第1の電極、可動層であって、第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに少なくとも一部が前記第1の電極の方向へ移動するように構成された可動層、前記可動層と前記第1の電極との間に配置された干渉キャビティ、及び前記可動層の一部の上に配置され、前記第1の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置し、少なくとも部分的に透過性である第1の静電容量制御層、を含む、ディスプレイデバイス。前記第1の電圧が前記可動層及び前記第1の電極に印加されるときに、前記静電容量制御層が、前記可動層と前記第1の電極との間の第1の電場の強度を減少するように構成された、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層及び前記第1の電極が、その間の距離dlを規定し、前記第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの67よりも多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの80よりも多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項3に記載のディスプレイデバイス。前記第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの90よりも多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項4に記載のディスプレイデバイス。前記第1の電極が、導電層及び吸収層を含み、前記吸収層が、少なくとも部分的に透過性である、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層上に配置された第1の保護層をさらに含み、前記第1の保護層の少なくとも一部が、前記第1の静電容量制御層と前記第1の電極との間に少なくとも部分的に配置される、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記第1の保護層が、酸化アルミニウムまたは二酸化チタンの一方を含む、請求項7に記載のディスプレイデバイス。前記第1の保護層が、約5nmから約500nmの間である厚さを有する、請求項8に記載のディスプレイデバイス。第2の電極をさらに含み、前記可動層の一部が、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置される、請求項1に記載のディスプレイデバイス。第2の電圧が前記第2の電極と前記可動層との間に印加されるときに、前記可動層が、前記第2の電極の方向へ移動するように構成される、請求項10に記載のディスプレイデバイス。前記可動層の一部の上に配置された第2の静電容量制御層をさらに含み、前記第2の静電容量制御層が、前記第2の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置する、請求項11に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電圧が、前記可動層及び前記第2の電極に印加されるときに、前記第2の静電容量制御層が、前記可動層と前記第2の電極との間の第2の電場の強度を減少させるように構成される、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記第2の静電容量制御層及び前記第2の電極が、その間の距離d2を規定し、前記第2の電圧が、前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の67よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項13に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電圧が、前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の80よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項14に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電圧が、前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の90よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動することができる、請求項15に記載のディスプレイデバイス。前記第1及び第2の電圧を印加するように構成された制御回路をさらに含む、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記第2の静電容量制御層が、二酸化シリコン又は酸窒化シリコンの一方を含む、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記第2の静電容量制御層が、約100nmから約4000nmの間である厚さを有する、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記第2の静電容量制御層上に配置された第2の保護層をさらに含み、前記第2の保護層の一部が、前記第2の静電容量制御層と前記第2の電極との間に少なくとも部分的に配置された、請求項12に記載のディスプレイデバイス。前記第2の保護層が、酸化アルミニウムまたは二酸化チタンの一方を含む、請求項20に記載のディスプレイデバイス。前記第2の保護層が、約5nmから約500nmの間である厚さを有する、請求項20に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層が、誘電体材料を含む、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層が、二酸化シリコンまたは酸窒化シリコンの一方を含む、請求項23に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層が、約100nmから約4000nmの間である厚さを有する、請求項24に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層が、約150nmである厚さを有し、前記第1の静電容量制御層及び前記第1の電極が、その間のエアギャップを画定し、前記エアギャップが、約300nmから約700nmの間である大きさを有する、請求項25に記載のディスプレイデバイス。ディスプレイ、前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されたプロセッサ、及び前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスをさらに含む、請求項1に記載のディスプレイデバイス。前記ディスプレイに少なくとも1つの信号を送信するように構成されたドライバ回路をさらに含む、請求項27に記載のディスプレイデバイス。前記画像データの少なくとも一部を、前記ドライバ回路に送信するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項28に記載のディスプレイデバイス。前記画像データを前記プロセッサへ送信するように構成された画像ソースモジュールをさらに含む、請求項27に記載のディスプレイデバイス。前記画像ソースモジュールが、受信部、送受信部及び送信部のうち少なくとも1つを含む、請求項30に記載のディスプレイデバイス。入力データを受け取り、前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成された入力デバイスをさらに含む、請求項27に記載のディスプレイデバイス。第1の電極、光を干渉変調する手段であって、電圧が前記第1の電極及び前記変調手段に印加されるときに、前記変調手段の少なくとも一部が、前記第1の電極の方向へ移動するように構成され、干渉キャビティが、前記変調手段と前記第1の電極との間に配置される、光を干渉変調する手段、及び前記電圧が、前記変調手段及び前記電極に印加されるときに、前記電極と前記変調手段との間の電場の強度を減少させ、前記変調手段の一部の上に配置され、前記電極と前記変調手段との間に少なくとも部分的に位置し、少なくとも部分的に透過性である制御手段を含む、ディスプレイデバイス。前記電極が、少なくとも部分的に透過性である光を吸収する手段を含む、請求項33に記載のディスプレイデバイス。前記制御手段が、誘電体材料を含む、請求項33に記載のディスプレイデバイス。第2の電極をさらに含み、前記変調手段の少なくとも一部が、前記変調手段の一部が前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置される、請求項33に記載のディスプレイデバイス。前記制御手段上に配置された第1の保護層をさらに含み、前記第1の保護層の少なくとも一部が、前記制御層と前記第1の電極との間に少なくとも部分的に配置される、請求項33に記載のディスプレイデバイス。ディスプレイ、前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されたプロセッサ、及び前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイス、をさらに含む、請求項33に記載のディスプレイデバイス。第1の電極、前記第1の電極上に少なくとも部分的に配置され、少なくとも部分的に透過性である吸収層、可動層であって、前記吸収層の少なくとも一部が、前記可動層の少なくとも一部と前記第1の電極の少なくとも一部との間に位置するように配置され、第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層の少なくとも一部が、前記第1の電極の方向へ移動するように構成される可動層、前記可動層と前記吸収層との間に画定される干渉キャビティ、及び前記吸収層の一部の上に配置され、前記吸収層と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置し、少なくとも部分的に透過性である第1の静電容量制御層を含む、ディスプレイデバイス。前記第1の電圧が、前記可動層及び前記第1の電極に印加されるときに、前記第1の静電容量制御層が、前記可動層と前記第1の電極との間の第1の電場の強度を減少させるように構成される、請求項39に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層及び前記第1の電極が、その間の距離dlを規定し、前記第1の電圧が、前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの67より多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項40に記載のディスプレイデバイス。前記第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの80より多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項41に記載のディスプレイデバイス。前記第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離dlの90より多く前記第1の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項42に記載のディスプレイデバイス。第2の電極をさらに含み、前記可動層の一部が、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置される、請求項39に記載のディスプレイデバイス。第2の電圧が前記第2の電極と前記可動層との間に印加されるときに、前記可動層が、前記第2の電極の方向へ移動するように構成される、請求項44に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電極の一部の上に配置される第2の静電容量制御層をさらに含み、前記第2の静電容量制御層が、前記第2の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置する、請求項45に記載のディスプレイデバイス。前記電圧が前記可動層及び前記第2の電極に印加されるときに、前記第2の静電容量制御層が、前記可動層と前記第2の電極との間の第2の電場の強度を減少させるように構成される、請求項46に記載のディスプレイデバイス。前記第2の静電容量制御層及び前記第2の電極が、その間に距離d2を規定し、前記第2の電圧が前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の67よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項47に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電圧が前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の80よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項48に記載のディスプレイデバイス。前記第2の電圧が前記第2の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離d2の90よりも多く前記第2の電極の方向へ安定的に移動できる、請求項49に記載のディスプレイデバイス。前記第1の静電容量制御層上に配置された第1の保護層をさらに含み、前記第1の保護層の少なくとも一部が、前記静電容量制御層と前記可動層との間に少なくとも部分的に配置される、請求項39に記載のディスプレイデバイス。電極、可動層であって、電圧が第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記電極の方向へ移動するように構成され、干渉キャビティが前記可動層と前記第1の電極との間に画定され、第1の部分及び第2の部分を含み、前記第2の部分が前記第1の部分からオフセットする、可動層、及び静電容量制御層であって、前記電圧が前記可動層及び前記電極に印加されるときに、前記可動層と前記電極との間の電場の強度を減少させるように構成され、前記可動層の前記第2の部分上に配置され、前記電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置する静電容量制御層、を含む、ディスプレイデバイス。