"化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に形成され、貫通口を有する絶縁膜と、前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に形成された電極とを含み、前記電極は、相異なる結晶配列の結晶粒界が形成されており、前記結晶粒界の端部が前記貫通口から離間した前記絶縁膜の平坦面上に位置することを特徴とする化合物半導体装置。前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が曲面状とされていることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。前記絶縁膜は、前記貫通口の端部の曲面の曲率半径が当該絶縁膜の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされていることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体装置。前記絶縁膜上で前記貫通口を囲むように、前記絶縁膜よりもウェットエッチングレートの速い材料からなる保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。前記結晶粒界は、面心立方111に配向した部分と、前記絶縁膜の平坦面上に位置してランダムに配列した部分との界面であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定部位に、所定のマスクを用いたドライエッチングにより貫通口を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記絶縁膜をウェットエッチングする工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が前記ウェットエッチングにより曲面状とされることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置の製造方法。化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりもウェットエッチングレートの速い材料からなる保護膜を形成する工程と、ウェットエッチングにより、前記絶縁膜の所定部位に貫通口を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が前記ウェットエッチングにより曲面状とされることを特徴とする請求項8に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記絶縁膜は、その曲率半径が当該絶縁膜の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされることを特徴とする請求項7又は9に記載の化合物半導体装置の製造方法。窒化物半導体を用いた半導体デバイスの電極、例えばGaN-HEMTのゲート電極には、ニッケルNi/金Auの積層構造が用いられる。Niは比較的高融点な金属であり、GaNと良好なショットキーバリアが形成される。一方、Niは抵抗率が高いため、その上に抵抗率の低いAuを堆積することにより、ゲート電極の抵抗を下げ、高周波特性の低下を防止している。通常、ゲート電極は、その端部における電界集中を緩和するため、窒化物半導体の表面を保護する絶縁膜パッシベーション膜に形成された貫通口をゲート材料で埋め込みパッシベーション膜上を乗り越える、いわゆるオーバーハング構造とされている。このとき、窒化物半導体の単結晶上に成膜するNiは下地の結晶構造の影響を受け、面心立方構造fccに配向する。その一方で、パッシベーション膜上に成膜するNiは下地のアモルファス構造の影響を受け、ランダムに配向する。そのため、fccに配向したNiとランダムに配向したNiとの境界には非常に大きい結晶粒界が形成される。また、パッシベーション膜の貫通口の側壁とNiとの界面側壁界面は、熱ストレス等により開き易い。上記の構造を有するGaN-HEMTを高温で通電すると、ゲート電極のAuが大きい結晶粒界及び側壁界面を通路として、窒化物半導体表面ショットキー面に到達して反応する。これにより、ゲート特性が劣化し、GaN-HEMTの信頼度を低下させるという問題がある。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。化合物半導体装置の一態様は、化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に形成され、貫通口を有する絶縁膜と、前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に形成された電極とを含み、前記電極は、相異なる結晶配列の結晶粒界が形成されており、前記結晶粒界の端部が前記貫通口から離間した前記絶縁膜の平坦面上に位置する。化合物半導体装置の製造方法の一態様は、化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定部位に、所定のマスクを用いたドライエッチングにより貫通口を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記絶縁膜をウェットエッチングする工程とを含む。化合物半導体装置の製造方法の一態様は、化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりもウェットエッチングレートの速い材料からなる保護膜を形成する工程と、ウェットエッチングにより、前記絶縁膜の所定部位に貫通口を形成する工程とを含む。上記の態様によれば、電極と化合物半導体層との界面に電極材料が到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置が実現する。以下、化合物半導体装置の製造方法の具体的な諸実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、図面の所定図においては、理解の容易を考慮して、その構成部材の膜厚等が実際の値と異なるように描画している。第1の実施形態本実施形態では、化合物半導体装置として、窒化物半導体のAlGaN/GaNHEMTを開示する。図1~図3は、第1の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、図1aに示すように、成長用基板として例えば半絶縁性のSiC基板1上に、化合物半導体積層構造2を形成する。成長用基板としては、SiC基板の代わりに、Si基板、サファイア基板、GaAs基板、GaN基板等を用いても良い。また、基板の導電性としては、半絶縁性、導電性を問わない。化合物半導体積層構造2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを有して構成される。完成したAlGaN/GaNHEMTでは、その動作時において、電子走行層2bの電子供給層2d正確には中間層2cとの界面近傍に2次元電子ガス2DEGが発生する。