"所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤。前記酸化タングステン膜の膜厚は、5nm以上50nm以下である請求項1に記載の光ディスク原盤。前記凹凸パターンは、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって形成される請求項1に記載の光ディスク原盤。基板と、前記基板上に形成され、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写されたパターンと、を含む成型用スタンパ。所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写された成型用スタンパにより成型されたディスク基板と、前記ディスク基板上に形成された反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜と、を含む光ディスク。酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステンからなるスパッタターゲット。基板の一方の面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、前記無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップと、前記凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜を形成するステップと、を含む光ディスク原盤の製造方法。所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離するステップと、を含む成型用スタンパの製造方法。所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離して成型用スタンパを作製するステップと、作製した前記成型用スタンパを用いてディスク基板を成型するステップと、前記成型用スタンパにより前記ディスク基板に転写された凹凸パターン上に反射膜を形成するステップと、前記反射膜上に保護膜を形成するステップと、を含む光ディスクの製造方法。上述のように、光ディスク原盤の凹凸パターンは、基板上にまず無機レジストを塗布し、この無機レジストを露光、現像することで形成される。しかし、無機レジストの酸素含有量が多いと、この光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパ表面には微小な陥没状の欠陥が生じやすくなる。このため、このスタンパにより製造された光ディスクには、例えばエラーレートが高くなる等の不具合が起きる。上述のような点を鑑みて、本技術は、欠陥を低減した光ディスク原盤とその製造方法、並びにこの光ディスク原盤の製造に用いるスパッタターゲットを提供することを目的とする。また、この光ディスク原盤を用いることにより、品質の高い成型用スタンパ、光ディスク及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本技術の光ディスク原盤は、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、基板部材の凹凸パターン上に形成された酸化タングステン膜と、を備える。特に、上述の酸化タングステン膜は、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、原子組成百分率比で55<X<60かつY=100-Xを満たす組成とするものである。また、本技術の光ディスク原盤の製造方法は、基板の主面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、この無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップを含む。また、この凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜を形成するステップを含む。また、本技術の成型用スタンパは、上述の光ディスク原盤を用いて製造されたものであり、上述の光ディスク原盤の酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した金属層を酸化タングステン膜から剥離するステップと、によって製造できる。また、本技術の光ディスクは、この成型用スタンパによって成型されたディスク基板と、このディスク基板上に形成された反射膜と、反射膜上に形成された保護膜を備える。