"式I-1で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂。[式I-1中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]請求項1記載の樹脂を含むレジスト組成物。1請求項2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。式I-1で表される化合物。[式I-1中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]従来から知られる上記の樹脂を含むレジスト組成物により製造されるレジストパターンは、そのCDCriticaldimension均一性CDUが必ずしも満足できない場合や、欠陥の発生数が多くなる場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式I-1で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂。[式I-1中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]2前記1記載の樹脂を含むレジスト組成物。31前記2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程程、を含むレジストパターンの製造方法。4式I-1で表される化合物。[式I-1中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]さらに、本発明は、以下の発明を含む。5式I-1のB2が、式B2-1で表される基又は式B2-2で表される基である前記1記載の樹脂。[式B2-1及び式B2-2中、B1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。lは、0~5の整数を表す。R3は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。lが2以上のとき、複数のR3は互いに同一でも異なってもよく、複数のR3のうち、2つのR3が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成していてもよい。l’は、0~3の整数を表す。R4は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。l’が2以上のとき、複数のR4は互いに同一でも異なってもよく、複数のR4のうち、2つのR4が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成していてもよい。]6前記1又は前記5記載の樹脂と、溶剤とを含むレジスト組成物。7前記6記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から前記溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の樹脂によれば、該樹脂を含むレジスト組成物により得られるレジストパターンは、CD均一性CDUに優れ、欠陥の発生数が少ない。本発明は、式I-1で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂以下、場合により本樹脂という。、本樹脂を含むレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。、及び本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を提供する。<式I-1で表される化合物以下、場合により化合物I-1という。>[式I-1中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。R2は、水素原子又は炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]化合物I-1は以下の式I-0で表される基を有することを特徴とする。[式I-0中、R1、R2及びB2は、上記と同じ意味を表す。はA1との結合手を表す。]R1及びR2の炭素数1~6のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基などが挙げられる。B2は、炭素数4~18のラクトン環を含み、オキシ基との間の結合O-B2が酸の作用により切断されない基である。ここで、酸の作用により切断されないとは、化合物I-1を酸と接触させても、結合O-B2が切断されないことを意味する。酸としては、塩酸、酢酸、硫酸、スルホン酸化合物等が挙げられる。化合物I-1としては、スルホン酸化合物と接触させても、結合O-B2が切断されないことが好ましく、レジスト組成物に含まれる酸発生剤を光照射することにより生成される酸と接触させても、結合O-B2が切断されないことがより好ましい。さらに、化合物I-1又は化合物I-1に由来する構造単位を含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物から形成される組成物層に光照射しても、化合物I-1又は化合物I-1に由来する構造単位を含む樹脂中の結合O-B2が切断されず、安定であることが好ましく、光照射後、後述の工程4における加熱処理を行っても、化合物I-1又は化合物I-1に由来する構造単位を含む樹脂中の結合O-B2が切断されず、安定であることがより好ましい。B2を構成する原子のうち、オキシ基と結合している原子が炭素原子であり、該炭素原子が第一級又は第二級の炭素原子であることが好ましい。また、B2は、好ましくは炭素数4~12のラクトン環を含む。ラクトン環の炭素数は、該ラクトン環を構成する原子の炭素数をいう。該ラクトン環としては、γ‐ラクトン環及びδ‐ラクトン環等の単環式ラクトン環、単環式ラクトン環と脂環式炭化水素環とが縮合した多環式ラクトン環すなわち、多環性の脂環式炭化水素環を構成するメチレン基のうち、隣接する2つのメチレン基がエステル結合に置き換わった環が挙げられる。前記ラクトン環は、カルボキシ基、シアノ基及び炭素数1~20の炭化水素基からなる群より選ばれる少なくとも1種の置換基を有していてもよく、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基はオキシ基本明細書では-O-で示すことがある。やカルボニル基本明細書では-CO-で示すことがある。に置き換わっていてもよい。さらに、複数の置換基を有する場合、2つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。置換基に含まれる炭素原子の合計数は、ラクトン環の炭素数に含まれないが、2つのが互いに結合して環を形成し、この環が前記多環式ラクトン環を形成している場合には、該多環式ラクトン環を構成する炭素原子の数は、ラクトン環の炭素数に含まれる。なお、ラクトン環が置換基を有する場合、その置換基としては、カルボキシ基、シアノ基又はメチル基が好ましい。B2は例えば、以下の式B2-1、式B2-2及び式B2-3のいずれかで表される基以下、式B2-1~式B2-3で表される基という。などが挙げられる。[式B2-1、式B2-2及び式B2-3中、B1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。はオキシ基との結合手を表す。lは、0~5の整数を表す。R3は、炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。lが2以上のとき、複数のR3は互いに同一でも異なってもよく、複数のR3のうち、2つのR3が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成していてもよい。l’は、0~3の整数を表す。R4は、カルボキシル基、シアノ基又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。l’が2以上のとき、複数のR4は互いに同一でも異なってもよく、複数のR4のうち、2つのR4が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成していてもよい。l’’は、0~3の整数を表す。R6は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。l’’が2以上のとき、複数のR6は互いに同一でも異なってもよく、複数のR6のうち、2つのR6が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成していてもよい。]R3、R4及びR6は、上述のラクトン環が有していてもよい置換基と同じものが挙げられ、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。式B2-1~式B2-3のB1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基であり、該アルキレン基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。このアルキレン基の具体例は、メチレン基-CH2-、エチレン基-CH2CH2-、プロピレン基-CH2CH2CH2-、イソプロピレン基-CH2CHCH3-及びsec-ブチレン基-CH2CH2CHCH3-などが挙げられる。アルキレン基に含まれるメチレン基がオキシ基又はカルボニル基で置き換わった基は例えば、-O-CO-CH2-O-、-O-CO-CH2-O-CO-、-CH2-O-CO-又は-CH2-CO-O-である。なお、ここに例示する基において、は、オキシ基との結合手を表す。ラクトン環がオキシ基と結合する場合すなわち、B1が単結合である場合、及びB1が炭素数2~6のアルキレン基であり、かつラクトン環に結合するメチレン基がオキシ基に置き換わっている場合、結合手となるラクトン環上の炭素原子に結合する水素原子は、炭化水素基と置換されないことが好ましい。