"導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板と、前記基板の表面に絶縁層を介して形成された配線層と、前記絶縁層および前記配線層に形成された開口部の底面から露出した前記基板の表面から成る露出部と、第1電極および第2電極が形成されたLEDチップとを備えたLEDランプであって、前記露出部に前記第1電極が接続されると共に、前記配線層に前記第2電極が接続されることにより、前記基板に前記LEDチップが搭載されたLEDランプ。前記露出部に接続された前記第1電極は、前記基板の裏面側全体を介して外部と電気的且つ熱的に接続されている、請求項1に記載のLEDランプ。前記LEDチップの底面にて、前記第1電極の周囲を前記第2電極が取り囲むように配置形成されている、請求項1または請求項2に記載のLEDランプ。前記基板は、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第1の材料から成る層と第2の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材である、請求項1~3のいずれか1項に記載のLEDランプ。前記基板の表面側にて、前記配線層および前記LEDチップを封止して覆うガラス材料から成る封止材を備える、請求項1~4のいずれか1項に記載のLEDランプ。前記基板の表面側にて、前記LEDチップの周囲を取り囲むように配置形成されたガラスセラミックス材料から成るリフレクタを備える、請求項1~5のいずれか1項に記載のLEDランプ。特許文献1の技術では、基板に搭載されたLEDチップを封止する封止材の熱膨張率に比べて、基板の熱膨張率の方が大きいため、封止材と基板が密着せずに剥がれたり、封止材に歪みや亀裂が生じるおそれがあり、高い信頼性が得られないという問題がある。ところで、封止材として合成樹脂材料を用いた場合には、合成樹脂材料がLEDチップの光により変色するおそれがあるため、LEDチップを高出力化することが困難である。そこで、光により変色し難いガラス材料を封止材として用いることにより、LEDチップを高出力化することが可能になるが、LEDチップを高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材と基板の熱膨張率の違いによる前記問題がより顕在化することになる。そのため、LEDチップが搭載された基板の放熱効果を高めることが要求されている。本発明は前記要求を満足するためになされたものであって、その目的は、放熱効果の高い基板にLEDチップが搭載されたLEDランプを提供することにある。本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。<第1の局面>本発明の第1の局面は、導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板と、前記基板の表面に絶縁層を介して形成された配線層と、前記絶縁層および前記配線層に形成された開口部の底面から露出した前記基板の表面から成る露出部と、第1電極および第2電極が形成されたLEDチップとを備えたLEDランプであって、前記露出部に前記第1電極が接続されると共に、前記配線層に前記第2電極が接続されることにより、前記基板に前記LEDチップが搭載されたLEDランプである。第1の局面によれば、導電性且つ熱伝導性の材料から成る基板をLEDチップの第1側電極として用いることが可能になるため、基板の放熱効果を高めることができる。その結果、基板の熱膨張を抑制可能になるため、封止材と基板の密着性が阻害されるのを防止すると共に、封止材に歪みや亀裂が生じるのを防止し、LEDランプの信頼性を向上できる。<第2の局面>本発明の第2の局面は、第1の局面において、前記露出部に接続された前記第1電極は、前記基板の裏面側全体を介して外部と電気的且つ熱的に接続されているLEDランプである。第2の局面によれば、基板の裏面全体をLEDチップの第1電極として用いることが可能になるため、LEDチップの第1電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできる。その結果、高出力のLEDチップに大電流を流した際に発生する熱を、基板の裏面全体から外部へ速やかに放熱することが可能にり、LEDランプの発熱量を抑制できるため、第1の局面の作用効果が更に高められる。