ラメラを作製するための方法であって、以下のステップを含む方法マスクおよび試料をマニピュレータによって受け取るステップ;マスクおよび試料の表面が撮像装置に対面するように、マスクおよび試料をマニピュレータによって撮像装置の前に配置すること;マスクで試料の第1マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第1露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料のアラインメントをマニピュレータによって実行するステップ、但しアラインメントの実行は、マスクおよび試料の表面の画像を撮像装置によって得ることを含む;マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料の表面がイオンミリング装置に対面するように、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステップ;第1マスキング部分をマスクによって遮蔽しながら、試料の第1露出部分を、ラメラの第1側壁が露出するまでイオンミリング装置によってミリングするステップ;マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステップ、但し第2マスキング部分は、試料の第1露出部分のミリング中に形成されたラメラおよび空間を含む;マスクによって第2マスキング部分を遮蔽しながら、ラメラの第2側壁が露出するまで試料の第2露出部分をイオンミリング装置によってミリングして、第1および第2側壁を含むラメラをもたらすステップ;ミリング装置によってラメラの両側から物質を除去するステップ;および試料からラメラを切り離すステップ。以下のステップを含む、請求項1に記載の方法:マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料のアラインメントをマニピュレータによって実行するステップ、但しアラインメントの実行は、マスクおよび試料の表面の画像を撮像装置によって得ることを含む、およびマスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料の表面がイオンミリング装置に対面するように、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステップ。ラメラの第1側壁が露出するまで試料の第1露出部分をミリングした後、マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクを回転させる、請求項1に記載の方法。ラメラの第1側壁が露出するまで試料の第1露出部分をミリングした後、マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、試料を回転させる、請求項1に記載の方法。ラメラの両側から物質を除去するステップは、ラメラをマスクによって遮蔽しながらラメラの第1側から物質をイオンミリング装置によってミリングすること、ラメラをマスクによって遮蔽しながらラメラの第2側の物質を露出させるように、マスクおよび試料の少なくとも一方をマニピュレータによって移動させること、およびラメラをマスクによって遮蔽しながら、ラメラの第2側から物質をイオンミリング装置によってミリングすることを含む、請求項1に記載の方法。撮像装置の光軸は、ミリング工具の光軸に対し直角を成し、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステップは、マスクおよび試料をマニピュレータによって回転させることを含む、請求項1に記載の方法。ミリングステップは、イオンミリング装置の光軸を中心にミリングビームを回転させながらミリングすることを含む、請求項1に記載の方法。撮像装置は、光学装置である、請求項1に記載の方法。撮像装置は、走査型電子顕微鏡である、請求項1に記載の方法。第1側壁と第2側壁の間の距離は、50ナノメートルを超えない、請求項1に記載の方法。ラメラを作製するためのシステムであって、システムはマニピュレータ、撮像装置、イオンミリング装置、およびラメラ引出し装置を含む;マニピュレータは、次のように構成される:マスクおよび試料を受け取る;マスクおよび試料の表面が撮像装置に対面するようにマスクおよび試料を撮像装置の前に配置する;マスクが試料の第1マスキング部分を遮蔽しながら試料の第1露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料のアラインメントを補助する;マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料の表面がイオンミリング装置に対面するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置する;イオンミリング装置は、第1マスキング部分をマスクによって遮蔽しながら、ラメラの第1側壁が露出するまで、試料の第1露出部分をミリングするように構成される;マニピュレータはさらに、次のように構成される:マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置し、第2マスキング部分は、試料の第1露出部分のミリング中に形成されたラメラおよび空間を含む;イオンミリング装置は、次のように構成される:ラメラの第2側壁が露出するまで試料の第2露出部分をミリングして、第1および第2側壁を含むラメラをもたらし;ラメラの両側から物質を除去する;ラメラ引出し装置は、試料からラメラを切り離すように構成される;撮像装置は、マスクおよび試料のアラインメント中にマスクおよび試料の表面の画像を得るように、構成される。