半導体材料の堆積中のパーティクル生成を最小限化する方法であって、aSiH2Cl2およびGeCl4を含む雰囲気中に基板を設けるステップと、b基板上にx≧0.02であるSi1-xGex層を堆積させるステップであって、該Si1-xGex層のパーティクル密度が、約0.3パーティクル/cm2未満であるステップとを含む、方法。追加のSi1-xGex層を堆積させることをさらに含み、続いて堆積させたSi1-xGex層のGe含有量が増加している、請求項1に記載の方法。前記の続いて堆積させたSi1-xGex層が、パーティクル密度が約0.3パーティクル/cm2未満である傾斜Si1-xGex層を含む、請求項2に記載の方法。前記Si1-xGex層を、約600°Cを超える温度で堆積させる、請求項1に記載の方法。前記Si1-xGex層を、約1100°Cを超える温度で堆積させる、請求項1に記載の方法。前記傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量が、x>0.20となる値を有している、請求項3に記載の方法。傾斜Si1-xGex層上に設けられた薄い歪み半導体層を設けることをさらに含む、請求項3に記載の方法。前記薄い歪み半導体層が、Si、GeおよびSiGeからなる群から選択される、請求項7に記載の方法。前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より大きな率で増加しており、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が約1×106/cm2未満となる、請求項2に記載の方法。前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より小さな率で増加しており、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が約1×106/cm2未満となる、請求項3に記載の方法。前記Si1-xGex層の堆積速度が、1分当たり約0.3ミクロンより大きい、請求項1に記載の方法。したがって、SiGe層の堆積時、特に高いGe含有量のSiGe層におけるパーティクル欠陥生成を最小限化する、半導体基板上で緩和SiGe層を製造する方法を提供することが望ましい。上記課題の解決手段の1つは、特にxの値が0.15より大きいSi1-xGex層を製造する場合、ガスの化学的性質に変化を加えることであり、これにより、反応器壁部上での堆積を減少させる。したがって、より高温で分解するゲルマニウム前駆体を使用することが望ましい。SiGe層成長に関する主な問題は、ゲルマンガスの分解温度が低いことであるので、本発明は、ゲルマンより高い分解温度を有するゲルマニウム前駆体、例えばハロゲン化ゲルマニウムを使用する。この方法では、前駆体の堆積温度を、極めて高い成長速度を高い成長温度で達成しながらも、過剰な反応器の被覆物およびパーティクル欠陥の導入を最小限に抑えることのできるように最適化が行われるよう選択することができる。ハロゲン化ゲルマニウムは、GeCl4またはGeHCl3またはGeH2Cl2のようなゲルマニウム-塩素を含有している物質、GeF4のようなゲルマニウム-フッ素を含油している物質、GeBr4のようなゲルマニウム-臭素を含有している物質、GeI4のようなゲルマニウム-ヨウ素を含有している物質、ならびにGeAt4のようなゲルマニウム-アスタチンを含有している物質を含む。さらに、ゲルマンより高い分解温度を有する、上記のゲルマニウムのハロゲン化物の他のあらゆる組合せ、例えばGeClBr3、またはより一般には、ゲルマニウム-ハロゲン1x-ハロゲン2y[式中、xy=4]をゲルマニウム前駆体として使用することができる。これらの前駆体は、ゲルマンとは異なり、800°Cを超える成長温度で厚い緩和SiGe層を成長させるために使用でき、これにより、過剰な反応器壁部の被覆物が生成されることもなく、パーティクル欠陥が形成されることもない。これらの前駆体は、気体状態または液体状態で使用することができる。液体状態の前駆体の場合には、典型的には、この液体に水素キャリアを泡立つように通し、その液体からの蒸気を反応器内へ導入する。よって、典型的には、この前駆体は、反応器内部では気体状態になっている。ハロゲン化ゲルマニウム前駆体は、典型的なあらゆるシリコン前駆体、例えばSiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4と組み合わせることができる。この手段の別の利点は、高い成長温度によって緩和傾斜層内で小さな貫通転位密度が得られることである。したがって、異なるゲルマニウムの前駆体を使用することによって、緩和SiGe層中の欠陥密度が低減される。