"エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第1マスクを介した前記エネルギビームを前記パターンの像の前記物体上での結像状態を変化させる反射面形状を有する反射型の第2マスクに照射し、前記パターンの像を前記第2マスク上に結像する第1光学系と、前記第2マスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記第2マスクを介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、前記第1光学系の結像面上に前記第2マスクを保持する第2マスク保持部材と、前記第2マスク保持部材を、前記結像面に実質的に沿って駆動可能な駆動装置と、を備える露光装置。前記第2マスク保持部材の位置を計測する位置計測系と、前記位置計測系からの計測情報に基づいて、前記駆動装置を制御する制御装置と、をさらに備える請求項1に記載の露光装置。前記制御装置は、前記反射面の前記エネルギビームが照射される照射領域内の面形状を変化させるため、前記第2マスク保持部材が所定ストロークで往復駆動されるように前記駆動装置を制御する請求項2に記載の露光装置。前記制御装置は、前記エネルギビームの照射による前記第1マスクの熱膨張の進行に伴って、前記ストロークが増加するように、前記駆動装置を制御する請求項3に記載の露光装置。前記第2マスク保持装置に保持される前記第2マスクは交換可能である請求項1~4のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1光学系と前記第2光学系とは、前記第1マスクのパターンを前記物体上に投影する投影光学系を構成し、前記第1光学系は、投影倍率が1又は1より僅かに大きく、前記第2光学系は、投影倍率が1より小さい請求項1~5のいずれか一項に記載の露光装置。前記投影光学系は、その瞳面上に補償光学系を有する請求項1~6のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1マスクを保持して移動する移動部材をさらに備える請求項1~7のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~8のいずれか一項に記載の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。本発明は第1の態様によれば、エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第1マスクを介した前記エネルギビームを前記パターンの像の前記物体上での結像状態を変化させる反射面形状を有する反射型の第2マスクに照射し、前記パターンの像を前記第2マスク上に結像する第1光学系と、前記第2マスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記第2マスクを介した像を前記物体上に結像する第2光学系と、前記第1光学系の結像面上に前記第2マスクを保持する第2マスク保持部材と、前記第2マスク保持部材を、前記結像面に実質的に沿って駆動可能な駆動装置と、を備える露光装置が、提供される。これによれば、第2マスクとして、第1マスクのパターンの像の結像状態の調整に適した反射面形状これに対応する反射分布を有する反射型のマスクをマスク保持部材に保持させることで、第1マスクに形成されたパターンの像の物体上での結像状態を調整できる。また、駆動装置により、第2マスク保持部材が、結像面に実質的に沿って駆動されることで、エネルギビームの照射領域内の反射面の面形状これに対応する反射分布が時間的に変更される。これにより、露光の進行に伴い時間的に変化するマスクの熱膨張に起因するパターン像の結像状態、例えば歪等を補正することが可能になる。ここで、反射分布は、反射面における光の反射状態を表す、双方向反射率分布などの上位概念である。双方向反射率分布は、光の反射モデルの1つである双方向反射率分布関数、すなわち反射表面上のある地点に対して、ある方向から光が入射したとき、それぞれの方向へ、どれだけの光が反射されるかを表す、反射地点に固有の関数を、用いて表現することができる。本明細書では、このような意味で、反射分布なる用語を用いている。本発明の第2の態様によれば、本発明の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。以下、本発明の一実施形態を、図1~図6Dに基づいて説明する。図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。以下においては、図1内の上下方向をZ軸方向、これに直交する面内で第1及び第2レチクルR1,R2とウエハWとが相対走査される走査方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。露光装置100は、照明系IOP、第1レチクルR1を保持してXY平面に平行な面内で移動する第1レチクルステージRST1、中間結像面を有する投影光学系PLを含む投影ユニットPU、第2レチクルR2を保持して投影光学系PLの中間結像面に実質的に沿って移動する第2レチクルステージRST2、ウエハWを保持してXY平面内で移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。