"式I:式中、R1は、無置換または置換のアルキル基、無置換または置換のシクロアルキル基、無置換または置換の飽和へテロシクロアルキル基、無置換または置換のアルケニル基、無置換または置換のアリール基、および無置換または置換のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;そして、nは、1~15の整数であるで表される1-アルケン、および式II:式中、R2は、無置換のアルキル基または無置換のアリール基からなる群から選ばれるで表されるジシランを、トリフルオロ酢酸パラジウムPdCF32触媒の存在下、酸素雰囲気下で反応させることによる、式III:式中、R1、R2およびnは前掲のとおりであるで表されるアリルシラン類の製造方法。R1がn-ヘプチルであって、nが1である、請求項1記載の製造方法。R2がメチルである、請求項1または2記載の製造方法。式III-Aの化合物と式III-Bの化合物の生成比率が、約90:10以上である、請求項1乃至3のいずれか1項記載の製造方法。触媒量のさらなる酸化剤の存在下で行う、請求項1乃至4のいずれか1項記載の製造方法。前記さらなる酸化剤がモリブドバナドリン酸塩である、請求項5記載の製造方法。さらに、触媒量の、ケトン、ホスフィンおよびスルホキシドからなる群から選ばれる配位子性化合物の存在下で行う、請求項1乃至6のいずれか1項記載の製造方法。前記配位子性化合物が、アセチルアセトンおよびジベンジリデンアセトンからなる群から選ばれる化合物である、請求項7記載の製造方法。式Iで表される1-アルケンの配合量が、式IIで表されるジシランの配合量基準で5~100モル当量である、請求項1乃至8のいずれか1項記載の製造方法。本願発明は、従来反応性が低いと考えられていた単純アルケンである1-アルケンとジシランから、アリルシラン類を製造する方法を提供することにある。本願発明者が鋭意研究した結果、トリフルオロ酢酸パラジウムPdCF32を触媒として使用することにより、単純アルケンである1-アルケンを用いて、酸素雰囲気下でジシランと反応させることにより、高い位置選択性で酸化的アリル位シリル化されたアリルシラン類が得られることを見出した。すなわち、本願発明は以下の通りである。[1]式I:式中、R1は、無置換または置換のアルキル基、無置換または置換のシクロアルキル基、無置換または置換の飽和へテロシクロアルキル基、無置換または置換のアルケニル基、無置換または置換のアリール基、および無置換または置換のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;そして、nは、1~15の整数であるで表される1-アルケン、および式II:式中、R2は、無置換のアルキル基または無置換のアリール基からなる群から選ばれるで表されるジシランを、トリフルオロ酢酸パラジウムPdCF32触媒の存在下、酸素雰囲気下で反応させることによる、式III:式中、R1、R2およびnは前掲のとおりであるで表されるアリルシラン類の製造方法。[2]R1がn-ヘプチルであって、nが1である、[1]記載の製造方法。[3]R2がメチルである、[1]または[2]記載の製造方法。[4]式III-Aの化合物と式III-Bの化合物の生成比率が、約90:10以上である、[1]乃至[3]のいずれか1項記載の製造方法。[5]触媒量のさらなる酸化剤の存在下で行う、[1]乃至[4]のいずれか1項記載の製造方法。[6]前記さらなる酸化剤がモリブドバナドリン酸塩である、[5]記載の製造方法。[7]さらに、触媒量の、ケトン、ホスフィンおよびスルホキシドからなる群から選ばれる配位子性化合物の存在下で行う、[1]乃至[6]のいずれか1項記載の製造方法。[8]前記配位子性化合物が、アセチルアセトンおよびジベンジリデンアセトンからなる群から選ばれる化合物である、[7]記載の製造方法。[9]式Iで表される1-アルケンの配合量が、式IIで表されるジシランの配合量基準で5~100モル当量である、[1]乃至[8]のいずれか1項記載の製造方法。本願発明は、さらに下記の態様の発明を提供するものである。[10]トリフルオロ酢酸パラジウム触媒の使用量が、ジシランの配合量基準で約0.1~0.5モル当量である、[1]乃至[9]のいずれか1項記載の製造方法。[11]反応を、室温から使用する反応溶媒の沸点で行う、[1]乃至[10]のいずれか1項記載の製造方法。本願発明により、従来、反応性が低いため反応基質として用いることが困難であった単純アルケンを用いて有機合成上有用なアリルシラン類を高い位置選択性で製造することができる。以下に、本願発明をさらに詳細に説明する。定義以下に、本明細書および特許請求の範囲中で使用する用語の定義を示す。特に断らなければ、本明細書中の基または用語について示す最初の定義を、個別にまたは別の基の一部として本明細書中の基または用語に適用する。用語1-アルケンとは、式I:で表される化合物であって、末端の1位に二重結合を有し且つR1基で置換された炭化水素基を意味する。ここで、R1は、以下に定義する、無置換または置換のアルキル基、無置換または置換のシクロアルキル基、無置換または置換の飽和へテロシクロアルキル基、無置換または置換のアルケニル基、無置換または置換のアリール基、および無置換または置換のヘテロアリール基からなる群から選ばれる基である。好ましくは、無置換アルキル基または無置換アルケン基が挙げられる。また、nは、メチレン炭素部分の数を表すものであって、1~15の整数を意味し、例えば1~12の整数、2~12の整数、1~10の整数、3~10の整数が挙げられる。