第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上方に配されたカラーフィルターと、を備え、前記カラーフィルターは、互いに屈折率の異なる第1の層と第2の層とが交互に積層された多層干渉フィルターと、前記多層干渉フィルターの上方又は下方に配された導波モード共鳴格子と、を有し、前記導波モード共鳴格子は、第1の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも1次元的に周期的に配列された複数の回折格子と、少なくとも前記複数の回折格子の間に配された複数の格子間領域と、を有し、前記複数の格子間領域は、前記第1の屈折率より低い第2の屈折率を有する材料で形成された絶縁膜領域と、エアギャップ領域と、を有し、前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合は、50以上90以下であることを特徴とする固体撮像装置。第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層の上方に配されたカラーフィルターと、を備え、前記カラーフィルターは、互いに屈折率の異なる第1の層と第2の層とが交互に積層された多層干渉フィルターと、前記多層干渉フィルターの上方又は下方に配された導波モード共鳴格子と、を有し、前記導波モード共鳴格子は、第1の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも1次元的に周期的に配列された複数の回折格子と、少なくとも前記複数の回折格子の間に配された複数の格子間領域と、を有し、前記複数の格子間領域は、前記第1の屈折率より低い第2の屈折率を有する材料で形成された絶縁膜領域と、エアギャップ領域と、を有することを特徴とする固体撮像装置。前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合は、50以上であることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。第2の光電変換層と、前記第2の光電変換層の上方に配され、前記第1のカラーフィルターと異なる第2のカラーフィルターと、をさらに備え、前記第2のカラーフィルターは、互いに屈折率の異なる第1の層と第2の層とが交互に積層された第2の多層干渉フィルターと、前記第2の多層干渉フィルターの上又は下に配された第2の導波モード共鳴格子と、を有し、前記第2の導波モード共鳴格子は、第1の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも1次元的に周期的に配列された複数の第2の回折格子と、前記複数の第2の回折格子の間に配された複数の第2の格子間領域と、を有し、前記複数の第2の格子間領域は、前記第1の屈折率より低い第2の屈折率を有する材料で形成された第2の絶縁膜領域と、第2のエアギャップ領域と、を有し、前記第2の格子間領域の体積に占める前記第2のエアギャップ領域の体積の割合は、前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合と異なることを特徴とする請求項2又は3に記載の固体撮像装置。前記エアギャップ領域は、断面視において、略三角形状を有していることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記絶縁膜領域は、前記エアギャップ領域の側部及び底部を覆っていることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。前記格子間領域の上端は、前記回折格子の上面より高く、前記エアギャップ領域の上端は、前記回折格子の上面より高いことを特徴とする請求項5又は6に記載の固体撮像装置。前記複数の回折格子は、複数のラインパターンを含み、前記複数の格子間領域は、複数のスペースパターンを含むことを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の格子間領域は、複数のホールパターンを含み、前記複数の回折格子は、複数のホールパターン間領域を含むことを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記複数の回折格子は、複数の柱状パターンを含み、前記複数の格子間領域は、複数の柱状パターン間領域を含むことを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。光電変換層を形成することと、前記光電変換層の上方にカラーフィルターを形成することと、を備え、前記カラーフィルターの形成は、互いに屈折率の異なる第1の層と第2の層とが交互に積層された多層干渉フィルターを形成することと、前記多層干渉フィルターの上方又は下方となるべき位置に導波モード共鳴格子を形成することと、を含み、前記導波モード共鳴格子の形成は、少なくとも1次元的に周期的に配列されるように複数の回折格子を第1の屈折率を有する材料で形成することと、前記複数の回折格子の間にエアギャップ領域が形成されるように前記複数の回折格子の間に前記第1の屈折率より低い第2の屈折率を有する絶縁膜を埋め込み、前記エアギャップ領域及び絶縁膜領域を有する複数の格子間領域を少なくとも前記複数の回折格子の間に形成することと、前記埋め込まれた絶縁膜の上面を平坦化することと、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記絶縁膜の埋め込みでは、シラン及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマCVD法により酸化膜を堆積して前記複数の回折格子の間に埋め込むことを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。1つの実施形態は、例えば、新規な構造のカラーフィルターにおいてクロストーク混色を改善できる固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、第1の光電変換層とカラーフィルターとを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。カラーフィルターは、第1の光電変換層の上方に配されている。カラーフィルターは、多層干渉フィルターと導波モード共鳴格子とを有する。多層干渉フィルターでは、第1の層と第2の層とが交互に積層されている。第1の層と第2の層とは、互いに屈折率が異なる。導波モード共鳴格子は、多層干渉フィルターの上方又は下方に配されている。導波モード共鳴格子は、複数の回折格子と複数の格子間領域とを有する。