"電子銃から放出された電子ビームを検査されるべき試料に照射する一次電子光学系と、ウェハから放出された二次ビームを検出器に入射する二次光学系と、二次ビームを検出する検出器と、検出器を制御するための制御装置とを備えた、電子線検査装置において、前記電子線検査装置は、一次コラム、二次コラムおよびチャンバーを有しており、前記一次コラムの内部には、前記電子銃が設けられており、該電子銃から照射された前記電子ビームの光軸上に前記一次電子光学系が配置されており、前記チャンバーの内部には、ステージが設置され、該ステージ上には前記試料が載置されており、前記二次コラムの内部には、前記試料から発生する二次ビームの光軸上に、カソードレンズ、ニューメニカルアパーチャ、ウィーンフィルタ、第2レンズ、フィールドアパーチャ、第3レンズ、第4レンズおよび検出器が配置されており、開口部が前記電子ビームの集束位置およびカソードレンズの焦点位置になるように配置されて、前記カソードレンズと前記ニューメニカルアパーチャとは、テレセントリックな電子光学系を構成していることを特徴とする電子線検査装置。請求項1に記載の電子線検査装置において、前記ニューメニカルアパーチャは、円形の穴が開いた金属製の薄板からなる開口絞りを構成していることを特徴とする電子線検査装置。請求項1又は2に記載の電子線検査装置を使用して、半導体ウェハの表面の欠陥を検査するウェハ欠陥検査装置。本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、ウェーハなどの試料の欠陥を検出する検査速度を向上させることを目的とする。本発明は、走査型電子ビーム方式SEM方式の欠点である検査速度を向上する方法として、電子ビームを用いた写像投影方式と呼ばれる方式を利用した欠陥検査装置に係るものである。以下にその写像投影方式について説明をする。写像投影方式においては、試料の観察領域が一次電子線で一括して照射走査は行わず一定の面積を照射され、照射された領域から発生した二次電子をレンズ系により、一括して検出器マイクロチャンネルプレート蛍光板上に電子線の画像として結像させるようになっている。そして、かかる結像画像が、二次元CCD固体撮像素子又はTDI-CCDラインイメージセンサーにより、電気信号に変換され、画像情報として、CRT上に出力され又は記憶装置に記憶される。この画像情報から試料ウェーハ工程途中の半導体Siウェーハの欠陥が検出される。CCDの場合、ステージの移動方向は短軸方向であり長軸方向でもかまわない、移動はステップアンドリピート方式である。TDI-CCDの場合のステージ移動は、積算方向に連続移動をする。TDI-CCDでは画像を連続的に取得できるので、欠陥検査を連続で行う場合はTDI-CCDを使用する。分解能は結像光学系二次光学系の倍率及び精度等できまり、ある実験例では0.05μmの分解能が得られている。この実験例において、分解能を0.1μmとし、一方、電子線照射条件に関して、ウェーハ上の検査領域を200μm×50μmとし、一次電子線の量電流値を1.6μAとしたとき、検査時間は20cmのウェーハ1枚当たり1時間程度であった。すなわち、写像投影方式では、SEM方式に比較して8倍の検査速度が得られている。なお、この実験例で使われたTDI-CCDの仕様は2048画素ピクセル×512段でラインレートが3.3μsライン周波数300kHzであった。この例の照射面積はTDI-CCDの仕様に合わせているが、照射対象物によって、照射面積を変更することもある。さらに、写像投影方式を用いた電子線検査装置の概要を説明する。この電子線検査装置は、電子銃から放出された電子線を所望の形状例えば、矩形若しくは楕円形等に成形し、成形された電子ビームを検査されるべき試料例えばウェハ若しくはマスク等、以下ではしばしばウェハとして説明するの表面上に一括照射する一次電子光学系と、ウェハから放出された二次電子を検出器に照射する二次電子光学系と、二次電子を受けて光学的像に変換し、ウェハの像を結像させる検出器と、検出器を制御するための制御装置とを備えている。一次電子光学系は、電子ビームを放出する電子銃と、電子ビームを所定の断面形状のビームに成形する一次系静電レンズとを備えている。一次電子光学系は、ウェハの表面に垂直な方向に対し一定の角度を有していて、電子銃を最上部にして順に配置されている。一次電子光学系と二次電子光学系との間には、電界と磁界とが直交する場により電子ビームを偏向すると共にウェハからの二次電子を分離するためのE×B偏向器ウィーンフィルター又はE×B分離器とも言うが、ウェハSの表面に垂直な方向に沿って配置されている。二次電子光学系は、E×B分離器で分離されたウェハからの二次電子の光軸に沿って、ウェハの表面に対して垂直な方向に配置されており、二次電子を偏向して集束する二次系静電レンズを備えている。電子銃は、電子放出材カソードを加熱することにより電子を放出する熱電子線源タイプが用いられている。カソードとしての電子放出材エミッタは、ランタンヘキサボライドLaB6が用いられている。