"イメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含む、ネガ型現像できるフォトレジスト組成物であって、前記イメージングポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む第2の単量体単位を含む、フォトレジスト組成物。前記酸に不安定なペンダント部分は第三級アルキルカーボネート、第三級アルキルエステル、第三級アルキルエーテル、アセタールおよびケタールのうちの1つを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。前記酸に不安定なペンダント部分は第三級アルキルエステルを含む、請求項2に記載のフォトレジスト組成物。前記反応性エーテル部分はエポキシドである、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。前記感放射線性酸発生剤はオニウム塩、スクシンイミド誘導体、ジアゾ化合物およびニトロベンジル化合物の少なくとも1つを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。溶剤、クエンチャおよび界面活性剤の少なくとも1つをさらに含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。前記溶剤はエーテル、グリコールエーテル、芳香族炭化水素、ケトンおよびエステルの少なくとも1つを含む、請求項6に記載のフォトレジスト組成物。前記フォトレジスト組成物は、約1~約30wtの前記イメージングポリマー;前記イメージングポリマーの総重量に対して約0.5~約30wtの前記感放射線性酸発生剤;および約70~約99wtの前記溶剤を含む、請求項7に記載のフォトレジスト組成物。ポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含む、ネガ型現像できるフォトレジスト組成物であって、前記ポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含み、前記成分はアルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含むフォトレジスト組成物。前記反応性エーテル部分はエポキシドである、請求項9に記載のフォトレジスト組成物。溶剤、クエンチャおよび界面活性剤の少なくとも1つをさらに含む、請求項9に記載のフォトレジスト組成物。前記フォトレジスト組成物は、約1~約30wtの前記ポリマー;前記ポリマーの総重量に対してして約0.5~約30wtの前記感放射線性酸発生剤;前記ポリマーの総重量に対して約1~約30wtの前記成分;および約70~約99wtの前記溶剤を含む、請求項11に記載のフォトレジスト組成物。パターン化された材料構造体を基板上に形成する方法であって、基板に前記材料の層を設けるステップと;前記基板にフォトレジスト組成物を塗布して前記材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、前記フォトレジスト組成物はイメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含み、前記イメージングポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および第一級アルコール部分、第二級アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む第2の単量体単位を含み;さらに前記基板を放射線でパターン露光し、それにより前記放射線で露光された前記フォトレジスト層の領域において前記感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液と前記フォトレジスト層を接触させ、それにより前記フォトレジスト層の非露光領域が前記現像液溶液により選択的に除去されて、前記フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む方法。前記パターン化された構造体を前記材料層に転写するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。前記現像液はエーテル類、グリコールエーテル類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類、および前述の溶剤の2つ以上の組み合わせからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。前記接触させるステップ後に前記フォトレジスト層を第2の有機溶剤でリンスするステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。