主磁極と、トレーリングシールドと、前記主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイドシールドであって、前記主磁極により近い内部層と、前記内部層よりも前記主磁極から離れた外部層と、を含む、サイドシールドと、を含み、前記内部層は前記外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、前記トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する、垂直磁気ヘッド。前記外部層の前記MsOMsを前記内部層の前記MsIMsで除した比が0.5以下OMs/IMs≦0.5である、請求項1に記載の垂直磁気ヘッド。前記外部層の飽和磁束密度BsOBsを前記内部層の前記BsIBsで除した比が0.5以下OBs/IBs≦0.5である、請求項1に記載の垂直磁気ヘッド。前記内部層のクロストラック方向の幅Wを前記内部層のダウントラック方向の高さHで除した比が1.0以下W/H≦1.0である、請求項1に記載の垂直磁気ヘッド。前記外部層の前記MsOMsを前記内部層の前記MsIMsで除した比が0.5以下OMs/IMs≦0.5であり、前記外部層の飽和磁束密度BsOBsを前記内部層の前記BsIBsで除した比が0.5以下OBs/IBs≦0.5であり、かつ、前記内部層のクロストラック方向の幅Wを前記内部層のダウントラック方向の高さHで除した比が1.0以下W/H≦1.0である、請求項1に記載の垂直磁気ヘッド。前記内部層と前記外部層との間に配置される非磁性層をさらに含む、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の垂直磁気ヘッド。請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の少なくとも1つの垂直磁気ヘッドと、磁気媒体と、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッド全体に前記磁気媒体を伝えるためのドライブメカニズムと、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッドに電気的に接続され、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッドの動作を制御するためのコントローラと、を含む、磁気データ記憶システム。主磁極と、トレーリングシールドと、前記主磁極のリーディング側にダウントラック方向に、および前記主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイド/リーディングシールドであって、前記主磁極を3方で取り囲む、前記主磁極により近い内部層と、前記内部層よりも前記主磁極から離れ、前記主磁極および内部層を3方で取り囲む外部層と、を含む、サイド/リーディングシールドと、を含み、前記内部層は前記外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、前記トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する、垂直磁気ヘッド。前記外部層のMsOMsを前記内部層の前記MsIMsで除した比が0.8以下OMs/IMs≦0.8である、請求項8に記載の垂直磁気ヘッド。前記外部層の飽和磁束密度BsOBsを前記内部層のBsIBsで除した比が0.8以下OBs/IBs≦0.8である、請求項8に記載の垂直磁気ヘッド。前記内部層の、前記主磁極の両側に配置された部分のクロストラック方向の幅Wを、前記内部層の、前記主磁極の両側に配置された部分のダウントラック方向の高さHで除した比が2.0以下W/H≦2.0である、請求項8に記載の垂直磁気ヘッド。請求項8乃至請求項11のいずれか1項に記載の少なくとも1つの垂直磁気ヘッドと、磁気媒体と、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッド全体に前記磁気媒体を伝えるためのドライブメカニズムと、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッドに電気的に接続され、前記少なくとも1つの垂直磁気ヘッドの動作を制御するためのコントローラと、を含む、磁気データ記憶システム。主磁極と、トレーリングシールドと、前記主磁極により近い層が前記主磁極から離れた層のMsを超える飽和磁化Msを有するような、3層以上の多層のサイドシールドと、を含み、前記主磁極の両側に配置された、前記層の前記主磁極により近い部分のクロストラック方向の幅Wを、前記主磁極の両側に配置された前記層の前記主磁極により近い部分のダウントラック方向の高さHで除した比が2.0以下W/H≦2.0であり、前記トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する、垂直磁気ヘッド。前記多層のサイドシールドは前記主磁極の両側にクロストラック方向に配置され、かつ、前記主磁極から離れた前記層の前記MsFMsを、前記主磁極により近い前記層の前記MsNMsで除した比が約0.5以下FMs/NMs≦約0.5である、請求項13に記載の垂直磁気ヘッド。前記多層のサイドシールドは前記主磁極のリーディング側にダウントラック方向に、および前記主磁極の両側にクロストラック方向に配置され、前記多層のサイドシールドの各層は前記主磁極を3方で取り囲み、かつ、前記主磁極から離れた前記層の前記MsFMsを、前記主磁極により近い前記層の前記MsNMsで除した比は0.8以下FMs/NMs≦0.8である、請求項13に記載の垂直磁気ヘッド。