"酸化ケイ素を含む基体を提供し;水、研磨剤および式I式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立してC1-4アルキル基から選択されるの物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;化学機械研磨組成物に含まれる式Iの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し;並びに、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;ことを含む、基体の化学機械研磨方法。研磨剤がコロイダルシリカである請求項1に記載の方法。研磨剤が10~200nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカである請求項1に記載の方法。化学機械研磨組成物が、200mm研磨装置において、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリア速度、200ml/分の化学機械研磨組成物流速、20.7kPaの名目ダウンフォースで、2,000Å/分以上の酸化ケイ素除去速度を示し;ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項3に記載の方法。下記式の少なくとも一方iA-A0/A0×100≧5;iiA-A0/A0×100≧10、ここで、Aは前記化学機械研磨組成物を使用してÅ/分で測定した酸化ケイ素の除去速度であり、A0は式Iの物質が存在しないことを除いて同じ条件下でÅ/分で測定した酸化ケイ素の除去速度であるを満足させる請求項4に記載の方法。基体がさらにSi3N4を含み、かつ化学機械研磨配合物が式II式中、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を当初成分としてさらに含む、請求項1に記載の方法。R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれについて、nが1~4から独立に選択される整数である請求項6に記載の方法。R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれについて、nが2~4から独立に選択される整数である請求項6に記載の方法。式Iの物質がベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドであり、式IIの物質がジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸である、請求項6に記載の方法。式Iの物質がベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドであり、式IIの物質がビスヘキサメチレントリアミン-ペンタキスメチルホスホン酸である、請求項6に記載の方法。にもかかわらず、半導体システムの製造における使用のためのデバイス設計の動的な分野をサポートするために、設計ニーズの変更に適合する研磨特性の望まれるバランスを提供するように配合される化学機械研磨組成物についての継続した必要性が存在している。例えば、低ディフェクトの誘電体研磨性能、適合した酸化ケイ素除去速度、並びに窒化ケイ素と酸化ケイ素との間の適合した除去速度選択性を示す化学機械研磨組成物についての必要性が存在している。本発明は、酸化ケイ素を含む基体を提供し;水、研磨剤および式I式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立してC1-4アルキル基から選択されるの物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;化学機械研磨組成物に含まれる式Iの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し;並びに、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;ことを含む、基体の化学機械研磨方法を提供する。本発明は、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;水、研磨剤、式I式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立してC1-4アルキル基から選択されるの物質、および式II式中、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;化学機械研磨組成物に含まれる式Iの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し;並びに、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;ことを含む、基体の化学機械研磨方法も提供する。本発明の化学機械研磨方法は酸化ケイ素を含む基体を研磨するのに有用である。本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物は、二酸化ケイ素速度増大量の式I式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立してC1-4アルキル基から選択され;アニオンはあらゆる好適なアニオンであり得るの物質を含む。化学機械研磨組成物に式Iの物質を添加することによりもたらされる酸化ケイ素の除去速度Å/分で測定された除去速度についてを記載するための、本明細書および特許請求の範囲において使用される用語増大した酸化ケイ素除去速度は、以下の表現を満足させることを意味する:A>A0ここで、Aは、実施例において説明される研磨条件下で測定して、本発明の方法に使用される式Iの物質を含む化学機械研磨組成物についての、Å/分単位での酸化ケイ素除去速度であり;A0は式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られたÅ/分単位での酸化ケイ素除去速度である。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に式Iの物質を添加することを通じて得られるディフェクト性能を記載するための、本明細書および特許請求の範囲において使用される用語改善した研磨ディフェクト性能improvedpolishingdefectivityperformanceは、以下の表現を満足させることを意味する:X<X0ここで、Xは、実施例において説明される研磨条件下で測定して、本発明の方法に使用される式Iの物質を含む化学機械研磨組成物についてのディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチであり;並びに、X0は式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られるディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチである。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる水は、付随的な不純物を制限するために好ましくは脱イオンおよび蒸留の少なくとも一方がなされる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は0.1~40重量の研磨剤、好ましくは5~25重量の研磨剤を含む。