"半導体発光素子を搭載する平面を有する基板と、前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた半径R1、高さR2ただしR2は1/2R1<R2<2R1を満たすの積層構造とを含み、前記積層構造は、200μm以上の厚さを有する第1の光透過性層と、前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、粒径が45μm以上70μm以下の蛍光体と基材とを含む蛍光体層と、前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層とを具備することを特徴とする半導体発光装置。前記蛍光体層の前記平面に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記第1の光透過性層の前記平面に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記第2の光透過性層の前記平面に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記蛍光体層は2つ以上含まれ、各蛍光体層に含有される蛍光体は、種類および濃度の少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記第2の光透過性層の外側に、屈折率の異なる第3の光透過性層をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記蛍光体層は2つ以上含まれ、隣接する蛍光体層の間に光透過性層を有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記蛍光体層は、20重量以上の蛍光体を含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の半導体発光装置。半導体発光装置の効率および輝度に対する要求は、さらに高まりつつあるにもかかわらず、従来の構造では、こうした要求に十分対応できないのが現状である。本発明は、高輝度の光を高い効率で出力することが可能な半導体発光装置を提供することを目的とする。本発明の一態様にかかる半導体発光装置は、半導体発光素子を搭載する平面を有する基板と、前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた半径R1、高さR2ただしR2は1/2R1<R2<2R1を満たすの積層構造とを含み、前記積層構造は、200μm以上の厚さを有する第1の光透過性層と、前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、粒径が45μm以上70μm以下の蛍光体と基材とを含む蛍光体層と、前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層とを具備することを特徴とする。本発明によれば、高輝度の光を高い効率で出力することが可能な半導体発光装置が提供される。以下、本発明の実施形態を説明する。本発明者らは、従来の半導体発光素子における光取り出し効率の損失に着目した。光取り出し効率の損失は、発光効率の低下と言い換えることができ、チップから取り出した光の一部が、光変換材蛍光体によって散乱、または樹脂-空気界面で全反射して、樹脂内で吸収されてしまうことが原因であることがわかった。こうした全反射は、光変換材-空気界面においても生じて、同様に光の一部が樹脂内で吸収されてしまう。また、蛍光体を蛍光体層中に均一に配置するために、パッケージカップが用いられる場合には、発光面がカップ全体になるために広くなる。その結果、得られる輝度が低くなってしまう。こうした知見に基づいて、本発明者らは、発光効率光取り出し効率および輝度を高めるためには、平面を有する基板と、蛍光体層を挟んで配置された少なくとも2つの光透過性層とを備えることが有効であること見出し、本発明をなすにいたったものである。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、実施の形態において同一機能を有する構成要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の実施形態にかかる半導体発光装置の断面図である。図示するように、本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、基板4の半導体発光素子が搭載される平面に半導体発光素子2が搭載されており、半導体発光素子2上には、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33を含む多層構造3が順次設けられている。半導体発光素子2は、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する。また、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33の全ての層は、端部が基板4の平面に達している。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、パッケージカップではなく平面を有する基板が用いられるので、カップによる吸収が生じるおそれはない。その結果、光取り出し効率の向上につながる。