"誘電体基板と、前記誘電体基板表面上に形成された高周波信号線路と、前記高周波線路に対向して、前記誘電体基板に形成されたグランド導体と、前記誘電体基板表面上方に配置され、前記高周波信号線路に対向する容量上部電極と、前記高周波信号線路と前記容量上部電極とが対向する空間に充填された液晶材料と、を有する可変容量素子を有する電気機器。前記高周波信号線路両側で、前記誘電体基板表面上に形成された1対の導電支持をさらに有し、前記容量上部電極は、前記1対の導電支持に支持されている、請求項1記載の電気機器。前記1対の導電支持を一定電位に接続する配線をさらに有する請求項2記載の電気機器。前記高周波信号線路両側で、前記誘電体基板表面上に形成された1対の導電支持をさらに有し、前記高周波信号線路は、相対的に幅の広い底部と前記底部上に配置され相対的に幅の狭い頂部を有し、前記容量上部電極は、前記高周波信号線路頂部両側に配置された第1、第2の部分を有し、前記第1、第2の部分はそれぞれ前記1対の導電支持に支持されている、請求項1記載の電気機器。前記誘電体基板表面上、前記高周波線路両側に配置され、前記容量上部電極との対向領域内に前記液晶材料が存在する、複数の駆動電極と、前記駆動電極の各々へ駆動電圧を印加するバイアス電圧印加回路と、をさらに有する請求項1記載の電気機器。前記誘電体基板内に形成されたバイアス電圧印加回路用接地配線をさらに有する請求項5記載の電気機器。前記駆動電極を覆って、前記誘電体基板上に形成された配向膜をさらに有する請求項5記載の電気機器。前記液晶材料がネマチック液晶である請求項1記載の電気機器。前記高周波信号線路両側で、前記誘電体基板表面上に形成された絶縁性支持をさらに有し、前記容量上部電極は、前記1対の絶縁性支持に両端が支持されている1枚の電極を含む、請求項1記載の電気機器。前記高周波信号線路両側で、前記誘電体基板表面上に形成された絶縁性支持をさらに有し、前記高周波信号線路は、相対的に幅の広い底部と前記底部上に配置され相対的に幅の狭い頂部を有し、前記容量上部電極は、前記高周波信号線路頂部両側に配置された第1、第2の部分を有し、前記第1、第2の部分はそれぞれ前記絶縁性支持に支持されている、請求項1記載の電気機器。グランド導体を備えた誘電体基板を準備し、前記誘電体基板の表面上に高周波線路を形成し、前記高周波線路上方に延在する容量上部電極を形成し、前記高周波線路と前記容量上部電極との間に液晶収容スペースを画定し、前記液晶収容スペースに液晶材料を充填する、可変容量素子を有する電気機器の製造方法。本発明者らは、高周波回路の可変容量に液晶を用いることを検討した。高周波回路のサンプルとして、裏面もしくは基板内部にグランド導体面を備えたLTCCLowTemperatureCofiredCeramics低温共焼結セラミクス基板上に分布定数型容量結合2段フィルタを形成したマイクロストリップ構造を用いた。セラミクス基板表面乃至内部に、グランド接地導体と高周波線路とを形成したマイクロストリップ線路においては、グランド導体と高周波線路の間の高周波伝播空間がセラミクスで構成されるので、高周波伝播特性を確保しやすい。高周波線路に装荷する可変容量の誘電体として液晶を用いても、高周波伝播損失は抑制されるであろう。液晶の配向状態により、比誘電率が大きく変化する液晶としてネマチック液晶がある。比誘電率の差Δεs=32.4のポジ型ネマチック液晶を用いた。ポジ型ネマチック液晶の液晶分子は、誘電率異方性を有し、長軸方向ディレクタ方向の誘電率が、短軸方向の誘電率より高い。液晶表示装置においては、対向電極を形成した対向基板間にポジ型ネマチック液晶層を挟持し、対向電極間に選択的に電圧を印加する。電圧を印加されない状態オフ状態では、液晶層の液晶分子のディレクタは配向膜が形成され電極面に平行になるような配向処理が行われている場合には、電極面に平行になり、あるいは、配向膜が形成されていない場合にはランダムになっており、電圧を印加した状態オン状態では、液晶層の液晶分子のディレクタは電極面に対して垂直方向に立ち上がる。