放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、パターン形成手段を支持するための支持構造であって、該パターン形成手段が所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するように働く支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、パターンが形成された前記ビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、前記投影システムの最終要素と前記基板テーブル上に配置されたオブジェクトの間の空間の少なくとも一部分を満たすための液体供給システムと、を有するリソグラフィ投影装置であって、前記浸漬液を通過した前記放射線の投影ビームによって照明されるように配置される少なくとも1つのセンサを有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。前記基板テーブルが、前記投影システムと前記センサの間の中間板を支持するための支持表面を有し、前記センサと接触しない請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。前記基板テーブルが前記ビームを検知するための透過イメージセンサをさらに有し、前記中間板を前記センサと前記投影システムの間に配置することができる請求項2に記載の装置。前記センサが前記基板テーブル上に配置される請求項1から3までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。前記センサが、前記投影システムに対して前記基板テーブルの位置を調整するために用いられるアライメントセンサである請求項1から4までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。前記アライメントセンサの測定格子が500nm未満のピッチを有する請求項5に記載のリソグラフィ投影装置。前記アライメントセンサが斜めに照明されるようになっている請求項5又は6に記載のリソグラフィ投影装置。前記センサが透過イメージセンサである請求項1、2又は4に記載のリソグラフィ投影装置。前記センサが焦点センサである請求項1、2又は4に記載のリソグラフィ投影装置。前記センサが、スポット若しくは線量センサ、又は一体化された干渉計とスキャナ、又はアライメントマークである請求項1、2又は4に記載のリソグラフィ投影装置。前記基板テーブルが、センサのエッジの少なくとも一部分を囲み、かつ前記センサの主要な表面と実質的に同一平面上にある、前記投影システムに面する主要な表面を提供するためのエッジシール部材をさらに有し、前記液体供給システムが液体を前記センサの局部領域に供給する請求項1から10までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。少なくとも一部分が放射線感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、パターン形成手段を用いて前記投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、パターンが形成された前記放射線ビームを放射線感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、基板テーブル上のオブジェクトと、前記投影ステップで使用される投影システムの最終要素との間の空間の少なくとも一部分を満たすように液体を提供するステップと、を含むデバイス製造方法であって、前記放射線ビームを前記浸漬液を通してセンサ上に投影することを特徴とするデバイス製造方法。本発明の目的は、改善された機能性を有する浸漬式リソグラフィ投影装置を提供することである。この目的及び他の目的は、前記浸漬液を通過した前記放射線の投影ビームによって照明されるように配置される少なくとも1つのセンサを有すること特徴とする、冒頭のパラグラフで言及したリソグラフィ投影装置において本発明に従って実施される。この方法では、センサからの信号を補正して、センサで測定されたパラメータが基板に結像するために異なる媒体を通ることを考慮するために綿密な測定を行う必要はない。ただし、センサの設計が液体で浸漬される場合の使用に適合するものであることを保証する必要がある場合もある。本発明に利用可能なセンサには、投影システムに対して基板テーブルの位置を調整するために用いられるアライメントセンサ、透過イメージセンサ、焦点センサ、スポット若しくは線量センサ、一体化されたレンズ干渉計とスキャナ、並びにアライメントマークも含まれる。アライメントセンサの場合、センサの測定格子は、アライメントセンサの解像度を向上させる500nm未満のピッチを有することができる。本発明の他の観点によれば、少なくとも一部分が放射線感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、パターンが形成された放射線ビームを放射線感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、基板テーブル上のオブジェクトと、前記投影ステップで使用される投影システムの最終要素との間の空間の少なくとも一部分を満たすように液体を提供するステップとを含むデバイス製造方法であって、前記放射線ビームを前記浸漬液を通してセンサ上に投影することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。