"反射シートと、前記反射シートの表面に形成された集電電極とを備える、集電電極付き反射シート。前記反射シートは波長450nm以上1000nm以下の光に対して拡散反射率が80以上である、請求項1に記載の集電電極付き反射シート。前記集電電極は銀を含む、請求項1または2に記載の集電電極付き反射シート。前記集電電極は軟鋼配線材料を含む、請求項1または2に記載の集電電極付き反射シート。請求項1から4のいずれかに記載の集電電極付き反射シートを備える、集積型太陽電池。透光性絶縁基板上に短冊状に第1の透明導電膜を形成する工程と、前記第1の透明導電膜の上に半導体からなる光電変換層を形成する工程と、レーザ光の照射によって前記光電変換層を分断するように第1の溝を形成する工程と、前記光電変換層の上面および前記第1の溝の内面を覆うように第2の透明導電膜を形成する工程と、レーザ光の照射によって前記第2の透明導電膜および前記光電変換層を一括して分断するように第2の溝を形成する工程と、レーザ光の照射で前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜および前記光電変換層を一括して分断することによって前記光電変換層を複数の光電変換素子が直列に接続された形態に仕上げる工程と、請求項1から4のいずれかに記載の集電電極付き反射シートを用意する工程と、前記第2の溝を形成する工程および前記仕上げる工程を終えた前記透光性絶縁基板と前記集電電極付き反射シートとを互いに貼り合わせて融着させる工程とを含む、集積型太陽電池の製造方法。特許文献1では、第2の透明導電膜上の集電電極を形成する方法として、スクリーン印刷を採用している。その他の方法として、集電電極を形成する方法としてメタルデポマスクなどを使用するスパッタリングなどが考えられる。これらの方法を採用した場合、光電変換素子を直列接続する場合には、透明導電膜による直列接続が行なわれていたが、透明導電膜では膜厚が薄いので、抵抗値が高くなりがちであった。特に、複数の光電変換素子を直列接続した構造における抵抗値以下シリーズ抵抗という。は、個々の光電変換素子の抵抗値の合計となるので、高い値となりがちであった。そこで、本発明は、集積型太陽電池のシリーズ抵抗を低く抑えることができるような集電電極付き反射シート、集積型太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明に基づく集積型太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板上に短冊状に第1の透明導電膜を形成する工程と、上記第1の透明導電膜の上に半導体からなる光電変換層を形成する工程と、レーザ光の照射によって上記光電変換層を分断するように第1の溝を形成する工程と、上記光電変換層の上面および上記第1の溝の内面を覆うように第2の透明導電膜を形成する工程と、レーザ光の照射によって上記第2の透明導電膜および上記光電変換層を一括して分断するように第2の溝を形成する工程と、レーザ光の照射で上記第1の透明導電膜、上記第2の透明導電膜および上記光電変換層を一括して分断することによって上記光電変換層を複数の光電変換素子が直列に接続された形態に仕上げる工程と、反射シートの表面に集電電極が形成されたものである集電電極付き反射シートを用意する工程と、上記第2の溝を形成する工程および上記仕上げる工程を終えた上記透光性絶縁基板と上記集電電極付き反射シートとを互いに貼り合わせて融着させる工程とを含む。本発明によれば、反射シート側に予め形成された集電電極を利用することができるので複数の光電変換素子間を低抵抗で接続することができ、集積型太陽電池のシリーズ抵抗を低下させることができる。実施の形態1製造方法図1~図18を参照して、本発明に基づく実施の形態1における集積型太陽電池の製造方法について説明する。この製造方法のフローチャートを図1に示す。