ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.35以下であって、ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が1.5以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2を53~72、Al2O3を1~15、MgOを0.5~9、CaOを0.1~11、SrOを0~11、BaOを0~11、Na2Oを2~11、K2Oを2~21、ZrO2を0~10.5、MgOCaOSrOBaOを4~25、CaOSrOBaOを2~23、Na2OK2Oを8~22、Na2O/CaOSrOBaO≦1.2、含有し、ガラス転移点温度が580°C以上、平均熱膨張係数が70×10-7~100×10-7/°Cである蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.17以下であって、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、K2Oを4~21、ZrO2を0.5~10.5、CaOSrOBaOを4~23、含有する請求項1に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.05以下であって、前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が20以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、CaOSrOBaOを4~15、SrOBaOを0~8、含有する請求項1又は2に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が2以上である請求項1に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.17以下であって、前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が2.4以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、CaOSrOBaOを2~15SrOBaOを0~10、含有する請求項1又は2に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。ガラス基板と、カバーガラスと、前記ガラス基板と前記カバーガラスとの間に配置される蒸着成膜されたCu-In-Ga-Seの光電変換層と、を有し、前記ガラス基板と前記カバーガラスのうち少なくとも前記ガラス基板が、請求項1~5のいずれかに記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板である太陽電池。ガラス基板にはCIGS光電変換層以下、CIGS層ともいうが形成される。特許文献1に開示されているように、発電効率の良い太陽電池を作製するにはより高温での熱処理が好ましく、ガラス基板にはそれに耐えうることが要求される。特許文献1では比較的徐冷点の高いガラス組成物が提案されているが、特許文献1に記載された発明が高い発電効率を有するとは必ずしもいえない。本発明者等はガラス基板のアルカリを所定範囲で増やすことによって発電効率を高くすることができることを発見したが、アルカリの増量はガラス転移点温度Tgの低下を招くという問題があった。このようにCIGS太陽電池に使用されるガラス基板において、高い発電効率と高いガラス転移点温度とを両立させることは困難であるという問題があった。本発明は、特に高い発電効率と高いガラス転移点温度とを両立させるCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板を提供することを目的とする。本発明は以下の構成を要旨とするものである。1ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.35以下であって、ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が1.5以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2を53~72、Al2O3を1~15、MgOを0.5~9、CaOを0.1~11、SrOを0~11、BaOを0~11、Na2Oを2~11、K2Oを2~21、ZrO2を0~10.5、MgOCaOSrOBaOを4~25、CaOSrOBaOを2~23、Na2OK2Oを8~22、Na2O/CaOSrOBaO≦1.2、含有し、ガラス転移点温度が580°C以上、平均熱膨張係数が70×10-7~100×10-7/°Cである蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。2前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.17以下であって、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、K2Oを4~21、ZrO2を0.5~10.5、CaOSrOBaOを4~23、含有する上記1に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。3前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.05以下であって、前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が20以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、CaOSrOBaOを4~15、SrOBaOを0~8、含有する上記1又は2に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。