"シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光することにより、前記加工対象物の厚さ方向に対して一の側方側に傾斜する改質領域形成予定ラインに沿って、前記加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、これら複数の前記改質スポットによって改質領域を形成する改質領域形成工程と、前記改質領域形成工程の後、前記加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、前記厚さ方向に対し傾斜して延びる空間を前記加工対象物に形成するエッチング処理工程と、を備え、前記改質領域形成工程では、隣接する前記改質スポットの少なくとも一部が前記一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の前記改質スポットを形成するレーザ加工方法。前記改質領域形成工程は、隣接する前記改質スポットの一部が前記一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の前記改質スポットを前記厚さ方向にずらしながら前記改質領域形成予定ラインに沿って形成する工程を含む請求項1記載のレーザ加工方法。前記改質領域形成工程では、前記加工対象物に対し、前記一の側方方向と直交する他の側方方向に沿って前記レーザ光の集光点を移動させつつ該レーザ光を照射する請求項2記載のレーザ加工方法。前記改質領域形成工程は、前記一の側方方向に沿って連続するように並ぶ2以上の前記改質スポットを改質スポット群として複数形成すると共に、隣接する一対の前記改質スポット群の一部が前記厚さ方向から見て互いに重なるように、複数の前記改質スポット群を前記一の側方方向にずらしながら前記改質領域形成予定ラインに沿って形成する工程を含む請求項1記載のレーザ加工方法。前記改質領域形成工程では、前記加工対象物に対し、前記一の側方方向に沿って前記レーザ光の集光点を移動させつつ該レーザ光を照射する請求項4記載のレーザ加工方法。前記改質領域形成工程は、隣接する前記改質スポットの一部が前記一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の前記改質スポットを前記厚さ方向にずらしながら前記改質領域形成予定ラインに沿って形成する第1の工程と、前記一の側方方向に沿って連続するように並ぶ2以上の前記改質スポットを改質スポット群として複数形成すると共に、隣接する一対の前記改質スポット群の一部が前記厚さ方向から見て互いに重なるように、複数の前記改質スポット群を前記一の側方方向にずらしながら前記改質領域形成予定ラインに沿って形成する第2の工程と、を含む請求項1記載のレーザ加工方法。前記改質領域形成予定ラインは、前記加工対象物の111面に沿って延びる請求項1~6の何れか一項記載のレーザ加工方法。前記空間は、前記加工対象物の表面及び裏面に開口する貫通孔である請求項1~7の何れか一項記載のレーザ加工方法。ここで、上述したようなレーザ加工方法としては、様々な分野への適用が進む中、例えば設計自由度の向上等のため、加工対象物の厚さ方向に対し傾斜する方向以下、単に斜め方向ともいうに延びる孔等の空間を、加工対象物に精度よく形成できるもの求められている。そこで、本発明は、加工対象物の厚さ方向に対し傾斜する方向に延びる空間孔を、加工対象物に精度よく形成することができるレーザ加工方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の一側面に係るレーザ加工方法は、シリコンで形成された板状の加工対象物にレーザ光を集光することにより、加工対象物の厚さ方向に対して一の側方側に傾斜する改質領域形成予定ラインに沿って、加工対象物の内部に改質スポットを複数形成し、これら複数の改質スポットによって改質領域を形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させ、厚さ方向に対し傾斜して延びる空間を加工対象物に形成するエッチング処理工程と、を備え、改質領域形成工程では、隣接する改質スポットの少なくとも一部が一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポットを形成することを特徴とする。このレーザ加工方法では、異方性エッチング処理を行うことから、エッチングレートが加工対象物の結晶方位に依存するという特徴を利用し、エッチングの進展を制御することができる。また、改質領域では、隣接する改質スポットの少なくとも一部が一の側方方向から見て互いに重なることから、改質領域形成予定ラインに沿って複数の改質スポット又は該改質スポットから延びる亀裂を好適に繋げることが可能となる。よって、改質領域の選択的なエッチングを、厚さ方向に対し傾斜する方向に沿って進展させる場合でも途切れることなく好適に進展させることができる。その結果、加工対象物において空間に対応する部分を精度よく除去し、空間を加工対象物に精度よく形成することができる。