ここで、第1レチクルR1は、透過型のレチクルであり、第2レチクルR2は、反射型のレチクルである。照明系IOPは、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞りマスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれるにより設定制限され、第1レチクルR1上でX軸方向に細長く伸びる矩形又は円弧状の照明領域IAR1に照明光露光光ILを照射し、回路パターンが形成された第1レチクルR1を均一な照度で照明する。照明系IOPの構成は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されている。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられる。第1レチクルステージRST1は、照明系IOPの下方-Z側に配置されている。第1レチクルステージRST1上には、そのパターン面図1における下面に回路パターンなどが形成された第1レチクルR1が載置されている。第1レチクルR1は、例えば真空吸着により第1レチクルステージRST1上に固定されている。第1レチクルステージRST1は、例えばリニアモータ等を含む第1レチクルステージ駆動系11図1では不図示、図4参照によって、水平面XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向図1における紙面内左右方向であるY軸方向に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。第1レチクルステージRST1のXY平面内の位置情報θz方向の回転情報を含むは、レチクルレーザ干渉計以下、第1レチクル干渉計という14によって、移動鏡12又は第1レチクルステージRST1の端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。第1レチクル干渉計14の計測情報は、主制御装置120図1では不図示、図4参照に供給される。主制御装置120は、第1レチクル干渉計14からの計測情報に基づいて、第1レチクルステージ駆動系11を介して第1レチクルステージRST1のY軸方向の位置及びX軸方向の位置、並びにθz方向の回転を制御する。投影ユニットPUは、第1レチクルステージRST1の下方-Z側に配置されている。投影ユニットPUは、筐体40と筐体40の内部に保持された複数の光学素子レンズ、ミラー等と、第2レチクルステージRST2に保持された反射型の第2レチクルR2の反射面とを含む。複数の光学素子は、第1レチクルR1を介した照明光ILを第2レチクルR2に照射して第1レチクルR1に形成されたパターンの像を第2レチクルR2の反射面パターン面に結像する第1結像光学系PL1と、第2レチクルR2の反射面からの照明光ILをウエハWに照射し、ウエハW上に第1レチクルR1に形成されたパターンの像と第2レチクルR2に形成されたパターンの像との合成像をウエハW上に結像する第2結像光学系PL2とを構成する。第1結像光学系PL1は、等倍又はほぼ等倍倍率が1より少し大きいの屈折光学系である。また、第2結像光学系PL2は、投影倍率が1より小さい縮小系である。本実施形態では、第1結像光学系PL1と第2レチクルR2と第2結像光学系PL2とによって、全体として両側テレセントリックな縮小系投影倍率が例えば1/4倍又は1/5倍かつ反射屈折系から成る投影光学系PLが構成されている。この場合、投影光学系PLの中間結像面である第1結像光学系PL1の結像面に、第2レチクルR2の反射面が配置されている。また、第2結像光学系PL2の一部上端部に投影光学系PLの瞳面が設けられ、その瞳面に反射面のZ位置及び面形状が可変の補償光学系42が設けられている。このため、照明光ILによって第1レチクルR1上の照明領域IAR1が照明されると、第1レチクルR1を透過した照明光ILが第1結像光学系PL1を介して第2レチクルR2に照射され、第2レチクルR2の反射面上の照明領域IAR2内に第1レチクルR1のパターンの等倍像若しくは微小拡大像が結像される。照明光ILは第2レチクルR2の反射面により反射され、補償光学系42を含む第2結像光学系PL2を介して表面にレジスト感応剤が塗布されたウエハWに照射され、照明領域IAR1に共役なウエハW上の領域以下露光領域と呼ぶIAに第2レチクルR2の反射面を介した第1レチクルR1のパターンの一部照明領域IAR1内の回路パターンの縮小像が、形成される。ここで、第2レチクルR2にパターンが形成されている場合には、照明領域IAR2内の第2レチクルR2のパターンの像と照明領域IAR1内の第1レチクルR1のパターンの像とを合成した合成像が、ウエハW上に形成される。以下では、特に断らない限り、第2レチクルR2の反射面はパターンが形成されていない反射面であるものとする。そして、第1レチクルステージRST1とウエハステージWSTとの同期駆動により、照明領域IAR1照明光ILに対して第1レチクルR1を走査方向Y軸方向に相対移動し、同時に露光領域IA照明光ILに対してウエハWを走査方向Y軸方向に相対移動することにより、ウエハW上の1つのショット領域区画領域が走査露光され、そのショット領域内に第1レチクルR1のパターンが転写される。