第1の電極上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の上を含め前記第1の電極の上に圧電薄膜を形成する工程と、前記圧電薄膜の上に第2の電極を形成する工程と、前記圧電薄膜の前記犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、を備える、圧電薄膜素子の製造方法。平面視した際に、前記貫通孔の面積が、前記犠牲層の面積よりも小さくなるように前記貫通孔を形成する、請求項1に記載の圧電薄膜素子の製造方法。アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングにより前記貫通孔を形成する、請求項1または2に記載の圧電薄膜素子の製造方法。ウエットエッチングにより前記犠牲層を除去する、請求項1~3のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子の製造方法。前記犠牲層は酸化亜鉛からなる、請求項1~4のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子の製造方法。前記圧電薄膜は、アルカリニオブ酸系化合物膜を主とする材料からなる、請求項1~5のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子の製造方法。前記圧電薄膜は、ペロブスカイト型構造を有するアルカリニオブ酸系化合物膜を主とする材料からなる、請求項6に記載の圧電薄膜素子の製造方法。このような圧電薄膜素子では、下部電極を外部素子などと接続するために、エッチングにより圧電薄膜に貫通孔を設けることが考えられる。ところが、ニオブ酸カリウムナトリウムのようなアルカリニオブ酸系化合物を主とする材料からなる圧電薄膜は、エッチング液に溶解しにくいため、圧電薄膜のウエットエッチングは困難である。また、アルカリニオブ酸系化合物を主とする材料からなる圧電薄膜は、反応性ガスを用いたドライエッチングによってもエッチングしにくい。よって、アルカリニオブ酸系化合物を主とする材料からなる圧電薄膜に貫通孔を設ける方法としては、アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングやイオンミリングなどが考えられる。アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングにより圧電薄膜に貫通孔を形成する場合、下部電極を確実に露出させるためには、下部電極における外部素子などと接続される部分の上に形成された圧電薄膜を確実に除去する必要がある。しかしながら、アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングでは、圧電薄膜と下部電極とのエッチングの選択比を十分に大きくすることはできない。このため、圧電薄膜だけではなく下部電極まで削り取られてしまい、下部電極が断線してしまうという問題が発生する。このような問題を解決するために、下部電極を厚くすることが考えられる。しかしながら、圧電薄膜素子において、下部電極が厚くなると、さまざまな問題が生じ得る。例えば、厚い下部電極は、圧電薄膜と基板との機械的結合を妨げる。これにより、圧電薄膜素子の振動が阻害される。また、下部電極が厚くなると下部電極と基板との段差が大きくなるため、圧電薄膜の結晶性が悪くなり、圧電薄膜素子の特性が劣化することがある。また、下部電極が厚くなることに伴い、製造プロセスが長くなると、製造コストが上がる。特に、下部電極がPtなどの貴金属により形成されている場合には、下部電極を厚くすると、材料コストも上がる。本発明は、圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供することを主な目的とする。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法では、第1の電極上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する。犠牲層の上を含め第1の電極の上に圧電薄膜を形成する。圧電薄膜の上に第2の電極を形成する。圧電薄膜の犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔を形成する。犠牲層を除去する。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法のある特定の局面では、平面視した際に、貫通孔の面積が、犠牲層の面積よりも小さくなるように貫通孔を形成する。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法の別の特定の局面では、アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングにより貫通孔を形成する。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法の他の特定の局面では、ウエットエッチングにより犠牲層を除去する。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法のさらに他の特定の局面では、犠牲層は酸化亜鉛からなる。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法のさらに別の特定の局面では、圧電薄膜は、アルカリニオブ酸系化合物膜を主とする材料からなる。