"ゲート電極及びゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に相互に離隔して形成されたドレーン電極及びソース電極とを具備し、前記ドレーン電極は、前記酸化物半導体層上に形成された第1のドレーン副電極と、前記第1のドレーン副電極上に形成された第2のドレーン副電極とを有し、前記ソース電極は、前記酸化物半導体層上に形成された第1のソース副電極と、前記第1のソース副電極上に形成された第2のソース副電極とを有し、前記第1のドレーン副電極及び前記第1のソース副電極は、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み、前記第2のドレーン副電極及び前記第2のソース副電極は、金属原子を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。前記第1のソース副電極又は前記第1のドレーン副電極は、実質的に透明であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。前記ガリウム亜鉛酸化物GaZnOに含まれたガリウムGa対亜鉛Znの含量比は、約2原子乃至約20原子対約80原子乃至約98原子であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。前記ドレーン電極は、前記第2のドレーン副電極上に形成された第3のドレーン副電極をさらに有し、前記ソース電極は、前記第2のソース副電極上に形成された第3のソース副電極をさらに有し、前記第3のドレーン副電極及び前記第3のソース副電極は、銅マンガン窒化物CuMnNを含むことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。前記第1のソース副電極又は前記第1のドレーン副電極の厚さは、約50Å乃至約1,000Åであることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。前記第1のソース副電極又は前記第1のドレーン副電極のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度より大きいことを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。前記第1のソース副電極又は前記第1のドレーン副電極のキャリア濃度は、約1017/cm3乃至約1021/cm3であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。したがって、金属原子又はイオンが隣接した層への拡散、還元、又は抽出を防止するための金属拡散防止層barrierlayerが要求される。また、酸化物半導体及び銅配線又は電極を含むTFTを製造する工程がより簡素化されることが要求される。本発明の目的は、少なくとも上述した問題点及び/又は不都合に取り組み、少なくとも以下の便宜を提供することにある。すなわち、本発明の目的は、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを有する薄膜トランジスタTFT及び薄膜トランジスタパネルとこれらを製造する方法を提供することにある。本発明の他の目的は、酸化物半導体を有する薄膜トランジスタ又は薄膜トランジスタパネルをより簡素に製造するための簡素化した方法を提供することにある。本発明の実施形態の一態様によれば、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、上記酸化物半導体層上に相互に離隔して形成されたドレーン電極及びソース電極とを含む薄膜トランジスタが提供される。上記ドレーン電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第1のドレーン副電極と上記第1のドレーン副電極上に形成された第2のドレーン副電極とを含む。上記ソース電極は、上記酸化物半導体層上に形成された第1のソース副電極と上記第1のソース副電極上に形成された第2のソース副電極とを含む。上記第1のドレーン副電極及び上記第1のソース副電極は、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み、上記第2のドレーン副電極及び上記第2のソース副電極は、金属原子を含む。上記第1のソース副電極又は上記第1のドレーン副電極は、実質的に透明であり得る。好ましくは、上記ガリウム亜鉛酸化物GaZnOに含まれたガリウムGa対亜鉛Znの含量比は、約2原子乃至約20原子対約80原子乃至約98原子であり得る。本発明の実施形態の他の態様によれば、上記薄膜トランジスタは、上記ドレイン電極に含まれ、上記第2のドレーン副電極上に形成された第3のドレーン副電極をさらに有し、上記ソース電極に含まれ、上記第2のソース副電極上に形成された第3のソース副電極をさらに有し、上記第3のドレーン副電極及び上記第3のソース副電極は、銅マンガン窒化物CuMnNを含み得る。好ましくは、上記第1のソース副電極又は上記第1のドレーン副電極は、約50オングストロームÅ乃至約1,000Åの厚さを有し得る。好ましくは、上記第1のソース副電極又は上記第1のドレーン副電極のキャリア濃度は、上記酸化物半導体層のキャリア濃度より大きくなり得る。好ましくは、上記第1のソース副電極又は上記第1のドレーン副電極のキャリア濃度は、約1017/cm3乃至約1021/cm3の範囲内の1つの値であり得る。本発明の実施形態によれば、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOが銅の拡散を防止するので、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタパネルは、高信頼性を有する。また、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタパネルを製造する方法が簡素化されるために、これらを製造する製造コストが減少することができる。本発明の実施形態の上述した及び他の様相、特徴、及び利点は、以下の添付図面が併用された後述の詳細な説明から、より一層明らかになるだろう。以下、本発明の望ましい実施形態を添付の図面を参照して詳細に説明する。下記の説明において、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものの範囲内で定められるような本発明の実施形態の包括的な理解を助けるために提供するものであり、この理解を助けるための様々な特定の詳細を含むが、唯一つの実施形態に過ぎない。従って、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく、ここに説明する実施形態の様々な変更及び修正が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を有する者には明らかである。また、明瞭性と簡潔性の観点から、当業者に良く知られている機能や構成に関する具体的な説明は、省略する。添付した図において、同一の構成要素または機能的に類似した構成要素に対しては同一の参照符号及び参照番号を付ける。図1及び図2A乃至図2Gを参照して、本発明の実施形態による薄膜トランジスタThinFilmTransistor:以下、TFTと称する。及びこれらの製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態によるTFTの断面図である。図2A乃至図2Gは、図1に示すTFTの製造方法を示す断面図である。以下、TFTの構造は、図1を参照して詳細に説明する。図1に示すTFTは、酸化物半導体層と直接接触するいずれか1つの表面と、銅Cu層又は銅合金層を直接接触する他の表面とを含むガリウム亜鉛酸化物GaZnO層を有する。ゲート電極124は、単結晶、多結晶、ガラス、又はプラスチック材質を含む透明基板110上にある。本発明の一実施形態において、ゲート電極124は、チタニウムTi又はチタニウム合金を含む第1のゲート副電極124a及び銅Cu又は銅Cu合金を含む第2のゲート副電極124bを含む2重層構造を有する。