基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理装置において、基板を水平方向に搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラにより搬送される基板に処理液を噴出するための複数のスプレーノズルと、を備えた処理部と、前記処理部の水平面に対する角度を変更するための角度変更機構と、基板検査装置による処理を行うべき基板の表面の検査結果に基づいて、前記角度変更機構により前記処理部の角度を変更する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。請求項1に記載の基板処理装置において、前記処理部は、前記複数のスプレーノズルから噴出される処理液の流量を変更する流量変更機構をさらに備え、前記制御部は、基板検査装置による処理を行うべき基板の表面の検査結果に基づいて、前記流量変更機構により前記各スプレーノズルから噴出される処理液の流量を変更する基板処理装置。請求項2に記載の基板処理装置において、前記処理液は、基板の表面に形成された膜をエッチングするエッチング液である基板処理装置。請求項3に記載の基板処理装置において、前記基板検査装置により検査したエッチングすべき膜の膜厚が均一である場合には、前記制御部は前記角度変更機構により前記処理部の角度を水平面に対して傾斜させるとともに、前記基板検査装置により検査したエッチングすべき膜の膜厚が不均一である場合には、前記制御部は前記角度変更機構により前記処理部の角度を水平面と平行に向けるとともに、前記流量変更機構により膜厚の厚い部分に対応する領域において、前記各スプレーノズルから噴出されるエッチング液の流量を多くする基板処理装置。基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理方法において、基板の表面を検査する検査工程と、前記検査工程において検査された基板の表面の状態に基づいて、搬送ローラにより基板を搬送するときの基板の表面の水平面に対する角度と、複数のスプレーノズルから基板に供給する処理液の基板の領域毎の流量とを変更する処理条件変更工程と、前記搬送ローラにより搬送される基板に対して各スプレーノズルから処理液を噴出して基板を処理する処理工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。搬送ローラにより水平方向に搬送される基板の表面に対して、スプレーノズルによりエッチング液等の処理液を噴出する構成を有する基板処理装置においては、上述したSPCやAPCの考え方に基づき、基板の処理時間や処理液の温度を制御することは可能である。しかしながら、スプレーノズルによりエッチング液等の処理液を噴出する構成を有する基板処理装置においては、処理液を供給するときの基板の角度が、その主面が水平面に対して平行に向く場合と、その主面が水平面に対して傾斜する場合とでは、基板の処理結果が大幅に異なることになる。また、従来の基板処理装置においては、例えば、基板上に形成された自然酸化膜等の薄膜の膜厚が不均一であった場合には、これに対応することができないという問題も生じている。この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板の表面の検査結果に応じて基板を適正に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。請求項1に記載の発明は、基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理装置において、基板を水平方向に搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラにより搬送される基板に処理液を噴出するための複数のスプレーノズルと、を備えた処理部と、前記処理部の水平面に対する角度を変更するための角度変更機構と、基板検査装置による処理を行うべき基板の表面の検査結果に基づいて、前記角度変更機構により前記処理部の角度を変更する制御部とを備えたことを特徴とする。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記処理部は、前記複数のスプレーノズルから噴出される処理液の流量を変更する流量変更機構をさらに備え、前記制御部は、基板検査装置による処理を行うべき基板の表面の検査結果に基づいて、前記流量変更機構により前記各スプレーノズルから噴出される処理液の流量を変更する。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記処理液は、基板の表面に形成された膜をエッチングするエッチング液である。