"シリカ粒子と、スルホン酸基を含有する重合体と、水とを含有し、前記スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数が1.5~5.0L/gである、アルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物。前記スルホン酸基を含有する重合体が、芳香族環を有する重合体である、請求項1に記載のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物。前記スルホン酸基を含有する重合体の重量平均分子量が3000~100000である、請求項1又は2に記載のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物。前記アルミノシリケートガラス基板中のAlの含有量が3~25重量である、請求項1~3のいずれかに記載のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物。請求項1~4のいずれかに記載のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物を用いて被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する工程を含む、アルミノシリケートガラス基板の製造方法。請求項1~4のいずれかに記載のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物を用いて被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する工程を含む、アルミノシリケートガラス基板の研磨方法。磁気ヘッドの浮上高さを低減するためには、ディスク表面の粗さだけでなくうねりを低減することも重要である。しかし、特許文献1および特許文献2に開示された研磨液組成物を用いてアルミノシリケートを含む被研磨基板を研磨した場合、基板表面うねりを効果的に低減できない。そこで、本発明は、アルミノシリケートを含む被研磨基板について、研磨後の基板表面のうねりの低減を実現できるアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物、これを用いたアルミノシリケートガラス基板の製造方法、及びアルミノシリケートガラス基板の研磨方法を提供する。本発明のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物は、シリカ粒子と、スルホン酸基を含有する重合体と、水とを含有し、前記スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数が1.5~5.0L/gである。本発明のアルミノシリケートガラス基板の製造方法は、本発明のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物を用いて被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する工程を含む。本発明のアルミノシリケートガラス基板の研磨方法は、本発明のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物を用いて被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する工程を含む。本発明によれば、研磨後の基板表面のうねりの低減を実現できるアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物、これを用いたアルミノシリケートガラス基板の製造方法、及びアルミノシリケートガラス基板の研磨方法を提供できる。本発明においてうねりとは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいい、一般に、長波長うねり波長0.5~2mm、短波長うねり波長50~160μm、および中波長うねり波長160~500μmを含むが、本明細書においては特に言及しない限り中波長うねりを指す。研磨後の基板表面のうねりが低減されることにより、磁気ヘッドの浮上量を低減でき、磁気ディスク基板の記録密度の向上が可能となる。本発明のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物以下、本発明の研磨液組成物ともいう。の研磨対象である被研磨アルミノシリケートガラス基板以下、アルミノシリケートガラス基板、ガラス基板、被研磨基板又は基板ともいう。は、その構成元素としてO以外ではSiを最も多く含み、次いでAl及びNaを多く含む。通常、Siの含有量は20~40重量であり、Alの含有量は3~25重量である。アルミノシリケートガラス基板がハードディスク用基板として用いられる場合、Alの含有量は、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラス基板への吸着性向上および基板の耐アルカリ性向上の観点から、3重量以上が好ましく、5重量以上がより好ましく、7重量以上がさらに好ましい。また、Alの含有量は、基板の透明性の維持という観点から、25重量以下が好ましく、20重量以下がより好ましく、15重量以下がさらに好ましい。よって、Alの含有量は、3~25重量が好ましく、5~20重量がより好ましく、7~15重量がさらに好ましい。また、基板の耐アルカリ性の向上と基板の透明性の維持の両立の観点から、Naの含有量は、3~25重量が好ましく、3~20重量がより好ましく、5~15重量がさらに好ましい。なお、アルミノシリケートガラス基板中に含まれるSi、Al及びNaの含有量の測定条件の詳細は実施例に示すとおりである。SiおよびAlはアルミノシリケートガラス基板中では、SiO2およびAl2O3といった酸化物して存在する。本発明の研磨液組成物が使用されるアルミノシリケートガラス基板は、SiO2およびAl2O3の他に、例えばNa2O、K2O、B2O3、CaO、ZrO2およびTiO2からなる群から選ばれる少なくとも1種の成分を含む。これらの成分のうち、Al2O3以外であって、酸性溶液中でプラス電荷を有する成分にもスルホン酸基を有する重合体が吸着し得るので、当該成分の存在により、後述のうねり低減効果の向上が期待できる。[シリカ粒子]本発明の研磨液組成物は、シリカ粒子を含有する。本発明の研磨液組成物で使用されるシリカ粒子は、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等が挙げられるが、うねり低減の観点から、コロイダルシリカ粒子が好ましい。