結晶体からなるウエーハであって、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域のウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されていることを特徴とするウエーハ。表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有する結晶体からなるウエーハの内部に、該ウエーハの結晶方位を示す識別マークを形成する識別マーク形成方法であって、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該外周余剰領域のウエーハの内部に位置付けて該レーザビームをウエーハに照射して、該ウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークとしての改質層を形成することを特徴とする識別マーク形成方法。オリエンテーションフラットもノッチも共にウエーハの外周に形成された切り落とし部や切り欠きからなるものであり、この切り落とし部や切り欠き部にはデバイスを形成することができず、ウエーハ一枚当たりのデバイス数が制約されてしまうという問題がある。特に、デバイス形成領域に対応するウエーハの裏面のみを研削して円形凹部を形成し、外周余剰領域に環状補強部を残存させる加工方法の場合には、オリエンテーションフラットやノッチ部分を加味して環状補強部を形成する必要があるため、オリエンテーションフラットやノッチが存在するとウエーハ一枚当たりのデバイスチップの取り分が少なくなってしまうという問題があり、オリエンテーションフラットやノッチをなくしてしまうことが切望されていた。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハ外周を切り落とすか又は切り欠くことなく、ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されたウエーハ及び識別マーク形成方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、結晶体からなるウエーハであって、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該外周余剰領域のウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークが形成されていることを特徴とするウエーハが提供される。請求項2記載の発明によると、表面にデバイスが形成されるデバイス形成領域と該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有する結晶体からなるウエーハの内部に、該ウエーハの結晶方位を示す識別マークを形成する識別マーク形成方法であって、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該外周余剰領域のウエーハの内部に位置付けて該レーザビームをウエーハに照射して、該ウエーハ内部に該ウエーハの結晶方位を示す識別マークとしての改質層を形成することを特徴とする識別マーク形成方法が提供される。本発明のウエーハは、ウエーハ内部に識別マークとしての改質層が形成されているため、露光装置や検査装置などにウエーハを一枚ずつ載置する際にこの改質層を基準として位置決めを行うことができるので、従来のようにウエーハの外周にオリエンテーションフラットや切り欠きを形成する必要がなくなる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1Aを参照すると、シリコンインゴットからスライスされ、内部にウエーハの結晶方位を示す識別マークとしての改質層17の形成されたシリコンウエーハ11の斜視図が示されている。シリコンウエーハ11は、シリコンインゴットからワイヤソー等によりウエーハ状に切り出され、その表面11a及び裏面11bが研削研磨されてその厚みが700μm程度に形成されている。特に、デバイス形成面となる表面11aは鏡面加工されている。シリコンウエーハ11は、その表面11aに後工程のフォトリソグラフィによりデバイスが形成されるデバイス形成領域13と、デバイス形成領域13を囲繞する外周余剰領域15を有している。外周余剰領域15のシリコンウエーハ11の内部には、シリコンウエーハ11の結晶方位を示す識別マークとしての改質層17が形成されている。改質層17は溶融再硬化領域として形成され、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質層17は、例えば、現行のウエーハに良く見られるノッチと同じ位置に三角形形状に形成される。図1Bに示されるように、識別マークとしての改質層17はウエーハ11の表面11a側に形成するのが好ましい。しかし、改質層17は現行のノッチと同じ位置に三角形状に形成する必要がなく、オリエンテーションフラットと同じ位置に直線状の改質層を形成して識別マークとしてもよい。更に、識別マークとしての改質層17はシリコンウエーハ11の結晶方位と何らかの関係性を有するマークであればよく、その形状は限定されるものではない。シリコンウエーハ11においては、このような結晶方位を示す識別マークとしての改質層17は外部から視認することができない。そこで、フォトリソグラフィプロセスで使用する露光装置でシリコンウエーハ11の表面11aに回路をパターニングする際、赤外線カメラでシリコンウエーハ11の改質層17部分を撮像して改質層17を検出し、この改質層17の向きを基準として回路をパターニングするようにする。次に、図2を参照して、図1に示したシリコンウエーハ11の識別マーク形成方法について説明する。12はレーザビーム照射ユニットであり、ケーシング14内に収容された図3に示すレーザビーム発生ユニット16と、ケーシング14の先端に取り付けられた集光器18とから構成される。20は顕微鏡及びCCDカメラを有する撮像ユニットである。レーザビーム発生ユニット16は、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器22と、繰り返し周波数設定手段24と、パルス幅調整手段26と、パワー調整手段28とを含んでいる。識別マークを形成するには、レーザ加工装置のチャックテーブル10でシリコンウエーハ11を吸引保持する。そして、レーザビーム発生ユニット16のパワー調整手段28で所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング14の先端に取り付けられた集光器18のミラー30で反射され、更に集光用対物レンズ32によってチャックテーブル10に保持されたウエーハ11の内部の表面11a側に集光される。集光器18によりウエーハ11内部の表面11a側に集光点を合わせて所定パワーのレーザビームを照射しながら、チャックテーブル10をX軸方向に集光器18をY軸方向に同時に移動して、目標とする形状の改質層17をシリコンウエーハ11の内部に形成する。このウエーハの結晶方位を示す識別マークとしての改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:1064nm出力:0.1W繰り返し周波数:50kHz上述した実施形態では、シリコンウエーハ11に改質層17を形成しているが、本発明が適用されるウエーハはシリコンウエーハに限定されるものではなく、化合物半導体ウエーハ、サファイアウエーハ、GaNウエーハ等の結晶体からなるウエーハであれば本発明は適用可能である。