本明細書では、本発明の装置をICの製造に用いることについて特に言及することがあるが、こうした装置は他にも多くの用途に使用可能であることを明確に理解すべきである。例えば、一体型光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中のレチクル、ウェハ又はダイという用語の使用はいずれも、それぞれマスク、基板及びターゲット部分というより一般的な用語に置き換えて考えられるべきであることが当業者には理解されよう。本明細書では、放射線及びビームという用語は、例えば365、248、193、157、又は126nmの波長を有する紫外線を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含している。次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明する。尚、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。図1は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置を概略的に示している。この装置は、この特定の場合には放射線源LAをも備えた、放射線の投影ビーム例えばDUV放射PBを供給するための放射線システムEx、ILと、マスクMA例えばレチクルを保持するためのマスクホルダを備えた第1のオブジェクトテーブルマスクテーブルMTであって、部材PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブルマスクテーブルMTと、基板W例えばレジスト塗布シリコンウェハを保持するための基板ホルダを備えた第2のオブジェクトテーブル基板テーブルWTであって、部材PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル基板テーブルWTと、マスクMAの照射された部分を基板Wの例えば1つ又は複数のダイを含むターゲット部分Cに結像させるための投影システムレンズPL例えば屈折系と、を備えている。本明細書で図示する装置は、例えば透過性マスクを有する透過タイプのものである。しかし、一般に、例えば反射性マスクを有する反射タイプのものであってもよい。あるいは装置には先に言及したタイプのプログラマブルミラーアレイなど、他の種類のパターン形成手段を用いてもよい。放射線源LA例えばエキシマレーザーは放射線ビームを生成する。このビームは、直接、又は例えばビームエキスパンダーExなどの調節手段を通過した後に、照明系照明器IL内に送られる。照明器ILは、ビームの強度分布の外側及び/又は内側の半径方向範囲それぞれ一般にσ-アウタσ-outer、σ-インナσ-innerと呼ばれるを設定するための調整手段AMを含むことができる。さらに、調整手段AMは、一般には積算器INやコンデンサCOなど他の様々な構成要素を含む。このようにして、マスクMA上に衝突するビームPBは、その断面内に、所望される均一性及び強度分布を有する。図1に関して、例えば放射線源LAが水銀ランプである場合によく見られるように放射線源LAはリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離し、それが生成する放射線ビームを例えば適切な方向付けミラーを利用して装置内に導くことも可能であることに留意すべきであり、この後者のケースは、放射線源LAがエキシマレーザーである場合によく見られる。本発明及び特許請求の範囲は、これらのケースの両方を包含する。ビームPBはその後、マスクテーブルMT上に保持されているマスクMAに遮られる。マスクMAを通過したビームPBはレンズPLを通過し、このレンズPLはビームPBを基板Wのターゲット部分Cの上に集束させる。第2の位置決め手段及び干渉測定手段IFを用いて、基板テーブルWTを、例えば異なるターゲット部分CをビームPBの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、例えばマスクライブラリからマスクMAを機械的に取り出した後、又は走査中に、第1の位置決め手段を用いてマスクMAをビームPBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルMT、WTの移動は、長ストロークモジュール粗い位置決め及び短ストロークモジュール細かい位置決めを用いて実現されるが、これらは図1に明示されていない。しかし、ステップアンドスキャン式装置ではなくウェハステッパの場合には、マスクテーブルMTを、短ストロークアクチュエータに接続するだけでもよいし、又は固定してもよい。図示した装置は、異なる2つのモードで使用することができる。1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを本質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を1回すなわち、ただ1回のフラッシュでターゲット部分Cの上に投影する。