しかも、半導体発光素子のサイズに応じた小さい点光源にすることができ、高輝度を出力することが可能である。なお、平面を有する基板4は、本体となる基板基材41、およびこの基材41に設けられた配線42および配線43を含む。基板基材41としては、例えば平板基材を用いることができる。配線42は、基板基材41の表面中央および裏面中央に配設され、かつ双方をスルーホール配線により電気的に接続する。一方、配線43は、基板基材41の表面周辺および裏面周辺に配設され、かつ双方をスルーホール配線により電気的に接続する。配線43は、半導体発光素子2の主電極図示せずにワイヤ5を介して電気的に接続されている。例えばフリップチップを用いた場合のように、半導体発光素子2の構造によっては、ワイヤ5は必ずしも必要とされない。また、半導体発光素子2の主電極が2つとも上面に位置する場合は、それぞれの電極に配線42、43がワイヤを介して電気的に接続される。基板4およびワイヤ5は、図示する例に限定されるものではない。図1に示した半導体発光装置の上面図を、図2に示す。図示するように、本実施形態の半導体発光装置においては、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層32を含む多層構造3は、半導体発光素子2の周囲に円形状に配置されている。基板基材41としては、熱伝導性に優れた材料を用いることが好ましい。例えばAlN、Al2O3、Cu、BN、プラスチック、セラミックス、およびダイアモンドなどが挙げられる。こうした材料からなる基板基材を用いることによって、半導体発光素子2の動作により発生する熱を効率よく放出することができる、配線42および43は、配線抵抗値が小さくかつ可視光の吸収率が小さい材料により構成することが好ましい。例えば、Au、Ag、Cu、Cu合金、あるいはWからなる材料によって、配線42および43を形成することができる。これらの配線は、薄膜配線および厚膜配線のいずれとしてもよい。さらに、配線42および43には、ボンダビリティを向上するために、Auメッキ層、Agメッキ層、Pdメッキ層または半田メッキ層を形成することができる。ワイヤ5には、抵抗値が小さくかつ可視光の吸収率が小さい材料を用いることが好ましい。例えば、Auワイヤを用いることができる。あるいは、Pt等の貴金属とAuとを組を合わせたワイヤを用いてもよい。半導体発光素子2としては、例えば、III族窒化物系化合物半導体であるAlGaInN発光層またはAlGaInN活性層205を有する発光ダイオードを使用することができる。その一例を、図3に示す。III族窒化物系化合物半導体は、例えば、一般式AlXGaYIn1XYN0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦XY≦1で表わすことができる。こうした一般式には、AlN、GaNおよびInNの2元系、AlXGa1XN、AlXIn1XNおよびGaXIn1XN0<x<1の3元系のいずれの組成の化合物半導体も含まれる。III族窒化物系化合物半導体においては、III族元素の一部をBまたはTl等に置換することができる。また、III族窒化物系化合物半導体においては、Nの一部もP、As、Sb、あるいはBi等に置換することができる。図3に示される半導体発光素子2においては、サファイア基板201上に、AlGaInNバッファ層202、n型AlGaInNコンタクト層203、n型AlGaInNクラッド層204、AlGaInN発光層205、p型AlGaInNクラッド層206、およびp型AlGaInNコンタクト層207が順次積層されている。n型AlGaInNコンタクト層203にはn型電極第1の主電極208が配設され、p型AlGaInNコンタクト層207にはp型電極第2の主電極209が配設されている。ただし、層構造は図3に示した実施の形態に限定されるものではない。例えば、基板201としてGaNなどの導電性の基板を用い、電極208を基板201の下に設けてもよい。半導体発光素子2としては、MgZnO発光層またはMgZnO活性層を有するレーザダイオードまたは発光ダイオードを用いることもできる。一般式は、MgXZn1XO0≦X≦1で表わされる。こうした発光層を含む半導体発光素子の一例を、図4に示す。図示する半導体発光素子2においては、サファイア基板211上に、ZnOバッファ層212、p型MgZnO層213、MgZnO発光層214、およびn型MgZnO層215が積層されている。p型MgZnO層213には、ITO電極層216を介して金属電極第1の主電極217が配設され、n型MgZnO層215にはITO電極層218を介して金属電極第2の主電極219が配設されている。ただし、層構造は図4に示した実施の形態に限定されるものではない。第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33を含む積層構造3の断面形状の一例を、図5に示す。図示するように、種々の形状を採用することができる。基板に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかとすることができる。例えば積層構造3の断面の外周が、2本の直線を含む形状の場合には、積層構造3の基板に対して垂直な断面は、この外周と基板4の平面とによって、三角形状となる。断面の外周が3本の直線から構成される場合には、断面の形状は、例えば矩形状や台形状とすることができる。