"母粒子の表面に子粒子を埋め込んだ表示媒体用の複合型粒子を製造するに際し、該複合型粒子の粗さ曲線の負荷長さ率Rmrおよび粗さ曲線のスキューネスRskを指標として製造条件を設定することを特徴とする表示媒体用複合型粒子の製造方法。前記母粒子および子粒子の材質に応じて前記Rmrおよび前記Rskの適正範囲を定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の投入量ならびに製造時の投入エネルギーおよび処理温度を設定することを特徴とする請求項1に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。前記母粒子のガラス転移温度Tgが130~140°Cで、子粒子の圧縮変形率が40以上70未満である場合に、Rmrを45~60の範囲に、またRskを-03~015の範囲に定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の合計投入量:有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合割合:表面積比で80~120、製造時の投入エネルギー:1~4MJ、処理温度:115~130°Cの範囲から選択して製造条件を設定することを特徴とする請求項1または2に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。前記母粒子のガラス転移温度Tgが130~140°Cで、子粒子の圧縮変形率が40未満である場合に、Rmrを40~50の範囲に、またRskを-015~05の範囲に定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の合計投入量:有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合割合:表面積比で80~120、製造時の投入エネルギー:1~75MJ、処理温度:95~130°Cの範囲から選択して製造条件を設定することを特徴とする請求項1または2に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。上述したとおり、従来は、子粒子の埋め込み状態を正確に把握できる評価方法がなかったため、不確定要因バラツキ等を考慮して製品の安定化や信頼性を向上させる製造プロセス、すなわちロバスト性の高い製造プロセスを確立できないという問題があった。本発明は、上記の現状に鑑み開発されたもので、母粒子の表面に子粒子を埋め込んだ複合型の表示媒体用粒子を製造するに際し、発明者らが見出した指標に基づいて製造条件を設定することにより、母粒子に対する子粒子の埋め込み状態が適切な複合型粒子を安定して製造することができる方法を提案することを目的とする。以下、本発明の解明経緯について説明する。従来は、子粒子の埋め込み深さを見た目で評価して、子粒子直径の50~70程度としていたが、見た目での評価では測定者によるバラツキが大きく、正しく評価することが難しかったことは、前述したとおりである。この点、子粒子の埋め込み深さや子粒子の変形程度を的確に数値化できれば、測定者によるバラツキをなくし、子粒子の埋め込み状態を正しく評価することができる。そこで、発明者らは、まず、複合型粒子における子粒子の埋め込み深さを、表面粗さをパラメーターとして数値化することを試みた。装置としては、分解能が高く、球状の粒子でも測定可能な3D-SEM電子線三次元粗さ解析装置を用いた。この装置を用いて、種々の粗さパラメーターと実際の埋め込み深さとの関係について検討したところ、子粒子の埋め込み深さに関する粗さパラメーターとしては粗さ曲線の負荷長さ率Rmr;JISB0601,2001が好適であることが判明した。このRmrとは、切断レベルc,μmにおける輪郭曲線要素の負荷長さMlの評価長さlnに対する比率を示したもので、次式で表わされる。本発明では、図1に示すように、切断レベルcを最高高さの50とし、この切断レベルcよりも高い位置にある山の幅の和Mlの評価長さlnに対する比率で示すものとする。従って、図1のように、埋め込み深さが浅い場合にはRmrの値は大きくなるのに対し、図1のように、埋め込み深さが深い場合にはRmrの値は小さくなる。なお、このRmrでは、子粒子と埋め込み深さが50未満の場合には正確な評価をすることができないが、通常は埋め込み深さ:50以上を目標としているので特に問題が生じることはない。また、かような場合にはSEM画像での判別が可能である。そこで、次に、見た目での官能評価とRmrとの関係について検討した。実験は、3D-SEM株式会社エリオニクス社製;ERA8900FEを用い、加速電圧:15kV,ワーキングディスタンス:15mmの条件で行った。