"発光層を含む半導体積層体と、前記半導体積層体の第1の面に設けられ、開口部を有する絶縁層と、前記開口部に露出した前記第1の面に設けられた透明導電膜と、前記透明導電膜に設けられた金属反射層と、前記絶縁層の表面の一部と、前記金属反射層の側部と、前記金属反射層の表面と、を覆うように設けられ、前記金属反射層の厚さに対応した段差を含む表面を有する第1金属層と、前記第1金属層の前記表面を覆うように設けられた第1接合電極と、基板と、前記基板と前記第1接合電極との間に設けられ、前記基板と、前記第1接合電極と、を接合する第2接合電極と、を備えた半導体発光素子。前記開口部は、前記発光層の中心を囲むように設けられ、前記透明導電膜は、前記絶縁膜の前記表面のうち前記開口部の内側領域をさらに覆う請求項1記載の半導体発光素子。上方からみて、前記金属反射層は、前記透明導電膜と等しい大きさであるかまたは前記透明導電膜よりも大きく、かつ前記第1金属層よりも小さい請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第1金属層は、前記透明導電膜と接しない請求項3記載の半導体発光素子。前記金属反射層は、Al、Ag、Ag合金のいずれかを含む請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1金属層は、Ti、Ta、W、Pt、Mo、Au、Ni、V、Crのうちのいずれかを含む請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2接合電極は、金属半田材を含む請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子を提供する。実施形態の半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、絶縁層と、透明導電膜と、金属反射層と、第1金属層と、第1接合電極と、基板と、第2接合電極と、を有する。前記絶縁層は、前記半導体積層体の第1の面に設けられ、開口部を有する。前記透明導電膜は、前記開口部に露出した前記第1の面に設けられる。前記金属反射層は、前記透明導電膜に設けられる。前記第1金属層は、前記絶縁層の表面の一部と、前記金属反射層の側部と、前記金属反射層の表面と、を覆い、前記金属反射層の厚さに対応した段差を含む表面を有する。前記第1接合電極は、前記第1金属層の前記表面を覆うように設けられる。前記第2接合電極は、前記基板と前記第1接合電極との間に設けられ、前記基板と、前記第1接合電極と、を接合する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図1aは第1の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図1bはA-A線に沿った模式断面図、である。半導体発光素子は、半導体積層体30と、絶縁層40と、透明導電膜42と、金属反射層44と、第1接合電極48と、第2接合電極12と、基板10と、を有する。半導体発光素子は、さらに、半導体積層体30の側に設けられた第1の電極60と、基板10の側に設けられた第2の電極62と、を有する。半導体積層体30は、放出光を放出可能な発光層22と、コンタクト層26と、を含む。半導体積層体30の第1の面30aには、SiO2やSi3N4などからなる絶縁層40が設けられる。絶縁層40は、発光層22の中心22aを囲む開口部40aを有する。換言すると、開口部40aは、発光層22の中心22aを通る中心軸80を含む。なお、発光層22の中心22aは、発光層22を平面視した形状の幾何学的な中心または重心と定義できる。例えば、発光層22が平面視で円形、正方形、長方形などの場合には、それらの形状の幾何学的な中心が中心22aとなる。また、例えば、発光層22の平面視の形状が幾何学的な中心を有しないような場合には、その形状の重心を中心22aとすることができる。第1の電極60と、第2の電極62と、の間を流れる電流Jは、開口部40aを通るが、絶縁層40は電流狭窄層として作用する。また、半導体積層体30は、InxGayAl1-y1-xP但し、0≦x≦1、0≦y≦1なる組成式で表すInGaAlP系材料、AlxGa1-xAs0≦x≦0.6なる組成式で表すAlGaAs系の材料、InxGayAl1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1なる組成式で表す窒化物系の材料、などを含むものとする。