第1のゲート副電極124aの厚さは、約50Å乃至約1,000Åであり得る。第2のゲート副電極124bの厚さは、約1,000Å乃至約10,000Åであり得る。ここで、この厚さの測定は、透明基板110に対して垂直になされる。ゲート電極124は、ゲート電極124に印加される電圧に基づいてソース電極173とドレーン電極175間に形成されるチャネルを通して流れる電流を制御する。ゲート電極124は、2重層又は3重層構造を有し得る。本発明の実施形態において、例えば、この2重層構造は、Al/Mo、Al/Ti、Al/Ta、Al/Ni、Al/TiNx、Al/Co、Cu/CuMn、Cu/Ti、Cu/TiN、又はCu/TiOxを含み得る。3重層構造は、Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、Co/Al/Co、Ti/Al/Ti、TiNx/Al/Ti、CuMn/Cu/CuMn、Ti/Cu/Ti、TiNx/Cu/TiNx、又はTiOx/Cu/TiOxを含み得る。銅合金窒化物copperalloynitride又は銅マンガン合金coppermanganesealloyを含むゲート電極124は、フォトレジスト図示せずへの良い接着力を有する。ゲート電極124は、Cr、Mo、Ti、Ta、Al、Cu、Ag、及びこれらの混合物で構成される群から選択される物質を含み得る。ゲート絶縁層140は、ゲート電極124の直上にある。ゲート絶縁膜140は、ゲート電極124と接触した第1のゲート副絶縁膜140a及び線形半導体層154と接触した第2のゲート副絶縁膜140bを含む2重層構造を有し得る。本発明の一実施形態において、第1のゲート副絶縁膜140aは、窒化ケイ素SiNxを含み得、第2のゲート副絶縁膜140bは、酸化ケイ素SiOxを含み得る。第1のゲート副絶縁膜140aの厚さは、約1,000Å乃至約50,000Åであり得る。第2のゲート副絶縁膜140bの厚さは、約300Å乃至約2,000Åであり得る。ゲート絶縁膜140は、無機絶縁物、有機絶縁物、又は有機/無機絶縁物を含み得る。無機絶縁物は、窒化ケイ素SiNx、酸化ケイ素SiOx、酸化チタンTiO2、アルミナAl2O3、又はジルコニアZrO2を含み得る。有機絶縁物は、ポリシロキサンpolysiloxane、フェニルシロキサンphenylsiloxane、ポリイミドpolyimide、シルセスキオキサンsilsesquioxane、又はシランsilaneを含み得る。上記有機/無機絶縁物は、上述した無機絶縁物から選択される少なくとも1つの物質と上述した有機絶縁物から選択される少なくとも1つの物質との混合物、例えば、ポリシロキサンを含む混合物を含み得る。半導体層154は、ゲート絶縁層140の直上にある。本発明の実施形態において、半導体層154は、インジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnOを含み得る。半導体層154のキャリア濃度は、約1016/cm3であり得る。半導体層154の厚さは、約200Å乃至約1,000Åであり得る。半導体層154の酸化物半導体は、AXBXOX又はAXBXCXOXで表現される化学式を有する化合物であり得る。ここで、Aは、亜鉛Zn又はカドミウムCdであり得、Bは、ガリウムGa、錫Sn又はインジウムInであり得、Cは、亜鉛Zn、カドミウムCd、ガリウムGa、インジウムIn、又はハフニウムHfであり得る。また、x≠0であり、A、B、及びCは、それぞれ異なっている。本発明の一実施形態において、酸化物半導体は、InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaZnSnO、GaInZnO、HfInZnO、HfZnSnO、及びZnOを有する群から選択された化合物であり得る。酸化物半導体の有効移動度effectivemobilityは、水素化アモルファスケイ素のそれに比べて約2乃至約100倍に優れる。半導体層154は、ゲート電極124、ソース電極173、及びドレーン電極175とオーバーラップし得、TFTのチャネルを形成する。TFTの動作の間に電荷が移動するTFTチャネルは、ソース電極173とドレーン電極175間の半導体層154内に形成される。ソース電極173及びドレーン電極175は、半導体層154の直上にあり、相互に離隔している。ソース電極173は、第1のソース副電極165s、第2のソース副電極177s及び第3のソース副電極174sを含み、ドレーン電極175は、第1のドレーン副電極165d、第2のドレーン副電極177d、及び第3のドレーン副電極174dを含む。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dの下部表面は、半導体層154と接触し、その上部表面は、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dと接触する。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、同一の物質を含む。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、約100Å乃至約600Åの厚さであり得る。本発明の実施形態において、第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、可視光線で実質的に透明であり得る。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み得る。ガリウム亜鉛酸化物GaZnO内のガリウム対亜鉛の含量比は、約2原子at.乃至約20原子at.対約80原子at.乃至約98原子at.であり得る。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、それぞれ半導体層154と第2のソース副電極177s間、及び半導体層154と第2のドレーン副電極177d間の接触抵抗を低くすることができる。第1のソース副電極165s又は第1のドレーン副電極165dのキャリア濃度は、約1017/cm3乃至約1021/cm3であり得る。このキャリア濃度は、第1のソース副電極165s又は第1のドレーン副電極165dに含まれたエレメントの種類及び成分比を調節することにより制御され得る。本発明の実施形態において、第1のソース副電極165s又は第1のドレーン副電極165dのキャリア濃度は、アルミニウムAl、ガリウムGa、ホウ素B、インジウムIn、イットリウムY、スカンジウムSc、フッ素F、バナジウムV、ケイ素Si、ゲルマニウムGe、チタニウムTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、アンチモンSb、ヒ素As、ニオブNb、タンタルTa、及びこれらの混合物で構成された群から選択された少なくとも1つの物質をドーパントdopantとして含むことにより制御され得る。本発明の実施形態において、第1のソース副電極165s又は第1のドレーン副電極165dのキャリア濃度が約1017/cm3以上である場合に、第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、チャネル上に実質的に形成されないことがある。本発明の実施形態において、第1のソース副電極165s又は第1のドレーン副電極165dのキャリア濃度は、半導体層154、例えば、酸化物半導体層のキャリア濃度より高い。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれた金属の酸化を減少させるか又は効率的に防止することができる。第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれた金属が酸化する場合に、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dの比抵抗resistivityが増加し得る。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、酸化物半導体層154に含まれたイオン、例えば、インジウムInの還元及び抽出を減少させるか又は効率的に防止することができる。