次いで、異なるターゲット部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTをx及び/又はy方向に移動させる。2.走査モードでは、所与のターゲット部分Cを1回のフラッシュで露光しないことを除けば、本質的に同じ方法が適用される。その代わり、マスクテーブルMTは速度vで所与の方向例えばy方向など、いわゆる走査方向に移動可能であり、したがって投影ビームPBはマスクの像全体を走査する。それと同時に、基板テーブルWTを、速度V=Mvただし、MはレンズPLの倍率であり、一般にM=1/4又は1/5で同じ方向又は反対方向に同時に移動させる。この方法では、解像度を損なうことなく、比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。図2は、投影システムPLと基板ステージWT上に配置された基板Wの間の液体リザーバ10を示している。液体リザーバ10は、入口/出口ダクト13を通して供給される比較的高い屈折率を有する液体11、例えば水や粒子の水懸濁液で満たされている。この液体は、液体中での投影ビームの放射線の波長を空気中又は真空中より短くして、より小さいフィーチャを解像できるようにする効果を有する。投影システムの解像限界は、特に投影ビームの波長及びシステムの開口数によって決まることがよく知られている。液体の存在は、有効開口数を高めるものと考えることもできる。さらに一定の開口数では、液体は被写界深度を増加させるのに有効である。リザーバ10は、液体を閉じ込めて、投影システムPLに面する基板の主要な表面と投影システムPLの最終光学要素の間の空間を満たすように、投影レンズPLの像面の周りに基板Wに対する非接触型シールを形成することが好ましい。リザーバは、投影レンズPLの最終要素の下に配置され、最終要素を囲むシール部材12によって形成される。したがって、液体供給システムは、基板の局部領域のみに液体を供給する。シール部材12は、投影システムの最終要素と基板の間の空間を液体で満たすように液体供給システムの一部を形成する。この液体は、投影レンズの下のシール部材12内の空間に導入される。シール部材12は、投影レンズの底部要素の少し上に延びていることが好ましく、液体は最終要素より上に上昇して、液体の緩衝物を形成する。シール部材12は、上端で投影システム又はその最終要素の形に厳密に一致した内側周縁を有し、それは例えば円筒形であってもよい。底部では内側周縁は像面の形に厳密に一致し、例えば長方形であるが、必ずしもそうであるとは限らない。シール部材は、投影システムに対してXY平面内に実質的に固定されているが、Z方向光軸の方向にはある程度の相対移動があってもよい。シール部材と基板表面の間にシールが形成される。このシールは非接触型シールであることが好ましく、ガスシールとすることができる。液体11は、シール装置16によってリザーバ10内に閉じ込められる。図2に示すように、シール装置は非接触型シール、すなわちガスシールである。ガスシールは、加圧下で入口15を通してシール部材12と基板Wの間の隙間に供給され、第1の出口14により取り出されるガス、例えば空気や合成空気によって形成される。ガス入口15に対する過剰圧力、第1の出口14に対する真空レベル又は加圧、及び隙間の形状は、液体11を閉じこめる装置の光軸に向かう内向きの高速空気流が形成されるように構成される。任意のシールと同様に、ある種の液体は、例えば第1の出口14を上昇して流出するのに適している。図14及び図15も、1つ又は複数の入口IN、1つ又は複数の出口OUT、基板W、及び投影レンズPLの最終要素によって決まる液体リザーバを示している。図2の液体供給システムと同様に、図14及び図15に示す液体供給システムは、1つ又は複数の入口IN及び1つ又は複数の出口OUTを有し、投影システムの最終要素と基板の間の局部領域で基板の主要な表面に液体を供給するようになっており、基板のエッジで液体の損失が生じる可能性がある。このように、本明細書で実施例として用いる液体供給システムは、図2、並びに図14及び図15に関して記載するものを含むことができる。第2の実施例を図3~図5に示すが、以下に記載することを除けば、第1の実施例と同じ又は同様である。図3及び図4の実施例では、エッジ液体供給システムがポート40を通してリザーバ30に液体を供給する。任意選択で、リザーバ30内の液体は、液体供給システム内の浸漬液と同じにすることができる。リザーバ30は、投影レンズに対して基板Wの反対側に、基板W及びエッジシール部材17、117のエッジに隣接して配置されている。図4では、エッジシール部材17は基板テーブルWTとは別の要素からなり、図3では、エッジシール部材117は基板テーブルWTの一部によって形成されている。図3から最もよく分かるように、基板Wはいわゆるピンプルテーブルpimpletable20によって基板テーブルWT上に支持されている。ピンプルテーブル20は、基板Wがその上に載る複数の突起を有している。基板Wは、例えば基板を基板テーブルWTの上面に吸引する真空源によって適切な位置に保持される。