薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板を前記処理液で処理する処理槽と、前記処理槽に貯留した前記処理液を前記設定温度に加熱する処理液加熱手段と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段と、前記処理槽に前記処理液を補充する処理液補充手段と、前記設定温度を変更する設定温度変更手段と、前記処理液排出手段と前記処理液補充手段を制御する制御手段と、を有し、制御手段は、前記処理液排出手段で所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理液補充手段から前記処理槽に補充するよう制御することを特徴とする基板処理装置。前記設定温度は、前記希釈液の沸点よりも高い温度であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記処理液補充手段は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記処理液補充手段は、前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項1~請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。前記制御手段は、前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記加熱手段で前記希釈液を加熱することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。前記制御手段は、前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記加熱手段で前記薬液を加熱することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の基板処理装置。前記制御手段は、前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することを特徴とする請求項1~請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理方法において、前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする基板処理方法。前記処理液の補充は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱することを特徴とする請求項10~請求項13のいずれかに記載の基板処理方法。前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記希釈液を加熱することを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記薬液を加熱することを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の基板処理方法。前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することを特徴とする請求項10~請求項16のいずれかに記載の基板処理方法。薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することを特徴とする基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。上記従来の基板処理装置では、常に同一の設定温度で処理液を沸騰させることで処理液の濃度を所定濃度飽和濃度とする場合には、処理液の濃度を良好に管理することができる。ところが、上記基板処理装置では、基板処理の内容たとえば、エッチングレートなど。を変更できるようにするために、処理液の濃度を低くできるようにした場合たとえば、68。、すなわち、設定温度を低くできるようにした場合68の場合は120°C。、高い濃度の処理液たとえば、85。を繰返し補充すると、処理槽の内部の処理液の濃度が徐々に増加してしまい、基板の処理を良好に行うことができなくなるおそれがある。そこで、本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板を前記処理液で処理する処理槽と、前記処理槽に貯留した前記処理液を前記設定温度に加熱する処理液加熱手段と、前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手段と、前記処理槽に前記処理液を補充する処理液補充手段と、前記設定温度を変更する設定温度変更手段と、前記処理液排出手段と前記処理液補充手段を制御する制御手段とを有し、制御手段は、前記処理液排出手段で所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理液補充手段から前記処理槽に補充するよう制御することにした。また、前記設定温度は、前記希釈液の沸点よりも高い温度であることにした。また、前記処理液補充手段は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液補充手段は、前記設定温度変更手段で変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液補充手段は、前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱する加熱手段を有することにした。また、前記制御手段は、前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記加熱手段で前記希釈液を加熱することにした。