"一対の電極と、該電極間に設けられた活性層とを有し、該活性層に式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する光電変換素子。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。活性層が、さらに電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む請求項1に記載の光電変換素子。一対の電極と、該電極間に設けられた活性層と有機層とを有し、活性層に式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有し、有機層に電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含む請求項1に記載の光電変換素子。電子供与性化合物が高分子化合物である請求項2又は3に記載の光電変換素子。電子受容性化合物が、フラーレン又はフラーレン誘導体である請求項2又は3に記載の光電変換素子。式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物が、さらに式IIで表される繰り返し単位を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の光電変換素子。II式中、C’は、置換されていてもよいアリーレン基、2価の複素環基、2価の芳香族アミン残基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表す。ただし、C’は式Iで表される基とは異なる。第1の化合物と、第1の化合物とは異なる第2の化合物とを含み、第1の化合物が、式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物であり、第2の化合物が、電子受容性化合物又は電子供与性の高分子化合物である組成物。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。第1の化合物の重量平均分子量が10000以上である請求項7に記載の組成物。第1の化合物が、さらに式IIで表される繰り返し単位を含む請求項7又は8に記載の組成物。II式中、C’は、置換されていてもよいアリーレン基、2価の複素環基、2価の芳香族アミン残基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表す。ただし、C’は式Iで表される基とは異なる。電子受容性化合物が、フラーレン又はフラーレン誘導体である請求項7~9のいずれか一項に記載の組成物。第1の化合物と、第1の化合物とは異なる第2の化合物とを含み、第1の化合物が、重量平均分子量が10000以上の式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物であり、第2の化合物が、電子受容性化合物又は電子供与性化合物である組成物。III式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。第1の化合物が、さらに式IVで表される繰り返し単位を含む請求項11に記載の組成物。IV式中、C’’は、置換されていてもよいアリーレン基、2価の複素環基、2価の芳香族アミン残基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表す。ただし、C’’は式IIIで表される基とは異なる。電子供与性化合物が高分子化合物である請求項11又は12に記載の組成物。電子受容性化合物が、フラーレン又はフラーレン誘導体である請求項11又は12に記載の組成物。請求項11~14のいずれか一項に記載の組成物と溶媒とを含む溶液。溶媒が、炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒又はエーテル溶媒である請求項15に記載の溶液。溶媒の表面張力が15mN/m~100mN/mである請求項15又は16に記載の溶液。一対の電極と、該電極間に設けられた活性層とを有する光電変換素子の製造方法であって、式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する層に、Y’で表される2価の基を脱離する処理を行い、式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する活性層を形成する工程を有する光電変換素子の製造方法。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。III式中、Y’は2価の基を表す。R1、R2、n及びmは、前述と同じ意味を表す。請求項18に記載の光電変換素子の製造方法で製造された光電変換素子。請求項1~6、19のいずれか一項に記載の光電変換素子を含むイメージセンサー。有機薄膜太陽電池である請求項1~6、19のいずれか一項に記載の光電変換素子。請求項21に記載の有機薄膜太陽電池を含む太陽電池モジュール。しかしながら、上記光電変換素子の特性は十分ではなく、新規な光電変換素子が求められていた。即ち、本発明は第一に、一対の電極と、該電極間に設けられた活性層とを有し、該活性層に式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する光電変換素子を提供する。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。本発明は第二に、第1の化合物と、第1の化合物とは異なる第2の化合物とを含み、第1の化合物が、式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物であり、第2の化合物が、電子受容性化合物又は電子供与性の高分子化合物である組成物を提供する。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。本発明は第三に、第1の化合物と、第1の化合物とは異なる第2の化合物とを含み、第1の化合物が、重量平均分子量が10000以上の式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物であり、第2の化合物が、電子受容性化合物又は電子供与性化合物である組成物を提供する。III式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。本発明は第四に、前記組成物と溶媒とを含む溶液を提供する。本発明は第五に、一対の電極と、該電極間に設けられた活性層とを有する光電変換素子の製造方法であって、式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する層に、Y’で表される2価の基を脱離する処理を行い、式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する活性層を形成する工程を有する光電変換素子の製造方法を提供する。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。III式中、Y’は2価の基を表す。R1、R2、n及びmは、前述と同じ意味を表す。本発明は第六に、前記光電変換素子を含むイメージセンサーを提供する。本発明は第七に、有機薄膜太陽電池である前記光電変換素子を提供する。本発明は第八に、前記有機薄膜太陽電池を含む太陽電池モジュールを提供する。本発明は、特性が高い新規な光電変換素子を提供するため、極めて有用である。