"下記一般式1で表される化合物。式中、R1~R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。請求項1に記載の化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層上に接するように設けられていることを特徴とする請求項2に記載の電界効果トランジスタ。ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記有機半導体層が、前記ソース電極及びドレイン電極上を覆うように設けられていることを特徴とする請求項2に記載の電界効果トランジスタ。前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。請求項1に記載の化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、前記化合物を含む組成物を用いて浸漬法、塗布法又は印刷法によって前記有機半導体層を形成する工程を含み、前記組成物は、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。請求項1に記載の化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする太陽電池。前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、請求項1に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池。請求項1に記載の化合物を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする有機発光素子。前記キャリヤ輸送層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項12に記載の有機発光素子。前記キャリヤ輸送層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項12に記載の有機発光素子。請求項1に記載の化合物を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物。請求項1に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物。p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、請求項1に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物。請求項1に記載の化合物を含むことを特徴とする有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物。請求項2~6のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする表示装置用アレイ。画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、請求項12~14のいずれか一項に記載の有機発光素子であることを特徴とする表示装置。しかし、特許文献1及び2で開示されている有機半導体材料は、大気雰囲気下で酸化され易く、不安定であるため、これら材料を用いた半導体デバイスは、特性が低下し易いという問題点があった。例えば、引用文献1で開示されているペンタセンは、イオン化ポテンシャルが小さく、大気中では以下に示すように容易に酸化され、その結果、電気的特性が低下してしまう。このような大気雰囲気下で不安定な有機半導体材料をデバイスに用いる場合、耐環境性を高めるために、保護膜を設けることが考えられる。例えば、シリコン酸化膜、アルミナ膜、窒化シリコン膜、エポキシ樹脂フィルム等をデバイス表面に積層させて、保護膜を設ける技術が開示されている特開2005-191077号公報。しかし、このような保護膜を用いても、大気中の酸素や水分に対して有機半導体層を十分には保護できず、また、有機半導体層にダメージを与えることなく保護膜を形成するための材料や、このような保護膜の形成方法は従来知られていない。このように、安価でかつ優れた特性を有する半導体デバイスを製造するためには、デバイスの製造過程から製造後に至るまで、大気雰囲気下での安定性が高い有機半導体材料が必要となるが、これまでに提案されている有機半導体材料は、実用的な安定性及び電気的特性を共に有しているとは言えない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、大気雰囲気下での安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物、並びに該化合物を用いた半導体デバイス及び表示装置を提供することを課題とする。本発明は、下記一般式1で表される化合物を提供する。式中、R1~R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層上に接するように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記有機半導体層が、前記ソース電極及びドレイン電極上を覆うように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、前記化合物を含む組成物を用いて浸漬法、塗布法又は印刷法によって前記有機半導体層を形成する工程を含み、前記組成物は、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法を提供する。また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする太陽電池を提供する。また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池を提供する。また、本発明は、かかる化合物を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする有機発光素子を提供する。また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物を提供する。また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物を提供する。また、本発明は、かかる電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする表示装置用アレイを提供する。また、本発明は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、かかる有機発光素子であることを特徴とする表示装置を提供する。本発明によれば、大気雰囲気下での安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物、並びに該化合物を用いた半導体デバイス及び表示装置を提供できる。<化合物>本発明に係る化合物は、下記一般式1で表され以下、化合物1と略記する、9,9’-ビα-ブラザン骨格を有する。式中、R1~R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。式中、R1~R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1~20の脂肪族炭化水素基である。R1~R18における前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。前記直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であればよく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、n-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が例示できる。前記直鎖状又は分岐鎖状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、炭素数が2~20であればよく、ビニル基エテニル基、アリル基2-プロペニル基、1-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等、前記直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合C-Cが、不飽和結合である二重結合C=C又は三重結合C≡Cに置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。前記環状の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であればよく、単環状及び多環状のいずれでもよい。前記環状の飽和脂肪族炭化水素基シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が例示できる。前記環状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、前記環状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合C-Cが、不飽和結合である二重結合C=C又は三重結合C≡Cに置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。R1~R18における芳香族基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、芳香族炭化水素基アリール基及び芳香族複素環式基ヘテロアリール基のいずれでもよい。R1~R18における前記アリール基としては、フェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-プロピルフェニル基、4-ブチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-アントリル基等が例示できる。R1~R18における前記ヘテロアリール基は、芳香族環を構成する原子としてヘテロ原子を有するものであれば特に限定されず、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等が例示できる。好ましいヘテロアリール基としては、ピリジル基、フリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、チエノチエニル基、セレノチエニル基等が例示できる。R1~R18におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等、R1~R18における前記アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。R1~R18における芳香族オキシ基アリールオキシ基及びヘテロアリールオキシ基としては、フェノキシ基、1-ナフトキシ基、2-ナフトキシ基等、R1~R18における前記芳香族基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。