"成分Aカルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2と、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3と、を有する重合体、成分B光酸発生剤、並びに、成分C溶剤、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。前記モノマー単位a3が、下記構造S1~S14よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位である、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。構造S1~S14中のR、R’及びRはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表し、は他の構造との連結部を表す。成分Aの重量平均分子量が、5,000以上である、請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。成分Aにおけるモノマー単位a3の含有量が、成分Aの全モノマー単位に対し、50モル以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。成分Aが、カルボキシ基又は水酸基を有するモノマー単位a5を更に有する重合体である、請求項1~4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。成分D熱架橋剤を更に含む、請求項1~5のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。エッチングレジスト用ポジ型感光性樹脂組成物である、請求項1~6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。MEMS用構造部材用感光性樹脂組成物である、請求項1~6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。請求項1~8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物から溶剤を除去し膜を形成する膜形成工程、前記膜を活性光線によりパターン状に露光する露光工程、露光された前記膜を水性現像液により現像しパターンを形成する現像工程、及び、前記パターンを加熱するベーク工程、を含むパターン作製方法。前記現像工程後、かつ前記ベーク工程の前に、前記パターンを活性光線により露光するポスト露光工程を含む、請求項9に記載のパターン作製方法。前記ベーク工程後の前記パターンの断面形状におけるテーパー角が、70°以上である、請求項9又は10に記載のパターン作製方法。前記ベーク工程後の前記パターンの膜厚が、4~100μmである、請求項9~11のいずれか1項に記載のパターン作製方法。請求項9~12のいずれか1項に記載のパターン作製方法により作製したパターンを構造体積層時の犠牲層として用いて構造体を作製する工程、及び、前記犠牲層をプラズマ処理にて除去する工程、を含むMEMS構造体の作製方法。請求項9~12のいずれか1項に記載のパターン作製方法で作製したパターンを構造物積層時の犠牲層として用いて作製されたMEMS構造体。請求項9~12のいずれか1項に記載のパターン作製方法で作製したパターンをドライエッチング用レジストとして用いてドライエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むドライエッチング方法。請求項9~12のいずれか1項に記載のパターン作製方法で作製したパターンをウェットエッチング用レジストとして用いてウェットエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むウェットエッチング方法。請求項16に記載のMEMS構造体の作製方法により作製したMEMSシャッターデバイス。請求項17に記載のMEMSシャッターデバイスを備えた画像表示装置。例えば、MEMS作製時の犠牲層レジストであれば、レジスト形状がそのまま上部の積層構造に反映されるため、レジストの形状制御が重要である。また、ドライエッチングプロセスにおけるエッチングレジストとして使用する際には、エッチングによる精密なパターン作製を実現するため、矩形に近くテーパー角度の大きいプロファイル形成が求められる。更に、ドライエッチングやウェットエッチングプロセスにおいてレジスト膜が膨潤して剥離したり、溶解して消失したりすることのないよう、ある程度の溶剤耐性、薬品耐性、機械的強度などの耐久性が求められる。厚膜レジストとして使用する場合には、現像工程にて適正なパターンを得るために高感度が求められており、また、厚膜では熱フローや硬化収縮の影響が大きくなるため、プロファイル制御技術が一層重要なものとなる。なお、厚膜とは、溶剤除去後の乾燥膜厚が4~100μmであるレジストの使用形態を指す。従来のエッチングレジストでは、硬化膜強度を向上させるためのベーク工程を行うと、矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることが難しかった。例えば、前記特許文献1に記載の感光性樹脂組成物は、ベーク時の熱フローにより矩形プロファイルが得られないという問題があった。また、前記特許文献4では、逆に、パターン及びテーパーの曲線性が良いほど良い評価となっており、テーパー形状が矩形であるほど悪い評価となっている。本発明が解決しようとする課題は、形成したパターンをベークした後であっても矩形又は矩形に近いプロファイルが形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することである。本発明の上記課題は、以下の<1>、<9>又は<13>~<18>に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である<2>~<8>及び<10>~<12>とともに以下に記載する。<1>成分Aカルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2と、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3と、を有する重合体、成分B光酸発生剤、並びに、成分C溶剤、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、<2>前記モノマー単位a3が、下記構造S1~S14よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位である、上記<1>に記載のポジ型感光性樹脂組成物、構造S1~S14中のR、R’及びRはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の置換基を表し、は他の構造との連結部を表す。<3>成分Aの重量平均分子量が、5,000以上である、上記<1>又は<2>に記載のポジ型感光性樹脂組成物、<4>成分Aにおけるモノマー単位a3の含有量が、成分Aの全モノマー単位に対し、50モル以下である、上記<1>~<3>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、<5>成分Aが、カルボキシ基又は水酸基を有するモノマー単位a5を更に有する重合体である、上記<1>~<4>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、<6>成分D熱架橋剤を更に含む、上記<1>~<5>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、<7>エッチングレジスト用ポジ型感光性樹脂組成物である、上記<1>~<6>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、<8>MEMS用構造部材用感光性樹脂組成物である、上記<1>~<6>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、<9>上記<1>~<8>のいずれか1つに記載のポジ型感光性樹脂組成物から溶剤を除去し膜を形成する膜形成工程、前記膜を活性光線によりパターン状に露光する露光工程、露光された前記膜を水性現像液により現像しパターンを形成する現像工程、及び、前記パターンを加熱するベーク工程、を含むパターン作製方法、<10>前記現像工程後、かつ前記ベーク工程の前に、前記パターンを活性光線により露光するポスト露光工程を含む、上記<9>に記載のパターン作製方法、<11>前記ベーク工程後の前記パターンの断面形状におけるテーパー角が、70°以上である、上記<9>又は<10>に記載のパターン作製方法、<12>前記ベーク工程後の前記パターンの膜厚が、4~100μmである、上記<9>~<11>のいずれか1つに記載のパターン作製方法、<13>上記<9>~<12>のいずれか1つに記載のパターン作製方法により作製したパターンを構造体積層時の犠牲層として用いて構造体を作製する工程、及び、前記犠牲層をプラズマ処理にて除去する工程、を含むMEMS構造体の作製方法、<14>上記<9>~<12>のいずれか1つに記載のパターン作製方法で作製したパターンを構造物積層時の犠牲層として用いて作製されたMEMS構造体、<15>上記<9>~<12>のいずれか1つに記載のパターン作製方法で作製したパターンをドライエッチング用レジストとして用いてドライエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むドライエッチング方法、<16>上記<9>~<12>のいずれか1つに記載のパターン作製方法で作製したパターンをウェットエッチング用レジストとして用いてウェットエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むウェットエッチング方法、<17>上記<16>に記載のMEMS構造体の作製方法により作製したMEMSシャッターデバイス、<18>上記<17>に記載のMEMSシャッターデバイスを備えた画像表示装置。本発明によれば、形成したパターンをベークした後であっても矩形又は矩形に近いプロファイルが形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することができる。特に、矩形性が求められる厚膜レジスト用途に適している。以下、本発明のポジ型感光性樹脂組成物について詳細に説明する。なお、本発明において、数値範囲を表す下限~上限の記載は、下限以上、上限以下を表し、上限~下限の記載は、上限以下、下限以上を表す。すなわち、上限及び下限を含む数値範囲を表す。また、本発明において、成分Aカルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2と、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3と、を有する重合体等を、単に成分A等ともいい、カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1等を、単にモノマー単位a1等ともいう。ポジ型感光性樹脂組成物本発明のポジ型感光性樹脂組成物以下、単に感光性樹脂組成物ともいう。は、成分Aカルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2と、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3と、を有する重合体、成分B光酸発生剤、並びに、成分C溶剤、を含むことを特徴とする。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、化学増幅型のポジ型感光性樹脂組成物化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物であることが特に好ましい。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、エッチングレジスト用途であることが好ましく、膜厚4~100μmの厚膜エッチングレジスト用感光性樹脂組成物であることがより好ましい。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、テーパー角70°以上のベーク断面形状を形成しうるポジ型感光性樹脂組成物であることが好ましい。前記テーパー角とは、パターンを形成しベーク工程を行った後の断面形状において、パターンの側面と、パターンが形成されている基板平面とのなす角である。パターンの側面の断面形状が直線でない場合は、前記断面形状において、パターン上の膜厚が半分の点における接線と、基板平面とのなす角とする。なお、パターンの側面の断面形状が半円や弓形等であり、パターン上面が認められない場合も、膜の最上部と基板との中点、すなわち膜厚1/2の点における接線と板基板平面とのなす角とする。具体例としては、図1、図2及び図3に示す各パターン断面形状におけるθがテーパー角である。図3の例では、パターン断面形状であり、パターン上面が認められないので、膜の最上部と基板との中点、すなわち膜厚が半分の点における接線と板基板平面とのなす角をθとしている。以下、感光性樹脂組成物を構成する各成分について説明する。なお、本明細書における基原子団の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えばアルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。成分A特定重合体本発明の感光性樹脂組成物は、成分Aカルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1と、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2と、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3と、を有する重合体特定重合体ともいう。を含有する。成分Aは、前記モノマー単位a1、a2及びa3以外に、環構造を有するモノマー単位a4、及び/又は、カルボキシ基又は水酸基を有するモノマー単位a5を含有することが好ましい。また、成分Aは、前記モノマー単位a1~a5以外のモノマー単位a6を含有してもよい。なお、本発明におけるモノマー単位は、モノマー1分子から形成される構成単位だけでなく、モノマー1分子から形成される構成単位を高分子反応等により変性した構成単位も含むものとする。また、前記カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基は、酸により前記酸分解性基を分解脱保護することにより、カルボキシ基又はフェノール性水酸基を生成することができる。成分Aは、アルカリ不溶性であり、前記モノマー単位a1における酸分解性基が分解したときにアルカリ可溶性となる樹脂であることが好ましい。また、本発明におけるアルカリ可溶性とは、当該化合物樹脂の溶液を基板上に塗布し、90°Cで2分間加熱することによって形成される当該化合物樹脂の塗膜厚さ4μmの、23°Cにおける0.4重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が、0.01μm/秒以上であることをいい、アルカリ不溶性とは、当該化合物樹脂の溶液を基板上に塗布し、90°Cで2分間加熱することによって形成される当該化合物樹脂の塗膜厚さ4μmの、23°Cにおける0.4重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が0.01μm/秒未満、好ましくは0.005μm/秒未満であることをいう。成分Aの重量平均分子量Mwは、5,000以上であることが好ましく、12,000以上であることがより好ましく、14,000以上であることが最も好ましい。また、1,000,000以下であることが好ましく、80,000以下であることがより好ましく、60,000以下であることが更に好ましい。上記範囲であると、ベーク工程後においても良好な矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることができる。また、重量平均分子量が12,000以上であると、ベーク工程における形状変化が小さく、特に矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることができる。また、重量平均分子量が80,000以下であると、現像時のパターン形成性に優れる。なお、重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定されるポリスチレン換算の値である。溶剤はTHFを用い、カラムにはTSKgelSuperHZ3000及びTSKgelSuperHZM-Mいずれも東ソー株製を使用して測定することが好ましい。成分Aは、アクリル系重合体であることが好ましい。本発明におけるアクリル系重合体は、付加重合型の樹脂であり、メタアクリル酸又はそのエステルに由来するモノマー単位を含む重合体であり、メタアクリル酸又はそのエステルに由来するモノマー単位以外のモノマー単位、例えば、スチレン類に由来するモノマー単位やビニル化合物に由来するモノマー単位等を有していてもよい。また、成分Aは、メタアクリル酸に由来するモノマー単位及びメタアクリル酸エステルに由来するモノマー単位をともに含んでもよい。なお、本明細書では、メタアクリル酸又はそのエステルに由来するモノマー単位をアクリル系モノマー単位ともいう。また、メタアクリル酸は、メタクリル酸及びアクリル酸を総称するものとする。成分Aは、アセタール構造又はケタール構造を有することが好ましく、アセタール構造及びケタール構造の両方を有していてもよい。また、アセタール構造又はケタール構造において、プロセス安定性の観点から、アセタール構造がより好ましい。以下、モノマー単位a1~a6について説明する。<カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1>成分Aは、カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1を少なくとも有する。成分Aがモノマー単位a1を有することにより、極めて高感度な感光性樹脂組成物とすることができる。カルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位は、フェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位に比べると、現像が速いという特徴がある。よって、速く現像したい場合にはカルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位が好ましい。逆に現像を遅くしたい場合にはフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位を用いることが好ましい。カルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1-1酸分解性基としては、これまでKrF用ポジ型レジスト、ArF用ポジ型レジストにおける酸分解性基として公知のものを使用でき、特に限定されない。従来、酸分解性基としては、酸により比較的分解し易い基例えば、テトラヒドロピラニル基等のアセタール系官能基や酸により比較的分解し難い基例えば、t-ブチルエステル基、t-ブチルカーボネート基等のt-ブチル系官能基が知られている。これらの酸分解性基の中でも、カルボキシ基がアセタールで保護された残基、又は、カルボキシ基がケタールで保護された残基を有するモノマー単位であることが、レジストの基本物性、特に感度やパターン形状、コンタクトホールの形成性、感光性樹脂組成物の保存安定性の観点から好ましい。更に酸分解性基の中でもカルボキシ基が下記式a1-1で表されるアセタール又はケタールで保護された残基であることが、感度の観点からより好ましい。なお、カルボキシ基が下記式a1-1で表されるアセタール又はケタールで保護された残基である場合、残基の全体としては、-C=O-O-CR1R2OR3の構造となっている。