FPDデバイスを製造するためのマスクブランクであって、ガラス基板と、前記ガラス基板に接して形成された、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性の透光性膜と、前記透光性膜に接して形成された半透光膜又は遮光膜であり、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料で形成された金属シリサイド系膜とを備え、前記金属シリサイド系膜は、フッ化水素アンモニウム、フッ化アンモニウムおよびフッ化ホウ素酸から選ばれる1以上のフッ素化合物と酸化剤とを混合した水溶液であるエッチング液を用いたウエットエッチングによりパターニングされる膜であり、前記透光性膜は、前記金属シリサイド系膜をウエットエッチングするときに使用される前記エッチング液に対してエッチング選択性を有する材料で形成された膜であることを特徴とするマスクブランク。前記透光性膜は、膜厚が20~500オングストロームであることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記透光性膜は、弗化カルシウム、弗化マグネシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウム-スズ、酸化スズ-アンチモン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、弗化リチウムのうちから選ばれる一又は二以上を含む材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記透光性膜は、弗化カルシウム、弗化マグネシウム、酸化スズ-アンチモン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、弗化リチウムのうちから選ばれる一又は二以上を含む材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記金属シリサイド系膜は、モリブデンと珪素とを含むモリブデンシリサイド系材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記透光性膜は、クロム膜又は酸化クロム膜であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記ガラス基板は、合成石英からなることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。前記金属シリサイド系膜は、半透光膜であり、前記金属シリサイド系膜上にクロムを含有する材料で形成された遮光膜を備えることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク。請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランクを用い、前記金属シリサイド系膜を、ウエットエッチングによってパターニングして製造されたことを特徴とするFPDデバイスを製造するためのフォトマスク。請求項8に記載のマスクブランクを用い、前記遮光膜と前記金属シリサイド系膜を、それぞれウエットエッチングでパターニングして製造されたことを特徴とするFPDデバイスを製造するためのフォトマスク。FPDデバイスを製造するためのフォトマスクであって、ガラス基板と、前記ガラス基板に接して形成され、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性の透光性膜と、前記透光性膜に接して形成され、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料からなり、エッチング液を用いたウエットエッチングによってパターニングされている遮光膜とを備え、前記透光性膜は、前記遮光膜のウエットエッチングに使用するエッチング液に対してエッチング選択性を有する材料で形成され、前記遮光膜がパターニングで除去されたガラス基板上の領域にも残存しており、前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウム、フッ化アンモニウムおよびフッ化ホウ素酸から選ばれる1以上のフッ素化合物と酸化剤とを混合した水溶液であることを特徴とするフォトマスク。FPDデバイスを製造するためのフォトマスクであって、ガラス基板と、前記ガラス基板に接して形成され、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性の透光性膜と、前記透光性膜に接して形成され、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料からなり、エッチング液を用いたウエットエッチングによってパターニングされている半透光膜と、前記半透光膜上に形成され、クロムを含有する材料からなり、パターニングされている遮光膜とを備え、前記透光性膜は、前記半透光膜のウエットエッチングに使用したエッチング液に対してエッチング選択性を有する材料で形成され、前記半透光膜がパターニングで除去されたガラス基板上の領域にも残存しており、前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウム、フッ化アンモニウムおよびフッ化ホウ素酸から選ばれる1以上のフッ素化合物と酸化剤とを混合した水溶液であることを特徴とするフォトマスク。