半導体素子と、はんだ層を介して、前記半導体素子と接合されたヒートスプレッダと、前記半導体素子と、前記ヒートスプレッダと、の間に設けられ、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部と、前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、を備え、前記保持部は、前記溶融したはんだを冷却する際に、前記収納部に収納された前記溶融したはんだの量が不足する場合には前記溶融したはんだを補充し、前記溶融したはんだの量が過剰である場合には前記溶融したはんだを回収すること、を特徴とする半導体装置。前記保持部は、以下の式を満足するように設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。ここで、Sは平面視における保持部の総面積、Scは平面視における半導体素子の面積、Hは半導体素子とヒートスプレッダとの間の寸法、Hsは保持部の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法である。前記保持部は、平面視において互いに対向するように設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記保持部は、前記収納部の内部に開口する開口部を有し、前記開口部は、平面視において前記半導体素子の外縁に面して設けられたこと、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置。半導体素子と、ヒートスプレッダと、を有する半導体装置の製造方法であって、前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、を設ける工程と、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間に、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部を設ける工程と、前記収納部の内部と前記保持部の内部とに所定の量のはんだを供給する工程と、前記規定部を介在させて、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとが互いに近接する方向に加圧する工程と、前記加圧した状態で加熱して、前記はんだを溶融させる工程と、前記溶融したはんだを冷却する工程と、を備え、前記溶融したはんだを冷却する工程において、前記収納部に収納された前記溶融したはんだの量が不足する場合には前記保持部から前記溶融したはんだを補充し、前記溶融したはんだの量が過剰である場合には前記保持部に前記溶融したはんだを回収すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、信頼性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。実施形態に係る半導体装置は、半導体素子と、はんだ層を介して、前記半導体素子と接合されたヒートスプレッダと、前記半導体素子と、前記ヒートスプレッダと、の間に設けられ、前記半導体素子と前記ヒートスプレッダとの間の寸法を規定する規定部と、前記ヒートスプレッダの前記半導体素子が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する収納部と、内部に保持した溶融したはんだを前記収納部との間において流通させる保持部と、を備えている。そして、前記保持部は、前記溶融したはんだを冷却する際に、前記収納部に収納された前記溶融したはんだの量が不足する場合には前記溶融したはんだを補充し、前記溶融したはんだの量が過剰である場合には前記溶融したはんだを回収する。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。なお、図1aはスペーサを備えた半導体装置、図1bは突起部を備えた半導体装置を例示するための模式断面図である。図2は、保持部について例示をするための模式図である。なお、図2aは図1aにおけるA-A矢視図であり、図2bは図2aにおけるB-B矢視図である。図3は、比較例に係る半導体装置を例示するための模式断面図である。なお、図3は、保持部11を設けずに収納部10のみを設けた場合である。図1aに示すように、半導体装置1aには、半導体素子2、3、ヒートスプレッダ4、5、バスバー6、7、スペーサ8a~8d、はんだ層9a~9d、収納部10が設けられている。また、図1bに示すように、半導体装置1bには、半導体素子2、3、ヒートスプレッダ14、15、バスバー6、7、はんだ層9a~9d、収納部10が設けられている。なお、スペーサ8a~8dと、後述する突起部14a、14b、15a、15bとが、各要素間の寸法を規定する規定部となる。