"第1の基板と、前記第1の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第1の構造体と、前記第1の構造体を封止するように形成された第1の封止樹脂と、前記第1の基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、を含むことを特徴とする半導体装置。前記第1の封止樹脂によって封止された前記第1の構造体を更に封止する第2の封止樹脂を有し、前記絶縁層は、前記第1の基板上及び前記第2の封止樹脂上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2の封止樹脂によって封止され、その一面側と他面側とが電気的に接続されている第2の基板を更に有し、前記第2の封止樹脂の一面側と他面側とは前記第2の基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記第2の封止樹脂を貫通する貫通電極を介して、前記第2の封止樹脂の一面側と他面側とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記第1の封止樹脂によって封止され、その一面側と他面側とが電気的に接続されている第2の基板を更に有し、前記第1の封止樹脂の一面側と他面側とは前記第2の基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の封止樹脂を貫通する貫通電極を介して、前記第1の封止樹脂の一面側と他面側とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。第1の基板と、前記第1の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第1の構造体を封止するように第1の封止樹脂を形成する第1封止工程と、前記第1の基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記絶縁層形成工程前に、前記第1の基板が支持体の粘着面に対向するように、前記第1の構造体を固定する固定工程と、前記第1の封止樹脂によって封止された前記第1の構造体を更に封止するように前記粘着面上に第2の封止樹脂を形成する第2封止工程と、前記支持体を剥離する工程と、を更に含み、前記絶縁層形成工程では、前記絶縁層を前記第1の基板上及び前記第2の封止樹脂上に形成することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記固定工程では、前記第1の構造体と共に、一面側と他面側とが基板内部を通して電気的に接続されている第2の基板を前記支持体に固定し、前記第2封止工程では、前記第1の封止樹脂によって封止された前記第1の構造体と、前記第2の基板を封止するように前記第2の封止樹脂を形成し、前記第2の基板を介して前記第2の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する配線を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の封止樹脂を貫通し、前記第2の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する貫通電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記第1封止工程では、前記第1の構造体と共に、一面側と他面側とが基板内部を通して電気的に接続されている第2の基板を封止するように前記第1の封止樹脂を形成し、前記第2の基板を介して前記第1の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する配線を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の封止樹脂を貫通し、前記第1の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する貫通電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。ところが、上述の電子部品内蔵基板では、粘着シート上に固定される電子部品の接続端子の材料が制約されるという問題がある。例えば接続端子がはんだコートされている場合には、再配線を形成する際のウェットプロセス時にはんだによるコンタミネーション等の問題が発生する。このため、接続端子がはんだコートされている電子部品は、上述した電子部品内蔵基板には適用することができない。また、電子部品として半導体チップを内蔵する場合には、その半導体チップの接続端子表面がアルミニウムやアルミニウム合金であるため、その接続端子を露出させるための孔あけをレーザ加工によって行うことはできない。これは、CO2レーザ等によって孔あけを行うと、半導体チップの接続端子までエッチングされ、半導体チップの回路素子がダメージを受けてしまうためである。このため、この場合には、封止樹脂を覆うように形成される再配線用の絶縁層としては、感光性材料しか用いることができない。すなわち、この場合には、再配線用の絶縁層の材料が制約されるという問題がある。本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、材料選択の自由度の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の一観点によれば、第1の基板と、前記第1の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第1の構造体と、前記第1の構造体を封止するように形成された第1の封止樹脂と、前記第1の基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、を含む。この構成によれば、電子部品の接続端子ではなく、その電子部品と電気的に接続される第1の基板の接続端子に対して再配線の形成が実行される。これにより、電子部品の接続端子に対して再配線の形成を実行する際に発生し得る問題の発生を未然に防止することができる。このため、電子部品の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。本発明の一観点によれば、第1の基板と、前記第1の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第1の構造体を封止するように第1の封止樹脂を形成する第1封止工程と、前記第1の基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、を含む。この構成によれば、電子部品の接続端子ではなく、その電子部品と電気的に接続される第1基板の接続端子に対して再配線の形成が実行される。これにより、電子部品の接続端子に対して再配線の形成を実行する際に発生し得る問題の発生を未然に防止することができる。このため、電子部品の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。本発明の一観点によれば、材料選択の自由度の高い半導体装置及びその製造方法を提供できるという効果を奏する。以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。第1実施形態以下、第1実施形態を図1~図3に従って説明する。図1に示すように、電子部品内蔵基板1半導体装置は、第1の構造体10と、封止樹脂17第1の封止樹脂と、封止樹脂20第2の封止樹脂と、絶縁層30と、ビア31と、配線パターン32と、ソルダレジスト層33とを有する。第1の構造体10は、基板11と、その基板に搭載された電子部品16とを有する。基板11は、基板本体12と、貫通ビア13と、配線パターン14,15とを有する。基板本体12としては、例えばガラスエポキシ基板を用いることができる。この基板本体12には、所要の箇所図1では3箇所に貫通孔12Xが形成されている。この貫通孔12Xは、基板本体12の面12aから面12bまでを貫通するように形成されている。貫通ビア13は、貫通孔12Xに設けられている。