入射される粒子ビームを、円筒共振器内の上記粒子ビームのビーム進行方向に沿って配置した円筒状の複数のドリフトチューブ電極内部を通過させるとともに、上記複数のドリフトチューブ電極間に生じる高周波電界により加速するドリフトチューブ線形加速器において、上記複数のドリフトチューブ電極のうち上記円筒共振器の最も入射側に配置されるエンドドリフトチューブ電極内部に、上記粒子ビームを収束させる収束機器の少なくとも一部を上記エンドドリフトチューブ電極とは独立して位置調整可能に配置したことを特徴とするドリフトチューブ線形加速器。上記エンドドリフトチューブ電極は、上記粒子ビームの入射側であって内部に上記収束機器を配置した第一領域と、この第一領域より内径および外径が小さい第二領域とを有し、この第二領域は、上記エンドドリフトチューブ電極に隣り合う第1ドリフトチューブ電極の外径と同じ外径を有することを特徴とする請求項1に記載のドリフトチューブ線形加速器。上記円筒共振器は、この円筒共振器の内径が粒子ビームのビーム進行方向に向けて拡大するTEモード型円筒共振器であり、上記エンドドリフトチューブ電極が配置される部分の上記円筒共振器の内径を、上記エンドドリフトチューブ電極に隣り合う第1ドリフトチューブ電極が配置される部分の上記円筒共振器の内径よりも大きくしたことを特徴とする請求項1に記載のドリフトチューブ線形加速器。上記収束機器は永久磁石型四重極電磁石であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のドリフトチューブ線形加速器。上記複数のドリフトチューブ電極の配列がAPF法を適用したIH型であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のドリフトチューブ線形加速器。粒子ビームは荷電粒子の集合である為、個々の電荷により粒子間には互いに反発する力が働く。この空間電荷効果は、とくに荷電粒子が陽子のように軽く大電流の粒子ビームに対し、さらには粒子エネルギが低い場合、ビーム進行方向に対する径方向の発散力が相対的に大きくなるため問題となる。特にAPF-IH型線形加速器では炭素ビームを4MeVuまで小電流100μA加速した実績があるが、APF収束力が弱いため、陽子線を用いた医療用シンクロトロン施設用入射器として必要な7MeVまで10mA以上の大電流の陽子を加速することはできなかった。たとえば、陽子ビームを収束するために必要な収束力は炭素4価ビームの3倍、さらに電流量も100μAから10mA以上と100倍以上、つまり炭素ビームに比べ300倍以上収束力を得る必要があるため、APF-IH型線形加速器を大電流陽子加速用に適用することはできなかった。この発明は、以上のような従来の加速器の問題点を解消するためになされたもので、大電流の粒子ビームを加速できるドリフトチューブ線形加速器を得ることを目的とする。本発明は、入射される粒子ビームを、円筒共振器内の上記粒子ビームのビーム進行方向に沿って配置した円筒状の複数のドリフトチューブ電極内部を通過させるとともに、複数のドリフトチューブ電極間に生じる高周波電界により加速するドリフトチューブ線形加速器において、複数のドリフトチューブ電極のうち円筒共振器の最も入射側に配置されるエンドドリフトチューブ電極内部に、粒子ビームを収束させる収束機器をエンドドリフトチューブ電極とは独立して位置調整可能に配置したものである。この発明によれば、大電流の粒子ビームを加速できるドリフトチューブ線形加速器を提供できる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1によるドリフトチューブ線形加速器の要部の構成を示す断面図である。図1のドリフトチューブ線形加速器は、APF-IH型線形加速器である。真空容器を兼ねた円筒共振器1内にビーム進行方向2にドリフトチューブ電極3が入射側から第1、第2第n個と複数個配列されている。なお、ドリフトチューブ電極のうち、第1ドリフトチューブ電極を符号12とし、この第1ドリフトチューブ電極12の入射側に隣り合うドリフトチューブ電極、すなわち最も入射側に配置されるドリフトチューブ電極をエンドドリフトチューブ電極と称し、符号13とする。このドリフトチューブ線形加速器はAPF収束法を適用しているため、ドリフトチューブ電極3の間隔は一様に広がらず、周期を持って広がることが特徴である。円筒共振器1内にはリッジ5が円筒共振器1の上下もしくは左右一対に設けられる。ドリフトチューブ電極3はステム6により支持され円筒共振器1に設置されたリッジ5上に設置される。