また、シリカ粒子の使用形態としては、スラリー状であるのが好ましい。コロイダルシリカ粒子は、珪酸ナトリウム等の珪酸アルカリ金属塩を原料とし、当該原料を水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法、またはテトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、当該原料をアルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて粒子を成長させるアルコキシシラン法等で得られる。また、ヒュームドシリカ粒子は、四塩化珪素等の揮発性珪素化合物を原料とし、当該原料を酸素水素バーナーによる1000°C以上の高温下で加水分解させて粒子を成長させる気相法等で得られる。前記シリカ粒子の平均粒子径は、研磨速度向上、うねり低減、及び表面平滑性向上の観点から、5~200nmが好ましく、より好ましくは7~100nm、さらに好ましくは10~80nm、さらにより好ましくは15~50nmである。前記平均粒子径は、透過型電子顕微鏡TEM商品名JEM-2000FX80kV、1~5万倍、日本電子社製により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEM像を写真撮影し、この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフトWinROOFver.3.6販売元:三谷商事を用いて個々のシリカ粒子の円相当径を求め、それを粒子径とし、1000個以上のシリカ粒子の粒子径を求めた後、その平均値を算出して求めることができる。本発明に使用されるシリカ粒子において、透過型電子顕微鏡TEM観察による測定で得られた該シリカ粒子の最大径を直径とする円の面積を該シリカ粒子の投影面積で除して100を乗じた値特許第3253228号参照、以下、SF1という。の平均値が、100~140の範囲内の値であることが好ましく、100~135の範囲内の値であることがより好ましく、100~130の範囲内の値であることがさらに好ましい。SF1を上記範囲内の値にすることで、アルミノシリケートガラス基板の表面のうねりをさらに低減できる。上記SF1は100に近いほど球状に近い形状であることを表す。本発明に使用されるシリカ粒子は、透過型電子顕微鏡TEM観察による測定で得られた該シリカ粒子の周長を円周とする円の面積を該シリカ粒子の投影面積で除して100を乗じた値特許第3253228号参照、以下、SF2という。の平均値が、100~130の範囲内の値であることが好ましく、100~125の範囲内の値であることがより好ましく、100~120の範囲内の値であることがさらに好ましく、100~115の範囲内の値であることがさらにより好ましく、100~110の範囲内の値であることがさらにより好ましい。SF2を上記範囲内の値にすることで、アルミノシリケートガラス基板の表面のうねりをさらに低減できる。なお、上記SF2は100に近いほど表面が滑らかな形状であることを表わす。SF1は、例えば、日本電子製透過型電子顕微鏡JEM-2000FX80kV、1~5万倍により、当該顕微鏡のメーカーが添付した説明書に従って試料を観察し、TEM像を写真撮影し、この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフトWinROOFver3.6販売元:三谷商事を用いて得られる、粒子一個の最大径と投影面積とから算出できる。また、SF2は、同様の方法により得られる、粒子一個の周長と投影面積とから算出できる。本発明の研磨液組成物中のシリカ粒子の含有量は、研磨速度の向上及び表面粗さの低減の観点から、研磨液組成物中、好ましくは1~20重量、より好ましくは2~19重量、さらに好ましくは3~18重量、さらにより好ましくは5~16重量である。[スルホン酸基を含有する重合体]本発明の研磨液組成物は、スルホン酸基を含有し、アルミノシリケートガラスに対する上記吸着定数が1.5~5.0L/gの重合体を含む。スルホン酸基を含有する重合体以下、重合体と称する場合もある。は、本発明の研磨液組成物をアルミノシリケートガラス基板の研磨に用いたとき、うねりが低減され、高い表面平坦性を有する表面の形成に寄与する。なお、本明細書において、重合体の使用は、重合体及び/又はその塩の使用を含む。うねりが低減される理由は、以下のように推定される。本発明の研磨液組成物を研磨対象表面に供した場合、スルホン酸基を含有する重合体は研磨液組成物中で解離するためマイナス電荷を有する。一方、アルミノシリケートガラス基板に含有されるAl2O3はプラス電荷を有する。そのため、スルホン酸基を含有する重合体は、スルホン酸基を介してアルミノシリケートガラス基板の表面特に、基板表面のAl2O3部位等の酸性溶液中でプラス電荷を有する成分が存在する部位に吸着し被膜を形成する。スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着強度が適度である場合、基板表面の凸部では研磨装置に設定された設定荷重よりも高い荷重がかかり、被膜が破壊されやすく、研磨が進行しやすい。一方、基板表面の凹部では、凸部に比べてかかる荷重が低いので、凹部は被膜に保護され研磨され難くい。このため、凸部が選択的に研磨され凹凸段差が小さくなり、研磨対象表面の平坦化が進行する。一方、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着強度が高い場合、凸部および凹部のいずれにおいても被膜が破壊されにくく、凸部および凹部のいずれもが研磨され難くなるため、研磨対象表面は平坦化されにくい。この吸着強度は前記吸着定数を用いて表わすことができる。吸着定数が大きいほど、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着強度が高く、吸着定数が小さいほど、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着強度が低いことを意味する。本発明の研磨液組成物を用いれば、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数が1.5~5.0L/gであることによって、適度な強度で研磨対象表面に吸着する被膜がスルホン酸基を含有する重合体により形成されるので、うねりが低減されて平坦性の優れた表面を得ることができる。ただし、これらの推測は本発明を限定するものではない。