"支持体に形成された酸化物半導体層を電磁波照射により加熱すると共に、上記支持体を冷却する工程を含む酸化物半導体層の製造方法。上記支持体は、樹脂フィルム基材を含む請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記酸化物半導体層は、支持体の一主面上に形成され、上記支持体の他の主面に冷却部材を密着させることにより、上記支持体を冷却する請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記支持体と上記冷却部材との間に冷却媒層が設けられ、上記支持体と上記支持体の他の主面が上記冷却媒層を介して密着された請求項3に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記冷却媒層は、不凍液である請求項4に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記電磁波照射による加熱温度は、上記樹脂フィルム基材の耐熱温度以上である請求項2に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記支持体は、透明導電層が形成された樹脂フィルム基材である請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記透明導電層は、ITOであり、上記電磁波照射を、酸素を含まない雰囲気で行う請求項7に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記電磁波照射の前に、上記支持体に形成された酸化物半導体層に対して、焼成処理を行う工程をさらに備える請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。支持体に形成された酸化物半導体層に対して、加圧処理を行う工程をさらに備える請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記加圧処理を、上記電磁波照射の前および後、または前若しくは後に行う請求項10に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記酸化物半導体層は、色素増感型太陽電池に用いる、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウムおよび酸化スズからなる群から選ばれた少なくとも1種の酸化物半導体微粒子を含む酸化物半導体微粒子層である請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記加圧処理は、カレンダー処理である請求項10に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記酸化物半導体層は、透明酸化物半導体層である請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記透明酸化物半導体層は、ITOを含む請求項14に記載の酸化物半導体層の製造方法。上記電磁波照射を、酸素を含まない雰囲気で行う請求項15に記載の酸化物半導体層の製造方法。ロールツーロールプロセスにおいて上記工程が行われる請求項1に記載の酸化物半導体層の製造方法。特許文献1に記載の電磁波照射による焼結方法では、樹脂フィルム基材を用いた場合、樹脂フィルム基材が変質、変形するため、樹脂フィルム基材が変質、変形する高い温度域での加熱を透明酸化物半導体微粒子膜に対して行うことができない。このため樹脂フィルム基材を用いた場合には、加熱しても透明酸化物半導体微粒子の焼結が十分でなく、性能が優れた透明酸化物半導体微粒子膜を形成できない。特許文献2では、単に、マイクロ波照射による加熱の際に、高分子フィルム基材の裏面に設置された放熱板に、高分子フィルム基材に加わる熱を放熱しているだけなので、高分子フィルム基材が変質、変形する高い温度域での加熱を行うことできない。したがって、本開示の目的は、樹脂フィルム基材を含む支持体を用いた場合でも、樹脂フィルム基材が変質、変形する高い温度域での加熱処理を、支持体上に形成された酸化物半導体層に対して行うことができる酸化物半導体層の製造方法を提供することにある。上述した課題を解決するために、本開示は、支持体に形成された酸化物半導体層を電磁波照射により加熱すると共に、上記支持体を冷却する工程を含む酸化物半導体層の製造方法である。本開示では、支持体に形成された酸化物半導体層を、電磁波照射により加熱すると共に、支持体を冷却する。これにより、樹脂フィルム基材を含む支持体であっても、樹脂フィルム基材が変質、変形する高い温度域での加熱処理を、支持体上に形成された酸化物半導体層に対して行うことができる。本開示によれば、樹脂フィルム基材を含む支持体を用いた場合でも、樹脂フィルム基材が変質、変形する高い温度域での加熱処理を、支持体上に形成された酸化物半導体層に対して行うことができる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。1.第1の実施の形態酸化物半導体層の製造方法の第1の例2.第2の実施の形態酸化物半導体層の製造方法の第2の例3.他の実施の形態変形例1.第1の実施の形態本開示の第1の実施の形態による酸化物半導体層の製造方法について説明する。本開示の第1の実施の形態による酸化物半導体層の製造方法は、典型的には、例えば、色素増感型太陽電池等の電気化学装置に用いる半導体電極層の製造方法である。まず、本開示の理解を容易にするため、この半導体電極層の製造方法により得られる、半導体電極層の構成例について、説明する。半導体電極層の第1の構成例図1aは、支持体6の上に形成された半導体電極層1の断面図および部分拡大図である。半導体電極層1は、支持体6の上に配置された金属酸化物半導体微粒子2および3間、並びに金属酸化物半導体微粒子2および3と支持体6との間が、第1酸化物層4と第2酸化物層5とによって結着された金属酸化物半導体多孔質層である。半導体電極層1は、粒状の金属酸化物半導体微粒子2と針状の金属酸化物半導体微粒子3との、少なくとも2種類の形状の金属酸化物半導体微粒子を含有する。金属酸化物半導体微粒子2および3は、半導体電極層1の特性に応じて、酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、酸化タングステンWO3、酸化ニオブNb2O5、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、及び酸化スズSnO2からなる群から選ばれた少なくとも1種の酸化物からなるのがよい。多くの場合、第1酸化物層4を構成する金属元素が、金属酸化物半導体微粒子2および3を構成している金属元素と同一の金属元素であるのがよい。このようであると金属酸化物半導体微粒子2および3と第1酸化物層4の密着性が最良になることが期待される。第1酸化物層4は、主として直接、金属酸化物半導体微粒子2および3、並びに支持体6に結着している。第2酸化物層5は、第1酸化物層4を形成している第1の酸化物よりも硬度の高い第2の酸化物を含有し、主として第1酸化物層4を介して金属酸化物半導体微粒子2および3、並びに支持体6に結着している。第2酸化物層5は、第1酸化物層4を補強して、金属酸化物半導体微粒子2および3間、並びに金属酸化物半導体微粒子2および3と支持体6との間の結着を強化する働きをする。第2酸化物層5を構成する高硬度酸化物は、酸化ケイ素SiO2、酸化ホウ素B2O3、酸化アルミニウムAl2O3、及び酸化ジルコニウムZrO2からなる群から選ばれた少なくとも1種の酸化物であるのがよい。半導体電極層1は、金属酸化物半導体微粒子として粒状の金属酸化物半導体微粒子2以下、粒状微粒子2ともいうばかりでなく、針状の金属酸化物半導体微粒子3以下、針状微粒子3ともいうをも含有している。このような場合、針状微粒子3を含有していない半導体電極層1に比べて導電性が向上する。この理由として、針状微粒子3が含まれていると、電子が、針状微粒子3の長さ方向の長い微粒子内導電路を利用することによって、抵抗の大きい、微粒子間の接合部を通過すること少なく、半導体電極層1内を移動できるようになることが考えられる。粒状微粒子2の一次粒子の平均粒子径は特に限定されるものではないが、1nm以上100nm以下であると、可視光の透過性を高め、比表面積を大きくすることができるので好ましい。一方、針状微粒子3の一次粒子の平均直径は、0.1μm以上1μm以下であることが好ましく、平均長さは、1μm以上10μm以下であることが好ましい。平均長さが1μmよりも短い場合、針状微粒子3が半導体電極層1において効果的な導電路を形成することができず、その結果、半導体電極層1を用いた電気化学装置の性能を向上させる効果が不十分になる傾向がある。例えば、色素増感型太陽電池を構成した場合、集電効率を高め、光電変換効率を向上させる効果が不十分になる傾向がある。また、平均長さが10μmよりも長い場合、塗料のポットライフが劣化する傾向にある。針状微粒子3の配合質量の、粒状微粒子2の配合質量に対する比=針状微粒子3の配合質量/粒状微粒子2の配合質量は、0.05以上0.25以下であることが望ましい。0.05未満の場合、針状微粒子3が少な過ぎて、半導体電極層1の導電性を向上させる効果が不十分である。一方、0.25を超える場合、半導体電極層1の導電性を向上させる効果は大きいが、金属酸化物半導体多孔質層の実表面積が減少し、電極としての性能が低下する。この結果、例えば、半導体電極層1を有する色素増感型太陽電池を構成した場合、高い光電変換効率を実現できない。針状微粒子3を含有する塗料を調製する場合、針状微粒子3の分散の度合いは、分散が進んでいるほど好ましい。具体的には、例えば、ビーズ分散等の分散処理時間を長くするとよい。分散が進んでいると、半導体電極層1内に針状微粒子3による多数の導電路が均一に形成され、かつ、針状微粒子3の実表面積が増大する。この結果、針状微粒子3を含有する半導体電極層1の導電性が向上し、かつ、それを用いた電気化学装置の性能が向上する。例えば、色素増感型太陽電池として構成された電気化学装置において、集電効率が向上し、光電変換効率が向上する。支持体6と、半導体電極層1との間に密着補助層7を設ける構成としてもよい。図1bは、支持体6に密着補助層7が設けられ、その上に半導体電極層1が形成されている例を示す断面図である。密着補助層7は、半導体電極層1と支持体6との密着性が十分でない場合に、密着性を向上させるために設けられる層である。