<第3の局面>本発明の第3の局面は、第1または第2の局面において、前記LEDチップの底面にて、前記第1電極の周囲を前記第2電極が取り囲むように配置形成されているLEDランプである。第3の局面によれば、各電極からLEDチップ内を通る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、LEDチップに効率的に電流を流してLEDランプの発光効率を更に高めることができる。ところで、LEDチップの発光面積を大きくしてLEDランプの発光効率を高めるには、LEDチップのカソード側電極パッドN電極の面積に比べて、アノード側電極パッドP電極の面積を大きくする必要がある。そこで、第1電極をアノード側電極パッドにすれば、アノード側電極パッドが基板の露出部に接続されるため、LEDチップが発生する熱を大きな面積のアノード側電極パッドから基板へ速やかに伝達可能になるため、LEDチップの発熱を効果的に抑制できる。<第4の局面>本発明の第4の局面は、第1~第3の局面において、前記基板は、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第1の材料から成る層と第2の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材であるLEDランプである。第4の局面では、基板の構造が特許文献2の技術と同じであるため、特許文献2と同様の作用効果が得られ、基板の熱膨張率を小さくした上で熱伝導率を大きくできるため、第1の局面の作用効果が更に高められる。<第5の局面>本発明の第5の局面は、第1~第4の局面において、前記基板の表面側にて、前記配線層および前記LEDチップを封止して覆うガラス材料から成る封止材を備えるLEDランプである。第5の局面によれば、封止材が光により変色し難いガラス材料から成るため、LEDチップを高出力化することが可能になる。ところが、LEDチップを高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材と基板の熱膨張率の違いにより、封止材と基板の密着性が阻害されたり、封止材に歪みや亀裂が生じるという問題が顕在化し易い。しかし、第5の局面によれば、第1~第4の局面のように基板の熱膨張を抑制可能であるため、前記問題が生じるのを確実に防止できる。<第6の局面>本発明の第6の局面は、第1~第5の局面において、前記基板の表面側にて、前記LEDチップの周囲を取り囲むように配置形成されたガラスセラミックス材料から成るリフレクタを備えるLEDランプである。第6の局面によれば、第1~第4の局面のように基板の熱膨張が抑制されるため、リフレクタと基板の密着性が阻害されるのを防止すると共に、リフレクタの歪みや亀裂が生じるのを防止し、LEDランプの信頼性を向上できる。また、第5の局面を用いる第6の局面によれば、ガラスセラミックス材料から成るリフレクタは、ガラス材料から成る封止材と熱膨張率が近いため、LEDチップの発熱によりリフレクタおよび封止材が熱膨張しても、リフレクタと封止材の密着性が阻害されるのを防止できる。以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略してある。<第1実施形態>図1は、第1実施形態のLEDランプ10の概略構成を示す要部縦断面図である。LEDランプ10は、実装基板11、配線層12、接続材13、放熱基板14、露出部14a、絶縁層15、開口部15a、配線層16、開口部16a、バンプ17,18、封止材19、LEDチップ30、カソード側電極パッド31、アノード側電極パッド32などから構成されている。絶縁材料例えば、セラミックス材料などから成る実装基板11の表面には、金属例えば、銅、アルミニウム、これらを含む合金などから成る配線層12が形成されている。配線層12の表面には、導電材料例えば、ハンダ、金属含有ペースト材などから成る接続材13を介して、放熱基板14の裏面全体が接続固定されている。放熱基板14は、導電性且つ熱伝導性の材料から成り、例えば、特許文献1に記載されている金属銅、アルミニウム、これらを含む合金やカーボンなどのコア材、特許文献2に記載されている熱膨張係数および熱伝導率が異なる第1の材料銅、銀、これらを含む合金から成る層と第2の材料モリブデン、タングステンから成る層とを交互に積層した構造のクラッド材である。放熱基板14の表面には、絶縁層15を介して配線層16が形成されている。絶縁層15には、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、無機フィラーおよび合成樹脂を含むコンポジット材、放熱基板14の表面がアルミニウムから成る場合には酸化アルミニウムなどが用いられる。