また、前記制御手段は、前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記加熱手段で前記薬液を加熱することにした。また、前記制御手段は、前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することにした。また、本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理方法において、前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液の補充は、予め前記薬液を前記希釈液で希釈して、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度にした前記処理液を前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液と前記希釈液とをそれぞれ前記処理槽に補充することにした。また、前記処理液の補充は、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度になるように前記薬液を前記希釈液で希釈しながら前記処理槽に補充することにした。また、前記薬液又は/及び前記希釈液を予め加熱することにした。また、前記薬液を前記希釈液で希釈する直前に前記希釈液を加熱することにした。また、前記希釈液の添加によって低下する温度を補償した温度に前記薬液を加熱することにした。また、前記希釈液の沸騰により蒸発する量を補償した量の前記希釈液で前記薬液を希釈することにした。また、本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって前記処理液の濃度を前記設定温度における飽和濃度とし、処理槽に貯留した前記処理液に基板を浸漬させて前記基板の処理を行う基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記設定温度を変更可能とし、前記設定温度が変更された場合に、所定量の前記処理液を前記処理槽から排出し、変更された前記設定温度における飽和濃度となる濃度の前記処理液を前記処理槽に補充することにした。本発明によれば、処理槽で基板を処理する処理液の濃度を維持することができ、基板の処理を良好に行うことができる。以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、基板処理装置1は、処理槽2と基板搬送手段3と処理液循環手段4と処理液加熱手段5と処理液排出手段6と処理液補充手段7と設定温度変更手段8と制御手段9とを有している。ここで、処理槽2は、貯留した処理液で基板10を処理する。基板搬送手段3は、処理槽2に基板10を搬入し、処理槽2から基板10を搬出する。処理液循環手段4は、処理槽2に貯留した処理液を循環させる。処理液加熱手段5は、処理槽2に貯留した処理液を加熱する。処理液排出手段6は、処理槽2に貯留した処理液を処理槽2から外部へ排出する。処理液補充手段7は、処理槽2に新たに処理液を補充する。設定温度変更手段8は、処理槽2に貯留した処理液の温度を変更可能に設定する。制御手段9は、各手段3~8を制御する。処理槽2は、上端部を開口した貯留槽11の外周端縁部にオーバーフロー槽12を形成している。貯留槽11は、底部に処理液流入出口13を形成している。オーバーフロー槽12は、底部に処理液流出口14を形成している。処理液流入出口13と処理液流出口14との間には、処理液循環手段4が設けられている。処理液流入出口13には、処理液排出手段6が設けられている。また、オーバーフロー槽12には、処理液補充手段7が設けられている。そして、処理槽2は、貯留槽11に処理液を貯留し、貯留槽11に基板搬送手段3で搬入された基板10を処理液で処理する。貯留槽11に貯留された処理液は、一部が貯留槽11から溢れ出て、オーバーフロー槽12へと流入し、処理液循環手段4によってオーバーフロー槽12から再び貯留槽11に流入する。基板搬送手段3は、昇降自在の搬送アーム15の下端部に4本の基板保持体16を水平に取付けている。基板搬送手段3は、基板保持体16の上面に形成した複数個たとえば、50個の溝17で複数枚の基板10を垂直状態で平行に保持する。搬送アーム15には、昇降機構18が接続されている。昇降機構18は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって昇降制御される。この基板搬送手段3は、基板10を基板保持体16で保持した状態で、昇降機構18によって基板保持体16を降下させることで、処理槽2貯留槽11に基板10を搬入し、処理槽2に貯留した処理液に基板10を浸漬させて基板10の処理を行い、処理後に昇降機構18によって基板保持体16を上昇させることで、処理槽2から基板10を搬出する。処理液循環手段4は、オーバーフロー槽12の処理液流出口14と貯留槽11の処理液流入出口13との間に循環流路19を形成し、循環流路19にポンプ20とヒーター21とフィルター22を設けている。ポンプ20及びヒーター21は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって駆動制御される。この処理液循環手段4は、ポンプ20によってオーバーフロー槽12の処理液流出口14から処理液を吸引し、ヒーター21とフィルター22を通して貯留槽11の処理液流入出口13へと処理液を供給する。これにより、処理液循環手段4は、処理槽2に貯留した処理液を循環させ、薬液たとえば、リン酸と希釈液たとえば、純水とを撹拌混合させて、薬液を希釈液で希釈した処理液の濃度を均一に保持している。処理液加熱手段5は、貯留槽11の外周部にヒーター23を設けるとともに、貯留槽11の内部に温度センサー24を設けている。