基板と、該基板を補強する補強板とを有する積層体ブロックを加工して積層体を得る加工工程を有する積層体の製造方法であって、前記補強板は、前記基板に剥離可能に結合する樹脂層および該樹脂層を介して前記基板を支持する支持板で構成され、前記積層体ブロックは、支持板の外形および樹脂層の外形がそれぞれ基板の外形よりも大きくなるよう形成されており、前記加工工程は、前記積層体ブロックのうち、前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、前記支持板、前記樹脂層および前記基板のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃える切断工程を有する積層体の製造方法。前記切断工程の少なくとも一部において、前記積層体ブロックの前記基板の主面をステージで支持すると共に、前記積層体ブロックの前記基板の外周縁を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させる請求項1に記載の積層体の製造方法。前記支持板は、脆性材料で構成されており、前記切断工程において、前記積層体ブロックの前記支持板の表面に切線を形成した後、該切線に沿って、前記積層体ブロックの前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を割断する請求項1または2に記載の積層体の製造方法。前記加工工程は、前記積層体ブロックを切断して得られる前記積層体の外周部を面取りする面取り工程をさらに有する請求項1~3のいずれか1項に記載の積層体の製造方法。前記加工工程は、面取りにより得られる前記積層体の基板を表面研磨する研磨工程をさらに有する請求項4に記載の積層体の製造方法。図9に、従来の積層体ブロックの側面図を示す。積層体ブロック1は、基板2と、基板2を補強する補強板3とを有する。補強板3は、基板2に剥離可能に結合する樹脂層4と、樹脂層4を介して基板2を支持する支持板5とを有する。積層体ブロック1は、樹脂組成物の塗布ムラに起因する、樹脂層4の厚さムラ6を有する。この厚さムラ6は、樹脂層4の外周縁近傍で顕著であり、樹脂層4に結合される基板2を歪ませることがあった。また、積層体ブロック1は、基板2や支持板5が、耐衝撃性の観点から、面取りされているので、また、樹脂層4の外形が基板2の外形よりも小さく形成されているので、凹み7を側面に有する。積層体ブロック1は、電子デバイスの製造工程に供され、導電層などの機能層が基板2上にパターン形成される。機能層のパターン形成には、レジスト液などのコーティング液が用いられることが多い。コーティング液は、積層体ブロック1の側面の凹み7に毛管現象によって入り込むと、洗浄によっても除去され難く、乾燥後に異物として残りやすい。この異物は、後工程で加熱されたとき、機能層などを汚染する汚染源となるので、電子デバイスの歩留まりを低下させる。そこで、凹み7の除去、耐衝撃性の向上などを目的として、積層体ブロック1を予め加工しておくことが考えられる。加工の種類としては、切断溶断や割断を含むや面取り、研磨などがあるが、面取りの前に、加工効率の観点から、切断を行って、支持板5、樹脂層4および基板2のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃えることが好ましい。しかしながら、支持板5、樹脂層4および基板2の全部を切断しようとすると、作業性に問題がある。特に、支持板5および基板2の両方が脆性材料で構成される場合、支持板5および基板2の両方の表面に溝状の切線を形成し、各切線が開くように積層体ブロック1に曲げ応力を加えて、積層体ブロック1を両側から切断するので、作業性に問題がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、電気デバイスの製造に適した積層体を効率良く製造できる、積層体の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を解決するため、本発明は、基板と、該基板を補強する補強板とを有する積層体ブロックを加工して積層体を得る加工工程を有する積層体の製造方法であって、前記補強板は、前記基板に剥離可能に結合する樹脂層および該樹脂層を介して前記基板を支持する支持板で構成され、前記積層体ブロックは、支持板の外形および樹脂層の外形がそれぞれ基板の外形よりも大きくなるよう形成されており、前記加工工程は、前記積層体ブロックのうち、前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、前記支持板、前記樹脂層および前記基板のそれぞれの外周縁の全周または一部を揃える切断工程を有する積層体の製造方法を提供する。