"結晶軸としてX軸、Y軸及びZ軸を有するタンタル酸リチウムの単結晶基板である焦電基板と、該焦電基板の表裏に設けられた一対の電極とを備えた焦電素子であって、前記焦電基板は、前記タンタル酸リチウムの単結晶を、前記電極の面に沿った方向と一致する前記X軸の回りに前記Y軸から前記Z軸方向にカット角θだけ回転させた角度で切り出したYオフカット板であり、前記カット角θは30~60°,120~150°である、焦電素子。前記Yオフカット板の厚さは10μm以下である、請求項1に記載の焦電素子。前記Yオフカット板の厚さは5~10μmである、請求項2に記載の焦電素子。[第1実施形態]図1は第1実施形態の焦電素子10の概略斜視図、図2は図1のA-A断面図、図3は焦電基板20に使用されるYオフカット板のカット角の説明図である。焦電素子10は、2つの受光部61,62図2参照を備えたデュアルタイプの焦電素子として構成されている。この焦電素子10は、焦電基板20と、この焦電基板20を支持する支持部材30と、焦電基板20の表面に設けられた表面金属層40と、焦電基板20の裏面に設けられた裏面金属層50とを備えている。焦電基板20は、結晶軸としてX軸、Y軸及びZ軸を有するLT単結晶の基板である。この焦電基板20は、図3に示すように、LT単結晶を、基板表面電極面に沿った方向と一致するX軸の回りに、Y軸からZ軸方向にカット角θだけ回転させた角度で切り出したYオフカット板である。このYオフカット板は、電極面に沿う方向をX1,電極面の法線方向をX2,X1とX2の両方に直交する軸をX3としたとき、X1はX軸と一致し、X2はX軸の回りにY軸からZ軸方向にカット角θだけ回転させた軸であり、X3はその回転に伴ってZ軸からカット角θだけ回転させた軸である。カット角θは、30~60°の範囲内又は120~150°の範囲内で設定されている。X2とZ軸とのなす角度90°-θがゼロに近いほど、つまり、カット角θが90°に近いほど、焦電係数は大きくなることが知られている。また、カット角θのYオフカット板とカット角180°-θのYオフカット板とは、X2とZ軸とのなす角度が共に90°-θであるため、焦電係数の絶対値が同じになる。また、焦電基板20の厚さは、10μm以下例えば0.1~10μmであり、好ましくは1~10μm、より好ましくは5~10μmである。焦電基板20の大きさは、例えば縦が0.1~5mm、横が0.1~5mmである。支持部材30は、支持層32と、接着層34と、支持基板36とを備えている。支持層32は、焦電基板20の裏面に形成されて焦電基板20を支持するものである。支持層32の材料としては、例えば、二酸化珪素が挙げられる。支持層32の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、0.1~1μmである。接着層34は、支持層32と支持基板36とを接着するものであり、支持基板36の表面全面に形成されている。接着層34の材料としては、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤を固化させたものが挙げられる。接着層34の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、0.1~1μmである。接着方法として、接着剤以外に陽極接合、直接接合法を用いても良い。支持基板36は、接着層34を介して支持層32に接着される平板状の基板である。支持基板36の材料としては、例えば、ガラスやLT,LNニオブ酸リチウムが挙げられる。支持基板36は、特に限定するものではないが、例えば、縦が0.1~5mm,横が0.1~5mm,厚さが0.15~0.5mmである。支持層32,接着層34,支持基板36は、いずれも焦電基板20よりも熱伝導率が低い材料であることが好ましい。また、この支持部材30には、図2に示すように空洞38が形成され、支持層32はこの空洞38の外周を四角く囲うように形成されている。すなわち、支持層32は空洞38以外の部分で焦電基板20を裏面から支持している。表面金属層40は、焦電基板20の表面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された2つの表面電極41,42と、表面電極41と導通し平面視で正方形に形成されたリード部46と、表面電極42と導通し平面視で正方形に形成されたリード部47とを備えている。この表面金属層40の材料としては、例えばニッケルやクロム,金などの金属が挙げられ、赤外線吸収率が高いほど好ましい。表面金属層40の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~0.2μmである。また、表面金属層40は、焦電基板20の表面上にクロムからなる金属層を形成し、さらにその上にニッケルからなる金属層を形成した2層構造であってもよい。