"P型またはN型シリコンターゲットを用意する工程Aと、前記P型またはN型シリコンターゲットを利用して、基板表面にP型またはN型アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程Bと、前記P型またはN型アモルファスシリコン膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型またはN型多結晶シリコン膜を形成する工程Cと、を含む、多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記工程Aにおいて、ホウ素を含み、純度が99.999wt以上であるP型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるP型シリコン粉末を得るステップと;前記P型シリコン粉末を、プラズマに曝してP型溶融シリコンを得るステップと;前記P型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てP型シリコンターゲットを得るか、またはリンまたは砒素を含み、純度が99.999wt以上であるN型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるN型シリコン粉末を得るステップと;前記N型シリコン粉末を、プラズマに曝してN型溶融シリコンを得るステップと;前記N型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てN型シリコンターゲットを得る、請求項1に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記P型シリコンインゴットまたは前記N型シリコンインゴットの粉砕は、高圧純水切断、ジェットミル、湿式粒化、超音波破壊、衝撃波破壊から選ばれる少なくとも1つの方法で、粒径0.1μm以上100μm以下のP型シリコン粉末とする工程を含む、請求項2に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記基板は、Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Feのいずれかを含む、請求項1に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記プラズマは、大気圧プラズマである、請求項1に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記走査速度は、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、請求項1に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記工程Cで形成された前記P型多結晶シリコン膜に、砒素またはリンを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成するか、または前記工程Cで形成された前記N型多結晶シリコン膜に、ホウ素を含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する工程Dをさらに含む、請求項1に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。請求項7に記載の方法により得られた多結晶型太陽電池パネル。P型シリコンターゲットとN型シリコンターゲットとを用意する工程αと、前記P型シリコンターゲットと前記N型シリコンターゲットとを利用して、基板表面にP型アモルファスシリコン膜とN型アモルファスシリコン膜とのアモルファス積層膜をスパッタ成膜する工程βと、前記積層膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型多結晶シリコン膜とN型多結晶シリコン膜との多結晶積層膜を形成する工程γと、を含む、多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記工程αにおいて、ホウ素を含み、純度が99.999wt以上であるP型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるP型シリコン粉末を得るステップと;前記P型シリコン粉末を、プラズマに曝してP型溶融シリコンを得るステップと;前記P型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てP型シリコンターゲットを得て、かつリンまたは砒素を含み、純度が99.999wt以上であるN型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるN型シリコン粉末を得るステップと;前記N型シリコン粉末を、プラズマに曝してN型溶融シリコンを得るステップと;前記N型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てN型シリコンターゲットを得る、請求項9に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記P型シリコンインゴットおよびN型シリコンインゴットの粉砕は、高圧純水切断、ジェットミル、湿式粒化、超音波破壊、衝撃波破壊から選ばれる少なくとも1つの方法で、粒径0.1μm以上100μm以下のP型シリコン粉末とする工程を含む、請求項10に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記基板は、Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Feのいずれかを含む、請求項9に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記プラズマは、大気圧プラズマである、請求項9に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記走査速度は、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、請求項9に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。