本発明において、前記切断工程の少なくとも一部において、前記積層体ブロックの前記基板の主面をステージで支持すると共に、前記積層体ブロックの前記基板の外周縁を前記ステージ上に設けられる位置決めブロックに当接させることが好ましい。本発明において、前記支持板は、脆性材料で構成されており、前記切断工程において、前記積層体ブロックの前記支持板の表面に切線を形成した後、該切線に沿って、前記積層体ブロックの前記支持板および前記樹脂層のそれぞれの外周部を割断することが好ましい。本発明において、前記加工工程は、前記積層体ブロックを切断して得られる前記積層体の外周部を面取りする面取り工程をさらに有することが好ましい。本発明において、前記加工工程は、面取りにより得られる前記積層体の基板を表面研磨する研磨工程をさらに有することが好ましい。本発明によれば、電気デバイスの製造に適した積層体を効率良く製造できる、積層体の製造方法を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、各図において、同一構成には同一符号を付す。積層体図1は、本発明の一実施形態による積層体の製造方法で用いられる積層体ブロックの側面図である。図1に示すように、積層体ブロック10は、基板20と、基板20を補強する補強板30とを有する。補強板30は、基板20に剥離可能に結合する樹脂層32と、樹脂層32を介して基板20を支持する支持板34とで構成される。積層体ブロック10は、加工された後、基板20を製品構造の一部として有する製品の製造に用いられる。補強板30は、製品の製造工程の途中で、基板20から剥離され、製品構造の一部とはならない。製品としては、例えば表示パネル、太陽電池、薄膜2次電池などの電子デバイスが挙げられる。積層体ブロック10は、従来の基板補強板によって補強されていない基板を処理する処理設備を用いて電子デバイスを製造するため、従来の基板と略同一の厚さを有して良い。以下、図1に基づいて、各構成について説明する。基板基板20は、電子デバイス用の基板である。基板20の表面には、電子デバイスの製造工程において、所定の機能層例えば、導電層が形成される。機能層の種類は、電子デバイスの種類に応じて選択され、複数の機能層が基板20上に順次積層されても良い。基板20の種類は、特に限定されないが、例えば、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、金属基板、半導体基板などが挙げられる。これらの中でも、ガラス基板が好ましい。ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、線膨張係数が小さいからである。線膨張係数が大きいと、電子デバイスの製造工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、加熱下でTFT薄膜トランジスタが形成された基板20を冷却すると、基板20の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。ガラス基板のガラスとしては、特に限定されないが、例えば、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスなどが挙げられる。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40~90質量のガラスが好ましい。ガラス基板のガラスとしては、電子デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス無アルカリガラスからなる。このように、ガラス基板のガラスは、適用される電子デバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。電子デバイスの特性として、フレキシブル性が要求される場合、基板20としては、樹脂基板が用いられる。樹脂基板の樹脂は、結晶性樹脂であっても、非結晶性樹脂であっても良く、特に限定されない。上記結晶性樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂であるポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、もしくはシンジオタクティックポリスチレンなどが挙げられ、熱硬化性樹脂ではポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、もしくはポリエーテルニトリルなどが挙げられる。