4前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が2以上である上記1に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。5前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子と、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子と、の比が0.17以下であって、前記ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比が2.4以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、CaOSrOBaOを2~15SrOBaOを0~10、含有する上記1又は2に記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板。6ガラス基板と、カバーガラスと、前記ガラス基板と前記カバーガラスとの間に配置される蒸着成膜されたCu-In-Ga-Seの光電変換層と、を有し、前記ガラス基板と前記カバーガラスのうち少なくとも前記ガラス基板が、上記1~5のいずれかに記載の蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板である太陽電池。本発明は、ガラス基板と、カバーガラスと、上記ガラス基板とカバーガラスとの間に配置される蒸着成膜されたCu-In-Ga-Seの光電変換層を有する太陽電池に好適に用いられる太陽電池用ガラス基板であり、上記ガラス基板及び上記カバーガラスのうち、少なくともガラス基板が本発明のCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板として用いることができる。本発明のCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板は、高い発電効率と高いガラス転移点温度とを両立させることができる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板を用いることで、低コストで高効率な太陽電池を提供できる。本願の開示は、2010年7月26日に出願された特願2010-167026号に記載の主題と関連しており、それらの開示内容は引用によりここに援用される。以下、本発明のCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板について説明する。本発明のCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板は、ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子以下、ガラス基板表層のCaSrBaの量ともいうと、ガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子以下、ガラス基板内部のCaSrBaの量ともいうと、の比以下、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比ともいうが0.35以下であって、ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比以下、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比ともいうが1.5以上であり、ガラス基板表面からの深さ5000nm以上において、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2を53~72、Al2O3を1~15、MgOを0.5~9、CaOを0.1~11、SrOを0~11、BaOを0~11、Na2Oを2~11、K2Oを2~21、ZrO2を0~10.5、MgOCaOSrOBaOを4~25、CaOSrOBaOを2~23、Na2OK2Oを8~22、Na2O/CaOSrOBaO≦1.2、含有し、ガラス転移点温度が580°C以上、平均熱膨張係数が70×10-7~100×10-7/°Cである蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板である。Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板は、蒸着成膜Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板であるのが好ましい。蒸着成膜Cu-In-Ga-Seとは、太陽電池の光電変換層であるCIGS層の少なくとも一部が蒸着法により成膜されたものをいう。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下、好ましくは0.3以下、より好ましくは0.17以下、さらに好ましくは0.13以下、特に好ましくは、0.05以下である。なお、上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比は、ガラス基板表層のCaSrBaの量とガラス基板内部のCaSrBaの量とを相対比として比較できる。つまり、上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下の場合、ガラス基板表層のCaSrBaの量が、ガラス基板内部のCaSrBaの量よりも少ない状態、具体的には、Ca、Sr及びBaの原子がガラス基板表面から抜けている状態であることを意味する。Ca、Sr及びBaの原子がガラス基板表面から抜けている状態離脱状態により、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板を蒸着成膜CIGS太陽電池に用いた際に、太陽電池製造工程における熱処理工程一般的には、無酸素雰囲気下約600°C1時間以上の熱処理条件において、太陽電池の光電変換層であるCIGSの少なくとも一部が蒸着法により成膜されるときに、ガラス基板からCIGSの光電変換層へのNa拡散量が増え、それにより太陽電池の発電効率が向上することを本発明者等は見出した。