"銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層506と、シリコーン組成物から形成され、繊維強化材を含む基板106とを備える、銅インジウム二セレン化物CISをベースとする光起電デバイス104。前記シリコーン組成物が、Aケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素を有するシリコーン樹脂と、B1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子またはケイ素結合アルケニル基を有し、前記シリコーン樹脂を硬化するのに十分な量で存在する有機ケイ素化合物と、C触媒量のヒドロシリル化触媒とを含むヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物としてさらに定義される、請求項1に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス104。前記シリコーン組成物が、Aケイ素結合アルケニル基を有し、下記式を有するシリコーン樹脂と、R1R22SiO1/2wR22SiO2/2xR2SiO3/2ySiO4/2z[前記式中、R1は、共に脂肪族の不飽和がないC1~C10のヒドロカルビル基またはC1~C10のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、R2は各々独立にR1、アルケニル基または水素であり、wは0~0.9であり、xは0~0.9であり、yは0~0.99であり、zは0~0.85であり、wxyz=1であり、yz/wxyzは0.1~0.99であり、wx/wxyzは0.01~0.9であり、ただし、前記シリコーン樹脂が1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有する]、B1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子を有し、前記シリコーン樹脂を硬化するのに十分な量で存在する有機ケイ素化合物と、C触媒量のヒドロシリル化触媒とを含むヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物としてさらに定義される、請求項1または2に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス104。前記シリコーン組成物が、A2ケイ素結合ヒドロキシ基または加水分解基を少なくとも2個有し、下記式を有するシリコーン樹脂と、R1R62SiO1/2w’R62SiO2/2x’R6SiO3/2y’SiO4/2z’[前記式中、R1は、共に脂肪族の不飽和がないC1~C10のヒドロカルビル基またはC1~C10のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、R6は各々独立にR1、-H、-OHまたは加水分解基であり、w’は0~0.8であり、x’は0~0.95であり、y’は0~1であり、z’は0~0.99であり、w’x’y’z’=1であり、ただし、前記シリコーン樹脂A2が1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基または加水分解基を有する]、任意選択で、B1ケイ素結合加水分解基を有する架橋剤と、任意選択で、C1触媒量の縮合触媒とを含む縮合硬化性シリコーン組成物としてさらに定義される、請求項1に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス104。前記シリコーン組成物が、シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’[SiO4/2]z’’’を有するハイドロジェンポリシロキサンを含み、前記式中、x’’’、y’’’およびz’’’がモル分率を示し、0.12≦x’’’<1.0、0≦y’’’≦0.88、0≦z’’’≦0.30であり、y’’’およびz’’’は同時に0ではなく、x’’’y’’’z’’’=1である、請求項1に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス104。前記基板106がナノ充填剤をさらに含む、請求項1~5の何れか一項に記載の銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイス104。ガラスまたはポリイミド基板を備える既存のCISをベースとする光起電デバイスには欠陥があるため、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう500°Cを超えるアニール温度に十分に耐えることができる基板を備えるCISをベースとする光起電デバイスを提供する余地がまだある。本発明は、銅インジウム二セレン化物CISをベースとする光起電デバイス、および同デバイスを作製する方法を提供する。このCISをベースとするデバイスは、銅、インジウムおよびセレンに基づき、任意選択でアルミニウム、ガリウムおよび硫黄との合金を含むCISベース太陽光吸収体層を備える。CISをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成される基板を備える。この基板は、シリコーン組成物から形成されるため、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう500°Cを超えるアニール温度に十分に耐えることができる。添付の図面に関連して考慮される場合以下の詳細な説明を参照することによって本発明がより良く理解されるため、本発明の他の利点が容易に理解されよう。図1および図2を参照すると、本発明は、シリコーン組成物から形成される基板106を備える銅インジウム二セレン化物CISをベースとする光起電デバイス104を提供する。CISをベースとするデバイス104は、光などの入射電磁エネルギー108を電流に変換するように動作可能である。CISをベースとする光起電デバイス104を複数備えるアレイ102を提供することができる。一実施形態においては、アレイ102内の基板106上にCISをベースとする光起電デバイス104をモノリシックに集積する。アレイ102を使用して、アレイ102に降り注ぐ電磁エネルギー108から電流を発生させることができる。端子110を介してアクセスすることができるアレイ102によって生じた電流は、様々な目的のために使用することができ、たとえばアレイ102を使用して、宇宙船または高高度飛行船に電力を提供することができる。シリコーン組成物は、硬化すると、可撓性を有し、また実質的なクラックを生じることなく500°Cを超えるアニール温度に耐える十分な能力を有する基板106を提供する。さらに、このシリコーン組成物は、硬化すると、高い電気抵抗率を典型的に有する。その結果、以下でさらに詳細に説明するように、最大効率を有するCISをベースとする光起電デバイス104を作製することができ、基板106の可撓性により非平面用途においてもさらに使用されてよい。本発明の一実施形態においては、シリコーン組成物が、シリコーン樹脂Aと、有機ケイ素化合物Bと、ヒドロシリル化触媒Cとを含むヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物としてさらに定義される。シリコーン樹脂Aは、ケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素原子を有する。シリコーン樹脂Aは典型的には、R2SiO3/2単位、すなわち、T単位および/またはSiO4/2単位、すなわち、Q単位を、R1R22SiO1/2単位、すなわち、M単位および/またはR22SiO2/2単位、すなわちD単位と組み合わせて含む共重合体であり、式中、R1は、共に脂肪族不飽和を含まないC1~C10のヒドロカルビル基またはC1~C10のハロゲン置換ヒドロカルビル基であり、R2はR1、アルケニル基または水素である。たとえば、このシリコーン樹脂は、DT樹脂、MT樹脂、MDT樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂、MDTQ樹脂、DQ樹脂、MQ樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂またはMDQ樹脂であってよい。本明細書中で使用する用語脂肪族不飽和のないとは、ヒドロカルビルまたはハロゲン置換ヒドロカルビル基が脂肪族炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を含まないことを意味する。R1で表されるC1~C10のヒドロカルビル基およびC1~C10のハロゲン置換ヒドロカルビル基は、より典型的には1~6個の炭素原子を有する。少なくとも3個の炭素原子を含む非環式のヒドロカルビルおよびハロゲン置換ヒドロカルビル基は、分岐構造または非分岐構造を有することができる。R1で表されるヒドロカルビル基の例には、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルエチル、ペンチル、1-メチルブチル、1-エチルプロピル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルなどのアルキル基;シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシルなどのシクロアルキル基;フェニルやナフチルなどのアリール基;トリルやキシリルなどのアルカリル基;ならびにベンジルやフェネチルなどのアラルキル基が含まれるが、これらに限定されない。R1で表されるハロゲン置換ヒドロカルビル基の例には、3,3,3-トリフルオロプロピル、3-クロロプロピル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、2,2,2-トリフルオロエチル、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルおよび2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルが含まれるが、これらに限定されない。R2で表されるアルケニル基は、シリコーン樹脂内で同一であっても異なっていてもよく、典型的には2~10個の炭素原子、あるいは2~6個の炭素原子を有し、ビニル、アリル、ブテニル、ヘキセニルおよびオクテニルで例示されるが、これらに限定されない。一実施形態においては、R2は大部分がアルケニル基である。この実施形態において、シリコーン樹脂中のR2で表される基の典型的には少なくとも50mol、あるいは少なくとも65mol、あるいは少なくとも80molがアルケニル基である。本明細書中で使用する、R2中のアルケニル基のmolは、樹脂中のR2基の総モル数に対するシリコーン樹脂中のケイ素結合アルケニル基のモル数の比率に100を乗じたものとして定義される。別の実施形態においては、R2は大部分が水素である。この実施形態において、シリコーン樹脂中のR2で表される基の典型的には少なくとも50mol、あるいは少なくとも65mol、あるいは少なくとも80molが水素である。R2中の水素のmolは、樹脂中のR2基の総モル数に対するシリコーン樹脂中のケイ素結合水素のモル数の比率に100を乗じたものとして定義される。第1の実施形態によれば、シリコーン樹脂Aが下記式を有する。R1R22SiO1/2wR22SiO2/2xR2SiO3/2ySiO4/2zI式中、R1およびR2は、上で説明し例示したとおりであり、w、x、yおよびzはモル分率である。典型的には、式Iで表されるシリコーン樹脂は、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有する。より具体的には、サブスクリプトwは、典型的には0~0.9、あるいは0.02~0.75、あるいは0.05~0.3の値を有する。サブスクリプトxは、典型的には0~0.9、あるいは0~0.45、あるいは0~0.25の値を有する。サブスクリプトyは、典型的には0~0.99、あるいは0.25~0.8、あるいは0.5~0.8の値を有する。サブスクリプトzは、典型的には0~0.85、あるいは0~0.25、あるいは0~0.15の値を有する。また、比yz/wxyzは、典型的には0.1~0.99、あるいは0.5~0.95、あるいは0.65~0.9である。さらに、比wx/wxyzは典型的には0.01~0.90、あるいは0.05~0.5、あるいは0.1~0.35である。R2の大部分がアルケニル基である場合、上記式Iで表されるシリコーン樹脂の具体例には下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。Vi2MeSiO1/20.25PhSiO3/20.75、ViMe2SiO1/20.25PhSiO3/20.75、ViMe2SiO1/20.25MeSiO3/20.25PhSiO3/20.50、ViMe2SiO1/20.15PhSiO3/20.75SiO4/20.1およびVi2MeSiO1/20.15ViMe2SiO1/20.1PhSiO3/20.75上記式中、Meはメチル、Viはビニル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の下付きの数字は、式Iについて上で説明したw、x、yまたはzに対応するモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。R2の大部分が水素である場合、上記式Iで表されるシリコーン樹脂の具体例には下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。HMe2SiO1/20.25PhSiO3/20.75、HMeSiO2/20.3PhSiO3/20.6MeSiO3/20.1、およびMe3SiO1/20.1H2SiO2/20.1MeSiO3/20.4PhSiO3/20.4式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の下付きの数字はモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。式Iで表されるシリコーン樹脂は典型的には500~50,000、あるいは500~10,000、あるいは1,000~3,000の数平均分子量Mnを有し、この分子量は、小角レーザ光拡散検出器、すなわち屈折率検出器と、シリコーン樹脂MQ標準とを用いるゲル透過クロマトグラフィによって決定される。式Iで表されるシリコーン樹脂の25°Cにおける粘度は典型的には0.01~100,000Pas、あるいは0.1~10,000Pas、あるいは1~100Pasである。式Iで表されるシリコーン樹脂は、29SiNMRによって決定されるケイ素結合ヒドロキシ基を典型的には10w/w未満、あるいは5w/w未満、あるいは2w/w未満含む。式Iで表されるシリコーン樹脂を調製する方法は、当技術分野で周知であり、これらの樹脂の多くは市販されている。式Iで表されるシリコーン樹脂は、典型的には、トルエンなどの有機溶媒中でクロロシラン前駆体の適切な混合物を共加水分解することによって調製される。たとえば、R1R22SiO1/2単位およびR2SiO3/2単位を含むシリコーン樹脂は、式中R1およびR2が上で説明し例示したとおりである式R1R22SiClの第1の化合物および式R2SiCl3の第2の化合物をトルエン中で共加水分解して、塩酸水溶液と、第1および第2の化合物の加水分解物であるシリコーン樹脂とを形成することによって調製することができる。これら塩酸水溶液とシリコーン樹脂とを分離し、シリコーン樹脂を水で洗浄して残留酸を除去し、穏やかな縮合触媒の存在下でシリコーン樹脂を加熱して、所望の粘度までシリコーン樹脂に形を与える。必要に応じて、シリコーン樹脂を有機溶媒中の縮合触媒でさらに処理して、ケイ素結合ヒドロキシ基の含有量を低減させることができる。あるいは、-Br、-I、-OCH3、-OCOCH3、-NCH32、NHCOCH3、-SCH3など、クロロ基以外の加水分解基を含む第1または第2の化合物を共加水分解してシリコーン樹脂を形成することができる。このシリコーン樹脂の特性は、第1および第2の化合物の種類、第1および第2の化合物のモル比、縮合度degreeofcondensationならびに加工条件に依存する。このヒドロシリル化硬化性シリコーン樹脂は、シリコーン樹脂中のケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素原子と反応することができるケイ素結合水素原子またはケイ素結合アルケニル基を有する架橋剤Bをさらに含む。架橋剤Bは、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子、あるいは1分子当たり少なくとも平均3個のケイ素結合水素原子を有する。シリコーン樹脂A中の1分子当たりのアルケニル基の平均数と、架橋剤B中の1分子当たりケイ素結合水素原子の平均数との合計が4個を超える場合に、架橋が生じることが一般に理解される。