"電子線源と、この電子線源から放出された電子線によって励起されて紫外線を放射する半導体発光素子とが内部に配置された真空容器を備えてなる電子線励起型光源装置において、前記真空容器の内表面に紫外線反射部材が設けられていることを特徴とする電子線励起型光源装置。前記真空容器は、前記半導体発光素子における紫外線が放射される表面と離間して対向するよう配置された光透過窓を具えてなり、前記紫外線反射部材が設けられている領域が、少なくとも前記真空容器の周壁内面であって、前記半導体発光素子における紫外線が放射される表面より前記光透過窓側であることを特徴とする請求項1に記載の電子線励起型光源装置。前記紫外線反射部材が、金属酸化物粒子から形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子線励起型光源装置。しかしながら、電子線励起型光源装置の高光出力化および小型化に伴い、真空容器を構成するガラス材料に半導体発光素子から放射される紫外線が照射されることに起因して、当該真空容器が劣化または破損するという問題が発生した。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、高光出力化および小型化が図られた電子線励起型光源装置であっても、真空容器の劣化または破損が抑制される電子線励起型光源装置を提供することにある。本発明の電子線励起型光源装置は、電子線源と、この電子線源から放出された電子線によって励起されて紫外線を放射する半導体発光素子とが内部に配置された真空容器を備えてなる電子線励起型光源装置において、前記真空容器の内表面に紫外線反射部材が設けられていることを特徴とする。本発明の電子線励起型光源装置においては、前記真空容器は、前記半導体発光素子における紫外線が放射される表面と離間して対向するよう配置された光透過窓を具えてなり、前記紫外線反射部材が設けられている領域が、少なくとも前記真空容器の周壁内面であって、前記半導体発光素子における紫外線が放射される表面より前記光透過窓側であることが好ましい。本発明の電子線励起型光源装置においては、前記紫外線反射部材が、金属酸化物粒子から形成されることが好ましい。本発明の電子線励起型光源装置によれば、真空容器の内表面に紫外線反射部材が設けられていることにより、当該紫外線反射部材によって半導体発光素子から放射される紫外線が真空容器に照射されることが防止されるので、高光出力化および小型化が図られた電子線励起型光源装置であっても、真空容器の劣化または破損が抑制される。その上、紫外線反射部材が設けられていることにより、半導体発光素子から放射される紫外線を高い光取り出し効率で出力することができる。以下、本発明について詳細に説明する。図1は、本発明の電子線励起型光源装置における一例の構成の概略を示す説明図であり、aは側面断面図、bは、光透過窓を取り外した状態を示す平面図である。この電子線励起型光源装置は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状の真空容器10を備え、この真空容器10は、一面図1aにおいて上面に開口を有する容器基体11と、この容器基体11の開口に配置されて当該容器基体11に気密に封着された光透過窓15とによって構成されている。真空容器10の内部には、半導体発光素子20が、その表面図1aにおいて上面20aが光透過窓15に離間して対向するよう配置され、この半導体発光素子20の周辺領域には、支持基板31上に面状の電子線放出部32が形成されてなる電子線源30が、当該半導体発光素子20を取り囲むよう配置されている。具体的には、電子線源30は円環状の帯状体よりなり、当該電子線放出部32における電子線が放出される表面が真空容器10の光透過窓15を向いた姿勢で、半導体発光素子20を取り囲むよう配置され、この状態で、支持部材37を介して真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。半導体発光素子20および電子線源30は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図示省略を介して、真空容器10の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速手段50に電気的に接続されている。また、半導体発光素子20は、表面20aの裏面20bに設けられた高熱伝導部材16を介して、真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。半導体発光素子20に対して電子線源30より外方の位置には、電子線源30から放出された電子線の軌道を半導体発光素子20における表面20aに向かって指向させる電界制御用電極40が配置されている。具体的には、電界制御用電極40は、電子線源30の外径より大きい内径を有する胴部41と、この胴部41に連続して形成された、先端図1aにおいて上端に向かって小径となるテーパ部42とよりなる円筒体よりなり、電子線源30の外周を取り囲むよう配置されており、当該電界制御用電極40の基端が、真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。電子線源30および電界制御用電極40は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線を介して、真空容器10の外部に設けられた電界制御用電源52に、電子線源30が正極、電界制御用電極40が負極となるよう電気的に接続されている。真空容器10における容器基体11を構成する材料としては、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセラミックスなどの絶縁物を用いることができる。また、真空容器10における光透過窓15を構成する材料としては、半導体発光素子20からの光を透過し得るものが用いられ、例えば石英ガラス、サファイアなどを用いることができる。また、真空容器10の内部の圧力は、例えば104~106Paである。真空容器10の寸法の一例を挙げると、容器基体11の外形の寸法が40mm×40mm×20mm、容器基体11の肉厚が2mm、容器基体11の開口が36mm×36mmで、光透過窓15の寸法が40mm×40mm×2mmである。