主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に埋設される接続パッドとを備え、前記接続パッドは、表裏を有するプレート部と、前記プレート部の表側に位置し、前記絶縁層の主面で露出する主面を有し、前記プレート部よりも小さいコンタクト部とを含む、プリント配線板。請求項1に記載のプリント配線板であってさらに、前記絶縁層内に埋設され、前記プレート部の裏側と接触するビアを備える、プリント配線板。プリント配線板と、前記プリント配線板上に実装される半導体チップとを備えた半導体パッケージであって、前記プリント配線板は、主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に埋設される接続パッドとを備え、前記接続パッドは、表裏を有するプレート部と、前記プレート部の表側に位置し、前記絶縁層の主面で露出する主面を有し、前記プレート部よりも小さいコンタクト部とを含み、前記半導体チップは、はんだバンプと、前記はんだバンプの下に敷設されるバンプ下地金属とを備え、前記コンタクト部の直径は前記バンプ下地金属の直径とほぼ等しい、半導体パッケージ。母材を用意する工程と、第1の貫通孔を有する第1の膜を前記母材上に形成する工程と、前記第1の貫通孔上に位置しかつ前記第1の貫通孔よりも大きい第2の貫通孔を有する第2の膜を前記第1の膜上に形成する工程と、前記第1及び第2の貫通孔内に金属を充填して接続パッドを形成する工程と、前記接続パッドの形成後、前記第1及び第2の膜を除去する工程と、前記母材及び前記接続パッドを覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の形成後、前記母材を除去する工程とを含む、プリント配線板の製造方法。請求項4に記載のプリント配線板の製造方法であってさらに、前記絶縁層の形成後、前記母材の除去前に、前記第1の絶縁層に前記接続パッドまで貫通するビア穴を形成する工程と、前記ビア穴内に金属を充填してビアを形成する工程とを含む、プリント配線板の製造方法。請求項4に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の膜を形成する工程は、前記母材上に第1のレジストフィルムを形成する工程と、フォトリソグラフィ法により前記第1のレジストフィルムに前記第1の貫通孔を形成する工程とを含み、前記第2の膜を形成する工程は、前記第1の貫通孔が形成された第1のレジストフィルム上に第2のレジストフィルムを形成する工程と、フォトリソグラフィ法により前記第2のレジストフィルムに前記第2の貫通孔を形成する工程とを含む、プリント配線板の製造方法。プリント配線板と、前記プリント配線板上に実装される半導体チップとを備えた半導体パッケージの製造方法であって、前記プリント配線板は、主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に埋設される接続パッドとを備え、前記接続パッドは、表裏を有するプレート部と、前記プレート部の表側に位置し、前記絶縁層の主面で露出する主面を有し、前記プレート部よりも小さいコンタクト部とを含み、前記半導体チップは、はんだバンプと、前記はんだバンプの下に敷設されるバンプ下地金属とを備え、前記コンタクト部の直径と前記バンプ下地金属の直径とはほぼ等しく、前記半導体パッケージの製造方法は、前記プリント配線板を準備する工程と、前記半導体チップを準備する工程と、前記はんだチップを前記コンタクト部にはんだ付けする工程とを含む、半導体パッケージの製造方法。本発明の目的は、実装された半導体チップのはんだバンプが破断し難いプリント配線板、半導体パッケージ及びそれらの製造方法を提供することである。以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。図1を参照して、本発明の実施の形態による半導体パッケージ10は、コアレス基板20と、コアレス基板20上に実装される半導体チップ8とを備える。コアレス基板20は、ビルトアップ層22と、複数のランド3と、複数のビア4と、複数の接続パッド24とを備える。ビルトアップ層22は、積層された複数の絶縁層26からなる。ランド3は円柱薄い円板状をなし、絶縁層26内に完全に埋設され、絶縁層26内の配線層と接続される。ビア4は円柱又は円錐台状をなし、絶縁層26内に完全に埋設され、ランド3と接続パッド24との間に形成され、ランド3と接続パッド24とを電気的に接続する層間接続部として機能する。