前記第2の有機溶剤は1-ブタノール、メタノール、エタノール、1-プロパノール、エチレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,2-プロパンジオール、1-メチル-2-ブタノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、1-ヘプタノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、4-ヘプタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、3-エチル-2-ペンタノール、1-メチルシクロペンタノール、2-メチル-1-ヘキサノール、2-メチル-2-ヘキサノール、2-メチル-3-ヘキサノール、3-メチル-3-ヘキサノール、4-メチル-3-ヘキサノール、5-メチル-1-ヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、5-メチル-3-ヘキサノール、4-メチルシクロヘキサノール、1,3-プロパンジオール、および前述の溶剤の2つ以上の組み合わせからなる群から選択される、請求項16に記載の方法。前記パターン露光するステップの後、かつ、前記接触させるステップの前に、温度約70°C~約150°Cで前記基板をベークするステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。前記酸に不安定なペンダント部分は第三級アルキルカーボネート、第三級アルキルエステル、第三級アルキルエーテル、アセタールおよびケタールのうちの1つを含む、請求項13に記載の方法。前記反応性エーテル部分はエポキシドである、請求項13に記載の方法。前記フォトレジスト組成物は溶剤、クエンチャおよび界面活性剤の少なくとも1つをさらに含む、請求項13に記載の方法。パターン化された材料構造体を基板上に形成する方法であって、基板に前記材料の層を設けるステップと;前記基板にフォトレジスト組成物を塗布して前記材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、前記フォトレジスト組成物はポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含み、前記ポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含み、前記成分はアルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含み;さらに前記基板を放射線でパターン露光し、それにより前記放射線で露光された前記フォトレジスト層の領域において前記感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液と前記フォトレジスト層を接触させ、それにより前記フォトレジスト層の非露光領域が前記現像液溶液により選択的に除去されて、前記フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む方法。前記パターン化された構造体を前記材料層に転写するステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。前記現像液はエーテル類、グリコールエーテル類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類、および前述の溶剤の2つ以上の組み合わせからなる群から選択される、請求項22に記載の方法。前記パターン露光するステップの後、かつ、前記接触させるステップの前に、温度約70°C~約150°Cで前記基板をベークするステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。前記フォトレジスト組成物は溶剤、クエンチャおよび界面活性剤の少なくとも1つをさらに含む、請求項22に記載の方法。市販されている193nmのフォトリソグラフィ用フォトレジストの大部分は、ポジ型レジストである。しかしながら、半導体の基本原則は小型化であるため、水性塩基現像液を用いて従来のポジ型レジストにより、寸法の小さいトレンチおよびビアなど小型のフィーチャをプリントすることがさらに難しくなっている。トレンチおよびビアの作製に使用するダークフィールドマスクの光学像コントラストが十分に得られないためである。したがって、小型のフィーチャ、特に寸法の小さいトレンチおよびビアをプリントできるフォトレジスト組成物およびパターン形成方法が求められている。上記で論じたように、市販されている193nmのフォトリソグラフィ用フォトレジストの大部分は、ポジ型レジストである。フィーチャサイズが徐々に小さくなるにつれ、従来のポジ型レジストを用いて寸法の小さいトレンチおよびビアをプリントすることが難しくなっている。ポジ型レジストでトレンチおよびビアを形成するには、ダークフィールドマスクを使用する必要がある。しかしながら、トレンチおよびビアのフィーチャサイズが小さくなると、ダークフィールドマスクの光学像コントラストが低下する。一方、トレンチおよびビアは、ブライトフィールドマスクを用いてネガ型レジストでプリントしてもよい。ブライトフィールドマスクの光学像コントラストは、ダークフィールドマスクのそれより優れている。このため、ネガ型レジストを用いて小さなトレンチおよびビアをプリントすると、有利な場合がある。しかしながら、従来のネガ型レジストは、結像を得るため、露光時の架橋に基づきアルカリ性現像液との溶解コントラストを作り出すことから、不十分な解像度およびマイクロブリッジングに悩まされることが多い。