前記工程γにおいて、前記多結晶積層膜にPN接合を形成する、請求項9に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。請求項15に記載の方法により得られた多結晶型太陽電池パネル。多結晶型シリコン太陽電池は、PN接合を有する多結晶シリコン膜を含む。多結晶シリコン膜にPN接合を形成するには、1多結晶シリコン膜にドーパント含有物質一般的にはガラスを堆積させて、ドーパントを熱拡散させたりドーパント含有物質はウェット処理により除去する、2ドーパント含有ガス雰囲気下に多結晶シリコン膜をおいてドーパントを注入したりする。これらのPN接合形成手法では、工程数が増えて処理時間が増大したり、危険性の高いガスの使用が必要であったり、ドーピング量の制御やドーパントの注入深さの制御が困難であったりする。そこで、本発明の第一は、PN接合を有する多結晶シリコン膜を簡便に形成することで、低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供することを目的とする。本発明は、ドーパント含有シリコンインゴットを用いてスパッタ成膜したアモルファスシリコン膜をプラズマで多結晶化し、それにPN接合を形成することでPN接合を有する多結晶シリコン膜を形成する。それにより、低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供する。好ましくは、ドーパント含有シリコンインゴットを材料効率よく提供することで、より低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供する。本発明の第1は、以下に示す多結晶型太陽電池パネルの製造方法に関する。[1]P型またはN型シリコンターゲットを用意する工程Aと、前記P型またはN型シリコンターゲットを利用して、基板表面にP型またはN型アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程Bと、前記P型またはN型アモルファスシリコン膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型またはN型多結晶シリコン膜を形成する工程Cと、を含む、多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[2]前記工程Aにおいて、ホウ素を含み、純度が99.999wt以上であるP型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるP型シリコン粉末を得るステップと;前記P型シリコン粉末を、プラズマに曝してP型溶融シリコンを得るステップと;前記P型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てP型シリコンターゲットを得るか、またはリンまたは砒素を含み、純度が99.999wt以上であるN型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるN型シリコン粉末を得るステップと;前記N型シリコン粉末を、プラズマに曝してN型溶融シリコンを得るステップと;前記N型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てN型シリコンターゲットを得る、[1]に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[3]前記P型シリコンインゴットまたは前記N型シリコンインゴットの粉砕は、高圧純水切断、ジェットミル、湿式粒化、超音波破壊、衝撃波破壊から選ばれる少なくとも1つの方法で、粒径0.1μm以上100μm以下のP型シリコン粉末とする工程を含む、[2]に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[4]前記基板は、Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Feのいずれかを含む、[1]~[3]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[5]前記プラズマは、大気圧プラズマである、[1]~[4]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[6]前記走査速度は、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、[1]~[5]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[7]前記工程Cで形成された前記P型多結晶シリコン膜に、砒素またはリンを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成するか、または前記工程Cで形成された前記N型多結晶シリコン膜に、ホウ素を含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する工程Dをさらに含む、[1]~[6]に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[8]前記[7]に記載の方法により得られた多結晶型太陽電池パネル。