式I-1のA1は、炭素数1~10の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。該2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基及びドデカン-1,12-ジイル基などの炭素数1~10の直鎖状アルカンジイル基;例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基及び2-メチルブタン-1,4-ジイル基などの分岐状のアルカンジイル基;エテン-1,2-ジイル基、プロペン-1,3-ジイル基及びプロペン-1,2-ジイル基などの炭素-炭素不飽和結合を含む炭素数2~10の炭化水素基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基シレン基、シクロオクタン-1,5-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基などの脂環式炭化水素環を含む炭素数3~10の炭化水素基が挙げられる。また、これらの基の2種以上を組み合わせて、その総炭素数が10以下のものでもよい。A1は、前記2価の炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基はオキシ基又はカルボニル基で置き換わった基でもよく、具体的には、-CH2-CO-O-及び-CH2-CO-O-CH2-CO-O-は、オキシ基との結合手を表す。などが挙げられる。化合物I-1は、式I-2で表される化合物以下、場合により化合物I-2という。であることが好ましい。[式I-2中、B2’は、炭素数4~18のラクトン環を表す。R1、R2、R5及びA1は、上記と同じ意味を表す。]炭素数4~18のラクトン環としては、上記と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。ここで化合物I-1の具体例を挙げる。化合物I-1は例えば、以下に示すような製造方法により製造できる。ここでは、化合物I-2を例にとり、その製造方法を簡単に説明する。化合物I-2は、式IA-1で表される化合物以下、場合により化合物IA-1という。と、式IA-2で表される化合物以下、場合により化合物IA-2という。とを触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造できる。[式IA-1、式IA-1及び式I-2中、R1、R2、R5、A1及びB2’は、上記と同じ意味を表す。]化合物IA-1としては、例えば特開2008-122932号公報に記載されている化合物などが挙げられる。化合物IA-2としては、5-オキソテトラヒドロフラン-2-カルボン酸などが挙げられる。化合物IA-1と、化合物IA-2との反応に用いられる触媒としては、カルボニルジイミダゾールなどが挙げられる。化合物IA-1と、化合物IA-2との反応に用いられる溶剤としては、アセトニトリルなどが挙げられる。<本樹脂>本発明は、化合物I-1に由来する構造単位を含む樹脂であり、化合物I-1を用いて製造される。本樹脂には、化合物I-1以外のモノマーを化合物I-1とともに用いて、共重合した樹脂を含む。このような本樹脂は、化合物I-1に由来する、以下の式I-1uで表される構造単位を有する。[式I-1u中、R1、R2、R5、A1及びB2は式I-1で挙げたものと同じ意味を表す。]化合物I-1とともに、共重合してもよいモノマーとしては、酸不安定基を有するモノマーと、酸不安定基を有さないモノマー以下、場合により酸安定モノマーという。とが挙げられる。<酸不安定基を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1という。>酸不安定基とは、保護基により保護されている親水性基のことをいい、前記親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該脂肪族炭化水素基又は該脂環式炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基、-S-チオキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられる。このアルキル基の具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などである。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。Ra1~Ra3の脂環式炭化水素基の炭素数は、3~16が好ましい。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合の-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基としては、例えば、以下の式2で表される基以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Rb2及びRb3が互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基、-S-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1~Rb3の炭化水素基は例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。ここで、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、Ra1~Ra3の基として説明したものと同じである。該芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどのアリール基が挙げられる。Rb1~Rb3のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と、炭素-炭素二重結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するメタアクリル系モノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。ここで、メタアクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを表す。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂は、該樹脂を含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素構造を有する酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、オキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環を構成する炭素原子に結合する水素原子すなわちメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わり、該メチル基の個数がm1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、オキシ基又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表し、1がより好ましい。はカルボニル基との結合手である。で表される基であり、より好ましくはオキシ基である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などが挙げられる。Ra6又はRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下の基である。Ra6又はRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは炭素数6以下である。Ra6又はRa7が脂環式炭化水素基である場合、当該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、及び下記のような基などが挙げられるは、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イチルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキシルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。樹脂がモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位を含む場合、樹脂の全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂が有する各構造単位の含有量を、所望する含有量にするためには、樹脂を製造する際に使用するモノマーの使用量を上記範囲にして製造すればよい。モノマーa1としては、さらに式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3という。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Ra10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。ここで、Ra9の-COORa13は例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基などのアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。Ra9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13の脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12は例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが挙げられる。