前記可動層が、前記第1の部分と前記第2の部分との間に段差を含む、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記静電容量制御層が、誘電体材料を含む、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記静電容量制御層が、少なくとも部分的に透過性である、請求項54に記載のディスプレイデバイス。前記電極上に少なくとも部分的に配置された吸収層をさらに含み、前記吸収層が、前記電極と前記静電容量制御層との間に少なくとも部分的に配置される、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記静電容量制御層上に配置された保護層をさらに含み、前記第1の保護層の少なくとも一部が、前記静電容量制御層と前記電極との間に少なくとも部分的に配置される、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記第1の保護層が、酸化アルミニウムまたは二酸化チタンの一方を含む、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記静電容量制御層及び前記電極が、その間に距離を規定し、前記電圧が前記電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離の67よりも多く前記電極の方向へ安定的に移動できる、請求項52に記載のディスプレイデバイス。前記電圧が前記電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離の80よりも多く前記電極の方向へ安定的に移動できる、請求項59に記載のディスプレイデバイス。前記電圧が前記電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層が、前記距離の90よりも多く前記電極の方向へ安定的に移動できる、請求項60に記載のディスプレイデバイス。ディスプレイ、前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されるプロセッサ、及び前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイス、をさらに含む、請求項52に記載のディスプレイデバイス。第1の電極を提供する段階、前記第1の電極上に第1の犠牲層を形成する段階、前記第1の犠牲層上に第1の静電容量制御層を形成する段階、及び前記第1の犠牲層上に可動層を形成する段階、を含む、ディスプレイデバイスの製造方法。前記第1の犠牲層と前記第1の静電容量制御層との間に第1の保護層を形成する段階をさらに含む、請求項63に記載の方法。前記可動層上に第2の犠牲層を形成する段階、前記第2の犠牲層上に第2の電極を位置させる段階、及び前記第1及び第2の犠牲層を除去する段階、をさらに含む、請求項63に記載の方法。前記可動層と前記第2の犠牲層との間に、第2の静電容量制御層を形成する段階をさらに含む、請求項65に記載の方法。前記第2の静電容量制御層と前記第2の犠牲層との間に第2の保護層を形成する段階をさらに含む、請求項66に記載の方法。あるタイプの電気機械システムデバイスは、干渉変調器IMODと呼ばれる。本明細書で用いられるように、干渉変調器または干渉光変調器という語句は、光学的な干渉の原理を用いて光を選択的に吸収及び/または反射するデバイスを指し示す。特定の実施形態において、干渉変調器は一対の導電性平板を含んでもよく、そのうち一方または両方は全体または一部が透明及び/または反射性であり、適切な電気信号の印加によって相対的に動作することができるものでありうる。ある実施形態において、一つの平板は基板上に成膜された固定された層を含んでもよく、他方の平板はエアギャップによって、固定された層から離隔された反射性メンブレンを含んでもよい。一方の平板のもう一方に対する位置関係は、干渉変調器に入射する光の光学的な干渉を変化させることができる。干渉変調器デバイスは幅広い領域で応用することができ、特に表示が可能な製品である、既存の製品を改良し、新しい製品を創出するために用いられることが見込まれている。本開示のシステム、方法、及びデバイスはそれぞれ、いくつかの革新的な態様を備えており、それらのどれも単独では、本明細書に開示される好ましい特性に寄与するものではない。本開示に記載された対象物の1つの革新的な態様は、第1の電極、可動層及び第1の静電容量制御層を含むディスプレイデバイスとして実施されることができる。第1の電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、可動層の少なくとも一部は、前記第1の電極の方向へ移動するように構成することができる。干渉キャビティは、前記可動層と前記第1の電極との間に配置することができる。前記電圧が前記可動層及び前記第1の電極に印加されるときに、前記第1の静電容量制御層は、前記可動層と前記第1の電極との間の第1の電場の強度を減少するように構成することができる。前記第1の静電容量制御層は、前記可動層の一部の上に配置され、前記第1の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置することができる。前記第1の静電容量制御層は、少なくとも部分的に透過性とすることができる。前記第1の電圧が前記可動層及び前記第1の電極に印加されるときに、前記静電容量制御層は、前記可動層と前記第1の電極との間の第1の電場の強度を減少するように構成することができる。デバイスはまた、第2の電極を含むことができ、前記可動層の一部は、前記第1の電極と前記第2の電極との間にあり、第2の静電容量制御層は、前記第2の電極と前記可動層との間の前記可動層上に配置される。1つの態様において、前記第1の電極は、導電層及び少なくとも部分的に透過性である吸収層を含むことができる。他の1つの態様において、前記ディスプレイデバイスはまた、第2の電極を含むことができ、前記可動層の一部は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置することができる。いくつかの態様において、前記可動層は、第2の電圧が前記第2の電極と前記可動層との間に印加されるときに、前記第2の電極の方向へ移動するように構成されることができ、前記デバイスは、前記可動層の一部の上に配置される第2の静電容量制御層をさらに含むことができる。前記第2の静電容量制御層は、前記第2の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置することができ、前記第2の電圧が前記可動層及び前記第2の電極に印加されるときに、前記可動層と前記第2の電極との間の第2の電場の強度を減少させるように構成されることができる。いくつかの態様において、前記第1の静電容量制御層は、誘電体材料、例えば二酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含むことができる。前記第1の静電容量制御層は、約100nmから約4000nmの間である厚さを有することができる。さらに、前記第1の静電容量制御層は、約150nmの厚さを有することができ、前記第1の静電容量制御層及び前記第1の電極は、その間に、約300nmから約700nmの間である厚さを有するエアギャップを画定できる。本開示に記載された対象物の他の1つの革新的な態様は、電極、光を干渉的に変調するための手段、電圧が前記変調手段及び前記電圧に印加されるときに、前記電極と前記変調手段との間の電場の強度を減少させる制御手段を含むディスプレイデバイスとして実施することができる。電圧が前記第1の電極及び前記変調手段に印加されるときに、変調手段の少なくとも一部は、前記第1の電極の方向へ移動するように構成されることができ、干渉キャビティが、前記変調手段と前記第1の電極との間に配置されることができる。前記制御手段は、前記変調手段の一部の上に配置され、前記電極と前記変調手段との間に少なくとも部分的に位置することができる。前記制御手段は、少なくも部分的に透過性であることができる。1つの態様において、前記電極は、光を吸収する手段を含み、少なくとも部分的に透過性とできる。1つの態様において、前記制御手段は、誘電体材料を含むことができる。本開示に記載された対象物の他の1つの革新的な態様は、第1の電極、前記第1の電極上に少なくとも部分的に配置され、少なくとも部分的に透過性である吸収層、可動層であって、前記吸収層の少なくとも一部が、前記可動層の少なくとも一部と前記第1の電極の少なくとも一部との間に位置するように配置され、電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層の少なくとも一部が、前記第1の電極の方向へ移動するように構成されることができる可動層、前記可動層と前記吸収層との間に画定された干渉キャビティ、及び前記電圧が前記可動層及び前記第1の電極に印加されるときに、前記可動層と前記第1の電極との間の第1の電場の強度を減少させるように構成され、前記吸収層の一部の上に配置され、前記吸収層と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置し、少なくとも部分的に透過性である第1の静電容量制御層を含むディスプレイデバイスとして実施されることができる。1つの態様において、前記デバイスはまた、第2の電極を含むことができ、前記可動層の一部は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置されることができる。前記デバイスはまた、前記第2の電極の一部の上に配置され、前記第2の電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置する第2の静電容量制御層を含むことができる。本開示に記載された対象物の他の1つの革新的な態様は、電極、可動層及び、電圧が前記可動層及び前記電極に印加されるときに、前記可動層と前記電極との間の電場の強度を減少させるように構成された静電容量制御層を含むディスプレイデバイスとして実施されることができる。電圧が前記第1の電極及び前記可動層に印加されるときに、前記可動層の少なくとも一部は、前記電極の方向へ移動するように構成されてもよく、干渉キャビティが、前記第1の電極と前記可動層との間に画定されることができる。前記可動層は、第1の部分、前記第1の部分からオフセットされた第2の部分、及び前記第1の部分と前記第2の部分との間の段差を含むことができる。前記静電容量制御層は、前記可動層の前記第2の部分上に配置され、前記電極と前記可動層との間に少なくとも部分的に位置することができる。1つの態様において、前記静電容量制御層は、誘電体材料を含み、前記静電容量制御層は、少なくとも部分的に透過性であることができる。本開示に記載された対象物の1つの革新的な態様は、ディスプレイデバイスを製造する方法として実施されることができる。前記方法は、第1の電極を提供する段階、前記第1の電極上に第1の犠牲層を形成する段階、前記犠牲層上に第1の静電容量制御層を形成する段階、及び前記第1の犠牲層上に可動層を形成する段階を含むことができる。いくつかの実施例において、前記方法は、前記第1の犠牲層と前記第1の静電容量制御層との間に、第1の保護層を形成する段階を含むことができる。他の1つの実施例において、前記方法は、前記可動層上に第2の犠牲層を形成する段階、前記第2の犠牲層上に第2の電極を位置させる段階、並びに前記第1及び第2の犠牲層を除去する段階を含むことができる。いくつかの態様において、前記方法は、前記可動層と前記第2の犠牲層との間に第2の静電容量制御層を形成する段階及び前記第2の静電容量制御層と前記第2の犠牲層との間に第2の保護層を形成する段階を含むことができる。本明細書に記載された対象物の1つまたは複数の実施例の詳細は、添付された図面及び以下の記載に記述される。他の特徴、態様及び利点は、記載、図面及び請求の範囲から明らかになるであろう。以下の図の相対的な寸法は、スケールどおりに記載されないことがありうる。さまざまな図の類似した参照符号及び記号表示は、類似した要素を示す。以下の詳細な説明は、革新的な態様を説明する目的のための特定の実施例に向けられたものである。しかしながら、本明細書で示される内容は多数の異なる方法で応用することができる。説明される実施形態は動画例えばビデオ、静止画例えば写真画像及び文字、図または図表のいずれかのような画像を表示するように構成されたどのような装置にも実装されうる。より具体的には、実施例は様々な電子装置の内部にあるいは関連して実装されてもよく、携帯電話、マルチメディアインターネット用携帯電話、携帯型テレビ受信機、無線装置、スマートフォン、ブルートゥースデバイス、個人データ端末PDA、無線電子メール受信機、携帯型コンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンター、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレイヤー、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子書籍デバイス例えば、e-リーダー、コンピュータ用モニタ、自動車の表示例えば距離計表示など、コックピット制御装置及び/またはディスプレイ、カメラビューディスプレイ例えば自動車における後方視界カメラのディスプレイ、電子写真、電子掲示板または電子看板、プロジェクタ、建築構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダー又はプレイヤー、DVDプレイヤー、CDプレイヤー、VCR、ラジオ、携帯型メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯/乾燥機、パーキングメーター、パッケージ例えば、MEMS及び非MEMS、美的構造物例えば、宝石片上への画像の表示、並びに様々な電気機械システムデバイスに実装されてもよいが、これに限定されるものではない。本明細書の教示はまた、電子スイッチングデバイス、高周波フィルター、センサ、加速度計、ジャイロスコープ、モーションセンシングデバイス、磁力計、家電向け慣性機器、家電製品の部品、バラクター、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造工程、電子テスト装置などの非ディスプレイ用途に、しかし非限定的に用いることもできる。そのため、本教示は図に単に示された実施例に限定することを意図するのではなく、当技術分野の通常の知識を有する者には容易に明らかであるような幅広い応用可能性を有する。干渉変調器IMODディスプレイデバイスのいくつかの実施形態は、キャビティを通して移動するように構成された可動反射層を含むことができ、可動層は、1つまたは複数の部分的に反射性/部分的に透過性の層に対して、ディスプレイデバイスの光学特性を変化させるように位置する。いくつかの干渉変調器ディスプレイ例えば、アナログディスプレイにおいて、可動層が、部分的に反射性/部分的に透過性の層に対して様々な選択された位置へ移動することは望ましいことであることができ、それぞれの位置は、変調器を、変調器が幅広い光学スペクトルの範囲に渡って光を選択的に反射できるような特定の光反射特性を有する特定の状態に位置させる。