式a1-1中、R1及びR2は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、ただし、R1とR2とが共に水素原子の場合を除く。R3は、アルキル基を表す。R1又はR2と、R3とが連結して環状エーテルを形成してもよい。また、波線部分は、他の構造との結合位置を表す。式a1-1中、R1~R3はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、前記アルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよい。ここで、R1及びR2の双方が水素原子を表すことはなく、R1及びR2の少なくとも一方はアルキル基を表す。式a1-1において、R1、R2及びR3がアルキル基を表す場合、前記アルキル基は直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数1~12であることが好ましく、炭素原子数1~6であることがより好ましく、炭素原子数1~4であることが更に好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、テキシル基2,3-ジメチル-2-ブチル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。環状アルキル基としては、炭素原子数3~12であることが好ましく、炭素原子数4~8であることがより好ましく、炭素原子数4~6であることが更に好ましい。環状アルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基等を挙げることができる。前記アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基が例示できる。置換基としてハロゲン原子を有する場合、R1、R2、R3はハロアルキル基となり、置換基としてアリール基を有する場合、R1、R2、R3はアラルキル基となる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、これらの中でもフッ素原子又は塩素原子が好ましい。また、前記アリール基としては、炭素原子数6~20のアリール基が好ましく、炭素原子数6~12のアリール基がより好ましい。具体的には、フェニル基、α-メチルフェニル基、ナフチル基等が例示できる。前記アラルキル基としては、炭素原子数7~32のアラルキル基が好ましく、炭素原子数7~20のアラルキル基がより好ましい。具体的には、ベンジル基、α-メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が例示できる。前記アルコキシ基としては、炭素原子数1~6のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数1~4のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基又はエトキシ基が更に好ましい。また、アルキル基がシクロアルキル基である場合、前記シクロアルキル基は置換基として炭素原子数1~10の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよく、アルキル基が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基である場合には、置換基として炭素原子数3~12のシクロアルキル基を有していてもよい。これらの置換基は、上記置換基で更に置換されていてもよい。式a1-1において、R1、R2及びR3がアリール基を表す場合、前記アリール基は炭素原子数6~12であることが好ましく、炭素原子数6~10であることがより好ましい。前記アリール基は置換基を有していてもよく、前記置換基としては炭素原子数1~6のアルキル基が好ましく例示できる。アリール基としては、フェニル基、トリル基、シリル基、クメニル基、1-ナフチル基等が例示できる。また、R1、R2及びR3は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に環を形成することができる。R1とR2、R1とR3又はR2とR3が結合した場合の環構造としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、テトラヒドロフラニル基、アダマンチル基及びテトラヒドロピラニル基等を挙げることができる。なお、式a1-1において、R1及びR2のいずれか一方が、水素原子又はメチル基であることが好ましい。式a1-1で表される残基を有するモノマー単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、メタアクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。また、上記の合成はメタアクリル酸をその他のモノマーと予め共重合させておき、その後に酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させてもよい。カルボキシ基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1-1の好ましい具体例としては、下記のモノマー単位が例示できる。なお、Rは水素原子又はメチル基を表す。中でも、感度の観点から、モノマー単位a1-1-1、モノマー単位a1-1-2、モノマー単位a1-1-7が好ましく、モノマー単位a1-1-2、モノマー単位a1-1-7がより好ましい。フェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位a1-2酸分解性基としては、前述したように、公知のものを使用でき、特に限定されない。酸分解性基の中でもフェノール性水酸基がアセタールで保護された残基、又は、フェノール性水酸基がケタールで保護された残基を有するモノマー単位であることが、レジストの基本物性、特に感度やパターン形状、感光性樹脂組成物の保存安定性、コンタクトホールの形成性の観点から好ましい。更に、酸分解性基の中でもフェノール性水酸基が前記式a1-1で表されるアセタール又はケタールで保護された残基であることが、感度の観点からより好ましい。なお、フェノール性水酸基が前記式a1-1で表されるアセタール又はケタールで保護された残基である場合、残基の全体としては、-Ar-O-CR1R2OR3の構造となっている。なお、Arはアリーレン基を表す。フェノール性水酸基を保護するアセタールエステル構造の好ましい例は、R1=R2=R3=メチル基やR1=R2=メチル基でR3=ベンジル基の組み合わせが例示できる。また、フェノール性水酸基がアセタール又はケタールで保護された残基を有するモノマー単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体としては、4-ヒドロキシフェニルメタクリレートの1-アルコキシアルキル保護体、4-ヒドロキシフェニルメタクリレートのテトラヒドロピラニル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸1-メタクリロイルオキシメチルエステルの1-アルコキシアルキル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸1-メタクリロイルオキシメチルエステルのテトラヒドロピラニル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸2-メタクリロイルオキシエチルエステルの1-アルコキシアルキル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸2-メタクリロイルオキシエチルエステルのテトラヒドロピラニル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸3-メタクリロイルオキシプロピルエステルの1-アルコキシアルキル保護体、4--ヒドロキシ安息香酸3-メタクリロイルオキシプロピルエステルのテトラヒドロピラニル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸3-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロピルエステルの1-アルコキシアルキル保護体、4-ヒドロキシ安息香酸3-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロピルエステルのテトラヒドロピラニル保護体が、透明性の観点から好ましい。フェノール性水酸基のアセタール保護基及びケタール保護基の具体例としては、1-アルコキシアルキル基が挙げられ、例えば、1-エトキシエチル基、1-メトキシエチル基、1-n-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基、1-2-クロロエトキシエチル基、1-2-エチルヘキシルオキシエチル基、1-n-プロポキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-2-シクロヘキシルエトキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基などを挙げることができ、これらは単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。モノマー単位a1を形成するために用いられるラジカル重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、フェノール性水酸基を有する化合物を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。上記の合成はフェノール性水酸基を有するモノマーをその他のモノマーと予め共重合させておき、その後に酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させてもよい。モノマー単位a1-2の好ましい具体例としては、下記のモノマー単位が例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。成分Aにおけるモノマー単位a1の含有量は、感度の観点から、成分Aの全モノマー単位に対し、3~70モルが好ましく、5~60モルがより好ましく、20~45モルが更に好ましい。<エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2>成分Aは、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を有するモノマー単位a2を有する。成分Aは、エポキシ基を有するモノマー単位及びオキセタニル基を有するモノマー単位の両方を有していてもよい。エポキシ基を有する基としては、エポキシ環を有していれば、特に制限はないが、グリシジル基、3,4-エポキシシクロへキシルメチル基が好ましく例示できる。オキセタニル基を有する基としては、オキセタン環を有していれば、特に制限はないが、3-エチルオキセタン-3-イルメチル基が好ましく例示できる。モノマー単位a2は、1つのモノマー単位中にエポキシ基又はオキセタニル基を少なくとも1つ有していればよく、1つ以上のエポキシ基及び1つ以上オキセタニル基、2つ以上のエポキシ基、又は、2つ以上のオキセタニル基を有していてもよく、特に限定されないが、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を合計1~3つ有することが好ましく、エポキシ基及び/又はオキセタニル基を合計1又は2つ有することがより好ましく、エポキシ基又はオキセタニル基を1つ有することが更に好ましい。エポキシ基を有するモノマー単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の具体例としては、例えば、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α-エチルアクリル酸グリシジル、α-n-プロピルアクリル酸グリシジル、α-n-ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸-3,4-エポキシブチル、アクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、α-エチルアクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、特許第4168443号公報の段落0031~0035に記載の脂環式エポキシ骨格を含有する化合物などが挙げられる。オキセタニル基を有するモノマー単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の例としては、例えば、特開2001-330953号公報の段落0011~0016に記載のオキセタニル基を有するメタアクリル酸エステルなどを挙げることができる。モノマー単位a2を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の例としては、メタクリル酸エステル構造を含有するモノマー、アクリル酸エステル構造を含有するモノマーであることが好ましい。これらのモノマーの中で、更に好ましいものとしては、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジル、特許第4168443号公報の段落0034~0035に記載の脂環式エポキシ骨格を含有する化合物及び特開2001-330953号公報の段落0011~0016に記載のオキセタニル基を有するメタアクリル酸エステルが挙げられる。耐熱透明性の観点から特に好ましいものとしては、アクリル酸3-エチルオキセタン-3-イルメチル、及び、メタクリル酸3-エチルオキセタン-3-イルメチルのいずれかに由来するモノマー単位である。これらのモノマー単位a2は、1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。モノマー単位a2の好ましい具体例としては、下記のモノマー単位が例示できる。成分Aにおけるモノマー単位a2の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、15~55モルが好ましく、20~55モルが更に好ましく、30~50モルが特に好ましい。モノマー単位a2を上記の割合で含有させることにより、硬化膜の物性が良好となる。<アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位a3>成分Aは、アミノ基、アミド基、イミド基、スルホンイミド基、スルホンアミド基、イミノ基、ウレタン結合及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造以下、水素結合性構造ともいう。を有するモノマー単位a3を有する。本発明の感光性樹脂組成物は、成分Aが前記モノマー単位a3を有することにより、モノマー単位a3における水素結合性構造が、水素結合アクセプター又はドナーとして作用して水素結合をパターン中で形成することにより、擬似的な架橋点の増加及び擬似的な高分子量化が生じ、パターンをベークした後であっても矩形又は矩形に近いプロファイルが得られるものと推定される。水素結合性構造としては、アミノ基、イミド基、スルホンアミド基、スルホンイミド基及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造であることが好ましく、イミド基、スルホンアミド基、スルホンイミド基及びウレイド結合よりなる群から選ばれた構造であることがより好ましく、スルホンアミド基及び/又はウレイド結合であることが特に好ましい。また、前記モノマー単位a3は、下記構造S1~S14よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位であることが好ましく、下記構造S1、S2、S4、S5、S6、S8、S9、S10及びS11よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位であることがより好ましく、下記構造S1、S4、S5、S6、S10及びS11よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位であることが更に好ましく、下記構造S5及び/又はS6よりなる群から選ばれた構造を有するモノマー単位であることが特に好ましい。上記態様であると、パターンをベークした後であっても矩形又は矩形により近いプロファイルが得られる。構造S1~S14中のR、R’及びRはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表し、は他の構造との連結部を表す。構造S1~S14中のR、R’及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~15のシクロアルキル基又は炭素数6~15のアリール基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数6~8のアリール基であることがより好ましく、水素原子、炭素数1~10のアルキル基又はフェニル基であることが特に好ましい。R、R’及びRで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。前記アルキル基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基が挙げられる。前記シクロアルキル基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、保護されていてもよい水酸基又はアルコキシ基が挙げられる。前記アリール基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基が挙げられる。また、構造S7において、R及びRの少なくとも1つは炭素数1~20の一価の有機基であることが好ましい。すなわち、R及びRは同時に水素原子でないことが好ましい。前記モノマー単位a3は、重合体の側鎖に水素結合性構造を有することが好ましい。また、前記モノマー単位a3は、メタアクリレート化合物又はメタアクリルアミド化合物由来のモノマー単位であることが好ましく、メタアクリロイル基以外の部分に水素結合性構造を有するメタアクリレート化合物又はメタアクリルアミド基以外の部分に水素結合性構造を有するメタアクリルアミド化合物由来のモノマー単位であることがより好ましい。モノマー単位a3を形成するために用いられるラジカル重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、メタクリル酸クロライドとスルファニルアミドとの反応で4-メタクリルアミドベンゼンスルホンアミドが合成できる。モノマー単位a3の好ましい具体例としては、下記のモノマー単位が例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記におけるPhはフェニル基を表す。これらの中でも、X1~X4、X8~X11、X16及びX20が好ましく、X1~X4及びX8~X11がより好ましい。成分Aにおけるモノマー単位a3の含有量は、感度合成上の溶解性の観点から、成分Aの全モノマー単位に対し、0.1~50モルが好ましく、0.5~30モルがより好ましく、0.5~15モルが特に好ましい。<環構造を有するモノマー単位a4>成分Aは、ドライエッチング耐性や耐薬品性向上の観点から、環構造を有するモノマー単位a4を含有することが好ましい。前記モノマー単位a4を形成するモノマーとしては、例えば、スチレン類、メタアクリル酸ジシクロペンタニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸シクロヘキシルなどのメタアクリル酸環状アルキルエステル、不飽和芳香族化合物などが挙げられる。環構造を有するモノマー単位a4としては、下記式a4-1又は式a4-2で表されるモノマー単位が好ましく例示できる。式中、RAは水素原子又は炭素原子数1~6のアルキル基を表す。前記式a4-1におけるRAは、重合時における各モノマーの重合速度の均一性の観点から、水素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。