"サファイア単結晶基板と、前記サファイア単結晶基板の一方主面に形成された第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に形成された、半導体素子として機能する第1素子機能部と、前記一方主面上に配置され、前記第1素子機能部に電気的に接続された第1アンテナ部と、前記サファイア単結晶基板の他方主面に形成された第2化合物半導体層と、前記第2化合物半導体層に形成された、半導体素子として機能する第2素子機能部と、前記他方主面上に配置され、前記第2素子機能部に電気的に接続された第2アンテナ部とを備え、前記第1素子機能部が前記第1アンテナ部に送信用電気信号を送り、前記第1アンテナ部が前記送信用電気信号に応じた電波を発信し、前記第2アンテナ部が、前記サファイア単結晶基板を透過した前記電波を受信して、受信した前記電波に応じた受信電気信号を前記第2素子機能部に送り、前記第2素子機能部が前記受信電気信号を処理することを特徴とする集積型半導体装置。前記第1化合物半導体層および前記第2化合物半導体層は、III-V族化合物半導体を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の集積型半導体装置。前記第1化合物半導体層および前記第2化合物半導体層は、AlxGa1-x-yInyN0≦x,y,xy≦1で表される窒化物系半導体を主成分とすることを特徴とする請求項2に記載の集積型半導体装置。前記一方主面に配置された、前記第1素子機能部に電気的に接続された第3素子機能部を有し、前記第3機能部は、前記一方主面に接合された半導体基板に形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の集積型半導体装置。前記半導体基板は、シリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項4に記載の集積型半導体装置。1つの前記第1素子機能部に複数の前記第3素子機能部が接続されており、前記第1素子機能部は、複数の前記第3素子機能部のそれぞれから送られた電気信号を受け取り、受け取った複数の前記電気信号を統合して、複数の前記電気信号が統合された統合電気信号を生成し、生成した前記統合電気信号を前記送信用電気信号として前記第1アンテナ部に送ることを特徴とする請求項4または5記載の集積型半導体装置。前記他方主面に配置された、前記第2素子機能部に電気的に接続された第4素子機能部を有し、前記第4素子機能部は、前記他方主面に接合された半導体基板に形成されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の集積型半導体装置。前記半導体基板は、シリコン単結晶基板であることを特徴とする請求項7に記載の集積型半導体装置。1つの前記第2素子機能部に複数の前記第4素子機能部が接続されており、前記第2素子機能部は、前記第2アンテナ部から送られた前記受信電気信号を処理し、複数の前記第4素子機能部のそれぞれに応じた複数の分配電気信号を生成して、複数の前記第4素子機能部のそれぞれに前記分配電気信号を送ることを特徴とする請求項7または8記載の集積型半導体装置。前記第1アンテナ部がチップアンテナであることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の集積型半導体装置。前記第2アンテナ部がチップアンテナであることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の集積型半導体装置。特許文献1に記載の集積型半導体装置のように、中間基板100に設けたビア導体140を介して、複数の半導体チップを電気的に接続する場合には、半導体チップ110Aの電極112Aと、半導体チップ100Bの電極112Bとに対応するよう、複雑に曲折したビア導体140を形成する必要があり、中間基板100の形成に多大なコストが生じるといった課題があった。また、半導体チップ110Aと半導体チップ110Bとの間で高周波信号を伝送する場合に、半田ボール150やビア導体140における抵抗損失やインピーダンス不整合の問題が生じ、半導体チップ間で伝送させる信号の周波数を十分高くすることができないといった課題もあった。また、半導体チップ110Aおよび110B自体の小型化や、接合のための半田ボール150の小型化には限界があり、半導体装置全体の小型化に限界があるといった課題があった。本発明は、かかる課題を解決することを目的とする。