"下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g1で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g2で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1乃至R7、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9乃至R15、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。請求項1において、前記Ar3が前記一般式g2又は前記一般式g3で表される置換基であり、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物。下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g5で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。請求項3において、前記Ar3が前記一般式g3又は前記一般式g5で表される置換基であり、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物。下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g5で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。請求項5において、前記Ar3が前記一般式g5で表される置換基であり、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物。下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g6で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g7で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、a2は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数1乃至13のアリール基である。請求項7において、前記Ar3が前記一般式g7で表される置換基であり、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、a1、a2、a3で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式a-1乃至a-7で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、R1乃至R15で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式R-1乃至R-13で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、Ar4で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、Ar1で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、nが0であるカルバゾール化合物。請求項12又は請求項13において、Ar1で表される基が、フェニル基であるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、Q1及びQ2が硫黄であるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項15のいずれか一項において、m及びkが共に0であるカルバゾール化合物。下記構造式150で表されるカルバゾール化合物。下記構造式154で表されるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項15のいずれか一項において、Ar3が水素であり、kが1であるカルバゾール化合物。下記構造式172で表されるカルバゾール化合物。下記構造式160で表されるカルバゾール化合物。請求項1乃至請求項21のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子用材料。請求項1乃至請求項21のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む有機半導体材料。一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g1’で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g2で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1乃至R7、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9乃至R15、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4’で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g5で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4’で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g5で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g6’で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g7で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、a2は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、a3は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、前記置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。請求項22乃至請求項27のいずれか一項において、前記Ar3が水素以外の置換基である時、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項28のいずれか一項において、a1、a2、a3で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式a-1乃至a-7で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項29のいずれか一項において、R1乃至R15で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式R-1乃至R-13で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項30のいずれか一項において、Ar4で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項31のいずれか一項において、Ar1で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項32のいずれか一項において、nが0であるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子である。請求項22乃至請求項33のいずれか一項において、Ar1で表される基が、フェニル基であるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項34のいずれか一項において、Q1及びQ2が同じ元素であるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項35のいずれか一項において、Ar3が水素であり、kが1であるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項36のいずれか一項において、下記構造式172で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。請求項22乃至請求項36のいずれか一項において、下記構造式160で表されるカルバゾール化合物を前記有機化合物を含む層に含む発光素子。そこで、本発明の一態様では、発光素子の輸送層やホスト材料、発光材料として用いることが可能な新規カルバゾール化合物を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、発光素子用材料を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、有機半導体材料を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、上記新規カルバゾール化合物を用いた、発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、駆動電圧の小さい発光素子を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、寿命の長い発光素子を提供することを課題とする。なお、本発明の一態様では上記課題のいずれか一を解決すればよい。本発明者らは、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾール骨格の2位又は3位に、直接またはアリーレン基を介して置換しているカルバゾール化合物を合成することができた。そして当該カルバゾール化合物が適度なキャリア輸送性や良好な膜質を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来ることを見出した。なお、当該カルバゾール骨格の窒素にはフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかが置換している。すなわち、本発明の一態様は、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾール骨格の2位又は3位に、直接またはアリーレン基を介して置換しており、当該カルバゾール骨格の窒素にはフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかが置換しているカルバゾール化合物である。なお、当該カルバゾリル基におけるジベンゾチオフェン又はジベンゾフラン、カルバゾールは置換基を有していても良い。また、本発明の一態様は、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g1で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g2で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1乃至R7、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9乃至R15、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g5で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。以上のような構成を有する本発明のカルバゾール化合物は、合成が容易であるため、より好ましい構成を有するカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g5で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g6で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g7で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、a2は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ar3が水素以外の置換基である時、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、a1、a2、a3で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式a-1乃至a-7で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、R1乃至R15で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式R-1乃至R-13で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar4で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar1で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、nが0であるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar1で表される基が、フェニル基であるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Q1及びQ2が同じ元素であるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、m及びkが共に0であるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式150で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式154で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar3が水素であり、kが1であるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式172で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式160で表されるカルバゾール化合物である。また、本発明の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であり、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g1’で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g2で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1乃至R7、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9乃至R15、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、上記カルバゾール化合物において、mが1である化合物はよりバンドギャップが広く、さらに発光素子用材料として用いることに好適である。すなわち、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であり、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4’で表される基を表し、Ar3は水素、下記一般式g5で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。以上のような構成を有する本発明のカルバゾール化合物は、合成が容易であるため、より好ましい構成を有するカルバゾール化合物を含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であり、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g4’で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g5で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R1、R3、R6はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、R1、R3、R6、a2は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、R9、R11、R14はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基を表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、R9、R11、R14、a3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であり、下記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。式中、Ar1はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表し、Ar2は下記一般式g6’で表される基を表し、Ar3は水素又は下記一般式g7で表される基を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかであり、Ar3の置換位置はγまたはδが付された炭素のいずれかである。なお、Ar1又はa1は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q1は硫黄又は酸素を表す。なお、a2は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Q2は硫黄又は酸素を表す。なお、a3は置換基を有していても良く、これが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ar3が水素以外の置換基である時、前記Ar2が前記αの位置に結合している場合は前記Ar3が前記γの位置に結合し、前記Ar2が前記βの位置に結合している場合は前記Ar3が前記δの位置に結合する一般式G1で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、a1、a2、a3で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式a-1乃至a-7で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、R1乃至R15で表される基が、それぞれ独立に、下記構造式R-1乃至R-13で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar4で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar1で表される基が、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基のいずれかであるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、nが0であるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar1で表される基が、フェニル基であるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Q1及びQ2が同じ元素であるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ar3が水素であり、kが1であるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式172で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。