"P側電極及びN側電極を有する半導体レーザと、この半導体レーザから差動伝送にて伝送されるデジタル電気信号のパターンに対応した光信号が出力されるよう当該半導体レーザを駆動する半導体レーザドライバ回路と、を備えた光モジュールであって、前記半導体レーザドライバ回路は、差動伝送にて伝送される非反転データの正極側端子及び負極側端子と、差動伝送にて伝送される反転データの正極側端子及び負極側端子と、を備え、前記非反転データの一方の端子は、前記半導体レーザの一方の電極に電気的に接続されると共に、前記非反転データの他方の端子と前記反転データの一方の端子と前記反転データの他方の端子とは、それぞれ前記半導体レーザの他方の電極に接続される、光モジュール。請求項1に記載の光モジュールであって、前記半導体レーザドライバ回路が備える前記各端子は、それぞれ所定の長さの信号線路を介して前記半導体レーザの各電極に接続される、光モジュール。請求項1又は2に記載の光モジュールであって、前記半導体レーザの前記一方の電極と接続された前記半導体レーザドライバ回路が備える前記非反転データの一方の端子と同一の極性である前記反転データの一方の端子と、前記半導体レーザの他方の電極と、の間に、所定の抵抗値を有する電子部品を電気的に接続して設けた、光モジュール。請求項3に記載の光モジュールであって、前記電子部品は、前記半導体レーザの抵抗値に対応した抵抗値を有する抵抗器である、光モジュール。請求項3に記載の光モジュールであって、前記電子部品は、前記半導体レーザと同一特性を有する他の半導体レーザである、光モジュール。請求項3に記載の光モジュールであって、前記電子部品は、ペルチェ素子であり、前記ペルチェ素子を、前記半導体レーザが搭載された基板の当該半導体レーザ搭載箇所の裏面側に配置し、前記基板に形成されたスルーホール電極を介して、前記反転データの前記一方の端子と前記ペルチェ素子とを電気的に接続すると共に、当該ペルチェ素子と前記半導体レーザの前記他方の電極とを電気的に接続し、前記ペルチェ素子を構成する吸熱部を、前記基板の前記半導体レーザ搭載箇所の裏面に接触させると共に、当該ペルチェ素子を構成する発熱部に接触する放熱板を設けた、光モジュール。請求項1乃至6のいずれかに記載の光モジュールであって、前記半導体レーザの前記一方の電極はP側電極であり、前記他方の電極はN側電極であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記非反転データの前記一方の端子は正極側端子であると共に、前記非反転データの前記他方の端子は負極側端子であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記反転データの前記一方の端子は正極側端子であると共に、前記反転データの前記他方の端子は負極側端子である、光モジュール。請求項1乃至6のいずれかに記載の光モジュールであって、前記半導体レーザの前記一方の電極はN側電極であり、前記他方の電極はP側電極であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記非反転データの前記一方の端子は負極側端子であると共に、前記非反転データの前記他方の端子は正極側端子であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記反転データの前記一方の端子は負極側端子であると共に、前記反転データの前記他方の端子は正極側端子である、光モジュール。請求項1乃至8に記載の光モジュールであって、前記半導体レーザに近接して、前記半導体レーザドライバ回路に電気的に接続された受光素子を設けた、光モジュール。請求項1乃至9のいずれかに記載の光モジュールを、複数並列に配置して設けた、並列配置型光モジュール。請求項10に記載の並列配置型光モジュールであって、前記各光モジュールが備える各他方の電極は、共通電極にて構成されている、光モジュール。しかしながら、上述した光モジュールにおける半導体レーザ610の駆動においては、入力信号のデジタルデータのデータ列のパターンに依存して、半導体レーザ610から出力される光信号の波形が劣化する、いわゆるパターン効果の問題が生じうる。ここで、この問題、つまり、パターン効果が発生する原因について説明する。上述した図1に示した光通信モジュールを構成する半導体レーザ610および半導体レーザドライバIC620の接続回路を、説明のために図4のように示す。この図の符号S1,S2に示す半導体レーザ610と半導体レーザドライバIC620との間は、ボンディングワイヤ641~644で電気的に接続されており、この部分には交流電流が流れる。一方、ボンディングワイヤにはインダクタンス成分が寄生しているため、この部分に交流電流が流れると、ボンディングワイヤの両端には電位差が生じることになる。つまり、ボンディングワイヤに過剰のインピーダンスが生じる。