"蝋状炭化水素供給材料を触媒的に脱蝋する方法であって、a該炭化水素供給材料を、第1水素化異性化領域において第1水素化異性化脱蝋条件下で第1水素化異性化触媒と接触させて、第1異性化流を生じること、及びb該第1異性化流の少なくとも一部を、第2水素化異性化領域において第2水素化異性化脱蝋条件下で第2水素化異性化触媒と接触させて、第2異性化流を生じることを含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、該供給材料中のn-パラフィンの異性化のために選択され、該第1水素化異性化領域及び該第2水素化異性化領域が同じ反応器内に配置され、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤でドープされている、上記方法。前記第1水素化異性化触媒及び前記第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記モレキュラーシーブが、1-D,10環モレキュラーシーブを含み、該第1水素化異性化触媒が該第2水素化異性化触媒よりも高い濃度の該モレキュラーシーブを有する、請求項1に記載の方法。前記第1水素化異性化触媒が前記第2水素化異性化触媒よりも高い濃度の前記VIII族の金属を有し、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒のそれぞれの該VIII族の金属がPtを含む、請求項2に記載の方法。前記第1水素化異性化触媒及び前記第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記モレキュラーシーブが、ゼオライトSSZ-32を含む、請求項1に記載の方法。前記第1及び第2水素化異性化触媒が層状触媒系を含み、該第1水素化異性化触媒が、該第2水素化異性化触媒の上流に配置され、該第1水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第1レベルの選択性を有し、該第2水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第2レベルの選択性を有し、該層状触媒系は、n-パラフィンの異性化に対する第3レベルの選択性を有し、該第3レベルの選択性が、該第1レベルの選択性及び該第2レベルの選択性のそれぞれよりも高い、請求項1に記載の方法。前記第1レベルの選択性が、前記第2レベルの選択性と少なくとも実質的に同じである、請求項5に記載の方法。前記金属改質剤が、約0.5~約2.5重量の範囲の濃度でMgを含む、請求項1に記載の方法。cステップaの前に、前記炭化水素供給原料を、水素化処理領域において水素化処理条件下で水素化処理触媒と接触させることを更に含み、該水素化処理領域が防護層を含み、該水素化処理触媒が、Pt、Pd、又はこれらの組み合わせと一緒にした耐火性無機酸化物を含み、該防護層、前記第1水素化異性化領域、及び前記第2水素化異性化領域が、単一の反応器内に配置されている、請求項1に記載の方法。前記水素化処理触媒が、該水素化処理触媒、前記第1水素化異性化触媒、及び前記第2水素化異性化触媒の総容積の約3~約30の範囲の容積を占める、請求項8に記載の方法。前記第1水素化異性化触媒の容積と前記第2水素化異性化触媒の容積の比が、約3:2~約2:3の範囲である、請求項1に記載の方法。前記第1及び第2水素化異性化脱蝋条件が、約550°F~約700°F288°C~371°Cの範囲の温度を含む、請求項1に記載の方法。d前記第2異性化流を、水素化仕上触媒と接触させて、約-12°C以下の流動点及び約5°C以下の流動-曇り幅を有する基油生成物を生じることを更に含む、請求項1記載の方法。前記基油生成物が、少なくとも約87の収率で得られる、請求項12に記載の方法。前記供給材料成分の少なくとも約80が約900°F482°Cを超える沸点を有する、請求項13に記載の方法。重質炭化水素供給材料を触媒的に脱蝋する方法であって、a該炭化水素供給材料を、第1水素化異性化領域において第1水素化異性化脱蝋条件下で第1水素化異性化触媒と接触させて、第1異性化流を生じること、b該第1異性化流の少なくとも一部を、第2水素化異性化領域において第2水素化異性化脱蝋条件下で第2水素化異性化触媒と接触させて、第2の異性化流を生じることであって、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、1-D,10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤でドープされており、該第1及び第2水素化異性化触媒は、同じ反応器内に配置されていること、並びにc該第2異性化流を水素化仕上触媒と接触させて、約-12°C以下の流動点及び約5°C以下の流動-曇り幅を有する基油生成物を生じることを含む、上記方法。前記第1及び第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記モレキュラーシーブがゼオライトSSZ-32を含み、該第1及び第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記VIII族の金属が、Ptを含み、該第1水素化異性化触媒が、該第2水素化異性化触媒よりも高いSSZ-32の濃度を有し、該第1水素化異性化触媒が、該第2水素化異性化触媒よりも高いPt濃度を有する、請求項15に記載の方法。前記第1及び第2水素化異性化触媒が層状触媒系を含み、該第1水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第1レベルの選択性を有し、第2水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第2レベルの選択性を有し、層状触媒系が、n-パラフィンの異性化に対して第3レベルの選択性を有し、該第3レベルの選択性が、該第1レベルの選択性及び該第2レベルの選択性のそれぞれよりも高い、請求項15に記載の方法。第1水素化異性化触媒を含む第1水素化異性化領域と、第2水素化異性化触媒を含む第2水素化異性化領域とを含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、1-D,10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含み、第1水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第1レベルの選択性を有し、第2水素化異性化触媒が、n-パラフィンの異性化に対して第2レベルの選択性を有し、該層状触媒系が、n-パラフィンの異性化に対して第3レベルの選択性を有し、該第3レベルの選択性が、該第1レベルの選択性及び該第2レベルの選択性のそれぞれよりも高い、層状触媒系。