基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を入射させる固体撮像装置であって、前記基板に形成された光電変換素子および能動素子と、前記基板の第1面側に形成され、前記光電変換素子および前記能動素子を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数階層の配線層と、前記複数階層の配線層上に設けられた支持基板と、前記層間絶縁膜および前記基板を貫通して形成され、前記複数階層の配線層のうち、光の入射側に最も近い配線層に接続するコンタクトと、前記基板の第2面側に設けられ、前記コンタクトに達する絶縁膜の開口部と、を有する固体撮像装置。前記基板の第2面側に設けられ、前記コンタクトに前記開口部を介して接続するパッドを有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記コンタクトの前記第2面側の端面に接する第2絶縁膜を有し、前記パッドは、当該第2絶縁膜に形成された前記開口部を介して前記コンタクトの第2面側端面と接続されている請求項2に記載の固体撮像装置。前記光の入射側に最も近い配線層は、前記コンタクトと前記支持基板との間に介在し、当該コンタクトと接続されている請求項1から3の何れか一項に記載の固体撮像装置。前記光の入射側に最も近い配線層と前記コンタクトとは、当該コンタクトの支持基板側端面に接する第1絶縁膜中に形成されたプラグを介して接続されている請求項4に記載の固体撮像装置。裏面照射型の固体撮像装置では、基板の配線層側に支持基板を張り合わせるため、外部との間で信号を入出力するためのパッドの形成および配置が問題となる。パッドを配置する方法としては、基板の支持基板側表面側にパッドを配置する方法と、基板の裏面側に配置する方法の2通りがある。上記の特許文献では、いずれも基板の支持基板側にパッドを配置するものである。基板の裏面側にパッドを配置する場合には、基板の表面側のプロセスを行った後に、基板の裏面側を研磨して薄膜化した後、基板の裏面側から配線層に達する貫通孔を設ける方法が考えられる。この場合には、基板に最も近い配線層をパッドとして使用し、ワイヤボンディングにより外部装置と接続する。しかしながら、基板を貫通し配線層に達する貫通孔を形成するため、基板の裏面側に大きな段差が発生することとなる。基板の裏面側に大きな段差が発生すると、カラーフィルタやオンチップレンズの形成において膜の塗布むらが生じ、所望の光学特性を得ることができない。所望の光学特性を得ることができない場合には、撮像特性の低下を招き、撮像特性の低下が著しい場合には不良品となってしまう。本発明の他の目的は、基板の配線層とは反対側の面に大きな段差を生じることがなく、撮像特性および信頼性の向上を図った固体撮像装置を提供することにある。上記の目的を達成するため、本発明は、基板の第1面側に配線層を有し、前記基板の第2面側から光を入射させる固体撮像装置であって、前記基板に形成された光電変換素子および能動素子と、前記基板の第1面側に形成され、前記光電変換素子および前記能動素子を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数階層の配線層と、前記複数階層の配線層上に設けられた支持基板と、前記層間絶縁膜および前記基板を貫通して形成され、前記複数階層の配線層のうち、光の入射側に最も近い配線層に接続するコンタクトと、前記基板の第2面側に設けられ、前記コンタクトに達する絶縁膜の開口部と、を有する。本発明では好適に、前記基板の第2面側に設けられ、前記コンタクトに前記開口部を介して接続するパッドを有する。上記の本発明の固体撮像装置では、基板の第2面側に絶縁膜の開口部が形成されている。この開口部と、層間絶縁膜および基板を貫通するコンタクトを介して、パッドが配線層に接続される。このパッドを通じて能動素子を駆動する信号が供給される。パッドが基板の第2面側の表面付近に形成する時に、開口部の段差が絶縁膜のものであるため、基板の第2面側にはパッド形成に伴う大きな段差はない。本発明の固体撮像装置によれば、基板の配線層とは反対側の面に大きな段差を生じることがないため、撮像特性および信頼性の向上を図った固体撮像装置を実現することができる。