"n型及びp型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、前記配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、前記配線と前記半導体膜とのコンタクト部において、前記拡散防止膜と前記不純物領域とが接することを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記拡散防止膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上であることを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2において、前記金属酸化物がフッ素を1×1019atoms/cm3以上含むことを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記金属酸化物は、前記拡散防止膜を構成する金属元素の酸化物であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記金属酸化物が酸化チタンであることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記低抵抗導電膜は、銅膜、アルミニウム膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置。n型及びp型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜を形成し、前記半導体膜上に配線を形成し、前記配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、前記配線と前記半導体膜とのコンタクト部において、前記拡散防止膜と前記不純物領域とが接して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7において、前記拡散防止膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7または請求項8のいずれか一において、前記金属酸化物が酸化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項9のいずれか一において、前記拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して前記導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、前記金属材料の酸化物が形成された前記導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して前記導電膜を流動化させ、前記流動化した導電膜を固化することで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項10のいずれか一において、前記導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項11のいずれか一において、前記低抵抗導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項12のいずれか一において、前記酸化性ガスは、酸素、水、オゾン及び亜酸化窒素の少なくともいずれかを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項13のいずれか一において、前記ハロゲン系ガスは、四フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、トリフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、塩素、三塩化ホウ素、塩化シリコン及び四塩化炭素の少なくともいずれかを含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項7乃至請求項14のいずれか一において、前記プラズマを生成するチャンバーは酸素を含むチャンバーであり、前記酸化性ガスは、前記チャンバーから供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。ところで、表示パネルの製造に用いられているガラス基板は、第3世代550mm×650mm、第3.5世代600mm×720mmまたは620mm×750mm、第4世代680mm×880mmまたは730mm×920mm、第5世代1100mm×1300mm、第6世代1500mm×1850mm、第7世代1870mm×2200mm、第8世代2200mm×2400mmと年々大型化が進んでおり、今後は第9世代2400mm×2800mm、第10世代2950mm×3400mmへと大面積化が進むと予測されている。ガラス基板の大面積化はコストミニマム設計の思想に基づいている。また、大面積のマザーガラス基板上に薄膜トランジスタを作製する場合、配線遅延を起こさないために低抵抗配線材料である銅やアルミニウムが配線の材料として用いられている。このとき、半導体膜への低抵抗配線材料の拡散が問題となるため、半導体膜と低抵抗配線材料との間に拡散防止膜を形成する必要がある。なお、半導体膜としては、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜、非晶質ゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム膜、多結晶ゲルマニウム膜、単結晶ゲルマニウム膜及びこれらの混合物膜がある。表面に凹凸のある半導体膜上に配線を形成する場合、凹凸の陰となる部分で膜の薄い箇所や未形成箇所が生じる。例えば、半導体膜が微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜の場合、電界効果移動度を高めるために結晶粒径が大きくなるように形成することが好ましいが、結晶粒径を大きくすることで表面粗さが増大してしまう問題がある。その結果、表面粗さの大きな部分で拡散防止膜の極端に薄い箇所や未形成箇所が生じる。また、半導体膜を島状に加工した際に生じる段差で、拡散防止膜の極端に薄い箇所や未形成箇所が生じる。こうして拡散防止膜の極端に薄い箇所や未形成箇所が生じることで、低抵抗配線材料の半導体膜への拡散を招き、薄膜トランジスタのオフ電流の増大へと繋がる。そこで、本発明の一態様は、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する方法を提供することを課題とする。本発明の一形態は、表面に凹凸のある半導体膜上または半導体膜が形成する段差部に、拡散防止膜及び低抵抗導電膜を含む配線を有し、拡散防止膜は、少なくとも導電性を有する金属酸化物膜を含むことを要旨とする。本発明の一態様は、n型及びp型の少なくともいずれかの不純物が添加された不純物領域を有する半導体膜と、配線とを有し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接する半導体装置である。また、拡散防止膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上である。また、低抵抗導電膜は、アルミニウム膜、銅膜、銀膜、アルミニウムを主成分とする合金膜、銅を主成分とする合金膜または銀を主成分とする合金膜である。なお、半導体膜と、前記導電性を有する金属酸化物膜との間に導電膜を有してもよい。該導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上である。