貫通ビア13は、その一方の端部が配線パターン14に接続されるとともに、他方の端部が配線パターン15に接続されている。配線パターン14は、基板本体12の面12a電子部品16が実装される実装面に形成されている。また、配線パターン15は、基板本体12の面12b実装面と反対側の面に形成されている。これら配線パターン14,15は、上記貫通ビア13を介して相互に電気的に接続されている。なお、貫通ビア13及び配線パターン14,15の材料としては、例えば銅Cuを用いることができる。電子部品16は、その回路形成面16a図1において上面にはんだ16bが形成されている。この電子部品16は、上記はんだ16bを介して基板11の配線パターン14に電気的に接続されることにより、基板11に搭載実装されている。このため、電子部品16のはんだ16bは、配線パターン14及びビア13を介して配線パターン15と電気的に接続されている。換言すると、電子部品16のはんだ16bが基板11を介して配線パターン15例えば、Cuパッドに変換されている。なお、電子部品16としては、例えば半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。封止樹脂17は、このように構成された第1の構造体10具体的には、電子部品16、はんだ16b及び基板11の配線パターン14を封止するように基板本体12の面12a側に設けられている。なお、この封止樹脂17の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂17を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。封止樹脂20は、上記封止樹脂17によって封止された第1の構造体10を更に封止するように設けられている。この封止樹脂20の面20a図1において上面と配線パターン15の面15a図1において上面とは面一とされている。このため、配線パターン15の面15aは、封止樹脂20から露出している。また、封止樹脂20は、その面20b樹脂封止面が平滑な面となるように形成されている。この封止樹脂20の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂20を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。絶縁層30再配線用の絶縁層は、基板11配線パターン15上及び封止樹脂20上に形成されている。具体的には、絶縁層30は、封止樹脂20の面20a及び配線パターン15の面15aを覆うように形成されている。この絶縁層30には、所要の箇所に、上記配線パターン15に達するビアホール30Xが形成されている。このビアホール30Xには、導体ビア31が充填されている。なお、絶縁層30の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層30としては、例えば粘着性や接着性を有するB-ステージ状態半硬化状態のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂や液晶ポリマー等を用いることができる。配線パターン32再配線は、絶縁層30の上面に形成されている。この配線パターン32は、上記ビア31と電気的に接続されている。これにより、配線パターン32は、ビア31、配線パターン15、貫通ビア13、配線パターン14及びはんだ16bを介して電子部品16と電気的に接続されている。なお、ビア31及び配線パターン32の材料としては、例えばCuを用いることができる。ソルダレジスト層33は、配線パターン32を覆うように絶縁層30の上面に設けられている。このソルダレジスト層33には、配線パターン32の一部を露出させるための開口部33Xが形成されている。この開口部33Xから露出する部分の配線パターン32は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層33の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン32を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板1に要求される機能等に応じて封止樹脂20の上面側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの1つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。次に、このように構成された電子部品内蔵基板1の製造方法について図2及び図3に従って説明する。まず、第1の構造体10より具体的には、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10を用意する。第1の構造体10は、例えば以下のようにして製造することができる。はじめに、図2aに示す工程では、第1の構造体10が形成される領域Aを複数有した基板57を準備する。複数の領域A間は、切断領域Bにより分離されている。基板57は、後述する図2cに示す工程において、切断領域Bに対応する部分を切断することにより、複数の基板本体12となる。この基板57としては、例えばガラスエポキシ基板を用いることができる。そして、図2aに示すように、公知の技術を用いて、領域Aに対応する部分の基板57に、貫通孔12X、貫通ビア13、配線パターン14,15を形成する。次に、図2bに示すように、基板57に電子部品16を実装搭載する。具体的には、基板57の配線パターン14にはんだ16bを介して電子部品16を電気的に接続することにより、電子部品16を基板57に搭載する。続いて、電子部品16、はんだ16b及び配線パターン14を封止するように基板57上に封止樹脂17を形成する第1封止工程。この封止樹脂17としては、例えばトランスファーモールド法により形成されたエポキシ系モールド樹脂を用いることができる。その後、図2cに示すように、切断領域Bに対応する部分の封止樹脂17及び基板57をダイシングブレード等によって切断する。これにより、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10が複数製造される。次に、図3aに示す工程固定工程では、支持体58を準備する。この支持体58の面58aと第1の構造体10の配線パターン15の面15aが対向するように、第1の構造体10を支持体58の面58aに配置する。ここで、支持体58の面58aは、例えば粘着性を有しており、配置された第1の構造体10が固定される。なお、支持体58の面58aが粘着性を有していない場合には、例えば接着用テープ等により面58aを粘着面として、配置された第1の構造体10を固定する。支持体58としては、例えばPETポリエチレンテレフタレートフィルム、PIポリイミドフィルム、PENポリエチレンナフタレートフィルム、金属板、ガラス板等を用いることができる。続いて、図3bに示すように、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10を、さらに封止するように支持体58の面58a上に封止樹脂20を形成する第2封止工程。この封止樹脂20は、例えばモールディング用の金型上型と下型を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。なお、このとき、第1の構造体10が支持体58に固定された状態で封止樹脂20が形成されるため、封止樹脂20の面20aと配線パターン15の面15aとは面一となる。次いで、図3cに示すように、支持体58を除去する。次に、粗化処理を施した後、封止樹脂20の面20a上に、封止樹脂20の面20a及び配線パターン15の面15aを覆うように絶縁層30を形成する絶縁層形成工程。この絶縁層30の形成方法の一例としては、封止樹脂20の面20a及び配線パターン15の面15aを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層30を形成することができる。また、封止樹脂20の面20a及び配線パターン15の面15aを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層30を形成することができる。