絶縁性を有する第1基板と、前記第1基板の一方主面に一方向に沿って1列に配置された複数の第1電極と、前記一方主面に対向する主面を備える、絶縁性を有する第2基板と、該第2基板の前記対向する主面に、複数の前記第1電極のそれぞれに対向して1列に配置された複数の第2電極と、前記第1基板と前記第2基板との間隙に配置されて前記第1電極と前記第2電極とにそれぞれ接合された、n型半導体からなる複数の熱電変換素子と、前記一方向に沿って隣接する前記熱電変換素子に接合された一方の前記第1電極と他方の前記第2電極と接続し、隣接する前記熱電変換素子を電気的に直列接続する導電部とを備え、前記導電部は、自らが接続している前記第1電極に接合された一方の前記熱電変換素子と、自らが接続している前記第2電極に接合された他方の前記熱電変換素子との間隙領域の外側のみを通過していることを特徴とする熱電変換部材。前記第1基板の前記一方主面と前記第2基板の前記対向する主面とは平行に対向し、前記熱電変換素子は、前記第1基板の前記一方主面に垂直で、かつ前記一方向に平行な一対の第1側面と、前記第1基板の前記一方主面に垂直で、かつ前記一方向に垂直な一対の第2側面とを備える直方体形状であることを特徴とする請求項1記載の熱電変換部材。前記導電部は、前記熱電変換素子の2つの前記第1側面のうち一方の前記第1側面の一部と平行に対向する主面を有する板状部を備えることを特徴とする請求項2記載の熱電変換部材。前記導電部は、前記板状部の前記第1基板側の端部と前記第1電極とに連なる、前記板状部から前記第1電極に向けて屈曲した第1の屈曲部と、前記板状部の前記第2基板側の端部と前記第2電極とに連なる、前記板状部から前記第2電極に向けて屈曲した第2の屈曲部とを備え、前記第1の屈曲部の前記一方向に沿った幅が、前記第1電極および前記板状部の前記第1基板側の端部のいずれよりも小さく、前記第2の屈曲部の前記一方向に沿った幅が、前記第2電極および前記板状部の前記第2基板側の端部のいずれよりも小さいことを特徴とする請求項3記載の熱電変換部材。前記板状部は、前記一方向に沿った方向の幅が、前記第1基板側の端部から前記第2基板側の端部まで同一であることを特徴とする請求項3記載の熱電変換部材。前記導電部の前記一方向に沿った方向の幅が、前記第1電極の前記一方向に沿った長さおよび前記第2電極の前記一方向に沿った長さの双方よりも短いことを特徴とする請求項1記載の熱電変換部材。前記導電部の前記一方向に沿った方向の幅が、前記第1電極から前記第2電極に近づくにしたがって漸減していることを特徴とする請求項1記載の熱電変換部材。前記導電部が、前記第1基板と前記第2基板との間隙の外側部分を経由していることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換部材。図1を参照して、本発明の熱電変換部材の第1実施形態を説明する。図1aは、本発明の熱電変換部材の第1実施形態の斜視図、図1bは正面図、図1cは側面図、図1dは図1cのA-A ́線で示す平面で切断した断面図である。熱電変換部材1は、絶縁性を有する第1基板11と、第1基板11の一方主面11Aに、一方向に沿って一列に配置された第1電極31と、一方主面11Aと対向する主面12Aを備える、絶縁性を有する第2基板12と、主面12Aの、複数の第1電極31それぞれに対向する位置に配置された、複数の第2電極32と、第1基板11と第2基板12との間隙に配置されて、第1電極31と第2電極32とにそれぞれ接合された、n型半導体からなる複数の熱電変換素子2と、上記一方向に沿って隣接する熱電変換素子2に接合された一方の第1電極31と他方の第2電極32と接続し、隣接する熱電変換素子2を電気的に直列接続する導電部33とを備えている以降、上記一方向を、素子配列方向とする。熱電変換部材1では、導電部33が、自らが接続した第1電極31に接合した熱電変換素子2と、自らが接続した第2電極32に接合した熱電変換素子2との間隙領域の、外側のみに配置されている。基板11はアルミナAl2O3を主成分とするセラミックス基板であり、第1電極31と第2電極32と導電部33とは銅Cuからなる。第1電極31と第2電極32と導電部材33とは、1枚の銅板が折り曲げられて形成されている。