ここで、符号642に示すボンディングワイヤに着目すると、当該ボンディングワイヤ642に発生する過剰のインピーダンスにより、グランド端子Gと半導体レーザ610のN側電極の間に電位差が生じることとなる。すると、本来半導体レーザ610に流したい電流の電流値がインピーダンスによって減少してしまい、その結果、半導体レーザ610から出力される光信号が低減劣化してしまう、という問題が生じる。特に、光通信モジュールにおける伝送容量つまりビットレートを高めれば高めるほど、半導体レーザ610の変調速度を高める必要があり、上述した光信号の劣化という問題が顕著になってくる。つまり、インダクタンスに交流電流を流した場合には、インダクタンスに過剰のインピーダンスが生じることにより、周波数が高くなればなるほど電流が流れにくくなる。このことを、図5を参照して説明する。まず、図5に示すように、インダクタンスに交流電流を流した場合には、インダクタンスの両端に、電位差電圧VLdIdtが生じる。そして、交流電流を正弦波として、II0expjωtと記述すればj:虚数、I0:振幅電流、ω:交流電流の角周波数、t:時間、電圧は、VLdIdtjωLIとなり、インダクタンスLにおける交流電流のインピーダンスZは、ZVIjωLとなる。このことから、交流の周波数が高くなればなるほどωが大きいほど、インピーダンスZは大きくなり、電流が流れにくくなることがわかる。引き続き、図6A~Dを用いて説明を続ける。図6A~Dは、光モジュールにおけるデジタル入力信号の系列と半導体レーザからの光出力波形特に光出力強度に関することの関係について示した説明図である横軸:時間、縦軸:光出力強度。図6Aでは、入力信号のデータ系列が000......0の場合の光出力波形を示したものであり、この場合の光出力は、全ての時間で第二の光出力レベルL2になる。次に、図6Bでは、入力信号のデータ系列が111......1の場合の光出力波形を示したものであり、この場合の光出力は全ての時間で第一の光出力レベルL1になる。次に、図6Cでは、入力信号のデータ系列が11001100...の場合の光出力波形を示したものであり、この場合、データ1に相当する光出力は第三の光出力レベルL3になり、当該第三の光出力レベルは、第一の光出力レベルより低くなってしまう。このことは、半導体レーザに交流電流が流れることにより、ボンディングワイヤにてインピーダンスが発生するため半導体レーザに流れる電流が減少してしまい、このため、1レベルにおける光出力強度が低下することによる。さらに、図6Dでは、入力信号のデータ系列が10101010...の場合の光出力波形を示したものであり、この場合、データ1に相当する光出力は第四の光出力レベルL4になり、当該第四の光出力レベルは第三の光出力レベルより低くなってしまう。このことは、図6Dでの入力信号のデータ系列の周波数が図6Cの周波数より高いためであり、図5を参照して説明したように、周波数が高くなるとボンディングワイヤにて発生するインピーダンスが高くなり、半導体レーザに流れる電流がさらに減少してしまうためである。ここで、上記では、入力信号のデータ系列が周期的なものについて示してきたが、実際の入力信号のデータ系列は1および0の並び方が混在しており、様々な周波数の羅列にて半導体レーザが駆動されることになり、これに応じて半導体レーザの波形も劣化してしまう。このようなことから、入力データ系列のパターンにより光出力波形が劣化するパターン効果が発生する。なお、上述した交流電流とは、一般にいう正弦波の電流ではなくて、デジタルデータ系列に従ったいわゆるデータ電流もしくは変調された電流のことを言う。以上より、本発明の目的は、上述した課題である、光モジュールによる伝送容量の増大化を維持しつつ、半導体レーザに生じうるパターン効果による光出力波形の劣化が生じること、を解決することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態である光モジュールは、P側電極及びN側電極を有する半導体レーザと、この半導体レーザから差動伝送にて伝送されるデジタル電気信号のパターンに対応した光信号が出力されるよう当該半導体レーザを駆動する半導体レーザドライバ回路と、を備えた光モジュールであって、前記半導体レーザドライバ回路は、差動伝送にて伝送される非反転データの正極側端子及び負極側端子と、差動伝送にて伝送される反転データの正極側端子及び負極側端子と、を備え、前記非反転データの一方の端子は、前記半導体レーザの一方の電極に電気的に接続されると共に、前記非反転データの他方の端子と前記反転データの一方の端子と前記反転データの他方の端子とは、それぞれ前記半導体レーザの他方の電極に接続される、という構成をとる。また、上記光モジュールでは、前記半導体レーザドライバ回路が備える前記各端子は、それぞれ所定の長さの信号線路を介して前記半導体レーザの各電極に接続される、という構成をとる。