"第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって前記活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの一方は、第1の層と、前記活性層と前記第1の層との間に設けられ、前記第1の層よりもキャリア濃度の低い第2の層とを有し、前記窓領域が設けられた部分の前記第2の層の導電型が前記不純物によって反転していることを特徴とする光半導体素子。請求項1記載の光半導体素子において、前記窓領域の前記不純物の濃度は、前記第2の層のキャリア濃度よりも高く、前記第1の層のキャリア濃度よりも低いことを特徴とする光半導体素子。請求項1又は2記載の光半導体素子において、前記第2の層のキャリア濃度をX2、前記窓領域の前記不純物の濃度をYとして、Y-X2≧1×1017cm-3の関係を満たしていることを特徴とする光半導体素子。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記窓領域の前記不純物の濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする光半導体素子。第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する第1の下部クラッド層を形成する工程と、前記第1のクラッド層上に、前記第1導電型を有し、前記第1の下部クラッド層よりもキャリア濃度の低い第2の下部クラッド層を形成する工程と、前記第2の下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第2の下部クラッド層に第2導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第2の下部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する第1の上部クラッド層を形成する工程と、前記第1の上部クラッド層上に、前記第2導電型を有し、前記第1の上部クラッド層よりキャリア濃度の高い第2の上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第1の上部クラッド層に第1導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第1の上部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。しかしながら、リッジ導波路の窓領域上に選択的に電流ブロック層を設ける方法は、3回の結晶成長工程を要するため量産性に劣っていた。また、リッジ導波路上に凹凸が形成されるため、ジャンクションダウン組立を行う際に端面部にストレスが印加され、信頼性が低下することがあった。また、クラッド層の導電型を反転する方法では、クラッド層の導電型を反転するために高濃度の窓領域を形成するが、活性層周辺に存在する高濃度不純物によって自由キャリア吸収損失が増加することがあった。本発明の目的は、ジャンクションダウン組立が容易であり、窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子を提供することにある。また、簡便な製造プロセスによってそのような光半導体素子を製造しうる光半導体素子の製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって前記活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの一方は、第1の層と、前記活性層と前記第1の層との間に設けられ、前記第1の層よりもキャリア濃度の低い第2の層とを有し、前記窓領域が設けられた部分の前記第2の層の導電型が前記不純物によって反転している光半導体素子が提供される。また、実施形態の他の観点によれば、第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する第1の下部クラッド層を形成する工程と、前記第1のクラッド層上に、前記第1導電型を有し、前記第1の下部クラッド層よりもキャリア濃度の低い第2の下部クラッド層を形成する工程と、前記第2の下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第2の下部クラッド層に第2導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第2の下部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有する光半導体素子の製造方法が提供される。また、実施形態の更に他の観点によれば、第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する第1の上部クラッド層を形成する工程と、前記第1の上部クラッド層上に、前記第2導電型を有し、前記第1の上部クラッド層よりキャリア濃度の高い第2の上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第1の上部クラッド層に第1導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第1の上部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有する光半導体素子の製造方法が提供される。開示の光半導体素子及びその製造方法によれば、共振器を形成する端面となる領域の近傍に不純物を添加する簡便な製造プロセスにより、端面窓構造を形成するとともに、窓領域の電流注入を抑制する電流ブロック層を形成することができる。