ダイヤモンド材料を選択するステップ;前記ダイヤモンド材料の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、前記ダイヤモンド材料を中性子で照射するステップ;及び前記ダイヤモンド材料を、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材に加工するステップを含み、前記照射するステップが、ダイヤモンド材料を、1.0keV~12MeVの範囲のエネルギーを有する中性子で照射することを含み、前記照射するステップが、照射のエネルギー及び線量を制御して、前記ダイヤモンド材料に複数の孤立空孔点欠陥を与えることを含み、前記孤立空孔点欠陥が、空孔1×1014~1×1020個/cm3の範囲の濃度を有する、方法。前記照射するステップが、50keV~10MeVの範囲;100keV~8MeVの範囲;200keV~6MeVの範囲;又は、500keV~4MeVの範囲のエネルギーを有する中性子照射を含む、請求項1に記載の方法。前記中性子の少なくとも50、少なくとも60、少なくとも70、又は少なくとも80が、前記範囲の1つの内にある、請求項1又は2に記載の方法。前記照射するステップが、中性子1×1014個/cm2以上で;中性子1×1014個/cm2~1×1018個/cm2の範囲;中性子1×1015個/cm2~5×1017個/cm2の範囲;又は、中性子1×1015個/cm2~1×1017個/cm2の範囲の線量を有する中性子照射を含む、請求項1から3までのいずれかに記載の方法。前記孤立空孔が、空孔1×1015~1×1019個/cm3;空孔1×1015~1×1018個/cm3;空孔1×1015~1×1017個/cm3;又は、空孔1×1016~1×1017個/cm3の範囲の濃度を有する、請求項1から4までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、前記ダイヤモンド材料に複数のクラスター欠陥を導入し、各クラスター欠陥が、長さにおいて、50原子以下、20原子以下、10原子以下、又は5原子以下の最大長さを有する、請求項1から5までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、前記ダイヤモンド材料の非晶質化に繋がるエネルギー及び線量率より下での照射を含む、請求項1から6までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、前記ダイヤモンド材料の色の変化に繋がるエネルギー及び線量率より上で、前記ダイヤモンド材料を照射することを含む、請求項1から7までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、前記ダイヤモンド材料を、1μm以上;10μm以上;100μm以上;500μm以上;1mm以上の深さまで、又は、前記ダイヤモンド材料の全厚さに渡って、照射することを含む、請求項1から8までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、500°C以下;400°C以下;300°C以下;200°C以下;100°C以下;又は、50°C以下の温度で実施される、請求項1から9までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップの間、前記ダイヤモンド材料の温度を制御することをさらに含む、請求項1から10までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、加工するステップの前、その間、又はその後で実施される、請求項1から11までのいずれかに記載の方法。前記ダイヤモンド材料が、2000ppm以下;600ppm以下;300ppm以下;200ppm以下;150ppm以下;50ppm以下;10ppm以下;10ppm以下;5ppm以下;1ppm以下;0.5ppm以下;0.1ppm以下;又は0.01ppm以下の全等価孤立窒素含有量を有する、請求項1から12までのいずれかに記載の方法。前記ダイヤモンド材料が、1~600ppmの範囲の全等価孤立窒素濃度を有するHPHTダイヤモンド材料である、請求項1から13までのいずれかに記載の方法。前記ダイヤモンド材料が、0.005~100ppmの範囲の全等価孤立窒素濃度を有するCVDダイヤモンド材料である、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。前記ダイヤモンド材料が、1~2000ppmの範囲の全窒素濃度を有する天然ダイヤモンド材料である、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。前記ダイヤモンド材料が1mm以上の厚さを有する、請求項1から16までのいずれかに記載の方法。前記ダイヤモンド材料をアニーリングするステップをさらに含む、請求項1から17までのいずれかに記載の方法。前記アニーリングするステップが、照射するステップの前、その間、又はその後で実施される、請求項18に記載の方法。前記アニーリングするステップが、1600°C以上;1800°C以上、2200°C以上;又は、2400°C以上の温度で実施される、請求項18又は19に記載の方法。