酸化物半導体層154に含まれたイオンが還元され抽出される場合に、酸化物半導体層154の含量比が変化するために、TFTの特性、例えば、電荷の移動度及びしきい電圧が時間に従って変わり得る。したがって、TFTの電気的特性が低下し得る。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、原子が第2のソース副電極177s又は第2のドレーン副電極177dと半導体層154間で拡散することを防止することができる。本発明の実施形態において、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれた金属原子、例えば、銅Cuのエレクトロマイグレーション現象を減少させることができる。本発明の実施形態において、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれた金属原子、例えば、銅Cuの酸化物半導体層154へのエレクトロマイグレーションを減少させることができる。本発明の実施形態において、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、実質的に結晶粒界grainboundaryを有しない非晶質構造であり得る。第2のソース副電極177sは、第1のソース副電極165s上に配置され、第2のドレーン副電極177dは、第1のドレーン副電極165d上に配置される。第2のソース副電極177sは、第1のソース副電極165sと第3のソース副電極174sとの間に介在され得る。第2のドレーン副電極177dは、第1のドレーン副電極165dと第3のドレーン副電極174dとの間に介在され得る。本発明の実施形態において、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dは、銅Cuを含み得る。第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dは、純銅を含む。第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dは、約99.9原子重量百分率wt乃至約70原子wtの銅Cu及び約0.1原子wt乃至約30原子wtのMn、Mg、Al、Zn、Snで構成されるグループから選択される物質及びその組合せ物を含み得る。第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dは、ゲート絶縁層140を参照して上述した物質を含み得る。第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dは、約1,000Å乃至約5,000Åの厚さを有し得る。第3のソース副電極174sは、第2のソース副電極177s上に配置され、第3のドレーン副電極174dは、第2のドレーン副電極177d上に配置される。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dをそれぞれ保護する。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれる物質を後述する第1の副保護膜181又は第2の副保護膜183に含まれる酸素と反応して酸化することを減少させるか又は効率的に防止することができる。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、銅合金、例えば、銅マンガン合金CuMnalloy、銅合金窒化物Cualloynitride、銅マンガンアルミニウム合金CuMnAlalloy、又は銅マンガン窒化物CuMnnitrideを含み得る。本発明の実施形態において、銅合金窒化物を含む銅合金は、バナジウムV、チタニウムTi、ジルコニウムZr、タンタルTa、マンガンMn、マグネシウムMg、クロムCr、モリブデンMo、コバルトCo、ニオビウムNb、又はニッケルNiを含み得る。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み得る。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dを参照して上述した物質を含み得る。第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、約100Å乃至約1,000Åの厚さであり得る。保護膜180は、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174d及び/又は半導体層154上に配置され接触し得る。保護膜180は、第3のソース副電極174s、第3のドレーン副電極174d及び/又は半導体層154と接触する第1の副保護膜181と第1の副保護膜181の直上にある第2の副保護膜183とを含み得る。第1の副保護膜181は、酸化物を含み得る。酸化物を含む第1の副保護膜181は、ソース電極173とドレーン電極175間の離隔領域により露出した半導体層154に含まれる物質が還元され抽出されることを減少させるか又は防止することができる。第1の副保護膜181は、酸化ケイ素SiOxを含み得、第2の副保護膜183は、窒化ケイ素SiNxを含み得る。第1の副保護膜181は、約100Å乃至約1,000Åの厚さであり得、第2の副保護膜183は、約1,000Å乃至約50,000Åの厚さであり得る。本発明の一実施形態において、第1の副保護膜181及び第2の副保護膜183は、ゲート絶縁層140を参照して上述した物質を含み得る。第1の副保護膜181及び第2の副保護膜183の中の1つは、省略されてもよい。本発明の実施形態に基づくTFTは、長時間動作後にも優秀な特性を有し得る。図1に示すTFTの製造方法の実施形態は、図2A乃至図2Gを参照して詳細に説明される。以下、説明の重複を避けるために、図1を参照して説明したTFTの材料又は構造などの説明が省略される。図2A乃至図2Gは、本発明の実施形態による図1に示すTFTの製造方法を示す断面図である。図2Aを参照すると、第1のゲート副電極124aを形成する第1のゲート層図示せず及び第2のゲート副電極124bを形成する第2のゲート層図示せずが基板110上に積層された後にパターニングpatterningされることにより、第1のゲート副電極124a及び第2のゲート副電極124bを含むゲート電極124を形成する。以下、本発明の実施形態に従うチタニウムTi又はチタニウムTi合金を有する第1のゲート副電極124a及び銅Cu又は銅Cu合金を有する第2のゲート副電極124bを含む2重層構造を有するゲート電極124を形成する方法について詳細に説明する。チタニウムTiを有する第1のゲート層は、基板110上に積層され、銅Cuを有する第2のゲート層は、第1のゲート層上に積層される。第1のゲート層は、約50Å乃至約1,000Åの厚さであり得、第2のゲート層は、約1,000Å乃至約10,000Åの厚さであり得る。フォトレジスト図示せずは、2重層構造上に形成される。このフォトレジストは、ゲート電極124のパターンと同様の透光領域及び遮光領域を有するマスクにより露光された後に、現像剤により現像される。このパターニングされたフォトレジストをマスクとして使用することにより、このパターニングされたフォトレジストにより覆われない第1のゲート電極層及び第2のゲート電極層は、ドライエッチング及びウェットエッチングのようなエッチング工程によりエッチングされることによりゲート電極124が形成される。本発明の一実施形態において、チタニウムTiを含む第1のゲート層及び銅Cuを含む第2のゲート層は、ウェットエッチング工程で後述する第1のエッチング液etchantによりエッチングされ得る。第1のエッチング液は、過硫酸塩persulfate、アゾール含有化合物azolecontainingcompounds、酸化調節剤oxidationregulator、組成安定剤compositionstabilizer、及び酸化補助剤oxidationauxiliaryを含み得る。第1のエッチング液は、第1のゲート層及び第2のゲート層の物質をともにエッチングし得る。