複数の回折格子は、第1の屈折率を有する材料でそれぞれ形成されている。複数の回折格子は、少なくとも1次元的に周期的に配列されている。複数の格子間領域は、少なくとも複数の回折格子の間に配されている。複数の格子間領域は、絶縁膜領域とエアギャップ領域とを有する。絶縁膜領域は、第2の屈折率を有する材料で形成されている。第2の屈折率は、第1の屈折率より低い。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。実施形態実施形態にかかる固体撮像装置1について図1を用いて説明する。図1は、実施形態にかかる固体撮像装置1における3画素分の断面構成を例示的に示す図である。固体撮像装置1は、光電変換層11r、11g、11b、多層配線構造30r、30g、30b、カラーフィルター70r、70g、70b、平坦化層40r、40g、40b、及びマイクロレンズ50r、50g、50bを備える。光電変換層11r、11g、11bは、半導体基板10におけるウエル領域12内に配されている。光電変換層11r、11g、11bは、それぞれ、赤色R、緑色G、青色Bの波長領域の光を受光する。光電変換層11r、11g、11bは、それぞれ、受けた光に応じた電荷を発生させて蓄積する。光電変換層11r、11g、11bは、例えば、フォトダイオードであり、電荷蓄積領域を含む。ウエル領域12は、第1導電型例えば、P型の不純物を低い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成されている。P型の不純物は、例えば、ボロンである。光電変換層11r、11g、11bにおける電荷蓄積領域は、それぞれ、第1導電型と反対導電型である第2導電型例えば、N型の不純物を、ウエル領域12における第1導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成されている。N型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。多層配線構造30r、30g、30bは、半導体基板10の上に配されている。多層配線構造30r、30g、30bは、層間絶縁膜中を複数層の配線パターンが延びている。これにより、多層配線構造30r、30g、30bは、それぞれ、光電変換層11r、11g、11bに対応した開口領域ORr、ORg、ORbを規定する。層間絶縁膜は、例えば、酸化シリコンで形成されている。配線パターンは、例えば金属で形成されている。カラーフィルター70rは、光電変換層11rの上方に配されている。これにより、カラーフィルター70rは、入射した光のうち赤色Rの波長領域の光を選択的に光電変換層11rに導く。具体的には、カラーフィルター70rは、多層干渉フィルター20r及び導波モード共鳴格子60rを有する図2a参照。多層干渉フィルター20r及び導波モード共鳴格子60rは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター20rは、主として、入射した光のうち赤色Rの波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子60rは、主として、入射した光のうち混色成分赤色R以外の波長領域の光を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター20r及び導波モード共鳴格子60rは、いずれも無機物で形成されている。多層干渉フィルター20rは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の赤用のフィルターである。多層干渉フィルター20rは、上部積層構造24r、干渉層23r、及び下部積層構造25rを有する。上部積層構造24r及び下部積層構造25rは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24r及び下部積層構造25rは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。干渉層23rは、上部積層構造24r及び下部積層構造25rの界面に配され、上部積層構造24r及び下部積層構造25rの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20rは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24rでは、互いに屈折率の異なる第1の層21r-3、21r-4と第2の層22r-3とが交互に積層されている。上部積層構造24rでは、例えば、第1の層21r-3、第2の層22r-3、及び第1の層21r-4が順に積層されている。下部積層構造25rでは、互いに屈折率の異なる第1の層21r-1、21r-2と第2の層22r-1とが交互に積層されている。上部積層構造24rでは、例えば、第1の層21r-1、第2の層22r-1、及び第1の層21r-2が順に積層されている。第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4の屈折率は、例えば、第2の層22r-1、22r-3の屈折率より高い。第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4は、例えば、酸化チタンTiO2、屈折率2.5で形成されている。第2の層22r-1、22r-3は、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。干渉層23rの屈折率は、第1の層21r-1、21r-2、21r-3、21r-4の屈折率より低い。干渉層23rは、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。導波モード共鳴格子60rは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が少なくとも1次元的に配列された、導波モード共鳴現象を利用した赤用のフィルターである。導波モード共鳴格子60rは、多層干渉フィルター20rの下に配されている。これにより、導波モード共鳴格子60rは、多層干渉フィルター20rを透過した光を受け、受けた光のうち混色成分赤色R以外の波長領域の光を選択的に反射させて除去するとともに赤色Rの波長領域の光を選択的に透過させる。なお、導波モード共鳴格子60rの具体的な構成については後述する。カラーフィルター70gは、光電変換層11gの上方に配されている。これにより、カラーフィルター70gは、入射した光のうち緑色Gの波長領域の光を選択的に光電変換層11gに導く。具体的には、カラーフィルター70gは、多層干渉フィルター20g及び導波モード共鳴格子60gを有する図2a参照。