バイポーラトランジスタを含む半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタは、コレクタ領域を含む基板と、前記基板上にエピタキシャル成長で形成されたベース領域と、前記該ベース領域上にポリシリコンによって形成されたエミッタ領域と、を備え、前記エミッタ領域と前記ベース領域との界面において、ポリシリコン膜とSiN膜とでエミッタ窓を形成し、前記SiN膜がベース領域の直上に配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置であって、前記ベース領域はSiGe層であることを特徴とする半導体装置。しかしながら、上記した従来技術のように、ベース116上に極薄酸化膜を形成すると、以降のアニール工程やエミッタ108となるポリシリコンの堆積工程においてTEOSを用いたSiO2膜107の脱水が起こる。脱水によって発生した水分は、ベース116と極薄酸化膜との界面に付着し、極薄酸化膜の厚さを厚くする現象以下、酸化膜厚変動と記すが発生する。酸化膜厚変動が発生すると、ベース116からエミッタ108へのホール注入量が少なくなってベース電流IBが減少する。バイポーラトランジスタの電流増幅率hfeは、ベース電流IBとNSink層113、N層114とエミッタ108との間を流れるコレクタ電流ICとの比IC/IBよって表される。したがって、酸化膜厚変動によってバイポーラトランジスタの電流増幅率hfeを変動させることになる。さらに、酸化膜厚変動によってエミッタの直列抵抗が高くなる。このため、酸化膜厚変動は、バイポーラトランジスタの遮断周波数及び最大周波数ft/fmaxの低下も発生させる。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、バイポーラトランジスタのエミッタ窓における絶縁膜厚の変動をなくし、素子特性が安定した半導体装置を提供することを目的とする。上記した課題を解決するため、本発明の半導体装置は、バイポーラトランジスタを含む半導体装置であって、前記バイポーラトランジスタは、コレクタ領域を含む基板例えば図1に示した基板1と、前記基板上にエピタキシャル成長で形成されたベース領域例えば図1に示したSiGe層126と、前記該ベース領域上にポリシリコンによって形成されたエミッタ領域例えば図2に示したエミッタ108と、を備え、前記エミッタ領域と前記ベース領域との界面において、ポリシリコン膜例えば図1に示したポリシリコン膜106とSiN膜例えば図1に示したSiN膜127とでエミッタ窓例えば図1に示したエミッタ窓120を形成し、前記SiN膜がベース領域の直上に配置されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記した発明において、前記ベース領域はSiGe層であることが望ましい。以上説明した本発明によれば、SiGeエピタキシャル層で形成されるベース領域とエミッタポリシリコンの界面に形成される極薄酸化膜が後に厚膜化することを防ぐことができる。このため、ウェハ面内の極薄酸化膜の厚さがばらつくことによってウェハ上に形成される複数のトランジスタ間の電気的な特性がばらつくことを防ぐことができる。このような本発明によれば、バイポーラトランジスタのエミッタ窓における絶縁膜厚の変動をなくし、素子特性が安定した半導体装置を提供することができる。以下、本発明の一実施形態の半導体装置及びその製造方法について説明する。[バイポーラトランジスタ及びその製造工程]図1a、b、cは、本実施形態の半導体装置であるバイポーラトランジスタ以下、単にバイポーラトランジスタと記すの製造方法を説明するための断面図である。図1aは、エミッタ窓が形成される直前の本実施形態のバイポーラトランジスタの状態を示した断面図である。図示したように、本実施形態では、基板1のバイポーラトランジスタが形成される領域バイポーラトランジスタ領域に、図示しないBuriedN層及びDeepNwell層102が形成される。BuriedN層及びDeepNwell層102の形成によってバイポーラトランジスタ領域にコレクタ領域が形成される。次に、本実施形態では、周知の不純物注入工程によってNSink層113、N層114が形成される。さらに、DeepNwell層102上にSiO2膜118、ポリシリコン膜119がそれぞれ100nm形成される。SiO2膜118、ポリシリコン膜119は、周知の露光、エッチングによってパターニングされる。SiO2膜118、ポリシリコン膜119のパターニング後、パターニングされたSiO2膜118、ポリシリコン膜119上からSiGe層126が84nmエピタキシャル成長される。次に、本実施形態では、SiGe層126上にTEOSを用いたSiO2膜ではなく、シリコン窒化SiN膜127が30nm形成される。さらに、本実施形態では、SiN膜127上にポリシリコン膜106が50nm堆積されて形成される。SiN膜127の堆積は、780度の環境下において、LPCVDLowPressureCVD法によって形成するものとした。また、ポリシリコン膜106の堆積は、640度の環境下においてLPCVDlowpressureCVDによって行われる。次に、本実施形態では、図1bに示すように、エミッタ窓を形成するため、ポリシリコン膜106の一部をエッチングする。