"1の試料の複数の測定点のカソードルミネッセンス特性を測定する方法であって、a前記試料の前記複数の測定点のうち第1の測定点のカソードルミネッセンス特性を測定する工程と、b前記工程aに連続して、前記複数の測定点のうち、前記第1の測定点および前記第1の測定点に隣接する測定点以外の第2の測定点のカソードルミネッセンス特性を測定する工程と、を有するカソードルミネッセンス特性の測定方法。カソードルミネッセンス評価においては、評価する材料によっては電子線照射効果により得られる発光スペクトルが経時変化する場合がある。電子線をポイント照射した場合の電子線照射に伴う発光スペクトルの経時変化は、電子線照射の効果が現れる領域、すなわちカソードルミネッセンス評価の空間分解能の範囲で生じる。従来のカソードルミネッセンス評価においては隣接点を続けて測定することとなる。よって、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料を評価する場合、カソードルミネッセンスの空間分解能以下の測定間隔で隣接点を連続的にマッピングすると、各測定点では事前測定点での電子線照射の影響を含んだ信号を検出することとなり、試料の本質的な情報を得ることが困難であった。そこで従来は、ビームブランキング装置とロックインアンプによる方法を用い、事前測定点の電子線照射の影響がなくなるまで次点に電子線を照射しないよう、制御用ソフトウェア上でウェイト時間を設定することで、事前の電子線照射の影響を抑制していた。しかし、この方法を用いた場合、マッピング測定時間に加えマッピング測定点数分のウェイト時間が加算されることとなり、1回のマッピング測定に多大な時間を要してしまうという問題があった。本発明では上記従来技術を鑑み、検出信号が電子線照射に伴い経時変化するような試料におけるカソードルミネッセンスのマッピング評価を、短時間で評価可能なカソードルミネッセンス特性の測定方法の提供を目的としている。上記目標を達成するために、本発明のカソードルミネッセンス特性の測定方法は、1の試料の複数の測定点に対して、a前記試料の前記複数の測定点のうち第1の測定点のカソードルミネッセンス特性を測定する工程と、b前記工程aに連続して、前記複数測定点のうち、前記第1の測定点および前記第1の測定点に隣接する測定点以外の第2の測定点のカソードルミネッセンス特性を測定する工程と、を有する。すなわち、測定点の測定順序を従来の隣接点を連続で測定する方式から、隣接点を連続で測定しない方式を用いる。本発明は、上記構成により、電子線照射によって試料が変質する試料、もしくは検出信号が電子線照射に伴い経時変化するような試料をマッピング評価する場合、従来の電子線スキャン方式比べウェイト時間が不要となることで測定時間を大幅に短縮することが可能である。以下に、本発明に係わるカソードルミネッセンス特性の測定方法についての発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。カソードルミネッセンス装置の説明本発明の装置の構成例を図1に示す。カソードルミネッセンス装置において、電子線照射部は鏡筒1、電子線を出射する電子銃2、電子線の光軸を調整する軸あわせコイル3、絞り4を有する。試料5は試料ステージ6に載置される。試料5から発生した発光は、集光ミラー7で集光され、ライトガイド8によってモノクロメータ9に導かれる。モノクロメータ9は、スキャナ10によって駆動される。モノクロメータ9により単色化された光は検出する光検出器11で検出される。光検出器11にCCDを用いた場合、スペクトルを検出することができる。代わって、光検出器11にホトマルを用いた場合には、カウントから単色光の強度を検出することができる。光検出器11から出力される情報は、計測系12に入力される。計測系12は、装置の全体の動作を制御するコンピュータ13を有し、コンピュータ13は測定プログラム14を設けている。コンピュータ13は、計測系12に出力された情報を受けて検出信号を出力するかカラーディスプレイ16、測定プログラムにコマンドを入力するキーボードマウス17を有する。ステージ駆動装置15は、測定プログラム14から出力された座標情報を受け試料ステージ6を駆動する。カソードルミネッセンス装置は、試料ステージ6を介して試料5を冷却する冷却システム18を有する。冷却システム18には試料ステージの周囲を液体Heや液体窒素で冷却する方式、もしくは断熱圧縮によって冷却する方式を用いる事ができる。図2は図1に示す装置の電子光学系を示す図である。図1と同一のものは、同一の符号を付して示す。図2において、電子線を出射する電子銃2は軸あわせコイル3、絞り4、電子線を集束する集束レンズ20、電子線を絞る対物絞り21、電子線を走査させる走査コイル22、電子線を微小量だけ移動させる微小移動コイル23,対物レンズ24、を有する。