架橋剤Bは、シリコーン樹脂Aを硬化するのに十分な量で存在する。架橋剤Bは典型的には有機ケイ素化合物であり、有機ハイドロジェンシラン、有機ハイドロジェンシロキサンまたはこれらの組合せとしてさらに定義することができる。有機ケイ素化合物の構造は、線状であっても、分岐していても、環状であっても、樹脂状であってもよい。非環状ポリシラン類およびポリシロキサン類においては、ケイ素結合水素原子が、末端位に、ペンダント位に、あるいは末端位とペンダント位の両方に位置することができる。シクロシラン類およびシクロシロキサン類は典型的には3~12個のケイ素原子、あるいは3~10個のケイ素原子、あるいは3~4個のケイ素原子を有する。この有機ハイドロジェンシランは、モノシランであっても、ジシランであっても、トリシランであっても、またはポリシランであってもよい。R2の大部分がアルケニル基である場合、本発明の目的に適している有機ハイドロジェンシラン類の具体例には、ジフェニルシラン、2-クロロエチルシラン、ビス[p-ジメチルシリルフェニル]エーテル、1,4-ジメチルジシリルエタン、1,3,5-トリスジメチルシリルベンゼン、1,3,5-トリメチル-1,3,5-トリシラン、ポリメチルシリレンフェニレンおよびポリメチルシリレンメチレンが含まれるが、これらに限定されない。R2の大部分が水素である場合、本発明の目的に適している有機ハイドロジェンシラン類の具体例には、下記式のシラン類が含まれるが、これらに限定されない。Vi4Si、PhSiVi3、MeSiVi3、PhMeSiVi2、Ph2SiVi2、およびPhSiCH2CH=CH23,式中、Meはメチル、Phはフェニル、Viはビニルである。この有機ハイドロジェンシランは、下記式を有することもできる。HR12Si-R3-SiR12HIII式中、R1は上で定義し例示したとおりであり、R3は、下記構造から選択される式を有する脂肪族不飽和のないヒドロカルビレン基である。式中、gは1~6である。R1およびR3が上で説明し例示したとおりである式IIIの有機ハイドロジェンシラン類の具体例には、下記構造から選択される式の有機ハイドロジェンシラン類が含まれるが、これらに限定されない。これらの有機ハイドロジェンシラン類を調製する方法は、当技術分野で公知である。たとえば、グリニャール試薬のハロゲン化アルキルまたはハロゲン化アリールとの反応によって、有機ハイドロジェンシラン類を調製することができる。特に、エーテル中で式R3X2の二ハロゲン化アリールをマグネシウムで処理して対応するグリニャール試薬を生成し、次いで、R1およびR3が上で説明し例示したとおりである式HR12SiClのクロロシランでグリニャール試薬を処理することによって、式HR12Si-R3-SiR12Hの有機ハイドロジェンシラン類を調製することができる。有機ハイドロジェンシロキサンは、ジシロキサンであっても、トリシロキサンであっても、またはポリシロキサンであってもよい。R2の大部分が水素である場合に架橋剤Bとしての使用に適している有機シロキサン類の例には、下記式のシロキサン類が含まれるが、これらに限定されない。PhSiOSiMe2H3、SiOSiMe2H4、MeSiOSiMe2H3およびPh2SiOSiMe2H2式中、Meはメチル、Phはフェニルである。R2の大部分がアルケニル基である場合に本発明の目的に適している有機ハイドロジェンシロキサン類の具体例には、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジシロキサン、フェニルトリスジメチルシロキシシラン、1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、トリメチルシロキシ終端ポリメチルハイドロジェンシロキサン、トリメチルシロキシ終端ポリジメチルシロキサン/メチルハイドロジェンシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ終端ポリメチルハイドロジェンシロキサン、ならびにHMe2SiO1/2単位、Me3SiO1/2単位およびSiO4/2単位を含む樹脂Meはメチルであるが含まれるが、これらに限定されない。この有機ハイドロジェンシロキサンは、有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂であってもよい。有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、典型的にはR4SiO3/2単位、すなわち、T単位および/またはSiO4/2単位、すなわち、Q単位を、R1R42SiO1/2単位、すなわち、M単位および/またはR42SiO2/2単位、すなわちD単位と組み合わせて含む共重合体であり、式中、R1は上で説明し例示したとおりである。たとえば、この有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、DT樹脂、MT樹脂、MDT樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂、MDTQ樹脂、DQ樹脂、MQ樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂またはMDQ樹脂でよい。R4で表される基は、R1またはケイ素結合水素原子を少なくとも1個有する有機シリルアルキル基である。R4で表される有機シリルアルキル基の例には、下記構造から選択される式の基が含まれるが、これらに限定されない。-CH2CH2SiMe2H、-CH2CH2SiMe2CnH2nSiMe2H、-CH2CH2SiMe2CnH2nSiMePhH、-CH2CH2SiMePhH、-CH2CH2SiPh2H、-CH2CH2SiMePhCnH2nSiPh2H、-CH2CH2SiMePhCnH2nSiMe2H、-CH2CH2SiMePhOSiMePhHおよび-CH2CH2SiMePhOSiPhOSiMePhH2式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、サブスクリプトnは2~10の値を有する。有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂中のR4で表される基の典型的には少なくとも50mol、あるいは少なくとも65mol、あるいは少なくとも80molが、ケイ素結合水素原子を少なくとも1個有する有機シリルアルキル基である。本明細書中で使用する、R4中の有機シリルアルキル基のmolは、樹脂中のR4基の総モル数に対するシリコーン樹脂中のケイ素結合有機シリルアルキル基のモル数の比率に100を乗じたものとして定義される。この有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、典型的には下記式を有する。R1R42SiO1/2wR42SiO2/2xR4SiO3/2ySiO4/2zIV式中、R1、R4、w、x、yおよびzはそれぞれ、上で定義し例示したとおりである。上記式IVで表される有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂の具体例には、下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.12PhSiO3/20.88、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.17PhSiO3/20.83、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.17MeSiO3/20.17PhSiO3/20.66、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.15PhSiO3/20.75SiO4/20.10およびHMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.08HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2Me2SiO1/20.06PhSiO3/20.86式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、C6H4はパラフェニレン基を示し、丸括弧の外の下付きの数字はモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂の具体例には、下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.12PhSiO3/20.88、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.17PhSiO3/20.83、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.17MeSiO3/20.17PhSiO3/20.66、HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.15PhSiO3/20.75SiO4/20.10、およびHMe2SiC6H4SiMe2CH2CH22MeSiO1/20.08HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2Me2SiO1/20.06PhSiO3/20.86式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、C6H4はパラフェニレン基を示し、丸括弧の外の下付きの数字はモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。式IVの有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、cヒドロシリル化触媒と、任意選択でd有機溶媒の存在下、上記式Iで表される式R1R22SiO1/2wR22SiO2/2xR2SiO3/2ySiO4/2zのaシリコーン樹脂と、1分子当たり平均2~4個のケイ素結合水素原子を有し、分子量が1,000未満である有機ケイ素化合物bとを含む反応混合物を反応させることによって調製することができ、R1、R2、w、x、yおよびzはそれぞれ、上で定義し例示したとおりである。ただし、シリコーン樹脂aは、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有し、a中のアルケニル基に対するb中のケイ素結合水素原子のモル比は1.5~5である。シリコーン樹脂aは、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物中の成分Aとして使用する具体的なシリコーン樹脂と同一であっても、または異なっていてもよい。上述のように、有機ケイ素化合物bは、1分子当たり平均2~4個のケイ素結合水素原子を有する。あるいは、有機ケイ素化合物bは、1分子当たり平均2~3個のケイ素結合水素原子を有する。やはり上述のように、有機ケイ素化合物bの分子量は典型的には1,000未満、あるいは750未満、あるいは500未満である。有機ケイ素化合物bはさらに、R1については上で説明し例示したとおりである共に脂肪族の不飽和がないヒドロカルビル基およびハロゲン置換ヒドロカルビル基の群から選択することができるケイ素結合有機基を含む。有機ケイ素化合物bは、各々上で詳細に定義し例示した有機ハイドロジェンシランまたは有機ハイドロジェンシロキサンであってもよい。有機ケイ素化合物bは、単一の有機ケイ素化合物であっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なる有機ケイ素化合物を含む混合物であってもよい。たとえば、有機ケイ素化合物Bは、単一の有機ハイドロジェンシラン、2種の異なる有機ハイドロジェンシランの混合物、単一の有機ハイドロジェンシロキサン、2種の異なる有機ハイドロジェンシロキサンの混合物、または有機ハイドロジェンシランと有機ハイドロジェンシロキサンとの混合物であってもよい。シリコーン樹脂a中のアルケニル基に対する有機ケイ素化合物b中のケイ素結合水素原子のモル比は、典型的には1.5~5、あるいは1.75~3、あるいは2~2.5である。ヒドロシリル化触媒cは、白金族金属すなわち、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウムおよびインジウムあるいは白金族金属を含有する化合物を含めた周知のヒドロシリル化触媒のいずれかであってもよい。典型的には、この白金族金属は、ヒドロシリル化反応におけるその高い活性に基づき白金である。cに適した具体的なヒドロシリル化触媒には、ヒドロシリル化触媒を取り上げている部分が参照により本明細書中に組み込まれる米国特許第3419593号にWillingによって開示されている、塩化白金酸と一部のビニル含有有機シロキサンとの錯体が含まれる。このタイプの触媒は、塩化白金酸と1,3-ジエテニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンとの反応生成物である。ヒドロシリル化触媒は、白金族金属をその表面に有する固体支持体を含む担持ヒドロシリル化触媒であってもよい。たとえば、反応混合物をろ過することによって、式IVで表される有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂から担持触媒を都合良く分離することができる。担持触媒の例には、炭素担持白金、炭素担持パラジウム、炭素担持ルテニウム、炭素担持ロジウム、シリカ担持白金、シリカ担持パラジウム、アルミナ担持白金、アルミナ担持パラジウムおよびアルミナ担持ルテニウムが含まれるが、これらに限定されない。ヒドロシリル化触媒cの濃度は、シリコーン樹脂aの有機ケイ素化合物bとの付加反応を触媒するには十分なものである。典型的には、ヒドロシリル化触媒cの濃度は、シリコーン樹脂aおよび有機ケイ素化合物b総合重量に基づき、白金族金属を0.1~1000ppm、あるいは白金族金属を1~500ppm、あるいは白金族金属を5~150ppm提供するのに十分なものである。白金族金属が0.1ppmを下回ると反応速度は非常に遅い。1000ppmを超える白金族金属を使用しても、反応速度はさほど増加しないため、不経済である。有機溶媒dは、少なくとも1種の有機溶媒を含む。この有機溶媒dは、本発明の方法の条件の下でシリコーン樹脂a、有機ケイ素化合物bまたは得られた有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂と反応せず、成分a、bおよび有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂と混和性である任意の非プロトン性または双極性非プロトン性有機溶媒であってよい。本発明の目的に適している有機溶媒dの例には、n-ペンタン、ヘキサン、n-ヘプタン、イソオクタン、ドデカンなどの脂肪族飽和炭化水素;シクロペンタンやシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素;テトラヒドロフランTHFやジオキサンなどの環状エーテル類;メチルイソブチルケトンMIBKなどのケトン類;トリクロロエタンなどのハロゲン化アルカン類;ならびにブロモベンゼンやクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素が含まれるが、これらに限定されない。有機溶媒dは、単一の有機溶媒であっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なる有機溶媒を含む混合物であってもよい。有機溶媒dの濃度は、反応混合物の総重量に基づき、典型的には0~99w/w、あるいは30~80w/w、あるいは45~60w/wである。式IVで表される有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂を形成するための反応は、ヒドロシリル化反応に適した任意の標準反応器内で行うことができる。適切な反応器には、ガラスのおよびテフロン登録商標で内張りしたガラスの反応器が含まれる。典型的には、この反応器は、撹拌などかき混ぜの手段を備えている。また典型的には、この反応は、水分のない状態で、窒素やアルゴンなどの不活性雰囲気内で行われる。シリコーン樹脂aと、有機ケイ素化合物bと、ヒドロシリル化触媒cと、任意選択で有機溶媒dとは、任意の順序で混ぜ合わせることができる。典型的には、有機ケイ素化合物bとヒドロシリル化触媒cは、シリコーン樹脂aと任意選択で有機溶媒dとを導入する前に混ぜ合わせる。この反応は典型的には、0~150°C、あるいは室温約23±2°C~115°Cの温度で行う。温度が0°C未満である場合、反応速度は典型的には非常に遅い。反応時間は、シリコーン樹脂aおよび有機ケイ素化合物bの構造ならびに温度など、いくつかの因子に依存する。