電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、前記複数の中心導体のうちの少なくとも1つの中心導体の両側に位置する前記接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されていることを特徴とする光変調器。前記中心導体の上方をまたぐ前記導体が、前記光の導波方向に対し直交でない角度で交差することを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記導体の材料が金、銅、アルミの少なくとも一つからなるワイヤーであることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記導体の材料が金、銅、アルミの少なくとも一つからなるリボンであることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器。以上のように、従来技術ではネスト型のLN光変調器における高周波電気信号の電気的クロストークを抑圧するためには、その複数個の中心導体の中心間距離を大きくする以外に方策がなく、1枚のウェーハから採れるチップの数が少なくなってしまっていた。そのため、LN光変調器チップ、ひいてはモジュールとしてのLN光変調器のコストが上昇するという問題があった。本発明は、複数個の中心導体の中心間距離が小さくても良好な電気的クロストークを実現できるLN光変調器の提供を目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、前記複数の中心導体のうちの少なくとも1つの中心導体の両側に位置する前記接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器は、請求項1に記載の光変調器において、前記中心導体の上方をまたぐ前記導体が、前記光の導波方向に対し直交でない角度で交差することを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記導体の材料が金、銅、アルミの少なくとも一つからなるワイヤーであることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記導体の材料が金、銅、アルミの少なくとも一つからなるリボンであることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項5に記載の光変調器は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器において、前記光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路であることを特徴としている。本発明では、中心導体を間に挟んだ両側の接地導体の間に金属ワイヤーや金属リボンなどの導体を張ることにより、電気力線が1つの中心導体から他の中心導体へ飛ぶのを防ぐ。これにより、優れた電気的クロストークを実現しつつ、LN光変調器のチップの幅を小さくすることができるので、1枚のウェーハから採れるチップの数を多くすることができ、結果LN光変調器のコストを低減することを可能とするという利点がある。以下、本発明の実施形態について説明する。なお、図7から図10に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。第1の実施形態図1に本発明の第1の実施形態に関する概略上面図を示す。ここで、10は金ワイヤーである。図からわかるように、本実施形態では金ワイヤー10を接地導体5a、5b、5c間に光の導波方向に対して交わる方向略直交に張って構成している。図1のB-B ́における断面図を図2に示す。図2からわかるように、従来技術では中心導体4aから中心導体4bに飛んでしまう電気力線11あるいは中心導体4bから中心導体4aに飛んでしまう電気力線11を接地導体の電位アースを有する金リボン10がトラップ捕捉している。その結果、中心導体4aまたは4bから発せられた電気力線11は中心導体4bまたは4aに達することはなく、電気的なクロストークを改善することができる。つまり本発明では、接地電極の高さを等価的に高くなるように構成しており、中心導体から発せられた電気力線を他の中心導体に届かないようにすることにより、電気的クロストークを改善している。このことは本発明の全ての実施形態について言うことができる。図3に中心導体4aと4bの中心間の距離Sを変数とした場合における高周波電気信号の電気的クロストークを、本実施形態と従来技術について示す。ここで、Lは光の導波方向における金ワイヤー10間の距離である。ここで、高周波電気信号が進行波電極を伝搬する際のその管内波長をλmとすると図中のxを1より大きくする、つまり金ワイヤー10を張る間隔を小さくすると換言すると、金ワイヤー10を密に張ると、中心導体4aと4b間を飛ぶ電気力線がトラップされる効率が高くなるので、電気的クロストークが改善できる。例えば-25dBの電気的クロストークを得るには中心導体4a、4bの中心間の距離Sとして従来450μm必要であったが、xを4とすることにより本実施形態を用いることにより160μmで良いことがわかった。なお、金ワイヤーを接地導体の上面に取り付ける工程は、ボンディング装置等の半導体組立装置により自動で簡易に行うことができ、製造工数の増加につながることもない。また、図1において接地導体5a、5b、5c間に張った金ワイヤー10は山なりの形状として図示したが、高さが高くなることが重要であるので勿論山なりでなくても良いことはいうまでもない。そしてこのことは本発明の全ての実施形態について言える。このように、本実施形態を用いることにより中心導体4a、4bの中心間の距離Sが小さくなるので、LN光変調器チップの横幅が狭くなり、1枚のウェーハから採れるチップの数が多くなる。そのため、結果的にLN光変調器チップ、ひいてはモジュールとしてのLN光変調器のコストを低減できる。そして、このことはDP-QPSKのような、より複雑なネスト構造においてさらに顕著となる。ここで、図4に第1の実施形態の変形例を示す。図2に示した態様に対し、凹部7c ́と7d ́を追加した態様となっている。6c ́、6c ́ ́、6e ́、及び6e ́ ́はリッジ部である。この態様は、本出願人の発明である特許第4170376号の構成を適用したものである。凹部7cの中心線に対して略対称な位置に凹部7dと7b、凹部7d ́と7aが形成されているとともに、接地導体5bの中心線に対して略対称な位置に中心導体4bと4a、接地導体5cと5aが形成されている。このように構成することにより、温度ドリフトを抑制できるとともに、高周波電気信号の低損失な伝搬を可能とできる。なお、この変形態様は以降の第2~3実施形態にも適用可能である。第2の実施形態図5に本発明の第2の実施形態に関する概略上面図を示す。ここで、12は金ワイヤーである。本実施形態では、接地導体5aと5b、接地導体5cと5bにおいて、光の伝搬方向に交互に金ワイヤー12を張って構成している。この構造では第1の実施形態と同程度の良好な電気的クロストーク抑圧効果を有しつつ、第1の実施形態よりも張るべき金ワイヤー12の本数が少なくなるので、より製作性が良く、かつ金ワイヤー12によるインピーダンス低下の影響もより少ないと言うことができる。第3の実施形態図6に本発明の第3の実施形態に関する概略上面図を示す。ここで、13は金ワイヤーである。本実施形態では、接地導体5aと5b、接地導体5cと5bに張っている金ワイヤー13を光の伝搬方向に対して斜めになるように構成している。これにより、中心導体4aと4bの間で電気的クロストークを発生させる電気力線と金ワイヤー13が平行でなくなり、互いに角度をなすので、金ワイヤー13がそれらの電気力線をより効率良くトラップすることができる。なお、この金ワイヤーを光の伝搬方向に対して斜めに配置する構成は、上記した第2の実施形態にも適用可能である。各種実施形態以上の説明において、金ワイヤーを使用すると説明してきたが、中心導体の両側に位置する接地導体を導体により接続することによって電気力線が隣の中心導体に飛ぶのを抑える電気的クロストークを抑圧するのが本発明の思想であるので、金ワイヤーの代わりに金あるいはその他の導体アルミニウム、銅、鉄、タングステン等からなるリボンを用いてもよい。また、以上の説明においては、電気力線は空中を伝搬する線についてしか説明してこなかったが、基板内を通過する電気力線も当然に存在しており、説明の簡略化のために説明を省略している。進行波電極構成としては構造が対称なCPW電極を用いた構成について説明したが、構造が非対称なCPW電極でも良いし、非対称コプレーナストリップACPSあるいは対称コプレーナストリップCPSなど、その他の構成でも良い。また、半導体光変調器にも適用可能である。また、いわゆるバイアス分離型の構成を用いて説明してきたが、高周波電気信号用相互作用部にバイアスを印加するバイアス一体型の構成でも適用できることは言うまでもない。さらに、分極反転領域が1つの場合を用いて説明してきたが、2つ以上であっても良いし、またなくても良い。