本発明の第2は、以下に示す多結晶型太陽電池パネルの製造方法に関する。[9]P型シリコンターゲットとN型シリコンターゲットとを用意する工程αと、前記P型シリコンターゲットと前記N型シリコンターゲットとを利用して、基板表面にP型アモルファスシリコン膜とN型アモルファスシリコン膜とのアモルファス積層膜をスパッタ成膜する工程βと、前記積層膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型多結晶シリコン膜とN型多結晶シリコン膜との多結晶積層膜を形成する工程γと、を含む、多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[10]前記工程αにおいて、ホウ素を含み、純度が99.999wt以上であるP型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるP型シリコン粉末を得るステップと;前記P型シリコン粉末を、プラズマに曝してP型溶融シリコンを得るステップと;前記P型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てP型シリコンターゲットを得て、かつリンまたは砒素を含み、純度が99.999wt以上であるN型シリコンインゴットを粉砕して、純度が99.999wt以上であるN型シリコン粉末を得るステップと;前記N型シリコン粉末を、プラズマに曝してN型溶融シリコンを得るステップと;前記N型溶融シリコンを再結晶化させるステップとを経てN型シリコンターゲットを得る、[9]に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[11]前記P型シリコンインゴットおよびN型シリコンインゴットの粉砕は、高圧純水切断、ジェットミル、湿式粒化、超音波破壊、衝撃波破壊から選ばれる少なくとも1つの方法で、粒径0.1μm以上100μm以下のP型シリコン粉末とする工程を含む、[10]に記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[12]前記基板は、Al、Ag、Cu、Sn、Zn、In、Feのいずれかを含む、[9]~[11]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[13]前記プラズマは、大気圧プラズマである、[9]~[12]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[14]前記走査速度は、100mm/秒以上2000mm/秒以下である、[9]~[13]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[15]前記工程γにおいて、前記多結晶積層膜にPN接合を形成する、[9]~[14]のいずれかに記載の多結晶型太陽電池パネルの製造方法。[16]前記[15]に記載の方法により得られた多結晶型太陽電池パネル。本発明は、多結晶型シリコン膜を含む太陽電池パネルを提供する。本発明の太陽電池パネルにおける多結晶型シリコン膜は、不純物含有シリコンターゲットを用いてスパッタ成膜したアモルファスシリコン膜を、プラズマを利用して多結晶化させて形成されている。この手法により、簡便にPN接合を有する多結晶化シリコン膜が形成できる。よって本発明は、多結晶型太陽電池パネルの低コスト化に寄与する。しかも本発明の好ましい態様によれば、不純物含有シリコンターゲットを、材料効率よく製造することができる。よって本発明の好ましい態様によれば、多結晶型太陽電池パネルの低コスト化にさらに寄与する。本発明の多結晶型太陽電池パネルの製造方法は、ドーパントを含有するシリコンターゲットを用意するステップと、前記シリコンターゲットを用いて基板表面にドーパント含有アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程と、前記アモルファスシリコン膜にプラズマを照射してドーパント含有多結晶シリコン膜とする工程と、を含む。また、本発明の多結晶型太陽電池パネルの製造方法は、1アモルファスシリコン膜2dを多結晶化してから、ドーパントをドーピングしてPN接合を有する多結晶シリコン膜とする第1の態様図5参照と、2アモルファスシリコン膜2dに、さらにアモルファスシリコン膜2eを成膜してアモルファス積層膜として、アモルファス積層膜を多結晶化して、PN接合を有する多結晶シリコン膜とする態様図6参照とに大別されうる。ドーパント含有シリコンターゲットは、ドーパント含有シリコンインゴットから得られる。ドーパント含有シリコンターゲットは、ドーパント含有シリコンインゴットをスライスして得ることもできるが;シリコンインゴットをスライスすると、大量の切削くずが発生するため、材料効率がよくない。よって、ドーパント含有シリコンターゲットは、ドーパント含有シリコンインゴットの粉砕物を溶融および再結晶化させて得ることが好ましい。ドーパント含有シリコンインゴットの粉砕物からシリコンターゲットを製造する概要が、図1に示される。まず、ドーパント含有シリコンインゴット1を用意する図1A。