"窒化物半導体を含むn形の第1層と、窒化物半導体を含むp形の第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた発光部であって、障壁層と、井戸層と、を含む発光部と、前記第1層と前記発光部との間に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、を備え、前記第1積層体は、前記第1積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部が埋め込まれており、前記第2層の一部は、前記凹部の前記少なくとも一部に埋め込まれた前記発光部の前記一部の上に配置されている半導体素子。前記第2層の前記一部は、前記凹部の前記少なくとも一部の中にさらに埋め込まれている請求項1記載の半導体素子。前記第4層のそれぞれの厚さは、前記井戸層の厚さよりも薄い請求項1または2に記載の半導体素子。前記凹部は、前記第1積層体を貫通していない請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体素子。前記第1層、前記第1積層体、前記発光部及び前記第2層を貫通する転位が形成されており、前記凹部の側面は、前記転位の周りを取り囲む請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体素子。前記第1層と前記第1積層体との間に設けられた第2積層体をさらに備え、前記第2積層体は、前記第3層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体素子。窒化物半導体を含むn形の第1層と、窒化物半導体を含むp形の第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた発光部であって、障壁層と、井戸層と、を含む発光部と、前記第1層と前記発光部との間に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、前記第1層と前記第1積層体との間に設けられた第2積層体であって、前記第3層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む第2積層体と、を備え、前記第2積層体は、前記第1層に近い第1部分と、前記第1部分と前記発光部との間に位置する第2部分と、を有し、前記第1部分におけるIn平均組成比は、前記第2部分におけるIn平均組成比よりも高い半導体素子。前記第1部分における前記In平均組成比は、前記第1層側から第2層側に向けて低下し、前記第2部分における前記In平均組成比の変化量は、前記第1部分における前記In平均組成比の変化量よりも小さい請求項7記載の半導体素子。前記第1積層体におけるIn平均組成比の、前記第1層から前記第2層に向かう方向に沿った変化量は、前記第2積層体におけるIn平均組成比の前記方向に沿った変化量よりも小さい請求項7または8に記載の半導体素子。前記複数の第5層は、GaNを含み、前記複数の第5層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも薄い請求項6~9のいずれか1つに記載の半導体素子。前記第1積層体と前記第2積層体との間に設けられ、前記発光部の厚さよりも薄い中間層をさらに備えた請求項6~10のいずれか1つに記載の半導体素子。前記井戸層は、GaInN及びAlGaInNの少なくともいずれかを含む請求項1~11のいずれか1つに記載の半導体素子。前記複数の障壁層のうちで前記第1積層体に最も近い第1障壁層は、AlGaInNを含む請求項1~12のいずれか1つに記載の半導体素子。基板と、前記基板の上に設けられ窒化物半導体を含むn形の第1層と、前記第1層の上に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、前記第1積層体の上に設けられた発光部であって、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、前記発光部の上に設けられ窒化物半導体を含むp形の第2層と、を備え、前記第1積層体は、前記第1積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部及び前記第2層の一部が埋め込まれているウェーハ。窒化物半導体を含むn形の第1層と、窒化物半導体を含むp形の第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた発光部であって、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、前記第1層と前記発光部との間に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、前記第1層と前記第1積層体との間に設けられた第2積層体であって、前記第3層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む第2積層体と、を備え、前記第2積層体は、前記第1層に近い第1部分と、前記第1部分と前記発光部との間に位置する第2部分と、を有し、前記第1部分におけるIn平均組成比は、前記第2部分におけるIn平均組成比よりも高いウェーハ。基板の上に窒化物半導体を含むn形の第1層を形成し、前記第1層の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して第1積層体を形成し、前記第1積層体の上に、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部を形成し、前記発光部の上に窒化物半導体を含むp形の第2層を形成し、前記第1積層体は、前記第1積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記発光部の形成は前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部を埋め込むことを含み、前記第2層の形成は、前記凹部の残余の空間の少なくとも一部に前記第2層の一部を埋め込むこと含む半導体素子の製造方法。前記第2層の形成の後、前記第2層の上面を接合用基板に接合した後に前記基板を除去することをさらに実施する請求項16記載の半導体素子の製造方法。窒化物半導体を含むn形の第1層の上に、窒化物半導体を含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層体を形成し、前記第2積層体の上に、前記第5層とは異なる組成を有しAlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して第1積層体を形成し、前記第2積層体のうちの前記第1層に近い第1部分におけるIn平均組成比が、前記第2積層体のうちの前記第1部分よりも前記第1層から遠い第2部分におけるIn平均組成比よりも高くなるような結晶成長条件を決め、前記決めた結晶成長条件を用いて前記第2積層体と前記第1積層体とを形成し、前記第1積層体の上に、障壁層と井戸層とを含む発光部を形成し、前記発光部の上に、窒化物半導体を含むp形の第2層を形成する半導体素子の製造方法。基板の上に窒化物半導体を含むn形の第1層を形成し、前記第1層の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して第1積層体を形成し、前記第1積層体の上に、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部を形成し、前記発光部の上に窒化物半導体を含むp形の第2層を形成し、前記第1積層体は、前記第1積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記発光部の形成は前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部を埋め込むことを含み、前記第2層の形成は、前記凹部の残余の空間の少なくとも一部に前記第2層の一部を埋め込むこと含むウェーハの製造方法。本発明の実施形態は、高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。本発明の実施形態によれば、窒化物半導体を含むn形の第1層と、窒化物半導体を含むp形の第2層と、発光部と、第1積層体と、を含む半導体素子が提供される。前記発光部は。前記第1層と前記第2層との間に設けられる。前記発光部は、障壁層と、井戸層と、を含む。前記第1積層体は、第1層と前記発光部との間に設けられる。前記第1積層体は、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む。前記第1積層体は、前記第1積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有する。前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部が埋め込まれている。前記第2層の一部は、前記凹部の前記少なくとも一部に埋め込まれた前記発光部の前記一部の上に配置されている。以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態本実施形態は、半導体素子に係る。実施形態に係る半導体素子は、半導体発光素子、半導体受光素子、及び、電子デバイスなどの半導体装置を含む。半導体発光素子は、例えば、発光ダイオードLED及びレーザダイオードLDなどを含む。半導体受光素子は、フォトダイオードPDなどを含む。電子デバイスは、例えば、高電子移動度トランジスタHEMT、ヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT、電界トランジスタFET及びショットキーバリアダイオードSBDなどを含む。以下では、実施形態が半導体発光素子に適用される例について説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図1に表したように、本実施形態に係る半導体素子10は、第1層130と、第2層150と、発光部140機能部と、第1積層体210と、を含む。第1層130は、窒化物半導体を含み、n形である。第2層150は、窒化物半導体を含み、p形である。この例では、第1層130は、n形閉じ込め層131と、n形コンタクト層132と、を含む。n形閉じ込め層131は、n形コンタクト層132と発光部140との間に配置される。n形閉じ込め層131は、例えば、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む。この例では、第2層150は、p形閉じ込め層151と、p形コンタクト層152と、を含む。p形閉じ込め層151は、n形コンタクト層152と発光部140との間に配置される。p形閉じ込め層151は、例えば、p形AlGaNを含む。発光部140は、第1層130と第2層150との間に設けられる。発光部140は、障壁層後述すると、井戸層後述すると、を含む。例えば、複数の障壁層が設けられる。井戸層は、複数の障壁層の間に設けられる。第1積層体210は、第1層130と発光部140との間に設けられる。第1積層体210は、複数の第3層203と、複数の第4層204と、を含む。複数の第4層204は、複数の第3層203と交互に積層される。第3層203は、例えば、AlGaInNを含む。複数の第4層204は、例えば、GaInNを含む。第4層204のそれぞれの厚さは、発光部140の井戸層後述するの厚さよりも薄くて良い。ここで、第1層130から第2層150に向かう方向をZ軸方向とする。例えば、第1層130、第1積層体210、発光部140及び第2層150は、この順でZ軸方向に沿って積層されている。本願明細書において、積層されている状態は、直接重ねられる状態に加え、間に別の要素が挿入された状態で重ねられる状態を含む。第1層130の上に第1積層体210が設けられ、第1積層体210の上に発光部140が設けられ、発光部140の上に第2層150が設けられている。本願明細書において、上に設けられている状態は、接して上に配置される状態に加え、間に別の要素が挿入されて上に配置される状態を含む。この例では、半導体素子10は、第2積層体220をさらに含む。第2積層体220は、第1層130と第1積層体210との間に設けられる。第2積層体220は、複数の第5層205と、複数の第6層206と、を含む。複数の第6層206は、複数の第5層205と、交互に積層される。複数の第5層205は、第3層203の組成とは異なる組成を有する。第5層205として、例えばGaNが用いられる。第6層206は、GaInNを含む。第6層206の厚さは、発光部140の井戸層後述するの厚さよりも薄くてよい。例えば、半導体素子10においては、例えば、基板110の主面上に、AlNの第1バッファ層121が設けられる。基板110の主面は、例えば、サファイアc面である。