上記構成を用いたカソードルミネッセンスによるマッピング評価において、電子線スキャン方法としては以下の2つの方法が考えられる。1ステージ位置は固定し、本発明のスキャン方式で電子線を走査させる方式2ビーム照射位置を固定し、ステージを本発明のスキャン方式で走査させる方式また、いずれの方式においても、現点測定から次点測定までは電子線を一時遮断する必要がありそのためには以下の2つの方法が考えられる。aビームブランキング方式bパルス電子銃方式ビームブランキング方式とは、電子線に電界を掛けることで測定時間以外は電子線を試料に当たるのを防ぐことができる方式を示す。対して、パルス電子銃方式とは、ある一定間隔で電子銃からパルスで電子線を発生することができる方式を示す。上記装置構成を用いカソードルミネッセンスによるマッピング評価を実施する場合、測定プログラム14を起動し測定条件の入力が行う。すると分析が開始され、電子銃2から出射されたパルス方式の電子線は、集束レンズ20により細く絞られて試料ステージ6に装着された試料5を、測定プログラム14により指定した測定条件でマッピング測定を実施する。なお、電子線照射によって得られる発光スペクトルに経時変化が生じる試料を評価する場合には、電子銃2はで設定した測定時間のみ試料を照射し、ロックインアンプによって電子線照射時のみの信号を検出できるように設定されている。よって、測定点間の移動時には試料に電子線は照射されない。検出された情報はカラーディスプレイに表示され、測定後コンピュータに保存することができる。従来の測定方法の説明上記装置構成を用いたカソードルミネッセンスによるマッピング評価を実施する場合、従来の方式では測定プログラム14に測定点数i×i、1点辺りの測定時間t、ウェイト時間τを入力する。従来の方式では、測定プログラム14の電子線スキャン方式は、隣接点を続けて測定するように設定されていた。従来のカソードルミネッセンス評価において測定点数i×iのマッピング評価を実施する場合、測定点をa、x=0~i、y=0~iのように表記とすると、各点の測定は以下の順序で実施される。図3a→a→a→→a→a→a→a→→a→→a→a上記の電子線スキャン方式では、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料を評価する場合、カソードルミネッセンスの空間分解能以下の測定間隔で隣接点を連続的にマッピングすると、各測定点では事前測定点での電子線照射の影響を含んだ信号を検出することとなり、試料の本質的な情報を得ることが困難である。そのため、従来の電子線スキャン方式では、ビームブランキング装置とロックインアンプによる方法を用い、事前測定点の電子線照射の影響がなくなるまで次点に電子線を照射しないよう、制御用ソフトウェア上でウェイト時間τを設定することで、事前の電子線照射の影響を抑制していた。しかし、この方法を用いた場合、マッピング測定に掛かる時間Tは、T=[測定点数i×i]×1点あたりの測定時間tτとなり、実際の測定時間i×i×tに加え測定点数分のウェイト時間i×i×τが加算されることとなり、1回のマッピング測定に多大な時間を要してしまう。そこで、本発明においては電子線スキャン方式を変更することで測定に要するウェイト時間を削減し、1回のマッピング測定に要する時間を大幅に低減可能な方法に関して提案する。電子の侵入長Reについて以下にカソードルミネッセンスの空間分解能δの定義を示す。カソードルミネッセンスにおいて、空間分解能δは電子線照射によって物質中で生成された少数キャリアが生成領域から周囲に拡散し、発光性の再結合を起こす領域の大きさである。物質に入射した電子の侵入長Reは経験的に以下の式で表される。Ag/molは質量数、Zは原子番号、ρ[g/cm3]は物質の密度、EkeVは入射電子のエネルギーである。電子線照射により電子正孔対は侵入長Reを直径とする球内に生成される。電子線のビーム形dbを考慮に入れると、電子正孔対の生成領域の直径はで与えられる。ここで、小数キャリアの拡散長はであることから、カソードルミネッセンスの空間分解能δは、となる。カソードルミネッセンスの空間分解能δは、小数キャリアの拡散長Lが無限大と仮定して計算しても電子の侵入長Reの2倍程度であることから、本発明においてカソードルミネッセンスの空間分解能δを2Reと定義する。カソードルミネッセンスのマッピング評価において、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料を評価する場合、上述したカソードルミネッセンスの空間分解能2Reの1/2、すなわちRe以下の測定間隔で隣接点を連続的にマッピングすると、各測定点では事前測定点での電子線照射の影響を含んだ信号を検出することとなり、試料の本質的な情報を得ることが困難である。