内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部を備えるレーザ素子であって、前記共振部において、熱光学係数の符号が異なる領域が前記レーザ光の共振方向に直列に設けられたレーザ素子。基板と、前記基板の表面と垂直な方向に順次形成され、前記内部光の少なくとも一部を反射させることで前記内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを更に備え、前記共振部は、前記下部反射層および前記上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、前記活性層に正孔を注入するp型クラッド層、および、前記活性層に電子を注入するn型クラッド層を含む半導体層と、前記下部反射層および前記上部反射層の間に、前記共振方向において前記半導体層と直列に設けられ、前記半導体層とは前記熱光学係数の符号が異なる調整層とを有する請求項1に記載のレーザ素子。前記調整層は、前記上部反射層および前記半導体層の間に形成される請求項2に記載のレーザ素子。前記調整層は、前記下部反射層上に形成される請求項2に記載のレーザ素子。前記調整層は、ポリエチレンを含む請求項2から4のいずれか一項に記載のレーザ素子。前記調整層は、無機ガラス材料および有機ガラス材料を含む請求項2から4のいずれか一項に記載のレーザ素子。前記調整層は、負のバンドギャップを有する半導体材料を含む請求項2から4のいずれか一項に記載のレーザ素子。前記調整層は、前記半導体層よりも格子定数が小さく、且つ、負のバンドギャップを有する半導体材料と、前記半導体層よりも格子定数が大きく、且つ、負のバンドギャップを有する半導体材料との混晶を含む請求項7に記載のレーザ素子。前記半導体層は、III-V族半導体を含み、前記調整層が、III族半導体、V族半導体、窒素およびタリウムを含む請求項7に記載のレーザ素子。前記半導体層は、ビスマスを含む請求項2から4のいずれか一項に記載のレーザ素子。前記半導体層の膜厚および熱光学係数の絶対値の積が、前記調整層の膜厚および熱光学係数の絶対値の積と略等しい請求項2から10のいずれか一項に記載のレーザ素子。基材と、前記基材に1次元または2次元のアレイ状に設けられた、請求項1から11のいずれか一項に記載の複数のレーザ素子とを備えるレーザ素子アレイ。請求項1から11のいずれか一項に記載のレーザ素子と、前記レーザ素子に印加する電圧を制御する制御回路とを備える光源。請求項1から11のいずれか一項に記載のレーザ素子と、前記レーザ光を伝搬する光ファイバと、前記レーザ素子および前記光ファイバを光学的に結合する光結合部とを備える光モジュール。しかし、レーザ素子の共振器は、熱光学係数が正の半導体で形成される。このため、温度が上昇すると発振波長が長波長側にシフトしてしまう。本発明の第1の態様においては、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部を備えるレーザ素子であって、共振部において、熱光学係数の符号が異なる領域がレーザ光の共振方向に直列に設けられたレーザ素子を提供する。本発明の第2の態様においては、基材と、基材に1次元または2次元のアレイ状に設けられた、第1の態様の複数のレーザ素子とを備えるレーザ素子アレイを提供する。本発明の第3の態様においては、第1の態様のレーザ素子と、レーザ素子に印加する電圧を制御する制御回路とを備える光源を提供する。本発明の第4の態様においては、第1の態様のレーザ素子と、レーザ光を伝搬する光ファイバと、レーザ素子および光ファイバを光学的に結合する光結合部とを備える光モジュールを提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。なお、それぞれの実施形態において共通の符号を付した構成要素は、同一の機能および構成を有してよい。図1は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ素子100の断面を示す。第1の実施形態に係るレーザ素子100は、垂直型の面発光素子VCSELである。レーザ素子100は、下部電極102、基板104、下部反射層106、共振部110および上部反射層130を備える。基板104は、例えばGaAs等の基板である。基板104の裏面には下部電極102が形成される。また、基板104の表面には、下部反射層106、共振部110および上部反射層130が、基板104の表面と垂直な方向に順次積層される。なお説明の便宜上、基板104の表面と垂直な方向において、基板104の表面から離れる方向を上とし、基板104の表面に近づく方向を下と称する。また、レーザ素子100の各層において基板104の表面と平行な面のうち、基板104の表面から遠い面を上面、基板104の表面に近い面を下面と称する。下部反射層106および上部反射層130は、共振部110で生じる内部光の少なくとも一部を互いに反射させることで内部光を共振させる。