R1~R18におけるアルキル置換アミノ基としては、アミノ基-NH2の一つ又は二つの水素原子がアルキル基で置換された一価の基が例示でき、この時のアルキル基は、R1~R18における前記アルキル基と同様である。そして、二つの水素原子がアルキル基で置換されたアミノ基ジアルキルアミノ基の場合、これら二つのアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。R1~R18における芳香族置換アミノ基アリール置換アミノ基及びヘテロアリール置換アミノ基としては、アミノ基-NH2の一つ又は二つの水素原子が芳香族基で置換された一価の基が例示でき、この時の芳香族基は、R1~R18における前記芳香族基と同様である。そして、二つの水素原子が芳香族基で置換されたアミノ基の場合、これら二つの芳香族基は、互いに同一でも異なっていてもよい。例えば、これら二つの芳香族基は、アリール基及びヘテロアリール基の組み合わせであっても良い。R1~R18におけるアシル基は、オキソ酸から一つ以上のヒドロキシル基-OHが除去された基であり、前記オキソ酸はカルボン酸であることが好ましく、アルキル基又は芳香族基がカルボニル基-C=O-に結合した一価の基が例示できる。この時のアルキル基及び芳香族基は、R1~R18における前記アルキル基及び芳香族基と同様である。R1~R18におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が例示できる。R1~R18における前記芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基及び炭素数1~20の脂肪族炭化水素基は、一つ以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、すべての水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、前記脂肪族炭化水素基が有する好ましい置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;メルカプト基;ニトロ基;アミノ基;アルコキシ基;芳香族基;アルキル置換アミノ基;芳香族置換アミノ基;アシル基等が例示できる。また、前記芳香族基が有する好ましい置換基としては、アルキル基が例示できる。置換基で置換される水素原子の位置及び数は、特に限定されない。そして、置換基が複数の場合、これら複数の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一でもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基だけが異なっていてもよい。R1~R18における前記置換基としてのアルコキシ基、芳香族基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基及びアルキル基は、それぞれ上記のR1~R18として説明したものと同様である。R1~R18のうち、R1~R3、R10、R11及びR18は、それぞれ水素原子であることが好ましい。好ましい化合物1の具体例を以下に示すが、化合物1はこれらに限定されるものではない。これらのなかでも化合物1としては、下記式1-1で表されるものが特に好ましい。すなわち、前記一般式1においては、R1~R18がすべて水素原子であることが特に好ましい。化合物1は、耐酸化性が高いなど、大気雰囲気下でも安定である。したがって、後述するように、電界効果トランジスタ、太陽電池、有機発光素子等の有機電子デバイス半導体デバイスの有機半導体材料として、特に好適である。化合物1の耐酸化性が高いのは、主骨格を9,9’-ビα-ブラザン骨格とすることで、HOMOレベルが低下したことによると推測される。また、化合物1は、分子内におけるπ電子共役系の広がりが大きく、有機薄膜を形成した時に、隣接する分子との間で大きな分子間相互作用が発現すると推測され、キャリア移動度が高い。[化合物1の製造方法]化合物1は、例えば、下記一般式1aで表される化合物以下、化合物1aと略記すると、下記一般式1bで表される化合物以下、化合物1bと略記するとを用いてカップリング反応させ、化合物1を合成する工程以下、化合物1合成工程と略記するを有する方法により製造できる。式中、R1~R18は前記と同様であり;Y1及びY2はそれぞれ独立してハロゲン原子、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基又は一般式-BOX2式中、Xは水素原子又はアルキル基であり、二つのXは互いに同一でも異なっていてもよく、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが互いに結合して環を形成していても良い。で表される基であり、Y1及びY2のいずれか一方が一般式-BOX2で表される基である場合、他方はハロゲン原子である。式中、R1~R18は、前記一般式1におけるR1~R18と同様である。式中、Y1及びY2はそれぞれ独立してハロゲン原子、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基CF3S=O2-O-又は一般式-BOX2式中、Xは水素原子又はアルキル基であり、二つのXは互いに同一でも異なっていてもよく、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して環を形成していても良い。で表される基であり、Y1及びY2のいずれか一方が前記一般式-BOX2で表される基である場合、他方はハロゲン原子である。Y1及びY2におけるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましい。Xにおけるアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、炭素数が1~6であることが好ましい。また、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して、これら二つのX、これら二つのXが結合している酸素原子、かかる酸素原子が結合しているホウ素原子で環を形成していてもよく、かかる環は単環状及び多環状のいずれでもよい。化合物1a及び1bとして同じものを使用する場合には、例えば、Y1及びY2を共にハロゲン原子又はトリフルオロメチルスルホニルオキシ基とし、金属銅の存在下、ホモカップリング反応ウルマンUllmann反応を行うことで、化合物1を合成できる。化合物1a及び1bとして異なるものを使用する場合には、例えば、Y1及びY2のいずれか一方を前記一般式-BOX2で表される基とし、他方をハロゲン原子として、パラジウム化合物やニッケル化合物等の金属触媒の存在下、クロスカップリング反応鈴木-宮浦カップリングSuzuki-Miyauracoupling反応を行うことで、化合物1を合成できる。化合物1aとして合成品を用いる場合には、例えば、後述する実施例で示すように、対応する1-ナフトール類とジハロゲン化ベンゼン類とを、パラジウム触媒存在下で反応させ、化合物1aを合成する工程を有する方法により、化合物1aを製造できる。化合物1bも同様の方法で製造できる。化合物1合成工程での反応条件は、化合物1の生成量が最大となるように調節すればよいが、60~100°Cで5~24時間反応させる条件が例示できる。反応は、溶媒を使用して行ってもよく、無溶媒で行ってもよい。溶媒は、使用原料と反応しないものであれば、特に限定されない。また、反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。また、化合物1a及び1bとして異なるものを使用する場合、これら化合物の使用量は、化合物1a:化合物1bのモル比が7:3~3:7であることが好ましい。金属触媒の使用量は、例えば、化合物1a及び1bの総量に対して、0.5~5モルとすることが好ましく、定法に従って、リガンドや塩基等を併用することが好ましい。反応終了後は、必要に応じて後処理を行い、生成物である化合物1を取り出せばよい。ここで、後処理とは、ろ過、濃縮、抽出、脱水、pH調整等の操作を指し、これら操作のいずれか一つを単独で、又は二つ以上を組み合わせて行えばよい。化合物1合成工程後の化合物1の取り出しは、濃縮、結晶化、カラムクロマトグラフィー、減圧下での昇華精製等の操作で行えばよく、必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、結晶化、抽出、溶媒による結晶の撹拌洗浄等の操作を一回以上繰り返して、精製を行ってもよい。化合物1a及び1b、並びに化合物1等は、核磁気共鳴分光法1H-NMR、13C-NMR等の公知の手法で構造を確認できる。<有機薄膜用組成物>前記化合物1は、有機薄膜の形成に好適である。例えば、前記化合物1と有機溶媒とを含む有機薄膜用組成物は、以下に示す有機半導体層、キャリヤ輸送層等を構成する有機薄膜の形成に用いられる。1電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物本発明に係る電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物は、前記化合物1を含むことを特徴とする。化合物1は、例えば、R1~R18の一部又はすべてが、芳香族基若しくは脂肪族炭化水素基等であるか、又はこれら基を有するなど、疎水性基であることにより、有機溶媒に対する溶解性がより高くなる。したがって、化合物1を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、電界効果トランジスタの有機半導体層を、浸漬法、塗布法、印刷法等の簡便な方法で形成できる。有機半導体層は、後述するように、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成することもできるが、上記のように真空装置等を用いずに簡便に成膜することで、電界効果トランジスタの製造コストを大幅に低減できる。本実施形態の有機半導体層用組成物は、溶媒成分として、トルエン等の炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素を含むことが好ましい。また、有機半導体層用組成物は、溶媒成分以外に、化合物1のみを含むものでもよいし、化合物1以外の成分を含むものでもよい。ただし、溶媒成分以外のすべての成分に占める化合物1の比率は、90質量以上であることが好ましく、100質量である化合物1のみを含むことがより好ましい。有機半導体層用組成物に含まれる化合物1は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて適宜設定すればよい。有機半導体層用組成物は、化合物1の含有量が0.2~5質量であることが好ましい。2太陽電池の有機半導体層用組成物本発明に係る太陽電池の有機半導体層用組成物は、前記化合物1を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物1を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、太陽電池の有機半導体層を簡便な方法で形成できる。