以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。第1実施形態図1は、本実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図である。固体撮像装置は、画素部11と、周辺回路部とを有し、これらが同一の半導体基板上に搭載された構成となっている。本例では、周辺回路部として、垂直選択回路12と、S/Hサンプル/ホールドCDSCorrelatedDoubleSampling:相関二重サンプリング回路13と、水平選択回路14と、タイミングジェネレータTG15と、AGCAutomaticGainControl回路16と、A/D変換回路17と、デジタルアンプ18とを有する。画素部11には、後述する単位画素が行列状に多数配置され、行単位でアドレス線等が、列単位で信号線等がそれぞれ設けている。垂直選択回路12は、画素を行単位で順に選択し、各画素の信号を垂直信号線を通して画素列毎にS/HCDS回路13に読み出す。S/HCDS回路13は、各画素列から読み出された画素信号に対し、CDS等の信号処理を行う。水平選択回路14は、S/HCDS回路13に保持されている画素信号を順に取り出し、AGC回路16に出力する。AGC回路16は、水平選択回路14から入力した信号を適当なゲインで増幅し、A/D変換回路17に出力する。A/D変換回路17は、AGC回路16から入力したアナログ信号をデジタル信号に変換し、デジタルアンプ18に出力する。デジタルアンプ18は、A/D変換回路17から入力したデジタル信号を適当に増幅して、後述するパッド端子より出力する。垂直選択回路12、S/HCDS回路13、水平選択回路14、AGC回路16、A/D変換回路17およびデジタルアンプ18の各動作は、タイミングジェネレータ15から出力される各種のタイミング信号に基づいて行われる。図2は、画素部11の単位画素の回路構成の一例を示す図である。単位画素は、光電変換素子として例えばフォトダイオード21を有し、この1個のフォトダイオード21に対して、転送トランジスタ22、増幅トランジスタ23、アドレストランジスタ24、リセットトランジスタ25の4個のトランジスタを能動素子として有する。フォトダイオード21は、入射光をその光量に応じた量の電荷ここでは電子に光電変換する。転送トランジスタ22は、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDとの間に接続され、駆動配線26を通じてそのゲートに駆動信号が与えられることで、フォトダイオード21で光電変換された電子をフローティングディフュージョンFDに転送する。フローティングディフュージョンFDには、増幅トランジスタ23のゲートが接続されている。増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24を介して垂直信号線27に接続され、画素部外の定電流源Iとソースフォロアを構成している。そして、駆動配線28を通してアドレス信号がアドレストランジスタ24のゲートに与えられ、当該アドレストランジスタ24がオンすると、増幅トランジスタ23はフローティングディフュージョンFDの電位を増幅してその電位に応じた電圧を垂直信号線27に出力する。垂直信号線27を通じて、各画素から出力された電圧はS/HCDS回路13に出力される。リセットトランジスタ25は、電源VddとフローティングディフュージョンFDとの間に接続され、駆動配線29を通してそのゲートにリセット信号が与えられることで、フローティングディフュージョンFDの電位を電源Vddの電位にリセットする。これらの動作は、転送トランジスタ22、アドレストランジスタ24およびリセットトランジスタ25の各ゲートが行単位で接続されていることから、1行分の各画素について同時に行われる。図3は、固体撮像装置の画素部における概略断面図である。シリコン層30は、例えばp型のシリコン基板からなり、本発明の基板に相当する。シリコン層30には、単位画素を構成する複数のフォトダイオード21が形成されている。フォトダイオード21は、シリコン層30中にn型不純物を導入することにより形成されるpn接合により構成される。シリコン層30は、裏面から光を入射し得るように薄膜化されている。