ドーパント含有シリコンインゴットは、P型ドーパントを含有していてもよいし、N型ドーパントを含有していてもよい。P型ドーパントの例にはホウ素が含まれ、N型ドーパントの例にはリンや砒素が含まれる。シリコンインゴットにおけるドーパント濃度は、その用途に応じて適宜設定される。ドーパント含有シリコンインゴットは、ソーラーグレートシリコンの基準を満たしていればよい。ソーラーグレートシリコンの基準を満たすシリコンインゴットにおけるシリコン純度は、99.99wtであり、好ましくは99.999wtであり、より好ましくは99.9999wtである。ドーパント含有シリコンインゴット1は、粉砕されてシリコン粉末2bとされる図1B。シリコン粉末への粉砕は、ドーパント含有シリコンインゴットのシリコン純度を低下させることなく行われることが好ましい。そのため、ドーパント含有シリコンインゴット1の粉砕は、以下の2つの工程を含む多数の工程に分けて行われることが好ましい。粉砕を多数の工程を組み合わせて行うことで、インゴット1を1つの工程で所望の粒径に粉末化するよりも、短時間で粉末化することができる。粉砕の第1工程では、ドーパント含有シリコンインゴット1を、超高圧水切断でシリコン粗粉末2aとする。シリコン粗粉末2aの粒径は、約3mm以下、好ましくは1mm以下である。超高圧水切断とは、超高圧水の衝突エネルギーを利用して物質を切断する手法である。超高圧水とは、約300MPaの水圧を有する水であり得る。超高圧水切断は、例えば、スギノマシン製の超高圧水切断装置を用いて行うことができる。また、このとき使用される水は、半導体プロセスで使用されるレベルの比抵抗18MΩcmの超純水であることが好ましい。粉砕の第2工程では、得られたシリコン粗粉末2aを、湿式微粒化方法、例えばスギノマシン製スターバースト装置、または、ジェットミル、超音波破壊または衝撃波破壊で、シリコン粉末2bとする。シリコン粉末2bの粒径は、0.1μm以上100μm以下、好ましくは粒径0.3μm以上70μm以下である。湿式微粒化とは、流路中の被粉砕物が分散した液体に、245MPaという超高圧の圧力エネルギーを与えて、一旦、2つの流路に分岐させ、再度合流する部分で被粉砕物同士を衝突させて、粉砕を行う湿式微粒化システムである。湿式微粒化は、ジェットミル、超音波破壊、衝撃波破壊と同様に、粉砕媒体を使用しない粉砕手段であるため、不純物の混入を抑制することができる。シリコン粉末2bの粒子径は、粉砕設備の能力、量産における生産時間とともに、シリコン粉末2bを溶融するための時間などを考慮して設定される。シリコン粉末2bの粒径が100μm以下であると、比較的低温でシリコン粉末2bを溶融させることができる。一般的なシリコンの溶融温度は1410°Cであるので、シリコンを溶融させるには大規模な炉が必要である。ところが、シリコン粉末の粒径が100μm以下となると、その溶融温度が低下する。シリコン粉末2bには、粉砕工程図1Bにおいて太陽電池の特性を劣化させる不純物、例えばAlFeCrCaKなどが混入しない。つまり、シリコンインゴット1の純度を維持したまま、粉末化することができる。よって、シリコンインゴット1の純度が99.99以上好ましくは99.9999以上であれば、得られるシリコン粉末の純度も99.99以上好ましくは99.9999以上とすることができる。一方、シリコンインゴット1を、粉砕機やローラーなどを使用して粉砕しようとすると、粉砕物に不純物が混入するため、シリコンインゴット1の純度を維持したまま、粉末化することはできない。次に、得られたシリコン粉末2bを基体10に載置する図1C。シリコン粉末2bを、基体10に載置する代わりに、容器に収容してもよい。基体10の材質は特に制限されないが、銅Cu,モリブデンMo,チタンTi,ステンレスSUSなどであればよい。シリコン粉末2bを基体10に載置するには、乾燥したシリコン粉末をスキージにて塗布することが好ましい。基体10に載置されるシリコン粉末の量は、約1.5gcm2であることが好ましい。また、基体10に載置されるシリコン粉末の量は、得られるシリコンターゲット2cの厚みが5~15mmとなるような量とすることが好ましい。次に、基体10に載置したシリコン粉末2bにプラズマを照射して、シリコン粉末2bを溶融させ、さらに冷却して多結晶化させて、シリコンターゲット2cとする図1C。プラズマは、真空プラズマであってもよいが、処理の簡便さ、装置構成の便利さから、大気圧プラズマであることが好ましい。ここで用いることができる大気圧プラズマ装置の概略が、図2に示される。図2に示されるように、大気圧プラズマ装置50は、陰極20と陽極21を有する。陽極21には、プラズマ噴射口22が設けられている。陰極20と陽極21との間にDC電圧を印加するとアーク放電が発生するので、不活性ガス窒素ガスなどを流すことによって、プラズマ噴射口22からプラズマ23が噴出する。このような大気圧プラズマ装置は、例えば特開2008-53632号公報などに記載されている。大気圧プラズマ装置50のXYZ軸に移動可能なステージ不図示に、シリコン粉末2bを載置した基体10を搭載して、大気圧プラズマで基体10の表面を一端から他端まで走査して熱処理を行う。大気圧プラズマの温度は10000°C以上であるが、プラズマ噴射口22の先端の温度は約2000°Cとなるように調整することが好ましい。プラズマ噴射口22は、基体10のシリコン粉末2bから約5mm離間して配置される。投入パワーは20kwとして、プラズマ23を不活性ガスで押出して基体10に噴射する。噴射口22からのプラズマ23は、基体10の表面の40mm径の領域に照射される。プラズマ23が照射された領域のシリコン粉末2bは溶融する。