"不揮発スイッチング装置を用いて、選択的に電流を流す方法であって、以下の工程を具備する:前記不揮発スイッチング装置を準備する工程a、およびここで、前記不揮発スイッチング装置は、制御電極、強誘電体膜、半導体膜、および電極群を備え、前記制御電極、前記強誘電体膜、前記半導体膜、および前記電極群がこの順に積層されており、前記電極群は、第1の電極、第2の電極、および第3の電極を具備しており、前記第1の電極は、LLの長さを有する辺L2およびLSの長さを有する辺L3を具備しており、前記第2の電極は、LSの長さを有する辺L4およびLSの長さを有するL6を具備しており、前記第3の電極は、LSの長さを有する辺L7およびLLの長さを有する辺L8を具備しており、前記辺L2、前記辺L3、および前記辺L6は、それぞれ、前記辺L8、前記辺L4、および前記辺L7に平行であり、以下の等式Aが充足され、IL/LL=IS/LSAここで、ILは、前記辺L2と前記辺L8との間の間隔であり、ISは前記辺L3と前記辺L4との間の間隔であり、前記辺L6および前記辺L7との間の間隔は前記ISに等しく、前記不揮発スイッチング装置に第1の状態、第2の状態、および第3の状態のいずれかを設定する工程b、ここで、前記第1の状態では、前記電極群の間で電流が流れず、前記第2の状態では、前記第1の電極と前記第2の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第3の状態では、前記第1の電極と前記第3の電極との間に選択的に電流が流れ、前記制御電極、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極には、それぞれ、電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加され、前記第1の状態が設定される場合には、以下の不等式a~dのいずれかを充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、かつV1<VcaV1<Va、V1>Vb、かつV1<VcbV1<Va、V1<Vb、かつV1>Vcc、またはV1<Va、V1<Vb、かつV1<Vcd前記第2の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1>Vb、かつV1<Vc前記第3の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加されるV1>Va、V1<Vb、かつV1>Vc。請求項1に記載の方法であって、平面視において、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極は合同である。請求項1に記載の方法であって、前記工程aと前記工程bとの間に、以下の工程cをさらに具備する:前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極に電圧Vinを印加し、同時に前記制御電極に電圧Vresetを印加する工程cここで、Vin<Vresetである。請求項1に記載の方法であって、工程bにおいては、前記第1の状態、前記第2の状態、前記第3の状態、および第4の状態のいずれかが設定される:前記第4の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極の間で電流が流れ、前記第4の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加される:V1>Va、V1>Vb、V1>Vc。請求項3に記載の方法であって、前記不揮発スイッチング装置が、さらに第4の電極を具備し、ここで前記第4の電極は、前記LSの長さを有する辺L10、前記LLの長さを有する辺L11、および前記LSの長さを有する辺L12を具備しており、前記第1の電極は、前記LSの長さを有する辺L1をさらに具備しており、前記第2の電極は、前記LLの長さを有する辺L5をさらに具備しており、前記第3の電極は、前記LSの長さを有する辺L9をさらに具備しており、前記辺L1、前記辺L5、および前記辺L9は、それぞれ、前記辺L12、前記辺L11、および前記辺L10に平行であり、前記辺L5と前記辺L11との間の間隔は前記ILに等しく、前記辺L1と前記辺L12との間の間隔および前記辺L9および前記辺L10との間の間隔はいずれも前記ISに等しい。平面視において、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極は合同である、請求項5に記載の方法。請求項5に記載の方法であって、工程bにおいては、前記第1の状態、前記第2の状態、前記第3の状態、第4の状態~第12の状態のいずれかが設定され、ここで電圧Vdが前記第4の電極に印加され、前記第4の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極の間で電流が流れ、ここで、前記第4の電極には、電圧Vdが印加され、前記第4の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加される:V1>Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1<Vd前記第5の状態では、前記第2の電極と前記第3の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第5の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1<Vd前記第6の状態では、前記第1の電極と前記第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第6の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第7の状態では、前記第2の電極と前記第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第7の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第8の状態では、前記第3の電極と第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