光が照射される面と垂直な方向に、スリット開放部とスリット端部とが対向する方向を第1の方向とするスリットが貫通して形成されている導体を備え、当該導体に電流が流れると磁界を発生させ、当該スリットに当該光が入射すると近接場を発生させる電磁界発生素子であって、上記導体の上記光が出射する出射面のうち少なくとも一部に設けられる軟磁性体をさらに備えていることを特徴とする電磁界発生素子。上記スリットの第1の方向に対して垂直でありかつ上記光が照射される面と平行な方向における上記スリットの上記光が照射される範囲における最大幅が、上記光の波長より短いことを特徴とする請求項1に記載の電磁界発生素子。上記導体の上記光の出射面における、上記スリットの内部の面と上記出射面との境界から上記軟磁性体における表面プラズモンの侵入長以下だけ離れた位置の少なくとも一部には、上記軟磁性体が形成されておらず、代わりに上記導体が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電磁界発生素子。照射される上記光は直線偏光であり、上記直線偏光の電界ベクトルは、上記スリットの第1の方向に対して平行な方向であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電磁界発生素子。上記導体における上記光の出射面の全面に上記軟磁性体が設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電磁界発生素子。上記導体における上記スリットが形成されていない面の少なくとも一部に形成される第2の軟磁性体をさらに備えていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電磁界発生素子。上記第2の軟磁性体が、上記光の波長に対して透光性を有していないことを特徴とする請求項6に記載の電磁界発生素子。上記スリットが上記スリットの第1の方向と上記光の照射される方向の両方に平行な対称面に対して対称な形状を有しており、上記対称面に対して、上記導体、及び上記軟磁性体が対称な構造を有していることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電磁界発生素子。上記導体と上記軟磁性体とが直接接していることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電磁界発生素子。上記軟磁性体が絶縁性を有した軟磁性体であることを特徴とする請求項9に記載の電磁界発生素子。上記光を照射するための光源として半導体レーザ素子を備え、上記半導体レーザ素子が一体形成されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の電磁界発生素子。請求項1から11のいずれか一項に記載の電磁界発生素子と、スライダと、光源とを備えていることを特徴とする記録ヘッド。再生素子をさらに備え、電磁界発生素子が備える軟磁性体の少なくともいずれかが再生素子と隣接していることを特徴とする請求項12に記載の記録ヘッド。請求項12または13に記載の記録ヘッドを備えていることを特徴とする記録装置。一般に、磁気記録媒体に対して記録を行う際、電磁界発生素子によって印加される磁界は、磁気記録を行う記録ビットの位置においては近接場によって低下した磁気記録媒体の保磁力を上回り、かつ、当該記録ビットに隣接する記録ビット以外の位置においては磁気記録媒体の保磁力を下回る必要がある。さらに、磁器記録を行う記録ビットに対して印加される磁界が、磁気記録媒体のもつ保磁力を大きく上回っているほど、確実な磁気記録が可能となる。より高密度な磁気記録を行う場合、つまり、より記録ビットが小さい場合、特許文献1の技術を用いて発生する磁界は、記録ビット以外の位置においては磁気記録媒体のもつ保磁力を下回るようにする必要がある。上記磁界は、記録ビット中央において磁界がより強く、記録ビット端部において磁界がより弱い、という風に分布されている。そのため、導体に流す電流を小さくすることによって、記録ビット以外の位置において保磁力以下の磁界にすることが可能である。しかし、その場合、記録ビット中央における磁界も弱まってしまうため、発生磁界と保磁力との差が小さくなり、磁気記録の確実性が低下する。よって、確実性の高い磁気記録が可能な磁界強度を維持しつつ、その磁界の発生領域を局所的にする必要がある。本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、電磁界発生素子によって発生する磁界が、記録ビットの位置においては近接場によって低下した磁気記録媒体の保磁力を大きく上回り、また、記録ビット以外の位置においては磁気記録媒体の保磁力を下回ることによって、高密度な磁気記録をより確実に行うことが可能な磁界発生素子、当該電磁界発生素子を備えた記録ヘッド、および当該記録ヘッドを備えた記録装置を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係る電磁界発生素子は、光が照射される面と垂直な方向に、スリット開放部とスリット端部とが対向する方向を第1の方向とするスリットが貫通して形成されている導体を備え、当該導体に電流が流れると磁界を発生させ、当該スリットに当該光が入射すると近接場を発生させる電磁界発生素子であって、上記導体の上記光が出射する出射面のうち少なくとも一部に設けられる軟磁性体をさらに備えていることを特徴としている。上記の構成によれば、電磁界発生素子は、光が照射される面とスリット開放部とスリット端部とが対向する方向を第1の方向とするスリットが貫通して形成されている導体を備えている。電磁界発生素子では、導体に電流が流れると磁界を発生させ、スリットに光が入射すると近接場を発生させる。電磁界発生素子によって発生する磁界は、スリット近傍からスリットが形成されていない面の方向に近づくにつれ、光が照射される面と垂直な方向の磁界成分が小さくなる。ここで、電磁界発生素子が導体の光が出射する面のうち少なくとも一部に設けられる軟磁性体を備えているので、発生した磁界の磁束が軟磁性体によって収束されることにより、当該磁界成分が急激に小さくなる。これにより、電磁界発生素子によって発生する磁界が、記録ビット以外の位置においては磁気記録媒体のもつ保磁力を下回り、かつ記録ビットの位置において磁気記録媒体のもつ保磁力を大きく上回る。したがって、磁気記録媒体に対してより確実に記録を行うことが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記スリットの第1の方向に対して垂直でありかつ上記光が照射される面と平行な方向における上記スリットの上記光が照射される範囲における最大幅が、上記光の波長より短くてもよい。上記の構成によって、導体におけるスリットが形成された面に対して、スリット部分を含むように光が照射されると、近接場のみを発生させると共に、発生した近接場を回折限界を超えた狭い領域に局在化することができる。また、スリットに照射された光がスリットをそのまま透過することを防ぐことができるので、照射された光が近接場のバックグラウンドとなることを防ぐことができる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記導体の上記光の出射面における、上記スリットの内部の面と上記出射面との境界から上記軟磁性体における表面プラズモンの侵入長以下だけ離れた位置の少なくとも一部には、上記軟磁性体が形成されておらず、代わりに上記導体が形成されていてもよい。上記の構成によれば、電磁界発生素子では、磁気記録媒体により近い位置で近接場を発生させることが可能となる。また、その際、発生した表面プラズモンに軟磁性体が影響を与えることがない。したがって、照射した光を効率良く近接場に変換し、磁気記録媒体に作用させることができる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、照射される上記光は直線偏光であり、上記直線偏光の電界ベクトルは、上記スリットの第1の方向に対して平行な方向であってもよい。