式中、RBは水素原子又はメチル基を表し、Xは単結合又は炭素原子数1~4のアルキレン基を表し、環Aはシクロペンタン環又はシクロペンテン環を表し、環Aを有していても、有していなくともよい。前記式a4-2におけるRBは、重合時における各モノマーの重合速度の均一性の観点から、メチル基が好ましい。前記式a4-2におけるXは、単結合、メチレン基又はエチレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。前記式a4-2における環Aは、シクロペンタン環であることが好ましい。また、前記式a4-2は、環Aを有していることが好ましい。環Aにおけるシクロペンテン環の二重結合の位置は、特に制限はなく、任意の位置であればよい。成分Aにおけるモノマー単位a4の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、1~30モルが好ましく、5~25モルが更に好ましく、10~20モルが特に好ましい。モノマー単位a4を上記の割合で含有させることにより、得られるパターンのドライエッチング耐性及び耐薬品性に優れる。<カルボキシ基又は水酸基を有するモノマー単位a5>成分Aは、現像性の観点から、カルボキシ基又は水酸基を有するモノマー単位a5を有することが好ましい。モノマー単位a5は、成分Aがアルカリ可溶性とならない範囲で導入することが好ましい。成分Aにおけるモノマー単位a5の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、2~20モルが好ましく、2~15モルが更に好ましく、3~15モルが特に好ましい。モノマー単位a5を上記の割合で含有させることにより、高感度が得られ、また、現像性も良好となる。カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1としては、例えば、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和トリカルボン酸などの、分子中に少なくとも1個のカルボキシ基を有する不飽和カルボン酸等に由来するモノマー単位が挙げられる。カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1を得るために用いられる不飽和カルボン酸としては、以下に例示するものが用いられる。すなわち、不飽和モノカルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、α-クロロアクリル酸、ケイ皮酸などが例示できる。また、不飽和ジカルボン酸としては、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸などが例示できる。また、カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1を得るために用いられる不飽和多価カルボン酸は、その酸無水物であってもよい。具体的には、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸などが挙げられる。また、不飽和多価カルボン酸は、多価カルボン酸のモノ2-メタクリロイロキシアルキルエステルであってもよく、例えば、コハク酸モノ2-アクリロイロキシエチル、コハク酸モノ2-メタクリロイロキシエチル、フタル酸モノ2-アクリロイロキシエチル、フタル酸モノ2-メタクリロイロキシエチルなどが挙げられる。更に、不飽和多価カルボン酸は、その両末端ジカルボキシポリマーのモノメタアクリレートであってもよく、例えば、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレート、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノメタクリレートなどが挙げられる。また、不飽和カルボン酸としては、アクリル酸-2-カルボキシエチルエステル、メタクリル酸-2-カルボキシエチルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、4-カルボキシスチレン等も用いることができる。中でも、現像性の観点から、カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1を形成するためには、アクリル酸、メタクリル酸を用いることが好ましい。また、カルボキシ基を有するモノマー単位a5-1は、後述する水酸基を有するモノマー単位a5-2と、酸無水物とを反応させることによっても得ることができる。酸無水物としては、公知のものが使用でき、具体的には、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸等の二塩基酸無水物;無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸無水物などの酸無水物が挙げられる。これらの中では、現像性の観点から、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、又は無水コハク酸が好ましい。水酸基を有するモノマー単位a5-2水酸基を有するモノマー単位a5-2としては、フェノール性水酸基を有するモノマー単位a5-2-1が例示できる。水酸基を有するモノマー単位a5-2のうち、フェノール性水酸基を有するモノマー単位a5-2-1を形成するために用いられるラジカル重合性単量体としては、例えば、p-ヒドロキシスチレン、α-メチル-p-ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン類、特開2008-40183号公報の段落0011~0016に記載の化合物、特許第2888454号公報の段落0007~0010に記載の4-ヒドロキシ安息香酸誘導体類、4-ヒドロキシ安息香酸とメタクリル酸グリシジルとの付加反応物、4-ヒドロキシ安息香酸とアクリル酸グリシジルとの付加反応物等を好ましいものとして挙げることができる。フェノール性水酸基を有するモノマー単位a5-2-1を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の中でも、メタクリル酸、アクリル酸、特開2008-40183号公報の段落0011~0016に記載の化合物、特許第2888454号公報の段落0007~0010に記載の4-ヒドロキシ安息香酸誘導体類、4-ヒドロキシ安息香酸とメタクリル酸グリシジルとの付加反応物、4-ヒドロキシ安息香酸とアクリル酸グリシジルとの付加反応物が更に好ましいが、透明性の観点からメタクリル酸、アクリル酸が特に好ましい。これらのモノマー単位は、1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。水酸基を有するモノマー単位a5-2のうち、フェノール性水酸基以外の水酸基を有するモノマー単位a5-2-2としては、水酸基を有するモノマー単位であれば任意のものを用いることができるが、好ましいものとしては、水酸基含有メタアクリル酸エステル、アルキル基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステル及びアリール基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステル等に由来するモノマー単位を挙げることができる。水酸基含有メタアクリル酸エステルとしては、例えばメタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸2,3-ジヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル等のメタアクリル酸のヒドロキシアルキルエステル、ポリエチレングリコールモノメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、ポリエチレングリコールプロピレングリコール-モノメタアクリレート、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコール-モノメタアクリレート、ポリエチレングリコールテトラメチレングリコール-モノメタアクリレート、ポリプロピレングリコールテトラメチレングリコール-モノメタアクリレート、プロピレングリコールポリブチレングリコール-モノメタアクリレートを好ましい例として挙げることができる。アルキル基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステルとしては、例えばメトキシポリエチレングリコール-メタアクリレート、オクトキシポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-メタアクリレート、ラウロキシポリエチレングリコール-メタアクリレート、ステアロキシポリエチレングリコール-メタアクリレートを好ましい例として挙げることができる。アリール基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステルとしては、例えばフェノキシポリエチレングリコール-メタアクリレート、フェノキシポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-メタアクリレート、ノニルフェノキシ-ポリエチレングリコール-メタアクリレート、ノニルフェノキシ-ポリプロピレングリコール-メタアクリレート、ノニルフェノキシ-ポリエチレングリコール-プロピレングリコール-メタアクリレートを好ましい例として挙げることができる。上記水酸基含有メタアクリル酸エステル、アルキル基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステル及びアリール基末端ポリアルキレングリコールのメタアクリル酸エステルは、市販のものを用いることが可能である。代表例を示すと、ブレンマーE、ブレンマーPE-90、ブレンマーPE-200、ブレンマーPE-350、ブレンマーP、ブレンマーPP-1000、ブレンマーPP-500、ブレンマーPP-800、ブレンマー50PEP-300、ブレンマー70PEP-350B、ブレンマー55PET-800、ブレンマーPPTシリーズ、ブレンマー10PPB-500B、ブレンマーAE-90、ブレンマーAE-200、ブレンマーAE-400、ブレンマーAP-150、ブレンマーAP-400、ブレンマーAP-550、ブレンマーPME-100、ブレンマーPME-200、ブレンマーPME-400、ブレンマーPME-1000、ブレンマー50POEP-800B、ブレンマーPLE-200、ブレンマーPSE-400、ブレンマーPSE-1300、ブレンマーPAE-50、ブレンマーPAE-100、ブレンマー43PAPE-600B、ブレンマーAME-400、ブレンマーALEシリーズ、ブレンマーANP-300、ブレンマー75ANP-600、ブレンマーAAE-50、ブレンマーAAE-300以上、日油株製等を挙げることができる。モノマー単位a5-2における、水酸基の数は、1~10個が好ましく、1~5個がより好ましく、1~3個が特に好ましい。また、モノマー単位a5-2がアルキレンオキシ基を有する場合、アルキレンオキシ基の繰り返し単位数としては、1~25が好ましく、1~15がより好ましく、1~10が最も好ましい。モノマー単位a5-2を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の好ましい具体例としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸2,3-ジヒドロキシプロピル、エチレングリコール繰り返し単位が2~10個のメトキシポリエチレングリコール-メタアクリレート、プロピレングリコール繰り返し単位が2~10個のメトキシポリプロピレングリコール-メタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位とプロピレングリコール繰り返し単位の和が2~10個のメトキシポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-メタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位とプロピレングリコール繰り返し単位の和が2~10個のオクトキシポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-メタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位が2~10個のポリエチレングリコールモノメタアクリレート、プロピレングリコール繰り返し単位が2~10個のポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位とプロピレングリコール繰り返し単位の和が3~10個のポリエチレングリコールプロピレングリコール-モノメタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位とプロピレングリコール繰り返し単位の和が3~10個のポリエチレングリコールポリプロピレングリコール-モノメタアクリレート等が挙げられる。これらの中でも、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸2,3-ジヒドロキシプロピル、エチレングリコール繰り返し単位が2~10個のメトキシポリエチレングリコール-メタアクリレート、エチレングリコール繰り返し単位とプロピレングリコール繰り返し単位の和が2~10個のオクトキシポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール-メタアクリレートがより好ましく、エチレングリコール繰り返し単位が2~10個のメトキシポリエチレングリコール-メタアクリレート及び2-ヒドロキシエチルメタアクリレートが特に好ましい。モノマー単位a5は、1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。成分Aにおけるモノマー単位a5の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、0.5~30モルが好ましく、0.5~25モルが更に好ましく、1~25モルが特に好ましい。また、成分Aにおけるモノマー単位a5の含有量は、成分Aの全重量に対し、3~30重量であり、3~25重量が更に好ましく、5~25重量が特に好ましい。モノマー単位a5を上記の割合で含有させることにより、現像性が良好となり、高感度の感光性組成物を得ることができる。特に、前述のモノマー単位a2とモノマー単位a5とを組み合わせることにより、非常に高い感度の感光性樹脂組成物を得ることができる。<その他のモノマー単位a6>成分Aは、本発明の効果を妨げない範囲で、前記モノマー単位a1~a5以外のモノマー単位a6を含有してもよい。モノマー単位a6を形成するために用いられるラジカル重合性単量体としては、例えば、特許第4207604号公報の段落0021~0024に記載の化合物を挙げることができるただし、前述のモノマー単位a1~a5を形成するモノマーを除く。。成分Aは、モノマー単位a6を1種単独で有していても、2種類以上を有していてもよい。成分Aにおけるモノマー単位a6の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、0~40モルであることが好ましい。また、成分Aがモノマー単位a6を含む場合は、成分Aにおけるモノマー単位a5の含有量は、成分Aの全モノマー単位に対し、1~40モルが好ましく、5~30モルがより好ましく、5~25モルが特に好ましい。なお、本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量である。また、成分Aが有する各モノマー単位を導入する方法は、重合法でもよく、高分子反応法でもよい。重合法では、所定の官能基を含有するモノマーを予め合成した後に、これらのモノマーを共重合する。すなわち、モノマー単位a1、モノマー単位a2、モノマー単位a3、モノマー単位a4、モノマー単位a5、及び、必要によりモノマー単位a6を形成するために用いられるラジカル重合性単量体を含むラジカル重合性単量体混合物を有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。高分子反応法では、重合反応を行った後に、得られた共重合体のモノマー単位に含まれる反応性基を利用して必要な官能基をモノマー単位中に導入する。前記したモノマー単位a1~a6の成分Aへの導入は、重合法でも高分子反応法でもよく、これらの2方法を併用してもよい。成分Aは、本発明の感光性樹脂組成物に1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。本発明の感光性樹脂組成物中における成分Aの含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分に対して、20~99重量であることが好ましく、40~97重量であることがより好ましく、50~95重量であることが更に好ましい。含有量がこの範囲であると、現像した際のパターン形成性が良好となる。なお、感光性樹脂組成物の固形分量とは、溶剤などの揮発性成分を除いた量を表す。なお、本発明の感光性樹脂組成物中では、本発明の効果を妨げない範囲で成分A以外の樹脂を併用してもよい。ただし、成分A以外の樹脂の含有量は、現像性の観点から成分Aの含有量より少ない方が好ましい。成分B光酸発生剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分B光酸発生剤を含有する。成分Bとしては、波長300nm以上、好ましくは波長300~450nmの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造に制限されるものではない。また、波長300nm以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長300nm以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。成分Bとしては、pKaが4以下の酸を発生する光酸発生剤が好ましく、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤がより好ましい。光酸発生剤の例として、トリクロロメチル-s-トリアジン類、スルホニウム塩やヨードニウム塩、第四級アンモニウム塩類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、及び、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、高感度である観点から、オキシムスルホネート化合物を用いることが好ましい。これら光酸発生剤は、1種単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの具体例としては、以下が例示できる。トリクロロメチル-s-トリアジン類として、2-3-クロロフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メトキシフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メチルチオフェニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-4-メトキシ-β-スチリル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-ピペロニル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-[2-フラン-2-イルエテニル]-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-[2-5-メチルフラン-2-イルエテニル]-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、2-[2-4-ジエチルアミノ-2-メチルフェニルエテニル]-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン、又は、2-4-メトキシナフチル-ビス4,6-トリクロロメチル-s-トリアジン等。