また、本発明の他の一態様は、下記構造式160で表されるカルバゾール化合物を当該有機化合物を含む層に含む発光素子である。上記構成を有する新規カルバゾール化合物は、良好なキャリア輸送性を有する。また、当該カルバゾール化合物は、広いバンドギャップBg、HOMO準位とLUMO準位のエネルギー差又は高いT1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を有する。そのため、当該カルバゾール化合物は、発光素子の輸送層やホスト材料として好適に用いることが可能である。また、当該カルバゾール化合物は有機半導体材料として用いることもできる。広いバンドギャップ又はT1準位を有する当該カルバゾール化合物を電極間に挟持された有機化合物を含む層における機能層の一部として含む発光素子は、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、良好なキャリア輸送性を有する当該カルバゾール化合物を電極間に挟持された有機化合物を含む層における機能層の一部として含む発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、当該カルバゾール化合物を電極間に挟持された有機化合物を含む層における機能層の一部として含む発光素子は、寿命の長い発光素子とすることができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態におけるカルバゾール化合物は、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾール骨格の2位又は3位に、直接またはアリーレン基を介して結合しているカルバゾール化合物である。なお、当該カルバゾール骨格の窒素にはフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかが結合している。当該カルバゾール化合物は良好なキャリア輸送性を有する。または良好な膜質を有する。または、広いバンドギャップもしくは高いT1準位を有する。そのため、当該カルバゾール化合物は発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来る。カルバゾールに結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランは置換基を有していても良く、置換基を有する場合、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを用いることができる。また、当該カルバゾールが他に置換基を有する場合、この置換基の置換位置は当該カルバゾールにおける6位又は7位の炭素である。当該置換基としては炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基、ジベンゾチオフェン-4-イル基及びジベンゾフラン-4-イル基が挙げられる。上記置換基として、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を選択した場合、これらの基はさらに置換基を有していても良く、この置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基、炭素数6乃至13のアリール基を選択することができる。また、カルバゾールの6位又は7位の炭素に結合する当該他の置換基が、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基を含む基である場合、カルバゾールの2位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は7位に結合し、カルバゾールの3位にジベンゾチオフェン又はジベンゾフランが結合している場合は、ジベンゾチオフェン-4-イル基又はジベンゾフラン-4-イル基は6位に結合することが、合成の容易さから好ましい構成である。すなわち、カルバゾールのベンゼン環に置換する置換基は左右対称の位置に置換することが好ましい。なお、合成の容易さから、2位又は3位に結合するジベンゾチオフェン又はジベンゾフランと6位又は7位に結合する置換基は同種のものであることが好ましい構成である。なお、上記ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格と、カルバゾール骨格との間のアリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニルジイル基が好ましい。本発明者らは、以上のようなカルバゾール化合物が、良好なキャリアの輸送性を有し、発光素子用材料として好適に利用することができることを見出した。優れたキャリア移動性を有する当該発光素子用材料を用いることによって、駆動電圧の小さい発光素子を提供することができる。また、上述のようなカルバゾール化合物は、広いバンドギャップ又は高いT1準位を有するため、青など短波長な蛍光発光を呈する発光素子や、赤色より短波長な場合によって青色や緑色、橙色など燐光発光を呈する発光素子のホスト材料やキャリア輸送材料に好適に用いることができる。広いバンドギャップ又は高いT1準位を有する当該カルバゾール化合物を用いた発光素子は、発光中心物質からの励起エネルギー移動によるロスを低減させることができることから、発光効率の高い発光素子とすることが可能である。上記のような、カルバゾール化合物は下記一般式G1で表すことができる。式G1中、Ar1は、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれか一を表す。また、nは0又は1の値をとり、a1はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。なお、Ar1及びa1は置換基を有していても良い。これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式G1中、Ar2は下記一般式g1で表される基を表す。Ar2の置換位置はαまたはβが付された炭素のいずれかである。式g1中、Q1は酸素又は硫黄を表し、R1乃至R7はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。また、mは0又は1の値をとり、a2はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。R1乃至R7及びa2は置換基を有していても良い。これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。Ar3は水素、下記一般式g2で表される基及び下記一般式g3で表される基のいずれかを表す。また、Ar3の置換位置は上記一般式G1において、γまたはδが付された炭素のいずれかである。式g2中、Q2は硫黄又は酸素を表し、R9乃至R15はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。また、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。なお、R9乃至R15及びa3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。式中、kは0又は1の値をとり、a3はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。また、Ar4はフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかを表す。なお、Ar4及びa3は置換基を有していても良く、これらが置換基を有する場合、当該置換基は、炭素数1乃至6のアルキル基又は炭素数6乃至13のアリール基である。以上のような構成を有するカルバゾール化合物は、キャリア、特にホールの輸送性に優れ、当該カルバゾール化合物を用いた発光素子は駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物は、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾール骨格の2位又は3位に、直接またはアリーレン基を介して結合しているカルバゾール化合物である。ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格が4位でカルバゾール骨格に結合しているため、ジベンゾチオフェンもしくはジベンゾフランとカルバゾール間で共役が広がりづらく、BgやT1準位の高い材料が得られる。そのため、有機発光素子において、発光層に接する層や、発光層に用いても、生じた励起エネルギーを損ないづらく、高効率な素子を得ることができる。また、カルバゾール骨格を用いているため、良好なホール輸送性を得ることができる。このとき、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が置換基を有する場合Ar1やAr4を含めて、広いバンドギャップBg、HOMO準位とLUMO準位のエネルギー差や高いT1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を保つ為に、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップは2.7eV以上蛍光の青の励起エネルギー以上、より好ましくは3.0eV以上、T1準位は1.8eV以上燐光の赤の励起エネルギー以上とするのが好ましい。これによって、一般式G1で表される本実施の形態のカルバゾール化合物を、広いバンドギャップ及び高いT1準位を有する化合物とすることができる。したがって、本実施の形態のカルバゾール化合物を発光層に隣接する層や発光層のホスト材料として用いた場合、高い励起エネルギーを持った発光物質から励起エネルギーを奪うことなく、より効率良く発光素子を光らせることができると考えられる。また本実施の形態のカルバゾール化合物を発光物質として用いる場合、短波長青紫~青色の光を得ることができる。またより具体的には、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が置換基を有する場合Ar1やAr4を含めて、これら置換基は、それぞれ独立に、炭素数1乃至6のアルキル基又はフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基であることが好ましい。またこれらアリール基は置換基を有していてもよく、それらも上述の理由から炭素数1乃至6のアルキル基又はフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基であることが好ましい。つまり、以上の置換基は、より好ましくは炭素数1乃至6のアルキル基又はフェニル基のみで構成されていることがより好ましい。また、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が置換基を有する場合Ar1やAr4を含めて、これら置換基はナフチル基など縮合環を用いると、よりキャリア輸送性が良好となり、好ましい。また上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が置換基を有する場合、上記置換基がアルキル基だと、有機溶剤等への解けやすさ、材料の立体性向上による膜質改善などの観点から好ましい構成である。また上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物が置換基を有する場合、上記置換基がアリール基でも材料の立体性が増すことから膜質が向上し、膜質向上の観点から、好ましい構成である。また、Ar3とAr2が、共にジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格を有する場合、a2とa3は0であることが好ましい。すなわち、ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が直接カルバゾール骨格に結合している構造である。その場合、T1準位のより高い燐光素子に用いることができる。また、Ar3とAr2が、共にジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格を有する場合、Ar2とAr3はカルバゾール骨格の3位と6位にそれぞれ結合していることが好ましい。すなわち、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物の、β位とδ位に結合している構造である。その場合、T1準位のより高い燐光素子に用いることができる。なお、Ar3が水素以外の置換基である場合、Ar3とAr2は同じ基であることが合成の容易さから好ましい構成である。Ar3が水素である場合、上記構造式g1のmは1であることが好ましい。つまりアリーレンであるa2を挟むことで、分子量が大きくなり立体的になるため、熱物性Tgなどや膜質が向上し、好ましい。またAr3が水素である場合の方が、カルバゾール骨格を介して上記置換基Ar2からAr3へ共役が広がることが無く、よりBgやT1準位の高い材料が得られて、好ましい。上記一般式g1で表される基が、置換基R1乃至R7を有する場合、当該置換基の置換位置はR1、R3及びR6で表される位置である方が、原料を入手しやすく、また合成が容易であるため、材料合成のコスト削減の面から好ましい構成である。また、同様の観点から、R1乃至R7はすべて水素であることがさらに好ましい構成である。また、同様にAr3としてg2で表される基を適用した場合、当該置換基の置換位置はR9、R11及びR15で表される位置であることが好ましい構成であり、R9乃至R15がすべて水素である構成がさらに好ましい構成である。また上記構造式g3中のAr4がナフチル基である場合、広いバンドギャップBg、HOMO準位とLUMO準位のエネルギー差やT1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を保つ為に、kは1であることが好ましい。つまりアリーレンであるa3を挟むことで、ナフチル基からカルバゾールへの共役が広がりづらくなる。上記一般式g1及びg2において、R1乃至R15として適用することが可能な、炭素数1乃至6のアルキル基及び炭素数6乃至13のアリール基としては、下記構造式R-1乃至R-13で表される基を用いることができる。上記一般式G1において、Ar1及びAr4として適用することが可能な基の具体例としては、下記構造式Ar-1乃至Ar-6で表される基が挙げられる。なお、Ar1とAr4は同じであることを問わず、それぞれ独立に選択することができる。上記一般式G1、g1及びg2において、a1、a2、及びa3として表される基の具体例としては、下記構造式a-1乃至a-7で表される基が挙げられる。なお、a1乃至a3は同じであることを問わず、それぞれ独立に選択することができる。この時、上記構造式a-1やa-4で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、パラ位で結合しているため、発光素子に用いた場合、駆動電圧をより低くすることができ、好ましい。また上記構造式a-2やa-3、a-5、a-6、a-7で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、メタ位やオルト位で結合しているため、よりBgを広くすることができ、好ましい。そのことで、より高効率な発光素子を得ることができる。また構造がより立体的となり好ましい。また上記構造式a-1やa-2、a-3で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、フェニレン基で結合しており、a-6やa-7で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物はビフェニルジイル基の中でもメタ位またはオルト位のみで結合いるため、T1準位を高く保つことができ、好ましい。この時、上記構造式a-1やa-4で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、パラ位で結合しているため、発光素子に用いた場合、駆動電圧をより低くすることができ、好ましい。また上記構造式a-2やa-3、a-5、a-6、a-7で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、メタ位やオルト位で結合しているため、よりBgを広くすることができ、好ましい。そのことで、より高効率な発光素子を得ることができる。また構造がより立体的となり好ましい。また上記構造式a-1やa-2、a-3で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物は、フェニレン基で結合しており、a-6やa-7で表されるアリーレン基を有するカルバゾール化合物はビフェニルジイル基の中でもメタ位またはオルト位のみで結合いるため、T1準位を高く保つことができ、好ましい。上記一般式G1として表されるカルバゾール化合物の具体的な例としては、例えば、下記構造式100乃至120、130乃至141、150乃至157、160乃至177、180、181、190乃至193、200乃至209及び220乃至223で表される物質などが挙げられる。以上のようなカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れていることからキャリア輸送材料やホスト材料として好適である。これにより、駆動電圧の小さい発光素子を提供することもできる。実施の形態2実施の形態1に記載のカルバゾール化合物の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の合成法1乃至合成法4に示す合成反応を行うことによって合成することができる。なお、特に説明の無い符号α1、Ar1、Ar2、Ar3、n、α、β、γ、δに関しては先の一般式G1に関する説明を参酌することができる。合成法1まず、反応スキームS-1に示すように、カルバゾール化合物a1とハロゲン化アリール化合物a2とをカップリングさせることで、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物G1を合成することができる。なお、X1は、ハロゲンを表す。X1は反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。反応スキームS-1において、ハロゲン基を有するアリール化合物と、カルバゾールの9位とのカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。反応スキームS-1において、ブッフバルトハートウィッグ反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。パラジウム錯体としては、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0、酢酸パラジウムII等が挙げられる。また配位子としては、トリtert-ブチルホスフィンや、トリn-ヘキシルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、1,1-ビスジフェニルホスフィノフェロセン略称:DPPF等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。なお、この反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、合成スキームS-1において、ウルマン反応を用いる場合について示す。金属触媒としては銅触媒を用いることができ、銅、ヨウ化銅I、又は酢酸銅IIが挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、炭酸カリウム等の無機塩基が挙げられる。また、この反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、1,3-ジメチル-3,4,5,6-テトラヒドロ-21HピリミジノンDMPU、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。またこの反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。