なお、図1では、円筒共振器1の出射側の断面は省略して示している。図2は、ドリフトチューブ電極3の拡大断面図である。ドリフトチューブ電極3間に高精度な加速収束電界分布を発生させるために、ステム6にはビーム進行方向に±02mm、径方向に±02mm程度のアライメント位置調整が必要である。そのため、ビーム進行方向には位置調整機構が、径方向には最終加工しろが、設けられている。ビーム進行方向の位置調整機構としてはステム6にステム台座7を設け、ステム台座ネジ穴8で調整する手法が簡便である。径方向最終加工しろは上記ステム台座7の底面部9リッジ5と面接触する部分、もしくはドリフトチューブ電極3とステム6が分離型である場合はドリフトチューブ電極3とステム6が接合する部分10を最終加工しろとして設ける。図2は、ステム台座7に最終加工しろを設けた場合である。円筒共振器1の空胴径内径は粒子ビームのビーム進行方向2に向けて拡大する。これは、ドリフトチューブ電極が入射側に集中することで円筒共振器1全体から見ると入射側に静電容量が集中していることと等価となり、円筒共振器1内のドリフトチューブ電極間に発生する電界強度分布が入射側に集中するのを防ぐためである。ドリフトチューブ電極間に発生する電界強度は、次式1で表されるファラデーの法則に従う。ここで、lはドリフトチューブ電極3間長、EDTはドリフトチューブ電極3間に発生する電界強度、BはAPF-IH型線形加速器内に発生する磁界強度、ドットは時間微分を示し、Sは高周波電流の経路により囲まれる断面積∝円筒共振器1の径である。上式に従うと、ドリフトチューブ電極3間の電界を増加させるためには円筒共振器1の径を拡大させることになる。この様子を図3に示す。図3は、図1のA-A位置における断面図図3の左側および図1のB-B位置における断面図である。逆に、図3のC-C位置における断面図が図1となる。図3に示すように、円筒共振器1の入射側における径D1よりも、出射側における径D2を大きくしている。このように円筒共振器1の径を出射側に向かって増加させることで、入射側に集中する電界強度分布を出射側に向かって増加させて、結果として円筒共振器1全体で均一の電界強度分布を得ることができる。円筒共振器1には、例えばRFQ線形加速器などの前段加速器27からの粒子ビームを、収束機器である3連の永久磁石型四重極磁石14を通して入射させる。円筒共振器1の両端には端板11が設置される図1では出射側の端板は図示されていない。。この端板11は円筒共振器1を形成するためであり、あるいは円筒共振器1が真空容器と兼ねている場合は真空容器を形成するために必要である。第1ドリフトチューブ電極12と対を成す電極として、端板11にはエンドドリフトチューブ電極13が取り付けられている。とくにエンドドリフトチューブ電極13の入射側内部には収束機器として3連の永久磁石型四重極磁石14の一部が配置されている。本実施の形態1では、収束機器の一部がエンドドリフトチューブ電極13の内部に配置されている例を示しているが、収束機器の全てをエンドドリフトチューブ電極13の内部に配置しても良い。要するに、少なくとも収束機器の一部がエンドドリフトチューブ電極13の内部に配置される構成であれば本発明の効果を奏する。図4はエンドドリフトチューブ電極13の詳細な断面図である。エンドドリフトチューブ電極13にも他のドリフトチューブ電極3に対する位置調整として軸方向に±02mm、径方向に±02mm程度のアライメント位置調整が必要である。そのため、ビーム進行方向には最終加工しろが、径方向には位置調整機構が設けられている。例えば、エンドドリフトチューブ電極台座17の端板11と接合する面15がビーム進行方向の最終加工しろとなり、径方向位置調整機構は端板11に取り付けるためのエンドドリフトチューブ電極台座ねじ穴16となる。あるいは、端板11とエンドドリフトチューブ電極13をはめ合いにて接合した場合は、図1に示す端板11と円筒共振器1との接合用端板ねじ穴23にて径方向位置調整を実施する。エンドドリフトチューブ電極13と第1ドリフトチューブ電極12との間に加速収束電界分布を発生させるため、エンドドリフトチューブ電極13は、収束機器を配置するための径方向に拡大した第1領域18と、他のドリフトチューブ電極3と同じ外径をもつ第2領域19とから構成される。第2領域19の長さは、エンドドリフトチューブ電極13と第1ドリフトチューブ電極12との間に発生する電界強度に実質的に影響を及ぼさないようにする。例えば、第2領域を全く設けない場合、第1ドリフトチューブ電極12とエンドドリフトチューブ電極13間に発生する電気力線は、明からに他のドリフトチューブ電極間に発生するものと異なってしまう。