複数の貫通電極を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一方の面に形成された有機絶縁膜と、前記シリコン基板の他方の面に形成され、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子とを有し、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に、切り欠き部が形成されているインターポーザ。前記切り欠き部は、前記複数の貫通電極のうち隣り合う貫通電極の間に形成されている請求項1に記載のインターポーザ。前記有機絶縁膜には配線が形成されており、前記切り欠き部は、前記配線と重ならない領域に形成されている請求項1又は2に記載のインターポーザ。前記有機絶縁膜は、積層膜からなり、前記切り欠き部は、前記積層膜のいずれか一つの前記有機絶縁膜に形成されている請求項1~3のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記切り欠き部は、前記積層膜のうち最上層の前記有機絶縁膜に形成されている請求項4に記載のインターポーザ。前記切り欠き部は、平面視形状が矩形状であり、前記貫通電極は、平面視形状が円形であり、前記切り欠き部の一辺は前記貫通電極の径より大きい請求項1~5のいずれか1項に記載のインターポーザ。前記切り欠き部は、前記複数の貫通電極のうち、前記シリコン基板の端部に位置する貫通電極と、当該貫通電極に隣接する他の貫通電極との間に形成されている請求項1~6のいずれか1項に記載のインターポーザ。請求項1~7のいずれか1項に記載のインターポーザと、前記インターポーザの前記シリコン基板に搭載された半導体素子と、前記シリコン基板を搭載するパッケージ基板とを備える半導体装置。シリコン基板上に複数の貫通電極を形成する工程と、前記シリコン基板の一方の面に有機絶縁膜を形成する工程と、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に切り欠き部を形成する工程と、前記シリコン基板の他方の面に、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子を形成する工程とを有するインターポーザの製造方法。前記切り欠き部を形成する工程では、前記複数の貫通電極のうち隣り合う貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成する請求項9に記載のインターポーザの製造方法。前記切り欠き部を形成する工程の後に、さらに、前記シリコン基板の厚みを薄くする工程を有する請求項9に記載のインターポーザの製造方法。前記切り欠き部を形成する工程の前に、さらに、前記有機絶縁膜に配線を形成する工程を有し、前記切り欠き部を形成する工程では、前記配線と重ならない領域に前記切り欠き部を形成する請求項9~11のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。前記有機絶縁膜を形成する工程では、前記有機絶縁膜を積層膜として形成し、前記切り欠き部を形成する工程では、前記積層膜のいずれか一つの前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成する請求項9~12のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。前記切り欠き部を形成する工程では、前記積層膜のうち最上層の前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成する請求項13に記載のインターポーザの製造方法。前記切り欠き部は、平面視形状が矩形であり、前記貫通電極は、平面視形状が円形であり、前記切り欠き部を形成する工程では、前記切り欠き部の一辺が前記貫通電極の径より大きくなるように前記切り欠き部を形成する請求項9~14のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。前記切り欠き部を形成する工程では、前記複数の貫通電極のうち、前記シリコン基板の端部に位置する貫通電極と、当該貫通電極に隣接する他の貫通電極との間に、前記切り欠き部を形成する請求項9~15のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。シリコン基板上に複数の貫通電極を形成する工程と、前記シリコン基板の一方の面に有機絶縁膜を形成する工程と、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に切り欠き部を形成する工程と、前記シリコン基板の他方の面に、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子を形成する工程と、前記複数の貫通電極、前記切り欠き部及び前記外部接続用端子が形成された前記シリコン基板を、パッケージ基板に搭載する工程と、前記シリコン基板に少なくとも一つの半導体素子を搭載する工程とを、有する半導体装置の製造方法。図9A及び図9Bに示される従来の半導体装置の構成では、インターポーザ4aにおいて、シリコン基板1aの表面に形成された多層の有機絶縁膜の厚さとシリコン基板1aの裏面に形成された有機絶縁膜の厚さとが異なるために反りが生じるという問題がある。この問題については、特許文献1においても指摘されている。本願発明者らは、インターポーザに反りが発生する原因について、さらに検討した結果、インターポーザの反りを誘起する最も大きな応力は、シリコン基板上に有機絶縁膜を形成するときにおいて当該有機絶縁膜に蓄積される応力であることをつきとめた。以下、この点について、図10A及び図10Bを用いて説明する。図10Aは、図9Aに示す従来の半導体装置において反りが発生する原因を説明するための断面図である。また、図10Bは、図10Aの破線で囲まれる領域Aの拡大図であり、インターポーザ4aのシリコン基板1aにクラックが発生する様子を示している。インターポーザを形成する際、ウエハ状態のシリコン基板1aの表面に有機絶縁膜の材料を溶解した溶液を塗布し、その後、350°C程度の温度で熱処理を施して有機絶縁膜を熱硬化させる。これを繰り返すことによって、図10Aに示すように、シリコン基板1aの表面に、3層の有機絶縁膜213a、223a、233aを形成する。この場合、熱硬化時に、有機絶縁膜213a、223a、233aが収縮して、内部応力110a、120a、130aが発生し、これらの応力の合成応力100aが収縮応力としてシリコン基板1aの内部に蓄積される。この蓄積された収縮応力が原因となって、特にウエハ状態でのシリコン基板1aの反りを誘起する。そして、図10Bに示すように、極端な場合にはシリコン基板1aにクラック200aが発生してシリコン基板1aが破損したり有機絶縁膜が211a、221a、231aが剥がれたりすることもある。また、この反りの原因となる収縮応力は、シリコンインターポーザをウエハ状態から切断ダイシングして個片化した後にも有機絶縁膜に内在することが分かった。なお、特許文献1には、シリコン基板の表面と裏面とに形成される有機絶縁膜の膜厚が異なることによって反りが発生することが指摘されている。