観察倍率は4万倍である。また、母粒子としてはポリシクロオレフィン樹脂粒子粒径:10μmを用い、子粒子としては、変形し難いシリカ粒子粒径:300nmおよび複合化条件によっては変形するベンゾグアナミン粒子粒径:300nmの2種類を用いた。ここに、変形の難易については、圧縮変形率による評価を用い、この圧縮変形率が40未満の場合は変形し難い粒子と、一方、圧縮変形率が40以上70未満の場合は変形し易い粒子と判断する。圧縮変形率が70以上は特に変形し易い粒子である。圧縮変形率は、子粒子の変形性の程度の指標として、以下のようにして測定した。具体的には、フローテスターCFT-500D:島津製作所製の試料充填室の底を封じて、試料:10gを投入し、試料を175°Cに加熱した状態で、その試料に300kg/cm2294×107Paの荷重を加え、次式にて圧縮変形率を算出した。圧縮変形率={最密充填高さmm-加重後の高さmm/最密充填高さmm}×1001なお、最密充填高さとは、前記試料を投入して子粒子が変形せずに球状に保ったまま、最密充填した時の高さであり、次式から算出される。最密充填高さcm=投入した子粒子重量g/子粒子の比重g/cm3/フローテスター充填室の底面積cm22上掲式で規定した圧縮変形率が、40未満であれば変形し難い子粒子、40以上70未満であれば変形し易い子粒子、70以上であれば特に変形し易い子粒子ということができる。その結果を、図2に示す。同図に示したとおり、変形のない粒子の場合には、官能評価で50~70の埋め込み状態は、Rmrで40~50に相当することが判明した。一方、子粒子が変形し易い粒子の場合には、変形のない粒子の場合に比べると、官能評価は同じでも、Rmr値は大きくなる傾向にあり、Rmrで45~60程度となることが判明した。このように、子粒子の変形の有無さらには変形の程度によって、官能評価では同じ埋め込み深さと判断される場合でもRmr値は大きく変動する。また、子粒子の変形の程度に応じて、流動性や帯電性すなわち粒子特性が変化する。従って、子粒子の変形の程度についてもきちんと数値化する必要があると考えられる。そこで、さらに、子粒子の変形の程度の数値化を試みたところ、粗さパラメータとしてはRskが好適であることが判明した。このRskは、基準長さlrにおけるZの三乗平均を二乗平均平方根Rqの三乗で割ったもので、次式で表わされる。このRskは、山と谷の偏り度を示すもので、図3に示すように、谷の偏りが大きい場合にはRskはプラスに、一方山の偏りが大きい場合にはRskはマイナスとなり、このRskを用いることにより変形の程度を正確に評価することができる。すなわち、このRskで評価した場合、変形がない場合はRsk≒0であるが、変形が生じて山の偏りが大きくなるとRsk<0となり、変形が進むにつれてその絶対値は大きくなる。上述したように、RmrとRskという2つのパラメータを用いることにより、子粒子の埋め込み深さと変形程度すなわち子粒子の埋め込み状態を正確に把握できることが見出された。すなわち、例えば図4に示すように、埋め込み深さのパラメーターであるRmrを横軸、一方変形程度を示すパラメーターであるRskを縦軸とした場合、Rmrが小さくかつRskが大きくなると埋め込み深さが過剰であると、またRmrが大きくなると埋め込み深さが浅いと、さらにRmrが大きくかつRskが小さくなると変形が進んでいると、それぞれ判定することができる。この傾向は、種々の母粒子と子粒子の組み合わせにおいても、同様の傾向を示すと考えられる。従って、種々の複合型粒子において、RmrとRskを測定することにより、子粒子の埋め込み深さおよび変形程度すなわち埋め込み状態を正確に把握することができ、ひいては粒子特性を適正に評価することができる。このように、上記の評価方法を用いれば、種々の複合型粒子について、子粒子の適正な埋め込み深さおよび変形程度をRmrとRskで数値化できるわけであるから、これを利用して各種の複合型粒子に応じた適正なRmrおよびRskの範囲を予め定めておき、製造後の複合型粒子がこのRmrおよびRskの適正範囲を満足するように製造条件を設定してやれば、母粒子に対する子粒子の埋め込み状態が適切な複合型粒子が安定して得られることになる。本発明は、上記の知見に立脚するものである。すなわち、本発明の要旨構成は次のとおりである。1.母粒子の表面に子粒子を埋め込んだ表示媒体用の複合型粒子を製造するに際し、該複合型粒子の粗さ曲線の負荷長さ率Rmrおよび粗さ曲線のスキューネスRskを指標として製造条件を設定することを特徴とする表示媒体用複合型粒子の製造方法。2.