マニピュレータはさらに、次のように構成される、請求項11に記載のシステム:マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクおよび試料のアラインメントを補助し、かつマスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料の表面がイオンミリング装置に対面するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置する。マニピュレータは、イオンミリング装置がラメラの第1側壁を露出させた後、マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マスクを回転させるように構成される、請求項11に記載のシステム。マニピュレータは、イオンミリング装置がラメラの第1側壁を露出させた後、マスクが試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、試料を回転させるように構成される、請求項11に記載のシステム。イオンミリング装置は、マスクでラメラを遮蔽しながら、ラメラの第1側から物質をミリングするように構成され、マニピュレータは、ラメラをマスクで遮蔽しながら、ラメラの第2側から物質を露出させるように、マスクおよび試料の少なくとも一方を移動させるように構成され、イオンミリング装置はさらに、マスクでラメラを遮蔽しながらラメラの第2側から物質をミリングするように構成される、請求項11に記載のシステム。撮像装置の光軸は、ミリング工具の光軸に対し直角を成し;マニピュレータは、イオンミリング装置の前でマスクおよび試料を回転させるように構成される、請求項11に記載のシステム。イオンミリング装置は、イオンミリング装置の光軸を中心にミリングビームを回転させながら試料をミリングするように構成される、請求項11に記載のシステム。撮像装置は、光学装置である、請求項11に記載のシステム。撮像装置は、走査型電子顕微鏡である、請求項11に記載のシステム。第1側壁と第2側壁の間の距離は、50ナノメートルを超えない、請求項11に記載のシステム。本発明の上述および他の目的、特徴、および利点は、以下の詳細な説明を添付の図面と照らし合わせて読んだときに、いっそう明瞭になるであろう。図面では、同様の参照符号は様々な図全体で同様の要素を表わす。本発明の図示した実施形態は大部分が、当業者に公知の電子部品および回路を用いて実現することができるので、本発明の基礎を成す概念を理解し評価するために、かつ本発明の教示を曖昧にあるいは分かりにくくしないためにも、必要と思われる程度以上には詳述しない。本明細書では回転動作に言及する。回転は、同一効果をもたらす任意の組の動作に置き換えることができることが注目される。方法が提供され、それは図6に示される。該方法600は以下を含むことができる。a.マスクを受け取るかまたは生成するステージ610。マスクは高精度マスクを提供するためにマイクロクリービングによって製造することができ、またはそのようなマスクを受け取る。b.ミリングされた試料を提供するためにミリングする必要のある初期試料を受け取るかまたは生成するステージ620。c.マスクおよび初期試料をマニピュレータに提供するステージ630。d.マニピュレータを使用することによってマスクおよび初期試料のアラインメントを実行しステージ640、走査型電子顕微鏡、光学顕微鏡、またはそれらの組合せによってアラインメントプロセスを観察する。e.マスクおよび初期試料がイオンミリング装置に対面するように、アラインメントを維持しながら第1軸を中心にマスクおよび初期試料を回転させるステージ650。f.ラメラ図4dに27で示すを含む領域図4aに25で示すの片側から物質を除去する除去された物質は、図4a~4dに22で示す空間を形成することを含む1回目のミリングシーケンスを実行してステージ660、部分的にミリングされた試料を提供する。g.部分的にミリングされた試料の領域25の反対側をイオンミリング装置に露出させるために、部分的にミリングされた試料を、第2軸を中心に回転させるステージ670または他の方法でマニピュレータによってマスクと部分的にミリングされた試料との間の空間的関係を変化させる。h.イオンミリング装置40によって領域25の反対側今露出されている側から物質を除去して薄いラメラ27を生成することを含む2回目のミリングシーケンスを実行するステージ680。除去された物質は、図4a~4dに22で示す空間を形成する。i.ラメラ27の両側から物質を除去しステージ690、それによってより小さい空間24および26を形成する。j.ラメラ27を切り離すステージ700。さらに本発明の別の実施形態では、図9の方法900が提供され、それは以下のステージを含むことができる。a.マニピュレータによってマスクおよび試料を受け取るステージ910。b.マスクおよび試料の表面が撮像装置に対面するように、マスクおよび試料をマニピュレータによって撮像装置の前に配置するステージ912。c.試料の第1露出部分を非マスキング状態に維持しながらマスクが試料の第1マスキング部分を遮蔽するように、マニピュレータによってマスクおよび試料のアラインメントを実行するステージ914。アラインメントは、撮像装置によってマスクおよび試料の表面の画像を得ることを含む。d.マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料の表面がイオンミリング装置に対面するように、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステージ916。e.第1マスキング部分をマスクによって遮蔽しながら、ラメラの第1側壁が露出するまで、試料の第1露出部分をイオンミリング装置によってミリングするステージ918。