下部反射層106および上部反射層130は、屈折率の異なる複数の半導体層または誘電体層が繰り返し積層して形成される。例えば下部反射層106は、AlAs層およびGaAs層が繰り返し積層される。また、上部反射層130は、SiN層およびSiO2層が繰り返し積層される。下部反射層106および上部反射層130における各層は、半導体層114と同一符号の熱光学係数を有してよい。熱光学係数は、温度変動に対する屈折率変動の傾きを示し、dnav/dTで与えられるnavは屈折率、Tは温度を示す。共振部110は、下部反射層106および上部反射層130の間に設けられ、内部光を共振させてレーザ光を出力する。なお共振部110において、熱光学係数の符号が異なる領域が、レーザ光の共振方向に直列に設けられる。これにより、温度変動に対する発振波長のシフトを低減する。共振部110は、メサ周辺部108、電流狭窄層112、半導体層114、調整層122および上部電極部124を有する。電流狭窄層112、半導体層114および調整層122は、下部反射層106上にメサ形状を有して形成される。メサ周辺部108は、当該メサ形状を囲んで形成される。メサ周辺部108の上面は、調整層122の上面と同一の高さに形成されてよい。メサ周辺部108は、例えばポリイミド等の誘電体で形成される。半導体層114は、下部反射層106および上部反射層130の間に設けられたn型クラッド層116、活性層118およびp型クラッド層120を有する。第1の実施形態においては、半導体層114および調整層122の熱光学係数の符号が異なる。活性層118は、注入される電流に応じて光を生成する。活性層118は、III-V族半導体を含んでよい。例えば活性層118は、GaInNAs層およびGaAs層を繰り返し積層した量子井戸構造を有する。活性層118は、正の熱光学係数を有してよい。n型クラッド層116は、活性層118の下に設けられ、活性層118に電子を注入する。n型クラッド層116は、III-V族半導体を含んでよい。例えばn型クラッド層116は、GaAs層にシリコン等のn型ドーパントをドープして形成される。n型クラッド層116は、正の熱光学係数を有してよい。p型クラッド層120は、活性層118の上に設けられ、活性層118に正孔を注入する。p型クラッド層120は、III-V族半導体を含んでよい。例えばp型クラッド層120は、GaAs層に炭素等のp型ドーパントをドープして形成される。p型クラッド層120は、正の熱光学係数を有してよい。電流狭窄層112は、活性層118に流れる電流を狭窄する。電流狭窄層112は、基板104の表面と平行に形成された酸化層を有してよい。当該酸化層は、基板104の表面と平行な断面における中央部分に開口を有する。当該開口を介して、半導体層114に電流が供給される。また、図1に示した電流狭窄層112は、半導体層114および下部反射層106の間に形成されるが、半導体層114および調整層122の間に形成されてもよい。なお、電流狭窄層112は、n型クラッド層116の中間領域に設けられてよい。つまり、電流狭窄層112の上および下の両方にn型クラッド層116が形成されてよい。また、電流狭窄層112は、p型クラッド層120の中間領域に設けられてもよい。つまり、電流狭窄層112の上および下の両方にp型クラッド層120が形成されてよい。電流狭窄層112の酸化層は、例えばAlAs等のAl含有層を酸化した層である。また、電流狭窄層112の開口部分は、例えばAlAs等のAl含有層である。電流狭窄層112は、半導体層114と同一符号の熱光学係数を有してよい。調整層122は、下部反射層106および上部反射層130の間に形成される。また、調整層122は、共振方向において半導体層114と直列に設けられる。図1に示した例では、調整層122は、半導体層114と上部反射層130の間に形成される。調整層122は、半導体層114とは符号が異なる熱光学係数を有する。例えば調整層122は、負の熱光学係数を有する。調整層122が半導体層114と異なる符号の熱光学係数を有することで、温度変動による半導体層114の屈折率の変化を補償することができ、発振波長のシフトを低減することができる。上部電極部124は、メサ周辺部108の上面と、調整層122の上面の周縁部を覆って形成される。上部電極部124は、p型のドーパントが高濃度本例では、1.0E20程度にドープされた半導体であってよい。上部電極部124は、GaInAsにCがドープされた層であってよい。上部反射層130は、調整層122の上面において、上部電極部124に覆われている領域以外の領域に積層される。また、上部反射層130は、上部電極部124の上面の一部を覆って形成されてもよい。なお、調整層122は、上部電極部124の開口部分に形成されたが、上部電極部124の上面にも調整層126が形成されてよい。調整層126は、半導体層114とは符号が異なる熱光学係数を有する。調整層126は、調整層122と同一の材料で、調整層122の一部として形成されてよい。