第1半導体と、前記第1半導体上に設けられた第2半導体と、前記第1半導体上に設けられた第1電極と、前記第2半導体上に設けられた第2電極と、を有し、前記第1電極及び前記第2電極が設けられた側で光取り出しが可能な発光素子において、前記第2半導体は、前記第1半導体が露出するように開口した開口部を有し、前記第1電極は、外部と接続するための第1接続部と、前記第1接続部から延伸する第1延伸部と、を有し、前記第1接続部は、前記第2半導体上に絶縁部を介して設けられ、前記第1延伸部は、前記開口部から露出した前記第1半導体と接続されていることを特徴とする発光素子。前記第2電極は、外部と接続するための第2接続部と、前記第2接続部から延伸する第2延伸部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1延伸部は、前記第2接続部に向かって延伸し、前記第2延伸部は、前記第1延伸部の両側に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。平面視において、前記発光素子の形状は、前記第1接続部と前記第2接続部とを結ぶ方向を長手方向とする長方形であり、前記第1接続部が前記長手方向の一方の端部近傍に設けられ、前記第2接続部が前記長手方向の他方の端部近傍に設けられていることを特徴とする請求項2又は3に記載の発光素子。平面視において、前記発光素子は、前記第1接続部と前記第2接続部とを結ぶ直線を基準として線対称となるように構成されていることを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載の発光素子。前記第2延伸部は、前記開口部を超えて延伸していることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の発光素子。前記第1延伸部が延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、前記第1延伸部は、前記第1半導体側から順に第1幅狭領域と第1幅広領域とを有し、前記第1電極は、前記第1半導体と前記第1延伸部との間に、前記第1幅狭領域より幅が広い第1透光部を有し、前記第1幅狭領域には、第1反射部が埋設されていることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の発光素子。前記第2延伸部が延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、前記第2延伸部は、前記第2半導体側から順に第2幅狭領域と第2幅広領域とを有し、前記第2電極は、前記第2半導体と前記第2延伸部との間に、前記第2幅狭領域より幅が広い第2透光部を有し、前記第2幅狭領域には、第2反射部が埋設されていることを特徴とする請求項2から7のいずれかに記載の発光素子。しかしながら、従来の構造では台座電極の近傍が過度に発光してしまうため、均一な発光を得ることが難しいという問題があった。さらに、従来の構造では他方の台座電極を設けるために半導体の一部を除去してしまうため、発光領域が減少してしまうという問題もあった。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、発光ムラを軽減し発光出力を向上させることが可能な発光素子を提供することを課題とする。一実施形態に係る発光素子は、第1半導体と、第1半導体上に設けられた第2半導体と、第1半導体上に設けられた第1電極と、第2半導体上に設けられた第2電極と、を有し、第1電極及び第2電極が設けられた側で光取り出しが可能となっている。第2半導体は第1半導体が露出するように開口した開口部を有し、第1電極は外部と接続するための第1接続部と第1接続部から延伸する第1延伸部とを有し、第1接続部は第2半導体上に絶縁部を介して設けられ、第1延伸部は開口部から露出した第1半導体と接続されている。以下、本発明に係る発光素子を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、特に記載しない限り本発明を以下に限定するものではない。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明は適宜省略する。