"複数の赤外線検出素子を形成した赤外線検出チップと、前記赤外線検出チップ上に形成された、前記赤外線検出素子毎の画素バンプと、共通バイアスバンプと、複数の画素信号を処理し、赤外線画像を生成する信号処理回路を有する信号処理チップと、前記信号処理チップ上に形成された、前記画素バンプと対向して配置された入力信号バンプと、前記共通バイアスバンプに対向して配置された共通バイアス供給バンプと、前記信号処理チップを支持し、冷却する冷却ヘッドを含む真空容器と、前記冷却ヘッドを冷却する冷凍機と、前記信号処理チップ上に形成され、前記信号処理回路から電気的に分離され、前記信号処理回路で発する熱を前記冷却ヘッドに伝導するための金属構造体と、を有する赤外線撮像装置。前記金属構造体が、前記赤外線検出チップに対向する領域に形成された第1部分と、前記第1部分に連続して形成され、前記赤外線検出チップ外の領域に延在する第2部分とを有する請求項1に記載の赤外線検出装置。前記金属構造体の第1部分が、前記入力信号バンプを取り囲む格子状の形状、又は前記入力信号バンプを収容する開口の周囲に延在する形状を有する、請求項2に記載の赤外線撮像装置。前記信号処理回路が水平シフトレジスタ、出力アンプを含み、前記金属構造体が、前記第1部分、第2部分と別体で、前記出力アンプを覆う第3部分を含む、請求項2又は3に記載の赤外線撮像装置。前記金属構造体の第3部分が、水平シフトレジスタも覆う請求項4に記載の赤外線撮像装置。前記金属構造体が、前記入力信号バンプおよび前記共通バイアス供給バンプと同一金属層から形成されたものである請求項1~5のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記金属構造体は、前記入力端子ごとのバンプおよび前記共通バンプより高い熱伝導率を有する金属層から形成されたものである請求項1~5のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記赤外線検出チップは化合物半導体で形成され、前記信号処理チップはシリコンで形成されている請求項1~7のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。前記赤外線検出チップは、基板上に多重量子井戸型赤外線検出素子を形成し、基板をエッチング又は研磨で薄くした構成を有する請求項8記載の赤外線撮像装置。前記赤外線検出チップは、HgCdTe基板上に複数のフォトダイオードを形成した構成を有する請求項8記載の赤外線撮像装置。冷凍器の冷却ヘッドと赤外線検出チップとの間に配置された信号処理チップが発熱すると、発生した熱はメタルバンプを介して容易に赤外線検出チップに達し、赤外線検出素子の温度を上昇させて、特性を劣化/変動させてしまう。信号処理チップで発生した熱を、赤外線検出素子に向かわせず、別の場所に向かわせることが望ましい。実施例によれば、赤外線撮像装置は、複数の赤外線検出素子を形成した赤外線検出チップと、赤外線検出チップ上に形成された、赤外線検出素子毎の画素バンプと、共通バイアスバンプと、複数の画素信号を処理し、赤外線画像を生成する信号処理回路を有する信号処理チップと、信号処理チップ上に形成された、画素バンプと対向して配置された入力信号バンプと、共通バイアスバンプに対向して配置された共通バイアス供給バンプと、信号処理チップを支持し、冷却する冷却ヘッドを含む真空容器と、冷却ヘッドを冷却する冷凍機と、信号処理チップ上に形成され、信号処理回路から電気的に分離され、信号処理回路で発する熱を冷却ヘッドに伝導するための金属構造体と、を有する。図1Aは、赤外線検出チップ10と信号処理チップ20をメタルバンプ11,12と21,22とで接続し、冷却ヘッドのステム30に取り付けた状態を示す概略断面図である。赤外線検出チップ10は、共通層の上に複数の赤外線検出素子を形成し、厚さを薄くした構成を有する。各赤外線検出素子の出力電極上に画素バンプ11、共通層上に共通バンプ12を接続する。信号検出チップ20は、各赤外線検出素子に対応した位置に赤外線検出素子毎に対応する信号検出回路を形成し、周辺部には駆動回路等を形成している。赤外線検出素子毎に対応する検出回路の入力端子に入力電極を形成し、駆動回路の共通駆動端子に共通バイアス供給電極を形成する。入力電極の上に入力バンプ21、共通バイアス電極上に共通バイアス供給バンプ22を接続する。図1Bは、熱の流れを示す部分的拡大図である。Siの信号処理チップ20は、例えば数百μmの厚さを有するが、トランジスタのチャネルは表面から高々1μm以下の領域に形成される。すなわち、信号処理チップ中発熱を生じるのはその極表面部である。厚さを薄くした赤外線検出チップ10は、熱容量が小さくなっており、且つ熱の良伝導体であるメタルバンプ11,21によって信号処理チップ20の表面に熱的にも係合している。従って、信号処理チップ20表面で発生した熱は容易に赤外線検出チップ10に伝導され、赤外線検出素子の温度を昇温してしまう。