また、電流ブロック層は、上部クラッド層又は下部クラッド層の一部の領域の導電型を反転することにより形成するため、リッジ導波路構造上を平坦にすることができる。これにより、ジャンクションダウン組立を行う場合に端面部にストレスが加わるのを防止することができ、光半導体素子の信頼性を向上することができる。[第1実施形態]第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図1乃至図6を用いて説明する。図1は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す斜視図である。図2乃至図6は、本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す斜視図である。はじめに、本実施形態による光半導体素子の構造について図1を用いて説明する。n-GaAs基板10上には、n-GaAsバッファ層12、n-AlGaAsクラッド層14,16、MQW活性層20、p-AlGaAsクラッド層22、及びp-GaAsコンタクト層28が順次形成されている。p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層22は、リッジ形状に加工されており、リッジ導波路構造40を形成している。これら半導体層の積層構造体は、リッジ導波路構造40が所定の長さになるようにリッジ導波路構造40と交差する方向に劈開されており、一対の端面によって共振器を形成している。リッジ導波路構造40の両端面部のp-GaAsコンタクト層28、p-AlGaAsクラッド層22、MQW活性層20、n-AlGaAsクラッド層16及びn-AlGaAsクラッド層14には、窓領域36が形成されている。窓領域36は、Znが選択的に添加された領域であり、Znの添加によってMQW活性層20のMQW構造が無秩序化され、他の領域よりもMQW活性層20のエネルギーバンドギャップが広がっている。n-AlGaAsクラッド層16は、n-AlGaAsクラッド層14よりもキャリア濃度が低くなっており、窓領域36が形成された領域のn-AlGaAsクラッド層16の導電型は、N型からP型に反転している。窓領域36が形成された領域のn-AlGaAsクラッド層14の導電型は、N型のままである。リッジ導波路構造40の側面部には、パッシベーション膜42が形成されている。リッジ導波路構造40のp-GaAsコンタクト層28上には、P型電極46が形成されている。また、n-GaAs基板10の裏面には、N型電極44が形成されている。このように、本実施形態による光半導体素子は、下部クラッド層が、第1の膜n-AlGaAsクラッド層14と、第1の膜よりもキャリア濃度の低い第2の膜n-AlGaAsクラッド層16とを有している。そして、窓領域36が形成された領域の第2の膜の導電型が反転しており、窓領域36が形成された領域の第1の膜とは逆導電型になっている。これにより、窓領域36の第2の膜が電流ブロック層として機能する。各層のキャリア濃度の関係は、X1>Y>X2と表すことができる。ここで、X1は第1の膜n-AlGaAsクラッド層14のキャリア濃度、X2は第2の膜n-AlGaAsクラッド層16、Yは窓領域36内のZnの濃度である。電流ブロック層としての機能を十分に確保するためには、第2の膜の導電型が十分に反転していることが求められる。かかる観点から、Y-X2≧1×1017cm-3の関係を満たすことが望ましい。また、不純物を添加して窓領域36を形成する場合、自由キャリア吸収損失を抑制する観点からは、窓領域36におけるZn濃度を5×1017cm-3以下に設定することが望ましい例えば、特許文献3を参照。本実施形態による光半導体素子では、下部クラッド層の一部の導電型を反転することにより電流ブロック層を形成しているため、電流ブロック層がリッジ導波路構造40の形状に影響することはない。これにより、リッジ導波路構造40上を平坦にすることができ、リッジ導波路構造40側にサブマウントを接合するジャンクションダウン組立を行う場合にもリッジ導波路構造40の端面部にストレスが加わることを防止することができる。したがって、光半導体素子の信頼性を向上することができる。次に、本実施形態による光半導体素子の製造方法について図2乃至図6を用いて説明する。まず、n-GaAs基板10上に、例えば有機金属気相成長MetalOrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法により、例えば膜厚が0.3μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のSiドープGaAsをエピタキシャル成長し、n-GaAsバッファ層12を形成する。n-GaAs基板10としては、例えば、キャリア濃度が1×1018cm-3のSiドープGaAs001基板を用いる。次いで、n-GaAsバッファ層12上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が1.5μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のSiドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、n-AlGaAsクラッド層14を形成する。次いで、n-AlGaAsクラッド層14上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.5μm、キャリア濃度が1×1017cm-3のSiドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、n-AlGaAsクラッド層16を形成する。次いで、n-AlGaAsクラッド層16上に、例えばMOCVD法により、バリア層としてのGaAsと井戸層としてのInGaAsとを繰り返し成長し、所定層数の井戸層を有するMQWMultipleQuantumWell活性層20を形成する。