"式Iで表されるカルボニル化合物を、式IIで表されるルテニウム化合物の存在下に水素化することを含む、ジアステレオ選択的に式IIIaおよび式IIIbで表されるアルコール化合物を製造する方法。式I中、Rは無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基または無置換の若しくは置換基を有する5~8員環ヘテロアリール基を示す。Hetは無置換の若しくは置換基を有する3~8員ヘテロ環を示す。は該炭素原子が不斉炭素であることを示す。式II中、XおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、テトラヒドロホウ酸、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基、または無置換の若しくは置換基を有するC1~20アシルオキシ基を示す。nはXの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。mはYの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。なお、nとmの数の和は、2となる。Ra~Rdは、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有する1価の炭化水素基を示す。Wは、無置換の若しくは置換基を有する2価の炭化水素基を示す。R1~R6は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。R7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。NR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8が結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R1、R2、R3およびR4の組み合わせは、R5、R6、R7およびR8の組み合わせと異なる。PRaRb-W-PRcRdで表される2座ホスフィン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。R1R2CNR3R4-R5R6CNR7R8で表されるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。ただし、2座ホスフィン配位子とジアミン配位子との両方がラセミ体であることはない。式IIIaおよび式IIIb中、R、Hetおよびは式I中のそれらと同じ意味を示す。式I中のHetが無置換の若しくは置換基を有する5~7員ヘテロ環である、請求項1に記載の製造方法。式I中のHetが無置換の若しくは置換基を有するモルホリン環または無置換の若しくは置換基を有するピペリジン環である、請求項1に記載の製造方法。式II中のRa~Rdがそれぞれ独立に無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基である、請求項1~3のいずれか1項に記載の製造方法。式II中のPRaRb-W-PRcRdが、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルであり、XおよびYがハロゲン原子である、請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法。式IVで表されるルテニウム化合物。式IV中、XおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基またはカルボキシル基を示す。BIPHEPは、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルを示す。R1、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。R7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。NR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8が結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R3およびR4の組み合わせは、R7およびR8の組み合わせと異なり、かつ、R1HCNR3R4-H2CNR7R8で表されるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。ところで、水素化反応の基質として下記式Iで表されるカルボニル化合物を用いた場合には、通常2つのジアステレオマーの混合物が生成する。例えば、下記に示すように、ラセミ体である式Aで表される化合物を還元した場合、式B~式Dで表される4種のアルコール化合物が得られる。ここで、式Bと式C、および式Dと式Eはそれぞれエナンチオマーの関係である。また、式B式Cおよび式D式Eはそれぞれジアステレオマーである。この水素化反応で一方のジアステレオマーのみが選択的に生成できるようになると、生産効率が向上し、工業的な利用価値が高い。そこで、本発明は、下記式Iで表されるカルボニル化合物を水素化することを含む、高ジアステレオ選択的にアルコール化合物を製造する方法を提供することを課題とするものである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、2座ホスフィン配位子と非対称なジアミン配位子とを有するルテニウム錯体を触媒として用いると、式Iで表されるカルボニル化合物を高ジアステレオ選択的に水素化できることを見出した。本発明は、この知見に基づいてさらに検討を重ねた結果、完成するに至ったものである。すなわち、本発明は、以下のものを含む。1式Iで表されるカルボニル化合物を、式IIで表されるルテニウム化合物の存在下に、水素化することを含む、ジアステレオ選択的に、式IIIaおよび式IIIbで表されるアルコール化合物を製造する方法。