"ベースプレート、特にパワーモジュール10の為のベースプレート、であって、金属、特にアルミニウム、で形成された母材38を備えていて、ここにおいては、少なくとも2つの補強材42が母材38中において互いに隣り合わせに設けられていて、そしてここにおいては、補強材42が互いに離れている、ベースプレート。ベースプレート34を放熱器36に固定する為の複数の貫通孔40が母材38中においてベースプレート34の縦に沿うとともに幅に沿い設けられていて、ここにおいては、ベースプレート34の幅に沿う貫通孔間には補強材42が設けられていない、請求項1に従っているベースプレート。少なくとも2つの補強材42が炭化珪素から形成されている、請求項1又は2に従っているベースプレート。補強材42が、1mm乃至5mmの範囲内、特に3mm、の距離で互いに配列されている、請求項1乃至3のいずれか1項に従っているベースプレート。ベースプレート34が少なくとも部分的に弓形の如く形成されている、請求項1乃至4のいずれか1項に従っているベースプレート。最大の弓形振れ高さが100μm±50μmである、請求項5に従っているベースプレート。弓形が、ベースプレート34の幅のみに渡り形成されている、請求項5又は6に従っているベースプレート。全ての補強材42が共に、ベースプレート34の寸法に関して少なくとも70の、特にベースプレート34の寸法に関して少なくとも85の、寸法を有している、請求項1乃至7のいずれか1項に従っているベースプレート。母材38が、補強材42上及び補強材42間に形成された金属層として形成されている、請求項1乃至8のいずれか1項に従っているベースプレート。ベースプレート34の熱膨張係数の最大値が、8-12ppm/kの範囲内、特に10ppm/k、にある、請求項1乃至9のいずれか1項に従っているベースプレート。図1においては、パワーモジュール10の配置が概略的に示されている。詳細には、パワーモジュール10の内部構造が記載されている。パワーモジュール10はハウジング12を備えていて、その内部には少なくとも1つの半導体装置14が配置されている。半導体装置14は例示的には絶縁ゲートバイポーラトランジスタinsulatedgatebipolartransistorIGBT,ダイオード,金属酸化物半導体領域効果トランジスタmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistorMOSFET,又はそれらと同様なものであることが出来る。図1に従えば、ダイオード及びIGBTが設けられている。半導体装置14又は複数の半導体装置14は端子16を介して、そして好ましくは補助端子18を介して連結可能であり、ここにおいて半導体装置14は好ましくはアルミニウム接合ワイヤ20により接合されている。絶縁体としてエポキシ22の層が半導体装置14上に配置されていることが出来る。半導体装置14はさらに、窒化アルミニウムセラミック絶縁体aluminiumnitrideceramicinsulatorとして形成されていることが出来るサブストレイト24上に配置されていることが出来る。端子16は補助端子18も同様に蒸着物metallization26、特に銅蒸着物coppermetallization、及び半田28、又はその他、を介してサブストレイト24に連結されている。しかしながら、超音波溶接の如き同等の連結を適用することも出来る。更には、サブストレイト24はその底側で更なる蒸着物metallization30、特に銅蒸着物coppermetallization、に連結されている。ハウジング12の内側の残りの容積は、例えば絶縁ゲルinsulatinggel32で充たされている。動作の間に、パワーモジュール10は、電気導体中の抵抗のお蔭で、たくさんの熱エネルギー、即ち熱、を発生させる。結果として、発生された熱はパワーモジュール10の内部からその外側へと放散されなければならない。この目的の為に、パワーモジュール10はベースプレート34を備えている。ベースプレート34はその上側で半導体装置14と蒸着物metallization30及び半田31を介し熱接続されており、そしてさらに冷却フィン、即ち放熱器36、に熱的に連結されている。ベースプレート34と放熱器36との間には、熱放散thermaldissipationグリース,ゲルgel,又はマットmatの如き熱伝導層35が設けられている。一般的には、放熱器36は高い熱伝導性を伴った材料で形成されていて、そして、パワーモジュール10の内側から環境への熱エネルギー、即ち熱、を放散させることを許容する。