第1基板、前記第1基板に対向して位置され、前記第1基板または第2基板が03mmより小さい、または等しい厚さを有する第2基板、前記第1基板と前記第2基板の間に位置された液晶層、及び前記液晶層から離れて前記第2基板の表面上に直接形成され、パターン化透明導電層を含むタッチセンサを含むタッチパネル。前記第1基板は、約015mm~030mmの厚さを有する請求項1に記載のタッチパネル。前記第2基板は、約015mm~030mmの厚さを有する請求項1に記載のタッチパネル。前記第1基板または前記第2基板は、個別に約015mm~030mmの厚さを有する請求項1に記載のタッチパネル。前記パターン化透明導電層は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、カドミウムスズ酸化物CTO、酸化亜鉛アルミニウムAZO、インジウムスズ亜鉛酸化物ITZO、酸化カドミウムCdO、酸化ハフニウムHfO、酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnO、酸化インジウムガリウム亜鉛マグネシウムInGaZnMgO、酸化インジウムガリウムマグネシウムInGaMgO、または酸化インジウムガリウムアルミニウムInGaAlOを含む請求項1に記載のタッチパネル。前記タッチパネルは、金属層、誘電体層、及び保護層を更に含む請求項1に記載のタッチパネル。前記パターン化透明導電層は、独立マトリクス構造independentmatrixstructure、または交差マトリクス構造intersectionmatrixstructuresを含む請求項1に記載のタッチパネル。交差マトリクス構造を含む前記パターン化透明導電層は、ブリッジパターン化透明導電層、またはブリッジ金属層によって接続される請求項7に記載のタッチパネル。前記タッチセンサは、堆積プロセスによって形成される請求項1に記載のタッチパネル。前記堆積プロセスは、化学気相蒸着CVDプロセスまたは物理気相成長PVDプロセスを含む請求項9に記載のタッチパネル。前記第1基板は、薄膜トランジスタ基板であり、且つ前記第2基板は、カラーフィルター基板である請求項1に記載のタッチパネル。前記第2基板と前記液晶層の間に形成されたカラーフィルターとブラックマトリクスを更に含む請求項11に記載のタッチパネル。前記第1基板は、カラーフィルター基板であり、且つ前記第2基板は、薄膜トランジスタ基板である請求項1に記載のタッチパネル。前記タッチパネル上に形成された偏光子、及び前記偏光子上に形成されたカバーガラスを更に含む請求項1に記載のタッチパネル。前記タッチパネルは、インプレーンスイッチングIPSLCD、またはフリンジフィールドスイッチングFFSLCDに用いられる請求項1に記載のタッチパネル。軽量薄型で、製造プロセスを簡素化して、プロセスコストを低減するタッチパネルを提供する。本発明は、第1基板、前記第1基板に対向して位置され、前記第1基板または第2基板が03mmより小さい、または等しい厚さを有する第2基板、前記第1基板と前記第2基板の間に位置された液晶層、及び前記液晶層から離れて前記第2基板の表面上に直接形成され、パターン化透明導電層を含むタッチセンサを含むタッチパネルを提供する。詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。以下の説明は、本発明を実施するベストモードが開示されている。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのもので本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、添付の請求の範囲を参考にして決定される。図2Aは、本発明の実施形態に基づくタッチパネル200の断面概略図を表している。タッチパネル200は、第1基板210、液晶層220、第2基板230、及びタッチセンサ240を含み、第2基板230は、第1基板210に対向して位置され、液晶層220は、第1基板210と第2基板230との間に配置される。たタッチセンサ40を含み、接着層30が表示パネル20とタッチセンサ40との間に形成される。本発明の主な特徴は、タッチセンサ240は、液晶層220から離れて、第2基板230の表面232上に直接形成されることであり、タッチセンサ240は、パターン化透明導電層を含む。1つの実施形態では、第1基板210は、薄膜トランジスタTFT基板であり、第2基板は、カラーフィルター基板である。より具体的に言えば、薄膜トランジスタデバイスは、第2基板230に近接した第1基板210の表面上に形成され、カラーフィルターデバイスは、第1基板210に近接した第2基板230の表面上に形成される。もう1つの実施形態では、第1基板210は、カラーフィルター基板であり、第2基板230は、薄膜トランジスタTFT基板である。より具体的に言うと、カラーフィルターデバイスは、第2基板230に近接した第1基板210の表面上に形成され、薄膜トランジスタデバイスは、第1基板210に近接した第2基板230の表面上に形成される。