この2DEGは、電子走行層2b及び電子供給層2dの自発分極と相俟って、電子走行層2bの化合物半導体ここではGaNと電子供給層2dの化合物半導体ここではAlGaNとの格子定数の相違に起因した歪みによるピエゾ分極に基づいて生成される。詳細には、SiC基板1上に、例えば有機金属気相成長MOVPE:MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy法により、以下の各化合物半導体を成長する。MOVPE法の代わりに、分子線エピタキシーMBE:MolecularBeamEpitaxy法等を用いても良い。SiC基板1上に、AlNを5nm程度の厚みに、iインテンショナリアンドープ-GaNを1μm程度の厚みに、i-AlGaNを5nm程度の厚みに、n-AlGaNを30nm程度の厚みに、n-GaNを3nm程度の厚みに順次成長する。これにより、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eが形成される。バッファ層2aとしては、AlNの代わりにAlGaNを用いたり、低温成長でGaNを成長するようにしても良い。AlN、GaN、及びAlGaNの成長条件としては、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムガス、トリメチルガリウムガス、及びアンモニアガスの混合ガスを用いる。成長する化合物半導体層に応じて、Al源であるトリメチルアルミニウムガス、Ga源であるトリメチルガリウムガスの供給の有無及び流量を適宜設定する。共通原料であるアンモニアガスの流量は、100sccm~10slm程度とする。また、成長圧力は50Torr~300Torr程度、成長温度は1000°C~1200°C程度とする。GaN、AlGaNをn型として成長する際には、n型不純物として例えばSiを含む例えばSiH4ガスを所定の流量で原料ガスに添加し、GaN及びAlGaNにSiをドーピングする。Siのドーピング濃度は、1×1018/cm3程度~1×1020/cm3程度、例えば5×1018/cm3程度とする。続いて、図1bに示すように、素子分離構造3を形成する。図2a以降では、素子分離構造3の図示を省略する。詳細には、化合物半導体積層構造2の素子分離領域に、例えばアルゴンArを注入する。これにより、化合物半導体積層構造2及びSiC基板1の表層部分に素子分離構造3が形成される。素子分離構造3により、化合物半導体積層構造2上で活性領域が画定される。なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTIShallowTrenchIsolation法を用いて行っても良い。このとき、化合物半導体積層構造2のドライエッチングには、例えば塩素系のエッチングガスを用いる。続いて、図1cに示すように、ソース電極4及びドレイン電極5を形成する。詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置電極形成予定位置に電極用リセス2A,2Bを形成する。化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、電極形成予定位置に相当する化合物半導体積層構造2の表面を露出する開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電子供給層2dの表面が露出するまで、キャップ層2eの電極形成予定位置をドライエッチングして除去する。これにより、電子供給層2dの表面の電極形成予定位置を露出する電極用リセス2A,2Bが形成される。エッチング条件としては、Ar等の不活性ガス及びCl2等の塩素系ガスをエッチングガスとして用い、例えばCl2を流量30sccm、圧力を2Pa、RF投入電力を20Wとする。なお、電極用リセス2A,2Bは、キャップ層2eの途中までエッチングして形成しても、また電子供給層2d以降までエッチングして形成しても良い。レジストマスクは、灰化処理等により除去される。ソース電極及びドレイン電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体積層構造2上に塗布し、電極用リセス2A,2Bを露出させる開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばTi/Alを、例えば蒸着法により、電極用リセス2A,2Bを露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Tiの厚みは30nm程度、Alの厚みは300nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400°C~1000°C程度の温度、例えば600°C程度で熱処理し、残存したTi/Alを電子供給層2dとオーミックコンタクトさせる。Ti/Alの電子供給層2dとのオーミックコンタクトが得られるのであれば、熱処理が不要な場合もある。以上により、電極用リセス2A,2Bを電極材料の一部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。続いて、図2aに示すように、化合物半導体積層構造2の表面を保護するパッシベーション膜6を形成する。詳細には、化合物半導体積層構造2の表面を覆うように、絶縁膜、ここでは単層のシリコン窒化膜SiN膜をプラズマCVD法により例えば40nm程度の厚みに堆積する。これにより、パッシベーション膜6が形成される。パッシベーション膜6は、単層のSiN膜の代わりに、単層のシリコン酸化膜SiO膜、単層のシリコン酸窒化膜SiON膜、又は単層のアルミニウム酸化膜AlN膜を形成しても良い。SiN膜、SiO膜、SiON膜及びAlN膜から選ばれたいずれか2層以上の積層膜に形成しても好適である。続いて、図2bに示すように、パッシベーション膜6をドライエッチングして貫通口6aを形成する。詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、パッシベーション膜6の表面でゲート電極の形成予定位置電極形成予定位置に相当する部分を露出する開口10aを形成する。以上により、開口10aを有するレジストマスク10が形成される。このレジストマスク10を用いて、開口10aから露出するパッシベーション膜6の電極形成予定位置を化合物半導体積層構造2の表面が露出するまでドライエッチングし、パッシベーション膜6に貫通口6aを形成する。ドライエッチングには、例えばSF6等のフッ素系ガスを含有するエッチングガスを用いる。ここで、貫通口6aの側壁面は垂直であるか、或いは図示のように僅かに順テーパ状となる。続いて、図2cに示すように、レジストマスク10を除去する。詳細には、レジストマスク10をアッシング処理又は所定の薬液を用いたウェット処理等により除去する。続いて、図3aに示すように、パッシベーション膜6をウェットエッチングする。詳細には、パッシベーション膜6をウェットエッチングし、貫通口6aの尖った上端部であるエッジ部分を丸めて、即ちラウンドを形成して曲面状とする。