窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハであって、Si基板上にMOCVDで順次積層されたAlN下地層、AlxGa1-xN0.6≦x<1のモフォロジー改善層、AlGaNバッファ層を含み、前記モフォロジー改善層は熱拡散を利用して平滑化された上面を有することを特徴とするウエハ。前記AlGaNバッファ層は順に積層されたAlxGa1-xN0.6≦x<1の第1サブバッファ層、AlyGa1-yN0<y<xの第2サブバッファ層、AlzGa1-zN0<z<yの第3サブバッファ層を含む多層バッファ層であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ。前記バッファ層上にMOCVDで順に積層された窒化物半導体チャネル層と窒化物半導体電子供給層をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のウエハ。前記チャネル層はGaNからなり、前記電子供給層はAlGaNからなることを特徴とする請求項3に記載のウエハ。窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法であって、Si基板上に、AlN下地層、AlxGa1-xN0.6≦x<1のモフォロジー改善層、およびAlGaNバッファ層を順にMOCVDによって積層する工程を含み、前記モフォロジー改善層は第1の基板温度においてIII族元素用原料ガスとV族元素用原料ガスを供給することによって堆積され、その後に前記第1の基板温度より高い第2の基板温度においてIII族元素用原料ガスの供給を停止してV族元素用原料ガスのみを供給することによって熱拡散を生じさせ、これによって前記モフォロジー改善層の上面が平滑化されることを特徴とする製造方法。前記AlGaNバッファ層は多層バッファ層であって、AlxGa1-xN0.6≦x<1の第1サブバッファ層、AlyGa1-yN0<y<xの第2サブバッファ層、AlzGa1-zN0<z<yの第3サブバッファ層を順に積層することによって形成されることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。前記バッファ層上に窒化物半導体チャネル層と窒化物半導体電子供給層とが順にMOCVDによってさらに積層されることを特徴とする請求項5または6に記載の製造方法。前記チャネル層はGaNからなり、前記電子供給層はAlGaNからなることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。Si基板を用いて高品質のGaN層をエピタキシャル成長させるためには、Si基板とGaN層とが反応を生じやすいという理由から、特許文献1および2におけるように、一般的にSi基板上にAlN下地層を形成する必要がある。しかし、AlN結晶は粒状成長しやすい特性を有するので、AlN層を堆積させる際に、AlN層の表面に凹凸が形成されやすい傾向にある。その結果、AlN下地層上にAlGaN層を成長せる場合に、AlN下地層の表面凹凸に起因して、AlGaN層の上面の平滑性が悪化することが考えられる。図2は、MOCVD有機金属化学気相堆積装置を用いてSi基板上にAlN下地層とAl0.7Ga0.3N層を順に積層させた場合において、Al0.7Ga0.3N層の表面のSEM走査型電子顕微鏡写真を示している。このSEM写真の底部に示された白い線分のスケールは、1μmの長さを示している。図2において観察されるように、AlN下地層上にAl0.7Ga0.3N層を成長させた場合には、Al0.7Ga0.3N層の表面に多くの窪みが形成されていることが確認できる。図3は、Si基板上にAlN下地層、Al0.7Ga0.3N層、およびAl0.4Ga0.6N層を順に積層した場合において、その積層の断面を示すTEM透過型電子顕微鏡写真である。このTEM写真の底部に示された10目盛のスケールの全長は、2μmの長さを表している。図3において観察されるように、最上層であるAl0.4Ga0.6N層の表面にV字状の大きな欠陥窪みが生じていることが分かる。図4は、図3に示されたV字状欠陥を拡大して示すTEM写真である。このTEM写真の底部に示された10目盛のスケールの全長は、300nmの長さを表している。図4において観察されるように、Al0.7Ga0.3N膜の表面窪みはその上のAl0.4Ga0.6N層の成長によって埋められているが、その窪みを引継いでAl0.4Ga0.6N層の表面にV字状の大きな欠陥が生じていることが分かる。すなわち、下層の上面の窪みが上層の上面V字欠陥形成の原因となっていることが分かる。図5は、Si基板上にAlN下地層、Al0.7Ga0.3N層、Al0.4Ga0.6N層、Al0.1Ga0.9N層、およびGaN層を順に積層し場合に、その積層の破断断面を示すSEM写真である。