1-アルケンの具体的な例としては、1-ブテン、1-ペンテン、4-メチル-1-ペンテン、44-ジメチル-1-ペンテン、1-ヘキセン、5-メチル-1-ヘキセン、4-メチル-1-ヘキセン、1-ヘプテン、1-オクテン、1-ノネン、1-デセン、1-ウンデセン、1-ドデセン、1-トリデセン、1-テトラデセン、1-ペンタデセン、1-ヘキサデセン、4-メトキシ-1-ブテン;4-シクロプロピル-1-ブテン、5-シクロプロピル-1-ペンテン、4-シクロブチル-1-ブテン、4-シクロペンチル-1-ブテン、5-シクロペンチル-1-ペンテン、8-シクロペンチル-1-オクテン、4-シクロヘキシル-1-ブテン、5-シクロヘキシル-1-ペンテン、8-シクロペンチル-1-オクテン、4-シクロヘプチル-1-ブテン、4-4-メトキシシクロヘキシル-1-ブテン;3-ピロリジニル-1-プロペン、4-ピラゾリジニル-1-ブテン、5-イミダゾリジニル-1-ブテン、8-モルホリニル-1-デセン、10-ピロリジニル-1-ドデセン、3-キヌクリジニル-1-プロペン、4-4-エトキシピロリジニル-1-ブテン;14-ペンタジエン、15-ヘキサジエン、16-ヘプタジエン、19-デカジエン、110-ウンデカジエン、111-ドデカジエン;3-フェニル-1-プロペン、4-フェニル-1-ブテン、5-フェニル-1-ブテン、8-フェニル-1-デセン、10-フェニル-1-ドデセン、3-1-ナフチル-1-プロペン、3-2-ナフチル-1-プロペン、10-1-ナフチル-1-ドデセン、4-4-メトキシフェニル-1-ブテン4-アリルアニソール;3-ピリジル-1-プロペン、4-ピリジル-1-ブテン、10-ピリジル-1-ドデセン、3-ピロリル-1-プロペン、4-ピリジル-1-ブテン、4-ピラジニル-1-ブテン、8-ピリミジニル-1-オクテン、4-4-メトキシピリジル-1-ブテンなどを挙げられるが、これらに限定されない。1-デセン、1-オクテン、1-ヘキセン、1-ヘプテン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1,9-デカジエンなどが好ましい。用語ジシランとは、式II:で表される化合物であって、H3SiSiH3で示されるシリコエタン上の全ての水素原子がR2基で置換された化合物を意味する。ここで、R2は、以下に定義する無置換アルキル基または無置換アリール基からなる群から選ばれる。好ましくは、無置換アルキル基である。ジシランの具体的な例としては、ヘキサメチルジシラン、ヘキサエチルジシラン、ヘキサイソプロピルジシラン、ヘキサt-ブチルジシラン、ヘキサフェニルジシランを挙げられ、ヘキサメチルジシランが好ましい。用語アリルシラン類とは、式III:で表される化合物を意味する。式中、R1、R2、nの定義は前掲の通りである。ここで、式IIIの化合物は、α-付加物としての式III-Aで表される化合物及びγ-付加物としての式III-Bで表される化合物を含む。式III-Aで表される化合物が優先的に生成する。式III-Aの化合物と式III-Bの化合物の生成比率は、例えば約90:10以上であって、約95:5以上が好ましい。用語無置換または置換のアルキル基とは、炭素数が1~16個である、直鎖または分枝鎖の炭化水素基を意味する。例えば、炭素数が1~16個、1~13個、1~12個、1~8個、1~7個、1~6個のアルキル基を挙げられる。具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基などが挙げられるが、これらに限定されない。用語無置換または置換のシクロアルキル基とは、炭素数が3~8個である、環状炭化水素基を意味する。炭素数が5~8個、5~7個、5~6個のシクロアルキル基を挙げられる。具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されない。炭素数が1~3個の炭素架橋、縮合環これは、シクロアルキル、飽和へテロシクロ、アリール、ヘテロアリールから選ばれる、またはスピロ環様式で結合した多環式基例えば、二環式基、をも本定義に含む。用語無置換または置換の飽和へテロシクロアルキル基とは、少なくとも1つの環内に、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子から選ばれる少なくとも1つのヘテロ原子を有する、飽和の環式基を意味する。炭素数が1~3個の炭素架橋、縮合環これは、シクロアルキル、飽和へテロシクロ、アリール、ヘテロアリールから選ばれるまたはスピロ環様式、で結合した多環式基例えば、二環式基をも本定義に含む。具体例としては、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基等の単環式ヘテロシクロ基;キヌクリジニル基、2-クロマニル基、2-インドリニル基等の二環式ヘテロシクロ;1-アザ45スピロデカン等のスピロ環などが挙げられるが、これらに限定されない。用語無置換または置換のアルケニル基とは、1個の二重結合を有する炭素数が2~16個である、直鎖または分枝鎖の炭化水素基を意味する。例えば、炭素数が1~16個、1~13個、1~12個、1~8個、1~7個、1~6個のアルケニル基を挙げられる。末端位に二重結合を有する1-アルケニルが好ましい。具体例としては、エテニル、1-プロペニル、1-ブテニル、2-ブテニル、3-ブテニル、2-メチル-1-ブテニル、3-メチル-1-ブテニル、1-ペンテニル、1-ヘキセニル、1-ヘプテニル、1-オクテニル、1-ノネニル、1-デセニル、1-ウンデセニル、1-ドデセニル、1-トリデセニル、1-テトラデセニル、1-ペンタデセニル、1-ヘキサデセニルなどが挙げられるが、これらに限定されない。