反応時間は典型的には、室温約23±2°C~150°Cの温度で1~24時間である。最適な反応時間は、日常的な実験によって決定することができる。式IVで表される有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、分離または精製なしで使用することができ、またはこの有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂は、従来の蒸発方法によって有機溶媒dの大部分から分離することができる。たとえば、反応混合物を減圧下で加熱することができる。さらに、ヒドロシリル化触媒cが上述のような担持触媒である場合、反応混合物をろ過することによって、ヒドロシリル化触媒cから有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂を容易に分離することができる。しかしながら、ヒドロシリル化触媒は有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂と混合されたままでもよく、ヒドロシリル化触媒Cとして使用することができる。架橋剤Bは、単一の有機ケイ素化合物であっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なる有機ケイ素化合物を含む混合物であってもよい。たとえば、架橋剤Bは、単一の有機ハイドロジェンシラン、2種の異なる有機ハイドロジェンシランの混合物、単一の有機ハイドロジェンシロキサン、2種の異なる有機ハイドロジェンシロキサンの混合物、または有機ハイドロジェンシランと有機ハイドロジェンシロキサンとの混合物であってもよい。特に、架橋剤Bは、架橋剤Bの総重量に基づき、少なくとも0.5w/w、あるいは少なくとも50w/w、あるいは75w/wの量で式IVを有する有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂を含む混合物であってもよく、この架橋剤Bは有機ハイドロジェンシランおよび/または有機ハイドロジェンシロキサンをさらに含み、後者は有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂とは異なる。架橋剤Bの濃度は、シリコーン樹脂Aを硬化させる架橋するには十分なものである。架橋剤Bの正確な量は、所望の硬化程度に依存する。架橋剤Bの濃度は典型的には、シリコーン樹脂A中のアルケニル基1モル当たり、ケイ素結合水素原子を0.4~2モル、あるいはケイ素結合水素原子を0.8~1.5モル、あるいはケイ素結合水素原子を0.9~1.1モル提供するには十分である。ヒドロシリル化触媒Cは、シリコーン樹脂Aと架橋剤Bとの間の反応を促進する少なくとも1種のヒドロシリル化触媒を含む。一実施形態において、ヒドロシリル化触媒Cは、有機ハイドロジェンポリシロキサン樹脂を生成するための上述のヒドロシリル化触媒cと同一であってもよい。加えて、ヒドロシリル化触媒Cは、熱可塑性樹脂にカプセル化された白金族金属を含むマイクロカプセル化白金族金属含有触媒であってもよい。マイクロカプセル化ヒドロシリル化触媒を含むヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物は、周囲条件下で長時間、典型的には数ヶ月またはそれ以上安定であるが、熱可塑性樹脂の融点または軟化点を上回る温度では比較的急速に硬化する。マイクロカプセル化ヒドロシリル化触媒およびこれら触媒を調製する方法は、米国特許第4766176号およびそこで引用されている文献、ならびに米国特許第5017654号で例示されているように、当技術分野で周知である。ヒドロシリル化触媒Cは、単一の触媒であっても、構造、形状、白金族金属、錯体配位子、熱可塑性樹脂など少なくとも1つの特性が異なる2種またはそれ以上の異なる触媒を含む混合物であってよい。別の実施形態においては、ヒドロシリル化触媒Cは、少なくとも1種の光活性ヒドロシリル化触媒であってよい。この光活性ヒドロシリル化触媒は、150~800nmの波長を有する放射線にさらすとシリコーン樹脂Aおよび架橋剤Bのヒドロシリル化を触媒することができる任意のヒドロシリル化触媒であってもよい。この光活性ヒドロシリル化触媒は、白金族金属または白金族金属を含む化合物を含めた周知のヒドロシリル化触媒のいずれかであってもよい。白金族金属には、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウムおよびイリジウムが含まれる。典型的には、この白金族金属は、ヒドロシリル化反応おけるその高い活性に基づき白金である。本発明のシリコーン樹脂において使用するための特定の光活性ヒドロシリル化触媒の適性は、日常的な実験によって容易に決定することができる。本発明の目的に適した光活性ヒドロシリル化触媒の具体例には、白金IIビス2,4-ペンタンジオエート、白金IIビス2,4-ヘキサンジオエート、白金IIビス2,4-ヘプタンジオエート、白金IIビス1-フェニル-1,3-ブタンジオエート、白金IIビス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオエート、白金IIビス1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオエートなどの白金IIβ-ジケトナート錯体;式中Cpがシクロペンタジエニルを示すCpトリメチル白金、Cpエチルジメチル白金、Cpトリエチル白金、クロロ-Cpトリメチル白金、トリメチルシリル-Cpトリメチル白金などのη-シクロペンタジエニルトリアルキル白金錯体;Pt[C6H5NNNOCH3]4、Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]4、Pt[p-H3COC6H4NNNOC6H11]4、Pt[p-CH3CH2x-C6H4NNNOCH3]4、1,5-シクロオクタジエン.Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H11]2、1,5-シクロオクタジエン.Pt[p-CH3O-C6H4NNNOCH3]2、[C6H53P]3Rh[p-CN-C6H4NNNOC6H11]、xが1、3、5、11または17であるPd[p-CH3CH2x-C6H4NNNOCH3]2などのトリアゼンオキシド-遷移金属錯体;η4-1,5-シクロオクタジエニルジフェニル白金、η4-1,3,5,7-シクロオクタテトラエニルジフェニル白金、η4-2,5-ノルボラジエニルジフェニル白金、η4-1,5-シクロオクタジエニルビス-4-ジメチルアミノフェニル白金、η4-1,5-シクロオクタジエニルビス-4-アセチルフェニル白金、η4-1,5-シクロオクタジエニルビス-4-トリフルオロメチルフェニル白金などのη-ジオレフィンσ-アリール白金錯体が含まれるが、これらに限定されない。典型的には、光活性ヒドロシリル化触媒はPtIIβ-ジケトナート錯体であり、より典型的にはこの触媒は白金IIビス2,4-ペンタンジオエートである。ヒドロシリル化触媒Cは、単一の光活性ヒドロシリル化触媒であっても、あるいは2種またはそれ以上の異なる光活性ヒドロシリル化触媒を含む混合物であってもよい。光活性ヒドロシリル化触媒を調製する方法は、当技術分野で周知である。たとえば、白金IIβ-ジケトナート類を調製する方法は、GuoらChemistryofMaterials,1998,10,531~536頁によって報告されている。η-シクロペンタジエニル-トリアルキル白金錯体を調製する方法は、米国特許第4510094号に開示されている。トリアゼンオキシド-遷移金属錯体を調製する方法は、米国特許第5496961号に開示されている。η-ジオレフィンσ-アリール白金錯体を調製する方法は、米国特許第4530879号に教示されている。ヒドロシリル化触媒Cの濃度は、シリコーン樹脂Aと架橋剤Bとの付加反応を触媒するには十分なものである。ヒドロシリル化触媒Cの濃度は、シリコーン樹脂Aおよび架橋剤Bの総重量に基づき、白金族金属を典型的には0.1~1000ppm、あるいは白金族金属を0.5~100ppm、あるいは白金族金属を1~25ppmを提供するには十分なものである。任意選択で、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物は、iR1R22SiOR22SiOaSiR22R1およびiiR5R12SiOR1R5SiObSiR12R5の群から選択される式のDシリコーンゴムをさらに含み、上記式中、R1およびR2は上で定義し例示したとおりであり、R5はR1または-Hであり、サブスクリプトaおよびbはそれぞれ1~4、あるいは2~4、あるいは2~3の値を有し、w、x、yおよびzも上で定義し例示したとおりであるが、ただし、シリコーン樹脂およびシリコーンゴムDiはそれぞれ、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有し、シリコーンゴムDiiは、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子を有し、シリコーン樹脂A中のケイ素結合アルケニル基に対するシリコーンゴムD中のケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素原子のモル比は0.01~0.5である。成分Diとしての使用に適したシリコーンゴムの具体例には、下記式ViMe2SiOMe2SiOaSiMe2Vi、ViMe2SiOPh2SiOaSiMe2ViおよびViMe2SiOPhMeSiOaSiMe2Viのシリコーンゴムが含まれるが、これらに限定されず、上記式中、Meはメチル、Phはフェニル、Viはビニルであり、サブスクリプトaは1~4の値を有する。シリコーンゴムDiは、単一のシリコーンゴムであっても、あるいはDiについての式をそれぞれが満たす2種またはそれ以上の異なるシリコーンゴムを含む混合物であってもよい。シリコーンゴムDiiとしての使用に適したシリコーンゴムの具体例には、下記式HMe2SiOMe2SiObSiMe2H、HMe2SiOPh2SiObSiMe2H、HMe2SiOPhMeSiObSiMe2HおよびHMe2SiOPh2SiO2Me2SiO2SiMe2Hのシリコーンゴムが含まれるが、これらに限定されず、上記式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、サブスクリプトbは1~4の値を有する。成分Diiは、単一のシリコーンゴムであっても、あるいはDiiについての式をそれぞれが満たす2種またはそれ以上の異なるシリコーンゴムを含む混合物であってもよい。シリコーン樹脂A中のケイ素結合アルケニル基に対するシリコーンゴムD中のケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素原子のモル比は典型的には0.01~0.5、あるいは0.05~0.4、あるいは0.1~0.3である。シリコーンゴムDがDiである場合には、架橋剤Bの濃度は、シリコーン樹脂AおよびシリコーンゴムDi中のケイ素結合アルケニル基のモル数の合計に対する架橋剤B中のケイ素結合水素原子のモル数の比率が、典型的には0.4~2、あるいは0.8~1.5、あるいは0.9~1.1となるようにする。さらに、シリコーンゴムDがDiiである場合には、架橋剤Bの濃度は、シリコーン樹脂A中のケイ素結合アルケニル基のモル数に対する架橋剤BおよびシリコーンゴムDii中のケイ素結合水素原子のモル数の合計の比率が、典型的には0.4~2、あるいは0.8~1.5、あるいは0.9~1.1となるようにする。ケイ素結合アルケニル基またはケイ素結合水素原子を含むシリコーンゴムを調製する方法は、当技術分野で周知であり、これらの化合物の多くは市販されている。本発明の別の実施形態においては、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物が、シリコーン樹脂Aと、下記式のゴムから選択される少なくとも1種のシリコーンゴムDiiiとを反応させることによって調製されるA1ゴム改質シリコーン樹脂を含む。R5R12SiOR1R5SiOcSiR12R5およびR1R22SiOR22SiOdSiR22R1上記式中、R1およびR5は上で定義し例示したとおりであり、cおよびdはそれぞれ、ヒドロシリル化触媒cと、任意選択で有機溶媒の存在下、4~1000、あるいは10~500、あるいは10~50の値を有するが、ただし、シリコーン樹脂Aは1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合アルケニル基を有し、シリコーンゴムDiiiは1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子を有し、シリコーン樹脂A中のケイ素結合アルケニル基に対するシリコーンゴムDiii中のケイ素結合水素原子のモル比が0.01~0.5である。少なくとも1種のシリコーンゴムとは、上記式で表されるゴムのうち1種のみがDiiiに必要であることを意味し、上記式で表されるゴムの組合せを使用することができることを意味する。有機溶媒が存在する場合には、ゴム改質シリコーン樹脂A1が有機溶媒中で混和性であり、沈殿物または懸濁液を形成することはない。シリコーン樹脂A、シリコーンゴムDiii、ヒドロシリル化触媒cおよび有機溶媒は、任意の順序で混ぜ合わせることができる。典型的には、シリコーン樹脂A、シリコーンゴムDiiiおよび有機溶媒は、ヒドロシリル化触媒cの導入前に混ぜ合わせる。この反応は、典型的には、室温約23±2°C~150°C、あるいは室温~100°Cの温度で行う。反応時間は、シリコーン樹脂AおよびシリコーンゴムDiiiの構造ならびに温度を含めたいくつかの因子に依存する。これらの成分は典型的には、ヒドロシリル化反応を完了するのに十分な時間反応させることができる。これは、FTIR分光法によって決定されるように、シリコーンゴムDiii中にもともと存在するケイ素結合水素原子の少なくとも95mol、あるいは少なくとも98mol、あるいは少なくとも99molがヒドロシリル化反応において消費されるまで、通常これらの成分が反応することができることを意味する。反応時間は典型的には、室温約23±2°C~100°Cの温度で0.5~24時間である。最適な反応時間は、日常的な実験によって決定することができる。シリコーン樹脂A中のケイ素結合アルケニル基に対するシリコーンゴムDiii中のケイ素結合水素原子のモル比は、典型的には0.01~0.5、あるいは0.05~0.4、あるいは0.1~0.3である。ヒドロシリル化触媒cの濃度は、シリコーン樹脂AのシリコーンゴムDiiiとの付加反応を触媒するには十分なものである。典型的には、ヒドロシリル化触媒cの濃度は、樹脂およびゴムの総重量に基づき、白金族金属を0.1~1000ppm提供するには十分である。有機溶媒の濃度は、反応混合物の総重量に基づき典型的には0~95w/w、あるいは10~75w/w、あるいは40~60w/wである。ゴム改質シリコーン樹脂A1は、分離または精製なしで使用することができるが、このゴム改質シリコーン樹脂A1は、従来の蒸発方法によって溶媒の大部分から分離することができる。たとえば、反応混合物を減圧下で加熱することができる。さらに、ヒドロシリル化触媒cが上述の担持触媒である場合、反応混合物をろ過することによって、ヒドロシリル化触媒cからゴム改質シリコーン樹脂A1を容易に分離することができる。しかしながら、ゴム改質シリコーン樹脂A1を調製するために使用するヒドロシリル化触媒cからゴム改質シリコーン樹脂A1を分離しない場合、ヒドロシリル化触媒cをヒドロシリル化触媒Cとして使用することができる。本発明のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物は、当技術分野で公知のような追加の成分を含むことができる。追加の成分の例には、3-メチル-3-ペンテン-1-イン、3,5-ジメチル-3-ヘキセン-1-イン、3,5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、2-フェニル-3-ブチン-2-オール、ビニルシクロシロキサン類、トリフェニルホスフィンなどのヒドロシリル化触媒抑制剤;米国特許第4087585号および第5194649号に教示されている接着促進剤などの接着促進剤;染料;顔料;酸化防止剤;熱安定剤;紫外線安定剤;難燃剤;流量制御添加剤;有機溶媒や反応性希釈剤などの希釈剤が含まれるが、これらに限定されない。ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物の代替物として、縮合硬化性シリコーン組成物も、本発明のシリコーン組成物に適している。縮合硬化性シリコーン組成物は、典型的には、ケイ素結合水素原子、ケイ素結合ヒドロキシ基またはケイ素結合加水分解基を有するシリコーン樹脂A2と、任意選択で、ケイ素結合加水分解基を有する架橋剤B1と、任意選択で、縮合触媒C1とを含む。