前記第1水素化異性化触媒が、前記第2水素化異性化触媒よりも高濃度の前記モレキュラーシーブを有し、該第1水素化異性化触媒が、該第2水素化異性化触媒よりも高濃度の前記VIII族の金属を有し、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、それぞれ、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤を更に含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒が、単一の反応器内に配置されている、請求項18に記載の層状触媒系。前記第1水素化異性化触媒及び前記第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記モレキュラーシーブが、ゼオライトSSZ-32を含み、該第1水素化異性化触媒及び該第2水素化異性化触媒のそれぞれの前記VIII族の金属が、Ptを含み、該第1水素化異性化触媒の容積と該第2水素化異性化触媒の容積の比が、約3:2~約2:3の範囲である、請求項18に記載の層状触媒系。貴重なII群及びIII群基油の生成のために、異性化選択性及び蝋状炭化水素供給材料の転換率conversionの増加を示す改善された脱蝋方法及び触媒系の必要性が引き続き存在する。本発明は、蝋含有炭化水素供給材料を、低い流動点、低い曇り点、少ない流動-曇り幅及び高い粘度指数VIを有する潤滑基油を含む高品質な生成物に効率的に転換する方法に関する。そのような方法は、複数の水素化異性化脱蝋触媒を含む層状触媒系を用いる。水素化異性化は、脂肪族非分岐鎖パラフィン系炭化水素n-パラフィンをイソパラフィン及び環状種に転換し、それによって基油生成物の流動点及び曇り点を供給材料と比較して減少する。実施形態において、本発明の層状触媒系は、防護層として水素化処理触媒を更に含んでいてもよく、これによって水素化異性化触媒の老化を減速させ、基油生成物収率を、約450°F~約725°F232°C~385°Cの範囲の温度において、従来の方法と比較して長時間維持することができる。本発明の一つの態様によると、蝋状炭化水素供給材料を触媒的に脱蝋する方法であって、炭化水素供給材料を、第1水素化異性化領域において第1水素化異性化脱蝋条件下で第1水素化異性化触媒と接触させて、第1異性化流を生じること、及び第1異性化流の少なくとも一部を、第2水素化異性化領域において第2水素化異性化脱蝋条件下で第2水素化異性化触媒と接触させて、第2異性化流を生じることを含む方法が提供される。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含むことができる。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、供給材料中のn-パラフィンの異性化に対して選択的であってよい。第1水素化異性化領域及び第2水素化異性化領域は、同じ反応器内に配置してもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤でドープしてもよい。一実施形態において、本発明は、重質炭化水素供給材料を触媒的に脱蝋する方法であって、炭化水素供給材料を、第1水素化異性化領域において第1水素化異性化脱蝋条件下で第1水素化異性化触媒と接触させて、第1異性化流を生じること、第1異性化流の少なくとも一部を、第2水素化異性化領域において第2水素化異性化脱蝋条件下で第2水素化異性化触媒と接触させて、第2異性化流を生じること、及びその第2異性化流を水素化仕上触媒と接触させて約-12°C以下の流動点と約5°C以下の流動-曇り幅とを有する基油生成物を生じることを含む、上記方法を提供する。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、1-D,10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含んでいてもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤でドープしてもよい。第1及び第2水素化異性化触媒は、同じ反応器内に配置してもよい。別の実施形態において、本発明は、第1水素化異性化触媒を含む第1水素化異性化領域と、第2水素化異性化触媒を含む第2水素化異性化領域とを含む層状触媒系を提供する。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、1-D、10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含んでいてもよい。第1水素化異性化触媒は、n-パラフィンの異性化に対して第1レベルの選択性を有し、第2水素化異性化触媒は、n-パラフィンの異性化に対して第2レベルの選択性を有し、層状触媒系は、n-パラフィンの異性化に対して第3レベルの選択性を有する。第3レベルの選択性は、第1レベルの選択性及び第2レベルの選択性のそれぞれよりも高くてもよい。本発明は、炭化水素供給材料を、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒を含む層状触媒系と接触させることを伴う、炭化水素脱蝋方法を提供する。一実施形態において、本発明は、炭化水素供給材料を脱蝋する触媒系も提供し、ここで第1水素化異性化触媒は、第2水素化異性化触媒の上流にあってもよい。一実施形態において、第1水素化異性化触媒は、触媒系の第1水素化異性化層又は領域にあってもよく、第2水素化異性化触媒は、触媒系の第2水素化異性化層又は領域にあってもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、同じ反応器内にあってもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、同じ反応器内の別々の床に配置されてもよい。或いは、第1水素化異性化触媒の少なくとも一部は、第2水素化異性化触媒の少なくとも一部と同じ床にあってもよく、及び/又は第2水素化異性化触媒の少なくとも一部は、第1水素化異性化触媒の少なくとも一部と同じ床にあってもよい。出願人らは、合計で容積Vの第1及び第2水素化異性化触媒を含む本発明の層状触媒系が、同じ容積Vの第1水素化異性化触媒単独又は第2水素化異性化触媒単独のいずれかと比較して、優れた結果を、例えば基油生成物の増加した収率及び/又は高い粘度指数VIにより判断される全体的により大きな異性化選択性を、提供できることをここに実証した。一実施形態において、本発明の触媒系は、水素化処理触媒を更に含んでいてもよい。水素化処理触媒は、防護層又は防護床を構成していてもよく、また防護層又は防護床として機能してもよい。防護層の水素化処理触媒を、第1水素化異性化触媒の上流に配置してもよい。