例えば、アナログ干渉変調器ディスプレイは、可動層を、ディスプレイデバイスの知覚可能な色の反射状態に対応する赤、緑、青、黒及び白の着色状態の各々である特定の位置へ移動させることにより、赤色の状態、緑色の状態、青色の状態、黒色の状態、及び白色の状態の間を変化するように構成されることができる。干渉変調器デバイスの駆動電圧が増大すると、静電力のために、可動層は部分的に反射性/部分的に透過性の層へ近接するように移動する。可動層が部分的に反射性/部分的に透過性の層へ近接すると、可動層と部分的に反射性であり部分的に透過性である層との間の静電力の強さが、可動層の機械的復元力が増大するよりも速く増大する。干渉デバイス上の駆動電圧が徐々に増大すると、可動層は新しい位置に移動し、静電力と機械的復元力とが互いに均衡する。いくつかの実施形態において、可動層のたわみは、特に例えば、予め定められた閾値を通過すると、静電力は、機械的復元力よりも無条件に大きくなることができ、その結果、可動層の、部分的に反射性であり部分的に透過性である層へ近接する位置への移動が発生する。いくつかの実施例において、可動層のたわみが一度この閾値を通過すると、干渉変調器ディスプレイは、不安定になる可能性がある。従って、可動層がキャビティを通して移動できる距離を最大化することが望ましい。本明細書で用いられるように、安定的に移動するまたは安定的な移動とは、可動層の機械的復元力が静電力よりも大きくならない場合の可動層の移動を指す。いくつかの実施形態において、干渉ディスプレイデバイスは、可動層と、間の電場の強度を減少させる電極可動層を駆動するのに用いられるとの間に配置される1つまたは複数の静電容量制御層を含むことができる。可動層と駆動電極との間の電場の強度を減少させることは、結果的に静電力の強度を減少させることができ、可動層が、制御されたまま電極へより近接するように移動することを可能にする。いくつかの実施例において、2つの反対の力の効果がない場合、機械的復元力及び静電駆動力が、制御できず、または不安定になる可能性がある。減少した電場は、可動層が制御されたままでキャビティを通してより大きな距離を、より多くの状態デバイスの対応する反射層に対する位置を通して移動することを容易にし、このことにより、光学スペクトルのより幅広い範囲に渡って反射を可能とすることができる。いくつかの実施例において、静電容量制御層は、材料の体積内の電場の強度を減少させる誘電率を有する誘電体材料の1つまたは複数の層を含むことができる。本開示において記載される対象物の特定の実施例は、1つまたは複数の以下の潜在的利点を実現するように実施されることができる。本明細書に記載されているいくつかの実施例は、可動層と電極との間の電場の強度を減少させる1つまたは複数の静電容量制御層を有する干渉変調器を提供する。可動層と電極との間の電場の強度を減少させると、干渉ディスプレイの安定性を増大させることができる。例えば、電場の強度を減少させると、可動層上で静電力が可動層の機械的復元力を超えるように働くことなく、電極により近接させるように可動層を移動させることができる。加えて、可動層の動作の安定的な範囲を増大させることにより、結果的に、光学的スペクトルのより広い範囲に渡って、干渉ディスプレイからの反射率を得ることができる。説明された実施例が適用できるような、好適なMEMSデバイスの例は、反射ディスプレイデバイスである。反射ディスプレイデバイスは、干渉変調器IMODを、光学干渉の原理を用いて、その上に入射する光を選択的に吸収及び/または反射するように組み込むことができる。IMODは吸収体、吸収体に対して可動な反射体および吸収体と反射体との間に画定された光学共振キャビティを含むことができる。反射体は、2つまたはそれ以上の異なる位置へ移動されることができ、それによって光学共振キャビティの大きさを変更することができ、それにより干渉変調器の反射率に影響を与える。IMODの反射スペクトルは、様々な色を生成するように可視波長に渡ってシフトされることができるかなり広いスペクトルバンドを生成できる。スペクトルバンドの位置は、光学共振キャビティの高さを変えることによって、つまり反射体の位置を変えることによって調整することができる。図1は、干渉変調器IMODディスプレイデバイスの一連の画素の2つの隣接した画素を示す等角図の一例を示している。IMODディスプレイデバイスは、1つまたは複数の干渉MEMSディスプレイ素子を含む。これらのデバイスにおいて、MEMSディスプレイ素子の画素は、明状態または暗状態のいずれかにあることができる。明状態緩和、開またはオン状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光の大部分を、例えば使用者に対して反射する。反対に、暗状態作動、閉またはオフ状態において、ディスプレイ素子は、入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実施例において、オン状態とオフ状態の光の反射率特性は反対でありうる。MEMS画素は黒及び白に加えて、カラーディスプレイが実現できるように特定の波長を主に反射するように構成することもできる。IMODディスプレイデバイスは、IMODの行/列アレイを含むことができる。それぞれのIMODは、互いに可変かつ制御可能な距離に位置させられエアギャップ光学ギャップまたはキャビティとしても称されるを形成する一対の反射層、つまり、可動反射層及び固定部分反射層を含むことができる。可動反射層は、少なくとも2つの位置の間を移動しうる。第1の位置、つまり緩和位置において、可動反射層は、固定部分反射層から相対的に大きな距離に位置することができる。第2の位置、つまり作動位置において、可動反射層は、部分反射層により近接して位置することができる。2つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強めあいまたは弱めあって干渉し、各画素に関して全反射または非反射状態のいずれかの状態を作り出す。いくつかの実施例において、IMODは、非作動状態の時には反射状態にあり、可視スペクトルの範囲の光を反射し、非作動状態の時には暗状態にあり、可視範囲の外側の光例えば、赤外光を反射しうる。しかしながら、いくつかの他の実施例においては、IMODは非作動時に暗状態にあり、作動時に反射状態にあってもよい。いくつかの実施例において、印加される電圧の導入が、状態を変更するように画素を駆動することができる。いくつかの他の実施例において、印加される電荷が、状態を変更するように画素を駆動することができる。図1の画素アレイの示された部分は、2つの隣接する干渉変調器12を含む。左側図示されているようにのIMOD12において、可動反射層14は、部分反射層を含む光学積層体16から所定距離だけ離れた緩和位置にある状態が示されている。左側のIMOD12に印加される電圧V0は、可動反射層14を作動させるには不十分である。右側のIMOD12において、可動反射層14は、光学積層体16に近いまたは隣接した作動位置にある状態が示されている。右側のIMOD12に印加される電圧Vbiasは、可動反射層14を作動位置に保持するのに十分である。図1において、画素12の反射特性は、一般に画素12上に入射する光を示す矢印13及び左側の画素12から反射する光15で示される。詳細には図示されていないが、画素12上に入射する光13のほとんどは透明な基板20を通して、光学積層体16に向かって透過するであろうことは、当業者に理解されるであろう。光学積層体16上に入射する光の一部は、光学積層体16の部分反射層を通して透過され、一部は透明な基板20を通して反射して戻される。光13の光学積層体16を通して透過した部分は、可動反射層14において反射され、透明な基板20に向かってそして通して戻される。光学積層体16の部分反射層から反射された光と可動反射層14から反射された光との間の強めあうまたは弱めあう干渉は、画素12から反射される光15の波長を決定することとなる。光学積層体16は、単一の層または複数の層を含むことができる。この層は、1つまたは複数の電極層、部分的に反射性かつ部分的に透過性の層及び透明誘電体層を含むことができる。いくつかの実施例において、光学積層体16は導電性、部分的に透過性及び部分的に反射性であり、例えば、透明基板20上に上述の層の1つまたは複数を成膜することによって形成されうる。電極層は、様々な金属、例えばインジウムスズ酸化物ITOのような様々な材料から形成することができる。部分反射層は、様々な金属、例えば、クロムCr、半導体、誘電体のような部分的に反射性である様々な材料から形成することができる。部分反射層は、材料の1つまたは複数の層から形成させることができ、各層は、単一の材料または複数の材料の組み合わせで形成されることができる。いくつかの実施例において、光学積層体16は、光学吸収体及び導電体の両方として働く単一の半透明な厚さの金属または半導体を含むことができ、一方それとは異なり、例えば、IMODの光学積層体16またはその他の構造の複数の導電層または部分が、IMODの画素間の信号を伝達するように働いくことができる。光学積層体16はまた、1つまたは複数の導電層または導電/吸収層を覆う1つまたは複数の絶縁層または誘電体層を含むことができる。いくつかの実施例において、光学積層体16の層は、平行な線状にパターニングされることができ、さらに後述するようにディスプレイデバイスにおける行電極を形成するものであってよい。当業者が理解するように、パターニングされるという語句は、本明細書では、マスクプロセスに加えてエッチングプロセスを行うことを指して用いられる。いくつかの実施例において、アルミニウムAlのような高い導電性及び反射性の材料が、可動反射層14として用いられてもよく、これらの線状パターンはディスプレイデバイスにおける列電極を形成してもよい。可動反射層14は、成膜された金属の単一層または複数層の一連の平行な線状光学積層体16の行電極に対して直交するとして形成されてもよく、ポスト18の頂部上に、ポスト18間に成膜された犠牲材料を介在して成膜されて列を形成するものであってよい。犠牲材料が除去されると、画定されたギャップ19または光学キャビティが、可動反射層14と光学積層体16との間に形成されることができる。いくつかの実施例において、ポスト18間の間隔は、およそ1から1000umであり、その一方ギャップ19は10000オングストロームÅよりも小さいものであってよい。いくつかの実施例において、IMODの各画素は、作動状態であれ緩和状態であれ、本質的には固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタである。電圧が印加されていないときには、可動反射層14は、図1の左側の画素12によって示されるように、機械的に緩和された状態を保持し、可動反射層14と光学積層体16との間にギャップ19を有する。しかしながら、ポテンシャル差、例えば電圧が選択された行および列の少なくとも1つに印加されると、該当する画素の行電極と列電極との交差位置において形成されたキャパシタが充電され、静電力が電極を互いに引き付ける。印加された電圧が閾値を超えれば、可動反射層14は変形し、光学積層体16に近づくようにまたは光学積層体16から離れるように移動することができる。光学積層体16内の誘電体層図示されないは、図1の右側の作動した画素12によって示されるように、層14と16との間の短絡を防ぎ、離隔距離を制御するものであってよい。動作は、印加されたポテンシャル差の極性によらず同一である。アレイ内の一連の画素は、いくつかの場合においては行または列として示されてもよいが、当業者は容易に、1つの方向を行として、及びもう一方の方向を列として示すことは任意であることを理解するであろう。言い換えると、いくつかの向きにおいて、行は列として考えることができ、列は行として考えることができる。さらに、ディスプレイ素子は、直交する行および列に均等に配置されアレイ、または、非線形構成、例えば、互いに対して特定の位置のオフセットを有するモザイク構成に配置されてもよい。アレイ及びモザイクという語句は、いずれかの構成を指すものであってよい。従って、ディスプレイがアレイまたはモザイクを含むものとして示されていても、素子それ自体は、どのような場合においても、たがいに直交して配置される必要はなく、または均一な分布で配置される必要はないが、非対称形及び不均一な分布の素子を有する配置を含むものであってよい。図2は、3×3干渉変調器ディスプレイを組み込む電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示している。この電子デバイスは、1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうるプロセッサ21を含む。オペレーティングシステムの実行に加えて、プロセッサ21は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラムまたはその他どのようなソフトウェアアプリケーションも含む1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてもよい。プロセッサ21は、アレイドライバ22と通信するように構成されることができる。アレイドライバ22は、信号を例えばディスプレイアレイまたはパネル30に提供する行駆動回路24及び列駆動回路26を含むことができる。図1に示されたIMODディスプレイデバイスの断面は、図2では線1-1によって示されている。図2は明確化のためにIMODの3×3アレイを図示しているが、ディスプレイアレイ30は、非常に多くのIMODを含んでもよく、列に対して行のIMODの数が異なってもよく、その逆でもよい。図3は、図1の干渉変調器に対して印加された電圧に対する可動反射層の位置を示す図の一例を示している。MEMS干渉変調器に関して、行/列つまり、コモン/セグメント書き込みプロシージャは、図3に示されるようなこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用するものであってよい。干渉変調器は、例えば、可動反射層、又は鏡に緩和状態から作動状態へ変化させるために、約10ボルトのポテンシャル差を必要とするものであってよい。電圧がこの値から減少するとき、可動反射層は電圧が例えば10ボルトよりも下がってもその状態を保持するが、可動反射層は、電圧が2ボルトよりも下がるまで完全には緩和しない。そのため、図3に示されるように、約3から7ボルトである電圧の範囲が存在し、そこでは、デバイスが緩和状態または作動状態のいずれかで安定である印加電圧のウィンドウが存在する。これは、本明細書においては、ヒステリシスウィンドウまたは安定ウィンドウとして示される。図3のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイ30に関して、行/列書き込みプロシージャは、一度に1つまたは複数の行を位置指定するように設計することができ、ある所定の行の位置指定の間、作動されるべき位置指定された行の画素は、約10ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべき画素は0ボルトに近い電圧差にさらされる。