第1の原料ガスと、第2の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第1の原料ガスを供給した後であって前記第2の原料ガスを供給する前と、前記第2の原料ガスを供給した後であって前記第1の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の原料ガスを基体の表面に供給する第1の工程と、前記基体の表面にプラズマを照射する第2の工程と、前記基体の表面に不活性ガスを流す第3の工程と、第2の原料ガスを基体の表面に供給する第4の工程と、前記基体表面に前記不活性ガスを流す第5の工程と、をこの順に繰り返すことにより前記基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。第1の原料ガスを基体の表面に供給する第1の工程と、前記基体の表面に不活性ガスを流す第2の工程と、前記基体の表面にプラズマを照射する第3の工程と、第2の原料ガスを基体の表面に供給する第4の工程と、前記基体表面に前記不活性ガスを流す第5の工程と、をこの順に繰り返すことにより前記基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第4の工程と前記第5の工程との間、あるいは前記第5の工程と前記第1の工程との間に、前記基体の表面に前記プラズマを照射する工程を実施することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。前記プラズマは、ヘリウムガスと水素ガスとの混合ガスから生成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記第1の原料ガスは、金属元素を含有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の製造方法においては、基体表面に吸着された残留物が、セルフリミッティングな表面反応を阻害する、並びに膜質を低下させる、という問題があった。図8は、従来の半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図8は、原子層気相成長法ALDを用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。まず、被処理基体を反応炉内に入炉する。被処理基体としては、様々な種類の基体を用いることができる。その後、反応炉内をパージする。反応炉のパージには、例えばArガスなどの、不活性ガスを用いる。次に、第1の工程110として、反応炉内に配置された基体上に、第1反応物を供給する。第1反応物を例えば、Arキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて反応炉内に供給する。ガスの流量は、被処理基体やガスの種類によって適宜変更可能である。次に、第2の工程130として、反応炉内をパージする。Arガスなどの、不活性ガスを反応炉内に導入し、残留ガスを除去する。次に、第3の工程140として、第2反応物を供給する。第2反応物を例えば、Arキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて反応炉内に供給する。次に、第4の工程150として、反応炉内をパージする。Arガスなどの、不活性ガスを反応炉内に導入し、未反応物を除去する。第1~第4の工程を一周期とし、形成している薄膜が所望の厚さに達するまで、この周期を繰り返す。図9は、従来の半導体装置の製造方法を表すタイミングチャートである。図10は、従来の半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。すなわち図10は、基体300上に、薄膜を形成する工程を表す模式断面図である。図10aは、前述した第1の工程110において、第1反応物310を、反応炉内に供給した様子を表す。同図に表すように、堆積種310第1反応物が、基体300上に飛来してくる。堆積種310のうちの一部310aは基体300の表面に、例えば化学吸着などの、比較的強い結合によって吸着する。また、堆積種310のうちの他の一部310bは強く結合している310aなどに、例えば物理吸着などの、比較的弱い結合によって吸着する。さらに、堆積種310のうちの他の一部310cは吸着せず、残留ガスとなる。図10bは、前述した第2の工程130において、パージを行う様子を表す。反応炉内をパージすることによって、反応炉内に残っていた残留ガスを除去する。しかしながら、同図に表すように、気相中の堆積種310cは除去されるが、比較的弱く結合している堆積種310bは、除去されずに基体300に吸着したままのこともある。すなわち、反応炉内をパージするだけでは、例えば物理吸着などの、比較的弱い結合を切って、堆積種310bを完全に脱離させることができない場合がある。堆積種310bのような残留ガスを十分に排気していないと、その後供給される他のガスと反応してしまう。その結果、不均一な膜厚や、低品質な膜質を有する薄膜が形成される。従来の半導体装置の製造方法においては、得られた薄膜の、膜厚のウエハ面内の分散は、約5であった。また、膜厚のウエハ面内の分散を約1にまで改善するためにパージを長時間行うと、全体の成膜時間の100以上の時間を要した。本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、成膜時間を大幅に拡大することなく、高い膜質を有する安定した薄膜を形成する方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明によれば、第1の原料ガスと、第2の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第1の原料ガスを供給した後であって前記第2の原料ガスを供給する前と、前記第2の原料ガスを供給した後であって前記第1の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。