また、上記作用効果を好適に奏するため、具体的には、改質領域形成工程は、隣接する改質スポットの一部が一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポットを厚さ方向にずらしながら改質領域形成予定ラインに沿って形成する工程を含んでもよい。このとき、改質領域形成工程では、加工対象物に対し、一の側方方向と直交する他の側方方向に沿ってレーザ光の集光点を移動させつつ該レーザ光を照射する場合がある。また、上記作用効果を好適に奏するため、具体的には、改質領域形成工程は、一の側方方向に沿って連続するように並ぶ2以上の改質スポットを改質スポット群として複数形成すると共に、隣接する一対の改質スポット群の一部が厚さ方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポット群を一の側方方向にずらしながら改質領域形成予定ラインに沿って形成する工程を含んでもよい。このとき、改質領域形成工程では、加工対象物に対し、一の側方方向に沿ってレーザ光の集光点を移動させつつ該レーザ光を照射する場合がある。また、改質領域形成工程は、隣接する改質スポットの一部が一の側方方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポットを厚さ方向にずらしながら改質領域形成予定ラインに沿って形成する第1の工程と、一の側方方向に沿って連続するように並ぶ2以上の改質スポットを改質スポット群として複数形成すると共に、隣接する一対の改質スポット群の一部が厚さ方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポット群を一の側方方向にずらしながら改質領域形成予定ラインに沿って形成する第2の工程と、を含んでもよい。この場合、改質領域形成工程にて第1及び第2の工程を適宜実施することにより、エッチング処理工程でのエッチングの進展を制御し、形成される孔の径を調整することができる。これは、第1の工程により形成される改質領域に沿ってのエッチングと、第2の工程により形成される改質領域に沿ってのエッチングと、では、そのエッチングレートが互いに異なるという特徴が見出されるためである。また、改質領域形成予定ラインは、加工対象物の111面に沿って延びていてもよい。この場合、厚さ方向に対して35°の角度で孔の内面に鏡面ミラー面が形成されることとなる。また、空間は、加工対象物の表面及び裏面に開口する貫通孔である場合がある。本発明によれば、加工対象物の厚さ方向に対し傾斜する空間を、加工対象物に精度よく形成することが可能となる。以下、好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係るレーザ加工方法では、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図1~図6を参照して以下に説明する。図1に示すように、レーザ加工装置100は、レーザ光Lをパルス発振するレーザ光源101と、レーザ光Lの光軸光路の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、レーザ光Lを集光するための集光用レンズ105と、を備えている。また、レーザ加工装置100は、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1を支持するための支持台107と、支持台107を移動させるためのステージ111と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、ステージ111の移動を制御するステージ制御部115と、を備えている。このレーザ加工装置100においては、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lは、ダイクロイックミラー103によってその光軸の向きを90°変えられ、支持台107上に載置された板状の加工対象物1の内部に集光用レンズ105によって集光される。これと共に、ステージ111が移動させられ、加工対象物1がレーザ光Lに対して改質領域形成予定ライン5に沿って相対移動させられる。これにより、改質領域形成予定ライン5に沿った改質領域が加工対象物1に形成されることとなる。加工対象物1としては、半導体材料や圧電材料等が用いられ、図2に示すように、加工対象物1には、改質領域形成予定ライン5が設定されている。ここでの改質領域形成予定ライン5は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物1の内部に改質領域を形成する場合、図3に示すように、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせた状態で、レーザ光Lを改質領域形成予定ライン5に沿ってすなわち、図2の矢印A方向に相対的に移動させる。これにより、図4~図6に示すように、改質領域7が改質領域形成予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に形成され、この改質領域7が、後述のエッチング食刻による除去領域8となる。