縮合硬化性シリコーン樹脂A2は典型的には、R1SiO3/2単位、すなわち、T単位および/またはSiO4/2単位、すなわち、Q単位を、R1R62SiO1/2単位、すなわち、M単位および/またはR62SiO2/2単位、すなわちD単位と組み合わせて含む共重合体であり、式中、R1は上述のとおりであり、R6はR1、-H、-OHまたは加水分解基である。たとえば、このシリコーン樹脂は、DT樹脂、MT樹脂、MDT樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂、MDTQ樹脂、DQ樹脂、MQ樹脂、DTQ樹脂、MTQ樹脂またはMDQ樹脂でよい。一実施形態によれば、シリコーン樹脂A2は下記式を有する。R1R62SiO1/2w’R62SiO2/2x’R6SiO3/2y’SiO4/2z’V上記式中、R1およびR6は上で定義し例示したとおりであり、w’は0~0.8、あるいは0.02~0.75、あるいは0.05~0.3であり、x’は0~0.95、あるいは0.05~0.8、あるいは0.1~0.3であり、y’は0~1、あるいは0.25~0.8、あるいは0.5~0.8であり、z’は0~0.99、あるいは0.2~0.8、あるいは0.4~0.6である。シリコーン樹脂A2は、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基または加水分解基を有する。本明細書中で使用する用語加水分解基とは、ケイ素結合基が、室温約23±2°C~100°Cの任意の温度で数分、たとえば30分以内に触媒のない状態で水と反応してシラノールSi-OH基を形成することを意味する。R6で表される加水分解基の例には、-Cl、-Br、-OR7、-OCH2CH2OR7、CH3C=OO-、EtMeC=N-O-、CH3C=ONCH3-および-ONH2が含まれるが、これらに限定されず、式中、R7はC1~C8のヒドロカルビルまたはC1~C8のハロゲン置換ヒドロカルビルである。R7で表されるヒドロカルビルおよびハロゲン置換ヒドロカルビル基は、典型的には1~8個の炭素原子、あるいは3~6個の炭素原子を有する。少なくとも3個の炭素原子を含む非環式のヒドロカルビルおよびハロゲン置換ヒドロカルビル基は、分岐構造または非分岐構造を有することができる。R7で表されるヒドロカルビル基の例には、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルエチル、ペンチル、1-メチルブチル、1-エチルプロピル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルなどの非分岐または分岐アルキル;シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシルなどのシクロアルキル;フェニル;トリルやキシリルなどのアルカリル;ベンジルやフェネチルなどのアラルキル;ビニル、アリル、プロペニルなどのアルケニル;スチリルなどのアリールアルケニル、;エチニルやプロピニルなどのアルキニルが含まれるが、これらに限定されない。R7で表されるハロゲン置換ヒドロカルビル基の例には、3,3,3-トリフルオロプロピル、3-クロロプロピル、クロロフェニルおよびジクロロフェニルが含まれるが、これらに限定されない。典型的には、シリコーン樹脂A2中の基R6の少なくとも1mol、あるいは少なくとも5mol、あるいは少なくとも10molが水素、ヒドロキシまたは加水分解基である。本明細書中で使用する、R6のmolは、シリコーン樹脂A2中のR6基の総モル数に対するシリコーン樹脂A2中のケイ素結合基のモル数の比率に100を乗じたものとして定義される。シリコーン樹脂A2から形成される硬化性シリコーン樹脂の具体例には、下記式の硬化性シリコーン樹脂が含まれるが、これらに限定されない。MeSiO3/20.9MeHOSiO2/20.1、PhSiO3/20.7PhMeOSiO2/20.3、Me3SiO1/20.8SiO4/20.15HOSiO3/20.05、MeSiO3/20.67PhSiO3/20.23PhHOSiO2/20.1、MeSiO3/20.45PhSiO3/20.24PhHOSiO2/20.16Ph2SiO2/20.1PhMeSiO2/20.05、PhSiO3/20.3PhHOSiO2/20.1MeSiO3/20.4MeHOSiO2/20.05PhSiO3/20.1PhMeSiO2/20.05およびPhSiO3/20.3PhMeOSiO2/20.1MeSiO3/20.1PhMeSiO2/20.5上記式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の数字のサブスクリプトはモル分率を示し、サブスクリプトnは、シリコーン樹脂の数平均分子量が典型的には500~50,000となるような値を有する。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。上述のように、式Vで表されるシリコーン樹脂A2は典型的には、500~50,000の数平均分子量Mnを有する。あるいは、シリコーン樹脂A2は少なくとも300、あるいは1,000~3,000のMnを有することができ、この分子量は、小角レーザ光拡散検出器、すなわち屈折率検出器と、シリコーン樹脂MQ標準とを用いるゲル透過クロマトグラフィによって決定される。シリコーン樹脂A2の25°Cにおける粘度は典型的には0.01Pas~固体、あるいは0.1~100,000Pas、あるいは1~1,000Pasである。第2の実施形態において、シリコーン樹脂A2は、上記と同じ式Vであってよいが、サブスクリプトxおよびzの値が異なる。ただし、R6SiO3/2単位とSiO4/2単位との合計がゼロよりも大きく、さらには、第2の実施形態のシリコーン樹脂A2は、1分子当たり少なくとも2個のケイ素結合水素原子、少なくとも2個のケイ素結合ヒドロキシ基または少なくとも2個のケイ素結合加水分解基を含む。より具体的には、第2の実施形態のシリコーン樹脂A2について、w’、y’、R1およびR6は上記と同じままであるが、x’は典型的には0~0.6、あるいは0~0.45、あるいは0~0.25の値を有し、z’は典型的には0~0.35、あるいは0~0.25、あるいは0~0.15の値を有し、y’z’の合計はゼロよりも大きく、典型的には0.2~0.99、あるいは0.5~0.95、あるいは0.65~0.9である。さらに、w’x’の合計はゼロであってもよいが、典型的には0.01~0.80、あるいは0.05~0.5、あるいは0.1~0.35である。典型的には、第2の実施形態のシリコーン樹脂A2中のR6基の1mol~30mol、あるいは1~15molが水素、ヒドロキシまたは加水分解基である。この第2の実施形態の縮合硬化性シリコーン樹脂A2の例には、下記式のシリコーン樹脂が含まれるが、これらに限定されない。MeMeOSi2/2x’MeSiO3/20.1、PhHOSiO2/2x’PhSiO3/2y’、Me3SiO1/2w’CH3COOSiO3/2y’SiO4/2z’、PhMeOSiO2/2x’MeSiO3/2y’PhSiO3/2y’、PhMeOHOSiO1/2w’MeSiO3/2y’PhSiO3/2y’Ph2SiO2/2x’PhMeSiO2/2x’、PhMeMeOSiO1/2w’PhHOSiO2/2x’MeSiO3/2y’PhSiO3/2y’PhMeSiO2/2x’およびPhHOSiO2/2x’PhSiO3/2y’MeSiO3/2y’PhMeSiO2/2x’上記式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、w’、x’、y’およびz’は上で定義したとおりであり、サブスクリプトy’は、シリコーン樹脂の数平均分子量が典型的には500~50,000となるような値を有する。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。この第2の実施形態の縮合硬化性シリコーン樹脂A2の具体例には、下記式のシリコーン樹脂が含まれるが、これらに限定されない。MeMeOSi2/20.05Me3SiO1/20.75SiO4/20.2、PhHOSiO2/20.09MeSiO3/20.67PhSiO3/20.24、PhMeOSiO2/20.05MeSiO3/20.45PhSiO3/20.35Ph2SiO2/20.1PhMeSiO2/20.05、PhMeMeOSiO1/20.02PhSiO3/20.4MeSiO3/20.45PhSiO3/20.1PhMeSiO2/20,03およびPhHOSiO2/20.04PhMeMeOSiO1/20.03PhSiO3/20.36MeSiO3/20.1PhMeSiO2/20.47上記式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の数字のサブスクリプトはモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。第2の実施形態の縮合硬化性シリコーン樹脂A2は典型的には500~50,000の数平均分子量Mnを有する。あるいは、縮合硬化性シリコーン樹脂Aは500~10,000、あるいは800~3,000のMnを有することができ、この分子量は、屈折率検出器とシリコーン樹脂MQ標準とを用いるゲル透過クロマトグラフィによって決定される。第2の実施形態の縮合硬化性シリコーン樹脂A2の25°Cにおける粘度は、典型的には0.01Pas~固体、あるいは0.1~10,000Pas、あるいは1~100Pasである。式Vで表される縮合硬化性シリコーン樹脂Aは、29SiNMRによって決定されるケイ素結合ヒドロキシ基を典型的には20w/w未満、あるいは10w/w未満、あるいは2w/w未満含む。式Vで表されるシリコーン樹脂A2を調製する方法は、当技術分野で周知であり、これらの樹脂の多くは市販されている。式Vで表されるシリコーン樹脂A2は、トルエンなどの有機溶媒中でクロロシラン前駆体の適切な混合物を共加水分解することによって通常調製される。たとえば、R1R62SiO1/2単位およびR6SiO3/2単位を含むシリコーン樹脂は、R1およびR6が上で定義し例示したとおりである式R1R62SiClの第1の化合物および式R6SiCl3の第2の化合物をトルエン中で共加水分解することによって、調製することができる。この共加水分解プロセスは、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物について上で説明している。共加水分解された反応物を所望の程度までさらに形を与えて、架橋性基の量および粘度を制御することができる。必要に応じて、式Vで表されるシリコーン樹脂A2を有機溶媒中の縮合触媒でさらに処理して、ケイ素結合ヒドロキシ基の含有量を低減させることができる。あるいは、-Br、-I、-OCH3、-OCOCH3、-NCH32、NHCOCH3、-SCH3など、クロロ基以外の加水分解基を含む第1または第2の化合物を共加水分解してシリコーン樹脂A2を形成することができる。このシリコーン樹脂A2の特性は、第1および第2の化合物の種類、第1および第2の化合物のモル比、縮合度ならびに加工条件に依存する。式V中のQ単位は、シリコーン樹脂A2中で離散粒子の形であってもよい。粒径は典型的には1nm~20μmである。これらの粒子の例には、直径15nmのシリカSiO4/2粒子が含まれるが、これに限定されない。別の実施形態において、縮合硬化性シリコーン組成物は、i式R1R62SiO1/2w’R62SiO2/2x’R6SiO3/2y’SiO4/2z’のシリコーン樹脂、iiiの加水分解前駆体およびiii式R83SiOR1R8SiOmSiR83のシリコーンゴムから選択される有機ケイ素化合物を、水、iv縮合触媒およびv有機溶媒の存在下で反応させることによって調製されるゴム改質シリコーン樹脂A3を含み、上記式中、R1およびR6は上で定義し例示したとおりであり、R8はR1または加水分解基であり、mは2~1,000、あるいは4~500、あるいは8~400であり、w’、x’、y’およびz’は上で定義し例示したとおりである。シリコーン樹脂iは、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合ヒドロキシまたは加水分解基を有する。シリコーンゴムiiiは、1分子当たり少なくとも平均2個のケイ素結合加水分解基を有する。シリコーン樹脂i中のケイ素結合ヒドロキシまたは加水分解基に対するシリコーンゴムiii中のケイ素結合加水分解基のモル比は、0.01~1.5、あるいは0.05~0.8、あるいは0.2~0.5である。第1の実施形態においては、シリコーン樹脂i中の基R6の典型的には少なくとも1mol、あるいは少なくとも5mol、あるいは少なくとも10molがヒドロキシまたは加水分解基である。第2の実施形態においては、シリコーン樹脂i中の基R6の典型的には1mol~30mol、あるいは1mol~15molが水素、ヒドロキシまたは加水分解基である。第1の実施形態のシリコーン樹脂iは典型的には、少なくとも300、あるいは500~50,000、あるいは800~3,000の数平均分子量Mnを有し、この分子量は、小角レーザ光拡散検出器、すなわち屈折率検出器と、シリコーン樹脂MQ標準とを用いるゲル透過クロマトグラフィによって決定される。シリコーン樹脂iとしての使用に適したシリコーン樹脂の具体例には、下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。MeMeOSi2/2x’MeSiO3/2y’、PhHOSiO2/2x’PhSiO3/2y’、PhMeOSiO2/2x’PhSiO3/2y’MeSiO3/2y’PhSiO3/2y’PhMeSiO2/2x’およびCH3COOSiO3/2y’PhSiO3/2y’SiO4/2z’Me2SiO2/2x’Ph2SiO2/2x’上記式中、Meはメチル、Phはフェニルであり、x’、y’およびz’は上で定義したとおりであり、サブスクリプトy’は、シリコーン樹脂の数平均分子量が500~50,000となるような値を有する。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。シリコーン樹脂iとしての使用に適したシリコーン樹脂の他の具体例には、下記式の樹脂が含まれるが、これらに限定されない。PhHOSiO2/20.03PhSiO3/20.37MeSiO3/20.45PhSiO3/20.1PhMeSiO2/20.05およびCH3COOSiO3/20.06PhSiO3/20.3SiO4/20.04Me2SiO2/20.2Ph2SiO2/20.4Meはメチル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の数字のサブスクリプトは、モル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。シリコーン樹脂iは、単一のシリコーン樹脂であっても、またはそれぞれが特定の式を有する2種またはそれ以上の異なるシリコーン樹脂を含む混合物であってもよい。シリコーン樹脂iは、単一のシリコーン樹脂であっても、またはそれぞれが特定の式を有する2種またはそれ以上の異なるシリコーン樹脂を含む混合物であってもよい。本明細書中で使用する用語加水分解前駆体とは、シリコーン樹脂iの調製用の出発材料前駆体としての使用に適している加水分解基を有するシラン類を指す。加水分解前駆体iiは、式中R1、R8およびXが上で定義し例示したとおりである式R1R82SiX、R82SiX2、R8SiX3およびSiX4で表すことができる。加水分解前駆体iiの具体的な例には、下記式のシラン類が含まれるが、これらに限定されない。Me2ViSiCl、Me3SiCl、MeSiOEt3、PhSiCl3、MeSiCl3、Me2SiCl2、PhMeSiCl2、SiCl4、Ph2SiCl2、PhSiOMe3、MeSiOMe3、PhMeSiOMe2およびSiOEt4,上記式中、Meはメチル、Etはエチル、Phはフェニルである。シリコーンゴムiiiの具体例には、下記式のシリコーンゴムが含まれるが、これらに限定されない。EtO3SiOMe2SiO55SiOEt3、EtO3SiOMe2SiO16SiOEt3、EtO3SiOMe2SiO386SiOEt3およびEtO2MeSiOPhMeSiO10SiMeOEt2上記式中、Meはメチル、Etがエチルである。この反応は典型的には、室温約23±2°C~180°C、あるいは室温~100°Cの温度で行われる。反応時間は、シリコーン樹脂iおよびシリコーンゴムiiiの構造ならびに温度を含めたいくつかの因子に依存する。これらの成分は典型的には、縮合反応を完了するのに十分な時間反応させることができる。これは、29SiNMR分光法によって決定されるように、シリコーンゴムiii中にもともと存在するケイ素結合加水分解基の少なくとも40mol、あるいは少なくとも65mol、あるいは少なくとも90molが縮合反応において消費されるまで、典型的にはこれらの成分が反応することができることを意味する。反応時間は典型的には、室温約23±2°C~100°Cの温度で1~30時間である。最適な反応時間は、日常的な実験によって決定することができる。