基板110の上にノンドープのGaNの第2バッファ層122が設けられる。具体的には、第1バッファ層121は、基板110の上に形成された高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121aの上に形成された高純度の第2AlNバッファ層121bと、を含む。第1AlNバッファ層121aにおける炭素濃度は、第2AlNバッファ層121bにおける炭素濃度よりも高い。そして、第2バッファ層122の上に、例えば、Siドープのn形GaNのn形コンタクト層132、Siドープのn形閉じ込め層131、発光部140、Mgドープのp形AlGaNのp形閉じ込め層151、及び、Mgドープのp形GaNのp形コンタクト層152、が積層される。さらに、p形コンタクト層152の上に、例えばNiのp側電極160が設けられる。n形コンタクト層132の上に、例えばAl/Auの積層膜のn側電極170が設けられている。p側電極160とn側電極170とに電圧を印加することで、発光部140に電流が供給され、発光部140から光発光光が放出される。図2a~図2dは、第1の実施形態に係る半導体素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。図2aは、半導体素子10、及び、後述する半導体素子11、12、13、及び、14、並びに、ウェーハ60及び64における発光部140の構成を例示している。図2bは、半導体素子10a、11a、12a、13a及び14a、並びに、ウェーハ60a及び64aにおける発光部140の構成を例示している。図2cは、後述する半導体素子10b、11b、12b、13b、及び、14b、並びにウェーハ60b及び64bにおける発光部140の構成を例示している。図2dは、後述する半導体素子11c、12c、13c、及び、14c、並びに、ウェーハ60c及び64cにおける発光部140の構成を例示している。図2aに表したように、半導体素子10においては、発光部140は、複数の障壁層41例えば第1障壁層BL1及び第2障壁層BL2などと、井戸層42と、を含む。井戸層42は、複数の障壁層41の間に設けられる。例えば、発光部140は、単一量子井戸SQW:SingleQuantumWell構造を有することができる。このとき、発光部140は、2つの障壁層41と、障壁層41の間に設けられた井戸層42と、を含む。例えば、発光部140は、多重量子井戸MQWMultiQuantumWell構造を有することができる。このとき、発光部140は、3つ以上の障壁層41と、障壁層41どうしのそれぞれの間に設けられた井戸層42と、を含む。図2aに示した例では、発光部140は、n1個の障壁層41と、n個の井戸層42と、を含むnは、1以上の整数。第i1障壁層BLi1は、第i障壁層BLiと第2層150との間に配置されるiは、1以上n-1以下の整数。第i1井戸層WLi1は、第i井戸層WLiと第2層150との間に配置される。第1障壁層BL1は、第1層130と第1井戸層WL1との間すなわち、第1積層体210と第1井戸層WL1との間に設けられる。第n井戸層WLnは、第n障壁層BLnと第n1障壁層BLn1との間に設けられる。第n1障壁層BLn1は、第n井戸層WLnと第2層150との間に設けられる。図2bに表したように、本実施形態に係る半導体素子10aにおいては、発光部140に1つの井戸層42が設けられる。図2cに表したように、本実施形態に係る半導体素子10bにおいては、発光部140に2つの井戸層42が設けられる。図2dに表したように、本実施形態に係る半導体素子10cにおいては、発光部140に3つの井戸層42が設けられる。発光部140に4つ以上の井戸層42を設けても良い。ここで、複数の障壁層41のうちで第2層150に最も近い障壁層41をp側障壁層BLpと呼ぶことにする。また、複数の井戸層42が設けられる場合において、複数の井戸層42の間に設けられる障壁層41を井戸間障壁層BLIと呼ぶことにする。複数の障壁層41のうちで第1層130に最も近い障壁層41が第1障壁層BL1である。第1積層体210の一部がこの層を兼ねても良い。換言すると、第1積層体210の複数の第3層203のうちで発光部140に最も近い層が第1障壁層BL1であるとすることが可能である。第1障壁層BL1は、例えば、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x<1、0≦y1、0<x1y1≦1を含む。第1障壁層BL1には、例えばSiドープのn形AlGaInNを用いられる。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数は、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2、y2<1、0<x2y2≦1を含む。なお、x2はx1と同じでも良く、異なっても良い。また、y2は、y1と同じでも良く、異なっても良い。特に、x2<x1であることが特に好ましい。y1<y2であることが、特に好ましい。井戸層42は、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む。井戸層42は、Ga1-y0Iny0N0<y0≦1、y1<y0、y2<y0を含む。このように、井戸層42は、GaInN及びAlGaInNの少なくともいずれかを含むことができる。井戸層42は、例えば、2ナノメートルnm以上9nm以下の厚さZ軸方向に沿った長さを有する。井戸層42のバンドギャップエネルギーは、障壁層41のバンドギャップエネルギーよりも小さい。井戸層42のバンドギャップエネルギーは、第1積層体210におけるバンドギャップエネルギー、及び、第2積層体220におけるバンドギャップエネルギーよりも小さい。これにより、井戸層42で発光した光が、半導体素子10に含まれる他の半導体層で吸収されることが抑制される。これにより、光は、外部に高効率で取り出される。第1積層体210において、第4層204の厚さは、井戸層42の厚さよりも薄くて良い。第3層203は、第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数の厚さよりも薄くて良い。第4層204の厚さの下限は、第4層204が連続して層としての物性を示す以上の厚さで決まる。第4層204の厚さの上限は、第4層204における吸収端のエネルギーと、井戸層42における吸収端のエネルギーと、の間に差異が設けられる条件で決まる。すなわち、第4層204の厚さは、例えば3原子層以上で、第4層204における吸収端のエネルギーが井戸層42の吸収端よりも十分大きくなる厚さ以下に設定される。具体的には、第4層204の吸収端のエネルギーに相当する波長が、井戸層42の発光スペクトルの強度がピーク値の半分以下となる波長よりも短波長側に設定される。井戸層42の厚さは、例えば4原子層の厚さ以上である。例えば、第4層204に井戸層42と同じ組成を適用すると、井戸層42と同じ条件で第4層204の成長が可能であり、プロセスが簡便に行える。また、井戸層42の成長前に、第4層204の成長を介して井戸層42と同じ成長条件での準備を十分な時間行うことができ、井戸層42の制御性が向上できる。この場合第4層204の厚さを井戸層42よりも薄くすることで、井戸層42よりもバンドギャップエネルギーを大きくすることができ、第4層204で吸収損失が生じることを簡単に抑制できる。一方、例えば、第4層204に、井戸層42よりもIn組成比が低くバンドギャップエネルギーが大きいGaInNを用いれば、井戸層42からの発光の第4層204における吸収をより小さくすることができる。また、この場合には、吸収が小さいので、第4層204をより厚くことができ、また、第3層203及び第4層204のペア数を増やすことができる。第3層203の厚さは、例えば、3原子層の厚さ以上、6nm以下である。下限は、連続的な層と似た特性を示す最小の厚さである。上限は、両側からしみ込む波動関数の重なりの影響が残り抵抗率の低下が生じる厚さである。例えば、第3層203においては、障壁層41例えば第1障壁層BL1と同程度のAl組成Al組成比が約10以下とされる。これにより、GaN層との間で電子に対する障壁による抵抗を小さくできると共に、良質な結晶成長を得ることが可能である。第3層203には、Siがドープされる。第3層203におけるSiの濃度は、例えば1×1017cm-3以上2×1019cm-3以下である。1×1017cm-3未満では、例えば電気抵抗が高くなる。2×1019cm-3を超えると、例えば結晶性が低下する。例えば、第3層203に障壁層41例えば第1障壁層BL1と同じ組成を適用すると、障壁層41と同じ条件で第3層203の成長が可能であり、プロセスが簡便に行える。また、障壁層41の成長前に、第3層203の成長を介して障壁層41と同じ成長条件での準備を十分な時間行うことができ、障壁層41例えば第1障壁層BL1の制御性が向上できる。例えば、障壁層41は井戸層42のキャリアを閉じ込める機能を有する。第3層203は、逆に低抵抗で電流を流す効果が期待される。このため、第3層203の厚さを障壁層41の厚さよりも薄くして抵抗成分を低減することにより、井戸層42でのキャリア閉じ込め効果を損なうことなく、素子の抵抗を効果的に低減することができる。第2積層体220において、第6層206の厚さは、井戸層42の厚さよりも薄くて良い。第5層205は、第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数の厚さよりも薄くて良い。第6層206の厚さは、例えば3原子層の厚さ以上である。第6層206の厚さは、第6層206における吸収端のエネルギーが井戸層42の吸収端よりも十分大きくなる厚さ以下に設定される。具体的には、第6層206の吸収端のエネルギーに相当する波長が、井戸層42の発光スペクトルの強度のピーク値の半分以下となる波長よりも短波長側になるように、第6層206の厚さが設定される。第6層206の厚さと井戸層42の厚さとの関係は第4層204の厚さと井戸層42の厚さとの関係と同様に考えられる。このため第4層204と同様に、第6層206の厚さを井戸層42よりも薄くしてよい。第6層206の厚さは、例えば1nmである。第5層205の厚さは、例えば、3原子層の厚さ以上、6nm以下である。下限は、連続的な層と似た特性を示す最小の厚さである。上限は、両側からしみ込む波動関数の重なりの影響が残り抵抗率の低下が生じる厚さである。第5層205の厚さは、例えば2.5nmである。第5層205には、例えば、Siが添加される。第5層205におけるSiの濃度は、例えば10×1017cm-3以上、2×1019cm-3以下である。10×1017cm-3未満だと、例えば電気抵抗が高くなる。2×1019cm-3を超えると、例えば結晶性が低下する。第5層205におけるSi濃度は、例えば1.2×1018cm-3である。第5層205の厚さと障壁層41の厚さとの関係は第3層203の厚さと障壁層41の厚さとの関係と同様に考えられる。このため、第3層203と同様に、第5層205の厚さを障壁層41よりも薄くしてよい。第5層205の厚さは、例えば2.5nmである。第5層205の数は、第6層206の数よりも1つ多くても良く、第5層205の数は、第6層206の数よりも1つ少なくても良い。第6層206に合わせて第2積層体220の成長を低温で行う場合、温度を下げて行う最初の成長層を第6層206とすることができる。第6層206の数を増やすと、より平坦な層で成長が開始でき、特に良質な結晶成長が可能となる。実施形態において、第1積層体210における第3層203及び第4層204のペアの数は、第2積層体220における第5層205及び第6層206のペアの数と、同じでも良く、異なっていても良い。第1積層体210の発光相当波長は、370nm以上380nm以下であることが好ましい。本願発明者は、第1積層体210の発光相当波長が370nm以上380nm以下、特に、370nm以上375nm以下である場合は、発光部140の発光の効率が高くなることをPL測定により実験的に確認した。この実験結果に基づくと、第1積層体210の発光相当波長を、370nm以上380nm以下の波長域とすることが素子特性向上に望ましいと考えられる。ここで発光相当波長について説明する。本願発明者は、本実施形態の半導体素子に用いるウェーハのPL測定を行うと、第1積層体210からの発光が確認できる場合があることを確認した。この発光スペクトルのピーク波長をこの半導体素子の発光相当波長とした。以下、上記の各種の層の構成についての具体例を示す。ただし、本実施形態はこれには限らず、各種の変形が可能である。第1バッファ層121の厚さは、例えば、約2マイクロメートルμmである。第1AlNバッファ層121aの厚さは、例えば3nm以上20nm以下である。第2AlNバッファ層121bの厚さは、例えば約2μm程度である。また、第2バッファ層122の厚さは、例えば2μmである。n形コンタクト層132におけるSi濃度は、例えば5×1018cm-3以上、2×1019cm-3以下である。また、n形コンタクト層132の厚さは、例えば、約6μmである。