溶液13内に基板2を少なくとも部分的に浸漬し、次いで前記基板を乾燥することによって、前記基板2の表面の少なくとも一部の上に層を堆積するためのプロセスであって、前記溶液13は、溶媒と、前記層を形成するための少なくとも1つの化合物と、を含み、前記乾燥することは、少なくとも部分的に、前記溶液から隔離された雰囲気内で実行され、前記溶液13に浸漬すること、および前記基板2を乾燥することは、雰囲気が制御された同じエンクロージャ内で実行されることを特徴とする、プロセス。前記溶液13は、前記基板2を浸漬するのを可能とするために、前記雰囲気が制御されたエンクロージャ内に導入され、且つ、前記基板を乾燥する間には、前記雰囲気が制御されたエンクロージャから取り出される、請求項1に記載のプロセス。前記溶液13は、可動のタンク10内に収容され、特に、該タンクを前記エンクロージャに対して並進移動させることによって、前記エンクロージャ内に導入され、且つ、該エンクロージャから取り出される、請求項2に記載のプロセス。前記エンクロージャ内の前記雰囲気は、ガス流4を前記エンクロージャの内部を通過させることによって制御される、請求項1に記載のプロセス。通過する前記ガス流4は、特に、前記雰囲気が制御されたエンクロージャ内に流入する前に、加熱される、請求項4に記載のプロセス。複数の処理、特に、高温処理および化学蒸気処理の少なくとも一方が、乾燥の間および乾燥の後の少なくとも一方において、前記層に対して、前記エンクロージャ内にて直接実行される、請求項1に記載のプロセス。請求項1~6のいずれか1項に記載のプロセスを実行するための装置であって、エンクロージャと、前記基板2を前記エンクロージャの内部に保持するための手段3と、前記溶液13を前記エンクロージャ内に導入し、且つ、前記溶液13を前記エンクロージャから取り出すための手段14と、前記エンクロージャの内部の前記雰囲気を制御するための手段5、6、7と、を備える、装置。前記溶液を導入し、且つ、前記溶液を取り出すための前記手段14は、前記エンクロージャ内に挿入し、且つ、前記エンクロージャから取り出すように、前記エンクロージャに対して可動に設置された、前記溶液を受容するためのタンク10と、前記タンクを、前記エンクロージャの壁を通過させるための手段8であって、該通過させる手段を介して、前記タンクが出入り可能となる、手段8と、を有する、請求項7に記載の装置。前記通過させる手段は、少なくとも1つのトラップ扉8を有し、前記トラップ扉8は、前記タンク10を前記エンクロージャ内に導入する間に、前記タンク10によって押されて開き、且つ、前記タンク10を取り出す間に、自動的に閉じる、請求項8に記載の装置。SiO2ゾル-ゲルの層を、ガラス基板上に形成するための、請求項1に記載のプロセス、または、請求項7に記載の装置の使用。本発明の目的は、層を堆積するための上記技術の欠点を、斬新な堆積プロセスと、斬新な堆積装置とを提供することによって、克服することである。ここで、本堆積プロセスおよび本堆積装置は、特に、該プロセスおよび装置を用いて形成される層の特性を制御することを、さらに改善可能とするものである。本発明の一主題は、溶液内に基板を少なくとも部分的に浸漬し、次いで基板を乾燥することによって、基板の表面の少なくとも一部の上に層を堆積するためのプロセスである。ここで、溶液は、溶媒と、層を形成するための少なくとも1つの化合物とを含む。また、乾燥することは、少なくとも部分的に、溶液から隔離された雰囲気内で実行される。本発明によれば、溶液に浸漬すること、および基板を乾燥することは、雰囲気が制御された同じエンクロージャ内で実行される。化合物という語は、本発明の文脈内において、1以上の不揮発性の化合物を意味するものと理解される。ここで、この化合物は、一旦乾燥され、且つ任意で処理されて、任意的に化学変質および/または反応の後に、層の主要な構成要素となる。具体的には、堆積プロセスの乾燥期間、すなわち、溶媒および、溶液の他の所定コンポーネントの蒸発に相当する期間は、形成される層の特性に対して、明確な影響を有していることが、明らかとなった。