これは、ガラス基板表層において、Naの移動を妨げるCa、Sr及びBaの原子が離脱していると、Naがガラス基板内部から表層へ移動しやすくなり、さらにガラス基板表面にCIGS光電変換層が設けられていると、ガラス基板表層から光電変換層へNaが拡散していくものと考えられるからである。本発明において、ガラス基板表層のCaSrBaの量またはNaの量原子をガラス基板表面からの深さ10~40nmの間におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子またはガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子で規定したのは、この領域においてのCa、Sr、Baが離脱していると、上記熱処理後のガラス基板表層へのNaの拡散が顕著となるからである。なお、0~10nm未満は外気による組成変動の影響を考慮して測定対象外とした。また、ガラス基板内部のCaSrBaの量をガラス基板表面からの深さ5000nmの合量で規定したのは、Ca、Sr、Baの離脱がほとんど起きていない部分であるからである。上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下であるガラス基板とするには、ガラス基板の組成が本発明で特定する範囲となるように各原料成分を用い、従来の太陽電池用ガラス基板を製造する際と同様に、溶解清澄工程及び成形工程を実施し、その後の徐冷工程で本発明に係るSO2処理を行う。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の組成各原料成分及び本発明に係るSO2処理について、詳しくは後述する。また、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、上記ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が1.5以上であることが必要であり、2以上であることが好ましい。これにより、CIGS太陽電池製造工程における熱処理中に、ガラス基板からCIGSの光電変換層へのNa拡散量が増え、CIGS太陽電池に用いた場合、太陽電池の発電効率が高くなることを本発明者等は見出した。上記ガラス基板表層のNaの熱処理前後比は、より好ましくは2.4以上、さらに好ましくは2.5以上、特に好ましくは2.7以上である。上記ガラス基板表層のNaの熱処理前後比の上限値は5である。上記ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が5より大きいと、前記熱処理前のガラス基板表層のNaが少なくなり、その結果ガラス基板からCIGSの光電変換層へのNa拡散量が減少するため電池効率が低下するおそれがある。好ましくは4.5以下、より好ましくは4以下である。ガラス基板の組成を本発明で特定したものとし、且つ上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下、好ましくは0.3以下、より好ましくは0.17以下、さらに好ましくは0.13以下、特に好ましくは0.05以下であると、容易にガラス基板表層のNaの熱処理前後比を1.5以上、好ましくは2以上、より好ましくは2.4以上、さらに好ましくは2.5以上、特に好ましくは2.7以上とすることができる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板のガラス転移点温度Tgは580°C以上である。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板のガラス転移点温度はソーダライムガラスのガラス転移点温度より高い。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板のガラス転移点温度Tgは、高温における光電変換層の形成を担保するため600°C以上であるのが好ましく、610°C以上であるのがより好ましく、620°C以上であるのがさらに好ましく、630°C以上であるのが特に好ましい。ガラス転移点温度の上限値は750°Cである。ガラス転移点温度が750°C以下であれば、溶融時の粘性を適度に低く抑えられるため製造しやすいことから好ましい。より好ましくは700°C以下、さらに好ましくは680°C以下である。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の50~350°Cにおける平均熱膨張係数は70×10-7~100×10-7/°Cである。70×10-7/°C未満または100×10-7/°C超ではCIGS層等との熱膨張差が大きくなりすぎ、剥がれ等の欠点が生じやすくなる。さらに、太陽電池を組立てる際具体的にはCIGSの光電変換層を有するガラス基板とカバーガラスとを加熱して貼りあわせる際ガラス基板が変形し易くなる恐れがある。好ましくは95×10-7/°C以下、より好ましくは90×10-7/°C以下である。また、好ましくは73×10-7/°C以上、より好ましくは75×10-7/°C以上、さらに好ましくは80×10-7/°C以上である。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板において、各原料成分を上記組成に限定する理由は以下のとおりである。SiO2:ガラスの骨格を形成する成分で、53質量以下単にと記載する未満ではガラスの耐熱性及び化学的耐久性が低下し、平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは55以上であり、より好ましくは57以上であり、さらに好ましくは59以上である。しかし、72超ではガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪化する問題が生じるおそれがある。