高熱伝導部材16を構成する材料としては、銅などの熱伝導性の高い金属やダイヤモンドなどを用いることができる。半導体発光素子20は、図2に示すように、例えばサファイアよりなる基板21と、この基板21の一面上に形成された例えばAlNよりなるバッファ層22と、このバッファ層22の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25とにより構成されている。この例における半導体発光素子20は、活性層25が真空容器10における光透過窓15に対向した状態で、基板21が高熱伝導部材16にロウ付け等で接合されている。基板21の厚みは、例えば10~1000μmであり、バッファ層22の厚みは、例えば100~1000nmである。また、半導体発光素子20における活性層25と電子線源30との離間距離は、例えば5~15mmである。また、半導体発光素子20における光が出射される表面20aと光透過窓15の内面との距離は、例えば3~25mmである。活性層25は、それぞれInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層26と単一または複数の障壁層27とが、バッファ層22上にこの順で交互に積層されて構成されている。量子井戸層26の各々の厚みは、例えば0.5~50nmである。また、障壁層27はその禁制帯幅が量子井戸層26のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、AlNを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層26の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば1~100nmである。活性層25を構成する量子井戸層26の周期は、量子井戸層26、障壁層27および活性層25全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、1~100である。上記の半導体発光素子20は、例えばMOCVD法有機金属気相成長法によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板21の0001面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するAlNからなるバッファ層22を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層22上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25を形成し、以て、半導体発光素子20を形成することができる。上記のバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。また、InAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合には、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、処理温度をAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合よりも低く設定すればよい。また、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えばMBE法分子線エピタキシー法なども用いることができる。図3に示すように、電子線源30における電子線放出部32は、多数のカーボンナノチューブが支持基板31上に支持されることによって形成されており、電子線源30における支持基板31は、板状のベース33上に固定されている。また、電子線源30における電子線放出部32の上方には、当該電子線放出部32から電子を放出するための網状の引き出し電極35が当該電子線放出部32に離間して対向するよう配置され、この引き出し電極35は、電極保持部材36を介してベース33に固定されている。支持基板31および引き出し電極35は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線を介して、真空容器10の外部に設けられた、電子線放出用電源51に電気的に接続されている。電子線源30の寸法の一例を挙げると、支持基板31の外径が25mm、内径が19mm、厚みが0.1mm、電子線放出部32の外径が24mm、内径が20mm、厚みが0.02mm、電子線放出部32における電子線が放出される面の面積が138mm2である。支持基板31を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。支持基板31上にカーボンナノチューブよりなる電子線放出部32を形成する方法としては、特に限定されず公知の方法を用いることができ、例えば表面に金属触媒層が形成された支持基板31を加熱し、COやアセチレン等のカーボンソースガスを供給することにより、支持基板31の表面に形成された金属触媒層上にカーボンを堆積してカーボンナノチューブを形成する熱CVD法、アーク放電法等によって形成されたカーボンナノチューブの粉体および有機バインダーが液状媒体中に含有されてなるペーストを調製し、このペーストをスクリーン印刷によって支持基板31の表面に塗布して乾燥するスクリーン印刷法などを好適に用いることができる。また、引き出し電極35を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。電界制御用電極40を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、アルミニウム、銀、銅、チタン、ジルコニウムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。電界制御用電極40の寸法の一例を示すと、胴部41の内径が34mm、軸方向の長さが12mm、テーパ部42の先端における内径が28mm、軸方向の長さが3mm、胴部41に対するテーパ部42の傾きは例えば45°、電界制御用電極40を構成する円筒体の肉厚が0.3mmである。