基板上で互いに分離されるサイドギャップ層を形成するステップと、前記サイドギャップ層間に設けられるギャップ内に外部サイドシールドを形成するステップと、前記外部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、前記外部サイドシールドの前記溝内に内部サイドシールドを形成するステップと、前記内部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、を含み、前記内部および外部サイドシールドはサイド/リーディングシールドとしての機能を果たし、前記内部サイドシールドは前記外部サイドシールドの飽和磁化Msを超えるMsを有する、垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記基板は無機絶縁材料からなる、請求項16に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記外部および内部サイドシールドはFeNiCo、FeCo、FeNiおよびCoNiからなる群から選択される材料からなる、請求項16または請求項17に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記外部サイドシールドと前記内部サイドシールドとの間に絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項16乃至請求項18のいずれか1項に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記内部サイドシールドの前記溝内の前記内部サイドシールドの上方に第2の絶縁層を形成するステップと、前記第2の絶縁層の上方の前記内部サイドシールドの前記溝内に主磁極を形成するステップと、をさらに含む、請求項16乃至請求項19のいずれか1項に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記主磁極の上方にトレーリングシールドと、前記内部サイドシールドと、前記外部サイドシールドと、を形成するステップをさらに含み、前記トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する、請求項20に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記主磁極の両側に配置された前記内部サイドシールドの部分のクロストラック方向の幅Wを、前記主磁極の両側に配置された前記内部サイドシールドの部分のダウントラック方向の高さHで除した比が2.0以下W/H≦2.0である、請求項20に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記内部サイドシールドの下に、それで前記内部サイドシールド形成するための面を設けるためのシード層を形成するステップをさらに含む、請求項16に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。前記外部サイドシールドの前記MsOMsを、前記内部サイドシールドの前記MsIMsで除した比は0.8以下OMs/IMs≦0.8であり、かつ、前記外部サイドシールドの飽和磁束密度BsOBsを、前記内部サイドシールドのBsIBsで除した比は0.8以下OBs/IBs≦0.8である、請求項16に記載の垂直磁気ヘッドを形成する方法。基板上で互いに分離される2つのサイドギャップ層を形成するステップと、前記サイドギャップ層間に設けられるギャップ内に前記サイドギャップ層に隣接する2つの外部サイドシールドを形成するステップと、前記外部サイドシールドの近傍に2つの内部サイドシールドを形成するステップと、前記内部サイドシールド間に主磁極を形成するステップと、前記主磁極と、前記内部サイドシールドと、前記外部サイドシールドとの上方にトレーリングシールドを形成するステップと、を含み、前記トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有し、前記主磁極の両側に配置された前記内部サイドシールドのクロストラック方向の幅Wを、前記主磁極の両側に配置された前記内部サイドシールドのダウントラック方向の高さHで除した比が1.0以下W/H≦1.0であり、前記外部サイドシールドのMsOMsを、前記内部サイドシールドのMsIMsで除した比が0.5以下OMs/IMs≦0.5である、垂直磁気ヘッドを形成する方法。HDDのSN比SNRを向上するために、垂直磁気書き込みヘッドの磁界勾配を向上させる試みがなされてきた。そのような試みの1つでは、磁気ヘッドのトレーリングシールドの透磁率を向上させることに焦点が当てられてきた。しかしながら、面密度が増すとともに、書き込みヘッドのポール幅は一般に減少する。磁界が適用された領域が減少し、交換磁界が増加するため、書き込みヘッドの幅の減少によってトレーリングシールドの透磁率が低下する。これがひいては狭いトラック幅を有する磁気ヘッドの磁界勾配を減少させる。したがって、狭いトラック幅によるこの減少に対抗するために高い透磁率を有するトレーリングシールドを有することが得策である。一実施形態において、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイドシールドと、を含み、サイドシールドは、主磁極により近い内部層と、内部層よりも主磁極から離れた外部層と、を含むとともに、内部層は、外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、かつ、トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有する。別の実施形態では、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極のリーディング側にダウントラック方向に、および主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイド/リーディングシールドと、を含む。サイド/リーディングシールドは、主磁極を3方で取り囲む、主磁極により近い内部層と、主磁極と内部層とを3方で取り囲む、内部層よりも主磁極から離れた外部層と、を含む。内部層は外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する。さらに別の実施形態において、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極により近い層が、主磁極から離れた層の飽和磁化Msを超えるMsを有するような、3層以上の多層のサイドシールドと、を含む。主磁極の両側に配置された、主磁極により近い層の部分のクロストラック方向の幅Wを、主磁極の両側に配置された、主磁極により近い層の部分のダウントラック方向の高さHで除した比は約2.0W/H≦約2.0以下であり、かつ、トレーリングシールドは50を超える比透磁率を有する。