"式1式中、R1及びR2は同一又は異なって水素原子又は低級アルキル基を示し、nは1~100の整数を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される含硫黄π-共役系化合物。ナフタレン環の1,5-又は2,6-位で結合している請求項1記載の含硫黄π-共役系化合物。ベンゼン環の1,4-位又はチオフェン環の25-位で結合している請求項1又は2記載の含硫黄π-共役系化合物。R1及びR2がメチル基、エチル基又はn-プロピル基である請求項1~3のいずれかに記載の含硫黄π-共役系化合物。式2式中、R1及びR2は同一又は異なって水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される化合物と、式3で表される化合物をロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式1式中、R1、R2及びQは前記と同じ。nは1~100の整数を示すで表される含硫黄π-共役系化合物の製造方法。式4式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよい。で表される含硫黄π-共役系化合物。式5式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される化合物と、式3で表される化合物を、式3で表される化合物に対して式5で表される化合物を2倍モル以上使用し、ロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式4式中、R3及びQは前記と同じで表される含硫黄π-共役系化合物の製造方法。上記非特許文献1に記載された含硫黄π-共役系ポリマーは、本願発明者らが意図する所期の目的を満たすものであったが、より共役系の伸長したポリマーの方が、電子移動が容易なると共に吸収光が長波長側にシフトすることが予期される。更に製膜性やポリマーの単離性も向上すると考えられる。係る観点から、本願発明者らは、より共役系の伸長した含硫黄π-共役系ポリマーを得ることを目的として種々検討したところ、非特許文献1に記載されたπ-共役系ポリマーの製造に使用した14-ジメルカプトベンゼンに代えてジメルカプトナフタレンを使用すると、優れた性状を有する含硫黄π-共役系ポリマーが得られることを見出した。本発明は係る知見に基づくもので、導電性材料、有機EL材料、高屈折率材料などとして利用し得る含硫黄π-共役系化合物及びその製造方法を提供するものである。上記の課題を解決するためになされた本発明の要旨は、下記式1式中、R1及びR2は同一又は異なって水素原子又は低級アルキル基を示し、nは1~100の整数を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される含硫黄π-共役系化合物である。上記式中、ナフタレン環の置換位置としては、1,5-又は2,6-位で結合していることが好ましい。またQで示されるベンゼン環又はチオフェン環において、ベンゼン環の置換位置としては1,4-位、またチオフェン環の置換位置としては2,5-位で結合していることが好ましい。更に、R1及びR2の低級アルキル基としては、メチル、エチル、n-プロピル基が好ましい。また、本発明は、式2式中、R1及びR2は同一又は異なって水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される化合物と、式3で表される化合物をロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式1式中、R1、R2及びQは前記と同じ。nは1~100の整数を示すで表される含硫黄π-共役系化合物の製造方法である。更に、本発明は、式4で表される含硫黄π-共役系化合物である。式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよい。そして、本発明は、式5式中、R3は水素原子又は低級アルキル基を示し、Qはベンゼン環又はチオフェン環を示し、当該ベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよいで表される化合物と、式3で表される化合物を、式3で表される化合物に対して式5で表される化合物を2倍モル以上使用し、ロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする、式4式中、R3及びQは前記と同じで表される含硫黄π-共役系化合物の製造方法である。本発明の含硫黄π-共役系化合物においてはπ-共役系が長いという特長を有し、前述のように電子移動の容易性や光学的性状の向上を図ることができる。しかもポリマー伸長は立体制御のもとに行われ、ランダムなポリマー伸長に比べて立体障害の要因が少ないので長鎖長のポリマーを得ることができ、製膜性や単離性の向上が期待できる。