裏面金属層50は、焦電基板20の裏面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された2つの裏面電極51,52と、裏面電極51及び裏面電極52を導通し平面視で横長の長方形に形成されたリード部56とを備えている。この裏面金属層50の材料としては、上述した表面金属層40と同様のものを用いることができる。表面金属層40の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~0.2μmである。裏面電極51は、表面電極41と対向するように焦電基板20の裏面に形成されており、裏面電極52は、表面電極42と対向するように焦電基板20の裏面に形成されている。受光部61は、一対の電極表面電極41及び裏面電極51と、焦電基板20のうち表面電極41と裏面電極51とに挟まれた部分である受光領域21とで形成されたものである。同様に、受光部62は、一対の電極表面電極42及び裏面電極52と、焦電基板20のうち表面電極42と裏面電極52とに挟まれた部分である受光領域22とで形成されたものである。この受光部61,62では、赤外線の照射による温度変化が生じると、一対の電極間の電圧が変化する。例えば、受光部61に赤外線が照射されると、表面電極41及び受光領域21が赤外線を吸収して温度変化が生じる。そして、これによる受光領域21の自発分極の変化が、表面電極41と裏面電極51との間の電圧の変化として現れるようになっている。また、表面電極41、42は赤外線吸収率が高い金黒膜であってもよい。金黒膜は微粒子上に堆積した金膜のことをいう。続いて、こうして構成された焦電素子10の動作について説明する。図4は、焦電素子10の受光部61,62の電気的な接続状態を示す回路図である。図示するように、焦電素子10の受光部61,62は、裏面電極51,52がリード部56によって接続されることで、直列に接続されている。そして、この直列接続された回路の両端である表面電極41,42間の電圧が、リード部46,47間の電圧として取り出せるようになっている。なお、本実施形態では、受光領域21,22の自発分極の向きは、図4においては互いに逆方向図2においては同方向になっている。この焦電素子10において、焦電基板20は焦電体であるため、平常時であっても受光領域21,22には常に自発分極が起きている。しかし、受光部61,62が空気中の浮遊電荷を吸着して自発分極と電気的に釣り合うため受光領域21,22ともに見かけ上の電荷はゼロとなる。そのため、平常時には表面電極41と裏面電極51との間や表面電極42と裏面電極52との間には電圧が生じず、リード部46,47間には電圧は生じない。また、焦電素子10を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化例えば周囲の温度の変化により受光領域21,22の温度が共に同じように変化した場合には、受光領域21,22の自発分極がいずれも変化して電荷の偏りが生じ、表面電極41と裏面電極51との間や表面電極42と裏面電極52との間に同じ大きさの電圧が生じる。しかし、受光領域21,22の自発分極の向きは図4に示すように逆方向になっているため、両者の電圧は打ち消し合い、リード部46,47間にはやはり電圧が生じない。このように、焦電素子10は自発分極の向きが逆向きに直列接続されるように受光部61,62を接続したデュアルタイプの素子であるため、平常時だけでなく焦電素子10を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化時にもリード部46,47間に電圧は生じず、ノイズで誤動作しにくい構成となっている。一方、例えば人が焦電素子10の付近を横切る場合など、受光部61,62に照射される赤外線の量が均等でなくなる場合には、受光領域21,22の温度変化が異なる大きさとなる。そのため、この温度変化により表面電極41と裏面電極51との間に生じる電圧と表面電極42と裏面電極52との間に生じる電圧とが異なる値となって完全には打ち消し合わず、リード部46,47間には電圧が生じる。これにより、焦電素子10は人体検知や火災検知などを行う赤外線検出装置として用いることができる。なお、焦電素子10を赤外線検出装置として用いる場合には、例えば、リード部46,47とインピーダンス変換用のFET電界効果型トランジスタとを接続してリード部46,47間の電圧を増幅することができる。また、表面電極41,42を金黒からなる赤外線吸収層で覆って赤外線の吸収効率を高めたり、波長フィルターを設けて特定の波長の光のみが受光部21,22に到達するようにすることでノイズによる誤動作を防止したりすることができる。次に、こうした焦電素子10の製造方法について説明する。図5は、焦電素子10の製造工程を模式的に示す断面図である。まず、焦電基板20となる平坦な焦電基板120を用意する図5a。この焦電基板120は、例えばオリエンテーションフラットOFを有し、焦電基板20を複数切り出すことができる大きさのウエハーである。焦電基板120の材料としては上述したものを用いることができる。