"金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成になる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面側に配置される加熱治具の前記半導体チップの表面に当接される加熱面が、四角形のリング状の粗さ面を有し前記半導体チップの外周部に前記粗さ面が接するように配置され、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にすることを特徴とした半導体装置の製造方法。前記加熱治具の加熱面が、前記半導体チップの外周部に接する箇所の粗さが半導体チップの中央部に接する箇所に比べて粗いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記加熱治具の加熱面が、半導体チップの外周部に接する箇所にスリットを設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成からなる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの中央部に熱風を吹き付けて、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にすることを特徴とした半導体装置の製造方法。金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成になる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの中央部に放射光を照射して、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にすることを特徴とした半導体装置の製造方法。しかし、前記の特許文献1および特許文献2の接合方法を用いて加熱すると、半導体チップの外周部から温度が上がりやすく、半導体チップの外周部から接合焼結が開始される。半導体チップの外周部から温度が上がりやすくなるのは、上部加熱治具33が半導体チップ6に接触すると半導体チップ6の4角のエッジ部から加熱されるためである。このように、半導体チップ6の中央部が外周部より温度が低いため、焼結金属ペーストに含まれる有機分散材、分散材捕捉材の分解ガス、および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の揮発ガスが半導体チップ6の中央部で残留しやすくなる。その結果、半導体チップ6の中央部では焼結金属ペーストに含まれる金属粒子間の融着が阻害され、半導体チップ6の中央部では焼結不足が発生し易くなる。そのため、焼結内部に接合欠陥ボイドなどの空洞などが多数発生して安定した強固な焼結層35を形成することが困難になり、半導体装置500の信頼性を低下させる。この発明の目的は、前記の課題を解決して、安定した強固な焼結層を形成して高い信頼性の半導体装置の製造方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成になる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面側に配置される加熱治具の前記半導体チップの表面に当接される加熱面が、四角形のリング状の粗さ面を有し前記半導体チップの外周部に前記粗さ面が接するように配置され、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にする製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記加熱治具の加熱面が、前記半導体チップの外周部に接する箇所の粗さが半導体チップの中央部に接する箇所に比べて粗いとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記加熱治具の加熱面が、半導体チップの外周部に接する箇所にスリットを設けるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成からなる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの中央部に熱風を吹き付けて、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にする製造方法とする。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、金属粒子、該金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材,および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成になる焼結金属ペーストを用いて、少なくとも導電パターン付絶縁基板の導電パターンと半導体チップの裏面電極とを接合する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの中央部に放射光を照射して、前記半導体チップの中央部が外周部に比べて温度を高い状態にする製造方法とする。この発明によれば、半導体チップの中央部から加熱し、中央部の温度を高くすることによって、半導体チップの中央部から分散材の分解、有機成分の揮発、焼結が開始される。そのため、分解ガス、揮発ガスが半導体チップの全域に残留せず、金属粒子間の融着が促進され、安定した強固な焼結層を形成できる。その結果、高い信頼性の半導体装置を形成することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。従来と同一部位には同一の符号を付した。