請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記基板検査装置により検査したエッチングすべき膜の膜厚が均一である場合には、前記制御部は前記角度変更機構により前記処理部の角度を水平面に対して傾斜させるとともに、前記基板検査装置により検査したエッチングすべき膜の膜厚が不均一である場合には、前記制御部は前記角度変更機構により前記処理部の角度を水平面と平行に向けるとともに、前記流量変更機構により膜厚の厚い部分に対応する領域において、前記各スプレーノズルから噴出されるエッチング液の流量を多くする。請求項5に記載の発明は、基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理方法において、基板の表面を検査する検査工程と、前記検査工程において検査された基板の表面の状態に基づいて、搬送ローラにより基板を搬送するときの基板の表面の水平面に対する角度と、複数のスプレーノズルから基板に供給する処理液の基板の領域毎の流量とを変更する処理条件変更工程と、前記搬送ローラにより搬送される基板に対して各スプレーノズルから処理液を噴出して基板を処理する処理工程とを備えたことを特徴とする。請求項1および請求項5に記載の発明によれば、基板の表面の検査結果に応じて処理部の角度を変更することにより、基板を適正に処理することが可能となる。請求項2に記載の発明によれば、基板の表面の検査結果に応じてスプレーノズルから噴出される処理液の流量を変更することにより、基板をさらに適正に処理することが可能となる。請求項3に記載の発明によれば、エッチング液によるエッチング結果を均一なものとすることが可能となる。請求項4に記載の発明によれば、エッチングすべき膜の膜厚が均一である場合には処理部の角度を水平面に対して傾斜させて迅速にエッチングを行うとともに、エッチングすべき膜の膜厚が不均一である場合には、処理部の角度を水平面と平行に向けた状態で膜厚の厚い部分に対応する領域においてスプレーノズルから噴出されるエッチング液の流量を多くすることにより、エッチング液によるエッチング結果をさらに均一なものとすることが可能となる。以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は、この発明に係る基板処理装置と基板検査装置10との関係を示す説明図である。また、図2は、この発明に係る基板処理装置の斜視図である。さらに、図3は、角度変更機構の概要図である。この基板処理装置は、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板に対してレーザーアニールを行う前に、アモルファスシリコン層表面に形成された酸化膜のエッチング処理を行うためのものである。このエッチング処理に使用される処理液は、フッ酸フッ化水素水/HFが使用される。この基板処理装置は、ガラス基板を搬入するための搬入部11と、ガラス基板を処理する第1処理部12および第2処理部13と、ガラス基板100図4参照を搬出するための搬出部14とを備える。図1に示すように、この基板処理装置には、前工程である基板検査装置10によりその表面に形成された酸化膜の膜厚が検査されたガラス基板が搬入される。この基板処理装置における搬入部11と、第1処理部12と、第2処理部13と、搬出部14とは互いに連結されており、角度変更機構により、図2および図3に示す軸15を中心として一体的に揺動する構成となっている。すなわち、図2および図3に示すように、この基板処理装置における搬入部11の一端には、ピン16が立設されている。また、この搬入部11の側方には、長孔17が形成された係合部材18と、この係合部材18に形成されたネジ穴に螺合するボールねじ19と、このボールねじ19を回転駆動する昇降用モータ20とを有する角度変更機構が配設されている。なお、搬出部14の側方にも、図2および図3に示す角度変更機構と同様の角度変更機構が配設されている。このため、この基板処理装置における搬入部11と、第1処理部12と、第2処理部13と、搬出部14とは、昇降用モータ20の駆動により、図3において実線で示すそれらが水平面と平行に向く位置と、図3において仮想線で示すそれらが水平面に対して傾斜した位置との間を、軸15を中心に一体となって揺動する。図4は、第1処理部12の要部を示す斜視図である。また、図5は、第1処理部12の要部を示す平面図である。さらに、図6は、第1処理部12におけるガラス基板100の搬送機構の要部を示す正面図である。なお、第2処理部13も、この第1処理部12と同様の構成を有する。ここで、図5においては、説明の便宜上、スプレーノズル31の下面に形成される噴出口32を上面に図示している。