例えば、スペーサ8dと突起部15bとが、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5、15との間に設けられ、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5、15との間の寸法を規定する規定部となる。半導体素子2、3は、例えば、IGBT、IEGT、MOS-FET、ダイオードなどの電力用の半導体素子などとすることができる。この場合、半導体素子2、3は、同じ種類の半導体素子とすることもできるし、異なる種類の半導体素子とすることもできる。例えば、インバータ制御回路を構成する場合には、半導体素子2、3の一方をスイッチング素子としてのIGBT、他方をフリーホイールダイオードとしてのダイオードなどとすることができる。ヒートスプレッダ4、5、14、15は、導電性材料を用いて形成されたものとすることができる。ヒートスプレッダ4、5、14、15は、例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などを用いて形成されたものとすることができる。なお、後述するはんだ接合の際のはんだ付け性を向上させるために、ヒートスプレッダ4、5、14、15の表面にニッケルや金などからなる層を設けるようにすることもできる。ここで、例えば、半導体素子2及び半導体素子3の少なくともいずれかがIGBTなどである場合には、ヒートスプレッダ4、14はいわゆるエミッタ板とすることができ、ヒートスプレッダ5、15はいわゆるコレクタ板とすることができる。図1a、bに例示をしたものの場合には、ヒートスプレッダ4、14は半導体素子2、3毎に1つずつ設けられ、ヒートスプレッダ5、15は半導体素子2、3に対して1つ設けられている。ヒートスプレッダ4、14の一方の主面ははんだ層9aを介してバスバー6の一方の主面にはんだ接合され、ヒートスプレッダ4、14の他方の主面ははんだ層9bを介して半導体素子2、3の一方の主面にはんだ接合されている。ヒートスプレッダ5、15の一方の主面ははんだ層9cを介してバスバー7の一方の主面にはんだ接合され、ヒートスプレッダ5、15の他方の主面ははんだ層9dを介して半導体素子2、3の他方の主面にはんだ接合されている。バスバー6、7は、導電性材料を用いて形成されるものとすることができる。バスバー6、7は、例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などを用いて形成されるものとすることができる。なお、はんだ付け性を向上させるために、バスバー6、7の表面にニッケルや金などからなる層を設けるようにすることもできる。ここで、半導体素子2、3とヒートスプレッダ4、5、14、15との間の離隔寸法、ヒートスプレッダ4、14とバスバー6との間の離隔寸法、ヒートスプレッダ5、15とバスバー7との間の離隔寸法の管理を行わないと、はんだ層9a~9dに部分的に厚みの薄いところや厚いところが生じて、熱応力に対する脆弱部が生じたり、放熱性が低下したりするおそれがある。そのため、半導体装置1aにおいては、前述した規定部としてのスペーサ8a~8dを設けることでこれらの離隔寸法の管理が行えるようになっている。スペーサ8a~8dは、例えば、球状を呈したものとすることができる。スペーサ8aは、ヒートスプレッダ4とバスバー6との間に設けられている。スペーサ8bは、ヒートスプレッダ4と半導体素子2、3との間に設けられている。スペーサ8cは、ヒートスプレッダ5とバスバー7との間に設けられている。スペーサ8dは、ヒートスプレッダ5と半導体素子2、3との間に設けられている。スペーサ8a~8dの大きさや材質には特に限定がなく、適宜設定することができる。この場合、球状を呈したスペーサ8a~8dの直径寸法を25μm以上、85μm以下とすれば、放熱性や耐熱疲労性を向上させることができる。また、スペーサ8a~8dをニッケル、銅などを用いて形成するようにすれば、はんだに対する濡れ性を向上させることができる。そして、はんだ接合時に、バスバー7、スペーサ8c、ヒートスプレッダ5、スペーサ8d、半導体素子2、3、スペーサ8b、ヒートスプレッダ4、スペーサ8a、バスバー6を積層させた積層体を加圧するようにすれば、離隔寸法の管理を行うことができる。すなわち、スペーサ8a~8dを介することで離隔寸法の管理を行うことができる。また、半導体装置1bにおいては、ヒートスプレッダ14に突起部14a、14bを設け、ヒートスプレッダ15に突起部15a、15bを設けて前述した離隔寸法の管理が行えるようになっている。すなわち、半導体装置1bにおいては、前述した規定部としての突起部14a、14b、15a、15bを設けることでこれらの離隔寸法の管理が行えるようになっている。突起部14aは、ヒートスプレッダ14とバスバー6との間に設けられている。突起部14bは、ヒートスプレッダ14と半導体素子2、3との間に設けられている。突起部15aは、ヒートスプレッダ15とバスバー7との間に設けられている。突起部15bは、ヒートスプレッダ15と半導体素子2、3との間に設けられている。突起部14a、14b、15a、15bは、例えば、柱状を呈したものとすることができる。