"式28で表される化合物。式28中、R1は、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基およびアルコキシカルボニル基からなる群から選択される酸解離性官能基であり、複数個のR1は同一でも異なっていてもよく;R2Aは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオキシ基、アリーロイルオキシ基、シアノ基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基を表し、複数個のR2Aは同一でも異なっていてもよく;R4Dは、ベンゼン構造、ナフタレン構造、ターフェニル構造またはフェナントレン構造を有する炭素数6~20の三価の置換基を表し;k3、j3、m3、n3、x3、y3は0~3の整数であり;k4、j4、m4、n4、x4、y4は0~3の整数であり;k5、j5、m5、n5、x5、y5は0~4の整数であり;1≦k3k4k5≦5、1≦j3j4j5≦5、1≦m3m4m5≦5、1≦n3n4n5≦5、1≦x3x4x5≦5、1≦y3y4y5≦5、1≦k4j4m4n4x4y4≦18、1≦k3k4≦3、1≦j3j4≦3、1≦m3m4≦3、1≦n3n4≦3、1≦x3x4≦3、1≦y3y4≦3を満たす。式29で表される請求項1に記載の化合物。式29中、R1、R2A、k3、j3、m3、n3、x3、y3、k4、j4、m4、n4、x4、y4、k5、j5、m5、n5、x5、y5は前記と同様である。式30-2~30-4で表される請求項2記載の化合物。波長248nmでの吸光係数が15L/cmg以上である請求項1記載の化合物。式33-1で表される化合物。式33-1中、R2Aは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオキシ基、アリーロイルオキシ基、シアノ基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基を表し、複数個のR2Aは同一でも異なっていてもよく;R4Dは、ベンゼン構造、ナフタレン構造、ターフェニル構造またはフェナントレン構造を有する炭素数6~20の三価の置換基を表し;k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’は1~3の整数であり、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’は0~4の整数であり、1≦k3’k5’≦5、1≦j3’j5’≦5、1≦m3’m5’≦5、1≦n3’n5’≦5、1≦x3’x5’≦5、1≦y3’y5’≦5を満たす。式33-2で表される請求項5に記載の化合物。式33-2中、R2A、k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’は前記と同様である。下記式33-3で表される請求項6に記載の化合物。式33‐3中、R8は水素原子またはメチル基であり、複数個のR8は各々同一でも異なっていてもよい。波長248nmでの吸光係数が15L/cmg以上である請求項5記載の化合物。請求項1~8のいずれかに記載の化合物と、溶媒とを含むことを特徴とする感放射線性組成物。さらに、溶解促進剤を含む請求項9に記載の感放射線性組成物。さらに、酸発生剤を含む請求項10に記載の感放射線性組成物。さらに、酸拡散制御剤を含む請求項11に記載の感放射線性組成物。本発明の目的は、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはx線等の放射線に感応する化合物及び感放射線性組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、金属触媒を使用することなくかつ簡単な工程で製造できる、高感度、高解像度、高耐熱性、高エッチング耐性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性組成物を提供することにある。本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定の化合物を含む組成物が上記課題の解決に有用であることを見出した。すなわち、本発明は、固形成分1~80重量および溶媒20~99重量を含む感放射線性組成物であって、下記条件:a炭素数12~36で二~四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドと、炭素数6~15であり1~3個のフェノール性水酸基を含有する化合物との縮合反応により合成したポリフェノール化合物Aの、少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性官能基を導入した構造を有する、b分子量が400~2000を満たす化合物Bを含み、化合物Bと溶解促進剤Cの総和が固形成分全重量の50~99.999重量であることを特徴とする感放射線性組成物および化合物Bに関するものである。本発明の化合物Bおよびこれを含有する感放射線性組成物はKrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはx線などの放射線に対して高感度であり、高解像度、のレジストパターンの形成を可能にする。従って、集積度の高い半導体素子を高い生産性で製造することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の感放射線性組成物は、化合物Bと溶解促進剤Cを含む固形成分1~80重量および溶媒20~99重量を含む。化合物Bと溶解促進剤Cの合計含有量は、固形成分全重量の50~99.999重量である。化合物Bは、炭素数12~36で二~四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドと、炭素数6~15であり1~3個のフェノール性水酸基を含有する化合物との縮合反応から得られたポリフェノール化合物Aの、少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性官能基を導入した構造を有し、分子量が400~2000である。芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドは三価または四価であることが好ましい。前記芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの例としては、ビフェニル構造、ナフタレン構造、ターフェニル構造、フェナントレン構造、ピレン構造、フルオレン構造、アセナフテン構造、ベンゾフェノン構造、キサンテン構造、アントラキノン構造およびチオキサンテン構造からなる群から選ばれる構造を有するジカルボニル化合物、トリカルボニル化合物、テトラカルボニル化合物等が挙げられる。二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドとしては、例えば、ジホルミルベンゼン、ジアセチルベンゼン、ジベンゾイルベンゼン、ジホルミルトルエン、ジアセチルトルエン、ジベンゾイルトルエン、ジホルミルキシレン、ジアセチルキシレン、ジベンゾイルキシレン、ジホルミルナフタレン、ジアセチルナフタレン、ジベンゾイルナフタレン、ジホルミルビフェニル、ジアセチルビフェニル、ジベンゾイルビフェニル、ジホルミルターフェニル、ジアセチルターフェニル、ジベンゾイルターフェニル、ジホルミルアントラセン、ジアセチルアントラセン、ジベンゾイルアントラセン、ジホルミルフェナントレン、ジアセチルフェナントレン、ジベンゾイルフェナントレン、ジホルミルピレン、ジアセチルピレン、ジベンゾイルピレン、ジホルミルインダセン、ジアセチルインダセン、ジベンゾイルインダセン、ジホルミルフェナレン、ジアセチルフェナレン、ジベンゾイルフェナレン、ジホルミルアセナフチレン、ジアセチルアセナフチレン、ジベンゾイルアセナフチレン、ジホルミルフェナレン、ジアセチルフェナレン、ジベンゾイルフェナレン、ジホルミルナフタセン、ジアセチルナフタセン、ジベンゾイルナフタセン、ジホルミルペンタセン、ジアセチルペンタセン、ジベンゾイルペンタセン、ジホルミルトリフェニレン、ジアセチルトリフェニレン、ジベンゾイルトリフェニレン、ジホルミルピリジン、ジアセチルピリジン、ジベンゾイルピリジン、ジホルミルイミダゾール、ジアセチルイミダゾール、ジベンゾイルイミダゾール、ジホルミルフラン、ジアセチルフラン、ジベンゾイルフラン、ジホルミルチアゾール、ジアセチルチアゾール、ジベンゾイルチアゾール、ジホルミルフラボン、ジアセチルフラボン、ジベンゾイルフラボン、ジホルミルイソフラボン、ジアセチルイソフラボン、ジベンゾイルイソフラボンなどが挙げられる。二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドは、炭素数10~20のナフタレン構造を有することが好ましく、炭素数10~17のナフタレン構造を有することがより好ましく、炭素数10~14のナフタレン構造を有することがさら好ましく、炭素数10~12のナフタレン構造を有することが特に好ましい。二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドは、炭素数18~28のターフェニル構造を有することが好ましく、炭素数18~24のターフェニル構造を有することがより好ましく、炭素数18~20のターフェニル構造を有することがさらに好ましく、炭素数18~19のターフェニル構造を有することが特に好ましい。ナフタレン構造を有する二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの具体例としては、例えば、ナフタレンジカルボアルデヒド、メチルナフタレンジカルボアルデヒド、ジメチルナフタレンジカルボアルデヒド、トリメチルナフタレンジカルボアルデヒド、ジアセチルナフタレン、ジアセチルメチルナフタレン、ジアセチルジメチルナフタレン、ジアセチルトリメチルナフタレン等が挙げられる。ターフェニル構造を有する二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの具体例としては、例えば、ターフェニルジカルボアルデヒド例えばメタターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒド、パラターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒド、オルトターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒドなど、メチルターフェニルジカルボアルデヒド、ジメチルターフェニルジカルボアルデヒド、トリメチルターフェニルジカルボアルデヒド、ジアセチルターフェニル、ジアセチルメチルターフェニル、ジアセチルジメチルターフェニル、ジアセチルトリメチルターフェニル、エチルターフェニルジカルボアルデヒド、プロピルターフェニルジカルボアルデヒド、ブチルターフェニルジカルボアルデヒド、ペンチルターフェニルジカルボアルデヒド、ヘキシルターフェニルジカルボアルデヒド、ヘプチルターフェニルジカルボアルデヒド、オクチルターフェニルジカルボアルデヒド、ノニルターフェニルジカルボアルデヒド、デカニルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロプロピルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロブチルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロペンチルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロヘキシルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロヘプチルターフェニルジカルボアルデヒド、シクロデシルターフェニルジカルボアルデヒド、フェニルターフェニルジカルボアルデヒド、トリルターフェニルジカルボアルデヒド、キシリルターフェニルジカルボアルデヒド、ナフチルターフェニルジカルボアルデヒド等が挙げられる。二価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの内、ナフタレン-2,5-ジカルボアルデヒド、ナフタレン-2,6-ジカルボアルデヒド、ナフタレン-2,7-ジカルボアルデヒド、2,5-アセチルナフタレン、2,6-アセチルナフタレン、2,7-アセチルナフタレン、メタターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒド、パラターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒド、オルトターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒドが好ましく、ナフタレン-2,6-ジカルボアルデヒド、ナフタレン-2,7-ジカルボアルデヒド、メタターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒド、パラターフェニル-4,4-ジカルボアルデヒドがより好ましく、ナフタレン-2,6-ジカルボアルデヒドが更に好ましい。