"陰極と陽極との間に発光材料を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層の少なくとも1層がホスト化合物とドーパントとを含有し、かつ前記少なくとも1層における陽極側30体積の領域における前記ドーパントの平均含有率質量をC、前記陽極側30体積の領域を除いた残りの70体積の領域における前記ドーパントの平均含有率質量をDとしたとき、下記式2を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。0.1<C/D<0.82前記ドーパントが、電子輸送性ドーパントであることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記ホスト化合物が、正孔輸送性ホスト化合物であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。有機EL素子は、発光層にキャリアを閉じこめることにより発光効率を向上させることが知られているが、例えば、発光材料が正孔輸送性の場合、発光層から隣接する正孔阻止層、電子輸送層に正孔が流出してしまい、流出してきた正孔により正孔阻止層、電子輸送層が劣化し、有機EL素子の寿命が低下してしまう。同様に、発光材料が電子輸送性の場合、発光層から隣接する電子阻止層、正孔輸送層に電子が流出してしまい、流出してきた電子により電子阻止層、正孔輸送層が劣化し、有機EL素子の寿命が低下してしまう。また、有機EL素子にはさらに高い発光効率も要求されている。本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、本発明の解決課題は、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。1.陰極と陽極との間に発光材料を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層の少なくとも1層がホスト化合物とドーパントとを含有し、かつ前記少なくとも1層における陽極側30体積の領域における前記ドーパントの平均含有率質量をC、前記陽極側30体積の領域を除いた残りの70体積の領域における前記ドーパントの平均含有率質量をDとしたとき、下記式2を満たすことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。0.1<C/D<0.82。2.前記ドーパントが、電子輸送性ドーパントであることを特徴とする第1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。3.前記ホスト化合物が、正孔輸送性ホスト化合物であることを特徴とする第1項又は第2項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明により、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明者等は、鋭意検討の結果、陰極と陽極との間に発光材料を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光材料が正孔輸送性ドーパントであり、さらに、発光層の陰極側30体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率が発光層の残りの70体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率より少なくすることで、発光層からの正孔の流出を抑え、発光層と陰極側で隣接する層の劣化を抑え有機EL素子を長寿命化させることができることを見出した。即ち、正孔輸送性ドーパントを発光材料として用いる場合は、発光層の陰極側30体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率を発光層の残りの70体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率より少なくしておくことで、発光層の陰極側に正孔が集中してしまうのを抑え、これにより発光層に陰極側で隣接する層例えば、正孔阻止層、電子輸送層等への正孔の流出を抑えて劣化を防ぎ有機EL素子を長寿命化させることができることを見出した。本発明においては、発光層の陰極側30体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率をA、残りの70体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率をBとしたとき、下式1を満たすことが好ましい。0.1<A/B<0.81これにより、より一層発光層からの正孔の流出を抑えることができ有機EL素子を長寿命化させることができる。特に、0.2<A/B<0.5を満たすことが本発明の効果をより一層得るうえでより好ましい。また、本発明者等は、鋭意検討の結果、陰極と陽極との間に発光材料を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光材料が電子輸送性ドーパントであり、さらに、発光層の陽極側30体積の電子輸送性ドーパントの平均含有率が発光層の残りの70体積の電子輸送性ドーパントの平均含有率より少なくすることで、発光層からの正孔の流出を抑え、発光層に陽極側で隣接する層の劣化を抑え有機EL素子を長寿命化させることができることを見出した。即ち、電子輸送性ドーパントを発光材料として用いる場合は、発光層の陽極側30体積の電子輸送性ドーパントの平均含有率を発光層の残りの70体積の電子輸送性ドーパントの平均含有率より少なくしておくことで、発光層の陽極側に電子が集中してしまうのを抑え、これにより発光層に陽極側で隣接する層電子阻止層、正孔輸送層等への電子の流出を抑えて劣化を防ぎ有機EL素子を長寿命化させることができることを見出した。本発明においては、発光層の陰極側30体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率をA、残りの70体積の正孔輸送性ドーパントの平均含有率をBとしたとき、下記式2を満たすことが好ましい。0.1<A/B<0.82これにより、より一層発光層からの正孔の流出を抑えることができ有機EL素子を長寿命化させることができる。特に、0.2<A/B<0.5を満たすことが本発明の効果をより一層得るうえでより好ましい。本発明において、正孔輸送性ドーパントとは、正孔移動度が電子移動度よりも大きいドーパントのことであり、電子輸送性ドーパントとは、電子移動度が正孔移動度よりも大きいドーパントのことである。正孔移動度および電子移動度はタイムオブフライトT.O.F法により以下のように測定する。測定には例えばオプテル社製TOF-301を用いることができ、電気化学的に不活性なポリマーに発光ドーパントを10分散した薄膜を、ITO半透明電極および金属電極間に挟んだ試料に、ITO側から照射したパルス波によって生成したシート状キャリアの過渡電流特性より正孔移動度、電子移動度が求められる。電気化学的に不活性なポリマーとしては、例えば、ポリカーボネートやポリスチレンなどを用いることができる。本発明において、発光層の陰極側30体積と残りの70体積とは、陰極と陽極の間にある発光層について、陰極側に近い30体積の領域と、その他の70体積の領域のことをさす。通常の有機EL素子は、図1に示すように、平面上の陰極と陽極との間に、発光層やその他の層後述する阻止層、輸送層、バッファー層等が均一な厚さを有する層として形成されている。従って、発光層の厚さをdとすると陰極側の発光層界面からの距離が0.3dである発光層の領域が発光層の陰極側30体積に該当し、残りの70体積は陽極側の発光層界面からの距離が0.7dである発光層の領域に該当する。同様に、発光層の陽極側30体積と残りの70体積とは、陰極と陽極の間にある発光層について、陽極側に近い30体積の領域、その他の70体積の領域のことをさす。本発明において、発光材料の平均含有率は指定された領域における発光材料の含有率質量である。