上記非結晶性樹脂として、例えば、熱可塑性樹脂であるポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリシクロヘキセン、もしくはポリノルボルネン系樹脂などが挙げられ、熱硬化性樹脂ではポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、もしくは熱可塑性ポリイミドが挙げられる。樹脂基板の樹脂としては、非結晶性で熱可塑性の樹脂が特に好ましい。基板20の厚さは、基板20の種類に応じて設定される。例えば、ガラス基板の場合、電子デバイスの軽量化、薄板化のため、好ましくは0.7mm以下であり、より好ましくは0.3mm以下であり、さらに好ましくは0.1mm以下である。基板20の外周面は、図1に示すように、基板20の主面に対して垂直な面となっている。これによって、基板20と樹脂層32との間に隙間が形成されるのを防止でき、後述の面取り工程において、隙間の周辺が欠けるのを抑制できる。樹脂層樹脂層32は、基板20に密着されると、剥離操作が行われるまで、基板20の位置ずれを防止する。樹脂層32は剥離操作によって基板20から容易に剥離する。容易に剥離することで、基板20の破損を防止でき、また、意図しない位置での剥離を防止できる。樹脂層32は、支持板34との結合力が、基板20との結合力よりも相対的に高くなるように形成される形成方法の詳細は後述。これによって、剥離操作が行われる際に、積層体ブロック10が意図しない位置で剥離するのを防止できる。樹脂層32と基板20の間での初期剥離強度は、電子デバイスの製造工程に依存する。例えば基板20に板厚0.05mmのポリイミドフィルム東レデュポン社製、カプトン200HVを用いた場合、下記のピール試験にて、初期剥離強度の下限値は0.3N/25mm、好ましくは0.5N/25mm、より好ましくは1N/25mmである。また、初期剥離強度の上限値は10N/25mm、好ましくは5N/25mmである。ここで、初期剥離強度とは、積層体ブロック10の作製直後の剥離強度をいい、室温で測定した剥離強度をいう。初期剥離強度が0.3N/25mm以上であると、意図しない分離を十分に制限できる。一方、初期剥離強度が10N/25mm以下であると、樹脂層32と基板20との位置関係を修正する場合などに、基板20から樹脂層32を剥離するのが容易になる。なお、ピール試験は、次の測定方法により表される。縦25mm×横75mmの支持板34上の全面に樹脂層32を形成し、縦25mm×横50mmの基板20を、支持板34と基板20との一方の縦の面が揃うように積層した物を評価サンプルとする。そして、このサンプルの基板20の樹脂層側の面に対向する面を両面テープで検査台の端に固定したうえで、はみ出している支持板25×25mmの中央部を、デジタルフォースゲージを用いて垂直に突き上げ、剥離強度を測定する。樹脂層32と基板20の間での加熱後の剥離強度は、電子デバイスの製造工程によるが、上記のピール試験にて、例えば8.5N/25mm以下であることが好ましく、7.8N/25mm以下がより好ましく、4.5N/25mm以下であることがさらに好ましい。ここで、加熱後の剥離強度とは、樹脂層32が350°C薄膜トランジスタを構成するアモルファスシリコン層の形成温度に相当で加熱された後に、室温で測定した剥離強度をいう。加熱後の剥離強度が0.3N/25mm以上であると、意図しない分離を十分に制限できる。一方、加熱後の剥離強度が10N/25mm以下であると、基板20から樹脂層32を剥離するのが容易になる。樹脂層32の樹脂は、特に限定されない。例えば、樹脂層32の樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂などが挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でも、耐熱性や剥離性の観点から、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂が好ましい。樹脂層32の厚さは、特に限定されないが、好ましくは1~50μm、より好ましくは5~30μm、さらに好ましくは7~20μmである。樹脂層32の厚さを1μm以上とすることで、樹脂層32と基板20の間に気泡や異物が混入した場合に、基板20の変形を抑制できる。また、樹脂層32の厚さを5μmとすることで、クリーンルーム内で発生しやすい数μmオーダーの異物繊維、樹脂の硬化むらによって発生する異物が樹脂層32中に埋もれ易い点で好ましい。一方、樹脂層32の厚さが50μm以下であると、樹脂層32の形成時間を短縮でき、さらに樹脂層32の樹脂を必要以上に使用しないため経済的である。