次に、図3dに示すように、配線パターン15が露出するように、レーザ加工法等を用いて絶縁層30を貫通する貫通穴であるビアホール30Xを形成する。レーザとしては、例えばCO2レーザ、エキシマレーザやYAGレーザ等を用いることができる。このように、本実施形態では、電子部品16のはんだ16bと基板11を介して電気的に接続された配線パターン15を露出させるために上記ビアホール30Xが形成される。このため、そのビアホール30Xをレーザ加工法により形成したとしても、電子部品16の回路形成面16a等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層30の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。なお、絶縁層30として感光性を有する材料を用いる場合には、フォトリソグラフィによりパターニングして上記ビアホール30Xを形成することもできる。続いて、レーザ加工法によりビアホール30Xを形成した場合には、そのビアホール30X内をデスミア処理することにより、ビアホール30X内に残留する樹脂スミアを除去してクリーニングする。なお、デスミア処理としては、例えば過マンガン酸カリウム法などを用いることができる。次に、図3eに示すように、例えばセミアディティブ法により、配線パターン32及びビア31を形成する。すなわち、絶縁層30、配線パターン15及びビアホール30Xの内壁を覆うようにシード層を形成し、そのシード層上に配線パターン32の形状に対応した開口パターンを有するレジストを形成し、上記シード層を給電層とする電解銅めっきによってビア31及び配線パターン32を形成する。これにより、配線パターン32は、ビア31、配線パターン15、貫通ビア13、配線パターン14及びはんだ16bを介して電子部品16に電気的に接続される。ここで、ビアホール30Xによって露出されている配線パターン15は、電子部品16の接続端子本例では、はんだ16bではなく、そのはんだ16bと基板11を介して電気的に接続された配線パターン15である。このため、配線パターン32再配線を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品16のはんだ16bによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品16が実装される基板11配線パターン15の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン15によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品16の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品16を内蔵することができる。続いて、図3eに示すように、配線パターン32及び絶縁層30を覆うように、配線パターン32の一部を露出する開口部33Xを有するソルダレジスト層33を形成する。例えば、配線パターン32及び絶縁層30を覆うようにソルダレジスト層33を形成した後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層33を露光現像して図3eに示す上記開口部33X、つまり配線パターン32の一部を露出する開口部33Xを形成することで、開口部33Xを有するソルダレジスト層33を形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板1が製造される。以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1基板本体12の両面に形成された配線パターン14,15が貫通ビア13を介して電気的に接続された形態を有する基板11の配線パターン14に電子部品16を実装し、配線パターン15に対して配線パターン32再配線を形成するようにした。これにより、再配線用の絶縁層30のビアホール30Xによって露出される導体を、電子部品16の接続端子本例では、はんだ16bではなく、そのはんだ16bと基板11を介して電気的に接続された配線パターン15とすることができる。このため、配線パターン32再配線を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品16のはんだ16bによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品16が実装される基板11配線パターン15の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン15によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品16の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品16を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。2さらに、電子部品16のはんだ16bと電気的に接続された配線パターン15を露出させるために、再配線用の絶縁層30にビアホール30Xが形成されることになる。このため、そのビアホール30Xをレーザ等により形成したとしても、電子部品16の回路形成面16a等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層30の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。換言すると、絶縁層30の材料選択の自由度を向上させることができる。第2実施形態以下、第2実施形態を図4~図6に従って説明する。先の図1~図3に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図4に示すように、電子部品内蔵基板2は、第1の構造体10と、封止樹脂17と、封止樹脂21と、絶縁層30と、ビア31と、配線パターン32と、ソルダレジスト層33と、上部配線34と、貫通ビア40と、絶縁層41と、下部配線42と、ソルダレジスト層43とを有する。封止樹脂21は、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10を更に封止するように設けられている。この封止樹脂21の面21aと第1の構造体10の配線パターン15の面15aとは面一とされている。このため、配線パターン15の面15aは、封止樹脂21から露出している。絶縁層30は、基板11配線パターン15上及び封止樹脂21上に形成されている。具体的には、絶縁層30は、封止樹脂21の面21a及び配線パターン15の面15aを覆うように形成されている。絶縁層41は、封止樹脂21の面21b樹脂封止面を覆うように形成されている。これら絶縁層30,41及び封止樹脂21には、貫通孔21Xが形成されている。貫通ビア40は、貫通孔21X内に形成されている。貫通ビア40は、その一方の端部が上部配線34に接続されるとともに、他方の端部が下部配線42に接続されている。なお、貫通ビア40の材料としては、例えばCuを用いることができる。上部配線34は、配線パターン32と同様に、絶縁層30の上面に形成されている。この上部配線34は、上記貫通ビア40と電気的に接続されている。下部配線42は、絶縁層41の下面に形成されている。この下部配線42は、上記貫通ビア40と電気的に接続されている。これら上部配線34及び下部配線42は、貫通ビア40を介して相互に電気的に接続されている。このように、封止樹脂21を貫通する貫通ビア40を介して、封止樹脂21の一面側面21a側と他面側面21b側とが電気的に接続されている。なお、これら上部配線34及び下部配線42の材料としては、例えばCuを用いることができる。ソルダレジスト層33は、配線パターン32及び上部配線34を覆うように絶縁層30の上面に設けられている。このソルダレジスト層33には、配線パターン32の一部を露出させるための開口部33Xと、上部配線34の一部を露出させるための開口部33Yとが形成されている。