リザーバ30を用いる場合、基板Wのエッジを結像させているときすなわち、液体供給システム内の投影レンズの下の液体が基板のエッジを横切るとき、空間は既に液体で満たされているため、液体が液体供給システムからエッジシール部材17、117と基板Wの間の隙間に漏れ出ることはない。エッジシール部材17を基板テーブルWTの残りの部分に対して移動させるための図4に示した機構170を、図5に詳細に示す。このようにエッジシール部材17を移動させる理由は、その主要な表面を基板Wの主要な表面と実質的に同一平面上とすることが可能になることにある。それによって液体供給システムは基板Wのエッジ部分の上を滑らかに移動することが可能になり、その結果、液体供給システムの底部の内側周縁を、一部は基板Wの主要な表面上の位置に、一部はエッジシール部材17の主要な表面上の位置に移動させることができるようになる。レベルセンサ図示せずを用いて、基板W及びエッジシール部材17の主要な表面の相対高さを検出する。エッジシール部材17の主要な表面の高さを調整するため、レベルセンサの結果に基づいて、制御信号がアクチュエータ171に送信される。この目的のために閉ループアクチュエータを用いることもできる。アクチュエータ171は、軸176を回転させる回転モータである。軸176は、モータ171に対して遠位の末端で円形ディスクに接続されている。軸176はディスクの中心から離れて接続されている。ディスクは円形の陥凹部内の楔形部分172に位置している。玉軸受を用いて、円形ディスクと楔形部分172内の陥凹部の側面の間の摩擦量を低減させることができる。モータ171は、板ばね177によって適切な位置に保持される。ディスクにおいて軸176は偏心した位置にあるため、モータの作動時に楔形部分は図示するように左右にすなわち楔形部分の傾斜の方向に駆動される。モータは、ばね177によって楔形部分172の移動方向と同じ方向に移動できないようになっている。図5に示すように、楔形部分172が左右に移動すると、エッジシール部材17の主要な表面に対して傾斜している楔形部分の表面であるその上面175は、エッジシール部材17の底部に固定されている別の楔形部材173の底部の傾斜面に接触する。エッジシール部材17は、楔形部材172の移動方向に移動できないようになっており、したがって楔形部材172が左及び右に移動すると、エッジシール部材17はそれぞれ下降及び上昇する。基板テーブルWTに向けてエッジシール部材17にある程度バイアスをかけることが必要になることもある。別の楔形部材173を、例えば楔形部材172の移動方向に垂直に配置された棒など、別の形で置き換えられることは明らかである。楔形部材172と別の楔形部材173の間の摩擦係数が楔の角度の正接より大きい場合には、アクチュエータ170は自己制動になり、これは楔形部材172を適切な位置に保持するのに手段楔形部材172に対する力を必要としないことを意味する。これは、アクチュエータ171が作動していないときにシステムが安定するため有利である。機構170の精度は数μm程度である。特にエッジシール部材17が基板テーブルWTの一部である場合には、エッジシール部材17、117、及び基板の主要な表面を実質的に同一平面上とすることができるように、基板W、又は基板Wを支持する部材の高さを調整するための機構を設けることができる。第3の実施例を図6及び図7に示すが、以下に記載することを除けば、第1の実施例と同じ又は同様である。この実施例を、基板テーブルWTの一部であるエッジシール部材117に関して記載する。しかし、この実施例は基板テーブルWTに対して移動可能なエッジシール部材17にも同様に適用することができる。図6aに示すこの実施例の第1のバージョンでは、別のエッジシール部材500を用いて、エッジシール部材117と基板Wの間の隙間を橋渡しする。この別のエッジシール部材は、エッジシール部材117に取り付けられている。別のエッジシール部材500は、主要な表面の反対側の基板Wの表面に接し、移動できる状態で取り付けることができる。この実施例では、別のエッジシール部材500は、基板Wの下部表面に接触するように作動させることが可能な可撓性のあるエッジシール部材とすることができる。可撓性のあるエッジシール部材500が作動していないとき、それは重力を受けて降下して基板から離れる。これを実施する方法を図7に示し、以下に記載する。別のエッジシール部材500は、液体供給システムからの浸漬液が基板Wの下の空間に入り込むのを全て防止するわけではないと考えられ、そのため、この実施例の一部又は全てのバージョンでは、基板Wの下にエッジシール部材117及び基板Wのエッジに隣接させて、低圧源に接続したポート46を設けることができる。もちろん、基板下の領域の設計を第3の実施例の設計と同じにすることもできる。基板Wに対してではなく、基板テーブル上の透過イメージセンサTISなどのセンサに対して、同じシステムを用いることができる。センサの場合には、センサは移動しないので、例えば接着材を用いてエッジシール部材500を永久的に取り付けることができる。さらにエッジシール部材500は、底面ではなくオブジェクトの上面投影システムに最も近い表面とかみ合うように構成することができる。また別のエッジシール部材500を、図6aに示すようにエッジシール部材117の下ではなく、エッジシール部材117の上面又はその近くに取り付けて提供することもできる。