ヒーター23及び温度センサー24は、制御手段9に接続しており、制御手段9によってヒーター23の駆動制御が行われるとともに、温度センサー24で検出した貯留槽11の内部の処理液の液温が制御手段9に入力される。この処理液加熱手段5は、貯留槽11に貯留した処理液の液温を温度センサー24で測定し、設定温度変更手段8で設定した温度となるようにヒーター23で処理液を例えば110°C以上に加熱する。この処理液加熱手段5は、設定温度変更手段8で設定した温度で処理液を貯留槽11の内部で沸騰させ、処理液の濃度を設定温度沸点における処理液の飽和濃度としている。たとえば、設定温度が120°Cの場合には、処理液を120°Cで沸騰させることで、処理液の濃度を68とし、設定温度が160°Cの場合には、処理液を160°Cで沸騰させることで、処理液の濃度を85としている。処理液排出手段6は、貯留槽11の処理液流入出口13に排出流路25を介してドレン26に接続し、排出流路25の中途部に流量調整器27を接続している。なお、排出流路25は、上流端部が循環流路19の下流端部を兼用している。流量調整器27は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって開閉制御及び流量制御される。この処理液排出手段6は、処理槽2に貯留した処理液が劣化した場合などに、処理液循環手段4を停止させた状態で流量調整器27で調整した所定量の処理液を貯留槽11の処理液流入出口13からドレン26へと排出する。処理液補充手段7は、薬液を供給する薬液供給源28と希釈液を供給する希釈液供給源29を補充槽30にそれぞれ流量調整器3132を介して接続している。流量調整器3132は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって開閉制御及び流量制御される。また、処理液補充手段7は、補充槽30に循環流路33の上流端部及び下流端部を接続し、循環流路33の中途部にポンプ34と加熱手段35ヒーターとを設けている。ポンプ34及び加熱手段35は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって駆動制御される。なお、加熱手段35は、処理液、すなわち、薬液及び希釈液を加熱する。さらに、処理液補充手段7は、補充槽30に供給流路36の上流端部を接続し、供給流路36の中途部に流量調整器37を設けるとともに、供給流路36の下流端部を処理槽2のオーバーフロー槽12に接続している。流量調整器37は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって開閉制御及び流量制御される。なお、供給流路36は、上流端部が循環流路33の下流端部を兼用している。この処理液補充手段7は、薬液供給源28から流量調整器31で調整した流量の薬液を補充槽30に供給するとともに、希釈液供給源29から流量調整器32で調整した流量の希釈液を補充槽30に供給する。また、ポンプ34及び加熱手段35を駆動して、補充槽30の内部の薬液及び希釈液を循環流路33を介して循環させ、薬液と希釈液とを撹拌混合させて、薬液を希釈液で希釈した処理液の濃度を均一に保持するとともに、処理液の温度を所定の温度に保持する。さらに、ポンプ34及び加熱手段35を停止させた状態で流量調整器37で調整した所定量の処理液を供給流路36から処理槽2のオーバーフロー槽12に供給する。これにより、処理液補充手段7は、流量調整器31で調整した流量の薬液を流量調整器32で調整した流量の希釈液で希釈した所定濃度の処理液を所定温度で補充槽30から処理槽2へ補充する。設定温度変更手段8は、処理液を沸騰させる設定温度を変更するための手段であり、回転型のアナログ入力部品やスイッチ型のデジタル入力部品などを用いることができる。なお、設定温度変更手段8は、処理液を沸騰させる設定温度を直接設定できるようにした場合に限られず、処理液の濃度を設定できるようにしてもよい。処理液の濃度を設定する場合には、設定された濃度が飽和濃度となる沸点を設定温度変更手段8或いは制御手段9によって求め、その沸点を設定温度として設定する。この設定温度変更手段8は、設定温度を制御手段9に通知し、設定温度に基づいて制御手段9によって各手段処理液循環手段4や処理液加熱手段5や処理液補充手段7などを制御させる。制御手段9は、コンピュータからなり、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体38に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板処理装置1を制御して、基板10の処理を行う。なお、記憶媒体38は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ROMやRAMなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやCD-ROMなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。基板処理プログラムでは、図2に示すように、基板搬入工程、基板処理工程、基板搬出工程を繰返し実行して、基板10の処理を行う図1参照。。ここで、基板搬入工程では、基板処理装置1は、制御手段9によって基板搬送手段3の昇降機構18を制御して、搬送アーム15を降下させ、基板保持体16で保持した基板10を処理槽2貯留槽11の内部に搬入する。また、基板処理工程では、基板処理装置1は、制御手段9によって基板搬送手段3の昇降機構18を制御し、搬送アーム15の昇降を所定時間停止させ、貯留槽11に貯留した処理液に基板10を所定時間浸漬させる。これにより、基板10は、処理液で処理される。また、基板搬出工程では、基板処理装置1は、制御手段9によって基板搬送手段3の昇降機構18を制御して、搬送アーム15を上昇させ、基板保持体16で保持した基板10を処理槽2貯留槽11の外部に搬出する。