シリコン層30の厚さは、固体撮像装置の種類にもよるが、可視光用の場合には4~6μmであり、近赤外線用では6~10μmとなる。シリコン層30には、図2に示すトランジスタ22~25のソースあるいはドレイン領域や、フローティングディフュージョンFDとなるn型の半導体領域34と、画素間での信号電荷の流出入を防止するためのp型のチャネルストップ部35とが形成されている。シリコン層30の第1面表面上には、例えば酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜36を介して、図2に示すトランジスタ22~25のゲート電極37が形成されている。上記のトランジスタを被覆して、シリコン層30の第1面上には、層間絶縁膜40が形成されている。層間絶縁膜40上には、多層の金属配線を含む配線層60が形成されている。配線層60上には、保護膜70が形成されている。保護膜70上には、接着層81を介して支持基板80が設けられている。支持基板80は、シリコン層30の強度を補強するために設けられる。支持基板80は、例えばシリコン基板からなる。シリコン層30の第2面側裏面側、光入射側には、反射防止膜90が形成されており、反射防止膜90上には、各フォトダイオード21を開口する遮光膜100aが形成されている。反射防止膜90上には、遮光膜100aを被覆するように保護膜110が形成されている。保護膜110は、例えば膜厚が150nmのTEOS膜からなる。なお、TEOS膜とは、TEOSを原料として成膜された酸化シリコン膜である。保護膜110上には、所望の波長領域の光のみを通過させるカラーフィルタ111が形成されている。また、カラーフィルタ111上には、入射光をフォトダイオード21へ集光させるオンチップレンズ112が形成されている。図1に示す固体撮像装置の周囲には、外部との信号の入出力を行うためのパッドが設けられる。図4は、パッドが配置される周辺部における固体撮像装置の詳細な断面図である。図4では、図3に対して上下を反転して図解している。図4に示すように、シリコン層30の第1面上には、層間絶縁膜40が形成されている。層間絶縁膜40は、例えばTEOS膜41と、窒化シリコン膜42と、TEOS膜43と、PSG膜44と、TEOS膜45との積層構造からなる。PSG膜44とは、リンPを含有する酸化シリコン膜である。TEOS膜41の膜厚は10nmであり、窒化シリコン膜42の膜厚は50nmであり、TEOS膜43の膜厚は400nmであり、PSG膜44の膜厚は100nmであり、TEOS膜45の膜厚は100nmである。ただし、各膜の膜厚は一例であり、特に限定されるものではない。シリコン層30および層間絶縁膜40を貫通して、第1コンタクトC1が形成されている。第1コンタクトC1は、後述するパッド100と、画素部11や周辺回路とを電気的に接続する。第1コンタクトC1の周囲には、シリコン層30と第1コンタクトC1とを電気的に絶縁するための側壁絶縁膜51が形成されている。第1コンタクトC1は、バリアメタル53と、導電層54からなる。層間絶縁膜40内には、さらに第2コンタクトC2が形成されている。第2コンタクトC2は、シリコン層30に形成されたトランジスタのゲート電極37や半導体領域34に接続されている。第2コンタクトC2により、画素部11や周辺回路のトランジスタ同士が接続される。第2コンタクトC2の周囲には、層間絶縁膜40を保護するための側壁保護膜52が形成されている。第2コンタクトC2は、バリアメタル53と、導電層54からなる。層間絶縁膜40上には、配線層60が形成されている。配線層60は、層間絶縁膜61中に形成されたプラグPおよび配線Mを有する。各層間絶縁膜61は、例えば600nmの膜厚のTEOS膜からなる。図4では、3層配線の例を示す。配線Mは、プラグPを介して第1コンタクトC1および第2コンタクトC2に接続されている。配線層60上には、保護膜70が形成されている。保護膜70は、例えば500nmの膜厚の窒化シリコン膜からなる。保護膜70上には、接着層81を介して支持基板80が設けられている。接着層81は、例えば熱硬化型有機系接着層であり、その膜厚は数μm程度である。支持基板80は、シリコン基板からなる。ただし、接着層81として、例えばTEOS膜を使用することもできる。シリコン層30の第2面側には、反射防止膜90が形成されている。