高融点高温での蒸気圧が低いで仕事関数の小さい材料であれば、他の材料を使用することが可能である。ランタンヘキサボライドLaB6のカソードは、その先端を円錐形状にしたものが使用されているが、円錐の先端を切り落とした円錐台形状のものを使用してもよい。円錐台先端の直径は100μm程度である。他の方式としては電界放出型の電子線源あるいは熱電界放出型の電子線源が使用されているが、本発明の場合のように比較的広い領域例えば100×25~400×100μm2を大きな電流1μA程度で照射する場合はLaB6を用いた熱電子源が最適である。なお、SEM方式では一般に熱電界放出型電子線源が使用されている。もちろん、本実施例において、熱電子線源の代わりに、電界放出型の電子線源あるいは熱電界放出型の電子線源を使用してもよい。熱電界放出電子線源とは、電子放出材に高電界をかけることにより電子を放出させ、更に電子線放出部を加熱することにより、電子放出を安定させた方式のことである。一次電子光学系は、電子銃より照射される一次電子ビームを形成すると共に、かかる一次電子ビームを所望の形、例えば、矩形、又は円形楕円に形成し、このような矩形、又は円形楕円の一次電子ビームをウェーハ面上に照射する部分を構成している。一次電子光学系に設けられたレンズの条件を制御する事により一次電子ビームのビームサイズや一次電子ビームの電流密度を制御できる。また、一次電子光学系と二次電子光学系との連結部に設けられたE×Bフィルターウィーンフィルターにより、一次電子ビームはその方向が変えられウェーハに垂直に入射させることができる。電子銃には、更に、ウェーネルト、トリプルアノードレンズ、及びガン絞りなどが設けられている。LaB6で構成されたカソードから放出した熱電子は、ウェーネルト、トリプルアノードレンズでガン絞り上にクロスオーバー像として結像させられる。一次電子光学系には、更に、一次電子ビームのレンズへの入射角を適正化する照明視野絞りと、NA絞りとが設けられている。照明視野絞りでレンズへの入射角を適正化した一次電子ビームを一次系静電レンズを制御することによって、回転非対称の形でNA絞り上に結像させ、その後ウエハ面上に面照射する。一次系静電レンズの後段は、3段4極子QLと、1段の開口収差補正用電極で構成されている。4極子レンズはアライメント精度が厳しいといった制約はあるが、回転対称レンズに比べ強い収束作用を持つ特徴があり、回転対称レンズの球面収差に相当する開口収差を開口収差補正電極に適切な電圧を印加するとで補正を行うことができる。これにより、所定の領域に均一な面ビームを照射出来る。二次電子光学系は、対物レンズに相当する静電レンズCL、中間レンズTLと、視野絞りFA位置と、視野絞り位置に対して検出器側に設けられた後段のレンズPLとを備えている。このようにして、ウエハ上に照射された電子ビームにより発生する二次元の二次電子画像は、対物レンズに相当する静電レンズCL、中間レンズTLにより視野絞り位置で結像させられ、後段のレンズPLで拡大投影させられる。この結像投影光学系が、二次電子光学系と呼ばれている。ウエハにはマイナスのバイアス電圧減速電界電圧が印加されていることが好ましい。減速電界は照射ビームに対して減速の効果を持ち、試料のダメージを低減させるとともに、静電レンズCLとウエハ間の電位差で試料面上から発生した二次電子を加速させ、色収差を低減させる効果を持つ。静電レンズCLによって収束した電子は中間レンズTLで視野絞りFA上に結像させ、その像を後段のレンズPLで拡大投影し、マイクロチャンネルプレートMCP上に結像させる。本光学系では静電レンズCL-中間レンズTL間にニューメリカルアパーチャNANeumericalApertureを配置し、これを最適化することで軸外収差低減が可能な光学系を構成している。また、電子光学系の製造上の誤差や、E×Bフィルターウィーンフィルターを通過することによって発生する像の非点収差や異方性倍率を補正するため、静電8極子のスティグメータSTIGを配置し補正を行い、軸ズレに対しては各レンズ間に配置した偏向器OPで補正を行う。これにより視野内における均一な分解能での写像光学系が達成できる。E×B偏向器は、電極と磁極を直交方向に配置し、電界と磁界を直交させた電磁プリズム光学系のユニットである。電磁界を選択的に与えると、一方向からその場に入射する電子ビームは偏向させられ、その反対方向から入射する電子ビームは、電界から受けるカと磁界から受ける力の影響が相殺される条件ウィーン条件を作ることが可能で、これにより一次電子ビームは偏向され、ウエハ上に垂直に照射し、二次電子ビームは検出器に向け直進することができる。二次光学系で結像されるウエハからの二次電子画像は、まずマイクロチャンネルプレートMCPで増幅されたのち、蛍光スクリーンにあたり光の像に変換される。MCPの原理としては直径6~25μm、長さ0.24~1.0mmという非常に細い導電性のガラスキャピラリを数百万本束ね、薄い板状に整形したもので、所定の電圧印加を行うことで、一本一本のキャピラリが、独立した二次電子増幅器として働き、全体として二次電子増幅器を形成する。