所定の赤外線波長範囲内の電磁放射を検出するボロメータアレイ検出器であって、基板と、支持アームによって前記基板の上方に懸架された、前記放射を検出するボロメータマイクロプレートのアレイと、前記放射のうち前記マイクロプレートによって吸収されることなく前記マイクロプレートを通過した部分を反射するように、前記基板上でマイクロプレートの下に形成された金属反射板と、を備えるボロメータアレイ検出器において、各マイクロプレートについて、反射板が、前記マイクロプレートの真下に位置する1つの部分を含み、またマイクロプレートの下に配置されない部分として延び、少なくとも反射板のうち前記マイクロプレートの下に配置されない前記部分が、前記放射のうち前記部分上に入射する部分を、前記反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分に向かって伝搬する導波光に結合させることが可能な反復パターンの表面テクスチャを有することを特徴とする、ボロメータアレイ検出器。当該波長範囲に対して前記反射板の金属層が作られる金属の表皮の深さより少なくとも大きい前記金属の厚さにわたって、テクスチャが生成されることを特徴とする、請求項1に記載のボロメータアレイ検出器。テクスチャが、閉じた同心状の輪郭を画定するスリット、特に同心状の円または正方形を画定するスリットを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のボロメータアレイ検出器。前記テクスチャが、単一方向に周期的な平行のスリットを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のボロメータアレイ検出器。反射板が、少なくとも前記マイクロプレートのアレイの表面積全体の下で基板を覆う金属層内に形成され、反射板が、金属層のうち反射板の前記テクスチャの周期性で切れ目を画定する領域を用いて個別化されることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。テクスチャの前記反復パターンの周期Pが、λnより小さく、上式でλが、検出すべき波長の範囲内の波長であり、nが、マイクロプレートを反射板から分離する媒体の屈折率であり、前記周期Pが、λに実質上等しいことが好ましいことを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。テクスチャの深さhが、λ以下であり、λに実質上等しいことが好ましいことを特徴とする、請求項6に記載のボロメータアレイ検出器。テクスチャの凹状部分が、前記テクスチャの総表面積の50未満であることを特徴とする、請求項6または7に記載のボロメータアレイ検出器。テクスチャが、005<ep<05になるように選択された幅eを有する周期的スリットからなり、上式でPが、前記テクスチャパターンの周期であることを特徴とする、請求項8に記載のボロメータアレイ検出器。マイクロプレートと反射板の間の平均の高さLが、λ以下であることを特徴とする、請求項6から9のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。反射板のうちマイクロプレートの下に位置する部分がテクスチャ化されていないことを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載のボロメータアレイ検出器。本発明の目的は、マイクロプレートの表面積とアレイの総表面積との比を修正することなく、この有効表面積を実質上増大させるアーキテクチャを提案することによって、懸架式マイクロプレートに基づくボロメータ検出器内の有効表面積の低減に関する前述の問題を解決することである。これを実現するために、本発明の目的は、所定の赤外線波長範囲内の電磁放射を検出するボロメータアレイ検出器であって、基板と、支持アームによって基板の上方に懸架された、前記放射を検出するボロメータマイクロプレートのアレイと、前記放射のうちマイクロプレートによって吸収されることなく前記マイクロプレートを通過した部分を反射するように、基板上かつマイクロプレートの下に形成された金属反射板と、を備えるボロメータアレイ検出器である。本発明によれば、すべてのマイクロプレートについて、反射板は、マイクロプレートに対向して配置された部分を含み、またマイクロプレートの下に配置されない部分として延び、少なくとも反射板のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、前記放射のうち前記部分に入射する部分を、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分に向かって伝搬する導波光に結合させることが可能な反復パターンをもつ表面テクスチャを有する。言い換えれば、基板の表面積のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、表面プラズモン励起を使用することによってマイクロプレートの下で受け取った放射を誘導する反復パターンを備える。次いで、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分は、放射のこの部分を実際のマイクロプレートに向かって反射し、またこれらのマイクロプレートを通過した放射も反射する。