第8の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第9の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第9の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第10の状態では、前記第1の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第10の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第11の状態では、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第11の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第12の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に電流が流れ、前記第12の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加されるV1>Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd。図9Aは、図8に示される不揮発スイッチング装置の変形例を示す。図9Aにおいて、X方向、Y方向、およびZ方向は、それぞれ、強誘電体層13の長手方向、当該長手方向に直交する方向、および積層方向である。図9Aに示される不揮発スイッチング装置は、第1の電極15、第2の電極16、第3の電極17、および第4の電極18を具備する点を除き、図8に示される不揮発スイッチング装置と同一である。これらの4つの電極15~18は、正方形の頂点に対応する4つの位置に配置されている。第1の電極15および第3の電極17は、X方向に沿って設けられている。第2の電極16および第4の電極18は、X方向に沿って設けられている。第1の電極15および第2の電極16は、Y方向に沿って設けられている。第3の電極17および第4の電極18は、Y方向に沿って設けられている。当該不揮発スイッチング装置を用いて、2つの電極の間に選択的に電流を流す方法が、以下、説明される。ここでは、まず、第1の電極15および第3の電極17の間に選択的に電流を流すことが例に挙げられる。制御電極12と第1の電極15との間、および制御電極12と第3の電極17との間に電圧が印加され、第1の電極15および第3の電極17の下に位置する強誘電体層13の各部分に上方向の分極方向を持たせる。このようにして、当該各部分は低抵抗、すなわちオン状態を有する。一方、制御電極12と第2の電極16との間、および制御電極12と第4の電極18との間に電圧が印加され、第2の電極16および第4の電極18の下に位置する強誘電体層13の各部分に下方向の分極方向を持たせる。このようにして、当該各部分は高抵抗、すなわちオフ状態を有する。従って、図9Bに示されるように、第1の電極15から第3の電極17に選択的に電流が流れ得る。言い換えれば、第2の電極16にも第4の電極18にも電流は流れない。次に、第1の電極15および第4の電極18の間に選択的に電流を流すことが例に挙げられる。上記と同様の電圧の印加により、第1の電極15および第4の電極18の下に位置する強誘電体層13の各部分に上方向の分極方向を持たせる。一方、電圧の印加により、第3の電極17および第2の電極16の下に位置する強誘電体層13の一部分に下方向の分極方向を持たせる。このようにして、第1の電極15および第4の電極18はオン状態を有すると共に、第3の電極17および第2の電極16はオフ状態を有する。従って、理論的には、第1の電極15と第4の電極18との間に電流が選択的に流れ得る。しかし、実際には、第1の電極15と第3の電極17との間に電流が流れる。この原因を、以下、図10を参照しながら説明する。図10は、第1~第4の電極15~18の平面図である。第1の電極15と第2の電極16との間の距離L1は、第1の電極15と第4の電極18との間の距離L2よりも短い。従って、第1の電極15と第2の電極16との間の抵抗R1は、第1の電極15と第4の電極18との間の抵抗R2よりも小さい。第1の電極15と第2の電極16との間には、3つの電気的抵抗が存在する。すなわち、それらは、第1の電極15の下に位置する部分の半導体層14が有する低い抵抗RL15、抵抗R1、および第2の電極16の下に位置する部分の半導体層14が有する高い抵抗RH16である。同様に、第1の電極15と第4の電極18との間にはも、3つの電気的抵抗が存在する。すなわち、それらは、第1の電極15の下に位置する部分の半導体層14が有する低い抵抗RL15、抵抗R2、および第4の電極18の下に位置する部分の半導体層14が有する低い抵抗RL18が電気的に存在する。従って、第1の電極15と第4の電極18との間に選択的に電流を流すためには、以下の不等式Iが充足されることが必要とされる。RL15R1RH16>>RL15R2RL18Iここで、記号>>は、左側の値が右側の値よりも十分に大きいという意味である。すなわち、値A>>値Bは、値Aが値Bよりも十分に大きいという意味である。しかし、上記の通り、R1はR2よりも小さいので、不等式Iは必ずしも充足されるとは限らない。RH16がRL18よりも十分大きくない場合、R1RH16は、R2RL18よりも十分大きくない。従って、不等式Iが充足されない。そのため、第1の電極15および第4の電極18に選択的に電流を流すことが意図されているにも拘わらず、第1の電極15と第3の電極17との間に電流が流れる。このことは、図9に示される不揮発スイッチング装置が正確に動作しないことを意味する。本発明の目的は、正確に動作する不揮発スイッチング装置を用いて選択的に電流を流す方法を提供することである。