位置指定の後、画素は安定状態または約5ボルトのバイアス電圧差にさらされ、それ以前にストローブした状態を保持する。この例において、位置指定された後、各画素は、約3から7ボルトの安定ウィンドウの範囲のポテンシャル差にある。このヒステリシス特性という特徴は、例えば図1に示されるように、画素の設計を、同一の印加電圧状態下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定なままとできる。各IMOD画素は、作動状態であれ緩和状態であれ、本質的には固定反射層及び可動反射層によって形成されたキャパシタなので、ヒステリシスウィンドウ内の一定の電圧で電力を実質的に消費または損失せずに、この安定状態を保つことができる。さらには、印加電圧ポテンシャルが実質的に固定されたままであるときは、本質的に電流はほとんどまたは全くIMOD画素内に流入しない。いくつかの実施例において、画像のフレームは、所定の行の画素の状態への所望の変化どのようなものであれに従って、列電極のセットに沿ってセグメント電圧の形でデータ信号を印加することによって生成されるものであってよい。アレイの行それぞれが順に位置指定されることができ、フレームは、一度に1つの行に書き込まれる。所望のデータを第1の行の画素に書き込むために、第1の行の画素の所望の状態に対応するセグメント電圧が、列電極に印加されることができ、特定のコモン電圧または信号の形の第1の行パルスが、第1の行電極に印加されることができる。次いで、セグメント電圧のセットは、第2の行の画素の状態への所望の変化どのようなものであれに対応するように変化されることができ、第2のコモン電圧が、第2の行電圧に印加されることができる。いくつかの実施例において、第1の行の画素は、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化によって影響されず、第1のコモン電圧行パルスの間、設定された状態を保つ。このプロセスは、一連の行全体に、またはその代わりに列に、画像フレームを生成するために順に繰り返されるものであってよい。フレームは、1秒当たりある所望の数のフレームでこのプロセスを連続的に繰り返すことにより、新しい画像データでリフレッシュされ及び/または更新されることができる。各画素に印加されるセグメント信号及びコモン信号の組み合わせつまり、各画素のポテンシャル差は、各画素のその結果の状態を決定する。図4は、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されるときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、セグメント電圧は、列電極または行電極のいずれか一方に印加されることができ、コモン電圧は、列電極または行電極の他方に印加されることができる。図4にと共に図5Bに示されるタイミング図に示されるように、リリース電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されると、コモンラインに沿った全ての干渉変調器素子は、セグメント線に沿って印加される電圧、つまり高いセグメント電圧VSH及び低いセグメント電圧VSLに関わらず、緩和状態、言い換えるとリリース状態または非作動状態に置かれる。特に、リリース電圧VCRELがコモンラインに沿って印加されると、高いセグメント電圧VSH及び低いセグメント電圧VSLがその画素に対応するセグメントラインに沿って印加される場合はどちらも、変調器に沿って印加されるポテンシャル電圧言い換えると画素電圧が、緩和ウィンドウ図3を参照、言い換えるとリリースウィンドウの範囲内にある。高い保持電圧VCHOLD_Hまたは低いホールド電圧VCHOLD_Hのような保持電圧がコモンラインに印加されると、干渉変調器の状態は一定のまま維持する。例えば、緩和したIMODは緩和位置を維持し、作動したIMODは作動位置を維持する。高いセグメント電圧VSH及び低いセグメント電圧VSLが対応するセグメントラインに沿って印加される場合はどちらも、画素電圧が安定ウィンドウ内に維持するように、保持電圧が選択されることができる。そのため、セグメント電圧の振れ幅、つまり、高いVSHと低いセグメント電圧VSLとの間の差が、正または負の安定ウィンドウのいずれかの幅よりも小さい。高い位置指定電圧VCADD_Hまたは低い位置指定電圧VCADD_Lのような位置指定電圧または作動電圧がコモンラインに印加されると、データは、それぞれのセグメント線に沿ったセグメント電圧の印加により、その線に沿った変調器に選択的に書き込まれることができる。セグメント電圧は、作動が、印加されるセグメント電圧に依存するように選択されるものであってよい。位置指定電圧がコモンラインに沿って印加されると、あるセグメント電圧の印加が、結果的に安定ウィンドウ内の画素電圧となり、画素を非作動のままとする。反対に、別のセグメント電圧の印加が、安定ウィンドウを超える画素電圧となり、画素を作動させることとなる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、用いられる位置指定電圧に依存して変化することができる。いくつかの実施例において、高い位置指定電圧VCADD_Hがコモンラインに沿って印加されると、高いセグメント電圧VSHの印加は、変調器を現在の位置に維持させることができ、その一方で、低いセグメント電圧VSLの印加は、変調器の作動を引き起こすことができる。当然の結果として、セグメント電圧の効果は、低い位置指定電圧VCADD_Lが印加されるときには反対とでき、高いセグメント電圧VSHが変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧VSLが変調器の状態に何の効果ももたらさないつまり、安定のままを維持する。いくつかの実施例において、変調器に対して常に同一の極性ポテンシャル差を生成する保持電圧、位置指定電圧およびセグメント電圧が用いられてもよい。いくつかの他の実施例において、変調器のポテンシャル差の極性を交互に変更する信号を用いることができる。変調器への極性の交互印加つまり、書き込み手順の極性の交互印加は、単一の極性書き込み操作を繰り返した後に発生する可能性がある電荷蓄積を減少させまたは抑制しうる。図5Aは、図2の3×3干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示している。図5Bは、図5Aに示されたディスプレイデータのフレームを書き込むのに用いられうるコモン信号及びセグメント信号のタイミング図の一例を示している。信号は、例えば、図2の3×3アレイに印加することができ、最終的には図5Aに示されるディスプレイ配置のライン時間60eとなる。図5Aの作動した変調器は暗状態であり、すなわち、反射光のほとんどの部分が可視スペクトルの外であり、例えば観察者に対して暗い外観を呈するようになる。図5Aに示されたフレームを書き込むに先立って、画素はどのような状態でもよいが、図5Bのタイミング図に示される書き込み手順は、第1のライン時間60aの前には各変調器がリリースされ、非作動状態にあると仮定している。第1のライン時間60aの間、リリース電圧70がコモンライン1に印加され、コモンライン2に印加される電圧は高い保持電圧72で始まり、リリース電圧70に移行し、低い保持電圧76がコモンライン3に印加される。そのため、コモンライン1に沿った変調器コモン1、セグメント1、1、2及び1、3は、第1のライン時間60aが続く間、緩和状態、又は非作動状態を維持し、コモンライン2に沿った変調器2、1、2、2及び2、3は緩和状態に移行し、コモンライン3に沿った変調器3、1、3、2及び3、3は、それらの以前の状態を維持する。図4も共に参照すると、コモンライン1、2または3のいずれも、ライン時間60aの間作動を引き起こす電圧レベルつまり、VCREL-緩和及びVCHOLD_L-安定にさらされていないので、セグメントライン1、2及び3に沿って印加されるセグメント電圧は、干渉変調器の状態に何の効果ももたらさない。第2のライン時間60bの間、コモンライン1の電圧は高い保持電圧72に移行し、位置指定電圧または作動電圧がコモンライン1に印加されていないので、コモンライン1に沿った全ての変調器は、印加されるセグメント電圧に限らず緩和状態を維持する。コモンライン2に沿った変調器は、リリース電圧70の印加のために緩和状態を維持し、コモンライン3に沿った電圧がリリース電圧70に移行すると、コモンライン3に沿った変調器3、1、3、2及び3、3は緩和する。第3のライン時間60cの間、コモンライン1は、コモンライン1上に高い位置指定電圧74を印加することによって位置指定される。低いセグメント電圧64が、この位置指定電圧の印加の間、セグメントライン1及び2に沿って印加されているので、変調器1、1及び1、2の画素電圧は、変調器の正の安定ウィンドウの上限よりも大きくつまり、所定の閾値を超える電圧差、変調器1、1及び1、2は作動する。反対に、高いセグメント電圧62がセグメントライン3に印加されるので、変調器1、3の画素電圧は変調器1、1及び1、2のそれよりも小さく、変調器の正の安定化ウィンドウ内を維持する。そのため、変調器1、3は緩和状態を維持する。また、ライン時間60cの間、コモンライン2に沿った電圧は低い保持電圧76に低下し、コモンライン3に沿った電圧はリリース電圧70を維持し、コモンライン2及び3に沿った変調器を緩和位置のままとする。第4のライン時間60dの間、コモンライン1の電圧は高い保持電圧72に戻り、コモンライン1に沿った変調器をそれぞれ位置指定された状態のままとする。コモンライン2の電圧は、低い位置指定電圧78へ低下する。高いセグメント電圧62がセグメントライン2に印加されているので、変調器2、2の画素電圧は、変調器の負の安定化ウィンドウの下限よりも低く、変調器2、2を作動させる。反対に、低いセグメント電圧64が、セグメントライン1及び3に沿って印加されているので、変調器2、1及び2、3は緩和位置を維持する。コモンライン3の電圧は高い保持電圧72に増大し、コモンライン3に沿った変調器を緩和状態のままとする。最後に、第5のライン時間60eの間、コモンライン1の電圧は高い保持電圧72を維持し、コモンライン2の電圧は低い保持電圧76を維持し、コモンライン1及び2の変調器をそれぞれの位置指定された状態に保つ。コモンライン3の電圧は、高い位置指定電圧74に増大し、コモンライン3に沿った変調器を位置指定する。低いセグメント電圧64がセグメントライン2及び3に印加されると、変調器3、2及び3、3が作動し、その一方、セグメントライン1に沿って印加された高いセグメント電圧62が、変調器3、1を緩和位置に維持させる。そのため、第5のライン時間60eの終わりにおいて、3×3画素アレイは、図5Aに示される状態にあり、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その他のコモンライン図示せずに沿った変調器が位置指定されているときに発生しうるセグメント電圧の変化に関わらず、その状態を維持する。図5Bのタイミング図において、所定の書き込み手順つまり、ライン時間60a‐60eは、高い保持電圧および位置指定電圧または低い保持電圧および位置指定電圧のいずれかの使用を含むことができる。一度書き込み手順が所定のコモンラインに関して完了するとそしてコモン電圧が作動電圧と同じ極性を有する保持電圧にセットされると、画素電圧は、所定の安定ウィンドウ内を維持し、リリース電圧がそのコモンラインに印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらには、各変調器は変調器の位置指定に先立って書き込み手順の一部としてリリースされるので、リリース時間よりもむしろ変調器の作動時間の方が、必要なライン時間を決定するものでありうる。特に、変調器のリリース時間が作動時間よりも大きいような実施例では、リリース電圧は、図5Bに示されるように、単一のライン時間よりも長く印加されるものであってよい。いくつかの他の実施例において、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧は、異なる色の変調器のような異なる変調器の作動電圧及びリリース電圧の変化を構成するためにさまざまなものであってよい。前述した原理に従って作動する干渉変調器の構造の詳細は、幅広くさまざまなものであってよい。例えば、図6Aから6Eは、可動反射層14及びその支持構造を含む、干渉変調器の様々な実施例の断面の例を示している。図6Aは、図1の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示しており、線状の金属材料、つまり、可動反射層14が、基板20から直交して延設する支持部18上に成膜されている。図6Bにおいて、各IMODの可動反射層14は、一般に正方形または長方形の形状であり、角の部分またはその近傍においてテザー32で支持部に取り付けられる。図6Cにおいて、可動反射層14は、一般的に正方形または長方形の形状であり、変形可能層34から懸架され、変形可能層は柔軟な金属を含むものであってよい。変形可能層34は、直接または間接に、基板20に、可動反射層の14の周縁部に渡って接続することができる。これらの接続は、本明細書では支持ポストと称する。図6Cに示される実施例は、可動反射層14の任意の機能をその機械的な機能から分離させることによって付加的な利点をもたらし、これは変形層34によって行われる。この分離により、反射層14に用いられる構造設計及び材料、並びに変形可能層34に用いられるこれらを、互いに独立に最適化させることが可能になる。図6Dは、IMODの他の一例を示しており、可動反射層14が反射副層14aを含んでいる。可動反射層14は、支持ポスト18のような支持構造上に載置される。支持ポスト18は、可動反射層14の、下部固定電極つまり図示されたIMODにおける光学積層体16の部分からの分離を提供し、例えば可動反射層14が緩和位置にある場合に、ギャップ19が、可動反射層14と光学積層体16との間に形成される。可動反射層14はまた、導電層14c及び支持層14bを含むことができ、導電層は、電極として働くように構成されるものであってよい。この例において、導電層14cは、基板20に対して遠位側にある、支持層14bの一方の側の上に配置され、反射副層14aは、基板20に対して近位側にある支持層14bのもう一方の側の上に配置される。いくつかの実施例において、反射副層14aは、導電性であることができ、支持層14bと光学積層体16との間に配置されることができる。支持層14bは、誘電体材料、例えば酸窒化シリコンSiONまたは二酸化シリコンSiO2からなる1つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実施例において、支持層14bは、例えば、SiO2/SiON/SIO23層積層体のような複数の層の積層体であることができる。