LSI用マスクは、マイクロプロセッサ、半導体メモリ、システムLSIなどの半導体デバイスを製造するためのフォトマスクであり、最大でも6インチ角程度と相対的に小型である。そのため、ステッパショット-ステップ露光方式による縮小投影露光装置に搭載されて使用されることが多い。また、LSI用マスクでは、レンズ系による色収差排除及びそれによる解像性向上の観点から、単色の露光光が使用される。近年、LSI用マスクでは、露光波長で決定される解像限界を打破すべく、露光波長の短波長化が図られている。この単色の露光波長の短波長化は、超高圧水銀灯のg線436nm、i線365nm、KrFエキシマレーザ248nm、ArFエキシマレーザ193nmへと進行してきている。また、LSI用マスクを製造するための小型マスクブランクにおいては、高いパターン寸法精度が必要であるため、ドライエッチングによって、薄膜のパターニングが施される。これに対し、FPDフラットパネルディスプレイ用大型マスクは、例えば330mm×450mmから1220mm×1400mmと相対的に大型である。そのため、ミラープロジェクションスキャニング露光方式による、等倍投影露光方式やレンズを使ったレンズプロジェクション方式の露光装置に搭載されて使用されることが多い。これらの露光装置においては、コスト面及びスループットを重視して、超高圧水銀灯のi~g線の広い帯域を利用した多色波露光が行われる。また、FPD用大型マスクを製造するための大型マスクブランクにおいては、LSI用マスクと同程度の非常に高いパターン寸法精度を重視するよりも、むしろコスト面及びスループットを重視して、エッチング液エッチャントを用いたウエットエッチングによって、薄膜のパターニングが施される。ここで、本願発明者は、FPDデバイスを製造するためのマスクブランクFPD用マスクブランクの半透光膜や遮光膜として、金属シリサイド系材料で形成された金属シリサイド系膜を用いることを検討した。金属シリサイド系膜は、基板に対する密着性がよく、耐薬品性が高い。また、半透光膜や遮光膜として多色波露光の帯域の露光光に対して良好な光学特性を有している。しかし、FPD用マスクブランクに用いた場合には、以下の問題点1、2があることが判明した。1金属シリサイド系膜をエッチングするためのエッチング液により基板がダメージを受けるおそれがある。金属シリサイド系膜用のエッチング液としては、例えば、弗化水素アンモニウム等の水溶液が用いられる。この場合、例えば基板がガラス基板であると、基板表面にダメージが発生し、表面粗さが荒れたり、透過率が低下する問題がある。このような問題は今後のFPD用大型マスクブランク及びマスクの高品質化の障害となることが判った。また、基板がソーダライムガラス等の基板の場合、この問題に加え、基板表面に白濁が生じて透過率が更に低下する問題があることが判った。これらの理由は、金属シリサイド系膜用のエッチング液弗化水素アンモニウム等は、ガラス基板に対してエッチング作用を持っており、比較的長い時間、エッチング液がガラス基板表面に接触すると、これらの問題が顕在化するためであると考えられる。尚、Cr系材料をパターニングする際にエッチング液として使われる硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液は、ガラス基板に対してエッチング作用を持っていない。そのため、このような問題は生じない。2十分なパターン寸法精度が得られないおそれがある。上述したように、近年、LSIマスクの分野において、金属シリサイド系膜と同様の構成の膜は、ドライエッチング専用の膜として開発が進められている。そのため、金属シリサイド系膜をウエットエッチングでパターニングすることについては十分な研究が進められていない。従って、例えば特許文献2、3に開示されている膜をそのままFPD用マスクブランクに用いたとしても、ウエットエッチングにより十分なパターン寸法精度でパターニングすることは困難である。例えば、特許文献2、3に開示されている膜をそのままFPD用マスクブランクの半透光膜や遮光膜として使用し、弗化水素アンモニウム等の水溶液によるウエットエッチングを適用した場合、断面形状が悪くなることが判明した。また、その結果、パターン寸法精度は、例えばクロム系材料の膜をパターニングした場合と比べ低下してしまう。そのため、金属シリサイド系膜をウエットエッチングでパターニングした場合には、十分なパターン寸法精度が得られないおそれがある。