上記目的を達成するために、本発明のある形態に係る、不揮発スイッチング装置を用いて選択的に電流を流す方法は、以下の工程を具備する:前記不揮発スイッチング装置を準備する工程a、およびここで、前記不揮発スイッチング装置は、制御電極、強誘電体膜、半導体膜、および電極群を備え、前記制御電極、前記強誘電体膜、前記半導体膜、および前記電極群がこの順に積層されており、前記電極群は、第1の電極、第2の電極、および第3の電極を具備しており、前記第1の電極は、LLの長さを有する辺L2およびLSの長さを有する辺L3を具備しており、前記第2の電極は、LSの長さを有する辺L4およびLSの長さを有するL6を具備しており、前記第3の電極は、LSの長さを有する辺L7およびLLの長さを有する辺L8を具備しており、前記辺L2、前記辺L3、および前記辺L6は、それぞれ、前記辺L8、前記辺L4、および前記辺L7に平行であり、以下の等式Aが充足され、IL/LL=IS/LSAここで、ILは、前記辺L2と前記辺L8との間の間隔であり、ISは前記辺L3と前記辺L4との間の間隔であり、前記辺L6および前記辺L7との間の間隔は前記ISに等しく、前記不揮発スイッチング装置に第1の状態、第2の状態、および第3の状態のいずれかを設定する工程b、ここで、前記第1の状態では、前記電極群の間で電流が流れず、前記第2の状態では、前記第1の電極と前記第2の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第3の状態では、前記第1の電極と前記第3の電極との間に選択的に電流が流れ、前記制御電極、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極には、それぞれ、電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加され、前記第1の状態が設定される場合には、以下の不等式a~dのいずれかを充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、かつV1<VcaV1<Va、V1>Vb、かつV1<VcbV1<Va、V1<Vb、かつV1>Vcc、またはV1<Va、V1<Vb、かつV1<Vcd前記第2の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1>Vb、かつV1<Vc前記第3の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加されるV1>Va、V1<Vb、かつV1>Vc。平面視において、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極は合同であってもよい。前記工程aと前記工程bとの間に、以下の工程cをさらに具備してもよい:前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極に電圧Vinを印加し、同時に前記制御電極に電圧Vresetを印加する工程cここで、Vin<Vresetである。工程bにおいては、前記第1の状態、前記第2の状態、前記第3の状態、および第4の状態のいずれかが設定されてもよい:前記第4の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極の間で電流が流れ、前記第4の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加される:V1>Va、V1>Vb、V1>Vc。前記不揮発スイッチング装置が、さらに第4の電極を具備してもよい、ここで前記第4の電極は、前記LSの長さを有する辺L10、前記LLの長さを有する辺L11、および前記LSの長さを有する辺L12を具備しており、前記第1の電極は、前記LSの長さを有する辺L1をさらに具備しており、前記第2の電極は、前記LLの長さを有する辺L5をさらに具備しており、前記第3の電極は、前記LSの長さを有する辺L9をさらに具備しており、前記辺L1、前記辺L5、および前記辺L9は、それぞれ、前記辺L12、前記辺L11、および前記辺L10に平行であり、前記辺L5と前記辺L11との間の間隔は前記ILに等しく、前記辺L1と前記辺L12との間の間隔および前記辺L9および前記辺L10との間の間隔はいずれも前記ISに等しい。平面視において、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極は合同であってもよい。工程bにおいては、前記第1の状態、前記第2の状態、前記第3の状態、第4の状態~第12の状態のいずれかが設定されてもよい、ここで電圧Vdが前記第4の電極に印加され、前記第4の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第3の電極の間で電流が流れ、ここで、前記第4の電極には、電圧Vdが印加され、前記第4の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加される:V1>Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1<Vd前記第5の状態では、前記第2の電極と前記第3の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第5の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1<Vd前記第6の状態では、前記第1の電極と前記第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第6の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第7の状態では、前記第2の電極と前記第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第7の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第8の状態では、前記第3の電極と第4の電極との間に選択的に電流が流れ、前記第8の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第9の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第9の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd前記第10の状態では、前記第1の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