別の実施形態によれば、垂直磁気ヘッドを形成する方法には、基板上で互いに分離されるサイドギャップ層を形成するステップと、サイドギャップ層の間に設けられるギャップ内に外部サイドシールドを形成するステップと、外部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、外部サイドシールドの溝に内部サイドシールドを形成するステップと、内部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、を含む。内部サイドシールドおよび外部サイドシールドはサイド/リーディングシールドとしての機能を果たし、および内部サイドシールドは外部サイドシールドの飽和磁化Msを超えるMsを有する。別の実施形態において、垂直磁気ヘッドを形成する方法には、基板上で互いに分離される2つのサイドギャップ層を形成するステップと、サイドギャップ層の間に設けられるギャップにサイドギャップ層に隣接する2つの外部サイドシールド形成するステップと、外部サイドシールドの近傍に2つの内部サイドシールドを形成するステップと、内部サイドシールド間に主磁極を形成するステップと、主磁極と、内部サイドシールドと、外部サイドシールドと、の上方にトレーリングシールドを形成するステップと、を含む。トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有し、主磁極の両側に配置された内部サイドシールドのクロストラック方向の幅Wを、主磁極の両側に配置された内部サイドシールドのダウントラック方向の高さHで除した比は1.0以下W/H≦1.0、および外部サイドシールドのMsOMsを、内部サイドシールドのMsIMsで除した比は0.5以下OMs/IMs≦0.5である。これらの実施形態のいずれも、磁気ヘッドと、磁気ヘッド上に磁気媒体を伝えるためのドライブメカニズム例えば、ハードディスクと、磁気ヘッドに電気的に接続されるコントローラと、を含みうるディスクドライブシステムなどの、磁気データ記憶システムに実装されてもよい。本発明の他の態様および利点が、本発明の原理を例として示す図と併せて解釈される場合に、以下の詳細な説明によって明らかとなる。本発明の性質および利点ならびに使用の好ましい態様をより十分に理解するため、添付図面と併せて解釈される以下の詳細な説明を参照されたい。以下の説明は、本発明の一般的原理を示す目的で作成され、本出願において特許請求される発明概念を限定することを意図するものではない。さらに、ここで説明される特定の特徴は、可能となる様々な組み合わせおよび置き換えのそれぞれにおいて、他の説明される特徴と組み合わせて用いることができる。ここに特に別段の定義がなければ、全ての用語には、本明細書より示唆される意味と同様に、当業者によって理解される意味、および/または辞書、論文等において定義される意味を含むそれらのできるだけ広い解釈が与えられる。また、本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられているように、単数形a、anおよびtheには、別段の定めがない限り、複数の指示対象が含まれることにも留意しなければならない。以下の説明では、ディスクベースの記憶システムおよび/または関連システムおよび方法ならびにその動作および/または構成要素部分のいくつかの好ましい実施形態を開示する。1つの総体的な実施形態において、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイドシールドと、を含み、サイドシールドは、主磁極により近い内部層と、内部層よりも主磁極から離れた外部層と、を含み、内部層は外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、かつ、トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有する。別の総体的な実施形態において、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極のリーディング側にダウントラック方向に、および主磁極の両側にクロストラック方向に配置された多層のサイド/リーディングシールドと、を含む。サイド/リーディングシールドは、主磁極を3方で取り囲む、主磁極により近い内部層と、主磁極と内部層とを3方で取り囲む、内部層よりも主磁極から離れた外部層と、を含む。内部層は外部層の飽和磁化Msを超えるMsを有し、かつ、トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有する。さらに別の総体的な実施形態において、垂直磁気ヘッドは、主磁極と、トレーリングシールドと、主磁極により近い層が、主磁極から離れた層の飽和磁化Msを超えるMsを有するような、3層以上の、多層のサイドシールドと、を含む。主磁極の両側に配置された、主磁極により近い層の部分のクロストラック方向の幅Wを、主磁極の両側に配置された、主磁極により近い層の部分のダウントラック方向の高さHで除した比は約2.0以下W/H≦約2.0であり、かつ、トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有する。別の実施形態によれば、垂直磁気ヘッドを形成する方法には、基板上で互いに分離されるサイドギャップ層を形成するステップと、サイドギャップ層の間に設けられるギャップ内に外部サイドシールドを形成するステップと、外部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、外部サイドシールドの溝に内部サイドシールドを形成するステップと、内部サイドシールドの中心部分に溝を形成するステップと、を含む。内部サイドシールドおよび外部サイドシールドはサイド/リーディングシールドとしての機能を果たし、および内部サイドシールドは外部サイドシールドの飽和磁化Msを超えるMsを有する。別の総体的な実施形態において、垂直磁気ヘッドを形成する方法には、基板上で互いに分離される2つのサイドギャップ層を形成するステップと、サイドギャップ層の間に設けられるギャップに、サイドギャップ層に隣接する2つの外部サイドシールド形成するステップと、外部サイドシールドの近傍に2つの内部サイドシールドを形成するステップと、内部サイドシールド間に主磁極を形成するステップと、主磁極と、内部サイドシールドと、外部サイドシールドと、の上方にトレーリングシールドを形成するステップと、を含む。