第1の工程において、溶媒L1及び溶媒L2からの混合物中のシリコーン化合物S又は出発シリコーン化合物SAからの溶液又は懸濁物を形成する、第2の工程において、前記溶液又は懸濁物を成形する、第3の工程において、溶媒L1及び溶媒L2からの混合物中でシリコーン化合物Sが溶解性でなくなるまで、溶媒L1を前記溶液又は懸濁物から除去し、その際、シリコーン化合物Sが豊富な相A及びシリコーン化合物Sが乏しい相Bが形成され、これによって、この相Aを通じて構造形成が行われる、そして第4の工程において、溶媒L2及び残分の溶媒L1を除去する、その際、シリコーン化合物Sが出発シリコーン化合物SAから形成される場合には、これは、第1、第2及び第3の工程から選択される一又は複数の工程において起こるシリコーン化合物Sからの薄い多孔質成形体を製造する方法。シリコーン化合物S及び出発シリコーン化合物SAが、構造Si-O-Siの純粋なシロキサン、構造Si-R′′-Siのシルカルバン[式中、R′′は、場合によって置換されたか又はヘテロ原子で中断された、二価の炭化水素基である]を意味するか、又は有機ケイ素基を有するコポリマーである、請求項1記載の方法。出発シリコーン化合物SAが、一般式I[式中、Rは、酸素原子又は窒素原子によって中断されていてよい、置換されたか又は非置換の炭化水素基である、Zは、架橋可能な基である、aは、0、1、2又は3、好ましくは1又は2の値を意味する、そしてbは、0、1、2又は3、好ましくは0、1又は2、特に好ましくは0の値を意味する、但し、abからの合計は3以下であり、一分子につき少なくとも2つの基Zが存在している]の単位を有する有機ケイ素化合物である、請求項1又は2記載の方法。シリコーン化合物Sがコポリマーである、請求項1記載の方法。シリコーン化合物Sが、一般式III[式中、構造要素Eは、一般式IVa-fから選択される構造要素Fは、一般式Va-fから選択されるここで、R3は、Rの意味合いを有する、RHは、水素又はRの意味合いを有する、Xは、相互に隣接していないメチレン単位が-O-基により置換されていてよい、1~20個の炭素原子を有するアルキレン基、又は、6~22個の炭素原子を有するアリーレン基を意味する、Yは、場合によってフッ素又は塩素により置換されている、1~20個の炭素原子を有する二価の炭化水素基を意味する、Dは、場合によってフッ素、塩素、C1~C6-アルキル-又はC1~C6-アルキルエステル置換したアルキレン基であって1~700個の炭素原子を有するもの、この場合に、相互に隣接していないメチレン単位は-O-、-COO-、-OCO-又は-OCOO-基により置換されていてよい、又は、6~22個の炭素原子を有するアリーレン基、を意味する、B、B′は、ポリマーに共有結合している、反応性又は非反応性の末端基を意味する、mは、1~4000の整数を意味する、nは、1~4000の整数を意味する、gは、少なくとも1の整数を意味する、hは、0~40の整数を意味する、iは、0~30の整数を意味する、そしてjは、0より大きい整数を意味する]のオルガノポリシロキサン/ポリ尿素/ポリウレタン/ポリアミド又はポリオキサリルジアミンコポリマーである、請求項4記載の方法。1barでの溶媒L1の沸点が、溶媒L2の沸点よりも少なくとも30°Cより低い、請求項1から5のいずれか1項記載の方法。第3の工程において溶媒L1が、第4の工程において溶媒L2が、蒸発により、成形される溶液又は懸濁物から除去される、請求項1から6のいずれか1項記載の方法。第4の工程において溶媒L2及び残分の溶媒L1が、更なる溶媒を用いた抽出により、成形される溶液又は懸濁物から除去される、請求項1から6のいずれか1項記載の方法。請求項1から8のいずれか1項記載の方法により製造可能な、シリコーン化合物Sからの薄い多孔質成形体。膜としての請求項9記載の成形体の使用。