そのため、少なくとも、粒子のエネルギが一番低い第1ドリフトチューブ電極12を支えるステム位置を指標にすると、第2領域は第1ドリフトチューブ電極12のエンドドリフトチューブ電極13に対向する端面から第1ドリフトチューブ電極12を支えるステムまでの距離以上の長さで設けるべきである。APF法を適用する為に、第1ドリフトチューブ電極の全長よりも短いドリフトチューブ電極がある場合は、そちらを指標に考える。永久磁石型四重極磁石14は90度おきにN極とS極が配置されている磁石であり、この磁石の配置による磁場分布は、ビーム径を水平方向や垂直方向に、収束させたり発散させたりする効果があり、たとえば水平方向に発散収束発散のように3連配置する。図5は収束機器としての3連の永久磁石型四重極磁石14を設置するハウジングの一例を示す詳細断面図である。3連の永久磁石型四重極磁石14は個別に径方向およびビーム進行方向に対し±001mm程度調整する必要があるため、各永久磁石型四重極磁石14がハウジングに対して位置調整できるよう位置調整機構が設けられている。ビーム軸方向にはスペーサ20を加工、あるいは厚みの異なるスペーサ20を準備しておきスペーサ20を交換、することで、位置調整する。また、径方向にはハウジング内径に対して押しねじ21にて位置調整する。ハウジング構造中心と各永久磁石型四重極磁石14磁界中心が一致する機構とは別に、ハウジング構造中心とビーム中心軸との径方向を位置調整ができる機構が設けられている。この位置調整機構はエンドドリフトチューブ電極13とは独立に位置調整できる機構である。ビーム進行向にはAPF-IH型線形加速器の上流に配置する構造物たとえば前段加速器27の真空容器との接合面22を最終の加工しろとして利用して、径方向には上流構造物との接合用ねじ穴23にて調整する。ハウジングには収束機器とともに電流測定器としてCT等を内蔵すると、APF-IH型線形加速器への入射粒子ビーム電流量を測定することができる。また、ハウジングには自動調整機構が設けられていると、真空中にて実施されるビーム試験中であっても調整を行う事ができる。10mA以上の大電流陽子ビームである粒子ビームが入射側からAPF-IH型線形加速器に入射される。入射される粒子ビームは必ずしも3連の永久磁石型四重極磁石14中心軸と一致していない。四重極磁石中心に対し軸ずれした入射粒子ビームが通過すると、径方向に収束または発散する作用に加え、ビーム自体が偏向される作用が生じる。とくに大電流陽子ビームを収束するための四重極磁石の磁場勾配は100Tm級であるため、その偏向量も無視できず±01mm程度の位置調整でビーム軸と四重極磁石中心をそろえる必要がある。図6は100Tm級の磁場勾配を有する3連図1の紙面に垂直な方向に発散収束発散の永久磁石四重極磁石に対し、図1の紙面に垂直な方向に、中心から1mmオフセットした入射粒子ビームが受ける偏向量一点鎖線の曲線24、05mmオフセットした入射粒子ビームが受ける偏向量破線の曲線25、そして02mmオフセットした入射粒子ビームが受ける偏向量実線の曲線26を示している。APF-IH型線形加速器は径方向の収束力が弱いため、ビーム角度誤差に対する許容値が1mrad以下と小さい。02mmのオフセットした入射粒子ビームが受ける偏向量図6において、実線の曲線26の右端での傾きで、それぞれの曲線の傾きを評価した値を、傾きを示す矢印とともに記載している。は、13mrad程度となっており、02mmのオフセット量でも無視できない事がわかる。そのため、入射粒子ビーム位置を測定し、3連の永久磁石型四重極磁石14を設置したときのビーム偏向量を測定し、許容ビーム角度誤差内に収まるように永久磁石型四重極磁石14の位置を調整する。ドリフトチューブ線形加速器はドリフトチューブ電極3間での高周波電界で加速するため、ビーム進行方向とは逆向きの高周波電界が発生している間は加速することができない。ビーム進行方向とは逆方向の高周波電界の影響を受けないよう、この期間は粒子ビームがドリフトチューブ電極3内にいるようにドリフトチューブ電極3の配列が設計される。したがって、かりにDCビーム時間的に連続したビームがドリフトチューブ線形加速器に入射してもすべての粒子ビームを加速する事ができない。このため、ドリフトチューブ線形加速器から必要な電流量を出射するためには、たとえば低エネルギ領域にて粒子ビームの加速と群集化バンチを行うことができるRFQ線形加速器を前段加速器27として使用する。ただし、粒子ビームのバンチのみを実施するバンチャーなどを用いてDCビームやビーム進行方向に拡がった粒子ビームをバンチしてからドリフトチューブ線形加速器に入射する必要がある。