一般に、一実施態様では、本発明は、傾斜Si1-xGex層を半導体材料上に堆積させる際のパーティクル欠陥生成を最小限にする方法を特徴としている。この方法は、Si前駆体およびGe前駆体を含む雰囲気中に基板を設け、この場合、このGe前駆体例えば、ハロゲン化ゲルマニウムは、ゲルマンより高い分解温度を有しており、約0.15より大きな最終Ge含有量および基板上での約0.3パーティクル/cm2より小さなパーティクル密度を有する傾斜Si1-xGex層を堆積させることを含む。本発明の前記態様は、約600°Cより高い温度で傾斜Si1-xGex層を堆積させることを含む。いくつかの態様では、Si1-xGex層を、800°Cを超える温度で堆積させる。さらに別の態様では、Si1-xGex層を、1000°Cを超える温度で堆積させ、好ましくは、1100°Cを超える温度で堆積させる。別の態様では、傾斜Si1-xGex層は0.2より大きな最終Ge含有量を有している、つまりx>0.2である。別の態様では、最終Ge含有量は、1.0に実質的に等しい。上述の方法を用いて形成される堆積Si1-xGex層は、特定の成長条件下で0.3ミクロン/分を超える堆積速度で成長する。堆積速度は3.0ミクロン/分を超える場合もある。別の態様では、例えば直流DCで生成される低エネルギープラズマアーク放電を反応器中で利用し、これにより、反応速度、ひいてはSi1-xGex層の成長速度を増大させる。低エネルギープラズマ放電を容易にするために、ArまたはH2のようなガスを使用することもできる。本発明を実施するのに役立つ低エネルギープラズマ反応器は、スイスのPfaeffikonに本社のあるUnaxisで製造されたCLUSTERLINE登録商標LEPを含む。別の態様では、本発明は、傾斜Si1-xGex層を半導体材料上に堆積させる際のパーティクル欠陥生成を最小限にする方法に関し、この方法では、堆積またはエッチング反応の逆反応によって、分解が起こっている間に、望ましくない堆積物が反応チャンバの壁部から除去される。この方法は、Si前駆体、Ge前駆体およびエッチャントガスを含む雰囲気中で基板を設けることを含む。反応器壁部の望ましくない堆積物の除去は、ハロゲン化物エッチャント種例えば、GeCl4の分解から生成したHClを、ハロゲン化シリコン種またはハロゲン化ゲルマニウム種の分解による副生成物として導入することによって行われる。さらに、ハロゲン化水素によって、水素種のみを使用するよりずっと速い速度が得られる。別の態様では、エッチャントガス例えば、HCl、HBr、HFもしくはHI、またはハロゲン化物のみ、Cl2、Br2、F2もしくはI2を、共に吹き込むかまたは導入つまり、エッチャントガスを少なくともSiGeの部分的な堆積中に存在させるすることができ、これにより、反応チャンバ壁部の望ましくない堆積物の蓄積が減少する。別の態様では、本発明は、上記方法を用いて形成された半導体材料に関する。この半導体材料は、高温および高い堆積速度で形成されており、かつこの材料は高品質、つまり約0.3パーティクル/cm2より小さな欠陥レベルおよび約1×106/cm2より小さな貫通転位密度を有するので、商業的に製造することが可能である。別の態様では、本発明は、SiH2Cl2およびGeCl4の雰囲気中に基板を設けるステップと、基板上にSi1-xGex層を堆積させるステップとを含む方法に関する。堆積されたSi1-xGex層では、xの値は0.02以上であり、また、この層は、約0.3パーティクル/cm2より小さなパーティクル密度を有している。本発明を、好ましい例示的な実施態様に基づき、添付の図面と関連づけて、本発明のさらなる利点と共に以下の詳細な説明において記述する。図面では、同様の参照符号は、一般的には、異なる図面においても同じ部材を表す。また、これらの図面は、必ずしも一定の比率で描かれているわけではなく、本発明の図示の理念に基づき誇張されている。図1に、様々なシリコン前駆体、SiH4102、SiH2Cl2104、SiHCl3106およびSiCl4108に対するシリコンの成長速度と温度との関係を表したグラフを示す。このグラフより、2つの明確な成長の型が分かる。低温では、成長速度は温度によって指数関数的に変化し、成長は反応速度によりもしくは速度論的に制限される。高温では、成長速度は温度にあまり依存せず、成長は物質輸送または拡散によって制限される。エピタキシャル層は、典型的には、成長中の温度変化の影響を最小限にするために、物質輸送制限型で形成される。図1に示す2つの明確な成長の型の間には、遷移点110がある。各前駆体102、104、106および108に対してのこの遷移点に対応する温度は、分解温度、つまり前駆体がほぼ完全に分解する温度温度である。SiH4分子中のより多くの水素原子が塩素原子と置き換わると、前駆体の分解温度が高くなることが知られている。