上記構成の光モジュールによると、まず、半導体レーザドライバ回路に設けられた非反転データの正極側端子及び負極側端子のうち一方の端子が、半導体レーザのP側電極及びN側電極のうち一方の電極に電気的に接続されると共に、非反転データの他方の端子が、半導体レーザの他方の電極に電気的に接続される。また、半導体レーザドライバ回路に設けられた反転データの一方及び他方の各端子が、それぞれ半導体レーザの他方の電極に電気的に接続される。これにより、半導体レーザからは、差動伝送にて伝送されるデジタル電気信号のパターンに対応した光信号が出力される。そして、本発明では、特に、半導体レーザの他方の電極と反転データの各端子とがそれぞれ接続されていることにより、半導体レーザの他方の電極と非反転データの他方の端子との間、及び、半導体レーザの他方の電極と反転データの他方の端子との間、にそれぞれ直流電流が流れることとなる。すると、これらの間が所定の長さの信号線路を介して接続されている場合であっても、かかる信号線路に生じるインピーダンスが0となり、周波数が高くなった場合であっても、流れる電流値の減少を抑制できる。その結果、光モジュールによる伝送容量の増大化を維持しつつ、半導体レーザに生じうるパターン効果による光出力波形の劣化を抑制することができる。また、上記光モジュールでは、前記半導体レーザの前記一方の電極と接続された前記半導体レーザドライバ回路が備える前記非反転データの一方の端子と同一の極性である前記反転データの一方の端子と、前記半導体レーザの他方の電極と、の間に、所定の抵抗値を有する電子部品を電気的に接続して設けた、という構成をとる。例えば、前記電子部品は、前記半導体レーザの抵抗値に対応した抵抗値を有する抵抗器である。また、前記電子部品は、前記半導体レーザと同一特性を有する他の半導体レーザである。また、前記電子部品は、ペルチェ素子であり、前記ペルチェ素子を、前記半導体レーザが搭載された基板の当該半導体レーザ搭載箇所の裏面側に配置し、前記基板に形成されたスルーホール電極を介して、前記反転データの前記一方の端子と前記ペルチェ素子とを電気的に接続すると共に、当該ペルチェ素子と前記半導体レーザの前記他方の電極とを電気的に接続し、前記ペルチェ素子を構成する吸熱部を、前記基板の前記半導体レーザ搭載箇所の裏面に接触させると共に、当該ペルチェ素子を構成する発熱部に接触する放熱板を設けた、という構成をとる。上記のように、反転データの信号線路上に、非反転データ側に設けられた半導体レーザと同一の抵抗値や特性を有する抵抗器や他の半導体レーザ、さらには、ペルチェ素子など所定の抵抗値を有する電子部品を設けることで、非反転データと反転データとの信号線路上を同一の抵抗値となるため、回路の動作が安定することとなり、光出力の波形特性の向上を図ることができる。そして、上述したようにペルチェ素子を設けた場合には、さらに半導体レーザを冷却させることができ、光モジュール自体の信頼性の向上を図ることができる。また、上記光モジュールでは、例えば、前記半導体レーザの前記一方の電極はP側電極であり、前記他方の電極はN側電極であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記非反転データの前記一方の端子は正極側端子であると共に、前記非反転データの前記他方の端子は負極側端子であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記反転データの前記一方の端子は正極側端子であると共に、前記反転データの前記他方の端子は負極側端子である、という構成をとる。また、上記光モジュールでは、例えば、前記半導体レーザの前記一方の電極はN側電極であり、前記他方の電極はP側電極であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記非反転データの前記一方の端子は負極側端子であると共に、前記非反転データの前記他方の端子は正極側端子であり、前記半導体レーザドライバ回路の前記反転データの前記一方の端子は負極側端子であると共に、前記反転データの前記他方の端子は正極側端子である、という構成をとる。また、上記光モジュールでは、前記半導体レーザに近接して、前記半導体レーザドライバ回路に電気的に接続された受光素子を設けた、という構成をとる。上記構成にすることにより、上述したように半導体レーザの電極には交流電流が流れず、直流電流が流れるため、電磁波が発生することを抑制できる。このため、半導体レーザと受光素子とを近接して配置した場合であっても、受光素子の受信感度の劣化を抑制できる。従って、光モジュールの小型化を図りつつ、性能の向上を図ることができる。また、本発明の他の形態である並列配置型光モジュールは、上述した光モジュールを、複数並列に配置して設けた、という構成をとる。