なお、集光点Pとは、レーザ光Lが集光する箇所のことである。また、改質領域形成予定ライン5は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、これらが組み合わされた3次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。また、改質領域7は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域7は列状でも点状でもよく、要は、改質領域7は少なくとも加工対象物1の内部に形成されていればよい。また、改質領域7を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域7は、加工対象物1の外表面表面、裏面、若しくは側面に露出していてもよい。ちなみに、ここでは、レーザ光Lが、加工対象物1を透過すると共に加工対象物1の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物1に改質領域7が形成されるすなわち、内部吸収型レーザ加工。一般的に、表面3から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される表面吸収型レーザ加工場合、加工領域は表面3側から徐々に裏面側に進行する。ところで、本実施形態に係る改質領域7は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域7としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。さらに、改質領域7としては、加工対象物1の材料において密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域があるこれらをまとめて高密転移領域ともいう。また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、さらにそれら領域の内部や改質領域7と非改質領域との界面に亀裂割れ、マイクロクラックを内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域7の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物1としては、シリコンを含む、又はシリコンからなるものが挙げられる。ここで、本実施形態では、加工対象物1に改質領域7を形成した後、この加工対象物1にエッチング処理を施すことにより、改質領域7に沿ってすなわち、改質領域7、改質領域7に含まれる亀裂、又は改質領域7からの亀裂に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物1における改質領域7に沿った部分を除去する。なお、この亀裂は、クラック、微小クラック、割れ等とも称される以下、単に亀裂という。本実施形態のエッチング処理では、例えば、毛細管現象等を利用して、加工対象物1の改質領域7に含まれる又は該改質領域7からの亀裂にエッチング剤を浸潤させ、亀裂面に沿ってエッチングを進展させる。これにより、加工対象物1では、亀裂に沿って選択的且つ速いエッチングレートエッチング速度でエッチングを進展させ除去する。これと共に、改質領域7自体のエッチングレートが速いという特徴を利用して、改質領域7に沿って選択的にエッチングを進展させ除去する。エッチング処理としては、例えばエッチング剤に加工対象物1を浸漬する場合ディッピング方式:Dippingと、加工対象物1を回転させつつエッチング剤を塗布する場合スピンエッチング方式:SpinEtchingとがある。エッチング剤としては、例えば、KOH、TMAH、EDPエチレンジアミンピロカテコール、NaOH水酸化ナトリウム、CsOH水酸化セシウム、NH4OH水酸化アンモニウム、ヒドラジン等が挙げられる。また、エッチング剤としては、液体状のものだけでなく、ゲル状ゼリー状,半固形状のものを用いることができる。ここでのエッチング剤は、常温~100°C前後の温度で用いられ、必要とされるエッチングレート等に応じて適宜の温度に設定される。例えば、シリコンで形成された加工対象物1をKOHでエッチング処理する場合には、好ましいとして、約60°Cとされる。また、本実施形態では、エッチング処理として、結晶方位に基づく特定方向のエッチングレートが速い若しくは遅いエッチングである異方性エッチング処理を行っている。この異方性エッチング処理の場合には、比較的薄い加工対象物だけでなく厚いもの例えば、厚さ800μm~100μmにも適用できる。また、この場合、改質領域7を形成する面が面方位と異なるときにも、この改質領域7に沿ってエッチングを進行させることができる。つまり、ここでの異方性エッチング処理では、結晶方位に倣った面方位のエッチングに加えて、結晶方位に依存しないエッチングも可能である。[第1実施形態]次に、第1実施形態に係るレーザ加工方法ついて詳細に説明する。図7,8は、本実施形態を説明するためのフロー図である。なお、本実施形態では、レーザ光Lはパルスレーザ光としている。