密着性が不十分になりやすい例としては、支持体6が、表面にITO層が設けられている基材である例を挙げることができる。密着補助層7の材料としては、ポリアクリレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物四塩化チタン等や過酸化物過酸化チタン等やアルコキシド等の加水分解脱水縮合生成物等を用いることができる。半導体電極層1を色素増感型太陽電池の半導体電極層として用いる場合には、密着補助層7の厚さは、色素増感型太陽電池の光電変換効率を著しく低下させない厚さとすることが望ましい支持体6は用いられる環境において安定であればよく、それ以外に特に制限されない。支持体6の材料は、無機材料であっても、有機材料であってもよい。また、支持体6の形状も特に制限されることはなく、例えば、フィルム状、シート状、および板状等である。また、支持体6の材料が、電気化学装置に外部から侵入しようとする水分やガスを阻止する遮断性能が高く、また、耐溶剤性や耐候性に優れている材料であるのが好ましい。支持体6の厚さは特に制限されず、光の透過率や、水蒸気の透過を遮断する遮断性能や、機械的強度等を勘案して、適宜選択することができる。半導体電極層1を色素増感型太陽電池の半導体電極層として用いる場合のように、支持体6が光透過性であることが求められる場合には、支持体6として、光が透過しやすい材質と形状のものを用いる。例えば、石英、サファイア、ガラス等の透明無機基板、および、トリアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタラートPEN、ポリエステルTPEE、ポリイミドPI、ポリアミドPA、アラミド、ポリエチレンPE、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリプロピレンPP、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂PMMA、ポリカーボネートPC、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、およびシクロオレフィンポリマー樹脂COP等の高分子材料からなる透明プラスチック基板が挙げられる。これらの中でも、特に可視光の透過率が高い基板材料を用いるのが好ましい。プラスチック基板の厚さは、特に限定されるものではないが、生産性の観点から38μm以上500μm以下であることが好ましい。また、支持体6として、光透過性基材上に透明導電層が形成された透明導電層付き光透過性基材を用いてもよい。この透明導電層の材料としては公知のものが使用可能であり、具体的にはITO酸化インジウムスズ、FTOフッ素ドープ酸化スズ、アンチモンがドープされた酸化スズATO、酸化スズSnO2、酸化亜鉛、インジウム亜鉛複合酸化物IZO等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。透明導電層は、これらの材料の単層膜でも、積層膜でもよく、2種類以上の材料を組み合わせて用いることもできる。なお、ITOに関しては、大気中で約250°C以上の高温で処理をすると酸化による劣化が生じてしまう。酸化により酸素欠損が埋まり、これによりキャリアが減少してしまい、導電率が低下する傾向にある。従って、ITOを使用した場合、高温で熱処理する際には酸素含まない雰囲気中で熱処理を行うことが好ましい。半導体電極層の第2の構成例半導体電極層の第2の構成例について説明する。図2は、支持体6の上に形成された半導体電極層21の断面図および部分拡大図である。半導体電極層21は、支持体6の上に配置された金属酸化物半導体微粒子2および3間、並びに金属酸化物半導体微粒子2および3と支持体6との間が、第1酸化物層4と第2酸化物層5とによって結着された金属酸化物半導体多孔質層である。半導体電極層の第2の構成例が、第1の構成例と異なるのは、半導体電極層21を形成している粒状金属酸化物半導体微粒子2が、一次粒子の平均粒子径が100nm以下の第1の粒状微粒子2Aと、一次粒子の平均粒子径が100nmより大きく、10000nm以下である第2の粒状微粒子2Bとの、大きさが異なる2種類の微粒子からなることである。これ以外は半導体電極層の第1の構成例と同様であるので、重複を避け、相違点に重点をおいて説明する。粒状の金属酸化物半導体微粒子2のうち、第1の粒状微粒子2Aは、一次粒子の平均粒子径が1nm以上100nm以下であるので、可視光の透過性を高め、比表面積を大きくすることができる。一方、第2の粒状微粒子2Bの一次粒子平均粒子径は、100nmよりも大きく、10000nm以下である。第2の粒状微粒子2Bの平均粒子径が大きいほど、また、第2の粒状微粒子2Bの配合質量の、第1の粒状微粒子2Aの配合質量に対する比=第2の粒状微粒子2Bの配合質量/第1の粒状微粒子2Aの配合質量が大きいほど、半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層21に発生するクラックは減少する。この理由が完全に解明されたとは言えないが、比較的大きな第2の粒状微粒子2Bが共在する場合には、第2の粒状微粒子2Bとその周囲の第1の粒状微粒子2Aとの連結は、粒状微粒子2Bの表面上で確実に十分な結着強度で形成されることや、同じ長さの導電路を形成するために連結する必要のある粒子数が比較的少数になるので、結着強度が不十分になりやすい第1の粒状微粒子2A間の連結部が著しく少なくなることが考えられる。従って、図2では一次粒子の平均粒子径が異なる2種類の粒状微粒子を含む例を示したが、平均粒子径が異なる3種類以上の粒状微粒子を含む構成であってもよいのは、明らかである。また、第2の粒状微粒子2Bが共存すると、入射光が散乱されやすくなり、半導体電極層21の内部HAZEヘイズが上昇し、全光線透過率が低下する。この半導体電極層21を用いた色素増感型太陽電池では、入射光の散乱によって光利用率が高まり、光電変換性能が向上する。第2の粒状微粒子2Bの一次粒子平均粒子径は、200nm以上5000nm以下であるのがより好ましい。一次粒子の平均粒子径が200nmよりも小さい場合、半導体電極層21におけるクラックの発生を抑える効果が不十分となり、また、入射光を散乱する性能も十分でない傾向がある。一方、一次粒子の平均粒子径が5000nmよりも大きい場合、第2の粒状微粒子2Bが塗液中で沈殿しやすくなり、塗液のポットライフが低下する傾向がある。また、第2の粒状微粒子2Bの配合質量の、第1の粒状微粒子2Aの配合質量に対する比は、0.06以上6以下であることが好ましい。0.06未満である場合、半導体電極層21におけるクラックの発生を抑える効果が不十分となり、また、入射光を散乱する性能も十分でない傾向がある。一方、6よりも大きい場合、半導体電極層21におけるクラックの発生を抑える効果は十分であり、入射光を散乱する性能も十分であるが、半導体電極層21における金属酸化物半導体微粒子の実表面積が減少し、この半導体電極層21を用いた電気化学装置、例えば色素増感型太陽電池の性能の低下を招くことがある。針状微粒子3の配合質量の、粒状微粒子2の配合質量に対する比=針状微粒子3の配合質量/粒状微粒子2の配合質量が大きいほど、また、第2の粒状微粒子2Bの配合質量の、第1の粒状微粒子2Aの配合質量に対する比=第2の粒状微粒子2Bの配合質量/第1の粒状微粒子2Aの配合質量が大きいほど、半導体電極層1に光散乱機能が付与されて、半導体電極層21の内部HAZEが上昇し、全光線透過率は低下する。また、半導体電極層21に光増感色素を吸着させることにより、全光線透過率はさらに低下する。粒状微粒子2Aおよび2B、並びに針状微粒子3の配合質量を、内部HAZE値が85以上であり、全光線透過率が50以下となるように、既述した範囲内にて選択するのがよい。このようにすることにより、半導体電極層21を用いた色素増感型太陽電池において、光利用率が向上し、光電変換性能が向上する。針状微粒子3が半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層21に含まれていると、半導体電極層21の硬度と基材への密着性を維持しながら、光電変換効率を向上させることができる。しかも、針状微粒子3が含有されていることが原因で、塗液の塗布または印刷後の溶媒蒸発工程及び/又は焼成工程において、半導体電極層21にクラックが発生することはない。ただし、針状微粒子3がクラックの発生を抑える作用はないか、又は十分ではない。従って、半導体電極層21に針状微粒子3を含有させることで内部HAZEおよび全光線透過率を上記の範囲内にすることはできるが、半導体電極層21に粒状微粒子2Bを含有させないと、半導体電極層21におけるクラックの発生を抑えることができない場合がある。半導体電極層の製造方法本開示の第1の実施の形態による半導体電極層の製造方法について説明する。例えば、上述した半導体電極層1または21の製造方法について説明する。本開示の第1の実施の形態による半導体電極層の製造方法を用いることによって、支持体6に対する、半導体電極層の付着性の性能が優れると共に、樹脂フィルム基材を含む支持体6であっても高温で半導体電極層の焼結処理を行うことが可能となる。そして、色素増感型太陽電池に用いた場合において、光電変換効率の優れた半導体電極層1または21を形成できる。<塗液の調製>例えば、図1に示す半導体電極層1を作製するには、まず、金属酸化物半導体微粒子2および3を、それぞれ、適当な有機溶媒に分散させ、ペースト状の分散液を2つ調製する。分散方法としては、公知の方法、例えば、攪拌処理、超音波分散処理、ビーズ分散処理、混錬処理、およびホモジナイザー処理等を好ましく用いることができる。溶媒としては、金属酸化物半導体微粒子2および3を分散させることができ、かつ、第1の化合物および第2の化合物を溶解させることができるものを適宜選択して用いる。具体的には、例えば、アルコール類、ケトン類、炭化水素類、アミド類、およびスルフィド類等から選択して用いる。金属酸化物半導体微粒子2および3の配合量は、後述する第1の化合物および第2の化合物を添加して形成される塗液の質量の1質量以上50質量以下であり、例えば20質量程度とする。1質量未満である場合には、塗布法によって、十分な厚さを有する金属酸化物半導体微粒子層を形成することができない不都合がある。一方、50質量よりも大きい場合には、塗液の粘度が高くなりすぎて、塗布法等によって金属酸化物半導体微粒子層を形成する際の、取り扱いが困難になる不都合がある。次に、上記2つの分散液を所定の比率で混合し、これに第1の化合物および第2の化合物を添加し、攪拌して溶解させ、均一な塗液とする。