f.マスクで試料の第2マスキング部分を遮蔽しながら、試料の第2露出部分を非マスキング状態に維持するように、マニピュレータによってマスクおよび試料のアラインメントを実行するステージ920。アラインメントは、撮像装置によってマスクおよび試料の表面の画像を得ることを含むことができる。第2マスキング部分は、試料の第1露出部分のミリング中に形成されたラメラおよび空間を含むことができる。g.マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料をマニピュレータによってイオンミリング装置の前に配置するステージ922。h.マスクによって第2マスキング部分を遮蔽しながら、ラメラの第2側壁が露出するまで、試料の第2露出部分をイオンミリング装置によってミリングして、第1および第2側壁を備えたラメラを提供するステージ924。i.ミリング装置によってラメラの両側から物質を除去するステージ926。除去は以下を含むことができる。1.ラメラの片側を露出しながらラメラを遮蔽する。2.ラメラのその側から物質をミリングする。3.ラメラの第2側を露出させながら、ラメラを遮蔽する。4.ラメラの第2側から物質をミリングする。j.試料からラメラを切り離すステージ928。図1~3および図8を参照すると、システム10は以下を含む。a.マニピュレータ100マスク用のアンギュラステージ101および試料用のアンギュラステージ102のような複数の操作要素を含む。b.走査型電子顕微鏡SEM例えば対物レンズ30、BSE検出器32、SE検出器34、TEM検出器33のみならず、SEMカラム35に含むことのできる電子源、電子光学系、および他の構成要素をも含むのような撮像装置。c.イオンミリング装置40。d.システムを制御するコントローラ99。本発明の実施形態では、システム10はまた、真空システム90、真空チャンバ91、光学顕微鏡92、防振システム94、ベース96、エアロック1300、およびベースプレート98のような構成要素をも含むことができる。イオンビームユニット40は、Xe供給ユニット42およびイオン銃44のような種々の構成要素一部は図10および12に示されているを含むことができる。システム10は、マスク50を生成するか受け取ることができる。マスクは、高精度マスクを提供するためにマイクロクリービングによって製造することができる。システムがマスク50を生成する場合、それはマイクロクリービングユニット図示せずを含む。図7A~7Eは、本発明の種々の実施形態に係るマニピュレータ100を示す。図7Aは、マニピュレータ100の正面図であり、図7Bはマニピュレータ100の平面図であり、図7Cはマニピュレータ100の側面図であり、図7Dおよび7Eは種々のマニピュレータ100の3次元図である。これらは全ての本発明の実施形態によるものである。マニピュレータ100は、どちらも主回転ステージ130上に位置する2つの個別サブユニット110および120を含む。回転ステージ130はエンジン1301~1304によって分離され、電力を供給される。第2サブユニット120は試料およびマスクを操作し、X、Y、Z、およびθステージを有する。図6では、これらのステージはXステージ1001、Yステージ1002、Zステージ1003、およびθステージ1005と表わされる。第1サブユニット110は試料を操作することができ、それは、例えば第2サブユニット120によって導入された移動に対してマスクを移動させることによって、マスクと試料との間の空間的関係を変化させることができる。マスクおよび試料は各々、サブユニットによって移動させることができ、各々を互いに対して移動させることができ、回転ステージ130のようなステージを共用することができないことが注目される。第1サブユニット110はX、Y、Z、およびθステージを有することができる。図6および9のいずれにおいても、これらのステージはXステージ10011、Yステージ図示せず、Zステージ1009、およびθステージ1008と表わされる。第2サブユニット120はマスクを操作することができ、またマスク、較正プレート、アパーチャ、成膜用ターゲット等のような技術的アクセサリをも操作することができる。第1サブユニット110は、試料ホルダシャトル103とも呼ばれるから試料または技術的アクセサリを受け取ることができる。シャトル103は、それが試料用のアンギュラステージ1008上に配置されるまで移動することができる。ステージは、1011~1015と表わされるプレート、ビーム、レール、ガイドライン等のような構造要素間で接続される。図1を参照すると、初期試料21とマスク50との間のアラインメントプロセスを監視するために、検出器32および/または34を使用する走査型電子顕微鏡が用いられる。アラインメントプロセスは、マスク50および初期試料21が互いに平行になる両方とも水平とすることができるかまたは任意の他の仕方で配置され、かつマスク50の縁部が、1回目のミリングシーケンス中にミリングされた後の初期試料21の所望のミリング後の縁部を表わす想像線の真上に位置されるように、マスク50および初期試料21のアラインメントを実行することを含むことができる。この想像線は、ミリングされる試料21の中心から数ナノメートルの位置に配置されることができる。軸55は、マスクがアラインメントプロセスの終端に対して水平であることを示している。初期試料21の縁部25上のマスク50の縁部53の軌跡と初期試料21の中心22との間の距離D23は数ナノメートルである。それはミリング後の試料21′′の最終厚さの約2分の1である。ひとたびアラインメントプロセスが終了すると、マスク50および初期試料21は、マスク50および初期試料21がイオンミリング装置40に対面するようにアラインメントを維持しながら、主回転ステージ130によって、軸を中心にX軸121を中心に回転される。