ジアリールヨードニウム塩類として、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、フェニル-4-2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、又は、フェニル-4-2’-ヒドロキシ-1’-テトラデカオキシフェニルヨードニウムp-トルエンスルホナート等。トリアリールスルホニウム塩類として、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、又は、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート等。第四級アンモニウム塩類として、テトラメチルアンモニウムブチルトリス2,6-ジフルオロフェニルボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリスp-クロロフェニルボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス3-トリフルオロメチルフェニルボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス2,6-ジフルオロフェニルボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリスp-クロロフェニルボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス3-トリフルオロメチルフェニルボレート等。ジアゾメタン誘導体として、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン等。イミドスルホネート誘導体として、トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-ジカルボキシイミド、スクシンイミドトリフルオロメチルスルホネート、フタルイミドトリフルオロメチルスルホネート、N-ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホネート、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドプロパンスルホネート等。本発明の感光性樹脂組成物は、成分B光酸発生剤として、下記式1で表されるオキシムスルホネート残基の少なくとも1つを有するオキシムスルホネート化合物を含むことが好ましい。前記式1で表されるオキシムスルホネート残基の少なくとも1つを有するオキシムスルホネート化合物は、下記式2で表される化合物であることが好ましい。R1A-CR2A=N-O-SO2-R3A2式2中、R1Aは、炭素原子数1~6のアルキル基、炭素原子数1~4のハロゲン化アルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、2-フリル基、2-チエニル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基又はシアノ基を表す。R1Aが、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基又はアントラニル基である場合、これらの基は、ハロゲン原子、水酸基、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基及びニトロ基よりなる群から選ばれた置換基によって置換されていてもよい。式2中、R2Aは、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基、ジアルキルアミノ基、モルホリノ基、又はシアノ基を表す。R2AとR1Aとは互いに結合して5員環又は6員環を形成してもよく、前記5員環又は6員環は1個又は2個の任意の置換基を有してもよいベンゼン環と結合していてもよい。式2中、R3Aは、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表す。Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基又は炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基を表す。R1Aで表される炭素原子数1~6のアルキル基は、直鎖又は分岐鎖アルキル基であってよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、又は2-エチルブチル基が挙げられる。R1Aで表される炭素原子数1~4のハロゲン化アルキル基としては、例えば、クロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、又は2-ブロモプロピル基が挙げられる。R1Aで表される炭素原子数1~4のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基が挙げられる。R1Aが、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基又はアントラニル基を表す場合、これらの基は、ハロゲン原子例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、等、水酸基、炭素原子数1~4のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基及びニトロ基よりなる群から選ばれた置換基によって置換されていてもよい。R2Aで表される炭素原子数1~10のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-アミル基、i-アミル基、s-アミル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。R2Aで表される炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、n-アミルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-デシルオキシ基等が挙げられる。R2Aで表される炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、パーフルオロ-n-アミル基等が挙げられる。R2Aで表される炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ-n-プロポキシ基、パーフルオロ-n-ブトキシ基、パーフルオロ-n-アミルオキシ基等が挙げられる。R2Aで表されるWで置換されていてもよいフェニル基の具体例としては、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-エチルフェニル基、m-エチルフェニル基、p-エチルフェニル基、p-n-プロピルフェニル基、p-i-プロピルフェニル基、p-n-ブチルフェニル基、p-i-ブチルフェニル基、p-s-ブチルフェニル基、p-t-ブチルフェニル基、p-n-アミルフェニル基、p-i-アミルフェニル基、p-t-アミルフェニル基、o-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、o-エトキシフェニル基、m-エトキシフェニル基、p-エトキシフェニル基、p-n-プロポキシフェニル基、p-i-プロポキシフェニル基、p-n-ブトキシフェニル基、p-i-ブトキシフェニル基、p-s-ブトキシフェニル基、p-t-ブトキシフェニル基、p-n-アミルオキシフェニル基、p-i-アミルオキシフェニル基、p-t-アミルオキシフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、p-フルオロフェニル基、2,4-ジクロロフェニル基、2,4-ジブロモフェニル基、2,4-ジフルオロフェニル基、2,4,6-ジクロロフェニル基、2,4,6-トリブロモフェニル基、2,4,6-トリフルオロフェニル基、ペンタクロロフェニル基、ペンタブロモフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、p-ビフェニリル基等が挙げられる。R2Aで表されるWで置換されていてもよいナフチル基の具体例としては、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基等が挙げられる。R2Aで表されるWで置換されていてもよいアントラニル基の具体例としては、2-メチル-1-アントラニル基、3-メチル-1-アントラニル基、4-メチル-1-アントラニル基、5-メチル-1-アントラニル基、6-メチル-1-アントラニル基、7-メチル-1-アントラニル基、8-メチル-1-アントラニル基、9-メチル-1-アントラニル基、10-メチル-1-アントラニル基、1-メチル-2-アントラニル基、3-メチル-2-アントラニル基、4-メチル-2-アントラニル基、5-メチル-2-アントラニル基、6-メチル-2-アントラニル基、7-メチル-2-アントラニル基、8-メチル-2-アントラニル基、9-メチル-2-アントラニル基、10-メチル-2-アントラニル基等が挙げられる。R2Aで表されるジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。R3Aで表される炭素原子数1~10のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-アミル基、i-アミル基、s-アミル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。R3Aで表される炭素原子数1~10のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、n-アミルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-デシルオキシ基等が挙げられる。R3Aで表される炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、パーフルオロ-n-アミル基等が挙げられる。R3Aで表される炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基の具体例としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ-n-プロポキシ基、パーフルオロ-n-ブトキシ基、パーフルオロ-n-アミルオキシ基等が挙げられる。R3Aで表されるWで置換されていてもよいフェニル基の具体例としては、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-エチルフェニル基、m-エチルフェニル基、p-エチルフェニル基、p-n-プロピルフェニル基、p-i-プロピルフェニル基、p-n-ブチルフェニル基、p-i-ブチルフェニル基、p-s-ブチルフェニル基、p-t-ブチルフェニル基、p-n-アミルフェニル基、p-i-アミルフェニル基、p-t-アミルフェニル基、o-メトキシフェニル基、m-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、o-エトキシフェニル基、m-エトキシフェニル基、p-エトキシフェニル基、p-n-プロポキシフェニル基、p-i-プロポキシフェニル基、p-n-ブトキシフェニル基、p-i-ブトキシフェニル基、p-s-ブトキシフェニル基、p-t-ブトキシフェニル基、p-n-アミルオキシフェニル基、p-i-アミルオキシフェニル基、p-t-アミルオキシフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、p-フルオロフェニル基、2,4-ジクロロフェニル基、2,4-ジブロモフェニル基、2,4-ジフルオロフェニル基、2,4,6-ジクロロフェニル基、2,4,6-トリブロモフェニル基、2,4,6-トリフルオロフェニル基、ペンタクロロフェニル基、ペンタブロモフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、p-ビフェニリル基等が挙げられる。R3Aで表されるWで置換されていてもよいナフチル基の具体例としては、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基、5-メチル-2-ナフチル基、6-メチル-2-ナフチル基、7-メチル-2-ナフチル基、8-メチル-2-ナフチル基等が挙げられる。R3Aで表されるWで置換されていてもよいアントラニル基の具体例としては、2-メチル-1-アントラニル基、3-メチル-1-アントラニル基、4-メチル-1-アントラニル基、5-メチル-1-アントラニル基、6-メチル-1-アントラニル基、7-メチル-1-アントラニル基、8-メチル-1-アントラニル基、9-メチル-1-アントラニル基、10-メチル-1-アントラニル基、1-メチル-2-アントラニル基、3-メチル-2-アントラニル基、4-メチル-2-アントラニル基、5-メチル-2-アントラニル基、6-メチル-2-アントラニル基、7-メチル-2-アントラニル基、8-メチル-2-アントラニル基、9-メチル-2-アントラニル基、10-メチル-2-アントラニル基等が挙げられる。Wで表される炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、及び、炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシの具体例としては、R2A又はR3Aで表される炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、及び炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基の具体例として挙げたものと同様のものが挙げられる。R2AとR1Aとは互いに結合して5員環又は6員環を形成してもよい。R2AとR1Aとが互いに結合して5員環又は6員環を形成する場合、該5員環又は6員環としては、炭素環式基及び複素環式環基が挙げられ、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピラン、ピリジン、ピラジン、モルホリン、ピペリジン又はピペラジン環であってよい。前記5員環又は6員環は、任意の置換基を有してもよいベンゼン環と結合していてもよく、その例としては、テトラヒドロナフタレン、ジヒドロアントラセン、インデン、クロマン、フルオレン、キサンテン又はチオキサンテン環系が挙げられる。前記5員環又は6員環は、カルボニル基を含んでもよく、その例としては、シクロヘキサジエノン、ナフタレノン及びアントロン環系が挙げられる。前記式1で表されるオキシムスルホネート残基を少なくとも1つ有する化合物としては、下記式OS-3、式OS-4又は式OS-5で表されるオキシムスルホネート化合物であることが好ましい。式OS-3~OS-5中、R1はアルキル基、アリール基、又はヘテロアリール基を表し、複数存在するR2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又はハロゲン原子を表し、複数存在するR6はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、スルホン酸基、アミノスルホニル基、又はアルコキシスルホニル基を表し、XはO又はSを表し、nは1又は2を表し、mは0~6の整数を表す。前記式OS-3~OS-5中、R1で表されるアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。前記式OS-3~OS-5中、R1で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1~30のアルキル基であることが好ましい。また、前記式OS-3~OS-5中、R1で表されるアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数6~30のアリール基が好ましい。また、前記式OS-3~OS-5中、R1で表されるヘテロアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数4~30のヘテロアリール基が好ましく、少なくとも1つの複素芳香環であればよく、例えば、複素芳香環とベンゼン環とが縮環していてもよい。R1で表されるアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基が挙げられる。前記式OS-3~OS-5中、R2は、水素原子、アルキル基、又はアリール基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。前記式OS-3~OS-5中、化合物中に2以上存在するR2のうち、1つ又は2つがアルキル基、アリール基又はハロゲン原子であることが好ましく、1つがアルキル基、アリール基又はハロゲン原子であることがより好ましく、1つがアルキル基であり、かつ残りが水素原子であることが特に好ましい。前記式OS-3~OS-5中、R2で表されるアルキル基又はアリール基は、置換基を有していてもよい。R2で表されるアルキル基又はアリール基が有していてもよい置換基としては、前記R1におけるアルキル基又はアリール基が有していてもよい置換基と同様の基が例示できる。前記式OS-3~OS-5中、R2で表されるアルキル基としては、置換基を有してもよい総炭素数1~12のアルキル基であることが好ましく、置換基を有してもよい総炭素数1~6のアルキル基であることがより好ましい。R2で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ヘキシル基が好ましく、メチル基が更に好ましい。前記式OS-3~OS-5中、R2で表されるアリール基としては、置換基を有してもよい総炭素数6~30のアリール基であることが好ましい。R2で表されるアリール基としてフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロロフェニル基、p-クロロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-フェノキシフェニル基が好ましい。前記式OS-3~OS-5中、XはO又はSを表し、Oであることが好ましい。前記式OS-3~OS-5において、Xを環員として含む環は、5員環又は6員環である。前記式OS-3~OS-5中、nは1又は2を表し、XがOである場合、nは1であることが好ましく、また、XがSである場合、nは2であることが好ましい。前記式OS-3~OS-5中、R6で表されるアルキル基及びアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。前記式OS-3~OS-5中、R6で表されるアルキル基としては、置換基を有していてもよい総炭素数1~30のアルキル基であることが好ましい。R6で表されるアルキルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシエチルオキシ基、トリクロロメチルオキシ基、又は、エトキシエチルオキシ基が好ましい。R6におけるアミノスルホニル基としては、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、メチルフェニルアミノスルホニル基、アミノスルホニル基が挙げられる。R6で表されるアルコキシスルホニル基としては、メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基、プロピルオキシスルホニル基、ブチルオキシスルホニル基が挙げられる。R6で表されるアルキル基又はアルキルオキシ基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノカルボニル基が挙げられる。また、前記式OS-3~OS-5中、mは0~6の整数を表し、0~2の整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましく、0であることが特に好ましい。