このSEM写真の底部に示された白い線分のスケールは、100nmの長さを示している。図5において観察されるように、最上層であるGaN層の表面にV字状の大きな欠陥窪みが生じていることが分かる。図3と4に関連して述べたように、Al0.4Ga0.6N層にV字状の大きな欠陥が生じたのと同様の理由で、GaN層中に生じたV字状欠陥も下層の上面窪みに起因して生じていると考えられる。以上のような結果から、AlN下地層上にAlGaN層を成長させた際に形成されるAlGaN層の上面窪みが、GaN層の表面におけるV字状欠陥形成の原因となっているといえる。そして、それらのV字状欠陥は、窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハにおいては重大な欠陥となる。ところで、一般的にAlGaN層は、GaN層に比べて横方向成長しにくく、とくにそのAl組成比が大きくなるほど横方向成長しにくくなる。したがって、AlGaN層のAl組成比が小さいほどAlN下地層の表面窪みを埋めやすいと考えられ、逆にAlGaN層のAl組成比が大きいほどAlN下地層の表面窪みを埋めることが難しいと考えられる。したがって、特許文献1において特にAlN下地層上にAl0.8Ga0.2N層を成長させた場合には、AlN下地層上にAl0.7Ga0.3N層を成長させた場合の図2の観察結果と同様に、Al0.8Ga0.2N層の表面にはAlN下地層の窪みに起因する表面粗さが生じると考えられる。その結果、それらの表面窪みを含むAlGaN層上に形成されるGaN層の上面にはV字状の大きな欠陥が生じると考えられる。特許文献2においては、AlN下地層上にAl0.26Ga0.74N層を形成している。その特許文献2自体は述べていないが、横方向成長しやすいAl組成比の小さいAl0.26Ga0.74N層を積層することによって、AlN下地層の表面凹凸をマスクして平坦化できていると考えられる。他方、AlN下地層の格子定数がSi基板に比べて小さいことに起因するエピタキシャルウエハの反りを低減させる観点からは、AlN下地層上に形成するAlxGa1-xN層0<x<1のAl組成比xは大きい方が好ましい。なぜならば、そのAlxGa1-xN層上に積層されるAlyGa1-yN層0≦y<xとの格子定数差が大きいほどすなわちAl組成比差x-yが大きいほど、格子定数差に起因するウエハの反りを全体として低減させることができるからである。換言すれば、AlN下地層上に形成するAlxGa1-xN層0<x<1のAl組成比xが小さい場合は、そのAlxGa1-xN層0<x<1上に積層するAlyGa1-yN層0≦y<xとの格子定数差Al組成比差x-yによる応力が小さくなり、ウエハの反りを低減させる応力が小さくなるので好ましくない。このような理由から、Si基板とAlN下地層との格子定数差に起因するウエハの反りを低減させるためには、AlN下地層に接して高いAl組成比のAlGaN層を形成するのが望ましい。しかし、前述のように、高いAl組成比のAlGaN層は、横方向成長しにくいので、AlN下地層の表面に形成された凹凸をマスクして平坦化することは困難である。そこで、本発明の主要な目的は、Si基板上のAlN下地層の上面における凹凸をマスクするように平滑な上面を有する高Al組成比のAlGaN層形成し、AlN下地層の上面凹凸に起因するV字欠陥を上表面に含まない窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハを提供する。本発明の1つの態様によれば、窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハは、Si基板上にMOCVDで順次積層されたAlN下地層、AlxGa1-xN0.6≦x<1のモフォロジー改善層、AlGaNバッファ層を含み、そのモフォロジー改善層は熱拡散を利用して平滑化された上表面を有することを特徴としている。本発明のもう1つの態様によれば、窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法は、Si基板上に、AlN下地層、AlxGa1-xN0.6≦x<1のモフォロジー改善層、およびAlGaNバッファ層を順にMOCVDによって積層する工程を含み、そのモフォロジー改善層は第1の基板温度においてIII族元素用原料ガスとV族元素用原料ガスを供給することによって堆積され、その後に第1の基板温度より高い第2の基板温度においてIII族元素用原料ガスの供給を停止してV族元素用原料ガスのみを供給することによって熱拡散生じさせ、これによってモフォロジー改善層の上面が平滑化されることを特徴としている。