本実施の形態における集積型太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板上に短冊状に第1の透明導電膜を形成する工程S1と、前記第1の透明導電膜の上に半導体により光電変換層を形成する工程S2と、レーザ光の照射によって前記光電変換層を分断するように第1の溝を形成する工程S3と、前記光電変換層の上面および前記第1の溝の内面を覆うように第2の透明導電膜を形成する工程S4と、レーザ光の照射によって前記第2の透明導電膜および前記光電変換層を一括して分断するように第2の溝を形成する工程S5と、レーザ光の照射で前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜および前記光電変換層を一括して分断することによって前記光電変換層を複数の光電変換素子が直列に接続された形態に仕上げる工程S6と、反射シートの表面に集電電極が形成されたものである集電電極付き反射シートを用意する工程S7と、前記第2の溝を形成する工程および前記仕上げる工程を終えた前記透光性絶縁基板と前記集電電極付き反射シートとを互いに貼り合わせて融着させる工程S8とを含む。この製造方法の各工程について、以下により詳しく説明する。図2に示すように、透光性絶縁基板1を用意する。透光性絶縁基板1はガラス基板である。透光性絶縁基板1の厚みは、たとえば4mmである。工程S1として、図3~図5に示すように、透光性絶縁基板1の一方の表面に第1の透明導電膜2を形成する。工程S1として第1の透明導電膜2を形成する工程は、透明導電膜2aを成膜する工程と、パターニングする工程とを含む。図3に示す透明導電膜2aは、第1の透明導電膜2の材料となる膜である。透明導電膜2aは、たとえばSnO2膜を厚み1.5μmとなるように常圧CVD法により形成したものである。次に、レーザ光を透明導電膜2aに照射してパターニングを施す。こうして図4に示すように第1の透明導電膜2が得られる。この状態の平面図を図5に示す。より具体的には、透光性絶縁基板1としてのガラス基板上に形成された第1の透明導電膜2の材料としての透明導電膜2aすなわちSnO2膜をYAGレーザ光でスクライブし、スクライブ溝10を形成することによって、短冊状の小片に分割する。このレーザ光によるスクライブは、スクライブ幅30μm、深さ1.5μmとする。このスクライブによって第1の透明導電膜2の各小片は互いに完全に電気的に絶縁された状態となる。短冊状の各小片は、のちに各光電変換素子の受光面側の電極となるものである。各小片の幅はたとえば1cmとする。ここまでが工程S1に相当する。次に、工程S2として、図6に示すように、第1の透明導電膜2の上側を覆うように、非晶質半導体の光電変換層3を形成する。光電変換層3は、図6では単一の層として表示されているが、実際にはp層、i層およびn層を含む。まずp層を12nmの厚さに積層する。p層を形成するためには、プラズマCVD装置中にこの基板を置き、基板温度を200°Cに昇温する。反応ガスとしてモノシランガスを流量30sccm、メタンガスを流量80sccmで流す。キャリアガスとしては、水素ガスを流量150sccmで流す。ドーピングガスは1の水素希釈のジボランガスを流量10sccmで流す。続いて、i層を400nmの厚さに積層する。i層を形成するためには、基板温度は200°Cに保持し、反応ガスとしてモノシランガスを流量60sccm、キャリアガスとして水素ガスを流量20sccmで流す。さらに続いてn層を100nmの厚さに積層する。基板を200°Cに保持し、反応ガスとしてモノシランガスを流量60sccm、キャリアガスとして水素ガスを流量3sccm、ドーピングガスとして0.3水素希釈のホスフィンガスを流量18sccmで流す。このようにして、p層、i層およびn層を全て積層することによって光電変換層3が完成し、図6に示すようにスクライブ溝10は非晶質半導体で埋められる。このようにして、非晶質半導体の光電変換層3を積層した後、工程S3として、図7に示すように、レーザ光を透光性絶縁基板1側から照射してスクライブ溝11を形成し、パターニングを施す。この状態の平面図を図8に示す。このパターニングとしては、具体的には、前回のスクライブ溝10から溝中心線間の距離で100μm隔てた位置において、YAGレーザ第2高調波のレーザ光を、透光性絶縁基板1側から光電変換層3にピントが合うように照射する。光電変換層3にピントを合わせて照射することにより、第1の透明導電膜2は残したまま光電変換層3の一部を吹き飛ばして除去することができる。