アルミナAl2O3は安価で、絶縁性に優れている点で好ましく、銅Cuは、安価で電気抵抗が低い点で好ましい。熱電変換部材において、絶縁基板および電極、導電部の材質については、特に限定されない。本実施形態の熱電変換素子2は、Mg2Siを主成分とするn型の熱電変換素子である。従来、熱電変換素子の材料としては、BiTe、PbTe、CoSbのものが使用されているが、これらの熱電変換素子は比較的高価である。これらに対してMg2Siは比較的安価であり、また環境への負荷も小さい。また、Mg2Siは比較的比重が軽いため、Mg2Siを主成分とする熱電変換素子2を用いることができ、比較的軽量な熱電変換部材1を形成することができる。これらの点で、熱電変換素子は、Mg2Si製を主成分とすることが好ましい。熱電変換素子2は、一端22aが第1電極31に接合され、他端22bが第2電極32に接合されている。接合方法としては、半田付、ろう付、あるいは銀ペースト等の導電性接着剤による接着を用いることができ、熱電変換部材の用途等に応じて適宜選択して接合すればよい。ろう付により接合する場合には、ろう材を熱電変換素子2の両端部に予めペースト状にして塗布しておいてもよい。熱電変換素子2の表面は細かい凹凸を有する面となっているが、ろう材や銀ペースト等で表面の凹凸を覆うことによって平滑な面とすることができ、これにより、熱電変換素子2と第1電極31および第2電極32との接合状態が良好となり、優れた導電性を確保できる。熱電変換部材1の第2基板12を熱源に取り付け、基板11を熱源よりも低い温度に維持すると、複数の熱電変換素子2それぞれの両端で温度差が生じ、ゼーベック効果によって電流が流れる。複数の第1電極31と第2電極32と導電部材33とによって、熱電変換素子2は電気的に直列に接続されており、第1電極31や第2電極32を介して外部に電流を取り出すことができる。このように、熱電変換部材1は、外部回路に電流を出力する発電器として機能する。例えば、高集積IC回路基板の裏面や、自動車や船舶のエンジン等の内燃機関の筐体の表面など、余剰の熱エネルギーが放出される機器の放熱部分に、例えば第2基板12を当接させ、第1基板11を第2基板12よりも低温度の位置に配置することで、熱電変換部材1を発電器として動作させることができる。このような熱電変換部材を用いて効率良く発電し続けるためには、熱電変換素子2の両端で、ある程度の大きさの温度差が維持され続ける必要がある。本実施形態では、熱電変換素子2の材料として熱伝導率の小さいMg2Siを用いており、温度差を比較的良好に維持することができる。本実施形態では、導電部材33が、複数の熱電変換素子2同士の間隙の外側部分のみに配置されており、熱電変換素子2からの輻射熱が比較的届き難く、導電部材33自体が加熱されることが抑制されており、熱電変換素子2の両端で所定の温度差を維持することができる。熱電変換部材1は、第1基板11の一方主面11Aと第2基板12の対向する主面12Aとが平行に対向している。また、熱電変換素子2は、第1基板11の一方主面11Aに垂直で、かつ素子配列方向に平行な一対の第1側面2αと、第1基板11の一方主面11Aに垂直で、かつ素子配列方向に垂直な一対の第2側面2βとを備える直方体形状である。このような直方体形状の熱電変換素子2は、配列方向に沿って高密度に配置することができる。導電部33は、熱電変換素子2の第1側面2αの一部と平行に対向する主面33αを有する板状部35を備える。板状部35は、第1基板11と第2基板12との間隔を所定の大きさに維持する支持部材としても機能し、第1基板11または第2基板12から熱電変換素子2に余分な応力が伝わることを抑制している。また、熱電変換部材1では、板状部35は、素子配列方向に沿った方向の幅W0が、第1基板11側の端部から第2基板12側の端部まで同一である。板状部35は、図1bに示す側面視において平行四辺形状である。板状部35は、表面積が比較的広く、高温側から伝わった熱は板状部35の表面から効率的に放熱され、熱電変換素子2における第1基板11側の端部の温度と、第2基板12側の端部の温度の差が比較的大きく保たれる。導電部33は、板状部35の第1基板11側の端部と第1電極31とに連なる、板状部35から第1電極31に向けて屈曲した第1の屈曲部41と、板状部35の第2基板12側の端部と第2電極32とに連なる、板状部35から第2電極32に向けて屈曲した第2の屈曲部42とを備えている。