また、別の放射線画像撮影用グリッドは、放射線吸収部及び放射線透過部を有するグリッド層と、グリッド層を支持する支持層とを有し、放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に接合され、湾曲されている。支持層が無機材料からなる場合には、グリッド層と支持層との総厚が200μm未満であることが好ましい。また、支持層を有機材料から構成してもよい。複数の放射線吸収部及び放射線透過部は、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置してもよい。また、放射線吸収部と放射線透過部とのいずれか一方を略十字格子状に配置し、放射線吸収部と放射線透過部との他方は、略十字格子状に配置された放射線吸収部または放射線透過部の間に配置してもよい。また、放射線を透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置され、放射線源から照射された放射線を通過させて第1の周期パターン像を形成する第1のグリッドと、第1の周期パターンに対して位相が異なる少なくとも1つの相対位置で第1の周期パターン像に強度変調を与える強度変調手段と、強度変調手段により相対位置で生成された第2の周期パターン像を検出する放射線画像検出器と、放射線画像検出器により検出された少なくとも1つの第2の周期パターン像に基づいて、位相情報を画像化する演算処理手段と、を備えた放射線画像撮影システムに用いられる放射線画像撮影用グリッドにおいて、上記いずれかの放射線画像撮影用グリッドを、第1のグリッドに用いてもよい。更に、上記放射線画像撮影システムの強度変調手段が、第1の周期パターンを透過する部分と吸収する部分とからなるグリッド構造が周期的に配置された第2のグリッドと、第1及び第2のグリッドのいずれか一方を、第1及び第2のグリッドのグリッド構造の周期方向に所定のピッチで移動させる走査手段とからなり、走査手段により移動される各位置が相対位置に対応する場合には、上記いずれかの放射線画像撮影用グリッドを第2のグリッドに用いてもよい。また、上記放射線画像撮影システムが、放射線源と第1のグリッドとの間に、放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数の線光源とする第3のグリッドを有している場合には、上記いずれかの放射線画像撮影用グリッドを第3のグリッドに用いてもよい。本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法は、放射線透過性を有する第1基板と、導電性及び放射線透過性を有する第2基板とを接合する接合工程と、第1基板にエッチングマスクを介してエッチングを行い、複数の溝と、溝の間に配された複数の放射線透過部とを形成するエッチング工程と、第2基板を電極として用いる電解メッキ法により、溝内に放射線吸収材料を充填して複数の放射線吸収部を形成するメッキ工程とを備えている。エッチングは、深堀用ドライエッチングによって行なわれることが好ましい。第2基板は、第1基板と同程度の熱膨張係数を有することが好ましい。また、第2基板は、電極として用いられる導電性薄膜と、導電性薄膜が設けられた支持基板とから構成されていてもよい。第2基板は、第1基板と同じ材質とし、かつ半導体にしてもよい。また、第2基板は、電極として用いられる半導体と、絶縁体からなる支持基板とから構成してもよい。更に、第1基板を不純物のドープにより一導電型を有する一導電型半導体とし、第2基板の半導体は、不純物のドープにより一導電型半導体と反対の導電型を有する反対導電型半導体としてもよい。その際に、一導電型半導体は、n型半導体としてもよい。第1基板は、エッチング工程後に、少なくとも表面が絶縁性を有することが好ましい。また、第1基板は、比抵抗値が100Ωcm以上であることが好ましい。エッチング工程後に、第1基板の表面の全部または一部に絶縁層を形成してもよい。その際に、絶縁層は、親水性を有することが好ましい。また、エッチング工程後に、第1基板にイオン注入を行なって比抵抗値を高くしてもよい。メッキ工程の後に、第1基板の少なくとも一方の面の所定厚み分を除去してもよい。また、第1基板から、第2基板が接合されている面の所定厚み分を除去する際に、第2基板を除去してもよい。更に、第1基板の両面の所定厚み分を除去する際に、第2基板が接合されていない面の所定厚み分を除去した後に当該面に保護層を形成し、その後に第2基板が接合されている面の所定厚み分を除去してもよい。メッキ工程の後に第1基板にエッチングを行ない、放射線吸収部の間の放射線透過部を除去してもいよい。接合工程の前に、第1基板と第2基板との少なくとも一方の接合面に、多数の凹部を形成してもよい。また、接合工程の前に、第1基板の接合面を粗面にする工程と、粗面に放射線透過性及び導電性を有するアンカー層を形成する工程と、アンカー層を研磨して平滑化する工程とを含めてもよい。また、放射線吸収部及び放射線透過部は、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置されている場合には、メッキ工程の前に、放射線透過部を配列方向において連結する透過部用ブリッジ部を形成してもよい。この場合、延伸方向に延伸されかつ配列方向に沿って配列された複数のラインパターンと、これらのラインパターンを配列方向において連結する複数のブリッジパターンとを有するエッチングマスクを設け、このエッチングマスクを介して第1基板をエッチングすることにより、溝内に透過部用ブリッジ部を形成してもよい。ブリッジパターンをマスクパターンよりも薄くし、マスクパターンとブリッジパターンとのエッチング速度差により、溝の底部に透過部用ブリッジ部を形成してもよい。エッチングマスクを第1基板上に設け、透過部用ブリッジ部は、ラインパターンを配列方向において連結するようにエッチングマスクに設けられたブリッジパターンによって構成してもよい。また、第1基板上に配列方向に沿って、透過部用ブリッジ部を構成する複数のブリッジ用マスクを形成する工程と、ブリッジ用マスクを介して第1基板を所定深さまでエッチングする工程と、エッチング後の第1基板上に、延伸方向に延伸されかつ配列方向に沿って配置された複数のラインパターンと、このラインパターン間を連結し、かつブリッジ用マスクを覆う複数のブリッジパターンを備えたエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを介して第1基板をエッチングすることにより、ブリッジ用マスクの下で放射線透過部を連結する連結部とブリッジ用マスク及びブリッジパターンとからなる透過部用ブリッジ部を形成する工程とを備えていてもよい。第1基板上に、配列方向に伸びかつ前記延伸方向に沿って配列された複数の透過部用ブリッジ部を形成する工程と、第1基板の透過部用ブリッジ部が設けられた面上に膜を形成し、あるいは基板を接合して第1基板の厚みを増加させ、複数の透過部用ブリッジ部を第1基板内に埋め込む工程と、エッチングマスクを介して第1基板をエッチングし、複数の透過部用ブリッジ部が貫通された複数の溝と放射線透過部とを形成する工程とを備えていてもよい。透過部用ブリッジ部の延伸方向の幅は、第1基板のエッチング時に生じるサイドエッチングによって、透過部用ブリッジ部の下の第1基板が除去可能な大きさであることが好ましい。また、放射線吸収部を配列方向において連結する吸収部用ブリッジ部を形成する工程を備えていてもよい。エッチング工程の後に、支持基板及び導電性薄膜を透過する第1検査光を照射し、溝を通過した第1検査光に基づいて第1基板のエッチング状態を検査する工程と、メッキ工程の後に、支持基板、導電性薄膜及び前1基板を透過する第2検査光を照射し、第1基板を透過した第2検査光に基づいて放射線吸収材料の充填状態を検査する工程とを備えてもよい。第1基板、導電性薄膜及び支持基板の吸収波長をそれぞれλe、λd、λsとし、第1検査光及び第2検査光の波長をλm1、λm2としたとき、下記式1及び2の関係を有することが好ましい。λd、λs<λm1<λe1λd、λs、λe<λm22第1検査光λm1は、波長が0.4~0.7μmの可視光であり、第2検査光λm2は、波長が0.7μm以上の赤外光であることが好ましい。また、導電性薄膜は、ITO、IZO、ZnO等の透明導電膜、もしくは厚みが500Å以下のAu、Pb、Pt、Ni、Cr、Ti等の金属薄膜、あるいは金属薄膜を片面あるいは両面に設けた透明導電膜から構成してもよい。更に、支持基板は、ガラスからなることが好ましい。放射線透過性を有する保持部材に設けられた湾曲面に放射線画像撮影用グリッドを接合して湾曲させる工程を備えてもよい。第2基板が無機材料からなる場合には、第1基板と第2基板との総厚が200μm未満であることが好ましい。また、第2基板は、有機材料と有機材料に設けられた導電性薄膜とから構成してもよい。第2基板を導電性薄膜と、導電性薄膜が設けられた支持基板とから構成する場合、支持基板は、エッチング工程及びメッキ工程時に撓まない剛性を備えた補強基板と、補強基板上に成膜された有機材料膜とから構成してもよい。この場合、補強基板は、メッキ工程後に除去し、または薄層化するのが好ましい。本発明の放射線画像撮影用グリッドの製造方法によれば、電解メッキ法によって溝部内に放射線吸収材を埋め込むために、シーズ層となる第2基板を設けているので、溝部内に放射線吸収材を適切に埋め込むことができる。したがって、量産性にすぐれ、放射線吸収部の形成が容易になる。また、第2基板は、第1基板をエッチングする際のエッチングストップ層としても機能するので、溝部の深さの面内均一性が向上する。これらにより、放射線透過率の面内均一性にすぐれたグリッドが製造できる。エッチング工程には、深堀用ドライエッチングが用いられるので、アスペクト比の高い溝を形成することができる。また、第2基板の熱膨張係数を第1基板と同程度にしたので、接合時の熱応力や、使用中の熱によるグリッドの歪みを防止することができる。更に、第2基板を導電性薄膜と支持基板途から構成したので、支持基板に放射線透過性の高い材質を選択することができ、グリッド性能が向上する。また、第2基板を第1基板と同じ材質の半導体としたので、第2基板のシーズ層としての機能を維持しながら、第1基板と第2基板との接合性を向上させることができ、第1基板と第2基板との間にボイドが発生するのを防止することができる。また、第1基板及び第2基板を互いに異なる導電型の半導体としたので、第1基板及び第2基板との接続が逆バイアス接続にすることができる。これにより、電解メッキによって、溝内に適切に放射線吸収材を充填することができる。第1基板の少なくとも表面に絶縁性を付与したので、電解メッキによって、溝内に適切に放射線吸収材を充填することができる。また、第2基板に絶縁性を付与するために絶縁層を形成する際に、絶縁層に親水性を付与したので、電解メッキ時のメッキ液の流れをよくすることができる。グリッドの完成後に、第1基板または第2基板を除去することにより、グリッドの放射線透過性を向上させることができる。また、溝の開口側または底面側で発生しやすい放射線吸収材料の充填不良部分を除去することができ、グリッド性能が向上する。第1基板と第2基板との接合面に凹部を設け、接合面に生じたボイドを凹部によって分散して吸収するので、ボイドを原因とする放射線吸収部及び放射線透過部の剥がれや、歪みを防止することができる。また、放射線吸収部及び放射線透過部を支持するアンカー層を設けたので、放射線吸収部及び放射線透過部の剥がれを防止することができる。放射線透過部を連結する透過部用ブリッジ部を設けたので、放射線透過部が倒れる現象であるスティッキングの発生を防止することができる。支持基板及び導電性薄膜を透過する第1検査光を用いてエッチング工程を検査するので、顕微鏡観察法のように散乱光によって邪魔されることなく、微細な高アスペクト比構造を有する第2基板を適切に検査することができる。また、支持基板及び導電性薄膜に加え、第2基板も透過可能な第2検査光を用いて電解メッキ工程を検査するので、X線透過観察のように、焦点サイズが微小な線源等の高価な設備を必要としないのでローコストであり、検査可能な視野範囲が広いのでスループットを向上させることができる。また、グリッドは、湾曲させることができるので、収束構造のグリッドを容易に形成することができる。本発明の放射線画像撮影用グリッドによれば、放射線透過部同士を連結するブリッジ部を設けたので、グリッドの強度を向上させることができる。