樹脂層32の外形は、基板20の外形よりも大きく形成される。これによって、樹脂層32の平坦部分に基板20を貼り付けることが可能であり、基板20の歪みを低減できる。基板20の歪みを十分に低減するため、樹脂層32の外周縁から15mm以内より好ましくは20mm以内、最も好ましくは25mm以内の領域に基板20を貼り付けないことが好ましい。樹脂層32の外周縁から15mm以内の領域では、樹脂組成物の塗布ムラに起因する厚さムラ12が顕著なためである。支持板支持板34は、樹脂層32を介して、基板20を支持して補強する。支持板34は、電子デバイスの製造工程における基板20の変形、傷付き、破損などを防止する。支持板34の種類は、特に限定されないが、例えば、ガラス板、セラミックス板、樹脂板、半導体板、金属板、ガラス/樹脂複合板などが用いられる。支持板34の種類は、電子デバイスの種類や基板20の種類などに応じて選定され、基板20と同種であると、支持板34と基板20の熱膨張差が小さいので、加熱による反りの発生を抑制できる。支持板34と基板20の平均線膨張係数の差絶対値は、基板20の外形などに応じて適宜設定されるが、例えば35×10-7/°C以下であることが好ましい。ここで、平均線膨張係数とは、50~300°Cの温度範囲における平均線膨張係数JISR3102:1995をいう。支持板34の厚さは、特に限定されず、積層体ブロック10を既存の処理設備に適合させるため、0.7mm以下であることが好ましい。また、支持板34の厚さは、基板20を補強するため、0.4mm以上であることが好ましい。支持板34は、基板20よりも厚くても良いし、薄くても良い。支持板34の外形は、基板20の外形よりも大きく形成され、樹脂層32の外形と同等、もしくは、樹脂層32の外形よりも大きく形成される。積層体ブロックの製造方法積層体ブロック10を製造する方法としては、1支持板34上に流動性を有する樹脂組成物を塗布し、硬化させて、樹脂層32を形成した後、樹脂層32上に基板20を圧着する方法、2所定の基材上に流動性を有する樹脂組成物を塗布し、硬化させて樹脂層32を形成した後、樹脂層32を所定の基材から剥離して、フィルムの形態で、基板20と支持板34の間に挟んで圧着する方法、3基板20と支持板34の間に樹脂組成物を挟んで、硬化させて樹脂層32を形成する方法などがある。上記1の方法では、樹脂組成物が硬化する時、樹脂組成物が支持板34と相互作用するので、支持板34と樹脂層32の結合力が、樹脂層32と基板20の結合力よりも高くなりやすい。上記2の方法は、樹脂層32の圧着後の結合力が、基板20に対して低く、支持板34に対して高い場合に有効である。樹脂層32との接触前に、基板20または支持板34の表面を表面処理して、樹脂層32との圧着後の結合力に差をつけても良い。上記3の方法は、樹脂組成物の硬化後の結合力が、基板20に対して低く、支持板34に対して高い場合に有効である。樹脂組成物との接触前に、基板20または支持板34の表面を表面処理して、樹脂組成物の硬化後の結合力に差をつけても良い。上記1~3の方法において、樹脂組成物の種類は、特に限定されない。例えば、樹脂組成物は、硬化機構に応じて、縮合反応型、付加反応型、紫外線硬化型、電子線硬化型に分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型が好ましい。硬化反応のしやすさ、樹脂層32を形成した際に剥離性の程度が良好で、耐熱性も高いからである。また、樹脂組成物は、形態に応じて、溶剤型、エマルジョン型、無溶剤型に分類されるが、いずれも使用可能である。これらの中でも無溶剤型が好ましい。その理由は、生産性、環境特性の面が優れるからである。また、その理由は、樹脂層32を形成する際の硬化時、すなわち、加熱硬化、紫外線硬化または電子線硬化の時に発泡を生じる溶剤を含まないため、樹脂層32中に気泡が残留しにくいからである。付加反応型であって、且つ、無溶剤型であるシリコーン樹脂組成物としては、ビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンと、ハイドロシリル基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサンとを含むものがある。このシリコーン樹脂組成物は、白金触媒の存在下で加熱硬化され、シリコーン樹脂層となる。樹脂組成物の塗布方法は、例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などがある。