"基板を処理液で処理する基板処理方法において、純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理と、溶剤を注入して前記処理槽内の純水を溶剤で置換する置換処理と、処理液中の純水と溶剤とを分離して、純水を排出する分離手段により、処理液から純水を除去する分離除去処理と、処理液中の純水を吸着除去する純水除去手段により、処理液中の純水を吸着して除去する吸着除去処理と、を実施することを特徴とする基板処理方法。請求項1に記載の基板処理方法において、溶剤が水溶性である場合には、処理液の流れを、純水と溶剤とを混合するミキサに通さず、溶剤が非水溶性である場合には、処理液の流れを、純水と溶剤とを混合するミキサに通すミキシング処理を前記分離除去処理前に行うことを特徴とする基板処理方法。請求項1または2に記載の基板処理方法において、前記吸着除去処理により処理液中の純水濃度が所定値以下になった場合には、処理液に超音波を付与することを特徴とする基板処理方法。請求項1から3のいずれかに記載の基板処理方法において、前記置換処理において注入される溶剤は、HFEハイドロフロオロエーテルまたはIPAイソプロピルアルコールであることを特徴とする基板処理方法。しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、IPA雰囲気中に移動することにより、基板の乾燥をある程度は促進することができる一方、基板に形成された細かいパターンの間に付着している純水を充分に乾燥することができず、基板の乾燥不良が生じる恐れがある。ところで、最近の半導体デバイスのうち、メモリ分野においては、集積度を従来よりも大幅に高める技術として、キャパシタの構造をシリンダ形状としたものが採用され始めている。このようなシリンダ構造のものは、縦横比が極めて大きく、その隙間に入り込んだ純水を充分に乾燥させることが特に難しく、上記の問題が顕著になっている。また、いわゆるマイクロマシンMEMSMicroElectroMechanicalSystems関係のデバイスであっても、同様の問題が生じる恐れがある。そこで、基板を引き上げる前の最終の処理液として純水を使うのではなく、純水を溶剤で置換した後に、基板を引き上げる手法が考えられる。しかしながら、この場合、純水を溶剤で充分に置換することが重要であるものの、純水に大量の溶剤を供給しても、溶剤中の純水濃度をある一定以下にすることができず、純水を溶剤で充分に置換することができない。したがって、やはり純水に起因する乾燥不良が生じる恐れがあるという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理方法を提供することを目的とする。本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理方法において、純水を供給して処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理と、溶剤を注入して前記処理槽内の純水を溶剤で置換する置換処理と、処理液中の純水と溶剤とを分離して、純水を排出する分離手段により、処理液から純水を除去する分離除去処理と、処理液中の純水を吸着除去する純水除去手段により、処理液中の純水を吸着して除去する吸着除去処理と、を実施することを特徴とするものである。[作用効果]請求項1に記載の発明によれば、処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤を注入して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。この置換処理では、純水の大半を溶剤で置換することができるものの、処理液中の純水濃度をある一定以下にまですることはできない。そこで、分離手段により純水を処理液から除去する分離除去処理を行った後、分離手段により吸着除去処理を行う。したがって、溶剤中に混入している純水だけを吸着除去することができ、溶剤中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、溶剤中の純水に起因する乾燥不良を防止することができる。また、本発明において、溶剤が水溶性である場合には、処理液の流れを、純水と溶剤とを混合するミキサに通さず、溶剤が非水溶性である場合には、処理液の流れを、純水と溶剤とを混合するミキサに通すミキシング処理を前記分離除去処理前に行うことが好ましい請求項2。