真空状態で基板を処理する真空処理室と、該真空処理室で処理された基板を外部に搬出するためのアンロード室と、を備えた真空処理装置であって、前記基板は、当該基板の外周部が基板ホルダーに支持された状態で前記真空処理室から前記アンロード室に搬送され、前記アンロード室内には、ガス源から供給されるベントガスの流れを規制する整流板が、前記アンロード室内に搬送された基板の表面に対向して当該基板を覆うように設けられていると共に、当該アンロード室内にベントガスを導入する導入口が、前記整流板の表面に対向して設けられていることを特徴とする真空処理装置。前記整流板が、前記基板の両面にそれぞれ対向して設けられており、前記導入口が、各整流板にそれぞれ対向して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。前記整流板の外周部には、前記基板側に向かって傾斜する庇部が設けられていることを特徴する請求項1又は2に記載の真空処理装置。前記基板ホルダーには、前記基板が複数枚保持されており、前記整流板には、前記基板間に対向する位置に貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載の真空処理装置。このようにベントガスをアンロード室に導入する際に、ベントガスを基板に吹き付けるようにすると、そのガス流により基板が変形振動してキズや割れが発生するという問題がある。特許文献1の装置では、重厚な基板を処理対象としているため、基板にベントガスを吹き付けても問題にはならないかもしれないが、例えば、基板の厚さが薄くなるにつれて、また基板が大型化するにつれて、このような問題は生じ易くなる。さらに、例えば、ガラス基板に対してベントガスを吹き付けても問題にならない場合であっても、例えば、シリコン基板などの結晶系の基板にベントガスを吹き付けてしまうとキズや割れといった問題が生じる虞がある。このような問題は、アンロード室に導入されるベントガスの流速を抑えることで解消することはできるが、スループットが低下して生産性が大幅に低下してしまうという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、スループットを低下させることなく基板のキズや割れを効果的に抑制することができる真空処理装置を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の第1の態様は、真空状態で基板を処理する真空処理室と、該真空処理室で処理された基板を外部に搬出するためのアンロード室と、を備えた真空処理装置であって、前記基板は、当該基板の外周部が基板ホルダーに支持された状態で前記真空処理室から前記アンロード室に搬送され、前記アンロード室内には、ガス源から供給されるベントガスの流れを規制する整流板が、前記アンロード室内に搬送された基板の表面に対向して当該基板を覆うように設けられていると共に、当該アンロード室内にベントガスを導入する導入口が、前記整流板の表面に対向して設けられていることを特徴とする真空処理装置にある。かかる第1の態様では、比較的速い流速で導入口からアンロード室にベントガスを導入しても、ベントガスは整流板に衝突することで流速が遅くなってから基板の表面付近を流れる。したがって、ベントガスの流れガス流による基板の変形振動が抑えられる。本発明の第2の態様は、前記整流板が、前記基板の両面にそれぞれ対向して設けられており、前記導入口が、各整流板にそれぞれ対向して設けられていることを特徴とする第1の態様の真空処理装置にある。かかる第2の態様では、基板の両面側に略均一な流速でベントガスが流れるため、ガス流によって基板に圧力がかかる場合でも、基板の両面に同程度の圧力が生じることになる。したがって、ベントガスの流れガス流による基板の変形振動がより確実に抑えられる。本発明の第3の態様は、前記整流板の外周部には、前記基板側に向かって傾斜する庇部が設けられていることを特徴する第1又は2の態様の真空処理装置にある。かかる第3の態様では、基板の表面付近に流れ込むベントガスの流速がさらに減速される。本発明の第4の態様は、前記基板ホルダーには、前記基板が複数枚保持されており、前記整流板には、前記基板間に対向する位置に貫通孔が設けられていることを特徴とする第1~3の何れか一つの態様の真空処理装置にある。かかる第4の態様では、比較的大型の基板ホルダーを用いた場合でも、複数の各基板を略均一な流速のベントガスに曝されるため、ガス流による基板の変形振動がより確実に抑えられる。かかる本発明の真空処理装置によれば、アンロード室を大気圧に戻す際に、スループットを低下させることなくアンロード室内にベントガスを導入することができ、且つ基板のキズや割れの発生を効果的に抑制することができる。例えば、比較的割れやすい結晶系の基板であっても良好に処理することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1に示すように、本実施形態に係る成膜装置10は、いわゆるインライン方式の成膜装置であり、基板Sを保持する基板ホルダー11の搬送方向上流側図中左側から順に、ロードロック室12と、加熱室13と、真空成膜室真空処理室14と、搬送室15と、アンロード室16とを備える。