焦電基板120の大きさは、特に限定するものではないが、例えば直径が50~100mm、厚さが200μm~1mmとすることができる。続いて、焦電基板120の裏面に裏面金属層50となる裏面金属層150を形成する図5b。裏面金属層150は、焦電基板120の裏面に裏面金属層50となるパターンを複数形成したものである。裏面金属層150の材料としては上述したものを用いることができる。裏面金属層150の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~0.2μmである。裏面金属層150の形成は、例えば焦電基板120のうち裏面金属層150を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行うことができる。また、他にスパッタリングやフォトリソグラフィ,スクリーン印刷を用いて裏面金属層150を形成してもよい。次に、焦電基板120の裏面に、支持層32となる支持層132を形成する図5c。支持層132は、裏面金属層150との位置関係が図1,2の裏面金属層50と支持層32との位置関係と同じになり空洞38が形成されるよう、焦電基板120の裏面に支持層32となるパターンを複数形成したものである。支持層132の材料としては上述したものを用いることができる。支持層132の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.1~1μmである。支持層132の形成は、例えば次のように行う。まず、スパッタリングにより焦電基板120の裏面全体に支持層132となる層を形成する。そして、フォトリソグラフィにより支持層132として残したい部分にのみレジスト膜を形成してエッチングマスクとした後、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分空洞38となる部分を除去する。これにより支持層132が形成される。次に、支持基板36となる支持基板136を用意し、支持基板136の表面及び支持層132の裏面の一方又は両方に接着層34となる接着剤を塗布する。そして、支持基板136の表面と支持層132の裏面とを貼り合わせ、接着剤を硬化させて接着層134とする図5d。これにより、焦電基板120,裏面金属層150,支持層132,接着層134,支持基板136からなり、空洞38となる空洞138が形成された複合体110が得られる。接着層134の材料としては、上述したものを用いることができる。また、接着層134の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.1~1μmである。そして、複合体110のうち焦電基板120が所定の厚さになるまで焦電基板120の表面を研磨し、その後、焦電基板120の表面に表面金属層40となる表面金属層140を形成する図5e。表面金属層140は、焦電基板120の表面に表面金属層40となるパターンを複数形成したものである。表面金属層140の形成は、表面金属層140のうち表面電極41,42となる部分がそれぞれ裏面電極51,52となる部分と対をなすように行う。表面金属層140の材料としては上述したものを用いることができる。表面金属層140の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01~0.2μmである。表面金属層140の形成は、裏面金属層150と同様の方法で行うことができる。これにより、複合体110は、多数の焦電素子10の集合体となる。そして、表面金属層140を形成した複合体110から1つ1つの焦電素子10を切り出す。これにより、図1~2に示した焦電素子10が複数得られる。ここで、LT基板の焦電係数について説明する。LT基板は、Z軸方向に焦電電荷が発生するため、電極面の法線方向とZ軸とが一致するZ板の場合に最も焦電係数が大きくなり、Yオフカット板の場合にはZ板よりも焦電係数が小さくなる。また、Yオフカット板において、カット角θが0°<θ<90°の範囲内にあるときには、カット角θが小さいほど、電極面の法線方向とZ軸とのなす角度が大きくなるため、焦電係数は小さくなる。また、カット角が90°<θ<180°の範囲内にあるときには、カット角θが大きいほど、電極面の法線方向とZ軸とのなす角度が大きくなるため、焦電係数は小さくなる。なお、焦電係数pは、下記式1で表される。p=ΔQ/ΔT×1/S...1ΔQ:電荷変動量、ΔT:温度変化量、S:面積今回、焦電基板120に使用するYオフカット板のカット角θが0°<θ<90°の範囲内にあるとき、60°以下であればポップコーンノイズの発生を抑制できることがわかった。つまり、カット角θが60°のときの焦電係数と同じかそれより小さければ、ポップコーンノイズの発生を抑制できることがわかった。この結果から、カット角θが90°<θ<180°の範囲内にあるときには、120°以上であればポップコーンノイズの発生を抑制できるといえる。電極面の法線方向とZ軸とのなす角度は、カット角θが60°のときと120°のときとで同じであるため、焦電係数が同じ値になるからである。