適切な縮合触媒ivについて以下にさらに詳細に説明するが、適切な有機溶媒vについては、上記改質ゴムシリコーン樹脂A1に即して上で説明している。縮合触媒ivの濃度は、シリコーン樹脂iのシリコーンゴムiiiとの縮合反応を触媒するには十分なものである。典型的には、縮合触媒ivの濃度は、シリコーン樹脂iの重量に基づき0.01~5w/w、あるいは0.01~3w/w、あるいは0.05~2.5w/wである。有機溶媒vの濃度は反応混合物の総重量に基づき典型的には10~95w/w、あるいは20~85w/w、あるいは50~80w/wである。反応混合物中の水の濃度は、有機ケイ素化合物中の基R8の性質およびシリコーンゴム中のケイ素結合加水分解基の性質に依存する。シリコーン樹脂iが加水分解基を含む場合、水の濃度はシリコーン樹脂iおよびシリコーンゴムiii中の加水分解基の加水分解をもたらすには十分なものである。たとえば、水の濃度は、混ぜ合わせたシリコーン樹脂iおよびシリコーンゴムiii中の加水分解基1モル当たり典型的には0.01~3モル、あるいは0.05~1モルである。シリコーン樹脂iが加水分解基を含まない場合、微量、たとえば、100ppmの水しか典型的には反応混合物中には存在しない。微量の水が典型的には反応物および/または溶媒中に存在する。上述のように、縮合硬化性シリコーン組成物は、架橋剤B1をさらに含むことができる。架橋剤B1は式R7qSiX4-qを有することができ、式中R7はC1~C8のヒドロカルビルまたはC1~C8のハロゲン置換ヒドロカルビルであり、Xは加水分解基であり、qは0または1である。R7で表されるヒドロカルビルおよびハロゲン置換ヒドロカルビル基、ならびにXで表される加水分解基は、上で説明し例示したとおりである。架橋剤B1の具体例には、MeSiOCH33、CH3SiOCH2CH33、CH3SiOCH2CH2CH33、CH3Si[OCH23CH3]3、CH3CH2SiOCH2CH33、C6H5SiOCH33、C6H5CH2SiOCH33、C6H5SiOCH2CH33、CH2=CHSiOCH33、CH2=CHCH2SiOCH33、CF3CH2CH2SiOCH33、CH3SiOCH2CH2OCH33、CF3CH2CH2SiOCH2CH2OCH33、CH2=CHSiOCH2CH2OCH33、CH2=CHCH2SiOCH2CH2OCH33、C6H5SiOCH2CH2OCH33、SiOCH34,SiOC2H54、SiOC3H74などのアルコキシシラン類;CH3SiOOOCH33、CH3CH2SiOCOCH33、CH2CHSiOCOCH33などの有機アセトキシシラン類;CH3Si[O-N=CH3CH2CH3]3、Si[O-N=CCH3CH2CH3]4、CH2=CHSi[O-NCH3CH2CH3]3などの有機イミノオキシシラン類;CH3Si[NHC=OCH3]3やC6H5Si[NHC=OCH3]3などの有機アセトアミドシラン類;CH3Si[NHs-C4H9]3やCH3SiNHC6H113などのアミノシラン類;ならびに有機アミノオキシシラン類が含まれるが、これらに限定されない。架橋剤B1は単一のシランであっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なるシランの混合物であってもよい。また、三官能性および四官能性シラン類を調製する方法も当技術分野において周知であり、これらのシラン類の多くは市販されている。存在する場合には、縮合硬化性シリコーン組成物中の架橋剤B1の濃度は、縮合硬化性シリコーン樹脂を硬化する架橋するには十分なものである。架橋剤B1の正確な量は、所望の硬化程度に依存し、この硬化程度は、シリコーン樹脂A2中のケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基または加水分解基のモル数に対する架橋剤B1中のケイ素結合加水分解基のモル数の比率が増大するにつれて一般に増大する。典型的には、架橋剤B1の濃度は、シリコーン樹脂A2中のケイ素結合水素原子、ヒドロキシ基または加水分解基1モル当たり0.2~0.4モルのケイ素結合加水分解基を提供するには十分なものである。架橋剤B1の最適な量は、日常的な実験によって容易に決定することができる。縮合触媒C1は、ケイ素結合ヒドロキシシラノール基の縮合を促進してSi-O-Si結合を形成するために典型的に使用する任意の縮合触媒でよい。縮合触媒の例には、アミン類ならびに鉛、スズ、亜鉛および鉄のカルボン酸との錯体が含まれるが、これらに限定されない。特に、縮合触媒C1は、スズジウラレート、スズジオクトエート、テトラブチルスズなどのスズIIおよびスズIV化合物、およびチタンテトラブトキシドなどのチタン化合物から選択することができる。存在する場合、縮合触媒C1の濃度は、シリコーン樹脂A2の総重量に基づき典型的には0.1~10w/w、あるいは0.5~5w/w、あるいは1~3w/wである。縮合硬化性シリコーン組成物が縮合触媒C1を含む場合、縮合硬化性シリコーン組成物は典型的には、シリコーン樹脂A2と縮合触媒C1が別々に存在する2液型組成物two-partcompositionである。縮合硬化性シリコーン組成物は、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、雲母など微粒子状の無機充填剤をさらに含むことができる。一実施形態においては、たとえば、縮合硬化性シリコーン組成物はシリカナノ粒子をさらに含む。これらのナノ粒子は、基板106の熱膨張係数の低減に役立つ。熱膨張係数が小さいと、CISをベースとする光起電デバイス104の製造可能性manufacturabilityを向上させることができる。ナノ粒子により、基板106の機械的強度を増大させることもできる。これらのシリカナノ粒子は、少なくとも1つの物理的寸法たとえば、粒径、層の厚さが約200nm未満である任意のシリカ材料でよい。シリカナノ粒子の特に有用な一形態は、ヒュームドシリカナノ粒子である。有用な市販の未改質シリカ出発材料の例には、NALCO1040、1042、1050、1060、2326、2327および2329コロイドシリカの製品表示でイリノイ州ネーパービルのNalcoChemicalCo.から入手可能なナノサイズコロイドシリカ、DegussaからのAerosil登録商標、DuPontからのLudox登録商標、NissanChemicalからのSnowtex登録商標、BayerからのLevasil登録商標あるいはFujiSilysiaChemicalからのSylysia登録商標が含まれる。適切なヒュームドシリカには、たとえば、AerosilseriesOX50の商品表示、ならびに製品番号-130、-150および-200でDeGussaAGハーナウ、ドイツから市販されている製品が含まれる。ヒュームドシリカは、CABO-SPERSE2095、CAB-O-SPERSEA105およびCAB-O-SILM5の商品表示でイリノイ州タスコラのCabotCorp.からも市販されている。当業者は、火炎加水分解Aerosil-Process、プラズマ法、アーク法、気相または固相反応向けのホットウォール反応器法、溶液ベースの反応向けのイオン交換法および沈殿法など、異なる物理特性を有し異なる組成を有する異なる寸法の粒子にアクセスするための十分に確立した異なるプロセスを認識している。これらのシリカナノ粒子は、コロイド分散液の形であってもよい。したがって、これらのシリカナノ粒子を、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールIPA、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、水、酢酸、プロピレングリコール、2-メチル-1,3-プロパンジオールHOCH2CHCH3CH2OH、1,2-ヘキサンジオールCH3CH23CHOHCH2OH、グリセロールなどのジオール類およびトリオール類、グリセリルトリアセテートトリアセチン、グリセリルトリプロピオネートトリプロピオニン、グリセリルトリブチレートトリブチリンなどのグリセロールエステル類、ポリエチレングリコール類やポリプロピレングリコール類、中でもPPG-14ブチルエーテルC4HgOCHCH3CH214OHなどのポリグリコール類などの極性溶媒に分散させることができる。あるいは、トルエン、ベンゼン、キシレンなどの非極性溶媒にこれらのシリカナノ粒子を分散させることもできる。シリカの粒径は典型的には1~1000nm、あるいは1~100nm、あるいは5~30nmの範囲に及ぶ。これらのシリカ粒子は、単一の種類のシリカナノ粒子であっても、または少なくとも2種類の異なるシリカナノ粒子を含む混合物であってもよい。シリカナノ粒子は純粋な二酸化ケイ素であっても、あるいはAl2O3、ZnO、および/またはNa、K、Ca、Mg等のカチオンなどの不純物を一定量含んでいてもよいことが知られている。シリカナノ粒子の濃度は、縮合硬化性シリコーン組成物の総重量に基づき典型的には0.0001~99wt、あるいは0.001~75wt、あるいは10~65wt、あるいは5~50wt、あるいは20~40wtである。縮合硬化性シリコーン組成物は、縮合硬化性シリコーン樹脂A2またはA3と、任意選択の成分と、シリカナノ粒子とを単一の液中に含む1液型組成物one-partcompositionであっても、あるいはこれらの成分を2液またはそれ以上の液中に含む多液型組成物multi-partcompositionであってもよい。1液型縮合硬化性シリコーン組成物は、有機溶媒の助けの有無にかかわらず、記載の割合の縮合硬化性シリコーン樹脂A2またはA3と、シリカナノ粒子と、任意選択の成分とを周囲温度で混ぜ合わせることによって調製することができる。また、各液中でこれらの成分を混ぜ合わせることによって、シリコーン組成物を調製することができる。シリカナノ粒子を含む縮合硬化性シリコーン組成物をin-situで調製することもできる、すなわち、プロセス中にシリカナノ粒子を添加して、上述の縮合硬化性シリコーン樹脂A2またはA3を作製することができる。粉砕、調合、撹拌など当技術分野で公知の技法のいずれかによって、バッチまたは連続プロセスで混合を実現することができる。本発明の縮合硬化性シリコーン組成物は、当技術分野で公知である追加の成分を、またヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物について上で説明した追加の成分を含むことができる。さらに別の実施形態においては、シリコーン組成物はフリーラジカル硬化性シリコーン組成物であってもよい。フリーラジカル硬化性シリコーン組成物の例には、ペルオキシド硬化性シリコーン組成物、フリーラジカル光開始剤を含む放射線硬化性シリコーン組成物、および高エネルギー放射線硬化性シリコーン組成物が含まれる。典型的には、フリーラジカル硬化性シリコーン組成物は、シリコーン樹脂A4、任意選択の架橋剤B2および/またはフリーラジカル開始剤C2たとえば、フリーラジカル光開始剤または有機ペルオキシドを含む。シリコーン樹脂A4は、iフリーラジカル光開始剤の存在下で波長150~800nmの放射線にシリコーン樹脂をさらすこと、ii有機ペルオキシドの存在下でシリコーン樹脂A4を加熱すること、およびiii電子ビームにシリコーン樹脂A4をさらすことから選択される少なくとも1つの方法によって硬化すなわち、架橋することができる任意のシリコーン樹脂でよい。シリコーン樹脂A4は典型的には、Tシロキサン単位および/またはQシロキサン単位をMおよび/またはDシロキサン単位と組み合わせて含む共重合体である。たとえば、シリコーン樹脂A4は式R1R92SiO1/2w’’R92SiO2/2x’’R9SiO3/2y’’SiO4/2z’’を有することができ、式中、R1は上で定義し例示したとおりであり、R9はR1、アルケニルまたはアルキニルであり、w’’は0~0.99、x’’は0~0.99、y’’は0~0.99、z’’は0~0.85であり、w’’x’’y’’z’’=1である。R9で表されるアルケニル基は同一であっても異なっていてもよく、上記R2についての説明において定義し例示したとおりである。R9で表されるアルキニル基は同一であっても異なっていてもよく、典型的には2~約10個の炭素原子、あるいは2~6個の炭素原子を有し、エチニル、プロピニル、ブチニル、ヘキシニルおよびオクチニルによって例示されるが、これらに限定されない。シリコーン樹脂A4は典型的には、少なくとも300、あるいは500~10,000、あるいは1,000~3,000の数平均分子量Mnを有し、この分子量は、屈折率検出器とシリコーン樹脂MQ標準とを用いるゲル透過クロマトグラフィによって決定される。シリコーン樹脂A4は、29SiNMRによって決定されるケイ素結合ヒドロキシ結合を10w/w未満、あるいは5w/w未満、あるいは2w/w未満含むことができる。本発明の目的に適しているシリコーン樹脂A4の具体例には、下記式のシリコーン樹脂が含まれるが、これらに限定されない。Vi2MeSiO1/20.25PbSiO3/20.75、ViMe2SiO1/20.25PhSiO3/20.75、ViMe2SiO1/20.25MeSiO3/20.25PhSiO3/20.50、ViMe2SiO1/20.15PhSi03/20.75SiO4/20.1およびVi2MeSiO1/20.15ViMe2SiO1/20.1PhSiO3/20.75式中、Meはメチル、Viはビニル、Phはフェニルであり、丸括弧の外の数字のサブスクリプトはモル分率を示す。前述の式中の単位の順序は、決して本発明の範囲を制限すると見なすべきではない。本方法のフリーラジカル硬化性シリコーン組成物は、シリコーンゴム;不飽和化合物;フリーラジカル開始剤;有機溶媒;UV安定剤;増感剤;色素;難燃剤;酸化防止剤;補強充填剤、増量充填剤、導電性充填剤などの充填剤;および接着促進剤が含まれるがこれらに限定されない追加の成分を含むことができる。フリーラジカル硬化性シリコーン組成物は、i1分子当たり少なくとも1個のケイ素結合アルケニル基を有する少なくとも1種の有機ケイ素化合物、ii1分子当たり少なくとも1つの脂肪族炭素-炭素二重結合を有する少なくとも1種の有機化合物、およびiiiiおよびiiを含む混合物から選択される不飽和化合物をさらに含むことができ、この不飽和化合物は500未満の分子量を有する。あるいは、この不飽和化合物は400未満または300未満の分子量を有する。また、この不飽和化合物は線状構造、分岐構造、または環状構造を有することができる。有機ケイ素化合物iは、有機シランであっても有機シロキサンであってもよい。有機シランはモノシランであっても、ジシランであっても、トリシランであっても、またはポリシランであってもよい。同様に、有機シロキサンはジシロキサンであっても、トリシロキサンであっても、またはポリシロキサンであってもよい。シクロシラン類およびシクロシロキサン類は典型的には、3~12個のケイ素原子、あるいは3~10個のケイ素原子、あるいは3~4個のケイ素原子を有する。非環式のポリシラン類およびポリシロキサン類においては、ケイ素結合アルケニル基が末端位に、ペンダント位に、あるいは末端位とペンダント位の両方に位置することができる。有機シラン類の具体例には、下記式のシラン類が含まれるが、これらに限定されない。Vi4Si、PhSiVi3、MeSiVi3、PhMeSiVi2、Ph2SiVi2およびPhSiCH2CH=CH23式中、Meはメチル、Phはフェニル、Viはビニルである。有機シロキサン類の具体例には、下記式のシロキサン類が含まれるが、これらに限定されない。PhSiOSiMe2Vi3、SiOSiMe2Vi4、MeSiOSiMe2Vi3およびPh2SiOSiMe2Vi2式中、Meはメチル、Viはビニル、Phはフェニルである。この有機化合物は、1分子当たり少なくとも1つの脂肪族炭素-炭素二重結合を含む任意の有機化合物でよい。ただしこの化合物により、シリコーン樹脂A4が硬化してシリコーン樹脂膜を形成することは防止されない。この有機化合物はアルケン、ジエン、トリエンまたはポリエンでよい。さらに、非環式有機化合物においては、炭素-炭素二重結合が末端位に、ペンダント位に、あるいは末端位とペンダント位の両方に位置することができる。有機化合物は、脂肪族炭素-炭素二重結合以外の1つまたは複数の官能基を含むことができる。適切な官能基の例には、-O-、>C=O、-CHO、-CO2-、-C≡N、-NO2、>C=C<、-C≡C-、-F、-Cl、-Brおよび-Iが含まれるが、これらに限定されない。本発明のフリーラジカル硬化性シリコーン組成物において使用するための特定の不飽和有機化合物の適性は、日常的な実験によって容易に決定することができる。この有機化合物は、室温で液体状態であっても固体状態であってもよい。また、この有機化合物はフリーラジカル硬化性シリコーン組成物に可溶であっても、部分的に可溶であっても、不溶であってもよい。分子量、構造、ならびに化合物中の官能基の数および性質に依存するこの有機化合物の標準沸点は、広範囲にわたって変化することがある。典型的には、この有機化合物は、組成物の硬化温度よりも高い標準沸点を有する。そうでなければ、この有機化合物の相当量が硬化時の揮発によって取り除かれることがある。