また、放射線透過部や、グリッド層に接合される基板を半導体としたので、Au等からなる放射線吸収材の拡散を抑えることができ、放射線吸収材の拡散によるグリッド性能の低下を防止することができる。また、グリッド層とこれを支持する支持層との間に凹部を設けたので、両者の接触面積が減少し、両者の接触部分の接合時にかかる荷重が増えるので、高い接合力を得ることができる。また、放射線吸収部及び放射線透過部を支持するアンカー層を設けたので、放射線吸収部及び放射線透過部の剥がれを防止することができる。湾曲面を有する保持部材にグリッドを接合して湾曲させているので、収束構造のグリッドを容易に構成することができる。また、本発明は、ライン状の放射線吸収部及び放射線透過部を交互に配置した縞状のグリッドだけでなく、例えば放射線吸収部または放射線透過部を十字状に配置したグリッドにも適用できるので、グリッドの使用目的に応じて最適なグリッド構造を得ることができる。また、放射線画像撮影システムの第1~第3のグリッドのいずれかに本発明のグリッドを用いることもできるので、放射線画像撮影システムにおいて、高画質の位相コントラスト画像を撮影することができる。[第1実施形態]図1は、第1実施形態のX線画像撮影システム10を示す概念図である。X線画像撮影システム10は、X線源11、第1のグリッド13、第2のグリッド14、及びX線画像検出器15を備えている。X線源11は、例えば、回転陽極型のX線管と、X線の照射野を制限するコリメータとを有し、被検体HにX線を放射する。第1のグリッド13及び第2のグリッド14は、X線を吸収する吸収型グリッドであり、X線照射方向であるz方向においてX線源11に対向配置されている。X線源11と第1のグリッド13との間には、被検体Hが配置可能な間隔が設けられている。また、第1のグリッド13と第2のグリッド14との距離は、最小のタルボ干渉距離以下とされている。すなわち、本実施形態のX線画像撮影システム10は、タルボ干渉効果を用いず、X線を投影することによって位相コントラスト画像を撮影する。X線画像検出器15は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器FPD:FlatPanelDetectorであり、第2のグリッド14の背後に配置されている。X線画像検出器15には、X線画像検出器15により検出された画像データから位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部16が接続されている。第1のグリッド13は、z方向に直交する面内の一方向であるy方向に延伸された複数のX線吸収部13a及びX線透過部13bを備えている。X線吸収部13a及びX線透過部13bは、z方向及びy方向に直交するx方向に沿って交互に配列されており、縞状のグリッドを構成している。第2のグリッド14は、第1のグリッド13と同様にy方向に延伸され、かつx方向に沿って交互に配列された複数のX線吸収部14a及びX線透過部14bを備えている。第2のグリッド14及び走査機構19は、本発明の強度変調手段を構成する。走査機構19は、位相コントラスト画像の撮影時に、第2のグリッド14の格子ピッチを等分割例えば、5分割した走査ピッチで、格子ピッチ方向x方向に並進移動させる機構である。第2のグリッド14を例にして、グリッドの構成を説明する。なお、第1のグリッド13は、X線吸収部13aのx方向の幅及びピッチと、z方向の厚さ等が異なる以外は第2のグリッド14とほぼ同様の構成である。そのため、第1のグリッド13についての詳しい説明は省略する。図2Aは、第2のグリッド14をX線画像検出器15の側から見た平面図である。図2Bは、同図AのA-A断面を表している。第2のグリッド14は、複数のX線吸収部14a及びX線透過部14bからなるグリッド層17と、グリッド層17を支持する導電基板第2基板18とからなる。X線吸収部14aは、例えば金、白金等のX線吸収性を有する金属からなる。X線透過部14bは、シリコン等のX線透過性を有する材質からなる。導電基板18は、第2のグリッド14の製造時に必要な導電性と、グリッド層17のグリッド性能を阻害しないX線透過性と、グリッド層17を支持する剛性とを備えた金属基板からなる。X線吸収部14aのx方向の幅W2及び配列ピッチP2は、X線源11と第1のグリッド13との間の距離、第1のグリッド13と第2のグリッド14との距離、及び第1のグリッド13のX線吸収部13aのピッチ等に応じて決定される。例えば、幅W2は、およそ2~20μmであり、ピッチP2はその倍の4~40μm程度である。X線吸収部14aのz方向の厚みT2は、X線源11から放射されるコーンビーム状のX線のケラレを考慮して、例えば100~200μm程度となっている。本実施形態の第2のグリッド14は、例えば幅W2が2.5μm、ピッチP2が5μm、厚みT2が100μmとなっている。次に、X線画像撮影システム10の作用について説明する。X線源11から放射されたX線は、被検体Hを通過することにより位相差が生じ、このX線が第1のグリッド13を通過することにより、被検体Hの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Hの透過位相情報を反映した縞画像が形成される。縞画像は、第2のグリッド14により強度変調され、例えば、縞走査法により検出される。縞走査法とは、第1のグリッド13に対し第2のグリッド14を、X線焦点を中心としてグリッド面に沿ったx方向にグリッドピッチを等分割例えば、5分割した走査ピッチで並進移動させながら、X線源11から被検体HにX線を照射して複数回の撮影を行なってX線画像検出器15により検出し、X線画像検出器15の各画素の画素データの位相のズレ量被検体Hがある場合とない場合とでの位相のズレ量から位相微分像被検体で屈折したX線の角度分布に対応を取得する方法である。この位相微分像を上記の縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Hの位相コントラスト画像を得ることができる。次に、第2のグリッド14の製造方法について説明する。なお、第1のグリッド13は、第2のグリッド14と同様に製造されるので、詳しい説明は省略する。図3は、第2のグリッド14の製造手順を示しており、図1及び図2のx方向及びz方向で規定されるxz面に沿う断面図である。図3Aに示すように、最初の工程では、グリッド層17のX線透過部14bを構成するエッチング基板第1基板20と、導電基板18とが接合される。エッチング基板20の材質は、X線吸収性が低くかつ強度を有し、加工し易いことが必要である。このような特性を満たす材質として、例えばシリコンSiが望ましいが、GaAs、Geまたは石英等を用いてもよい。エッチング基板20の厚みL1は、上述したX線吸収部14aのz方向の厚みT2に相当し、例えば20~150μmである。導電基板18は、導電性を有し、かつX線吸収の低い金属材料が望ましく、例えば、Mg、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znまたはそれらの合金、SUSなどが望ましい。また、導電基板18は、エッチング基板20との熱膨張係数差が少ないものがより望ましく、例えば、コバール、インバーなどがより望ましい。導電基板18にエッチング基板20との熱膨張係数差が小さいものを用いるのは、エッチング基板20と導電基板18との接合時の加熱による熱応力の発生を抑制し、X線照射時の温度上昇によって第2のグリッド14に歪みが生じるのを防止するためである。導電基板18の厚みL2は、第2のグリッド14の強度を確保するため、エッチング基板20よりも厚くなっており、例えば100~700μm程度である。これにより、エッチング基板20と導電基板18の合計の厚みは200μm以上となるので、取り扱いが容易となる。なお、導電基板18の厚みは、接合前は厚くしておき、接合後に研磨して所望の厚さに調整してもよい。エッチング基板20と導電基板18との接合には、熱と圧力をかけながら行う拡散接合や、高真空中で表面を活性化させて接合する常温接合等を用いることができる。またIn、AuSn等、加熱して溶融する材料を介して接着させることでも可能である。次の工程では、一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、エッチング基板20の上面に、エッチングマスクが形成される。図3Bに示すように、エッチング基板20の上面に、レジスト層22が形成される。レジスト層22は、例えば、液状レジストをスピンコート等の塗布方法によってエッチング基板20に塗布する工程と、塗布された液状レジストから有機溶剤を蒸発させるプリベーク等の工程を経て形成される。図3Cに示すように、ピッチP2を数μmとした縞模様の露光マスク24を介して、紫外線等の光がレジスト層22に照射される。次いで、同図Dに示すように、現像液によってレジスト層22の露光部分が除去される。これにより、エッチング基板20には、y方向に延伸されかつx方向に沿って配列された複数のラインパターンを有する縞模様のエッチングマスク25が形成される。エッチングマスク25の各ラインパターン及び開口部分の幅は、例えばそれぞれ2.5μmである。このフォトリソグラフィには、周知のアライナあるいはステッパーが用いられる。なお、上記レジスト層22は、ポジ型レジストであるが、露光部が残るネガ型レジストを用いてもよい。また、レジスト層によるエッチングマスクに変えて、SiO2や金属などを成膜し、これをエッチングしてエッチングマスクを形成してもよい。図3Eに示すように、次の工程では、エッチングマスク25を介したドライエッチングにより、エッチング基板20に、y方向に延伸されかつx方向に配列された複数の溝20aと、各溝20aの間に配置されるX線透過部14bとが形成される。ドライエッチングには、アスペクト比の高い溝20aの形成が可能な深堀用のドライエッチングが用いられる。深堀用のドライエッチングには、例えば、エッチングと保護膜の成膜とを交互に繰り返して行うボッシュプロセスと呼ばれる方法が用いられる。ボッシュプロセスでは、例えば、シリコンをエッチングするガスSF6と、保護膜を形成するガスC4F8とを用いてエッチングを行なう。SF6ガスでエッチングすると深さ方向だけでなく横方向にもエッチングが進むため、これだけでは深い穴や溝を形成することが出釆ない。そのため、ボッシュプロセスでは、ある時問エッチングした後でガスをC4F8に切り換えることにより、プラズマにより生成されるCFnのポリマーをエッチングされた溝内に付着させて膜を作る。そして、再びエッチング用のSF6ガスによりエッチングを行う。溝内をエッチングする際に、底面に比べ側面のエッチング速度は低いため、底面だけがエッチングされる。これを繰り返すことで深くアスペクトの高い溝を形成することができる。上記ボッシュプロセスのエッチング条件は、例えば、ガス圧力が1~10Pa、SF6とC4F8のガスを切り換える間隔は5~10s程度、パワー600wである。この条件でのエッチング速度は、例えば2μm/minであり、溝の深さは100μmである。このエッチングにはプラズマを高密度に作ることが重要であり、この方法としてICPlnductivelyCouplingPlasma、へリコン波など様々な方法がある。なお、深堀用ドライエッチングとして、ボッシュプロセス以外にクライオプロセスによるドライエッチングを用いてもよい。クライオプロセスによるドライエッチングは、エッチングする基板を-100°C以下に冷却し、SF6のガスでドライエッチングを行なう手法である。通常のドライエッチングでアスペクト比が高い形状を形成するのが難しいのは、化学的反応による等方的なエッチングが起こるためであり、クライオプロセスでは、エッチングする基板を低温にして化学的エッチングを抑制することで、高いアスペクト比のエッチングを可能にしている。ドライエッチングは、溝20aの底部に導電基板18が露出されるまで行われる。金属板からなる導電基板18は、エッチング速度がシリコンからなるエッチング基板20よりも遅いので、エッチングストップ層として機能する。したがって、エッチング基板20においてエッチング速度差による溝深さの面内不均一があっても、最終的に溝深さの面内均一性を向上させることが可能である。なお、エッチングにボッシュプロセスを用いたが、例えば、シリコン単結晶の面方位に起因したウェットエッチングによる異方性エッチングで行ってもよい。