樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子。前記金属スパッタ層は、Ni、Ru、W、Pd、Ir、Co、Mo、Ti、Rh、Pt、又はこれらの1種以上を含む合金からなる請求項1記載の導電性粒子。前記無電解金属めっき層は、無電解Niめっき層である請求項1又は2記載の導電性粒子。前記金属スパッタ層のビッカース硬さHvが、40~500である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の導電性粒子。前記金属スパッタ層の厚さが、5~200nmである請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導電性粒子。バインダ樹脂と、前記バインダ樹脂に分散された導電性粒子とを備え、前記導電性粒子は、樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する異方性導電材料。樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子によって第1の電子部品と第2の電子部品とが電気的に接続された接続構造体。樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子がバインダ樹脂に分散された異方性導電フィルムを第1の電子部品の端子上に貼付け、前記異方性導電フィルム上に第2の電子部品を仮配置させ、前記第2の電子部品上から加熱押圧装置により押圧し、前記第1の電子部品の端子と、前記第2の電子部品の端子とを接続させる接続方法。本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、微細回路における接続信頼性を向上させる導電性粒子及びこれを用いた異方性導電材料を提供する。本件発明者らは、鋭意検討を行った結果、樹脂粒子表面に無電解金属めっきを被覆することにより、樹脂粒子表面との密着性を向上させ、最外層を金属スパッタ層とすることにより、良好な接続信頼性が得られることを見出した。すなわち、本発明に係る導電性粒子は、樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有することを特徴とする。また、本発明に係る異方性導電材料は、バインダ樹脂と、前記バインダ樹脂に分散された導電性粒子とを備え、前記導電性粒子は、樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有することを特徴とする。また、本発明に係る接続構造体は、第1の電子部品と第2の電子部品とが、樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子によって電気的に接続されていることを特徴とする。また、本発明に係る接続方法は、樹脂粒子と、前記樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子がバインダ樹脂に分散された異方性導電フィルムを第1の電子部品の端子上に貼付け、前記異方性導電フィルム上に第2の電子部品を仮配置させ、前記第2の電子部品上から加熱押圧装置により押圧し、前記第1の電子部品の端子と、前記第2の電子部品の端子とを接続させることを特徴とする。本発明によれば、樹脂粒子表面に無電解金属めっきを被覆することにより、樹脂粒子表面との密着性を向上させ、最外層を金属スパッタ層とすることにより、例えばIZOIndiumZincOxide、非結晶ITOIndiumTinOxideなど、表面が平滑なファインピッチの配線材を使用した場合でも、高い接続信頼性を得ることができる。更に、酸化膜を形成し易い金属配線を用いた場合にも、同様な効果を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。1.導電性粒子2.異方性導電材料3.接続構造体4.実施例<1.導電性粒子>本発明の具体例として示す導電性粒子は、樹脂粒子と、樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有するものである。なお、本発明の目的を損なわない範囲で、樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成する金属スパッタ層との間に、無電解金属めっき層又は金属スパッタ層を設けても構わない。図1は、本実施の形態における導電性粒子の一例を示す断面図である。この導電性粒子は、樹脂粒子11と、樹脂粒子11表面を被覆する無電解金属めっき層12と、無電解金属めっき層12を被覆する金属スパッタ層13とを有する。樹脂粒子11は、導電性粒子の母材コア粒子であり、実装時に破壊、融解、流動、分解、炭化などの変化を起こさないものが用いられる。このような樹脂粒子11としては、例えば、エチレン、プロピレン、スチレンなどのメタアクリル酸エステル類に代表される単官能のビニル化合物と、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、トリアリルシアヌレート、ジビニルベンゼン、ジメタアクリレート、トリメタアクリレート類などの多官能ビニル化合物との共重合体、硬化性ポリウレタン樹脂、硬化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ペンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド、ポリイミド、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテルなどが挙げられる。特に望ましい樹脂粒子11は、熱圧着時の弾性率、破壊強度といった物性から選定され、ポリスチレン樹脂、アクリル酸エステル樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、単官能ビニル化合物と多官能ビニル化合物との共重合体である。樹脂粒子11の平均粒径は、特に限定されないが、1~20μmであることが好ましい。平均粒径が1μm未満であると、例えば、無電解めっきをする際に凝集しやすく、単粒子となり難い。一方、平均粒径が20μmを超えると、異方性導電材料としてファインピッチの回路基板などに用いられる範囲を超えることがある。なお、樹脂粒子の平均粒子径は、無作為に選んだ50個の基材微粒子について粒子径を測定し、これらを算術平均したものである。無電解金属めっき層12は、無電解めっきにより、Cu、Ni、Co、Au、Ag、Snからなる1種または複数種の金属層である。好ましい無電解金属めっき層12としては、樹脂粒子11表面との密着性が良好な無電解Niめっき層が用いられる。無電解金属めっき層12の厚さは、20~200nmであることが好ましい。厚さが20nm未満であると、樹脂粒子11表面との密着性が得られない。一方、厚さが200nmを超えると、導電性粒子自体が凝集し、ファインピッチな回路接続に適用できない。