"第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に、電圧無印加時に光学的等方性を示し、電圧印加時に光学的異方性を生じる液晶媒体が封入されてなる液晶層と、マトリクス状に配置されて、画素表示領域を内側に形成する複数の画素と、前記画素表示領域における透過率を制御するための画素電極および共通電極と、を有する液晶表示装置であって、前記画素電極および前記共通電極は、前記液晶層内に壁状に突出して平面的にみてストライプ状となるように配置され、前記画素電極は、前記画素表示領域の内側に形成されて、前記共通電極は、互いに隣接する2つの前記画素表示領域の間の領域に重なって形成される、ことを特徴とする液晶表示装置。前記液晶層内に壁状に突出する前記共通電極は、前記2つの画素表示領域の間の領域が延在する方向に沿って直線状に延在する、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1の基板上または前記第2の基板上には、壁状に突出する壁状絶縁層が形成され、前記画素電極および前記共通電極は、前記壁状絶縁層の表面に形成される導電薄膜層を含んで構成され、前記画素表示領域の内側の前記壁状絶縁層に形成される前記導電薄膜層は、透明導電層で形成される、ことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。前記共通電極は、前記2つの画素表示領域のうちの一方の内側に形成される前記画素電極との間、および、前記2つの画素表示領域の他方の内側に形成される前記画素電極との間に電界を生じさせて、前記2つの画素表示領域における透過率が制御される、ことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。前記互いに隣接する2つの画素表示領域の間で形成される前記共通電極の前記導電薄膜層は、前記透明導電層よりも遮光性の高い導電性材料で構成される、ことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。前記画素電極および前記共通電極の壁状に形成される部分の側面と、前記第1の基板の表面とがなす角度は、90度±5度以内の角度となる、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極および前記共通電極の壁状に形成される部分は、前記第1の基板および前記第2基板のいずれかからそれぞれ突出し、前記画素電極の上端部および前記共通電極の上端部は、前記第1の基板または前記第2基板に接触する、あるいは、前記画素電極の上端部および前記共通電極の上端部は、前記第1の基板または前記第2基板との間で5ミクロン以下の隙間を有して形成される、ことを特徴とした請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極および前記共通電極における前記壁状に形成される部分の高さは、それぞれ7μm以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極および前記共通電極における前記壁状に形成される部分の高さは等しい、ことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。前記画素電極および前記共通電極における壁状に形成される部分の高さをhとし、短手方向の長さを幅wとし、互いに対向して配置される前記画素電極の前記壁状に形成される部分および前記共通電極の前記壁状に形成される部分の間隔をlとする場合に、下記の式1および式2の関係を満たすことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。h≧16×w1l≧23×w2前記画素電極および前記共通電極における壁状に形成される部分の短手方向の長さを幅wとし、互いに対向して配置される前記画素電極の前記壁状に形成される部分および前記共通電極の前記壁状に形成される部分の間隔をlとする場合に、式3および式4の関係を満たすことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。h≧28×w3l≧4×w4前記液晶層に封入される前記液晶媒体は、高分子安定化された液晶材料であることを特徴とした、請求項1に記載の液晶表示装置前記液晶層に封入される前記液晶媒体は、高分子安定化されたブルー相液晶材料であることを特徴とした、請求項1に記載の液晶表示装置。前記互いに隣接する2つの画素表示領域の間には、信号配線が形成され、前記共通電極は、前記信号配線に重なりつつ、前記信号配線が延伸する方向に延伸する、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。互いに隣接する2つの前記画素表示領域の間には、ブラックマトリクスが形成され、前記共通電極は、前記ブラックマトリクスに重なりつつ、前記ブラックマトリクスが延伸する方向に延伸する、ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。特許文献1に記載の表示方式においては、表示領域内に突起状と平面状の櫛歯電極を交互に形成することは、低電圧化に有効であるものの、横電界が形成されない電極上は透過率が低下することが考えられる。また、電極間隔の低減は、液晶層に印加される電界強度が増大するので、低電圧化には有効であるが、開口率が低下して透過率が低下することが考えられる。さらに非特許文献1においては、ヒステリシスを改善するために、駆動信号中に、電圧無印加の状態が任意の期間に生じるため、表示装置の輝度が低下して実効的な透過率が低下すると考えられる。したがって、ヒステリシスの改善と透過率の向上はトレードオフの関係にあり、透過率の向上と低電圧化、ヒステリシスの改善と低電圧化もまたそれぞれトレードオフの関係にあると考えられる。本発明の目的は、透過率の向上とヒステリシス改善を両立しつつ、かつ低電圧化が可能な液晶表示装置を提供する事にある。