この曲面状の上端部をエッジ部分6bとする。ウェットエッチングには、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液を用い、15秒間程度処理する。本実施形態では、ドライエッチングに用いたレジストマスク10を除去してパッシベーション膜6を露出した状態でウェットエッチングすることにより、上記のような曲面状のエッジ部分6bが形成される。曲面状のエッジ部分6bは、その曲率半径がパッシベーション膜6の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされる。曲率半径がパッシベーション膜6の厚みの1/4倍よりも小さいと、エッジ部分へのラウンドの付与が不十分であり、後述する化合物半導体積層構造2の表面への電極材料の到達抑止効果が十分に得られない。曲率半径がパッシベーション膜6の厚みよりも大きいと、貫通口6aの上部の開口径が大きくなり過ぎて所期の微細なゲート電極を形成することができなくなる。エッジ部分6bの曲率半径をパッシベーション膜6の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とすることにより、貫通口6aの上部の開口径に影響を与えることなく化合物半導体積層構造2の表面への電極材料の到達抑止効果を得ることができる。本実施形態では、パッシベーション膜6を40nm程度の厚みに形成していることから、例えば、エッジ部分6bの曲率半径をパッシベーション膜6の厚みの1/4倍である10nm程度に形成する。続いて、図3bに示すように、ゲート電極7を形成する。詳細には、先ず、ゲート電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをパッシベーション膜6上に塗布し、パッシベーション膜6の貫通口6aの部分を露出させる各開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばNi/Auを、例えば蒸着法により、パッシベーション膜6の貫通口6aの部分を露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Niの厚みは80nm程度、Auの厚みは300nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したNi/Auを除去する。以上により、貫通口6aをNiの一部で埋め込むように、パッシベーション膜6上にゲート電極7が形成される。ゲート電極7では、下層部分をNi層7a、上層部分をAu層7bとする。続いて、図3cに示すように、パッシベーション膜6のソース電極4上の部分及びドレイン電極5上の部分を除去する。詳細には、パッシベーション膜6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。ドライエッチングは、例えばSF6/CHF3ガスをエッチングガスとして用い、上部電極パワー500W/下部電極パワー50Wで行う。これにより、ソース電極4の表面の一部を露出する開口6cと、ドレイン電極5の表面の一部を露出する開口6dとが形成される。このときの上方から見た様子を図4に示す。以上により、本実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが形成される。なお、図5に示すように、図3bでゲート電極7を形成した後、パッシベーション膜6上に層間絶縁膜8を形成し、層間絶縁膜8のソース電極4上の部分及びドレイン電極5上の部分を除去するようにしても良い。即ち、層間絶縁膜8及びパッシベーション膜6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、ソース電極4の表面の一部を露出する開口11と、ドレイン電極5の表面の一部を露出する開口12とを形成する。そして、開口11,12を埋め込むように層間絶縁膜8上に配線材料を堆積し、これをリソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。以上により、ソース電極4と電気的に接続されたソース配線13と、ドレイン電極5と電気的に接続されたドレイン配線14とが形成される。以下、本実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTの奏する効果について、比較例によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTとの比較に基づいて説明する。図6は、第1の実施形態の比較例によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTにおいて、ゲート電極に結晶粒界が生じた様子を示す概略断面図であり、aが全体図、bが一部拡大図である。図7は、第1の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTにおいて、ゲート電極に結晶粒界が生じた様子を示す概略断面図であり、aが全体図、bが一部拡大図である。図6b及び図7bでは、パッシベーション膜のゲート電極の貫通口におけるソース電極側のエッジ部分を拡大して示す。図6の比較例は、本実施形態による諸工程のうち、図3aのウェットエッチング工程を行わない、従来の手法によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTである。図6のように、ゲート電極7のNi層7aでは、化合物半導体積層構造2上のNiがキャップ層2eの単結晶GaNとショットキーバリアを形成する面心立方構造fccに配向する。その一方で、ゲート電極7のNi層7aは、パッシベーション膜6上のNiがパッシベーション膜6のアモルファス構造の影響を受けてランダムに配向する。そのため、fccに配向したNiとランダムに配向したNiとの境界には非常に大きい結晶粒界101が形成される。パッシベーション膜6の貫通口6aの上端部であるエッジ部分102は尖っている。そのため、結晶粒界101は、このエッジ部分102を起点として形成される。パッシベーション膜6の表面は、貫通口6aを形成するためのレジストマスク10と密着しているため、通常のドライエッチング、或いはウェットエッチングの手法を用いただけでは、エッジ部分102は鋭く曲率半径は5nm以下、図示のようにエッジ部分102を起点とした窒化物半導体表面ショットキー面103に近い箇所に結晶粒界101が形成される。この場合、パッシベーション膜6の貫通口6aの側壁とNiとの界面側壁界面104が熱ストレス等により開くことにより、ゲート電極7のAu層7aのAuが結晶粒界101及び側壁界面104を通路として、ショットキー面103に到達して反応する。これにより、ゲート特性が劣化し、GaN-HEMTの信頼度が低下する。これに対して本実施形態では、図2c及び図3aのように、パッシベーション膜6上からレジストマスク10を除去した状態でウェットエッチングを行い、曲面状のエッジ部分6bを形成する。