なお、図1において、符号ILLは、投影光学系PL内部の照明光ILの主光線を模式的に示す。補償光学系42には、結像特性補正コントローラ41図1では不図示、図4参照が接続されている。結像特性補正コントローラ41は、照明光ILを反射する補償光学系42の反射面のZ位置及び面形状を変化させることで、ウエハW上に投影される像の形成状態を調整する。ここで、補償光学系42の反射面の形状面位置は、例えばその面位置を変化させる不図示のアクチュエータの駆動量を測定するエンコーダ等、又は反射面の形状を測定するセンサにより測定され、その計測結果が結像特性補正コントローラ41に送信される。結像特性補正コントローラ41は、主制御装置120からの投影像の歪みの修正に関する指示に従って補償光学系42を制御する。本実施形態では、結像特性補正コントローラ41と補償光学系42とによって、ウエハW上に投影される像の形成状態を調整し、あるいは良好に維持するため、投影光学系PLの光学特性、例えば、球面収差結像位置の収差、コマ収差倍率の収差、非点収差、像面湾曲、歪曲収差ディストーション等の諸収差結像特性を調整する結像特性補正装置が構成されている。結像特性補正装置は、ピエゾ素子等のアクチュエータによって一部のレンズエレメントを、Z軸方向光軸AXpに平行な方向に微小駆動及びXY平面に対して傾斜させる構成を含むこともできる。勿論、この場合、そのアクチュエータを、結像特性補正コントローラ41によって制御することとしても良い。図2には、第2レチクルR2を保持する第2レチクルステージRST2の構成が概略的に示されている。第2レチクルステージRST2は、一種のピンチャック方式のレチクルホルダであり、その上面には、エッチング加工により多数のピンPが形成されている。第2レチクルステージRST2は、例えばセラミックスにより構成されている。第2レチクルR2は、第2レチクルステージRST2に例えば真空吸着され、反射面RP2をZ方向に向けて多数のピンPに支持されている。第2レチクルステージRST2は、その底面に設けられた複数の気体静圧軸受、例えばエアベアリング不図示を介してレチクルベースRB2上に非接触で支持されている。レチクルベースRB2の上面は、平坦度が高くなるように加工され、第2レチクルステージRST2の移動の際のガイド面とされている。第2レチクルステージRST2の底部には、磁石ユニット50Bを構成する複数の永久磁石がXY二次元方向にマトリクス状に配置されている。この磁石ユニット50Bに対応して、レチクルベースRB2の内部には、コイルユニット50Aを構成する複数のコイルがXY二次元方向にマトリクス状に配置されている。本実施形態では、磁石ユニット50Bとコイルユニット50Aとによって、第2レチクルステージRST2をX軸、Y軸、θxの各方向に3自由度で駆動可能なエア浮上方式の平面モータが構成されている。すなわち、平面モータ50A,50Bによって、第2レチクルステージRST2を駆動する第2レチクルステージ駆動系50図4参照が構成されている。第2レチクルステージ駆動系50は、主制御装置120によって制御される。第2レチクルステージRST2のXY平面内の位置情報は、図1に示されるように、第2レチクル干渉計65によって計測される。第2レチクル干渉計65は、第2レチクルステージRST2に形成された反射面を介して、第2レチクルステージRST2のXY平面内での位置ヨーイング量θzを含むを計測する。第2レチクル干渉計65の計測情報は、主制御装置120に供給される図4参照。主制御装置120は、第2レチクル干渉計65からの計測情報に従って、第2レチクルステージ駆動系50を介して第2レチクルステージRST2をXY平面内で駆動位置制御する。本実施形態の露光装置100では、図2に示されるように、第1結像光学系PL1の下端射出端に照明光ILの光路を挟んで±Y側に、それぞれ、第2レチクルR2の面位置面位置を計測する面位置計測センサ61、62が設けられている。面位置計測センサ61、62のそれぞれは、第2レチクルR2の反射面RP2上の複数の点に、複数の計測光を照射する。ここで、複数の計測光は、図3に示されるように、照明光ILにより照明される反射面RP2上の照明領域IAR2のY側、-Y側に、走査方向Y軸方向に直交する非走査方向X軸方向に延びるライン610、620厳密にはライン610、620上の複数の点上に照射される。面位置計測センサ61、62は、反射面RP2からの反射光を受光することにより、ライン610、620上での第2レチクルR2の反射面RP2の面形状面位置分布を計測する。面位置計測センサ61、62は、ライン610、620厳密にはライン610、620上の複数の点上に計測光を照射可能であれば、いかなる構成のセンサであっても良く、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される多点焦点位置検出系を、面位置計測センサとして用いることもできる。面位置計測センサ61、62からの計測情報は、主制御装置120に供給される図4参照。図1に戻り、ウエハステージWSTは、リニアモータ等を含むステージ駆動系24図1では不図示、図4参照によって、ステージベース22上をX軸方向、Y軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Z軸方向、θx方向、θy方向、及びθz方向に微小駆動される。