従って、熱は、パワーモジュール10が適切に働くことを確実にする為に、パワーモジュール10の内部構造からベースプレート34及び放熱器36を介してパワーモジュール10の外側へと流れる。この発明に従っているベースプレート34が図2中に概略的に示されている。ベースプレート34は金属で形成されている母材38を備えている。好ましくは、母材38はアルミニウムで形成されている。この金属はどちらかというと延性ductileであり、そして放熱器36の表面との非常に接近した接触を得る為に変形されることが出来る。しかしながら、母材38は適切な如何なる金属で形成されていることが出来る。詳細には、このようなアルミニウムについで、構成要素として、そして特にその主要な構成要素として、アルミニウムを備えている合金が好適である。ベースプレート34と放熱器36との間の接触をさらに向上させる為に、ベースプレート34の表面粗さはできる限り低くなければならない。表面粗さの適切な値は、3μm以下、詳細には2,3μm以下、の範囲にある。これは、大きな容積を有しており、ベースプレート34と放熱器36との間のパワーモジュール10の熱放散性能を低下させる凹所の形成を減少させる。母材38においては、貫通孔40が、放熱器36へのベースプレート34の固定の為に設けられている。補強材42は機械加工するのが難しいので、貫通孔40は母材38、即ち本体材料bulkmaterial、中に形成されている。放熱器36へのベースプレート34の固定は、放熱器36中にねじ込められた螺子により、又は放熱器36へベースプレート34を確実に固定する別の連結により、実現されることが出来る。良好な熱放散を可能にする為に、少なくとも2つの補強材42が母材38中に配置されている。補強材42は互いに隣に位置されているが離れて配置されているように、互いに離されている。詳細には、補強材42は典型的にはセラミック配合物ceramiccompound、特に炭化珪素siliconcarbiteSiCで形成されていて、そしてその為に特別な熱伝達性を提供する。炭化珪素は、補強材42が良好な構造強度を有することを、そしてさらには良好な熱放散特性を有することを得に許容する。複数の貫通孔40が母材38中にベースプレート34の縦lengthに沿うばかりでなく幅にも沿い設けられていることが好ましく、そこにおいてはベースプレート34の幅に沿う貫通孔40間には何の補強材42も設けられていない。図2の実施形態は、それに限定されるのではないが、3個の補強材42を備えている。これらは、母材38の金属中に埋設されていて、そして好ましくは、前記金属、即ち母材38により完全に覆われている。好適な例に於いては、母材38及び従ってベースプレート34は120mm×160mm乃至170mm×210mmの範囲内の寸法を有することができる。特に好適な例においては、ベースプレート34は137mm×187mmの寸法に形成されていることが出来る。個々の補強材は少なくとも50mm×100mmの寸法で、好適な実施形態に於いては57mm×104mmの寸法で、形成されていることが出来る。図2に従っている例においては、補強材42は、母材38の延性材料ductilematerial、即ちアルミニウム材料、中に十分に埋設されている。更には、補強材42のセラミック材料の凹所cavity、即ち細孔pore、は母材38の材料、詳細にはアルミニウム、で完全に満たされており、従って好適には補強材を完全に覆い、そしてそれらの間の全ての隙間gapを完全に覆う。ベースプレート34は、異なった機能/要求を満たさなければならない。それは、パワーモジュール10の内側から環境へと熱を移動させなければならない。ベースプレート34は従って、その表面に渡り放熱器36へと熱を移動させる熱拡散器heatspreaderとして働く。従って、熱伝導率thermalconductivityは出来る限り高く180W/mK20°C以上でなければならない。これは、アルミニウムから母材38を形成することによるとともに、挿入物、即ち補強材42、の為の材料として炭化珪素を使用することにより、実現されている。ベースプレート34と放熱器36との間の出来る限り密接した表面接触を得る為に、ベースプレート36の底側は湾曲されていることが出来る。これは、図2において参照符号Xにより規定されている、線B-B ́に沿った断面図において明らかである。ベースプレート34の湾曲されている幾何学的形状geometry、即ち弓形bowの形成、のお蔭により、放熱器36への固定の間に、ベースプレート34は放熱器36にさし渡らせられspanned、放熱器36に対するベースプレート34の向上された接触を導く。しかしながら、この発明に従えば、ベースプレート34は弓形bowとして部分的に形成されているのみである。