この実施例の第2のバージョンを図6bに示す。2つの別のエッジシール部材500a、500bが用いられている。これらのエッジシール部材の第1の部材500aは第1のバージョンと同じである。これらのエッジシール部材の第2の部材500bは、基板テーブル20に、すなわち基板Wの下に取り付けられており、その自由端を有し、その付着点から半径方向外側へ向かって延びている。第2の別のエッジシール部材500bは、第1の別のエッジシール部材500aを基板Wに押しつける。圧縮ガスを用いて、第2の別のエッジシール部材500bを変形又は移動させることができる。この実施例の第3のバージョンを図6cに示す。第3のバージョンは、第1の別のエッジシール部材500cが第2の別のエッジシール部材500dを基板に押しつけることを除けば、第2のバージョンと同じである。これによって、例えば第2のバージョンの圧縮ガスは不要になる。この実施例は、真空への接続の有無にかかわらず、第2の別のエッジシール部材500b、500dのみでも機能することが理解されよう。次に、実施例の第1のバージョンに関して、別のエッジシール部材500、500a、500b、500c、500dを変形させる様々な方法を記載する。図7から分かるように、可撓性のある別のエッジシール部材500環状リングであることが好ましいが延びている方向にチャネル510を形成し、投影システムに面する可撓性のある別のエッジシール部材の上面及び基板Wの下面に、1つ又は複数の目立たないポートを設ける。真空源515をダクト510に接続することにより、可撓性のある別のエッジシール部材を吸引によって基板Wに接触させることができる。真空源515が切り離されるか、又はそのスイッチが切られると、可撓性のある別のエッジシール部材500は重力及び/又はポート46からの圧力を受けて降下して、図7に点線で示した位置をとる。別の実施例では、可撓性のある別のエッジシール部材500は、基板がピンプルテーブル20上に配置されると、基板Wに接触するような機械的予荷重で成形され弾性変形して、基板Wに対して上向きに力を加え、それによってシールを形成するようになる。さらに別法では、ポート46への加圧ガスによって生じた過剰圧力により、可撓性のある別のエッジシール部材500を基板Wに押しつけることもできる。可撓性のある別のエッジシール部材500は、可撓性、並びに放射線及び浸漬液に対する耐性があり、汚染されていない任意の材料、例えば鋼、Al2O3などのガラス、SiCなどのセラミック材料、シリコン、テフロン登録商標、低膨張ガラス例えば、Zerodur商標又はULE商標、カーボンファイバエポキシ又は石英から形成することが可能であり、一般に厚さは10~500μmの間、好ましくは30~200μmの間、あるいはガラスの場合には50~150μmの間である。この材料からなるこうした寸法の可撓性のある別のエッジシール部材500の場合、ダクト510に加える必要がある一般的な圧力は約0.1~0.6バールである。第4の実施例を図8に示すが、以下に記載することを除けば、第1の実施例と同じ又は同様である。この実施例を、基板テーブルWTの一部であるエッジシール部材117に関して記載する。ただしこの実施例は、基板テーブルWTに対して移動可能なエッジシール部材17にも同様に適用することができる。第4の実施例では、エッジシール部材117と基板Wの間の隙間を別のエッジシール部材50で満たす。この別のエッジシール部材は、基板W及びエッジシール部材117の主要な表面と実質的に同一平面上にある上面を有する、可撓性のある別のエッジシール部材50である。可撓性のある別のエッジシール部材50が撓むことによって基板Wの直径及び基板Wの厚みのわずかな変化に適応することができるように、この可撓性のある別のエッジシール部材50は従順な材料で作成される。液体供給システム内の投影レンズの下の液体が基板のエッジの上を通過するとき、基板W、可撓性のある別のエッジシール部材50、及びエッジシール部材117の各要素のエッジが互いに締め付け合っているため、液体がこれらの間を漏れ出ることはない。さらに、基板W及びエッジシール部材117の主要な表面、並びに可撓性のある別のエッジシール部材50の上面が実質的に同一平面上にあるため、液体供給システムの動作は、それが基板Wのエッジ上を通過するときにも狂うことがなく、したがって液体供給システム内に外乱力は発生しない。図8から分かるように、可撓性のある別のエッジシール部材50は、エッジ部分で基板Wの主要な表面の反対側の基板Wの表面に接触している。この接触には2つの役目がある。第1に、可撓性のある別のエッジシール部材50と基板Wの間の液状シールが改善される。第2に、可撓性のある別のエッジシール部材50が基板Wに対して、ピンプルテーブル20から離れる方向に力を加える。基板Wが、例えば真空吸引によって基板テーブルWT上に保持されている場合、基板を基板テーブル上に確実に保持することができる。しかし、真空源のスイッチが切られたり、真空源が切り離されたりすると、可撓性のある別のエッジシール部材50によって基板Wに対して生成される力が、基板Wを押して基板テーブルWTから離すのに有効となり、それによって基板Wのローディング及びアンローディングの助けとなる。