これらの塗布方法は、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択される。樹脂組成物の塗工量は、樹脂組成物の種類などに応じて適宜選択される。例えば、上記シリコーン樹脂組成物の場合、好ましくは1~100g/m2、より好ましくは5~20g/m2である。樹脂組成物の硬化条件は、樹脂組成物の種類などに応じて適宜選択される。例えば、上記シリコーン樹脂組成物として、直鎖状ポリオルガノシロキサンとメチルハイドロジェンポリシロキサンの合計量100質量部に対して、白金系触媒を2質量部配合した場合、大気中で加熱する温度は、50°C~250°C、好ましくは100°C~200°Cである。また、この場合の反応時間は5~60分間、好ましくは10~30分間とする。樹脂組成物の硬化条件が上記の反応時間の範囲および反応温度の範囲であれば、シリコーン樹脂の酸化分解が同時に起こらず、低分子量のシリコーン成分が生成せず、シリコーン移行性が高くならない。上記1および2の方法において、圧着は、クリーン度の高い環境下で実施されることが好ましい。圧着の方式としては、ロール式、プレス式などがある。圧着を実施する雰囲気は、大気圧雰囲気であっても良いが、気泡の混入を抑制するため、減圧雰囲気であることが好ましい。圧着を実施する温度は、室温よりも高い温度であっても良いが、樹脂層32の劣化を防止するため、室温であることが好ましい。積層体の製造方法積層体の製造方法は、積層体ブロック10を加工して積層体を得る加工工程を有する。図2は、図1の積層体ブロックの外周部を切断して得られる積層体の側面図である。図2において、積層体ブロックを加工して取り除かれる部分の形状を2点鎖線で示す。図3は、図2の積層体の外周部を面取りして得られる積層体の側面図である。図3において、面取り前の状態を2点鎖線で示す。図4は、図3の積層体の基板を表面研磨して得られる積層体の側面図である。図4において、表面研磨前の状態を2点鎖線で示す。加工工程は、積層体ブロック10の外周部を切断して積層体10Aを得る切断工程図2参照と、積層体10Aの外周部を面取りして積層体10Bを得る面取り工程図3参照と、積層体10Bの基板を表面研磨して積層体10Cを得る研磨工程図4参照とを有する。研磨工程後に得られる積層体10Cは、必要に応じて、洗浄され、乾燥された後、電子デバイスの製造工程に供される。切断工程は、面取り工程における加工効率を高めるため、積層体ブロック10の外周部を切断して、支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部を揃える工程である。ここで、支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部を揃えるとは、積層体10Aの平面視にて、支持板、樹脂層および基板のそれぞれの外周の全周または一部が重なっていることを意味する。本実施形態の切断工程では、積層体ブロック10のうち、支持板34および樹脂層32は、それぞれ、外周部が切断され、支持板34Aおよび樹脂層32Aとなる。これによって、図2に示すように、支持板34A、樹脂層32A、および基板20のそれぞれの外周縁の全周または一部が揃う。従って、基板20の外周部が切断されないので、切断工程における作業性が向上する。なお、切断工程の詳細については後述する。切断により得られる積層体10Aは、基板20と、基板20を補強する補強板30Aとを有する。補強板30Aは、基板20に剥離可能に結合する樹脂層32Aと、樹脂層32Aを介して基板20を支持する支持板34Aとで構成される。面取り工程は、耐衝撃性を向上するため、積層体10Aの外周部を面取りする工程である。この工程において、基板20、樹脂層32Aおよび支持板34Aは、それぞれ、外周部が研削され、基板20B、支持板34Bおよび樹脂層32Bとなる。面取りは、例えば、円板状の砥石の外周面を積層体10Aの外周部に当接した状態で、積層体10Aの外周部に沿って砥石を移動させながら、砥石の中心軸の周りに砥石を回転させて行われる。面取りは、R面取りであっても、C面取りであっても良く、面取りの種類に制限はない。積層体10Aの外周部のうち、面取りを施す部分は、外周が揃っている部分を含んでいれば良く、外周が揃っていない部分を含んでも良い。面取りを実施することで、研磨工程において、基板20Bや研磨パッドが傷付くのを低減することも可能である。基板20Bや研磨パッドが傷付くのを防止するため、また、耐衝撃性を高めるため、積層体10Aの外周部の全周を面取りすることが好ましく、この場合、切断工程において、支持板34A、樹脂層32A、および基板20のそれぞれの外周を全周に亘って揃えておくことが好ましい。