防護層の水素化処理触媒は、水素化異性化触媒を不活性化しうる供給材料中の汚染物から、第1及び第2水素化異性化触媒を保護するために役立つことができる。このように、防護層の存在は、第1及び第2水素化異性化触媒の寿命を実質的に増加することができる。一実施形態において、防護層を第1及び第2水素化異性化触媒と同じ反応器内に配置してもよい。これによって、本発明の方法を単一反応器で実施することができる。一実施形態において、本発明の方法の反応条件は、とりわけ、第1及び第2水素化異性化触媒が本発明の所望の基油生成物の目標流動点を得るために必要な温度により決定されうる。典型的には、水素化異性化触媒は、約390°F~約800°F199°C~427°C、通常は約550°F~約750°F288°C~399°Cの範囲の作動温度を有することができる。実際には、本方法の温度は、供給組成、供給速度、作動圧力、触媒系の配合及び水素化異性化触媒の老化などの方法の他の多様なパラメーターに依存し得る。定義本明細書において使用される以下の用語は、別途の表示がない限り、本明細書下記に定義された意味を有する。用語水素化処理は、炭化水素供給材料の成分例えば、不純物の水素化脱硫、水素化脱窒素、水素化脱金属及び/又は水素化脱芳香族のため、並びに/或いは供給材料における不飽和化合物の水素化hydrogenationのため、水素の存在下で実施される方法又はステップを意味する。水素化処理の種類及び反応条件に応じて、水素化処理の生成物は、例えば、改善された粘度、粘度指数、飽和含有量、低温特性、揮発度及び脱分極depolarizationを有することができる。用語防護層及び防護床は、水素化処理触媒又は水素化処理触媒層を意味するために、本明細書において同義的及び交換可能に使用されうる。防護層は、炭化水素脱蝋用の触媒系の一成分であってもよく、少なくとも1つの水素化異性化触媒の上流に配置することができる。本明細書で使用されるとき、用語モレキュラーシーブは、孔、空洞又は間隙空間を通過するのに十分に小さい分子は吸着するが大きな分子は吸着しない、均一な大きさの孔、空洞又は間隙空間を含有する結晶性物質を意味する。モレキュラーシーブの例には、ゼオライト、並びにSAPOシリコアルミノホスフェート、MeAPOメタロアルミノホスフェート、AlPO4及びELAPO非金属置換アルミホスフェート類が含まれるが、これらに限定されないゼオライト類似体などの非ゼオライトモレキュラーシーブが含まれる。本明細書で使用されるとき、用語流動点は、油が制御条件下で流れ始める温度を意味する。流動点は、例えばASTMD5950により決定することができる。目標流動点は、潤滑基油生成物の望ましい又は要求される流動点を意味する。目標流動点は、一般に約-10°C、典型的には約-10°C~約-50°Cの範囲である。本明細書で使用されるとき、曇り点は、潤滑油試料が、油が特定の条件下で冷却されたときに曇りを生じ始める温度を意味する。潤滑基油の曇り点は、その流動点と相補的である。曇り点は、例えばASTMD5773により決定することができる。基油の流動点/曇り点幅又は流動-曇り幅は、曇り点と流動点の幅又は差を意味し、°Cで測定した、曇り点引く流動点と定義される。一般に、流動点と曇り点の幅を最小化することが望ましい。本開示において参照される元素周期表は、化学及び物理ハンドブックHandbookofChemistryandPhysics、72版1991~1992においてChemicalAbstractServiceにより公表されたCAS版である。VIII族の金属は、元素周期表のVIII族から選択された元素金属単数若しくは複数及び/又はそのような金属単数若しくは複数を含む金属化合物を意味する。別途の表示がない限り、触媒反応領域に供給される炭化水素供給材料の供給速度は、1時間毎の触媒の容積あたりの供給原料の容積として本明細書において表現され、これを液空間速度LHSVと呼ぶことができ、単位は時間の逆数h-1である。用語水素化異性化は、n-パラフィンn-アルカンが水素化異性化脱蝋触媒を介して水素の存在下でより分岐された対応化合物に異性化される方法を意味する。別途の表示がない限り、そこから個別の成分又は成分の混合物を選択することができる元素、物質又は他の成分の属の記載は、提示された成分及びそれらの混合物の全ての可能な下位の属の組み合わせを含むことを意図するものである。また、含む及びその変形は、列挙における事項の記載が、本発明の物質、組成物及び方法において同様に有用でありうる他の同様の事項を排除しないように、非限定的であることを意図するものである。本明細書に記載される物質の特性を以下のように決定することができる:aSiO2/Al2O3比SAR:ICP元素分析により決定される。無限大∞のSARは、ゼオライトにアルミニウムがない場合、すなわちシリカとアルミナのモル比が無限大である場合を表す。この場合、モレキュラーシーブは、実質的に全てシリカから構成される。b表面積:沸点におけるN2吸着により決定される。BET表面積は、P/P0=0.050、0.088、0.125、0.163及び0.200による5点法で計算される。水又は有機物のようなあらゆる吸着揮発物を排除するため、試料を最初に400°Cで6時間、乾燥N2流の存在下で前処理する。cミクロ孔容積:沸点でのN2吸着により決定される。ミクロ孔容積は、P/P0=0.050、0.088、0.125、0.163及び0.200によるt-プロット法で計算される。水又は有機物のようなあらゆる吸着揮発物を排除するため、試料を最初に400°Cで6時間、乾燥N2流の存在下で前処理する。dメソ孔孔径:沸点でのN2吸着により決定される。メソ孔孔径は、E.P.Barrett、L.G.Joyner及びP.P.Halenda、多孔性物質における孔容積及び面積分布の決定。I.窒素等温線による計算Thedeterminationofporevolumeandareadistributionsinporoussubstances.I.ComputationsfromnitrogenisothermsJ.Am.Chem.Soc.1951、73、373~380において記載されているBJH法によりN2等温線から計算される。水又は有機物のようなあらゆる吸着揮発物を排除するため、試料を最初に400°Cで6時間、乾燥N2流の存在下で前処理する。e総孔容積:P/P0=0.990における沸点でのN2吸着により決定される。水又は有機物のようなあらゆる吸着揮発物を排除するため、試料を最初に400°Cで6時間、乾燥N2流の存在下で前処理する。許容される限り、本出願に引用されている全ての刊行物、特許及び特許出願は、それらの開示が本発明と不整合とならない限りにおいて、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。水素化処理触媒一実施形態において、本発明の触媒系は、例えば防護層の形態で水素化処理触媒を含んでいてもよい。