大気圧プラズマ23の基体10の表面での温度は、大気圧電源のパワーや、噴射口22と基体10との間隔などによって、任意に制御することができる。大気圧プラズマ23の基体10の表面での温度を適切に制御して、シリコン粉末2bの溶融条件を調整する。シリコン粉末2bが溶融した後、さらに不活性ガス窒素ガスなどをあてて冷却して多結晶化する。それにより、基体10にシリコンターゲット2cが形成される。このとき、溶融したシリコン粉末2bを急冷すると、結晶粒径の小さい多結晶シリコンとなる。プラズマを押出す不活性ガスに、微量の水素ガスを混合してもよい。微量の水素を混合することで、シリコン粒子2bの表面に形成された酸化膜を除去することが可能となり、かつ結晶欠陥の少ないシリコンターゲット2cを得ることができる。走査スピードは、100mm秒~2000mm秒とすることが好ましく、例えば約1000mm秒とする。走査スピードが100mm以下であると、下地となる基体10が溶融して、得られるシリコンターゲット2cへ悪影響を及ぼすことがある。また、走査スピードが2000mm以上であると、シリコン粒子2bの上部しか溶融されない。また、2000mm秒以上の速度で走査するには、装置システムが複雑になる。基体10に形成されたシリコンターゲット2cは、基体10から剥離されて、スパッタ成膜用のシリコンターゲットとして用いられる。シリコンターゲット2cは、原料としたシリコンインゴット1と同様に、ドーパントを含有している。つまり、シリコンターゲット2cは、P型またはN型にドープされている。シリコンターゲット2cにおけるドーパント濃度は、用途に応じて適宜設定される。また、得られるシリコンターゲットの厚みは、5~15mmであることが好ましい。スパッタ成膜用のターゲットとして用いるためである。2.多結晶型太陽電池パネルについて本発明の多結晶型太陽電池パネルは、ドーパント含有シリコンターゲットを用いて、基板上にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜し、成膜されたアモルファスシリコン膜にプラズマを照射して加熱溶融させて、さらに冷却して再結晶化させて多結晶シリコン膜とすることを特徴とする。そのフローが図3、ならびに図5~図7に示される。まず、基板3を用意する図3A。基板3は、太陽電池の電極となる。具体的に、基板3は、Al,Ag,Cu,Feなどの太陽電池の裏面電極として用いられる金属基板またはロールであればよく、特に限定されるものではない。また、基板3は、高導電性透明基板であってもよく、例えば、Sn,Zn,Inを含む無機基板である。高導電性透明基板を用いれば、複数の太陽電池セルを積層することができる。次に、基板3の表面に、ドーパント含有シリコンターゲットを用いてアモルファスシリコン膜2dを成膜する図3B。ドーパント含有シリコンターゲットを用いて形成されるスパッタ膜は、ターゲットと同様にドーパントを含有するアモルファスシリコン膜2dとなる。つまり、P型シリコンターゲットを用いてスパッタ成膜したアモルファスシリコン膜2dは、P型ドーパントを含有し;N型シリコンターゲットを用いてスパッタ成膜したアモルファスシリコン膜2dは、N型ドーパントを含有する。ここで用いるドーパント含有シリコンターゲットは、前述のシリコンインゴットの粉砕物から得たシリコンターゲットとすることができる。スパッタ成膜は、通常のスパッタリング装置、例えばマグネトロンスパッタリング装置を用いて行えばよい。図4には、マグネトロンスパッタリング装置100の概要が示される。マグネトロンスパッタリング装置100は、真空チャンバ51;シリコンターゲット2cと水冷ジャケット61と磁気回路60とを含むマグネトロン電極;基板3を有する。真空チャンバ51には、ガス導入装置55、排気装置56、排気口57、バルブ58が設けられる。排気装置56は、真空チャンバ51の内部を負圧することができる。ガス導入装置55は、真空チャンバ51の内部にスパッタリングガスを導入することができる。スパッタリングガスは、一般的にArガスなどの不活性ガスである。マグネトロン電極は、シリコンターゲット2c、シリコンターゲット2cに接続された高電圧印加電源62、シリコンターゲット2cの裏面基板3が配置された面とは反対側の面側に配置された磁気回路60を有する。磁気回路60とシリコンターゲット2cとの間には、水冷ジャケット61が配置されている。また、シリコンターゲット2cは、パッキングプレート63に貼り付けられている。そして、マグネトロン電極の周囲には、アースシールド59が配置されている。また、スパッタ膜が形成される基板3は基板保持具54に保持されており、シリコンターゲット2cに対向して設置されている。マグネトロンスパッタリング装置100にドーパント含有シリコンターゲット2cを配置し、基板保持具54に基板3を保持させる。具体的なスパッタ成膜条件は、特に限定されないが、真空チャンバ51の内部圧力を0.5Paとし、DC電源のパワーを1kWとし、電極間隔シリコンターゲット2cと基板3との間隔を約100mmとすることができる。基板3に成膜するアモルファスシリコン膜2dの厚みt図3B参照は、テクスチャの構造などを鑑みて目的に応じて変化させればよい。通常のアモルファスシリコン膜2dの厚みtは0.1~0.5μmである。基板3の表面には、均等にアモルファスシリコン膜をスパッタ成膜するべきである。アモルファスシリコン膜2dを、PN接合を有する多結晶シリコン膜に変換して、太陽電池パネルのシリコン基板とする。そのためのフローは、以下の2つの態様に大別されうる。