また、前記式OS-3で表される化合物は、下記式OS-6、OS-10又はOS-11で表される化合物であることが特に好ましく、前記式OS-4で表される化合物は、下記式OS-7で表される化合物であることが特に好ましく、前記式OS-5で表される化合物は、下記式OS-8又はOS-9で表される化合物であることが特に好ましい。式OS-6~OS-11中、R1はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、R7は、水素原子又は臭素原子を表し、R8は水素原子、炭素数1~8のアルキル基、ハロゲン原子、クロロメチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、メトキシメチル基、フェニル基又はクロロフェニル基を表し、R9は水素原子、ハロゲン原子、メチル基又はメトキシ基を表し、R10は水素原子又はメチル基を表す。前記式OS-6~OS-11におけるR1は、前記式OS-3~OS-5におけるR1と同義であり、好ましい態様も同様である。前記式OS-6におけるR7は、水素原子又は臭素原子を表し、水素原子であることが好ましい。前記式OS-6~OS-11におけるR8は、水素原子、炭素数1~8のアルキル基、ハロゲン原子、クロロメチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、メトキシメチル基、フェニル基又はクロロフェニル基を表し、炭素数1~8のアルキル基、ハロゲン原子又はフェニル基であることが好ましく、炭素数1~8のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1~6のアルキル基であることが更に好ましく、メチル基であることが特に好ましい。前記式OS-8及びOS-9におけるR9は、水素原子、ハロゲン原子、メチル基又はメトキシ基を表し、水素原子であることが好ましい。前記式OS-8~OS-11におけるR10は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子であることが好ましい。また、前記オキシムスルホネート化合物において、オキシムの立体構造E,Zについては、どちらか一方であっても、混合物であってもよい。前記式OS-3~OS-5で表されるオキシムスルホネート化合物の具体例としては、下記例示化合物が挙げられるが、本発明は、これらに限定されるものではない。前記式1で表されるオキシムスルホネート残基を少なくとも1つを有するオキシムスルホネート化合物の好適な他の態様としては、下記式OS-1で表される化合物が挙げられる。前記式OS-1中、R1は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ基、シアノ基、アリール基、又はヘテロアリール基を表す。R2は、アルキル基、又はアリール基を表す。Xは-O-、-S-、-NH-、-NR5-、-CH2-、-CR6H-、又は-CR6R7-を表し、R5~R7はアルキル基、又はアリール基を表す。R21~R24は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基、スルホ基、シアノ基、又はアリール基を表す。R21~R24のうち2つは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。R21~R24としては、水素原子、ハロゲン原子、及びアルキル基が好ましく、また、R21~R24のうち少なくとも2つが互いに結合してアリール基を形成する態様もまた、好ましく挙げられる。中でも、R21~R24がいずれも水素原子である態様が感度の観点から好ましい。前記した置換基は、いずれも、更に置換基を有していてもよい。前記式OS-1で表される化合物は、下記式OS-2で表される化合物であることがより好ましい。前記式OS-2中、R1、R2、R21~R24は、それぞれ一般式OS-1におけるR1、R2、R21~R24と同義であり、好ましい例もまた同様である。これらの中でも、式OS-1及び式OS-2におけるR1がシアノ基、又はアリール基である態様がより好ましく、式OS-2で表され、R1がシアノ基、フェニル基又はナフチル基である態様が最も好ましい。また、前記オキシムスルホネート化合物において、オキシムやベンゾチアゾール環の立体構造E,Z等についてはそれぞれ、どちらか一方であっても、混合物であってもよい。また、前記式2で表される化合物の好適な態様の一つは、下記式2-1で表される化合物である。式2-1で表される化合物は、式2におけるR2AとR1Aとが結合して5員環を形成している化合物である。式2-1中、R3Aは、式2におけるR3Aと同義であり、Xは、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、tは、0~3の整数を表し、tが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。Xで表されるアルキル基としては、炭素原子数1~4の、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が好ましい。Xで表されるアルコキシ基としては、炭素原子数1~4の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基が好ましい。Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。tとしては、0又は1が好ましい。式2-1中、tが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルト位であり、R3Aが炭素原子数1~10の直鎖状アルキル基、7,7-ジメチル-2-オキソノルボルニルメチル基、又は、p-トルイル基である化合物が特に好ましい。式2-1で表されるオキシムスルホネート化合物の具体例としては、下記化合物i、化合物ii、化合物iii、化合物iv等が挙げられ、これらの化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種類以上を併用することもできる。化合物i~ivは、市販品として、入手することができる。また、他の種類の光酸発生剤と組み合わせて使用することもできる。式2で表される化合物の好ましい態様の一つとしては、R1Aが、炭素原子数1~4のアルキル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル基、4-ビフェニル基、ナフチル基又はアントラニル基を表し;R2Aが、シアノ基を表し;R3Aが、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基又は炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基を表すものである。式2で表される化合物としては、下記式2-2で表される化合物であることも好ましい。式2-2中、R4Aは、ハロゲン原子、水酸基、炭素原子数1~4のアルキル基、炭素原子数1~4のアルコキシ基又はニトロ基を表し、Lは0~5の整数を表す。R3Aは、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基、Wで置換されていてもよいフェニル基、Wで置換されていてもよいナフチル基又はWで置換されていてもよいアントラニル基を表し、Wは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基又は炭素原子数1~5のハロゲン化アルコキシ基を表す。式2-2におけるR3Aとしては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロ-n-プロピル基、パーフルオロ-n-ブチル基、p-トリル基、4-クロロフェニル基又はペンタフルオロフェニル基が好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基又はp-トリル基であることが特に好ましい。R4Aで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子が好ましい。R4Aで表される炭素原子数1~4のアルキル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。R4Aで表される炭素原子数1~4のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基が好ましい。Lとしては、0~2が好ましく、0~1が特に好ましい。式2で表される化合物のうち、式2-2で表される化合物に包含される化合物の好ましい態様としては、式2中、R1Aが、フェニル基又は4-メトキシフェニル基を表し、R2Aがシアノ基を表し、R3Aが、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基又は4-トリル基を表す態様である。以下、式2で表される化合物のうち、式2-2で表される化合物に包含される化合物の特に好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。α-メチルスルホニルオキシイミノベンジルシアニドR1A=フェニル基、R2A=シアノ基、R3A=メチル基α-エチルスルホニルオキシイミノベンジルシアニドR1A=フェニル基、R2A=シアノ基、R3A=エチル基α-n-プロピルスルホニルオキシイミノベンジルシアニドR1A=フェニル基、R2A=シアノ基、R3A=n-プロピル基α-n-ブチルスルホニルオキシイミノベンジルシアニドR1A=フェニル基、R2A=シアノ基、R3A=n-ブチル基α-4-トルエンスルホニルオキシイミノベンジルシアニドR1A=フェニル基、R2A=シアノ基、R3A=4-トリル基α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルR1A=4-メトキシフェニル基、R2A=シアノ基、R3A=メチル基α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルR1A=4-メトキシフェニル基、R2A=シアノ基、R3A=エチル基α-n-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルR1A=4-メトキシフェニル基、R2A=シアノ基、R3A=n-プロピル基α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルR1A=4-メトキシフェニル基、R2A=シアノ基、R3A=n-ブチル基α-4-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリルR1A=4-メトキシフェニル基、R2A=シアノ基、R3A=4-トリル基本発明の感光性樹脂組成物は、活性光線に感応する成分B光酸発生剤として1,2-キノンジアジド化合物を含まないことが好ましい。その理由は、1,2-キノンジアジド化合物は、逐次型光化学反応によりカルボキシ基を生成するが、その量子収率は1以下であり、オキシムスルホネート化合物に比べて感度が低いためである。これに対してオキシムスルホネート化合物は、活性光線に感応して生成する酸が保護された酸性基の脱保護に対して触媒として作用するので、1個の光量子の作用で生成した酸が、多数の脱保護反応に寄与し、量子収率は1を超え、例えば、10の数乗のような大きい値となり、いわゆる化学増幅の結果として、高感度が得られるものと推測される。本発明の感光性樹脂組成物において、成分B光酸発生剤は、成分A100重量部に対して、0.1~15重量部使用することが好ましく、0.1~10重量部使用することがより好ましく、0.5~6重量部使用することが最も好ましい。成分C溶剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分C溶剤を含有する。本発明の感光性樹脂組成物は、必須成分である成分A及び成分B、並びに、好ましい成分である後述の各種添加剤の任意成分を、成分C溶剤に溶解した溶液として調製されることが好ましい。本発明の感光性樹脂組成物に使用される成分C溶剤としては、公知の溶剤を用いることができ、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、ラクトン類等が例示できる。本発明の感光性樹脂組成物に使用される成分C溶剤としては、例えば、1エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;2エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル類;3エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;4プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;5プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;6プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;7ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;8ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;9ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;10ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル等のジプロピレングリコールジアルキルエーテル類;11ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;12乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n-ブチル、乳酸イソブチル、乳酸n-アミル、乳酸イソアミル等の乳酸エステル類;13酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n-アミル、酢酸イソアミル、酢酸n-ヘキシル、酢酸2-エチルヘキシル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸エチル、酪酸n-プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸n-ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;14ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸エチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシプロピオンメチル、3-メトキシプロピオンエチル、3-エトキシプロピオンメチル、3-エトキシプロピオンエチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;15メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;16N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;17γ-ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。また、これらの溶剤に更に必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。上記した溶剤のうち、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、及び/又は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが特に好ましい。これら溶剤は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。本発明の感光性樹脂組成物における成分C溶剤の含有量は、成分A100重量部当たり、50~3,000重量部であることが好ましく、100~2,000重量部であることがより好ましく、150~1,500重量部であることが更に好ましい。成分D熱架橋剤本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ、成分D熱架橋剤を含有することが好ましい。成分D熱架橋剤を添加することにより、ベーク工程での熱フローを抑制することができる。なお、本発明における成分Dは、成分A以外のものとする。熱架橋剤としては、ブロックイソシアネート系架橋剤、アルコキシメチル基含有架橋剤、後述するエポキシ基を有するエポキシ樹脂やカルボキシ基を有するメタアクリル樹脂等が好ましく例示できる。中でも、ブロックイソシアネート系架橋剤は、レジスト感度や保存安定性の観点から特に好ましい。また、アルコキシメチル基含有架橋剤も好適に用いることができ、メチロール化メラミン化合物を少なくとも含むことが好ましい。<ブロックイソシアネート系架橋剤>ブロックイソシアネート系架橋剤としては、骨格は特に限定されるものでは無く、ヘキサメチレンジイソシアネートHDI骨格、イソホロンジイソシアネートIPDI骨格、及び、HDIやIPDIから派生するプレポリマー型の骨格の化合物を用いることができる。硬化性の観点から、1分子内に2つ以上のブロックイソシアネート基を持つ化合物が好ましい。イソシアネート基のブロック基も特に限定されるものではなく、活性メチレン保護、ジエステル保護、オキシム保護、カプロラクタム保護、アミン保護体等を用いることが出来る。反応性の観点から、活性メチレン保護、ジエステル保護体が特に好ましい。これらブロックイソシアネート系架橋剤は、市販品として入手可能であり、例えば、デュラネートMF-K60X、MF-K60B、MF-B60X、17B-60P、TPA-B80E、E402-B80B、SBN-70D、K6000以上、旭化成ケミカルズ株製、デスモジュールBL3272、BL3575/1、BL3475、BL3370、BL4265、BL5375、VPLS2376/1、VPLS2257、VPLS2078/1、VPLS2352/1、スミジュールBL3175、以上、住化バイエルウレタン株製、ウレハイパーPUR-1804DIC株製などを好ましく使用することができる。この中でも、デュラネートMF-K60X、MF-K60B、SBN-70D、K6000が特に好ましい。本発明の感光性樹脂組成物にブロックイソシアネート系架橋剤を用いる場合のブロックイソシアネート系架橋剤の添加量は、成分A100重量部に対して、0.1~50重量部であることが好ましく、1~20重量部であることがより好ましく、3~15重量部であることが更に好ましい。この範囲で添加することにより、高い感度と、現像時の好ましいアルカリ溶解性が得られる。<アルコキシメチル基含有架橋剤>アルコキシメチル基含有架橋剤としては、アルコキシメチル化メラミン、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン、アルコキシメチル化グリコールウリル及びアルコキシメチル化尿素等が好ましい。これらは、それぞれメチロール化メラミン、メチロール化ベンゾグアナミン、メチロール化グリコールウリル、又は、メチロール化尿素のメチロール基をアルコキシメチル基に変換することにより得られる。このアルコキシメチル基の種類については特に限定されるものではなく、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基等を挙げることができるが、アウトガスの発生量の観点から、メトキシメチル基が特に好ましい。これらの架橋性化合物のうち、アルコキシメチル化メラミン、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン、アルコキシメチル化グリコールウリルが好ましい架橋性化合物として挙げられ、透明性の観点から、アルコキシメチル化グリコールウリルが特に好ましい。