前記ダイヤモンド材料が、実質的なアニーリングステップを経ない、請求項1から17までのいずれか1項に記載の方法。前記加工するステップが、前記ダイヤモンド材料を成形して作業面を形成することを含む、請求項1から21までのいずれかに記載の方法。前記加工するステップが、耐摩耗部品、ドレッサー、伸線ダイス、ゲージストーン、及びカッターの1つを形成することを含む、請求項1から22までのいずれかに記載の方法。1つ又は複数のダイヤモンド工具部材を、1つ又は複数の工具に組み入れるステップをさらに含む、請求項1から23までのいずれかに記載の方法。前記照射するステップが、組み入れるステップの前、その間、又はその後で実施される、請求項24に記載の方法。ダイヤモンド材料の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために中性子で照射されたダイヤモンド材料を含み、前記ダイヤモンド材料が、空孔1×1014~1×1020個/cm3の範囲の濃度を有する孤立空孔点欠陥を含む、工具部材。孤立空孔が、空孔1×1015~1×1019個/cm3;空孔1×1015~1×1018個/cm3;空孔1×1015~1×1017個/cm3;又は、空孔1×1016~1×1017個/cm3の範囲の濃度を有する、請求項26に記載の工具部材。前記ダイヤモンド材料が複数のクラスター欠陥を含み、各クラスター欠陥が、長さにおいて、50原子以下、20原子以下、10原子以下、又は5原子以下の最大長さを有する、請求項26又は27に記載の工具部材。前記ダイヤモンド材料が、青色、オレンジ色、茶色、緑色、赤色、紫色、又は黒色である、請求項26から28までのいずれか1項に記載の工具部材。前記ダイヤモンド材料が、使用に際して、色が変わるようになっており、前記色の変化が、前記工具部材を取り替える必要があること、及び/又は、過度の加熱があることを示す、請求項26から29までのいずれか1項に記載の工具部材。前記工具部材が、耐摩耗部品、ドレッサー、伸線ダイス、ゲージストーン、及びカッターの1つである、請求項26から30までのいずれか1項に記載の工具部材。請求項1から25までのいずれか1項に記載の方法を用い、製造される工具部材。請求項26から32までのいずれか1項に記載の1つ又は複数の工具部材を含む工具。中性子照射が、1.0keV~12MeVの範囲のエネルギーを有する中性子を含み、照射ステップが、照射のエネルギー及び線量を制御して、ダイヤモンド材料に複数の孤立空孔点欠陥を与えることを含み、前記孤立空孔点欠陥が、空孔1×1014~1×1020個/cm3の範囲の濃度を有する、工具用途向けのダイヤモンド材料の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるための中性子照射の使用。ダイヤモンド工具の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させることが、本発明の特定の実施形態の目的である。先に挙げた方法に付随する課題のいくつかを避けることが、本発明の特定の実施形態のさらなる目的である。本発明の一態様によれば、ダイヤモンド材料を選択するステップ;ダイヤモンド材料の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、ダイヤモンド材料を中性子で照射するステップ;及びダイヤモンド材料を、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材に加工するステップを含み、照射するステップが、ダイヤモンド材料を中性子で照射することを含み、中性子の少なくとも50が、1.0keV~12MeVの範囲のエネルギーを有し、照射するステップが、ダイヤモンド材料に、複数の孤立空孔点欠陥をもたせるように、照射のエネルギー及び線量を制御することを含み、孤立空孔点欠陥が、空孔1×1014~1×1020個/cm3の範囲の濃度を有する、方法が提供される。ダイヤモンド材料の照射及び/又はアニーリングは、その色を変え得ることが知られている。例えば、EP0615954A1、EP0316856、及びTheTypeClassificationSystemofDiamondsandItsImportanceinGemology、GemsandGemologyVol45No2pp961112009を参照。さらに、US4184079、GB1588445、GB1588418、及びUS4012300により、ダイヤモンド材料の靱性及び/又は摩耗特性及び/又は破砕性は、イオン注入、又は陽子、中性子若しくはガンマ放射による照射を用い、変えられ得ることが知られている。本発明は、ダイヤモンド材料の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるための、中性子の使用に関する。US4012300は、照射が、粒子1017~1020個/cm2の範囲、最も好ましくは粒子1018個/cm2の中性子粒子の積算フラックスからなることを教示している。より大きな積算フラックスでは、ダイヤモンド材料の耐衝撃性が低下するが、熱処理によって回復できることが教示されている。中性子のフラックスが高エネルギー及び熱中性子からなること以外に、中性子のエネルギーについての情報は全く与えられていない。