図1Aは、分布定数型容量結合2段フィルタの平面配置を示す。裏面にグランド導体を備えたLTCC基板上に、図示の構成が形成されている。左側の入力端子INから右側の出力端子OUTに、結合用可変容量Cmを介して、高周波信号が伝播される。結合用可変容量Cmより入力側の高周波信号線路に分布定数線路L1が接続され、結合用可変容量Cmより出力側の高周波信号線路に分布定数線路L2が接続されている。線路L1には、可変容量C11,C12,C13,C14が装荷ロードされて、分布定数線路を構成し、線路L2には、可変容量C21,C22,C23,C24が装荷ロードされて、分布定数線路を構成している。図1Bは可変容量Cijの構成を示す。基板表面上において、線路Lの両側に駆動電極DEが形成され、その外側に1対の柱状導電支持サポートPLが形成されている。両端が柱状導電性支持PLに支持された両持ち梁構造の容量上部電極UEが線路Lと対向して可変容量を形成する。柱状導電性支持PL、従って容量上部電極UEは、一定電位、例えば接地に接続される。駆動電極DEに正又は負の駆動電圧を印加すると、容量上部電極UEと駆動電極DEとの間に静電引力が生じ、静電引力に応じて容量上部電極UEが下方に変位する。容量上部電極UEが下方に変位すると、容量上部電極UEと線路Lとの間に形成されている容量値が増加する。このようにして可変容量が機能する。図1Cは結合用可変容量Cmの構成を示す。基板表面の結合領域に2本の入力側高周波線路L11,L12と2本の出力側高周波線路L21,L22が交互に配置されている。高周波線路L11、L12,L21,L22の両側に駆動電極DEが形成され、その外側に1対の柱状導電性支持PLが形成されている。容量上部電極UEが柱状導電性支持PLに両端を支持され、高周波線路L11、L12,L21,L22に対向して可変容量を形成する。柱状導電性支持PL、容量上部電極UEを一定電位、例えば接地、に接続し、駆動電極DEに駆動電圧を印加して、可変容量を機能させる点は図1Bの構成と同様である。図1Dは、分布定数型容量結合2段フィルタの等価回路を示す。入力端子INは結合用可変容量Cmを介して、出力端子OUTに結合されている。入力側高周波線路には分布定数線路L1、出力側高周波線路には分布定数線路L2が接続されている。分布定数線路L1,L2は、夫々、可変容量Ci、固定容量、インダクタンスLi、抵抗成分を有する回路として近似できる。図1Eは、図1Bに示した可変容量の構造を概略的に示す断面図である。基板1は、裏面に例えば銀で形成されたグランド導体112、内部に例えば銀の内部配線113を有するLTCC基板である。基板1表面上には、例えば金で形成された、高周波線路4、駆動電極6、柱状導電性支持5が形成され、例えば金で形成された容量上部電極8が、その両端で柱状導電性支持5に支持されている。貫通ビア導電体114が柱状導電性支持5とグランド導体112を接続し、ビア導電体115が駆動電極6を内部配線113に接続する。駆動電極6と接地された容量上部電極8との間に電圧を印加すると、静電引力により、容量上部電極8が駆動電極6に向かって引き寄せられる。容量上部電極8が上下に変位することにより、可変容量を形成する。この、可変容量の対向電極間スペースが空気である場合の分布定数型容量結合2段フィルタを、サンプルS1とする。図1Fは、可変容量Cijの上部電極8と対向する電極4,6との間のスペースに液晶12を滴下し、充填した構造を示す。結合用可変容量Cmにも,可変容量Cij同様に、対向電極間スペースに滴下した液晶を充填する。可変容量の対向電極間の空間が液晶で充填された場合の分布定数型容量結合2段フィルタを、サンプルS2とする。図2Aは、サンプルの駆動電極に電圧を印加した時、分布定数型容量結合2段フィルタの示す共振周波数の変化を示すグラフである。各可変容量の駆動電極に直流電圧を印加しつつ、ネットワークアナライザでフィルタ特性を測定し、中心周波数を測定した。