これら開口部33X,33Yからそれぞれ露出する部分の配線パターン32及び上部配線34は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。ソルダレジスト層43は、下部配線42を覆うように絶縁層41の下面に設けられている。このソルダレジスト層43には、下部配線42の一部を露出させるための開口部43Xが形成されている。この開口部43Xから露出する部分の下部配線42は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層43の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン32及び上部配線34を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板2に要求される機能等に応じて封止樹脂21の面21a側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの1つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。また、下部配線42を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板2に要求される機能等に応じて封止樹脂21の面21b側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの1つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。次に、このように構成された電子部品内蔵基板2の製造方法について図5及び図6に従って説明する。上記第1実施形態と同様の手法により、図5aに示すように、支持体58の面58aと第1の構造体10の配線パターン15の面15aが対向するように、第1の構造体10を支持体58の面53aに固定し、その第1の構造体10を封止するように支持体58の面58a上に封止樹脂21を形成する。次に、図5bに示すように、支持体58を除去する。続いて、粗化処理を施した後、封止樹脂21の面21a及び配線パターン15の面15aを覆うように絶縁層30を形成するとともに、封止樹脂21の面21bを覆うように絶縁層41を形成する。なお、絶縁層41の形成方法の一例としては、封止樹脂21の面21bを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層41を形成することができる。また、封止樹脂21の面21bを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層41を形成することができる。あるいは、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法などにより絶縁層41を形成することもできる。次に、図6aに示すように、配線パターン15の一部が露出するように、レーザ加工法等を用いて絶縁層30を貫通するビアホール30Xを形成する。さらに、絶縁層30,41及び封止樹脂21を貫通する貫通孔21Xを封止樹脂21及び絶縁層30,41及びに形成する。この貫通孔21Xは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等により形成することができる。続いて、デスミア処理後、図6bに示すように、銅めっきやスクリーン印刷法等の方法により、ビアホール30X内にビア31を形成し、貫通孔21X内に貫通ビア40を形成する。次いで、図6cに示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層30の上面に配線パターン32及び上部配線34を形成するとともに、絶縁層41の下面に下部配線42を形成する。次に、図6dに示すように、配線パターン32、上部配線34及び絶縁層30を覆うように、配線パターン32及び上部配線34の一部をそれぞれ露出する開口部33X,33Yを有するソルダレジスト層33を形成する。また、下部配線42及び絶縁層41を覆うように、下部配線42の一部を露出する開口部43Xを有するソルダレジスト層43を形成する。例えば、下部配線42及び絶縁層41を覆うようにソルダレジスト層43を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層43を露光現像して図6dに示す開口部43X、つまり下部配線42の一部を露出する開口部43Xを形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板2が製造される。以上説明した本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の効果を奏する。第3実施形態以下、第3実施形態を図7~図10に従って説明する。先の図1~図6に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図7に示すように、電子部品内蔵基板3は、第1の構造体10と、封止樹脂17と、基板50と、封止樹脂22と、絶縁層30,41と、ビア31,35と、配線パターン32と、ソルダレジスト層33,43と、上部配線36と、ビア44と、下部配線45と、を有する。基板50は、多層プリント配線板である。この基板50は、基板本体51と、貫通ビア52と、基板本体51の外面の配線53,54と内層の配線55とを合わせた5層の配線パターンとを含む多層基板である。基板本体51には、所要の箇所に図7では6箇所貫通孔51Xが形成されている。この貫通孔51Xは、基板本体51の上面から下面までを貫通するように形成されている。なお、基板本体51としては、例えばガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板などを用いることができる。貫通ビア52は、貫通孔51X内に設けられている。この貫通ビア52は、その一方の端部が配線53に接続されるとともに、他方の端部が配線54に接続されている。すなわち、貫通ビア52は、基板50の一面側上面側と他面側下面側と電気的に接続されている。配線53は、基板本体51の一方の面図7において上面に形成されている。また、配線54は、基板本体51の他方の面図7において下面に形成されている。これら配線53,54は、上記貫通ビア52を介して相互に電気的に接続されている。これら配線53,54及び貫通ビア52の材料としては、例えばCuを用いることができる。なお、上記内層の配線55は、電源配線やグランド層を含む。また、基板50には、第1の構造体10が搭載内蔵される搭載位置に対応する位置に開口部50aが形成されている。本実施形態の基板50では、図8に示すように、中央部に四角形状の開口部50aが形成されている。この開口部50aは、第1の構造体10の外形よりも大きく形成されている。そして、基板50は、その開口部50aが第1の構造体10と対向するように配置されている。図7に示すように、封止樹脂22は、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10及び基板50を封止するように設けられている。この封止樹脂22の上面と配線パターン15及び配線53の上面とは面一とされている。このため、配線パターン15及び配線53は、封止樹脂22から露出している。絶縁層30は、封止樹脂22上、基板11配線パターン15上及び基板50配線53上に形成されている。具体的には、絶縁層30は、封止樹脂22の一方の面図7において上面、配線パターン15及び配線53を覆うように形成されている。この絶縁層30には、所要の箇所に、上記配線パターン15に達するビアホール30Xが形成されるとともに、上記配線53に達するビアホール30Yが形成されている。これらビアホール30X,30Yには、ビア31,35がそれぞれ充填されている。絶縁層41は、封止樹脂22の他方の面図7において下面を覆うように形成されている。この絶縁層41及び封止樹脂22には、所要の箇所に、上記配線54に達するビアホール22Xが形成されている。このビアホール22Xには、ビア44が充填されている。上部配線36は、配線パターン32と同様に、絶縁層30の上面に形成されている。