また、本発明に係る有機半導体層用組成物は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、前記化合物1を含むことを特徴とする。かかる組成物は、バルクヘテロ接合型太陽電池の有機半導体層を形成するためのものであり、化合物1を溶媒に溶解させた本実施形態の有機半導体層用組成物も容易に調製できるので、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様に、太陽電池の有機半導体層を簡便な方法で形成できる。太陽電池の有機半導体層は、後述するように、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成することもできるが、上記のように真空装置等を用いずに簡便に成膜することで、太陽電池の製造コストを大幅に低減できる。前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料は、化合物1のみからなるものでもよいし、化合物1以外の成分を含むものでもよい。ただし、前記半導体材料に占める化合物1の比率は、90質量以上であることが好ましく、100質量である化合物1のみからなることがより好ましい。前記半導体材料に含まれる化合物1は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて適宜設定すればよい。前記化合物1以外のn型半導体材料は、後述する太陽電池におけるn型半導体層の材質として例示したものが挙げられ、好ましいものとして具体的には、フラーレン;[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステルPCBM等のフラーレン誘導体;フタルイミド環を構成している一つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されたフッ素化フタロシアニン等が例示できる。前記フッ素化フタロシアニンは、フタルイミド環を構成しているすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。有機半導体層用組成物は、溶媒成分として、トルエン等の炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素を含むことが好ましい。有機半導体層用組成物は、前記p型半導体材料の含有量が0.2~5質量であることが好ましい。そして、同様に前記n型半導体材料の含有量が0.2~5質量であることが好ましい。3有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物本発明に係る有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物は、前記化合物1を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物1を溶媒に溶解させた、本実施形態のキャリヤ輸送層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、有機発光素子のキャリヤ輸送層を簡便な方法で形成できる。<電界効果トランジスタ>本発明に係る電界効果トランジスタは、化合物1を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の電界効果トランジスタと同様の構成とすることができる。ここでは、化合物1は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1~R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合、あるいは電極の材料の選択によっては、化合物1をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。図1は、第一の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。ここに示す電界効果トランジスタ1Aは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、ソース電極14、ドレイン電極15及び有機半導体層16が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられている。そして、ゲート絶縁膜13上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。なお、有機半導体層16の配置形態はここに示すものに限定されず、少なくとも、離間して設けられた前記ソース電極14及びドレイン電極15間の領域に、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられていればよい。このように有機半導体層16が配置された電界効果トランジスタとしては、後述する表示装置用アレイの図18における有機半導体装置42に備えられたものが例示できる。電界効果トランジスタ1Aは、ボトムゲートボトムコンタクト型のトランジスタ構造を有する。基板11の材質は、デバイスの構成及び性能等に応じて適宜選択できる。例えば、ガラス;石英;シリコン単結晶;多結晶シリコン;アモルファスシリコン;ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPES、ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁性の高分子化合物等が例示できる。基板11は一種の材質からなる単層構造でもよいし、二種以上の材質が積層された複数層構造でもよい。ゲート電極12の材質は特に限定されず、当該分野で通常使用されるものでよい。具体的には、金、白金、銀、銅、アルミニウム、タンタル、ドープシリコン等の低抵抗の金属;3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン以下、PEDOTと略記する/ポリスチレンサルフォネイト以下、PSSと略記する等の有機導電体等が例示できる。前記有機半導体層をp型半導体とする場合、ソース電極14及びドレイン電極15の材質としては、これらの仕事関数が、有機半導体層用組成物の最高占有分子軌道HOMO:HighestOccupiedMolecularOrbitalレベルに近いものが例示できる。そして、前記有機半導体層をn型半導体とする場合、ソース電極14及びドレイン電極15の材質としては、これらの仕事関数が、最低非占有分子軌道LUMO:LowestUnocuppiedMolecularOrbitalレベルに近いものが例示できる。仕事関数が有機半導体層用組成物のHOMOレベルに近い材質としては、金、白金、銀、又はこれらの一種以上を含む合金等の比較的仕事関数が高い金属;インジウムスズ酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO等の透明酸化物導電体;PEDOT/PSS等の有機導電体が例示できる。仕事関数が有機半導体層用組成物のLUMOレベルに近い材質としては、アルミニウム、チタン、アルカリ金属、又はこれらの一種以上を含む合金等の比較的仕事関数が低い金属等が例示できる。前記アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が例示できる。ソース電極14及びドレイン電極15は、密着層図示略を介してゲート絶縁膜13上に形成してもよい。密着層の材質としては、クロム等が例示できる。ゲート電極12、ソース電極14、ドレイン電極15の膜厚は、特に限定されず、通常のトランジスタにおける膜厚であればよく、目的に応じて適宜調節することが好ましい。例えば、材質が金属である場合には、30~200nmであることが好ましい。これら電極は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。また、ソース電極14、ドレイン電極15等の電極の表面に、自己集合単分子膜self-assembledmonolayer:SAMからなる表面修飾層を形成することで、電極表面の表面エネルギーを低下させることができ、これにより、電極表面上における有機半導体材料の結晶成長若しくは結晶配列、又は有機半導体材料の電極に対する濡れ性等を改善できる。たとえば、金電極の表面は、アルカンチオール等を用いて表面修飾することが好ましい。ゲート絶縁膜13の材質は、誘電率が高く、薄膜形成時にピンホール等の欠陥が生じにくいものが好ましい。誘電率が高いことで、電界効果トランジスタの閾値をより低減できる。また、薄膜形成時にピンホール等の欠陥を少なくすることで、ゲート絶縁膜13の機能低下が抑制され、特性がより良好な電界効果トランジスタが得られる。このような材質の膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、五酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜;ポリイミド膜、パリレン膜、ポリビニルフェノール膜等の有機絶縁膜等が例示できる。ゲート絶縁膜13の膜厚は、単位面積あたりの静電容量が大きくなるように設定することが好ましく、また、膜厚を薄くすることで、電界効果トランジスタの閾値電圧をより低減できる。そして、ゲート絶縁膜13の膜厚は、材質の比誘電率、絶縁性等に応じて適宜調節することが好ましく、例えば、50~300nmであることが好ましい。このようにすることで、単位面積あたりの静電容量を大きくでき、かつ電界効果トランジスタの閾値電圧を低減できる。ゲート絶縁膜13は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。ゲート絶縁膜13を酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等とする場合には、その有機半導体層16と接する表面をシランカップリング剤等で処理することが好ましい。このようにすることで、ゲート絶縁膜13に接する有機半導体層16の膜質が向上し、有機半導体素子の移動度をより向上させることできる。また、リーク電流が少なくなる。有機半導体層16は、化合物1を含む。そして、例えば、上記の有機半導体層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物1が蒸着されて形成されたものであってもよい。有機半導体層16の膜厚は、5~500nmであることが好ましい。上記のように化合物1は耐酸化性が高い。したがって、化合物1を含む有機半導体層16は、大気雰囲気下で安定である。電界効果トランジスタ1Aにおいては、さらに、少なくとも有機半導体層16上に保護膜が設けられていてもよい。保護膜を設けることにより、有機半導体層16を酸素や水分などによる浸食から保護できるので、電界効果トランジスタ1Aは、さらに安定した半導体特性を示す。図2に示す電界効果トランジスタ1A’は、図1に示す電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層16上の全面が保護膜17で覆われたものである。