このようなパターンの断面形状の悪化や、パターン寸法精度の悪化は、パターン線幅均一性CD精度の低下につながり、大型マスクを使ってFPDデバイス液晶表示装置等を作製したときに、表示むらが発生する原因となる。そのため、このような問題は今後のFPD用大型マスクブランク及びマスクの高品質化の障害となるおそれがある。そこで、本発明は、上記の課題を解決できるマスクブランク及びフォトマスクを提供することを目的とする。上記目的の下、本願発明者は鋭意研究を行い、本願発明に至った。本願発明は、以下の構成を有する。構成1FPDデバイスを製造するためのマスクブランクであって、透光性の基板と、基板上に形成された、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性の透光性膜と、透光性膜上に形成された半透光膜又は遮光膜であり、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料で形成された金属シリサイド系膜とを備え、金属シリサイド系膜は、ウエットエッチングによりパターニングされる膜であり、透光性膜は、金属シリサイド系膜とエッチング選択性を有する材料の膜である。金属シリサイド系材料とは、例えば、金属シリサイド、又は金属シリサイドに添加元素を添加した材料である。このように構成すれば、金属シリサイド系膜をウエットエッチングするためのエッチング液から基板を保護できる。そのため、エッチング液により基板がダメージを受けることを防ぐことができる。また、これにより、上記1の課題を解決できる。また、このような透光性膜を設けることにより、例えば、基板に影響を与えることなく、金属シリサイド系膜のオーバーエッチングを適切に行うことができる。これにより、金属シリサイド系膜の断面形状における裾引きを少なくできるため、断面形状が立ち、良好になる。そのため、このように構成すれば、金属シリサイド系膜のウエットエッチングにおけるパターン寸法精度を向上させることができる。また、これにより、上記2の課題を解決できる。更には、このマスクブランクから作成されるフォトマスクを用いてFPDデバイスを作製した場合に、表示むらの発生を抑えることができる。ここで、透光性膜は、例えば、エッチングストッパー層としての機能を有する膜である。この場合、透光性膜は、金属シリサイド系膜とエッチング選択性を有する材料であって、金属シリサイド系膜をウエットエッチングするためのエッチング液に対して実質的にエッチングされない材料で形成される。また、透光性膜は、金属シリサイド系膜のウエットエッチング時に一部がエッチングされる犠牲層であってもよい。この場合、透光性膜は、金属シリサイド系膜のオーバーエッチングを行った場合にも完全に除去されない膜厚を有することが好ましい。また、透光性膜は、金属シリサイド系膜よりもエッチングレートが遅い材料で形成されることが好ましい。このマスクブランクは、例えば、グレートーンマスク用マスクブランクである。このグレートーンマスクは、遮光膜でグレートーン部を形成するタイプのグレートーンマスクであってもよく、半透光膜でグレートーン部を形成するタイプのグレートーンマスクであってもよい。構成2透光性膜は、弗化カルシウム、弗化マグネシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウム-スズ、酸化スズ-アンチモン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、弗化リチウムのうちから選ばれる一又は二以上を含む材料で形成される。これらの材料は、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性が高く、かつ金属シリサイド系膜をウエットエッチングするためのエッチング液に対して実質的にエッチングされない。そのため、このように構成すれば、透光性膜を適切に形成できる。尚、透光性膜の材料としてAl2O3を用いる場合、透光性膜の加熱によりアルミを十分に酸化させることが好ましい。これにより、透光性膜のエッチング耐性を高めることができる。構成3金属シリサイド系膜は、モリブデンと珪素とを含むモリブデンシリサイド系材料で形成される。このように構成すれば、フォトマスク製造時の耐薬品性耐酸性が高く、成膜時の欠陥発生が少ないので好ましい。構成4透光性膜は、窒化金属膜である。このように構成すれば、基板との付着性もよく、透光性膜を適切に形成できる。構成5透光性膜は、窒素及び炭素の少なくとも一方を添加元素として添加した金属シリサイドで形成される。このように、半透光膜や遮光膜と同じ金属シリサイド系材料で形成すれば、成膜しやすく、半透光膜や遮光膜との付着性もよくなるので好ましい。尚、このように構成した場合、半透光膜又は遮光膜だけでなく、透光性膜もシリサイド系材料で形成されることとなる。