第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33のそれぞれの基板に対して垂直な断面における外周は、必ずしも同一の形状とする必要はない。図5に示したいずれの形状で第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33を設けた場合でも、第2の光透過性層33と空気との界面における全反射が低減されて、この第2の光透過性層による光吸収が減少する。したがって、本願発明の実施形態にかかる半導体発光装置の効率および輝度は高められることとなる。そのメカニズムを、図面を参照して説明する。図6は、本発明の一実施形態にかかる半導体発光装置の断面図である。蛍光体層32の裾の部分領域A1および頂部領域B1について、蛍光体の分散状態を、図7aおよび図7bにそれぞれ示す。図7aは基板4に接する裾の部分領域A1の状態を示し、図7bは頂部領域B1の状態を示す。図7aに示されるように、蛍光体層32は、基材52と、この基材中に分散された蛍光体51とによって構成される。ここでは、基材52として樹脂を用いた場合について述べる。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、蛍光体層32の上にさらに第2の光透過性層33が設けられるので、図7aに示すように、裾の部分での樹脂の裾引き53は低減される。しかも、第2の光透過性層33が蛍光体層32上に存在することによって、蛍光体51と空気との距離も大きくなる。その結果、蛍光体-空気界面における全反射の影響は小さい。一方、積層構造の頂部においては、図7bに示されるように蛍光体51の形状は、表面に反映されることはない。第2の光透過性層33存在しているので、多層構造の表面の平滑性は良好である。これによって、全反射が低減されて光取り出し効率を高めることが可能である。こうした構造は、本発明者らによって達成された。図8および図9を参照して、従来の構造について説明する。図8は、従来の半導体発光装置の断面図である。光透過性層31の上に設けられた蛍光体層32は、空気に接している。したがって、この蛍光体層32の裾の部分A2では、図9aに示されるように、樹脂の裾引き52が大きく発生する。こうした裾引きは、全反射再吸収増加による発光効率の低下につながる。一方、積層構造の頂部においては、図9bに示されるように、蛍光体51の形状を反映した凹凸が表面に生じる。これによって、最表面は凹凸を有するものとなり、全反射再吸収増加によって効率が低下する。裾の部分および頂部のいずれにおいても、従来の構造では効率の低下となる原因が生じていた。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、こうした原因を回避することが可能となった。第1の光透過性層31は、光透過性を有する樹脂またはガラスの層により構成することができる。樹脂としては、光透過性が高くかつ熱に強い任意の樹脂を用いることができる。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、またはガラスのいずれかを使用することができる。特に、入手し易く、取り扱い易く、しかも安価であることから、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂が最適である。第1の光透過性層31の基板に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかとすることができる。第1の光透過性層31の厚さは、半導体発光素子2を完全に覆う大きさ以上であれば特に制限されない。基板4と接触している半導体発光素子2を含む底面の幅は、200μmから500μmであることが好ましい。また、その高さは、底面の幅の0.25倍から1倍以内であることが望ましい。こうした範囲内であれば、半導体発光素子2から蛍光体層32および第2の光透過性層33の外デバイス外への光取り出し効率を、十分に高めることができる。第1の光透過性層31が存在しているので、蛍光体層32に含有される蛍光体と半導体発光素子2との距離は大きくなる。その結果、蛍光体層の膜厚を調整することができる。しかも、蛍光体層を最適な厚さに調整することで蛍光体による再吸収を防ぎ、発光効率を高めることが可能である。加えて、蛍光体層32と半導体発光素子2との間に第1の光透過性層31が設けられたことによって、再吸収が低減される。蛍光体層32は、蛍光体基材に蛍光体材料を封入することにより構成することができる。蛍光体基材としては、光透過性が高くかつ熱に強い任意の材料を用いることができる。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、あるいはポリイミド樹脂を、蛍光体基材として使用することができる。特に、入手し易く、取り扱い易く、しかも安価であることから、エポキシ樹脂、またはシリコーン樹脂が最適である。樹脂以外にも、ガラス、焼結体、YAGとAl2O3とを組み合わせたセラミックス構造体等を、蛍光体基材として用いることができる。蛍光体基材としては、上述した第1の光透過性層31と同一の物質を用いることが好ましい。蛍光体基材の屈折率は、第1の光透過性層31の屈折率と同一であることが望まれる。蛍光体基材の屈折率は、第1の光透過性層31よりも低く、第2の光透過性層33よりも高いことがより望ましい。