保護膜17は、有機膜及び無機膜のいずれでもよい。有機膜の材質としては、ポリパリレンパラキシリレン系ポリマー;エポキシ樹脂;アクリル樹脂;ポリパラキシレン;ポリパーフルオロオレフィン、ポリパーフルオロエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン等のフッ素系高分子;ポリイミド等が例示できる。無機膜の材質としては、金属窒化物、金属酸化物、炭素、シリコン等が例示できる。より具体的には、SiN、AlN、GaN等の窒化物;SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等の酸化物;SiON等の酸化窒化物;SiCN等の炭化窒化物等が例示でき、前記金属はケイ素であることが好ましい。保護膜17は、単層構造及び多層構造のいずれでもよい。図3は、第二の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。なお、図3において、図1に示すものと同様の構成要素には、図1の場合と同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。これは、以降の図においても同様である。ここに示す電界効果トランジスタ1Bは、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成された点以外は、図1に示す電界効果トランジスタ1Aと同様である。表面修飾層18は、例えば、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾剤を作用させることで形成でき、有機分子及び無機分子のいずれから構成されていてもよい。この場合の好ましい表面修飾材としては、ドデカンチオール等のアルキルチオールが例示できるが、これらに限定されない。表面修飾層18が設けられることで、ソース電極14及びドレイン電極15の表面エネルギーを低下させることができ、これにより、これら電極表面上における有機半導体材料の結晶成長若しくは結晶配列、又は有機半導体材料のこれら電極に対する濡れ性等を改善できる。その結果、有機半導体層16の膜質がより均一になり、特に、上記の有機半導体層用組成物を塗布して有機半導体層16を形成する場合に、顕著な上記効果が得られる。図3においては、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾層18が設けられた例を示しているが、表面修飾層を設ける位置はこれに限定されない。例えば、図1及び3に示すように、有機半導体層16がゲート絶縁膜13上に形成される場合には、表面修飾層がゲート絶縁膜13上に別途設けられていてもよい。図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、図1に示す電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に、表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成されたものである。電界効果トランジスタ1B’においては、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質がより均一になる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。表面修飾層18を形成するための表面修飾剤としては、例えば、酸化物系のゲート絶縁膜に対して使用するものであれば、ヘキサメチルジシラザンHMDS、オクチルトリクロロシランOTS、7-オクテニルトリクロロシランVTS、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチルトリクロロシランFTS、ベンジルトリクロロシランBTS等のシラン系材料が例示できるが、これらに限定されない。図5は、第三の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。ここに示す電界効果トランジスタ1Cは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、有機半導体層16、ソース電極14及びドレイン電極15が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。そして、有機半導体層16上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。電界効果トランジスタ1Cは、トップコンタクト型のトランジスタ構造を有する。有機半導体層16の膜質は、有機半導体層16の直下にある層下地の影響を受ける可能性がある。例えば、図1に示すようなボトムゲートボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ電界効果トランジスタ1Aの場合、有機半導体層16は、これと接するゲート絶縁膜13、ソース電極14及びドレイン電極15の影響を受けて、それぞれと接する部位において膜質が変化する可能性がある。これに対して、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ電界効果トランジスタ1Cの場合には、有機半導体層16がすべてゲート絶縁膜13上に形成されているので、有機半導体層16の膜質がより均一となり、電界効果トランジスタは一層安定した半導体特性を示す。さらに、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ電界効果トランジスタ1Cの場合には、ソース電極14及びドレイン電極15を有機半導体層16上に形成するので、例えば、製造時にゲート絶縁膜13に与えるダメージや、残渣等の発生を低減できる。その結果、ゲート絶縁膜13と有機半導体層16との界面を、より良好な状態とすることができる。電界効果トランジスタ1Cは、ソース電極14、ドレイン電極15及び有機半導体層16の積層順が異なる点以外は、電界効果トランジスタ1Aと同様である。したがって、例えば、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、有機半導体層16上に保護膜が設けられていてもよい。図6は、第四の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。ここに示す電界効果トランジスタ1Dは、ゲート絶縁膜13の表面に表面修飾層18が設けられている点以外は、図5に示す電界効果トランジスタ1Cと同様である。すなわち、電界効果トランジスタ1Dにおいては、有機半導体層16が表面修飾層18に接している。このようにすることで、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質をより均一にすることができる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。表面修飾層18は、図4におけるものと同様である。本発明に係る電界効果トランジスタは、図1~6に示すものに限定されず、これらの構成の一部が変更されたものでもよい。例えば、以下に示すものが挙げられる。I図7に例示するように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上に、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15間の有機半導体層16上に、ゲート絶縁膜13及びゲート電極12がこの順で設けられた電界効果トランジスタ1E第五の実施形態。II図8に例示するように、基板11上にソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上の一部にゲート電極12が設けられた電界効果トランジスタ1F第六の実施形態。本発明に係る電界効果トランジスタは、有機半導体層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。本発明に係る電界効果トランジスタは、例えば、以下の方法で製造できる。まず、図1に示す電界効果トランジスタ1Aの製造方法について説明する。図9は、電界効果トランジスタ1Aの製造方法を説明するための概略断面図である。基板11上に、ゲート電極12を構成する材質からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、前記膜を所望のパターンに形成して、図9aに示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。膜の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、図9bに示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、ゲート絶縁膜13上に、スピンコート法等により、レジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィー法で露光及び現像を行うことにより、図9cに示すように、所定のパターンのフォトレジスト膜90を形成する。フォトレジスト膜90は、ソース電極14及びドレイン電極15を形成するためのものであり、これらの形状に対応して開口部を有する。次いで、フォトレジスト膜90を覆うように、ゲート絶縁膜13上にソース電極14及びドレイン電極15の材質からなる金属膜を形成し、フォトレジスト膜90を除去することにより、図9dに示すように、ゲート絶縁膜13上の所定の箇所にソース電極14及びドレイン電極15を形成する。この時、前記金属膜を形成する前に、フォトレジスト膜90を覆うように、ゲート絶縁膜13上に密着層図示略を形成しておき、この密着層上に前記金属膜を形成してもよい。密着層の材質としては、クロム等の金属が例示できる。前記金属膜、密着層の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。フォトレジスト膜90の除去により、この上に形成された前記金属膜、さらに密着層を形成した場合には、この密着層も、フォトレジスト膜90とともに除去される。フォトレジスト膜90の除去方法としては、基板11をアセトン等の有機溶媒中に浸漬するリフトオフ法が例示できる。次いで、図9eに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、例えば、化合物1を含む、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物をゲート絶縁膜13上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いて有機半導体層16を形成する方法としては、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、有機半導体層16は、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成してもよい。