更に、置換基の導入が容易であることから、種々の機能を有する含硫黄π-共役系化合物とすることができる。また、本発明の製造方法によれば、上記の特性を有する含硫黄π-共役系化合物を簡便且つ容易に製造することができる。本発明は上記の構成よりなり、前記式1で表される含硫黄π-共役系化合物において、R1及びR2は同一又は異なって水素原子又は低級アルキル基である。低級アルキル基は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状アルキル基を意味し、係るアルキル基としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、tペンチル、ヘキシル、イソヘキシルなどが例示され、メチル、エチル、n-プロピルが好ましい。nは1~100の整数であり、電子移動の点ではnが大きい方が好ましいが、溶解性などの点からnは3~70、好ましくは10~60が好適である。上記式中、ナフタレン環の置換位置としては特に限定はないが、対称性の点から1,5-又は2,6-位で結合していることが好ましい。またQで示されるベンゼン環又はチオフェン環において、同様に対称性の点から、ベンゼン環の置換位置としては1,4-位、またチオフェン環の置換位置としては2,5-位で結合していることが好ましい。上記式1で示される化合物は種々の方法で調製することができるが、本発明の方法、即ち、前記式2で表される化合物と式3で表される化合物をロジウム触媒の存在下に反応させることにより得ることができる。この方法において、式2及び3で表される化合物は公知である。式2で表される化合物において、Qがベンゼン環の化合物としては、例えば、1,4-ジエチニルベンゼン、1,4-ジ1-プロペニルベンゼン、1,4-ジ1-ブチニルベンゼン、1,4-ジ1-ペンチニルベンゼン、1,2-ジエチニルベンゼン、1,3-ジエチニルベンゼンなどが挙げられる。また、式2で表される化合物において、Qがチオフェン環の化合物としては、2,5-ジエチニルチオフェン、2,5-ジ1-プロペニルチオフェン、2,5-ジ1-ブチニルチオフェン、2,5-ジ1-ペンチニルチオフェン、3,4-ジエチニルチオフェン、2,4-ジエチニルチオフェンなどが挙げられる。なお、上記のベンゼン環又はチオフェン環は1又は2の低級アルキル基で置換されていてもよく、当該低級アルキル基としては前述のアルキル基が例示でき、係る化合物としては、例えば、1,4-ジエチニル-3-メチルベンゼン、3,4-ジブチル-2,5-ジエチニルチオフェンなどが挙げられる。式3で表される化合物としては、例えば、1,5-ナフタレンジチオール、2,6-ナフタレンジチオール、1,4-ナフタレンジチオール、1,8-ナフタレンジチオールなどが挙げられる。上記反応で使用されるロジウム触媒としては、例えば、クロロトリストリフェニルホスフィンロジウム、ロジウム炭素担持触媒、ロジウムアルミナ担持触媒、ロジウムカルボニル、臭化ロジウム、塩化ロジウム、ヨウ化ロジウム、ロジウムアセテートダイマー、ロジウムアセチルアセトナート、ロジウムトリフルオロアセテートダイマー、酸化ロジウムなどが挙げられ、特にクロロトリストリフェニルホスフィンロジウムを使用するのが好ましい。ロジウム触媒の使用量としては、式2で表される化合物に対して、1~10、好ましくは1.5~8、より好ましくは2~5モルである。1モル未満では反応の進行が遅く、10モルを超えると重合度が低下する傾向にある。上記反応は通常溶媒中で行われ、使用される溶媒としては反応に悪影響を与えない溶媒であれば特に限定されないが、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロルエタン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、アセトニトリル、DMF、DMSO等の極性溶媒などが挙げられる。有機溶媒は2種以上を混合して使用してもよい。反応温度はこの反応が進行する温度であれば特に限定されないが、通常室温~60°C、好ましくは30~40°C程度であり、反応時間は反応温度にもよるが10~48時間、通常は15~24時間程度で終了する。なお、反応は遮光下に行うのが好ましい。式2で表される化合物と式3で表される化合物との使用割合は等モルであるが、どちらかを多少多めに使用してもよい。反応終了後、ロジウム触媒を濾別し、濾液を濃縮することにより、式1で表される化合物を得ることができる。得られた生成物は、例えば塩化メチレンに溶解した後、n-ヘキサンのような貧溶媒中に再沈殿することやGPCにより精製することができる。また、本発明は前記式4で表される含硫黄π-共役系化合物であり、含硫黄π-共役系低分子化合物として種々の用途に使用し得る。前記式4で表される化合物において、R3は低級アルキル基であり、具体的には前記R1及びR2で例示したアルキル基が挙げられる。また、ナフタレン環の置換位置としては特に限定はないが、対称性の点から1,5-又は2,6-位で結合していることが好ましい。