行列状に配置された複数の単位セルを有する固体撮像素子を備える撮像装置であって、前記単位セルは、光電変換部を有し、前記光電変換部は、半導体基板の上方に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを有し、前記撮像装置は、さらに、前記画素電極と前記透明電極との間に前記固体撮像素子の感度を制御する感度可変用電圧を印加する電圧印加手段と、前記固体撮像素子からの撮像画像データの出力レベルを検出するレベル検出手段と、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記感度可変用電圧を変化させる制御手段とを備える撮像装置。前記固体撮像素子は、さらに、前記単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線を有し、前記単位セルは、さらに、増幅トランジスタ、選択トランジスタ及びリセットトランジスタを有し、前記増幅トランジスタは、前記垂直信号線と電源配線との間に挿入され、かつゲートが前記画素電極に接続され、前記リセットトランジスタは、前記画素電極と接続され、かつ前記画素電極の電位をリセットし、前記選択トランジスタは、前記増幅トランジスタと前記垂直信号線との間又は前記増幅トランジスタと前記電源配線との間に挿入される請求項1に記載の撮像装置。前記単位セルは、さらに、定バイアストランジスタを有し、前記定バイアストランジスタは、前記画素電極と、前記増幅トランジスタのゲートとに接続され、かつゲートが定バイアス電源に接続される請求項2に記載の撮像装置。前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記定バイアス電源の電圧を変化させる請求項3に記載の撮像装置。前記撮像装置は、さらに、前記固体撮像素子の電子シャッタ動作を制御する電子シャッタ制御手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記電子シャッタのタイミングを変化させることで、前記固体撮像素子への光の入射により前記光電変換膜で発生する電荷の蓄積時間を変化させ、前記制御手段は、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて、前記蓄積時間を一定としたまま前記感度可変用電圧を変化させる第一の駆動モードと、前記蓄積時間と前記感度可変用電圧とを変化させる第二の駆動モードとのいずれを行うか決定する請求項1~4のいずれか1項に記載の撮像装置。前記撮像装置は、さらに、前記固体撮像素子の電子シャッタ動作を制御する電子シャッタ制御手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記電子シャッタのタイミングを変化させることで、前記固体撮像素子への光の入射により前記光電変換膜で発生する電荷の蓄積時間を変化させる請求項1~4のいずれか1項に記載の撮像装置。しかしながら、近年の高フレームレート化、高解像度化フルHD規格等に対して、特許文献1~3の露出補正に電子シャッタ機能を用いる手法では、フレーム毎に動解像度が変化し、撮像画の動き動解像度が不自然になる画質不良が発生するという課題がある。また、原理的に、映像出力されない電荷を蓄積する不要電荷蓄積時間が発生し、動画撮影時に動きのある被写体が不連続に映像出力される画質不良が発生するという課題もある。ここで、特許文献2では、リセット制御信号を離散的に発生させることで、動解像度の変化を抑える効果が期待されているが、離散パルス発生回路や周辺演算回路が、固体撮像素子とは別に必要であるため、回路規模増大によるコストの増加、小型化できない等の問題がある。本発明の目的は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、画質不良を抑えつつ露出補正のできる撮像装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る撮像装置は、行列状に配置された複数の単位セルを有する固体撮像素子を備える撮像装置であって、前記単位セルは、光電変換部を有し、前記光電変換部は、半導体基板の上方に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極と、前記光電変換膜の前記画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを有し、前記撮像装置は、さらに、前記画素電極と前記透明電極との間に前記固体撮像素子の感度を制御する感度可変用電圧を印加する電圧印加手段と、前記固体撮像素子からの撮像画像データの出力レベルを検出するレベル検出手段と、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記感度可変用電圧を変化させる制御手段とを備えることを特徴とする。