しかし、仮にシリコン基板の裏面に、表面と同じ厚さの有機絶縁膜を形成したとしても、表面の有機絶縁膜中には金属配線が形成されているので、両面に蓄積される有機絶縁膜の応力を完全に一致させることは容易ではない。すなわち、シリコン基板の表面と裏面との有機絶縁膜の膜厚を単に同じにしただけでは、シリコンインターポーザの反りを解消することが難しい。本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、シリコン基板上の有機絶縁膜の内部応力よって引き起こされる反りを緩和するインターポーザ及び半導体装置並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係るインターポーザの一態様は、複数の貫通電極を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一方の面に形成された有機絶縁膜と、前記シリコン基板の他方の面に形成され、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子とを有し、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に、切り欠き部が形成されているものである。本態様によれば、シリコン基板に形成された有機絶縁膜に切り欠き部が形成されているので、有機絶縁膜の収縮による内部応力を緩和することができ、シリコン基板の両面の有機絶縁膜の厚さが異なっていたとしても、シリコン基板に反りやクラックが発生することを抑制することができる。また、本発明に係るインターポーザの一態様において、前記切り欠き部は、前記複数の貫通電極のうち隣り合う貫通電極の間に形成されていることが好ましい。本態様によれば、切り欠き部は、クラックの発生しやすい貫通電極の箇所ではなく、隣接する貫通電極同士の間に形成されているので、シリコン基板に反りやクラックが発生することを抑制することができる。また、本発明に係るインターポーザの一態様において、前記有機絶縁膜には配線が形成されており、前記切り欠き部は、前記配線と重ならない領域に形成されていることが好ましい。本態様によれば、金属配線の上に切り欠き部が形成されないので、金属配線の表面が露出しない。これにより、金属配線が酸化されることを防止することができる。また、本発明に係るインターポーザの一態様において、前記有機絶縁膜は、積層膜からなり、前記切り欠き部は、前記積層膜のいずれか一つの前記有機絶縁膜に形成されている構成とすることができる。この場合、前記切り欠き部は、前記積層膜のうち最上層の前記有機絶縁膜に形成されていることが好ましい。最上層以外の下層の有機絶縁膜に切り欠き部を形成すると、切り欠き部の上に有機絶縁膜を形成する時に、切り欠き部に有機絶縁膜が埋まらずにボイドが発生する可能性がある。これに対して、本態様にように、最上層に切り欠き部を形成することによって、ボイドが発生することを防止することができる。また、本発明に係るインターポーザの一態様において、前記切り欠き部は、平面視形状が矩形状であり、前記貫通電極は、平面視形状が円形であり、前記切り欠き部の一辺は前記貫通電極の径より大きいことが好ましい。本態様によれば、貫通電極の周囲の応力をさらに減少させることができる。また、本発明に係るインターポーザの一態様において、前記切り欠き部は、前記複数の貫通電極のうち、前記シリコン基板の端部に位置する貫通電極と、当該貫通電極に隣接する他の貫通電極との間に形成されている構成とすることができる。シリコン基板の端部にはより大きい内部応力が発生する。従って、本態様のように、シリコン基板の端部に切り欠き部を形成することによって、シリコン基板の内部応力を効果的に低減させることができる。また、本発明に係る半導体装置の一態様は、上記いずれかのインターポーザと、前記インターポーザの前記シリコン基板に搭載された半導体素子と、前記シリコン基板を搭載するパッケージ基板とを備えるものである。本態様によれば、有機絶縁膜に切り欠き部が形成されているので、シリコン基板の補強をするといった対策をしなくても、インターポーザのシリコン基板にクラックや反りが発生することを抑制することができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、シリコン基板上に複数の貫通電極を形成する工程と、前記シリコン基板の一方の面に有機絶縁膜を形成する工程と、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に切り欠き部を形成する工程と、前記シリコン基板の他方の面に、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子を形成する工程とを有するものである。本態様によれば、有機絶縁膜の熱硬化時やウエハのダイシング時等の製造工程中に生じる有機絶縁膜の収縮による内部応力を緩和することができる。これにより、インターポーザの製造工程にシリコン基板に反りやクラックが発生することを抑制することができる。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部を形成する工程では、前記複数の貫通電極のうち隣り合う貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成することが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部を形成する工程の後に、さらに、前記シリコン基板の厚みを薄くする工程を有することが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部を形成する工程の前に、さらに、前記有機絶縁膜に配線を形成する工程を有し、前記切り欠き部を形成する工程では、前記配線と重ならない領域に前記切り欠き部を形成することが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記有機絶縁膜を形成する工程では、前記有機絶縁膜を積層膜として形成し、前記切り欠き部を形成する工程では、前記積層膜のいずれか一つの前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成することが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部を形成する工程では、前記積層膜のうち最上層の前記有機絶縁膜に前記切り欠き部を形成することが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部は、前記積層膜のうち最上層の前記有機絶縁膜に形成されていることが好ましい。また、本発明に係るインターポーザの製造方法の一態様において、前記切り欠き部を形成する工程では、前記複数の貫通電極のうち、前記シリコン基板の端部に位置する貫通電極と、当該貫通電極に隣接する他の貫通電極との間に、前記切り欠き部を形成することが好ましい。