この光ディスクは、上述の成型用スタンパにより、ディスク基板を成型するステップと、ディスク基板上に反射膜を形成するステップと、反射膜上に保護膜を形成するステップとにより製造することができる。また、本技術のスパッタターゲットは、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステンによって構成される。本技術の光ディスク原盤及びこの製造方法によれば、その所定の凹凸パターン上に上述の組成の酸化タングステン膜が形成される。このため、凹凸パターンの表面における酸化状態を均一にすることができる。また、本技術の成型用スタンパ、及びこの製造方法によれば、上述の光ディスク原盤を用いて成型用スタンパが製造される。すなわち、成型用スタンパは、その製造時において、光ディスク原盤の上述の酸化タングステン膜にのみ接触する。この酸化タングステン膜は酸化状態が均一であるため、成型用スタンパの表面に欠陥が生じるのを抑制することができる。また、本技術の光ディスク及びその製造方法によれば、欠陥が低減された上述の成型用スタンパを用いてディスク基板が形成される。このため、記録信号を精度良く光ディスク基板に記録することができる。また、本技術のスパッタターゲットによれば、上述の組成による酸化タングステン膜をスパッタリングにより形成することが可能である。本技術の光ディスク原盤、成型用スタンパ、スパッタターゲットによれば、成型用スタンパ表面に生じる欠陥を低減できる。また、この成型用スタンパを用いることにより、高品質の光ディスクを提供することができる。以下、本技術を実施するための形態の例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。説明は以下の順で行う。1.光ディスク原盤の構成2.光ディスク原盤、成型用スタンパ及び光ディスクの製造方法3.実施例4.評価結果1.光ディスク原盤の構成図1は、本技術の一実施形態に係る光ディスク原盤100を示す概略構成断面図である。本実施形態の光ディスク原盤100は、所定の凹凸パターンが形成された基板部材1と、基板部材1の凹凸パターン上に成膜された酸化タングステン膜2とを有する。基板部材1は、基板3と、基板3の主面上に形成された無機レジスト層4を備える。基板3は、例えばシリコン、石英ガラス、ポリカーボネート等のプラスチック、アルミナチタンカーバイド、ニッケル等の材料で形成される。基板3上に、無機レジスト層4が部分的に形成されており、この無機レジスト層4によって凹凸パターンが形成されている。無機レジスト層4は、光ディスクにおける例えばランドのパターンに対応し、無機レジスト層4の配設されていない領域は、光ディスクにおける例えばピットのパターンに相当する。無機レジスト層4は、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって構成される。この遷移金属には、例えばTi,V,Cr,Mn,Fe,Nb,Cu,Ni,Co,Mo,Ta,W,Zr,Ru,Ag等が挙げられる。この中でも、Mo,W,Cr,Fe,Nbを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にMo,Wを用いることが好ましい。また他にも、無機レジスト層4を構成する材料として、上記特許文献1に記載された各種材料を用いることが用いることが可能である。なお、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のことを指す。すなわち、本技術において、遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことを不完全酸化物として定義する。また、遷移金属では1つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している酸化物を不完全酸化物とする。例えばMoを例に挙げると、3価の酸化物MoO3が最も安定であるが、その他に1価の酸化物MoOも存在する。この場合には、酸素の原子組成百分率比が0atomicより大きく50atomic未満の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。図1に戻ると、無機レジスト層4によって形成された凹凸パターン上には、酸化タングステン膜2が形成される。この酸化タングステン膜2は、タングステンの原子組成百分率比をY、酸素の原子組成百分率比をXとすると、その組成WYOXが下記式1によって表される。55<X<60atomicY=100-X1このように、本実施の形態では、無機レジスト層4上に、タングステン一種類の遷移金属の酸化物膜が形成される。