多層干渉フィルター20g及び導波モード共鳴格子60gは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター20gは、主として、入射した光のうち緑色Gの波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子60gは、主として、入射した光のうち混色成分緑色G以外の波長領域の光を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター20g及び導波モード共鳴格子60gは、いずれも無機物で形成されている。多層干渉フィルター20gは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の緑用のフィルターである。多層干渉フィルター20gは、上部積層構造24g、干渉層23g、及び下部積層構造25gを有する。上部積層構造24g及び下部積層構造25gは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24g及び下部積層構造25gは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。干渉層23gは、上部積層構造24g及び下部積層構造25gの界面に配され、上部積層構造24g及び下部積層構造25gの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20gは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24gでは、互いに屈折率の異なる第1の層21g-3、21g-4と第2の層22g-3とが交互に積層されている。上部積層構造24gでは、例えば、第1の層21g-3、第2の層22g-3、及び第1の層21g-4が順に積層されている。下部積層構造25gでは、互いに屈折率の異なる第1の層21g-1、21g-2と第2の層22g-1とが交互に積層されている。上部積層構造24gでは、例えば、第1の層21g-1、第2の層22g-1、及び第1の層21g-2が順に積層されている。第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4の屈折率は、例えば、第2の層22g-1、22g-3の屈折率より高い。第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4は、例えば、酸化チタンTiO2、屈折率2.5で形成されている。第2の層22g-1、22g-3は、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。干渉層23gの屈折率は、第1の層21g-1、21g-2、21g-3、21g-4の屈折率より低い。干渉層23gは、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。導波モード共鳴格子60gは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が少なくとも1次元的に配列された、導波モード共鳴現象を利用した緑用のフィルターである。導波モード共鳴格子60gは、多層干渉フィルター20gの下に配されている。これにより、導波モード共鳴格子60gは、多層干渉フィルター20gを透過した光を受け、受けた光のうち混色成分緑色G以外の波長領域の光を選択的に反射させて除去するとともに緑色Gの波長領域の光を選択的に透過させる。なお、導波モード共鳴格子60gの具体的な構成については後述する。カラーフィルター70bは、光電変換層11bの上方に配されている。これにより、カラーフィルター70bは、入射した光のうち青色Bの波長領域の光を選択的に光電変換層11bに導く。具体的には、カラーフィルター70bは、多層干渉フィルター20b及び導波モード共鳴格子60bを有する図2a参照。多層干渉フィルター20b及び導波モード共鳴格子60bは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター20bは、主として、入射した光のうち青色Bの波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子60bは、主として、入射した光のうち混色成分青色R以外の波長領域の光を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター20b及び導波モード共鳴格子60bは、いずれも無機物で形成されている。多層干渉フィルター20bは、例えば、無機材料低屈折率材料、高屈折率材料が積層されたフォトニック結晶型の青用のフィルターである。多層干渉フィルター20bは、上部積層構造24b、干渉層23b、及び下部積層構造25bを有する。すなわち、多層干渉フィルター20bでは、上部積層構造24bと下部積層構造25bとの間に仮想的に膜厚0nmの干渉層23bがあるものとみなすことができる。上部積層構造24b及び下部積層構造25bは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造24b及び下部積層構造25bは、可視領域例えば、400nm~700nmの波長領域の中央部の波長例えば、550nmを中心波長すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長として有する。干渉層23bは、上部積層構造24b及び下部積層構造25bの界面に仮想的に配され、上部積層構造24b及び下部積層構造25bの反射面で多重反射した光の干渉多光束干渉を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター20bは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。上部積層構造24bでは、互いに屈折率の異なる第1の層21b-3、21b-4と第2の層22b-3とが交互に積層されている。上部積層構造24bでは、例えば、第1の層21b-3、第2の層22b-3、及び第1の層21b-4が順に積層されている。下部積層構造25bでは、互いに屈折率の異なる第1の層21b-1、21b-2と第2の層22b-1とが交互に積層されている。上部積層構造24bでは、例えば、第1の層21b-1、第2の層22b-1、及び第1の層21b-2が順に積層されている。第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4の屈折率は、例えば、第2の層22b-1、22b-3の屈折率より高い。