X線画像化デバイスであって、シンチレーターと、複数の感光要素であって、前記複数の感光要素は、前記シンチレーターからの第1の光を受容する第1の側部を含み、前記第1の光の衝突に応答して第2の光を通過させる第2の側部を含む、複数の感光要素と、前記複数の感光要素から前記第2の光を受容する反射層であって、前記反射層は、前記第2の光の衝突に応答して第3の光を反射するように構成される、反射層と、前記複数の感光要素の前記第2の側部上の基板と、を含み、前記複数の感光要素の感光要素特性は、前記第1の側部を通じて受容された所定量の前記第1の光と、前記第2の側部を通じて受容された前記第3の光とを吸収するように選択され、前記反射層の反射率は50を超える、デバイス。前記感光要素特性は、前記シンチレーターを含む材料の発光特性に基づく、請求項1に記載のデバイス。前記複数の感光要素の厚さは、前記第1の光の少なくとも1つの波長の少なくとも50を通過させるように構成され、前記第1の光は400~700nmである、請求項1に記載のデバイス。前記第3の光の吸収は、550nm~700nmの光に対する前記複数の感光要素の全吸収のうち少なくとも15、少なくとも25または少なくとも35を含み、あるいは、前記第3の光の吸収は、前記550nm~700nmの光の少なくとも1つの波長における前記複数の感光要素の吸収を10または20を超える量だけ増加させる、請求項1に記載のデバイス。前記複数の感光要素を形成する光検出器のa-Si半導体部分は400nm未満の厚さを含み、または、前記光検出器の半導体部分は、400nm未満の厚さを含む、請求項1に記載のデバイス。前記反射層は所定の波長帯域を選好的に反射するように選択されるか、または、540~650nmの範囲で選択された波長において前記反射層の反射係数が最高となるように選択され、前記反射器層の特性は、反射光のスペクトル反射率または角度分布のうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載のデバイス。前記反射層は、前記シンチレーターの発光特性および前記複数の感光要素を形成するフォトダイオードの吸収特性に基づいて量子効率を増加させるように選択され、前記感光要素特性は、感光要素面積、感光要素ピッチ、感光要素感度のうち少なくとも1つを含み、光検出器層それぞれの内部の感光要素特性は、波長の関数としての吸収係数、波長の関数としての屈折率または厚さを含む、請求項1に記載のデバイス。前記反射層と前記複数の感光要素との間に形成された光学的に透明な誘電体であって、前記誘電体特性は、波長の関数としての吸収係数または波長の関数としての屈折率のうち少なくとも1つを含み、あるいは前記屈折率は複素変数である、光学的に透明な誘電体、をさらに含み、前記反射層は、誘電体スタック、金属、有機層または誘電体膜を形成する複数の成膜された誘電体を含み、前記反射層は、画像化アレイに対応するガラス基板上または前記画像化アレイに対応する前記ガラス基板の下側上に広範に成膜され、前記反射層は、拡散反射器を含む反射制御層を含み、前記拡散反射器は、前記入射光と比較して前記反射光の角度分布を増加させ、シンチレーター特性は、シンチレーター厚さ、シンチレーター組成、シンチレーターX線吸収係数およびシンチレーター光発光スペクトルのうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載のデバイス。前記反射器層の下側に配置された光学リセット配置構成であって、前記光学リセット配置構成は、前記第2の側部を用いて前記複数の感光要素をリセットし、前記反射器層は、前記光学リセット配置構成からのリセット光が前記反射器層内を通過して前記複数の感光要素をリセットすることを可能にする、光学リセット配置構成と、をさらに含み、前記少なくとも1つの読み出し要素は、感光要素である光検出器の下側に垂直方向に形成された少なくとも1つのトランジスタ、または前記光検出器と同一平面上に形成された少なくとも1つのトランジスタを含み、前記光検出器は、PINフォトダイオード、MIS光検出器、フォトトランジスタおよび光伝導体を含む、請求項1に記載のデバイス。