"複数のダイパッドを備えるリードフレームと、前記リードフレームの第1のダイパッドに結合されたドライバ集積回路ICと、前記リードフレームの第2のダイパッドに結合された第1群の縦導通型パワーデバイス及び前記リードフレームの対応するダイパッドに個別に結合された第2群の縦導通型パワーデバイスを含む複数の縦導通型パワーデバイスと、前記ドライバIC、前記複数の縦導通型パワーデバイス及び前記リードフレームの複数の外部リードの間の電気的相互接続を与える複数のワイヤボンドとを備え、前記第1群の縦導通型パワーデバイスの一つの上面電極が前記第2群の縦導通型パワーデバイスの一つの底面電極に電気的に接続されている、ことを特徴とするパワーカッドフラットノーリードPQFN半導体パッケージ。前記パッケージはフルブリッジパワーデバイスとして構成されている、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記リードフレームは接着性向上のために選択的に銀でめっきされている、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記第1群の縦導通型パワーデバイスは前記パッケージの第1の端縁の近くに置かれ、前記第2群の縦導通型パワーデバイスは前記パッケージの第2の端縁の近くに置かれている、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスは6個であり、前記第1群の縦導通型パワーデバイスは3個であり、前記第2群の縦導通型パワーデバイスは3個である、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスはパワーMOSFETを含む、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスはIGBTを含む、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記パッケージの厚さは0.9mm以下である、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記パッケージのフットプリントは12mm×12mm以下である、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数のワイヤボンドは前記複数の縦導通型パワーデバイスの電源電極への接続のためにボンドステッチオンボールBSOB銅ボンドを含む、請求項1記載のPQFN半導体パッケージ。リードフレームと、前記リードフレームに結合されたドライバ集積回路ICと、前記リードフレームに結合された複数の縦導通型パワーデバイスと、前記ドライバIC、前記複数の縦導通型パワーデバイス及び前記リードフレームの複数の外部リードの間の電気的相互接続を与える複数のワイヤボンドとを備え、前記複数のワイヤボンドは、前記複数の縦導通型パワーデバイスの一つの上面電極から前記リードフレームの一部分への第1のワイヤボンドを含み、前記リードフレームの一部分は前記複数の縦導通型パワーデバイスの別の一つの底面電極に電気的に接続されている、ことを特徴とするパワーカッドフラットノーリードPQFN半導体パッケージ。前記パッケージはフルブリッジパワーデバイスとして構成されている、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記リードフレームは接着性向上のために選択的に銀でめっきされている、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスは、前記パッケージの第1の端縁の近くの単一のダイパッド上に置かれた第1の群と前記パッケージの第2の端縁の近くの個別のダイパッド上に置かれた第の2群に分けられ、前記第1の群は前記複数の縦導通型パワーデバイスの前記一つを含み、前記第2の群は前記複数の縦導通型パワーデバイスの前記別の一つを含む、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスは6個である、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスはパワーMOSFETを含む、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記複数の縦導通型パワーデバイスはIGBTを含む、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記パッケージの厚さは0.9mm以下である、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記パッケージのフットプリントは12mm×12mm以下である、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。前記第1のワイヤボンドはボンドステッチオンボールBSOB銅ボンドを含む、請求項11記載のPQFN半導体パッケージ。本願は電気的相互接続のためにリードフレームを使用するマルチチップモジュールMCMパワーカッドフラットノーリードPQFN半導体パッケージに関する。以下の記載は本発明の実施に関連する具体的情報を含む。当業者は、本願に具体的に説明される実施形態とは異なる態様に実施することができることを認識されよう。更に、本発明の具体的な細部の一部については本発明を不明瞭にしないために説明を省略した。本願に記載されない具体的詳細は当業者の知識の範囲内である。本願の図面及びそれらの付随の詳細な説明は本発明の単なる代表的な実施形態を対象にしている。簡潔さを維持するために、本発明の他の実施形態は具体的に説明されておらず、また図面に具体的に示されていない。図1Aは本発明の一実施例による半導体パッケージの上面図を示す。