この効果は、前駆体の塩素含有量の増加に伴い、反応制限型の位置がより高温へシフトすることに反映されている。例えば、SiCl4108の物質輸送制限型は、SiH4102と比較して200°Cだけより高温にシフトしている。したがって、SiCl4を使用した場合、エピタキシャル成長膜は、SiH4を使用した場合よりはるかに高温で成長させることができ、同時に、パーティクル欠陥の形成および反応器壁部被覆への作用も回避される。さらに、極めて高い成長速度を、これらの塩素をベースとした前駆体の化学的性質を利用することによって、より高温で達成することができる。シリコン前駆体については、堆積を行う圧力が大気圧から減圧へと変化すると、チャンバ被覆物が増加する傾向にあることも知られている。このことは、反応物質よりも気体生成物のモル数の方が大きいという分解反応に関する化学等式によって裏付けられている。この分解反応の特性生成物より反応物の体積が大きいにより、低圧では、正反応、つまり生成反応が起こる。したがって、一般的に低圧では前駆体の分解温度は低くなり、この性質は、ゲルマニウム前駆体にも当てはまる。これにより、チャンバ被覆を低減するには大気圧での堆積が好ましい。SiGe層を堆積させる従来技術における主な問題は、ゲルマンガスの分解温度が低いということであり、よって、本発明では、ゲルマンより分解温度の高いあらゆるゲルマニウム前駆体、例えばハロゲン化ゲルマニウム前駆体を使用する。シリコン系、クロロゲルマンおよび他のハロゲン化ゲルマニウムを使用して、粒子欠陥物の堆積量を増加させることなく、成長温度をゲルマン、GeH4の成長温度から200°Cを超えて高くさせる。図2Aに、従来のGe前駆体、GeH4202を使用した場合の、温度とSiGe中のGeの標準化された成長速度との関係を表すグラフを示す。図2A、図2B、つまりいくつかのSiおよびGe前駆体に対する、計算された反応のギブス自由エネルギーと温度との関係のグラフ、および塩素ハロゲン化物の含有量が増加すると分解温度が高くなることを示す図および図1を利用して、あらゆるハロゲン化ゲルマニウム前駆体の分解温度が、ゲルマン、GeH4より著しくなることが予想される。例えば、図1は、分解温度、つまりSiH4102の遷移点110に対応する温度が900°Cであり、SiH2Cl2104の分解温度が950°Cであり、SiCl4108の分解温度が1150°Cであることを示している。図2Bは、SiCl4204の計算されたギブス自由エネルギー曲線が、SiH2Cl2206の計算されたギブスの自由エネルギー曲線より大きくなっていることを示し、さらにこのSiH2Cl2206の計算されたギブスの自由エネルギー曲線は、SiH4208の計算されたギブスの自由エネルギー曲線より大きい。したがって、Ge前駆体もSi前駆体と同様の傾向を示し、計算されたギブス自由エネルギー曲線がGeH4より大きいGe前駆体の分解温度もGeH4より高いであろうことが予想される。図2Bに示すように、ゲルマン、GeH4210の反応のギブス自由エネルギーは最も低く、これは、図示の全てのGe前駆体の中でゲルマンが最も低い温度で分解することを示している。GeCl4212、GeBr4214、GeF4216およびGeI4218は、GeH4210よりずっと高い分解温度を有している。したがって、前記のハロゲン化ゲルマニウムの高純度供給源をGe前駆体として使用すると、600°Cを超える温度でSiGeを成長させ、反応器被覆は最小限にすることができる。このようにして、高温で極めて高い成長速度が得られるように、前駆体の分解温度を最適に選択することができる。例えば、分解温度がいずれも約900°Cを超えるSi前駆体およびGe前駆体を選択することによって、パーティクル欠陥生成を最小限にすることができる。選択されたSiおよびGe前駆体ガスの両方がほぼ同じ高温で分解するとすれば、自由なSiおよびGe原子のほとんどが反応し、加熱された基板上でエピタキシャルSi1-xGex層を形成するであろう。もしくは、選択された前駆体の分解温度が同じ範囲、つまり±200°C内にない場合、より低い温度で分解した方の前駆体の自由な原子が、急速に表面上、例えば反応器壁部および基板上に堆積を始め、これはもう1つの前駆体が分解する前にパーティクル欠陥となる。図2Cに、様々なSi前駆体およびGe前駆体に対する推定の分解温度を示す。最も簡単に入手可能なハロゲン化ゲルマニウム前駆体は、四塩化ゲルマニウム、GeCl4である。この前駆体は、ゲルマン、GeH4とは異なり、800°Cを超える成長温度で、過剰な反応器被覆およびパーティクル欠陥の形成が起こることなく、厚い緩和Si1-xGex層を成長させるために使用することができる。