n形閉じ込め層131には、例えばSiドープのn形GaNが用いられる。n形閉じ込め層におけるSi濃度は、例えば約2×1018cm-3である。n形閉じ込め層131の厚さは、例えば約0.5μmである。p形閉じ込め層151には、例えば、Mgドープのp形Al0.15Ga0.85Nが用いられる。p形閉じ込め層151の厚さは、例えば約24nmである。p形閉じ込め層151の発光部140の側におけるMg濃度は、例えば約3×1019cm-3とされる。p形閉じ込め層151の、発光部140とは反対の側本具体例ではp側電極160の側におけるMg濃度は、例えば1×1019cm-3とされる。p形コンタクト層152のp形閉じ込め層151の側におけるMg濃度は、例えば約1×1019cm-3とされる。p形コンタクト層152のn形閉じ込め層151とは反対の側本具体例ではp側電極160の側におけるMg濃度は、例えば2×1019cm-3以上20×1019cm-3以下とされる。井戸層42には、既に説明したように、例えばGaInNが用いられる。井戸層42の厚さは、例えば、2nm以上9nm以下である。特に、2.6nm以上7nm以下の場合に、良好な発光が得られる。発光部140から放出される光発光光は、例えば、近紫外光である。発光光のピーク波長は、例えば、380nm以上400nm以下である。但し、実施形態はこれに限らず、発光光の波長は任意である。発光光のピーク波長は、例えば、400nmよりも長く500nm以下でも良い。発光部140における発光波長のピーク波長が380nm以上であると、吸収端が365nmのGaNの吸収に加え、第1積層体210による吸収の影響が小さくできる。第1積層体210の発光相当波長が370nm以上380nm以下の波長域とすることが素子特性向上に望ましいと考えられるので、発光部140の発光波長は380nmより長いと特性が向上できる。発光部140における発光波長のピーク波長が400nm以下の場合は、井戸層42の厚さを4.5nm以上9nm以下に設定する。これにより、例えば、良好な発光が得られる。発光部140における発光波長のピーク波長が395nm以下の場合は、井戸層42の厚さは、4.5nm以上7nm以下に設定する。これにより、良好な発光が得られ、さらに発光波長と強度の制御性が向上した。発光部140における発光波長のピーク波長が420nm以上450nm以下の場合は、井戸層42の厚さ3nm以上4.5nm以下に設定すると高い発光効率を得ることができる。ピーク波長が420nm以上450nm以下の場合に、井戸層42の厚さを3.5nm以上4nm以下に設定すると発光強度の制御性が向上した。発光部140における発光波長のピーク波長が430nm以上470nm以下の単一量子井戸構造においては、井戸層42の厚さが3nm以上3.5nm以下において高い発光効率を得ることができた。発光波長のピーク波長が430nm以上470nm以下の多重量子井戸構造においては、井戸層42の厚さが2.6nm以上3nm以下において高い発光効率を得ることができた。発光部140における発光光のピーク波長は、例えば、470nm以上とすることができ2nm以上3.5nm以下の厚さの井戸層42で発光を得ることができた。本実施形態においては高品質な下地結晶が得られるので、本実施形態の構成は、さらに長波長例えば500nm帯、600nm帯、700nm帯、さらに、InNの吸収端である0.75eVよりも短波長の任意の波長の活性層を有する素子に適用可能である。また、実施形態においては、発光部140は、単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造に加え、DHDoubleHetero構造、及び、区分的量子井戸構造及び量子ドット構造のいずれか等の種々の構成を有することができる。井戸層42には、例えばGa0.85In0.15Nが用いられる。このとき、井戸層42の厚さは、例えば約3.3nmとされる。そして、発光部140井戸層42から放出される光のピーク波長は、400nm以上450nm以下となる。井戸層42の数が2つである場合、特に高い効率が得られる。井戸層42の数は3でも良い。第1障壁層BL1には、例えば、Siドープのn形Al0.065Ga0.93In0.005Nが用いられる。第1障壁層BL1におけるSi濃度は、例えば0.3×1019cm-3以上2×1019cm-3以下とされる。第1障壁層BL1の厚さは、例えば約10nm以上25nm以下とされる。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数には、例えばGaInNが用いられる。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数の厚さは、例えば約6nmとされる。または、第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数には、例えばGaNが用いられる。複数の井戸層42が設けられる場合、井戸間障壁層BLIには、例えば、GaInNが用いられる。井戸間障壁層BLIのバンドギャップエネルギーは、第1障壁層BL1のバンドギャップエネルギー以下であり、p側障壁層BLpのバンドギャップエネルギー以下に設定されることが好ましい。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数には、例えばGa0.93In0.07Nが用いられる。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数の厚さは、例えば2nmを超え9nm未満である。第2障壁層BL2及び第m障壁層BLm:mは2以上の整数の厚さが2nmを超え5nm未満であることが特に好ましい。発光波長が380nm以上400nm以下の紫外発光を高効率で生じさせるための深いポテンシャルを形成するために、第1障壁層BL1及び第i障壁層BLi1<i≦nにおけるAl組成は6以上に設定してもよい。障壁層41の厚さは2nm以上に設定される。p形AlGaNの第2層150に最も近い障壁層41p側障壁層BLpの厚さが2nmよりも薄いと、p形AlGaN層を成長するために成長温度を上げるプロセスにおいて、第n井戸層WLnをはじめとする井戸層42が熱劣化を起こすためである。不純物拡散の影響も含めて、井戸層42の特性を制御するためには、p側障壁層BLpの厚さは4.5nm以上に設定される。特に、p側障壁層BLpの厚さが井戸層42の厚さよりも厚いと、p形AlGaN層と井戸層42との間の歪の影響を緩和する効果が大きい。なお、p側障壁層BLpが過度に厚いと、素子抵抗が高くなる原因となる。また、第1障壁層BL1以外の障壁層41が過度に厚いと、素子抵抗を高くする原因となり、井戸層42をオーバーフローしたキャリアが蓄積されて吸収の原因となる。逆に、p側障壁層BLp以外の障壁層41が薄すぎると井戸層42へのキャリアの閉じ込めが弱くなり発光効率が低下する。この影響の低減のために、第1障壁層BL1以外の障壁層41を第1障壁層BL1よりも薄くすることが望ましい。特にp側障壁層BLpの厚さを4nm以上9nm以下とした半導体素子においては、発光波長から予想される動作電圧の一割以内の電圧上昇で素子動作させることができる。第1障壁層BL1とp側障壁層BLp以外の障壁層41の厚さを4nm以上15nm以下とした素子では高い効率の発光特性が得られた。第1障壁層BL1の厚さは、例えば4.5nm以上30nm以下の範囲の値に設定することができる。第1障壁層BL1の厚さを4.5nm以上にすると、材料本来の物性が発揮されるようになり、正孔のオーバーフロー抑制効果が得られるようになる。また、第1障壁層BL1の厚さが30nm以下の場合において、良質な結晶成長が比較的容易に行える。第1~第n障壁層BL1~BLnの厚さは、井戸層42よりも厚いことが望ましい。第1障壁層BL1の厚さを井戸層42の厚さよりも厚く設定することで、井戸層42へのキャリア供給の制御が有効となる。特に、第1~第n障壁層BL1~BLnの厚さは、井戸層42の厚さの2倍以上であることが望ましい。第1~第n障壁層BL1~BLnの厚さを井戸層42の厚さの2倍以上に設定することで、第1~第n-1障壁層BL1~BLn-1の両側にキャリア供給が可能となり、井戸層42へのキャリア供給の精度が向上する。なお、第n井戸層WLnについては、p形のAlGaNの第2層150からの正孔注入を効率良く行うために、p側障壁層BLpの厚さは、前述のような条件を除けば薄いことが望ましい。このため、p側障壁層BLpの厚さは、第1積層体210の第3層203や第2積層体220の第4層204よりも薄くてよい。第1障壁層BL1は、例えば、発光部140の各井戸層42に注入された正孔が第1層130側に流出することを抑制する。特に結晶欠陥等がある場合も含めてキャリアに対するポテンシャルブロックの効果を持たせるために、第1障壁層BL1の厚さは、十分に厚くする。第1障壁層BL1の厚さが15nm以上20nm以下程度で、十分な効果が得られる。第1障壁層BL1の厚さが13nmよりも薄いと、電流注入密度を上げた時に効率低下の大きい素子の発生の割合が増加する場合があった。第1障壁層BL1の厚さが22nmより厚いと、抵抗が高い素子が発生する割合が増加する場合があった。第1積層体210の第3層203及び第2積層体220の第5層205は第1障壁層BL1に対して発光部140と反対側にある。このため、第1障壁層BL1と比べると、発光部140から正孔が漏れ出る現象を第3層203及び第5層205が抑制する役割は小さい。一方、第3層203及び第5層205は複数設けられることから、電流の抵抗として働きやすい。このため、素子の駆動電圧を下げるためには、第3層203及び第5層205は、薄いほどよい。このため、第3層203及び第5層205の厚さは、第1障壁層BL1の厚さよりも薄いことが望ましい。第3層203及び第5層205の厚さは、電気的に抵抗を下げるために薄いことが望まれるので、第1障壁層BL1のバンドギャップをこれらの層よりも大きくし、第1障壁層BL1の電気的抵抗が高くなる構成とした。第1障壁層BL1の厚さと、第3層203の厚さと、第5層205の厚さと、の関係は、電気的抵抗を基準とした実効的厚さの関係とされる。例えば、少なくとも第1障壁層BL1の実効的厚さが、第3層204の実効的厚さ及び第5層205の実効的厚さ以上に設定される。これにより、素子の特性が向上する。なお、第1障壁層BL1に高濃度にSiを添加することで、井戸層42に加わるピエゾ電界の影響を低減し、高効率の発光を得ることができる。発光部140の井戸層42と、第1積層体210の第4層204のGaInN層と、第2積層体220の第6層206のGaInN層の関係に関しては、井戸層42の厚さによりも、GaInN層の厚さが薄いことが望まれる。これにより、井戸層42の光学的バンドギャップエネルギーが、第4層204のGaInNと第6層206のGaInNの光学的バンドギャップエネルギーよりも小さくなる。これにより、井戸層42の発光が、第4層204のGaInN及び第6層206のGaInNの少なくともいずれかにより吸収されることが抑制される。井戸層42と、第4層204のGaInNと、第6層206のGaInNと、における厚さの関係は、それぞれの光学的バンドギャップエネルギーを基準とした実効的厚さにより規定することができる。井戸層42の実効的の厚さよりも、第4層204のGaInNの実効的厚さ及び第6層206のGaInNの実効的厚さが薄いことが望まれる。薄膜構造において、組成を変えるだけでバンドギャップエネルギーを大きく変えて、薄い方の層が厚い方の層よりもバンドギャップエネルギーが小さい結晶を作製しようとすると、GaInNのIn組成比の違いが大きくなり、材料物性の違いが大きくなるため、良質な結晶成長が難しい。このため、実空間でも、井戸層42の厚さよりも、第4層204のGaInNの厚さ及び第6層206のGaInNの厚さが薄いことがより望ましい。第1障壁層BL1及び第i障壁層BLi1<i≦n1におけるAl組成比が10を超えると、結晶品質が劣化する。また、第1障壁層BL1及び第i障壁層BLiに少量のInをドープすることで、例えば、結晶品質を改善することができる。第1障壁層BL1及び第i障壁層BLiにおけるIn組成比が0.3以上にすることで、結晶品質の改善がみられる。しかし、In組成比が1.0を超えると、結晶品質が劣化し、発光効率が減少する。ただし、第1障壁層BL1及び第i障壁層BLiの厚さが薄い場合には、In組成比を2まで高めることができる。第2積層体220の第5層205には、例えば、2.5nmの厚さのGaN層が用いられる。第6層206には、例えば、1nmのGa0.93In0.07N層が用いられる。第5層205と第6層206との積層数ペア数は、例えば16である。このとき、例えば、第5層205の数が17であり、第6層206の数を16としても良い。第1積層体210の第3層203には、例えば、2nmの厚さのAl0.07Ga0.93In0.01N層が用いられる。第4層204には、例えば、1nmのGa0.93In0.07N層が用いられる。