本発明によれば、注意深く選択されたエネルギーを有する中性子を用いることが重要である。中性子照射は、それらの格子サイトのさらなる炭素原子を叩くのに十分なエネルギーをもってそれらの格子サイトから炭素原子を叩き出す傾向があり、その結果、カスケード損傷として知られているものが生じる。これにより、ダイヤモンド結晶マトリックス内に欠陥のクラスター及び応力/歪みの領域が生じ、これらは、クラックの伝播を抑制し、靱性を向上させるように働き得る。中性子のエネルギーが大きすぎると、カスケード損傷は甚だしすぎるようになり、靱性及び/又は耐摩耗性は低下する。上記のことを考慮して、個々のクラスターの大きさが大きすぎるようになることなく、多数の孤立した、及び/又は比較的小さなクラスター欠陥を形成するように、ダイヤモンド材料を照射することは有利である。適切な大きさのクラスター欠陥は、1.0keV~12MeVの範囲;1.0keV~10MeVの範囲;100keV~8MeVの範囲;100keV~6MeVの範囲;又は、500keV~4MeVの範囲のエネルギーを有する中性子放射を用いて形成できることが見出された。中性子は、ある範囲のエネルギーに渡って分布している傾向がある。それゆえに、中性子の少なくとも50、少なくとも60、少なくとも70、又は少なくとも80が、前記の範囲の1つの内にある。特定の実施形態によれば、照射は、好ましくは、ダイヤモンド材料の色の変化に繋がるエネルギー及び線量率を超えている。照射が、ダイヤモンド材料の非晶質化に繋がり得るエネルギー及び線量率より下に保たれることもまた、利点がある。非晶質化は、ダイヤモンド材料の機械的特性に有害な影響を及ぼす。一般に、照射状態が長くなるほど、より多くの空孔欠陥が導入されるであろう。しかし、欠陥の組入れ率は、出発材料の特質に応じて変わり得る。本発明による中性子の照射は、一様に近い濃度の孤立空孔及び/又は小さいクラスター欠陥を導入できると同時に、甚だしいカスケード損傷例えば、長い空孔連鎖の生成を最低限にできる。クラスター欠陥の濃度を測定することは困難である。しかし、孤立欠陥の濃度は、分光学的に、容易に評価できる。空孔点欠陥は、中性V0及び負電荷状態Vであり得る。全空孔濃度[VT]=[V0][V]は、空孔1×1014~1×1022個/cm3;空孔1×1014~1×1021個/cm3;空孔1×1014~1×1020個/cm3;空孔1×1015~1×1021個/cm3;空孔5×1015~1×1020個/cm3;空孔1×1015~1×1019個/cm3;空孔1×1015~1×1018個/cm3;空孔1×1015~1×1017個/cm3;空孔1×1016~5×1019個/cm3;又は、空孔5×1016~1×1019個/cm3;又は、空孔1×1016~1×1017個/cm3の範囲にあり得る。クラスター欠陥の存在は、孤立空孔に対する吸収ピークの広がりによって検出できる。このような空孔欠陥の濃度は、例えば、中性子1×1014個/cm2以上で;中性子1×1014個/cm2~1×1018個/cm2の範囲;中性子1×1015個/cm2~5×1017個/cm2の範囲;又は、中性子1×1015個/cm2~1×1017個/cm2の範囲の線量率を有する中性子照射を用いて、形成できる。本発明の実施形態は、エネルギーが大きすぎる中性子の結果として甚だしいカスケード損傷によって形成される甚だしく大きなクラスター欠陥を避けながら、中性子照射を用いて一様に散らばった多数の孤立空孔及び/又は比較的小さなクラスター欠陥を形成する可能性を想定している。これには、適切なエネルギーの中性子フラックスの注意深い選択が求められる。個々のクラスターの最大の大きさに制限のある、クラスター欠陥を生じるエネルギーを選択することが有利である。これは、不規則に広がる大きなカスケード損傷領域よりも、比較的小さく比較的一様に散らばった欠陥クラスターを形成することが望ましいという理解と一致している。それゆえに、複数のクラスター欠陥の各々は、長さが50原子以下、より好ましくは、長さが20原子以下、より一層好ましくは、長さが10原子以下、最も好ましくは、長さが5原子以下の最大の大きさを有することが好ましい。クラスター欠陥の大きさは、透過電子顕微鏡TEM又は陽電子消滅法を用いて求めることができる。本発明の別の態様によれば、中性子照射されるダイヤモンド材料のタイプの注意深い選択が、ダイヤモンド工具部材に、向上した靱性及び/又は耐摩耗性をもたせるために、重要である。中性子照射されるダイヤモンド材料は、好ましくは、天然ダイヤモンドであるべきであるという教示以外に、US4012300には、ダイヤモンド材料の組成に関して、詳細な情報は全く与えられていない。US4012300の教示に従えば、中性子照射は、実質的に含有物のない如何なるダイヤモンド材料の破砕性を低下させるのに用いられ得ることが、推定され得る。対照的に、本発明は、靱性及び/又は耐摩耗性のかなりの向上が、特定のタイプのダイヤモンド材料で、特に特定の窒素含有量を有する材料で、実現できることを提示する。さらに、摩耗傷の形成における改善により、表面仕上げが改善された、本発明の実施形態のダイヤモンド工具部材が得られる。特定のタイプのダイヤモンド材料の中性子照射によって実現されるダイヤモンド工具部材の性能におけるかなりの改善は、驚くべき非常に重要な結果である。