これは、湾曲が、図1の横断面図Xからそれを見ることが出来るように、ベースプレート34の幅に渡り形成されている弓形bowに限定されることが出来ることを意味している。反対に、ベースプレート34の縦lengthに渡る湾曲は必要でなく、このことは同様に、図1において参照符号Yにより規定されている、線A-A ́に沿った断面図から明らかに見ることが出来る。しかしながら、勿論、ベースプレート34の所望の特性に従い、ベースプレート34の縦lengthに沿い、例えば全長さに沿い、半分又は1/3に沿う弓形bowを伴ったベースプレート34を形成することが可能である。この発明に従えば、幅はその長さlengthに関してベースプレートの短い側である。更には、この発明に従っているベースプレート34の最大弓形振れ高さmaximumbowdeflectionheightは100μm±50μmであることが出来る。良好な曲げ強度flexuralstrength及び破壊耐久性fracturetoughnessは従って割れを阻止するのに役立つ。ベースプレート34の曲げ強度flexuralstrengthは300MPaと500MPaとの間の範囲内、特に400MPa、にあることが出来、破壊耐久性fracturetoughnessは7MPam1/2乃至9MPam1/2の範囲内、特に8.1MPam1/2、にあることが出来る。この発明に従っているベースプレート34を準備する工程は以下の様である。第1には、セラミック予備成形物ceramicpreformが製造される。これは、例えば、開いた小孔openporeを有している、詳細には発泡体foamの形状の、例えばセラミック材料、好ましくは炭化珪素siliciumcarbide、を焼結することにより、実現されることが出来る。さらなる工程においては、そのように準備された予備成形物が、必要であれば、成形されることが出来る。一例として、予備成形物は、所望の形状,又は幾何学的寸法geometryを得るよう型押しされるstampedか又は機械加工されるmachinedことが出来る。予備成形物の形状は好ましくは長四角形又は正方形である。しかしながら、放熱器36の幾何学的寸法geometryに従い、補強材42は、ベースプレート34が放熱器36と密接に接触するよう放熱器36上に位置されることが出来る如何なる形状を有することが出来る。所望の方法により予備成形物を形作った後には、少なくとも2つの予備成形物が型form中に置かれる。その後、液体金属、好ましくはアルミニウム、が高温及び高圧で型form中に浸透され、それにより予備成形物の小孔pore及び複合体間の隙間を充填する。補強材42に関する炭化珪素の含有量は、最適な機械的容積特性mechanicalbulkpropertyの為には、62vol-28volであることが出来る。さらには、予備成形物は好ましくは金属により十分覆われている。記載されている工程は補強材42が金属材料中に埋設されることを可能にし、後者が母材38を形成することが出来、その中に補強材42が配置されている。結果として、母材38は、予備成形物を金属材料、好ましくはアルミニウム、で覆うことにより形成されることが出来る。上述したことに関して、補強材42が1mm乃至5mmの範囲内、特に3mm、の距離で配置されているように、補強材42を配置することが好ましい。補強材42間のこのような距離は、ベースプレート42の十分な曲げやすさを提供する為には本質的である。もしも補強材42が互いにあまりにも接近して位置されていると、このような曲げやすさは、補強材42の剛さstiffness及び構造的な強度の故に、阻止される。しかしながら、十分な熱放散を得る為には、補強材42の距離は制限されなければならない。更には、補強材42が或る水準以下の互いの間の距離を伴い配置されていると、塑性変形が母材材料の潜在能力を超えるかもしれないという事実のお蔭により、母材材料中に割れが形成される危険性が生じる。従って、母材38と補強材42との間の接触領域における応力は余りにも高くなることが出来る。図3中には、この発明に従っているベースプレート34のさらなる例が示されている。図3に従うと、ベースプレート34は3個の補強材42を備えている。しかしながら、明らかに見ることが出来るように、補強材42は、図2に関してより大きな表面を有する。図3に従えば、母材38、即ち金属配合物metalliccompound、は主に、補強材42上に設けられた金属の層、即ち被覆、で形成されており、それにより個々の補強材42間の隙間を充填している。この場合には、熱放散能力は図2に関してより大きい。この発明に従っているベースプレート34のまたさらなる実施形態が図4中に示されている。