"EUV光を反射するEUV反射層と、該EUV反射層の上に形成されたEUV吸収層と、前記EUV反射層を介して前記EUV吸収層を支持する基板とを備えた反射型マスクブランクであって、前記EUV反射層と反対側の前記基板の裏面に第1導電膜が形成されているとともに、該第1導電膜と電気的に導通しない第2導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。前記第2導電膜が前記EUV反射層と前記基板との界面より低い位置で且つ前記基板と前記第1導電膜との界面より高い位置で前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。前記第1導電膜が前記基板の一辺の長さよりも小さい幅で前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型マスクブランク。前記基板の4つの角部と前記第2導電膜との間に導電膜非形成領域が0.5mm以上の幅で形成されるように前記第2導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。前記第2導電膜が複数の領域に分割されて前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。請求項1~5のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクから作製されたことを特徴とする反射型マスク。請求項6に記載の反射型マスクを該反射型マスクのEUV反射層表面を下向きして吸着保持する静電チャックであって、前記第1導電膜を介して前記基板の裏面を静電吸着する裏面側静電吸着面と、前記第2導電膜を介して前記基板の側面を静電吸着する4つの側面側静電吸着面とを備えたことを特徴とする静電チャック。請求項7に記載の静電チャックを備えたことを特徴とする露光装置。しかしながら、この方法では、静電チャックを加工途中で実際に反射型マスクを吸着させて、その平坦度を測定し、所望の平坦度が得られるまで加工を繰り返し続けるため、手間とコストがかかる。さらに、反射型マスク毎に静電チャックを加工する必要が生じるうえに、静電チャックの形状だけで平坦度を制御することは難しい。このような問題を避けるべく、露光時のマスク平坦度を制御することが重要となる。本発明は上述した問題点に着目してなされたものであり、その第1の目的はEUV露光装置の静電チャック吸着時に平坦度の低下を抑制することのできる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することにある。また、本発明の第2の目的はEUV露光時に反射型マスクの平坦度が低下することを抑制することのできる静電チャックを提供することにある。また、本発明の第3の目的は反射型マスクを用いてEUV露光を精度よく行うことのできる露光装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様は、EUV光を反射するEUV反射層と、該EUV反射層の上に形成されたEUV吸収層と、前記EUV反射層を介して前記EUV吸収層を支持する基板とを備えた反射型マスクブランクであって、前記EUV反射層と反対側の前記基板の裏面に第1導電膜が形成されているとともに、該第1導電膜と電気的に導通しない第2導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。本発明の第2の態様は、前記第2導電膜が前記EUV反射層と前記基板との界面より低い位置で且つ前記基板と前記第1導電膜との界面より高い位置で前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。本発明の第3の態様は、前記第1導電膜が前記基板の一辺の長さよりも小さい幅で前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする。本発明の第4の態様は、前記基板の4つの角部と前記第2導電膜との間に導電膜非形成領域が0.5mm以上の幅で形成されるように前記第2導電膜が前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。本発明の第5の態様は、前記第2導電膜が複数の領域に分割されて前記基板の各側面に形成されていることを特徴とする。本発明の第6の態様は、第1~第5の態様のいずれかの反射型マスクブランクから作製された反射型マスクである。本発明の第7の態様は、第6の態様の反射型マスクを該反射型マスクのEUV反射層表面を下向きして吸着保持する静電チャックであって、前記第1導電膜を介して前記基板の裏面を静電吸着する裏面側静電吸着面と、前記第2導電膜を介して前記基板の側面を静電吸着する4つの側面側静電吸着面とを備えたことを特徴とする。本発明の第8の態様は、第7の態様の静電チャックを備えた露光装置である。本発明によれば、静電チャックの形状を事前に加工する手間やコストがなくなるうえに、露光時の基板平坦度を高精度に制御することができる。