集電体と、前記集電体上のシリコン及び金属元素を有する混合層と、前記混合層上の活物質層として機能する結晶性シリコン層とを有し、前記結晶性シリコン層は、結晶性シリコン領域と、前記結晶性シリコン領域上に突出する複数の突起を有するウィスカー状の結晶性シリコン領域とを有し、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲した部位または枝分かれした部位を有する突起を有することを特徴とする蓄電装置。請求項1において、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する一の突起は、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する他の突起と接する部分を有することを特徴とする蓄電装置。請求項1または2において、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する、前記屈曲した部位または前記枝分かれした部位を有する突起は、前記屈曲した部位または前記枝分かれした部位において、他の突起と接することを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する前記複数の突起の軸の方向は、不揃いであることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記集電体は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素を含んでいることを特徴とする蓄電装置。請求項5において、前記シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素は、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、及びニッケルの一以上であることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記混合層は、前記シリコン及び前記集電体に含まれる金属元素を有することを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至7のいずれか一項において、前記集電体は、箔状、板状、または網状であることを特徴とする蓄電装置。請求項1乃至7のいずれか一項において、前記集電体は、基板上に膜状に形成されていることを特徴とする蓄電装置。集電体上に、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用い、低圧化学蒸着法によりウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する結晶性シリコン層を活物質層として形成し、前記ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲した部位または枝分かれした部位を有する突起を有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。請求項10において、前記低圧化学蒸着法は550°Cより高い温度で行うことを特徴とする蓄電装置の作製方法。しかしながら、シリコンを負極活物質に用いても、理論容量ほど高い放電容量を得ることは困難である。また、シリコンを活物質に用いた蓄電装置では、活物質層の剥がれ等が発生することがある。そこで、放電容量を高める等の蓄電装置の性能を向上させることが可能な蓄電装置及びその作製方法を提供することを課題の一とする。また、活物質層の剥がれ等による蓄電装置の劣化が生じにくい蓄電装置及びその作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一形態は、集電体と、集電体上に形成される混合層と、混合層上に形成される活物質層として機能する結晶性シリコン層とを有し、結晶性シリコン層は、結晶性シリコン領域と、結晶性シリコン領域上に突出する複数の突起を有するウィスカー状の結晶性シリコン領域とを有する蓄電装置である。ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲または枝分かれした部位を有する突起を有する。屈曲または枝分かれした部位の伸長方向すなわち、軸の方向は、基となる突起の伸長方向すなわち、軸の方向とは異なる。屈曲または枝分かれした部位は、基となる突起の先端近傍または側面から伸長している。すなわち、屈曲または枝分かれした部位の根元基となる突起との界面近傍は、基となる突起の先端近傍または側面にある。また、屈曲または枝分かれした部位を有する突起は、当該部位からさらに屈曲または枝分かれした部位を有していてもよい。また、枝分かれした部位を有する突起と屈曲した部位を有する突起とが混在していてもよい。また、枝分かれした部位を有する突起は、屈曲した部位を有していてもよい。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する一の突起は、他の突起と接するまたは交差する部分を有していてもよい。また、他の突起と接するまたは交差する部分において、両者は接合されていてもよい。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する、屈曲または枝分かれした部位を有する突起は、他の突起と接するまたは交差する部分を有していてもよい。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する、屈曲または枝分かれした部位を有する突起は、屈曲または枝分かれした部位において、他の突起と接するまたは交差する部分を有していてもよい。また、他の突起と接するまたは交差する部分において、両者は接合されていてもよい。上記において、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲または枝分かれした部位を有する突起を有するため、突起同士が絡まりやすい、または突起同士が接しやすい、または突起同士が交わりやすい構成とすることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲または枝分かれした部位を有していない突起単に、突起ともいうを有していてもよい。屈曲または枝分かれした部位を有する突起と、屈曲または枝分かれした部位を有していない突起とが混在していてもよい。上記において、ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する複数の突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、不揃いすなわち、異なる方向であってもよい。複数の突起の伸長方向すなわち、軸の方向が不揃いすなわち、異なる方向であることにより、突起同士が絡まり、接し、または交わりやすい構成とすることができる。または、ウィスカー状の結晶性シリコン領域の複数の突起の伸長方向すなわち、軸の方向は、集電体の法線方向であってもよい。活物質層として機能する結晶性シリコン層はウィスカー状の結晶性シリコン領域を有するため、表面積が増大する。