したがって、基板のうちマイクロプレートの下に配置されない部分は、検出のために使用され、これにより、マイクロプレートの寸法を増大させることなく有効検出表面積が増大される。以下の説明では、この分野では通常受け入れられているように、画素という用語は、検出アレイに言及するとき、画像素子に関連する出力信号を生成するすべてのハードウェア要素、ならびにこれらの要素専用の表面を指す。一実施形態では、特定の波長範囲に対する金属層を構成する金属の表皮の深さより少なくとも大きい金属の厚さにわたって、テクスチャが生成される。このようにすると、反射板は、放射に対して不透明なまま維持される。たとえば、金属層をエッチングすることによってテクスチャが生成される場合、エッチングは最後まで延びることなく、表皮の深さを超過する金属の厚さで止まる。一実施形態では、テクスチャは、閉じた同心状の輪郭、特に同心状の円または正方形を画定するスリットを含む。このようにすると、テクスチャによる検出は、入射する放射の偏光の影響を受けにくい。別法として、テクスチャは、テクスチャによる検出が単一の偏光の影響を受けやすいように、単一方向に反復する平行のスリットを含む。本発明の一実施形態では、反射板は、少なくともマイクロプレートのアレイの表面積全体の下で基板を覆う金属層内に形成され、反射板は、金属層のうち反射板のテクスチャの周期性で切れ目を画定する領域を用いて個別化される。そのような切れ目により、反射板を個別化し、隣接する画素間のいわゆるクロストーク、すなわちある画素が、普通なら隣接する画素によって検出されているべき放射を検出することを回避することが可能になる。これにより、良好な画素分離を実現する。さらに、反射板を製作する方法は、基板上に1枚の無地の金属層のシートを堆積させ、続いてリソグラフィで単一のマスクを使用して個々の反射板を生成することによって簡単に実現できるため、簡単である。一実施形態では、周期的テクスチャパターンの周期Pはλn以下であり、上式でλは、検出すべき波長範囲内の波長であり、nは、マイクロプレートを反射板から分離する媒体の屈折率である。このパターンの前記周期は、λに実質上等しいことが好ましい。一実施形態では、テクスチャの深さhは、λ以下であり、λに実質上等しいことが好ましい。このようにして、テクスチャによる放射の吸収は低減される。具体的には、テクスチャがスリットからなる場合、そのような厚さは、放射がトラップされ、したがってスリット内に吸収されるのを防止する。テクスチャの凹状部分は、テクスチャの総表面積の50未満であることが有利である。具体的には、テクスチャは、005<ep<05になるように選択された長さeを有する周期的スリットからなる。上式でPは、テクスチャパターンの周期である。これにより、導波モード励起を促進し、放射損失を低くする。一実施形態では、マイクロプレートと関連する反射板との間の平均の高さLは、λ以下である。これにより、導波モードとマイクロプレートとの間のエバネッセント型の結合を使用することによって、テクスチャによって導波されるモードとマイクロプレートとの間の結合を促進する。一実施形態では、反射板のうちマイクロプレートの下に配置された部分はテクスチャ化されず、これにより、反射板のうちマイクロプレートの下に位置する部分による放射の吸収を防止する。本発明は、例示のみを目的とする添付の図面に関連する以下の説明によって、より容易に理解できるであろう。添付の図面では、同一の参照符号は同一または類似の構成要素を指す。図1および2は、3つの画素×3つの画素を含むボロメータ検出器アレイ10を例として示す。各画素12は、支持および熱分離アーム18によって基板16の上方に懸架されたボロメータマイクロプレート14を備え、それによって、075μm~1000μmの赤外線波長範囲内で入射するIR電磁放射を検出することが可能になる。それ自体知られているように、マイクロプレート14は、入射するIR放射の効果によって暖まり、マイクロプレート14の電気抵抗は、その温度の増大に応じて変動する。同じ材料を使用して、これらの機能をどちらも実施することができ、たとえばTiNは、中赤外線範囲内の波長を検出するのに適している。支持および熱分離アーム18は主に、電導体要素を含む熱伝導率の低い材料からなり、それによって、マイクロプレート14にバイアス電圧およびまたはバイアス電流をかけてその電気抵抗を測定することが可能になる。アーム18は、マイクロプレート14のバイアスを制御する基板16内に提供された読出し回路に電気的に接続される。本発明では、ボロメータマイクロプレート14の構造および動作は比較的重要ではなく、任意のタイプのマイクロプレート、たとえば文献:仏国特許発明第2752299号に記載のマイクロプレートを考案することができる。把握すべき重要なことは、本発明が、任意のボロメータアレイに該当し、そこでマイクロプレートの表面積が画素の表面積に対して低減されることである。各画素12はまた、基板16上に堆積された金属層によって形成された平坦な反射板20を備える。反射板20は、マイクロプレート14の下に位置する第1の部分22と、マイクロプレート14の周りに位置する第2の部分24とを含む。