本例では、半導体パッケージは12mm×12mmのPQFNパッケージ12mm×12mmのフットプリントを有するを備えることができ、このパッケージは番号が付けられた27個の外部リード、即ち外部リード1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,1,4,15,16,17,18,19,20,21,22,23,24,25,26,27を有する。しかし、代替実施例は、用途により必要とされるとおり、異なるパッケージサイズを使用し、異なる数の外部リードを含むことができる。図1Aに示されるように、ドライバ集積回路IC、即ちドライバIC130、はパッケージ内に中心に置かれる。ドライバIC130はフルブリッジ構成の6個のパワーデバイスを駆動するのに好適な高電圧ICHVIC、例えばインターナショナルレクティファイヤコーポレーション登録商標から入手し得る第5世代HVIC、を備えることができる。従って、ドライバIC130は縦導通型パワーデバイス140a、140b、140c、140d、140e及び140fのそれぞれのゲート電極141a、141b,141c,141d,141e及び141fに接続することができ、これらのパワーデバイスは、例えばファーストリバースエピタキシャルダイオード電界効果トランジスタFREDFETのようなパワー金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタパワーMOSFET又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTを備えることができる。例えば、縦導通型パワーデバイス140a-140cはフルブリッジパワーデバイスのハイサイドFETを構成するMOSFETデバイスを備えることができ、縦導通型パワーデバイス140d-140fはフルブリッジパワーデバイスのローサイドFETを構成するMOSFETデバイスを備えることができる。明瞭のために、ドライバIC130と縦導通型パワーデバイス140a-140fとの間の接続を提供し得るワイヤボンドは図1Aから省略されている。更に、フルブリッジパワーデバイスを提供するパッケージが図に示されているが、代替実施例は特定の用途に必要とされる他のパッケージデバイス構成を提供することができる。リードフレーム160はオリンブラス登録商標から入手し得る銅Cu合金C194のような高い熱及び電気伝動率を有する材料で構成することができる。図1Cと関連して更に説示するように、最適な電気伝導率及び熱消散のためにリードフレーム160の底面の大きな部分を露出させることができる。リードフレーム160の上面はデバイスダイ及びワイヤへの付着強化用の材料で選択的にめっきすることもできる。例えば、めっき部150a、150b、150c,150d,150e,150f及び150gはリードフレーム160に選択的に被着された銀Agめっきとすることができ、この銀めっきはQPLリミテッドなどの会社から入手できる。モールドコンパウンド165は日立ケミカル登録商標から入手し得る低い曲げ弾性率のコンパウンドを含むことができる。図1Aに示されるように、縦導通型パワーデバイス140a-14cはパワーの上端縁の近くに位置する同じダイパッドを共用し、めっき部150aを経てリードフレーム160に結合される。従って、ハイサイドMOSFETのボトムドレイン電極はすべて同じダイパッドに一緒に接続される。他方、ローサイドMOSFETを備える縦導通型パワーデバイス140d-140fはそれぞれパワーの右端縁の近くに位置する個別のダイパッドに置かれる。縦導通型パワーデバイス140a-140cの底面をめっき部150aに取り付けるため、縦導通型パワーデバイス140a-140cの底面をめっき部150aに取り付けるため、縦導通型パワーデバイス140dの底面をめっき部150dに取り付けるため、縦導通型パワーデバイス140eの底面をめっき部150cに取り付けるため、縦導通型パワーデバイス140fの底面をめっき部150bに取り付けるため、及びドライバIC130をめっき部150gに取り付けるために、ヘンケルコーポレーションから入手し得る銀充填QMI529HTなどのはんだ又は導電性接着剤を使用することができる。ドライバIC130及び縦導通型パワーデバイス140a-140fは電気伝導性にとって最適な態様でパッケージ内に定置される。図1Aのフルブリッジパッケージ回路を完成するために、ソース電極142aを縦導通型パワーデバイス140dのドレイン電極に接続し、ソース電極142bを縦導通型パワーデバイス140eのドレイン電極に接続し、ソース電極142cを縦導通型パワーデバイス140fのドレイン電極に接続し、ソース電極142d,142e及び142fを一緒に結合する必要がある。しかし、必要な接続を付与するようにワイヤを直接配線することルーティングはワイヤ交差及び潜在的なワイヤ短絡を生じ得る。更に、パッケージは高電力用を目標としているため、必要とされる長い配線長は電気的及び熱的性能に悪影響を与え得る。そこで、図1Bに戻り説明すると、図1Bは本発明の一実施例によるワイヤボンドを含む半導体パッケージの上面図を示す。図1Bに示されるように、ゲート配線用、電流検知用及び他のI/O機能用には、典型的なワイヤボンド170bで示されるような細いワイヤが使用される。これらのワイヤは、例えば直径1.3ミルのG1タイプの金Auワイヤとすることができる。パワー接続用には典型的なワイヤボンド170aにより示されるような太いワイヤが使用される。これらのワイヤは直径2.0ミルの銅Cuワイヤ、例えばクリッケアンドソッファ登録商標から入手し得るMaxsoft登録商標LDワイヤとすることができる。ワイヤボンド170aのような太いワイヤはボンドステッチオンボールBSOBボンディングを用いてボンドすることができる。図1Bに示されるように、追加の電流処理能力を与えるために複数のワイヤボンド、例えば2つのワイヤボンドを並列に設置することができる。