表面積が大きくなることで、蓄電装置の反応物質リチウムイオン等のキャリアイオンが結晶性シリコンに吸蔵される速度、または反応物質が結晶性シリコンから放出される速度が、単位質量当たりで増大する。反応物質の吸蔵又は放出の速度が増大することで、高電流密度での反応物質の吸蔵量又は放出量が増大するため、蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲または枝分かれした部位を有する突起を有するため、突起同士が絡まり、接し、または交わりやすい構成とすることができる。そのため、突起の強度が増しすなわち、折れにくくなり、活物質層の剥がれ等による蓄電装置の劣化を低減することができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲または枝分かれした部位を有する突起を有するため、ウィスカー状の結晶性シリコン領域においてシリコン密度の減少を抑えることができる。特に、ウィスカー状の結晶性シリコン領域において、突起の根元結晶性シリコン領域との界面近傍付近を含まない領域におけるシリコン密度の減少を抑えることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域においてシリコンの量を増やすことができ、表面積を増大させることができる。また、このウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する結晶性シリコン層を用いて作製した蓄電装置において、蓄電装置の単位体積あたりのエネルギー密度を向上させることが可能である。集電体は、白金、アルミニウム、銅に代表される金属元素等の導電性の高い材料を用いることができる。また、集電体は、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成することができる。混合層は、金属元素及びシリコンを有する。混合層としては、集電体を形成する金属元素及びシリコンを有してもよい。また、集電体をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層は、シリサイドで形成されてもよい。集電体及び活物質層の間に混合層を有することで、集電体及び活物質層の間に低密度な領域粗な領域が形成されず、集電体及び活物質層の界面特性を向上させることができる。また、混合層及び活物質層の間に、金属酸化物層を有してもよい。金属酸化物層は、集電体を形成する金属元素の金属酸化物で形成してもよい。また、金属酸化物層を酸化物半導体で形成してもよい。金属酸化物層を酸化物半導体で形成することで、金属酸化物層が絶縁物の場合と比較して、集電体及び活物質層の間の抵抗を低減することが可能であり、放電容量又は充電容量をさらに高めることができる。上記において、ウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する結晶性シリコン層は、集電体上に、シリコンを含む堆積性ガスを用いて加熱する熱化学蒸着熱CVDCVD:Chemicalvapordepositionともいう法、または低圧化学蒸着LPCVDLPCVD:Lowpressurechemicalvapordepositionともいう法により形成することができる。上記方法により形成されたウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲または枝分かれした部位を有する突起を含む複数の突起を有している。本発明の一形態により、放電容量又は充電容量が増大する等、性能が向上した蓄電装置を提供することができる。また、活物質層の剥がれ等による蓄電装置の劣化を低減することができる蓄電装置を提供することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である蓄電装置の電極及びその作製方法について説明する。蓄電装置の電極及びその作製方法について、図1及び図2を用いて説明する。図1Aに示すように、集電体101上に、熱CVD法、好ましくはLPCVD法により、結晶性シリコン層を活物質層103として形成する。そして、集電体101及び活物質層103を有する電極を形成する。集電体101は、電極の集電体として機能する。このため、箔状、板状、または網状の導電性部材を用いる。集電体101は、特に限定されないが、白金、アルミニウム、銅、チタン等に代表される導電性の高い金属元素を用いることができる。なお、集電体としてアルミニウムを用いる場合は、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性を向上させる元素が添加されたアルミニウム合金を用いることが好ましい。また、集電体101として、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素を用いてもよい。シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素としては、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル等がある。活物質層103として結晶性シリコン層をLPCVD法により形成する。LPCVD法は、550°Cより高い温度で、且つ、LPCVD装置及び集電体101が耐えうる温度以下、好ましくは580°C以上650°C未満の加熱をしつつ、原料ガスとしてシリコンを含む堆積性ガスを用いる。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、及び水素の一以上を混合させてもよい。なお、活物質層103に不純物として酸素が含まれている場合がある。これは、活物質層103として、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置の石英製のチャンバーから酸素が脱離し、結晶性シリコン層に拡散するためである。なお、結晶性シリコン層に、リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。リン、ボロン等の一導電型を付与する不純物元素が添加された結晶性シリコン層は、導電性が高くなるため、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量又は充電容量をさらに高めることができる。活物質層103として、LPCVD法を用いて結晶性シリコン層を形成すると、集電体101及び活物質層103の間に低密度な領域が形成されず、集電体101及び結晶性シリコン層の界面における電子の移動が容易となると共に、密着性を高めることができる。これは、結晶性シリコン層の堆積工程において、常に原料ガスの活性種が堆積中の結晶性シリコン層に供給されるため、結晶性シリコン層から集電体101にシリコンが拡散し、シリコン不足領域粗な領域が形成されても、当該領域に原料ガスの活性種が常に供給され、結晶性シリコン層中に低密度領域が形成されにくくなるためである。また、気相成長により集電体101上に結晶性シリコン層を形成するため、スループットを向上させることができる。ここで、集電体101及び活物質層103の破線105における拡大図の例を図1B~Dに示す。図1Bに示すように、集電体101上には、混合層107が形成される。混合層107は、集電体101を形成する金属元素及びシリコンで形成されてもよい。