"透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、下記一般式IM1ORn......I式中、M1は金属を、RはC1~C5のアルキル基を、nはM1の価数を表す。で示される金属アルコキシドを下記一般式IIM2Xm......II式中、M2は金属を、Xは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、mはM2の価数を表す。で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を前記透明電極上に配置したことを特徴とするタッチパネル。透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、下記一般式IM1ORn......I式中、M1は金属を、RはC1~C5のアルキル基を、nはM1の価数を表す。で示される金属アルコキシドを下記一般式II-1M2Xm......II-1式中、M2は金属を、Xは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、mはM2の価数を表す。および式II-1中で用いられる金属の蓚酸塩で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を前記透明電極上に配置したことを特徴とするタッチパネル。上記一般式Iにおける金属M1は、珪素Si、チタンTi、タンタルTa、ジルコニウムZr、ホウ素B、アルミニウムAl、マグネシウムMg、錫Snおよび亜鉛Znよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載のタッチパネル。上記一般式IIおよびII-1における金属M2は、アルミニウムAl、インジウムIn、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、ビスマスBi、ランタンLa、タンタルTa、イットリウムYおよびセリウムCeよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記金属酸化物の層は、屈折率が1.50~1.70であり、当該層の膜厚が40nm~170nmであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記金属酸化物の層は、屈折率が1.54~1.68であり、当該層の膜厚が40nm~170nmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記金属アルコキシドは、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物とチタンアルコキシドの混合物であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記析出防止剤は、N-メチル-ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびこれらの誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子M1と、金属塩の金属原子M2とのモル比は、0.01≦M2/M1M2≦0.7であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナートおよびこれらの塩基性塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記有機溶媒は、アルキレングリコール類またはそのモノエーテル誘導体を含むことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記透明電極は、少なくとも2つの異なる方向の位置を検出するための第1の透明電極と第2の透明電極とを有することを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載のタッチパネル。前記第1の透明電極と前記第2の透明電極とは、前記透明基板の同じ面に配置されることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。前記第1の透明電極と前記第2の透明電極は、それぞれ、前記透明基板の異なる面に配置されることを特徴とする請求項12に記載のタッチパネル。タッチパネルは、液晶表示装置などの表示装置に組み込まれ、タッチ位置を検出可能なタッチパネル機能付き表示装置として使用される。タッチパネルを操作する者は、タッチパネルを通して表示装置を視認するため、透明電極には、光の透過特性に優れた部材が使用される。例えば、ITO酸化インジウムスズIndiumTinOxideなどの無機材料が使用されている。しかしながら、静電容量方式のタッチパネルにおいては、ITOなどの透明電極の形成領域と透明電極の形成されていない領域とで反射率に違いが生じる。このため、透明電極のパターンが視認されてしまい、表示性を低下させるという問題があった。また、従来のタッチパネルでは、ITOなどの透明電極の上にアクリル材料からなるアクリル層を設ける技術が知られている。このアクリル層は、透明電極を保護することを目的としており、屈折率特性については何ら考慮されていない。このため、アクリル層に電極パターンを目立たなくする効果は期待できない。また、アクリル層は、有機材料薄膜であるので保護膜としての硬度が十分でない。