第3層203と第4層204との積層数ペア数は、例えば30である。また、後述するように、第1積層体210と第2積層体220との間に中間層を設けても良い。図3は、第1の実施形態に係る半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図3に表したように、本実施形態に係る半導体素子10においては、第1積層体210は、凹部210dを有する。凹部210dは、第1積層体210の発光部140側の面210aに設けられている。凹部210dは、第2層150から第1層130に向かう方向-Z軸方向に沿って後退する。凹部210dの少なくとも一部に、発光部140の一部が埋め込まれている。これにより、高効率の半導体素子が提供される。さらに第2層150の一部は、凹部210dの上記の少なくとも一部に埋め込まれた発光部140の一部上に配置されている。さらに、第2層150の一部は、凹部210dの少なくとも一部の中残余の空間に埋め込まれても良い。また、例えば、凹部210dは、Z軸方向に沿って第1積層体210を貫通していない。すなわち、凹部210dの先端210eは、第1積層体210の中に位置する。凹部210dの先端210eは、第1積層体210の第1層130の側の面210bと、第1積層体210の発光部140側の面210aと、の間に位置する。また、図3に例示したように、第1層130、第1積層体210、発光部140及び第2層150を貫通する転位510が形成されている。凹部210dの側面210sは、転位510の周りを取り囲んでいる。凹部210dの側面210sは、例えば、転位510の延在軸に対して実質的に対称である例えば、円対称、3回対称、6回対称などが含まれる。転位510は、例えば、実質的にZ軸方向に対して平行である。実質的に対称とは、完全な対称ではなく不完全で概略において対象性の高い構造を含む。このような構成を有することで、半導体素子10において、高い効率が得られる。本願発明者は、以下に説明する実験結果と考察とに基づき、高効率に発光できる半導体素子の構成を構築した。窒化物半導体を用いた半導体素子において、GaInN層を用いた井戸層42を含む発光部140とサファイア基板との間に、複数のGaInN層が積層された積層体を設ける構成がある。本願発明者は、複数のGaN層と複数のGaInN層とを交互に積層して積層体第2積層体220に相当を形成し、その上にGaInNの井戸層42を有する発光部140を形成して、半導体素子を形成する実験を行った。そして、積層体における積層数と、半導体素子の平面平坦性と、の関係を検討した。その結果、GaN層とGaInN層とを交互に繰り返して積層した積層体を設けることで、表面平坦性が向上するが、積層数を多くすると、逆に、表面平坦性が損なわれる場合があることを見出した。さらに、複数のAlGaInN層と複数のGaInN層とを交互に積層した積層体第1積層体210に相当を第2積層体210と発光部140との間に挿入すると、高い表面平坦性を維持するGaInN層の数が増える場合があることを見出した。井戸層42のGaInN層の厚さは、数nmである。表面平坦性が向上すると、発光部140のGaInN層が凸凹の影響を受けにくくなり、発光効率が向上できると考えられる。第2積層体220GaN層とGaInN層との積層の上に、第1積層体210AlGaInN層とGaInN層との積層形成する場合、AlGaInN層及びGaInN層の層数を変化させたときの、結晶表面の平坦性の層数依存性は、第2積層体220だけを設ける場合における平坦性の層数依存性と同様の傾向を示す。しかし、AlGaInN層とGaInN層とを組み合せた場合は、より大きな層数においてもAlGaInN層とGaInN層とを組み合わせた構造を導入しない場合と比べて、結晶表面の平坦性が改善され、GaInN層とGaN層との積層構造のような、急激な平坦性の劣化は起こらなかった。さらに、第2積層体220の上に1第1積層体210を設ける場合においては、平坦性が改善する層数の範囲は、第2積層体220だけを設ける場合の平坦性が改善する層数の範囲よりも広かった。すなわち、AlGaInN層とGaInN層との合わせが、平坦性向上の上で特に有効であることが分かる。すなわち、AlGaInN層とGaInN層とを複数回積層した第1積層体210と、GaN層とGaInN層とを複数回積層した第2積層体220と、を組み合わせると、より多くの層数の範囲で結晶表面の平坦性が向上できる。例えば、AlGaInN層の厚さを2.5nmとし、GaInN層の厚さを1nmとした場合、AlGaInN層とGaInN層のそれぞれの数が3以上25以下において、平坦性が向上した。つまり、トータルのGaInN層の厚さを3nm以上25nm以下とすると、平坦性が向上し、発光効率が向上できる。第1積層体210と第2積層体220とを組み合わせると、結晶表面の平坦性が改善できるGaInN層のトータルの厚さの範囲が広がり、3nm以上50nm以下で平坦性が改善できる場合がある。本願発明者は、第1積層体210中で、転位510貫通転位の周りの積層速度が遅くなり、凹構造凹部210dが形成されることを見出した。この凹部210dを例えば、AlGaN例えば第1障壁層BL1で埋め込むと、そのAlGaN層と、平坦部上に形成された場合よりも薄いAlGaIn層とGaInN層とが積層された領域と、で転位510の周辺の凹部210dが埋め込まれる。平坦部上に形成された場合よりも薄いAlGaInN層とGaInN層とが積層された領域における実効的バンドギャップエネルギーが井戸層42のGaInNのバンドギャップエネルギーよりも大きくなると、注入された電流がGaInNの井戸層42における発光に有効に寄与せず転位510周辺で浪費されてしまうことが抑制される。さらに、発光部140が複数の井戸層42を含み、井戸間障壁層BLIが存在する場合には、平坦部上に形成された場合よりも薄いAlGaInN層とGaInN層とが積層された領域の実効的バンドギャップエネルギーが、井戸間障壁層BLIのバンドギャップエネルギーよりも大きくなると、上記の効果がより大きくなると考えられる。例えば、貫通転位の周りに発生する凹部210dの先端210eが第1積層体210の中に形成され、貫通転位の周りに、AlGaInN層とGaInN層とが混ざり合った領域が形成されることが好ましい。平坦部上に形成された場合よりも薄いAlGaInN層とGaInN層とが積層された領域におけるバンドギャップエネルギーは、GaN層とGaInN層とが積層されたバンドギャップエネルギーよりも大きい。このようなバンドギャップエネルギーが大きい領域が形成されることで、例えば、上記の効果が効率的に得られる。以下、より詳細に説明する。GaN、InN、AlN、及び、これら混ざり合った混晶が凹面上に形成されて平坦部上よりも薄膜化する場合、Nとの結合が弱いIn、Ga、Alの順に結晶から離脱しやすく薄膜化への寄与が大きいと考えられる。このため凹部210dを埋め込む斜面では、Alの組成が上がり、Inの組成が下がる傾向にあると考えられる。GaInNにおいては、組成的にも、量子効果を考えると厚さの観点でも、バンドギャップエネルギーが大きくなる傾向を示すと考えられる。AlGaInNにおいては、組成的にバンドギャップエネルギーを大きくする傾向を示すと考えられる。この場合、AlGaInNとGaInNとの積層構造では、特にバンドギャップエネルギーが大きくなり、転位周辺に薄膜化した積層構造が形成された場合、転位に電流が流れることを抑制する効果が大きく、発光素子の高光出力化への寄与が大きいと考えられる。このように、本実施形態に係る半導体素子10によれば、高効率の半導体素子が提供される。また、第1積層体210を第2積層体220と発光部140との間に設けることで、半導体素子の特性、特に電気的接合の特性が向上できることが分かった。第2積層体220においては、GaN層とGaInN層とが設けられる。第2積層体220は、例えば、超格子構造を有する。GaN層とGaInN層とにおける格子不整合が大きく、転位510の周りの成長速度が遅いため、転位510の周りに凹みが形成される。凹みの中心には、例えば転位510が存在する。このとき、超格子構造が積層されることで歪strainが加わり、転位510は徐々に曲げられ、転位510は層に対しておおむね垂直方向Z軸方向に沿う。本願発明者は、この状態を断面TEMにより観察した。図3は、この断面TEM像を基に描かれたものである。凹みの開口部は、転位510の向きに依存する。転位510が斜めの部分では、凹みの開口部が広い。転位510が垂直になるZ軸方向に対して平行になるにつれ、凹みの開口部は小さくなる。凹みの斜面側面は、エネルギー的に安定な面で形成されるようになる。これに伴って、成長速度が低下し、Inの取り込まれ効率が低下し、凹みの側面の対称性が向上すると考えられる。つまり、凹みの開口部が狭い部分では、Inは取り込まれ難い。このため、第2積層体220の第1部分第1層130の側の部分におけるIn平均組成比は高い。そして、第2積層体220が成長して、開口部が狭くなるとともに、In平均組成比も徐々に減少し、凹部210dの形状が安定したところで一定のIn平均組成比となると考えられる。このような結晶は、GaNとGaInNの超格子構造を調整して作成することで可能となる。主に、厚さと周期とが調整される。例えば、GaN層の厚さは例えば2.5nmである。GnInN層の厚さは例えば1nmで、In組成比は約0.5である。周期GaN層の数及びGaInN層の数は16である。第2積層体220で生じた凹みは、転位510が垂直方向に向いて形状が維持された状態のまま、第1積層体210AlGaInN層及びGaInN層、及び、発光部140へ引き継がれ、実質的に垂直方向のまま、表面に向かって伸びていく。なお、凹み凹部210dの形状は、表面側第1層130から第2層150に向かう側に開いた概略回転対称構造である。例えば円錐、六角錐、三角錐である。回転対称軸は、概略転位510に沿った方向となる。第1積層体210に形成される凹部210dに、発光部140の一部が埋め込まれる。例えば、断面TEM像により、凹部210dの中心軸を通る転位510に対して対称に、井戸層42InGaN層と障壁層41AlGaInN層とが積層されているのが観測されている。第1積層体210の厚さは、第1積層体210に形成される凹部210dの深さよりも厚い。もし、凹部210dが第1積層体210を貫通すると、例えば、キャリアのリークの原因となる。これを抑制するために、第1積層体210の構成主に厚さ及び周期が適切に設定される。例えば、AlGaInN層の厚さは、例えば、2nmである。GaInN層の厚さは例えば1nmである。周期AlGaInN層の数及びGaInN層の数は、例えば30である。発光部140を貫く転位510の向きが垂直になると、発光部140の面積に対する、転位510によって乱れた部分の面積の比率が減少する。これにより、発光効率が向上する。また、転位510が垂直になることで、電流が流れ込みにくくなり、電流のリークが抑制される。さらに、転位510の周りのIn組成比が低下することで、転位510周辺でのバンドギャップエネルギーが大きくなり、転位510に向かう横方向電流が抑制され、リーク電流が減少する。また、転位510周辺の結晶が乱れた領域の相対的な面積比が小さくなるため、発光部140の上に成長する第2層150の品質が向上する。また、製造における歩留まりが改善される。積層体を形成する際に、成長速度が遅くなると、Al窒素との結合が強いの結晶表面への取り込まれ効率が、In窒素との結合が弱い及びGa窒素との結合が中程度の結晶表面への取り込まれ効率よりも高くなる。このため、AlGaIn層とGaInN層とを用いた第1積層体210を用いることで、転位510周辺にAl組成の高い領域が形成され易くなる。これにより、転位510への電流流入が抑制され、リーク電流が抑制される。Al組成比が高い層においては、転位510の向きが垂直から変化し易い。窒素との結合が弱く、結晶表面の原子の動きを容易にするInをAlGaInN層の形成中に供給することで、凹部210dの形状が安定すると考えられる。また、薄いAlGaInN層と薄いGaInN層とを繰り返して形成することにより、AlGaInN層形成中に、凹部210dの形状が大きく変化する前に、In組成比が高く熱力学的に安定な状態を取りやすいGaInN層が形成される。これにより、凹部210dの形状が安定すると考えられる。このように、複数のAlGaN層と複数のGaInN層とを交互に積層した第1積層体210を設けることで、転位510が発光部140内に垂直に形成される。これにより、効率が向上する。本願発明者は、本実施形態に係る半導体素子10の構成により、結晶表面の平坦性が改善されることも見出した。第2積層体220と第1積層体210とを組み合わせることで、表面平坦性が高い結晶を形成できる。このため、この構成においては、GaInN層の数を増やすことで、凹部210dを第1積層体210中に効率良く形成すると共に、平坦な井戸層42を形成できる。前述したように、第1積層体210中に貫通転位転位510の周りの積層速度が遅くなり凹部210dが形成され、凹部210dに、発光部140の一部、及び、第2層150の一部が埋め込まれる。