なお、混合層107が集電体101を形成する金属元素及びシリコンで形成される場合、活物質層103としてLPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、結晶性シリコン層に含まれるシリコンが集電体101に拡散することで形成される。集電体101をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、混合層107には、シリサイドを形成する金属元素及びシリコンのシリサイド、代表的には、ジルコニウムシリサイド、チタンシリサイド、ハフニウムシリサイド、バナジウムシリサイド、ニオブシリサイド、タンタルシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、及びニッケルシリサイドの一以上が形成される。または、シリサイドを形成する金属元素及びシリコンの合金層が形成される。なお、混合層107に不純物として酸素が含まれる場合がある。これは、活物質層103として、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置の石英製のチャンバーから酸素が脱離し、混合層107に拡散するためである。混合層107上には、集電体101を形成する金属元素の酸化物で形成される金属酸化物層109が形成されてもよい。金属酸化物層109は、例えば、活物質層103として、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置の石英製のチャンバーから酸素が脱離し、集電体101が酸化されることで形成される。なお、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際、チャンバー内に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガスを充填することで、当該金属酸化物層109が形成されないようにすることができる。集電体101をシリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素で形成する場合、金属酸化物層109として、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属元素の酸化物で形成される金属酸化物層が形成される。金属酸化物層109の代表例としては、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化コバルト、酸化ニッケル等がある。なお、集電体101を、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タングステン等で形成すると、金属酸化物層109は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化タングステン等の酸化物半導体で形成されるため、集電体101及び活物質層103の間の抵抗を低減することが可能であり、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量又は充電容量をさらに高めることができる。集電体101及び活物質層103の間に混合層107を有することで、集電体101及び活物質層103の間の界面における抵抗を低減させることができるため、電極の導電率を高めることができる。このため、放電容量又は充電容量をさらに高めることができる。また、集電体101及び活物質層103の密着性を高めることが可能であり、蓄電装置の劣化を低減することができる。活物質層103は、結晶性シリコン領域103aと、当該領域上に形成されるウィスカー状の結晶性シリコン領域103bとを有する。なお、結晶性シリコン領域103a及びウィスカー状の結晶性シリコン領域103bは、界面が明確ではない。このため、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bが有する複数の突起の間に形成される谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ集電体の表面と平行な平面を、結晶性シリコン領域103aとウィスカー状の結晶性シリコン領域103bとの界面とする。結晶性シリコン領域103aは、集電体101を覆うように設けられる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bは、ひげ状に複数の突起が設けられている。ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bは、図1Bに示すように、屈曲した部位を有する突起114aを有する。または、図1Cに示すように、枝分かれした部位を有する突起114bを有する。図1Bに示す突起114aにおいて、屈曲した部位の伸長方向すなわち、軸の方向は、基となる突起の伸長方向すなわち、軸の方向とは異なる。屈曲した部位は、基となる突起の先端近傍から伸長している。すなわち、屈曲した部位の根元基となる突起との界面近傍は、基となる突起の先端近傍にある。図1Cに示す突起114bにおいて、枝分かれした部位の伸長方向すなわち、軸の方向は、基となる突起の伸長方向すなわち、軸の方向とは異なる。枝分かれした部位は、基となる突起の側面から伸長している。すなわち、枝分かれした部位の根元基となる突起との界面近傍は、基となる突起の側面にある。また、屈曲した部位を有する突起114aは、当該屈曲した部位からさらに屈曲または枝分かれした部位を有していてもよい。また、枝分かれした部位を有する突起114bは、当該枝分かれした部位からさらに屈曲または枝分かれした部位を有していてもよい。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bが有する一の突起は、他の突起と接するまたは交差する部分を有していてもよい。また、他の突起と接するまたは交差する部分において、両者は接合されていてもよい。例えば、図1Dに示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bが有する、屈曲した部位を有する突起114cは、屈曲した部位において、他の突起と接する部分を有していてもよい。また、他の突起と接する部分において、両者は接合されていてもよい。また、図1Bに示す屈曲した部位を有する突起114a、図1Cに示す枝分かれした部位を有する突起114b、図1Dに示す屈曲した部位を有する突起114cが混在していてもよい。図1B~Dに示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲または枝分かれした部位を有する突起を有するため、突起同士が絡まりやすい、または突起同士が接しやすい、または突起同士が交わりやすい構成とすることができる。なお、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bが有する複数の突起は、円柱状、角柱状等の柱状でもよいし、円錐状または角錐状の針状でもよい。突起は、頂部が湾曲していてもよい。複数の突起は、柱状の突起と針状の突起とが混在していてもよい。また、突起は表面に凹凸を有していてもよい。