蛍光体層32の基板に対して垂直な断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかとすることができる。蛍光体層32の厚さは、半導体発光素子2および第1の光透過性層31を完全に覆う大きさ以上であれば制限されない。蛍光体層32の厚さは、20μmから300μm以内であることが望ましい。蛍光体材料は、紫外から青色までの領域の光を吸収して、可視光を放出する物質である。具体的には、以下に示す珪酸塩系蛍光体材料、アルミン酸塩系蛍光体材料、窒化物系蛍光体材料、硫化物系蛍光体材料、酸硫化物系蛍光体材料、YAG系蛍光体材料、燐酸塩硼酸塩系蛍光体材料、燐酸塩系蛍光体材料、およびハロリン酸塩系蛍光体材料のいずれかの蛍光体材料を使用することができる。1珪酸塩系蛍光体材料:Sr1xyzBaxCayEuz2SiwO22w0≦x≦1、0≦y≦1、0.05≦z≦0.2、0.90≦w≦1.10x=0.19、y=0、z=0.05、w=1.0の組成が好ましい。上述した珪酸塩蛍光体材料は、Sr、BaまたはCaの少なくとも一部を、Mg、BeおよびZnの少なくとも一種に置き換えてもよい。これによって、結晶構造の安定性や発光強度を、さらに高めることができる。他の組成比の珪酸塩系蛍光体材料として、MSiO3、MSiO4、M2SiO3、M2SiO5、およびM4Si2O8MはSr、Ba、Ca、Mg、Be、Zn、およびYから選択される。が挙げられる。上述した珪酸塩蛍光体材料は、Siの少なくとも一部をGeに置き換えることによって。発光色を制御することができる。例えば、Sr1xyzBaxCayEuz2Si1uGeuO4が挙げられる。また、Ti、Pb、Mn、As、Al、Pr、Tb、およびCeから選択される少なくとも一種が、賦活剤として含有されてもよい。2アルミン酸塩系蛍光体材料:M2Al10O17Mは、Ba、Sr、Mg、ZnおよびCaからなる群から選択される少なくとも一種であり、賦活剤としてEuおよびMnの少なくとも一種を含む。他の組成比の珪酸塩系蛍光体材料としては、MAl2O4、MAl4O17、MAl8O13、MAl12O19、M2Al10O17、M2Al11O19、M3Al5O12、M3Al16O27、およびM4Al5O12が挙げられる。MはBa、Sr、Ca、Mg、BeおよびZnからなる群から選択される少なくとも一種である。また、Mn、Dy、Tb、NdおよびCeから選択される少なくとも一種が、賦活剤として含有されていてもよい。3窒化物系蛍光体材料主にシリコンナイトライド系蛍光体材料:LXSiYNEu若しくはLXSiYOZNEuLはSr、Ca、SrおよびCaから選択される。X=2かつY=5、またはX=1かつY=7であることが好ましいが、XおよびYは、任意の値とすることができる。具体的には、基本構成元素は、Mnが添加されたSrXCa1X2Si5N8Eu、Sr2Si5N8Eu、Ca2Si5N8Eu、SrXCa1XSi7N10Eu、SrSi7N10Eu、CaSi7N10Euにおいて表わされる蛍光体材料を使用することが好ましい。こうした蛍光体材料には、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、CrおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも一種が含有されてもよい。また、Ce,Pr、Tb、NdおよびLaの少なくとも一種が、賦活剤として含有されてもよい。4硫化物系蛍光体材料:S:Mxは0≦x≦1を満足する数値である。Mは、Cu、Cl、Ag、Al、Fe、Cu、NiおよびZnから選択される少なくとも一種である。Sは、SeおよびTeの少なくとも一種に置き換えてもよい。5酸硫化物蛍光体材料:Ln1XEuXO2SLnはSc、Y、La、Gd、およびLuの少なくとも一種であり、xは0≦x≦1を満足する数値である。また、Tb、Pr、Mg、Ti、Nb、Ta、Ga、SmおよびTmの少なくとも一種が、賦活剤として含有されていてもよい。6YAG系蛍光体材料:Y1xyz,Gdx,Lay,Smz3Al1y,Gay5O12Ce,Eu0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1.0≦v≦1CrおよびTbの少なくとも一種が、賦活剤として含有されていてもよい。7硼酸塩系蛍光体MBO3EuMはY、La、Gd、Lu、およびInの少なくとも一種である。賦活剤として、Tbが含有されていてもよい。他の組成比の硼酸塩系蛍光体材料として、Cd2B2O5:Mn、Ce,Gd,TbMgB5O10Mn、GdMgB5O10:Ce,Tbなどが挙げられる。8燐酸塩硼酸塩系蛍光体材料:2M1x、M’xOaP2O5bB2O3MはMg、Ca、Sr、Ba、およびZnの少なくとも一種であり、M’はEu、Mn、Sn、Fe、およびCrの少なくとも一種である。x,a,bは0.001≦x≦0.5、0≦a≦2、0≦b≦3、0.3<abを満足する数値である。9燐酸塩系蛍光体:Sr1XBaX3PO42:Eu、Sr1XBaX2P2O7:Eu、SnTiおよびの少なくとも一方が、賦活剤として含有されていてもよい。10ハロリン酸塩系蛍光体M1xEux10PO46Cl2、M1xEux5PO43ClMはBa、Sr、Ca、Mg、およびCdの少なくとも一種である。xは0≦x≦1を満足する数値である。Clの少なくとも一部を、Fに置き換えてもよい。