図3Fに示すように、次の工程では、導電基板18をシーズ層として用いる電解メッキ法により、溝20a内に金Au27が埋め込まれ、X線吸収部14aが形成される。この電解メッキでは、導電基板18に電流端子が取り付けられる。例えば、導電基板18の外形サイズをエッチング基板20よりも少し大きくしておけば、導電基板18とエッチング基板20とを接合しても導電基板18の外周部を露出させることができるので、その露出部分に電流端子を取り付けることができる。エッチング基板20及び導電基板18からなる接合基板は、メッキ液中に浸漬され、この接合基板と対向させた位置にもう一方の電極陽極が配置される。そして、導電基板18と他方の電極との間に電流が流されることにより、メッキ溶液中の金属イオンがパターン加工した基板に析出され、溝20a内にAu27が埋め込まれる。Au27の電解メッキには、例えばシアン金浴では、メッキ液としてKAuCN2が用いられ、pH緩衝材としてKH2PO4、KOHを添加することにより、pHが6~8とされる。そして、メッキ液の温度25~70°C、電流密度0.2~1A/cm2とし、陽極材として、PtメッキされたTiを用いる。なお、上記Auメッキの諸条件は一例であり、Auメッキは他のメッキ液、条件でも可能である。X線吸収部14aの形成後、図2Bに示すように、X線透過部14bの上からエッチングマスク25が除去される。これにより、グリッド層17と導電基板18とからなる第2のグリッド14が完成する。本実施形態によれば、エッチング基板20にシリコンを用いているので、エッチング基板20のスティッキングや、電解メッキ時の変形を防止することができ、強度が高く高精度なグリッドを製造することができる。また、電解メッキ用のシーズ層として、金属板からなる導電基板18を用いているので、電解メッキ時にシーズ層が剥がれてしまうことはない。更に、導電基板18により、第2のグリッド14を補強することができる。また、導電基板18は、エッチング基板20と同程度の熱膨張係数を有するので、エッチング基板との接合時の加熱による残留応力が生じることもない。以下では、本発明のその他の実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態では、既に説明済みの実施形態と同じ構成については、同符号を用いて詳しい説明は省略する。また、以下の各実施形態においても、第1のグリッドは、グリッドピッチ及び厚さ等が異なる以外は、第2のグリッドと同様の構成及び製造方法を用いるため、詳しい説明は省略する。[第2実施形態]第1実施形態では、グリッド層17の支持層及び電解メッキ時のシーズ層として金属板からなる導電基板18を用いたが、複数の層からなる基板を用いてもよい。図4Aは、本実施形態の第2のグリッド30を、X線画像検出器15の側から見た平面図である。図4Bは、同図AのA-A断面を表している。第2のグリッド30は、複数のX線吸収部14a及びX線透過部14bからなるグリッド層17と、導電性薄膜31及び支持基板32とからなる。導電性薄膜31及び支持基板32は、グリッド層17のグリッド性能を阻害しないX線透過性を有している。導電性薄膜31は、第2のグリッド30の製造時に電解メッキのシーズ層として用いられる。支持基板32は、グリッド層17を支持する剛性を備えている。第2のグリッド30は、第1実施形態の第2のグリッド14に代えて、X線画像撮影システム10に用いられる。X線画像撮影システム10は、第1実施形態と同様に、第2のグリッド30をx方向に並進移動させながら複数回の撮影を行なう。各撮影工程では、X線源11から被検体Hに向けてX線が放射される。第2のグリッド30は、第1のグリッド13により生成された被検体Hの縞画像を強度変調する。X線画像検出器15は、第2のグリッド30により強度変調された縞画像を検出する。また、X線画像撮影システム10は、X線画像検出器15の各画素の画素データの位相ズレ量から位相微分像を取得し、この位相微分像を縞走査方向に沿って積分することにより、被検体Hの位相コントラスト画像を生成する。このように、本実施形態の第2のグリッド30も、第1実施形態と同様に、位相コントラスト画像の撮影に用いることができる。次に、第2のグリッド30の製造方法について説明する。図5は、第2のグリッド30の製造手順を示しており、図4のxz面に沿う断面図である。図5Aに示すように、最初の工程では、エッチング基板20と、上面に導電性薄膜31が設けられた支持基板32とが接合される。導電性薄膜31は、例えば、AuまたはNi、もしくはAl、Ti、Cr、Cu、Ag、Ta、W、Pb、Pd、Pt等からなる金属膜、あるいはそれらの合金からなる金属膜から構成するのが好ましい。また、導電性薄膜31は、エッチング基板20に設けられていてもよいし、エッチング基板20と支持基板32との両方に設けられていてもよい。導電性薄膜31は、数μm程度の厚さであるため、Au等のX線吸収性の高い材質を用いた場合でもX線透過性に影響しない。支持基板32は、第1実施形態の導電基板18と同様にX線吸収性の低い材料からなるが、導電性薄膜31がシーズ層として用いられるため、導電性は不要である。支持基板32の材質には、エッチング基板20との熱膨張係数差が少ないものが望ましい。例えば、支持基板32の材質には、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、石英、アルミナ、GaAs、Ge等が望ましく、更にはエッチング基板20と同じシリコンが望ましい。ホウケイ酸ガラスとしては、例えばパイレックス登録商標ガラス、テンパックス登録商標ガラス等を用いることができる。支持基板32の材質にエッチング基板20との熱膨張係数差が少ないものを用いるのは、第1実施形態と同様に、接合時の熱応力及び使用時に歪みを防止するためである。導電性薄膜31を含む支持基板32の厚みL3は、第1実施形態の導電基板18と同様にエッチング基板20よりも厚くなっており、例えば100~700μm程度である。なお、支持基板32の厚みは、接合前は厚くしておき、接合後に研磨して所望の厚さに調整してもよい。エッチング基板20と支持基板32との接合には、熱と圧力をかけながら接合を行う拡散接合や、高真空中で表面を活性化させて接合する常温接合を用いることができる。また、エッチング基板20と支持基板32との接合には、真空中で電界と熱をかけながら行なう陽極接合や、In、AuSn等の加熱により溶融する材料を介して接着させる手法を用いてもよい。導電性薄膜31がAu、エッチング基板20及び支持基板32がシリコンという組み合わせで拡散接合を行なう場合、例えば、温度300~400°C、圧力5~40kNを掛けることができる接合装置が用いられる。この拡散接合にかかる時問は、10分程度である。エッチング基板20と支持基板32との接合後、第1実施形態で説明した工程と同じ工程が実施される。まず、図5B~Dに示すように、エッチング基板20にエッチングマスク25が形成される。次いで、同図Eに示すように、ボッシュプロセスを用いたドライエッチングによりエッチング基板20に溝20a及びX線透過部14bが形成される。同図Fに示すように、溝20a内には電解メッキ法によりAu27が埋め込まれ、X線吸収部14aが形成される。本実施形態によれば、導電性薄膜31及び支持基板32を用いて、第1実施形態と同様に高アスペクト比の構造を有する第2のグリッド30を製造することができる。また支持基板32は、第1実施形態の導電基板18のように導電性が必要ないので、材質選択の幅が広がり、よりX線吸収性が低い材質を選択することができる。[第3実施形態]上記各実施形態では、電解メッキ法を用いて溝20a内にAu27を埋め込んでいる。しかし、溝20a内の面内分布の影響により、各溝20aに対するAu27の充填度合にばらつきが生じることがある。これを解決するため、本実施形態では、図5Fの後工程である図6Gに示すように、溝20aを乗り越えてエッチング基板20の表面全体を覆うように電解メッキが行なわれている。電解メッキ後には、同図Hに示すように、エッチング基板20の表面が研磨され、溝20aからはみ出ているAu27とエッチングマスク25とが除去される。なお、ボッシュプロセスによるドライエッチングでは、表面付近にスキャロップと呼ばれる周期的な溝が顕著に現れ、溝20aの幅寸法のばらつきが大きくなるが、エッチング基板20の表面を研磨することにより、このスキャロップも解消することができる。スキャロップを解消するために行なわれるエッチング基板20の研磨厚は、例えば5μm以上であることが好ましい。また、上記スキャロップは、エッチング基板20の表面側ほどではないが、底面側にも発生するので、エッチング基板20の底面側も研磨するのが好ましい。この場合、完成後のグリッドの取り扱い性を確保するため、図6Iに示すように、エッチング基板20の表面に保護層35を設けるのが好ましい。そして、同図Jに示すように、支持基板32及び導電性薄膜31を研磨して除去し、エッチング基板20の底面側のスキャロップがなくなるように、エッチング基板20を研磨すれぼよい。保護層35の材料としては、X線吸収性が低い有機材料が好ましく、例えば、アクリル、ノボラック樹脂、ポリイミド、パリレン等が望ましい。これにより、第2実施形態よりも薄型化された第2のグリッド40を得ることができる。図7に示す第2のグリッド42のように、保護層35は、エッチング基板20の底面側の研磨後に除去してもよい。また、図8に示す第2のグリッド44のように、電解メッキ後にX線吸収部14aをマスクとしてエッチングを行い、X線吸収部14aの間のX線透過部14bを除去してもよい。これらによれば、支持基板32あるいはX線透過部14bの分だけ、X線の透過性を向上させることができる。なお、図7に示すように、支持基板32を除去した場合でも、エッチング基板20の厚みが100μm以上であれば、基板として必要な剛性を維持することができる。[第4実施形態]上記各実施形態では、第2基板であるエッチング基板20にシリコンを用いたが、シリコンが導電性を有する場合、電解メッキ時にエッチング基板20自体がシーズ層として機能してしまい、溝20a内へのAu27の析出が不十分になることがある。溝20a内のAu27の充填量が異なると、グリッド内のX線吸収能が不均一になり、グリッドの性能が低下してしまう。例えば、エッチング基板20が導電性を有する場合、図9Aに示すように、電解メッキによるAu27の充填は、エッチング基板20の下の導電性薄膜31側からではなく、エッチング基板20の表面から始まってしまう。そして、エッチング基板20の表面から始まった電解メッキは、同図Bに示すように、そのまま横方向に広がり、溝20aの底部が埋まらないまま上方に向けてメッキが進んでしまう。また、エッチング基板20の導電性が比較的低い場合には、図10Aに示すように、導電性薄膜31側とエッチング基板20の表面側とから同時に電解メッキが始まり、同図Bに示すように、溝20a内の中間部分にボイドVが生じてしまう。上記問題を解決するため、本実施形態の第2のグリッド46は、図11に示すように、非導電性のシリコン、または比抵抗値が100Ωcm以上のシリコンからなるエッチング基板47を用いている。これによれば、電解メッキ時にエッチング基板47の導電性に影響を受けないので、エッチング基板47の溝47a内に、導電性薄膜31側からAu27を充填することができる。また、比抵抗値が100Ωcm以上のシリコンは、不純物を含まない高純度なシリコンであるため、X線透過部14bのX線透過性を向上することができる。[第5実施形態]第4実施形態では、エッチング基板に比抵抗値が100Ωcm以上のシリコンを用いたが、図12に示す本実施形態の第2のグリッド50のように、エッチング基板20の表面に絶縁層51を形成し、事後的にエッチング基板20の比抵抗値を高くしてもよい。エッチング基板20の表面全域に絶縁層51を設けるには、例えば、SiO2やSi3N4等の絶縁材料をプラズマCVDによってエッチング基板20の表面に成膜する。また、溶液中で導電性薄膜31に電流を流し、エッチング基板20の表面を陽極酸化させてもよい。エッチング基板20の表面の一部に絶縁層51を設ける場合には、例えば、スパッタ、蒸着等によってSiO2を成膜してもよい。メッキ液の溝20a内への流れを円滑にするため、溝20aの表面はメッキ液に対して親液性を有することが望ましい。特に、多くのメッキ液は水溶液であるので、溝20aの表面は親水性を有することが望ましい。