更に、Qはベンゼン環即ち、フェニル基又はチオフェン環であり、またチオフェン環の置換位置としては2位即ち、2-チエニル基又は3位即ち、3-チエニル基であってよい。式4で表されるは種々の方法で調製することができるが、本発明の方法、即ち、前記式5で表される化合物と式3で表される化合物を、式3で表される化合物に対して式5で表される化合物を2倍モル以上使用し、ロジウム触媒の存在下に反応させることにより得ることができる。この方法において、式5で表される化合物は公知であり、Qがベンゼン環の化合物としては、例えば、1-エチニルベンゼン、1-プロペニルベンゼン、1-ブチニルベンゼン、1-ペンチニルベンゼン、4-メチル1-エチニルベンゼンなどが挙げられる。また、式5で表される化合物において、Qがチオフェン環の化合物としては、2-エチニルチオフェン、2-1-プロペニルチオフェン、2-1-ブチニルチオフェン、2-1-ペンチニルチオフェン、3,4-ジブチル-2-エチニルチオフェン、3-エチニルチオフェンなどが挙げられる。この反応は、式3で表される化合物に対して式5で表される化合物を2倍モル以上、好ましくは2.0~2.5倍モル使用する点を除いては、前記式2で表される化合物と式3で表される化合物を反応させる方法と同様に行うことができ、ロジウム触媒、反応溶媒、反応温度、反応時間、後処理などは当該反応の説明を引用することができる。以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例1下記構造式の化合物の合成二口試験管にRhCl3、塩化メチレン、14ジ1-ペンチニルベンゼン、15ナフタレンジチオールを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過して触媒を除去した後、溶媒を減圧留去した。その後、GPCにより分子量分布の大きい部分を回収し、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。得られた化合物の分子量は、Mnが4831、Mwが12845であり、多分散度は2.66であった。高性能マススペクトル測定の結果、モノマー理論値は402であるのに対し、実測結果は402、804であった。また、当該生成物の1HNMRを図1に、またUVスペクトルを図2に示した。図1に示されるように、6.2ppm付近にビニレン基のプロトンのシングレットピークが認められ、目的とする化合物が立体選択的に得られていることが分かった。また、図2のUVスペクトルから、後記の実施例3で得られた化合物より吸収が長波長側にシフトしていることが認められた。一般的にπ共役系が広がれば広がるほど吸収は長波長側にシフトする。このことから、分子量が大きくなることでπ共役系が広がっていると考えられる。実施例2下記構造式の化合物の合成二口試験管にRhCl3、塩化メチレン、14ジ1-ペンチニルベンゼン、26ナフタレンジチオールを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、溶媒を減圧留去した。その後、GPCにより分子量分布の大きい部分を回収し、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。得られた化合物の分子量は、Mnが2033、Mwが4000であり、多分散度は1.97であった。高性能マススペクトル測定の結果、モノマー理論値は402であるのに対し、実測結果は402、804、1206であった。また、得られた化合物のUVスペクトルを図3に、蛍光スペクトルを図4に示した。図3に示されるように、後記実施例4で得られた化合物より吸収が長波長側にシフトしていることが認められた。また、図4に示されるように、実施例4で得られた化合物より蛍光発光が大きくなっていることが認められた。実施例3下記構造式の化合物の合成二口試験管にRhCl3、塩化メチレン、1ペンチニルベンゼン、15ナフタレンジチオールを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、溶媒を減圧留去した。その後、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。高性能マススペクトル測定の結果、理論値は4801945であるのに対し、実測結果は4801945であった。また、生成物の1HNMRを図5に、UVスペクトルを図2に示した。図5に示されるように、6.3ppm付近にビニレン基のプロトンのシングレットピークが認められ、目的とする化合物が立体選択的に得られていることが分かった。実施例4下記構造式の化合物の合成二口試験管にRhCl3、塩化メチレン、1ペンチニルベンゼン、26ナフタレンジチオールを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、溶媒を減圧留去した。