またロードロック室12の上流側及びアンロード室16の下流側、並びにロードロック室12と、加熱室13と、真空成膜室14と、搬送室15との間にはそれぞれゲートバルブ17が設けられており、ロードロック室12、加熱室13、真空成膜室14、搬送室15及びアンロード室16はそれぞれ図示しない排気手段を備え、内部を真空状態に保つことができるように構成されている。このような成膜装置10では、まず基板Sが固定された基板ホルダー11をロードロック室12の上流側のゲートバルブ17を開いてロードロック室12に搬送し、ゲートバルブ17を閉じてロードロック室12を排気した後に、ロードロック室12の下流側のゲートバルブ17を開いて加熱室13へ基板ホルダー11を搬送する。加熱室13において各種ヒータ例えば、シースヒータにより基板ホルダー11に固定された基板Sを所定温度まで加熱する。その後、基板ホルダー11を真空成膜室14内に搬送して、スパッタリングにより基板Sの表面に薄膜を形成する。成膜後は、基板ホルダー11は搬送室15を経由してアンロード室16に搬送される。詳しくは後述するが、その後、アンロード室16にベントガスが導入されてアンロード室16が大気圧に戻される。またその際、ベントガスによって基板Sを冷却することもある。そして、アンロード室16が大気圧に戻った後、アンロード室16の下流側のゲートバルブ17から基板ホルダー11が外部に取り出される。ここで、本実施形態の成膜装置10では、基板ホルダー11には、処理対象となる基板Sが複数枚固定されている。この基板ホルダー11がロードロック室12からアンロード室16まで順次搬送されることで、複数枚の基板Sが一度に処理されることになる。基板ホルダー11は、図2及び図3に示すように、各基板Sが収容される凹部18が形成されており、この凹部18の底面には基板Sの表面を露出する貫通孔19が形成されている。したがって各基板Sは、外周部のみが凹部18の底面に当接した状態で基板ホルダー11に保持されている。なお本実施形態に係る基板ホルダー11は、複数の基板Sを保持するものであるが、勿論、1枚の基板を保持するものであってもよい。また成膜装置10内には、複数のローラー20が固定されたシャフト21が、基板ホルダー11の搬送方向に沿って所定の間隔で配されている。基板ホルダー11には一対のレール部材22が固定されており、基板ホルダー11は、このレール部材22を介してローラー20上に載置されている。ローラー20シャフト21には、図示しないモータが接続されており、このモータによりローラー20シャフト21を回転させることで、基板ホルダー11がロードロック室12からアンロード室16まで連続的に搬送されるようになっている。ところで、このような基板ホルダー11がアンロード室16に搬送されると、上述のように、アンロード室16内にベントガスが導入されてアンロード室16内が大気圧に戻される。このとき、ベントガスの流れガス流により、基板Sが変形して基板Sにキズや割れが生じてしまう虞がある。上述のように、各基板Sの外周部が凹部18の底面部に当接した状態で基板ホルダー11に保持されていると、すなわち基板ホルダー11が貫通孔19を備えていると、ガス流によって基板Sに変形が起こり易く、それに伴うキズや割れも生じ易い。例えば、図4に示すように、上方からのガス流によって基板Sに、下側が凸となる変形反りが生じると、貫通孔の周縁部19aに対応する部分が、基板ホルダー11に対して強く押圧されることになり、この部分には特にキズや割れが発生し易い。また例えば、シリコン基板等の結晶系の基板を用いて太陽電池を製造する場合、基板Sの厚さは100~300μm程度と極めて薄いため、ガス流による基板Sのキズや割れといった問題が生じ易い。太陽電池を製造する場合、基板Sの表面にキズがつくことで効率低下が数程度に達してしまうこともあり、基板Sのキズや割れを抑制することは極めて重要である。そこで本発明では、以下に説明するように、アンロード室16内に配されている整流板に向かってベントガスを導入することで、ガス流による基板Sの変形を抑制し、それに伴う基板Sのキズや割れを防止している。図3に示すように、アンロード室16には、真空成膜室14から搬送された基板ホルダー11の両面にそれぞれ対向する一対の整流板23が設けられている。この整流板23は、アンロード室16内に導入されるベントガスの流れを規制整流するためのものであり、基板ホルダー11を覆う大きさ基板ホルダー11に保持された複数の基板Sを覆う大きさの平板からなる。そして、ベントガスをアンロード室16内に導入するための導入口24が、これらの整流板23に対向してそれぞれ設けられている。すなわち本実施形態においては、導入口24はアンロード室16の上面及び下面にそれぞれ設けられている。なお図示は省略するが、これらの導入口24には、ガス管を介してベントガスが封入されたガス源が接続されている。