面取りにより得られる積層体10Bは、基板20Bと、基板20Bを補強する補強板30Bとを有する。補強板30Bは、基板20Bに剥離可能に結合する樹脂層32Bと、樹脂層32Bを介して基板20Bを支持する支持板34Bとで構成される。研磨工程は、基板表面の平坦度を高めるため、面取りにより得られる積層体10Bの基板20Bを表面研磨する工程である。この工程において、基板20Bは、表面研磨され、基板20Cとなる。研磨工程において、基板20Bには、補強板30Bが貼り付いているので、基板20Bの変形が抑制される。基板20Bを表面研磨する方法は、基板20Bの種類に応じて選択される。例えば、ガラス基板の場合、セリア砥粒を用いた研磨が行われる。研磨により得られる積層体10Cは、基板20Cと、基板20Cを補強する補強板30Bとを有する。補強板30Bは、基板20Bに剥離可能に結合する樹脂層32Bと、樹脂層32Bを介して基板20Cを支持する支持板34Bとで構成される。なお、本実施形態では、加工工程は、切断工程と、面取り工程と、研磨工程とを有するとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、加工工程は、少なくとも切断工程を有していれば良く、面取り工程や研磨工程を有さなくても良い。次に、切断工程の詳細について、図5~図7に基づいて説明する。図5は、ステージ上に載置した積層体ブロックを一部透視して示す平面図、図6は、ステージ上に載置した積層体ブロックおよび加工ヘッドを一部破断して示す側面図である、図7は、別のステージ上に載置した積層体ブロックおよび挟持治具を示す側面図である。図5に示すように、切断工程において、積層体ブロック10の基板20の主面がステージ50で支持されると共に、積層体ブロック10の基板20の外周縁がステージ50上に設けられる位置決めブロック51~53に当接される。例えば、基板20の下面がステージ50の上面で支持されると共に、矩形状の基板20の互いに垂直な2辺21、22が位置決めブロック51~53に当接される。その後、基板20の残りの各辺23、24に、移動ブロック54、55が矢印方向から接近され、当接される。このように、切断工程の少なくとも一部例えば、後述の切線36を形成する工程において、基板20の外周縁が位置決めブロック51~53に当接されると、基板20の外周縁とステージ50との位置合わせ精度が良くなる。よって、基板20の外周縁と、支持板34Aおよび樹脂層32Aの外周縁とが精度良く揃えられる。次いで、ステージ50の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ50の上面に基板20が吸着される。ステージ50の上面には、基板20を保護するため、樹脂フィルムなどが設置されて良い。次いで、撮像装置がステージ50上の積層体ブロック10を撮像する。撮像された画像はコンピュータに送信される。コンピュータは、受信した画像を画像処理して、基板20の外周縁と、ステージ50との位置関係を検出する。次いで、コンピュータは、画像処理の結果に基づいて、積層体ブロック10を加工する加工ヘッド60をステージ50に対して相対移動させる。加工ヘッド60の移動軌跡は、平面視にて基板20の外周縁と重なるように制御する。なお、本実施形態では、コンピュータは、加工ヘッド60の移動軌跡を制御するため、画像処理の結果を利用するとしたが、その代わりに、ハードディスクなどの記録媒体などに予め記録されている基板20の形状寸法に関する情報を利用しても良い。その場合、撮像装置が不要となる。加工ヘッド60は、支持板34の種類や厚さなどに応じて構成される。例えば、支持板34が、ガラスやセラミックス、半導体などの脆性材料で構成されている場合、加工ヘッド60は、図6に示すように、支持板34の表面に切線36を形成するものであって、カッタ62などで構成される。カッタ62は、例えば円板状であって、外周部がダイヤモンドや超鋼合金などで形成され、ホルダ64に回転可能に支持されている。カッタ62の外周部を支持板34の表面に押し付けた状態で、ホルダ64を支持板34の面内方向に相対移動させると、カッタ62が回転しながら、支持板34の表面に切線36を形成する。切線36は、矩形状の基板20の4辺21~24に対応して4本設けられ、それぞれ、平面視にて基板20の対応する辺と重なるように形成される。各切線36は、支持板34の表面を分断するように、支持板34の一辺から他辺まで伸びている。なお、本実施形態の加工ヘッド60は、カッタ62などで構成されるとしたが、レーザ光源などで構成されても良い。レーザ光源は、支持板34の表面にスポット光を照射する。