放熱の目的で放熱板を用いることは、一般的によく知られているが、赤外線検出チップ10と信号処理チップ20に挟まれ、バンプ11,21が分散配置された狭い空間に、赤外線検出チップ10に向かう熱流を別の場所に向かわせる放熱板を配置することは困難である。本発明者は、バンプ構造に着目した。赤外線検出チップ10上と信号処理チップ20上に、画素毎のバンプ11,21、及び共通バイアス用のバンプ12,22が配置されている。これらのバンプは、赤外線検出チップ10と信号処理チップ20の間の電気的接続の機能を果たしている。信号処理チップ20上に、バンプ21,22と共に、放熱用の金属構造体を形成すれば、放熱機能を持たせることができよう。図1C,1Dは、2画素×2画素分の平面図と図1C中の一点破線に沿う断面図を示す。図1Cにおいて、信号処理チップ20には画素の位置に合わせて読み出し回路RCが形成され、画素からの信号を受けるバンプ21が形成されている。バンプ21が形成されていない領域に絶縁膜を介して、連続する、放熱用の金属構造体24を形成する。図1Dに示すように、赤外線検出チップ10には、各画素の検出信号を出力する画素毎のバンプ11が形成されている。信号処理チップ20には、各画素に対応した読み出し回路が形成され、バンプ11と対向するバンプ21が形成され、検出信号を受ける。さらに、信号処理チップ20表面上に金属構造体24が形成されている。赤外線検出チップ10に、金属構造体24に対応する金属構造体は形成されない。従って、放熱用の金属構造体24は、信号処理チップ20の表面から熱を受け、赤外線検出チップ10に熱を伝達することなく、信号処理チップ20の表面に沿って熱を伝導することができる。信号処理チップ20表面から、バンプ21及び金属構造体24が受ける熱量が面積に比例するとすれば、バンプ21の面積に対する金属構造体24の面積を大きくすることにより、放熱効果を増加することができるであろう。図2A~2Cは、実施例による冷却型赤外線撮像装置を示す、一部破断概略側面図、要部断面図、要部平面図である。10μm帯の赤外線を検出する場合を例にとって説明する。図2Aに示すように、冷凍機40のコールドフィンガ42に結合されたクーラーヘッド44にステム52が固定されている。ステム52の上に赤外線検出センサIRSが支持され、入射光用の開口を有するコールドシールド54で囲まれている。ステム52、コールドシールド54は、例えば無酸素銅で形成する。ステム52の上には、温度センサ56、温度調節用ヒータ58も結合されている。冷凍機40としては、スターリング型、ジュールトムソン型、ギフォードマクマホン型、パルスチューブ型等の冷凍機を利用できる。赤外線検出センサを冷却する場合、大気中で冷却すると霜がつき、入射光を遮って、画像センサとして機能しなくなる。赤外線検出センサIRSは、Ge等の透過窓4が配置された真空容器2内に配置し、真空容器2内を真空排気した状態で作動させる。Geは、可視光は透過しないが、10μm帯の赤外線はほぼ吸収なしで透過する。真空中なので対流による熱移動はない。図2Bは赤外線検出センサIRS周辺の構造を示す。図2Aと同一参照記号は同一部材を示す。赤外線検出センサIRSは、ステム52に固定されたSi信号処理チップ20と赤外線検出チップ10と、これらのチップ20,10間に配置され、電気的信号の入出力を行なうためのバンプ11,21と、共通バイアスを印加するためのバンプ12,22とを含む。バンプ11,12,21,22は、繰り返し熱サイクルに対する耐久性を考慮して、InまたはIn合金で形成するのが好ましい。本実施例においては、Siの信号処理チップ20の上に配置され、電気的にはチップ20と分離され、熱の伝導を行う金属構造体24、26を更に含む。金属構造体は、赤外線検出チップ10と対向する領域でバンプ21が通過する開口を有する第1部分24と、赤外線検出チップ10の外方で、ストライプ状等の、連続した形状を有する第2部分26を含む。金属構造体24,26は、シールド的機能は有しても、積極的な電気的機能は有さない。金属構造体24、26は、例えばバンプと同一の材料、例えばIn、で形成する。この場合、金属構造体24、26形成用の特別工程は必要なく、パターンの変更のみで済む。図3Aは、多重量子井戸MQW型の赤外線検出チップの構造を示す断面図である。例えば、GaAs基板上に下側n型GaAs層である共通コンタクト層CC、GaAsウェル層、AlGaAsバリア層を繰り返し積層した多重量子井戸構造MQW、上側n型GaAs層である画素コンタクト層PXCを成長し、下側n型GaAs層を露出するストリートにより各画素を分離し、画素コンタクト層PXC上に各画素の出力電極、共通コンタクト層CC上に共通電極を形成し、GaAs基板をエッチング又は研磨により薄くした構造を有する。画素構造を覆って絶縁層14が形成される。