分離手段は、純水と溶剤が完全に分離した状態よりも、よく混合された状態の方が純水と溶剤とを分離しやすいという特性がある。そこで、溶剤が非水溶性である場合には、分離除去処理前に、処理液の流れをミキサに通し、溶剤と純水を混合させるミキシング処理を行うので、効率よく溶剤中の純水を分離することができる。特に、フッ素系溶剤などの非水溶性の溶剤である場合、純水と溶剤とが混ざりにくいので、ミキサによる混合によって分離手段による分離効率を高めることができる。また、本発明において、前記吸着除去処理により処理液中の純水濃度が所定値以下になった場合には、処理液に超音波を付与することが好ましい請求項3。基板に形成された微細構造中に入り込んだ純水は、溶剤で容易に置換され難いので、超音波振動を付与することにより、微細構造中の純水を溶剤で置換させることができる。しかし、溶剤中の純水濃度が高い状態であると、基板の微細構造に対してダメージを与えることがあるので、溶剤中の純水濃度が所定値以下になった後に超音波を付与することにより、そのような不都合を回避することができる。また、本発明において、前記置換処理において注入される溶剤は、HFEハイドロフロオロエーテルまたはIPAイソプロピルアルコールであることが好ましい請求項4。非水溶性の溶剤としてはHFEが好ましく、水溶性の溶剤としてはIPAが好ましい。本発明に係る基板処理方法によれば、処理槽内の基板を純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤を注入して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。この置換処理では、純水の大半を溶剤で置換することができるものの、処理液中の純水濃度をある一定以下にまですることはできない。そこで、分離手段により純水を処理液から除去する分離除去処理を行った後、分離手段により吸着除去処理を行う。したがって、溶剤中に混入している純水だけを吸着除去することができ、溶剤中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、溶剤中の純水に起因する乾燥不良を防止することができる。以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。処理槽1は、内槽3と外槽5を備えている。内槽3は、処理液を貯留し、保持アーム7によって保持された基板Wを収容可能になっている。保持アーム7は、板状のアームの下部に、基板Wの下縁に当接して基板Wを起立姿勢で支持する支持部材を備えている。この保持アーム7は、内槽3の内部にあたる処理位置と、内槽3の上方にあたる待機位置とにわたって昇降可能になっている。内槽3は、純水や溶剤またはこれらの混合液を処理液として貯留し、内槽3から溢れた処理液が内槽3の上部外周を囲うように設けられた外槽5によって回収される。内槽3の底部両側には、処理液を供給する二本の噴出管9が配設されている。噴出管9には、供給配管11の一端側が連通接続され、その他端側には外槽5の排出口13が連通接続されている。供給配管11は、外槽5側にあたる上流側から順に、三方弁15と、ポンプ17と、三方弁19と、インラインヒータ21とを備えている。三方弁15は処理液の循環と排液とを切り換え、ポンプ17は処理液を流通させ、三方弁19は処理液の循環と純水除去詳細後述とを切り換える。インラインヒータ21は、供給配管11を流通する処理液を所定温度に加熱する。インラインヒータ21の下流側であって、噴出管9よりも上流側にあたる位置には、注入管23の一端側が連通接続されている。注入管23の他端側は、純水供給源25に連通接続されている。注入管23には、下流側から順に、制御弁27と、ミキシングバルブ29と、流量制御弁31とが配設されている。制御弁27は、純水や溶剤、純水に溶剤が混合された処理液の供給遮断を制御する。ミキシングバルブ29には、二本の薬液配管33,35の一端側が連通接続され、それぞれの他端側がHFE供給源37、IPA供給源39に連通接続されている。二本の薬液配管33,35は、それぞれ流量を調整するための流量制御弁41,43を備えている。