通常、大気中に放置するだけで大気中の油分の付着により親水性が阻害されるので、親水性の改善のため、O2プラズマなどで油分の灰化が行われるが、溝20aが深いとその効果は十分でない。そのため、エッチング基板20の表面に形成する絶縁層51に、絶縁性とともに親水性を有する材料、例えば、TiO2またはZnO、あるいはそれらいずれかを含む絶縁材料を用いるのがより好ましい。特に、TiO2は、紫外線を照射することで親水性が増加することが知られているため、絶縁層51の材料としてより望ましい。なお、絶縁層51は、エッチング基板20の全表面を覆わなくともよく表面部の一部だけ覆っていてもよい。絶縁層51は、シリコンにドーピングを行なうイオン注入装置を用いてエッチング基板20に所定の角度からイオン注入を行い、エッチング基板20の表面にダメージを与えて導電性を下げることにより形成してもよい。例えば、イオンビームの照射角度をエッチング基板20の溝20aの深さ方向に対して1度とし、イオン源に水素を用い、イオンビームのエネルギを300keV、幅3μm程度として、エッチング基板20を回転させながらイオン注入を行なうことにより、エッチング基板20の表面全域に絶縁層51を形成することができる。本実施形態を用いて製造された第2のグリッド50は、溝20aの内壁に絶縁層51を有することになるので、Au27のエッチング基板20への拡散を抑止することができる。[第6実施形態]第2実施形態等では、シリコンからなるエッチング基板20とAuからなる導電性薄膜31との接合に、400°C程度の低温下での拡散接合を用いている。しかし、この拡散接合では、Auの成膜による凹凸や、接合温度が低いために表面の残留物の除去が不十分になること、更にはAuの拡散による凝集などが生じることにより、エッチング基板20と導電性薄膜31との間にボイドが発生することが分かっている。エッチング基板20と導電性薄膜31との間にボイドが発生すると、導電性薄膜31からグリッド層17が剥がれやすくなり、剥がれた部分が画像欠陥の原因となるため、グリッドの品質に大きな影響を及ぼしてしまう。上記問題を解決するため、本実施形態では、導電基板または導電性薄膜にエッチング基板と同じ材質の半導体を用いている。以下、本実施形態について詳述する。図13Aに示すように、本実施形態の第2のグリッド55図13B参照には、第1実施形態と同様に、エッチング基板56と導電基板57とが用いられている。エッチング基板56及び導電基板57は、ともにシリコンから構成されている。導電基板57は、電解メッキ時にシーズ層として機能させるため、不純物がドープされた半導体シリコンとなっている。不純物のドープ量は、例えば、1×1018cm-3程度であり、また、ドープする不純物としては、放射線吸収性の低い物質、すなわち原子番号が小さい元素が好ましい。エッチング基板56は、第4実施形態と同様に、導電基板57よりも高い比抵抗値、例えば100Ωcm以上を有する高抵抗シリコンからなる。ここで、本実施形態における半導体とは、抵抗率が10-4~1012Ωcmの範囲内を示し、10-4Ωcm以下を導体金属と定義する。エッチング基板56と導電基板57との接合には、例えば、シリコン同士の接合方法として一般的な直接接合が用いられる。この直接接合では、酸などの化学薬品と純水を用いてエッチング基板56と導電基板57との表面処理を行い、両者を重ね合わせた状態で熱処理することにより強固に接合することができる。直接接合の熱処理には、1000°C程度の高温が用いられるため、残留物の低減とシリコンの優れた平坦性により、ボイドの発生はかなり低減される。エッチング基板56に溝56aを形成するエッチング工程は、図3B~Eに示す第1実施形態と同様であるため、詳しい説明は省略する。図13Bに示すように、電解メッキ工程では、導電基板57がシーズ層として用いられ、第1実施形態と同様に溝56a内にAu27が充填される。上述したように、導電基板57の表面には接合にともなう凹凸が生じていないので、凹凸を原因とするボイドの発生は少なくなる。また、エッチング基板56に高抵抗シリコンを用いているので、図9に示すように、エッチング基板56の表面側からAu27の充填が始まることもない。これにより、溝56a内のボイドを原因とする画像欠陥を防止することができる。本実施形態では、エッチング基板56を高抵抗シリコンとしたが、第5実施形態と同様に、エッチング工程後にエッチング基板の表面を絶縁化し、あるいはエッチング基板の表面にSiO2等の絶縁層を設けてもよい。更に、導電基板57からメッキのための電流端子をとるに際して、電流端子と半導体の導電基板57との間で電流障壁が形成され電流が流れにくくなる場合がある。この際には、例えば導電基板57の電流端子をとる部分にオーミック接触がとれる金属を蒸着等によって成膜し、熱処理を行うことで対応してもよい。導電基板57の導電型がp型の場合には、例えば、Al、Cu、Ptなどを蒸着し、数百度の熱処理を行うことにより、オーミック接触が可能な端子を形成することができる。[第7実施形態]図14に示す本実施形態の第2のグリッド60のように、シリコンで構成されたエッチング基板61及び導電基板62を、それぞれを一導電型半導体基板n型半導体と、反対導電型半導体基板p型半導体から構成してもよい。これによれば、エッチング基板61と導電基板62とが逆バイアス接続となり、導電基板62からエッチング基板61に電流が流れなくなるので、エッチング基板61の表面側から溝61a内にメッキが始まるのを防止することができる。エッチング基板61及び導電基板62を半導体とするためにドープされる不純物の量は、例えば、1×1016cm-3以上であり、ドープ後の抵抗値は、例えば100Ωcm以下であることが好ましい。また、ドープする不純物としては、放射線吸収性の低い物質、すなわち原子番号が小さい元素が好ましい。なお、導電基板62を陽極にするような電解メッキ方法があれば、エッチング基板61と導電基板62との極性を逆にしてもよい。第1グリッド及び第2のグリッドは、X線の照射によりAu27が発熱したときに、Au27がエッチング基板及び導電基板に拡散することがある。Au27がエッチング基板及び導電基板に拡散すると、Au27のX線吸収性と、エッチング基板及び導電基板のX線透過性とが低下してしまい、グリッドとしての性能が低下する。しかしながら、本実施形態では、エッチング基板61及び導電基板62に、不純物がドープされたp型及びn型の半導体シリコンを用いているので、不純物がドープされていないシリコンに比べてAu27の拡散を抑止することができる。これにより、Au27の発熱によるグリッドの性能低下を防止することができる。[第8実施形態]図15に示すように、第7実施形態の第2のグリッド60から導電基板62を除去し、X線吸収部14aとn型半導体のX線透過部14bとからなる第2のグリッド65を構成してもよい。また、図16に示すように、第7実施形態の第2のグリッド60にX線吸収部14aをマスクとしてエッチングを行い、X線吸収部14aの間のX線透過部14bを除去することにより、p型半導体の導電基板62とX線吸収部14aとからなる第2のグリッド67を構成してもよい。これらによれば、エッチング基板61あるいは導電基板62の分だけ、X線の透過性を向上させることができる。また、不純物がドープされた半導体がAu27の拡散を抑止するので、グリッドとしての性能低下を防止することができる。[第9実施形態]第7実施形態では、導電基板を用いたグリッドを例に説明したが、図17に示す第2のグリッド70のように、エッチング基板71及び導電性薄膜72をn型半導体シリコン及びp型半導体シリコンによって構成し、支持基板73をガラス等の絶縁体によって構成してもよい。これによれば、導電性薄膜を用いた場合でも、p型及びn型半導体によるAu27の拡散抑止効果を得ることができる。また、第6実施形態と同様に、エッチング基板71及び導電性薄膜72を高抵抗シリコン及び半導体シリコンにしてもよい。更に、第8実施形態と同様に、メッキ工程後に導電性薄膜72及び支持基板73、あるいはX線透過部14bを除去してもよい。第6~9実施形態では、半導体シリコンを用いたが、不純物をドープしたGe、GaAs、InP、GaP、SiC、IGZOのいずれかを用いてもよいし、ペンタセン、パーフルオロフタロシアニン等の有機半導体を用いてもよい。[第10実施形態]上記第2実施形態では、支持基板32に導電性薄膜31を設けたが、図18に示すように、エッチング基板75と支持基板76との接合面にそれぞれ第1導電性薄膜77及び第2導電性薄膜78を形成し、第1及び第2導電性薄膜77、78同士を接合させてシーズ層79を形成してもよい。第1導電性薄膜77と第2導電性薄膜78との接合には、上記各実施形態と同様に、拡散接合、常温接合または陽極接合等を用いることができる。エッチング基板75と支持基板76とを接合する際に、第1導電性薄膜77または第2導電性薄膜78にゴミが残留している場合がある。また、第1及び第2導電性薄膜77、78の表面に凹凸が生じている場合、もしくは第1及び第2導電性薄膜77、78が吸収していたガスが接合時の熱によって放出されることもある。図18に示すように、エッチング基板75と支持基板76との接合時に、第1導電性薄膜77と第2導電性薄膜78との間にゴミまたはガス等の異物80が挟み込まれた場合、または、第1及び第2導電性薄膜77、78の表面に凹凸がある場合には、図19A及びその平面図である同図Bに示すように、シーズ層79内にボイドV1、V2が生じることがある。このボイドV1、V2は、1~10mm程度の大きさにまで及ぶことがあり、数μmのグリッドピッチに比べると非常に大きなものとなる。例えば、シーズ層79内にボイドV1、V2が発生している状態でエッチング基板75を薄くするために研磨すると、図20A、Bに示すように、ボイドV1の部分でエッチング基板75が剥がれてしまうことがある。また、研磨時にボイドV2の部分でエッチング基板75が剥がれなかったとしても、図21A、Bに示すように、エッチング基板75に溝75a及びX線透過部14bを形成したときに、ボイドV2による応力によって、ボイドV2の上にあるX線透過部14bがシーズ層79から離れてしまうことがある。図22は、図21BのボイドV2の部分を拡大した平面図であるが、X線透過部14bがシーズ層79から離れることにより、X線透過部14bに歪みが生じてしまう。ボイドV1、V2によるグリッドの欠陥は、ミリメータサイズにまで及ぶことが多いため、使用不可能な製造不良となり、グリッドの製造得率が低下してしまう。上記問題を解決するため、本実施形態では、図23に示すように、支持基板81の第2導電性薄膜82に、微小なサイズの多数の凹部83を形成している。この凹部83は、位相コントラスト画像への影響を考慮して、X線画像検出器15のx方向及びy方向の画素サイズ例えば150μm角以下が好ましく、例えば直径50μm、深さ0~10μmであり、その間隔は例えば500μm以上が好ましい。本実施形態によれば、第1導電性薄膜77と第2導電性薄膜82との間に生じたボイドは、多数の凹部83により分散して吸収されるので、ミリメータサイズの大きなボイドが発生しなくなる。したがって、大きなボイドを原因とするエッチング基板75の剥落や、X線透過部14bの歪みの発生を防止することができる。また、凹部83により第1導電性薄膜77と第2導電性薄膜82との接触面積が減少するため、両者の接触部分に接合時にかかる荷重が増え、接合力が高められる。凹部83は、図示しないエッチングマスクを介して支持基板81に多数の凹部81aをエッチングによって形成し、この支持基板81の上に、蒸着等によってAu等からなる導電性薄膜82を成膜して形成されている。なお、図24に示すように、支持基板85の上に成膜した導電性薄膜86にエッチングマスクを介してエッチングを行い、多数の凹部87を形成してもよい。この凹部87の直径、深さ及び間隔も、上記凹部83と同程度であることが好ましい。[第11実施形態]図25は、エッチング基板90、シーズ層91及び支持基板92からなる層構造に対し、エッチング基板90に溝90a及びX線透過部14bが形成された状態を示している。本実施形態では、第10実施形態の円形状の凹部83に代えて、X線透過部14bの配列方向x方向に沿って設けられた複数のライン状の凹部93を備えている。図26A及びその平面図である同図Bに示すように、凹部93は、図示しないエッチングマスクを介してエッチング基板90に多数の凹部90bをエッチングによって形成し、エッチング基板90の凹部90bが設けられている面上に、蒸着等によってAu等からなる第1導電性薄膜95を成膜することにより形成されている。