すなわち、一旦基板が溶液から取り出され、乾燥する基板と同じ雰囲気内に溶液が残された場合、基板の表面上に堆積された液相の物からの溶媒の蒸発は、予防策がないと、基板が浸漬される溶液からの溶媒の自然蒸発と競合してしまう。この欠点は、エンクロージャ内に密閉された雰囲気内に溶液が残された場合に、さらに増大する。何故ならば、溶液から蒸発した溶媒によって、基板が配置された雰囲気における飽和蒸気圧が修正され、乾燥する基板から生じる溶媒の蒸発を、妨害/変化させてしまうからである。発明者は、上述した効果を考慮して、乾燥する基板を、該基板が直前に浸漬された溶液から隔離する方法を、発見した。これにより、制御が困難なこのような競合を排除し、または、少なくとも、この競合を極短い時間経過に限定することができる。したがって、このような予防措置を以って、層が含む溶媒の蒸発による、層の乾燥は、明確且つ良好に制御され、基板が配置されている雰囲気内における溶媒の蒸気テンションは、単に、形成された層から蒸発した溶媒の量の結果となる。さらに、閉鎖されたエンクロージャ内で層の堆積が実行された場合、溶液から生じる溶媒蒸気を考慮する必要性を伴うことなく、エンクロージャの雰囲気の組成を厳密に制御し、そのバリエーションを制御することができる例えば、溶媒蒸気を徐々に取り除く、または、層の組成に作用し得る揮発性の化合物を、エンクロージャの雰囲気に加える。ここで、基板を溶液から素早く引き上げて、雰囲気が制御されたエンクロージャ内に、配置することによって、基板は、一時的に外気に曝されることになる。これは、層の乾燥を妨害し、または修正する。有利には、基板を同じエンクロージャ内に維持することによって、形成された層から発生する溶媒の除去を、より良好に制御することができる。または、この雰囲気のパラメータ温度、組成等を修正することによって、層の化学組成もしくは物理化学的な特性を修正することも、可能となる。具体的に、本発明の好ましい実施形態によれば、溶液は、基板を浸漬するのを可能とするために、雰囲気が制御されたエンクロージャ内に導入され、且つ、基板を乾燥する間には、雰囲気が制御されたエンクロージャから取り出される。例えば、溶液は、可動のタンク内に収容され、特に、該タンクをエンクロージャに対して並進移動させることによって、エンクロージャ内に導入され、且つ、該エンクロージャから取り出される。また、エンクロージャを、溶液に対して移動させることも、想定される。また、基板を浸漬させ、乾燥する間に、基板をエンクロージャ内に配置しないことも想定される。そして、2つの基板浸漬処理の間に、溶液に含まれる揮発性の化合物が蒸発してしまうのを防止するために、閉鎖用のシステム例えばカバーを備えたタンク内に、溶液を収容することも想定される。好ましくは、エンクロージャ内の雰囲気は、ガス流をエンクロージャの内部を通過させることによって、制御される。ガスは、任意的に、不活性であってもよく、形成される層の特性を修正する特性を有してもよい。例えば、ガスは、還元特性または酸化特性を有してもよく、酸性または塩基性であってもよい。または、ガスは、形成される層の組成に特に影響を与える温度に維持されてもよい。通過するガス流を、特に、雰囲気が制御されたエンクロージャ内に流入する前に、加熱するための構成が設けられてもよい。また、チャンバの内部を直接加熱するための構成が設けられてもよく、該構成は、例えば、抵抗加熱器、または熱交換流体を流すための回路のような、加熱要素を有してもよい。加熱は、有機または水性の溶媒を除去するのを加速させるために、例えば、50°C~100°Cのような、穏やかなものであってもよい。また、ガス流を、明らかに極高温である温度数百°Cとなるまで、直接的に加熱する選択をしてもよい。または、特に層を硬化させるために、溶媒の大部分が蒸発した後の第2のステップにおいて、ガス流を、明らかに極高温である温度数百°Cとなるまで加熱する選択をしてもよい。1以上の処理、特に、高温処理および/または化学蒸気処理が、乾燥の間および/または乾燥の後に、層に対して、エンクロージャ内にて実行されてもよい。