後に詳述するように、光ディスク原盤の表面材料を単純化することで、光ディスク原盤100の表面の酸化状態を均一にすることが可能である。このため、この光ディスク原盤100を用いて成型用スタンパを製造することにより、成型用スタンパの表面に微小な陥没状の欠陥が生じるのを抑制することができる。また、酸化タングステン膜2の膜厚は、約5nm~約70nmの膜厚に形成することが好ましい。膜厚5nm以上である理由としては、無機レジスト膜とポストスパッタ膜との密着力が稼げる必要な膜厚以上必要である点、めっき時に減少する膜厚以上でなければならない点、無機レジストの膜質からポストスパッタ膜への膜質の改質が必要な点である。膜厚70nm以下である理由としては、厚膜を付けた場合にHF信号特性が変化するが、BDROMのBook規格を満たす上限値という点を挙げる。2.光ディスク原盤、成型用スタンパ及び光ディスクの製造方法。以下、図2A~2C及び図3A~3Cを参照して、本実施形態の光ディスク原盤100、及び、成型用スタンパ200の製造方法を説明する。まず、図2Aに示すように、基板3の一方の面上に、例えばスパッタリングや蒸着等を用いて無機レジスト層4を形成する。例えば上述の遷移金属からなるスパッタターゲットを用い、チャンバー内の酸素濃度を調整することで、遷移金属の不完全酸化物の全体としての酸化度合いを調整することが可能である。また、所望量の酸素を含有するターゲットを予め用意しておき、このターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、無機レジスト層4を形成することも可能である。無機レジスト層4の酸化比率は、所望の露光感度やピット形状、未露光部の現像液耐性が得られるように、適宜選択してよい。次に、図2Bに示すように、所定の凹凸パターンに応じた光信号を光源10から無機レジスト層4に照射して、露光を行う。この際、所定の凹凸パターンの凹部に対応する領域に光を照射して露光する。この光源10には、例えば波長405nmのBlueLaserDiodeを用いることができる。基板3は図示を省略するスピンドルモータによって回転され、さらに基板3を径方向に送りながらレーザ光の照射を行うことにより、基板3の周方向トラック方向に沿って露光が行われる。そして、図2Cに示すように、露光を終えた無機レジスト層4を現像することにより、露光部における無機レジスト層4が除去され、基板3上に、レーザ光の照射に応じた凹凸パターンが形成される。現像液には、例えば、NMD-3等の有機アルカリ現像液や、KOH、NaOH、燐酸系等の無機アルカリ現像液を用いることができる。また、無機レジスト層4の材料構成に応じて、例えば塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等の酸現像液を用いてもよい。無機レジスト層4の現像手法には、例えば上述の現像液内に無機レジスト層4を浸漬するディッピング法を用いてもよいし、基板3をスピナーに固定し、基板3を回転させながら無機レジスト層4上に現像液を塗布する手法を用いてもよい。次いで、図3Aに示すように、無機レジスト層4及び基板3上に酸化タングステン膜2を成膜し、凹凸パターン上を酸化タングステン膜2によって被覆する。酸化タングステン膜2は、例えばスパッタリングによって形成することができる。例えば、上記式1に示す原子組成百分率比の酸化タングステンターゲットを予め焼結により作製して、このターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、酸化タングステン膜2を形成可能である。また、反応性スパッタリングを用いる場合には、純タングステンターゲットを用意し、チャンバー内の酸素流量を適宜調整することにより、上述の原子組成百分率比の酸化タングステン膜2を成膜することができる。そして、これにより、光ディスク原盤100が完成する。なお、形成された酸化タングステン膜2の組成は、シート抵抗を測定することにより評価することも可能である。例えば、Si基板上に70nmの膜厚で酸化タングステン膜2を成膜した場合、上記式1のXの値、すなわちタングステンの原子組成百分率比が60atomicよりも大きくなると、シート抵抗が130Ω/sqよりも大きくなる。したがって、シート抵抗が130Ω/sq以下となるようにスパッタリングの成膜条件を設定することで、酸化タングステン膜2の組成を調整できる。こうして完成した光ディスク原盤100に対して電鋳処理を施すことにより、成型用スタンパ200を製造することができる。