"中心核と前記中心核を被覆する被覆層で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末において、前記中心核が銀及び銀と錫との金属間化合物からなり、前記被覆層が錫からなり、前記中心核と前記被覆層の間に、前記中心核の少なくとも一部を被覆するように銅と錫との金属間化合物からなる中間層が介在することを特徴とするハンダ粉末。前記銀と錫との金属間化合物がAg3Sn又はAg4Snであり、前記銅と錫との金属間化合物がCu3Sn又はCu6Sn5である請求項1記載のハンダ粉末。前記ハンダ粉末の全体量100質量に対し、銀の含有割合が0.1~10質量であり、銅の含有割合が0.1~2.0質量である請求項1又は2記載のハンダ粉末請求項1ないし3いずれか1項に記載のハンダ粉末とハンダ用フラックスを混合してペースト化することにより得られたハンダ用ペースト。電子部品の実装に用いられる請求項4記載のハンダ用ペースト。しかしながら、上記従来の特許文献1,2に示された、いわゆるアトマイズ法により微細な粉末を得るためには、この方法によって得られた金属粉末を更に分級して、ファインピッチ化に対応する5μm以下の微細なものを採取する必要がある。このため、歩留まりが非常に悪くなる。一方、7μm程度の粉末であれば、この方法でも歩留まりは良くなるものの、この程度の粒径のものでは、近年のファインピッチ化には十分に対応できない。また、上記特許文献3に示されたハンダ粉末において、中心核が錫と異なる単一の金属元素によって形成されるハンダ粉末では、溶食反応の後に拡散が起こるため、ハンダバンプ形成の溶融時に時間が掛かり、濡れ性が悪いという問題を有していた。本発明の目的は、ファインピッチ化を実現するハンダ用ペーストに好適な微細なハンダ粉末であって、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れた、ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストを提供することにある。本発明の第1の観点は、図1に示すように、中心核11と中心核11を被覆する被覆層13で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末10において、中心核11が銀11a及び銀と錫との金属間化合物11bからなり、被覆層13が錫からなり、中心核11と被覆層13の間に、中心核11の少なくとも一部を被覆するように銅と錫との金属間化合物からなる中間層12が介在することを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に銀と錫との金属間化合物がAg3Sn又はAg4Snであり、銅と錫との金属間化合物がCu3Sn又はCu6Sn5であることを特徴とする。本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更にハンダ粉末の全体量100質量に対し、銀の含有割合が0.1~10質量であり、銅の含有割合が0.1~2.0質量であることを特徴とする。本発明の第4の観点は、第1ないし第3の観点のハンダ粉末とハンダ用フラックスを混合してペースト化することにより得られたハンダ用ペーストである。本発明の第5の観点は、電子部品の実装に用いられる第4の観点のハンダ用ペーストである。本発明の第1の観点のハンダ粉末は、中心核と中心核を被覆する被覆層で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末において、中心核が銀及び銀と錫との金属間化合物からなり、被覆層が錫からなり、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように銅と錫との金属間化合物からなる中間層が介在する。このように、本発明のハンダ粉末では、中心核を銀及び銀と錫との金属間化合物とし、中心核と被覆層の間に介在する中間層を銅と錫との金属間化合物としているため、中心核又は中間層の一方、或いはこれらの双方が単一の金属元素のみで構成される従来のハンダ粉末に比べ、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れる。また、平均粒径5μm以下と微細な粉末であるため、この粉末を原料としたハンダ用ペーストを基板等に印刷する際に、ファインピッチパターンで印刷できる。本発明の第4の観点のハンダ用ペーストは、上記本発明のハンダ粉末を用いて得られる。そのため、このハンダ用ペーストは、リフロー時の溶融が速く、濡れ性が非常に良いため、ハンダバンプ形成時に溶融したペーストが微細な球状になって飛散する、いわゆるソルダボールの発生を大幅に抑制することができる。