"n型半導体層、発光層、p型半導体層が半導体層として積層された光透過性の単結晶基板を分割して個片化した発光素子において、前記単結晶基板を個片化した個片基板は、結晶面で分割された側面が傾斜面となることで四角錐台状に形成されていることを特徴とする発光素子。前記単結晶基板は、GaNにより形成されている請求項1記載の発光素子。前記個片基板の天面がm面1-100面であり、前記天面を中心とした4つの側面のうち、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とがm面1-100面であり、前記一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面である請求項2記載の発光素子。前記個片基板の天面がc面0001面であり、前記天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面であり、前記一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-21面である請求項2記載の発光素子。前記個片基板の天面がc面0001面であり、前記天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-102面であり、前記一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-22面である請求項2記載の発光素子。前記個片基板の天面がc面0001面であり、前記天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面であり、前記一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-22面である請求項2記載の発光素子。前記個片基板の天面がc面0001面であり、前記天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面11-21面であり、前記一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面1-102面である請求項2記載の発光素子。単結晶基板にn型半導体層、発光層、p型半導体層とを半導体層として積層する積層工程と、前記単結晶基板を前記半導体層と共に、前記単結晶基板側から、刃先が先鋭なブレードにより切削して前記単結晶基板を個片化して個片基板とするときに、前記個片基板の側面が結晶面で分割された四角錐台状の傾斜面となるように切削する個片化工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。しかし、単に基板の側面を傾斜面とするために基板をブレードで切削すると、基板に割れや欠けが生じたり、切削面にダメージ層ができ、側面部分の透明度が低下したりして、安定的な製造が困難である。そこで本発明は、光取り出し効率の向上を図りつつ、製造安定性が確保できる発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、n型半導体層、発光層、p型半導体層が半導体層として積層された光透過性の単結晶基板を分割して個片化した発光素子について、前記単結晶基板を個片化した個片基板は、結晶面で分割された側面が傾斜面となることで四角錐台状に形成されていることを特徴とする。本発明によれば、個片基板の側面を結晶面による傾斜面とすることで、効率よく素子外部に光を取り出すことができ、意図しない方向に単結晶基板が割れたり、欠けたりすることを防止することができるので、光取り出し効率の向上を図りつつ、製造安定性が確保できる。本願の第1の発明は、n型半導体層、発光層、p型半導体層が半導体層として積層された光透過性の単結晶基板を分割して個片化した発光素子において、単結晶基板を個片化した個片基板は、結晶面で分割された側面が傾斜面となることで四角錐台状に形成されていることを特徴とした発光素子である。第1の発明によれば、個片基板の側面が傾斜面に形成されているため、発光層からの光が側面に対して入射角が大きくなるので、効率よく素子外部に光を取り出すことができる。また、傾斜面からなる側面は、結晶面により形成されているため、スムーズに切削することができるので、意図しない方向に単結晶基板が割れたり、欠けたりすることを防止することができる。本願の第2の発明は、第1の発明において、単結晶基板は、GaNにより形成されていることを特徴とした発光素子である。第2の発明によれば、単結晶基板をGaNとすることができる。本願の第3の発明は、第2の発明において、個片基板の天面がm面1-100面であり、天面を中心とした4つの側面のうち、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とがm面1-100面であり、一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面であることを特徴とした発光素子である。第3の発明によれば、天面がm面1-100面であれば、側面をm面1-100面と半極性面1-101面とすることで、側面を傾斜面とすることができると共に、スムーズに切削することができる。本願の第4の発明は、第2の発明において、個片基板の天面がc面0001面であり、天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面であり、一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-21面であることを特徴とした発光素子である。第4の発明によれば、天面がc面0001面であれば、側面を半極性面1-101面と半極性面11-21面とすることで、側面を傾斜面とすることができると共に、スムーズに切削することができる。本願の第5の発明は、第2の発明において、個片基板の天面がc面0001面であり、天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-102面であり、一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-22面であることを特徴とした発光素子である。