濃度調整のため、溶媒をさらに追加してもよい。第1の化合物と第2の化合物とを添加する順序はどちらが先でもよい。第1の化合物は、加水分解して第1の酸化物を生じる化合物である。第2の化合物は、第1の化合物より加水分解しにくく、かつ加水分解すると上記第1の酸化物より硬度の高い第2の酸化物を生じる化合物である。具体的には、第1の化合物として、金属元素の塩又はアルコキシドを用いるのがよい。この金属元素は、例えば、チタンTi、アルミニウムAl、ケイ素Si、バナジウムV、ジルコニウムZr、ニオブNb、およびタンタルTaからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素であるのがよい。また、未精製の金属酸化物半導体微粒子や有機溶媒には、通常、多かれ少なかれ吸着または吸蔵された水分が含まれているが、第1の化合物として、これらの水分と室温において反応し、一部又は全部が塗液中で加水分解される化合物を用いるのが好ましい。この場合、塗液の調製中に粘度が増加するのが観察される。これは、第1の化合物と金属酸化物半導体微粒子および有機溶媒との混合が進むと、第1の化合物が水分と反応し、第1の化合物の加水分解によって生成した第1の酸化物が金属酸化物半導体微粒子2および3の表面に結合し、金属酸化物半導体微粒子2および3間を連結していくためであると考えられる。一方、第2の化合物としては、ケイ素Si、ホウ素B、アルミニウムAl、およびジルコニウムZrからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素のアルコキシドを用いるのがよい。第1の化合物の配合量は、例えば、塗液の質量の0.01質量以上20質量以下とする。また、第2の化合物の配合量は、例えば、塗液の質量の0.01質量以上20質量以下とする。第1の化合物および第2の化合物の配合量は、半導体電極層1の、所望の硬度と支持体への密着性とを得るために、金属酸化物半導体微粒子2および3の材料や分散性、第1の化合物および第2の化合物の材料種に応じて、上記範囲内において適宜選択する。第1の化合物および第2の化合物の配合量が上記の範囲外である場合、半導体電極層1の硬度と支持体6への密着性とを両立させることが難しくなる傾向がある。また、半導体電極層1を色素増感型太陽電池の半導体電極層として用いる場合には、第1の化合物および第2の化合物の材料種によっては、光増感色素の吸着が阻害されて、光電変換効率が低下することもある。図2に示す半導体電極層21を作製する場合には、まず、金属酸化物半導体微粒子2および3を構成する第1の粒状微粒子2A、第2の粒状微粒子2B、および針状微粒子3を、それぞれ、適当な有機溶媒に分散させ、ペースト状の分散液を3つ調製する。次に、上記3つの分散液を所定の比率で混合し、これに第1の化合物および第2の化合物を添加し、攪拌して溶解させ、均一な塗液とする。<半導体電極層の形成>次に、公知の方法、例えば、塗布法または印刷法等によって、支持体6の上に上記塗液の層を被着させる。塗布方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法等を用いることができる。また、印刷方法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、およびスクリーン印刷法等を用いることができる。次に、塗液の層から溶媒を蒸発させて除去し、第1の化合物、第2の化合物、および第1の酸化物を含有する金属酸化物半導体微粒子層を形成する。溶媒を蒸発させる方法としては、室温で蒸発させてもよいし、加熱して蒸発させてもよい。ただし、蒸発むらを抑えるために、溶媒の蒸発速度を調整することが好ましい。具体的には、20°C以上100°C以下の温度範囲、30秒間~20分間の時間範囲で蒸発させるのが好ましい。溶媒が蒸発して除かれると、塗液に含まれていた第1の酸化物は、金属酸化物半導体微粒子2および3に結着する。第1の化合物は空気中の水分と反応して加水分解する。この結果、第1の化合物は、次の焼成工程に入る前に大部分が第1の酸化物に変化する。そして、金属酸化物半導体微粒子2および3間、並びに金属酸化物半導体微粒子2および3と支持体6との間が、第1酸化物層4によって結着された金属酸化物半導体多孔質層が形成される。この際、第1の化合物の加水分解を促進するために、蒸発工程中及び/又は蒸発工程後の温度を25°C以上200°C以下、例えば80°C程度に保ってもよい。また、蒸発工程と下記焼成工程とを同時に行うことも可能である。<焼成処理>次に、金属酸化物半導体多孔質層を焼成して、金属酸化物半導体微粒子2および3間の電子的な接続を向上させ、また、金属酸化物半導体多孔質層の機械的強度と、支持体6との密着性とを向上させる。焼成温度に特に制限はないが、温度が高すぎると支持体6が熱で劣化することもあるので、焼成温度は40°C以上1000°C以下であり、通常、300°C以上600°C以下程度であることが好ましい。支持体6の材料としてプラスチック材料を用いる場合には、その耐熱温度以下例えばガラス転移点以下等、通常、40°C以上200°C以下であることが好ましい。また、焼成時間に特に制限はないが、通常、30秒間以上10時間以下程度である。この焼成工程で、微粒子同士が接点近傍で融着し、微粒子間が細かい連結部を介してネットワーク状に連結され、微粒子間の空隙が空孔として残された金属酸化物半導体多孔質層が形成される。以下、接点近傍での融着によって、微粒子間が細かい連結部を介して連結される現象をネッキングと言い、この様な連結を形成する処理をネッキング処理ということがある。この金属酸化物半導体多孔質層は、光増感色素を吸着させると、色素増感型太陽電池の半導体電極層として用いることができる。この際、焼成工程までに加水分解される第2の化合物の割合は少なく、大部分の第2の化合物が、焼成工程において空気中から供給される水分によって加水分解されることが好ましい。このようであると、第2の化合物の加水分解によって生成する第2の酸化物は、主として第1酸化物層4の上に結着して第2酸化物層5を形成し、金属酸化物半導体微粒子2および3間、並びに金属酸化物半導体微粒子2および3と支持体6との間に結着している第1酸化物層4を強固に補強する。この結果、機械的強度に優れ、支持体6との密着性の高い半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層1または23が得られる。なお、第1の化合物のみでもよいが、第1の化合物のみでは、半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層1または23と支持体6との密着性が不十分になることがある。なぜなら、加水分解が起こりやすい第1の化合物は、塗液を支持体6に被着させる前にかなりの部分が加水分解する。この塗液を支持体6に被着させる以前に生成した第1の酸化物は、金属酸化物半導体微粒子2および3間を連結し、金属酸化物半導体多孔質層の機械的強度を高める上では寄与するが、支持体6との密着性を高める上では寄与しないからである。これに対し、第2の化合物の加水分解は大部分が塗液を支持体6に被着させた後に起こるので、第2の酸化物は、金属酸化物半導体多孔質層の機械的強度の向上にも、支持体6との密着性の向上にも、同様に寄与する。第2の化合物のみでもよいが、第2の化合物だけでは、表層剥がれや傷つきが生じやすい。これは、第2の化合物は金属酸化物半導体微粒子2および3の表面との反応性が第1の化合物に比べて低いので、第2の化合物のみでは微粒子2および3間のネッキング数が少なくなり、強度不足になりやすいからである。すなわち、半導体電極層1または23の機械的強度と支持体6への密着性とを両立させるには、第1の化合物と第2の化合物との両方を用いることが好ましい。<電磁波処理>焼成処理後、ネッキングを促進させるため、電磁波照射による金属酸化物半導体多孔質層の加熱を行う。支持体6の材料としてプラスチック材料等の軟化点の低い材料を用いる場合、金属酸化物半導体多孔質層に対して、電磁波照射することで加熱すると共に、支持体6を冷却する。なお、上述した焼成処理を省略し、焼成処理の代わりに電磁波処理により、ネッキング処理を行ってもよい。本開示の第1の実施の形態による半導体電極層の製造方法は、フィルム型色素増感型太陽電池の製造の省プロセス化、ガラス基材上の金属酸化物半導体多孔質層の焼成温度低下、プロセス時間短縮、フィルム型色素増感型太陽電池の光電変換効率向上に寄与する。なお、背景技術の欄で例示した特許文献2には、28GHzのマイクロ波で半導体微粒子膜を焼結にすることにより、誘電損失を利用して半導体微粒子に選択的にエネルギーを与えて焼結を可能とし、通常の電気炉、それ以外の電磁波による焼結に比較して基材からの伝熱ロスがなく短時間に焼結が行えるが、フィルムが変質したり、変形したりしてしまう温度域での加熱ができるとの報告はなく、150°Cでの低温焼結と比較して色素増感光電変換素子にした際の変換効率が向上するという報告も入っていない。また、マイクロ波照射装置は大型のものであり、バッチ式向けであるため、ロールツーロールプロセス等には不向きである。電磁波としては、例えば、赤外線、紫外線、可視光線等が挙げられる。その他の照射タイプの処理として、マイクロ波処理、フレーム処理、大気中プラズマ処理、真空中プラズマ処理、コロナ処理、誘導加熱処理等が挙げられ、これらの方法を用いてもよい。支持体6が、樹脂フィルム基材、例えばプラスチックフィルム基材のように、プラスチック材料等の軟化点の低い材料を用いるものである場合、支持体6を冷却しながら電磁波照射を行うことが好ましい。電磁波照射によって金属酸化物半導体多孔質層のフィラー同士の結合を促進させるには、樹脂フィルム基材が変質、変形する温度例えば、樹脂フィルム基材の耐熱温度以上の加熱を金属酸化物半導体多孔質層に対して行う必要があるため、加熱により樹脂フィルム基材が変形、変質してしまう傾向にあるからである。具体的な加熱温度の範囲は、典型的には、40°C以上1000°C以下であり、好ましくは、200°C以上550°C以下である。処理時間は、特に制限はないが、通常は1秒以上10時間以下である。具体的な冷却の温度範囲は、典型的には150°C以下であり、好ましくは0°C以下である。電磁波照射による加熱では、瞬時に高温に加熱することが可能であるので、焼成炉やオーブンによる加熱に比べて、処理時間を短縮化できる。支持体6の冷却は、銅板等の冷却板、冷却ロール等の冷却部材を支持体6の金属酸化物半導体多孔質層が形成されていない側の面例えば、電磁波照射部位の裏面等に密着させることにより行ってもよい。