モノマーa1-3は例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いてされた樹脂にはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂を含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂を含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂の全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。前記他のモノマーとしては、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。も用いることができる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一であっても異なってもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、カルボニル基、オキシ基、-S-、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基で置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]式a1-4のRa32、Ra33、Ra34、Ra35及びXa2の具体例を挙げる。Ra32及びRa33のハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などである。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。Ra33のアルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基及びn-ヘキトキシ基などが挙げられる。Ra33のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。Ra33のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。Ra34及びRa35の炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかである。該脂肪族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂肪族炭化水素基として例示したものを含む。該脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、モノマーa1-1のRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もRa6及びRa7の脂環式炭化水素基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イル-1-アルキル基及びイソボルニル基等が好ましい。該芳香族炭化水素基は典型的にはアリール基であり、具体的にいえば、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどである。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基などに置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂が、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1もメタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という。が挙げられる。式a1-5中、R31としては、R5で例示したものと同じものが挙げられ、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。L1は、オキシ基が好ましい。L2及びL3は、オキシ基又は-S-であるが、L2及びL3のうち、一方がオキシ基、他方が-S-であると好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2の整数が好ましい。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルキレン基であり、該アルキレン基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。これらのうち、単結合又は-CH2-CO-O-はL1との結合手である。が好ましい。モノマーa1-5の具体例としては、以下のとおりである。樹脂が、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及びラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。が挙げられる。これらに由来する構造単位を有する樹脂を含む本レジスト組成物により形成される塗布膜及び/又は組成物層は、基板と密着性に優れる傾向があり、高解像度で、レジストパターンを製造することができる。<ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂の製造に用いる場合、該樹脂を含む本レジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマーa2を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマーa2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等を樹脂の製造に用いることが好ましい。ArFエキシマレーザ露光波長:193nmを用いる場合は、酸安定モノマーa2として、式a2-1で表される酸安定モノマーを用いることが好ましい。該酸安定モノマーa2は、露光源の種類に応じて好適なモノマー1種のみを用いてもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー2種以上を用いてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上を用いてもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。]Ra30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、前記モノマーa1-4のRa33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。R31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂を製造する場合は、酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されてなるモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては例えば、アセチル基などが好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位からは容易に、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位と同じものを形成することができる。ただし、樹脂が、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有している場合、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されてなるモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。なお、以下の例示でも、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示す。上述の酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものを用いることが好ましい。樹脂が、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa2-1は以下の式a2-1で示されるものである。式a2-1中、La3は、オキシ基又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、オキシ基、-O-CH2f1-CO-O-ここでf1は、1~4の整数であり、はカルボニル基との結合手である。であり、より好ましくはオキシ基である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂が、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<ラクトン環を含有する酸安定モノマー酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれかで表されるものである。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3のいずれか中、La4、La5及びLa6以下、Ra18~Ra20のように表記する。は、それぞれ独立に、オキシ基又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18、Ra19及びRa20以下、Ra18~Ra20のように表記する。は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、それぞれ独立である。