シーズ層91は、第1導電性薄膜95と、支持基板92に設けられた第2導電性薄膜96とからなる。本実施形態においても、エッチング基板90と支持基板92とを接合する際に第1導電性薄膜95と第2導電性薄膜96との間に生じたボイドは、多数の凹部93により分散して吸収されるので、ボイドを原因とするエッチング基板90の剥落や、X線透過部14bの歪みの発生を防止することができ、エッチング基板90と支持基板92との接合力を高めることもできる。図27Aは、エッチング基板90に溝90a及びX線透過部14bを形成した状態を表す平面図であり、同図B、CはそのA-A断面及びB-B断面である。これらの図に示すように、シーズ層91は、各X線透過部14bに設けられた凹部90b内に入り込み、X線吸収部14a及びX線透過部14bがシーズ層91から剥がれるのを防止するアンカー層としても機能する。なお、シーズ層91をAuにより形成した場合、X線吸収部14a及びX線透過部14bの剥がれを防止するアンカー層として剛性が不足することも考えられる。その場合には、図28に示すように、エッチング基板90に形成する第1導電性薄膜98を、Ni等の剛性が高い第1層98aと、Auからなる第2層98bによって構成し、シーズ層によるアンカー効果を高めてもよい。[第12実施形態]図29は、エッチング基板100、シーズ層101及び支持基板102からなる層構造に対し、エッチング基板100に溝100a及びX線透過部14bが形成された状態を示している。本実施形態では、第10実施形態のシーズ層91に代えて、エッチング基板100とシーズ層101との間に、粗面状のアンカー層103を備えている。アンカー層103は、エッチング基板100の下面全域に設けられており、X線吸収部14a及びX線透過部14bの接合面積を増加させることによって、第10実施形態のシーズ層91よりも高いアンカー効果を発揮する。アンカー層103は、次のような手順で形成される。図30Aに示すように、エッチング基板100の下面に凹凸の高さが0.1~10μm程度の粗面100bを形成し、この粗面100b上にアンカー層103をスパッタあるいはメッキ等によって形成する。アンカー層103には、低X線吸収性かつ高剛性であり、エッチング基板100にドライエッチングを行なう際に用いられるエッチング液及びガスに耐性を有する導電性材料が用いられる。アンカー層103の材質には、例えば、Ni、ステンレス等が好ましい。図30Bに示すように、次の工程では、アンカー層103の下面がCMP等により研磨され、平坦化される。同図Cに示すように、次の工程では、アンカー層103の下に凹部104を有する第1導電性薄膜105が形成される。同図Dに示すように、次の工程では、エッチング基板100と、第2導電性薄膜を有する支持基板102とが接合され、シーズ層101が形成される。その後、図29に示すように、上記各実施形態と同様に、エッチング基板100に溝100a及びX線透過部14bが形成され、電解メッキにより溝100a内にAuが充填され、X線吸収部14aが形成される。アンカー層103は、シーズ層101とともに電解メッキ時の電極として用いられる。なお、エッチング基板と支持基板との接合に拡散接合を用いる場合、エッチング基板と支持基板の接合面に金属層が必要であるが、陽極接合の場合は、片側に金属層があればよい。したがって、エッチング基板と支持基板とを陽極接合する場合には、図31に示すように、エッチング基板100側にのみシーズ層101を形成してもよい。ただし、陽極接合では、金属層と接合される基板にナトリウムを含有している必要があるので、支持基板107をテンパックスガラスまたはパイレックスガラスなどのホウケイ酸ガラスによって形成するのが好ましい。また、接合面にホウケイ酸ガラス膜が形成された支持基板を用いてもよい。[第13実施形態]図32Aは、第2実施形態において、エッチング基板20に溝20a及びX線透過部14bが形成された状態を示している。第2のグリッドは、X線透過部14bのピッチが数μm、X線の進行方向の厚みが数十~百数十μmという微細で高アスペクト比な構造を有する。したがって、溝20aを形成した後のエッチング基板20は、板状のX線透過部14bがx方向に複数枚並んでいるような状態となる。例えば、X線リソグラフィを用いて溝20aを形成した場合、現像時の溶液の揺動、乾燥時の水の表面張力等により、同図Bに示すように、X線透過部14bが倒れて隣のX線透過部14bに当接するスティッキングが発生しやすくなる。X線透過部14bのスティッキングは、メッキの不均一成長によっても発生する。例えば、成長の早い部分と遅い部分とが隣り合っていると、成長の早い部分がX線透過部14bを押し倒してしまう。溝20aが変形すると、X線吸収部14a及びX線透過部14bのピッチが不均一になり、第2のグリッドの性能が低下してしまう。上記問題点を解決するため、本実施形態の第2のグリッド110は、図33に示すように、X線透過部14bの間の溝20a内に、隣接されたX線透過部14bを連結する複数の透過部用ブリッジ部111を設けている。透過部用ブリッジ部111は、エッチング基板20によってX線透過部14bと一体に設けられており、X線吸収部14bを分断するように、溝20aの開口側から底面側の全域に配置されている。透過部用ブリッジ部111は、X線透過部14bの間隔を維持するので、第2のグリッド110の強度が向上する。透過部用ブリッジ部111は、図5Dに示すエッチングマスク25に、透過部用ブリッジ部111の形状を規定するブリッジパターンを一緒に形成し、そのエッチングマスク25を介してエッチング基板20をエッチングすることにより形成することができる。図34に示すように、エッチング後のエッチング基板20には、複数の溝20a及びX線透過部14bとともに、複数の透過部用ブリッジ部111が一体に形成される。エッチング基板20のエッチング終了後、第2実施形態と同様に、電解メッキによって溝20a内にAu27が充填され、図33に示す第2のグリッド110が形成される。X線透過部14bは、透過部用ブリッジ部111によって連結されているので、電解メッキ時にX線透過部14bにスティッキングが発生することはない。透過部用ブリッジ部111の幅Fと、溝20aの幅W2との関係は、F≧W2であることが好ましい。また、透過部用ブリッジ部111のy方向のピッチUは、短すぎると透過部用ブリッジ部111の個数が多くなり、X線吸収部14aのX線吸収能が低下するので、例えば溝20aの幅W2の5倍以上であることが好ましい。[第14実施形態]第13実施形態では、溝20aの開口側から底部まで達する透過部用ブリッジ部111を設けたが、溝20aの開口側だけに透過部用ブリッジ部を設けてもよい。図35に示すように、本実施形態の第2のグリッド115は、X線透過部14bの上に、エッチング基板20のエッチングに用いられたエッチングマスク116が設けられている。エッチングマスク116には、隣接されたX線透過部14bを連結する透過部用ブリッジ部である、ブリッジパターン117が一体に設けられている。ブリッジパターン117のy方向の幅F及びピッチUは、第13実施形態と同様とされている。ブリッジパターン117は、X線透過部14bの間隔を維持するので、第2のグリッド115の強度を向上することができる。ブリッジパターン117の形成方法について説明する。図36に示すように、支持基板32と接合された後のエッチング基板20上に、液状レジストの塗布、露光及び現像等によって、エッチングマスク116が形成される。エッチングマスク116には、y方向に延びかつx方向に沿って配列された複数のラインパターン118と、各ラインパターン118間を連結する複数のブリッジパターン117とが設けられている。図36は、エッチングマスク116の最小構成を表しており、実際は多数のブリッジパターン117及びラインパターン118を有している。図37は、図36のA-A断面を左列に、B-B断面を右列に表しており、同図Aは、エッチングマスク116が形成された後のA-A断面及びB-B断面を表している。同図Bに示すように、次の工程では、エッチングマスク116を介してボッシュプロセスまたはクライオプロセスによりエッチング基板20がエッチングされ、x方向に沿って配列された複数の溝20a及びX線透過部14bが形成される。ボッシュプロセスまたはクライオプロセスでは、垂直性の高い形状を形成することができるが、ある程度のサイドエッチングが発生する。例えば100μmの深さをエッチングすると0.5μm程度のサイドエッチングが生じる。したがって、ブリッジパターン117のy方向の幅Fを適切に設定することにより、ブリッジパターン117の下のシリコンを除去することができる。図38に示すように、エッチング後のエッチング基板20には、複数の溝20a及びX線透過部14bが一緒に形成され、各X線透過部14bは、複数のブリッジパターン117によって連結される。エッチング基板20のエッチング終了後、第1実施形態と同様に、電解メッキによって溝20a内にAu27が充填され、図35に示す第2のグリッド115が形成される。X線透過部14bは、ブリッジパターン117によって連結されているので、電解メッキ時にX線透過部14bにスティッキングが発生することはない。[第15実施形態]第14実施形態では、エッチングマスク116のブリッジパターン117によりX線透過部14bを連結したが、エッチングマスクを構成するレジストでは強度が低いことが考えられる。そこで、エッチング基板とエッチングマスクとで構成した透過部用ブリッジ部を設けてもよい。図39に示すように、本実施形態の透過部用ブリッジ部120は、X線透過部14bと一体に設けられた連結部121と、連結部121の上部に設けられた補強部材であるブリッジパターン122とを含んでいる。以下、透過部用ブリッジ部120の形成方法について説明する。図40に示すように、支持基板32が接合された後のエッチング基板20上に、x方向に延びかつy方向に沿って配列された複数の帯状のブリッジ用マスク123が液状レジストの塗布、露光及び現像等によって形成される。ブリッジ用マスク123は、2点鎖線で示すように、エッチングによってエッチング基板20に形成される溝20aを跨いでX線透過部14b間を連結するように配置されている。なお、図40は、1つのブリッジ用マスク123を表しているが、実際は多数のブリッジ用マスク123がエッチング基板20上に形成されている。図41は、図40のA-A断面を左列に、B-B断面を右列に表している。同図Aは、ブリッジ用マスク123が形成された後のA-A断面及びB-B断面を表している。図41Bに示すように、次の工程では、ブリッジ用マスク123を介して、ボッシュプロセスによりエッチング基板20が厚み方向の途中までエッチングされる。次いで、図41Cに示すように、蒸着等によってSiO2等からなる絶縁層125がエッチング基板20上に形成される。同図Dに示すように、絶縁層125は、図示しないエッチングマスクを介してエッチングされる。これにより、図42に示すように、エッチング基板20上には、x方向に延びかつy方向に沿って配列された複数のラインパターン127と、各ラインパターン127間を連結しかつブリッジ用マスク123を覆う複数のブリッジパターン122とからなるエッチングマスク129が形成される。図41Eに示すように、エッチングマスク129を介してボッシュプロセスによりエッチング基板20がエッチングされ、y方向に沿って配列された複数の溝20a及びX線透過部14bが形成される。この場合、ブリッジ用マスク123がラインパターン127にオーバーラップしているため、このオーバーラップ部分のサイドエッチングは抑えられ、ブリッジ用マスク123の下のシリコンは除去されずに残り、X線透過部14bを連結する連結部121となる。これにより、連結部121と、この連結部121を補強する補強部材であるブリッジパターン122及びブリッジ用マスク123とが、X線透過部14b間を連結する透過部用ブリッジ部120として機能する。[第16実施形態]第13、第14実施形態では、溝20aの開口側に透過部用ブリッジ部を設けたが、図43に示すように、溝20a内の底部に配置された透過部用ブリッジ部135を設けてもよい。以下、透過部用ブリッジ部135の形成方法について説明する。図44に示すように、本実施形態では、支持基板32が接合された後のエッチング基板20の上面に、蒸着等によってSiO2等からなる第1絶縁層136が厚さdで形成される。