以下、部分22を反射板の中心部分と呼び、部分24を反射板の周辺部分と呼ぶ。反射板の中心部分22は、無地、すなわちテクスチャ化されていないことが好ましく、その主要な機能は、放射のうち吸収されることなく前記マイクロプレートを通過した部分を反射することであり、したがって放射はマイクロプレートを少なくとも2回通過することが可能になり、さらには、たとえばマイクロプレート14と中心部分22との間の距離が4分の1波長の空間を形成するように調整された場合、共振を得ることが可能になる。反射板20の周辺部分24は、周期的パターン、たとえば平行スリット26をもつ表面テクスチャを有し、平行スリット26は、反射板20の厚さ内でエッチングされた方形の横断面を有し、同心状の正方形を形成する。図2に矢印で示すように、周期的パターンは、周辺部分24上に入射する放射を表面プラズモン波とも呼ばれる導波光に結合するように設計される。次いで導波光は、反射板20の中心部分22に向かって伝搬し、中心部分22は、エバネッセント結合によってこの導波光をマイクロプレート14に向かって反射し、したがって導波光を吸収することができる。このように、マイクロプレート14を取り囲む周期的パターンは、放射を検出するのに専用の有効表面積を実質上増大させ、したがって、それによってマイクロプレート14自体を修正することなく、検出器の感度を増大させる。図3の簡略化した横断面図では、周辺部分24の周期的パターンは、λn以下である周期Pを有する。上式でλは、検出すべき波長の範囲内の波長であり、nは、マイクロプレート14を反射板20から分離する媒体の屈折率である。これによって、波長λを有する表面プラズモン波を励起することが可能になる。周期Pがより大きくなると回折が生成されるが、周期Pが増大して結合が最終的になくなるまで、回折は波の結合品質に悪影響を及ぼす。周期Pは、λに実質上等しいことが有利である。実際には、本発明者らは、周期Pがこの値をとるときに結合が最適であることを観察した。マイクロプレート14は、中心部分22から距離Lだけ離れて位置することが有利であり、この距離は、λ以下である。これによって、反射板の周辺部分24によって結合された導波光と吸収性のマイクロプレート14との間に結合、より具体的にはエバネッセント結合をもたらし、周辺部分24によって提供されるマイクロプレート14に向かう結合によって回収されたエネルギーを、効率的に反射することができる。テクスチャの凹状部分は、テクスチャの総表面積の50未満であることが有利である。スリット26に関する限り、これは、スリット26の幅eが、ep<05になるように選択されることを意味する。このようにして、ほとんど放射損失がなく、導波光の励起が得られる。また、幅eは、ep>005になるように選択されることが有利である。そのような値を超えると、反射板が準連続金属膜のように挙動するため、結合は実際には非常に弱くなり、したがってあまり引き付けなくなる。テクスチャの深さhは、λ以下であることが有利であり、λに実質上等しいことが好ましい。したがって、周期的パターンの凹状部分の深さを低減させると、放射がこれらの部分内にトラップされたままになり、したがってこれらの部分が形成される材料によって吸収されるのを防止する。波長λで反射板20の金属材料の表皮深さより大きい反射板20の中実の厚さHがテクスチャの下に存在し、それにより周辺部分24が放射に対して不透明になり、したがって放射が基板16に向かって透過されるのを防止することが有利である。上述の実施形態では、周期的パターンは、同心状の正方形を形成するスリット26からなる。このようにすると、周辺部分24によって生成される結合は、入射する放射の偏光の影響を受けにくい。図4Aでは、スリット26のうち正方形の2つの対向する辺を形成する部分は、1つの偏光、たとえば偏光TEの影響を受けやすく、スリット26のうち正方形の2つの他の対向する辺を形成する部分は、垂直偏光、この例では偏光TMの影響を受けやすい。このレイアウトにより、偏光TEの50と偏光TMの50を結合することが可能になる。それにもかかわらず、他の形状のパターンも可能である。たとえば、結合が入射する放射の偏光の影響を受けにくくするには、図4Bに示すように、スリット26を円形および同心状にする。具体的には、隅部がまったくないことにより、リソグラフィを使用することによって正方形を製作するのがより容易になる。別法として、一部の適用分野では、単一タイプの偏光の検出を必要とすることがあり、この場合、周辺部分24の周期的パターンは、単一の軸に沿って進む平行スリットから構成される。2つの隣接する画素の周辺部分24は、反復するテクスチャパターン内に切れ目を作る領域によって分離されることが有利である。たとえば、正方形のスリット26の場合、反復パターン内に切れ目を作る領域は、周辺部分24の無地部分の幅より少なくとも5大きい相対的な幅を有する無地部分28、または周辺部分24のスリットの幅より少なくとも5大きい相対的な幅を有するスリットである。そのような切れ目領域のために、反射板の周辺部分24上に入射する放射は、その反射板の中心部分22に向かってのみ伝搬し、したがって結合によるクロストークを防止することができる。このようにして、反射板20は効果的に個別化される。中心部分22が無地である一実施形態について、上述した。