前記母粒子および子粒子の材質に応じて前記Rmrおよび前記Rskの適正範囲を定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の投入量ならびに製造時の投入エネルギーおよび処理温度を設定することを特徴とする前記1に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。3.前記母粒子のガラス転移温度Tgが130~140°Cで、子粒子の圧縮変形率が40以上70未満である場合に、Rmrを45~60の範囲に、またRskを-03~015の範囲に定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の合計投入量:有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合割合:表面積比で80~120、製造時の投入エネルギー:1~4MJ、処理温度:115~130°Cの範囲から選択して製造条件を設定することを特徴とする前記1または2に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。4.前記母粒子のガラス転移温度Tgが130~140°Cで、子粒子の圧縮変形率が40未満である場合に、Rmrを40~50の範囲に、またRskを-015~05の範囲に定め、この定めたRmrおよびRskの範囲を満足するように、母粒子および子粒子の合計投入量:有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合割合:表面積比で80~120、製造時の投入エネルギー:1~75MJ、処理温度:95~130°Cの範囲から選択して製造条件を設定することを特徴とする前記1または2に記載の表示媒体用複合型粒子の製造方法。上記3,4において、有効処理容積とは、複合化処理に用いる複合化装置の有効処理容積を意味する。また、表面積比とは、子粒子が最密構造で母粒子の表面を覆うのに必要な量を100としたとき、この量に対する比率を意味する。さらに、投入エネルギーとは、複合化装置内において複合化のためにローターを回転させるのに必要なモーターの消費電力試料が入っていない空運転時に消費される電力を基準として、試料を処理する際に消費される電力から差し引いて算出していると処理時間から、次式に基づいてエネルギーに換算した値であり、試料の処理を行うために投入されるエネルギーのことである。投入エネルギー=消費電力kWh×時間h×換算値W→Jに換算本発明によれば、母粒子に対する子粒子の埋め込み状態をRmrおよびRskで数値化できるので、素材に応じた適正なRmrとRskの範囲を定めてこれを指標とし、この指標を満足するように製造条件を設定することにより、母粒子に対する子粒子の埋め込み状態が適切な複合型粒子を安定して得ることができる。従って、本発明によれば、ロバスト性の高い製造プロセスを確立することができる。以下、本発明を具体的に説明する。本発明において、表示媒体用複合型粒子を形成する母粒子および子粒子の各素材については特に制限はなく、従来から公知のものいずれもが適合する。例えば、複合型粒子の母粒子として好適な素材をとしては、ウレタン樹脂、ウレア樹脂、チオウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリルチオウレタン樹脂、アクリルウレタンシリコーン樹脂、アクリルウレタンフッ素樹脂、アクリルフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレンブタジエン樹脂、スチレンブタジエンアクリル樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ノルボルネン樹脂、メチルペンチル樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができる。これらを2種類以上混合して使用してもよい。また、予め重合した樹脂を粉砕処理したものを使用してもよいし、懸濁重合で形成したものを使用してもよい。荷電制御剤、着色剤、その他添加剤を混練りした後、粉砕することにより作製される場合には、母粒子の主成分は熱可塑性を有すると共に、粉砕しやすいことも必要である。この観点から、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル等のアクリル樹脂、アクリルフッ素樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ノルボルネン樹脂、メチルペンチル樹脂、ポリスチレン系樹脂の各水素添加物等が挙げられる。なお、懸濁重合の場合、その容易さからアクリル樹脂、アクリルフッ素樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリスチレン系樹脂の各水素添加物等が好適である。