ITOなどの透明電極との密着性も弱く、タッチパネルの信頼性を低下させる一因となっている。さらに、アクリル層の場合、フレキソ印刷などの印刷技術を利用した膜形成が困難である。そのため、膜形成にあたっては、工程が複雑なフォトリソグラフィ技術の利用が必要となる。本発明は、こうした点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、透明電極パターンが視認されることによる表示装置の表示性低下を低減可能な静電容量方式のタッチパネルを提供することにある。また、本発明の別の目的は、高い硬度と、透明電極との高い密着性と、印刷技術を利用した成膜とが可能な膜を、透明電極上に形成して構成された静電容量方式のタッチパネルを提供することにある。本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。本発明は、透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、下記一般式IM1ORnI式中、M1は金属を、RはC1~C5のアルキル基を、nはMの価数を表す。で示される金属アルコキシドを、下記一般式IIM2XmII式中、M2は金属を、Xは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、蓚酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、mはM2の価数を表す。で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を透明電極上に配置したことを特徴とするものである。また、本発明は、透明基板の操作領域に透明電極のパターンが形成された静電容量方式のタッチパネルであって、下記一般式IM1ORnI式中、M1は金属を、RはC1~C5のアルキル基を、nはM1の価数を表す。で示される金属アルコキシドを、下記一般式II-1M2XmII-1式中、M2は金属を、Xは塩素、硝酸、硫酸、酢酸、スファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸、アセチルアセトナートまたはこれらの塩基性塩を、mはM2の価数を表す。および一般式II-1中で用いられる金属の蓚酸塩で示される金属塩の存在下に有機溶媒中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物から形成される金属酸化物の層を透明電極上に配置したことを特徴とするものである。本発明において、前記一般式Iにおける金属M1は、珪素Si、チタンTi、タンタルTa、ジルコニウムZr、ホウ素B、アルミニウムAl、マグネシウムMg、錫Snおよび亜鉛Znよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。また、本発明において、前記一般式IIおよびII-1における金属M2は、アルミニウムAl、インジウムIn、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、ビスマスBi、ランタンLa、タンタルTa、イットリウムYおよびセリウムCeよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。本発明において、前記金属酸化物の層は、屈折率が1.50~1.70であり、当該金属酸化物の層の厚さ以下、層の厚さを膜厚とも称するが40nm~170nmであることが好ましい。特に、前記金属酸化物の層は、屈折率が1.54~1.68であるのが好ましい。本発明において、前記金属アルコキシドは、シリコンアルコキシドまたはその部分縮合物と、チタンアルコキシドとの混合物であることが好ましい。本発明において、前記析出防止剤は、N-メチル-ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールおよびこれらの誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。本発明において、前記コーティング組成物に含まれる金属アルコキシドの金属原子M1と、前記金属塩の金属原子M2とのモル比は、0.01≦M2/M1M2≦0.7であることが好ましい。本発明において、前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナートおよびこれらの塩基性塩よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。本発明において、前記有機溶媒は、アルキレングリコール類またはそのモノエーテル誘導体を含むことが好ましい。本発明において、前記透明電極は、少なくとも2つの異なる方向の位置を検出するための第1の透明電極と第2の透明電極とを有することが好ましい。本発明において、前記第1の透明電極と前記第2の透明電極とは、透明基板の同じ面に配置されることができる。本発明において、前記第1の透明電極と前記第2の透明電極は、それぞれ、透明基板の異なる面に配置されることができる。本発明によれば、透明電極パターンが視認されることによる表示装置の表示性低下を低減可能な静電容量方式のタッチパネルが提供される。透明電極パターンが視認されることによって表示装置の表示性が低下するのは、透明電極の屈折率と基板の屈折率とが異なることに起因している。