これにより、転位510の周りに、平坦部上よりも薄いAlGaInN層とGaInN層とが積層されたバンドギャップエネルギーが大きい領域が形成される。これにより、転位近傍への電流漏洩が抑制され、半導体素子の効率低下が抑制される。これにより、高効率の発光が得られる。本実施形態において、複数の井戸層42を設けた場合、井戸層42間の障壁層41のバンドギャップエネルギーを第1障壁層BL1例えばAlGaInNのバンドギャップエネルギーよりも小さくすると、より均一なキャリア注入が得られる。本実施形態においては、井戸層42のバンドギャップエネルギーは、他の層例えば、第1障壁層BL1、GaNを含む層、及び、AlGaNを含む層、第1積層体210、第2積層体210のバンドギャップエネルギーよりも小さい。このため、井戸層42の発光が他の層で吸収されることが抑制される。さらに、井戸層42の凸凹が小さいので井戸層42の吸収端エネルギーの揺らぎが小さい。このため、井戸層42のうちのある領域での発光が井戸層42のうちの別の吸収端エネルギーが小さい場所で吸収される効果が小さい。また、井戸層42の数を小さな数例えば、1,2、3等とした場合、多数の例えば4層以上等複数の井戸層42間でキャリア分布に違いがあり発光状態が異なる場合でも、光が他の層で吸収されることが抑制される。これらの効果により、発光光が効率良く外部に取り出される。本実施形態に係る半導体素子10においては、例えば、井戸層42の数を1以上3以下に設定する。これにより、多数の井戸層42を設けた場合のようなキャリアの不均一が発生しない。また、井戸層42の数が少ないので、均一な井戸層42を、最良の作製条件で形成できる。その結果、井戸層42における発光効率を高めることができる。さらに、多数の井戸層42において発生する井戸層での吸収が少ないので、光の取り出し効率も向上できる。例えば井戸層42が1つの場合には、同じ井戸層42へ電子と正孔が注入され、発光効率が高くなる。また、他に井戸層がないので、井戸層間で注入キャリア密度に分布があり、注入キャリア密度の低い井戸層で発光が吸収されて全体として発光効率が低下するという問題が生じない。井戸層42が2つの場合には、注入効率の高い注入領域側の井戸層42と、pn接合側の蓄積効率の高い井戸層42と、が設けられる。このため、多数例えば4つ以上の井戸層42を設けた場合のように、発光効率が低く、吸収体としての効果の大きい井戸層42が生じ難い。井戸層42が3つの場合には、複数の井戸層42を設けた構造としては電子注入とホール注入に対して対称な最も単純な構造が生成される。このため、例えば8層以上の多数の井戸層42を設けた場合に発生し易い、発光効率が低く、吸収体としての効果の大きい井戸層42が生じ難い。本実施形態に係る半導体素子11において井戸層42の数を4以上の多数とした場合は、面積あたりの電流注入密度を上げても、状態密度あたりのキャリア注入密度は上がりにくく、大きな電流を流して高出力の半導体素子を容易に実現できる。青色発光のピーク波長が例えば450nm以上480nm以下で発光する半導体素子においては、井戸層42におけるIn組成比が高い。このため、4.5nm以上の厚さの井戸層42を形成すると、GaN層と井戸層42との格子不整に基づく歪が大き過ぎ、結晶の品質が低下して発光強度が低下する。一方、井戸層42の厚さが薄い場合には、キャリアの井戸層42への閉じ込めが弱く、SQW構造では高い発光効率を得ることが困難である。このため、結果的に、MQW構造が採用される。本実施形態において、複数の井戸層42を設けた場合には、井戸間障壁層BLIのバンドギャップエネルギーは、第1障壁層BL1のAlGaInNのバンドギャップエネルギーよりも小さく設定して良い。これにより、ホールが井戸層42に均一に注入され、より高い発光効率を得ることができる。さらに、このような第1障壁層BL1を用いる場合には、第1障壁層BL1は、井戸間障壁層BLIよりも高いAl組成比、及び、低いIn組成比の少なくともいずれかを有する。このため、第1障壁層BL1の格子定数は、井戸間障壁層BLIの格子定数よりも小さい。これにより、In組成比が高く格子歪が大きい発光部140の歪が、それに隣接する第1障壁層BL1により緩和される。このため、高いIn組成比を用いた場合でも、良好な結晶が得られる。また、p側障壁層BLpにおけるバンドギャップエネルギーを、井戸間障壁層BLIのバンドギャップエネルギーよりも高くすると、高エネルギーのホールを発光部140に注入することができる。そして、複数の井戸層42間でのホール濃度分布の不均一を抑制することができる。これにより、発光効率をさらに向上することができる。このように、本実施形態係る半導体素子10によれば、高効率の半導体素子が得られる。本実施形態において、井戸層42の厚さを2nm以上9nm以下とすることで、高い発光効率と、良好なスペクトル特性が得られる。井戸層42として、例えばGa0.93In0.07Nを用いた場合、井戸層42の厚さは4.5nm以上9nm以下とすると高い発光効率が得られる。本願発明者の検討によれば、井戸層42の厚さが4.5nmよりも薄い場合には、発光強度が顕著に低く、9nmよりも大きいと、発光スペクトルのブロードニングと、発光強度の顕著な低下と、が起こる。井戸層42の厚さが2nmよりも薄い場合には、キャリアの井戸層42から障壁層例えば第1障壁層BL1、井戸間障壁層BLI及びp側障壁層BLpの少なくともいずれかへの広がりが大きくなり、効率の低下が生じていると考えられる。井戸層42の厚さが9nmを越えると、GaN層例えば、第2バッファ層122、n形コンタクト層132及びn形閉じ込め層131などと、井戸層42と、の格子不整が大きくなり、結晶に加わる歪が過大となり結晶の質が低下すると推定される。特に、井戸層42の厚さが3nm以上4.5nm以下の場合に、井戸層42の数を増やすと、発光強度は単一の井戸層42の構成のときと同一以上とすることができた。一方、7nm以上とすると発光波長の制約が大きくなり、450nmよりも長波長の井戸層42を作製することは難しい。井戸層42の厚さが7nm以下であればスペクトルのブロードニングが実質的に発生しない。このため、結晶の形状及び組成などに揺らぎがある場合においても、ほぼ全領域例えば井戸層42の全域で歪による結晶性の低下は起きていないと推定される。発光部140から放出される光発光光は、この波長に限らず、実施形態に関する上記の説明と同様に、種々の値とすることができる。発光部140は、実施形態に関する上記の説明のように、種々の構成を有することができる。本実施形態に係る半導体素子10において井戸数を少なくすると、上記のように多数の井戸層42におけるキャリアの不均一性と、再吸収の問題を解決できる。さらに、本実施形態に係る半導体素子10の構成をさらに検討したところ、上記の効果の他に、結晶品質の観点での発光効率の向上の効果がさらにあることが分かった。すなわち、本実施形態においては、井戸層42を少数とすると、その井戸層42の結晶品質が最も高くなるように各層を最適化することができる。逆に、多数の井戸層42を積層する構造において、高歪の井戸層42を多数積層して結晶を成長するため、成長に伴い歪の蓄積が起こり、全ての井戸層42を同じ成長条件で結晶成長することが困難であり、各井戸層42で結晶の特性が異なってしまう。以下、本実施形態に係る半導体素子10の製造方法の例について説明する。例えば、有機金属気相成長法を用いて、表面がサファイアc面の基板110の上に、第1バッファ層121となるAlN層を厚さ約2μmで形成する。具体的には、高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aを厚さ24nmで形成する。さらに、この上に、p形コンタクト層152となるMgドープp形GaN層を用いることもできる。この場合には、Al組成の調整によってウェーハの反りを補償することができる。第2バッファ層122格子緩和層は、第1バッファ層121の上における3次元島状成長により欠陥低減と歪緩和の役割を果たす。成長表面の平坦化のためには、第2バッファ層122格子緩和層の平均の厚さは、0.6μm以上とすることが好ましい。再現性と反り低減の観点から、第2バッファ層122格子緩和層の厚さは、0.8μm以上2μm以下が好ましい。これらのバッファ層を採用することで、従来の低温成長のバッファ層と比較して転位密度は1/10以下とすることができる。これにより、異常成長のために通常では採用困難な、高い成長温度と高いV族原料/III族原料比での結晶成長が可能となる。そして、これにより、点欠陥の発生が抑制され、高Al組成のAlGaN層や障壁層41第1障壁層BL1などに対して高濃度ドーピングが可能となる。基板としてSiを用いた場合には第1AlNバッファ層121aは、基板110との結晶型の差異を緩和する働きをし、特に螺旋転位を低減する。高純度の第2AlNバッファ層121bは必要に応じて設けられ、場合によっては省略しても良い。この上に成長するノンドープのGaNバッファ層第2バッファ層122の結晶欠陥が低減される。第1AlNバッファ層121aの厚さは、6nm以上、特に、1μm以上であることが好ましい。6nm以上の厚さにおいて、基板表面保護の効果が得られる。1μm以上の厚さにおいて、転位の抑制の効果が大きくなる。また、歪みによる反り防止のためには、高純度の第2AlNバッファ層121bの厚みが4μm以下であることが好ましい。基板としてSiを用いた場合も、第1バッファ層121には、上記のようにAlNを用いることができる。ただし、本実施形態はこれには限定されず、例えば、Alα2Ga1-α2Nを用いることができる。この場合、Al組成の調整によってウェーハの反りを補償することができる。既に説明したように、第1障壁層BL1は、例えば、Siがドープされた4元混晶AlGaInNAl組成が6以上10以下、In組成比が0.3以上1.0以下を含む。他の障壁層41井戸間障壁層BLI及びp側障壁層BLpは、例えば、4元混晶AlGaInNAl組成が6以上10以下、In組成比が0.3以上1.0以下を含み、Siのドープは任意である。井戸層42は、例えばIn005Ga095NIn組成比は4以上10以下の間で適宜変えることができるを含む。発光波長が380nm以上400nm以下の紫外発光を高効率で生じさせるためには、深いポテンシャルを形成するために、第1障壁層BL1におけるAl組成は6以上に設定される。第1障壁層BL1の組成は、適宜変更可能である。例えば、第1障壁層BL1には、6よりもAl組成比の低いAlGaInNを用いることができる。第1障壁層BL1には、井戸層42よりもIn組成比の低いGaInNを用いることができる。第1障壁層BL1以外の障壁層41の組成も適宜可能である。これらの障壁層41には第1障壁層BL1と同様に、6よりもAl組成比の低いAlGaInNまたはGaNを用いることができる。これらの障壁層41には、井戸層42よりもIn組成比の低いGaInNを用いることができる。第1障壁層BL1以外の障壁層41に、第1障壁層BL1よりもAl組成比が低い、または、In組成比が高い結晶を用いることがさらに望ましい。第1障壁層BL1以外の障壁層41は、第1障壁層BL1とは異なり、GaInNの井戸層42上に形成されるため、GaInNの井戸層42とより物性の近い材料をこれらの障壁層41に用いることで、より低い温度で良質な結晶成長が可能になる。これにより、結晶成長中にGaInN層の、主に熱の影響による劣化を抑制できる。さらに、障壁層41と井戸層42のバンドギャップエネルギーの差が小さくなることにより、キャリア分布の均一性を増すことができ、キャリアの利用効率が向上できる、さらに、障壁層41と井戸層42とにおけるバンドギャップエネルギーの差が電気抵抗になる影響を低減でき、半導体素子の動作電圧が低減できる。井戸層42のIn組成比は、上記よりも低くても高くても良い。例えば、井戸層42のIn組成が低い場合には365nmにより近い波長での発光が可能となる。例えば、430nm以上400nm以下の波長帯で発光させる場合、井戸層42のIn組成比は、0.2以上0.3以下とすると良好な発光が得られる。例えば、440nm以上460nmの波長帯で発光させる場合、井戸層42のIn組成比は、0.3以上0.4以下としてよい。例えば、460nm以上500nm以下の波長帯で発光させる場合、井戸層42のIn組成比は、0.3以上0.5以下としてよい。さらに長波長での発光を得るために、井戸層42のIn組成比を1以下の範囲で適宜増加させてよい。p側障壁層BLpの厚さは、例えば2nm以上に設定される。p側障壁層BLpの厚さを2nm以上にすることで、例えば、p側障壁層BLpの成長後に第2層150を成長するために成長温度を上げる間に井戸層42が劣化する現象が抑制される。例えば、p側障壁層BLpの厚さが3nmよりも薄いと、例えば、p形AlGaN層の影響を受けて井戸層42の発光波長が変わる場合がある。p側障壁層BLpの厚さを4.5nm以上に設定すると、不純物拡散の影響も含めて、井戸層42の特性変化を制御する効果が大きい。