これにより、図7に示すように、Niの結晶粒界101の端部起点は、エッジ部分6bからソース電極4或いはドレイン電極5の方向へ離間した、パッシベーション膜6の表面の平坦面上化合物半導体積層構造2の表面と平行な平坦面上に形成されることが見出された。このように、Niの結晶粒界101をショットキー面103から空間的に離間し、結晶粒界101の起点をパッシベーション膜6の平坦面上に形成することにより、側壁界面104が開いたとしても、Au層7bからショットキー面103へのAuの到達が抑止される。図8は、第1の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMT、及び比較例について、発生するゲートリーク電流について調べた結果を示す特性図である。高温325°Cでピンチオフ時のゲートリーク電流は、比較例の場合、Auがショットキー面に拡散することでリーキーとなり、最終的に破壊してしまう。これに対して本実施形態では、Auの拡散が抑制され、ゲートリーク電流が抑えされてAlGaN/GaNHEMTの信頼度が向上する。以上説明したように、本実施形態によれば、ゲート電極7と化合物半導体積層構造2との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaNHEMTが実現する。変形例ここで、第1の実施形態の変形例について説明する。本例では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaNHEMTを作製するが、パッシベーション膜にゲート電極形成用の貫通口を形成する際の工程が異なる点で第1の実施形態と相違する。図9及び図10は、第1の実施形態の変形例によるAlGaN/GaNHEMTの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。先ず、第1の実施形態と同様に、図1a~図2aの諸工程を順次行う。続いて、図9aに示すように、パッシベーション膜6よりもウェットエッチングレートの速い材料からなるパッシベーション膜15を形成する。詳細には、パッシベーション膜6上に、パッシベーション膜6の材料、ここではSiNよりもウェットエッチングレートの速い材料、例えばSiO2を、例えばプラズマCVD法により20nm程度の厚みに堆積する。これにより、パッシベーション膜6上を覆うパッシベーション膜15が形成される。続いて、図9bに示すように、パッシベーション膜15,6をウェットエッチングして、パッシベーション膜6に貫通口6cを形成する。詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、パッシベーション膜15の表面でゲート電極の形成予定位置電極形成予定位置に相当する部分を露出する開口10aを形成する。以上により、開口10aを有するレジストマスク10が形成される。このレジストマスク10を用いて、開口10aから露出するパッシベーション膜15の電極形成予定位置に対して、化合物半導体積層構造2の表面が露出するまでパッシベーション膜15,6をウェットエッチングする。ウェットエッチングには、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液を用いる。このとき、パッシベーション膜15は、パッシベーション膜6よりもウェットエッチングレートが速いため、パッシベーション膜6に先行してこれよりも大きくエッチングされて貫通口15aが形成される。それと共に、パッシベーション膜6には、上端部のエッジ部分6dが丸まった、即ちラウンドが形成されて曲面状とされた貫通口6cが形成される。貫通口6cは、貫通口15aよりも小径であり、貫通口15aに囲まれたかたちに形成される。本例では、パッシベーション膜6上のこれよりもウェットエッチングレートの速いパッシベーション膜15を介して、パッシベーション膜6をウェットエッチングする。これにより、レジストマスク10に阻止されることなく上記のような曲面状のエッジ部分6dを有する貫通口6cが形成される。その後、レジストマスク10は、アッシング処理又は所定の薬液を用いたウェット処理等により除去される。曲面状のエッジ部分6dは、その曲率半径がパッシベーション膜6の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされる。曲率半径がパッシベーション膜6の厚みの1/4倍よりも小さいと、エッジ部分へのラウンドの付与が不十分であり、化合物半導体積層構造2の表面への電極材料の到達抑止効果が十分に得られない。曲率半径がパッシベーション膜6の厚みよりも大きいと、貫通口6cの上部の開口径が大きくなり過ぎて所期の微細なゲート電極を形成することができなくなる。エッジ部分6dの曲率半径をパッシベーション膜6の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とすることにより、貫通口6cの上部の開口径に影響を与えることなく化合物半導体積層構造2の表面への電極材料の到達抑止効果を得ることができる。本例では、パッシベーション膜6を40nm程度の厚みに形成していることから、例えば、エッジ部分6dの曲率半径をパッシベーション膜6の厚みの1/4倍である10nm程度に形成する。続いて、図10aに示すように、ゲート電極7を形成する。詳細には、先ず、ゲート電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをパッシベーション膜15,6上に塗布し、パッシベーション膜6の貫通口6cの部分を露出させる開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばNi/Auを、例えば蒸着法により、パッシベーション膜6の貫通口6dの部分を露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Niの厚みは80nm程度、Auの厚みは300nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したNi/Auを除去する。以上により、貫通口6dをNiの一部で埋め込むように、パッシベーション膜6上にゲート電極7が形成される。ゲート電極7では、下層部分をNi層7a、上層部分をAu層7bとする。続いて、図10bに示すように、パッシベーション膜15,6のソース電極4上の部分及びドレイン電極5上の部分を除去する。詳細には、パッシベーション膜15,6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。ドライエッチングは、例えばSF6/CHF3ガスをエッチングガスとして用い、上部電極パワー500W/下部電極パワー50Wで行う。これにより、ソース電極4の表面の一部を露出する開口16と、ドレイン電極5の表面の一部を露出する開口17とが形成される。このときの上方から見た様子を図11に示す。以上により、本実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが形成される。