そこで、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料をマッピング評価する場合、連続測定点間隔はRe以上とするのが望ましい。本発明においては、測定プログラム14に対し、測定条件となる電子線の入射エネルギーE[keV]、評価材料の質量数Ag/mol、原子番号Z、密度ρ[g/cm3]をキーボードマウス17からコンピュータ13に入力する。上記パラメータの入力により、測定プログラム14はカソードルミネッセンスを用いたマッピング評価における連続測定点間隔の下限値Reを1式より算出することができる。また、本発明において、測定プログラム14に測定領域L×L、マッピング間隔S、測定時間t、ウェイト時間τを入力する。測定プログラム14はマッピング評価において連続して測定する点はRe以上離して測定する、測定点から連続測定点間隔の下限値Re以内の距離にある点は、設定したウェイト時間τ以上の時間が経過してから測定する、という条件を満たす電子線スキャン方式を採用することができる。本発明による電子線スキャン方式を採用することで、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料を評価する場合、マッピング測定時間Tから従来の方式では必要であった測定点数分のウェイト時間i×i×τを大幅に削減することが可能となる。実施形態1本実施形態において、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料を評価する場合、カソードルミネッセンスを用いたマッピング測定時間の短縮に有効な電子線スキャン方式とその効果に関して説明する。本実施形態では、隣接点を連続で測定しない電子線のスキャン方式と、電子線を一時遮断する機構の組み合わせることで、事前測定点の電子線照射の影響がなくなるまでの時間は、事前測定点からある一定の距離離れた点を測定する事が可能である。特に本実施形態では、制御ソフトを用いたカソードルミネッセンスのマッピング測定において、連続測定する点間の距離をポイント照射において電子線照射効果が影響する領域、すなわちカソードルミネッセンスの空間分解能以上保つように電子線照射位置をコントロールする構成となっている。本実施形態においては、測定プログラム14はマッピング測定における各測定点の測定順序を以下の流れで決定する。測定プログラム14に対し、測定パラメータである電子線の入射エネルギーE[keV]、評価材料の質量数Ag/mol、原子番号Z、密度ρ[g/cm3]、測定領域L×L、マッピング間隔S、測定時間t、ウェイト時間τをキーボードマウス17からコンピュータ13に入力すると、マッピング測定における連続測定点間隔の下限値Reを算出し、入力したマッピング間隔Sと比較する。Re電子の侵入長>Sマッピング間隔の場合、測定プログラム14は、Q=nS、n≧2を入力した測定パラメータに対する連続測定点の間隔として採用することができる。なお、Re≦Sの場合は、本実施形態の測定方法を採用した場合と、従来の測定方法を採用した場合で、本質的に測定時間に差異は生じない。測定領域L×Lに対しマッピング間隔Sで測定すると、マッピング評価はL/S×L/Sの測定点数で実施することとなる。ここで、本実施例におけるマッピング各点をax,y、x=0~i、y=0~i、i=L/Sと表記する図4。マッピング点a0,0をX,Y座標の原点0,0と定義すると、マッピング各点の座標は順次以下のように指標付けることができる。a0,0=0,0、a1,0=S,0、a2,0=2S,0、、an,0=nS,0、ai,i=L,Lさらに、本実施例においては、測定領域L×Lに対し、a0,0を測定開始点、連続測定する間隔をQ=nSずつ離してマッピング測定するならば、a0,0→an,0→a2n,0→→ai,0→a0,n→→ai,n→→a0,i→ai-n,i→ai,iのマッピング順序で測定を実施することとなる。しかし、上述したマッピングでは電子線照射の影響を避けるため間隔をQずつ離して測定しているため、i/n×i/nの測定点数しか測定できておらず、目的の測定点数i×iの測定を満足していない。上述した測定領域L×Lに対するスキャンを1サイクルとすると、目的の測定点数i×iの全マッピング点ax,yを測定するには、測定開始点をx、y方向にSずつ移動しながらn2回サイクルのスキャンを実施することが必要である。なお、n2回サイクルにおける各スキャンの測定開始点は以下のように定義できる。ax,y、x=0~n-1、y=0~n-1n2回サイクルにおける各スキャンの測定開始点がa0,0→a1,0→a2,0→→an-1,0→a0,1→a1,1→→an-11→→a0n-1→a1n-1→→an-1,n-1の順に移動するならば、本実施形態において、目的の測定点数i×iの全マッピング点ax,yを測定することができる。