例えば、冷却板を用いる場合には、金属酸化物半導体多孔質層が形成された支持体6を冷却板上に載置する。このとき、支持体6の金属酸化物半導体多孔質層が形成されない側の面が、冷却板と密着する面となる。そして、金属酸化物半導体多孔質層に対して、電磁波照射すると共に、冷却板により、支持体6の金属酸化物半導体多孔質層が形成されない側の面側から、支持体6を冷却する。例えば、冷却ロールを用いる場合には、冷却ロールの表面を、支持体の金属酸化物半導体多孔質層が形成されていない側の一主面と密着させ、これにより、支持体6の冷却が行われる。例えば、冷却板、冷却ロール等の冷却部材の内部には、水等の冷媒が循環されており、これにより、適切な冷却温度例えば、樹脂フィルム基材が熱により変質、変形する温度未満に冷却可能な温度に冷却部材の温度が調整される。冷却部材に金属酸化物半導体多孔質層の形成された支持体6を接触させる場合、冷却部材と支持体6との間の隙間が、少ないことが好ましい。冷却部材と支持体6とを隙間のない様に接触させて十分に放熱させることで、樹脂フィルム基材が変質および変形することを防ぐことができる。支持体6と冷却部材との間に、エタノール、メタノール等の凝固点の低い液体等の不凍液、ゲル状の冷却材または不凍性を持つシート等の冷却媒層を設けて、支持体6と冷却部材との間の隙間が全く無い状態にして、支持体6を冷却するようにしてもよい。なお、冷却部材は、冷却板、冷却ロールに限定されるものではなく、支持体6を適切な温度に冷却する冷却機能を有するものであればよい。支持体6として、樹脂フィルム基材の一主面に透明導電層が形成された透明導電層付き樹脂フィルムを用い、その透明導電層の材料としてITOを用いる場合、電磁波照射を行う雰囲気を、酸素を含まない雰囲気にすることが好ましい。なぜなら、ITOは大気中等の酸素を含んだ雰囲気中で高温例えば、約250°C以上で処理すると酸素を取り込むことにより酸素欠損がなくなりキャリアが減少してしまうため、抵抗値が増大してしまうという課題があるからである。例えば、酸素を含まない雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気や、真空中、水素雰囲気等が挙げられるが、これに限定するものではない。なお、FTOに関しては、酸素欠損の箇所は、フッ素でドープされているため、大気中高温での熱処理をしても導電率への影響は少ない。電磁波照射後、金属酸化物半導体多孔質層の実表面積を増大させたり、金属酸化物半導体微粒子2および3間のネッキングを高めたりする目的で、四塩化チタンやチタンアルコキシド等の金属塩や金属アルコキシドを用いてネッキング処理を行ってもよい。また、金属酸化物半導体多孔質層内に残留する有機物や未反応物を溶媒等で洗浄除去してもよい。支持体6の材料としてプラスチック材料を用いる場合、加熱加圧処理、例えばカレンダー処理によって半導体電極層1を支持体6に圧着する処理を行ってもよい。支持体6がガラスや金属金属メッシュ、金属シート、金属膜等等の高温焼成に耐えられる基材である場合、電磁波照射をする際に基材を冷却しなくてもよい。この場合、焼成処理の代わりに、電磁波照射処理を行ってもよい。焼成処理を電磁波照射で代わりに行うことにより、乾燥焼成に関して省プロセス化になる。但し、この場合においても、支持体6が導電層を有する場合、その導電層の材質に応じて雰囲気を変える必要がある。すなわち、支持体6が透明導電層を有する場合において、透明導電層がITO等の酸素雰囲気で焼成を行えないものである場合、電磁波照射を行う雰囲気を、酸素を含まない雰囲気にする必要がある。例えば、酸素を含まない雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気や、真空中、水素雰囲気等が挙げられるが、これに限定するものではない。<金属酸化物半導体多孔質層の加圧処理>電磁波照射処理の他、カレンダー処理、プレス処理等の半導体微粒子層金属酸化物半導体多孔質層のフィラー同士の物理的な接触を高める処理を行ってもよい。これにより、例えば、色素増感型太陽電池のエネルギー変換効率を向上させることができる。半導体微粒子層の加圧処理は、電磁波照射処理による照射加熱の前若しくは後、または前および後に行ってもよい。カレンダー処理またはプレス処理により、半導体微粒子間の接触が促進される、半導体微粒子層の透明性が上がる、半導体微粒子層厚が薄くなる。その結果、例えば、樹脂フィルム基材またはガラス基材を用いた色素増感型太陽電池において、変換効率が向上する。カレンダー処理の場合、プレスロールの温度は150°C未満、バックロールの温度は150°C未満、線圧は0°C超500kg/cm以下とすることが好ましい。上記温度以上である場合、半導体微粒子フィルムが熱負け等により変形してしまう傾向にある。プレスの場合、ガラスの耐えられる温度以下での範囲で、加重は15t/25mm2以下が好ましい。これを超えた加重である場合、半導体微粒子が密になり過ぎてしまい、ポーラス構造としての空孔が無くなり、色素吸着や電解液の染み込みが困難になるため、性能が劣化する傾向にある。カレンダー処理またはプレス処理等の加圧処理は2回以上行ってもよい。半導体電極層および半導体電極層の製造方法について、さらに詳細に説明する。上述した半導体電極層1または23を色素増感型太陽電池に用いる場合には、下記の通りである。半導体電極層1または23の厚さは1μm以上30μm以下であるのがよい。厚さが1μm未満である場合、十分な光電変換効率が得られない。厚さが厚いほど光電変換効率は向上するが、厚さが30μmをこえると、膜厚の増加による光電変換効率向上の効果が乏しくなる。従って、厚さは30μm以下が好ましい。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として、各種の金属酸化物半導体や、ペロブスカイト構造を有する化合物などを用いることができる。この際、金属酸化物半導体微粒子2および3の材料が、光励起下で伝導帯電子がキャリアとなり、アノード電流を生じるn型半導体材料であることが好ましい。このような半導体材料は、具体的に例示すると、TiO2、ZnO、WO3、Nb2O5、SrTiO3、およびSnO2などであり、これらの中でTiO2がとくに好ましい。ただし、金属酸化物半導体微粒子2および3の材料はこれらに限定されるものではない。また、これらの材料を2種類以上混合して用いることもできる。粒状の金属酸化物半導体微粒子2の粒子径は、可視光を透過させ、比表面積を大きくするためには、一次粒子の平均粒子径が1~100nmであるのが好ましいただし、この場合、金属酸化物半導体多孔質層にクラックが発生し、金属酸化物半導体微粒子間の導電性が低下し、この金属酸化物半導体多孔質層を用いた色素増感型太陽電池の光電変換性能が低下することがある。このような場合については、後述の実施の形態2参照。。金属酸化物半導体微粒子2および3は、市販品を用いてもよいし、また、塩化物やアルコキシドなどをゾル-ゲル法などの公知の方法で加水分解処理または水熱処理するなどして、所定の粒径のものを作製してもよい。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として酸化チタンを用いる場合、その結晶型はルチル型、アナターゼ型、およびブルッカイト型の中から選択される1種類でよく、2種類以上の混合物でもよい。市販品としては、一次粒子の平均粒子径が1~100nmである粒状の金属酸化物半導体微粒子2として、例えば、デグサ社製のP25およびP90以上、商品名、石原産業株製のST-01およびST-21以上、商品名、昭和電工株製のスーパータイタニアF-1、F-2、F-3、F-4、F-5、およびF-6以上、商品名、堺化学工業株製のSSP-25、SSP-20、SSP-M、およびSTRシリーズ以上、商品名、テイカ株製のMT-150A、MT-500B、MT-600B、MT-700B、AMT-100、AMT-600、TKP-101、およびTKP-102以上、商品名、シーアイ化成株製のNanoTekPowderシリーズ商品名などを用いることができる。また、針状の金属酸化物半導体微粒子3として、石原産業株製のFTL-100、FTL-110、FTL-200、FTL-300、FT-1000、FT-2000、FT-3000、FS―10P、およびFS-10D以上、商品名などを用いることができる。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として酸化亜鉛を用いる場合、市販品としては、粒状の金属酸化物半導体微粒子2として、例えば、テイカ株製のMZ-300およびMZ-500以上、商品名、石原産業株製のFZO-50商品名、シーアイ化成株製のNanoTekPowderシリーズ商品名、堺化学工業株製のFINEXシリーズ商品名、ハクスイテック株製のF-1、F-2、F-3、PazetCK、およびPazetGK-40以上、商品名などを用いることができる。また、針状の金属酸化物半導体微粒子3として、株アムテックのパナテトラ商品名などを用いることができる。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として酸化スズを用いる場合、市販品としては、粒状の金属酸化物半導体微粒子2として、例えば、JohnsonMatthey株製の平均粒子径15nmのものや、シーアイ化成株製のNanoTekPowderシリーズ商品名などを用いることができる。半導体電極層の第2の構成例において、粒状の金属酸化物半導体微粒子2Aとして市販品を用いる場合、上述した一次粒子の平均粒子径が1nm以上100nm以下である市販品を用いることができる。粒状の金属酸化物半導体微粒子2Bとして市販品を用いる場合、酸化チタン微粒子であれば、例えば、石原産業株製のPT-301、CR-EL、ET-500W、ET-600W、およびST-41以上、商品名、昭和電工株製のG-1、G-2、およびF-10以上、商品名、テイカ株製JR商品名、富士チタン工業株製TA-100、TA-200、TA-300、TA-500以上、商品名等を用いることができる。また、酸化亜鉛微粒子であれば、例えば、堺化学工業株製のLPZINC-2およびLPZINC-5以上、商品名等を用いることができる。また、塩化物やアルコキシド等をゾル-ゲル法等の公知の方法で加水分解処理または水熱処理する等して、所定の粒径のものを作製してもよい。なお、上記の金属酸化物半導体微粒子2および3の材料は、適宜混合して用いることも可能である。第1の化合物として塩またはアルコキシドのうち、有機溶媒に溶解させることができるものを用いることができる。