また、本発明に係る半導体装置の製造方法の一態様は、シリコン基板上に複数の貫通電極を形成する工程と、前記シリコン基板の一方の面に有機絶縁膜を形成する工程と、前記貫通電極の間に位置する前記有機絶縁膜に切り欠き部を形成する工程と、前記シリコン基板の他方の面に、前記貫通電極と電気的に接続された外部接続用端子を形成する工程と、前記複数の貫通電極、前記切り欠き部及び前記外部接続用端子が形成された前記シリコン基板を、パッケージ基板に搭載する工程と、前記シリコン基板に少なくとも一つの半導体素子を搭載する工程とを、有するものである。本態様によれば、有機絶縁膜に切り欠き部が形成されたインターポーザを用いているので、製造工程中に生じる有機絶縁膜の収縮による内部応力を緩和することができる。これにより、シリコン基板の補強をするといった対策をすることなくインターポーザをパッケージ基板に接続したとしても、インターポーザのシリコン基板にクラックや反りを発生させることがなくなる。従って、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。本発明によれば、シリコン基板の応力を緩和することができるので、インターポーザに反りやクラックが発生することを抑制することができる。また、製造工程途中に有機絶縁膜が剥がれてしまうことを抑制することができる。また、シリコン基板の応力を緩和することで、シリコン基板を薄膜化することが可能となる。これにより、より小口径の貫通電極の形成することができるとともに、反りを緩和するためだけにシリコン基板の裏面に応力を緩和するための厚膜の有機絶縁膜を形成する必要もなくなり製造コストを低減することができる。以下、本発明に係るインターポーザ及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明する。実施の形態1まず、本発明の実施の形態1に係るインターポーザについて、図1A~図1Cを用いて説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1に係るインターポーザの構成を示す平面模式図である。図1Bは、図1AのX-X’線における断面模式図であり、図1Cは、図1Bの破線で囲まれる領域Aの拡大断面模式図である。図1A~図1Cに示すように、本発明の実施の形態1に係るインターポーザ4シリコンインターポーザは、電極パッドのピッチが異なる半導体素子とパッケージ基板との間に設けられる配線中継基板であって、複数の貫通電極10を有するシリコン基板1と、シリコン基板1の一方の面に形成された有機絶縁膜を含む配線層2と、シリコン基板1の他方の面に形成された外部接続用端子ハンダバンプ14又は電極パッド9とを有する。シリコン基板1は、例えば、一辺が8~30mm程度の正方形又は長方形の矩形状の基板である。シリコン基板1の厚さは30μm~200μmである。また、シリコン基板1は、薄化することが好ましい。これは、シリコン基板1の厚さを薄くすればするほど小口径の貫通孔11を容易に形成することができるからである。また、シリコン基板1を薄化することにより、貫通孔11のエッチング時に貫通断面のアスペクト比を大きくする必要がなくなるので、容易に貫通孔11を形成することができる。さらに、貫通孔11内に銅をメッキにより充填する工程において貫通孔11内にボイドが発生することを抑制したり、メッキに要する時間を短縮できたり、加工コストを低減したりすることもできる。なお、貫通孔11の内壁に絶縁膜を形成する際、貫通孔11の貫通断面のアスペクト比が大きいと、貫通孔11の底部近傍で絶縁膜が薄くなってしまう。インターポーザ4の中央領域におけるシリコン基板1の表面上には、複数の電極パッド3が設けられている。電極パッド3は、インターポーザ4と、インターポーザ4に搭載されるLSIチップ等の半導体素子不図示とを電気的に接続するための外部接続用端子である。各電極パッド3の径は、10μm~50μmであり、電極パッド3間のピッチは、20μm~80μmである。なお、図1Aにおいて、電極パッド3の数は、模式的に示されており、実際には数百個に及ぶ場合もある。また、LSIチップは、シリコン等の半導体基板を用いて構成されており、その大きさは、例えば3~10mm程度の正方形又は長方形である。LSIチップは、インターポーザ4の中央部に配置されることが好ましい。LSIチップとインターポーザ4とを電気的に接続する際、LSIチップの電極パッドとインターポーザ4の電極パッド3との間にハンダバンプを設けても構わない。また、インターポーザ4の全領域には、シリコン基板1を貫通する貫通電極10が複数個設けられている。貫通電極10は、シリコン基板1の表面の電極パッド3と裏面の電極パッド9とを電気的に接続する。なお、貫通電極10は、シリコン基板1の表面の配線と裏面の配線とを電気的に接続するように構成しても構わない。貫通電極10の径は、50μm~100μmであり、貫通電極10間のピッチは、電極パッド3のピッチよりも広く、100μm~200μmである。図1Cに示すように、貫通電極10は、シリコン基板1を貫通するように設けられた貫通孔11の内壁に絶縁膜252を形成し、その後、メッキ法により貫通孔11内に銅を充填することによって形成することができる。シリコン基板1の表面に設けられた配線層2は、シリコン基板1の表面の全面に形成された有機絶縁膜220と、有機絶縁膜220中に埋め込まれた金属配線210とからなる。有機絶縁膜220には、金属配線210の一部を露出させる開口が形成されており、この金属配線210の露出部分によって電極パッド3が構成されている。本実施の形態において、配線層2の厚さは10~30μmである。貫通電極と接続する金属配線210の幅は、100μm~200μmであり、厚さは3μm~20μmである。なお、図1B及び図1Cには、1つの電極パッド3と1つの貫通電極10との間の金属配線だけが図示されているが、他の電極パッド3と当該貫通電極10とについても金属配線によって接続されている。また、配線層2には、複数の切り欠き部30が形成されている。切り欠き部30は、隣り合う貫通電極10の間における有機絶縁膜220に形成されている。図1Aに示すように、本実施の形態における切り欠き部30の平面視形状はアスペクト比が大きい矩形であって、横幅が1~10μm程度で、縦長は貫通電極10の径と同程度か、それより大きくすることが好ましい。なお、切り欠き部30の横幅をさらに小さくしたとしても、有機絶縁膜220中の内部応力を分断することができるので、後述する本発明の効果への影響は小さい。また、本実施の形態のように、切り欠き部30は、有機絶縁膜220を貫通するようにスリットとして形成されることが好ましいが、シリコン基板1の表面に有機絶縁膜220の一部を残して凹溝として形成しても構わない。配線層2の有機絶縁膜220に蓄積する内部応力は、インターポーザ4の中央領域よりも周辺領域の方が大きくなるので、本実施の形態において、切り欠き部30は、有機絶縁膜220の周辺領域に形成している。なお、インターポーザ4の中央領域では金属配線210の密度が高いことと、中央領域での有機絶縁膜220の応力は比較的小さいこととから、本実施の形態では、敢えて中央領域には切り欠き部30を配置しない構成としている。もちろん、LSIチップの面積が大きい場合等には、インターポーザ4の中央領域にも切り欠き部30を形成することが好ましい。本実施の形態において、切り欠き部30は、金属配線210には形成されておらず、金属配線210と重ならない領域に形成されている。