そして、上記並列配置型光モジュールでは、前記各光モジュールが備える各他方の電極は、共通電極にて構成されている、という構成をとる。上記のように、複数の光モジュールを並列配置した場合であっても、各光モジュールの各他方の電極間の電位を一定に保つことができる。従って、各光モジュール間におけるクロストークの発生を抑制することができ、光波形の劣化を抑制することができる。本発明は、以上のように構成されることにより、光モジュールによる伝送容量の増大化を維持しつつ、半導体レーザに生じうるパターン効果による光出力波形の劣化を抑制することができる。<実施形態1>本発明の第1の実施形態を、図7乃至図13を参照して説明する。図7乃至図9は、本実施形態における光モジュールの構成を示す図であり、図10乃至図13は、光モジュールの変形例を示す図である。本発明における光モジュール1は、光通信システムに用いられるものである。具体的に、光モジュールは、図7Aの上面図、及び、図7Bの側面図に示すように、基板1上に、半導体レーザ10と半導体レーザドライバIC回路20とを備える。そして、半導体レーザ10を半導体レーザドライバIC回路20で駆動することにより、活性層13にて電気信号から光信号への変換を行い、レーザ光出射窓10aから矢印に示すように出力された光信号を用いて光ファイバケーブル図示せずを通じてデータの伝送を行う。なお、本実施形態における光モジュールは、光送信機として機能するものであってもよく、あるいは、後述するように受光素子が搭載されて光送受信機として機能するものであってもよい。本実施形態における光モジュールの具体的な構成について、さらに説明する。図8は、図7に開示した光モジュールの半導体レーザ10と半導体レーザドライバIC20の部分の接続の様子について示した図であり、この構成の一部を回路図で表したものを図9に示す。まず、図8に示すように、半導体レーザ10は、上方から、P側電極11、P型半導体12、活性層13、N型半導体14、N側電極15が積層されて構成されている。また、半導体レーザドライバIC20は、差動伝送にて伝送されるデジタル電気信号のパターンに対応した非反転データDと反転データDとが入力されるトレースライン51,52が接続される接続端子25,26と、入力された非反転データDと反転データDとを半導体レーザ10等に入力するための接続端子21,22,23,24と、を備えている。なお、接続端子21は、非反転データDの端子正極側端子であり、接続端子22は、非反転データDの-端子負極側端子である。また、接続端子23は、反転データDの端子正極側端子であり、接続端子24は、反転データDの-端子負極側端子である。そして、図9に示すように、半導体レーザドライバIC20は、直流バイアス電源61と定電流回路62が接続されており、一定値に制御された直流電流が注入される2個一対のトランジスタで構成される差動スイッチ回路63を備えている。そして、上述した接続端子25,26を介して、差動スイッチ回路63に差動伝送による非反転データDと反転データDからデータ値1もしくは0が入力されることで、当該入力されたデータ値に応じて、片方のトランジスタがSWON状態になると共に、他方のトランジスタがSWOFF状態となり、SWON状態となった方のトランジスタ側へ電流が流れる。これにより、差動伝送されたデジタル電気信号の非反転データDataのデジタル電気信号データ列に相当するデジタル光信号列が、半導体レーザ10から出力される。なお、図9におけるDは、非反転データの入力端子、Dは、反転データの入力端子、Vccは、直流バイアス端子、Gは、グランド端子、をそれぞれ示している。ここで、半導体レーザ10と半導体レーザドライバIC20との電気的な接続状態を、図8乃至図9を参照して説明する。まず、半導体レーザドライバIC20の非反転データDの端子21は、半導体レーザ10のP側電極11に接続し、非反転データDの-端子22は、半導体レーザ10のN側電極15に接続している。また、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23は、抵抗器30を介して半導体レーザ10のN側電極15に接続し、反転データDの-端子24も半導体レーザ10のN側電極15に接続している。つまり、非反転データDの-端子22、反転データDの端子23抵抗器30を介して、及び、反転データDの-端子24は、それぞれ半導体レーザ10のN側電極15に接続している。そして、各端子21~24と半導体レーザ10の各電極11,15及び抵抗器30とは、それぞれ所定の長さのボンディングワイヤ41~44を介して接続されている。但し、各端子等は、必ずしもボンディングワイヤ41~44を介して接続されることに限定されず、トレース配線など他の信号線路を介して接続されてもよい。なお、上述した抵抗器30の抵抗値は、例えば、半導体レーザ10の抵抗値に対応して同一の値である。