上記工程を行うことで、図1に示す電界効果トランジスタ1Aが得られる。この時、さらに、有機半導体層16上に保護膜17を形成することで、図2に示す電界効果トランジスタ1A’が得られる。次に、図3に示す電界効果トランジスタ1Bの製造方法について説明する。図10は、電界効果トランジスタ1Bの製造方法を説明するための概略断面図である。図9a~dを参照して説明した方法と同様の方法で、図10a~dに示すように、ゲート絶縁膜13上の所定の箇所にソース電極14及びドレイン電極15を形成する。次いで、図10eに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成する。次いで、図10fに示すように、表面修飾されたソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16の形成方法は、電界効果トランジスタ1Aの場合と同様である。上記工程を行うことで、図3に示す電界効果トランジスタ1Bが得られる。この時、さらに、有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、例えば、図10eにおいて、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に代えて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成すること以外は、上記の電界効果トランジスタ1Bの製造方法と同様の方法で製造できる。次に、図5に示す電界効果トランジスタ1Cの製造方法について説明する。図11は、電界効果トランジスタ1Cの製造方法を説明するための概略断面図である。基板11上に、ゲート電極12を構成する材質からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、前記膜を所望のパターンに形成して、図11aに示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。膜の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、図11bに示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、図11cに示すように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、例えば、化合物1を含む前記有機半導体層用組成物をゲート絶縁膜13上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いて有機半導体層16を形成する方法としては、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、有機半導体層16は、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成してもよい。次いで、有機半導体層16上に、所定の開口部を有する金属マスク図示せずを介して真空蒸着法等により、図11dに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。上記工程を行うことで、図5に示す電界効果トランジスタ1Cが得られる。この時、さらに、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。次に、図6に示す電界効果トランジスタ1Dの製造方法について説明する。図12は、電界効果トランジスタ1Dの製造方法を説明するための概略断面図である。図11aを参照して説明した方法と同様の方法で、図12aに示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。次いで、図12bに示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。さらに、ゲート絶縁膜13の表面に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成する。表面修飾層18は、表面修飾剤の蒸気をゲート絶縁膜13の表面に接触させる方法、表面修飾剤を含む溶液中にゲート絶縁膜13が形成された基板11を浸漬させる方法、表面修飾剤を含む溶液をゲート絶縁膜13の表面にスピンコート法で塗布する方法等で形成できる。次いで、図12cに示すように、表面修飾層18上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、図11cを参照して説明した方法と同様の方法で形成できる。表面修飾層18上で、有機半導体層16の膜質はより均一となる。次いで、図12dに示すように、有機半導体層16上に、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。ソース電極14及びドレイン電極15は、図11dを参照して説明した方法と同様の方法で形成できる。上記工程を行うことで、図6に示す電界効果トランジスタ1Dが得られる。この時、さらに、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。<太陽電池>本発明に係る太陽電池は、前記化合物1を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の太陽電池と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物1は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1~R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物1をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。図13は、本発明に係る太陽電池の要部を例示する概略断面図である。ここに示す太陽電池2Aは、ガラス基板21上に、アノード電極22、p型半導体層24、n型半導体層25及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された、pn接合したp型半導体層24及びn型半導体層25と、が設けられたものである。p型半導体層24は、前記化合物1を含む。そして、例えば、上記のp型半導体層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物1が蒸着されて形成されたものであってもよい。p型半導体層24の膜厚は、5~500nmであることが好ましい。上記のように化合物1は耐酸化性が高い。したがって、化合物1を含むp型半導体層24は、大気雰囲気下で安定である。n型半導体層25の材質としては、上記のn型半導体材料で例示したフラーレン、フラーレン誘導体、フッ素化フタロシアニン等が例示できる。n型半導体層25の膜厚は、5~500nmであることが好ましい。アノード電極22の材質としては、透明電極であるITO、有機導電体であるPEDOT/PSS等が例示できる。アノード電極22の膜厚は、10~500nmであることが好ましい。カソード電極23の材質としては、銀、アルミニウム等が例示できる。カソード電極23の膜厚は、10~500nmであることが好ましい。また、本発明に係る太陽電池は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、前記化合物1を含むことを特徴とする。すなわち、いわゆるバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池である。図14は、かかる太陽電池の要部を例示する概略断面図である。ここに示す太陽電池2Bは、ガラス基板21上に、アノード電極22、有機半導体層26及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機半導体層26と、が設けられたものである。有機半導体層26は、例えば、上記の太陽電池の有機半導体層用組成物を用いて、太陽電池2Aにおけるp型半導体層24の場合と同様の方法で形成できる。本発明に係る太陽電池は、有機半導体層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。本発明に係る太陽電池は、例えば、以下の方法で製造できる。図15は、太陽電池2Aの製造方法を説明するための概略断面図である。まず、図15aに示すように、ガラス基板21上にアノード電極22を形成する。アノード電極22の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、図15bに示すように、アノード電極22上にp型半導体層24を形成する。p型半導体層24は、例えば、化合物1を含む、上記のp型半導体層用組成物をアノード電極22上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いてp型半導体層24を形成する方法は、電界効果トランジスタの製造時に、有機半導体層用組成物を用いて有機半導体層を形成する方法と同様であり、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、p型半導体層24は、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成してもよい。次いで、図15cに示すように、p型半導体層24上にn型半導体層25を形成する。n型半導体層25の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。次いで、図15dに示すように、n型半導体層25上にカソード電極23を形成する。カソード電極23の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。上記工程を行うことで、図15に示す太陽電池2Aが得られる。この時、さらに、カソード電極23上に保護膜を形成してもよい。この保護膜は、上記の電界効果トランジスタにおいて用いるものと同様でよい。なお、ここではp型半導体層24として、前記化合物1を含むものについて説明したが、前記化合物1を含まないものとする場合には、p型半導体層24は公知のものでよい。また、ここではn型半導体層25として、公知の材質からなるものについて説明したが、前記化合物1を含むものとしてもよく、この場合のn型半導体層25は、上記の化合物1を含むp型半導体層24の場合と同様の方法で形成できる。<有機発光素子>本発明に係る有機発光素子は、前記化合物1を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする。そして、かかるキャリヤ輸送層を備えたこと以外は、従来の有機発光素子と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物1は、主にp型半導体正孔輸送層用の材料として利用されるが、例えば、R1~R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物1をn型半導体電子輸送層用の材料として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。