配線層16は、金属例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、金、銀、銅、プラチナなどの単層膜または多層膜から成る。絶縁層15および配線層16には、積層された各層15,16を貫通する開口部15a,15bが形成されており、開口部15a,16aの底面からは放熱基板14の表面が露出し、その露出した放熱基板14の表面から露出部14aが形成されている。LEDチップ30は、放熱基板14および配線層16の上にバンプ17,18を用いてフリップチップ実装されることにより、放熱基板14に搭載されている。すなわち、LEDチップ30の下面側には、LEDチップ30のN型半導体層図示略に接続されたカソード側電極パッド31と、LEDチップ30のP型半導体層図示略に接続されたアノード側電極パッド32とが配置形成されている。そして、LEDチップ30のカソード側電極パッド31と、各層15,16の開口部15a,16aから露出した放熱基板14の露出部14aとがバンプ17によって電気的且つ熱的に接続されている。また、LEDチップ30のアノード側電極パッド32と、配線層16の表面とがバンプ18によって電気的且つ熱的に接続されている。尚、バンプ17,18は、例えば、金、ハンダなどによって形成されている。ここで、LEDチップ30のP型半導体層は、LEDチップ30の発光層図示略の下面側全面に形成されている。また、カソード側電極パッド31はN型半導体層の下面側全面に形成され、アノード側電極パッド32はP型半導体層の下面側全面に形成されている。封止材19は透明なガラス材料から成り、放熱基板14の表面側に形成された各部材配線層16、LEDチップ30、バンプ17,18を封止して覆い、その上面は略球面状に形成されている。図2Aは、LEDランプ10に搭載された第1実施形態のLEDチップ30の下面図である。LEDチップ30の正方形状を成す底面において、円形のカソード側電極パッドN電極31が前記底面の略中央部に配置形成され、アノード側電極パッドP電極32が間隙を空けてカソード側電極パッド31の周囲を取り囲んでLEDチップ30の外周縁部近傍まで配置形成されている。[第1実施形態の作用効果]第1実施形態のLEDランプ10によれば、以下の作用効果を得ることができる。[1-1]LEDランプ10において、放熱基板14は導電性且つ熱伝導性の材料から成り、放熱基板14の露出部14aにLEDチップ30のカソード側電極パッド31第1電極がバンプ17を介して接続されると共に、放熱基板14の表面に絶縁層15を介して形成された配線層16にLEDチップ30のアノード側電極パッド32第2電極がバンプ18を介して接続されることにより、放熱基板14にLEDチップ30が搭載されている。これにより、導電性且つ熱伝導性の材料から成る放熱基板14をLEDチップ30のカソード側電極として用いることが可能になるため、放熱基板14の放熱効果を高めることができる。その結果、放熱基板14の熱膨張を抑制可能になるため、封止材19と放熱基板14の密着性が阻害されるのを防止すると共に、封止材19に歪みや亀裂が生じるのを防止し、LEDランプ10の信頼性を向上できる。[1-2]放熱基板14の露出部14aに接続されたLEDチップ30のカソード側電極パッド31は、放熱基板14の裏面全体から接続材13を介して、外部である配線層12に接続されている。そして、放熱基板14の裏面から実装基板11上に延出された配線層12は、LEDランプ10の外部端子カソード側端子として用いられる。これにより、放熱基板14の裏面全体をLEDチップ30のカソード側電極として用いることが可能になるため、LEDチップ30のカソード側電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできる。その結果、高出力のLEDチップ30に大電流を流した際に発生する熱を、放熱基板14の裏面全体から配線層12を介して速やかに放熱することが可能にり、LEDランプ10の発熱量を抑制できるため、前記[1-1]の作用効果が更に高められる。[1-3]LEDチップ30の発光面積を大きくしてLEDランプ10の発光効率を高めるには、LEDチップ30のアノード側電極パッド32の面積を大きくする必要がある。また、LEDチップ30には、アノード側電極パッド32→P型半導体層→発光層→N型半導体層→カソード側電極パッド31の経路で電流が流れる。