本発明の水素化処理触媒は、耐火性無機酸化物担体及びVIII族の金属を含んでいてもよい。酸化物担体を、本明細書において結合剤と呼ぶこともできる。水素化処理触媒の担体は、アルミナ、シリカ、シリカ/アルミナ、チタニア、マグネシア、ジルコニアなど又はこれらの組み合わせから調製することができる又はこれらを含むことができる。触媒担体は、非晶質材料、結晶質材料又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。非晶質材料の例には、非晶質アルミナ、非晶質シリカ、非晶質シリカ-アルミナなどが含まれるが、これらに限定されない。一実施形態において、担体は非晶質アルミナを含んでいてもよい。シリカとアルミナの組み合わせを使用する場合、担体におけるシリカとアルミナの分布は、均質又は不均質のいずれであってもよい。幾つかの実施形態において、担体は、シリカ、シリカ/アルミナ又はアルミナ基材が分散されているアルミナゲルからなっていてもよい。担体は、例えば他の無機酸化物又は粘土粒子などの、アルミナ又はシリカ以外の耐火性材料を、そのような材料が最終触媒の水素化活性に悪影響を与えない又は供給材料の有害な分解をもたらさない限り、含有していてもよい。一下位実施形態において、シリカ及び/又はアルミナは、一般に、水素化処理触媒の担体の少なくとも約90重量を構成し、幾つかの実施形態において、担体は、少なくとも実質的に全てシリカ又は全てアルミナであってもよい。水素化処理触媒における担体材料の種類にかかわりなく、本発明の方法及び触媒系に使用される水素化処理触媒は、典型的には低い酸性度を有する。適切な場合、担体の酸性度を、アルカリ及び/又はアルカリ土類金属カチオンによる処理で減少させてもよい。本発明の実施に使用することができる多様な結晶質及び非結晶質触媒担体材料、並びにこれらの酸性度レベルの定量化及び触媒担体の酸性部位を中和する方法が、同一出願人に譲渡された同時係属米国特許出願公開第2011/0079540号に記載されており、その開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。水素化処理触媒のVIII族の金属成分単数又は複数は、白金、パラジウム又はこれらの組み合わせを含むことができる。一実施形態において、水素化処理触媒は、白金とパラジウムを約5:1~約1:5、典型的には約3:1~約1:3、多くの場合には約1:1~約1:2の範囲のPt:Pd比で含む。水素化処理触媒のVIII族の金属含有量は、一般に約0.01重量~約5重量、典型的には約0.2重量~約2重量の範囲でありうる。一実施形態において、水素化処理触媒は、白金を約0.1~約1.0重量の範囲の濃度、及びパラジウムを約0.2~約1.5重量の範囲の濃度で含んでいてもよい。一下位実施形態において、水素化処理触媒は、約0.3重量の白金及び約0.6重量のパラジウムを含んでいてもよい。本発明の水素化処理触媒は、一般に、耐硫黄性と共に高い触媒活性を示す。一実施形態において、水素化処理触媒のVIII族の金属を、無機酸化物担体上に分散してもよい。白金及び/若しくはパラジウム金属又は白金及び/若しくはパラジウムを含む化合物を担体に付着させる多数の方法が、従来技術において知られており、そのような方法には、イオン交換、含浸及び共沈が含まれる。一実施形態において、担体への白金及び/又はパラジウム金属の含浸は、制御されたpH値下で実施することができる。白金及び/又はパラジウムは、典型的には、ハロゲン塩などの金属塩及び/又はアミン錯体及び/又は鉱酸の塩として含浸液に添加される。アンモニウム塩は、VIII族の金属含浸用の溶液を調製するのに特に有用であることが見出されている。使用することができる金属塩の他の例には、硝酸塩、炭酸塩及び重炭酸塩、並びに酢酸塩、クエン酸塩及びギ酸塩などのカルボン酸塩が含まれる。所望により、含浸担体を、含浸液と共に、例えば約2~約24時間の範囲の時間放置することができる。VIII族の金属による酸化物担体の含浸の後、含浸担体を乾燥及び/又は焼成することができる。水素化処理触媒を乾燥及び焼成した後、調製された触媒を、当該技術において慣用的なように水素で還元して、使用することができる。水素化異性化触媒一実施形態において、本発明の方法は、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒を含む層状触媒系を使用し、ここで、第1水素化異性化触媒を第2水素化異性化触媒の上流に配置することができる。一実施形態において、第1及び第2水素化異性化触媒は、両方とも、炭化水素供給原料におけるn-パラフィンの異性化に選択的であってもよい。一実施形態において、第1及び第2水素化異性化触媒は、異なる配合を有する。本発明のさまざまな実施形態によると、第1及び第2水素化異性化触媒は、炭化水素供給原料中のn-パラフィンの異性化に対して異なるレベルの選択性を有していてもよく、又は第1及び第2水素化異性化触媒は、n-パラフィンの異性化に対して少なくとも実質的に同レベルの選択性を有していてもよい。第1及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含んでいてもよい。一実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒のそれぞれのモレキュラーシーブは、1-D,10環モレキュラーシーブを含んでいてもよい。第1及び第2水素化処理触媒のVIII族の金属は、白金、パラジウム又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。一実施形態において、第1及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、約0.1~約1.5重量のVIII族の金属、典型的には約0.2~約1.0重量、通常は約0.325~約1.0重量のVIII族の金属を含むことができる。一実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒のうちの少なくとも1つは、本明細書下記に実質的に記載されるように、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属改質剤を更に含んでいてもよい。典型的には、第1及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、担体又は結合剤をなお更に含む。担体は、耐火性無機酸化物を含むことができる。水素化異性化触媒に適した無機酸化物担体には、シリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア、ジルコニア、シリカ-アルミナ、シリカ-マグネシア、シリカ-チタニアなど及びこれらの組み合わせが含まれる。