接続パッド24は、半導体チップ8側にある最も外側の絶縁層26a内に埋設される。接続パッド24の詳細は後述する。コアレス基板20はさらに、接続パッド28と、複数のはんだバンプ30と、キャパシタ32とを備える。接続パッド28は円柱薄い円板状をなし、接続パッド24と反対側にある最も外側の絶縁層26b上に形成される。はんだバンプ30は接続パッド28にはんだ付けされ、BGA端子を構成する。キャパシタ32は接続パッド28にはんだ付けされる。絶縁層26b上であって接続パッド28を除く領域には、はんだ保護膜ソルダーレジスト34が形成される。一方、半導体チップ8は、バンプアレイを構成するはんだバンプ9を備える。図2は、半導体パッケージ10のはんだバンプ9周辺を拡大して示す断面図である。同図に示されるように、半導体チップ8の底面には、はんだバンプ9に加わる衝撃を吸収するために、クッション膜13が形成される。また、はんだバンプ9の下はんだバンプ9と半導体チップ8の底面との間には、チタン、クロム、銅などのバンプ下地金属11がメッキされ、敷設される。接続パッド24上にあらかじめ付着されたはんだ12を溶融し、はんだバンプ9を接続パッド24にはんだ付けする。これにより、半導体チップ8はコアレス基板20に実装される。また、図1に示されるように、半導体チップ8とコアレス基板20との間にはアンダーフィル樹脂35が充填される。ここで、図14に示した従来の接続パッド5が円柱状であるのに対し、この接続パッド24は縁のある帽子状である。より具体的には、接続パッド24は、プレート部36と、コンタクト部38とからなる。プレート部36は円柱薄い円板状をなし、その直径φ1は従来の接続パッド5の直径φ1と同じ約95μmであり、その厚みは約10μmである。コンタクト部38は円柱薄い円板状をなし、その直径φcはプレート部36の直径φ1よりも小さく、かつ、バンプ下地金属11の直径φ2とほぼ等しい約75μmであり、その厚みは約20μmである。コンタクト部38は、プレート部36の表側に位置する。コンタクト部38の主面39は、絶縁層26aの主面7で露出する。コンタクト部38の主面39と絶縁層26aの主面7とは同一平面上にある。また、プレート部36及びコンタクト部38は同軸にかつ一体的に形成される。そのため、接続パッド24は、帽子の縁にあたる鍔部40を有する。鍔部40は、幅が約10μmのリング状をなす。ビア4は、プレート部36の裏側と接触する。この実施の形態によれば、コンタクト部38の直径φcがバンプ下地金属11の直径φ2とほぼ等しいため、半導体チップ8をコアレス基板20から引き剥がす方向に機械的な応力が加わっても、その応力は接続パッド24及びバンプ下地金属11の両側に均等に分散し、破断が起こりにくい。しかも、接続パッド24の直径全体を小さくしているのではなく、コンタクト部38の直径φcだけを小さくし、プレート部36の直径φ1を小さくせず、約95μmのまま維持しているため、ビア4の直径や位置の製造公差を考慮しても、ビア4の位置が接続パッド24の位置から大きくずれることはなく、ビア4と接続パッド24とを確実に接続することができる。一方、バンプ下地金属11の直径φ2を大きくせず、約75μmのまま維持しているため、メッキをパターン化してバンプ下地金属11を形成するに際して、歩留まりが低下することもない。また、接続パッド24には鍔部40があるため、半導体チップ8をコアレス基板20から引き剥がす方向に機械的な応力が加わっても、鍔部40が絶縁層26aに引っ掛かり、接続パッド24は破壊されにくい。また、コンタクト部38の主面39と絶縁層26aの主面7とは同一平面上にあり、コアレス基板20全体の主面が平面であるため、アンダーフィル樹脂35は均一速度で半導体チップ8とコアレス基板20との間に流れ込む。次に、複数の絶縁層26を有する上記コアレス基板20の製造方法の一例を説明する。ビルトアップ層22は、図1上で下方向に形成される。具体的には次の通り。まず図3に示すように、銅板からなる母材42を用意し、母材42の上にネガ系のレジストフィルム44を塗布する。次に図4に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、所定パターンを有するマスク46でレジストフィルム44を覆い、所定時間露光する。レジストフィルム44のうちマスク46の遮光部48で遮光された部分には光は照射されないが、それ以外の部分には光が照射される。遮光部48は円形をなし、その直径は約75μmである。