"チャージポンプ回路と、その電源のオンオフを行う第1のスイッチ用MOSトランジスタから構成されるDC-DCコンバータにおいて、前記チャージポンプ回路の電源オフ時に、前記チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタを介して放電する構成であることを特徴とするDC-DCコンバータ。請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記チャージポンプ回路がオンのときに、電源電位よりも高い電位を出力する正のチャージポンプ回路であり、前記第1のスイッチ用MOSトランジスタは、前記チャージポンプ回路の電源端子と電源電位との間に接続され、ゲートに入力する接地電位または電源電位の制御信号に応じて前記チャージポンプ回路をオンオフするPMOSトランジスタであり、前記第2のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに電源電位が接続され、ドレインに前記チャージポンプ回路の出力端子が接続され、ソースに前記第3のスイッチ用MOSトランジスタのドレインが接続されたNMOSトランジスタであり、前記第3のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに前記制御信号が入力され、ドレインに前記第2のスイッチ用MOSトランジスタのソースが接続され、ソースに接地電位が接続されたNMOSトランジスタであり、前記制御信号が電源電位になって前記チャージポンプ回路がオフのときに、前記第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタがオンで前記チャージポンプ回路の出力端子と接地電位との間に直接回路を形成する構成であることを特徴とするDC-DCコンバータ。請求項2に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記チャージポンプ回路はオンのときに、前記電源電位の12倍から25倍の高い電位を出力する構成であることを特徴とするDC-DCコンバータ。請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記チャージポンプ回路がオンのときに、接地電位よりも低い電位を出力する負のチャージポンプ回路であり、前記第1のスイッチ用MOSトランジスタは、前記チャージポンプ回路の電源端子と接地電位との間に接続され、ゲートに入力する電源電位または接地電位の制御信号に応じて前記チャージポンプ回路をオンオフするNMOSトランジスタであり、前記第2のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに接地電位が接続され、ドレインに前記チャージポンプ回路の出力端子が接続され、ソースに前記第3のスイッチ用MOSトランジスタのドレインが接続されたPMOSトランジスタであり、前記第3のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに前記制御信号が入力され、ドレインに前記第2のスイッチ用POSトランジスタのソースが接続され、ソースに電源電位が接続されたPMOSトランジスタであり、前記制御信号が接地電位になって前記チャージポンプ回路がオフのときに、前記第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタがオンで前記チャージポンプ回路の出力端子と電源電位との間に直接回路を形成する構成であることを特徴とするDC-DCコンバータ。請求項4に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記チャージポンプ回路はオンのときに、前記接地電位よりも前記電源電位の02倍から15倍の低い電位を出力する構成であることを特徴とするDC-DCコンバータ。しかし、図5のDC-DCコンバータ14または図6のDC-DCコンバータ15において、動作時から待機時に状態を変える場合、出力端子の寄生容量に貯まった電荷がチャージポンプを通って抜けるため、DC-DCコンバータの出力電位が所望の値に変化するのに多くの時間が必要である。このため、図3または図4に示す論理回路11を停止するのに時間がかかり、平均消費電流を充分に低減することができない問題があった。また、上記問題を解決するため、例えば図8に示すようなNMOSトランジスタをDC-DCコンバータの出力端子と接地電位間に付けると、DC-DCコンバータの動作時にNMOSスイッチのゲート/ドレイン間にかかる電圧が電源電圧の2倍程度になり、スイッチの信頼性が確保できない問題があった。本発明は、以上の2つの問題点を考慮し、耐高電圧スイッチ回路を通常のMOSトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるDC-DCコンバータを提供することを目的とする。本発明は、チャージポンプ回路と、その電源のオンオフを行う第1のスイッチ用MOSトランジスタから構成されるDC-DCコンバータにおいて、チャージポンプ回路の電源オフ時に、チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタを介して放電する構成である。本発明のDC-DCコンバータにおいて、チャージポンプ回路がオンのときに、電源電位よりも高い電位を出力する正のチャージポンプ回路であり、第1のスイッチ用MOSトランジスタは、チャージポンプ回路の電源端子と電源電位との間に接続され、ゲートに入力する接地電位または電源電位の制御信号に応じてチャージポンプ回路をオンオフするPMOSトランジスタであり、第2のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに電源電位が接続され、ドレインにチャージポンプ回路の出力端子が接続され、ソースに第3のスイッチ用MOSトランジスタのドレインが接続されたNMOSトランジスタであり、第3のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに制御信号が入力され、ドレインに第2のスイッチ用MOSトランジスタのソースが接続され、ソースに接地電位が接続されたNMOSトランジスタであり、制御信号が電源電位になってチャージポンプ回路がオフのときに、第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタがオンでチャージポンプ回路の出力端子と接地電位との間に直接回路を形成する構成である。このチャージポンプ回路はオンのときに、電源電位の12倍から25倍の高い電位を出力する構成である。