図16は、本発明に係る有機発光素子の要部を例示する概略断面図である。ここに示す有機発光素子3Aは、ガラス基板31上に、アノード電極32、有機エレクトロルミネッセンス以下、有機ELと略記する部34及びカソード電極33がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板31上に、アノード電極32及びカソード電極33からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機EL部34と、が設けられたものである。アノード電極32及びカソード電極33は、それぞれ、上記の太陽電池におけるアノード電極及びカソード電極と同様のものである。有機EL部34は、アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層34a、正孔輸送層34b、発光層34c、電子輸送層34d及び電子注入層34eがこの順に積層され、概略構成されている。正孔注入層34a、正孔輸送層34b、発光層34c、電子輸送層34d、電子注入層34eは、それぞれ単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。正孔輸送層34bは、前記化合物1を含む。そして、例えば、上記のキャリヤ正孔輸送層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物1が蒸着されて形成されたものであってもよい。正孔輸送層34bの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。上記のように化合物1は耐酸化性が高い。したがって、化合物1を含む正孔輸送層34bは、大気雰囲気下で安定である。正孔注入層34aにおいて、正孔注入輸送材料は、有機EL用又は有機光導電体用として公知のものでよい。好ましい正孔注入輸送材料としては、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物や無機p型半導体材料;ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子材料等が例示できる。また、正孔注入層34aに適用する正孔注入輸送材料としては、陽極からの正孔の注入輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層34bに適用する正孔注入輸送材料よりも、最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料が好ましい。正孔注入層34aの膜厚は、1~500nmであることが好ましい。発光層34cの材質は、有機EL用の公知のものでよく、例えば、低分子発光材料及び高分子発光材料等に分類できる。前記低分子発光材料の好ましいものとしては、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBi等の芳香族ジメチリデン化合物;5-メチル-2-[2-[4-5-メチル-2-ベンゾオキサゾリルフェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3-4-ビフェニルイル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;フルオレノン誘導体;4,4’-N,N’-ジカルバソル-ビフェニルCBP等のカルバゾール誘導体等の蛍光性有機材料等が例示できる。また、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrPPY3等の燐光性材料等も例示できる。前記高分子発光材料の好ましいものとしては、ポリ2-デシルオキシ-1,4-フェニレンDO-PPP等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレンPDAF等のポリスピロ誘導体等が例示できる。発光層34cの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。電子輸送層34d及び電子注入層34eにおいて、電子注入輸送材料は、有機EL用又は有機光導電体用として公知のものでよい。好ましい電子注入輸送材料としては、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムA1q3等の低分子材料;ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等の高分子材料が例示できる。特に、電子注入材料としては、フッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物;酸化リチウムLi2O等の酸化物等が例示できる。また、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料としては、陰極からの電子の注入輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料よりも、最低非占有分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料が好ましい。そして、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料としては、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料よりも、電子の移動度が高い材料が好ましい。電子輸送層34dの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。また、電子注入層34eの膜厚は、0.1~100nmであることが好ましい。本発明に係る有機発光素子は、図16に示すものに限定されず、その構成の一部が変更されたものでもよい。例えば、有機EL部34の構成を以下のようにしたものが挙げられる。iアノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。iiアノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。iiiアノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。ivアノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。vアノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。前記正孔防止層及び電子防止層は、有機EL用として公知のものでよい。本発明に係る有機発光素子は、正孔輸送層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。本発明に係る有機発光素子は、例えば、以下の方法で製造できる。図17は、有機発光素子3Aの製造方法を説明するための概略断面図である。まず、図17aに示すように、ガラス基板31上にアノード電極32を形成する。アノード電極32の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。次いで、図17bに示すように、アノード電極32上に正孔注入層34aを形成する。正孔注入層34aの形成方法としては、スピンコート法が例示できる。次いで、図17cに示すように、正孔注入層34a上に正孔輸送層34bを形成する。正孔輸送層34bは、例えば、化合物1を含む、上記のキャリヤ正孔輸送層用組成物を正孔注入層34a上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。正孔輸送層用組成物を用いて正孔輸送層34bを形成する方法は、電界効果トランジスタの製造時に、有機半導体層用組成物を用いて有機半導体層を形成する方法と同様であり、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、正孔輸送層34bは、真空蒸着法等により、化合物1を蒸着させて形成してもよい。次いで、図17dに示すように、正孔輸送層34b上に発光層34cを形成する。発光層34cの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。次いで、図17eに示すように、発光層34c上に電子輸送層34dを形成する。電子輸送層34dの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。次いで、図17fに示すように、電子輸送層34d上に電子注入層34eを形成する。電子注入層34eの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。次いで、図17gに示すように、電子注入層34e上にカソード電極33を形成する。カソード電極33の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。上記工程を行うことで、図16に示す有機発光素子3Aが得られる。なお、ここでは正孔輸送層34bとして、前記化合物1を含むものについて説明したが、前記化合物1を含まないものとする場合には、正孔輸送層34bは、有機EL用の公知のものでよい。また、ここでは電子輸送層34dとして、有機EL用又は有機光導電体用として公知の材質からなるものについて説明したが、前記化合物1を含むものとしてもよく、この場合の電子輸送層34dは、上記の化合物1を含む正孔輸送層34bの場合と同様の方法で形成できる。<表示装置用アレイ>本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする。そして、かかる電界効果トランジスタを備えたこと以外は、従来の表示装置用アレイと同様の構成とすることができる。本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタを備えたことで、高速動作が可能となる。以下、図面を参照しながら説明する。図18は、本発明に係る表示装置用アレイの要部を例示する概略図であり、aは平面図、bは拡大平面図、cはbのC-C’線における断面図、dはbのD-D’線における断面図である。ここに示す表示装置用アレイ4Aは、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、画像表示装置の駆動用アレイとして用いたものである。ただし、電界効果トランジスタ1Aとしては、有機半導体層16がソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに形成されたものを用いている。表示装置用アレイ4Aは、透明な基板11上に設けられたゲート配線40、ソース配線41、画素電極43、及びこれらに電気的に接続された電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42から概略構成されている。ゲート配線40は、図1におけるゲート電極12を構成するとともに、それへの接続配線ともなっている。