なお、画素と同一の層構造を有し、共通バイアス印加用バンプ12の台座を形成する支持柱PLも形成される。画素上の絶縁層にコンタクト孔が形成され、導電性プラグ15が埋め込まれる。支持柱PL上から共通コンタクト層CC上に延在する配線16が形成される。導電性プラグ15、配線16上にバンプ11,12が形成される。多重量子井戸型の赤外線検出チップの構造に関しては、例えば特許文献1の実施の形態を参照できる。図3Bはフォトダイオード型の赤外線検出チップの構成を示す断面図である。例えばp型のHgCdTe基板17にn型不純物をドープして、画素を構成する複数のn型領域18が形成される。基板17上に絶縁膜14が形成され、コンタクト孔を形成し、導電性プラグ15が埋め込まれる。導電性プラグ15を介してn型領域18と電気的に接続されたバンプ11,p型基板と電気的に接続され、共通バイアス供給バンプとなるバンプ12が形成される。なお、赤外線検出チップは公知の構造であり、他の公知の構造を採用してもよい。図3Cは、信号処理回路の等価回路図である。破線で囲んだ入力回路Inは、赤外線検出センサで発生した画素信号を、バンプBP及び入力トランジスタTinを介して蓄積容量Capに蓄積し、不要の電荷をリセットトランジスタTrsを通して廃棄する。赤外線検出センサIRS,バンプBPは信号処理チップ外の構造であり、残りの部分は信号処理チップに形成される。蓄積容量Capの蓄積電極は前置増幅器PAの初段トランジスタのゲートに印加され、前置増幅器PAは増幅した信号を出力する。複数の入力回路Inは格子状に配置され、各行に沿って、行選択配線が接続され、垂直シフトレジスタVSRによって駆動される。各列に沿って列選択配線が接続され、水平シフトレジスタHSRによって駆動される。垂直シフトレジスタVSRによってある行が選択されると、その行の各画素が水平シフトレジスタHSRによって走査され、出力アンプOAから各画素の信号が出力される。出力アンプOAは、高速動作するので消費電力が大きい。図2Cは、Si信号処理チップ20上の、金属構造体の第1部分24、第2部分26の平面形状例を示す。赤外線検出素子に対応して配置された入力回路のバンプ21と、バンプ21から電気的に分離され、連続した格子状の金属構造体の第1部分24が入力回路表面に配置され、左右の連続したベタ形状の第2部分26に連続している。信号処理チップ20の入力回路で発生する熱は、金属構造体の第1部分24の熱伝導を利用して移動され、第2部分で冷却ヘッドのステム52に吸収される。バンプ21,11を介して赤外線検出素子に伝達する熱を減少させるには、まずバンプ21と信号処理チップの接触面積と比べて、金属構造体の第1部分24と信号処理チップの接触面積を大きくすることが望ましい。さらに、バンプ21を回路のトランジスタから離した位置に配置することにより、トランジスタの発熱が速やかに金属構造体の第1部分24に吸収され、バンプ21に伝達されにくくすることもできる。金属構造体の第2部分26は、例えば、金属構造体24と同一金属層で形成され、赤外線検出チップ10対向領域より外方に配置され、連続する形状を有する。例えば撮像領域を取り囲む環状の金属層であり、受けた熱を赤外線検出チップ10に伝導せず、冷却されるステム52に伝導する機能を有する。このような、金属構造体24、26を形成することにより、赤外線検出チップ10における画素の温度上昇を抑制することが可能となる。金属構造体24、26をバンプと同一金属層で形成する場合を説明したが、異なる金属で形成してもよい。バンプは熱サイクルに対する耐久性を考慮すると、In又はIn合金で形成することが好ましい。金属構造体24、26は熱伝導率の高い金属で形成することが好ましい。Inは81.8W/mKの熱伝導率を有する。320W/mKの熱伝導率を有するAu,420W/mKの熱伝導率を有するAg,398W/mKの熱伝導率を有するCu等で金属構造体を形成すれば、放熱効率を高めることができる。これらの金属は例えば電解メッキで成膜することができる。図4Aは、金属構造体の第1部分の他の形状例を示す。バンプ21を取り囲む開口を残し、残りの全面積が金属構造体の第1部分24で覆われている。円形の開口を例示したが、バンプを収容する開口は円形に限らない。矩形他種々の形状としてもよい。図4Bは、金属構造体の第1部分24、第2部分26の他の形状を示すと共に、水平シフトレジスタHSR,出力アンプOAを覆う別体の第3部分28を形成した構造を示す。出力アンプOAは消費電力が大きく、発熱量も大きい。専用の金属構造体の第3部分28を設けることにより、発熱を吸収すると共に、画素領域への熱拡散を抑制する。図4Cは金属構造体の第2部分26にフィン構造29を形成した例を示す。表面積を増加することによる熱拡散を向上する。以上実施例に沿って本発明を説明したが、これらの制限的なものではない。以上の説明における材料、数値は、制限的な意味は有さない。種々の置換、変更、改良、組み合わせ、などが可能なことは当業者に自明であろう。"