"少なくとも1つのp型半導体層を備えるp型閉じ込め層と、光を放射するように構成された多重量子井戸MQWを含む、前記p型閉じ込め層上の活性層と、少なくとも1つのn型半導体層、及び、前記活性層を保護するように構成された半導体物質を含む少なくとも1つのエッチング停止層を備えるn型閉じ込め構造と、を備える垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め層が、前記活性層上に内方n型半導体層、前記n型半導体層上に前記エッチング停止層、及び、前記エッチング停止層上にテクスチャ表面を有する外方n型半導体層を備えることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記半導体物質がAlを含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記p型半導体物質がp-GaNを含み、前記n型半導体物質がn-GaNを含み、且つ、前記半導体物質がGaN及びAlを含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記半導体物質がGaN及びAl並びにIn、Si、C、Ge、Se、Te及びPからなる群から選択される元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記半導体物質がAlInGaN、AlGaN、AlN及びAlInNからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記半導体物質がAlInGaN、AlGaN、AlN及びAlInNからなる群から選択される物質、並びに、In、Si、C、Ge、Se、Te及びPからなる群から選択される元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造が、複数のn型分離層によって分離された複数のエッチング停止層を備えることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造が少なくとも1つのバッファ層を備えることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記p型半導体物質がp-GaNを含み、前記n型半導体物質がn-GaNを含み、前記半導体物質がAlInGaN、AlGaN、AlN及びAlInNからなる群から選択される物質を含み、尚且つ、前記バッファ層がGaN又はSiNを含むことを特徴とする請求項9に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造が、複数のn型分離層によって分離された複数のバッファ層及び複数のエッチング停止層を備えることを特徴とする請求項1に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。少なくとも1つのp型半導体層を備えるp型閉じ込め層と、光を放射するように構成された多重量子井戸MQWを含む、前記p型閉じ込め層上の活性層と、前記活性層上の内方n型半導体層、前記n型半導体層のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有する半導体物質を含む、前記n型半導体層上のエッチング停止層、前記エッチング停止層上の中央n型半導体層、及び、前記n型半導体層上のテクスチャ表面を有する外方n型半導体層を備えるn型閉じ込め構造と、を備える垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記p型半導体物質がp-GaNを含み、前記n型半導体物質がn-GaNを含み、尚且つ、前記半導体物質がAlInGaN、AlGaN、AlN及びAlInNからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記半導体物質がSi、C、Ge、Se、Te及びPからなる群から選択される元素を組成の形で又はドーピングされた形で含むことを特徴とする請求項13に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造は、GaN又はSiNを含む少なくとも1つのバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造は、複数のn型分離層によって分離された複数のエッチング停止層を備えることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造は、複数のn型分離層によって分離された複数のバッファ層を備えることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。前記n型閉じ込め構造は、複数のn型分離層によって分離された複数のエッチング停止層及び複数のバッファ層を備えることを特徴とする請求項12に記載の垂直型発光ダイオードVLEDダイ。垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法であって、キャリア基板を提供するステップと、少なくとも1つのn型半導体層、及び、半導体物質を含む少なくとも1つのエッチング停止層を備えるn型閉じ込め構造を前記キャリア基板に形成するステップと、光を放射するように構成された多重量子井戸MQWを含む活性層を前記n型閉じ込め構造に形成するステップと、少なくとも1つのp型半導体層を備えるp型閉じ込め層を前記活性層に形成するステップと、前記キャリア基板を除去するステップと、を含む方法。前記エッチング停止層によって制限されるエッチングプロセスを使用して、前記n型閉じ込め層の外面をテクスチャするステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記p型半導体物質がp-GaNを含み、前記n型半導体物質がn-GaNを含み、尚且つ、前記半導体物質がAlInGaN、AlGaN、AlN及びAlInNからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記n型閉じ込め構造に少なくとも1つのSiNバッファ層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。複数のn型分離層によって分離された複数のエッチング停止層を前記n型閉じ込め構造に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。