上記の構成によって、電磁界発生素子において、スリットを形成する表面のうち、スリットの第1の方向に対して垂直な面にのみ選択的に表面プラズモンを励起することができる。したがって、表面プラズモンの伝播を阻害しないような軟磁性体の形成位置を、より広くすることが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記導体における上記光の出射面の全面に上記軟磁性体が設けられていてもよい。上記の構成によれば、より多くの磁束が軟磁性体に収束される。したがって、磁界成分は、スリット近傍から上記導体におけるスリットの形成されていない面に近づくにつれて小さくなる。これにより、光が照射される面と垂直な方向の磁界成分を、より急激に小さくすることができる。その結果、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体の有する保磁力との差を、より大きくすることが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子は、上記導体における上記スリットが形成されていない面の少なくとも一部に形成される第2の軟磁性体をさらに備えていてもよい。上記の構成とすることによって、電磁界発生素子では、より広い領域にわたって磁束を収束させることが可能となる。その結果、電磁界発生素子によって発生する磁界は、スリット近傍からスリットが形成されていない面の方向に近づくにつれ、より急激に小さくなるため、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体のもつ保磁力との差をより大きくすることが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記第2の軟磁性体が、上記光の波長に対して透光性を備えていなくてもよい。上記の構成によって、上記スリットが形成されていない面に設けられた第2の軟磁性体が照射する光を遮断し、近接場のバックグラウンドとなることを防ぐ。このことにより、電磁界発生素子を設計する際の自由度が上がる。また、上記スリットが形成されていない面に設けられた上記軟磁性体が光を遮断することによって、導体の幅を狭めることができる。導体の幅を狭めることによって、軟磁性体をスリットにより近い位置に形成できるため、スリット近傍から上記導体におけるスリットの形成されていない面に近づくにつれ小さくなる、光が照射される面と垂直な方向の磁界成分をより急激に小さくすることができる。さらに、導体の幅を狭めることによって、電磁界発生素子を作成するために必要な導体の量を削減できるため、製造コストも低減される。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記スリットが上記スリットの第1の方向と上記光の照射される方向の両方に平行な対称面に対して対称な形状を有しており、上記対称面に対して、上記導体、及び上記軟磁性体が対称な構造を有していてもよい。上記の構成によって、電磁界発生素子が発生する磁界が、上記対称面に対して対称に発生する。よって、上記スリットの内部および近傍において、上記光が照射される面に対して垂直な磁界成分をより大きくすることができる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記導体と上記軟磁性体とが直接接していることが好ましい。導体に電流を流すことによって生じる磁束は、導体表面において最も多い。上記の構成によって、より多くの磁束が軟磁性体に収束されるので、光が照射される面と垂直な方向の磁界成分は、スリット近傍から導体におけるスリットの形成されていない面に近づくにつれ、より急激に小さくなる。その結果、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体のもつ保磁力との差をより大きくすることが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子では、さらに、上記軟磁性体が絶縁性を有した軟磁性体であってもよい。上記の構成によって、上記導体から上記軟磁性体に電流が流れることを防ぐことが出来る。このことによって、導体に流れる電流密度が低下することを防げるので、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体のもつ保磁力との差をより大きくすることが可能となる。本発明に係る電磁界発生素子は、さらに、上記光を照射するための光源として半導体レーザ素子を備え、上記半導体レーザ素子が一体形成されていてもよい。上記の構成にすることによって、光源からの光をスリットに導入するための光学系が不要となる。したがって、電磁界発生素子の小型化を可能とする。また、光学系が存在しないことにより、光の照射位置にずれが生じることが少ないため経時変化を抑制できる。本発明に係る記録ヘッドは、本発明の一様態に係る電磁界発生素子と、スライダと、光源とを備えていることを特徴としている。上記の構成によって、記録ビットの位置において、磁気記録媒体のもつ保磁力との差が大きな磁界を発生させる電磁界発生素子と近接場とを利用するため、微細化された記録ビットを有する磁気記録媒体に対して確実に磁気記録を行うことができる。本発明に係る記録ヘッドは、再生素子をさらに備え、電磁界発生素子が備える軟磁性体が再生素子と隣接していることが好ましい。上記の構成によって、電磁界発生素子を構成する軟磁性体が、再生素子の磁気シールド層として機能する。したがって、電磁界発生素子を構成する軟磁性体とは別個の磁気シールド層を再生素子に設ける必要がない。よって、記録ヘッドを小型化することができる。また、再生素子に別個の磁気シールド層を形成する必要がないため、製造コストを低減できる。本発明に係る記録装置は、本発明の一様態に係る記録ヘッドを備えていることを特徴とする。上記の構成によって、光アシスト磁気記録方式による磁気記録装置を実現できる。記録ヘッドが備える電磁界発生素子が、微細化された記録ビットを有する磁気記録媒体に対して確実に磁気記録を行うことが可能な磁気記録装置を実現できる。本発明は、磁気記録媒体に対し、高密度かつ確実に磁気情報を書き込むことが可能な電磁界発生素子を実現することができる効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。実施形態1本発明の電磁界発生素子に関する実施の一形態について、図1~図3に基づいて説明すれば以下のとおりである。電磁界発生素子10の構成本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10の概略図を、図1に示す。図1aは、電磁界発生素子10の斜視図である。図1bは、電磁界発生素子10を、磁界15および近接場18を作用させる対象物の方向から見た場合の概略図である。図1aおよびbに示すように、電磁界発生素子10は、導体11および軟磁性体12を備える。また、近接場18を発生させるために光17を電磁界発生素子10に照射する。以下において、光17を照射する面を照射面と呼ぶ。電磁界発生素子10が備える導体11には、光17の照射面と垂直な方向にスリット13が貫通して形成されている。以下において、光17がスリット13から出射する面を出射面と呼ぶ。なお、図1bに示す1B-1B線は、スリット13における第1の方向に対して平行な線である。スリット13における第1の方向とは、スリット端部131とスリット開放部132とを繋ぐ方向のことある。導体11および軟磁性体12を備える電磁界発生素子10の構造は、この1B-1B線に対して対称となっていることが好ましい。この理由については後述する。次に、説明を明確にするために、座標軸を次のように定義する。