1本発明にかかる液晶表示装置は、上記課題に鑑みて、第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に、電圧無印加時に光学的等方性を示し、電圧印加時に光学的異方性を生じる液晶媒体が封入されてなる液晶層と、マトリクス状に配置されて、画素表示領域を内側に形成する複数の画素と、前記画素表示領域における透過率を制御するための画素電極および共通電極と、を有する液晶表示装置であって、前記画素電極および前記共通電極は、前記液晶層内に壁状に突出して平面的にみてストライプ状となるように配置され、前記画素電極は、前記画素表示領域の内側に形成されて、前記共通電極は、互いに隣接する2つの前記画素表示領域の間の領域と重なって形成される、ことを特徴とする。2上記1において、前記液晶層内に壁状に突出する前記共通電極は、前記2つの画素表示領域の間の領域が延在する方向に沿って直線状に延在する、ことを特徴としてもよい。3上記1乃至2のいずれかの液晶表示装置において、前記第1の基板上または前記第2の基板上には、壁状に突出する壁状絶縁層が形成され、前記画素電極および前記共通電極は、前記壁状絶縁層の表面に形成される導電薄膜層を含んで構成され、前記画素表示領域の内側の前記壁状絶縁層に形成される前記導電薄膜層は、透明導電層で形成される、ことを特徴としてもよい。4上記1乃至3のいずれかの液晶表示装置において、前記共通電極は、前記2つの画素表示領域のうちの一方の内側に形成される前記画素電極との間、および、前記2つの画素表示領域の他方の内側に形成される前記画素電極との間に電界を生じさせて、前記2つの画素表示領域における透過率が制御される、ことを特徴としてもよい。5上記3に記載の液晶表示装置において、前記互いに隣接する2つの画素表示領域の間で形成される前記共通電極の前記導電薄膜層は、前記透明導電層よりも遮光性の高い導電性材料で構成される、ことを特徴としてもよい。6上記1乃至5のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極の壁状に形成される部分の側面と、前記第1の基板の表面とがなす角度は、90度±5度以内の角度となる、ことを特徴としてもよい。7上記1乃至6のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極の壁状に形成される部分は、前記第1の基板および前記第2基板のいずれかからそれぞれ突出し、前記画素電極の上端部および前記共通電極の上端部は、前記第1の基板または前記第2基板に接触する、あるいは、前記画素電極の上端部および前記共通電極の上端部は、前記第1の基板または前記第2基板との間で5ミクロン以下の隙間を有して形成される、ことを特徴としてもよい。8上記1乃至7のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極における前記壁状に形成される部分の高さは、それぞれ7μm以上である、ことを特徴としてもよい。9上記1乃至8のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極における前記壁状に形成される部分の高さは等しい、ことを特徴としてもよい。10上記1乃至9のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極における壁状に形成される部分の高さをhとし、短手方向の長さを幅wとし、互いに対向して配置される前記画素電極の前記壁状に形成される部分および前記共通電極の前記壁状に形成される部分の間隔をlとする場合に、下記の式1および式2の関係を満たすことを特徴としてもよい。h≧16×w1l≧23×w211上記1乃至10のいずれかの液晶表示装置において、前記画素電極および前記共通電極における壁状に形成される部分の短手方向の長さを幅wとし、互いに対向して配置される前記画素電極の前記壁状に形成される部分および前記共通電極の前記壁状に形成される部分の間隔をlとする場合に、式3および式4の関係を満たすことを特徴としてもよい。h≧28×w3l≧4×w412上記1乃至11のいずれかの液晶表示装置において、前記液晶層に封入される前記液晶媒体は、高分子安定化された液晶材料であることを特徴としてもよい。13上記1乃至12のいずれかの液晶表示装置において、前記液晶層に封入される前記液晶媒体は、高分子安定化されたブルー相液晶材料であることを特徴としてもよい。14上記1乃至13のいずれかの液晶表示装置において、前記互いに隣接する2つの画素表示領域の間には、信号配線が形成され、前記共通電極は、前記信号配線に重なりつつ、前記信号配線が延伸する方向に延伸する、ことを特徴としてもよい。15上記1乃至14のいずれかの液晶表示装置において、互いに隣接する2つの前記画素表示領域の間には、ブラックマトリクスが形成され、前記共通電極は、前記ブラックマトリクスに重なりつつ、前記ブラックマトリクスが延伸する方向に延伸する、ことを特徴としてもよい。本発明によれば、高透過率とヒステリシス改善を両立しつつ、低電圧化できる液晶表示方式を提供できる。上記した以外の課題、構成及び効果は以下の実施形態の説明により明らかにされる。以下、本発明について、図面を参照して実施の形態とともに詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一の機能を有するものは、同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。図1から図8、図12~14は、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置と、その変形例にかかる液晶表示装置の主要部の概略構成を説明するための模式図である。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる液晶表示パネルの平面構成を示す模式平面図である。図2は、図1のA-A線の位置における断面構成を示す模式断面図である。図3は、TFT基板の平面構成を示す模式平面図である。