ポリシリコン膜106のエッチングによって、一辺の長さがaの矩形のパターンがポリシリコン膜106から除去される。なお、本実施形態では、aの長さを0.24μmとした。続いて、図1cに示すように、SiN膜127から一辺の長さがaの矩形のパターンが除去される。ポリシリコン膜106、SiN膜127のエッチングにより、エミッタ窓120が開口される。なお、SiO2膜のエッチングはフッ酸によって行われていたが、SiN膜127のエッチングは熱燐酸によって行われる。エッチングはウェット、ドライのいずれによっても可能である。エミッタ窓120の開口後、SiGe層126の表面に図示されない1nm程度の極薄酸化膜がRTAによって形成される。RTAは、700度の環境下で60秒程度行われる。その後、エミッタを形成するためにポリシリコン膜180を250nm形成し、エッチングによってパターニングする。この時、エッチングのレジストマスク上に反射防止膜TARCTopAntiReflactionCoatを適用することで、ポリシリコン膜180の形状の安定化を図っている。図2は、ポリシリコン膜180のエッチングによってエミッタ108が形成された状態の本実施形態のバイポーラトランジスタを示した図である。ポリシリコン膜180のエッチングにより、エミッタ108内にSiN膜127、ポリシリコン膜106が残る。以上のように、従来技術におけるTEOSを用いたSiO2膜をSiN膜127に代えたことにより、SiGe層126表面の極薄酸化膜の膜厚変動が、ポリシリコン層106の成長や以降のアニール工程において起こらない。このため、本実施形態は、極薄酸化膜の膜厚変動による電流増幅率の変動やft/fmaxの低下を防ぐことができる。[効果]次に、以上説明した本実施形態の効果について説明する。図3は、本実施形態のバイポーラトランジスタと従来のバイポーラトランジスタとで、そのコレクタ電流とベース電流とを比較して示した図である。このような電気的特性は、ガンメル特性とよばれる特性である。図中、ICで示すのは本実施形態のバイポーラトランジスタのコレクタ電流であって、IC’で示すのは従来のバイポーラトランジスタのコレクタ電流である。また、図中、IBで示すのは本実施形態のバイポーラトランジスタのベース電流であって、IB’で示すのは従来のバイポーラトランジスタのベース電流である。図3の横軸はベースエミッタ間に印加された電圧Vbeであり、縦軸は電流値である。図3から明らかなように、本実施形態のバイポーラトランジスタによれば、コレクタ電流ICとコレクタ電流IC’との間に大きな差はみられないものの、ベース電流IBはベース電流IB’に比べて高いことが明らかである。図3によれば、極薄酸化膜が厚くなったことによってベース電流が制限されて電流増幅率hfeの増加変動を招いていることが分かる。図4a、bは、本実施形態のバイポーラトランジスタのSiGe層とエミッタとの界面Aと図4a、従来のバイポーラトランジスタのSiGe層とエミッタとの界面A’のTEMTransmissionElectronMicroscope写真である図4b。界面Aには視認できないほど薄い極薄酸化膜が形成されていて、極薄酸化膜には複数の切れ目が存在している。一方、界面A’の極薄酸化膜は、視認できる程度に厚くなっていて、切れ目が存在していない。図4a、bから、本実施形態のバイポーラトランジスタの界面Aの極薄酸化膜は、従来のバイポーラトランジスタの界面A’の極薄酸化膜よりも薄く、しかも切れ目が存在していることが分かる。次に、極薄酸化膜の厚膜化によってベース電流が制限される理由を、エネルギーバンドを使って説明する。図5は、極薄酸化膜図中には界面酸化膜と記すが比較的厚い場合のバイポーラトランジスタのバンド図である。図5aは電子の振る舞いを示し、図5bはホールの振る舞いを示している。図5に示すように、エミッタとSiGe層界面に比較的厚い1nmより厚い極薄酸化膜があっても、エミッタからコレクタへトンネル現象によって流れる電子への影響はほとんどない。しかし、ホールからエミッタへのホールの流れが極薄酸化膜によって妨げられて、ベース電流が低下する。極薄酸化膜の厚膜化は、TEOSを用いたSiO2膜から脱水された水分によって極薄酸化膜の酸化が進むことによって起こるから、プロセス工程で制御することができず、極薄酸化膜の膜厚のばらつきが発生する。極薄酸化膜の膜厚がばらつくと、同一ウェハ上に形成された複数の素子間で電気特性のばらつきが生じることになる。図6は、本実施形態のバイポーラトランジスタ、すなわち極薄酸化膜の厚さが1nm程度である場合のバイポーラトランジスタのバンド図である。図6aは電子の振る舞いを示し、図6bはホールの振る舞いを示している。図示したように、本実施形態のバイポーラトランジスタによれば、電子、ホール共に極薄酸化膜の影響を受けずにエミッタベース間を流れることができるので、ベース電流の低下が起こらない。このため、同一ウェハ上に形成された複数の素子間の電気特性のばらつきを抑えることができる。例えば、従来のhfeの平均値は300~450程度、標準偏差は100~200程度であったが、平均値が220程度で安定し、標準偏差は50程度へ低減する。ft/fmaxは従来構造に比べて、それぞれ3GHz/10GHz程度向上する。