また、形成後のハンダバンプにおける組成をより均一にできるため、溶け残りが生じないハンダバンプを形成することができる。更にハンダ粉末は5μm以下と微細であるため、このハンダ用ペーストを用いれば、基板等にファインピッチパターンで印刷でき、より微細な電子部品を実装できる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明のハンダ粉末は、図1に示すように、中心核11と、この中心核11を被覆する被覆層13により構成され、平均粒径が5μm以下、好ましくは0.1~5μmの粉末である。ハンダ粉末の平均粒径を5μm以下に限定したのは、5μmを越えるとハンダ用ペーストを基板等にファインピッチパターンで印刷できず、微細な電子部品をハンダ用ペーストにより実装できないからである。なお、本明細書において、粉末の平均粒径とは、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置堀場製作所社製、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置LA-950にて測定した体積累積中位径をいう。そして、本発明のハンダ粉末の特徴ある構成は、中心核11が銀11a及び銀と錫との金属間化合物11bからなり、被覆層13が錫からなり、中心核11と被覆層13の間に、中心核11の少なくとも一部を被覆するように銅と錫との金属間化合物からなる中間層12が介在するところにある。なお、図1は、中間層12が中心核11を完全に被覆した状態の構造を模式的に示したものであるが、本発明のハンダ粉末は、このような構造に限定されるものではなく、中間層12が中心核11の一部を被覆するように介在した構造も含まれる。このように、本発明のハンダ粉末では、予め中心核を銀及び銀と錫との金属間化合物とし、中心核と被覆層の間に介在する中間層を銅と錫との金属間化合物としているため、例えば中心核又は中間層の一方、或いはこれらの双方が単一の金属元素のみで構成される従来のハンダ粉末等に比べると、リフロー時の溶融拡散性が非常に良い。その技術的な理由は、例えば単一の金属元素からなる銀と比べて、銀と錫との金属間化合物等の方が既に錫が拡散しているので、固液共存状態が短時間であり、融液の流動性が高いためであると推察される。また、本発明のハンダ粉末では、粉末を構成する一つの金属粒子内において、既に銀と錫の金属間化合物、銅と錫の金属間化合物を有するため、上記従来のハンダ粉末等に比べて、ハンダバンプ形成時に組成が均一になりやすく、組成制御が容易である。このような理由から、本発明のハンダ粉末は濡れ性に優れる。また、平均粒径5μm以下と微細な粉末であるため、この粉末を原料としたハンダ用ペーストを基板等に印刷する際に、ファインピッチパターンで印刷できる。中心核を構成する銀と錫との金属間化合物としては、Ag3Sn又はAg4Snが挙げられ、一方、中心核と被覆層の間に介在する中間層を構成する銅と錫との金属間化合物としては、Cu3Sn又はCu6Sn5が挙げられる。ハンダ粉末中の銀の含有割合は、ハンダ粉末の全体量100質量に対し、0.1~10質量であることが好ましく、1.0~5.0質量であることが更に好ましい。また、ハンダ粉末の銅の含有割合は0.1~2.0質量であることが好ましく、0.3~1.0質量であることが更に好ましい。ここで、上記元素の含有割合をそれぞれ上記範囲に限定したのは、共晶点から組成がずれるのを防止してハンダ粉末の融点を低くするとともに、形成したハンダバンプにおけるハンダ合金の電気抵抗の増加を抑え、機械的強度を向上させるためである。また、銀や銅の割合が極端に少なすぎる、或いは極端に多すぎると濡れ性が悪くなる傾向がみられるからである。これは、銀や銅の割合が極端に少なすぎると、酸化しやすい錫単体の組成に近づくためと考えられ、一方、銀や銅の割合が極端に多すぎると、固液共存領域が広く、融液の流動性が低いためと考えられる。また、ハンダ粉末中の錫の含有割合は、ハンダ粉末の全体量100質量に対して88.0~99.8質量、好ましくは94.0~98.7質量である。錫の含有割合が下限値未満では、ハンダ粉末として必要とされる低融点を示さないからである。また、上限値を越えるとペーストのリフロー時における濡れ性が低下したり、形成したハンダバンプの機械的強度が低下するからである。続いて、上記本発明のハンダ粉末を製造する方法について説明する。先ず、溶媒に、中心核の金属間化合物を構成する金属元素、即ち銀を含む化合物と、中間層の金属間化合物を構成する金属元素、即ち銅を含む化合物と、中心核及び中間層の金属間化合物や被覆層を構成する錫を含む化合物及び分散剤とをそれぞれ添加して混合することにより、溶解液を調製する。