光17の照射面をxy平面と定義し、xy平面に対して直交する方向をz軸と定義する。また、xy平面において、スリット13の第1の方向をy軸と定義し、y軸およびz軸に対して垂直な方向をx軸と定義する。スリット13は、z軸方向において導体11を貫通すると共に、y軸方向において軟磁性体12および導体11を残す位置に設けられている図1b参照。したがって、導体11に電流14を流すことによって、導体11は電磁石として機能し磁界15が発生する。図1aおよびbに示す向きに電流14を流した場合は、磁界15の矢印が示すように、スリット13の内部において、z軸上を光の入射面から出射面に向かう磁界15が発生する。また、電流14の方向を反転することによって、磁界15の向きも反転する。本実施形態において、スリット13の形状をxy平面において矩形として図示しているが、スリット13の形状はこれに限定されない。スリット13の形状はV字形状や半円形状の溝であってもよい。スリット13の内部はなにも構造が形成されていない、すなわち空気で満たされた状態でもよい。したがって、電磁界発生素子10を製造する際に、スリット内部の構造に起因して製造の困難さが変わることはない。すなわち、電磁界発生素子10はその製造過程において、スリット13のサイズによる制約を受けない。導体11次に、導体11およびスリット13について、図1b~dを参照して詳しく説明する。図1cは、図1bの1A-1A線における断面を矢印の方向に見た場合の概略図を示す。図1dは、図1bの1B-1B線における断面を矢印の方向に見た場合の概略図を示す。導体11は上述のように電磁石として機能する。導体11が、より強い磁界を発生するためには、導体11になるべく大きな電流を流す必要がある。したがって、導体11に用いる材料は電気伝導率が高いことが好ましい。導体に電流を流すと、導体の抵抗値と、電流値とに応じてジュール熱が発生する。ジュール熱の発熱量が大きくなりすぎると、導体11の変形、または断線などの熱破壊を引き起こす。より強い磁界を発生するために、電流値を抑制することは好ましくないため、導体11の抵抗値を低減する、すなわち、導体11には電気伝導率の高い材料を用いることが好ましい。図1aに示す光17をスリット13に照射することによって、スリット端部131において近接場18が発生する。この際、近接場18の強度を表面プラズモン共鳴により増幅するためにも、導体11は電気伝導率が高いことが望ましい。よって、導体11に用いる材料は、電気伝導率が高いAu、Pt、AgおよびCuなどの金属であることが好ましい。なお、近接場が発生する原理については後述する。導体11の抵抗値を低減するもう1つの方法として、導体11の断面積が大きくなるように電磁界発生素子10を設計してもよい。この場合、導体11の断面積を大きくすることによって抵抗値は低減され、許容される電流値は大きくなるが、上記金属材料の使用量増加に伴うコストアップや、素子の大型化につながる。スリット13次に、導体11に形成するスリット13について説明する。スリット13の内部は、上述したようになにも形成されていない、すなわち空気で満たされた状態でもよい。また、スリット13の内部には誘電体が単に充填されていてもよい。いずれの場合においても、スリット13の内部に、特別な構造は形成されていない。スリット13の内部に誘電体を形成する場合には、少なくとも光17の波長に対して透光性を有する誘電体を用いることが好ましい。図1bに示すように、スリット13のx軸方向の長さをW3、y軸方向の長さをL3とする。また、スリット13によって隔てられた導体11のx軸方向の長さは、スリット13の両側で等しく、それぞれをW1とする。導体11の、スリット13の端部からy軸方向に沿って軟磁性体12までの長さをL1とする。また、図1cに示すように、導体11のz軸方向の長さをh1とする。導体11の構造が1B-1B線に対して対称ではない場合は、発生する磁界15の向きがスリット13のx軸方向の中心線上において、磁界15がx成分を持つ。したがって、磁界15はz軸と平行にはならずにx軸方向に傾くことになる。磁界15のx軸方向の成分に対するz軸方向の成分の割合を大きくしたい場合、導体11の形状は、1B-1B線に対して対称であることが好ましい。導体11に設けられたスリット13のW3は、磁界15と近接場18の発生領域とを微小にするためには、なるべく短い方がよい。特に、光17がスリット13をそのまま透過し、近接場18のバックグラウンドとならないためには、W3は光17の波長以下の長さであることが好ましい。また、通常の光では回折現象のため、光17を集光した際のスポット径を、光17の波長より小さくすることは出来ない。すなわち、通常の光を用いて光アシスト磁気記録を行う場合、光を照射する最小スポット径は、光の波長に依存し、上記波長より小さなスポットを形成することは出来ない。しかし、W3を光17の波長以下の長さに設定することによって、光17はスリット13を透過することが出来なくなり、近接場18のみが発生する。特に、光17の電界ベクトルの方向をスリット13の第1の方向y軸方向とすることによって、スリット端部131における近接場18の発生領域は、x軸方向においてはW3と同等の長さであり、かつ、y軸方向においては表面プラズモン21のスリット13側の侵入長程度の長さと領域となる。この結果、近接場18の発生領域を非常に小さくすることができる。このように、近接場18は光の回折限界を超えた狭い領域に局在化させることができる。一方、スリット13のW3が短すぎると、発生する磁界15および近接場18の強度が弱くなってしまう。したがって、電磁界発生素子10では、スリット13の第1の方向に対して垂直でありかつ光17の照射面と平行な方向おけるスリット13の最大幅すなわちW3が、光17の波長より短いことが好ましい。ここで、スリット13のW3は、10nmスリット13間でトンネル電流により導通が起こらない長さ~光17の波長光17がバックグラウンドとならない長さであることが好ましく、10nm~光17の半波長光17がバックグラウンドとならない、より好ましい長さであることがより好ましい。近接場18図1dに示すように、光17を電磁界発生素子10のスリット13近傍に照射することによって、導体11とスリット13との界面において表面プラズモン21が励起される。上記表面プラズモン21は、導体11とスリット13との界面を、z軸上において光の入射面から出射面に向かう方向に伝播し、導体11の端部において近接場18が発生する。光17を効率良く近接場18に変換するためには、導体11とスリット13との界面を伝播する表面プラズモン21の減衰をなるべく抑制することが好ましい。表面プラズモン21の伝播に伴う減衰を抑制するためには、導体11のW1およびL1の少なくとも一方は、表面プラズモン21の侵入長以上であることが好ましい。また、導体11の外側が誘電体空気を含むである場合、表面プラズモン21を励起する界面に直交する方向における導体11の幅を、表面プラズモン21の侵入長以下とすると、導体11とスリット13との界面だけでなく、導体11の外側の面にも表面プラズモン21が発生する。例えば、光17の電界ベクトルの方向をy軸方向とすると、表面プラズモン21は、導体11のy軸に直交する2つの面に発生する。このとき、近接場18も2つの面における導体11の端部で発生するため、近接場18の発生領域が大きくなってしまう。表面プラズモン21の侵入長は、光17の波長と導体11の材料との両方に依存する。加えて、導体11とスリット13との界面で伝播する表面プラズモン21のモードにも上記侵入長は依存する。典型的な表面プラズモン21の侵入長は数nm~数10nmである。上記W1およびL1のいずれか一方の長さ、または両方の長さを表面プラズモン21の侵入長以上に設計するべきかは、導体11とスリット13との界面のうち、どの界面に表面プラズモン21を励起するかすなわち、光17の電界ベクトルの方向に依存する。