対象の複数のX線画像をキャプチャするX線画像化装置を作動させるための方法であって、シンチレーション面を提供することであって、前記シンチレーション面は、入射放射を受容し、励起放射を第1の波長帯域において放出することによって応答する、提供することと、第1の光透過性側部および第2の光透過性側部を含む光検出器のアレイを提供することであって、前記第1の光透過性側部は、第1の光を前記第1の波長帯域において前記シンチレーターから受容し、前記第2の側部は、前記第1の光の衝突に応答して第2の光を通過させる、提供することと、反射層を提供することであって、前記反射層は、前記第2の光を前記光検出器のアレイから受容し、前記第2の光の衝突に応答して第3の光を反射させる、提供することと、感光要素のアレイを支持する基板を前記第2の側部上に提供することと、を含み、前記光検出器のアレイは、前記第1の側部を通じて受容された所定量の前記第1の光を吸収し、前記第2の側部を通じて受容された所定量の前記第3の光を吸収し、前記反射層の反射率は50を超え、前記光検出器の少なくとも1つの層の厚さは、所定量の選択された波長帯域が前記第2の光透過性側部を通過できるような肉薄の厚さであり、前記光検出器の前記少なくとも1つの層の前記肉薄の厚さは、各光検出器から発生した暗電流を低減させるかまたは前記各光検出器から発生した画像遅延を低減させるように構成され、前記暗電流および前記画像遅延は、前記各光検出器内の複数の電気トラップの合計に依存する、方法。よって、本出願の局面は、関連分野における少なくとも上記の欠点および他の欠点に全体的または部分的に対処することである。本出願の別の局面は、少なくとも本明細書中に記載の利点を全体的または部分的に提供することである。本開示の一局面において、フラットパネルDR検出器FPDの光検出器コンポーネントは、光検出器の下側において光透過性バック接点および反射光学機構を用いる場合、例えば、550-700nm波長帯域/または全体的光検出器QEの場合における所定の波長帯域において向上した量子効率QEを提供することができる。上記光検出器は、上部照射型光検出器であり得る。別の局面において、光検出器の実施形態は、反射光学機構を提供し得る。上記反射光学機構は、反射層と、厚さ単数または複数を有する1つ以上の誘電体と、誘電体膜と、反射有機層と、光学特性単数または複数とを含み得、これにより、シンチレーター発光特性および光検出器特性と関連して全体的量子効率を増加または最適化させる。上記反射層は、例えば画素間のクロストークを低減することにより光検出器性能特性を向上させるように動作することができる。別の局面において、本出願の実施形態は、遅延低減、電荷容量増加および/または暗電流低減のため、光検出器の半導体材料部分の厚さを低減することができる。別の局面において、本出願の実施形態は、光検出器をリセットをするための光学リセットユニットを提供し得る。上記リセットは、反射層または光反射器機構内にリセット光を通過させることにより、行われる。一実施形態において、X線画像化システムは、以下を含み得る:シンチレーターと、複数の感光要素であって、上記複数の感光要素は、上記シンチレーターからの第1の光を受容する第1の側部を含み、上記第1の光の衝突に応答して第2の光を通過させる第2の側部を含む、複数の感光要素と、上記複数の感光要素から上記第2の光を受容する反射層であって、上記反射層は、上記第2の光の衝突に応答して第3の光を反射させるように構成される、反射層と、上記複数の感光要素の第2の側部上の基板。上記複数の感光要素の感光要素特性は、所定量の、上記第1の側部を通じて受容された上記第1の光と、上記第2の側部を通じて受容された上記第3の光とを吸収するように選択される。上記反射層の反射率は、50を超える。さらに別の実施形態において、対象の複数のX線画像をキャプチャするためのX線画像化装置を作動させる方法において、上記方法は、シンチレーション面を提供することを含み得る。