本発明の条件を満たすには、発光層中での発光材料の濃度状態が変化している必要がある。発光層中で発光材料の濃度状態を変化させるには、発光層を共蒸着で形成する際に、発光材料や後述するホスト化合物の蒸着速度を変化させたり、それぞれの蒸着を断続的にさせたりする方法等がある。また、印刷、インクジェット、スピンコート等のウェット法により異なる発光材料濃度の溶液を積層する方法もある。発光層中での発光材料の濃度状態は、本発明の条件を満たしてさえいればどのような状態でもよく、例えば図2のA、Bに示すように階段状であってもよいし、Cのように直線状に連続的に変化してもよい。また、D、Eのように2つの組み合わせであってもよい。本発明においては、発光材料はリン光性化合物であることが好ましく、これにより、一層発光効率を向上させることができる。リン光性化合物を発光材料として用いるリン光発光の有機EL素子の場合は、発光効率の低下の原因の1つとしてT-T消滅があげられるが、発光材料が正孔輸送性ドーパント又は電子輸送性ドーパントであるとき、再結合領域は発光層全域でなく、発光層の陰極側又は陽極側の狭い領域にかたよってしまい、三重項励起子の濃度が高くなり、T-T消滅が発生しやすくなるが、本発明の構成とすることにより、発光層中の再結合領域のかたよりを抑えT-T消滅の発生を抑え、発光効率を向上させることができる。次に、本発明の有機EL素子の構成層についてさらに詳細に説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。1陽極/正孔輸送層/発光層/陰極2陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極3陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極4陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/電子輸送層/陰極5陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極6陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極《陽極》有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい4eV以上金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシドITO、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXOIn2O3-ZnO等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は100μm以上程度、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。《陰極》一方、陰極としては、仕事関数の小さい4eV以下金属電子注入性金属と称する、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウムAl2O3混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。《バッファー層》:陰極バッファー層、陽極バッファー層注入層は必要に応じて設け、陰極バッファー層電子注入層と陽極バッファー層正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。バッファー層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、有機EL素子とその工業化最前線1998年11月30日エヌティーエス社発行の第2編第2章電極材料123~166頁に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。陽極バッファー層正孔注入層は、特開平9-45479号、同9-260062号、同8-288069号等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリンエメラルディンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。陰極バッファー層電子注入層は、特開平6-325871号、同9-17574号、同10-74586号等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層注入層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm~5μmの範囲が好ましい。《阻止層》:正孔阻止層、電子阻止層正孔阻止層は、正孔阻止材料を含有する層であり、発光層に電子を輸送しつつ発光層からの正孔の流出を阻止することで発光層での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止材料は、発光層から移動してくる正孔を阻止する役割と、陰極の方向から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物である。正孔阻止材料に求められる物性としては発光層のイオン化ポテンシャルIp1、電子親和力Ea1、正孔阻止層のイオン化ポテンシャルIp2、電子親和力Ea2とした場合、Ip2-Ip1>Ea2-Ea1である。さらに、正孔阻止材料がリン光発光の有機EL素子に用いられる場合、正孔阻止材料の励起3重項エネルギーは発光層の励起3重項よりも大きいものである。正孔阻止材料が蛍光発光の有機EL素子に用いられる場合は、正孔阻止材料の励起1重項エネルギーは、発光層の励起1重項より大きいものである。正孔阻止材料としては、スチリル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ボロン誘導体等が挙げられる。その他の正孔阻止材料として、特開2003-31367号、同2003-31368号、特許第2721441号等に記載の例示化合物が挙げられる。電子阻止層は、電子素子材料を含有する層であり、発光層に正孔を輸送しつつ発光層からの電子の流出を阻止することで発光層での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。電子阻止材料は、発光層から移動してくる電子を阻止する役割と、陽極から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物である。電子阻止材料に求められる物性としては発光層のイオン化ポテンシャルIp1、電子親和力Ea1、電子阻止層のイオン化ポテンシャルIp3、電子親和力Ea3とした場合、Ea1-Ea3>Ip1-Ip3さらに、電子阻止材料がリン光発光の有機EL素子に用いられる場合、電子阻止材料の励起3重項エネルギーは発光層の励起3重項よりも大きいものである。電子阻止材料が蛍光発光の有機EL素子に用いられる場合は、電子阻止材料の励起1重項エネルギーは、発光層の励起1重項より大きいものである。電子阻止材料としては、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体が挙げられる。イオン化ポテンシャルとは、化合物のHOMO最高被占分子軌道レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、具体的には膜状態層状態の化合物から電子を取り出すのに必要なエネルギーであり、これらは光電子分光法で直接測定することができる。例えば、アルバック-ファイ株製ESCA5600UPSultravioletphotoemissionspectroscopyにて測定することができる。電子親和力は、真空準位にある電子が物質のLUMO最低空分子軌道レベルに落ちて安定化するエネルギーで定義され、電子親和力eV=イオン化ポテンシャルIpeVバンドギャップeVで求めることができる。バンドギャップは、化合物のHOMO-LUMO間のエネルギーを表し、具体的には石英基板上に膜を作製し、吸収スペクトルを測定し、その吸収端から求めることができる。