次いで、図45に示すように、第1絶縁層136の上には、y方向に延びかつx方向に沿って配列された複数のラインパターン137を有する第1エッチングマスク138が、液状レジストの塗布、露光及び現像等によって形成される。図46は、図45のA-A断面を左列に、B-B断面を右列に表しており、同図Aは、第1エッチングマスク138が形成された後のA-A断面及びB-B断面を表している。なお、B-B断面は、上記透過部用ブリッジ部135が形成される位置の断面であり、A-A断面は透過部用ブリッジ部135が設けられない位置の断面である。図46Bに示すように、次の工程では、第1絶縁層136が第1エッチングマスク138を介してエッチングされ、第1絶縁層136からなるラインパターンが形成される。第1エッチングマスク138は、第1絶縁層136のエッチング後に除去される。次いで、同図Cに示すように、エッチング基板20とエッチング後の第1絶縁層136との上に、第1絶縁層136と同様に第2絶縁層139が厚さdで形成される。これにより、第1絶縁層136と第2絶縁層139とが積層された部分の厚みは、2dとなる。なお、第1絶縁層136の厚さを2dにし、エッチングを厚さの半分dで止めるハーフエッチングをしてもよい。図46D及び図47に示すように、次の工程では、第2絶縁層139の上に、第1エッチングマスク138と同様のラインパターン140と、B-B断面の位置で各ラインパターン140を連結するブリッジパターン141とを有する第2エッチングマスク142が、第1エッチングマスク138と同様に形成される。図48Eに示すように、次の工程では、第2絶縁層139が第2エッチングマスク142を介してエッチングされる。これにより、エッチング基板20の上面には、第1絶縁層136と第2絶縁層139とが積層されたラインパターン143と、第2絶縁層139からなるブリッジパターン144とからなる第3エッチングマスク145が形成される。第2エッチングマスク142は、第3エッチングマスク145の形成後に除去される。図48F、Gに示すように、次の工程では、第3エッチングマスク145を介してボッシュプロセスによりエッチング基板20がエッチングされる。このエッチングでは、エッチング基板20だけでなく、第3エッチングマスク145もある割合でエッチングして薄くしていき、ラインパターン143とブリッジパターン144との厚み差によるエッチング速度差を利用して先にブリッジパターン144を消失させ、ブリッジパターン144の下に透過部用ブリッジ部135を形成する。エッチング基板20が所定深さだけエッチングされたときにブリッジパターン144を消失させるための条件は、エッチング基板20の材質であるシリコンと第3エッチングマスク145の材質であるSiO2との選択比をA、シリコンのエッチングを行なう目標深さをt、シリコンが目標深さtだけエッチングされるときにSiO2がエッチングされるエッチング割合をB、ブリッジパターン144の厚みをdとしたとき、式d=B×t/Aにより求めることができる。例えば、選択比A=1000、目標深さt=100μm、エッチング割合B=0.3としたとき、ブリッジパターン144の厚みdは、d=30nmとなる。このように設定すると、エッチング基板20を30μmの深さまでエッチングしたときにブリッジパターン144が消失してその下のシリコンのエッチングが始まり、結果として溝20a内には、高さ30μmの透過部用ブリッジ部135が形成される。[第17実施形態]第16実施形態では、溝20aの底部に透過部用ブリッジ部135を設けたが、図49に示すように、溝20a内の中間位置に透過部用ブリッジ部150を設けてもよい。以下、透過部用ブリッジ部150の形成方法について説明する。図50に示すように、本実施形態では、エッチング基板20の上面に、x方向に延びかつy方向に沿って配列された複数の透過部用ブリッジ部150をSiO2によって形成する。透過部用ブリッジ部150は、例えば、エッチング基板20の上面にSiO2層を形成し、透過部用ブリッジ部150と同一形状のパターンを備えたエッチングマスクを介してSiO2層をエッチングすることにより形成される。2点鎖線は、エッチング基板20に形成される溝20a及びX線透過部14bであり、透過部用ブリッジ部150はこれらを貫通するように形成される。図51は、図50のA-A断面を表しており、同図Aは、透過部用ブリッジ部150が形成された後のA-A断面を表している。同図Bに示すように、次の工程では、エッチング基板20の膜成長例えばCVDあるいはシリコン基板の接合及び研磨により、透過部用ブリッジ部150がエッチング基板20内に埋め込まれる。同図Cに示すように、次の工程では、エッチング基板20の下面に支持基板32が接合される。図51D及び図52に示すように、次の工程では、エッチング基板20の上面に、y方向に延びかつx方向に沿って配列された複数のラインパターン151を有するエッチングマスク152が、液状レジストの塗布、露光及び現像等によって形成される。次に、同図Eに示すように、エッチングマスク152を介してボッシュプロセスによりエッチング基板20がエッチングされ、x方向に沿って配列された複数の溝20a及びX線透過部14bが形成される。第16実施形態と同様に、このエッチング時にもサイドエッチングによって透過部用ブリッジ部150の下のシリコンが除去される。これにより、透過部用ブリッジ部150は、各X線透過部141bを貫通するように配置される。なお、透過部用ブリッジ部150の幅は、サイドエッチングが0.5μmであるとき、例えば0.8μmであることが好ましい。透過部用ブリッジ部150は、エッチング基板20のエッチングでは消失しないように設けられている。例えば、エッチング基板20の材質であるシリコンと透過部用ブリッジ部150の材質であるSiO2との選択比が1000であるとき、透過部用ブリッジ部150の厚みを100nm以上にすれば、目標深さ100μmまでエッチング基板20をエッチングしても透過部用ブリッジ部150は消失させずに残すことができる。[第18実施形態]上記各実施形態では、全てのX線透過部14bを透過部用ブリッジ部によって連結したが、X線透過部14bをx方向の複数本ごとに透過部用ブリッジ部によって連結してもよい。例えば、第13実施形態の第2のグリッド110を例に説明すると、図53Aに示すように、3本のX線透過部14bを1組として透過部用ブリッジ部111により連結してもよいし、同図Bに示すように、5本のX線透過部14bを1組として透過部用ブリッジ部111により連結してもよい。なお、ブリッジ部により連結するX線透過部14bの本数は、3本または5本に限定されるものではなく、その他の本数であってもよい。また、上記各実施形態では、ブリッジ部をx方向、すなわちX線透過部14bの配列方向に沿って直線状に配列したが、図54に示すように、透過部用ブリッジ部155をx方向において千鳥状に配列してもよい。また、図55に示すように、透過部用ブリッジ部160をx方向に対して斜めに配列してもよい。更には、図56に示すように、透過部用ブリッジ部165のy方向のブリッジピッチUを一定に維持しながら、x方向で隣接する透過部用ブリッジ部165間のy方向の間隔がk1~k3のようにランダムになるように配置してもよい。第2のグリッドの性能低下を小さくするという観点からすれば、X線遮蔽能力が低くなる位置が一定にならないようにすることができるので、透過部用ブリッジ部165をランダムに配置するのが好ましい。なお、ブリッジピッチUもランダムにしてもよい。また、図56に示す透過部用ブリッジ部165のブリッジピッチUを、所定の中心値aからある範囲b内で分布する値a±b/2としてもよい。例えば、中心値aを30μm、範囲bを10μmとしたとき、ブリッジピッチUは、25μm~35μmの範囲内となる。また、ブリッジピッチUは、整数の倍数にならない素数としてもよい。この場合、25μm以上で、例えばX線画像検出器15のx方向及びy方向の画素サイズ例えば150μm角以下の素数を順に、あるいはランダムに用いてもよい。また、例えば0、1、3、5、7、11、13、17、19までの素数を、基準となるブリッジピッチUの開始値25μmに加算し、その加算した値25、26、28、30、32を順に、あるいはランダムに用いてもよい。[第19実施形態]第13~第18実施形態では、グリッドのX線透過部14b間を連結する透過部用ブリッジ部について説明したが、グリッドにX線吸収部14a間を連結する吸収部用ブリッジ部を設けてもよい。図57Aは、本実施形態の第2のグリッド170をX線画像検出器15の側から見た平面図であり、同図Bは同図AのA-A断面を表している。また、図58は、第2のグリッド170の斜視図を表している。第2のグリッド170は、X線透過部14bを連結する複数の透過部用ブリッジ部171と、X線吸収部14aを連結する複数の吸収部用ブリッジ部172とを備えている。透過部用ブリッジ部171は、X線透過部14bと同じ材質によって一体に設けられており、第2のグリッド170の強度を向上させる。吸収部用ブリッジ部172は、X線吸収部14aと同じ材質によって一体に設けられており、透過部用ブリッジ部171と同様に第2のグリッド170の強度を向上させる。なお、透過部用ブリッジ部171は、第13実施形態と同じ構成であるため、詳しい説明は省略する。吸収部用ブリッジ部172のy方向の幅Eは、X線吸収部14aの幅と同じか、またはX線吸収部14aの幅W2よりも大きくされている。また、吸収部用ブリッジ部172のy方向の配置ピッチSは、例えば、X線画像検出器15の1画素のサイズ例えば、150μm以下であり、より好ましくは、X線吸収部14aの幅W2の5倍以上となっている。これは、吸収部用ブリッジ部172による位相コントラスト画像への影響をできるだけ小さくするためである。また、X線画像検出器15の1画素内に占める吸収部用ブリッジ部172の面積の割合は、20以下とされている。これは、1画素内に占める吸収部用ブリッジ部172の面積が大きくなりすぎると、X線透過能が低下するためである。X線透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172の配置は、例えばx向において千鳥状に配置されている。次に、第2のグリッド170の製造方法について説明する。第2実施形態と同様に、エッチング基板20と支持基板32との接合、エッチングマスクの形成、溝20a及びX線透過部14bの形成、及び電解メッキによるX線吸収部14aの形成の各工程によって製造される。これらの工程のうち、第2実施形態と異なっているのは、エッチングマスクの形態であり、エッチングマスクには、第13実施形態と同様に、透過部用ブリッジ部171の形状を規定するパターンと、吸収部用ブリッジ部172の形状を規定するパターンとが設けられている。図59は、エッチング後のエッチング基板20の形状を示している。エッチング基板20には、溝20a、X線透過部14b及び透過部用ブリッジ部171とともに、吸収部用ブリッジ部172を構成する連結用溝174が形成されている。連結用溝174は、電解メッキによってAuが充填されることによりX線吸収部14aを構成する。また、連結用溝174は、溝20aの間を連結しているので、溝20a内のメッキ液の流動性が向上する。これにより、溝20a内でのメッキ液の滞留によるメッキの不均一成長を防止することができる。本実施形態では、X線吸収部14aと同じ高さを有する吸収部用ブリッジ部172を設けたが、図60Aに示すように、X線の照射方向の入射側であるX線吸収部14aの上部のみが連結されるように吸収部用ブリッジ部175を設けてもよい。吸収部用ブリッジ部175は、溝20aの形成時に、吸収部用ブリッジ部175が形成される連結用溝175aを同時に形成し、この連結用溝175a内に溝20aと同時に金を充填することにより形成することができる。図60Bに示すように、X線の照射方向において、X線吸収部14aの中間部分を連結する吸収部用ブリッジ部176を設けてもよい。吸収部用ブリッジ部176は、エッチングによる溝形成と、電解メッキによる金の充填と、蒸着等によるシリコンの堆積とを組み合わせることによって形成することができる。図60Cに示すように、X線の照射方向の出射側であるX線吸収部14aの底部を連結する吸収部用ブリッジ部177を設けてもよい。吸収部用ブリッジ部177は、エッチング基板20の底面にエッチングによって吸収部用ブリッジ部177が形成される連結用溝177aを形成し、エッチング基板20の底面に金の蒸着等によってシーズ層178を積層することにより形成することができる。