シリコン基板の裏面の一部に、第1ドーパントを含む第1裏面パッシベーション膜を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面及び前記第1裏面パッシベーション膜上に、第2ドーパントを含む膜を形成する工程と、前記シリコン基板を熱処理することにより、前記シリコン基板の裏面に、前記第1ドーパントを拡散させることにより第1半導体領域を形成し、前記シリコン基板の裏面の前記第1半導体領域以外の領域に、前記第2ドーパントを拡散させることにより第2半導体領域を形成する工程と、前記第2ドーパントを含む膜を除去する工程と、前記シリコン基板の裏面及び前記第1裏面パッシベーション上に第2裏面パッシベーション膜を形成する工程とを備えた裏面電極型太陽電池の製造方法。シリコン基板の裏面の一部に、第1半導体領域を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面に、第1裏面パッシベーション膜を形成する工程と、前記第1半導体領域上以外の領域で、前記第1裏面パッシベーション膜を除去する工程と、前記シリコン基板の裏面の前記第1半導体領域上以外の領域に、第2半導体領域を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面及び前記第1裏面パッシベーション上に、第2裏面パッシベーション膜を形成する工程とを備えた裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第1半導体領域は、n型であり、前記第2半導体領域は、p型である請求項1または2に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第2裏面パッシベーション膜は、酸化アルミニウム膜である請求項3に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第1裏面パッシベーション膜は、酸化シリコン膜である請求項1~4のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。特許文献1に開示されている図9の裏面接合型太陽電池の製造方法では、シリコン基板の裏面に、n層、p層を形成するため、それぞれに対し、拡散マスク形成、パターニング、不純物拡散、拡散マスク除去の工程があり、その後に、n層上、p層上にそれぞれ異なるパッシベーション膜を形成するため、第1パッシベーション膜形成、パターニング、第1パッシベーション膜をp層上のみに残す工程、第2パッシベーション膜形成の工程とがあり、工程数が多くなっている。本発明の目的は、工程数を低減しても、n層上、p層上に、それぞれ異なるパッシベーション膜を形成することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、シリコン基板の裏面の一部に、第1ドーパントを含む第1裏面パッシベーション膜を形成する工程と、シリコン基板の裏面及び第1裏面パッシベーション膜上に、第2ドーパントを含む膜を形成する工程と、シリコン基板を熱処理することにより、シリコン基板の裏面に、第1ドーパントを拡散させることにより第1半導体領域を形成し、シリコン基板の裏面の第1半導体領域以外の領域に、第2ドーパントを拡散させることにより第2半導体領域を形成する工程と、第2ドーパントを含む膜を除去する工程と、シリコン基板の裏面及び第1裏面パッシベーション上に第2裏面パッシベーション膜を形成する工程とを備える。本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、シリコン基板の裏面の一部に、第1半導体領域を形成する工程と、シリコン基板の裏面に、第1裏面パッシベーション膜を形成する工程と、第1半導体領域上以外の領域で、第1裏面パッシベーション膜を除去する工程と、シリコン基板の裏面の第1半導体領域上以外の領域に、第2半導体領域を形成する工程と、シリコン基板の裏面及び第1裏面パッシベーション上に、第2裏面パッシベーション膜を形成する工程とを備える。ここで、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第1半導体領域は、n型であり、第2半導体領域は、p型であってもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第2裏面パッシベーション膜は、酸化アルミニウム膜であってもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第1裏面パッシベーション膜は、酸化シリコン膜であってもよい。本発明によれば、半導体領域形成前に、第1半導体領域上に残した膜を、第1半導体領域上の第1裏面パッシベーション膜としているので、新たに、第1半導体領域上にパッシベーション膜を形成する必要はないため、工程数を低減しても、第1半導体領域上、第2半導体領域上に、それぞれ異なるパッシベーション膜を形成することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することができる。図1、図2は、受光面と反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の一例の裏面電極型太陽電池を表す図である。図1は、裏面電極型太陽電池1の裏面側から見た図であり、裏面電極型太陽電池1の裏面には、n型用電極2およびp型用電極3をそれぞれ帯状に交互に形成している。図2は、図1で示したA-A′の断面を表す図である。