透明電極は、通常、無機の金属酸化物であるITO酸化インジウムスズIndiumTinOxideからなる。ITOの屈折率は、1.8~2.1程度である。一方、ガラス基板の屈折率は1.5程度であるので、ITOの屈折率とは大きく異なる。かかる屈折率の違いは、透明電極が形成された領域と、形成されていない領域との間に、光反射特性の違いを生じさせる。すなわち、干渉を伴う界面反射特性が、透明電極の形成された領域と、形成されない領域とで異なることにより、画面表示において電極パターンを目立たせる結果となる。そこで、本発明者は、電極パターンを目立たなくするべく鋭意検討を重ねた結果、基板上に配置された透明電極の上に、屈折率と膜厚とが所望の範囲内となるように制御された層を設けることが有効であることを見出した。このような層を設けることで、タッチパネルにおいて、意図しない電極パターンが視認される現象を抑えることができる。ところで、タッチパネルでは、上述したように、透明電極の上にアクリル層を設ける技術が知られている。このアクリル層は、透明電極を保護することを目的としており、屈折率特性については何ら考慮されていない。このため、アクリル層に電極パターンを目立たなくする効果は期待できない。また、アクリル層は、有機材料薄膜であるので硬度が低くITOとの密着性も弱いため機械的強度が十分でない。さらには、タッチパネルの額縁部の配線部分に絶縁膜を配してはならないため、パターニングが必要であるが、フレキソ印刷などの印刷技術を利用した膜形成が困難である。それ故、膜形成にあたっては、工程が複雑なフォトリソグラフィ技術の利用が必要になる。こうしたことから、上述の屈折率と膜厚とが所望の範囲内となるよう制御された層は、アクリル層に替わるものであることが好ましい。すなわち、透明電極を保護する機能、具体的には、機械的強度に優れ、指などによる多数回の押圧から透明電極を保護できることが望ましい。また、フレキソ印刷などの印刷技術を用いて、基板上に透明電極パターンを簡便に形成できることが好ましい。本発明者は、上記性能を満足する層の形成には、金属アルコキシドを金属塩の存在下で有機溶剤中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物を用いることが好適であることを見出した。このコーティング組成物を用いて形成される金属酸化物層を透明電極の上すなわち、透明電極を覆ってに設けることにより、タッチパネルにおいて、透明電極を保護するとともに、電極パターンを目立たなくすることができる。以下では、まず、本実施の形態のタッチパネルについて説明する。次いで、このタッチパネルに適用される金属酸化物層と、この金属酸化物層の形成に用いられるコーティング組成物とについて述べる。<タッチパネル>図1および図2は、本実施の形態の第1の例であるタッチパネルの構成図であり、図1は平面図、図2は図1のA1-A1’線に沿う断面図である。図1に示すように、タッチパネル1は、透明な基板2と、X方向の座標を検出するための第1の透明電極3と、Y方向の座標を検出するための第2の透明電極4とを有する。第1の透明電極3と第2の透明電極4は、基板2の同一面に設けられた同一層から形成される。基板2は、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、トリアセチルセルロース樹脂およびポリエチレンナフタレート樹脂などの透明材料を用いて構成される。特に、後述する金属酸化物層5、6の形成に好適な耐熱性と耐薬品性能を備えた材料を選択することが好ましい。基板2の厚みは、ガラスを用いた場合には、例えば0.1mm~2mm程度であり、樹脂フィルムを用いた場合には、例えば10μm~2000μm程度である。第1の透明電極3と第2の透明電極4は、タッチパネル1の操作面に相当する位置に形成されている。そして、第1の透明電極3は、X方向に沿った複数の領域に分離して設けられており、第2の透明電極4は、Y方向に沿った複数の領域に分離して設けられている。このような構造とすることで、タッチ位置検出の精度を高めることができる。図1において、第1の透明電極3と第2の透明電極4は、それぞれ複数のパッド部21を構成要素としており、各パッド部21は、それぞれが平面的に隔離され、且つ、各パッド部21間の隙間が少なくなるように配置される。すなわち、X軸方向に列をなすパッド部21と、Y軸方向に列をなすパッド部21とは、これらが互いに交差する領域が可能な限り小さくなるようにして、操作面の全体に配置される。パッド部21は、例えば、菱形、矩形および六角形などの多角形形状とすることができ、これらは、例えば、互い違いまたは直列状に配置される。また、分離離間した電極の本数も図1の例に限られるものではなく、操作面の大きさと要求される検出位置の精度に応じて決定される。第1の透明電極3および第2の透明電極4は、少なくとも可視光に対する透過率が高く、導電性を有する透明電極材料を用いて形成される。このような導電性を有する透明電極材料としては、例えば、ITO酸化インジウム錫、IndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxideまたはZnO酸化亜鉛などが挙げられる。ITOを用いる場合には、十分な導電性を確保できるよう、厚さを10~200nmとすることが好ましい。第1の透明電極3と第2の透明電極4は、例えば、次のようにして形成される。