上記第1の化合物は、Ti、Al、Si、V、Zr、Nb、およびTaなどの、少なくとも一種の元素の化合物であるのがよい。また、多くの場合、上記元素が金属酸化物半導体微粒子2を構成している金属元素と同一の元素であり、第1の化合物から生成する第1の酸化物と、金属酸化物半導体微粒子2を構成している金属酸化物とが同種の酸化物であるのがよい。このようであると金属酸化物半導体微粒子2と第1酸化物層4との密着性が最良になると期待できる。また、第1の化合物として、金属酸化物半導体微粒子2及び/又は有機溶媒に通常含まれる水分によって室温で加水分解される第1の化合物を用いるのがよい。この場合、前述したように、塗液中で第1の化合物の加水分解が始まり、生成した第1の酸化物によって金属酸化物半導体微粒子2間が連結されていくので、微粒子2間の強固なネットワークが形成されやすい。塩としては、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、ハロゲン化物などのうち、溶媒に溶解するものを用いることができる。具体的には、TiOSO4、ZrCH3COO2O、ZrCH3COO4、AlNO33、AlCH3COO3、Al2SO43、TiCl4、AlCl3、TiC2O42、ZrC2O42、およびAl2C2O43などを用いることができる。また、用いることのできるアルコキシドは、下記の一般式のように表すことができる。アルコキシドの一般式:上記一般式で、金属アルコキシドは、モノマーm=0、オリゴマーm=1~10、およびポリマーm>10のいずれでもよく、2種類以上を混合して用いることもできる。アルコキシ基としては、メトキシ基n=1、エトキシ基n=2、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基以上、n=3、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基以上、n=4や、2-エチルヘキソキシ基、その他の低級および高級アルコール由来のアルコキシ基を用いることができる。また、アルコキシドがアセチルアセトンなどのβ-ジケトン類で修飾されていてもよい。アルコキシ基の一部がヒドロキシ基で置換されていてもよい。市販品としては、例えば、下記のものを用いることができる。すなわち、日本曹達株式会社製のA-1、B-1、TOT、TOG、T-50、T-60、A-10、B-2、B-4、B-7、B-10、TBSTA、DPSTA-25、S-151、S-152、S-181、TAT、およびTLA-A-50以上、商品名、三菱ガス化学株式会社製のTPT、TBT、DBT、TST、TEAT、TAA、TEAA、TLA、およびOGT以上、商品名、味の素ファインテクノ株式会社製のKRTTS、KR46B、KR55、KR41B、KR38S、KR138S、KR238S、338X、KR44、KR9SA、KRET、およびAL-M以上、商品名、マツモトファインケミカル株式会社製のTA-10、TA-25、TA-22、TA-30、TC-100、TC-401、TC-200、TC-750、TC-400、TC-300、TC-310、TC-315、TPHS、ZA-40、ZA-65、ZC-150、ZC-540、ZC-570、ZC-580、ZC-700、ZB-320、およびZB-126以上、商品名、コルコート株式会社製のエチルシリケート28、エチルシリケート28P、N-プロピルシリケート、N-ブチルシリケート、MCS-18、メチルシリケート51、メチルシリケート53A、エチルシリケート40、エチルシリケート48、EMS-485、SS-101、HAS-6、HAS-1、HAS-10、SS-C1、コルコートP、コルコートN-103X、およびマグネシウムエチラート以上、商品名を用いることができる。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として酸化チタンを用いる場合、第1の化合物としては、例えば、四塩化チタンTiCl4、硫酸チタニアTiOSO4、テトラメトキシチタンTiOCH34、テトラプロポキシチタンTiOCH2CH2CH34、テトラブトキシチタンTiOCH2CH2CH2CH34、テトラペントキシチタンTiOCH2CH2CH2CH2CH34、ブトキシチタンダイマー、ブトキシチタンオリゴマー、ブトキシチタンポリマー、テトラメトキシジルコニウムZrOCH34、テトラエトキシジルコニウムZrOCH2CH34、テトラプロポキシジルコニウムZrOCH2CH2CH34、テトラブトキシジルコニウムZrOCH2CH2CH2CH34、トリメトキシアルミニウムAlOCH33、トリエトキシアルミニウムAlOCH2CH33、トリプロポキシアルミニウムAlOCH2CH2CH33、トリブトキシアルミニウムAlOCH2CH2CH2CH2CH33などを好ましく用いることができる。一方、第2の化合物としては、Si、B、Al、およびZrなどのアルコキシドを用い、第2酸化物層5を形成する酸化物が、SiO2、B2O3、Al2O3、およびZrO2などの硬度の高い酸化物であるのがよい。金属酸化物半導体微粒子2および3の材料として酸化チタンを用いる場合、第2の化合物としては、例えば、ジメチルジメトキシシランSiCH32OCH32、ジメチルジエトキシシランSiCH32OCH2CH32、メチルトリメトキシシランSiCH3OCH33、メチルトリエトキシシランSiCH3OCH2CH33、テトラメトキシシランSiOCH34、テトラエトキシシランSiOCH2CH34、テトラプロポキシシランSiOCH2CH2CH34、テトラブトキシシランSiOCH2CH2CH2CH34、エトキシシランダイマー、エトキシシランオリゴマー、エトキシシランポリマー、トリメトキシボランBOCH33、トリエトキシボランBOCH2CH33、トリイソプロポキシボランBOCHCH3CH33などを好ましく用いることができる。溶媒としては、第1の化合物および第2の化合物を溶解させ、金属酸化物半導体微粒子2および3を分散させることができるものを用いる。例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノールイソプロピルアルコール、1-ブタノール、2-ブタノールイソブチルアルコール、3-メチル-2-プロパノールsec-ブチルアルコール、および2-メチル-2-プロパノールtert-ブチルアルコールなどのアルコール、シクロヘキサノンおよびシクロペンタノンなどのケトン、ヘキサンなどの炭化水素溶媒、ジメチルホルムアミドDMFなどのアミド、ジメチルスルホキシドDMSOなどのスルホキシドなどから選択される少なくとも1種類以上を用いることができる。塗液層の表面における乾燥むらを抑えるため、高沸点溶媒を添加して、溶媒の蒸発速度を制御することもできる。そのような高沸点溶媒として、例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールなどを用いることができる。また、支持体6への塗布性や組成物のポットライフを向上させる目的で、必要に応じて界面活性剤、粘度調整剤、および分散剤などの添加剤を加えることができる。<ロールツーロールプロセス>上述した半導体電極層の製造工程を、ロールツーロールプロセスにおいて行ってもよい。本開示の第1の実施の形態による半導体電極層の製造方法では、軽量、安価でフレキシブルなプラスチックフィルム等の樹脂フィルム基材のような、耐熱性の乏しい材料を支持体6に用いることが可能であり、ロールツーロールプロセスによって、さらに生産性よく安価に、半導体電極層を製造することが可能である。以下では、ロールツーロールプロセスにより、半導体電極層を製造する例について説明する。図3は、ロールツーロールプロセスにより半導体電極層を製造する例を説明するための略線図である。例えばロール状に巻かれたフィルム基材16図示省略から、フィルム基材16が供給され、巻き取りロール37により巻き取られ、供給されたフィルム基材16は矢印方向に走行される。走行するフィルム基材16に対して、塗液の塗布、乾燥焼成処理、カレンダー処理、電磁波処理が順次行われる。まず、ダイコータ等の塗布部41により、ロール31により案内されるフィルム基材16の一主面に対して、予め調製された半導体微粒子を含む塗液を間欠塗布する。次に、焼成炉32において、フィルム基材16の一主面上に塗布された半導体微粒子層に対して、塗布液の乾燥およびネッキング処理のための焼成処理が行われる。焼成温度は、フィルム基材16を構成する材料のガラス転移点以下であることが好ましく、典型的には、40°C以上200°C以下であることが好ましい。また、焼成時間に特に制限はないが、通常、30秒間以上10時間以下程度である。このとき、ネッキングが促進するが、低温で焼成しているため、十分ではない。後述の電磁波処理により、さらにネッキングを促進し、特性を向上させることができる。次に、バックロール34およびプレスロール35により、カレンダー処理され、これにより、半導体微粒子間の接触が促進される、金属酸化物半導体多孔質層33の透明性が上がる、金属酸化物半導体多孔質層33の厚さが薄くなる。その結果、例えば、色素増感型太陽電池の光電変換効率を向上できる。プレスロール35の温度は、例えば、150°C未満、バックロール34の温度は、150°C未満、線圧は0kg/cm超500kg/cm以下とすることが好ましい。プレスロール35およびバックロール34の温度が、上記温度以上である場合、フィルム基材16が熱負け等により変形してしまう傾向にある。次に、電磁波処理部40により、金属酸化物半導体多孔質層33に対して電磁波が照射され、金属酸化物半導体多孔質層33が瞬時に高温に加熱される。図4に示すように、電磁波処理部40は、フィルム基材16に形成された金属酸化物半導体多孔質層33に対して、赤外線を照射し加熱する赤外線加熱ランプ等の電磁波照射部43と、フィルム基材16の金属酸化物半導体多孔質層33が形成されていない一主面を冷却する冷却ロール36とを備える。電磁波照射部43により、金属酸化物半導体多孔質層33に対して、赤外線を短時間照射し、半導体微粒子同士のネッキングを促進する。赤外線照射による加熱では、瞬時に高温で加熱が可能である、フィルム基材16を冷却しながらの金属酸化物半導体多孔質に対する赤外線照射を可能とする、大気中での処理が可能である等の利点を有する。冷却ロール36は、例えば、冷却ロール36内で、エチレングリコール等の不凍液等からなる冷媒が循環されており、例えば、0°C以下の温度とされている。冷却ロール36の表面は、フィルム基材16の半導体微粒子層が形成されていない側の一主面と密着しており、これにより、フィルム基材16の冷却が行われる。