表面に凹凸を有することにより、活物質層の表面積を増大させることができる。ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bが有する突起の径は、結晶性シリコン領域103aとの界面において50nm以上10μm以下、好ましくは500nm以上3μm以下である。また、突起の軸における長さは、0.5μm以上1000μm以下、好ましくは1μm以上100μm以下である。なお、突起の軸における長さhとは、突起の頂点または上面の中心を通る軸における、頂点または上面の中心と結晶性シリコン領域103aとの距離である。また、結晶性シリコン層の厚さは、結晶性シリコン領域103aの厚さと、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bの突起の頂点または上面から結晶性シリコン領域103aまでの垂線の長さすなわち、高さの和となる。また、屈曲した部位を有する突起114a、枝分かれした部位を有する突起114b、屈曲した部位を有する突起114cにおいて、屈曲または枝分かれした部位は、円柱状、角柱状等の柱状でもよいし、円錐状または角錐状の針状でもよい。当該部位は、頂部が湾曲していてもよい。また、基となる突起の形状と屈曲または枝分かれした部位の形状は類似した形状を有していてもよいし、異なる形状を有していてもよい。例えば、基となる突起の形状は柱状であり、屈曲した部位の形状は針状であってもよい。なお、突起が結晶性シリコン領域103aから突出する方向を長手方向伸長方向、または軸方向ともいうといい、長手方向に沿った断面形状を長手断面形状という。また、長手方向が法線方向となる面を輪切り断面形状という。ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bに形成される複数の突起の長手方向は一方向、例えば結晶性シリコン領域103aの表面に対する法線方向に伸張していてもよい。この場合、突起の長手方向は、結晶性シリコン領域103aの表面に対して法線方向と、略一致していればよく、各々の方向の差は代表的には5度以内であることが好ましい。または、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bに形成される複数の突起の長手方向は不揃いであってもよい。代表的には、長手方向が法線方向と略一致する第一の突起と、長手方向が法線方向とは異なる第二の突起とを有してもよい。第一の突起より第二の突起の軸における長さが長くともよい。突起の長手方向が不揃いであると、突起同士が絡む場合があるため、蓄電装置の充放電において突起が脱離しにくい。また、突起が円柱状または円錐状であれば、突起の輪切り断面形状は円形状となり、突起が角柱状または角錐状であれば、突起の輪切り断面形状は多角形状となる。本実施の形態に示す蓄電装置の電極は、活物質層103として機能する結晶性シリコン層がウィスカー状の結晶性シリコン領域103bを有するため、表面積が増大し、高電流密度での蓄電装置の放電容量又は充電容量を高めることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bは屈曲した部位を有する突起114a、枝分かれした部位を有する突起114b、または屈曲した部位を有する突起114cを有するため、突起同士が絡まり、接し、または交わりやすい構成とすることができる。そのため、突起の強度が増しすなわち、折れにくくなり、活物質層の剥がれ等による蓄電装置の劣化を低減することができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bは屈曲した部位を有する突起114a、突起114c、または枝分かれした部位を有する突起114bを有するため、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bにおいてシリコン密度の減少を抑えることができる。特に、ウィスカー状の結晶性シリコン領域103bにおいて、突起の根元結晶性シリコン領域103aとの界面近傍付近を含まない領域におけるシリコン密度の減少を抑えることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域においてシリコンの量を増やすことができ、表面積を増大させることができる。また、このウィスカー状の結晶性シリコン領域103bを有する結晶性シリコン層を用いて作製した蓄電装置において、蓄電装置の単位体積あたりのエネルギー密度を向上させることが可能である。本実施の形態に示す蓄電装置の電極は、集電体及び活物質層として機能する結晶性シリコン層の間に、少なくとも混合層を有する。このため、集電体及び結晶性シリコン層の間の界面抵抗を低減することが可能であり、さらに密着性を高めることが可能であるため、放電容量又は充電容量を高めると共に、蓄電装置の劣化を低減することができる。なお、図1においては、集電体101は、箔状、板状、または網状の導電性部材で形成される形態を示したが、図2に示すように、基板115上に、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、CVD法等を適宜用いて、集電体111を膜状に形成することができる。本実施の形態により、放電容量又は充電容量が増大する等、性能が向上した蓄電装置を提供することができる。また、活物質層の剥がれ等による蓄電装置の劣化を低減することができる蓄電装置を提供することができる。実施の形態2本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図3を用いて説明する。はじめに、蓄電装置として、二次電池の構造について、以下に説明する。ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について、説明する。図3Aは、蓄電装置151の平面図であり、図3Aの一点鎖線A-Bの断面図を図3Bに示す。本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示す。図3Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、159を有する。外装部材153は、ラミネートフィルム、高分子フィルム、金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図3Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163及び正極165の間に設けられるセパレータ167と、外装部材153、蓄電セル155及びセパレータ167中に満たされる電解質169とで構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質層173で構成される。正極165は、正極集電体175及び正極活物質層177で構成される。負極活物質層173は、負極集電体171の一方または両方の面に形成される。正極活物質層177は、正極集電体175の一方または両方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部159と接続する。また、正極集電体175は、端子部157と接続する。