これは、金属配線210と重なるように切り欠き部30を形成すると、銅等からなる金属配線210の金属表面が露出し、金属配線210が酸化する等の不具合が発生するからである。また、シリコン基板1の裏面には、有機絶縁膜8が形成されるとともに、貫通電極10と対応するようにして複数の電極パッド9が設けられている。有機絶縁膜8には、電極パッド9を露出させる開口が形成されている。有機絶縁膜8の厚さは、シリコン基板1の表面の配線層2の厚さに対して、例えば2/3程度の厚さに薄くしている。電極パッド9は、ハンダバンプ14を介してインターポーザ4とインターポーザ4を搭載するパッケージ基板不図示とを電気的に接続するための外部接続用端子である。各電極パッド9には、外部素子と接続するための端子外部接続用端子であるハンダバンプ14が設けられている。本実施の形態において、ハンダバンプ14は、インターポーザ4の裏面側に配置されるパッケージ基板不図示の電極パッドと電気的に接続される。電極パッド9間のピッチは、貫通電極10と同程度であり、100μm~200μmである。また、電極パッド9の開口径は60μm~150μmであり、電極パッド9の厚さは10μm~30μmである。また、ハンダバンプ14の径は60μm~150μmである。なお、本実施の形態において、シリコン基板1の裏面には電極パッド9同士を接続する金属配線は形成されておらず、貫通電極10の開口を包含する大きさの電極パッド9金属配線210だけが形成されている。以上、本実施の形態に係るインターポーザ4によれば、配線層2の有機絶縁膜220に切り欠き部30が形成されている。これにより、有機絶縁膜220に蓄積される内部応力を緩和することができるので、シリコン基板1内の応力を緩和することができる。従って、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを抑制することができる。また、製造工程途中に有機絶縁膜220が剥がれてしまうことを抑制することができる。さらに、本実施の形態において、切り欠き部30は、一つの貫通電極10を囲むように形成されているので、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを一層抑制することができる。この点について、以下に説明する。一つの貫通電極10を囲むように切り欠き部30が形成されていると、シリコン基板1の表面の有機絶縁膜220には、当該貫通電極10に向かって収縮しようとする内部応力が発生する。一方、シリコン基板1の裏面の有機絶縁膜8は、シリコン基板1の裏面の全面を覆っているので、裏面の有機絶縁膜8には、シリコン基板1の中央に向かって収縮しようとする内部応力が発生する。また、裏面の有機絶縁膜8に発生する内部応力は、シリコン基板1の中央部よりも周辺部の方が大きくなる。従って、シリコン基板1の表面の有機絶縁膜220の内部応力と、裏面の有機絶縁膜8の内部応力とが足し合わされたシリコン基板1における合成応力は、切り欠き部30が形成されていない場合と比較して、減少することになる。また、インターポーザ4を製造する工程にはシリコン基板1を薄化する工程があり、シリコン基板1を薄化すると有機絶縁膜220に蓄積された応力によってシリコン基板1に僅かな反りが発生する。この反りに起因して、シリコン基板の1の内部の表面側には圧縮応力が発生するとともに裏面側には引っ張り応力これらを組み合わせた応力を曲げ応力と記載するが生じる。この曲げ応力の大きさが、シリコン基板1の材料が有する臨界破壊強度を超えると、シリコン基板1の内部にクラックが生じ、やがてシリコン基板1は割れてしまう。そして、シリコン基板1内に貫通電極10が形成されている場合には、貫通電極10の開口近傍で臨界破壊強度が低下するため、貫通電極10との境界を起点としてシリコン基板1にクラックが発生することがある。本実施の形態では、貫通電極10を囲むように有機絶縁膜220に切り欠き部30が形成されているので、当該曲げ応力を効果的に緩和することができる。このように、一つの貫通電極10を囲むように切り欠き部30を形成することによって、シリコン基板1の両面の有機絶縁膜220及び8によって発生する応力を効果的に緩和することができるとともに、シリコン基板1の薄化工程に発生する曲げ応力を効果的に緩和することができるので、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを一層抑制することができる。また、本実施の形態において、切り欠き部30は有機絶縁膜220を貫通するスリットであることが好ましい。これにより、表面の有機絶縁膜220は切り欠き部30によって分断されるので、収縮する有機絶縁膜220の体積が減少する。従って、切り欠き部30が形成されている場合に有機絶縁膜220に発生する内部応力は、切り欠き部30が形成されていない場合と比較して一層減少することになるので、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを一層抑制することができる。また、本実施の形態において、切り欠き部30のスリットの長さは、貫通電極10の径よりも大きいことが好ましい。これにより、貫通電極10の周囲の応力をさらに減少させることができる。なお、この場合、切り欠き部30のスリットの長さは、対向する両辺とも貫通電極10の径より大きくすることが好ましい。また、本実施の形態によれば、シリコン基板1の応力を緩和することができるので、クラックを発生させずにシリコン基板1を更に薄くすることもできる。シリコン基板1の更なる薄化は、貫通孔11を形成するコストを削減することができるとともに、貫通孔11の形成や貫通孔11への銅メッキの充填が容易に行えるため、貫通電極10の小口径化が可能となる。貫通電極10を小口径化することにより、インターポーザ4の有機絶縁膜220内の金属配線210を自由に引き回すための面積を増加させることができる。なお、本実施の形態に係るインターポーザの製造方法及び半導体装置の製造方法は、後述する実施の形態2における製造方法に準じて行うことができるので、その説明は省略する。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2に係るインターポーザ4Aについて、図2A~図2Cを用いて説明する。図2Aは、本発明の実施の形態2に係るインターポーザの構成を示す平面模式図である。図2Bは、図2AのX-X’線における断面模式図であり、図2Cは、図2Bの破線で囲まれる領域Aの拡大断面模式図である。なお、図2A~図2Cにおいて、図1A~図1Cに示される構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付しており、その説明は省略又は簡略化する。図2A~図2Cに示すように、本発明の実施の形態2に係るインターポーザ4Aは、複数の貫通電極10を有するシリコン基板1と、シリコン基板1の表面に形成された配線層2Aと、シリコン基板1の裏面に形成されたハンダバンプ14とを有する。本実施の形態に係るインターポーザ4Aが実施の形態1に係るインターポーザ4と異なる点は、シリコン基板1の表面に形成された配線層の構成であり、実施の形態1における配線層2は単層で構成されていたのに対し、本実施の形態における配線層2Aは複数層で構成されている。