本発明は、サファイア単結晶基板と、前記サファイア単結晶基板の一方主面に形成された第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層に形成された、半導体素子として機能する第1素子機能部と、前記一方主面上に配置され、前記第1素子機能部に電気的に接続された第1アンテナ部と、前記サファイア単結晶基板の他方主面に形成された第2化合物半導体層と、前記第2化合物半導体層に形成された、半導体素子として機能する第2素子機能部と、前記他方主面上に配置され、前記第2素子機能部に電気的に接続された第2アンテナ部とを備え、前記第1素子機能部が前記第1アンテナ部に送信用電気信号を送り、前記第1アンテナ部が前記送信用電気信号に応じた電波を発信し、前記第2アンテナ部が、前記サファイア単結晶基板を透過した前記電波を受信して受信した前記電波に応じた受信電気信号を前記第2素子機能部に送り、前記第2素子機能部が前記受信電気信号を処理することを特徴とする集積型半導体装置を提供する。本発明の集積型半導体装置は、従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる。また、本発明の集積型半導体装置は、低いコストで製造することができる。図1は、本発明の集積型半導体装置の一実施形態である集積型半導体装置1以下、半導体装置1とするについて説明する概略断面図である。半導体装置1は、サファイア単結晶基板10と、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに形成された第1化合物半導体層20と、第1化合物半導体層20に形成された、半導体素子として機能する第1素子機能部22と、一方主面10A上に配置され、第1素子機能部22に電気的に接続された第1アンテナ部23と、サファイア単結晶基板10の他方主面10B上に形成された第2化合物半導体層30と、第2化合物半導体層30に形成された、半導体素子として機能する第2素子機能部32と、他方主面10B上に配置され、第2素子機能部32に電気的に接続された第2アンテナ部33とを備えている。半導体装置1では、第1素子機能部22が第1アンテナ部23に送信用電気信号を送り、第1アンテナ部23が送信用電気信号に応じた電波を発信し、第2アンテナ部33が、サファイア単結晶基板10を透過した電波40を受信する。第2アンテナ部33からは、受信した電波40に応じた受信電気信号を第2素子機能部32に送り、第2素子機能部32が受信電気信号を処理する。半導体装置10はこのように、サファイア基板10の一方主面10Aに配置された第1素子機能部22と、他方主面10Bに配置された第2素子機能部32との間で、電波を介した情報のやり取りを行う。半導体装置1は、一方主面10Aから他方主面10Bへ、導体で形成された電気配線を通じて信号を送る場合に比べ、電極パッドやビア導体における抵抗損失やインピーダンス不整合による信号の劣化が生じ難く、情報通信の精度が高い。第1化合物半導体層20および第2化合物半導体層30は、III-V族化合物半導体を主成分とする。より具体的には、第1化合物半導体層20および第2化合物半導体層30は、AlxGa1-x-yInyN0≦x,y,xy≦1で表される窒化物系半導体を主成分とする化合物半導体層からなる。第1化合物半導体層20は、例えばサファイア単結晶基板10の一方主面10Aにエピタキシャル成長されており、第2化合物半導体層30は、他方主面10Bにエピタキシャル成長されている。III-V族化合物半導体、特にAlxGa1-x-yInyN0≦x,y,xy≦1で表される窒化物系半導体等は、サファイア単結晶と近い格子定数を有している。サファイア単結晶基板10の一方主面10Aには、結晶欠陥等が少なく結晶性が高い、第1化合物半導体層20をエピタキシャル成長させることができる。同様に、サファイア単結晶基板10の他方主面10Bには、結晶欠陥等が少なく結晶性が高い、第2の化合物半導体層30をエピタキシャル成長させることができる。第2素子機能部33は、他方主面10Bにエピタキシャル成長された化合物半導体層30に形成されている。第1素子機能部22および第2素子機能部32は、公知の半導体素子製造プロセスを経て第1化合物半導体層20に形成された、電気信号を処理可能な電子デバイス素子構造を有している。III-V族化合物半導体、特にAlxGa1-x-yInyN0≦x,y,xy≦1で表される窒化物系半導体は、広いバンドギャップと直接遷移型のバンド構造を有しており、電子デバイス素子として用いた場合、高周波信号の処理能力が高く、第1アンテナ部23および第2アンテナ部33への出力電圧も高くすることができる。第1アンテナ部23は、サファイア単結晶基板10の一方主面10A上に配置された、いわゆるチップアンテナからなり、誘電体であるセラミック基体に、金属等からなる導体配線が施されてなる。第1アンテナ部23は、例えば電気配線層27を介して第1素子機能部22に電気的に接続されている。