次に図5に示すように、レジストフィルム44を現像しかつ洗浄すると、光が照射されなかった部分だけが除去され、レジスト溝である貫通孔50が形成され、光が照射された部分52だけが残る。これにより、レジストフィルム44がパターン化される。次に、図3及び図4に示した工程とほぼ同じ工程を繰り返す。すなわち図6に示すように、パターン化されたレジストフィルム44の上に同じ材質のレジストフィルム54を貼付する。そして、上記マスク46と異なるパターンを有するマスク56でレジストフィルム54を覆い、所定時間露光する。レジストフィルム54のうちマスク56の遮光部58で遮光された部分には光は照射されないが、それ以外の部分には光が照射される。遮光部58は円形をなし、その直径は約95μmである。この工程では、遮光部58の中心が貫通孔50の中心図4に示した工程で遮光部48の中心のあった位置にほぼ一致するように、マスク56は位置決めされる。次に図7に示すように、レジストフィルム54を現像しかつ洗浄すると、光が照射されなかった部分だけが除去され、レジスト溝である貫通孔60が形成され、光が照射された部分62だけが残る。これにより、レジストフィルム54がパターン化される。その結果、円柱状の貫通孔50の上に円柱状の貫通孔60が形成される。次に図8に示すように、母材42上の貫通孔50内に金等のバリアメタル64をメッキし、さらにバリアメタル上の貫通孔50及び60内に銅等の金属66をメッキする。バリアメタル64は、後に母材42をエッチングで除去する工程でエッチングストッパとして機能する。次に図9に示すように、レジストフィルム44及び54を従来の剥離プロセスを用いて剥離する。これにより、上述したプレート部36及びコンタクト部38からなる帽子状の接続パッド24が形成される。次に図10に示すように、絶縁フィルム68をラミネートする。この工程は真空中で行われるので、絶縁フィルム68は鍔部40の下にまで潜り込む。これにより、上述した絶縁層26a絶縁フィルム68が形成される。次に図11に示すように、プレート部36の真上にある絶縁フィルム68絶縁層26aにレーザを用いてビア孔70を形成する。次に図12に示すように、ビア孔70が形成された絶縁フィルム68上に銅等の金属72をメッキしてパターン化する。これにより、ビア孔70内に充填された金属72は上述したビア4となり、ビア孔70及び絶縁フィルム68上でパターン化された金属72は上述したランド3を構成する。このランド3は、次に形成される絶縁層の配線層に接続される。同様に、絶縁フィルムのラミネート、レーザによるビア孔の形成及び金属のメッキを繰り返すことにより、複数の絶縁層26を形成して図1に示したビルトアップ層22を形成する。ビルトアップ層22を形成する工程自体は周知である。最後に図13に示すように、エッチングにより銅の母材42を除去する。このとき、金等のバリアメタル64はエッチングされないので、銅等の金属66までエッチングされることはない。そのため、コンタクト部38の主面39と絶縁層26aの主面とは同一平面上に形成される。この製造方法によれば、帽子状の接続パッド24を備えたコアレス基板20を容易に製造することができる。上述した寸法はあくまで例示であり、これに限定されるものではない。たとえばコンタクト部38の直径は半導体チップ8のバンプ下地金属11の直径と全く同じでなくてもよく、70~80μmくらいでもよい。たとえばコンタクト部38の面積とバンプ下地金属11の面積がほぼ等しくなるようにしてもよい。また、プレート部36の直径は90~100μmくらいでもよく、また、95μmよりもかなり大きくてもよい。また、上記実施の形態の接続パッド24では、円板状のプレート部36の中心と円板状のコンタクト部38の中心とが一致しているが、完全に一致している必要はなく、多少ずれていてもよい。また、プレート部36とコンタクト部38という2つの独立した部材で接続パッド24が構成されている必要はなく、全体として鍔のある帽子状であればよい。また、プレート部36及びコンタクト部38の平面形状は円形であるが、これに限定されることなく、楕円形や多角形などであってもよい。また、上記実施の形態による製造方法ではバリアメタル64を母材42上に形成しているが、バリアメタル64を省略し、銅等の金属66を母材42上に直接形成してもよい。また、上記実施の形態はコアレス基板20であるが、本発明はこれに限定されることなく、コア基板を有する一般的なプリント配線板にも適用可能である。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。