これらアルコキシメチル基含有架橋剤は、市販品として入手可能であり、例えば、サイメル300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300以上、三井サイアナミッド株製、ニカラックMX-750、-032、-706、-708、-40、-31、-270、-280、-290、ニカラックMS-11、ニカラックMW-30HM、-100LM、-390、以上、株三和ケミカル製などを好ましく使用することができる。この中でも、ニカラックMX-270及びニカラックMW-100LMが特に好ましい。本発明の感光性樹脂組成物にアルコキシメチル基含有架橋剤を用いる場合のアルコキシメチル基含有架橋剤の添加量は、成分A100重量部に対して、0.05~50重量部であることが好ましく、0.5~10重量部であることがより好ましく、0.5~5重量部であることが更に好ましい。この範囲で添加することにより、高い感度と、現像時の好ましいアルカリ溶解性が得られる。成分Eエポキシ基、オキセタニル基、水酸基及びカルボキシ基を合計した官能基当量が400g/eq以上である化合物本発明の感光性樹脂組成物は、膜の硬化収縮を抑制してベーク後の矩形プロファイルを得るため、エポキシ基、オキセタニル基、水酸基及びカルボキシ基を合計した官能基当量が400g/eq以上である化合物を添加することが有効である。成分Eとしては、重量平均分子量が1,000以上の樹脂であることが好ましい。具体的には、エポキシ基、オキセタニル基、水酸基及び/又はカルボキシ基を含むモノマー単位を含む共重合体が挙げられる。また、ポリメチルメタクリレートPMMAのホモポリマーのように、前記官能基を全く含まない化合物も、成分Eとして添加することができる。なお、本発明においては、成分Eが、前記成分Dの定義を満たす場合には、その両方に分類する。例えば、成分Eがエポキシ当量400g/eq以上のエポキシ樹脂である場合、前記エポキシ樹脂は成分Dであり、かつ成分Eである。なお、本発明における成分Eは、成分A以外のものとする。また、エポキシ当量、オキセタニル当量、水酸基当量及びカルボキシ基当量の測定方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができ、例えば、特定量の化合物中における前記基の含有量を滴定等により測定することにより算出することができる。例えば、JISK7236,K0070等に記載された方法を参照し、測定することができる。<エポキシ樹脂>成分Eとしては、エポキシ樹脂が好ましく挙げられる。エポキシ樹脂を添加することで、ベーク時の熱フローを抑制することができる。更に、エポキシ樹脂は、架橋膜の硬化収縮を抑制して矩形又は矩形に近いプロファイルを得るため、エポキシ当量が大きいものがよい。具体的には400g/eq以上が好ましく、400~1,000g/eqがより好ましく、400~600g/eqが特に好ましい。上記範囲であると、硬化収縮が小さいために矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることができ、また、硬化膜作製時のプロセス条件の許容範囲が大きい。なお、エポキシ当量の測定方法は、JISK7236に準拠することが好ましい。エポキシ樹脂としては、市販されているもの、及び、任意に合成されたものを使用することができる。エポキシ当量が400g/eq以上の市販されているエポキシ樹脂の具体例を以下に示す。EPICLON1050、1055、3050,4050,7050、AM-020-P、AM-040-P、HM-091、HM-101、1050-70X、1050-75X、1055-75X、1051-75M、7070-40K、HM-091-40AX、152、153、153-60T、153-60M、1121N-80M、1123P-75M、TSR-601、1650-75MPX、5500、5800、5300-70、5500-60、EXA-4850-150、EXA-4850-1000、EXA-4816、EXA-4822以上、DIC株製、エポキシ樹脂1001、1002、1003、1055、1004、1004AF、1007、1009、1010、1003F、1004F、1005F、1009F、1004FS、1006FS、1007FS、1001B80、1001X70、1001X75、1001T75、4004P、4005P、4007P、4010P、1256、4250、4275、5046B80、5047B75、5050T60、5050、5051、871、872、872X75以上、三菱化学株製、YD-011、YD-012、YD-013、YD-014、YD-017、YD-019、YD-020G、YD-7011R、YD-901、YD-902、YD-903N、YD-904、YD-907、YD-6020、YDF-2001、YDF-2004、YDF-2005RL、YDB-400、YDB-405、YDB-400T60、YDB-400EK60、YDB-500EK80、FX-305EK70、ERF-001M30以上、新日鐵化学株製。エポキシ樹脂の構造としては、BPAビスフェノールA骨格を持つことが好ましく、具体的には、EPICLON1050、1055、3050,4050、EXA-4850-150、EXA-4850-1000、EXA-4816、EXA-4822以上、DIC株製、エポキシ樹脂1001、1002、1003、1055、1004、1004AF以上、三菱化学株製、YD-011、YD-012、YD-013、YD-014以上、新日鐵化学株製が挙げられる。エポキシ樹脂の添加量としては、感光性樹脂組成物の全固形分に対して、10~50重量が好ましく、20~40重量以上であることが特に好ましい。上記範囲であると、矩形又は矩形に近いプロファイルを得ること、及び、現像工程により所望のパターンを形成することが容易である。エポキシ樹脂の分子量重量平均分子量は、500以上であることが好ましい。分子量が500以下であると、溶剤乾燥工程において揮発したり、現像工程で流出したりすることを抑制でき、エポキシ樹脂の添加効果を十分得られる。エポキシ樹脂は、1種単独で用いることもできるし、2種以上を混合して用いることもできる。また、本発明の感光性樹脂組成物は、より矩形に近いプロファイルを得る観点から、アルコキシメチル基含有架橋剤、及び、エポキシ当量が400g/eq以上のエポキシ樹脂を含有していることが好ましい。<カルボキシ基を有するメタアクリル樹脂>成分Eとしては、カルボキシ基を有するメタアクリル樹脂が挙げられる。カルボキシ基を有するメタアクリル樹脂としては、架橋膜の硬化収縮を抑制して矩形プロファイルを得るため、カルボキシ基当量が大きいものがよい。具体的には400g/eq以上が好ましく、400~1,000g/eqがより好ましく、400~600g/eqが特に好ましい。カルボキシ基を有するメタアクリル樹脂は、公知のメタアクリル単量体を用いて、カルボキシ基当量の調整は、単量体の種類、量比を調整して得ることができる。アクリル単量体としては、例えば、不飽和モノカルボン酸、メタアクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類メタアクリルアミド類が好ましい。この様な単量体の具体例としては、例えば、以下の様な化合物が挙げられる。不飽和モノカルボン酸としては、メタアクリル酸、クロトン酸、α-クロロアクリル酸、ケイ皮酸が挙げられる。メタアクリル酸エステル類としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、n-プロピルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、n-ブチルメタアクリレート、イソブチルメタアクリレート、tert-ブチルメタアクリレート、n-ヘキシルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレート、アセトキシエチルメタアクリレート、フェニルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタアクリレート、2-メトキシエチルメタアクリレート、2-エトキシエチルメタアクリレート、2-2-メトキシエトキシエチルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルメタアクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルメタアクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルメタアクリレート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメチルエーテルメタアクリレート、エチレングリコールとプロピレングリコールとの共重合体のモノメチルエーテルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジエチルアミノエチルメタアクリレート、N,N-ジメチルアミノプロピルメタアクリレート等が挙げられる。クロトン酸エステル類としては、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル等が挙げられる。メタアクリルアミド類としては、メタアクリルアミド、N-メチルメタアクリルアミド、N-エチルメタアクリルアミド、N-プロピルメタアクリルアミド、N-n-ブチルアクリルメタアミド、N-tertブチルメタアクリルアミド、N-シクロヘキシルメタアクリルアミド、N-2-メトキシエチルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N-フェニルメタアクリルアミド、N-ベンジルメタアクリルアミド、メタアクリロイルモルフォリンなどが挙げられる。これらの中でも、カルボキシ基を有するメタアクリル樹脂は、ベンジルメタアクリレートとメタアクリル酸との共重合体であることが好ましい。本発明の感光性樹脂組成物における成分Eの含有量は、成分A100重量部に対して、0.5~50重量部であることが好ましく、1~40重量部であることがより好ましく、5~30重量部であることが更に好ましい。上記範囲であると、矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることが容易である。<その他の成分>本発明の感光性樹脂組成物には、前記成分A~成分E以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、感度の観点から、成分F増感剤を含有することが好ましい。また、感度の観点から、成分G現像促進剤を添加することが好ましい。更に、本発明の感光性樹脂組成物は、基板密着性の観点から成分H密着改良剤を含有することが好ましく、液保存安定性の観点から成分I塩基性化合物を含有することが好ましく、塗布性の観点から成分J界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などを含有することが好ましい。更に、必要に応じて、本発明の感光性樹脂組成物には、成分K酸化防止剤、成分L可塑剤、及び、成分M熱ラジカル発生剤、成分N熱酸発生剤、成分O酸増殖剤、紫外線吸収剤、増粘剤、及び、有機又は無機の沈殿防止剤などの、公知の添加剤を加えることができる。また、本発明の感光性樹脂組成物は、より矩形に近いプロファイルを得る観点から、エポキシ当量が400g/eq以上のエポキシ樹脂、成分H密着改良剤、成分I塩基性化合物、及び、成分J界面活性剤を含有することが好ましく、アルコキシメチル基含有架橋剤、エポキシ当量が400g/eq以上のエポキシ樹脂、成分H密着改良剤、成分I塩基性化合物、及び、成分J界面活性剤を含有することが特に好ましい。以下、本発明の感光性樹脂組成物に含むことができるその他の成分を説明する。成分F増感剤本発明の感光性樹脂組成物において、前述の成分B光酸発生剤との組み合わせにおいて、その分解を促進させるために成分F増感剤を添加することが好ましい。増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。好ましい増感剤の例としては、以下の化合物類に属しており、かつ350nmから450nm域に吸収波長を有する化合物を挙げることができる。多核芳香族類例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、キサンテン類例えば、フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル、キサントン類例えば、キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、シアニン類例えばチアカルボシアニン、オキサカルボシアニン、メロシアニン類例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン、ローダシアニン類、オキソノール類、チアジン類例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー、アクリジン類例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、アクリドン類例えば、アクリドン、10-ブチル-2-クロロアクリドン、アントラキノン類例えば、アントラキノン、スクアリウム類例えば、スクアリウム、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類例えば、7-ジエチルアミノ4-メチルクマリン。これら増感剤の中でも、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となり、光酸発生剤への電子移動作用を有する増感剤が好ましく、多核芳香族類、アクリドン類、クマリン類、ベーススチリル類が特に好ましい。増感剤は、市販のものを用いてもよいし、公知の合成方法により合成してもよい。増感剤の添加量は、感度、透明性の両立の観点から、成分B光酸発生剤100重量部に対して、20~300重量部が好ましく、30~200重量部が特に好ましい。成分G現像促進剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分G現像促進剤を含有することが好ましい。成分G現像促進剤としては、現像促進効果のある任意の化合物を使用できるが、カルボキシ基、フェノール性水酸基、及び、アルキレンオキシ基よりなる群から選ばれた少なくとも1種の構造を有する化合物であることが好ましく、カルボキシ基又はフェノール性水酸基を有する化合物がより好ましく、フェノール性水酸基を有する化合物が最も好ましい。また、成分G現像促進剤の分子量としては、100~2,000が好ましく、150~1,500が更に好ましく、150~1,000が特に好ましい。現像促進剤の例として、アルキレンオキシ基を有するものとしては、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールのモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールのジメチルエーテル、ポリエチレングリコールグリセリルエステル、ポリプロピレングリコールグリセリルエステル、ポリプロピレングリコールジグリセリルエステル、ポリブチレングリコール、ポリエチレングリコール-ビスフェノールAエーテル、ポリプロピレングリコール-ビスフェノールAエーテル、ポリオキシエチレンのアルキルエーテル、ポリオキシエチレンのアルキルエステル、及び、特開平9-222724号公報に記載の化合物等を挙げることができる。カルボキシ基を有するものとしては、特開2000-66406号公報、特開平9-6001号公報、特開平10-20501号公報、特開平11-338150号公報等に記載の化合物を挙げることができる。フェノール性水酸基を有するものとしては、特開2005-346024号公報、特開平10-133366号公報、特開平9-194415号公報、特開平9-222724号公報、特開平11-171810号公報、特開2007-121766号公報、特開平9-297396号公報、特開2003-43679号公報等に記載の化合物を挙げる事ができる。これらの中でも、ベンゼン環数が2~10個のフェノール化合物が好適であり、ベンゼン環数が2~5個のフェノール化合物が更に好適である。特に好ましいものとしては、特開平10-133366号公報に溶解促進剤として開示されているフェノール性化合物を挙げることができる。成分G現像促進剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用することも可能である。本発明の感光性樹脂組成物における成分G現像促進剤の添加量は、感度と残膜率の観点から、成分A100重量部に対し、0.1~30重量部が好ましく、0.2~20重量部がより好ましく、0.5~10重量部であることが最も好ましい。成分H密着改良剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分H密着改良剤を含有することが好ましい。本発明の感光性樹脂組成物に用いることができる成分H密着改良剤は、基板となる無機物、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との密着性を向上させる化合物である。具体的には、シランカップリング剤、チオール系化合物等が挙げられる。本発明で使用される成分H密着改良剤としてのシランカップリング剤は、界面の改質を目的とするものであり、特に限定することなく、公知のものを使用することができる。好ましいシランカップリング剤としては、例えば、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリアコキシシラン、γ-グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ-クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。これらのうち、γ-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、及び、γ-メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、γ-グリシドキシプロピルトリアルコキシシランが更に好ましい。これらは1種単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。これらは基板との密着性の向上に有効であるとともに、基板とのテーパー角の調整にも有効である。本発明の感光性樹脂組成物における成分H密着改良剤の含有量は、成分A100重量部に対して、0.1~20重量部が好ましく、0.5~10重量部がより好ましい。成分I塩基性化合物本発明の感光性樹脂組成物は、成分I塩基性化合物を含有することが好ましい。成分I塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、及び、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、N-メチル-4-フェニルピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.3.0]-7-ウンデセンなどが挙げられる。第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ-n-ブチルアンモニウムアセテート、テトラ-n-ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。本発明に用いることができる塩基性化合物は、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよいが、2種以上を併用することが好ましく、2種を併用することがより好ましく、複素環式アミンを2種併用することが更に好ましい。本発明の感光性樹脂組成物における成分I塩基性化合物の含有量は、成分A100重量部に対して、0.001~1重量部であることが好ましく、0.002~0.2重量部であることがより好ましい。成分J界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤など本発明の感光性樹脂組成物は、成分J界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などを含有することが好ましい。