その後、エッチング基板20に溝20aを形成し、溝20a内に金を充填してX線吸収部14aを形成することにより、シーズ層178とX線吸収部14aが結合して吸収部用ブリッジ部177となる。図60Dに示すように、X線吸収部14aの形成後に、X線の照射方向の入射側であるX線吸収部14aの上部を連結する吸収部用ブリッジ部179を設けてもよい。吸収部用ブリッジ部179は、Ni、Cu、Al等のX線透過性を有する金属をメッキ、蒸着等により成膜し、吸収部用ブリッジ部179の形状となるようにエッチング等することにより形成することができる。上述したように、X線吸収部14aの上部、中間、底部のいずれかのみを吸収部用ブリッジ部により連結することにより、X線透過能の低下を防止することができる。また、吸収部用ブリッジ部に使用する金の量を少なくすることができるので、グリッドのコストダウンが可能となる。本実施形態においても、X線吸収部14a及びX線透過部14bをx方向の複数本ごとに、吸収部用ブリッジ部及び透過部用ブリッジ部によって連結してもよい。例えば、図57、58に示す第2のグリッド170を例に説明すると、図61Aに示すように、3本のX線吸収部14a及びX線透過部14bをそれぞれ1組として、吸収部用ブリッジ部172及び透過部用ブリッジ部171により連結してもよい。また、同図Bに示すように、5本のX線透過部14b及びX線透過部14bをそれぞれ1組として、吸収部用ブリッジ部172及び透過部用ブリッジ部171により連結してもよい。更に、図61Cに示すように、全てのX線透過部14bを透過部用ブリッジ部171によって連結し、X線吸収部14aについては、2本ごとに吸収部用ブリッジ部172によって連結するようにしてもよい。これによれば、X線透過部14bの強度は維持しつつ、吸収部用ブリッジ部172によるX線透過能の低下を防止することができる。なお、ブリッジ部によって連結するX線吸収部14a及びX線透過部14bの本数は、2本、3本または5本に限定されるものではなく、その他の本数でもよい。また、上記実施形態では、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172を千鳥状に配置したが、図62Aに示すように、x方向に対して直線状に配列してもよいし、同図Bに示すように、x方向に対して斜めに配列してもよい。更には、同図Cに示すように、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172のy方向のピッチ及びx方向の配置をランダムにしてもよい。また、図56に示す第18実施形態の透過部用ブリッジ部165と同様に、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172のy方向のピッチを一定に維持しながら、x方向で隣接する透過部用ブリッジ部171間及び吸収部用ブリッジ部172間のy方向の間隔がランダムになるように配置してもよい。また、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172のy方向のピッチを、所定の中心値aからある範囲b内で分布する値a±b/2としてもよいし、整数の倍数にならない素数としてもよい。なお、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172によるX線吸収能及びX線透過能の低下を考慮する場合には、透過部用ブリッジ部171及び吸収部用ブリッジ部172はランダムに配置されているのが好ましい。[第20実施形態]上記各実施形態では、透過部用ブリッジ部を備えたグリッドと、透過部用ブリッジ部及び吸収部用ブリッジ部の両方を備えたグリッドとを説明したが、図63に示す第2のグリッド180のように、X線吸収部14aにのみ吸収部用ブリッジ部181を設けてもよい。これによれば、X線吸収部14が透過部用ブリッジ部に分断されることがないので、第2のグリッド180の強度がより向上する。なお、吸収部用ブリッジ部181の製造方法、幅E、配置ピッチSや、配置等は、第19実施形態の吸収部用ブリッジ部172と同様であるため、詳しい説明は省略する。[第21実施形態]グリッドは、高アスペクト比な構造を有し、製造が難しいので、製造時の各工程で加工状態を検査するのが好ましい。例えば、エッチング基板にエッチングを行なって複数の溝を形成するエッチング工程では、エッチングが所望の深さまで到達しているか、溝の幅が深さ方向で均一であるかを評価する必要がある。また、溝内に放射線吸収材料であるAuを埋め込む電解メッキ工程では、溝内にAuが均一に埋め込まれているかボイドがないかを評価する必要がある。エッチング工程の検査には、可視反射光による顕微鏡観察法を用いることができるが、1000倍程度の高い倍率で幅数μm、深さ100μmの溝の底面を観察するのは、溝の表面による散乱光が邪魔をするため困難である。また、電解メッキ工程の検査には、焦点サイズがサブμmオーダーの線原を用いたX線透過観察が適用可能であるが、このX線透過観察は観察視野が狭く、画像取得に時間がかかるのでスループットが悪い。上記問題を解決するため、本実施形態では、エッチング工程後に導電基板を透過可能な第1検査光を照射してエッチング状態を検査し、電解メッキ工程後には、導電基板及びエッチング基板を透過可能な第2検査光を照射して、溝に対するAuの充填状態を検査する。以下、この検査方法について詳述する。図64Aに示すように、本実施形態のグリッドの製造には、上述した第2実施形態と同様に、エッチング基板190、導電性薄膜191及び支持基板192が使用され、放射線吸収材料にはAuが用いられる。また、上述した第1検査光が導電性薄膜191及び支持基板192を透過でき、第2検査光がエッチング基板190、導電性薄膜191及び支持基板192を透過できるようにするため、エッチング基板190、導電性薄膜191及び支持基板192の各吸収波長λe、λd、λsと、第1検査光及び第2検査光の波長λm1及びλm2とが下記式1及び2を満たすように設定されている。なおAuは可視、赤外の領域で十分厚い場合不透過である。λd、λs<λm1<λe1λd、λs、λe<λm22上記式1の条件を満たすようにするため、支持基板192、導電性薄膜191及びエッチング基板190のそれぞれに、例えば、ガラス、ITO等の透明導電膜及びシリコンを採用し、第1検査光には、ガラス及び透明導電膜の吸収波長よりも長波長で、かつシリコン及びAuよりも短波長な0.4~0.7μmの可視光を用いている。これにより、第1検査光は、導電性薄膜191及び支持基板192を透過し、エッチング基板190及びAuで反射される。また、上記式2を満たすようにするため、第2検査光には、ガラス、透明導電膜及びシリコンの吸収波長よりも長波長で、かつAuよりも短波長な0.7μm以上の赤外光を用いている。これにより、第2検査光は、エッチング基板190、導電性薄膜191及び支持基板192を透過し、Auで反射される。図64Bに示すように、エッチング工程後には、第1光源193によって支持基板192側から第1検査光TL1が照射される。なお、エッチング工程は第2実施形態と同様であるため、詳しい説明は省略する。第1検査光TL1は、支持基板192及び導電性薄膜191を透過してエッチング基板190に吸収されるが、溝190aを通過した第1検査光TL1、上方に配置されたイメージセンサ194により検出される。イメージセンサ194の検出画像には、溝190aを通過した第1検査光TL1がストライプ状に表される。また、エッチング工程の不良等によって溝190a内にシリコンの残滓190eが存在する場合には、このシリコン残滓190eが影となって映し出される。したがって、イメージセンサ194の検出画像を解析することにより、エッチング不良の有無だけでなく、その発生位置、大きさ等も判別できるので、例えば、X線画像検出器15のx方向及びy方向の画素サイズ例えば150μm角を基準にしてNG判定を行なうこともできる。本実施形態によれば、従来の顕微鏡観察法のように散乱光によって観察が邪魔されることがなく、エッチング基板190の微細な高アスペクト比構造を適切に検査することができる。図64Cに示すように、電解メッキ工程後には、第2光源195によって支持基板192側から第2検査光TL2が照射される。なお、電解メッキ工程は第2実施形態と同様であるため、詳しい説明は省略する。第2検査光TL2は、支持基板192、導電性薄膜191を透過してAu27に吸収されるが、エッチング基板190を透過した第2検査光TL2は、上方に配置されたイメージセンサ196により検出される。イメージセンサ196の検出画像には、エッチング基板190を透過した第2検査光TL2がストライプ状に表される。また、電解メッキ工程の不良等によって溝190a内にボイドVが生じている場合には、ストライプの幅が変化し、あるいは途中で途切れてしまう。したがって、イメージセンサ196の検出画像を解析することにより、電解メッキの不良の有無だけでなく、その発生位置、大きさ等も判別できるので、例えば、X線画像検出器15の画素サイズを基準にしてNG判定を行なうこともできる。本実施形態によれば、従来のX線透過観察のように、焦点サイズが微小な線源等の高価な設備を必要としないのでローコストに適用可能である。また、検査可能な視野範囲が広いので検査のスループットを向上させることができる。導電性薄膜191には、ITOの他、IZO、ZnO等の透明導電膜を用いてもよいし、厚みを500Å以下にしたAu、Pd、Pt、Ni、Cr、Ti等の金属薄膜を用いてもよい。また、透明導電膜は、基板接合、電解メッキ等に用いる際に、その性質上、金属よりも劣る部分があるため、金属薄膜と組み合わせて用いてもよい。導電性薄膜を介した基板接合、電界メッキを行う際には、その材料の性質を考慮する必要がある。例えば、基板接合の手法の1つである拡散接合では接合面での相互拡散性が、陽極接合では活性化エネルギが重要である。また、電界メッキでは、メッキ液耐性、メッキ材との密着性が挙げられる。ここで、透明導電膜の多くは酸化物から構成されており、金属に比べ上記の性能で劣る部分があり、これを補強するため表面に透明性を疎外しない程度に金属膜を薄く設けるのが好ましい。透明導電膜上の金属膜は、接合する面だけに設けても良いし、接合面とエッチング基板がエッチングされてメッキされる面両方に設けられてもよい。例えば、透明電極の厚さ2000Åに対し、その両面にNiを250Å程度設けることで透明性と、接合、メッキ性能を維持することができる。本実施形態のグリッドは、完成後にもAu27以外の部分が可視光及び赤外光に対する透明性を有するので、完成後の検査等にも利用することができる。[第22実施形態]以上で説明したX線画像撮影システムの撮影視野サイズは、X線源から第1のグリッドと第2のグリッドとの距離によって制限を受ける。すなわち、X線源は点光源とみなせるため、そこから離れた距離の分だけスポットサイズは拡大される。ただしその波面は光源からの等距離の関係が維持されるため、湾曲した面になる。すなわちグリッドの中心部と外周部での線源の入射角度は異なる。平坦なグリッド中心、外周部で同じ入射角を持ってきた場合、入射角度の違いにより外周部のX線の入射角度とグリッドの角度が平行でないためケラレが発生し、結果として不透過の領域ができ、有効面積が制限される。このため、X線画像撮影システムの撮影視野サイズを拡大するには、2枚のグリッドを大面積化すればよいが、大面積化に伴う周辺部でのX線のケラレへの対処と、グリッドの厚さ方向の収束性のコントロールとが必要になるので容易ではない。点光源であるX線源から放射されたX線を通過させるには、第1のグリッドと第2のグリッドとを収束型に湾曲させればよいが、従来のグリッドは硬い無機材料をベースに形成されているため、湾曲し難い。上記問題を解決するため、グリッドを湾曲可能に構成し、図65に示すX線画像撮影システム200のように、第1のグリッド201及び第2のグリッド202をy方向を中心とする円筒状に湾曲させてもよい。例えば、第1のグリッド201及び第2のグリッド202に、第1実施形態のグリッドを用いる場合、エッチング基板20の厚みL1を20~150μmとし、導電基板18の厚みL2を50~150μmとするとともに、両者を接合した後の第2のグリッド14の厚さを200μm未満にするのが好ましい。以下、第2のグリッド202を例にして、グリッドの湾曲構造について説明する。