"パワー半導体素子2と、板状の部材によって形成された外部端子4と、ベース部材1とを設け、外部端子4の第1曲げ加工を行うことにより、鉛直部分4bと水平部分4aとそれらの間の屈曲した接続部分4dとを有する概略L字状のL字部分4Lであって、水平部分4aが鉛直部分4bに対して第1の側に位置する概略L字状のL字部分4Lを、外部端子4に形成し、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とをベース部材1に搭載し、少なくとも第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1と、ベース部材1の一部分とが樹脂部5の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とベース部材1とを封止し、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の下面4a2’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの下面4a2が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になるように、外部端子4の第2曲げ加工を行い、外部端子4の第2曲げ加工により、鉛直部分4bと水平部分4a’とそれらの間の屈曲した接続部分4d’とを有する概略L字状のL字部分4L’であって、水平部分4a’が鉛直部分4bに対して第1の側とは反対側の第2の側に位置する概略L字状のL字部分4L’が外部端子4に形成される樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの先端側部分4a-1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの根元側部分4a-2と、第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dとが、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’になり、かつ、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の第1の側の凸状面4d1a’の頂部4d1a1’が、鉛直部分4bの第1の側の側面4b2よりも第1の側に位置するように、外部端子4の第2曲げ加工を行うことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100。第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’を樹脂部5の外部に露出させ、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の下側部分4d2’の第2の側の凸状面4d2b’を樹脂部5によって覆うことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100。第1サブ曲げ加工と、第2サブ曲げ加工と、第3サブ曲げ加工と、第4サブ曲げ加工とによって第2曲げ加工を構成し、外部端子4の第1サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’になる位置に第1芯金CB1の当接部CB1aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第2サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の上側部分4d1b2’になる位置に第2芯金CB2の当接部CB2aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第3サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’と上側部分4d1b2’との間の中間部分4d1b3’になる位置に第3芯金CB3の当接部CB3aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第4サブ曲げ加工では、芯金を用いることなく、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になる位置を押し当て部材PSの下面PS1によって下向きに押圧することにより曲げ加工を行うことを特徴とする請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100。ところで、特許文献1の図3aおよび図3cに記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第1曲げ加工後の外部端子の鉛直部分と水平部分との間の屈曲した接続部分が、第2曲げ加工後の外部端子の鉛直部分と水平部分との間の屈曲した接続部分になる。つまり、特許文献1の図3aおよび図3cに記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第1曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第1曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置に対し、第2曲げ加工時に、曲げ加工負荷が再びかけられる。そのため、特許文献1の図3aおよび図3cに記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第1曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれがある。前記問題点に鑑み、第1曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。詳細には、本発明は、第1曲げ加工時の曲げ加工負荷および第2曲げ加工時の曲げ加工負荷が第1曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置に集中してかけられている特許文献1の図3aおよび図3cに記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、第1曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。請求項1に記載の発明によれば、パワー半導体素子2と、板状の部材によって形成された外部端子4と、ベース部材1とを設け、外部端子4の第1曲げ加工を行うことにより、鉛直部分4bと水平部分4aとそれらの間の屈曲した接続部分4dとを有する概略L字状のL字部分4Lであって、水平部分4aが鉛直部分4bに対して第1の側に位置する概略L字状のL字部分4Lを、外部端子4に形成し、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とをベース部材1に搭載し、少なくとも第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1と、ベース部材1の一部分とが樹脂部5の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とベース部材1とを封止し、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の下面4a2’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの下面4a2が