好ましくは69以下であり、より好ましくは65以下であり、さらに好ましくは63以下である。Al2O3:ガラス転移点温度を上げ、耐候性ソラリゼーション、耐熱性及び化学的耐久性を向上し、ヤング率を上げる。その含有量が1未満だとガラス転移点温度が低下するおそれがある。また平均熱膨張係数が増大するおそれがある。好ましくは4以上であり、より好ましくは6以上であり、さらに好ましくは8以上である。しかし、15超では、ガラスの高温粘度が上昇し、溶解性が悪くなるおそれがある。また、失透温度が上昇し、成形性が悪くなるおそれがある。また発電効率が低下、すなわち後述するNa拡散量が低下するおそれがある。好ましくは14以下であり、より好ましくは13以下であり、さらに好ましくは12以下である。B2O3は、溶解性を向上させる等のために2まで含有してもよい。含有量が2を超えるとガラス転移点温度が下がる、または平均熱膨張係数が小さくなり、CIGS層を形成するプロセスにとって好ましくない。より好ましくは含有量が1以下である。含有量が0.5以下であると特に好ましく、さらに好ましくは実質的に含有しない。なお、実質的に含有しないとは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。MgO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させるが、0.5未満だとガラスの高温粘度が上昇し溶解性が悪化するおそれがある。好ましくは1.5以上であり、より好ましくは2.5以上であり、さらに好ましくは3以上である。しかし、9超では平均熱膨張係数が増大するおそれがある。また失透温度が上昇するおそれがある。好ましくは8以下であり、より好ましくは7以下であり、さらに好ましくは6.5以下である。CaO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので0.1以上で含有させることができる。好ましくは2以上であり、より好ましくは4以上であり、さらに好ましくは4.5以上である。しかし、11超ではガラスの平均熱膨張係数が増大するおそれがある。また発電効率が低下、すなわち後述するNa拡散量が低下するおそれがある。好ましくは8以下であり、より好ましくは7.5以下であり、さらに好ましくは7以下である。SrO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。しかし、11超含有すると発電効率が低下、すなわち後述するNa拡散量が低下し、またガラス基板の平均熱膨張係数が増大するおそれがある。8以下が好ましく、6以下がより好ましく、3以下であることがさらに好ましい。また、好ましくは0.5以上、より好ましくは1以上である。BaO:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進する効果があるので含有させることができる。しかし、11超含有すると発電効率が低下、すなわち後述するNa拡散量が低下し、またガラス基板の平均熱膨張係数が大きくなるおそれがある。また比重も大きくなる。5以下が好ましく、3以下であることがより好ましく、さらに好ましくは0.5以下であり、特に好ましくは実質的に含有しない。ZrO2:ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進し、Tgを上げる効果があるので含有させてもよい。好ましくは0.5以上で含有させる。より好ましくは1以上であり、さらに好ましくは1.5以上であり、特に好ましくは2以上である。しかし、10.5超含有すると発電効率が低下、すなわち後述するNa拡散量が低下し、失透温度が上昇し、またガラス基板の平均熱膨張係数が増大するおそれがある。8以下が好ましく、5以下であることがより好ましい。MgO、CaO、SrO及びBaOは、ガラスの溶解時の粘性を下げ、溶解を促進させる点から合量で4~25含有する。しかし、合量で25超では平均熱膨張係数が大きくなり、失透温度が上昇するおそれがある。6以上が好ましく、9以上がより好ましい。また、21以下が好ましく、20以下がより好ましく、18以下がさらに好ましく、15以下が特に好ましい。CaO、SrO及びBaOは、SO2処理後のガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比を0.35以下にする点から、2以上含有する。好ましくは4以上含有し、より好ましくは6以上含有する。CaO、SrO及びBaOの合量が2より小さいと、ガラス溶解時の粘性を下げ、かつガラス転移温度を高くするためにはMgOを多く添加しなければならなくなり、失透温度が上昇するおそれがある。しかし23超では、熱処理後のNa拡散量が低下するおそれがある。すなわちCaはNaとイオン半径が近いため、ガラス中でのNaの移動と競合しやすく、Naの拡散量を低下させやすいと考えられる。またBaはイオン半径が大きいためNaの移動を阻害しやすく、Naの拡散量を低下させやすいと考えられる。Srは、上記CaとBaの両方の性質も持つものと考えられる。従って、19以下が好ましく、15以下がより好ましく、10以下がさらに好ましい。SrO及びBaOは、SO2処理の際に、硫酸塩膜SrSO4、BaSO4を生成するが、これらは他の硫酸塩膜MgSO4、CaSO4、Na2SO4、K2SO4と比較し水に溶けにくいため、硫酸塩膜を洗浄する際に硫酸塩膜が除去されにくい。したがって、SrO及びBaOの合量は10以下が好ましく、8以下がより好ましく、6以下がさらに好ましく、4以下であることが特に好ましい。Na2O:Na2OはCIGSの太陽電池の発電効率向上に寄与するための成分であり、必須成分である。また、ガラス溶解温度での粘性を下げ、溶解しやすくする効果があるので2~11含有させる。Naはガラス上に構成されたCIGSの光電変換層中に拡散し、発電効率を高めるが、含有量が2未満ではガラス基板上のCIGSの光電変換層へのNa拡散量が不十分となり、発電効率も不十分となるおそれがある。含有量が2.5以上であると好ましく、含有量が3以上であるとより好ましい。