突起部14a、14b、15a、15bの大きさには特に限定がなく、適宜設定することができる。なお、ヒートスプレッダに突起部を設ける場合を例示したが、半導体素子2、3やバスバー6、7に突起部14a、14b、15a、15bを設けるようにすることもできる。この場合、柱状を呈した突起部14a、14b、15a、15bの高さ寸法を25μm以上、85μm以下とすれば、放熱性や耐熱疲労性を向上させることができる。また、突起部14a、14b、15a、15bの表面にニッケルや金などからなる層を形成するようにすれば、はんだに対する濡れ性を向上させることができる。そして、はんだ接合時に、バスバー7、突起部15a、15bが設けられたヒートスプレッダ15、半導体素子2、3、突起部14a、14bが設けられたヒートスプレッダ14、バスバー6を積層させた積層体を加圧するようにすれば、離隔寸法の管理を行うことができる。すなわち、突起部14a、14b、15a、15bを介することで離隔寸法の管理を行うことができる。はんだ層9a~9dは、例えば、錫を主成分とする鉛フリーはんだ無鉛はんだを用いたはんだ接合により形成されたものとすることができる。はんだ層9a~9dは、半導体素子2、3と、ヒートスプレッダ14、15、バスバー6、7とを電気的に接続する。また、はんだ層9a~9dは、半導体素子2、3において発生した熱をヒートスプレッダ14、15、バスバー6、7に放出させる際に熱経路の一部となる。また、はんだ層9a~9dは、半導体素子2、3とヒートスプレッダ14、15との間に発生する熱応力を緩和させる。次に、収納部10、保持部11について例示をする。ここでは、一例として、半導体素子2に対して設けられた収納部10、保持部11について例示をするが、半導体素子3に対して設けられた収納部10、保持部11も同様とすることができる。また、図2aは図1aにおけるA-A矢視図であるが、図1bにおける対応部分も同様とすることができる。収納部10は、ヒートスプレッダ5の半導体素子2が接合される領域の外側に設けられ、内部に溶融したはんだを収納する。例えば、図2aに示すように、半導体素子2の平面形状が矩形の場合には、収納部10は矩形の各辺に略平行となる部分を有したものとすることができる。そして、矩形の各辺に略平行となる部分により画された領域が溶融したはんだを収納する収納部10の内部となる。この場合、図2aに示すように、枠状の収納部10とすることができ、枠状の収納部10の線幅寸法は0.5mm以上とすることができる。また、収納部10は、半導体素子2の外縁よりは外側に設けられている。そして、収納部10は、ヒートスプレッダ5の半導体素子2が接合される側の主面から突出して設けられ、その内部には溶融したはんだが収納できるようになっている。また、収納部10を設けることで半導体素子2の位置がずれることを抑制することもできる。この場合、平面視において、半導体素子2の外縁と収納部10の内縁との間の寸法を小さくすれば、半導体素子の位置ずれをさらに小さくすることができる。例えば、半導体素子2の外縁と収納部10の内縁との間の寸法を0mm~0.2mm程度とすることができる。収納部10の厚み寸法は、例えば、スペーサ8dの直径寸法、突起部15bの高さ寸法と同程度とすることができる。例えば、収納部10の厚み寸法は、25μm以上、85μm以下とすることができる。収納部10の材料は特に限定されるわけではなく、溶融したはんだに対する耐熱性を有するものを適宜選択することができる。例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法などを用いて所定の形状に熱硬化性樹脂を塗布し、これを加熱硬化させることで収納部10を形成するようにすることができる。ここで、スペーサ8a~8d、突起部14a、14b、15a、15bを設けて前述した離隔寸法の管理を行うようにすれば、はんだ接合に用いるはんだの量を一定とすることができる。ところが、スペーサ8a~8d、突起部14a、14b、15a、15bの寸法にはばらつきがあるので、前述した離隔寸法がばらつくことになる。そのため、はんだ接合に用いるはんだの量を一定とすると、図3に例示をするように、はんだ量が不足して引け部19aが生じたり、はんだ量が過剰となり流出部19bが生じたりするおそれがある。この様な引け部19aが生じると、熱応力に対する脆弱部が生じたり、放熱性が低下したりするおそれがある。また、流出部19bが生じると、半導体素子2の主面と他方の主面との間、あるいは隣接する半導体素子3との間、とにおいて短絡が生じるおそれがある。そのため、本実施の形態においては、保持部11を設けることで引け部19aや流出部19bが発生することを抑制するようにしている。保持部11は、内部に保持した溶融したはんだを収納部10との間において流通させる。例えば、保持部11は、溶融したはんだを冷却する際に、収納部10に収納された溶融したはんだの量が不足する場合には溶融したはんだを補充し、溶融したはんだの量が過剰である場合には溶融したはんだを回収、保持する。