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になるように、外部端子4の第2曲げ加工を行い、外部端子4の第2曲げ加工により、鉛直部分4bと水平部分4a’とそれらの間の屈曲した接続部分4d’とを有する概略L字状のL字部分4L’であって、水平部分4a’が鉛直部分4bに対して第1の側とは反対側の第2の側に位置する概略L字状のL字部分4L’が外部端子4に形成される樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの先端側部分4a-1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの根元側部分4a-2と、第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dとが、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’になり、かつ、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の第1の側の凸状面4d1a’の頂部4d1a1’が、鉛直部分4bの第1の側の側面4b2よりも第1の側に位置するように、外部端子4の第2曲げ加工を行うことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項2に記載の発明によれば、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’を樹脂部5の外部に露出させ、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の下側部分4d2’の第2の側の凸状面4d2b’を樹脂部5によって覆うことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項3に記載の発明によれば、第1サブ曲げ加工と、第2サブ曲げ加工と、第3サブ曲げ加工と、第4サブ曲げ加工とによって第2曲げ加工を構成し、外部端子4の第1サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’になる位置に第1芯金CB1の当接部CB1aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第2サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の上側部分4d1b2’になる位置に第2芯金CB2の当接部CB2aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第3サブ曲げ加工では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’と上側部分4d1b2’との間の中間部分4d1b3’になる位置に第3芯金CB3の当接部CB3aを当接させて曲げ加工を行い、外部端子4の第4サブ曲げ加工では、芯金を用いることなく、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になる位置を押し当て部材PSの下面PS1によって下向きに押圧することにより曲げ加工を行うことを特徴とする請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、パワー半導体素子2と、板状の部材によって形成された外部端子4と、ベース部材1とが設けられている。更に、外部端子4の第1曲げ加工を行うことにより、鉛直部分4bと水平部分4aとそれらの間の屈曲した接続部分4dとを有する概略L字状のL字部分4Lであって、水平部分4aが鉛直部分4bに対して第1の側に位置する概略L字状のL字部分4Lが、外部端子4に形成されている。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とがベース部材1に搭載されている。更に、少なくとも第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1と、ベース部材1の一部分とが樹脂部5の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とベース部材1とが封止されている。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の下面4a2’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの下面4a2が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になるように、外部端子4の第2曲げ加工が行われている。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、外部端子4の第2曲げ加工により、鉛直部分4bと水平部分4a’とそれらの間の屈曲した接続部分4d’とを有する概略L字状のL字部分4L’であって、水平部分4a’が鉛直部分4bに対して第1の側とは反対側の第2の側に位置する概略L字状のL字部分4L’が外部端子4に形成されている。詳細には、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの先端側部分4a-1が、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの根元側部分4a-2と、第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dとが、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’になり、かつ、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の第1の側の凸状面4d1a’の頂部4d1a1’が、鉛直部分4bの第1の側の側面4b2よりも第1の側に位置するように、外部端子4の第2曲げ加工が行われている。換言すれば、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dの位置だけでなく、第1曲げ加工時に曲げ加工負荷が殆どかかっていない第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの根元側部分4a-2の位置にも、第2曲げ加工時に、曲げ加工負荷が分散してかけられている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1曲げ加工時の曲げ加工負荷および第2曲げ加工時の曲げ加工負荷が第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dの位置に集中してかけられている場合よりも、第1曲げ加工後の外部端子4の接続部分4dの位置が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’が、樹脂部5の外部に露出せしめられている。そのため、請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’になる位置を、第2曲げ加工時に屈曲させることができる。更に、請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の下側部分4d2’の第2の側の凸状面4d2b’が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の下側部分4d2’の第2の側の凸状面4d2b’になる位置が第1曲げ加工時および第2曲げ加工時に繰り返して屈曲せしめられないように、その位置を樹脂部5によって保護することができる。