ミキシングバルブ29は、非水溶性のフッ素系溶剤であるHFEハイドロフルオロエーテルか、水溶性のIPAイソプロピルアルコールのいずれか一方または両方を純水に対して混合させる機能を有する。内槽3の底部には、バット45が配置されている。このバット45の底面には、超音波振動子を備えた振動付与部47が付設されている。バット45には、内槽3の下部がつかる程度の量の純水が満たされており、超音波付与部47の超音波振動が、バット45の純水を介して内槽3の処理液に対して与えられる。供給配管11は、分流された第1の分岐配管49を備えている。この第1の分岐配管49は、処理液中の純水と溶剤とを分離するための油水分離フィルタ51を備えている。さらに供給配管11は、第1の分岐配管49と並列の関係となる第2の分岐配管53を備えている。この第2の分岐配管53は、油水分離フィルタ51の上流側と下流側にあたる部分とを連通接続する。第2の分岐配管53は、処理液中の純水を吸着して除去するための吸着フィルタ55を備えている。上記の吸着フィルタ55は、モレキュラーシーブMolecularsieve、活性炭、アルミナ等で構成され、処理液中の微量の純水をも吸着して除去することができる機能を備えている。上記の第1の分岐配管49は、油水分離フィルタ51の上流側にスタティックミキサ57を備えている。このスタティックミキサ57の上流側と、スタティックミキサ57の下流側であって油水分離フィルタ51の上流側を連通接続しているのが第3の分岐配管58である。第3の分岐配管58は、制御弁59によって流通が制御される。スタティックミキサ57は、その上流部に、第1の分岐配管49を流通する処理液に純水を注入するための注入部60を備え、注入部60への純水の注入流量を制御する流量制御弁61を備えている。スタティックミキサ57は、詳細後述するが、駆動部がなく、流体を分割転換反転の作用により順次攪拌混合するものである。三方弁19と第1の分岐配管49の間には、制御弁63が配設され、制御弁63と第2の分岐配管53との間には、制御弁65が配設されている。また、第1の分岐配管49の最上流部には制御弁67が配設され、最下流部には制御弁69が配設されている。また、吸着フィルタ55の下流側にあたる第2の分岐配管53には、制御弁71が配設されている。なお、上述した油水分離フィルタ51が本発明における分離手段に相当し、吸着フィルタ55が本発明における純水除去手段に相当し、スタティックミキサ57が本発明におけるミキサに相当する。次に、図2を参照する。なお、図2は、スタティックミキサの概略構成を示す縦断面図である。スタティックミキサ57は、本体部73と、本体部73内に配設された複数個のエレメント75とを備えている。各エレメント75は、長方形の板部材を180°ねじった形に形成され、隣接するエレメント75はそれぞれ逆方向にねじって形成されたものである。このスタティックミキサ57は、上述した注入部60を上流部に備え、処理液に対して純水を注入して、それらを分割転換反転の作用で攪拌混合する。特に、溶剤がHFEハイドロフルオロエーテルのように、純水に対して完全には溶けない非水溶性である場合には、スタティックミキサ57によって純水と溶剤とを混合してから油水分離フィルタ51で分離を行うことで純水の分離効率を高めることができる。次に、図3を参照する。なお、図3は、油水分離フィルタの概略構成を示す縦断面図である。油水分離フィルタ51は、ハウジング77と、ハウジング77底部の液導入部79と、液導入部79からの処理液を濾過するフィルタ81と、フィルタ81を通過した液体のうち、比重が大きいものを貯留する第1貯留部83と、比重が小さいものを貯留する第2貯留部85と、液導入部79に処理液が流入する流入部87と、第1貯留部83内の液体を排出する第1排出部89と、第2貯留部85内の液体を排出する第2排出部91と、ハウジング77の外壁に沿って配設され、間接的にフィルタ81を冷却するための冷却パイプ93とを備えている。流入部87は第1の分岐管49の上流側にあたり、第1排出部89は第1の分岐管49の下流側にあたる。上述したフィルタ81は、微分散した遊離液を超極細繊維フィルタにより捕捉し、凝集して粗大化する機能を備え、ミクロンオーダに微分散した遊離液をミリメートルオーダに粗大化させて、比重差によって瞬時に完全二層系に分散する。また、内槽3は、処理液中の純水濃度を測定するための濃度計95を上部付近に備えている。この濃度計95としては、例えば、赤外線吸収方式のものが挙げられる。