スポット光は、支持板34の表面上で走査され、熱応力によって切線36を形成する。なお、本実施形態の加工ヘッド60は、支持板34の表面に切線36を形成するものであるとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持板34が樹脂で構成されている場合、加工ヘッド60は、支持板34および樹脂層32を分断するものであって良く、この場合、ナイフなどで構成される。一方、支持板34がガラスや樹脂、金属などの比較的融点の低い材料で構成されている場合、加工ヘッド60は、支持板34および樹脂層32を溶断するものであって良く、この場合、熱源例えば、レーザ光源などで構成される。加工ヘッド60によって切線36が形成された後、真空ポンプが作動停止され、吸着孔内が大気に開放され、吸着が解除される。次いで、移動ブロック54、55が基板20から離間されると共に、基板20が位置決めブロック51~53から離間される。その後、積層体ブロック10は、ステージ50から上方に持ち上げられ、別のステージ70の上方に移送される。続いて、積層体ブロック10は、下方に降ろされ、ステージ70に載置される。次いで、図7に示すように、ステージ70の上面に複数設けられる吸着孔内が真空ポンプなどで減圧され、ステージ70の上面に基板20が吸着させる。この状態では、ステージ70の外側に、1本の切線36がはみ出ている。次いで、1本の切線36よりも外側の部分が、板厚方向に挟持治具72で挟持される。この状態で、挟持治具72が下方向に回動されると、支持板34および樹脂層32に曲げ応力が加わるので、1本の切線36を起点として板厚方向にクラック37が伸展し、支持板34および樹脂層32が一度に割断される。次いで、ステージ50上での基板20の吸着が解除され、積層体ブロック10は、平行移動または90°回動された後、再び吸着される。その後、他の1本の切線36に沿って支持板34および樹脂層32が割断される。これを繰り返して、4本の切線36に沿って支持板34および樹脂層32が割断される。なお、本実施形態では、割断を行うため、積層体ブロック10が、ステージ50から別のステージ70に移送されるとしたが、同じステージ50上で、平行移動または90°回動された後、割断が行われても良い。電子デバイスの製造方法電子デバイスを製造する方法は、積層体10Cの基板上に、所定の機能層例えば、導電層を形成する形成工程と、所定の機能層を形成した基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。なお、積層体10Cの代わりに、積層体10Aや積層体10Bを用いても良い。形成工程では、所定の機能膜を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法、蒸着法などが用いられる。また、機能層をパターン形成するため、レジスト液などのコーティング液が用いられる。剥離工程では、基板から補強板を剥離する方法として、例えば、補強板を構成する樹脂層と基板との間に剃刀などを刺入して隙間をつくった後、基板側と支持板側とを引き離す方法が用いられる。電子デバイスを製造する方法は、剥離工程の後、基板や機能層上に別の機能層を積層する工程をさらに有しても良い。また、電子デバイスを製造する方法は、所定の機能層を形成した2組の積層体10Cを用いて、電子デバイスを組み立て、その後、2組の積層体10Cの基板からそれぞれ補強板を剥離する方法であっても良い。次に、電子デバイスの製造方法の具体例について説明する。液晶ディスプレイLCDの製造方法は、例えば、積層体の基板上にTFTなどを形成してTFT基板を作製するTFT基板作製工程と、別の積層体の基板上にCFなどを形成して、CF基板を作製するCF基板作製工程とを有する。また、液晶パネルの製造方法は、TFT基板とCF基板との間に液晶材を封止する組み立て工程と、各積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。TFT基板作製工程やCF基板作製工程では、TFT薄膜トランジスタやCFカラーフィルタを形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法などが用いられる。また、TFTやCFなどをパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。なお、TFT基板作製工程やCF基板作製工程の前に、積層体の基板表面が洗浄されても良い。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄が用いられる。組み立て工程では、TFT基板とCF基板との間に、液晶材が注入される。