p側障壁層BLpの厚さが井戸層42の厚さよりも厚いと、AlGaN層と井戸層42との間の歪の影響を緩和する効果が大きい。p側障壁層BLpが過度に厚いと、素子抵抗が高くなる場合がある。また、p側障壁層BLpが過度に厚いと、例えば、井戸層42をオーバーフローしたキャリアが蓄積されて吸収の原因となる。この影響の低減には、p側障壁層BLpを第1障壁層BL1よりも薄くすることが好ましい。p側障壁層BLpの厚さを9nm以下とした半導体素子においては、発光波長から予想される動作電圧の一割以内の電圧上昇で素子動作させることができた。第1障壁層BL1の厚さは、例えば4.5nm以上30nm以下の範囲の値に設定される。第1障壁層BL1の厚さを4.5nm以上にすると、材料本来の物性が発揮されるようになり、正孔のオーバーフロー抑制効果が得られるようになる。また、第1障壁層BL1の厚さが30nm以下の場合において、良質な結晶成長が比較的容易に行える。また、第1障壁層BL1の厚さは井戸層42よりも厚いことが好ましい。第1障壁層BL1の厚さを井戸層42の厚さよりも厚く設定することで、井戸層42へのキャリア供給の制御が有効となる。特に、第1障壁層BL1の厚さは、井戸層42の厚さの2倍以上であることが好ましい。第1障壁層BL1の厚さを井戸層42の厚さの2倍以上に設定することで、第1障壁層BL1の両側にキャリア供給が可能となり、井戸層42へのキャリア供給の精度が向上する。なお、前述したように、第1障壁層BL1に高濃度にSiを添加することで、井戸層42に加わるピエゾ電界の影響を低減し、高効率の発光を得ることができる。障壁層41におけるAl組成比が10を超えると、結晶品質が劣化する。また、障壁層41に少量のInをドープすることで、例えば結晶品質が改善される。障壁層41におけるIn組成比が0.3以上で、結晶品質の改善の効果がみられる。In組成比が1.0を超えると、結晶品質が劣化し、発光効率が減少する。ただし、その厚さが薄い場合には、In組成比を2まで高めることができる。例えば、本実施形態において、第1障壁層BL1の厚さが15nm以上の場合は、In組成比は1程度が限界であるが、第1障壁層BL1を7nmに薄くすると、In組成比を2としても、結晶が劣化せず、強い発光が得られる。第1障壁層BL1の成長技術の例について説明する。結晶品質の良い4元混晶AlGaInN層を成長することは難しく、さらにSiを高濃度にドープすると結晶は劣化しやすい。本願発明者は、LED素子の構成や成長条件を適正化することにより、結晶品質を落とすことなく、AlGaInNからなる障壁層BL1のIn組成比を高くすることに成功している。例えば、上記のように、本実施形態において、第1障壁層BL1の厚さが15nmを越えるとIn組成比は1程度が限界となるが、第1障壁層BL1を7nmに薄くするとIn組成比を2としても、結晶が劣化せず、強い発光が得られる。In組成比が高くできるようになると、GaInNの井戸層42との界面の急峻性が良くなり、井戸層42の結晶性が向上し、その結果、AlGaInNの第1障壁層BL1にSiを高濃度ドープすることが可能になる。また、高Si濃度の第1障壁層BL1を薄くすることによって、Siをさらに高濃度ドープすることが可能になる。第1障壁層BL1のAl組成比は、p側障壁層BLpのAl組成比よりも高く設定することができる。これにより、第1障壁層BL1のバンドギャップエネルギーが大きくなり、正孔に対する閉じ込め効果が大きくなり、注入電流を増加した時に電流の漏れが減り、光出力を増大することができる。電子に対してはp形閉じ込め層151p形AlGaN層がバリアとなるため、p側障壁層BLpのAl組成比はp形閉じ込め層151に対して十分低く設定される。例えば、第1障壁層BL1のAl組成比を8以上とし、p側障壁層BLpのAl組成比を0とすることができる。この場合、第1障壁層BL1を高温で成長し、その温度よりも成長温度を下げて井戸層42とp側障壁層BLpを成長しても良い。井戸間障壁層BLIには、GaNを用いても良く、GaInNを用いても良い。例えば、Al組成比が高い第1障壁層BL1は高温で成長させる。井戸層42と井戸間障壁層BLIとは低温で成長させる。そして、Al組成比の低いp側障壁層BLpは低温で成長させる。これにより、例えば、高In組成比の井戸層42を良好な特性で成長させることができる。なお、p側障壁層BLpについては、井戸層42の表面を保護する厚さで成長した後、温度を上げて成長してもよい。例えば、第1障壁層BL1を2層構造として、高Al組成比のAlGaN層と、低Al組成比のAlGaInN層と、を組み合わせても良い。例えば、このAlGaN層により正孔のオーバーフローを抑制することができ、AlGaInN層により結晶表面の特性を改善することができる。これにより、特性が改善された結晶表面の上に、井戸層42を形成することができる。この場合、AlGaN層と、AlGaInN層の一部と、を高温で成長し、AlGaInN層の残りを井戸層42と同じ温度で成長しても良い。このような方法を用いることで、高品質なAlGaN結晶を高温で成長し、井戸層42は井戸層42に適した温度で成長することができる。このような温度変化は多大な時間を要し、プロセス効率を下げるが、発光部140における井戸層42の数が少ない構成例えば井戸層42が3つ以下の構成などにおいては、プロセス効率の低下を抑制できる。例えば、井戸層42の数が3である場合例えば半導体素子10cにおいては、例えば、井戸層42内におけるIn組成比とGa組成比は、例えば、それぞれ、0.12及び0.88である。これにより、例えば、約400nmの波長領域のピーク波長を有する青色光が発光部140から放出される。この半導体素子においても、クラッド層のバンドギャップエネルギーは、井戸層42におけるバンドギャップエネルギーよりも高い。図4は、第1の実施形態に係る別の半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図4に表したように、本実施形態に係る半導体素子11及び半導体素子11a~11cにおいては、第1積層体210と第2積層体220との間に中間層181が設けられている。半導体素子11においては、第2積層体220の上に、中間層181となる、例えば、厚さが2.5のGaN層が有機金属気相成長法またはMOCVD法により、800°C~900°Cで形成される。そして、中間層181の上に第1積層体210が形成される。中間層181には、GaN、GaInN、AlGaN、AlGaIn及びAlNの少なくともいずれかを用いることができる。中間層181の厚さは、発光部140の厚さ発光部140の全体の厚さよりも薄いことが望ましい。中間層181が発光部140よりも薄いと、第1積層体210の歪の効果を発光部140だけではなく第2積層体220にも伝えることができ、第2積層体220の歪の効果を第1積層体210で強く受け、効果的に相互作用が起きる。中間層181は必要に応じて設けられ、場合によっては省略可能である。図5は、第1の実施形態に係る別の半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図5に表したように、本実施形態に係る別の半導体素子12及び半導体素子12a~12cにおいては、導電性基板460とp側電極160との間に第1金属層455が設けられ、導電性基板460と第1金属層455との間に第2金属層465が設けられている。半導体素子1212a~12cにおいては、低不純物濃度半導体層135が設けられている。低不純物濃度半導体層135と第2積層体220との間低不純物濃度半導体層135と発光部140との間にn形コンタクト層132が配置され、n形コンタクト層132と第2積層体220との間にn形閉じ込め層131が配置されている。低不純物濃度半導体層135における不純物濃度は、n形コンタクト層132における不純物濃度よりも低い。低不純物濃度半導体層135には、例えばノンドープのGaN層が用いられる。低不純物濃度半導体層135には、既に説明した第2バッファ層122格子緩和層を採用することができる。低不純物濃度半導体層135には、開口部138が設けられる。開口部138はn形コンタクト層132の一部を露出させる。開口部138は、低不純物濃度半導体層135のn形コンタクト層132とは反対の側の主面135aからn形コンタクト層132に繋がっている。すなわち、開口部138の底部は、n形コンタクト層132に繋がっている。開口部138において露出しているn形コンタクト層132と、低不純物濃度半導体層135の一部と、を覆うようにn側電極170が設けられている。そして、低不純物濃度半導体層135のn側電極170で覆われていない部分の主面135aには、凹凸137pを有する粗面部137が設けられている。半導体素子1212a~12cは、例えば以下のような方法によって作製される。例えば、サファイアからなる基板110の上へ、第1バッファ層121、第2バッファ層122低不純物濃度半導体層135となる、n形コンタクト層132、n形閉じ込め層131、第2積層体220、第1積層体210、発光部140、p形閉じ込め層151、及び、p形コンタクト層152、の各結晶層を形成して結晶積層体180を形成する。結晶積層体180のp形コンタクト層152上にp側電極160を形成する。そして、結晶積層体180と導電性基板460とを接合し、基板110及び第1バッファ層121を除去する。さらに、露出した結晶層n形コンタクト層132上にn側電極170を形成する。低不純物濃度半導体層135に粗面部137すなわち凹凸137pを形成する。これにより、半導体素子12が得られる。この場合も、凹部210dが、第1積層体210の発光部140側の面210aに設けられ、凹部210dの少なくとも一部に、発光部140の一部が埋め込まれている。これにより、高効率の半導体素子が提供される。例えば、第2層150の一部は、凹部210dの少なくとも一部に埋め込まれた発光部140の上記の一部の上に配置される。さらに、第2層150の一部は、凹部210dの少なくとも一部の中残余の空間に埋め込まれても良い。半導体素子12において、凹凸137pの大きさは、例えば、発光部140から放出される発光光の波長よりも大きく設定される。具体的には、凹凸137pの大きさは、例えば、発光部140から放出される発光光の低不純物濃度半導体層135における波長よりも大きく設定される。これにより、凹凸137pが設けられる粗面部137において、光の進路が変更され、光の取り出し効率が向上し、さらに高効率の半導体素子が得られる。図6は、第1の実施形態に係る別の半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図6に表したように、本実施形態に係る別の半導体素子13及び半導体素子13a~13cにおいては、半導体素子12及び半導体素子13a~13cにおいて、第1積層体210と第2積層体220との間に中間層181が設けられている。この構成においても、高効率の半導体素子が提供される。第2の実施形態図7は、第2の実施形態に係るウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図7に表したように、本実施形態に係るウェーハ60ウェーハ60a~60cは、基板110と、第1層130と、第1積層体210と、発光部140と、第2層と、を含む。第1層130は、基板110の上に設けられる。第1層130は、窒化物半導体を含み、n形である。第1積層体210は、第1層130の上に設けられる。第1積層体210は、AlGaInNを含む複数の第3層203と、複数の第3層204と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む。発光部140は、第1積層体210の上に設けられる。発光部140は、複数の障壁層41と、複数の障壁層41の間に設けられた井戸層42と、を含む。第2層150は、発光部140の上に設けられる。第2層150は、窒化物半導体を含み、p形である。第1積層体210は、第1積層体210の発光部140側の面210aに設けられた凹部210dを有する。凹部210dの少なくとも一部に発光部140の一部が埋め込まれている図3参照。例えば、第2層150の一部は、凹部210dの少なくとも一部に埋め込まれた発光部140の上記の一部に配置される。さらに、第2層150の一部は、凹部210dの少なくとも一部の中残余の空間に埋め込まれても良い。これにより、高効率のウェーハが提供できる。図3に関して説明したように、ウェーハ6060a~60cにおいても、凹部210dは、第1積層体210を貫通していない。そして、第1層130、第1積層体210、発光部140及び第2層150を貫通する転位510が形成されている。そして、凹部210dの側面210sは、転位510の周りを取り囲む。図7に例示したように、ウェーハ6060a~60cは、第2積層体220をさらに含む。第2積層体220は、第1層130と第1積層体210との間に設けられる。第2積層体220は、複数の第5層205と、複数の第6層206と、を含む。複数の第5層205は、第3層203の組成とは異なる組成を有し、窒化物半導体を含む。