第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4は、例えば、酸化チタンTiO2、屈折率2.5で形成されている。第2の層22b-1、22b-3は、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。干渉層23bの屈折率は、第1の層21b-1、21b-2、21b-3、21b-4の屈折率より低い。干渉層23bは、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。平坦化層40r、40g、40bは、それぞれ、多層干渉フィルター20r、20g、20bを覆っている。これにより、平坦化層40r、40g、40bは、多層干渉フィルター20r、20g、20b間の段差を緩和し平坦な表面を提供する。平坦化層40r、40g、40bは、例えば所定の樹脂又は酸化膜例えば、SiO2で形成されている。マイクロレンズ50r、50g、50bは、それぞれ、平坦化層40r、40g、40bの上に配されている。これにより、マイクロレンズ50r、50g、50bは、それぞれ、入射した光を多層干渉フィルター20r、20g、20b経由で光電変換層11r、11g、11bに集める。マイクロレンズ50r、50g、50bは、例えば、所定の樹脂で形成されている。次に、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子60r、60g、60bの構成における共通部分について図2aを用いて説明する。共通部分の説明においては、導波モード共鳴格子60r、60g、60bを単に導波モード共鳴格子60として説明する。図2aは、導波モード共鳴格子60の構成を示す断面図である。導波モード共鳴格子60は、複数の回折格子61-1~61-6、複数の格子間領域64-1~64-5、絶縁層65、及び絶縁層66を有する。複数の回折格子61-1~61-6及び複数の格子間領域64-1~64-5は、それぞれ、絶縁層65と絶縁層66との間に配されている。複数の回折格子61-1~61-5は、絶縁層65及び絶縁層66の間において、少なくとも1次元的に周期的に配列されている。例えば、複数の回折格子61-1~61-5は、複数のラインパターンを有し、複数のラインパターンが1次元的に周期的に配列されている図3参照。あるいは、例えば、複数の回折格子61-1~61-5は、複数のホールパターン間領域を有し、複数のホールパターン間領域が2次元的に周期的に配列されている図4参照。あるいは、例えば、複数の回折格子61-1~61-5は、複数の柱状パターンを有し、複数の柱状パターンが2次元的に周期的に配列されている図5参照。図2aに示す複数の格子間領域64-1~64-5は、絶縁層65及び絶縁層66の間において、複数の回折格子61-1~61-5の間に配されている。各格子間領域64-1~64-5は、絶縁膜領域及びエアギャップ領域を有する。例えば、格子間領域64-1は、絶縁膜領域62-1及びエアギャップ領域63-1を有する。例えば、格子間領域64-5は、絶縁膜領域62-5及びエアギャップ領域63-5を有する。絶縁膜領域62-1~62-5は、絶縁層65及び絶縁層66の間において、回折格子61-1~61-5とエアギャップ領域63-1~63-5との間に配されている。絶縁膜領域62-1~62-5の屈折率は、回折格子61-1~61-5の屈折率より低い。絶縁膜領域62-1~62-5は、例えば、酸化シリコンSiO2、屈折率1.45で形成されている。回折格子61-1~61-5は、例えば、ポリシリコン屈折率3~4.5で形成されている。エアギャップ領域63-1~63-5は、絶縁層65及び絶縁層66の間において、絶縁膜領域62-1~62-5の間に配されている。エアギャップ領域63-1~63-5の屈折率は、絶縁膜領域62-1~62-5の屈折率より低く、且つ、回折格子61-1~61-5の屈折率より低い。エアギャップ領域63-5には、例えば、空気屈折率1が充填されている。なお、図1、2、6は、絶縁膜領域62-1~62-5及びエアギャップ領域63-1~63-5を模式的に示したものであり、絶縁膜領域62-1~62-5及びエアギャップ領域63-1~63-5の具体的な形状は製造方法に依存し、例えば、図9aに示すようになる。そこで、図9aに示す構造を図2の部材番号で説明することにする。図9aに示す絶縁膜領域62-1~62-5は、回折格子61-1~61-5の側面を覆うとともに絶縁層65の上面における回折格子61-1~61-5の間の部分を覆っている。回折格子61-1~61-5の側面を覆う絶縁膜領域62-1~62-5は、絶縁層66の上面に近づくにつれて徐々に膜厚が厚くなる。回折格子61-1~61-5の側面を覆う絶縁膜領域62-1~62-5は、エアギャップ領域63-1~63-5の側部を覆っている。絶縁層65の上面における回折格子61-1~61-5の間の部分を覆う絶縁膜領域62-1~62-5は、均等な膜厚を有している。絶縁層65の上面における回折格子61-1~61-5の間の部分を覆う絶縁膜領域62-1~62-5は、エアギャップ領域63-1~63-5の底部を覆っている。さらに、図9aに示す絶縁膜領域62-1~62-5は、回折格子61-1~61-5の側面を絶縁層66の上面近傍かつ上面手前まで延長した仮想的な面を覆っている。この仮想的な面を覆う絶縁膜領域62-1~62-5も、絶縁層66の上面に近づくにつれて徐々に膜厚が厚くなる。図9aに示すエアギャップ領域63-1~63-5は、断面視において、回折格子61-1~61-5の間から絶縁層66の上面近傍かつ上面手前まで突き出るような略三角形状を有している。言い換えると、エアギャップ領域63-1~63-5は、回折格子61-1~61-5の上面より高い位置まで突き出ている。エアギャップ領域63-1~63-5は、半導体基板10図1参照の表面に平行な方向の幅が、絶縁層66の上面に近づくにつれて徐々に小さくなっている。すなわち、図9aに示す構造では、絶縁膜領域62-1~62-5及びエアギャップ領域63-1~63-5を有する格子間領域64-1~64-5が回折格子61-1~61-5の間の領域を含むだけでなくその領域を絶縁層66の上面近傍かつ上面手前まで延在させた領域も含むものとみなすことができる。言い換えると、格子間領域64-1~64-5が回折格子61-1~61-5の上面より高い位置まで延在しているとみなすことができる。図9aに示す構造によれば、回折格子61-1~61-5に比べて格子間領域64-1~64-5の体積を大きく確保することができる。これにより、格子間領域及びエアギャップ領域が回折格子61-1~61-5の間の領域のみを含む場合に比べて、導波モード共鳴格子60による共鳴効果を高めやすい。