この検出器により光に変換された画像は、真空透過窓を介して大気中に置かれた又は真空フィードスルーを兼ねたリレー光学系で、TDI-CCD上に1対1で投影される。次ぎに、写像投影方式の主な機能の関係とその全体像をより明瞭にするために、本願発明の一実施例に係る写像投影方式の電子線検査装置を具体的に説明する。図1に本実施の形態による写像投影方式の電子線検査装置の全体構成図を示す。但し、一部構成を省略して図示してある。図1において、電子線検査装置は一次コラム1、二次コラム2およびチャンバー3を有している。一次コラム1の内部には、電子銃4が設けられており、電子銃4から照射される電子ビーム一次ビームの光軸上に一次光学系5が配置される。また、チャンバー3の内部には、ステージ6が設置され、ステージ6上には試料Wが載置される。一方、二次コラム2の内部には、試料Wから発生する二次ビームの光軸上に、カソードレンズ8、ニューメニカルアパーチャ9、ウィーンフィルタ10、第2レンズ11、フィールドアパーチャ12、第3レンズ13、第4レンズ14および検出器15が配置される。なお、ニューメニカルアパーチャ9は、開口絞りに相当するもので、円形の穴が開いた金属製Mo等の薄板である。そして、開口部が一次ビームの集束位置およびカソードレンズ8の焦点位置になるように配置されている。したがって、カソードレンズ8とニューメニカルアパーチャ29とは、テレセントリックな電子光学系を構成している。一方、検出器15の出力は、コントロールユニット16に入力され、コントロールユニット16の出力は、CPU17に入力される。CPU17の制御信号は、一次コラム制御ユニット18、二次コラム制御ユニット19およびステージ駆動機構7に入力される。一次コラム制御ユニット18は、一次光学系5のレンズ電圧制御を行い、二次コラム制御ユニット19は、カソードレンズ8、第2レンズ11ないし第4レンズ14のレンズ電圧制御およびウィーンフィルタ10に印加する電磁界制御を行う。また、ステージ駆動機構7は、ステージの位置情報をCPU17に伝達する。さらに、一次コラム18、二次コラム19、チャンバー3は、真空排気系不図示と繋がっており、真空排気系のターボポンプ等により排気されて、内部は真空状態を維持している。電子銃4からの一次ビームは、一次光学系5によってレンズ作用を受けながら、ウィーンフィルタ10に入射する。ここでは、電子銃のチップとしては、矩形陰極で大電流を取り出すことができるLaB6を用いる。また、一次光学系5は、非回転対称の四重極または八重極の静電または電磁レンズを使用する。これは、X軸、Y軸各々で集束と発散とを引き起こすことができる。このレンズを2段、3段で構成し、各レンズ条件を最適化することによって、照射電子を損失することなく、試料面上のビーム照射領域を、任意の矩形状、または楕円形状に整形することができる。具体的には、静電レンズを用いた場合、4つの円柱ロッド四重極を使用する。対向する電極同士を等電位にし、互いに逆の電圧特性を与える。なお、四重極レンズとして円柱形ではなく、静電偏向器で、通常使用される円形板を4分割した形状のレンズを用いてもよい。この場合レンズの小型化を図ることができる。一次光学系5を通過した一次ビームは、ウィーンフィルタ10の偏向作用により軌道が曲げられる。ウィーンフィルタ10は、磁界と電界を直交させ、電界をE、磁界をB、荷電粒子の速度をvとした場合、E=vBのウィーン条件を満たす荷電粒子のみを直進させ、それ以外の荷電粒子の軌道を曲げる。一次ビームに対しては、磁界によるカFBと電界による力FEとが発生し、ビーム軌道は曲げられる。一方、二次ビームに対しては、カFBと力FEとが逆方向に働くため、互いに相殺されるので二次ビームはそのまま直進する。一次光学系5のレンズ電圧は、光源像がニューメニカルアパーチャ9の開口部で結像するように、予め設定されている。すなわち、光学顕微鏡でいうケーラー照明が実現される。このニューメニカルアパーチャ9は、装置内に散乱する余計な電子ビームが試料面に到達することを阻止し、試料Wのチャージアップや汚染を防いでいる。一次ビームが試料に照射されると、試料のビーム照射面からは、二次ビームとして、二次電子、反射電子または後方散乱電子が発生する。二次ビームは、カソードレンズ8によるレンズ作用を受けながら、レンズを透過する。ところで、カソードレンズ8は、3枚の電極で構成されている。一番下の電極は、試料Wに対して、正の電界を形成し、2次電子を引き込み、効率よくレンズ内に導くように設計されている。また、レンズ作用は、カソードレンズ8の1番目、2番目の電極に電圧を印加し、3番目の電極をゼロ電位にすることで行われる。一方、ニューメニカルアパーチャ9は、カソードレンズ8の焦点位置、すなわち試料Wからのバックフォーカス位置に配置されている。したがって、視野中心外軸外から出た電子ビームの光束も、平行ビームとなって、このニューメニカルアパーチャ9の中心位置を、けられが生じることなく通過する。