本発明において、スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数は、実施例に記載の測定方法により測定したものをいい、下記式1により算出される。式1中、Kは吸着定数、Aは前記重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着量、Amは前記重合体のアルミノシリケートガラスに対する飽和吸着量、cはアルミノシリケートガラスに未吸着の前記重合体の濃度である。なお、アルミノシリケートガラスへの吸着定数測定試験の測定条件の詳細は実施例に示す通りである。上記式1は、Langmuirの吸着等温式から導出される。後述するスルホン酸基を含有する重合体は、酸性pHにおいても解離状態が安定しており、アルミノシリケートガラス基板に含まれプラス電荷をもつアルミナAl2O3部位等に対してLangmuir型吸着単分子層吸着をすると考えられる。上記吸着定数は、基板表面のさらなるうねり低減の観点から、1.5~4.0L/gが好ましく、1.6~3.5L/gがより好ましく、1.6~3.3L/gがさらに好ましく、1.8~3.0L/gがさらにより好ましく、1.8~2.5L/gがさらよりに好ましく、1.8~2.4L/gがさらにより好ましい。本発明に用いられるスルホン酸基を含有する重合体は、その吸着係数が1.5~5.0L/gである限り特に制限はないが、より適度な強度でアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、ベンゼン環やナフタレン環のような芳香族環を有する重合体であることが好ましく、ナフタレン環を有する重合体であることがより好ましい。芳香族環を有する重合体では、アルミノシリケートガラス基板に吸着した前記重合体間でπ-π相互作用が起こり、重合体が重なり合うような配置で安定化し、より適度な強度の被膜が形成されると推定される。スルホン酸基を含有する重合体の重量平均分子量は、適度な強度でアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、3000~100000が好ましく、3200~50000がより好ましく、3300~30000がさらに好ましく、3400~20000がさらにより好ましい。なお、重量平均分子量はGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した値であり、測定条件の詳細は実施例に示す通りである。スルホン酸基を有する単量体としては、例えば、スチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等のベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族環を有する単量体、イソプレンスルホン酸、メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸等が挙げられる。なかでも適度な強度でスルホン酸基を含有する重合体がアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、スチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等のベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族環を有する単量体が好ましく、スチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸がさらに好ましく、ナフタレンスルホン酸がさらにより好ましい。これらのスルホン酸基を有する単量体は、1種単独で使用しても、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。スルホン酸基を有する重合体は、スルホン酸基を有する単量体成分の単独重合体でも、更に他の単量体からなる単量体成分との共重合体でもよい。スルホン酸基を有する重合体の合成に使用できる他の単量体としては、アルミノシリケートガラス基板への吸着性向上の観点から、疎水性単量体が好ましい。本発明において、疎水性単量体とは、20°Cの水100gに対する溶解度が2g以下の単量体をいう。疎水性単量体の20°Cの水100gに対する溶解度は、アルミノシリケートガラス基板への吸着性向上の観点から、0~1gが好ましく、0~0.1gがより好ましい。疎水性単量体の具体例としては、アルキルアクリレート系モノマー、アルキルメタクリレート系モノマー、ポリエチレングリコールアクリレート系モノマーを除くポリアルキレングリコールアクリレート系モノマー、ポリエチレングリコールメタクリレート系モノマーを除くポリアルキレングリコールメタクリレート系モノマー、スチレン系モノマー、アルキルアクリルアミド系モノマー、アルキルメタクリルアミド系モノマー等が好適に挙げられる。なかでも適度な強度でスルホン酸基を有する重合体がアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、アルキルアクリレート系モノマー、アルキルメタクリレート系モノマー、スチレン系モノマーが好ましく、スチレン系モノマーがさらに好ましい。これらの疎水性単量体は、1種単独で使用しても、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。アルキルアクリレート系モノマー及びアルキルメタクリレート系モノマーとしては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸エチルヘキシル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸ラウリルLMA、メタクリル酸パルミチル、メタクリル酸セチル、メタクリル酸ステアリルSMA、メタクリル酸イソステアリルISMA、メタクリル酸ベヘニルBMA、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジルBzMA、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸パルミチル、アクリル酸セチル、アクリル酸ステアリル、アクリル酸イソステアリル、アクリル酸ベヘニル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸シクロヘキシル等が挙げられ、これらのなかでも、適度な強度でスルホン酸基を有する重合体がアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチルが好ましく、メタクリル酸メチルがより好ましい。