シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法であって、るつぼ内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを備え、単結晶の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも1回2kW以上に上げられ、次に再び下げられ、引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切断するステップを備える、方法。加熱パワーは、90分以上でありかつ900分以下の時間で勾配に従う態様で増加させられる、請求項1に記載の方法。るつぼ底部の端縁において50mT以上の磁束密度を有する、水平磁場またはCUSP磁場の影響を溶融物に及ぼすステップを備える、請求項1または2に記載の方法。溶融物の自由表面から90mm以上の距離において、中立面が単結晶の中央長手方向軸と交差するCUSP磁場の影響を溶融物に及ぼすステップを備える、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。るつぼを1分当り2回転以下の速度で回転させ、かつ単結晶を1分当り6回転以上の速度で回転させるステップを備える、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。不活性ガスを、1100から8000Paの圧力で、600から12000リットル/時間の体積流量で、溶融物の自由表面に流すステップを備える、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。本発明の目的は、単結晶におけるピンホール欠陥の形成を妨げ、単結晶を引き上げる工程の際に有効である少なくとも1つの手段を含む方法を提供することである。この目的は、シリコンからなる半導体ウェハを製造するための方法によって達成され、この方法は、るつぼ内で加熱された溶融物から種結晶で単結晶を引き上げるステップと、ある加熱パワーでるつぼ底部の中央に熱を与えるステップとを含み、単結晶の円筒部分が引き上げられる過程において、加熱パワーは少なくとも1回2kW以上に上げられ、次に再び下げられ、さらに引き上げられた単結晶から半導体ウェハを切断するステップを備える。発明者等は、シリコンからなる半導体ウェハでのピンホール欠陥の頻度は、単結晶の円筒部分を引き上げる過程において、るつぼ底部での最も高い温度がるつぼ底部の端縁での位置からるつぼ底部の中央まで移動するような態様で、るつぼ底部の領域における温度場が少なくとも1回変更されると、著しく減少することを突き止めた。この過程において、るつぼ底部の内側壁に付着する小さな気泡は、対流によって流される溶融フローによって切り離されて、溶融物の自由表面まで運ばれる。前記自由表面はるつぼおよび成長単結晶によって覆われていない。このような態様で、小さな気泡は、成長単結晶と溶融物との間の界面に移動することなく、溶融物から離れる。温度場の変化は、好ましくは加熱装置るつぼ底部ヒータを用いて行なわれる。この加熱装置はるつぼ底部に隣接し、るつぼと共に上下できる。このため、るつぼ底部ヒータの加熱パワーは、少なくとも1回2kW以上、好ましくは2~5kWに上げられて、次に再度下げられる。加熱パワーは好ましくは少なくとも1回0kWから2~5kWに上げられて、次に再度0kWに下げられる。加熱パワーの増加が2kWよりも低ければ、ピンホール欠陥を回避する影響は小さく、増加が5kWを超えるとるつぼを不適切に熱ストレスにさらすことになり、単結晶における転位の形成を引き起こし得る。るつぼ底部ヒータの加熱パワーは、好ましくは90分以上かつ900分以下の時間内で以下の勾配に従う態様で増加させられる。この場合、単結晶が溶融物から引き上げられる速度は、好ましくは0.3から0.8mm/分、特に好ましくは0.45~0.65mm/分である。この勾配は、るつぼ底部ヒータの加熱パワーが好ましくは線形で上昇する部分と、適するのならるつぼ底部ヒータの加熱パワーが一定である部分と、るつぼ底部ヒータの加熱パワーが下がる部分とを含む。加熱パワーが一定である部分は、好ましくは0から90分の時間を超える。このような勾配を1~10含む加熱パワープロファイルが特に好ましい。さらに、小さい気泡の溶融物自由表面への移動は、一連のさらなる手段によって行なわれるのが好ましい。この好ましい手段は、溶融物を水平磁場またはCUSP磁場の影響を受けるようにすることを含み、その磁束密度はるつぼ底部の端縁において50mT以上である。るつぼ底部での端縁とは、るつぼの円筒側壁がるつぼの底面につながる場所である。特に、溶融物の自由表面の面から90mm以上の距離において、中立面が単結晶の中央長手方向軸と交差するCUSP磁場の影響を受けるように、溶融物をさらすことが好ましい。好ましい手段は、るつぼの1分当りの回転数を3回転以下、好ましくは1から2回転の速度でるつぼを回転させ、さらに単結晶の1分当りの回転数を6回転以上、好ましくは6から12回転の速度で単結晶を回転させることを含む。