従来の静電チャックは、基板裏面側だけで平坦度を制御していたが、基板側面からも吸着することによって基板外周を引っ張る力が作用し、従来の静電チャック構造よりも、高精度な平坦度の制御ができるため、露光精度を高める効果を奏する。加えて、実際に露光する際の吸着状態で基板平坦度を制御するため、基板だけの平坦度改善よりも効果が高い。まず、本発明に係る反射型マスクブランクについて図1~図4を参照して説明する。図1~図4に示されるように、本発明の反射型マスクブランクは、波長が13.5nm±5nmのEUV光を反射するEUV反射層13と、EUV反射層13の上に形成されたEUV吸収層14と、EUV反射層13を介してEUV吸収層14を支持する基板12とを具備している。そして、EUV反射層13と反対側の基板12の裏面には第1導電膜10が形成され、基板12の各側面には第2導電膜11が形成されている。本発明の反射型マスクブランクに用いられる基板12としては、低熱膨張係数具体的には、20°Cにおける熱膨張係数が0±0.1×107/°Cであることが好ましく、より好ましくは0±0.05×107/°C、さらに好ましくは0±0.03×107/°Cを有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。具体的には、低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO2-TiO2系ガラス等を用いるが、これに限定されない。例えば、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラス、シリコンや金属などからなるものを基板として用いることもできる。基板12は、表面粗さrmsが0.15nm以下、好ましくは0.12nm以下の平滑な表面と、100nm以下、好ましくは80nm以下の平坦度を有していることが、パターン形成後の反射型マスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために望ましい。基板12の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。EUV反射層13は、反射型マスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、EUV反射層13に特に要求される特性は、高EUV光線反射率の膜であることである。具体的には、EUV光の波長領域の光線を反射層表面に照射した際に、波長13.5nm±5nmの光線反射率の最大値が60以上であることが好ましく、65以上であることがより好ましい。上記の特性を満たすEUV反射層13としては、Si膜とMo膜とを交互に40~50ペア積層させたSi/Mo多層膜がある。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収消衰係数が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、MoとSiの界面での反射率を高く出来るためである。スパッタリング等の方法によりEUV反射層13の上に形成されるEUV吸収層14の材料としては、Ta、TaN、Taを主成分とする材料、Cr、Crを主成分としN、O、Cから選ばれる少なくとも1つの成分を含有する材料等が用いられる。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBN、タンタルシリコンTaSi、タンタルTaや、それらの酸化物TaBON、TaSiO、TaOでも良い。なお、図示を省略したが、EUV反射層13の酸化防止やマスク洗浄時の保護のために、SiやRuをスパッタリング等の方法により成膜してなるキャッピング層がEUV反射層13とEUV吸収層14との間に形成されていてもよい。また、EUV吸収層14をドライエッチングする場合のエッチングストッパー層としての役割を担う中間層図示せずをEUV反射層13とEUV吸収層14との間に形成してもよい。中間層の材料としては、例えば、Cr、Al、Ru、Taおよびこれらの窒化物、ならびにSiO2、Si3N4、Al2O3等が挙げられる。中間層の厚さとしては10~60nmであることが好ましい。第1導電膜10および第2導電膜11は基板12を静電チャックによりチャックして保持するためのものであり、導電膜10,11の材料としては、導電性を示すCr、CrN等の厚み80~150nm程度の範囲の金属または金属化合物薄膜を挙げることができる。導電膜10,11は、導電性の高い導電膜や電界印加によって誘電分極を生じる誘電体膜であることが好ましい。具体的には、体積抵抗率が100Ωcm以下の膜であることが好ましい。導電膜10,11のシート抵抗は、EUV反射層13の絶縁破壊が生じないようにする点で、100Ω□以下であることが好ましい。本発明の反射型マスクブランクから作製された反射型マスクを吸着する静電チャックの静電チャック層は、上記導電膜のシート抵抗値を満たすものであれば特に限定されないが、Cr、Ni、Ti、Ta、Mo、SiおよびWからなる群から選ばれる1種以上の金属材料であることが好ましく、特にCrであることが以下の理由から好ましい。