"n型半導体層及びp型半導体層が積層された半導体層と、前記n型半導体層に接続されたn側電極と、前記p型半導体層上にp側透光性電極を有し、該p側透光性電極に接続されたp側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側電極は、前記n側電極を囲むように形成されたp側延伸部とp側パッド電極とを有し、前記n側電極は、n側パッド電極と、前記p側パッド電極方向に延びるn側第1延伸部と、を有し、前記p側延伸部は、前記p側パッド電極から延伸するp側第1延伸部と、前記p側第1延伸部から延伸するp側第2延伸部と、前記p側第2延伸部から分岐して延伸するp側第3延伸部と、前記p側第3延伸部から延伸するp側第4延伸部と、を備え、前記p側第2延伸部と、前記p側第4延伸部と、前記n側第1延伸部とが互いに平行な部分を有することを特徴とする半導体発光素子。前記n側電極は、前記n側第1延伸部と電気的に接続されるn側第2延伸部を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第2延伸部は、前記p側第1延伸部と平行な部分を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側第4延伸部は、前記n側第1延伸部と前記n側第2延伸部と最短距離が等しいことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体発光素子。前記n側パッド電極は、n側第3延伸部を有しており、前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第3延伸部は、前記n側パッド電極と前記p側第2延伸部との最短距離を結ぶ方向に向かって延びていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第2延伸部は、前記p側第1延伸部と等距離であることを特徴とする請求項2乃至4に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側パッド電極と前記p側パッド電極は、同じ大きさであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体発光素子。前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側パッド電極が前記p側第1延伸部よりも前記半導体発光素子の側辺側に配置されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体発光素子。しかしながら、特許文献1では一方のパッド電極から延びる電極が他方のパッド電極に直線上に延びていることから電流が集中する部分がある。特許文献2では電流が供給されるパッドから電極の端部が相当な距離で離隔されるので、他の隣接部分に比して低い光出力を示す部分がある。特許文献3では一方のパッド電極から延びる電極が他方のパッド電極に直線上に延びていることから電流が集中する部分がある。特許文献4及び5は電流が供給されるpパッド電極が一つであるため、pパッド電極とnパッド電極との間の発光と、pパッド電極を除く電極とnパッド電極との間の発光と、で明るさに違いが生じている。そこで、本発明は発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。本発明に係る半導体発光素子は、n型半導体層及びp型半導体層が積層された半導体層と、前記n型半導体層に接続されたn側電極と、前記p型半導体層上にp側透光性電極を有し、該p側透光性電極に接続されたp側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側電極は、前記n側電極を囲むように形成されたp側延伸部とp側パッド電極とを有し、前記n側電極は、n側パッド電極と、前記p側パッド電極方向に延びるn側第1延伸部と、を有し、前記p側延伸部は、前記p側パッド電極から延伸するp側第1延伸部と、前記p側第1延伸部から延伸するp側第2延伸部と、前記p側第2延伸部から分岐して延伸するp側第3延伸部と、前記p側第3延伸部から延伸するp側第4延伸部と、を備え、前記p側第2延伸部と、前記p側第4延伸部と、前記n側第1延伸部とが平行である。これにより発光むらを低減することができる。また、Vfを低減することもできる。ここでn側電極を囲むとは、O字のようにn側電極を完全に囲っていなくてもよく、C字のように一部開口していてもよい。本発明に係る半導体発光素子は、前記n側電極は、前記n側第1延伸部と電気的に接続されるn側第2延伸部を有していることが好ましい。これにより発光むらを低減することができる。これは電流せき止め効果によるものと考えられる。本発明に係る半導体発光素子は、前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第2延伸部は、前記p側第1延伸部と平行な部分を有することが好ましい。これによりさらに発光むらを低減することができる。本発明に係る半導体発光素子は、前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側第4延伸部は、前記n側第1延伸部と前記n側第2延伸部と最短距離が等しいことが好ましい。