TFT基板は、サブ基板及びアレイ層を含むことができ、サブ基板の材料は、ガラス、クオーツ、プラスチック、樹脂、または他の適合する材料を含む。ガラスはサブ基板に広く用いられている。アレイ層は、薄膜トランジスタ、画素電極、スキャンライン、及びデータラインを含み得る。カラーフィルター基板は、カラーフィルター層及びブラックマトリクスBMを含むことができ、カラーフィルター層は、赤色カラーフィルター、青色カラーフィルター、及び緑色カラーフィルターを含み、ブラックマトリクスは、異なる色のカラーフィルター層の間に形成される。図2Aでは、第1基板210及び第2基板230は、約05mmの厚さを有し、液晶層220は、約2~5μmのより小さい厚さを有する。よって、タッチパネル200の厚さは、第1基板210と第2基板230の厚さの総計に限定される。もう1つの実施の形態では、第1基板210と第2基板230の厚さは、減少され得る。図2B~2Dを参照下さい。薄膜化第1基板210aまたは薄膜化第2基板230aが薄膜化法thinningmethod例えば物理的研磨または化学エッチング法によって提供されて形成される。図2Bを参照下さい。薄膜化第1基板210aが提供され、03mmより小さい、または等しい厚さを有するが、約015~030mmを有することが好ましい。図2Cを参照下さい。薄膜化第1基板230aが提供され、03mmより小さい、または等しい厚さを有するが、約015~030mmを有することが好ましい。図2Dを参照下さい。薄膜化第1基板210a及び薄膜化第2基板230aが提供され、03mmより小さい、または等しい厚さを単独に有するが、約015~030mmを有することが好ましい。よって、図2B~2Dのタッチパネル200の厚さは、約080~030mmに減少され、薄型の電子製品に導入する必要条件を満たす。図3Aは、本発明の実施形態に基づく、第2基板230に形成されたタッチセンサ240の断面概略図を表している。タッチセンサ240は、パターン化透明導電層241、金属層243、誘電体層245、及び保護層247を含み、パターン化透明導電層241は、複数の平面パターン化透明導電層241a及びブリッジbridgeパターン化透明導電層241bを含む。図3Aのデバイスは、次のステップによって形成される。まず、平面パターン化透明導電層241aは、堆積プロセス及びパターニングプロセスによって、透明層を堆積してパターニングすることで形成される。次いで、金属層243は、平面パターン化透明導電層241aの外側に、堆積プロセスによって形成される。次に、誘電体層245は、平面パターン化透明導電層241aのそれぞれの間に形成される。ブリッジパターン化透明導電層241bは、誘電体層245上に、且つ互いに電気的接続されるように設計された隣接の平面パターン化透明導電層241aの間に堆積される。最後に、保護層247が第2基板230、平面パターン化透明導電層241a、ブリッジパターン化透明導電層241b、金属層243、及び誘電体層245上に形成され、外部湿気及びほこり汚染から保護する。図3Bは、本発明のもう1つの実施形態に基づく、第2基板230に形成されたタッチセンサ240の断面概略図を表している。タッチセンサ240は、パターン化透明導電層241、金属層243、誘電体層245、及び保護層247を含み、金属層243は、複数の平面金属層243a及びブリッジbridge金属層243bを含む。図3Bは、次のステップによって形成される。まず、パターン化透明導電層241は、堆積プロセス及びパターニングプロセスによって、透明層を堆積してパターニングすることで形成される。次いで、誘電体層245は、パターン化透明導電層241のそれぞれの間に形成される。次いで、平坦金属層243aは、パターン化透明導電層241の外側に、堆積プロセスを実行することによって形成される。次に、ブリッジ金属層243bは、誘電体層245上に、且つ互いに電気的接続されるように設計された隣接のパターン化透明導電層241の間に堆積される。最後に、保護層247が第2基板230、パターン化透明導電層241、平坦金属層243a、ブリッジ金属層243b、及び誘電体層245上に形成され、外部湿気及びほこり汚染から保護する。注意するのは、図3Aと図3Bとの違いは、互いに電気的接続されるように設計された隣接のパターン化透明導電層241が図3Aのブリッジパターン化透明導電層241bによって、且つ図3Bのブリッジ金属層243bによって接続されることである。パターンニングプロセスは、フォトレジストコーティング、ソフトベーキング、マスク位置合わせ、露光、後露光、フォトレジスト現像、及びハードベーキングプロセスなどを含むフォトリソグラフィープロセスを含む。これらのプロセスは、当業者にはよく知られているため、ここでは省略する。