例えば、図3Bに示すように、電鋳によって、光ディスク原盤100の凹凸パターン上に例えばNi等の金属を析出して、金属層5を形成する。そして、図3Cに示すように、析出した金属層5を光ディスク原盤100から剥離することで、成型用スタンパ200が完成する。この成型用スタンパ200は、例えば基板部5a上に、光ディスク原盤100の凹凸パターンの反転形状が転写されたパターン5bが形成された構成となる。また、電鋳処理を行う前に、例えば光ディスク原盤100の凹凸パターン側の表面に紫外線を照射してもよい。これにより、光ディスク原盤100と成型用スタンパ200との離型性を向上させることができる。従来においては、光ディスク原盤から成型用スタンパを剥離する際に、光ディスク原盤の無機レジストが成型用スタンパに付着することで、スタンパ表面に微小な陥没状の欠陥を引き起こしていた。本実施の形態では、光ディスク原盤100の凹凸パターンの表面は、上記の式1の組成を有する酸化タングステン膜2によって覆われている。この酸化タングステン膜2は、成型用スタンパ200の表面に付着したとしても、上述のような欠陥を引き起こさないので、成型用スタンパ200の品質を向上させることができる。より具体的に説明すると、これは、酸化タングステン膜2の酸化状態が単純かつ均一になっているためであると考えることもできるW,WO,WO2,WO3のみが分散している。一方、W、WO3及びMoO3を焼結したスパッタターゲットを用い、酸化タングステン膜2の代わりに、タングステンとモリブデンの合金酸化物膜を形成した場合、W,WO,WO2,WO3及び、Moの単体、MoO,MoO2,MoO3といった酸化状態の異なる金属酸化物、また、WとMo合金及び合金酸化物1価、2価、3価など多種類の金属及び合金酸化物が複数の酸化状態の状態で膜中に存在すると考えられる。このように、金属および金属酸化物が複数存在し、かつ酸化状態に偏りが存在している場合には、部分的に酸素含有量が多い領域が生じる。したがって、成型用スタンパを光ディスク原盤から剥離する際に、この領域が成型用スタンパに付着すると、付着した酸化物が成型用スタンパに影響して欠陥が生じやすくなる。これに対し、本実施の形態では、酸化タングステン膜2を形成している。すなわち、Moを除いて材料構成を単純化したことにより、形成される金属酸化物の種類を少なくすることができる。また、焼結ターゲットを製造する際には、1元素の酸化物ターゲットを製造するときよりも、2元素の合金酸化物ターゲットを製造するときの方が、ターゲット成分の凝集が起こりやすいモリブデン酸化物は、タングステン酸化物に比べて凝集しやすい傾向があるため、そのターゲットを使用して成膜した膜の膜質の均一性が損なわれる可能性があると推測される。一方、本実施形態では、モリブデンを除いた酸化タングステンのみのスパッタターゲットを用いることにより、スパッタターゲット自身の酸化状態が均一となるため、形成した酸化タングステン膜2の酸化状態をより均一にしやすい。ところで、光ディスク原盤を用いて成型用スタンパを製造した後に一定期間、光ディスク原盤を保管しておき、再び同じ光ディスク原盤を用いて成型用スタンパを製造することがある。このような場合には、再び成型用スタンパを製造する前に、光ディスク原盤100に対して酸化タングステン膜2をもう一度成膜するか、または、表面改質処理例えば、UVO3洗浄や、プラズマ処理を施すことが好ましい。例えば、一度光ディスク原盤100を成型用スタンパ200の製造に用いた後、一定期間が経過すると、酸化タングステン膜2の表面状態及び組成が変化有機被膜形成、水分吸着層生成、酸化膜形成する。すると、Ni原盤の電鋳工程において、めっき被膜の濡れ性が悪くなる事により、パターン表面において精密にめっき被膜が成長できず、電鋳時に欠陥が生じやすくなる。光ディスク原盤100に対して酸化タングステン膜2を再び成膜することで、一定期間後であっても、成型用スタンパ200の表面に欠陥が生じるのを抑制することができる。ただし、再び成膜する酸化タングステン膜2の膜厚が厚いと、光ディスク原盤100の凹凸形状がくずれ、HFhighfrequency信号やエラーレート等の信号特性が変化する恐れがある。このため、膜厚は5~70nmとするのが好ましい。また、最初に形成する酸化タングステン膜2も、上述の膜厚に形成することにより、光ディスク原盤100の凹凸パターンをくずすこと無く、無機レジスト層4上を被覆することができる。本実施形態の光ディスク原盤100では、上述の薄い膜厚であっても、成型用スタンパ200の表面に生じる欠陥を防ぐ効果が得られるので、コストを抑えることも可能である。