図4は、カラーフィルター基板を含むB-B線の位置における断面構成を示す模式断面図であり、図5は、本実施形態の変形例1にかかるB-B線の位置における断面構成を示す模式断面図である。また、図6、図7Aおよび図7Bは、本実施形態の変形例2~4にかかるTFT基板の平面構造を示す模式平面図である。図8は、図1のA-A線の位置における断面構成を示す模式断面図において、バックライトから液晶パネルへの入射光の経路を示す模式断面図である。本明細書では、本発明に係る液晶表示装置の一例として、携帯電話端末等に用いられる小型の液晶表示装置を挙げるが、本発明は、大型の液晶表示装置に適用されてもよい。また、本発明は、液晶表示装置のうち、特に、液晶表示パネルの構成に関わるものである。そのため、本明細書では、本発明に係る液晶表示装置のうち、液晶表示パネルの構成及びその製造方法を説明する。本実施形態に係る液晶表示パネルは、例えば、図1及び図2に示すように、TFT基板1第一の基板、カラーフィルター基板2第二の基板、シール材3a,3b、液晶層4,第一の偏光板5、第二の偏光板6、液晶層4の内部に壁状に突出して形成される壁状絶縁層7と、壁状絶縁層7の周囲表面に形成される画素電極8aと共通電極8bとを含んで構成される。また、この液晶表示パネルには、図3で示されるように、各画素PXの内側に、画素電極8aおよび共通電極8bによって電界が印加されることで透過率が制御される画素表示領域DPが形成され、画素電極8aは、TFT9と接続されて映像信号配線10から映像信号が入力される。第一の偏光板5と第二の偏光板6における透過軸方向5a,6aは、画素の長手方向に対して45°傾斜するように配置され、互いに隣接する2つの画素における2つの画素表示領域DPの間の領域には、映像信号配線10、走査信号配線11、共通信号配線12が配置されている。以降、本実施形態において、画素表示領域DPとは、映像信号配線10、走査信号配線11、共通信号配線12、さらには、ブラックマトリクス19によってバックライト光が遮光される領域の内側に形成される開口領域のことをいい、画素表示領域DPに印加される電界の制御により各画素の透過率が制御される。図4は、図3のIV-IV線の位置におけるカラーフィルター基板2を含む断面構成を示す模式断面図であり、図5は、また、図5は、第1の実施形態の変形例1の液晶表示パネルの断面構成を示す図となっている。これらの図で示されるように、壁状の共通電極8bは、映像信号配線10およびブラックマトリクス19と重複し、映像信号配線10等に沿って、その延伸する方向に延伸するようになっている。すなわち、複数の画素の各々は、液晶層4に電界を印加するための画素電極8a及び共通電極8bを有する。このような壁状の画素電極8aと共通電極8bの間には、基板面に対してほぼ平行な電気力線が形成できるため、平面的な櫛歯電極を用いた際のように強電界が形成されないことから、ヒステリシスや焼き付きに対して有効となる。また画素電極8aおよび共通電極8bを構成する壁状構造物の高さが高いほど、電極間に生じる複屈折がより大きくなるため、低電圧化にも有効となる。TFT基板1は、第一の絶縁基板101、第一の薄膜積層体102を有する。第一の絶縁基板101は、例えば、ガラス基板等の透明な絶縁基板である。第一の薄膜積層体102は、例えば、走査信号線、映像信号線11、TFT素子9、及び複数の絶縁層を含む。カラーフィルター基板2は、第二の絶縁基板201、第二の薄膜積層体202を有する。第二の絶縁基板201は、例えば、ガラス基板などの透明な絶縁基板である。第二の薄膜積層体202は、例えば、ブラックマトリクス、カラーフィルター14カラーフィルター14R,14B,14G及び平坦化層を含む。なお、カラーフィルターは、必ずしも必要ではなく、その場合においては、光源の色調を時間で変調すると同時に駆動する、フィールドシーケンシャル駆動を用いればよい。液晶表示パネルにおいては、図1及び図2に示すように、TFT基板1とカラーフィルター基板2との間に液晶層4が設けられている。TFT基板1とカラーフィルター基板2とは、シール材3bで張り合わされている。シール材3bは、液晶層4として用いる液晶組成物を注入する注入口を有し、当該注入口はシール材3aで封止されている。すなわち、液晶層4は、シール材3a,3bにより、TFT基板1とカラーフィルター基板2との間に封入されている。また、図示は省略するが、TFT基板1とカラーフィルター基板2との間には、例えば、各画素における液晶層4の厚さを均一化するためのスペーサが設けられている。また、本実施形態に係る液晶表示パネルでは、画素の中に、画素電極8aが形成された壁状絶縁層7が設けられているが、互いに隣接する2つの画素表示領域DP間には、映像信号配線10が設けられており、絶縁層を介して、表面に共通電極8bが形成された壁状絶縁層7が重畳している。この画素表示領域DP間の信号配線上に重畳された共通電極8bと壁状絶縁層7は、隣接する画素からの漏れ電界を防ぐとともに、画素表示領域DP外に共通電極8bを配置する事で、画素表示領域DP内の有効透過領域を増大させることになる。なお、本明細書における図面では、壁状絶縁層7が映像信号配線10上に重畳されるが、例えば、電極の配置が90度回転されるような画素の場合は、壁状絶縁層7とその表面上に形成される共通電極8bは、走査信号線11上に重畳される構造であってもよいし、或いは、共通信号配線12と重複して配置されてもよい。以下、各画素の構造や、液晶層4内に突出して壁状に形成される画素電極8aおよび共通電極8bの形状及び大きさについて、図1から図7を参照しながら、具体的に説明する。本実施形態では、液晶表示パネルにおける画素の構成は、図3の様に、画素のy軸方向すなわち画素の長手方向に映像信号配線10が延伸する構造となっている。図3に示すように、液晶表示パネルは、映像信号配線10と、走査信号配線11と有している。この映像信号線10の直上には、共通電極8bを形成した壁状絶縁層7が重畳している。この映像信号線10と、共通電極8bを形成した壁状絶縁層7の幅は、図3においては、1つの画素PX及びその近傍の平面視における構成を模式的に示しており、x軸方向の寸法とy軸方向の寸法との関係は、実際の液晶表示装置における関係とは、必ずしも一致しない。