また、四塩化ゲルマニウムは、あらゆるSi前駆体、例えばSiH4、SiH2Cl2、SiHCl3およびSiCl4と組み合わせることができ、これにより高品質のSiGe層が形成される。しかし、本発明の好ましい実施態様では、ガスの分解温度の差が互いに25°C以内であることが理由で、SiH2Cl2およびGeCl4を使用していることを留意されたい。本発明では、図3に示すCVD反応器300を使用して、半導体基板上に緩和SiGe層を形成する。このCVD反応器300は、石英管302、熱源304、前駆体ガスインレット306、サセプタ308、およびいくつかの態様では真空ポンプ310点線で図示を備えている。半導体材料上に緩和SiGe層を製造するために、シリコン基板311をサセプタ308上に配置する。次に、真空ポンプを作動させ、石英管302内のガスを連続的に排気し、堆積中の反応器300内の圧力を一定に1.01×105~1.33Pa760torr~0.010torr保つようにする。さらに、典型的には複数のタングステンハロゲンランプを含む熱源304を作動させ、Si基板の温度を堆積温度600°C~1200°Cにまで上昇させる。Si基板311が規定された堆積温度に到達すると、ゲルマンより分解温度の高いSi前駆体312およびGe前駆体314例えば、ハロゲン化ゲルマニウム前駆体をガスインレット306を通して反応器300内に導入させる。前駆体の濃度は、典型的には、前駆体タンクに接続された質量流量制御装置によって制御する。これらの前駆体312、314は、加熱されたシリコン基板311上を流れ、その上で堆積する。Ge含有量、Si1-xGex層のxは、SiおよびGe前駆体の相対的な濃度によって制御される。いくつかの態様では、層全体で均一なGe含有量を有しているSiGe層がシリコン基板上で堆積されている。例えば、Si0.98Ge0.02という均一な濃度を有している材料の層を、Si基板311上に堆積させることができる。別の態様では、各層のGe含有量、つまりxが連続的に大きくなるように構成されている複数のSi1-xGex層をシリコン基板上に堆積させ、傾斜層を形成する。別の態様では、傾斜層のGe含有プロファイルは、実質的に線形であるつまり、プロファイル中で個々の層が明確になっていない。Ge含有量を段階的に増加させていくことによって、SiとGeとの間の格子不整合によって生じる歪みが緩和され、これにより、堆積させた緩和SiGe層中の貫通転位密度は最小限になる。典型的には、傾斜Si1-xGex層のGe含有量は、1ミクロン当たり約25Geより小さな率で増加する。しかし、いくつかの態様では、その増加率は、1ミクロン当たり25Geより大きい。いずれの態様でも、本発明により可能となる高い処理温度によって、Si1-xGex層の最上表面と交差する貫通転位の密度が約l×106/cm2より小さくなる。上記方法を用いて堆積させた傾斜Si1-xGex層に関しては、最終Ge含有量、つまり最終の堆積層のGe含有量は15を超え、いくつかの態様では、最終Ge含有量は20を超える。別の態様では、Ge含有量は100に近くなっている。図4に、本発明の方法の一態様のフローチャートを示す。詳細には、この方法400は、反応器、例えば図3に図示の反応器300内での半導体材料上への傾斜Si1-xGex層の堆積中のパーティクル生成を最小限化する方法であり、少なくとも2つのステップを含む。まず、ステップ402に示すように、基板を、Si前駆体およびGe前駆体の両方を含む雰囲気中に設ける。Ge前駆体は、分解温度がゲルマンより高いあらゆるゲルマニウム源とする。一般には、例えばGeCl4、GeHCl3、GeH2Cl2、GeBr4、GeI4、GeF4およびGeAt4のようなハロゲン化ゲルマニウムは、ゲルマンより高い分解温度を有している。Si前駆体は、典型的には、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4およびSiH4からなる群から選択される。しかし、約700°Cを超える分解温度を有するSiをベースとしたあらゆる前駆体をSi前駆体として選択することができ、これは、場合によっては他のハロゲン化シリコン化合物を含む。次に、ステップ404に示すように、最終Ge含有量が約15より大きくつまりx>0.15かつパーティクル欠陥密度が約0.3パーティクル/cm2より小さい傾斜Si1-xGex層を、基板上に堆積させる。Si1-xGex層において小さなパーティクル欠陥密度および小さな最終Ge含有量が得られるのは、Ge前駆体としてハロゲン化ゲルマニウムを使用し、この選択されたハロゲン化ゲルマニウムの分解温度を特定のSi前駆体に適合させることの利点を方法400が利用しているからである。