ここで、図2に示す格子間領域64-1~64-5の体積V2に占めるエアギャップ領域63-1~63-5の体積V1の割合は、50以上90以下である。仮に、格子間領域62-1~62-5の体積に占めるエアギャップ領域63-1~63-5の体積の割合が50より小さいと、格子間領域64-1~64-5の平均屈折率と回折格子61-1~61-5の屈折率との差が小さくなり、導波モード共鳴格子60による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすことができない可能性がある。あるいは、仮に、格子間領域64-1~64-5の体積に占めるエアギャップ領域63-1~63-5の体積の割合が90より大きいと、図2aに示すような導波モード共鳴格子60の構造を製造することが困難になる。次に、導波モード共鳴格子60の具体的な構成例について図3~図5を用いて説明する。図3a、図4a、図5aは、導波モード共鳴格子60の構成を示す平面図であり、図3b、図4b、図5bは、導波モード共鳴格子60の構成を示す斜視図である。例えば、図3a、bに示す導波モード共鳴格子160では、複数のラインパターン161-1~161-4がY方向にそれぞれ延びるとともにX方向に一定のピッチPxで配列されている。複数のラインパターン161-1~161-4は、線幅が互いに均等であり、隣接するラインパターンとのスペースも互いに均等である。各ラインパターン161-1~161-4は回折格子として機能する。また、各スペースパターン164-1~164-4は、格子間領域として機能し、絶縁膜領域162-1~162-4及びエアギャップ領域163-1~163-4を有する。各絶縁膜領域162-1~162-4は、ラインパターン161-1~161-4の側壁に配されており、Y方向に延びている。各絶縁膜領域162-1~162-4は、例えば、Z方向に突出するとともにY方向に延びたフィン形状を有している。各エアギャップ領域163-1~163-4は、例えば絶縁膜領域162-1~162-4の2つのフィン形状の間に配されており、2つのフィン形状の間をY方向に延びている。ここで、格子間領域164-1~164-4の体積V12に占めるエアギャップ領域163-1~163-4の体積V11の割合は、50以上90以下である。例えば、図4a、bに示す導波モード共鳴格子260では、複数のホールパターン264-1~264-4が絶縁層65及び絶縁層66の間を貫通して延びるとともにX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP1x、P1yで配列されている。複数のホールパターン264-1~264-4は、平面幅が互いに均等であり、隣接するホールパターンとのスペースも互いに均等である。また、複数のホールパターン間領域261-1~261-4がX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP1x、P1yで配列されている。複数のホールパターン間領域261-5~261-8がX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP1x、P1yで配列されている。複数のホールパターン間領域261-1~261-8は回折格子として機能する。また、各ホールパターン264-1~264-4は、格子間領域として機能し、絶縁膜領域262-1~262-4及びエアギャップ領域263-1~263-4を有する。各絶縁膜領域262-1~262-4は、ホールパターン264-1~264-4の内側面に配されており、絶縁層65及び絶縁層66の間を貫通して延びている。各絶縁膜領域262-1~262-4は、例えば、Z方向に延びた円筒形状を有している。各エアギャップ領域263-1~263-4は、例えば絶縁膜領域262-1~262-4の円筒形状の内側に配されており、円筒形状の内側において絶縁層65及び絶縁層66の間を貫通してZ方向に延びている。ここで、格子間領域264-1~264-4の体積V22に占めるエアギャップ領域263-1~263-4の体積V21の割合は、50以上90以下である。例えば、図5a、bに示す導波モード共鳴格子360では、複数の柱状パターン361-1~361-4が絶縁層65及び絶縁層66の間を貫通して延びるとともにX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP2x、P2yで配列されている。複数の柱状パターン361-1~361-4は、平面幅が互いに均等であり、隣接する柱状パターンとのスペースも互いに均等である。各柱状パターン361-1~361-4は回折格子として機能する。また、複数の柱状パターン間領域364-1~364-4がX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP2x、P2yで配列されている。複数の柱状パターン間領域364-5~364-8がX方向及びY方向にそれぞれ一定のピッチP2x、P2yで配列されている。複数の柱状パターン間領域364-1~364-8は格子間領域として機能し、絶縁膜領域362-1~362-8及びエアギャップ領域363-1~363-8を有する。各絶縁膜領域362-1~362-8は、柱状パターン361-1~361-4の側面に配されており、Z方向に延びている。各絶縁膜領域362-1~362-8は、例えば、Z方向に延びた円筒形状の一部を有している。各エアギャップ領域363-1~363-8は、例えば絶縁膜領域362-1~362-8の円筒形状の外側に配されており、円筒形状の外側において絶縁層65及び絶縁層66の間を貫通してZ方向に延びている。ここで、格子間領域364-1~364-4の体積V32に占めるエアギャップ領域363-1~363-4の体積V31の割合は、50以上90以下である。次に、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子60r、60g、60bの構成における異なる部分について図6を用いて説明する。図6は、複数の導波モード共鳴格子60r、60g、60bの構成を示す断面図である。図6に示すように、複数の回折格子の配置ピッチは、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子60r、60g、60bの間で異なる。すなわち、導波モード共鳴格子60rにおける回折格子61r-1~61r-5の配置ピッチをPr、導波モード共鳴格子60gにおける回折格子61g-1~61g-6の配置ピッチをPg、導波モード共鳴格子60bにおける回折格子61b-1~61b-7の配置ピッチをPbとすると、例えば、次の数式1の関係が成り立つ。Pr>Pg>Pb数式1数式1に示されるように、透過波長領域が長波長側であるほど、複数の回折格子の配置ピッチを大きくし、透過波長領域が短波長側であるほど、複数の回折格子の配置ピッチを小さくする。