そして、共通電極8bと画素電極8aを周囲に形成した壁状絶縁層7は、図3に示すような平面視において、ほぼ平行に配置されて、それぞれ画素PXの長手方向に延伸して、交互となるようにストライプ状に配置されている。また、共通電極8bの壁状に形成される部分は、同図で示されるように、2つの画素表示領域DP間の領域に沿って、当該領域が延在する方向に延伸しており、縦方向に隣接する画素の共通電極8bに連なっている。図3においては、画素表示領域DP内に画素電極8bが形成された壁状絶縁層7が1つ配置されるのみであるが、例えば画素のサイズが大きいような液晶表示パネルでは、図6の本実施形態の変形例2に示すように、画素表示領域DP内に、壁状の共通電極8bも配置され、これらは、ほぼ平行に任意の数の配置をしてもよい。図6の場合においても同様に、共通電極8bを形成した壁状絶縁層7を、映像信号配線10に重畳する位置に配置する。また、図7Aおよび図7Bの本実施形態の変形例3,4に示すような、画素構造自体が屈曲した構造である場合であってもよく、この場合には、画素電極8aおよび共通電極8bにおける壁状の部分も屈曲した構造で形成される。この場合、電極もしくは画素構造自体の屈曲角θELはほぼ90度とすることが望ましい。また、このとき図7Bのように、屈曲部の一部の壁状構造物を除去した構造でもよく、この場合、液晶材料封入の際に、早く封入される。図8に示すように、TFT基板1側に配置されるバックライトの入射光BLaおよびBLbは、液晶層4を経て壁状絶縁層7と、画素電極8aまたは共通電極8bを透過し、液晶表示パネルからの透過光15となる。このため、画素内に配置される壁状絶縁層7上の表面に形成される電極を構成する導電薄膜層は、透明導電層である事が望ましい。これにより、視野角の低下が改善され、視野角によらず高い透過率を得る事ができる。透明電極としては、プロセス上の問題がない限り、インジウム-ティン-オキサイドITOインジウム-ジンク-オキサイドなどの無機酸化物や、ポリチオフェンなどの有機導電高分子材料など、一般的な任意の透明導電材料を用いる事ができる。また一方で、図8に示すように、映像信号配線10上に重畳される壁状絶縁層7に形成される導電薄膜層共通電極8bは、画素表示領域DP内に形成される画素電極8aを構成する透明導電層よりも遮光性の高い導電性材料で構成し、可視光を透過しない材料にすることが望ましい。これにより、隣接する画素の電界印加領域を経由して入射するバックライト光を遮光できて、混色を生じにくくし、結果としてブラックマトリクスを太くする必要がないので、高い透過率を得る事ができる。また、可視光を透過しない電極材料としては、アルミニウムや銅、クロムやそれらの合金などプロセス上問題にならない限り、一般的な配線材料を選択する事ができる。あるいは、カーボンナノチューブや一部の有機導電高分子材料であっても、可視光の透過率を低くすることができる。一方、図4、図5に示す、画素電極8aおよび共通電極8bの上端部と、カラーフィルター基板2との間の液晶層厚dは、0ミクロン以上、5ミクロン以下に設定する。これにより、壁状絶縁層7間の液晶層4だけでなく、壁状絶縁層7とカラーフィルター基板2との間の液晶層4にも電界が有効に印加でき、相対的に低電圧化を図る事ができる。図9は、壁状に形成される画素電極8aおよび共通電極8bの上端部からの距離dと、相対的電界強度の関係をシミュレーションにより計算したものである。この結果から、電界強度は、画素電極8aおよび共通電極8bの上端部からの距離dの増大にともなって減少し、10ミクロン以上離れる場合には、ほぼ飽和している事を確認した。これは、dが10ミクロン以上では、あまり液晶層が駆動しない事を表している。このことから、dは、10ミクロン以下である事が望ましい事になる。また電界強度が1/4以下となる距離は、おおよそ5ミクロン程度であることから、dは5ミクロン以下である事がより望ましい。よって画素電極8aおよび共通電極8bの上端部と、TFT基板1の隙間の液晶層厚dが、0ミクロン以上5ミクロン以下であれば、より低電圧化に有効であるということになる。また、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成される部分の高さhは、少なくとも液晶層4の厚みと同厚以上とするのが望ましく、7ミクロン以上である事が望ましい。図10Aは、高分子安定化ブルー相液晶を用いて電界強度とヒステリシスの関係を評価した結果、図10Bは、電界強度と壁状構造物の高さhの関係を評価した結果である。これによれば、高分子を分散した等方性液晶である、高分子安定化ブルー相液晶のヒステリシスは電界強度増大に伴い悪化傾向であるが、閾値特性を有する。この閾値以下で駆動するためには、図10Bによれば、hが7ミクロン以上とする事が望ましい事が明らかである。さらに、共通電極8bおよび画素電極8aのそれぞれの高さhは、ほぼ等しい高さであることが望ましい。これにより、壁状絶縁層7間の液晶層4に印加される電気力線は、基板面に対して理想的な平行な状態となり、表示面上部から観察される液晶層が均一な透過状態となることが期待できる。また図11は、TFT基板1、カラーフィルター基板2、液晶層4の屈折率を1.5とした場合の、互いに隣接する2つの画素表示領域DP間に形成される共通電極8bの高さhと、図8で示すような混色が生じうるバックライト光が入射する範囲Δすなわち、共通電極8bの根元からの距離の関係を見積もったものである。ここで、範囲Δは、隣接する画素から進行する光により混色が生じる範囲を表すため、通常、当該範囲はブラックマトリクス19でマスクされる。このブラックマトリクスは、ホトリソで形成するが、自身が光を吸収するため、おおよそ6~10ミクロン程度の幅での加工精度となる。ブラックマトリクス幅を太くすると有効透過率が低下するため、可能な限り細い事が望ましい。図10から、共通電極8bの高さhは、少なくとも30ミクロン以下であることが望ましい。