第5の発明によれば、天面がc面0001面であれば、側面を半極性面1-102面と半極性面11-22面とすることで、側面を傾斜面とすることができると共に、スムーズに切削することができる。本願の第6の発明は、第2の発明において、個片基板の天面がc面0001面であり、天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面1-101面であり、一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面11-22面であることを特徴とした発光素子である。第6の発明によれば、天面がc面0001面であれば、側面を半極性面1-101面と半極性面11-22面とすることで、側面を傾斜面とすることができると共に、スムーズに切削することができる。本願の第7の発明は、第2の発明において、個片基板の天面がc面0001面であり、天面を中心とした4つの側面は、一方の側面とこの一方の側面と反対側の側面とが半極性面11-21面であり、一方の側面と隣接する他方の側面とこの他方の側面と反対側の側面とが半極性面1-102面であることを特徴とした発光素子である。第7の発明によれば、天面がc面0001面であれば、側面を半極性面11-21面と半極性面1-102面とすることで、側面を傾斜面とすることができると共に、スムーズに切削することができる。本願の第8の発明は、単結晶基板にn型半導体層、発光層、p型半導体層とを半導体層として積層する積層工程と、単結晶基板を半導体層と共に、単結晶基板側から、刃先が先鋭なブレードにより切削して単結晶基板を個片化して個片基板とするときに、個片基板の側面が結晶面で分割された四角錐台状の傾斜面となるように切削する個片化工程とを含むことを特徴とした発光素子の製造方法である。第8の発明によれば、個片基板の側面が傾斜面に形成されているため、発光層からの光が側面に対して入射角が大きくなるので、効率よく素子外部に光を取り出すことができる。また、傾斜面からなる側面は、結晶面により形成されているため、スムーズに切削することができるので、意図しない方向に単結晶基板が割れたり、欠けたりすることを防止することができる。実施の形態本発明の実施の形態に係る発光素子を図1に基づいて説明する。図1に示す発光素子10は、光透過性基板11に半導体層12が積層され、電源を供給する電極が形成されたフリップチップタイプのLEDである。本実施の形態の光透過性基板11はn型GaN基板である。この光透過性基板11は、厚みが300μm~400μmである。光透過性基板11上には、半導体層12として、N-GaN層により形成されたn型半導体層12aと、発光層12bと、P-GaN層により形成されたp型半導体層12cとが積層されている。光透過性基板11とn型半導体層12aとの間にバッファ層を設けてもよい。n型半導体層12aへのn型ドーパントとしては、SiまたはGe等を好適に用いることができる。このn型半導体層12aは膜厚2μmで形成されている。発光層12bは、少なくともGaとNとを含み、必要に応じて適量のInを含ませることで、所望の発光波長を得ることができる。また、発光層12bとしては、1層構造とすることもできるが、例えば、InGaN層とGaN層とを交互に少なくとも一対積層した多量子井戸構造とすることも可能である。発光層12bを多量子井戸構造とすることで、更に輝度を向上させることができる。p型半導体層12cは、発光層12bの上に直接あるいは少なくともGaとNを含んだ半導体層を介して積層されたものである。また、p型半導体層12cへのp型ドーパントとしては、Mg等が好適に用いられる。このp型半導体層12cは膜厚0.1μmで形成されている。この半導体層12には、n電極13とp電極14とが形成されている。n電極13は、p型半導体層12cと発光層12bとn型半導体層12aの一部とをエッチングしたn型半導体層12a上の領域に設けられている。n電極13は、Al層とTi層とAu層とが積層されて形成されている。p電極14は、エッチングされた残余のp型半導体層12c上に積層されている。p電極14は、Ni層とAg層とを積層することで形成されている。p電極14は、反射率の高いAg層を含むことで反射電極として機能する。Ni層は、p型半導体層12cとAg層との密着度を向上させる接着層として機能するものである。Ni層の膜厚は0.1nmから5nmの範囲とすることが可能である。ここで、光透過性基板11について、図2、図3、図4に基づいて詳細に説明する。光透過性基板11は、水平面である矩形状の天面Tと、天面Tの各辺稜線から広がるように平面が傾斜した傾斜面である4つの側面S1~S4とにより、外形が四角錐台切頭四角錐または四角錐切頭体状に形成されている。天面Tがm面1-100面の場合では、光透過性基板11を天面T側から見て、天面Tを中心とした4つの側面のうち、一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とがm面1-100面とすることができ、一方の側面S1と隣接する他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とが半極性面1-101面とすることができる。したがって、側面S1,S2m面1-100面と仮想水平面Vとのなす角θ1は30.0°となり、側面S3,S4半極性面1-101面と仮想水平面Vとのなす角θ2は28.0°となる。また、天面Tがc面0001面の場合では、側面S1~S4を以下のような傾斜面とすることができる。1光透過性基板11を天面T側から見て、天面Tを中心とした4つの側面のうち、一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とを半極性面1-101面とすることができ、一方の側面S1と隣接する他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とを半極性面11-21面とすることができる。