横軸が印加電圧を単位Vで示し、縦軸が中心周波数を単位GHzで示す。図2B,2CはサンプルS1,S2の構成を概略的に示す断面図である。図2Bは、図1Eと同じで、可変容量の対向電極電極間スペースの媒体は空気である。サンプルS1において、印加電圧0Vの時、中心周波数が4.28GHz、印加電圧150Vの時、中心周波数が3.93GHzであった。0V~150Vの印加電圧差に対して、上部電極8が下方に変位し、0.35GHzの中心周波数変化が得られたことになる。図2Cは、比誘電率差Δεs=32.4のネマチック液晶12を滴下して、可変容量の対向電極間を充填したサンプルS2を示す。マイクロストリップ線路4とグランド導体112との間のスペースは、LTCC基板のセラミクス等で充填されており、図2B同様の高周波特性が得られるであろうと考えられる。電極間のスペースにネマチック液晶12が充填された可変容量は、高周波線路4にロードされるのみであり、高周波特性の劣化は抑制されると考えられる。サンプルS2が第1の実施例である。駆動電極6に駆動電圧を印加すると、上部電極8と駆動電極6の間に電界が生じ、液晶分子が垂直方向に向かって立ち上がると考えられる。印加電圧0Vで中心周波数約4GHzであり、印加電圧を増加していくと、十数Vで中心周波数が減少し始め、30Vを印加した時には中心周波数は約3GHzとなった。30Vの印加電圧は、サンプルS1では約0.1GHzの周波数変化しか生じさせないが、サンプルS2においては30Vの印加電圧で約1GHzの周波数変化を生じている。電極間スペースに誘電率の大きな誘電体を充填しているので、上部電極の変位に対する容量変化は大きくなると考えられるが、それのみでは説明できない大きな容量変化が生じている。近接配置された液晶分子は、独立には配向変位せず、集団的に配向変位する性質を有する。高周波線路4と上部電極8との間に電圧は印加されていないが、測定結果から液晶分子の配向は変化していると考えられる。液晶分子がランダムな配向状態から、電極面に対してほぼ立ち上がった配向状態に変化していると考えられる。30Vの印加電圧に対する中心周波数の変化は、S2がS1の約1桁上である。サンプルS1に対する150Vの印加電圧とサンプルS2に対すると30Vの印加電圧を較べると、1/5の印加電圧で約3倍の中心周波数変化が得られている。可変容量の電極間スペースに液晶を充填することにより、駆動電圧の減少が可能となり、且つ得られる容量周波数変化を大きくすることができると考えられる。図3A~3Kは、図1F,2Cに示す可変容量の製造プロセスを概略的に示す断面図である。図3Aに示すように、裏面もしくは基板内部にグランド導体112、内部に配線113、導電性ビア114,115を有するLTCC基板1の表面に、厚さ0.5μm程度の金層2をスパッタリングなどで形成する金膜の下には密着膜としてTi膜等をつける場合もある。この金層2はメッキ工程ではシード層として機能し、パターニングされて駆動電極を形成する。図3Bに示すように、シード層2の上にメッキ領域に開口を有するレジストパターンRP1を形成する。高周波線路4および柱状導電性支持5を形成する領域が画定される。シード層2を電極として金の電解メッキを行い、レジストパターンRP1の開口内に露出したシード層2の上に、金層を形成する。高周波線路4及び柱状導電性支持5の下部が形成される。その後レジストパターンRP1は除去する。図3Cに示すように、新たに柱状導電性支持5を形成する領域に開口を有するレジストパターンRP2を形成する。高周波線路4はレジストパターンRP2に覆われる。さらに、金の電解メッキを行い、柱状導電性支持5の残りの厚さを形成する。その後、レジストパターンRP2は除去する。図3Dに示すように、駆動電極のパターンを有するレッジストパターンRP3を形成し、Arイオンを用いたミリング等により、露出している金層2を除去し、駆動電極6を残す。高周波線路4、柱状導電性支持5もミリングされるが、十分な厚さが残る。