n型シリコン基板4の受光面にはテクスチャ構造である凹凸形状5が形成されている。n型シリコン基板4の受光面上には受光面パッシベーション膜6を形成している。また、受光面パッシベーション膜6上には反射防止膜7を形成している。ここで、受光面パッシベーション膜6、反射防止膜7はいずれも窒化シリコン膜であり、受光面パッシベーション膜6の膜厚は10nm以下であり、反射防止膜7の膜厚は50nm以上100nm以下である。さらに、反射防止膜7の窒化シリコン膜は、受光面パッシベーション膜6の窒化シリコン膜よりも、窒素含有率が高く、屈折率が低い。なお、受光面パッシベーション膜6は酸化シリコン膜であってもよい。また、n型シリコン基板4の裏面側にはn型半導体領域であるn領域9とp型半導体領域であるp領域10とを交互に隣接して形成している。そして、n領域9上には第1裏面パッシベーション膜11である酸化シリコン膜を形成し、p領域10上及び第1裏面パッシベーション膜11上には、第2裏面パッシベーション膜12を形成している。第2裏面パッシベーション膜12は、酸化アルミニウム膜であり、その膜厚は5nm以上50nm以下である。さらに、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成されている。そして、より高い短絡電流を得るために、シリコン基板と異なる導電型であるp領域10の合計面積を、n領域9の合計面積よりも大きくしている。また、隣接するn領域は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、n領域間はp領域が形成されている。また、p領域が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、p領域間にn領域が形成されている。なお、裏面電極型太陽電池の各辺の最も外側の電極が同じ導電型なので、形成した電極を回転対称構造にすることが可能になり、裏面電極型太陽電池を複数並べる太陽電池モジュールを作製する際、例えば、図1に示す裏面電極型太陽電池の上下が反対になっても問題ない。以下に、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の一例を示す。図3は、図1、および図2に示す本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の一例である。図3に示すように模式的断面図を参照して説明する。まず、図3aに示すように、n型シリコン基板4の受光面となる面以下n型シリコン基板の受光面という。の反対側の面である裏面以下n型シリコン基板の裏面という。に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVDChemicalVaporDeposition法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図3bに示すように、n型シリコン基板4の受光面にテクスチャ構造である凹凸形状5をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70°C以上80°C以下に加熱した溶液により行われる。次に、図3cを用いて説明する。図3cは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。まず、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去する。その後、n型シリコン基板4の裏面全面に、第1ドーパントであるリンを含んだ酸化シリコン膜33をCVD法により形成し、その上に、酸化シリコン膜34をCVD法により形成する。リンを含んだ酸化シリコン膜33の厚さは50nm以上100nm以下であり、酸化シリコン膜34の厚さは200nm以上500nm以下である。次に、n型シリコン基板4の裏面側にn領域9を形成するため、酸化シリコン膜33及び酸化シリコン膜34を残すようにパターニングする。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行う。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストを超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図3dに示すように、n型シリコン基板4の裏面上、及び酸化シリコン膜34上に、ボロンを含んだ酸化シリコン膜31をCVD法により形成し、その上に、酸化シリコン膜32をCVD法により形成する。第2ドーパントであるボロンを含んだ酸化シリコン膜31の厚さは50nm以上100nm以下であり、酸化シリコン膜32の厚さは200nm以上500nm以下である。次に、n型シリコン基板4を熱処理することで、ボロンを含んだ酸化シリコン膜31からn型シリコン基板4の裏面の一部にボロンを熱拡散させてp領域10を形成し、リンを含んだ酸化シリコン膜33からn型シリコン基板4の裏面の一部にリンを熱拡散させn領域9を形成する。よって、1工程で、p領域10及びn領域9を形成することができる。そして、n領域9とp領域10は、隣接して形成される。この工程を用いることで、n領域9、p領域10を形成するため、それぞれに対し拡散マスクを形成してパターニングし、半導体領域形成後、拡散マスクを除去する工程が不要となる。なお、上記工程では、酸化シリコン膜34は、酸化シリコン膜31からn型シリコン基板4へのボロンの拡散を防止するための膜であり、また、酸化シリコン膜32は、酸化シリコン膜31からボロンがアウトディフュージョンすることを防止するための膜である。