トレーリングシールドは約50を超える比透磁率を有し、主磁極の両側に配置された内部サイドシールドのクロストラック方向の幅Wを、主磁極の両側に配置された内部サイドシールドのダウントラック方向の高さHで除した比は約1.0以下W/H≦約1.0、および外部サイドシールドのMsOMsを、内部サイドシールドのMsIMsで除した比は約0.5以下OMs/IMs≦約0.5である。ここで図1を参照すると、本発明の一実施形態によるディスクドライブ100が示されている。図1に示されるように、少なくとも1つの回転可能な磁気ディスク112が、スピンドル114で支持され、かつ、ディスクドライブモータ118によって回転される。各ディスク上の磁気記録は、一般的には、ディスク112上の同心データトラック図示せずの環状パターンの形態である。少なくとも1つのスライダ113が、ディスク112の近傍に配置されるが、各スライダ113は、1つまたは複数の磁気読み出し/書き込みヘッド121を支持する。ディスクが回転すると、スライダ113は、ディスク面122上を内側および外側に放射状に移動して、ヘッド121が、所望のデータが記録されているおよび/または書き込まれることになるディスクの様々なトラックにアクセスできるようにする。各スライダ113はサスペンション115という手段によってアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115は、ディスク面122に対してスライダ113を傾けるわずかなバネ力を提供する。各アクチュエータアーム119はアクチュエータ127に取り付けられる。図1に示すようなアクチュエータ127はボイスコイルモータVCMであってもよい。VCMは固定磁界内を移動可能なコイルを含み、コイルの移動の方向および速度はコントローラ129によって供給されるモータ電流信号により制御される。ディスク記憶システムの動作中に、磁気ディスク112の回転により、押し上げ力または浮力をスライダに及ぼす空気軸受が、スライダ113とディスク面122との間に生成される。したがって、空気軸受は、通常の動作時に、サスペンション115のわずかなばね力を相殺し、小さなほぼ一定の間隔で、ディスク面上にわずかに離れてスライダ113を支持する。いくつかの実施形態において、スライダ113は、ディスク面122に沿ってスライドできることに留意されたい。ディスク記憶システムの様々な構成要素は、アクセス制御信号および内部クロック信号などの、制御ユニット129によって生成される制御信号により動作を制御される。一般的には、制御ユニット129には、論理制御回路と、記憶装置例えばメモリと、マイクロプロセッサと、が含まれる。制御ユニット129は、ライン123におけるドライブモータ制御信号ならびにライン128におけるヘッド位置およびシーク制御信号などの、様々なシステム動作を制御する制御信号を生成する。ライン128における制御信号は、ディスク112の所望のデータトラックへとスライダ113を最適に移動および配置するための所望の電流プロファイルを提供する。読み出しおよび書き込み信号は、記録チャネル125を介して、読み出し/書き込みヘッド121へ、およびそこから伝達される。一般的な磁気ディスク記憶システムについての上記の説明および図1の添付の図は表示目的のみのためである。ディスク記憶システムが、多数のディスクおよびアクチュエータを含んでもよく、各アクチュエータがいくつかのスライダを支持してもよいことは明らかである。当業者によって全て理解される通り、データを送信および受信するために、およびディスクドライブの動作を制御し、かつディスクドライブの状態をホストに通信するために、ディスクドライブとホスト一体型または外付けのとの間の通信用のインターフェースを設けてもよい。一般的なヘッドにおいて、誘導性の書き込みヘッドは、1つまたは複数の絶縁層絶縁積層に植設されたコイル層を含み、絶縁積層は、第1の磁極片層と第2の磁極片層との間に位置する。第1の磁極片層と第2の磁極片層との間には、書き込みヘッドの空気軸受面ABSにおけるギャップ層によってギャップが形成される。磁極片層はバックギャップにおいて接続されてもよい。電流がコイル層に伝わり、それにより磁極片内に磁界が生じる。回転する磁気ディスク上の円形トラックなどの移動媒体上のトラックにいくらかの磁界情報を書き込む目的で、ABSにおけるギャップにおいて磁界がフリンジする。第2の磁極片層は、ABSからフレアポイントへ延伸する磁極先端部と、フレアポイントからバックギャップへ延伸するヨーク部と、を有する。フレアポイントは、第2の磁極片が広くなり始めてラッパ形に開き始めてヨークを形成する場所である。フレアポイントの位置は、記録媒体に情報を書き込むために生成される磁界の大きさに直接影響する。図2Aは、図1に示すシステムなどの磁気ディスク記録システムと共に用いられるような、従来の記録媒体を概略的に示す。この媒体は、媒体自体の平面に、または平面と平行に磁気インパルスを記録するために用いられる。記録媒体、この例では記録ディスクには、適切な従来の磁性層の被覆コーティング202を備えた、ガラスなどの適切な非磁性材料の支持基板200が基本的に含まれる。図2Bは、好ましくは薄膜ヘッドであってもよい従来の記録/再生ヘッド204と、図2Aの記録媒体などの従来の記録媒体との間の動作関係を示す。図2Cは、図1に示すシステムなどの磁気ディスク記録システムと共に用いられるような記録媒体の表面にほぼ垂直な磁気インパルスの向きを概略的に示す。そのような垂直磁気記録のために、媒体には、一般には、高い磁気透磁率を有する材料の下層212が含まれる。次に、この下層212には、好ましくは下層212と比較して高い保磁力を有する磁性材料の被覆コーティング214が設けられる。図2Dは、垂直ヘッド218と記録媒体との間の動作関係を示す。図2Dに示す記録媒体には、上記で図2Cに関連して説明した高透磁率の下層212と磁性材料の被覆コーティング214との両方が含まれる。しかしながら、これらの層212および214の両方とも、適切な基板216に施されて示されている。また、一般には、層212と214との間に交換遮断層または中間層と呼ばれる付加層図示せずがある。この構造において、垂直ヘッド218の磁極間に延びる磁束線は、記録媒体の高透磁率の下層212を備えた記録媒体の被覆コーティング214の内および外へとループし、媒体の表面と略垂直な方向で被覆コーティング214に磁束線を通過させて、好ましくは下層212と比較して高保磁力を有する磁性材料の被覆コーティング214に、媒体の表面とほぼ垂直な磁化軸を有する磁気インパルスの形態で情報を記録する。