反射防止膜90は、例えばTEOS膜と窒化シリコン膜の2層構成からなる。TEOS膜の膜厚は15nmであり、窒化シリコン膜の膜厚は60nmである。反射防止膜90上には、第1コンタクトC1に接続するパッド100が形成されている。パッド100は、バリアメタル101と導電層102により形成される。パッド100は、画素部11の遮光膜100aと同時に形成される。なお、図示はしないが、反射防止膜90上に保護膜110が形成される。次に、上記の本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図5~図10を参照して説明する。図5~図10は、図4に示すパッド配置領域の工程断面図に相当する。図5aに示すように、本実施形態では、SOI基板300を用いる。SOI基板300は、シリコン基板32上に、酸化シリコン膜31を介してシリコン層30が形成されたものである。このSOI基板300のシリコン層30に、画素部11や周辺回路を構成する各種のトランジスタやフォトダイオードを形成する。その後、シリコン層30の第1面側に、トランジスタやフォトダイオードを被覆する層間絶縁膜40を形成する。層間絶縁膜40の形成では、TEOS膜41と、窒化シリコン膜42と、TEOS膜43と、PSG膜44と、TEOS膜45とを順に形成する。TEOS膜の形成では、例えばLPCVD法を用いる。その後、層間絶縁膜40上に、リソグラフィ技術により第1コンタクトC1形成用のレジストパターンR1を形成する。次に、図5bに示すように、レジストパターンR1をマスクとして、層間絶縁膜40をドライエッチングする。これにより、層間絶縁膜40を貫通する第1貫通孔CH1が形成される。その後、レジストパターンR1を除去する。次に、図6aに示すように、層間絶縁膜40をハードマスクとして、シリコン層30をドライエッチングする。これにより、層間絶縁膜40およびシリコン層30を貫通する第1貫通孔CH1となる。酸化シリコン膜31はエッチングストッパとして使用される。続いて、第1貫通孔CH1内のエッチング残渣を除去するため、ウェットエッチングを施す。次に、図6bに示すように、第1貫通孔CH1の内壁を被覆するように、層間絶縁膜40上に側壁絶縁膜51を形成する。側壁絶縁膜51として、LPCVD法により窒化シリコン膜を形成する。側壁絶縁膜51は、後に形成される第1コンタクトC1とシリコン層30とを絶縁するために設けられる。次に、図7aに示すように、第1貫通孔CH1の内壁を被覆するように、側壁絶縁膜51上にバリアメタル53を形成し、第1貫通孔CH1を埋め込むようにバリアメタル53上に導電層54を形成する。バリアメタル53として、スパッタリング法あるいはCVD法により、窒化チタンTiN膜を形成する。導電層54として、CVD法によりタングステン膜を形成する。次に、図7bに示すように、第1貫通孔CH1以外の部位、すなわち層間絶縁膜40上に堆積した余分な導電層54、バリアメタル53および側壁絶縁膜51をエッチバックにより除去する。エッチバック以外にも、CMP法を用いても良い。これにより、第1貫通孔CH1内に側壁絶縁膜51を介して埋め込まれた、バリアメタル53および導電層54からなる第1コンタクトC1が形成される。次に、図8aに示すように、図示しないレジストパターンを用いて、層間絶縁膜40をエッチングして、第2コンタクトC2の形成位置に第2貫通孔CH2を形成する。その後、レジストパターンを除去する。次に、図8bに示すように、第2貫通孔CH2内に側壁保護膜52を介して第2コンタクトC2を形成する。当該工程では、第2貫通孔CH2の側壁にTEOS膜からなる側壁保護膜52を形成した後に、第2貫通孔CH2内のエッチング残渣を除去するためのウェットエッチングを行う。側壁保護膜52は、このウェットエッチングの際にPSG膜44が除去するのを防止するために設けられる。その後、第2貫通孔CH2内にバリアメタル53を介して導電層54を埋め込み、層間絶縁膜40上に堆積した不要なバリアメタル53、導電層54をエッチバックする。これにより、第2貫通孔CH2内に側壁保護膜52を介して埋め込まれた、バリアメタル53および導電層54からなる第2コンタクトC2が形成される。次に、図9aに示すように、層間絶縁膜40上に、配線層60を形成する。