保持部11は、収納部10から外方に向けて突出するようにして設けられ、内部に溶融したはんだを収納することができるようになっている。また、保持部11は、収納部10の内部に開口する開口部11aを有し、開口部11aは、平面視において半導体素子2の外縁に面して設けられている。この様な開口部11aを設けることで収納部10との間における溶融したはんだの流通を容易とすることができる。保持部11を設けるようにすれば、半導体素子2とヒートスプレッダ5との間に供給されたはんだ量の過不足に応じて、はんだの補充または回収、保持を容易に行うことができる。そのため、図3に例示をした引け部19aや流出部19bの発生を抑制することができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。この場合、保持部11は、平面視において互いに対向させるようにして少なくとも一対設けられるようにすることができる。その様にすれば、半導体素子2の少なくとも両側からはんだの補充または回収を行うようにすることができるので、引け部19aや流出部19bの発生をさらに抑制することができる。なお、保持部11を互いに対向させるようにして複数対図2aに例示をしたものは2対設けるようにすることができる。また、保持部11の厚み寸法は、収納部10の厚み寸法と同程度とすることができる。保持部11が平面視において収納部10に連設する線状部から形成される場合には、その線幅寸法は収納部10の線幅寸法と同程度とすることができる。また、保持部11の材料は、収納部10の材料と同じとすることができ、収納部10と保持部11とを同時に形成するようにすることができる。本発明者の得た知見によれば、平面視における保持部11の総面積Sが以下の1式を満足するようにすれば、引け部19aや流出部19bの発生をより確実に抑制することができる。ここで、図2a、bに示すように、Sは平面視における保持部11の総面積、Scは平面視における半導体素子の面積、Hは半導体素子とヒートスプレッダとの間の寸法、Hsは保持部11の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法である。例えば、図2aに例示をしたもののように、4つの保持部11が設けられている場合には、総面積Sは4つの保持部11の面積を加えたものとなる。この場合、各保持部11の面積が等しければ、1つの保持部11の面積はS/4となる。保持部11の内部に保持された溶融したはんだの最大高さ寸法Hは、保持部11の厚み寸法、溶融したはんだの表面張力、溶融したはんだの粘度などを考慮して適宜設定することができる。例えば、予め実験やシミュレーションを行うことで最大高さ寸法Hを求めるようにすることができる。また、保持部11の総面積Sの上限値は、スペース効率などを考慮して適宜決定するようにすることができる。図4は、保持部を設けた場合の効果を例示するための模式グラフ図である。なお、図4aは、はんだ接合に用いるはんだの量と流出部19bの発生率との関係を例示するための模式グラフ図、図4bは、はんだ接合に用いるはんだの量と引け部19aの面積が半導体素子の面積に占める割合との関係を例示するための模式グラフ図である。また、図4a中のCaは保持部11を設けた場合、Daは保持部11を設けていない場合である。図4b中のCbは保持部11を設けた場合、Dbは保持部11を設けていない場合である。図4a、bから分かるように、保持部11を設けるようにすれば、引け部19aや流出部19bの発生を大幅に低減させることができる。また、はんだ接合に用いるはんだの量にかかわらず引け部19aや流出部19bの発生を大幅に低減させることができる。そのため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について例示をする。まず、半導体素子2、3、ヒートスプレッダ4、5、バスバー6、7、スペーサ8a~8dなどを形成する。また、ヒートスプレッダ14、15を用いる場合には、ヒートスプレッダ14に突起部14a、14bを形成し、ヒートスプレッダ15に突起部15a、15bを形成する。なお、半導体素子2、3やバスバー6、7に突起部14a、14b、15a、15bを形成するようにしてもよい。例えば、半導体素子2、3を個片化する前のウェーハ状態において、熱硬化性レジストなどの熱硬化性樹脂をインクジェット法などを用いて所定の形状に塗布し、これを加熱硬化させることで突起部14a、14b、15a、15bを形成するようにすることができる。その他の各要素の形成に関しては既知の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。次に、ヒートスプレッダ5、または、ヒートスプレッダ15に所定の形状を有する収納部10、保持部11を形成する。すなわち、ヒートスプレッダ5、または、ヒートスプレッダ15の半導体素子2、3が接合される領域の外側に、内部に溶融したはんだを収納する収納部10と、内部に保持した溶融したはんだを収納部10との間において流通させる保持部11と、を設ける。