パターン化透明導電層241は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、カドミウムスズ酸化物CTO、酸化亜鉛アルミニウムaluminumzincoxide;AZO、インジウムスズ亜鉛酸化物indiumtinzincoxide;ITZO、酸化カドミウムcadmiumoxide;CdO、酸化ハフニウムhafniumoxide;HfO、酸化インジウムガリウム亜鉛indiumgalliumzincoxide;InGaZnO、酸化インジウムガリウム亜鉛マグネシウムindiumgalliumzincmagnesiumoxide;InGaZnMgO、酸化インジウムガリウムマグネシウムindiumgalliummagnesiumoxide;InGaMgO、または酸化インジウムガリウムアルミニウムindiumgalliumaluminumoxide;InGaAlOを含む。1つの実施形態では、インジウムスズ酸化物ITOは、90以上の透過率を有するため、パターン化透明導電層241として用いられる。また、パターン化透明導電層241は、独立マトリクス構造independentmatrixstructure、または交差マトリクス構造intersectionmatrixstructuresを含み得る。1つの実施形態では、ITO透明導電マトリクスは、独立マトリクスの検出素子independentmatrixsenseelementとして用いられる。もう1つの実施形態では、2つの分離した水平行と垂直列のITO透明導電層が列と行の検出素子の交差マトリクスとして用いられる。タッチセンサ240のパターン化透明導電層241は、例えば化学気相蒸着CVDまたは物理気相成長PVDなどの堆積プロセスによって形成される。1つの好ましい実施形態では、透明導電層は、第2基板230上に直接堆積され、パターン化されてパターン化透明導電層241を形成する。また、図1を参照下さい。従来、表示パネル20とタッチパネル40は、接着剤によって一体化された。よって、タッチセンサ40の基板41は、特定の厚さを有し、接着層30は、不可欠である。注意するのは、従来技術と比べると、本発明のタッチセンサ240は、第2基板230上に直接形成されるため、タッチセンサ240の厚さは、タッチパネルの基板例えば図1の基板41及び接着層例えば図1の接着層30の除去により、減少される。また、パターン化透明導電層241が電極として用いられる時、自己周波数を発生させる。パターン化透明導電層241の自己周波数は、表示パネル第1基板210、液晶層220、及び第2基板230でできているの周波数によって影響されないため、遮蔽層として用いられ得る。図4A~4Dは、本発明の実施形態に基づくタッチパネルを形成するさまざまな段階の断面概略図を表している。図4Aを参照下さい。第1基板210及び第2基板230を含む表示パネル310が提供され、第1基板210は、約d1の厚さを有し、第2基板230は、約d2の厚さを有し、d1及びd2は、同じまたは異なる。1つの実施形態では、第1基板210は、第1基板210または第2基板230の外側の周りに形成されたシーラント215によって、第2基板230に接着される。よって、第1基板210は、第2基板230に対向して位置され、開口217を有する密閉空間sealingspace235を形成する。次いで、図4Bを参照下さい。表示パネル310は、薄膜化される。図4Bでは、第1基板210及び第2基板230は、薄膜化され、薄膜第1基板210a及び薄膜第2基板230aを形成するため、第1基板210の厚さは、d1からd3に減少され、第2基板230の厚さは、d2からd4に減少される。d3及びd4は、同じまたは異なる。また、もう1つの実施形態では、第1基板210または第2基板230は、薄膜化される。基板は、薄膜化法例えば物理的研磨または化学エッチング法によって薄膜化される。注意するのは、1つの実施形態では、第1基板210及び第2基板230の厚さは、05mmから03mmに減少される。よって、表示パネル310の全体の厚さは、10mmから06mmに減少される。好ましい実施例では、04mmの薄膜表示パネル310aが得られる。次に、図4Cを参照下さい。タッチセンサ240は、薄膜表示パネル310aの外表面232上に形成される。例えば、タッチセンサ240は、薄膜第1基板210aから離れて薄膜第2基板230aの外表面232上に形成される。1つの実施形態では、タッチセンサ240は、堆積プロセスによって、薄膜第1基板210aから離れて薄膜第2基板230aの表面232上に直接、透明導電層を形成することで形成される。堆積プロセスは、化学気相蒸着CVDまたは物理気相成長PVDプロセスを含む。堆積プロセスの後、透明導電層は、パターン化されてパターン化透明導電層を形成する。パターン化透明導電層の形成後、金属層、誘電体層、及び保護層がパターン化透明導電層上に順次に形成される。もう1つの実施形態では、タッチセンサ240は、接着層によって薄膜第1基板210aから離れて薄膜第2基板230aの表面232上に形成される。また、図4Dのステップに進む前に、別にアニーリングステップがタッチセンサ240に実施され、特に、タッチセンサ240のパターン化透明導電層に実施される。