三価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドとしては、例えば、トリホルミルベンゼン、トリアセチルベンゼン、トリベンゾイルベンゼン、トリホルミルトルエン、トリアセチルトルエン、トリベンゾイルトルエン、トリホルミルキシレン、トリアセチルキシレン、トリベンゾイルキシレン、トリホルミルナフタレン、トリアセチルナフタレン、トリベンゾイルナフタレン、トリホルミルビフェニル、トリアセチルビフェニル、トリベンゾイルビフェニル、トリホルミルターフェニル、トリアセチルターフェニル、トリベンゾイルターフェニル、トリホルミルアントラセン、トリアセチルアントラセン、トリベンゾイルアントラセン、トリホルミルフェナントレン、トリアセチルフェナントレン、トリベンゾイルフェナントレン、トリホルミルピレン、トリアセチルピレン、トリベンゾイルピレン、トリホルミルインダセン、トリアセチルインダセン、トリベンゾイルインダセン、トリホルミルフェナレン、トリアセチルフェナレン、トリベンゾイルフェナレン、トリホルミルアセナフチレン、トリアセチルアセナフチレン、トリベンゾイルアセナフチレン、トリホルミルフェナレン、トリアセチルフェナレン、トリベンゾイルフェナレン、トリホルミルナフタセン、トリアセチルナフタセン、トリベンゾイルナフタセン、トリホルミルペンタセン、トリアセチルペンタセン、トリベンゾイルペンタセン、トリホルミルトリフェニレン、トリアセチルトリフェニレン、トリベンゾイルトリフェニレン、トリホルミルピリトリン、トリアセチルピリトリン、トリベンゾイルピリトリン、トリホルミルイミダゾール、トリアセチルイミダゾール、トリベンゾイルイミダゾール、トリホルミルフラン、トリアセチルフラン、トリベンゾイルフラン、トリホルミルチアゾール、トリアセチルチアゾール、トリベンゾイルチアゾール、トリホルミルフラボン、トリアセチルフラボン、トリベンゾイルフラボン、トリホルミルイソフラボン、トリアセチルイソフラボン、トリベンゾイルイソフラボンなどが挙げられる。これらの三価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの内、トリホルミルベンゼン、トリアセチルベンゼン、トリホルミルナフタレン、トリアセチルナフタレン、トリホルミルビフェニル、トリアセチルビフェニルがより好ましく、トリホルミルベンゼン、トリホルミルナフタレンが更に好ましく、トリホルミルベンゼンが特に好ましい。四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドとしては、例えば、テトラホルミルベンゼン、テトラアセチルベンゼン、テトラベンゾイルベンゼン、テトラホルミルナフタレン、テトラアセチルナフタレン、テトラベンゾイルナフタレン、テトラホルミルビフェニル、テトラアセチルビフェニル、テトラベンゾイルビフェニル、テトラホルミルターフェニル、テトラアセチルターフェニル、テトラベンゾイルターフェニル、テトラホルミルアントラセン、テトラアセチルアントラセン、テトラベンゾイルアントラセン、テトラホルミルフェナントレン、テトラアセチルフェナントレン、テトラベンゾイルフェナントレン、テトラホルミルピレン、テトラアセチルピレン、テトラベンゾイルピレン、テトラホルミルインダセン、テトラアセチルインダセン、テトラベンゾイルインダセン、テトラホルミルフェナレン、テトラアセチルフェナレン、テトラベンゾイルフェナレン、テトラホルミルアセナフチレン、テトラアセチルアセナフチレン、テトラベンゾイルアセナフチレン、テトラホルミルフェナレン、テトラアセチルフェナレン、テトラベンゾイルフェナレン、テトラホルミルナフタセン、テトラアセチルナフタセン、テトラベンゾイルナフタセン、テトラホルミルペンタセン、テトラアセチルペンタセン、テトラベンゾイルペンタセン、テトラホルミルテトラフェニレン、テトラアセチルテトラフェニレン、テトラベンゾイルテトラフェニレン、テトラホルミルピリテトラン、テトラアセチルピリテトラン、テトラベンゾイルピリテトラン、テトラホルミルイミダゾール、テトラアセチルイミダゾール、テトラベンゾイルイミダゾール、テトラホルミルフラン、テトラアセチルフラン、テトラベンゾイルフラン、テトラホルミルチアゾール、テトラアセチルチアゾール、テトラベンゾイルチアゾール、テトラホルミルフラボン、テトラアセチルフラボン、テトラベンゾイルフラボン、テトラホルミルイソフラボン、テトラアセチルイソフラボン、テトラベンゾイルイソフラボンなどが挙げられる。これらの四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの内、テトラホルミルベンゼン、テトラアセチルベンゼン、テトラホルミルナフタレン、テトラアセチルナフタレン、テトラホルミルビフェニル、テトラアセチルビフェニル、テトラホルミルターフェニル、テトラアセチルターフェニルがより好ましく、テトラホルミルベンゼン、テトラホルミルナフタレンが更に好ましい。炭素数12~36で二~四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドは、公知のいずれの方法によって製造される。例えば、ナフタレンジカルボン酸メチルやベンゼントリカルボン酸メチルを還元剤を用いて還元する方法、ナフタレンジニトリル、ベンゼントリニトリルを還元剤または水素と触媒を用いて還元する方法、ジメチルナフタレンやトリメシンなどのアルキル芳香族化合物の側鎖のメチル基を空気酸化する方法、ジメチルナフタレンやトリメシンなどのアルキル芳香族化合物の側鎖を光塩素化して得た塩素化芳香族化合物を酸化する方法、ナフタレンジカルボン酸塩化物およびトリメシン酸塩化物などの芳香族カルボン酸塩化物を酸化剤を用いて酸化する方法、およびジヒドロキシメチルナフタレンやトリヒドロキシメチルベンゼンを酸化剤を用いて酸化する方法などが挙げられる。上記化合物Bは、少なくとも2個のベンゼン環および/またはヘテロ原子の非結合電子対が関与する共役構造を含むことが好ましい。上記共役構造を有することにより、低分子化合物でありながら、成膜性、高エッチング耐性、耐熱性、放射線露光時の低アウトガス性、更に増感効果による高感度などの性能が付与できる。この増感効果は電子線などの放射線の一部を吸収し、次いで吸収されたエネルギーが酸発生剤に効率的に伝達するためと考えられる。芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドが三価または四価である場合、前記共役構造を含まなくても、成膜性、耐熱性などの性能が付与できる。前記共役構造は、ビフェニル構造、ナフタレン構造、フルオレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ベンゾピレン構造、アセナフテン構造、アセナフチレン構造、1-ケトアセナフテン構造、ベンゾフェノン構造、キサンテン構造、チオキサンテン構造、フラボン構造、イソフラボン構造、インダン構造、インデン構造、インダセン構造、フェナレン構造、ビフェニレン構造、コロネン構造、クリセン構造、トリナフチレン構造、ヘキサフェン構造、ヘキサセン構造、ルビセン構造、フルオラセン構造、アセフェナントリレン構造、ペリレン構造、ピセン構造、ペンタフェン構造、ヘプタフェン構造、ヘプタセン構造、ピラントレン構造、フェナセン構造、ナフタセン構造、ペンタセン構造、アセアントレン構造、アセフェナントレン構造、アズレン構造、トリフェニレン構造、p-ターフェニル構造、m-ターフェニル構造、1,3,5-トリフェニルベンゼン構造、1,2,3-トリフェニルベンゼン構造、1,2,4-トリフェニルベンゼン構造、フェニルナフタレン構造、フェニルナフタレン構造、ビナフタレン構造、オバレン構造等が挙げられる。ビフェニル構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、フルオレン構造、アセナフテン構造、1-ケトアセナフテン構造、ベンゾフェノン構造、キサンテン構造、およびチオキサンテン構造から選ばれる少なくとも1つの構造であることが比較的安価な原料から導入出来ることなどの理由から好ましい。ナフタレン構造、ターフェニル構造から選ばれる少なくとも1つの構造がより好ましく、ナフタレン構造が特に好ましい。上記、芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドは、芳香族アルデヒドであることがより好ましい。芳香族アルデヒドの反応性は、芳香族ケトンの反応性よりも高く、かつ副生成物を抑制し、収率を高くポリフェノール化合物Aを製造することができる。炭素数6~15であり1~3個のフェノール性水酸基を含有する化合物の例としては、フェノール、C1‐6アルキルフェノール例えばo-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾールなどのクレゾール類など、ジアルキルフェノール例えば2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2-エチル-5-メチルフェノール、チモールなど、トリアルキルフェノール2,3,6-トリメチルフェノール、アルコキシフェノール例えば2-メトキシフェノールなどのアニソール類など、アリールフェノール例えば3-フェニルフェノールなどのフェニルフェノールなど、シクロアルキルフェノール例えば3-シクロヘキシルフェノールなど、ハロゲン化フェノール類例えば、クロロフェノール、ジクロロフェノール、クロロクレゾール、ブロモフェノール、ジブロモフェノール、その他フェノール類例えばナフトール、5,6,7,8-テトラヒドロナフトールなど、多価フェノール類例えば、カテコール、アルキルカテコール、クロロカテコール、レゾルシノール、アルキルレゾルシノール、ハイドロキノン、アルキルハイドロキノン、クロロレゾルシノール、クロロハイドロキノン、ピロガロール、アルキルピロガロール、フロログリシノール、1,2,4-トリヒドロキシフェノールなどが例示できる。2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、チモールおよび2,3,6-トリメチルフェノールが好ましく、2,6-キシレノールおよび2,3,6-トリメチルフェノールがより好ましく、2,3,6-トリメチルフェノールがさらに好ましい。上記化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用してもよい。純度は特に限定されないが、通常、95重量以上、好ましくは99重量以上である。前記酸解離性官能基は、KrFやArF用の化学増幅型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン系樹脂、メタアクリル酸系樹脂等において提案されているもののなかから適宜選択して用いることができる。例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、およびアルコキシカルボニル基などが挙げられる。前記酸解離性官能基は、架橋性官能基を有さないことが好ましい。化合物Bの分子量は400~2000であり、好ましくは500~1600、より好ましくは550~1600以下である。上記範囲であるとレジストに必要な成膜性を保持しつつ、解像性が向上する。本発明の一態様において、化合物Bは下記式1で示される化合物であるのが好ましい。式1中、R1は、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基およびアルコキシカルボニル基からなる群から選択される酸解離性官能基である。置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、2-メチルプロポキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、フェニルオキシメチル基、1-シクロペンチルオキシメチル基、1-シクロヘキシルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、4-ブロモフェナシル基、4-メトキシフェナシル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、および下記式2-1~2-13で示される置換基等を挙げることができる。1-置換エチル基としては、例えば、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、n-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n-ブトキシエチル基、t-ブトキシエチル基、2-メチルプロポキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、および下記式3-1~3-13で示される置換基等を挙げることができる。