図2Cに示すように、本実施の形態において、配線層2Aは、第1配線層211、第2配線層221及び第3配線層231の3層によって構成されている。第1配線層211、第2配線層221及び第3配線層231の各配線層は、有機絶縁膜と金属配線とによって構成されている。具体的に、第1配線層211は、シリコン基板1上の全面に形成された有機絶縁膜213と、当該有機絶縁膜213中に埋め込まれた金属配線212とからなる。第2配線層221は、第1配線層211の有機絶縁膜213上の全面に形成された有機絶縁膜223と、当該有機絶縁膜223中に埋め込まれた金属配線222とからなる。第3配線層231は、第2配線層221の有機絶縁膜223上の全面に形成された有機絶縁膜233と、当該有機絶縁膜233中に埋め込まれた金属配線232とからなる。最上層の有機絶縁膜233には、金属配線232の一部を露出させる開口が形成されており、この金属配線232の露出部分によって電極パッド3が構成されている。電極パッド3と貫通電極10とは、第1配線層211、第2配線層221及び第3配線層231における金属配線212、222、232等によって電気的に接続されている。第1配線層211、第2配線層221及び第3配線層231において、各配線層の厚さは10μm~30μmであり、各金属配線の厚さは3μm~20μmである。各金属配線のうち貫通電極と接続する金属配線210の幅は100μm~200μmであり、金属配線222の幅は5μm~30μmである。なお、図2B及び図2Cには、1つの電極パッド3と1つの貫通電極10との間の金属配線だけが図示されているが、他の電極パッド3と当該貫通電極10とについても金属配線によって接続されている。また、本実施の形態において、最下層である第1配線層211の金属配線212は、貫通電極10上であって、貫通電極10を包含する領域に形成されている。最上層である第3配線層231の金属配線232は、インターポーザ4Aの表面の電極パッド3を構成している。また、中間層である第2配線層221の金属配線222は、第1配線層211の金属配線212と第3配線層231の金属配線232とを電気的に接続している。なお、上下の配線層の金属配線同士を電気的に接続するために、下層の配線層の有機絶縁膜には導電性材料によって構成された層間接続部240が設けられている。また、第3配線層231の金属配線232は、電極パッド3を形成するためだけに限定されることはなく、電極パッド3同士を接続する等の配線としても利用することができる。もちろん第1配線層211及び第2配線層221の金属配線212及び222もその他の配線として利用することができる。本実施の形態において、切り欠き部30は、最上層3層目の第3配線層231において、隣接する貫通電極10の間の有機絶縁膜233に形成されている。最上層の第3配線層231において、中央部には電極パッド3の開口が形成されており、周辺部には複数の切り欠き部30が形成されている。本実施の形態における切り欠き部30は、実施の形態1と同様に、平面視形状が矩形であって、横幅が1~10μm程度で、縦長は貫通電極10の径と同程度か、それより大きくすることが好ましい。なお、切り欠き部30の横幅をさらに小さくしたとしても、有機絶縁膜233中の内部応力を分断することができるので、本発明の効果への影響は小さい。また、本実施の形態における切り欠き部30は、第3配線層231を貫通して有機絶縁膜233の底面有機絶縁膜223の上面に達するスリットとして形成されることが好ましいが、第3配線層231の有機絶縁膜233の一部を残して凹溝として形成しても構わない。有機絶縁膜に蓄積する内部応力は、インターポーザ4Aの中央領域よりも周辺領域の方が大きくなるので、本実施の形態において、切り欠き部30は、第3配線層231における有機絶縁膜233の周辺領域に形成している。なお、インターポーザ4Aの中央領域では金属配線232の密度が高いことと、中央領域での有機絶縁膜233の応力は比較的小さいこととから、本実施の形態では、敢えて中央領域には切り欠き部30を配置しない構成としている。もちろん、LSIチップの面積が大きい場合等には、インターポーザ4Aの中央領域にも切り欠き部30を形成することが好ましい。本実施の形態において、第3配線層231は電極パッド3を形成するためにだけ利用されているが、上記の通り配線としても活用できる。この場合、銅等からなる金属配線232の上に切り欠き部30を形成すると、金属配線232の表面が露出し、金属配線232が酸化する等の不具合を発生することがある。従って、切り欠き部30は、金属配線232には形成されておらず、金属配線232と重ならない領域に形成することが好ましい。なお、切り欠き部30は、2層目の第2配線層221にも形成しても良いが、金属配線222は3層目の金属配線232との接続部以外は露出しない構造とすることが好ましい。換言すれば、層間接続部240を除いて、金属配線222の表面は有機絶縁膜によって保護されていることが望ましい。また、実施の形態1と同様に、切り欠き部30は、貫通電極10の周囲に配置することが好ましい。切り欠き部30を貫通電極10の周囲に配置することにより、シリコン基板1の反りやクラックの発生を効果的に抑制することができる。また、本実施の形態において、貫通電極10と電極パッド3とは複数の金属配線によって電気的に接続されるので、各配線層の有機絶縁膜は極力残すように形成することが好ましい。これにより、金属配線の表面を保護することができる。但し、切り欠き部30の下方において、金属配線上に厚い有機絶縁膜が形成されていれば、必ずしも有機絶縁膜は残すようにする必要はない。本実施の形態においては、例えば第1配線層211の金属配線212は、それぞれ一つの貫通電極10を覆う島状のパターンであって、島状の貫通電極10間の配線は第2配線層221によるので、配線を保護するために有機絶縁膜を残す必要はない。次に、本発明の実施の形態2に係るインターポーザ4Aの作用効果について、図3を用いて詳細に説明する。図3は、本発明の実施の形態2に係るインターポーザの効果を説明するための図であって、図2Bに対応するインターポーザ4Aの周辺部における拡大断面模式図である。なお、図3において、シリコン基板1内に貫通電極10A及び10Bが形成されており、2つの貫通電極10A及び10B間における最上層の第3配線層231に切り欠き部30が形成されている。また、貫通電極10Aの近傍において、配線層2Aの各有機絶縁膜には下層から順に内部応力110A、120A、130Aが発生しているとし、それらの内部応力が合成された応力であってシリコン基板1に付与される応力を合成応力100Aとする。また、貫通電極10Bの近傍において、配線層2Aの各有機絶縁膜には下層から順に内部応力110B、120B、130Bが発生しているとし、それらの内部応力が合成された応力であってシリコン基板1に付与される応力を合成応力100Bとする。図3に示すように、インターポーザ4Aの端部である領域Bにおいて、最上層の第3配線層231の有機絶縁膜233には、貫通電極10Aの周囲に切り欠き部30が形成されている。これにより、領域Bにおける第3配線層231の有機絶縁膜233には、領域Bの中央貫通電極10Aに向かって収縮しようとする内部応力130Aが発生する。