用語無置換または置換のアリール基とは、芳香族性炭素環式を意味する。縮合環様式で結合した多環式基例えば、二環式基をも本定義に含む。具体例としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の単環式アリール基;フェナントリジニル基、6-クロマニル基、5-イソインドリル基等の二環式アリール基等が挙げられるが、これらに限定されない。用語無置換または置換のヘテロアリール基とは、適宜1~5個の置換基を有する、少なくとも1つの環内に、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子から選ばれる少なくとも1つのヘテロ原子を有する、芳香族性の環式基を意味する。縮合環様式で結合した多環式基例えば、二環式基をも本定義に含む。具体例としては、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、フリル基、チエニル基、オキサジアゾリル基、2-オキサアゼピニル基、アゼピニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基などの単環式へテロアリール基;および、ベンゾチアゾリル基、ベンゾキサゾリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、キノリニル基、キノリニル-N-オキシド基、イソキノリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾピラニル基、インドリジニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、インダゾリル基、ピロロピリジル基、フロピリジニル基例えば、フロ23-cピリジニル基、フロ31-bピリジニル基、またはフロ23-bピリジニル基、ベンジイソチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾジアジニル基、ベンゾチオピラニル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、プリニル基、ピリドピリジル基、キナゾリニル基、チエノフリル基、チエノピリジル基、チエノチエニル基などの二環式ヘテロアリール基等の二環式アリール基等が挙げられるが、これらに限定されない。用語アルコキシ基とは、上記直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基が酸素原子に連結した基を意味する。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられるが、これらに限定されない。前記用語置換のアルキル基、置換のシクロアルキル基、置換の飽和へテロシクロアルキル基、置換のアルケニル基、置換のアリール基および置換のヘテロアリール基における置換基とは、有機化学分野において電子供与性基として知られる基が挙げられる。例えばアミノ基これは、アルキル基、アリール基、またはヘテロアリール基でモノ-、ジ-、トリ-置換されたアミノ基を含む、ヒドロキシ基、アルキル基、およびアルコキシ基からなる群から選ばれる1個以上の基が挙げられるが、これらに限定されない。アルキル基、アルコキシ基が好ましい。具体例としては、前記アルキル基例えば、炭素数が1~6個のアルキル基例えば、メチル基、エチル基、前記アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基などを挙げられる。置換のアルキル基の具体例としては例えば、1-メトキシエチル、1-エトキシ-n-ブチル、1-ジメチルアミノエチルなどが挙げられる。置換のシクロアルキル基の具体例としては例えば、4-メチル-1-シクロヘキシル、4-メトキシ-1-シクロヘキシルなどが挙げられる。置換の飽和へテロシクロアルキル基の具体例としては例えば、4-メチル-1-ピペリジル、2-エチル-4-ピペリジル、4-メトキシ-1-ピペリジル、2-メトキシ-4-ピペリジル、4-ジメチルアミノ-1-ピペリジルなどが挙げられる。置換のアルケニル基の具体例としては例えば、1-メチル-1-ブテニル、3-メチル-1-ブテニル、1-メトキシ-1-ブテニル、3-メトキシ-1-ブテニル、1-ジメチルアミノ-1-ブテニルなどが挙げられる。置換のアリール基の具体例としては例えば、2-,3-,4-トリル、3,4-キシリル、メシチル、2-,3-,4-メトキシフェニル、3-メチル-4-メトキシフェニルなどが挙げられる。置換のヘテロアリール基の具体例としては例えば、4-メチル-1-ピリジル、4-メチル-2-ピリジル、4-メトキシ-2-ピリジル、4-エトキシ-2-ピリジル、4-ジメチルアミノ-2-ピリジルなどが挙げられる。用語トリフルオロ酢酸パラジウムとは、化学式:Pd2で示される二価のパラジウムPd種を活性種である二価のパラジウム種に戻す再酸化するために作用する。酸素雰囲気下とは、常圧1atmまたは加圧条件下約2~50atm、約5~10atmであることを意味する。さらなる酸化剤とは、他の物質を酸化するための物質をいい、具体的には、上記のトリフルオロ酢酸パラジウム触媒由来のゼロ価のパラジウムPd種を活性種である二価のパラジウム種に戻す再酸化するための、酸素以外の物質を意味する。具体例としては、塩化銅、酸化銀、ヘテロポリ酸などが挙げられるが、これらに限定されない。