この上部配線36は、上記ビアホール30Yに充填されたビア35と電気的に接続されている。下部配線45は、絶縁層41の下面に形成されている。この下部配線45は、上記ビアホール22Xに充填されたビア44と電気的に接続されている。これにより、下部配線45は、ビア44、配線54、貫通ビア52、配線53及びビア35を介して上部配線36と電気的に接続されている。すなわち、基板50の貫通ビア52を介して、封止樹脂22の一面側上面側と他面側下面側とが電気的に接続されている。より具体的には、基板50の貫通ビア52を介して電気的に接続された配線53,54を利用して、上部配線36と下部配線45とが相互に電気的に接続されている。なお、これら上部配線36及び下部配線45の材料としては、例えばCuを用いることができる。ソルダレジスト層33は、配線パターン32及び上部配線36を覆うように絶縁層30の上面に設けられている。このソルダレジスト層33には、配線パターン15の一部を露出させるための開口部33Xと、上部配線36の一部を露出させるための開口部33Zとが形成されている。これら開口部33X,33Zからそれぞれ露出する部分の配線パターン32及び上部配線36は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。ソルダレジスト層43は、下部配線45を覆うように絶縁層41の下面に設けられている。このソルダレジスト層43には、下部配線45の一部を露出させるための開口部43Yが形成されている。この開口部43Yから露出する部分の下部配線45は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。次に、このように構成された電子部品内蔵基板3の製造方法について図9及び図10に従って説明する。まず、基板50を準備する。基板50は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、図9aに示すように、公知の技術を用いて、基板本体51の外面の配線53,54と、内層の配線55と、貫通ビア52とを有するプリント配線板を形成する。次に、図9bに示すように、図9aに示したプリント配線板に、第1の構造体10の搭載位置に対応する位置を開口する開口部50aを形成することにより、基板50を製造する。なお、この開口部50aは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等によって形成することができる。続いて、図9cに示す工程固定工程では、支持体58を準備する。この支持体58の面58aと第1の構造体10の配線パターン15の面15aが対向するように、第1の構造体10を支持体58の面58a粘着面に固定する。さらに、支持体58の面58aと基板50の配線53の面53aが対向するように、且つ開口部50aが第1の構造体10と対向するように、基板50を支持体58の面58aに固定する。次に、図9dに示すように、支持体58上に固定された第1の構造体10及び基板50を封止するように支持体58の面58a上に封止樹脂22を形成する第2封止工程。この封止樹脂22は、例えばモールディング用の金型上型と下型を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。なお、このとき、第1の構造体10及び基板50が支持体58に固定された状態で封止樹脂22が形成されるため、封止樹脂22の面22aと配線パターン15の面15aと配線53の面53aとは面一となる。続いて、図10aに示すように、支持体58を除去し、封止樹脂22の面22a上に、封止樹脂22の面22a、配線パターン15の面15a及び配線53の面53aを覆うように絶縁層30を形成する絶縁層形成工程。また、封止樹脂22の面22b上に、封止樹脂22の面22bを覆うように絶縁層41を形成する。次に、図10bに示すように、第1の構造体10の配線パターン15の一部が露出するように、絶縁層30を貫通するビアホール30Xを形成する。また、基板50の配線53の一部が露出するように、絶縁層30を貫通するビアホール30Yを形成する。さらに、基板50の配線54の一部が露出するようにビアホール22Xを封止樹脂22及び絶縁層41に形成する。これらビアホール30X,30Y,22Xは、例えばレーザ加工等によって形成することができる。レーザとしては、例えばCO2レーザ、エキシマレーザやYAGレーザを用いることができる。続いて、デスミア処理後、図10cに示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層30の上面側にビア31,35、配線パターン32及び上部配線36を形成する。また、例えばセミアディティブ法により、絶縁層41の下面側にビア44及び下部配線45を形成する。これにより、配線パターン32は、ビア31、配線パターン15、貫通ビア13、配線パターン14及びはんだ16bを介して電子部品16に電気的に接続される。また、上部配線36は、ビア35、配線53、貫通ビア52、配線54及びビア44を介して下部配線45と電気的に接続される。次に、図10dに示すように、配線パターン32、上部配線36及び絶縁層30を覆うように、配線パターン32及び上部配線36の一部をそれぞれ露出する開口部33X,33Zを有するソルダレジスト層33を形成する。また、下部配線45及び絶縁層41を覆うように、下部配線45の一部を露出する開口部43Yを有するソルダレジスト層43を形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板3が製造される。以上説明した実施形態によれば、第1実施形態の1及び2の効果に加えて以下の効果を奏する。3基板本体51の両面上下面に形成された配線53,54が基板本体51の内部の貫通ビア52を介して電気的に接続された形態を有する基板50を内蔵するようにした。そして、その基板50の貫通ビア52及び配線53,54を利用して、電子部品内蔵基板3の両面に形成される上部配線36と下部配線45とを相互に電気的に接続するようにした。これにより、封止樹脂22を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線36と下部配線45とを電気的に接続することができる。ここで、例えば内蔵する電子部品16の高さが高くなると、その電子部品16を封止する封止樹脂22の高さも高くなる。この場合には、封止樹脂22の上下面の電気的接続を行うために上部配線36と下部配線45とを電気的に接続するために、封止樹脂22に貫通孔を形成することが困難である。例えばレーザ加工で封止樹脂22に貫通孔を形成する場合には、その貫通孔の内壁の品質の良いストレートな孔加工を行うことが困難である。また、機械ドリルで封止樹脂22に貫通孔を形成する場合には、封止樹脂22に含まれる無機フィラーによって機械ドリルが磨耗するため、貫通孔を形成するための加工コストが増加するという問題がある。さらには、仮に封止樹脂22に貫通孔が形成できたとしても、その貫通孔の内壁への導通付与例えばスルーホールめっきや貫通孔内への樹脂の充填等のプロセスが必要となるため、製造コストが増加するという問題がある。これに対し、本実施形態の電子部品内蔵基板3では、上述のように、封止樹脂22を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線36と下部配線45とを電気的に接続することができる。このため、内蔵する電子部品16の高さが高くなっても、すなわち封止樹脂22の高さが高くなっても、上述した問題点の発生を未然に防止しつつ、上部配線36と下部配線45との電気的接続を確実に行うことができる。したがって、内蔵する電子部品16の高さの制約を受けることなく、電子部品内蔵基板3に電子部品16を内蔵することができる。第4実施形態以下、第4実施形態を図11~図14に従って説明する。図11に示すように、電子部品内蔵基板4は、基板60第1の基板と、電子部品65と、基板70第2の基板と、封止樹脂78と、絶縁層80,90と、ビア81と、配線パターン83と、上部配線84と、ビア91と、下部配線92と、ソルダレジスト層85,93とを有する。基板60は、基板本体61と配線パターン62とを有する。基板本体61は、板状の部材である。