過硫酸塩は、銅Cu層をエッチングするための酸化剤の主成分である。過硫酸塩は、過硫酸アンモニウムammoniumpersulfate、過硫酸カリウムpotassiumpersulfate、過硫酸ナトリウムSodiumpersulfate、オキソンOxone、及びこれらの混合物で構成される群から選択された少なくとも1つの物質を含み得る。アゾール含有化合物は、銅Cu層のエッチングを抑制する。アゾール含有化合物は、ベンゾトリアゾールBenzotriazole、アミノテトラゾールAminotetrazole、イミダゾールImidazole、ピラゾールPyrazole及びこれらの混合物で構成される群から選択された少なくとも1つの物質を含む。酸化調節剤は、銅Cu層の酸化及びエッチングを調節する。酸化調節剤は、無機酸である窒酸HNO3及び有機酸である酢酸AceticAcid:AAを含み得る。組成安定剤は、過硫酸塩の分解decompositionを減少させる。組成安定剤は、メタンスルホン酸methanesulphonicacid、窒酸nitricacid、燐酸phosphoricacid、硫酸sulfuricacid、塩酸hydrochloricacid及びこれらの混合物で構成される群から選択された少なくとも1つの物質を含み得る。酸化補助剤は、銅Cu層を迅速にエッチングし、チタニウムTi層又はチタニウムTi合金層をエッチングする。酸化補助剤は、フッ素Fを含むフッ素含有化合物、例えば、フッ化水素酸Hydrofluoricacid:HF、フッ化アンモニウムAmmoniumfluoride:NH4F、フッ化水素アンモニウムammoniumhydrogenfluoride:NH4HF2、フッ化カリウムPotassiumfluoride:KF、フッ化ナトリウムSodiumfluoride:NaF、フッ化水素カルシウムCaHF、フッ化水素ナトリウムNaHF2、ホウフッ化アンモニウムammoniumfluoborate:NH4BF4、フッ化水素カリウムpotassiumhydrogenfluoride:KHF2、フッ化アルミニウムaluminumfluoride:AlF3、フルオロホウ酸-ホウフッ化水素酸fluoboricacidborofluoricacid:HBF4、フッ化リチウムLiF、ホウフッ化カリウムpotassiumfluoroborate:KBF4、フッ化カルシウムCaF2、フルオロケイ酸塩fluorosilicate:FS、及びこれらの混合物で構成される群から選択された少なくとも1つの物質を含み得る。本発明の一実施形態において、銅Cu層及びチタニウムTi層を共にエッチングするエッチング液は、溶媒を除いて約12重量wtの過硫酸アンモニウム、約1重量のアミノテトラゾール、約3重量の窒酸HNO3、約3.2重量の酢酸、約0.1重量のメタンスルホン酸、及び約0.5重量のフッ化水素酸Hydrofluoricacid:HFを含む。溶媒は、脱イオン水deionizedwaterであり得る。第1のゲート層及び第2のゲート層の物質は、独立したエッチング液により順次にエッチングされ得る。図2Bを参照すると、第1のゲート副絶縁層140aは、ゲート電極124上に形成され、第2のゲート副絶縁層140bは、第1のゲート副絶縁層140a上に形成される。ゲート絶縁層140は、第1のゲート副絶縁層140a及び第2のゲート副絶縁層140bを含み得る。第1のゲート副絶縁層140aは、窒化ケイ素SiNxを含み得、第2のゲート副絶縁層140bは、酸化ケイ素SiOxを含み得る。第1の酸化物層154mは、第2のゲート副絶縁層140b上に形成される。第2の酸化物層165mは、第1の酸化物層154m上に形成され、第1の金属層177mは、第2の酸化物層165m上に形成され、第2の金属層174mは、第1の金属層177m上に形成される。第1の酸化物層154mは、インジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnOを含み得、第2の酸化物層165mは、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み得、第1の金属層177mは、銅Cuを含み得、及び第2の金属層174mは、銅合金を含み得る。第1の酸化物層154m、第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mは、図1を参照して上述した半導体層154、第1のソース副電極165s、第1のドレーン副電極165d、第2のソース副電極177s、及び第2のドレーン副電極177d、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174dを形成するようにパターニングされる。図1を参照して説明した厚さを有するゲート絶縁層140を形成するための窒化ケイ素SiNx及び酸化ケイ素SiOxは、化学気相蒸着ChemicalVaporDeposition:CVD方法により形成され得る。第1の酸化物層154m、第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mは、それぞれ約200Å乃至約1,000Å、約100Å乃至約600Å、約1,000Å乃至約5,000Å、及び約100Å乃至約1,000Åの厚さでスパッタリングSputtering技術により形成され得る。本発明の一実施形態において、第1の酸化物層154mは、AXBXOX又はAXBXCXOXで表現される化学式を有する化合物であり得る。ここで、Aは、Zn又はCdであり得、Bは、Ga、Sn又はInであり得、Cは、Zn、Cd、Ga、In又はHfであり得る。また、x≠0であり、A、B、及びCは、相互に異なる。本発明の他の実施形態において、酸化物半導体は、InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaZnSnO、GaInZnO、HfInZnO、HfZnSnO、及びZnOで構成される群から選択された物質であり得る。第1の酸化物層154mは、可視光線で実質的に透明に形成され得る。第2の酸化物層165mであり得るガリウム亜鉛酸化物GaZnOのキャリア濃度及び成分は、図1を参照して上述したものと同様である。本発明の一実施形態において、第2の酸化物層165mは、図1を参照して上述した第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dを形成する物質と同一の物質である。銅又は銅合金を含む第1の金属層177m又は第2の金属層174mは、銅ターゲットを用いてアルゴンArアトモスフィアを有するスパッタリングチャンバーで形成され得る。第2の金属層174mは、銅-マンガン合金CuMnalloy、例えば、銅マンガン窒化物CuMnnitrideを含み得る。銅マンガン窒化物は、銅マンガン物質よりフォトレジストといっそうよい接着性を有し得る。銅マンガン窒化物を含む第2の金属層174mの下の第1の金属層177mは、エッチング工程により大きいテーパー角taperangleを有するようにエッチングされ得る。銅マンガン窒化物は、スパッタリング技術により室素N2ガス及びアルゴンArガスを有するスパッタリングチャンバで形成され得る。第2の金属層174mは、銅合金窒化物CualloyNitrideを含み得る。銅合金窒化物を含む第2の金属層174mは、銅合金の表面を窒素N2ガスでプラズマ処理を行うことにより形成され得る。銅合金窒化物を含む第2の金属層174mは、窒素N2ガス雰囲気でアニーリングannealingされた銅合金により形成され得る。第2の金属層174mは、図1を参照して上述した第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dを形成するための物質と同一の物質で形成され得る。本発明の一実施形態において、酸化マンガンmanganeseoxide:MnOxは、保護膜180、例えば、酸化ケイ素SiOxが第2の金属層174mの銅マンガン合金上に形成される際に、第2の金属層174m上に追加に形成され得る。この追加に形成されたマンガン酸化物MnOxは、第1の金属層177mに含まれた物質が酸素と反応するか又は抽出されることを防止することによりフォトレジストに対して良好な接着性を有し得る。