この場合、透光性膜を、半透光膜又は遮光膜よりエッチング速度の遅いシリサイド系材料で形成することが好ましい。構成6透光性膜は、クロム膜又は酸化クロム膜である。このように構成すれば、透光性膜を適切に形成できる。尚、クロム膜Cr膜や酸化クロム膜CrO膜は、厚膜化すると、i線からg線に渡る波長領域の光に対して遮光性の膜となる。そのため、必要な透過率が得られるよう、透光性膜を十分に薄膜化する必要がある。構成7透光性膜は、ダイヤモンド状の炭素膜である。このように構成すれば、透光性膜を適切に形成できる。また、このように構成した場合、透光性膜の熱伝導性を高めることができる。FPD用マスク等の大型のフォトマスクにおいては、露光時に生じる熱により基板に生じる温度分布のむらの影響が大きい。しかし、このように構成すれば、このマスクブランクから作製されるフォトマスクにおいて、基板面内での温度分布を均一化できる。また、これにより、パターン転写の精度を高めることができる。更には、これにより、このフォトマスクを用いて作製されるFPDデバイスの表示むらを抑えることができる。構成8構成1から7のいずれかに記載のマスクブランクを用い、金属シリサイド系膜を、ウエットエッチングによってパターニングして製造されたことを特徴とするFPDデバイスを製造するためのフォトマスク。このように構成すれば、構成1~7と同様の効果を得ることができる。尚、上記の各構成において、FPD用のマスクブランク及びマスクとしては、LCD液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELエレクトロルミネッセンスディスプレイ等のFPDデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。LCD用マスクには、LCDの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、TFT薄膜トランジスタ、特にTFTチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンTFT、カラーフィルタ、反射板ブラックマトリクス等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ELエレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。本発明によれば、上述した課題1、2の双方の改善を図ったマスクブランク及びフォトマスクを提供できる。以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るマスクブランク10の構成の第1の例を示す。マスクブランク10は、FPDデバイスを製造するためのマスクブランクである。また、マスクブランク10は、例えば、一辺が330mm以上例えば330mm×450mm~1220mm×1400mmの大型のマスクブランクである。マスクブランク10から製造されるFPD用のフォトマスクは、遮光膜でグレートーン部を形成するタイプのグレートーンマスクであり、例えば、ミラープロジェクションスキャニング露光方式による、等倍投影露光方式やレンズを使ったレンズプロジェクション方式の露光装置に搭載されて使用される。このフォトマスクは、例えば、i線からg線に渡る波長帯域の光を用いた多色波露光用のフォトマスクであり、例えば1μm以下のグレートーンパターンを有する。本例において、マスクブランク10は、基板12、透光性膜14、及び遮光膜16を備える。マスクブランク10は、遮光膜16上に更にレジスト膜を備えてもよい。また、遮光膜16上に、反射防止膜を更に備えてもよい。反射防止膜としては、例えば、酸化された金属シリサイドの膜を用いることができる。基板12としては、例えば、合成石英、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等の基板を用いることができる。多色波露光の露光光や耐薬品性の観点等から、合成石英の基板が特に好ましい。透光性膜14は、i線からg線に渡る波長領域の光に対して透光性の膜である。透光性膜14の透過率は、i線からg線に渡る波長領域の光に対して、例えば80以上、より好ましくは90以上である。透光性膜14の透過率は、基板12の透過率よりも高いことが好ましい。透過率が低い材料で透光性膜14を形成する場合、この透過率を満たす膜厚で透光性膜14を形成することが好ましい。透光性膜14は、例えば、弗化カルシウム、弗化マグネシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウム-スズ、酸化スズ-アンチモン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、弗化リチウムのうちから選ばれる一又は二以上を含む材料で、基板12上に形成される。この場合、透光性膜14の膜厚は、例えば20~500オングストローム、より好ましくは、50~350オングストロームである。