次に、図3eに示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成された酸化シリコン膜32、酸化シリコン膜31及び酸化シリコン膜34をエッチングにより除去する。上記に示したように、p領域10上には、酸化シリコン膜31及び酸化シリコン膜32が形成され、n領域9上には、これらの膜に加えて、酸化シリコン膜33及び酸化シリコン膜34が形成されている。そのため、酸化シリコン膜31及び酸化シリコン膜32を除去するまでエッチングを行なうと、n領域9上の酸化シリコン膜33だけが残る。次に、図3fに示すように、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜12である酸化アルミニウム膜をスパッタ法またはCVD法により形成する。n領域9上には、拡散マスクとして利用した酸化シリコン膜33が第1裏面パッシベーション膜として形成されているため、第2裏面パッシベーション膜12はp領域10上および酸化シリコン膜33上に形成される。その後、n型シリコン基板4の受光面に受光面パッシベーション膜6である窒化シリコン膜、及び反射防止膜7である窒化シリコン膜をCVD法により形成する。次に、図3gを用いて次工程を説明する。図3gは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。n型シリコン基板4の裏面側に形成したn領域9上、p領域10上に電極を形成するため、n領域9上では、第1裏面パッシベーション膜である酸化シリコン膜33及び第2裏面パッシベーション膜12に、p領域10上では、第2裏面パッシベーション膜12にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行う。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図3hに示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成され、裏面電極型太陽電池1を作製した。以上のように、上記の裏面電極型太陽電池の製造方法において、図3eのようにn領域9上の酸化シリコン膜33を残すことによって、n領域9上、p領域10上に、それぞれ、異なるパッシベーション膜を形成することができるので、工程を低減することが可能となる。また、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。さらに、この製造方法を用いれば、n領域9上に第1裏面パッシベーション膜を、p領域10上に第2裏面パッシベーション膜12を、それぞれ、位置ずれを抑えて形成することができる。さらに、p領域10上に負の固定電荷を有する酸化アルミニウム膜を形成するので、p領域10上では高いパッシベーション性を有する。図4は、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の他の一例である。図4に示すように模式的断面図を参照して説明する。なお、裏面電極型太陽電池71は、裏面電極型太陽電池1の第1裏面パッシベーション膜に対応する膜がリンを含有していない以外は裏面電極型太陽電池1の構造と同様である。図4a、図4bに示す工程は、図3a、図3bと同様であるので、図4cより以降を下記に示す。まず、図4cを用いて次工程を説明する。図4cは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。まず、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。その後、n型シリコン基板4の裏面において、n領域9を形成しようとする箇所以外に拡散マスク23を形成する。拡散マスク23は、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により形成する。次に、POCl3を用いた気相拡散によって、n型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、第1ドーパントであり、n型不純物であるリンが拡散してn領域9を形成する。次に、図4dに示すように、n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22、23、および拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜24を形成する。この際、図4dに示すように、n型シリコン基板4の裏面のn領域9上の酸化シリコン膜24が厚くなる。熱酸化時に、酸化シリコン膜の厚さが異なる理由は次の通りである。熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度は、シリコン基板に拡散されている不純物の種類と濃度により異なる。特にn型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、n型シリコン基板4よりもn型不純物濃度が高いn領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚の方が、n型シリコン基板4上よりも厚くなる。また、酸化シリコン膜24は、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、n型シリコン基板4において、n領域9の表面は、n領域9が形成されていない領域の表面よりも凹状になる。