点光源であるX線源11から放射されたコーンビーム状のX線を通過させるには、第2のグリッド202を、X線の放射角に沿って湾曲させる必要がある。図66に示すように、例えば、X線源11から第2のグリッド202までの距離L5を200~230cm、矩形状をした第2のグリッド202の1辺の長さWを15cmとしたときX線の放射角θはおよそ2°となるので、第2のグリッド202の外縁部でX線を通過させるには、第2のグリッド202の中心に対する端部の湾曲量Kは、約3mmとなる。本実施形態では、第2のグリッド202を適切に湾曲させるため、X線吸収性の低い材質で形成された板状の収束用保持部材203の一方の面に、第2のグリッド202の端部を3mm程度湾曲させるような円筒面形状からなる湾曲凹部203aを形成し、この湾曲凹部203a内に第2のグリッド202をエッチング基板20側から収納して湾曲させている。また、必要に応じて、湾曲凹部203aに対する第2のグリッド202の収納位置をアライメントし、接着等することによってその位置を固定する。これにより、コーンビーム状のX線が通過可能な湾曲されたグリッドを高い精度できる。なお、円筒状ではなく、球面状に湾曲させてもよい。なお、第1のグリッド201も第2のグリッド202と同様に湾曲されるので詳しい説明は省略する。[第23実施形態]第2のグリッド202に第2実施形態のグリッドを用いて湾曲可能に構成するには、支持基板32に、X線吸収性が低くかつフレキシブル性を持った有機材料を用いるのが好ましい。このような条件を満たす支持基板32の材質としては、例えば、アクリル、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、パリレン等の樹脂材料が挙げられる。支持基板32は、第1実施形態の導電基板18のように導電性が必要ないので、X線の透過性及びフレキシブル性が高い材質を選択することができ、X線の透過率を高く、湾曲しやすいグリッドを得ることができる。また、導電性薄膜31の厚みは、支持基板32のフレキシブル性を損なわない厚さであることが必要である。支持基板32とエッチング基板20との接合には、熱と圧力をかけながら行う接着や、接着剤を介した接合、溶剤に分散した溶液をスピンコート等で塗布、熱硬化させてもよい。例えば、永久フォトレジストSU-8を用いる場合、回転数100rpmでスピンコートし、200°c程度の温度で熱処理することで形成可能である。これにより、形成できる膜厚は10~200μmである。本実施形態の第2のグリッドも、第22実施形態と同様に湾曲することができる。[第24実施形態]第23実施形態では、支持基板32の材質にフレキシブル性を持った有機材料を用いたが、厚みを限定することによりフレキシブル性を備えた無機材料を用いてもよい。支持基板32に用いられる無機材料は、X線吸収性の低い材料が望ましく、例えばホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、石英、アルミナ、GaAs、Ge等が望ましく、更にはエッチング基板20と同じシリコンが望ましい。ホウケイ酸ガラスとしては、パイレックス登録商標ガラス、テンパックス登録商標ガラス等を用いることができる。また、導電性薄膜31の材質及び設ける位置は、第23実施形態と同様であるため、詳しい説明は省略する。更に、エッチング基板20と支持基板32とを接合した厚みは、フレキシブル性を考慮して200μm未満であることが好ましい。[第25実施形態]上記第23実施形態では、エッチング時または電解メッキ時に有機材料からなる支持基板32が撓んで溝20aが変形し、X線吸収部14aの性能が劣化する可能性がある。これを防ぐため、図67に示すように、剛性を有する補強基板205と、補強基板205上に設けられた有機材料膜206とによって支持基板207を構成し、補強基板205の剛性によってエッチング時のエッチング基板20の変形を防止してもよい。補強基板205は、溝20a内へのAuの電解メッキ後に、上記第3実施形態を適用して除去してもよいし、グリッドが湾曲可能なフレキシブル性を得られる程度まで薄層化してもよい。なお、支持基板207を用いたグリッドの製造には、第2実施形態と同様の手順が用いられるので、詳しい説明は省略する。補強基板205には、シリコン、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、石英、アルミナ、GaAs、Ge等、エッチング時または電解メッキ時に変形しない剛性を有する材質を用いるのが望ましい。また、有機材料膜206には、例えば、アクリル、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、パリレン等の樹脂材料を用いるのが好ましい。有機材料膜206の好ましい厚みは、例えば5μm程度である。[第26実施形態]上記各実施形態は、第1のグリッド及び第2のグリッドを用いたX線画像撮影システムを例に説明したが、本発明は、図68に示すように、X線源11のX線放射方向の下流側に線源グリッド210を配置したX線画像撮影システム211にも適用可能である。線源グリッド210は、第1のグリッド13及び第2のグリッド14と同様にX線吸収部210a及びX線透過部210bを備えた吸収型グリッドであり、X線管11から放射されたX線を部分的に遮蔽して実効的な焦点サイズを縮小するとともに、幅の狭い多数の線光源の集合を分散光源を形成する。この場合、線源グリッド210に上記各実施形態の構造及び製造方法を用いることができる。[第27実施形態]上記各実施形態では、X線吸収部及びX線透過部を交互に配列した縞状のグリッドを例に説明したが、ブリッジ部に関する実施形態以外の実施形態は、X線吸収部を十字状に構成したグリッドにも適用が可能である。図69に示すように、本実施形態の第2のグリッド220は、x、y方向に直交するように十字状に配置されたX線吸収部221と、X吸収部221の間に配置されたX線透過部222とから構成されている。なお、X線吸収部221の幅W2及びピッチP2、厚さT2等は、上記各実施形態と同様であるため、詳しい説明は省略する。本実施形態の第2のグリッド220を製造する際には、例えば上記第2実施形態と同様に、エッチング基板の上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクを介してエッチングマスクに溝とX線透過部222とを形成する。溝の形成時には、十字状の溝が形成されるように、十字状のマスクパターンを有するエッチングマスクを使用する。その後、第2実施形態と同様に、導電性薄膜31をシーズ層として、電解メッキ法により溝内にAuを充填する。本実施形態の第2のグリッド220によれば、ブリッジ部を設けなくてもグリッドの強度を向上させることができる。また、第2のグリッド220の製造時には、X線吸収部221を形成するための溝自体が電解メッキ時のメッキ液の流路となるので、メッキ液の滞留によるボイド等の発生を防止することができる。なお、X線吸収部221は、x、y方向に直交するように配置したが、xy平面内において傾けて配置してもよい。また、X線吸収部を十字状に配置したが、X線透過部を十字状に配置し、このX線透過部の間にX線吸収部を配置してもよい。上記各実施形態は、グリッドの構成及び製造方法の説明について第2のグリッド14を例に説明したが、第1のグリッドまたは線源グリッドにも用いることができる。また、第1及び第2のグリッドを、そのX線透過部を通過したX線を線形的に投影するように構成しているが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、X線透過部でX線を回折することにより、いわゆるタルボ干渉効果が生じる構成国際公開WO2004/058070号公報等に記載の構成としてもよい。ただし、この場合には、第1及び第2のグリッドの間の距離をタルボ干渉距離に設定する必要がある。また、この場合には、第1のグリッドを吸収型グリッドに代えて、位相型グリッドを用いることが可能であり、第1のグリッドに代えて用いた位相型グリッドは、タルボ干渉効果により生じる縞画像自己像を、第2のグリッドに射影する。また、上記実施形態では、第2のグリッドにより強度変調された縞画像を縞走査法によって検出して位相コントラスト画像を生成しているが、1回の撮影によって位相コントラスト画像を生成するX線画像撮影システムも知られている。例えば、国際公開WO2010/050483号公報に記載されているX線画像撮影システムでは、第1及び第2のグリッドにより生成されたモアレをX線画像検出器により検出し、この検出されたモアレの強度分布をフーリエ変換することによって空間周波数スペクトルを取得し、この空間周波数スペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトルを分離して逆フーリエ変換を行なうことにより微分位相像を得ている。このようなX線画像撮影システムの第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、本発明のグリッドを用いてもよい。また、1回の撮影により位相コントラスト画像を生成するX線画像撮影システムには、強度変調手段として、第2のグリッドの代わりに、X線を電荷に変換する変換層と、変換層により生成された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器を用いたものがある。このX線画像撮影システムは、例えば、各画素の電荷収集電極が、第1のグリッドで形成された縞画像の周期パターンとほぼ一致する周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続してなる線状電極群が、互いに位相が異なるように配置されたものであり、各線状電極群を個別に制御して電荷を収集することにより、1度の撮影により複数の縞画像を取得し、この複数の縞画像に基づいて位相コントラスト画像を生成している特開2009-133823号公報等に記載の構成。このようなX線画像撮影システムの第1のグリッドに、本発明のグリッドを用いてもよい。また、1回の撮影により位相コントラスト画像を生成する別のX線画像撮影システムとして、第1及び第2のグリッドを、X線吸収部及びX線透過部の延伸方向が相対的に所定の角度だけ傾くように配置し、この傾きにより上記延伸方向に生じるモアレ周期の区間を分割して撮影することにより、第1及び第2のグリッドの相対位置が異なる複数の縞画像を取得し、これらの複数の縞画像から位相コントラスト画像を生成することも可能である。このようなX線画像撮影システムの第1及び第2のグリッドの少なくとも一方に、本発明のグリッドを用いてもよい。また、光読取型のX線画像検出器を用いることにより、第2のグリッドを省略したX線画像撮影システムが考えられる。このシステムでは、第1のグリッドによって形成された周期パターン像を透過する第1の電極層と、第1の電極層を透過した周期パターン像の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、光導電層において発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光を透過する線状電極が多数配列された第2の電極層とがこの順に積層され、読取光によって走査されることによって各線状電極に対応する画素毎の画像信号が読み出される光読取型のX線画像検出器を強度変調手段として用いており、電荷蓄積層を線状電極の配列ピッチよりも細かいピッチで格子状に形成することにより、電荷蓄積層を第2のグリッドとして機能させることができる。このようなX線画像撮影システムの第1のグリッドに、本発明のグリッドを用いてもよい。さらに、上記実施形態では、被検体HをX線源と第1のグリッドとの間に配置しているが、被検体Hを第1のグリッドと第2のグリッドとの間に配置した場合にも同様に位相コントラスト画像の生成が可能である。また、上記各実施形態は、矛盾しない範囲で相互に組み合わせることが可能である。以上説明した実施形態は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用することが可能である。また、本発明は、X線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。更に、本発明は、放射線として、X線以外にガンマ線等を用いることも可能である。