例えば、図1および2を参照すると、傾斜Si1-xGex層を、SiH4およびGeH2Cl2の組合せを使用して、約600°Cを超える温度で、より好ましくは、約800°C温度を超える温度で反応器300中で堆積させることができる。このような温度では、低エネルギープラズマを使用して、前駆体の熱分解を促進し、低温でより大きな成長速度を提供することができる。傾斜Si1-xGex層の別の態様では、選択されたSiおよびGe前駆体は、SiH2Cl2およびGeCl4である。この態様では、約1000°Cより高い温度、好ましくは1050°C~1100°Cの温度で堆積が起こる。SiH2Cl2を、約100sccm以上の一定の流速で反応器300内へ導入する。GeCl4を、水素キャリアガスを使用して0から250sccmへ増加する流量で反応器内に導入し、約20の最終Ge含有量を有する、つまりx=0.2の傾斜Si1-xGex層を形成する。いくつかの態様では、GeCl4を、水素キャリアガスを使用して0から350sccmへ増加する流量で反応器内へ導入し、約30の最終Ge含有量を有する、つまりx=0.3の傾斜Si1-xGex層を形成する。別の態様では、反応チャンバ壁部の堆積物を低いレベルに低減させるために堆積プロセスを大気圧で行う。これは、高圧ではシリコンおよびゲルマニウム前駆体が分解する傾向が小さいことを利用しするものである。図5Aおよび図5Bを参照すると、1000°Cおよび1.0×104Pa75torrでの研究用反応器系での実験によれば、SiH2Cl2に対するGeCl4の質量比の増加に伴い、SiGe層の成長速度が、Ge原子分率が約0.3の時には約0.25ミクロン/分の成長速度にまで増加している。当分野の実用反応器系を用いた場合には、典型的には、研究用反応器系を用いた場合より大きな成長速度が得られるので、実用反応器系を用いた場合のSiH2Cl2およびGeCl4によるSiGe層の堆積は、上記温度1000°Cおよび上記圧力1.0×104Pa75torrでは0.25ミクロン/分より大きな成長速度で起こるだろうと考えられる。図6Aに、本発明により形成された傾斜Si1-xGex層520を含むシリコン基板311の断面図を示す。傾斜Si1-xGex層520の上には、実質的に緩和されたSi1-yGey層522が堆積している。この実施態様で示す層522は、傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量にほぼ等しいGe含有量yを有している。一般に、本発明により形成された緩和Si1-xGex層およびSi1-yGey層は、滑らかで、40×40ミクロン原子間力顕微鏡走査において5nmより小さな表面粗さを有している。図6Bに示すようなさらに別の態様では、Geの薄い歪み半導体層524が、実質的に緩和されたSi1-yGey層上に堆積されている。別の態様では、この層524は、SiまたはSiGeから形成されている。ハロゲン化ゲルマニウムガス、例えばGeCl4を使用して高温で膜を堆積することが可能になり、これにより、堆積された緩和Si1-xGex層内のパーティクル欠陥密度は、従来の方法を用いて同じ温度で形成したSi1-xGex層よりも小さくなる。例えば、本発明によって約1000°Cの温度で形成した緩和Si1-xGex層パーティクル欠陥レベルは、約0.3パーティクル/cm2より小さく、従来の研究技術を用いて形成したSi1-xGex層つまり、GeH4ガスを使用し、最終Ge含有量は約15より小さいのパーティクル欠陥密度は、0.6~2パーティクル/cm2もしくはこれを超える。さらに、本発明により製造した緩和Si1-xGex層は、典型的には、0.13ミクロンより大きな寸法直径のパーティクル欠陥に対して約0.3欠陥/cm2より小さな局所的光散乱欠陥レベル、0.16ミクロンより大きな寸法をもつパーティクル欠陥に対して約0.2欠陥/cm2の欠陥レベル、0.2ミクロンより大きな寸法をもつパーティクル欠陥に対して約0.1欠陥/cm2の欠陥レベル、および1ミクロンより大きな寸法をもつパーティクル欠陥に対して約0.03欠陥/cm2の欠陥レベルを有している。さらに、プロセスを最適化することによって、局所的光散乱欠陥レベルを、0.09ミクロンより大きな寸法をもつパーティクル欠陥に対して約0.09欠陥/cm2まで、また、0.12ミクロンより大きな寸法をもつパーティクル欠陥に対して約0.05欠陥/cm2まで減少させることができると考えられる。したがって、分解温度がゲルマンよりも高いGe前駆体例えば、ハロゲン化ゲルマニウム前駆体を使用することによって、Si1-xGex層を、高温で、しかも高い品質レベル、つまり高いGe含有量、例えばx>0.15でも0.3パーティクル欠陥/cm2より小さなパーティクル欠陥密度を保ちながら製造することができる。さらに、約1000°Cを超える温度で堆積を行うので、0.1ミクロン/分より大きな成長速度を得ることができる。