1-置換-n-プロピル基としては、例えば、1-メトキシ-n-プロピル基および1-エトキシ-n-プロピル基等を挙げることができる。1-分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、2-メチルアダマンチル基、および2-エチルアダマンチル基等を挙げることができる。シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジエチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、トリ-tert-ブチルシリル基およびトリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、例えば、アセチル基、フェノキシアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、アダマンチル基、ベンゾイル基およびナフトイル基等を挙げることができる。1-置換アルコキシメチル基としては、例えば、1-シクロペンチルメトキシメチル基、1-シクロペンチルエトキシメチル基、1-シクロヘキシルメトキシメチル基、1-シクロヘキシルエトキシメチル基、1-シクロオクチルメトキシメチル基および1-アダマンチルメトキシメチル基等を挙げることができる。環状エーテル基としては、例えば、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基および4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。これらの酸解離性官能基のうち、置換メチル基、置換エチル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、およびアルコキシカルボニル基が好ましく、置換メチル基および置換エチル基が高感度であるためより好ましく、更に1-エトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基が好ましく、特にシクロヘキシルオキシエチル基が解像性が高く好ましい。また式1中の酸解離性官能基R1は、下記式4-1で示される繰り返し単位と下記式4-2で示される末端基からなる置換基であっても良い。式4-1及び/又は4-2において、R1は上記と同様である。Lは、単結合、メチレン基、エチレン基またはカルボニル基である。複数個のLは、同一でも異なっていても良い。n5は0~4の整数、n6は1~3の整数、xは0~3の整数であり、1≦n5n6≦5を満たす。複数個のn5、n6、xは、同一でも異なっていても良い。R9は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオキシ基、アリーロイルオキシ基、シアノ基、およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基である。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ;アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、n-プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の炭素原子数1~4のアルキル基が挙げられ;シクロアルキル基としてはシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ;アリール基としてはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフキル基等が挙げられ;アラルキル基としてはベンジル基、ヒドロキシベンジル基、ジヒドロキシベンジル基等が挙げられ;アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等の炭素原子数1~4のアルコキシ基が挙げられ;アリールオキシ基としてはフェノキシ基等が挙げられ;アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素原子数2~4のアルケニル基が挙げられ;アシル基としてはホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基等の炭素原子数1~6の脂肪族アシル基、およびベンゾイル基、トルオイル基等の芳香族アシル基が挙げられ;アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基等の炭素原子数2~5のアルコキシカルボニル基が挙げられ;アルキロイルオキシ基としてはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基等が挙げられ;アリーロイルオキシ基としてはベンゾイルオキシ基等が挙げられる。複数個のR9は、同一でも異なっていても良い。R2Aは、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオキシ基、アリーロイルオキシ基、シアノ基、およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基である。複数個のR2Aは、同一でも異なっていても良い。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ;アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、n-プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の炭素原子数1~4のアルキル基が挙げられ;シクロアルキル基としてはシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ;アリール基としてはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフキル基等が挙げられ;アラルキル基としてはベンジル基、ヒドロキシベンジル基、ジヒドロキシベンジル基等が挙げられ;アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等の炭素原子数1~4のアルコキシ基が挙げられ;アリールオキシ基としてはフェノキシ基等が挙げられ;アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素原子数2~4のアルケニル基が挙げられ;アシル基としてはホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基等の炭素原子数1~6の脂肪族アシル基、およびベンゾイル基、トルオイル基等の芳香族アシル基が挙げられ;アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基等の炭素原子数2~5のアルコキシカルボニル基が挙げられ;アルキロイルオキシ基としてはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基等が挙げられ;アリーロイルオキシ基としてはベンゾイルオキシ基等が挙げられる。R2Aはフェノール性水酸基の2,5位、2,6位または2,3,6位に置換しているメチル基、または、フェノール性水酸基の2位に置換しているイソプロピル基および5位に置換しているメチル基であることが好ましい。上記条件を満たすことにより、結晶性が抑制され、成膜性が向上し、溶解コントラストが増加して、解像度、パターン形状に優れたパターンを得ることができる。R2Aに含まれるヒドロキシ基は、本発明の効果が損なわれない範囲で、R1で示される酸解離性官能基で置換されていてもよい。R3、R7はそれぞれ水素原子または炭素数1~6のアルキル基を表す。炭素数1~6のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などの直鎖、分岐または環状アルキル基が挙げられる。R4Aは、ビフェニル構造、ターフェニル構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、またはピレン構造を有する炭素数10~28の二価の置換基であり、また、R4AはR3およびR7と共にフルオレン構造またはベンゾフェノン構造を有する炭素数10~28の四価の置換基を表す。R4Aは、下記式5-1~5-3で表される置換基であることが好ましい。上記式中、R5Aは、それぞれ独立に、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、または炭素数6~10のアリール基である。炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基などの直鎖又は分枝を有するアルキル基が挙げられ、メチル基が好ましい。炭素数3~10のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられ、シクロヘキシル基が好ましい。炭素数6~10のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられ、フェニル基が好ましい。p3は0~3の整数である。複数個のR5Aおよびp3は、各々同一でも異なっていても良い。R4AとR3およびR7が結合して表す四価の置換基としては、下記式6-1および6-2で表される置換基が好ましい。上記式中、R5Aは前記と同様であり、Yは単結合またはカルボニル基であり、q3は0~3の整数であり、r3は0~2の整数である。複数個のR5A、Y、q3およびr3は、各々同一でも異なっていても良い。式1中、k0、j0、m0、n0は0~3の整数であり、k1、j1、m1、n1は0~3の整数であり、k2、j2、m2、n2は0~4の整数であり、1≦k0k1k2≦5、1≦j0j1j2≦5、1≦m0m1m2≦5、1≦n0n1n2≦5、1≦k1j1m1n1≦12、1≦k0k1≦3、1≦j0j1≦3、1≦m0m1≦3、1≦n0n1≦3を満たす。式1の化合物は低分子でありながら、成膜性、耐熱性、ドライエッチング耐性、EUV光透過性、低アウトガス性を有するので感放射線組成物のレジスト成分として好ましい。式1の化合物を含む感放射線組成物は、解像度、感度、低ラインエッジラフネスに優れている。式1の化合物は、好ましくは下記式7-1又は7-2で示される。式7-1中、R1、R3、R7、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様であり;R2Bは、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキロイルオキシ基、アリーロイルオキシ基、シアノ基およびニトロ基からなる群から選ばれる置換基を表し;R4Bは、ナフタレン構造を有する炭素数10~20の二価の置換基を表す。複数個のR1およびR2Bは、同一でも異なっていても良い。ナフタレン構造は剛直な構造であるのでレジスト材料に耐熱性を付与することが出来る。更に、広がったπ共役構造の増感作用により、酸発生剤へのエネルギー伝達効率がよいため高感度が得られる。また、高炭素密度を有する構造であることからEUV光に対する光透過性がよく、高エネルギー線に対するアウトガス量が小さく、ドライエッチング耐性に優れる。式7-2中、R1、R2B、R3、R7、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様であり;R4Cは、ターフェニル構造を有する炭素数18~28の二価の置換基を表す。ターフェニル構造は剛直な構造であるのでレジスト材料に耐熱性を付与することが出来る。更に、広がったπ共役構造の増感作用により、酸発生剤へのエネルギー伝達効率がよいため高感度が得られる。また、高炭素密度を有する構造であることからEUV光に対する光透過性がよく、高エネルギー線に対するアウトガス量が小さく、ドライエッチング耐性に優れる。式7-1または7-2の化合物は、下記式8-1、8-2、8-3または8-4で示されるのが好ましい。式8-1、8-2、8-3、8-4中、R1、R4B、R4Cは、前記と同様である。R8は、それぞれ独立に、水素原子またはメチル基である。複数個のR8は、同一でも異なっていてもよいが、少なくとも1つはメチル基である。式7-1の化合物は下記式9-1で示されるのが好ましい。式9-1中、R1、R2B、R3、R7、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。R5Aは、それぞれ独立に、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、または炭素数6~10のアリール基であり、p1は0~6の整数である。複数個のR1、R2BおよびR5Aは、同一でも異なっていても良い。炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基などの直鎖又は分枝を有するアルキル基が挙げられる。