透明導電膜42は、絶縁層40の開口部40aに露出した半導体積層体30の第1の面30aとなるコンタクト層26を少なくとも覆う。金属反射層44は、平面視で透明導電膜42がはみ出ないように少なくとも透明導電膜42の表面を覆うように設けられる。また、透明導電膜42は、ITOIndiumTinOxide、酸化亜鉛、酸化錫などとすることができる。図1bに示す例では、金属反射層44は、透明導電膜42の側部である外縁と、絶縁層40の表面のうち透明導電膜42の側部である外縁よりも外側の領域をも覆っている。しかしながら、これに限られず、たとえば、金属反射層44は透明導電膜42の表面を覆うが、透明導電膜42の側部を覆わなくともよい。銀AgやアルミニウムAlの反射率は、青色光のような短い波長範囲において90以上と高い。他方、短い波長範囲では、金属の光反射率が低下することがある。たとえば、450nmにおいて、金Auの反射率は約48、白金Ptの反射率は約57、と低くなる。すなわち、青色から緑色の波長範囲の光を放出する半導体発光素子の内部に設ける金属反射層44は、Ag、Ag合金、Alなどとすることが好ましい。第1金属層45は、絶縁層40の表面の一部と、金属反射層44の外縁44aである側部と、金属反射層44の表面と、を覆うように設けられる。すなわち、第1金属層45の表面は、第2接合電極12に向かって突出した第1の面と、第1の面よりも金属反射層44の厚さに対応して後退した段差を有する第2の面と、第1の面と第2の面との間の側部と、を有する。第1接合電極48は、このような段差を有する第1金属層45の表面を覆うように設けられる。第1金属層45は、チタニウムTi、タンタルTa、タングステンW、Pt、モリブデンMo、ニッケルNi、バナジウムV、クロムCr、Auなどのうちのいずれかとすることができる。これらの金属は、金属反射層44と、第1接合電極48と、の間で、合金化を抑制するバリア層として作用する。また、第1接合電極48と、第2接合電極12と、は、たとえば、Auを含むことができる。もし、半導体積層体30がAgやAg合金などの金属反射層44に直接に接すると、合金層が形成され光損失が大きくなることがある。このため、半導体積層体30と、金属反射層44と、の間に透明導電膜42を設け、半導体積層体30と、透明導電膜42と、の間で合金層が形成されることを抑制する。このようにして、光損失を低減することができる。半導体積層体30は、InGaAlP系材料を含むものとする。この場合、発光層22は、緑~赤色波長範囲の光を放出できる。図1bにおいて、半導体積層体30は、透明導電膜42の側から、第2導電形のコンタクト層26、第2導電形の第2の層24、発光層22、第1導電形の第1の層20、をこの順序で有している。さらに、コンタクト層26の表面は、たとえば、GaPを含むものであってもよい。発光領域ER1から上方へ向かう光G1、発光領域ER1から下方へ向かい金属反射層44により反射された光G2、発光領域ER1から絶縁層40を通って金属反射層44により反射された光G3などを、上方において取り出すことができる。このため、発光層22から放出される放出光の輝度を高めることができる。他方、Siなどからなる基板10の表面に、例えばTi/Pt/AuやCr/Auからなる電極11を設け、その上に金などを含む第2接合電極12を設ける。TiやCrは、AuなどがSiへ拡散することを抑制するバリア金属として作用する。第2接合電極12の表面をAuとし、第1接合電極48の表面をAuとすると、加熱加圧による熱圧着法を用いて接合可能である。この場合、第1接合電極48の表面の段差TS1が200nmである場合、第1接合電極48のAuの厚さと、第2接合電極12のAuの厚さと、の和の厚さTB1が200nm以上とすると、熱圧着可能である。このため、Auの材料費を低減できる。なお、図1bにおいて、金属反射層44の外縁44aは矩形であるが、形状はこれに限定されず、例えば円形であってもよい。図2a~dは、第1の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法のうち、第1接合電極を形成するまでを示す模式図である。