脂肪族炭素-炭素二重結合を含む有機化合物の例には、1,4-ジビニルベンゼン、1,3-ヘキサジエニルベンゼンおよび1,2-ジエテニルシクロブタンが含まれるが、これらに限定されない。不飽和化合物は、単一の不飽和化合物であっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なる不飽和化合物を含む混合物であってもよい。たとえば、この不飽和化合物は、単一の有機シラン、2種の異なる有機シラン類の混合物、単一の有機シロキサン、2種の異なる有機シロキサン類の混合物、有機シランと有機シロキサンとの混合物、単一の有機化合物、2種の異なる有機化合物の混合物、有機シランと有機化合物との混合物、または有機シロキサンと有機化合物との混合物でよい。不飽和化合物の濃度は、フリーラジカル硬化性シリコーン組成物の総重量に基づき、典型的には0~70w/w、あるいは10~50w/w、あるいは20~40w/wである。ケイ素結合アルケニル基を含む有機シラン類および有機シロキサン類、ならびに脂肪族炭素-炭素二重結合を含む有機化合物を調製する方法は当技術分野で周知であり、これらの化合物の多くは市販されている。フリーラジカル開始剤は、典型的にはフリーラジカル光開始剤または有機ペルオキシドである。さらに、フリーラジカル光開始剤は、波長200~800nmの放射線にさらすとシリコーン樹脂の硬化架橋を開始することができる任意のフリーラジカル光開始剤であってもよい。フリーラジカル光開始剤の例には、ベンゾフェノン;4,4’-ビスジメチルアミノベンゾフェノン;ハロゲン化ベンゾフェノン類;アセトフェノン;α-ヒドロキシアセトフェノン;ジクロロアセトフェノン類やトリクロロアセトフェノン類などのクロロアセトフェノン類;2,2-ジエトキシアセトフェノンなどのジアルコキシアセトフェノン類;2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-1-プロパノンや1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα-ヒドロキシアルキルフェノン類;2-メチル-4’-メチルチオ-2-モルフォリニオプロピオフェノンなどのα-アミノアルキルフェノン類;ベンゾイン;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどのベンゾインエーテル類;、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノンなどのベンジルケタール類;ジフェニル2,4,6-トリメチルベンゾイルホスフィンオキシドなどのアシルホスフィンオキシド類;キサントン誘導体;チオキサントン誘導体;フルオレノン誘導体;グリオキシル酸メチルフェニル;アセトナフトン;アントラキノン誘導体;芳香族化合物のスルホニルクロリド類;ならびに1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-Ο-エトキシカルボニルオキシムなどのΟ-アシルα-オキシミノケトン類が含まれるが、これらに限定されない。フリーラジカル光開始剤は、フェニルメチルポリシラン類に関するためその開示が参照により本明細書中に援用される米国特許第4260780号においてWestによって定義されているフェニルメチルポリシラン類;アミノ化メチルポリシラン類に関するためその開示が参照により本明細書中に援用される米国特許第4314956号においてBaneyらによって定義されているアミノ化メチルポリシラン類;メチルポリシラン類に関するためその開示が参照により本明細書中に援用される米国特許第4276424号においてPetersonらによって定義されているメチルポリシラン類;ポリシラスチレンに関するためその開示が参照により本明細書中に援用される米国特許第4324901号においてWestらによって定義されているポリシラスチレンなどのポリシランであってもよい。フリーラジカル光開始剤は、単一のフリーラジカル光開始剤であっても、あるいは2種またはそれ以上の異なるフリーラジカル光開始剤を含む混合物であってもよい。フリーラジカル光開始剤の濃度は、シリコーン樹脂A4の重量に基づき典型的には0.1~6w/w、あるいは1~3w/wである。フリーラジカル光開始剤は有機ペルオキシドであってもよい。有機ペルオキシドの例には、ジベンゾイルペルオキシド、ジ-p-クロロベンゾイルペルオキシド、ビス-2,4-ジクロロベンゾイルペルオキシドなどのジアロイルペルオキシド類;ジ-t-ブチルペルオキシドや2,5-ジメチル-2,5-ジ-t-ブチルペルオキシヘキサンなどのジアルキルペルオキシド類;ジクミルペルオキシドなどのジアラルキルペルオキシド類;t-ブチルクミルペルオキシドや1,4-ビスt-ブチルペルオキシイソプロピルベンゼンなどのアルキルアラルキルペルオキシド類;ならびにt-ブチルペルベンゾエート、t-ブチルペルアセテート、t-ブチルペルオクトエートなどのアルキルアロイルペルオキシド類が含まれる。有機ペルオキシドは、単一のペルオキシドであっても、あるいは2種またはそれ以上の異なる有機ペルオキシドを含む混合物であってもよい。有機ペルオキシドの濃度は、シリコーン樹脂A4の重量に基づき典型的には0.1~5w/w、あるいは0.2~2w/wである。フリーラジカル硬化性シリコーン組成物は、少なくとも1種の有機溶媒をさらに含むことができる。有機溶媒は、シリコーン樹脂A4または追加の成分と反応しないが、シリコーン樹脂A4と混ざる任意の非プロトン性または双極性非プロトン性有機溶媒でよい。有機溶媒の例には、n-ペンタン、ヘキサン、n-ヘプタン、イソオクタン、ドデカンなどの脂肪族飽和炭化水素;シクロペンタンやシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素;テトラヒドロフランTHFやジオキサンなどの環状エーテル類;メチルイソブチルケトンMIBKなどのケトン類;トリクロロエタンなどのハロゲン化アルカン類;ならびにブロモベンゼンやクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素が含まれるが、これらに限定されない。有機溶媒は、単一の有機溶媒であっても、あるいはそれぞれ上で説明した2種またはそれ以上の異なる有機溶媒を含む混合物であってもよい。有機溶媒の濃度は、フリーラジカル硬化性シリコーン組成物の総重量に基づき、典型的には0~99w/w、あるいは30~80w/w、あるいは45~60w/wである。上述のフリーラジカル硬化性シリコーン組成物が1種または複数種の追加の成分、たとえばフリーラジカル開始剤を含む場合、組成物は、シリコーン樹脂と1種または複数種の任意選択の成分とを単一の液中に含む1液型組成物であっても、あるいはこれらの成分を2液またはそれ以上の液中に含む多液型組成物であってもよい。別の適切なシリコーン組成物は、1,500~1,000,000の値に及ぶ重量平均分子量を有し、室温約23±2°Cで液体であり、H2SiO2/2単位を含む環式ジハイドロジェンポリシロキサン類を含む。これらの環式ジハイドロジェンポリシロキサン類は、非極性有機溶媒と水との混合物中でジクロロシランH2SiC12に加水分解/凝縮を施し、形成された環式ジハイドロジェンシロキサンから揮発性環式ジハイドロジェンポリシロキサンを取り除くことによって生成することができる。本発明で使用する非極性有機溶媒は、芳香族炭化水素有機溶媒および脂肪族炭化水素有機溶媒で例示され、芳香族炭化水素有機溶媒はトルエンおよびキシレンで例示され、脂肪族炭化水素有機溶媒はヘキサン、ヘプタン、オクタンおよびシクロヘキサンで例示される。加水分解/縮合反応は典型的には、非極性有機溶媒および水を撹拌しながらジクロロシランの非極性有機溶媒溶液をゆっくりと液滴添加することにより行う。ジハイドロジェンポリシロキサンの揮発を避けるために、5°C以下の温度で液滴添加を行うことが好ましい。加水分解/縮合は典型的には、非極性有機溶媒相と水相との混合物中で行われ、その後、形成された環状ジハイドロジェンポリシロキサンを含む非極性有機溶媒相を水で洗浄し、乾燥させ、非極性有機溶媒および揮発性ジハイドロジェンポリシロキサンを溶出する。液滴添加が完了したら、溶液を放置することにより溶液を非極性有機溶媒層と水層とに分離させ、その後非極性有機溶媒層を取り除き水で洗浄する。典型的には、非極性有機溶媒層は中性になるまで、または塩素イオンがもはや検出されなくなるまで洗浄する。非極性有機溶媒層をある程度まで洗浄し、弱アルカリ、たとえば炭酸カルシウム、炭酸ナトリウムまたは重炭酸ナトリウムで中和し、次いで形成された塩を水で洗浄することもできる。洗浄した非極性有機溶媒層を乾燥させることができ、非極性有機溶媒および揮発性環状ジハイドロジェンポリシロキサンを典型的には溶出する。洗浄した非極性有機溶媒層を乾燥させるために使用する方法に関しては、その方法が環式ジハイドロジェンポリシロキサンを変えない限り特に制限はないが、粉末状または顆粒状乾燥剤、たとえば、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸ナトリウムまたは分子ふるいを添加することができる。得られた混合物をかき混ぜ、乾燥剤をろ過して取り除く。非極性有機溶媒および環状ジハイドロジェンポリシロキサンの溶出に関しては、環式ジハイドロジェンポリシロキサンが変わらない限りやはり特に制限はない。溶出は、減圧下における加熱または加熱下の乾燥窒素中における吹き付けblowingで例示される。本明細書中で言及する揮発性環状ジハイドロジェンポリシロキサンは3-mers~15-mersである。生成物が環状ジハイドロジェンポリシロキサンであることは、FT-IRを用いて分析した際にシラノール基の吸収がないことによって確認する。非極性有機溶媒と、塩酸と、イオン性界面活性剤との混合物中でジクロロシランに共加水分解/縮合を施し、上述のような形成されたジハイドロジェンポリシロキサンから揮発性環状ジハイドロジェンポリシロキサンを取り除くことによって、環状ジハイドロジェンポリシロキサンを生成することもできる。塩酸は典型的には濃塩酸、より典型的には塩化水素含有量15wt~37wtの塩酸である。イオン性界面活性剤には、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤を含めることができ、アニオン性界面活性剤は、脂肪族炭化水素スルホン酸のアルカリ金属塩、たとえば、炭素数6~20のアルキルスルホン酸のアルカリ金属塩、炭素数6~20のアルケンスルホン酸のアルカリ金属塩およびアルキルベンゼンスルホン酸のアルカリ金属塩;脂肪族炭化水素スルホン酸、たとえば、炭素数6~20のアルキルスルホン酸、炭素数6~20のアルケンスルホン酸;アルキルベンゼンスルホン酸;アルキルスルホン酸エステルのアルカリ金属塩;高級脂肪酸のアルカリ金属塩で例示される。本発明で使用するアルカリ金属としてはナトリウムおよびカルシウムが好ましい。カチオン性界面活性剤は、第四アンモニウム塩、たとえば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウムおよび塩化テトラブチルアンモニウムで、またアルキルアミン塩酸塩、たとえば、デシルアミン塩酸塩で例示される。これらのイオン性界面活性剤は典型的には、塩酸に含まれる水の0.01~50wt、より典型的には0.1~1.0wtの量で使用する。典型的には、加水分解/縮合反応は、非極性有機溶媒と、塩酸と、イオン性界面活性剤とを含む混合物にジクロロシランを含む非極性有機溶媒溶液を液滴添加することにより行われる。典型的には、液滴添加時にはかき混ぜが継続される。ジクロロシランの揮発を避けるために、この加水分解/縮合反応は典型的には5°C以下の温度で起こる。別の適切なシリコーン組成物は、シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’[SiO4/2]z’’’を有するハイドロジェンポリシロキサンを含む。式中、x’’’、y’’’およびz’’’はモル分率を示し、0.12≦x’’’<1.0、0≦y’’’≦0.88、0≦z’’’≦0.30であり、y’’’およびz’’’は同時に0ではなく、x’’’y’’’z’’’=1である。ハイドロジェンポリシロキサンは典型的には、500~1,000,000の範囲の値に及ぶ重量平均分子量を有し、120°C以下の温度で液体である。シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’[SiO4/2]z’’’においてz’’’=0である場合、ハイドロジェンポリシロキサンはシロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’で表される。式中、x’’’およびy’’’は上述のとおりモル分率を示し、x’’’y’’’=1である。z’’’=0である場合、典型的には0.15≦x’’’<1.0および0<y’’’≦0.85である。というのは、x’’’が0.15よりも小さいと、分岐の度合いが増大し、硬化時にクラックがより生じやすくなるからである。シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’[SiO4/2]z’’’においてy’’’=0である場合、ハイドロジェンポリシロキサンはシロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[SiO4/2]z’’’で表される。式中、x’’’およびz’’’は上述のとおりモル分率を示し、x’’’z’’’=1である。y’’’=0である場合、典型的には0.15≦x’’’<1.0である。というのは、x’’’が0.15よりも小さいと、分岐の度合いが増大し、硬化時にクラックがより生じやすくなるからである。また、0<z’’’≦0.15であり、これは、z’’’が0.15よりも大きいと、分岐の度合いが増大し、硬化時にクラックがより生じやすくなるからである。平均的には、ハイドロジェンポリシロキサンは、x’’’、y’’’およびz’’’のモル分率で上記シロキサン単位式を有するが、このことは、上記シロキサン単位の順序の配置を意味するものではない。ハイドロジェンポリシロキサン中にシロキサン単位を無秩序に配置すると、一部ブロック部分が存在するが残りの単位は無秩序に配置される場合がある。[H2SiO2/2]単位は常に存在するため、線状ブロックが存在することがあるが、[HSiO3/2]単位および/または[SiO4/2]単位が常に存在するため、分子構造は少なくとも分岐し、網状であっても籠状であってもよい、すなわち、樹脂であってよい。これらハイドロジェンポリシロキサン類が[SiO4/2]単位を有する場合、分岐の度合いはさらに増大する。非極性有機溶媒と、塩酸と、イオン性界面活性剤との混合物中、0.12≦A’<1.0、0≦B’≦0.88、0≦C’≦0.30で、A’およびB’は同時に0ではなく、A’B’C’=1であるようなモル比で、A’ジクロロシランH2SiCl2と、B’トリクロロシランHSiCl3と、C’テトラアルコキシシランSiOR4またはテトラクロロシランSiC14に共加水分解/縮合を施すプロセスによって、ハイドロジェンポリシロキサンを生成することができ、その後すぐ、形成されたハイドロジェンポリシロキサン含有非極性有機溶媒層を水で洗浄し、乾燥させ、非極性有機溶媒を揮発性ハイドロジェンポリシロキサンと共に溶出する。この例では、Rはアルキル基、典型的にはエチル基を表すが、同様にメチルまたはプロピル基であってもよい。具体的な方法ステップは、環式ジハイドロジェンポリシロキサン類について上で説明したのと同様にして行う。加えて、A’ジクロロシランH2SiCl2およびB’トリクロロシランHSiCl3の共加水分解により、シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’のハイドロジェンポリシロキサンを生成することもでき、またA’ジクロロシランH2SiCl2およびC’テトラアルコキシシランSiOR4もしくはテトラクロロシランSiC14の共加水分解により、シロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[SiO4/2]z’’’式中、x’’’およびz’’’はモル分率を示し、0.12≦x’’’<1.0、0<z’’’≦0.30であり、x’’’z’’’=1であるのハイドロジェンポリシロキサンを生成することもできる。塩酸は典型的には濃塩酸であり、さらにより典型的には、塩化水素含有量15wt~37wtの塩酸である。この塩酸に含まれている水を、A’ジクロロシランH2SiCl2、B’トリクロロシランHSiCl3およびC’テトラアルコキシシランSiOR4もしくはテトラクロロシランSiC14の加水分解に使用するため、この塩酸は、A’ジクロロシランH2SiCl2、B’トリクロロシランHSiCl3およびC’テトラアルコキシシランSiOR4もしくはテトラクロロシランSiC14の加水分解に必要な等モル量以上の量で典型的には使用する。イオン性界面活性剤は上で説明したとおりであり、トリクロロシランの独立した縮合および急速な加水分解/縮合によるゲル化を抑制し、トリクロロシランのジクロロシランとの共加水分解/縮合を促進する。