ウエハステージWST上に、ウエハWが、ウエハホルダ不図示を介して例えば真空吸着等によって保持されている。なお、ウエハステージWSTは、単一の6自由度駆動ステージに限らず、各ステージの駆動方向を組み合わせることで、ウエハWを6自由度駆動可能となる複数のステージによって構成しても良い。ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報回転情報ヨーイング量θz方向の回転量θz、ピッチング量θx方向の回転量θx、ローリング量θy方向の回転量θyを含むは、レーザ干渉計システム以下、干渉計システムと略述する18によって、移動鏡16又はウエハステージWSTの端面に形成された反射面を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。干渉計システム18の計測情報は、主制御装置120に供給される図4参照。主制御装置120は、干渉計システム18からの計測情報に基づいて、ステージ駆動系24を介してウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転を含むを制御する。また、ウエハWの表面のZ軸方向の位置及び傾斜は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサAF図1では不図示、図4参照によって計測される。このフォーカスセンサAFの計測情報も主制御装置120に供給される図4参照。投影ユニットPUの第2結像光学系PL2の側面には、ウエハWに形成されたアライメントマーク等を検出するウエハアライメント系以下、アライメント系ASが設けられている。アライメント系ASとして、一例として画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるFIAFieldImageAlignment系が用いられている。露光装置100では、さらに、第1レチクルステージRST1の上方に、例えば米国特許第5,646,413号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたTTRThroughTheReticleアライメント系から成る一対のレチクルアライメント系13図1では不図示、図4参照が設けられている。レチクルアライメント系13の検出信号は、主制御装置120に供給される図4参照。図4には、本実施形態の露光装置100の制御系を中心的に構成する主制御装置120の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置120は、CPU中央演算処理装置、ROMリードオンリメモリ、RAMランダムアクセスメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ又はワークステーションを含み、装置全体を統括して制御する。次に、上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100の動作を、簡単に説明する。露光に先立って、レチクルローダ不図示によって、第1レチクルR1が第1レチクルステージRST1上にロードされる。同時に、第1レチクルR1に対応する第2レチクルR2が第2レチクルステージRST2上にロードされる。さらに、露光装置100に併設されたコータデベロッパ不図示によりその表面に感応層レジスト層が形成されたウエハWが、ウエハローダ不図示によって、ウエハステージWSTのウエハホルダ不図示上にロードされる。図5Aには、本実施形態において第1レチクルR1の照明光ILの吸収による熱膨張に伴うパターンの変形に起因する第1レチクルR1のパターンの投影光学系PLによるウエハW上の投影像の歪みの補正に使用される第2レチクルR2の一例が示されている。この図5Aに示される第2レチクルR2は、XZ断面が凸形状、YZ凹形状の鞍型の反射面RP2を有している。この鞍型の反射面が、図5Aでは、平面視でX軸方向の両端のY軸方向の中央部が凹み、Y軸方向の両端のX軸方向の中央部が凸出するように変形した矩形を用いて、模式的に示されている。この第2レチクルR2は、例えば図5Bに示されるように、投影像IM1の像光束第1レチクルR1を介した照明光ILが入射すると、その反射光の反射角をY軸方向に狭め、X軸方向に拡げて、反射像IM2を生成する。露光処理を繰り返すことにより、第1レチクルR1は、照明光ILを吸収して等方的に熱膨張しようとするが、第1レチクルR1のX軸方向の両端部が第1レチクルステージRST1に吸着保持されているため、結果的に、第1レチクルR1のパターン領域RP1は、例えば図6Cに示されるような形状に変形する。従って、第2レチクルR2の反射面上で図6Cに示されるような形状のパターン領域RP1の像が結像されると、その第2レチクルR2の反射面上での反射像は、ほぼ矩形図6Aに示される第1レチクルR1の熱膨張前のパターン領域RP1の形状と同じ又は相似になる。従って、この反射像を第2結像光学系PL2を介して投影することにより、歪のないパターン領域RP1の縮小像がウエハW上に形成される。すなわち、第2レチクルR2を用いることにより、第1レチクルR1の熱膨張変形に起因するパターンの投影像の歪みを補正することが可能となる。