本実施形態は、例えば光電子増倍素子やインターポーザ等を製造するために用いられる加工方法である。特に本実施形態では、図7,8に示すように、加工対象物1にレーザ光Lを集光することにより、加工対象物1の内部に改質スポットSを複数形成し、これら複数の改質スポットSにより改質領域7を形成する。そしてその後、異方性エッチングによって加工対象物1における改質領域7に沿った部分を除去することにより、加工対象物1の厚さ方向に対して傾斜して延びる空間を含む斜め孔としての貫通孔24を加工対象物1に形成する。ここでの貫通孔24は、図8bに示すように、加工対象物1における表面3側の端部及び裏面21側の端部に形成された直線部24a,24aと、これら直線部24a,24a間に形成された傾斜部空間24bと、を含んで構成されている。直線部24aは、厚さ方向に沿って延在している。傾斜部24bは、直線部24a,24aに連続し、加工対象物1の111面に沿うようにZ方向に対しX方向に傾斜する方向以下、斜め方向というに延在している。例えば、傾斜部24bの厚さ方向Z方向に対する角度は、35°となっている。ちなみに、以下の説明においては、図示するように、加工対象物1の厚さ方向レーザ光Lの照射方向をZ方向とし、厚さ方向に対し改質領域形成予定部5貫通孔24が傾斜する側の側方方向をX方向一の側方方向とし、X,Z方向に直交する方向をY方向他の側方方向として説明する。図7aに示すように、加工対象物1は、照射するレーザ光Lの波長例えば1064nmに対して透明なシリコン基板であり、100面となる表面3及び裏面21を有している。この加工対象物1には、貫通孔24に対応する位置に、改質領域形成予定ライン5が3次元的な座標指定によりプログラマブルに設定されている。ここでは、改質領域形成予定ライン5は、加工対象物1における表面3側及び裏面21側にて厚さ方向に沿って延在する改質領域形成予定ライン5aと、これらの間で加工対象物1の111面に沿うよう傾斜して延在する改質領域形成予定ライン5bと、を含んでいる。本実施形態において加工対象物1を加工する場合、まず、加工対象物1の表面3側を上方にして該加工対象物1を載置台に載置して保持する。そして、加工対象物1の内部における裏面21側にレーザ光Lの集光点以下、単に集光点というを合わせ、集光点をY方向に移動させながら、改質領域形成予定ライン5aに沿って改質スポットSが形成されるようにレーザ光Lを表面3側からONOFF照射するY方向のスキャン。これにより、加工対象物1の裏面21側にレーザ光Lを集光させ、裏面21に露出する改質スポットSを形成する。なお、ここでは、X方向幅が10μmの改質スポットSを形成している。また、改質スポットSには、該改質スポットSから発生した亀裂が内包されて形成されている以下の改質スポットSについて同じ。また、集光点のピッチ改質スポットSのピッチが約0.25μmでY方向にスキャンされており要は、0.25μm間隔でレーザ照射され、レーザ照射の回数分改質スポットSが形成され、1回のレーザ照射で形成される改質スポットSの一部がY方向で互いに重なるように改質スポットSが複数形成されている。続いて、集光点をZ方向における表面3側に所定量移動させ、改質領域形成予定ライン5aに沿って改質スポットSが形成されるように上記Y方向のスキャンを実施する。これにより、貫通孔24の裏面21側の直線部24aに対応する部分に沿って、既成の改質スポットSの表面3側に改質スポットSを新たに形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。続いて、図7bに示すように、集光点をZ方向の表面3側に所定量移動させると共に、X方向に所定量移動させた後、上記Y方向のスキャンを実施する。具体的には、下式1に基づいて、集光点をZ方向に所定量ΔZに移動させると共にX方向に所定量ΔX移動させた後、改質領域形成予定ライン5bに沿って改質スポットSが形成されるように上記Y方向のスキャンを実施する。そして、当該集光点の移動及びY方向のスキャンを、下式2に基づき加工対象物1において裏面21側から表面3側の順にスキャン数Nsだけ繰り返し実施する。ΔZ=ΔX/tanθ...1Ns=T/ΔZ...2但し、ΔX=所定値例えば3μmθ=改質領域形成予定ライン5のZ方向に対する角度T=傾斜部24bのZ方向厚さこれにより、複数の改質スポットSを、隣接する改質スポットSの一部がX方向から見て互いに重なるように連続的に形成する。具体的には、複数の改質スポットSを、隣接する改質スポットSの一部がX方向から見て互いに重なるように厚さ方向にずらしながら加工対象物形成ライン5bに沿って階段状に形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。続いて、図7cに示すように、集光点をZ方向における表面3側に所定量移動させ、改質領域形成予定ライン5aに沿って改質スポットSが形成されるように上記Y方向のスキャンを実施する。これにより、貫通孔24の表面3側の直線部24aに対応する部分に沿って、既成の改質スポットSの表面3側に連続し且つ該表面3に露出するする改質スポットSを新たに形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。