磁束は、軟質な下層コーティング212によって、ヘッド218の戻り層P1へと戻るように運ばれる。図2Eは、類似の構造を示すが、この構造では、基板216は、その2つの対向側面のそれぞれに層212および214を担持し、適切な記録ヘッド218が、媒体の各側において、磁気コーティング214の外側の面に隣接して位置し、媒体の各側における記録を可能にする。図3Aは、垂直磁気ヘッドの断面図である。図3Aにおいて、ヘリカルコイル310および312が、ステッチ磁極308に磁束を生成するために用いられ、次に、ステッチ磁極308が、その磁束をメインポール306に送る。コイル310は、ページから外へと延伸するコイルを示し、一方でコイル312は、ページの中へ延伸するコイルを示している。ステッチ磁極308は、ABS318から凹んだ所に配置してもよい。絶縁体316は、コイルを取り囲んでおり、いくつかの要素を支持してもよい。構造の右への矢印によって示されるような媒体の移動方向により、まず下部の戻り磁極314、次にステッチ磁極308を通過し、メインポール306、巻き付きシールド図示せずに接続されるトレーリングシールド304、最後に上部の戻り磁極302を通過して媒体が移動する。これらの構成要素のそれぞれは、ABS318に接する部分を有してもよい。ABS318を、構造の右側にわたって示す。垂直書き込みは、ステッチ磁極308を通ってメインポール306へ、次にABS318に向かって位置するディスク面へ磁束を送り込むことによって達成される。図3Bは、図3Aのヘッドと類似の特徴を有するピギーバック磁気ヘッドを示す。2つのシールド304、314が、ステッチ磁極308およびメインポール306の側面に位置する。また、センサシールド322、324が示されている。センサ326は、一般には、センサシールド322、324間に配置される。図4Aは、ステッチ磁極408に磁束を提供するために、パンケーキ構造と呼ばれる場合があるループコイル410を使用する一実施形態の概略図である。次に、ステッチ磁極は、この磁束をメインポール406に提供する。この向きにおいて、下部の戻り磁極は、任意である。絶縁体416がコイル410を取り囲み、ステッチ磁極408およびメインポール406を支持してもよい。ステッチ磁極は、ABS418から凹んだ所に配置してもよい。構造の右への矢印によって示すように、媒体の移動方向により、ステッチ磁極408、メインポール406、巻き付きシールド図示せずに接続可能なトレーリングシールド404を通過し、最後に上部の戻り磁極402これらの全ては、ABS418に接する部分を有しても、有していなくてもよいを通過して、媒体が移動する。ABS418を、構造の右側全体に示す。いくつかの実施形態において、トレーリングシールド404は、メインポール406に接してもよい。図4Bは、ループコイル410を含む図4Aのヘッドと類似の特徴を有する別のタイプのピギーバック磁気ヘッドを示すが、このループコイル410は、巻き付いてパンケーキコイルを形成する。また、センサシールド422、424が示されている。センサ426は、一般には、センサシールド422、424間に配置される。図3Bおよび4Bにおいて、任意のヒータが、磁気ヘッドの非ABS側の近傍に示されている。ヒータはまた、図3Aおよび4Aに示す磁気ヘッドに含んでもよい。このヒータの位置は、突部の所望の位置、周囲の層の熱膨脹係数などの設計パラメータに基づいて異なってもよい。図3A、3B、4Aおよび4Bを参照すると、ここで説明される実施形態のいくつかはトレーリングシールド304、図3A、3B404、図4A、4Bに係わるものであり、したがって、上記の図におけるトレーリングシールドの描写は参照のみのためであり、本発明を何ら限定するものではない。トレーリングシールド304、図3A、3B404、図4A、4Bにおいて、磁区は主磁極306、図3A、3B406、図4A、4Bの真上の部分から広がる。このタイプの磁化分布はトレーリングシールドの磁化が主磁極によって生じる局所磁界によって主導されるために起こる。磁区が形成される主磁極の真上の部分はトレーリングシールドとして機能する。図5Aはサイドシールド内の主磁極502の両側に円506で示されるような残留磁化状態の磁化分布を示す。シールドのクロストラック方向508の幅は極めて長い異方性の形状を有する。したがって、形状磁気異方性のために、シールドの磁化は主磁極502の近傍を除いてクロストラック方向508を向く。図5Aに示すように、クロストラック方向に向くサイドシールドの磁化506によって、静磁界512がトレーリングシールド504の主磁極502の真上の部分にクロストラック方向に設けられる矢印512で示されるような。クロストラック方向矢印508で示されるようなの磁区509と主磁極502に並ぶダウントラック方向矢印510で示されるようなの磁区との間の領域518に磁荷が存在する。トレーリングシールド504が各位置においてサイドシールドから受ける静磁界のクロストラック成分もまた重要である。静磁界が主磁極502の真上のトレーリングシールド504の部分の磁化ベクトルの作用を妨げ、トレーリングシールド504の透磁率を低下させる。1つのテストサンプルにおけるトレーリングシールド504の主磁極502の真上の部分の磁界512Hzのクロストラック成分は、従来の磁気ヘッドで730Oeであった。飽和磁束密度2.4Tを有するトレーリングシールド504ではトレーリングシールドの比透磁率は24000/Hzである。したがって、Hz=730Oeにおける透磁率は、比透磁率約30であると推定できる。対照的に、図5Bに示すように、より広いサイドギャップを有する構造では、サイドシールドに誘起されるトレーリングシールドのHzが小さくなる。したがって、一実施形態によれば、より広いサイドギャップを有する構造を製造することによって、Hzを低減してもよい。図5Cは透磁率のサイドギャップ幅への依存度を示す。サイドギャップが狭い場所では、サイドシールドはトレーリングシールドの真上の部分に近づき、かつ、トレーリングシールドを固定する磁界は増加する。このようにして、透磁率はサイドギャップの減少とともに低下する。高密度の磁気記録ヘッドではサイドギャップが狭いため、これは、トレーリングシールドの透磁率の低下の問題を達成することが困難であることを意味するが、その理由は、広いサイドギャップは高密度の磁気記録ヘッドにおいて容易に達成されないためである。