本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法のまた他の特定の局面では、圧電薄膜は、ペロブスカイト型構造を有するアルカリニオブ酸系化合物膜を主とする材料からなる。本発明によれば、圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。図1は、本実施形態に係る圧電薄膜素子の製造方法により得られる圧電薄膜素子を示す略図的断面図である。図2~図6のそれぞれは、本実施形態に係る圧電薄膜素子の製造方法を説明するための略図的断面図である。以下、図1~図6を参照しながら、本実施形態に係る圧電薄膜素子1の製造方法について説明する。図1に示すように、本実施形態の製造方法により得られる圧電薄膜素子1は、基板2を有する。基板2の上には、第1の電極3が配置されている。第1の電極3は下部電極である。第1の電極3の上には、圧電薄膜4が配置されている。圧電薄膜4の上には、第2の電極5が配置されている。第2の電極5は上部電極である。圧電薄膜4には、第1の電極3の表面の一部が露出するように開口する貫通孔4aが形成されている。貫通孔4aは、圧電薄膜4における第2の電極5が形成されていない部分の少なくとも一部に形成されている。貫通孔4aは、第1の電極3を外部素子などと接続するために設けられている。圧電薄膜素子1を製造するに際しては、図2に示すように、まず基板2を準備する。基板2を構成する材料は特に限定されない。基板2を構成する材料としては、例えばシリコン;低温焼成セラミックスLTCC、Al2O3などの絶縁性セラミックス;LiTaO3、LiNbO3、水晶などの圧電単結品;SiC、GaAs、GaNなどの半導体;ガラスなどが挙げられる。基板2の厚さは、通常50μm~500μm程度である。基板2がシリコンからなる場合、基板2の表層には、基板2を熱処理することにより形成された熱酸化物層が形成されていてもよい。熱酸化物層の厚さは、通常100nm~1000nm程度とすることができる。熱酸化物層は、基板2の両表層に形成されていてもよい。次に、図3に示すように、基板2上に、第1の電極3を形成する。第1の電極3は、例えばスパッタリング法や蒸着法などの成膜方法により形成することができる。第1の電極3を構成する材料としては、例えばPt、Au、Ag、Ru、Ir、Cu、Ti、Alなどの金属、これらの金属のうちの少なくとも一種を主成分とする合金などが挙げられる。第1の電極3は、単一の材料から構成されていてもよいし、複数の材料から構成されていてもよい。また、第1の電極3は、異なる材料からなる層が複数積層された積層体により構成されていてもよい。本実施形態では、第1の電極3は、酸化チタン層と、酸化チタン層の上に形成されたPt層からなる積層金属膜により形成されている。次に、図4に示すように、第1の電極3の一部の上に、犠牲層6を形成する。犠牲層6は、例えばスパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。犠牲層6は、後述のエッチング工程において、圧電薄膜4と同等または圧電薄膜4よりもエッチングされにくい材料からなることが好ましい。また、犠牲層6は、ウエットエッチングや反応性ガスを用いたドライエッチングなどの選択性の高いエッチング方法により容易にエッチングできるものであることが好ましい。このような観点から、犠牲層6を構成する材料の好ましい例としては、酸化亜鉛が挙げられる。犠牲層6は、酸化亜鉛により構成されることが好ましい。犠牲層6の厚さは、通常1μm~3μm程度であり、1μm~2μm程度であることが好ましい。犠牲層6が厚すぎると、犠牲層6の周辺の圧電薄膜4に亀裂が生じる場合がある。また、犠牲層6が薄すぎると、圧電薄膜4に貫通孔4aを形成する際、圧電薄膜4だけではなく、犠牲層6、さらには第1の電極3まで削り取られてしまう可能性がある。次に、図5に示すように、犠牲層6の上を含め、第1の電極3の上に圧電薄膜4を形成する。圧電薄膜4は、例えば高周波スパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。圧電薄膜4を構成する材料としては、例えばアルカリニオブ酸系化合物などが挙げられる。アルカリニオブ酸系化合物は、ペロブスカイト型構造を有するアルカリニオブ酸系化合物であることが好ましい。また、アルカリニオブ酸系化合物は、カリウム、ナトリウム及びニオブを含むニオブ酸カリウムナトリウム系化合物であることが好ましい。ニオブ酸カリウムナトリウム系化合物としては、例えば下記一般式1で表される化合物が挙げられる。K1-a-b/2Naa-b/2AbNb1-cBcO31一般式1において、Aは、Li、Ag、Ca、Sr、Bi及びGdからなる群から選択された少なくとも1種の元素である。Bは、Ta、Zr、Ti、Al、Sc及びHfからなる群から選択された少なくとも1種の元素である。a、b及びcは、0<a≦0.9、0≦b≦0.3、0≦ab≦0.9、0≦c≦0.3の条件を満たす数である。なお、圧電薄膜4を構成する材料が、上記一般式1で表されるニオブ酸カリウムナトリウム系化合物である場合、圧電薄膜4を形成するための高周波スパッタリング法は、基板2の温度が500°C~700°C程度、O2の分圧/Arの分圧O2の分圧=0.1、スパッタ圧力が0.3Pa程度となるようにして行うことが好ましい。