なお、図12に示すように、図10aでゲート電極7を形成した後、パッシベーション膜15上に層間絶縁膜8を形成し、層間絶縁膜8のソース電極4上の部分及びドレイン電極5上の部分を除去するようにしても良い。即ち、層間絶縁膜8及びパッシベーション膜15,6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、ソース電極4の表面の一部を露出する開口16と、ドレイン電極5の表面の一部を露出する開口17とを形成する。そして、開口16,17を埋め込むように層間絶縁膜8上に配線材料を堆積し、これをリソグラフィー及びドライエッチングにより加工する。以上により、ソース電極4と電気的に接続されたソース配線13と、ドレイン電極5と電気的に接続されたドレイン配線14とが形成される。以上説明したように、本例によれば、ゲート電極7と化合物半導体積層構造2との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaNHEMTが実現する。第2の実施形態本実施形態では、化合物半導体装置として、GaN系半導体のショットキーバリアダイオードGaN-SBDを開示する。図13~図15は、第2の実施形態によるGaN-SBDの製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、図13aに示すように、成長用基板として例えばn-GaN基板21の表面上に化合物半導体層22を形成する。成長用基板としては、GaN基板の代わりに、Si基板、SiC基板、サファイア基板、GaAs基板等を用いても良い。また、基板の導電性としては、半絶縁性、導電性を問わない。化合物半導体層22は、MOVPE法により、n-GaNエピタキシャル層を成長して形成する。n-GaNエピタキシャル層は所定の厚みとされ、n型不純物、例えばSiがドーピングされてn型とされており、その厚み及びドーピング濃度はGaN-SBDに求められる特性に応じて任意である。例えば、1μm程度の厚みで1×1017/cm3程度のドーピング濃度とされる。続いて、図13bに示すように、n-GaN基板21の裏面上にカソード電極23を形成する。詳細には、n-GaN基板21の裏面上に、例えば蒸着法により例えばTiを20nm程度の厚みに、例えばAlを200nm程度の厚みに順次形成する。そして、n-GaN基板21を550°C程度で熱処理することにより、n-GaN基板21と上記の積層膜とをオーミックコンタクトさせる。以上により、n-GaN基板21の裏面上にカソード電極23が形成される。続いて、図13cに示すように、化合物半導体層22の表面を保護するパッシベーション膜24を形成する。詳細には、化合物半導体層22の表面を覆うように、絶縁膜、ここでは単層のシリコン窒化膜SiN膜をプラズマCVD法により例えば40nm程度の厚みに堆積する。これにより、パッシベーション膜24が形成される。パッシベーション膜24は、単層のSiN膜の代わりに、単層のシリコン酸化膜SiO膜、単層のシリコン酸窒化膜SiON膜、又は単層のアルミニウム酸化膜AlN膜を形成しても良い。SiN膜、SiO膜、SiON膜及びAlN膜から選ばれたいずれか2層以上の積層膜に形成しても好適である。続いて、図14aに示すように、パッシベーション膜24をドライエッチングして貫通口24aを形成する。詳細には、先ず、化合物半導体層22の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、パッシベーション膜24の表面でアノード電極の形成予定位置電極形成予定位置に相当する部分を露出する開口20aを形成する。以上により、開口20aを有するレジストマスク20が形成される。このレジストマスク20を用いて、開口20aから露出するパッシベーション膜24の電極形成予定位置を化合物半導体層22の表面が露出するまでドライエッチングし、パッシベーション膜24に貫通口24aを形成する。ドライエッチングには、例えばSF6等のフッ素系ガスを含有するエッチングガスを用いる。ここで、貫通口24aの側壁面は垂直であるか、或いは図示のように僅かに順テーパ状となる。続いて、図14bに示すように、レジストマスク20を除去する。詳細には、レジストマスク20をアッシング処理又は所定の薬液を用いたウェット処理等により除去する。続いて、図15aに示すように、パッシベーション膜24をウェットエッチングする。詳細には、パッシベーション膜24をウェットエッチングし、貫通口24aの尖った上端部であるエッジ部分を丸めて、即ちラウンドを形成して曲面状とする。この曲面状の上端部をエッジ部分24bとする。ウェットエッチングには、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液を用い、15秒間程度処理する。本実施形態では、ドライエッチングに用いたレジストマスク20を除去してパッシベーション膜24を露出した状態でウェットエッチングすることにより、上記のような曲面状のエッジ部分24bが形成される。曲面状のエッジ部分24bは、その曲率半径がパッシベーション膜24の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされる。曲率半径がパッシベーション膜24の厚みの1/4倍よりも小さいと、エッジ部分へのラウンドの付与が不十分であり、後述する化合物半導体層22の表面への電極材料の到達抑止効果が十分に得られない。曲率半径がパッシベーション膜24の厚みよりも大きいと、貫通口24aの上部の開口径が大きくなり過ぎて所期の微細なアノード電極を形成することができなくなる。エッジ部分24bの曲率半径をパッシベーション膜24の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とすることにより、貫通口24aの上部の開口径に影響を与えることなく化合物半導体層22の表面への電極材料の到達抑止効果を得ることができる。本実施形態では、パッシベーション膜24を40nm程度の厚みに形成していることから、例えば、エッジ部分24bの曲率半径をパッシベーション膜24の厚みの1/4倍である10nm程度に形成する。続いて、図15bに示すように、アノード電極25を形成する。詳細には、先ず、アノード電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをパッシベーション膜24上に塗布し、パッシベーション膜24の貫通口24aの部分を露出させる各開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばNi/Auを、例えば蒸着法により、パッシベーション膜24の貫通口24aの部分を露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Niの厚みは80nm程度、Auの厚みは300nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したNi/Auを除去する。以上により、貫通口24aをNiの一部で埋め込むように、パッシベーション膜24上にアノード電極25が形成される。