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6は、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂が、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、5~50モルの範囲から選ばれ、10~40モルの範囲が好ましく、15~40モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>さらに、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3以外の酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4という。として、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。モノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂が、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。更に、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-4という。などを挙げることもできる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、La7との結合手に置き換わったものである。置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基とは、スルトン環を構成する炭素原子とLa7とが結合する基であり、該スルトン環を構成する炭素原子に結合する水素原子は、置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。酸安定モノマーa4-4の具体例を下記に示す。樹脂が、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すするようなフッ素原子を有するモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-5という。も使用できる。このようなモノマーの中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル及びメタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂が、モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<式3で表される基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa5という。>酸安定モノマーa5は以下の式3で表される基を有する。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]R10のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂が、モノマーa5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<式4で表される基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa6という。>モノマーa6は以下の式4で表される基を有する。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m-SO2-O-又は-CH2m-CO-O-を表し、該-CH2m-に含まれるメチレン基は、オキシ基、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該-CH2m-に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。mは、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。ここでいう炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状でも、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びtert-オクチル基などの分岐鎖状でもよいが、好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。脂環式炭化水素基としては、以下に表される基が挙げられる。R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含むような形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合で説明したものと同じである。A2としては、下記の基が挙げられる。酸安定モノマーa6としては、式a6-1で表されるモノマーが好ましい。[式a6-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、上記と同じ意味を表す。]式a6-1で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。樹脂が、モノマーa6-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂の全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<本樹脂についてのその他の説明>本樹脂としては、樹脂[Q1]~樹脂[Q4]が挙げられる。樹脂[Q1]:化合物I-1に由来する構造単位のみからなる樹脂、樹脂[Q2]:化合物I-1に由来する構造単位と、酸安定モノマーに由来する構造単位とを有する樹脂、樹脂[Q3]:化合物I-1に由来する構造単位と、酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位とを有する樹脂、樹脂[Q4]:化合物I-1に由来する構造単位と、酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位と、酸安定モノマーに由来する構造単位とを有する樹脂が挙げられる。樹脂[Q1]の重量平均分子量は、8,000以上80,000以下が好ましく、10,000以上60,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量もゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。本樹脂が、樹脂[Q2]である場合、それぞれの構造単位の比率は、本樹脂を構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。化合物I-1に由来する構造単位:好ましくは5~95モル、より好ましくは10~90モル、さらに好ましくは20~80モル酸安定モノマーに由来する構造単位:好ましくは5~95モル、より好ましくは10~90モル、さらに好ましくは20~80モル樹脂[Q2]における酸安定モノマーとしては、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3、酸安定モノマーa5及び酸安定モノマーa6が好ましく、酸安定モノマーa5及び酸安定モノマーa6がより好ましい。樹脂[Q1]及び樹脂[Q2]の重量平均分子量は、8,000以上80,000以下が好ましく、10,000以上60,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量もゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。本樹脂が、樹脂[Q3]である場合、それぞれの構造単位の比率は、本樹脂を構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。化合物I-1に由来する構造単位:好ましくは1~15モル、より好ましくは1~10モル、さらに好ましくは1~5モル酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位:好ましくは85~99モル、より好ましくは90~99モル、さらに好ましくは95~99モル樹脂[Q3]における酸不安定基を有するモノマーとしては、モノマーa1-1及びモノマーa1-2が好ましく、モノマーa1-1がより好ましい。本樹脂が、樹脂[Q4]である場合、それぞれの構造単位の比率は、本樹脂を構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。化合物I-1に由来する構造単位:好ましくは1~15モル、より好ましくは1~10モル、さらに好ましくは1~5モル酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位:好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モル、さらに好ましくは25~55モル酸安定モノマーに由来する構造単位:好ましくは5~89モル、より好ましくは30~79モル、さらに好ましくは40~74モル樹脂[Q4]における酸不安定基を有するモノマーとしては、モノマーa1-1及びモノマーa1-2が好ましく、モノマーa1-1がより好ましい。樹脂[Q4]における酸安定モノマーとしては、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3が好ましい。酸安定モノマーa2としては酸安定モノマーa2-1がより好ましく、酸安定モノマーa3としては酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2がより好ましい。樹脂[Q3]及び樹脂[Q4]の重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がより好ましく、4,000以上10,000以下がさらに好ましい。