なお、酸化シリコン膜24を、p領域形成時のn領域の拡散マスクとして使用するには、n領域9上とn領域9上以外との酸化シリコン膜24の膜厚差は、60nm以上必要となる。次に、図4eに示すように、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜24および裏面のn領域9上以外の酸化シリコン膜24をエッチングにより除去する。裏面では、上記に示したように、酸化シリコン膜24がn領域9上に厚く形成されているので、n領域9以外の酸化シリコン膜24を除去するまでエッチングすると、n領域9上だけ酸化シリコン膜24が残る。その後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク25を形成して、n型シリコン基板4の裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理によりn型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、第2ドーパントであり、p型不純物であるボロンが拡散してp領域10を形成する。よって、p領域10は、n領域9に隣接して形成される。この工程を用いてp領域10、n領域9を形成することで、それぞれに対し拡散マスクを形成してパターニングし、半導体領域形成後、拡散マスクを除去する工程が不要となる。なお、上記工程では、n領域9上の酸化シリコン膜24は、n型シリコン基板4へのボロンの拡散を防止するための膜である拡散マスクになる。次に、図4fを用いて次工程を説明する。図4fは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。図4fに示すように、拡散マスク25、および、拡散マスク25、酸化シリコン膜24にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。その後、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜12である酸化アルミニウム膜をスパッタ法またはCVD法により形成する。n領域9上には、拡散マスクとして利用した酸化シリコン膜24が第1裏面パッシベーション膜として形成されているため、第2裏面パッシベーション膜12はp領域10上および酸化シリコン膜24上に形成される。次に、n型シリコン基板4の受光面に受光面パッシベーション膜6である窒化シリコン膜、及び反射防止膜7である窒化シリコン膜をCVD法により形成する。受光面パッシベーション膜6である窒化シリコン膜は、反射防止膜7である窒化シリコン膜よりも窒素含有率が低く、屈折率が高い膜である。また、受光面パッシベーション膜6は酸化シリコン膜でもよい。次に、図4gに示すように、n型シリコン基板4の裏面側に形成したn領域9上、p領域10上に電極を形成するため、n領域9上では、第1裏面パッシベーション膜である酸化シリコン膜24及び第2裏面パッシベーション膜12に、p領域10上では、第2裏面パッシベーション膜12にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行う。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストを超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図4hに示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n領域9にはn型用電極2を形成し、p領域10にはp型用電極3を形成し、裏面電極型太陽電池71を作製した。以上のように、上記の裏面電極型太陽電池の製造方法において、図4eのようにn領域9上の酸化シリコン膜24を残すことによって、n領域9上、p領域10上に、それぞれ、異なるパッシベーション膜を形成することができるので、工程を低減することが可能になる。また、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。さらに、この製造方法を用いれば、n領域9上に第1裏面パッシベーション膜を、p領域10上に第2裏面パッシベーション膜12を、それぞれ、位置ずれを抑えて形成することができる。そしてさらに、p領域10上に負の固定電荷を有する酸化アルミニウム膜を形成するので、p領域10上では高いパッシベーション性を有する。図5、図6は、本発明の他の一例の裏面電極型太陽電池を表す図である。図5は、裏面電極型太陽電池81の裏面側から見た図であり、裏面電極型太陽電池81の裏面には、n型用電極102およびp型用電極103をそれぞれ帯状に交互に形成している。図6は、図5で示したB-B′の断面を表す図である。n型シリコン基板104の受光面にはテクスチャ構造である凹凸形状105が形成されている。n型シリコン基板104の受光面上には受光面パッシベーション膜106を形成している。また、受光面パッシベーション膜106上には反射防止膜107を形成している。ここで、受光面パッシベーション膜106、反射防止膜107はいずれも窒化シリコン膜であり、受光面パッシベーション膜106の膜厚は10nm以下であり、反射防止膜107の膜厚は50nm以上100nm以下である。さらに、反射防止膜107の窒化シリコン膜は、受光面パッシベーション膜106の窒化シリコン膜よりも、窒素含有率が高く、屈折率が低い。なお、受光面パッシベーション膜106は酸化シリコン膜であってもよい。