含有量が3.5以上であると特に好ましい。Na2O含有量が11を超えるとガラス転移点温度が低下し、平均熱膨張係数が大きくなり、または化学的耐久性が劣化する。含有量が10以下であると好ましく、含有量が9以下であるとより好ましく、8以下であるとさらに好ましい。含有量が7未満であると特に好ましい。K2O:Na2Oと同様の効果があるため、2~21含有させる。しかし、21超では発電効率が低下、すなわちNaの拡散が阻害され、後述するNa拡散量が低下し、また、ガラス転移点温度が低下し、平均熱膨張係数が大きくなるおそれがある。4以上であるのが好ましく、5以上であるのがより好ましく、6以上であるのがさらに好ましく、8以上であるのが特に好ましい。16以下が好ましく、12以下であることがより好ましい。Na2O及びK2O:ガラス溶解温度での粘性を十分に下げるために、またCIGS太陽電池の発電効率向上のために、Na2O及びK2Oの合量の含有量は、8~22とする。好ましくは10以上であり、より好ましくは12以上である。しかし、22超ではTgが下がりすぎ、平均熱膨張係数が上がりすぎるおそれがある。好ましくは20以下であり、より好ましくは17以下である。Na2O/CaOSrOBaO:Na2O/CaOSrOBaOが1.2超であると、SO2処理の際に、Na2SO4の析出反応が進む一方、CaSO4、SrSO4、BaSO4の析出反応が進み難くなり、その結果、ガラス基板表層のCa、Sr、Baの離脱が起こり難くなる。好ましくは1.0以下、より好ましくは0.9以下、さらに好ましくは0.8以下である。Na2O/CaOSrOBaOの下限値は0.1である。Na2O/CaOSrOBaOが0.1より小さいと、Na2O量が少なくなりすぎて電池効率が低下するおそれがある。好ましくは0.15以上、より好ましくは2以上である。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は本質的に母組成は、下記酸化物基準の質量百分率表示で、SiO2を53~72、Al2O3を1~15、MgOを0.5~9、CaOを0.1~11、SrOを0~11、BaOを0~11、Na2Oを2~11、K2Oを2~21、ZrO2を0~10.5、MgOCaOSrOBaOを4~25、CaOSrOBaOを2~23、Na2OK2Oを8~22、Na2O/CaOSrOBaO≦1.2、であるが、なかでも、下記酸化物基準の質量百分率表示で、CaOSrOBaOを2~15SrOBaOを0~10、の組み合わせ、またはK2Oを4~21、ZrO2を0.5~10.5、CaOSrOBaOを4~23の組み合わせ、または、CaOSrOBaOを4~15、SrOBaOを0~8の組み合わせが好ましい。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は本質的に上記母組成からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を、典型的には合計で5以下含有してもよい。たとえば、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽等の改善を目的に、B2O3、ZnO、Li2O、WO3、Nb2O5、V2O5、Bi2O3、MoO3、P2O5等を含有してもよい。また、ガラスの溶解性、清澄性を改善するため、ガラス中にSO3、F、Cl、SnO2を合量で2以下含有するように、これらの原料を母組成原料に添加してもよい。また、ガラスの化学的耐久性向上のため、ガラス中にZrO2、Y2O3、La2O3、TiO2、SnO2を合量で5以下含有させてもよい。これらのうちY2O3、La2O3及びTiO2は、ガラスのヤング率向上にも寄与する。また、ガラスの色調を調整するため、ガラス中にFe2O3等の着色剤を含有してもよい。このような着色剤の含有量は、合量で1以下が好ましい。また、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、環境負荷を考慮すると、As2O3、Sb2O3を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ZnOを実質的に含有しないことが好ましい。しかし、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、フロート法による成形に限らず、フュージョン法による成形により製造してもよい。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の製造方法について説明する。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、ガラス基板の各原料成分が上記組成となるように用いて、従来の太陽電池用ガラス基板を製造する際と同様に、溶解清澄工程、成形工程を実施して、その後の徐冷工程において下記に示すSO2処理することで、得られる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の製造方法において、徐冷工程で、本発明に係るSO2処理を行うことが重要である。ガラス基板の組成を本発明で特定したものとし、下記SO2処理を行うことにより、上記ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下であって、上記ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が1.5以上であるCIGS太陽電池用ガラス基板が得られる。以下、本発明に係るSO2処理について説明する。従来のガラス基板製造方法において、徐冷工程でのガラス搬送中のガラス表面キズを防ぐために、SO2ガスを吹き付けて硫酸塩による保護膜を形成することが知られている。しかし、従来のSO2ガスの吹き付け条件は、ディスプレイ基板用銀電極を設ける際の黄色発色防止、硫酸塩膜の洗浄の容易性、設備の腐食防止等を考慮して、必要最小限の硫酸塩膜を設けること、すなわち、できるだけ軽度なSO2処理を行うことが好ましかった。