配線層60の形成では、層間絶縁膜61の形成工程、層間絶縁膜61中への貫通孔の形成工程、貫通孔中へのプラグPの形成工程、層間絶縁膜61上への配線Mの形成工程が繰り返し行われる。本例では、3層配線の例を示す。プラグPは、導電層63と、導電層63の周囲を被覆するバリアメタル62とにより構成される。バリアメタル62としてはTiNが用いられ、導電層63としてはタングステンが用いられる。配線Mは、導電層65と、導電層65の上下を被覆するバリアメタル64とにより構成される。バリアメタル64としてはTiNが用いられ、導電層65としてはAlCuあるいはCuが用いられる。各配線Mは、プラグPを介して第1コンタクトC1および第2コンタクトC2に接続される。続いて、配線層60上に、保護膜70を形成する。保護膜70として、プラズマCVD法により窒化シリコン膜を形成する。続いて、SOI基板300の第1面側に、接着層81を介して支持基板80を貼り付ける。これにより、保護膜70上に接着層81を介して支持基板80が設けられる。なお、SOI基板300の保護膜70上にTEOS膜を形成し、支持基板80側にもTEOS膜を形成して、互いのTEOS膜を対向させるようにして、SOI基板300と支持基板80を貼り合わせることも可能である。次に、図9bに示すように、研削によりSOI基板300のシリコン基板32を薄膜化した後、残りのシリコン基板32をウェットエッチングすることにより、シリコン基板32を除去する。酸化シリコン膜31は、エッチングストッパとして使用される。なお、図9b以降では、図9aに対して上下を反転して図解している。次に、図10aに示すように、例えばフッ酸を用いて酸化シリコン膜31を除去した後、シリコン層30上に反射防止膜90を形成する。反射防止膜90の形成では、プラズマCVD法により、TEOS膜および窒化シリコン膜を形成する。次に、図10bに示すように、リソグラフィ技術により反射防止膜90上にレジストパターンR2を形成し、レジストパターンR2をマスクとして、反射防止膜90および側壁絶縁膜51をエッチングする。これにより、第2コンタクトC2に達する開口CH3が形成される。その後、レジスト膜を除去する。次に、開口CH3を埋め込むように、バリアメタル101、導電層102、バリアメタル101を順に堆積し、反射防止膜90上に堆積したバリアメタル101、導電層102およびバリアメタル101をパターニングして、パッド100を形成する図4参照。このパッド100の形成工程において、画素部11の遮光膜100aも同時に形成される。次に、反射防止膜90上に、パッド100および遮光膜100aを被覆する保護膜110を形成する図3参照。保護膜110の形成では、プラズマCVD法により膜厚が150nmのTEOS膜を形成する。続いて、全面にカラーフィルタ材料を塗布して、パターニングすることにより画素部11にカラーフィルタ111を形成する。さらに、全面にレンズ材料を塗布して、パターニングすることにより画素部11にオンチップレンズ112を形成する。なお、カラーフィルタ材料やオンチップレンズ材料は、画素部11およびパッド100が配置される周辺部に塗布されるが、パターニング後のカラーフィルタ111およびオンチップレンズ112は画素部11にのみ形成される。以上により、本実施形態に係る固体撮像装置が製造される。次に、比較例を参照して、本実施形態に係る固体撮像装置およびその製造方法の効果について説明する。図11は、比較例に係る固体撮像装置のパッド配置領域における断面図である。なお、図4と同一の構成要素には、同一の符号を付しておりその説明は省略する。例えば、シリコン層30の第1面側のプロセス層間絶縁膜40、配線層60、保護膜70、接着層81、支持基板80の形成を経た後に、シリコン層30の第2面側のプロセスにおいて第1貫通孔CH1を形成する場合には、配線層60中の第1層配線M最もシリコン層30側に近い配線をパッドとして用いることとなる。この場合には、シリコン層30および層間絶縁膜40を貫通する深さ6μm程度の第1貫通孔CH1に起因して、シリコン層30の第2面側に大きな段差が発生する。この状態で、カラーフィルタおよびオンチップレンズを形成する場合には、カラーフィルタ材料や、レンズ材料の塗布むらが面内で生じ、所望の光学特性を得ることができない。これに対して、本実施形態に係る固体撮像装置では、シリコン層30の第1面側のプロセスにおいて、配線層60を形成する前に、層間絶縁膜40およびシリコン層30を貫通する第1コンタクトC1を形成している図7b参照。