<第1実施形態>図1は本実施形態に係る発光素子100を光取り出し側からみた平面図であり、図2は図1におけるX-X部の断面図であり、図3は図1におけるY-Y部の断面図である。図4は本実施形態に係る発光素子100の発光状態を示す図である。なお、図1においては説明を簡便にするため、図2又は図3における第1透光部30c、絶縁部51、第1反射部52、第2反射部53は図示していない。図1~4に示すように、発光素子100は、第1半導体10と、第1半導体10上に設けられた第2半導体20と、第1半導体10上に設けられた第1電極30と、第2半導体20上に設けられた第2電極40と、を有し、第1電極30及び第2電極40が設けられた側で光取り出しが可能となっているつまり、発光素子100は所謂フェイスアップ実装用の発光素子に関するものである。。第2半導体20は、第1半導体10が露出するように開口した開口部21を有する。第1電極30は、外部と接続するための第1接続部30aと、第1接続部30aから延伸する第1延伸部30bと、を有する。そして、第1接続部30aは第2半導体20上に絶縁部51を介して設けられ、第1延伸部30bは開口部21から露出した第1半導体10と接続されている。これにより、より均一な発光とすることができるとともに、より高い発光出力とすることができる。以下、そのメカニズムについて説明する。一般に、接続部には発光素子に電流を流すためにワイヤなどの導電性部材が直接接続される。その結果、接続部から近い領域では電流密度が高くなり、接続部から遠い領域では電流密度が低くなる。これを補うために、接続部から延伸する延伸部を設け、より広い領域に電流を拡散させる試みもされている。しかし、延伸部を設けたとしても接続部近傍における電流密度が圧倒的に高いので、接続部近傍のみが過度に発光してしまい、素子全体として均一な発光を得ることは困難であった。そこで、本実施形態では、第1接続部30aを第2半導体20上に絶縁部51を介して設け、第1延伸部30bを開口部21から露出した第1半導体10に接続する構成とした。つまり、第1接続部30aは第1半導体10と電気的に直接接続されておらず、第1延伸部30bが第1半導体10と電気的に直接接続されている。これより、第1接続部30aから第1半導体10に直接電流が流れることを防止しつつ第1接続部30aから離れた領域において第1電極30と第1半導体10を電気的に接続することが可能となるので、第1接続部30a近傍における過度な発光を抑制しより均一な発光とすることができる。図4から、第1接続部30a近傍で過度に発光することなく、開口部21における第1半導体10と第1延伸部30bとの接触領域を中心として全体としてより均一に発光していることがわかる。さらに、従来のフェイスアップ実装用の発光素子は、光取り出し側から半導体本明細書の第2半導体に相当する。の一部を除去し、除去した領域本明細書の第1半導体に相当する。に接続部本明細書の第1接続部に相当する。を直接設けていた例えば特許文献1の図1等参照。。ここで、半導体を除去する際には、除去した半導体と極性の異なる接続部とを絶縁すること等を理由として、接続部よりも一回り大きい半導体領域を除去する必要がある。つまり、接続部よりも一回り大きい領域は本来であれば直接発光可能な領域であるが、従来の発光素子では接続部を形成するために、当該領域が除去されており、結果として発光領域が減少していた。当該領域の面積は素子全体の面積に比較すれば小さいものであるが、さらなる発光出力の向上が望まれている昨今においては決して無視できない問題である。そこで、本実施形態では、第1接続部30aを第1半導体10上に直接形成せずに、第1半導体10側から順に第2半導体20及び絶縁部51を介して形成している。これにより、第1接続部30aの下部及びその近傍に第1半導体10だけでなく第2半導体20を残した構成とすることができるので、第1接続部30aの下部及びその近傍も発光領域とすることができる図4参照。つまり、従来の発光素子と比較して発光領域を大きく取ることができるので、素子全体としての発光出力をより向上させることができる。以下、発光素子100を構成する主な構成要素について説明する。第1半導体10及び第2半導体20第1半導体10は、第1電極30aを接続させるための部材であり、第2半導体20と異なる極性を有する。