導体11のz軸方向の長さh1は、表面プラズモン21が伝播し、近接場18を発生するために十分に短いこと、すなわち、表面プラズモンの伝播長以下であることが好ましい。上記伝播長は、光17の波長、導体11の材料、および、導体11とスリット13との界面で伝播する表面プラズモン21のモードにも依存するが、数10nm~数10μmである。表面プラズモン21の伝播に際して、表面プラズモン21の減衰を抑制するためにはh1が短い方が好ましい。しかしながら、h1を短く設定すると、導体11の断面積が減少するために導体11の抵抗値が大きくなり、許容される電流値が小さくなる虞がある。軟磁性体12軟磁性体12は、導体11に電流を流すことによって生じる磁束を収束することによって、スリット13の近傍からxy平面上の方向に遠ざかるにつれて変化する磁界の方向を急激に変化させ、磁界のz方向成分を急激に小さくするために設けられている。軟磁性体12がスリット13に近い位置に設けられていることによって、磁界15はスリット13に近い位置において収束される。また、電磁界発生素子10が軟磁性体12を備えることによって、上記磁束はxy平面と、xy平面以外の面に沿う形に収束される。その結果、スリット近傍からxy平面上の方向へ遠ざかると磁界の方向が急激に変化し、その結果、磁界のz方向成分が急激に小さくなる。したがって、軟磁性体12は、導体11に電流を流すことによって生じる磁界の強さよりも、低い保磁力を有している必要がある。なお、軟磁性体12を配置する場所および形状についての詳細は後述する。軟磁性体12として用いる材料は、絶縁性の軟磁性体であることが好ましい。軟磁性体12が絶縁性を有することによって、導体11に電流を流した際に軟磁性体12には電流が流れないために、導体11における電流密度の減少を抑えることができる。したがって、磁界損失を低減し、導体11は効率良く磁束を発生することができる。絶縁性軟磁性体としては、例えばマンガン亜鉛フェライトMn0.5Zn0.5Fe2O4などの絶縁性の高いフェライトを用いることが好ましい。一方、軟磁性体12として用いる材料が、導電性の軟磁性体である場合は、導体11と軟磁性体12との界面に絶縁層が設けられていることが好ましい。これによって、導体11に電流を流した際に軟磁性体12への漏れ電流を防止できる。したがって、軟磁性体12が絶縁性の軟磁性体である場合と同様に、導体11における電流密度の減少を抑え、磁界損失を低減することができる。その結果、導体11は効率良く磁束を発生することができる。導電性を有する軟磁性体12の材料として、金属磁性体であるFe、CoおよびNiを使用できる。また、上記金属磁性体のうち少なくとも1種類の磁性体を含む材料も、導電性を有する軟磁性体12の材料として使用できる。上記の導電性の軟磁性体は、比透磁率、飽和磁化などの磁気特性が極めて優れている。したがって、上記の導電性軟磁性体を軟磁性体12として用いることによって、スリット13内部に形成する磁界15の強度を高めることができる。導体11と軟磁性体12との界面に設ける絶縁層には、例えばSiO2層などを用いればよい。近接場18の発生原理以下、本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10における、近接場18の発生原理について図1を参照して説明する。図1bの1B-1B線における断面を、矢印の方向に見た場合の概略図を図1dに示す。図1dにおいて、電磁界発生素子10に対して光17が入射する側のxy平面を照射面とする。また、電磁界発生素子10において、照射面と対向するxy平面を出射面とする。図1dに示すように、光17をスリット13に照射することによって、導体11とスリット13との界面において表面プラズモン21が励起される。励起された表面プラズモン21は、導体11とスリット13との界面を伝播し、出射面まで到達すると近接場18に変換される。通常、表面プラズモン21の電界ベクトルは、2つの成分を持つ。具体的には、表面プラズモン21が伝播する平面に垂直な方向の成分と、伝播方向の成分とである。これら2つの方向に直交する電界ベクトルは、表面プラズモン21の励起に寄与しない。よって、表面プラズモン21の励起効率を高めるためには、スリット13に入射する光17の電界ベクトルは、導体11とスリット13との界面に対してp偏光であることが望ましい。本実施形態においては、スリット13のxy平面における形状を矩形としている図1a参照。そのため、導体11とスリット13との界面には、スリット端部131を含むxz平面に形成される第1の界面と、スリット端部131およびスリット開放部132の間に存在するyz平面に形成される第2の界面とが存在する。第1の界面に対して垂直な方向はy軸方向であり、第2の界面に対して垂直な方向はx軸方向である。したがって、光17の電界ベクトルの方向は、x軸方向、またはy軸方向のいずれかとすることが好ましい。光17の電界ベクトルの方向がx軸方向の場合、対向する2つの第2の界面において表面プラズモン21が励起され、そして伝播する。よって、出射面において発生する近接場18は、上記2つの第2の界面において励起および伝播する表面プラズモン21の重ね合わせとなる。一方、光17の電界ベクトルの方向がy軸方向の場合、第1の界面において表面プラズモン21が励起および伝播され、出射面において近接場18が発生する。したがって、光17の電界ベクトルの方向をy軸方向とすることによって、電界ベクトルの方向をx軸方向とした場合と比較して、近接場18の発生領域をより微小にすることができる。光17の電界ベクトルの方向をy軸方向とする場合、発生する近接場18の強度を最大とするためには、光17の強度分布のピーク位置が、スリット端部131の位置に対応するように光17を照射することが好ましい。なお、以下では簡単のため、光17の強度分布のピーク位置を、光17の照射位置とする。また、光17の電界ベクトルの方向をx軸方向とする場合、光17の照射位置を、スリット端部131からy軸の正方向にずらすことによって、発生する近接場18の強度を高めることができる。これは、上記照射位置をスリット端部131からy軸の正方向にずらすことによって、スリット13に照射される光量が増加するためである。よって、上記照射位置をスリット端部131とした場合と比較して、第2の界面のさらに広い領域から近接場18が発生することになる。その結果、磁界15が生じる領域以外に近接場18が発生することになる。磁気記録媒体に、磁気情報を記録するための電磁界発生素子としては、磁界15の発生領域と、近接場18の発生領域とが、なるべく一致していることが好ましい。磁界15の発生領域と、近接場18の発生領域とをほぼ一致させるためには、光17の照射位置をスリット端部131とすることが好ましい。以下、光17の電界ベクトルの向きに関わらず、光17の照射位置を、スリット端部131のx軸方向における中央として説明する。磁界15の発生原理以下、本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10における、磁界15の発生原理について図1を参照して説明する。導体11に、図1aに示す向きに電流14を流すと、電磁界発生素子10の周辺には点線矢印の向きの磁界15が発生する。導体11が電磁石として機能し、その周辺には右ネジの法則に従って磁束が生じるためである。導体11にはスリット13が設けられているため、磁界15の分布はスリット端部131に局在化する。電磁石に流す電流と、その電磁石が発生する磁界強度とは、正の相関関係を持っている。したがって、導体11に流す電流14が大きいほど、発生する磁界15は強くなる。しかしながら、導体11に流すことのできる電流値には上限がある。導体11に電流14を流すと、導体11の抵抗値と流す電流値とに依存して、ジュール熱が発生する。このジュール熱による発熱量が電磁界発生素子10の許容する発熱量より大きい場合、導体11が変形する、または断線するなどの熱破壊が生じる。導体11に流す電流値に上限があるのはこのためである。