金属スパッタ層13は、スパッタリング法により、Ni、Ru、W、Pd、Ir、Co、Mo、Ti、Rh、Pt、又はこれらの1種以上を含む合金からなる金属層である。スパッタリング法としては、二極スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、RF高周波スパッタリング法、反応性スパッタリング法、その他公知のスパッタリング法を広く利用することができる。また、金属スパッタ層13に所定の硬さが得られるのであれば、真空蒸着、レーザーアブレーション、化学的気相成長などの一般的な気相成長法による皮膜形成法を用いても構わない。金属スパッタ層13のビッカース硬さHvは、40~500であることが好ましい。ビッカース硬さHvが40未満であると、配線への食い込みが少なく、良好な接続抵抗を得ることができない。一方、ビッカース硬さHvが500を超えると、皮膜延性が乏しく、めっき剥がれが発生していまい、良好な接続抵抗を得ることができない。なお、ビッカース硬さは、JISZ2244で規定されるビッカース硬さ試験法により測定することができる。金属スパッタ層13の厚さは、5~200nmであることが好ましい。厚さが5nm未満であると、皮膜が均一に生成されないため、良好な接続抵抗が得られない。一方、厚さが200nmを超えると、粒子凝集が発生する割合が高くなり、絶縁性が低下する虞がある。スパッタリングによる製造コストを考慮すると、より好ましい金属スパッタ層13の厚さは、5~30nmである。このような導電性粒子は、母材粒子として樹脂粒子11を用いるため、金属粒子に比べ粒度分布が狭く、ファインピッチ化された配線にも対応することができる。また、樹脂粒子11表面を無電解金属めっき層12で被覆するため、樹脂粒子11表面との密着性が向上し、また、金属スパッタ層13の密着性も向上させることができる。さらに、最外層として金属スパッタ層13が形成されているため、配線へ導電性粒子を食い込ませることができ、例えばIZOIndiumZincOxide、非結晶ITOIndiumTinOxideなど、表面が平滑なファインピッチの配線材を使用した場合でも、高い接続信頼性を得ることができる。更に、酸化膜を形成し易い金属配線を用いた場合にも、同様な効果を得ることができる。<2.異方性導電材料>本発明の具体例として示す異方性導電材料は、上述した導電性粒子がバインダ樹脂に分散されたものである。バインダ樹脂の接着性材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ロジン樹脂、ポリアクリル樹脂、スチレン-ブタジエン系ゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリエチレン樹脂、ビニル樹脂、ポリブチレン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、アイオノマー樹脂、ポリアセタール樹脂などの熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が挙げられ、これらは単独で使用しても、2種類以上組み合わせて使用してもよい。具体的なバインダ樹脂としては、膜形成樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化剤とを含有することが好ましい。膜形成樹脂は、平均分子量が10000以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、10000~80000程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂などの種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いても良いし、2種類以上を組み合わせて用いても良い。これらの中でも膜形成状態、接続信頼性などの観点からフェノキシ樹脂が好適に用いられる。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、常温で流動性を有する液状エポキシ樹脂などを単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂や、ゴム、ウレタンなどの各種変性エポキシ樹脂が例示され、これらは単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。また、液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂などを用いることができ、これらは単独でも、2種以上を混合して用いてもよい。硬化剤は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱により活性化する潜在性硬化剤、加熱により遊離ラジカルを発生させる潜在性硬化剤などを用いることができる。加熱により活性化する潜在性硬化剤としては、例えば、ポリアミン、イミダゾールなどのアニオン系硬化剤やスルホニウム塩などのカチオン系硬化剤などが挙げられる。その他の添加組成物として、シランカップリング剤を添加することが好ましい。シランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、メルカプトスルフィド系、ウレイド系などを用いることができる。これらの中でも、本実施の形態では、エポキシ系シランカップリング剤が好ましく用いられる。これにより、有機材料と無機材料の界面における接着性を向上させることができる。また、無機フィラーを添加させてもよい。無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウムなどを用いることができ、無機フィラーの種類は特に限定されるものではない。無機フィラーの含有量により、流動性を制御し、粒子捕捉率を向上させることができる。また、ゴム成分なども接合体の応力を緩和させる目的で、適宜使用することができる。また、これらバインダ樹脂の各成分を配合する際には、トルエン、酢酸エチル、又はこれらの混合溶剤が好ましく用いられる。異方性導電フィルムを作製する場合、各成分が配合されたバインダ樹脂の組成物をバーコーター、塗布装置などを用いて、剥離基材上に塗布し、剥離基材上の組成物を熱オーブン、加熱乾燥装置などを用いて乾燥させることにより、所定厚さの異方性導電フィルムを得る。剥離基材は、例えば、シリコーンなどの剥離剤がPETPolyEthyleneTerephthalate、OPPOrientedPolypropylene、PMPPoly4methylpentene-1、PTFEPolytetrafluoroethyleneなどに塗布した積層構造からなり、異方性導電フィルムの乾燥を防ぐとともに、これらの形状を維持する。<3.接続構造体>本発明の具体例として示す接続構造体は、第1の電子部品と第2の電子部品とが、上述した導電性粒子によって電気的に接続されているものである。