また、図4においては、図5において7個配設されたスプレーノズル31等のうち、3個のみを図示している。この第1処理部12は、駆動軸51およびローラ部52から構成され、ガラス基板100を水平方向に搬送する搬送ローラと、搬送ローラにより搬送されるガラス基板100に対して噴出口32から処理液を噴出するためのスプレーノズル31とを備える。各スプレーノズル31には、図5に示す供給管33から、図示しない処理液貯留部に貯留された処理液が圧送される。そして、各スプレーノズル31に供給される処理液の流量は、各スプレーノズル31毎に配設された流量変更機構としてのマスフローコントローラ41により変更される。ここで、マスフローコントローラ41は、その内部に流量計や流量制御弁を備え、後述する制御部23の制御により、そこを流れる処理液の流量を制御するためものである。駆動軸51およびローラ部52から構成される搬送ローラにより搬送されるガラス基板100の図2および図3に示す軸15側の端部には、図6に示すように、軸53を中心として回転する案内ローラ54が配設されている。この案内ローラ54は、この基板処理装置における搬入部11と、第1処理部12と、第2処理部13と、搬出部14とが傾斜したときに、ガラス基板100の傾斜下端縁と当接して、このガラス基板100を支持するためのものである。図7は、この発明に係る基板処理装置の主要な制御系を示すブロック図である。この基板処理装置は、装置全体を制御する制御部23を備える。この制御部23は、上述した複数のマスフローコントローラ41と接続されている。また、この制御部23は、ガラス基板100に供給する処理液の温度を制御するための温度コントローラ22と、駆動軸51およびローラ部52から構成される搬送ローラを回転駆動する搬送用モータ21とも接続されている。また、この制御部23は、上述した角度変更機構における昇降用モータ20とも接続されている。さらに、この制御部23は、基板検査装置10と、オフラインで接続されている。以上のような構成を有する基板処理装置においては、最初に、基板検査装置10により処理を行うべきガラス基板100を検査した検査結果を取り込む。この検査結果は、基板検査装置10による検査データを制御部23がオフラインで取り込むことにより行われる。なお、この検査データをオンラインで取り込んでもよい。そして、制御部23は、この検査データから、エッチングすべき膜の膜厚が均一であるかどうかを判定する。そして、制御部23が膜厚が均一であると判断した場合には、角度変更機構における昇降用モータ20に指令を出し、昇降用モータ20の駆動によりボールねじ19を回転させ、第1処理部12および第2処理部13を、搬入部11および搬出部14とともに、水平面に対して傾斜させる。この状態において、ガラス基板100を搬入部11を介して第1処理部12および第2処理部13に順次搬送する。そして、駆動軸51およびローラ部52から構成される搬送ローラによりガラス基板100を搬送し、このガラス基板100に対してスプレーノズル31から処理液を供給する。これにより、ガラス基板100の全面が均一にエッチング処理される。このときには、ガラス基板100は、その主面が傾斜した状態で搬送されていることから、ガラス基板100の表面における処理液の置換性が向上し、ガラス基板100を迅速にエッチング処理することが可能となる。なお、このときには、エッチング処理すべき層の膜厚に応じて、図7に示す温度コントローラ22により処理液の温度を制御するとともに、搬送用モータ21の回転数を制御することにより、ガラス基板100の搬送速度を変更する。一方、制御部23がエッチングすべき膜の膜厚が不均一であると判断した場合には、角度変更機構における昇降用モータ20に指令を出し、昇降用モータ20の駆動によりボールねじ19を回転させ、第1処理部12および第2処理部13を、搬入部11および搬出部14とともに、水平面と平行に向く位置に配置する。しかる後、駆動軸51およびローラ部52から構成される搬送ローラによりガラス基板100を搬送し、このガラス基板100に対してスプレーノズル31から処理液を供給する。このときには、複数のスプレーノズル31に対応するマスフローコントローラ41を制御することにより、エッチングすべき膜の膜厚が厚い部分に対応する領域と対向配置されるスプレーノズル31から噴出される処理液の流量を多くする。また、これとは逆に、エッチングすべき膜の膜厚が薄い部分に対応する領域と対向配置されるスプレーノズル31から噴出される処理液の流量を少なくする。これにより、ガラス基板100の全域に対して、均一にエッチング処理を実行することが可能となる。このときにも、エッチング処理すべき層の膜厚に応じて、図7に示す温度コントローラ22により処理液の温度を制御するとともに、搬送用モータ21の回転数を制御することにより、ガラス基板100の搬送速度を変更する。