複数のn型分離層によって分離された複数のバッファ層を前記n型閉じ込め構造に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。複数のn型分離層によって分離された複数のエッチング停止層及び複数のバッファ層を前記n型閉じ込め構造に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記キャリア基板がサファイア、SiC、Si、Ge、ZnO、GaN、AlN、ZnSe及びGaAsからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。本開示は、活性層を保護するエッチング停止層を有するn型閉じ込め構造を備える垂直型発光ダイオードVLEDダイに関する。また、本開示は、エッチング停止層を有するn型閉じ込め構造を備える垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法に関する。垂直型発光ダイオードVLEDダイは、少なくとも1つのp型半導体層を有するp型閉じ込め層を備えるエピタキシャル構造と、p型閉じ込め層上の光を放射するように構成された多重量子井戸MQWとして構成された活性層と、少なくとも1つのn型半導体層及び活性層を保護するように構成された半導体物質を含む少なくとも1つのエッチング停止層を有するn型閉じ込め構造と、を備える。n型閉じ込め構造は、活性層に近接する内方層、及び、テクスチャ表面を有する外方層のような複数のn型半導体層を含むことができ、エッチング停止層がこれら層の間に配置されうる。別の形態として、n型閉じ込め構造は、複数のn型半導体層によって分離された1又は複数のバッファ層に組み合わされた1又は複数のエッチング停止層を含むことができる。垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法は、キャリア基板を提供するステップと、少なくとも1つのn型半導体層及び半導体材物質を含む少なくとも1つのエッチング停止層を備えるn型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、n型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、少なくとも1つのp型半導体層を備えるp型閉じ込め層を活性層に形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。また、この方法は、エッチング停止層によって制限されるエッチングプロセスを使用してn型閉じ込め構造の外面をテクスチャするステップを含みうる。例示の実施形態が図面に開示される。実施形態及び図面は限定するためではなく説明のためにここに開示される。図面では、同じ符番が同じ層又は部位を示す。符番の添え字A~Fが異なる実施形態を示し、符番の添え字1~3が層の数を示す。図1に示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Aは、p型閉じ込め層12A、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12A上の活性層14A、及び、当該活性層14A上のn型閉じ込め構造16Aを含むエピタキシャル構造を備える。さらに説明するとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Aは、低い逆バイアス漏れ電流、及び、低バイアス電流での高い順電圧によって特徴付けられる。n型閉じ込め構造16Aは、外方n型層18A1、バッファ層20A、中央n型層18A2、エッチング停止層22A及び内方n型層18A3を含んでいる。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Aがキャリア基板24A上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。キャリア基板24Aに適切な物質は、サファイア、炭化ケイ素SiC、シリコンSi、ゲルマニウムGe、酸化亜鉛ZnO、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、セレン化亜鉛ZnSe及びガリウム砒素GaAsを含む。好ましくは、p型閉じ込め層12A図1はp-GaNを含む。p型閉じ込め層12Aに適切な他の物質は、p-AlGaN、p-InGaN、p-AlInGaN、p-AlInN及びp-AlNを含む。好ましくは、活性層14A図1は、InGaN/GaN、AlGaInN、AlGaN、AlInN及びAlNの1又は複数の層を備える1又は複数の量子井戸を含む。好ましくは、n型層18A1、18A2、18A3はn-GaNを含む。n型層18A1、18A2、18A3に適切な他の物質は、n-AlGaN、n-InGaN、n-AlInGaN、AlInN及びn-AlNを含む。バッファ層20Aは、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Aの特定機能を実行するように構成される。例えば、バッファ層20Aは窒化ガリウムGaNを含みうる。別例として、バッファ層20Aは、活性層14Aにおける転位密度及び組成ゆらぎを減少させるように構成された窒化シリコンSiNを含みうる。エッチング停止層22A図1は、n型層18A1、18A2、18A3の物質よりもエッチング処理に対してより反応性が低い物質を含む。言い換えれば、エッチング停止層22Aのエッチング速度が、n型層18A1、18A2、18A3のエッチング速度よりも遅い。さらに、エッチング停止層22AはAlを含むが追加の元素をも含みうる。例えば、n-GaNを含むn型層18A1、18A2、18A3で、エッチング停止層22Aが、Al又はIn、Si、C、Ge、Se、Te若しくはPのような別元素でドープされた又は非ドープのGaNを組成又はドーパントの形で含みうる。例として、AlInGaNを含むエッチング停止層22Aで、代表的なAl含有量を1から100すなわち100のAlNとすることができる。エッチング停止層22Aに適切な他の物質は、AlGaN及びAlInNを含み、ドープされた又は非ドープの形態である。また、AlGaNの場合、エッチング停止層22Aは、組成又はドーパントの形でIn、Mg、Si、P、C、Se又はTeを含みうる。