しかし、上述したとおり、共通電極8bに、可視光を透過しない材料となる導電性薄膜を用いた場合は、隣接画素からの混色が起こらないため、この限りではない。壁状絶縁層7の周囲に導電性薄膜を形成したさらに画素電極8aと共通電極8bの間隔Lは、図4で示されるように、これらの底部における間隔L2、上端部における間隔L1の平均とし、また画素電極8a及び共通電極8bの幅Wは、底部の幅W2、上面の幅W1の平均とすると、有効透過率ARは、式5表される。高透過率のモニタなどで一般的なTN液晶ではARは0.7以上である。高い透過率の液晶表示パネルでは、ARは0.7以上と高い事が望ましいことから、数式5からは数式6の条件が得られる。AR=L/LW5L≧2.3×W6一方で、光学的に等方液晶においては、誘起される複屈折は、電界強度の二乗に依存することが知られているので、Lを小さくする事で電界強度を相対的に強くすると、低電圧化が図れる一方で、数式5からは、有効透過率ARが低下するという問題がある。また、高分子安定化ブルー相液晶のような、液晶層に高分子が混合した液晶材料においては、一般的に高分子分散液晶PDLCもしくはPNLCで知られているようなヒステリシスが生じる可能性がある。上述したとおり、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成される部分の高さhは7ミクロン以上である事が望ましいが、このときのLは10ミクロンであるので、hとLの比は0.7となる。これにより、高い透過率とヒステリシスを改善する電極構造は、数式7を満たすことになる。h≧1.6×W7従来の高い透過率のTN液晶と同程度に透過率を得て、かつヒステリシスを改善するためには、以上の数式6、数式7の両式を満たせばよい。さらに高い透過率としてAR≧0.8を得る為には、数式8、数式9を満足すればよい。h≧2.8×W8L≧4×W9また、図12は、壁状絶縁層7とTFT基板1の模式断面図を表す図である。壁状絶縁層7は、側面が直線状に傾斜するように形成されて、TFT基板1の表面と壁状絶縁層7の側面がなす角θ2及び、壁状絶縁層7の上面と壁状絶縁層7の側面がなす角は、それぞれ90度±5度となる。このような壁状絶縁層7の断面において、θ1、θ2の角がほぼ直角である事により、2つの壁状絶縁層7の間に生じる電気力線が、TFT基板1の上面により平行となり、また壁状絶縁層7間をより広くできるために、より高い透過率を得る事ができる。また、バックライトは完全なコリメート光ではないために、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成される部分が入射光に対して、平行でなければ、これらの表面で反射、散乱される事により、偏光状態を乱す事になる。このような場合、結果として、電圧無印加時においても壁状構造物は光り漏れを起こす事になり、コントラストが低下する。このような問題を改善するためにもθ1、θ2の各が90度±5度として、直角に近い角度にする事が有効である。また、液晶層3に挟持される液晶材料は、電圧無印加時に光学的に等方的であって、電圧印加時に光学的に異方性を有する液晶材料を用いる事ができる。このような液晶材料として、コレステリックブルー相、スメクチックブルー相、キュービック相、ミセル相の様な液晶層を使用温度にて発現するものが用いる事ができ、あるいは、使用温度で等方相であっても、電圧印加により光学的に異方性を有する液晶相を発現する材料を用いてもよい。また、一般的に、上記の液晶相は温度範囲が狭いので、液晶材料と高分子が混合した材料であることがより望ましい。また、図13は、図3におけるXIII-XIII断面の様子を示す模式断面図である。同図で示されるように、共通電極8bの壁状に形成され部分と共通信号配線12は、共通信号配線12と映像信号配線10の間に形成される絶縁層IS1と、映像信号配線10と液晶層4の間に形成される絶縁層IS2とを貫通するスルーホール13bを介して、接続される。スルーホール13bは、共通電極8bが形成される壁状絶縁層7と重なる映像信号配線10を避けて、共通信号配線12と重なる位置に形成される。また、共通電極8bと共通信号配線12は、平面状に形成されるコンタクト部8cを介して接続されており、コンタクト部8cは、共通電極8bと同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。また、コンタクト部8cと、共通電極8bの壁状に形成される部分は、同一の成膜プロセスで形成されてもよい。また、図14は、図6におけるXIV-XIV断面の様子を示す模式断面図である。同図の変形例2では、画素表示領域DPの内部においても共通電極8bが壁状に形成されて画素の長手方向に延伸している。一方、コンタクト部8cは、画素の短手方向に延伸して平面状に形成されており、壁状に構成されないものとなっており、各画素の短手方向には壁状絶縁層7が延伸せず、壁状絶縁層7は、長手方向にのみ延伸するものとなっている。すなわち、ストライプ状に配置される壁状の電極間に隙間が形成されることにより、液晶層4を封入するプロセスが支障なく円滑に行われる。なお、本実施形態の説明における等しいや平行、直角等については、完全に同一となる場合等に加えて、製造上や設計上の誤差を許容してこれらの誤差範囲を含むものである。また、ほぼ平行、ほぼ直角、ほぼ垂直とは、完全に平行な場合や90度となる場合に加えて、±5度の範囲内にあるものを含むものをいう。次に、本発明にかかる液晶表示パネルの具体的な実施例について説明する。なお以降の実施例並びに比較例においては、液晶層に高分子安定化ブルー相液晶を用いたが、これに限定されるものではなく、コレステリックブルー相、スメクチックブルー相、キュービック相、ミセル相の様な液晶層を使用温度にて発現するものが用いる事ができ、あるいは、使用温度で等方相であっても、電圧印加により光学的に異方性を有する液晶相を発現する材料を用いてもよい。実施例1のように、液晶材料と高分子が混合した材料でもよい。また、実施例1では、非特許文献1に記載の液晶材料を参考にして調整した液晶材料を使用したが、このような材料に限定されるものではない。