上記シンチレーション面は、入射放射を受容し、第1の波長帯域において励起放射を放出することにより応答する。上記方法は、第1の光透過性側部および第2の光透過性側部を含む光検出器のアレイを提供することを含む。上記第1の光透過性側部は、上記第1の波長帯域において上記シンチレーターから第1の光を受容し、上記第2の側部は、上記第1の光の衝突に応答して第2の光を通過させる。上記方法は、反射層を提供することを含む。上記反射層は、上記光検出器のアレイから上記第2の光を受容し、上記第2の光の衝突に応答して第3の光を反射させる。上記方法は、上記感光要素のアレイを支持するために上記第2の側部上に基板を提供することを含む。上記光検出器のアレイは、上記第1の側部を通じて受容された所定量の上記第1の光を吸収し、上記第2の側部を通じて受容された所定量の上記第3の光を吸収する。上記反射層の反射率は、50を超える。本発明のさらなる理解のために、ここで、本発明の以下の詳細な説明を参照する。この詳細な説明は、添付図面と関連して読まれるべきである。以下、図面を参照しつつ、本出願による例示的実施形態について説明する。いくつかの図面中、同一参照符号は、構造的に同一の要素を指す。また、既述したコンポーネントおよび配置構成またはコンポーネント間の相互作用についての類似の記載は省略する。第1、第2などの用語は、任意の順序関係または優先関係を必ずしも示すものではなく、相互間をより明確に区別するために用いられる。本出願による装置および/方法の1つの目的は、デジタルラジオグラフィーにおいて用いられるフラットパネル画像センサーの光感度を増加させることである。DR用途のためのフラットパネル画像センサーにおいて、入来X線放射を可視光へ変換するためのシンチレーターと、上記可視光を電気信号に変換するためのフラットパネル画像センサーとが用いられる。フラットパネル画像センサーの画素は、光検出器および読み出し要素を含む。光検出器の例を挙げると、PINフォトダイオード、MIS光検出器、フォトトランジスタおよび光伝導体がある。上記光検出器は、片側から照射され得る。上記光検出器のスペクトル量子効率QEは、上記光検出器の上側の絶縁層の光学特性および厚さ、半導体層それぞれの内部の光吸収に起因して発生するキャリア生成、上記光検出器の下側の層の光学特性に依存する。一例として、PINフォトダイオードにおいて、上記フォトダイオード上に入射した光子のうちおよそ80が、アモルファスシリコン半導体へと光伝送される。これらの入射光子のうち一部は上記半導体層中に吸収され、一部は後部接点によって吸収される。波長>550nmおよび典型的なa-Si半導体厚さである500nmにおいて、上記入射光子のうち大部分が上記a-Si層を貫通および通過し、金属バック接点中に吸収される。よって、これらの光子は、自由キャリアを生成しない。後部接点金属例えば、MoおよびMoWは吸収性が高い。上記光検出器による光吸収を増加させるために、厚さを増加させる。しかし、上記光検出器例えば、a-Si中の電荷トラップの総数が増加するにつれ、電荷トラップの総数に依存する暗電流および/または画像遅延も増加する。さらに、上記シンチレーターによる光出力は上記シンチレーターの特性に依存し、光検出器における光吸収は、上記光検出器を含む材料の吸収特性に依存する。一実施形態において、DR検出器の画素は、光検出器を含み得る。上記光検出器は、光透過性の前側および後側例えば、第1および第2の側部と、読出電子部と、上記画素における量子効率を向上させるための光透過性後側側部に対応する反射器能力とを含む。例えば、光透過性バック接点がフォトダイオードのために用いられかつ反射層が上記フォトダイオードの下側において用いられる場合、光検出器における量子効率の向上は、赤色スペクトルにおいて得られ得る。図1は、本出願によるX線検出器の例示的実施形態の構造を示す。図1に示すように、X線検出器100は、シンチレーター120と、画像化アレイ130と、反射層140と、基板150とを含み得る。