AlNの場合、組成又はドーパントの形でGa、In、Mg、Si、P、C、Se又はTeを含みうる。エッチング停止層22Aの代表的な厚みを1Åから1μmとすることができる。以下に説明する垂直型発光ダイオードVLEDダイ10B~10Fの各々を、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Aで説明したものと同じ物質で形成可能である。さらに、以下に説明する垂直型発光ダイオードVLEDダイ10B~10Fの各々は、低い逆バイアス漏れ電流及び低いバイアス電流での高い順電圧によって特徴付けられる。図2及び2Aに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Bは、p型閉じ込め層12B、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12B上の活性層14B、及び、当該活性層14B上のn型閉じ込め構造16Bを含むエピタキシャル構造を備える。n型閉じ込め構造16Bは、外方n型層18B1と、バッファ層20Bと、中央n型層18B2と、複数のエッチング停止層22B1、22B2、22B3と、内方n型層18B3とを含んでいる。図2Aに示すとおり、エッチング停止層22B1、22B2、22B3がn型分離層26B1、26B2によって分離されている。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Bがキャリア基板24B上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。図3に示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Cは、p型閉じ込め層12C、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12C上の活性層14C、及び、当該活性層14C上のn型閉じ込め構造16Cを含むエピタキシャル構造を備える。n型閉じ込め構造16Cは、外方n型層18C1と、エッチング停止層22Cと、内方n型層18C2とを含んでいる。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Cがキャリア基板24C上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。図4及び4Aに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Dは、p型閉じ込め層12D、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12D上の活性層14D、及び、当該活性層14D上のn型閉じ込め構造16Dを含むエピタキシャル構造を備える。n型閉じ込め構造16Dは、外方n型層18D1と、複数のエッチング停止層22D1、22D2、22D3と、内方n型層18D2とを含んでいる。図4Aに示すとおり、エッチング停止層22D1、22D2、22D3がn型分離層26D1、26D2によって分離されている。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Dがキャリア基板24D上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。図5及び5Aに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Eは、p型閉じ込め層12E、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12E上の活性層14E、及び、当該活性層14E上のn型閉じ込め構造16Eを含むエピタキシャル構造を備える。n型閉じ込め構造16Eは、外方n型層18E1と、n型分離層26E1、26E2によって分離された複数の外方バッファ層20E1、20E2、20E3と、中央n型層18E2と、n型分離層26E3、26E4によって分離された複数のエッチング停止層22E1、22E2、22E3と、内方n型層18E3とを含んでいる。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Eがキャリア基板24E上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。図6及び6Aに示すとおり、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Fは、p型閉じ込め層12F、光を放射するように構成された、当該p型閉じ込め層12F上の活性層14F、及び、当該活性層14F上のn型閉じ込め構造16Fを含むエピタキシャル構造を備える。n型閉じ込め構造16Fは、外方n型層18F1と、n型分離層26F1、26F2によって分離された複数のバッファ層20F1、20F2と、中央n型層18F2と、エッチング停止層22Fと、内方n型層18F3とを含んでいる。最初に垂直型発光ダイオードVLEDダイ10Fがキャリア基板24F上に構築され、点線で示唆されるように、続いてそれが除去される。図7Aを参照して、上記垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fのいずれかを使用して構築された垂直型発光ダイオードVLEDパッケージ30を説明する。垂直型発光ダイオードVLEDパッケージ30は、基板32と、当該基板32に搭載された少なくとも1つの垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fと、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10F及び基板32に結合されたワイヤ34と、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fを封入するレンズとして構成された透明ドーム36とを含む。さらに、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fのn型閉じ込め構造16A~16Fの表面38を、光抽出を改善するようにテクスチャ加工することが可能である。垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fが、逆バイアス方向への低い漏れ電流、及び、低いバイアス電流でのより高い順電圧を有するように、各エッチング停止層22A~22Fが活性層14A~14Fを製造中に保護する。