しかしながら、たとえばRFQ線形加速器を前段加速器27として採用し、APF-IH型線形加速器の径方向アクセプタンスを達成するために従来型の四重極電磁石を用いると、その電磁石本体の大きさによりビーム輸送距離が長尺になり、粒子ビームはビーム進行方向の空間電荷効果により発散してしまう。その結果、APF-IH型線形加速器に入射することができても、入射粒子ビームはビーム進行方向のアクセプタンスに収まることができず大電流を加速することはできない。しかもエンドドリフトチューブ電極13は、IH型線形加速器でのビーム進行方向に磁界が発生し、円筒共振器1両端まで磁界を発生させるだけの長さが必要であり、エンドドリフトチューブ電極13の長さをビーム発散の都合で短くすることはできない。そのため、収束機器のビーム進行方向を短縮化できる永久磁石型四重極磁石14を使用するとともに、収束機器としての永久磁石型四重極磁石14の一部をエンドドリフトチューブ電極13内に配置した。図1におけるLの領域は陽子ビームをAPF-IH型線形加速器に入射するためのマッチングセクションである。全長50mm程度の永久磁石型四重極磁石14を用いた結果、前段加速器27の電極末端からAPF-IH型線形加速器の第1ドリフトチューブ電極12間までの距離を運転周波数200MHzの3周期分程度に抑えることができ、ビーム進行方向に粒子ビームが発散する前にAPF-IH型線形加速器に入射することビーム進行方向アクセプタンス内ができる。エンドドリフトチューブ電極13に永久磁石型四重極磁石14の一部を配置すると、他のドリフトチューブ電極3に比べ共振器内でのエンドドリフトチューブ電極13が占める割合が大きくなってしまう。そのため、入射側から出射側に行くに従って拡大する円筒共振器1の構造において、入射側で高周波によって発生する高周波磁界の実質磁界領域が減少するので、加速収束電界が減少してしまう。加速収束電界が減少すると、低エネルギ領域で空間電荷効果作用が著しいため、大電流粒子ビームを収束することができなくなってしまう。そのため入射側の円筒共振器1は電界強度を均一化させるために出射側に向けて拡大している空胴径以上に拡大させる。すなわち、図1で示したように、エンドドリフトチューブ電極13が配置される部分の円筒共振器1の内径D3を、第1ドリフトチューブ電極12が配置されている部分の円筒共振器1の内径D1よりも大きくする。図7は、エンドドリフトチューブ電極13が配置される部分の円筒共振器の内径D3の違いによる電界分布の違いを示す図である。図7において、点線で示す電界分布30は入射側円筒共振器の内径D3が拡大されず、円筒共振器1の第1ドリフトチューブ電極12付近の内径D1と同じ場合の電界分布であり、実線で示す電界分布31はエンドドリフトチューブ電極13が配置される部分の円筒共振器の内径D3を図1に示すようにD1より拡大した場合の電界分布である。図7で示すように、エンドドリフトチューブ電極13内に収束機器を配置しても、この部分の円筒共振器1の径を拡大することで、円筒共振器1のエンドドリフトチューブ電極13を配置した部分に必要な磁界発生のための空間領域を得る事ができ、入射側での加速収束電界が増加する。このように、エンドドリフトチューブ電極13が配置される部分の円筒共振器の内径を拡大することで、収束機器を配置したことによるエンドドリフトチューブ電極13の径拡大に対応できる。前段加速器等からの出射粒子ビームは、大強度磁場勾配の永久磁石型四重極磁石14により偏向されずに収束のみ実施され、APF-IH型線形加速器の径方向の入射条件にマッチングされる。また、前段加速器と後段加速器の輸送距離も短縮することができるため、ビーム進行方向の入射条件もマッチングされる。一方、APF-IH型線形加速器内で発生する加速収束電界に関し、エンドドリフトチューブ電極13と第1ドリフトチューブ電極12間においても、入射側の円筒共振器1の径が拡大していることで、他のドリフトチューブ間に発生する程度の電界強度を得る事ができる。さらに、エンドドリフトチューブ電極13の第1ドリフトチューブ電極12と対向する部分の形状が第1ドリフトチューブ形状と同形状のため、エンドドリフトチューブ電極13内部に永久磁石を配置していることによる不均一電界の発生を抑えることができる。また、収束機器とエンドドリフトチューブ電極13を互いに独立して位置調整できるよう構成したため、入射粒子ビーム条件と粒子ビーム加速条件を独立して達成することが可能であり、大電流の粒子ビームを加速することができるようになった。