乾燥の前、乾燥の間、および/または乾燥の後に処理された層の組成は、制御された雰囲気の組成と、層と雰囲気との間の化学物質の交換とに、依存することになる。これら交換は、凝縮/蒸発の平衡により、支配される。該平衡は、公知である全ての化学種に存在するものである。本発明の他の主題は、上述のプロセスを実行するための装置である。本装置は、エンクロージャと、基板をエンクロージャの内部に保持するための手段と、溶液をエンクロージャ内に導入し、且つ、溶液をエンクロージャから取り出すための手段と、エンクロージャの内部の雰囲気を制御するための手段とを備える。溶液を導入し、且つ、溶液を取り出すための上記手段は、エンクロージャ内に挿入し、且つ、エンクロージャから取り出すように、エンクロージャに対して可動に設置された、溶液を受容するためのタンクと、タンクを、エンクロージャの壁を通過させるための手段であって、該通過させる手段を介して、タンクが出入り可能となる、手段とを有する。有利には、上記通過させる手段は、少なくとも1つのトラップ扉を有し、トラップ扉は、タンクをエンクロージャ内に導入する間に、タンクによって押されて開き、且つ、タンクを取り出す間に、自動的に閉じる。この構成は、以下のような、純粋な機械的手法により実現され得る。すなわち、タンクの壁が、エンクロージャのトラップ扉に押し当てられ、該トラップ扉を開く。そして、トラップ扉は、例えば、単に重力の効果の下で、またはスプリングバックを介して、再び閉鎖する。また、自動式のシステムも想定され得る。このシステムは、例えば、エンクロージャの開放手段の直近領域におけるタンクの存在を検知するためのセンサを用いる。本発明の他の主題は、金属酸化物、酸窒化物もしくは酸炭化物、および/またはシリカゾル-ゲルの層、または、有機もしくはケイ素化合物の層を形成するための、上述したプロセスまたは装置の使用に関する。ここで、層の厚みは、数nmから数μmの範囲となり得る。また、本発明が適用される基板は、本質的に大きく変更されてもよい。すなわち、これら基板は、平坦または湾曲状であってもよく、例えば、ガラスから作製されてもよい。また、層は、このタイプの基板の1つの表面、または全ての表面の上に、堆積されてもよい。本発明に係る堆積プロセスは、3次元基板を全体的に覆う用途に、特に適している。層は、基板に様々な特性特に、光学的または機械的な特性を与えるために、堆積され得る。または、層は、食品加工または薬剤供給の分野における製品をコーティングするために、堆積され得る。本発明の他の特徴および利点は、以下の説明と、本発明の非限定的実施形態を示す添付の図面から、より明らかとなるであろう。これら図面は、意図的に極概略的に示されており、視認性の観点から、図示された種々のコンポーネントは、スケールで示されてはいない。なお、全ての図面において、図示されている要素の各々には、同じ参照符号を付している。図1は、エンクロージャを備えた本発明に係る装置を示しており、該エンクロージャは、ここでは、蒸発チャンバ1である。蒸発チャンバ1は、実質平行6面体状の内部ハウジングを画定している。蒸発チャンバ1は、基板2を収容し、該基板2上に、層を堆積する必要がある。基板2は、上記チャンバ1の上側の内壁に、公知の保持手段3によって、固定される。なお、保持手段3の詳細な説明は、省略する。装置は、エンクロージャの内部の雰囲気を制御するための手段を備えている。具体的には、ガス流4は、蒸発チャンバ1を通過する。ここで、ガス流4は、制御手段によって制御され、パイプ41によって、チャンバ1の頂部内に運ばれる。ここで、制御手段は、質量流量コントローラ5と、シャワーヘッド6とを有する。したがって、ガス流4の流量は、コントローラ5を用いて制御され、シャワーヘッド6を通過した後に、2つの入口11、11’を経てチャンバ内に到達する。シャワーヘッド6は、チャンバ1内に流入するガス流4を、均一に分配、均質化することができる。そして、ガス流4は、チャンバ1の上側の壁から下側部に向かって下方へ移動しつつ、チャンバ1の全体に亘って流れる。チャンバ1の下側部において、ガス流4は、側方の出口12、12’を介して、排出される。