アノード電極25では、下層部分をNi層25a、上層部分をAu層25bとする。しかる後、カソード電極23及びアノード電極25の電気的接続等の諸工程を経て、本実施形態によるGaN-SBDが形成される。以下、本実施形態によるGaN-SBDの奏する効果について説明する。図16は、第2の実施形態によるGaN-SBDにおいて、アノード電極に結晶粒界が生じた様子を示す概略断面図であり、aが全体図、bが一部拡大図である。図16bでは、パッシベーション膜のアノード電極の貫通口におけるソース電極側のエッジ部分を拡大して示す。本実施形態では、図14b及び図15aのように、パッシベーション膜24上からレジストマスク20を除去した状態でウェットエッチングを行い、曲面状のエッジ部分24bを形成する。これにより、図16に示すように、Niの結晶粒界201の起点は、エッジ部分24bから外側の方向へ離間した、パッシベーション膜24の表面の平坦面上化合物半導体層22の表面と平行な平坦面上に形成されることが見出された。このように、Niの結晶粒界201をショットキー面202から空間的に離間し、結晶粒界201の起点をパッシベーション膜24の平坦面上に形成することにより、側壁界面203が開いたとしても、Au層25bからショットキー面202へのAuの到達が抑止される。以上説明したように、本実施形態によれば、アノード電極25と化合物半導体層22との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、アノード特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のGaN-SBDが実現する。変形例ここで、第2の実施形態の変形例について説明する。本例では、第2の実施形態と同様にGaN-SBDを作製するが、パッシベーション膜にアノード電極形成用の貫通口を形成する際の工程が異なる点で第2の実施形態と相違する。図17及び図18は、第2の実施形態の変形例によるGaN-SBDの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。先ず、第1の実施形態と同様に、図13a~cの諸工程を順次行う。続いて、図17aに示すように、パッシベーション膜24よりもウェットエッチングレートの速い材料からなるパッシベーション膜26を形成する。詳細には、パッシベーション膜6上に、パッシベーション膜24の材料、ここではSiNよりもウェットエッチングレートの速い材料、例えばSiO2を、例えばプラズマCVD法により20nm程度の厚みに堆積する。これにより、パッシベーション膜24上を覆うパッシベーション膜26が形成される。続いて、図17bに示すように、パッシベーション膜26,24をウェットエッチングして、パッシベーション膜24に貫通口24cを形成する。詳細には、先ず、化合物半導体積層構造2の表面にレジストを塗布する。レジストをリソグラフィーにより加工し、レジストに、パッシベーション膜15の表面でアノード電極の形成予定位置電極形成予定位置に相当する部分を露出する開口20aを形成する。以上により、開口20aを有するレジストマスク20が形成される。このレジストマスク20を用いて、開口20aから露出するパッシベーション膜26の電極形成予定位置に対して、化合物半導体層22の表面が露出するまでパッシベーション膜26,24をウェットエッチングする。ウェットエッチングには、例えばバッファードフッ酸等のエッチング液を用いる。このとき、パッシベーション膜26は、パッシベーション膜24よりもウェットエッチングレートが速いため、パッシベーション膜24に先行してこれよりも大きくエッチングされて貫通口26aが形成される。それと共に、パッシベーション膜24には、上端部のエッジ部分24dが丸まった、即ちラウンドが形成されて曲面状とされた貫通口24cが形成される。貫通口24cは、貫通口26aよりも小径であり、貫通口26aに囲まれたかたちに形成される。本例では、パッシベーション膜24上のこれよりもウェットエッチングレートの速いパッシベーション膜26を介して、パッシベーション膜24をウェットエッチングする。これにより、レジストマスク20に阻止されることなく上記のような曲面状のエッジ部分24dを有する貫通口24cが形成される。その後、レジストマスク20は、アッシング処理又は所定の薬液を用いたウェット処理等により除去される。曲面状のエッジ部分24dは、その曲率半径がパッシベーション膜24の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされる。曲率半径がパッシベーション膜24の厚みの1/4倍よりも小さいと、エッジ部分へのラウンドの付与が不十分であり、化合物半導体層22の表面への電極材料の到達抑止効果が十分に得られない。曲率半径がパッシベーション膜24の厚みよりも大きいと、貫通口24cの上部の開口径が大きくなり過ぎて所期の微細なアノード電極を形成することができなくなる。エッジ部分24dの曲率半径をパッシベーション膜24の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とすることにより、貫通口24cの上部の開口径に影響を与えることなく化合物半導体層22の表面への電極材料の到達抑止効果を得ることができる。本例では、パッシベーション膜24を40nm程度の厚みに形成していることから、例えば、エッジ部分24dの曲率半径をパッシベーション膜24の厚みの1/4倍である10nm程度に形成する。続いて、図18に示すように、アノード電極25を形成する。詳細には、先ず、アノード電極を形成するためのレジストマスクを形成する。ここでは、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストをパッシベーション膜26,24上に塗布し、パッシベーション膜24の貫通口24cの部分を露出させる各開口を形成する。以上により、当該開口を有するレジストマスクが形成される。このレジストマスクを用いて、電極材料として、例えばNi/Auを、例えば蒸着法により、パッシベーション膜24の貫通口24cの部分を露出させる開口内を含むレジストマスク上に堆積する。Niの厚みは80nm程度、Auの厚みは300nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク及びその上に堆積したNi/Auを除去する。以上により、貫通口24cをNiの一部で埋め込むように、パッシベーション膜24上にアノード電極25が形成される。アノード電極25では、下層部分をNi層25a、上層部分をAu層25bとする。しかる後、カソード電極23及びアノード電極25の電気的接続等の諸工程を経て、本例によるGaN-SBDが形成される。以上説明したように、本例によれば、アノード電極25と化合物半導体層22との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、アノード特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のGaN-SBDが実現する。