室内で特にラドンからのアルファ粒子を検出する装置であって、該アルファ粒子検出装置は電子回路によって形成され、該電子回路は、並列に接続された1つ又は幾つかの検出変換セル102、2021、202nであって、このセル又はこれらのセルのそれぞれは、前記室内のアルファ粒子の量を表す線量信号を配信する解析手段と協働する順方向バイアスされたダイオードD1、D2、Dnを含む、1つ又は幾つかの検出変換セルと、前記1つ又は幾つかの検出変換セル102、2021、202nの出力において得られた前記線量信号の値をしきい値と比較するために設けられた比較回路160と、前記線量信号が前記しきい値を超えることに応答して保護装置を制御するために設けられた制御回路170と、を備える、アルファ粒子検出装置において、前記ダイオードD1、D2、DnのN層はアースに接続され、前記解析手段は、電荷/電圧変換器型の変換回路110、2101、210nによって形成され、該変換回路の入力は、このダイオードによって放出された電荷を取り込んで、該電荷を、前記線量信号を形成する代表電圧に変換するために前記ダイオードD、D1、DnのP層に電気的に接続され、この変換回路110、2101、210nは、自己バイアス電界効果トランジスタ112、1121、112nであって、該自己バイアス電界効果トランジスタのゲートは、前記ダイオードD1、D2、Dnの前記P層に電気的に接続され、該自己バイアス電界効果トランジスタのドレインは、前記比較回路160に電気的に接続されている、自己バイアス電界効果トランジスタと、アースと前記トランジスタ112、1121、112nの前記ゲートとの間に電気的に接続されている入力抵抗RE、RE1、REnと、アースと前記トランジスタ112、1121、112nのソースとの間に電気的に接続されているソース抵抗RS、RS1、RSnと、前記ソース抵抗RS、RS1、RSnと並列に接続されているソースキャパシタCS、CS1、CSnと、電圧源VCCと前記トランジスタ112、1121、112nの前記ドレインとの間に電気的に接続されているドレイン抵抗RD、RD1、RDnと、を備えることを特徴とする、アルファ粒子検出装置。前記アルファ粒子検出装置は、前記1つ又は幾つかの検出変換セル102、2021、202nの前記出力と前記比較回路160の入力との間に電気的に接続されている増幅回路150、250を含むことを特徴とする、請求項1に記載のアルファ粒子検出装置。前記検出変換セル102、2021、202nは、前記ダイオードD、D1、Dnの前記P層と、関連付けられた前記変換回路110、2101、210nとの間に挿入された入力キャパシタCE、CE1、CE2を備えることを特徴とする、請求項1又は2に記載のアルファ粒子検出装置。前記検出変換セル102、2021、202nは、前記変換回路110、1101、110nの出力と、前記比較回路160又は前記増幅回路150、250との間に挿入された出力キャパシタCD、CD1、CDnを備えることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載のアルファ粒子検出装置。本発明の目的は、従来技術の欠点を呈することがなく、特に、従来技術の検出装置によって行われる検出よりも正確な検出を提供する、ラドンを検出する装置を提案することである。このために、電子回路を備える、例えばラドンからのアルファ粒子を検出する装置であって、この電子回路自体は、少なくとも1つの検出変換セルであって、そのN層がアースされている順方向バイアスされたダイオードと、電荷/電圧変換器型の変換回路であって、その入力がダイオードのP層に電気的に接続されるとともに、ダイオードによって放出された電荷を取り込んで、この電荷を代表電圧representativevoltageに変換するために設けられた、変換回路と、を備える、少なくとも1つの検出変換セルと、増幅回路であって、その入力には、上記変換回路の出力が並列に電気的に接続されている、増幅回路と、増幅回路の出力における電圧の値をしきい値と比較するために設けられた比較回路と、電圧値がしきい値を超えることに応答して、保護装置を制御するために設けられた制御回路と、を備える、アルファ粒子検出装置が提案される。上記検出変換セルは、ダイオードのP層と、関連付けられた変換回路との間に挿入された入力キャパシタを更に備えることが有利である。上記検出変換セルは、変換回路と増幅回路との間に挿入された出力キャパシタを更に備えることが有利である。