例えば、図7に、GeCl4および様々なシリコン前駆体を使用した堆積プロセスでの、達成可能なSi成長速度およびこれに対応する推定の達成可能なSi0.8Ge0.2の成長速度の表を示す。推定の達成可能なSiGe成長速度は、以下の2つの式から計算されたより低い値を用いて計算される。RSiGe≒FGeRGeFSiRSi式1RSiGe≒RGe/FGe式2式中、Rは成長速度であり、Fは原子分率である。様々なSi前駆体に対するSiの成長速度RSiの報告値を、図7の2番目の列に示す。GeCl4の成長速度RGeは、0.75ミクロン/分と推定され、この値は、SiH4およびSiH2Cl2の分解温度および得られる成長速度の比較に基づいている。図7に示すように、SiH2Cl2およびGeCl4を組合せた場合の達成可能な成長速度は、1.1ミクロン/分であり、SiHCl3およびGeCl4の組合せでは、3.8ミクロン/分である。これらの達成可能ないずれの成長速度によっても、製造時間を著しく短縮することができる。パーティクルの堆積および反応器壁部の被覆が低減するので、本発明の製造時間は、さらに短縮される。典型的には、反応器300上の被覆が、1ミクロンより厚い厚みになると、石英管302の透過性は急速に低下し、これにより、温度上昇が起こり、最終的には失透が起こる。石英管302が剥がれ落ちて堆積中のSi1-xGex層520上に載ることをによる汚染を防ぐために、被覆が1ミクロン以上の厚みに達すると、石英管302を浄化して被覆を除去する。本発明においては、Ge前駆体ハロゲン化ゲルマニウムの分解温度がSi前駆体の分解温度近くまで上昇することによって反応器の被覆が制限されるので、堆積時間は、壁部で被覆が成長するのにより長い時間、例えば175時間となり、よって、石英管302の浄化に費やす時間がより少なくなる。被覆が最小限となる別の要因は、前駆体のハロゲン成分から生じるエッチング作用によるものである。ハロゲン化水素およびハロゲン化物ガスは、水素よりも著しく大きな速度でシリコンをエッチングするので、典型的にはこのようなガス主としてHClが、石英の反応器壁部から被覆をエッチングするために使用される。同様に、SiGe堆積でのハロゲンを含有する副生成物もエッチング作用を促進するであろう。したがって、本発明の別の態様では、このエッチングによって、堆積を反応器内で行っている間に、石英壁部での望ましくない堆積物の蓄積が減少する。これは、ハロゲン化物エッチャント種例えば、GeCl4の分解から生成するHClが、ハロゲン化シリコンまたはハロゲン化ゲルマニウム種の分解による副生成物として導入されることによって起こる。本発明の別の態様では、エッチャントガス例えば、HCl、HBr、HFもしくはHI、ハロゲン化物のみC12、Br2、F2もしくはI2を共に吹き込むまたは導入して、反応器チャンバの壁部、つまり、石英管302での望ましくない堆積物の蓄積を減少させる。例えば、HClを、反応器内へ2slm1分当たりの標準リットル以下の流量で、SiおよびGe前駆体と共に吹き込むことができる。好ましい態様では、HClを、0.5slm以下の流量で反応器内へ共に吹き込むことができる。また、エッチャントガスを共に吹き込むことは、ゲルマンガスをGe前駆体として使用した場合には、反応器壁部の堆積物を減少させるために利用することさえでき、それというのは、ハロゲン化物源を含むエッチャントガスにより、水素を使用するよりも高い率で、望ましくない堆積物の蓄積の減少が可能となるからである。前記の共に吹き込む効果は、エッチャントガスを反応器の壁部に導入する場合、共に吹き込まれるガスの輸送を制御することができるので、エッチャントガスをSiおよびGe前駆体の反応による導入よりも大きい。エッチャントガスが単に堆積の副生成物として生成する場合、堆積物をエッチングするにはサセプタ308から反応器302の壁部へと拡散しなければならない。このプロセスについての有用な見解の1つは、エッチング反応のギブス自由エネルギーが堆積プロセスのそれに比べて温度依存性がずっと小さく、そのため、壁部の温度がサセプタ308の温度より著しく低くても壁部でのエッチング速度が壁部で高く保たれる。本発明は、高品質の緩和Si1-xGex層を製造するためにさらに最適化することができる。例えば、一態様では、サセプタ308を堆積中に回転させることができ、前駆体の減少を補償し、基板311全体にわたっての均一なSi1-xGexの堆積が形成される。図8を参照すると、本発明は、均一なGe含有量および小さなパーティクル欠陥密度を有するSi1-xGex層を堆積する方法700も提供している。詳細には、方法700は2つのステップ702および704を含む。まず、ステップ702に基づいて、基板をSiH2C12およびGeCl4の雰囲気を含む反応器内に配置する。