第1の態様アモルファスシリコン膜2dを多結晶化してから、その表層にドーパントをドーピングしてPN接合を有する多結晶シリコン膜とする図5。第2の態様アモルファスシリコン膜2dに、さらにアモルファスシリコン膜2eを成膜してアモルファス積層膜として、さらにアモルファス積層膜を多結晶化して、PN接合を有する多結晶シリコン膜とする図6。第1の態様について第1の態様を、図5を参照して説明する。基板3に成膜したアモルファスシリコン膜2d図5Aにプラズマを照射して、アモルファスシリコン膜2dを溶融し、さらに冷却して多結晶化させて多結晶シリコン膜4とする図5B。照射するプラズマは、大気圧プラズマであることが好ましい。大気圧プラズマの照射は、図2と同様の大気圧プラズマ装置50を用いて行うことができる。大気圧プラズマ装置50のXYZ軸に移動可能なステージに、アモルファスシリコン膜2dを成膜した基板3を搭載して、大気圧プラズマ源で基板3の表面を一端から他端まで走査して熱処理を行う。大気圧プラズマの温度は、一般的には10000°C以上であるが、プラズマ噴射口22の先端の温度は約2000°Cとなるように調整する。プラズマ噴射口22は、基板3のシリコン粉末2から約5mm離間して配置される。投入パワーは20kwとして、プラズマ23を窒素ガスで押出して基板表面に噴射する。噴射口22からのプラズマ23は、基板3の表面の40mm径の領域に照射される。プラズマ23が照射された領域のアモルファスシリコン2dは溶融する。大気圧プラズマ23の基板表面での温度は、大気圧電源のパワーや、噴射口22と基板との間隔などによって、任意に制御することができる。大気圧プラズマ23の基板表面での温度を適切に制御して、アモルファスシリコン2dの溶融条件を調整する。プラズマ照射によってアモルファスシリコン2dが溶融した後、更に不活性ガス窒素ガスなどをあてて冷却して、溶融シリコンを多結晶化する。それにより、基板3の表面に多結晶シリコン膜4が形成される。このとき、溶融したアモルファスシリコン2dを急冷すると、結晶粒径の小さい多結晶シリコンとなる。そこで、結晶粒径が0.05μm以下となるように、できるだけ急速に冷却することが好ましい。プラズマを押出す不活性ガスに、微量の水素ガスを混合してもよい。微量の水素を混合することで、アモルファスシリコン2d表面の酸化膜を除去することが可能であり、かつ結晶欠陥の少ない多結晶シリコン膜4を得ることができる。プラズマ照射の走査スピードは、100mm/秒~2000mm/秒とすることが好ましく、例えば約1000mm/秒とする。走査スピードが100mm/秒以下であると、下地となる基板3が溶融して、得られる多結晶シリコン膜4へ悪影響を及ぼすことがある。また、走査スピードが2000mm/秒以上であると、アモルファスシリコン2dの上部しか溶融されない。また、2000mm/秒以上の速度で走査するには、装置システムが複雑になる。このように、基板3に成膜したシリコン膜をアモルファスシリコン膜2dとしたことで、大気圧プラズマでシリコン膜を溶融させることができる。大気圧プラズマを用いることで、効率よく大面積の基板3に配置されたアモルファスシリコン2dを、溶融再結晶化させることができる。一方、バルクシリコンを、大気圧プラズマで溶融させることは、通常困難である。次に、多結晶シリコン膜4の表面を凹凸状に加工してテクスチャ構造5を形成する図5C。一般的に、太陽電池のシリコン膜の入射面をテクスチャ構造5として、入射面での反射を抑制する。多結晶シリコン膜4の表面の加工手段は特に限定されず、酸またはアルカリKOHなどで処理したり、三フッ化塩素ガスClF3または六フッ化硫黄SF6などによるガスプラズマで加工したりしてもよい。なお、具体的なテクスチャ構造5は、特に限定されず、公知の構造とすればよい。テクスチャ構造5を有する多結晶シリコン膜4の表層6に、ドーパントを注入する図5D。具体的には、多結晶シリコン膜4がP型ドーパントを含有している場合には、多結晶シリコン膜4の表層6にN型ドーパントを注入し;多結晶シリコン膜4がN型ドーパントを含有している場合には、多結晶シリコン膜4の表層6にP型ドーパントを注入する。ドーパントの注入は、プラズマを用いて行うことが好ましい。N型ドーパントであるリンや砒素をプラズマ注入するには、リン元素含有ガスPH3などまたは砒素元素含有ガスAsH3の存在下で、多結晶シリコン膜4にプラズマを照射すればよい。P型ドーパントであるホウ素をプラズマ注入するには、ホウ素元素含有ガスBH3のガス存在下で、多結晶シリコン膜4にプラズマを照射すればよい。ドーパントの注入後、多結晶シリコン膜4の表層6にランプを照射するなどして、ドーパントを活性化させる。それにより、PN接合を有する多結晶シリコン膜4が形成される。さらに、多結晶シリコン膜4に絶縁膜7を積層する図5E。絶縁膜7は、窒化ケイ素膜などであればよい。絶縁膜7を積層することで、入射光の反射を抑制し、電気特性の劣化を防ぐ。また、絶縁膜7の一部をエッチングして、ライン状のエッチング部に電極8を形成する図5E。電極8の材質は、例えば銀である。第2の態様について第2の態様を、図6を参照して説明する。基板3に成膜したアモルファスシリコン膜2d図6Aに、他のアモルファスシリコン膜2eを積層する。アモルファスシリコン膜2eはドーパントを含有している。具体的には、アモルファスシリコン膜2dがP型ドーパントを含有している場合には、アモルファスシリコン膜2eはN型ドーパントを含有し;アモルファスシリコン膜2dがN型ドーパントを含有している場合には、アモルファスシリコン膜2eはP型ドーパントを含有する。アモルファスシリコン膜2eは、アモルファスシリコン膜2dと同様に、ドーパント含有シリコンターゲットを用いて、スパッタ成膜により形成されることが好ましい。