図4に示すように、例えば、この冷却ロール36の表面にエタノール等の不凍液層47を設けることが好ましい。これにより、冷却ロール36の表面と、樹脂フィルム基材16の半導体微粒子層が形成されていない側の一主面との密着性を向上させることができ、フィルム基材16に対する冷却能を向上できるからである。フィルム基材16として、透明導電層付き樹脂フィルム基材を用い、その透明導電層がITO層である場合には、電磁波処理を行う雰囲気を、酸素を含まない雰囲気にすることが好ましい。酸素を含まない雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、真空または水素雰囲気等が挙げられる。ITOは、大気中等の酸素を含有した雰囲気中での電磁波処理では、酸素を取り込むことにより酸素欠損がなくなりキャリアが減少してしまうため、抵抗値が増大してしまう傾向にある。そこで、ITO等の酸素雰囲気で焼成を行えない導電層を処理する場合、酸素を含まない雰囲気にする必要がある。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。例えば、図4に示すような、雰囲気制御可能なチャンバ44内に不活性ガスを充満させ、この中で電磁波処理を行うようにしてもよく、また、不活性ガス等をフィルム基材16に吹き付けるようにして、電磁波処理を行うようにしてもよい。例えば、大気雰囲気のような酸素を含む雰囲気中では、ITOは250°C以上に加熱されると抵抗率が上昇してしまう。これは、酸素欠損が埋まってしまいキャリアが減少することが原因である。したがって、酸素を含まない雰囲気中で、電磁波処理を行うことが好ましい。色素増感型太陽電池本開示の第1の実施の形態の半導体電極層の製造方法により得た半導体電極層を用いた電気化学装置の例として、色素増感型太陽電池として構成された電気化学装置について説明する。図5は、色素増感型太陽電池60の構造の一例を示す断面図である。色素増感型太陽電池60は、主として、透明基板61、透明導電層負極集電体62、光増感色素を保持した半導体電極層負極63、電解質層64、対向電極正極65、対向基板66、および封止材67等で構成されている。半導体電極層63は、上述した酸化チタンTiO2等の半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層1または21からなり、金属酸化物半導体微粒子2および3等の表面に光増感色素を保持している。色素増感型太陽電池60は、半導体電極層63を電極として有しているので、フレキシブルなプラスチックフィルム等を支持体として用いて、軽量、安価に、生産性よく製造可能な電気化学装置である。しかも、半導体電極層63は、針状の金属酸化物半導体微粒子3を含有していない半導体電極層に比べて導電性が向上しているので、色素増感型太陽電池を構成した場合の光電変換性能が向上する。さらに、針状の金属酸化物半導体微粒子3は、光拡散機能を有する。このため、入射光の利用率が向上し、これによっても光電変換性能が向上する。その他は、従来の色素増感型太陽電池と同様である。すなわち、透明基板61は、ガラス板、またはPENやPET等のプラスチックフィルム等からなる。透明導電層負極集電体62はITOやFTO等からなり、透明基板61の上に設けられている。電解質層64は、I/I3三ヨウ化物イオンI3は、I2がヨウ化物イオンIと結びついてイオンとして存在している化学種である。等の酸化還元種レドックス対を含む電解液等で構成され、電解液が半導体電極層63内に浸潤できるように、半導体電極層63と対向電極65との間に配置されている。対向電極65は、下地層に積層された白金層や、カーボン層等からなり、対向基板66の上に設けられている。対向基板66はガラス板やプラスチックフィルム等からなる。色素増感型太陽電池60は、光が入射すると、対向電極65を正極、半導体電極層63を負極とする電池として動作する。すなわち、透明基板61および透明導電層62を透過してきた光子を光増感色素が吸収すると、光増感色素中の電子が基底状態から励起状態へ励起される。励起状態の電子は、光増感色素と半導体電極層63との間の電気的結合を介して、半導体電極層63の伝導帯に取り出され、半導体電極層63を通って透明導電層62に到達する。一方、電子を失った光増感色素は、電解質層64中の還元剤、例えばIから下記の反応2I→I22eI2I→I3によって電子を受け取り、電解質層64中に酸化剤、例えばI3を生成させる。生じた酸化剤は拡散によって対向電極65に到達し、上記の反応の逆反応I3→I2II22e→2Iによって対向電極65から電子を受け取り、もとの還元剤に還元される。透明導電層62から外部回路へ流れ出した電子は、外部回路で電気的仕事をした後、対向電極65に戻る。このようにして、光増感色素にも電解質層64にも何の変化も残さず、光エネルギーが電気エネルギーに変換される。色素増感型太陽電池60を作製するには、透明基板61に設けられた透明導電層62上に、上記で説明した半導体電極層の製造方法により、半導体電極層1または21を形成する。次に、半導体電極層1または21に光増感色素を吸着させ、半導体電極層1または21を形成する。色素を吸着させる方法に特に制限はないが、例えば、色素分子を溶解させた溶液を調製し、半導体電極層1または21が形成された透明基板61を色素溶液に浸漬するか、または、半導体電極層1または21に色素溶液を塗布、噴霧、または滴下するか等して、半導体電極層1または21に色素溶液をしみこませた後、溶媒を蒸発させる。次に、半導体電極層63と対向電極65とが対向するように透明基板61と対向基板66とを配置して、封止材67を介して貼り合わせる。最後に、電解液を注入して電解質層64を形成する。半導体電極層63は、多くの光増感色素を吸着することができるように、多孔質層内部の空孔に面する微粒子表面も含めた実表面積の大きいものが好ましく、半導体電極層63の実表面積は、その外側表面の面積投影面積に対して10倍以上であることが好ましく、さらに100倍以上であることが好ましい。一般に、半導体電極層63の厚さが増し、単位投影面積当たりに含まれる金属酸化物半導体微粒子2および3の数が増加するほど、実表面積が増加し、単位投影面積あたりに保持できる色素量が増加するので、入射光に対する光吸収率が高くなる。一方、半導体電極層63の厚さが増加すると、光増感色素から半導体電極層63に移行した電子が透明導電層62に達するまでに拡散する距離が増加するため、半導体電極層63内での電荷再結合による電子のロスも大きくなる。従って、半導体電極層63には好ましい厚さが存在するが、一般的には0.1μm以上100μm以下であり、1μm以上30μm以下であるのがより好ましい。色素増感型太陽電池60は、半導体電極層63以外の部材については、従来の色素増感型太陽電池と同様である。以下、要点を説明する。半導体電極層63に保持させる光増感色素としては、増感作用を示すものであれば特に制限はないが、例えば、ローダミンBやローズベンガルやエオシンやエリスロシン等のキサンテン系色素、メロシアニンやキノシアニンやクリプトシアニン等のシアニン系色素、フェノサフラニンやカブリブルーやチオシンやメチレンブルー等の塩基性染料、その他のアゾ色素、クロロフィルや亜鉛ポルフィリンやマグネシウムポルフィリン等のポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、クマリン系化合物、ルテニウムRuのビピリジン錯体やテルピリジン錯体、アントラキノン系色素、多環キノン系色素、スクアリリウム系色素等が挙げられる。中でも、配位子がピリジン環を有するルテニウムRuのビピリジン錯体は、量子収率が高く、光増感色素として好ましい。ただし、光増感色素はこれに限定されるものではなく、単独で、もしくは2種類以上を混合して用いることができる。電解質層64としては、電解液、またはゲル状あるいは固体状の電解質が使用可能である。電解質としては、酸化還元系レドックス対を含む溶液が挙げられ、具体的には、ヨウ素I2と金属ヨウ化物塩または有機ヨウ化物塩との組み合わせや、臭素Br2と金属臭化物塩または有機臭化物塩との組み合わせを用いる。金属ハロゲン化物塩を構成するカチオンは、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、セシウムCs、マグネシウムMg2、およびカルシウムCa2等であり、有機ハロゲン化物塩を構成するカチオンは、テトラアルキルアンモニウムイオン類、ピリジニウムイオン類、イミダゾリウムイオン類等の第4級アンモニウムイオンが好適であるが、これらに限定されるものではなく、単独もしくは2種類以上を混合して用いることができる。上記の中でも特に、ヨウ素I2と、ヨウ化リチウムLiI、ヨウ化ナトリウムNaI、またはイミダゾリウムヨーダイド等の第4級アンモニウム化合物とを組み合わせた電解質が好適である。電解液における電解質塩の濃度は0.05M以上5M以下が好ましく、さらに好ましくは0.1M以上3M以下である。ヨウ素I2または臭素Br2の濃度は0.0005M以上1M以下が好ましく、さらに好ましくは0.005M以上0.5M以下である。また、開放電圧や短絡電流を向上させる目的で4-tert-ブチルピリジンやカルボン酸等各種添加剤を加えることもできる。電解液を構成する溶媒として、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、炭酸エステル類、ラクトン類、カルボン酸エステル類、リン酸トリエステル類、複素環化合物類、ニトリル類、ケトン類、アミド類、ニトロメタン、ハロゲン化炭化水素、ジメチルスルホキシド、スルフォラン、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチルイミダゾリジノン、3-メチルオキサゾリジノン、および炭化水素等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、単独で、もしくは2種類以上を混合して用いることができる。また、溶媒としてテトラアルキル系、ピリジニウム系、イミダゾリウム系第4級アンモニウム塩の室温イオン性液体を用いることも可能である。色素増感型太陽電池60からの電解液の漏液や、電解液を構成する溶媒の揮発を減少させる目的で、電解質構成物にゲル化剤、ポリマー、架橋モノマー、または各種形状の金属酸化物半導体微粒子繊維等を溶解または分散させて混合し、ゲル状電解質として用いることも可能である。ゲル化材料と電解質構成物の比率は、電解質構成物が多ければイオン導電率は高くなるが、機械的強度は低下する。逆に、電解質構成物が少なすぎると、機械的強度は大きいが、イオン導電率は低下する。