図2は、ラメラ図4dに27で示すを含む領域25の片側から物質を除去することを含む除去された物質は図4a~4dに22で示す空間を形成する1回目のミリングシーケンスをイオンミリング装置40が実行することができることを示す。1回目のミリングシーケンスは、ラメラの第1側壁を露出させることができる。1回目のミリングシーケンスは、走査型電子顕微鏡によって検出器32および/または34を使用してミリングを観察しながら、二重偏向によって物質を除去することを含むことができる。ミリング装置40のイオンビーム42はXY面内で偏向することができるが、これは必ずしもそうでなくてもよい。1回目のミリングシーケンスが終了した後、最終試料を含む部分的にミリングされた試料の領域25の反対側をイオンミリング装置40に露出させるために、マニピュレータ100はマスク50と部分的にミリングされた試料21 ́との間の空間的関係を例えばX軸を中心に部分的にミリングされた試料21 ́を回転させることによって変化させることができる。図3は、領域25の反対側今露出されている側から物質を除去して薄いラメラ27を提供することを含む、2回目のミリングシーケンスを示す。除去された物質は、図4b~4dに23で示す空間を形成する。1回目のミリングシーケンスはラメラの第2側壁を露出させることができる。こうして、1回目および2回目のミリングプロセスにより、比較的長くその厚さに比較して、かつ互いに平行な2つの側壁を有するラメラが形成される。2回目のミリングシーケンスの後、ラメラの両側は依然として、それを包囲する物質に接続される。これらの側は、より少ない物質を除去するより短いミリングシーケンスによって分離することができる。これらの2つの側のミリング精度はあまり重要ではないので、マスクを使用するかしないかにかかわらず、除去を行なうことができる。例えば、除去がマスクによって支援される場合、それは、iラメラを包囲する物質に依然として接続されているラメラの片側付近の第1領域図3cに24で示すを露出させるように、マスクとミリングされた試料との間の空間的関係を変化させること、ii第1領域をミリングして、ラメラの片側を、ラメラを包囲する物質から切り離すこと、iiiラメラを包囲する物質に依然として接続されているラメラの別の側付近の第2領域を露出させるように、マスクとミリングされた試料との間の空間的関係を変化させること、iv第2領域図4cに26で示すをミリングして、ラメラの反対側を、ラメラを包囲する物質から切り離すこと、を含むことができる。システム10は、格納式BSE検出器、SE検出器、またはそれらの組合せを含むことができる。スパッタ率の高い初期イオンミリング中に、試料の観察は、図2に対物レンズ30の磁極片の下に位置するように示された格納式BSE検出器32によって達成することができる。検出器の数、それらの位置、検出器の種類、および各検出器の部品数ならびにそれらの大きさおよび形状は、上に示した実施例とは異なることができることが注目される。図5を参照すると、イオンミリング装置40イオンスパッタリングシステムとも呼ばれるは、以下の能力および自由度を有することができる。i迅速な塊状除去によるプロセスの増強のみならず、処理後の試料の最高水準の最終品質をもたらす穏便なミリングモードをも可能にする、広範囲のイオンエネルギ制御。ii短いプロセス持続時間の高いイオン電流密度。iii試料の均等な処理をもたらすビーム断面に沿ったイオン電流の均一性の制御。iv試料表面の選択的ミリングを回避する試料表面に対するビームの可変入射角度。v多種多様な用途および技術的モードをもたらすビームの形状および大きさの制御。vi試料処理の均等性のためのビームパルス化。v特定領域の試料処理をもたらすビームの正確な位置決め。vi試料処理の均等性のための直交方向のビーム走査。vii試料処理の均等性のための関心領域を中心とするユーセントリックビーム回転。イオンスパッタリングシステム40は以下を含むことができる。iプラズマを着火させるためのデュオプラズマトロンイオン源、iiプラズマからXeイオンビームを取り出しかつ捕集するビーム形成モジュール、iiiイオンビームを処理される試料に集束させ、その方向に向かわせる最終光学系、iv一定の指定圧力の自動ガス配送を提供するXeガス供給システム、vプラズマ着火およびイオンビーム形成のために、計測量のガスをイオン源に自動的に供給するリーク弁、およびviイオンスパッタリングシステムの自動制御をもたらす電子機器および電力供給装置。イオンミリング装置の非限定例は、DirectedMulti-DeflectedIonBeamMillingofaWorkPieceandDeterminingandControllingExtentThereofと称する米国特許公開出願第2008/0078750750A1号に提供されており、それを参照によって本書に援用する。図10A~10Dを参照すると、システムはエアロック1300を有する。図10Aは、エアロック1300および本発明の実施形態に係る真空チャンバ91の壁911の略断面図である。図10Bは、本発明の実施形態に係るエアロック1300、真空チャンバ91、およびマニピュレータ100の平面図である。図10Bは、供給ロッドによって支持された試料が真空チャンバ91内に入る前のエアロックを示す。図10Cは、本発明の実施形態に係るエアロック1300、真空チャンバ91、およびマニピュレータ100の断面図である。図10Cは、供給ロッドによって支持された試料が真空チャンバ91内に入る前のエアロックを示す。図10Dは、本発明の実施形態に係るエアロック1300、真空チャンバ91、およびマニピュレータ100の断面図である。図10Dは、供給ロッドによって支持された試料が真空チャンバ91内に配置されるときにエアロックを示す。