次いで、MQW活性層20上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が1.0μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のZnドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、p-AlGaAsクラッド層22を形成する。次いで、p-AlGaAsクラッド層22上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.3μm、キャリア濃度が1×1019cm-3のZnドープGaAsをエピタキシャル成長し、p-GaAsコンタクト層28を形成する図2。本実施形態による光半導体素子の製造に必要な結晶成長工程は、上記一連の半導体層を成長するための1回だけである。次いで、p-GaAsコンタクト層28上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層30を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層30をパターニングし、レーザ端面となる領域のマスク層30に、例えば幅40μmの開口部32を形成する図3。次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えばZnOを堆積し、不純物Znの拡散源となるZnO膜34を形成する。次いで、約600°Cの熱処理を行い、ZnO膜34中のZnを、マスク層30をマスクとして、少なくともn-AlGaAsクラッド層16とn-AlGaAsクラッド層14との界面まで、ここではn-AlGaAsクラッド層14の途中まで、拡散させる。これにより、レーザ端面となる開口部32内の領域に、Znが選択的に添加された窓領域36を形成する図4。この際、拡散したZnによって窓領域36内のn-AlGaAsクラッド層16の導電型がN型からP型に反転し、一方、n-AlGaAsクラッド層14の導電型はP型に反転しないように、熱処理温度及び熱処理時間を適宜設定する。自由キャリア吸収損失を抑制する観点からは、窓領域36内に添加するZnの濃度を5×1017cm-3以下に設定することが望ましい。P型に反転したn-AlGaAsクラッド層16は、電流ブロック層として機能する。n-AlGaAsクラッド層16の不純物濃度を低く設定しておくことにより、窓領域36内に添加するZnの濃度が5×1017cm-3を超えることなく、電流ブロック層を形成することができる。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、ZnO膜34及びマスク層30を除去する。次いで、p-GaAsコンタクト層28上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層38を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層38をパターニングし、リッジ導波路を形成するストライプ状の領域にマスク層38を選択的に残存させる。次いで、マスク層38をマスクとして、p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層22をエッチングし、リッジ導波路構造40を形成する図5。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、マスク層38を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のパッシベーション膜42を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上のパッシベーション膜42を除去する。次いで、n-GaAs基板10の裏面にN型電極44を、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上にP型電極46を形成し、本実施形態による光半導体素子を完成する図6。このように、本実施形態によれば、共振器を形成する端面となる領域の近傍に不純物を添加する簡便な製造プロセスにより、端面窓構造を形成するとともに、窓領域への電流注入を抑制するための電流ブロック層を形成することができる。また、電流ブロック層は、上部クラッド層又は下部クラッド層の一部の領域の導電型を反転することにより形成するため、リッジ導波路構造上を平坦にすることができる。これにより、ジャンクションダウン組立を行う場合に端面部にストレスが加わるのを防止することができ、光半導体素子の信頼性を向上することができる。[第2実施形態]第2実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図7乃至図12を用いて説明する。図1乃至図6に示す第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。図7は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す斜視図である。図8乃至図12は、本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す斜視図である。はじめに、本実施形態による光半導体素子の構造について図7を用いて説明する。n-GaAs基板10上には、n-GaAsバッファ層12、n-AlGaAsクラッド層18、MQW活性層20、p-AlGaAsクラッド層24,26、及びp-GaAsコンタクト層28が順次形成されている。