X線160は、シンチレーター120上に入射する。X線160は、内部において可視光170へと変換される。シンチレーター120を保護するための保護層122が、シンチレーター120において配置され得る。画像化アレイ130は、光検出器PSおよび読出電子部ROを含み得る例えば、データ線、走査線、増幅器、トランジスタ。図1に示すように、光検出器PSは連続層を形成し得、読出電子部ROは、光検出器PSの下側において垂直方向に一体化され得る。図1に示すように、光検出器PSは、光学透過性後部接点および/または電極を含み得る。光線180のうち少なくとも一部は、個々の光検出器PSに衝突し得る。光線180が光検出器PSに衝突するだけでなく、一部は吸収され、一部は完全に内部を通過する。後側側部反射層140は、光検出器PSを通過した反射光185を再度光検出器PSへと方向付けるように配置され、これにより、光検出器PSによって吸収される光180の量を増加させる。図1に示すように、光線180は光検出器PSの第1の側部に衝突し得、反射光185は光検出器PSの第2の側部例えば、対向側部に衝突し得る。例えば、反射層140から反射した反射光185は、X線検出器100による信号生成に貢献するように、関連光検出器PSに到達し得る。基板150例えば、ガラス基板は、反射層140の下側に配置され得る。一実施形態において、光学透過性絶縁層例えば、誘電体層145を反射層140と光検出器PSとの間に設けることにより、両者間の干渉例えば、合金形成を低減または回避することができる。基板150は、X線検出器100の支持部または基板として機能することができる。図2は、本出願によるX線検出器の別の例示的実施形態の構造を示す。図2に示すように、読出電子部RO1は、光検出器PS1と同一層内に設けてもよいし、あるいは光検出器PS1と同一平面上に設けてもよい。一実施形態において、光検出器PS1は、光学透過性の後部接点および/または電極を含み得る。光検出器PS1の例を非限定的に挙げると、PINフォトダイオード、MIS光検出器、フォトトランジスタおよび光伝導体がある。光検出器PSおよびPS1は、透明な導電性電極および/または接点を含み得る。図3は、上部例えば、第1の電極および/または下部例えば、第2の電極上に衝突する光を通過させ得る光検出器構造300の例示的実施形態の断面図である。図3に示すように、間接変換型のフラットパネルDR画像センサーは、画像センサーの前方においてシンチレーター面図示せずを含み得る。図3に示すように、アモルファスSi製のフォトダイオード構造は、光検出器PSおよびPS1に用いることができる。上部電極312および下部電極314は、透明であるかまたは光透過性であり得、ITOまたはZnO:Al電極などの材料によって形成され得る。PINフォトダイオード310のp型領域322およびn型領域324双方は、ドープ水素化アモルファスシリコンa-Si:Hを含み得る。非ドープa-Si:H層325を真性層として用いることができる。図3の例示的なフォトダイオード構造300内の半導体層は、多チャンバプラズマ化学気相成長法PECVDシステムを用いて比較的低温例えば、150°C~300°Cにおいて形成され得る。一実施形態において、フォトダイオード構造300の例示的寸法において、窒化ケイ素層例えば、約170nm、ITO層例えば、約40nmが上部電極を形成し得、上記PINフォトダイオードは、p型領域322例えば、約15nm、i型層325例えば、約600nmおよびn型領域324例えば、約40nmを含み得、ITO層324例えば、約100nmは下部電極を形成し得る。一実施形態において、透明な上部電極および下部電極を有する要素の寸法は、100μm×100μm~200μm×200μmであり得る。あるいは、フォトダイオード310のp型領域322およびn型領域324双方にドープ水素化ナノ結晶性シリコンnc-Si:Hを含んでもよい。このようなドープnc-Si:H層は、可視範囲においてa-Si:Hまたはアモルファスシリコン炭化物a-SiC:Hに対してより高い伝導性および/またはより低い光吸収性を持ち得る。