第3の実施形態本実施形態では、第1の実施形態又はその変形例により作製されたAlGaN/GaNHEMTと、第2の実施形態又はその変形例により作製されたGaN-SBDいずれか一方、或いは双方を備えたPFCPowerFactorCorrection回路を開示する。図19は、第3の実施形態によるPFC回路を示す結線図である。PFC回路30は、スイッチ素子トランジスタ31と、ダイオード32と、チョークコイル33と、コンデンサ34,35と、ダイオードブリッジ36と、交流電源AC37とを備えて構成される。スイッチ素子31に、第1の実施形態又はその変形例により作製されたAlGaN/GaNHEMTが適用される。又は、ダイオード32に、第2の実施形態又はその変形例により作製されたGaN-SBDが適用される。或いは、スイッチ素子31には第1の実施形態又はその変形例により作製されたAlGaN/GaNHEMTが、ダイオード32には第2の実施形態又はその変形例により作製されたGaN-SBDがそれぞれ適用される。PFC回路30では、スイッチ素子31のドレイン電極と、ダイオード32のアノード端子及びチョークコイル33の一端子とが接続される。スイッチ素子31のソース電極と、コンデンサ34の一端子及びコンデンサ35の一端子とが接続される。コンデンサ34の他端子とチョークコイル33の他端子とが接続される。コンデンサ35の他端子とダイオード32のカソード端子とが接続される。コンデンサ34の両端子間には、ダイオードブリッジ36を介してAC37が接続される。コンデンサ35の両端子間には、直流電源DCが接続される。本実施形態では、ゲート電極7と化合物半導体積層構造2との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaNHEMTをPFC回路30に適用する。また、アノード電極25と化合物半導体層22との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、アノード特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のGaN-SBDをPFC回路30に適用する。これにより、信頼性の高いPFC回路30が実現する。第4の実施形態本実施形態では、第1の実施形態又はその変形例により作製されたAlGaN/GaNHEMTと、第2の実施形態又はその変形例により作製されたGaN-SBDいずれか一方、或いは双方を備えた電源装置を開示する。図20は、第4の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。本実施形態による電源装置は、高圧の一次側回路41及び低圧の二次側回路42と、一次側回路41と二次側回路42との間に配設されるトランス43とを備えて構成される。一次側回路41は、第3の実施形態によるPFC回路30と、PFC回路30のコンデンサ35の両端子間に接続されたインバータ回路、例えばフルブリッジインバータ回路40とを有している。フルブリッジインバータ回路40は、複数ここでは4つのスイッチ素子44a,44b,44c,44dを備えて構成される。二次側回路42は、複数ここでは3つのスイッチ素子45a,45b,45cを備えて構成される。本実施形態では、一次側回路41を構成するPFC回路30のスイッチ素子31と、フルブリッジインバータ回路40のスイッチ素子44a,44b,44c,44dとが、第1の実施形態又はその変形例によるAlGaN/GaNHEMTとされている。又は、PFC回路30のダイオード32が第2の実施形態又はその変形例によるGaN-SBDとされ、フルブリッジインバータ回路40のスイッチ素子44a,44b,44c,44dが第1の実施形態又はその変形例によるAlGaN/GaNHEMTとされている。或いは、PFC回路30のスイッチ素子31と、フルブリッジインバータ回路40のスイッチ素子44a,44b,44c,44dとが、第1の実施形態又はその変形例によるAlGaN/GaNHEMTとされ、PFC回路30のダイオード32が第2の実施形態又はその変形例によるGaN-SBDとされている。一方、二次側回路42のスイッチ素子45a,45b,45cは、シリコンを用いた通常のMISFETとされている。本実施形態では、第3の実施形態によるPFC回路30を電源装置に適用する。これにより、信頼性の高い大電力の電源装置が実現する。第5の実施形態本実施形態では、第1の実施形態により作製されたAlGaN/GaNHEMTを備えた高周波増幅器を開示する。図21は、第5の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。本実施形態による高周波増幅器は、ディジタルプレディストーション回路51と、ミキサー52a,52bと、パワーアンプ53とを備えて構成される。ディジタルプレディストーション回路51は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー52aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ53は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1の実施形態又はその変形例によるAlGaN/GaNHEMTを有している。なお図21では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー52bで交流信号とミキシングしてディジタルプレディストーション回路51に送出できる構成とされている。本実施形態では、ゲート電極7と化合物半導体積層構造2との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaNHEMTを高周波増幅器に適用する。これにより、信頼性の高い高耐圧の高周波増幅器が実現する。本実施形態による高周波増幅器は、送信受信モジュールに適用することにより、より信頼性の高い通信、レーダー、センサー、電波妨害器等のシステム機器を提供することが可能となる。他の実施形態第1の実施形態及びその変形例、第3~第5の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaNHEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaNHEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。その他のHEMT例1本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaNHEMTを開示する。InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上記した第1、第3~第5の実施形態では、電子走行層がi-GaN、中間層がAlN、電子供給層がn-InAlN、キャップ層がn-GaNで形成される。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。