基板にプラズマ処理を行う処理室と、前記処理室の内部に配置され、前記基板を上面に載置する接地電極と、プラズマ空間を挟んで前記接地電極と対向する電極板と、前記電極板を前記プラズマ空間側の第1主面に電気的に接続し、前記第1主面の反対側の第2主面を高周波電源に接続した高周波電極と、頭部の厚さが1mm~2mmの範囲であり、前記頭部を前記接地電極に対向させ、前記電極板を前記高周波電極に固定する低頭六角ボルトとを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。高周波電極表面への電極板の取り付けに通常の六角ボルトを使用すると、電極板着脱の利便性は高い。しかし、電極板表面から突出した六角ボルトの頭部により、接地電極及び高周波電極間の距離が不均一となる。そのため、六角ボルトの頭部への電界集中に起因して、プラズマ処理の均一性が劣化する。また、高周波電極表面への電極板の取り付けに皿ボルトを使用すると、プラズマ処理の均一性の劣化を抑制することができる。しかし、皿ボルトの締め付けは、頭部頂面に設けられたすりわりや十字溝等の締め付け溝にドライバ等の締め付け工具を差し込んで行われる。そのため、電極板着脱に際して、皿ボルトにトルクをかけにくく、締め付けが不十分となりやすい。また、締め付けにより、締め付け溝がつぶれることもある。このように、皿ボルトを用いて電極板を高周波電極に取り付けると、電極板着脱時の利便性が悪い。更に、電極板に設ける皿ボルト挿入用の貫通孔には、十分な遊びを持たせることができないため、プラズマ処理時の電極板の熱膨張によるボルト緩みが発生するという問題も生じる。本発明の目的は、プラズマ処理の均一性の劣化を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。本発明の態様によれば、イ基板にプラズマ処理を行う処理室と、ロ処理室の内部に配置され、基板を上面に載置する接地電極と、ハプラズマ空間を挟んで接地電極と対向する電極板と、ニ電極板をプラズマ空間側の第1主面に電気的に接続し、第1主面の反対側の第2主面を高周波電源に接続した高周波電極と、ホ頭部の厚さが1mm~2mmの範囲であり、頭部を接地電極に対向させ、電極板を高周波電極に固定する低頭六角ボルトとを備えるプラズマ処理装置が提供される。本発明によれば、プラズマ処理の均一性の劣化を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することが可能となる。以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。又、以下に示す本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置、例えばプラズマ成膜装置は、図1に示すように、処理室10、接地電極12、高周波電極14を備える。処理室10は、プラズマ反応により基板20にプラズマ処理を行う真空チャンバである。プラズマ処理の対象となる基板20は接地電極12上に載置される。なお、図1では基板20は接地電極12表面に直接載置されているが、接地電極12上に設置した導電体あるいは絶縁体からなるプレート上に基板20を載置してもよい。接地電極12は、接地される。高周波電極14は、プラズマを生成するプラズマ空間26を挟んで接地電極12の上面と対向する。高周波電極14は、処理室10の筐体にスペーサ22を介して取り付けられる。高周波電極14は、プラズマ空間26側の第1主面と、第1主面の反対側で高周波電源24に接続される第2主面とを有する。高周波電極14の第1主面には、表面がプラズマ空間26に面する電極板16が取り付けられる。高周波電極14の第2主面は、処理室10の外部に露出し、高周波電源24に接続される。電極板16は、高周波電極14の第1主面に電気的に接続される。低頭六角ボルト18は、頭部を接地電極12に対向させ、高周波電極14の第1主面に電極板16を固定する。高周波電極14は、図1に示したように、処理室10の筐体と共に圧力隔壁として作用する。したがって、高周波電極14は処理室から取り外すことは困難である。そのため、プラズマ処理後のメンテナンスのため、電極板16は、高周波電極14から機械的に着脱可能である。なお、低頭六角ボルト18は、図1においては1本示されているが、低頭六角ボルト18の数は限定されず、2以上の複数の本数であってもよい。図1に示した電極板16と接地電極12との間隔Deは、プラズマ空間26の厚さに対応し、均一なプラズマを生成するためには均一であることが望ましい。しかし、低頭六角ボルト18の頭部は、プラズマ空間26に突出し、接地電極12との間隔Dbが小さくなる。そのため、低頭六角ボルト18の頭部への電界集中が起こり、プラズマが不均一になる。その結果、プラズマ処理が不均一になってしまう。例えば、図1に示した高周波電極14及び電極板16の寸法を約500mm、電極板16と接地電極12との間隔Deを約40mmとする。低頭六角ボルト18として、M5の低頭ボルトを用いる。低頭六角ボルト18は、図2及び図3に示すように、電極板16に設けられた貫通孔17を通して高周波電極14に設けられたメネジ孔19に締めこまれる。なお、図4に示すように、低頭六角ボルト18aとして段付きボルトを用いてもよい。M5の低頭六角ボルト18は、ボルト頭部の厚さkが約1.5mmである。したがって、低頭六角ボルト18の頭部と接地電極12との間隔Dbは、電極板16と接地電極12との間隔Deに対して約3.8の変化量である。一方、通常の六角ボルトの頭部の厚さは約3.5mmであり、間隔Dbの間隔Deに対する変化量は、約8.8である。このように、実施の形態では、間隔Dbの変化が小さく、プラズマ処理の均一性の劣化を抑制することが可能となる。また、低頭六角ボルト18は、スパナ等の締め付け工具により締め付け、取り外しができ、利便性がよい。なお、厚さkが1mmより小さいと、低頭六角ボルト18の強度が低減し、また、締めこみ作業の利便性も低下する。厚さkが2mmを超えると、プラズマ処理の均一性の劣化が顕著となる。したがって、低頭六角ボルト18の頭部の厚さkは、1mm~2mmの範囲が望ましい。また、高周波電極14及び電極板16に用いるステンレス鋼を、それぞれSUS304及びSUS430とする。SUS304及びSUS430の熱膨張係数は、それぞれ16×106K1及び11×106K1である。プラズマ処理時の仕様温度を400°Cとすると、熱膨張による高周波電極14及び電極板16の延びの差は、約1mmとなる。M5の低頭六角ボルト18は、呼び径daが約5mm、ボルト頭部の六角対辺の二面幅Sが約8mmである。そのため、電極板16に設ける貫通孔17の直径dtを約6.5mmと大きくすることができる。その結果、高周波電極14及び電極板16間のプラズマ処理時の熱膨張歪を約1.5mm許容でき、熱膨張による低頭六角ボルト18の緩みを防止することができる。上記のように、M5の低頭六角ボルト18を用いて説明したが、低頭六角ボルト18のネジ径は限定されない。低頭六角ボルト18として、電極板16着脱時の利便性を考慮して、M4~M12のネジ径が望ましい。その他の実施の形態上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。