それに応じて、導波モード共鳴格子60rにおける回折格子61r-1~61r-5の幅をWr、導波モード共鳴格子60gにおける回折格子61g-1~61g-6の幅をWg、導波モード共鳴格子60bにおける回折格子61b-1~61b-7の幅をWbとすると、例えば、次の数式2の関係が成り立つ。Wr>Wg>Wb数式2なお、導波モード共鳴格子60rにおける回折格子61r-1~61r-5のスペースをSr、導波モード共鳴格子60gにおける回折格子61g-1~61g-6のスペースをSg、導波モード共鳴格子60bにおける回折格子61b-1~61b-7のスペースをSbとすると、例えば、次の数式3の関係が成り立ってもよい。Sr≒Sg≒Sb数式3あるいは、数式2、3に代えて、次の数式4、5が成り立っても良い。Wr≒Wg≒Wb数式4Sr>Sg>Sb数式5また、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合は、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子60r、60g、60bの間で異なる。すなわち、導波モード共鳴格子60rにおける格子間領域64r-1~64r-4の体積V2rに占めるエアギャップ領域63r-1~63r-4の体積V1rの割合をV1r/V2rとする。導波モード共鳴格子60gにおける格子間領域64g-1~64g-5の体積V2gに占めるエアギャップ領域63g-1~63g-5の体積V1gの割合をV1g/V2gとする。導波モード共鳴格子60bにおける格子間領域64b-1~64b-6の体積V2bに占めるエアギャップ領域63b-1~63b-6の体積V1bの割合をV1b/V2bとする。このとき、例えば、次の数式2の関係が成り立つ。V1r/V2r<V1g/V2g<V1b/V2b数式6数式2に示されるように、透過波長領域が長波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を50以上90以下の範囲内で小さくし、透過波長領域が短波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を50以上90以下の範囲内で大きくする。次に、実施形態にかかる固体撮像装置1の製造方法について図7~図9を用いて説明する。図7a~図9bは、実施形態にかかる固体撮像装置1の製造方法を示す工程断面図である。図1は、図9bに続く工程断面図として流用する。図7aに示す工程では、半導体基板10のウエル領域12内に、イオン注入法などにより、電荷蓄積領域をそれぞれ含む光電変換層11r、11g、11bを形成する。ウエル領域12は、第1導電型例えば、P型の不純物を低い濃度で含む半導体例えば、シリコンで形成する。光電変換層11r、11g、11bにおける電荷蓄積領域は、例えば、第1導電型と反対導電型である第2導電型例えば、N型の不純物を、半導体基板10のウエル領域12内に、ウエル領域12における第1導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で注入することにより形成する。半導体基板10を覆う層間絶縁膜を、CVD法などにより、例えばSiO2を堆積して形成する。そして、層間絶縁膜の上に配線パターンをスパッタ法及びリソグラフィ法などにより例えば金属で形成し、層間絶縁膜及び配線パターンを覆う層間絶縁膜をCVD法により例えばSiO2で形成する処理を繰り返し行う。これにより、多層配線構造30r、30g、30bを形成する。図7bに示す工程では、CVD法などにより、導波モード共鳴格子60r、60g、60bの下部となるべき絶縁層65r、65g、65bを形成する。絶縁層65r、65g、65bは、例えば、多層配線構造30r、30g、30bの上に形成する。そして、CVD法などによりポリシリコン膜を絶縁層65r、65g、65bの上に堆積する。ポリシリコン膜は、例えば、100~200nmの厚さで堆積する。堆積されたポリシリコン膜をフォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスによりパターニングする。これにより、複数の回折格子61r-1~61r-5、61g-1~61g-6、61b-1~61b-7を形成する。各回折格子61r-1~61r-5、61g-1~61g-6、61b-1~61b-7の平面幅は、例えば、80~100nmである。また、複数の回折格子61r-1~61r-5、61g-1~61g-6、61b-1~61b-7のスペースは、例えば、60~80nmである。このとき、複数の回折格子61r-1~61r-5、61g-1~61g-6、61b-1~61b-7は、上記の数式1~3を満たすように形成しても良いし、上記の数式1、4、5を満たすように形成しても良い。また、各回折格子61r-1~61r-5、61g-1~61g-6、61b-1~61b-7のパターンは、例えば、ラインパターン図3参照でもよいし、ホールパターン間領域のパターン図4参照でもよいし、柱状パターン図5参照でもよい。図8aに示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、絶縁層65g、65b及び回折格子61g-1~61g-6、61b-1~61b-7を選択的に覆うレジストパターンRP1を形成する。このとき、絶縁層65r及び回折格子61r-1~61r-5は露出されている。次に、レジストパターンRP1をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域64r-1~64r-5及び絶縁層66rとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シランSiH4及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマCVD法により酸化膜を堆積して回折格子61r-1~61r-5の間に埋め込む。なお、シランSiH4及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマCVD法により堆積された酸化膜を、一般的な酸化膜と区別するために、P-SiH4酸化膜Pはプラズマを意味すると呼ぶことにする。P-SiH4酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図8aに示すように絶縁膜領域62r-1~62r-5の間にエアギャップ領域63r-1~63r-5ができる。また、P-SiH4酸化膜における回折格子61r-1~61r-5より高い上部66riは、絶縁層66rとなるべき部分である。