配線パターン62は、基板本体61の面61aに形成されている。なお、基板本体61としては、例えば銅張積層板などを用いることができる。また、配線パターン62の材料としては、例えばCuを用いることができる。電子部品65は、回路形成面65a図11において上面にはんだ65bが形成されている。この電子部品65は、上記はんだ65bを介して基板60の配線パターン62に電気的に接続されることにより、基板60に搭載実装されている。これにより、電子部品65のはんだ65bが配線パターン62例えば、Cuパッドに変換されている。なお、電子部品65としては、例えば半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。本実施形態では、これら基板60と電子部品65とが第1の構造体に含まれる。基板70は、多層プリント配線板である。この基板70は、基板本体71と、貫通ビア72と、基板本体71の外面の配線73,74と内層の配線75とを合わせた5層の配線パターンとを含む多層基板である。基板本体71には、所要の箇所に図11では6箇所貫通孔71Xが形成されている。この貫通孔71Xは、基板本体71の上面から下面までを貫通するように形成されている。貫通ビア72は、貫通孔71X内に設けられている。この貫通ビア72は、その一方の端部が配線73に接続されるとともに、他方の端部が配線74に接続されている。すなわち、貫通ビア72は、基板70の一面側上面側と他面側下面側と電気的に接続されている。配線73は、基板本体71の一方の面図11において上面に形成されている。この配線73の上面には、はんだ76が被着されている。また、配線74は、基板本体71の他方の面図11において下面に形成されている。これら配線73,74は、上記貫通ビア72を介して相互に電気的に接続されている。これら配線73,74及び貫通ビア72の材料としては、例えばCuを用いることができる。なお、上記内層の配線75は、電源配線やグランド層を含む。また、基板70には、電子部品65が搭載内蔵される搭載位置に対応する位置に開口部70aが形成されている。本実施形態の基板70では、図12に示すように、中央部に四角形状の開口部70aが形成されている。この開口部70aは、電子部品65の外形よりも大きく形成されている。このように構成された基板70は、その開口部70aが電子部品65に対向するように配置されている。そして、基板70は、配線73上に形成されたはんだ76を介して基板60の配線パターン62に電気的に接続されることにより、基板60に搭載されている。封止樹脂78は、第1の構造体具体的には、基板60の配線パターン62及び電子部品65及び基板70を封止するように基板本体61の面61a上に設けられている。なお、この封止樹脂78の材料としては、例えば無機フィラー入りのエポキシ樹脂などを用いることができる。また、その形態としては、液状の樹脂に限らず、タブレット状の樹脂や粉末状の樹脂でもよい。封止樹脂78を充填する方法としては、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールドやポッティング等の方法を用いて実施することができる。あるいは、印刷法によりペースト状の樹脂を塗布する方法でも可能である。絶縁層80は、基板60上に形成されている。具体的には、絶縁層80は、基板本体61の面61bを覆うように形成されている。この絶縁層80及び基板本体61には、所要の箇所に、上記配線パターン62に達するビアホール61Xが形成されている。このビアホール61Xには、導体ビア81が充填されている。なお、絶縁層80の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層80としては、例えば粘着性や接着性を有するB-ステージ状態半硬化状態のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂や液晶ポリマー等を用いることができる。絶縁層90は、封止樹脂78の樹脂封止面図11において下面を覆うように形成されている。この絶縁層90及び封止樹脂78には、所要の箇所に、上記配線74に達するビアホール78Xが形成されている。このビアホール78Xには、ビア91が充填されている。なお、絶縁層90の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。絶縁層90としては、例えば粘着性や接着性を有するB-ステージ状態半硬化状態のシート状の絶縁樹脂、ペースト状の絶縁樹脂、ビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂やフィラーなしのエポキシ樹脂や液晶ポリマー等を用いることができる。配線パターン83再配線は、絶縁層80の上面に形成されている。この配線パターン83は、上記ビアホール61X内に充填されたビア81と電気的に接続されている。これにより、配線パターン83は、ビア81、配線パターン62及びはんだ65bを介して電子部品65と電気的に接続されている。なお、配線パターン83の材料としては、例えばCuを用いることができる。上部配線84は、配線パターン83と同様に、絶縁層80の上面に形成されている。この上部配線84は、上記ビアホール61X内に充填されたビア81と電気的に接続されている。下部配線92は、絶縁層90の下面に形成されている。この下部配線92は、上記ビアホール78Xに充填されたビア91と電気的に接続されている。これにより、下部配線92は、ビア91、配線74、貫通ビア72、配線73、はんだ76、配線パターン62及びビア81を介して上部配線84と電気的に接続されている。すなわち、基板70の貫通ビア72を介して、封止樹脂78の一面側上面側と他面側下面側とが電気的に接続されている。より具体的には、基板70の貫通ビア72を介して電気的に接続された配線73,74を利用して、上部配線84と下部配線92とが相互に電気的に接続されている。なお、これら上部配線84、下部配線92及びビア81,91の材料としては、例えばCuを用いることができる。ソルダレジスト層85は、配線パターン83及び上部配線84を覆うように絶縁層80の上面に設けられている。このソルダレジスト層85には、配線パターン83の一部を露出させるための開口部85Xと、上部配線84の一部を露出させるための開口部85Yとが形成されている。これら開口部85X,85Yからそれぞれ露出する部分の配線パターン83及び上部配線84は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層85の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダレジスト層93は、下部配線92を覆うように絶縁層90の下面に設けられている。このソルダレジスト層93には、下部配線92の一部を露出させるための開口部93Xが形成されている。この開口部93Xから露出する部分の下部配線92は、他の基板等と接続するための電極パッドとして機能する。上記ソルダレジスト層93の材料としては、例えばエポキシ系やアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。なお、図示の例では説明の簡単化のため、配線パターン83及び上部配線84を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板4に要求される機能等に応じて基板本体61の面61b側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの1つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。また、下部配線92を最外層の配線層としているが、この電子部品内蔵基板4に要求される機能等に応じて封止樹脂78の下面側に適宜形成され得るビルドアップ層のうちの1つの配線層であってもよい。すなわち、必要に応じて所定数のビルドアップ層を形成した後、最外層の配線層を形成してもよい。次に、このように構成された電子部品内蔵基板4の製造方法について図13及び図14に従って説明する。まず、基板70を準備する。