樹脂[Q3]及び樹脂[Q4]は、酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位を有することにより、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるものの、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる。中でも、樹脂[Q4]が好ましい。樹脂[Q3]及び樹脂[Q4]は、アダマンチル基を有するモノマー特にモノマーa1-1を有していることが好ましく、その含有量は、本樹脂を構成する全構造単位中15モル以上とすることが好ましい。このような本樹脂を含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。本樹脂は、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。<本レジスト組成物>本レジスト組成物は、化合物I-1に由来する構造単位を含む本樹脂を含むことにより、欠陥の発生量が少なく、CD均一性が良好なレジストパターンを製造できるという効果を発現する。本樹脂が、樹脂[Q1]及び/又は樹脂[Q2]である場合、本レジスト組成物は、樹脂X及び酸発生剤Bを、本樹脂とともに含むことが好ましく、さらに溶剤E及び塩基化合物Cを含むことがより好ましい。本樹脂が、樹脂[Q3]及び/又は樹脂[Q4]である場合、本レジスト組成物は、酸発生剤Bを本樹脂とともに含むことが好ましく、さらに溶剤E及び塩基化合物Cを含むことがより好ましい。樹脂Xを含んでもよい。樹脂Xは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂ただし、化合物I-1に由来する構造単位を含まない。であり、モノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体が好ましく、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3との共重合体がより好ましい。樹脂X製造に用いるモノマーa1は、モノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種であることが好ましく、モノマーa1-1がより好ましい。樹脂X製造に用いる酸安定モノマーa2は、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3は、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2が好ましい。樹脂Xも、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Xがモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、それぞれのモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂Xを構成する全構造単位中、以下の範囲にあることが好ましい。モノマーa1に由来する構造単位:好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モル酸安定モノマに由来する構造単位:好ましくは90~20モル、より好ましくは80~40モルまた、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を用いる場合、その使用量は、モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Xを含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンはドライエッチング耐性に優れる傾向がある。樹脂Xの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。<酸発生剤以下、酸発生剤Bということがある。>酸発生剤Bには、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤又はこれらを組み合わせて用いることができる。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート及びスルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタンなどがある。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。酸発生剤Bとしては、分子内にフッ素原子を有するフッ素含有酸発生剤が好ましく、以下の式B1で表される酸発生剤B以下、酸発生剤B1という。が特に好ましい。この酸発生剤B1を用いた本レジスト組成物は、CD均一性に優れ、欠陥の発生数が極めて少ないレジストパターンを製造できるだけでなく、良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できる傾向がある。なお、以下の説明において、酸発生剤B1におけるZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンである。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がより好ましい。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的な2価の飽和炭化水素基を、以下に示す。メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基などの直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有した分岐状アルキレン基、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基などの分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基などのシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基などの多環式の2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6以下、式b1-1~式b1-6のように表記する。のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤としては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。ここで、式b1-1~式b1-6で表される2価の基の具体例を挙げる。なお、は結合手を表す。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。該芳香族炭化水素基は例えば、フェニル基、トシル基及びナフチル基などが挙げられる。該アラルキル基は例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。該アシル基としては、アセチル基及プロピオニル基などが挙げられる。式B1におけるYは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Yの脂肪族炭化水素基としてはアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がさらに好ましい。なお、このアルキル基は直鎖状であっても、分岐状であってもよい。また、Yの脂環式炭化水素基とは、炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。該脂環式炭化水素基は単環式であっても、多環式であってもよい。ここで、置換基を有する脂肪族炭化水素基とは、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。一方、置換基を有する脂環式炭化水素基とは、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基で置換されている基を意味する。置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。前記芳香族炭化水素基及び前記アラルキル基に含まれる水素原子は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。また、Yの脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数3~16の脂環式炭化水素基で置換されていてもよく、Yの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。Yの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、オキシ基、スルホニル基-SO2-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つががオキシ基に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1、式Y2、式Y3、式Y4、式Y5、式Y6、式Y7、式Y8、式Y9、式Y10、式Y11、式Y12、式Y13、式Y14、式Y15、式Y16、式Y17、式Y18、式Y19、式Y20、式Y21、式Y22、式Y23、式Y24、式Y25及び式Y26以下、式Y1~式Y26のように表記する。のいずれかで表される基が挙げられる。式Y12~式Y26で表される基は、オキシ基、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わったメチレン基を1~3個有する脂環式炭化水素基に相当する。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1との結合手を表す。