最近、従来のポジ型レジストを用いたネガ型現像のパターン形成方法が注目されている。この方法は、ポジ型レジストを用いた従来のアプローチのように脱保護機構に依存して、フォトレジスト層の露光領域と非露光領域との間の溶解コントラストを作り出す。しかしながら、この方法では、フォトレジスト層の非露光領域を選択的に除去するネガ型現像用の現像液として、水性アルカリ性現像液の代わりに有機溶剤を使用する。露光領域のレジストは、多くの場合、有機溶剤現像液にある程度の溶解性を有するため、この方法は、現像ステップ後に厚さの減少を免れない恐れがある。本発明は、有機溶剤現像液を用いてネガ型現像できるフォトレジスト組成物を提供する。本発明はまた、寸法の小さいトレンチおよびビアをプリントできるパターン形成方法も提供する。一態様では、本発明は、ネガ型現像できるフォトレジスト組成物に関する。組成物は、イメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含む。イメージングポリマーは、酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む第2の単量体単位を含む。別の態様では、本発明は、ネガ型現像できるフォトレジスト組成物に関する。組成物は、ポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含む。ポリマーは、酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含む。成分は、アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む。さらに別の態様では、本発明は、パターン化された材料構造体を基板上に形成する方法に関する。この方法は、基板に材料の層を設けるステップと;基板にフォトレジスト組成物を塗布して材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、フォトレジスト組成物はイメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含み、イメージングポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および第一級アルコール部分、第二級アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む第2の単量体単位を含み;さらに、基板を放射線でパターン露光し、それにより放射線で露光されたフォトレジスト層の領域において感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液とフォトレジスト層を接触させ、それによりフォトレジスト層の非露光領域が現像液溶液により選択的に除去されて、フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む。さらに別の態様では、本発明は、パターン化された材料構造体を基板上に形成する方法に関する。この方法は、基板に材料の層を設けるステップと;基板にフォトレジスト組成物を塗布して材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、フォトレジスト組成物はポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含み、ポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含み、成分はアルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含み;さらに、基板を放射線でパターン露光し、それにより放射線で露光されたフォトレジスト層の領域において感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液とフォトレジスト層を接触させ、それによりフォトレジスト層の非露光領域が現像液溶液により選択的に除去されて、フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む。層などの要素が別の要素上にonまたはの上にoverあるという場合、その要素が別の要素の直上にあってもよいし、または介在する要素が存在してもよいことが理解されよう。これに対し、ある要素が別の要素の直上にあるdirectlyonまたはの真上にあるdirectlyoverという場合は、介在する要素が存在しない。本発明は、寸法の小さいトレンチおよびビアのプリントに使用できるネガ型現像用のフォトレジスト組成物を提供する。本発明の組成物は、脱保護機構を架橋機構と組み合わせて露光領域と非露光領域との間で高い溶解コントラストを達成する一方、現像ステップにおけるフォトレジスト層の厚さの減少を防止する。これは、フォトレジスト組成物に酸に不安定な部分と架橋性部分とを含ませることにより達成される。一実施形態では、本発明のフォトレジスト組成物は、イメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含む。