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、約5~約95重量以上のモレキュラーシーブ成分、典型的には約15~約85重量のモレキュラーシーブ、通常は約25~約75重量のモレキュラーシーブを含むことができる。一般に、触媒が要求される活性及び選択性レベルを保持する限り、経済的な理由によりモレキュラーシーブ成分を最小限にすることが有利である。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、担体材料を約0~約95重量、より典型的には約5~約90重量含むことができる。本発明の方法により炭化水素供給材料を脱蝋するための例示的な触媒系において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、1-D,10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含んでいてもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒のうちの少なくとも1つのモレキュラーシーブは、中孔ゼオライト、例えば約0.39nm~約0.7nmの範囲の孔開口を有するゼオライトを含んでいてもよい。一実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、約0.325重量~約1重量の白金を更に含んでいてもよい。第1及び第2水素化異性化触媒のうちの少なくとも1つを配合するのに有用でありうるモレキュラーシーブの例には、SAPO-11、SAPO-31、SM-3、SM-6などのAEL骨格型コードと共に、MTT又はTONコードのゼオライト型材料のモレキュラーシーブが含まれる。MTTコードのモレキュラーシーブには、ZSM-23、SSZ-32、EU-13、ISI-4及びKZ-1が含まれる。本発明を実施するのに有用でありうるTONコードのモレキュラーシーブには、Theta-1、ISI-1、KZ-2、NU-10及びZSM-22が含まれる。MTT及びTON型モレキュラーシーブのパラメーターは、InternationalZeoliteAssociationIZAにより出版されているAtlasofZeoliteFrameworkTypesに更に記載されている。一実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒のうちの少なくとも1つは、ゼオライトSSZ-32を含有する。一下位実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、SSZ-32を含有する。本発明の方法は、いかなる特定の水素化異性化触媒配合物にも限定されない。触媒の金属担持loading一実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒のうちの少なくとも1つは、1つ以上の金属改質剤を更に含むことができる。一下位実施形態において、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒の両方は、それぞれ金属改質剤を含むことができる。典型的には、金属改質剤単数又は複数は、Mg、Ca、Sr、Ba、K、La、Pr、Nd、Cr及びこれらの組み合わせからなる群から選択されうる。一下位実施形態において、金属改質剤はMgを含んでいてもよい。非限定的な例としては、第1及び第2水素化異性化触媒は、SSZ-32などの1-D,10環のモレキュラーシーブ、白金などのVIII族の貴金属を含んでいてもよく、実施形態によってはマグネシウムなどの金属改質剤を含んでいてもよい。一実施形態において、本発明の金属改質触媒は、約0.5~約3.5重量のMg又は他の金属改質剤単数又は複数、典型的には約0.5~約2.5重量、通常は約0.9~約2.5重量のMg又は他の金属改質剤単数又は複数を含んでいてもよい。本発明の脱蝋方法のために触媒又は触媒系を配合するとき、モレキュラーシーブと酸化物結合剤の混合物を、広範囲の物理的形状及び寸法を有する粒子又は押出物に形成することができる。一実施形態において、押出物又は粒子を、金属担持の前に乾燥及び焼成することができる。焼成は、典型的には約390°F~約1100°F199°C~593°Cの範囲の温度で約0.5~約5時間以上の範囲の時間にわたって実施してもよい。次に焼成された押出物又は形成された粒子に、Ca、Cr、Mg、La、Na、Pr、Sr、K、Nd及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの金属改質剤を担持することができる。理論に束縛されるものではないが、そのような金属は、金属改質水素化異性化触媒のモレキュラーシーブの酸性部位の数を有効に低減することができ、それによって供給原料におけるn-パラフィンの異性化分解ではなくに対する触媒の選択性を増加することができる。触媒単数又は複数への改質金属単数又は複数の担持は、含浸又はイオン交換などの当該技術において既知の技術により達成することができる。イオン交換技術は、典型的には、押出物又は粒子を、所望の金属カチオン単数又は複数の塩を含有する溶液と接触させることを伴う。ハロゲン化物、硝酸塩及び硫酸塩などの多様な金属塩を、これに関して使用することができる。所望の金属カチオン単数又は複数の塩溶液と接触させた後、押出物又は粒子を、例えば約150°F~約800°F66°C~427°Cの範囲の温度で乾燥してもよい。その後、押出物又は粒子に、触媒のVIII族の金属成分を更に担持してもよい。一実施形態において、本発明のモレキュラーシーブ又は触媒に、改質金属とVIII族の金属を共含浸することができる。VIII族の金属及び改質金属を担持した後、触媒を、空気又は不活性ガス下、約500°F~約900°F260°C~482°Cの範囲の温度で焼成してもよい。金属改質剤を含むモレキュラーシーブ触媒の調製は、同一出願人に譲渡された米国特許第7,141,529号及び米国特許出願公開第2008/0083657号に開示されており、それぞれの開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。脱蝋触媒系本発明の一実施形態によると、炭化水素供給材料から基油を生成するための脱蝋触媒系10を、図1を参照して以下のように記載することができる。触媒系10は、複数の水素化異性化触媒層を含む層状系であってもよい。一実施形態において、水素化異性化触媒のそれぞれの層は、異なる配合、活性及び/又はn-パラフィン異性化選択性を有していてもよい。n-パラフィン異性化選択性とは、所定の触媒が、供給材料中のn-パラフィンを、分解するのではなく異性化する傾向を意味する。触媒系10は、水素化処理領域又は防護層12、第1水素化異性化領域14及び第2水素化異性化領域16を含むことができる。