導体プレーンと、前記導体プレーン上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上の複数の導体パッチと、前記導体パッチの隣り合う2つの導体パッチを電気的に接続する接続部とを有するEBG構造であって、前記接続部は、一方の導体パッチと接続される第1ビアと、他方の導体パッチと接続される第2ビアと、前記第1ビアと前記第2ビアを接続する接続配線とからなり、前記接続配線は、前記第1ビアと前記第2ビアとの間においてヘリカルインダクタまたはスパイラルインダクタを構成していることを特徴とするEBG構造。導体プレーンと、前記導体プレーン上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上の複数の導体パッチと、前記導体パッチの隣り合う2つの導体パッチを電気的に接続する接続部とを有するEBG構造であって、前記接続部は、一方の導体パッチと接続される第1ビアと、他方の導体パッチと接続される第2ビアと、2つの導体パッチの隙間に配置される第3ビアと第4ビアと、前記第1ビアと前記第3ビアを接続する第1接続配線と、前記第2ビアと前記第4ビアを接続する第2接続配線と、前記第3ビアと前記第4ビアを接続する第3接続配線とからなり、前記第1接続配線と前記第2接続配線の一部分が、前記第3接続配線と上下に重なるように形成され、前記第1ビアと前記第2ビアとの間においてヘリカルインダクタを構成していることを特徴とする請求項1に記載のEBG構造。前記導体プレーンは、第1の導電体層で形成され、前記複数の導体パッチと前記第3接続配線は、第2の導電体層で形成され、前記第1接続配線と前記第2接続配線は、前記第1の導電体層および前記第2の導電体層の上に誘電体層を介して設けられた第3の導電体層で形成されていることを特徴とする請求項2に記載のEBG構造。導体プレーンと、前記導体プレーン上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上の複数の導体パッチと、前記導体パッチの隣り合う2つの導体パッチを電気的に接続する接続部とを有するEBG構造であって、前記接続部は、一方の導体パッチと接続される第1ビアと、他方の導体パッチと接続される第2ビアと、2つの導体パッチの隙間に配置される第3ビアと、前記第1ビアと前記第3ビアを接続する第1接続配線と、前記第2ビアと前記第3ビアを接続する第2接続配線とからなり、前記第1接続配線と前記第2接続配線の少なくともどちらか一方はスパイラル形状を有し、前記第1ビアと前記第2ビアとの間においてスパイラルインダクタを構成していることを特徴とする請求項1に記載のEBG構造。前記第1接続配線と前記第2接続配線はスパイラル形状を有し、前記第1接続配線と前記第2接続配線のスパイラル部に流れる電流の方向が同じであることを特徴とする請求項4に記載のEBG構造。請求項1から請求項5のいずれかに記載のEBG構造を周期的に配置したことを特徴とするプリント基板。しかしながら、特許文献1のEBG構造においても、バンドギャップを十分に低帯域化できるまで、導体パターン106を長くしてインダクタンス成分を増加させることは、サイズ的な限界があり、EBG構造を小型することができないという問題があった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、EBG構造を大型化することなくインダクタンス成分を増加させ、バンドギャップの広帯域化を実現したEBG構造及びプリント基板を提供することを目的とする。導体プレーンと、導体プレーン上に設けられた誘電体層と、誘電体層上の複数の導体パッチと、導体パッチの隣り合う2つの導体パッチを電気的に接続する接続部とを有するEBG構造であって、接続部は、一方の導体パッチと接続される第1ビアと、他方の導体パッチと接続される第2ビアと、第1ビアと第2ビアを接続する接続配線とからなり、接続配線は、第1ビアと第2ビアとの間においてヘリカルインダクタまたはスパイラルインダクタを構成していることを特徴とする。導体パッチ間の接続部においてインダクタンス成分が増加され、EBG構造を大きくすることなくバンドギャップを広帯域化することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明のEBG構造は、単位素子が周期的に配置される構成であるが、各斜視図には単位素子構造を理解し易いように、2つの単位素子の連結状態を取り出して図示している。また、プリント基板における導電体層のパターンを識別し易いように、導電体層の間に設けられる誘電体層を省略して図示している。図1は、本発明の第1の実施例であるEBG構造1の斜視図である。EBG構造1は、導電体層と誘電体層が交互に積層されたプリント基板に設けられ、第1導電体層に形成された導体プレーン2と、導体プレーン2上に設けられた誘電体層と、誘電体層上に設けられた第2導電体層に形成された複数の導体パッチ3とを備えており、導体プレーン2と導体パッチ3はキャパシタンスを構成している。また、導体パッチ3は周期的に配置されており、隣り合う導体パッチ、例えば、導体パッチ3と導体パッチ4は、接続部5で電気的に接続されており、接続部5はインダクタンスを構成している。接続部5は、各導電体層の層間を接続する複数のビア6~9と、各ビア間に配置される複数の接続配線10~12とにより接続されている。導体パッチ3と導体パッチ4には、導体パッチ3と導体パッチ4を互いに電気的に接続するための第1ビア6と第2ビア7がそれぞれ接続されている。また、導体パッチ3と導体パッチ4の隙間には、第1ビア6と第2ビア7の間の接続を中継するための第3ビア8、第4ビア9が配置されている。