好ましい材料は、酸化スズ、酸化インジウム-スズ、酸化スズ-アンチモン、酸化ハフニウムである。これらの材料は、フォトマスク製造時に使われる薬品に対して耐薬品性が良好である。透光性膜14は、窒化金属膜であってもよい。窒化金属膜としては、例えば、SiN膜、TaN膜、CrN膜等を用いることができる。この場合、透光性膜14の膜厚は、例えば、SiN膜の場合、20~200オングストローム、TaN膜やCrN膜の場合、20~50オングストロームである。尚、i線からg線に渡る波長領域の光に対して高い透光性が得られる点で、SiN膜が特に好ましい。透光性膜14は、窒素及び炭素の少なくとも一方を添加元素として添加した金属シリサイドで形成されてもよい。この場合、透光性膜14の膜厚は、例えば20~100オングストローム、より好ましくは、20~50オングストロームである。この透光性膜14としては、例えば、MoSiN膜、MoSiC膜、MoSiON膜、MoSiCO膜、又はMoSiCON膜等を用いることができる。また、上記各膜におけるモリブデンMoをタンタルTa、チタンTi、又はタングステンW等に置換した膜を用いることも考えられる。透光性膜14は、薄膜化したクロム膜Cr膜又は酸化クロム膜CrO膜であってもよい。この場合、透光性膜14の膜厚は、例えば、クロム膜の場合、20~50オングストローム、酸化クロム膜の場合、20~100オングストロームである。透光性膜14は、ダイヤモンド状の炭素膜であってもよい。この場合、透光性膜14の膜厚は、例えば20~50オングストロームである。また、透光性膜14は、例えばCVD法で形成される。透光性膜14は、スパッタリング法で形成されてもよい。遮光膜16は、金属と珪素とを含む金属シリサイド系材料で形成された金属シリサイド系膜であり、透光性膜14上に形成される。遮光膜16は、光学濃度が3以上になる膜厚に形成される。遮光膜16の膜厚は、例えば850~1800オングストロームである。金属シリサイド系膜である遮光膜16としては、例えば、モリブデンシリサイドMoSi、タンタルシリサイドTaSi、チタンシリサイドTiSi、タングステンシリサイドWSiや、これらの酸化物MoSiO等、窒化物MoSiN等、又は酸窒化物MoSiON等の膜等を用いることができる。また、これらの膜の積層膜を用いてもよい。尚、金属と珪素の割合は、適宜変更可能である。例えば、モリブデンシリサイド系の金属シリサイド系膜としては、MoSi膜Mo:Si=50:50原子比、MoSi2膜Mo:Si=33:67原子比、MoSi4膜Mo:Si=20:80原子比等を用いることができる。また、遮光膜16は、ウエットエッチングによりパターニングされる膜である。遮光膜16の少なくとも一部は、グレートーンマスクにおけるグレートーン部となるべき部分であり、大型FPD用露光機の解像限界以下の微細遮光パターン及び微細透過部を有するグレートーンパターンにパターニングされる。遮光膜16のウエットエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、弗化水素アンモニウム、弗化アンモニウム、珪弗化水素酸、弗化ホウ素酸、弗化水素酸等の弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸等の酸化剤とを混合した水溶液等を用いることができる。ここで、本例において、透光性膜14は、遮光膜16のウエットエッチング用のエッチング液に対して耐性を有している。そのため、透光性膜14は、遮光膜16のウエットエッチングによって除去されずに基板12上に残る。これにより、遮光膜16のウエットエッチング用のエッチング液から基板12を適切に保護できる。また、このエッチング液により基板12がダメージを受けることを防ぐことができる。更には、透光性膜14を設けることにより、基板12に影響を与えることなく、遮光膜16のオーバーエッチングを適切に行うことができる。そのため、本例によれば、遮光膜16のウエットエッチングにおけるパターン寸法精度を向上させることができる。また、これにより、マスクブランク10から作成されるフォトマスクを用いてFPDデバイスを作製した場合に、表示むらの発生を抑えることができる。図2は、マスクブランク10の構成の第2の例を示す。本例において、マスクブランク10から製造されるFPD用のフォトマスクは、半透光膜でグレートーン部を形成するタイプのグレートーンマスクである。マスクブランク10は、下置きタイプ先付けタイプのマスクブランクであり、基板12、透光性膜14、半透光膜18、及び遮光膜20を備える。マスクブランク10は、遮光膜20上に更にレジスト膜を備えてもよい。尚、以下に説明する点を除き、図2において図1と同じ符号を付した構成は、図1における構成と同一又は同様のものである。半透光膜18は、膜厚以外は図1を用いて説明した遮光膜16と同一又は同様の金属シリサイド系膜である。