可撓性のある別のエッジシール部材50は、PTFEなど放射線及び浸漬液に対して耐性のある材料で作成される。図9は本発明の第5の実施例を示しているが、以下に記載することを除けば、第1の実施例と同じ又は同様である。この実施例を、基板テーブルWTの一部であるエッジシール部材117に関して記載する。ただし、この実施例は基板テーブルWTに対して移動可能なエッジシール部材17にも同様に適用することができる。図9から分かるように、第5の実施例は、エッジシール部材117と基板Wの間の隙間を橋渡しするための別のエッジシール部材100を含んでいる。この場合、別のエッジシール部材100は、基板Wとエッジシール部材117の間の主要な表面の上に、基板Wとエッジシール部材117の間の隙間にまたがるように配置されたギャップシール部材である。したがって、基板Wが円形であれば、ギャップシール部材100も円形環状になる。ギャップシール部材100は、その底面に真空ポートを通してエッジシール部材117の主要な表面上に現れる真空源である真空105を適用することにより、適切な位置に保持することができる。基板Wとエッジシール部材117の間の隙間全体がギャップシール部材100で覆われているため、液体供給システムは液体を失うことなく基板Wのエッジ上を通過することができる。基板ハンドラによってギャップシール部材100を適切な位置に置くこと、並びにそれを取り除くことが可能であり、したがって標準的な基板及び基板処理を用いることができる。あるいは、適切な機構例えば基板処理ロボットにより、ギャップシール部材100を投影システムPLの位置に保ち、基板を適切な位置に置くこと、並びにそれを取り除くことができる。ギャップシール部材100は、真空源によって変形しないような十分な硬さのものとすべきである。液体供給システムと接触しないようにするために、ギャップシール部材100の厚さは50μm未満、好ましくは30μm又は20μm、又はさらに10μmにすると有利であるが、できるだけ薄くするべきである。ギャップシール部材100は、ギャップシール部材100の厚さがエッジに向かって減少するテーパー付きエッジ110を備えていると有利である。このように、ギャップシール部材の完全な厚さまで緩やかに変化することにより、液体供給システムがギャップシール部材100の上を通過するときの乱れが軽減される。同様の方法のシーリングを、センサ、例えば透過イメージセンサなど他のオブジェクトに対して用いることができる。この場合、オブジェクトを移動させる必要がないので、ギャップシール手段100をどちらの端でも適切な位置に、浸漬液に溶解しない接着剤で接着することができる。あるいは、接着剤をエッジシール部材117、オブジェクト及びギャップシール手段100の接合部に配置することもできる。さらに、ギャップシール手段100を、オブジェクト及びエッジシール部材117の突出部の下に配置することもできる。必要な場合には、オブジェクトも突出部を有する形にすることができる。ギャップシール手段100は、オブジェクトの上でも下でも、それを通って設けられた、エッジシール部材117に接触している表面内のある開口からオブジェクトに接触している表面内の別の開口への通路を有することができる。真空105と流体連通する1つの開口を配置することにより、ギャップシール手段100を適切な位置にしっかり保持することが可能になる。第6の実施例を、図10を参照して記載する。図10に示す解決策は、結像中の基板Wのエッジ部分に伴ういくつかの問題を回避し、また透過イメージセンサTIS220を基板Wと同じ条件下で投影システムPLによって照明できるようにする。第6の実施例は、第1の実施例に関して記載した液体供給システムを用いる。しかし、浸漬液を基板Wと共に液体供給システム内の投影レンズの下の、その下側に閉じこめるのではなく、液体を液体供給システムと基板Wの間に配置された中間板210によって閉じこめる。中間板210と、TIS220及び基板Wの間の空間222、215も、液体111で満たされている。これは、図示するようなそれぞれのポート230、240を介する2つの別々の空間の液体供給システムによっても、ポート230、240を介する同一空間の液体供給システムによっても実施することができる。したがって、基板Wと中間板210の間の空間215、及び透過イメージセンサ220と中間板210の間の空間222は、どちらも液体で満たされ、また基板Wと透過イメージセンサを共に同じ条件下で照明することができる。部分200は、中間板210を真空源によって適切な位置に保持することができる中間板210のための支持表面、又は複数の表面を提供する。中間板210は、基板W並びに透過イメージセンサ220を全て覆うような大きさで作成される。したがって、基板Wのエッジを結像するときや、透過イメージセンサを投影レンズPLの下に配置するときにも、液体供給システムがエッジを通過する必要はない。透過イメージセンサ220及び基板Wの上面は、実質的に同一平面上にある。中間板210は取り外し可能とすることができる。例えば、基板処理ロボットや他の適切な機構により、それを適切な位置に置くこと、並びにそれを取り外すことが可能である。上述の実施例は全て、基板Wのエッジの周りをシールするために用いることができる。