第2アンテナ部33も同様に、サファイア単結晶基板10の他方主面10Bに配置された、いわゆるチップアンテナからなり、第2アンテナ部33は、例えば電気配線層37を介して第2素子機能部32に電気的に接続されている。第1アンテナ部23および第2アンテナ部33は、いわゆるチップアンテナであることに限定されず、例えば、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aや他方主面10Bにそれぞれ形成された、金属層からなる導体パターンによって形成されていてもよく、各アンテナ部の構成については特に限定されない。チップアンテナの場合には、基体表面に形成する3次元的な導体配線の形状を調整することによって、発信する電波の空間的な強度分布や、受信感度の空間的な分布を調整することが可能であり、第1アンテナ部23と第2アンテナ33との間での効率的な電波の送受信を実現する点で、チップアンテナを用いることが好ましい。半導体装置1では、第1化合物半導体層20に形成された第1素子機能部22が、高周波かつ高出力の送信用電気信号を第1アンテナ部23に送り、第1アンテナ部23から高周波かつ高出力の電波が送信される。サファイア単結晶基板10は電波を透過し易く、第1アンテナ部23から送信された電波はサファイア単結晶基板10を透過し、第2アンテナ部33が、サファイア単結晶基板10を透過したこの電波を受信する。第2アンテナ部33に接続された第2素子機能部32も、高周波信号の処理能力が高く、第1素子機能部22から送信された高周波信号に対応する信号を、高速かつ高精度に処理することができる。本実施形態の半導体装置1は、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに配置された、第1素子機能部22に電気的に接続された第3素子機能部26と、他方主面10Bに配置された、第4素子機能部36とを有している。第3素子機能部26は、一方主面10Aに接合された、いわゆるシリコン半導体素子からなり、第3素子機能部26は電気信号を処理可能な電子デバイス素子構造を有している。同様に第4素子機能部36も、他方主面10Bに接合されたシリコン半導体素子からなり、電気信号を処理可能な電子デバイス素子構造を有している。シリコン半導体素子は、様々な技術分野における様々な電子デバイスで用いられており、シリコン単結晶半導体素子による信号処理を短時間で大量に行うことは、これら電子デバイスにおいて重要である。複数の第3素子機能部26と複数の第4素子機能部36とを備える半導体装置1は、様々な電子デバイスにおける複数の信号処理に対応させて用いることができる。例えば電子デバイスにおける複数の機能それぞれの制御情報を同時に受け取り、複数の第3素子機能部26それぞれで個別に処理することができる。シリコン単結晶は、例えばIII―V族半導体と比べてバンドギャップも狭く、また間接遷移型の結晶構造である。このため、シリコン単結晶基板に形成された第3素子機能部26の電子デバイス構造は、AlxGa1-x-yInyN0≦x,y,xy≦1で表される窒化物系半導体を用いた第1素子機能部22の電子デバイス構造に比べると、処理できる信号の周波数が低く、また、信号の出力電圧も小さい。III―V族半導体に形成された第1素子機能部22は、複数の第3素子機能部26それぞれで処理された信号を、一括して同時に処理することが可能であり、同様に第2素子機能部32は、複数の第4素子機能部36それぞれで同時に処理される信号を、一括して同時に処理することが可能となっている。半導体装置1では、1つの第1素子機能部22に複数の第3素子機能部26が接続されている。第1素子機能部22および複数の第3素子機能部には、それぞれ図示しない電極が設けられており、第1素子機能部22および複数の第3素子機能部26は、電極間に設けられたボンディングワイヤ29によって電気的に接続されている。第1素子機能部22は、複数の第3素子機能部26の各々から送られた電気信号を受け取り、受け取った複数の電気信号を統合して、複数の電気信号が統合された統合電気信号を生成する。第1素子機能部33は、生成した統合電気信号を送信用電気信号として第1アンテナ部23に送る。第1素子機能部22は、第3素子機能部26に比べて信号の処理能力が高く、複数の第3素子機能部26から送られた電気信号を同時に処理し、周波数が高く単位時間当たりの情報密度が高い統合電気信号を生成することができる。また第3素子機能部26は出力できる電圧も高く、サファイア単結晶基板10を透過できる十分な強度の電波を、第1アンテナ部23を介して送信することができる。サファイア単結晶基板10の他方主面10Bに配置された1つの第2素子機能部33にも、ボンディングワイヤ39を介して複数の第4素子機能部36が電気的に接続されている。第2素子機能部32は、第2アンテナ部33から送られた受信電気信号を処理し、複数の第4素子機能部36のそれぞれに応じた複数の分配電気信号を生成する。