炭素数3~10のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。炭素数6~10のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。。また、式7-1の化合物は下記式9-2で示されるのが好ましい。式9-2中、R1、R2B、R3、R7、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。R5Bは炭素数1~6のアルキル基である。複数個のR1、R2BおよびR5Bは同一でも異なっていても良い。式9-1の化合物は好ましくは下記式10で示される。式10中、R1、R2B、R3、R5A、R7、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式10の化合物は好ましくは下記式10-2で示される。式10-2中、R1、R2B、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式10の化合物は好ましくは下記式11で示される。式11中、R1およびR8は上記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。また、式10の化合物は好ましくは下記式12-1~12-8で表される。式12-1~12-8中、R8は上記と同様である。上記化合物は、解像性に優れる。また、式10の化合物は好ましくは下記式13で表される。式13中、R1は、上記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。また、式10の化合物は好ましくは下記式14-1~14-8で表される。式14-1~14-8中、R8は上記と同様である。上記化合物は、解像性に優れる。また、式9-1の化合物は下記式15で表されるのが好ましい。式15中、R1、R2B、R3、R5A、R7、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式15の化合物は下記式16-2で表されることが好ましい。式16-2中、R1、R2B、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式15の化合物は下記式16で表されることが好ましい。式16中、R1およびR8は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。また、式15の化合物は下記式17-1~17-6で表されることが好ましい。式17-1~17-8中、R8は上記と同様である。上記化合物は、解像性に優れる。式7-2の化合物は下記式18-1で示されることが好ましい。式18-1中、R1、R2B、R3、R5A、R7、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様であり、p2は0~2の整数である。複数個のR1、R2BおよびR5Aは、同一でも異なっていても良い。また、式7-2の化合物は下記式18-2で示されることが好ましい。式18-2中、R1、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。複数個のR1、R2BおよびR5Bは、同一でも異なっていても良い。また、式7-2の化合物は下記式19で表されることが好ましい。式19中、R1、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。式19で表される化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式19の化合物は下記式20で表されることが好ましい。式20中、R1およびR8は上記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。また、式19の化合物は下記式21-1~21-8で表されることが好ましい。式21-1~21-8中、R8は上記と同様である。上記化合物は、解像性に優れる。式18-2の化合物は下記式22で表されることが好ましい。式22中、R1、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。式22で表される化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。式22の化合物は下記式23で表されることが好ましい。式23中、R1およびR8は前記と同様である。上記化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。また、式22の化合物は式24-1~24-8で表されることが好ましい。式24-1~24-8中、R8は上記と同様である。上記化合物は、解像性に優れる。好ましい式1の化合物は下記のとおりである。上記式中、R1およびR8は上記と同様である。本発明の他の態様において、化合物Bは下記式28で表される。式28中、R1およびR2Aは前記と同様であり、R4Dはベンゼン構造、ナフタレン構造、ターフェニル構造またはフェナントレン構造を有する炭素数6~20の三価の置換基を表し、k3、j3、m3、n3、x3、y3は0~3の整数であり、k4、j4、m4、n4、x4、y4は0~3の整数であり、k5、j5、m5、n5、x5、y5は0~4の整数であり、1≦k3k4k5≦5、1≦j3j4j5≦5、1≦m3m4m5≦5、1≦n3n4n5≦5、1≦x3x4x5≦5、1≦y3y4y5≦5、1≦k4j4m4n4x4y4≦18、1≦k3k4≦3、1≦j3j4≦3、1≦m3m4≦3、1≦n3n4≦3、1≦x3x4≦3、1≦y3y4≦3を満たす。式28の化合物は下記式29で表されることが好ましい。式29中、R1、R2A、k3、j3、m3、n3、x3、y3、k4、j4、m4、n4、x4、y4、k5、j5、m5、n5、x5、y5は前記と同様である。式29の化合物は下記式30-1で表されることが好ましい。式30-1中、R1およびR8は上記と同様である。また、式29の化合物は下記式31-1~31-3で表されることが好ましい。式31-1~31-3中、R8は上記と同様である。上記式30-1および31-1~31-3の化合物は、感度、耐熱性、解像性に優れる。また比較的安価なフェノール類から製造でき、更に単離精製が容易である。以下、化合物Bの製造方法を説明する。二価~四価の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド1モルに対しフェノール性水酸基を含有する化合物1モル~過剰量を、酸触媒塩酸または硫酸及び副生成物を抑制する助触媒チオ酢酸またはβ―メルカプトプロピオン酸の存在下、60~150°Cで0.5~20時間程度反応させる。芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドの残存量を液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、IR分析および1H-NMR分析等公知の方法で追跡し、残存量を示すピーク面積が減少しなくなった時点を以って反応の終点と判断できる。反応終了後、反応液にメタノールまたはイソプロピルアルコールを加えて60~80°Cまで加熱し、0.5~2時間攪拌した後、純水を適量加えて反応生成物を析出させる。室温まで冷却した後、濾過を行い析出物を分離し、乾燥することによりポリフェノール化合物Aが得られる。また、ポリフェノール化合物Aは、上記芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒドをハロゲン化水素若しくはハロゲンガスでジハロゲン化物とし、単離したジハロゲン化物と1~3個のフェノール性水酸基を含有する化合物と反応させて製造することも出来る。例えば以下のようにして、ポリフェノール化合物Aの少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性官能基を導入することができる。アセトン、テトラヒドロフラン、1,3-ジオキソラン等の非プロトン性溶媒にポリフェノール化合物Aを溶解または懸濁させる。これに、tert-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基などの酸解離性官能基を導入するための化合物を加え、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン等のアミン系触媒またはピリジニウムトシラート等の酸触媒の存在下常圧で、20~60°C、6~24時間反応させる。反応液を蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより化合物Bを得ることができる。非プロトン性溶媒としては、ポリフェノール化合物Aおよび酸触媒に対する溶解性が高い1,3-ジオキソランが生産性が高いので最も好ましい。酸解離性官能基を導入するための化合物としては、酸解離性官能基を有する、酸クロライド、酸無水物、ジカーボネートなどの活性カルボン酸誘導体化合物、アルキルハライド、ビニルアルキルエーテル、ジヒドロピランなどが挙げられるが特に限定はされない。本発明において、酸解離性官能基とは、酸の存在下で開裂して、アルカリ可溶性基を生じる特性基をいう。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘキサフルオロイソプロパノール基などが挙げられ、フェノール性水酸基およびカルボキシル基が好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。前記酸解離性官能基は、更に高感度高解像度なパターン形成を可能にするために、酸の存在下で連鎖的に開裂反応を起こす性質を有することが好ましい。本化合物Bの製造では金属触媒を用いる必要がないので、化合物Bの残存金属量は低いが、残存金属量をさらに低減するために、必要に応じて精製してもよい。また触媒に用いた塩基性化合物が残存すると、一般に、感放射線性組成物の感度が低下するので、その低減を目的とした精製を行ってもよい。精製は、化合物Bが変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は2種以上を組み合わせて行うことがより好ましい。酸性水溶液、イオン交換樹脂およびシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属および/または塩基性化合物の量や種類、精製する化合物Bの種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。例えば、酸性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lの塩酸、硝酸、酢酸水溶液、イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂、例えばオルガノ製Amberlyst15J-HGDryなどが挙げられる。精製後に乾燥を行っても良い。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、化合物Bが変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。溶解促進剤Cは、化合物Bのアルカリ等の現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時の化合物Bの溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分である。前記溶解促進剤としては、例えば、低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、例えば、ビスフェノール類、トリスヒドロキシフェニルメタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。溶解促進剤の配合量は、使用する前記化合物Bの種類に応じて適宜調節されるが、化合物Bと溶解促進剤Cの総和が固形成分の全重量の50~99.999重量、好ましくは60~99重量、より好ましくは70~99重量、さらに好ましくは80~99重量となる量である。溶解促進剤Cは、溶解性を高める効果はあるものの、ラインエッジラフネスLERを悪化させる場合があるので使用しないことが好ましい。溶解促進剤Cは、上記ポリフェノール化合物Aから選ばれる化合物であることが好ましい。ポリフェノール化合物Aは、低分子量でありながら、高耐熱性、アモルファス性を有し、かつ、化合物Bとの親和性が高く、均一なレジスト膜を形成でき、高解像度、低LERなどの性能が付与できる。溶解促進剤Cとして使用するポリフェノール化合物Aは、化合物Bの製造に用いられたポリフェノール化合物Aと同一であることがより好ましい。化合物Bと溶解促進剤Cとの親和性が更に高くなり、より均一なレジスト膜を形成でき、高解像度、低LERなどの性能が付与できる。溶解促進剤Cは、下記式32-1~32-5および33-1で示されるポリフェノール化合物Aであることがより好ましい。