《発光層》本発明に係る発光層は、発光材料を含有し、電極、電子輸送層、又は正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光材料は有機EL素子の発光層に用いられる公知の発光材料を用いることができ、例えば、キナクリドン、DCM、クマリン誘導体、ローダミン、ルブレン、デカシクレン、ピラゾリン誘導体、スクアリリウム誘導体、ユーロピウム錯体等がその代表例として挙げられる公知の蛍光性化合物等を用いることもできる。本発明おいては、前述したようにリン光性化合物を用いるのが好ましく、これにより発光効率をより向上させることができる。本発明に係るリン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。例えば、特開2001-247859号明細書に挙げられるイリジウム錯体あるいはWO00/70,655号明細書16~18ページに挙げられるような式で表される、例えば、トリス2-フェニルピリジンイリジウム等やオスミウム錯体、あるいは2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金錯体のような白金錯体もドーパントとして挙げられる。ドーパントとしてこのようなリン光性化合物を用いることにより、内部量子効率の高い発光有機EL素子を実現できる。本発明に係るリン光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表で8族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物白金錯体系化合物、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。以下に、本発明で用いられるリン光性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704~1711に記載の方法等により合成できる。このほかにも、例えば、J.Am.Chem.Soc.123巻4304~4312頁2001年、WO00/70655号、WO02/15645号、特開2001-247859号、特開2001-345183号、特開2002-117978号、特開2002-170684号、特開2002-203678号、特開2002-235076号、特開2002-302671号、特開2002-324679号、特開2002-332291号、特開2002-332292号、特開2002-338588号等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体あるいは具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開2002-8860号記載の式IVで表されるイリジウム錯体等が挙げられる。本発明に係るリン光性化合物は、溶液中のリン光量子収率が25°Cにおいて0.001以上である。好ましくは、0.01以上である。さらに、好ましくは、0.1以上である。リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398ページ1992年版、丸善に記載の方法で測定することが出来る。リン光性化合物の発光は、原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができるが、リン光性化合物のリン光発光波長が380~480nmにリン光発光の極大波長を有することが好ましい。このようなリン光発光波長を有するものとしては、青色に発光する有機EL素子や白色に発光する有機EL素子が挙げられる。また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。また、発光層には、リン光性化合物の他にホスト化合物を含有してもよい。本発明においてホスト化合物は、発光層に含有される化合物のうちで室温25°Cにおいてリン光発光のリン光量子収率が、0.01未満の化合物である。本発明においては、ホスト化合物として公知のホスト化合物を用いることが好ましい。これにより、より一層発光効率を高くすることができる。さらに、公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種もちいることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tgガラス転移温度である化合物が好ましい。公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。特開2001-257076、特開2002-308855、特開2001-313179、特開2002-319491、特開2001-357977、特開2002-334786、特開2002-8860、特開2002-334787、特開2002-15871、特開2002-334788、特開2002-43056、特開2002-334789、特開2002-75645、特開2002-338579、特開2002-105445、特開2002-343568、特開2002-141173、特開2002-352957、特開2002-203683、特開2002-363227、特開2002-231453、特開2003-3165、特開2002-234888、特開2003-27048、特開2002-255934、特開2002-260861、特開2002-280183、特開2002-299060、特開2002-302516、特開2002-305083、特開2002-305084、特開2002-308837等。また、発光層は、ホスト化合物としてさらに蛍光極大波長を有するホスト化合物を含有していてもよい。この場合、他のホスト化合物とリン光性化合物から蛍光性化合物へのエネルギー移動で、有機EL素子としての電界発光は蛍光極大波長を有する他のホスト化合物からの発光も得られる。蛍光極大波長を有するホスト化合物として好ましいのは、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収率は10以上、特に30以上が好ましい。具体的な蛍光極大波長を有するホスト化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素等が挙げられる。蛍光量子収率は、前記第4版実験化学講座7の分光IIの362頁1992年版、丸善に記載の方法により測定することができる。本明細書の発光する色は、新編色彩科学ハンドブック日本色彩学会編、東京大学出版会、1985の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS-1000ミノルタ製で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は5nm~5μm、好ましくは5nm~200nmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が1種または2種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。