防護層12、第1水素化異性化領域14及び第2水素化異性化領域16は、それぞれ、水素化処理触媒18、第1水素化異性化触媒20及び第2水素化異性化触媒22を含有することができる。防護層12を第1水素化異性化触媒20の上流に配置することができ、第1水素化異性化触媒20を第2水素化異性化触媒22の上流に配置することができる。図1に示されている実施形態では、防護層12、第1水素化異性化領域14及び第2水素化異性化領域16を単一反応器24に収容することができる。2つの水素化異性化領域及び防護層を含む図1を参照して本発明が記載されているが、他の数の領域及び層も本発明において可能である。炭化水素供給原料26を、第1導管28aを介して反応器24に導入することができ、一方、水素ガスを、第2導管28bを介して反応器24に導入することができる。反応器24内において、供給原料26を、水素の存在下で水素化処理触媒18と接触させ、水素化処理された供給材料30を生じることができる。水素化処理された供給材料30を、第1水素化異性化領域14において第1水素化異性化条件下で第1水素化異性化触媒20と接触させて、第1異性化流32を生じることができる。第1異性化流32を、第2水素化異性化領域16において第2水素化異性化条件下で第2水素化異性化触媒22と接触させて、第2異性化流34を生じることができる。第2異性化流34を水素化仕上ユニット図示されずに供給して、適切な品質及び収率の所望の基油生成物を生じさせてもよい。基油生成物は、約-9°C以下、典型的には約-12°C以下、通常は約-14°C以下の流動点を有していてもよい。基油生成物は、約-5°C以下、典型的には約-7°C以下、通常は約-12°C以下の曇り点を有していてもよい。基油生成物は、約7°C以下、典型的には約5°C以下、通常は約3°C以下の流動-曇り幅を有していてもよい。一実施形態において、上記の特性を有する基油生成物を、少なくとも約89の収率で得てもよい。一般に、より高い異性化選択性を有する脱蝋触媒は、より高い選択性を有する触媒が、より高い基油の収率を提供する傾向があるので潤滑油製造には好まれる。然しながら、当技術分野における長年にわたりながらこれまで未解決の問題は、触媒選択性と、油脂製品の曇り点、即ち、選択性の増した触媒を使用して得られる製品のより高い曇り点との間の相互関係である。触媒選択性と曇り点との間のこの相互関係は、重質の供給原料に対して特に顕著である。この触媒選択性と曇り点との間の相互関係は、例えば、i第1脱蝋触媒A、ii第2脱蝋触媒B、及びiii第2触媒の上流に第1触媒を含んでいる層状触媒系A/Bに対する収率に対して曇り点をプロットしている図3において見ることができる。第1及び第2脱蝋触媒は所与の曇り点で同様の収率を与え、第1及び第2脱蝋触媒に対して類似の又は実質的に同レベルの異性化選択性を示したことが図3から見ることができる。それ故、第1及び第2脱蝋触媒の組み合わせを含む層状触媒系が、第1又は第2脱蝋触媒単独と比較して実質的により高い選択性及び所与の曇り点において約3の収率の増加を示すことは予想されなかった。一実施形態において、水素化処理触媒18は、比較的高い液時空間速度例えば、LHSV>1h-1及び約550°F~約750°F228°C~399°Cの範囲の温度で効果的に作動することができる高活性触媒であってもよい。水素化処理触媒防護層は、総触媒容積の約3容積~約30容積を占めてもよく、すなわち、水素化処理触媒は、水素化処理触媒の容積第1水素化異性化触媒の容積第2水素化異性化触媒の容積の合計の約3~約30を構成してもよい。典型的には、水素化処理触媒は、総触媒容積の約5~約20、通常は総触媒容積の約5~約15を構成することができる。一実施形態において、第1水素化異性化触媒の容積と第2水素化異性化触媒の容積の比は、約7:3~約3:7、典型的には約3:2~約2:3、通常は約5:4~約4:5の範囲でありうる。一下位実施形態において、第1水素化異性化触媒の容積と第2水素化異性化触媒の容積の比は、約1:1であってもよい。基油生成のための供給原料本発明を使用して、全原油、常圧蒸留残油、真空塔残留物、循環油、合成石油、ガス油、真空ガス油、ロウ下油、フィッシャー-トロプシュ由来蝋などを含む多様な炭化水素供給材料を脱蝋することができる。一実施形態において、炭化水素供給材料は、一般に約0°Cを超える流動点を有する及び約0°Cに冷却すると凝固、沈殿、そうでなければ固体粒状物を形成する傾向を有する蝋状供給原料として記載することができる。直鎖n-パラフィンを単独で又は16個以上の炭素原子を有する鎖が僅かしか分岐していないパラフィンと共に、本明細書において蝋と呼ぶことができる。供給材料は、通常は、一般に約350°F177°Cを超えて沸騰するC10供給材料であろう。本発明は、ガス油、灯油及びジェット燃料を含む中間留出原料油などの蝋状流出原料油、潤滑油原料油、暖房用油、並びに流動点及び粘度が特定の指定範囲内に維持される必要がある他の留出留分を処理するためにも適切でありうる。本発明の方法の供給材料は、高分子量のn-パラフィン及び僅かに分岐しているパラフィンに加えて、典型的には、オレフィン及びナフテン成分、並びに芳香族及び複素環式化合物を含むことができる。本発明の方法の際に、供給原料中のn-パラフィン及び僅かに分岐しているパラフィンの分解度は、生成物収率の損失が最低限になるように厳密に制限されており、それによって供給原料の経済的価値が保全される。典型的な供給材料には、水素化処理又は水素化分解ガス油、水素化処理潤滑油ラフィネート、ブライトストック、潤滑油原料油、合成油、ロウ下油、フィッシャー-トロプシュ合成油、高流動点ポリオレフィン、通常のアルファオレフィン蝋、粗蝋、脱油蝋及び微晶質蝋が含まれる。本発明の方法における使用に適した他の炭化水素供給材料は、例えば、ガス油及び真空ガス油;大気圧蒸留法による残留留分;溶剤-脱アスファルト化石油残留物;シェールオイル;循環油;動物及び植物由来脂肪、油及び蝋;石油及び粗蝋;並びに化学工場におけるプロセスで生成された蝋から選択することができる。一実施形態において、供給材料は、重質供給原料を含んでいてもよい。本明細書において、用語重質供給原料は、成分の少なくとも約80が約900°F482°Cを超える沸点を有する炭化水素供給材料を意味するために使用できる。本発明を実施するのに適した重質供給原料の例には、重質中性600N及びブライトストックが含まれる。一実施形態において、本発明の炭化水素供給材料は、一般に0°Cを超える、幾つかの実施形態では約20°Cを超える流動点を有していてもよい。対照的に、供給材料の水素化異性化脱蝋によりもたらされる本発明の方法の基油生成物は、一般に0°C未満、典型的には約-12°C未満、多くの場合には約-14°C未満の流動点を有する。一実施形態において、本発明の方法に用いられる供給材料は、約20を超える蝋、約50を超える蝋、更には約70を超える蝋を含有する蝋状供給原料であってもよい。より典型的には、供給原料は、約5~約30の蝋を含有する。