式32-1中、R2A、R3、R4A、R7は前記と同様であり、k0’、j0’、m0’、n0’は1~3の整数であり、k2’、j2’、m2’、n2’は0~4の整数であり、1≦k0’k2’≦5、1≦j0’j2’≦5、1≦m0’m2’≦5、1≦n0’n2’≦5を満たす。式32‐2中、R2A、R3、R4B、R7、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。複数個のR2Aは同一でも異なっていても良い。式32‐3中、R2A、R3、R4C、R7、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。複数個のR2Aは、同一でも異なっていても良い。式32‐4中、R2B、R3、R4B、R7、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。複数個のR2Bは、同一でも異なっていても良い。式32‐5中、R2B、R3、R4C、R7、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。複数個のR2Bは、同一でも異なっていても良い。式33-1中、R2A、R4Dは前記と同様であり、k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’は1~3の整数であり、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’は0~4の整数であり、1≦k3’k5’≦5、1≦j3’j5’≦5、1≦m3’m5’≦5、1≦n3’n5’≦5、1≦x3’x5’≦5、1≦y3’y5’≦5を満たす。さらに好ましい溶解促進剤Cは、下記式32-10、32-12~33-21で示される化合物である。上記式中、R2B、R3、R5A、R7、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R2B、R3、R5B、R7、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R2B、R3、R5A、R7、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R2B、R3、R5A、R7、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R2B、R3、R5A、R7、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様であり、p2は0~2の整数である。上記式中、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R1、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’は前記と同様である。上記式中、R5A、p2は前記と同様であり;k0’’、j0’’、m0’’、n0’’は1~3の整数であり、k2’’、j2’’、m2’’、n2’’は0~3の整数であり、1≦k0’’k2’’≦5、1≦j0’’j2’’≦5、1≦m0’’m2’’≦5、1≦n0’’n2’’≦5を満たし;R2Cは炭素数1~6のアルキル基である。上記式中、R2C、k0’’、j0’’、m0’’、n0’’、k2’’、j2’’、m2’’、n2’’は前記と同様である。上記式中、R2B、R3、R5B、R7、p2、k0、j0、m0、n0、k2、j2、m2、n2は前記と同様である。上記式中、R2C、k0’’、j0’’、m0’’、n0’’、k2’’、j2’’、m2’’、n2’’は前記と同様である。他のさらに好ましい溶解促進剤Cは、下記式33-2、32-6~32-10および33-3で示される化合物である。式33-2中、R2A、k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’は前記と同様である。上記式中、R8は上記と同様である。固形成分と溶媒との混合割合は、固形成分1~80重量および溶媒20~99重量であり、固形成分1~50重量および溶媒50~99重量が好ましく、固形成分1~25重量および溶媒75~99重量がより好ましく、固形成分1~10重量および溶媒90~99重量がさらに好ましい。前記固形成分は、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはx線から選ばれるいずれかの放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を一種以上含むことが好ましい。酸発生剤の使用量は、固形成分全重量化合物B、溶解促進剤C、および、酸発生剤、酸拡散制御剤などの任意に使用される固形成分の総和、以下同様の0.001~50重量が好ましく、1~40重量がより好ましく、3~30重量がさらに好ましい。上記範囲内で使用することにより、高感度でかつ低エッジラフネスのパターンプロファイルが得られる。本発明では、系内に酸が発生すれば、酸の発生方法は限定されない。g線、i線などの紫外線の代わりにエキシマレーザーを使用すれば、より微細加工が可能であるし、また高エネルギー線として電子線、極端紫外線、x線、イオンビームを使用すれば更に微細加工が可能である。上記酸発生剤の使用量は、固形成分全重量の20~30重量であるのが特に好ましい。従来のレジスト組成物では、固形成分全重量の20~30重量用いることが困難であり、3~10重量用いることが一般的であった。本発明の感放射線組成物では、20~30重量用いることが可能であり、従来レジストでは困難であった高感度、高解像度を達成しうる。前記酸発生剤は特に限定されないが、下記式34~41で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式34中、R13は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状もしくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり;xは、アルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基もしくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオンまたはハロゲン化物イオンである。前記式34で示される化合物は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルトリルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニル-4-メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-フルオロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニル-p-トルエンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネートおよびシクロ1,3-パーフルオロプロパンジスルホンイミデートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式35中、R14は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状もしくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子を表す。xは前記と同様である。前記式35で示される化合物は、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムへキサフルオロベンゼンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネートおよびジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式36中、Qはアルキレン基、アリーレン基またはアルコキシレン基であり、R15はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基またはハロゲン置換アリール基である。前記式36で示される化合物は、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エンー2,3-ジカルボキシイミドおよびN-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミドからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式37中、R16は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝もしくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基または任意に置換されたアラルキル基である。前記式37で示される化合物は、ジフェニルジスルフォン、ジ4-メチルフェニルジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ4-tert-ブチルフェニルジスルフォン、ジ4-ヒドロキシフェニルジスルフォン、ジ3-ヒドロキシナフチルジスルフォン、ジ4-フルオロフェニルジスルフォン、ジ2-フルオロフェニルジスルフォンおよびジ4-トルフルオロメチルフェニルジスルフォンからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式38中、R17は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝もしくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基または任意に置換されたアラルキル基である。前記式38で示される化合物は、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリルおよびα-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリルからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式39中、R18は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、1以上の塩素原子および1以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。式40および41中、R19およびR20はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数1~3のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素原子数1~3のアルコキシル基、またはフェニル基、トルイル基、ナフチル基等アリール基、好ましくは、炭素原子数6~10のアリール基である。L19およびL20はそれぞれ独立に1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基である。1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基としては、具体的には、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-6-スルホニル基等の1,2-キノンジアジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。特に、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基および1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基が好ましい。pは1~3の整数、qは0~4の整数、かつ1≦pq≦5である。J19は単結合、炭素原子数1~4のポリメチレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、下記式42で表わされる基、カルボニル基、エステル基、アミド基またはエーテル基であり、Y19は水素原子、アルキル基またはアリール基であり、x20は、それぞれ独立に下記式43で示される基である。式43中、Z22はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、R22はアルキル基、シクロアルキル基またはアルコキシル基であり、rは0~3の整数である。