図4に従っている実施形態は、概略的には図2の実施形態に対応している。しかしながら、図4に従うと、3個の補強材42に代わり2個のみが存在している。この実施形態に於いては、ベースプレート34はそれ自体がより小さく、より小さなパワーモジュールにおいて使用されることが出来るという利点を導く。2つの分離されている補強材42がその中に配置されている連続している母材38を提供することにより、ベースプレート34は依然として曲げやすく、ベースプレート34と放熱器36の表面との間の向上された接触を十分に導く。この実施形態の好適な例においては、母材38、そして従ってベースプレート34は120mm×100mm乃至170mm×150mmの範囲内の寸法を有することが出来る。特に好適な例に於いては、ベースプレート34は137mm×127mmの寸法に形成されることが出来る。個々の補強材42は少なくとも50mm×100mmの寸法、好適な実施形態に於いては57mm×104mmの寸法、で形成されることが出来る。図5中に示されているのは、依然として2個の補強材42を備えているベースプレート34に関係している、この発明のさらなる実施形態である。この実施形態においては、ベースプレート34は、特に補強材42の寸法に関しては図3のものと比較することが出来る。図6a及び6bにおいては、放熱器36の表面44との当該技術の現在の状態に従っているベースプレート46の接触と、放熱器36の表面44とのこの発明に従っているベースプレート34の接触との間の比較が概略的に示されている。図6aに従うと、当該技術の現在の状態に従っているベースプレート46が示されていて、それは放熱器36の表面44と接触している。ベースプレート46は、金属層50により覆われている補強材48を備えている。金属層50は補強材48と同様に連続的な方法で形成されている。表面44の粗さのお蔭により、ベースプレート46と放熱器36の表面44との間に凹所cavity52が形成されている。これらの凹所cavity52は、一般的にはベースプレート46と放熱器36との間の良好な熱の流れを阻止し、それにより熱放散特性を低下させる。図6bに従うと、この発明に従っているベースプレート34が示されている。ベースプレート34は連続した母材38を備えていて、その中には少なくとも2つ、図6bに従うと3つ、の分離されていて、そして独立している補強材42が配置されている。母材38の、特に補強材42間の隙間領域における、曲げやすさのお蔭により、ベースプレート34は変形する、即ち曲がる、従って、放熱器36の表面44の形状に適合する能力を有している。これは、凹所cavity52が潜在的に存在することを非常に小さくすることを許容する。結果として、ベースプレート34と表面50との間のより接近した接触が達成される。熱放散特性が従って向上される。開示された実施形態に対する他の変形は、図面,明細書の記載,そして添付の特許請求の範囲の検討から、請求された発明を実現する中で当該技術分野において習熟した人々により理解され達成されることが出来る。特許請求の範囲において、用語備えているcomprisingは他の構成要素又は工程を除外しない、そして不定形1つa又はanは複数を除外しない。或る測定measureが互いに異なった従属請求項において記載されているという単なる事実は、これらの測定の組み合わせを有効に使用することが出来ないということを示していない。請求項における如何なる参照符号も発明の範囲を限定するようには解釈されるべきではない。10...パワーモジュールpowermodule、12...ハウジングhousing、14...半導体装置semiconductordevice、16...端子terminal、18...補助端子auxiliaryterminal、20...アルミニウム接合ワイヤaluminiumbondwire、22...エポキシepoxy、24...サブストレイトsubstrate、26...蒸着物metallization、28...半田solder、30...蒸着物metallization、31...半田solder、32...絶縁ゲルinsulatinggel、34...ベースプレートbaseplate、35...熱伝達層heatconductinglayer、36...放熱器heatsink、38...母材matrix、40...貫通孔throughhole、42...補強材reinforcement、44...表面surface、46...ベースプレートbaseplate、48...補強材reinforcement、50...金属層metalliclayer、52...凹所cavity。"