電解液の注入方法に特に制限はないが、注入口に溶液を数滴垂らし、毛細管現象によって導入する方法が簡便である。また、必要に応じて、減圧もしくは加熱下で注入操作を行うこともできる。完全に溶液が注入された後、注入口に残った溶液を除去し、注入口を封止する。この封止方法にも特に制限はないが、必要であればガラス板やプラスチック基板を封止材で貼り付けて封止することもできる。また、電解質が、ポリマー等を用いてゲル化された電解質や、全固体型の電解質である場合、電解質と可塑剤とを含むポリマー溶液を、半導体電極層63の上にキャスト法等によって塗布する。その後、可塑剤を揮発させ、完全に除去した後、上記と同様に封止材によって封止する。この封止は、真空シーラー等を用いて、不活性ガス雰囲気下、もしくは減圧中で行うことが好ましい。封止を行った後、電解質層64の電解液が半導体電極層63に十分に浸透するように、必要に応じて加熱、加圧の操作を行うことも可能である。2.第2の実施の形態本開示の第2の実施の形態による酸化物半導体層の製造方法について説明する。本開示の第2の実施の形態による酸化物半導体層の製造方法は、例えば、プラスチックフィルム等の樹脂フィルム基材に形成された透明酸化物半導体層の製造方法である。まず、本開示の理解を容易にするため、この透明酸化物半導体層の製造方法により得た、透明酸化物半導体層付フィルムの構成について説明する。透明酸化物半導体層付フィルムは、図6に示すように、基材フィルム86と、基材フィルム86の一主面上に形成された透明酸化物半導体層81とを有する。透明酸化物半導体層透明酸化物半導体層81の材料としては、公知のものを使用可能であり、具体的にはITO、FTO、アンチモンがドープされた酸化スズATO、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム亜鉛複合酸化物IZO等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。透明酸化物半導体層81は、これらの材料の単層膜でも、積層膜でもよく、2種類以上の材料を組み合わせて用いることもできる。基材フィルム基材フィルム86としては、トリアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタラートPET、ポリエチレンナフタラートPEN、ポリエステルTPEE、ポリイミドPI、ポリアミドPA、アラミド、ポリエチレンPE、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリプロピレンPP、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂PMMA、ポリカーボネートPC、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、およびシクロオレフィンポリマー樹脂COP等の高分子材料からなる透明プラスチックフィルム等の樹脂フィルム基材を用いることができる。次に、上述した透明酸化物半導体層81の製造方法について説明する。<透明酸化物半導体層の形成>基材フィルム86の一主面上に、透明酸化物半導体層81を、例えば、PVDPhysicalVaporDeposition:物理気相成長法またはCVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法等の気相法により形成できる。また、電気めっき、無電界めっき、塗布法、ゾル-ゲル法等の液相法により形成できる。また、SPE固相エピタキシー法、LBLangmuirBlodgett:ラングミュアーブロジェット法等の固相法により形成することができる。<電磁波処理>透明酸化物半導体層81を形成した後、透明導電粒子である透明酸化物半導体粒子のネッキング促進のため、電磁波処理を行う。基材フィルム86の材料として、フィルム材料等の軟化点の低い基材である、プラスチック材料を用いているため、基材フィルム86を冷却しながら電磁波照射することにより、基材フィルム86に損傷を与えることなくネッキング促進による低抵抗化が可能となる。電磁波には、赤外線、紫外線、可視光線等がある。その他の照射タイプの処理として、マイクロ波処理、フレーム処理、大気中プラズマ処理、真空中プラズマ処理、コロナ処理、誘導加熱処理等が挙げられ、これらの方法を用いてもよい。フィルムが変質、変形する温度以上の加熱を透明酸化物半導体層81に対して行う場合には、加熱によりフィルムの温度が、フィルムが変質、変形する温度以上になることを抑制するために、支持体フィルムを冷却しながら処理を行うことが好ましい。支持体の冷却は、銅板等の冷却板、冷却ロール等の冷却部材を基材フィルム86の透明酸化物半導体層81が形成されていない側の面に密着させることにより行ってもよい。例えば、冷却板を用いる場合には、透明酸化物半導体層81が形成された基材フィルム86の冷却板上に載置する。このとき、基材フィルム86の透明酸化物半導体層81が形成されない側の面が、冷却板と密着する面となる。そして、透明酸化物半導体層81に対して、電磁波照射すると共に、冷却板により、基材フィルム86の半導体微粒子膜が形成されない側の面側から、基材フィルム86を冷却する。例えば、冷却ロールを用いる場合には、冷却ロール36の表面を、基材フィルム86の透明酸化物半導体層81が形成されていない側の一主面と密着させ、これにより、基材フィルム86の冷却が行われる。冷却ロール36は、例えば、冷却ロール36の中で、エチレングリコール等の不凍液等からなる冷媒が循環されており、例えば、0°C以下の温度とされている。この冷却ロール36の表面に、エタノール等の不凍液層47を設けることが好ましい。これにより、冷却ロール36の表面と、基材フィルム86の透明酸化物半導体層81が形成されていない側の一主面との密着性を向上させることができ、基材フィルム86に対する冷却能を向上できるからである。透明酸化物半導体層81としてITOを用いる場合には、電磁波処理を行う雰囲気を、酸素を含まない雰囲気とすることが好ましい。酸素を含まない雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、真空または水素雰囲気等が挙げられる。透明酸化物半導体層81として用いるITOは、大気中等の酸素を含有した雰囲気中での電磁波処理では、酸素を取り込むことにより酸素欠損がなくなりキャリアが減少してしまうため、抵抗値が増大してしまう傾向にある。そこで、透明酸化物半導体層81としてITOを用いる場合に、電磁波処理による加熱を行う場合には、酸素を含まない雰囲気にする必要がある。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。例えば、雰囲気制御可能なチャンバ内で電磁波処理を行うことにより、電磁波処理を行う雰囲気の制御を行ってもよく、また、不活性ガス等を支持体に吹き付けるようにして、電磁波処理を行うことにより、電磁波処理を行う雰囲気の制御を行ってもよい。上述した透明酸化物半導体層81の製造工程を、ロールツーロールプロセスにおいて行ってもよい。本開示の第2の実施の形態による透明酸化物半導体層81の製造方法では、軽量、安価でフレキシブルなプラスチックフィルム等の、耐熱性の乏しい材料を支持体として用いることが可能であり、ロールツーロールプロセスによって、さらに生産性よく安価に、透明酸化物半導体層付きフィルムを製造することが可能である。以下、本開示の実施例について説明するが、本開示は下記実施例に限定されるものではない。[実施例1]非特許文献Adv.Mater.2003,15,2101を参考にして、以下のように色素増感型太陽電池対向セルを作製した。<塗液の調製>粒状の金属酸化物半導体微粒子2として、第1の粒状酸化チタン微粒子2Aを用いた。第1の粒状酸化チタン微粒子2Aとして、P25商品名;デグサ社製、アナターゼ型結晶80とルチル型結晶20の混合物、一次粒子の平均粒径約21nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が30質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、粒状の金属酸化物半導体微粒子2の分散液を調製した。次に、この分散液に所定量の第1の化合物を加え、攪拌して均一に混合し、濃度調整のために溶媒を追加し、第1の酸化チタン微粒子2A、並びに第1の化合物を含有する塗液を調製した。このとき、第1の化合物の添加によって分散液の粘度が増加することが観察された。この際、第1の化合物としてブトキシチタンダイマー三菱ガス化学株製を用い、塗液における配合量を2.5質量で一定とした。溶媒は、いずれの例でもエタノールを用いた。<半導体電極金属酸化物半導体多孔質層の作製>支持体として、表面抵抗12Ω/□以上15Ω/□以下のITO層付PETフィルム尾池工業株式会社製を用いた。この支持体上にコイルバー44を用いてバーコート法によって上記塗液を塗布した後、室温で乾燥させた。<カレンダー処理>次に、図7に示すように、バックロール34とプレスロール35との間に、半導体微粒子層が形成されたITO/PETフィルムを挟んだ状態で連続的に回転しながら加圧して、半導体微粒子層にカレンダー処理を行った。具体的には、バックロール34とプレスロール35はともに線圧1000N/15mmで上記半導体微粒子層付ITO/PETフィルムをニップした。これにより、半導体微粒子層を連続的にカレンダー処理した。カレンダー処理回数は1回とした。これにより、支持体ITO/PETフィルムと半導体微粒子層との密着性が向上し、また、微粒子間の隙間が埋まり接触抵抗が下がる効果が得られる。その後、半導体微粒子層を、ガラス板のエッジで削って5mm×5mmの大きさとした後、150°Cで30分間焼成し、金属酸化物半導体多孔質層を得た。<赤外線処理IR処理>次に、ITO/PETフィルムの一主面に形成された金属酸化物半導体多孔質層に対して、赤外線放射加熱器製品名IR298、株サーモ理工社製を用いて、赤外線照射電流出力値20A、処理時間1秒間を行い加熱すると共に、ITO/PETフィルムの他の主面を、冷却銅板に密着させて、ITO/PETフィルムを冷却した。このとき、冷却銅板に常温のエタノールを垂らし、冷却銅板とITO/PETフィルムの他の主面との間にエタノールからなる冷却媒層を設けた。また、金属酸化物半導体多孔質層が形成されたITO/PETフィルムに対して、Arガスを吹き付けた。なお、冷却水循環装置を用いて、冷却銅板の内部に冷却液を流通させ、装置の冷却液の設定温度を-10°Cに設定し、冷却液としては、エチレングリコールを用いた。