ここで、前記固体撮像素子は、さらに、前記単位セルの列に対応して設けられ、対応する列の前記単位セルの信号電圧を伝達する垂直信号線を有し、前記単位セルは、さらに、増幅トランジスタ、選択トランジスタ及びリセットトランジスタを有し、前記増幅トランジスタは、前記垂直信号線と電源配線との間に挿入され、かつゲートが前記画素電極に接続され、前記リセットトランジスタは、前記画素電極と接続され、かつ前記画素電極の電位をリセットし、前記選択トランジスタは、前記増幅トランジスタと前記垂直信号線との間又は前記増幅トランジスタと前記電源配線との間に挿入されてもよい。本態様によれば、積層型の固体撮像素子が用いられ、該固体撮像素子の感度を決める画素電極と透明電極との間の電圧が感度可変用電圧とされて可変とされる。従って、電荷蓄積時間を変化させずに、つまり電子シャッタ機能を用いることなく、感度可変用電圧を変化させて露出補正を行うことができるので、画質不良を抑えつつ露出補正を行うことができる。また、前記単位セルは、さらに、定バイアストランジスタを有し、前記定バイアストランジスタは、前記画素電極と、前記増幅トランジスタのゲートとに接続され、かつゲートが定バイアス電源に接続されてもよい。本態様によれば、感度可変用電圧の可変範囲を広くすることができるので、動解像度の変化を大きく抑えることができる。また、前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記定バイアス電源の電圧を変化させてもよい。本態様によれば、感度可変用電圧の可変範囲をさらに広くすることができるので、動解像度の変化をさらに大きく抑えることができる。また、前記撮像装置は、さらに、前記固体撮像素子の電子シャッタ動作を制御する電子シャッタ制御手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記電子シャッタのタイミングを変化させることで、前記固体撮像素子への光の入射により前記光電変換膜で発生する電荷の蓄積時間を変化させ、前記制御手段は、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて、前記蓄積時間を一定としたまま前記感度可変用電圧を変化させる第一の駆動モードと、前記蓄積時間と前記感度可変用電圧とを変化させる第二の駆動モードとのいずれを行うか決定してもよい。また、前記撮像装置は、さらに、前記固体撮像素子の電子シャッタ動作を制御する電子シャッタ制御手段を備え、前記制御手段は、さらに、前記レベル検出手段で検出された出力レベルに基づいて前記電子シャッタのタイミングを変化させることで、前記固体撮像素子への光の入射により前記光電変換膜で発生する電荷の蓄積時間を変化させてもよい。本態様によれば、被写体の明るさに応じて感度可変用電圧と電荷蓄積時間とを調節し、露出補正を行うことができるので、自由度の高い露出補正を実現できる。本発明に係る撮像装置によれば、画質不良を抑えつつ、被写体の条件に合わせて露出補正のできる撮像装置を実現できる。以下、本発明の実施の形態における撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。また、以下において記述される数値は、すべて本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数値に制限されない。さらに、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。さらにまた、FETのソース電極およびドレイン電極は同一の構造および機能である場合が殆どであり、明確に区別されないことも多いが、以下の説明では便宜上、信号が入力される電極をソース電極、出力される電極をドレイン電極と表記する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る撮像装置ビデオカメラの構成を示す機能ブロック図を図1に示す。