したがって、第1の金属層177m及び第2の金属層174mを含むソース電極173、ドレイン電極175、及び/又はデータライン図示せずは、耐腐食性corrosionresistanceを有し得る。以下、図2C乃至図2Eを参照して半導体層154、ソース電極173、及びドレーン電極175のパターンを形成する方法が詳細に説明される。フォトレジストは、第2の金属層174m上に形成された後に、フォトレジスト膜photoresistfilm50は、ソース電極173及びドレーン電極175を形成するためにパターニングされる。このパターニングされたフォトレジスト膜50は、スリットパターン、格子パターン、又は半透明層を含むマスク図示せずを用いて形成され得、厚い第1の部分50a及び相対的に薄い第2の部分50bを有し得る。すなわち、第1の部分50aの厚さは、第2の部分50bの厚さより大きい。第2の部分50bは、TFTのチャネル領域に対応する。フォトレジスト膜50は、部分的に180°位相遅延したphasedelayedパターンを有するスリットパターンにより透過する光の干渉を用いてパターニングされ得る。図2Dを参照してアクティブエッチングactiveetching工程の実施形態を詳細に説明する。アクティブエッチング工程でフォトレジスト膜50により覆われない第1の酸化物層154m、第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mがエッチングされる。第1の酸化物層154mは、半導体層154を形成するためにアクティブエッチング工程でエッチングされる。インジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnOを含む第1の酸化物層154m、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第2の酸化物層165m、銅Cuを含む第1の金属層177m、及び銅マンガン合金を含む第2の金属層174mは、図2Aを参照して説明した第1のエッチング液によりエッチングされ得る。アクティブエッチング工程のためのエッチング液は、0wt乃至約20wtの過硫酸アンモニウムammoniumpersulfate:APSを有する酸化剤、0wt乃至約3wtの硫酸sulfuricacid、0wt乃至約30wtのクエン酸citricacid、0wt乃至約10wtの酢酸aceticacid、0wt乃至約0.4wtのグルタミン酸glutamicacid、0wt乃至約0.4wtの酢酸カリウムpotassiumacetate、及び0wt乃至約2wtの硝酸カリウムPotassiumnitrateを有する酸化補助剤oxidationauxiliary、0wt乃至約1wtのアミノテトラゾールAminotetrazole及び0wt乃至約10wtのエチレングリコールethyleneglycolを有する腐食防止剤corrosioninhibitor、0wt乃至約3wtのイミノ二酢酸iminodiaceticacidを有する添加剤、0wt乃至約5wtのスルホン酸sulfonicacid及び0wt乃至約2wtのパラトルエンスルホン酸paratoluenesulfonicacidを有するエッチング調節剤、及び約2wt未満のフッ素含有化合物を含む。図2Eを参照してエッチバック工程が詳細に説明される。このエッチバック工程は、周知のアッシングashing方法により所定の厚さだけフォトレジスト膜5050a及び50bを均一に除去する工程である。この所定の厚さは、チャネル部とオーバーラップするフォトレジスト50bの全厚さであり得る。チャネル部とオーバーラップする第2の金属層174mがエッチバック工程により露出する。第2の金属層174mにより、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dが形成される。図2Fを参照して、チャネル部エッチングchannelpartetching工程が詳細に説明される。フォトレジスト膜50により覆われないTFTのチャネル部とオーバーラップする第2の金属層174m、第1の金属層177m及び第2の酸化物層165mは、チャネル部エッチング工程でエッチングされる。このエッチングされた第2の金属層174m、第1の金属層177m、及び第2の酸化物層165mの部分は、実質的にTFTのチャネル部とオーバーラップする。チャネル部エッチング工程でソース電極173、ドレーン電極175、及びTFTのチャネル部が形成される。第2の金属層174mは、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dを形成し、第1の金属層177mは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dを形成し、第2の酸化物層165mは、第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dを形成する。チャネル部エッチング工程は、図2Aを参照して上述した酸化補助剤を除いた第1のエッチング液で実行され得る。他の実施形態において、チャネル部エッチング工程は、0wt乃至約20wtの過硫酸アンモニウムAPSを有する酸化剤、0wt乃至約3wtの硫酸、0wt乃至約30wtのクエン酸、0wt乃至約10wtの酢酸、0wt乃至約0.4wtのグルタミン酸、0wt乃至約0.4wtの酢酸カリウム、0wt乃至約2wtの硝酸カリウムを有する酸化補助剤、0wt乃至約1wtのアミノテトラゾール及び0wt乃至約10wtのエチレングリコールを有する腐食防止剤、0wt乃至約3のイミノ二酢酸を有する添加剤、0wt乃至約5のスルホン酸及び0wt乃至約2wtのパラトルエンスルホン酸を有するエッチング調節剤を含むエッチング液で実行され得る。図2Gを参照すると、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174d上の第1のフォトレジスト50aが除去される。その後に、図2B乃至図2Gを参照して上述した方法によって、半導体層154、第1のソース副電極165s、第1のドレーン副電極165d、第2のソース副電極177s、第2のドレーン副電極177d、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174dが形成される。この後に、保護膜180は、ソース電極173及びドレーン電極175上に形成されることにより、図1に示すようなTFTは、最終的に形成される。保護膜180は、第1の副保護膜181と第2の副保護膜183とを含み得る。第2の副保護膜183は、第1の副保護膜181上に形成され得る。第1の副保護膜181は、酸化ケイ素を含み得、第2の副保護膜183は、窒化ケイ素SiNxを含み得る。第1の副保護膜181及び第2の副保護膜183は、上述したゲート絶縁膜140の材料又は有機物質と同一の物質を含み得る。第1の副保護膜181及び第2の副保護膜183の中のいずれか1つは、省略され得る。TFTは、減少したステップを含む上述した工程又は方法により製造され得る。また、本発明によるTFT及びその製造方法の実施形態において、半導体層又はソース電極及びドレイン電極に含まれた原子は、他の層に拡散するか、還元されるか、又は抽出されることを防止することにより、TFT特性の高信頼性を保証することができる。以下、本発明の実施形態により製造されたTFTの特性を図3A乃至図3Bを参照して詳細に説明する。図3Aは、初期のTFTのI-V曲線電流-電圧曲線及び移動値を示すグラフであり、図3Bは、時間経過によるTFTのI-V曲線を示すグラフである。本発明によるTFTは、図2A乃至図2Gを参照して後述する製造工程により製造される。チタニウムTiを有する第1のゲート副電極124a及び銅Cuを有する第2のゲート副電極124bを含むゲート電極124が形成された。図2Aを参照して説明した第1のエッチング液は、第1のゲート副電極124a及び第2のゲート副電極124bを形成するために使用された。窒化ケイ素を有する第1のゲート副絶縁膜140a及び酸化ケイ素を有する第2のゲート副絶縁膜140bを含むゲート絶縁膜140が形成された。