本明細書で使用されるとき、用語蝋状炭化水素供給材料は、石油由来の蝋に加えて、植物蝋及び動物由来の蝋を含むことができる。本発明の一つの態様によると、広範囲の供給原料を使用して、低い流動点、低い曇り点、少ない流動-曇り幅及び高い粘度指数を含む良好な性能特性を有する循環剤基油を高い収率で生成することができる。本発明の潤滑基油生成物の品質及び収率は、層状触媒系を含む水素化異性化触媒の配合及び触媒系の触媒層の配置を含む多数の要因によって左右されうる。一実施形態において、本発明は、例えば、重質供給原料から、層状触媒系を用いて基油生成物を生じることができる。層状触媒系は、第1及び第2水素化異性化触媒を含んでいてもよく、第1水素化異性化触媒は、第2水素化異性化触媒の上流に配置されている。第1水素化異性化触媒は、n-パラフィンの異性化に対して第1レベルの選択性を有していてもよく、第2水素化異性化触媒は、n-パラフィンの異性化に対する第2レベルの選択性を有していてもよい。一実施形態において、第1及び第2レベルの選択性は、同様又は少なくとも実質的に同じであってもよい。出願人らは、層状触媒系は、n-パラフィンの異性化に対して第3レベルの選択性を有していてもよく、第3レベルの選択性は、第1レベルの選択性及び第2レベルの選択性のそれぞれよりも高いことを今や見出した。それ故、本発明による層状触媒系は、従来の脱蝋方法及び触媒と比較して優れた結果を提供することができる。例として、図3は、第1及び第2脱蝋触媒単独では所与の曇り点で同様の収率を示し、第1及び第2脱蝋触媒に対して類似の又は実質的に同レベルの異性化選択性を示したことを示している。それ故、第1及び第2脱蝋触媒の組み合わせを含む層状触媒系が、第1又は第2脱蝋触媒単独と比較して実質的により高い選択性及び所与の曇り点において約3の収率の増加を示すことは予想されなかった。脱蝋方法本発明の一つの実施形態によると、重質炭化水素供給材料から基油を生成する触媒脱蝋方法は、供給原料を、脱蝋触媒系を含有する反応器に導入する工程を伴っていてもよい。水素ガスを反応器に導入してもよく、これにより該方法を、例えば本明細書下記に記載されているように方法の条件を参照して、水素の存在下で実施することができる。反応器内では、供給原料を水素化処理領域又は防護層において水素化処理条件下で水素化処理触媒と接触させて、水素化処理供給材料を生じさせてもよい。供給材料を防護層において水素化処理触媒と接触させることは、供給材料中の芳香族化合物を効果的に水素化するため、並びに供給原料からN含有及びS含有化合物を除去するために役立つことができ、それによって触媒系の第1及び第2水素化異性化触媒を保護することができる。芳香族化合物を効果的に水素化するとは、水素化処理触媒が、供給材料の芳香族含有量を少なくとも約20減少できることを意味する。水素化処理された供給材料は、一般に、C10n-パラフィン及び僅かに分岐しているイソパラフィンを含むことができ、蝋含有量は、典型的には少なくとも約20である。水素化処理された供給材料を第1水素化異性化領域おいて第1水素化異性化脱蝋条件下で第1水素化異性化触媒と接触させて、第1異性化流を生じさせてもよい。その後、第1異性化流を、第2水素化異性化領域において第2水素化異性化脱蝋条件下で第2水素化異性化触媒と接触させて、第2異性化流を生じさせてもよい。防護層、第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒を、全て、単一の反応器内に配置してもよい。本発明の触媒脱蝋方法に使用することができる水素化処理及び水素化異性化条件を、本明細書下記に記載する。第2異性化流を水素化仕上ユニットに供給して、適切な品質及び収率の所望の基油生成物を提供することができる。そのような水素化仕上hydrofinishingステップは、基油生成物から微量のあらゆる芳香族化合物、オレフィン、着色体などを除去することができる。水素化仕上ユニットは、アルミナ担体と、貴金属、典型的にはパラジウム又はパラジウムと組み合わせた白金とを含む水素化仕上触媒を含んでいてもよい。一実施形態において、水素化仕上触媒の貴金属含有量は、典型的には約0.1~約1.0重量、通常は約0.1~約0.6重量、多くの場合には約0.2~約0.5重量の範囲でありうる。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、例えば本明細書上記の水素化異性化触媒において実質的に記載されているように、1-D,10環モレキュラーシーブ及びVIII族の金属を含んでいてもよい。第1水素化異性化触媒及び第2水素化異性化触媒は、それぞれ、供給材料成分が分解されるのではなく優先的に異性化されるように、供給材料中のn-パラフィンの異性化に対して選択的であってよい。図2Aは、反応器24に配置された第1触媒脱蝋系10Aを概略的に表し、ここで脱蝋系10Aは、第1水素化異性化触媒120から実質的になっていてもよい。図2Bは、反応器24に配置された第2触媒脱蝋系10Bを概略的に表し、ここで脱蝋系10Bは、第2水素化異性化触媒122から実質的になっていてもよい。第1水素化異性化触媒120及び第2水素化異性化触媒122は、それぞれ、n-パラフィンの異性化に対して第1及び第2レベルの選択性を有していてもよい。一実施形態において、第1及び第2レベルの選択性は、同様又は少なくとも実質的に同じであってもよい。系10A及び10Bは、水素の存在下で炭化水素供給原料を脱蝋することにより脱蝋生成物A及び脱蝋生成物Bをそれぞれ生じることができ、ここで生成物A及びBの収率は、少なくとも実質的に同じであってよい。炭化水素供給原料は、重質供給原料であってよい。所望により、系10A及び10Bは、防護層を含むことができる。図2Cは、本発明の一実施形態による層状脱蝋触媒系10Cを概略的に表す。触媒系10Cは、第2水素化異性化触媒122の上流に配置された第1水素化異性化触媒120を含んでいてもよい。一実施形態において、触媒系10Cは、n-パラフィンの異性化に対して第3レベルの選択性を有しており、ここで第3レベルの選択性は、触媒120の第1レベルの選択性及び触媒122の第2レベルの選択性のそれぞれよりも高い。その結果、系10Cは、生成物A又は生成物Bのいずれかの収率と比較して、所定の曇り点において、有意に高い収率で脱蝋生成物Cを生じることができる。一実施形態において、層状脱蝋系10Cは、第1水素化異性化触媒120の上流に配置された防護層を含んでいてもよい例えば、図1を参照すること。このように、本発明の一実施形態によると、出願人らは、第1及び第2水素化異性化触媒120及び122の組み合わせ例えば、図2Cを参照することが、第1水素化異性化触媒120単独又は第2水素化異性化触媒122単独のいずれかの同じ容積と比較して、優れた結果を提供できることを見出した。そのような優れた結果は、生成物収率の増大のみならず生成物品質の改善としても現れうる。