上記変換回路は、自己バイアス電界効果トランジスタであって、そのゲートは入力キャパシタに電気的に接続され、そのドレインは出力キャパシタに電気的に接続されている、自己バイアス電界効果トランジスタと、アースとトランジスタのゲートとの間に電気的に接続されている入力抵抗と、アースとトランジスタのソースとの間に電気的に接続されているソース抵抗と、ソース抵抗と並列に接続されているソースキャパシタと、電圧源とトランジスタのドレインとの間に電気的に接続されているドレイン抵抗と、を備えることが有利である。本発明の上述した特徴及び他の特徴は、一例示の実施形態の以下の説明を読むとより明らかになる。この説明は、添付図面に関して作成されたものである。アルファ粒子は、ダイオードのP層と相互作用する。このために、様々なタイプのダイオードを用いることができ、例えば、平面拡散planardiffusionダイオード、低容量平面拡散lowcapacitanceplanardiffusionダイオード、PNダイオード、PNNダイオード、PINダイオード等の名称が挙げられる。図1は、検出変換セル102を含む検出装置の電子回路100を示している。この検出装置は、例えばラドンから生じるアルファ粒子を検出する。検出変換セル102は、順方向バイアスされ、したがって、バイアス電圧もバイアス電流も受けていないようなダイオードDを含む。ダイオードDのP層は、ラドンが検出されることなる空気に向けられ、N層はアースに接続されている。検出変換セル102は、アルファ粒子がダイオードDによって捕捉されたときにダイオードDによって放出される電荷を取り込んで、この電荷を代表電圧に変換するために設けられた電荷/電圧変換器型の変換回路110も含む。ダイオードDのP層は、変換回路110の入力に電気的に接続されている。この代表電圧は、次に、変換回路110の出力に電気的に接続されている増幅回路150によって電圧Vに増幅される。電子回路100は、増幅回路150の出力における電圧Vの値をしきい値と比較する比較回路160も含む。検出装置は、比較回路160によって検出された電圧Vがしきい値を超えていることに応答して、可聴及び/若しくは発光アラームの形態を取ることができる保護装置、並びに/又は空気中に存在するラドンを排気することを目的とした換気システムを制御する制御回路170も含む。アルファ粒子とダイオードDとの間の相互作用のエリアは、P層に位置している。この相互作用のエリアは、空乏領域と呼ばれ、ダイオードDのバイアスの関数として得られる。そして、電圧も電流も電界もダイオードDに印加されていないので、P層のみがアルファ粒子の存在に反応する。P層は非常に薄く、10μm程度であり、したがって、かなり短い平均自由行程シリコン内で約8μmを有する、ラドンによって放出されたアルファ粒子のみがP層と相互作用する。その上、この相互作用のエリアは限られており、それによって、ダイオードDのP層に堆積されてアルファ粒子を放出する可能性がある放射性元素に対する感度が低減される。したがって、検出器の自然汚染によって例えば、ラドンの核分裂生成物によって生み出される撹乱が、従来技術の検出装置の場合よりもかなり目立たなくなっている。さらに、ダイオードDをバイアス除去debiasingすることによって、ダイオードDを直接電気的に接続すること、すなわちP層を変換回路110の入力に電気的に接続することが可能である。図面に提示された本発明の実施形態では、増幅回路150は、電圧増幅器152であって、その非反転入力がアースされ、その反転入力-が変換回路110と電気的に接続されている、電圧増幅器152と、電圧増幅器152の反転入力-と出力との間に電気的に接続されている抵抗RAMPと、を備える。電圧増幅器152は、この場合、反転モードで接続されるが、非反転モードで接続することもできる。さらに、増幅回路150は、一連の増幅トランジスタ又は他の任意の増幅システムによって製造することもできる。ダイオードDと変換回路110とを電気的に分離し、したがって、ダイオードDを十分にバイアス除去するために、電子回路100は、ダイオードDのP層と変換回路110との間に挿入された入力キャパシタCEを含む。したがって、入力キャパシタCEの第1の電極は、ダイオードDのP層に電気的に接続され、入力キャパシタCEの第2の電極は、変換回路110の入力に電気的に接続されている。順方向バイアスされたダイオードDと、変換回路110と、入力キャパシタCEとを有するそのような構成は、従来技術の電荷増幅器を用いて測定されるダイオードD/アルファ粒子相互作用よりも弱いダイオードD/アルファ粒子相互作用を表すパルスを検出する。確かに、そのような構成は増幅回路150の電子雑音を著しく低減し、電子雑音の非常に弱いパルスを検出することが可能である。同様に、変換回路110と増幅回路150とを電気的に分離するために、電子回路100は、変換回路110と増幅回路150との間に挿入された出力キャパシタCDを含む。