なお、ウルマン反応では、反応温度が100°C以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、DMPU、キシレンなど沸点の高い溶媒を用いることが好ましい。また、反応温度は150°C以上より高い温度が更に好ましいため、より好ましくはDMPUを用いる。なお、置換基Ar2と置換基Ar3とをカルバゾール骨格に化合させ、カルバゾール化合物a1を得る反応は、次の反応スキームS-2の反応と同様に行うことができ、詳細は、次の記載を参酌することができる。また合成法1と異なる実施の形態1に記載のカルバゾール化合物の合成法について以下に合成法2を示す。合成法2反応スキームS-2に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a3とアリールホウ素化合物a4とアリールホウ素化合物a5とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、X2はハロゲンを表す。X3は、Ar3が水素の場合は水素、アリール基の場合はハロゲンを表す。X2とX3は、ハロゲンを表す場合、反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。B1、B2はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。また、A3が水素の場合は、アリールホウ素化合物a5は加えなくて良い。なお、反応スキームS-2のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。反応スキームS-2において、鈴木宮浦反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。また、パラジウム錯体としては、酢酸パラジウムII、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロライド等が挙げられる。また配位子としては、トリオルト-トリルホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。また塩基として用いることができる物質としては、ナトリウムtert-ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられる。また、当該反応は溶液中で行うことが好ましく、用いる事ができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また反応スキームS-2において、アリールホウ素化合物a2の代わりに、アリールアルミニウム、アリールジルコニウム、アリール亜鉛、またはアリールスズ化合物等を用いても良い。また反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。また、反応スキームS-2ではAr3がアリール基の場合、ハロゲン化カルバゾール化合物a3に対してアリールホウ素化合物a4とアリールホウ素化合物a5とを同時にカップリングさせている。この場合、収率の良さを考えてアリールホウ素化合物a4とアリールホウ素化合物a5の反応基以外Ar2とAr3は同一の化合物であることが好ましいより好ましくは、化合物a3に対して二等量以上の化合物a4を加えると良い。また、反応スキームS-2では、化合物a3のハロゲン基と、化合物a5や化合物a4のホウ素化合物基とを反応させる場合を示したが、化合物a3をホウ素化合物、化合物a5や化合物a4をハロゲン化物として反応基X2とB2、X3とB3とを逆にしてカップリングさせても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を得ることができる。また合成法1や2と異なる実施の形態1に記載のカルバゾール化合物の合成法について以下に合成法3を示す。合成法3反応スキームS-3に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a6とアリールホウ素化合物a4とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、X2はハロゲンを表す。X2は、反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。B2はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。反応スキームS-3のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。具体的には、反応スキームS-2と同様に行うことができ、先の記載を参酌することが可能である。また上記反応スキームS-3は、Ar2とAr3とが異なる置換基の場合に有効な合成法である。上記反応スキームS-3では、あらかじめAr3が化合しているカルバゾール化合物a6にAr2をカップリングさせたが、あらかじめAr2が化合しているカルバゾール化合物にAr3をカップリングさせても良い。また合成法1や2や3と異なる実施の形態1に記載のカルバゾール化合物の合成法について以下に合成法4を示す。合成法4反応スキームS-4に示すように、ハロゲン化カルバゾール化合物a7とアリールホウ素化合物a8とアリールホウ素化合物a9とをカップリングさせることで、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を合成することができる。なお、X4はハロゲンを表す。X5は、Ar3が水素の場合は水素、アリール基の場合はハロゲンを表す。X4とX5は、ハロゲンを表す場合、反応性の高さから、好ましくは臭素、より好ましくはヨウ素を表す。B4、B5はボロン酸またはジアルコキシボロンを表す。また、A3が水素の場合は、kは0を表し、アリールホウ素化合物a8は加えなくて良い。反応スキームS-4のカップリング反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。具体的には、反応スキームS-2やS-3と同様に行うことができ、先の記載を参酌することが可能である。また、反応スキームS-4ではAr3がアリール基の場合、ハロゲン化カルバゾール化合物a7に対してアリールホウ素化合物a8とアリールホウ素化合物a9とを同時にカップリングさせている。この場合、収率の良さを考えてアリールホウ素化合物a8とアリールホウ素化合物a9の反応基以外Ar2とAr3は同一の化合物であることが好ましいより好ましくは、化合物a7に対して二等量以上の化合物a8を加えると良い。また、反応スキームS-4では、化合物a7のハロゲン基と、化合物a8や化合物a9のホウ素化合物基とを反応させる場合を示したが、化合物a7をホウ素化合物、化合物a8や化合物a9をハロゲン化物として反応基X4とB4、X5とB5とを逆にしてカップリングさせても、上記一般式G1で表されるカルバゾール化合物を得ることができる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を有機半導体素子の一種である縦型トランジスタSITの活性層として用いる形態を例示する。素子の構造としては、図2に示すように、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む薄膜状の活性層1202をソース電極1201およびドレイン電極1203で挟み、ゲート電極1204が活性層1202に埋め込まれた構造を有する。ゲート電極1204は、ゲート電圧を印加するための手段に電気的に接続されており、ソース電極1201およびドレイン電極1203は、ソース-ドレイン間の電圧を制御するための手段に電気的に接続されている。このような素子構造において、ゲート電圧を印加しない状態においてソース-ドレイン間に電圧を印加すると、電流が流れるON状態となる。そして、その状態でゲート電圧を印加するとゲート電極1204周辺に空乏層が発生し、電流が流れなくなるOFF状態となる。以上の機構により、トランジスタとして動作する。縦型トランジスタにおいては、発光素子と同様、キャリア輸送性と良好な膜質を兼ね備えた材料が活性層に求められるが、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物はその条件を十分に満たしており、好適に用いることができる。実施の形態4本実施の形態では実施の形態1に示したカルバゾール化合物を用いた発光素子の一態様について図1Aを用いて以下に説明する。本実施の形態における発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられた有機化合物を含む層103とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られる構成となっている。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。基板101側から光を取り出す構造とする場合、有機化合物を含む層と同程度の屈折率以上の屈折率屈折率1.7以上を有する基板を用いることで、取り出し効率の向上が図れるため、好ましい構成である。ガラス基板は、屈折率1.7以上の高屈折率ガラス基板を用いると良い。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、グラフェン、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。有機化合物を含む層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層電子輸送層とも言うまたは正孔輸送性の高い物質を含む層正孔輸送層とも言う、電子注入性の高い物質を含む層電子注入層、電子注入バッファー層とも言う、正孔注入性の高い物質を含む層正孔注入層、正孔注入バッファー層とも言う、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、有機化合物を含む層103は、第1の電極102陽極の上に順に積層した正孔注入層111、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。正孔注入層111は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層111を形成することができる。また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。アクセプター性物質とは、上記正孔輸送性の高い物質に対し、電子受容性を示す物質であれば良い。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができるようになる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい選択である。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため、当該複合材料に用いるアクセプター物質として好ましい物質である。複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、複素環化合物、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料における正孔輸送性の高い物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、複合材料に用いることのできるカルバゾール化合物としては、他に、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、複合材料に用いることのできる複素環化合物は、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物である。当該複素環化合物の例としては、4-[3-トリフェニレン-2-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPTp-II、4-[4-9-フェニルアントラセン-10-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPA-II、1,3,5-トリジベンゾチオフェン-4-イル-ベンゼン略称:DBT3P-II等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPD等の高分子化合物を用いることもできる。なお、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物も複合材料における有機化合物として用いることもできる。正孔輸送層が実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む本実施の形態のような発光素子である場合は、正孔注入層から正孔輸送層へのホールの注入がスムーズとなるため、駆動電圧の低減を図ることができ、好ましい構成である。なお、同様の理由により、複合材料の有機化合物に実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いた場合、当該カルバゾール化合物と、正孔輸送層に用いられるカルバゾール化合物は同じ物質であることがさらに好ましい構成である。本実施の形態で示すカルバゾール化合物は可視域約380~750nmの吸収が少ないため、薄膜を形成したときに可視光の透過率が高い。さらに、本実施の形態で示すカルバゾール化合物は、上記複合材料として用いた場合でも、可視域に吸収が少ない。そのため、発光素子に用いても発光エネルギーを吸収しづらく、外部量子収率の高い素子を得ることができる。正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。本実施の形態では、正孔輸送層112として実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いる。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、良好なホール輸送性を有する物質であることから、本実施の形態に記載の発光素子は、駆動電圧の小さい発光素子とすることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、バンドキャップが広く、T1準位が高いことから、発光層113に隣接する正孔輸送層112として用いた際、発光層113において、発光領域が正孔輸送層112側に偏っていいたとしても、エネルギーの移動による消光を抑制することができ、発光効率の高い発光素子とすることができる。発光層113は、発光性の物質を含む層である。発光層113は、発光物質単独の膜で構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質を分散された膜で構成されていても良い。発光層113において、発光物質、若しくは発光中心物質として用いることが可能な材料としては特に限定は無く、これら材料が発する光は蛍光であっても燐光であっても良い。上記発光物質又は発光中心物質としては例えば、以下のようなものが挙げられる。蛍光発光性の物質としては、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPA、N,N’’-2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレンビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン]略称:DPABPA、N,9-ジフェニル-N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPPA、N-[4-9,10-ジフェニル-2-アントリルフェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPPA、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、クマリン30、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAクマリン545T、N,N’-ジフェニルキナクリドン略称:DPQd、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPT、2-2-{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:DCM1、2-{2-メチル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCM2、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFD、2-{2-イソプロピル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、2-{2-tert-ブチル-6-[2-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTB、2-2,6-ビス{2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル}-4H-ピラン-4-イリデンプロパンジニトリル略称:BisDCM、2-{2,6-ビス[2-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMなどが挙げられる。燐光発光性の物質としては、ビス[2-3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracac、トリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phenなどが挙げられる。また、本実施の形態で示すカルバゾール化合物は、蛍光性を示すため、短波長の発光が可能である。よって、本実施の形態のカルバゾール化合物を発光材料として用いることで、青紫~青色発光を得ることができる。また、発光層113におけるホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、9-[4-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CO11などの複素環化合物、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N,9-ジフェニル-N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン略称:DBC1、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する物質を発光中心物質のS1準位よりS1準位が大きい物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質が燐光を発する物質である場合、ホスト材料は該発光中心物質のT1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差よりも大きいT1準位を有する物質を選択すれば良い。なお、発光層113は2層以上の複数層でもって構成することもできる。このような構成としては、例えば、第1の発光層と第2の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層113とする場合、第1の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第2の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。以上のような構成を有する発光層は、公知のどのような方法によって形成されても良いが、ホスト材料に発光中心物質を分散させる構成など、複数の材料で発光層113を形成する場合は、真空蒸着法での共蒸着や、混合溶液によるインクジェット法やスピンコート法やディップコート法などを用いて作製することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンズオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記した物質などからなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題例えば素子寿命の低下の抑制に大きな効果を発揮する。