一般式II[R1-C=O-O]a[Ma]IIのカルボン酸の少なくとも1種の塩を、一般式IIIX-R2-SiR33IIIの少なくとも1種のシランと反応させることによって、一般式IR1-C=O-O-R2-SiR33Iのシランを製造する方法であって、その際、該方法が、少なくとも1つの蒸留処理工程を有し、該蒸留処理工程に際して、留出物は、一般式Iの少なくとも1種のシランを含有し、かつ少なくとも1種の高沸点溶媒HS-LMが存在しており、その際、HS-LMは、該蒸留処理工程が実施される圧力で測定して、一般式Iのシランより高い沸点を有し、かつ、上記式中、Xは、カルボキシレートによって置換可能である脱離基であり、R1は、置換されていない又は1つ若しくはそれより多い基Qで置換された、1つ若しくはそれより多いヘテロ原子によって中断されていてよい、一価のC1~C18炭化水素基、又は水素原子を意味し、R2は、置換されていない又は1つ若しくはそれより多い基Qで置換された、1つ若しくはそれより多いヘテロ原子によって中断されていてよい、二価のC1~C18炭化水素基であり、R3は、水素、置換されていない又は1つ若しくはそれより多い基Qで置換された、1つ若しくはそれより多いヘテロ原子によって中断されていてよい、一価のC1~C18炭化水素基、C1~C18炭化水素オキシ基、Si1~Si4シラン基又はSi1~Si4シロキシ基であり、Maは、a価の正に耐電したカチオンであり、かつaは、1以上の整数である、上記一般式Iのシランの製造法。前記R2を、-CH2-又は-CH2CH2CH2-から選択する、請求項1記載の方法。前記一般式IIのカルボン酸塩と前記一般式IIIのシランとの反応に由来する混合物を、濾過工程なしに、蒸留処理工程に直接供給する、請求項1又は2記載の方法。前記一般式IIのカルボン酸塩と前記一般式IIIのシランとの反応に由来する混合物を、更なる処理工程なしに、蒸留処理工程に直接供給する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。触媒の存在下で実施する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記触媒が相間移動触媒である、請求項5記載の方法。前記触媒が、臭化物又はヨウ化物の塩であり、かつ前記一般式IIIのシラン中の基X-R2を、臭化物又はヨウ化物によるXの置換によって活性化する、請求項5記載の方法。前記蒸留処理工程において前記一般式Iのシランの沸点と同じ沸点か又は前記シランの沸点を下回る沸点を有する溶媒を、前記方法において用いられた全ての溶媒の合計を基準として質量で計算して、80未満で用い、その際、前記沸点は、前記蒸留処理工程が実施される圧力で測定する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。前記方法において用いられた全ての溶媒の合計を質量において基準とした、HS-LMの基準に適合する溶媒の割合が、少なくとも20である、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。前記一般式Iのシランの沸点と同じ沸点か又は前記シランの沸点を下回る沸点を有する溶媒を用いず、その際、前記沸点は、前記蒸留処理工程が実施される圧力で測定する、請求項8又は9記載の方法。