p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層26は、リッジ形状に加工されており、リッジ導波路構造40を形成している。これら半導体層の積層構造体は、リッジ導波路構造40が所定の長さになるようにリッジ導波路構造40と交差する方向に劈開されており、一対の端面によって共振器を形成している。リッジ導波路構造40の両端面部のp-GaAsコンタクト層28、p-AlGaAsクラッド層26,24、MQW活性層20及びn-AlGaAsクラッド層18には、窓領域36が形成されている。窓領域36は、Siが選択的に添加された領域であり、Siの添加によってMQW活性層20のMQW構造が無秩序化され、他の領域よりもMQW活性層20のエネルギーバンドギャップが広がっている。p-AlGaAsクラッド層24は、p-AlGaAsクラッド層26よりもキャリア濃度が低くなっており、窓領域36が形成された領域のp-AlGaAsクラッド層24の導電型は、P型からN型に反転している。窓領域36が形成された領域のp-AlGaAsクラッド層26の導電型は、P型のままである。リッジ導波路構造40の側面部には、パッシベーション膜42が形成されている。リッジ導波路構造40のp-GaAsコンタクト層28上には、P型電極46が形成されている。また、n-GaAs基板10の裏面には、N型電極44が形成されている。このように、本実施形態による光半導体素子は、上部クラッド層が、第1の膜p-AlGaAsクラッド層26と、第1の膜よりもキャリア濃度の低い第2の膜p-AlGaAsクラッド層24とを有している。そして、窓領域36が形成された領域の第2の膜の導電型が反転しており、窓領域36が形成された領域の第1の膜とは逆導電型になっている。これにより、窓領域36の第2の膜が電流ブロック層として機能する。各層のキャリア濃度の関係は、X1>Y>X2と表すことができる。ここで、X1は第1の膜p-AlGaAsクラッド層26のキャリア濃度、X2は第2の膜p-AlGaAsクラッド層24、Yは窓領域36内のSiの濃度である。電流ブロック層としての機能を十分に確保するためには、第2の膜の導電型が十分に反転していることが求められる。かかる観点から、Y-X2≧1×1017cm-3の関係を満たすことが望ましい。また、不純物を添加して窓領域36を形成する場合、自由キャリア吸収損失を抑制する観点から、窓領域36におけるSi濃度を5×1017cm-3以下に設定することが望ましい。本実施形態による光半導体素子では、上部クラッド層の一部の導電型を反転することにより電流ブロック層を形成しているため、電流ブロック層がリッジ導波路構造40の形状に影響することはない。これにより、リッジ導波路構造40上を平坦にすることができ、リッジ導波路構造40側にサブマウントを接合するジャンクションダウン組立を行う場合にもリッジ導波路構造40の端面部にストレスが加わることを防止することができる。したがって、光半導体素子の信頼性を向上することができる。次に、本実施形態による光半導体素子の製造方法について図8乃至図12を用いて説明する。まず、n-GaAs基板10上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.3μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のSiドープGaAsをエピタキシャル成長し、n-GaAsバッファ層12を形成する。次いで、n-GaAsバッファ層12上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が2.0μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のSiドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、n-AlGaAsクラッド層18を形成する。次いで、n-AlGaAsクラッド層18上に、例えばMOCVD法により、バリア層としてのGaAsと井戸層としてのInGaAsとを繰り返し成長し、所定層数の井戸層を有するMQW活性層20を形成する。次いで、MQW活性層20上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.5μm、キャリア濃度が1×1017cm-3のZnドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、p-AlGaAsクラッド層24を形成する。次いで、p-AlGaAsクラッド層24上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.5μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のZnドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、p-AlGaAsクラッド層26を形成する。次いで、p-AlGaAsクラッド層26上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.3μm、キャリア濃度が1×1019cm-3のZnドープGaAsをエピタキシャル成長し、p-GaAsコンタクト層28を形成する図8。本実施形態による光半導体素子の製造に必要な結晶成長工程は、上記一連の半導体層を成長するための1回だけである。次いで、p-GaAsコンタクト層28上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層30を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層30をパターニングし、レーザ端面となる領域のマスク層30に開口部32を形成する図9。