好ましい一実施形態によれば、ガス流4は、蒸発チャンバ1に流入する前に、加熱される。この目的のために、制御手段は、加熱モジュール7を有しており、該加熱モジュール7は、一連の抵抗加熱器を含む。加熱処理は、ガス4を運ぶパイプ41を、加熱モジュール7内に挿通することによって、実現される。加熱モジュール7は、起動または停止することができ、ガス4が、例えば50°C~500°Cの温度に到達すべく、調整することができる。また、本発明に係る装置は、溶液13をエンクロージャ内に導入し、該溶液13をエンクロージャから取り出すための手段を備える。具体的には、導入手段は、溶液をエンクロージャの壁を通って通過させる手段を有する。これにより、溶液は、これら通過手段を介して、出入りすることができる。ある特定の実施形態によれば、通過手段は、トラップ扉8を含み、該トラップ扉8は、蒸発チャンバ1の下側壁に形成されたアパーチャを閉塞する。なお、トラップ扉8は、矢印に示すように、上側に向けて開く。このトラップ扉8は、2つのシャッター81、82図2a~図2dに、より明確に示されているから構成され、該シャッター81、82は、互いに反対側となる、該シャッター81、82の2つの端部において、枢支されている。これにより、閉鎖位置においては、2つのシャッタは、共に、チャンバ1の下側壁をアパーチャにて封止する。シャッター81、82の端部には、その延在方向の全てまたは一部に亘って、シールが設けられている。また、導入手段は、溶液13を収容するタンク10を有し、該タンクは、蒸発チャンバ1の下方に配置されたプラットフォーム9上に、設置されている。プラットフォーム14したがって、タンク10は、動力手段14を用いて移動させることができる。例えば、本稿では、動力手段14を構成する、伸縮可能なシリンダバレルと、ロッドとが示されている。動力手段14は、プラットフォーム9とタンク10とを、矢印fによって示されているように垂直方向の上方および下方に移動させることができる。これにより、タンク10を、トラップ扉8を介して、蒸発チャンバ1内に導入することができる。図1は、タンク10が蒸発チャンバ1の外部に配置されている段階を示している。本装置を用いた、本発明に係る堆積プロセスの一例の詳細について、図2a~図2dを用いて説明する。この実施例においては、ガス流4は、窒素またはアルゴンのような不活性ガスのガス流であって、入口11、11’を介して、蒸発チャンバ1内に所定の圧力下で導入される。基板2は、ガラスシートであり、ここでは、SiO2二酸化ケイ素のゾル-ゲル層によって覆われている。エンクロージャの上側の内壁にて基板2を保持するための手段3は、連結および固定ロッドを有する。プラットフォーム9は、蒸発チャンバ1の下方に配置され、タンク10を保持する。タンク10は、溶媒ここでは、エタノール内の化合物ケイ素アルコキシド、塩酸および水の溶液13を含む。堆積プロセスの第1のステップは、図2aに相当する。第1のステップにおいて、タンク10およびプラットフォーム9が、動力手段14の制御の下、蒸発チャンバ1のトラップ扉8の方向に向かって、垂直方向の上方に並進移動する。その結果、タンク10の上端部が、蒸発チャンバ1のトラップ扉8を押す。トラップ扉8は、タンク10の上端部によって負荷される圧力の効果の下で、シャッター81、82のように徐々に開き、これにより、タンク10およびプラットフォーム9を、蒸発チャンバ1内に挿入することができる。第2のステップは、図2bに相当する。第2のステップにおいて、トラップ扉8に整列して配置された基板2が、溶液13内に所望の深さまで浸漬されたときに、タンク10の上方への移動が、停止される。そのとき、トラップ扉8の2つのシャッター81、82は、最も開いた状態となる。基板2と、トラップ扉8と、タンク10の側壁の、相対的な位置およびサイズは、以下のようになる。すなわち、この位置において、タンク10の側壁は、シャッター81、82の端部と接触し、これにより、蒸発チャンバ1の下壁を、ある程度、封止する。第3のステップは、図2cに相当する。