反射副層14a及び導電層14cのいずれか一方または両方は、例えば約0.5の銅Cuを有するアルミニウムAl合金または他の反射性金属材料を含むことができる。誘電体支持層14bの上および下に導電層14a、14cを採用することは、応力を平衡させ、導電性を向上させることができる。いくつかの実施例において、反射副層14a及び導電層14cは、可動反射層14内に特定の応力プロファイルを達成するような、様々な設計目的のために様々な材料から形成することができる。図6Dに示されるように、いくつかの実施例はまた、黒色マスク構造23を含むことができる。黒色マスク構造23は、光学的に不活性な領域例えば、画素間またはポスト18の下部に、周辺光または迷光を吸収するために形成されることができる。黒色マスク構造23はまた、光がディスプレイの不活性部から反射されるまたは不活性部を透過することを抑制することにより、ディスプレイデバイスの光学特性を向上させることができ、それによって、コントラスト比を増大させる。さらに、黒色マスク構造23は、導電性とすることができ、電気的バス層として機能するように構成することができる。いくつかの実施例において、行電極は、黒色マスク構造23に接続されて、接続された行電極の抵抗を減少させることができる。黒色マスク構造23は、成膜及びパターニング技術を含む、様々な方法を用いて形成することができる。黒色マスク構造23は、1つまたは複数の層を含むことができる。例えば、いくつかの実施例において、黒色マスク構造23は、光学吸収体として働くモリブデン―クロムMoCr層、SiO2層及び反射体およびバス層として働くアルミニウム合金を、それぞれ約30から80Å、500から1000Å及び500から6000Åの範囲の厚さで含む。1つまたは複数の層は、様々な技術を用いてパターニングすることができ、リソグラフィ並びに、例えば、MoCr及びSiO2層に対しては4フッ化炭素CF4及び/または酸素O2並びにアルミニウム合金層に対しては、塩素Cl2及び/または三塩化ホウ素BCl3を含むドライエッチングを含む様々な技術を用いてパターニングすることができる。いくつかの実施例において、黒色マスク23は、エタロンまたは干渉積層構造であることができる。このような干渉積層黒色マスク構造23においては、導電吸収体は、各行または列の光学積層体16における下部、固定電極間に信号を伝送しまたは輸送するのに用いることができる。いくつかの実施例において、スペーサー層35は、一般に吸収層16aを黒色マスク23の導電層から電気的に分離させるように働くことができる。図6Eは、IMODの他の一例を示しており、可動反射層14が、自己支持している。図6Dとは対照的に、図6Eの実施例は、支持ポスト18を含まない。その代わりに、可動反射層14は、その下部に位置する光学積層体16と、複数の箇所で接触し、干渉変調器にかかる電圧が作動を引き起こすのに十分でないときには、可動反射層14の曲率が、可動反射層14が図6Eの非作動位置へ戻るのに十分な支持を提供する。光学積層体16は、複数のいくつかの異なる層を含み、本明細書では明確化のため、光学吸収体16a及び誘電体16bを含んで示されている。いくつかの実施例において、光学吸収体16aは、固定電極及び部分反射層の両方として働くものであってもよい。図6Aから6Eに示されたような実施例においては、IMODは、直視デバイスとして機能し、画像は、透明な基板20の前面側、つまり変調器が配置されるのとは反対の側から観察される。これらの実施例において、反射層14は光学的にデバイスのこれらの部分を遮蔽するため、デバイスの後ろ側つまり、例えば、図6Cに示される変形可能層34を含む、可動反射層14の後ろ側のディスプレイデバイスの部分ならどこでもは、ディスプレイデバイスの画質に強い影響または負の影響を及ぼすことなく構成され、作動することができる。例えば、いくつかの実施例において、変調器の光学特性を、電圧位置指定及びそのような位置指定の結果の動作のような、変調器の電気機械的な特性から分離する能力を提供する可動反射層14の背後に、バス構造図示されないを含むことができる。さらに、図6Aから6Eの実施例は、例えばパターニングのように、工程を簡略化することができる。図7は、干渉変調器の製造工程80を示すフロー図の一例を示しており、図8Aから8Eは、このような製造工程80の各段階に対応する断面概略図の例を示している。いくつかの実施例において、製造工程80は、例えば、図1及び6に示される一般的な型の干渉変調器を、図7に図示されないその他のブロックに加えて製造するのに実施されることができる。図1、6及び7を参照すると、工程80は、基板20上に光学積層体16を形成するブロック82から始まる。図8Aは、基板20上に形成されたそのような光学積層体16を示している。基板20は、ガラスまたはプラスチックのような透明基板であってよく、柔軟または比較的固く曲がらないものであってよく、また、光学積層体16の効率的な形成を容易にするために、例えば洗浄のような事前準備工程を行われたものであってよい。上述したように、光学積層体16は、導電性、部分的に透過性かつ部分的に反射性であることができ、例えば、透明な基板20上に所定の特性を有する1つまたは複数の層を成膜することによって製造されるものであってよい。図8Aにおいて、いくつかの他の実施例では、より多いまたはより少ない副層が含まれるものであってよいが、光学積層体16は、副層16a及び16bを有する複数層構造を含む。いくつかの実施例において、副層16a、16bの一方は、導電体/吸収体が結合された副層16aのように、光学的に吸収性かつ導電性特性の両方を有するように構成することができる。加えて、副層16a及び16bの1つまたは複数は、平行な線状にパターニングすることができ、ディスプレイデバイスの行電極を形成するものであってよい。このようなパターニングは、マスキング及びエッチング工程または当技術分野で知られた他の適した工程によって実施することができる。いくつかの実施例において、副層16a、16bの一方は、1つまたは複数の金属層例えば1つまたは複数の反射性及び/または導電性層上に成膜された副層16bのように、絶縁性又は誘電体層であることができる。加えて、光学積層体16は、ディスプレイの行電極を形成する個別に平行な線状にパターニングすることができる。工程80は、光学積層体16上への犠牲層25の形成を伴うブロック84へ続く。犠牲層25は、後に除去されて例えば、ブロック90において、キャビティ19を形成するため、犠牲層25は、図1に示される結果的に得られる干渉変調器12には図示されない。図8Bは、光学積層体16上に形成された犠牲層25を含む部分的に形成されたデバイスを示している。光学積層体16上への犠牲層25の形成は、モリブデンMoまたはアモルファスシリコンSiのような二フッ化キセノンXeF2でエッチング可能な材料の、続く除去後には所望の設計寸法例えば高さを有するギャップまたはキャビティ19図1及び図8Eも参照のことを提供するように選択された厚さでの成膜を含んでもよい。犠牲材料の成膜は、物理的気相成膜PVD、例えばスパッタリング、プラズマ化学気相成膜PECVD、熱化学気相成膜熱CVDまたはスピンコーティングのような成膜技術を用いて実施されるものであってよい。工程80は、支持構造、例えば図1、6及び8Cに示されているようなポスト18の形成を伴うブロック86へ続く。ポスト18の形成は、犠牲層25をパターニングし、支持構造開口部を形成し、次いで、PVD、PECVD、熱CVDまたはスピンコーティングのような成膜方法を用いて材料例えばポリマーまたは例えば酸化シリコンのような無機材料を開口内に成膜してポスト18を形成することを含むものであってよい。いくつかの実施例において、犠牲層に形成される支持構造開口部は、犠牲層25及び光学積層体16の両方を通して、その下に位置する基板20まで延設することができ、ポスト18の下端部は、図6Aに示されるように、基板20に接触する。その代わりに、図8Cに示されるように、犠牲層25に形成される開口は、犠牲層25を通して延設することができるが、光学積層体16を通さないようにすることができる。例えば、図8Eは、支持ポスト18の下端が光学積層体16の上部表面と接触することを示している。ポスト18、またはその他の支持構造は、犠牲層25上へ支持構造材料の層を成膜し、犠牲層25の開口部以外の場所に位置する支持構造材料の部分をパターニングすることによって形成されるものであってよい。支持構造は、図8Cに示されるように、開口内に位置するものであってもよいが、少なくとも部分的に、犠牲層25の一部の上へ延設することもできる。上で注記したように、犠牲層25及び/または支持ポスト18のパターニングはパターニング及びエッチング工程によって行うことができるが、代替的なエッチング方法によって実施されるものであってもよい。工程80は、図1、6及び8Dに示される可動反射層14のような可動反射層またはメンブレンの形成を伴うブロック88へ続く。可動反射層14は、1つまたは複数のパターニング、マスキング及び/またはエッチング段階を伴う、1つまたは複数の成膜段階、例えば反射層例えばアルミニウム、アルミニウム合金成膜を用いることにより、形成されるものであってよい。可動反射層14は、導電性であることができ、導電層として称される。いくつかの実施例において、可動反射層14は、図8Dに示されるように、複数の副層14a、14b、14cを含むものであってよい。いくつかの実施例において、副層14a、14cのような1つまたは複数の副層は、その光学特性に関して選択された、高い反射性の副層を含むものであってよく、他の副層14bは、その機械的特性に関して選択された機械的副層を含むものであってよい。犠牲層25は、依然として、ブロック88で形成された部分的に形成された干渉変調器内に存在しているので、可動反射層14は典型的にはこの段階では可動ではない。犠牲層25を含む部分的に形成されたIMODはまた、本明細書ではリリースされていないIMODとも称されうる。図1に関連して上述したように、可動反射層14は、ディスプレイの列を形成する個別であり平行な線状にパターニングすることができる。工程80は、キャビティ、例えば図1、6及び8Eに示されるようなキャビティ19の形成を伴うブロック90へ続く。キャビティ19は、ブロック84で成膜された犠牲層25を、エッチャントにさらすことにより形成されるものであってよい。例えば、MoやアモルファスSiのようなエッチング可能な犠牲材料は、乾式化学エッチングによって、例えば、犠牲層25を固体XeF2から得られる蒸気のようなガス状または蒸気エッチャントへ、所望の量の材料を除去するのに効果的な時間だけさらすことにより、除去されてもよく、典型的にはキャビティ19周囲の構造に対して選択的に除去される。他のエッチング方法、例えば、湿式エッチング及び/またはプラズマエッチングもまた用いられてもよい。犠牲層25はブロック90の間に除去されるので、可動反射層14は、この段階の後には典型的には可動となる。犠牲材料25の除去後、結果的に得られる完全にまたは部分的に形成されたIMODは、本明細書ではリリースされたIMODと称されうる。図8Aから8Eを参照して説明された干渉変調器は、緩和状態及び作動状態を有する2状態安定ディスプレイ素子である。特定の干渉変調器は、アナログ干渉変調器として実施されることができる。アナログ干渉変調器は、2つの状態より多くを有するように構成され、駆動されることができる。例えば、アナログ干渉変調器の1つの実施例において、単一の可動層が、光学共振ギャップの高さを変更するように最も高い位置と最も低い位置との間のどのようなギャップ高さでも位置することができ、干渉変調器はそれぞれが特定の光の波長を反射する様々な状態に位置することができる。それぞれの反射光の波長は、単色または混色に対応する。例えば、このようなデバイスは、赤色の状態、緑色の状態、青色の状態、黒色の状態及び白色の状態を持つことができる。従って、単一の干渉変調器は、光学スペクトルの幅広い範囲に渡って、様々な光の反射特性を有するように構成されることができる。さらに、アナログ干渉変調器の光学積層体は、上述した2状態安定ディスプレイ素子と異なるものであってもよく、これらの違いが異なる光学的な結果を生むものでありうる。例えば、上述した2状態安定素子においては、閉状態が2状態安定素子を暗い黒色反射状態とする。いくつかの実施例において、アナログ干渉変調器は、吸収層を含むことができ、可動層が吸収層の近くに位置するときは、白色反射状態を有するように構成されることができる。図9Aは、電圧駆動され、可動反射層806aが緩和または非作動位置にある状態が示されている3端子干渉変調器の断面の一例を示している。変調器800aは、上部電極802a及び下部電極810aを含む。当業者が了解するように、上部及び下部という語句は、図の説明を容易にするために用いられることがあり、適切に方向づけられたページ上の図の方向に対応する相対的な位置を示しており、実施されるようにIMODの適切な方向を反映していないことがありうる。上部及び下部電極802a、810aは、導電性材料から形成される。1つの実施例において、電極802a、810aは、1つまたは複数の金属層である。変調器800aはまた、上部電極802aと下部電極810aとの間に少なくとも部分的に配置される可動層806aを含む。図9Aに示される可動層806aは、反射性かつ導電性である金属層を含むことができる。いくつかの実施例において、可動層806aは、反射層、導電層及び反射層と導電層との間に配置されるメンブレン層を含む複数の層を含むことができる。可動層806aは、例えば、アルミニウム、銅、銀、モリブデン、金、クロム、合金、酸窒化シリコン及び/またはその他の誘電体材料を含む様々な材料を含むことができる。可動層806aの厚さは、所望の実施例に基づいて様々なものとすることができる。1つの実施例において、可動層806aは、約20nmから約100nmの間の厚さを有する。いくつかの実施例において、反射性かつ導電性の層の間に配置されるメンブレン層は、1つまたは複数の誘電体材料から形成されることができる。上部電極802a、下部電極810a及び可動層806aのそれぞれは、干渉変調器800aの端子を形成する。3つの端子は、ポスト804aによって分離され、電気的に絶縁されており、ポストは、電極802aと810aとの間で可動層806aを支持している。可動層806aの少なくとも一部分は、上部電極802aと下部電極810aとの間でキャビティまたは空間内を動くように構成されている。図9Aにおいて、可動層806aは、平衡例えば、非作動位置にあることが示されており、可動層は、ほぼ平坦及び/または上部及び下部電極802a、810aとほぼ平行である。この段階において、可動層806aは、印加される電圧によって駆動されておらず、又は、どのような電圧が印加されても静電力をオフセットすることとなり、可動層806aは電極802a、810aのどちらかの方向へ駆動されない。可動層806aを、様々な回路構成を用いて、上部及び下部電極802a、810aの間で駆動することができる。図9Aに示されるように、変調器800aは、第1の制御回路850a及び第2の制御回路852aを含む。第1の制御回路850aは、上部電極802a及び可動層806aに電圧を印加するように構成されることができる。