また、端子部157、159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置、角型蓄電装置等様々な形状の蓄電装置を用いることができる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。負極集電体171は、実施の形態1に示す集電体101、または集電体111を用いることができる。負極活物質層173は、実施の形態1に示す結晶性シリコン層で形成される活物質層103を用いることができる。なお、結晶シリコン層にリチウムをプリドープしてもよい。また、LPCVD装置において、負極集電体171を枠状のサセプターで保持しながら結晶性シリコン層で形成される活物質層103を形成することで、負極集電体171の両面に同時に活物質層103を形成することが可能であるため、工程数を削減することができる。正極集電体175は、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175は、箔状、板状、網状、膜状等の形状を適宜用いることができる。正極活物質層177は、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、V2O5、Cr2O5、MnO2、その他のリチウム化合物を材料として用いることができる。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合、正極活物質層177として、上記リチウム化合物においてリチウムの代わりに、アルカリ金属例えば、ナトリウムやカリウム等、またはアルカリ土類金属例えば、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を用いることもできる。電解質169の溶質は、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合、電解質169の溶質として、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、またはベリリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等のアルカリ土類金属塩等を適宜用いることができる。また、電解質169の溶媒としては、リチウムイオンまたは他のキャリアイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167は、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、放電容量が大きい。また、動作電圧が高い。これらのため、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電の繰り返しによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置として、キャパシタについて、説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図3Bに示す二次電池の正極活物質層177として、代わりに、リチウムイオンまたは他のキャリアイオン及びアニオンの少なくとも一を可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。正極活物質層177の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。負極163に実施の形態1に示す負極を用いることで、放電容量又は充電容量の高い蓄電装置を作製することができる。また、蓄電装置の一形態である空気電池の負極に実施の形態1に示す集電体及び活物質層を用いることで、放電容量又は充電容量の高い蓄電装置を作製することができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2で説明した蓄電装置の応用形態について図4を用いて説明する。実施の形態2で説明した蓄電装置は、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等の電子機器に用いることができる。また、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、電動車椅子等の電気推進車両に用いることができる。ここでは、電気推進車両の例を説明する。図4Aに、電気推進車両の一つである四輪の自動車300の構成を示す。自動車300は、電気自動車またはハイブリッド自動車である。自動車300は、その底部に蓄電装置302が設けられている例を示している。自動車300における蓄電装置302の位置を明確にするために、図4Bに、輪郭だけ示した自動車300と、自動車300の底部に設けられた蓄電装置302とを示す。実施の形態2で説明した蓄電装置を、蓄電装置302に用いることができる。蓄電装置302は、プラグイン技術や無線給電システムによる外部からの電力供給により充電をすることができる。図4Cに、電気推進車両の一つであるモーターボート1301の構成を示す。図4Cでは、モーターボート1301が、蓄電装置1302を、その船体の側部に備えている場合を例示している。実施の形態2で説明した蓄電装置を、蓄電装置1302に用いることができる。蓄電装置1302は、プラグイン技術や無線給電システムによる外部からの電力供給により充電をすることができる。モーターボート1301の充電すなわち、蓄電装置1302の充電を行うための給電装置は、例えば、港湾において船舶を係留させるための係留施設に設けることができる。図4Dに、電気推進車両の一つである電動車椅子1311の構成を示す。図4Dでは、電動車椅子1311が、蓄電装置1312を、その底部に備えている場合を例示している。実施の形態2で説明した蓄電装置を、蓄電装置1312に用いることができる。蓄電装置1312は、プラグイン技術や無線給電システムによる外部からの電力供給により充電をすることができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様に係る蓄電装置の一例である二次電池を、無線給電システム以下、RF給電システムと呼ぶ。に用いた場合の一例を、図5及び図6のブロック図を用いて説明する。なお、各ブロック図では、受電装置および給電装置内の構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが困難であり、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。はじめに、図5を用いてRF給電システムについて説明する。受電装置600は、給電装置700から供給された電力で駆動する電子機器または電気推進車両であるが、この他電力で駆動する装置に適宜適用することができる。電子機器の代表例としては、デジタルカメラやビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、表示装置、コンピュータ等がある。また、電気推進車両の代表例としては、電気自動車、ハイブリッド自動車、鉄道用電気車両、作業車、カート、電動車椅子等がある。また、給電装置700は、受電装置600に電力を供給する機能を有する。