また、電子輸送層と第2の電極104との間に、第2の電極104に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極104と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、有機化合物を含む層103の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。以上のような構成を有する発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層113において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記の構成には限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。また、層の積層順も上述の構成に限定されず、基板側から第2の電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、第1の電極といった、図1Aとは反対の順番に積層された積層構造であっても良い。また、直接発光層に接する、正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光物質もしくは、発光層に含まれる発光中心物質が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好ましい。本実施の形態における発光素子は、正孔輸送層として、バンドギャップの大きい実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が用いられていることから、発光物質もしくは発光中心物質がバンドギャップの大きい青色の蛍光を呈する物質や、T1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差からの燐光を呈する物質赤色より短波長。場合によって青色や緑色、橙色などであっても、効率良く発光させることができ、発光効率の良好な発光素子を得ることができるようになる。このことで、より低消費電力の発光素子を提供することが可能となる。また、色純度の良い発光を得ることができる発光素子を提供することができるようになる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性に優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することが可能となる。また、直接発光層に接する、正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層113における発光領域に近い方に接するキャリア輸送層は、発光層へのキャリアの注入を効率よく行えるように、ホール輸送層と発光層とのHOMO準位同士、発光層と電子輸送層のLUMO準位同士が近い方が好ましい。好ましくはその差が0.5eV以下、より好ましくは0.2eV以下である。そうすると、より駆動電圧の低い素子を得ることができる。また逆に、ホール輸送層のLUMO準位は発光層のそれよりも浅く、電子輸送層のHOMO準位も発光層のそれよりも深い方が、発光層からのキャリアの抜けが起こりづらく、より発光効率の高い素子が得られ好ましい。好ましくはその差が0.2eV以上である。つまり、ホール輸送層の場合、発光層とのHOMO準位が近く、LUMO準位やT1準位は発光層よりも高いほうが、より駆動電圧が低く、発光効率の高い素子を得ることができる。本実施の形態のカルバゾール化合物は、HOMO準位が比較的深く、同じくHOMO準位の深い発光層へのホール注入性が良好な材料であり、かつ、LUMO準位やT1準位が高いため発光効率の高い素子を得ることができる。本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタTFTを形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態4で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。実施の形態4で示した発光層113を、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物に発光性の発光中心物質を分散させた構成とすることで、発光中心物質からの発光を得る構成、即ち、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を発光層113のホスト材料として用いる構成を説明する。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は大きなバンドギャップS1準位若しくは大きなT1準位基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差を有するため、他の発光中心物質を有効に励起、発光させることができることから、ホスト材料として好適に用いることができ、当該発光中心物質に起因した発光を得ることが可能である。そのため、エネルギーのロスが少ない、発光効率の高い発光素子とすることができる。また、発光中心物質由来の所望の色の発光を得ることが容易な発光素子とすることができる。このことから、色純度の高い発光を呈する発光素子を得ることも容易となる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物は、キャリアの輸送性にも優れることから、駆動電圧の小さい発光素子を提供することも可能となる。ここで、ホスト材料として用いる実施の形態1に記載のカルバゾール化合物に分散させる発光中心物質としては、特に制限は無く、種々の材料を用いることができる。具体的には、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-ジュロリジン-4-イル-ビニル-4H-ピラン略称:DCM2、N,N-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPA、5,12-ジフェニルテトラセン略称:DPT、クマリン6、ペリレン、ルブレン、N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnやその他公知の蛍光を発光する蛍光発光性物質を用いることができる。また、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEPやその他公知の燐光を発光する燐光発光性物質を用いることができる。以上に挙げた物質や実施の形態4で発光中心物質として挙げた物質、もしくは公知の物質の中から、ホスト材料に用いる実施の形態1に記載のカルバゾール化合物よりバンドギャップもしくはT1準位の小さな物質を発光中心物質として選択する。また、発光層には、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物と、そこに分散させる発光中心物質以外にも、さらに他の有機化合物を同時に分散させても良い。この場合、発光層のキャリアバランスを向上させる物質が好ましく、上記電子輸送性の高い物質などが挙げられる。なお、発光層113以外は、実施の形態4に示した構成を適宜適用することができる。なお、正孔輸送層112としては、実施の形態4の複合材料に用いることが可能な、正孔輸送性が高い物質として示した材料を用いることができる。また、それ以外に、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBやN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPBなどの芳香族アミン化合物等の正孔輸送性の高い物質を用いて形成することができる。もちろん、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層112として、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。実施の形態6本実施の形態は、複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子ともいうの態様について、図1Bを参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態4又は実施の形態5で示した有機化合物を含む層103と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態4又は実施の形態5で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子ということができる。図1Bにおいて、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502はそれぞれ実施の形態4における第1の電極102と第2の電極104に相当し、実施の形態4で説明したものと同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態4で示した複合材料であり、有機化合物とバナジウム酸化物やモリブデン酸化物やタングステン酸化物等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図1Bにおいて、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。本実施の形態の発光素子は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことから、発光効率の良好な発光素子とすることができる。また、駆動電圧の小さな発光素子とすることができる。また、寿命の長い発光素子とすることができる。又、当該カルバゾール化合物が含まれる発光ユニットは発光中心物質由来の光を色純度良く得られるため、発光素子全体としての色の調製が容易となる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いた発光装置について説明する。本実施の形態では、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3Aは、発光装置を示す上面図、図3Bは図3AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図3Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、有機化合物を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、有機化合物を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。有機化合物を含む層616は、実施の形態1で示したカルバゾール化合物を含んでいる。また、有機化合物を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物オリゴマー、デンドリマーを含むであっても良い。さらに、有機化合物を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物、MgAg、MgIn、AlLi等を用いることが好ましい。なお、有機化合物を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜ITO、2~20wtの酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛ZnO等との積層を用いるのが良い。なお、第1の電極613、有機化合物を含む層616、第2の電極617でもって、発光素子が形成されている。当該発光素子は実施の形態4乃至実施の形態6いずれかの構成を有する発光素子である。なお、画素部は複数の発光素子が形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態4乃至実施の形態6で説明した構成を有する発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いて作製された発光装置を得ることができる。本実施の形態における発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態1で示したカルバゾール化合物はバンドギャップやT1準位が大きく、発光物質からのエネルギーの移動を抑制することが可能であることから、発光効率の良好な発光素子を提供することができ、もって、消費電力の低減された発光装置とすることができる。また、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができることから、駆動電圧の小さい発光装置を得ることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いた発光素子は寿命の長い発光素子であることから、信頼性の高い発光装置を提供することができる。以上のように、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図4には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の図を示す。なお、図4Aは、発光装置を示す斜視図、図4Bは図4AをX-Yで切断した断面図である。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には有機化合物を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を有することによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むために発光効率の高い実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の発光素子を含むことによって、低消費電力で駆動させることができる。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む実施の形態4乃至実施の形態6のいずれかに記載の発光素子を有することによって信頼性の高い発光装置とすることが可能となる。実施の形態8本実施の形態では、実施の形態7に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。実施の形態7に記載の発光装置は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を含むことから、消費電力が低減された発光装置であり、その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が低減された表示部を有する電子機器とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい電子機器とすることが可能である。また、信頼性の高い電子機器とすることが可能である。発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。図5Aは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。また、ここでは、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。表示部7103により、映像を表示することが可能であり、表示部7103は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7103を有するテレビ装置は消費電力の低減されたテレビ装置とすることができる。また、駆動電圧の小さいテレビ装置とすることが可能である。また、信頼性の高いテレビ装置とすることが可能である。テレビジョン装置の操作は、筐体7101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図5Bはコンピュータであり、本体7201、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して表示部7203に用いることにより作製される。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7203を有するコンピュータは消費電力の低減されたコンピュータとすることができる。また、駆動電圧の小さいコンピュータとすることが可能である。また、信頼性の高いコンピュータとすることが可能である。図5Cは携帯型遊技機であり、筐体7301と筐体7302の2つの筐体で構成されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、図5Cに示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部7307、LEDランプ7308、入力手段操作キー7309、接続端子7310、センサ7311力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの、マイクロフォン7312等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部7304および表示部7305の両方、または一方に実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図5Cに示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図5Cに示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。上述のような表示部7304を有する携帯型遊技機は、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、良好な発光効率を有することから、消費電力の低減された携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、低い駆動電圧で駆動させることができることから、駆動電圧の小さい携帯型遊技機とすることができる。また、表示部7304に用いられている発光素子が、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって高い信頼性を有することから、信頼性の高い携帯型遊技機とすることができる。図5Dは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機は、筐体7401に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して作製された表示部7402を有している。当該発光素子は、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むため発光効率の良好な発光素子とすることが可能である。また、駆動電圧の小さい発光素子とすることが可能である。また、信頼性の高い発光素子とすることが可能である。そのため、当該発光素子で構成される表示部7402を有する携帯電話機は消費電力の低減された携帯電話機とすることができる。また、駆動電圧の小さい携帯電話機とすることが可能である。また、信頼性の高い携帯電話機とすることが可能である。図5Dに示す携帯電話機は、表示部7402を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。表示部7402の画面は主として3つのモードがある。第1は、画像の表示を主とする表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示入力モードである。例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部7402を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部7402の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。