本発明の一態様は、n型及びp型の少なくともいずれかの不純物領域を有する半導体膜を形成し、半導体膜上に、該半導体膜と一部が接する配線を形成し、配線は、導電性を有する金属酸化物を含む拡散防止膜と、該拡散防止膜上の低抵抗導電膜とを有し、配線と半導体膜とのコンタクト部において、拡散防止膜と不純物領域とが接して形成する半導体装置の作製方法である。なお、拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、該金属材料の酸化物が形成された導電膜を水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜が固化することで形成すればよい。導電膜を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上である。本発明の一態様において、酸化性ガスは、酸素、水、オゾン及び亜酸化窒素の少なくともいずれかを含む。例えば、導電膜と接する絶縁膜が酸素または水を含む絶縁膜であるとき、絶縁膜の酸素または水を酸化性ガスとして導電膜に供給することができる。また、プラズマを生成するチャンバー内部に残留する酸化性ガスを導電膜の酸化に利用してもよい。本発明の一態様において、ハロゲン系ガスとは、ハロゲンを含むガスのことをいう。代表的には、四フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、トリフルオロメタン、オクタフルオロシクロブタン、塩素、三塩化ホウ素、塩化シリコン及び四塩化炭素の少なくともいずれかを含むガスである。好ましくは四フッ化炭素ガスを用いる。本発明の一態様において、導電膜を流動化してから固化することリフローともいう。により、極端に薄い箇所や未形成箇所に対して拡散防止膜を均一に形成することができる。本発明の一態様は、導電膜の酸化物中に1×1019atoms/cm3以上のフッ素を含有していてもよい。本発明の一態様を適用することで、表面に凹凸のある半導体膜上及び半導体膜が形成する段差部においても均一に拡散防止膜を形成することができる。そのため、低抵抗配線材料の半導体膜への拡散を抑制でき、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一形態である半導体装置に用いることが可能な薄膜トランジスタの断面構造について、図1を用いて説明する。なお、薄膜トランジスタは、p型よりもn型の方が、キャリアの移動度が高い。また、同一の基板上に形成する薄膜トランジスタを全て同じ極性に統一すると、工程数を抑えることができ、好ましい。そのため、本実施の形態では、n型の薄膜トランジスタについて説明する。もちろん、p型の薄膜トランジスタを適宜用いることもできる。図1Aに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、半導体膜129と、ゲート電極103及び半導体膜129の間に設けられるゲート絶縁膜105と、半導体膜129上に形成されるソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125と接する配線123とを有する。半導体膜129及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。配線123は、拡散防止膜と、低抵抗導電膜とを有する。拡散防止膜は半導体膜及び低抵抗導電膜の間に設けられる。そのため、低抵抗導電膜の材料の半導体膜への拡散を抑制できる。次に、薄膜トランジスタの各構成について、以下に説明する。基板101としては、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁膜を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスもしくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基板101のサイズに限定はなく、例えば上述のフラットパネルディスプレイの分野でよく使われる第3世代乃至第10世代のガラス基板を用いることができる。ゲート電極103は、モリブデン膜、チタン膜、クロム膜、タンタル膜、タングステン膜、アルミニウム膜、銅膜、ネオジム膜、スカンジウム膜、ニッケル膜等の金属膜またはこれらを主成分とする合金膜を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、銀-パラジウム-銅合金、アルミニウム-ネオジム合金、アルミニウム-ニッケル合金などを用いてもよい。例えば、ゲート電極103の二層の積層構造としては、窒化チタン膜とモリブデン膜とを積層した二層構造を用いることができる。また、アルミニウム膜上にモリブデン膜を積層した二層の積層構造、銅膜上にモリブデン膜を積層した二層構造、銅膜上に窒化チタン膜または窒化タンタル膜を積層した二層構造、または銅-マンガン合金膜と銅膜とを積層した二層構造などとすることが好ましい。三層の積層構造としては、タングステン膜または窒化タングステン膜と、アルミニウム-シリコン合金膜またはアルミニウム-チタン合金膜と、窒化チタン膜またはチタン膜とを積層した三層構造とすることが好ましい。ゲート電極103は、アルミニウム、銅などを含む低抵抗導電膜上に拡散防止膜として機能する金属膜が積層された構造を有することで、電気的抵抗を低くすることができ、また、半導体膜への低抵抗材料の拡散を防止することができる。ゲート絶縁膜105は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜または酸化窒化ハフニウム膜を、単層で、または積層して形成することができる。好ましくは、ゲート絶縁膜105を酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜により形成することで、薄膜トランジスタの閾値電圧の変動を低減することができる。なお、ここでは、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringSpectrometryを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50原子~70原子、窒素が0.5原子~15原子、シリコンが25原子~35原子、水素が0.1原子~10原子の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5原子~30原子、窒素が20原子~55原子、シリコンが25原子~35原子、水素が10原子~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。半導体膜129は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜、多結晶シリコン膜、単結晶シリコン膜、非晶質ゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム膜、多結晶ゲルマニウム膜、単結晶ゲルマニウム膜及びこれらの混合物膜で形成することができる。半導体膜129に前述の結晶性材料を用いる場合、結晶粒径が大きいほど、作製する薄膜トランジスタの電界効果移動度が向上する傾向となるが、それに伴い半導体膜の表面粗さが増大する。半導体膜の表面の凹凸は陰を形成するため、半導体膜より後に形成する膜は、極端に薄い箇所や未形成箇所が生じてしまう。不純物半導体膜125は、リンが添加された非晶質シリコン膜、リンが添加された微結晶シリコン膜、リンが添加された非晶質ゲルマニウム膜またはリンが添加された微結晶ゲルマニウム膜等で形成する。また、前述のいずれかを積層した構造とすることもできる。なお、薄膜トランジスタとして、pチャネル型薄膜トランジスタを形成する場合は、不純物半導体膜125は、ボロンが添加された微結晶シリコン膜、ボロンが添加された非晶質シリコン膜、ボロンが添加された非晶質ゲルマニウム膜、ボロンが添加された微結晶ゲルマニウム膜等で形成する。