なお、ニューメニカルアパーチャ9は、二次ビームに対しては、第2レンズ11ないし第4レンズ14のレンズ収差を抑える役割を果たしている。ニューメニカルアパーチャ9を通過した二次ビームは、ウィーンフィルタ10の偏向作用を受けずに、そのまま直進して通過する。二次ビームを、カソードレンズ8のみで結像させると、倍率の色収差及び歪曲収差が発生しやすい。そこで、第2レンズ11と合わせて、1回の結像を行わせる。二次ビームは、カソードレンズ8および第2レンズ11により、フィールドアパーチャ12上で中間結像を得る。この場合、通常、二次光学系として必要な拡大倍率が、不足することが多いため、中間像を拡大するためのレンズとして、第3レンズ13、第4レンズ14を加えた構成にする。二次ビームは、第3レンズ13、第4レンズ14各々により拡大結像し、ここでは、合計3回結像する。なお、第3レンズ13と第4レンズ14とを合わせて1回合計2回結像させてもよい。また、第2レンズ11ないし第4レンズ14はすべて、ユニポテンシャルレンズまたはアインツェルレンズとよばれる回転軸対称型のレンズである。各レンズは、3枚電極の構成で、通常は外側の2電極をゼロ電位とし、中央の電極に印加する電圧で、レンズ作用を行わせて制御する。また、中間の結像点には、フィールドアパーチャ12が配置されている。フィールドアパーチャ12は光学顕微鏡の視野絞りと同様に、視野を必要範囲に制限しているが、電子ビームの場合、余計なビームを、後段の第3レンズ13および第4レンズ14と共に遮断して、検出器15のノイズ発生や汚染を防いでいる。なお、拡大倍率は、この第3レンズ13および第4レンズ14のレンズ条件焦点距離を変えることで設定される。二次ビームは、二次光学系により拡大投影され、検出器15の検出面に結像する。検出器15は、電子を増幅するマイクロチャンネルプレートMCPと、電子を光に変換する蛍光板と、真空系と外部との中継および光学像を伝達させるためのレンズやその他の光学系と、撮像素子CCD等とから構成される。二次ビームは、MCP検出面で結像し、増幅され、蛍光板によって電子は光信号に変換され、撮像素子によって光電信号に変換される。コントロールユニット16は、検出器15から試料の画像信号を読み出し、CPU17に伝達する。CPU17は、画像信号からテンプレートマッチング等によってパターンの欠陥検査を実施する。また、ステージ6は、ステージ駆動機構7により、XY方向に移動可能となっている。CPU17は、ステージ6の位置を読み取り、ステージ駆動機構7に駆動制御信号を出力し、ステージ6を駆動させ、順次画像の検出、検査を行う。さらに、二次ビームに対しては、試料Wからの全ての主光線が、カソードレンズ8に垂直レンズ光軸に平行に入射し、ニューメニカルアパーチャ9を通過するので、周辺光もけられることがなく、試料周辺部の画像輝度が低下することがない。また、電子が有するエネルギーのばらつきによって、結像する位置が異なる、いわゆる倍率色収差が起こる特に、二次電子は、エネルギーのばらつきが大きいため、倍率色収差が大きいが、カソードレンズ8の焦点位置に、ニューメニカルアパーチャ9を配置することで、この倍率色収差を抑えることができる。また、拡大倍率の変更は、ニューメニカルアパーチャ9の通過後に行われるので、第3レンズ13、第4レンズ14のレンズ条件の設定倍率を変えても、検出側での視野全面に均一な像が得られる。なお、本実施例では、むらのない均一な像を取得することができるが、通常、拡大倍率を高倍にすると、像の明るさが低下するという問題点が生じた。そこで、これを改善するために、二次光学系のレンズ条件を変えて拡大倍率を変更する際、それに伴って決まる試料面上の有効視野と、試料面上に照射される電子ビームとを、同一の大きさになるように一次光学系のレンズ条件を設定する。すなわち、倍率を上げていけば、それに伴って視野が狭くなるが、それと同時に電子ビームの照射エネルギー密度を上げていくことで、二次光学系で拡大投影されても、検出電子の信号密度は、常に一定に保たれ、像の明るさは低下しない。また、本実施例の電子線検査装置では、一次ビームの軌道を曲げて、二次ビームを直進させるウィーンフィルタ10を用いたが、それに限定されず、一次ビームの軌道を直進させ、二次ビームの軌道を曲げるウィーンフィルタを用いた構成の検査装置でもよい。また、本実施例では、矩形陰極と四極子レンズとから矩形ビームを形成したが、それに限定されず、例えば円形ビームから矩形ビームや楕円形ビームを作り出してもよいし、円形ビームをスリットに通して矩形ビームを取り出してもよい。ウィーンフィルタすなわちE×B偏向器としての電子ビーム偏向部10の詳細な構造について、図2、及び図2のA-A線に沿う縦断面を示した図3を用いて説明する。図2に示すように、電子ビーム偏向部の場は、写像投影光学部試料に電子ビームが照射されて、試料表面に応じて発生した二次電子及び反射電子の一次元像又は二次元像を電子ビーム検出器上に結像させる部分の光軸に垂直な平面内において、電界と磁界とを直交させた構造、即ちE×B構造とする。ここで、電界は凹面状の曲面を持つ電極10-1及び10-2により発生させる。