《正孔輸送層》正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノフェニル;N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンTPD;2,2-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルプロパン;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン;N,N,N′,N′-テトラ-p-トリル-4,4′-ジアミノビフェニル;1,1-ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニル-4-フェニルシクロヘキサン;ビス4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタン;ビス4-ジ-p-トリルアミノフェニルフェニルメタン;N,N′-ジフェニル-N,N′-ジ4-メトキシフェニル-4,4′-ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′-テトラフェニル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル;4,4′-ビスジフェニルアミノクオードリフェニル;N,N,N-トリp-トリルアミン;4-ジ-p-トリルアミノ-4′-4-ジ-p-トリルアミノスチリルスチルベン;4-N,N-ジフェニルアミノ-2-ジフェニルビニルベンゼン;3-メトキシ-4′-N,N-ジフェニルアミノスチルベンゼン;N-フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′-ビスN-1-ナフチル-N-フェニルアミノビフェニルNPD、特開平4-308688号に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4′′-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノトリフェニルアミンMTDATA等が挙げられる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型-Si,p型-SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。《電子輸送層》電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。電子輸送材料としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、8-キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス8-キノリノールアルミニウムAlq、トリス5,7-ジクロロ-8-キノリノールアルミニウム、トリス5,7-ジブロモ-8-キノリノールアルミニウム、トリス2-メチル-8-キノリノールアルミニウム、トリス5-メチル-8-キノリノールアルミニウム、ビス8-キノリノール亜鉛Znq等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μm程度、好ましくは5~200nmである。電子輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。《基体基板、基材、支持体等ともいう》本発明の有機EL素子は基体上に形成されているのが好ましい。本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP等からなるフィルム等が挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。ここに、外部取り出し量子効率=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。《有機EL素子の作製方法》本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10~200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である陽極バッファー層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層の有機化合物薄膜を形成させる。この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセススピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50~450°C、真空度10-6~10-2Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300°C、膜厚0.1nm~5μm、好ましくは5~200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50~200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。また作製順序を逆にして作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックスパッシブマトリックス方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。また、本発明に係る有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。《表示装置》本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような1種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置ディスプレイとして使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクスパッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を3種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルターを用いてBGRにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ELの発光色を色変換フィルターを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機EL発光のλmaxは480nm以下であることが好ましい。本発明の有機EL素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて以下に説明する。図3は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。図4は、表示部Aの模式図である。表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図3においては、画素3の発光した光が、白矢印方向下方向へ取り出される場合を示している。配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。次に、画素の発光プロセスを説明する。図5は、画素の模式図である。画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。図6において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。図6は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図5において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。実施例1有機EL素子1-1~1-4の作製陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにm-MTDATAを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにNPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにルブレンを100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、m-MTDATAの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し50nmの正孔輸送層を設けた。