イメージングポリマーは、酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および架橋性部分を含む第2の単量体単位を含む。第1および第2の単量体単位は、重合性部分を有するモノマーから誘導される。重合性部分の例は、下記IおよびIIを含んでもよい。式中、R1は、水素、炭素数1~20の直鎖または分岐アルキル基、炭素数1~20の部分または全フッ素化直鎖または分岐アルキル基、またはCNであり;式中、tは0~3の整数である。第1の単量体単位の酸に不安定な部分は、第三級アルキルカーボネート、第三級アルキルエステル、第三級アルキルエーテル、アセタールおよびケタールの1つであってもよい。好ましくは、第1の単量体単位の酸に不安定な部分は第三級アルキルエステルである。第1の単量体単位を誘導できるモノマーの例として、下記が挙げられるが、これに限定されるものではない。第2の単量体単位は、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分などの架橋性部分を含む。好ましくは、反応性エーテル部分はエポキシドである。架橋性部分は脱保護された第1の単量体単位もしくは別の架橋性部分またはその両方と反応させてイメージングポリマーを架橋することができる。第2の単量体単位を誘導することができるモノマーの例として、下記が挙げられるが、これに限定されるものではない。任意に、本発明のイメージングポリマーはさらに、たとえば、様々な例示的な実施形態で溶解特性、熱的特性およびエッチング耐性を制御し得る第3のモノマー単位を含んでもよい。好ましくは、第3のモノマー単位はラクトン部分を含む。そうした第3のモノマーの例として、以下があるが、これに限定されるものではない。光酸発生剤PAG:photoacidgeneratorとも呼ばれる感放射線性酸発生剤は、放射線の照射時に酸を発生する化合物である。本発明のPAGは、オニウム塩、スクシンイミド誘導体、ジアゾ化合物、ニトロベンジル化合物および同種のものの1つであってもよい。高解像力を得るべく酸の拡散を最小限に抑えるため、PAGは、放射線の照射時に嵩高い酸を発生するようであってもよい。こうした嵩高い酸は、少なくとも4個の炭素原子を含んでもよい。本発明に利用し得る好ましいPAGには、ヨードニウム塩またはスルホニウム塩などのオニウム塩もしくはスクシンイミド誘導体またはその全部がある。本発明の様々な例示的な実施形態では、好ましいPAGとして、4-1-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムペルフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート、t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート、4-1-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムペルフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、ジt-ブチルフェニルヨードニウムペルフルオロブタンスルホネート、ジt-ブチルフェニルヨードニウムペルフルオロヘキサンスルホネート、ジt-ブチルフェニルヨードニウムペルフルオロエチルシクロヘキサンスルホネート、ジt-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート、およびペルフルオロブチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]-ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシミドを挙げることができる。これらのPAGはいずれも、単独で使用しても、または2つ以上の混合物として使用してもよい。本発明では、フッ素化PAGおよびフッ素を含まないPAGを使用してもよい。選択された個々のPAGは、フォトレジストをパターン化するのに使用される照射に依存する。PAGは現在、可視領域から極UV領域の種々の異なる波長の光に使用することができる。好ましくは、PAGは、193nmArFリソグラフィに使用するのに好適なものである。本発明のフォトレジスト組成物は、溶剤および他の性能を向上させる添加剤、たとえば、クエンチャおよび界面活性剤をさらに含んでもよい。本発明の様々な例示的な実施形態のフォトレジスト組成物には、当業者によく知られている溶剤を利用してもよい。こうした溶剤は、イメージングポリマーおよびフォトレジスト組成物の他の成分を溶解させるために使用してもよい。こうした溶剤の説明例としては、以下に限定されるものではないが、エーテル類、グリコールエーテル類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類および同種のものを挙げることができる。前述の溶剤の混合物を含む溶剤系も意図している。好適なグリコールエーテル類には、2-メトキシエチルエーテルジグリム、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAおよび同種のものがある。