これにより、非反転データDと反転データDとの信号線路上が同一の抵抗値となるため、回路の動作が安定する。但し、抵抗器30の抵抗値は、必ずしも半導体レーザ10の抵抗値と同一であることに限定されず、また、抵抗器30に代えて、後述するように所定の抵抗値を有する他の電子部品を接続してもよく、あるいは、ボンディングワイヤのみで他の電子機部品を接続しなくてもよい。以上のように、半導体レーザ10と半導体レーザドライバIC20とを接続することで、図9の符号A1と符号A2に示す部分、つまり、符号41,43に示すボンディングワイヤには交流電流が流れるが、符号B1及び符号B2に示す部分、つまり、半導体レーザ10のN側電極15と非反転データDの-端子22との間、及び、半導体レーザのN側電極15と反転データDの-端子24との間には、それぞれ直流電流が流れる。すると、図5を参照して説明した式を用いて、dIdt0となるため、これら部分B1,B2のボンディングワイヤ42,44に生じるインピーダンスが0となり、半導体レーザ10のN側電極15の電位は、入力データパターン系列によらず一定に保たれる。これにより、入力データパターン系列の周波数が高くなった場合であっても、流れる電流値の減少を抑制でき、パターン効果の発生を低減することができる。以上より、光モジュールによる伝送容量の増大化を維持しつつ、半導体レーザ10に生じうるパターン効果による光出力波形の劣化を抑制することができる。ここで、上述した構成の光モジュールの変形例を、図10乃至図13を参照して説明する。図10は、実施形態1における第1の変形例における光モジュールの構成を示しており、図10Aは上面図、図10Bは側面図を示している。図10に示す光モジュールは、上述した図7に示した光モジュールとほぼ同様の構成をとっているが、抵抗器30を装備していない点で異なる。つまり、図10の光モジュールは、半導体レーザ10のN側電極15と、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23とが、直接ボンディングワイヤ43で接続されている。このようにしても、上述同様に、半導体レーザ10のN側電極15と非反転データDの-端子22との間、及び、半導体レーザのN側電極15と反転データDの-端子24との間には、それぞれ直流電流が流れるため、パターン効果の発生を低減することができる。次に、図11は、実施形態1における第2の変形例における光モジュールの構成を示しており、図11Aは上面図、図11Bは側面図を示している。図11に示す光モジュールは、上述した図7に示した光モジュールとほぼ同様の構成をとっているが、上述した抵抗器30の代わりに、半導体レーザ10と同一の特性を有する他のダミー半導体レーザ31が、半導体レーザ10のN側電極15と、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23との間に接続されている。なお、ダミー半導体レーザ31は、実際には光信号を出力しない、あるいは、出力したとしてもかかる光信号は用いないものである。このようにしても、上述同様に、半導体レーザ10のN側電極15と非反転データDの-端子22との間、及び、半導体レーザのN側電極15と反転データDの-端子24との間には、それぞれ直流電流が流れるため、パターン効果の発生を低減することができる。そして特に、非反転データと反転データとの信号線路上が同一の状態となるため、回路の動作が安定することとなり、さらに光出力の波形特性の向上を図ることができる。次に、図12は、実施形態1における第3の変形例における光モジュールの構成を示しており、図12Aは上面図、図12Bは側面図、図13Cは図12Aの上側の側面図を示している。図12に示す光モジュールは、上述した図7に示した光モジュールとほぼ同様の構成をとっているが、抵抗器30の代わりに、ペルチェ素子32が、半導体レーザ10のN側電極15と、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23との間に接続されている。具体的に、ペルチェ素子32は、半導体レーザ10が搭載された基板1の表面側とは反対側である裏面側に配置されており、特に、半導体レーザ10の搭載箇所の真裏側に位置し、ペルチェ素子32の吸熱部が基板1に接して配置されている。また、ペルチェ素子32の吸熱部の反対面側に位置する発熱部には、放熱板33が接触して設けられている。そして、基板1には、表裏面間で相互に電気的な接続が可能なようスルーホール電極34,35が形成されている。ペルチェ素子32は、スルーホール電極34とボンディングワイヤ43を介して、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23と電気的に接続し、また、スルーホール電極35を介して、半導体レーザ10のN側電極15と電気的に接続している。