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の光電変換素子は、一対の電極と、該電極間に設けられた活性層とを有し、該活性層に式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する。I式中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。式I中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。該置換基は、炭素数1~30の基が好ましい。置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1~30のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などの炭素数1~30のアルコキシ基、チエニル基などのヘテロアリール基、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6~30のアリール基が挙げられる。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。n及びmは、0であることが好ましい。式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物が、さらに式IIで表される繰り返し単位を含むことが好ましい。II式中、C’は、置換されていてもよいアリーレン基、2価の複素環基、2価の芳香族アミン残基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表す。ただし、C’は式Iで表される基とは異なる。ここで、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団である。アリーレン基に含まれる芳香環を構成する炭素数は、通常、6~60であり、好ましくは6~20である。芳香族炭化水素としては、ベンゼン環を含む化合物、縮合環を含む化合物、独立したベンゼン環又は縮合環のうち2個以上の環が直接結合した構造を含む化合物又はビニレン等の基を介して結合した構造を含む化合物も含まれる。2価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいう。2価の複素環基に含まれる環を構成する炭素数は通常3~60である。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素に炭素原子と酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子とを含む化合物をいう。2価の複素環基の中でも、ヘテロアリーレン基が好ましい。置換されていてもよいアリーレン基の例としては、式1~式41、式131~式135で表される基が挙げられる。ヘテロアリーレン基の例としては、式42~式130、式136~式138で表される基が挙げられる。式1~式138中、Rは、水素原子又は置換基を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Rが置換基である場合、置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、チエニルなどのヘテロアリール基が挙げられる。置換基がアルキル基又はアルコキシ基である場合、置換基の炭素数は1~20であることが好ましく、1~14であることがより好ましく、6~14であることがさらに好ましい。式120及び式122中、X2は=CH-又は窒素原子を表す。2価の芳香族アミン残基とは、窒素原子に3個の芳香族基が結合した芳香族アミン化合物から、異なる2個の芳香環上の水素原子を各々1個取り除いた基である。2価の芳香族アミン残基の例としては、式139、式140で表される基が挙げられる。式中、Rは前述と同じ意味を表す。アルケニレン基としては、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等が挙げられる。アルキニレン基としては、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基等が挙げられる。式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物は、光電変換効率の観点からは、繰り返し単位として式112で表される基を含むことが好ましい。本発明における高分子化合物とは、重量平均分子量が3×103以上の化合物を指す。式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物の重量平均分子量は、3×103~1×107であることが好ましい。重量平均分子量が3×103以上であると、デバイス作製時の膜形成において、膜中の欠陥の発生が抑制される。重量平均分子量が1×107以下であると、溶媒への溶解性や素子作製時の塗布性が高くなる。重量平均分子量は、8×103~5×106であることがより好ましく、1×104~1×106であることが特に好ましい。デバイス作製時の膜形成において、膜中の欠陥の発生が抑制する観点からは、10000以上が好ましい。式Iで表される繰り返し単位を含む高分子化合物の数平均分子量は、1×103~1×108であることが好ましく、2×103~1×107であることがより好ましい。数平均分子量が1×103以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。一方、1×108以下である場合には、高分子化合物の溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。なお、本発明における重量平均分子量及び数平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCを用い、ポリスチレンの標準資料を用いて算出したポリスチレン換算の重量平均分子量及びポリスチレン換算の数平均分子量を指す。式東京化成工業社製を20.16g60.00mmol、無水マレイン酸を20.59g、及び、トルエンを250mL加え、室温で30分間アルゴンバブリングを行った。この時、化合物C-1はトルエンに対して不溶であり、反応系中は不均一であった。オイルバス温度を120°Cにして、反応液を3.5時間還流させることにより、Diels-Alder反応が進行し、反応系内は均一溶液となった。その後、反応液にメタノール20mLを30分おきに5回計100mL加え、3時間加熱環流させることで、無水物が開環したモノエステル体を得た。その後、反応液に濃硫酸1gを3時間おきに2回加え、6時間加熱環流させた。エバポレータを用いて反応液中の溶媒を除去した後、ヘキサン200mLを加え、室温で1時間撹拌することで、無水マレイン酸を除去した。反応液にメタノール200mLを加え、濃硫酸1gを3時間おきに2回加え、6時間加熱環流させた後、反応液を濾過して不溶物を取り除いた。クロロホルムを展開溶媒に用いたカラムで反応液の分離を行い、分離物をヘキサンで再沈殿を行い、無色粉末のアントラセンの架橋体化合物C2を25.17g得た。得られた化合物の1HNMRシフト値は、318350452718727745を示し、目的物の生成を確認した。参考例2化合物C-3の合成四つ口フラスコに、化合物C-2を4.802g、ビスピナコラートジボロンを10.16g及びジオキサンを150mL加え、室温25°Cでアルゴンガスを用いて四つ口フラスコ中をバブリングした。1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムを408.3mg、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセンを277.2mg及び酢酸カリウムを3.926g加えた後、反応液を7時間加熱環流させた。