<色素吸着>次に、室温にて10時間金属酸化物半導体多孔質層を有機色素D358溶液に浸漬し、金属酸化物半導体多孔質層に色素を吸着させた。D358色素溶液は、D358色素商品名;三菱製紙株製を0.5mMの濃度で、アセトニトリルとtert-ブチルアルコールとを1:1の体積比で混合した混合溶媒に溶解させた溶液である。次に、アセトニトリルを用いてこの半導体電極金属酸化物半導体多孔質層を洗浄した後、アセトニトリルを自然蒸発させ、半導体電極を乾燥させた。<対向電極>一方、対向電極には、SUS316基板にカーボン対極を成型したものを用いた。<組み立て>次に、半導体電極層と対向電極とが向かい合うように、上記2枚の基板を配置し、厚さ30μmのシリコンゴムシートを介して貼り合わせた。次に、毛細管現象を利用して電極間に電解液を導入し、色素増感型太陽電池を作製した。電解液として、3-メトキシプロピオニトリルに0.6Mのヨウ化1-プロピル-3-メチルイミダゾリウムと0.1Mのヨウ素とを溶解させた溶液を用いた。<色素増感型太陽電池の評価>光電変換効率4.5mm×4.5mmの角孔のあいた正方形マスクを用いて擬似太陽光AM1.5、100mW/cm2を照射しながら、作製した色素増感型太陽電池の短絡電流JCS、開放電圧VOC、フィルファクタFF、光電変換効率η、直列抵抗値Rsを24°Cにて評価した。[実施例2]<塗液の調製>第1の塗液粒状の金属酸化物半導体微粒子2である第1の粒状微粒子2Aおよび第2の粒状微粒子2Bとして、いずれも球状で、大きさが異なる2種類の酸化チタンTiO2微粒子を用いた。第1の粒状微粒子2Aとして、P25商品名;デグサ社製、アナターゼ型結晶80とルチル型結晶20の混合物、一次粒子の平均粒径約21nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が14質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第1の粒状酸化チタン微粒子2Aの分散液を調製した。また、第2の粒状微粒子2Bとして、TA-300商品名;富士チタン工業株製、アナターゼ型結晶、一次粒子の平均粒径約390nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が3.5質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第2の粒状酸化チタン微粒子2Bの分散液を調製した。次に各微粒子の分散液を所定の比率で混合した。次に、この分散液に所定量の第1の化合物を加え、攪拌して均一に混合し、濃度調整のために溶媒を追加し、酸化チタン微粒子2Aおよび2B、並びに第1の化合物を含有する塗液を調製した。このとき、第1の化合物の添加によって分散液の粘度が増加することが観察された。この際、第1の化合物としてブトキシチタンダイマー三菱ガス化学株製を用い、塗液における配合量を2.5質量で一定とした。溶媒は、いずれの例でもエタノールを用いた。第2の塗液粒状の金属酸化物半導体微粒子2である第1の粒状微粒子2Aおよび第2の粒状微粒子2Bとして、いずれも球状で、大きさが異なる2種類の酸化チタンTiO2微粒子を用いた。第1の粒状微粒子2Aとして、P25商品名;デグサ社製、アナターゼ型結晶80とルチル型結晶20の混合物、一次粒子の平均粒径約21nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が10.5質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第1の粒状酸化チタン微粒子2Aの分散液を調製した。また、第2の粒状微粒子2Bとして、TA-300商品名;富士チタン工業株製、アナターゼ型結晶、一次粒子の平均粒径約390nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が5.25質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第2の粒状酸化チタン微粒子2Bの分散液を調製した。一方、針状の金属酸化物半導体微粒子3として、針状の酸化チタンTiO2微粒子を用いた。針状の酸化チタン微粒子としては、FTL-300商品名;石原産業株製、ルチル型結晶、一次粒子の平均直径約0.27μm、平均長さ約5.15μmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が1.75質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、ペイントシェイカーにて24時間ビーズ分散処理を行い、針状の金属酸化物半導体微粒子3の分散液を調製した。次に各微粒子の分散液を所定の比率で混合した。次に、この分散液に所定量の第1の化合物を加え、攪拌して均一に混合し、濃度調整のために溶媒を追加し、酸化チタン微粒子2A、2Bおよび3、並びに第1の化合物を含有する塗液を調製した。このとき、第1の化合物の添加によって分散液の粘度が増加することが観察された。この際、第1の化合物としてブトキシチタンダイマー三菱ガス化学株製を用い、塗液における配合量を2.5質量で一定とした。溶媒は、いずれの例でもエタノールを用いた。<半導体電極金属酸化物半導体多孔質層の作製>以下のようにして、支持体6上に、2層の半導体微粒子層を形成した。支持体6として、表面抵抗12~15Ω/□のITO層付PETフィルム尾池工業株式会社製を用いた。この支持体6上にコイルバー30を用いてバーコート法によって第1の塗液を塗布した後、室温で乾燥させることにより、支持体上に第1の半導体微粒子層を形成した。次に、支持体上に形成された第1の半導体微粒子層上にコイルバー14を用いてバーコート法によって第2の塗液を塗布した後、室温で乾燥させることにより、第2の半導体微粒子層を形成した。その後の工程は、実施例1と同様にして、色素増感型太陽電池を作製し、実施例1と同様の評価を行った。[実施例3]<塗液の調製>粒状の金属酸化物半導体微粒子2である第1の粒状微粒子2Aおよび第2の粒状微粒子2Bとして、いずれも球状で、大きさが異なる2種類の酸化チタンTiO2微粒子を用いた。第1の粒状微粒子2Aとして、P25商品名;デグサ社製、アナターゼ型結晶80とルチル型結晶20の混合物、一次粒子の平均粒径約21nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が14質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第1の粒状酸化チタン微粒子2Aの分散液を調製した。また、第2の粒状微粒子2Bとして、TA-300商品名;富士チタン工業株製、アナターゼ型結晶、一次粒子の平均粒径約390nmを用いた。この微粒子粉末を、酸化チタン含有率が3.5質量になるようにエタノールと混合し、直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて、アジターにて24時間ビーズ分散処理を行い、第2の粒状酸化チタン微粒子2Bの分散液を調製した。次に各微粒子の分散液を所定の比率で混合した。次に、この分散液に所定量の第1の化合物を加え、攪拌して均一に混合し、濃度調整のために溶媒を追加し、酸化チタン微粒子2Aおよび2B、並びに第1の化合物を含有する塗液を調製した。このとき、第1の化合物の添加によって分散液の粘度が増加することが観察された。この際、第1の化合物としてブトキシチタンダイマー三菱ガス化学株製を用い、塗液における配合量を2.5質量で一定とした。溶媒は、いずれの例でもエタノールを用いた。<半導体電極層金属酸化物半導体多孔質層の作製>支持体として、FTO層付ガラス基板日本板硝子株製、表面抵抗10Ω/□を用いた。この支持体上に、コイルバー44を用いてバーコート法によって、上記塗液を塗布した後、室温で乾燥させた。次に、半導体微粒子層をプレス機で10t/37.5mm2の面圧で処理した。これにより、基材と半導体微粒子層との密着性が向上し、また、微粒子間の隙間が埋まり接触抵抗が下がる効果が得られる。この半導体微粒子層を、ガラス板のエッジで削って5mm×5mmの大きさとした後、150°Cで30分焼成し、金属酸化物半導体多孔質層を得た。<赤外線処理>次に、FTO層付ガラス基板の一主面に形成された半導体微粒子層に対して、赤外線放射加熱器製品名IR298、株サーモ理工社製を用いて、大気中において、赤外線照射電流出力値20A、処理時間1秒間を行い加熱すると共に、FTO層付ガラス基板の他の主面を、冷却銅板に密着させて、FTO層付ガラス基板を冷却した。このとき、冷却銅板に常温のエタノールを垂らし、冷却銅板とFTO層付ガラス基板の他の主面との間にエタノールからなる冷却媒層を設けた。なお、冷却水循環装置を用いて、冷却銅板の内部に工業用水を流通させ、装置の冷却液の設定温度を35°Cに設定した。その後の工程を実施例1と同様にして、色素増感型太陽電池を作製し、実施例1と同様の評価を行った。[比較例1~比較例3]赤外線照射処理を行わなかったこと以外は、実施例1~実施例3のそれぞれと同様にして、半導体電極層および色素増感型太陽電池を作製し、実施例1と同様の評価を行った。評価結果を図8および表1に示す。表1には、実施例1~実施例3および比較例1~比較例3の開放電圧VOC、短絡電流JSC、フィルファクターFF、光電変換効率η、直列抵抗値Rsを示す。図8は、光変換効率測定時のI-V曲線である。○は、電磁波照射処理を施して作製した実施例1の対向セルのI-V曲線であり、□は電磁波照射処理を施さずに作製した比較例1の対向セルのI-V曲線である。図8に示すように、電磁波照射処理を施した対向セルの結果では、電磁波照射処理を施していない結果よりも、電流密度が上にシフトしている。つまり、電磁波照射処理を施すことによって半導体微粒子同士の結合が改善して抵抗が減少し、その結果、電流密度が増大したことによると考えられる。表1に示すように、電磁波照射処理を施した対向セルの性能実施例1~実施例3は、電磁波照射処理を施していない対向セルの性能比較例1~比較例3より優れていることが確認できる。3.他の実施の形態本開示は、上述した本開示の実施の形態に限定されるものでは無く、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、上述の実施の形態および実施例において挙げた数値、構造、形状、材料、原料、プロセス等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状、材料、原料、プロセス等を用いてもよい。"