以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置120によって、一対のレチクルアライメント系13、ウエハステージWST上の基準マーク板不図示、及びアライメント系AS等を用いて、レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置120により、例えばいわゆるショット内多点EGAなどのウエハアライメントアライメント計測が実行される。レチクルアライメント及びアライメント系ASのベースライン計測については、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されており、これに続くショット内多点EGAについては、例えば米国特許第6,876,946号明細書などに開示されている。上記ショット内多点EGAにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量倍率、回転、直交度が、求められる。そこで、主制御装置120は、結像特性補正コントローラ41を介して投影光学系PLの補償光学系42の反射面の形状を変形させ、必要に応じてレンズ素子を駆動する。主制御装置120は、アライメント計測ショット内多点EGAで得られたウエハW上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ASのベースラインとに基づいて、ウエハステージWSTをウエハW上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、第1レチクルステージRST1とウエハステージWSTとを投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比で同期移動する走査露光動作とを繰り返して、ウエハW上の全ショット領域に、第1レチクルR1のパターンの像をそれぞれ転写する。ステップアンドスキャン方式の露光動作中に、主制御装置120は、第2レチクルR2が、第1レチクルR1に対して相対的に静止している状態を維持すべく、第2レチクルステージRST2を、第1レチクルステージRST1と同期してY軸方向に移動させても良い。この場合、露光動作中に、第2レチクルR2の反射面の面形状対応する反射分布を変更することも可能である。すなわち、主制御装置120は、第2レチクルステージRST2を-Y方向又はY方向に駆動する際に面位置計測センサ61、62からの計測情報に基づいて、第2レチクルステージ駆動系50平面モータ50A,50Bを制御して第2レチクルステージRST2を第1レチクルR1を介した照明光ILの照明領域IAR2を中心としてY軸方向に所定ストロークで往復駆動する。例えば図6Aに示されるように第1レチクルR1の熱膨張変形の程度が小さい場合、主制御装置120は、図6Bに示されるように、第2レチクルR2を短いストローク黒塗り矢印参照で、走査露光中に、Y軸方向に往復駆動する。このストローク内では、第2レチクルR2の反射面の曲率変化反射分布の変化率は小さいため、第2レチクルR2は投影像を僅かに歪ませるのみである殆ど反射角を変えることなく照明光ILを反射する。これにより、照明領域IAR2に対応する第2レチクルR2の反射面RP2の領域の面形状対応する反射分布が部分的に変更される。面形状対応する反射分布が部分的に変更された反射面RP2上に照明光ILが照射されることにより、投影像の形成状態例えば歪みなどが補正される。主制御装置120は、露光済みのショット領域数が増加するに伴って照明光ILの吸収によって生じる第1レチクルR1の熱膨張を考慮して熱膨張によるパターンの像の変形が低減されるように、上記の照明領域IAR2に対応する第2レチクルR2の反射面RP2の領域の面形状対応する反射分布の部分的変更を行うようにしても良い。例えば図6Cに示されるように第1レチクルR1の熱膨張変形の程度が大きくなると、主制御装置120は、図6Dに示されるように、第2レチクルR2を長いストローク黒塗り矢印参照で、走査露光中に、Y軸方向に往復駆動する。このストローク内では、第2レチクルR2の反射面の曲率反射分布の変化率が大きいため、第2レチクルR2は投影像を大きく歪ませる反射角を大きく変えて照明光ILを反射する。これにより、第1レチクルR1の熱膨張変形に起因する投影像の歪みが、熱膨張変形の進行にも拘らず、補正される。また、複数枚のウエハに対して露光処理を繰り返す際に、所定間隔で、主制御装置120は、適宜、空間像計測器不図示等を用いて投影像の歪みを計測し、その結果に基づいて、結像特性補正コントローラ41を介して、投影光学系PLの結像特性を補正しても良い。これにより、第1レチクルR1の熱膨張、レンズ素子の熱膨張に起因する結像特性の劣化を低減することが可能になる。本実施形態の露光装置100では、予め異なる反射面形状を有する第2レチクルを複数用意し、主制御装置120は、第1レチクルR1が交換されると、その交換後の第1レチクルR1のパターン像の変形補正に適した形状の反射面を有する第2レチクルに第2レチクルステージRST2上のレチクルを交換することとしても良い。あるいは、主制御装置120は、第1レチクルの熱膨張変形の進行に応じて、第1レチクルR1のパターン像の変形補正に適した形状の反射面を有する第2レチクルに第2レチクルステージRST2上のレチクルを交換することとしても良い。