発熱体を冷却する冷却液を封入する冷却槽を有する筐体と、前記筐体の、前記冷却槽内の前記冷却液が接する壁内に設けられる中空部と、前記中空部に封入される蓄熱剤と、を備えることを特徴とする沸騰冷却装置。前記中空部は、前記冷却槽内の前記冷却液が前記発熱体に面する位置を除いて該冷却槽内の該冷却液を囲むように前記筐体の前記壁内に設けられることを特徴とする請求項1記載の沸騰冷却装置。前記筐体の前記壁の外面に設けられる放熱フィンを備えることを特徴とする請求項1又は2記載の沸騰冷却装置。前記冷却槽内の前記冷却液が気化された蒸気を凝縮する熱交換器を備えることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の沸騰冷却装置。前記発熱体は、ベース基板を介して前記冷却槽内の前記冷却液により冷却される半導体モジュールであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項記載の沸騰冷却装置。ところで、冷却液の相変化を利用して発熱体を冷却する冷却性能について、一般的に、沸騰曲線で示されるように、冷却液は、相変化する過程で過熱度に対する熱流束が限界熱流束点極大熱流束点を超えた際に遷移沸騰に移行するので、過熱度が上がっても熱流束が低下する事態が発生することがある。このため、冷却液の相変化を利用した冷却性能には限界が存在する。本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、冷却液の相変化を利用した冷却性能の向上を図る沸騰冷却装置を提供することを目的とする。上記の目的は、発熱体を冷却する冷却液を封入する冷却槽を有する筐体と、前記筐体の、前記冷却槽内の前記冷却液が接する壁内に設けられる中空部と、前記中空部に封入される蓄熱剤と、を備える沸騰冷却装置により達成される。本発明によれば、冷却液の相変化を利用した冷却性能の向上を図ることができる。以下、図面を用いて、本発明に係る沸騰冷却装置の具体的な実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施例である沸騰冷却装置10の構成図を示す。尚、図1には、沸騰冷却装置10の断面図を示す。また、図2は、本実施例の沸騰冷却装置10を図1に示すA-Aに沿って切断した際の断面図を示す。本実施例の沸騰冷却装置10は、例えばハイブリッド自動車プラグインのものを含むや電気自動車等に搭載されるインバータ等に適用される発熱体を冷却するプール沸騰方式の冷却装置である。以下、本実施例において、沸騰冷却装置10が冷却する発熱体は、パワーMOSFETやIGBTなどからなる半導体モジュール12IntelligentPowerModule:IPMであるとする。沸騰冷却装置10は、底板14aと側壁14bと天板14cとにより構成される筐体14を備えている。筐体14は、大面積の側壁14bと小面積の側壁14bとを有するほぼ直方体形状に形成されており、アルミニウムや銅などの熱伝導性の良い金属材料により形成されている。筐体14の内部には、冷却槽16が設けられている。冷却槽16には、半導体モジュール12を冷却する冷却液18が封入される。冷却液18は、水及びアルコールエタノールやエチレングリコールなどの溶液であって、冷却槽16に貯留される。冷却液18は、冷却槽16の全体には充填されておらず、冷却槽16の一部下部に存在する。尚、冷却槽16内の空気層は、冷却液18が沸騰冷却装置10を搭載する車両の走行環境に対応した沸点凝縮点を実現するように減圧調整されている。筐体14を構成する底板14a、側壁14b、及び天板14cはそれぞれ、所定の厚さを有している。筐体14の4つの側壁14bのうち一つの側壁14bの下部には、冷却槽16と外部とを連通する開口穴20が形成されている。開口穴20は、長方形状に形成されており、筐体14の側壁14bのうち比較的大きな面積を有する側壁14bに設けられている。開口穴20は、ベースプレート22により塞がれている。ベースプレート22は、開口穴20の大きさに合致した大きさ面積を有する平板状の部材であり、アルミニウムや銅などの熱伝導性の良い金属材料により形成されている。ベースプレート22には、半導体モジュール12が取り付け固定されている。半導体モジュール12は、シリコンやSiCなどの基板上に形成されたパワーMOSFETやIGBTなどの半導体素子24からなり、ベースプレート22とは電気的に絶縁されている。半導体モジュール12は、ベースプレート22を介して冷却槽16内の冷却液18に面している。半導体モジュール12の半導体素子24は、外部から電力供給がなされることにより作動する素子であって、その作動に伴って発熱する。筐体14の上部には、熱交換器26が取り付けられている。熱交換器26は、内部に冷媒が流通する筒状の冷却パイプ28を有している。冷却パイプ28は、筐体14の側壁14bの上部を貫通しており、冷却槽16の上部の空気層内で延びている。熱交換器26は、冷却パイプ28を流れる冷媒との熱交換により、冷却槽16内で気化する蒸気を凝縮する機能を有している。