環式ジハイドロジェンポリシロキサン類、ならびにシロキサン単位式[H2SiO2/2]x’’’[HSiO3/2]y’’’[SiO4/2]z’’’のハイドロジェンポリシロキサン類を120度以上の温度まで加熱すると、酸化反応によりケイ素結合水素がヒドロキシル基となり、ケイ素結合水素原子との脱水縮合反応の結果として架橋が起こる。言い換えれば、Si-O-Si結合形成の結果として架橋および硬化が起こる。湿潤アンモニア中では、ケイ素に直接結合した水素原子が活性化し、大気中の水分と容易に反応することによってヒドロキシ基となり、それによりケイ素結合水素原子との脱水縮合反応および架橋が生じる。その結果、シリカ酸化ケイ素が形成される。しかしながら、上述の環式ジハイドロジェンポリシロキサン類および上述のハイドロジェンポリシロキサン類の分子中のケイ素原子に直接結合しているすべての水素原子を取り除く必要はなく、これらの水素原子の一部、たとえば、60mol未満はそのままでよい。加熱は、酸素雰囲気中で行うことができる。空気は、酸素雰囲気の代表例である。あるいはこの酸素雰囲気は、酸素ガス含有窒素ガスまたは酸素濃度が空気の酸素濃度よりも低いヘリウムガスであってもよい。あるいは、オゾン、亜酸化窒素または湿潤アンモニアへの暴露を使用して、環式ジハイドロジェンポリシロキサン類およびハイドロジェンポリシロキサン類の反応を誘起することもできる。オゾンは純オゾン、オゾン含有空気、蒸気含有オゾンおよびオゾン含有窒素ガスで例示され、これらのいずれも使用することができる。この反応は、オゾンによって誘起されると、反応が大気中の酸素によって誘起される場合よりも効率的に起こる。亜酸化窒素は純亜酸化窒素ガス、亜酸化窒素含有空気および亜酸化窒素含有窒素ガスで例示され、これらのいずれも使用することができる。湿潤アンモニアはアンモニア含有空気、水酸化アンモニウムガスおよびアンモニアおよび蒸気を含む窒素ガスで例示され、これらのいずれも使用することができる。オゾンへの暴露、亜酸化窒素への暴露またはアンモニアへの暴露は、加熱下で行うことができる。上述の環式ジハイドロジェンポリシロキサン類およびハイドロジェンポリシロキサン類は、高エネルギー照射によって硬化することもできる。電子ビームおよびX線がこのような照射の代表例である。電子ビーム照射の量は典型的には3Gry以上である。図3を参照すると、基板106は繊維強化材302をさらに含むことができる。繊維強化材302は、基板106の機械的強度を高めることができ、また基板106中の硬化したシリコーン組成物304の熱膨張率を下げることができ、それによりCISをベースとする光起電デバイス104の製造可能性を向上させることができる。繊維強化材302は、繊維を含む任意の強化材でよい。典型的には、繊維強化材302は弾性率が高く、引張強度が高い。繊維強化材302は典型的には25°Cで少なくとも3GPaのヤング率を有する。たとえば、繊維強化材302は典型的には25°Cで3~1,000GPa、あるいは3~200GPa、あるいは10~100GPaのヤング率を有する。さらに、繊維強化材302は典型的には25°Cで少なくとも50MPaの引張強度を有する。たとえば、この強化材は典型的には25°Cで50~10,000MPa、あるいは50~1,000MPa、あるいは50~500MPaの引張強度を有する。繊維強化材302は織布、たとえばクロス;不織布、たとえばマットまたはロービング;あるいは目の粗い個々の繊維であってもよい。非限定的な例において、繊維強化材302は100μm~200μmの幅310および20μm~40μmの厚さを有する。繊維強化材302中の繊維308は典型的には形状が円筒形で、直径が1~100μm、あるいは1~20μm、あるいは1~10μmである。目の粗い繊維は典型的には連続繊維であり、このことは繊維308が全体に切れ目なく基板106全体に張り巡らされていることを意味する。長楕円形の断面形状を有する繊維を使用することもできる。繊維強化材302を典型的には、有機汚染物質を取り除くために使用前に熱処理する。たとえば、繊維強化材302を典型的には、高温、たとえば575°Cの大気中で適切な時間、たとえば2時間加熱する。本発明の目的に適している繊維強化材302の具体例には、ガラス繊維;石英ファイバ;グラファイト繊維;ナイロン繊維;ポリエステル繊維;Kevlar登録商標やNomex登録商標などのアラミド繊維;ポリエチレン繊維;ポリプロピレン繊維;および炭化ケイ素繊維を含む強化材が含まれるが、これらに限定されない。繊維強化材302に加えて、基板106は、熱分解を軽減するために、また機械的完全性mechanicalintegrityを増大させるために、上述のシリカナノ粒子など1種または複数種の繊維をさらに含むことができる。繊維強化材302はマクロスケールの連続強化を提供し、ナノ充填剤はナノスケールの不連続強化を提供する。繊維強化材302とナノ充填剤とが共働して、基板106中の応力に対する抵抗を最大にする。応力に対する抵抗により、基板106が実質的なクラックを生じることなく500°Cを超えるアニール温度に耐えることが可能となる。基板106に含めることができる適切なナノ充填剤には、官能性カーボンナノ繊維;酸化アルミニウムや三水酸化アルミニウムなどアルミニウムをベースとする充填剤;三酸化二ホウ素やホウ酸などホウ素をベースとする充填剤;雲母;コロイド状シリカおよびこれらの組合せが含まれるが、これらに限定されない。上述のシリカナノ粒子は、特に縮合硬化性シリコーン組成物にとって適切なナノ充填剤でもある。典型的には、ナノ充填剤は1μm未満、典型的には200nm未満の直径を有する。本発明の目的のための適切なナノ充填剤の具体例は、オハイオ州シーダービルのAppliedSciences,Inc.から市販されているPyrographIIIカーボンナノ繊維である。繊維強化材302にシリコーン組成物を含浸させることができる。ナノ充填剤は典型的には、繊維強化材302にシリコーン組成物を含浸させる前に、従来の混合方法を用いてシリコーン樹脂に混ぜ合わせる。様々な方法を用いて繊維強化材302にシリコーン組成物を含浸させることができる。たとえば、上述のようなシリコーン組成物をはく離ライナーに塗布して、シリコーン膜を形成することができる。スピンコーティング、浸漬、噴霧、はけ塗り、スクリーン印刷など、従来のコーティング技法を用いてはく離ライナーにシリコーン組成物を塗布することができる。シリコーン組成物は典型的には、その中に繊維強化材302を埋め込むのに十分な量で塗布される。はく離ライナーは、シリコーン組成物が硬化した後にデラミネーションによる損傷なく基板106をそこから取り外すことができる表面を有する任意の剛性または可撓性材料でよい。はく離ライナーの例には、ナイロン、ポリエチレンテレフタレートおよびポリイミドが含まれるが、これらに限定されない。次いで、繊維強化材302をシリコーン膜に埋め込み、それにより埋め込み繊維強化材302が形成される。単にシリコーン膜上に強化材を設置し、シリコーン組成物が強化材を飽和させることを可能にすることによって、シリコーン膜に繊維強化材302を埋め込むことができる。しかしながら、まず、はく離ライナー上に繊維強化材302を堆積させ、その後繊維強化材302上にシリコーン組成物を塗布することもできることを理解されたい。別の実施形態においては、繊維強化材302が織布または不織布である場合、はく離ライナーを使用することなくシリコーン組成物に繊維強化材302を通すことによって、強化材にシリコーン組成物を含浸させることができる。典型的には、室温約23±2°Cでは1~1,000cm/sの速度でシリコーン組成物に繊維を通す。次いで、埋め込み繊維強化材302を典型的には脱気する。室温約23±2°C~60°Cの温度で閉じ込められた空気を除去するのに十分な時間埋め込み繊維強化材302を真空にさらすことによって、埋め込み繊維強化材302を脱気することができる。たとえば、室温で5~60分間1,000~20,000Paの圧力に埋め込み繊維強化材302をさらすことによって、典型的には埋め込み繊維強化材302を脱気することができる。脱気後、埋め込み繊維強化材302に追加のシリコーン組成物を塗布して、含浸繊維強化材302を形成することができる。上述のような従来の方法を用いて、脱気した埋め込み繊維強化材302にシリコーン組成物を塗布することができる。脱気およびシリコーン組成物の塗布の追加のサイクルも行うことができる。含浸繊維強化材302を圧縮して、余分なシリコーン組成物および/または閉じ込められた空気を除去し、また含浸繊維強化材302の厚さを減少させることもできる。ステンレス鋼ローラ、液圧プレス、ゴムローラ、積層ロールセットなど、従来の機器を用いて含浸繊維強化材302を圧縮することができる。1,000Pa~10MPaの圧力および室温約23±2°C~50°Cの温度で典型的には含浸繊維強化材302を圧縮する。典型的には、含浸繊維強化材302中のシリコーン組成物をその後硬化して基板106を形成する。本明細書中で定義される硬化curedとは、構成要素、混合物、溶液またはブレンドの形でよいシリコーン組成物を室温の空気にさらす、高温で加熱する、あるいは紫外線、電子ビームまたはマイクロ波にさらすことを意味する。シリコーン組成物、すなわちこの場合には含浸繊維強化材302を空気循環炉内に設置することによってなど、任意の公知である従来の手段を用いて加熱を行うことができる。含浸繊維強化材302は、大気圧、準大気圧または過圧で加熱することができる。含浸繊維強化材302は典型的には、大気圧で室温約23±2°C~250°C、あるいは室温~200°C、あるいは室温~150°Cの温度で加熱する。含浸繊維強化材302は、シリコーン組成物を硬化架橋するのに十分な長さの時間加熱する。たとえば、含浸繊維強化材302は典型的には、150~200°Cの温度で0.1~3時間加熱する。あるいは、温度が100~200°Cで圧力が1,000~20,000Paの真空中で0.5~3時間含浸繊維強化材302を加熱して、強化シリコーン膜を形成することもできる。従来の真空バッグプロセスを用いて真空中で含浸繊維強化材302を加熱することができる。典型的なプロセスでは、含浸繊維強化材302の上にブリーダたとえば、ポリエステルを塗布し、ブリーダの上にブリーザたとえば、ナイロン、ポリエステルを塗布し、ブリーザの上に、真空ノズルを装備している真空バッグ膜たとえば、ナイロンを塗布し、このアセンブリをテープで密封し、密封したアセンブリに真空たとえば、1,000Paを適用し、排気したバッグを上述のように加熱する。本発明の基板106は典型的には、硬化前の重量ベースで、シリコーン組成物を10~99w/w、あるいは30~95w/w、あるいは60~95w/w、あるいは80~95w/w含む。繊維強化材302は典型的には、少なくとも5w/wの量で、より典型的には20~50w/wの量で基板106中に存在する。ナノ充填剤は典型的には少なくとも0.003w/w、あるいは0.003~20w/w、あるいは0.003~0.2w/wの量で基板106中に存在する。本発明の基板106は典型的には15~500μm、あるいは15~300μm、あるいは20~300μm、あるいは25~200μmの厚さを有する。他の優れた物理特性の中でも、基板106は、クラックが生じることなく直径3.2mm以下の円筒形スチールマンドレルを覆って基板106を曲げることができるように可撓性を典型的に有し、この可撓性はASTMStandardD522-93aのMethodBに記載されているように決定する。基板106は典型的には線熱膨張係数CTEが低く、引張強度が高く、弾性率が高い。たとえば、基板106は室温約23±2°C~200°Cの温度で典型的には0~80μm/m°C、あるいは0~20μm/m°C、あるいは2~10μm/m°CのCTEを有する。また、基板106は25°Cで典型的には50~200MPa、あるいは80~200MPa、あるいは100~200MPaの引張強度を有する。さらに、基板106は典型的には25°Cで2~10GPa、あるいは2~6GPa、あるいは3~5GPaのヤング率を有する。基板106の透明度は、硬化したシリコーン組成物の組成、基板106の厚さ、繊維強化材302の屈折率など多くの要因に依存する。基板106は電磁スペクトルの可視領域において典型的には少なくとも15、あるいは少なくとも60、あるいは少なくとも75、あるいは少なくとも85の透明度透過率を有する。図4を参照すると、CISをベースとする光起電デバイス104が、基板106上に形成される典型的には4~7層の薄膜層の垂直方向スタックを備える。したがって、図4では基板106上に4層しか示していないが、以下に説明する追加の任意選択層を含めることもできることを理解されたい。これら様々な層は典型的には、別個のチャンバ内で堆積させるまたは改質する。CISをベースとする光起電デバイス104を作製するために、基板106を設ける。上述のように基板106を作製することによって、基板106を設けることができる。あるいは、第三者から基板106を得ることもできる。典型的には、基板106の裸の始動ロール、すなわちストリップは、回収ロールから供給することができる。この基板106は典型的には幅約33cm、厚さ約0.005cm、長さ最大約300メートルである。これら幅、厚さおよび長さ寸法はもちろん、CISをベースとする光起電デバイス104についての対象とする最終用途に応じた選択事項である。基板106と後に形成される1層または複数層のモリブデン層504との間の中間の熱膨張特性を有するように選択される応力対応stress-compliant金属中間層図示せずを、基板106の上面512上に形成される第1の層として任意選択で利用することができる。この金属中間層は、材料がデバイス104内の他の層へと拡散した場合にCISをベースとするデバイス104に最小限の悪影響しか及ぼさないように、ニッケル、バナジウム、銅、黄銅、酸化インジウムスズITO、ならびに当技術分野で公知である他の材料の群から選択される材料から形成することができる。この金属中間層を使用して、後に形成される1層または複数層のモリブデン層504の付着を増強し、また後に形成される1層または複数層のモリブデン層504のクラックを最小限に抑えることができる。第1の層を任意選択で形成した後、ある程度の望ましい内部圧縮応力を有し任意選択で同伴酸素を含有するモリブデンMo層504を少なくとも1層を形成する。あるいは、この第1の層がない場合には、基板106の上面512上に直接1層または複数層のモリブデン層504を形成することもでき、この場合、1層または複数層のモリブデン層504の特性を変更し、また1層または複数層のモリブデン層504のクラックを低減するために、1層または複数層のモリブデン層504は典型的には同伴酸素を含有する。1層または複数層のモリブデン層504は、CISをベースとするデバイス104向けのバック接点層として機能する。1層または複数層のモリブデン層504は厚さ約0.5μmでよい。任意選択で、基板106の1層または複数層のモリブデン層504とは反対側に、モリブデンまたは他の別の不活性金属から形成される追加の応力緩和層図示せずを形成することができる。次いで、基板106上にCISをベースとする太陽光吸収体層506を形成する。より具体的には、CISをベースとする太陽光吸収体層506は典型的には、当技術分野で公知の方法により1層または複数層のモリブデン層504の上面514上に形成する。本発明で使用するCISは、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、テルル、硫黄など金属合金の有無にかかわらず銅-インジウム-二セレン化物を指す。たとえば、CISをベースとする太陽光吸収体層506は、銅-インジウム-ガリウム-二セレン化物CIGSでもよい。これらの異なる組成物は、とりわけ、CISをベースとする光起電デバイス104において望まれる特定の特性に応じて、吸収体層として基本的に交換可能に使用することができる。限定ではなく一例として、CISをベースとする太陽光吸収体層506は厚さ約2.0μmでよい。当技術分野で公知のように、500°Cを超える温度で25~30分間加熱することによって、CISをベースとする太陽光吸収体層が最良に形成される。より具体的には、層をアニールするために、約575°Cの温度での加熱をデバイスに施す。本発明の基板106は500°Cを超える温度に耐えることができるため、発電の際のCISをベースとするデバイスの変換効率が最大限に引き出される。CISをベースとする太陽光吸収体層506の上面516上に、ヘテロ接合パートナー層または窓層508を形成する。窓層508は典型的には、硫化カドミウムCdS、亜鉛と合金にしたCdSZnCdS、硫化亜鉛、酸化亜鉛および水酸化亜鉛、あるいは酸化亜鉛-マグネシウムおよび水酸化亜鉛もしくは水酸化マグネシウムから形成される。窓層508は典型的には化学浴析出CBDによって形成されるが、スパッタリングなどの非湿式技法によって形成することもできる。限定ではなく一例として、窓層508は厚さ約0.05μmでよい。任意選択で、窓層508の上面518上に電気絶縁層図示せずを形成する。