スチレン系モノマーとしては、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、α,2-ジメチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2-エチルスチレン、4-エチルスチレン、4-イソプロピルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-エトキシスチレン、4-フェノキシスチレン、4-フェニルスチレン、2-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレンなどが挙げられ、これらのなかでも、適度な強度でスルホン酸基を有する重合体がアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、スチレンが好ましい。共重合体を構成する構成単位に対応する単量体中のスルホン酸基を有する単量体の割合は、アルミノシリケートガラス基板に適度な吸着強度の被膜を形成させるという観点から、10モル以上が好ましく、20モル以上が更に好ましい。スルホン酸基を有する重合体は、配合時の作業性向上の観点から、水に溶けやすい形態であることが好ましく、例えば、塩であるとよい。塩としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、アンモニウム、アルキルアンモニウム等のアンモニウム塩が挙げられるが、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩が好ましく、ナトリウム塩がさらに好ましい。スルホン酸基を有する重合体の具体例としては、例えば、β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ブチルナフタレンスルホン酸-ナフタレンスルホン酸ホルマリン共縮合物、スチレン-スチレンスルホン酸共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリナフタレンスルホン酸、ポリブチルナフタレンスルホン酸、ポリヒドロキシナフタレンスルホン酸、ポリメチルナフタレンスルホン酸、ポリエチルナフタレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリメタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、ポリメタリルスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸及びそれらの塩等が挙げられるが、適度な強度でスルホン酸基を有する重合体がアルミノシリケートガラス基板に吸着し得るという理由から、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族環を有する重合体が好ましく、β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ブチルナフタレンスルホン酸-ナフタレンスルホン酸ホルマリン共縮合物、ポリスチレンスルホン酸、スチレン-スチレンスルホン酸共重合体、ポリナフタレンスルホン酸、ポリブチルナフタレンスルホン酸、ポリヒドロキシナフタレンスルホン酸、ポリメチルナフタレンスルホン酸、ポリエチルナフタレンスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される1種以上の重合体がより好ましく、スチレン-スチレンスルホン酸共重合体、β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ブチルナフタレンスルホン酸-ナフタレンスルホン酸ホルマリン共縮合物、ポリナフタレンスルホン酸、ポリブチルナフタレンスルホン酸、ポリヒドロキシナフタレンスルホン酸、ポリメチルナフタレンスルホン酸、ポリエチルナフタレンスルホン酸及びそれらの塩からなる群から選択される1種以上の重合体がさらに好ましく、スチレン-スチレンスルホン酸共重合体、β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ブチルナフタレンスルホン酸-ナフタレンスルホン酸ホルマリン共縮合物及びそれらの塩からなる群から選択される1種以上の重合体がさらにより好ましく、β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物及びその塩がさらによリ好ましい。スルホン酸基を有する重合体は、例えば、ジエン構造あるいは芳香族構造を含むベースポリマーを、公知の方法、例えば、社日本化学会編集、新実験化学講座14有機化合物の合成と反応III、1773頁、1978年などに記載された方法でスルホン化して得られる。本発明に用いられるスルホン酸基を含有する重合体の後述するシリカ粒子表面に対する吸着率は、うねりを効果的に低減する観点から、0~20が好ましく、0~10がより好ましく、0~5がさらにより好ましく、0~1がさらにより好ましく、0~0.5がさらにより好ましく、0がさらにより好ましい。即ち、スルホン酸基を含有する重合体は、シリカ粒子には実質的に作用せず、専ら、研磨対象表面に吸着して被膜を形成することが好ましい。なお、吸着率は、添加したスルホン酸基を含有する重合体の量に対する、シリカ粒子に吸着したスルホン酸基を含有する重合体の量の割合を示す。測定条件の詳細は実施例に示す通りである。研磨液組成物中におけるスルホン酸基を含有する重合体の含有量は、うねりの効果的な低減の観点から、0.0001重量以上が好ましく、0.0005重量以上がより好ましく、0.001重量以上がさらに好ましく、0.005重量以上がさらに好ましい。また、スルホン酸基を含有する重合体の含有量は、基板の生産性向上の観点から、5重量以下が好ましく、4重量以下がより好ましく、3重量以下がさらに好ましく、1重量以下がさらにより好ましく、0.2重量以下がさらにより好ましく、0.05重量以下がさらにより好ましい。即ち、研磨液組成物中におけるスルホン酸基を含有する重合体の含有量は、0.0001~5重量が好ましく、0.0005~4重量がより好ましく、0.001~3重量がさらに好ましく、0.005~1重量がさらにより好ましく、0.005~0.2重量がさらにより好ましく、0.005~0.05重量がさらにより好ましい。[水]研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。