ヘテロポリ酸が好ましい。ここで、ヘテロポリ酸とは、モリブドバナドリン酸HPMoVと略すH3xPMo12-xVxO40nH2Oxは0~4の整数であり、nは10~30の整数であるまたはその塩例えば、NPMoVと略す6H3PMo6V6O40nH2Onは10~30の整数であるを意味し、具体例としては、NPMoV、HPMoV1、HPMoV2、HPMoV3などを含む。用語配位性化合物とは、遷移金属であるパラジウムと配位することが可能な化合物を意味し、ケトン、ホスフィン、およびスルホキシドからなる群から選ばれる化合物、またはそれらの混合物を意味する。ケトンが好ましい。具体例としては、アセチルアセトン、ジベンジリデンアセトンDBA、トリフェニルホスフィン、およびジメチルスルホキシドDMSO等を挙げられ、アセチルアセトン、ジベンジリデンアセトンが好ましい。本願発明の製造方法を以下に詳しく説明する。反応式1式中、R1、R2、およびnは前掲と同じものを意味する本願発明の製造方法は、上記の反応式1に従って、1-アルケンIおよびジシランIIを、トリフルオロ酢酸パラジウムPdCF32触媒の存在下、酸素雰囲気下で反応させることにより、アリルシラン類III-AおよびIII-Bを製造することができる。反応基質である、1-アルケンI、およびジシランIIはいずれも市販されているか、または当該有機化学の分野において知られる方法、或いはこれらに準じた方法により製造することができる。トリフルオロ酢酸パラジウムは、市販されているか、または当該有機金属化学の分野において知られる方法、或いはこれらに準じた方法により製造することができる。1-アルケンの配合量は、ジシランの配合量基準で5~100モル当量で使用することができる。例えば、約10~80モル当量、約10~50モル当量、約20~約50モル当量、約20~約40モル当量を挙げられる。約40モル当量が好ましい。トリフルオロ酢酸パラジウム触媒の使用量は、ジシランの配合量基準で約0.01~0.5モル当量であり、例えば約0.01~0.2モル当量、約0.05~0.2モル当量、約0.1~0.2モル当量が挙げられ、約0.1モル当量が好ましい。該さらなる酸化剤の使用量は、ジシランの配合量基準で約0.005~0.2モル当量であり、例えば約0.01~0.2モル当量、約0.01~0.1モル当量、約0.02~0.05モル当量が挙げられ、約0.02モル当量が好ましい。あるいは、当該使用量は、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒の配合量基準で約0.05~2.0モル当量であり、例えば約0.1~2.0モル当量、約0.1~1.0モル当量、約0.2~0.5モル当量が挙げられ、約0.2モル当量が好ましい。該配位性化合物の使用量は、ジシランの配合量基準で約0.01~0.5モル当量であり、例えば約0.01~0.2モル当量、約0.05~0.2モル当量、約0.1~0.2モル当量が挙げられ、約0.1モル当量が好ましい。あるいは、当該使用量は、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒の配合量基準で約0.5~2.0モル当量であり、例えば約1.0~1.5モル当量、約1.0~1.2モル当量が挙げられ、約1.0モル当量が好ましい。本願発明の反応は有機溶媒中で行なうことが好ましい。反応有機溶媒は特に限定されず、飽和炭化水素例えば、ペンタン、ヘキサン、芳香族炭化水素例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ハロゲン化炭化水素例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、12-ジクロロエタン等が挙げられるが、それぞれ単独でまたは2種以上を混合して用いることができる。芳香族炭化水素が好ましく、例えば、トリフルオロベンゼン、トルエン、メシチレンを挙げられ、トリフルオロベンゼンが好ましい。本願発明の反応は、室温例えば、約20°Cから高温例えば、100°C以上で行なうことができ、通常室温から使用する反応溶媒の沸点であり、室温~約40°Cが好ましい。本願発明の反応は、酸素雰囲気下で行い、常圧1atmまたは加圧容器例えば、市販のステンレス加圧容器中での加圧条件約2~50atm、約5~10atm下で行なうことができ、通常常圧で行なう。また、本願発明の反応時間は、使用する溶媒、反応温度などの反応条件に依存して変わり得るが、数時間~数日間で完結し、通常6時間~約24時間で完結し、約12時間~24時間が好ましい。以下に実施例を挙げて本願発明を更に具体的に説明するが、本願発明はこれら実施例に限定されるものではない。化合物の確認は、各種分光学的分析の解析により行なった。