一方、領域Bにおける第2配線層221及び第1配線層211の有機絶縁膜223及び213には切り欠き部30が形成されておらずインターポーザ4Aの全面が有機絶縁膜223及び213によって覆われているので、インターポーザ4Aの中央に向かって収縮しようとする内部応力120A及び110Aが発生している。領域Bにおいて、第2配線層221及び第1配線層211の有機絶縁膜223及び213に発生する内部応力120A及び110Aは、インターポーザ4Aの中央部よりも周辺部の方が大きい。従って、内部応力120A及び110Aによるシリコン基板1の変位はインターポーザ4Aの中央部よりも周辺部の方が大きくなる。一方、第3配線層231の有機絶縁膜233に発生する内部応力130Aは、他の層で発生する内部応力120A及び110Aと異なり、内部応力130Aによるシリコン基板1の変位は、貫通電極10Aの中心部において最も小さくなる。したがって、内部応力130Aと内部応力120A及び110Aとを足し合わせた合成応力100Aは、切り欠き部30がない場合にシリコン基板1に発生する合成応力と比較して、減少することになる。また、貫通電極10Bの位置において、切り欠き部30が形成されている第3配線層231の有機絶縁膜233に発生する内部応力130Bは、有機絶縁膜233が切り欠き部30によって分断されて、収縮する有機絶縁膜233の体積が減っているため、切り欠き部30が無い場合と比較して、減少することになる。従って、内部応力130Bと他の層で発生する内部応力120B及び110Bとを足し合わせた合成応力100Bは、切り欠き部30がない場合にシリコン基板1に発生する合成応力と比較して、減少することになる。以上、本実施の形態に係るインターポーザ4Aによれば、配線層2の有機絶縁膜233に切り欠き部30が形成されているので、シリコン基板1の貫通電極10の位置における内部応力を緩和することができる。従って、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを抑制することができる。特に、実施の形態1と同様に、一つの貫通電極10を囲むように切り欠き部30が形成されているので、シリコン基板1の両面の有機絶縁膜220及び8によって発生する応力を効果的に緩和することができるとともに、シリコン基板1の薄化工程に発生する曲げ応力を効果的に緩和することができる。これにより、シリコン基板1に反りやクラックが発生することを一層抑制することができる。また、本実施の形態によれば、シリコン基板1の貫通電極10の位置での応力を緩和することができるので、クラックを発生させずにシリコン基板1を更に薄くすることができる。シリコン基板1の更なる薄化は、貫通孔11を形成するコストを削減することができるとともに、貫通孔11の形成や貫通孔11への銅メッキの充填が容易に行えるため、貫通電極10の小口径化が可能となる。貫通電極10を小口径化することにより、インターポーザ4Aの有機絶縁膜内の金属配線212及び222を自由に引き回すための面積を増加させることができ、配線の引き回しに必要な配線層数を減らすことができ、更なる低コスト化ができる。また、本実施の形態において、切り欠き部30のスリット長さは、貫通電極10の径よりも大きいことが好ましい。これにより、貫通電極10の周囲の応力をさらに減少させることができる。なお、切り欠き部30のスリットの長さは、対向する両辺とも貫通電極10の径より大きくすることが好ましい。また、本実施の形態において、切り欠き部30は、最上層である第3配線層231の有機絶縁膜233に形成されている。ここで、最上層以外の下層の配線層における有機絶縁膜に切り欠き部を形成すると、切り欠き部の上に有機絶縁膜を形成する時に、切り欠き部に有機絶縁膜が埋まらずに配線層内にボイドが発生する可能性がある。これに対して、切り欠き部30を最上層に形成することによって、配線層内にボイドが発生することを防止することができる。次に、本実施の形態に係るインターポーザ4Aの製造方法について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施の形態2に係るインターポーザの製造方法における貫通電極周囲の工程断面図である。本実施の形態において、インターポーザ4Aは、ウエハの状態で加工される。まず、図4aに示すように、シリコン基板1の上に、金属配線212と、金属配線212の一部を露出させる開口を有する有機絶縁膜とからなる第1配線層211を形成する。具体的には、シリコン基板1の表面に、厚さ100~500nm程度のシリコン酸化膜やポリイミド等の絶縁膜250を形成する。その後、例えば10~100nm程度の窒化チタン膜をスパッタ法によって蒸着し、さらに0~100nm程度の銅シード層をスパッタ法によって積層する。その後、フォトレジストパターンを形成した後に電界メッキを施すことによって、銅シード層が露出したフォトレジストで覆われていない領域に選択的に銅配線を形成し、銅配線からなる金属配線212を形成することができる。この後、フォトレジストを有機溶剤等によって除去して、銅シード層と窒化チタン膜とを希釈した酸性溶液等によりエッチング除去する。なお、本実施の形態において、上記フォトレジストパターンの開口は、貫通電極10を配置する領域に形成されている。これにより、貫通電極10と対応する位置に金属配線212を形成することができる。また、当該フォトレジストパターンの開口の平面視形状の寸法は、開口によって貫通孔11が含まれるように、貫通孔11より少し大きくしておくことが好ましい。有機絶縁膜213は、上記金属配線212の上に、有機材料を含む溶剤を塗布し、フォトリソグラフィによりパターンニングを行って熱硬化することにより形成される。例えば、有機材料としてポリイミドを使用する場合、液状のポリイミド前駆体n-メチル-2-ピロリドンの溶液中に固体のポリアミド酸として溶融されているを回転塗布し、130°Cで15分程度の第1の熱処理を施すことによって有機溶剤を蒸発させてポリイミド膜を形成する。この上に、フォトリソグラフィプロセスによって、第1配線層211の金属配線212と第2配線層221の金属配線222とを電気的に接続するための層間接続部240の接続孔となる開口と、最後に個片化するためのスクライブ領域のポリイミド膜を除去するための開口とを有するレジストパターンを形成する。次に、例えば水酸化カリウムやTMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液等の塩基性溶液によって、ポリイミド膜を選択的にエッチング除去する。この後、フォトレジストを除去して、約350°Cの第2の熱処理を施すことによってポリイミド膜を重合して有機絶縁膜213を形成する。次に、図4bに示すように、第1配線層211上に、金属配線222と有機絶縁膜223とを形成して第2配線層221を形成する。この場合、第1配線層211の有機絶縁膜213はすでに硬化されているため、第2配線層221の有機絶縁膜223は、第1配線層211の有機絶縁膜213とは別の層として形成される。なお、第2配線層221における金属配線222及び有機絶縁膜223の形成方法は、第1配線層211における金属配線212及び有機絶縁膜213と同様であるので、詳細な工程フローの説明は省略する。