本実施形態に係る撮像装置は、動画像や静止画像を撮像するカメラであって、固体撮像素子1の光入射側に、レンズ2及び絞り/メカシャッタ3を備えると共に、光入射された固体撮像素子1から出力される撮像データを受け取り、相関二重サンプリング処理、及びアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換処理を行うアナログ信号処理部4と、アナログ処理されたデジタルの撮像データ画像信号を受け取り、RGB/YC変換処理などの信号処理を行って撮像画像データを生成するデジタル信号処理部5と、デジタル信号処理部5でデジタル処理された撮像画像データをモニタに表示するためのグラフィックI/F6と、撮像画像データを表示するディスプレイ7と、デジタル処理された撮像画像データをJPEG形式等の所定の圧縮方式で圧縮する圧縮信号処理部8と、圧縮された撮像画像データを記録する記録媒体9とを備える。固体撮像素子1は、光感度が可変ないわゆる感度可変型の固体撮像素子であり、例えば入射した光に応じて光電変換する光電変換膜例えばアモルファスシリコンを用いた積層型の固体撮像素子から構成される。本実施形態に係る撮像装置は、アナログ信号処理部4及びデジタル信号処理部5からの出力データ、具体的には固体撮像素子1から出力される撮像画像データの出力レベルを検出し、また制御信号の出力を行うシステム制御部レベル検出手段10を備える。本実施形態の撮像装置は、固体撮像素子1の電子シャッタ動作を制御駆動するための電子シャッタ駆動部電子シャッタ制御手段11と、固体撮像素子1の感度を制御するための感度可変用電圧を固体撮像素子1に印加する印加電圧制御部電圧印加手段12と、システム制御部10の出力データに応じて、電子シャッタ駆動部11と印加電圧制御部12とを協働して制御するための露出補正制御部制御手段13と、RGBの画像信号をシステム制御部10から受信して自動焦点AFを行うためのレンズドライバ15と、絞り/メカシャッタ3を制御するための露光制御ドライバ14とを備える。システム制御部10は、アナログ信号処理部4及びデジタル信号処理部5からシステム制御部10に入力された露出量等に関する情報を含む撮像画像データに合わせて、露出補正制御部13とレンズドライバ15と露光制御ドライバ14とを制御する。露出補正制御部13は、システム制御部10で検出された出力レベルに基づいて感度可変用電圧を変化させる。また、露出補正制御部13は、システム制御部10で検出された出力レベルに基づいて電子シャッタのタイミングを変化させることで、固体撮像素子1への光の入射により固体撮像素子1の光電変換膜で発生する電荷の蓄積時間を変化させる。露出補正制御部13は、システム制御部10で検出された出力レベルに基づいて、蓄積時間を一定としたまま感度可変用電圧を変化させる第一の駆動モードと、蓄積時間と感度可変用電圧とを変化させる第二の駆動モードとのいずれを行うか決定する。なお、本実施形態に係る撮像装置では、例として、アナログ処理を行うアナログ信号処理部4を設けてあるが、固体撮像素子1からデジタル信号が出力される場合はこの限りではない。本実施形態に係る撮像装置は、感度可変型の固体撮像素子1と、この固体撮像素子1を制御する印加電圧制御部12と、電子シャッタ駆動部11と印加電圧制御部12とを協働で制御して露出補正を行う露出補正制御部13とを備える点で図14の撮像装置と大きく異なる。図2及び図3を用いて、本実施形態に係る固体撮像素子1の詳細を説明する。本実施形態に係る固体撮像素子1の構成を示す回路図を図2に示す。固体撮像素子1は、図2に示すように、行列状に配置された複数の単位セル151と、単位セル151に種々のタイミング信号を供給する垂直走査部153と、アドレス制御線121と、カラム信号処理部122と、リセット制御線123と、電源配線125と、光電変換部制御線131と、単位セル151の列毎に設けられ、対応する列の単位セル151の信号電圧を伝達する垂直信号線141と、出力端子142と、単位セル151の信号を順次出力端子142へ読み出す水平信号読み出し部水平走査部155とを備えている。なお、図2において、単位セル151は2行2列分だけを記載しているが、行数及び列数は任意に設定してよい。単位セル151は、光電変換部111と、垂直信号線141と電源配線125との間に挿入され、ゲートが光電変換部111と接続された増幅トランジスタ113と、ドレインが光電変換部111と接続されたリセットトランジスタ117と、増幅トランジスタ113と直列に接続された選択トランジスタ115とを有し、その出力は垂直信号線141に接続されている。光電変換部111は、増幅トランジスタ113のゲート及びリセットトランジスタ117のドレインと、光電変換部制御線131との間に挿入されている。光電変換部111は、入射光を光電変換し、入射光の光量に応じた信号電荷を生成及び蓄積する。選択トランジスタ115のゲートは、アドレス制御線121を介して垂直走査部153と接続されている。