そして、ゲート配線40上にゲート絶縁膜13を介してソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上に、有機半導体層16が設けられている。また、ドレイン電極15は、画素電極43と接続され、駆動用アレイとして構成されている。有機半導体装置42は、例えば、ソース配線41及び画素電極43を形成する工程を有すること以外は、電界効果トランジスタ1Aの場合と同様の方法で製造できる。具体的には、以下の通りである。図19は、有機半導体装置42の製造方法を説明するための概略断面図である。まず、図9a~cを参照して説明した方法と同様の方法で、図19a~cに示すように、基板11上にゲート配線40ゲート電極12、ゲート絶縁膜13を順次形成し、次に所定のパターンのフォトレジスト膜90を形成する。ゲート絶縁膜13は、ゲート配線40の表面を覆い、基板11上の全面を覆うように形成し、次いで所定のパターンにエッチングする。次いで、図9dを参照して説明した方法と同様の方法で、図19dに示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。さらに、ソース電極14に接触するようにソース配線41を、ドレイン電極15に接触するように画素電極43を、それぞれゲート絶縁膜13上に形成する。ソース配線41及び画素電極43は、例えば、銀Ag等の金属を材質とし、各種印刷法により形成できる。次いで、図9eを参照して説明した方法と同様の方法で、図19eに示すように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。ただし、ここでは、金属マスクを用いる方法等により、ソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに有機半導体層16を形成する。上記工程を行うことで、有機半導体装置42が得られる。そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、表示装置用アレイ4Aが得られる。ここでは、電界効果トランジスタとして電界効果トランジスタ1Aを用いた例を示しているが、その他の電界効果トランジスタも用いることができ、その構成に応じて、有機半導体装置の構成を調節すればよい。本発明に係る表示装置用アレイは、例えば、液晶表示装置や有機EL表示装置等の画像表示装置の駆動用として好適である。<表示装置>本発明に係る表示装置は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、前記有機発光素子であることを特徴とする。そして、かかる有機発光素子を備えたこと以外は、従来の表示装置と同様の構成とすることができる。本発明に係る表示装置は、前記有機発光素子を備えたことで、良好な発光特性が得られる。以下、図面を参照しながら説明する。図20は、本発明に係る表示装置の要部を例示する概略図であり、aは平面図、bは1画素の等価回路図、cは1画素の平面図である。ここに示す表示装置5Aは、本発明に係る有機発光素子3を有機EL表示装置の素子として用いた有機EL表示装置である。表示装置5Aにおいては、複数の走査線ゲート配線50と、複数の信号線ソース配線51とが縦横に配されたマトリクスが形成されており、それぞれの交差部に1つの画素が設けられた画素アレイが形成されている。画素アレイの周囲領域には、走査線50に接続された走査線駆動回路ゲートドライバ55と、信号線51に接続された信号線駆動回路ソースドライバ56が、それぞれ配置されている。そして、前記走査線駆動回路55及び信号線駆動回路56には、画像表示を行うためのタイミング信号やRGB輝度信号等の画像信号を供給するためのコントローラ57が接続され、さらに走査線50及び信号線51に与える信号電圧を供給するための電源回路59が接続されている。コントローラ57には、表示装置5Aに対して外部より水平垂直同期信号や画像信号を与えるための外部処理装置58が接続されている。表示装置5Aを構成する画素アレイの1画素は、図20bに示すように、走査線50及び信号線51に接続されたスイッチング用トランジスタ52、画素を駆動するための駆動用トランジスタ53、並びに保持容量54を備え、駆動用トランジスタ53に有機発光素子3有機EL素子からなる画素部が接続されている。有機発光素子3は、駆動電流又は電圧により発光する。スイッチング用トランジスタ52及び駆動用トランジスタ53は、例えば、一般的な多結晶シリコンを半導体として用いたトランジスタ等で構成できる。以上により表示装置5Aが構成されている。有機発光素子3としては、図16に示す有機発光素子3Aをはじめとして、本発明に係る素子であれば、いずれも用いることができる。以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。<化合物1の製造>[実施例1]下記手順に従い、化合物1aとして下記一般式1a-1で表される化合物以下、化合物1a-1と略記するを用いて、化合物1として下記一般式1-1で表される化合物以下、化合物1-1と略記するを製造した。式中、Phはフェニル基であり、Acはアセチル基であり、bpyは2,2’-ビピリジンである。化合物1a-1の製造4-ブロモ-2-クロロヨードベンゼン3.0g、9.5mmol、1-ナフトール1.4g、9.5mmol、トリフェニルホスフィンPPh30.5g、1.9mmol、炭酸セシウムCS2CO312.4g、38mmol及び無水N,N-ジメチルホルムアミドDMF10mLの混合物に、20分間乾燥窒素ガスを通気させ、バブリングした。次いで、酢酸パラジウムPdOAc2112mg、0.5mmolを加え、窒素ガス雰囲気下、140°Cで10時間攪拌した。次いで、得られた反応液に水を加え、ジクロロメタンで抽出し、溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーn-ヘキサン:ジクロロメタン=5:1、体積比により精製し、さらにn-ヘキサンを用いて再結晶を行うことにより、化合物1a-19-クロロ-α-ブラザン、9-クロロ-ベンゾ[b]ナフト[2,1-d]フランの無色結晶を1.8g得た収率75。化合物1aは、1H-NMRスペクトルによってその構造を確認した。1HNMRδ738758765771779790795799841化合物1-1の製造化合物1a-1610mg、2.4mmol、ビストリフェニルホスフィンニッケルIIクロライドNiCl2PPh3213mg、0.02mmol、トリフェニルホスフィン66mg、0.25mmol、2,2’-ビピリジンbpy3.2mg、0.02mmol、亜鉛粉末68mg、1mmol、及び無水N,N-ジメチルアセトアミドDMAc4mLの混合物を、80°Cで12時間撹拌した。次いで、これを水に加え、ジクロロメタンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、減圧下での昇華精製250~300°C/2Paに供することにより、化合物1-1の無色固体を420mg得た収率80。化合物1-1は、1H-NMRスペクトルによってその構造を確認した。1HNMRδ759768779782802805807811849<化合物1の物性評価>化合物1-1と下記ペンタセンについて、DFT法B3LYP6-31Gによる第一原理計算を行い、最高被占有分子軌道HOMO及び最低非占有分子軌道LUMOのレベルを算出した。結果を表1に示す。表2に示すように、第一原理計算の結果、化合物1-1はペンタセンよりもHOMOレベルが低く、大きなイオン化ポテンシャルを有すること、すなわち、化合物1-1はペンタセンよりも耐酸化性が高いことを示していた。また、HOMO-LUMOギャップHOMO-LUMO間のエネルギー差が小さい場合には、化合物の安定性が低下することが知られており、化合物1-1がペンタセンよりもHOMO-LUMOギャップが1.85eVも大きいことから、化合物1-1が安定性に優れることが示された。なお、化合物1-1のようなHOMOレベルであれば、例えば、ソース電極及びゲート電極が金仕事関数は約5eVである電界効果トランジスタの有機半導体層として化合物1-1を用いれば、正孔ホール注入が容易になると予想された。次に、化合物1-1の空気酸化に対する安定性を評価した。すなわち、空気飽和の状態とした塩化メチレンを溶媒として化合物1-1の溶液を調製し、暗所で静置した。そして、溶液調製直後から静置一ヶ月後まで、紫外-可視UV-Vis分光の吸収スペクトルを測定することによって、化合物1-1の溶液について、吸収強度の経時変化を追跡した。この時、文献1J.Am.Chem.Soc.,2007,129,2225.を参照した。溶液調製直後と暗所静置一ヶ月後における吸収強度の測定結果を図21に示す。図21に示すように、化合物1-1の溶液の吸収強度は、調製直後と、暗所静置一ヶ月後とでは、全く違いが見られなかった。なお、ペンタセンについては、このような条件下で24時間静置すると、その溶液の吸収強度がほとんどゼロになることが文献1で報告されている。したがって、化合物1-1は、空気酸化に対する安定性がペンタセンよりも顕著に高いことが確認できた。また、化合物1-1の吸収スペクトルλmaxinCH2Cl2を測定し、大気中光電子分光法AC-2によるイオン化ポテンシャルHOMOレベルを測定した。これらの結果を、ペンタセンの結果と共に表2に示す。なお、ペンタセンの吸収スペクトルは、上記の文献1J.Am.Chem.Soc.,2007,129,2225.より引用し、イオン化ポテンシャルは文献2Jpn.J.Appl.Phys.2005,44,561.より引用した。表2に示すように、化合物1-1は、ペンタセンよりも短波長側に吸収スペクトルが観測された。また、化合物1-1は、ペンタセンよりもイオン化ポテンシャルが大きく、化合物1-1のHOMOレベルがペンタセンよりも0.7eV程度低いことを示していた。これらの結果は、上記の第一原理計算の結果とよく一致していた。以上のように、化合物1-1は、代表的な有機半導体材料であるペンタセンよりも耐酸化性が高く、大気雰囲気下でも安定であることが確認できた。化合物1-1を半導体材料として用いることにより、電気的特性が安定な半導体デバイスを提供できる。また、実施例1で化合物1-1について示すように、化合物1は、市販品の原料を用いても容易に製造でき、実用性が高い。<電界効果トランジスタの製造>[実施例2]図9を参照して説明した製造方法により、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。基板11としては、ガラス基板コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mmを用いた。ゲート電極12の材質は、アルミニウムAlに対して10のシリコンSiを添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコンSiO2とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト日本ゼオン社製、ZPN1150を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロムCrからなる密着層、及び膜厚40nmの金Auからなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜7及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離チャネル長は20μmであり、対向する電極の長さチャネル幅は1000μmであった。