P型シリコンターゲットを用いれば、P型ドーパント含有アモルファスシリコン膜2eが形成され;N型シリコンターゲットを用いれば、N型ドーパント含有アモルファスシリコン膜2eが形成される。アモルファスシリコン膜2eをスパッタ成膜するための、ドーパント含有シリコンターゲットも、前述の通りシリコンインゴットの粉砕物から得ることが好ましい。アモルファスシリコン膜2eの厚みは、0.5~50μmであることが好ましい。また、アモルファスシリコン膜2eの厚みの目安は、アモルファスシリコン膜2dの厚みに対して、2~10であることが好ましい。両者の厚みを最適化することで、発電効率を高めることができる。アモルファスシリコン膜2dとアモルファスシリコン膜2eとの積層膜に、プラズマを照射して溶融し、さらに冷却して多結晶化させて多結晶シリコン膜4とする図6C。照射するプラズマは、大気圧プラズマであることが好ましい。大気圧プラズマを照射するための装置や手法は、図5Bにおいて多結晶シリコン膜4を得る場合と同様にすればよい。次に、多結晶シリコン膜4の表面を凹凸状に加工してテクスチャ構造5を形成する図6D。テクスチャ構造5の形成は、図5Cにおいてテクスチャ構造5を形成する場合と同様にすればよい。さらに、多結晶シリコン膜4に絶縁膜7を形成し、電極8を形成する図6E。絶縁膜7や電極8は、図5Eのそれらと同様である。他の形態について第1の態様および第2の態様では、基板3にアモルファスシリコン膜2dを形成した。本形態他の形態においては、基板3にドーパントを含有するシリコン粉末2bを配置し;シリコン粉末2bの上に、ドーパント含有アモルファスシリコン膜2dを成膜し;その後、プラズマを照射してシリコン粉末2bとアモルファスシリコン膜2dを多結晶化することで、PN接合を有する多結晶シリコン膜4を得る図7参照。本形態他の形態を、図7を参照して説明する。まず、基板3にシリコン粉末2bを塗布する図7A。基板3は、図3Aにおける基板3と同様である。シリコン粉末2bは、ドーパント含有シリコンインゴットを粉砕して得られるシリコン粉末2bであり図1B参照、P型ドーパントまたはN型ドーパントを含有している。シリコン粉末2bの塗布は、a乾燥したシリコン粉末をスキージにて塗布するか、bシリコン粉末2bを溶媒に分散させて得たインクを、スピンコート、ダイコート、インクジェットまたはディスペンサなどにより塗布してもよい。前記インクは、シリコン粉末をアルコールなどに分散させて得ることができる。シリコン粉末を含むインクは、例えば特開2004-318165号を参照して得ることができる。シリコン粉末2bの基板3への塗布量は、正確に調整される必要があり、具体的には約2~112gcm2に設定することが好ましい。ただし、基板3に塗布されたシリコン粉末2bの塗布膜表面は、多少の凹凸を有していても構わない。後述のように、塗布されたシリコン粉末2bはプラズマで溶融されるので、塗布膜は平滑化されるためである。次に、塗布したシリコン粉末2b上にアモルファスシリコン膜2dを成膜して積層する図7B。アモルファスシリコン膜2dはドーパントを含有する。シリコン粉末2bがP型ドーパントを含有している場合には、アモルファスシリコン膜2dはN型ドーパントを含有し;シリコン粉末2bがN型ドーパントを含有している場合には、アモルファスシリコン膜2dはP型ドーパントを含有する。シリコンアモルファス膜2dは、スパッタ装置またはCVD装置を利用して成膜されるが;好ましくは、前述のドーパント含有シリコンターゲット2cを用いて、スパッタ成膜されることが好ましい。シリコンアモルファス膜2dを成膜することで、シリコン粉末2bの一部アモルファスシリコン膜2d側は、アモルファスとなってもよい。シリコン粉末2bに積層されるアモルファスシリコン膜2dの厚みは、特に限定されないが、0.1~0.5μmとするとすればよい。次に、基板3上のシリコン粉末2bおよびシリコンアモルファス膜2dを、大気圧プラズマで溶融させ、さらに冷却することで多結晶シリコン膜4とする図7C参照。大気圧プラズマの照射は、図2に示される装置で行えばよい。その手法も、実施の形態2において、アモルファスシリコン膜2dとアモルファスシリコン膜2eとの積層膜を、多結晶シリコン膜とする場合図6C参照と同様である。多結晶シリコン膜4にはPN接合が形成されており、多結晶シリコン膜4の厚みは0.5~50μmとすることが好ましい。次に、多結晶シリコン膜4の表面を凹凸状に加工してテクスチャ構造5を形成する図7D。テクスチャ構造5の形成は、図5Cにおいてテクスチャ構造5を形成する場合と同様にすればよい。多結晶シリコン膜4の表層6は、活性化されている。さらに、多結晶シリコン膜4に絶縁膜7を形成し、電極8を形成する図7E。絶縁膜7や電極8は、図5Eのそれらと同様である図7E。[実験例1]基板材質:アルミニウム,サイズ:370mmX軸×470mmY軸に、ホウ素含有シリコンターゲットを用いて、ホウ素含有アモルファスシリコン膜2dをスパッタ成膜した図5A。アモルファスシリコン膜2dの厚みは50μmであった。次に、図2に示されるような大気圧プラズマ装置で、X軸方向に走査しながら、基板の一端から他端までプラズマを照射し、アモルファスシリコン2dを溶融再結晶化して、多結晶シリコン膜4とした図5B。プラズマ照射領域は、40mm径であった。プラズマを押し出す不活性ガスは、微量の水素ガスを含む窒素ガスとした。一端から他端までの走査が完了したら、Y軸方向に40mmずらし、再度、X軸方向に走査しながらプラズマを照射した。これを繰り返して、基板上に配置されたアモルファスシリコン2dの全てを、帯状に再結晶化させ、ほぼ均質な多結晶シリコン膜とした。