そのため、LEDチップ30に効率的に電流を流すには、アノード側電極パッドP電極32からLEDチップ30内を通ってカソード側電極パッドN電極31へ至る電流経路における電流分布を均一化する必要がある。図2Aに示すように、LEDチップ30の底面の中央に配置された円形のカソード側電極パッド31第1電極の周囲を、アノード側電極パッド32第2電極が取り囲んでいる。そして、LEDチップ30の底面にて、カソード側電極パッド31を除く部分のほとんどにアノード側電極パッド32が形成されている。そのため、アノード側電極パッド32の面積を大きくすることが可能になり、LEDチップ30の発光面積を大きくしてLEDランプ10の発光効率を高めることができる。また、アノード側電極パッド32からLEDチップ30内を通ってカソード側電極パッド31へ至る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、LEDチップ30に効率的に電流を流してLEDランプ10の発光効率を更に高めることもできる。[1-4]放熱基板14を、特許文献2の技術と同じく、熱膨張係数および熱伝導率が異なる第1の材料から成る層と第2の材料から成る層とを交互に積層した構造のクラッド材とした場合には、特許文献2と同様の作用効果が得られ、放熱基板14の熱膨張率を小さくした上で熱伝導率を大きくできるため、前記[1-1]の作用効果が更に高められる。[1-5]封止材19は光により変色し難いガラス材料から成るため、LEDチップ30を高出力化することが可能になる。ところが、LEDチップ30を高出力化すると発熱量も多くなることから、封止材19と放熱基板14の熱膨張率の違いにより、封止材19と放熱基板14の密着性が阻害されたり、封止材19に歪みや亀裂が生じるという問題が顕在化し易い。しかし、LEDランプ10によれば、前記のように放熱基板14の熱膨張を抑制可能であるため、前記問題が生じるのを確実に防止できる。[1-6]図2B~Dはそれぞれ、第1実施形態のLEDチップ30における電極パッド31,32の配置を変更した第1~第3変更例を示すLEDチップ30の下面図である。第1~第3変更例でも、図2Aに示す例と同じく、カソード側電極パッドN電極31の周囲を、アノード側電極パッドP電極32が取り囲んでいる。そして、第1~第3変更例によれば、図2Aに示す例に比べて、アノード側電極パッド32からLEDチップ30内を通ってカソード側電極パッド31へ至る電流経路における電流分布を更に均一化することが可能になるため、LEDチップ30に効率的に電流を流してLEDランプ10の発光効率を更に高めることができる。図2Bに示す第1変更例では、カソード側電極パッド31が、LEDチップ30の底面の略中央部に配置形成された円形の第1部分と、第1部分からLEDチップ30の底面の四隅に向けて延出された一定幅の長尺矩形状を成す第2部分とから形成されている。尚、カソード側電極パッド31の第2部分は、図2Bに示す4個に限らず、3個または5個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。図2Cに示す第2変更例では、長尺矩形状を成す2個のカソード側電極パッドN電極31が平行且つ均等に配置形成されている。そして、個々のカソード側電極パッド31の両端部には、バンプ17と接続するための略円形のパッド部が形成されている。尚、カソード側電極パッド31は、図2Cに示す2個に限らず、3個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。図2Dに示す第3変更例では、16個の円形のカソード側電極パッド31が、LEDチップ30の底面にて縦横方向に4個ずつ均等に配置形成されている。尚、カソード側電極パッド31は、図2Dに示す16個に限らず、4個以上の適宜な個数にして均等配置してもよい。<第2実施形態>図3は、第2実施形態のLEDランプ100の概略構成を示す要部縦断面図である。LEDランプ100は、実装基板11、配線層12、接続材13、放熱基板14、露出部14a、絶縁層15、開口部15a、配線層16、開口部16a、バンプ17,18、封止材19、LEDチップ30、カソード側電極パッド31、アノード側電極パッド32などから構成されている。LEDランプ100において、第1実施形態のLEDランプ10と異なるのは、LEDチップ30のカソード側電極パッド31が配線層16の表面とバンプ18によって接続され、アノード側電極パッド32が放熱基板14の露出部14aとバンプ17によって接続されている点だけである。