別法として、中心部分は、周辺部分24と同じ方法でテクスチャ化され、したがってテクスチャは、1つの画素に専用の基板の表面積全体を覆う。図5は、本発明による反射板のうちテクスチャ化した周辺部分によって提供される吸収の進歩を示す。より具体的には、25μmの辺寸法を有する正方形の画素表面積に対して12μmの辺寸法を有するTiNから作られた正方形のマイクロプレートを含む様々な検出器レイアウトに対して、入射する放射の波長に応じて吸収を測定した。検出器は、11μmの波長に調整される。第1の検出器レイアウトは、従来技術のレイアウトと同等である。各マイクロプレートは、無地の金属反射板の上方、この金属反射板から25μmのところに配置される。反射板は、テクスチャ化された周辺部分をもたない。この第1の構成の吸収を曲線Aで示す。第2の検出器レイアウトは、図1~3に関連して説明したレイアウトと同等である。各マイクロプレート14は、反射板20から25μmのところに位置する。反射板20の周辺部分24は、中心部分22を除いて、画素12専用の基板16の表面積全体を覆い、スリット26の周期性Pは34μmに等しく、幅eは06μmに等しく、また厚さhは07μmに等しい。この第2の構成の吸収を曲線Bで示す。第3の検出器レイアウトは、テクスチャが反射板20の中心部分22を含めて画素12専用の基板16の表面積全体を覆うという点で、第2のレイアウトとは異なる。スリット26は、第2のレイアウトの場合と同じ幾何形状を有し、この第3の構成の吸収を曲線Cで示す。図5で明らかになるように、本発明のおかげで、非常に大きい吸収の進歩が得られ、この進歩は、第2のレイアウトの場合、従来技術と比較するとλ11μmで50を超える。第3のレイアウトを使用して得られる吸収の進歩は、従来技術と比較すると20より大きいが、第2のレイアウトを使用して得られる吸収ほど高くない。したがって、中心部分22を無地にすることは好ましい選択肢である。本発明による検出器を製作する方法について、図6~15を参照して以下に説明する。この方法は、懸架式マイクロプレート14のアレイをその上方に製作しようとする基板16の表面積全体を覆って金属層30を堆積させるステップから始まる。反射板20が後に製作される層30は、たとえば、アルミニウム、チタン、窒化チタン、銅、またはタングステンの層である。層30の厚さは、反射板20の周辺部分24のテクスチャに関連する高さHおよびhの合計に等しい。この方法では引き続き、リソグラフィマスクを生成するステップを行う。このマスクは、感光性の樹脂層34内に生成され、樹脂層34を介して、マイクロプレート14の支持および熱分離アーム18のための位置の上方にアイランド38の境界を画する切込み36が作られる。次いで金属層30は、後に支持アーム18を収容する金属突起コンタクト40の境界を画するように、好ましくは乾式エッチングによって、切込み36を介して基板16までエッチングされる。したがって、コンタクト40は、アーム18のための接続コンタクトとして使用され、金属層30のうち反射板20が製作される残り部分から電気的に分離される。樹脂層34は、たとえば乾式または湿式剥離を使用することによって、従来通り除去される。次いでこの方法では引き続き、金属層30上に堆積された感光性の樹脂層42内にリソグラフィマスクを従来通り生成するステップを行い、樹脂層42を介して、反射板20に対する所望のテクスチャに対応する切込み44が作られる。示されている例では、これは、周辺部分24のテクスチャのみである。明らかに、適用分野がそのように求める場合、リソグラフィマスク42内で、金属層30のうち反射板20の中心部分22になるための部分46上に、切込みを提供することができる。次いで、金属層30は、反射板を製作するように、マスク42の切込み44を介して反射板20のテクスチャの所望の深さhまで部分的にエッチングされる。この部分的なエッチングは、たとえば塩素化化学物質、臭素化化学物質、またはフッ素化化学物質を使用して乾式エッチングによって実行されることが好ましいが、たとえば酸性化学物質またはアルカリ性化学物質を使用することによって、湿式エッチングによって実行することもできる。湿式エッチングのエッチング速度より直線的なエッチング速度を提供する限り、乾式エッチングが好ましく、これにより、より容易に制御可能なエッチングを得ることが可能になる。次いで、リソグラフィマスク42は、たとえば湿式または乾式の剥離によって除去され、次いでアセンブリ上に犠牲層46が堆積され、この層は、金属層30の上方にLに等しい厚さを有する。次いで、犠牲層46上で中心部分22の上方にボロメータマイクロプレート14が形成され、犠牲層46を介してコンタクト40の上方に、それ自体知られている方法で、支持および熱分離アーム18が製造される。次いで、この方法は、犠牲層46を除去するステップによって完了する。本発明は、検出表面積を広げることによる懸架式マイクロプレートをもつボロメータ検出器の感度の大幅な増大、多スペクトルの撮像を実行する可能性、実際には、周期的に構造化することで、1つの波長、たとえば図5に示す場合略λ11μmの波長を優先的に結合する。したがって、画素ごとに周期性を修正することで、各画素が特有の波長を強める画素のアレイを生成する。特に1つの偏光を強める可能性、を実現する。