本発明の研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いがさらに容易になるため、55重量以上が好ましく、より好ましくは70重量以上、さらに好ましくは80重量以上、特に好ましくは85重量以上である。また、前記水の含有量は、研磨速度向上の観点から、99重量以下が好ましく、より好ましくは98重量以下、さらに好ましくは97重量以下である。したがって、研磨液組成物中の水の含有量は、55~99重量が好ましく、より好ましくは70~98重量、さらに好ましくは80~97重量、より一層好ましくは85~97重量である。[研磨液組成物のpH]本発明の研磨液組成物のpHは、アルミノシリケートガラス基板の洗浄が容易で、加工機械の腐食が防止でき、作業者がより安全に作業できることから、0.8以上が好ましく、より好ましくは1.0以上、さらに好ましくは1.2以上である。また、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、5以下が好ましく、より好ましくは4.5以下、さらに好ましくは4.0以下、さらにより好ましくは3.5以下である。したがって、研磨液組成物のpHは、0.8~5が好ましく、より好ましくは1.0~4.5、さらに好ましくは1.2~4.0、さらにより好ましくは1.2~3.5である。[酸]本発明の研磨液組成物のpHは、例えば酸の含有量によって調整することができる。本明細書において、酸の使用は、酸及び/又はその塩の使用を含む。かかる酸としては無機酸や有機酸が挙げられる。無機酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、アミド硫酸等が挙げられる。有機酸としては、カルボン酸、有機リン酸、アミノ酸等が挙げられ、例えば、カルボン酸は、酢酸、グリコール酸、アスコルビン酸、グルコン酸等の一価カルボン酸、蓚酸、酒石酸、マレイン酸、リンゴ酸等の二価カルボン酸、クエン酸等の三価カルボン酸が挙げられ、有機リン酸としては、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸HEDP、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸等が挙げられる。また、アミノ酸としては、グリシン、アラニン等が挙げられる。これらの中でも、うねり低減の観点から、無機酸、カルボン酸及び有機リン酸が好ましく、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、グリコール酸、蓚酸、クエン酸、HEDP、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸が適している。これらのpHを調整するための酸は、1種単独で使用しても、あるいは2種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度向上の観点からは、無機酸と有機リン酸を混合して用いることが好ましく、研磨液pHの安定性向上の観点、及び循環研磨において高い研磨速度を維持できるという観点から、カルボン酸と有機リン酸を混合して用いることや二価又は三価カルボン酸を用いることが好ましく、三価カルボン酸を用いることがより好ましく、クエン酸を用いることがさらに好ましい。本発明の研磨液組成物中の酸の含有量は、研磨速度向上の観点から、0.05重量以上が好ましく、より好ましくは0.1重量以上、さらに好ましくは0.2重量以上である。また、前記酸の含有量は、研磨装置の腐食を抑制する観点から、10重量以下が好ましく、より好ましくは7.5重量以下、さらに好ましくは5重量以下である。したがって、前記酸の含有量は、0.05~10重量が好ましく、より好ましくは0.1~7.5重量、さらに好ましくは0.2~5重量である。[その他の成分]本発明の研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、分散剤、防錆剤等を含んでもよい。これらの成分の研磨液組成物中の含有量は、研磨特性の観点から、5重量以下が好ましく、より好ましくは3重量以下、さらに好ましくは1重量以下である。[研磨液組成物の調製方法]本発明の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。前記研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度研磨材の含有量等や研磨条件等に応じて適宜決定できる。研磨液組成物のpHは、前記成分の混合後、所定のpHに調整してもよいし、前記成分の混合により研磨液組成物のpHが所望の値となるように、前記成分の混合前に前記成分のpHをそれぞれ調整していてもよい。前記pHの調整は、前記酸等及び/又はpH調整剤により行うことができる。[アルミノシリケートガラス基板の製造方法]本発明のアルミノシリケートガラス基板の製造方法以下、本発明のガラス基板の製造方法ともいう。は、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する工程を含む。本発明のガラス基板の製造方法の一態様としては、ハードディスク用アルミノシリケートガラス基板の製造方法が挙げられる。アルミノシリケートガラス基板は、例えば、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によってアルミノシリケートガラス基材を得る工程から、粗研削工程、精研削工程、形状加工工程、端面鏡面加工工程、研磨工程、化学強化工程等を経て製造される。研磨工程前に化学強化工程を行う場合もある。また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。そして、アルミノシリケートガラス基板は、磁気ディスクの製造方法において、記録部形成工程を経ることで磁気ディスクとなる。前記記録部形成工程は、例えば、アルミノシリケートガラス基板上に、シード層、下地層、中間層、磁性層、保護層、及び潤滑層を成膜する工程を含む。前記粗研削工程では400程度のアルミナ砥粒が、形状加工工程では円筒状の砥石が、端面鏡面加工工程ではブラシが、精研削工程では1000程度のアルミナ砥粒が用いられる。前記研磨工程は、例えば、第一研磨工程と第二研磨工程に分かれ、第一研磨工程と第二研磨工程とをこの順で含むが、例えば表面品質の向上を目的として更に最終仕上げ研磨工程を含む場合が多い。第一研磨工程では砥粒として酸化セリウム粒子が、最終仕上げ研磨工程では砥粒としてシリカ粒子が好適に用いられる。本発明の研磨液組成物は、第二研磨工程及び/又は最終仕上げ研磨工程で使用されることが好ましい。