図4は、LEDランプ100に搭載された第2実施形態のLEDチップ30の下面図である。LEDチップ30の正方形状を成す底面において、四隅がアール状に切り取られた形状のアノード側電極パッドP電極32が前記底面の中央部に配置形成され、略正方形枠状のカソード側電極パッドN電極31が間隙を空けてアノード側電極パッドP電極32の周囲を取り囲むように配置形成されている。尚、カソード側電極パッド31の四隅部には、バンプ17と接続するための略扇形のパッド部が形成されている。[第2実施形態の作用効果]第2実施形態のLEDランプ100によれば、第1実施形態の前記[1-4][1-5]の作用効果に加えて、以下の作用効果を得ることができる。[2-1]LEDランプ10において、放熱基板14は導電性且つ熱伝導性の材料から成り、放熱基板14の露出部14aにLEDチップ30のアノード側電極パッド32第1電極がバンプ18を介して接続されると共に、放熱基板14の表面に絶縁層15を介して形成された配線層16にLEDチップ30のカソード側電極パッド31第2電極がバンプ17を介して接続されることにより、放熱基板14にLEDチップ30が搭載されている。これにより、導電性且つ熱伝導性の材料から成る放熱基板14をLEDチップ30のアノード側電極として用いることが可能になるため、放熱基板14の放熱効果が高められ、放熱基板14の熱膨張を抑制してLEDランプ10の信頼性を向上できる。[2-2]放熱基板14の露出部14aに接続されたLEDチップ30のアノード側電極パッド32は、放熱基板14の裏面全体から接続材13を介して、外部である配線層12に接続されている。そして、放熱基板14の裏面から実装基板11上に延出された配線層12は、LEDランプ10の外部端子アノード側端子として用いられる。これにより、放熱基板14の裏面全体をLEDチップ30のアノード側電極として用いることが可能になるため、LEDチップ30のアノード側電極における電気抵抗および熱抵抗を共に小さくできることから、前記[2-1]の作用効果が更に高められる。[2-3]図4に示すように、LEDチップ30の底面の中央に配置された四隅がアール状に切り取られた形状を成すアノード側電極パッド32第1電極の周囲を、カソード側電極パッド31第2電極が取り囲んでいる。そして、LEDチップ30の底面にて、カソード側電極パッド31を除く部分のほとんどにアノード側電極パッド32が形成されている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態の前記[1-3]と同様の作用効果が得られる。[2-4]LEDチップ30の発光面積を大きくしてLEDランプ10の発光効率を高めるために、カソード側電極パッドN電極31の面積に比べて、アノード側電極パッドP電極32の面積が大きくされている。第1実施形態では、カソード側電極パッド31が放熱基板14の露出部14aに接続されているため、LEDチップ30が発生する熱を小さな面積のカソード側電極パッド31から放熱基板14へ伝達している。それに対して、第2実施形態では、アノード側電極パッド32が放熱基板14の露出部14aに接続されているため、LEDチップ30が発生する熱を大きな面積のアノード側電極パッド32から放熱基板14へ伝達している。従って、第1実施形態に比べて、第2実施形態の方が、LEDチップ30が発生する熱を放熱基板14へ速やかに伝達可能であるため、LEDチップ30の発熱を効果的に抑制できる。<第3実施形態>図5は、第3実施形態のLEDランプ200の概略構成を示す要部縦断面図である。LEDランプ200は、実装基板11、配線層12、接続材13、放熱基板14、露出部14a、絶縁層15、開口部15a、配線層16、開口部16a、バンプ17,18、封止材19、LEDチップ30、カソード側電極パッド31、アノード側電極パッド32、リフレクタ201などから構成されている。LEDランプ200において、第1実施形態のLEDランプ10と異なるのは、リフレクタ201が設けられている点だけである。リフレクタ201はガラスセラミックス材料から成り、放熱基板14の表面側において各部材LEDチップ30、バンプ17,18の周囲を取り囲むように載置固定されている。リフレクタ201において、凹部201aの内周面は、開口部201bへ向けて傾斜した傾斜面となっており、LEDチップ30の光を反射して開口部201bから効率的に出射することができる。封止材19は、リフレクタ201の凹部201a内に充填されている。