図5B~5Cは、高密度の磁気記録において使用されるように設計された従来のヘッドでは磁気勾配が大幅に低下することを示している。この理由は、従来の構造では、トレーリングシールドの透磁率の低下がサイドシールドの磁化分布のせいで起こるためである。透磁率の低下によって、高密度の磁気記録を達成するにあたり大きな問題となる、磁気勾配の低下につながる。一般に、異方性磁界などのトレーリングシールドの固有磁界Hiは、透磁率が1/Hiにほぼ比例するため、トレーリングシールドの透磁率を低下させる。したがって、いくつかの実施形態によれば、Hiを低下させてトレーリングシールドの透磁率を向上させてもよい。図5Aを再度参照すると、サイドシールドドメイン506において、クロストラック方向矢印508で示されるようなに平行した磁荷は磁気ヘッドの主磁極502の周囲で相殺されない。したがって、サイドシールドドメイン506内の領域518における相殺されない磁荷によって、主磁極502の上方にHi=Hzが誘起される。ここで、サイドシールドを有するシールド内ではHi=Hzとなるが、他のシールド配列が可能であり、同様の関係を有さなくてもよい。いくつかの手法において、Hiを低減するために、サイドシールドドメイン506内の磁化を調整してもよい。クロストラック方向508に平行するサイドシールドドメイン506内の磁化によってHiが生成される。1つの手法において、サイドシールドドメイン506内の磁化は、Hiの低減のためダウントラック方向矢印510で示されるようなに平行となるように実施されてもよい。ここで、図5Dを参照すると、一実施形態による、クロストラックの方向508に平行するおよび平行しない磁化矢印514で示されるを有するサイドシールドドメイン506が示される。図5Dからわかるように、クロストラック方向508における磁化はそれは相殺されないため蓄積され不要な磁界512を誘起しうる。しかしながら、図5Eに示すように、この磁界512の誘起された部分を、ダウントラック方向510に平行する磁化516を有するようにサイドシールドドメイン506を調節し、それによって誘起磁界512を低減させることによって低減または除去してもよい。高密度の磁気記録ヘッド内のトレーリングシールドの高透磁率を維持するため、いくつかの実施形態によれば、トレーリングシールドの磁化を固定する磁界はサイドシールドの磁化の方向を制御することによって低減されてもよい。例えば、トレーリングシールドの透磁率を、サイドシールドの磁化分布を制御することによって主磁極の真上の部分の磁化を固定する磁界を除去することにより向上させてもよい。また、いくつかの手法において、サイドシールドは磁性材料を含む非磁性材料も含んでもよい構造を有し、かつ、主磁極の複数の側面に位置するように積層してもよい。1つの手法では、積層の方向が構造に良好な効果をもたらしうる。さらに、いくつかの実施形態において飽和磁束密度の関係の大きさが増す。サイドシールドドメインのクロストラック方向における磁化を低減するために、いくつかの構造が種々の実施形態に従って以下に提示される。ここに記載されるいくつかの実施形態を使用して、約50を超えるトレーリングシールドの比透磁率が達成されてもよい。他の実施形態において、約100を超える比透磁率が達成されてもよい。ここに使用されるような、用語約は、数値に関連して使用される場合、数値±10であることを意味し、例えば約50は50±5を意味する。図6Aを参照すると、一実施形態による、磁極602と、サイドギャップ603図6A~6Bに示すように、それはまたトレーリングおよび/またはリーディングギャップを設けてもよいと、トレーリングシールド604と、サイドシールド606と、を有する構造600の空気軸受面の図が示される。サイドシールド606は、内部層608および外部層610当業者には本説明を読むと明らかなように、少なくとも2つの層だが4、6、8、20等などの、より多くの交互配列も可能であるなどの複数の層を含んでもよい。複数の層608、610は、1つの手法において、内部層608は外部層610よりも高いMsを有する向きにおいて異なる飽和磁化Msを有する材料を含むことが好ましい。一実施形態において、内部層608はより高い飽和磁束密度Bsの磁性材料を含んでもよく、一方で、外部層610は当業者に周知のタイプのより低いBsの磁性材料または非磁性材料からなってもよい。加えて、一実施形態において、内部層608の幅Wを内部層608の高さHで除すると約1.0未満かまたは等しくなることが好ましいW/H≦約1.0。別の実施形態では、外部層610のBsOBsを内部層608のBsIBsで除した比は約0.5未満かまたは等しいことが好ましいOBs/IBs≦約0.5。別の実施形態によれば図示せず、内部層608はトレーリングシールド604から外部層610の部分によって分離されてもよい。ここで図6Bを参照すると、別の実施形態によれば、構造650には、磁極602と、サイドギャップ603図6A~6Bに示すようにトレーリングおよび/またはリーディングギャップも提供してもよいと、トレーリングシールド604と、多層のサイド/リーディングシールド612と、を含んでもよい。多層のサイド/リーディングシールド612には、内部層614および外部層616当業者には本説明を読むと明らかなように、少なくとも2つの層だが3、4、6、8、20等などの、より多くの交互配列も可能であるなどの複数の層を含んでもよい。複数の層614、616には、1つの手法において、内部層614が外部層616よりも高い飽和磁化Msを有する向きにおいて異なるMsを有する材料を含むことが好ましい。一実施形態において、内部層614にはより高い飽和磁束密度Bsの磁性材料を含んでもよく、一方で外部層616には当業者に周知のタイプのより低いBsの磁性材料または非磁性材料を含んでもよい。加えて、一実施形態において、内部層614のサイドシールドの部分の幅Wを内部層614のサイドシールドの部分の高さHで除すると約2W/H≦約2未満かまたは等しくなることが好ましい。別の実施形態では、外部層616のBsOBsを内部層614のBsIBsで除した比は約0.8OBs/IBs≦約0.8未満かまたは等しくなることが好ましい。別の実施形態によれば図示せず、内部層614は外部層616の部分によってトレーリングシールド604から分離されてもよい。サイド/リーディングシールド612の内部層および外部層の飽和磁化が異なるせいもあり、磁気渦構造を形成する内部層614と外部層616との間の境界面において逆磁界が生成されうる。