SbおよびMnの少なくとも一種が、賦活剤として含有されていてもよい。前述の蛍光体材料を複数種類混合し、中間色を発光する無機蛍光体材料を製作することができる。例えば、RGBのそれぞれに対応する色の染料を混合して、蛍光体基材を製作することによって、白色光を得ることができる蛍光体が得られる。蛍光体材料を混合した場合も、白色光が得られる蛍光体を製作することができる。蛍光体層32は、蛍光体基材中に所定の濃度で蛍光体材料を封入して、半導体発光素子2から出力される光を透過しないように調節されている。蛍光体層32の厚さと半導体発光素子からの光出力とのバランスを考慮すると、蛍光体層32における蛍光体の濃度は、20wt以上とすることが望まれる。例えば、樹脂からなる蛍光体基材中に50wt以上のケイ酸塩系蛍光体材料を封入し、半導体発光素子2から出力される光を透過しないように調節することができる。なお、蛍光体濃度が高すぎると気泡が含まれやすくまた、形状を維持し平滑な界面を作りにくくなることから、蛍光体層32における蛍光体の濃度の上限は90wt程度となる。また、蛍光体層32に含有される蛍光体の粒径を変更することによって、所望の効果を得ることができる。例えば、10~20μm平均粒子直径15μmの蛍光体を用いた場合には、均一な蛍光体層を容易に作製することができるので、層の厚さや形状のコントロールが容易である。20~45μm平均粒子直径30μmの蛍光体を用いた場合には、発光強度および発光効率が特に高められる。場合によっては、さらに粒径の大きな蛍光体を用いることもできる。45~70μm平均粒子直径50μmの蛍光体の場合は、粒径が大きいことに起因して蛍光体の吸収率が向上し、蛍光体個数が減ることになる。このため、再吸収が低減されて、発光効率が高められる。また、蛍光体材料としてYAG:Ceが用いられる場合には、ナノ粒子50nm以下を用いることによって、蛍光体による散乱が低減されて、効率が高められる。第2の光透過性層33は、光透過性を有する樹脂またはガラスの層により構成することができる。第2の光透過性層33には、光透過性が高くかつ熱に強い材料を用いることができる。例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、またはガラスなどが挙げられる。特に、入手し易く、取り扱い易く、しかも安価であることから、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂が、第2の光透過性層33として最適である。第2の光透過性層33は、上述した第1の光透過性層31および蛍光体層32を構成する蛍光体基材と同一物質、または同一屈折率の材料により形成することができる。あるいは、第1の光透過性層31および蛍光体層32を構成する蛍光体基材よりも屈折率が低い材料を用いて、第2の光透過性層33を形成してもよい。この場合には、デバイス内で段階的に屈折率が変化し、空気-光透過性層33界面の屈折率差が小さくなる。その結果、全反射が減少して、光取り出し効率がさらに向上することから、より好ましいものとなる。第2の光透過性層33の断面における外周の形状は、半円弧状、放物線形状、U字形状、または2本以上の直線を含む形状のいずれかとすることができる。第2の光透過性層33の層の厚さは、半導体発光素子2および第1の光透過性層31、蛍光体層32を完全に覆う大きさ以上であれば制限はないが、層の厚さが20μm以上500μmであることが好ましい。さらに半導体発光素子2を含む多層構造の高さが、底面の幅の0.25倍から1倍以内であることが望ましい。こうした範囲内であれば、光取り出し効率を十分に高めることができる。蛍光体層32と空気との間に第2の光透過性層33が設けられたことによって、再吸収が低減される。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、積層構造の半径および高さに好ましい範囲が存在する。図10には、積層構造の半径および高さを、それぞれR1およびR2として示す。半径R1は、半導体発光素子2の中心から、基板4表面における第2の光透過性層33の外周までの距離であり、高さR2は、基板4の半導体発光素子が搭載される平面から第2の光透過性層33の頂部での距離である。現在の製法では、R1=500~1500μmが最適であることが、本発明者らによって見出された。なお、モールド成型する場合には、最大値には制限はない。効率は、1/2R1<R2<2R1の範囲で、R1成型前の1.3倍を越える程度に高められる。すなわち、それぞれの層が、底面の直径の0.25倍から1倍までの範囲の高さのときである。この範囲を外れた場合、具体的には、縦長あるいは横長の場合には、全反射が増大して、効率が低下する。上述したように、本発明の実施形態にかかる半導体発光装置において半導体発光素子を覆って設けられる多層構造は、種々の形状で構成することができる。その形状に応じた任意の方法で、多層構造を形成することが可能である。図11には、断面における外周の形状が放物線状の多層構造が示されている。こうした形状の多層構造は、樹脂の粘性と温度とを制御することによって、所望の形状に成型しやすく、例えば以下の方法により製造することができる。まず、基板4の半導体発光素子が搭載される平面に、半導体発光素子2をマウントする。半導体発光素子2の第1の主電極と基板4の配線42とを、電気的に接続するとともに、第2の主電極と配線43とを、ワイヤ5を介して電気的に接続する。