結果的に得られるポテンシャルは、可動層806aと上部電極802aとの間に電場を形成し、可動層806aを作動する静電力を発生させる。可動層806aがこのように静電的に作動すると、上部電極802aの方向へ動く。可動層806aは、緩和位置例えば、非作動位置と上部電極802aとの間の様々な位置へ、制御回路850aによって印加される電圧を変化させることにより、移動することができる。さらに図9Aを参照すると、可動層806aが、この平衡位置から離れて動く例えば、上部電極802aまたは下部電極810aの方向へと、可動層806aの側部の形状が変形または屈曲することができ、可動層806aを平衡位置へ戻そうとし、可動層の復元力として働く弾性バネ力を提供することができる。いくつかの実施例において、変調器800aは、干渉変調器として構成され、可動電極806aは、基板層812aを通して構造に入る光を反射する鏡として働く。1つの実施例において、基板812aは、ガラスから作られるが、基板812aはその他の材料、例えばプラスチックから形成されることができる。1つの実施例において、上部電極802aは、例えばクロムから形成される吸収層例えば、部分的に透過性であり部分的に反射性である層を含む。いくつかの実施例において、誘電体積層体例えば、異なる屈折率を有する誘電体材料の2層が、可動反射層806aと電極802aとの間に配置されて、基板812aを通して変調器800aに入る光を選択的にフィルターすることができる。変調器800aが光を選択的に反射するように構成された実施例において、干渉キャビティ840aが、電極802aと可動層806aとの間に配置されることができる。干渉キャビティ840aの高さ例えば、電極802aと可動層806aとの間の距離は、可動層806aが上部電極802aと下部電極810aとの間を移動するにつれて変化する。さらに図9Aを参照すると、第2の制御回路852aは、下部電極810a及び可動層806aに電圧を印加するように構成される。可動層806aが反射層及び導電層を含むような実施例においては、電圧は、反射層または導電層において、可動層806aに印加されることができる。電圧の印加は、可動層806aと下部電極810aとの間に電場を発生させ、可動層806aを作動させる静電力を発生させる。可動層806aが第2の制御回路852aによって静電的に作動すると、下部電極810aの方向へ移動する。さらなる電圧を印加することは、可動層806aを下部電極810aへより近接させる、より強い静電力を発生させる。そのため、可動層806aは、制御回路852aによって印加される電圧を変更することにより、緩和位置と下部電極810aとのあいだの様々な位置へ移動することができる。いくつかの実施例において、第1及び第2の制御回路850a、852aは、可動層806aの移動を制御するために、同時にまたは別々に電圧を印加するように構成されることができる。例えば、第1の制御回路850aは、第1の電圧を上部電極802a及び可動層806aに印加することができ、第2の制御回路852aは、同時に第2の電圧を下部電極810a及び可動層806aに印加することができる。このような例において、可動層806aの移動は、第1及び第2の制御回路850a、852aによって印加される2つの電圧の大きさによって決定される。他の実施例においては、第1及び第2の制御回路850a、852aは、同時に電圧を可動層806aに印加しない。図9Bは、電荷駆動する、可動層が緩和位置にある状態が示されている3端子干渉変調器の断面図の一例が示されている。変調器800bは、上部電極802b、下部電極810b及びその間に配置される可動層806bを含む。変調器800bは、端子802b、810b及び806bを他の基板から絶縁し、可動層806bを電極802b、810bの間に、例えば上部電極802bから840bで示される距離に位置させる、ポスト804bをさらに含むことができる。制御回路850bは、上部電極802b及び下部電極810bに電圧を印加するように構成される。第2の制御回路852bは、可動層806bに電荷量を選択的に印加するように構成される。いくつかの実施例において、第2の制御回路852bは、特定の時間の間オンになるチャージポンプまたは電流源を含む。いくつかの実施例において、第2の制御回路852bは、キャパシタへの電圧の接続を制御するための1つまたは複数のスイッチングデバイスを用いることができる。1つの実施例において、第2の制御回路852bは、可動層806bに、約1pCから約20pCの電荷を印加するように構成されることができるが、その他の電荷もまた印加されるようにできる。制御回路850b、852bを用いることにより、可動層806bの静電作動が達成される。接続されると、つまり、スイッチ833bが可動層806bに接触すると、第2の制御回路852bは、可動層806bにある量の正電荷を供給する。帯電した可動層806bは、次いで、制御回路850bによる上部電極802bと下部電極810bとの間の電圧の印加によって発生した電場と相互作用する。帯電した可動層806bと電場との相互作用により、可動層806bは電極802b、810b間を移動する。可動層806bは、制御回路850bによって印加される電圧を変更することにより、様々な位置へ移動することができる。例えば、制御回路850bによって印加される電圧Vc図9Bにおいて下部電極810bに示されるように、正により、下部電極810bは、上部電極802bに対して正のポテンシャルとなり、下部電極810bは、正に帯電した可動層806bと反発する。従って、図示された電圧Vcにより、可動層806bは、上部電極802bの方向へ移動する。可動層806bが正に帯電するものと仮定すると、制御回路850bによる電圧Vcの印加により、下部電極810bは、上部電極802bに対して負のポテンシャルへ駆動され、可動層806bを下部電極810bの方向へ引き寄せる。このようにして、可動層806bは、電極802b、810bの間の位置の幅広い範囲を移動することができる。スイッチ833bは、可動層806bを第2の制御回路852bへ選択的に接続または第2の制御回路852bから選択的に切断するために用いられることができる。当業者であれば、スイッチ833bの代わりに当技術分野で知られるその他の方法が、可動層806bを第2の制御回路852bへ選択的に接続または第2の制御回路852bから選択的に切断するために用いられてもよいことは理解するであろう。例えば、薄膜半導体、ヒューズ、またはアンチヒューズもまた用いることができる。スイッチ833bは、可動層806bに特定の量の電荷を供給するために、制御回路図示されないによって開閉するように構成されることができる。電荷レベルは、所望の静電力に基づいて選択することができる。さらに、印加した電荷が可動層806bから漏れてなくなってしまうまたは散逸しうるため、制御回路は時間と共に電荷を再印加するように構成されることができる。いくつかの実施例において、電荷は、特定の時間間隔に従って、可動層806bに再印加されることができる。1つの実施例において、特定の時間間隔は、約10ミリ秒から約100ミリ秒の間の範囲である。図9Cは、可動層に印加された電荷が制御回路によって印加された異なる電圧によって変化するときの可動層のたわみのシミュレーションを示す図の一例を示している。曲線871は、約29.49Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみを表す。0.0ゼロ電荷及び0.0ゼロたわみ量から右への以下の曲線871から分かるように、正電荷を印加すると、可動層は正の相対的方向へたわむ。また、0.0ゼロ電荷及び0.0ゼロたわみ量から左への以下の曲線871は、負電荷を印加すると、可動層は負の相対的方向へたわむことを示している。曲線873は、約22.50Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加された電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線875は、約15.51Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加された電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線877は、約8.52Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線879は、約1.53Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線881は、約-5.46Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線883は、約-12.45Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線885は、約-19.44Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加された電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線887は、約-26.43Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線889は、約-33.42Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。曲線891は、約-40.42Vの電圧が制御回路によって印加されたときに、可動層に印加される電荷が変化するときの、干渉変調器の1つの実施例における可動層のシミュレーションされたたわみ量を表している。図9Dは、ある状態または位置の範囲を通して可動層を駆動するように構成された3端子干渉変調器の断面の一例を示している。図示されるように、可動層906は、上部電極902と下部電極910との間の様々な位置930から936を移動することができる。1つの実施例において、可動層906は、図9Aに関して説明したように方法、用いる構造に従って動くことができる。他の1つの実施例において、可動層906は、図9Bに関して説明したように、方法、用いる構造に従って動くことができる。変調器900は、変調器の構成に依存する特定の光の波長を選択的に反射することができる。いくつかの実施例において、上部電極902と可動層906との間の距離は、変調器の干渉特性を変化させる。いくつかの実施例において、上部電極902は、吸収層として働き、又は吸収層を含むことができる。例えば、変調器900は、変調器の基板912側を通して見られるように構成することができる。この例において、光は、基板912を通して変調器900に入る。可動層906の位置に依存して、様々な波長の光が、可動層906から基板912を通して反射して戻され、これによって様々な色の外観が得られる。例えば、位置930において、赤色Rの波長の光が反射され、その一方で他の色は吸収される。従って、可動層906が位置930にあるとき、干渉変調器900は、赤色状態にあると考えることができる。可動層906が位置932に移動すると、変調器900は、緑色状態にあり、緑色Gの光が基板912を通して反射される。可動層906が位置934に移動すると、変調器900は青色状態にあり、青色Bの光が反射され、可動層906が位置936に移動すると、変調器は白色状態にあり、可視スペクトルの全ての波長の光が反射される例えば、白色Wが反射される。1つの実施例において、可動層906が白色状態にあるとき、可動層と上部電極902との間の距離は非常に小さく、例えば、約10nmよりもおおよそ小さく、いくつかの実施例においては、約0から5nmであり、他の実施例においては、約0から1nmである。1つの実施例において、可動層906が赤色状態にあるとき、可動層と上部電極902との間の距離は約350nmである。1つの実施例において、可動層906が緑色状態にあるとき、可動層と上部電極902との間の距離は約250nmである。1つの実施例において、可動層906が青色状態にあるとき、可動層と上部電極902との間の距離は約200nmである。1つの実施例において、可動層906が黒色状態にあるとき、可動層と上部電極902との間の距離は約100nmである。当業者であれば、変調器900が、その他の状態をとることができ、変調器900の製造に用いられる材料及び可動層906の位置に応じて他の波長の光または複数の波長の光の組み合わせを選択的に反射できることを理解するであろう。従って、いくつかの実施例において、可動層906が動くことができる距離を最大化する一方で変調器900の安定性を維持することが望ましい。図10Aは、可動層と上部電極との間であって可動層上に配置された静電容量制御層を有する3端子干渉変調器の断面の一例を示している。干渉変調器1000aは、可動層1006aが上部電極1002aと下部電極1010aとの間で静電的に駆動されるように構成される。いくつかの実施例において、可動層1006aは、基板層1012aを通して構造に入射する光を反射する鏡として働く。いくつかの実施例において、上部電極1002aと可動層1006aとの間に印加される電圧によって導入される電場は、以下のように定義することができる。ここで、Eは制御回路によって印加される電圧Vによる電場であり、δ1は上部電極1002aと可動層1006aとの間の有効距離である。同様に、下部電極1010aと可動層1006aとの間に印加される電圧によって導入される電場は、以下のように定義することができる。ここで、Eは制御回路によって印加される電圧Vによる電場であり、δ2は下部電極1010aと可動層1006aとの間の有効距離である。有効距離は、2つの電極間の実際の距離例えば、d1及びd2並びに静電容量制御層1080aの効果の両方を考慮する。従って、δ1=d1dε/εであり、δ2=d2dε/εである。示された実施例において、可動層1006aと下部電極1010aとの間に静電容量制御層が配置されていないため、δ2=d2である。いくつかの実施例において、静電容量制御層1080aは、有効距離を増加させるように働き、静電容量制御層自体の有効距離は、dε/εで計算され、ここで、dεは、静電容量制御層の厚さであり、εは、静電容量制御層1080aの誘電率である。高い誘電率を有する材料が電場内に配置されると、その電場の強度は、誘電体材料の体積内で測定可能な程度に減少する。一方で、静電容量制御層1080aは、電極1002aと可動層1006aとの間の電場及び静電力を減少させることによって、上部電極1002aと可動層1006aとの間の有効距離を増加させる。静電容量制御層は、様々な厚さを有することができ、様々な材料から形成することができる。例えば、静電容量制御層は、約100nmから3000nmの間の厚さを有することができる。いくつかの実施例において、静電容量制御層は、誘電体材料、例えば誘電率が約5である酸窒化シリコンまたは誘電率が約4である二酸化シリコンを含むことができる。静電容量制御層は、単一の材料の層または材料を複合した積層から形成することができる。