第二研磨工程、最終仕上げ研磨工程の各工程後には、アルミノシリケートガラス基板表面に残留した砥粒や研磨屑を溶解除去するために、アルカリ性洗浄剤、中性洗浄剤、又は酸性洗浄剤を含む洗浄槽で超音波洗浄を行う。本発明のガラス基板の製造方法には、その後、アルミノシリケートガラス基板を、純水、IPA等で洗浄する洗浄工程、IPA蒸気乾燥もしくはスピンドライなどにより乾燥する乾燥工程が含まれることがある。上記洗浄工程中にスクラブ処理が行われてもよい。ハードディスク用アルミノシリケートガラス基板には、磁気ヘッドの読み書きエラーが発生しない平滑面が要求される。即ち、基板表面の平坦性粗さ、うねり等が高く、欠陥砥粒等による凸部、スクラッチやピット等の凹部が少ないことが求められる。ハードディスク用アルミノシリケートガラス基板の製造過程の中で、研磨工程が基板表面の平坦性の向上と欠陥除去の役割を担う。故に、研磨工程において、第二研磨工程、又は最終仕上げ研磨工程が特に重要である。研磨工程は、被研磨基板の研磨対象面に本発明の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力荷重をかけながら、研磨パッドや被研磨基板を動かすこと等によって行うことができる。研磨工程における具体的な研磨方法については、後述するアルミノシリケートガラス基板の研磨方法を参照できる。なお、前記研磨は、従来公知の研磨装置により行うことができる。[アルミノシリケートガラス基板の研磨方法]本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板である被研磨アルミノシリケートガラス基板を研磨する方法以下、本発明の研磨方法ともいう。で用いる研磨装置としては、特に制限はなく、被研磨基板を保持する冶具キャリア:アラミド製等と研磨布研磨パッドとを備える研磨装置を用いることができる。中でも、両面研磨装置が好適に用いられる。研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられる。前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましい。例えば、第一研磨工程ではスエード調のウレタン製硬質パッド、第二研磨工程及び最終研磨工程ではスエード調のウレタン製軟質パッドが好適に用いられる。該研磨装置を用いる研磨方法の具体例としては、被研磨基板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた1対の研磨定盤で挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間に供給し、所定の圧力の下で研磨定盤及び/又は被研磨基板を動かすことにより、本発明の研磨液組成物を被研磨基板に接触させながら被研磨基板を研磨する研磨方法が挙げられる。本発明の研磨方法は、前記研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板の間に存在させ、所定の研磨荷重で研磨する工程を含むと好ましい。本発明において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板を挟み込む定盤から被研磨基板の研磨対象面に加えられる圧力を意味する。研磨荷重の調整は、通常の研磨装置であれば容易に調整可能であるが、例えば、定盤や被研磨基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。研磨荷重は、研磨速度を向上させ、効率よくうねりを低減して平滑性の高い表面を得る観点から、3kPa以上、4kPa以上が好ましく、5kPa以上がより好ましく、6kPa以上がさらに好ましい。うねりを低減して平滑性の高い表面を得る観点から、40kPa以下、30kPa以下が好ましく、20kPa以下がより好ましく、15kPa以下がさらに好ましい。従って、研磨速度及び表面平滑性の向上の観点から、3~40kPa、好ましくは4~30kPa、より好ましくは5~20kPa、さらに好ましくは6~15kPaである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷の調整によって行うことができる。本発明の研磨方法は、前記研磨工程における第二研磨工程以降に用いられることが好ましく、最終仕上げ研磨工程に用いられるのがより好ましい。研磨液組成物の供給方法は、予め研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドとガラス基板の間にポンプ等で供給する方法、供給ライン内等で構成成分を混合して供給する方法、シリカ粒子のスラリーとスルホン酸基を有する重合体を溶解した水溶液とを別々に研磨装置に供給する方法等を用いることができる。研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点から、被研磨基板1cm2あたり1.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは0.6mL/分以下、さらに好ましくは0.4mL/分以下である。また、前記供給速度は、研磨速度をさらに向上できることから、ガラス基板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、より好ましくは0.025mL/分以上、さらに好ましくは0.05mL/分以上である。したがって、前記供給速度は、ガラス基板1cm2あたり0.01~1.0mL/分が好ましく、より好ましくは0.025~0.6mL/分、さらに好ましくは0.05~0.4mL/分である。本発明の研磨液組成物は、使用した研磨液組成物を再利用する循環研磨においても使用できる。本発明の研磨液組成物は、循環耐久性に優れるため、研磨液組成物を循環再利用する機構を有する研磨装置とともに使用されることが好ましく、研磨液組成物を循環再利用する機構を有する研磨装置とともに第二研磨工程及び/又は最終仕上げ研磨工程で使用されることがさらに好ましい。循環研磨の際、研磨によって消費される酸や添加剤等の化合物を適宜追加してもよい。被研磨基板を循環研磨する場合には、研磨速度をさらに向上できることから、研磨液組成物の供給速度は、被研磨基板1cm2あたり0.1mL/分以上が好ましく、より好ましくは0.2mL/分以上、さらに好ましくは0.5mL/分以上である。また、前記供給速度の上限は特に限定されないが、コスト低減の観点から、被研磨基板1cm2あたり3.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは2.5mL/分以下、さらに好ましくは2.0mL/分以下である。