なお、半導体膜129と、のちに形成する配線123とがオーミックコンタクトをする場合は、不純物半導体膜125を形成しなくともよい。配線123は、拡散防止膜と、低抵抗導電膜とが積層される図1B参照。。ここで、導電膜123a及び金属酸化物膜123bの少なくともいずれかは拡散防止膜である。また、金属酸化物膜123bと低抵抗導電膜123cの間、及び低抵抗導電膜123c上に、導電膜を有してもよい。該導電膜の構成元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上である。拡散防止膜が、半導体膜129及び低抵抗導電膜123cの間に形成されることにより、低抵抗導電膜123cの材料の半導体膜129への拡散を抑制できる。例えば、配線123は、導電膜123aとしてチタン膜を、導電膜123a上に金属酸化物膜123bとして酸化チタン膜を、金属酸化物膜123b上に低抵抗導電膜123cとしてアルミニウム膜を含む構成とすることができる。もちろん、配線123は前述の構成に限定されるものではなく、例えば3層未満または4層以上の積層構造としても構わない。ここで、酸化チタン膜である金属酸化物膜123bの組成は、酸素原子数がチタン原子数の2倍未満である。酸化チタン膜は、酸素欠損が生じることで導電性を有し、配線の一部として機能することができる。また、酸化チタン膜である金属酸化物膜123b中には、1×1019atoms/cm3以上のフッ素または塩素を含有する。本実施の形態では、チタン膜の形成後、酸化性ガスと、ハロゲン系ガスとの混合ガスから生成したプラズマで表面処理することで、チタン膜の表面の一部または全部を酸化、及びフッ化または塩化した後、水を含む雰囲気に暴露することで流動化し、流動化した膜から一部のフッ素または塩素が脱離し、流動化した膜を固化することで、チタン膜である導電膜123a及び酸化チタン膜である金属酸化物膜123bを形成している。プラズマの生成には、ドライエッチング装置やCVD装置などを用いることができる。プラズマの生成方法としては、例えば、平行平板型RIEReactiveIonEtching方式や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマ方式、電子サイクロトン共鳴プラズマECR:ElectronCyclotronResonance方式などを用いることができる。なお、ゲート絶縁膜105に酸素または水を含む場合、ゲート絶縁膜105から酸化性ガスが供給できる。また、プラズマを生成するチャンバー内部に残留する酸化性ガスを利用してもよい。本実施の形態では、導電膜のリフローにより、導電膜123aの極端に薄い箇所や未形成箇所に金属酸化物膜123bを被覆することができ、均一な拡散防止膜を形成することができる。本実施の形態では、半導体膜129の表面の凹凸、または半導体膜129の形成する段差においても、拡散防止膜を均一に形成できる。そのため、低抵抗導電膜123cの材料の半導体膜129中への拡散を防ぐことができる。絶縁膜131は、外部からの汚染物が半導体膜129に侵入することを防ぐための保護膜として機能する。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様の材料を用いて形成すればよい。なお、絶縁膜131を介して半導体膜129と重畳するバックゲート電極を有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタとしてもよい。表示装置において本実施の形態に示す薄膜トランジスタを画素のスイッチングに用いることで、コントラストが高く、画質の良好な表示装置となる。また、保持容量素子に充電された電荷が、薄膜トランジスタのオフ電流によって放電される量を低減できるため、保持容量の大きさを小さくすることができ、保持容量素子の面積を小さくすることができる。また、保持容量が小さくなると、充電に必要な電流能力を抑えられるため、当該薄膜トランジスタの面積を縮小することが可能となる。保持容量素子および薄膜トランジスタの面積を縮小することで画素の開口率が向上し、バックライトの透過率が向上する。この結果、バックライトの光量を低減することができる。また、低消費電力化が可能となる。また、画素毎の保持容量素子の大きさを低減できることによって、駆動回路の負荷が軽減されるため、駆動回路部における薄膜トランジスタの大きさを小さくでき、表示装置の狭額縁化が可能となる。更には、駆動回路の負荷の低減および画素の開口率の向上によって、表示装置の精細度を向上することが可能となるため、画素数が2k×4kあるいは4k×8kといった高精細な大型ディスプレイを作製することができる。更には、駆動回路の負荷が軽減されることや微結晶半導体膜の結晶粒径を大きくすることによって、高速駆動が可能となり、高精細高速駆動が可能な大型ディスプレイや、高精細の大型三次元ディスプレイを作製することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と異なる構造トップゲート構造の薄膜トランジスタについて説明する。薄膜トランジスタは、基板上に、半導体膜と、半導体膜上に形成されるソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜と、不純物半導体膜に接する配線と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極と、を有する。半導体膜下に絶縁膜が形成されてもよい。半導体膜と一部を接する配線は、低抵抗導電膜と半導体膜の間に拡散防止膜を有するため、低抵抗導電膜の材料の半導体膜への拡散を抑制できる。このため、薄膜トランジスタのオフ電流が低く抑えることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2と異なる構造の薄膜トランジスタについて、図2を用いて説明する。図2Aに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、半導体膜115と、ゲート電極103及び半導体膜115の間に設けられるゲート絶縁膜105と、半導体膜115上の非晶質半導体膜127と、非晶質半導体膜127に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125にコンタクト部で接する配線123とを有する。非晶質半導体膜127及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。図2Bに示す薄膜トランジスタは、基板101上に、ゲート電極103と、半導体膜115と、ゲート電極103及び半導体膜115の間に設けられるゲート絶縁膜105と、半導体膜115に接する窒素を含む微結晶半導体膜139と、窒素を含む微結晶半導体膜139に接する窒素を含む非晶質半導体膜147と、窒素を含む非晶質半導体膜147に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜125と、不純物半導体膜125に接する配線123とを有する。窒素を含む非晶質半導体膜147及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい。配線123は、拡散防止膜と、低抵抗導電膜とを有する。拡散防止膜は半導体膜及び低抵抗導電膜の間に設けられる。そのため、低抵抗導電膜の材料の半導体膜への拡散を抑制できる。配線123は、実施の形態1の説明を参酌する。窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜147の詳細について、図7を用いて説明する。図7は、ゲート絶縁膜105と、不純物半導体膜125との間の拡大図である。図7Aに示すように、窒素を含む半導体膜153の窒素を含む微結晶半導体膜139は凹凸形状を有し、凸部はゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質半導体膜147に向かって、先端が狭まる凸部の先端が鋭角である。