式I中のRは無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基または無置換の若しくは置換基を有する5~8員環ヘテロアリール基を示す。式I中のHetは無置換の若しくは置換基を有する3~8員ヘテロ環を示す。式I中のは該炭素原子が不斉炭素であることを示す。式II中のXおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、テトラヒドロホウ酸、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基、または無置換の若しくは置換基を有するC1~20アシルオキシ基を示す。nはXの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。mはYの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。なお、nとmの数の和は、2となる。式II中のRa~Rdは、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有する1価の炭化水素基を示す。式II中のWは、無置換の若しくは置換基を有する2価の炭化水素基を示す。式II中のR1~R6は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。式II中のR7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。式II中のNR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8が結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R1、R2、R3およびR4の組み合わせは、R5、R6、R7およびR8の組み合わせと異なる。PRaRb-W-PRcRdで表される2座ホスフィン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。R1R2CNR3R4-R5R6CNR7R8で表わされるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。ただし、2座ホスフィン配位子とジアミン配位子との両方がラセミ体であることはない。式IIIaおよび式IIIb中のR、Hetおよびは式I中のそれらと同じ意味を示す。2式I中のHetが無置換の若しくは置換基を有する5~7員ヘテロ環である、前記1に記載の製造方法。3式I中のHetが無置換の若しくは置換基を有するモルホリン環または無置換の若しくは置換基を有するピペリジン環である、前記1に記載の製造方法。4式II中のRa~Rdがそれぞれ独立に無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基である、前記1~3のいずれか1項に記載の製造方法。5式II中のPRaRb-W-PRcRdが、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルであり、XおよびYがハロゲン原子である、前記1~4のいずれか1項に記載の製造方法。6式IVで表されるルテニウム化合物。式IV中のXおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基またはカルボキシル基を示す。式IV中のBIPHEPは、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルを示す。式IV中のR1、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。式IV中、R7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。NR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8が結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R3およびR4の組み合わせは、R7およびR8の組み合わせと異なり、かつ、R1HCNR3R4-H2CNR7R8で表されるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。本発明の製造方法によると、式Iで表されるカルボニル化合物を高ジアステレオ選択的に不斉水素化できる。これによって、式IIIaおよび式IIIbで表されるアルコール化合物を高ジアステレオ選択的に得ることができる。本発明の製造方法によれば、例えば、うつ病薬の有効成分である式VIで表されるラセミ体のレボキセチンの合成に用いられる中間体などを、工業的に有利に製造することができる。本発明のアルコール化合物の製造方法は、上記式Iで表されるカルボニル化合物を、上記式IIで表されるルテニウム化合物の存在下に、水素化することを含むものである。式Iのカルボニル化合物上記式I中、Rは無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基または無置換の若しくは置換基を有する5~8員環ヘテロアリール基を示す。無置換のC6~10アリール基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基などを挙げることができる。無置換の5~8員環ヘテロアリール基としては、チエニル基、フリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、1,2,4-トリアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、1,3,4-チアジアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、1,2,4-トリアジル基などを挙げることができる。