これによりさらに電流拡散が均一となる。本発明に係る半導体発光素子は、前記n側パッド電極は、n側第3延伸部を有しており、前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第3延伸部は、前記n側パッド電極と前記p側第2延伸部との最短距離を結ぶ方向に向かって延びていることが好ましい。これによりこれによりn側パッド電極とp側第2延伸部との距離を短くすることができ発光むらをさらに低減することができる。本発明に係る半導体発光素子は、前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側第2延伸部は、前記p側第1延伸部と等距離であることが好ましい。これによりさらに電流拡散が均一となる。本発明に係る半導体発光素子は、前記半導体発光素子を上面から見て、前記n側パッド電極と前記p側パッド電極は、同じ大きさであることが好ましい。これにより発光面積を拡大することができる。本発明に係る半導体発光素子は、前記半導体発光素子を上面から見て、前記p側パッド電極が前記p側第1延伸部よりも前記半導体発光素子の側辺側に配置されることが好ましい。本発明の半導体発光素子は、発光むらを低減することができる。発光むらとは、光取出し面側から見たときに、発光部の発光が不均一に見えることであり、例えば光が他と比べて暗部があるものなどをいい、発光むらが改善されるとは、発光部の発光が均一に近づくことをいう。また、Vfを低減することもできる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語例えば、上、下、右、左及び、それらの用語を含む別の用語を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また発明を理解しやすくするために、実施形態を分けて説明するが、これらの実施形態はそれぞれ独立するものではなく、共有できるところは他の実施形態の説明を適用できる。<第1の実施の形態>第1の実施の形態に係る半導体発光素子について図面を用いて詳述する。図1は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。図2は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略断面図であり、図1のA-A’線における概略断面図である。図3は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の変形例を示す概略平面図である。ただし、説明の便宜上、図1と図2と図3は同一縮尺ではない。半導体発光素子の平面を上面と呼ぶ。第1の実施の形態に係る半導体発光素子1は、基板110の上にn型半導体層121、発光層122及びp型半導体層123を順に積層した半導体層120を備えている。半導体発光素子101を上面から見て、p型半導体層123及び発光層122を部分的に除去してn型半導体層121を露出させている。通電時、発光部105は、露出されたn型半導体層121を除いてp型半導体層123が発光しているように見える。半導体発光素子101の上面はn側パッド電極132、p側パッド電極142の一部を除いて短絡防止のために絶縁性の保護膜150で覆われている。図2では、保護膜150を省略している。半導体発光素子1は、一対のn側電極130とp側電極140とを備えている。p側電極140は、p側パッド電極142と、p側透光性電極144と、p側延伸部p側第1延伸部146、p側第2延伸部147、p側第3延伸部148、p側第4延伸部149と、を備えている。p側透光性電極144はp型半導体層123上に備えられており、p側透光性電極144はp側パッド電極142と電気的に接続されており、p側パッド電極142はp側延伸部と電気的に接続されている。p側第1延伸部146、p側第2延伸部147,p側第3延伸部148、p側第4延伸部149は、連続的に形成されている。p側第1延伸部146、p側第2延伸部147,p側第3延伸部148は、略U字状を成している。n側電極130は、n側パッド電極132と、n側延伸部n側第1延伸部136、n側第2延伸部137、n側第3延伸部138と、n側透光性電極170と、を備えている。n側パッド電極132は、n型半導体層121上に備えられており、n側パッド電極132はn側延伸部と電気的に接続されている。n側第1延伸部136、n側第2延伸部137は、連続的に形成されており、T字状に形成されている。n側電極130は、p側半導体層123の上面に伸びて、外部電極図示せずと電気的に接続される。そして、n側電極130とp型半導体層123と間には絶縁膜図示せずが形成されており、n側電極130とp型半導体層123との短絡を防止している。p側パッド電極142を半導体発光素子101の外周付近に配置している。ワイヤーボンディングを行いやすくするためである。本実施形態では、矩形状の半導体発光素子101において、p側パッド電極は半導体発光素子101の角部ではない一辺付近に設けているが、角部であっても構わない。p側パッド電極142は、上面視で、p側第1延伸部146に対して半導体発光素子101の側辺側に突出している。