請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1サブ曲げ加工と、第2サブ曲げ加工と、第3サブ曲げ加工と、第4サブ曲げ加工とによって第2曲げ加工が構成されている。詳細には、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、外部端子4の第1サブ曲げ加工時に、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’になる位置に第1芯金CB1の当接部CB1aを当接させて曲げ加工が行われる。更に、外部端子4の第2サブ曲げ加工時に、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の上側部分4d1b2’になる位置に第2芯金CB2の当接部CB2aを当接させて曲げ加工が行われる。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、外部端子4の第3サブ曲げ加工時に、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の下側部分4d1b1’と上側部分4d1b2’との間の中間部分4d1b3’になる位置に第3芯金CB3の当接部CB3aを当接させて曲げ加工が行われる。更に、外部端子4の第4サブ曲げ加工時に、芯金を用いることなく、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’になる位置を押し当て部材PSの下面PS1によって下向きに押圧することにより曲げ加工が行われる。換言すれば、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’のうち、第1芯金CB1の当接部CB1aが当接せしめられた位置と、第2芯金CB2の当接部CB2aが当接せしめられた位置と、第3芯金CB3の当接部CB3aが当接せしめられた位置とが、互いに異ならされている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’の第2の側の凹状面4d1b’の同一位置に、第1芯金CB1の当接部CB1aと第2芯金CB2の当接部CB2aと第3芯金CB3の当接部CB3aとが繰り返して当接せしめられている場合よりも、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’の上側部分4d1’が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第1の実施形態について説明する。図1および図2は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の完成品を示した図である。詳細には、図1Aは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の平面図、図1Bは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の正面図、図1Cは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の右側面図、図1Dは図1AのA-A線に沿った概略的な鉛直断面図、図1Eは図1AのB-B線に沿った概略的な鉛直断面図、図2Aおよび図2Bは図1Dの拡大図である。図3は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の一部を構成する外部端子4の第1曲げ加工後の状態を示した図である。詳細には、図3Aは第1曲げ加工後の外部端子4の平面図、図3Bは第1曲げ加工後の外部端子4の正面図、図3Cは第1曲げ加工後の外部端子4の右側面図、図3Dは図3AのC-C線に沿った概略的な鉛直断面図である。図4は図3に示す第1曲げ加工後の外部端子4などをベース部材1に搭載することにより構成される第1組立体を示した図である。詳細には、図4Aは第1組立体の平面図、図4Bは第1組立体の正面図、図4Cは第1組立体の右側面図である。図5は第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1、ベース部材1の下面1bなどが樹脂部5の外部に露出するように、図4に示す第1組立体を樹脂材料の成形によって封止することにより得られる第2組立体10を示した図である。詳細には、図5Aは第2組立体10の平面図、図5Bは第2組立体10の正面図、図5Cは第2組立体10の右側面図、図5Dは図5AのD-D線に沿った概略的な鉛直断面図である。図6~図9は図5に示す第2組立体10に対して行われる外部端子4の第2曲げ加工を説明するための図である。詳細には、図6は外部端子4の第2曲げ加工の一部を構成する第1サブ曲げ加工を説明するための図である。図7は外部端子4の第2曲げ加工の一部を構成する第2サブ曲げ加工を説明するための図である。図8は外部端子4の第2曲げ加工の一部を構成する第3サブ曲げ加工を説明するための図である。図9は外部端子4の第2曲げ加工の一部を構成する第4サブ曲げ加工を説明するための図である。図10は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の等価回路図である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図2に示すように、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子2と、外部端子4と、ベース部材1と、電極板3a,3bとが設けられている。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の製造時には、板状の部材図示せずに対して第1曲げ加工などが行われ、図3に示すような第1曲げ加工後の外部端子4が形成される。具体的には、図3に示すように、外部端子4の第1曲げ加工によって、水平部分4aと、鉛直部分4bと、水平部分4cと、水平部分4aと鉛直部分4bとの間の屈曲した接続部分4dと、水平部分4cと鉛直部分4bとの間の屈曲した接続部分4eとが、外部端子4に形成される。詳細には、図3に示すように、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aと鉛直部分4bと水平部分4cとによって概略L字状のL字部分4Lが構成されている。更に、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aが鉛直部分4bの後側面4b2よりも後側図3Cおよび図3Dの右側に配置され、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4cが鉛直部分4bの前側面4b1よりも前側図3Cおよび図3Dの左側に配置されている。また、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aには、ねじ穴4a3が形成されている。次いで、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の製造時には、図4に示すように、パワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4と電極板3a,3bとがベース部材1の上面1aに搭載され、例えば半田などの接合材によってそれらが相互に接合され、その結果、図4に示すような第1組立体が形成される。