上記金属材料のチャック層中の含有率は、原子百分率で10~70atatomicpercentであることがチャック層能力の点で好ましい。Crは、電気伝導率が高いため、導電膜10,11のシート抵抗を100Ω□以下にするのに好都合である。また、Crで構成された導電膜は、基板12との密着性に優れている。導電膜10,11の表面硬度は高いことが好ましい。基板12を静電チャックでチャックする際に、静電チャックと導電膜10,11との擦れによってパーティクルが発生することを防止するためである。導電膜10,11の膜厚は、10~500nmであることが好ましい。導電膜10,11の膜厚が10nm未満であると、導電膜に固定した際に吸着効果が不足するおそれがある。基板12の側面に形成される第2導電膜11は、所望の領域にのみ形成されるように、導電膜11を形成しない箇所は遮蔽板で覆い、スパッタリングで成膜する。仮に、基板12の側面に形成した導電膜11が、EUV反射層13などと導通している場合、基板12の裏面に形成された第1導電膜10に帯電した電荷がEUV反射層側にも流れ、EUV反射層13、中間層やEUV吸収層14といった膜が成膜される基板表面が帯電することになる。基板表面が帯電する場合には、次のような問題が発生する。スパッタリング法で成膜するチャンバー内のパーティクルは、通常プラスまたはマイナスに帯電しているため、上記のとおり基板表面が帯電していると、一部のパーティクルがマイナスまたはプラスに荷電した基板上にひきつけられることとなり、結果的に膜中の欠点数が多くなる可能性がある。また、EUV反射層が多層膜である場合、EUV反射層における第1層目を形成した後でも導通は生じる可能性があるため、第1層目を形成した直後に電荷を帯びる結果、他の多層膜を構成するすべての膜の成膜中において、パーティクルがひきつけられ、結果的に反射層中に広い範囲で欠点を生じさせる可能性がある。さらには、反射型マスクブランク上のレジスト膜に電子線やレーザ光を用いて微細回路パターンを描画する工程、および反射型マスクブランク上の吸収層をプラズマエッチングによりパターニングする工程、パターンが形成された反射型マスクを用いてSiウエハ上のレジスト膜にパターンを縮小転写する露光の工程などの各工程においては、反射型マスクブランクおよび反射型マスクは静電チャックによりチャックして保持されるが、上述の理由により、基板表面に形成されたEUV反射層13やEUV吸収層14等も帯電が生じ、形成されたパターンに絶縁破壊などのダメージが生じる可能性がある。以上から、基板12の側面に形成される第2導電膜11は、反射型マスクブランクの膜面とは導通が無いように形成する。導通が無い状態とは、反射型マスクブランクの場合、EUV反射層13と第1導電膜10との間の抵抗値が1MΩ以上であることを意味し、特に5MΩ以上、10MΩ以上、さらには測定不可能な程度まで抵抗値が高いことが好ましい。図1~図4に示す反射型マスクブランクでは、いずれの場合も基板裏面側の第1導電膜10と基板側面側の第2導電膜11とは導通が無い位置関係で形成される。これにより、各静電チャックの電極は、異なる電圧出力を行い、基板12の裏面と側面で吸着力を変えることができる。また、第2導電膜11は、EUV反射層13よりも低い高さ位置で形成して、EUV反射層13とも導通が無いものとする。図1に示す反射型マスクブランクでは、第2導電膜11がEUV反射層13と基板12との界面より低い位置で且つ基板12と第1導電膜10との界面より高い位置で基板12の各側面に形成されていることで、各第2導電膜11はEUV反射層13や第1導電膜10と電気的に絶縁されている。この場合、基板12の各側面に形成される第2導電膜11は互いに導通していてもよく、第2導電膜同士で導通がある場合には、基板側面を吸着させる4つの静電チャックは、同じ電圧出力で制御されることになり、基板外周の4辺には同じ吸着力が作用する。図2に示す反射型マスクブランクでは、第1導電膜10と第2導電膜11との電気的導通を避けるため、第1導電膜10が基板12の一辺の長さよりも小さい幅で基板12の裏面に形成されている。このとき、基板12と第1導電膜10との界面と同じ高さ位置に第2導電膜11を形成しても、第1導電膜10は基板外形よりも小さいため、導通を避けることができる。図3に示す反射型マスクブランクでは、第2導電膜同士の電気的導通を避けるため、基板12の4つの角部と第2導電膜11との間に導電膜非形成領域が0.5mm以上の幅で形成されるように、第2導電膜11が基板12の各側面に形成されている。さらに、4辺の静電チャックの電極に接続する電源を別々に備えることで、各電圧を独立に制御できるため、反射型マスクブランクの平坦度や歪みに対して高精度に制御することができる。図4は、第2導電膜11が複数の領域に分割されて基板12の各側面に形成された反射型マスクブランクを示している。図4に示す反射型マスクブランクでは、基板側面の第2導電膜11が形成されていない箇所に、基板搬送やプロセス処理の保持チャックのピンが接触するように配置することができ、これにより、保持チャックのピンとの擦れによるパーティクルの発生を防止することができる。