ここで、貫通電極10に接続される第1配線層211の金属配線212と、第3配線層231の金属配線232として形成される電極パッド3とを結ぶ配線は、金属配線222によって形成される。このため、第2配線層221の有機絶縁膜223は、スクライブ領域上と、電極パッド3との接続孔が形成される領域上とに開口が形成される。次に、図4cに示すように、第2配線層221上に、金属配線232不図示と有機絶縁膜233とを形成して第3配線層231を形成する。なお、第3配線層231における金属配線232及び有機絶縁膜233の形成方法は、第1配線層211における金属配線212及び有機絶縁膜213と同様であるので、詳細な工程フローの説明は省略する。ここで、第3配線層231の金属配線パターンとして電極パッド3不図示が形成される。また、この工程において、有機絶縁膜233には、スクライブ領域と電極パッド3と対応する開口に加えて、インターポーザ4Aの周辺部に切り欠き部30に対応する開口が形成される。ここで、ポリイミド膜には第2の熱処理前に切り欠き部30が形成されているので、第2の熱処理の熱硬化に伴うポリイミド膜の体積収縮に起因するインターポーザ4Aシリコン基板1の内部応力は、切り欠き部30により緩和される。なお、切り欠き部30の下層におけるポリイミド膜は既に重合しているので、塩基性溶液によって食刻されることはほとんどなく、第3配線層231のポリイミド膜だけに切り欠き部30が形成される。次に、図4dに示すように、第3配線層231上に接着剤18を塗布してサポート基板19を貼り付けて補強し、シリコン基板1をバックグラインドやバックグラインド後のエッチング等により、50~200μm程度の厚さまで薄化する。このとき、ポリイミド膜には切り欠き部30が形成されているので、シリコン基板1の薄化による曲げ応力を緩和することができる。なお、サポート基板19を貼り付ける目的は、シリコン基板1を薄化すると、ウエハのハンドリングが困難となるためである。このため、サポート基板19としては、ハンドリングが容易となるように、例えば1mm程度の厚さを有する多結晶シリコン基板を使用している。さらにこのとき、サポート基板19として、シリコン基板1よりも厚い基板を使用すれば、シリコン基板1を薄化したときに、ウエハ状態であってもシリコン基板1に大きな反りが発生することを防止することができる。また、切り欠き部30によって曲げ応力を十分に緩和できる場合は、サポート基板19を貼り付ける必要はない。シリコン基板1を薄化した後は、同図に示すように、シリコン基板1の裏面に、シリコン酸化膜や有機膜等からなる絶縁膜251を形成する。次に、図4eに示すように、シリコン基板1の裏面に、例えばフォトリソグラフィにより貫通孔11を形成する領域に開口を有するフォトレジストパターンを形成した後に、異方性のイオンエッチングによって開口に対応するシリコン基板1及び絶縁膜251を除去することにより貫通孔11を形成する。貫通孔11は、シリコン基板1の裏面からシリコン基板1を突き抜けて、シリコン基板1の表面に形成された絶縁膜250に到達するように形成する。その後、貫通孔11の内面に等方的な成膜が可能なスパッタ法やCVD法によって絶縁膜252を形成して、エッチバックすることにより、貫通孔11の底面の絶縁膜250を除去して、貫通孔11の底部に対応する金属配線212を露出させる。次に、図4fに示すように、金属配線212を露出させた状態で、金属配線212を銅シード層として電界メッキすることにより、貫通孔11の内部に銅が充填され、貫通電極10を形成することができる。次に、図4gに示すように、サポート基板19を付けたままで、シリコン基板1の裏面に有機絶縁膜8と電極パッド9とを形成する。有機絶縁膜8及び電極パッド9金属配線の形成方法は、第1配線層211における有機絶縁膜213及び金属配線212の形成方法と同様であるので説明は省略する。電極パッド9は、貫通電極10の裏面にハンダバンプ14を形成するための接続パッドである。なお、貫通電極10をそのまま電極パッドとして利用することも可能であるので、電極パッド9は形成しなくても構わない。また、有機絶縁膜8において、電極パッド9の上面と、スクライブ領域上とは選択的に除去される。次に、図4hに示すように、電極パッド9にハンダバンプ14を形成する。ハンダバンプ14は、シリコン基板1の裏面電極パッド9が上になるようシリコン基板1を反転させた後、電極パッド9上にハンダボールを載置してハンダが溶融する温度よりも高温例えば260°Cとすることによりハンダと銅とが接合されて、ハンダバンプ14として形成される。次に、図4iに示すように、シリコン基板1の表面にサポート基板19を貼り付けた状態でダイシングシート20を貼り付ける。その後、サポート基板19を除去して、サポート基板19からダイシングシート20に貼りかえる。最後に、シリコン基板1のスクライブ領域スクライブラインをダイシングソー等によって切断することによりダイシングを行い、単体のインターポーザ4へ個片化する。以上、本実施の形態に係るインターポーザ4Aの製造方法によれば、有機絶縁膜213に切り欠き部30が形成されているので、有機絶縁膜の熱硬化時やウエハのダイシング時等の製造工程中に生じる有機絶縁膜の収縮による内部応力を緩和することができる。これにより、インターポーザ4Aのシリコン基板1にクラックや反りが発生することを抑制することができる。また、本実施の形態に係るインターポーザ4Aの製造方法では、スクライブライン上や電極パッド3上の有機絶縁膜を除去するためのパターンニング工程において切り欠き部30を形成するため、切り欠き部30を形成するための特別の製造工程を増やすことなく切り欠き部30を形成することができる。次に、本実施の形態に係るインターポーザ4Aの変形例について、図5A~図5Cを用いて説明する。図5Aは、本発明の実施の形態2の第1変形例に係るインターポーザの要部断面図であり、図5Bは、本発明の実施の形態2の第2変形例に係るインターポーザの要部断面図であり、図5Cは、本発明の実施の形態2の第3変形例に係るインターポーザの要部断面図である。図5A~図5Cに示すように、切り欠き部30が形成される有機絶縁膜は、最上層の第3配線層231の有機絶縁膜233以外の有機絶縁膜であっても良い。例えば、図5Aに示すように、第2配線層221の有機絶縁膜223に切り欠き部30を形成してもよい。この場合、各配線層の有機絶縁膜は1層ごとに熱硬化して形成するので、本変形例では、第2配線層221の有機絶縁膜223に切り欠き部30を形成した段階で、有機絶縁膜223によって貫通電極10の位置で発生する内部応力120A及び120Bは、インターポーザ4の表面の局所的な応力として切り欠き部30により分断される。従って、第2配線層221を形成した段階において、シリコン基板1にかかる内部応力が緩和された状態になるので、図5Aに示すように、有機絶縁膜223に形成された切り欠き部30に第3配線層231の有機絶縁膜233が入り込んで形成されたとしても、最上層の有機絶縁膜233に切り欠き部を形成した場合と同様に内部応力を減少させる効果がある。