るつぼおよび単結晶は同じ方向、または反対方向に回転させられる。回転は反対方向が好ましい。回転速度は絶対値として指定される。最後に、好ましい手段は、溶融物から出てくる気体がその領域に溶融物からおよび単結晶から取り除かれるよう、不活性ガスたとえばアルゴンを、溶融物の自由表面に送ることを含む。不活性ガスの体積流量は、好ましくは11から80mbar1100~8000Paの圧力において、好ましくは600~12000リットル/時間、特に好ましくは1500~3000リットル/時間である。本発明は図面を参照して以下でより詳細に説明される。図1の配置は、るつぼ4を含み、るつぼ4は支持るつぼ5に取付けられ、シリコンからなる溶融物を含む。るつぼは好ましくは石英からなり、その直径は好ましくは単結晶8の直径の2から4倍である。るつぼ4および支持るつぼ5は、上下できるるつぼシャフト上にあり、抵抗ヒータで実現される側部ヒータ6によって取囲まれる。側部ヒータにより、熱は実質的に側部から溶融物に伝達される。磁気装置は側部ヒータ6に隣接する外側にあり、磁気装置により、溶融物は水平磁場またはCUSP磁場の影響を受けるようになる。図面では、CUSP磁場を溶融物に与えるのに適するコイルが示される。抵抗ヒータで実現される静止底部ヒータ7は、支持るつぼの下で、るつぼシャフトの周りに配置される。この静止底部ヒータにより、熱は実質的に下側から溶融物に伝達される。単結晶8は溶融物から種結晶において引き上げられ、熱シールド2によって外側からの熱放射が遮断され、さらにクーラー1によって冷却される。クーラー1には冷却剤が流れる。シリコンからなる単結晶の公称直径は好ましくは300mmまたは450mmである。溶融物の自由表面と熱シールド2の下部境界3との間の距離は好ましくは20から30mmである。溶融物の自由表面とクーラー1の下部境界との間の距離は好ましくは160~200mmである。抵抗ヒータで実現されるるつぼ底部ヒータ13は、るつぼシャフトの頭部で統合され、前記るつぼ底部ヒータの加熱パワーは本発明に従い変更され、るつぼ4の内側壁に付着する小さい気泡11は、対応して方向付けられる溶融物フロー10および12によって引き離されて、溶融物の自由表面に運ばれる。そこから、小さな気泡は、溶融物から放出される酸化シリコンとともに、溶融物の自由表面に向かっている不活性ガスフロー9によって持ち上げられて、溶融物および成長単結晶の領域から取り除かれる。本発明を実施するのに特に適するるつぼ底部ヒータの構成の詳細は図2に示される。前記るつぼ底部ヒータは、グラファイトからなる加熱スパイラル14を含み、るつぼシャフトを通る内側電流供給部15および外側電流供給部16を介してAC電流がスパイラル14に供給される。加熱スパイラルの底部は、プレート17によって、また側面は、炭素繊維強化炭素CFCからなるリング18によって、熱的に絶縁される。リングの内側壁には金属リフレクタ19が裏打ちされている。図示される特徴に加えて、加熱スパイラルは、溶融物に与えられる磁場との相互作用から保護するために、曲がりくねった態様で、または磁気的に遮蔽されて、実施されてもよい。図3は、本発明の好ましい実施例において、時間経過においてるつぼ底部ヒータ13の加熱パワーがどのように変化しているかを示す。前記加熱パワーは、線形部および一定部を含む以下の勾配に従う態様で変化する。時間軸は、成長単結晶の長さLの単位で指定される。300mmの公称直径を有する単結晶に対して0.55mm/分の典型的結晶引き上げ速度が与えられると、長さL=5cmは約90分という時間に対応する。るつぼ底部ヒータの線形的に上昇する加熱パワーの部分は、100mmの長さの単結晶を引き上げるのに要する時間より幾分短い時間に対応する。るつぼ底部ヒータの一定の加熱パワーの部分は、長さが50mmの単結晶を引き上げるのに要する時間より幾分長い時間に対応する。この勾配に従う態様のるつぼ底部ヒータの加熱パワーの変化により、るつぼ底部での最も高い温度Tmaxは、るつぼ底部の端縁での位置P1から、間の位置P2を通ってるつぼ底部の中心P3まで移動する、図4に示される効果を有する。この過程において、るつぼ底部の内側壁に付着する小さい気泡は、対流的に流れる溶融物のフローによって引き離されて、溶融物の自由表面に運ばれる。前記自由表面はるつぼおよび成長単結晶によって覆われていない。実施例公称直径300mmを有するシリコンからなる一連の単結晶は、本発明の方法に従い、図1に示される配置の手段により、直径28インチ711.2mmのるつぼから引き上げられた。平均結晶引き上げ速度は、単結晶の円筒部分を引き上げる過程では、0.55mm/分であった。単結晶の円筒部分を引き上げる工程の最初に、るつぼ底部ヒータの加熱パワーは、図3に示される勾配に従い1回変えられた。比較のため、別の単結晶は同じ条件下で引き上げられたが、るつぼ底部ヒータの加熱パワーの変更は行なわれなかった。ピンホール欠陥の発生頻度の統計的評価が行なわれ、比較のために引き上げられた単結晶から切断された半導体ウェハの場合でのこのような欠陥のために、平均で約30倍高い不良を示す数値となった。