溶解液中における銀を含む化合物、銅を含む化合物、錫を含む化合物の含有割合は、ハンダ粉末製造後に、各金属元素の含有割合が上記範囲になるように調整する。また、上記溶解液には、上記銀を含む化合物の代わりに銀粉末を用い、この銀粉末と分散剤を溶媒に添加混合して銀粉末の分散液を調製し、これに上記銅を含む化合物と錫を含む化合物を直接添加混合し溶解させるか、或いは銅を含む化合物、錫を含む化合物をそれぞれ溶媒に溶解させて2つの金属溶液を予め調製し、これらを上記銀粉末の分散液に添加混合して得られる、銀粉末が分散する溶解液を使用することもできる。この場合に使用する銀粉末、銅を含む化合物、錫を含む化合物の割合は、ハンダ粉末製造後に、各金属元素の含有割合が上記範囲になるように調整する。溶解液の調製に用いられる銀化合物としては、硫酸銀、塩化銀又は硝酸銀等が挙げられる。一方、銀化合物の代わりに用いられる銀粉末としては、平均粒径が0.1~2.0μmであり、還元反応による化学的手法で得られた銀粉末の他、アトマイズ法のような物理的手法によって得られた銀粉末も使用可能である。また、溶解液の調製に用いられる銅化合物としては、塩化銅、硫酸銅又は酢酸銅等が挙げられ、錫化合物としては、塩化錫、硫酸錫、酢酸錫、シュウ酸錫等が挙げられる。このうち、銀を含む化合物、銅を含む化合物、錫を含む化合物が溶解する溶解液を用いる場合は、銀化合物、銅化合物、錫化合物として、いずれも硫酸塩の硫酸銀、硫酸銅、硫酸錫を使用するのが特に好ましい。それは、銀化合物を使用する場合に銅及び錫の塩化物を使用すると、塩化銀の粗大粒子が発生し、これを中心核として得られたハンダ粉末が目的とする平均粒径より大きくなる場合があるからである。一方、銀粉末が分散する溶解液を用いる場合は、銅化合物、錫化合物として、いずれも硫酸塩の硫酸銅、硫酸錫を使用するか、或いはいずれも塩酸塩の塩化銅、塩化錫を用いるのが特に好ましい。銀粉末が分散する溶解液を用いる方法では、溶解液の調製に硫酸塩のみならず、塩酸塩も好適に用いられるのは、銀粉末の表面のみが塩化物となり、銀粉末の平均粒子径はあまり変わらず、これを中心核として得られるハンダ粉末は目的とする平均粒子径になりやすいからである。溶媒としては、水、アルコール、エーテル、ケトン、エステル等が挙げられる。また、分散剤としては、セルロース系、ビニル系、多価アルコール等が挙げられ、その他にゼラチン、カゼイン等を用いることができる。調製した溶解液はpH調整する。pHは、生成したハンダ粉末の再溶解等を考慮して、0~2.0の範囲に調整するのが好ましい。なお、溶媒に上記金属化合物をそれぞれ添加して溶解させた後、錯化剤を加えて、各金属元素を錯体化した後に、分散剤を添加しても良い。錯化剤を加えることでpHがアルカリ側でも金属イオンが沈殿せず、広い範囲での合成が可能となる。錯化剤としては、コハク酸、酒石酸、グリコール酸、乳酸、フタル酸、リンゴ酸、クエン酸、シュウ酸、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸又はその塩等が挙げられる。次に、還元剤を溶解した水溶液を調製し、この水溶液のpHを、上記調製した溶解液と同程度に調整する。還元剤としては、テトラヒドロホウ酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等のホウ素水素化物、ヒドラジン等の窒素化合物、三価のチタンイオンや2価のクロムイオン等の金属イオン等が挙げられる。次に、上記溶解液に還元剤水溶液を添加して混合することにより、溶解液中の各金属イオンが還元され、液中に金属粉末が分散した分散液が得られる。この還元反応では、上記銀を含む化合物、銅を含む化合物、錫を含む化合物が溶解する溶解液を用いた場合は、先ず、錫及び銅よりも貴な銀が還元され、次いで錫よりも貴な銅が還元され、最後に錫が還元される。一方、銀粉末が分散する溶解液を用いた場合は、先ず、錫よりも貴な銅が還元されて銀粒子の表面に銅が析出し、次いで錫が還元される。これにより、銀からなる中心核と、この中心核を被覆する錫からなる被覆層と、中心核と被覆層の間の少なくとも一部に介在する銅からなる中間層で構成された、平均粒径5μm以下の金属粉末が形成される。溶解液と還元剤水溶液を混合する方法としては、容器内の溶解液に所定の添加速度で還元剤水溶液を滴下し、スターラ等で攪拌する方法や、所定の径を有する反応チューブを用い、この反応チューブ内に両液を所定の流量で注ぎ込み、混合させる方法等が挙げられる。