界面活性剤としては、下記に示す構成単位Aと構成単位Bとを含む共重合体3を好ましい例として挙げることができる。該共重合体の重量平均分子量Mwは、1,000以上10,000以下であることが好ましく、1,500以上5,000以下であることがより好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCで測定されるポリスチレン換算の値である。共重合体3中、R21及びR23はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、R22は炭素数1以上4以下の直鎖アルキレン基を表し、R24は水素原子又は炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、Lは炭素数3以上6以下のアルキレン基を表し、p及びqは重合比を表す重量百分率であり、pは10重量以上80重量以下の数値を表し、qは20重量以上90重量以下の数値を表し、rは1以上18以下の整数を表し、nは1以上10以下の整数を表す。構成単位B中におけるLは、下記式4で表されるアルキレン基であることが好ましい。式4中、R25は炭素数1以上4以下のアルキル基を表し、相溶性と被塗布面に対する濡れ性の点で、炭素数1以上3以下のアルキル基が好ましく、炭素数2又は3のアルキル基がより好ましい。また、pとqとの和pqは、pq=100、すなわち、100重量であることが好ましい。フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤の例として具体的には、特開昭62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-5988号、特開2001-330953号等の各公報記載の界面活性剤を挙げることができ、市販の界面活性剤を用いることもできる。使用できる市販の界面活性剤として、例えば、エフトップEF301、EF303、以上、三菱マテリアル電子化成株製、フロラードFC430、431以上、住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、R08以上、DIC株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106以上、旭硝子株製、PolyFoxシリーズOMNOVA社製等のフッ素系界面活性剤又はシリコーン系界面活性剤を挙げることができる。また、ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコーン系界面活性剤として用いることができる。これら界面活性剤は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、フッ素系界面活性剤とシリコーン系界面活性剤とを併用してもよい。本発明の感光性樹脂組成物における成分J界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの添加量は、成分A100重量部に対して、10重量部以下であることが好ましく、0.01~10重量部であることがより好ましく、0.01~1重量部であることが更に好ましい。成分K酸化防止剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分K酸化防止剤を含有してもよい。成分K酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤を含有することができる。成分K酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色を防止できる、又は、分解による膜厚減少を低減でき、また、耐熱透明性に優れるという利点がある。このような酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。これらの中では、硬化膜の着色、膜厚減少の観点から特にフェノール系酸化防止剤が好ましい。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。フェノール系酸化防止剤の市販品としては、例えば、アデカスタブAO-60、アデカスタブAO-80以上、株ADEKA製、イルガノックス1098チバジャパン株製が挙げられる。成分K酸化防止剤の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分に対して、0.1~6重量であることが好ましく、0.2~5重量であることがより好ましく、0.5~4重量であることが特に好ましい。この範囲にすることで、形成された膜の十分な透明性が得られ、かつ、パターン形成時の感度も良好となる。また、酸化防止剤以外の添加剤として、高分子添加剤の新展開株日刊工業新聞社に記載の各種紫外線吸収剤や、金属不活性化剤等を本発明の感光性樹脂組成物に添加してもよい。成分L可塑剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分L可塑剤を含有してもよい。成分L可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリン、ジメチルグリセリンフタレート、酒石酸ジブチル、アジピン酸ジオクチル、トリアセチルグリセリンなどが挙げられる。本発明の感光性樹脂組成物における成分L可塑剤の含有量は、成分A100重量部に対して、0.1~30重量部であることが好ましく、1~10重量部であることがより好ましい。成分M熱ラジカル発生剤本発明の感光性樹脂組成物は、成分M熱ラジカル発生剤を含んでいてもよく、前述の少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物のようなエチレン性不飽和化合物を含有する場合、成分M熱ラジカル発生剤を含有することが好ましい。熱ラジカル発生剤としては、公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。熱ラジカル発生剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性化合物の重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル発生剤を添加することによって、得られた硬化膜がより強靭になり、耐熱性、耐溶剤性が向上する場合がある。好ましい熱ラジカル発生剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物、ビベンジル化合物等が挙げられる。成分M熱ラジカル発生剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用することも可能である。本発明の感光性樹脂組成物における成分M熱ラジカル発生剤の含有量は、膜物性向上の観点から、成分Aを100重量部としたとき、0.01~50重量部が好ましく、0.1~20重量部がより好ましく、0.5~10重量部であることが最も好ましい。成分N熱酸発生剤本発明では、低温硬化での膜物性等を改良するために、成分N熱酸発生剤を使用してもよい。熱酸発生剤とは、熱により酸が発生する化合物であり、通常、熱分解点が130°C~250°C、好ましくは150°C~220°Cの範囲の化合物であり、例えば、加熱によりスルホン酸、カルボン酸、ジスルホニルイミドなどの低求核性の酸を発生する化合物である。発生酸としてはpKaが2以下と強い、スルホン酸や電子求引基の置換したアルキルカルボン酸又はアリールカルボン酸、同じく電子求引基の置換したジスルホニルイミドなどが好ましい。電子求引基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を挙げることができる。また、本発明においては露光光の照射によって実質的に酸を発生せず、熱によって酸を発生するスルホン酸エステルを使用することも好ましい。露光光の照射によって実質的に酸を発生していないことは、化合物の露光前後でのIRスペクトル、NMRスペクトル測定により、スペクトルに変化がないことで判定することができる。熱酸発生剤の分子量は、230~1,000が好ましく、230~800がより好ましい。本発明で使用可能なスルホン酸エステルは、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いてもよい。スルホン酸エステルは、例えば、塩基性条件下、スルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を対応する多価アルコールと反応させることにより合成することができる。熱酸発生剤の感光性樹脂組成物への含有量は、成分A100重量部に対し、0.5~20重量部が好ましく、1~15重量部が特に好ましい。成分O酸増殖剤本発明の感光性樹脂組成物は、感度向上を目的に、成分O酸増殖剤を用いることができる。本発明において用いる酸増殖剤は、酸触媒反応によって更に酸を発生して反応系内の酸濃度を上昇させることができる化合物であり、酸が存在しない状態では安定に存在する化合物である。このような化合物は、1回の反応で1つ以上の酸が増えるため、反応の進行に伴って加速的に反応が進むが、発生した酸自体が自己分解を誘起するため、ここで発生する酸の強度は、酸解離定数、pKaとして3以下であるのが好ましく、特に2以下であるのが好ましい。酸増殖剤の具体例としては、特開平10-1508号公報の段落0203~0223、特開平10-282642号公報の段落0016~0055、及び、特表平9-512498号公報第39頁12行目~第47頁2行目に記載の化合物を挙げることができる。本発明で用いることができる酸増殖剤としては、酸発生剤から発生した酸によって分解し、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フェニルホスホン酸などのpKaが3以下の酸を発生させる化合物を挙げることができる。酸増殖剤の感光性樹脂組成物への含有量は、成分B光酸発生剤100重量部に対して、10~1,000重量部とするのが、露光部と未露光部の溶解コントラストの観点から好ましく、20~500重量部とするのが更に好ましい。パターン作製方法本発明のパターン作製方法は、本発明の感光性樹脂組成物を用いてパターンを作製する方法であれば、特に制限はないが、本発明の感光性樹脂組成物から溶剤を除去し膜を形成する膜形成工程、前記膜を活性光線によりパターン状に露光する露光工程、露光された前記膜を水性現像液により現像しパターンを形成する現像工程、及び、前記パターンを加熱するベーク工程、を含むことが好ましい。本発明におけるパターン作製方法は、以下の1~6の工程を含むことがより好ましい。1本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布する塗布工程2塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する溶剤除去工程3溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線によりパターン状に露光する露光工程4露光された感光性樹脂組成物を水性現像液により現像する現像工程5現像された感光性樹脂組成物を活性光線により露光する工程ポスト露光6現像された感光性樹脂組成物を熱硬化するベーク工程前記膜形成工程は、上記塗布工程及び上記溶剤除去工程であることが好ましい。以下に各工程を順に説明する。1本発明の感光性樹脂組成物を、所定の基板に塗布し、減圧及び/又は加熱プリベークにより溶剤を除去することにより、所望の乾燥塗膜を形成することができる。本発明において使用することができる基板材料、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、ガラス、ガラス-セラミックス、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、鋼、銅-シリコン合金、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス;ポリイミド及びポリエステルなどの有機フィルム;金属、半導体、及び絶縁材料のパターニング領域を含有する任意の基板などが含まれるが、それらに限定されない。場合によって、本発明の感光性樹脂組成物を塗布する前に、吸収された湿分を除去するため基板上でベークステップを実施できる。基板への塗布方法は特に限定されず、例えば、スリットコート法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法等の方法を用いることができる。大型基板の場合は、中でもスリットコート法が好ましい。ここで大型基板とは、各辺が1m以上の大きさの基板をいう。2溶剤除去工程では、塗布された上記の膜から、減圧バキューム及び/又は加熱により、溶剤を除去して基板上に乾燥塗膜を形成させる。加熱条件は、未露光部における成分A中のモノマー単位a1において酸分解性基が分解して、かつ、成分Aをアルカリ現像液に可溶性としない範囲であり、各成分の種類や配合比によっても異なるが、好ましくは70~120°Cで30~300秒間程度である。本発明の感光性樹脂組成物は、乾燥後の膜厚が4μm以上である、いわゆる厚膜レジストとして好適に用いられる。これは、本発明が高感度であることと、形状制御性が良いためである。膜厚としては4~500μmが好ましく、4~100μmが特に好ましい。3露光工程では、乾燥塗膜を設けた基板に所定のパターンの活性光線を照射する。露光はマスクを介して行ってもよいし、所定のパターンを直接描画してもよい。波長300nm以上450nm以下の波長を有する活性光線が好ましく使用できる。露光工程の後、必要に応じてPEB露光後加熱処理を行う。活性光線による露光には、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、レーザ発生装置などを用いることができる。水銀灯を用いる場合には、g線436nm、i線365nm、h線405nmなどの波長を有する活性光線が好ましく使用できる。水銀灯はレーザに比べると、大面積の露光に適するという点で好ましい。レーザを用いる場合には固体YAGレーザでは、343nm、355nmが用いられ、エキシマレーザでは351nmXeFが用いられ、更に半導体レーザでは375nm、405nmが用いられる。この中でも安定性、コスト等の点から355nm、405nmがより好ましい。レーザは1回あるいは複数回に分けて、塗膜に照射することができる。レーザの1パルス当たりのエネルギー密度は、0.1mJ/cm2以上10,000mJ/cm2以下であることが好ましい。塗膜を十分に硬化させるには、0.3mJ/cm2以上がより好ましく、0.5mJ/cm2以上が最も好ましく、アブレーション現象により塗膜を分解させないようにするには、1,000mJ/cm2以下がより好ましく、100mJ/cm2以下が最も好ましい。また、パルス幅は0.1nsec以上30,000nsec以下であることが好ましい。アブレーション現象により色塗膜を分解させないようにするには、0.5nsec以上がより好ましく、1nsec以上が最も好ましく、スキャン露光の際に合わせ精度を向上させるには、1,000nsec以下がより好ましく、50nsec以下が最も好ましい。更に、レーザの周波数は1Hz以上50,000Hz以下であることが好ましい。露光処理時間を短くするには、10Hz以上がより好ましく、100Hz以上が最も好ましく、スキャン露光の際に合わせ精度を向上させるには、10,000Hz以下がより好ましく、1,000Hz以下が最も好ましい。レーザは水銀灯と比べると、焦点を絞ることが容易であり、露光工程でのパターン形成のマスクが不要でコストダウンできるという点で好ましい。本発明に使用可能な露光装置としては、特に制限はないが市販されているものとしては、Callisto株ブイテクノロジー製やAEGIS株ブイテクノロジー製やDF2200G大日本スクリーン製造株製などが使用可能である。また上記以外の装置も好適に用いられる。また、必要に応じて長波長カットフィルタ、短波長カットフィルタ、バンドパスフィルタのような分光フィルタを通して照射光を調整することもできる。酸触媒の生成した領域において、上記の分解反応を加速させるために、必要に応じて、PEB露光後加熱処理を行うことができる。PEBにより、酸分解性基からのカルボキシ基生成を促進させることができる。本発明におけるモノマー単位a1中の酸分解性基は、酸分解の活性化エネルギーが低く、露光による酸発生剤由来の酸により容易に分解し、カルボキシ基を生じるため、必ずしもPEBを行うことなく、現像によりポジ画像を形成することもできる。なお、比較的低温でPEBを行うことにより、架橋反応を起こすことなく、酸分解性基の加水分解を促進することもできる。PEBを行う場合の温度は、30°C以上130°C以下であることが好ましく、40°C以上110°C以下がより好ましく、50°C以上90°C以下が特に好ましい。4現像工程では、遊離したカルボキシ基を有する成分Aを、アルカリ性現像液を用いて現像する。アルカリ性現像液に溶解しやすいカルボキシ基を有する樹脂組成物を含む露光部領域を除去することにより、ポジ画像が形成する。アルカリ性現像液に使用できる塩基性化合物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩類;重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどのアルカリ金属重炭酸塩類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類;ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノールやエタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。現像液のpHは、10.0~14.0であることが好ましい。現像時間は、30~180秒間であることが好ましく、また、現像の手法は液盛り法、ディップ法、シャワー法等のいずれでもよい。現像後は、流水洗浄を10~90秒間行い、所望のパターンを形成させることが好ましい。6ベーク工程に先立ち、パターンを形成した基板に活性光線により再露光ポスト露光し、未露光部分に存在する成分B光酸発生剤から酸を発生させ、架橋を促進する触媒として機能させることが好ましい。すなわち、本発明における硬化膜の形成方法は、現像工程とベーク工程との間に、5活性光線により露光する再露光工程ポスト露光工程を含むことが好ましい。再露光工程における露光は、前記露光工程と同様の手段により行えばよいが、前記再露光工程では、基板の本発明の感光性樹脂組成物により膜が形成された側に対し、全面露光を行うことが好ましい。再露光工程の好ましい露光量としては、100~1,000mJ/cm2である。6ベーク工程において、得られたポジ画像を加熱することにより、モノマー単位a1中の酸分解性基を熱分解しカルボキシ基を生成させ、エポキシ基及び/又はオキセタニル基と架橋させることにより、硬化膜を形成することができる。矩形又は矩形に近いプロファイルを得るためには、異なる温度で2段階の加熱を行ういわゆる2段ベークを行うことが好ましい。2段ベークを行うことで、まず1段目のベークで膜をある程度硬化させ形状を決定し、更に2段目のベークによって膜を焼成して必要な耐久性を付与することができる。1段目のベーク温度としては、90°C~150°Cが好ましく、時間は10~60分が好ましい。2段目のベーク温度としては、180~250°Cが好ましく、時間は30~90分が好ましい。また、3段以上のベーク工程を行うことも可能である。前記ベーク工程後の前記パターンの断面形状におけるテーパー角は、60°以上であることが好ましく、70°以上であることがより好ましく、80°以上であることが特に好ましい。本発明の感光性樹脂組成物により、ベーク工程後でも矩形又は矩形に近いプロファイルを得ることができるので、特にエッチングレジストとして有用である。MEMS構造体及びその作製方法、ドライエッチング方法、ウェットエッチング方法、MEMSシャッターデバイス、並びに、画像表示装置本発明のMEMSMicroElectroMechanicalSystems構造体の作製方法は、本発明のパターン作製方法により作製したパターンを構造体積層時の犠牲層として用いて構造体を作製する工程、及び、前記犠牲層をプラズマ処理にて除去する工程、を含むことが好ましい。