また、調整層126は、調整層122と異なる材料で形成されてもよい。以下において説明する調整層122は、調整層126を含む範囲を指してよい。図2は、共振部110の一部を拡大して示す。図2において共振部110の内部光の共振方向を矢印で示す。上述したように、半導体層114とは熱光学係数の符号が異なる調整層122が、内部光の共振方向において直列に設けられる。つまり、共振部110における内部光は、熱光学係数の符号が異なる2つの領域を通過する。従って、温度変動による共振波長の変動を低減することができる。なお、レーザ素子100は縦モードのレーザ光を出力してよい。共振部110において熱光学係数の符号が異なる2つの領域が共振方向において直列に設けられるので、レーザ素子100が縦モードのレーザ光を出力する場合においても、温度変動による共振波長の変動を精度よく低減することができる。ただし、レーザ光のモードは縦モードに限定されない。横モードのレーザ光に対しても、共振部110は、共振波長の変動を低減することができる。図3は、レーザ素子100の動作温度が変動した場合の、発振波長の変動例を示す。レーザ素子100に対する比較例として、共振部110の各層が正の熱光学係数を有するレーザ素子の発振波長の変動例を合わせて示す。また、本例のレーザ素子100および比較例のレーザ素子は、半導体層114にGaAs熱光学係数は3.3E-4。なお、本明細書において熱光学係数の単位は/kケルビンであるを含むものを用いた。また、図3において発振波長が四角印で示されるレーザ素子100は、調整層122の熱光学係数TOが-1.0E-3のものを用い、発振波長が三角印で示されるレーザ素子100は、調整層122の熱光学係数TOが-2.0E-3のものを用いた。比較例に示されるように、共振部110の各層が正の熱光学係数を有する場合、動作温度が摂氏25度から90度まで上昇すると、発振波長が5nm程度上昇する。これに対し、調整層122の熱光学係数がTO=-1.0E-3の場合、動作温度が摂氏25度から90度まで上昇したときの発振波長の変動は1.5nm程度となり、比較例よりも発振波長の変動が低減されることがわかる。また、調整層122の熱光学係数が-2.0E-3の場合、動作温度が摂氏25度から90度まで上昇した場合の発振波長の変動は-2.5nm程度となる。このように、調整層122の熱光学係数を調整することで、温度変化に対する発振波長の変動を調整することができる。調整層122の膜厚および材料は、半導体層114の膜厚および熱光学係数の絶対値の積が、調整層122の膜厚および熱光学係数の絶対値の積と略等しくなるように選択されることが好ましい。これにより、温度変化に対する発振波長の変動をほぼなくすこともできる。例えば調整層122は、レーザ素子100の動作温度が摂氏25度から90度まで上昇した場合の発振波長の変動が2nmまたは、常温における発振波長に対する変動量が0.2以下となるように熱光学係数が選択される。調整層122は、ポリエチレンを含んでよい。この場合、調整層122の熱光学係数は、-1.4E-4から-1.8E-3程度となる。ポリエチレンは、負の熱光学係数を有する誘電体材料のなかで、熱光学係数の絶対値が比較的に大きい。このため、比較的に薄い調整層122を用いても、温度変動による半導体層114の屈折率の変化を補償することができる。また、調整層122は、無機ガラス材料および有機ガラス材料を含んでもよい。調整層122は、無機ガラス層に有機ガラスの粒子が分散して配置された層であってよく、また、有機ガラス層に無機ガラスの粒子が分散して配置された層であってもよい。この場合、調整層122として樹脂を用いる場合に比べて、熱変動による調整層122の膨張を低減することができる。一例として調整層122は、ポリジヘキシルシランと、ZrO2とを含む。この場合、調整層122の熱光学係数は、-1.0E-3程度にできる。また、無機ガラス材料および有機ガラス材料の体積比を調整することで、熱光学係数を調整することもできる。また、調整層122は、複数種類の半導体材料を混晶化させたものであってよい。調整層122は、負のバンドギャップを有する半導体材料を含んでよい。半導体材料が負のバンドギャップを有することで、半導体材料の熱光学係数は負となる。なお、調整層122は、その光路長によって発振波長を調整する位相調整層としても機能する。このため、調整層122の膜厚および材料は、出力すべきレーザ光の波長にも依存して定められてよい。図4は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ素子100の断面を示す。第2の実施形態に係るレーザ素子100は、第1の実施形態に係るレーザ素子100の構成に対して、メサ周辺部108および上部反射層130の構成が異なる。また、上部電極部124に代えて、上部電極部132を有する。図4において図1と同一の符号を付した構成要素は、図1から図3に関連して説明した機能および構造を有してよい。