実施例1以下においては、本発明にかかる液晶表示パネルの実施例1について説明をする。非特許文献1に記載の液晶材料は、カイラル材の溶解度が小さく、パネル作成の際に扱いにくい為、より溶解性の高いカイラル材として[化1]や[化2]に示されるような分子構造の化合物を用いたが、本発明では、これに限定されるものではない。いずれの構造も一般的な有機合成により得られるものであり、本実施例では、[化2]に示す分子構造の化合物を、下記の手順により合成したものを使用した。まず、15.6gの4-n-プロピル安息香酸東京化成工業製をベンゼン100mlに溶解し、その溶液に氷冷下で塩化チオニル16.6gを滴下した。塩化チオニルの滴下後、3時間還流過熱撹拌した後に、減圧濃縮した。減圧濃縮した溶液にベンゼン50mlを加え、良く撹拌してから減圧濃縮して、4-n-プロピル安息香酸酸塩化物を得た。次に、R--1,1’-ビ-2-ナフトール東京化成工業製10.0gを塩化メチレン100mlに加えてから、トリエチルアミン10.1gを加えた。次に、先に合成した4-n-プロピル安息香酸酸塩化物に塩化メチレン50mlを溶解した溶液を氷冷下で滴下して、室温にて一夜撹拌した。反応液を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒塩化メチレンを減圧濃縮した。残留物を少量の塩化メチレンに溶解し、展開溶媒がヘキサン:酢酸エチル10:1のシリカクロマトにより精製し、[化2]の化合物を得た。また、非特許文献1に記載の液晶材料は、駆動電圧が極めて高く、液晶表示パネルでの駆動が困難であったため、[化3][化4][化5]のような高Δεの液晶化合物を用いた。本実施例では、[化3][化4]に示されるような分子構造の化合物を任意の量、添加して用いたが、本発明では、これらに限定されるものではない。いずれの構造も一般的な有機合成により得られるものであり、本実施例では、[化3][化4]に示す分子構造の化合物を、下記の手順により合成したものを使用した。まず、5.0gの4-アミル安息香酸東京化成工業製をベンゼン100mlに溶解し、その溶液に氷冷下で塩化チオニル10gを滴下した。塩化チオニルの滴下後、3時間還流過熱撹拌した後に、減圧濃縮した。減圧濃縮した溶液にベンゼン50mlを加え、良く撹拌してから減圧濃縮して、4-アミル安息香酸酸塩化物を得た。次に、2,6-ジフルオロ-4-ヒドロキシベンゾニトリル東京化成工業製5.0gを塩化メチレン100mlに加えてから、トリエチルアミン4.0gを加えた。さらに先に合成した4-アミル安息香酸酸塩化物に塩化メチレン50mlを溶解した溶液を氷冷下で滴下して、6時間還流過熱撹拌した。その後、反応液を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒塩化メチレンを減圧濃縮した。残留物を少量のヘキサンに溶解、再結晶し、[化3]の化合物を得た。また重合性モノマーの量については、任意の量を用いる事ができる。実際には、高分子安定化ブルー相液晶に限らず、高分子と液晶の混合材料では、重合性モノマーは非液晶成分を含むため、液晶材料に添加すると、相分離を起こす事がある。本検討の中では、20添加では、液晶材料と重合性モノマーが相分離したことから、20以下の添加量が望ましい。また15でも、均一な液晶層が得られなかった事から、重合性モノマーは、15以下であることが、より望ましい。さらに、非特許文献1では、重合性モノマーの添加量は、約6~7であったが、実際に駆動すると焼き付きが発生した。先の重合性モノマーを15添加すると焼き付きは軽減する事から、少なくともモノマの添加量としては、7以上であることが望ましい。実施例1では、平面寸法が100mm長片側×100mm短片側で、対角寸法が約6インチの液晶表示パネルを作製した。この液晶表示パネルの厚みは1.1mmであった。また、1つ画素の大きさPy×Pxは600μm×200μmとした。この液晶表示パネルにおける第一の絶縁基板101および第二の絶縁基板2には、それぞれ、表面が研磨された透明なガラス基板を用いた。そして、一方のガラス基板である第一の絶縁基板101上には、図6に示したような走査信号線11、映像信号線10、TFT素子9、画素電極8a、共通電極8b及び絶縁層を有する第一の薄膜積層体102と、を形成した。その後、有機PASをスピン塗布、焼成を繰り返して、8ミクロンの有機PAS厚膜を形成、さらに、ホトリソにより、画素内と、映像信号配線10に重畳するように壁状絶縁層7を作成した。次に、スルーホール13a、13bを形成し、CVDにより、ITOを100nmの膜厚で全面形成、さらにホトリソにより壁状絶縁層7上とスルーホールにITOが残るようにして、TFT基板1とした。これにより壁状構造物の幅wは4μm、間隔Lは10ミクロン、高さhが10ミクロンとした。このとき、TFT基板1と壁状絶縁層7の側面がなす角は約87度、上面と側面のなす角は、約93度であった。他方のガラス基板である第二の絶縁基板201上には、ブラックマトリクス19、着色層及び平坦化層を有する第二の薄膜積層体202を形成し、カラーフィルター基板2とした。ブラックマトリクス19の幅を40μmとした。TFT基板1とカラーフィルター基板2との接着は、図1に示した環状のシール材3bを介して行った。すなわち、エポキシ樹脂からなるシール剤の中に直径10ミクロンのポリマビーズを適量混入して複合シール剤を調製し、シールマスクを用いて当該複合シール剤を一方の基板上に印刷することによりシール材3bを形成した。その後、シール材3bを構成する複合シール剤の仮硬化を行い、TFT基板1とカラーフィルター基板2とを組み合わせた。そして、プレスを用いて当該一対の基板を加圧しつつ、シール材3bを完全硬化させた。このとき、TFT基板1、カラーフィルター基板2、及びシール材3bで囲まれた空間パネル部には、画素電極8aおよび共通電極8bが形成された壁状絶縁層7とカラーフィルター基板2がほぼ接触しており、液晶組成物を封入した状態でのdがほぼ0μmとなるように調整した。また、このとき、パネル部に液晶組成物を注入するためにシール材3bに設けた液晶注入口の幅は、10mmとした。