なお、選択トランジスタ115は、増幅トランジスタ113と垂直信号線141との間に挿入されているが、増幅トランジスタ113と電源配線125との間に挿入されてもよい。リセットトランジスタ117のゲートは、リセット制御線123を介して垂直走査部153と接続されている。アドレス制御線121及びリセット制御線123は行ごとに設けられている。光電変換部制御線131は、全単位セル151に共通となっている。垂直信号線141は、カラム信号処理部122を介して水平信号読み出し部155と接続されている。カラム信号処理部122は、相関2重サンプリングに代表される雑音抑圧信号処理及びアナログ/デジタル変換等を行う。本実施形態の固体撮像素子1における単位セル151の構成を示す断面図を図3に示す。単位セル151では、図3に示すように、シリコンからなる半導体基板31に増幅トランジスタ113、選択トランジスタ115及びリセットトランジスタ117が形成されている。増幅トランジスタ113は、ゲート電極41と、ドレインである拡散層51と、ソースである拡散層52とを有し、光電変換膜45に光が入射することで発生した光電荷に応じた信号を垂直信号線141に読み出させる。選択トランジスタ115は、ゲート電極42と、ドレインである拡散層52と、ソースである拡散層53とを有している。増幅トランジスタ113のソースと選択トランジスタ115のドレインとは、共通の拡散層52である。リセットトランジスタ117は、ゲート電極43と、ドレインである拡散層54と、ソースである拡散層55とを有している。拡散層51と拡散層54とは素子分離領域33により分離されている。リセットトランジスタ117は、増幅トランジスタ113のゲートつまり単位セル電極画素電極46の電位をリセット初期化する。半導体基板31の上には、単位セル151の各トランジスタを覆うように絶縁膜35が形成されている。絶縁膜35の上には光電変換部111が形成されている。光電変換部111は、半導体基板31の上方に形成され、単位セル電極46及びこれに対向する透明電極47との間に挟まれたアモルファスシリコン等からなる光電変換膜45と、光電変換膜45の下面光電変換膜45の半導体基板31側の面に形成された単位セル電極46と、光電変換膜45の上面光電変換膜45の単位セル電極46と反対側の面に形成された透明電極47とを有している。単位セル電極46は、コンタクト36を介して増幅トランジスタ113のゲート電極41及びリセットトランジスタ117のソースである拡散層54と接続されている。単位セル電極46と接続された拡散層54は蓄積ダイオードとして機能する。上記構造の固体撮像素子1に被写体からの光が入射すると、光が光電変換膜45に吸収され、吸収された光量に応じた正孔電子対光電荷が発生する。透明電極47に正電圧を印加した場合は、発生された正孔電子対のうちの電子は透明電極47側に移送され、透明電極47と接続された電源図示せずに流れる。一方、正孔は拡散層54側に移送されここに蓄積される。なお、本実施形態の固体撮像素子1では、例として透明電極47に正電圧を印加し、正孔をキャリアとして記載しているが、透明電極47に負電圧を印加し、電子をキャリアとしても良い。ここで、光入射によって光電変換膜45内で発生する正孔電子対は、この光電変換膜45内で再結合する場合がある。そこで、本実施形態の固体撮像素子1では、単位セル電極46と透明電極47との間に所望の制御電圧感度可変用電圧を印加する手段としての配線光電変換部制御線131が設けられる。この配線を通して、図1に示す印加電圧制御部12が単位セル電極46と透明電極47との間の感度可変用電圧を調整し、光電変換膜45内における電位勾配が制御される。これにより、正孔電子対に電離した正孔が単位セル電極46に、電子が透明電極47に速やかに移動して再結合が抑制され、電位勾配の制御によって固体撮像素子1の感度調整が可能となる。本実施形態の撮像装置は、上記構造の固体撮像素子1を用い、さらに露出補正制御部13によって、電子シャッタ駆動部11と印加電圧制御部12とを協働して制御することで、露出調節露出補正をすることができる。例として、本実施形態の撮像装置を用いた露出調節の駆動方法を図4に示す。例えば、Frameフレーム1の電荷蓄積及びその電荷の読み出しを終えてFrame2の電荷蓄積及びその電荷の読み出しに移行する際に、図4のt2で固体撮像素子1に印加される感度可変用電圧、つまり光電変換部制御線131に印加される感度可変用電圧のみが印加電圧制御部12より変化される。これによって、電荷蓄積時間を変化させずに、つまり図4のt1~t2の電荷蓄積時間156と図4のt2~t3の電荷蓄積時間157とを同じにして、固体撮像素子1の蓄積電荷量を制御して露出調節できる。