ダイヤモンド材料は、1000ppm以下;600pp以下;300pp以下;200ppm以下;150ppm以下、50ppm以下;10ppm以下;5ppm以下;1ppm以下;0.5ppm以下;0.1ppm以下;又は、0.01ppm以下の全等価孤立窒素含有量を有し得る。窒素の存在は、有益であり、靱性を向上させるために、中性子照射と組み合わせて利用され得ると考えられている。すなわち、中性子照射及び窒素は、うまくいく様に作用して、より強靭で、より耐摩耗性のある材料を提供する。ダイヤモンド試料の全等価孤立窒素濃度は、当業者に知られている方法によって求めることができ、例えば、この濃度は、FTIRスペクトルの1フォノン部分の吸収スペクトルのデコンボリューションによって計算できる。合成HPHT高圧高温ダイヤモンド材料では、良好な結果は、1~600ppm、10~300ppm、10~200ppm、50~250ppm、100~200ppm、10~100ppm、又は10~50ppmの範囲の孤立窒素濃度を有する材料を用いて得ることができる。類似の窒素含有量が、CVD化学蒸着ダイヤモンド材料でも望ましいであろうと仮定され得るが、実際には、CVDダイヤモンドの成長に関連する他の要因が、窒素含有量を制限し得る。それゆえに、実際には、0.005~100ppm、0.01~50ppm、0.05~20ppm、0.08~5ppm、又は0.1~2ppmの範囲の孤立単一置換窒素濃度が、CVDダイヤモンド材料に備わり得る。対照的に、Ia型の天然ダイヤモンド材料では、1~2000ppm、10~2000ppm、200~2000ppm、500~1500ppm、800~1300ppm、又は1000~1200ppmの全窒素含有量が利用され得る。この相違は、このような天然ダイヤモンド材料においては、窒素が集合した状態で存在し、その結果単一置換窒素を含む中性子照射された材料とは違った挙動を示すためであり得る。集合した窒素を含む窒素の全濃度は、2次イオン質量分光法SIMSを用いて求められ得る。前記の窒素濃度は、ダイヤモンド材料の大部分の体積に渡る平均濃度として測定されることを留意すべきである。この大部分の体積は、ダイヤモンド材料の全体積の50以上、60以上、70以上、80以上、又は90以上であり得る。これは、ダイヤモンドの異なる成長分域は、濃度変化に繋がる、異なる窒素取込み率を有するという事実に依る。本発明の特定の実施形態による照射の間、ダイヤモンド材料の温度は、制御され得る。照射の間のダイヤモンド材料の温度は、照射によって形成される欠陥のタイプ及び分布に影響を及ぼし得る。例えば、この温度は、500°C以下;400°C以下;300°C以下;200°C以下;100°C以下;又は50°C以下であり得る。温度を低く保つために、ダイヤモンド材料は、照射の間、強制冷却され得る。温度の上昇は、欠陥の数密度の低下を引き起こし得るので、温度を比較的低く保つことが有利である。しかし、中性子照射の1つの利点は、それには、ダイヤモンド材料の温度を、例えば電子照射のように大きく、上昇させない傾向があることである。このため、本発明の特定の実施形態によれば、強制冷却は必要でない。前記方法は、また、中性子照射による処理に加えて、ダイヤモンド材料をアニーリングする任意選択のステップも含み得る。このアニーリングステップは、照射ステップの前、その間、又はその後で、或いはこれらの任意の組合せで、実施され得る。照射後のアニーリングステップは空孔欠陥の減少を生じ得るので、特定の用途においては、照射の前にアニーリングステップを実施することが好ましいことであり得る。アニーリングは、1600°C以上、1800°C以上、2200°C以上、又は2400°C以上の温度で実施され得る。本発明の実施形態は、照射と、比較的低い温度でのアニールとの組合せ、又は、照射と、高圧高温でのアニールとの組合せを含み得る。実施形態は、また、放射線量の繰返し及び/又はアニーリングの繰返しの可能性を想定している。すなわち、2回以上のアニーリング及び/又は照射ステップが実施され得る。例えば、ダイヤモンド材料は、アニーリングされ、次いで、中性子で照射され、次にアニーリングされ得る。さらに、交互に行われる照射及びアニーリングステップもまた実施され得る。代わりに、ダイヤモンド材料は、少なくとも照射後は、如何なる実質的なアニーリングステップも経ないということもあり得る。実質的なアニーリングステップは、材料の特性を、実質的に、また測定できる程度に変えるアニーリングステップを意味する。1800°C未満でのアニーリングは、真空、又は不活性大気中において実施され得るのに対して、1800°Cより上でのアニーリングは、特に、長時間のアニールが実施される場合、安定化圧力が必要であり得る。アニーリングは、通常、30秒から50時間まで実施される。不活性大気は、その下では、アニーリングの間に、ダイヤモンドが、それ程劣化しない大気を意味する。例には、アルゴン及びネオンが含まれる。比較的低い温度でのアニールは、特定の用途では、有利であり得る。使用中、ダイヤモンド材料は、高温になり得るし、また、ダイヤモンド工具部材を取り付ける大部分の方法は、例えば900°Cでの、蝋付けも含む。このため、低温でのアニールが、使用中のダイヤモンド工具部材の安定した性能を保証するために有効であり得る。例えば、1500°C以下、1300°C以下、1200°C以下、1100°C以下、又は約1000°Cの温度での低温アニールが、特定の用途では、有効であり得る。