置換基を有するC6~10アリール基または置換基を有する5~8員環ヘテロアリール基中の置換基としては、化学的に許容され、本発明の効果を有する限りにおいて特に制限されないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基などのアルキル基、好ましくはC1~6アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基などのシクロアルキル基、好ましくはC3~8シクロアルキル基;ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基などのアルケニル基、好ましくはC2~6アルケニル基;エチニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基などのアルキニル基、好ましくはC2~6アルキニル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基などのアルコキシ基、好ましくはC1~6アルコキシ基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基などのアルケニルオキシ基、好ましくはC2~6アルケニルオキシ基;エチニルオキシ基、プロパルギルオキシ基などのアルキニルオキシ基、好ましくはC2~6アルキニルオキシ基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基などのアリール基、好ましくはC6~10アリール基;フェノキシ基、1-ナフトキシ基などのアリールオキシ基、好ましくはC6~10アリールオキシ基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基、好ましくはC7~11アラルキル基;ホルミル基、アセチル基などのアシル基、好ましくはC1~7アシル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、好ましくはC1~6アルコキシカルボニル基;カルボキシル基;水酸基;クロロメチル基、トリフルオロメチル基などのハロアルキル基、好ましくはC1~6ハロアルキル基;2-クロロ-1-プロペニル基などのハロアルケニル基、好ましくはC2~6ハロアルケニル基;2-クロロ-n-プロポキシ基、2,3-ジクロロブトキシ基などのハロアルコキシ基、好ましくはC1~6ハロアルコキシ基;4-クロロフェニル基、2,4-フルオロフェニル基などのハロアリール基、好ましくはC6~10ハロアリール基;クロロアセチル基、トリフルオロアセチル基などのハロゲン置換アシル基、好ましくはハロゲン置換C1~7アシル基;シアノ基;ニトロ基;アミノ基;メチルアミノ基、ジメチルアミノ基などのアルキルアミノ基、好ましくはC1~6アルキルアミノ基;アニリノ基、ナフチルアミノ基などのアリールアミノ基、好ましくはC6~10アリールアミノ基;ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などのアシルアミノ基、好ましくはC1~7アシルアミノ基;メルカプト基;メチルチオ基、エチルチオ基などのアルキルチオ基、好ましくはC1~6アルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基などのアリールチオ基、好ましくはC6~10アリールチオ基;フラニル基、チオフェニル基、ピロリル基などの不飽和ヘテロ5員環基;ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基などの不飽和ヘテロ6員環基;テトラヒドロフラニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、モルホリニル基などの飽和ヘテロ環基;トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基などのトリC1~6アルキル置換シリル基;などを挙げることができる。式I中、Hetは無置換の若しくは置換基を有する3~8員ヘテロ環、好ましくは無置換の若しくは置換基を有する5~7員ヘテロ環、より好ましくは無置換の若しくは置換基を有するモルホリン環または無置換の若しくは置換基を有するピペリジン環を示す。該ヘテロ環は縮環していてもよい。縮環する環としてはベンゼン環が好ましい。前記3~8員ヘテロ環において、式I中のRCO基と結合するHet中の炭素原子で印した炭素原子は不斉炭素である。無置換の3~8員ヘテロ環基としては、エポキシ基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、モルホリニル基などを挙げることができる。これらのうち、モルホリニル基またはピペリジニル基が好ましい。置換基を有する3~8員へテロ環中の置換基の例としては、前記アリール基およびヘテロアリール基における置換基として例示したものと同じものを挙げることができる。式IIのルテニウム化合物上記式II中、XおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、テトラヒドロホウ酸、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基、または無置換の若しくは置換基を有するC1~20アシルオキシ基を示す。nはXの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。mはYの数を示し且つ0~2のいずれかの整数である。なお、nとmの数の和は、2となる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを挙げることができる。無置換のC1~20アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、i-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基などを挙げることができる。無置換のC1~20アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、2-クロロベンゾイルオキシ基、4-メチルベンゾイルオキシ基などを挙げることができる。