また、Frame3の電荷蓄積及びその電荷の読み出しにおいて、電子シャッタ駆動部11により電子シャッタ位置を図4のt3からt4変化させる。これによって、電荷蓄積時間を変化させて、つまりt3~t5の電荷蓄積時間を図4のt4~t5の電荷蓄積時間158に変化させて、固体撮像素子1の蓄積電荷量を制御して露出調節できる。本実施形態に係る撮像装置が実行する図4の駆動方法を用いた露出補正制御部13による露出補正処理の処理手順を示すフローチャートを図5に示す。露出補正開始の後に、ステップS1において、得られた撮像画像データの出力値と、所望の標準露出設定値との差分を示す差分データを算出する。ここで、標準露出設定値は任意に設定できる値である。次に、ステップS2において、得られた差分データが、所定の設定範囲内設定値以下であるか否かを判定する。得られた差分データが所定の設定範囲内であると判定された場合ステップS2でYES、得られた撮像画像データが出力される。次に、ステップS2において得られた差分データが所定の設定範囲内でないと判定された場合ステップS2でNO、ステップS3に進み、得られた差分データが固体撮像素子1によって感度補正が可能な範囲内であるか否かを判定する。次に、得られた差分データが感度補正可能な範囲内である場合ステップS3でYES、ステップS4に進み、印加電圧制御部12により、撮像画像データの出力値が標準露出設定値に近づく様に差分が少なくなる様に、固体撮像素子1の光電変換部制御線131に印加される感度可変用電圧を制御する。次に、得られた差分データが感度補正可能な範囲内でない場合ステップS3でNO、ステップS5に進み、印加電圧制御部12により、撮像画像データの出力値が標準露出設定値に近づく様に、固体撮像素子1の光電変換部制御線131に印加される感度可変用電圧を制御する。次に、ステップS6に進み、ステップS5で変化された感度可変用電圧を印加電圧標準設定値にセットする。この印加電圧標準設定値は任意に設定できる値である。次に、ステップS7に進み、電子シャッタ駆動部11により、固体撮像素子1の電子シャッタのタイミングリセットトランジスタ117が導通状態になるタイミングを調節し、撮像画像データの出力値が標準露出設定値に近づく様に制御する。次に、ステップS4またはステップS7の後に、ステップS8に進み、撮像画像データの出力値と標準露出設定値との差分が所定の設定範囲内設定値以下であるか否かを判定する。差分が所定の設定範囲内である場合ステップS8でYES、この撮像画像データを出力する。差分が所定の設定範囲内でない場合ステップS8でNO、露出補正を初めからやり直す。なお、図5で示したステップS5、S6、S7のフロー順番は、別の順番で並べられても良く、更には同時でも良い。また、ステップS6は、場合によっては必須ではない。一般的な電子シャッタ機能による露出補正の結果の一例を図6Aに示し、図5の処理手順による露出補正の結果の一例を図6Bに示す。ここで、図5のステップS4、S5、S6、S7と、図6BのステップS4、S5、S6、S7とはそれぞれ対応している。一般的な電子シャッタ機能による露出補正では、被写体の環境が高輝度に変化していく際に、その高輝度時の撮像画像データの出力値つまり出力データVhighを標準露出設定値に近づけるために、図6Aに示すp7、p6、p5、p4、p3、p2、p1と順次電子シャッタ位置を連続的に変化させて露出補正を行う。そのため、1Frame毎に動解像度が変化するというような非常に見苦しい画面になることがある。これに対して、図5の露出補正では、ステップS4及びS5においては、印加電圧制御部12によって感度を連続的に調節して補正を行う。そして、ステップS6及びS7においては、印加電圧を標準設定値にセットし、電子シャッタ駆動部11によって電子シャッタ位置を調節して補正を行う。具体的には、図6Bに示すように、p7、p5、p3と順次電子シャッタ位置を変化させることで露出補正を行う。しかし、p7からp5、p5からp3へ電子シャッタ位置を変化させる際は、ステップS4及びS5を経ているため、p4とp6の電子シャッタ位置をスキップでき、電子シャッタ位置が連続的に変化することを回避できる。よって、図5の露出補正では、一般的な露出補正と比較して、電子シャッタ位置を連続的に変化させる必要がなくなるため、動解像度の変化を格段と抑えることができる。