次いで、この分散液を、デカンテーション等によって固液分離し、回収した固形分を水又はpHを0.5~2に調整した塩酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、或いはメタノール、エタノール、アセトン等で洗浄する。洗浄後は、再度固液分離して固形分を回収する。洗浄から固液分離までの工程を、好ましくは2~5回繰り返す。次に、回収した固形分に、沸点が100°C以上の高沸点溶媒を加えて分散させ、不活性ガス雰囲気下、所定の温度で加熱する。この加熱処理を施すことにより、上記還元反応で形成された金属粉末の銀からなる中心核、中心核の少なくとも一部を被覆する銅から成る中間層と、錫からなる被覆層の一部が反応して、銀と錫の金属間化合物からなる中心核、及び銅と錫の金属間化合物からなる中間層が形成される。使用される高沸点溶媒としてはエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ヒマシ油等が挙げられる。上記加熱処理は、100~130°Cの温度で20分間~1時間行うのが好ましい。処理温度又は保持時間が下限値未満では、中心核、中間層に金属間化合物が形成されず、或いは中間層が金属間化合物のみで構成されない場合がある。また、処理温度が上限値を越えると、被覆層の錫が酸化されて溶融性が低下する不具合が生じる。なお、保持時間を上限値以上としてもその効果は代わらない。このうち120°Cで30分間行うのが特に好ましい。加熱後は、再度上記洗浄から固液分離までの工程を、好ましくは2~5回繰り返した後、回収した固形分を真空乾燥させることにより、本発明のハンダ粉末を得ることができる。以上の工程により、本発明のハンダ粉末を得ることができる。このハンダ粉末は、ハンダ用フラックスと混合してペースト化して得られるハンダ用ペーストの材料として好適に用いられる。ハンダ用ペーストの調製は、例えばハンダ用フラックスを、好ましくは10~30質量、更に好ましくは10~25質量混合してペースト化することにより行われる。ハンダ用フラックスの混合量を10~30質量とするのは、10質量未満ではフラックス不足でペースト化できず、30質量を越えるとペースト中のフラックスの含有割合が多すぎて金属の含有割合が少なくなってしまい、ハンダ溶融時に所望のサイズのハンダバンプを得ることができないからである。このハンダ用ペーストは、上記本発明のハンダ粉末を材料としているため、溶融性及び濡れ性が非常に良く、ソルダボールが生じにくい点で優れる。また、形成後のハンダバンプにおける組成をより均一できるため、これを用いて形成されるハンダバンプは、溶け残りが生じない点で優れる。更に5μm以下の微細なハンダ粉末によって調製されるため、このハンダ用ペーストを用いれば、基板等にファインピッチパターンで印刷でき、高さのバラツキが少ないハンダバンプを形成することができる。そのため、このハンダ用ペーストは、より微細な電子部品の実装に好適に用いることができる。次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。<実施例1>先ず、水50mLに硫酸銅を2.54×104mol、硫酸銀を4.48×104mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを、上記洗浄後の粉末に加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、Ag及び金属間化合物Ag3Snを中心核、Snを被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<実施例2>先ず、水50mLに硫酸銅を2.56×104mol、硫酸銀を6.04×104mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、Ag及び金属間化合物Ag3Snを中心核、錫を被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<実施例3>先ず、水50mLに硫酸銅を9.86×105mol、硫酸銀を7.26×105mol、硫酸錫を2.62×10-2mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより金属間化合物Ag3Snを中心核、錫を被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<実施例4>先ず、水50mLに硫酸銅を8.25×104mol、硫酸銀を1.54×103mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Ag3Snを中心核、錫