なお、AlGaNバッファ層は順に積層されたAlxGa1-xN0.6≦x<1の第1サブバッファ層、AlyGa1-yN0<y<xの第2サブバッファ層、AlzGa1-zN0<z<yの第3サブバッファ層を含む多層バッファ層であることが好ましい。本発明によれば、モフォロジー改善層の上面が平滑化されているので、その上のバッファ層も平滑な上面を有し、上面にV字状欠陥を含まないエピタキシャルウエハを窒化物半導体デバイス用に提供することができる。また、バッファ層を多層バッファ層で形成した場合に、全体として特に反りが低減された平坦なエピタキシャルウエハを提供することができる。<構造>図1は、本発明の一実施形態による窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハの積層構造を示す模式的断面図である。なお、この模式図において、各層の厚さは図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。図1のウエハ10は、Si基板1上においてMOCVDを利用して順次積層されたAlN下地層2、AlxGa1-xN0.6≦x<1からなるモフォロジー改善層3、多層バッファ層4、窒化物半導体チャネル層5、および窒化物半導体電子供給層6を含んでいる。Si基板1の上方において良好な結晶性のGaN層を成長させるためには、Siの111面を基板面として用いることが望ましい。また、Si基板とGaN層が直接接して反応することがないように、下地層2としては障壁の役割が求められ、前述のようにGaを含まないAlN下地層を形成することが望ましい。モフォロジー改善層3は、下地層2の上面に形成されている凹凸の窪みを埋めて、ウエハの上面の平滑性を向上させる役割を担う。具体的には、上述のようにAlxGa1-xN0.6≦x<1が、モフォロジー改善層3として用いられる。このモフォロジー改善層3は、層成長させられた後に、層成長をともなうことなく熱拡散を利用して表面が平滑化された層である。図1の場合、多層バッファ層4において、AlxGa1-xNモフォロジー改善層3のAl組成比xと同一のAl組成比xを有する第1のAlGaNサブバッファ層41、Al組成比yを有する第2のAlGaNサブバッファ層42、およびAl組成比zを有する第3のサブバッファ層43が順に積層されている。そして、これらの第1、第2、および第3のサブバッファ層のAl組成比x、y、およびzは、x>y>zの関係を満たすように設定されている。すなわち、多層バッファ層4において、上層のサブバッファ層ほど小さなAl組成比を有している。なお、AlxGa1-xNモフォロジー改善層3および第1のAlxGa1-xNサブバッファ層41のAl組成比xは大きい方が好ましい。なぜならば、前述のように、第1のAlxGa1-xNサブバッファ層とその上に積層される第2のAlyGa1-yNサブバッファ層0≦y<xとの格子定数差が大きいほど、その格子定数差に起因してウエハの反りを低減させる応力が大きくなるからである。すなわち、第1のAlxGa1-xNサブバッファ層と第2のAlyGa1-yNサブバッファ層とのAl組成比の差x-yが大きいほど、ウエハの反りが低減され得る。図1の窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハはバッファ層4上にチャネル層5と電子供給層6を含み、このウエハはヘテロ接合FET電界効果トランジスタの作製に用いられることが想定されている。このチャネル層5の材料としては、例えばGaN、AlGaN、InGaN、AlGaInNなどを用いることができる。電子供給層6の材料としても、窒化物系化合物半導体が用いられ得る。なお、チャネル層5の格子定数a1と電子供給層6の格子定数a2とはa1>a2の関係を満たし、チャネル層5のバンドギャップEg1と電子供給層6のバンドギャップEg2とはEg1<Eg2の関係を満たす。これらの格子定数とバンドギャップの関係を満たせば、電子供給層6の材料は特には限定されない。例えば、チャネル層5にGaNを使用した場合には、電子供給層6にはAlGaN、AlNなどが使用することができる。また、チャネル層5にInGaNを使用した場合には、電子供給層にはGaNなどを使用でき、さらにチャネル層5にInNを使用した場合には、電子供給層6にはGaN、InGaNなどを使用することができる。<製造方法>図1に示す断面構造を有する窒化ガリウム系のエピタキシャルウエハ10は、MOCVD法を利用して、以下のように製造することができる。まず、Si基板1上に、AlN下地層2を形成する。続いてAlN下地層2上に、AlxGa1-xN0.6≦x<1からなるモフォロジー改善層3をMOCVDと熱拡散を利用して形成する。ここで、モフォロジー改善層3を形成する方法について、より詳細に説明する。まず、Si基板上1にAlN下地層2を形成した際に、堆積するAlN結晶は粒成長しやすい特性を有するので、AlN下地層2の表面に凹凸が形成される。