一方、液晶層4の形成に用いる液晶組成物として、重合性モノマー、重合開始剤、及び液晶材料から構成される液晶組成物Aを調製した。重合性モノマーとしては、2官能性アクリルモノマーとして、ST3021DKSH社製、1官能性アクリルモノマーとして、エチルヘキシルアクリレート東京化成工業社製を用いた。重合開始剤としては、液晶に溶解する2,2-ジエトキシフェニルアセトフェノンイルガキュア651、長瀬産業株式会社を使用した。液晶材料としては、JC1041XXチッソ石油化学社製、5-シアノビフェニルアルドリッチ社製、及び[化3][化4]の等モル混合物を使用した。これらJC1041XX、5-シアノビフェニル、[化3][化4]混合物の重量比率を、それぞれ、44.3重量、34.1重量、21.6重量とした液晶材料を調整した。またカイラル材として[化2]を使用した。なお、この液晶組成物AにおけるST3021、エチルヘキシルアクリレート、重合開始剤、及び液晶材料、カイラル材の重量比率は、それぞれ、4.6重量、3.4重量、及び0.3重量、85.1重量、6.6重量であった。次に、TFT基板1、カラーフィルター基板2、及びシール材3bで囲まれた空間に液晶組成物Aを注入した。すなわち、図示しない密閉可能な容器の中に液晶表示パネルを、その液晶注入口を下方に向けて配置した。また、容器の外部に設けられた上下駆動装置に接続されている液晶皿に液晶組成物Aを入れた。なお、液晶組成物Aは液晶皿中で若干盛り上がった状態で保持された。容器の外部には真空ポンプとピラニ真空計に接続され配管とが設けられた。そして、真空ポンプを作動させ、調整バルブでピラニ真空計をモニタしながら排気量を調整し、真空度が120分で5Paになるまで排気して容器内を減圧した。次いで、上下駆動装置を作動させて液晶注入口を液晶組成物Aに浸漬した。その後、調整バルブを閉じ、リーク配管の調整バルブを開けて、容器内に窒素又は空気を導入して、TFT基板1、カラーフィルター基板2、及びシール材3bで囲まれた空間に液晶組成物Aを注入した。注入が終了した後、液晶注入口を紫外線硬化剤アクリル性樹脂でなるシール材3aで封止した。その後、パネルを観察しながら、液晶層4の相転移温度を確認、カイラルネマチック相からブルー相1に転移する温度と、ブルー相1からブルー相2に転移する温度、の中間の温度において、TFT基板1側から紫外線を照射することにより、液晶組成物中において重合性モノマーを重合させる高分子安定化工程を実施した。このとき、365nmの紫外線を用い、1800mJ照射した。こうして、液晶組成物Aを用いて形成された高分子安定化ブルー相液晶を有する液晶表示パネルを製造した。[比較例A]次に、比較例Aに係る液晶表示パネルを準備した。比較例Aの液晶表示パネルにおいては、実施例1の液晶表示パネルにおいて、電極構成のみ変更し、その他の構成は変えなかった。この比較パネルAの電極構成は次のようにした。すなわち、実施例1では、映像信号配線10の上側に共通電極8bの壁状に形成される部分を重畳したが、比較例Aでは、共通電極8bの壁状に形成される部分を画素表示領域DP内に配置し、画素電極8aおよび共通電極8bの本数は変更せず、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成される部分の幅wは4ミクロン、間隔Lは5ミクロン、高さhが10ミクロンとした。[実施例2]次に、実施例2における液晶表示パネルについて説明をする。実施例2の液晶表示パネルは、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成される部分の高さhの高さが4ミクロンとした以外の構成は実施例1における液晶パネルと同じである。[比較例B]さらに、比較例Bにおける液晶表示パネルについて説明をする。比較例Bの液晶表示パネルは、図15に示す様に、壁状絶縁層7の表面に形成した画素電極8aと、平面状の共通電極8dの構成とし、画素電極8bを形成した壁状構造物の幅wは4ミクロン、共通電極8d幅は4ミクロン、間隔L‘は10ミクロン、高さhが8ミクロンとした。[実施例3]さらに、実施例3における液晶表示パネルについて説明をする。実施例3における液晶表示パネルは、壁状構造物の断面形状が異なる以外は、実施例1の液晶表示パネルと構成はほぼ同一である。実施例3においては、有機PASのTg以上に加熱し、図12における、θ2が80度、θ1が120度とし、壁状構造物の幅w1は約4μm、間隔Lは10ミクロン、高さhが約9.5ミクロンとした。そして、このようにして製造された実施例1~3の液晶表示パネル及び比較例A~Bの液晶表示パネルにおける透過率とヒステリシスを評価した。透過率は、入射光と出射光との比率により評価した。ヒステリシスは、電圧を0Vから透過率最大となる電圧までの電圧―透過率と、電圧を透過率最大となる電圧から0Vまでの電圧―透過率をそれぞれ評価し、それぞれがどれだけ一致しないかを、各パネルで定性的に評価した。さらに、実施例1の液晶表示パネルの透過率を100とし、実施例2、3や比較例A、Bの液晶表示パネルはその相対値とした。その結果、比較例Aの液晶表示パネルにおいては、低駆動電圧化できた一方で、透過率は約70と低下し、液晶表示パネルに比べてヒステリシスが悪化した。これは、画素内に共通電極を形成した壁状絶縁層を配置したため、有効透過率が、液晶表示パネルに比べて低下した為と考えられる。また、Lが小さくなったために相対的に液晶層4に印加される電界強度が強まり、ヒステリシスが悪化したと考えられる。図16は、実施例1と実施例2の液晶表示パネルにおける電圧透過率特性を示す図である。実施例2の液晶表示パネルにおいては、駆動電圧を増大すれば透過率を約100にできるが、ヒステリシスが悪化した。これは、画素電極8aおよび共通電極8bの壁状に形成された部分の高さhが相対的に小さくなったために、液晶層4で任意の電界強度における誘起される複屈折が、相対的に液晶表示パネルに比べて小さくなったため、透過率最大にするために必要な電界強度が相対的に強くなったためと考えられる。