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、電極板3aの熱膨張係数が、ベース部材1の熱膨張係数とパワー半導体素子2の熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板3bの熱膨張係数が、パワー半導体素子2の熱膨張係数と外部端子4の熱膨張係数との間の値に設定されている。更に、ねじ穴1cがベース部材1に形成されている。また、樹脂部5図1および図2参照とベース部材1との密着性を向上させるための切り欠き部1dが、ベース部材1に形成されている。次いで、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の製造時には、図5に示すように、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの上面4a1、ベース部材1の下面1bなどが樹脂部5の外部に露出するように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって、パワー半導体素子2と第1曲げ加工後の外部端子4とベース部材1と電極板3a,3bとが封止され、その結果、図5に示すような第2組立体10が形成される。具体的には、図5に示すように、樹脂材料の成形によって、上面5aと前側面5bと後側面5cと右側面5dと左側面5eと下面5fとが、樹脂部5に形成される。また、最も上側図5B、図5Cおよび図5Dの上側に位置する部分5a1と、2番目に上側に位置する部分5a2と、最も下側図5B、図5Cおよび図5Dの下側に位置する部分5a3図5D参照とが、樹脂部5の上面5aに形成される。詳細には、樹脂部5の上面5aの部分5a3図5D参照が、第1曲げ加工後の外部端子4の水平部分4aの下面4a2図5D参照によって形成される。更に、ナット挿入穴5a1aが樹脂部5の上面5aの部分5a1に形成される。次いで、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の製造時には、図6~図9に示すように、外部端子4の第2曲げ加工が行われる。詳細には、まず最初に、図6に示すような外部端子4の第2曲げ加工の第1サブ曲げ加工が行われる。外部端子4の第1サブ曲げ加工では、図6Aおよび図6Bに示すように、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照の下側部分4d1b1’図2A参照になる位置に、芯金CB1の当接部CB1aが当接せしめられ、ローラR1が、図6Aに示す位置から図6Bに示す位置まで鉛直方向上向き図6の上向きに移動せしめられる。その結果、図6Aおよび図6Bに示すように、外部端子4の水平部分4aが、芯金CB1の当接部CB1a付近を曲げ中心にして例えば約70~80°曲げられる。次いで、図7に示すような外部端子4の第2曲げ加工の第2サブ曲げ加工が行われる。外部端子4の第2サブ曲げ加工では、図7Aおよび図7Bに示すように、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照の上側部分4d1b2’図2A参照になる位置に、芯金CB2の当接部CB2aが当接せしめられ、ローラR2が、図7Aに示す位置から図7Bに示す位置まで水平方向前向き図7の左向きに移動せしめられる。その結果、図7Aおよび図7Bに示すように、外部端子4の水平部分4a図6参照が、芯金CB2の当接部CB2a付近を曲げ中心にして例えば約50~60°曲げられる。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の製造時には、樹脂部5図5参照が形成されてから図7に示すような外部端子4の第2曲げ加工の第2サブ曲げ加工が開始されるまでの間に、樹脂部5の図5参照上面5a図5参照のナット挿入穴5a1a図5参照にナットN図7参照が挿入される。次いで、図8に示すような外部端子4の第2曲げ加工の第3サブ曲げ加工が行われる。外部端子4の第3サブ曲げ加工では、図8Aおよび図8Bに示すように、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照の下側部分4d1b1’図2A参照と上側部分4d1b2’図2A参照との間の中間部分4d1b3’図2A参照になる位置に、芯金CB3の当接部CB3aが当接せしめられ、ローラR3が、図8Aに示す位置から図8Bに示す位置まで水平方向前向き図8の左向きに移動せしめられる。その結果、図8Aおよび図8Bに示すように、外部端子4の水平部分4a図6参照が、芯金CB3の当接部CB3a付近を曲げ中心にして例えば約40~50°曲げられる。次いで、図9に示すような外部端子4の第2曲げ加工の第4サブ曲げ加工が行われる。外部端子4の第4サブ曲げ加工では、図9Aおよび図9Bに示すように、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’図9B参照の上面4a1’図9B参照になる位置に、押し当て部材PSの下面PS1が当接せしめられ、押し当て部材PSが、図9Aに示す位置から図9Bに示す位置まで鉛直方向下向き図9の下向きに移動せしめられる。その結果、図9Aおよび図9Bに示すように、外部端子4の水平部分4a図6参照が、第2曲げ加工後の外部端子4の接続部分4d’図9B参照付近を曲げ中心にして例えば約10°曲げられる。厳密には、外部端子4の第4サブ曲げ加工では、押し当て部材PSの傾斜している下面PS1と第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’の上面4a1’とが面接触するまで、押し当て部材PSが、図9Bに示す位置よりも更に下側図9の下側に移動せしめられる。次いで、外部端子4の第4サブ曲げ加工後に、スプリングバックによって、第2曲げ加工後の外部端子4の水平部分4a’が図1および図2に示す位置まで戻り、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100図1および図2参照が完成する。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1、図2および図10に示すように、ベース部材1によってパワー半導体素子ダイオード2のアノード端子が構成されている。また、外部端子4の水平部分4a’によってパワー半導体素子ダイオード2のカソード端子が構成されている。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1、図2および図10に示すように、ベース部材1によってパワー半導体素子ダイオード2のアノード端子が構成されているが、第2の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、アノード端子として機能する他の外部端子をベース部材1の上面1aに搭載し、他の外部端子に対して外部端子4と同様の曲げ加工を行うことも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1、図2および図10に示すように、ベース部材1によってパワー半導体素子ダイオード2のアノード端子が構成され、外部端子4の水平部分4a’によってパワー半導体素子ダイオード2のカソード端子が構成されているが、第3の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、ベース部材1あるいは他の外部端子によってパワー半導体素子ダイオード2のカソード端子を構成し、外部端子4の水平部分4a’によってパワー半導体素子ダイオード2のアノード端子を構成することも