インジウムガリウム亜鉛酸化物を含む半導体層154が形成された。ガリウム亜鉛系酸化物を含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dが形成され、銅Cuを含む第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dが形成され、銅マンガン窒化物を含む第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dが形成された。アクティブエッチング工程は、図2A乃至図2Dを参照して説明した第1のエッチング液により行われた。エッチバック工程は、図2Eを参照して説明した酸化補助剤を除いた第1のエッチング液により行われた。酸化ケイ素を含む第1の副保護膜181が形成され、窒化ケイ素を含む第2の副保護膜183が形成された。第1のゲート副電極124aが約100Åの厚さであり、第2のゲート副電極124bが約5,000Åの厚さであり、第1のゲート副絶縁膜140aが約4,000Åの厚さであり、第2のゲート副絶縁膜140bが約500Åの厚さであり、半導体層154が約500Åの厚さであり、第1のソース副電極165s及び第1のドレイン副電極165dが約300Åの厚さであり、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dが約2,000Åの厚さであり、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dが約300Åの厚さであり、第1の副保護膜181が約1,000Åの厚さであり、第2の副保護膜183が約1,000Åの厚さであった。上述した方法を参照して製造されたTFTが良好な特性を有することを図3Aからわかるであろう。図3A及び図3Bにおいて、x軸は、ゲート電極とソース電極間の電圧Vgsであり、y軸は、ソース電極とドレイン電極間で流れる電流Ids及び移動度mobilityである。ソース電極とドレーン電極間の電圧差は、約10V電圧であった。図3Bのグラフに示すTFTのI-V特性は、0秒、すなわち、基準時点、及び基準時点から約30秒後、約100秒後、約300秒後、約1000秒後、約1時間後、約2時間後、及び約3時間後に測定された。本発明の実施形態により製造されたTFTが長時間駆動後にも実質的に一定の特性を有することにより、TFT特性の高信頼度を保証することを図3Bからわかるであろう。以下、図4及び図5Iを参照して本発明によるTFT及びこれらの製造方法が詳細に説明される。図4は、本発明の実施形態によるTFTの断面図である。以下、TFTの構造が図4を参照して詳細に説明される。図1を参照して説明したTFTの材料又は構造の説明については、重複した説明を避けるために省略される。図4に示すTFTは、酸化物半導体及び酸化物層と接触するいずれか1つの表面及び銅層又は銅合金層と接触する他の表面を含むガリウム亜鉛酸化物GaZnO層を有する。ゲート電極124は、基板110上に形成される。ゲート電極124は、第1のゲート副電極124a及び第2のゲート副電極124bを含み得る。ゲート電極124は、図1を参照して上述した材料及び厚さと同一の材料及び厚さを含み得る。ゲート絶縁膜140は、ゲート電極124上に形成される。ゲート絶縁膜140は、ゲート電極124と直接接触する第1のゲート絶縁膜140aと、半導体層154、第1の副ソース副電極165s、及び第1のドレーン副電極165dと直接接触する第2のゲート副絶縁膜140bとを有し得る。ゲート絶縁膜140は、図1を参照して上述したゲート絶縁膜140の材料及び厚さと同一の材料及び厚さを含み得る。例えば、これらのエッジが整列された配置図において、第2のゲート副絶縁膜140bは、第2のゲート副絶縁膜140b上の半導体層154のサイズと実質的に同一のサイズであり得る。半導体層154は、第2のゲート副絶縁膜140b上に形成される。半導体層154は、ゲート電極124とオーバーラップし得る。半導体層154は、図1を参照して上述した半導体層154の材料及び厚さと同一の材料及び厚さを含み得る。半導体層154の幅は、ゲート電極124の幅より小さいことがあり、この幅は、基板110に平行である。エッチバックレイヤー157は、半導体層154上に形成される。エッチバックレイヤー157は、図5Iを参照して後述するチャネル部エッチング工程で半導体層154を保護し得る。エッチバックレイヤー157の幅は、半導体層154の幅より小さいことがある。エッチバックレイヤー157は、図1を参照して上述した第1のゲート絶縁膜140a又は第2のゲート副絶縁膜140bの材料と同一の材料を含み得る。エッチバックレイヤー157は、酸化ケイ素を含み得る。エッチバックレイヤー157の厚さは、約100Å乃至約2,000Åであり得る。相互に離隔したソース電極173及びドレーン電極175は、半導体層154、エッチバックレイヤー157及び/又は第1のゲート副絶縁膜140aの直上にある。ソース電極173は、第1のソース副電極165s、第2のソース副電極177s及び第3のソース副電極174sを含み得、ドレーン電極175は、第1のドレーン副電極165d、第2のドレーン副電極177d、及び第3のドレーン副電極174dを含み得る。ソース電極173及びドレーン電極175は、図1を参照して上述した同一の材料及び厚さを含み得る。第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、第1のゲート副絶縁膜140a及びエッチバックレイヤー157と直接接触し得る。本発明の一実施形態において、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dは、省略され得る。保護膜180は、ソース電極173、ドレーン電極175、ゲート絶縁膜140及び/又はエッチバックレイヤー157上に形成される。保護膜180は、第3のソース副電極174s、第3のドレーン副電極174d、第1のゲート副絶縁膜140a及び/又はエッチバックレイヤー157と直接接触する第1の副保護膜181と、第1の副保護膜181上の第2の副保護膜183とを含み得る。保護膜180の材料及び厚さは、図1を参照して上述した材料及び厚さと同一であり得る。本発明の一実施形態において、第1の副保護膜181は、省略され得る。エッチバックレイヤー157が形成されているために第3のソース副電極174s、第3のドレーン副電極174d、及び第1の副保護膜181が省略される場合に、第2の副保護膜183を含む保護膜180は、第2のソース副電極177s、第2のドレーン副電極177d、第1のゲート副絶縁膜140a及び/又はエッチバックレイヤー157と直接接触し得る。このような構造を有するTFTは、長時間動作後にも優秀な特性を有し得る。以下、図5A乃至図5Iを参照して図1に示すTFTの製造方法を詳細に説明する。説明の重複を避けるために、図1乃至図4を参照して説明したTFTの材料、構造、又は方法に関する説明が省略される。図5A乃至図5Iは、本発明の実施形態に従って図4に示すTFTの製造方法を示す断面図である。図5Aを参照すると、第1のゲート副電極124a及び第2のゲート副電極124bは、基板110上に形成される。ゲート電極124の材料、厚さ、及びパターンを形成する方法は、図2Aを参照して上述した説明と同一であり得る。図5Bを参照すると、第1のゲート副絶縁膜140aは、ゲート電極124上に形成され、第2のゲート絶縁物140bは、第1のゲート副絶縁膜140a上に形成され、第1の酸化物層154mは、第2のゲート副絶縁膜140b上に形成され、エッチバック材料157mは、第1の酸化物層154m上に形成される。第1のゲート副絶縁膜140a、第2のゲート副絶縁膜140b、第1の酸化物層154m、及びエッチバック材料157mは、図1を参照して上述した第1のゲート副絶縁膜140a、第2のゲート副絶縁膜140b、及び/又は半導体層154に含まれた材料と同一の材料を含み得る。本発明の一実施形態において、第1のゲート副絶縁膜140aは、窒化ケイ素SiNxを含み得、第2のゲート副絶縁膜140bは、酸化ケイ素SiOxを含み得、第1の酸化物層154mは、インジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnOを含み得、エッチバック材料157mは、酸化ケイ素SiOxを含み得る。