さらに比較例Bの液晶表示パネルにおいては、実施例1の液晶表示パネルに比べて駆動電圧が増大し、透過率が約85と若干低下、ヒステリシスも若干悪化した。このときの画素部分における液晶層4を目視で観察したところ、壁状に形成された画素電極8aと、平面状に形成された共通電極8dの間に輝度の傾斜が確認された。これは、共通電極8dと画素電極8b間に基板面に対して斜めの電気力線が形成され、かつ、共通電極8dに電界が集中した結果であると考えられる。また、実施例3の液晶表示パネルにおいては、実施例1の液晶表示パネルに比べて駆動電圧はおおよそ同程度であったが、透過率が約90と若干低下、ヒステリシスも若干悪化した。このときの電極断面構造をSEM観察したところ、壁状に形成された共通電極8bおよび画素電極8aにおける底面の幅W2が、上面における幅W1よりもひろくなっており、底面における電極間隔Lは、上面における電極間隔よりも細くなっている事が判った。つまり壁状構造物におけるθ1,θ2がほぼ90度でないので、有効透過率が低下したと考えられる。以上のように、駆動電圧の低下を図りつつ、高い透過率とヒステリシス改善を図るうえでは、実施例1に実施される液晶表示パネルの構成を採用するのが望ましい。次に、以下においては、実施例4および実施例5の液晶表示パネルについて説明をする。[実施例4]実施例4に実施した液晶表示パネルは、壁状に形成される画素電極8aおよび共通電極8bの幅Wが2.5ミクロンである以外は、実施例1の液晶表示パネルと構成は同一とした。[実施例5]次に、実施例5の液晶表示パネルについては、実施例4の液晶表示パネルに対して電極構成のみ変更し、その他の構成は変えなかった。この実施例5の液晶表示パネルにおける電極構成は、壁状に形成される画素電極8aおよび共通電極8bの幅Wが2.5ミクロン、間隔Lが5ミクロンとした。このようにして製造された実施例4および実施例5の液晶表示パネルにおける透過率とヒステリシスを上記と同様に評価した。実施例5の液晶表示パネルにおいては、実施例4における液晶表示パネルに比べて、低駆動電圧化できたものの、透過率が約70と低下、ヒステリシスが悪化した。実施例4における液晶表示パネルでは、下記の数式10、数式11のいずれも条件を満たすが、実施例5における液晶表示パネルにおいては、数式10は満たすが、数式11を満たさない。透過率向上とヒステリシス改善を両立するためには、両方の式を満たす事が有効と考えられる。h≧16×w10l≧23×w11なお、実施例1における液晶表示パネルもまた、数式10、数式11を満足するが、数式12、数式13は満足しない。一方の実施例4における液晶表示パネルでは、数式12、数式13を満足し、この結果、実施例4における液晶表示パネルは、実施例1における液晶パネルに比べて、ほぼ同じ駆動電圧で、ヒステリシスが改善できたが、透過率を向上する事ができた。このことから、数式10、数式11を満足することが望ましいが、数式12、数式13を満足する事はより好ましいという事が判る。h≧28×w12l≧4×w13以上のように、実施例4に実施される液晶表示パネルであれば、駆動電圧の低下とヒステリシス改善を図りつつ、さらに高い透過率を得る事ができることが確認できた。次に、以下においては、実施例6~9の液晶表示パネルについて説明をする。[実施例6]実施例6に実施した液晶表示パネルは、共通電極8bおよび画素電極8aの壁状に形成された部分とカラーフィルター基板2との距離dが4ミクロンである以外は、実施例1に実施した液晶表示パネルと構成は同一とした。[実施例7~9]次に、実施例7~9における液晶表示パネルについて説明をする。実施例7~9の液晶表示パネルは、共通電極8bおよび画素電極8aの壁状に形成された部分とカラーフィルター基板2との距離dを、それぞれ2ミクロン、6ミクロン、10ミクロンとした以外は、実施例6における液晶パネルと変えなかった。この実施例7の液晶表示パネルに比べ、実施例6における液晶表示パネルでは、駆動電圧の低減を確認できたが、実施例8および実施例9の液晶表示パネルにおいては、その駆動電圧は、実施例6における液晶表示パネルにくらべて若干低減できたものの、実施例7および実施例8の液晶表示パネルそれぞれの駆動電圧は、それほど大きく変わらない事が判った。すなわち、実施例6における液晶パネルよりも、壁状に形成された電極とカラーフィルター基板2と間の距離dが大きくても、ほとんど低電圧化の効果は期待できないということである。[実施例10]実施例10に実施した液晶表示パネルは、下記の液晶組成物Bを用いた以外は、実施例1に実施した液晶表示パネルと構成は同一とした。まず液晶組成物Bにおいて、重合性モノマーとしては、2官能性アクリルモノマーとして、ST3021DKSH社製、3官能性アクリルモノマーとして、TMPTA東京化成工業社製を用いた。重合開始剤としては、液晶に溶解する2,2-ジエトキシフェニルアセトフェノンイルガキュア651、長瀬産業株式会社を使用した。液晶材料としては、JC1041XXチッソ石油化学社製、5-シアノビフェニルアルドリッチ社製、及び[化3][化4]の等モル混合物を使用した。これらJC1041XX、5-シアノビフェニル、[化3][化4]混合物の重量比率を、それぞれ、44.3重量、34.1重量、21.6重量とした液晶材料を調整した。またカイラル材として[化2]を使用した。なお、この液晶組成物AにおけるST3021、TMPTA、重合開始剤、及び液晶材料、カイラル材の重量比率は、それぞれ、9.9重量、2.3重量、0.5重量、及び81.0重量、6.3重量であった。以上の液晶組成物Bを用いて作成した液晶表示パネルでは、実施例1における液晶表示パネルに比べて若干電圧が増大したが、透過率はほぼ同等であり、実施例1における液晶表示パネルと同様、ほとんどヒステリシスは確認できなかった。以上のように上述した実施形態や各実施例における構成においては、液晶組成物によらず、高い透過率とヒステリシス改善を両立するとともに、駆動電圧低減を図る事ができる。本発明は、上述した実施形態や実施例に限定されず,その技術的思想の範囲内に於いて当業者によってさまざまな変更及び修正が可能である。"