したがって、被研磨基板1cm2あたり0.1~3.0mL/分が好ましく、より好ましくは0.2~2.5mL/分、さらに好ましくは0.5~2.0mL/分である。上記[アルミノシリケートガラス基板の研磨方法]によれば、ガラス基板のうねりを低減して平滑性の高い表面を得ることができるので、上記研磨方法をアルミノシリケートガラス基板の表面うねりを低減する方法として、ハードディスク用アルミノシリケートガラス基板の製造方法に用いれば、アルミノシリケートガラス基板の研磨工程において、効果的にうねりを低減できる。[実施例1~4及び比較例1~12]1.被研磨基板の調整被研磨基板の詳細を、表2に示す。中波長160~500μmのWa算術平均うねりはNewView5032Zygo社製により測定した値である。1アルミノシリケートガラス基板セリア砥粒を含有する研磨液組成物であらかじめ粗研磨したアルミノシリケートガラス基板を被研磨基板として用意した。基板中に含まれるAlの含有量は、8.6重量であり、Siの含有量は27.1重量、Naの含有量は6.0重量であった。これらの値は、ESCA法を用い以下の測定条件で測定した。ESCA測定条件試料作製アルミノシリケートガラス基板を1cm×1cmに切断し、得られたアルミノシリケートガラス基板片をカーボン製両面テープ上に乗せ固定した。アルミノシリケートガラス基板片表面のゴミ等を除くためにArスパッタを加速電圧2kVで6分間かけ、ESCA測定を実施した。測定機器:アルバックファイ製PHIQuanteraSXMX線源:単色化AlKα線、1486.6eV、25W、15kVビーム径:100μmX線入射角:45°測定範囲:500×500μm2Passenergy:280.0survey、140.0eVnarrowStepsize:1.00survey、0.250eVnarrow測定元素:C,N,O,Na,Mg,Al,Si,S,K,Ti,Zr,Nb帯電補正:NeutralizerおよびAr照射2Ni―Pめっきアルミニウム合金基板アルミナ研磨材を含有する研磨液組成物であらかじめ粗研磨した、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金基板を被研磨基板として用意した。3シリケートガラス基板Al2O3などが添加されていない純粋なSiO2で構成されるシリケートガラス基板を被研磨基板として用意した。2.研磨液組成物の調製実施例1、2、4および比較例1~12については、イオン交換水に対して、硫酸とHEDPとを添加した後、下記1~11の重合体をそれぞれ添加し、さらにシリカ粒子としてコロイダルシリカ粒子平均粒子径:25nm、SF1:123平均値、SF2:109平均値を添加し、pHを1.5に調整して研磨液組成物を得た。各成分の添加量は、研磨液組成物総重量に対して、硫酸が0.35重量、HEDPが0.13重量、1~11の重合体が0.01重量、コロイダルシリカ粒子が9重量となるようにした。実施例3については、硫酸とHEDPに代えてクエン酸を添加し、pHを2.5に調整した以外は実施例2と同様にして研磨液組成物を得た。各成分の添加量は、研磨液組成物総重量に対して、クエン酸が1.5重量、下記2の重合体が0.01重量、コロイダルシリカ粒子が9重量となるようにした。使用した1~11の重合体の詳細については下記のとおりである。1β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩花王社製2ブチルナフタレンスルホン酸―ナフタレンスルホン酸ホルマリン共縮合物ナトリウム塩共縮合モル比20/80、花王社製3スチレン―スチレンスルホン酸共重合体共縮合モル比18/82、花王社製4アクリル酸―アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸共重合体ナトリウム塩共重合モル比89/11東亞合成社製5β‐ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩花王社製6ポリビニルスルホン酸ナトリウム塩Aldrich社製7ポリスチレンスルホン酸ナトリウム塩PS-1:東ソー社製8スルホン酸系共重合体A-6021:東亞合成社製9カルボン酸系共重合体アンモニウム塩ポイズ2100:花王社製10ポリアクリル酸A-10SL東亞合成社製11スルホン酸系共重合体A-6020:東亞合成社製3.測定方法重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数、重合体のシリカ粒子コロイダルシリカ粒子への吸着率、重合体の重量平均分子量、研磨液組成物のpH、シリカ粒子の平均粒子径、シリカ粒子のSF1及びSF2、及びうねりの測定は、以下のように行った。<重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数の測定方法>前記1~11の重合体を、その濃度が0~5000ppmになるようにイオン交換水に添加して得た水溶液20g25°Cに塩酸を加えてそのpHを1.5に調整した。この水溶液にアルミノシリケートガラス基板を粉砕して得た粒径約5μmのアルミノシリケートガラス粒子0.5g添加し、攪拌した後、遠心分離機コクサン社製H-28Fを用いて3500rpmで15分間遠心分離した。次いで、アルミノシリケートガラス粒子を沈降させ、上澄み中に存在する全炭素数濃度を島津製作所製TOC-500で測定した。測定された炭素濃度と、既知濃度の前記重合体で作成した検量線とを用いて、上澄み中の前記重合体濃度cを算出し、仕込み濃度からこれを差し引いて、前記重合体の吸着量Aを算出した。重合体の添加量とアルミノシリケートガラス粒子への吸着量Aとをグラフにプロットし、下記式1を用いて25°Cにおける吸着定数Kを算出した。なお、上記式1より、x軸をc、y軸をc/Aとして、各測定結果をプロットし、傾き1/Amから飽和吸着量Amを、y切片1/KAmより吸着定数Kを算出した。<重合体のシリカ粒子への吸着率の測定方法>アルミノシリケートガラス粒子に代えてコロイダルシリカ粒子を使用し、前記1~11の重合体の濃度を100ppmとした以外は、上記吸着定数の測定方法と同様の方法に従い、シリカ粒子に未吸着の前記重合体の濃度を算出した。仕込み濃度100ppmから未吸着の前記重合体の濃度を差し引いて、シリカ粒子に吸着した前記重合体の濃度を算出し、これを仕込み濃度で除し、100倍した値を、シリカ粒子に対する前記重合体の吸着率とした。<重量平均分子量の測定方法>前記1~11の重合体をクロロホルムに溶解し、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いて、以下の条件で重量平均分子量を測定した。