同様に、第2半導体20は、第2電極40を接続させるための部材であり、第1半導体10と異なる極性を有する。本実施形態では、第1半導体10をn型、第2半導体20をp型としている。第2半導体20には、第1半導体10が露出するように開口した開口部21が設けられている。ここでは図1に示すように、開口部21は、第1延伸部30bの延伸方向に長い形状をしており、第1延伸部30bと第2半導体20が被らないようにつまり、開口部21の内側に第1延伸部30bが配置されるように、第1延伸部30bよりも一回り大きい幅を有する。ここでは、説明の便宜上、第1半導体10及び第2半導体20を含む半導体から構成される部位を半導体部とする。半導体部は、少なくとも第1半導体10及び第2半導体20を含む層から構成されるが、各層を構成する材料については限定されず、種々のものを採用することができる。本実施形態では、各層の材料として窒化物半導体InXAlYGa1-X-YN0≦X<1、0≦Y<1、0≦XY<1を用いた。窒化物半導体はGaAs等の他の材料と比較して半導体内部の抵抗が大きいため電流を均一に流すことが難しい。したがって、本実施形態の構成は、半導体部を窒化物半導体で構成した場合に特に効果的である。半導体部の構造については限定されず、種々のものを採用することができる。本実施形態では、第1半導体10と第2半導体20の間に多重量子構造の活性層等図示せずを介在させた構成とした。本実施形態では、基板60上に第1半導体10及び第2半導体20を順に形成している。半導体部が窒化物半導体からなる場合、基板50としてはサファイア等を用いることができる。ただし、基板50は必須ではなく、例えば、第1半導体10及び第2半導体20を成長した後に除去することもできるし、基板50を用いずに第1半導体10を成長基板として第2半導体20を成長させることもできる。第1電極30第1電極30は、光取り出し側において第1半導体10と電気的に接続される電極であり、第1接続部30aと第1延伸部30bを備える。第1接続部30aはワイヤ等の導電部材を介して外部から電流が供給される部位であり、第1延伸部30bは、第1接続部30aから部分的に延伸しており、第1接続部32に注入された電流を延伸方向に広げるための部位である。図1では、第1延伸部30bは、第1接続部30a側から順に、第2半導体20上に絶縁部51を介して設けられた非導通領域第1接続部30aと同様であると、開口部21内において第1半導体10上に直接形成された導通領域と、を有する。第1接続部30aに近く発光が過度に強くなり易い領域を非導通領域とし、第1接続部30aから遠く発光が過度に強くなり難い領域を導通領域とすることで、より均一な発光が可能となる。本実施形態のように、第1電極30は、第1透光部30cをさらに備えることが好ましい。つまり、本実施形態の第1電極30は、第1接続部30a、第1延伸部30b及び第1透光部30cから構成されている。第1透光部30cは、開口部21内において第1半導体10と第1延伸部30bとの間に設けられる部材であり、第1延伸部30bから供給された電流を第1半導体30にさらに拡散させるためのものである。第1透光部30cは透光性を有するので第1透光部を介して半導体部からの光を取り出すことができる。第1電極30の構造や材料については限定されず種々のものを用いることができる。本実施形態では、第1接続部30a及び第1延伸部30bとして、Ti/Rh/W/Au半導体部側からTi、Rh、W及びAuが順に積層されていることを意味する。を用い、第1透光部30cとしてITOを用いた。ここでは、第1接続部30a及び第1延伸部30bを一体に形成した。第2電極40第2電極40は、光取り出し側において第2半導体20と電気的に接続される電極である。図1に示すように、第2電極40は、外部と接続するための第2接続部40aと、第2接続部40aから延伸する第2延伸部40bと、を備えることが好ましい。これにより、ワイヤ等の導電部材が直接接続される第2接続部40aだけでなく第2延伸部40bを介して電流を流すことができるので、より均一に発光させることができる。第1延伸部30bは第2接続部40aに向かって延伸し、第2延伸部40bは第1延伸部30bの両側に配置されていることが好ましい図1参照。第1延伸部30bが第2接続部40aに向かって延伸するように構成することで、第1延伸部30bの延伸方向において電流を流れやすくすることができる。