その後、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。高性能マススペクトル測定の結果、理論値は4801945であるのに対し、実測結果は4801946であった。また、生成物の1HNMRを図6に、UVスペクトルを図3に、蛍光スペクトルを図4に示した。図6に示されるように、6.7ppm付近にビニレン基のプロトンのシングレットピークが認められ、目的とする化合物が立体選択的に得られていることが分かった。実施例534ジブチル25ジエチニルチオフェンの合成30mL三ツ口ナスフラスコを真空にしてフレームドライを行い、窒素雰囲気下でMgを細かく砕いて入れ、エーテルを少量入れた後、滴下ロートを用いてBuBrを少しずつ加えていった。発熱したら氷水で冷却し、以降エーテルとBuBrを交互に加えていき、エーテルを計15mL、BuBrを計4670g加えた。Mgが完全に無くなるまで撹拌した。200mL三ツ口ナスフラスコを真空にしてフレームドライを行い、窒素ガス雰囲気下でエーテル30mL中に、NiCl2、34ジブロモチオフェンを加え、カニューレを経由して30mL三ツ口ナスフラスコの反応溶液を送り込んで、40°Cで22時間加熱撹拌した。反応終了後、10塩酸水溶液を適量加えて分液ロートで分液し、水と食塩水で洗浄後有機層を取り出した。硫酸マグネシウムを適量加えて乾燥させ、溶媒を減圧留去し、1HNMRスペクトルを測定し、目的物であることを確認した。34ジブチルチオフェンとNISを酢酸、クロロホルム溶媒中に加え、室温で23時間撹拌した。反応終了後10チオ硫酸ナトリウム水溶液とクロロホルムを適量加えて分液し、有機層を取り出して硫酸マグネシウムを適量加えて乾燥させた。その後溶媒を減圧留去し、1HNMRスペクトルを測定し、目的物であることを確認した。50mLナスフラスコに12ジヨード25ジブチルチオフェンとTMSアセチレンとPd2Cl2とCuIとトリエチルアミンを加え、窒素ガス雰囲気下で13時間室温で撹拌した。反応終了後水とトリエチルアミンを適量加えて分液し、有機層を取り出して硫酸マグネシウムを適量加えて乾燥させた。その後溶媒を減圧留去し、1HNMRスペクトルを測定した。その後CH3OH、KOHを加え、室温で12時間撹拌し、水とヘキサンを加えて分液し、有機層を取り出して硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、溶媒を減圧留去し、34ジブチル25ジエチニルチオフェンを得た。実施例6下記構造式の化合物の合成二口試験管に34ジブチル25ジエチニルチオフェンと15ナフタレンジチオールとRhCl3、塩化メチレンを加え、遮光条件下、室温で22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、溶媒を減圧留去した。GPCにより分子量分布の大きいところを回収し、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。生成物のUVスペクトルを図7に示した。図7に示されるように、吸収が長波長側にシフトしていることが認められた。実施例7下記構造式の化合物の合成二口試験管に34ジブチル25ジエチニルチオフェンと26ナフタレンジチオールとRhCl3、塩化メチレンを加え、遮光条件下、室温で22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、溶媒を減圧留去した。GPCにより分子量分布の大きいところを回収し、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。実施例8下記構造式の化合物の合成二口試験管に、34ジブチル2エチニルチオフェン、15ナフタレンジチオール、RhCl3、塩化メチレンを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、減圧留去した。その後、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。生成物の1HNMRを図8に示した。図8に示されるように、6.6~6.9ppm付近にビニレン基のプロトンのピークが認められ、目的とする化合物が立体選択的に得られていることが分かった。実施例9下記構造式の化合物の合成二口試験管に、34ジブチル2エチニルチオフェン、26ナフタレンジチオール、RhCl3、塩化メチレンを加え、遮光条件下において40°Cで22時間加熱した。得られた生成物をセライトろ過し、減圧留去した。その後、塩化メチレン-ヘキサン系で再沈殿することにより精製した。生成物の1HNMRを図9に示した。図9に示されるように、6.6~7.0ppm付近にビニレン基のプロトンのピークが認められ、目的とする化合物が立体選択的に得られていることが分かった。また、実施例8及び9で得られた化合物の蛍光スペクトルを図10に示した。図10に示されるように、実施例9で得られた化合物は強い蛍光発光を示した。"