次いで、マスク層30をマスクとして、Siイオンをイオン注入する。この際、少なくともMQW活性層20とn-AlGaAsクラッド層18との界面まで、ここではn-AlGaAsクラッド層18の途中まで、Siイオンをイオン注入する。例えば、上述の層構成の場合、Siイオンを、加速エネルギー300keV、ドーズ量1×1014cm-2の条件でイオン注入する。次いで、As圧をかけながら約700°Cの熱処理を行うことで、MQW活性層を無秩序化してバンドギャップを広げる。これにより、レーザ端面となる開口部32内の領域に、Siが選択的に添加された窓領域36を形成される図10。この際、注入したSiによって窓領域36内のp-AlGaAsクラッド層24の導電型がP型からN型に反転し、一方、p-AlGaAsクラッド層26の導電型はN型に反転しないように、Siイオンのイオン注入条件を適宜設定する。N型に反転したn-AlGaAsクラッド層24は、電流ブロック層として機能する。p-AlGaAsクラッド層24の不純物濃度を低く設定しておくことにより、窓領域36内に添加するZnの濃度が5×1017cm-3を超えることなく、電流ブロック層を形成することができる。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、マスク層30を除去する。次いで、p-GaAsコンタクト層28上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層38を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層38をパターニングし、リッジ導波路を形成するストライプ状の領域にマスク層38を選択的に残存させる。次いで、マスク層38をマスクとして、p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層26をエッチングし、リッジ導波路構造40を形成する図11。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、マスク層38を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のパッシベーション膜42を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上のパッシベーション膜42を除去する。次いで、n-GaAs基板10の裏面にN型電極44を、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上にP型電極46を形成し、本実施形態による光半導体素子を完成する図12。このように、本実施形態によれば、共振器を形成する端面となる領域の近傍に不純物を添加する簡便な製造プロセスにより、端面窓構造を形成するとともに、窓領域への電流注入を抑制するための電流ブロック層を形成することができる。また、電流ブロック層は、上部クラッド層又は下部クラッド層の一部の領域の導電型を反転することにより形成するため、リッジ導波路構造上を平坦にすることができる。これにより、ジャンクションダウン組立を行う場合に端面部にストレスが加わるのを防止することができ、光半導体素子の信頼性を向上することができる。[第3実施形態]第3実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図13乃至図19を用いて説明する。図1乃至図12に示す第1及び第2実施形態による光半導体素子及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。図13は、本実施形態による光半導体素子の構造を示す斜視図である。図14乃至図19は、本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す斜視図である。本実施形態による光半導体装置は、p-AlGaAsクラッド層22及びp-GaAsコンタクト層28に窓領域36が形成されていないほかは、第1実施形態による光半導体装置と同様である。窓領域36は、必ずしもp-AlGaAsクラッド層22及びp-GaAsコンタクト層28に形成されている必要はなく、この場合にも第1実施形態による光半導体素子と同様の効果を得ることができる。次に、本実施形態による光半導体素子の製造方法について図14乃至図19を用いて説明する。まず、例えば第1実施形態による光半導体素子の製造方法と同様にして、n-GaAs基板10上に、n-GaAsバッファ層12、n-AlGaAsクラッド層14,16、MQW活性層20を形成する。次いで、MQW活性層20上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が50nmのZnドープGaAsをエピタキシャル成長し、p-GaAsキャップ層48を形成する図14。次いで、p-GaAsキャップ層48上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層30を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層30をパターニングし、レーザ端面となる領域のマスク層30に開口部32を形成する図15。次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えばZnOを堆積し、不純物Znの拡散源となるZnO膜34を形成する。次いで、約600°Cの熱処理を行い、ZnO膜34中のZnを、マスク層30をマスクとして、少なくともn-AlGaAsクラッド層16とn-AlGaAsクラッド層14との界面まで、ここではn-AlGaAsクラッド層14の途中まで、拡散させる。これにより、レーザ端面となる開口部32内の領域に、Znが選択的に添加された窓領域36を形成する図16。