好適な芳香族炭化水素溶剤には、トルエン、キシレンおよびベンゼンがある。ケトン類の例として、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン、シクロヘプタノンおよびシクロヘキサノンがある。エーテル溶剤の例にはテトラヒドロフランがあり、本発明に利用してもよいエステル溶剤の例には乳酸エチルおよびエトキシエチルプロピオネートがある。本発明のフォトレジスト組成物に使用してもよいクエンチャには、微量酸を除去しつつ、ポジティブフォトレジストの性能に過剰な影響を与えない弱塩基がある。本発明に利用してもよいクエンチャの説明例には、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボキシレート、水酸化物またはこれらの組み合わせおよび同種のものがあるが、これに限定されるものではない。フォトレジスト組成物に利用してもよい任意の界面活性剤には、本発明の化学増幅型フォトレジスト組成物の被膜の均一性を高めることができる任意の界面活性剤がある。説明例としては、フッ素を含む界面活性剤、たとえば3M社のFC-4430Rおよびシロキサンを含む界面活性剤、たとえばUnionCarbide社のSilwetRシリーズがある。フォトレジスト組成物は、上記の成分だけでなく、他の成分、たとえば光増感剤もしくは他の添加剤またはその両方を含んでもよい。必要に応じて、成分の組み合わせまたは混合物たとえば、光増感剤および塩基を使用してもよい。任意の光増感剤は、好ましくは193nmArFリソグラフィの照射を吸収できる発色団を含むものである。こうした化合物の説明例には、9-アントラセンメタノール、クマリン、9,10-ビストリメトキシシリルエチニルアントラセン、およびこれらの発色団を含むポリマーがあるが、これに限定されるものではない。本発明の様々な例示的な実施形態では、本発明のフォトレジスト組成物は、約1~約30wt、さらに好ましくは約3~約15wtのイメージングポリマー;イメージングポリマーの総重量に対して約0.5~約30wt、さらに好ましくは約0.5~約15wtの感放射線性酸発生剤;および典型的には組成物の約70~約99wt、さらに好ましくは約85~約97wtの量で存在してもよい溶剤を含んでもよい。様々な例示的な実施形態では、フォトレジスト組成物は、典型的にはイメージングポリマーの総重量に対して約0.1~約10.0wtの量で存在してもよいクエンチャ、および典型的にはイメージングポリマーの総重量に対して約0.001~約1.0wtの量で存在してもよい界面活性剤をさらに含んでもよい。光増感剤を利用する場合は、光増感剤は、好ましくはイメージングポリマーの総重量に対して約0.001~約8重量の量で存在する。上記の量は例示であり、本明細書では、上記の各成分についてフォトリソグラフィ業界で典型的に利用される他の量を利用してもよい点に留意されたい。別の実施形態では、本発明のフォトレジスト組成物は、ポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含む。ポリマーは、酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含む。成分は、アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分などの架橋性部分を含む。酸に不安定なペンダント部分を含む単量体単位は、上述の第1の単量体単位と同じであってもよい。したがって、上記の第1のモノマーのすべての例は、単量体単位を形成するのに使用してもよい。同様に、感放射線性酸発生剤も上述の様々な例示的な実施形態の感放射線性酸発生剤と同じであってもよい。架橋性部分を含む成分はポリマーでも、または低分子の化合物でもよい。この成分は、ポリマーの脱保護された単量体単位と反応してポリマーを架橋する。成分のアルコール部分は第一級アルコール基でも、第二級アルコール基でも、または第三級アルコール基でもよい。成分の反応性エーテル部分は、好ましくはエポキシドである。成分がポリマーである場合、ポリマー成分は、アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を有する少なくとも1つの単量体単位を含む。そうしたポリマー成分の例として、GMAのホモポリマーがある。成分が低分子の化合物である場合は、好ましくは、少なくとも2つの架橋性部分を含む。そうした低分子の化合物成分の例として、下記を挙げることができる。上述の様々な例示的な実施形態などでは、フォトレジスト組成物は、溶剤、および他の性能を向上させる添加剤、たとえば、クエンチャ、界面活性剤および光増感剤をさらに含んでもよい。本発明の様々な例示的な実施形態では、本発明のフォトレジスト組成物は、約1~約30wt、さらに好ましくは約3~約15wtのポリマー;ポリマーの総重量に対して約0.5~約30wt、さらに好ましくは約0.5~約15wtの感放射線性酸発生剤;ポリマーの総重量に対して約1~約30wt、さらに好ましくは約2~約10wtの成分;および典型的には組成物の約70~約99wtの量、さらに好ましくは約85~約97wtの量で存在してもよい溶剤を含んでもよい。