そして、処理が終了したガラス基板100は、搬出部14を介して搬出される。以上のように、この発明に係る基板処理装置においては、エッチングすべき膜の膜厚が均一であった場合には、ガラス基板100の主面を傾斜させた状態で処理液を供給してエッチング処理を実行することから、処理液を効率的に置換して迅速にエッチングを実行することが可能となる。また、エッチングすべき膜の膜厚が不均一であった場合には、その膜厚に応じてスプレーノズル31から噴出されるエッチング液の流量を変更することにより、エッチング液によるエッチング結果をガラス基板100の全域においてより均一なものとすることが可能となる。なお、上述した実施形態において、処理を行うべきガラス基板100を搬入部11を介して第1処理部12および第2処理部13に搬入するときには、傾斜状態となっている第1搬送部11に対して、基板検査装置10からそのままガラス基板100を搬入可能な搬送機構がない場合には、水平面と平行に向く位置に配置した搬入部11にガラス基板100が搬入された後に、搬入部11、第1処理部12、第2処理部13および搬出部14を傾斜させればよい。同様に、傾斜状態にある搬出部14からそのままガラス基板100を排出する搬送機構がない場合には、ガラス基板100の処理を完了した搬入部11、第1処理部12、第2処理部13および搬出部14を傾斜状態から水平状態に移動させた後に、搬出部14からガラス基板100を搬出するようにすればよい。次に、この発明の他の実施形態について説明する。図8は、この発明の第2実施形態に係る第1処理部12の要部を示す平面図である。なお、上述した第1実施形態と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。ここで、この第2実施形態においても、第2処理部13も、この第1処理部12と同様の構成を有する。また、図8においても、説明の便宜上、スプレーノズル31の下面に形成される噴出口32を上面に図示している。なお、図8においては、図5に示す供給管33の図示を省略している。上述した第1実施形態においては、エッチングすべき膜の膜厚が不均一であった場合に、その膜厚に応じてスプレーノズル31から噴出されるエッチング液の流量を変更する構成を採用している。このとき、上述した第1実施形態においては、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向の膜厚の不均一さに対しては、スプレーノズル31から噴出されるエッチング液の流量を変更することで対応することが可能であるが、ガラス基板100の搬送方向の膜厚の不均一さに対しては対応することができない。この第2実施形態においては、スプレーノズル31とマスフローコントローラ41とを、ガラス基板100の搬送方向に沿って複数個配設することにより、ガラス基板100の搬送方向の膜厚の不均一さにも対応するためのものである。すなわち、この第2実施形態に係る第1処理部12は、21個のスプレーノズル31および21個のマスフローコントローラ31を、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向に7列、また、ガラス基板100の搬送方向に3列、配置したものである。各マスフローコントローラ41には、第1実施形態に係る供給管33と同様の供給管から処理液が供給される。この第2実施形態に係る第1処理部12においては、制御部23がエッチングすべき膜の膜厚が不均一であると判断した場合には、第1実施形態の場合と同様、第1処理部12および第2処理部13を、搬入部11および搬出部14とともに、水平面と平行に向く位置に配置する。そして、複数のスプレーノズル31に対応するマスフローコントローラ41を制御することにより、エッチングすべき膜の膜厚が厚い部分に対応する領域と対向配置されるスプレーノズル31から噴出される処理液の流量を多くする。この場合に、ガラス基板100の現在の位置とガラス基板100の各領域における膜厚との関係から、スプレーノズル31から噴出する処理液の量を、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向のみならず、ガラス基板100の搬送方向に対しても異ならせる。これにより、ガラス基板100の搬送方向と直交する方向のみではなく、ガラス基板100の搬送方向の膜厚の不均一さにも対応することが可能となる。なお、上述した実施形態においては、ガラス基板100をエッチング液でエッチング処理する場合について説明したが、例えば、ガラス基板100を洗浄処理する場合にこの発明を適用してもよい。この場合においては、汚染の程度に応じて、第1処理部12および第2処理部13の傾斜角度を変更するようにすればよい。