その他の酸発生剤として、ビスpトルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスtertブチルスルホニルジアゾメタン、ビスnブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスnプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、1、3-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルプロパン、1、4-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルブタン、1、6-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルヘキサン、1、10-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルデカンなどのビススルホニルジアゾメタン類、24メトキシフェニル4,6ビストリクロロメチル1,3,5トリアジン、24メトキシナフチル4,6ビストリクロロメチル1,3,5トリアジン、トリス2,3ジブロモプロピル1,3,5トリアジン、トリス2,3ジブロモプロピルイソシアヌレートなどのハロゲン含有トリアジン誘導体等が挙げられる。上記酸発生剤のうち、芳香環を有する酸発生剤がより好ましく、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネートが更に好ましい。該酸発生剤を用いることで、LERを低減することができる。本発明の化合物Bは、該酸発生剤との分散性が良いためと推定される。本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤を感放射線性組成物に配合しても良い。この様な酸拡散制御剤を使用することにより、感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、電子線照射前の引き置き時間、電子線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤としては、窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の電子線放射分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を使用することができる。上記酸拡散制御剤のうち、芳香環を有する酸拡散制御剤が好ましく、トリフェニルイミダゾールがより好ましい。該拡散制御剤を用いることで、LERを低減することができる。本発明の化合物Bは、該酸発生剤との分散性が良い為と推定される。酸拡散制御剤の配合量は、固形成分全重量の0~10重量が好ましく、0.001~5重量がより好ましく、0.001~3重量がさらに好ましい。上記範囲内であると、解像度の低下、パターン形状、寸法忠実度等の劣化を防止することができる。さらに、電子線照射から放射線照射後加熱までの引き置き時間が長くなっても、パターン上層部の形状が劣化することがない。また、配合量が10重量以下であると、感度、未露光部の現像性等の低下を防ぐことができる。感放射線性組成物において、化合物Bと溶解促進剤Cの酸解離性官能基の全数が、化合物Bと溶解促進剤C中のフェノール性水酸基の全数の5~95であることが好ましく、5~50であることがより好ましく、5~25であることがさらに好ましい。上記範囲を満たすことにより、感度、解像度、密着性、製膜性などの性能に優れる。前記化合物Bと前記溶解促進剤Cの総量に対し、前記溶解促進剤Cの量が80重量以下であることが好ましく、60重量以下であることがより好ましく、30質量以下であることがさらに好ましく、ゼロであるのが特に好ましい。上記条件を満たすことにより、ラインエッジラフネスが低減できる。固形成分1~25重量および溶媒75~99重量を含み、固形成分の80~99重量が化合物Bである感放射線性組成物が特に好ましい。このような感放射線性組成物を使用すると解像性が高くなり、ラインエッジラフネスが低減する。化合物Bの残存金属量は、10ppm未満であることが好ましく、1ppm未満であることがより好ましく、100ppb未満であることがさらに好ましい。上記範囲であると、半導体デバイスの金属汚染を防ぐことができ、また感放射線性組成物組成物が高感度になる。上記したように、化合物Bは非金属触媒を用いて製造されるので、上記範囲の残存金属量が容易に達成されるが、必要に応じて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーなどにより精製してもよい。本発明の感放射線性組成物において、本発明の効果が損なわれない範囲で、上記の添加剤に加えて、水に不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂、または、水に不溶で酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる、アルカリ液現像可能な樹脂を添加しても良い。そのような樹脂としては、例えば、フェノール樹脂及び酸解離性官能基が導入されたフェノール樹脂;ノボラック樹脂及び酸解離性官能基が導入されたノボラック樹脂;水素化ノボラック樹脂及び酸解離性官能基が導入された水素化ノボラック樹脂;o-ポリヒドロキシスチレン、m-ポリヒドロキシスチレン、p-ポリヒドロキシスチレン、これらの共重合体、及び、酸解離性官能基が導入されたo-ポリヒドロキシスチレン、m-ポリヒドロキシスチレン、p-ポリヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体;アルキル置換ポリヒドロキシスチレン及び酸解離性官能基が導入されたアルキル置換ポリヒドロキシスチレン;ポリヒドロキシスチレン及び酸解離性官能基が導入されたポリヒドロキシスチレン;ポリヒドロキシスチレンの一部がo-アルキル化された樹脂及び酸解離性官能基が導入された前記樹脂;スチレン-ヒドロキシスチレン共重合体及び酸解離性官能基が導入されたスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体;α-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体及び酸解離性官能基が導入されたα-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体;ポリアルキルメタクリレート樹脂及び酸解離性官能基が導入されたポリアルキルメタクリレート;ポリオレフィン;ポリエステル;ポリアミド;ポリウレア;およびポリウレタン等が挙げられる。前記樹脂の配合量はレジスト性能を損なわない程度の配合量であるべきで、固形成分全重量の0~49重量が好ましく、0~29重量がより好ましく、0~19重量さらに好ましく、ゼロが特に好ましい。上記範囲であると、解像性が高く、また低エッジラフネスのレジストパターンが得られる。化合物Bは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ブチル、3-メチルメトキシプロピオネートまたはプロピオン酸エチルから選ばれる少なくとも一つの溶媒に23°Cで好ましくは1重量以上、より好ましくは3重量以上、さらに好ましくは5重量以上溶解する。このような溶解性を有するので、組成物調製後に析出したり、性能が変化したりする等のトラブルを回避でき、半導体工場で使用出来る安全溶剤の使用が可能となる。化合物Bを主成分として含む感放射線性組成物は、半導体プロセスに耐え得る耐熱性、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ブチル、3-メチルメトキシプロピオネート、プロピオン酸エチル等の安全溶媒可溶性、成膜性、シリコン基板密着性、アルカリ現像性、エッチング耐性、露光時の低アウトガス性、高解像性、低エッジラフネスなどのレジスト性能を併せ持つ。ポリフェノール化合物A、化合物Bおよび化合物Cを主成分として含む感放射線性組成物の固形成分は、KrFリソグラフィーに用いられる波長248nmの光に対する吸光係数が高いので、シェードマスク用のレジストとして用いることができる。該固形成分は、スピンコート法によりアモルファス膜を形成し、シェードマスク用のレジストパターンにすることができる。シェードマスク用レジストの吸光係数は15L/cmg以上が好ましく、30L/cmg以上がより好ましく、40L/cmg以上がさらに好ましい。化合物Bは、スピンコートによりアモルファス膜を形成し、レジストパターンにすることができる。また一般的な半導体製造プロセスに適用することができる。化合物Bのアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度は、5Å/sec以下が好ましく、0.05~5Å/secがより好ましく、0.0005~5Å/secがさらに好ましい。5Å/sec以下であるとアルカリ現像液に不溶で、レジストとすることができる。また0.0005Å/sec以上の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、前記化合物Bのミクロの表面部位が溶解し、LERを低減するからと推測される。またディフェクトの低減効果がある。化合物Bの酸解離性官能基が解離して生じるポリフェノール化合物Aも、スピンコートによりアモルファス膜を形成する性質を有することが好ましい。ポリフェノール化合物Aのアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、10Å/sec以上が好ましく、10~10000Å/secがより好ましく、100~1000Å/secがさらに好ましい。10Å/sec以上であると、アルカリ現像液に溶解し、レジストとすることができる。また10000Å/sec以下の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、化合物Bの酸解離性官能基が解離したことによる溶解性の変化により、アルカリ現像液に溶解する露光部と、アルカリ現像液に溶解しない未露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またLERの低減、ディフェクトの低減効果がある。感放射線性組成物の固形成分をスピンコートして形成したアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、5Å/sec以下が好ましい。KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはx線等の放射線により所望のパターンに露光し、必要に応じて20~250°Cで加熱した後のアモルファス膜の23°Cにおける2.38質量TMAH水溶液に対する溶解速度は、10Å/sec以上であることが好ましい。上記条件を満たすことにより、歩留まり良く、優れた形状のパターン形状を与えることができる。ポリフェノール化合物Aのガラス転移温度は、好ましくは130°C以上、より好ましくは140°C以上、さらに好ましくは150°C以上である。ガラス転移温度が上記範囲内であることにより、半導体リソグラフィープロセスにおいて、パターン形状を維持しうる耐熱性を有し、高解像度などの性能が付与できる。ポリフェノール化合物Aの示差走査熱量分析により求めた結晶化発熱量は20J/g未満であるのが好ましい。また、結晶化温度-ガラス転移温度は好ましくは70°C以上、より好ましくは80°C以上、さらに好ましくは100°C以上、特に好ましくは130°C以上である。結晶化発熱量が20J/g未満、または結晶化温度-ガラス転移温度が上記範囲内であると、感放射線性組成物をスピンコートすることにより、アモルファス膜を形成しやすく、かつレジストに必要な成膜性が長期に渡り保持でき、解像性を向上することができる。前記結晶化発熱量、結晶化温度およびガラス転移温度の測定方法は後述する。本発明の感放射線性組成物には、溶解制御剤、増感剤、界面活性剤等の各種添加剤を配合することができる。溶解制御剤は、化合物Bのアルカリ現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を低下させて現像時の溶解速度を適度にする作用を有する成分である。溶解制御剤としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等の芳香族炭化水素類;アセトフェノン、ベンゾフェノン、フェニルナフチルケトン等のケトン類;メチルフェニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスルホン類等を挙げることができる。溶解制御剤として、例えば、酸解離性官能基が導入されたビスフェノール類、t-ブチルカルボニル基が導入されたトリスヒドロキシフェニルメタン等をも挙げることができる。これらの溶解制御剤は、単独でまたは2種以上を使用することができる。溶解制御剤の配合量は、使用する化合物Bの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全重量の0~50重量が好ましく、0~40重量がより好ましく、0~30重量がさらに好ましい。増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを光酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの増感剤は、単独でまたは2種以上を使用することができる。