軟磁性体12の場所および形状以下、本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10における、軟磁性体12の場所および形状について図1および図2を参照して説明する。軟磁性体12は、電磁界発生素子10の出射面に形成されている。スリット13はスリット開放部132を備えているので、光17の出射方向から見た場合、軟磁性体12はコの字型に形成されている。電磁界発生素子10では、導体11と、軟磁性体12とが直接接している。これにより、より多くの磁束を軟磁性体12に収束することが可能となる。その結果、xy平面上において磁界がスリット13の近傍から離れるにつれ、磁界のz成分はより急激に小さくなる。したがって、記録ビットの位置において発生する磁界と、磁気記録媒体のもつ保磁力との差を、より大きくすることが可能となる。導体11の形状が、図1bに示す1B-1B線に対して対称であることが好ましいことは、導体11とスリット13の項において述べた。導体11の場合と同様に、軟磁性体12の形状は、1B-1Bで示す線に対して対称であることが好ましい。したがって、スリット開放部132を含む面における軟磁性体12のx軸方向の長さは、スリットを挟んだ両側において等しいことが好ましい。図1bにおいて、上記長さをW2として示している。本願明細書において、導体11、軟磁性体12の形状は、1B-1Bで示す線に対して対称であるとして説明をしている。したがって、スリット13を挟んだ両側において、上記の各長さを、W1、W2として示している。以上のように、電磁界発生素子10では、スリット13がスリット13の第1の方向と光の照射される方向の両方に平行な対称面に対して対称な形状を有しており、当該対称面に対して、導体11、及び軟磁性体12が対称な構造を有している。この構成によって、電磁界発生素子10が発生する磁界が、上記対称面に対して対称に発生する。よって、スリット13の内部および近傍において、光17が照射される面に対して垂直な磁界成分をより大きくすることができる。スリット開放部132を含む面における軟磁性体12のx軸方向の長さが、スリット13を挟んだ両側において異なる場合、一端における上記長さをW2’、もう一端における上記長さをW2とする。軟磁性体12の形状が、1B-1Bで示す線に対して対称ではなくなることによって、電磁界発生素子10の発生する磁界15の対称性がx軸方向に関して失われる。具体的には、スリット13内の1B-1Bで示す線上において、磁界15がx成分を持ち、x軸方向に傾く。磁界15のx成分に対するz成分の割合を大きくする場合、軟磁性体12の形状は、図1bに示す1B-1B線に対して対称であることが好ましい。図1bに示すように、1B-1B線上における軟磁性体12の長さをL2とする。軟磁性体12の長さW2およびL2は、可能な限り長いことが好ましい。W2およびL2が長ければ長いほど、軟磁性体12によってより多くの磁界を収束させることが可能となるからである。図1cに示すように、軟磁性体12のz軸方向の長さをh2とする。h2は、できるだけ短いことが好ましい。電磁界発生素子10によって近接場18が発生するが、軟磁性体12が設けられている場合、軟磁性体12が設けられていない場合と比較して、近接場18を作用させる磁気記録媒体からh2だけ遠い位置に、近接場18が発生する。したがって、h2が短ければ短いほど、近接場18を磁気記録媒体に対して効果的に作用させることが可能となる。電磁界発生素子10では、さらに、導体11における光17の出射面の全面に軟磁性体12が設けられていてもよい。この構成によれば、より多くの磁束が軟磁性体12に収束される。したがって、磁界成分は、スリット13近傍から導体11におけるスリット13の形成されていない面に近づくにつれて小さくなる。これにより、光が照射される面と垂直な方向の磁界成分を、より急激に小さくすることができる。その結果、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体の有する保磁力との差を、より大きくすることが可能となる。特に図示していないが、電磁界発生素子10は、導体11において光17が照射される面の少なくとも一部に設けられる、他の軟磁性体をさらに備えてしてもよい。この構成では、発生する表面プラズモン21および近接場18に影響がなければ、上記他の軟磁性体がない場合と比較して、発生する磁界15が増強される。したがって、同じ大きさの磁気ビットに対して同等の確実性をもつ磁気記録を行うのに必要な電流14を、より小さくすることが可能となる。電磁界発生素子50本実施形態に係る変形例である電磁界発生素子50を図2に示す。図2は、電磁界発生素子50について、図1bに示す1A-1Aで示す線における断面を矢印の方向から見た場合の概略図である。なお、電磁界発生素子10と同様の部材については同様の符号を付し、その説明を省略する。電磁界発生素子50において、軟磁性体12は、光17の出射面のスリット13周辺を除く領域に形成されている。言い換えれば、光17の出射面における、スリット13内部の面と上記出射面との境界からの距離が表面プラズモン21の侵入長以下となる位置には、軟磁性体12が形成されていない。その代わりに、その位置には導体11が形成されている。このような構成により、電磁界発生素子50は、電磁界発生素子10に比べて次の利点を有する。電磁界発生素子10では、光の出射面における近接場18の強度が、軟磁性体12のz軸方向の長さ分だけ減衰してしまう。一方、電磁界発生素子50では、このように減衰が生じないので、磁気記録媒体により近い位置において近接場18を発生させることが可能となる。また、電磁界発生素子50に設けられた軟磁性体12は、表面プラズモン21の強度に何ら影響を与えない。したがって、照射した光17を効率良く近接場18に変換し、磁気記録媒体に作用させることができる。また、電磁界発生素子50における光17の出射面において、軟磁性体12とスリット13とのX軸方向の距離W1-W2およびY軸方向の距離L1-L2は、いずれも、軟磁性体12における表面プラズモンの侵入長以上であってもよい。この構成によれば、スリット13内部を伝搬する表面プラズモン21に対して、軟磁性体12が何ら影響を与えない。したがって、照射した光17を効率良く近接場18に変換し、磁気記録媒体に作用させることができる。実施例1以下、実施形態1に係る電磁界発生素子50が発生する磁界15について、電磁界シミュレーションの結果を図3に示す。なお、電磁界発生素子50のシミュレーション結果と比較するために、比較形態の電磁界発生素子についても、電磁界シミュレーションを行った。上記比較形態の電磁界発生素子は、軟磁性体12を備えていない電磁界発生素子である。電磁界シミュレーションを計算する際、電磁界発生素子50の各種パラメータを以下のように設定した。軟磁性体12の比透磁率=10000W1=50nmL1=50nmh1=50nmW2=40nmL2=40nmh2=10nmW3=50nm図3には、電磁界発生素子50および比較形態の電磁界発生素子における所定の位置を基準として、x軸方向に±10nm離れた範囲において発生する磁界のz軸成分の分布を示している。当該所定の位置とは、スリット13の中心すなわち1B-1B線を含み、かつ光の照射面に対して垂直な平面内にあり、y軸上においてスリット端部131からスリット開放部132に向かって25nm離れると共に、z軸上において光の出射面から光の出射する方向に15nm離れた位置のことである。スリット13の貫通している方向に対して直交する面内の、y軸上においてスリット端部131からスリット開放部132に向かって25nm離れた位置が、磁界強度の最大値を示す位置である。なお、z軸上において光の出射面から光の出射する方向に15nm離れた位置を基準とした、x軸方向に±10nm離れた範囲は、磁気記録される情報記録媒体が有する記録ビットの位置として想定して定めた。