"基板の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールにおいて、前記光素子の内の発光素子と前記ミラー部との間の隙間部分の前記内部導波路の材料は、それ以外の内部導波路の材料よりも低応力な別材料であることを特徴とする光モジュール。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に前記低応力な別材料が充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に、前記光素子と基板の表面との間に充填される、前記低応力な別材料である封止材料が同時に充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。しかしながら、長距離や高速伝送であれば、伝送信頼性を確保するために、より高い光出力が必要となり、その分、ミラー部や隙間部分の内部導波路の発熱温度も高くなる。そのため、ミラー部や隙間部分の内部導波路の温度上昇で発生した応力のために、発光素子がダメージを受け、あるいはミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生する可能性がある。ここで、隙間部分の内部導波路は、光結合効率をより良くするためであるが、発光素子とミラー部との間の隙間部分程度の短距離に限れば、内部導波路が無くても、光結合効率の低下は僅かなものと考えられる。したがって、光モジュール全体の信頼性や寿命を考えると、光素子とミラー部との間の隙間部分は、光結合効率に優れた材料よりも、温度上昇に対して低応力な材料で構成することが望ましいことになる。本発明は、前記のような知見に基づいてなされたもので、発熱に伴う応力に起因する発光素子のダメージの低減、およびミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいように工夫した光モジュールを提供することを目的とするものである。前記課題を解決するために、本発明は、基板の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールにおいて、前記光素子の内の発光素子と前記ミラー部との間の隙間部分の前記内部導波路の材料は、それ以外の内部導波路の材料よりも低応力な別材料であることを特徴とする光モジュールを提供するものである。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に前記低応力な別材料が充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されている構成とすることができる。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に、前記光素子と基板の表面との間に充填される、前記低応力な別材料である封止材料が同時に充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されている構成とすることができる。本発明によれば、光素子の内の発光素子とミラー部との間の隙間部分の内部導波路の材料を、それ以外の内部導波路の材料よりも低応力な別材料としたものである。したがって、ミラー部や光素子とミラー部との間の隙間部分の発熱温度が高くなっても、隙間部分は低応力な別材料であるから、応力に起因する発光素子のダメージが低減されるとともに、ミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいようになる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図2は図1の発光側の光モジュールの第1基板1であり、aは側面断面図、bはaのI-I線断面図、cはaのII-II線断面図である。図3は第1基板1であり、aは斜視図、bは内部導波路16を形成した斜視図である。図4は第1基板1であり、aは発光素子12aを実装した斜視図、bは光ファイバー2を挿入した斜視図である。図5aは押さえブロック24を固定した斜視図、図5bは光ファイバー2の斜視図である。図1において、光モジュール光モジュールは、発光側の第1基板マウント基板1と、受光側の第1マウント基板3と、この第1基板1,3を光学的に結合する光ファイバー2とを備えている。第1基板1,3は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子12aから受光素子12bまでの光結合効率が必要になるので、光素子発光素子12aと受光素子12bを高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第1基板1,3として、本実施形態ではシリコンSi基板が採用されている。特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能この溝を利用して高精度なミラー部15後述、溝内に内部導波路16後述を形成する。となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。