更に、NPDとルブレンの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/sec、0.01nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して30nmの発光層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚40nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更に、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1-1を作製した。有機EL素子1-1の作製において、発光層の蒸着条件を調整して、陽極側30体積の発光材料の平均含有率と残りの70体積の発光材料の平均含有率を表1に示すようにした以外は、有機EL素子1-1と同じ方法で、有機EL素子1-2~1-4を作製した。有機EL素子1-1~1-4の評価実施例1と同様に作製した有機EL素子1-1~1-4の評価を行い、その結果を表4に示す。表4の発光寿命の測定結果は、有機EL素子1-1を100とした時の相対値で表した。表2から、本発明の有機EL素子は、長寿命であることが分かった。実施例2有機EL素子2-1~2-4の作製陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにNPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにCBPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr-1を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBCPを200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し50nmの正孔輸送層を設けた。更に、CBPとIr-1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/sec、0.01nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して30nmの発光層を設けた。更に、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで発光層上に蒸着して10nmの正孔阻止層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記正孔阻止層上に蒸着して膜厚40nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更に、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2-1を作製した。有機EL素子2-1の作製において、発光層の蒸着条件を調整して、陰極側30体積の発光材料の平均含有率と残りの70体積の発光材料の平均含有率を表1に示すようにした以外は、有機EL素子2-1と同じ方法で、有機EL素子2-2~2-4を作製した。有機EL素子2-1~2-4の評価実施例1と同様に作製した有機EL素子2-1~2-4の発光寿命の評価を行い、さらに、以下のようにして作製した有機EL素子2-1~2-4の発光効率の評価を行った。その結果を表4に示す。外部取りだし量子効率作製した有機EL素子について、23°C、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS-1000ミノルタ製を用いた。表4の発光寿命、発光効率の測定結果は、有機EL素子2-1を100とした時の相対値で表した。表4から、本発明の有機EL素子は、長寿命であり、特に発光材料にリン光性化合物を用いた場合には発光効率も向上することが分かった。実施例3有機EL素子3-1~3-4の作製陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITOインジウムチンオキシドを100nm製膜した基板NHテクノグラス社製NA45にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにm-MTDATXAを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr-12を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに化合物2を200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlq3を200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、m-MTDATXAの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し40nmの正孔輸送層を設けた。更に、化合物1とIr-12の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/sec、0.01nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して30nmの発光層を設けた。更に、化合物2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで発光層上に蒸着して10nmの正孔阻止層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記正孔阻止層上に蒸着して膜厚20nmの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更に、アルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3-1を作製した。有機EL素子3-1の作製において、発光層の蒸着条件を調整して、陰極側30体積の発光材料の平均含有率と残りの70体積の発光材料の平均含有率を表1に示すようにした以外は、有機EL素子3-1と同じ方法で、有機EL素子3-2~3-4を作製した。有機EL素子3-1~3-4の評価実施例1と同様に作製した有機EL素子3-1~3-4の発光寿命の評価を行い、さらに、実施例2と同様に作製した有機EL素子3-1~3-4の発光効率の評価を行った。その結果を表6に示す。表6の発光寿命、発光効率の測定結果は、有機EL素子3-1を100とした時の相対値で表した。表6から、本発明の有機EL素子は、長寿命であり、特に発光材料にリン光性化合物を用いた場合には発光効率も向上することが分かった。実施例4《フルカラー表示装置の作製》フルカラー表示装置1青色発光有機EL素子実施例3で作製した有機EL素子3-4を用いた。緑色発光有機EL素子実施例2で作製した有機EL素子2-4を用いた。赤色発光有機EL素子実施例2で作製した有機EL素子2-4において、Ir-1に替えてIr-9を用いた以外は、有機EL素子2-4と同様の方法で作製した有機EL素子2-4Rを用いた。上記の赤色、緑色及び青色発光有機EL素子を、同一基板上に並置し、図3に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図4には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している詳細は図示せず。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。該フルカラー表示装置を駆動することにより、発光輝度、発光効率の高く、長寿命なフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。実施例5実施例3で作製した有機EL素子3-4において、Ir-12に替えてIr-6、Ir-9Ir-6:Ir-9=1:4を用いた以外は、有機EL素子3-4と同様の方法で作製した有機EL素子3-4Wを作製した。有機EL素子3-4Wの非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光輝度、発光効率の高く、長寿命である白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。図7は照明装置の概略図で、図8は照明装置の断面図である。"