筐体14の側壁14b及び底板14aは、上記の如く所定の厚さを有しているが、その側壁14b及び底板14aの内部には、空間が広がる中空部30が設けられている。中空部30は、側壁14bの下部具体的には、冷却槽16内に溜まる冷却液18の上面に対応する高さまでの部位及び底板14aのほぼ全面に亘って広がるように設けられている。中空部30は、冷却槽16の下部に溜まる冷却液18を側方及び下方から取り囲むように設けられている。尚、中空部30は、筐体14の側壁14bに空いた開口穴20やベースプレート22の部位には設けられておらず、その部位を除いて広がっている。中空部30には、蓄熱剤32が封入されている。蓄熱剤32は、キシリトール融点約94°Cやエリスリトール融点約123°Cなどの熱エネルギを貯蔵可能な潜熱蓄熱材料により構成されている。蓄熱剤32は、中空部30内のほぼ全体にわたって充填されている。尚、蓄熱剤32の融点と、冷却槽16内に溜まる冷却液18の沸騰曲線における限界熱流束点と、は互いに合致するように設定されている。このため、蓄熱剤32は、冷却液18の限界熱流束点で融解し始める。筐体14の側壁14bには、蓄熱剤注入口34及び真空引き口36が設けられている。蓄熱剤注入口34及び真空引き口36はそれぞれ、側壁14bの、中空部30の上部よりも僅かに上方に設けられている。蓄熱剤注入口34及び真空引き口36はそれぞれ、蓄熱剤32が溜まる冷却槽16に連通している。蓄熱剤32は、中空部30に封入する際に蓄熱剤注入口34から注入される。この蓄熱剤32の蓄熱剤注入口34からの注入は、中空部30内に熱伝導を阻害する空気層が形成されるのを防止するため、真空引き口36を通じて中空部30内を減圧しながら、かつ、加熱して液化した蓄熱剤32を直接に或いはマイクロカプセルに充填しながら行われる。また、筐体14の側壁14b及び底板14aの外面には、放熱フィン38が設けられている。放熱フィン38は、側壁14bの下部具体的には、中空部30が設けられている側壁14bの部位及び底板14aのほぼ全面に亘って設けられている。放熱フィン38は、中空部30に封入されている蓄熱剤32が吸熱した熱を外部大気中へ放出する機能を有している。次に、図3及び図4を参照して、本実施例の沸騰冷却装置10の動作作用について説明する。図3は、過熱度と熱伝達率との関係を示す一般的な沸騰曲線を表した図を示す。また、図4は、本実施例の沸騰冷却装置10において過熱度と熱伝達率との関係を示す沸騰曲線を表した図を示す。本実施例において、半導体モジュール12は、作動する際に損失を発生する。半導体モジュール12で発生する損失のほとんどは、熱となって放出される。半導体モジュール12から放出された熱は、ベースプレート22を介して冷却槽16内の冷却液18に伝わる。ベースプレート22の裏面は、冷却液18に接することで直接に冷却される。冷却槽16内の冷却液18は、半導体モジュール12からの熱を受けることで温度上昇する。そして、半導体モジュール12で発生する損失が大きくなると、やがてその冷却液18は沸騰する。冷却液18が半導体モジュール12の蒸発潜熱を奪って沸騰気化すると、その冷却液が気化した蒸気は、浮力を受けて冷却槽16内を上昇する。冷却槽16内を上昇した蒸気は、熱交換器26の冷却パイプ28内を流れる冷媒との間で熱交換を行うことで水に凝縮して液滴となる。この場合、凝縮された水は、蒸気に比べて冷やされた状態で冷却槽16内を落下して冷却槽16下部の液溜まりに滴下する。また、冷却パイプ28内の冷媒は、冷却槽16内の水蒸気と熱交換した後に冷却パイプ28を通じて外部へ流出するので、沸騰気化した蒸気が熱交換器26で凝縮する際に放出した凝縮潜熱は、冷却パイプ28内の冷媒を通じて外部へ放出される。従って、本実施例の沸騰冷却装置10においては、半導体モジュール12が発熱した際にその発生した熱により冷却槽16内の冷却液18を沸騰させることで、その冷却液18の液体から気体への相変化を利用して半導体モジュール12を冷却することができる。本実施例の如く液体から気体への相変化を利用した沸騰冷却方式では、水冷方式に比べて極めて大きな冷却性能が得られる。このため、本実施例の沸騰冷却装置10によれば、半導体モジュール12の冷却を効率的に行うことが可能である。また、本実施例において、筐体14の冷却槽16内の冷却液18が半導体モジュール12からの熱を受けて温度上昇し沸騰し始めた後、その冷却液18の温度が蓄熱剤32の融点例えば、キシリトールの場合は約94°Cに到達すると、筐体14の壁内にある中空部30内の蓄熱剤32が固体から液体へ相変化する。この際、蓄熱剤32は、冷却液18から融解潜熱を吸熱することで、冷却液18の液温を低下させる。冷却液18の液温が低下すると、その液温低下に伴って、冷却液18の過熱度が減少すると共に、冷却液の熱伝達率が増加する図4参照。上述の如く、蓄熱剤32は、冷却液18の限界熱流束点で融解し始める。