続いて、ステップ704に示すように、Si1-xGex層を基板上に堆積させる。堆積したSi1-xGex層においては、xの値は小さくとも0.02であり、パーティクル欠陥密度は、約0.3パーティクル/cm2より小さい。方法700を用いて堆積させたSi1-xGex層中で見られるパーティクル欠陥密度が小さいのは、共に約700°Cを超える分解温度を有しかつそれらが最適に適合している、つまり互いの分解温度の差が25°CであるようなSiおよびGe前駆体を使用することによる。方法700を用いることにより、0.3パーティクル/cm2未満のパーティクル欠陥密度を有する均一なSi1-xGex層を、基板基板上に堆積させることができる。例えば、約100sccmの流量でSiH2Cl2ガスを、および25sccmの一定流量で水素キャリアガス内でGeCl4ガスを反応器300内に導入することによって、Si0.98Ge0.02層をSiウェハ上に形成することができる。Si0.98Ge0.02層は、600°Cを超える温度で、好ましくは1100°Cを超える温度で堆積する。以上、本発明を、特に特定の好ましい態様を用いて例示し説明したが、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の思想および範囲から逸脱することがなければ、実施形態の様々な変更および詳細が可能であることは、当業者によって理解されるべきことである。なお、本発明の有利な態様は次の通りである。1.反応器内での半導体材料上への傾斜Si1-xGex層の堆積中のパーティクル生成を最小限化する方法であって、aSi前駆体と、分解温度がゲルマンより高いGe前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップと、b基板上に、xが約0.15より大きな最終Ge含有量を有しておりかつパーティクル密度が約0.3パーティクル/cm2未満である傾斜Si1-xGex層を堆積させるステップとを含む方法。2.前記Ge前駆体がハロゲン化ゲルマニウムを含む、上項1に記載の方法。3.前記傾斜Si1-xGex層を約600°Cを超える温度で堆積させる、上項1に記載の方法4.前記傾斜Si1-xGex層を約800°Cを超える温度で堆積させる、上項1に記載の方法。5.前記傾斜Si1-xGex層を約1000°Cを超える温度で堆積させる、上項1に記載の方法。6.前記傾斜Si1-xGex層を約1100°Cを超える温度で堆積させる、上項1に記載の方法。7.前記傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量が、x≧0.20であるxの値を有する、上項1に記載の方法。8.前記傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量が、実質的に1.0にひとしいx値を有する、上項1に記載の方法。9.前記傾斜Si1-xGex層上に、実質的に緩和されたSi1-yGey層を設けるステップであって、yが傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量にほぼ等しくなっているステップをさらに含む、上項1に記載の方法。10.前記傾斜Si1-yGey層上に、薄い歪み半導体層を設けることをさらに含む、上項9に記載の方法。11.前記薄い歪み半導体層が、Si、GeおよびSiGeからなる群から選択される、上項10に記載の方法。12.前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より小さい率で増加していて、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が約1×106/cm2未満となっている、上項1に記載の方法。13.前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より大きい率で増加していて、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が、約1×l06/cm2未満となっている、上項1に記載の方法。14.前記傾斜Si1-xGex層の堆積速度が、1分当たり約0.3ミクロンより大きい、上項1に記載の方法。15.前記傾斜Si1-xGex層の堆積速度が、1分当たり約1ミクロンより大きい、上項1に記載の方法。16.前記傾斜Si1-xGex層の堆積速度が、1分当たり約3ミクロンより大きい、上項1に記載の方法。17.前記Ge前駆体が、GeCl4、GeHCl3およびGeH2C12からなる群から選択される、上項2に記載の方法。18.