増感剤の配合量は、固形成分全重量の0~50重量が好ましく、0~20重量がより好ましく、0~10重量がさらに好ましい。界面活性剤は、本発明の感放射線性組成物の塗布性やストリエーション、レジストとしての現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも使用することができる。これらのうち、ノニオン系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤は、感放射線性組成物に用いる溶剤との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等の他、以下商品名で、エフトップジェムコ社製、メガファック大日本インキ化学工業社製、フロラード住友スリーエム社製、アサヒガード、サーフロン以上、旭硝子社製、ペポール東邦化学工業社製、KP信越化学工業社製、ポリフロー共栄社油脂化学工業社製等の各シリーズ製品を挙げることができるが、特に限定はされない。界面活性剤の配合量は、固形成分全重量の0~2重量が好ましく、0~1重量がより好ましく、0~0.1重量がさらに好ましい。また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。さらに、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。酸拡散制御剤を配合した場合の感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸またはリンのオキソ酸もしくはその誘導体を含有させることができる。なお、酸拡散制御剤と併用することも出来るし、単独で用いても良い。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸もしくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸またはそれらのエステルなどの誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸またはそれらのエステルなどの誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸およびそれらのエステルなどの誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。本発明の感放射線性組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチルELなどの乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチルPEなどの脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチルなどの他のエステル類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を使用することができる。レジストパターンを形成するには、まず、シリコンウエハー、ガリウムヒ素ウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に本発明の感放射線性組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。レジスト膜の厚みは、特に限定されず、好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.05~1μm、さらに好ましくは0.08~0.5μmである。必要に応じて、基板上に表面処理剤を予め塗布してもよい。表面処理剤としては、例えばヘキサメチレンジシラザン等のシランカップリング剤重合性基を有する加水分解重合性シランカップリング剤など、アンカーコート剤または下地剤ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂など、これらの下地剤と無機微粒子とを混合したコーティング剤が挙げられる。必要に応じて、大気中に浮遊するアミン等が侵入するのを防ぐために、レジスト膜に保護膜を形成しても良い。保護膜を形成することにより、放射線によりレジスト膜中に発生した酸が、大気中に不純物として浮遊しているアミン等の酸と反応する化合物と反応して失活し、レジスト像が劣化し感度が低下することを防止できる。保護膜用の材料としては水溶性かつ酸性のポリマーが好ましい。例えば、ポリアクリル酸、ポリビニルスルホン酸等が挙げられる。高精度の微細パターンを得るため、また露光中のアウトガスを低減するため、放射線照射前露光前に加熱するのが好ましい。その加熱温度は、感放射線性組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはx線等の放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、感放射線性組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後露光後に加熱するのが好ましい。露光後加熱温度PEBは、感放射線性組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは40~150°Cである。次いで、露光されたレジスト膜をアルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。前記アルカリ現像液としては、例えば、モノ-、ジ-あるいはトリアルキルアミン類、モノ-、ジ-あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリン等のアルカリ性化合物の1種以上を溶解した、好ましくは1~10重量、より好ましくは1~5重量のアルカリ性水溶液が使用される。アルカリ現像液には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類や前記界面活性剤を適量添加することもできる。これらのうちイソプロピルアルコールを10~30重量添加することが特に好ましい。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いた場合は、一般に、現像後水で洗浄する。レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングは、プラズマガスを使用するドライエッチング、アルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等を用いるウェットエッチングなど公知の方法で行うことが出来る。レジストパターンを形成した後、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっきなどのめっき処理を行うことも出来る。エッチング後の残留レジストパターンは、有機溶剤やアルカリ現像液より強アルカリ性の水溶液で剥離することが出来る。上記有機溶剤としては、PGMEA、PGME、EL、アセトン、テトラヒドロフラン等が挙げられ、強アルカリ水溶液としては、例えば、1~20重量の水酸化ナトリウム水溶液、および1~20重量の水酸化カリウム水溶液が挙げられる。剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でも良く、小径スルーホールを有していても良い。本発明の感放射線性組成物を用いてレジストパターンを形成した後、金属を真空蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶離する方法、すなわちリフトオフ法により配線基板を形成することも出来る。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に特に限定はされない。化合物および感放射線性組成物の評価方法、レジストパターンの評価方法は、次の通りである。[1]ポリフェノールAの評価1-1ガラス転移温度、結晶化温度および結晶化発熱量測定試料約10mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス気流中50ml/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温した。急冷後、再び窒素ガス気流中30ml/min昇温速度20°C/minで融点以上まで昇温した。さらに急冷後、再び窒素ガス気流中30ml/min昇温速度20°C/minで400°Cまで昇温し、島津製作所製DSC/TA-50WSを用いて示差走査熱量分析した。ベースラインに不連続部分が現れる領域の中点比熱が半分に変化したところの温度をガラス転移温度Tg、その後に現れる発熱ピークの温度を結晶化温度とした。発熱ピークとベースラインに囲まれた領域の面積から発熱量を求め、結晶化発熱量とした。Tg≧130°Cである場合をA、Tg<130°Cである場合をCとした。ガラス転移温度-結晶化温度≧70°Cである場合をA、ガラス転移温度-結晶化温度<70°Cである場合をCとした。1-2残存金属量測定試料をテフロン登録商標容器に秤量し、硝酸、超純水を加えて、マイルストーン製密閉式マイクロウェーブ前処理装置ETHOSPLUSにより湿式灰化した。灰化後、超純水で希釈し、ヒューレットパッカード製ICP-MSHP4500-ShieldTorchを用いて試料中の残存金属量を求めた。1ppm未満をA、1ppm以上をCとした。1-3アルカリ溶解速度ポリフェノールAのPGME/PE1/2重量比3重量溶液、または3重量アセトン溶液PGME/PEに溶解しない場合をスピンコーターで回転塗布し、膜厚約0.05μmのレジスト膜を形成した。ホットプレート上で110°C、3分間加熱した後、レジスト膜をTMAH2.38水溶液23°Cに浸し、浸漬前後のレジスト膜厚の変化により溶解速度を求めた。10Å/sec未満をC、10Å/sec以上をAとした。[2]化合物Bおよび混合物化合物BとポリフェノールAの評価2-1安全溶媒溶解性化合物Bのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ブチル、3-メチルメトキシプロピオネートおよびプロピオン酸エチルへの溶解試験を23°Cで行った。上記溶媒のいずれかに5wt以上溶解した場合をA、0.1~5wt溶解した場合をB、0.1wt未満しか溶解しなかった場合をCとした。2-2成膜性試験化合物Bまたは混合物化合物BとポリフェノールAのPGME/PE1/2重量比3重量溶液、または3重量アセトン溶液PGME/PEに溶解しない場合を、表面処理剤シランカップリング剤で処理をしたシリコンウエハー上にスピンコーターで回転塗布し、膜厚約0.05μmのレジスト膜を形成した。ホットプレートで110°Cで3分間加熱し、レジスト膜の状態を観察した。白化した場合または表面に凹凸が生じた場合をC、一部白化した場合または表面の一部に凹凸が生じた場合をB、白化せず表面平坦性が良好な場合をAとした。2-3アルカリ現像液への溶解速度2-2で得たレジスト膜を、TMAH2.38水溶液23°Cに浸し、浸漬前後のレジスト膜厚の変化により溶解速度を求めた。10Å/sec未満をA、10Å/sec以上をCとした。2-4シリコン基板密着性2-2で形成したレジスト膜が、表面処理剤シランカップリング剤で処理をしたシリコンウエハーから剥離しなかった場合をA、剥離した場合をCとした。[3]レジストパターンの評価3-1レジスト膜の作製下記第5表に示した成分を配合し、0.1μmのテフロン登録商標フィルターにより濾過して感放射線性組成物を調製した。各感放射線性組成物をスピンコーターを利用してシリコンウェハー上に塗布し、110°C、90秒間ホットプレート上で乾燥して、厚さ約0.05μmのレジスト膜を得た。3-2レジストパターンの形成レジスト膜に電子線描画装置株エリオニクス製ELS-7500、加速電圧50KeVを用いて電子線を照射した。照射後にそれぞれ所定の温度で、90秒間加熱し、2.38重量TMAH水溶液に60秒間浸漬し、30秒間蒸留水でリンスして乾燥した。得られたラインアンドスペースを走査型電子顕微鏡株日立ハイテクノロジー製S-4800により観察した。なお、実施例のいずれのサンプルにおいても、露光時に発生するアウトガス量は少なかった。3-3感度および解像度の評価ラインアンドスペースの限界解像度を解像度として採用した。また、限界解像度を達成できる最小照射量を感度とした。3-4ラインエッジラフネスLERの評価限界解像度を達成できる最小照射線量を照射して作製した80nm間隔のラインパターンの長さ方向1.5μmの任意の300点において、日立半導体用SEMターミナルPCV5オフライン測長ソフトウェア株日立サイエンスシステムズ製を用いて、エッジと基準線との距離を測定した。測定結果から標準偏差3σを算出した。合成例1テトラキス2,5-キシレノール-2,6-ナフタレンジアルデヒド化合物101の合成2,5-キシレノール195g1.6mol関東化学株式会社製および2,6-ナフタレンジアルデヒド20.0g0.1mol特開2003-155259に従って合成を混合し約60°Cに加熱して溶解した。