したがって、出力キャパシタCDの第1の電極は、変換回路110の出力に電気的に接続され、出力キャパシタCDの第2の電極は、増幅回路150の入力に電気的に接続されている。変換回路110は、自己バイアス電界効果トランジスタ、すなわちFET112と、アースとFETトランジスタ112のゲートとの間に電気的に接続されている入力抵抗REと、アースとFETトランジスタ112のソースとの間に電気的に接続されているソース抵抗RSと、ソース抵抗RSと並列に接続されているソースキャパシタCSと、電圧源VCCとFETトランジスタ112のドレインとの間に電気的に接続されているドレイン抵抗RDと、を備える。入力キャパシタCEの第2の電極は、FETトランジスタ112のゲートに電気的に接続されている。出力キャパシタCDの第1の電極は、FETトランジスタ112のドレインに電気的に接続されている。変換回路110のこの特定の構成は、アルファ粒子がP層と相互作用したときに、FETトランジスタ112のゲートにおける電荷の移動を引き起こし、それによって、FETトランジスタ112のゲートとソースとの間の電圧に僅かな変更をもたらし、ドレイン抵抗RDにおける電圧の変動を生み出す。この変動は、次に増幅回路150によって増幅される。図2は、増幅回路250の入力において並列に電気的に接続されている、2021、202nのラベルが付けられた複数の検出変換セルを含む検出装置の電気回路200を示している。増幅回路250の後には、比較回路160及び制御回路170が続いている。増幅回路250は、図1の実施形態の増幅回路150の構造と同じ構造を仮定する。数nは、2よりも大きな整数を表し、配置されている検出変換セル2021、202nの数を表す。nが1に等しい場合は、図1の本発明の実施形態によって表わされる。ここでは、検出変換セル2021のみを説明するが、他の検出変換セルのそれぞれは同一の構造を示す。検出変換セル2021は、順方向バイアスされたダイオードD1と、電荷/電圧変換器型の変換回路2101であって、その入力は、ダイオードD1のP層に電気的に接続され、ダイオードD1によって放出された電荷を取り込んで、この電荷を代表電圧に変換するために設けられている、変換回路と、を含む。図1の実施形態と同様に、検出変換セル2021は、ダイオードD1のP層と、関連付けられた変換回路1101との間に挿入された入力キャパシタCE1を含む。すなわち、第1の電極はダイオードD1のP層に電気的に接続され、第2の電極は変換回路2101の入力に電気的に接続されている。図1の実施形態と同様に、検出変換セル2021は、変換回路2101と増幅回路250との間に挿入された出力キャパシタCD1も含む。すなわち、第1の電極は変換回路2101の出力に電気的に接続され、第2の電極は増幅回路250の入力に電気的に接続されている。変換回路2101の構造は、図1の変換回路110の構造と同一である。すなわち、変換回路2101は、自己バイアス電界効果トランジスタ1121と、アースとトランジスタ1121のゲートとの間に電気的に接続されている入力抵抗RE1と、アースとトランジスタ1121のソースとの間に電気的に接続されているソース抵抗RS1と、ソース抵抗RS1と並列に接続されているソースキャパシタCS1と、電圧源VCCとトランジスタ1121のドレインとの間に電気的に接続されているドレイン抵抗RD1と、を備える。入力キャパシタCE1の第2の電極は、トランジスタ1121のゲートに電気的に接続されている。出力キャパシタCD1の第1の電極は、トランジスタ1121のドレインに電気的に接続されている。図2の本発明の実施形態の場合に示されるように、各検出変換セル2021、202nのこの特定の構成によって、所与の増幅回路250についてこれらのセルの数が増加し、したがって、検出装置200の体積及びその電力消費を大幅に増やす必要なく、検出装置200の感度が高められる。そのように得られる検出装置200の感度は、より低いコストでも放射線測定機器の感度と同様である。本発明の一特定の実施形態によれば、トランジスタ112は、J113で参照されるトランジスタである。抵抗値RD及びRSは、50kΩと470kΩとの間であり、好ましくは300kΩに近い。用いることができる一例示の電圧増幅器152は、TL031で参照される電圧増幅器である。当然のことながら、本発明は、説明され表された例及び実施形態に限定されず、当業者に理解可能な多くの変形形態を受け入れることができる。ラドンからのアルファ粒子の場合について本発明をより詳細に説明してきたが、本発明は、他の元素からのアルファ粒子にも同様に適用される。