図5において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604とを少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702とを少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源負荷部610への電力の供給を制御する。また、信号処理回路603は、受電装置用アンテナ回路602の動作を制御する。すなわち、受電装置用アンテナ回路602から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。電源負荷部610は、二次電池604から電力を受け取り、受電装置600を駆動する駆動部である。電源負荷部610の代表例としては、モータ、駆動回路等があるが、その他の電力を受け取って受電装置を駆動する装置を適宜用いることができる。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602からの信号を受け取る役割を有する。信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701が受信した信号を処理する。また、信号処理回路702は、給電装置用アンテナ回路701の動作を制御する。すなわち、給電装置用アンテナ回路701から発信する信号の強度、周波数などを制御することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図5で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて放電容量又は充電容量蓄電量ともいうを増やすことができる。よって、無線給電の時間間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる放電容量又は充電容量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。次に、RF給電システムの他の例について図6を用いて説明する。図6において、受電装置600は、受電装置部601と、電源負荷部610とを有する。受電装置部601は、受電装置用アンテナ回路602と、信号処理回路603と、二次電池604と、整流回路605と、変調回路606と、電源回路607とを、少なくとも有する。また、給電装置700は、給電装置用アンテナ回路701と、信号処理回路702と、整流回路703と、変調回路704と、復調回路705と、発振回路706とを、少なくとも有する。受電装置用アンテナ回路602は、給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る、あるいは、給電装置用アンテナ回路701に信号を発信する役割を有する。給電装置用アンテナ回路701が発信する信号を受け取る場合、整流回路605は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号から直流電圧を生成する役割を有する。信号処理回路603は受電装置用アンテナ回路602が受信した信号を処理し、二次電池604の充電、二次電池604から電源回路607への電力の供給を制御する役割を有する。電源回路607は、二次電池604が蓄電している電圧を電源負荷部610に必要な電圧に変換する役割を有する。変調回路606は受電装置600から給電装置700へ何らかの応答を送信する場合に使用される。電源回路607を有することで、電源負荷部610に供給する電力を制御することができる。このため、電源負荷部610に過電圧が印加されることを低減することが可能であり、受電装置600の劣化や破壊を低減することができる。また、変調回路606を有することで、受電装置600から給電装置700へ信号を送信することが可能である。このため、受電装置600の充電量を判断し、一定量の充電が行われた場合に、受電装置600から給電装置700に信号を送信し、給電装置700から受電装置600への給電を停止させることができる。この結果、二次電池604の受電量を100としないことで、二次電池604の充電回数を増加させることが可能である。また、給電装置用アンテナ回路701は、受電装置用アンテナ回路602に信号を送る、あるいは、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る役割を有する。受電装置用アンテナ回路602に信号を送る場合、信号処理回路702は、受電装置に送信する信号を生成する回路である。発振回路706は一定の周波数の信号を生成する回路である。変調回路704は、信号処理回路702が生成した信号と発振回路706で生成された一定の周波数の信号に従って、給電装置用アンテナ回路701に電圧を印加する役割を有する。そうすることで、給電装置用アンテナ回路701から信号が出力される。一方、受電装置用アンテナ回路602から信号を受け取る場合、整流回路703は受け取った信号を整流する役割を有する。復調回路705は、整流回路703が整流した信号から受電装置600が給電装置700に送った信号を抽出する。信号処理回路702は復調回路705によって抽出された信号を解析する役割を有する。なお、RF給電を行うことができれば、各回路の間にどんな回路を設けてもよい。例えば、受電装置600が信号を受信し整流回路605で直流電圧を生成したあとに、後段に設けられたDC-DCコンバータやレギュレータといった回路によって、定電圧を生成してもよい。そうすることで、受電装置600内部に過電圧が印加されることを抑制することができる。本発明の一態様に係る二次電池は、図6で説明したRF給電システムにおける受電装置600が有する二次電池604として利用される。RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、従来の二次電池に比べて放電容量又は充電容量を増やすことができるので、無線給電の時間間隔を延ばすことができる何度も給電する手間を省くことができる。また、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用することで、電源負荷部610を駆動することができる放電容量又は充電容量が従来と同じであれば、受電装置600の小型化及び軽量化が可能である。従って、トータルコストを減らすことができる。なお、RF給電システムに本発明の一態様に係る二次電池を利用し、受電装置用アンテナ回路602と二次電池604を重ねる場合は、二次電池604の充放電による二次電池604の変形と、当該変形に伴うアンテナの形状の変化によって、受電装置用アンテナ回路602のインピーダンスが変化しないようにすることが好ましい。アンテナのインピーダンスが変化してしまうと、十分な電力供給がなされない可能性があるためである。例えば、二次電池604を金属製あるいはセラミックス製の電池パックに装填するようにすればよい。なお、その際、受電装置用アンテナ回路602と電池パックは数十μm以上離れていることが望ましい。また、本実施の形態では、充電用の信号の周波数に特に限定はなく、電力が伝送できる周波数であればどの帯域であっても構わない。