置換基を有するC1~20アルコキシ基または置換基を有するC1~20アシルオキシ基中の置換基の例としては、前記アリール基およびヘテロアリール基における置換基として例示したものと同じものを挙げることができる。式II中、Ra~Rdは、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有する1価の炭化水素基を示す。無置換の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基などのアルキル基、好ましくはC1~6アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などのシクロアルキル基、好ましくはC3~8シクロアルキル基ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、1-メチル-2-プロペニル基、2-メチル-2-プロペニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、シンナミル基などのアルケニル基、好ましくはC2~6アルケニル基;2-シクロプロペニル基、2-シクロペンテニル基、3-シクロヘキセニル基、4-シクロオクテニル基などのシクロアルケニル基、好ましくはC3~8シクロアルケニル基;エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、1-メチル-2-プロピニル基、2-メチル-3-ブチニル基、1-ペンチニル基、2-ペンチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-メチル-2-ブチニル基、2-メチル-3-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、1,1-ジメチル-2-ブチニル基などのアルキニル基、好ましくはC2~6アルキニル基;フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基などのアリール基、好ましくはC6~10アリール基;ベンジル基、フェネチル基、3-フェニルプロピル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基などのアラルキル基、好ましくはC7~11アラルキル基などを挙げることができる。これらのうちアリール基、特にC6~10アリール基が好ましい。置換基を有する1価の炭化水素基中の置換基は、化学的に許容される基であれば特に制限されない。例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アシルオキシ基、エステル基、アルコキシ基などを挙げることができる。式II中、Wは、無置換の若しくは置換基を有する2価の炭化水素基を示す。Wにおける無置換の若しくは置換基を有する2価の炭化水素基は、炭化水素化合物のいずれか2個の水素原子が外れた構造を有する。具体的には、メチレン基、エチレン基などのアルキレン基、好ましくはC1~6アルキレン基;シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などのシクロアルキレン基、好ましくはC3~8シクロアルキレン基;フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などのアリーレン基、好ましくはC6~10アリーレン基;1,1’-ビフェニレン基、1,1’-ビナフチレン基等のビアリーレン基、好ましくはC12~20ビアリーレン基などを挙げることができる。PRaRb-W-PRcRdで表される2座ホスフィン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。式II中のPRaRb-W-PRcRdで表される2座ホスフィン配位子の具体例としては、ビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビスジフェニルホスフィノプロパン、ビスジフェニルホスフィノブタン、ビスジメチルホスフィノエタン、ビスジメチルホスフィノプロパンなどの2座配位の3級ホスフィン化合物などを挙げることができる。さらに、2座ホスフィン配位子の例としては、BINAP:2,2’-ビス-ジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチル、およびBINAPのナフチル環にアルキル基やアリール基などの置換基をもつBINAP誘導体;H8BINAP、BINAPのリン原子上の1個のベンゼン環にアルキル基置換基を1~5個有するBINAP誘導体;Tol-BINAP:2,2’-ビス-ジ-p-トリルホスフィノ-1,1’-ビナフチル、キシリル-BINAP:2,2’-ビスビス3,5-ジメチルフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチル;フッ素置換基をもつBINAP誘導体、BICHEP:2,2’-ビス-ジシクロヘキシルホスフィノ-6,6’-ジメチル-1,1’-ビフェニル、BPPFA:1-1’,2-ビスジフェニルホスフィノフェロセニルエチルジアミン、CHIRAPHOS:2,3-ビス-ジフェニルホスフィノブタン、CYCPHOS:1-シクロヘキシル-1,2-ビス-ジフェニルホスフィノエタン、DEGPHOS:1-置換-3,4-ビス-ジフェニルホスフィノピロリジン、DIOP:2,3-O-イソプロピリデン-2,3-ジヒドロキシ-1,4-ビス-ジフェニルホスフィノブタン、DIPAMP:1,2-ビスO-メトキシフェニルフェニルホスフィノエタン、DuPHOS:置換-1,2-ビスホスホラノベンゼン、NORPHOS:5,6-ビス-ジフェニルホスフィノ-2-ノルボルネン、PNNP:N,N’-ビス-ジフェニルホスフィノ-N,N’-ビス1-フェニルエチルエチレンジアミン、PROPHOS:1,2-ビス-ジフェニルホスフィノプロパン、SKEWPHOS:2,4-ビス-ジフェニルホスフィノペンタンなどを挙げることができる。