n型伝導エピタクシー層4およびGaNを基礎とするp型伝導エピタクシー層5を有する放射線放出エピタクシー連続層3がn型伝導側8で導電性の基板2上に施されており、基板2がエピタクシー連続層3から放出される電磁線に対して透過性であり、基板2から離反したエピタクシー連続層3のp側には、反射性p型接触層6が備えられており、エピタクシー連続層3から離反した基板2の主要面10には、接触金属化部7が備えられており、この接触金属化部が前記主要面10の一部分だけを覆い、チップ1からの光出射が基板2の主要面10の自由領域およびチップの側面14を介して行なわれる発光ダイオードチップ1であって、p型接触層6がp側9に施された透明な第1の層15およびこの第1の層上に施された反射性の第2の層16を有している、発光ダイオードチップ1。エピタクシー連続層3の施与後に薄くされた基板2が設けられている、請求項1記載の発光ダイオードチップ1。導電性の基板2として炭化ケイ素基板が設けられている、請求項1または2記載の発光ダイオードチップ1。n型伝導エピタクシー層4およびp型伝導エピタクシー層5を有する、GaNをベースとする放射線放出エピタクシー連続層3を有する発光ダイオードチップ1であって、発光ダイオードチップ1が成長基板を備えておらず、p型伝導エピタクシー層5がn型伝導エピタクシー層4から離反した主要面9上に反射性p型接触層6を備えており、n型伝導エピタクシー層4がp型伝導エピタクシー層5から離反した主要面8上に、この主要面の一部分だけを覆うn型接触層7を備えており、チップ1からの光出射がn型伝導エピタクシー層4の主要面8の自由領域およびチップの側面14を介して行なわれる、発光ダイオードチップ1。p型接触層6がp側9に施された透明な第1の層15およびこの第1の層上に施された反射性の第2の層16を有している、請求項4記載の発光ダイオードチップ。第1の層15がPtおよび/またはPdを有し、第2の層16がAg、Auおよび/またはAlを有するかまたは誘電体ミラーとして形成されている、請求項1、2、4または5のいずれか1項に記載の発光ダイオードチップ。p型接触層6がPtAg合金および/またはPdAg合金を有している、請求項4記載の発光ダイオードチップ。連続層3、101の全自由表面またはその部分領域が粗面化されている、請求項1から7までのいずれか1項に記載の発光ダイオードチップ。GaNを基礎とする発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子の製造法であって、次の処理工程:a放射線放出エピタクシー連続層3を、エピタクシー連続層3から放出される放射線に対して透過性である基板2上に、エピタクシー連続層3のn側8が基板2に対向しかつエピタクシー連続層3のp側9が基板2から離反しているようにエピタクシャル成長させる工程、bp側9への透明な第1の層15の施与および第1の層15上への反射性の第2の層16の施与によって、p型接触層6をエピタクシー連続層3のp側9に施す工程、cn型接触層7をエピタクシー連続層3から離反した、基板2の主要面10の部分領域上に施す工程、d発光ダイオードチップ1をLEDケーシングのチップ取付け面12、LEDケーシング内の導体路または電気接続フレーム11の上にチップ取付け面に向かって結合能力を有するp型接触層6と一緒に施す工程を有する、GaNを基礎とする発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子の製造法。n型接触層7の施与前に基板2を薄くさせる、請求項9記載の方法。GaNをベースとする発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子の製造法であって、次の処理工程:a放射線放出エピタクシー連続層3を基板2上に、エピタクシー連続層3のn側8が基板2に対向しかつエピタクシー連続層3のp側9が基板2から離反しているようにエピタクシャル成長させる工程、bp側9への透明な第1の層15の施与および第1の層15上への反射性の第2の層16の施与によって、p型接触層6をエピタクシー連続層3のp側9に施す工程、c基板2をエピタクシー連続層3から取り除く工程、dn型接触層7を工程cで露出した、エピタクシー連続層3の主要面13の部分領域に施す工程、e発光ダイオードチップ1をLEDケーシングのチップ取付け面12、LEDケーシング内の導体路または電気接続フレーム11の上にチップ取付け面12に向かって結合能力を有するp型接触層6と一緒に施す工程を有する、GaNを基礎とする発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子の製造法。