第10の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1>Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第11の状態では、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に選択的に電流が流れ、前記第11の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加され、V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd前記第12の状態では、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第3の電極、および前記第4の電極の間に電流が流れ、前記第12の状態が設定される場合には、以下の不等式を充足する電圧が印加されるV1>Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd。本発明は、正確に動作する不揮発スイッチング装置を用いて選択的に電流を流す方法を提供する。本発明の実施の形態を、図面を参照しながら以下、説明する。実施の形態1図1は、実施の形態1による不揮発スイッチング装置20の平面図を示す。図2は図1におけるA-A’線断面図を示す。図2に示されるように、基板11上に、制御電極12、強誘電体膜13、および半導体膜14がこの順に積層されている。図1および図2に示されるように、半導体膜14上に電極群が形成されている。当該電極群は、第1の電極15、第2の電極16、および第3の電極17を具備する。これらの電極15~17は、回転対称に配置されている。電極15~17は、平面視において合同である。図1および図2に示されるように、本明細書において、X方向、Y方向、およびZ方向は、それぞれ、強誘電体膜13の長手方向、当該長手方向に直交する方向、および、積層方向と定義される。用語平面視とは、Z方向から見ることを意味する。X方向に沿って、第2の電極16は、第3の電極17に隣接している。Y方向に沿って、第1の電極15は、第2の電極16に隣接している。図1に示されるように、第1の電極15は、辺L1、辺L2、および辺L3を具備する。第2の電極16は、辺L4、辺L5、および辺L6を具備する。第3の電極17は、辺L7、辺L8、および辺L9を具備する。辺L1、辺L3、辺L4、辺L6、辺L7、および辺L9は、いずれも、LSの長さを有する。本明細書において用いられる用語短い辺は、長さLSを有するこれらの辺を意味する。辺L2、辺L5、および辺L8は、LLの長さを有する。本明細書において用いられる用語長い辺は、長さLLを有するこれらの辺を意味する。辺L2は、辺L8に平行である。辺L2と辺L8との間の間隔はILである。辺L3は、辺L4に平行である。辺L3と辺L4との間の間隔はISである。辺L6は、辺L7に平行である。辺L6と辺L7との間の間隔もISである。実施の形態1では、以下の等式Aが充足される:IL/LL=IS/LSA当該等式Aが充足されるので、実施の形態1に係る不揮発スイッチング装置は、正確に動作する。この理由は、後に詳細に説明される。不揮発論理回路20においては、強誘電体膜13のにおける分極の方向に応じて半導体膜14を流れる電流が制御される。つまり、強誘電体膜13の分極方向がZ方向に合致している場合では、半導体膜14中に誘起された電子が半導体膜14を低抵抗にする。当該分極の向きが-Z方向に合致している場合、半導体膜14からの電子の排出が半導体膜14を高抵抗にする。各電極15~17と制御電極12との間に電圧が印加され、半導体膜14の抵抗値が制御される。これにより、電極15~17の電極間の抵抗値が制御される。不揮発スイッチング装置20における導通区間の設定手順次に、図3、図4、および図5を参照しながら、不揮発スイッチング装置20における導通区間の設定手順が説明される。3つの電極15~17は独立して電気的に接続または切断され得る。以下の表1は、第1の電極15と他の電極16~17との間の導通状態および電極15~17の電位を示す。制御電極12に印加される電圧は常に一定である。好ましくは当該一定の電圧は0Vである。図3A~図3Cは上面図における電極15~17の電位を示す。図3A、図3B、および図3Cは、それぞれ、第1の状態、第2の状態、および第3の状態を示す。図4は、-10Vの電圧および10Vの電圧が、第2の電極16および第3の電極17に印加されたときの強誘電体膜13の分極状態および半導体膜14の状態を示す。-10Vが印加された電極16の下に位置する半導体31は、強誘電体の分極30aによって生じる電子の蓄積のため、低い抵抗を有する。一方、10Vが印加された電極34の下に位置する半導体32は、強誘電体の分極30bによって生じる電子の退去のため、高い抵抗を有する。以下、第1の状態、第2の状態、および第3の状態を設定する手順を説明する。好ましくは、設定前にリセット動作が行なわれる。リセット動作では、電圧Vinが電極15~17に印加され、かつVin<Vresetの関係を満たす電圧Vresetが制御電極12に印加される。より具体的には、電極15~17に0Vが印加されながら、制御電極12に10Vが印加されることが好ましい。これにより、強誘電体膜13の全ての分極が上向きに設定される。当該リセット動作は、スイッチングの再現性を向上させる。設定時には、制御電極12にはV1が、第1の電極15にはVaが、第2の電極16にはVbが、そして第3の電極17にはVcがそれぞれ印加され、これらの電極15~17の下に位置している強誘電体膜13を分極させる。この分極が、これらの電極15~17の下に位置している半導体膜14の各部分が高抵抗状態または低抵抗状態を有することをもたらす。第1の状態、第2の状態、および第3の状態のいずれか1つの状態が、不揮発スイッチング装置20に設定される。第1の状態では、電極15~17の間で電流が流れない。当該第1の状態を設定する場合、以下の不等式a~dのいずれか1つを充足する電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加される。第1の状態では電極15~17間の全ての抵抗値が高い。