アニーリングステップの目的は、透明導電層のシート抵抗を低減することである。次いで、図4Dでは、タッチセンサ240を形成した後、液晶層220が薄膜第1基板210aと薄膜第2基板230a間の開口217によって密閉空間235内に注入される。最後に、開口217が密閉され、液晶が外部に漏れないように防ぐ。もう1つの実施形態では、液晶層220は、タッチセンサ240を形成する前に密閉空間235内に注入される。例えば、注入ステップは、図4Bの薄膜化ステップの後、実施されるか、または注入ステップは、図4Aの組み立てステップの後、実施される。また、液晶層220が高温アニールステップの後に形成された場合、高温アニールステップによって生じる液晶層220のカラーシフトの問題が避けられるという、別の利点が得られる。図5A~5Cは、本発明のもう1つの実施形態に基づくタッチパネルを形成する、さまざまな段階の断面概略図を表しており、同様の要素は、図4A~4Dと同様に同じ番号によって特定され、よって、簡素化のために省略される。図5Aを参照下さい。第1基板210及び第2基板230を含む表示パネル310が提供され、液晶層220が第1基板210と第2基板230の間に形成される。第1基板210は、約d1の厚さを有し、第2基板230は、約d2の厚さを有し、d1及びd2は、同じまたは異なる。1つの実施形態では、第1基板210は、第1基板210または第2基板230の外側の周りに形成されたシーラント215によって、第2基板230に接着される。よって、第1基板210は、第2基板230に対向して位置され、開口217を有する密閉空間sealingspace235を形成する。次いで、液晶層220は、密閉空間235内に注入される。もう1つの実施形態では、シーラント215は、まず、第1基板210の外側の周りに形成され、液晶層220は、液晶滴下注入onedropfilling;ODF方法によって第1基板210上に形成されることができる。最後に、第1基板210と第2基板230は、組み立てられ、第1基板210及び第2基板230の間に液晶層220を形成する。また、シーラント215は、まず、第2基板の外側の周りに形成され、液晶層220は、液晶滴下注入方法によって第2基板230上に形成されることができる。次いで、注入ステップ及び組み立てステップは、順次に実施される。次いで、図5Bを参照下さい。表示パネル310は、薄膜化される。図5Bでは、第1基板210及び第2基板230は、薄膜化され、薄膜第1基板210a及び薄膜第2基板230aを形成するため、第1基板210の厚さは、d1からd3に減少され、第2基板230の厚さは、d2からd4に減少される。d3及びd4は、同じまたは異なる。また、もう1つの実施形態では、第1基板210または第2基板230は、薄膜化される。基板は、薄膜化法例えば物理的研磨または化学エッチング法によって薄膜化される。次に、図5Cを参照下さい。タッチセンサ240は、薄膜表示パネル310aの外表面232上に形成される。例えば、タッチセンサ240は、薄膜第1基板210aから離れて薄膜第2基板230aの外表面232上に形成される。タッチセンサの形成ステップは、図4Dと同じであるため、ここでは省略される。本発明のタッチパネルの形成は、以下のステップを続けてもよい。例えば、偏光子がタッチパネル上に形成され、カバーガラスが偏光子上に形成され、第2偏光子がタッチパネルの下に形成される。他の素子は、実際の応用ニーズに応じてタッチパネルの上または下に形成される。注意するのは、タッチセンサ240は、第2基板230上に直接形成されるため、タッチパネルは、オンセル型oncellタッチパネルとも呼ばれる。動作中、ユーザーは、スタイラスまたは指によってタッチセンサ240をタッチでき、信号は、パターン化透明導電層241の容量変化を検出することで発生される。注意するのは、従来技術に比べ、本発明のタッチセンサ240は、第2基板上230に直接形成されるため、タッチセンサ240の厚さは、タッチパネルの基板例えば図1の基板41及び接着層例えば図1の接着層30の除去により、減少される。また、タッチパネルの透過率も図1の接着層30の除去により向上され、更にタッチパネルの表示品質が向上される。タッチパネルの全体の厚さ及び重さは、表示パネル上にタッチセンサを直接形成し、第1基板または第2基板を薄膜化することで減少される。よって、タッチパネルは、軽量薄型の電子製品に導入する必要条件を満たすことができる。本発明のタッチパネルは、例えばインプレーンスイッチングIPSLCDまたはフリンジフィールドスイッチングFFSLCDなどの液晶ディスプレイLCDに用いられ得る。この発明は、実施例の方法及び望ましい実施の形態によって記述されているが、本発明は、これらを限定するものではないことは理解される。逆に、種々の変更及び同様の配置をカバーするものである当業者には明白なように。よって、添付の請求の範囲は、最も広義な解釈が与えられ、全てのこのような変更及び同様の配置を含むべきである。