照射は、1つ又は複数の工具部材を成形するための加工の前、その間、又はその後で実施され得る。この加工は、ダイヤモンド材料を、処理、研削、切削及び/又は成形して、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材を形成することを含み、各工具部材は、切削刃のような作業面を有する。例えば、加工は、耐摩耗部品、ドレッサー、伸線ダイス、ゲージストーンgaugestone、及びカッターの1つを形成することを含み得る。例えば、ダイヤモンド工具部材は、0.5mm以上、1mm以上、1.5mm以上、又は2mm以上の長さを有する刃先を備え得る。本発明の方法は、1つ又は複数の工具に、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材を組み入れることをさらに含み得るし、また、照射は、この組入れステップの前、その間、又はその後で実施され得る。ダイヤモンド材料を、その材料を工具に組み入れる前に照射することは、照射の結果としての靱性及び/又は耐摩耗性の向上が、工具へのダイヤモンド材料の組入れに含まれる加工ステップの間に、ダイヤモンド材料が損傷される可能性を減らすことができるという点で、利点がある。さらに、放射線によって、工具の他の構成部品が損傷され得るが、これは、ダイヤモンド材料が工具に組み入れられる前にダイヤモンド材料が照射されれば、避けられる。例えば、照射は、スチールのような金属材料の靱性を低下させ得ることが知られている。さらに、ダイヤモンド材料を用いる工具を形成するための既存の製造プロセスは、ダイヤモンドが、工具の製造の前に予め処理されていれば、決して変更される必要はない。他方、ダイヤモンド材料が工具に組み入れられた後、ダイヤモンド材料を照射することは、存在するダイヤモンド工具を処理して、それらの靱性及び/又は耐摩耗性を向上させ得るという利点を有する。さらに、照射は、靱性及び/又は耐摩耗性を向上させることが望まれる、工具内のダイヤモンド材料の、特定の部分に向けることができる。こうすれば、使用に際して、向上した靱性及び/又は耐摩耗性を有することが必要とされないことがある、ダイヤモンド材料の他の部分を照射する必要がない。工具の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させることに加えて、ダイヤモンドの靱性及び/又は耐摩耗性の向上により、ダイヤモンド材料は様々な方法で加工できる。例えば、靱性の増加により、ダイヤモンド材料は、加工の間、又は使用中の、エッジでのクラック又は欠けを生じることのない、より正確な切削のための、より鋭いエッジに加工できる。ダイヤモンド材料は、1μm以上、10μm以上、100μm以上、500μ以上、又は1mm以上の深さまで中性子で照射され得る。ダイヤモンド材料は、ダイヤモンド材料の全厚さに渡って中性子で照射されてもよい。ダイヤモンド材料は、比較的一様な欠陥分布を実現するために、中性子照射の間、通常、回転させる必要がない。実際に、例えば電子照射を凌ぐ、中性子照射の1つの利点は、中性子が、試料全体に渡って、より容易に入り込んで、試料を回転させなくても、比較的一様な欠陥分布が得られる傾向があることである。それゆえに、中性子照射を用いて、商業的に実行可能な仕方で、ダイヤモンド試料を通る高線量の放射を実現することが、より容易である。先行技術のイオン注入法を凌ぐ、本発明の特定の実施形態の利点は、本発明の実施形態がより高い費用効率を有し得ることである。これは、特定の実施形態が、単なる表面処理でなく、ダイヤモンド材料の体積処理をもたらすためである。それゆえに、中性子照射は、工具部材へのダイヤモンド材料の加工の前、及び、工具への工具部材の組入れの前に、行われ得る。さらに、体積処理は、比較的簡単な取扱い要件で、材料部材の大きな体積に適用され得る。例えば、ダイヤモンド部材は、多くの表面処理で求められるように、注意して、特定の向きで取り付けられる必要がない。対照的に、先行技術のイオン注入法は、ダイヤモンド材料の加工後に実施される必要がある。これは、先行技術のイオン注入法が、一般に、ダイヤモンド材料の表面近くにおいてのみ、靱性の向上を生じるためである。このような材料の処理された表面は、ダイヤモンド材料の、例えば、切削、成形及び/又は研削による、工具部材への材料の加工により、除去されるであろう。本発明の特定の実施形態の別の利点は、工具部材を再処理する必要なしに、工具部材を再加工できることである。さらなる利点は、工具部材を形成するための加工の前の中性子照射が、加工によって実現できる作業面を改善できることである。例えば、中性子で照射され、靱性の向上したダイヤモンド材料は、加工の間に、欠け又はクラックを刃先に生じることなく、より正確な切削のための、より鋭い刃先に加工できる。本発明の実施形態によるダイヤモンド材料は、天然ダイヤモンド又は合成ダイヤモンドであり得る。合成ダイヤモンドは、高圧高温HPHT法によって、又は化学蒸着CVD法によって形成され得る。ダイヤモンド材料は、単結晶、多結晶、グリットgrit、ダイヤモンド様カーボンDLC、又は、金属マトリックス通常、コバルトで、PCDとして知られている若しくは無機マトリックス例えば炭化ケイ素で、スケルトンで固められたダイヤモンドskeletoncementeddiamond、又はScDとして知られているに分散したダイヤモンド粒子のようなコンポジットダイヤモンド材料であり得る。