多結晶シリコン膜4の厚みは、約50μmであった。次に、多結晶シリコン膜4の表面を凹凸状に加工テクスチャー化した図5C。多結晶シリコン膜4の表面の加工は、酸またはアルカリKOHなど溶液でウェットエッチングして行ってもよく、三フッ化塩素ガスClF3または六フッ化硫黄SF6などによるガスプラズマでエッチングして行ってもよい。次に、多結晶シリコン膜4の表面に、プラズマを利用してリンをドーピングした図5D。ドーピングは、10Paの圧力環境下の20SCCMチャンバに、PH3ガス0.5He希釈を導入し;13.56MHzの高周波放電を利用して、200Wの電力で30秒間ドーピング処理することで行った。ドーピング処理された多結晶シリコン膜4にランプを照射し、不純物を活性化させた。さらに、反射防止および結晶端の電気特性劣化防止を目的とした絶縁膜7窒化ケイ素膜をスパッタ成膜した図5E。さらに、絶縁膜7の一部をエッチングして、エッチング部にライン状の銀電極8を形成した。このようにして、開放電圧0.6V10cm2換算の太陽電池を得た。これは、現状市販されている結晶型太陽電池と比べて遜色ないデータである。実験例1では、ホウ素含有アモルファスシリコン膜2dを成膜して、それを多結晶化して、リンをドーピングしてPN接合を形成した。他方、砒素または燐含有アモルファスシリコン膜を成膜して、それを多結晶化し、ホウ素などのP型ドーパントをドーピングしてPN接合を形成しても、同様の成果が得られる。[実験例2]基板材質:アルミニウムサイズ:370mmX軸×470mmY軸に、ホウ素含有シリコンターゲットを用いて、ホウ素含有アモルファスシリコン2dをスパッタ成膜した図6A。アモルファスシリコン2dの厚みは50μmであった。ホウ素含有アモルファスシリコン2dに、砒素含有アモルファスシリコン膜2eをスパッタ成膜して、積層膜とした図6B。砒素含有アモルファスシリコン膜2eの厚みは2μmであった。次に、図2に示されるような大気圧プラズマ装置で、X軸方向に走査しながら、基板の一端から他端までプラズマを照射し、アモルファスシリコン2dおよび2eを溶融再結晶化して、多結晶シリコン膜4とした図6C。プラズマ照射領域は、40mm径であった。プラズマを押し出す不活性ガスは、微量の水素ガスを含む窒素ガスとした。一端から他端までの走査が完了したら、Y軸方向に40mmずらし、再度、X軸方向に走査しながらプラズマを照射した。これを繰り返して、基板上に配置されたアモルファスシリコン2dおよび2eの全てを、帯状に再結晶化させ、ほぼ均質な多結晶シリコン膜とした。次に、多結晶シリコン膜4の表面を凹凸状に加工テクスチャー化した図6D。さらに、反射防止および結晶端の電気特性劣化防止を目的とした絶縁膜7窒化ケイ素膜をスパッタ成膜した図6E。さらに、絶縁膜7の一部をエッチングして、エッチング部にライン状の銀電極8を形成した図6E。このようにして,開放電圧0.6V10cm2換算の太陽電池を得た。これは、現状市販されている結晶型太陽電池と比べて遜色の無いデータである。実験例2では、ホウ素含有アモルファスシリコン膜2dを形成したのち、砒素含有アモルファスシリコン膜2eを積層して、ガスプラズマでPN接合を形成した。他方、砒素含有アモルファスシリコン膜2dを形成したのち、ホウ素含有アモルファスシリコン膜2eを積層して、ガスプラズマでPN接合を形成しても同様の成果が得られる。[実験例3]基板材質:アルミニウム,サイズ:370mmX軸×470mmY軸に、約1μmの粒径のシリコン粉末2bを塗布した図7A。シリコン粉末2bは、ホウ素含有シリコンインゴットを粉砕して得たため、P型ドープされている。シリコン粉末2bの塗布はスキージで行い、約30μmの厚みの塗布膜とした。その後、リン含有シリコンターゲットを用いて、シリコン粉末2bにシリコンアモスファス膜2dを成膜した図7B。シリコンアモスファス膜2dの厚みは2μmであった。図2に示されるような大気圧プラズマ装置で、X軸方向に走査しながら、基板の一端から他端までプラズマを照射し、シリコン粉末およびシリコンアモルファス膜を溶融再結晶化して、多結晶シリコン膜4とした図7C。プラズマ照射領域は、40mm径であった。プラズマを押し出す不活性ガスは、微量の水素ガスを含む窒素ガスとした。一端から他端までの走査が完了したら、Y軸方向に40mmずらし、再度、X軸方向に走査しながらプラズマを照射した。これを繰り返して、基板上に配置されたシリコン粉末およびシリコンアモルファス膜の全てを、帯状に再結晶化させ、ほぼ均質な多結晶シリコン膜とした。多結晶シリコン膜の厚みは15μmであった。次に、形成した多結晶シリコン膜4の表層6を凹凸状に加工テクスチャー化した。図7D。多結晶シリコン膜4の表面の加工は、酸またはアルカリKOHなど溶液でウェットエッチングして行ってもよく、三フッ化塩素ガスClF3または六フッ化硫黄SF6などによるガスプラズマでエッチングして行ってもよい。さらに、反射防止および結晶端の電気特性劣化防止を目的とした絶縁膜7窒化ケイ素膜をスパッタ成膜した図7E。さらに、絶縁膜7の一部をエッチングして、エッチング部にライン状の銀電極8を形成した図7E。このようにして,開放電圧0.6V10cm2換算の太陽電池を得た。これは、現状市販されている結晶型太陽電池と比べて遜色ないデータである。実験例3では、基板3にホウ素含有シリコン粉末2bを塗布し、さらにリン含有シリコンアモルファス膜2dを成膜し、それらを多結晶シリコン膜4とした。他方、基板3に、リンPまたは砒素As含有シリコン粉末を塗布し、ホウ素含有シリコンアモルファス膜2dを成膜して、それらを多結晶シリコン膜4としても、同様の効果が得られる。"