様々な例示的な実施形態では、フォトレジスト組成物は、典型的にはポリマーの総重量に対して約0.1~約10.0wtの量で存在してもよいクエンチャ、および典型的にはポリマーの総重量に対して約0.001~約1.0wtの量で存在してもよい界面活性剤をさらに含んでもよい。光増感剤を利用する場合、光増感剤は、好ましくはポリマーの総重量に対して約0.001~約8重量の量で存在する。本発明はさらに、基板上にパターン化された材料フィーチャを形成すると記載したフォトレジスト組成物の使用方法を包含する。一実施形態では、そうした方法は、基板に材料の層を設けるステップと;基板にフォトレジスト組成物を塗布して材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、フォトレジスト組成物はイメージングポリマーおよび感放射線性酸発生剤を含み、イメージングポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する第1の単量体単位、および第一級アルコール部分、第二級アルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含む第2の単量体単位を含み;さらに、基板を放射線でパターン露光し、それにより放射線で露光されたフォトレジスト層の領域において感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液とフォトレジスト層を接触させ、それによりフォトレジスト層の非露光領域が現像液溶液により選択的に除去されて、フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む。別の実施形態では、そうした方法は、基板に材料の層を設けるステップと;基板にフォトレジスト組成物を塗布して材料層の上にフォトレジスト層を形成するステップとを含み、フォトレジスト組成物はポリマー、感放射線性酸発生剤および成分を含み、ポリマーは酸に不安定なペンダント部分を有する単量体単位を含み、成分はアルコール部分、反応性エーテル部分、イソシアニド部分またはイソシアネート部分を含み;さらに、基板を放射線でパターン露光し、それにより放射線で露光されたフォトレジスト層の領域において感放射線性酸発生剤から酸が発生するステップと;有機溶剤を含む現像液とフォトレジスト層を接触させ、それによりフォトレジスト層の非露光領域が現像液溶液により選択的に除去されて、フォトレジスト層にパターン化された構造体を形成するステップとを含む。本発明の様々な例示的な実施形態では、基板は、フォトレジストに関係するプロセスで使用すると都合がよい好適な任意の基板である。たとえば、基板は、シリコンでも、酸化ケイ素でも、アルミニウム-酸化アルミニウムでも、ガリウムヒ素でも、セラミックでも、石英でも、銅でも、または多層を含むこれらの任意の組み合わせでもよい。基板は、1つまたは複数の半導体層または構造を含んでもよく、半導体装置の動作または作動部分を含んでもよい。材料層は、製造プロセスの段階、および最終製品のための所望の材料セットに応じて金属導体層でも、セラミック絶縁体層でも、半導体層でも、または他の材料でもよい。本発明のフォトレジスト組成物は、半導体基板上の集積回路の製造に使用されるリソグラフィプロセスに特に有用である。本発明のフォトレジスト組成物は、パターン化された材料層構造、たとえば、集積回路装置に使用され得る金属配線ライン、接続穴もしくはビア、絶縁部たとえば、ダマシン溝またはシャロートレンチアイソレーション、キャパシタ構造物用のトレンチ、トランジスタ用のイオン注入された半導体構造等を作製するリソグラフィプロセスに使用してもよい。場合によっては、フォトレジスト層と材料層との間に裏面反射防止膜もしくは下層膜たとえば、平坦化下層またはその両方を塗布してもよい。他の場合には、フォトレジスト層の上に上面反射防止膜層を塗布してもよい。本発明は、反射防止膜もしくは下層材料またはその両方の使用に限定されるものでなく、それらの膜または材料の特定の組成物の使用にも限定されるものでない。フォトレジスト層は、スピンコーティングなど実質的にどのような標準的手段により形成してもよい。フォトレジスト層は、フォトレジストから任意の溶剤を除去し、フォトレジスト層の密着性を改善するためベーク塗布後ベークPAB:postapplyingbakeしてもよい。フォトレジスト層に好ましいPAB温度の範囲は、約70°C~約150°C、さらに好ましくは約90°C~約130°Cである。第1の層の好ましい厚さは、約20nm~約400nm、さらに好ましくは約30nm~約300nmである。次いでフォトレジスト層は、所望の放射線でパターン露光する。本発明に利用される放射線は、可視光でも、紫外線UVでも、極紫外線EUVでも、電子ビームE-beamでもよい。放射線のイメージング波長は、約248nm、193nmまたは13nmであることが好ましい。放射線のイメージング波長は約193nmArFレーザーであることがさらに好ましい。パターン露光は、フォトレジスト層の上に設置したマスクを介して行う。所望のパターン露光後、典型的にはフォトレジスト層をベーク露光後ベークPEB:postexposurebakeして酸触媒反応をさらに終了させ、露光パターンのコントラストを向上させる。