こうしてスクライブ溝11が形成される。スクライブ溝11の幅40μmとする。このスクライブ溝11により光電変換層3は完全に分割される。次に、工程S4として、図9に示すように、光電変換層3の上に第2の透明導電膜4としてのZnO膜を100nmの厚さでDCマグネトロンスパッタ法により積層する。この結果、スクライブ溝11の内面はZnO膜で覆われる。その後、工程S5として、透光性絶縁基板1の側からレーザ光照射によるパターニングを施す。具体的には、スクライブ溝11から溝中心線間の距離で150μm隔てた位置において、YAGレーザ第2高調波のレーザ光を、透光性絶縁基板1側から光電変換層3にピントが合うように照射する。この結果、光電変換層3の一部がその表面を覆う第2の透明導電膜4とともに吹き飛ばされ、図10に示すように、スクライブ溝12が形成される。この状態の平面図を図11に示す。スクライブ溝12の幅40μmとし、第2の透明導電膜4および光電変換層3はそれぞれ完全に分割される。なお、スクライブ溝11とスクライブ溝12との間の間隔は短いほど望ましいが、加工精度、歩留りを考慮する必要がある。工程S6として、レーザ光の照射で第1の透明導電膜2、第2の透明導電膜4および光電変換層3を一括して分断することによって、複数の光電変換素子が電気的に直列に接続された状態に加工する。これにより複数の光電変換素子が集積化されたものを得る。この後貼り付けるべき集電電極付き反射シートの平面図を図12に示す。工程S7として、反射シート6の表面に集電電極5が形成されたものである集電電極付き反射シート16を用意する。工程S7のさらに詳細な工程について説明する。図13に示すように、反射シート6として、たとえば酸化チタンが添加されたオレフィン系共重合体樹脂シートを用意する。反射シート6の厚みはたとえば0.6mm以上1.0mm以下とする。次に、図14に示すように、集電電極5として分岐延長する櫛型銀ペースト電極を、反射シート6の上にインクジェット法により形成する。図14では、インクジェットヘッド7から反射シート6の表面に向けて銀ペーストが射出されている。その結果、図15に示すように、集電電極5が、反射シート6の上に所定形状に形成される。この状態の平面図を図16に示す。集電電極5は、直線状に延在する幹部20と、幹部20の途中の複数箇所からそれぞれ垂直に分岐する第1枝部21と、第1枝部21の複数箇所からそれぞれ垂直に分岐する第2枝部22とを含む。第1枝部21および第2枝部22の線幅はそれぞれたとえば50μmとする。第2枝部22同士の間のピッチAはたとえば2.5mmとする。こうして集電電極付き反射シート16が得られる。工程S7で用意される集電電極付き反射シート16は、反射シート6と、反射シート6の表面に形成された集電電極5とを備える。なお、図16では、説明の便宜のため、集電電極5の平面的形状を簡略化している。第2枝部22の本数は実際にはこれより多くてよい。透光性絶縁基板1をベースとして第2の溝12を形成する工程S5および仕上げる工程S6を終えた構造体を構造体15と呼ぶものとする。工程S8として、図10、図11に示された構造体15に対して図12に示したような集電電極付き反射シート16を貼り合わせる。この貼合せの様子を図17に示す。矢印91に示すように集電電極付き反射シート16が貼り付けられる。集電電極5は、集電電極付き反射シート16を貼り合わせる際に、第2の透明導電膜4のスクライブ溝12上には集電電極5が重ならないような位置に配置されている。透光性絶縁基板1の表面に所定の構造を形成した構造体15と集電電極付き反射シート16との間で所定の位置合わせを行なう。その後、温度150°Cでラミネートして貼り合わせる。このとき、高温となることによって反射シート6の材料が溶融し、スクライブ溝12に入り込む。こうして、スクライブ溝12は反射シート6の材料によって埋められる。反射シート6の表面に載るように配置されていた集電電極5は、溶融した反射シート6の中に押し込まれる。構造体15と集電電極付き反射シート16とが一体化し、反射シート6は反射層6eとなる。こうして工程S8を終えることによって図18に示す集積型太陽電池31の構造を得る。作用効果本実施の形態における集積型太陽電池の製造方法によれば、図18に示した構造の集積型太陽電池31を得ることができる。