凸状錐形状である。なお、窒素を含む微結晶半導体膜139の形状は、ゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質半導体膜147に向かって幅が広がる凸状逆錐形状であってもよい。窒素を含む微結晶半導体膜139の厚さ、即ち、ゲート絶縁膜105との界面から、窒素を含む微結晶半導体膜139の突起凸部の先端までの距離を5nm以上310nm以下とすることで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含む半導体膜153に含まれる酸素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度を、1×1018atoms/cm3未満とすることで、窒素を含む微結晶半導体膜139の結晶性を高めることができるため好ましい。また、二次イオン質量分析法によって計測される窒素を含む半導体膜153の窒素濃度プロファイルのピーク濃度は、1×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下、好ましくは2×1020atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下である。窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜147に含まれる窒素は、例えばNH基またはNH2基として存在していてもよい。窒素を含む非晶質半導体膜147は、従来の非晶質半導体と比較して、CPMConstantphotocurrentmethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体である。即ち、窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体である。窒素を含む非晶質半導体は、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻であるため、バンドギャップが広くなり、トンネル電流が流れにくい。このため、窒素を含む非晶質半導体膜147を窒素を含む微結晶半導体膜139上に設けることで、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含む非晶質半導体膜147を設けることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。窒素を含む非晶質半導体膜147としては、例えば窒素を含む非晶質シリコン膜を用いることができる。窒素を含む非晶質シリコン膜の低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピークが、1.31eV以上1.39eV以下である。なお、微結晶シリコンを低温フォトルミネッセンス分光により測定したスペクトルのピークは、0.98eV以上1.02eV以下であり、窒素を含む非晶質シリコンは、微結晶シリコンとは異なる特徴を有する。また、図7Bに示すように、窒素を含む非晶質半導体膜147に、粒径が1nm以上10nm以下、好ましくは1nm以上5nm以下の半導体結晶粒139aを含ませることで、更にオン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。ゲート絶縁膜105側から窒素を含む非晶質半導体膜147に向かって、先端が狭まる凸状錐形状の微結晶半導体膜139、または幅が広がる凸部を有する窒素を含む微結晶半導体膜139は、半導体膜115を形成した後、結晶成長を低減する条件で結晶成長させると共に、非晶質半導体膜を堆積することで、このような構造となる。窒素を含む半導体膜153に含まれる窒素を含む微結晶半導体膜139は、錐形状または逆錐形状であるため、オン状態でソース電極及びドレイン電極の間に電圧が印加されたときの縦方向膜厚方向における抵抗、即ち、半導体膜153の抵抗を下げることが可能である。また、半導体膜115上に、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い、窒素を含む非晶質半導体を有するため、トンネル電流が流れにくくなる。以上のことから、本実施の形態に示す薄膜トランジスタは、オン電流及び電界効果移動度を高めるとともに、オフ電流を低減することができる。ここでは、窒素を含む半導体膜153の原料ガスに窒素を含む気体を含ませて、窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜147を形成したが、他の窒素を含む半導体膜153の形成方法として、半導体膜115の表面に窒素を含む気体を曝して、半導体膜115の表面に窒素を吸着させた後、半導体材料を含む堆積性気体及び水素を原料ガスとして半導体膜153を形成することで、窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜147を形成することができる。半導体材料を含む堆積性気体には、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4及びSiF4に代表されるシリコンを含む堆積性気体並びにGeH4、Ge2H6及びGeF4に代表されるゲルマニウムを含む堆積性気体などが挙げられる。また、シリコンを含む堆積性気体及びゲルマニウムを含む堆積性気体を混合して用いてもよい。半導体膜115と、不純物半導体膜125との間に、窒素を含む非晶質半導体膜147または窒素を含む微結晶半導体膜139を形成することで、半導体膜115と、不純物半導体膜125との間の障壁を緩和することが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を上昇させることができる。窒素を含む気体を反応室に導入することにより、微結晶半導体膜の堆積後期において、結晶成長が抑制される。この結果、窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜147が形成される。本実施の形態により、半導体膜の段差部においても拡散防止膜を均一に形成できるため、低抵抗導電膜材料の半導体膜への拡散を抑制できる。このため、薄膜トランジスタのオフ電流が低く抑えることができる。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態1に示す薄膜トランジスタの作製方法について、図3乃至図5を用いて説明する。なお、本実施の形態では、図1Aに示す薄膜トランジスタの作製方法を説明するが、適宜他の実施の形態に示す他の薄膜トランジスタに適用することができる。図3Aに示すように、基板101上にゲート電極103を形成する。次に、ゲート電極103を覆うゲート絶縁膜105を形成し、ゲート絶縁膜105上に半導体膜107を形成し、半導体膜107上に不純物半導体膜111を形成する。基板101としては、実施の形態1に示す基板101を適宜用いることができる。ゲート電極103は、基板101上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、実施の形態1に示す材料により導電膜を形成し、該導電膜上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電膜をエッチングして形成することができる。また、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することもできる。なお、ゲート電極103と基板101との密着性向上を目的として、金属窒化物膜を、基板101とゲート電極103との間に設けてもよい。ここでは、基板101上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを用いて、導電膜をエッチングする。