さらに、第2延伸部40bを第1延伸部30bの両側に配置することでつまり、2つの第2延伸部40bのそれぞれを第1延伸部30bと対向するように配置することで、第1延伸部30bの延伸方向に垂直をなす両方向においても電流を流れやすくすることができる。これにより、第1延伸部30bからあらゆる方向に電流が拡散しやすく、結果としてより均一に発光させることができる。図1に示すように、第2延伸部40bは開口部21を超えて延伸していることが好ましい。つまり、第1延伸部30bの延伸方向に長い開口部21の第1接続部30a側の端部を通り第1延伸部30bの延伸方向と垂直をなす直線よりも、第2延伸部40bの端部が第1接続部30a側に配置されるように構成されている。これにより、第2延伸部40bを第1接続部30aの近くまで延伸させることができるので、第1接続部30aの下部及び近傍における発光を向上させることができる。本実施形態のように、第2電極40は、第2透光部40cをさらに備えることが好ましい。つまり、本実施形態の第2電極40は、第2接続部40a、第2延伸部40b及び第2透光部40cから構成される。第2透光部40cは第2半導体20と第2接続部40a及び第2延伸部40bとの間に設けられる部材であり、第2接続部40a及び第2延伸部40bは第2透光部40c上に部分的に形成されている。これにより、第2接続部40a及び第2延伸部40bから供給された電流を第2半導体20の面内方向にさらに拡散させることができる。さらに、第2透光部40cは透光性を有するので第2透光部を介して半導体部からの光を取り出すことができる。第2電極40が、第2透光部40cを備える場合、第2延伸部40bは、第2透光部40cにおける第1延伸部30bから遠い側の縁部近傍に設けることができる。これにより、より広い領域に電流を供給することができる。第2透光部40cは、第2半導体20上の略全面に設けられている説明を簡便にするため、図1では第2透光部40cの外縁を第2半導体20の外縁に一致させているが、実際は図2及び図3に示すように第2半導体20の外縁の若干内側に形成されている。。図2に示すように、第2透光部40cは、絶縁部51を介して第1接続部30aの下部及び近傍にも形成されている。これにより、従来であれば、第1接続部を第1半導体に直接設けるために除去していた部分を直接発光に寄与する部分として残すことができるので、発光出力をより向上させることができる。第2電極40の構造や材料については限定されず種々のものを用いることができる。本実施形態では、第2接続部40a及び第2延伸部40bとして、Ti/Rh/W/Au半導体部側からTi、Rh、W及びAuが順に積層されていることを意味する。を用い、第2透光部40cとしてITOを用いた。ここでは、第2接続部40a及び第2延伸部40bを一体に形成した。第1反射部52図3に示すように、第1延伸部30bが延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、第1延伸部30bは、第1半導体10側から順に第1幅狭領域と第1幅広領域とを有することができる。そして、第1電極30は、第1半導体10と第1延伸部30bとの間に、第1幅狭領域より幅が広い第1透光部30cを有し、第1幅狭領域には、第1反射部52が埋設されていることが好ましい。これにより、Vfの低減、発光出力の向上及び発光の均一化が可能なバランスに優れた発光素子とすることができる。Vfを下げるためには第1延伸部30bの断面積を増やせばよい。第1延伸部30bの断面積を増やすことで、その内部抵抗が低下し、結果として素子全体としてのVfを低下させることができるからである。しかし、第1延伸部30bの断面積を単純に増やすと発光出力の低下を伴ってしまう。第1延伸部30bは構成材料やその膜厚に起因して透光性に乏しい例えば非透光性ので、半導体部からの光は第1延伸部30bにより遮られてしまい光の取り出し効率が低下してしまうからである。一方、第1延伸部30bによる光の吸収を抑制するために第1延伸部30bの断面積を小さくしてしまうと、Vfが上昇するだけでなく、第1延伸部30bと第1半導体10との接触面積が小さくなるので電流を効果的に広げることが困難となる。そこで本実施の形態では、第一に、第1延伸部30bに第1幅広領域を設けている。