このようなアンロード室16の構成では、ガス源から供給されたベントガスが各導入口24からアンロード室16内に導入されると、図3中に矢印で示すように、ベントガスは整流板23に衝突する。これによりベントガスの流速は急激に遅くなる。その後、ベントガスは整流板23の表面に沿って整流板23の外周部に向かって流れ、整流板23の外側から基板ホルダー11と整流板23との間に流れ込む。このとき基板ホルダー11に保持されている各基板Sは、ガス流によって多少の変形振動は生じることはあっても変形量は極めて小さい。したがって、ガス流に起因する基板Sのキズや割れの発生を効果的に抑制することができる。特に、シリコン基板等の結晶系の基板に成膜処理する場合には極めて有効である。またベントガスが、整流板23の外周部を回り込んで基板ホルダー11と整流板23との間の空間に流れ込むようにすることで、ベントガスは基板ホルダー11と整流板23との間の空間を概ね整流板23に沿って流れる。このため、ガス流による各基板Sの変形振動はより小さく抑えられ、ガス流に起因する基板Sのキズや割れの発生を実質的に防止することができる。さらに本実施形態では、基板ホルダー11の両面側に、整流板23と共に導入口24が設けられているため、基板ホルダー11の両面側に略均一な流速でベントガスが流れる。したがって、ガス流によって基板Sに多少の圧力がかかるとしても、上下面から同等の圧力がかかることになり、基板Sの変形は極めて小さく抑えられる。以上のように本発明によれば、アンロード室16内に比較的速い流速でベントガスを導入しても、ベントガスが整流板23に衝突することによって流速が大幅に遅くなる。したがって、スループットを実質的に低下させることなくアンロード室16内を大気圧に戻すことができ、且つガス流に起因する基板Sのキズや割れの発生を効果的に抑制することができる。ここで、各導入口24は、整流板23に対向して設けられていれば、その位置は特に限定されないが、本実施形態では、各導入口24を整流板23の中央部に対向する位置にそれぞれ設けるようにした。これにより、基板ホルダー11と整流板23との間には、整流板の周方向に亘って略均一な流速でベントガスが流れ込む。これによりガス流に起因する基板Sのキズや割れの発生をより効果的に抑制することができる。さらにベントガスによって各基板Sを冷却する場合には、複数の各基板Sが略均一な温度に冷却することができる。なお上述の実施形態では、平板からなる整流板23を例示したが、整流板23の形状は、これに限定されるものではない。例えば、図5に示すように、整流板23の外周部に、アンロード室16の上下方向中央部に向かって傾斜する庇部25を設けるようにしてもよい。これにより、基板ホルダー11と整流板23との間に流れ込むベントガスの流速がさらに遅くなり、ガス流に起因する基板Sのキズや割れの発生をさらに抑制することができる。また整流板23には、図6及び図6のA-A′断面図である図7に示すように、複数の送通孔26を設けるようにしてもよい。整流板23に送通孔26を設ける位置は、特に限定されないが、各基板S間に対向する位置に設けることが好ましい。送通孔26が基板Sに対向して設けられていると、送通孔26に流れ込むベントガスの圧力によって基板Sが大きく変形する虞があるためである。このように整流板23に送通孔26を設けることで、例えば、基板Sの大型化に伴って整流板23が大型化した場合でも、基板ホルダー11の中央部と外周部とに略均一な流速でベントガスを流し込むことができる。なお送通孔26は、整流板23の全面に亘って略均等な間隔で設けるようにしてもよいが、中央部側ほど送通孔26の間隔が狭くなるようにすることが好ましい。あるいは送通孔26を整流板23の全面に亘って略均等な間隔で設け、中央部側ほど送通孔26の直径を大きくするようにしてもよい。これにより、アンロード室16内全体に略均等にベントガスを流すことができ、例えば、ベントガスによって基板Sを冷却する場合であっても、各基板Sを略均一に冷却することができる。また上述の実施形態では、このような整流板23に対向してそれぞれ一つの導入口24を設けるようにしたが、導入口24の数は特に限定されず、一枚の整流板23に対して複数の導入口24を設けるようにしてもよい。さらに上述の実施形態では、導入口24を基板ホルダー11の両面側にそれぞれ設けるようにしたが、導入口24は基板ホルダー11の一方面側のみに設けられていてもよい。このような構成としても、ベントガスの流れに起因する基板Sのキズや割れの発生を抑制することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能なものである。例えば、上述の実施形態では、基板ホルダー11として複数枚の基板Sを保持した構成を例示したが、勿論、基板ホルダー11は1枚の基板Sを保持するものであってもよい。また例えば、上述の実施形態では、基板Sを横置きの状態で搬送する横型の成膜装置を例示したが、本発明は、勿論、縦型の成膜装置真空処理装置に採用することもできる。