本出願による画像化アレイ、フラットパネル検出器またはX線画像化システムおよび/またはその使用方法の実施形態において、上部例えば、第1の電極および/または下部例えば、第2の電極上へ衝突する光を、光反射機構例えば、ガラス基板と光検出器との間のものまたは上記ガラス基板および上記光検出器の下側のものと共に感知する光検出器構造を用いることにより、電磁画像化システム例えば、デジタルX線画像化システム内の単一の照射側部例えば、上部照射型光検出器の量子効率を増加させることができる。図4は、本出願による反射器構造の例示的実施形態の図である。図4に示すように、反射器構造400は、反射層410と、任意選択の絶縁層420とを含み得る。絶縁層420は、反射層410と対応する光検出器との間の相互作用が望ましくない場合または反射器構造の特性を向上させるべきで有る場合に設けられる。画素内の反射器層410は、例えば、画素の第1のレベルのメタライゼーション例えば、ゲート金属に対応するか、または、反射率が全体的に高くなるかまたは対象波長帯域内の反射率が高くなるように選択されたさらなる金属レベルに対応し得る。波長帯域は、単一の波長であり得る。反射器層410は、アルミニウムなどの金属であり得る。一実施形態において、反射構造400は、上側部照射光検出器の全体的量子効率を増加または最適化させるために特定の波長帯域における反射を増加または最適化させるように選択された1つ以上の層の厚さを有する光学誘電体スタックであり得る。あるいは、反射構造400は、誘電体膜例えば、SiO2、Si3N4であり得、全体的量子効率を増加または最適化させるような厚さおよび光学特性/特性を有する。別の実施形態において、反射構造400は、反射特性に合わせて選択された有機層またはフォトアクリルであり得る。例示的実施形態において、上記量子効率は、上記シンチレーター発光特性および上記光検出器/フォトダイオード特性に基づき得、次に、反射構造400の反射率特性は、全体的量子効率を増加または最適化させるように決定され得る。一実施形態において、波長増加と共に、光検出器QEが向上する。一実施形態において、反射器層400は、例えば空間分解能の増加または画素例えば、光検出器間のクロストーク低下またはDR画像化アレイ内のシンチレーターからの発生光の角拡散を増加させることにより、性能を向上させるように構成され得る。図5Aに示すように、反射器層は、拡散反射器510である反射制御層を含み得る。拡散反射器510は、入射光180の角度が垂直方向から異なるにつれて、反射光185角度を例えば線形または非線形に増加させ得る。別の実施形態において、反射器層400は、反射制御層を含むように構成され得る。上記反射制御層は、空間分解能を増加させるかまたはDR画像化アレイ内の画素例えば、光検出器間のクロストークを低下させる。図5Bに示すように、上記反射制御層は層520であり得、光吸収パターン525を含み得る。光吸収パターン525は、入射光180の角度が垂直方向から逸れるにつれて、より大量の反射光185をキャプチャする。光吸収パターン185は、不連続のストライプまたは連続ストライプであり得、例えば、画素の2Dレイアウトに整合するように行状または列状あるいは格子状にアライメントされる。あるいは、反射器層520は、入射光180の角度が垂直方向から逸れた際に反射光185を再方向付けさせるための反射パターン図示せずを含み得る。あるいは、図5Cに示すように、上記反射制御層は反射器層530であり得、反射光185が反射層530を通じてより遠位に移動する際により大量の反射光185をキャプチャする拡散光吸収材料535を含み得る。層510、520および530は、光検出器または画像化アレイの性能を向上させるように動作し得る。一実施形態において、層510、520および530を任意選択の絶縁層420の代わりに用いてもよいし、あるいは任意選択の絶縁層420に追加して用いてもよい。露出画像のキャプチャ後、デジタル検出器またはフラットパネル検出器をリセットすることができる。