すなわち、図2aは半導体積層体を形成したウェーハの模式断面図、図2bは透明導電膜および金属反射層を形成したウェーハの模式断面図、図2cは第1金属層を形成したウェーハの模式断面図、図2dは第1接合電極を形成したウェーハの模式断面図、である。図2aにおいて、結晶成長基板50の上に、半導体積層体30が形成される。なお、結晶成長基板50はGaAsからなるものとするが、本発明はこれに限定されない。半導体積層体30は、結晶成長基板50の側から、第1導電形の第1の層20、発光層22、第2導電形の第2の層24、光損失が少ない第2導電形GaPなどからなるコンタクト層26を有する。第1の層20および第2の層24は、発光層22を両側から挟んで、縦方向に光を閉じ込めるクラッド層を含むことができる。コンタクト層26からなる第1の面30aの上に、SiO2やSi3N4などからなる絶縁層40を形成する。絶縁層40の厚さは、例えば50~200nmの範囲が好ましい。図2bのように、絶縁層40には開口部40aが設けられる。絶縁層40の開口部40aに露出したコンタクト層26を、覆うように透明導電膜42が設けられる。透明導電膜42は、半導体積層体30と金属反射層44との合金を抑制できる範囲内で、例えば50~200nmと薄くすることが好ましい。また、透明導電膜42は、チップの側面Sに露出しないようにパターニングされる。なお、開口部40aよりも内側の領域となる絶縁層40の表面は、パターニングにより除去しても、または残してもよい。透明導電膜42は、絶縁層40に対して密着強度が高くないので、ダイシングプロセスにおいて剥離を生じることがある。透明導電膜42がチップの側面Sに露出しないようにすると、絶縁層40と透明導電膜42とが剥離することが抑制できる。続いて、透明導電膜42の表面を覆うように、金属反射層44を形成する。金属反射層44は、Ag、Ag合金、Alなどとする。また、金属反射層44の厚さは、反射率を高く保つことが可能な範囲で薄く、例えば50~400nmの範囲とすることが好ましい。図2bの模式図において、金属反射層44のパターニングを行う。Agの場合、例えば燐酸を含む溶液エッチング法またはドライエッチング法を用いることができる。金属反射層44は、透明導電膜42と等しい大きさであるか、または透明導電膜42よりも大きい。なお、金属反射層44の外縁44aと、透明導電膜42の外縁と、の間に距離D1を設けることができる。図2cの模式図のように、パターニングされた金属反射層44の表面および露出している絶縁層40の表面領域40bを覆うように、Ti/Pt/Tiの積層などからなる第1金属層45を形成する。すなわち、金属反射層44は、第1金属層45よりも小さい。なお、図2bのように距離D1を設けると、第1金属層45と、透明導電膜42と、が接しない。透明導電膜42と絶縁膜40との密着強度は十分に高くはないので、開口部40a近傍に設けることが好ましい。他方、発光層22からの放出光は開口部40aよりも広がる。このため、金属反射層44は、開口部40aの外側まで延在させることが好ましい。すなわち、第1金属層45と透明導電膜42とが接しない構造とすると、反射率を高く保ちつつ、電極密着強度を維持することができる。また、透明導電膜42とTiなどの密着性は高くないので、距離D1を設けることにより、密着性の低下を抑制している。さらに、高温での界面におけるはがれを抑制できる。また、Agはマイグレーションを生じやすい。しかし、第1金属層45と絶縁層40との密着性は良好であるので、Agのマイグレーションや硫化などが抑制できる。図2dの模式図のように、第1金属層45の上に、Auなどを含む第1接合電極48を形成する。第1接合電極48の表面には、絶縁層40の開口部40aに対応した凹部を生じる。また、なお、第1金属層45および第1接合電極48は、パターニングプロセスを必要としないので製造プロセスを簡素である。すなわち、フォトリソグラフィープロセスやパターニングプロセスの回数を低減でき、量産性の高い製造方法とすることができる。図3a~cは、第1の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法のうち、ウェーハ接合からチップへの分離までを示す模式図である。すなわち、図3aはウェーハ接合の模式図、図3bはウェーハ接合後の模式断面図、図3cは結晶成長基板を除去したウェーハの模式断面図、である。