高周波線路4、柱状導電性支持5上にレジストパターンを形成してもよい。その後、レジストパターンRP3は除去する。図3Eに示すように、銅層をスパッタしてシード層を形成した後、可変容量の電極間スペースを画定する開口を有するレジストパターンRP4を形成し、ダミー犠牲層となる銅層7を電解メッキする。その後レジストパターンRP4は除去する。図3Fに示すように、可変容量の上部電極領域に開口を有するレジストパターンRP5を形成する。ダミー銅層7及び柱状導電性支持5の上面が選択的に露出する。金の電解メッキを行い、上部電極8となる金層をメッキする。なお、レジストパターンRP5に上部電極8に液晶注入に用いる貫通開口を形成するパターンを付加することもできる。その後レジストパターンRP5は除去する。図3Gに示すように、ダミー銅層7犠牲層をエッチングして除去する。上部電極8に貫通開口9が形成されている場合を示す。図3Hに示すように、可変容量領域を包囲する樹脂層11を形成する。例えば、感光性ネガ型ポリイミド樹脂層を塗布し、露光現像して、露光部のみを残し、可変容量セル領域を囲む樹脂パッケージ領域11を形成する。上部電極8に液晶注入用開口を形成しない場合は、例えば樹脂パッケージ領域11を選択的に形成して、高周波線路4上方に液晶注入口を残す。上部電極8に液晶注入用開口を形成した場合は、樹脂パッケージ領域11が可変容量セル領域を完全に包囲するようにしてもよい。図3Iに示すように、可変容量の電極間領域に液晶12を注入する。例えば雰囲気を真空排気し、液晶内に基板を浸漬して真空注入する。余分な液晶はスキージなどを用いて除去する。図3Jにしめすように、液晶注入口に封止樹脂を充填し、キュアして封止部13とする。図3Kに示すように、上部電極8を覆って、樹脂パッケージ層14を形成する。このようにして、図1F,2Cに示す可変容量を有する電子機器を作成することができる。なお、図1F,2Cに示した可変容量には、種々の変形が可能である。図4A~4Fは、変形例を示す。図4Aに示すように、図3Kに示した構造を作成し、樹脂パッケージ層14の上にもう一方のグランド導体16を形成し、ストリップライン構造としてもよい。図4Bに示すように、高周波線路用のグランド導体112とは別に、基板1の内部に配線層117を設け、直流バイアス用のグランド配線として用いてもよい。上部電極8は、柱状導電性支持5、ビア導電体114を介して、グランド配線117に接続する。内部配線が2層になっているが、内部配線の層数は任意に選択できる。図4Cに示すように、基板1の液晶と接する表面上に配向膜15を形成してもよい。水平配向膜を形成すると液晶分子が安定に基板表面に平行に配向する。配向方向は、ラビング、光照射等の配向処理により制御することができる。図4Dに示すように、駆動電極を省略し、高周波線路4に、抵抗Rを介して可変バイアス電源VBから直流バイアスを印加してもよい。抵抗Rは例えば5kΩ以上とすると高周波リークはほとんど生じない。液晶分子の配向変化で所望の容量変化を得る場合、可変容量の上部電極8は変位しなくてもよい。可撓性を考慮せずに、可変容量を小型化することが可能である。図4Eに示すように、基板1上に樹脂等の絶縁部材11を形成して上部電極8をその上に支持し、上部電極8と高周波線路4との間に抵抗を介して直流バイアス印加回路を接続してもよい。図4Fに示すように、高周波線路4上方に複数の上部電極8-1,8-2、...を形成し、高周波線路4と各上部電極8-iとの間に抵抗を介して直流バイアス印加回路を接続してもよい。図4E,4Fのバイアス電源は、デジタル可変キャパシタの場合は固定電圧でよい。可変電圧にしてアナログ可変キャパシタを構成することもできる。図5A~5Cは、第2の実施例による可変容量を示す。図5Aに示すように、高周波線路4は、幅の広い底部4bと底部4bの中央部上に配置された幅の狭い頂部4tを含む。頂部4tの両側で、底部4bが張り出す形状である。