関連技術FPDは、電荷例えば、リセット期間時のダイオード上のスイッチング電圧を用いてリセットしてもよいし、あるいは光学的にリセットしてもよい。本出願による実施形態により、効率増加、リセットまたはバイアス電圧の低下および/またはリセット動作例えば、光検出器リセットの一貫性の増加が得られる。なぜならば、上記光検出器の厚さを低減できるかまたはより少数のトラップを含むことができるからである。図6は、本出願の実施形態による画素および/または画像化アレイの実施形態を用いることが可能なフラットパネル画像生成器のための回路のブロック図である。図6に示すように、フラットパネル画像生成器10は、センサーアレイ12を含み得る。a-Siセンサーアレイは、m本のデータ線14と、n本の行選択またはゲート線16とを含む。各画素は、TFT20に接続されたa-Siフォトダイオード18を含む。各フォトダイオード18は、共有バイアス線22と、関連付けられたTFTのドレイン24とに接続される。ゲート線16は、ゲートドライバ26へ接続される。バイアス線22は、フォトダイオード18およびTFT20へ付加されるバイアス電圧を搬送する。TFT20は、その関連付けられたゲート線26によって制御され、アドレス指定されると、蓄積電荷をデータ線14上へと移動させる。読み出し時において、ゲート線を一定期間約10~100msにわたってオンにすることで、上記行上のTFT20を充分な期間にわたってオンにして、その画素電荷を上記m本のデータ線全てへと移動させる。データ線14は、電荷増幅器28へと接続される。電荷増幅器28は、並列に動作する。一般的に、電荷増幅器28は、複数のグループに分割される。各グループは典型的には、64個、128個または256個の電荷増幅器を含む。各グループ内の関連付けられた電荷増幅器は、上記画像信号を検出し、上記信号をマルチプレクサ30上にクロックする。ここで、これらの信号は多重化された後、アナログ/デジタル変換器32によってデジタル化される。その後、デジタル画像データは、メモリへの接続を介して移動される。いくつかの設計において、相関二重サンプリング法CDS回路34を各電荷増幅器28とマルチプレクサ30との間に配置することにより、電子ノイズを低減することができる。ゲート線16を逐次的にオンにするために、1つのフレーム全体を走査するにはおよそ数秒が必要となる。さらなる画像修正および画像処理がコンピュータ36によって行われ、その結果得られた画像がモニタ38上に表示されるかまたはプリンタ40によって印刷される。図7は、本出願の実施形態による画素および/または画像化アレイの実施形態を用いることが可能な光学リセットされたFPDの断面図である。光検出器の光学リセットは、より効率的かつ/またはより均一にすることができる。図7に示すように、基板150の下側には、光学リセットユニット710が設けられる。光学リセットユニット710は、複数の光源図示せずを含み得る例えば、光検出器PSのリセットに適したスペクトル範囲において光270を発光し得る発光ダイオード。光検出器PSは、光720を用いてリセットすることができる。反射層140は、充分な量のリセット光720を内部通過させるように構成され得、これにより、光検出器PSおよびPS1をリセットさせる。一実施形態において、反射層140は、リセット光720を通過させるのに充分な穴部を含み得る。図8は、本出願による例示的な反射層の上面図である。例えば図8に示すように、配置された穴部810は、反射層140のうち少量の表面積を含み得る例えば、<10、<5、または<2。あるいは、反射層140に穴部を設ける代わりに、リセット光720に対して透明にするかまたは下面に衝突した入射リセット光720のうち所定量例えば、>25、>50、または>75に対して透明にしてもよい。一実施形態において、リセット光は紫外線であり得る。図9は、波長nmあたりの正規化パーセント発光を例示的な代表的シンチレーターの波長の関数として示した図である。