なお、ゲート電極103の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。これは、後の工程で、ゲート電極103上に形成される絶縁膜、シリコン膜及び配線が、ゲート電極103の段差箇所において切断しないためである。ゲート電極103の側面をテーパー形状にするためには、レジストで形成されるマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。また、ゲート電極103を形成する工程により、ゲート配線走査線及び容量配線も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の保持容量の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方または双方と、ゲート電極103とは別に設けてもよい。ゲート絶縁膜105は、実施の形態1で示した材料を用いることができる。ゲート絶縁膜105は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜105のCVD法による形成工程におけるグロー放電プラズマの生成は、3MHzから30MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力または30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には、60MHzを印加することで行われる。また、周波数が1GHz以上であるマイクロ波プラズマCVD装置を用いてゲート絶縁膜105を形成すると、ゲート電極と、ドレイン電極及びソース電極との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性の高い薄膜トランジスタを得ることができる。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、HF帯の高周波電力と、VHF帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのむらを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。また、ゲート絶縁膜105として、有機シランガスを用いたCVD法により酸化シリコン膜を形成することで、後に形成する半導体膜の結晶性を高めることが可能であるため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスとしては、珪酸エチルTEOS:化学式SiOC2H54、テトラメチルシランTMS:化学式SiCH34、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、ヘキサメチルジシラザンHMDS、トリエトキシシランSiHOC2H53、トリスジメチルアミノシランSiHNCH323等のシリコン含有化合物を用いることができる。半導体膜107は、プラズマCVD装置の反応室内において、半導体材料を含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、半導体材料を含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。ここでは、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を10倍~2000倍、好ましくは10倍~200倍にして堆積性気体を希釈する条件により、微結晶シリコン膜を形成する。なお、シリコンを含む堆積性気体の代わりにゲルマニウムを含む堆積性気体を用いると、微結晶ゲルマニウム膜を形成することができる。または、シリコンを含む堆積性気体及びゲルマニウムを含む堆積性気体を用いると、微結晶シリコンゲルマニウム膜を形成することができる。このときの堆積温度は、150°C~300°Cとすることが好ましく、より好ましくは150°C~280°Cとする。なお、反応室内の圧力、上部電極及び下部電極の間隔は、プラズマが発生しうるよう設定すればよい。半導体膜107の原料ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを用いることで半導体膜107の成膜速度が高まる。また、成膜速度が高まることで、半導体膜107に混入される不純物量が低減するため、半導体膜107の結晶性を高めることができる。半導体膜107を形成する際のグロー放電プラズマの生成は、ゲート絶縁膜105と同様に行うことができる。なお、半導体膜107を形成する前に、CVD装置の反応室内の気体を排気しながら、反応室内に半導体材料を含む堆積性気体を導入して、反応室内の不純物元素を除去することで、半導体膜107における不純物量を低減することが可能である。また、半導体膜107を形成する前に、フッ素、フッ化窒素、フッ化シラン等のフッ素を含む雰囲気でプラズマを発生させて、フッ素プラズマにゲート絶縁膜105を曝してもよい。なお、ゲート絶縁膜105を窒化シリコン膜で形成すると、半導体膜107の堆積初期において非晶質半導体が形成されやすく、半導体膜107の結晶性が低くなる。このため、半導体材料を含む堆積性気体の希釈率の高い条件または堆積温度を150°C~250°Cとする低温条件で半導体膜107を形成することが好ましい。代表的には、半導体材料を含む堆積性気体の流量に対して、水素の流量を200倍~2000倍、好ましくは250倍~400倍とする高希釈率条件が好ましい。高希釈率条件または低温条件により、初期核発生密度が高まりゲート絶縁膜105上に非晶質半導体が形成されにくくなり、半導体膜107の結晶性が向上する。また、窒化シリコン膜で形成したゲート絶縁膜105の表面を酸化処理することで、半導体膜107の密着性が向上する。酸化処理としては、酸化性ガスへの暴露、酸化性ガス雰囲気でのプラズマ処理等がある。不純物半導体膜111は、プラズマCVD装置の反応室内において、半導体材料を含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。半導体材料を含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加された非晶質シリコン膜、リンが添加された微結晶シリコン膜、リンが添加された非晶質ゲルマニウム膜、リンが添加された微結晶ゲルマニウム膜またはこれらの混合物を形成する。なお、p型の薄膜トランジスタを作製する場合は、不純物半導体膜111として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより形成すればよい。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを不純物半導体膜111上に形成する。次に、レジストで形成されるマスクを用いて、半導体膜107及び不純物半導体膜111をエッチングする。この工程により、半導体膜107及び不純物半導体膜111を素子毎に分離し、半導体膜113及び不純物半導体膜117を形成する。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図3B参照。。次に、不純物半導体膜117上に導電膜118を形成する図3C参照。。導電膜118は、スパッタリング法を用いて形成する。このとき、半導体膜113の表面凹凸の影響で、例えば領域120のように導電膜118の堆積が十分でない箇所ができた場合、後に形成する低抵抗導電膜の材料の半導体膜への拡散が起こり、トランジスタのオフ電流の増大が起こる。導電膜118を構成する金属元素は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ及びタングステンの一種以上である。次に、導電膜118の表面を酸化、及びフッ化または塩化する。