以上により、加工対象物1の貫通孔24に対応する部分にて、改質スポットSが連続するように複数形成され、改質領域7Aが形成される。次に、加工対象物1に対し、例えば85°CのKOHをエッチング剤として用いて異方性エッチング処理を施す。これにより、図8aに示すように、加工対象物1において表面3及び裏面21から改質領域7へとエッチング剤を進入させて浸潤させ、そして、表面3側及び裏面21側から内部へ向けて、改質領域7に沿ってのエッチングを選択的に進展進行させる。その結果、図8bに示すように、加工対象物1の改質領域7に沿った部分が除去され、貫通孔24の形成が完了される。このとき、加工対象物1に対する異方性エッチングでは、エッチングレートが加工対象物1の結晶方位に依存するという特徴を利用し、改質領域7に沿う選択的なエッチングの進展を好適に制御することができる。すなわち、加工対象物1における111面では、その他の部分に比べてエッチングレートが極めて遅くなり、エッチストップetchstopする。よって、111面に沿った改質領域7つまり、傾斜部24bに対応する改質領域7においては、その延在方向に沿ってエッチングが特に選択的且つ高速に進展されると共に、形成される傾斜部24bの内面はその角部が除去されて滑らかになり、該内面に鏡面が形成される。また、このとき、改質領域形成予定ライン5bに沿う改質領域7では、上述したように、隣接する改質スポットS,Sの少なくとも一部がX方向から見て互いに重なることから、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5bに沿って好適に繋げることが可能となる。よって、改質領域7の選択的なエッチングを、斜め方向に進展させる場合でも途切れることなく好適に進展させることができる。特に、本実施形態における改質領域形成予定ライン5bに沿う改質領域7では、上述したように、隣接する改質スポットSの一部がX方向から見て互いに重なるように複数の改質スポットSが厚さ方向にずれて形成されることから、例えば改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂が改質領域形成予定ライン5bに沿って密に繋がり、改質スポットS,S間でエッチング剤が停留されることなく浸潤進行され、エッチングが斜め方向に途切れることなく確実且つ高速に進展される。従って、本実施形態によれば、加工対象物1において貫通孔24に対応する部分を精度よく除去することが可能となり、貫通孔24を加工対象物1に精度よく形成することが可能となる。また、所望な角度及び長さの貫通孔24を容易に形成することができ、加工対象物1を加工する際の設計自由度を向上させることが可能となる。また、上述したように、改質領域形成予定ライン5bが加工対象物の111面に沿って延びており、加工対象物1における貫通孔24の傾斜部24bに対応する部分に形成される改質スポットSが加工対象物の111面に沿って形成されている。よって、傾斜部24bの内面に、凹凸の少ない平滑面である鏡面を形成することができ、また、傾斜部24bの断面形状を矩形ひし形形状とすることができる。なお、本実施形態では、改質スポットSを表面3及び裏面21に露出させているが、改質スポットSを露出させずに改質スポットSからの亀裂を露出させていてもよい。改質スポットSを表面3及び裏面21に露出させると、形成される貫通孔24の開口率を大きくでき、例えば本実施形態を電子増倍素子に適用する場合、電子の収集効率を高めることが可能となる。一方、改質スポットSを露出させずに亀裂を露出させると、貫通孔24の開口側が拡径するのを抑制でき、貫通孔24における開口側の孔径を内部の孔径と同サイズにすることができる。ちなみに、加工対象物1に形成する改質スポットSの数、つまり、レーザ光Lの照射回数ショット回数は、本実施形態のものに限定されるものではなく、貫通孔24の形状孔径、長さ、及びZ方向に対する角度等に応じて適宜設定することが可能である。[第2実施形態]次に、第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。また、上記第1実施形態と同様に、レーザ光Lはパルスレーザ光としている。図9は、本実施形態を説明するためのフロー図である。本実施形態のレーザ加工方法では、図9aに示すように、まず、加工対象物1の裏面21側に集光点を合わせ、該集光点をX方向に移動させながら、改質領域形成予定ライン5a上に改質スポットSが形成されるようレーザ光Lを表面3側からONOFF照射するX方向のスキャン。これにより、X方向に沿って連続するように並ぶ2以上の改質スポットSを、改質スポット群10として、加工対象物1の裏面21側に該裏面21に露出するよう形成する。ここでの改質スポット群10においては、並設される改質スポットSの間隔が0.25μmとされており、X方向における改質スポットSの一部が互いに重なっている以下、同じ。