一方、カット角θが0°<θ<90°の範囲内にあるとき、30°以上であれば、S/N比を同じ板厚のZ板の50以上に維持できることがわかった。この結果から、カット角θが90°<θ<180°の範囲内にあるときには、150°以下であれば、S/N比を同じ板厚のZ板の50以上に維持できるといえる。以上のことから、カット角θが30°~60°、120~150°であれば、ポップコーンノイズの発生を抑制しつつ、S/N比の低下も抑制することができる。ところで、本願の基礎となるUS仮出願61/469885を出願した時点では、周知の式Q=CVCはキャパシタンス、Vは電圧においてキャパシタンスCを定数と考え、電荷変動量ΔQは表面電位の変動量ΔVに比例することを前提とし、上記式1により焦電係数pを算出した。そして、カット角θが30~60°、120~150°の範囲であれば、焦電係数pがZ板の8割程度に保つことができると判断した。しかし、その後の研究により、キャパシタンスCは定数ではなく、カット角θに応じて例えばsinθとかsin2θなどに応じて変動するものであり、焦電係数pはZ板の8割よりも低下している可能性があることがわかった。キャパシタンスCがカット角θに応じてどのように変動するかについては、いまだ確定できていないが、sinθの関数である可能性が高いと推測している。以上詳述した焦電素子10によれば、焦電基板20として、カット角θが30~60°,120~150°のLT単結晶のYオフカット板であり、カット角θが30~60°,120~150°のものを用いているため、ポップコーンノイズの発生を抑制すると共にS/N比の低下も抑制することができる。また、Yオフカット板の厚さは10μm以下例えば1~10μmであるため、S/N比が更に向上する。こうした焦電素子10は、直径4インチの大判のLT基板を利用して製造することができるため、大量生産に適している。LT単結晶はチョクラルスキー法により引き上げて成長させるが、カット角θが30~48°であれば4インチで引き上げることができる。このため、焦電基板120としてカット角θが30~48°のLT基板を採用する場合には、直径4インチの単結晶を引き上げ方向に対して直角にスライスして得られる直径4インチのLT基板を利用して製造することができる。一方、Z板θ=90°は、直径4インチの単結晶を引き上げ方向に対して斜めにスライスして得られるLT基板を利用して製造することになるが、その場合、LT基板の直径は3インチ程度になってしまう。[第2実施形態]図6は第2実施形態の焦電素子210の概略斜視図、図7は図6のB-B断面図である。焦電素子210は、1つの受光部261図7参照を備えたシングルタイプの焦電素子として構成されている。この焦電素子210は、焦電基板220と、この焦電基板220を支持する支持部材230と、焦電基板220の表面に設けられた表面金属層240と、焦電基板220の裏面に設けられた裏面金属層250とを備えている。焦電基板220は、LT単結晶のYオフカット板であり、カット角θは、30~60°,120~150°である。また、焦電基板220の厚さは10μm以下例えば1~10μmであり、好ましくは5~10μmである。この焦電基板220は、第1実施形態の焦電基板20と同じであるため、詳しい説明は省略する。支持部材230は、支持基板236と、接着層237とを備えている。支持基板236は、内部に空洞238を有する四角形のフレームに形成されており、焦電基板220の表面に形成されて焦電基板220を支持するものである。支持基板236の材料としては、例えば、ガラスやLT,LNが挙げられる。支持基板236は、特に限定するものではないが、例えば、縦が0.1~5mm、横が0.1~5mm、厚さが0.15~5mmである。接着層237は、支持基板236と焦電基板220とを接着するものである。接着層237の材料としては、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤を固化させたものが挙げられる。接着層237の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、0.1~1μmである。接着方法として、接着剤以外に陽極接合、表面活性化法などの直接接合法を用いても良い。支持基板236,接着層237は、いずれも焦電基板220よりも熱伝導率が低い材料であることが好ましい。表面金属層240は、焦電基板220の表面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された表面電極241と、表面電極241と導通するリード部246とを備えている。裏面金属層250は、焦電基板220の裏面にて表面金属層240と対向するように形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された裏面電極251と、裏面電極251と導通するリード部256とを備えている。