グラフ910は、波長nmあたりの正規化パーセント発光を代表的CsIシンチレーターの波長の関数として示す例えば、波長に対する発光の全体は100である。図9に示すように、a-Si吸収が低下する波長>600nmにおいて、発光が大幅に増加している。図10は、波長nmあたりの正規化パーセント発光を例示的な代表的シンチレーターの波長の関数として示した図である。グラフ1010は、波長nmあたりの正規化パーセント発光を代表的GOSシンチレーターの波長の関数として示す例えば、波長に対する発光の全体は100である。図11は、厚さ500nmのアモルファスシリコン、ITO透明電極上部接点およびMoWバック接点を備えた代表的関連技術PINフォトダイオード中における光吸収を示す。図11中、a-Si中への吸収を第1の曲線1110によって示し、上記a-Siを通過した後に上記MoWバック接点中に吸収される光を第2の曲線1120によって示す。上記a-Siを通過して上記MoW中に吸収される波長>600nmにおいて、顕著なエネルギーがある。例示的実施形態において、本出願による光検出器は、PINフォトダイオードを通じてより多くの光を通過させる。図12は、例示的CsIシンチレーター面の発光スペクトル1210および例示的GOSシンチレーター面の発光スペクトル1220について計算されたアモルファスシリコン真性層厚さの関数として、アモルファスシリコンPINフォトダイオードの相対的量子効率を示す。アモルファスシリコン真性層のうち厚さが1um未満のものの場合、アモルファスシリコンを光が通過した後上記MoWバック接点に吸収されるため、量子効率が低下する。図12に示すように、500nmまではCsI発光スペクトルの損失は~8であり、250nmまでは損失は25である。暗電流の低減、トラッピングに起因する画像遅延の低減および/または電荷容量の増加のためには、a-Si厚さを薄くすることが望ましい。金属例えば、MoW、Moまたは光吸収後部接点を備えた関連技術のPINフォトダイオードの場合、500nmの真性層厚さに対して信号/ノイズを選択または最適化させる。光透過性電極を含みかつ反射層の実施形態を含む例示的なPINフォトダイオードの場合、肉薄例えば、250nmにすることにより、500nmの関連技術のフォトダイオードと同様の量子効率を得る一方で、ノイズ低減、画像遅延低減および/または電荷容量増加が可能となる。あるいは、実施形態によれば、光検出器の真性層または半導体層の厚さを200nm、300nm、350nmまたは400nm未満としてもよい。反射器層およびその使用方法の実施形態は、シンチレーター材料および光検出器材料の特性に基づく。反射層の実施形態は、例えばシンチレーターの発光特性およびFPR中のフォトダイオードの吸収特性に基づいて量子効率を増加させるように、選択することができる。一実施形態において、シンチレーター特性は、シンチレーター厚さ、シンチレーター組成、シンチレーターX線吸収係数およびシンチレーター光発光スペクトルのうち少なくとも1つを含み得る。一実施形態において、光検出器特性は、感光要素面積、感光要素ピッチ、感光要素感度のうち少なくとも1つを含み得、あるいは、その内部の光検出器層それぞれの特性を挙げると、波長の関数としての吸収係数、波長または厚さの関数としての屈折率がある。一実施形態において、反射器層の特性を挙げると、スペクトル反射率または反射光の角度分布のうち少なくとも1つがある。任意選択の光学的に透明な誘電体を反射層と光検出器との間に形成した場合、上記誘電体は、波長の関数としての吸収係数または波長の関数としての屈折率の特性を有する誘電体であり得る。一実施形態において、反射光の吸収は、550nm~700nmの光に対するDR検出器内の光検出器の全吸収のうち少なくとも15、少なくとも25または少なくとも35であり得、あるいは、550nm~700nmの光の少なくとも1つの波長に対する光検出器の吸収を反射光吸収により所定量例えば、10または20より多く増加させてもよい。光検出器の厚さは、シンチレーターからの400~700nmであり得る衝突光のうち少なくとも1つの波長の少なくとも50を通過させるように、構成され得る。