また、電磁界発生素子50および比較形態において、x軸方向に±10nmの位置の磁界のz成分が同じ値となるように、それぞれの形態で異なる電流14の大きさとして以下の値を設定した。比較形態の電流14:1mA電磁界発生素子50の電流14:1.34mA1A-1A線上からx軸方向に±10nmの位置の磁界のz成分:4135A/mこれにより、電磁界発生素子50および比較形態の電磁界発生素子において、統一の条件すなわち記録ビットの位置においては、磁界のz成分が情報記録媒体の保磁力を上回り、記録ビット以外の位置においては、磁界は情報記録媒体のもつ保磁力を下回るという条件を適用した。図3は、電磁界発生素子50および比較形態の電磁界発生素子における、磁界のz軸成分の大きさの分布を示すグラフである。この図において、電磁界発生素子50において発生した磁界のz成分を実線で示す。一方、比較形態の電磁界発生素子において発生した磁界のz成分を点線で示す。図3を参照すれば、電磁界発生素子50と比較形態の電磁界発生素子とにおいて、上記所定の位置からx軸方向に±10nm離れた位置において発生する磁界のz成分の強度が同じになるように磁界を発生させた場合、その範囲内において、電磁界発生素子50において発生する磁界のz成分は、参考形態の電磁界発生素子50において発生する磁界のz成分よりも常に大きくなっていることが分かる。以上のように、電磁界発生素子50では、軟磁性体12によって磁界の発生領域を局所化するので、記録ビット以外に印加される磁界を小さくしつつ、記録ビットに印加される磁界を大きくできる。これにより、電磁界発生素子50では記録の安定性を高めることが可能となる。実施形態2本発明の別の実施形態に係る電磁界発生素子60について、図4を参照して説明する。なお、電磁界発生素子10および50と同様の部材については同様の符号を付し、その説明を省略する。本実施形態の電磁界発生素子60では、導体11におけるスリット13が形成されていない面の少なくとも一部に、さらに軟磁性体第2の軟磁性体が設けられていることを特徴とする。本実施形態の電磁界発生素子60において、光17が電磁界発生素子60から出射するxy平面の少なくとも一部に設けられる軟磁性体を、第1の軟磁性体121と定義する。すなわち、実施形態1における軟磁性体12は、本実施形態における第1の軟磁性体121に相当する。したがって、本実施形態における第1の軟磁性体121の寸法W2、L2およびh2は、実施形態1における軟磁性体12の寸法W2、L2およびh2と同様に定義する。また、上記xy平面以外の面であって、導体11とスリット13との界面を含まない面の一部に設けられる軟磁性体を、第2の軟磁性体122と定義する。したがって、電磁界発生素子60では、軟磁性体12は、第1の軟磁性体121と第2の軟磁性体122とからなる。上記の構成とすることによって、電磁界発生素子60では、より広い領域にわたって磁束を収束させることが可能となる。その結果、電磁界発生素子60によって発生する磁界は、スリット13近傍からスリット13が形成されていない面の方向に近づくにつれ、より急激に小さくなる。これにより、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体のもつ保磁力との差を大きくすることが可能となる。図4に示す電磁界発生素子60では、導体11とスリット13との界面を含まない面の少なくとも一部に第2の軟磁性体122が設けられている。第2の軟磁性体122は、電磁界発生素子60の照射面のうち、スリット13の近傍を除く領域に形成されている。スリット13はスリット開放部132を備えているので、光17の入射方向から見た場合、第2の軟磁性体122はコの字型に形成されている。図4に示すように、第2の軟磁性体122のz軸方向の長さをh1とする。また、第2の軟磁性体122のx軸方向の長さをW4とする。また、図4における1B’-1B’で示す線上における第2の軟磁性体122の長さをL4とする。第2の軟磁性体122の形状は、導体11および第1の軟磁性体121と同様の理由から、図4における1B’-1B’線に対し対称であることが好ましい。本実施形態においては、第1の軟磁性体121と第2の軟磁性体122とが同じ材料からなる。しかしこれに限らず、第1の軟磁性体121と第2の軟磁性体122とがそれぞれ互いに異なる材料からなっていてもよい。第2の軟磁性体122として、例えばマンガン亜鉛フェライトMn0.5Zn0.5Fe2O4等のように、光を透過する材料を用いる場合は、光17がスリット13以外の部分を透過し、近接場18のバックグラウンドとなることを防止するため、W1W3W1およびL1L3が光17の照射範囲光17の波長と同程度よりも長いことが好ましい。よって、W1およびL1は、少なくとも光17の波長の半分以上であることが好ましい。上記の構成にすることによって、光を透過しない導体11の設けられている領域が、光17の照射範囲より広くなり、光17がスリット13以外の部分を透過することを防ぐことができる。第2の軟磁性体122が透光性を有していない場合、W4W1W3W1W4およびL1L4L3が光の照射範囲よりも長くなることが好ましい。W4W1W3W1W4は、電磁界発生素子60のx軸方向の長さであり、L1L4L3は電磁界発生素子60のy軸方向の長さである。上記のように、電磁界発生素子のx軸およびy軸方向の長さが、光17の照射範囲よりも長いことによって、光17がスリット13以外の経路を通って出射面に到達し、近接場18のバックグラウンドとなることを防ぐことが出来る。また、電磁界発生素子60では、導体11における光17が照射される面の少なくとも一部に、さらに他の軟磁性体第3の軟磁性体が設けられていてもよい。その場合、発生する表面プラズモン21および近接場18に影響がなければ、第3の軟磁性体がない場合と比較して、発生する磁界15が増強されるため、同等の確実性をもつ磁気記録を行うのに必要な電流14を小さくすることが可能となる。第3の軟磁性体は、第2の軟磁性体122と連続して設けられていてもよい。その場合、第3の軟磁性体と第2の軟磁性体122とが離間している場合と比較して、形成が容易となる。実施例2以下、実施形態2に係る電磁界発生素子60によって発生する磁界15について、電磁界シミュレーションを計算した結果を図5に示す。なお、電磁界発生素子60のシミュレーション結果と比較するために、電磁界発生素子50についても、同様の電磁界シミュレーションを行った。電磁界シミュレーションを計算する際、電磁界発生素子60および電磁界発生素子50の各種パラメータを以下のように設定した。軟磁性体12の比透磁率=10000W1=50nmL1=50nmh1=50nmW2=40nmL2=40nmh2=10nmW3=50nmW4=50nmL4=50nm図5には、電磁界発生素子60および電磁界発生素子50における所定の位置を基準として、x軸方向に±10nm離れた範囲において発生する磁界のz軸成分の分布を示している。当該所定の位置とは、スリット13の中心すなわち1B-1B線を含み、かつ光の照射面に対して垂直な平面内にあり、y軸上においてスリット端部131からスリット開放部132に向かって25nm離れると共に、z軸上において光の出射面から光の出射する方向に15nm離れた位置のことである。スリット13の貫通している方向に対して直交する面内の、y軸上においてスリット端部131からスリット開放部132に向かって25nm離れた位置が、磁界強度の最大値を示す位置である。なお、z軸上において光の出射面から光の出射する方向に15nm離れた位置を基準とした、x軸方向に±10nm離れた範囲は、磁気記録される情報記録媒体が有する記録ビットの位置として想定して定めた。また、電磁界発生素子60および電磁界発生素子60において、x軸方向に±10nmの位置の磁界のz成分が同じ値となるように、それぞれの形態で異なる電流14の大きさとして以下の値を設定した。