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、パワー半導体素子2としてダイオードが用いられているが、第4の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、パワー半導体素子として、ダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたり、あるいは、パワー半導体素子としてダイオードとダイオード以外の任意のパワー半導体素子とを併用したり、複数のダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたりすることも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図2に示すように、ベース部材1が板状に形成され、ベース部材1の下面1bが樹脂部5の外部に露出せしめられているが、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、ベース部材と一体的にフィンを形成し、そのフィンを樹脂部5の外部に露出させることも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1、図2および図5に示すように、樹脂部5とベース部材1との密着性を向上させるための切り欠き部1d図4参照がベース部材1に形成されているが、第6の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、切り欠き部1d図4参照に加えて、あるいは、切り欠き部1d図4参照の代わりに、密着性向上用または水分浸入抑制用の切り欠き部、張り出し部、溝部などをベース部材1に形成することも可能である。換言すれば、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の水平部分4a図3参照の上面4a1図3参照が、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の水平部分4a’図2参照の下面4a2’図2参照になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の水平部分4a図3参照の下面4a2図3参照が、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の水平部分4a’図2参照の上面4a1’図2参照になるように、外部端子4の第2曲げ加工が行われている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、外部端子4図2参照の第2曲げ加工により、鉛直部分4b図2参照と水平部分4a’図2参照とそれらの間の屈曲した接続部分4d’図2参照とを有する概略L字状のL字部分4L’図2B参照であって、水平部分4a’図2参照が鉛直部分4b図2参照の前側図2の左側に位置する概略L字状のL字部分4L’図2B参照が外部端子4図2参照に形成されている。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の鉛直部分4b図3参照の形状と、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の鉛直部分4b図2参照の形状とが概略一致している。また、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の水平部分4a図3参照の先端側部分4a-1図3D参照が、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の水平部分4a’図2参照になり、かつ、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の水平部分4a図3参照の根元側部分4a-2図3D参照と、第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の接続部分4d図3参照とが、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照になり、かつ、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の後側図2の右側の凸状面4d1a’図2A参照の頂部4d1a1’図2A参照が、鉛直部分4b図2参照の後側面4b2図2参照よりも後側図2の右側に位置するように、外部端子4図2参照の第2曲げ加工が行われている。すなわち、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第1曲げ加工後の外部端子4図3参照の接続部分4d図3参照の位置だけでなく、第1曲げ加工時に曲げ加工負荷が殆どかかっていない第1曲げ加工後の外部端子4図2参照の水平部分4a図2参照の根元側部分4a-2図2D参照の位置にも、第2曲げ加工時に、曲げ加工負荷が分散してかけられている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1曲げ加工時の曲げ加工負荷および第2曲げ加工時の曲げ加工負荷が第1曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d図2参照の位置に集中してかけられている場合よりも、第1曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d図2参照の位置が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照が、樹脂部5図2参照の外部に露出せしめられている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照になる位置を、第2曲げ加工時に屈曲させることができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の下側部分4d2’図2参照の前側図2の左側の凸状面4d2b’図2A参照が樹脂部5図2参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の下側部分4d2’図2参照の前側図2の左側の凸状面4d2b’図2A参照になる位置が第1曲げ加工時および第2曲げ加工時に繰り返して屈曲せしめられないように、その位置を樹脂部5図2参照によって保護することができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照のうち、芯金CB1図6参照の当接部CB1a図6参照が当接せしめられた位置と、芯金CB2図7参照の当接部CB2a図7参照が当接せしめられた位置と、芯金CB3図8参照の当接部CB3a図8参照が当接せしめられた位置とが、互いに異ならされている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照の前側図2の左側の凹状面4d1b’図2参照の同一位置に、芯金CB1図6参照の当接部CB1a図6参照と芯金CB2図7参照の当接部CB2a図7参照と芯金CB3図8参照の当接部CB3a図8参照とが繰り返して当接せしめられている場合よりも、第2曲げ加工後の外部端子4図2参照の接続部分4d’図2参照の上側部分4d1’図2参照が第2曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。第7の実施形態では、上述した第1から第6の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。"