本発明のMEMS構造体は、本発明のパターン作製方法で作製したパターンを構造物積層時の犠牲層として用いて作製されたMEMS構造体である。本発明のMEMSシャッターデバイスは、本発明のMEMS構造体の作製方法により作製したMEMSシャッターデバイスである。本発明の画像形成装置は、本発明のMEMSシャッターデバイスを備えたものであることが好ましい。MEMSMicroElectroMechanicalSystemとは、マイクロサイズ以下の微小な構造を有する電子機械素子又はシステムやマイクロマシンのことを指し、例えば、機械駆動部品、センサー、アクチュエータ、電子回路を1つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料などの上に集積化したデバイスが挙げられる。また、MEMSシャッターデバイス、及び、MEMSシャッターデバイスを備えた画像形成装置としては、特表2008-533510号公報に記載のものが例示できる。本発明のパターン作製方法により作製されたパターンをMEMS構造体作製用の犠牲層として用いる場合、前記パターンの上に、塗布、蒸着、スパッタ、CVD、めっきなど種々の成膜プロセスを用いて、金属、金属酸化物、ケイ素化合物、半導体などの無機物や、ポリイミドなどの有機物を積層させることができる。また、2種以上の異なる材質を多層に積層させることもできる。また、本発明において使用することができるMEMS犠牲層の下地材料としては、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、ガラス、ガラス-セラミックス、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、鋼、銅-シリコン合金、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス;ポリイミド及びポリエステルなどの有機フィルム;金属、半導体、及び絶縁材料のパターニング領域を含有する任意の基板などが含まれるが、それらに限定されない。場合によって、本発明の感光性樹脂組成物を塗布する前に、吸収された湿分を除去するため基板上でベークステップを実施できる。本発明のパターン作製方法により作製されたパターンをドライエッチングレジストとして使用する場合、エッチング処理としてはアッシング、プラズマエッチング、オゾンエッチングなどのドライエッチング処理を行うことができる。特に、フッ素系ガスによるドライエッチング工程におけるエッチングレジストとして使用することが好ましい。本発明のドライエッチング方法は、本発明のパターン作製方法で作製したパターンをドライエッチング用レジストとして用いてドライエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むこと好ましい。また、本発明において使用することができる被ドライエッチング材料としては、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、ガラス、ガラス-セラミックス、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、鋼、銅-シリコン合金、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス;金属、半導体、及び、絶縁材料のパターニング領域を含有する任意の基板などが含まれるが、それらに限定されない。プラズマの発生法としては、特に制限はなく、減圧プラズマ法、大気プラズマ法のいずれも適用することができる。また、プラズマエッチングには、例えば、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンの中から選ばれる不活性ガス、O2、CF4、C2F4、N2、CO2、SF6、CHF3、少なくともO、N、F又はClを含む反応性ガスを好ましく使用することができる。本発明のパターン作製方法により作製されたパターンをウェットエッチングレジストとして使用する場合、酸、アルカリ、溶剤など既知の薬剤によるウェットエッチング処理を行うことができる。本発明のウェットエッチング方法は、本発明のパターン作製方法で作製したパターンをウェットエッチング用レジストとして用いてウェットエッチングを行う工程、及び、前記パターンをプラズマ処理又は薬品処理により除去する工程、を含むことが好ましい。また、本発明において使用することができる被ウェットエッチング材料としては、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、ガラス、ガラス-セラミックス、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、鋼、銅-シリコン合金、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス;金属、半導体、及び、絶縁材料のパターニング領域を含有する任意の基板などが含まれるが、それらに限定されない。ウェットエッチングとしては、例えば、過マンガン酸ナトリウム水溶液による酸化エッチング処理や、水酸化ナトリウムのような強アルカリ水溶液処理、フッ化水素酸処理等が挙げられる。MEMS作製後やエッチング処理後にパターンを剥離する際には、アッシングなどの既知のドライプラズマプロセスや、アルカリ薬品処理などの既知のウェットプロセスによる剥離を行うことができる。本発明の硬化物はベーク工程を経て硬化しているため、ドライプラズマプロセスによる剥離が特に好ましい。MEMS用犠牲層として用いる場合、MEMSの複雑な形状からレジストを除去するために、ドライプロセスによる剥離を行うことが好ましい。特に、酸素プラズマ処理が好ましい。ウェットエッチングやドライエッチング用レジストを平面レジストとして使用した場合でも、酸素プラズマ処理が好適に用いられるが、薬液による加熱処理によってレジストを剥離除去することも可能である。次に、実施例により本発明を更に具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、部、は重量基準である。以下の合成例において、以下の略号はそれぞれ以下の化合物を表す。V-65:2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルV-601:ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートGMA:グリシジルメタクリレートPGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート<重合体A-1の合成><合成例1:MATHFの合成>3つ口フラスコにメタクリル酸50.33g0.585mol、カンファースルホン酸0.27g0.2molを混合して15°Cに冷却した。その溶液に2,3-ジヒドロフラン41.00g0.585molを滴下した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液500mLを加え、酢酸エチル500mLで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。不溶物を濾過後40°C以下で減圧濃縮減圧し、残渣の無色油状物を減圧蒸留することで沸点bp.54~56°C/3.5mmHg留分の73.02gのMATHFを得た。<合成例1:特定樹脂Aの合成>3つ口フラスコにPGMEA50.0gを入れ、窒素雰囲気下において80°Cに昇温した。その溶液にMAA9.5g、MATHF36.5g、X-12.40g、HEMA4.07g、OXE-3017.27g、V-6011.72g、モノマーに対して3molをPGMEA36.0gに溶解させ、2時間かけて滴下した。滴下終了後4時間撹拌し、反応を終了させた。それにより特定樹脂Aを得た。酸価は39.5mgKOH/g、重量平均分子量は16,000であった。<重合体A-2~A-39の合成>重合体A-1の合成で使用した各モノマーを表1に記載の各モノマー単位a1~a5を形成するモノマーに変更し、各モノマー単位を形成するモノマーの使用量を表1に記載のものに変更した点と、基質に応じてラジカル重合開始剤V-601又はV-65を適切に用いた点以外は、重合体A-1の合成と同様にして、重合体A-2~A-39をそれぞれ合成した。ラジカル重合開始剤V-601又はV-65の添加量は、表1に記載の分子量となるようにそれぞれ調整した。<重合体A-40>冷却管、撹拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル7重量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込んだ。引き続き1-シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート40重量部、スチレン5重量部、メタクリル酸グリシジル45重量部、2-ヒドロキシエチルメタクリレート10重量部及びα-メチルスチレンダイマー3重量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体A-40を含む重合体溶液を得た。<重合体A-41>スチレン/メタクリル酸/メタクリル酸t-ブチル/メタクリル酸2-ヒドロキシエチル共重合体還流冷却器を具えたフラスコを用い、このフラスコ内を窒素置換した後、重合開始剤として2,2’-アゾビスイソブチロニトリル7.0重量部を乳酸エチルに溶解した溶液200重量部をフラスコ内に仕込んだ。次いで、スチレン35重量部、メタクリル酸20重量部、メタクリル酸t-ブチル30重量部及びメタクリル酸2-ヒドロキシエチル15重量部を仕込んだ後、ゆるやかに撹拌しながら液の温度を70°Cに上昇させ、この温度を7時間保持して単量体を共重合し、共重合体溶液A-41を300重量部得た。なお、表1に記載のモル比は、種類欄に記載の各モノマー由来のモノマー単位の共重合比である。また、表1中-はそのモノマー単位を使用していないことを示す。また、表1中の略号は以下の通りである。MAEVE:メタクリル酸1-エトキシエチルMATHF:メタクリル酸テトラヒドロフラン-2-イルMACHOE:メタクリル酸1-シクロヘキシルオキシエチルGMA:グリシジルメタクリレートOXE-30:メタクリル酸3-エチルオキセタン-3-イルメチル大阪有機化学工業株製保護フェノール1:下記合成例で得られたフェノール性水酸基のエチルアセタール保護体St:スチレンDCPM:メタクリル酸ジシクロペンタニルHEMA:メタクリル酸2-ヒドロキシエチルMAA:メタクリル酸X1、X3、X4、X6、X9、X10、X11、X13、X14、X15、X16、X20及びX23:下記化合物なお、Phはフェニル基を表す。<保護フェノール14-ヒドロキシ安息香酸2-メタクリロイルオキシエチルエステルのエチルアセタール保護体の合成>4-ヒドロキシ安息香酸2-ヒドロキシエチルエステル21gのアセトニトリル100ml溶液に、撹拌下、N,N-ジメチルアセトアミド20mlを加え、更にメタクリル酸クロリド20gを加えた。35°Cで8時間、撹拌しながら反応させた後、反応混合物を氷水にあけ、析出した結晶を濾取し、酢酸エチル/n-ヘキサンから再結晶し、4-ヒドロキシ安息香酸2-メタクリロイルオキシエチルエステルを得た。上記のようにして得られたフェノールを酸触媒下、エチルビニルエーテルと反応させることで、フェノール性水酸基のエチルアセタール保護体保護フェノール1を得た。実施例1~45、及び、比較例1~91感光性樹脂組成物の調製下記表2に示す各成分を混合して均一な溶液とした後、0.1μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレン製フィルタを用いてろ過して、実施例1~45及び比較例1~9の感光性樹脂組成物をそれぞれ調製した。得られた実施例1~45及び比較例1~9の感光性樹脂組成物を使用し、後述する評価をそれぞれ行った。評価結果を表3及び表4に示す。なお、表2中の略号は以下の通りである。B1:CGI1397下記化合物、チバスペシャルティケミカルズ社製B2:α-p-トルエンスルホニルオキシイミノフェニルアセトニトリル合成方法は、下記に示した通りである。B3:下記合成方法により合成したオキシムスルホネート化合物C1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD1:ニカラックMW-100LM株三和ケミカル製D3:デュラネートMF-K60Xブロックイソシアネート系架橋剤、活性メチレン保護多官能型、旭化成ケミカルズ株製D4:デュラネートMF-B60Xブロックイソシアネート系架橋剤、オキシム保護多官能型、旭化成ケミカルズ株製E5:EPICLONEXA-4816DIC株製、エポキシ当量:403g/eqE9:JER157S65三菱化学株製、エポキシ当量:200~220g/eqF1:9,10-ジブトキシアントラセンDBAH1:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランKBM-403信越化学工業株製I1:1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネンI2:トリフェニルイミダゾールJ1:下記に示す化合物W-3<B2の合成法>特表2002-528451号公報の段落0108に記載の方法に従って、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノフェニルアセトニトリルを合成した。<B3の合成法>2-ナフトール10g、クロロベンゼン30mLの懸濁溶液に塩化アルミニウム10.6g、2-クロロプロピオニルクロリド10.1gを添加し、混合液を40°Cに加熱して2時間反応させた。氷冷下、反応液に4NHCl水溶液60mLを滴下し、酢酸エチル50mLを添加して分液した。有機層に炭酸カリウム19.2gを加え、40°Cで1時間反応させた後、2NHCl水溶液60mLを添加して分液し、有機層を濃縮後、結晶をジイソプロピルエーテル10mLでリスラリーし、ろ過、乾燥してケトン化合物6.5gを得た。得られたケトン化合物3.0g、メタノール30mLの懸濁溶液に酢酸7.3g、50ヒドロキシルアミン水溶液8.0gを添加し、加熱還流した。放冷後、水50mLを加え、析出した結晶をろ過、冷メタノール洗浄後、乾燥してオキシム化合物2.4gを得た。得られたオキシム化合物1.8gをアセトン20mLに溶解させ、氷冷下トリエチルアミン1.5g、p-トルエンスルホニルクロリド2.4gを添加し、室温に昇温して1時間反応させた。反応液に水50mLを添加し、析出した結晶をろ過後、メタノール20mLでリスラリーし、ろ過、乾燥してB32.3gを得た。なお、B3の1H-NMRスペクトル300MHz、CDCl3は、δ=8.3d,1H,8.0d,2H,7.9d,1H,7.8d,1H,7.6dd,1H,7.4dd,1H7.3d,2H,7.1d.1H,5.6q,1H,2.4s,3H,1.7d,3Hであった。<感光性樹脂組成物の評価>1感度の評価PEB無しシリコン酸化膜を有するシリコンウエハ上に感光性樹脂組成物をスピン塗布した後、90°Cで120秒間ホットプレート上においてプリベークして膜厚4μmの塗膜を形成した。次に、i線ステッパーキヤノン株製FPA-3000i5を用いて、所定のマスクを介して露光した。露光後10分間基板を室温23°Cで放置した後、0.4のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23°Cで60秒間液盛り法により現像し、更に超純水で45秒間リンスした。これらの操作により10μmのラインアンドスペースを1:1で解像する時の最適露光量Eoptを感度とした。感度は、小さいほうが高感度であるといえる。特に、感度が70mJ/cm2より低露光量の場合が好ましい。なお、PEBは実施していない。2テーパー角評価及びパターンプロファイルの評価シリコン酸化膜を有するシリコンウエハ上に、感光性樹脂組成物をスピン塗布した後、90°Cで120秒間ホットプレート上においてプリベークして膜厚4μmの塗膜を形成した。次に、i線ステッパーキヤノン株製FPA-3000i5を用いて、所定のマスクを介して70mJ露光した。露光後10分間基板を室温23°Cで放置した後、0.4のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23°Cで60秒間液盛り法により現像し、更に超純水で45秒間リンスした。次に2段ベーク処理1段目:140°C-30分、2段目:230°C-60分を行い焼成した。その後10μmのラインスペースパターンの断面を走査型電子顕微鏡SEMにて観察し、テーパー角を測定した。更に、テーパー角及び全体の矩形性に基づきプロファイル形状を評価した。プロファイルが矩形に近いほど、MEMS用レジストであれば本来所望する形状矩形の構造体をレジスト上に積層させることができ、また、ドライエッチング用レジストであれば、ドライエッチング工程で被エッチング材料を精密に加工することができる。その際、矩形部分が曲線であるほうが悪い、鋭角であるほうが良いとの観点での10段階の感度評価を行った。評価点6~10までが実用可能で問題ないレベルと判定される。パターン形状のイメージを図1、図2及び図3に示す。それぞれ図1が評価10、図2が評価6、図3が評価1の場合における形状のイメージ図である。3薬品耐性の評価前記パターンプロファイル評価と同様の工程で作製した硬化膜を、5シュウ酸水溶液に40°Cで10分浸漬した前後での膜厚変化を評価した。評価点7~10までが実用可能で問題ないレベルと判定される。10:膜厚変化が±1未満であった。9:膜厚変化が±1以上3未満であった。8:膜厚変化が±1以上5未満であった。7:膜厚変化が±5以上7未満であった。6:膜厚変化が±7以上9未満であった。5:膜厚変化が±9以上11未満であった。4:膜厚変化が±11以上15未満であった。3:膜厚変化が±15以上20未満であった。2:膜厚変化が±20以上であった。1:膜剥がれが確認された。4現像欠陥の評価シリコン酸化膜を有するシリコンウエハ上に、感光性樹脂組成物をスピン塗布した後、90°Cで120秒間ホットプレート上においてプリベークして膜厚4μmの塗膜を形成した。次に、i線ステッパーキヤノン株製FPA-3000i5を用いて、所定のマスクを介して70mJ露光した。露光後10分間基板を室温23°Cで放置した後、0.4のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により23°Cで60秒間液盛り法により現像した。現像後の基板を光学顕微鏡にて観察し、現像欠陥の個数をカウントした。10:現像欠陥が0個/ウエハ9:現像欠陥が1~2個/ウエハ8:現像欠陥が3~5個/ウエハ7:現像欠陥が6~10個/ウエハ6:現像欠陥が11~15個/ウエハ5:現像欠陥が16~20個/ウエハ4:現像欠陥が21~25個/ウエハ3:現像欠陥が26~30個/ウエハ2:現像欠陥が31~40個/ウエハ1:現像欠陥が41個/ウエハ以上5MEMSシャッターディスプレイの作製及び動作評価表示ムラの評価得られた感光性樹脂組成物を犠牲層として用い、特表2008-533510号公報に記載の方法によりMEMSシャッターデバイス及び5インチのMEMSシャッターデバイスを用いた表示装置を作製した。作製した表示装置を駆動させ、その表示ムラに関して目視評価にて官能的に判断し、以下の10段階の評価を行った。10:表示ムラが10個以下9:表示ムラが11個~20個8:表示ムラが21個~30個7:表示ムラが31個~40個6:表示ムラが41個~50個5:表示ムラが51個~60個4:表示ムラが61個~70個3:表示ムラが71個~80個2:表示ムラが81個~90個1:表示ムラが91個以上また、実施例32の感光性樹脂組成物を使用し、前記2テーパー角度評価及びパターンプロファイルの評価における2段ベーク処理の条件を表5に記載の条件に変更した以外は、前記実施例32と同様にして、2テーパー角評価及びパターンプロファイルの評価、並びに、5MEMSシャッターディスプレイの作製及び動作評価を行った。実施例1及び32において、塗膜の膜厚を4μmから10μm、50μm、100μmにそれぞれ変更した以外は同様な操作を行い、2テーパー角評価及びパターンプロファイルの評価、3薬品耐性の評価、及び、4現像欠陥の評価を行った結果を表6に示す。"