このようにして、半導体レーザ10のN側電極15と、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子23とが、ボンディングワイヤ43とペルチェ素子32を介して、半導体レーザ10と接続されている。このようにしても、上述同様に、半導体レーザ10のN側電極15と非反転データDの-端子22との間、及び、半導体レーザのN側電極15と反転データDの-端子24との間には、それぞれ直流電流が流れるため、パターン効果の発生を低減することができる。そして特に、ペルチェ素子32の抵抗値により、非反転データと反転データとの信号線路上が同一の状態となるため、回路の動作が安定する。それに加え、ペルチェ素子32にて半導体レーザを冷却させることができ、光モジュール自体の信頼性の向上を図ることができる。次に、図13は、実施形態1における第4の変形例における光モジュールの回路図を示している。図13に示す光モジュールは、上述した図7に示した光モジュールと比較して、半導体レーザ10のP側電極、N側電極をそれぞれ逆にし、また、半導体レーザドライバIC20の非反転データD及び反転データDの端子21、-端子22をそれぞれ逆にしている。つまり、本発明は、N基板の半導体レーザ、あるいは、P基板の半導体レーザのいずれであっても適用できる。具体的に、図13に示す例では、半導体レーザ10と半導体レーザドライバIC20との電気的な接続状態は、まず、半導体レーザドライバIC20の非反転データDの端子22’が、半導体レーザ10のP側電極に接続し、非反転データDの-端子21’が、半導体レーザ10のN側電極に接続している。また、半導体レーザドライバIC20の反転データDの端子24’が、半導体レーザ10のP側電極に接続し、反転データDの-端子23’も抵抗器30を介して半導体レーザ10のP側電極に接続している。つまり、非反転データDの端子22’、反転データDの端子24’、及び、反転データDの-端子23’抵抗器30を介してが、それぞれ半導体レーザ10のP側電極に接続している。なお、抵抗器30は必ずしも接続されている必要はなく、上述した第1~第3の変形例のように、抵抗器30に代えて、ダミー半導体レーザやペルチェ素子が接続されていてもよく、あるいは、ボンディングワイヤだけで間に電子部品が何も接続されていなくてもよい。以上のようにしても、半導体レーザ10の電極と半導体レーザドライバ20の一部の端子との間で直流電流が流れるため、かかる箇所のインピーダンスが0となり、上述同様に、パターン効果の発生を低減することができる。<実施形態2>次に、本発明の第2の実施形態を、図14乃至図19を参照して説明する。図14乃至図16は、本実施形態におけるものと比較する並列配置型光モジュールの構成を示す。図17乃至図19は、本実施形態における並列配置型光モジュールの構成を示す図である。本実施形態における並列配置型光モジュールは、上述した実施形態1で説明した光モジュールを、複数並列に配置した半導体レーザアレイを備えたものである。このように複数の光モジュールを並列に配置したものを光通信システムに用いることで、光通信の通信容量を高めることができる。例えば、1チャンネル当たりの通信容量が10Gbsの光通信機能を4チャンネル並列させた並列配置型光モジュールを構成することにより、合計で40Gbsの通信容量である光モジュールが構成できることになる。ここで、本発明の並列配置型光モジュールとの比較対象となる構成の比較用並列配置型光モジュールについて説明する。図14に示す比較用並列配置型光モジュールは、上記背景技術にて説明した図1に示す光モジュールを複数並列に配置し、N側電極が共通電極を構成している半導体レーザアレイ100を備えている。なお、図14に示す比較用並列配置型光モジュールは、半導体レーザ110を4つ搭載し、4チャンネルC1~C4の半導体レーザアレイ100を備えている。これに対応して、半導体レーザドライバIC120には、各半導体レーザ110の各電極にそれぞれ接続される端子121~136を備えている。そして、図14に示す比較用並列配置型光モジュールは、半導体レーザドライバIC120の各チャンネルの非反転データDの端子121,133等から各半導体レーザ110のそれぞれのチャンネルを独立に電流駆動させる構成になっている。各半導体レーザのN側電極は各チャンネル間で共通Commoncathode構造となっており、それぞれ半導体レーザドライバIC120の非反転データDの-端子122,134等に接続されている。なお、半導体レーザドライバIC120の非反転データDの-端子122,134等はそれぞれIC内部では短絡した回路になっているため、当該-端子122,134等は等電位である。しかしながら、半導体レーザアレイ100の各チャンネルを独立なデータで駆動すると、共通電極であるN側電極115と、半導体レーザドライバIC120の端子122,134等とを接続するボンディングワイヤ142,154等には交流電流が流れ、当該ボンディングワイヤ142,154等のインダクタンス成分により、その両端には電位差が生じる。