電磁界発生素子60の電流14:1.34mA電磁界発生素子50の電流14:1.00mA上記所定位置からx軸方向に±10nmの位置の磁界のz成分:4135A/mこれにより、電磁界発生素子60および電磁界発生素子60において、統一の条件すなわち記録ビットの位置においては、磁界のz成分が情報記録媒体の保磁力を上回り、記録ビット以外の位置においては、磁界は情報記録媒体のもつ保磁力を下回るという条件を適用した。図5は、電磁界発生素子60および電磁界発生素子50における、磁界のz軸成分の大きさの分布を示すグラフである。この図において、電磁界発生素子60において発生した磁界のz成分を実線で示す。一方、電磁界発生素子50において発生した磁界のz成分を点線で示す。図5に示すように、電磁界発生素子60と電磁界発生素子50とにおいて、上記所定位置からx軸方向に±10nmの位置で発生する磁界のz成分の強度が同じになるように磁界を発生させた場合、その範囲内において、電磁界発生素子60において発生する磁界のz成分は、電磁界発生素子50において発生する磁界のz成分よりも常に大きくなっていることが分かる。以上のように、電磁界発生素子60は、第2の軟磁性体122を備えることによって、より広い領域にわたって磁束を収束させることが可能となる。その結果、電磁界発生素子60によって発生する磁界は、スリット13近傍からスリット13が形成されていない面の方向に近づくにつれ、より急激に小さくなるため、記録ビットの位置において発生する磁界と磁気記録媒体のもつ保磁力との差を大きくすることが可能となる。すなわち、記録の安定性を高めることが可能となる。電磁界発生素子の形成方法以下に、本実施形態に係る電磁界発生素子60の形成方法を、図6を参照しながら説明する。なお、図6aからgは、図4bの1A-1A線を矢印方向から見た場合の断面図を示している。表面プラズモン21を励起するために照射する光17の波長に対して透光性を有する基板22上に、導体11の薄膜を形成する。その後、第2の軟磁性体122が形成される部分の導体11を除去し、図6aに示す形状とする。以下の工程においても同様であるが、パターン形成にはこの際、導体11のパターン形成にはリソグラフィプロセスを用いる。また、導体11から、第2の軟磁性体122が形成される部分を除去するためには、エッチング、またはリフトオフなどの方法を用いればよい。以下の形成過程でも同様に、パターン形成にはリソグラフィプロセスを用い、材料の除去にはエッチング、またはリフトオフなどの方法を用いる。次に、第1の軟磁性体121及び第2の軟磁性体122形成される部分、すなわち、上記工程により導体11が除去された部分および導体11上の一部に、レジスト層26を形成する図6b参照。レジスト層26は、スピンコートなどの方法で形成した後、リソグラフィプロセスを用いてパターン形成を行う。次に、図6cに示すように再び導体11を成膜する。その後、レジスト層26をリフトオフすることにより、図6dに示すような、中央に突出部を有する形状の導体11が形成される。次に、基板22の表面および導体11の表面に、図6eに示すように第1の軟磁性体121及び第2の軟磁性体122からなる軟磁性体12を成膜し、軟磁性体12の表面を研磨することによって軟磁性体12の突出部を除去する図6f参照。上記研磨は、導体11の層に到達したと同時に、または、到達直後に終了することが好ましい。最後に収束イオンビームFIB加工により、導体11の一部分を除去することによってスリット13を形成する図6g参照。第1の軟磁性体121および第2の軟磁性体122の少なくともいずれかに導電性軟磁性体を用いる場合には、導体11から導電性軟磁性体への漏れ電流を防ぐ必要がある。そのためには、多層膜を形成する工程において、導体11と導電性軟磁性体との界面に絶縁層を形成する必要がある。絶縁層を形成する材料としては、例えばSiO2を用いることができる。本実施形態は電磁界発生素子60を一例としてその形成方法を説明したが、電磁界発生素子10および50についても、上記形成方法を用いて形成することが可能である。また、本実施形態に係る電磁界発生素子60の形成方法は本実施形態において説明した方法に限定されず、本実施形態に係る電磁界発生素子60を形成可能な他の形成方法であってもよい。実施形態3本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子を備えた記録ヘッド100について、図7に基づいて説明する。また、本発明の一実施形態に係る記録ヘッド100を備えた記録装置について、図8に基づいて説明する。記録ヘッド図7は、本発明の実施形態1に係る電磁界発生素子10を備えた記録ヘッド100の構成例を示す概略図である。記録ヘッド100は、少なくとも、電磁界発生素子10とスライダ19と光源16と再生素子24からなる。また、情報記録媒体20上に記録ヘッド100は浮上している。アーム25は、スライダ19に接続されている。上記スライダ19の端部には、再生素子24が形成されている。また、再生素子24に隣接して、光源16と電磁界発生素子10とが一体形成されている。再生素子24と、光源16および電磁界発生素子10は、例えばAuSnなどの中間層23により接着されている。スライダ19の材料は、AlTiCが好ましいが、光源16を構成する材料の一つでもよい。スライダ19の情報記録媒体20に対向する面ABS面には、特定の形状のパターンが形成されている。上記パターンが形成されていることによって、情報記録媒体20の回転に伴ってスライダ19が風圧を受ける。アーム25からスライダ19が受ける力と、上記風圧により生じる力とが釣り合う位置にスライダ19は浮上する。その結果、スライダ19は、情報記録媒体20上を数nm~数10nmの高さで浮上する。光源16には、小型化のために半導体レーザ素子を用いることが好ましい。レーザの波長は、電磁界発生素子10の導体11、軟磁性体12の材料、スリット13の大きさとの組み合わせを考慮して選択することが好ましい。半導体レーザ素子の活性層から照射される光17が、電磁界発生素子10のスリット13に入射するように、半導体レーザ素子の活性層の位置と電磁界発生素子10のスリット13の位置は調整される。記録ヘッド100では、光源16によって、電磁界発生素子10のスリット13に対して、直線偏光のすなわち、電界ベクトルが1方向である光17を照射することが好ましい。電磁界発生素子10のスリット13の第1の方向は、直線偏光の方向と略平行に設けられていることが好ましい。これにより、表面プラズモン21の発生領域をスリット端部131に限定することができる。上記表面プラズモン21は、導体11とスリット端部131との界面を伝播し、出射面に到達すると近接場18を発生する。上記のようにスリット13の第1の方向と光17の直線偏光の電界ベクトルとを略平行にすることによって、近接場18の発生する場所を出射面におけるスリット端部131近傍に限定できる。したがって、近接場18が発生する位置と強い磁界15が発生する位置とを近接することが可能となる。よって、情報記録媒体の所望の位置に、光アシスト磁気記録することが可能となる。再生素子24は、例えばトンネル磁気抵抗TMR、または、巨大磁気抵抗GMR等の磁気抵抗効果を利用した素子が用いられる。再生素子24において、情報記録媒体20に対して記録ヘッド100が移動する方向の両側には、磁気シールド層が形成されている。上記磁気シールド層は、再生素子24を隣接する記録ビットの漏れ磁束から遮蔽するために形成されており、NiFeなどの軟磁性体からなる。電磁界発生素子10が備える軟磁性体12と、再生素子24の磁気シールド層を形成する軟磁性体とは、一体構造となっていてもよい。この場合、電磁界発生素子10と再生素子24との間に設けられる中間層23は軟磁性体からなる。電磁界発生素子10が備える軟磁性体12の一部と、再生素子24が備える磁気シールド層の一部とを一体構造とすることによって、電磁界発生素子10と再生素子24とをより接近して配置することが可能となる。なお、記録ヘッド24では、電磁界発生素子10が備える軟磁性体12が再生素子と隣接している構成であってもよい。