4つの可変容量上部電極8-1,8-2,8-3,8-4が高周波線路4の頂部4t両側に配置され、導電性支持5-1,5-2,5-3,5-4に支持されて、高周波線路4の底部4bと対向して可変容量を形成する。LTCC基板1上、高周波線路4の底部4bと導電性支持5-1,5-2,5-3,5-4の間にそれぞれ駆動電極6-1,6-2,6-3,6-4が形成されている。4つの可変容量上部電極8-1,8-2,8-3,8-4とLTCC基板の間のスペースに液晶12が充填され、その周囲は樹脂パッケージPKで覆われている。樹脂パッケージPKは、例えば図3Kで示したように、液晶収容空間を囲む樹脂領域11と上部電極を覆って全面に広がるパッケージ層14とを含む。図5Bに示すように、LTCC基板1には内部配線113-1,113-2、...が形成されており、駆動電極6-1,6-2,...にそれぞれ独立の駆動信号を供給できる。駆動信号が印加されていない0V時、液晶12は配向膜に沿った基板1表面に平行に配向する配向膜がない場合はランダムである。この時、高周波線路4と可変容量上部電極8との間の容量は相対的に低い値となる。図5Cに示すように、駆動電極6-1,6-2,...に、例えば5V~10Vの、駆動信号を印加すると、液晶層12の液晶分子は基板表面に垂直方向に立ち上がる。この時、高周波線路4と可変容量上部電極8との間の容量は相対的に高い値となる。図6A~6Hは、図5Aに示した可変容量の製造プロセスを示す断面図である。図6Aに示すように、裏面にグランド導体112を有するLTCC基板1の表面に、金シード層2をスパッタリングなどで形成し、レジストパターンを用いてその上の選択された領域に、高周波線路4の底部4bおよび導電性支持5の下部を金メッキにより形成する。図6Bに示すように、レジストパターンを用いて、導電性支持5の上部と高周波線路4の頂部4tの下部を金メッキにより形成する。新たなレジストパターンを形成し、高周波線路4の頂部4tの上部を金メッキにより形成する。図6Cに示すように、レジストパターンを用いて、Arイオンを用いたミリングを行い、金シード層2から駆動電極6-1,6-2、...をパターニングする。銅層をスパッタしてシード層を形成した後、レジストパターンを用いた銅メッキにより、可変容量の電極間スペースとなるスペースに、ダミーとなる銅層7を電解メッキする。図6Dに示すように、レジストパターンを用いた金メッキにより、ダミー銅層7及び導電性支持5の上に、上部電極8-1、8-2、...を形成する。左右の上部電極8-1,8-2の間に高周波線路4の頂部4tが露出している。図6Eに示すように、ダミー銅層7を選択的にエッチングして除去する。片持ち梁構造の容量上部電極5,8が形成される。図6Fに示すように、可変容量領域を包囲する樹脂層11を形成する。例えば、感光性ネガ型ポリイミド樹脂層を塗布し、露光現像して、露光部のみを残し、可変容量セル領域を囲む樹脂パッケージ領域11を形成する。図6Gに示すように、可変容量の電極間領域に液晶12を注入する。例えば雰囲気を真空排気し、液晶内に基板を浸漬して真空注入する。余分な液晶はスキージ等を用いて除去する。図6Hにしめすように、液晶注入口に封止樹脂を充填し、キュアして封止部13とする。上部電極8-1、8-2、...を覆って、樹脂パッケージ層14を形成する。第2の実施例では、高周波線路の両側にそれぞれ独立の可変容量を形成した。可変容量の数を増大することにより、高周波線路の分布定数をより細かく制御することができよう。各可変容量をオン-オフ制御する代わりに、アナログ量として制御することも可能である。第2の実施例においても、種々の変形例が可能である。図7Aに示すように、樹脂パッケージ層14の上に、第2のグランド導体16を形成してストリップ線路を構成してもよい。図7Bに示すように、基板1上に液晶収容スペースを画定する、樹脂等の絶縁領域11を形成し、その上に上部電極8-1,8-2を形成してもよい。例えば、上部電極8-iと駆動電極6-iとの間に抵抗を介して直流バイアス印加回路を接続してもよい。図7Cに示すように、駆動電極6を省略することもできる。