連続層3、101を全体的にかまたは部分領域内で粗面化する、請求項9から11までのいずれか1項に記載の方法。連続層3、101をエッチングによって粗面化する、請求項12記載の方法。連続層3、101をサンドブラスト法によって粗面化する、請求項12記載の方法。発光ダイオードチップ1がLEDケーシング21のチップ取付け面12上、殊に導体フレーム11上またはLEDケーシングの導体路上に取り付けられている、請求項1から8までのいずれか1項に記載の発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造素子において、反射性接触金属化部6がチップ取付け面12上に載置されていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造素子。発光ダイオードチップ1が、その反射性接触金属化部6と一緒に金属体上に施されており、この金属体が、キャリヤーならびに発光ダイオードチップ1のための電流供給体として使用されている、請求項1から8までのいずれか1項に記載の発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造素子。本発明の課題は、最初に、付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流拡大を伴う冒頭に記載された種類の発光ダイオードチップを開発することにある。更に、この種のチップを有する発光ダイオード構造素子の製造も提供されるはずである。最初に記載された課題は、請求項1または請求項4の特徴を有する発光ダイオードチップを用いて解決される。好ましい他の実施形式は、従属請求項に記載の対象である。本発明による発光ダイオードチップを製造するための好ましい方法は、請求項9から14までのいずれか1項に記載の対象である。1つの好ましい発光ダイオード構造素子は、請求項15または請求項16に記載の対象である。本発明による発光ダイオードチップの場合、基板は、導電性である。基板上には、最初にエピタクシー連続層のn型伝導層が施されている。このn型伝導層上には、エピタクシー連続層のp型伝導層が存在し、側方に全面に施されている、結合能力を有する反射性p型接触層がこれに続く。基板は、エピタクシー連続層から離反した主要面に接触金属化部を備えており、この接触金属化部は、前記主要面の一部分だけを覆う。発光ダイオードチップからの放射線出射は、基板の主要面の自由領域および前記チップの側面を介して行なわれる。この場合、基板は、好ましくは発光ダイオードチップ中で発生される放射線出力を改善する窓層として使用される。基板の厚さを最適化するために、この基板は、好ましくはエピタクシー連続層の成長後に、例えば研磨および/またはエッチングにより薄くされている。更に、本発明による発光ダイオードチップの場合、このチップは、専らエピタクシー層を有する。そのために、成長基板は、エピタクシー連続層のエピタクシャル成長の後に取り除かれる。p型伝導エピタクシー層は、n型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に本質的に全面に結合能力を有する反射性p型接触層を備えている。p型伝導エピタクシー層から離反した、n型伝導エピタクシー層の主要面上には、この主要面の一部分だけを覆うn型接触層が存在する。発光ダイオードチップからの放射線出射は、n型伝導エピタクシー層の主要面の自由領域および前記チップの側面を介して行なわれる。この場合、成長基板は、電気絶縁されていてもよいし、放射線不透過性であってもよく、したがって好ましくは、専ら最適な成長条件に関連して選択されることができる。この種の所謂薄膜LEDチップの特別な利点は、殊に屈折率の突発的な上昇を有する減少された数の界面に基づいて、前記チップ中で放射線吸収が減少されること、理想的には放射線吸収がなくなることおよび前記チップからの放射線出力が改善されることにある。