電子アセンブリにおいて、リードフレーム2と、半導体素子3と、複合材料5から成る導電性の接続部材4とが設けられており、前記接続部材4は、前記半導体素子3に向いた表面で複合材料5の上に、はんだ付け可能な金属化部6を有しており、前記接続部材4の複合材料5の熱伝導率は、前記半導体素子3の熱伝導率よりも大きくかつ前記リードフレーム2の熱伝導率よりも小さく、前記接続部材4は、前記半導体素子3の領域だけに局所的に設けられていることを特徴とする、電子アセンブリ。前記接続部材4の1つの面の面積は、前記半導体素子3の1つの面の面積の最大で2倍の大きさであり、有利には前記半導体素子3の1つの面の面積と等しい大きさである、請求項1記載のアセンブリ。前記リードフレーム2は打ち抜き部20を有しており、該打ち抜き部20内に前記接続部材4が配置されている、請求項1または2記載のアセンブリ。前記接続部材4の複合材料5の厚さD1は、前記リードフレーム2の厚さD2と等しい、請求項3記載のアセンブリ。前記リードフレーム2は凹部21を有しており、該凹部21内に前記接続部材4の複合材料5が配置されている、請求項1から4のいずれか一項に記載のアセンブリ。前記接続部材4は予め製造された部品である、請求項1から5のいずれか一項に記載のアセンブリ。前記接続部材4と前記リードフレーム2との間にプレス接合部7が形成されている、請求項1から6のいずれか一項に記載のアセンブリ。前記接続部材4の複合材料5と前記リードフレーム2との間に材料結合部8が設けられている、請求項1から6のいずれか一項に記載のアセンブリ。前記接続部材4の表面は、前記リードフレーム2の表面と同一平面上にある、請求項1から8のいずれか一項に記載のアセンブリ。前記複合材料5は銅及びグラファイトを含む、または前記複合材料5は銅及びモリブデンを含む、請求項1から9のいずれか一項に記載のアセンブリ。