そのため、p側延伸部は半導体発光素子101の側辺よりも内側に配置されている。p側第1延伸部146がp側パッド電極142に対し側辺側にある場合と比較して、n側第2延伸部137とp側第1延伸部146、p側パッド電極142の距離が等距離となり、より発光むらを低減することができる。しかし、p側パッド電極142を半導体発光素子101のやや内側に配置してもよい。例えば、半導体発光素子101の一辺を1とした場合、n側パッド電極132が配置されている側と対向する一辺からp側パッド電極142の中心までは0.15~0.30の位置に配置してもよい。p側パッド電極142と最も近い半導体発光素子101の外周までの間も発光しているからである。p側パッド電極142及びp側第1延伸部146、p側第2延伸部147、p側第3延伸部148、p側第4延伸部149は、p型半導体層123上に備えたp側透光性電極144の表面の一部に形成されている。p側第1延伸部146、p側第2延伸部147,p側第3延伸部148は、n側電極30をC字状に囲むように形成されている。p側第1延伸部146は、p側パッド電極142からn側パッド電極132に向かう方向に対し垂直な方向に延びており、p側第2延伸部147はp側第1延伸部146から垂直な方向に延びており、p側第3延伸部148はp側第2延伸部147から分岐して垂直な方向に延びている。p側第1延伸部146とp側第2延伸部147との交点は丸みを帯びているが、直交していてもよい。p側第2延伸部147は直線上に延びる部分と先端の湾曲状の部分とを有する。このp側第2延伸部147の先端の湾曲状はn側パッド電極132の円形状と距離を同じにするように円弧状となっていることが好ましい。n側パッド電極132とp側第2延伸部147の先端付近の距離が等距離となり均一に発光しやすいからである。さらにp側第3延伸部148は、n側第1延伸部方向136に向かって延びている。p側第3延伸部148は、n側パッド電極132とn側第2延伸部137との間に配置される。p側第3延伸部148は、先端から、p側第2延伸部147と平行で、n側パッド電極132の方向へ延びるp側第4延伸部149を備える。p側第3延伸部148とp側第4延伸部149は略L字状となり、n側第1延伸部136、n側第2延伸部137とほぼ等距離になるように配置される。p側第3延伸部148がn側パッド電極132よりに配置されている場合、p側第4延伸部149はn側第2延伸部137の方向に延伸してもよい。p側第4延伸部149は、n側第1延伸部136との最短距離と、n側第2延伸部137との最短距離が等しい方が好ましい。また、p側第4延伸部149は、p側第2延伸部147ともほぼ等距離になるように配置する。すなわち、p側第4延伸部149が、n側第1延伸部136とp側第2延伸部との中間に位置する。これにより、n側第1延伸部136と対向するp側第4延伸部149の面積が増え、またn側第1延伸部136、p側第2延伸部147、p側第4延伸部149間の距離が等しくなるため、これらの間の電流をさらに均一に拡散させることができる。また、n側パッド電極132付近では電流密度が大きいため、p側第4延伸部149とn側パッド電極132との距離は、p側第4延伸部149とn側第2延伸部137との距離よりも長い方が好ましい。半導体発光素子101を上面から見て、p側延伸部は、p側第1延伸部146、p側第2延伸部147、p側第3延伸部148へと枝分かれしていくに従って、幅が細くなることが好ましい。p側延伸部が枝分かれして細くなると流れる電流も小さくなるためである。これにより、Vfが低減できる。また、p側延伸部の面積が減るので発光面積を拡大することができる。p側電極140とp型半導体層123の間には絶縁層180を設けることもできる。特に、絶縁層180は、p側透光性電極144とp型半導体層123の間であって、p側パッド電極142とp側延伸部の形状に沿って、p側パッド電極142とp側延伸部よりも幅広に形成されることが好ましい。これによりp側パッド電極142周辺への過度な電流集中を緩和することができる。また、p側第1延伸部146、p側第2延伸部147は半導体発光素子101の外周に配置されていることが好ましい。これにより発光面積を広くとることができ、半導体発光素子101の外周が暗くなるのを抑制することができる。n側パッド電極132は、発光する領域内に孤立して形成される。p型半導体層123及び発光層122を上面から見て円形状にエッチングしている。半導体発光素子101の一辺を1とした場合、p側パッド電極142が配置されている側と対向する一辺からn側パッド電極132の中心までは0.20~0.35の位置に配置されている。つまりn側パッド電極132の中心とp側パッド電極142の中心との距離は0.75~0.60離れている。より好ましくは、半導体発光素子1の一辺を1とした場合、p側パッド電極142が配置されている側と対向する一辺からn側パッド電極132の中心までは0.25~0.30の位置に配置されている。つまりn側パッド電極132の中心とp側パッド電極142の中心との距離は0.65~0.60離れている。n側パッド電極132及びn側第1延伸部136、n側第2延伸部137、n側第3延伸部138は、n型半導体層121上に備えたn側透光性電極170の表面の一部に形成されている。