第1基板1,3は、それよりもサイズが大きい第2基板インタポーザ基板6の表面上面にそれぞれ設置されている。各第2基板6の裏面下面には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ7がそれぞれ取付けられている。第1基板1の表面上面には、電気信号を光信号に変換する発光素子12aが発光面を下向きとしてバンプ12c図2参照でフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面には、この発光素子12aに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板信号処理部4aが実装されている。発光素子12aとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザVCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLaserが採用されている。この発光素子12aはLED等でもよい。IC基板4aは、前記VCSELを駆動させるドライバICであり、発光素子12aの近傍に配設されている。そして、発光素子12aおよびIC基板4aは、第1基板1の表面に形成されたメタル回路銅や金スパッタによるパターニング回路に接続されている。第1基板1の表面には、図3aに示すように、略台形状の第1溝導波路形成用溝1aと、第1溝1aよりも深い略V字形状の第2溝1bが前後方向に連なって形成されている。第1溝1aの先端部には、発光素子12aの真下となる位置に、光路を90度屈曲させるための光路変換用のミラー部15が形成されている。このミラー部15には、反射率の向上のための金メッキ等が施されている。第1基板1の第1溝1a内には、図3bに示すように、第1基板1の発光素子12aと光学的に結合する内部導波路16が設けられている。この内部導波路16は、ミラー部15から第2溝1bの方向に延在していて、第1溝1aの後端部1dと面一となっている。内部導波路16は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部17と、それよりも屈折率の低いクラッド部18とから構成されている。図2cのように、コア部17の左右の両面は、クラッド部18で覆われている。図4aのように、内部導波路16が設けられた第1基板1の表面の所定位置には、発光素子12aが実装され、この発光素子12aと第1基板1の表面との間には、図2aのように、光学透明樹脂封止部材...アンダーフィル材13が充填されている。図1に戻って、受光側の第1基板3について説明する。この受光側の第1基板3の基本的な構成は、発光側の第1基板1と同様に構成されている。ただし、受光側の第1基板3の表面上面に、光信号を電気信号に変換する受光素子12bが受光面を下向きとしてバンプでフリップチップ実装されている。また、第2基板6の表面に、この受光素子12bに電気信号を送信するためのIC回路が形成されたIC基板信号処理部4bが実装されている点で、発光側の第1基板1と異なる。この受光素子12bとしては、PDPhotoDiodeが採用されており、IC基板4bは、電流電圧の変換を行うTIATrans-impedanceAmplifierなどの素子である。発光側の第1基板1と受光側の第1基板3およびIC基板4a,4bは、第2基板6の表面に取付けたシールドケース8でそれぞれシールドされていて、光ファイバー2は、シールドケース8の貫通孔8aを貫通させている。次に、光ファイバー2を説明する。光ファイバー2は、図1および図5に示すように、発光側の第1基板1の内部導波路16のコア部17と、受光側の第1基板3の内部導波路16のコア部17とを光学的に結合可能なファイバーコア部21を内部に有している。そして、このファイバーコア部21の外周を包囲するファイバークラッド部22と、このファイバークラッド部22の外周を被覆する被覆部23とで構成されるコードタイプである。このファイバーコア部21とファイバークラッド部22と被覆部23は円形状である。光ファイバー2は、図1のように、シールドケース8の貫通孔8aを貫通して第1基板1の第2溝1bの手前付近で被覆部23が剥がされて、ファイバークラッド部22が露出されている。そして、図2acおよび図4bのように、第1基板1の第2溝1bに光ファイバー2のファイバークラッド部22を設置して、第1溝1aとの境部分の立ち上がり傾斜部でファイバークラッド部22の位置決めをする。このときに、第1基板1の内部導波路16のコア部17と光ファイバー2のファイバーコア部21の光軸が一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。第1基板1の表面の位置において、図2aおよび図5のように、光ファイバー2のファイバークラッド部22の上部には押えブロック24が配置され、この押えブロック24と第2溝1bとの間の空間には、接着剤14が充填されている。このように、光ファイバー2のファイバークラッド部22の先端側は、押えブロック24で第2溝1bに押え付けられた状態で、押えブロック24とともに第1基板1に接着剤14で接着固定されるようになる。図6aは、発熱対策を施した第1実施形態の第1基板1の側面断面図である。