V1>Va、V1<Vb、およびV1<Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、10VのVb、そして10VのVcが印加されるaV1<Va、V1>Vb、およびV1<Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、-10VのVb、そして10VのVcが印加されるbV1<Va、V1<Vb、およびV1>Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、10VのVb、そして-10VのVcが印加されるc、またはV1<Va、V1<Vb、およびV1<Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、10VのVb、そして10VのVcが印加されるd第2の状態では、第1の電極15と第2の電極16との間に選択的に電流が流れる。第3の電極17と第1の電極15との間には電流が流れない。第3の電極17と第2の電極16との間にも電流が流れない。すなわち、第2の状態では、第1の電極15と第2の電極16との間の抵抗値が低い。第3の電極17と他の電極15、16との間の抵抗値は高い。本明細書において用いられる用語電極Aと電極Bとの間に選択的に電流が流れるとは、電極Aと電極Bとの間にのみ電流が流れ、他の電極間には電流が流れないことを意味する。本明細書において用いられる用語選択的にとは、上記のように解釈される。第2の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加される。V1>Va、V1>Vb、およびV1<Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、-10VのVb、そして10VのVcが印加される。第3の状態では、第1の電極15と第3の電極17との間に選択的に電流が流れる。第2の電極16と第1の電極15との間には電流が流れない。第2の電極16と第3の電極17との間にも電流が流れない。すなわち、第3の状態では、第1の電極15と第3の電極17との間の抵抗値が低い。第2の電極16と他の電極15、17との間の抵抗値は高い。第3の状態が設定されるためには、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加される。V1>Va、V1<Vb、およびV1>Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、10VのVb、そして-10VのVcが印加される。前述したように、第1の電極15と第3の電極17との間に選択的に電流を流すためには、以下の不等式Iの充足が必要とされる。RL15R1RH16>>RL15R2RL17Iここで、RL15:第1の電極15の下に位置する部分の半導体層14が有する低い抵抗R1:第1の電極15と第2の電極16との間の抵抗RH16:第2の電極16の下に位置する部分の半導体層14が有する高い抵抗R2:第1の電極15と第3の電極17との間の抵抗RL17:第3の電極17の下に位置する部分の半導体層14が有する低い抵抗図10を参照。不等式Iの左側および右側のいずれもRL15を有するから、RL15は不等式Iの左側および右側の両方から減算され、不等式Iを以下の不等式IIに変形する:R1RH16>>R2RL17II本実施の形態では、等式AIL/LL=IS/LSが充足される。抵抗は、長さILおよびISに比例し、断面積LLおよびLSに反比例するので、R2はR1に等しい。よって、不等式IIはさらに以下の不等式IIIに変形される:RH16>>RL17III不等式IIIは常に充足されるので、不等式Iも常に充足される。このようにして、第1の電極15と第3の電極17との間に選択的に電流が流れる。実施の形態1においては、以下の表2に示されるように、第1の電極15、第2の電極16、および第3の電極17の全ての区間が導通され得るすなわち、電気的に接続され得る。この状態は第4の状態と言う。第4の状態では、電極15~17の間の全ての抵抗値が低い。第4の状態が設定されるためには、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、およびVcが印加される。V1>Va、V1>Vb、およびV1>Vc具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、-10VのVb、そして-10VのVcが印加される。実施の形態2図5は、実施の形態2による不揮発スイッチング装置20の平面図を示す。実施の形態1による不揮発スイッチング素子と異なり、半導体膜14上に、第4の電極18が形成されている。電極15~18は、回転対称に配置されている。電極15~18は、平面視において合同である。図5に示されるように、第4の電極18は、LSの長さを有する辺L10、LLの長さを有する辺L11、およびLSの長さを有する辺L12を具備する。辺L11は、辺L5に平行である。辺L11と辺L5との間の間隔はILに等しい。辺L10および辺L12は、それぞれ、辺L9および辺L1に平行である。これらの辺の間隔はISに等しい。実施の形態2でも、以下の等式Aが充足される:IL/LL=IS/LSAそのため、実施の形態1において説明した理由と同様に、図6に示されるように、電極15~18の間に選択的に電流が流れ得る。電気的に接続または切断され得る。以下の表3は電極15~18の間の導通状態を変化させる場合における電極15~18の電位を示す。制御電極12に印加される電圧は常に一定である。好ましくは当該一定の電圧は0Vである。実施の形態2においても、リセット動作が好ましい。設定時には、制御電極12にはV1が、第1の電極15にはVaが、第2の電極16にはVbが、第3の電極17にはVcが、そして第4の電極18にはVdが、それぞれ印加され、電極15~18の下に位置している強誘電体膜13の各部分を分極させる。この分極が、これらの電極15~18の下に位置している半導体膜14が高抵抗状態または低抵抗状態を有することをもたらす。第1~第12の状態のいずれか1つの状態が、不揮発スイッチング装置20に設定される。実施の形態2の第1~第4の状態は、実施の形態1におけるそれらと同一である。