本発明では、これらラセミ2座ホスフィン配位子を用いることができる。これらのうち、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルBIPHEPが特に好ましい。式II中、R1~R6は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。R7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。NR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8は結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R1、R2、R3およびR4の組み合わせは、R5、R6、R7およびR8の組み合わせと異なる。R1~R8における無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-プロピル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、2-メチルブチル基、2,2-ジメチルプロピル基、イソヘキシル基などを挙げることができる。R1~R6における無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基の例としては、式I中のRにおいて示したものと同じものを挙げることができる。R3とR4またはR7とR8が結合して形成する窒素原子を含むヘテロ環としては、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環などを挙げることができる。R1R2CNR3R4-R5R6CNR7R8で表されるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。ただし、2座ホスフィン配位子とジアミン配位子との両方がラセミ体であることはない。言い換えると、2座ホスフィン配位子とジアミン配位子のいずれか一方は、アキラル体である。式II中のR1R2CNR3R4-R5R6CNR7R8で表されるジアミン配位子の具体例としては、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジエチルエチレンジアミン、N,N,N’-トリメチルエチレンジアミン、N,N,N’-トリメチル-N’-エチルエチレンジアミン、1-2-アミノエチルピロリジン、1-2-アミノエチルピペリジン、1-2-アミノエチルキヌクリジン、N,N-ジメチル-1,2-ジアミノプロパン、N,N-ジメチル-2,3-ジアミノブタン、2N,2N-ジメチル-1-フェニルエタンジアミンなどを挙げることができる。式IIで表されるルテニウム化合物のうち、式IVで表されるルテニウム化合物は、新規な化合物である。式IV中、XおよびYは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルコキシ基またはカルボキシル基を示す。式IV中、BIPHEPは、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルを示す。式IV中、R1、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基または無置換の若しくは置換基を有するC6~10アリール基を示す。式IV中、R7およびR8は、それぞれ独立に、無置換の若しくは置換基を有するC1~20アルキル基を示す。NR3R4またはNR7R8において、R3とR4またはR7とR8が結合して窒素原子を含むヘテロ環を形成してもよい。ただし、R3およびR4の組み合わせは、R7およびR8の組み合わせと異なり、かつ、R1HCNR3R4-H2CNR7R8で表されるジアミン配位子は、ラセミ体またはアキラル体である。式IV中のX、Y、R1、R3、R4、R7およびR8における具体的な基の例としては、式II中のX、Y、R1、R3、R4、R7およびR8の説明において例示したものと同じものを挙げることができる。ルテニウム化合物の調製式IIで表されるルテニウム化合物は、例えば、iルテニウム錯体またはルテニウム塩と、配位子となる2座ホスフィン化合物およびジアミン化合物とを、別々に反応系に添加して、必要に応じて塩基を添加することによって、調製することができ、またはii2座ホスフィン配位子を有するルテニウム錯体と、ジアミン化合物とを別々に反応系に添加して、必要に応じて塩基を添加することによって、調製することができる。式IIで表されるルテニウム化合物の調製のための出発物質であるルテニウム錯体またはルテニウム塩には、0価、1価、2価、3価および4価以上のものを用いることができる。0価および1価のルテニウム錯体またはルテニウム塩を用いた場合には、最終段階までにルテニウムの酸化を行う。2価のルテニウム錯体またはルテニウム塩を出発原料に用いた場合には、ルテニウム錯体またはルテニウム塩とホスフィン配位子およびアミン配位子とを順次若しくは逆の順で、または、同時に反応させることにより合成できる。3価および4価以上のルテニウム錯体またはルテニウム塩を出発原料に用いた場合には、最終段階までに、ルテニウムの還元を行う。出発原料となるルテニウム錯体またはルテニウム塩としては、塩化ルテニウム水和物、臭化ルテニウム水和物、ヨウ化ルテニウム水和物などの無機ルテニウム化合物;2塩化ルテニウムノルボルナジエン多核体、2塩化ルテニウムシクロオクタジエン多核体、ビスメチルアリルルテニウムシクロオクタジエンなどのジエンが配位したルテニウム化合物、2塩化ルテニウムベンゼン二核体、2塩化ルテニウムp-シメン二核体、2塩化ルテニウムトリメチルベンゼン二核体、2塩化ルテニウムヘキサメチルベンゼン二核体などの芳香族化合物が配位したルテニウム錯体;シクロロトリストリフェニルホスフィンルテニウムなどのホスフィンが配位したルテニウム錯体などを挙げることができる。