発光素子12aとミラー部15との間の隙間部分側面視で略三角形部分Sの内部導波路16のクラッド部18 ́の材料は、それ以外のクラッド部18の材料よりも低応力な別材料としたものである。この隙間部分Sのクラッド部18 ́の材料は、例えばウレタンゴム系またはシリコンゴム系の樹脂とすることができる。第1実施形態は、発光素子12aとミラー部15との間の隙間部分Sの内部導波路16のクラッド部18 ́の材料を、それ以外の内部導波路16のクラッド部18の材料よりも低応力な別材料としたものである。したがって、ミラー部15や、発光素子12aとミラー部15との間の隙間部分Sの発熱温度が高くなっても、隙間部分Sは低応力低αEαは線膨張率Eは弾性率な別材料であるから、応力に起因する発光素子12aのダメージが低減されるとともに、ミラー部15や隙間部分Sの内部導波路16のクラッド部18 ́に剥離が発生しにくいようになる。また、第1実施形態では、第1基板1の第1溝1a内に、隙間部分S以外の内部導波路16を予め形成しておく。その後、隙間部分Sにクラッド部18 ́の材料である低応力な別材料を充填することで、隙間部分Sに内部導波路16のクラッド部18 ́を形成することができる。このように、内部導波路16を予め形成することで、パターニングが行えない隙間部分Sの内部導波路のクラッド部18 ́を最小限にすることができる。つまり、隙間部分Sの内部導波路16のクラッド部18 ́を先に形成しようとすると、パターニング露光用の紫外線がミラー部15で反射するために、それ以外の内部導波路16側に漏れた別材料によって、それ以外の内部導波路16の領域に、別材料による内部導波路16のクラッド部18 ́が形成される可能性があることによる。図6bは、発熱対策を施した第2実施形態の第1基板1の側面断面図である。第1実施形態と相違するのは、隙間部分Sにクラッド部18 ́の材料である低応力な別材料を充填する工程を省略した点にある。すなわち、図2aで説明したように、発光素子12aと第1基板1の表面との間には、光学透明樹脂封止部材...アンダーフィル材13を充填するようにしている。この封止材料である光学透明樹脂13は、発光素子12aに対する応力の影響を少なくするために、通常、低応力の材料が使用されることが多いことから、隙間部分Sのクラッド部18 ́として兼用することが可能である。そこで、光学透明樹脂13を発光素子12aと第1基板1の表面との間に充填するのと同時に、隙間部分Sに光学透明樹脂13を充填することで、隙間部分Sに内部導波路16のクラッド部18 ́を形成するものである。このように、発光素子12aと第1基板1の表面との間に、低応力な別材料である光学透明樹脂封止部材13を充填する工程で、隙間部分Sにも光学透明樹脂封止部材13、つまりクラッド部18 ́を同時に充填することができるから、別材料を充填する工程が不要になる。以上のように、本発明に係る光モジュールは、基板の表面に形成された溝内に設けられた内部導波路と、この溝の先端部に形成された光路変換用のミラー部と、このミラー部と対向するように基板の表面に実装され、ミラー部を介して内部導波路のコア部に光信号を発光し、若しくはミラー部を介して内部導波路のコア部からの光信号を受光する光素子とを少なくとも備えた光モジュールにおいて、前記光素子の内の発光素子と前記ミラー部との間の隙間部分の前記内部導波路の材料は、それ以外の内部導波路の材料よりも低応力な別材料であることを特徴とするを特徴とするものである。これによれば、光素子の内の発光素子とミラー部との間の隙間部分の内部導波路の材料を、それ以外の内部導波路の材料よりも低応力な別材料としたものである。したがって、ミラー部や光素子とミラー部との間の隙間部分の発熱温度が高くなっても、隙間部分は低応力な別材料であるから、応力に起因する発光素子のダメージが低減されるとともに、ミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいようになる。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に前記低応力な別材料が充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されている成とすることができる。これによれば、内部導波路を予め形成することで、パターニングが行えない隙間部分の内部導波路を最小限にすることができる。つまり、隙間部分の内部導波路を先に形成しようとすると、パターニング露光用の紫外線がミラー部で反射するために、それ以外の内部導波路側に漏れた別材料によって、それ以外の内部導波路の領域に、別材料による内部導波路が形成される可能性があることによる。前記基板の溝内に、前記隙間部分以外の前記内部導波路が予め形成されていて、前記隙間部分に、前記光素子と基板の表面との間に充填される、前記低応力な別材料である封止材料が同時に充填されることで、隙間部分の内部導波路が形成されている構成とすることができる。これによれば、光素子と基板の表面との間に、低応力な別材料である封止材料アンダーフィル材を充填する工程で、隙間部分に封止材料を同時に充填することができるから、別材料を充填する工程が不要になる。"