各ビア間の接続は、第1ビア6と第3ビア8が第3導電体層に形成された第1接続配線10で接続されており、第2ビア7と第4ビア9が第3導電体層に形成された第2接続配線11で接続されており、第3ビア8と第4ビア9が第2導電体層に形成された第3接続配線12で接続されている。また、第1接続配線10と第2接続配線11は、第3接続配線12の上方に一部が重なって配置されている。接続部5は、第1ビア6から、第1接続配線10、第3ビア8、第3接続配線12、第4ビア9、第2接続配線11を経て、第2ビア7へ接続されることにより、第2導電体層と第3導電体層の間を周回するヘリカルインダクタを構成している。このため、全体の配線長を同じにして直線上に接続するよりも大きいインダクタンス成分を付与することができる。また、第1接続配線10と第2接続配線11が同じ導電体層で形成され、第3接続配線12が導体パッチ3、4と同じ導電体層で形成されていることにより、少ない層数で薄型化された接続部5を構成することができる。図2は、第1の実施例に係るEBG構造1の周波数特性グラフである。図6は、比較例として、従来のEBG構造100図5の周波数特性グラフである。これらの周波数特性グラフは、解析モデルとして単位素子サイズを10mm×10mm、導体パッチのサイズを9mm×9mm、導体パターン幅を0.3mm、導電体層厚を0.1mm、導電率を5.8×107S/m、誘電体層厚コアを1mm、誘電体層厚コア以外を0.1mm、比誘電率を4.8、ビアピッチを5mm、及びビア径を0.3mmとして、電磁界解析により求めた。利得が-40dBとなる周波数に着目すると、従来のEBG構造100は、図6に示すように約1.6GHzであるのに対し、本発明のEBG構造1は、図2に示すように約1.2GHzとなっており、本発明のEBG構造によりバンドギャップ幅を低帯域側に広げられることが分かる。従って、第1の実施例に係るEBG構造1によれば、導体パッチ3、4間の接続部5においてインダクタンス成分を増加させることができるため、EBG構造1を大きくすることなくバンドギャップ幅が低帯域側に広がり、このようなEBG構造1を周期的に配置したプリント基板において、不要ノイズの伝播を抑制する広帯域フィルターとして用いることができる。なお、第1の実施例において、ヘリカルインダクタの周回数を1回以上としてもよい。この場合、第3ビア8、第4ビア9と第3接続配線12からなる接続体を、導体パッチ3、4間の隙間に周回分だけ並べて、第1接続配線10や第2接続配線11と同じ導電体層を用いて第4接続配線を形成して上記接続体間を接続することにより、周回数を増やしたヘリカルインダクタを構成することができる。ヘリカルインダクタの周回数を増加させることによりインダクタンス成分をさらに大きくすることができる。図3は、本発明の第2の実施例に係るEBG構造1の斜視図である。第1の実施例に係るEBG構造1と同様の構成については同様の符号を付している。EBG構造1は、導電体層と誘電体層が交互に積層されたプリント基板に設けられ、第1導電体層に形成された導体プレーン2と、導体プレーン2上に設けられた誘電体層と、誘電体層上に設けられた第2導電体層に形成された複数の導体パッチ3とを備えており、導体プレーン2と導体パッチ3はキャパシタンスを構成している。また、導体パッチ3は周期的に配置されており、隣り合う導体パッチ、例えば、導体パッチ3と導体パッチ4は、接続部5で電気的に接続されており、接続部5はインダクタンスを構成している。接続部5は、各導電体層の層間を接続する複数のビア6~8と、各ビア間に配線される複数の接続配線10~11とにより接続されている。導体パッチ3と導体パッチ4には、導体パッチ3と導体パッチ4を互いに電気的に接続するための第1ビア6と第2ビア7がそれぞれ接続されている。また、導体パッチ3と導体パッチ4の隙間には、第1ビア6と第2ビア7の間の接続を中継するための第3ビア8が配置されている。各ビア間の接続は、第1ビア6と第3ビア8が第3導電体層に形成された第1接続配線10で接続されており、第2ビア7と第3ビア8が第4導電体層に形成された第2接続配線11で接続されている。そして、第1接続配線10と第2接続配線11の少なくともいずれか一方がスパイラル形状となっている。接続部5は、第1ビア6から、第1接続配線10、第3ビア8、第2接続配線11を経て、第2ビア7へ接続されるため、例えば、第1接続配線10をスパイラル形状とした場合は、第3導電体層の面内方向にスパイラルインダクタを構成される。このため、全体の配線長を同じにして直線上に接続するよりも大きいインダクタンス成分を付与することができる。図4は、第2の実施例に係るEBG構造1の周波数特性グラフである。解析モデルは、第1の実施例に示した周波数特性グラフと同様であり、詳細な説明は省略する。利得が-40dBとなる周波数に着目すると、従来のEBG構造100は、図6に示すように約1.6GHzであるのに対し、本発明のEBG構造1は、図4に示すように約1.1GHzとなっており、本発明のEBG構造によりバンドギャップ幅を低帯域側に広げられることが分かる。従って、第2の実施例に係るEBG構造1によれば、導体パッチ3、4間の接続部5においてインダクタンス成分を増加させることができるため、EBG構造1を大きくすることなくバンドギャップ幅を低帯域側に広がり、このようなEBG構造1を周期的に配置したプリント基板において、不要ノイズの伝播を抑制する広帯域フィルターとして用いることができる。なお、第2の実施例において、第1接続配線10と第2接続配線11の両方がスパイラル形状であってもよい。この場合、上下のスパイラル部に流れる電流の方向を同じにすることでより大きなインダクタンス成分を付与することができる。