さらに、上記の中性ルテニウム錯体以外にも、クロロルテニウムBINAPベンゼンクロライド、クロロルテニウムBINAPp-シメンクロライドなどのカチオン性ルテニウム錯体、または、アニオン性ルテニウム錯体を挙げることができる。この他、ホスフィン配位子、アミン配位子と置換可能な配位子を有するルテニウム錯体であれば、特に、上記に限定されるものではない。前記ルテニウム化合物の調製は、溶媒中で行うことができる。該溶媒としては、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシドなどヘテロ原子を含む有機溶媒などを挙げることができる。前記ルテニウム化合物の調製に用いられる塩基としては、KOH、KOCH3、KOCHCH32、LiOH、LiOCH3、LiOCHCH32などの、アルカリ金属の塩、アルカリ土類金属の塩、4級アンモニウム塩などを挙げることができる。また、アミン-ホスフィンルテニウムヒドリド体を発生させるものであれば、塩基だけに限定されない。例えば、水素、水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウムなどの金属水素化物、臭化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化プロピルマグネシウム、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウムなどの有機金属化合物も塩基に代えてまたは塩基と一緒に用いることができる。水素化本発明のアルコール化合物の製造方法における水素化は、その手法によって、特に制限されない。例えば、反応基質となる式Iで表されるカルボニル化合物と、触媒となる式IIで表されるルテニウム化合物とを反応器に仕込み、所望により塩基を添加し、次いで所定圧力の水素ガスまたは所定量の水素供与体を供給することで、水素化を行うことができる。式IIで表されるルテニウム化合物は、上記のようにして予め調製したものを当該水素化反応系に添加して水素化反応に用いてもよいし、水素化反応系内で調製してそのまま水素化反応に用いてもよい。水素化反応系における、式IIで表されるルテニウム化合物の使用量は、反応容器の大きさや該ルテニウム化合物の活性によって異なるが、反応基質であるカルボニル化合物に対して、好ましくは1/50~1/2,000,000倍モル、より好ましくは1/500~1/500,000倍モルである。水素化反応において所望により使用される塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンDABCO、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンDBUなどの有機塩基;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシド、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシドなどの金属アルコキシド類;n-ブチルリチウムなどの有機リチウム化合物;リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミドなどのリチウムアミド類;水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属水酸化物;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどのアルカリ金属炭酸水素塩;炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムなどのアルカリ土類金属炭酸塩;水素化ナトリウム、水素化カルシウムなどの金属水素化物などを挙げることができる。塩基の使用量は、ルテニウム化合物に対して、好ましくは2~500,000倍モル、より好ましくは2~5,000倍モルである。水素化反応は無溶媒でまたは溶媒中で行うことができる。水素化反応において用いられる溶媒は、反応に不活性で、カルボニル化合物およびルテニウム化合物を溶解できるものであれば特に制限されない。具体例としては、前記のルテニウム化合物の調製において用いることができる溶媒として列挙したものと同じものを挙げることができる。これらの溶媒のうち、アルコール系溶媒が好ましい。溶媒の使用量は、カルボニル化合物の溶解度などに依存するが、カルボニル化合物100重量部に対して、好ましくは0.1~10,000重量部、より好ましくは20~1,000重量部である。水素ガスを供給する場合、水素ガスの圧力は、好ましくは1~200気圧、より好ましくは3~50気圧である。水素供与体を供給する場合、水素供与体としては、例えば、水素貯蔵合金やジイミドなどを用いることができ、水素供与体の供給量は、式Iで表されるカルボニル化合物に対して、好ましくは1~100倍当量である。水素化反応における温度は、好ましくは-50°C~100°C、より好ましくは25°C~40°Cである。また反応時間は、反応基質濃度、温度や圧力などの反応条件、反応容器の大きさなどに依存するが、好ましくは数分間~数日間である。反応形式は、バッチ式であってもよいし、連続式であってもよい。反応終了後は、通常の有機合成化学的手法によって、合成されたアルコール化合物を単離精製することができる。合成されたアルコール化合物の構造は、1H-NMR、旋光度測定、液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段によって決定することができる。本発明の製造方法によって、式IIIaおよび式IIIbで表されるアルコール化合物が高ジアステレオ選択的に得られる。なお、式IIIaおよび式IIIb中のR、Het、およびは式I中のそれらと同じ意味を示す。次に、実施例および比較例を示し、本発明をより具体的に説明する。但し、本発明は、これら実施例によってその技術的範囲が限定されるものではない。実施例1野依大熊らのレポートAngewChemIntEd371703に記載の方法に従って、biphepRuCl2penを調製した。