電極10-1及び10-2が発生する電界は、それぞれ制御部10a及び10dにより制御される。一方、電界発生用の電極10-1及び10-2と直交するように、電磁コイル10-1a及び10-2aを配置させることにより、磁界を発生させている。尚、電界発生用の電極10-1、10-2は点対象である。同心円でも構わない。この場合は磁界の均一性を向上させるために、平行平板形状を有するポールピースを持たせて、磁路を形成している。A-A線に沿う縦断面における電子ビームの挙動は、図3に示されるようになる。照射された電子ビーム1aは、電極10-1及び10-2が発生する電界と、電磁コイル10-1a及び10-2aが発生する磁界とによって偏向された後、試料面上に対して垂直方向に入射する。ここで、照射電子ビーム1aの電子ビーム偏向部10への入射位置及び角度は、電子のエネルギーが決定されると一義的に決定される。さらに、二次電子2aが直進するように、電界及び磁界の条件、即ちvB=Eとなるように電極10-1及び10-2が発生する電界と、電磁コイル10-1a及び10-2aが発生する磁界とを、それぞれの制御部10a及び10d、10c及び10bが制御することで、二次電子は電子ビーム偏向部10を直進して、写像投影光学部に入射する。ここで、Vは電子2aの速度m/s、Bは磁場T、Eは電界V/mである。次ぎに、写像投影方式を利用した欠陥検査装置の別の実施例を説明する。写像投影方式を利用した欠陥検査装置においては、1電子線を一括照射するために、試料表面上でチャージアップしやすいこと、2本方式で得られる電子線電流に限界が有り1.6μA程度検査速度向上の妨げとなっているという問題点があった。本実施例では、一次電子線を複数とし、前記複数の一次電子線を二次元X-Y方向に走査しながらすなわち、ラスタースキャンしながら試料表面の観察領域を照射し、二次電子光学系に写像投影方式を採用することによって解決することができる。この実施例では、前述の写像投影方式の利点を持つとともに、この写像方式の課題である1電子線を一括照射するために、試料表面上でチャージアップしやすいこと、2本方式で得られる電子線電流に限界が有り1.6μA程度検査速度向上の妨げとなっていること、については、複数の一次電子線を走査することにより解決できる。即ち、電子線照射点が移動するので電荷が逃げやすく、チャージアップが減少する。また、複数の電子線の本数を増やすことにより、容易に電流値を増加できる。この実施例において、例えば、4本の一次電子線を使う場合、一本の電子線電流が500nA電子線の径10μmで合計2μAが得られた。16本程度には容易に一次電子線の数を増やすことが可能であり、この場合で8μAを得ることが原理的に可能である。複数の一次電子線を走査する場合、当該複数の一次電子線による照射量が、照射領域に均一になるように照射することにより、前記のようにラスタスキャンに限らず、リサージュ図形などの他の形状の走査を行うことができる。従って、ステージの走査方向は複数の電子線の走査方向に垂直である必要は無い。この実施例に用いられる電子線源として、熱電子線源電子放出材を加熱することにより電子を放出する方式を使用することができる。この場合も、電子放出エミッタ材はLaB6とすることが好ましい。高融点高温での蒸気圧が低いで仕事関数の小さい材料であれば、他の材料を使用することも可能である。複数の電子線を得るために、2通りの方法を用いることができる。一つは、一本のエミッタ突起が一つから一本の電子線引き出し、複数の穴のあいた薄板開ロ板を通すことにより、複数の一次電子線を得る方法である。もう一つの方法は、一本のエミッタに複数の突起を形成してそこから直に複数の一次電子線を引き出す方法である。いずれの場合も電子線は突起の先端から放出されやすい性質を利用している。他の方式の電子線源、例えば熱電界放出型の電子線も使用可能である。熱電界放出電子線源とは、電子放出材に高電界をかけることにより電子を放出させ、更に電子線放出部を加熱することにより、電子放出を安定させた方式のことである。次に、複数の一次電子線を二次元X-Y方向に走査しながらすなわち、ラスタースキャンしながら試料表面の観察領域を照射し、二次電子光学系に写像投影方式を採用した上記実施例を図4及び図5を参照しながらより詳細に説明する。下記実施例では、複数の一次電子線を得る方法として、一本のエミッタに複数の突起を形成してそこから直に複数の一次電子線を引き出す方法を採用している。図4に示されるように、電子銃20から放出された4本の電子線2121-1、21-2、21-3、21-4は開口50-1で整形され、2段のレンズ22-1、22-2でウィーンフィルタ23の偏向中心面に10μm×12μmの楕円状に結像され、図の紙面垂直方向に偏向器26によりラスタースキャンされ、4本の電子線全体として1mm×0.25mmの矩形領域を均一にカバーするように結像される。ウィーンフィルタとしてのE×B23で偏向された複数の電子線はニューメリカルアパーチャーNAでクロスオーバーを結び、レンズ24で1/5に縮小され試料Wに200μ×50μmをカバーし、かつ試料面に垂直になるように照射、投影される。