表面金属層240及び裏面金属層250の材料や厚さは、第1実施形態の表面金属層40及び裏面金属層50と同じであるため、ここではその説明を省略する。受光部261は、一対の電極表面電極241及び裏面電極251と、焦電基板220のうち表面電極241と裏面電極251とに挟まれた部分である受光領域221とで形成されたものである。この受光部261では、赤外線の照射による温度変化が生じると、一対の電極間の電圧が変化する。例えば、受光部261の表面側に赤外線が照射されると、表面電極241及び受光領域221が赤外線を吸収して温度変化が生じる。そして、これによる受光領域221の自発分極の変化が、表面電極241と裏面電極251との間の電圧の変化として現れるようになっている。続いて、こうして構成された焦電素子210の動作は、2つの焦電素子210の裏面電極251同士を電気的に接続し、各表面電極241にリード線を取り付ければ、実質的に第1実施形態の焦電素子10と同様の構成となり同様に動作するため、ここではその説明を省略する。以上詳述した焦電素子210によれば、焦電基板120としてLT単結晶のYオフカット板であり、カット角θが30~60°,120~150°のものを用いているため、ポップコーンノイズの発生を抑制すると共にS/N比の低下も抑制することができる。また、Yオフカット板の厚さは10μm以下例えば1~10μmであるため、S/N比が更に向上する。こうしたYオフカット板は直径4インチの大判のものを利用することができる。なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。例えば、上述した第1及び第2実施形態では、空洞38,238は、支持層32,232により四角く囲われているものとしたが、空洞38,238はどのような形状としてもよい。例えば、支持層32,236により丸く囲われているものとしてもよいし、空洞38,238が支持層32,236に完全には囲われておらず、一部が焦電素子10,210の外周に面していてもよい。上述した第1実施形態の焦電素子10はデュアルタイプ、第2実施形態の焦電素子210はシングルタイプとしたが、焦電素子10をシングルタイプやクワッドタイプとしてもよいし、焦電素子210をデュアルタイプやクワッドタイプとしてもよい。なお、クワッドタイプの焦電素子における表面電極及び裏面電極の形状については、例えば特開平2006-203009号公報に記載されている。[実施例1]実施例1では、第2実施形態の焦電素子210を作製した。図8はその作製手順を示す説明図である。まず、OF部を有し、直径4インチ,厚さが350μmのLT基板320を用意した。LT基板320は48°Yオフカット板カット角θ=48°を用いた。このLT基板320は、ダイシング後に焦電基板220となるものである。続いて、このLT基板320の表面にニッケル及びクロムからなる表面金属層240を多数形成した図8a。表面金属層240の形成は、LT基板320のうち表面金属層240を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行った。なお、真空蒸着は、まずクロムを5Å/sの成膜レートで厚さ0.02μmとなるまで行い、続いてニッケルを10Å/sの成膜レートで厚さ0.1μmとなるまで行った。真空蒸着による成膜時の圧力は2.7×104Pa,LT基板320の温度は約100°Cであった。これにより、厚さ0.12μmの表面金属層240を形成した。なお、表面金属層240のパターンは、表面電極241が縦2mm,横2mm、リード部246が縦0.1mm,横2mmの大きさとなるように形成した。続いて、OF部を有し、直径4インチ,厚さが500μmのガラス基板336を用意し、縦3mm,横3mmの矩形穴338をウォータージェット法により多数形成した図8a参照。なお、ガラス基板336は、ダイシング後に支持基板236となるものであり、矩形穴338は、ダイシング後に空洞238となるものである。次に、LT基板320の表面にエポキシ接着剤を1μm塗布し、ガラス基板336の各矩形穴338の中に各表面金属層240が入るようにアライメントし、貼り合わせた。そして、プレス圧着によりエポキシ接着剤の厚さを0.1μmとし、ガラス基板336と貼り合わせたLT基板320を200°Cで1時間放置してエポキシ接着剤を硬化させて接着層334を形成し、複合体260とした図8b。接着層334は、ダイシング後に接着層237になるものである。その後、Arイオンを使用したスパッタリングにより表面金属層240に付着した接着剤を除去した。そして、複合体260を上下逆にし、ガラス基板336を炭化珪素で作成した研磨治具に接着固定し、LT基板320のうちガラス基板336を貼り合わせていない面を固定砥粒の研削機で研削加工し、LT基板320の厚みを50μmまで薄くした。さらに、その面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、厚みを12μmまで薄くした。