ここで図6Aのサイドシールド606の詳細図である図6Cを参照すると、一実施形態による図6Aの構造600の効果が示される。再度図6Cを参照すると、従来の構造では、磁化はクロストラック方向618に平行する方向にあるため、サイドシールド606内で電荷の不均衡が起こりうる。これにより減磁界が大きくなり、これは望ましくない。サイドシールド606の内部層と外部層との飽和磁化が異なるためもあり、内部層608と外部層610との間の境界面において逆磁界が生成され、磁気渦構造を形成しうる。したがって、構造600において、多層のサイドシールド606の磁化がダウントラック方向620に平行する方向であるために、荷電平衡が抑制され、結果として小さな減磁界のみが生じ、それによってHiが小さくなる。いくつかの手法によれば、これは、1/Hiに比例する、トレーリングシールド604の透磁率を向上するためには望ましい。ここで図6Bのサイドシールド612の詳細図である図6Dを参照すると、一実施形態による構造650の効果が示される。再度図6Dを参照すると、従来の構造では、磁化はクロストラック方向618に平行する方向にあるため、サイド/リーディングシールド612内で電荷の不均衡が起こる。これにより減磁界が大きくなり、これは望ましくない。サイド/リーディングシールド612の内部層と外部層との飽和磁化が異なるためもあり、内部層614と外部層616との間の境界面において逆磁界が生成され、主磁極を取り囲むクロージャドメインが形成されうる。したがって、構造650において、多層のサイド/リーディングシールド612の磁化がダウントラック方向620に平行する方向であるために、荷電平衡が抑制され、結果として小さな減磁界のみが生じ、それによってHiが小さくなる。いくつかの手法によれば、これは、1/Hiに比例する、トレーリングシールド604の透磁率を向上するためには望ましい。図6Eを参照すると、磁極602と、サイドギャップ603図6E~6Fに示すように、トレーリングおよび/またはリーディングギャップも提供してもよいと、トレーリングシールド604と、非磁性層622と、サイドシールド606と、を有する構造660が示される。サイドシールド606には、内部層608および外部層610当業者には本説明を読むと明らかなように、少なくとも2つの層だが3、4、6、8、20等などの、より多くの交互配列も可能であるなどの、非磁性層622によって分離される複数の層を含んでもよい。複数の層608、610は、1つの手法において、内部層608が外部層610よりも高いMsを有する向きにおいて異なる飽和磁化Msを有する材料を含むことが好ましい。一実施形態において、内部層608には高い飽和磁束密度Bsの磁性材料を含んでもよく、一方で外部層610には当業者に周知のタイプの低いBsの磁性材料または非磁性材料おそらくは非磁性層622に使用されるものと同様のタイプのものを含んでいてもよい。構造660は、逆磁界のためにダウントラック方向を向いた内部層608の磁化のためでもあり、トレーリングシールド604の高い透磁率という所望の結果を達成することができる。一実施形態によれば、構造660で、非磁性層622とサイドシールド606との間に生成された逆磁界のために、内部層608と外部層610の飽和磁束密度の大きさ関係に関わらず効果が得られる。別の実施形態によれば図示せず、内部層608は、外部層610の一部によってトレーリングシールド604から分離されてもよい。さらに、図6Fに示すように、構造670は、内部層614の磁化が逆磁界のためにダウントラック方向を向いているため、内部層614と外部層616との間に非磁性層624が存在していたとしても、トレーリングシールド604の高い透磁率という所望の結果を達成することができる。この構造670で、非磁性層624とサイド/リーディングシールド612との間に生成された逆磁界のために、内部層614と外部層616の飽和磁束密度の大きさ関係に関わらず所望の効果が得られる。さらに、ある程度前述したように、内部層/外部層の配置用の積層構造からなるサイドシールドまたはサイド/リーディングシールドもまた所望の結果を達成しうる。種々の実施形態によれば、記載されている構造のために、多くの積層された層の上の、ダウントラック方向を向くサイドシールドの磁化で、顕著な効果が広い領域にわたって得られる。ここで図7A~7Pを参照すると、図6Bに示される構造による垂直磁気ヘッドの製造方法の流れが1つの好適な実施形態に従って示される。特定の工程および手法が以下に記載されるが、当業者に周知のあらゆる方法を、特定の構造の形成に関連して記載されるあらゆる工程および手法の代わりに使用してもよい。方法はあらゆる所望の環境で実施されてもよく、かつ、以下に記載されるものよりも多いかまたは少ない操作を含んでもよい。図7Aでは、無機絶縁基板702が、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して、基板702の領域の両側においてフォトレジスト材料704でコーティングおよびマスクされ、それによって後の磁気ヘッドの外部サイド/リーディングシールドの形成のためにギャップを残す。図7Bでは、基板702上のギャップ内に、めっきなどの、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して、磁性体706を堆積させる。次に、フォトレジスト材料704は、エッチング、溶解等などの、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して除去される。いくつかの実施形態によれば、磁性体706はFeNiCo、FeCo、FeNi、CoNi等などのいかなる磁性材料からなってもよい。磁性体706は、一実施形態によれば、その後外部サイド/リーディングシールドとして使用されてもよい。図7Cに示すように、アルミナAl2O3等からなりうる絶縁層708が、スパッタリングによる真空蒸着などの、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して基板702の磁性体706および露出部分に堆積される。この絶縁層708は、その後形成される磁気ヘッドの構造を取り囲むギャップ層を形成してもよい。