すると、半導体レーザアレイ100のN側電極115の電位が各チャンネルのデータパターンデータ系列により変動してしまい、チャンネル間での干渉が発生する。このため、各チャンネル間の光出力にてクロストークが生じてしまうことが問題となっていた。例えば、図14において、まず半導体レーザアレイ100の第一チャンネルC1のみ動作させ、半導体レーザアレイ100の第二から第四チャンネルC2~C4を動作させない場合において、第一チャンネルC1から出力される光波形を第一の光波形とする。次に、半導体レーザアレイ100の第一チャンネルC1および第二チャンネルC2のみ動作させ、第三、第四チャンネルC3,C4を動作させない場合において、第一チャンネルC1から出力される光波形を第二の光波形とする。この場合、第二チャンネルC2を動作させることによる半導体レーザアレイ100の共通電極の電位の変化分が、第一チャンネルC1の動作に悪影響を与えるため、第一の光波形に比べて第二の光波形は劣化することとなる。つまり、他のチャンネルを駆動することにより、自身のチャンネルの光波形が、自身のチャンネルのみを駆動した場合と比較して劣化してしまうクロストークが発生する。一方で、上述したチャンネル間のクロストークを低減するために、図15に示すように、各半導体レーザ210にてN側電極215が分離して絶縁基板216上に形成された極性独立分離型の半導体レーザアレイ200を使用する方法もある。しかしながら、このような方法では、半導体アレイレーザ200の構造が複雑であり製造も複雑となるため、コストが高い、という問題が生じる。また、構造上、抵抗が高くなり、長期信頼性や使用する環境温度の制限などの問題も生じる。また、上述した上述したチャンネル間のクロストークを低減するために、図16に示すように、複数の半導体レーザ310を近接して設置する方法もある。しかしながら、このように複数のレーザを設置する方法では、実装コストが高く、光モジュールの小型化が困難である、という問題が生じる。これに対して、本実施形態における並列配置型光モジュールは、上述した実施形態1で説明したように、半導体レーザと半導体レーザドライバICとの接続に特徴を有する。具体的に、本実施形態における並列配置型光モジュールは、図17や図18に示すように、複数の半導体レーザ410のN型半導体基板414とN側電極415とが一体的に構成された共通電極を有する半導体レーザアレイ400を備えている。また、本実施形態における半導体レーザドライバIC420には、各半導体レーザ410の各電極に接続される各端子421~436が、半導体レーザ410毎つまりチャンネル毎C1~C4に設けられている。そして、各半導体レーザ410と半導体レーザドライバIC420との電気接続状態は、各チャンネルC1~C4において、非反転データDの端子421,433等は、各半導体レーザ410のP側電極にそれぞれ接続し、非反転データDの-端子422,434等は、半導体レーザアレイ400の共通電極415にそれぞれ接続している。また、各チャンネルC1~C4において、反転データDの端子123,135等は、半導体レーザアレイ400の共通電極415に抵抗器460を介してそれぞれ接続し、反転データDの-端子424,436等は、半導体レーザアレイ400のN側共通電極415にそれぞれ接続している。上述したように半導体レーザアレイ400と半導体レーザドライバIC420とを接続することで、各半導体レーザ410の共通電極を構成するN側電極415と、半導体レーザドライバIC420の各端子421~436との間に直流電流が流れることとなり、半導体レーザアレイ400の共通電極の電位が一定に保たれる。これにより、他のチャンネルを駆動した場合であっても、自身のチャンネルの光波形が劣化してしまうクロストークの発生を抑制できる。なお、上記では、4チャンネルの半導体レーザアレイの構成を説明したが、本発明における並列配置型光モジュールの半導体レーザアレイのチャンネル数は4チャンネルであることに限定されず、例えば、8アレイ、12アレイなどの複数チャンネルで構成されていてもよい。また、図17等の構成において、抵抗器460は必ずしも接続されている必要はなく、上述した実施形態1の第1~第3の変形例のように、抵抗器460に代えて、ダミー半導体レーザやペルチェ素子が接続されていてもよく、あるいは、ボンディングワイヤだけで間に電子部品が何も接続されていなくてもよい。次に、図19は、実施形態2における並列配置型光モジュールの変形例の回路図を示している。図19に示す並列配置型光モジュールは、上述した図18に示した並列配置型光モジュールと比較して、各半導体レーザ410のP側電極、N側電極をそれぞれ逆にし、また、半導体レーザドライバIC420の非反転データD及び反転データDの各端子421等、-端子422等をそれぞれ逆にしている。