さらに図10Aを参照すると、可動層1006aに働く静電力が可動層1006aの機械的復元力よりも大きい場合、変調器1000aにおいて不安定さが生ずる可能性がある。これが起こると、可動層1006aは作動電極に向かって急速に動くまたはスナップすることがあり、この移動は変調器1000aの光学干渉特性に影響を及ぼす可能性がある。機械的復元力FSは、次のように定義することができる。ここで、Kは、可動層の複合バネ定数であり、xは、制御回路によって電圧が印加されていないときの可動層1006aの平行位置または緩和位置に対する可動層10006aの位置である。そのため、変調器1000aの不安定さの点は、可動層1006aの機械的復元力を、可動層に印加される静電力とつりあわせることによって決定できる。可動層1006aに働く静電力は、上部電極1002aと可動層1006aとの間及び下部電極1010aと可動層1006aとの間の電場に関連する。従って、安定を維持することが、可動層1006aの機械的復元力が可動層に印加される静電力よりも大きいxの範囲を計算することによって決定できる一方で、距離全体に渡って可動層1006aは、上部電極1002aと下部電極1010aとの間を動くことができる。この移動の距離または安定な範囲は、電極と可動層1006aとの間の有効距離を増加させることによって増加させることができる。さらに図10Aを参照すると、一例において、静電容量制御層1080aは、酸窒化シリコンを含み、約150nmの厚さを有し、可動層1006aが緩和しているときの静電容量制御層1080aと上部電極1002aとの間の距離d1は約329nmであり、可動層が緩和しているときの可動層1006aと下部電極1010aとの間の距離d2は約300nmである。この例示的な構成において、図9Bに示された制御機構850bを用いると、可動層1006aは、d1の約83までを通して安定的に移動することができ、その一方d2を通した安定的な移動は、全距離の約74に限られる。上部電極1002aへ向かう安定な動作の増加した範囲は、静電容量制御層1080aによる可動層1006aと上部電極1002aとの間の有効距離の増加に起因する。d1を通した安定な動作の増加した範囲はまた、全体として、変調器1000aの安定な動作の範囲を増加させる。この特定の例において、可動層1006aは、d1及びd2の合計の約79を通して安定的に移動することができる。図10Bは、可動層と上部電極との間において可動層上に配置される第1の静電容量制御層及び可動層と下部電極との間において可動層上に配置される第2の静電容量制御層を有する3端子干渉変調器の断面の例を示している。第2の静電容量制御層1080b’は、上述のように、可動層と下部電極1010bとの間の安定的な移動の範囲を増加させるように構成することができ、変調器1000bの光学的状態の全範囲を増加させる。一例において、第1の静電容量制御層1080bは、酸窒化シリコンを含み、約150nmの厚さを有し、可動層1006bが緩和しているときの第1の静電容量制御層1080bと上部電極1002bとの間の距離d1は、約450nmであり、可動層が緩和しているときの第2の静電容量制御層1080b’と下部電極1010bとの間の距離d2は、約150nmである。この例示的な構成において、可動層1006bは、d1の約82まで通して安定的に移動でき、d2の約98までを通して安定的に移動できる。可動層1006bがこの例において通して移動できる全範囲は、静電容量制御層の存在のため、d1とd2との合計の約91である。図10Cは、静電容量制御層上に配置された保護層を有する図10Aの干渉変調器の断面の一例を示している。保護層1090cは、静電容量制御層1080cを、変調器1000cの製造の特定の方法においてエッチングされることから保護するように構成することができる。いくつかの実施例において、保護層1090cは、約5nmから約500nmの範囲の厚さを有する。一例において、保護層1090cは、約16nmの厚さである。保護層1090cは、エッチャント、例えばXeF2に対して耐性のある材料から形成することができる。いくつかの実施例において、保護層1090cは、酸化アルミニウムまたは二酸化チタンを含むことができる。さらに図10Cを参照すると、一例において、静電容量制御層1080cは、酸窒化シリコンを含み、約150nmの厚さを有する。可動層1006cが非作動または緩和しているときの保護層1090cと上部電極1002cとの間の距離d1は、約540nmである。可動層が緩和しているときの導電可動層1006cと下部電極1010cとの間の距離d2は、約300nmである。この例示的な構成において、可動層1006cは、距離d1の約83まで通して安定的に移動できる一方で、d2を通した安定的な移動は、距離d2の約79である。従って、可動層1006cがこの例において通して移動できる全範囲は、距離d1及びd2の合計の約81である。図10Dから10Fにおいて、上部電極1002d図10D、下部電極1010e図10Eまたは上部及び下部電極の両方図10F上に配置された1つまたは複数の静電容量制御層1080、1080dを有する変調器1000dからfが示されている。特に、図10Dは、可動層と上部電極との間において上部電極上に配置された静電容量制御層を有する3端子干渉変調器の断面の一例を示している。静電容量制御層1080dは、可動層1006dが上部電極1002dに対して移動できる安定的な動作範囲を増大させる、上部電極1002dと可動層1006dとの間の静電力を減少させるように構成される。図10Eは、可動層と下部電極との間において下部電極上に配置された静電容量制御層を有する3端子干渉変調器の断面図の一例を示している。静電容量制御層1080eは、可動層1006eが下部電極1010eに対して移動できる安定的な動作範囲を増大させる、下部電極1010eと可動層1006eとの間の静電力を減少させるように構成される。図10Fは、可動層と上部電極との間において上部電極上に配置された第1の静電容量制御層及び可動層と下部電極との間において下部電極上に配置された第2の静電容量制御層を有する3端子干渉変調器の断面の一例を示している。第1及び第2の静電容量制御層1080f、1080f’は、電極1002d、1010fと可動層1006fとの間の静電力を減少させ、このことが、可動層1006fの上部及び下部電極に対する安定的な動作の範囲を増大させる。1つの実施例において、第1及び第2の静電容量制御層1080f、1080f’は、約1マイクロメートルから約3マイクロメートルの間の範囲の厚さを有する。図11は、干渉ディスプレイを製造する方法を示すフロー図の一例を示している。特定の部分及びブロックが、干渉変調器の実施例に適合するように記載されているが、その他の電気機械システムの実施例に関しては、異なる材料が用いられてもよく、ブロックが除外され、改良されまたは追加されてもよいことは理解されるであろう。方法1100は、ブロック1101において示されるように、第1の電極を提供するブロックを含む。図1を参照して上述したように、いくつかの実施例において、第1の電極は、いくつかの層、例えばインジウムスズ酸化物ITOのような光学的に透明な導電体、クロムのような部分的に反射性の光学吸収体及び透明な誘電体を有する光学積層体を含むことができる。1つの実施例において、第1の電極は、約30から80Åの範囲の厚さを有するMoCr層、約50から150Åの範囲の厚さを有するAlOx層及び約250から500Åの範囲の厚さを有するSiO2層を含む。吸収層は、様々な金属、半導体及び誘電体のような部分的に反射性の様々な材料から形成することができる。部分的に反射性の層は、1つまたは複数の層から形成することができ、層のそれぞれは、単一の材料または複合材料から形成することができる。いくつかの実施例において、第1の電極の層は、平行な帯状にパターニングされ、図1を参照して上述したようにディスプレイデバイスの行/列電極を形成するものであってよい。方法1100はさらに、ブロック1103で示されるように第1の電極上に第1の犠牲層を形成するブロックを含む。第1の犠牲層は、以下に述べるように後に除去され、第1の電極と静電容量制御層との間にギャップまたは空間を形成する。第1の電極上への第1の犠牲層の形成は、成膜ブロックを含むことができる。さらに、第1の犠牲層は、多くの共振光学ギャップを有するディスプレイデバイスの形成を補助するように、1つより多い層を含むことができ、または様々な厚さの層を含むことができる。干渉変調器アレイに関して、それぞれのギャップサイズは様々な反射色を表すことができる。いくつかの実施例において、犠牲層は、支持ポストの形成を補助することができるようにビアを形成するようにパターニングされてもよい。方法1100はまた、ブロック1105において示されるように第1の犠牲層上に保護層を形成する段階及びブロック1107aにおいて示されるように保護層上に静電容量制御層を形成する段階を任意に含むことができる。可動層は、第1の犠牲層上に形成することができる。上述するように、いくつかの実施例において、可動層は、単一の光学的反射性であり導電性である層を含むことができ、他の実施例において、可動層は反射層、導電層及び反射層と導電層との間に少なくとも部分的に配置されたメンブレン層を含む。反射層は、ブロック1107bに示されるように、第1の静電容量制御層と導電層との間に配置される。1つの実施例において、メンブレン層は誘電体層、例えば、SiONである。反射層及び導電層は、様々な材料、例えば金属を含むことができる。ブロック1109に示されるように、方法1100はさらに、可動層上に第2の犠牲層を形成する段階を含むことができる。第2の犠牲層は、典型的には後に除去されて可動層と第2の電極との間にギャップまたは空間を形成する。可動層上への第2の犠牲層の形成は、成膜ブロックを含むことができる。さらに、第2の犠牲層は、多数の共振光学ギャップを有するディスプレイデバイスの形成を補助するために、1つより多くの層を含むこと、または様々な厚さの層を含むことを選択することができる。第2の電極は、ブロック1111に示されるように第2の犠牲層上に位置することができる。最後に、方法1100は、ブロック1113に示すように第1及び第2の犠牲層を除去する段階を含むことができる。犠牲層は、様々な方法を用いて、例えば、XeF2ドライエッチ工程を用いて除去することができる。除去後は、可動層はキャビティを通して移動し、第1の電極及び/または第2の電極の方向へ変形することができる。当業者であれば、追加的なブロックが、干渉変調器の製造方法に含まれてもよく、図10Aから10Fに示されたどの実施例も製造できるように、ブロックが入れ替えられまたは追加されてもよいことは理解するであろう。上述のように、アナログ干渉変調器は、3端子構成を含むことができる。図12Aは、可動層が緩和位置にある2端子干渉変調器の断面図の一例を示している。干渉変調器1200aは、電極1202a及び絶縁ポスト1204aによって電極1202aから空間的に分離される可動層1206aを含む。この構成において、可動層1206a及び電極1202aは、それぞれ端子として考えることができる。可動層1206aは、反射層、導電層及びその間に配置されたメンブレン層を任意に含むことができる。可動層1206aは、静電的に駆動されて電極1202aの方向へ移動し、変調器1200aの電極1202a側に入射する光の反射率を変化させる。3端子変調器に関して上述したように、可動層1206aの動作の安定な範囲は、可動層の機械的復元力の、可動層1206aを電極1202aの方向へ移動させる静電力の強度との平衡によって決定される。1つの例において、可動層が緩和または非作動時の可動層1206aと電極1202aとの間の距離d1は、500nmであり、可動層の安定的な動作の範囲は、距離d1の約59.5である。3端子構成のように、2端子構成における可動層の安定的な動作の範囲は、可動層と電極との間に静電容量制御層を加えることによって増加させることができる。図12Bは、電極と可動層との間において可動層上に静電容量制御層が配置されている2端子干渉変調器の断面の一例を示している。静電容量制御層1280bは、可動層1206bと電極1202bとの間において可動層1206b上に配置される。そのため、静電容量制御層1280bは、可動層1206bが、可動層1206bが静電容量制御層1280bがない場合に移動できるよりも大きなd1の範囲を安定的に移動できるようにする、電極1202bと可動層1206bとの間の静電力の強度を減少させる。図12Cは、可動層が、第1の部分及び第1の部分からオフセットされた第2の部分を含み、静電容量制御層が電極と可動層との間において可動層の第2の部分上に配置された2端子干渉変調器の断面の一例を示している。図示された実施例において、可動層1206cは、第1の部分1293及び第1の部分からオフセットされた第2の部分1295を含み、第1の部分1293は、第2の部分1295と電極1202cとの間に少なくとも部分的に配置されている。静電容量制御層1280cは、第2の部分1295上に配置され、第2の部分と電極1202cとの間の有効電気的距離を増加させる。そのため、静電容量制御層1280cは、電極1202cと第2の部分1295との間の静電力の強度を減少させ、第2の部分1295が、静電容量制御層1280cがない場合に安定的に動くことができるよりも大きなd1の範囲を通して第2の部分1295が安定的に動くことができるようになる。1つの例において、静電容量制御層1280cと電極1202cとの間の距離d1は、約300nmから約800nmであり、静電容量制御層1280は、150nmの厚さの酸窒化シリコン層を含み、第2の部分1295は、電極1202bの方向へd1の約80を通して安定的に移動することができる。従って、静電容量制御層は、2端子アナログ干渉変調器及び3端子アナログ干渉変調器の安定性及び多様性を増大させることができる。図13A及び13Bは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス40を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス40は、例えば、携帯電話とすることができる。しかしながら、ディスプレイデバイス40の同一の構成部またはそのわずかな変形例もまた、テレビ、電子リーダー及び携帯メディアプレーヤーのような様々な型のディスプレイデバイスの実例となる。ディスプレイデバイス40は、筐体41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカー45、入力デバイス48およびマイク46を含む。筐体41は、射出成型及び真空成型を含むどの様々な製造工程で形成されることも可能である。加えて、筐体41は、どのようなさまざまな材料から形成されてもよく、プラスチック、金属、ガラス、ゴム及びセラミック、またはそれらの組み合わせを含んでもよいが、それに限定されるものではない。筐体41は、様々な色または様々なロゴ、絵またはシンボルを含むその他の取り外し可能な部品と交換されうる取り外し可能な部品図示されないを含むことができる。ディスプレイ30は、どのようなさまざまなディスプレイであってもよく、本明細書に示されるような2状態安定またはアナログディスプレイを含む。