"メモリシステムであって、それぞれ複数の行を有する複数のバンクを有する揮発性メモリと、前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう命令するように、更に、前記揮発性メモリに目標バンクアドレスを提供するように構成されたメモリコントローラとを備え、前記揮発性メモリは、前記自動リフレッシュモードにおいて自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行され、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。請求項1のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは更に、複数のリフレッシュ行カウンタを備え、各リフレッシュ行カウンタは、対応するバンクに関連付けられ、目標行アドレスを保持するように構成され、前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクに関連付けられた前記リフレッシュ行カウンタに格納された前記目標行アドレスを用いて、前記目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように構成されたメモリシステム。請求項2のメモリシステムにおいて、前記複数のリフレッシュ行カウンタ内にそれぞれ格納された目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。請求項2のメモリシステムにおいて、前記メモリコントローラは更に、前記揮発性メモリに対して自己リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、前記揮発性メモリは更に、前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、関連するリフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。請求項1に記載のメモリシステムにおいて、前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成するメモリシステム。請求項5のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。請求項1のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。メモリシステムであって、バンクアドレスラッチ、複数のバンク、及びそれぞれが対応するバンクに関連付けられた複数のリフレッシュ行カウンタを有し、目標行アドレスを格納するように構成された揮発性メモリと、前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、更に、前記バンクアドレスラッチへ目標バンクアドレスをロードするように構成されたメモリコントローラとを備え、前記揮発性メモリは、前記自動リフレッシュモードで自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクに関連付けられた前記リフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスを用いて、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行されるメモリシステム。請求項8のメモリシステムにおいて、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクがメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。請求項8のメモリシステムにおいて、前記複数のリフレッシュ行カウンタ内にそれぞれ格納された目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。請求項8のメモリシステムにおいて、前記メモリコントローラは更に、前記揮発性メモリに対して自己リフレッシュモードで動作するよう命令するように構成され、前記揮発性メモリは更に、前記バンクアドレスラッチをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、関連するリフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。請求項8のメモリシステムにおいて、前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードにおいて前記目標バンクについて1つ又は複数の追加の自動リフレッシュ動作を実行し、1つ又は複数の先行するリフレッシュを生成するように構成されたメモリシステム。請求項12のメモリシステムにおいて、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、前記揮発性メモリは更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。請求項11のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリが前記自己リフレッシュモードに入ると、前記バンクアドレスラッチに格納された前記目標バンクアドレスは、最後の自動リフレッシュ動作で使用された最後のバンクアドレスを表すメモリシステム。