本発明の電子線励起型光源装置においては、容器基体11における周壁内面には、反射膜よりなる紫外線反射部材60が設けられている。具体的には、紫外線反射部材60は、容器基体11における周壁内面であって、半導体発光素子20の表面20aより光透過窓15側図1aにおいて上方側の領域、すなわち、電界制御用電極40におけるテーパ部42の先端位置よりも上方側の領域に周壁の全周にわたって容器基体11に密着して設けられている。紫外線反射部材60を構成する材料としては、金属酸化物粒子を主成分とするものが挙げられる。この金属酸化物粒子としては、例えば、SiO2、B2O3、Al2O3、P2O5、Na2O、CaO、MgO、Li2Oなどの粒子が挙げられる。紫外線反射部材60の形成方法としては、例えば流下法と呼ばれる方法などを挙げることができる。すなわち、水とPEO樹脂ポリエチレンオキサイドを組み合わせた粘性を有する溶剤に、金属酸化物粒子を混ぜて分散液以下、金属酸化物粒子分散液ともいう。を調製し、この金属酸化物粒子分散液を容器基体11内に流し込むことにより、容器基体11の内表面における所定の領域に塗布した後、乾燥、焼成することにより水とPEO樹脂を蒸発させることにより、容器基体11の周壁内面に膜状の紫外線反射部材60を形成することができる。ここに、焼成温度は例えば500~1100°Cとされる。この形成方法に用いられる金属酸化物粒子は、SiO2シリカ粒子およびAl2O3アルミナ粒子を含むものであることが好ましい。この場合、シリカ粒子の平均粒径は、例えば0.01~20μmであることが好ましく、アルミナ粒子の平均粒径は、例えば0.1~3μmであることが好ましい。また、アルミナ粒子の含有量はシリカ粒子の質量に対して5~10質量であることが好ましい。紫外線反射部材60の厚さは、例えば10~1000μmであることが好ましい。上記の電子線励起型光源装置においては、電子線源30と引き出し電極35との間に電圧が印加されると、当該電子線源30における電子線放出部32から引き出し電極35に向かって電子が放出され、この電子は、半導体発光素子20と電子線源30との間に印加された加速電圧によって、半導体発光素子20に向かって加速されながら進み、電子線として半導体発光素子20の表面20aすなわち活性層25の表面に入射される。そして、半導体発光素子20においては、電子線が入射されることによって活性層25の電子が励起され、これにより、当該半導体発光素子20における電子線が入射された表面から紫外線が放射され、放射された紫外線の一部は直接、真空容器10における光透過窓15を介して当該真空容器10の外部に出射され、残りの紫外線は紫外線反射部材60に反射されて、光透過窓15を介して当該真空容器10の外部に出射される。以上において、電子線源30と引き出し電極35との間に印加される電圧は、例えば1~5kVである。また、電子線の加速電圧は、6~12kVであることが好ましい。加速電圧が過小である場合には、高い光の出力を得ることが困難となる。一方、加速電圧が過大である場合には、半導体発光素子20からX線が発生しやすくなり、また、電子線のエネルギーにより、半導体発光素子20がダメージを受けやすくなるため、好ましくない。このような電子線励起型光源装置によれば、真空容器10の内表面に紫外線反射部材60が設けられていることにより、当該紫外線反射部材60によって半導体発光素子20から放射される紫外線が真空容器10の容器基体11の周壁内面に照射されることが防止されるので、高光出力化および小型化が図られた電子線励起型光源装置であっても、真空容器10の劣化または破損が抑制される。その上、紫外線反射部材60が設けられていることにより、半導体発光素子20から放射される紫外線を高い光取り出し効率で出力することができる。以上、本発明の電子線励起型光源装置の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されず、以下のように種々の変更を加えることが可能である。例えば、紫外線反射部材は、真空容器の内表面であって、少なくとも半導体発光素子から放射される紫外線を取り出す光出射部が確保されていれば特に配置領域は限定されず、容器基体の形状、または、半導体発光素子および透過窓などの配置位置に応じて適宜変更することができる。また例えば、図4に示すように、紫外線反射部材61は、断面矩形の筒状のものであってもよい。このような紫外線反射部材61は、例えば断面矩形の筒状の金属基材61aの内表面に金属酸化物粒子を主成分とする反射膜61bが焼成形成されたものとして構成され、この紫外線反射部材61を容器基体11の周壁内面と密着するように組み込むことにより配置することができる。このような紫外線反射部材61を用いることにより、例えば流下法などにより容器基体11に直接膜焼成して紫外線反射部材を形成する必要がないので、膜焼成における熱により応力が発生して容器基体11が破損することを抑制することができる。以下、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。実験例1図1に示す電子線励起型光源装置の構成に従って、紫外線反射部材として、流下法により形成した、シリカ粒子およびアルミナ粒子を含む反射膜を用いて容器基体11の周壁内面に配置し、電子線励起型光源装置1を作製した。なお、シリカ粒子は平均粒径が0.01~20μmのものを用い、アルミナ粒子は平均粒径が0.1~3μmのものを用いると共に、アルミナ粒子の含有量をシリカ粒子の質量に対して5~10質量とした。実験例2実験例1において、紫外線反射部材を設けなかったことの他は同様にして比較用電子線励起型光源装置2を作製した。評価電子線励起型光源装置1および比較用電子線励起型光源装置2を駆動させ、透過窓15から出射される紫外線の光量を測定した。電子線励起型光源装置1においては、紫外線反射部材の設けられていない比較用電子線励起型光源装置2に比べ1.1~1.2倍の光取り出し効率で紫外線が出射されることが確認された。また、比較用電子線励起型光源装置2においては、500時間の駆動後、容器基体11にクラックが生じていることが確認された。"