また、携帯電話機内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機の向き縦か横かを判断して、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面モードの切り替えは、表示部7402を触れること、又は筐体7401の操作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。また、入力モードにおいて、表示部7402の光センサで検出される信号を検知し、表示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。表示部7402は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部7402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態1乃至実施の形態3に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。以上の様に、実施の形態4乃至実施の形態6いずれかで説明したような、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子を備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。また、駆動電圧の小さい電子機器を得ることができる。また、信頼性の高い電子機器を得ることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、照明装置として用いることもできる。実施の形態7に記載の発光装置を照明装置として用いる一態様を、図6を用いて説明する。図6は、実施の形態7に記載の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、実施の形態7に記載の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。実施の形態7に記載の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、消費電力の低減されたバックライトが得られる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、実施の形態7に記載の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型化も可能となる。図7は、実施の形態7に記載の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、実施の形態7に記載の発光装置が用いられている。図8は、実施の形態7に記載の発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。実施の形態7に記載の発光装置は消費電力の低減された発光装置であるため、消費電力の低減された照明装置とすることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態7に記載の発光装置は、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。実施の形態7に記載の発光装置は、自動車のフロントガラスやダッシュボードにも用いることができる。図48に実施の形態7に記載の発光装置を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表示5000乃至表示5005は実施の形態7に記載の発光装置を用いて設けられた表示である。表示5000と表示5001は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態7に記載の発光装置である。実施の形態7に記載の発光装置は、第1の電極と第2の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。表示5002はピラー部分に設けられた表示装置である。表示5002には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示5003は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示5004や表示5005はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示5000乃至表示5003にも設けることができる。また、表示5000乃至表示5005は全面を発光させることによって照明としても用いることが可能である。実施の形態7に記載の発光装置は実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を含むことによって、駆動電圧の小さい発光素子とすることができ、もしくは消費電力の小さい発光装置とすることができ、大きな画面を数多く設けても、バッテリーに負荷をかけることを低減し、快適に使用することができる。≪合成例1≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-IIの合成方法について説明する。DBT2PC-IIの構造を下記構造式150に示す。<ステップ1:3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-IIの合成>200mL三口フラスコに3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.0g5.0mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を3.2g11mmol、酢酸パラジウムIIを10mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL及び2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLを加え、この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで6時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を室温まで冷ました後、水、エタノール、トルエン、ヘキサンの順で洗浄しながら、ろ過して濾物を得た。得られた濾物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:3によって精製を行った。これにより得られたフラクションを濃縮し、アセトンとエタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量1.4g、収率47で得た。ステップ1の反応スキームをA-1に示す。得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.44-7.70m、15H、7.82-7.86m、4H、8.15-8.22m、4H、8.57d、J=1.5Hz、2H。また、1HNMRチャートを図9に示す。なお、図9Bは図9Aにおける7ppmから9ppmの範囲を拡大して表したチャートである。測定結果から、上述の構造式150で表されるカルバゾール化合物であるDBT2PC-IIが得られたことがわかった。なお、DBT2PC-IIのシリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は0.41、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.51だった。次に、DBT2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図10Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図10Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図10より、DBT2PC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は332nm付近、極大発光波長は368nm付近、及び385nm付近励起波長300nm、薄膜における極大吸収波長は340nm、極大発光波長は380nm付近及び400nm付近励起波長341nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示すDBT2PC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、ガラス転移温度Tgについて、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は153°C、融点は265°Cであった。このように、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかった。また、薄膜状態のDBT2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBT2PC-IIのHOMO準位は-5.72eVであった。図10の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBT2PC-IIの吸収端は3.40eVであった。従って、DBT2PC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.40eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBT2PC-IIのLUMO準位を-2.32eVと見積もることができる。このように、DBT2PC-IIは固体状態において3.40eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、DBT2PC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートにはDBT2PC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されており、そのガラス転移温度Tgは153°Cであることがわかった。このことから、DBT2PC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例のDBT2PC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。≪合成例2≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-IIの合成方法について説明する。2,7DBT2PC-IIの構造を下記構造式154に示す。<ステップ1:2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールの合成>200mL三口フラスコにて、2,7-ジブロモ-9H-カルバゾールを3.3g10mmmol、ジベンゾフラン-4-ボロン酸を6.0g21mmol、酢酸パラジウムIIを11mg0.1mmol、トリスo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mLを混合し、この混合物を減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで4.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液を室温まで冷ましたのち、ろ過して濾物を得た。この濾物をエタノール水混合液中で加熱撹拌し、ろ過して白色粉末を収量4.9g、収率92で得た。ステップ1の反応スキームをB-1に示す。<ステップ2:2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-IIの合成>200mL三口フラスコにて、ヨードベンゼンを0.7g4.3mmol、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールを1.7g3.2mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを0.6g5.5mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を36mg0.1mmol混合し、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン5mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液0.7mL0.3mmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、120°Cで5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン300mLを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエンによる精製を行った。これにより得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量1.9g、収率93で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記B-2に示す。得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.39-7.50m、5H、7.53-7.62m、6H、7.70-7.74m、4H、7.81-7.87m、4H、8.12-8.21m、4H、8.32d、J=8.1Hz、2H。また、1HNMRチャートを図11に示す。測定結果から、上述の構造式154で表されるカルバゾール化合物である2,7DBT2PC-IIが得られたことがわかった。なお、シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:5は、2,7DBT2PC-IIは0.41、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9H-カルバゾールは0.22だった。次に、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図12Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図12Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、2,7DBT2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図12より、2,7DBT2PC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は339nm付近、極大発光波長は381nm付近、及び395nm付近励起波長345nm、薄膜における極大吸収波長は347nm、極大発光波長は298nm付近及び411nm付近励起波長347nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示す2,7DBT2PC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、ガラス転移温度Tgについて、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は146°Cであった。このように、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかった。また、薄膜状態の2,7DBT2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、2,7DBT2PC-IIのHOMO準位は-5.79eVであった。図12の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めた2,7DBT2PC-IIの吸収端は3.25eVであった。従って、2,7DBT2PC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.25eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、2,7DBT2PC-IIのLUMO準位を-2.54eVと見積もることができる。このように、2,7DBT2PC-IIは固体状態において3.25eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、2,7DBT2PC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートには2,7DBT2PC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されており、そのガラス転移温度Tgは146°Cであることがわかった。このことから、2,7DBT2PC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例の2,7DBT2PC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。≪合成例3≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、3-4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBTPPC-IIの合成方法について説明する。DBTPPC-IIの構造を下記構造式172に示す。[3-4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBTPPC-IIの合成法]100mL三口フラスコにて、3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.4g6.0mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を1.7g6.0mmol、酢酸パラジウムIIを13mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを36mg0.1mmol、トルエンを20mL、エタノールを3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液を5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで4時間加熱しながら撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒としては、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量2.3g、収率77で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記C-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、上記反応で得られた白色粉末は0.40、3-4-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.60だった。上記反応で得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図13A、Bに示す。なお、図13Bは、図13Aを拡大して表したチャートである。測定結果から、上記反応で得られた白色粉末が目的物である上記構造式172で表されるDBTPPC-IIであることを確認した。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.30-7.36m,1H,7.44-7.52m,6H,7.55-7.67m,6H,7.75dd,J=8.7Hz,1.5Hz,1H,7.85-7.88m,5H,8.16-8.24m,3H,8.46d,J=1.5Hz,1H。