基板70は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、公知の技術を用いて、基板本体71の外面の配線73,74と、内層の配線75と、貫通ビア72とを有するプリント配線板を形成し、そのプリント配線板に電子部品65の搭載位置に対応する位置に開口部70aを形成することにより、基板70を製造する。なお、この開口部70aは、例えばレーザ加工や機械ドリル加工、ルーター加工等によって形成することができる。次に、図13aに示すように、配線パターン62が形成された基板60に、電子部品65及び基板70を実装する。具体的には、基板60の配線パターン62にはんだ65bを介して電子部品65を電気的に接続することにより、電子部品65を基板60に実装する。また、基板70の配線73上に形成されたはんだ76を基板60の配線パターン62に電気的に接続することにより、基板70を基板60に実装する。このとき、基板70の開口部70aが電子部品65と対向するように、これら電子部品65及び基板70が基板60に実装される。次に、図13bに示すように、電子部品65及び基板70を封止するように基板本体61の面61a上に封止樹脂78を形成する。この封止樹脂78は、例えばモールディング用の金型上型と下型を用いて熱とプレスによる圧縮形成を行うことによって形成することができる。続いて、粗化処理を施した後、図13cに示すように、基板本体61の面61bを覆うように絶縁層80を形成するとともに、封止樹脂78の面78aを覆うように絶縁層90を形成する。なお、絶縁層80の形成方法の一例としては、基板本体61の面61bを覆うようにエポキシ系樹脂等の樹脂フィルムをラミネートし、その後、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることにより絶縁層80を形成することができる。また、基板本体61の面61bを覆うようにエポキシ系樹脂等の液状の樹脂を塗布した後に、例えば190°C程度の温度で熱処理して硬化させることによっても絶縁層80を形成することができる。あるいは、フォトリソグラフィ法やスクリーン印刷法などにより絶縁層80を形成することもできる。なお、絶縁層90は、絶縁層80と同様に形成することができる。次に、図14aに示すように、配線パターン62の一部が露出するように基板本体61及び絶縁層80を貫通する貫通穴であるビアホール61Xを形成する。さらに、配線74の一部が露出するようにビアホール78Xを封止樹脂78及び絶縁層90に形成する。これらビアホール61X,78Xは、例えばレーザ加工等によって形成することができる。レーザとしては、例えばCO2レーザ、エキシマレーザやYAGレーザを用いることができる。続いて、レーザ加工法によりビアホール61X,78Xを形成した場合には、それらビアホール61X,78X内をデスミア処理することにより、ビアホール61X,78X内に残留する樹脂スミアを除去してクリーニングする。なお、デスミア処理としては、例えば過マンガン酸カリウム法などを用いることができる。次に、図14bに示すように、例えばセミアディティブ法により、絶縁層80の上面側に配線パターン83、上部配線84及びビア81を形成する。すなわち、絶縁層80、ビアホール61Xの内壁及び配線パターン62を覆うようにシード層を形成し、そのシード層上に配線パターン83及び上部配線84の形状に対応した開口パターンを有するレジストを形成し、上記シード層を給電層とする電解銅めっきによってビア81、配線パターン83及び上部配線84を形成する。これにより、配線パターン83は、ビア81、配線パターン62及びはんだ65bを介して電子部品65に電気的に接続される。また、例えばセミアディティブ法により、絶縁層90の下面側に下部配線92及びビア91を形成する。これにより、下部配線92は、ビア91、配線74、貫通ビア72、配線73、はんだ76、配線パターン62及びビア81を介して上部配線84と電気的に接続される。次に、図14cに示すように、配線パターン83、上部配線84及び絶縁層80を覆うように、配線パターン83及び上部配線84の一部をそれぞれ露出する開口部85X,85Yを有するソルダレジスト層85を形成する。例えば、配線パターン83、上部配線84及び絶縁層80を覆うようにソルダレジスト層85を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層85を露光現像して図14cに示す開口部85X,85Yを形成する。また、下部配線92及び絶縁層90を覆うように、下部配線92の一部を露出する開口部93Xを有するソルダレジスト層93を形成する。例えば、下部配線92及び絶縁層90を覆うようにソルダレジスト層93を形成後、フォトリソグラフィによりソルダレジスト層93を露光現像して図14cに示す開口部93Xを形成する。以上の製造工程により、本実施形態の電子部品内蔵基板4が製造される。以上記述した本実施形態によれば、以下の効果を奏する。1基板60の配線パターン62に電子部品65を実装し、配線パターン62に対して配線パターン83再配線を形成するようにした。これにより、再配線用の絶縁層80のビアホール61Xによって露出される導体を、電子部品65の接続端子本例では、はんだ65bではなく、そのはんだ65bと電気的に接続された配線パターン62とすることができる。このため、配線パターン83再配線を形成する際のウェットプロセス時において、電子部品65のはんだ65bによるコンタミネーションが発生することはない。また、電子部品65が実装される基板60配線パターン62の表面処理を適切に選択することにより、配線パターン62によるコンタミネーションが発生することも抑制することができる。このため、電子部品65の接続端子の表面仕様を問わずに電子部品65を内蔵することができ、材料選択の自由度を向上させることができる。2さらに、電子部品65のはんだ65bと電気的に接続された配線パターン62を露出させるために、再配線用の絶縁層80及び基板本体61にビアホール61Xが形成されることになる。このため、そのビアホール61Xをレーザ等により形成したとしても、電子部品65の回路形成面65a等がそのレーザによって影響を受けることがない。これにより、絶縁層80の材料としては、感光性を有する材料、及び感光性を有しない材料のいずれも用いることができる。換言すると、絶縁層80の材料選択の自由度を向上させることができる。3基板本体71の両面上下面に形成された配線73,74が基板本体71の内部の貫通ビア72を介して電気的に接続された形態を有する基板70を内蔵するようにした。そして、その基板70の貫通ビア72及び配線73,74を利用して、電子部品内蔵基板4の両面に形成される上部配線84と下部配線92とを相互に電気的に接続するようにした。これにより、電子部品65を封止する封止樹脂78を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線84と下部配線92とを電気的に接続することができる。ここで、例えば内蔵する電子部品65の高さが高くなると、その電子部品65を封止する封止樹脂78の高さも高くなる。この場合には、封止樹脂78の上下面の電気的接続を行うために上部配線84と下部配線92とを電気的に接続するために、封止樹脂78に貫通孔を形成することが困難である。例えばレーザ加工で封止樹脂78に貫通孔を形成する場合には、その貫通孔の内壁の品質の良いストレートな孔加工を行うことが困難である。これに対し、本実施形態の電子部品内蔵基板4では、上述のように、封止樹脂78を貫通する貫通孔を形成することなく、上部配線84と下部配線92とを電気的に接続することができる。このため、内蔵する電子部品65の高さが高くなっても、すなわち封止樹脂78の高さが高くなっても、上述した問題点の発生を未然に防止しつつ、上部配線84と下部配線92との電気的接続を確実に行うことができる。したがって、内蔵する電子部品65の高さの制約を受けることなく、電子部品内蔵基板4に電子部品65を内蔵することができる。他の実施形態なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記第3実施形態における基板50構造体の構造は特に制限されない。すなわち、少なくとも基板50の両面に形成された配線53,54が基板50基板本体51の内部を通して電気的に接続されている形態を有していれば、基板50の構造は特に制限されない。