ガラスセラミックス材料から成るリフレクタ201は、ガラス材料から成る封止材19と熱膨張率が近いため、LEDチップ30の発熱によりリフレクタ201および封止材19が熱膨張しても、リフレクタ201と封止材19の密着性が阻害されるのを防止できる。また、前記のように放熱基板14の熱膨張が抑制されるため、リフレクタ201と放熱基板14の密着性が阻害されるのを防止すると共に、リフレクタ201に歪みや亀裂が生じるのを防止し、LEDランプ10の信頼性を向上できる。<第4実施形態>図6Aは、第4実施形態のLEDチップ30の下面図である。第4実施形態において、第1実施形態と異なるのは、LEDチップ30の寸法形状と、LEDチップ30における電極パッド31,32の配置だけである。第4実施形態のLEDチップ30の底面は長尺矩形状を成し、長尺矩形状を成すカソード側電極パッドN電極31が前記底面の長手方向に沿って前記底面の片端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッドP電極32が前記底面にてカソード側電極パッド31を除く部分のほとんどに配置形成されている。これにより、第4実施形態においても、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。第4実施形態のLEDチップ30は、サイドビュータイプのLEDランプ側面発光装置に好適であり、液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる薄型の発光装置に利用できる。図6B,図7AB,図8はそれぞれ、第4実施形態のLEDチップ30における電極パッド31,32の配置を変更した第1~第4変更例を示すLEDチップ30の下面図である。これら第1~第4変更例においても、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。図6Bに示す第1変更例では、長尺矩形状を成すカソード側電極パッド31が前記底面の長手方向の両端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッド32が前記底面にてカソード側電極パッド31を除く部分のほとんどに配置形成されている。図7Aに示す第2変更例では、第1変更例と同じく、長尺矩形状を成すカソード側電極パッド31がLEDチップ30の底面の長手方向の両端部に配置形成され、長尺矩形状を成すアノード側電極パッド32が前記底面にてカソード側電極パッド31を除く部分のほとんどに配置形成されている。そして、個々のカソード側電極パッド31の略中央部には、バンプ17と接続するための略半円形のパッド部が形成されている。図7Bに示す第3変更例では、長尺矩形状を成す3個のカソード側電極パッド31がLEDチップ30の底面の長手方向の両端部および中央部に配置形成され、長尺矩形状を成す2個のアノード側電極パッド32が前記底面にて個々のカソード側電極パッド31の間に配置形成されている。そして、LEDチップ30の底面の両端部に配置されたカソード側電極パッド31の略中央部には、バンプ17と接続するための略半円形のパッド部が形成されている。また、LEDチップ30の底面の中央部に配置されたカソード側電極パッド31の略中央部には、バンプ17と接続するための略円形のパッド部が形成されている。図8に示す第4変更例では、長尺矩形状を成す5個のカソード側電極パッド31がLEDチップ30の底面の長手方向の両端部および前記長手方向を4分割した部分に配置形成され、長尺矩形状を成す4個のアノード側電極パッド32が前記底面にて個々のカソード側電極パッド31の間に配置形成されている。第1~第4変更例のように、LEDチップ30の底面の長手方向に対して、複数個のカソード側電極パッド31を配置すれば、LEDチップ30の底面が長尺の場合でも、アノード側電極パッド32からLEDチップ30内を通って個々のカソード側電極パッド31へ至る電流経路における電流分布を均一化することが可能になるため、LEDチップ30全体に効率的に電流を流してLEDランプ10の発光効率を高めることができる。ところで、前記各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合には組み合わせた実施形態の作用効果を合わせもたせたり、相乗効果を得ることができる。本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。"