半透光膜18は、基板12及び透光性膜14の上に、遮光膜16より先に、遮光膜16の下に形成される。半透光膜18の透過率は、例えば10~60である。半透光膜18の膜厚は、例えば20~100オングストローム、より好ましくは40~60オングストロームである。遮光膜20は、クロム系の材料で形成された遮光膜である。遮光膜20は、クロムCrに酸素、窒素、炭素から選ばれる1以上の添加元素を添加した膜、又はそれらの積層膜であってよい。例えば、遮光膜20は、窒化クロムCrN、炭化クロムCrC、及び酸窒化クロムCrONを基板12側から順に積層させた積層膜である。半透光膜18及び遮光膜20は、それぞれ別のエッチング液を用いてウエットエッチングによりパターニングされる。遮光膜20のウエットエッチング用のエッチング液としては、例えば、クロム系の膜をエッチングするための各種公知のエッチング液を用いることができる。半透光膜18のウエットエッチング用のエッチング液としては、図1を用いて説明した遮光膜16のウエットエッチングに用いるエッチング液と同一又は同様のエッチング液を用いることができる。ウエットエッチングにより、半透光膜18はパターニングされて、グレートーンマスクにおけるグレートーン部となる。本例においても、透光性膜14は、半透光膜18のウエットエッチング用のエッチング液に対して耐性を有している。そのため、透光性膜14は、半透光膜18のウエットエッチングによって除去されずに基板12上に残る。これにより、半透光膜18のウエットエッチング用のエッチング液から基板12を適切に保護できる。また、このエッチング液により基板12がダメージを受けることを防ぐことができる。更には、透光性膜14を設けることにより、基板12に影響を与えることなく、半透光膜18のオーバーエッチングを適切に行うことができる。そのため、本例によれば、半透光膜18のウエットエッチングにおけるパターン寸法精度を向上させることができる。また、マスクブランク10から作成されるフォトマスクを用いてFPDデバイスを作製した場合に、表示むらの発生を抑えることができる。以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。実施例1大型ガラス基板合成石英QZ10mm厚、サイズ850mm×1200mm上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、透光性膜、遮光膜、及び反射防止膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペーススパッタ室に、酸化ハフニウムHfO2ターゲット、及びモリブデンシリサイドMoSi2ターゲットMo:33モル、Si:67モルを各々配置し、まず、最初のスパッタ室において、酸化ハフニウムターゲットに対してArガスをスパッタリングガスとしてHfO2膜の透光性膜を100オングストローム成膜した。次いで、次のスパッタ室において、MoSi2ターゲットに対してArガスをスパッタリングガスとしてMoSi2膜の遮光膜を1000オングストローム成膜した。また、更に、Arガス及びO2ガスをスパッタリングガスとしてMoSi2O膜の反射防止膜を400オングストローム成膜して、FPD用大型マスクブランクを作製した。上記で作製したマスクブランクを用い、洗浄処理純水、常温後、公知のスリットコータ装置特開2005-286232号公報に記載のスリットコータ装置を用いてレジスト液を塗布し、現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、弗化水素アンモニウムと過酸化水素とを混合した水溶液をエッチング液として用いて、反射防止膜及び遮光膜をウエットエッチングでパターニングして、FPD用大型マスクを作製した。このフォトマスクは、5μm幅の通常パターン及び1μm幅のグレートーンパターンを有する。このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察したところ、いずれのマスクパターンについても、断面形状がよく、パターン寸法精度も良好であった。また、このFPD用大型マスクを用いてFPDデバイスを作製し、表示むらを確認したところ、作製したFPDデバイスには表示むらはないことを確認した。更に、このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察及び透過率の測定を行った。上記エッチング液による基板表面のエッチング作用に基づくと思われる基板表面のダメージ、表面粗さの荒れの発生はいずれもなく、透過率の低下も確認されなかった。更に、基板をソーダライムガラスに替えたこと以外は実施例1と同様にして、基板表面の状態を確認した。上記エッチング液によるガラス基板表面のエッチング作用に基づくと思われる基板表面のダメージ、表面粗さの荒れ、基板表面の白濁の発生はいずれもなく、透過率の低下も確認されなかった。