そして、かかる母粒子のガラス転移温度Tgは130~140°C程度とするのが好ましく、また粒径は1~20μm程度とするのが好適である。また、複合型粒子の子粒子は、変形し易い粒子と変形し難い粒子とで、埋め込み挙動が異なる。そこで、本発明では、圧縮変形率が40を境として、変形し易い粒子と変形し難い粒子に区別した。かかる子粒子のうち、正帯電粒子として好適な素材としては、ベンゾグアナミン樹脂やポリスチレン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ウレア樹脂などが、一方負帯電粒子として好適な素材としては、シリカや酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ジルコニア微粒子などが挙げられる。そして、これら子粒子の粒径はいずれも100~300nm程度とするのが好ましい。より好ましくは200~300nmの範囲である。図5は、母粒子がポリシクロオレフィン樹脂粒子Tg:137°C,粒径:10μmで、子粒子が正帯電粒子であるベンゾグアナミン粒子圧縮変形率:40以上70未満,粒径:300nmからなる複合型粒子について、帯電量、流動性および耐剥離性の観点から、RmrとRskの好適範囲について調査した結果を示したものである。この組み合わせにおいては、Rmr:45~60、Rsk値:-03~015が好適範囲であり、この範囲を満足させてやれば帯電性や流動性、耐剥離性は良好であることを示している。従って、上記のような母粒子および子粒子の組み合わせになる複合型粒子を製造する場合、その粒子のRmrが45~60でかつRskが-03~015の範囲となるように、複合化条件を定めてやれば、高ロバスト性の下での粒子製造が可能になるのである。上述したとおり、RmrとRskというパラメータを用いて粒子形状を数値化することにより、母粒子と子粒子の組み合わせに応じた適正な子粒子の埋め込み深さおよび変形程度すなわち適正な埋め込み状態を把握することができ、ひいては粒子特性を正確に評価することができるので、かかるパラメータを利用することにより複合化の条件を的確に設定することが可能になる。その結果、図6に示すような、複合化条件と粒子形状と粒子特性との関係を示す複合化マップを作成することが可能になる。なお、複合化条件における主な機械的要因としては、母粒子や子粒子の投入量、投入エネルギー、処理温度があるので、これらの条件を調整して所望のRmr値およびRsk値が得られるように調整してやれば良い。一例として、母粒子としてポリシクロオレフィン樹脂粒子Tg:137°C,粒径:10μmを、また子粒子としてベンゾグアナミン粒子圧縮変形率:40以上70未満,粒径:300nmを用いた場合における好適複合化条件の設定要領について述べる。この例は、子粒子が変形する場合である。なお、この組み合わせにおいて、好適Rmr値は45~60、好適Rsk値は-03~015の範囲である。実験は、図7に示すような温調機能付きのドラム型複合化装置有効処理容積:500cm3を用いて行った。図中、符号1は温調機能付きの処理槽、2はローター、3はローター2のブレード部である。上記の装置において、母粒子および子粒子の合計投入量は有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合量は母粒子表面を最密充填構造で1層覆うのに必要な子粒子量を100とした際に80~100の値にすると共に、投入エネルギーを1~6MJ、また処理温度を110,115,120,125°Cに変化させた。得られた結果を、整理して図8に示す。同図中、○で示した条件が、所望の埋め込み状態Rmr、Rskが得られた条件ある。これに対し、△で示した条件は処理温度が低温で処理時間が短かったため、埋め込み不足が生じた。さらに、□で示した条件は長時間すぎたため子粒子の変形が過剰となった。従って、図8の結果から、母粒子:ポリシクロオレフィン樹脂、子粒子:ベンゾグアナミンの組み合わせにおいては、図中実線で囲った条件で複合化を行えば所望の粒子形状ひいては粒子特性を持つ複合型粒子が得られることが分かる。このようにして、母粒子と子粒子の組み合わせに応じた適正な複合化条件を設定することができる。以上、子粒子が変形し易い場合の製造条件について説明したが、次に子粒子の変形がほとんどない場合の好適製造条件について調査した結果について説明する。母粒子としてはポリシクロオレフィン樹脂粒子Tg:137°C,粒径:10μmを、また子粒子としては正帯電粒子であるシリカ粒子圧縮変形率:40未満,粒径:300nmを用いた。なお、この組み合わせにおいて、好適Rmr値は40~50、好適Rsk値は-015~05の範囲である。上記の好適範囲は、粒子の帯電量、流動性および耐剥離性の観点から判断したものである。