さらに、図7Bの放射顕微鏡EMMIグラフに示すとおり、漏れ電流の結果生じる輝点が実質的に除去される。垂直型発光ダイオードVLEDパッケージ30図7Aの基板32図7Aは搭載基板として機能し、また、発光ダイオードLEDパッケージ30を外部に電気接続するための導電体図示せず、電極図示せず及び電気回路図示せずを提供する。基板32図7Aは、示されるようなフラット形状又は凹面形状若しくは凸面形状を有することができる。さらに、基板32図7Aは、光抽出を改善するように反射層図示せずを含みうる。基板32図7Aは、シリコン、又は、GaAs、SiC、GaP、GaN若しくはAlNのような別の半導体物質を含みうる。あるいは、基板32図7Aは、セラミック物質、サファイア、ガラス、プリント基板PCB物質、メタルコアプリント基板MCPCB、FR-4プリント基板PCB、金属マトリクス複合材料、金属リードフレーム、有機リードフレーム、シリコンサブマウント基板又は当該技術分野で使用される任意のパッケージング基板を含みうる。さらに、基板32図7Aは、Si、AlN、SiC、AlSiC、ダイアモンド、MMC、グラファイト、Al、Cu、Ni、Fe、Mo、CuW、CuMo、酸化銅、サファイア、ガラス、セラミック、金属又は合金のような、金属若しくは合金層の単相又は複層を含みうる。いずれの場合でも、好ましくは、基板32図7Aは約60°Cから350°Cまでの動作温度範囲を有する。図8A~8Dを参照して、前述した垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~Fの製造方法におけるステップを説明する。最初に、図8Aに示すとおり、キャリア基板24A~Fを提供する。キャリア基板24A~Fは、サファイア、炭化ケイ素SiC、シリコンSi、ゲルマニウムGe、酸化亜鉛ZnO、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、セレン化亜鉛ZnSe及びガリウム砒素GaAsのような適切な物質から構成されるウエハの形態とすることができる。後に続く例では、キャリア基板24A~Fはサファイアを含む。図8Aに示すとおり、多層エピタキシャル構造40がキャリア基板24A~F上に形成される。エピタキシャル構造40は、p型閉じ込め層12A~Fと、光を放出するように構成された、p型閉じ込め層12A~F上の活性層14A~14F図8A~DではMQWと示されると、活性層14A~14F上のn型閉じ込め層16A~Fとを含む。図9Aに示すとおり、エッチング停止層22A~F、バッファ層20A~F及びn型層18A~Fのようなn型閉じ込め層16A~Fの分離層を含むこれら全ての層を、気相エピタキシーVPE、金属有機化学気相堆積MOCVD、分子線エピタキシーMBE又は液相エピタキシーLPEのような適切な堆積プロセスを使用して製造可能である。説明した実施形態では、p型閉じ込め層12A~Fがp-GaNを含み、n型層18A~Fがn-GaNを含む。GaN以外に、p型閉じ込め層12A~F及びn型閉じ込め層18A~Fは、AlGaN、InGaN及びAlInGaNのような様々な他の化合物半導体物質を含みうる。活性層14A~Fは、GaNのような広いバンドギャップを有する物質の2層間に挟まれたInGaN層のような適切な物質で形成可能である。次に図8Bに示すとおり、基板24A~F上の端点とすることが可能である、あるいは、基板24A~F内に短距離延びることが可能である、エピタキシャル構造40を通るトレンチ溝42を形成するのに適切なプロセスを使用可能である。さらに、トレンチを形成する前に反射層図示せず及びベース図示せずのような他の要素を必要に応じて形成可能である。従来の半導体製造プロセスでは、複数の所定のダイ10A-10Fが形成されるように、トレンチ42をダイ間の道路に類似する十字パターンに形成可能である。トレンチ42を形成するための適切なプロセスは、ハードマスクを通したドライエッチングを含む。他の適切なプロセスは、レーザーカッティング、ソーカッティング、ダイアモンドカッティング、ウェットエッチング、ドライエッチング及びウォーターエッチングを含む。次に図8Cに示すとおり、パルスレーザー照射プロセス、エッチング、化学機械平坦化CMPのような適切なプロセスを使用して、キャリア基板24A~Fをn型閉じ込め構造16A~Fから取り外し可能である。次に図8Dに示すとおり、粗加工又はテクスチャプロセスを使用してテクスチャ面38をn型閉じ込め構造16A~Fの外面に形成可能である。n型閉じ込め構造16A~Fの外面を粗面加工する1つのプロセスは光電気化学酸化及びエッチングを組み合わせる。このプロセスは、米国特許第7,186,580B2号、第7,473,936B2号、第7,524,686B2号、7,563,625B2号及び第7,629,195号に説明されており、本文にその内容を援用する。テクスチャ面38を図9A及び図9BのSEM画像に示す。エッチングプロセスの間、エッチング停止層22A~Fが、活性層14A~Fを保護するようにエッチング停止を提供する。図10A及び10Bを参照して、垂直型発光ダイオードVLEDダイ10A~10Fの電気特性を説明する。図10Aに示すとおり、n-AlGaNから形成されたエッチング停止層を有するダイ下側のプロット線の逆電圧-5ボルトでの漏れ電流の方が標準従来の垂直型発光ダイオードVLEDダイ上側のプロット線のものよりも小さい。図10Bに示すとおり、n-AlGaNから形成されたエッチング停止層を有するダイ下側のプロット線の低い順電流10μAでの順電圧の方が標準従来の垂直型発光ダイオードVLEDダイ上側のプロット線のものよりも大きい。図10Cに示すとおり、n-AlGaNから形成されたエッチング停止層を有するダイ下側のプロット線の低い順電流1μAでの順電圧の方が標準従来の垂直型発光ダイオードVLEDダイ上側のプロット線のものよりも大きい。このようにして、少なくとも1つのエッチング停止層を有するn型閉じ込め構造を備える改善した垂直型発光ダイオードVLEDダイ、及び、当該垂直型発光ダイオードVLEDダイを製造する方法を開示した。複数の実施例及び実施形態を説明したが、当該技術分野の当業者が任意の改変、置換、付加、及びこれらの組み合わせを実施可能であることは明らかである。すなわち、添付した特許請求の範囲は、全てのこのような改変、置換、付加及びこれらの組み合わせをその技術的範囲内に含むことを意図している。"