以上、図面を用いて説明したように、本発明の実施形態に係る撮像装置は、電圧を印加すると感度が変化することを特徴とする固体撮像素子1と、固体撮像素子1に光が入射することで発生した光電荷の蓄積時間を制御する電子シャッタ駆動部11と、固体撮像素子1に感度可変用電圧を印加する印加電圧制御部12と、固体撮像素子1の出力レベルを検出するシステム制御部10と、システム制御部10の出力に基づいて電荷蓄積時間と感度可変用電圧とを制御する露出補正制御部13とを備える。そして、露出補正制御部13は被写体の明るさに応じて、固体撮像素子1に加える印加電圧と電子シャッタの駆動を調節するためのものであり、固体撮像素子1に加える感度可変用電圧によって感度を調節することにより、電子シャッタを連続的に変化させることなく露出補正を実現することができる。また、本発明の実施形態に係る撮像装置は、システム制御部10の出力に応じて電荷蓄積時間を一定としたまま感度可変用電圧を変化させる第一の駆動モードと、システム制御部10の出力に応じて電荷蓄積時間と感度可変用電圧とを変化させる第二の駆動モードとを切り換え、固体撮像素子1から出力される画像信号を制御する露出補正制御部13を備える。これにより、動解像度の不自然な変化を抑えた露出補正が可能となる。なお、図6A及び図6Bでは、例として、高輝度時から出力を下げていき、標準露出設定値に近づくように露出補正を行っているが、低輝度時から出力を上げていき、標準露出設定値に近づくように露出補正を行ってもよい。また、本発明の実施形態に係る固体撮像素子1は感度が可変する、いわゆる感度可変型固体撮像素子であれば、構造が図2及び図3に限定されるものではない。例えば、図2及び図3の固体撮像素子1では、例えばアモルファスシリコン等の光電変換膜45を用いた感度可変素子を用いているが、光電変換膜45への許容印加電圧が更に高く、感度可変範囲の広い例えばアモルファスセレン等の光電変換膜45を用いてもよい。このような固体撮像素子1を用いることで、印加電圧による感度可変範囲が更に広くなり、例えば図7に示す様に、高輝度時の出力データVhighを標準露出設定値に近づける際に、p7からp4に電子シャッタ位置を変更するのみで良く、動解像度の変化をより一層抑えた露出補正を実現することができる。また、図2及び図3の固体撮像素子1では、単位セル151は、MOS型イメージセンサで用いられる3トランジスタ構成の信号読出回路を例として図示しているが、4トランジスタ構成の信号読出回路としてもよい。また、図2及び図3の固体撮像素子は、信号読出手段として従来のMOS型イメージセンサで用いる3トランジスタ構成や4トランジスタ構成の信号読出回路を用いたが、信号読出手段として、従来のCCD型イメージセンサで用いるレジスタでなる電荷転送路を用いる構成としても良い。また、信号電荷蓄積部をダイオードで構成したが、キャパシタで信号電荷蓄積部を構成することも可能である。また、CCD型の固体撮像素子を用いてもよい。第2の実施形態本発明の第2の実施形態の撮像装置は、固体撮像素子1の構成が第1の実施形態の撮像装置と異なる。図8を用いて、本実施形態に係る固体撮像素子1の詳細を説明する。本実施形態に係る固体撮像素子1の構成を示す回路図を図8に示す。なお、図8において、単位セル151は2行2列分だけを記載しているが、行数及び列数は任意に設定してよい。本実施形態の固体撮像素子1は、図8に示すように、ゲートが定バイアス制御線146を介して定バイアス電源145と接続された定バイアストランジスタ144を単位セル151がさらに有するという点で第1の実施形態の固体撮像素子1と異なる。定バイアストランジスタ144は光電変換膜45単位セル電極46に接続され、増幅トランジスタ113のゲート及びリセットトランジスタ117のドレインと接続されている。第1の実施形態の構成で、動解像度の変化を抑えた露光補正が可能となるが、この構成によりさらに動解像度の変化を抑えることができる。その理由について以下で詳述する。第1の実施形態の固体撮像素子1を駆動中の光電変換部111のポテンシャル図を図10に示す。例えば、キャリアを電子とした場合、光電変換膜45で発生した電子は、透明電極47と単位セル電極46との間に発生する電位勾配に従って、拡散層54に蓄積される。拡散層54に電荷が蓄積されると、図10に示すように拡散層54の電位が下がるため図10では上へ移行するため、単位セル電極46と透明電極47との間に発生する電位勾配が緩やかになる。従って、光電変換膜45に加わる電圧が下がる、つまり、固体撮像素子1を駆動中に、光電変換膜45に加わる電圧が変化する。また、第1の実施形態の固体撮像素子1の光電変換膜45の光電変換特性例を図9に示す。図9に示すように、光電変換膜45の印加電圧が変化すると、光電変換特性が変化する、つまり固体撮像素子1を駆動中に、光電変換膜45に加わる電圧が変化すると光電変換効率が変化する領域Xや領域Zがある。