試料から放出されたパターン画像試料像Fの情報を持った4本の2次電子線25は、レンズ24、27-1、27-2で拡大され、MCP28-1上に全体として4本の電子線25で合成された矩形画像の検査工程における検査手順について述べる。一般に電子線を用いた欠陥検査装置は高価であり、またスループットも他のプロセス装置に比べて低いために、現状では最も検査が必要と考えられている重要な工程例えばエッチング、成膜メッキを含む、又はCMP化学機械研磨平坦化処理等の後に使用されている。検査されるウェーハは大気搬送系及び真空搬送系を通して、超精密X-Yステージ上に位置合わせ後、静電チャック機構等により固定され、以後、図33の検査フローの手順に従って欠陥検査等が行われる。はじめに光学顕微鏡により、必要に応じて各ダイの位置確認や、各場所の高さ検出が行われ記憶されるステップ7001。光学顕微鏡はこの他に欠陥等の見たい所の光学顕微鏡像を取得し、電子線像との比較等にも使用される。次にウェーハの種類どの工程後か、ウェーハのサイズは20cmか30cmか等に応じたレシピの情報を装置に入力しステップ7002、以下検査場所の指定ステップ7003、電子光学系の設定、検査条件の設定等ステップ7004を行なった後、画像取得を行ないながら通常はリアルタイムで欠陥検査を行なうステップ7005。セル同士の比較、ダイ比較等が、アルゴリズムを備えた高速の情報処理システムにより検査が行なわれ、必要に応じてCRT等に結果を出力や、メモリーへ記憶を行なうステップ7006。欠陥にはパーティクル欠陥、形状異常パターン欠陥、及び電気的欠陥等配線又はビア等の断線及び導通不良等が有り、これらを区別したり欠陥の大きさや、キラー欠陥チップの使用が不可能になる重大な欠陥等の分類を自動的にリアルタイムで行うことも出来る。電気的欠陥の検出はコントラスト異状を検出することで達成される。例えば導通不良の場所は電子線照射500eV程度により、通常正に帯電し、コントラストが低下するので正常な場所と区別ができる。この場合の電子線照射手段とは、通常検査用の電子線照射手段以外に別途、電位差によるコントラストを際立たせるために設けた低電位エネルギーの電子線発生手段熱電子発生、UV/光電子を含む。検査対象領域に検査用の電子線を照射する前に、この低電位エネルギーの電子線を発生照射している。検査用の電子線を照射すること自体正に帯電させることができる写像投影方式の場合は、仕様によっては、別途低電位の電子線発生手段を設ける必要はない。また、ウェーハ等の試料に基準電位に対して、正又は負の電位をかけること等による素子の順方向又は逆方向により流れ易さが異なるために生じるコントラストの違いから欠陥検出が出来る。これは、線幅測定装置及び合わせ精度測定にも利用できる。検査試料の電気的欠陥を検査する方法としては、本来電気的に絶縁されている部分とその部分が通電状態にある場合では、その部分の電位が異なることを利用することもできる。それは、まず、試料に事前に電荷を付与することで、本来電気的に絶縁されている部分の電位と、本来電気的に絶縁されている部分であるが、何らかの原因で通電状態にある部分の電位とに電位差を生じさせ、その後本発明のビームを照射することで、電位差があるデータを取得し、この取得データを解析して、通電状態となっていることを検出する。上記各実施例において、電子ビームが発生すると、近接相互作用表面近くでの粒子の帯電により標的物質が浮遊して高電位領域に引きつけられるので、電子ビームの形成や偏向に使用される様々な電極の表面には絶縁体としての有機物質が堆積する。このように、電極の表面の帯電により徐々に当該電極の表面に堆積していく絶縁体は電子ビームの形成や偏向機構に悪影響を及ぼすので、堆積した絶縁体は周期的に除去しなければならない。絶縁体の周期的な除去は次のようにして行う。すなわち、絶縁体の堆積する領域の近傍の電極を利用して、真空中で水素や酸素あるいはフッ素及びそれらを含む化合物HF,O2,H2O,CMFN等のプラズマを作り出し、空間内のプラズマ電位を電極面にスパッタが生じる電位に維持することで、有機物質のみ酸化、水素化、フッ素化により除去する。なお、本願は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、上記実施例の要素を任意に組み合わせても良い。本願の検査とは、単に欠陥等の不良状態の有無を検出するだけでなく、検査結果の評価も行う場合も含む。本願発明は、以下のように構成されている。1.電子銃から放出された一次電子線を所望の形状に成形し、該成形された一次電子線を検査されるべき試料面上に照射する一次電子光学系と、前記試料から放出された二次電子を拡大投影する二次電子光学系と、前記拡大投影された二次電子像を蛍光板を介して光の像に変換し、ラインセンサで撮像する検出装置と、前記ラインセンサに設けられた画素列において撮像されたライン画像を転送するときの電荷移動時間を、試料を移動させるステージの移動速度に連動して制御する制御装置とを備えた写像投影型の電子線検査装置。