比較例1HfO2膜の透光性膜を形成しなかった以外は実施例1と同様にして、比較例1に係るFPD用大型マスクを作製した。このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察したところ、マスクパターンに裾引きが生じ、断面形状が悪化していた。そのため、ウエットエッチングによるパターン寸法精度は不十分であった。また、このFPD用大型マスクを用いてFPDデバイスを作製した。このFPDデバイスにおいては、パターン断面形状やパターン寸法精度が悪いことが原因と思われる表示むらが生じることが確認された。また、表示むらは、1μm幅のグレートーンパターンに対応する領域で特に生じていた。更に、このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察及び透過率の測定を行った。上記エッチング液によるガラス基板表面のエッチング作用に基づくと思われるガラス基板表面のダメージ、表面粗さの荒れの発生が確認され、透過率の低下も確認された。更に、基板をソーダライムガラスに替えたこと以外は実施例1と同様にして、基板表面の状態を確認した。上記エッチング液による基板表面のエッチング作用に基づくと思われるガラス基板表面のダメージ、表面粗さの荒れ、ガラス基板表面の白濁の発生が確認され、透過率の低下も確認された。実施例2大型ガラス基板合成石英QZ10mm厚、サイズ850mm×1200mm上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、透光性膜、半透光膜、及び遮光膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペーススパッタ室に、酸化ハフニウムHfO2ターゲット、MoSi2ターゲットMo:33モル、Si:67モル、及びCrターゲットを各々配置し、まず、最初のスパッタ室において、酸化ハフニウムターゲットに対してArガスをスパッタリングガスとしてHfO2膜の透光性膜を100オングストローム成膜した。次いで、次のスパッタ室において、MoSi2ターゲットに対してArガスをスパッタリングガスとしてMoSi2膜の半透光膜を45オングストローム成膜した。次いで、Crターゲットを用い、遮光膜を成膜した。まず、ArガスとN2ガスをスパッタリングガスとしてCrN膜を150オングストローム、次いでArガスとCH4ガスをスパッタリングガスとしてCrC膜を620オングストローム、次いでArガスとNOガスをスパッタリングガスとしてCrON膜を250オングストローム、連続成膜して、FPD用大型マスクブランクグレートーンマスクブランクを作製した。上記で作製したマスクブランクを用い、洗浄処理純水、常温後、公知の方法により、遮光膜のパターニングを行った。次いで、実施例1の遮光膜のパターニングと同様にして、半透光膜のパターニングして、FPD用大型のグレートーンマスクを作製した。パターニングされた半透光膜は、5μm幅の通常パターンを有する。このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察したところ、いずれのマスクパターンについても、断面形状がよく、パターン寸法精度も良好であった。また、このFPD用大型グレートーンマスクを用いてFPDデバイスを作製し、表示むらを確認したところ、作製したFPDデバイスには表示むらはないことを確認した。更に、基板の状態についても、実施例1と同様に良好であった。基板をソーダライムガラスに替えた場合も同様である。実施例3~7上述の実施例1において、透光性膜として、酸化スズ-アンチモンSnxSbyOz膜膜厚150オングストローム実施例3、窒化珪素SiN膜膜厚170オングストローム実施例4、窒化されたモリブデンシリサイドMoSiN膜膜厚45オングストローム実施例5、酸化クロムCrO膜膜厚80オングストローム実施例6、ダイヤモンド状の炭素ダイヤモンドライクカーボン膜膜厚20オングストローム実施例7とした以外は、実施例1と同様にしてFPD用大型マスクブランク、及びFPD用大型マスクを作製した。このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察したところ、いずれのマスクパターンについても、断面形状がよく、パターン寸法精度も良好であった。また、このFPD用大型マスクを用いてFPDデバイスを作製し、表示むらを確認したところ、作製したFPDデバイスには表示むらはないことを確認した。更に、このFPD用大型マスクを走査型電子顕微鏡SEMで観察及び透過率の測定を行った。上記エッチング液による基板表面のエッチング作用に基づくと思われる基板表面のダメージ、表面粗さの荒れの発生はいずれもなく、透過率の低下も確認されなかった。これは、基板をソーダライムガラスに替えた場合も同様の結果が得られた。以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。