この後、半導体発光素子2の点灯試験を行なう。点灯試験後、ディスペンサを使用して、点灯確認が行なわれた基板4の表面に樹脂を滴下塗布する。塗布後、直ちに樹脂を硬化させて、多層構造を製作する。樹脂の粘度、表面張力、基板のぬれ性、あるいは温度等の製造条件を調節することによって、多層構造3の断面における外周形状を放物線形状にすることができる。こうした形状を得るには、例えば、樹脂の粘度は、2~10Pas程度とすることができる。また、温度は樹脂の硬化温度に合わせて常温25°C~200°C程度とすればよい。図12には、断面が矩形状の多層構造3を有する半導体発光装置を示す。このような形状を有する多層構造3は、例えば、半導体発光素子2をマウントした基板4上に、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33を順にモールド成型することによって、容易に製作することができる。図12に示した半導体発光装置における多層構造の基板平面に対して垂直な断面における外周は、3本の直線を含み、こうした外周と基板4の表面とにより画定された空間は矩形状となる。あるいは、次のような手法を採用して、基板平面に対して垂直な断面が矩形状の多層構造3を形成してもよい。この場合には、まず、各層の原料となる樹脂を順番にモールド成型することによって、図12に示す多層構造3を製作しておく。この後、基板4の上に多層構造3を機械的に接着することによって、基板4の半導体発光素子が搭載される平面に多層構造3を配置することができる。基板4の表面と多層構造3との間には、第1の光透過性層31と同様な組成を有する樹脂接着剤を配置して、接着すればよい。第1の光透過性層31の断面における外周形状とは異なる形状で、第2の光透過性層33を形成することもできる。こうした形状の第1および第2の光透過性層を含む半導体発光装置の一例の断面図を、図13に示す。図13に示す半導体発光装置においては、第1の光透過性層31の基板平面に対して垂直な断面が矩形状であり、第2の光透過性層33の基板平面に対して垂直な断面における外周の形状は放物線状である。このような形状を有する多層構造は、半導体発光素子2を搭載した基板4上に、蛍光体を含むセラミックの板状物質32aを利用することによって、簡易に製作することができる。適切なサイズに加工した蛍光体を含むセラミックの板状物質を、第1の光透過性層31に用いる樹脂で位置を固定する。さらに、第2の光透過性層33の原料となる樹脂を加熱しつつ、ディスペンサ等で滴下することによって第2の光透過性層33を形成する。こうした手法により、図13に示した多層構造を容易に作製することができる。以下に、具体例を示して本発明をさらに詳細に説明する。まず、基板4としてAlN製基板を準備した。この基板4は成型加工により簡易に製作することができる。基板4の半導体発光素子が搭載される平面には、青色光を放出するInAlGaN発光層を有する半導体発光素子2をマウントした。用いた半導体発光素子2のサイズは、底面300μm角、高さ120μmである。ワイヤ5により基板4の配線42と半導体発光素子2との間を電気的に接続した後、半導体発光素子2を覆って基板4の上に、第1の光透過性層31をシリコーン樹脂で形成した。基板4を150°Cで加熱しながら、ディスペンサを使用して滴下して硬化させた。最終的に断面の外周形状が放物線形状で、厚さが600μmの第1の光透過性層31を製作した。次に、蛍光体層32を形成した。蛍光体基材としてはシリコーン樹脂を使用し、この蛍光体基材に平均粒子直径が30μmの黄色の蛍光体材料Sr,Ca,Ba2SiO4Euを75wtの濃度で加えて、蛍光体層原料を得た。第1の光透過性層31が形成された基板4を150°Cで加熱しつつ、蛍光体層原料をディスペンサを使用して滴下し、硬化させた。これによって、断面の外周形状が放物線形状で、厚さが100μmの蛍光体層32を製作した。さらに、シリコーン樹脂を用いて第2の光透過性層33を形成した。第1の光透過性層31および蛍光体層32が形成された基板4を150°Cで加熱しながら、ディスペンサを使用してシリコーン樹脂を滴下し、硬化させた。これによって、最終的に基板平面に対して垂直な断面の外周形状が放物線形状で、厚さが300μmの第2の光透過性層33が形成された。以上の工程により、図1に示したような半導体発光装置が得られた。半導体発光素子2の主電極間に動作電圧を印加し、青色光を放出させた。半導体発光素子2から第1の光透過性層31を介して蛍光体層32に照射され、蛍光体層32においては青色光の一部を吸収して黄色光を放出し、第2の光透過性層33を介して、半導体発光装置1は白色光を放出した。本実施例の半導体発光装置1においては、デバイス内部での光の吸収によるロスを低減した構造である。このため、半導体発光素子2から放出された励起光を有効に使用することができるとともに、高効率に光を放出することができる。具体的には、本実施例の半導体発光装置1から放出された効率は、70lm/Wであった。ただし、効率はLEDを定格使用にて積分球を用いた全光束測定により求めている。比較のために、第1の光透過性層31を設けない以外は上述と同様の構成で、半導体発光装置を作製した比較例1。この比較例1の半導体発光装置を同様に駆動したところ、放出された光の効率は、実施例の半導体発光装置の8割であった。また、第2の光透過性層33を設けない以外は上述と同様の構成で、半導体発光装置を作製した比較例2。