<実施例1>図1は、この発明の第1実施例の半導体装置の製造方法であり、同図a~同図dは工程順に示した要部製造工程断面図である。図2は、図1の製造工程をプロセスフローで表した図である。図中の逆三角形の記号は準備する材料が投入されるプロセスを示し、内の数字はプロセスの順番を示す。図1と図2を用いて製造方法を説明する。図1aにおいて、加熱ステージ1に導電パターン付絶縁基板2を載置する。この導電パターン付絶縁基板1は絶縁基板2aの裏面に裏面導電膜3が形成され、おもてには導電パーン4が形成されている。つぎに、図1bにおいて、導電パターン4上に焼結金属ペースト5を塗布し図2の1、乾燥させた図2の2後、その上に半導体チップ6を載置する乾燥は半導体チップを載置した後でも構わない図2の3。続いて、半導体チップ6上に上部加熱治具7を載置し、該上部加熱治具7を下方へ加圧力8を加え、加熱ステージ1、導電パターン付絶縁基板2、焼結金属ペースト5および半導体チップ6を密着させる。続いて、加熱ステージ1と上部加熱治具7を昇温し、焼結金属ペースト5を溶融させる。上部加熱治具7の加熱面11には粗い面12が配置されている。この加熱ステージ1と上部加熱治具7にはヒーターが設置されている。この焼結金属ペースト5は、金属粒子、この金属粒子が常温で凝集するのを抑制する有機分散材、分散材捕捉材および前記の材料の粘性を保持する揮発性有機成分の混合組成である。つぎに、図1cにおいて、加熱ステージ1と上部加熱治具7を降温して、前記の焼結金属ペースト5を固化させ、半導体チップ6と導電パターン付絶縁基板2の導電パターン4を接合する図2の4。続いて、接合された半導体チップ6と導電パターン付絶縁基板2を上部加熱治具7および加熱ステージ1から外して取り出す。つぎに、図1dにおいて、導電パターン付絶縁基板2と放熱ベース15を半田16で接合し図2の6、半導体チップ6と導電パターン4をボンディングワイヤ17で接続し図2の7、樹脂ケース18を取り付けて図2の8ゲル19を充填し図2の9ケース蓋18aを固定して図2の10半導体装置100は完成する。ここまでが図2の10までのプロセスである。焼結金属ペースト5を接合材に用いることで、半導体装置100の動作温度を300°C以上の高温にすることができる。半導体チップ6としてはSiC基板などを用いて形成したIGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタチップやショットキーバリアダイオードチップなどがある。図3は、図1で用いた上部加熱治具の構成図であり、同図aは加熱面の平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。上部加熱治具7において、その加熱面11は半導体チップ6の表面に接触させる。この加熱面11を通して半導体チップ6と焼結金属ペーストは加熱される。この加熱には下方に配置される加熱ステージ1も加わる。半導体チップ6の外周部付近に接触する加熱面11には、半導体チップ6との接触面積を小さくするため、微小な隙間を多数形成した粗い面12が配置されている。粗さは、例えば、凹凸の高さで約0.1mm程度、凹凸のピッチが0.1mm程度である。また、粗い面12は四角形のリング状をしており、半導体チップ6の外周部はこのリング状の粗い面12内に位置するように配置する。半導体チップ6の外周部に位置する加熱面11を粗い面12とすることで、半導体チップ6の外周部への熱伝導を小さくすることができる。そのため、半導体チップ6の中央部が外周部に比べて温度が上がりやすくなり、半導体チップ6の全域で分解ガス、揮発ガスの残留を防ぐことができる。その結果、焼結金属ペースト5に含まれる金属粒子同士の融着が、半導体チップ6の全域で促進され、安定した強固な焼結層20が形成され高い信頼性の半導体装置100とすることができる。図4は、図3のように粗い面12を形成する代わりにスリット21を設けた加熱面11を示し、同図aは上部加熱治具の要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。スリット21は四角形のリング状をしており、半導体チップ6の外周部をこの帯状のスリット21内に位置するように配置する。この場合も半導体チップ6の外周部が位置する加熱面11にスリット21が形成されているため、半導体チップ6の外周部への熱伝導を小さくすることができる。そのため、図1と同様の効果を得ることができる。<実施例2>図5は、この発明の第2実施例の半導体装置の製造方法を示す図である。これは,加圧しない接合方法であり、半導体チップ6の中央部のみに熱風22を吹き付ける。熱風22はノズル23を通して半導体チップ6の中央部に吹き付けられる。このノズル23の開口部17の寸法が数mm~数十mmΦ程度である。また、熱風22には空気や不活性ガスである窒素ガスなどを利用するとよい。こうすることで、半導体チップ6の中央部が外周部に比べて温度が上がり、半導体チップ6の全域で分解ガス、揮発ガスの残留を防ぐことができる。その結果、半導体チップ6の全域で金属粒子間の融着が促進され、安定した強固な焼結層20を形成できる。<実施例3>図6は、この発明の第3実施例の半導体装置の製造方法を示す図である。この図は,光加熱放射熱による加熱方法であり、放射光24を反射ミラー25により集光することで半導体チップ6の中央部のみを加熱する方法を示す。勿論、レンズで集光する場合もある。本加熱方法は加圧しない接合方法であり、光加熱に用いられる光源26の放射光24にはレーザー光や赤外線ランプなどがある。この場合も、半導体チップ6の中央部が外周部に比べて温度が上がり、半導体チップ6の全域で分解ガス、揮発ガスの残留を防ぐことができる。その結果、半導体チップ6の全域で金属粒子間の融着が促進され、安定した強固な焼結層20を形成できる。"