次に、本発明に係る静電チャックについて図5~図10を参照して説明する。静電チャックとしては、1基板12との間で発生するクーロン力によって基板12を吸着保持するもの、2基板12との接触界面で生じるジョンソンラーベック力によって基板12を吸着保持するもの、3基板表面に不均一電解を発生させて、基板12との間で生じるグラディエント力よって基板12を吸着保持するものが挙げられる。導電膜を有する反射型マスクブランクの場合、静電チャックの吸着作用は、クーロン力とジョンソンラーベック力によるものである。クーロン力は誘電体層を形成する材質の誘電率に依存し、ジョンソンラーベック力は誘電体層を形成する材質の体積固有抵抗値に依存する。具体的には、誘電体層の体積固有抵抗値が1015Ωcmより大きい時の吸着力はクーロン力により支配され、誘電体層の体積固有抵抗値が低下するにしたがってジョンソンラーベック力が発現し、誘電体層の体積固有抵抗値が1012Ωcm未満となると吸着力はクーロン力に比べて大きな吸着力が得られるジョンソンラーベック力により支配されることが知られている。ただし、誘電体層の体積固有抵抗値が108Ωcm未満となると、漏れ電流量が多くなり、吸着面に保持した基板に悪影響を与えることから、誘電体層を108~1012Ωcmの体積固有抵抗値を有する材料により形成する。このように、静電気力は誘電体層の固有抵抗値によるもので、中抵抗の場合にはクーロン力とジョンソンラーベック力の両方が作用する。ここでいうクーロン力とは、電極と導電性を有する被吸着体間に電位差を与え、誘電体の厚み方向にほぼ均一な電界を形成することによる吸着力であり、静電チャックの誘電体の抵抗を下げることによって発生するジョンソンラーベック力を含む。一方で、反射型マスクブランクが導電膜を有していない場合は、被吸着体が電気絶縁性の場合と同じであり、主にグラディエント力によって吸着する静電チャックを用いる。グラディエント力でガラス基板を吸着保持するには、電極を細密化してグラディエント力を向上させる必要がある。具体的には、電極の間隔を狭く、電極から被吸着物までの距離を短くする。静電チャックに内蔵する電極の構成は、単極型と双極型の2つがある。単極型はプラズマプロセスであるエッチング、CVD、PVD、アッシング工程の装置で用いられており、また、双極型は吸着動作させるのにプラズマの有無を問わないため、上記工程のほか、イオン注入や荷電粒子や光の露光工程においても多く使用されている。一般に単極型の場合、被吸着物の絶縁崩壊を避けるため、アースを取る必要がある。一方、双極型の場合、基板裏面や側面導電膜にアースを取る必要がなくなる。また、電極の構成によっては、静電チャックの表面に不均一電界を発生させるグラディエント力によって、基板を吸着させても良い。具体的には、正負の対となる電極を、パターン間隔を数ミリ以下のファインパターンに形成し、誘電体層の表面近傍に電極を形成することによって被吸着物にグラディエント力が作用する。静電チャックの吸着面を構成する材質には、アルミナ、炭化ケイ素、窒化アルミニウムなどの焼結セラミック、あるいはアルミナやアルミナに酸化チタンを混ぜたセラミックコーティングなどの無機材料から、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などの有機材料まで様々な材質が使われている。そして、この吸着面を構成する材料は、静電チャックにおける誘電体としても作用するため、その抵抗値や誘電率などの電気特性が静電チャックの性能に大きく影響する。基板裏面側の電極としては、双極型の電極が用いられる。例えば、図5に示す静電チャックでは、基板12の裏面第1導電膜10が形成された面を静電吸着するための裏面側静電吸着面25が中央に配置され、この裏面側静電吸着面25にプラス側の電極22とマイナス側の電極23が平行なパターンで櫛歯状に入り組んだ配置で形成されている。2つの電極22、23は同じ面積比で且つ裏面側静電吸着面25に対して占める電極の面積比を60~90以上にして裏面側静電吸着面25に形成されている。また、電極22,23はそれぞれプラス側の電源V2ボルト、マイナスの電源-V2ボルトに接続され、裏面側静電吸着面25がベースとなるステージ20に支持される。また、図5に示す静電チャックでは、基板12の側面を吸着する静電吸着するための側面側静電吸着面24、30、40、50の電極は、図6及び図7に示すように、単極型の電極21が用いられる。側面側静電吸着面24、30、40、50に形成された各電極21は、基板表面側の絶縁崩壊を避けるため、静電チャックと反対側の電極側からアース線を取る。そして、図8に示すように、反射型マスク100が吸着した状態では、基板表面側の端近傍からアース線を取る。図5に示すように、静電チャックの側面側静電吸着面24、30、40、50に形成された各電極21をそれぞれ電源V3、V4、V5、V6に接続し、それぞれ異なる電圧を各電極21に印加することで、基板12の4辺で吸着力を変化させることができる。