窒化ケイ素SiNx、酸化ケイ素SiOx、及びインジウムガリウム亜鉛酸化物InGaZnOは、図2Bを参照して上述した同一の方法で形成され得る。図5Cを参照すると、エッチバック材料157mは、パターニングされたフォトレジスト52をマスクとして使用してエッチング工程でパターニングされることによりエッチバックレイヤー157を形成する。エッチバック材料157mは、ドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングされ得る。エッチバックレイヤー157は、半導体層154とオーバーラップする。図5Dを参照すると、第1の酸化物層154mは、パターニングされたフォトレジスト52及びエッチバックレイヤー157をマスクとして使用してエッチングされることにより半導体層154を形成する。第1の酸化物層154mは、図2Aを参照して説明した酸化補助剤を除いた第1のエッチング液でエッチングされ得る。半導体層154の全体は、ゲート電極124とオーバーラップし得る。対照的に、図2Dに示す以前の実施形態は、半導体層154によりオーバーラップされたゲート電極124の全体を含む。図5Eを参照すると、パターニングされたフォトレジストpatternedphotoresist52は、既知のアッシングashing工程により予め定められた厚さだけ均一に除去される。アッシング工程により形成されたフォトレジストパターン52の幅は、エッチバックレイヤー157の幅より約0.2マイクロメータμm乃至約6μm小さく形成され得る。図5Fを参照すると、エッチバックレイヤー157の一部及び第2のゲート副絶縁膜140bの一部は、フォトレジストパターン52をマスクとして使用することにより同時にエッチングされる。第2のゲート副絶縁膜140bの一部は、ゲート電極124と半導体層154とをオーバーラップする最終の第2のゲート副絶縁膜140bを形成するためにエッチングされる。最終の第2のゲート副絶縁膜140bの全体は、ゲート電極124及び半導体層154とオーバーラップされ、他方、図1及び図2Gに示す最終の第2のゲート副絶縁膜140bは、ゲート電極124及び半導体層154の全体とオーバーラップされる。エッチバックレイヤー157の一部及び第2のゲート副絶縁膜140bの一部は、図5Cを参照して上述したエッチング工程によりエッチングされ得る。エッチバックレイヤー157の幅は、半導体層154の幅より小さいことがある。図5Gを参照すると、エッチバックレイヤー157上のフォトレジストパターン52が除去される。図5Hを参照すると、第2の酸化物層165mは、第1のゲート副絶縁膜140a、半導体層154及び/又はエッチバックレイヤー157の直上に形成され、第1の金属層177mは、第2の酸化物層165mの上に形成され、第2の金属層174mは、第1の金属層177mの上に形成される。第2の酸化物層165mは、ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含み得、第1の金属層177mは、銅Cuを含み得、第2の金属層174mは、銅マンガン合金を含み得る。第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mを形成する方法は、図2Bを参照して上述した方法と同一であり得る。本発明の一実施形態において、第2の金属層174mは、省略され得る。図5Iを参照して、ソース電極173及びドレーン電極175のパターンを形成するための方法が説明される。第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mは、ソース電極173及びドレーン電極175を形成するためにフォトレジストパターンをマストとして使用することによりともにエッチングされ得る。第2の酸化物層165m、第1の金属層177m、及び第2の金属層174mは、図2Fを参照して上述したチャネル部エッチングのためのエッチング液によりエッチングされ得る。ソース電極173は、第1のソース副電極165s、第2のソース副電極177s、及び第3のソース副電極174sを含み、ドレーン電極175は、第1のドレーン副電極165d、第2のドレーン副電極177d、及び第3のドレーン副電極174dを含む。第2の金属層174mは、第3のソース副電極174s及び第3のドレーン副電極174dを形成し、第1の金属層177mは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dを形成し、第2の酸化物層165mは、第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dを形成する。保護膜180は、ソース電極173及びドレーン電極175上に形成される。その後に、図4に示すようなTFTが最終的に形成される。保護膜180は、第1の副保護膜181と第2の副保護膜183とを含み得る。第1の副保護膜181及び第2の副保護膜183は、図1を参照して上述したものと同一の材料及び厚さを含み得る。本発明の一実施形態において、第1の副保護膜181は、省略され得、第2の副保護膜183は、ソース電極173及びドレーン電極175上に形成され得る。本発明によるTFT及びその製造方法の実施形態において、半導体層又はソース電極及びドレイン電極に含まれた原子は、他の層に拡散するか、還元されるか、又は抽出されることを防止することにより、TFT特性の高信頼性を保証することができる。以下、図6乃至図7Bを参照して本発明の実施形態によるTFTパネル100が詳細に説明される。図6は、本発明によるTFTパネル100の配置図である。図7A及び図7Bは、図6に示すTFTパネル100を7-7’線に沿って切断した断面図である。図1乃至図2G及び図4乃至図5Iを参照して上述したTFT及びその製造方法は、TFTパネル100を製造するのに使用され得る。したがって、TFTパネル及びその製造方法を説明するにあたり上述した説明と重複することは、省略される。図6乃至図7Aを参照して、本発明の実施形態によるTFTパネル100が詳細に説明される。ゲート層導電体図示せずは、ガラス又はプラスチック材質を含む基板110上に形成されることにより、複数のゲートライン121、複数のゲート電極124、及び複数の維持電極線125を形成する。本発明の実施形態において、ゲート層導電体は、ゲート電極124の第1のゲート副電極124aを形成する第1のゲート層図示せず及びゲート電極124の第2のゲート副電極124bを形成する第2のゲート層図示せずを含み得る。第1のゲート副電極124a及び第2のゲート副電極124bは、図1及び図2Aを参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。基板110の厚さは、約0.2mm乃至約0.7mmである。複数のゲートライン121は、横方向に主に伸張しており、ゲート信号を送信する。複数のゲートライン121の各々は、ゲートライン121から突出した複数のゲート電極124を含む。維持電極線125は、共通電圧Vcom、例えば、直流DC又は2つ以上のサイズを有する予め定められたスイング電圧を送信する。本発明の一実施形態において、ゲートライン121、維持電極線125、及びゲート電極124は、同時に形成され得る。ゲート絶縁膜140は、ゲート層導電体上に形成される。ゲート絶縁膜140は、第1のゲート副絶縁膜140a及び第2のゲート副絶縁膜140bを含み得る。ゲート絶縁膜140は、図1及び図2Bを参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。半導体層154は、ゲート絶縁膜140上に形成され、データライン171、ソース電極173、及びドレーン電極175は、半導体層154上に形成される。データライン171は、第1の副データライン165t、第2の副データライン177t、及び第3の副データライン174tを含み得、ソース電極173は、第1のソース副電極165s、第2のソース副電極177s、及び第3のソース副電極174sを含み得、ドレーン電極175は、第1のドレーン副電極165d、第2のドレーン副電極177d、及び第3のドレーン副電極174dを含み得る。