図7Dを参照すると、絶縁層708および磁性体706は、化学的機械研磨CMP等などの当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して、研磨され、平らにされる、すなわち平坦化される。図7Eにおいて、マスク材料710が、その後、当該技術分野において周知のあらゆる方法を使用して、磁性体706上にギャップを残して磁性体706上に形成される。マスク材料710は、当該技術分野において周知であるような、イオンミリング、反応性イオンエッチングRIE等に耐えうるあらゆる材料からなってもよい。図7Fに示すように、イオンミリング、RIE、または当該技術分野において周知であるようなその他いずれかの方法を使用して、磁性体706内に溝が形成される。溝は、一実施形態によれば、完成した磁気ヘッドの外部サイド/リーディングシールドの形を形成する。その後、図7Gにおいて、マスク材料710は、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して除去され、シード層712が、スパッタリング、プラズマ蒸着PVD等による真空蒸着などの、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して磁性体706および絶縁層708の表面上に堆積される。シード層712は、構造の露出面全体上に示されるように、または磁性体706内に形成される溝内のみに堆積してもよい。シード層712は、FeNiCo、FeCo、FeNi、CoNi等などの当該技術分野において周知であるような適切なあらゆる材料からなってもよい。図7Hに示すように、フォトレジスト材料714が、フォトレジスト材料714間にギャップを残して磁性体706の一部および絶縁層708の上に堆積されかつパターニングされる。フォトレジスト材料714を形成するために、当該技術分野において周知のあらゆる方法を使用してもよい。1つの手法によれば、後の工程において、磁性体706の内側の部分の上のギャップを使用して、サイド/リーディングシールドの内部層を形成してもよい。図7Iにおいて、第2の磁性体716が、めっき、スパッタリング、PVD等の当該技術分野において周知のいずれかの方法によってシード層712の内側部分の上方に堆積され、次いで、フォトレジスト材料714は、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して除去される。第2の磁性体716は、FeNiCo、FeCo、FeNi、CoNi等などのあらゆる磁性材料からなってもよい。第2の磁性体716は、完成した磁気ヘッドにおいてサイド/リーディングシールドの内部層を形成してもよい。図7Jに示すように、磁性体706と、絶縁層708と、第2の磁性体716とは、CMPなどの当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して、研磨および/または平坦化される。次に、図7Kに示すように、中間にギャップを残して、構造の上にフォトレジスト材料718が堆積またはコーティングされる。エッチング、ミリング、RIE等または当該技術分野において周知の他のいずれかの方法を使用して、そこで第2の磁性体716が露出される例えば、フォトレジスト材料718でコーティングされない溝を第2の磁性体716内に形成する。一実施形態によれば、次いで、フォトレジスト材料718は除去されて図7Lに示すような構造が生成される。フォトレジスト材料718を除去するために、当該技術分野において周知のあらゆる方法を使用してもよい。一実施形態によれば、次に、第2の絶縁層720が図7Lに示される構造の上に堆積され、図7Mに示される構造となる。第2の絶縁層720は、スパッタリング、めっき、PVD等による真空蒸着などの、当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して形成されてもよい。1つの手法によれば、第2の絶縁層720は第2の磁性体716内に形成される溝内にのみ堆積されてもよい。ここで図7Nを参照すると、磁性体716と、第2の絶縁層720と、構造の残りは、CMPなどの当該技術分野において周知のいずれかの方法を使用して平らにされ、平坦化され、または研磨される。一実施形態によれば、次に、図7Oに示すように、中間にギャップを残して、構造の上にフォトレジスト材料722が堆積またはコーティングされる。エッチング、ミリング、RIE等または当該技術分野において周知の他のいずれかの方法を使用して、第2の絶縁層720内に、そこで第2の絶縁層720が露出される例えば、フォトレジスト材料722でコーティングされない溝おそらくはV形状でを形成し、したがって図7Pに示す構造を形成する。一実施形態によれば、図7Pに示される構造を使用して、磁気ヘッドの製造を完了するために従来の磁気ヘッド作製技法を適用してもよい。後の工程にはとりわけギャップ形成および主磁極形成を含んでもよい。例えば、図7Pに示される構造上にシード層、その後、フォトレジスト材料、次いで、完成した磁気ヘッドの主磁極となる磁性体が堆積されてもよい。主磁極は、FeNiCo、FeCo、FeNi、CoNi等などの当該技術分野において周知であるようなあらゆる適切な材料からなってもよい。その後、構造は、CMPなどのいずれかの方法を使用して、平坦化される、平らにされる、または研磨される。その後、別の絶縁層が形成されかつ平坦化され、次いで、トレーリングシールドが構造の上に堆積される。種々の実施形態の少なくともいくつかに関してここに提示された手法は、手動、専門の機器等を使用して等、およびその組み合わせによって、コンピュータハードウェアやソフトウェアに全体的にまたは部分的に実装されてもよいことが留意される。また、これらの実施形態のいずれもが、磁気ヘッドと、ヘッドを支持するためのスライダと、磁気媒体をヘッド全体に伝えるためのドライブメカニズム例えば、ハードディスクと、ヘッドに電気的に接続され、ヘッドの動作を制御するための制御ユニットと、を含みうる、ディスクドライブシステムなどの磁気データ記憶システム内に実装されてもよい。上記で様々な実施形態を説明したが、それらは、限定ではなく、例として提示したものにすぎないことを理解されたい。したがって、本発明の実施形態の広さおよび範囲は上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されず、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物によってのみ規定される。