続いて、上述の成型用スタンパ200を用いて光ディスク300を製造する方法について、図4A~4Cを参照して説明する。図4Aに示すように、まず、成型用スタンパ200を金型内図示を省略に取り付ける。そして、例えばポリカーボネート等の熱可塑性樹脂を金型内に射出することによって、成型用スタンパ200の凹凸パターン上にディスク基板6を成型する。これにより、ディスク基板6には、成型用スタンパ200の凹凸パターンが反転して転写される。次いで、このディスク基板6を成型用スタンパ200から剥離した後、図4Bに示すように、ディスク基板6に転写された凹凸パターン上に、反射膜7を成膜する。この反射膜7は、例えばAgやAg合金によって構成され、例えばスパッタリングにより成膜することができる。そして、図4Cに示すように、反射膜7上に、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法によって塗布し、この紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して硬化させることで、保護膜8を形成する。以上の工程により光ディスク300を製造することが可能である。また、この保護膜8の表面にハードコート層を形成したり、ディスク基板6の凹凸パターンが形成されていない側の表面に、防湿膜を形成したりしてもよい。なお、本実施形態の光ディスク300は、成型用スタンパ200を用いてディスク基板6を成型すればよく、その他の構成や製造工程は上記例に限定するものではない。本実施形態の光ディスク300では、上述の成型用スタンパ200によってディスク基板6の成型が行われるため、記録情報に対応した凹凸パターンが正確に形成される。このため、本実施形態では、光ディスク300に記録された情報を精度良く再生することができる。3.実施例<実施例1>以下に、本技術の光ディスク原盤及び成型用スタンパの実施例について説明する。1光ディスク原盤の作製まず、シリコン基板を準備し、このシリコン基板上に、W及びMoの不完全酸化物からなる無機レジストをスパッタリングにより70nm成膜した。そして、波長405nmのBlueLaserDiodeによってこの無機レジストを露光した後、現像することにより、照射した光信号に応じた凹凸パターンをシリコン基板上に形成した。次いで、スパッタターゲットとして、酸素の原子組成百分率比が58atomicである酸化タングステンW42O58を用い、スパッタリングにより膜厚35μmの酸化タングステン膜を凹凸パターン上に形成した。なお、形成された酸化タングステン膜の酸素原子組成百分率比は、スパッタターゲットと同様に58atomicであった。以上の工程により、光ディスク原盤を作製した。2成型用スタンパの作製浴組成がスルファミン酸ニッケルからなるめっき溶液中に、上記工程により作製した光ディスク原盤を浸漬し、約1時間通電することによって、光ディスク原盤の凹凸パターン上にNi層を析出させた。そして、析出したNi層を光ディスク原盤から剥離することにより、成型用スタンパを作製した。また、引き続き同じ光ディスク原盤を用いて、上記工程と同様にしてNi層の析出、及びNi層の剥離を繰り返すことで、合計10枚の成型用スタンパを連続して同日中に作製した。なお、光ディスク原盤100は、大気中で保管されると最表面の酸化状態が促進し、めっき不良を生じやすくなる事が分かっている。この酸化状態が促進され、めっき不良が生じやすい状態を作り出すために、故意に、2枚のめっき原盤を作製するたびに、2枚目、4枚目、6枚目、8枚目の成型用スタンパをそれぞれ作製した後において、光ディスク原盤表面に照度10mW/cm2の紫外線を7.5分間照射して、光ディスク原盤を作製した。そして、この紫外線の照射を行った後の光ディスク原盤を用いて、3枚目、5枚目、7枚目、9枚目の成型用スタンパをそれぞれ作製した後、それぞれの成型用スタンパの表面を観察した。また、3枚目に作製した成型用スタンパに対して、温純水洗浄乾燥に対する耐性を調べた。温純水乾燥は、スタンパー洗浄プロセスの最終乾燥工程で行ない、有機溶剤を用いないため、環境負荷がない理想的なプロセスである。温純水洗浄耐性試験では、温度60°Cの温純水に成型用スタンパを30秒間浸漬し、その後、速度20cm/minで成型用スタンパを温純水から引き上げた。そして、この動作を5回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。なお、比較例では、比較例の成型用スタンパに対してこの動作を5回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。