上述した保持アーム7の昇降や、ポンプ17の作動/停止、インラインヒータ21の温度制御、流量制御弁31,41,43の流量制御、制御弁27の開閉制御、三方弁15,19の切り換え制御、振動付与部47の振動制御、制御弁59,63,65,69,71の開閉制御、流量制御弁61の流量制御などは、制御部97が統括的に制御する。また、制御部97は、上述した各部を操作して、保持アーム7を処理位置に移動させ、処理液として純水を供給して純水洗浄処理を行った後、処理液に溶剤HFEまたはIPAを供給して純水を溶剤で置換する置換処理、油水分離フィルタ51によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行う。そして、溶剤中の純水濃度が第1の所定値以下となった場合には、吸着フィルタ55によって処理液中の純水を吸着除去する吸着除去処理を行う詳細後述。そして、処理液溶剤中の純水濃度が第2の所定値以下となった場合にのみ、振動付与部47を操作して超音波振動を付与させ、基板Wの微細構造に入り込んだ純水を溶剤で置換する。但し、分離除去処理の際、溶剤が純水に対して溶けにくい非水溶性である場合例えば、HFE、スタティックミキサ57を通して、純水と溶剤とを分割転換反転の作用により攪拌混合してから、油水分離フィルタ51を通すようにして、油水分離フィルタ51による分離効率を向上させる。上記の第1の所定値とは、処理液中の溶剤の飽和溶解度を確認することが好ましいが、濃度計95で代用可能である。第1の所定値の具体的な値は、例えば、0.1[]以下である。これは、あまり純水濃度が高いうちから吸着除去処理を行うと、吸着フィルタ55が短時間で吸水力を失い、吸着フィルタ55の交換を頻繁に行う必要が生じるという不都合を回避するためである。上記第2の所定値とは、例えば、処理液純水溶剤の混合液中における溶剤濃度が10,000[ppm]である。発明者等は、表面に微細加工が施された基板Wを内槽3の処理液中に浸漬させ、処理液中の溶剤HFEまたはIPAの濃度を変えつつ超音波振動を付与し、基板Wの微細構造が受けるダメージを実験により評価した。その結果を図4に示す。なお、図4は、処理液中の純水濃度と基板のダメージの割合を示すグラフである。このときの実験条件は、基板Wに形成された微細構造のLSラインスペースが80nm/150nmであり、その構造はポリシリコンで形成されている。また、超音波振動は、40[W]、42kHz、5[min]である。上記の実験の結果に基づいて、発明者等は、処理液中における溶剤HFEまたはIPAの濃度が10,000[ppm]以下であれば、基板Wの微細構造に生じるダメージが許容できる程度に収まることを見出した。そこで、上述した純水洗浄処理を含む一連の処理において、溶剤濃度が上記第2の所定値以下となった場合にのみ超音波振動を付与する工夫をすることにより、基板Wの微細構造に入り込んだ純水をも溶剤で置換することができる上、基板Wの微細構造へのダメージ少なく処理を行うことができる。次に、図5を参照して、上述した基板処理装置の動作について説明する。なお、図5は、動作を示すフローチャートである。ステップS1制御部97は、三方弁15を循環側に切り換えるとともに、三方弁19を供給配管11側に切り換え、制御弁27を開放するとともに流量制御弁31を調整して、純水供給源25から注入管23及び供給配管11を介して純水を所定流量で内槽3へ供給する。内槽3及び外槽5並びに供給配管11を純水で満たした後、ポンプ17及びインラインヒータ21を作動させて所定の温度例えば、60°Cに純水を加熱する。所定温度になった後、保持アーム7を待機位置から処理位置へ下降させ、これを所定時間だけ維持して、所定温度に加熱した純水で基板Wを洗浄処理する。ステップS2制御部97は、インラインヒータ21及びポンプ17を停止させるとともに、三方弁15を排液側へ切り換えるとともに、流量制御弁31を閉止する。そして、流量制御弁41を所定流量に調節して、供給配管11へHFEを供給する。内槽3及び外槽5がHFEで満たされた後、三方弁15を供給配管11側へ切り換えるとともにポンプ17を作動させる。これにより、処理液のうち純水の大半が排出され、処理液にHFEが混合されて純水が溶剤で置換される。ステップS3制御部97は、制御弁63,67,69を開放するとともに、三方弁19を第1の分岐管49側へ切り換える。