n側第1延伸部136、n側第2延伸部137は、T字状に形成されている。n側第1延伸部136は、n側パッド電極132からp側パッド電極142に向かって直線上に延びている。n側第2延伸部137はn側第1延伸部136から垂直な方向に延びている。n側第1延伸部136とp側第2延伸部147は平行な部分を有している。また、n側第2延伸部137とp側第1延伸部146は平行な部分を有している。また、n側第2延伸部137とp側第3延伸部148は平行な部分を有している。本実施形態において、n側第2延伸部137は、p側第1延伸部146と平行に配置、すなわち、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して垂直に配置されているが、これに限らず、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して角度を有して配置されていてもよい。また、n側第2延伸部137は曲部を有していてもよい。n側第2延伸部137の長さはp側パッド電極142の直径よりも大きいことが好ましい。これにより電流せき止め効果をより効果的に実現することができるからである。また、n側第2延伸部137の長さはn側パッド電極132の直径よりも大きいことが好ましい。これにより電流せき止め効果をより効果的に実現することができるからである。ここで、電流せき止め効果について説明する。n側第2延伸部137がないと、n側第1延伸部136がp側パッド電極142方向に延びているのみとなる。そうすると、n側延伸部からp側パッド電極142方向へ向かう電流は、n側第1延伸部136の先端に集中することになり、n側第1延伸部136とp側パッド電極142との間で直線的に電流が集中する。しかし、n側第2延伸部137がある場合、電流はn側第1延伸部136からn側第2延伸部137へ広がってp側パッド電極142へ向かうため、電流が均一に拡散される。n側第3延伸部138は、n側パッド電極132からn側第1延伸部136とは異なってp側第2延伸部147の方向に延びている。特に、p側第2延伸部147に対して垂直に延びることが好ましい。これにより、p側第2延伸部147とn側パッド電極132との距離を縮めることができるため、n側パッド電極の大きさの比率を小さくすることができる。したがって、n側パッド電極132はp側パッド電極142と同等若しくは小さくすることもできる。n側パッド電極132が縮小された分、発光部105が拡大し発光効率が向上する。また、n側パッド電極132を挟んで直線方向に延びる2つのn側第3延伸部138の両端までの長さは、n側第2延伸部137の長さと等しいことが好ましい。これによりn側第3延伸部138とp側第2延伸部147、n側第2延伸部137とp側第2延伸部147の距離が等しくなり、発光むらを低減することができる。p側第2延伸部147の先端部分とn側パッド電極132との距離は等距離であることが好ましい。p側第2延伸部147の直線部分とn側第1延伸部136との距離も等距離であることが好ましい。また、p側第2延伸部147の先端部分及び直線部分とp側第3延伸部148で囲まれた部分とn側パッド電極132との距離は等距離であってもよいが、n側第1延伸部136があるため、p側第2延伸部147の先端方向p側パッド電極142と離れる方向にずれていることが好ましい。p側パッド電極142とn側第2延伸部137との最短距離は、p側第2延伸部147の直線部分とn側第2延伸部137との最短距離よりも広いことが好ましい。電流集中を抑制することができるからである。n側第2延伸部137の長さはp側第1延伸部146の長さの半分であることが好ましく、p側第3延伸部148の長さはp側第1延伸部146の長さの半分であることが好ましい。n側第2延伸部137とp側第2延伸部147との距離と、p側第3延伸部148とn側第1延伸部136との距離が等しくなることが好ましい。n側第2延伸部は、n側パッド電極とp側パッド電極との中間地点よりも、p側パッド電極よりに配置されるのが好ましい。nパッド電極からより遠くへ電流を拡散させるためである。半導体発光素子1101に示すように、一対のn側電極1130とp側電極1140は2つ以上用いることもできる。2つのp側電極1140を別々に形成しても良いが、p側第2延伸部1147を共通にしてp側電極1140を連結することが好ましい。このときp側第2延伸部1147の先端はそれぞれに対応するn側パッド電極1132と等距離となるように分岐していることが好ましい。また、2つのp側パッド電極1142を有することで上面から見たとき半導体発光素子1101を略正方形にすることができる。このとき2つのp側パッド電極1142の間のp側第2延伸部1147を共通にすることでp側第2延伸部1147を3本としている。これにより発光むらを低減することができる。これはp側第2延伸部1147を4本とした場合、内側2本の間が暗くなるためである。次に、各構成部材について詳述する。基板10基板は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるのに適した材料から形成される。