反応後。液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。フィルターを用いて反応液に難溶である塩基を分離した。反応液をエバポレータで30分程乾燥させ、溶媒を取り除いた。参考例1と同様の方法で、反応液をカラムで分離した後、分離物を少量のアセトンに溶解させ、メタノールを加えて撹拌し、少量の水を加えていくことで、化合物C-2のビスピナコールエステル体化合物C-3を3.50g得た。化合物C-3の収量は60.9であり、液体クロマトグラフィーから求めたHPLC面百値による純度は、97.5であった。得られた化合物の1HNMRシフト値は、、317、348、458、728、750、767を示し、目的物の生成を確認した。参考例3高分子化合物1の合成フラスコ内の気体をアルゴンで置換した200mLフラスコに、化合物C-3を287.1mg、化合物D-1を229.1mg、トルエンを10mL及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド商品名Aliquat336登録商標、アルドリッチ社製を60.6mg0.15mmolを入れて均一溶液とし、25°Cで30分間アルゴンバブリングを行った。反応液を90°Cに昇温後、酢酸パラジウムを0.67mg化合物D-1に対して1mol、トリスホスフィンを3.70mg化合物D-1に対して3.5molを加えた。その後、反応液を100°Cで攪拌しながら、16.7重量wtの炭酸ナトリウム水溶液1.90g3.00mmolを10分かけて滴下した。4時間後、反応液にフェニルホウ酸を3.66mg0.03mmol、酢酸パラジウムを0.67mg化合物D-1に対して1mol、トリスホスフィンを3.70mg化合物D-1に対して3.5mol加え、さらに1時間攪拌した後、反応を停止した。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム2gと水20mLを加え、2時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水20mlで2回、3wtの酢酸水溶液20mLで2回、さらに水20mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをo-ジクロロベンゼン30mLに再度溶解し、アルミナ/シリカゲルカラムに通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した高分子化合物1を60mg得た。GPCで測定した高分子化合物1のポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量Mwが13,000であり、数平均分子量Mnが4,000であった。参考例4高分子化合物2の合成化合物D-1にかえて化合物D-2を用いた以外は実施例2と同様に重合し、高分子化合物2を得た。GPCで測定した高分子化合物2のポリスチレン換算の分子量は、Mwが94,000であり、Mnが60,000であった。参考例5高分子化合物3の合成化合物D-1にかえて化合物D-3を用いた以外は実施例2と同様に重合し、高分子化合物3を得た。GPCで測定した高分子化合物3のポリスチレン換算の分子量は、Mwが28,000であり、Mnが20,000であった。参考例6吸収波長の測定高分子化合物1をオルトジクロロベンゼンに2重量の濃度で溶解させ、溶液を作製した。該溶液をガラス板上に塗布し、50~100nmの厚みの薄膜を形成し、該薄膜の吸収波長を測定した。次いで、窒素雰囲気下で、該薄膜を形成したガラス板を250~300°Cで1時間熱処理した。熱処理後のガラス板上の薄膜の吸収スペクトルを測定した。熱処理前の高分子化合物1の吸収波長のスペクトルは530nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物1の吸収波長のスペクトルは580nmに極大値を有していた。参考例7吸収波長の測定高分子化合物1にかえて高分子化合物2を用いた以外は、参考例2と同様に高分子化合物の吸収波長を測定した。熱処理前の高分子化合物2の吸収波長のスペクトルは525nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物2の吸収波長のスペクトルは550nmに極大値を有していた。参考例8吸収波長の測定高分子化合物1にかえて高分子化合物3を用いた以外は、参考例2と同様に高分子化合物の吸収波長を測定した。熱処理前の高分子化合物3の吸収波長のスペクトルは440nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物3の吸収波長のスペクトルは570nmに極大値を有していた。実施例1有機薄膜太陽電池の作製、評価スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板を、オゾンUV処理して表面処理を行った。次に、高分子化合物1及びフラーレンC60PCBMフェニルC61-酪酸メチルエステルphenylC61butyricacidmethylester、フロンティアカーボン社製を、高分子化合物1の重量に対するC60PCBMの重量の比が3となるようにオルトジクロロベンゼンに溶解し、インク1を製造した。インク1の重量に対して、高分子化合物1の重量とC60PCBMの重量の合計は2.0重量であった。該インク1をスピンコートによりガラス基板上に塗布し、高分子化合物1を含む有機膜を作製した。膜厚は約100nmであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ2nmで蒸着し、次いでAlを厚さ100nmで蒸着し、有機薄膜太陽電池を製造した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーターを用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Jsc短絡電流密度は0.30mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.96Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.30であり、光電変換効率ηは0.086であった。結果を表1に示す。実施例2有機薄膜太陽電池の作製、評価高分子化合物1にかえて高分子化合物2を用いた以外は、実施例1と同様の方法で有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Jsc短絡電流密度は0.39mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.73Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.24であり、光電変換効率ηは0.068であった。結果を表1に示す。実施例3有機薄膜太陽電池の作製、評価高分子化合物1にかえて高分子化合物3を用いた以外は、実施例1と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Jsc短絡電流密度は0.19mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.29Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.27であり、光電変換効率ηは0.015であった。結果を表1に示す。表1光電変換素子評価結果"