限定ではなく一例として、電気絶縁層は厚さ約0.05μmでよく、真性酸化亜鉛i-ZnO、酸化亜鉛-マグネシウム合金または酸化スズから形成することができる。このような層の使用は当技術分野で公知である。電気絶縁層を使用しない場合には窓層508の上面518上に直接、または存在する場合には電気絶縁層上に直接、半透明導電性酸化物の形のトップ接点層510を形成する。トップ接点層510は典型的には、ドープ酸化スズ、酸化インジウム-スズITO合金、アルミニウムまたはガリウムを用いたドープ酸化亜鉛ZnO:Al,Ga、あるいは酸化スズから形成される。限定ではなく一例として、トップ接点層510は厚さ約0.6μmでよい。一実施形態においては、1層または複数層のモリブデン層504とCISをベースとする太陽光吸収体層506との間にバック接点界面層図示せずを形成することができる。このバック接点界面層は、ドープ亜鉛-テルルZnTeから形成することができる。この実施形態においては、電気絶縁層とトップ接点層510とを共に酸化スズから形成することができる。バック接点界面層を含むこと、およびトップ接点層と電気絶縁層とを共に酸化スズで形成することに関する追加の詳細は、参照によりその全体が本明細書中に援用されるIlvydasMatulionis、SijinHan、JenniferA.Drayton、KentJ.PriceおよびAlvinD.Compaan、Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.668、p.H8.23.1、April2001に教示されている。本発明の一実施形態においては、透明な導電性酸化物層上に、Niの薄い層とAlまたはAgのより厚い層とを典型的に備える金属グリッド図示せずを形成する。幅広い堆積プロセスを使用して、基板106上に様々な層を形成することができる。たとえば、堆積プロセスは、プラズマスパッタRF、AC、DC、任意選択でプラズマ増強技法、蒸発熱、電子ビームもしくは陰極アーク加工、化学気相成長低圧、大気圧もしくはプラズマ増強、昇華プロセス、物理気相成長プロセスおよび/または熱線プロセスでよい。約1~20ミリトールの範囲に及ぶ圧力下で、スパッタリングを実現することができる。約10分の1~20ミリトールの範囲に及ぶ圧力下で、中空陰極スパッタまたは陰極アーク技法を実現することができる。蒸発圧力は、約0.01~0.1ミリトールの範囲に及ぶことができる。化学気相およびプラズマ増強化学気相成長の圧力は、約10ミリトール~大気圧の範囲に及ぶことができる。限定ではなく一例として、RF、ACおよびDCスパッタリング用の電源は、約60平方センチメートルのターゲットについて、約50ワット~5,000ワットの範囲に及ぶことができる。回転距離の軸は約2.25インチ5.72cmでよい。限定ではなく一例として、個々のまたは複数のポケット電子ビーム源あるいは単一の直線ビーム蒸着トラフを利用することができる。特定の一実施形態においては、約1~20ミリトールの範囲に及ぶ圧力下で、DCスパッタリングプロセスを用いて基板106または界面層上に1層または複数層のモリブデン層504を形成する。限定ではなく一例として、DCスパッタリング用の電源は、約60平方センチメートルのターゲットについて、約500ワット~5,000ワットの範囲に及ぶことができる。Shafarmanら、theSpacePhotovoltaicResearchandTechnologyConference、NASAGlenn、クリーブランド、オハイオ州、September2005に開示されているように、スパッタ堆積プロセスの間に1層または複数層のモリブデン層504中に酸素を取り込むことができる。特定の一実施形態においては、熱共蒸発プロセスを用いて1層または複数層のモリブデン層504上にCISをベースとする太陽光吸収体層506を形成する。この熱共蒸発プロセスは、Noufiらの米国特許第5441897号に、またはMickelsenらの米国特許第4335226号に開示されている方法など、当技術分野で公知である様々な方法を用いて行うことができる。特定の一実施形態においては、化学浴析出法、化学表面析出法またはスパッタリングなどの非湿式プロセスを用いて、CISをベースとする太陽光吸収体層506上に窓層508を形成する。化学浴析出法は、当技術分野で公知である様々な方法によって実現することができる。たとえば、McCandlessらの米国特許第6537845号には、CISをベースとする太陽光吸収体層の第1の表面516上にCdS浴液を塗布するための方法が開示されている。また、当技術分野で公知のように、窓層508は、CdSから形成する場合、水性の化学浴に浸すことによってCISをベースとする太陽光吸収体層506上に形成することができる。このような化学浴の成分には、カドミウム塩および/または亜鉛塩と、NH22CS一般にチオ尿素と称されると、水酸化物剤と、水とが典型的には含まれる。例示的な塩には硫酸カドミウムおよび硫酸亜鉛が含まれ、水酸化物剤の例は水酸化アンモニウムNH4OHである。浴温度は通常60~85°Cの範囲内である。典型的には、まずCISをベースとする太陽光吸収体層506の上面516を、CISをベースとする太陽光吸収体層506を備える基板106が所望の温度に達するのに十分な時間たとえば、1分、1種または複数種の塩および水酸化物剤を含む溶液に浸す。次いでチオ尿素を適用し、化学反応を数分間起こすことができる。CISをベースとする太陽光吸収体層506を備える基板106を化学浴から取り出し、未反応の浴溶液を太陽光吸収体層506の第1の表面516からゆすぎ落とす。得られた窓層508の厚さは典型的には10~100nmの範囲内である。一実施形態においては、接合材料たとえば、太陽光吸収体層506/窓層508ヘテロ接合に、または太陽光吸収体層506にのみ高温化学的処理を行う。このような高温化学的処理では、湿式または乾式でCdCl2を塗布し、その後CdCl2を有する基板に高温たとえば、350~450°Cを5~30分間適用することができる。特定の一実施形態においては、約1~20ミリトールの範囲に及ぶ圧力下で、パルスDCまたはRFスパッタリングを用いて窓層508上に電気絶縁層を形成する。限定ではなく一例として、パルスDCスパッタリング用の電源は、約60平方センチメートルのターゲットについて、約50ワット~500ワットの範囲に及ぶことができる。このようなスパッタリングによって形成される電気絶縁層は、10~100nmの範囲の厚さを有することができる。特定の一実施形態においては、約1~20ミリトールの範囲に及ぶ圧力下で、パルスDCスパッタリングを用いて窓層506または電気絶縁層上にトップ接点層510を形成する。限定ではなく一例として、パルスDCスパッタリング用の電源は、約60平方センチメートルのターゲットについて、約500ワット~1,500ワットの範囲に及ぶことができる。このようなスパッタリングによって形成されるトップ接点層の典型的な膜厚は、200~500nmの範囲に及ぶことができる。本発明の一実施形態においては、図5に示すように、CISをベースとする光起電デバイスを共通基板106上にモノリシックに集積することができる。特に、このモノリシックな集積により、複数の光起電デバイス502A、502B、502Cが基板106上にモノリシックに集積されたアレイ102が得られる。アレイ102は、複数の接合を含む任意の量の光起電デバイスを備えることができることを理解されたい。図5において、CISをベースとするデバイス502はすべて共通の基板106を有するが、CISをベースとする各光起電デバイス502は、第1のスクライブ604によって1つまたは複数の隣接するCISをベースとする光起電デバイス502から電気的に分離されている。各第1のスクライブ604は、たとえば所与のCISをベースとする光起電デバイス502の2つの部分を電気的に絶縁するために、抵抗充填剤612で充填することができる。言い方を変えれば、CISをベースとする各光起電デバイス502は、1層または複数層のモリブデン層504、太陽光吸収体層506、窓層508およびトップ接点層510の一部を備え、基板106は各デバイス502に共通である。さらに、各デバイス502は、基板106に至る第1のスクライブ604を備え、第1のスクライブ604がデバイス502間に電気的絶縁性をもたらすことが可能となるように各第1のスクライブ604は抵抗充填剤で充填されている。限定ではなく一例として、抵抗充填剤は抵抗インクであっても、または抵抗酸化物であってもよい。一実施形態において、光起電デバイス502A、502B、502Cは、電流610が光起電デバイス502中を直列に流れるように電気的に接続されている。図5に示すように、電流610は端子608を通ってアレイ102に入ることができる。図5に示す実施形態においては、電流610が、端子608から光起電デバイス502Aの上端に沿ってトップ接点層510を通って流れる。その後電流610は、トップ接点層510から第2のスクライブ602を通って1層または複数層のモリブデン層504へと流れる。第2のスクライブ602は、トップ接点層510を形成するために使用する導電性材料で充填されている。次に、電流610は1層または複数層のモリブデン層504を通って次の光起電デバイス、すなわち、光起電デバイス502Bへと流れる。電流610はその後、1層または複数層のモリブデン層504から、CISをベースとする太陽光吸収体層506および窓層508を通って、光起電デバイス502Bのトップ接点層510へと流れる。電流610は、光起電デバイス502Aにおける場合と同様にして光起電デバイス502Bの残りを通って流れ続け、その後同様にして光起電デバイス502Cを通って流れる。電流は最終的に別の端子614を通ってアレイ102から出る。図5に示す実施形態は直列に接続された光起電デバイス502A、502B、502Cを示しているが、光起電デバイス502A、502B、502Cを並列に接続することも、あるいは直列と並列を組み合わせて接続することもできることを理解されたい。図5に示すアレイ102を作製するために、上述の堆積操作と共に組み入れられる一連のスクライビングおよび印刷操作を使用して、モノリシックに集積された光起電デバイス104の配列を基板106の単一区域上に形成することができ、それによりアレイ102が形成される。1層または複数層のモリブデン層504と、CISをベースとする太陽光吸収体層506と、任意選択で窓層508と、上述の他の任意選択層とを形成した後、基板106は、まず分割し、その後隣接する分割された領域を順次連続的に接続するために設計された一連の操作を経る。第1のスクライブ操作とは、堆積させた層すべてをスクライビングにより貫通してむき出しのコーティングされてない基板106を露出させることであり、それにより第1のスクライブ604が形成される。この第1のスクライブ操作により、堆積された層が複数の個々のセグメントに機能的に分割され、それにより各セグメントが電気的に絶縁される。これらのセグメントは共に、そのままの基板106によって保持される。使用するスクライビング技法は設計事項であるが、本発明における好ましい方法は高出力密度レーザを用いて実現される。この第1のスクライブ操作のすぐ後、典型的には第2の選択的スクライブ操作を行って第2のスクライブ602を形成する。第1のスクライブ604とは対照的に、第2のスクライブ602は、1層または複数層のモリブデン層504の上面514まで切り込まれるだけであり、それにより1層または複数層のモリブデン層504は堆積されたときの状態のまま残される。この第2の選択的スクライブ操作により第2のスクライブ602が形成され、これら第2のスクライブ602は後に、トップ接点層510を形成するために使用する最適な導電性酸化物または材料で充填されることになる。図5からわかるように、第1のスクライブ604は基板106まで延在しているが、第2のスクライブ602は1層または複数層のモリブデン層504までしか延在していない。トップ接点層中の導電性酸化物が第1のスクライブを、埋めるfillinginこと、また実際に隣接する分割されたモリブデン層504を再接続することを防止するために、第1のスクライブ604は典型的には絶縁体で充填される。これは、典型的には、高出力密度レーザと合致する商業的に適合したインクジェットディスペンサヘッドにより堆積させた紫外線硬化性インクを用いて実現される。任意選択のステップにおいて、窓層508上に、または窓層508がまだ形成されていない場合にはCISをベースとする太陽光吸収体層506上に電気絶縁層を形成する。次いで、スクライビング後の三次元上面616対してトップ接点層510を形成する。最後に、第3のスクライブ606を切り込む。図5からわかるように、第3のスクライブ606は1層または複数層のモリブデン層504の上面514まで延在している。第3のスクライブ606により電気的絶縁も提供されて、光起電デバイス502A、502B、502Cのアレイ102の形成が完了する。本発明のCISをベースとする光起電デバイス104は、最大19であるがそれを超えることもある効率をもたらすことができる。本発明の基板106を用いて最大19の効率を実現することができるが、最大限の効率をもたらすプロセス条件を得るためには実験が必要となる。以下の実施例は本発明を説明するためのものであり、決して本発明の範囲を限定するものと見なすべきではない。MP101CrystalCoat樹脂からの繊維強化材基板の作製幅4インチの飽和トラフを使用した。BGFIndustriesから入手し空気中で熱洗浄したStyle106ガラス織物を、寸法15’’38cm×3.5’’8.9cmのストリップに切断した。SDCTechnologies,Inc.から入手可能なMP101樹脂を約7ml飽和トラフに入れ、この樹脂溶液中にガラス織物を浸して含浸繊維強化材を形成した。この含浸繊維強化材をヒュームフード内で鉛直につるして乾燥させ、次いで空気循環炉に移して硬化させた。この含浸繊維強化材を50°Cで10分間部分的に硬化させ、その後含浸繊維強化材に同じ樹脂を再び含浸した。乾燥後、含浸繊維強化材を以下の手順、75°Cまで1°C/分、75°C/1時間、100°Cまで1°C/分、100°C/1時間、125°Cまで1°C/分、125°C/1時間によって硬化させて、繊維強化材基板を形成した。この繊維強化材基板を、電源を切った炉内で保持して冷却した。MP101CrystalCoat樹脂および0.2wtの処理済みPyrografIIIからの繊維強化材基板の作製および特性酸化したPyrografIIIの0.031グラムを、ガラスバイアル内でMP101CrystalCoat樹脂の50グラムに混ぜ合わせ、Bransonic超音波洗浄浴に入れ30分間分散させた。次いで、この混合物を、分散していない粉末がある場合には遠心分離機にかけ、上部の分散液を膜調製用に取り出した。Style106ガラス織物を加熱し、洗浄し、飽和パンに合うであろう形状に切断した。PyrografIIIとMP101CrystalCoat樹脂との混合物を飽和パンに入れ、飽和パン内の混合物に織物を通して含浸繊維強化材を形成した。この含浸繊維強化材をヒュームフード内で鉛直につるして乾燥させ、次いで空気循環炉に移して以下の手順、75°Cまで1°C/分、75°C/1時間、100°Cまで1°C/分、100°C/1時間、125°Cまで1°C/分、125°C/1時間によって硬化させて、繊維強化材基板を形成した。この繊維強化材基板を、電源を切った炉内で保持して冷却した。実施例1により作製される基板上のCIGS銅インジウムガリウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスの製造および試験厚さ約0.5マイクロメートルのモリブデン層を、実施例1で作製した繊維強化材基板上にスパッタした。セレン雰囲気中でこのモリブデン層上に銅、インジウムおよびガリウムを堆積基板温度約575°Cで20分間共蒸発させて、厚さ約2マイクロメートルのCISをベースとする太陽光吸収体層を形成した。次いで、このCIGS層上に、湿式CBD浴プロセスにより50nmのCdS層を堆積させて、窓層を形成した。この窓層上にZnO電気絶縁層およびITOトップ接点層をスパッタし、次いでトップ接点層上にニッケル-銀グリッドを蒸着させた。AM1.5照明条件下で電池性能を試験し、1~2の効率を測定した。実施例2により作製される被膜上のCIGS銅インジウムガリウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスの製造および試験実施例2で作製した基板上に、実施例3で説明したのと同様にして、CIGSをベースとする光起電デバイスを製造した。これらのCIGSをベースとする光起電デバイスを、実施例3で示した条件と同じ条件下で試験した。6~9の効率を測定した。本発明を例示的に説明してきたが、使用してきた用語は限定ではなく説明の単語の範疇に入るものであることを理解されたい。明らかに、本発明の多くの変更形態および変形形態が、上記教示を考慮すると可能である。したがって、特許請求の範囲内で、具体的に説明した以外の別のやり方で本発明を実施することができることを理解されたい。"