窒化物半導体のエピタキシャル成長に適した基板としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイアA12O3やスピネルMgA12O4のような絶縁性基板、またSiC6H、4H、3C、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;LiNbO3、NdGaO3等の酸化物基板、窒化物半導体基板GaN、AlN等等が挙げられる。また、半導体成長面がオフアングルした基板、或いは凹凸構造が設けられた基板であってもよい。なお、基板は、最終的に除去することもできる。さらに、透光性を有する基板であれば、半導体素子構造を積層した主面に対向するもう一方の主面側を光取り出し面とすることも可能である。半導体層20半導体発光素子を構成する発光部としては、いわゆる発光ダイオード、レーザーダイオードなどが好適である。発光部の形状は特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形又はこれに近い形状のものを利用することができる。特に、三角形、四角形、六角形などの形状であると、半導体発光素子を形成する際に、複数の発光部を緻密に配置できるので好ましい。発光部の構造としては、MIS接合、PIN接合、PN接合等のホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体発光層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。発光層には、Si、Ge等のドナー不純物及び/又はZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。得られる半導体発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、発光層のInGaNのIn含有量、発光層にドープする不純物の種類を変化させる等によって、紫外領域から赤外領域まで変化させることができる。発光部に含まれるn型半導体層、発光層及びp型半導体層23は、例えば、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等、種々の半導体から形成することができる。特に、n型半導体層、発光層、p型半導体層は、窒化物半導体から形成するのが好ましい。窒化物半導体から成る発光部の具体例としては、例えば、AlGaNよりなるバッファ層、アンドープGaN層、Siドープn型GaNよりなるn側コンタクト層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた超格子構造のn側クラッド層、GaN層とInGaN層とを交互に積層させた多重量子井戸構造の発光層、MgドープAlGaN層とMgドープInGaN層とを交互に積層させた超格子構造のp側クラッド層、MgドープGaNよりなるp側コンタクト層を含むことができる。n側電極30、p側電極40以下、特に指摘なければ電極と呼ぶn側電極はパッド電極と延伸部とにより構成され、p側電極はパッド電極、透光性電極、延伸部とにより構成される。各延伸部は対応するパッド電極と電気的に接続される。よって、延伸部が低抵抗な状態で接続できるように、電極の材料が選択される。電極を積層構造で設ける場合、例えばAu、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Tiのいずれかの金属またはこれらの合金やそれらの組み合わせとすることができる。具体的な一例として、窒化物半導体層やp側透光性電極44と接続する側からTi/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Rhなどを用いて構成することができる。発光部上のp型半導体層に設けられるp側透光性電極は、p型半導体層の全面に設けられることが好ましい。発光層からの光は、このp側透光性電極を通って外部に放出される。そのため、p側透光性電極には、特に、発光層で発生する光の波長域における光透過率が大きい材料が好適に用いられる。例えば、p側透光性電極としては、In、Zn、Sn、Ga、W、Tiから選択される少なくとも1種を含む導電性の酸化物、具体的には、ITO、IZO、ZnO、In2O3、SnO2、TiO2及びこれらの複合酸化物が挙げられる。保護膜50保護膜は、n側パッド電極、p側パッド電極の上面の一部を除いて、発光部の全面を覆っている。保護膜の材料として、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2などの単層膜または多層膜を用いることができる。保護膜を備えることにより、ショート等を防ぎ、歩留まりや信頼性を向上することができる。メタライズ60半導体発光素子の裏面にはメタライズを施している。半導体層から放出された光を上面側に効率よく反射させるためである。メタライズは基板の全面に反射率の高い材料を設けることが好ましい。メタライズの材料はAl、Agなどである。<第2の実施の形態>第2の実施の形態に係る半導体発光素子201は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子101と、p側第4延伸部149の形状が異なる以外はほぼ同じである。