複数の第6層206は、複数の第5層205と交互に積層される。第6層206のそれぞれの厚さは、井戸層42の厚さよりも薄く、GaInNを含む。第5層205は、例えば、GaNを含み、複数の第5層205のそれぞれの厚さは、複数の障壁層41のそれぞれの厚さよりも薄い。第1積層体210の第4層204のそれぞれの厚さは、井戸層42の厚さよりも薄い。この場合も、ウェーハ6060a~60cは、中間層181をさらに含むことができる。中間層181は、第1積層体210と第2積層体220との間に設けられる。中間層181は、発光部140の厚さよりも薄い。ウェーハ6060a~60cにおいて、井戸層42は、例えば、GaInN及びAlGaInNの少なくともいずれかを含む。複数の障壁層41のうちで第1積層体210に最も近い第1障壁層BL1は、AlGaInNを含む。ウェーハ6060a~60cは、基板110と第1層130との間に設けられた第1バッファ層121と、第1バッファ層121と第1層130との間に設けられた第2バッファ層122と、を含むことができる。第1バッファ層121は、基板110と第2バッファ層122との間に設けられた第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121bと第2バッファ層122との間に設けられた第2AlNバッファ層121bと、を含むことができる。第3の実施形態図8は、第3の実施形態に係る半導体素子の製造方法を例示するフローチャート図である。図8に表したように、本実施形態に係るウェーハの製造方法においては、基板110の上に窒化物半導体を含むn形の第1層130を形成するステップS102。必要に応じて、ステップS102の前に、バッファ層例えば上記の第1バッファ層121及び第2バッファ層122などを形成するステップS101。そして、第1層130の上に、AlGaInNを含む複数の第3層203と、GaInNを含む複数の第4層204と、を交互に積層して第1積層体210を形成するステップS104。必要に応じて、ステップS104の前に、第1層130の上に、第3層203の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む第5層205と、それぞれの厚さが井戸層42の厚さよりも薄いGaInNを含む複数の第6層206と、を交互に積層して第2積層体220を形成するステップS103。そして、第1積層体210の上に、複数の障壁層41と、複数の障壁層41の間に設けられた井戸層42と、を含む発光部140を形成するステップS105。さらに、発光部140の上に窒化物半導体を含むp形の第2層150を形成するステップS106。さらに、必要に応じて、第2層150の形成の後、第2層150の上面を接合用基板例えば導電性基板に接合した後に、基板110を除去するステップS107。第1積層体210は、第1積層体210の発光部140側の面に設けられた凹部210dを有しており、上記の発光部140の形成は、凹部210dの少なくとも一部に発光部140の一部を埋め込むことを含む。上記の第2層150の形成は、凹部210dの残余の空間の少なくとも一部に第2層150の一部を埋め込むこと含む。これにより、高効率の半導体素子が製造方法できる。また、上記のステップS101~S106を実施することで、高効率のウェーハを製造することができる。第4の実施形態本実施形態に係る半導体素子は、半導体発光素子、半導体受光素子、及び、電子デバイスなどの半導体装置を含む。以下では、実施形態が半導体発光素子に適用される例について説明する。図9は、第4の実施形態に係る半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。図9に表したように、本実施形態に係る半導体素子14は、第1層130と、第2層150と、発光部140機能部と、第1積層体210と、第2積層体220と、を含む。第1層130、第2層150、発光部140、第1積層体210及び第2積層体220には、第1~第3の実施形態に関して説明した構成材料を含むを適用することができるので説明を省略する。この例では、第1積層体210と第2積層体220との間に中間層181が設けられている。図10は、第4の実施形態に係る半導体素子の特性を例示するグラフ図である。図10は、半導体素子14におけるInの濃度に関する特性を例示している。この図は、半導体素子14のSIMS分析結果の例を示している。図10の横軸は、深さ方向の位置Dznmである。縦軸は、Inに関する2次イオン強度IInCounts/s:カウント/秒である。図10に表したように、第2積層体220におけるInの濃度は一定ではない。第2積層体220の第1層130の側の部分における平均In組成は、第2積層体220の第1積層体210の側の部分よりも高い。第2積層体220における平均In組成比は、第1層130から第1積層体210に近づくにつれ徐々に減少する。ここで平均In組成比は、第5層205と第6層206とにおける平均のIn組成比である。このように、第2積層体220は、第1層130に近い第1部分220aと、第1部分220aと発光部140との間に位置する第2部分220bと、を有している。第1部分220aにおけるInの平均濃度平均In組成比は、第2部分220bにおけるInの平均濃度よりも高い。一方、第1積層体210におけるIn平均組成比は、実質的に一定である。このように、第1積層体210におけるIn平均組成比のZ軸方向に沿った変化量は、第2積層体220におけるIn平均組成比のZ軸方向に沿った変化量よりも小さい。第2積層体220において、上記のようなIn組成比の分布が形成される原因は、転位510の影響によるものと考えられる。第2積層体220においては、GaN層とGaInN層とが設けられる。第2積層体220は、例えば、超格子構造を有する。GaN層とGaInN層とにおける格子不整合が大きく、転位510の周りの成長速度が遅いため、転位510の周りに凹みが形成される。凹みの中心には、例えば転位510が存在する。このとき、超格子構造が積層されることで歪strainが加わり、転位510は徐々に曲げられ、転位510は層に対しておおむね垂直方向Z軸方向に沿う。半導体素子14において、図3に例示した模式図に例示した同様の凹みが形成される。凹みの開口部は、転位510の向きに依存する。転位510が斜めの部分では、凹みの開口部が広い。転位510が垂直になるZ軸方向に対して平行になるにつれ、凹みの開口部は小さくなる。凹みの斜面側面は、エネルギー的に安定な面で形成されるようになる。これに伴って、成長速度が低下し、Inの取り込まれ効率が低下し、凹みの側面の対称性が向上すると考えられる。つまり、凹みの開口部が広い部分では、Inは取り込まれ易い。このため、第2積層体220の第1部分220a第1層130の側の部分におけるIn平均組成比は高い。そして、第2積層体220が成長して、開口部が狭くなるとともに、In平均組成比も徐々に減少し、凹部210dの形状が安定したところで一定のIn平均組成比となると考えられる。図9に表したように、半導体素子14においては、導電性基板460とp側電極160との間に第1金属層455が設けられ、導電性基板460と第1金属層455との間に第2金属層465が設けられている。また、第1積層体210と第2積層体220との間に中間層181が設けられている。半導体素子14においては、低不純物濃度半導体層135が設けられている。低不純物濃度半導体層135と第2積層体220との間にn形コンタクト層132が配置され、n形コンタクト層132と第2積層体220との間にn形閉じ込め層131が配置されている。低不純物濃度半導体層135における不純物濃度は、n形コンタクト層132における不純物濃度よりも低い。低不純物濃度半導体層135には、ノンドープのGaN層が用いられる。低不純物濃度半導体層135には、既に説明した第2バッファ層122格子緩和層が採用される。低不純物濃度半導体層135には、開口部138が設けられる。開口部138はn形コンタクト層132の一部を露出させる。開口部138は、低不純物濃度半導体層135のn形コンタクト層132とは反対の側の主面135aからn形コンタクト層132に繋がっている。すなわち、開口部138の底部は、n形コンタクト層132に繋がっている。開口部138において露出しているn形コンタクト層132と、低不純物濃度半導体層135の一部と、を覆うようにn側電極170が設けられている。そして、低不純物濃度半導体層135のn側電極170で覆われていない部分の主面135aには、凹凸137pを有する粗面部137が設けられている。本願発明者は、本実施形態に係る半導体素子14を作製し、その特性を評価した。半導体素子14は以下のようにして作製された。サファイア基板図示しない上に、第1バッファ層121となる厚さ2μmのAlN層をMOCVD法により約1300°Cで形成した。その上に、第2バッファ122となる厚さ2μmのGaN層をMOCVD法により約1200°Cで形成した。その上に、厚さが4μm、でSi濃度が0.2×1019cm-3~1.5×1019cm-3のGaN層n形コンタクト層132をMOCVD法により1050°C~1200°Cで形成した。その上に、厚さが0.5μmで、Si濃度が2×1017cm-3~5×1018cm-3のn-GaN層n形閉じ込め層131をMOCVD法により1050°C~1200°Cで形成した。この上に、厚さが2.5nmで、8×1018cm-3のSiを添加したGaN層第5層205と、厚さが1nmのGa0.93In0.07Nの第6層206と、を交互に12~20層、MOCVD法により800°C~900°Cで形成した。これにより、第2積層体220が形成される。この上に、厚さが2.5のGaN層中間層181をMOCVD法により、800°C~900°Cで形成した。この上に、厚さが2nmで、8×1018cm-3のSiを添加したAl0.7Ga0.925In0.005N層第3層203と、厚さが1nmのGa0.93In0.07N層第4層204と、を交互に26~34層、MOCVD法により800~900°Cで形成した。これにより、第1積層体210が形成される。この上に、厚さが13.5nmで、4×1018cm-3~16×1018cm-3のSiを添加したAl0.07Ga0.925In0.005N層第1障壁層BL1:障壁層41をMOCVD法により約800°C~900°Cで形成した。この上に、厚さが7nmのGa0.93In0.07N層井戸層42をMOCVD法により約800~900°Cで形成した。この上に、厚さが4nm~12nmのAl0.07Ga0.925In0.005N層第2障壁層BL2:障壁層41をMOCVD法により約800~900°Cで形成した。この上に、厚さが24nmのMg添加p-Al0.2Ga0.8N層p形閉じ込め層151をMOCVD法により約950°C~1100°Cで形成した。この上に、厚さが0.3μmのp-GaN層p形コンタクト層15250をMOCVD法により、950°C~1100°Cで形成した。この上に、p側電極160を形成した。さらに、この上に第1金属層455を形成した。第2金属層465を有する導電性基板460を用意し、第1金属層455と第2金属層465と、を接着ボンディングした。この後、サファイア基板をレーザリフトオフ法により除去し、露出されたn-GaN層低不純物濃度半導体層135の表面上にエッチングにより凹凸構造を形成した。また、蒸着と、リソグラフィーを用いたパターニングと、により所定の形状を有するn側電極170を形成した。n側電極170をZ軸に沿ってみたときのパターンは、クロス形状を有する。クロス形状は、n形コンタクト層132の周縁に沿う周縁部と、n形コンタクト層132のX軸における中央部を通りY軸に沿って延在する第1延在部と、n形コンタクト層132のY軸における中央部を通りX軸に沿って延在する第2延在部と、を有する。この後、加工体を個別の素子に分断することで、半導体素子14が得られる。半導体素子14のX軸に沿う長さが約1mmミリメートルであり、Y軸に沿う長さは約1mmである。上記の半導体素子14において、中間層181は省略可能である。中間層181には、GaN、GaInN、AlGaN、AlGaIn及びAlNの少なくともいずれかを用いることができる。中間層181の厚さは、発光部140の厚さよりも薄いことが望ましい。中間層181が発光部140よりも薄いと、第1積層体210の歪の効果を発光部140だけではなく第2積層体220にも伝えることができ、第2積層体220の歪の効果を第1積層体210で強く受け、効果的に相互作用が起きる。本実施形態に係る半導体素子14においては、350mAの駆動電流まで発光効率はほぼ一定であり、その駆動電流において0.6Wの出力が得られた。本実施形態と同様の構成の半導体素子において、第2積層体220内の平均In組成比が連続的に低下して一定の組成領域ができない場合や、第1積層体210内においても平均In組成比が一定とならない場合には、注入電流密度を上げると発光効率が低下し、350mAの駆動電流における光出力は0.55W以下であった。