<比較例1>スパッタターゲットに遷移金属であるW及びMoの不完全酸化物であって、AをW及びMoとし、Oの含有比をxとして該不完全酸化物の組成割合をA100XOx表したとき、酸素の原子組成百分率比xがx=52.5の不完全酸化物を用いたこと以外は、実施例1と同様にして光ディスク原盤を作製した。また、この光ディスク原盤を用いて、実施例1と同様にしてそれぞれ成型用スタンパを作製した後、この成型用スタンパの表面を観察した。また、この光ディスク原盤を用いて3枚目に作製された成型用スタンパに対して、上述の温純水耐性試験を行った。ただし、この温純水洗浄耐性試験では、温純水に成型用スタンパを浸漬した後、成型用スタンパを温純水から引き上げる動作を5回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。<比較例2>酸化タングステン膜の成膜に用いるスパッタターゲットに、酸素の原子組成百分率比が60atomicの酸化タングステンを用いたこと以外は、実施例1と同様にして光ディスク原盤、及び成型用スタンパを作製した。<比較例3>酸化タングステン膜の成膜に用いるスパッタターゲットに、酸素の原子組成百分率比が55atomicの酸化タングステンを用いたこと以外は、実施例1と同様にして光ディスク原盤、及び成型用スタンパを作製した。4.評価結果表1に、実施例1、2及び比較例1~3において作製された成型用スタンパ温純水洗浄試験を行う前の成型用スタンパの表面状態を観察して評価した結果を示す。表1において、光ディスク原盤から転写された成型用スタンパの凹凸パターンに、亀裂もしくは陥没状の欠陥がほとんど見受けられない場合に○と表記した。また、成型用スタンパの表面に陥没状の欠陥が見受けられるものの、その大きさが微小で光ディスクのエラーレートに対して影響を及ぼさない場合には、△と表記した。また、光ディスクのエラーレートに対して、影響を与える程の欠陥が成型用スタンパに生じている場合には、×と表記した。なお、表1中の光ディスク原盤の判定は、その光ディスク原盤を用いて作製された成型用スタンパにおいて、光ディスクのエラーレートに対して、影響を与える欠陥が生じた表1の×場合にはNGとした。また、欠陥がほとんど見受けられない、又はあったとしてもエラーレートに影響が無い表1の○又は△成型用スタンパのみを作製できた場合には、OKとした。表1に示すように、原子組成百分率比が上記式1によって表される範囲内の酸化タングステン膜2を形成した実施例1では、光ディスクのエラーレートに影響を及ぼすような欠陥が無い成型用スタンパを作製することができた。例えば、実施例1において、3枚目に作製した成型用スタンパの凹凸パターンを撮影した拡大写真を図5に示す。図5に示すように、表面に欠陥の無い、きれいな凹凸パターンを光ディスク原盤から成型用スタンパに転写できることが確認できた。一方、無機レジストによって形成された凹凸パターン上に、A47.5O52.5A=W及びMoの合金の膜を形成した比較例2において、3枚目に作製した成型用スタンパの凹凸パターンの拡大写真を図6に示す。例えば、図6の領域Tに示すように、比較例2の成型用スタンパには、一部が欠けて陥没した欠陥が無数に生じてしまっている。これは、2枚目の成型用スタンパを作成した後、光ディスク原盤に対して紫外線の照射を行ったため、光ディスク原盤に形成したA47.5O52.5A=W及びMoの合金の膜の酸化が局所的にかつ過剰に進み、膜の組成が変化してしまったためであると推測する。酸素の原子組成百分率比が60atomicである酸化タングステン膜を形成した比較例2では、表1に示すように、9枚目の成型用スタンパに無視できない欠陥が生じた。これは、酸化タングステン膜の酸素含有量が多いためであり、このことから、酸素の原子組成百分率比は60atomic未満とすることが好ましいといえる。なお、酸素の原子組成百分率比が60atomicの酸化タングステン膜であっても、少なくとも8枚の成型用スタンパを作製可能であり、作製する成型用スタンパの数が少ない場合には、この組成の酸化タングステン膜を用いることも可能である。また、酸素の原子組成百分率比が55atomicである酸化タングステン膜を形成した比較例3では、酸素の含有量が少なかったため、成型用スタンパが光ディスク原盤に強く固着して、成型用スタンパを光ディスク原盤からうまく剥離することができなかった。したがって、このことから酸素の原子組成百分率比は、55atomicよりも大きくすることが望ましいことがわかった。シリコン基板上にA47.5O52.5A=W及びMoの合金の膜を形成した比較例1では、光ディスク原盤から作製した3枚目の成型用スタンパ表1の比較例1において、エラーレートに影響を及ぼす欠陥が発生した。