本発明のDC-DCコンバータにおいて、チャージポンプ回路がオンのときに、接地電位よりも低い電位を出力する負のチャージポンプ回路であり、第1のスイッチ用MOSトランジスタは、チャージポンプ回路の電源端子と接地電位との間に接続され、ゲートに入力する電源電位または接地電位の制御信号に応じてチャージポンプ回路をオンオフするNMOSトランジスタであり、第2のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに接地電位が接続され、ドレインにチャージポンプ回路の出力端子が接続され、ソースに第3のスイッチ用MOSトランジスタのドレインが接続されたPMOSトランジスタであり、第3のスイッチ用MOSトランジスタは、ゲートに制御信号が入力され、ドレインに第2のスイッチ用POSトランジスタのソースが接続され、ソースに電源電位が接続されたPMOSトランジスタであり、制御信号が接地電位になってチャージポンプ回路がオフのときに、第2および第3のスイッチ用MOSトランジスタがオンでチャージポンプ回路の出力端子と電源電位との間に直接回路を形成する構成である。このチャージポンプ回路はオンのときに、接地電位よりも電源電位の02倍から15倍の低い電位を出力する構成である。本発明のDC-DCコンバータは、各スイッチ用MOSトランジスタの端子間にかかる電圧を電源電位以下とすることにより高信頼な回路を実現できるとともに、チャージポンプ回路の電源オフ時にチャージポンプ回路の出力を短時間の内に初期化することができる。これにより、このDC-DCコンバータを電源制御回路として用いる論理回路を停止する時間を大幅に削減し、低電力性能を向上させることができる。図1は、本発明の実施例1のDC-DCコンバータの構成例を示す。本実施例のDC-DCコンバータは、図3に示す論理回路の電源制御回路として用いられるDC-DCコンバータ14として置き換えが可能なものである。図1において、実施例1のDC-DCコンバータは、電源電位Vddの2倍程度の出力がある正のチャージポンプ回路1と、スイッチ用MOSトランジスタ3,4,5から構成される。スイッチ用MOSトランジスタ3はPMOSFETであり、そのゲートが制御信号端子に接続され、ソースおよびドレインが電源電位Vddおよびチャージポンプ回路1の電源端子にそれぞれ接続される。スイッチ用MOSトランジスタ4はNMOSFETであり、そのゲートが電源電位Vddに接続され、ドレインおよびソースがチャージポンプ出力およびスイッチ用MOSトランジスタ5のドレイン端子にそれぞれ接続される。スイッチ用MOSトランジスタ5はNMOSFETであり、そのゲートが制御信号端子に接続され、ドレインおよびソースがスイッチ用MOSトランジスタ4のソース端子および接地電位にそれぞれ接続される。動作時ON時には、制御信号が接地電位0V、チャージポンプ回路1にクロック入力があり、チャージポンプ出力が電源電位の約2倍12倍から25倍の電位例えば2Vddである。この時、スイッチ用MOSトランジスタ3のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれ0、Vdd、Vddである。また、スイッチ用MOSトランジスタ4のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれVdd、Vdd、2Vddである。さらに、スイッチ用MOSトランジスタ5のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれ0、0、Vddである。したがって、スイッチ用MOSトランジスタ3,4,5の全ての端子間にかかる電圧は高々電源電位Vddであり、信頼性の問題は起こらない。また、スイッチ用MOSトランジスタ3はON状態、スイッチ用MOSトランジスタ4,5はOFF状態である。待機時OFF時には、制御信号が電源電位Vddになり、スイッチ用MOSトランジスタ3がOFF状態になると共に、スイッチ用MOSトランジスタ4,5はON状態になるため、チャージポンプ出力は短時間の内に接地電位0Vに変化する。よって、本実施例のDC-DCコンバータを図3のDC-DCコンバータ14として用いれば、短時間の内にパワースイッチのバイアス状態を制御して高速な初期化動作が可能になり、論理回路の平均消費電力を低減することができる。図2は、本発明の実施例1のDC-DCコンバータの構成例を示す。本実施例のDC-DCコンバータは、図4に示す論理回路の電源制御回路として用いられるDC-DCコンバータ15として置き換えが可能なものである。図2において、実施例2のDC-DCコンバータは、接地電位よりも電源電位Vdd程度の低い出力-Vddの負のチャージポンプ回路2と、スイッチ用MOSトランジスタ6,7,8から構成される。スイッチ用MOSトランジスタ6はNMOSFETであり、そのゲートが制御信号端子に接続され、ソースおよびドレインが接地電位およびチャージポンプ回路2の電源端子にそれぞれ接続される。スイッチ用MOSトランジスタ7はPMOSFETであり、そのゲートが接地電位に接続され、ドレインおよびソースがチャージポンプ出力およびスイッチ用MOSトランジスタ8のドレイン端子にそれぞれ接続される。スイッチ用MOSトランジスタ8はPMOSFETであり、そのゲートが制御信号端子に接続され、ドレインおよびソースがスイッチ用MOSトランジスタ7のソース端子および電源電位Vddにそれぞれ接続される。動作時ON時には、制御信号が電源電位Vdd、チャージポンプ回路2にクロック入力があり、チャージポンプ出力が接地電位より電源電位程度電源電位の02倍から15倍低い電位例えば-Vddである。この時、スイッチ用MOSトランジスタ6のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれVdd、0、0である。また、スイッチ用MOSトランジスタ7のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれ0、0、-Vddである。さらに、スイッチ用MOSトランジスタ8のゲート、ソース、ドレイン端子電圧は、それぞれVdd、Vdd、0である。したがって、スイッチ用MOSトランジスタ6,7,8の全ての端子間にかかる電圧は高々電源電位Vddであり、信頼性の問題は起こらない。またスイッチ用MOSトランジスタ6はON状態、スイッチ用MOSトランジスタ7,8はOFF状態である。待機時OFF時には、制御信号が接地電位0Vになるため、スイッチ用MOSトランジスタ6がOFF状態になると共に、スイッチ用MOSトランジスタ7,8はON状態になるため、チャージポンプ出力は短時間の内に電源電位Vddに変化する。よって、本実施例のDC-DCコンバータを図4のDC-DCコンバータ15として用いれば、短時間の内にパワースイッチのバイアス状態を制御して高速な初期化動作が可能になり、論理回路の平均消費電力を低減することができる。"