本実施の形態では、酸化性ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスから生成したプラズマで表面処理することで、導電膜118の表面の一部または全部を酸化、及びフッ化または塩化する。酸化、及びフッ化または塩化した導電膜118の表面を水を含む雰囲気に曝すことで、導電膜118の酸化、及びフッ化または塩化した部分が流動化し、一部のフッ素または塩素が脱離し、固化することで、未反応部分である導電膜119a及び反応箇所である導電膜119bが形成できる。導電膜119bは金属酸化物である。上述したように、導電膜118の一部または全部をリフローすることで、導電膜118の堆積が十分でない領域120へ導電膜119bを埋め込むことができる図4A参照。。次に、導電膜119b上に銅、アルミニウムもしくは銀の単体膜または銅、アルミニウムもしくは銀を主成分とする合金膜からなる導電膜119cを形成する図4B参照。。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを形成し、当該レジストで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線123を形成する。配線123は導電膜123a、金属酸化物膜123b、低抵抗導電膜123cからなる。導電膜119のエッチングはドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いることができる。なお、配線123の一方は、ソース電極またはドレイン電極のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース電極及びドレイン電極とは別に設けてもよい。次に、不純物半導体膜117及び半導体膜113の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜125を形成する。また、表面の露出部チャネル領域が凹形状にエッチングされた半導体膜129を形成する。ここでは、エッチングにおいてドライエッチング法を用いているため、配線123の端部と、不純物半導体膜125の端部とが揃っているが、導電膜119にはウェットエッチング法を用い、不純物半導体膜117にはドライエッチング法を用いると、配線123の端部と、不純物半導体膜125の端部とがずれ、断面において、配線123の端部が、不純物半導体膜125の端部より内側に位置する。すなわち、配線123の端部の間隔が、不純物半導体膜125の端部の間隔より大きい。次に、表面処理を行ってもよい。表面処理の条件は、半導体膜129にダメージが入らず、かつ半導体膜129のエッチングがほとんど進まない条件を用いる。例えば、ガスとしては、代表的には塩素、四フッ化炭素または窒素等を用いて、ドライエッチング処理を行う。ドライエッチング処理方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma方式、容量結合型プラズマCCP:CapacitivelyCoupledPlasma方式、電子サイクロトン共鳴プラズマECR:ElectronCyclotronResonance方式、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching方式等を用いることができる。次に、半導体膜129の表面に水プラズマ処理、酸素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理または窒素プラズマ処理などのプラズマ処理を行ってもよい。水プラズマ処理は、水蒸気H2O蒸気に代表される、水を主成分とするガスを反応空間に導入し、プラズマを生成して、行うことができる。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図5A参照。。なお、当該レジストで形成されるマスクの除去は、不純物半導体膜125および半導体膜129の表面処理前に行ってもよい。半導体膜129を形成した後に、半導体膜129にダメージを与えない条件で表面処理を行うことで、露出した半導体膜129上に存在する残渣などの不純物を除去することができる。また、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成する薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。以上の工程によりシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。次に、絶縁膜131を形成する。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様に形成することができる図5B参照。。以上の工程により図1Aに示すような、オン電流及び電界効果移動度が高く、かつオフ電流の低い薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4に示す薄膜トランジスタの異なる作製方法について図3乃至図5を用いて説明する。本実施の形態は、酸化性ガスとしてプラズマを生成するチャンバー内の残留酸素を用いる。まず、プラズマを生成するチャンバー内の酸素クリーニングを行う。酸素クリーニングの条件は、例えば、酸素ガス流量100sccm以上500sccm以下、ICP電力1000W以上6000W以下、RFバイアス電力を0W以上300W以下、圧力0.4Pa以上5Pa以下、処理時間を10秒以上600秒以下とし、処理の繰り返しを1回以上25回以下で行うことができる。次に、実施の形態4と同様に半導体膜113、不純物半導体膜117及び、導電膜118を形成する図3C参照。。導電膜118は拡散防止膜として機能する。次に、導電膜118の表面を酸化、及びフッ化または塩化する。本実施の形態では、ハロゲン系ガスと、プラズマを生成するチャンバー内に残留している酸素の混合ガスから生成するプラズマで表面処理することで、導電膜118の一部または全部を酸化、及びフッ化または塩化し、酸化物を形成することができる。導電膜118の表面を水を含む雰囲気に曝すことで、導電膜118の酸化物が流動化し、一部のフッ素または塩素が脱離し、固化する。流動化した導電膜118は、前述のプラズマ処理における未反応部分である導電膜119a及び導電膜119bとなる。導電膜119bは導電膜118の酸化物が流動化し、固化することで形成される金属酸化物である。導電膜118の一部または全部をリフローすることで、導電膜118の堆積が十分でない箇所である領域120へ導電膜119bを埋め込むことができる図4A参照。。本実施の形態は、プラズマを生成するチャンバー内を予め酸素クリーニングしておくことで、プラズマを生成するチャンバー内に残留している酸素が供給される。そのため、特別に酸化性ガスを導入せずとも導電膜118の酸化が可能となる。次に、実施の形態4と同様に配線123、不純物半導体膜125及び半導体膜129を形成する図5A参照。。なお、半導体膜129及び配線123上に絶縁膜131が形成されてもよい図5B参照。。以上の工程により図1Aに示すような、オン電流及び電界効果移動度が高く、かつオフ電流の低い薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態3に示す薄膜トランジスタの作製方法について、図6及び図8を用いて説明する。実施の形態4と同様に、図6Aに示すように、基板101上にゲート電極103を形成する。次に、ゲート電極103を覆うゲート絶縁膜105を形成し、ゲート絶縁膜105上に半導体膜107を形成する。次に、半導体膜107上に窒素を含む半導体膜151を形成する。次に、窒素を含む半導体膜151上に不純物半導体膜111を形成する。半導体膜107及び不純物半導体膜111は、実施の形態4と同様に形成することができる。窒素を含む半導体膜151は、窒素を含む微結晶半導体膜138及び窒素を含む非晶質半導体膜140を含む。