ダイヤモンド材料は、1nm以上;100nm以上;500nm以上;1μm以上;5μm以上;0.5mm以上;1mm以上;3mm以上;又は10mm以上の大きさを有する結晶を含み得る。ダイヤモンド材料は、1つ又は複数の結晶を含み得る、また、例えば、多結晶ダイヤモンド板又はドームにおいて例えば200mm以上に達する少なくとも1つの寸法を有する物体を形成し得る。本発明は、HPHT及びCVDダイヤモンドへの適用に特に適している。しかし、特定の実施形態は、また、天然ダイヤモンドにも適用され得る。中性子照射されるダイヤモンド材料を選択する際には、試料が、照射後の不適切に長い期間、放射性のままでないように、注意を払う必要がある。したがって、中性子照射のために選択されたダイヤモンド材料が、中性子照射への暴露後に、不適切に長い時間、放射性のままであり得る金属又は他の含有物を実質的に含まないことを確認することが必要である。これに関連して、ダイヤモンド材料は、中性子照射後、放射能が4Bq/g未満である場合にのみ、リリースreleaseされ得る実行される正確な限界値は、領域に応じて変わり得る。それゆえに、中性子照射のために選択されたダイヤモンド材料は、10μm以下、5μm以下、又は1μm以下の大きさを有する金属含有物を好ましくは含むべきでない。金属含有物は、ダイヤモンドの全質量の、好ましくは、0.1以下、0.01以下、0.001以下、又は0.0001以下であるべきである。ダイヤモンド材料は、また、潜在的に放射性の如何なる化学種も表面から除去して、6カ月以下、4カ月以下、2カ月以下、1カ月以下、2週間以下、又は1週間以下の間、冷めるように保たれた後、放射能レベルが、4Bq/g未満になることを保証するために、照射の直前に、好ましくは、酸洗浄されるべきである。本発明の特定の実施形態は、1mm以上、1.5mm以上、又は2mm以上の少なくとも1つの寸法を有するダイヤモンド工具部材の、靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、中性子の照射を用いることを提案する。US4012300は、特に中性子により、グリットを照射することによって、U.S.メッシュ120/140約0.1mmの最大粒子直径又はU.S.メッシュ30/40約0.5mmの最大粒子直径の天然ダイヤモンドグリットの破砕性を低下させる破砕性指数を増大させる方法を記載する。Zhou等ZhouYTakahashiTQuesnelDJFunknebuschPD‘FriabilityandCrushingStrengthofMicrometerSizeDiamondAbrasivesUsedinMicrogrindingofOpticalGlass’MetallurgicalandMaterialsTransactionsA27A10471053によれば、破砕性は、圧縮衝撃負荷条件下の、粒子状である場合の材料の破砕強度の尺度である。小さいダイヤモンド粒子の破砕性を低下させるために、中性子照射を用いることを教示するUS4012300とは対照的に、本発明の特定の実施形態は、比較的大きなダイヤモンド工具部材の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、中性子照射を用いることを提案する。適切なエネルギーの中性子放射は、ダイヤモンド工具部材の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、ダイヤモンド材料の比較的大きな部材の全体に渡って、妥当な大きさの欠陥の適切な分布を形成できることが見出された。これは、US4012300において、開示も示唆もされていない。本発明の特定の実施形態によれば、ダイヤモンド材料は、Ia型、Ib型、IIa型又はIIb型のいずれかであり得る。好ましくは、中性子照射は、ダイヤモンド工具部材の使用寿命を、未処理ダイヤモンド工具部材の寿命の10以上、好ましくは20以上、より好ましくは50以上だけ、延ばす。ダイヤモンド工具の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させることに加えて、本発明の実施形態の中性子照射処理は、より望ましい色を有するダイヤモンド工具部材を生成するという思いがけない良い効果を有する。特有の色の工具は、色が、その性能にも関連付けられるため、本発明の工具に、性能上の利点に加え、独特の色によるブランド化をもたらすので、有益である。従来、合成ダイヤモンド工具部材は、黄色であるダイヤモンド材料を、通常含んでいた。特に良好な結果は、黄色、最も好ましくは濃い黄色のダイヤモンド材料で出発し、黄色のダイヤモンド材料を、靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、照射することによって得られた。照射は、また、黄色のダイヤモンド材料の色を変えることができる。出発材料の正確な型、及び照射に加えてアニーリングステップが実施されるかどうかに応じて、様々な色が実現され得る。例えば、無色又は無色に近いCVDダイヤモンドは、本発明の実施形態に従って照射された時に、黄色がかった緑色に変わる。