例えば基板50の一面側と他面側とを、複数のビアを介して電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば基板50を、両面プリント配線板を用いて構成するようにしてもよい。上記第4実施形態における基板70構造体の構造は特に制限されない。すなわち、少なくとも基板の両面に形成された配線73,74が基板70基板本体71の内部を通して電気的に接続されている形態を有していれば、基板70の構造は特に制限されない。例えば基板70の一面側と他面側とを、複数のビアを介して電気的に接続するようにしてもよい。また、例えば基板70を、両面プリント配線板を用いて構成するようにしてもよい。上記第3実施形態における第1の構造体10と基板50とは、図8に示した構成に特に制限されない。例えば図15a及び図15bに示されるように、電子部品内蔵基板3に第1の構造体10電子部品16を複数内蔵するようにしてもよい。なお、これら複数の電子部品16は、それぞれ異なる電子部品であってもよいし、同一の電子部品であってもよい。この場合には、例えば図15bに示されるように、基板50に対して、複数の第1の構造体10の搭載位置に対応する位置に複数の開口部50aを形成すればよい。なお、開口部50aは、対応する第1の構造体10の外形よりも大きく形成されている。また、図15aに示されるように、電子部品内蔵基板3に基板50を複数内蔵するようにしてもよい。この場合であっても、第1の構造体10と基板50の基板本体51部分とが異なる位置に配置されていれば、上記第3実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、図15aの例では、複数の第1の構造体10よりも外側に配置された基板50の開口部50aが複数の第1の構造体10の外形よりも大きく形成されている。上記第4実施形態における電子部品65と基板70とは、上述した第1の構造体10と基板50との関係と同様に、図12に示した構成に特に制限されない。例えば電子部品内蔵基板4に電子部品65を複数内蔵するようにしてもよい。なお、この複数の電子部品65は、それぞれ異なる電子部品であってもよいし、同一の電子部品であってもよい。また、電子部品内蔵基板4に基板70を複数内蔵するようにしてもよい。上記第1~第3実施形態において、第1の構造体10を封止樹脂20~22により封止した後に、その封止樹脂20~22と第1の構造体10内の封止樹脂17とを同時に最終硬化させるようにしてもよい。この場合の電子部品内蔵基板1~3の製造方法を以下に説明する。なお、ここでは、第3実施形態の製造方法を変形した例を説明する。まず、先の図2aで説明したように貫通孔12X、貫通ビア13、配線パターン14,15を形成した基板57に、図16aに示すように、電子部品16を実装する。続いて、電子部品16、はんだ16b及び配線パターン14を封止するように基板57上に封止樹脂17Aを形成する。ここで、このときの封止樹脂17Aは、ファイナルキュア完全硬化を行わずに半硬化状態とされたものである。その後、図16bに示すように、切断領域Bに対応する部分の封止樹脂17A及び基板57をダイシングブレード等によって切断する。これにより、半硬化状態の封止樹脂17Aによって封止された第1の構造体10Aが複数製造される。一方、図16cに示すように、先の図9a、bで説明したように基板50を準備する。続いて、図16dに示す工程では、支持体58を準備する。この支持体58の面58aと第1の構造体10Aの配線パターン15の面15aが対向するように、第1の構造体10Aを支持体58の面58a粘着面に固定する。さらに、支持体58の面58aと基板50の配線53の面53aが対向するように、且つ開口部50aが第1の構造体10Aと対向するように、基板50を支持体58の面58aに固定する。次に、図17aに示すように、支持体58上に固定された第1の構造体10A及び基板50を封止するように支持体58の面58a上に封止樹脂22Aを形成する。ここで、このときの封止樹脂22Aは、ファイナルキュアを行わずに半硬化状態とされたものである。続いて、図17bに示すように、支持体58を除去した後、封止樹脂17A,22Aを同時に熱処理することにより最終硬化完全硬化させる。これにより、封止樹脂17,22が形成され、封止樹脂17によって封止された第1の構造体10が形成され、さらにその第1の構造体10及び基板50が封止樹脂22によって封止される。なお、上記熱処理は、例えば170度で2時間実施される。その後の製造工程は、図10a~図10dに示した工程と同様に実施することができるため、ここでは説明を省略する。このような製造方法によれば、電子部品16を実装した基板57の片面を封止した封止樹脂17Aを、ダイシング前に完全硬化させないことで、封止された状態で第1の構造体10Aの反りが抑制される。これにより、ダイシングの作業性、加工精度を向上させることができるため、第1の構造体10のサイズを小さくすることができ、低コスト化にも貢献することができる。なお、ここでは、第3実施形態の製造方法の変形例を説明したが、第1及び第2実施形態の製造方法についても同様に変更することができる。上記第3実施形態の図9dに示す工程で形成される封止樹脂22を、図18に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂22の面22aと基板50の配線54の面54aとが面一になるように、支持体58の面58a上に封止樹脂22を形成するようにしてもよい。上記第3実施形態の図9dに示す工程で形成された封止樹脂22を、研磨、エッチング、ブラスト等により除去することで、図18に示すように配線54の面54aを露出させるようにしても良い。上記第1~第3実施形態における封止樹脂17を、図18に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂17の樹脂封止面図18において上面と電子部品16の回路形成面とは反対の面図18において上面とが面一になるように、基板11上に封止樹脂17を形成するようにしてもよい。あるいは、封止樹脂17を省略してもよい。上記第4実施形態の図13bに示す工程で形成される封止樹脂78を、図19に示されるように変更してもよい。すなわち、封止樹脂78の面78aと基板70の配線74の面74aとが面一になるように、基板本体61の面61a上に封止樹脂78を形成するようにしてもよい。上記第4実施形態の図13bに示す工程で形成された封止樹脂78を、研磨、エッチング、ブラスト等により除去することで、図19に示すように配線74の面74aを露出させるようにしてもよい。図20に示されるように、基板60上に形成される再配線用の絶縁層80を省略してもよい。具体的には、基板60の基板本体61が配線パターン83や上部配線84等を形成するためのウェットプロセスを適用可能な材料で構成されている場合には、上記絶縁層80を省略してもよい。上記第4実施形態における電子部品内蔵基板4を、例えば図21に示されるように変更してもよい。すなわち、電子部品内蔵基板4の基板70に代えて、封止樹脂78を貫通する貫通ビア79を介して上部配線84と下部配線92とを電気的に接続するようにしてもよい。この貫通ビア79は、封止樹脂78、基板本体61及び絶縁層80,90を貫通する貫通孔79X内に形成されている。そして、貫通ビア79は、その一方の端部が上部配線84に接続されるとともに、他方の端部が下部配線92に接続されている。すなわち、図21に示す電子部品内蔵基板では、貫通ビア79を介して、封止樹脂78の一面側上面側と他面側下面側とが電気的に接続されている。なお、貫通孔79X及び貫通ビア79は、例えば上記第2実施形態の貫通孔21X及び貫通ビア40を形成する方法図6a、bに示す工程と同様の方法により形成することができる。上記第4実施形態における電子部品内蔵基板4を、例えば図22に示されるように変更してもよい。すなわち、電子部品内蔵基板4の基板70を省略してもよい。より具体的には、基板70と、その基板70の配線73,74と電気的に接続される配線パターン62、ビア81,91、上部配線84及び下部配線92を省略するようにしてもよい。"