この比較例2の半導体発光装置を同様に駆動したところ、放出された光の効率は、実施例の半導体発光装置の8割であった。さらに、基板4をカップに変更した以外は上述と同様の構成で、半導体発光装置を作製した比較例3。この比較例3の半導体発光装置を同様に駆動したところ、放出された光の効率は、実施例の半導体発光装置の8割であった。本実施の形態に係る半導体発光装置1においては、半導体発光素子2と、樹脂製の複数の薄い層との簡易な構造であるので、部品点数も少なく、小型化高輝度化を実現することが可能である。上述した例においては、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33の厚さは、それぞれ600μm、100μm、および300μmとしたが、これに限定されるものではない。半導体発光素子2のサイズ等に応じて、適宜変更することができる。例えば、半導体発光素子2のサイズが400μmと大きい場合には、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33の厚さは、それぞれ、800μm、50μm、および600μmに変更することができる。この場合には、高い歩留まりで容易に製造できるという利点がある。しかも、得られる半導体発光装置の発光効率は、さらに高められる。一方、半導体発光素子2のサイズが200μmと小さい場合には、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33の厚さは、それぞれ、400μm、100μm、および100μmに変更することができる。この場合には、発光輝度をよりいっそう高めることができる。半導体発光素子2を完全に覆う厚さであって、前述の1/2R1<R2<2R1の範囲内であれば、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33の厚さは特に制限されない。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、第2の光透過性層33の外側に、第3の光透過性層がさらに設けられていてもよい。こうした構造の断面図を、図14aおよび図14bに示す。図14に示す半導体発光装置においては、半導体発光素子2が設けられた基板4の上には、第1の光透過性層31、蛍光体層32、第2の光透過性層33、第3の光透過性層34、および第4の光透過性層35が順次設けられている。なお、こうした多層構造の断面の形状は、図14bに示すように矩形としてもよい。第3の光透過性層34の屈折率は、第2の光透過性層33の屈折率より低く設定され、第4の光透過性層35の屈折率は、第3の光透過性層34の屈折率より低く設定されることが好ましい。このように第2の光透過性層の外側に、第3の光透過性層や第4の光透過性層を設けることによって、光の取り出し効率をさらに高めることができる。例えば、図14aに示した構造において、第1の光透過性層31、蛍光体層32の屈折率、および第2の光透過性層33の屈折率を、いずれも1.52とした場合には、第3の光透過性層34の屈折率は、1.42とすることができる。このとき第4の光透過性層35の屈折率は、1.2~1.4程度とすることが望まれる。各層の屈折率は、例えば、異なる置換基を有するシリコーン樹脂を複数用いるといった手法により調整することができる。このように異なるシリコーン樹脂を用いて第3の光透過性層をさらに設け、段階的に屈折率を変えることによって、光の全反射を抑制する効果はよりいっそう大きくなる。その結果、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33からなる単純三層構造よりも、発光効率光取り出し効率がよりいっそう高められる。本発明の他の実施形態にかかる半導体発光装置においては、2層以上の蛍光体層が含まれてもよい。複数の蛍光体層が存在することによって、半導体発光素子からの光はさらに効果的に吸収されて、発光効率を高めることができる。その一例の断面図を、図15aに示す。図示する半導体発光装置においては、半導体発光素子2が設けられた基板4の上には、第1の光透過性層31、蛍光体層32、および第2の光透過性層33が順次設けられている。蛍光体層32は、赤色蛍光体を含む赤色蛍光体層32Rと緑色蛍光体を含む緑色蛍光体層32Gとの積層により構成されている。具体的には、半導体発光素子2としては、InGaN発光層を有する青色発光のチップを用い、赤色蛍光体および緑色蛍光体としては、それぞれCaAlSiN3:EuおよびSr,Ca,Ba2SiO4:Euを用いることができる。こうした構成の場合には、発光効率を保ちつつ、色再現性の高いLEDが獲られる。あるいは、図15bに示すように、赤色蛍光体を含む赤色蛍光体層32R、緑色蛍光体を含む緑色蛍光体層32G、および青色蛍光体を含む青色蛍光体層32Bの三層構造によって、蛍光体層32を構成することもできる。このように、赤色、緑色、および青色の3色の蛍光体を用いる場合には、得られる半導体発光装置の色再現性がよりいっそう向上する。しかも、蛍光体層は、多層構造の内側から順に赤色、緑色、青色と積層されているので、これら3色の蛍光体を混合して単一の蛍光体層を設けた構造よりも、光の再吸収を低減することができる。その結果、高い発光効率が得られる。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、および青色蛍光体層を含む多層構造は、図16に示されるように断面矩形とすることができる。