半導体膜107を種結晶として、部分的に結晶成長させる条件部分的に結晶成長が抑制される条件で、窒素を含む微結晶半導体膜138及び窒素を含む非晶質半導体膜140を形成することができる。窒素を含む半導体膜151は、プラズマCVD装置の反応室内において、半導体材料を含む堆積性気体、水素及び窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン及びフルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、半導体膜107と同様にすることができる。このとき、半導体材料を含む堆積性気体と、水素との流量比は、半導体膜107と同様の流量比を用い、さらに原料ガスに窒素を含む気体を用いる条件とすることで、半導体膜107の堆積条件よりも、結晶成長を抑制することができる。具体的には、窒素を含む半導体膜151の堆積初期においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に結晶成長が抑制され、錐形状の窒素を含む微結晶半導体が成長すると共に、窒素を含む非晶質半導体が形成される。さらに、堆積中期または後期では、錐形状の窒素を含む微結晶半導体の結晶成長が停止し、窒素を含む非晶質半導体のみが堆積される。この結果、窒素を含む半導体膜151において、窒素を含む微結晶半導体膜138、及び欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜で形成される窒素を含む非晶質半導体膜140を形成することができる。ここでは、窒素を含む半導体膜151を形成する条件の代表例は、半導体材料を含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が10倍~2000倍、好ましくは10倍~200倍である。なお、通常の非晶質半導体膜を形成する条件の代表例は、半導体材料を含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は0倍~5倍である。また、窒素を含む半導体膜151の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンまたはクリプトン等の希ガスを導入することで、堆積速度を高めることができる。窒素を含む半導体膜151の厚さは、厚さ50nm~350nmとすることが好ましく、さらに好ましくは120nm~250nmとする。次に、実施の形態4と同様に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを不純物半導体膜111上に形成する。次に、レジストで形成されるマスクを用いて、半導体膜107、窒素を含む半導体膜151及び不純物半導体膜111をエッチングする。この工程により、半導体膜107、窒素を含む半導体膜151及び不純物半導体膜111を素子毎に分離し、半導体膜115、窒素を含む半導体膜153及び不純物半導体膜117を形成する。なお、窒素を含む半導体膜153は、窒素を含む微結晶半導体膜139及び窒素を含む非晶質半導体膜141で構成される。この後、レジストで形成されるマスクを除去する図6B参照。。次に、実施の形態4と同様に、不純物半導体膜117上に導電膜119を形成する。導電膜119は、導電膜119a、導電性を有する金属酸化物である導電膜119b及び低抵抗配線材料である導電膜119cからなる。導電膜119a及び導電膜119bは、導電膜の表面の一部または全部を、酸化性ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスから生成したプラズマで処理することで酸化、及びフッ化または塩化し、酸化、及びフッ化または塩化した導電膜を水を含む雰囲気に曝すことで、酸化、及びフッ化または塩化した部分が流動化し、膜中から一部のフッ素または塩素が脱離し、固化することで形成できる図6C参照。。導電膜の一部または全部をリフローすることで、導電膜の堆積が十分でない箇所の領域120へ導電膜119bを埋め込むことができる。次に、導電膜119b上に低抵抗配線材料である導電膜119cを形成する図6C参照。。次に、実施の形態4と同様に、フォトリソグラフィ工程によりレジストで形成されるマスクを形成し、当該レジストで形成されるマスクを用いて導電膜119をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線123を形成する。配線123は導電膜123a、金属酸化物膜123b、低抵抗導電膜123cからなる。次に、不純物半導体膜117の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜125を形成する。また、露出部が凹形状にエッチングされた窒素を含む非晶質半導体膜147を形成する図8A参照。。なお、不純物半導体膜117及び窒素を含む非晶質半導体膜147に加え、半導体膜115の一部をエッチングしてもよい。この場合、露出部が凹形状にエッチングされた微結晶半導体膜が形成される。次に、実施の形態4と同様に、ドライエッチング法による表面処理及びプラズマ処理を行ってもよい。以上の工程によりシングルゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。次に、絶縁膜131を形成する図8B参照。。絶縁膜131は、ゲート絶縁膜105と同様に形成することができる。以上の工程により図2に示すような、オン電流及び電界効果移動度が高く、かつオフ電流の低い薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。実施の形態7薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいう。を作製することができる。また、薄膜トランジスタを用いた駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう。、発光素子発光表示素子ともいう。を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を形成した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。なお、本明細書中における表示装置は、光源照明装置を含む。を含む。また、コネクタ、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュールまたは表示素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。実施の形態8本明細書に開示する半導体装置は、電子ペーパーとして適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、デジタルサイネージ、PIDPublicInformationDisplay、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図9に示す。図9は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705及び光電変換装置2706が組み込まれ、筐体2703には表示部2707及び光電変換装置2708が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図9では表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図9では表示部2707に画像を表示することができる。また、図9では、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。実施の形態9本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含む。