<GPC条件>カラム:G4000SWXLG2000SWXL溶離液:30mMCH3COONa/CH3CN=6/4pH=6.9流量:1.0mL/minカラム温度:40°C検出:RI標準物質:ポリスチレンMw842万,9.64万,A-500東ソー社製、Mw3万,4000西尾工業社製、Mw90万ケムコ社製<pHの測定条件>pHメーター東亜電波工業株製、ガラス式水素イオン濃度指数計HM-30Gを用いて、研磨液組成物25°CのpHを測定した。<シリカ粒子の平均粒子径の測定方法>コロイダルシリカ粒子を含む試料を、透過型電子顕微鏡JEM-2000FX80kV、1~5万倍、日本電子社製により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEMTransmissionElectronMicroscope像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフトWinROOFver.3.6販売元:三谷商事を用いて、個々のシリカ粒子の円相当径を計測し、粒子径を求めた。このようにして、1000個のシリカ粒子の粒子径を求めた後、これらの平均値を算出し、この平均値を平均粒子径とした。<シリカ粒子のSF1及びSF2の測定方法>コロイダルシリカ粒子を含む試料を、上記平均粒子径の測定方法と同様の方法によりTEM像を写真撮影し、この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、上記と同様の解析ソフトを用いて、粒子一個の最大径と投影面積を計測し、SF1を算出した。このようにして、100個のシリカ粒子のSF1を求めた後、これらの平均値を算出した。SF2の場合は、上記と同様の解析ソフトを用いて、粒子一個の周長と投影面積を計測し、SF2を算出した。このようにして、100個のシリカ粒子のSF2を求めた後、これらの平均値を算出した。<うねりの評価方法>被研磨基板がアルミノシリケートガラス基板およびNi-Pめっきアルミニウム合金基板である場合は、後述の研磨方法により研磨された10枚の基板から任意に4枚を選択し、その4枚について下記条件でうねりを測定した。その4枚についてのうねりの測定値の平均値を基板の中波長うねりとして算出した。その結果を、下記表1に、比較例1、9の研磨液組成物を用いた場合を100とした相対値として示す。被研磨基板がシリケートガラス基板である場合は、後述の研磨方法により研磨された1枚の基板について、下記条件でうねりを測定した。その結果を、下記表1に、比較例11の研磨液組成物を用いた場合を100とした相対値として示す。測定機:NewView5032Zygo社製レンズ:2.5倍ズーム:0.5倍測定波長:160~500μm中波長うねり測定位置:アルミノシリケートガラス基板およびNi-Pめっきアルミニウム合金基板については、基板中心より半径25mmの部分を測定し、シリケートガラス基板については基板中心より半径10mmの部分を測定した。解析ソフト:ZygoMetroProZygo社製4.研磨方法実施例1~4、比較例1~12の研磨液組成物を用いた研磨は、下記の標準研磨試験の条件で行った。[研磨条件]1アルミノシリケートガラス基板の研磨条件研磨試験機:スピードファム社製両面9B研磨機研磨パッド:スエードタイプ厚さ0.9mm、平均開孔径30μm研磨液組成物供給量:100mL/分被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.3mL/分下定盤回転数:32.5rpm研磨荷重:8.4kPaキャリア:アラミド製、厚さ0.45mm研磨量:片面あたり2.5μmの研磨量をターゲットとして研磨被研磨基板:アルミノシリケートガラス基板外径65mm、内径20mm、厚さ0.635mm、研磨前の中波長うねりの値3.0Å投入基板枚数:10枚リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2min、イオン交換水供給量=約2L/minドレス条件:1回研磨毎にイオン交換水を供給しながらブラシドレス2min2Ni-Pめっきアルミニウム合金基板の研磨条件研磨試験機:スピードファム社製両面9B研磨機研磨パッド:スエードタイプ厚さ0.9mm、平均開孔径30μm研磨液組成物供給量:100mL/分被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.14mL/分下定盤回転数:32.5rpm研磨荷重:8.4kPaキャリア:アラミド製、厚さ1.0mm研磨量:片面あたり2.5μmの研磨量をターゲットとして研磨被研磨基板:Ni-Pめっきアルミニウム合金基板外径95mm、内径25mm、厚さ1.27mm、研磨前の中波長うねりの値2.8Å投入基板枚数:10枚リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2min、イオン交換水供給量=約2L/minドレス条件:1回研磨毎にイオン交換水を供給しながらブラシドレス2min添加剤:添加剤として研磨液に過酸化水素水を0.4添加した。3シリケートガラス基板の研磨条件研磨試験機:エンギス社製片面研磨機MA-300研磨パッド:スエードタイプ厚さ0.9mm、平均開孔径30μm研磨液組成物供給量:10mL/分被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.3mL/分下定盤回転数:54rpm基板に対するパッドの相対速度はアルミノシリケートガラス基板の研磨条件と同等の値である。研磨荷重:8.4kPaキャリア:アラミド製、厚さ0.8mm研磨量:片面あたり2.5μmの研磨量をターゲットとして研磨被研磨基板:シリケートガラス基板外径50mm、厚さ1.0mm、研磨前の中波長うねりの値4.1Å投入基板枚数:1枚リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2min、イオン交換水供給量=約2L/minドレス条件:1回研磨毎にイオン交換水を供給しながらブラシドレス2min表1に示すように、アルミノシリケートガラスに対する吸着定数が1.5~5.0L/gのスルホン酸基を含む重合体を含む研磨液組成物を用いて研磨を行ったところ、研磨された基板表面のうねりが効果的に低減された。また、3種の被研磨基板に対して、前記吸着定数が1.5~5.0L/gのスルホン酸基を含む重合体を含む研磨液組成物を用いて研磨を行ったところ、アルミノシリケートガラス基板に対してだけうねりが効果的に低減された。"