Yとしては、これらの例示の中でも、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がさらに好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がより好ましい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、好適なYとしてはアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基を挙げることができる。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基又脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。Yが無置換の脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。酸発生剤に含まれるカチオンは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。酸発生剤B1中の有機カチオンZとしてもスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4のいずれかで表される有機カチオン以下、各式の番号に応じて、カチオンb2-1、カチオンb2-2、カチオンb2-3及びカチオンb2-4ということがある。である。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基であり、これらが脂肪族炭化水素基である場合、その炭素数は1~12であることが好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であることが好ましく、4~12であることがさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10、及び/又は、Rb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、オキシ基、-S-又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、オキシ基又は-S-を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基などが挙げられる。Rb9~Rb12の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基である。Rb12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基である。Rb12の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基などが挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数1~12のアルキル基がより好ましい。前記脂肪族炭化水素基は、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよい。該脂環式炭化水素基の炭素数は4~18であることが好ましい。前記脂環式炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-4の具体例としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のスルホン酸アニオンと該有機カチオンとは任意に組み合わせることができるが、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-1-1との組合せである酸発生剤B1、並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンb2-3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表される塩である。中でも、ヒドロキシアダマンチル基を有するアニオンを含む式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5のいずれかで表される塩が好ましい。また、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表される塩がより好ましい。酸発生剤Bの含有量は、樹脂100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。なお、ここでいう樹脂とは、本レジスト組成物に含まれる樹脂成分のうち、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるものの、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶の樹脂に転化するという特性を有する樹脂をいう。具体的には、樹脂A又は樹脂Xをいう。<塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。ここで、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なっていてもよい。式C2で表される芳香族アミンは例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミンなどが挙げられる。また、以下の式C3、式C4、式C5、式C6、式C7、式C8、式C9、式C10及び式C11のいずれかで表される化合物以下、ここでいう化合物を、式番号に応じて、化合物C3~化合物C11のように表記する。も用いることができる。ここで、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28は上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、それぞれ、前記Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又はアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、それぞれ独立である。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、-S-、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。化合物C4としては例えば、ピペラジンなどが挙げられる。化合物C5としては例えば、モルホリンなどが挙げられる。化合物C6としては例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。化合物C7としては例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。化合物C8としては例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。化合物C9としては例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。化合物C10としては例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。化合物C11としては例えば、ビピリジンなどが挙げられる。化合物C3としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。アンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどが挙げられる。<溶剤以下、場合により溶剤Eという>溶剤Eは、用いる樹脂すなわち本樹脂及び必要に応じて用いられる樹脂Xや酸発生剤Bなどの種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜を選ぶことができる。好適な溶剤Eとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどのラクトン類を挙げることができる。溶剤Eは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などを利用できる。<本レジスト組成物の調製方法>本レジスト組成物は、本樹脂及び酸発生剤B、並びに必要に応じて、樹脂X、塩基性化合物C、成分F及び溶剤Eを混合することにより調製することができる。これらの成分の混合順は、特に限定されない。混合する際の温度は、10~40°Cが好ましく、用いる成分の種類やこれらの溶剤Eに対する溶解度などに応じて選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、0.5~24時間が好ましい。混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。各成分を混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。本樹脂が、樹脂[Q1]及び/又は樹脂[Q2]である場合、本樹脂の含有量は、組成物中の固形分に対して、0.1質量以上10質量以下が好ましく、より好ましくは0.3質量以上5質量以下である。なお、本明細書において組成物中の固形分とは、溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する本樹脂等の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。本樹脂が、樹脂[Q3]及び/又は樹脂[Q4]である場合、本樹脂の含有量は、組成物中の固形分に対して、10質量以上99質量以下が好ましく、より好ましくは30質量以上99質量以下である。樹脂[Q3]及び/又は樹脂[Q4]である本樹脂と、樹脂Xとを併用する場合、その合計含有量は、組成物中の固形分に対して、80質量以上99質量以下が好ましい。