n2回サイクルのスキャンは以下のような順序で実施される。1サイクル目のスキャンa0,0→an,0→a2n,0→→ai,0→a0,n→→ai,n→→a0,i→ai-n,i→ai,i2サイクル目のスキャンa1,0→a1n,0→a12n,0→→ai-n1,0→a1,n→→ai-n1,n→→a1,i→→ai-n1,inサイクル目のスキャンan-1,0→a2n-1,0→→ai-1,0→an-1,n→→ai-1,n→→an-1,i→→ai-1,in1サイクル目のスキャンa0,1→an,1→a2n,1→→ai,1→a0,n1→→ai,n1→→a0,i-n1→ai-n,i-n1→ai,i-n1n2回サイクル目のスキャンan-1,n-1→a2n-1,n-1→→ai-1,n-1→an-1,2n-1→→ai-1,2n-1→→an-1,i-1→→ai-1,i-1マッピング測定時間の評価上述した電子線スキャン方式では、1サイクルのスキャン点数はi/n×i/nであり、1サイクルのスキャンに掛かる時間はi/n×i/n×tとなる。Q>Reの場合、1サイクルの中で測定点間はRe以上の間隔を空けて測定しているため、連続測定する点間でウェイト時間τを設定する必要はない。但し、各サイクルの開始点はRe以下の距離で隣接しているため、1サイクルの測定時間i/n×i/n×tが設定したウェイト時間τより短かった場合、次サイクルの測定開始までτ-i/n×i/n×tの時間分、測定を待機する必要がある。以上より、カソードルミネッセンスのマッピング評価において本実施例を用いると、電子線照射に伴い得られる発光スペクトルに経時変化を生じる材料をQ>Reの条件下で評価する場合のマッピング測定時間Tとしては2種類が定義できる。1.1サイクルの測定時間i/n×i/n×t>ウェイト時間τの場合[マッピング測定時間T]=[測定点数i×i]×[1点あたりの測定時間t]2.1サイクルの測定時間i/n×i/n×t<ウェイト時間τの場合[マッピング測定時間T]=[測定点数i×i]×[1点あたりの測定時間t][サイクル回数n2]×[待機時間{τ-i/n×i/n×t}]すなわち、1サイクルの測定時間i/n×i/n×t>ウェイト時間τの場合は、マッピング測定においてウェイト時間が必要でないこと、1サイクルの測定時間i/n×i/n×t<ウェイト時間τの場合でも従来の電子線スキャン方式に比べ大幅にウェイト時間が短縮できることが分かる。なお、Q<Reの場合でも、従来の方法に比べ連続測定する点間のウェイト時間を短縮して測定可能なため、マッピング測定時間Tが短縮される。次に、本実施例の電子線スキャン方式を採用した場合の具体的な測定時間の短縮効果を算出する。今回は、電子線の入射エネルギー5keVでGaN材料を評価する場合を考え、測定プログラム14に入力するパラメータは以下の通りとなる。なお、GaNのように二種類以上の原子が混在している場合、質量数A、原子番号Zは各原子の値の平均値を採用する。電子線の入射エネルギーE:5[keV]質量数A:41.9[g/mol]原子番号Z:19密度ρ:6.11[g/cm3]上記条件下ではRe=200nmと算出される。また、測定条件は以下のように設定した。測定領域L×L:50μm×50μmマッピング間隔S:10nm1点辺りの測定時間t:100μsウェイト時間τ:100μs上記条件下ではマッピング測定点数は5000点×5000点となる。またマッピング間隔が10nmとRe=200nmよりも小さいため、従来のスキャン方式ではウェイト時間の設定が必要である。本発明を用いて上記測定を実施した場合、Q>Reとなる最小の値を採用すると、Q=210nmとなる。従来の電子線スキャン方式の場合、上記条件でのマッピング測定時間Tは以下のように算出できる。マッピング測定時間T=5000×5000測定点数×{100μs1点辺りの測定時間100μsウェイト時間}=5000000000μs≒84minそれに対して、本発明による電子線スキャン方式を用いた場合、マッピング測定時間Tは以下のように算出できる。マッピング測定時間T=5000×5000測定点数×100μs1点辺りの測定時間=5000000000μs≒42minなお、今回の条件化では、1サイクルの測定時間i/n×i/n×t>ウェイト時間τの条件に当たるため、サイクル間の待機時間は発生しない。そのため、今回の条件下では従来の方式に比べ、測定時間Tから測定点分のウェイト時間i×i×τ=5000×5000×100μs=5000000000μs≒42minの時間分削減可能である。以上はカソードルミネッセンスのマッピング領域が略正方形の場合について説明したが、本発明はマッピング領域が略正方形でない場合、たとえば長方形の場合についても適用可能である。"