2.請求項1に記載の電子線検査装置において、前記制御装置は、前記ラインセンサの電荷移動時間を前記一次及び二次の電子光学系の倍率の変動に連動して制御する電子線検査装置。3.請求項1に記載の電子線検査装置において、前記検出装置は、前記蛍光板の前段に配置された、前記二次電子光学系の二次電子を増倍するマイクロチャンネルプレートを備えている電子線検査装置。4.請求項1に記載の電子線検査装置において、前記ステージの位置を測定するレーザ干渉計を更に備えている電子線検査装置。5.請求項1ないし4のいずれかに記載の電子線検査装置を使用してプロセス途中のウェハの評価を行うことを特徴とする、デバイス製造方法。6.電子銃から放出された一次電子線をを検査すべき試料面上に照射する一次電子光学系と、前記試料から放出された二次電子を拡大投影する二次電子光学系と、前記拡大投影された二次電子像に基づいて画像信号を生成する第1の検出器と、前記一次電子線を前記試料面上で走査する偏向器と、前記走査された一次電子線の前記試料面上への照射により、前記試料から放出された二次電子に基づいて画像信号を生成する第2の検出器とを備えた多目的電子線検査装置。7.請求項6に記載の多目的電子線検査装置において、前記第1の検出器から出力される前記画像信号に基づいて、試料表面の欠陥検出、試料表面の欠陥レビュー、及び試料表面上のパターン電位測定のうちの少なくとも一つを行うことができる多目的電子線検査装置。8.請求項6に記載の多目的電子線検査装置において、前記第2の検出器から出力される前記画像信号に基づいて、試料表面の欠陥検出、試料表面の欠陥レビュー、試料表面上のパターン線幅測定、及び試料表面上のパターン電位測定うちの少なくとも一つを行うことができる多目的電子線検査装置。9.請求項6に記載の多目的電子線検査装置において、試料表面の欠陥検出、試料表面の欠陥レビュー、試料表面上のパターン線幅測定、及び試料表面上のパターン電位測定のうち少なくとも2つを行うことができる多目的電子線検査装置。10.請求項9に記載の多目的電子線検査装置において、前記試料表面の欠陥検出は、画像信号により得られる画像をパターンデータと比較するか又はダイ同士の画像を比較することにより行われ、試料表面の欠陥レビューは、ウエハ表面上における1次電子線の走査と同期させたモニター上のビームの走査により得られる画像観察により行われ、試料表面上のパターン線幅測定は、ウエハ表面上における1次電子線の走査がパターンの短辺方向に行われるときの2次電子像により行われ、パターン電位測定は、試料表面に最も近い電極に負の電位を与え試料表面の高い電位を持つパターンから放出される2次電子を選択的に試料側へ追い戻すことにより行われる多目的電子線検査装置。11.1次電子線を試料に照射し試料表面から発生する2次電子を検出することにより試料ステージ上の試料表面の状態を検査する多目的電子線検査装置であって、1次電子線を矩形、円形、及びスポットの内の少なくとも2種類に成形可能なレンズ系と、電子線を任意の方向に走査するための偏向系を有する1次電子光学系と、試料から放出される2次電子を試料表面から検出器へ向わせる検出系と、欠陥を自動的に検出すると共に欠陥の位置情報を出力し、更に上記欠陥の形状を観察可能にする制御部とを有する多目的電子線検査装置。12.請求項1乃至3のいずれか1項の多目的電子線検査装置を1以上の列に複数台ずつ配置し、それらの試料ステージを共通とし共通の試料ステージ上の試料を検査可能とした多目的電子線検査装置の組合せ。13.請求項6乃至12のいずれか1項の多目的電子線検査装置又はその組合せを用いてプロセス途中の半導体ウエハを検査することを特徴とするデバイス製造方法。14.一次電子線により試料を照射する電子照射部と、該一次電子線の照射により前記試料から生成された二次電子線を拡大投影して前記試料の画像を生成する二次光学系と、該画像を受け取るマイクロチャンネルプレートと、該マイクロチャンネルプレートの出力をシンチレータで光に変換した後、該光信号を電気信号へ変換するTDI-CCDと、該TDI-CCDの出力を処理する画像表示部と、前記試料を移動させるステージとを備え、前記ステージによって前記試料を走査しており、前記試料と前記マイクロチャンネルプレートとの間に配置された、前記画像を回転させる磁気レンズを備えた電子線検査装置。15.請求項14に記載の電子線検査装置において、前記磁気レンズが、前記光学系の終段のレンズと前記マイクロチャンネルプレートとの間に位置する電子線検査装置。16.請求項15に記載の電子線検査装置において、前記磁気レンズが、前記マイクロチャンネルプレートに最も近いクロスオーバー位置に配置される電子線検査装置。17.請求項14に記載の電子線検査装置において、前記磁気レンズが、前記終段のレンズに関して前記マイクロチャンネルプレートとは反対側の前記終段のレンズに最も近い結像位置に配置される電子線検査装置。18.請求項14ないし17のいずれか1項に記載の電子線検査装置を用いたことを特徴とするデバイス製造方法。