第1の屈曲部41の素子配列方向に沿った幅W1は、第1電極31および板状部35の第1基板11側の端部のいずれよりも小さく、第2の屈曲部42の素子配列方向に沿った幅W2も、第2電極32および板状部35の第2基板12側の端部のいずれよりも小さい。屈曲部41および屈曲部42の素子配列方向に沿った幅W1および幅W2が小さいことで、第1電極31と板状部35との間の熱伝導、および第2電極32と板状部35との間の熱伝導は抑制されており、板状部35からの効率的な放熱と相俟って、第1電極35と第2電極32との間の温度差が比較的大きく保たれている。図2は、本発明の熱電変換部材の第2の実施形態51について説明する図である。図2aは、熱電変換部材51の概略斜視図、図2bは正面図、図2cは側面図、図2dは図2cのA-A線で示す平面で切断した断面図である。図2では、図1に示す第1の実施形態と同様の構成については、図1と同じ符号を用いて示している。図2に示す第2の実施形態では、導電部材33は、第1基板11と第2基板12との間隙の外側にのみ配置されている。このため、特に高温側の第2基板12からの輻射熱が、導電部材33に比較的届き難く、導電部材33の温度上昇による導電部材33の抵抗値の上昇を抑制することができる。また、本実施形態では、第1電極31の、素子配列方向に沿った長さ、および第2電極32の素子配列方向に沿った長さの双方に対して、導電部材33の素子配列方向に沿った方向の幅が、小さくされている。このため、高温側の第2電極32からの熱が、導電部材33を介して低温側の第1電極31に到達することが抑制され、熱電変換素子2の両端で所定の温度差を良好に維持している。第2の実施形態は、高温側の温度が著しく高く、低温側への熱伝導を抑制したい場合など、好適に用いることができる。図3aは、本発明の熱電変換部材の第3の実施形態の側面図であり、図3bは、本発明の熱電変換部材の第4の実施形態の正面図である。図3および図4においても、図1に示す第1の実施形態と同様の構成については、図1と同じ符号を用いて示している。図3aに示す第3の実施形態の熱電変換部材61は、第1基板11と第2基板12との間隙に、断熱材5が配置されている点で、第1の実施形態および第2の実施形態と異なっている。第3の実施形態では、この断熱材5により、高温側の熱が空気中に発散するのを抑制している。第3の実施形態では、高温側の温度が周囲の雰囲気に比べてそれほど高くない場合に、第2基板12の温度低下を抑制することができ、第1基板11と第2基板12の間の温度差をより適切に確保することができる。断熱材5としては、酸化シリコンやアルミナの多孔質体を用いることが好ましいが、他の材料を用いてもよい。また、導電部材33が熱電変換素子2の間隙の外側に配置されているので、第1基板11と第2基板12との間隙と、各熱電変換素子の間隙の全体に、断熱部材5を配置することが可能であり、断熱材5によって熱の発散を効果的に抑制することができる。図3bに示す第4の実施形態の熱電変換部材71は、導電部材33の、熱電変換素子2の配列方向に沿った幅が、第1電極31から第2電極32に近づくにしたがって、短くなっている点で、第1の実施形態と相違している。導電部材33は、高温側である第2基板12からの熱が伝達する経路であると同時に、この熱が放熱される部位でもある。第4の実施形態では、高温側の第2基板12側の断面積が小さく、第2基板12から第1基板11への熱の伝達が抑制されているとともに、第1基板11側の表面積が大きく、余分な熱が比較的良好に放出される。第3の実施形態では、周囲の雰囲気温度に比べて高温側の温度が著しく高い場合など、導電部33に流入する熱量を抑制することで、第1基板11と第2基板12との間の温度差をより適切に確保することができる。本発明の熱電変換部材では、導電部材33が熱電変換素子2の間隙の外側に配置されており、導電部材33の形状の設計自由度が高く、第1の実施形態から第4の実施形態に至る各構成を容易に実現することができる。なお、図示は省略しているが、導電部材33の表面に放熱フィンを形成して、導電部33からの放熱をより良好にしても構わない。導電部33の大きさや形状は、導電部33の電気抵抗や、導電部33の熱伝導に影響する。