その後、その面を遊離砥粒及び不織布系研磨パットを用いて仕上げ研磨を行い、LT基板320の厚みが10μmとなるまで研磨した。なお、仕上げ研磨は、ダイヤモンド砥粒による研磨加工でLT基板320に生じた加工変質層を除去するために行った。このようにしてLT基板320を研磨した後、LT基板320の裏面表面金属層240が形成されていない面に裏面金属層250図6及び図7参照を多数形成した。この工程は、表面金属層240の形成と同様の材料及び条件で行った。なお、裏面金属層250のパターンは、裏面電極251が縦2mm,横2mm、リード部256が縦0.5mm,横2mmの大きさとなるように形成した。そして、裏面金属層250を形成した複合体から縦3.5mm×横3.5mmの焦電素子210をダイシングにより切り出した図8c。図8cの一点鎖線は、ダイシング時のカット線を示す。得られた焦電素子210は、焦電基板220がLT単結晶からなるカット角θ=48°のYオフカット板でその基板厚が10μmのものである。[実施例2~6、比較例1~4]実施例1の作製手順に準じて、実施例2~6、比較例1~4の焦電素子210を作製した。各焦電素子210の焦電基板120のカット角θ、基板厚は表1に示すとおりである。[評価試験]各実施例及び各比較例の焦電素子210について、ポップコーンノイズ、電圧感度、S/N比、熱時定数を測定した。1ポップコーンノイズの測定各焦電素子210に対して、ヒートサイクル試験を行い、ポップコーンノイズの発生を調べた。ヒートサイクル試験は、次のような手順で行った。各焦電素子210を環境試験器に収容し、環境試験器内の温度を-10~50°Cまで周期的に変化させた。具体的には、図9に示すように温度を変化させた。そして、ヒートサイクル試験を15時間行い、その間に突発的な大きな出力ポップコーンノイズが発生したか否かを調べた。その結果を表1に示す。2電圧感度RvとS/N比の測定図10に示す実験系にて電圧感度RvとS/N比を測定した。この実験系では、赤外線は、黒体放射装置402を使用して焦電素子210まで平面波ミラー404とコンカーブミラー406を用いてアライメントし、チョッパー408を介して焦電素子210の受光部261の窓面に集光した。センサの受光部面積は2mm×2mmとした。入力赤外光は、チョッパー408により周波数10Hzでチョッピングして照射した。焦電素子210の電圧感度Rvは、ロックインアンプ410で測定した。なお、ロックインアンプ410内の電圧変換回路の入力インピーダンスは1011Ωとした。各焦電素子210の電圧感度Rvを表1に示す。次に、入力赤外光がない場合のノイズ電圧Vnを測定した。主なノイズ成分は、温度ノイズ、tanδノイズ、入力インピーダンスノイズであった。これらの測定値から下記式によりS/N比を算出した。各焦電素子210のS/N比を表1に示す。S/N=A05×Rv/VnAはセンサの受光面積3熱時定数の測定各焦電素子210の熱時定数すなわち立ち上がり時間を測定した。具体的には、まず、600Kの黒体炉から50cm離れた場所に焦電素子210を配置した。次に、赤外線を焦電素子210に照射して、出力をデジタルオシロで記録した。出力ピーク値の10から90までの時間を算出し、その時間を熱時定数とした。各焦電素子210の熱時定数を表1に示す。4評価結果表1から明らかなように、カット角θが30~60°のYオフカット板を用いた実施例1~6では、ポップコーンノイズは発生しなかった。一方、カット角θが65°のYオフカット板やZ板を用いた比較例2~4では、ポップコーンノイズが発生した。また、実施例1,3,4では、厚さ10μmのYオフカット板を用いたが、S/N比は同じ厚さのZ板を用いた比較例3の40以上であり、Yオフカット板を用いたことによるS/N比の低下は少なかった。実施例6では、厚さ40μmのYオフカット板を用いたが、S/N比は同じ厚さのZ板を用いた比較例4の75以上であり、やはりYオフカット板を用いたことによるS/N比の低下は少なかった。実施例1,2,6では、いずれもカット角θが48°のYオフカット板を用いたが、基板厚が薄いほどS/N比が向上した。一方、カット角θが20°のYオフカット板を用いた比較例1では、ポップコーンノイズは発生しなかったが、S/N比は同じ板厚のZ板を用いた比較例3の40以下に低下してしまった。なお、熱時定数応答性は、カット角θに依存せず、LT基板の厚さに依存した。以上のことから、焦電基板120としてカット角θが30~60°のYオフカット板を用いた場合には、ポップコーンノイズの発生を抑制すると共にS/N比の低下も抑制することができることがわかった。また、Yオフカット板の厚さは10μm以下例えば1~10μmであれば、S/N比が更に向上することがわかった。本出願は、2011年3月31日に出願された米国特許仮出願第61/469885号及び2011年2月24日に出願された日本国特許出願2011-37850号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容全てが本明細書に含まれる。"