なお、biphepは、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルを示し、penはN-2-アミノエチルピロリジンを示す。具体的には、二塩化ルテニウムベンゼン二核体130.5mgと、N,N-ジメチルホルムアミド4mlと、2,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニル286mgとを反応器に仕込み脱気した。次いで、アルゴン雰囲気下100°Cで10分間反応させた。その後、これにN-2-アミノエチルピロリジン77.5mgを添加して、25°Cで30分間反応させた。通常の精製操作を行い、biphepRuCl2pen330mgを収率78で得た。biphepRuCl2penの物性:31PNMRδ361449アルゴン雰囲気下、オートクレーブに、式1で表されるカルボニル化合物295mg、ラセミ体、イソプロパノール0.5ml、カリウムt-ブトキシド0.1Mイソプロパノール溶液として0.5ml、およびbiphepRuCl2pen8.1mgを添加した。脱気操作後、水素を10気圧まで圧入し、25°Cで20時間撹拌しながら反応させた。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が98:2であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2a289mgが97の収率で得られた。実施例2N-2-アミノエチルピロリジンを、N,N-ジメチルエチレンジアミンに替えた以外は実施例1と同じ手法で、biphepRuCl2dmenを収率94で得た。なお、dmenはN,N-ジメチルエチレンジアミンを示す。biphepRuCl2dmenの物性:31PNMRδ368466biphepRuCl2penを、biphepRuCl2dmen8mgに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が>99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2aが99の収率で得られた。実施例3アルゴン雰囲気下、オートクレーブに、式1で表されるカルボニル化合物1.18g、ラセミ体、イソプロパノール2.7ml、カリウムt-ブトキシド0.1Mイソプロパノール溶液,1.3ml、biphepRuCl2dmen3.2mgを添加した。脱気操作後、水素を10気圧まで圧入し、25°Cで20時間撹拌しながら反応させた。得られた粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が>99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2a1.15gが97の収率で得られた。実施例4N-2-アミノエチルピロリジンを、rac-1-ジメチルアミノ-2-プロピルアミン70mgに替えた以外は実施例1と同じ手法で、{biphepRuCl2rac-dmpn}380mgを収率92で得た。なお、rac-dmpnはrac-1-ジメチルアミノ-2-プロピルアミンを示す。{biphepRuCl2racdmpn}の物性:31PNMRδ503605{biphepRuCl2rac-dmpn}8.0mg、イソプロパノール1.2ml、カリウムt-ブトキシド0.1Mイソプロパノール溶液,0.8mlを用いた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2a296mgが99の収率で得られた。実施例5N-2-アミノエチルピロリジンを、rac-2N,2N-ジメチル-1-フェニルエタンジアミン111mgに替えた以外は実施例1と同じ手法で、{biphepRuCl2racdmpen}359mgを収率68で得た。なお、racdmpenはrac2N,2N-ジメチル-1-フェニルエタンジアミンを示す。biphepRuCl2dmpenの物性:31PNMRδ370468biphepRuCl2penを、{biphepRuCl2racdmpen}8.6mgに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が95:5であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2a282mgが95の収率で得られた。実施例62,2’-ビスジフェニルホスフィノ-1,1’-ビフェニルをrac-2,2’-ビス-ジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチル340mgに替えた以外は実施例2と同じ手法で、{racbinapRuCl2dmen}409mgを収率76で得た。なお、rac-binapはrac-2,2’-ビス-ジフェニルホスフィノ-1,1’-ビナフチルを示す。rac-binapRuCl2dmenの物性:31PNMRδ367494biphepRuCl2rac-dmemを、{rac-binapRuCl2dmen}10.3mgに替えた以外は実施例4と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が98:2であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2aが96の収率で得られた。実施例7式1で表されるカルボニル化合物4.44g、ラセミ体、イソプロパノール29.1ml、カリウムt-ブトキシド1Mイソプロパノール溶液,0.91ml、およびbiphepRuCl2dmen2.3mgを用い、且つ水素ガス圧を50気圧に変えた以外は実施例3と同じ手法で粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac2a4.26gが96の収率で得られた。比較例1野依大熊らのレポートAngewChemIntEd371703に記載の方法に従って、PPh32RuCl2enを得た。なお、Phはフェニル基を、enはエチレンジアミンを示す。