図3aのように、Siなどからなる基板10の上に、Ti/Pt/Tiなどからなるバリア金属層11と、Auなどを含む第2接合電極12と、を形成する。さらに、第1接合電極48と、第2接合電極12と、を重ね合わせる。図3bのように、重ね合わせたウェーハを、加熱加圧する。たとえば、第1接合電極48と、第2接合電極12と、の表面がともにAuであると、250°C以上において、熱圧着法を用いて接合可能である。第1接合電極48と、第2接合電極12と、は接合されたのち、第1接合電極48の表面の側に空隙部48aを生じることがある。また、第1接合電極48の段差TS1に対応した空隙部48bを生じることがある。ダイシングラインは、空隙部48bを通るようにしても、第1金属層45と、絶縁層40と、の密着性が高いので剥離などが抑制される。続いて、図3cのように、結晶成長基板50を除去する。この場合、アンモニアと過酸化水素との混合溶液などを用いることができるが、除去プロセスはこれに限定されない。さらに、第1電極60、第2電極62、をそれぞれ形成し、熱処理プロセスを行うとウェーハプロセスが完了する。続いて、第1金属層45が設けられた絶縁層40の表面領域40bの領域をダイシングラインとしてチップへの分離プロセスを行う。図4aは第1の実施形態にかかる半導体発光素子の変形例の模式平面図、図4bはA-A線に沿った模式断面図、である。透明導電膜42は、開口部40aに露出した第1の面30aを覆うように設けられるが、絶縁層40の表面のうち、開口部40aの内側領域40cをすべて覆わなくともよい。この場合、金属反射層44は、絶縁層40の内側領域40cを覆う。また、発光領域ER1から放出される光は中心軸80の近傍では光強度が低い。このため、金属反射層44を除去することができる。この場合、中心軸80の近傍で第1金属層45と絶縁層40との密着性を高く保つことができる。図5aは第2の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図5bはA-A線に沿った模式断面図、である。絶縁層40の開口部40aは、発光層22の中心22aを通る中心軸80を囲むように設けられるが、互いに離散した複数の領域を含んでもよい。図5aでは、矩形状の開口部40aが、上方からみて第1電極60の外側となる領域に分散して設けられている。このようにすると、電流Jは、開口部40aに露出した透明導電膜42を縦方向に通るので、発光層22のうち開口部40aの上方領域の近傍が効率よく発光する。図6aは比較例にかかる半導体発光素子の模式平面図、図6bはB-B線に沿った模式断面図、である。半導体発光素子は、半導体積層体130と、絶縁層140と、透明導電膜142と、金属反射層144と、第1接合電極148と、第2接合電極112と、基板110と、を有する。半導体発光素子は、さらに、半導体積層体130の側に設けられた第1の電極160と、基板110の側に設けられた第2の電極162と、を有する。半導体積層体130は、放出光を放出可能な発光層122を含む。半導体積層体130の第1の面130aには、SiO2やSi3N4などからなる絶縁層140が設けられる。絶縁層140は、発光層122の中心軸180の周りに開口部140aを有する。透明導電膜142は、絶縁層140の開口部140aに露出した半導体積層体130の第1の面130aと、絶縁膜140の表面と、を覆う。金属反射層144は、透明導電膜142の表面の全面に設けられる。すなわち、比較例においては、透明導電膜142の側面142aと、金属反射層144の側面144aと、は、チップの側面SSに露出している。金属反射層144がAgまたはAg合金である場合、その面142aの近傍は硫化による変色や腐食を生じやすい。硫化は、200°C以下でも生じる。また、熱や電界によりAg粒子のマイグレーションを生じ発光素子の電気的特性や光学的特性に劣化を生じる。また、一般に、透明導電膜は、SiO2やSi3N4などの絶縁層に対する密着性およびAgに対する密着性が十分ではない。もし、ダイシングによる切断面であるチップの側面SSに、Agや透明導電膜が露出していると、互いの界面において剥離を生じやすい。すなわち、チップの端面SSにAgAg合金を含むおよび透明導電膜が露出している比較例では、高い信頼性を保つことが困難である。これに対して、本実施形態では、チップの側面Sに金属反射層44および透明導電膜42が露出しない。