この際、拡散したZnによって窓領域36内のn-AlGaAsクラッド層16の導電型がN型からP型に反転し、一方、n-AlGaAsクラッド層14の導電型はP型に反転しないように、熱処理温度及び熱処理時間を適宜設定する。自由キャリア吸収損失を抑制する観点からは、窓領域36内に拡散するZnの濃度を5×1017cm-3以下に設定することが望ましい。P型に反転したn-AlGaAsクラッド層16は、電流ブロック層として機能する。なお、第1実施形態では、p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層22を介してMQW活性層20及びn-AlGaAsクラッド層16にZnを拡散している。これに対し、本実施形態では、MQW活性層20上のp-GaAsキャップ層48のみを介してZnを拡散している。このため、Znの拡散を短時間で行うことができ、素子製造のスループットを向上することができる。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、ZnO膜34及びマスク層30を除去する。次いで、p-GaAsキャップ層48上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が1.0μm、キャリア濃度が1×1018cm-3のZnドープAlGaAsをエピタキシャル成長し、p-AlGaAsクラッド層22を形成する。次いで、p-AlGaAsクラッド層22上に、例えばMOCVD法により、例えば膜厚が0.3μm、キャリア濃度が1×1019cm-3のZnドープGaAsをエピタキシャル成長し、p-GaAsコンタクト層28を形成する図17。次いで、p-GaAsコンタクト層28上に、例えばCVD法により、例えばシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のマスク層38を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングによりマスク層38をパターニングし、リッジ導波路を形成するストライプ状の領域にマスク層38を選択的に残存させる。次いで、マスク層38をマスクとして、p-GaAsコンタクト層28及びp-AlGaAsクラッド層22をエッチングし、リッジ導波路構造40を形成する図18。次いで、例えば弗酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、マスク層38を除去する。次いで、全面に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜のパッシベーション膜42を形成する。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上のパッシベーション膜42を除去する。次いで、n-GaAs基板10の裏面にN型電極44を、リッジ導波路構造40のコンタクト層28上にP型電極46を形成し、本実施形態による光半導体素子を完成する図19。このように、本実施形態によれば、共振器を形成する端面となる領域の近傍に不純物を添加する簡便な製造プロセスにより、端面窓構造を形成するとともに、窓領域への電流注入を抑制するための電流ブロック層を形成ことができる。また、電流ブロック層は、上部クラッド層又は下部クラッド層の一部の領域の導電型を反転することにより形成するため、リッジ導波路構造上を平坦にすることができる。これにより、ジャンクションダウン組立を行う場合に端面部にストレスが加わるのを防止することができ、光半導体素子の信頼性を向上することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記第3実施形態には、MQW活性層20上のp-GaAsキャップ層48を介してZnを拡散することにより窓領域36を形成する例を示したが、同様の手法を第2実施形態による光半導体素子の製造方法に適用することもできる。この場合、例えば、p-AlGaAsクラッド層24を形成する工程の後からp-GaAsコンタクト層28を形成する工程前までの間に、Siイオン注入を行うようにすればよい。これにより、Siイオン注入する深さが浅くなるため、加速電圧を下げることができ、イオン注入によるダメージを低減することができる。また、上記実施形態に記載した光半導体素子の構造、構成材料、製造条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、基板10としてn-GaAs基板を用いたが、p-GaAs基板でもよい。また、基板材料はGaAsに限定されるものではなく、例えばInP等でもよい。また、各層の組成も、上記実施形態に記載のものに限定されるものではなく、結晶成長が可能な範囲で他の材料を用いるようにしてもよい。例えば、上記実施形態では、クラッド層にAlGaAs、活性層にInGaAsを用いた構造を示したが、クラッド層にInGaPやAlGaInPを用い、活性層にInGaPやAlGaAsを用いた構造としてもよい。また、上記第1及び第3実施形態では、窓領域36を形成するP型不純物としてZnを用いたが、窓領域36を形成するP型不純物はZnに限定されるものではない。Znのほか、Beベリリウム、C炭素、Mgマグネシウム等を適用することができる。また、上記実施形態では、ファブリペローFabryPerot:FPレーザに適用した例を示したが、特にこれに限定されるものではなく、例えば、単一縦モードで発振させるために回折格子を形成した分布帰還型DistributedFeedback:DFBレーザ、分布ブラッグ反射型DistributedBraggReflector:DBRレーザ等に適用してもよい。