次に、DBTPPC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBTPPC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBTPPC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図14より、DBTPPC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は334nm付近、極大発光波長は373nm付近、及び386nm付近励起波長320nm、薄膜における極大吸収波長は339nm、極大発光波長は405nm付近励起波長346nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示すDBTPPC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、ガラス転移温度Tgについて、示差走査熱量分析装置DSCを用いて調べた。測定結果から、ガラス転移温度は107°C、融点は212°Cであった。このように、高いガラス転移温度を示し、良好な耐熱性を有することがわかった。また、薄膜状態のDBTPPC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBTPPC-IIのHOMO準位は-5.71eVであった。図14の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBTPPC-IIの吸収端は3.37eVであった。従って、DBTPPC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.37eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBTPPC-IIのLUMO準位を-2.34eVと見積もることができる。このように、DBTPPC-IIは固体状態において3.37eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、DBTPPC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートにはDBTPPC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されており、そのガラス転移温度Tgは107°Cであることがわかった。このことから、DBTPPC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例のDBTPPC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。≪合成例4≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、3-3-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mDBTPPC-IIの合成方法について説明する。mDBTPPC-IIの構造を下記構造式160に示す。[3-3-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mDBTPPC-IIの合成法]100mL三口フラスコにて3-3-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.4g6.0mmol、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸を1.7g6.0mmol、酢酸パラジウムIIを13mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを36mg0.1mmol、トルエン20mL、エタノール3mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液5mLの混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素雰囲気下、90°Cで6時間加熱しながら撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン200mLを加え、この混合液の有機層をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、アルミナメルク、中性、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855を通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。クロマトグラフィーの展開溶媒は、トルエンとヘキサンの混合溶媒トルエン:ヘキサン=1:4を用いた。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとヘキサンを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、白色粉末を収量2.6g、収率87で得た。また、上記合成法の反応スキームを下記D-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、上記反応で得られた白色粉末は0.38、3-3-ブロモフェニル-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.54だった。上記ステップ1で得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図15A、Bに示す。なお、図15Bは、図15Aを拡大して表したチャートである。測定結果から、上記ステップ1で得られた白色粉末は上記構造式160で表されるmDBTPPC-IIであることを確認した。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.27-7.33m,1H,7.41-7.51m,6H,7.58-7.65m,7H,7.70-7.86m,4H,8.12t,J=1.5Hz,1H,8.17-8.22m,3H,8.44d,J=1.8Hz,1H。次に、mDBTPPC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図16Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図16Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、mDBTPPC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、mDBTPPC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図16より、mDBTPPC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は330nm付近、極大発光波長は363nm付近、及び379nm付近励起波長300nm、薄膜における極大吸収波長は353nm、極大発光波長は389nm付近及び374nm付近励起波長336nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示すmDBTPPC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、薄膜状態のmDBTPPC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、mDBTPPC-IIのHOMO準位は-5.64eVであった。図16の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたmDBTPPC-IIの吸収端は3.31eVであった。従って、mDBTPPC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.31eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、mDBTPPC-IIのLUMO準位を-2.33eVと見積もることができる。このように、mDBTPPC-IIは固体状態において3.31eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、mDBTPPC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートにはmDBTPPC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されなかった。このことから、mDBTPPC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例のmDBTPPC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。本実施例では実施の形態1に記載のカルバゾール化合物である、3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-II;構造式150を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、ii、iii、150に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子1の素子構成を以下に示す。≪発光素子1の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式150で表される実施形態1で説明したカルバゾール化合物であるDBT2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、DBT2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、DBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式iで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式iiで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをCzPA:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式iで表されるCzPAを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子1を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子1の動作特性≫以上により得られた発光素子1を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子1の輝度-電流密度特性を図17、輝度-電圧特性を図18、電流効率-輝度特性を図19に示す。図17では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図18では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図19では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図19から、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が広いバンドギャップを有することから、青色の蛍光を発するバンドギャップの大きい発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図17から、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物と酸化モリブデンとの共蒸着膜で形成されたホール注入層は、良好なホール注入性を示していることが分かった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いて形成した複合材料が、優れたキャリア注入性を有していることを示している。発光素子1の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子1に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図20に示す。図20では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図20より発光素子1は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物である、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-II構造式154を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式i、ii、iii、iv、154に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子2の素子構成を以下に示す。≪発光素子2の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式154で表される実施形態1で説明したカルバゾール化合物である2,7DBT2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、2,7DBT2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、2,7DBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式iで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式iiで表されるN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnをCzPA:1,6FLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式ivで表されるAlqを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子2を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子2の動作特性≫以上により得られた発光素子2を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子2の輝度-電流密度特性を図21、輝度-電圧特性を図22、電流効率-輝度特性を図23に示す。図21では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電流密度mA/cm2を示す。図22では縦軸が輝度cd/m2、横軸が電圧Vを示す。図23では縦軸が電流効率cd/A、横軸が輝度cd/m2を示す。図23から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-発光効率特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が広いバンドギャップを有することから、青色の蛍光を発するバンドギャップの大きい発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図21から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物と酸化モリブデンとの共蒸着膜で形成されたホール注入層は、良好なホール注入性を示していることが分かった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いて形成した複合材料が、優れたキャリア注入性を有していることを示している。発光素子2の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子2に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図24に示す。図24では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図24より発光素子2は発光中心物質である1,6FLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物である、3-4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBTPPC-II構造式172を緑色の燐光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子発光素子3と、3-3-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:mDBTPPC-II構造式160を同様に緑色の燐光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子発光素子4について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iii、iv、v、vi、172、160に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子3,4の素子構成を以下に示す。≪発光素子3、4の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、発光素子3は上記構造式172で表される実施形態1で説明したカルバゾール化合物であるDBTPPC-IIと酸化モリブデンVIとを、DBTPPC-II:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。発光素子4では上記構造式160で表される実施形態1で説明したカルバゾール化合物であるmDBTPPC-IIと酸化モリブデンVIとを、mDBTPPC-II:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は共に50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、発光素子3ではDBTPPC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。発光素子4ではmDBTPPC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、発光素子3及び4において、正孔輸送層112上に、上記構造式vで表される4-[3-トリフェニレン-2-イルフェニル]ジベンゾチオフェン略称:mDBTPTp-IIと上記構造式viで表されるトリス2-フェニルピリジナトイリジウムIII略称:Irppy3をmDBTPTp-II:Irppy3=1:0.08質量比となるように10nm蒸着した後、mDBTPTp-II:Irppy3=1:0.04質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式ivで表されるAlqを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを20nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。さらに電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子3、4を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子3、4の動作特性≫以上により得られた発光素子3、4を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子3、4の輝度-電圧特性を図25、電流効率-輝度特性を図26、電流-電圧特性を図27に示す。