この場合、電磁界発生素子10を構成する軟磁性体12が、再生素子24の磁気シールド層として機能する。したがって、電磁界発生素子10を構成する軟磁性体12とは別個の磁気シールド層を再生素子24に設ける必要がない。よって、記録ヘッド100を小型化することができる。また、再生素子24に別個の磁気シールド層を形成する必要がないため、製造コストを低減できる。なお、記録ヘッド24が電磁界発生素子60を備える場合は、電磁界発生素子60が備える軟磁性体121および軟磁性体122のうち少なくともいずれかが、再生素子と隣接している構成であってもよい。この場合、電磁界発生素子10が備える軟磁性体12が再生素子と隣接している構成の記録ヘッド24と同様の利点が得られる。電磁界発生素子10と光源16との間には、屈折率制御、密着性向上および光源におけるショート防止などを目的として、それぞれの目的に応じた機能性を有する膜を設けてもよい。情報記録媒体20に対向する、電磁界発生素子10の面には保護膜を設けてもよい。光源16と電磁界発生素子10とは、一体構造にしなくてもよい。その場合、電磁界発生素子10と光源16との間にレンズ、プリズムおよび鏡などの光学系を設けてもよい。上記構成とすることによって、スライダ19のうち電磁界発生素子10を形成する面とは別の面に、光源16を設置することもできる。情報記録媒体20に対して、記録ヘッド100が移動する方向を図8の矢印として示す。電磁界発生素子10は、スリット13の第1の方向と上記矢印の方向とが平行になるように、記録ヘッド100に設ければよい。または、スリット13の第1の方向と上記矢印の方向とが垂直になり、かつ、スリット13の第1の方向と情報記録媒体20の記録面とが平行になるように設けてもよい。本実施形態に係る記録ヘッド100は、本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10備える。情報記録媒体20上に設けられた記録ビットの位置に近接場18を作用させることによって、電磁界発生素子10は記録ビットを局所的に加熱する。すなわち、記録ビットの保磁力を一時的に低下させることができる。電磁界発生素子10は、近接場18を作用させると共に、強い磁界15を記録ビットの位置に発生する。すなわち、記録ヘッド100を用いることにより、微細化された記録ビットを有する情報記録媒体20に対して確実に磁気記録を行うことができる。したがって、記録ヘッド100は光アシスト磁気記録方式における磁気記録ヘッドに好適である。記録装置本発明の一実施形態に係る記録ヘッド100を備えた記録装置200について、図8を参照しつつ説明する。図8は、記録装置200の構成を示す概略図である。また、同時に記録装置200が備える制御部30のブロック図を示している。記録装置200は、スピンドル31、駆動部36および制御部30を備えている。記録装置は、磁気ヘッドが備える本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10が発生する近接場18および磁界15を利用して、情報記録媒体20に情報を記録するための装置である。すなわち、光アシスト磁気記録方式を採用した記録装置である。スピンドル31は、情報記録媒体20を回転させるためのスピンドルモータのことである。駆動部36は、アーム25、回転軸37および記録ヘッド100を備えている。アーム25は、ディスク形状の情報記録媒体20の略半径方向に沿って記録ヘッド100を移動させるためのものである。また、支持部の構造はスイングアーム構造となっている。アーム25は、回転軸37によって支持されている。したがって、記録ヘッド100が移動する際の軌跡は、回転軸37を中心とした円弧となる。上述したように、スライダ19は、情報記録媒体20の表面と記録ヘッド100の近接場18の出射面との距離を一定に保つ機能を有する。設計段階において、上記距離が最適値となるように記録装置200は設計されている。本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10および光源16は、スライダ19に搭載され情報記録媒体20のトラック上を移動する。したがって、記録装置200は、任意の記録ビットに対して近接場18および磁界15を作用させることができる。制御部30は、制御回路32とアクセス回路33とレーザおよび磁界駆動回路34とスピンドル駆動回路35とを備えている。アクセス回路33は、回転軸37を回転することによってアーム25を移動する。このことによって、情報記録媒体20上の所望の位置に記録ヘッド100を走査する。レーザおよび磁界駆動回路34は、光源16が照射する光の強度および発光時間を制御する。また、電磁界発生素子に流す電流値を制御することによって、磁界15の強度および発生時間を制御する。スピンドル駆動回路35は、情報記録媒体20の回転駆動を制御する。制御回路32は、アクセス回路33、レーザおよび磁界駆動回路34およびスピンドル駆動回路35を統括的に制御する。次に、図8を参照しながら記録装置200の動作について説明する。記録装置200が情報記録媒体20に対して情報を記録または再生等を行うとき、つまり動作時には、スピンドル駆動回路35はスピンドル31を適切な回転数で回転させる。アクセス回路33は、駆動部36備える回転軸37を動かすことによって、上述したように記録ヘッド100を情報記録媒体20上の所望の場所へと走査する。レーザおよび磁界駆動回路34は、決められた強度および時間間隔で光を照射し、決められた強度および時間間隔で磁界15を発生させる。具体的には、レーザおよび磁界駆動回路34が光源16を発光させることにより、電磁界発生素子10に光17が照射され近接場18が発生する。近接場18が情報記録媒体20に作用することによって、情報記録媒体20は昇温される。同様に、レーザおよび磁界駆動回路34は、情報記録媒体20に対して印加する磁界15の強度および時間間隔を制御する。このとき、光源16は、磁界15と同様の時間間隔を制御してもよいし、発光させ続けてもよい。上述のように、レーザおよび磁界駆動回路34によって制御された近接場18および磁界15が情報記録媒体20に作用することによって、記録装置200は磁気情報を記録する。制御回路32は、光源16の発光、電磁界発生素子10の磁界発生、駆動部36の動作およびスピンドル31の回転を総括的に制御する。このことによって、所望の記録ビットに所望の磁気情報を記録することを実現している。情報記録媒体20は、近接場18と磁界15によって磁気情報が記録される磁気情報記録媒体である。近接場18が作用することによって、情報記録媒体20が備える記録層が局所的に昇温される。同時に、上記記録層に磁界15が印加されることによって、記録層内部の磁気モーメントの向きが反転さる。このことによって、記録ビットが形成される。導体11に電流14が流すことにより発生する近接場18の位置と磁界15を印加する位置とを、本発明の一実施形態に係る電磁界発生素子10はほぼ同じ位置に設定できる。また、電流14の方向を制御することによって、情報記録媒体20へ印加される磁界15の方向を上向きまたは下向きに制御することができる。また、情報記録媒体20における記録ビットの形成速度すなわち記録速度は、記録層の昇温速度に依存する。この昇温速度は、情報記録媒体20に作用する近接場18の強度に依存する。つまり、発生する近接場18の強度を高めることによって、情報記録媒体20を所望の温度まで昇温するために必要な時間が短くなる。したがって、近接場18の強度の強度を高めることによって、記録速度を向上し、情報の転送レートを向上することができる。記録装置200は本発明の一実施形態に係る記録ヘッド100を備えている。このことによって、微細化された記録ビットを有する情報記録媒体20に対して確実に磁気記録を行うことができる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。