具体的には、集光点のピッチ改質スポットSのピッチが約0.25μmでX方向にスキャンされており要は、0.25μm間隔でレーザ照射され、レーザ照射の回数分改質スポットSが形成され、1回のレーザ照射で形成される改質スポットSの一部がX方向で互いに重なるように改質スポット群10が形成されている。続いて、集光点をZ方向における表面3側に所定量移動させ、改質領域形成予定ライン5aに沿って改質スポット群10が形成されるように上記X方向のスキャンを実施する。これにより、貫通孔24の裏面21側の直線部24aに対応する部分に沿って、既成の改質スポット群10の表面3側に改質スポット群10を新たに形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。続いて、図9bに示すように、集光点をZ方向の表面3側に移動させ、改質領域形成予定ライン5bに沿って改質スポット群10が形成されるように上記X方向のスキャンを実施する。そして、当該集光点のZ方向移動及びX方向のスキャンを、加工対象物1において裏面21側から表面3側の順に複数回繰り返し実施する。これにより、貫通孔24の傾斜部24bに対応する部分に沿って、複数の改質スポット群10を加工対象物1内に複数形成する。具体的には、複数の改質スポット群10を、隣接する一対の改質スポット群10,10の一部がZ方向から見て互いに重なるようにX方向にずらしながら改質領域形成予定ライン5bに沿って形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。このとき、後段の異方性エッチングを好適に実施するため、隣接する改質スポット群10のZ方向視における重なりは、形成しようとする傾斜部24bの孔径及び傾斜部24b改質領域形成予定ライン5bのZ方向に対する角度に基づいて設定される。ここでは、隣接する改質スポット群10が、X方向に8~10μm程度重なるように形成されている。続いて、図9cに示すように、集光点をZ方向における表面3側に移動させ、改質領域形成予定ライン5aに沿って改質スポットSが形成されるように上記X方向のスキャンを実施する。これにより、貫通孔24の表面3側の直線部24aに対応する部分に沿って、表面3に露出する改質スポット群10を既成の改質スポット群10の表面側に新たに形成し、改質スポットS又は該改質スポットSからの亀裂を改質領域形成予定ライン5に沿って互いに繋げる。以上により、加工対象物1の貫通孔24に対応する部分にて、複数の改質スポットSから成る改質スポット群10が連続するよう形成され、改質領域7Bが形成される。以上、本実施形態においても、加工対象物1において貫通孔24に対応する部分を精度よく除去し、貫通孔24を加工対象物1に精度よく形成するという上記効果と同様な効果が奏される。また、本実施形態では、上述したように、複数の改質スポット群10を、隣接する一対の改質スポット群10の一部がZ方向から見て互いに重なるようにX方向にずらしながら改質領域形成予定ライン5bに沿って形成している。そのため、例えば、改質領域形成予定ライン5bに沿う改質領域7においては、改質スポットS及び亀裂が改質領域形成予定ライン5bに沿って密に繋がり、選択的エッチングが斜め方向に進展されても、エッチング剤が停留されることなく浸潤進行される。よって、当該選択的エッチングが途切れることなる斜め方向に確実且つ高速に進展されることになる。その結果、貫通孔24の傾斜部24bに対応する部分を精度よく除去することができ、貫通孔24を精度よく形成することが可能となる。また、本実施形態では、上述したように、X方向に沿ってレーザ光Lの集光点を移動させつつ該レーザ光Lを照射するX方向のスキャンを行って改質領域7Bを形成することから、レーザ光Lの集光点の移動無駄スキャン数を抑制して迅速な加工が可能となり、タクトタイムを向上させることが可能となる。また、貫通孔24の長さや厚さ方向に対する角度によらず、同じスキャン数で改質領域7Bを形成することができる。なお、改質スポット群10それぞれにおけるX方向の幅及び改質スポットSの数つまり、レーザ光Lの照射回数は、限定されるものではなく、貫通孔24の形状に応じて適宜設定することが可能である。これについては、以下の実施形態においても同様である。[第3実施形態]次に、第3実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明においては、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。また、上記第1実施形態と同様に、レーザ光Lはパルスレーザ光としている。図10~12は、本実施形態を説明するためのフロー図である。本実施形態では、図12に示すように、Z方向に対して傾斜して延びる複数の貫通孔空間241~244を加工対象物1に形成する。貫通孔241~244は、Z方向に対してこの順に大きく傾斜しており、延在長さがこの順に長くされている。本実施形態においては、図10に示すように、上記第1実施形態における上記Y方向のスキャンと、上記第2実施形態における上記X方向のスキャンと、を、貫通孔241~244の延在長さに基づき次のように適宜実施し、改質領域7を形成する。