または、本発明によれば、第1の原料ガスを基体の表面に供給する第1の工程と、前記基体の表面にプラズマを照射する第2の工程と、前記基体の表面に不活性ガスを流す第3の工程と、第2の原料ガスを基体の表面に供給する第4の工程と、前記基体表面に前記不活性ガスを流す第5の工程と、をこの順に繰り返すことにより前記基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。または、本発明によれば、第1の原料ガスを基体の表面に供給する第1の工程と、前記基体の表面に不活性ガスを流す第2の工程と、前記基体の表面にプラズマを照射する第3の工程と、第2の原料ガスを基体の表面に供給する第4の工程と、前記基体表面に前記不活性ガスを流す第5の工程と、をこの順に繰り返すことにより前記基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。ここで、前記第4の工程と前記第5の工程との間、あるいは前記第5の工程と前記第1の工程との間に、前記基体の表面に前記プラズマを照射する工程を実施することができる。また、前記プラズマは、ヘリウムガスと水素ガスとの混合ガスから生成されるものとすることができる。また、前記第1の原料ガスは、金属元素を含有するものとすることができる。本発明によれば、堆積種を反応炉内に供給した後に、プラズマを照射する工程を加えることにより、基体等に弱く結合している堆積種を脱離させることができる。その結果、堆積種の一分子層の吸着層だけを基体表面に残して、別の堆積種を供給する工程に進むことができる。すなわち、セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去することができる。その結果、成膜時間を大幅に拡大することなく、膜質が改良され、緻密な薄膜を形成することができる。その結果として、高性能且つ高集積度の半導体装置などを安定的に製造することが可能となり、産業上のメリットは多大である。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図1は、原子層気相成長法ALDを用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。まず、被処理基体を反応炉内に入炉する。被処理基体としては、様々な種類の基体を用いることができる。その後、反応炉内をパージする。反応炉のパージには、例えばHeガスやArガスなどの、不活性ガスを用いる。次に、第1の工程11として、反応炉内に配置された基体上に、第1反応物を供給する。第1反応物として例えば、TaN膜を形成する場合には、PDMATPentakisDiMethylAminoTantalumを挙げることができる。しかしPDMATには限定されず、その他、W、Al、Cu、Ta、TaN、SiO2、SiOC、SiN、HfOx、HfAlOなどの様々な膜を形成する場合に応じて、適宜変更することができる。第1反応物を例えば、Heキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて100~5000sccm供給する。ガスの流量は、被処理基体やガスの種類によって適宜変更可能である。次に、第2の工程12として、プラズマ照射を行う。基体表面にプラズマを照射し、基体表面に余分に付着した第1反応物を除去する。プラズマ照射を例えば、He/H2の混合ガスの流量100~5000sccm、圧力0.6~130Paパスカル、RF電力50~2000Wとして行うことができる。次に、第3の工程13として、反応炉内をパージする。例えば、Heガスなどの、不活性ガスを100~5000sccm反応炉内に導入し、反応炉内の残留ガスを除去する。次に、第4の工程14として、第2反応物を供給する。第2反応物として例えば、NH3を挙げることができる。第2反応物を例えば、Heキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて100~5000sccm反応炉内に供給する。最後に、第5の工程15として、反応炉内をパージする。例えば、Heガスなどの、不活性ガスを100~5000sccm反応炉内に導入し、反応炉内の残留ガスを除去する。第1~第5の工程を一周期とし、形成している薄膜が所望の厚さに達するまで、この周期を繰り返す。次に、前述した第2の工程12が、成膜時間に及ぼす影響について説明する。図2は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を表すタイミングチャートである。同図に表すように、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、プラズマ照射を行う工程を増やしても、全体の成膜時間は、従来の成膜時間に対して約20程度増えるだけである。従来の製造方法で成膜した場合、形成した薄膜の膜厚のウエハ面内での分散を改善するのに、従来の成膜時間に対して約100程度の時間を要していたことと比較すると成膜時間を大幅に短縮できる。次に、前述した第2の工程12において、プラズマ照射を行うことの効果について説明する。図3は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。すなわち図3は、基体30上に、薄膜を形成する工程を表す模式断面図である。図3aは、前述した第1の工程11において、第1反応物31を、反応炉内に供給した様子を表す。