本樹脂が、樹脂[Q1]及び/又は樹脂[Q2]であり、樹脂[Q3]及び/又は樹脂[Q4]である本樹脂を含まない場合、樹脂Xの含有量は、組成物中の固形分に対して、80質量以上99質量以下が好ましい。溶剤Eの含有量は、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。ここで、溶剤Eの含有量が90質量である本レジスト組成物は、組成物中の固形分は10質量に相当する。溶剤Eの含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。酸発生剤Bの含有質量は、本樹脂及び樹脂Xの合計量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。塩基性化合物Cを用いる場合、塩基性化合物Cの含有量は、0.01~1質量程度が好ましい。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2における乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤等の揮発成分を蒸発させて除去することにより行われる。乾燥条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Eの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱手段の場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。工程3では、露光機を用いて工程2で得られた組成物層を露光する。露光は、所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生する。該酸の作用により、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂が有する酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記樹脂はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、上記樹脂はアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。工程4における加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークは、前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。ホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5における現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部の組成物層は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板上に残り、レジストパターンとなる。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができ、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後は、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製また、化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用いて確認した。実施例1化合物I-1である式Jで表される化合物の製造式J-1で表される化合物12.50部及びアセトニトリル62.50部を混合し、23°Cで30分間攪拌した後、ここにカルボニルジイミダゾール15.76部を30分かけて添加した。添加後、同温度を保持したまま、4時間攪拌した。かくして得られた混合物を、式J-2で表される化合物24.66部及びアセトニトリル12.33部の混合液中に30分かけて滴下し、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応混合物に、酢酸エチル149.66部及び5シュウ酸水溶液170.00部を添加し、攪拌静置した後、分液を行って水層を除去した。得られた有機層に、イオン交換水150.00部を添加、攪拌、静置及び分液を行って水層を除去するという水洗操作を8回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。濃縮残渣にn-ヘプタン200部を添加し、23°Cで30分間攪拌した後、析出した析出物をろ過することにより、式Jで表される化合物12.48部を得た。式Jで表される化合物の同定;質量分析MSESISpectrum:M448.1実施例2化合物I-1である式Kで表される化合物の製造式K-1で表される化合物12.50部及びアセトニトリル62.50部を混合し、23°Cで30分間攪拌した後、ここにカルボニルジイミダゾール15.76部を30分かけて添加した。添加後、同温度を保持したまま、4時間攪拌した。かくして得られた混合物を、式K-2で表される化合物30.08部及びアセトニトリル15.04部の混合液中に30分かけて滴下し、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応混合物に、酢酸エチル155.08部及び5シュウ酸水溶液175.05部を添加し、攪拌静置した後、分液を行って水層を除去した。得られた有機層に、イオン交換水154.05部を添加、攪拌、静置及び分液を行って水層を除去するという水洗操作を8回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。濃縮残渣にn-ヘプタン200部を添加し、23°Cで30分間攪拌した後、析出した析出物をろ過することにより、式Kで表される化合物31.36部を得た。式Kで表される化合物の同定;質量分析MSESISpectrum:M522.1実施例3化合物I-1である式Rで表される化合物の製造式R-2で表される化合物16.49部、ピリジン3.88部及びテトラヒドロフラン100部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、式R-1で表される化合物9.43部を1時間かけて添加し、更に、60°Cで3時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水100部及び酢酸エチル200部を添加し、攪拌した後、静置した。2層分離した後、分液により水層を除去した。得られた有機層にイオン交換水100部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液除去するという水洗操作を5回行った。水洗後の有機層を濃縮後、カラム分取吸着剤:関東化学シリカゲル60N球状、中性100-210μm展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1することにより、式Rで表される化合物12.84部を得た。式Rで表される化合物の同定;質量分析MSESISpectrum:M530.2実施例4化合物I-1である式Sで表される化合物の製造式K-2で表される化合物20.21部、ピリジン3.88部及びテトラヒドロフラン120部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。得られた混合物に、式R-1で表される化合物9.43部を1時間かけて添加し、更に、60°Cで3時間攪拌した。得られた反応液に、イオン交換水100部及び酢酸エチル240部を添加し、攪拌した後、静置した。2層分離した後、分液により水層を除去した。得られた有機層にイオン交換水100部を添加し、攪拌し、静置し、水層を分液除去するという水洗操作を5回行った。水洗後の有機層を濃縮後、カラム分取吸着剤:関東化学シリカゲル60N球状、中性100-210μm展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1することにより、式Sで表される化合物10.68部を得た。式Rで表される化合物の同定;質量分析MSESISpectrum:M606.1以下の実施例及び比較例において使用した化合物を下記に示す。なお、これらの化合物を式に付された記号に応じて、化合物A~化合物Sのようにいうなお、ここに示す化合物J、化合物K、化合物R及び化合物Sは各々、実施例1~4で得られたものである。実施例5本樹脂である樹脂A1の合成モノマーとして、化合物A、化合物B、化合物D及び化合物Kを用い、そのモル比化合物A:化合物B:化合物D:化合物Jが40:10:45:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×103の樹脂A1共重合体を収率70で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。実施例6本樹脂である樹脂A2の合成モノマーとして、化合物A、化合物B、化合物C、化合物D及び化合物Jを用い、そのモル比化合物A:化合物B:化合物C:化合物D:化合物Jが40:10:17:30:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A2共重合体を収率75で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。実施例7本樹脂である樹脂A3の合成モノマーとして、化合物A、化合物B、化合物C、化合物D及び化合物Kを用い、そのモル比化合物A:化合物B:化合物C:化合物D:化合物Kが40:10:17:30:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.3×103の樹脂A3共重合体を収率75で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。