PEB温度の好ましい範囲は約70°C~約150°C、さらに好ましくは約90°C~約130°Cである。アセタールおよびケタール化学物質などある種の化学場物質の場合、レジストポリマーの脱保護が室温で進行するため、場合によっては、PEBステップを省くことも可能である。露光後ベークは、好ましくは約30秒から5分行う。PEBを行う場合、その後、有機溶剤を含む現像液とフォトレジスト層を接触させるステップにより、所望のパターンを有するフォトレジスト構造を得る現像する。好ましくは、現像液は、エーテル類、グリコールエーテル類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類、および前述の溶剤の2つ以上の組み合わせからなる群から選択される。好適なグリコールエーテル類には、2-メトキシエチルエーテルジグリム、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAおよび同種のものがある。好適な芳香族炭化水素溶剤には、トルエン、キシレンおよびベンゼンがある。ケトン類の例としては、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン、シクロヘプタノンおよびシクロヘキサノンが挙げられる。エーテル溶剤の例にはテトラヒドロフランがあり、本発明に利用してもよいエステル溶剤の例には乳酸エチル、酢酸n-ブチルおよびエトキシエチルプロピオネートEEPがある。さらに好ましくは、現像液は2-ヘプタノン、PGMEAまたはEEPである。現像液は、放射線を照射されなかったフォトレジスト領域を選択的に溶解させる。このため、本発明の現像ステップはネガ型現像ステップである。任意に、本発明の方法は、現像ステップ後にフォトレジスト層を第2の有機溶剤でリンスするステップをさらに含んでもよい。レジストの現像後に、その現像液に対する低溶解性により基板上に残渣が残ることがある。第2の有機溶剤でリンスすると、これらの残渣が除去され、きれいなレジスト像が得られる。好ましくは、第2の有機溶剤は現像液よりやや高い極性を有する。そうした第2の有機溶剤の例として、1-ブタノール、メタノール、エタノール、1-プロパノール、エチレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,2-プロパンジオール、1-メチル-2-ブタノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、1-ヘプタノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、4-ヘプタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、3-エチル-2-ペンタノール、1-メチルシクロペンタノール、2-メチル-1-ヘキサノール、2-メチル-2-ヘキサノール、2-メチル-3-ヘキサノール、3-メチル-3-ヘキサノール、4-メチル-3-ヘキサノール、5-メチル-1-ヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、5-メチル-3-ヘキサノール、4-メチルシクロヘキサノール、1,3-プロパンジオール、および前述の溶剤の2つ以上の組み合わせを挙げることができるが、これに限定されるものではない。次いで当該技術分野において公知の技術を用いて好適なエッチング液でエッチングして、フォトレジスト構造のパターンを基板の下層の材料層の露光部に転写してもよい。好ましくは転写は、リアクティブイオンエッチングまたはウエットエッチングにより行う。所望のパターンの転写が行われたら、従来のストリッピング技術を用いて、残っている任意のフォトレジストを除去すればよい。あるいは、パターンはイオン注入により転写してイオン注入材料のパターンを形成してもよい。本発明の組成物が有用であり得る一般的なリソグラフィプロセスの例については、米国特許第4,855,017号;同第5,362,663号;同第5,429,710号;同第5,562,801号;同第5,618,751号;同第5,744,376号;同第5,801,094号;同第5,821,469号および同第5,948,570号に開示されている。パターン転写プロセスの他の例は、Chapters12and13ofSemiconductorLithography,Principles,Practices,andMaterialsbyWayneMoreau,PlenumPress,1988に記載されている。本発明は、任意の特定のリソグラフィ技術または装置構造に限定されるものではないことを理解すべきである。本発明について下記の例により詳細に記載する。本発明は、各例の具体的な詳細に限定されるものではない。レジストAの製造10モルのMcpMA、40モルのMAdMA、15モルのHAdMAおよび35モルのNLMからなるテトラポリマーを、30wtのGBLγ-ブチロラクトン、2wtのトリフェニル-スルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-7-イル-1,1,2,2-テトラフルオロ-エタンスルホネート、5wt4-シクロヘキシル-フェニル-ジフェニル-スルホニウム1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-ブタン-1-スルホネートおよび0.69wtの2-ヒドロキシメチル-ピロリジン-1-カルボン酸tert-ブチルエステルwtはすべてポリマーに対するwtと共にPGMEAに溶解させ、4wtの固形分を含む溶液を作製した。