したがって、そのような表面凹凸を有するAlN下地層2上に高いAl組成比のAlxGa1-xN0.6≦x<1モフォロジー改善層3をMOCVDで成長させれば、そのAlN下地層2の表面凹凸に起因して、成長したモフォロジー改善層の表面は図2に示されているような多くの窪みを含んでいる。そこで、モフォロジー改善層を成長させた後に、熱拡散を利用して、モフォロジー改善層の表面における多くの窪みを埋め込んで平滑化するのである。具体的には、モフォロジー改善層を成長させた後に、III族元素源となるTMGトリメチルガリウムとTMAトリメチルアルミニュウムを全く供給せずに、キャリアガスである窒素ガスもしくは水素ガスとV族元素源であるアンモニアNH3ガスを供給した状態で基板温度が上昇させられる。こうすれば、モフォロジー改善層の表面でAlxGa1-xN0.6≦x<1が一旦熱分解され、Ga原子、Al原子、またはAlGaN分子が層表面または層表面近傍で拡散移動する過程において、表面エネルギーが低い窪み部分で固体中に再び取り込まれて再結合し、こうして窪みが埋め込まれると考えられる。その結果、モフォロジー改善層3の表面が窪みを含まない平滑面に変換されると考えられる。なお、モフォロジー改善層3の表面を平滑化するための熱分解、熱拡散、および窪み部における再結合を制御する条件としては、基板温度、雰囲気圧力、加熱処理中における供給ガスの供給量および供給比率などが挙げられる。すなわち、モフォロジー改善層の平滑化の速度は、基板温度、雰囲気圧力、加熱処理中における供給ガスの供給量および供給比率などにより変化する。例えば、基板温度が高くなるほど熱分解と熱拡散が促進され、雰囲気圧力が高くてNH3ガスの比率が大きいほど分解が抑制されまた再結合が促進される傾向になる。上述のようにして表面が平滑化されたモフォロジー改善層3上には、前述のように多層バッファ層4、チャネル層5、および電子供給層6が順にMOCVDによって形成される。こうして、窒化ガリウム系のエピタキシャルウエハ10が作製され得る。以下において、図1を参照しつつ、本発明の一実施例による窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハの作製についてより具体的に説明する。Si基板1の111面上において、厚さ180nmのAlN下地層2が、基板温度1100°CのもとでMOCVDによって成長させられた。なお、原料としては、アンモニアガスとTMAが使用された。AlN下地層2上には、原料としてアンモニアガス、TMG、およびTMAを用いて、厚さ0.1μmのAl0.7Ga0.3Nのモフォロジー改善層3が成長させられた。この成長時において、基板温度は1100°Cとし、ガス圧力は13.3kPaとした。続いて、TMGおよびTMAの供給を止め、キャリアガスとアンモニアのみを引き続き供給し、基板温度を1200°Cに上昇させ、ガス圧力を13.3kPaに維持した状態で、10分間の加熱反応によって、モフォロジー改善層3の表面の平滑化を行った。図6は、こうして形成されたAl0.7Ga0.3Nモフォロジー改善層3の平滑な表面を示すSEM写真である。なお、このSEM写真における白い三角のマークはSEM写真の焦点合わせのための目印である。また、この写真の底部に示された白い線分のスケールは、1μmの長さを示している。この図6と前述の図2との比較から明らかなように、本実施例によるモフォロジー改善層3の表面は極めて平滑であることが分かるであろう。Al0.7Ga0.3Nモフォロジー改善層3上には、厚さ0.3μmのAl0.7Ga0.3N第1サブバッファ層41、厚さ0.4μmのAl0.4Ga0.6N第2サブバッファ層42、厚さ0.7μmのAl0.1Ga0.9N第3サブバッファ層43が、基板温度1150°Cとガス圧力13.3kPaの条件のもとで積層され、これによって多層バッファ層4が形成された。多層バッファ層4上には、基板温度1100°Cのもとで、GaNからなるチャネル層5格子定数a1=0.3189nm、Eg1=3.42eVが2μmの厚さに成長させられた。その上に、基板温度1100°Cのもとで、Al0.2Ga0.8Nからなる電子供給層6a2=0.3166nm、Eg2=4.02eVが、20nmの厚さに成長させられた。以上のようにモフォロジー改善層3を含めた結果として、多層バッファ層4、GaNチャネル層5、およびAlGaN電子供給層を含む積層膜中にV字状欠陥は生じなかった。さらには、AlxGa1-xNの第1サブバッファ層41とAlyGa1-yN0≦y<xの第2サブバッファ層42とのAl組成比の差x-yが大きいのですなわち格子定数差が大きいので、Si基板1とAlN下地層2との格子定数差に起因する反りを緩和させる応力が大きくなり、その結果としてウエハ全体としての反りを無くすことができた。