基板処理プログラムでは、上記基板搬入工程、基板処理工程、基板搬出工程を繰返し行って基板10を処理すると処理液が劣化するために、処理液の一部を入れ替える。なお、処理液の入れ替えは、基板10の処理回数や処理枚数や処理時間、或いは、処理液の濃度変化や組成変化などに基づいて適宜行ってもよい。基板処理プログラムでは、図2及び図3に示すように、処理液生成工程を実行する。この処理液生成工程において、基板処理装置1は、制御手段9によって設定温度変更手段8に基づいて処理液補充手段7を制御して、処理液を生成する。すなわち、基板処理装置1は、設定温度変更手段8で設定された設定温度からその設定温度における処理液の飽和濃度を求め、その濃度となる比率で流量調整器3132を調整し、薬液供給源28から薬液を補充槽30に供給するとともに、希釈液供給源29から希釈液を補充槽30に供給する。また、基板処理装置1は、流量調整器37を閉塞させた状態で、設定温度変更手段8で設定された設定温度となるように加熱手段35を駆動させるとともに、ポンプ34を駆動させる。なお、設定温度が薬液又は希釈液の沸点よりも高い温度の場合、処理液を設定温度に加熱して沸騰させることで、設定温度よりも沸点が低い方の薬液又は希釈液の一部が蒸発し、処理液の濃度が増減する。そのため、処理液の沸騰によって蒸発する量を予め補償した量の薬液又は希釈液を供給することが望ましい。これにより、処理液生成工程では、補充槽30に供給された薬液及び希釈液を循環流路33を介して循環させ、薬液と希釈液とを撹拌混合させて、薬液を希釈液で希釈した処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とするとともに、処理液の温度を設定温度に保持する。なお、処理液薬液及び希釈液を加熱手段35で設定温度に加熱しておくことで、後の処理液補充工程において処理液を処理槽2に補充したときに処理槽2の内部での温度低下を防止することができる。次に、基板処理プログラムは、図2及び図4に示すように、処理液排出工程を実行する。この処理液排出工程において、基板処理装置1は、制御手段9によって処理液排出手段6を制御して、流量調整器27で調整した所定の流量だけ処理液を貯留槽11の処理液流入出口13からドレン26へと排出する。次に、基板処理プログラムは、図2及び図5に示すように、処理液補充工程を実行する。この処理液補充工程において、基板処理装置1は、制御手段9によって設定温度変更手段8に基づいて処理液循環手段4、処理液加熱手段5及び処理液補充手段7を制御して、処理液を処理槽2貯留槽11に補充する。すなわち、基板処理装置1は、処理液排出工程で排出した処理液の量と同一量となるように流量調整器37で調整した流量の処理液を補充槽30から処理槽2オーバーフロー槽12に補充する。また、基板処理装置1は、流量調整器27を閉塞させた状態で、設定温度変更手段8で設定された設定温度となるようにヒーター21及びヒーター23を駆動させるとともに、ポンプ20を駆動させる。これにより、処理液補充工程では、補充槽30から処理槽2に供給された処理液を循環流路19を介して循環させて処理液を混合させて、処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とするとともに、処理液の温度を設定温度に保持する。なお、この処理液補充工程よりも前に処理液生成工程が完了していればよい。そのため、処理液生成工程は、基板搬入工程や基板処理工程や基板搬出工程や処理液排出工程と同時に行ってもよい。その後、基板処理プログラムは、図2に示すように、上記基板搬入工程、基板処理工程、基板搬出工程を実行して、基板10の処理を行う。なお、基板処理プログラムでは、図6に示すように、基板10の処理を行う前後待機時や基板10の処理を行っている間処理時において、制御手段9によって処理液循環手段4及び処理液加熱手段5を制御して、流量調整器27を閉塞させた状態で、設定温度変更手段8で設定された設定温度となるようにヒーター21及びヒーター23を駆動させるとともに、ポンプ20を駆動させている。これにより、処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とするとともに、処理液の温度を設定温度に保持している。上記基板処理装置1では、設定温度変更手段8で処理液の設定温度沸点を変更することによって、基板10を処理する処理液の濃度飽和濃度を変更することができる。設定温度変更手段8で処理液の設定温度が変更された場合、基板処理装置1は、上記処理液生成工程、処理液排出工程、処理液補充工程を行った後に、基板搬入工程、基板処理工程、基板搬出工程を行う。なお、設定温度が変更された場合には、処理液排出工程で全ての処理液を処理槽2から排出して、全ての処理液を入れ替えてもよい。上記基板処理装置1では、設定温度変更手段8によって処理液の設定温度飽和濃度を変更可能となっており、設定温度が変更された場合に、所定量の処理液を処理槽2から排出し、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理槽2に補充する。そして、上記基板処理装置1では、予め補充槽30の内部で薬液を希釈液で希釈して、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度にした処理液を生成しておき、その処理液を補充槽30から処理槽2に補充する。処理液の補充は、予め薬液を希釈液で希釈することで生成した処理液を補充する場合に限られず、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように薬液と希釈液とをそれぞれ処理槽2に補充してもよく、或いは、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように薬液を希釈液で希釈しながら処理槽2に補充してもよい。