このとき、図3に示したように、基板12の4つの角部と第2導電膜11との間に導電膜非形成領域が0.5mm以上の幅で形成されるように、第2導電膜11を基板12の各側面に形成しておくことで、基板12の各側面間で導電膜同士の電気的導通が発生しないので好ましい。側面側静電吸着面24、30、40、50の各電極21をプラス側又はマイナス側の電源に接続することで、第2導電膜11は電極側とは逆の電荷を帯びることになり、これにより、側面側静電吸着面24、30、40、50の各電極21と基板側面の第2導電膜11との間で吸引力が発生する。図9に示す静電チャックのように、基板12の側面を吸着する側面側静電吸着面24、30、40、50の各電極21を双極型にしてもよく、電極21を双極型にすることによりアースを取る必要がなくなる。この場合、図10に示すように、基板側面の第2導電膜11とほぼ同じ面積となるように、2つの電極21を側面側静電吸着面24、30、40、50に形成することで、基板側面に対する静電チャックの吸着力を高めることができる。また、側面側静電吸着面24、30、40、50に2つの電極21を0.5mm以上離して形成することで、放電破壊を避けることができる。一般的に双極型は、単極型よりも吸着力が小さいため、単極型の場合に比べて印加電圧を上げる必要がある。また、電極を櫛歯型の密な平行パターンで配置し、電極間の幅を狭くし、基板裏面の導電膜と電極間の距離を短くすることで、静電チャックの表面に不均一電界が発生してグラディエント力による静電吸着力が作用する。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。以下、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。反射型マスクブランクスの作製反射型マスクブランクの基板として、外形6インチ角、厚さが6.3mmである低膨張のSiO2-TiO2系のガラス基板を用いた。次に、ガラス基板の表面を表面粗さが0.2nmRms以下、平坦度が30nmになるまで機械研磨した後、ガラス基板の表面上にEUV反射層、エッチングストッパー層およびEUV吸収層をスパッタリングにより順次形成した。この過程で凸形状の平坦度が強調されていき、最終的に平坦度が50nmで反射膜面が凸形状となった反射型マスクブランクを得た。反射型マスクの作製次に反射型マスクブランクスを用いて、所望のパターンを持つ反射型マスクを以下の方法により作製した。まず、上記反射型マスクブランク上にEBレジストを塗布、乾燥し、EB描画、PEB工程、現像工程を行い、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして、EUV吸収層を塩素を用いてドライエッチングし、EUV吸収パターンを形成した。その後、EUV吸収パターン上に残存するレジストパターンを除去し、下地のCrN膜より構成される中間層は、EUV吸収パターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いたエッチングで除去し、反射型マスクを作製した。次に、反射型マスクを用いてEUV露光を行うため、図8に示すように、反射型マスク100の反射膜面を下向きにして、反射型マスク100を図6に示した静電チャックで吸着保持した。そして、この状態でEUV露光を行った。このとき、静電チャックに吸着保持された反射型マスク100の反射膜面にアースを取り、反射膜面の帯電を防止した。このようなEUV露光では、静電チャックと基板自重による歪みが反射型マスク100に加わるため、露光時の平坦度の制御が重要となる。反射型マスクの平坦度劣化は、EUV露光時のEUV光斜入射という性質上、露光時のパターンずれにつながり、大きな問題となるため、実際に反射型マスクを露光装置のステージに静電チャックした状態で、平坦度を低減することが重要である。反射型マスク100に対し、露光装置内のステージ20に設けられた裏面側静電吸着面25により吸着保持した状態で、反射型マスク表面側の平坦度を測定した。この時、反射型マスクは100nmの凸面の平坦度を有していた。なお、側面側静電吸着面24、30、40、50は電圧を印加せずに、基板側面に接触しない位置で退避させた。次に、側面側静電吸着面24、30、40、50を吸着可能な位置まで移動させた後、測定した平坦度に基づき、平坦度が所望の値となるように裏面側静電吸着面25と側面側静電吸着面24、30、40、50の印加電圧を個別に制御した。その結果、平坦度が30nmと改善し、所望の平坦度を得た。すなわち、EUV露光装置内の静電チャックで基板裏面側のみを吸着保持した状態でマスク基板の平坦度測定を行い、その測定結果から、さらに平坦度が適切になるように、基板側面の分割された静電チャックを個別に制御して、平坦度の歪みを露光に適した数値に調整することができる。反射パターン形成による表面平坦度の劣化や静電チャック時の表面平坦度劣化を抑制することができ、EUV露光などの露光精度の向上に寄与することが可能となる。なお、基板裏面を吸着した後に、基板側面側の各電極に電圧印加する場合、基板側面の各電極は同時に電圧を印加する必要はなく、印加開始時間をずらして吸着保持して平坦度の歪みを調整しても良い。"