一方で、この比較例1における成型用スタンパを上述の温純水洗浄にかけた後、その表面を観察した拡大写真を図7に示す。図7は、1枚目の光ディスク原盤表1の比較例1を用いて作製した3枚目の成型用スタンパに対して、温純水洗浄を行った後に観察したものである。図7に示すように、比較例1の成型用スタンパでは、温純水洗浄によって、表面に陥没状の欠陥が大きく生じ、温純水に対する耐性が弱いことが確認された。これに対して、実施例1における3枚目の成型用スタンパを6回温純水洗浄し、その表面を観察した拡大写真を図8に示す。図8に示すように、実施例1の成型用スタンパでは、エラーレートに影響を及ぼすような欠陥はほとんどみられなかった。すなわち、本技術の酸化タングステン膜を無機レジストの凹凸パターン上に形成した光ディスク原盤を用いることで、温純水に対する耐性の高い成型用スタンパを製造することが可能であることが分かった。このように、本技術によれば、光ディスク原盤の凹凸パターン上に所定の組成からなる酸化タングステン膜を形成することにより、成型用スタンパの表面に生じる欠陥を低減することができる。特に、短期~長期保管した光ディスク原盤が、UVO3洗浄によって局部的に過剰な酸化を起こす事無く、均一にかつ適度な酸化が起こすことが可能であり、また、その原盤から作製した成形用スタンパの温水に対する耐性を向上させることができる。このため、成型用スタンパを長期に渡って光ディスクの製造に用いることが可能であり、コストの低減を図ることもできる。また、光ディスク原盤に形成した記録情報パターンを精度良く成型用スタンパに転写できるので、この成型用スタンパを用いて製造された光ディスクの品質も向上する。以上、光ディスク原盤、成型用スタンパ、光ディスク、スパッタターゲット、光ディスク原盤の製造方法、成型用スタンパの製造方法、及び光ディスクの製造方法の実施の形態について説明した。本技術は上記実施の形態にとらわれることなく、特許請求の範囲に記載した本技術の要旨を逸脱しない限りにおいて、考えられる種々の形態を含むものである。また、本技術は、以下のような構成を取ることもできる。1所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤。2前記酸化タングステン膜の膜厚は、5nm以上50nm以下である1に記載の光ディスク原盤。3前記凹凸パターンは、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって形成される1または2に記載の光ディスク原盤。4基板と、前記基板上に形成され、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写されたパターンと、を含む成型用スタンパ。5所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写された成型用スタンパにより成型されたディスク基板と、前記ディスク基板上に形成された反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜と、を含む光ディスク。6酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステンからなるスパッタターゲット7基板の一方の面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、前記無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップと、前記凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜を形成するステップと、を含む光ディスク原盤の製造方法。8所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離するステップと、を含む成型用スタンパの製造方法。9所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をX、タングステンの原子組成百分率比をYとすると、55atomic<X<60かつY=100-Xである酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離して成型用スタンパを作製するステップと、作製した前記成型用スタンパを用いてディスク基板を成型するステップと、前記成型用スタンパにより前記ディスク基板に転写された凹凸パターン上に反射膜を形成するステップと、前記反射膜上に保護膜を形成するステップと、を含む光ディスクの製造方法。"