エアロック1300の機能は、真空チャンバ91を通気することなく、真空チャンバ図10に91で示す内に多くの試料、およびマスク、較正プレート、アパーチャ、成膜用ターゲット等のような技術的アクセサリを装填/排出することを可能にすることである。エアロック1300は以下を含む。a.試料および技術的アクセサリを供給システムに/からおよびマニピュレータを包囲する真空チャンバから/に装填/排出するための主筐体1330における摺動密閉蓋1320付きの装填口1310。b.エアロックを追加的に通気することなく、3~5個の試料およびマスク、較正プレート、アパーチャ、成膜用ターゲット等のような技術的アクセサリを真空チャンバ内に装填することを可能にする供給ロッド1305を含む供給システム。供給ロッドの接合部ドラムは、試料または技術的アクセサリを担持する標準シャトルを取り付けるために多くの蟻継ぎを有する。供給ロッド1305は、その軸を中心に回転することができ、手動でまたはモータにより移動させることができる。c.試料および技術的アクセサリを供給システムに/から装填/排出中に真空チャンバの通気を防止する遮断弁1350。遮断弁1350が開いたときに供給ロッド1305が真空チャンバ91に、特に真空チャンバ91の内部空間912に入ることができるように、エアロック1300は真空チャンバ91の壁911の開口に近接する。供給ロッド1305が真空チャンバに入る前に、エアロック1300および特に装填口空間は真空排気される。遮断弁1350が閉じると、気体が真空チャンバ91内に入ることが防止されるように、エアロック1300は密閉される。マニピュレータ100は以下のステージを含むことができ、これらのステージは以下のパラメータによって特徴付けることができる。主回転ステージ130:アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:最小120度最大速度:10度/秒最大加速度:1000度/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:150m ゚分解能:50ミクロン第1サブユニット110:X軸1001アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:30mm最大速度:5mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmY軸1002アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:25mm最大速度:10mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmZ軸1003アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:30mm最大速度:5mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmθ軸軸に貫通穴は無いかもしれない1005アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:360度最大速度:45度/秒最大加速度:1000度/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:500m°分解能:100μ°第2サブユニット120:X軸10011アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:30mm最大速度:5mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmY軸図示せずアクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:25mm最大速度:10mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmZ軸1009アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:30mm最大速度:5mm/秒最大加速度:1000mm/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:1000nm分解能:1nmR軸1008アクチュエータの型:ピエゾモータ作動モード:ステッピングおよびスキャンニングストローク:360度最大速度:45度/秒最大加速度:1000度/秒2エンコーダ閉ループによる位置決め精度:250m°分解能:150μ°図1および5を参照して、初期試料およびミリングされた試料は以下のパラメータによって特徴付けることができる。入力試料厚さ20~30ミクロンミリング後の試料厚さ10~50nm関心領域の厚さの変動<5nm標的特徴の周りの薄化領域関心領域厚さ<50nm10×5μ厚さ<100nm30×10μ厚さ<200nm100×15μ関心領域の局在性5~10nmアーチファクトレベル非晶質化<1nm点欠点<1nmXe汚染<10-9本発明は、従来のツール、方法論、および構成部品を使用することによって実施することができる。したがってそのようなツール、構成部品、および方法論についてここでは詳細に記載しない。これまでの説明で、本発明の完全な理解をもたらすために多くの明確な詳細を記載している。しかし本発明は、明確に記載した詳細に頼ることなく、実施することができることを認識されたい。本開示では、本発明の例示的実施形態およびその多様性の数例を示しかつ記載しただけである。本発明は、種々の他の組合せおよび環境での使用が可能であり、かつ本書に明記する発明の概念の範囲内で変化または変形が可能であることを理解されたい。