照射され、次いで、約700°Cを超える温度に加熱された場合、元々は無色又は無色に近かったCVDダイヤモンドは、照射及びアニーリング処理に応じて、無色、オレンジ色、茶色、又はピンク色に変わり得る。対照的に、黄色のIb型HPHTダイヤモンドは、本発明の実施形態に従って照射された時線量に応じて、緑色に変わり得る。照射され、次いで、約700°Cを超える温度に加熱された場合、黄色のIb型HPHTダイヤモンドは、照射及びアニールに応じて赤色又は紫色に変わり得る。特定の切削用途において、Ib型HPHTダイヤモンドを照射することによって得られる緑色のダイヤモンドは、特に良好な結果をもたらすことが見出された。さらに、本発明の特定の実施形態によるダイヤモンド材料の色は、例えば、一定の時間、特定の温度を超えると、変わり得る。この色の変化は、品質管理の指標、及び/又は、ダイヤモンド工具部材を取り替える必要があるという指標として用いることができる。例えば、本発明の実施形態による、緑色のIb型HPHTダイヤモンド工具部材は、高温での長期使用の後、赤色/紫色に変わり得る。これは、ダイヤモンド工具部材を取り替える必要があるという指標、及び/又は、製造上の問題に起因する過度の加熱がある例えば、取付け又は工具デザインによる結果として、過度の加熱が起こっているかどうかの指標としての役割を果たし得る。本発明のより良い理解のために、また、本発明が如何に実施され得るかを示すために、本発明の実施形態が、これから、添付図を参照しながら例としてのみ説明される。図1は、本発明の実施形態による方法の実施に含まれる基本的ステップを例示する。ダイヤモンド材料10が中性子で照射されて、靱性及び/又は耐摩耗性の向上したダイヤモンド材料12を形成する。次いで、ダイヤモンド材料12は、例えばレーザー又は機械的カッターを用い、切断されて、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材14を生成する。次に、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材14は、担体16に蝋付けされて、ダイヤモンド工具を形成する。図2は、本発明の別の実施形態による方法の実施に含まれる基本的ステップを例示する。ダイヤモンド材料20が、例えば、レーザー又は機械的カッターを用い、切断されて、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材22を形成する。次いで、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材22は、照射されて、照射されたダイヤモンド工具部材24を生成する。次に、1つ又は複数の照射されたダイヤモンド工具部材24は、担体26に蝋付けされて、ダイヤモンド工具を形成する。図3は、本発明の別の実施形態による方法の実施に含まれる基本的ステップを例示する。ダイヤモンド材料30は、例えば、レーザー又は機械的カッターを用い、切断されて、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材32を形成する。次いで、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材32は、担体34に蝋付けされて、ダイヤモンド工具を形成する。次に、1つ又は複数のダイヤモンド工具部材34は、照射されて、照射されたダイヤモンド工具部材36を形成する。記載された本発明の実施形態は、ダイヤモンド材料を含む工具の靱性及び/又は耐摩耗性を向上させる方法を提供し、この方法は、靱性及び/又は耐摩耗性を向上させるために、ダイヤモンド材料を中性子で照射することを含む。照射処理は、ダイヤモンド材料の全体に渡って比較的一様に散らばった小さなクラスター欠陥を形成する。反復プロセスは、最適な欠陥レベルを見出すために用いることができる。ダイヤモンド材料が、照射、試験、再照射されるなどして、特定の工具部材のタイプ及び工具の用途に対して、特定のダイヤモンド材料にとっての最適な欠陥レベルを見出すことができる。中性子照射での好ましいエネルギーは、窒素がドーピングされたダイヤモンドに、一様に近い濃度の小さなクラスター欠陥を導入すると同時に、ダイヤモンドマトリックス内に不規則に広がる大きなカスケード損傷の生成を最低限にするエネルギーである。ダイヤモンドの温度、中性子エネルギー、中性子フラックスのような要因、及び出発ダイヤモンドの特性のような要因さえ、一定の照射実験構成及び時間で生成される欠陥濃度に影響を及ぼし得る。照射は、通常、大気条件約300K下に、取り付けられた試料を用いて、照射状態の間の温度上昇は最低限にして例えば、100K未満、実施される。しかし、中性子エネルギー及び中性子フラックスのような要因は、試料の加熱に繋がり得る。したがって、温度管理を危うくすることなく、高い線量率を可能にして、照射時間を最小限にするために、試料は、できるだけ低温に保たれ得る77Kでの低温冷却さえ、ある状況下では利点がある。しかし、中性子照射を用いることの利点の1つは、例えば電子照射と比べた時に、ダイヤモンド材料の、それ程大きなバルク加熱がないということである。このため、冷却は、中性子照射を用いる場合には、不要であり得る。欠陥濃度は、分光学的に測定できる。