実験は、母粒子および子粒子の合計投入量は有効処理容積の80~100、母粒子に対する子粒子の配合量は母粒子表面を最密充填構造で1層覆うのに必要な子粒子量を100とした際に80~100の値にすると共に、投入エネルギーを1~75MJ、また処理温度を90,95,100,105°Cに変化させて行った。得られた結果を、整理して図11に示す。同図中、○で示した条件が、所望の粒子形状Rmr、Rskを満足した場合ある。これに対し、△で示した条件は埋め込み不足が生じた場合、☆で示した条件は埋め込みが過剰であった場合である。従って、図11の結果から、母粒子:ポリシクロオレフィン樹脂、子粒子:シリカの組み合わせにおいては、図中実線で囲った条件で複合化を行えば所望の埋め込み状態ひいては粒子特性を持つ複合型粒子が得られることが分かる。なお、例えば前掲した図5において、適正範囲を外れた領域、例えばRmr<45でかつRsk>015の領域は子粒子の埋め込み量が大きいと判定される領域であるが、この領域では帯電性は若干劣るものの耐剥離性は向上する。従って、より高い耐剥離性が要求される場合にはRmrとRskの範囲をこの領域にずらすような粒子設計をすればよく、それに基づいて複合化条件を変更すれば良い。一方、図5において、Rmr>60でかつRsk<-03の領域は、子粒子の変形が進んだと判定される領域であるが、この領域では帯電性は若干劣るものの流動性はむしろ向上する領域である。従って、より高い流動性が要求される場合にはRmrとRskの範囲をこの領域にずらすように粒子設計を変更し、それに基づいて複合化条件を変更すれば良い。いずれにしても、母粒子と子粒子の種々の組み合わせにおいて、必要とされる特性に応じて適正なRmrおよびRskの範囲が存在するので、かかるRmrとRskの範囲を満足するように製造条件を設定してやればよい。実施例1母粒子がポリシクロオレフィン樹脂粒子Tg:137°C,粒径:10μm、子粒子がベンゾグアナミン粒子圧縮変形率:40以上70未満,粒径:300nmの組み合わせになる正帯電複合型粒子の製造を行った。予め求めておいたこれらの組み合わせにおける好適Rmrは45~60、好適Rskは-03~015の範囲である。そこで、これらのRmrおよびRskを満足させるべく、図7に示した複合化装置を用いて、母粒子の投入量:195g、子粒子の投入量:23g母粒子に対する子粒子の表面積比:85、処理温度:120°Cの条件で複合化を行った。このときの投入エネルギーは24MJであった。かような複合化処理を5回行い、その際に得られた複合型粒子のRmrおよびRskを測定したところ、図13に示すように、Rmrは55~57、Rskは-027~-010であり、所望の埋め込み状態の複合型粒子が得られることが確認された。実施例2母粒子がポリシクロオレフィン樹脂粒子Tg:137°C,粒径:10μm、子粒子がシリカ粒子圧縮変形率:40未満,粒径:300nmの組み合わせになる負帯電複合型粒子の製造を行った。予め求めておいたこれらの組み合わせにおける好適Rmrは40~50、好適Rskは-015~05の範囲である。そこで、これらのRmrおよびRskを満足させるべく、図7に示した複合化装置を用いて、母粒子の投入量:290g、子粒子の投入量:20g母粒子に対する子粒子の表面積比:90、処理温度:100°Cの条件で複合化を行った。このときの投入エネルギーは36MJであった。かような複合化処理を5回行い、その際に得られた複合型粒子のRmrおよびRskを測定したところ、図14に示すように、Rmrは41~49、Rskは003~025であり、所望の埋め込み状態の複合型粒子が得られることが確認された。実施例3実施例1,2を含めて種々の複合化条件で、子粒子が易変形粒子および難変形粒子の場合それぞれについて、複合型粒子を製造したときの適正投入エネルギーと適正処理温度との関係について調べた結果を、図12、図13にそれぞれ示す。なお、子粒子が易変形粒子の場合の目標Rmrは45~60、目標Rskは-03~015の範囲に設定した。また、子粒子が難変形粒子の場合の目標Rmrは40~50、目標Rskは-015~05の範囲に設定した。図12に示したとおり、子粒子が易変形粒子の場合は、製造時における投入エネルギーは1~4MJ、処理温度は115~130°Cとすることが好適であることが分かる。一方、図13に示したとおり、子粒子が難変形粒子の場合は、製造時における投入エネルギーは1~75MJ、処理温度は95~130°Cとすることが好適であることがわかる。ここに、投入エネルギーは、複合化装置の大きさ等に依存しない値であるので、この投入エネルギーを採用することによって、どのような複合化装置を用いた場合であっても、複合化のための適正条件を設定することが可能となる。"