このため、金属反射層44を構成するAgのマイグレーションによるpn接合の短絡やAgの硫化による変色などを抑制でき、高い信頼性を保つことができる。また、Tiなどの第1金属層45は、絶縁層40に対する密着強度が高いので、ダイシングプロセスにおける剥離などを抑制することができる。図7aは第3の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図7bはA-A線に沿った模式断面図、である。第2の実施形態では、第2接合電極13は、金属半田材からなるものとする。金属半田材としては、たとえば、AuIn系合金半田、AuSn共晶温度:約280°C、AuGe共晶温度:約350°C、AuSi共晶温度:約380°Cなどの金属共晶やInなどを用い、その厚さを1~5μmなどとする。もちろん、第2接合電極13が金属半田材を含んでいてもよい。この場合、第1接合電極49は段差TS2を有している。この段差TS2が、たとえば200μmであると、金属半田材が溶融して段差を埋めつつ接合するためには、たとえば、第1接合電極49の厚さと第2接合電極13の厚さとの和TB2が2μmとなる。この厚さは熱圧着法で接合する第1の実施形態の厚さの和TB1よりも大きくなる。しかし、第1接合電極49と第2接合電極13との間の空隙部を埋めることができ、接合強度を高めることが容易である。図8a~cは、第3の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法のうち、ウェーハ接合からチップへの分離までを示す模式図である。すなわち、図8aはウェーハ接合の模式図、図8bはウェーハ接合後の模式断面図、図8cは結晶成長基板を除去したウェーハの模式断面図、である。図8aにおいて、AuIn系合金などからなる第1接合電極49は、周辺部が中心部に対して段差TS2を有している。他方、Siからなる基板10に、Ti/Pt/Tiなどからなるバリア層11が設けられ、さらに、AuIn系合金などからなる第2接合電極13が設けられている。第1接合電極49と、第2接合電極13と、を重ね合わる。続いて、図8bのように、重ね合わせたウェーハを、加熱する。たとえば、第1接合電極49と、第2接合電極13と、を金属半田材の融点以上とすると、溶融した金属半田材が一体となり段差TS2を埋める。この場合、第1接合電極49の側に結晶成長基板50があるので、線膨張係数差による応力が大きい。しかし、一般に金属半田材の融点は、熱圧着温度よりも低くすることができるので、応力を低減し、ウェーハの割れや欠けを抑制できる。続いて、図8cのように、結晶成長基板50を除去する。この場合、アンモニアと過酸化水素との混合溶液などを用いることができるが、除去プロセスはこれに限定されない。さらに、第1電極60、第2電極62、をそれぞれ形成し、熱処理プロセスを行うとウェーハプロセスが完了する。図9aは第3の実施形態にかかる半導体発光素子の変形例の模式平面図、図9bはA-A線に沿った模式断面図、である。絶縁層40には、第1電極60よりも大きな開口部40aが設けられる。透明導電膜42は、開口部40aに露出した第1の面30aの全面を覆うように設けられる。発光領域ER2から上方へ向かう光G4,発光領域ER2から下方に向かい金属反射層44により反射された光G5、発光領域ER2から絶縁膜40を通り、金属反射層44により反射された光G6は、上方において取り出される。このため、輝度を高めることができる。この場合、発光領域ER2の発光中心22a近傍の光は第1電極60により遮られるので、光取り出し効率が低下する。もし、第1電極60の中心軸80の近傍と、半導体積層体30と、の間にSiO2やSi3N4などの絶縁層を設けると、第1電極60による遮光を低減し、光取り出し効率を高めることができる。第1~3の実施形態にかかる半導体発光素子では、透明導電膜42および金属反射層44がチップの側面Sに露出しないので第1金属層45と絶縁層40との密着強度が高められる。このため、高い信頼性を保ちつつ輝度を高めることができる。また、ダイシングプロセスなどにおいて、透明導電膜42や金属反射層44などが剥離することが抑制できる。本実施形態にかかる半導体発光素子は、照明装置、表示装置、信号機などに広く用いることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"