請求項8のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。メモリシステムであって、複数のバンクを有する揮発性メモリと、目標バンクアドレスを格納するラッチ手段と、個々の対応するバンクの目標行アドレスを保持するカウンタ手段と、前記揮発性メモリに対して自動リフレッシュモードで動作するように命令し、前記目標バンクアドレスを前記ラッチ手段にロードするコントローラ手段とを備え、前記揮発性メモリは、前記ラッチ手段から前記目標バンクアドレスを検索し、前記自動リフレッシュモードで自動リフレッシュ動作を実行するように構成され、前記自動リフレッシュ動作は、前記目標バンクのための前記目標行アドレスを用いて、前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて実行されるメモリシステム。請求項16のメモリシステムにおいて、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能であるメモリシステム。請求項16のメモリシステムにおいて、前記カウンタ手段によって保持される複数のバンクの前記目標行アドレスは互いに独立しているメモリシステム。請求項16のメモリシステムにおいて、前記コントローラ手段は更に、前記揮発性メモリに対して、自己リフレッシュモードで動作するよう命令するために使用され、前記揮発性メモリは更に、前記ラッチ手段をインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、現在の目標バンクアドレスを生成するように構成され、各自己リフレッシュ動作中、前記揮発性メモリは更に、そのバンクの目標行アドレスに基づいて、現在の目標バンクアドレスによって識別されたバンクをリフレッシュするように構成されたメモリシステム。請求項16のメモリシステムにおいて、前記目標バンクがアイドルであれば、前記揮発性メモリは更に、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクについて1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成するメモリシステム。請求項20のメモリシステムにおいて、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行されたのであれば、前記揮発性メモリは更に、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、通常の動作を続けるように構成されたメモリシステム。請求項19のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリが前記自己リフレッシュモードに入ると、前記ラッチ手段に格納された前記目標バンクアドレスは、最後の自動リフレッシュ動作で使用された最後のバンクアドレスを表すメモリシステム。請求項16のメモリシステムにおいて、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM又はシンクロナスDRAMのうちの1つであるメモリシステム。複数のバンクを有する揮発性メモリのためにメモリリフレッシュを提供する方法であって、前記複数のバンクの各々のための目標行アドレスを保持することであって、前記複数のバンクのための目標行アドレスは、互いに独立していることと、目標バンクアドレスをロードすることと、前記揮発性メモリに対して、自動リフレッシュモードに入り、前記目標バンクに対応する目標行アドレスを用いて前記目標バンクアドレスによって識別された目標バンクについて自動リフレッシュ動作を実行するように命令することとを備えた方法。請求項24の方法において、前記自動リフレッシュ動作が、前記目標バンクについて実行されている間、前記目標バンク以外の複数のバンクにおける残りのバンクはメモリアクセスのために利用可能である方法。請求項24の方法において、更に、自己リフレッシュモードで動作するように前記揮発性メモリに命令することと、前記目標バンクアドレスをインクリメントすることによって、前記自己リフレッシュモードにおいて複数のバンクを循環し、各自己リフレッシュ動作中、識別されたバンクに対応する前記目標行アドレスに基づいて前記目標バンクアドレスによって識別されたバンクについてリフレッシュを実行することとを備える方法。請求項24の方法において、更に、前記目標バンクがアイドルであれば、前記自動リフレッシュモードで前記目標バンクに関する1つ又は複数の追加自動リフレッシュ動作を実行し、前記目標バンクのための1つ又は複数の先行したリフレッシュを生成することを備える方法。請求項27の方法において、更に、1つ又は複数の先行したリフレッシュが実行された場合には、規則的にスケジュールされたリフレッシュの実行を回避し、前記揮発性メモリの通常動作を継続することを備える方法。請求項24の方法において、前記揮発性メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM又はシンクロナスDRAMのうちの1つである方法。本発明の局面は、添付図面において、一例として説明され、限定されるものではない。添付図面に関連して以下に述べる詳細記載は、本発明の様々な実施例の記載として意図されており、本発明が実施される実施例のみを表すようには意図されていない。この詳細記載は、本発明の完全な理解を提供する目的で具体的な詳細を含んでいる。しかしながら、本発明は、これら具体的な詳細無しで実施されうることは、当該技術分野における熟練者に明白であろう。