本実施形態において、上記で説明したIn組成分布を有する結晶第2積層体220は、GaNとGaInNとの超格子構造を調整して作製することができる。主に、厚さと周期とが調整される。例えば、GaN層の厚さは例えば2.5nmである。GnInN層の厚さは例えば1nmで、In組成比は約0.5である。周期GaN層の数及びGaInN層の数は例えば12~27である。例えば、周期は、16~20であることがより望ましい。上記のような平均In組成プロファイルの第2積層体220を成長し、その上に、上記のような平均In組成プロファイルの第1積層体210を成長することで高効率な半導体発行素子が形成できるのは、以下のようなメカニズムによると推定される。転位510の周辺に凹みが生じ、転位510が概略垂直方向を向いて、形状が維持された状態のまま、第1積層体210AlGaInN層及びGaInN層、及び、発光部140へ引き継がれ、実質的に垂直方向のまま、表面に向かって伸びていくと考えられる。なお、凹み凹部210dの形状は、表面側第1層130から第2層150に向かう側に開いており転位に対して概略軸対称円錐、三角錘、六角錐などな形状を取っていると推定される。第1積層体210に形成される凹部210dに、発光部140の一部が埋め込まれる。例えば、断面TEM像により、凹部210dの中心軸を通る転位510に対して対称に、井戸層42InGaN層と障壁層41AlGaInN層とが積層されているのが観測できる。第1積層体210の厚さは、第1積層体210に形成される凹部210dの深さよりも厚い。もし、凹部210dが第1積層体210を貫通すると、例えば、キャリアのリークの原因となる。これを抑制するために、第1積層体210の構成主に厚さ及び周期が適切に設定される。例えば、AlGaInN層の厚さは、例えば、2nmである。GaInN層の厚さは例えば1nmである。周期AlGaInN層の数及びGaInN層の数は、例えば30である。発光部140を貫く転位510の向きが垂直になると、発光部140の面積に対する、転位510によって乱れた部分の面積の比率が減少する。これにより、発光効率が向上する。また、転位510が垂直になることで、電流が流れ込みにくくなり、電流のリークが抑制される。さらに、転位510の周りのIn組成比が低下することで、転位510周辺でのバンドギャップエネルギーが大きくなり、転位510に向かう横方向電流が抑制され、リーク電流が減少する。また、転位510周辺の結晶が乱れた領域の相対的な面積比が小さくなるため、発光部140の上に成長する第2層150の品質が向上する。また、製造における歩留まりが改善される。積層体を形成する際に、成長速度が遅くなると、Al窒素との結合が強いの結晶表面への取り込まれ効率が、In窒素との結合が弱い及びGa窒素との結合が中程度の結晶表面への取り込まれ効率よりも高くなる。このため、AlGaIn層とGaInN層とを用いた第1積層体210を用いることで、転位510周辺にAl組成の高い領域が形成され易くなる。これにより、転位510への電流流入が抑制され、リーク電流が抑制される。Al組成比が高い層においては、転位510の向きが垂直から変化し易い。窒素との結合が弱く、結晶表面の原子の動きを容易にするInをAlGaInN層の形成中に供給することで、凹部210dの形状が安定すると考えられる。また、薄いAlGaInN層と薄いGaInN層とを繰り返して形成することにより、AlGaInN層形成中に、凹部210dの形状が大きく変化する前に、In組成比が高く熱力学的に安定な状態を取りやすいGaInN層が形成される。これにより、凹部210dの形状が安定すると考えられる。このように、複数のAlGaN層と複数のGaInN層とを交互に積層した第1積層体210を設けることで、転位510が発光部140内に垂直に形成される。これにより、効率が向上する。本実施形態に係る半導体素子14及び14a~14cにおいては、発光部140は、他の実施形態に関して説明した、種々の構成、組成、発光波長を有することができる。第5の実施形態図11は、第5の実施形態に係るウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図11に表したように、本実施形態に係るウェーハ64及び64a~64cは、第1層130と、第2層150と、発光部140と、第1積層体210と、第2積層体220と、を含む。第1層130は、窒化物半導体を含み、n形である。第1層150は、窒化物半導体を含み、p形である。発光部140は、第1層130と第2層150との間に設けられる。発光部140は、障壁層41と井戸層42とを含む。例えば、複数の障壁層41が設けられ、井戸層42は、複数の障壁層41の間に設けられる。第1積層体210は、第1層130と発光部140との間に設けられる。第1積層体210は、AlGaInNを含む複数の第3層203と、複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層204と、を含む。第2積層体220は、第1層130と第1積層体210との間に設けられる。第2積層体220は、第3層203の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層205と、複数の第5層205と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層206と、を含む。第2積層体220は、図10に例示したような、第1層130に近い第1部分220aと、第1部分220aと発光部140との間に位置する第2部分220bと、を有する。第1部分220aにおけるIn平均組成比は、第2部分220bにおけるIn平均組成比よりも高い。これにより、高効率のウェーハが提供できる。第6の実施形態図12は、第6の実施形態に係る半導体素子の製造方法を例示するフローチャート図である。図12に表したように、本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、結晶成長条件を決定ステップS210し、決定した結晶成長条件を用いて、第2積層体220、第1積層体210、発光部140及び第2層150を形成するステップS220。例えば、窒化物半導体を含むn形の第1層130の上に、窒化物半導体を含む複数の第5層205と、GaInNを含む複数の第6層206と、を交互に積層して第2積層体220を形成し、第2積層体220の上に、第5層205とは異なる組成を有しAlGaInNを含む複数の第3層203と、GaInNを含む複数の第4層204と、を交互に積層して第1積層体210を形成するステップS211。そして、第2積層体220におけるInの組成分析を行うステップS212。第2積層体220は、第1層130に近い第1部分220aと、第1部分220aよりも第1層130から遠い第2部分220bと、を有するとする。組成分析の結果により、第2積層体220のIn組成プロファイルが、第1部分220aにおけるIn平均組成比が、第2部分220bにおけるIn平均組成比よりも高い条件であるかどうかを判定するステップS213。この判定の結果、NOのときは、条件結晶成長の条件、及びウェーハ構造の少なくともいずれかを含む条件を変更するステップS214。そして、ステップS211に戻る。判定の結果がYESとなるまで繰り返す。一方、組成分析の結果により、YESの場合第2積層体220のIn組成プロファイルが、第1部分220aにおけるIn平均組成比が、第2部分220bにおけるIn平均組成比よりも高い条件であるときに、結晶成長条件を決定するステップS210。このように、第2積層体220のうちの第1層130に近い第1部分220aにおけるIn平均組成比が、第2積層体220のうちの第1部分220aよりも第1層130から遠い第2部分220bにおけるIn平均組成比よりも高くなる結晶成長条件を決める。そして、決めた結晶成長条件を用いて、第2積層体220と第1積層体210とを形成し、第1積層体210の上に、障壁層41と井戸層42とを含む発光部140を形成し、発光部140の上に、窒化物半導体を含むp形の第2層150を形成するステップS220。これにより、半導体素子が形成される。本製造方法によれは、高効率の半導体素子の製造方法を提供できる。たとえば、基板110の上に窒化物半導体を含むn形の第1層130を形成する、第1層130の上に、第2積層体220を形成し、第2積層体220の上に第1積層体210を形成する。そして、第1積層体210の上に、障壁層41と、井戸層42と、を含む発光部140を形成する。発光部140の上に窒化物半導体を含むp形の第2層150を形成する。次に、例えば、SIMSにより、第1積層体210のIn組成プロファイルと、第2積層体220のIn組成プロファイルと、を測定する。第2積層体220内において、平均In組成比が第1層130側で高く機能領域側発光部140側で低下する領域と、平均In組成がほぼ一定となる領域を有し、第1積層体210内で平均In組成がほぼ一定の所定の平均In組成プロファイルが得られている場合には結晶成長条件及びウェーハ構造を確定する。目的とするプロファイルが得られていない場合には、結晶成長条件を修正してステップS211以下の処理を再度実施する。所定の平均In組成プロファイルが得られて確定した結晶成長条件及びウェーハ構造を用いて、結晶成長を行う。これにより、高出力の半導体素子が作製可能なウェーハが作製できる。さらに、このウェーハを用いて素子化プロセスを行い、半導体素子を作製する。これにより、高効率の半導体素子が製造方法できる。上記の実施形態に係る半導体素子が高効率であることは、例えば、平坦部よりもバンドギャップの大きなAlGInNとGaInNの積層構造により転位周辺が埋め込まれ、能動領域と、そこに電流を注入するための領域と、転位周辺と、が実効的に分離されている点にあると考えられる。1つの実施形態においては、例えば、GaN層上に、AlGaInNを含む複数の層と、GaInNを含む複数の層と、が交互に積層された第1積層体210が形成される。その上に、機能領域機能部が形成され、機能領域に対して電流注入または電流引き出しが起こる構造が設けられる。第1積層体210の表面に凹部が形成される。例えば、凹部で、機能領域または、凹部の周辺部分の厚さが薄くなっている構造が設けられる。例えば、実施形態に係る半導体素子は、窒化物半導体を含む第1層と、前記第1層の上に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、前記第1積層体の上に設けられた窒化物半導体を含む機能部と、を備える。前記第1積層体は、前記第1積層体の前記機能部側の面に設けられた凹部を有し、前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部が埋め込まれている。1つの実施形態においては、例えば、GaN層上に、AlGaInNとは異なる組成を有し窒化物半導体を含む複数の層と、GaInNを含む複数の層と、が交互に積層された第2積層体220が形成される。その上に、AlGaInNを含む複数の層と、GaInNを含む複数の層と、が交互に積層された第1積層体210が形成される。その上に、機能領域機能部が形成される。機能領域に対して電流注入または電流引き出しが起こる構造が設けられる。第2積層体220内に平均In組成比がGaN層側で高く機能領域側で低下する領域と、平均In組成がほぼ一定となる領域を有し、第1積層体210内で平均In組成がほぼ一定である構造が設けられる。例えば、実施形態に係る半導体素子は、窒化物半導体を含む第1層と、前記第1層の上に設けられた第1積層体であって、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層体と、第1層と前記第1積層体との間に設けられた第2積層体であって、前記第3層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む第2積層体と、前記第1積層体の上に設けられ窒化物半導体を含む機能部と、を備える。前記第2積層体は、前記第1層に近い第1部分と、前記第1部分と前記機能部との間に位置する第2部分と、を有し、前記第1部分におけるIn平均組成比は、前記第2部分におけるIn平均組成比よりも高い。このような構成を有する半導体素子及びウェーハの全てに、実施形態を適用できる。例えば、半導体レーザ素子、受光素子等の種々の光半導体素子、ダイオード、トランジスタ、電界トランジスタ、サイリスタ等の電流または電圧制御用半導体素子、及び、これらの組み合わせは、実施形態が適用できる例である。実施形態によれば、高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法が提供できる。本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体素子に含まれる半導体層、発光部、井戸層、障壁層、積層体、電極、基板、バッファ層及び凹部等の各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"