導電部33の形状や大きさは、熱電変換部材1が配置される環境や使用条件、熱電変換素子2の形状や大きさ等に応じて、所望の特性が得られる形状やサイズを選択すればよく、導電部33の形状やサイズについては特に限定されない。次に、図4および図5を参照して、熱電変換部材1の製造方法の一例について説明しておく。図4は側面図、図5は上面図である。まず、図4aに示すように、アルミナAl2O3を主成分とする絶縁性の基板100を準備する。絶縁性基板100の図4中の下側の主面には、断面が三角形状の切り込み部102が設けられている。次に、図4bに示すように、基板100に、接合層104を介して銅板106を接合する。接合層104は、公知のろう材を用いればよい。図4bの状態で、公知のフォトリソグラフィー法を用い、図4cに示すように、銅板106を所定の形状に加工する。図5aは、図4cのエッチング後の形状に対応する上面図である。このエッチング工程では、例えば、レジスト等からなるエッチングマスクを選択的に塗布した後、エッチング剤エッチャントである塩化第2鉄溶液に全体を浸漬する。このエッチングでは、銅板が選択的にエッチングされる。エッチング後、図4dに示すように、基板100の一部を除去する。上述のように、基板100には予め切り込み部102が設けられており、機械的圧力を加えることで、切り込み部102に挟まれた領域が除去可能となっている。なお、切り込み部102を設けることなく、ダイシング装置等によって基板100の一部を切断して除去してもよい。除去後の形状は、図4dおよび図5bに示すように、基板100の残留部111と112との表面に、それぞれ複数の第1電極対応部131と複数の第2電極対応部132とが接合し、第1電極対応部131と第2電極対応部132とが、導電部材対応部133を介して連結した構成となっている。導電部対応部133と第1電極対応部131との間には第1屈曲部対応部141が配置され、導電部対応部133と第2電極対応部131との間には第2屈曲部対応部142が配置されている。次に、基板100の残留部分111の図4における上側の主面と、残留部分112の図4における上側の主面とを対向させるように、第1屈曲部対応部141と第2屈曲部対応部142とを屈曲させるとともに、第1電極対応部131と複数の第2電極対応部132との間隙に熱電変換素子2を配置し、例えば銀ペースト等の導電性接着剤により、熱電変換素子2の各端部を第1電極対応部131と複数の第2電極対応部132とに接合する。このようにして、図4eに示すような、第1の実施形態の熱電変換部材1を作製することができる。本実施形態の製造方法によれば、低コストで比較的容易に、熱電変換部材を作製することができる。上述の各実施形態の熱電変換素子2は、直方体形状のものを示したが、熱電変換素子の形状はこのような直方体形状に限らず、他の形状、例えば、円柱状としてもよい。熱電変換素子の形状や本数、高さ、導電部材33の大きさ、厚さについては、熱電変換素子2の温度差の確保、高温側からの輻射熱、熱伝導、熱電変換素子2自体の機械的強度等を鑑みて、適宜に選択すればよい。また、本実施形態においては、熱電変換素子2をMg2Siで成形しているが、これに限られない。例えば、Sb-Te系およびBi-Se系を含めたBi-Te系、Sn-Te系およびGe-Te系を含めたPb-Te系、Ag-Sb-Te系、Ag-Sb-Ge-Te系、Si-Ge系、Fe-Si系、Mn-Si系、Zn-Sb系、カルコゲナイト、スクッテルダイト、フィルドスクッテルダイト、炭化ホウ素、層状コバルト酸化物等の任意の熱電変換材料を用いることができる。また、熱電変換素子2はn型に限らず、p型のものを用いてもよい。また、Mg2Siは、高純度である必要はなく、例えば、研削研磨加工時に排出される廃シリコーンスラッジを利用して得られるものであってもよい。また、電極もCuに限定されず、Ni、Al、Cu、W、Au、Ag、Co、Mo、Cr、Ti、Pd等、およびこれらからなる合金、または遷移金属シリサイド、TiN、AiTiN等の任意の電極材料用いることができる。また、上述の各実施形態においては、ゼーベック効果を用いた発電用の熱電変換部材1に用いられる熱電変換素子2を説明したが、本発明の熱電変換素子はペルチェ効果を用いて冷却又は加熱する熱電変換部材にも同様に用いることができる。