図26から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を緑色の燐光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な発光効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高いT1準位を有することから、緑色の燐光を発するT1準位の高い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図25から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を緑色の燐光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物と酸化モリブデンとの共蒸着膜で形成されたホール注入層は、良好なホール注入性を示していることが分かった。これは、実施の形態1に記載のカルバゾール化合物を用いて形成した複合材料が、優れたキャリア注入性を有していることを示している。発光素子3及び発光素子4の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、カルバゾール骨格と、ジベンゾチオフェン骨格とが、アリーレンを介してメタ位で結合しているmDBTPPC-IIは、パラ位で結合しているDBTPPC-IIよりも若干高効率な素子が得られた。これは、mDBTPPC-IIが、より高いT1準位を有しているものと考えられる。また、作製した発光素子3、4に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図28に示す。図28では縦軸が発光強度、横軸が発光波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図28より発光素子3、4は発光中心物質であるIrppy3起因の緑色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこれらの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図29に規格化輝度-時間特性を示す。図29から、発光素子3及び発光素子4共に、良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。また、カルバゾール骨格と、ジベンゾチオフェン骨格とが、アリーレンを介してパラ位で結合しているDBTPPC-IIは、メタ位で結合しているmDBTPPC-IIよりも若干長寿命な素子が得られた。つまり、パラ位で結合しているDBTPPC-IIは、より良好な信頼性が得られる構造であると考えられる。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物である、3-4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBTPPC-II構造式172を青色の燐光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iii、vii、viii、ix、x、172に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子5の素子構成を以下に示す。≪発光素子5の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式viiで表される4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式172で表されるDBTPPC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPと上記構造式ixで表されるトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]をmCP:[IrMptz3]=1:0.08質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式xで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子5を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子5の動作特性≫以上により得られた発光素子5を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子5の輝度-電圧特性を図30、電流効率-輝度特性を図31、電流-電圧特性を図32、パワー効率-輝度特性を図33、外部量子効率-輝度特性を図34に示す。図31から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を橙色の燐光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な発光効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高いT1準位を有することから、橙色の燐光を発するT1準位の高い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図30から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を緑色の燐光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図33から優れたパワー効率-輝度特性を、図34からは優れた外部量子効率-輝度特性を、発光素子5が有していることがわかった。発光素子5の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子5に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図35に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図35より発光素子5は発光中心物質であるIrMptz3起因の青色の発光を呈することがわかった。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物である、3,6-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBT2PC-II構造式150を青色の燐光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iii、vii、viii、ix、x、150に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子6の素子構成を以下に示す。≪発光素子6の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式viiで表される4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式150で表されるDBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPと上記構造式ixで表されるトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]をmCP:[IrMptz3]=1:0.08質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式xで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子6を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子6の動作特性≫以上により得られた発光素子6を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子6の輝度-電圧特性を図36、電流効率-輝度特性を図37、電流-電圧特性を図38、パワー効率-輝度特性を図39、外部量子効率-輝度特性を図40に示す。図37から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の燐光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な発光効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高いT1準位を有することから、青色の燐光を発するT1準位の高い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図36から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の燐光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図39から優れたパワー効率-輝度特性を、図40からは優れた外部量子効率-輝度特性を、発光素子6が有していることがわかった。発光素子6の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子6に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図41に示す。図41では縦軸が発光強度、横軸が波長nmを示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図41より発光素子6は発光中心物質であるIrMptz3起因の青色の発光を呈することがわかった。また、本発明の一形態で表される上記カルバゾール化合物DBT2PC-IIをホール輸送層に用いた素子は、特に良好な発光効率を得ることが出来た。その理由の一つは、カルバゾールの3位と6位にジベンゾチオフェンの4位が直接結合しているため、T1準位が特に高かったためと考えられる。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物である、2,7-ジ-ジベンゾチオフェン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:2,7DBT2PC-II構造式154を青色の燐光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式iii、vii、viii、ix、x、154に示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子7の素子構成を以下に示す。≪発光素子7の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式viiで表される4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBPと酸化モリブデンVIとを、CBP:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、上記構造式154で表される2,7DBT2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式viiiで表される1,3-ビスN-カルバゾリルベンゼン略称:mCPと上記構造式ixで表されるトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]をmCP:[IrMptz3]=1:0.08質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、上記構造式xで表される2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子7を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子7の動作特性≫以上により得られた発光素子7を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子7の輝度-電圧特性を図42、電流効率-輝度特性を図43、電流-電圧特性を図44、パワー効率-輝度特性を図45、外部量子効率-輝度特性を図46に示す。図43から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の燐光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な発光効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高いT1準位を有することから、青色の燐光を発するT1準位の高い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図42から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の燐光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図45から優れたパワー効率-輝度特性を、図46からは優れた外部量子効率-輝度特性を、発光素子7が有していることがわかった。発光素子7の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子7に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図47に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図47より発光素子7は発光中心物質であるIrMptz3起因の青色の発光を呈することがわかった。≪合成例5≫本実施例では実施の形態1に示したカルバゾール化合物である、3,6-ジジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIの合成方法について説明する。DBF2PC-IIの構造を下記構造式208に示す。[3,6-ジジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIの合成法]200mL三口フラスコへ、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールを2.0g5.0mmol、ジベンゾフラン-4-ボロン酸を3.2g11mmol、酢酸パラジウムIIを10mg0.1mmol、トリo-トリルホスフィンを30mg0.1mmol、トルエン50mL、エタノール5mL、2mol/L炭酸カリウム水溶液7.5mL加え、この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、窒素気流下、90°Cで6.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合物にトルエンを250mL加えて加熱し、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナ、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135の順でろ過し、ろ液を得た。得られたろ液はシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:ヘキサン=1:3による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノール、水を加えて超音波を照射したのち、得られた析出物にアセトンとメタノールを加えて超音波を照射して、濾取して洗浄し乾燥させたところ、目的物の白色粉末を収量2.8g、収率69で得た。上記合成法の反応スキームを下記E-1に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:10は、上記反応で得られた白色粉末が0.32、3,6-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールは0.55だった。上記ステップ1で得られた白色粉末を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。また、1HNMRチャートを図49A、Bに示す。なお、図49Bは、図49Aを拡大して表したチャートである。測定結果から、上記ステップ1で得られた白色粉末は上記構造式208で表されるDBF2PC-IIが得られたことを確認した。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.37dt,J=7.8Hz,J=1.2Hz,2H,7.44-7.56m,5H,7.60-7.69m,8H,7.75dd,J=7.2Hz,J=1.5Hz,2H,7.95dd,J=7.8Hz,J=1.5Hz,2H,8.00-8.04m,4H,8.75d,J=1.5Hz,2H。次に、DBF2PC-IIのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図50Aに、薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図50Bに示す。スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。トルエン溶液のスペクトルは、DBF2PC-IIのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。また、薄膜のスペクトルは、DBF2PC-IIを石英基板に蒸着してサンプルを作製した。なお、トルエン溶液の吸収スペクトルは石英とトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示し、薄膜の吸収スペクトルは石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。図50より、DBF2PC-IIのトルエン溶液における極大吸収波長は320nm付近、極大発光波長は370nm付近及び387nm付近励起波長290nm、薄膜における極大吸収波長は325nm付近、294nm付近、253nm付近及び205nm付近、極大発光波長は401nm付近及び382nm付近励起波長325nmにあることがわかった。吸収スペクトルから、本実施例で示すDBF2PC-IIは、可視域に吸収がほとんどない材料であることがわかった。また発光スペクトルから、青紫の発光を呈することがわかった。また、薄膜状態のDBF2PC-IIのイオン化ポテンシャルの値を大気中にて光電子分光法理研計器社製、AC-2で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果、DBF2PC-IIのHOMO準位は-5.67eVであった。図50の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロットから求めたDBF2PC-IIの吸収端は3.40eVであった。従って、DBF2PC-IIの固体状態の光学的バンドギャップは3.40eVと見積もられ、先に得たHOMO準位とこのバンドギャップの値から、DBF2PC-IIのLUMO準位を-2.27eVと見積もることができる。このように、DBF2PC-IIは固体状態において3.40eVの広いバンドギャップを有している事がわかった。また比較的深いHOMO準位を持つことがわかった。また、示差走査熱量測定装置DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1を用いて、DBF2PC-IIの熱物性を測定した。まず、サンプルを40°C/minの昇温速度で-10°Cから350°Cまで加熱した後、40°C/minで-10°Cまで冷却した。その後、10°C/minの昇温速度で290°Cまで加熱することにより、DSCチャートを得た。DSCチャートにはDBF2PC-IIのガラス転移点を示すピークが観測されており、そのガラス転移温度Tgは131°Cであることがわかった。このことから、DBF2PC-IIは高いガラス転移点を有することがわかった。従って本合成例のDBF2PC-IIは高い耐熱性を有することが確認できた。本実施例では一般式G1で表されるカルバゾール化合物の一つである、3,6-ジ-ジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-II構造式208を青色の蛍光を発する発光中心物質を用いた発光層に隣接する正孔輸送層の材料として用いた発光素子について説明する。