充電用の信号は、例えば、135kHzのLF帯長波でも良いし、13.56MHzのHF帯短波でも良いし、900MHz~1GHzのUHF帯極超短波でも良いし、2.45GHzのマイクロ波帯でもよい。また、信号の伝送方式としては電磁結合方式、電磁誘導方式、共鳴方式、マイクロ波方式など様々な種類があるが、適宜選択すればよい。ただし、雨や泥などの、水分を含んだ異物によるエネルギーの損失を抑えるためには、周波数が低い帯域、具体的には、短波である3MHz~30MHz、中波である300kHz~3MHz、長波である30kHz~300kHz、及び超長波である3kHz~30kHzの周波数を利用した電磁誘導方式や共鳴方式を用いることが望ましい。本実施の形態は、上記実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、本発明の一態様である二次電池について、図7、図8、図9、図10、図11を用いて説明する。本実施例では、本発明の一態様である二次電池と、比較用の二次電池以下、比較二次電池というとを作製し、特性を比較した。<二次電池の電極の作製工程>まず、二次電池の電極の作製工程を説明する。集電体上に活物質層を形成することにより、二次電池の電極を形成した。集電体の材料としては、チタンを用いた。集電体として、厚さ100μmのシート状のチタン膜チタンシートともいうを用いた。活物質層としては、結晶性シリコンを用いた。集電体であるチタン膜上にLPCVD法により活物質層である結晶性シリコン層を形成した。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、材料ガスとしてシランを用い、シランの流量を300sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を600°Cとして行った。反応室は石英製のものを用いた。集電体の昇温時には、少量のHeを流した。上記工程により得られた結晶性シリコン層を二次電池の活物質層として用いた。<二次電池の電極の構成>上記工程により得られた結晶性シリコン層の平面SEMscanningelectronmicroscope写真を図7に示す。図7に示すように、上記工程により得られた結晶性シリコン層は、柱状または針状の突起を複数有するウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する。図7に示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲した部位を有する突起441を有する。突起441は他の突起と交差する部分を有している。図7に示す突起441において、屈曲した部位の伸長方向すなわち、軸の方向は、基となる突起の伸長方向すなわち、軸の方向とは異なる。屈曲した部位は、基となる突起の先端近傍から伸長している。すなわち、屈曲した部位の根元基となる突起との界面近傍は、基となる突起の先端近傍にある。上記工程により得られた結晶性シリコン層は、ウィスカー状の結晶性シリコン領域を有するため、活物質層の表面積を増大させることができる。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲した部位を有する突起441を有する。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、突起の先端近傍または側面において他の突起と接する突起を有する。したがって、突起同士が絡まりやすい構造を有する。または突起同士が接する構造を有する。そのため、活物質層の剥がれ等の劣化を低減することが可能である。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域においてシリコンの量を増やすことができ、表面積を増大させることができる。ウィスカー状の結晶性シリコン領域において、突起の軸における長さは、長いもので15~20μm程度である。また、突起の軸における長さは長いものだけでなく、当該軸における長さの長い突起の間に、突起の軸における長さが短い突起が複数存在している。突起の軸は、チタン膜に対して略垂直であるものもあれば、斜めであるものもある。突起は頂部が湾曲しているものが観察された。突起は先端になるほど径が小さくなる針状の突起が観察された。突起の軸の方向は不揃いであった。また、突起の根元結晶性シリコン領域との界面近傍における径は、1μm~2μmであった。突起は、柱状の突起と針状の突起とが混在して観察された。次に、上記工程により得られた結晶性シリコンの断面TEMTransmissionElectronMicroscope写真を図8に示す。図8に示すように、集電体であるチタン膜401上に、活物質層である結晶性シリコン層402が形成されている。図8から、チタン膜401と結晶性シリコン層402との界面近傍404には低密度な領域が形成されていないことが確認できた。結晶性シリコン層402は、結晶性シリコン領域と、結晶性シリコン領域から突出している複数の突起で形成されたウィスカー状の結晶性シリコン領域を有している。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、突起と突起の間に空隙403すなわち、突起が存在しない領域を有している。結晶性シリコン層は、結晶性シリコン領域上に複数の突起を有する。突起を有する結晶性シリコン層の厚さは3.0μm程度の部分が観察された。複数の突起の間に形成される谷における結晶性シリコン領域の厚さは1.5~2.0μm程度であった。また、図8では示されないが、図7に示すように、突起の軸における長さは、長いもので15~20μm程度である。図9は、図8の一部を拡大した断面TEM写真である。図9は、図8に示すチタン膜401と結晶性シリコン層402との界面近傍404の拡大写真である。図9から、チタン膜401と結晶性シリコン層402との界面近傍に、層405が形成されていることがわかる。図10に、チタン膜401と結晶性シリコン層402との界面近傍の断面のEDXenergydispersiveX-rayspectrometryの二次元元素マッピングの結果を示す。領域411はチタンを主成分として有する領域である。領域412はシリコンを主成分として有する領域である。領域416は酸素とチタンとを成分として有する領域である。領域415はチタンとシリコンとを成分として有する領域である。また、領域415に酸素が不純物として含まれている。図10から、チタンを主成分として有する領域411と、チタンとシリコンとを成分として有する領域415と、酸素とチタンとを成分として有する領域416と、シリコンを主成分として有する領域412とがこの順で積層されていることがわかる。領域411はチタン膜401であり、領域412は結晶性シリコン層402である。領域415は、チタンとシリコンとの混合層である。領域416は、金属酸化物層である。図10に示すEDXの二次元元素マッピングの結果より、図9に示した層405は、チタンとシリコンとの混合層と、混合層上の金属酸化物層とからなることがわかる。図10に示す測定範囲においては、混合層上の全面を覆うように金属酸化物層が形成されている。層405が有するチタンとシリコンとの混合層の厚さは、65nm~75nm程度であった。<二次電池の作製工程>本実施例の二次電池の作製工程を示す。上記のようにして集電体上に活物質層を形成し、電極を形成した。