例えば、熱硬化性レジストなどの熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法、インクジェット法などを用いて所定の形状に塗布し、これを加熱硬化させることで収納部10、保持部11を形成するようにすることができる。この場合、例えば、収納部10、保持部11の厚み寸法を25μm以上、85μm以下、線幅寸法を0.5mm以上、半導体素子の外縁と収納部10の内縁との間の寸法を0mm~0.2mm程度とすることができる。また、平面視における保持部11の総面積Sが前述した1式を満足するようにすることができる。そして、加熱温度を150°C程度、加熱時間を1時間程度とすることができる。次に、各要素間に各要素間の寸法を規定する規定部を設ける。例えば、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5との間に、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5との間の寸法を規定する規定部としてのスペーサ8dを設ける。または、半導体素子2、3とヒートスプレッダ15との間に、半導体素子2、3とヒートスプレッダ15との間の寸法を規定する規定部としての突起部15aを設ける。次に、各要素のはんだ接合面にはんだ層9a~9dとなるはんだペレットを供給し、各要素を積層させて積層体を形成する。この際、収納部10の内部と保持部11の内部とに所定の量のはんだペレットを供給する。例えば、各はんだ接合面に所定量のはんだペレットを供給し、バスバー7、スペーサ8c、ヒートスプレッダ5、スペーサ8d、半導体素子2、3、スペーサ8b、ヒートスプレッダ4、スペーサ8a、バスバー6を積層させて積層体を形成する。なお、スペーサ8a~8dを含んだ所定量のはんだペレットを供給し、バスバー7、ヒートスプレッダ5、半導体素子2、3、ヒートスプレッダ4、バスバー6を積層させて積層体を形成するようにしてもよい。すなわち、規定部の設定とはんだの供給とが同時に行われるようにしてもよい。また、はんだの供給の後に規定部の設定が行われるようにしてもよい。例えば、各はんだ接合面に所定量のはんだペレットを供給し、バスバー7、ヒートスプレッダ15、半導体素子2、3、ヒートスプレッダ14、バスバー6を積層させて積層体を形成するようにしてもよい。そして、形成された積層体を加圧することで、各要素が所定の離隔寸法だけ離隔するようにする。例えば、規定部を介在させて、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5、15とが互いに近接する方向に加圧されるようにすることができる。次に、この加圧状態を保持した状態で、積層体を加熱してはんだペレットを溶融させる。積層体の加熱は、例えば、加熱炉などを用いて行うようにすることができる。この場合、酸化膜の形成が抑制されるように、はんだペレットに適したフラックスをはんだペレットに滴下させたり、加熱炉内を還元ガス雰囲気としたりして加熱するようにすることができる。また、加熱炉内を減圧するようにすれば、溶融したはんだ中の気泡を除去することができるので、はんだ層にボイドが発生することを抑制することができる。次に、溶融したはんだを冷却して、各要素のはんだ接合面にはんだ層9a~9dを形成する。すなわち、各要素をはんだ接合する。この際、半導体素子2、3とヒートスプレッダ5または、ヒートスプレッダ15との間に供給されたはんだ量の過不足に応じて、保持部11からはんだの補充、または保持部11への余剰はんだの回収、保持が行われる。すなわち、溶融したはんだを冷却する工程において、収納部10に収納された溶融したはんだの量が不足する場合には保持部11から溶融したはんだを補充し、溶融したはんだの量が過剰である場合には保持部11に溶融したはんだを回収、保持する。そのため、引け部19aや流出部19bの発生を抑制することができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。以上のようにして、半導体装置1a、1bが製造されることとなる。なお、以上に例示をした半導体装置1a、1bにおいては、収納部10、保持部11をヒートスプレッダ5、15に設ける場合を例示したが、ヒートスプレッダ4、14にも収納部10、保持部11を設けるようにすることができる。また、半導体素子2、3の両側の主面をはんだ接合する場合を例示したが、半導体素子の片側の主面のみにはんだ接合する場合にも適用させることができる。なお、その場合には、はんだ接合する側とは反対側のヒートスプレッダ、バスバー、スペーサ、はんだ層、突起部などは不要となる。また、ヒートスプレッダとバスバーとが一体化されていてもよい。以上に例示をした実施形態によれば、信頼性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、半導体装置1a、1bなどが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。