本発明による2つの発光ダイオードチップを用いた場合には、損失熱を発生させる、前記チップの領域殊に、p型にドープされた層およびpn接合部を熱ドレインに極めて隣接してもたらす可能性が存在するという特殊な利点と関連し;エピタクシー連続層は、実際に直接熱ドレインに熱結合可能である。それによって、発光ダイオードチップは、極めて効果的に冷却されることができ、それによって放出された放射線の安定性は、高められている。また、同様に、発光ダイオードチップの作用度も高められている。本発明による2つの発光ダイオードチップの場合には、全面での接触のために好ましくは順電流電圧は減少されている。本発明による発光ダイオードチップの場合、p型接触層は、p側に施された透明な第1の層およびこの第1の層上に施された反射性の第2の層を有している。それによって、接触層は、簡単な方法で電気的性質ならびに反射特性に関連して最適化されることができる。第1の層および第2の層のための好ましい材料は、Ptおよび/またはPdまたはAg、Auおよび/またはAlである。しかし、反射性の層は、誘電体ミラーとして構成されていてもよい。更に、別の好ましい実施形式の場合、p型接触層は、PtAg合金および/またはPdAg合金を有している。更に、好ましい実施形式において、連続層によって形成された半導体の全自由表面またはその部分領域は、粗面化されている。この粗面化によって、出射面での全反射は破壊され、それによって有利に放射線出射度は、さらに高められる。本発明による発光ダイオードチップを有する発光ダイオード構造素子を製造するための本発明による方法の場合には、前記チップは、p側で電気接続部分、殊に電気的導体フレームのチップ取付け面上に取り付けられる。更に、本発明の特に好ましい実施形式において、製造法は、連続層によって形成された半導体の粗面化によって継続され、この場合には、半導体の全自由面またはその部分領域は、粗面化される。放射線収量の上昇に関連して特に効果的な粗面化は、半導体のエッチングによってかまたはサンドブラスト法により得られる。異なる実施例の図において、同じかまたは同じ作用を有する構成成分は、それぞれ同一かまたは類似した参照符号を有する。図1aの発光ダイオードチップ1の場合、SiC基板2上には、放射線放出エピタクシー連続層3が取り付けられている。この放射線放出エピタクシー連続層は、例えばn型伝導性のドープされたGaNエピタクシー層またはAlGaNエピタクシー層4およびp型伝導性のドープされたGaNエピタクシー層またはAlGaNエピタクシー層5を有している。同様に、例えばInGaNまたはInGaAlNからなる1つまたは多数のドープされていない層19を有する二重ヘテロ構造、単一量子井戸SQW構造または多重量子井戸MQW構造を有する、GaNを基礎とするエピタクシー連続層3が設けられていてもよい。SiC基板2は、導電性であり、エピタクシー連続層3から放出される放射線に対して透過性である。SiC基板2から離反したp側9で、エピタクシー連続層3上には、本質的に全面に結合能力を有する反射性p型接触層6が施されている。このp型接触層は、例えば本質的にAg、PtAg合金および/またはPdAg合金からなる。しかし、p型接触層6は、図1bの記載と同様に、放射線透過性の第1の層15および反射性の第2の層16から構成されていてもよい。第1の層15は、例えば本質的にPtおよび/またはPDからなり、第2の層16は、例えば本質的にAg、Auおよび/またはAlまたは誘電体ミラー層からなる。エピタクシー連続層3から離反した主要面10で、SiC基板2には、接触金属化部7が設けられており、この接触金属化部は、前記主要面10の一部分だけを覆い、線材を結合するための結合パッドとして構成されている。接触金属化部7は、例えばSiC基板2上に施されたNi層、引続きAu層からなる。発光ダイオードチップ1は、ダイボンディングDie-Bondenによりp側、即ちp型接触層6で電気接続フレーム11導体フレームのチップ取付け面12上に取り付けられている。n型接触金属化部7は、接続線17により接続フレーム11の接続部分18と結合されている。発光ダイオードチップ1からの放射線出射は、SiC基板2の主要面10の自由領域および前記チップの側面14を介して行なわれる。場合によっては、発光ダイオードチップ1は、エピタクシー連続層3の成長後に薄くされたSiC基板2を有しているこれは、図1aにおいて点線で示されている。