図4は、第2の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。第2の実施の形態に係る半導体発光素子201は、基板210の上にn型半導体層221、発光層222及びp型半導体層223を順に積層した半導体層220を備えている。半導体発光素子201を上面から見て、p型半導体層223及び発光層222を部分的に除去してn型半導体層221を露出させている。通電時、発光部205は、露出されたn型半導体層221を除いてp型半導体層223が発光しているように見える。半導体発光素子201の上面はn側パッド電極232、p側パッド電極242の一部を除いて短絡防止のために絶縁性の保護膜250で覆われている。半導体発光素子201は、一対のn側電極230とp側電極240とを備えている。p側電極240は、p側パッド電極242と、p側透光性電極244と、p側延伸部p側第1延伸部246、p側第2延伸部247、p側第3延伸部248、p側第4延伸部249と、を備えている。p側透光性電極244はp型半導体層223上に備えられており、p側透光性電極244はp側パッド電極242と電気的に接続されており、p側パッド電極242はp側延伸部と電気的に接続されている。p側第1延伸部246、p側第2延伸部247,p側第3延伸部248、p側第4延伸部249は、連続的に形成されている。p側第1延伸部246、p側第2延伸部247,p側第3延伸部248は、略U字状を成している。p側第2延伸部247の先端はn側パッド電極232と等間隔となるように円弧状となっている。p側第3延伸部248はp側第2延伸部247から垂直な方向に伸びており、さらにその先端からp側第2延伸部247と平行な方向へ延びるp側第4延伸部249を備える。そしてp側第3延伸部248とp側第4延伸部249は、n側第1延伸部236、n側第2延伸部237とほぼ等距離になるように略T字状に配置されることが好ましい。これにより、略L字状のときよりも、n側第1延伸部236と対向するp側第4延伸部249の面積が増え、これらの間の電流をさらに拡散させることができる。p側第3延伸部248、p側第4延伸部249がT字状の場合、p側第3延伸部248がn側パッド電極232寄りに配置されても、p側第4延伸部249の長さを長くすればn側第1延伸部236、n側第2延伸部237との対向面積や距離を調整することができる。そのため、例えば半導体発光素子が大きくなり、n側パッド電極232とp側パッド電極242の距離が離れてn側第1延伸部236の長さが長くなっても、T字形状の調節により効果的な電流拡散を奏するので、好適に利用できる。実施例1及び2に係る半導体発光素子は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子101に基づいている。図1は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。図2は、第1の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略断面図である。図4は、第2の実施の形態に係る半導体発光素子を示す概略平面図である。図5~14は、それぞれ実施例1~10に係る半導体発光素子の発光分布を示すシミュレーション図である。図15~18は、それぞれ比較例1~4に係る半導体発光素子の発光分布を示すシミュレーション図である。図5乃至18は有限要素法によりn側第2延伸部、n側第3延伸部、p側第4延伸部の効果を比較した結果である。実施例に係る半導体発光素子について説明するに際し、第1の実施の形態に係る半導体発光素子101と同一のところは説明を省略することもある。実施例1に係る半導体発光素子101は、基板110の上にn型半導体層121、発光層122及びp型半導体層123を順に積層した半導体層120を備えている。半導体発光素子101を上面から見て、p型半導体層123及び発光層122を部分的に除去してn型半導体層121を露出させている。半導体発光素子101の上面はn側パッド電極132、p側パッド電極142の一部を除いて保護膜150で覆われている。半導体発光素子101は、一対のn側電極130とp側電極140とを1つ備えている。p側電極140は、p側パッド電極142と、p側透光性電極144と、p側延伸部p側第1延伸部146、p側第2延伸部147、p側第3延伸部148、p側第4延伸部149と、を備えている。p側透光性電極144はp型半導体層123上に備えられており、p側透光性電極144はp側パッド電極142と電気的に接続されており、p側パッド電極142はp側延伸部と電気的に接続されている。p側第1延伸部146、p側第2延伸部147,p側第3延伸部148、p側第4延伸部149は、連続的に形成されている。p側第1延伸部146、p側第2延伸部147,p側第3延伸部148は、略U字状を成している。p側第3延伸部148は、先端から、p側第2延伸部147と平行で、n側パッド電極132の方向へ延びるp側第4延伸部149を有している。p側第3延伸部148とp側第4延伸部149は略L字状で、n側第1延伸部136、n側第2延伸部137とほぼ等距離になるように配置される。p側透光性電極144とp型半導体層123の間には絶縁層180が設けられている。