従って、本実施例の沸騰冷却装置10においては、図3に示す如き遷移沸騰領域を有する一般的な沸騰曲線の場合と異なり、冷却槽16内の冷却液18が半導体モジュール12からの受熱により沸騰する過程でその過熱度に対する熱流束が限界熱流束点に達した際に、蓄熱剤32の固体から液体への相変化により冷却液18の液温を低下させることができるので、冷却液18の過熱度に対する熱流束が限界熱流束点を超えた後にその冷却液18が、過熱度の増加に伴って熱伝達率が低下する遷移沸騰に移行するのを防止することができる。このため、本実施例の沸騰冷却装置10によれば、半導体モジュール12で発生した熱により冷却槽16内の冷却液18を沸騰させてその半導体モジュール12を冷却するうえで、半導体モジュール12から冷却液18へのプール沸騰の沸騰伝熱性能の向上を図ることができ、冷却液18の相変化を利用した半導体モジュール12の冷却性能を向上させることができる。尚、蓄熱剤32が充填される中空部30は、筐体14の側壁14b及び底板14aの内部に、側壁14bの下部具体的には、冷却槽16内に溜まる冷却液18の上面に対応する高さまでの部位及び底板14aのほぼ全面に亘って広がるように、すなわち、冷却槽16の下部に溜まる冷却液18を側方及び下方から取り囲むように設けられているが、側壁14bに空いた開口穴20やベースプレート22の部位には設けられておらず、その部位すなわち、冷却液18が半導体モジュール12に面する位置を除いて広がっている。このため、本実施例の構成によれば、筐体14の側壁14bのうち冷却液18が半導体モジュール12に面する位置にも中空部30が設けられる構成と異なり、半導体モジュール12で発生した熱を冷却槽16内の冷却液18に伝えるうえで熱抵抗が増加するのを抑制することが可能である。また、本実施例において、冷却液18からの熱が中空部30内の蓄熱剤32に吸熱された後、その吸熱を行った蓄熱剤32は、半導体モジュール12で発生する損失が減少してその温度が低下しそして冷却液18の液温が低下した際に、筐体14の外面に設けられた放熱フィン38を介して外部大気中へ放熱しながら液体から固体へ相変化する。そして以後再び、蓄熱剤32は、冷却液18が半導体モジュール12からの熱を受けて温度上昇し沸騰し始めた後、その冷却液18の温度が蓄熱剤32の融点に到達した際に、固体から液体へ相変化すると共に、冷却液18から融解潜熱を吸熱することで、冷却液18の液温を低下させる処理を繰り返す。従って、本実施例によれば、蓄熱剤32での吸熱と放熱とを適宜繰り返すことで、効果的に半導体モジュール12を冷却することが可能である。尚、筐体14の部位のうち外面に放熱フィン38が設けられる壁は、蓄熱剤32が充填される中空部30が設けられている側壁14b及び底板14aに限定される。このため、蓄熱剤32に蓄えられた熱の放熱フィン38を介した外部への放出を効率よく行うことが可能である。このように、本実施例によれば、半導体モジュール12の冷却性能を向上させることができ、その結果として、半導体モジュール12の各構成部品における耐熱性を下げることができ、また、その半導体モジュール12を搭載する車載インバータのコンパクト化を図ることで、搭載自由度を飛躍的に向上させることができ、或いは電動ウォータポンプやラジエータなどの専用品を削減することができるので、製造コストの削減を図ることができる。尚、上記の実施例においては、半導体モジュール12が特許請求の範囲に記載した発熱体に、側壁14b及び底板14aが特許請求の範囲に記載した壁に、ベースプレート22が特許請求の範囲に記載したベース基板に、それぞれ相当している。ところで、上記の実施例においては、半導体モジュール12が取り付けられたベースプレート22を冷却槽16内の冷却液18に直接的に面するものとしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体モジュール12で発生する熱が冷却液18に有効に伝達することができれば、ベースプレート22と冷却液18との間に金属などの熱伝導性の良い部材を介在させることとしてもよい。例えば、筐体14の側壁14bに開口穴20を設けることなく、側壁14bの外面にベースプレート22を設置することとしてもよい。また、上記の実施例においては、図1及び図2に示す如く、筐体14の側壁14bにベースプレート22及び半導体モジュール12を配置すること、すなわち、ベースプレート22及び半導体モジュール12の平板面の法線が側方へ向くこととしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、図5及び図6に示す如く、ベースプレート22及び半導体モジュール12を筐体14の底板14aに配置すること、すなわち、ベースプレート22及び半導体モジュール12の平板面の法線が上下方向へ向くこととしてもよい。この際、図5及び図6に示す如く、筐体14の底板14aに冷却槽16と外部とを連通する開口穴20を設け、その開口穴20をベースプレート22により塞ぐものとしてもよいが、その開口穴20を設けることなく、底板14aの外面にベースプレート22を設置することとしてもよい。