第1の電子部品としては、ファインピッチバンプが形成されたICIntegratedCircuitが挙げられ、第2の電子部品としては、例えばIZOIndiumZincOxide、非結晶ITOIndiumTinOxideなど、表面が平滑なファインピッチの配線材が挙げられる。本実施の形態における導電性粒子は、このようなファインピッチ化されたICと配線材とを接合するのに好適に用いられる。本実施の形態における導電性粒子は、樹脂粒子11表面を無電解金属めっき層12で被覆しているため、樹脂粒子11表面との密着性を向上させ、また、金属スパッタ層13の密着性も向上させることができる。また、最外層として金属スパッタ層13が形成されるため、配線へ導電性粒子を食い込ませることができ、例えばIZOIndiumZincOxide、非結晶ITOIndiumTinOxideなど、表面が平滑なファインピッチの配線材を使用した場合でも、高い接続信頼性を得ることができる。更に、酸化膜を形成し易い金属配線を用いた場合にも、同様な効果を得ることができる。次に、上述した異方性導電材料を用いた電子部品の接続方法について説明する。本実施の形態における電子部品の接続方法は、上述のように、樹脂粒子と、樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層と、最外層を形成するAuを除く金属スパッタ層とを有する導電性粒子がバインダ樹脂に分散された異方性導電フィルムを第1の電子部品の端子上に貼付け、異方性導電フィルム上に第2の電子部品を仮配置させ、第2の電子部品上から加熱押圧装置により押圧し、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とを接続させるものである。これにより、導電性粒子を介して第1の電子部品の端子と第2の電子部品の端子とが接続された接続体が得られる。本実施の形態における電子部品の接続方法は、異方性導電フィルムに樹脂粒子表面を無電解金属めっき層で被覆した導電性粒子を含有させているため、配線へ導電性粒子を食い込ませることができ、例えばIZOIndiumZincOxide、非結晶ITOIndiumTinOxideなど、表面が平滑なファインピッチの配線材を使用した場合でも、高い接続信頼性を得ることができる。更に、酸化膜を形成し易い金属配線を用いた場合にも、同様な効果を得ることができる。<4.実施例>以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。先ず、樹脂粒子に第1の金属層と第2の金属層とをこの順に形成して実施例1~10及び比較例1~7の導電性粒子を作製した。各導電性粒子について、第1の金属層の厚さ、第2の金属層の厚さ、及び第2の金属層のビッカース硬さHvを測定した。次に、実施例1~10及び比較例1~7の導電性粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した。各異方性導電フィルムを用いてICIntegratedCircuitと配線パターンが形成されたガラス基板とを接合させ、実装体を得た。そして、各実装体について、接続抵抗を測定し、接続信頼性を評価した。金属層の厚さ測定、金属層の硬さ測定、異方性導電フィルムの作製、実装体の作製、及び接続抵抗の測定は、次のように行った。[金属層の厚さ測定]エポキシ接着剤に導電性粒子を分散させて硬化させ、研磨機丸本ストルアス社製にて粒子断面を削り出した。この粒子断面をSEMScanningElectronMicroscopeキーエンス社製、VE-8800にて観察し、第1の金属層の厚さ、及び第2の金属層の厚さを測定した。[金属層の硬さ測定]ガラス基板上に第2の金属層の金属をDCマグネトロンスパッタリング法により成膜した。この金属スパッタ層をビッカース硬さ試験機ミツトヨ社製、HM-125により、JISZ2244に準拠して測定し、これを第2の金属層のビッカース硬さHvとした。なお、本ビッカース硬さHvは、試験荷重をKgf単位として算出した。[異方性導電フィルムの作製]膜形成樹脂として、フェノキシ樹脂商品名:PKHH、フェノキシアソシエイツ社製を25質量部、熱硬化性樹脂として、ナフタレン型2官能エポキシ樹脂商品名:HP4032D、DIC社製を10質量部、イミダゾール系硬化剤HP3941、旭化成ケミカルズ社製株を33質量部、エポキシ系シランカップリング剤商品名:A-187、モメンティブパフォーマンスマテリアルズ株を2質量部、及び導電性粒子を30質量部配合し、樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物を、剥離処理されたPETにバーコーターを用いて塗布し、70°Cのオーブンで5分乾燥させ、厚さ20μmの異方性導電フィルムを作製した。導電性粒子は、後述する実施例1~10及び比較例1~7のようにそれぞれ作製した。[実装体の作製]異方性導電フィルムを用いて、IC1.8mm×20mm、t=0.5mm、Auplatedbump30μm×85μm、h=15μmと、ガラス基板にITOIndiumTinOxide膜がパターンニングされた厚さ0.7mmのITO配線板又はガラス基板にIZOIndiumZincOxide膜がパターンニングされた厚さ0.7mmのIZO配線板との接合を行った。異方性導電フィルムを所定幅にスリットしてITO配線板又はIZO配線板に貼り付けた。その上にICを仮固定した後、緩衝材として厚さ50μmのテフロン商標が被覆されたヒートツールを用いて、接合条件200°C-60MPa-5secで接合を行い、実装体を完成させた。[接続抵抗の測定]実装体について、初期Initialの抵抗と、温度85°C、湿度85RH、500時間のTHテストThermalHumidityTest後の抵抗を測定した。測定は、デジタルマルチメータデジタルマルチメータ7555、横河電機社製を用いて4端子法にて電流1mAを流したときの接続抵抗を測定した。[ジビニルベンゼン系樹脂粒子の作製]ジビニルベンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整した溶液に、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行うことにより微粒子分散液を得た。前記微粒子分散液をろ過し減圧乾燥することにより微粒子の凝集体であるブロック体を得た。更に、前記ブロック体を粉砕することにより、平均粒子径3.0μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子を得た。[実施例1]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりNiスパッタ層第2の金属層を形成した。Niめっき樹脂粒子は次のように作製した。上述のように合成した平均粒径3μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子5gに、パラジウム触媒を浸漬法により担持させ、この樹脂粒子に対し、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、トリエタノールアミン及び硝酸タリウムから調製された無電解ニッケルめっき液pH12、メッキ液温50°Cを用いて無電解ニッケルめっきを行い、Niめっき層第1金属層が表面に形成された導電性粒子を作製した。