例えば、孤立空孔の濃度を測定するためには、スペクトルが、試料を冷却するために液体窒素を用い、77Kで得られるが、その理由は、この温度で、中性及び負荷電孤立空孔にそれぞれ帰属できる、741nm及び394nmの鋭いピークが見られるためである。本明細書において孤立空孔の濃度を計算するために用いられる係数は、下の表1に詳細が記載されている、GDaviesPhysicaB2732741523に公表されたものである。表1において、Aは、77Kで測定した、遷移のゼロフォノン線における積分吸収meVcm1であり、吸収係数はcm1の単位で、光子エネルギーは、meVの単位である。濃度は、cm3の単位である。表1本発明の実施形態において用いられるダイヤモンド材料は、天然ダイヤモンド、HPHTダイヤモンド、及びCVDダイヤモンドであり得る。天然ダイヤモンド、HPHTダイヤモンド、及びCVDダイヤモンドは、それら自身の独特の構造的及び機能的特性を有するので、用語天然、HPHT及びCVDは、ダイヤモンド材料の生成方法を表すだけでなく、材料自体の特有の構造的及び機能的特性もまた表すことが理解されるであろう。例えば、合成CVDダイヤモンド材料は、HPHT法を用いて合成された合成ダイヤモンド材料と、転位構造によって明確に区別され得る。合成CVDダイヤモンドでは、転位は、通常、基板の初期成長表面にほぼ垂直な方向に走っている、すなわち、基板が001基板である場合、転位は、[001]方向に平行に、ほぼ整列する。これは、HPHT法を用いて合成されたダイヤモンド材料では当てはまらない。このように、これらの2種の材料は、例えばX線トポグラフで観察される、それらの異なる転位構造によって区別できる。本発明の実施形態において用いられるダイヤモンド材料は、Ia型、Ib型、IIa型又はIIb型であり得る。Ia型及びIb型ダイヤモンドは窒素を含む。Ia型では、窒素原子は、様々なタイプの集合欠陥を形成するのに対して、Ib型ダイヤモンドでは、窒素原子は、単一不純物として孤立している傾向がある。Ia型ダイヤモンドは、無色、茶色、ピンク色、及び紫色であり得る。Ib型天然ダイヤモンドは、濃い黄色カナリア色、オレンジ色、茶色であるか、又は緑色を帯びていることがある。IIa型及びIIb型ダイヤモンドは、窒素を含まない厳密に言えば、いくらかの窒素が常に存在するが、II型ダイヤモンドでは、それらのレベルは、I型ダイヤモンドにおいてより、ずっと小さい。IIa型とIIb型ダイヤモンドは、IIb型ダイヤモンドが、不純物としてホウ素を含む点で異なる。II型ダイヤモンドは、無色から、濃い青色、ピンク色又は茶色まで変わる。ダイヤモンドの色は、結晶構造内の欠陥の数、タイプ及び分布によって決まる。結晶欠陥には、転位、マイクロクラック、双晶境界、点欠陥、及び小角粒界が含まれる。このため、例えば、ダイヤモンドの色は、不純物例えば、窒素のタイプ及び分布、さらには、他の欠陥例えば、転位のタイプ及び分布に応じて決まるであろう。ダイヤモンド内には、欠陥の多数の異なるタイプ及び下位区分が存在する。例えば、窒素欠陥だけで、非常に多くの異なるタイプが存在し、各々が、それ自身のスペクトル特性を有する。本発明の実施形態によって形成される工具は、切削、研削、研磨、穿孔及び/又は伸線を含めて、様々な用途に使用され得る。工具におけるダイヤモンド材料は、{110}、{111}、及び{100}の結晶面にそれぞれ対応する、2ポイント2-point、3ポイント及び4ポイント結晶を含めて、かなりの数の可能な結晶方位で配置され得る。任意選択で、ダイヤモンド工具部材の作業面は、ダイヤモンド材料の単一の分域によって形作られる。いくつかのCVDダイヤモンド試料通常、約0.1~0.5ppmのNを含むが、中性子で照射された。これらの処理のために、ImperialCollegeのUr235Consort原子炉SilwoodPark、Ascot、英国を用いたこの原子炉は、現在、廃炉になっている-代わりは、DelftUniversityオランダに見出されるものであり得る。ダイヤモンド材料は、通常、14~28時間の間、照射され、原子炉内のエネルギー分布は、1MeVにピークがあり、59の中性子が、0.2~2.2MeVのエネルギー範囲にあり、86の中性子が、0.2~12MeVのエネルギー範囲にあった。その結果、ダイヤモンド試料は、中性子約5×1015~1×1016個/cm2の線量を浴びた。中性子照射の結果、無色から黄色-緑色への色の変化が観察された。低温UV-可視分光測定を用い前記と同じ計算方法を用いる、孤立中性空孔の濃度を求めて、0.2~0.51ppm空孔2×1016~5.1×1016個/cm3の範囲にあった。対応する電子照射試料に比べて、GR1ピークの明瞭な広がりがあったが、これは、孤立空孔に加えて、空孔クラスターが生成することに対する証拠を示す。得られる材料は、例えば、切削刃を形成するために用いることができる。切削刃は、例えばレーザーを用いて、原板から切り出すことができる。照射された材料は、任意選択で、約700°Cでアニーリングされてもよい。本発明が、好ましい実施形態を参照して、詳細に示され、説明されたが、当業者には、形態及び詳細における様々な変更が、添付の特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲から逸脱することなく、なされ得ることが理解されるであろう。