第5の状態では、第2の電極16と第3の電極17との間に選択的に電流が流れる。第5の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1<Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、-10VのVb、-10VのVc、そして10VのVdが印加される。第6の状態では、第1の電極15と第4の電極18との間に選択的に電流が流れる。第6の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1>Va、V1<Vb、V1<Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、10VのVb、10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第7の状態では、第2の電極16と第4の電極18との間に選択的に電流が流れる。第7の状態が設定されるためには、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1<Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、-10VのVb、10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第8の状態では、第3の電極17と第4の電極18との間に選択的に電流が流れる。第8の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1<Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、10VのVb、-10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第9の状態では、第1の電極15、第2の電極16、および第4の電極18の間に選択的に電流が流れる。第9の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1>Va、V1>Vb、V1<Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、-10VのVb、10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第10の状態では、第1の電極15、第3の電極17、および第4の電極18の間に選択的に電流が流れる。第10の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1>Va、V1<Vb、V1>Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、10VのVb、-10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第11の状態では、第2の電極16、第3の電極17、および第4の電極18の間に選択的に電流が流れる。第11の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1<Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、10VのVa、-10VのVb、-10VのVc、そして-10VのVdが印加される。第12の状態では、全ての電極15~18の間に電流が流れる。第12の状態が設定される場合、以下の不等式を充足する電圧V1、Va、Vb、Vc、およびVdが印加される。V1>Va、V1>Vb、V1>Vc、およびV1>Vd具体的には、V1が0Vに保持されながら、-10VのVa、-10VのVb、-10VのVc、そして-10VのVdが印加される。実施例以下、実施例を参照しながら本発明をより詳細に説明する。1制御電極12を、以下の手順に従って、シリコン酸化膜によって被覆された表面を有するシリコン基板11上に形成した。基板11上に、電子銃蒸着法にて5nmの厚みを有するTi膜、および30nmの厚みを有するPt膜をこの順に形成した。次いで、パルスレーザーデポジション法によって10nmの厚みを有するSrRuO3以下、SRO膜を形成した。2基板を700°Cに加熱し、450nmの厚みを有するPbZr,TiO3からなる強誘電体膜13をパルスレーザーデポジション法により形成した。3基板温度を400°Cに設定し、30nmの厚みを有するZnOからなる半導体膜14を形成した。4半導体膜14上にフォトリソグラフィによってレジストのパターンを形成した。その後、レジストのパターンが被覆していない部分の半導体膜14を、硝酸を用いるエッチングにより除去した。5その後、半導体膜14上にレジストをフォトリソグラフィによってパターニングした。その上に、5nmの厚みを有するTi膜および30nmの厚みを有するPt膜を電子銃蒸着法にて形成した。レジストを除去し、図5に示される電極15~18を形成した。LS、IS、LL、およびILは、それぞれ、10μm、8μm、63μm、および51μmであった。IL/LL=IS/LS=およそ0.8。得られた不揮発スイッチング装置に、表3に基づいて第1、第2、第3、および第6の状態を設定した。その後、第1の電極15と他の電極16~18との間に0.1Vの電圧を印加し、第1の電極15と他の電極16~18との間に流れる電流を測定した。当該電流から、当該不揮発スイッチング装置の抵抗値を算出した。図7は、第1、第2、第3、および第6の状態において算出された抵抗値を示す。図7から理解されるように、第1の状態ではすべての電極間の抵抗値が高い。第2の状態では、第1の電極15と第2の電極16との間の抵抗値が低い。第3の状態では、第1の電極15と第3電極17との間の抵抗値が低い。第6の状態では、第1の電極15と第4の電極18との間の抵抗値が低い。本実施例では、SRO/Pt/Tiの積層膜からなる制御電極12およびPt/Tiの積層膜からなる電極15~18が用いられた。他の材料からなる導電膜も用いられ得る。強誘電体膜13の材料としてSrBi,TaOxまたはBiTiOxのような他の強誘電材料が用いられ得る。半導体膜14の材料としてGaNまたはInGaZnOxのような他の半導体材料が用いられ得る。"