に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビまたはテレビジョン受信機ともいう。、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。図10Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図10Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。なお、デジタルフォトフレーム9700は、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。また、デジタルフォトフレーム9700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。図11は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。図11の携帯型のコンピュータは、上部筐体9301と下部筐体9302とを接続することによって、ヒンジユニットを閉状態として表示部9303を有する上部筐体9301と、キーボード9304を有する下部筐体9302とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部9303を見て入力操作を行うことができる。また、下部筐体9302はキーボード9304の他に入力操作を行うポインティングデバイス9306を有する。また、表示部9303をタッチ入力パネルとすれば、表示部9303の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体9302はCPUやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体9302は他の機器、例えばUSBの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート9305を有している。上部筐体9301には更に上部筐体9301内部にスライドさせて収納可能な表示部9307を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部9307の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部9307をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部9307の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。表示部9303または収納可能な表示部9307は、液晶表示パネル、有機発光素子または無機発光素子などの発光表示パネルなどの映像表示装置を用いる。また、図11の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体9301と下部筐体9302とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部9307をスライドさせて画面全面を上部筐体9301から引き出し、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部9303を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。本実施例では、本発明の一形態である半導体装置の断面形状について説明する。本実施例における半導体装置の、STEMScanningTransmissionElectronMicroscopyによる断面形状を評価した。STEMの評価には株式会社日立ハイテクノロジーズ製HD-2300形超薄膜評価装置を用いた。試料は2条件用意した。詳細を以下に説明する。基板はガラス基板を用いた。ガラス基板上に導電膜をスパッタリング法を用いて形成した。導電膜は、一層目を厚さが50nmのチタン膜、二層目を厚さが100nmのアルミニウム膜、三層目を厚さが50nmのチタン膜で構成した。次に、導電膜をフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクを用いて所望の形状にエッチングし、ゲート電極を形成した。次に、ゲート絶縁膜、微結晶半導体膜、非晶質半導体膜及び不純物半導体膜をCVD法を用いて連続形成した。ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜を240nmの厚さで形成した。微結晶半導体膜は、微結晶シリコン膜を30nmの厚さで形成した。非晶質半導体膜は、窒素を含む非晶質シリコン膜を175nmの厚さで形成した。不純物半導体膜は、リンを含む非晶質シリコン膜を50nmの厚さで形成した。次に、不純物半導体膜、非晶質半導体膜及び微結晶半導体膜を、フォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクを用いて島状にエッチングした。次に、配線となる導電膜を形成した。ここでは、三層構造の導電膜を形成した。配線の一層目の導電膜として、チタン膜をスパッタリング法を用いて形成した。チタン膜は厚さが50nmとした。次に、チタン膜の表面をプラズマ処理した。プラズマ処理は、ICPエッチング法を用いて行い、四フッ化炭素ガス流量100sccm、ICP電力1000W、RFバイアス電力50W、圧力0.67Pa、処理時間60秒とした。なお、上記プラズマ処理に用いる酸化性ガスとして、プラズマを生成するチャンバー内の残留酸素を利用した。チャンバー内に酸素を残留させるため、上記プラズマ処理を行う前に酸素クリーニングを行った。酸素クリーニングとして、ダミー基板を導入し、酸素ガス流量200sccm、ICP電力4000W、RFバイアス電力50W、圧力0.67Pa、処理時間120秒の処理を10回行った。次に、表面にプラズマ処理を行ったチタン膜を、水を含む雰囲気に暴露して、酸化チタン膜を形成した。水を含む雰囲気は、ドライエッチング装置を用いて作った。本実施例では水を含む雰囲気で、ICPエッチング法を行った。具体的には、水ガス流量300sccm、ICP電力1800W、RFバイアス電力0W、圧力66.5Pa、処理時間180秒とした。次に、配線の二層目となる導電膜として、厚さが200nmのアルミニウム膜をスパッタリング法を用いて形成した。次に、配線の三層目となる導電膜として、厚さが50nmのチタン膜をスパッタリング法を用いて形成した。次に、配線及び不純物半導体膜を離間させるために、フォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクを用いて配線、不純物半導体膜及び非晶質半導体膜の一部をエッチングした。本実施例で作製した試料の条件を、表1に示す。本実施例で作製した半導体装置の断面形状を図12を用いて説明する。試料1、試料2の断面を100,000倍に拡大したSTEM像を、それぞれ図12A、図12Bに示す。ここで、ゲート電極1002はアルミニウム膜、ゲート電極1004はチタン膜、ゲート絶縁膜1006は窒化酸化シリコン膜、微結晶半導体膜1008は微結晶シリコン膜、非晶質半導体膜1010は非晶質シリコン膜、配線の一部である一層目の導電膜1012はチタン膜、配線の一部である二層目の導電膜1014はアルミニウム膜、配線の一部である三層目の導電膜1016はチタン膜、金属酸化物膜1018は酸化チタン膜である。試料1は、一層目の導電膜1012の形成後にプラズマ処理を行っていないため、一層目の導電膜1012及び二層目の導電膜1014の界面に金属酸化物膜1018が存在しない。試料2は、一層目の導電膜1012上に金属酸化物膜1018が存在する。領域1020で示した一層目の導電膜1012の薄い箇所へ、金属酸化物膜1018が堆積していることがわかる。上述の通り、段差部にも均一な拡散防止膜を形成することができる。"