よって、領域Yのみでなく、領域Xや領域Zを用いて固体撮像素子1を駆動する際に、駆動中も光電変換膜45に加わる電圧を一定に保つ、つまり光電変換特性を一定に保つ必要が出てくる。そこで、単位セル151を、定バイアストランジスタ144を加えた構成とすることで、固体撮像素子1を駆動中の光電変換効率の変動を抑制することができる。定バイアストランジスタ144に定バイアス電源145から、定バイアス制御線146を介して一定のバイアスを加えることで、蓄積部拡散層54の電位が一定に保たれるため、信号が蓄積されても単位セル電極46の電位を一定に保つことができ、光電変換膜45に加わる電圧を一定に保つことができる。よって、固体撮像素子1に印加する感度可変用電圧の可変範囲を広くすることができ、上記第1の実施形態に比べ、さらに動解像度の変化を抑えて露出補正をすることができる。なお、本実施形態の固体撮像素子1において、定バイアス制御線146は、定バイアス電源145と定バイアストランジスタ144のゲートとを接続するものであれば図8の構成に限定されない。第3の実施形態本発明の第3の実施形態に係る撮像装置ビデオカメラの構成を示す機能ブロック図を図11に示す。本実施形態の撮像装置は、システム制御部10の出力に応じて定バイアス電源145の電圧を変化させるバイアス印加電圧制御部16をさらに備えるという点で第2の実施形態の撮像装置と異なる。露出補正制御部13は、システム制御部10で検出された出力レベルに基づいてバイアス印加電圧制御部16を制御して定バイアス電源145の電圧を変化させる。第2の実施形態の構成で、動解像度の変化を抑えて露出補正をすることができるが、この構成によりさらに動解像度の変化を抑えて露出補正をすることができる。本実施形態の撮像装置は、定バイアストランジスタ144に接続された定バイアス電源145が供給する電圧を可変とすることで、光電変換膜45に加わる電圧を制御することができる。バイアス印加電圧制御部16を印加電圧制御部12と併用することで、光電変換膜45に加える感度可変用電圧の範囲が更に広くなる構成となり、動解像度の変化をより一層抑えた露出補正を実現することができる。比較例以下、図12及び図13を参照に本発明の実施形態の比較例に係る撮像装置について説明する。本比較例に係る撮像装置が備える固体撮像素子の回路構成図を図12に示す。この固体撮像素子では、光電変換部210にて光電変換された信号は、垂直走査部213によって選択された単位セル212の選択トランジスタ217を通って出力アンプ218に出力される。出力アンプ218で増幅された信号は、読み出し制御線211を介して供給される読み出し信号によって制御される読み出しトランジスタ216を通って出力される。また、出力アンプ218にて増幅された信号は、必要に応じて、リセット制御線214を介して供給されるリセット信号によって制御されるリセットトランジスタ215を通ってリセットされる。この読み出し信号とリセット信号とを調節することで、上記の電子シャッタ動作による露出調節が行われる。なお、選択トランジスタ217は、垂直制御線219を介して供給される選択信号によって制御される。本比較例に係る撮像装置の電子シャッタ動作の駆動方法を示すタイミングチャートを図13に示す。本比較例に係る撮像装置では、図13より、単位セル212へ入力される読み出し信号とリセット信号との位相をずらすことにより電荷蓄積時間223を制御することができる。しかし、本比較例に係る撮像装置は、Frame2で行われているように、露出調整のためにリセット信号のパルス位置をt2からt3に変更すると、Frame2の期間内の電荷蓄積時間224図13のt3~t4の時間がFrame1の時間内の電荷蓄積時間223図13のt1~t2の時間と比べて相対的に短くなるt1~t2よりもt3~t4が短くなる。その結果、光電変換部210で発生し、選択トランジスタ217を通って出力アンプ218で増幅され、図13のt2~t3の不要電荷蓄積時間225に蓄積された電荷は、読み出しトランジスタ216を経由して映像出力されず、リセットトランジスタ215を経由してリセットされるため、動画撮影時に動きのある被写体が不連続に映像出力される。よって、従来の電子シャッタ機能を露出補正として用いる場合、特に露光時間を連続して可変にして用いようとすると、それぞれの露光時間における動解像度の差がそのまま画面上に現われ、1Frame毎に動解像度が不自然に変化するという画面劣化が生じる。以上、本発明の撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。