ディスプレイ30はまた、プラズマ、EL、OLED、STNLCDまたはTFTLCDのようなフラットパネルディスプレイまたはCRTまたはその他のブラウン管デバイスのような非フラットパネルディスプレイを含むように構成することができる。加えて、ディスプレイ30は、本明細書で示されるような干渉変調器ディスプレイを含むことができる。ディスプレイ40の構成要素は、図13Bに概略的に示されている。ディスプレイ40は、筐体41を含み、その内部に少なくとも部分的に格納される追加的な構成要素を含むことができる。例えば、ディスプレイデバイスは、送受信部47と結合されるアンテナ43を含むネットワークインターフェース27を含む。送受信部47は、プロセッサ21に接続され、プロセッサ21は調整用ハードウェア52に接続される。調整用ハードウェア52は、信号を調整する例えば、信号をフィルターするように構成されてもよい。調整用ハードウェア52は、スピーカー45及びマイク46に接続される。プロセッサ21はまた、入力デバイス48およびドライバコントローラ29に接続される。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28及びアレイドライバ22に接続され、アレイドライバ22はディスプレイアレイ30に接続される。電源50は、特定のディスプレイデバイス40の設計によって求められるようにすべての構成要素に電力を供給することができる。ネットワークインターフェース27は、アンテナ43及び送受信部47を含み、ディスプレイデバイス40は1つまたは複数のデバイスとネットワークを介して通信することができる。ネットワークインターフェース27はまた、例えば、プロセッサ21のデータ処理要求を補助する何らかの処理能力を有してもよい。アンテナ43は、信号を送信および受信することができる。いくつかの実施例において、アンテナ43は、IEEE16.11a、bまたはgを含むIEEE16.11規格、またはIEEE802.11a、b、gまたはnを含むIEEE802.11規格に従ってRF信号を送受信する。いくつかの他の実施例において、アンテナ43は、ブルートゥース規格に従ってRF信号を送受信する。携帯電話の場合に、アンテナ43は、符号分割多元接続CDMA、周波数分割多元接続FDMA、時間分割多元接続TDMA、GlobalSystemforMobilecommunicationsGSM、GSM/GeneralPacketRadioServiceGPRS、EnhancedDataGSMEvironmentEDGE、地上基盤無線TETRA、広帯域CDMAW-CDMA、EvolutionDataOptimizedEV-DO、1xEV-DO、EV-DORevA、EV-DORevB、HighSpeedPacketAccessHSPA、HighSpeedDownlinkPacketAccessHSDPA、HighSpeedUplinkPacketAcessHSUPA、EvolvedHighSpeedPacketAccessHSPA、LongTermEvolutionLTE、AMPSまたは3Gまたは4G技術を利用するシステムのような無線ネットワーク内で通信するのに用いられるその他の既知の信号を受信するように設計される。送受信部47は、アンテナ43から受信した信号を事前処理することができ、その信号はプロセッサ21によって受信され更に処理されてもよい。送受信部47は、プロセッサ21から受信した信号を処理することもでき、その信号はディスプレイデバイス40からアンテナ43を介して送信されてもよい。いくつかの実施例において、送受信部47は、受信部によって置き換えることができる。さらに、ネットワークインターフェース27は、画像ソースによって置き換えることができ、画像ソースはプロセッサ21に送られるべき画像データを蓄積または生成することができる。プロセッサ21は、ディスプレイデバイス40の操作全体を制御することが可能である。プロセッサ21は、ネットワークインターフェース27または画像ソースからの圧縮された画像データのようなデータを受け取り、原画像データまたは原画像データに迅速に処理されるフォーマットにデータを処理する。プロセッサ21は、処理データをドライバコントローラ29または蓄積のためにフレームバッファ28に送信することができる。原データは典型的には画像内の各位置における画像特性を特定する情報を参照している。例えば、そのような画像特性は、色、彩度及びグレースケールレベルを含む。プロセッサ21は、ディスプレイデバイスの操作を制御するマイクロコントローラ、CPUまたは論理ユニットを含むことができる。調整用ハードウェア52は、スピーカー45へ信号を送信するため及びマイク46から信号を受信するための増幅器及びフィルターを含んでもよい。調整用ハードウェア52は、ディスプレイデバイス40内のディスクリートな構成要素でもよく、またはプロセッサ21またはその他の構成要素内に組み込まれてもよい。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21によって生成された原画像データを、プロセッサ21から直接またはフレームバッファ28から受け取ることができ、原画像データをアレイドライバ22への高速転送に適するように再フォーマットすることができる。いくつかの実施例において、ドライバコントローラ29は、原画像データを、ラスター状フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、データフローは、ディスプレイアレイ30を走査するのに適した時間順を有する。次いで、ドライバコントローラ29は、フォーマットされた情報をアレイドライバ22に送信する。LCDコントローラのようなドライバコントローラ29は、独立した集積回路ICとしてシステムプロセッサに組み込まれていることが多いが、そのようなコントローラは様々な方法で実施されてもよい。例えば、コントローラはプロセッサ21にハードウェアとして埋め込まれてもよく、プロセッサ21内にソフトウェアとして埋め込まれてもよく、またはアレイドライバ22とともにハードウェア内に完全に統合されてもよい。アレイドライバ22は、ドライバコントローラ29からフォーマットされた情報を受け取ることができ、動画データを毎秒多数回、ディスプレイの画素のx-y行列からの数百、時には数千またはそれ以上の配線に印加される波形の平行なセットに再フォーマットできる。いくつかの実施例において、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22およびディスプレイアレイ30は、本明細書に記載されたディスプレイのどのような種類にも適している。例えば、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは2状態安定ディスプレイコントローラ例えばIMODコントローラであることができる。さらに、アレイドライバ22は、従来のドライバまたは2状態安定ディスプレイドライバ例えば、IMODディスプレイドライバであることができる。さらには、ディスプレイアレイ30は従来のディスプレイアレイまたは2状態安定ディスプレイアレイ例えば、IMODのアレイを含むディスプレイであることができる。いくつかの実施例において、ドライバコントローラ29は、アレイドライバ22と共に統合することができる。そのような実施例は、携帯電話、腕時計及びその他の小面積ディスプレイのような高度に統合されたシステムでは一般的である。いくつかの実施例において、入力デバイス48は、例えば使用者が、ディスプレイデバイス40の操作を制御できるように構成することができる。入力デバイス48は、QWERTYキーボードまたは電話のキーパッドのようなキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチ感応画面、または感圧または感熱メンブレンを含むことができる。マイク46は、ディスプレイデバイス40に関する入力デバイスとして構成することができる。いくつかの実施例において、マイク46を通した音声コマンドを、ディスプレイデバイス40の操作を制御するために用いることができる。電源50は、当技術分野で周知の様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。例えば、電源50は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池のような充電池とすることができる。電源50はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、プラスチック太陽電池または塗布型太陽電池を含む太陽電池とすることができる。電源50はまた、壁のコンセントから電力を受電するように構成することができる。いくつかの実施例において、制御のプログラム可能機能が、電子ディスプレイシステムのいくつかの場所に位置することができるドライバコントローラ29内に存在する。他のいくつかの実施例において、制御のプログラム可能機能は、アレイドライバ22内に存在する。上述の最適化は、どのような数のハードウェア及び/またはソフトウェア構成要素においても、また様々な構成において実施されてもよい。本明細書で開示された実施例と関連して記載された様々な実例的なロジック、論理ブロック、モジュール、回路及びアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェアまたは両者の結合として実施されてもよい。ハードウェアおよびソフトウェアの交換可能性が、機能の観点から一般的に説明され、上述の様々な実例の構成要素、ブロック、モジュール、回路及び段階で示された。そのような機能がハードウェア内に実装されるか、ソフトウェア内に実装されるかは、具体的な応用例及びシステム全体に課される設計の制約に依存する。本明細書に開示された態様に関連して記載された、本明細書に記載された機能を実施するために設計された様々な例示的なロジック、論理ブロック、モジュール及び回路を実装するために用いられるハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用の単一または複数チッププロセッサ、デジタル信号プロセッサDSP、特定用途集積回路ASIC、FieldprogrammablegatearrayFPGAまたはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェア部品、またはそれらの組み合わせで実装または実行されるものであってよい。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、またはそのたどのような従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラまたはステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、計算装置の組み合わせとして、例えば、DSPとマイクロプロセッサとの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと組み合わせた1つまたは複数のマイクロプロセッサ、またはそのような構成のその他どのようなものとして実施されてもよい。いくつかの実施例において、特定の段階および方法は、所定の機能に特化された回路によって実行されてもよい。1つまたは複数の態様において、記載された機能は、本明細書において開示された構造及びその構造的な等価物またはそのあらゆる組み合わせを含む、ハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフト、ファームウェア内に実装されるものであってよい。本明細書に記載された対象物の実施例はまた、1つまたは複数のコンピュータプログラム、つまり、データ処理装置によって実行されまたはデータ処理装置の操作を制御するためにコンピュータ蓄積媒体上に符号化されたコンピュータプログラムの命令の1つまたは複数のモジュールとして実施されることができる。本開示において記載された実施例の様々な改変は、当業者には容易に明らかであってよく、本明細書で規定された一般的な原理は本開示の思想または範囲を逸脱せずに、他の実施例に応用されてもよい。そのため、本開示は、本明細書に示された実施例に限定することを意図するものではなく、本明細書に開示された特許請求の範囲、原理及び新規の特徴と一致する最も広い範囲に一致されるべきである。例示的なという語句は、本明細書ではもっぱら例、実例、例示として供するということを意味して用いられる。例示的として本明細書で記載されるどの実施例も、他の実施例に関して好適または有利であると必ずしも解釈されることはない。さらに、上部及び下部という語句は図の記述を容易にするために用いられることがあり、適切に方向づけられたページ上の図の方向に対応する相対的な位置を示しており、実施例としてIMODの適切な方向を反映するものではないことがあることを、当業者ならば容易に了解するであろう。別個の実施例の文脈において本明細書に記載された特定の特徴もまた、単一の実施例の組み合わせにおいて実施されることができる。反対に、単一の実施例の文脈において記載される様々な特徴もまた、複数の実施例において個別に、またはどのような適切な下位の組み合わせにおいても実施することができる。さらには、特徴が特定の組み合わせにおいて働くとして記載され、そのようなものとして最初に主張されていたとしても、主張される組み合わせからの1つまたは複数の特徴は、いくつかの場合において、組み合わせから取り出すことができ、主張される組み合わせが下位の組み合わせまたは下位の組み合わせの変形例を指向するものであってもよい。同様に、操作が、特定の順序で図に示されていても、このことはそのような操作が示された特定の順序または順番の順序で実行されることを要求するものとして理解されるべきではなく、また全ての示された操作が、所望の結果を達成するために実行されることを要求するものとして理解されるべきではない。さらに、図がフロー図の形で1つまたは複数の例示的な工程を概略的に示すものであってもよい。しかしながら、示されていないその他の操作が、概略的に示された例示的な工程に組み込まれることができる。例えば、1つまたは複数の追加的な操作が、事前に、事後に、同時にまたは示された操作のどの間にも実行されることができる。特定の環境において、マルチタスクおよび並行処理が有利であってよい。さらには、上述された実施例の様々なシステム構成要素の分割が、全ての実施例においてそのような分割を必要とするものとして理解されるべきではなく、記載されたプログラム構成要素及びシステムが、一般的に単一のソフトウェア製品に統合されまたは複数のソフトウェア製品にパッケージ化されることができると理解されるべきである。さらに、その他の実施例も、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。いくつかの場合において、特許請求の範囲に記載された動作は、その他の順序で実施されることができ、その場合でも所望の結果を達成することができる。