得られた溶液を0.2μmのフィルタで濾過した。LTO低温酸化物およびSiCOH低誘電率の誘電体の上面にDowChemicalAR40反射防止層の42nm厚の被膜がある12’’シリコンウエハ上に、このレジストをスピンコートした。このレジストを110°Cで60秒間塗布後ベークPABし、ASMLステッパNA0.93、外側σ0.84および内側σ0.59の輪帯照明で波長193nmの光を照射した。次いでウエハを130°Cで60秒間露光後ベークPEBした。これを、PGMEAを現像液としてシングルパドル現像法を用いて30秒間現像した。ブライトフィールドマスクを用いて55nmスペース/178nmピッチのフィーチャを解像した。レジストBの製造10モルのMcpMA、40モルのMAdMA、15モルのHEAdMAおよび35モルのNLMからなるテトラポリマーを、30wtのGBL、5wtのトリフェニル-スルホニウム1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-ブタン-1-スルホネートおよび0.33wtのピペリジン-1-カルボン酸tert-ブチルエステルwtはすべてポリマーに対するwtと共にPGMEAに溶解させ、4wtの固形分を含む溶液を作製した。得られた溶液を0.2μmのフィルタで濾過した。LTO低温酸化物およびSiCOH低誘電率の誘電体の上面にDowChemicalAR40反射防止層の42nm厚の被膜がある12’’シリコンウエハ上に、このレジストをスピンコートした。このレジストを110°Cで60秒間塗布後ベークPABし、ASMLステッパNA0.93、外側σ0.84および内側σ0.59の輪帯照明で波長193nmの光を照射した。次いでウエハを120°Cで60秒間露光後ベークPEBした。これを、PGMEAを現像液としてシングルパドル現像法を用いて30秒間現像した。ブライトフィールドマスクを用いて120nmスペース/400nmピッチのフィーチャを解像した。レジストCの製造50モルのMAdMAおよび50モルのGMAからなるコポリマーを、30wtのGBL、7wtのトリフェニル-スルホニウム1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-ブタン-1-スルホネートおよび0.82wtのピペリジン-1-カルボン酸tert-ブチルエステルwtはすべてポリマーに対するwtと共にPGMEAに溶解させ、4wtの固形分を含む溶液を作製した。得られた溶液を0.2μmのフィルタで濾過した。LTO低温酸化物およびSiCOH低誘電率の誘電体の上面にDowChemicalAR40反射防止層の42nm厚の被膜がある12’’シリコンウエハ上に、このレジストをスピンコートした。このレジストを110°Cで60秒間塗布後ベークPABし、ASMLステッパNA0.93、外側σ0.84および内側σ0.59の輪帯照明で波長193nmの光を照射した。次いでウエハを110°Cで60秒間露光後ベークPEBした。これを、PGMEA溶剤現像液を使用してシングルパドル現像法を用いて30秒間現像した。ブライトフィールドマスクを用いたリソグラフィの解像度は不十分であった。レジストDの製造25モルのEcoMA、25モルのEcpMAおよび50モルのNLMからなるターポリマーを、10wtのGMAホモポリマー、30wtのGBL、7wtのトリフェニル-スルホニウム1,1,2,2,3,3,4,4,4-ノナフルオロ-ブタン-1-スルホネートおよび0.73wtの1-tert-ブチルオキシカルボニル-2-フェニルベンゾイミダゾールwtはすべてポリマーに対するwtと共にPGMEAに溶解させ、4wtの固形分を含む溶液を作製した。得られた溶液を0.2μmのフィルタで濾過した。LTO低温酸化物およびSiCOH低誘電率の誘電体の上面にDowChemicalAR40反射防止層の42nm厚の被膜がある12’’シリコンウエハ上に、このレジストをスピンコートした。このレジストを100°Cで60秒間塗布後ベークPABし、ASMLステッパNA0.93、外側σ0.84および内側σ0.59の輪帯照明で波長193nmの光を照射した。次いでウエハを90°Cで60秒間露光後ベークPEBした。これを、PGMEA溶剤現像液を使用してシングルパドル現像法を用いて30秒間現像した。ブライトフィールドマスクを用いて50nmスペース/390nmピッチのフィーチャを解像した。好ましい実施形態に関して本発明を詳細に示して説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲で形態および細部に関する前述および他の変更をなしてもよいことが当業者には理解されよう。したがって、本発明は、記載および説明した正確な形態および細部に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲の範囲に包含されるものであることを意図している。"