使用される研磨剤は好ましくは200nm以下;より好ましくは75~150nm;最も好ましくは100~150nmの平均粒子サイズを有する。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物における使用に好適な研磨剤には、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子および前記の少なくとも1種を含む混合物が挙げられる。好適な無機酸化物には、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2、セリアCeO2、酸化マンガンMnO2、酸化チタンTiO2もしくは前記酸化物の少なくとも1種を含む組み合わせ物が挙げられる。所望の場合には、これら無機酸化物の修飾された形態、例えば、有機ポリマーコーティングした無機酸化物粒子、および無機コーティングした粒子も利用されうる。好適な金属炭化物、ホウ化物および窒化物には、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンカルボニトリドSiCN、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、または前記金属炭化物、ホウ化物および窒化物の少なくとも1種を含む組み合わせ物が挙げられる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物における使用に好ましい研磨剤はコロイダルシリカである。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは沈降シリカおよび凝集シリカの少なくとも1種を含む。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは200nm以下、より好ましくは75~150nm、最も好ましくは100~150nmの平均粒子サイズを有し、化学機械研磨組成物の0.1~40重量、好ましくは5~25重量の割合を占める。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、好ましくは、当初成分として、0.001~5重量の式I式中、R1、R2およびR3はそれぞれ独立してC1-4アルキル基、好ましくはC1-2アルキル基、最も好ましくはメチル基から選択され;並びに、アニオンはあらゆる好適なアニオン、好ましくはヒドロキシドおよびハロゲンから選択されるアニオン、より好ましくはヒドロキシドであることができるの物質を含む。ある好ましい用途においては、化学機械研磨組成物は場合によっては、当初成分として、0.001~1重量、より好ましくは0.1~1重量、最も好ましくは0.1~0.3重量の式Iの物質を含む。最も好ましくは、式Iの物質はベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドである。場合によっては、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、当初成分として、式II式中、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質をさらに含む。好ましくは、nはR4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれについて1~4から独立に選択される整数である。より好ましくは、nはR4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10のそれぞれについて2~4から独立に選択される整数である。最も好ましくは式IIの物質は、下記式:を有するジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸、および下記式:を有するビスヘキサメチレントリアミン-ペンタキスメチルホスホン酸から選択される。場合によっては、式IIの物質における窒素の1以上は第四級形態で提供されることができ、第四級形態においては窒素は正電荷を有する。場合によっては、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は当初成分として0.001~5重量の式IIの物質を含む。場合によっては、化学機械研磨組成物は当初成分として0.001~1重量、より好ましくは0.1~1重量、最も好ましくは0.1~0.3重量の式IIの物質を含む。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物への式IIの任意物質の組み込みは、基体が酸化ケイ素と共に窒化ケイ素をさらに含む用途における使用のための、酸化ケイ素と窒化ケイ素との間の除去速度選択性の調節を容易にする。場合によっては、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、分散剤、界面活性剤、緩衝剤、消泡剤および殺生物剤から選択される追加の添加剤をさらに含む。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は7以上、好ましくは7~12、より好ましくは10~11のpHを有する。使用される化学機械研磨組成物は無機および有機pH調節剤を含むことができる。場合によっては、pH調節剤は無機酸または塩基例えば、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、硫酸カリウム、および水酸化カリウムから選択される。本発明の化学機械研磨方法で研磨される基体は酸化ケイ素を含む。基体中の酸化ケイ素は、当該技術分野において知られているあらゆる好適な酸化ケイ素材料;例えば、ボロホスホシリケートガラスBPSG、プラズマエッチplasma-etchedテトラエチルオルトシリケートPETEOS、熱酸化物、未ドープシリケートガラス、高密度プラズマHDPオキシドであることができる。場合によっては、本発明の化学機械研磨方法において研磨される基体は窒化ケイ素をさらに含む。基体における窒化ケイ素は、存在する場合には、当該技術分野において知られているあらゆる好適な窒化ケイ素材料;例えば、Si3N4であることができる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨パッドは当該技術分野において知られているあらゆる好適な研磨パッドであることができる。化学機械研磨パッドは、場合によっては、織物研磨パッドおよび不織研磨パッドから選択されうる。化学機械研磨パッドは、様々な密度、硬さ、厚み、圧縮性、および弾性率のあらゆる好適なポリマーから製造されうる。化学機械研磨パッドは、望まれる場合には、溝を付けられ、穴あけされうる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる式Iの物質最も好ましくは、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドは酸化ケイ素の除去速度オングストローム/分Å/分で測定してを増大させる。