まず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スプレー法、ディップ法またはCVDChemicalVaporDeposition法などの中から、下地となる基板2の材質を考慮して選択した方法によって透明導電膜を成膜する。次に、上記透明導電膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。あるいは、有機溶剤に上記材料からなる導電性フィラーなどを分散させた塗料を用い、印刷法によって所望のパターンを形成してもよい。透明電極の形成工程で重要となるのは、膜厚を精度良く制御できるかどうかである。したがって、形成にあたっては、特に、所望の膜厚とすることができるとともに、透明性に優れた低抵抗の膜を形成可能な方法を選択することが好ましい。図1および図2に示すように、第1の透明電極3と第2の透明電極4とは、基板2の同一面上に形成されており、同一層をなしている。このため、第1の透明電極3と第2の透明電極4とは、複数の箇所で交差しており、交差部18を形成している。本実施の形態では、交差部において、第1の透明電極と第2の透明電極のいずれか一方が他方と接触しないよう分断されている。すなわち、図2に示すように、複数の交差部18のいずれにおいても、第2の透明電極4は繋がっているが、第1の透明電極3は分断されている。そして、第1の透明電極3の分断箇所を接続させるために、架橋電極20が設けられており、架橋電極20と第2の透明電極4の間には、絶縁性物質からなる層間絶縁膜19が設けられている。以下、図1および図2を参照して、さらに詳述する。図2に示すように、交差部18における第2の透明電極4の上には、光透過性の層間絶縁膜19が形成されている。層間絶縁膜19には、SiO2などの無機材料や、感光性アクリル樹脂などの有機材料を用いることができる。SiO2を用いる場合、例えば、マスクを用いたスパッタリング法によって、交差部18における第2の透明電極4の上にのみSiO2膜が形成された構造とすることができる。また、感光性アクリル樹脂を用いる場合にも、フォトリソグラフィ法を利用して、同様の構造を形成することができる。層間絶縁膜19の上層には、架橋電極20が設けられている。架橋電極20は、交差部18で分断されている第1の透明電極3同士を電気的に接続するものであり、光透過性の材料によって形成されている。架橋電極20を設けることで、第1の透明電極3をY方向に電気的に接続することができる。図1に示すように、第1の透明電極3と第2の透明電極4は、菱形のパッド部21を縦または横に複数並べた形状をしている。第2の透明電極4において、交差部18に位置する接続部分は、第2の透明電極4の菱形のパッド部21より幅の狭い形状になっている。また、架橋電極20も、菱形のパッド部21より幅の狭い形状で短冊状に形成されている。図1および図2に示すように、本実施の形態のタッチパネル1においては、第1の透明電極3と第2の透明電極4の上にすなわち、第1の透明電極3と第2の透明電極4を覆って金属酸化物層5が形成されている。そして、タッチパネル1の操作面に相当する部分における透明電極の形成領域と非形成領域とを被覆している。金属酸化物層5は硬度が高く、第1の透明電極3および第2の透明電極4との密着性に優れる。金属酸化物層5の形成には、金属アルコキシドを金属塩例えば、アルミニウム塩の存在下に有機溶媒中で加水分解縮合し、さらに析出防止剤を添加して得られるコーティング組成物が用いられる。このコーティング組成物の詳細については、後に説明する。タッチパネル1においては、本明細書の実施例欄で述べる検討結果に基づき、第1の透明電極3と第2の透明電極4の各電極パターンが見立たないように、金属酸化物層5の屈折率と膜厚が選択される。具体的には、金属酸化物層5の屈折率は1.50~1.70の範囲内が好ましく、より好ましくは1.54~1.68の範囲内である。膜厚は40nm~170nmの範囲内であることが好ましい。そして、金属酸化物層5の屈折率が1.54以上で1.60より小さい場合、膜厚は60nm~150nmの範囲内であることがさらに好ましい。また、金属酸化物層5の屈折率が1.60以上で1.68以下の範囲内である場合、膜厚は40nm~170nmの範囲内であることがさらに好ましい。なお、金属酸化物層5は、第1の透明電極3と第2の透明電極4とが導通しないように、絶縁性であり、さらに可視光透明性の高い金属酸化物層から選ばれる。タッチパネル1においては、例えば、金属酸化物層5は、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドとを含むコーティング組成物から形成されたものであり、屈折率は1.60、膜厚は80nmである。図2に示すように、タッチパネル1は、第1の透明電極3などが形成された面と、ディスプレイパネル10の視認側の最上位層とを、アクリル系光硬化性樹脂などを用いた接着層9を介して重ね合わせることで、1つの表示装置とすることができる。ここで、接着層9は、金属酸化物層5の上に設けられる。上記の表示装置は、タッチパネル1と、ディスプレイパネル10とを有し、必要に応じてバックライトを有することができる。図2では詳細を省略しているが、ディスプレイパネル10は、公知の表示装置と同様の構成とすることができる。例えば、液晶表示装置の場合、ディスプレイパネル10は、2枚の透明基板の間に液晶層が挟持された構造とすることができる。各透明基板の液晶層に接する側とは反対の側には、それぞれ偏光板を設けることができる。また、各透明基板には、液晶の状態を制御するためにセグメント電極やコモン電極を形成することができる。