第2の実施形態において、上部反射層130は、半導体層114と略同一の断面形状を有し、半導体層114上に形成される。つまり、上部反射層130と半導体層114とは、連続した側面を有する。また、当該断面は、基板104の表面と平行な断面を指す。上部電極部132は、上部反射層130の上面に形成される。上部電極部132は、上部反射層130の上面を全て覆って形成されてよい。上部電極部132は、上部電極部124と同一の材料で形成されてよい。第2の実施形態においてメサ周辺部108は、半導体層114、上部反射層130および上部電極部132の側面を囲んで形成される。また、上部電極部132の上面には電極134が形成されてよい。図5は、共振部110の他の構成例を示す。本例の共振部110は、第1の実施形態および第2の実施形態のレーザ素子100のいずれに適用してもよい。本例の共振部110は、図1から図4において説明した共振部110の構成に対して、調整層122の位置が異なる。他の構成は、図1から図4において説明したいずれかの共振部110の構成と同一であってよい。本例の共振部110は、下部反射層106上に調整層122が形成される。このような構成によっても、温度変動による共振波長の変動を低減することができる。図6は、バンドギャップと格子定数との関係を、半導体材料ごとに示す。なお格子定数は、各半導体材料における組成比に依存する。例えばGaNAsに含まれるNの量を減少させると、格子定数およびバンドギャップがGaAsに近づく。上述したように、調整層122は、負のバンドギャップを有する半導体材料を含んでよい。これにより、調整層122の熱光学係数の符号を負とすることができる。また、調整層122は、半導体層114と格子整合することが好ましい。調整層122は、半導体層114の材料よりも格子定数が小さく、且つ、バンドギャップが負となる材料と、半導体層114の材料よりも格子定数が大きく、且つ、バンドギャップが負となる材料との混晶で形成されてよい。例えば、半導体層114がGaAsを含む場合、調整層122を、GaNAsおよびTlAsの混晶とすることで、バンドギャップが負で、且つ、GaAsに格子整合することができる。半導体層114がIII-V族半導体を含む場合、調整層122は、III族半導体、V族半導体、窒素およびタリウムを含んでよい。調整層122は、TlInGaAsN混晶を有してよく、TlInGaPN混晶を有してもよい。また、半導体層114は、ビスマスBiを含んでもよい。なお、図1から図6においては、レーザ素子100として垂直側の面発光素子VCSELを説明したが、レーザ素子100はVCSELに限定されない。レーザ素子100は、ファブリペロー型レーザ等であってもよい。この場合、クラッド層で挟まれた光導波層において、熱光学係数の符号が異なる領域がレーザ光の共振方向に直列に設けられる。図7は、本発明の第3の実施形態に係る面発光レーザアレイ装置200を示す。面発光レーザアレイ装置200は、基材210と、面発光レーザアレイ240と、電極パッド220と、制御回路230とを備える。基材210は略中央部に面発光レーザアレイ240及び周囲に複数の電極パッド220を有し、ひとつのチップを構成する。面発光レーザアレイ240には、レーザ素子100が二次元アレイ状に設けられている。それぞれの電極パッド220は面発光レーザアレイ240のそれぞれのレーザ素子100と配線によって接続されている。制御回路230は、基材210の外部に設けられる。制御回路230は、電極パッド220を通じて、面発光レーザアレイ240の各レーザ素子100の発光を制御する。つまり、制御回路230は、電極パッド220を介して、面発光レーザアレイ240の各レーザ素子100にバイアス電圧と変調電圧を印加する。レーザ素子100は、電圧の印加に応じてその上部から所定の波長のレーザ光を出射する。図8は、本発明の第4の実施形態に係る光モジュール300を示す。光モジュール300は、レーザ素子100と、光結合部310と、レーザ光を伝搬する光ファイバ330と、検出部340と、制御回路230と、保持部320とを備える。レーザ素子100は、保持部320に固定される。光結合部310は、プリズム状の三角柱形状を有する透明な樹脂から形成される。光結合部310は、レーザ素子100に対向する受光面と、光ファイバ330に対向する出射面と、受光面及び出射面と45度の角度で交わる反射面を有する。光結合部310は、レーザ素子100が出射したレーザ光を受光面で受け取り、反射面で反射し出射面から出射して光ファイバ330に結合させる。つまり、光結合部310は、レーザ素子100と光ファイバ330とを光学的に結合する。出射面から出射されたレーザ光は、光ファイバ330内を伝搬する。検出部340は、光結合部310の反射面を透過した光をモニターする。検出部340は光信号を電気信号に変換し制御回路230に送信する。制御回路230は、検出部340からの信号に基づいてレーザ素子100をフィードバック制御する。