本例によれば、上述したAlGaN/GaNHEMTと同様に、ゲート電極と化合物半導体積層構造との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のInAlN/GaNHEMTが実現する。その他のHEMT例2本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaNHEMTを開示する。GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも組成によって格子定数を小さくすることができる化合物半導体である。この場合、第1、第3~第5の実施形態では、電子走行層がi-GaN、中間層がi-InAlGaN、電子供給層がn-InAlGaN、キャップ層がn-GaNで形成される。本例によれば、上述したAlGaN/GaNHEMTと同様に、ゲート電極と化合物半導体積層構造との界面に電極材料であるAuが到達することを抑止し、ゲート特性の劣化を防止した信頼性の高い高耐圧のInAlGaN/GaNHEMTが実現する。以下、化合物半導体装置及びその製造方法、並びに電源装置及び高周波増幅器の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に形成され、貫通口を有する絶縁膜と、前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に形成された電極とを含み、前記電極は、相異なる結晶配列の結晶粒界が形成されており、前記結晶粒界の端部が前記貫通口から離間した前記絶縁膜の平坦面上に位置することを特徴とする化合物半導体装置。付記2前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が曲面状とされていることを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。付記3前記絶縁膜は、前記貫通口の端部の曲面の曲率半径が当該絶縁膜の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされていることを特徴とする付記2に記載の化合物半導体装置。付記4前記絶縁膜上で前記貫通口を囲むように、前記絶縁膜よりもウェットエッチングレートの速い材料からなる保護膜が形成されていることを特徴とする付記1~3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記5前記結晶粒界は、面心立方111に配向した部分と、前記絶縁膜の平坦面上に位置してランダムに配列した部分との界面であることを特徴とする付記1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記6前記絶縁膜は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物及びアルミニウム酸化物から選ばれた1種の単層膜、或いはいずれか2層以上の積層膜であることを特徴とする付記1~5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記7前記電極は、ゲート電極であることを特徴とする付記1~6のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記8前記電極は、アノード電極であることを特徴とする付記1~6のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記9化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定部位に、所定のマスクを用いたドライエッチングにより貫通口を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記絶縁膜をウェットエッチングする工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記10前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が前記ウェットエッチングにより曲面状とされることを特徴とする付記9に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記11化合物半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜よりもウェットエッチングレートの速い材料からなる保護膜を形成する工程と、ウェットエッチングにより、前記絶縁膜の所定部位に貫通口を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記12前記絶縁膜は、前記貫通口の端部が前記ウェットエッチングにより曲面状とされることを特徴とする付記11に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記13前記絶縁膜は、その曲率半径が当該絶縁膜の厚みの1/4倍以上で当該厚み以下とされることを特徴とする付記10又は12に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記14前記絶縁膜は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物及びアルミニウム酸化物から選ばれた1種の単層膜、或いはいずれか2層以上の積層膜であることを特徴とする付記9~13のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記15前記絶縁膜の前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする付記9~14のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記16変圧器と、前記変圧器を挟んで高圧回路及び低圧回路とを備えた電源回路であって、前記高圧回路はトランジスタ及びダイオードを有しており、前記トランジスタ又は前記ダイオードの少なくとも一方は、化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に形成され、貫通口を有する絶縁膜と、前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に形成された電極とを含み、前記電極は、相異なる結晶配列の結晶粒界が形成されており、前記結晶粒界の端部が前記貫通口から離間した前記絶縁膜の平坦面上に位置することを特徴とする電源回路。付記17入力した高周波電圧を増幅して出力する高周波増幅器であって、トランジスタを有しており、前記トランジスタは、化合物半導体層と、前記化合物半導体層上に形成され、貫通口を有する絶縁膜と、前記貫通口を埋め込むように前記絶縁膜上に形成された電極とを含み、前記電極は、相異なる結晶配列の結晶粒界が形成されており、前記結晶粒界の端部が前記貫通口から離間した前記絶縁膜の平坦面上に位置することを特徴とする高周波増幅器。"