ここで、格子間領域64r-1~64r-5の体積に占めるエアギャップ領域63r-1~63r-5の体積の割合が、50以上90以下になるように、P-SiH4酸化膜の成膜条件を調整する。なお、P-SiH4酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。図8bに示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、図8aに示す工程で形成した酸化膜の上部66ri、絶縁層65b、及び回折格子61b-1~61b-7を選択的に覆うレジストパターンRP2を形成する。このとき、絶縁層65g及び回折格子61g-1~61g-6は露出されている。次に、レジストパターンRP2をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域64g-1~64g-5及び絶縁層66gとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シランSiH4を原料ガスとするプラズマCVD法により、P-SiH4酸化膜を堆積する。P-SiH4酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図8bに示すように絶縁膜領域62g-1~62g-6の間にエアギャップ領域63g-1~63g-6ができる。また、P-SiH4酸化膜における回折格子61g-1~61g-6より高い上部66giは、絶縁層66gとなるべき部分である。ここで、格子間領域64g-1~64g-6の体積に占めるエアギャップ領域63g-1~63g-6の体積の割合が、50以上90以下になるように、且つ、上記の数式8を満たすように、P-SiH4酸化膜の成膜条件を調整する。なお、P-SiH4酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。図9aに示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、図8aに示す工程で形成した酸化膜の上部66ri、及び図8bに示す工程で形成した酸化膜の上部66giを選択的に覆うレジストパターンRP3を形成する。このとき、絶縁層65b及び回折格子61b-1~61b-7は露出されている。次に、レジストパターンRP3をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域64b-1~64b-7及び絶縁層66bとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シランSiH4を原料ガスとするプラズマCVD法により、P-SiH4酸化膜を堆積する。P-SiH4酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図9aに示すように絶縁膜領域62b-1~62b-7の間にエアギャップ領域63b-1~63b-7ができる。また、P-SiH4酸化膜における回折格子61b-1~61b-7より高い上部66biは、絶縁層66bとなるべき部分である。ここで、格子間領域64b-1~64b-7の体積に占めるエアギャップ領域63b-1~63b-7の体積の割合が、50以上90以下になるように、且つ、上記の数式8を満たすように、P-SiH4酸化膜の成膜条件を調整する。なお、P-SiH4酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。図9bに示す工程では、CMP法などにより、図8a~図9aで形成した酸化膜例えば、P-SiH4酸化膜の上部66ri、66gi、66biを平坦化し、絶縁層66r、66g、66bを形成する。これにより、導波モード共鳴格子60r、60g、60bが形成される。次に、多層干渉フィルター20r、20g、20bの下部となるべき下部積層構造25r、25g、25bを形成する。具体的には、第1の層21r-1、21g-1、21b-1を同時に堆積し、第2の層22r-1、22g-1、22b-1を同時に堆積し、第1の層21r-2、21g-2、21b-2を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第1の層21r-1~21b-2は、スパッタ法などにより、例えば、酸化チタンTiO2で形成する。各第1の層21r-1~21b-2は、同じ膜厚で形成する。各第1の層21r-1~21b-2は、例えば、その光学的膜厚が中心波長例えば、550nmの1/4となるような膜厚で形成する。つまり材料例えば、TiO2の屈折率をn1とし、中心波長をλとしたとき、各第1の層21r-1~21b-2は、次の数式7を満たす膜厚d1で形成する。n1×d1=1/4×λ数式7例えば、n1=2.5、λ=550nmを数式7に代入すると、d1=55nmになる。また、第2の層22r-1、22g-1、22b-1は、CVD法などにより、例えば、酸化シリコンSiO2で形成する。第2の層22r-1、22g-1、22b-1は、例えば、その光学的膜厚が中心波長例えば、550nmの1/4となるような膜厚で形成する。つまり材料例えば、SiO2の屈折率をn2とし、中心波長をλとしたとき、第2の層22r-1、22g-1、22b-1は、次の数式8を満たす膜厚d2で形成する。n2×d2=1/4×λ数式8例えば、n2=1.46、λ=550nmを数式8に代入すると、d2=94nmになる。これにより、第1の層21r-1、第2の層22r-1、及び第1の層21r-2が順に積層された下部積層構造25rが形成される。第1の層21g-1、第2の層22g-1、及び第1の層21g-2が順に積層された下部積層構造25gが形成される。第1の層21b-1、第2の層22b-1、及び第1の層21b-2が順に積層された下部積層構造25bが形成される。そして、CVD法などにより、第1の層21r-1、21g-1、21b-1の上に、干渉層23r、23gとなるべき層図示せずを形成する。干渉層となるべき層は、赤色の波長帯に対応した膜厚例えば、85nmで形成する。リソグラフィー法により、層における光電変換層11rの上方に対応した部分干渉層23rを覆うレジストパターン図示せずを形成する。このとき、干渉層となるべき層における光電変換層11g、11bの上方に対応した部分は露出されている。次に、ドライエッチング法により、レジストパターンをマスクとして干渉層となるべき層における光電変換層11g、11bの上方に対応した部分を緑色の波長帯に対応した膜厚例えば、35nmまでエッチングハーフエッチングして薄膜化する。これにより、干渉層となるべき層において、光電変換層11gに対応した部分に干渉層23gが形成される。その後、レジストパターンを除去する。