すなわち、図10,12に示すように、集光点のZ方向移動及び上記Y方向のスキャンを複数回繰り返し実施することにより、貫通孔241に対応する部分に沿った改質領域71と、貫通孔242の表面3側端部及び裏面21側端部に対応する部分に沿った改質領域72A,72Aと、貫通孔243の表面3側近傍及び裏面21側近傍に対応する部分に沿った改質領域73A,73Aと、を形成する。改質領域71,72A,73Aでは、隣接する改質スポットSの一部がX方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポットSが厚さ方向にずれて形成されている。ここでは、改質領域72Aの延在長さが改質領域73Aの延在長さよりも長くされている。これと共に、集光点のZ方向移動及び上記X方向のスキャンを複数回繰り返し実施することにより、貫通孔242のZ方向中央部に対応する部分に沿った改質領域72Bと、貫通孔243において表面3側近傍と裏面21側近傍と間に対応する部分に沿った改質領域73Bと、貫通孔244に対応する部分に沿った改質領域74と、を形成する。改質領域72B,73B,74では、隣接する一対の改質スポット群10,10の一部がZ方向から見て互いに重なるように、複数の改質スポット群10がX方向にずれて形成されている。ここでは、改質領域73Bの延在長さが改質領域72Bの延在長さよりも長くされている。次に、図11,12に示すように、加工対象物1に対し、異方性エッチング処理を施すことにより、加工対象物1において表面3及び裏面21から改質領域7へとエッチング剤を進入させて浸潤させ、改質領域7に沿ってエッチングを選択的に進展させる。ここで、上記Y方向のスキャンにより形成される改質領域71,72A,73Aに沿ってのエッチングと、上記X方向のスキャンにより形成される改質領域72B,73B,74に沿ってのエッチングとでは、そのエッチングレートが互いに異なるという特徴が見出される。具体的には、例えば改質スポットS又は亀裂の繋がり方等に依存して、改質領域72B,73B,74に沿ってのエッチングは、そのエッチングレートが改質領域71,72A,73Aに沿ってのエッチングのエッチングレートよりも速いという特徴が見出される。よって、本実施形態における異方性エッチング処理では、図11に示すように、改質領域72B,73B,74に沿ってのエッチングが、改質領域71,72A,73Aに沿ってのエッチングよりも速く進展する。つまり、貫通孔241~244のうち延在長さが長いもの程速いエッチングレートで形成されるように、エッチングが進展される。その結果、図12に示すように、エッチングの完了貫通孔241~244の貫通に要する時間が調整されて、孔径が互いに揃うように貫通孔241~244の形成が略同時に完了される。以上、本実施形態においても、加工対象物1において貫通孔241~244に対応する部分を精度よく除去し、貫通孔241~244を加工対象物1に精度よく形成するという上記効果と同様な効果が奏される。ところで、延在長さが異なる複数の貫通孔241~244では、通常、エッチングの完了に要する時間が互いに異なるため、その孔径を等しくするのが困難である。この点、本実施形態では、上述したように、X方向のスキャンとY方向のスキャンとを組み合わせたレーザ加工が施され、貫通孔241~244のそれぞれについて、エッチングレートの速い改質領域72B,73B,74と遅い改質領域71,72A,73Aとが適宜形成されている。これにより、貫通孔241~244におけるエッチングの完了に要する時間を調整し、その孔径を所望に制御することができる。特に、本実施形態では、上述したように、貫通孔241~244のうち長いもの程、その対応する部分に速いエッチングレートの改質領域7を多く遅いエッチングレートの改質領域7を少なく形成し、エッチングの完了に要する時間が等しくしている。これにより、貫通孔241~244の孔径を、互いに等しくすることが可能となる。以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。例えば、改質領域7を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物1の表面3に限定されるものではなく、加工対象物1の裏面21であってもよい。また、上記実施形態では、加工対象物1に貫通孔24を形成したが、これに代えて、表面3又は裏面21にのみ開口する非貫通孔を形成してもよく、また、チャネルやスリットを形成してもよい。要は、Z方向に対し傾斜する方向に延びる空間を形成すればよい。また、上記実施形態では、断面円形形状、断面楕円形状、又は断面多角形形状等の種々の断面形状の貫通孔24を形成することができる。また、上記実施形態では、貫通孔の傾斜部24bをZ方向に対し35°111面の方位角度で傾斜させているが、傾斜角度は限定されるものではなく、Z方向に対し10°又は45°で傾斜させてもよい。この場合、傾斜部24bの内面にマルチステップ階段構造を形成することができる。なお、エッチング剤に添加物を添加することで特定の結晶方位のエッチングレートを変化させることができるため、所望のエッチングレートで異方性エッチング処理を行うべく、加工対象物1の結晶方位に応じた添加物をエッチング剤に添加してもよい。"