同様の方法で、液体を通して投影ビームで照明されるセンサ及び/又はマークを含むセンサ、例えば透過イメージセンサ、一体化されたレンズ干渉計とスキャナ波面センサ、並びにスポットセンサ板など、基板テーブルWT上の他のオブジェクトをシールすることが必要になることがある。こうしたオブジェクトには、レベリングセンサ及びアライメントセンサ、及び/又はマークなど、非投影式の放射線ビームで照明されるセンサ、及び/又はマークを含めることもできる。このような場合、液体供給システムはオブジェクト全てを覆うように液体を供給することができる。上述の実施例はいずれも、この目的のために用いることができる。基板Wとは異なりセンサを基板テーブルWTから取り外す必要がないので、場合によっては、オブジェクトを基板テーブルWTから取り外す必要はない。そうした場合には、前述の実施例を適宜変更することができる例えば、シールを可動にする必要がないこともある。実施例はそれぞれ、1つ又は複数の他の実施例と適宜組み合わせることができる。さらに、それぞれの実施例及び実施例の任意の適切な組み合わせを、実施可能性に応じて、かつ/又は適宜、エッジシール部材17、117をもたない図2、並びに図11及び12の液体供給システムに適用するだけでもよい。エッジシール部材117、及びセンサ220の上部外側の大部分のエッジの形は様々でよい。例えば、突出したエッジシール部材117、又はむしろ突出しているセンサ220の外側エッジを設けると有利になることがある。あるいは、センサ220の外側上部のコーナーが有用になることもある。図11は第7の実施例を示しているが、以下に記載することを除けば第1の実施例と同じである。第7の実施例では、基板テーブルWT上のオブジェクトは、透過イメージセンサTISなどのセンサ220である。浸漬液がセンサ220の下に漏れるのを防止するため、エッジシール部材117とセンサ220の間に、浸漬液に不溶性かつ非反応性の接着剤のビーズ700が配置される。使用時に、接着剤は浸漬液に覆われる。第8の実施例を、図12及び図13を参照して記載する。第8の実施例では、基板テーブルWTに対してシールされるのはセンサ220である。図12及び図13に示したどちらのバージョンでも、エッジシール部材117とセンサ220の間の隙間を通って到達するはずの浸漬液を除去するために、開口通路47及びチャンバ44を有する隙間に隣接して減圧46を設けている。図12のバージョンでは、基板テーブルWT内のオブジェクト220の突出部の下に減圧46を設けている。基板テーブルWTの内側に突き出している突出部内には、通路47を設けている。任意選択で、基板テーブルWTとオブジェクト220の間の突出部内側の大部分のエッジに、接着剤のビーズ700を配置することができる。接着剤のビーズ700を設けない場合には、オブジェクト220の下部からのガス流が、センサ220と基板テーブルWTの間の隙間をシールするのを助ける。図13のバージョンでは、減圧46、区画44及び通路47を、オブジェクト220自体の中の、内側に突き出しているエッジシール部材117の下に設けている。この場合も、オブジェクト220と基板テーブルWTの間の、通路47の半径方向外側に接着剤のビーズを任意に設けることができる。高NA検出センサの実施例図16に示すように、本発明の実施例による基板レベルのセンサは、放射線受容要素1102、1118及び放射線検出要素1108、1124、1140を有している。露光放射線は、投影システムPLの最終要素から、投影システムPLの最終要素と基板Wの間の空間の少なくとも一部分を満たしている浸漬液11を通るように方向付けされる。これらの要素の詳細な構成は、検出される放射線の特性に依存する。光電池が放射線を直接受け取ることが望ましいケースで用いる場合には、基板レベルでのセンサは光電池のみを有するようにすることができる。あるいは、基板レベルでのセンサは、光電池と組み合わせてルミネセンス層を有することもできる。この構成では、第1の波長の放射線はルミネセンス層によって吸収され、少し後に第2のより長い波長の放射線をさらに放射する。この構成は、例えば光電池が第2の波長でより効率的に動作するように設計されている場合に有用である。放射線受容要素1102、1118は、同様の機能を果たすピンホール、回折格子又は他の回折要素を有する層とすることが可能であり、石英センサ本体1120の上に、すなわち本体の投影システムと同じ側に支持されていてもよい。一方、放射検出要素1108、1124、1140はセンサ本体1120内に、又はセンサ本体1120の投影システムから隔てて面する側に形成された凹状の領域内に配置することができる。屈折率が異なる媒体間の境界では、ある割合の入射放射線が反射され、センサから失われる可能性がある。光学的に滑らかな表面では、これが起こる範囲は放射線の入射角、及び当該の媒体の屈折率の差に依存する。通常、法線入射から測定される臨界角以上で入射する放射線では全体的な内面反射が生じ、センサの後の要素への信号の重大な損失をまねく恐れがある。このことは、放射線がより高い平均入射角を有する可能性がある高NAシステムで特に問題になることがある。本発明は、高屈折率の媒体と空気の間に境界が生じないようにするために、それによって放射線受容要素1102、1118と放射検出要素1108、1124、1140の間の領域から空気を排除する構成を提供する。