そして、液晶層は、各透明基板とシール材とによって封止される。図1に示すように、タッチパネル1において、第1の透明電極3と第2の透明電極4の端部には、それぞれ端子図示されないが設けられており、その端子から複数の引き出し配線11が引き出される。引き出し配線11は、銀、アルミニウム、クロム、銅、モリブデンのほか、MoNbモリブデンニオブ合金など、これら金属を含む合金などを使用した不透明な金属配線とすることができる。引き出し配線11は、第1の透明電極3と第2の透明電極4への電圧印加や、タッチ位置を検出する制御回路を成膜した。また、アクリル材料組成物K7を用い、基板にシリコン基板100を使用し、上記した成膜方法IIIを適用して、シリコン基板上にアクリル膜KM3を成膜した。これらの基板を用いて、エリプソメータ溝尻光学工業所社製DVA-FLVWを使用し、波長633nmにおける屈折率を測定した。金属酸化物の膜KL1、KL2、KL3、KL4、KL5、KL5-1、KL5-2、KL5-3、KM1およびKM2、並びにアクリル膜KM3の屈折率の評価結果を表1に示す。この表より、アクリル膜の屈折率は1.50であることが分かる。尚、表1中の成膜方法欄の記載は、それぞれの膜の成膜に適用された成膜方法I~IIIを示している。<硬度の評価>金属酸化物の膜の硬度については鉛筆硬度を評価した。上述したコーティング組成物K1~K6を用い、基板にITO付きガラス基板を使用し、上記した成膜方法I、成膜方法IIまたは成膜方法IIIを適用して、基板上に金属酸化物の膜KL1、KL2、KL3、KL4、KL5、KL5-1、KL5-2、KL5-3、KL5、KM1およびKM2を成膜した。また、アクリル材料組成物K7を用い、基板にITO付きガラス基板を使用し、上記した成膜方法IIIを適用して、ITO付きガラス基板上にアクリル膜KM3を成膜した。これらの基板を用いて、鉛筆硬度を試験法JISK5400に準拠して評価した。金属酸化物の膜KL1、KL2、KL3、KL4、KL5、KL5-1、KL5-2、KL5-3、KM1およびKM2、並びにアクリル膜KM3の鉛筆硬度の評価結果を表1に示す。この表より、アクリル膜KM3の鉛筆硬度は3Hであり、金属酸化物の膜KL1、KL2、KL3、KL4、KL5、KL5-1、KL5-2、KL5-3、KM1およびKM2に比べ硬度が低いことがわかる。<透明導電膜基板>基板上にパターニングされた透明導電膜が成膜された透明導電膜基板を準備する。基板にはガラス基板を用い、透明導電膜にはITOを用いる。この透明導電膜基板としては、上述した本実施の形態のタッチパネル1に使用した透明導電膜基板14の使用が可能である。ここでは、ITOのパターンが同一で、膜厚が28nmと75nmと異なる2種類の透明導電膜基板を準備した。<実施例1>ITOの膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL1を70nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmのソーダライムガラス基板を貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例2および3>金属酸化物の膜KL1の膜厚が80nm実施例2と90nm実施例3である以外は、実施例1と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。<実施例4>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL2を70nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例5および6>金属酸化物の膜KL2の膜厚が80nm実施例5と90nm実施例6である以外は、実施例4と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。<実施例7>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL3を50nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて評価用のタッチパネルを作製した。<実施例8~11>金属酸化物の膜KL3の膜厚が70nm実施例8、80nm実施例9、120nm実施例10および150nm実施例11である以外は、実施例7と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。<実施例12>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL4を80nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例13>金属酸化物の膜KL4の膜厚が100nmである以外は、実施例12と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。