しかし、本発明では、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下となるように、ガラス表面温度500~700°C、SO2濃度0.05~5体積、処理時間1~10分の条件でSO2処理を行うことが好ましい。SO2処理は、ガラス表面温度が高いほど、SO2ガス濃度が高いほど、SO2処理時間が長いほど、また、徐冷炉の密閉性が高いほど、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比を容易に小さくすることができる。なお、徐冷炉内でSO2処理しなくても、徐冷後のガラスを再加熱してSO2処理してもよい。なお、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、アルカリ金属酸化物Na2O、K2Oを含有するアルカリガラス基板であるため、清澄剤としてSO3を効果的に用いることができ、成形方法としてフロート法及びフュージョン法ダウンドロー法に適している。太陽電池用のガラス基板の製造工程において、ガラスを板状に成形する方法としては、太陽電池の大型化に伴い、大面積のガラス基板を容易に、安定して成形できるフロート法を用いることが好ましい。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の製造方法の好ましい態様について説明する。初めに、原料を溶解して得た溶融ガラスを板状に成形する。例えば、得られるガラス基板が上記組成となるように原料を調製し、上記原料を溶解炉に連続的に投入し、1450~1650°C程度に加熱して溶融ガラスを得る。そしてこの溶融ガラスを例えばフロート法を適用してリボン状のガラス板に成形する。次に、リボン状のガラス板をフロート成形炉から引出した後に、徐冷炉において室温状態まで冷却する際にSO2処理を行い、その後硫酸塩等の膜を洗浄除去し、切断後、CIGS太陽電池用ガラス基板を得る。太陽電池の製造工程において、ガラス基板表面にMo等の電極膜やその下地層例えばSiO2等等を成膜する際、ガラス基板表面が汚れていると正常に成膜できないおそれがある。そのため、ガラス基板を洗浄することが好ましい。洗浄の方法は特には限定されないが、水による洗浄や洗浄剤による洗浄や酸化セリウムを含有したスラリーを散布しながらブラシ等でこする洗浄等が例示される。酸化セリウム含有のスラリーで洗浄した場合は、その後に塩酸や硫酸等の酸性洗浄剤等を用いて洗浄することが好ましい。洗浄後のガラス基板表面には、汚れや上記酸化セリウム等の付着物によるガラス基板表面の凹凸等がないことが好ましい。凹凸があると、上記電極膜やその下地層等の成膜の際に、膜表面の凹凸や膜厚偏差や膜のピンホール等が生じ、発電効率が低下するおそれがあるためである。凹凸は高低差で20nm以下が好ましい。ガラス基板表層のNaの量原子は、CIGS太陽電池用ガラス基板の全域において均一であることが好ましい。ガラス基板表層のNaの量が均一でないと、発電効率が低い部分が生じてしまうことになり、その部分に影響されて、太陽電池の発電効率が低下してしまうおそれがあるためである。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板は、CIGS太陽電池用のガラス基板、またカバーガラスとしても好適である。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板をガラス基板に適用する場合、ガラス基板の厚さは3mm以下とするのが好ましく、より好ましくは2mm以下である。またガラス基板にCIGSの光電変換層を付与する方法は特に制限されない。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板を用いることで、光電変換層を形成する際の加熱温度を500~650°Cとすることができる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板をガラス基板のみに使用する場合、カバーガラス等は特に制限されない。カバーガラスの組成の他の例は、ソーダライムガラス等が挙げられる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板をカバーガラスとして使用する場合、カバーガラスの厚さは3mm以下とするのが好ましく、より好ましくは2mm以下である。また光電変換層を有するガラス基板にカバーガラスを組立てる方法は特に制限されない。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板を用いることで、加熱して組立てる場合その加熱温度を500~650°Cとすることができる。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板をCIGSの太陽電池用のガラス基板及びカバーガラスに併用すると、平均熱膨張係数が同等であるため太陽電池組立時の熱変形等が発生せず好ましい。次に、本発明に係る太陽電池について説明する。本発明に係る太陽電池は、ガラス基板と、カバーガラスと、上記ガラス基板と上記カバーガラスとの間に配置される蒸着成膜されたCu-In-Ga-Seの光電変換層を有し、上記ガラス基板と上記カバーガラスのうち少なくとも上記ガラス基板が、本発明のCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板である。以下添付の図面を使用して本発明に係る太陽電池を詳細に説明する。なお本発明は添付の図面に限定されない。図1は本発明に係る太陽電池の実施形態の一例を模式的に表す断面図である。図1において、本発明に係る太陽電池CIGS太陽電池1は、ガラス基板5、カバーガラス19、及びガラス基板5とカバーガラス19との間にCIGS層9を有する。ガラス基板5は、上記で説明した本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板からなるのが好ましい。