を被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<実施例5>先ず、水50mLに硫酸銅を2.45×105mol、硫酸銀を7.22×106mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Ag3Snを中心核、錫を被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<実施例6>先ず、水50mLに硫酸銅を1.24×103mol、硫酸銀を1.83×103mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Ag3Snを中心核、錫を被覆層とし、中心核と被覆層の間に、中心核の少なくとも一部を被覆するように金属間化合物Cu6Sn5が介在するハンダ粉末を得た。<比較例1>水50mLに硫酸銅を1.59×104mol、硫酸銀を4.10×104mol、硫酸錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500を0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。これを真空乾燥機にて乾燥することにより、Agを中心核、Cuを中間層、錫を被覆層とするハンダ粉末を得た。<比較試験及び評価>実施例1~6及び比較例1で得られたハンダ粉末について、次に述べる方法により、粉末を構成する金属粒子の構造、粉末の平均粒径、組成の分析又は測定を行い、またハンダ粉末の濡れ性を評価した。これらの結果を以下の表1に示す。また、図2に実施例1で得られたハンダ粉末のXRD構造解析データを示す。更に、図3に実施例1で得られたハンダ粉末の粉末断面を観察したときの写真図を示す。なお、図3aは、電子線画像であり、図3bは、図3aの被写体と同一の被写体についての各組成元素のマッピング像である。構造分析:粉末X線回折装置リガク社製:RINTUltima/PCにて構造分析を行った。また、走査型オージェ電子分光分析装置アルバックファイ社製型式名:PHI700を用いて粉末の断面構造を観察した。平均粒径:レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置堀場製作所社製、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置LA-950にて粒径分布を測定し、その体積累積中位径Median径、D50をハンダ粉末の平均粒径とした。組成:誘導結合プラズマ発光分光分析島津製作所社製ICP発光分析装置:ICPS-7510により金属元素含有量を測定した。濡れ性:JISZ3284に記されているぬれ効力及びディウエッティング試験に準じて行った。評価についても同様に濡れ広がり度合いを1~4に区分した。図3a,bに示す粉末の断面構造から、実施例1のハンダ粉末は、Snと、金属間化合物であるAg3Sn及びCu6Sn5が含まれていることが判る。一方、図3a,bからは、中心核にAgが含まれることが明確に確認できなかったものの、図2に示すXRD構造解析結果において、Snを示すピーク、Ag3Snを示すピーク、Cu6Sn5を示すピーク以外に、Agを示すピークが検出されており、実施例1のハンダ粉末は、Agと、Snと、金属間化合物であるAg3Sn及びCu6Sn5の4種から構成されていることが確認できる。また、表1から明らかなように、実施例1,2と比較例1とを比較すると、中心核及び中間層が単一の金属元素のみからなる比較例1のハンダ粉末では、濡れ広がり度合いが2であるのに対し、中心核がAg及び金属間化合物のAg3Snからなり、中間層が金属間化合物のCu6Sn5からなる実施例1,2の金属粉末では濡れ広がり度合いが1と、中心核及び中間層を金属間化合物とすることで、濡れ性が向上することが確認された。また、実施例3と実施例5、実施例4と実施例6をそれぞれ比較すると、AgとCuの割合がそれぞれ0.1質量に満たない実施例5では、濡れ広がり度合いが実施例3よりも若干悪い2の評価となった。これは、錫単体の組成に近くなったことでハンダ粉末の酸化が進んだことが原因と考えられる。また、Agの割合が10質量、Cuの割合が2質量を越える実施例6では、濡れ広がり度合いが実施例4よりも若干悪い2の評価となった。これは、Ag、Cuの割合が多くなったことで、固液共存領域が広くなり、融液の流動性が低下したためと考えられる。これに対し、Agの割合が0.1~10質量、Cuの割合が0.1~2.0質量の範囲内にある実施例3,4では、濡れ広がり度合い1の評価が得られ、濡れ性が非常に優れる結果となった。"