液晶の駆動電圧は、高周波線路4と各上部電極8-1,8-2との間に抵抗を介して直流バイアス印加回路を接続して印加する。図8A,8Bは第3の実施例を示す。図5A~5Cに示した第2の実施例においては、各可変容量毎に独立した液晶収容スペースが形成されている。本実施例においては、高周波線路に沿って複数の可変容量が形成され、液晶収容スペースは複数の可変容量に共通に形成する。図8Aは、高周波線路の左右に沿って配置された複数の可変容量の平面図である。高周波線路4は、底部4bと頂部4tを有し、基板上、図中縦方向に延在する。高周波線路4の左側に沿って、基板上に駆動電極6-1,6-3,6-5,6-7が配置され、高周波線路4の右側に沿って、基板上に駆動電極6-2,6-4,6-6,6-8が配置されている。可変容量の上部電極8-1~8-8は、駆動電極6-1~6-8と対向し、一部高周波線路4の底部4bにオーバラップして配置され、容量を形成する。上部電極8-1~8-8外側の樹脂パッケージ領域11が高周波線路4に沿って液晶収容スペースを画定している。図8Bは、図8AのVII-VII線に沿う断面図である。グランド導体112を備えたLTCC基板1の上に駆動電極6-1,6-3,6-5,6-7が形成されている。導電性支持によって基板上方に支持された上部電極8-1,8-3,8-5,8-7が駆動電極6-1,6-3,6-5,6-7と対向している。上部電極8-1,8-3,8-5,8-7の上面には樹脂パッケージ層14が形成されている。基板1と樹脂パッケージ層14の間のスペースに、複数の可変容量に共通の液晶収容スペースが形成され、液晶層12が充填されている。液晶は、空気、パッケージ樹脂より高い誘電率を有する。高周波信号線路4が液晶層で覆われることにより、容量が増大し、デバイスのサイズダウンに寄与する。他の構成においても、同様に、複数の容量に共通の液晶層を配置する構成が可能である。図9A,9Bは、第4の実施例を示す。図9Aに示すように、2枚のLTCC基板を用いてストリップライン構造を構成する。第1のLTCC基板1は、裏面上に第1のグランド導体112を有し、表面上に高周波線路4を有して、マイクロストリップ構造を構成している。高周波線路4は、図5A~5Cに示す第2の実施例同様、幅広の底部4bの上に幅狭の頂部4tが形成された形状を有する。第1面上に第2のグランド導体16を有する第2のLTCC基板18の第2面上に駆動電極6-1,6-2が形成されている。LTCC基板18上の駆動電極6-1,6-2間の領域で、高周波線路4の頂部4tが第2のLTCC基板18に当接している。高周波線路4の両側にグランド導体112,16が配置され、ストリップ構造を構成する。駆動電極6-1,6-2が高周波線路4の底部4bと対向して、容量を形成している。樹脂シール領域11が両基板1,18間に液晶収容スペースを画定している。基板内配線を介して高周波線路4と駆動電極6-1,6-2間に、駆動電圧VB1,VB2を印加する。図9Bは、図9Aの構成の組立図である。第1のLTCC基板1の上に高周波線路4が形成され、第2のLTCC基板18の上に駆動電極6と樹脂シール領域11が形成されている。複数の容量に共通の液晶収容スペースが形成されている。第1の基板1と第2の基板18を貼り合わせてストリップ線路構造を形成する。電極間への液晶の注入は、例えば第2の基板18上に液晶を滴下し、第1の基板1を貼り合わせて行う。液晶注入口を形成しておき、貼り合わせ後に液晶を注入してもよい。第4の実施例によれば、高周波線路4と第1、第2のグランド導体112,16の間のスペースは大半基板のセラミクスで占有されるので、高周波伝播特性を確保できよう。以上実施例に沿って説明したが、本発明はこれら実施例に限られるものではない。例えば、セラミックス基板に換え、ガラスエポキシ基板を用いることも可能である。その他、種々の変更、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。"