同図に表すように、堆積種31第1反応物が、基体30上に飛来してくる。堆積種31のうちの一部31aは基体30の表面に、例えば化学吸着などの、比較的強い結合によって吸着する。また、堆積種31のうちの他の一部31bは強く結合している31aなどに、例えば物理吸着などの、比較的弱い結合によって吸着する。さらに、堆積種31のうちの他の一部31cは吸着せず、残留ガスとなる。図3bは、前述した第2の工程12において、プラズマ照射を行う様子を表す。同図に表すように、基体30の表面にプラズマを照射すると、比較的弱い結合によって吸着していた堆積種31bの結合が切れる。すなわち、比較的強い結合によって吸着していた堆積種31aを基体30の表面に残し、比較的弱い結合によって吸着していた堆積種31bのみを基体30から脱離させることができる。すなわち、基体30の表面に一分子層あるいはそれ以下の吸着層堆積種31aだけを残すことができる。図3cは、前述した第3の工程13において、パージを行う様子を表す。同図に表すように、反応炉内をパージすることによって、反応炉内に残っていたガスをさらに除去することができる。次に、本実施形態で用いることができる、半導体製造装置について説明する。図4は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法に用いることができる反応炉を例示する模式図である。反応炉40内において、ウェーハステージ41上にシリコンウェーハWが載置可能とされている。反応炉40の側壁には、ガスを導入するためのインジェクター42と、真空ポンプ43に接続されている排気口44とが設けられている。上部電極45と下部電極41ウェーハステージとの間に高周波電源を用いてプラズマを照射する。以上説明してきたように、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法においては、堆積種を反応炉内に供給した後に、プラズマを照射する工程を加えることにより、基体等に弱く結合している堆積種を脱離させることができる。その結果、堆積種の一分子層の吸着層だけを基体表面に残して、別の堆積種を供給する次の工程に進むことができる。すなわち、セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去することができる。その結果、膜質が改良され、緻密な薄膜を形成することができる。また、膜厚のウエハ面内での分散を従来の5程度に対して、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によると1程度にまで改善できた。従来は、同程度の改善を得るのに100以上の成膜時間の増加が必要であったが、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によると20程度の成膜時間の増加で改善できた。よって、スループットを大きく低下させることなく、安定した膜を形成できる。すなわち、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によると、均一な膜厚の、緻密な薄膜を形成することができる。次に、第1実施例について説明する。すなわち、本実施例においては、第2反応物を供給した後にも、プラズマ照射を行う場合について説明する。図5は、本発明の第1実施例にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図5は、原子層気相成長法を用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。すなわち本実施例においては、第1反応物を供給した後だけではなく、第2反応物を供給した後にも、プラズマ照射を行う。本実施例によれば、第2反応物についても、弱く結合していた堆積種を効率的に脱離させることができる。本実施例においても、前述した効果と同様の効果が得られる。次に、第2実施例について説明する。すなわち、本実施例においては、プラズマを照射する工程の前に、パージする工程を挿入する場合について説明する。図6は、本発明の第2実施例にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図6は、原子層気相成長法を用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。プラズマを照射する工程と、パージする工程とは、順不同であり、パージ工程を先に行ってもよい。堆積種の種類や、基体の種類によって適宜変更することができる。本実施例においても、前述した実施形態において得られる効果と同様の効果を得ることができる。次に、第3実施例について説明する。すなわち、本実施例においては、パージする工程を省略する場合について説明する。図7は、本発明の第3実施例にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図7は、原子層気相成長法を用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。堆積種や基体の種類によっては、パージ工程を省略し、プラズマ照射を行うだけで、残留ガスをほとんど除去できる場合もある。その場合には、同図に表すように、パージ工程を省略し、成膜時間を短縮することができる。本実施例においても、前述した実施形態において得られる効果と同様の効果を得ることができる。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の製造方法を使用して製造した半導体装置を構成する要素について当業者が設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を備えたものであれば、本発明の範囲に包含される。