上記により作成したNiめっき層が表面に形成された導電性粒子に、内製したDCマグネトロンスパッタ装置を使用して、真空度1.5Pa、アルゴンガス流量15.0sccm、スパッタリング出力1W/cm2にて、第1の金属層の表面に第2の金属層を形成した。粒子を保持する容器を温度25°Cの冷媒にて冷却しながら、第1の金属層の表面に第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、50~70であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.5Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は11.1Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例2]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりRuスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは30nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、300~400であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.4Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は4.5Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例3]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりRuスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、300~400であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.4Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は4.2Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例4]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりRuスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは5nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、300~400であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は1.1Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は8.5Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例5]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりRu-Coスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、350~450であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.5Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は3.2Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例6]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりWスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、300~400であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は1.6Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は10.8Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例7]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりPdスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、40~60であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.6Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は22.8Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例8]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりIrスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、300~400であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.4Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は4.4Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例9]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりCoスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、100~150であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.5Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は5.6Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[実施例10]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりMoスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、150~200であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は0.6Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は5.8Ωであった。表1に、これらの測定結果を示す。[比較例1]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面に無電解めっき法により無電解Auめっき層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、10~30であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は3.0Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は4.4Ω、THテスト後の抵抗は229.0Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例2]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面に無電解めっき法により無電解Ni-Pめっき層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第2の金属層のビッカース硬さHvは、10~30であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は4.1Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は34.2Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例3]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子を用い、第2の金属層を形成しなかった。第1の金属層の厚さは100nmであった。また、第1の金属層のビッカース硬さHvは、10~30であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は4.1Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は34.2Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例4]平均粒径3μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりNiスパッタ層第1の金属層を形成し、第2の金属層を形成しなかった。第1の金属層の厚さは100nmであった。また、第1の金属層のビッカース硬さHvは、50~70であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は5.8Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は108.0Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例5]平均粒径3μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりNiスパッタ層第1の金属層を形成し、さらにDCマグネトロンスパッタリング法によりNiスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第1の金属層のビッカース硬さHvは、50~70であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は5.8Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は108.0Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例6]平均粒径3μmのジビニルベンゼン系樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりNiスパッタ層第1の金属層を形成し、Niスパッタ層の表面に無電解めっき法により無電解Niめっき層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは15nmであり、第2の金属層の厚さは100nmであった。また、第1の金属層のビッカース硬さHvは、10~30であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は6.7Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.2Ω、THテスト後の抵抗は67.8Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。[比較例7]樹脂粒子に無電解Niめっき第1の金属層が施された実施例1と同様の平均粒径3μmのNiめっき樹脂粒子の表面にDCマグネトロンスパッタリング法によりAuスパッタ層第2の金属層を形成した。第1の金属層の厚さは100nmであり、第2の金属層の厚さは15nmであった。また、第1の金属層のビッカース硬さHvは、10~20であった。この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとITO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は0.1Ω、THテスト後の抵抗は2.5Ωであった。また、この導電性粒子を含む異方性導電フィルム用いてICとIZO配線板とを接合させたところ、初期抵抗は4.2Ω、THテスト後の抵抗は219.0Ωであった。表2に、これらの測定結果を示す。表1と表2とを比べれば分かるように、無電解金属めっき層を単独又は積層させても、IZO配線板に対して良好な接続信頼性が得られなかった比較例1~3。また、金属スパッタ層を単独又は積層させても、IZO配線板に対して良好な接続信頼性が得られなかった比較例4、5。また、第1の金属層を金属スパッタ層とし、第2の金属層を無電解金属めっき層とした場合も、IZO配線板に対して良好な接続信頼性が得られなかった比較例6。また、第1の金属層を無電解金属めっき層とし、第2の金属層をAuスパッタ層とした場合も、IZO配線板に対して良好な接続信頼性が得られなかった比較例7。一方、実施例1~10に示すように、第1の金属層を無電解金属めっき層とし、第2の金属層をNiスパッタ層、Ruスパッタ層、Ru-Coスパッタ層、Wスパッタ層、Pdスパッタ層、Irスパッタ層、Coスパッタ層、Moスパッタ層のいずれかにすることにより、良好な接続信頼性が得られた。また、実施例1~10に示すように、第2の金属層のビッカース硬さHvが40以上の場合、良好な接続信頼性が得られ、特にビッカース硬さHvが300以上の場合、IZO配線板に対して良好な接続信頼性が得られた。また、実施例2~4に示すように、金属スパッタ層の厚さが5~30nmの場合、良好な接続信頼性が得られた。