以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置100によると、第2レチクルR2として、第1レチクルR1のパターンの像の結像状態の調整に適した反射面形状これに対応する反射分布を有する反射型のレチクルを第2レチクルステージRST2に保持させることで、第1レチクルR1のパターンの像のウエハW上での結像状態を調整できる。また、平面モータ50A,50Bにより、第2レチクルステージRST2が、XY平面に実質的に沿って駆動されることで、照明光ILの照射領域内の反射面の面形状これに対応する反射分布が時間的に変更される。これにより、露光の進行に伴い時間的に変化する第1レチクルR1の熱膨張に起因するパターン像の結像状態、例えば歪等を補正することが可能になる。また、第2レチクルR2として反射型のレチクルが採用されているので、透過型レチクルを採用する場合に比べて、反射面の形状設計により容易に高い補正感度が得られる。このため、補償光学系としての役割を十分に果たすことが期待される。すなわち、透過型のレチクルの場合、補償光学系としての補正の感度が鈍く、屈折率分布の非一様性等が結像特性に影響するため、レチクルの高い品質及び互換性が要求される。反射型のレチクルの場合には、このようなことがない。なお、上記実施形態では、第2レチクルステージ駆動系50を構成する平面モータとしてエア浮上方式の平面モータを用いるものとしたが、これに限らず、磁気浮上方式の平面モータによって第2レチクルステージ駆動系50を構成しても良い。この場合、例えばコイルユニット50Aを構成する複数のコイルが、X駆動コイル、Y駆動コイルに加えて、Z駆動コイルを含むので、該平面モータを、第2レチクルステージRST2の駆動と、第2レチクルR2の反射面の形状の変形のためのアクチュエータとして兼用することが可能になる。なお、コイルユニット50Aを構成する複数のコイルは、XZ駆動コイルとYZ駆動コイルとを含んでいても良い。この場合、第2レチクルR2の反射面の形状を計測する計測装置を設けることが望ましい。なお、上記実施形態では、第1レチクル干渉計14により第1レチクルステージRST1の位置が計測され、干渉計システム18によりウエハステージWSTの位置が計測される場合について例示した。しかし、これに限らず、第1レチクル干渉計14に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。同様に、干渉計システム18に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステムを用いても良い。また、上記実施形態では、露光装置が、液体水を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプである場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第99/49504号、欧州特許出願公開第1420298号明細書、国際公開第2004/055803号、米国特許第6952253号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記実施形態を適用することができる。また、上記実施形態では、露光装置がステップアンドスキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、例えば米国特許第6,590,634号明細書、米国特許第5,969,441号明細書、米国特許第6,208,407号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第2005/074014号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材例えば、基準マーク、及び/又はセンサなどを含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。また、光源は、ArFエキシマレーザに限らず、KrFエキシマレーザ出力波長248nm、F2レーザ出力波長157nm、Ar2レーザ出力波長126nm、Kr2レーザ出力波長146nmなどのパルスレーザ光源、g線波長436nm、i線波長365nmなどの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、YAGレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第7023610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの両方がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体エネルギビームが照射される露光対象の物体はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD等、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置パターン形成装置及びその露光方法によりマスクレチクルのパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。"