部分的及び全体的な内面反射による損失に加えて、吸収によっても光電池に到達する放射線の強度が著しく低下する可能性があり、また光学的に滑らかではない境界からの散乱によっても放射線の強度が低下する可能性がある。図16は、従来技術によるILIASセンサモジュールを示している。このモジュールは、放射線受容要素として透過板1104によって支持された変形格子shearinggrating構造1102を有しており、透過板1104はガラス又は石英で作成することができる。量子変換層1106がカメラチップ1108放射線検出要素のすぐ上に配置され、このカメラチップ1108は基板1110の上に取り付けられている。基板1110は、スペーサ1112を介して透過板1104に接続され、ボンディングワイヤ1114が放射線検出要素を外部の機器に接続している。量子変換層1106と透過板1104の間にはエアギャップが存在している。例えば、157nmの放射線向けに設計されたこのような構成では、センサ内のエアギャップを簡単に取り除くことはできず、したがって、それは放射線を吸収する酸素及び水をかなりの割合で含有することになる。その結果、信号は失われ、これらが有する空気中を通る経路長が長くなるにつれて角度が大きくなるため、結果が悪化する。すなわち、センサに対するダイナミックレンジの要求がより厳しくなる。図17及び図18は、本発明の実施例による改善されたILIASセンサモジュールを示している。図17では、透過板1104の形をカメラ1108に直接取り付けるように変更することにより、エアギャップを除去している。この構成は、ボンディングワイヤ1114用の接近手段を設ける必要があるためにさらに難しいものとなり、また細長い形を必要とする。技術者の立場から見ると、図18に示す別の構成の方が実現が容易である。この場合、透過板1104と同じ材料からなる、又は同様の光学特性のクッションシート1116を、透過板1104と量子変換層1106の間に挿入する。エアギャップを除去することによって伝送損失が減少し、ダイナミックレンジの要求が緩和される換言すれば、有効ダイナミックレンジが改善される。どちらの構成も屈折率の適合性を改善し、透過板1104との境界面でのスプリアスな内面反射の範囲を減少させる。図19aは、従来技術によるDUV透過イメージセンサを示している。図19bは、見やすいように処理用要素の拡大図を示している。この場合には放射線受容要素を構成する透過性の溝1118のパターンが、スパッタリングによって基板上に堆積させた薄い金属層中に電子ビームリソグラフィ及びエッチング技術を用いて実現されている。溝1118に向けて投影される任意のDUV光は、透過板1104石英又は溶融石英とすることができるによって透過され、下にある発光材料1122、又は蛍光体に当たる。発光材料1122は、希土類イオンでドープした結晶性材料、例えばセリウムでドープしたイットリウム-アルミニウム-ガーネットYAG:Ceのスラブからなることができる。発光材料1122の主な目的は、DUV放射線をより検出しやすい可視放射線に変換することであり、次いでそれをフォトダイオード1124で検出する。吸収されずに蛍光体1122によって可視放射線に変換されたDUV放射線は、フォトダイオード1124に到達する前に例えばBG-39又はUGフィルタ26によって濾去することができる。上述の構成では、センサーハウジング1125内に取り付けられた構成要素間の隙間に空気が存在し、放射線の伝播を妨げるいくつかの空気/材料/空気の境界面が生じる可能性がある。DUV放射線及びルミネセンスから生じる放射線の経路を考慮することにより、放射線が失われる可能性がある領域を特定することができるようになる。目的とする第1の領域は、DUV放射線が溝1118及び透過板1104を通過した後に到達する、透過板1104の裏面1128である。この場合、表面はドリリングなどの機械的手段によって形成されており、必然的に放射線の波長のスケールに対して粗くなっている。したがって、放射線は散乱により透過板1104内に戻るか、又は発光材料1122を通り過ぎて外に出て失われる可能性がある。第2に、この境界面の後、DUV光は光学的に滑らかな空気/YAG:Ceの境界面に遭遇するが、そこでは、特に高NAのシステムにおいて、屈折率の不適合によってかなりの量の反射が生じる可能性がある。第3に、発光材料1122は放射線をランダムな方向に放出する。その比較的高い屈折率により、YAG:Ce/空気の境界での全体的な内面反射の臨界角は、法線から約33度となりYAG:Ceとフィルタの間の隙間に空気が存在する、これは境界に入射する放射線の大部分がシステムの外に反射され、発光材料1122の側壁を通って失われることを意味している。最後に、フォトダイオードに向けられたルミネセンスの一部は、やはり表面の粗さが検出される信号の損失の原因となる可能性がある、ダイオード表面上の空気/石英の境界面を克服しなければならない。ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施することが可能であることが理解されよう。特に、本発明は他のタイプの液体供給システム、とりわけ局部的な液体領域のシステムに適用することも可能である。シール部材による解決策を用いる場合、シール部材をガスシールではないシールを用いるものとすることができる。上記説明は本発明を限定するものではない。