biphepRuCl2penを、PPh32RuCl2enに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。高速液体クロマトグラフィーHPLC分析によって測定された粗生成物の収率は97、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比は94:6であった。比較例2野依大熊らのレポートAngewChemIntEd371703に記載の方法に従って、Pp-tol32RuCl2enを調製した。なお、p-tolは、p-トルイル基を示す。biphepRuCl2penを、Pp-tol32RuCl2enに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。HPLC分析によって測定された粗生成物の収率は95、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が88:12であった。比較例3野依大熊らのレポートAngewChemIntEd371703に記載の方法に従って、Pxylyl32RuCl2enを調製した。なお、xylylは、3,5-キシリル基を示す。biphepRuCl2penを、Pxylyl32RuCl2enに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。HPLCによって測定された粗生成物の収率は94、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が90:10であった。比較例4野依大熊らのレポートAngewChemIntEd371703に記載の方法を参考に、二塩化ルテニウムトリストリフェニルホスフィン958mgと、N,N-ジメチルエチレンジアミン167mgと、塩化メチレンとを反応器に仕込み、脱気操作後25°Cで2時間反応させた。濃縮後ヘキサンを加え生成した結晶をろ取したところ、δ319471biphepRuCl2penを、PPh32RuCl2dmenに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。HPLC分析によって測定された粗生成物の収率は95、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が72:28であった。比較例5N-2-アミノエチルピロリジンを、α-ピコリルアミンに替えた以外は実施例1と同じ手法で、biphepRuCl2picaを調製した。なお、picaはα-ピコリルアミンを示す。biphepRuCl2picaの物性:31PNMRδ551585biphepRuCl2penを、biphepRuCl2picaに替えた以外は実施例1と同じ手法で式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。HPLC分析によって測定された粗生成物の収率は94、化合物rac2aと化合物rac2bとの生成比が45:55であった。公知のルテニウム化合物である{Ar3P2RuCl2en}錯体を用いて式1で表されるカルボニル化合物ラセミ体の水素化を試みたが、満足する選択性は得られなかった比較例1~3。なお、Arはアリール基を示す。次にジアミン配位子を非対称型にした{Ph3P2RuCl2dmen}錯体を用いてみたが、この場合も十分な選択性が得られなかった比較例4。ジアミン配位子を芳香環を有するジアミン化合物に、ホスフィン配位子を2座ホスフィン化合物に替えた錯体を用いたが、ほとんど選択性を示さなかった比較例5。一方、本発明に従って、ジアミン配位子を非対称型のアルキル基置換ジアミン化合物に、ホスフィン配位子を2座ホスフィン化合物に替えた錯体を用いたところ、非常に高い選択性を示した実施例1~7。さらに、基質/触媒の比を1,000および5,000にした反応実施例3および7でも、単離収率97ジアステレオマー選択性991および96ジアステレオマー選択性991と非常に良い結果が得られた。実施例8式1で表されるカルボニル化合物を、式3で表されるカルボニル化合物1.18g、ラセミ体に変えた以外は実施例3と同じ手法で式3で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac4aと化合物rac4bとの生成比が>99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac4a1.19gが100の収率で得られた。なお、式3中のBOCは、t-ブトキシカルボニル基を示す。実施例9式1で表されるカルボニル化合物を、式3で表されるカルボニル化合物4.44g、ラセミ体に変えた以外は実施例7と同じ手法で式3で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac4aと化合物rac4bとの生成比が>99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac4a4.26gが96の収率で得られた。実施例10式1で表されるカルボニル化合物を、式5で表されるカルボニル化合物1.3g、ラセミ体に変えた以外は実施例3と同じ手法で式5で表されるカルボニル化合物ラセミ体を水素化し、粗生成物を得た。粗生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、化合物rac6aと化合物rac6bとの生成比が>99:1であった。この粗生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、化合物rac6a1.27gが97の収率で得られた。なお、式5中のBOCは、t-ブトキシカルボニル基を示す。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年12月15日出願の日本特許出願2010-279411に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。また、明細書中に記載の文献の全ての内容も、参照として取り込まれる。"