本実施の形態では、反射シート6側に予め形成された集電電極5を利用することができるので複数の光電変換素子間を低抵抗で接続することができ、集積型太陽電池31のシリーズ抵抗を低下させることができる。また、集積型太陽電池31においては、透光性絶縁基板1から入射し、光電変換層3を透過したことによって反射層6eに到達した光は、反射層6eによって、光電変換層3側に反射されるので、さらに光電変換効率の向上を図ることができる。実施の形態2構成図15、図16を参照して、本発明に基づく集電電極付き反射シートについて説明する。本発明に基づく集電電極付き反射シート16においては、反射シート6は波長450nm以上1000nm以下の光に対して拡散反射率が80以上であることが好ましい。反射シートとしては、反射材を添加した樹脂を用いることができる。たとえば、酸化チタンまたは酸化亜鉛を添加した樹脂を用いることができる。樹脂としては、EVAエチレンビニルアセテート、PVBポリビニルブチラール、アイオノマー樹脂、またはこれらの同等物などを用いることができる。上述の拡散反射率の条件を満たす反射シート6の表面に集電電極5が形成されている。上述の拡散反射率の条件を満たす反射シート6は、公知技術により作成することができる。反射シート6を用意した後に、表面にインクジェット法などの方法により集電電極5を形成することによって、ここでいう集電電極付き反射シート16を得ることができる。作用効果このような集電電極付き反射シート16であれば、実施の形態1で説明した製造方法に利用可能である。なお、集電電極5は銀を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、所定パターンに沿って銀ペーストを塗布することによって集電電極5を容易に形成することができるからである。実施の形態3構成図19~図21を参照して、本発明に基づく集電電極付き反射シートについて説明する。本実施の形態における集電電極付き反射シート16iは、基本的構成は実施の形態2で説明したものと同様である。集電電極付き反射シート16iにおいては、集電電極5iは、軟鋼配線材料を含む。図19~図21に例示するように、反射シート6の表面に半分埋まり込むように集電電極5iが配置されていてもよい。作用効果このような集電電極付き反射シート16iであれば、実施の形態1で説明した製造方法に利用可能である。特に、集電電極5iを軟鋼配線材料で形成することにより、反射シート6の表面に一部または全部を埋め込んだ構造とすることができるので、集電電極を太くした構造も実現可能である。これにより、集積型太陽電池のシリーズ抵抗を低く抑えることができる。配線を反射シート6の表面に埋め込む場合は、図22に示すように、反射シート6の表面に軟鋼配線材料を配置した後、ローラ18でプレスすることによって押し込む処理をすればよい。この場合、ローラ18が矢印92の向きに回転し、反射シート6が矢印93の向きに進行する。特に、反射シート6としての樹脂シートを成型した直後の、樹脂シートがまだ軟らかい状態のうちに軟鋼配線材料をローラ18で押し込むようにすれば、加工しやすく好都合である。集電電極の材料として軟鋼配線材料以外の材料を採用することとしてもよいが、軟鋼配線材料などのように低抵抗で形成度の高いものが好ましい。また、集電電極5iとなる配線は、後に第2の透明導電膜4と接触させることとなるので、集電電極5iの表面には、コンタクト抵抗が低くなるようなメッキなどの表面処理を施しておくことが好ましい。実施の形態1では、工程S7で用意される集電電極付き反射シートは、反射シート6と、反射シート6の表面に形成された集電電極5とを備えるものとして説明したが、工程S7で用意される集電電極付き反射シートは、実施の形態2,3で説明した集電電極付き反射シート16または集電電極付き反射シート16iのいずれかであってもよい。本発明に基づく集積型太陽電池は、上記実施の形態のいずれかに説明した集電電極付き反射シートを備える、集積型太陽電池である。この集積型太陽電池は、たとえば図18に示す構造のものである。なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。"