反射層の実施形態は、所定の波長帯域を選好的に反射させるように選択してもよいし、あるいは、550~650nmまたは500~700nmとなるように選択された波長に対して最高になる反射係数を含むように選択してもよい。通常のX線またはCT画像化に関わらず、スクリーニングのための画像介入を用いる場合、関連付けられたX線を対象または操作者が被爆する危険性を低減または最小化する必要の認識が高まっている。光検出器厚さの低減と共に、X線も低減することができる。現行の医療用X線技術が達成できる画質以上の画質を、X線を低線量化して達成することができるのであれば、低線量のX線を用いた医療用画像化というのは極めて魅力的である。本教示の範囲は、図示した実施形態に限定されない点に留意されたい。本発明を1つ以上の実行様態について例示してきたが、添付の特許請求の範囲の意図および範囲から逸脱することなく、例示の例において改変および/または変更が可能である。例えば、多様な画素実施形態を放射画像化システムにおいて用いることが可能である。例示的な放射画像化システムは、複数の多様な画素実施形態をアレイ、駆動回路、読み出し回路および蛍光体面において含み得る。放射源も含まれ得る。さらに、DR画像センサー/方法の実施形態は、X線用途、蛍光透視用途、モバイル画像化システム用途および/またはボリューム画像再構築用途において用いることが可能である。加えて、いくつかの実行様態のうち1つのみについて実施形態の特定の特徴を開示してきたが、このような特徴をその他の実行様態のうち1つ以上の他の特徴と組み合わせかつ/または任意の所与の機能または特定の機能に合わせて他の例示的実施形態を所望かつ有利に用いることも可能である。本発明の広範な範囲における数値範囲およびパラメータ設定は概算であるのにも関わらず、上記の特定の例中に記載される数値は、できるだけ正確に記載されている。しかし、任意の数値は、各試験測定において見受けられる標準偏差からやむを得ず発生する特定の誤差を固有に含む。本明細書中に開示されるより全体的な範囲は、任意かつ全ての小範囲を含むものとして理解されるべきである。例えば、10未満の範囲は、最小値-2から最大値である10までのこれらの値を含む任意かつ全ての小範囲すなわち、-2以上の最小値および10以下の最大値例えば、1~5を有する任意かつ全ての小範囲を含み得る。さらに、含む、含む、有する、有する、備えるなどの用語が上記の詳細な記載および特許請求の範囲において用いられているが、このような用語は、含むという用語と同様に用いられることが意図される。本明細書中に用いられる接続されるという用語は、直接的に、または間に他の要素を介して間接的に電気的に接続された様子を示す。本明細書中、AおよびBまたはAおよび/またはBなど、項目の羅列について1つ以上またはおよび/またはという表現が用いられた場合、Aのみを示す場合もあれば、Bのみを示す場合もあり、あるいはAおよびBを示す場合もある。少なくとも1つという表現は、羅列されたもののうち1つ以上が選択可能であることを示す。さらに、本明細書中の議論および特許請求の範囲において、2つの材料について上および他方の上という表現が用いられた場合、上記材料間の少なくとも一定の接触を示す。一方、の上にとは、これらの材料が相互に近接または近隣している様子を示すが、1つ以上のさらなる介在材料があり接触が可能であるが不要である場合もある。上、上方、下方、上にまたは~下とは、本明細書中に用いられる任意の方向性を暗示する。本明細書中に用いられる用語が2つの要素について用いられる場合、要素Aと要素Bとの間にある要素Cが少なくとも1方向において空間に配置され、AがCの近隣にありかつCがBの近隣にあることを示し、その逆もある。コンフォーマルとは、下側材料の角度がコンフォーマル材料によって保持される被覆材料を指す。さらに、本明細書中の議論および特許請求の範囲において、例示的という用語は、記載が理想的なものではなく例示的なものであることを示す。