いくつかの実例では、本発明の概念を不明確にしないように、周知の構成及びコンポーネントが、ブロック図形式で示される。メモリシステムの種々の実施例について記載する。1つの実施例では、独立したリフレッシュ方法が提供される。これは、リフレッシュ動作中、メモリ内のデータ利用度を高める。図1は、独立したリフレッシュ方法を実現するために使用することが可能な構成100を示す。図1に示すように、独立したリフレッシュ方法は、揮発性メモリ110と、揮発性メモリを制御するように構成されたコントローラ120とで実現されうる。揮発性メモリ110は、例えばDRAMdynamicrandomaccessmemory、SDRAMシンクロナスDRAM、及びその他様々なタイプのDRAM等でありうる。ここで提供される開示及び教示に基づいて、当該技術における通常の熟練者であれば、本開示を、リフレッシュ動作を必要とする別のタイプのメモリを用いてどのように実現するかを理解するだろう。1つの実装では、独立したリフレッシュ方法は、メモリコントローラ120及び揮発性メモリ110を制御する制御ロジック又はプロセッサによって達成されうる。この制御ロジック又はプロセッサは、独立したモジュールとして実装されるか、あるいは例えばメモリコントローラ120のような別のコンポーネントの一部として統合されうることが理解されるべきである。図2は更に、指示されるリフレッシュ方法を実現するために使用することができる揮発性メモリ110の1つの実施例を示す。揮発性メモリ110は更に、バンクアドレスラッチ200、リフレッシュトリガ230、多くのリフレッシュ行カウンタ210a~d、及び多くのバンク220a~dを含む。メモリコントローラ120図1参照は、揮発性メモリ110に対して、自動リフレッシュモードに入り、例えば、バンク220b~dのような他のバンクをアクセスのために利用可能に保ちながら、例えばバンク220aのような揮発性メモリ110内の特定のバンクを自動リフレッシュモードに入るように命令することができる。自動リフレッシュサイクルを開始するために、メモリコントローラ120図1参照は、揮発性メモリ110へ自動リフレッシュコマンドを発行し、バンクアドレスラッチ200にバンクアドレス240をロードする。バンクアドレス240は、リフレッシュのために目標とされるバンク220a~dのうちの1つを識別するために使用される。バンクアドレス240もまた、リフレッシュされるバンクに関連した対応するリフレッシュ行カウンタを識別するために使用される。従って、バンクアドレスラッチ200に格納されたバンクアドレスと、対応するリフレッシュ行カウンタに格納された目標行アドレスによって、特定のバンクにおける特定の行が、リフレッシュのために識別される。リフレッシュ動作が行なわれた後、リフレッシュされたバンクに関連付けられたリフレッシュ行カウンタが、図示しない制御ロジックによってインクリメントされる。メモリコントローラ120は、リフレッシュされる具体的なバンクを知っているので、他のバンクへのアクセスは、中断することなく継続することができる。これは、不必要な行閉/開シーケンスを回避することにより、メモリデータバス利用度を最大にし、電力消費を低減し、転送レイテンシを最小にする。更に、バンク220a~dは、それら自身のリフレッシュ行カウンタ210a~dを持っているので、メモリカウンタ120は、具体的なバンクに対する独立したリフレッシュを記入する柔軟性を有している。言いかえれば、バンク220a~dは、互いに独立してリフレッシュすることができる。例えば、1つのインスタンスでは、メモリコントローラ120は、バンク220aを自動リフレッシュするために、揮発性メモリ110に対して自動リフレッシュコマンドを発行することができる。そして、バンク220a内の1つ又は複数の行は、バンク220aに関連付けられたリフレッシュ行カウンタ210aに格納された目標行アドレスから始まってリフレッシュされる。別のインスタンスでは、メモリコントローラ120は、異なるバンクであるバンク220cを自動リフレッシュするために、揮発性メモリ110に対して自動リフレッシュコマンドを発行する。その後、バンク220c内の1つ又は複数の行が、バンクに220cに関連付けられたリフレッシュ行カウンタ210cに格納された目標行アドレスから始まってリフレッシュされる。リフレッシュ行カウンタ210a,210cそれぞれにおいて格納された目標行アドレスは、同じ又は異なることに注目されるべきである。各バンクがそれぞれ独立してリフレッシュされることが可能になることによって、与えられたバンクが、自動リフレッシュコマンドを揮発性メモリ110に発行するためにアイドルである場合、メモリコントローラ120はその期間を利用することができる。これによって、予定前に、スケジュールに先立って、先行するリフレッシュが、アイドルなバンク上で実行されるようになる。結果的に、バンク220a~dの利用度は高められる。なぜなら、スケジュールされたリフレッシュは、バンク220a~dがアクティブである場合には、さほど頻繁には実行されないからである。一例において、バンク220aが、長期間アイドルである場合、更なる先行するリフレッシュが、バンク220aについて実行される。続いて、バンク220aのためにスケジュールされたリフレッシュが、バンク220aがアクティブである間、スキップされる。別の例では、バンク220bが、短期間アイドルである場合、メモリコントローラ120は、より少数の先行リフレッシュを開始することを選ぶかもしれない。