具体的には、一次元プロトン、炭素13核磁気共鳴スペクトル1HNMR、13CNMRおよびDEPT、質量スペクトルMS例えば、ガスクロマトグラフィー質量スペクトルGC-MS、赤外線吸収スペクトルCF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1デセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はHNMR、CNMR、dept、GCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS212M12711399737143参考文献:YTsujietalJournalofOrganicChemistry19935836078フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32、NPMoVを入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1デセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はHNMR、CNMR、dept、GCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS212M12711399737143参考文献:YTsujietalJournalofOrganicChemistry19935836078フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1ヘキセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS156M113734329参考文献:DAEvansetalOrganicLetters2006820712073フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1ヘプテン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS170M12797877343参考文献:NGBhatetalTetrahedronLetters20074842674269フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1オクテン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS184M16911397734329参考文献:SOkamotoetalTetrahedronLetters199334250912フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1ドデセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS240M224127734329参考文献:KItamietalJournaloftheAmericanChemicalSociety200312560586059フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1テトラデセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS268M2531279973574329参考文献:TKSarkaretalTetrahedron461990188598フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1ヘキサデセン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS296M28112773574329フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の19デカジエン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS210M13773554127フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の1ドデカジエン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS238M113735541参考文献:J.MConcellonetalSynlett20077578フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質のアリルベンゼン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS190M11773参考文献:NSelanderetalAngewandteChemieInternationalEdition20104940514053フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の4フェニルブテン、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS204M1317773参考文献:JMConcellonetalSynlett20077578フラスコ内に、回転子、トリフルオロ酢酸パラジウム触媒CF32を入れ溶媒としてトリフルオロトルエンを加えた。続いて、基質の4アリルアニソール、ヘキサメチルジシランを加えた。最後に、添加剤のアセチルアセトンを加えて、酸素雰囲気のもと400C、24時間攪拌を行った。反応終了後、アセトンを加えてクレンチを行った。その後、有機層のみを抽出し、エヴァポレーターで溶媒及び未反応の基質を除去し、展開溶媒としてnヘキサンを用いたシリカゲルカラムで副生成物を除去した。最後にクーゲロールで溶媒を除去し、生成物を得た。生成物はGCMSで同定を行った。定量はGCを用い、内部基準法で行った。生成物の収率:定量的GCMS220M18914713310773参考文献:DAEvansOrganicLetters2006820712073以下に、本願反応の種々の反応条件を変えた場合の結果を示す。反応条件の検討結果を示す。表1同様に、Pd触媒および配位性化合物の条件を変えた場合の結果を示す。表2"