上述のように、化合物半導体層に形成された第2素子機能部32は、シリコン単結晶基板に形成された第4素子機能部36に比べて、信号の処理能力が高い。第2素子機能部32は、複数の第3素子機能部26から送られた電気信号が統合された統合電気信号に対応する、第2アンテナ部33から送られた受信信号を短時間で処理して、複数の第4素子機能部36のそれぞれに応じた複数の分配電気信号を同時に生成することができる。半導体装置1は、例えば以下のような手順で作製することができる。図2は、半導体装置1の製造方法について説明する概略断面図である。まず、図2aに示すように、サファイア単結晶基板10を準備し、このサファイア単結晶基板10の一方主面10Aの側に、MOVPE法、HVPE法、MOCVD法等の公知の手法を用い、バッファ層、クラッド層、導電層など、材料比率が異なる複数のエピタキシャル層が積層された、III-V族半導体からなる第1化合物半導体層20を形成する。次に、図2bに示すように、サファイア単結晶基板10の他方主面10Bの側に、同様に、MOVPE法、HVPE法、MOCVD法等の公知の手法を用い、バッファ層、クラッド層、導電層など、材料比率が異なる複数のエピタキシャル層を積層することで、第2化合物半導体層30を形成する。次に、図2cに示すように、エピタキシャル成長によって形成した化合物半導体層に、フォトリソグラフィーやエッチングなどの各種半導体形成プロセスを施し、第1素子機能部22と、電気配線層27とを形成する。この際、例えば第1素子機能部22以外の領域の第1化合物半導体層20をエッチング除去し、その後、蒸着法等を用いて金属薄膜層からなる電気配線層27を形成すればよい。その後、図2dに示すように、第1素子機能部22と電気配線層27とを被覆するように、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aの側全体に、例えば樹脂や金属酸化物等の絶縁性保護膜56を形成する。次に、絶縁性保護膜56によって第1素子機能部22と電気配線層27とが物理的に保護された状態で、他方主面10Bに形成された第2化合物半導体層30に、フォトリソグラフィーやエッチングなどの各種半導体形成プロセスを施し、第2素子機能部32と電気配線層37とを形成した後、絶縁性保護膜56をエッチング等により除去する図2eに示す状態。次に、図2fに示すように、シリコン半導体素子からなる第3素子機能部26を、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに接合した後、同様に、シリコン半導体素子からなる第4素子機能部36を、サファイア単結晶基板10の他方主面10Bに接合する。サファイア基板10に対するシリコン半導体素子の接合技術としては、接合する対象面の表面を活性化して接合する方法、および静電気力を利用して接合する方法等が挙げられる。表面を活性化する方法としては、サファイア単結晶基板10の表面と、半導体素子の接合する対象面を、例えば真空中でイオンビームを照射して表面をエッチングして活性化する方法や、化学溶液で接合する対象面の表面をエッチングして活性化する方法などが挙げられる。表面を活性化させる接合方法は、原子間力などを利用したいわゆる固相接合であり、サファイア単結晶基板10と、第3素子機能部26および第4素子機能部のシリコン半導体基板とが、直接的に接合されている。このような表面を活性化して行う接合では、接合部分が例えば100°C以下と比較的低温であっても、サファイア単結晶基板10とシリコン半導体素子とを十分に強い強度で接合することができる。その後、図2fに示すように、公知のワイヤボンディング装置等を用いてボンディングワイヤ29を形成して、第3素子機能部26と第1素子機能部22とを接続し、さらに、ボンディングワイヤ39を形成して、第4素子機能部36と第2素子機能部32とを接続する。その後、図2gに示すように、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに、チップアンテナからなる第1アンテナ部23を、例えばフリップチップボンディング法等を用いて実装するとともに、サファイア単結晶基板10の他方主面10Bに、チップアンテナからなる第2アンテナ部33を実装する。半導体層装置10は、例えばこのようなプロセスを経て作製することができる。以上、本発明の集積型半導体装置の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されない。半導体基板の材質、化合物半導体層の材質、素子機能部が有する素子構造や、集積型半導体装置の製造方法など、本発明の実施形態は特に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。"