圧電薄膜4の厚さは、通常1μm~3μm程度であり、2μm~3μm程度であることが好ましい。次に、図6に示すように、圧電薄膜4の上に、第2の電極5を形成する。具体的には、圧電薄膜4の犠牲層6の上に位置している部分を除いた部分の少なくとも一部の上に、第2の電極5を形成する。第2の電極5は、例えば蒸着法などの成膜方法を利用したリフトオフ法により形成することができる。なお、第2の電極5を形成する前に、高速熱処理装置RTA装置:RapidThermalAnnealing装置などによって圧電薄膜4のをアニール処理してもよい。第2の電極5を構成する材料としては、例えばPt、Au、Ag、Ru、Ir、Cu、Ti、Alなどの金属、これらの金属のうちの少なくとも一種を主成分とする合金などが挙げられる。第2の電極5は、単一の材料から構成されていてもよいし、複数の材料から構成されていてもよい。また、第2の電極5は、異なる材料からなる層が複数積層された積層体により構成されていてもよい。第2の電極5と第1の電極3とは、同じ材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。本実施形態では、第2の電極5は、Ptにより形成されている。次に、図1に示すように、圧電薄膜4の犠牲層6の上に位置する部分の少なくとも一部に、貫通孔4aを形成する。貫通孔4aは、例えばアルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングにより形成することができる。次に、貫通孔4aを通じて、犠牲層6を除去し、第1の電極3の表面の一部を露出させる。犠牲層6を除去する方法は、特に限定されない。犠牲層6の除去は、例えばウエットエッチング、反応性ガスを用いたドライエッチングなどの方法により行うことができる。平面視において、貫通孔4aの面積が犠牲層6の面積よりも小さくなるように貫通孔4aを形成することが好ましい。このようにすることによって、第1の電極3が、貫通孔4aを形成する際のエッチングにより損傷することを抑制することができる。ところで、上述の通り、圧電薄膜に貫通孔を形成する場合、下部電極を確実に露出させるため、下部電極における外部素子などと接続される部分の上に形成された圧電薄膜を確実に除去する必要がある。しかしながら、アルゴンを主成分とするエッチングガスを用いるドライエッチングでは、圧電薄膜と下部電極とのエッチングの選択比を十分に大きくすることができない。このため、圧電薄膜だけでなく下部電極まで削り取られてしまうという問題が発生する。例えば、特許文献1などに記載されているように、圧電薄膜は、通常1~3μm程度の厚さを有し、下部電極は、通常100~200nm程度の厚さを有する。圧電薄膜に貫通孔を形成する場合、圧電薄膜を確実に除去するためには、圧電薄膜の厚さの20程度を超えて、圧電薄膜をエッチングすることが好ましい。この場合、例えば圧電薄膜の厚さを2μmとすると、圧電薄膜の厚さの20は0.4μmとなり、圧電薄膜だけではなく下部電極もエッチングされる。従って、下部電極に貫通孔が形成されてしまい、下部電極を外部素子などと接続することができない上に、下部電極が断線してしまうことがある。それに対して、本実施形態では、圧電薄膜4の犠牲層6の上に位置する部分の少なくとも一部に、貫通孔4aを形成する。このため、圧電薄膜4を確実に除去するために圧電薄膜4の厚さを超えてエッチングを行った場合であっても、圧電薄膜4の下方に位置する犠牲層6がエッチングされるにとどまる。よって、犠牲層6の下方に位置する第1の電極3がエッチングされることを防止することができる。また、貫通孔4aを形成した後に残存した犠牲層6は、ウエットエッチングや反応性ガスを用いたドライエッチングなどの選択性の高いエッチング方法により、第1の電極3や圧電薄膜4を大きく損傷させることなく容易に除去することができる。従って、第1の電極3の表面の一部が露出するように開口する貫通孔4aを有する圧電薄膜素子1を好適に製造することができる。特に、犠牲層6が酸化亜鉛により構成されている場合、犠牲層6は、貫通孔4aを形成するためのドライエッチングによって除去されにくい一方、ウエットエッチングにより容易に選択的に除去することができるため、より好ましい。また、犠牲層6が酸化亜鉛により構成されている場合、成膜温度が高い圧電薄膜4を成膜する際に犠牲層6が高温にさらされたとしても、犠牲層6から第1の電極3や圧電薄膜4への熱拡散はほとんど起こらない。よって、第1の電極3の抵抗値が大きくなったり、圧電薄膜4の結晶性が悪くなるといった問題は起こりにくい。さらに、犠牲層6が酸化亜鉛により構成されている場合、犠牲層6の表面上に圧電薄膜4を好適に成長させることができる。よって、圧電薄膜4の犠牲層6の上に位置する部分の結晶性の劣化を防止することができる。その結果、圧電薄膜4の犠牲層6の上に位置する部分の圧電特性の低下を抑制することができる。従って、圧電特性に優れた圧電薄膜素子1を得ることができる。なお、本実施形態においては、第2の電極5を形成した後に、圧電薄膜4に貫通孔4aを形成する例について説明した。ただし、本発明は、これに限定されない。本発明においては、圧電薄膜に貫通孔を形成した後に、第2の電極を形成してもよい。また、犠牲層を除去してから、第2の電極を形成してもよい。本実施形態では、犠牲層6の全体を除去した例について説明した。ただし、本発明は、これに限定されない。貫通孔が第1の電極の表面の一部が露出するように開口している限りにおいて、犠牲層の一部が圧電薄膜素子に残存していてもよい。