液晶材を注入する方法としては、減圧注入法、滴下注入法がある。減圧注入法では、例えば、先ず、シール材およびスペーサ材を介して、TFT基板とCF基板とが貼り合わされ、大型パネルが作製される。このとき、TFTやCFが内側に配置されるように、大型パネルが作製され、複数のセルに切断される。次いで、各セルの内部が減圧雰囲気とされ、注入孔から各セルの内部に液晶材が注入された後、注入孔が封止される。続いて、各セルに、偏光板が貼り付けられ、バックライト等が組み付けられることで、液晶ディスプレイが製造される。滴下注入法では、例えば、先ず、TFT基板およびCF基板のいずれか一方に液晶材が滴下され、その後、シール材およびスペーサ材を介して、TFT基板とCF基板とが貼り合わされ、大型パネルが作製される。このとき、TFTやCFが内側に配置されるように、大型パネルが作製される。その後、大型パネルは、複数のセルに切断される。続いて、セルに偏光板が貼り付けられ、バックライト等が組み付けられることで、液晶ディスプレイが製造される。剥離工程は、TFT基板作製工程やCF基板作製工程の後であって、組み立て工程の前に行われても良いし、組み立て工程の途中で行われても良い。剥離工程は、減圧注入法による組み立て工程の途中で行われる場合、大型パネルを作製した後であって、大型パネルを複数のセルに切断する前に行われても良いし、各セルに液晶材を封止した後であって、各セルに偏光板を貼り付ける前に行われても良い。また、剥離工程は、適下注入法による組み立て工程の途中で行われる場合、大型パネルを作製した後であって、大型パネルを複数のセルに切断する前に行われても良いし、大型パネルを複数のセルに切断した後であって、各セルに偏光板を貼り付ける前に行われても良い。有機ELディスプレイOLEDの製造方法は、例えば、積層体の基板上に、有機EL素子を形成する有機EL素子形成工程と、有機EL素子が形成された基板と対向基板とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と、積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。有機EL素子形成工程では、有機EL素子を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法や蒸着法などが用いられる。また、有機EL素子をパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。有機EL素子は、例えば、透明電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などからなる。なお、有機EL素子形成工程の前に、必要に応じて、積層体の基板表面が洗浄されても良い。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄が用いられる。貼り合わせ工程では、有機EL素子が形成された基板が複数のセルに切断され、各セルに対向基板が貼り付けられることで、有機ELディスプレイが作製される。剥離工程は、例えば、有機EL素子形成工程の後であって、貼り合わせ工程の前に行われても良いし、貼り合わせ工程の途中や後で行われても良い。太陽電池の製造方法は、例えば、積層体の基板上に、太陽電池素子を形成する太陽電池素子形成工程と、積層体の基板から補強板を剥離する剥離工程とを有する。太陽電池素子形成工程では、太陽電池素子を形成する方法として、例えばフォトリソグラフィ法や蒸着法などが用いられる。また、太陽電池素子をパターン形成するため、コーティング液としてレジスト液が用いられる。太陽電池素子は、例えば、透明電極層、半導体層などからなる。剥離工程は、例えば、太陽電池素子形成工程の後に行われる。以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。例えば、図1に示す積層体ブロック10では、基板20の側面が基板20の主面に対して垂直な面となっているが、本発明はこれに限定されない。例えば、図8に示す積層体ブロック110のように、基板120の側面が丸く面取りされていても良い。図8に示す積層体ブロック110では、積層体ブロック110の側面にある凹み112が、切断工程の後にある程度残るので、面取り工程で凹み112を除去する。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年12月28日出願の日本特許出願2010-293248に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。