そして、リソグラフィー法により、干渉層となるべき層における光電変換層11r、11gの上方に対応した部分干渉層23r及び干渉層23gを覆うレジストパターンを形成する。このとき、干渉層となるべき層における光電変換層11bの上方に対応した部分は露出されている。次に、ドライエッチング法により、レジストパターンをマスクとして干渉層となるべき層における光電変換層11bの上方に対応した部分23ib1をエッチングして除去する。これにより、干渉層となるべき層において、干渉層23r及び干渉層23gを残しながら、光電変換層11bに対応した部分に膜厚が0nmの仮想的な干渉層23bが形成される。その後、レジストパターンを除去する。そして、多層干渉フィルター20r、20g、20bの上部となるべき上部積層構造24r、24g、24bを形成する。具体的には、第1の層21r-3、21g-3、21b-3を同時に堆積し、第2の層22r-3、22g-3、22b-3を同時に堆積し、第1の層21r-4、21g-4、21b-4を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第1の層21r-3~21b-4は、スパッタ法などにより、例えば、酸化チタンTiO2で形成する。第1の層21r-3、21g-3、21b-3は、第1の層21r-1~21b-2や第1の層21r-4、21g-4、21b-4と均等な膜厚で形成する。また、第2の層22r-3、22g-3、22b-3は、CVD法などにより、例えば、酸化シリコンSiO2で形成する。第2の層22r-3、22g-3、22b-3は、第2の層22r-1、22g-1、22b-1と均等な膜厚で形成する。これにより、多層干渉フィルター20r、20g、20bが形成される。図1に示す工程では、多層干渉フィルター20r、20g、20bを覆う膜を例えば所定の樹脂又は酸化膜例えば、SiO2を堆積して形成し、形成された膜の表面をCMP法により平坦化する。これにより、平坦な表面を有する平坦化層40r、40g、40bが形成される。そして、平坦化層40r、40g、40bの上に、マイクロレンズ50r、50g、50bを例えば、所定の樹脂で形成する。ここで、仮に、図10aに示すように、固体撮像装置900において、カラーフィルター970の導波モード共鳴格子960がエアギャップ領域を有しない場合について考える。具体的には、導波モード共鳴格子960において、複数の回折格子961-1~961-6の間に配された複数の格子間領域964-1~964-5のそれぞれが、絶縁膜領域962-1~962-5を有するが、エアギャップ領域を有しない。この場合、共鳴条件を満たすための回折格子961-1~961-6及び格子間領域964-1~964-5として採用可能な材料が限定されており、回折格子961-1~961-6の屈折率と格子間領域964-1~964-5の屈折率との差が小さいので、導波モード共鳴格子960による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすことができない傾向にある。例えば、緑色の波長域に透過率のピークを有するカラーフィルター970の透過率特性において、図10bに示すように、可視領域における長波長側のクロストーク混色を要求されるレベル例えば、顔料フィルターと同等レベルまで除去できない傾向にある。それに対して、実施形態では、イメージセンサー向けのカラーフィルターとして、干渉フィルターと導波モード共鳴格子を有するフィルターにおいて、導波モード共鳴格子の格子間のスペースにエアギャップ構造を形成する。すなわち、固体撮像装置1では、カラーフィルター70の導波モード共鳴格子960において、複数の回折格子61-1~61-6の間に配された複数の格子間領域64-1~64-5のそれぞれが、絶縁膜領域62-1~62-5に加えてエアギャップ領域63-1~63-5を有する。これにより、導波モード共鳴格子の相対屈折率を向上できる。すなわち、回折格子61-1~61-6の屈折率と格子間領域64-1~64-5の平均屈折率との差を大きくすることができるので、導波モード共鳴格子60による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすようにすることが容易である。例えば、緑色の波長域に透過率のピークを有するカラーフィルター70の透過率特性において、図2bに示すように、可視領域における長波長側のクロストーク混色を要求されるレベル例えば、顔料フィルターと同等レベルまで除去できる。すなわち、実施形態によれば、カラーフィルターのクロストーク混色を改善できる。あるいは、仮に、図10aに示す構成において、回折格子961-1~961-6の屈折率と格子間領域964-1~964-5の屈折率との差を大きくするために回折格子961-1~961-6の材料をより屈折率の高い材料に変更した場合について考える。この場合、導波モード共鳴格子960が共鳴条件を満たすことが困難になりその光の透過特性透過率のピーク値が劣化する傾向にある。それに対して、実施形態では、回折格子61-1~61-6の材料を変更することなく回折格子61-1~61-6の屈折率と格子間領域64-1~64-5の平均屈折率との差を大きくすることができるので、導波モード共鳴格子60の透過特性透過率のピーク値の劣化を抑制できる。すなわち、実施形態によれば、カラーフィルターのフィルタ特性の劣化を抑制しながら、カラーフィルターのクロストーク混色を改善できる。また、実施形態では、格子間領域64-1~64-5の体積V2に占めるエアギャップ領域63-1~63-5の体積V1の割合は、50以上90以下である。これにより、導波モード共鳴格子60による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすようにすることができるとともに、図2aに示すような導波モード共鳴格子60の構造を製造することが容易である。また、実施形態では、透過波長領域が長波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を50以上90以下の範囲内で小さくし、透過波長領域が短波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を50以上90以下の範囲内で大きくする。これにより、透過波長領域に応じた混色成分の除去性能を、透過波長領域ごとに向上できる。なお、上記の実施形態では、導波モード共鳴格子が多相干渉フィルターの下に配された構成について例示的に説明しているが、導波モード共鳴格子は多相干渉フィルターの上に配されていても良い。この場合でも、上記の実施形態の考え方は同様に適用できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。