したがって、側面S1,S2半極性面1-101面と仮想水平面Vとのなす角θ1は62.0°となり、側面S3,S4半極性面11-21面と仮想水平面Vとのなす角θ2は72.9°となる。2一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とを半極性面1-102面とすることができ、一方の側面S1と隣接する他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とを半極性面11-22面とすることができる。したがって、側面S1,S2半極性面1-102面と仮想水平面Vとのなす角θ1は43.2°となり、側面S3,S4半極性面11-22面と仮想水平面Vとのなす角θ2は58.4°となる。3光透過性基板11を天面T側から見て、天面Tを中心とした4つの側面のうち、一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とを半極性面1-101面であり、一方の側面S1と隣接する他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とを半極性面11-22面とすることができる。したがって、側面S1,S2半極性面1-101面と仮想水平面Vとのなす角θ1は62.0°となり、側面S3,S4半極性面11-22面と仮想水平面Vとのなす角θ2は58.4°となる。4光透過性基板11を天面T側から見て、天面Tを中心とした4つの側面のうち、一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とを半極性面11-21面であり、一方の側面S1と隣接する他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とを半極性面1-102面とすることができる。したがって、側面S1,S2半極性面11-21面と仮想水平面Vとのなす角θ1は72.9°となり、側面S3,S4半極性面1-102面と仮想水平面Vとのなす角θ2は43.2°となる。天面Tは、KOHによるエッチングにより粗面とすることで微小の凹凸面を形成してもよい。以上のように構成された本発明の実施の形態に係る発光素子の製造方法について、図5に基づいて説明する。まず、本実施の形態に係る発光素子の製造方法は、ウエハ状態の単結晶基板を準備して積層工程を行う。積層工程は、図5Aに示すように、単結晶基板Kに、MOCVDエピタキシャル成長により、n型半導体層12aとなるN-GaN層121、発光層12bとなるInGaN層122と、p型半導体層12cとなるP-GaN層123とを順次積層して半導体層12となる原膜120を一様に連続的に形成する。次に、P-GaN層123p型半導体層と、InGaN層122発光層と、N-GaN層121n型半導体層の一部をドライエッチングにて除去して、N-GaN層121n型半導体層上にn電極13を形成するための領域を露出して、n電極13を形成すると共に、P-GaN層123上にp電極14を形成する。n電極13とp電極14とは、個片化して個々の発光素子となる位置に対応させて形成される。次に、図5Bに示すように、単結晶基板K側からダイサーのブレードBをダイシングレーンに当てて、単結晶基板Kを切削することで個片化する個片化工程を行う。切削する際には、ブレードBに向けて砥粒Rを吹き付けることにより、ダイシングのアシストを行う。ここで、単結晶基板Kを切削するブレードBについて、図6に基づいて説明する。図6に示すように、単結晶基板Kを切削するダイサーのブレードBとしては、刃先面Hと中心軸Cとのなす刃先角度θHが90°-θ1または90°-θ2となる角度のものを使用している。つまり、側面S1または側面S2を形成する際にはブレードBの刃先角度θHが90°-θ1となるものを使用し、側面S3または側面S4を形成する際にはブレードBの刃先角度θHが90°-θ2となるものを使用して、単結晶基板Kを切削してV字状の溝を形成すると、天面Tの端辺からの傾斜面が側面S1,S2または側面S3,S4として形成される。したがって、このようなブレードBで、単結晶基板Kを切削すると、単結晶基板KがGaN基板で、天面Tがm面1-100面であれば、一方の側面S1とこの一方の側面S1と反対側の側面S2とに、m面1-100面が表れ、他方の側面S3とこの他方の側面S3と反対側の側面S4とに半極性面1-101面が表れる。また、天面Tがc面0001面であれば、刃先角度θHの角度に応じて、半極性面1-101面、半極性面11-21面、半極性面1-102面、11-22面が表れる。m面1-100面や半極性面1-101面、半極性面11-21面、半極性面1-102面、11-22面は、比較的、結合力の弱い面である。したがって、切削してできる側面S1~S4を、図4に示すように天面Tに応じた面とすることで、スムーズに切削することができるので、意図しない方向に単結晶基板Kが割れたり、欠けたりすることを防止することができる。ブレードBよる切削は、本実施の形態では切断して分離するまでせずに、図5Cに示すように深溝Mとする。そして、図5Dに示すように、単結晶基板Kに押圧力を掛けると、溝位置から単結晶基板Kが分割され、個片化されて、それぞれが個片基板光透過性基板11となり、図2に示すような発光素子10を多数個取りすることができる。このように、本実施の形態に係る発光素子10では、光透過性基板11の側面S1~S4が傾斜面に形成されているため、発光層12bからの光の内部多重反射ロスを低減することができ、その結果、効率よく素子外部に光を取り出すことができる。また、傾斜面からなる側面S1~S4は、結晶面により形成されているため、スムーズに切削することができるので、意図しない方向に単結晶基板Kが割れたり、欠けたりすることを防止することができる。また、光透過性基板11がGaN基板であり、半導体層12がGaN系半導体により形成されているため、屈折率を実質的に同じとすることができるため、界面で全反射を発生し難くすることができる。なお、本実施の形態に係る発光素子10では、フリップチップタイプのLEDを例に説明したが、n電極が光透過性基板上に設けられている発光素子でも、光透過性基板を本実施の形態と同様に側面が傾斜面となる結晶面とすることで、同じ効果を得ることができる。"