なお、本変形例における製造方法は、図4に示す製造方法において、第2配線層221の有機絶縁膜223を形成するときのパターンニング時に切り欠き部30を形成し、第3配線層231の有機絶縁膜233を形成するときのパターンニング時では切り欠き部を形成しないようにすればよい。また、図5B及び図5Cに示すように、複数の有機絶縁膜に貫通するように切り欠き部30を形成しても良い。切り欠き部30を形成する有機絶縁膜の数が多い程、内部応力を緩和する効果は大きくなる。図5Bでは、3層すべての有機絶縁膜に切り欠き部30を形成している。この場合、各配線層内の金属配線は、切り欠き部30を回避するように形成される。また、図5Cに示すように、各有機絶縁膜の切り欠き部30の開口幅スリット幅が上層ほど大きくなるように構成しても良い。なお、このように複数の有機絶縁膜に跨るように切り欠き部30を形成する場合、各有機絶縁膜を形成するときのパターンニング時に切り欠き部スリットを形成する。次に、貫通電極10と切り欠き部30との配置位置の関係について、図6A及び図6Bを用いて説明する。本実施の形態において、切り欠き部30は、隣接する貫通電極10間に形成されている。ここで、各配線層における有機絶縁膜の熱硬化後は、温度低下によって各有機絶縁膜が収縮する。この収縮によって生じる有機絶縁膜の内部応力は、インターポーザ4Aの周辺部で大きく、中心部に近づくにつれて小さくなる。このように、インターポーザ4Aの周辺部における切り欠き部30の位置に発生する有機絶縁膜の内部応力は高くなるため、切り欠き部30がシリコン基板1のクラック起点となりやすい。従って、切り欠き部30は、クラックの発生しやすい貫通電極10の箇所ではなく、隣接する貫通電極10間に形成することにより、シリコン基板1でのクラックの発生を抑制することができる。この場合、本実施の形態のように、図6Aに示すように、貫通電極10を切り欠き部30で囲んでいる方がクラック発生を抑制する効果は大きいが、図6Bに示すように、一部の貫通電極10間に切り欠き部30が形成されていなくても一定の効果はある。また、本実施の形態において、切り欠き部30は、シリコン基板1の端部の貫通電極10の周囲に形成されている。ここで、熱硬化後の温度低下による有機絶縁膜の収縮によって発生する有機絶縁膜の内部応力は、インターポーザ4Aではシリコン基板1有機絶縁膜の端部で大きくなる。従って、切り欠き部30は、図6C及び図6Dに示すように、インターポーザ4の端部におけるシリコン基板1の貫通電極10の周囲に形成することにより、より大きい内部応力が発生するシリコン基板1の端部の内部応力を効果的に減少させることができる。これにより、インターポーザ4の信頼性を向上させることができる。なお、例えば、図6Cに示すように、切り欠き部30は、インターポーザ4の端部のみにおけるシリコン基板1の貫通電極10の周囲に形成してもよい。また、以上の説明では、インターポーザ4Aの表面の配線層2Aにおける有機絶縁膜に切り欠き部を形成する場合について説明したが、実際にはインターポーザ4Aの裏面についても考慮する必要がある。本実施の形態では、インターポーザ4Aの裏面にも1層の有機絶縁膜8が形成されており、電極パッド9上とスクライブ領域上の有機絶縁膜8は除去される。この有機絶縁膜8は、インターポーザ4の表面の配線層2Aの各有機絶縁膜の内部応力を打ち消す効果を有する。従って、最終的にダイシングシートを除去して個片化されたインターポーザ4Aにおいて、大きな反りが生じることや、その影響によってシリコン基板1の内部にクラックが発生すること等の不具合を抑制することができる。次に、本実施の形態に係るインターポーザ4Aを用いた半導体装置の製造方法について、図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するため工程断面図である。図4に示す製造方法によって製造されたインターポーザ4Aを準備し、図7aに示すように、個片化されたインターポーザ4Aを、ダイシングシート20より剥がし、パッケージ基板12上に設けられた電極パッド13とインターポーザ4Aのハンダバンプ14とを接続することにより、シリコン基板1をパッケージ基板12に搭載する。このときインターポーザ4Aは、有機絶縁膜に形成された切り欠き部30を有しているので、インターポーザ4Aは個片化された状態においても、反りが発生することはない。すなわち、シリコン基板1とパッケージ基板12との距離をほぼ均等にした状態で、シリコン基板1をパッケージ基板12に接続することができる。つまり、有機絶縁膜に切り欠き部30が形成されていない従来の構成では、シリコン基板1に反りが発生するので、インターポーザの周辺部の電極パッドハンダバンプとパッケージ基板の表面の電極パッドとの十分な接触を得ることができず、接触不良を誘発するといった不具合が発生するが、本実施の形態に係るインターポーザ4Aでは、このような不具合を防止できる。次に、図7bに示すように、ハンダバンプ5が形成されたLSI6LSIチップを、インターポーザ4上に配置し、LSI6のハンダバンプ5とインターポーザ4Aの電極パッド3とを接続する。このとき、インターポーザ4Aの基体はシリコンからなるので、ハンダバンプ5による接続時にハンダを溶融させる250°C程度の温度上昇過程、あるいは、その後の室温までに冷却する冷却過程において、シリコン基板からなるLSI6とインターポーザ4Aの線膨張係数が等しくなるので、温度変化に伴うLSIチップへの不要な応力の蓄積による特性変動を抑制できると共に、50μm以下の小口径の接続部の信頼性の低下も防止することが可能となる。なお、インターポーザ4Aに搭載するLSIは、1つではなく、複数個であっても構わない。最後に、図7cに示すように、LSI6とインターポーザ4Aと間にアンダーフィル15を注入し、また、インターポーザ4Aとパッケージ基板12との間にアンダーフィル16を注入する。その後、パッケージ基板12の裏面のパッド電極にハンダバンプ17を形成する。これにより、半導体装置が完成する。なお、図8に示すように、LSI6とインターポーザ4Aとの間にアンダーフィル15を注入するとともに、インターポーザ4Aとパッケージ基板12との間にアンダーフィル16を注入した後に、全体を封止樹脂40で覆う形態の半導体装置としてもよい。以上、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、有機絶縁膜に切り欠き部30が形成されたインターポーザ4Aを用いているため、製造工程中に生じる有機絶縁膜の収縮による内部応力を緩和することができる。また、インターポーザ4Aを単体で扱うことができ、例えばシリコン基板1の薄化時に接着したサポート基板19をつけたままで個片化して、シリコン基板1の補強をするといった対策をすることなくインターポーザ4Aをパッケージ基板12に接続したとしても、インターポーザ4のシリコン基板1にクラックや反りを発生させることなく、半導体装置を製造することができる。従って、サポート基板19を再利用することができるので、コストを下げることができる。また、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。以上、本発明に係るインターポーザ及び半導体装置並びにこれらの製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。