光結合部310は、レーザ素子100からのレーザ光を光ファイバ330の方向に反射させる、鏡面加工された反射膜であってもよい。また、光結合部310は、レーザ素子100からのレーザ光を、光ファイバ330に集光させるレンズであっても。例えばレーザ素子100および光ファイバ330が対向して配置される場合、光結合部310は、レーザ素子100および光ファイバ330の間に配置される。図9は、光モジュール300の他の例を示す。本例では、光ファイバ330の端面が光軸に対して略45度傾斜するように加工され光結合部310を構成している。端面には反射膜が形成され鏡面加工されている。レーザ素子100は、保持部320によって光結合部310の下方に位置するように位置決めされている。制御回路230により電圧が印加されると、レーザ素子100は上方に向かってレーザ光を出射する。出射されたレーザ光は光結合部310で反射されて光ファイバ330に結合し、光ファイバ330内を伝搬する。なお、光結合部310は、図8および図9に示した構成以外にも、多様な構成を採用できる。例えば光結合部310は、光ファイバ330の心線の一端を光ファイバ330の本体に対向させ、他端をレーザ素子100に対向して固定するハウジングを有する。図10は、本発明の第5の実施形態に係る光通信システム400を示す。光通信システム400は、2つの光送受信モジュール410-1、410-2を備える。2つの光送受信モジュール410-1、410-2は2本の光ファイバ330を介して接続される。光送受信モジュール410-1は、レーザ素子100を有する光モジュール300-1と、受光素子420-1を有する。光モジュール300-1はレーザ素子100が出射したレーザ光を、光ファイバ330を介して送信する。受光素子420-1は、光ファイバ330を介して送信された光信号を受信して、電気信号に変換する。光送受信モジュール420-2は、レーザ素子100を有する光モジュール300-2と、受光素子420-2を有する。光送受信モジュール420-2は、光モジュール300と受光素子420との位置関係が逆になっていることを除いて光送受信モジュール420-1と同様の構成を有する。図11は、本発明の第6の実施形態に係る光源500を示す。ここで、光源500として光ピックアップ用の光源を例に説明するが、これに限定されない。光源500は、レーザ素子100と、基板520と、回折格子530と、ハーフミラー540と、レンズ550と、検出部560と、制御回路230とを備える。レーザ素子100は基板520上に実装されている。レーザ素子100の上方にはハーフミラー540が設けられている。ハーフミラー540とレーザ素子100との間には回折格子530が設けられている。レンズ550はハーフミラー540で反射したレーザ光を外部の光記憶媒体510に集光する。検出部560はハーフミラー540を挟んでレンズ550と反対側に設けられている。制御回路230はレーザ素子100にバイアス電圧と変調電圧を印加する。レーザ素子100は、制御回路230からの電圧印加に応じて上部からレーザ光を出射する。ハーフミラー540は、回折格子530を通過したレーザ光をレンズ550の方向に反射する。レンズ550は、ハーフミラー540で反射したレーザ光を光記憶媒体510の所定の位置に集光させる。検出部560は、光記憶媒体510から反射した光を受光する。検出部560は受光した光信号を電気信号に変換する。変換された電気信号は、外部のパーソナルコンピュータ等に送信され情報の読み出しが行われる。レーザ素子100は光ピックアップ以外に、測量機器、レーザーポインター、光学マウスなどの光学機器、あるいはプリンタ、フォトレジストの走査露光用光源、レーザポンピング用光源および加工用ファイバレーザの光源等として用いてもよい。図12は、本発明の第7の実施形態に係る波長多重伝送システム600を示す。波長多重伝送システム600は、分波部630と、受信部640と、制御部610と、面発光レーザアレイ240と、合波部620とを備える。制御部610は、CPU、MPU、波長制御回路等を有する。面発光レーザアレイ240は発振波長が互いに異なるレーザ素子100を一次元または二次元のアレイ状に配列して構成される。制御部610は、面発光レーザアレイ240に駆動電力を与えるとともに、面発光レーザアレイ240を構成する各レーザ素子100に互いに異なる信号を与えて光信号を出力させる。合波部620は光ファイバにより伝送された各光信号を波長多重合波して一本の光ファイバに結合し、送信信号として通信対象に伝送する。分波部630は通信対象から光ファイバを介して伝送された波長多重合波された受信信号を波長ごとに分波し、各光信号を受信部640に伝送する。受信部640は複数の受光素子を有する。各受光素子は、各光信号を受光して電気信号に変換し、各電気信号を制御部610に伝送する。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。