これにより、スタティックミキサ57で非水溶性のHFEと純水とが充分に混合された後、処理液が油水分離フィルタ51を通ることになる。なお、このときに流量制御弁61を調整して、スタティックミキサ57を流通する処理液に対して純水を注入するようにしてもよい。これは、溶剤中の純水濃度が一定値以下であると、油水分離フィルタ51による純水と溶剤との分離効率が低下するので、純水濃度が低下した処理液に対して積極的に純水を注入混合することにより、一定値以下になった純水を、純水で引き出すようにして油水分離フィルタ51によって分離するためである。ステップS4制御部97は、上記のステップS3を所定時間だけ行った後、制御弁59を開放して流路を第3の分岐管58へ切り換え、処理液の流れがスタティックミキサ57を通らないようにバイパスする。これにより、純水濃度が低くされた処理液が油水分離フィルタ51だけを通るようになる。なお、上記のステップS4を省略し、ステップS3だけを行うようにしてもよい。ステップS5制御部97は、濃度計95からの純水濃度が第1の所定値以下であるか否かに応じて処理を分岐する。具体的には、純水濃度が第1の所定値を越える場合には、ステップS4を繰り返し、第1の所定値以下である場合には、ステップS5へ処理を移行する。ステップS6,S7制御部97は、制御弁65を開放するとともに、制御弁67,69を閉止する。これにより、純水濃度が第1の所定値以下とされた処理液大半がHFEが第2の分岐管53へ流れる。これにより、処理液中に僅かに残った純水が吸着フィルタ55によって吸着除去される。制御部97は、純水濃度が第2の所定値以下になるまで、ステップS6の処理を継続し、第2の所定値以下となった時点でステップS8へ処理を移行する。ステップS8制御部97は、振動付与部47を駆動して、内槽3に貯留している処理液に対して超音波振動を所定の出力で所定時間だけ付与する。これにより、基板Wの微細構造に入り込んだ純水を処理液、つまりHFEで置換させることができる。しかも、処理液中の純水濃度が極めて低くされているので、基板Wの微細構造に対してダメージを与えることがない。上述したように、本実施例装置によると、制御部97は、基板Wを純水で洗浄する純水洗浄処理の後、HFEを注入して純水をHFEで置換する置換処理を行い、処理液の流れを第1の分岐配管49に切り換え、油水分離フィルタ51によって純水を処理液から除去する分離除去処理の後、処理液の流れを第2の分岐配管53に切り換え、吸着フィルタ55により吸着除去処理を行う。したがって、分離除去処理によっても除去しきれない微量の純水だけを吸着フィルタ55によって吸着除去することができ、HFE中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、HFE中の純水に起因する乾燥不良を防止できる。また、基板Wに形成された微細構造中に入り込んだ純水は、HFEで容易に置換され難いので、振動付与部47によって超音波振動を付与することにより、微細構造中の純水をHFEで置換させることができる。しかも、HFE中の純水濃度が所定値以下になった後に超音波を付与することにより、HFE中の純水濃度が高い状態であると、基板Wの微細構造に対してダメージを与えるといった不都合を回避することができる。したがって、歩留まりを向上させることができる。本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。1上述した実施例では、スタティックミキサ57を備え、非水溶性の溶剤を純水と充分に混合した上で油水分離フィルタ51を通すようにしているが、水溶性の溶剤である場合には、スタティックミキサ57を備える必要はない。これにより、装置構成を簡易化することができる。2上述した実施例では、内槽3に振動付与部47を付設しているが、超音波振動を付与しない構成であれば、この構成を省略してもよい。これにより、装置構成を簡略化することができる。3上述した実施例では、非水溶性の溶剤としてフッ素系のHFEを例示し、水溶性の溶剤としてIPAを例示したが、これらとは異なる他の溶剤であっても本発明を適用することができる。例えば、HFE以外のフッ素系溶剤としてHFCハイドロフルオロカーボンを使用してもよい。4上述した実施例では、純水濃度を測定する濃度計95を内槽3に備えた構成を例示したが、供給配管11を流通する処理液の純水濃度を測定するように構成してもよい。"