前記Si前駆体が、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH4およびSiCl4からなる群から選択される、上項1に記載の方法。19.前記傾斜Si1-xGex層の堆積中に、基板を回転させることをさらに含む、上項1に記載の方法。20.前記傾斜Si1-xGex層を、40×40ミクロン走査で、約5nm未満の表面粗さを有するように堆積させることをさらに含む、上項1に記載の方法。21.前記傾斜Si1-xGex層を約1.01×105~約1.33Pa760torr~0.010torrの圧力で堆積させることをさらに含む、上項1に記載の方法。22.前記ステップbが、前記基板上に傾斜Si1-xGex層を堆積する場合、反応器内の内側表面での厚みが約1ミクロンより大きな被覆部の堆積を防止し、当該Si1-xGex層が、xが0.15より大きな最終Ge含有量を有し、かつ約0.3パーティクル/cm2未満のパーティクル密度を有していることを含む、上項22に記載の方法。23.反応器内での半導体材料上への傾斜Si1-xGex層の堆積中のパーティクル生成を最小限化する方法であって、aSi前駆体、Ge前駆体およびエッチャントガスを含む雰囲気中に基板を設けるステップであって、エッチャントガスが、ハロゲン化物源を含み、かつ反応器壁部への堆積物の蓄積を減少させるステップと、b基板上に傾斜Si1-xGex層を堆積させるステップであって、該Si1-xGex層が、xが約0.15より大きな最終Ge含有量を有しており、約0.3パーティクル/cm2より小さなパーティクル密度を有している、方法。24.前記エッチャントガスが、HCl、HBr、HF、HI、C12、Br2、F2およびI2からなる群から選択される、上項23に記載の方法。25.上項1に記載の方法によって形成された半導体材料。26.前記傾斜Si1-xGex層が、約0.3欠陥/cm2より小さな局所的光散乱欠陥レベルを有しており、該パーティクル欠陥が、約0.13ミクロンより大きな寸法を有している、上項25に記載の半導体材料。27.前記傾斜Si1-xGex層が、約0.2欠陥/cm2より小さな局所的光散乱欠陥レベルを有しており、該パーティクル欠陥が、約0.16ミクロンより大きな寸法を有している、上項25に記載の半導体材料。28.前記傾斜Si1-xGex層が、約0.1欠陥/cm2より小さな局所的光散乱欠陥レベルを有しており、該パーティクル欠陥が、約0.1ミクロンより大きな寸法を有している、上項25に記載の半導体材料。29.前記傾斜Si1-xGex層が、約0.03欠陥/cm2より小さな局所的光散乱欠陥レベルを有しており、該パーティクル欠陥が、約1ミクロンより大きな寸法を有している、上項25に記載の半導体材料。30.前記傾斜Si1-xGex層内の各層が、基板を通して実質的に均一な組成を有している、上項25に記載の半導体材料。31.半導体材料の堆積中のパーティクル生成を最小限化する方法であって、aSiH2Cl2およびGeCl4を含む雰囲気中に基板を設けるステップと、b基板上にx≧0.02であるSi1-xGex層を堆積させるステップであって、該Si1-xGex層のパーティクル密度が、約0.3パーティクル/cm2未満であるステップとを含む、方法。32.追加のSi1-xGex層を堆積させることをさらに含み、続いて堆積させたSi1-xGex層のGe含有量が増加している、上項31に記載の方法。33.前記の続いて堆積させたSi1-xGex層が、パーティクル密度が約0.3パーティクル/cm2未満である傾斜Si1-xGex層を含む、上項32に記載の方法。34.前記Si1-xGex層を、約600°Cを超える温度で堆積させる、上項31に記載の方法。35.前記Si1-xGex層を、約1100°Cを超える温度で堆積させる、上項31に記載の方法。36.前記傾斜Si1-xGex層の最終Ge含有量が、x>0.20となる値を有している、上項33に記載の方法。37.傾斜Si1-xGex層上に設けられた薄い歪み半導体層を設けることをさらに含む、上項33に記載の方法。38.前記薄い歪み半導体層が、Si、GeおよびSiGeからなる群から選択される、上項37に記載の方法。39.前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より大きな率で増加しており、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が約1×106/cm2未満となる、上項39に記載の方法。40.前記Ge含有量が、1ミクロン当たり約25より小さな率で増加しており、これにより、前記傾斜Si1-xGex層の表面を横切る貫通転位密度が約1×106/cm2未満となる、上項33に記載の方法。41.前記Si1-xGex層の堆積速度が、1分当たり約0.3ミクロンより大きい、上項31に記載の方法。