絶縁層180は、p側パッド電極142とp側延伸部の形状に沿って、p側パッド電極142とp側延伸部よりも幅広に形成されている。n側電極130は、n側パッド電極132と、n側延伸部n側第1延伸部136、n側第2延伸部137、n側第3延伸部138と、n側透光性電極170と、を備えている。n側パッド電極132は、n型半導体層121上に備えられており、n側パッド電極132はn側延伸部と電気的に接続されている。n側第1延伸部136、n側第2延伸部137は、連続的に形成されており、T字状に形成されている。n側第3延伸部138は、n側パッド電極132からn側第1延伸部136とは異なってp側第2延伸部147の方向に延びている。基板110にはサファイアを用いる。n型半導体層121が形成される側のサファイアの上面は凹凸加工がなされている。n型半導体層121、発光層122及びp型半導体層123は窒化物半導体が積層されている。主波長は455nmである。半導体発光素子101の大きさは900μm×600μm×120μmである。n側パッド電極132とp側パッド電極は直径90μmである。n側パッド電極132及びp側パッド電極142はTi、Rh、W、Auを含む積層構造であり、p側透光性電極144はITOである。保護膜150はSiO2を用い200nmで被覆している。実施例2,3は、n側第2延伸部137の形状が異なる以外は、実質的に実施例1の半導体発光素子101と同様である。実施例2は、n側第1延伸部から延伸するn側第2延伸部が、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して角度を有して配置されており、かつ曲部を有している。つまり、略C字状となっている。実施例3は、n側第1延伸部から延伸するn側第2延伸部が、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して角度を有して直線的に延伸するように配置されており、略Y字状となっている。実施例4は、n側第3延伸部138を、実施例5は、n側第2延伸部137を、それぞれ有していない以外は、実質的に実施例1の半導体発光素子101と同様である。実施例6は、p側第4延伸部249の形状と半導体発光素子201の大きさが異なる以外は、実質的に実施例1の半導体発光素子101と同様である。主波長は455nmで、半導体発光素子201の大きさは1000μm×500μm×120μmである。実施例4は、p側第3延伸部248、p側第4延伸部249が連続的に形成されてT字状になっている。実施例7、8は、n側第2延伸部237の形状が異なる以外は、実質的に実施例6の半導体発光素子201と同様である。実施例7は、n側第1延伸部から延伸するn側第2延伸部が、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して角度を有して配置されており、かつ曲部を有している。つまり、略C字状となっている。実施例8は、n側第1延伸部から延伸するn側第2延伸部が、n側パッド電極の中心とp側パッド電極の中心とを結ぶ直線に対して角度を有して直線的に延伸するように配置されており、略Y字状となっている。実施例9は、n側第3延伸部238を、実施例10は、n側第2延伸部237を、それぞれ有していない以外は、実質的に実施例6の半導体発光素子201と同様である。比較例1は、p側第4延伸部149を、そして比較例2は、n側第3延伸部138と、n側第2延伸部137と、p側第4延伸部149と、を有していない以外は実施例1と同様の構成を採る。また、比較例3は、p側第4延伸部249を、そして比較例4は、n側第3延伸部238と、n側第2延伸部237と、p側第4延伸部249と、を有していない以外は実施例6と同様の構成を採る。以上の構成にすることにより、n側第1延伸部において、実施例1~10のp側第4延伸部を設けたものの方が、比較例1~4のp側第4延伸部を設けないものよりも電流拡散効果を有している。さらに、実施例1~3、6~8のようにn側第2延伸部、n側第3延伸部、p側第4延伸部を設けた方が、半導体発光素子全体において電流拡散効果を有し、より電流密度分布が均一となる。特にn側パッド電極、n側第1延伸部、p側パッド電極の周囲の電流密度分布が均一となっている。さらにまた、実施例2、3、7、8のように、n側第2延伸部がp側第1延伸部に対して平行配置されていない場合であっても電流密度は均一であるが、実施例1、6のように平行配置であるとより好ましい。つまり、実施例1、6の構成にすることで、n側第1延伸部136、236に平行なp側第4延伸部149、249により、n側第1延伸部136、236と対向する面積が増え、これらの間の電流密度分布が均一となっている。また、実施例1~10の結果から、n側第3延伸部138、238を備えることで、n側パッド電極とp側第2延伸部147、247との距離を近づけることができ、電流密度分布の均一化を図ることができた。さらに、p側パッド電極142、242がp側第1延伸部146、246よりも半導体発光素子101、201の側辺側にあり、p側第1延伸部146、246がn側第2延伸部137、237に対向して平行に配置されることにより、n側第2延伸部137、237とp側第1延伸部146、246との間も電流密度分布が均一化されていることがわかった。"