スケジュールに先んじてリフレッシュする能力を持つことによって、バンク220a~dは、高データトラフィックの期間中、より効率的に動作することが可能となる。例えば、与えられたバンクが、スケジュールより進んだn個のリフレッシュであれば、メモリコントローラ120は、そのバンクに対してn個の規則的にスケジュールされたリフレッシュを発行するオーバヘッドを回避することができるが、その代りに、メモリアクセス動作を実行し続けることができる。これは、不必要な行閉/開シーケンスを回避することにより、メモリデータバス利用度を最大にし、電力消費を低減し、転送レイテンシを最小にする。更に、メモリコントローラ120は、自己リフレッシュモードに入るように揮発性メモリ110に命令するかもしれない。自己リフレッシュモードに入る場合、揮発性メモリ110は、バンクアドレスラッチ200内に格納された最も直近のバンクアドレスで始める。最も直近のバンクアドレスは、一般に、最新の自動リフレッシュ動作で使用されるバンクアドレスである。バンクアドレスラッチ200に現在格納されているバンクアドレスを使用することによって、揮発性メモリ110は、最後の自動リフレッシュ動作の後、メモリコントローラ120が終わったところで再開することができる。各自己リフレッシュ動作中、リフレッシュされる目標バンクは、バンクアドレスラッチ200内に現在格納されているバンクアドレスによって識別される。リフレッシュされることになっている目標バンクの具体的な行は、目標バンクに関連付けられたフレッシュ行カウンタに現在格納されている目標行アドレスによって更に識別される。従って、リフレッシュ動作は、目標バンクにおける具体的な行について実行することができる。更に、各自己リフレッシュ動作中、バンクアドレスラッチ200は、リフレッシュトリガ230によってインクリメントされる。バンクアドレスラッチ200をインクリメントすることによって、バンクアドレスは、リフレッシュされるべき次の目標バンクを識別するために更新される。更に、丁度リフレッシュされたバンクに関連したリフレッシュ行カウンタが、そのバンクのための更新された目標行アドレスを与えるために図示しない制御ロジックによってインクリメントされ、更新された目標行アドレスは、そのバンクがリフレッシュされるべき次の回に使用されるであろう。その後、次の自己リフレッシュ動作は、バンクアドレスラッチ200内の更新されたバンクアドレスと、更新されたバンクアドレスによって識別されるバンクに関連付けられた対応するリフレッシュ行カウンタとを用いて実行される。その結果、揮発性メモリ110が自己リフレッシュモードに入る場合、バンク220a~dは、それらの対応するリフレッシュ行カウンタ210a~dを用いて循環する。あるいは、揮発性メモリ110が自己リフレッシュモードに入る場合、全てのバンク220a~dは、対応するリフレッシュカウンタ210a~d内にそれぞれ格納された目標行アドレスを用いて同時にリフレッシュすることができる。全てのバンク220a~dの同時リフレッシュ、及びリフレッシュ行カウンタ210a~dの関連動作は、図示しない制御ロジックによって達成される。本明細書によって提示された開示及び教示に基づいて、当該技術における通常の熟練者であれば、本開示で開示された概念に従って、どのようにして同時リフレッシュを達成するのかを理解するであろう。ここで開示された実施例に関連して記述された方法やアルゴリズムは、制御ロジック、プログラミング命令、又はその他の命令の形態で、ハードウェアや、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールや、これらの組み合わせによって直接的に具現化される。ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD-ROM、あるいは当該技術分野で知られているその他の型式の記憶媒体に収納されうる。記憶媒体は、プロセッサがそこから情報を読み取り、またそこに情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。または、記憶媒体はプロセッサに統合されうる。開示された実施例における上述の記載は、当該技術分野におけるいかなる人であっても、本発明の活用または使用を可能とするように提供される。これらの実施例への様々な変形例もまた、当該技術分野における熟練者に対しては明らかであって、ここで定義された一般的な原理は、本発明の主旨または範囲を逸脱せずに他の実施例にも適用されうる。このように、本発明は、ここで示された実施例に制限されるものではなく、特許請求の範囲に一致した全範囲に相当するものを意図している。特許請求の範囲では、単数形の要素に対する参照は、具体的に述べられていないのであれば、1つ及び1つのみではなく、1つ又は複数のを意味するように意図されている。本開示の全体にわたって記載され、当該技術における通常の熟練者に知られているか、あるいは後に知られるようになる様々な実施例の要素への構造的及び機能的な全ての等価物は、参照によって本明細書に明らかに組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されるように意図される。更に、本明細書に記載された何れも、特許請求の範囲で明示的に記載されているかに関わらず、公衆に放棄されるように意図されていない。特許請求の範囲の要素が、用語meansfor、又は方法特許の場合には、用語stepforを用いて明確に記載されていないのであれば、どの要素も35U.S.C112条、第6パラグラフのもとで解釈されるものではない。"