なお、本実施例で用いた有機化合物の分子構造を下記構造式208、i、iii及びxiに示す。素子構造は図1Aにおいて、電子輸送層114と第2の電極104との間に電子注入層を設けた構造とした。発光素子8の素子構成を以下に示す。≪発光素子8の作製≫まず、第1の電極102として110nmの膜厚でケイ素を含むインジウム錫酸化物ITSOが成膜されたガラス基板101を用意した。ITSO表面は、2mm角の大きさで表面が露出するよう周辺をポリイミド膜で覆い、電極面積は2mm×2mmとした。この基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、200°Cで1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において170°Cで30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。次に、ITSOが形成された面が下方となるように、基板101を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。真空装置内を10-4Paに減圧した後、上記構造式208で表される3,6-ジ-ジベンゾフラン-4-イル-9-フェニル-9H-カルバゾール略称:DBF2PC-IIと酸化モリブデンVIとを、DBF2PC-II:酸化モリブデンVI=2:1質量比となるように共蒸着することにより、正孔注入層111を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。続いて、DBF2PC-IIを10nm蒸着することにより正孔輸送層112を形成した。さらに、正孔輸送層112上に、上記構造式iで表される9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAと上記構造式xiで表されるN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnをCzPA:1,6mMemFLPAPrn=1:0.05質量比となるように30nm蒸着することによって発光層113を形成した。次に、発光層113上に、CzPAを10nm、さらに上記構造式iiiで表されるバソフェナントロリン略称:BPhenを15nm蒸着することにより、電子輸送層114を形成した。この後、電子輸送層114上にフッ化リチウムを1nmとなるように蒸着することによって電子注入層を形成した。最後に、陰極として機能する第2の電極104としてアルミニウムを200nm成膜し、発光素子8を完成させた。上述した蒸着過程においては、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。≪発光素子8の動作特性≫以上により得られた発光素子8を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、この発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温25°Cに保たれた雰囲気で行った。発光素子8の輝度-電圧特性を図51、電流効率-輝度特性を図52、電流-電圧特性を図53、パワー効率-輝度特性を図54、外部量子効率-輝度特性を図55に示す。図52から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な電流効率-輝度特性を示し、発光効率が良好な発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が高いT1準位を有することから、青色の蛍光を発するバンドギャップの広い発光物質が隣接していても、励起エネルギーが移動してしまうことを抑制することができるためである。また、図51から、一般式G1で表されるカルバゾール化合物を青色の蛍光を発する発光素子の発光層に隣接する正孔輸送層の材料に用いた発光素子は、良好な輝度-電圧特性を示し、駆動電圧の小さな発光素子であることがわかった。これは、一般式G1で表されるカルバゾール化合物が、優れたキャリア輸送性を有していることを示している。また、図54から優れたパワー効率-輝度特性を、図55からは優れた外部量子効率-輝度特性を、発光素子8が有していることがわかった。発光素子8の1000cd/m2付近における各特性を以下に示す。また、作製した発光素子7に1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図56に示す。発光強度は最大発光強度を1とした相対的な値として示す。図56より発光素子8は発光中心物質である1,6mMemFLPAPrn起因の青色の発光を呈することがわかった。次に、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件でこの素子を駆動し、輝度の駆動時間に対する変化を調べた。図57に規格化輝度-時間特性を示す。図57から、発光素子8は良好な特性を示し、信頼性の高い素子であることがわかった。参考例1上記実施例で用いたN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrn構造式viの合成方法について具体的に説明する。[ステップ1:9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレンの合成法]100mL三口フラスコにて、マグネシウムを1.2g50mmol減圧下で30分加熱撹拌し、マグネシウムを活性化させた。これを室温に冷まして窒素雰囲気にした後、ジブロモエタン数滴を加えて発泡、発熱するのを確認した。ここにジエチルエーテル10mL中に溶かした2-ブロモビフェニル12g50mmolをゆっくり滴下した後、2.5時間撹拌してグリニヤール試薬とした。4-ブロモベンゾフェノンを10g40mmol、ジエチルエーテルを100mL、を500mL三口フラスコに入れ、系内を窒素置換した。ここに先に合成したグリニヤール試薬をゆっくり滴下した後、9時間加熱還流撹拌した。反応後、この混合液をろ過して濾物を得た。得られた濾物を酢酸エチル150mLに溶かし、ここに1M-塩酸を酸性になるまで加えて、酸性にした後2時間撹拌した。この混合物の有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この混合物をろ過し、得られたろ液を濃縮し油状物を得た。500mLなすフラスコに、得られた油状物と、氷酢酸50mLと、塩酸1.0mLを入れ、窒素雰囲気下、130°Cで1.5時間加熱撹拌した。反応後、この反応混合物をろ過して濾物を得た。得られた濾物を水、水酸化ナトリウム水溶液、水、メタノールの順で洗浄したのち乾燥したところ、目的物の白色粉末を収量11g、収率69で得た。上記ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPAの合成法]9-4-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン5.8g14.6mmol、アニリン1.7mL18.6mmol、ナトリウムtert-ブトキシド4.2g44.0mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン147.0mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.4mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム066.1mg0.1mmolを加え3.5時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=2:1により精製し、得られたフラクションを濃縮し、目的物の白色固体6.0gを収率99で得た。上記ステップ2の合成スキームを以下に示す。[ステップ3:N,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.4g1.2mmol、実施例1のステップ2で得た4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルジフェニルアミン略称:FLPA1.0g2.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.3g3.6mmolを50mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン11.5mLとトリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.20mLを加えた。この混合物を70°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム031.1mg0.05mmolを加え4.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮した。得られたろ液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はクロロホルムにより精製し、得られたフラクションを濃縮し、黄色固体を得た。得られた固体を、トルエンとヘキサンの混合溶媒により洗浄した後、吸引ろ過をおこない黄色固体を得た。得られた黄色固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で洗浄したところ、淡黄色粉末状固体0.8gを、収率68で得た。得られた淡黄色固体0.8gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、360°Cで加熱した。昇華精製後、目的物を0.4g、収率56で得た。上記ステップ3の合成スキームを下記に示す。核磁気共鳴法NMR及びMSスペクトルによって、得られた化合物がN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnであることを確認した。1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=6.88-6.91m、6H、7.00-7.03m、8H、7.13-7.40m、26H、7.73-7.80m、6H、7.87d、J=9.0Hz、2H、8.06-8.09m、4H参考例2上記実施例で用いたトリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]構造式ixの合成方法について具体的に説明する。<ステップ1;3-メチル-4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptzの合成>まず、チオアセトアニリド5.04g、ベンゾイルヒドラジン5.44g、1-ブタノール50mLを、還流管を付けた丸底フラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波2.45GHz100Wを2時間45分間照射することで加熱した。その後、この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過した。この溶液の溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、3-メチル-4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール略称:HMptzを得た淡い黄色粉末、収率18。ステップ1の合成スキームを以下に示す。<ステップ2;トリス5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラトイリジウムIII略称:[IrMptz3]の合成>次に、上記ステップ1で得られた配位子HMptz1.40g、トリスアセチルアセトナトイリジウムIII0.58gを、三方コックを付けた反応容器に入れ、反応容器内をアルゴン置換した。その後、250°Cにて17時間30分間加熱し、反応させた。反応物をジクロロメタンに溶解し、この溶液をろ過した。得られたろ液の溶媒を留去し、酢酸エチルを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。さらに、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶し、本発明の一態様である有機金属錯体[IrMptz3]を得た黄色粉末、収率22。ステップ2の合成スキームを以下に示す。上記ステップ2で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果を下記に示す。この結果から、有機金属錯体[IrMptz3]が得られたことがわかった。1H-NMR.δCDCl3:2.17s,9H,6.38d,3H,6.54t,3H,6.72dt,3H,6.87dd,3H,7.34m,3H,7.51brm,3H,7.57m,9H.参考例3上記実施例で用いた2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-II構造式xの合成方法について具体的に説明する。≪2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIの合成≫2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIの合成スキームを以下に示す。2-3-ブロモフェニル-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール1.2g3.3mmolと、ジベンゾチオフェン-4-ボロン酸0.8g3.3mmolと、トリオルト-トリルホスフィン50mg0.2mmolを50mLの三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に2.0mmol/L炭酸カリウム水溶液3.3mLと、トルエン12mLと、エタノール4mLを加え、減圧下で攪拌することにより脱気した。この混合物に酢酸パラジウムII7.4mg33μmolを加え、窒素気流下、80°Cで6時間攪拌した。所定時間経過後、得られた混合物の水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーは、トルエンを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物を高速液体クロマトグラフィーにより精製した。高速液体カラムクロマトグラフィーはクロロホルムを展開溶媒に用いて行った。得られたフラクションを濃縮して油状物を得た。この油状物をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物である淡黄色粉末を収量0.8g、収率51で得た。得られた淡黄色粉末0.8gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力3.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、淡黄色粉末を215°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量0.6g、収率82で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:mDBTBIm-IIであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=7.23-7.60m,13H、7.71-7.82m,3H、7.90-7.92m,2H、8.10-8.17m,2H。参考例4本参考例では、実施例の発光素子8で用いた材料について説明する。<1,6mMemFLPAPrnの合成例>発光素子8の材料に用いたN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnを合成する例を示す。[ステップ1:3-メチルフェニル-3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルアミン略称:mMemFLPAの合成法]9-3-ブロモフェニル-9-フェニルフルオレン3.2g8.1mmol、ナトリウムtert-ブトキシド2.3g24.1mmolを200mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン40.0mL、m-トルイジン0.9mL8.3mmol、トリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.2mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム044.5mg0.1mmolを加え、この混合物を80°Cにして2.0時間攪拌した。攪拌後、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=1:1により精製し、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し、目的の白色固体2.8gを、収率82で得た。上記ステップ1の合成スキームを以下に示す。[ステップ2:N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnの合成法]1,6-ジブロモピレン0.6g1.7mmol、3-メチルフェニル-3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルアミン1.4g3.4mmol、ナトリウムtert-ブトキシド0.5g5.1mmolを100mL三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にトルエン21.0mL、トリtert-ブチルホスフィンの10ヘキサン溶液0.2mLを加えた。この混合物を60°Cにし、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム034.9mg0.1mmolを加え、この混合物を80°Cにして3.0時間攪拌した。攪拌後、トルエンを400mL加えて加熱し、熱いまま、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、アルミナを通して吸引濾過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮し得た固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒はヘキサン:トルエン=3:2により精製し、黄色固体を得た。得られた黄色固体をトルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶し、目的の黄色固体を1.2g、収率67で得た。得られた黄色固体1.0gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.2Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、317°Cで黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体1.0gを、収率93で得た。上記ステップ2の合成スキームを以下に示す。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物であるN,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビス3-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-ピレン-1,6-ジアミン略称:1,6mMemFLPAPrnであることを確認した。得られた化合物の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δ=2.21s,6H、6.67d,J=7.2Hz,2H、6.74d,J=7.2Hz,2H、7.17-7.23m,34H、7.62d,J=7.8Hz,4H、7.74d,J=7.8Hz,2H、7.86d,J=9.0Hz,2H、8.04d,J=8.7Hz,4H"