太陽電池1は、ガラス基板5上にプラス電極7であるMo膜の裏面電極層を有し、その上にCIGS層9である光電変換層を有する。CIGS層の組成はCuIn1XGaxSe2が例示できる。xはInとGaの組成比を示すもので0<x<1である。CIGS層9上には、バッファ層11としてのCdS硫化カドミウムまたはZnS亜鉛硫化物層を介して、ZnOまたはITOの透明導電膜13を有し、さらにその上にマイナス電極15であるAl電極アルミニウム電極等の取出し電極を有する。これらの層の間の必要な場所には反射防止膜を設けてもよい。図1においては、透明導電膜13とマイナス電極15との間に反射防止膜17が設けられている。またマイナス電極15上にカバーガラス19を設けてもよく、必要な場合はマイナス電極とカバーガラスとの間は、樹脂封止したり接着用の透明樹脂で接着される。カバーガラスは、本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板を用いてもよい。本発明において、光電変換層の端部または太陽電池の端部は封止されていてもよい。封止するための材料としては、例えば本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板と同じ材料、そのほかのガラス、樹脂が挙げられる。なお添付の図面に示す太陽電池の各層の厚さは図面に限定されない。以下、実施例及び製造例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例及び製造例に限定されない。本発明のCIGS太陽電池用ガラス基板の実施例例1、2、7~30及び比較例例3~6、31~46を示す。表1~5で表示した組成になるように各成分の原料を調合し、該ガラス100質量部に対し、硫酸塩をSO3換算で0.4質量部原料に添加し、白金坩堝を用いて1600°Cの温度で3時間加熱し溶解した。溶解にあたっては、白金スターラーを挿入し1時間攪拌し、ガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスを流し出し、板状に成形後冷却した。その後、30×30×1.1mmに研削加工し、30×30の両面を鏡面加工し、洗浄した。その後、例1~3、7~34のガラス基板について、上記フロート成形炉からの引出し及び徐冷炉での徐冷を模擬して、電気炉内で、下記に示すSO2処理条件のいずれかでSO2処理後、電気炉から取出して室温まで冷却した。なお、例4~6、35~46のガラス基板は、SO2処理を行っていない。SO2処理条件A温度:600°CSO2濃度:2.5体積処理時間:5分SO2処理条件B温度:580°CSO2濃度:2.5体積処理時間:5分SO2処理条件C温度:600°CSO2濃度:0.2体積処理時間:10分SO2処理条件D温度:650°CSO2濃度:0.5体積処理時間:5分SO2処理条件E温度:550°CSO2濃度:2.5体積処理時間:5分SO2処理条件F温度:600°CSO2濃度:0.5体積処理時間:5分SO2処理条件G温度:600°CSO2濃度:0.2体積処理時間:5分SO2処理条件H温度:600°CSO2濃度:2.5体積処理時間:10分SO2処理条件I温度:600°CSO2濃度:2.5体積処理時間:5分こうして得られたガラス基板の平均熱膨張係数単位:×107/°C、ガラス転移点温度Tg単位:°C、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比を測定し、下記表1~表5に示した。以下に各物性の測定方法を示す。1Tg:TgはTMAを用いて測定した値であり、JISR3103-32001年度により求めた。250~350°Cの平均熱膨張係数:示差熱膨張計TMAを用いて測定し、JISR31021995年度より求めた。3ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比:ガラス基板表面からの深さ10、20、30、40、5000nmにおけるCa、Sr、Baの量原子をX線光電子分光装置アルバックファイ社製、ESCA5500により測定した。ガラス基板表面から10~40nmまでの研削は、C60イオンビームによりスパッタエッチングし、ガラス基板表面から5000nmまでの研削は、4000nmまで酸化セリウムの水スラリーで研削した後、C60イオンビームによりスパッタエッチングした。ガラス基板表面からの深さ10、20、30、40におけるCa、Sr及びBaの平均合量原子とガラス基板表面からの深さ5000nmにおけるCa、Sr及びBaの合量原子との比を求めた。4ガラス基板表層のNaの熱処理前後比:ガラス基板表面からの深さ10、20、30、40におけるNaの量原子をX線光電子分光装置アルバックファイ社製、ESCA5500により測定した。ガラス基板表面から10~40nmまでの研削は、C60イオンビームによりスパッタエッチングした。その後、ガラス基板を電気炉でN2雰囲気中無酸素状態を模擬で毎分10°Cで600°Cまで昇温し、600°Cで60分間保持後、毎分2°Cで降温して室温まで徐冷した。その後、当該ガラス基板表面からの深さ10、20、30、40におけるNaの量原子を上述の方法で測定した。ガラス基板表面からの深さ10~40nmの間における平均Na量原子のN2雰囲気下600°C1時間の熱処理前後比を求めた。5発電効率:上記で得られた例1~46の太陽電池用ガラス基板を用いて、後述する手順で作製したCIGS太陽電池サンプルを、後述の手順にて測定した。6CIGSの光電変換層へのNa拡散量:後述する手順で作製したCIGS太陽電池のCIGSの光電変換層中のNa濃度を、二次イオン質量分析法SIMSにて定量した。[CIGS太陽電池サンプルの作製方法]ガラス基板上に、スパッタにてモリブデン膜を成膜した。成膜条件は基板温度を室温として、膜厚500~1000nmのモリブデン膜を成膜した。その後、多元蒸着装置を用い、モリブデン膜付きガラス基板を200°Cにて30分間加熱後、三段階法によってCIGS層を成膜した。成膜条件は基板温度400~600°Cとし、膜厚1.8μm以上となるように成膜した。