実施例8本樹脂である樹脂A4の合成モノマーとして、化合物J及び化合物Hを用い、そのモル比化合物J:化合物Hが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×104の樹脂A4共重合体を収率68で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。実施例9本樹脂である樹脂A5の合成モノマーとして、化合物K及び化合物Hを用い、そのモル比化合物K:化合物Hが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.7×104の樹脂A5共重合体を収率60で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。実施例10本樹脂である樹脂A6の合成モノマーとして、化合物Kを用い、この化合物K量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを化合物K量に対して各々、0.8mol及び2.4mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.5×104の樹脂A6共重合体を収率52で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位からなるものである。実施例11本樹脂である樹脂A7の合成モノマーとして、化合物K及び化合物Pを用い、そのモル比化合物K:化合物Pが50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×104の樹脂A7共重合体を収率70で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有するものである。実施例12本樹脂である樹脂A8の合成モノマーとして、化合物K及び化合物Qを用い、そのモル比化合物K:化合物Qが60:40となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.7×104の樹脂A8共重合体を収率58で得た。この樹脂A8は、以下の構造単位を有するものである。実施例13本樹脂である樹脂A9の合成モノマーとして、化合物K及び化合物Cを用い、そのモル比化合物K:化合物Cが50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.6×104の樹脂A9共重合体を収率75で得た。この樹脂A9は、以下の構造単位を有するものである。実施例14本樹脂である樹脂A10の合成モノマーとして、化合物K及び化合物Bを用い、そのモル比化合物K:化合物Bが60:40となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.9×104の樹脂A10共重合体を収率62で得た。この樹脂A10は、以下の構造単位を有するものである。実施例15本樹脂である樹脂A11の合成モノマーとして、化合物R及び化合物Hを用い、そのモル比化合物R:化合物Hが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.1×104の樹脂A11共重合体を収率70で得た。この樹脂A11は、以下の構造単位を有するものである。実施例16本樹脂である樹脂A12の合成モノマーとして、化合物S及び化合物Hを用い、そのモル比化合物S:化合物Hが30:70となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.9×104の樹脂A12共重合体を収率72で得た。この樹脂A12は、以下の構造単位を有するものである。合成例1樹脂X1の合成モノマーとして、化合物A、化合物E、化合物B、化合物G及び化合物Cを用い、そのモル比化合物A:化合物E:化合物B:化合物G:化合物Cが32:7:8:10:43となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.5×103の樹脂X1共重合体を収率80で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。合成例2樹脂X2の合成モノマーとして、化合物A、化合物F、化合物B、化合物G及び化合物Cを用い、そのモル比化合物A:化合物F:化合物B:化合物G:化合物Cが32:7:8:10:43となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂X2共重合体を収率75で得た。この樹脂X2は、以下の構造単位を有するものである。合成例3樹脂X3の合成モノマーとして、化合物A、化合物E、化合物B、化合物D及び化合物Cを用い、そのモル比化合物A:化合物E:化合物B:化合物D:化合物Cが32:7:8:10:43となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.9×103の樹脂X3共重合体を収率78で得た。この樹脂X3は、以下の構造単位を有するものである。合成例4樹脂X4の合成モノマーとして、化合物L、化合物B、化合物M及び化合物Nを用い、そのモル比化合物L:化合物B:化合物M:化合物Nが25:25:40:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを77°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.6×103の樹脂X4共重合体を収率60で得た。この樹脂X4は、以下の構造単位を有するものである。合成例5樹脂X5の合成モノマーとして、化合物I及び化合物Oを用い、そのモル比化合物I:化合物Oが50:50となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂X5共重合体を収率50で得た。この樹脂X5は、以下の構造単位を有するものである。実施例17~32、比較例1表1に示す成分を、同表に示す組成で混合攪拌し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、本レジスト組成物及び比較例1で用いるレジスト組成物を調製した。<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部表1に示す各成分は以下のとおりである。<本樹脂>A1~A12:樹脂A1~A12<樹脂X>X1~X5:樹脂X1~X5<酸発生剤>B1:式B1-3で表される塩B2:トリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホナート<塩基性化合物クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリンC2:式C-2で表される化合物上記で得られたレジスト組成物について、以下のように評価を行った。<欠陥評価>12インチのシリコン製ウェハー基板に、レジスト組成物を、乾燥プリベーク後の膜厚が0.15μmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベークPBし、ウェハー上に組成物層を形成した。このようにして組成物層を形成したウェハーに、現像機[ACT-12;東京エレクトロン株製]を用いて、60秒間、水リンスを行った。その後、欠陥検査装置[KLA-2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。組成物層に認められた欠陥数から、以下の4水準で評価した。結果を表2に示す。欠陥数が500以下の場合を◎◎、欠陥数が500を超え1000以下の場合を◎、欠陥数が1000を超え5000未満の場合を○、欠陥数が5000以上の場合を×。<レジスト組成物の液浸露光評価>シリコンウェハーに、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハー上に膜厚780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、シリコンウェハーをダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハーに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光で、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、前記シリコンウェハーを、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間、加熱ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。フォーカスマージンDOF評価実効感度において、得られたレジストパターンのホール径が52.2nm以上57.7nm以下となるフォーカス範囲をDOFとし、以下の4水準で評価した。結果を表2に示す。DOFが0.17μm以上である場合を◎◎、DOFが0.13μmより大きい場合を◎、DOFが0.09μm以上0.13μmの場合を○、DOFが0.09μm未満の場合を×。CD均一性CDU評価実効感度において、得られたレジストパターンを以下のようにして評価した。一つのホールにつき24箇所ホール径を測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハー上に形成されたレジストパターンについて、同様に平均ホール径測定を400箇所測定し、それらを母集団として標準偏差を求めたものをCDUとし、以下の4水準で評価した。結果を表2に示す。CDUが、1.90nm未満の場合を◎◎、CDUが、2.00nm未満の場合を◎、CDUが、2.00nm以上2.20nm以下の場合を○、CDUが、2.20nmより大きい場合を×。これらの結果を表2に示す。本レジスト組成物実施例17~32により得られるレジストパターンは欠陥数も少なく、CD均一性も良好であった。また、広いDOFで、レジストパターンを形成することができた。一方、比較例1のレジスト組成物では、得られるレジストパターンの欠陥数も多く、CD均一性も不良であった。"