図2に示された実施例は、図1aと、一面で、発光ダイオードチップ1が専らエピタクシー連続層3のエピタクシー層を有しかつ基板層を有しない点で区別されている。この基板層は、エピタクシー層の成長後に、例えばエッチングおよび/または研磨により除去される。この種の所謂薄膜LEDチップの利点については、本明細書の詳細な説明中に指摘されている。他面、エピタクシー連続層3は、例えばInGaNまたはInGaAlNからなる1つまたは多数のドープされていない層19を有する二重ヘテロ構造、単一量子井戸SQW構造または多重量子井戸MQW構造を有する。この場合には、例示的にLEDケーシング21が略示されている。図3a~3cに略示された、図1aによる発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子を製造するための処理過程の場合、最初に、放射線放出エピタクシー連続層3がSiC基板2上に成長する図3a。次に、エピタクシー連続層3のp側には、全面に結合能力を有するp型接触層6が施され、エピタクシー連続層3から離反した、基板2の主要面10の部分領域上には、n型接触層7が施される図3b。この処理工程は、全て所謂、ウェーハ複合体中で行なわれ、それによって多数のチップが同時に並列的に製造可能である。上記の処理工程後、ウェーハ複合体は、個々の発光ダイオードチップ1に分離される。引続き、個々の発光ダイオードチップは、ロウ付けによりそれぞれ結合能力を有するp型接触層6と一緒に電気導体フレーム11のチップ取付け面12上に取り付けられる図3c。図4a~4eに略示された、図2による発光ダイオードチップ1を有する発光ダイオード構造素子を製造するための方法は、図3a~3cの場合と、本質的にエピタクシー連続層3の成長後およびp型接触層6の施与前または施与後に基板2が取り除かれることによって区別される図4c。この場合、基板2は、電気絶縁性であってもよいし、放射線不透過性であってもよく、したがって好ましくは最適な成長条件に関連して設計されることができる。基板2の除去後、エピタクシー連続層3のn側13には、n型接触金属化部7が施され図4d、その後に上記と同様に図3cに関連して既に記載された取付け工程が行なわれる図4e。図5に示された実施例は、スタック形に配置された、多数の異なる半導体層101を有し、この半導体層は、GaNまたはGaNを基礎とする3元化合物または4元化合物からなる。運転において、前記層の内部で活性帯域102が形成され、この活性帯域内で放射線105が発生される。層スタックは、第1の主要面103および第2の主要面104によって制限されている。本質的に、発生された放射線105は、第1の主要面103によって制限された環境内で出射される。第2の主要面104上には、上記の記載と同様に、結合能力を有する反射性p型接触層106が施されている。半導体は、出力側で接触面112上に接触し、リフレクター側でp型接触層106上に接触する。リフレクター側の接触は、例えば半導体がリフレクター側で金属体上に載置されていることによって行なうことができ、この場合この金属体は、キャリヤーならびに電流供給体として使用される。リフレクター106は、第1の主要面103での出射の際に半導体中に再反射される放射線105の一部分が再び第1の主要面103の方向に反射され、したがって全体的に第1の主要面103によって出射される放射線量が上昇されることを生じる。この上昇は、構造素子が薄膜構造素子として放射線吸収性の基板なしに形成されておりかつリフレクター106が直接にGaN半導体上に施されていることによって可能になる。この場合、半導体の表面は、粗面107を有している。この粗面107は、第1の主面103で放射線105の散乱を生じさせ、したがって第1の主要面103での全反射は妨害される。この散乱は、発生された放射線が2つの主要面103と104の間または主要面103とリフレクター106との間で連続する同種の反射によって光導体の種類に応じて、半導体を去ることなく導かれることを十分に阻止する。上記の実施例についての本発明の詳説は、勿論、これに制限されることとして理解されるべきではない。むしろ、本発明は、殊に全ての発光ダイオードチップの場合に利用可能であり、この場合には、成長基板から離れて存在するエピタクシー層は、不十分な導電性を有している。