つまり、本発明は、N基板の半導体レーザアレイ、あるいは、P基板の半導体レーザアレイのいずれであっても適用できる。具体的に、図19に示す例では、P側電極が共通の半導体レーザアレイと半導体レーザドライバICとの電気的な接続状態は、各チャンネルの非反転データDの端子が、半導体レーザアレイのP側電極に接続し、各チャンネルの非反転データDの-端子が、各半導体レーザのN側電極に接続している。また、各チャンネルの反転データDの端子が、半導体レーザアレイのP側電極に接続し、反転データDの-端子も抵抗器を介して半導体レーザアレイのP側電極に接続している。なお、抵抗器は必ずしも接続されている必要はなく、実施形態1の第1~第3の変形例のように、抵抗器に代えて、ダミー半導体レーザやペルチェ素子が接続されていてもよく、あるいは、ボンディングワイヤだけで間に電子部品が何も接続されていなくてもよい。以上のような構成であっても、半導体レーザアレイの共通電極の電位が一定に保たれるため、クロストークの発生を抑制できる。<実施形態3>次に、本発明の第3の実施形態を、図20乃至図21を参照して説明する。図20は、本実施形態における光モジュールの構成を示す図であり、図21は、本実施形態のものと比較する対象となる光モジュールの構成を示す図である。本実施形態における光モジュールは、上述した実施形態1で説明した光モジュールの構成に加えて、半導体レーザから出力した光信号を受光する受光素子を備えている。つまり、本実施形態における光モジュールは、光送受信機として機能するものである。具体的に、本実施形態における光モジュールは、実施形態1で説明したものと同様の構成の光モジュールの基板500上であって、半導体レーザ510に近接した位置に受光素子570を搭載して備えている。この受光素子570は、光を受光する光受光面570aと、受光した光信号に基づく電流信号を出力する端子571,572を備えている。なお、半導体レーザ510のレーザ光出力窓510aと受光素子570の光受光面570aとの距離は、例えば、250μmや500μmである。また、半導体レーザのドライブ機能と受光素子のドライブ機能を備えたドライバIC520には、半導体レーザ510の各電極やデータ入力のトレースライン551,552に接続される各端子521~526の他に、受光素子570や当該受光素子570からのデータ出力のトレースライン553,554に接続される各端子527~530を備えている。そして、半導体レーザ510とドライバIC520とは、上述した実施形態1と同様に接続されている。これにより、データ入力トレースライン551,552からドライバIC520のDin端子525とDin端子526に入力されたデジタル電気信号のデータパターンに応じた変調交流電流にて、半導体レーザ510が駆動され光信号として外部に出力される。また、受光素子570とドライバIC520とは、受光素子570の出力端子571,572がボンディングワイヤ546,546を介してドライバIC520の端子527,528に接続され、当該半導体レーザドライバIC520のDout端子529及びDout端子530とデータ出力トレースライン553,554とが接続されている。これにより、受光素子570は、外部より入力された光信号を受信し、この光信号パターンに対応した変調交流電流を、データ出力トレースライン553,554へデジタル電気信号のデータパターンとして出力する。ここで、仮に、半導体レーザ510とドライバIC520との接続状態が、図21に示す状態、つまり、背景技術で説明した図1に示す状態である場合を考える。かかる場合には、上述したように半導体レーザ510の電極パッド515には交流電流が流れるため、この部分から電磁波が発せられる。このような状況において、半導体レーザ510に受光素子570を近接させて配置させると、電磁波が受光素子570の受信信号電流に混入してしまい、ドライバIC520は受光素子570からの受信信号を正確にデジタル電気信号に変換できす、受光素子の受信レベルが劣化してしまうという問題が生じる。特に、半導体レーザ510の駆動電流は、6mA~10mA程度であるが、受光素子570からの信号電流は、最小の場合にはμAオーダであるため、受信レベルの劣化の問題は極めて重大である。これに対して、上述した図20に示すように、本発明の構成にすることにより、半導体レーザ510の電極パッド515には直流電流が流れるため、当該半導体レーザ510の電極パッド515から発生する電磁波が無くなる。その結果、受光素子570による光信号の受信レベルの劣化を抑制することができる。なお、本実施形態における光モジュールに搭載する半導体レーザ及びドライバICは、上述した他の実施形態で説明したいかなる構成の半導体レーザ及び半導体レーザドライバICであってもよい。"