第3のステップにおいて、プラットフォーム9と、連結されたタンク10が、動力手段14の制御の下、下方に向かって並進移動する。その結果、基板2が、溶液13から露出し、溶液のフィルムが、直前に浸漬された基板2の表面上に、残留することになる。そして、タンク10は、蒸発チャンバ1から徐々に退出し、これにより、シャッター81、82が、単に重力の効果の下、互いに閉じることができる。第4のステップは、図2dに相当する。第4のステップにおいて、トラップ扉8が、完全に閉鎖され、プラットフォーム9と、連結されたタンク10が、蒸発チャンバ1の外部に完全に退出する。これは、基板2の表面上に堆積された溶液のフィルムを乾燥させるステップである。溶液のフィルムから溶媒が蒸発した結果、基板2の表面上に薄い層が形成されることになる。この薄い層は、基板2を溶液13から取り出した速度に依存して、20nm~1000nmの範囲の厚みを有する。この薄い層は、脆弱な網状のシリカから構成される。基板2を乾燥させるという、この重要なステップは、固体の層を形成することに繋がるものであって、雰囲気が制御されているチャンバ1内で行われる。ここで、チャンバ1は、ガス流4が継続的に流されており、該ガス流は、基板2上に堆積されたフィルムから生じる溶媒蒸気を、取り込んで運搬する。タンク10に含まれる溶液13の表面から放出される傾向のある、揮発性の化合物の蒸気は、チャンバ1の雰囲気を修正/変化させることができない。何故ならば、溶液13は、基板2の浸漬処理が終了すると、直ちに、チャンバから取り出されるからである。このように形成された層は、物理化学的な特性の点において、特に、均一となっており、且つ、特に、均一な厚みを有していることが、観測された。本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に存在する如何なる変形例をも包含するものである。したがって、図面に示された実施形態の代替として、基板2と、該基板2を収容するエンクロージャとを、溶液13に対して移動させてもよい。また、層を乾燥させる間に、例えば格納可能な壁によって溶液13を隔離するような場合においては、溶液13をエンクロージャ内に留めておいてもよい。または、溶液13および基板2を、トンネルまたはロードロックを介して互いに連通する2つのエンクロージャ内に配置してもよい。また、タンク10を移動させるのではなく、代わりに、基板2を乾燥させる前に、タンク10内に収容された溶液13を、単純にエンクロージャから隔離するように覆ってもよい。また、タンク10と基板2との間の相対移動を、水平方向への並進移動としてもよいし、または、並進移動と回転の組み合わせとしてもよい。上述のプロセスは、基板2を浸漬するステップと、基板2を乾燥するステップのみを備えるものであったが、プロセスは、溶液13内に基板を浸漬することによって形成された層を、エンクロージャ内にて直接処理するステップを備えてもよい。例えば、層は、乾燥処理の間、および/または乾燥処理の後に、特に化学蒸気処理および/または高温処理によって、処理されてもよい。本発明に係るプロセスは、予め加熱されたガス流によって、堆積エンクロージャを加熱する構成を備えてもよい。しかしながら、代替的には、チャンバを直接加熱する選択をしてもよい。チャンバを直接加熱することによって、エンクロージャ内部におけるガスの対流に関する効果を低減することができる。本発明は、以下の複数の点において、有利である。本発明は、水溶液から層を堆積するのに、特に適している。これにより、水性溶媒の強い表面張力に関するディウェッティング効果dewettingeffectが発生するのを、低減することができる。また、本発明は、以下のような化合物を含む溶液を用いて層を堆積する間に、相分離が発生してしまう虞を、低減することができる。その化合物とは、溶媒に可溶である一方で、溶媒が一旦蒸発すると非溶解性となるものである。また、その内部で層が堆積されて乾燥される雰囲気を、選択し、正確に制御することができ、且つ、多くの異なるタイプの処理を層に施すことも可能となる。