反応条件本発明の方法が実施される条件には、一般に約390°F~約800°F199°C~427°Cの範囲内の温度が含まれる。一実施形態において、第1及び第2水素化異性化脱蝋条件には、それぞれ、約550°F~約700°F288°C~371°Cの範囲の温度が含まれる。更なる実施形態において、温度は、約590°F~約675°F310°C~357°Cの範囲であってもよい。圧力は、約15~約3000psig0.10~20.68MPaの範囲、典型的には約100~約2500psig0.69~17.24MPaの範囲であってもよい。典型的には、本発明の脱蝋過程の際の触媒系/反応器への供給速度は、約0.1~約20h-1LHSV、通常は約0.1~約5h-1LHSVの範囲であってよい。一般に、本発明の脱蝋方法は水素の存在下で実施される。典型的には、水素と炭化水素の比は、炭化水素1バレルあたり約2000~約10,000標準立方フィートのH2、通常は、炭化水素1バレルあたり約2500~約5000標準立方フィートのH2の範囲であってよい。上記の条件を、水素化処理領域の水素化処理条件、並びに第1及び第2水素化異性化領域の水素化異性化条件に適用することができる例えば、図1を参照すること。反応器の温度及び他の方法のパラメーターは、使用される炭化水素供給材料の性質、並びに基油生成物の所望の特性例えば、流動点、曇り点、VI及び収率などの要因によって変わりうる。水素化処理触媒を、水素化異性化触媒の上流に配置することができ、水素化異性化触媒と同じ反応器内に配置することができる。一実施形態において、第1と第2の水素化異性化領域の間に温度の差があってもよい。例えば、第1水素化異性化領域は第1温度であることができ、第2水素化異性化領域は第2温度であることができ、ここで第2温度は、第1温度よりも約20°F~約60°F高くてもよく、より典型的には約30°F~約50°F高くてもよく、通常は第1温度よりも約35°F~約45°F高くてもよい。本発明の触媒系からの流出液又は流、例えば第2水素化異性化領域からの第2水素化異性化流を、水素化仕上げhydrofinishingにより更に処理してもよい。そのような水素化仕上げを、当該技術分野において知られているように水素化触媒の存在下で実施してもよい。水素化仕上げに使用される水素化触媒は、例えば、アルミナ担体上の白金、パラジウム又はこれらの組み合わせを含むことができる。水素化仕上げを、約400°F~約650°F204°C~343°Cの範囲の温度及び約400psig~約4000psig2.76~27.58MPaの範囲の圧力で実施することができる。潤滑油を生成するための水素化仕上げは、例えば米国特許第3,852,207号に記載されており、この開示は本明細書に参照により組み込まれる。基油生成物一実施形態において、本発明の方法は、高い価値で高い品質の潤滑油を低い価値の蝋状炭化水素供給材料から良好な収率で生じる。本発明の潤滑油は、例えばASTMD97により測定して、典型的には約9°C未満、通常は約-12°C未満、多くの場合には約-14°C未満の流動点を有するであろう。一実施形態において、潤滑油生成物は、約-10°C~約-30°Cの範囲の流動点を有していてもよい。本発明の生成物は、ASTMD445により測定して、一般に、100°Cで3~30cStの範囲の粘度及び約95~約170の範囲のVIを有するであろう。本明細書上記に示されているように、脱蝋第2水素化異性化流図1を、例えば1つ以上の水素化仕上触媒を介して更に水素化処理して、所望の特性を有する最終潤滑油生成物を得ることができる。例としては、第2水素化異性化流の少なくとも一部を水素化仕上げして、所望の潤滑油仕様を満たすため及び/又は基油生成物の安定性を改善するために、あらゆる着色物質を除去すること及び/又はあらゆる芳香族種を水素化することができる。以下の実施例は本発明を説明するが、限定するものではない。例1脱蝋触媒の調製水素化異性化触媒Aを以下のように調製した。ゼオライトSSZ-32をアルミナと複合化して、75重量のゼオライトを含有する混合物を生じ、混合物を押出し、乾燥し、焼成した。乾燥及び焼成した押出物に、白金とマグネシウムの両方を含有する溶液を含浸し、次に該共含浸触媒を乾燥し、焼成した。全体的な白金担持量は1重量であり、マグネシウム担持量は0.9重量であった。水素化異性化触媒Bを、混合物が65重量のゼオライトを含んだことを除いて、概ね触媒Aについて記載されたように調製した。乾燥して焼成した押出物は、白金及びマグネシウムを共含浸して、0.325重量の白金担持量及び0.9重量のマグネシウム担持量を得た。層状水素化異性化脱蝋触媒系A/Bは、触媒Aの層を同量の触媒Bの層と、触媒Aが上層側になるように、すなわち、触媒Aが触媒Bの上流に配置されるように組み合わせることによって調製した。触媒A単独、触媒B単独、並びに触媒系A/Bを、例2に記載されているように、重質の炭化水素供給原料を脱蝋するためにそれぞれ使用した。例2重質供給原料の触媒的脱蝋の比較等温状態下のダウンフロー反応器を用いる水素化分解生成物600Nの蝋状の重質供給原料の脱蝋において、層状触媒系A/Bを同量の触媒A単独及び触媒B単独と比較した。旧世代の脱蝋触媒C0.325重量のPtを担持したSSZ-32で、改質金属、例えばMg、なしで調製されているも、同じ供給原料及びプロセス条件を用いて試験したベース事例として。触媒A及びCに対する反応器は、それぞれ、100の触媒A及び100の触媒Cを含み、触媒Bに対する反応器は、9体積の防護層から下流で91体積の触媒Bを含み、触媒系A/Bに対する反応器は、46体積の触媒A及び9体積の防護層から下流で45体積の触媒Bを含んだ。それぞれの場合における防護層は、0.3重量のPt及び0.6重量のPdを担持するアルミナを含んだ。図3は、層状触媒系A/B触媒A触媒B並びに触媒A、B、及びC単独を用いて得られた800°Fの潤滑油の収率対曇り点の関係を示している。この収率/曇り点のデータは、脱蝋触媒の作動温度を変化させることによって発生させた。例えば、より低い曇り点は、触媒温度を上げることによって一般に得られる。層状触媒系A/Bは、同じ量の触媒A単独又は触媒B単独と比較して、約3の収率の増加を意外にも与えたことが図3から見ることができる。この結果は、触媒A及びB単独によって示された実質的に同等の選択性例えば、図3参照を考えると特に予想外であった。かくして、本発明の一つの態様によると、安上がりの触媒例えば、より低濃度のモレキュラーシーブ及び/又はより低濃度のVIIIの族貴金属を有するをそれより高価な触媒と組み合わせて、同じ量のより高価な触媒単独と比較してより低コストでより良好な性能を提供する触媒系を形成することができる。本発明の多数の変種が、本明細書の教示及び例を考慮すると可能でありうる。したがって、以下の特許請求の範囲の範囲内において、本発明を本明細書に特に記載又は例示された以外の別の方法で実施できることが理解される。"