以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって前記活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、前記第1のクラッド層及び前記第2のクラッド層のうちの一方は、第1の層と、前記活性層と前記第1の層との間に設けられ、前記第1の層よりもキャリア濃度の低い第2の層とを有し、前記窓領域が設けられた部分の前記第2の層の導電型が前記不純物によって反転していることを特徴とする光半導体素子。付記2付記1記載の光半導体素子において、前記窓領域の前記不純物の濃度は、前記第2の層のキャリア濃度よりも高く、前記第1の層のキャリア濃度よりも低いことを特徴とする光半導体素子。付記3付記1又は2記載の光半導体素子において、前記第2の層のキャリア濃度をX2、前記窓領域の前記不純物の濃度をYとして、Y-X2≧1×1017cm-3の関係を満たしていることを特徴とする光半導体素子。付記4付記1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記窓領域の前記不純物の濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする光半導体素子。付記5付記1乃至4のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記不純物は、Zn、Be、C若しくはMg又はSiであることを特徴とする光半導体素子。付記6第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する第1の下部クラッド層を形成する工程と、前記第1のクラッド層上に、前記第1導電型を有し、前記第1の下部クラッド層よりもキャリア濃度の低い第2の下部クラッド層を形成する工程と、前記第2の下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第2の下部クラッド層に第2導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第2の下部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記7付記6記載の光半導体素子の製造方法において、前記不純物を添加する工程では、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度が、前記第2の下部クラッド層のキャリア濃度よりも高く、前記第1の下部クラッド層のキャリア濃度よりも低くなるように、前記不純物を添加することを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記8付記6又は7記載の光半導体素子の製造方法において、前記第2の下部クラッド層のキャリア濃度をX、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度をYとして、Y-X≧1×1017cm-3の関係を満たしていることを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記9付記6乃至8のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする光半導体素子。付記10付記6乃至9のいずれか1項記載の光半導体素子の製造方法において、前記不純物を添加する工程は、前記上部クラッド層を形成する工程の前に行うことを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記11第1導電型の半導体基板上に、第1導電型を有する下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第2導電型を有する第1の上部クラッド層を形成する工程と、前記第1の上部クラッド層上に、前記第2導電型を有し、前記第1の上部クラッド層よりキャリア濃度の高い第2の上部クラッド層を形成する工程と、共振器を形成するための一対の端面となる領域の近傍の前記活性層及び前記第1の上部クラッド層に第1導電型の不純物を添加し、不純物を添加した領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップを他の領域の前記活性層のエネルギーバンドギャップよりも広げるとともに、前記不純物を添加した領域の前記第1の上部クラッド層の導電型を反転させる工程とを有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記12付記11記載の光半導体素子の製造方法において、前記不純物を添加する工程では、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度が、前記第1の上部クラッド層のキャリア濃度よりも高く、前記第2の上部クラッドのキャリア濃度よりも低くなるように、前記不純物を添加することを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記13付記11又は12記載の光半導体素子の製造方法において、前記第1の上部クラッド層のキャリア濃度をX、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度をYとして、Y-X≧1×1017cm-3の関係を満たしていることを特徴とする光半導体素子の製造方法。付記14付記11乃至13のいずれか1項に記載の光半導体素子において、前記不純物を添加した領域の前記不純物の濃度は、5×1017cm-3以下であることを特徴とする光半導体素子。付記15付記11乃至14のいずれか1項に記載の光半導体素子の製造方法において、前記不純物を添加する工程は、前記第2の上部クラッド層を形成する工程の前に行うことを特徴とする光半導体素子の製造方法。"