19.電子銃からの1次電子線を試料表面に合焦させ走査させることによって試料から発生する2次電子を検出し試料表面の評価を行う電子線検査装置であって、軸対称の中央電極と、中央電極より試料に近い方に配置される下側電極と、中央電極より電子銃に近い方に配置される上側電極とを有する、1次電子線を試料表面に合焦させるための静電レンズと、試料表面上のパターンの電位コントラストを得る時に、下側電極に試料表面より低い電位の電圧を与える制御装置とを備える電子線検査装置。20.請求項19に記載の電子線検査装置において、電位コントラストを得る必要のない評価の時は、前記制御装置は、上記下側電極にアースに近い電圧を与える電子線検査装置。21.請求項20に記載の電子線検査装置において、下側電極に与える電圧を大きく変化させた時に生じる静電レンズの合焦条件のずれを、前記制御装置が、中央電極に与える正の高圧を変えることにより調整することを特徴とする電子線検査装置。22.請求項20に記載の電子線検査装置において、前記制御装置が、上側電極に与える電圧を調整することによって、静電レンズの合焦条件を高速に且つ小さく変化させることができる電子線検査装置。23.請求項19に於いて上記電子銃、静電レンズ、走査手段、2次電子検出手段から成る光学系を複数同一試料上に配置し、試料上の検査を上記複数の光学系で同時に行うことを特徴とする電子線を用いた検査方法。24.請求項19乃至22のいずれか1項の電子線検査装置を用いてプロセス途中のウエハの評価を行うことを特徴とするデバイス製造方法。25.ステージ上に置かれた試料の表面に荷電ビームを照射する装置であって、荷電ビームが照射される箇所の近傍のみを所定の真空度に保つために、荷電ビームが照射される領域を中心として設けられた少なくとも一重の差動排気装置と、前記差動排気装置の外周側に、不活性ガスを試料面に対して噴出する不活性ガス噴出装置とを備えた荷電ビーム装置。26.請求項25に記載の荷電ビーム装置において、試料を所定の位置に移動させるステージが移動する範囲の全体もしくは試料の可動範囲を常に覆う、不活性ガスが充満した容器をさらに備えた荷電ビーム装置。27.請求項26に記載の荷電ビーム装置において、前記不活性ガスが充満した容器には、締切弁を介して真空容器が連接されており、試料は、前記真空容器を介して前記不活性ガスが充満した容器内に出入り可能となっている荷電ビーム装置。28.請求項27に記載の荷電ビーム装置を提供するステップと、試料を前記荷電ビーム装置の真空容器内に挿入した後、前記真空容器を所定の圧力まで真空排気するステップと、前記真空容器内に不活性ガスを導入した後、締切弁を開放して、不活性ガスが充満した容器内のステージに前記試料を設置するステップとを備えた試料の搬送方法。29.請求項25ないし27のいずれか1項に記載の荷電ビーム装置もしくは請求項28に記載の搬送方法を使用して、半導体ウェハの表面の欠陥を検査するウェハ欠陥検査装置。30.請求項29の装置を用いた半導体製造方法。31.試料を移動可能に保持するステージと、試料の観察領域を一次電子線で一括して照射する照射装置と、照射された試料の観察領域から発生した二次電子を、レンズ系を介して、電子線の画像として一括して結像させて検出する検出器と、前記結像画像を電気信号に変換する変換装置と、電気信号に変換された画像情報を記憶する記憶装置とを備えた写像投影型の電子線検査装置。32.請求項31に記載の電子線検査装置において、前記変換装置は、画素列を有するラインセンサを備えており、さらに、前記画素列において撮像されたライン画像を転送するときの電荷移動時間を、試料を移動させるステージの移動速度に連動して制御する制御装置を備えた電子線検査装置。33.請求項32に記載の電子線検査装置において、さらに、前記一次電子線を走査しながら試料を照射する偏向器と、前記一次電子線の走査しながらの照射により、試料から発生した二次電子を検出する第2の検出器とを備えている電子線検査装置。34.請求項32に記載の電子線検査装置において、さらに、前記試料と前記検出器との間に配置された、前記画像を回転させる磁気レンズを備えた電子線検査装置。35.請求項32に記載の電子線検査装置において、さらに、1次電子線を試料の観察領域に合焦させるための静電レンズを備え、前記静電レンズは、軸対称の中央電極と、中央電極より試料に近い方に配置される下側電極と、中央電極より電子銃に近い方に配置される上側電極とを有しており、前記電子線検査装置は、さらに、試料の観察領域上のパターンの電位コントラストを得るために、下側電極に試料表面より低い電位の電圧を与える電圧付与装置を備える電子線検査装置。36.請求項32に記載の電子線検査装置において、一次電子線が照射される試料の観察領域の近傍のみを所定の真空度に保つために、一次電子線が照射される観察領域を中心として設けられた少なくとも一重の差動排気装置と、前記差動排気装置の外周側に、不活性ガスを試料面に対して噴出する不活性ガス噴出装置とを備えた電子線検査装置。"