酸化ケイ素の除去速度の相対的増大ΔAをΔA=A-A0/A0として定義する場合には、AおよびA0は、化学機械研磨組成物中への式Iの物質の添加を伴うAおよび伴わないA0研磨組成物を使用してÅ/分で測定した酸化ケイ素の除去速度を表す。本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物における式Iの物質最も好ましくは、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドの組み込みは、酸化ケイ素除去速度の好ましくは5以上、より好ましくは10以上の増大をもたらす。すなわち、下記式全て、実施例において説明される研磨条件下で測定しての少なくとも一方を好ましくは満足させる:iA-A0/A0×100≧5;およびiiA-A0/A0×100≧10。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる式Iの物質最も好ましくはベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドは、改善した研磨ディフェクト性能をもたらす。好ましくは、化学機械研磨組成物への当初成分としての式Iの物質の組み込みは、実施例において説明される研磨条件下で測定して、研磨ディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチについて50以上;より好ましくは60以上;最も好ましくは70以上の低減をもたらす。すなわち、下記式の少なくとも1つを好ましくは満足させる:iX0-X/X×100≧50;iiX0-X/X×100≧60;およびiiiX0-X/X×100≧70;ここで、Xは、実施例において説明される研磨条件下で測定した、本発明の方法に使用される式Iの物質を含む化学機械研磨組成物についての研磨ディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチであり;および、X0は式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られた研磨ディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチである。望ましくは、本発明の化学機械研磨方法においては、式Iの物質最も好ましくはベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドを含む化学機械研磨組成物は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、5以上;より好ましくは10以上の酸化ケイ素の除去速度の相対的増大ΔAを示す。さらにより好ましくは、本発明の化学機械研磨方法においては、式Iの物質最も好ましくはベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドを含む化学機械研磨組成物は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、5以上;より好ましくは10以上の酸化ケイ素の除去速度の相対的増大ΔAを示し;同時に、研磨ディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチについて50以上、より好ましくは60以上、最も好ましくは70以上の低減を示す。最も好ましくは、本発明の化学機械研磨方法においては、式Iの物質最も好ましくはベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドを含む化学機械研磨組成物は実施例において説明される研磨条件下で測定して、酸化ケイ素の除去速度について10以上の相対的増大ΔA、および研磨ディフェクトすなわち、CMP/フッ化水素後のスクラッチについて70以上の低減を示す。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、低い名目研磨パッド圧力、例えば、3~35kPaでの操作を可能にする。この低い名目研磨パッド圧力はスクラッチおよび他の望まれない研磨ディフェクトを低減させることにより研磨性能を改善させ、かつ脆い材料に対する損傷を最小限にする。ここで、以下の実施例において、本発明のいくつかの実施形態が詳細に説明される。実施例1化学機械研磨組成物試験された化学機械研磨組成物CMPCが表1に記載される。化学機械研磨組成物A~Dは比較配合物であり、これらは請求項に特定される発明の範囲内にはない。ξ:アルドリッチから入手可能なジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸Ψ:アルドリッチから入手可能なビスヘキサメチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸£:ザダウケミカルカンパニーから入手可能でAZエレクトロニックマテリアルズにより製造されているクレボソールKlebosol登録商標1630コロイダルシリカχ:ザダウケミカルカンパニーから入手可能でAZエレクトロニックマテリアルズにより製造されているクレボソールKlebosol登録商標1630Nコロイダルシリカ:HNO3またはKOHを用いて、必要に応じて組成物のpHは調節された。実施例2研磨試験200mmブランケットTEOS誘電体ウェハを用いて表1に記載された化学機械研磨組成物が試験された。ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を含む研磨パッドすなわち、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズCMPインコーポレイテッドから市販されているIC1010商標研磨パッドを使用して、実施例における全てのブランケットウェハを研磨するために、アプライドマテリアルズミラAppliedMaterialsMirra登録商標CMP研磨プラットフォームが使用された。全ての実施例において使用された研磨条件は、93rpmのプラテン速度;87rpmのキャリア速度;200ml/分の研磨媒体流速;および20.7kPaのダウンフォースであった。それぞれの研磨実験についての除去速度は表2に提供される。この除去速度は研磨前膜厚および研磨後膜厚から計算されたことに留意されたい。具体的には、除去速度はKLA-Tencorから入手可能なSpectraFX200光学薄膜計測システムを用いて決定された。表2に報告されるディフェクト性能は研磨後Pst-CMPまたは研磨後フッ化水素洗浄後Pst-HFのいずれかで走査型電子顕微鏡を用いて決定された。Pst-HF洗浄後の全てのTEOSウェハはKLA-Tencorから入手可能なサーフスキャンSurfscan登録商標SP1ディフェクト検査システムを用いて検査された。ウェハ上のディフェクトの座標を含むこのディフェクトの情報はKLARFKLA結果ファイルに記録され、次いでこの記録は、KLA-Tencorから入手可能なeDR-5200ディフェクト評価システム伝達された。100個のディフェクト像のランダムサンプルが選択され、eDR-5200システムで評価された。これら100個の像は様々なディフェクトの種類、例えば、チャターマークchattermarksスクラッチ、粒子およびパッドデブリに分類された。これら100個の像からの分類結果に基づいて、ウェハ上のスクラッチの総数が決定された。"