そして、シリコン層30の第2面側のプロセスにおいて、第1コンタクトC1に達する開口CH3を形成し図10b参照、当該開口CH3を埋め込むようにパッド100を形成するため、シリコン層30の第2面側にはパッド100の膜厚分しか段差が生じないこととなる。この結果、カラーフィルタ材料や、レンズ材料の塗布むらが面内で生じることはないため、所望の光学特性をもつカラーフィルタ111およびオンチップレンズ112を形成することができる。この結果、固体撮像装置の撮像特性の向上および歩留まりの向上を図ることができる。なお、本実施形態では、カラーフィルタ111およびオンチップレンズ112の双方を備える固体撮像装置の例について説明したが、カラーフィルタ111あるいはオンチップレンズ112のみを備える固体撮像装置であってもよい。また、シリコン層30の第2面側にパッド100を設けることができるため、シリコン層30の第2面側に設けられる遮光膜100aとパッド100とを接続することができ、遮光膜100aを一定電位に固定することができる。このため、遮光膜が帯電することによる電子の蓄積、読み出しなどに与える影響を回避することができ、撮像特性を向上させることができる。第2実施形態第2実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について、図12を参照して説明する。まず、第1実施形態と同様にして、図5~図6に示す工程を経る。これにより、層間絶縁膜40およびシリコン層30を貫通する第1貫通孔CH1と、第1貫通孔CH1内を被覆する側壁絶縁膜51が形成される。次に、図12aに示すように、図示しないレジストパターンを用いて、層間絶縁膜40をエッチングして、第2コンタクトC2の形成位置に第2貫通孔CH2を形成する。その後、レジストパターンを除去する。次に、図12bに示すように、第2貫通孔CH2の側壁に側壁保護膜52を形成した後、第2貫通孔CH2内のエッチング残渣を除去するためのウェットエッチングを行う。続いて、第1貫通孔CH1および第2貫通孔CH2内に、バリアメタル53を介して導電層54を埋め込む。バリアメタル53として、スパッタリング法あるいはCVD法により、窒化チタンTiN膜を形成する。導電層54として、CVD法によりタングステン膜を形成する。次に、図12cに示すように、層間絶縁膜40上に堆積した余分な導電層54、バリアメタル53および側壁絶縁膜51をエッチバックにより除去する。エッチバック以外にも、CMP法を用いても良い。これにより、第1貫通孔CH1内に側壁絶縁膜51を介して埋め込まれた、バリアメタル53および導電層54からなる第1コンタクトC1が形成される。また、第2貫通孔CH2内に側壁保護膜52を介して埋め込まれた、バリアメタル53および導電層54からなる第2コンタクトC2が形成される。その後、第1実施形態と同様に、図9a以降の工程を経ることにより、固体撮像装置が完成する。本実施形態では、第1貫通孔CH1および第2貫通孔CH2内に同時に、バリアメタル53および導電層54を埋め込むことにより、第1コンタクトC1および第2コンタクトC2を同時に形成している。このため、第1実施形態と比較して、製造工程を削減することができる。また、第1実施形態と同様に、シリコン層30の第2面側に、大きな段差を生じることなくパッド100を形成することができる。このため、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。例えば、本実施形態で挙げた数値や材料は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、本実施形態ではSOI基板300を用いる例について説明したが、通常のシリコン基板を用いても良い。例えば、第1実施形態において、第2コンタクトC2を形成した後に、第1コンタクトC1を形成してもよい。また、第2実施形態において、第2貫通孔CH2を形成した後に、第1貫通孔CH1を形成して、その後、第1貫通孔CH1および第2貫通孔CH2内に同時に第1コンタクトC1および第2コンタクトC2を形成してもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。