有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Aについて、ゲート電圧Vg-ドレイン電流Id特性を測定した。結果を図22に示す。図22中、ABSId[A]はドレイン電流の絶対値グラフの左側縦軸参照を、SQRTIdはドレイン電流の平方根グラフの右側縦軸参照をそれぞれ示す。図22に示すように、得られた電界効果トランジスタは良好な特性を示した。この時の電界効果移動度は、5.0×10-3cm2/Vsであった。また、このトランジスタは大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後の測定においても、著しい特性の低下は見られなかった。[実施例3]図10を参照して説明した製造方法により、図3に示す電界効果トランジスタ1Bを製造した。より具体的には、以下の通りである。基板11としては、ガラス基板コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mmを用いた。ゲート電極12の材質は、アルミニウムAlに対して10のシリコンSiを添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコンSiO2とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト日本ゼオン社製、ZPN1150を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロムCrからなる密着層、及び膜厚40nmの金Auからなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜7及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離チャネル長は20μmであり、対向する電極の長さチャネル幅は1000μmであった。表面修飾層18は、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した基板11を、ドデカンチオールのエタノール溶液10mg/mLに1時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Bは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。[実施例4]図11を参照して説明した製造方法により、図5に示す電界効果トランジスタ1Cを製造した。より具体的には、以下の通りである。基板11としては、ガラス基板コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mmを用いた。ゲート電極12の材質は、アルミニウムAlに対して10のシリコンSiを添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコンSiO2とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金Auとし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離チャネル長は50μmであり、対向する電極の長さチャネル幅は1000μmであった。上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Cは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。[実施例5]図12を参照して説明した製造方法により、図6に示す電界効果トランジスタ1Dを製造した。より具体的には、以下の通りである。基板11としては、ガラス基板コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mmを用いた。ゲート電極12の材質は、アルミニウムAlに対して10のシリコンSiを添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコンSiO2とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。表面修飾層18は、ゲート絶縁膜13を形成した基板11を、オクチルトリクロロシランOTSのトルエン溶液10mg/mLに6時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金Auとし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離チャネル長は50μmであり、対向する電極の長さチャネル幅は1000μmであった。上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Dは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。[実施例6]有機半導体層16を、化合物1-1を用いた真空蒸着法により形成する代わりに、化合物1-1を含む有機半導体層用組成物を用いてスピンコート法により形成したこと以外は、実施例2と同様の方法で電界効果トランジスタ1Aを製造した。この時の有機半導体層用組成物は、クロロホルムを溶媒として、化合物1-1の濃度が0.5質量となるように調製した。この有機半導体層用組成物を、スピンコート法回転数1500rpmにより塗布した後、飽和クロロホルム雰囲気下で緩やかに乾燥させることで、膜厚約40nmの有機半導体層16を形成した。得られた電界効果トランジスタ1Aは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。[実施例7]図9を参照して説明した製造方法により、図2に示す電界効果トランジスタ1A’を製造した。すなわち、実施例2と同様の方法で有機半導体層16を形成した後、さらに、ラボコーターPDS2010商品名、日本パリレン社製を用いて、保護膜17として膜厚500nmのパリレンC膜を有機半導体層16上に形成することで、電界効果トランジスタ1A’を製造した。得られた電界効果トランジスタ1A’は、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。<太陽電池の製造>[実施例8]図15を参照して説明した製造方法により、図13に示す太陽電池2Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。アノード電極22としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。p型半導体層24は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。n型半導体層25としては、膜厚50nmのパーフルオロフタロシアニンからなる膜を、真空蒸着法により形成した。カソード電極23としては、膜厚100nmのアルミニウムAl膜を、真空蒸着法により形成した。得られた太陽電池2Aは、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。<有機発光素子の製造>[実施例9]図17を参照して説明した製造方法により、図16に示す有機発光素子3Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。アノード電極32としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。正孔注入層34aは、PEDOT/PSSBytron-P、バイエル社製をスピンコート法回転数1500rpmでアノード電極32上に載せることで形成し、膜厚を約50nmとした。正孔輸送層34bは、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。発光層34cは、正孔輸送層34b上に、4,4’-N,N’-ジカルバソル-ビフェニルCBP及びトリス2-フェニルピリジンイリジウムIrPPY3を、それぞれ異なる蒸着源から共蒸着させる真空蒸着法によって形成した。形成した発光層34c中のIrPPY3の濃度は、6.5質量であった。また、膜厚は40nmであった。電子輸送層34dは、発光層34c上にトリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムA1q3を真空蒸着させることで形成し、膜厚を40nmとした。電子注入層34eは、電子輸送層34d上に酸化リチウムLi2Oを真空蒸着させることで形成し、膜厚を0.5nmとした。カソード電極33は、電子注入層34e上にアルミニウムAlを真空蒸着させることで形成し、膜厚を150nmとした。得られた有機発光素子3Aは、IrPPY3からの発光が認められた。また、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。<表示装置用アレイの製造>[実施例10]図19を参照して説明した有機半導体装置の製造方法を用いて、図18に示す表示装置用アレイ4Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。基板11としては、ガラス基板コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mmを用いた。ゲート配線40の材質は、アルミニウムAlに対して10のシリコンSiを添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコンSiO2とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト日本ゼオン社製、ZPN1150を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロムCrからなる密着層、及び膜厚40nmの金Auからなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の間隔チャネル長は20μmであり、対向する電極の長さチャネル幅は1000μmであった。ソース配線41及び画素電極43は、Agインクを反転印刷し、180°Cで焼成することにより、厚さ50nmで所望のパターンに形成した。有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物1-1を用いた、金属マスクを介した真空蒸着法で成膜することにより形成した。そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置して、表示装置用アレイ4Aとした。<表示装置の製造>[実施例11]図16に示す有機発光素子3Aを有機EL表示装置の素子として用い、図20に示す表示装置5Aを製造した。有機発光素子3Aは、実施例9と同様の方法で製造した"