得られた電極を用いて二次電池を作製した。ここではコイン型の二次電池を作製した。以下に、コイン型の二次電池の作製方法について、図11を参照して説明する。図11に示すように、コイン型の二次電池は、電極204、参照電極232、セパレータ210、電解液図示せず、筐体206及び筐体244を有する。このほかにはリング状絶縁体220、スペーサー240及びワッシャー242を有する。電極204は、上記工程により得られた集電体200上に活物質層202が設けられたものを用いた。参照電極232は、参照電極活物質層230を有する。本実施例では、集電体としてチタン箔を用い、活物質層202を実施の形態1に示す結晶性シリコン層で形成した。また、参照電極活物質層230には、リチウム金属リチウム箔を用いた。セパレータ210には、ポリプロピレンを用いた。筐体206、筐体244、スペーサー240及びワッシャー242は、ステンレスSUS製のものを用いた。筐体206及び筐体244は、電極204及び参照電極232を外部と電気的に接続する機能を有している。これら電極204、参照電極232及びセパレータ210を電解液に含浸させた。そして、図11に示すように、筐体206を下にして電極204、セパレータ210、リング状絶縁体220、参照電極232、スペーサー240、ワッシャー242、筐体244をこの順で積層し、コインかしめ機で筐体206と筐体244とをかしめてコイン型の二次電池を作製した。電解液としては、エチレンカーボネートECとジエチルカーボネートDECの混合溶媒にLiPF6を溶解させたものを用いた。<比較二次電池の電極の作製工程>次に、比較二次電池の電極の作製工程を説明する。本発明の一態様である二次電池と比較二次電池とは、活物質層の作製工程が異なる。それ以外の構成は共通しているため、基板、集電体等の構成は省略する。比較二次電池の活物質層としては、結晶性シリコンを用いた。集電体であるチタン膜上にプラズマCVD法によりリンが添加された非晶質シリコンを形成し、熱処理をすることにより結晶性シリコンを形成した。プラズマCVD法による非晶質シリコンの形成は、材料ガスとしてシランとホスフィンを用い、シランの流量を60sccm、5volホスフィン水素希釈の流量を20sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を133Paとし、基板の温度を280°Cとし、RF電源周波数を60MHz、RF電源のパルス周波数を20kHz、パルスのデューティ比を70、RF電源の電力を100Wとして行った。非晶質シリコンは、厚さが3μmとなるように形成した。その後、700°Cで熱処理を行った。該熱処理は、Ar雰囲気中で6時間行った。この熱処理により、非晶質シリコンを結晶化し、結晶性シリコン層を形成した。上記工程により得られた結晶性シリコン層を比較二次電池の活物質層として用いた。なお、この結晶性シリコン層には、リンn型を付与する不純物元素が添加されている。なお、この結晶性シリコン層には、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は形成されていなかった。<比較二次電池の作製工程>比較二次電池の作製工程を示す。上記のようにして集電体上に活物質層を形成し、比較二次電池の電極を形成した。得られた電極を用いて比較二次電池を作製した。比較二次電池の作製は、上記二次電池の作製と同様にして行った。<二次電池、比較二次電池の特性>充放電測定機を用いて、二次電池、比較二次電池の放電容量を測定した。充放電の測定には定電流方式を採用し、2.0mAの電流で充放電し、上限電圧を1.0V、下限電圧を0.03Vとして行った。すべての測定は、室温で行った。二次電池、比較二次電池の初期特性を表1に示す。表1には、活物質層の単位体積あたりの放電容量mAh/cm3の初期特性を示す。ここでは、二次電池の活物質層の厚さは3.5μm、比較二次電池の活物質層の厚さは3.0μmとして放電容量mAh/cm3を算出した。表1に示すように、二次電池の放電容量7300mAh/cm3は、比較二次電池の放電容量4050mAh/cm3と比較して、1.8倍程度大きいことがわかる。このように二次電池の実容量は、二次電池の理論容量9800mAh/cm3に近い値を有している。このように、LPCVD法を用いて形成した結晶性シリコン層を活物質層として用いることで、容量が向上し、理論容量に近い容量値を有する二次電池を作製することができた。本実施例では、本発明の一態様である蓄電装置が有する電極及びその作製工程について、図12を用いて説明する。<電極の作製工程>まず、電極の作製工程を説明する。集電体上に活物質層を形成することにより、蓄電装置用の電極を形成した。集電体の材料としては、チタンを用いた。集電体として、厚さ100μmのシート状のチタン膜チタンシートともいうを用いた。活物質層としては、結晶性シリコンを用いた。集電体であるチタン膜上にLPCVD法により活物質層である結晶性シリコン層を形成した。LPCVD法による結晶性シリコン層の形成は、材料ガスとしてシランを用い、シランの流量を300sccmとして反応室内に材料ガスを導入し、反応室内の圧力を20Paとし、反応室内の温度を590°Cとして行った。反応室は石英製のものを用いた。集電体の昇温時には、少量のHeを流した。<電極の構成>上記工程により得られた結晶性シリコン層の平面SEMscanningelectronmicroscope写真を図12A、Bに示す。図12A、Bに示すように、上記工程により得られた結晶性シリコン層は、柱状または針状の突起を有するウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する。図12Aに示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲した部位を有する突起450を有する。突起450は、屈曲した部位からさらに屈曲した部位を有している。突起450において、基となる突起の形状と屈曲した部位の形状は類似した形状を有している。突起450において、基となる突起の形状、屈曲した部位の形状、当該部位からさらに屈曲した部位の形状はいずれも略柱状である。また、図12Bに示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲した部位を有する突起460を有する。突起460において、基となる突起の形状と屈曲した部位の形状は異なる形状を有している。突起460において、基となる突起の形状は略柱状であり、屈曲した部位の形状は略針状である。図12A、Bに示す突起450、突起460において、屈曲した部位の伸長方向すなわち、軸の方向は、基となる突起の伸長方向すなわち、軸の方向とは異なる。屈曲した部位は、基となる突起の先端近傍から伸長している。すなわち、屈曲した部位または屈曲した部位からさらに屈曲した部位の根元基となる突起または屈曲した部位との界面近傍は、基となる突起または屈曲した部位の先端近傍にある。また、図12Aに示すように、ウィスカー状の結晶性シリコン領域が有する突起は、表面に凹凸を有している。上記工程により得られた結晶性シリコン層は、ウィスカー状の結晶性シリコン領域を有し、ウィスカー状の結晶性シリコン領域は屈曲または枝分かれした部位を有するため、活物質層の表面積を増大させることができる。