従って、図1Aから回路を完成し外部リード1-27に至る所要の接続は図1Bに示されるワイヤボンド及びリードフレーム160により与えられる。ゲート電極141a-141fの各々は金のワイヤボンドを用いてドライバIC130に直接接続される。縦導通型パワーデバイス140c及び140fはすでに近接近位置にあるため、1対の銅ワイヤを用いてソース電極142cとめっき部150bとの間に直接ワイヤボンドを行うことができる。しかし、もっと離れたデバイス間の接続には、リードフレーム160による配線を用いるのが有利である。リードフレーム160は銅合金のような高い伝導率の材料で構成されるため、リードフレーム160は直接ワイヤ配線に比較してはるかに効率的な導電通路を提供することができる。加えて、ワイヤ交差によるワイヤ短絡の危険のような問題も避けられる。例えば、ソース電極142bを縦導通型パワーデバイス140eのドレイン電極に接続するために、1対の太い銅ワイヤがソース電極142bの上面とめっき部150eの上面との間にボンドされる。この接続は、以下に説明される図2に詳細に示され、この図は線102で切断されたスライスの断面図を示す。めっき部150eの下のリードフレーム160はそこからめっき部150cにつながっており、縦導通型パワーデバイス140eのドレイン電極への接続を完成する。同様に、ソース電極142aは1対の太いワイヤを経てめっき部150fにボンドされ、めっき部150fはそこからリードフレーム160を経て、縦導通型パワーデバイス140dのドレイン電極に接続されためっき部150dにつながっている。従って、パッケージを完成するために必要な電気的接続がリードフレームを配線装置として用いることによって与えられ、交差ワイヤボンドを有利に避けることができる。図1Cに進むと、図1Cは本発明の一実施例による半導体パッケージの底面図を示す。図1Bに示すパッケージを反転すると、リードフレームの露出部分が見え、図1Cに示すレイアウトを見ることができる。例えば、リードフレーム部分160aは図1Bに示されるめっき部150aの外形に対応し、リードフレーム部分160bは図1Bに示されるめっき部150eの外形に対応する。従って、パッケージリードフレームの大部分が効率的な熱消散及び電気伝導率のために底面に露出される。露出表面部分も例えば錫Snでめっきすることができる。それに応じて対応ランド部を備えるプリント回路盤PCBを設計することによって、効率的な設計のPQFNパッケージを有利に利用することができる。図2につき検討すると、図2は本発明の一実施例による半導体パッケージの一部分の断面図を示す。もっと正確に言うと、この断面図は図1Bの線102上の断面に相当する。図2において、リードフレーム260a及び260bは図1Cのリードフレーム160a及び160bに対応し、縦導通型パワーデバイス240bは図1Bの縦導通型パワーデバイス140bに対応し、ソース電極242bは図1Bのソース電極142bに対応し、めっき部250aは図1Bのめっき部150aに対応し、めっき部250eは図1Bのめっき部150eに対応し、モールドコンパウンド265は図1Bのモールドコンパウンド165に対応する。図2は必ずしも一定の寸法比で描かれていない点に注意されたい。図2に示されるように、縦導通型パワーデバイス240bのドレイン電極243bは導電性接着剤235及びめっき部250aを経てリードフレーム部分260aに結合される。先に述べたように、導電性接着剤235はQMI529HTなどの銀充填接着剤とすることができる。縦導通型パワーデバイス240bのソース電極242bはそこからワイヤボンド270a及びめっき部250eを経てリードフレーム部分260bに結合される。ワイヤボンド270aはBSOBボンドされる直径2.0ミルの銅Cuワイヤとすることができる。先に述べたように、追加の電流処理能力のために複数のワイヤボンドを設けることもできるが、図1Bに示す1対のワイヤボンドは互いに平行配置されるために、図2には示されていない。デバイスダイが接着され、ワイヤボンドが形成された後に、パッケージはモールドコンパウンド265を用いてカプセル封止することができる。パッケージクラッキングに対抗する弾性を与えるために、モールドコンパウンド265により決まるパッケージの高さ又は暑さは、例えば0.9mm以下の薄さに維持できる。従って、図2に示す断面は図1Bに示されるソース電極142bとめっき部150eを接続するワイヤボンド270aにより与えられる電気的接続を示している。図2のリードフレーム260bに対応する図1bのリードフレーム部分160は右方向に延びてめっき部150eにつながり、それによって縦導通型パワーデバイス140eのドレインへの接続が完成する。ソース電極142aを縦導通型パワーデバイス140dのドレインに接続するためにも同様の接続プロセスが適用される。上に述べたように、電気的相互接続のためにリードフレームを用いるマルチチップモジュールMCMパワーカッドフラットノーリードPQFN半導体パッケージを説明した。本発明によれば、多数のパワーデバイスを備える複雑なパッケージでも効率的な電気的相互接続手段として低コストのリードフレームを利用することによって集積化できる。本発明の革新的なパッケージは、従来のパッケージ技術よりもコンパクトなフォームファクタ、向上した電気的及び熱的伝導性、向上した信頼性及び費用効率のよい製造を可能にする。本発明の上述の説明から、本発明のコンセプトは本発明の範囲から離れることなく種々の技術を用いて実現できること明らかである。更に、本発明を特に所定の実施例について説明したが、本発明の精神及び範囲から離れることなく本発明の構造及び細部に変更を加えることができることは当業者に認識されよう。従って、開示の実施例はすべての点で例示であり、非限定的であるとみなされたい。本発明は開示の特定の実施例に限定されず、本発明の範囲から逸脱することなく多くの再構成、変更及び置換が可能であることを理解されたい。"