<実施例14>ITO膜厚が75nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL4を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例15>ITO膜厚が75nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL5を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例16>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL5-1を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例17>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL5-2を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<実施例18>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KL5-3を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<比較例1>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜を成膜すること無く、そのまま光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、金属酸化物の層を有しない評価用のタッチパネルを作製した。<比較例2>ITO膜厚が75nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜を成膜すること無く、そのまま光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、金属酸化物の層を有しない評価用のタッチパネルを作製した。<比較例3>金属酸化物の膜KL4の膜厚が30nmである以外は、実施例12と同様の方法で評価用のタッチパネルを作製した。<比較例4>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KM1を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<比較例5>ITO膜厚が28nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KM2を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<比較例6>ITO膜厚が75nmである透明導電膜基板上に、金属酸化物の膜KM2を100nmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させて、評価用のタッチパネルを作製した。<比較例7>ITO膜厚が75nmである透明導電膜基板上に、アクリル膜KM3を2μmの膜厚で成膜した基板を作製した。この基板上に光学接着剤を塗布し、0.7mmの素ガラスを貼り合わせた。次いで、紫外線照射装置アイグラフィック社製UB011-3A型を使用し、高圧水銀ランプ入力電源1000Wを用いて、50mW/cm2波長365nm換算の光強度で80秒間紫外線照射した。これにより、光学接着剤を硬化させ、アクリル膜の形成された評価用のタッチパネルを作製した。<密着性の評価>実施例1~実施例18において、評価用のタッチパネルを作製する際、その途中で作製される金属酸化物の膜KL1~KL5の成膜された基板を使用した。その透明導電膜基板上の各金属酸化物の膜に対し、JISK5600の密着性のクロスカット法に準拠して剥離試験を行い、密着性を評価した。同様に、比較例3~比較例7において、評価用のタッチパネルを作製する際、その途中で作製される金属酸化物の膜KL4、KM1およびKM2並びにアクリル膜KM3の成膜された基板を使用し、密着性を評価した。<電極パターン見えの評価>実施例1~実施例18および比較例1~比較例7において作製した評価用のタッチパネルを用い、ITOの電極パターン見えの評価を行った。各タッチパネルを黒い布の上に置き、上部からライトを照らした状態で、目視にて観察を行った。観察の結果、電極パターンが見えないものを、<電極パターン見え評価◎>とした。また、電極パターンは見えるが、その程度が、ITO膜上に金属酸化物の膜を有しない比較例1および比較例2のタッチパネルに比べ改善されているものを、<電極パターン見え評価○>とした。さらに、比較例1および比較例2のタッチパネルと同等なものを、<電極パターン見え評価△>とし、比較例1および比較例2のタッチパネルよりもITOの電極パターンが目立つものを<×>として評価した。実施例1~実施例18および比較例1~比較例7の評価用のタッチパネルの電極パターン見え評価の結果をまとめ、上記した密着性の評価結果とともに表2に示す。実施例1~実施例15のタッチパネルでは、電極パターン見え評価の結果が良好であり、電極パターンは見えないか、または,見えたとしても金属酸化物の膜を有していない比較例と比べ、その程度が改善していることが分かった。したがって、透明電極の上に、屈折率と膜厚の調整された金属酸化物の膜を形成することにより、電極パターン見えが改善され、電極を目立たなくできることが分かった。また、それぞれの金属酸化物の膜の密着性は、アクリル膜に比べて高いことも分かった。表2の結果から、実施例1~実施例15によれば、透明電極のパターンが目立つことによる表示性の低下を低減できるタッチパネルが得られることが分かった。より具体的には、透明電極のパターンが目立つことが抑制された、本実施の形態のタッチパネル1、101、201、301、401を提供できることが分かった。"