以下のような手法により、図16に示す半導体発光装置を作製した。まず、半導体発光素子2としては、GaNの発光層を有する近紫外発光のLEDチップを用いて、常法により基板4上に搭載した。半導体発光素子2上には、シリコーン樹脂を塗布し、硬化させて第1の光透過性層31を形成した。この際、第1の光透過性層31は、型によって固めることによって作製した。第1の光透過性層31上には、赤色蛍光体を含む赤色蛍光体層32R、緑色蛍光体を含む緑色蛍光体層32G、および青色蛍光体を含む青色蛍光体層32Bを順次形成して、蛍光体層32を得た。赤色蛍光体、緑色蛍光体、および青色蛍光体としては、それぞれLa2O2S:Eu、BaMg2Al16O27:Eu,Mn、およびSr,Ca,Ba10PO46Cl2:Euを用いた。蛍光体層の形成に当たっては、各蛍光体をシリコーン樹脂と混合して、フィルム化した蛍光体層を準備し、これを積層した。フィルム化された蛍光体層を用いることによって、多層の複雑な形状を、容易に作製することができる。断面を矩形状にすることによって、よりデバイスを作製しやすく、安価に製造することができる。第1の光透過性層31、および各蛍光体フィルムを貼り合わせる際には、境界に少量のシリコーン樹脂を薄く塗布することが望まれる。これによって、強固で、かつ光のロスの少ないデバイスを作製することができる。上述したように複数の蛍光体層を設けることによって、蛍光体量、および、デバイスの発光色の調整が容易になる。それぞれの蛍光体層は、異なる蛍光体種、または異なる蛍光体濃度に設定される。複数の蛍光体を用いることによって、演色性を高めることができる。また、蛍光体の種類が異なる場合には、より長波長の光を発する蛍光体を内部の層に配置する構造がより望ましい。こうした順番で複数の蛍光体層を設けることによって、蛍光体による光吸収が抑えられ、光取り出し効率が高められる。また、上述したような複数の光透過性層を備えた構造との併用も可能である。その一例を図17に示す。図17aに示す半導体発光装置においては、半導体発光素子2が設けられた基板4上に、第1の光透過性層31、蛍光体層32、第2の光透過性層33、蛍光体層32、および第3の光透過性層34が順次設けられている。この場合、2つの蛍光体層32は、同一種類の蛍光体を含有することができる。また、図17bに示す半導体発光装置においては、半導体発光素子2が設けられた基板4上に、第1の光透過性層31、赤色蛍光体を含む赤色蛍光体層32R、第2の光透過性層33、黄色蛍光体を含む黄色蛍光体層32Y、および第3の光透過性層34が順次設けられている。こうした構造の場合には、光取り出し効率がさらに高められる。図18には、本発明のさらに他の実施形態にかかる半導体発光装置を示す。図示する半導体発光装置においては、第2の光透過性層33の外側に反射板6が設けられている。反射板6は、第2の光透過性層33より射出された光線を、任意の方向に効率よく誘導する。その結果、光の指向性を高め、色ムラをよりいっそう低減することができる。反射板6は、熱伝導性に優れた材料により構成することができる。特に、半導体発光素子2の動作により発生する熱を効率よく放出することが望まれ、例えば、Cu、AlN、Al2O3、BN、プラスチック、セラミックス、およびダイアモンド等が挙げられる。反射率を高めるために、反射板表面にAgなどの反射膜を形成してもよい。反射板6は、基板4とは別部材別部品によって構成し、接着剤、締結部材等により基板4に機械的に固定することができる。あるいは、反射板6は基板4と一体成型によって構成してもよい。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置は、図19に示すようにマルチチップモジュール構造を採用してもよい。図19に示す半導体発光装置1においては、基板4上に4個の半導体発光素子2を並列に配設されている。各半導体発光素子2上には、第1の光透過性層31および蛍光体層32がそれぞれ設けられている。4つの蛍光体層32は、第2の光透過性層33で一括して覆われている。かかる半導体発光装置1の平面図を、図20に示す。基板4上にマウントされる半導体発光素子2の数は、適宜変更して、任意の形状で配置することができる。例えば、図21に示すように、4つの半導体発光素子2を直線状に配置してもよい。各半導体発光素子2上には、第1の光透過性層31および蛍光体層32が順次設けられている。4つの蛍光体層32を一括して覆って、第2の光透過性層33が設けられる。あるいは、図22に示すように、第1の光透過性層31のみで個々の半導体発光素子2を覆うこともできる。蛍光体層32および第2の光透過性層33は、4つの第1の光透過性層31を一括して覆っている。以上詳述したように、本発明の実施形態にかかる半導体発光装置においては、基板上に搭載された半導体発光素子が、第1の光透過性層、蛍光体層および第2の光透過性層を含む多層構造で覆われているので、高輝度の光を高効率で出力することが可能となった。本発明の実施形態にかかる半導体発光装置は、上述した例に限定されず、種々の用途に応用することができる。例えば、一般照明器具、業務用照明器具、又はテレビジョン若しくはパーソナルコンピュータの液晶表示装置のバックライト、さらには自動車、自動二輪車若しくは自転車のライト等に使用することができる。いずれの場合も、高輝度の光が高出力で出力される。"