三段階法によるCIGS層の成膜は、具体的に次の手順で行なった。一段階目に基板温度を約400°Cまで加熱し、In、Ga、Seを同時に蒸着した。その後、第二段階目は基板温度を500~600°Cに上昇させ、Cu、Seを膜全体の組成がCu過剰になるまで同時に蒸着した。さらに第三段階目としてIn、Ga、Seを再度同時蒸着し、最終的にCIGS層の組成がIn、Ga過剰Cu/InGa比率<1、膜厚1.8μm以上となるように成膜した。その後、CIGS層まで成膜したガラス基板を濃度10シアン化カリウム溶液に60秒浸し洗浄し、リーク電流の原因となるCuSe層を除去した。そのCIGS層上にCBDのセルが両側に各4個、合計8個のセルが並んだCIGS太陽電池サンプルを作製した。[CIGS太陽電池サンプルの発電効率の測定]外部の光が内部に侵入することを遮断できる一辺約30cmの容器を準備し、その容器内を、容器内部における光の反射を抑えるため内部を黒く塗装し、上記容器内にCIGS太陽電池を設置した。あらかじめInGa溶剤を塗布したモリブデン膜にはプラス端子、8個のセル表面のアルミ上部取り出し電極にマイナス端子を、それぞれ電圧/電流発生器に接続した。容器内の温度は25°Cとなるように温度調節機にて制御した。容器内において外部光を遮断し、電池上部からキセノンランプを10秒間照射した。その後、60秒保持し、電池の温度を安定させた。その後、キセノンランプの未照射時と照射時にて、電圧を-1Vから1Vまで0.015V間隔で変化させ、電流値を測定した。この照射時の電流と電圧特性から発電効率を算出した。発電効率は、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc及び曲線因子FFから、下記式1により求めた。8個のセルの発電効率の平均値を各表に示す。電池効率[]=Voc[V]×Jsc[A/cm2]×FF[無次元]×100/試験に用いる光源の照度[W/cm2]式1ここで、開放電圧Vocは、端子を開放した時の出力であり、短絡電流密度Jscは、端子を短絡した時の電流である短絡電流Iscを有効面積で割ったものであり、曲線因子FFは、最大の出力を与える点である最大出力点の電圧最大電圧値Vmaxと最大出力点の電流最大電流値Imaxとの積を開放電圧Vocと短絡電流Iscとの積で割ったものである。ガラス中のSO3残存量は100~500ppmであった。なお、表1~5中のかっこは計算値である。発電効率とNa拡散量の具体的な計算は、下記のようにして求めた。発電効率は、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比と発電効率をプロットした回帰式から求めた。また、Na拡散量は、Naの熱処理前後比と発電効率をプロットした回帰式から求めた。具体的な回帰式は、以下に示す式2、式3、式4である。x:Na前後比y:発電効率[]z:Na拡散量[1017atoms/cm3]として、<発電効率>SO2処理を行った場合y=1.4×lnx12.5式2SO2処理を行わなかった場合y=4.3×x9.5式3<Na拡散量>z=1.9×y-21.7式4表1~4より明らかなように、実施例例1、2、7~30のガラスは、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.35以下であり、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が1.5以上であり、且つガラス転移点温度Tgが高い。したがって高い発電効率と高いガラス転移点温度とを両立させることできる。また、実施例のガラスは平均熱膨張係数が70×10-7~100×10-7/°Cであるので、本発明の太陽電池を組立てる際具体的にはCIGSの光電変換層を有するガラス基板とカバーガラスとを加熱してはりあわせる際ガラス基板が変形しにくく安定した発電効率が得られやすい。一方、比較例例3のガラスは、Na2O/CaOSrOBaOが1.62と大きいため、SO2処理をしているが、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が0.98と小さいため、発電効率が得られにくい。比較例例31、32のガラスは、Na2O/CaOSrOBaOが1.62と大きいため、SO2処理をしているが、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.36、0.47と大きく、かつガラス基板表層のNaの熱処理前後比が1.15、0.92と小さいため、発電効率が得られにくい。さらに、比較例例3、31、32のガラスは、Na2Oの含有量が13.1と多いため、Tgが580°Cよりも低くなり、CIGS成膜時に基板が変形してしまい、電池製造に支障をきたすおそれがある。また、比較例例33、34のガラスはNa2O量が0.5で少ないため、SO2処理をしているが、Na拡散量も少なく発電効率も低い。また、表1および5より明らかなように、SO2処理をしていない比較例例4~5、35~40、42~46のガラスは、各原料の組成は本発明の範囲内であるが、SO2処理をしていないため、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.90~1.00と大きく、またガラス基板表層のNaの熱処理前後比が0.78~1.00と小さいため、発電効率が得られにくい。比較例例6のガラスは、Na2O/CaOSrOBaOが1.62と大きく、またSO2処理もしていないため、ガラス基板表層と内部とのCaSrBaの比が0.97と大きく、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が0.67と小さいため、発電効率が得られにくい。さらに、Na2Oの含有量が13.1と多いため、Tgが580°Cよりも低くなり、CIGS成膜時に基板が変形してしまい電池製造に支障をきたすおそれがある。比較例例41のガラスは、SO2処理をしていないため、ガラス基板表層のNaの熱処理前後比が0.66と小さく、またNa2O量が0.5で少ないため、Na拡散量も少なく発電効率も低い。