これに、硫酸関東化学株式会社製0.2ml、3-メルカプトプロピオン酸関東化学株式会社製1.6mlを加え、撹拌しながら反応した。液体クロマトグラフィーにより転化率が100になったのを確認後、トルエン関東化学株式会社製100mlを加えた。冷却し析出した固体を減圧濾過し、60°Cの温水で撹拌洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的生成物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第2表、第3表に示す。合成例2~8化合物102~108の合成合成例1において、2,5-キシレノールおよび2,6-ナフタレンジアルデヒドを、第1表記載の化合物に代えた以外は同様にして目的生成物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第2表、第3表に示す。※1:特開2003-155259に従って合成した。※2:※1の合成において、2,6‐ジメチルナフタレンを2,7‐ジメチルナフタレンに代えた以外は同様にして合成した。2,7‐ジメチルナフタレンは特許第3115053号に従って合成した。※3:※4の合成において、p-ターフェニルをm-ターフェニル東京化成工業株に代えた以外は同様にして合成した。※4:J.Am.Chem.Soc.,Vol.114,No.15,1992に従って合成した。※5:Chem.Ber.,1954,87,54に従って合成した。合成例9化合物109の合成0.6g0.9mmolの化合物101に脱水アセトン5ml、ピリジニウムp-トルエンスルホン酸0.18g、エチルビニルエーテル0.2g2.8mmolを加えた溶液を室温で24時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶出液:酢酸エチル/ヘキサン=1/2により精製し、目的化合物化合物Bを得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第5表、第6表に示す。合成例10~16、18~19化合物110~116、118~119の合成合成例9において、化合物101およびエチルビニルエーテルを第4表記載の化合物に代えた以外は同様にして目的化合物化合物Bを得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第5表、第6表に示す。合成例170.6g0.9mmolの化合物108にジメチルアセトアミド5mlを加えた溶液に、ジ-tert-ブチルジカーボネート2.34g/11mmol、トリエチルアミン1.2gをゆっくり滴下し、60°Cで7時間攪拌した。反応液を多量の水に加え再沈殿を繰り返したところ白色粉末が得られた。最後に減圧乾燥を行い、目的化合物117化合物Bを得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第5表、第6表に示す。合成例20混合物120の合成0.6g0.9mmolの化合物101に、脱水アセトン5ml、ピリジニウムp-トルエンスルホン酸0.18g、エチルビニルエーテル0.2g2.8mmolを加えた溶液を室温で24時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶出液:酢酸エチル/ヘキサン=1/2により精製し目的混合物を得た。混合物の構造は1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第8表に示す。合成例21~27、29~30混合物121~127、129~130の合成合成例20において、化合物101およびエチルビニルエーテルを第7表記載の化合物に代えた以外は同様にして目的混合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第8表に示す。合成例280.6g0.9mmolの化合物108にジメチルアセトアミド5mlを加えた溶液に、ジ-tert-ブチルジカーボネート2.34g/11mmol、トリエチルアミン1.2gをゆっくり滴下し60°Cで7時間攪拌した。反応液を多量の水に加え再沈殿を繰り返したところ、白色粉末が得られた。これを減圧乾燥し目的混合物128を1.95g得た。混合物の構造は1H-NMR測定400MHz、d-DMSO、内部標準TMSで確認した。分析結果を第8表に示す。上記式120~130において、Rは水素または第7表記載の酸解離性官能基を表す。合成例31~40混合物131~140の合成化合物Aと化合物Bを第9表記載の酸解離基導入率になるように混合し混合物131~140を得た。合成例41化合物109の合成脱水アセトンを1,3-ジオキソランに代え、反応時間を12時間に短縮した以外は合成例9同様にして化合物109化合物Bを得た。比較合成例1ビスフェノールA関東化学株製試薬1.14g5mmolに脱水アセトン5ml、ジメチルアミノピリジン1.2mgを加えた溶液に、ジ-tert-ブチルジカーボネート2.62g12mmolを10分かけて滴下し40°Cで24時間攪拌した。反応液を多量の水に加え固体を析出させ、白色粉末を得た。3回蒸留水で洗浄後、吸引濾過し、減圧乾燥し目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。比較合成例2比較合成例1において、ビスフェノールA1.14g5mmolをビスフェノールZ関東化学株製試薬1.34g5mmolに代えた以外は同様にして目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。比較合成例3比較合成例1において、ビスフェノールA1.14g5mmolをトリス4ヒドロキシフェニルメタン本州化学工業製1.46g5mmolに代え、ジ-tert-ブチルジカーボネートの使用量を3.93g16mmolに代えた以外は同様にして目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。比較合成例4比較合成例1において、ビスフェノールA1.14g5mmolをトリス4ヒドロキシフェニルベンゼンアルドリッチ社製試薬1.77g5mmolに代え、ジ-tert-ブチルジカーボネートの使用量を3.93g16mmolに代えた以外は同様にして目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。比較合成例5比較合成例1において、ビスフェノールA1.14g5mmolをポリヒドロキシスチレン重量平均分子量8000アルドリッチ製試薬以下、PHS-1と略す0.74g5mmolに代え、ジ-tert-ブチルジカーボネートの使用量を0.37g1.5mmolに代えた以外は同様にして目的化合物以下、PHS-2205と略すを得た。1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSの結果、tブトキシカルボニル化率は30であった。比較合成例61-2-ナフチル-1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエタンの合成o-クレゾール43.2g0.4molおよびβ-アセトナフトン17.1g0.1molを混合し、約30°Cに加熱して溶解した後、硫酸0.1ml、3-メルカプトプロピオン酸0.8ml、トルエン10mlを加え撹拌しながら反応した。ガスクロマト分析により転化率が100になったことを確認後、トルエン100mlを加えた。冷却し析出した固体を減圧濾過し、60°C温水で撹拌洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的生成物を24g得た。比較合成例7化合物207の合成1-2-ナフチル-1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエタン1.84g5mmolに脱水アセトン5ml、ピリジニウムp-トルエンスルホンネート関東化学株製試薬0.073g0.29mmol、エチルビニルエーテル関東化学株製試薬0.43g6mmolを加えた溶液を室温で24時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶出液:酢酸エチル/ヘキサン=1/3により精製し目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。比較合成例8化合物208の合成1-2-ナフチル-1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエタン1.84g5mmolに無水アセトン5ml、ピリジニウムp-トルエンスルホネート0.073g0.29mmol、シクロヘキシルビニルエーテル0.76g6mmolを加えた溶液を室温で24時間攪拌した。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー溶出液:酢酸エチル/ヘキサン=1/3により精製し目的化合物を得た。化合物の構造は元素分析及び1H-NMR測定400MHz、CDCl3、内部標準TMSで確認した。分析結果を第10表、11表に示す。実施例1~8および比較例1~3合成例および比較合成例で得られた化合物、ビスフェノールフルオレン大阪瓦斯株製、ビスフェノールアントラキノン本州化学工業株製の評価を行った。第12表に結果を示す。実施例51~82および比較例51~57合成例および比較合成例で得られた化合物および混合物の評価を行った。第13表に結果を示す。実施例101~142および比較例101~104レジストパターンの評価合成実施例1~32で得られた化合物または混合物と第14表5に示した成分を配合し、0.1μmのテフロン登録商標フィルターにより濾過して感放射線性組成物を調製した。レジストパターンを作成し解像度および感度を評価した。結果を第15表に示す。なお、実施例のいずれのサンプルにおいても、露光時に発生するアウトガス量は少なかった。また最適露光量の2倍の露光量を照射した後の膜厚変化が、いずれも5nm未満であることを確認した。露光時に発生するアウトガス量は非常に少なかった。PAG-1:ジフェニルトリルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートPAG-2:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートPAG-3:トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネートPAG-4:トリフェニルスルホニウムp-トリフルオロメチルベンゼンスルホネートPAG-5:トリフェニルスルホニウムp-パーフルオロベンゼンスルホネートPAG-6:トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネートQ-1:トリオクチルアミンQ-2:ジアザビシクロオクタンQ-3:トリフェニルイミダゾールQ-4:メタキシレンジアミンQ-5:ターピリジンS-1:PGMEAS-2:ELS-3:EPS-4:PGMED-1:メガファックR08大日本インキ化学工業株製実施例201~212ドライエッチング耐性感放射線性組成物として実施例101~111および138の組成物を用いてシリコンウェハー基板上に膜厚100nmのレジスト膜を形成した。RIEエッチング装置を用い、70sccm、50W、20Paのエッチング条件でテトラフルオロメタンエッチングガスでドライエッチングした。エッチングレートはいずれのレジスト膜についても200Å/min未満であり、高いエッチング耐性が確認された。比較例201感放射線性組成物として比較例205の組成物を用いてシリコンウェハー基板上に膜厚100nmのレジスト膜を形成した。実施例201同様にドライエッチングしたところ、エッチングレートは200Å/minであり、本発明の感放射線性組成物から形成したレジスト膜より低いエッチング耐性であった。実施例251紫外可視吸収スペクトル島津製作所製、島津自記分光光度計UV-3100PCを用い、化合物103、105および108の0.01g/Lメタノール溶液の紫外可視吸収スペクトルを測定し、各化合物の248nmにおける吸光係数を求めた。化合物103、105および108の吸光係数は、それぞれ、43.4L/cmg、47.4L/cmg、16.9L/cmgであった。15L/cmgより十分大きな吸光係数を示し、いずれもシェードマスク製造用化合物Bの原料として好適であることが分かった。特に化合物103、105が好適である。このような化合物から製造された化合物Bおよびそれを含む感放射線性組成物も吸光度が高く、シェードマスク用途に適する。比較例251実施例251と同様にしてポリ4-ビニルフェノールアルドリッチ社製Mw=8000の0.01g/Lメタノール溶液の紫外可視吸収スペクトルを測定し、248nmにおける吸光係数を求めた。吸光係数は1.7L/cmgであった。吸光係数が15L/cmgよりはるかに小さいので、ポリ4-ビニルフェノールはシェードマスク製造用化合物Bの原料には適用困難である。"