これにより、第1延伸部30bが第1幅狭領域だけである場合に比較して、全体としての断面積を大きくすることができるので、発光素子100のVfを低下させることができる。第二に、第1延伸部30bにおいて第1半導体10に近い側を第1幅狭領域とし、第1幅広領域と第1透光部30cの間において、第1幅狭領域に隣接させるように第1反射部52を設けている。これにより、第1幅広領域における光の吸収を抑制することができるので、Vfを低下させつつ光の取り出し効率を向上させることができる。第三に、第1幅狭領域よりも幅の広い第1透光部30cを設けている。これにより、第1延伸部30bが第1幅狭領域で第1半導体10と直接接合される場合に比較して、第1電極30と第1半導体10との接触面積をより大きくすることができるので、Vfを低下させ光取り出し効率を向上させつつ、電流をより拡散させることができる。ここでは、第1透光部30cの幅を第1幅広領域よりも広くし、電流拡散の効果がより顕著に得られるようにしている。第1反射部52の構造や材料については限定されず、種々のものを用いることができる。本実施形態では、Nb2O5及びSiO2を1ペアとしてこれを順に3回繰り返した誘電体多層膜を第1反射部52として用いた。本実施形態では、絶縁部51と第1反射部52とを一体に形成した。絶縁部51や第1反射部52として、SiO2の単層を用いてもよい。第2反射部53図3に示すように、第2延伸部40bが延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、第2延伸部40bは、第2半導体20側から順に第2幅狭領域と第2幅広領域とを有することができる。そして、第2電極40は、第2半導体20と第2延伸部40bとの間に、第2幅狭領域より幅が広い第1透光部30cを有し、第2幅狭領域には、第2反射部53が埋設されていることが好ましい。本実施の形態では、第2反射部53は第1反射部52と同じ構成とした。その効果については第1反射部52と同様なのでここでは繰り返さない。その他図1に示すように、発光素子100を光取り出し側から見た平面視において、発光素子の形状は、第1接続部30aと第2接続部40aとを結ぶ方向を長手方向とする長方形であり、第1接続部30aが長手方向の一方の端部近傍に設けられ、第2接続部42が前記長手方向の他方の端部近傍に設けられていることが好ましい。長方形の発光素子において、第1接続部30aが長手方向における一方の端部近傍にあると、短手方向における第1接続部30aから発光素子の縁部までの距離が、長手方向における第1接続部30aから発光素子の縁部までの距離よりも短くなる。その結果、第1接続部30aからみて短手方向の発光が強くなってしまい、長手方向の発光が弱くなってしまうので、発光ムラが生じやすい傾向がある第2接続部40aについても同様である。。しかし、本実施形態に係る発光素子であれば、第1延伸部30bにより長手方向においても効果的に電流を流すことができるので、より均一な発光が可能となる第2延伸部40bについても同様である。。発光素子の形状が長方形である場合、長辺の長さ/短辺の長さの値は、好ましくは5/3以上、より好ましくは5/2以上とすることができる。値が大きくなるほど長手方向に長くなるので、上記効果をより顕著に得ることができる。発光素子100では、長辺の長さを約700μmとし、短辺の長さを約240μmとした。図1に示すように、平面視において、発光素子100は第1接続部30aと第2接続部40aとを結ぶ直線を基準として線対称となるように構成されていることが好ましい。半導体部、第1電極30及び第2電極40を含む発光素子そのものを線対称となるように構成することにより、平面視における発光ムラをより低減させることができる。なお、本明細書において線対称とは、線で分けられた両者が完全に線対称である場合だけでなく、両者に多少のずれがある場合であっても実質的に線対称であるとして、線対称の範囲内とする。本実施形態では、第1延伸部30bと第1透光部30cとを直線状に連続で接触するように構成したが、例えばドット状に不連続で接触させることもできる第2延伸部40bと第2透光部40cとの関係についても同様である。。同様に、本実施形態では、第1半導体10と第1電極30とを直線状に連続で接触するように構成したが、例えばドット状に不連続で接触させることもできる。