たとえば、図7に示す基板処理装置1では、処理液補充手段7として、薬液供給源28と希釈液供給源29とを処理槽2のオーバーフロー槽12に流量調整器3132及び加熱手段3940を介してそれぞれ接続している。流量調整器3132及び加熱手段3940は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって記憶媒体38に記憶した基板処理プログラムにしたがって駆動制御される。なお、図7に示す基板処理装置1では、図1に示した基板処理装置1と同等の機能を有する部材については同一の符号を付して説明を省略する。そして、基板処理プログラムは、図2に示す処理液生成工程を実行せずに、処理液排出工程及び処理液補充工程を実行する。処理液補充工程においては、制御手段9によって設定温度変更手段8に基づいて処理液補充手段7を制御して、薬液供給源28から流量調整器31で調整した流量の薬液を加熱手段39で所定温度に加熱してオーバーフロー槽12に直接供給するとともに、希釈液供給源29から流量調整器32で調整した流量の希釈液を加熱手段40で所定温度に加熱してオーバーフロー槽12に直接供給する。このときに、オーバーフロー槽12に供給される処理液薬液及び希釈液が、設定温度変更手段8で設定変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように、薬液の流量と希釈液の流量を流量調整器3132で調整する。これにより、基板処理装置1では、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように薬液と希釈液とをそれぞれ処理槽2オーバーフロー槽12に補充する。なお、薬液及び希釈液を加熱手段3940で加熱することで、新たに薬液及び希釈液を処理槽2に補充したときに処理槽2の内部で処理液の温度が低下するのを抑制することができる。また、図8に示す基板処理装置1では、処理液補充手段7として、薬液供給源28と希釈液供給源29とを混合器41に流量調整器3132及び加熱手段3940を介してそれぞれ接続し、混合器41を処理槽2のオーバーフロー槽12に接続している。流量調整器3132及び加熱手段3940は、制御手段9に接続しており、制御手段9によって記憶媒体38に記憶した基板処理プログラムにしたがって駆動制御される。なお、図8に示す基板処理装置1では、図1又は図7に示した基板処理装置11と同等の機能を有する部材については同一の符号を付して説明を省略する。そして、基板処理プログラムは、図2に示す処理液生成工程を実行せずに、処理液排出工程及び処理液補充工程を実行する。処理液補充工程においては、制御手段9によって設定温度変更手段8に基づいて処理液補充手段7を制御して、薬液供給源28から流量調整器31で調整した流量の薬液を加熱手段39で所定温度に加熱して混合器41に供給するとともに、希釈液供給源29から流量調整器32で調整した流量の希釈液を加熱手段40で所定温度に加熱して混合器41に供給し、混合器41で薬液と希釈液とを混合させることで薬液を希釈液で希釈しながら混合器41からオーバーフロー槽12に供給する。このときに、オーバーフロー槽12に供給される処理液薬液及び希釈液が、設定温度変更手段8で設定変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように、薬液の流量と希釈液の流量を流量調整器3132で調整する。これにより、基板処理装置1では、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度になるように薬液を希釈液で希釈しながら処理槽2に補充する。図7又は図8に示す基板処理装置11では、加熱手段3940によって薬液及び希釈液を設定温度に加熱するようにしてもよい。但し、設定温度が薬液又は希釈液の沸点よりも高い温度の場合には、設定温度よりも沸点が低い方の薬液又は希釈液を設定温度及び沸点よりも低い温度で加熱する一方、設定温度よりも沸点が高い方の薬液又は希釈液を設定温度で加熱する。この場合、設定温度よりも沸点が低い方の薬液又は希釈液は、希釈する直前に加熱することが望ましい。また、設定温度よりも沸点が高い方の薬液又は希釈液は、設定温度よりも沸点が低い方の薬液又は希釈液の添加によって温度が低下するため、その低下する温度を補償できるように、設定温度よりも高い温度で加熱することが望ましい。さらに、薬液及び希釈液を処理槽2に供給した後に設定温度に加熱して沸騰させることで、設定温度よりも沸点が低い方の薬液又は希釈液が蒸発し、生成される処理液の濃度が増減する。そのため、処理液の沸騰によって蒸発する量を予め補償した量の薬液又は希釈液を供給することが望ましい。また、図7又は図8に示す基板処理装置11では、薬液供給源28及び希釈液供給源29に加熱手段3940がそれぞれ設けられているために、薬液や希釈液をそれぞれ最適な温度に加熱することができる。たとえば、薬液としてリン酸を用いるとともに希釈液として純水を用い、設定温度を120°Cとした場合、純水を80°Cで加熱し、リン酸を120°Cよりも高い温度で加熱することで、純水の蒸発による消失量を少なくするとともに、処理液に添加した際の温度低下も少なくすることができる。以上に説明したように、基板処理装置111では、設定温度変更手段8によって処理液の設定温度飽和濃度を変更可能となっており、設定温度が変更された場合に、所定量の処理液を処理槽2から排出し、変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理槽2に補充する。そのため、上記基板処理装置111では、処理液の排出及び補充を繰返し行っても、処理液の補充による処理液の濃度増加が抑制され、処理槽2で基板10を処理する処理液の濃度を所望の濃度近傍に維持することができ、基板10の処理を良好に行うことができる。