半導体層154、ソース電極173、及びドレーン電極175は、図1及び図2B乃至図2Gを参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。第1の副データライン165tは、図2Bを参照して上述した第2の酸化物層165mにより形成され得、第2の副データライン177tは、第1の金属層177mにより形成され得、第3の副データライン174tは、第2の金属層174mにより形成され得る。第1の副データライン165t、第2の副データライン177t、及び第3の副データライン174tは、図2B乃至図2Gを参照して上述したソース電極173及びドレーン電極175を形成する製造方法と同一の方法により形成され得る。第1の副データライン165t、第1のソース副電極165s、及び第1のドレーン副電極165dは、同一の材料を含み得、及び/又は、同一の材料により同時に形成され得る。第2の副データライン177t、第2のソース副電極177s、及び第2のドレーン副電極177dは、同一の材料を含み得、及び/又は、同一の材料により同時に形成され得る。第3の副データライン174t、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174dは、同一の材料を含み得、及び/又は、同一の材料により同時に形成され得る。ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、半導体層154とソース電極173間、又は半導体層154とドレーン電極175間の接触抵抗を低くし得る。ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、半導体層154の酸化物半導体に含まれたイオン、例えば、インジウムInが還元され抽出されることを減少させるか又は効率的に防止することができる。ガリウム亜鉛酸化物GaZnOを含む第1のソース副電極165s及び第1のドレーン副電極165dは、第2のソース副電極177s及び第2のドレーン副電極177dに含まれた金属原子、例えば、銅Cuが半導体層154に拡散することを効率的に防止することができる。第3の副データライン174t、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174dは、第2の副データライン177t、第2のソース副電極177s、及び第2のドレーン副電極177dがリフティングliftingされるか又は腐食されることを減少させるか又は効率的に防止することができる。第3の副データライン174t、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174dを形成する物質は、TFTパネル100を製造する工程でフォトレジスト膜との良好な接着力を有することができる。第1の副データライン165tは、半導体層154と直接接触し得る。保護膜180は、ゲート絶縁膜140、半導体層154、及び/又は第3の副データライン174t、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174d上に形成される。保護膜180は、第1の副保護膜181と第2の副保護膜183とを含み得る。保護膜180は、図1を参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。保護膜180は、ドレーン電極175の一端を露出する複数の接触孔185を有する。複数の画素電極191は、保護膜180上に形成される。画素電極191は、接触孔185を通してドレーン電極175と電気的及び/又は物理的に接続されており、ドレーン電極175からデータ電圧を受信する。データ電圧を受信する画素電極191と共通電圧を受信するTFTパネル100の共通電極図示せず間により生成される電場は、TFTパネル100の2つの基板又は2つの電極間の液晶層図示せずの液晶分子の方向を決定する。この液晶層は、2つの電極を有する液晶蓄電器liquidcrystalcapacitorを形成し、TFTがターンオフturnoffとなった後にもデータ電圧を維持する。画素電極191は、維持電極線125をオーバーラップすることにより維持蓄電器を形成し、これにより、電圧を保持するための液晶蓄電器の能力を強化することができる。画素電極191は、インジウムスズ酸化物ITO又はインジウム亜鉛酸化物IZOのような透明導電体を含み得る。このように製造されたTFTパネル100は、長時間動作後にもTFTの優秀な特性を維持することができる。以下、図6及び図7Bを参照して、本発明の実施形態によるTFTパネル100が詳細に説明される。複数のゲートライン121、複数のゲート電極124、及び複数の維持電極線125は、図6及び図7Aを参照して上述した方法と同一の方法により基板110上に形成され得る。第1のゲート副絶縁膜140aは、ゲート電極124上に形成される。第2のゲート副絶縁膜140bは、ゲート電極124とオーバーラップし、第1のゲート副絶縁膜140a上に形成される。半導体層154は、第2のゲート副絶縁膜140b上に形成され、エッチバックレイヤー157は、半導体層154上に形成される。第1のゲート副絶縁膜140a、第2のゲート副絶縁膜140b、半導体層154、及びエッチバックレイヤー157は、図4及び図5B乃至図5Gを参照して上述した方法と同一の方法により形成され得る。データライン171、ソース電極173、及びドレーン電極175は、第1のゲート副絶縁膜140a、半導体層154、及び/又はエッチバックレイヤー157上に形成される。データライン171は、第1の副データライン165t、第2の副データライン177t、及び第3の副データライン174tを含み得、ソース電極173は、第1のソース副電極165s、第2のソース副電極177s、及び第3のソース副電極174sを含み得、ドレーン電極175は、第1のドレーン副電極165d、第2のドレーン副電極177d、及び第3のドレーン副電極174dを含み得る。ソース電極173及びドレーン電極175は、図4及び図5H乃至図5Iを参照して上述した方法と同一の方法により形成され得る。第1の副データライン165tは、図2Bを参照して上述した第2の酸化物層165mにより形成され得、第2の副データライン177tは、第1の金属層177mにより形成され得、第3の副データライン174tは、第2の金属層174mにより形成され得る。第1の副データライン165t、第2の副データライン177t、及び第3の副データライン174tは、図4及び図5H乃至図5Iを参照して上述した方法と同一の方法により形成され得る。第1の副データライン165tは、第1のゲート副絶縁膜140aと接触し得る。第1のソース副電極165s、第1のドレーン副電極165d、第3の副データライン174t、及び第3のドレーン副電極174dは、図6及び図7Aを参照して上述した効果と同一の効果を有し得る。保護膜180は、ゲート絶縁膜140、第3のソース副電極174s、及び第3のドレーン副電極174d、及び/又はエッチバックレイヤー157上に形成される。保護膜180は、第1の副保護膜181と第2の副保護膜183とを含み得る。保護膜180は、図1を参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。保護膜180は、ドレーン電極175の一端を露出する複数の接触孔185を有する。複数の画素電極191は、保護膜180上に形成される。画素電極191は、図6及び図7Aを参照して上述した製造方法と同一の方法により形成され得る。この製造されたTFTパネル100は、長時間動作後にもTFTの優秀な特性を保持することができる。以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく様々な変更が可能であるということは、当業者には明らかであり、本発明の範囲は、上述の実施形態に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものの範囲内で定められるべきである。"