また、n型シリコン基板104の裏面側には、n型半導体領域であるn領域109とp型半導体領域であるp領域110とを交互に隣接して形成している。そして、p領域110上には第1裏面パッシベーション膜111である酸化シリコン膜を形成し、n領域109上及び第1裏面パッシベーション膜111上には、第2裏面パッシベーション膜112を形成している。第2裏面パッシベーション膜112は、窒化シリコン膜であり、その膜厚は5nm以上50nm以下である。さらに、n領域109にはn型用電極102が形成され、p領域110にはp型用電極103が形成されている。そして、より高い短絡電流を得るために、シリコン基板と異なる導電型であるp領域110の合計面積を、n領域109の合計面積よりも大きくしている。また、隣接するn領域は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、n領域間はp領域が形成されている。また、p領域が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、p領域間にn領域が形成されている。なお、裏面電極型太陽電池の各辺の最も外側の電極が同じ導電型なので、形成した電極を回転対称構造にすることが可能になり、裏面電極型太陽電池を複数並べる太陽電池モジュールを作製する際、例えば、図5に示す裏面電極型太陽電池の上下が反対になっても問題ない。以下に、本発明の裏面電極型太陽電池81の製造方法の一例を示す。図7は、図5、および図6に示す本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の一例である。図7に示すように模式的断面図を参照して説明する。まず、図7aに示すように、n型シリコン基板104の裏面に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク121をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図7bに示すように、n型シリコン基板104の受光面にテクスチャ構造である凹凸形状105をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70°C以上80°C以下に加熱した溶液により行われる。次に、図7cを用いて次工程を説明する。図7cは、n型シリコン基板104の裏面側が上となっている。まず、n型シリコン基板104の裏面に形成したテクスチャマスク121を除去する。その後、n型シリコン基板104の裏面全面に、第1ドーパントであるボロンを含んだ酸化シリコン膜131をCVD法により形成し、その上に、酸化シリコン膜132をCVD法により形成する。ボロンを含んだ酸化シリコン膜131の厚さは50nm以上100nm以下であり、酸化シリコン膜132の厚さは200nm以上500nm以下である。次に、n型シリコン基板104の裏面側にn領域109を形成するために、酸化シリコン膜131及び酸化シリコン膜132をパターニングする。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行う。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストを超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図7dに示すように、n型シリコン基板104の裏面上、及び酸化シリコン膜132上に、第2ドーパントであるリンを含んだ酸化シリコン膜133をCVD法により形成し、その上に、酸化シリコン膜134をCVD法により形成する。リンを含んだ酸化シリコン膜133の厚さは50nm以上100nm以下であり、酸化シリコン膜134の厚さは200nm以上500nm以下である。次に、n型シリコン基板104を熱処理することで、ボロンを含んだ酸化シリコン膜131からn型シリコン基板104の裏面の一部にボロンを熱拡散させてp領域110を形成し、リンを含んだ酸化シリコン膜133からn型シリコン基板104の裏面の一部にリンを熱拡散させてn領域109を形成する。よって、1工程で、p領域110及びn領域109を形成することができる。そして、n領域109とp領域110は、隣接して形成される。この工程を用いて、n領域109、p領域110を形成することで、それぞれに対し拡散マスクを形成してパターニングし、半導体領域形成後、拡散マスクを除去する工程が不要となる。なお、上記工程では、酸化シリコン膜132は、酸化シリコン膜133からn型シリコン基板104へのリンの拡散を防止するための膜であり、また、酸化シリコン膜134は、酸化シリコン膜133からリンがアウトディフュージョンすることを防止するための膜である。次に、図7eに示すように、n型シリコン基板104の裏面に形成された酸化シリコン膜134、酸化シリコン膜133及び酸化シリコン膜132をエッチングにより除去する。上記に示したように、n領域109上には、酸化シリコン膜133及び酸化シリコン膜134が形成され、p領域110上には、これらの膜に加えて、酸化シリコン膜131及び酸化シリコン膜132が形成されている。そのため、酸化シリコン膜133及び酸化シリコン膜134を除去するまでエッチングを行なうと、p領域110上の酸化シリコン膜131だけが残る。次に、図7fに示すように、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜135である窒化シリコン膜をスパッタ法またはCVD法により形成する。p領域110上には、拡散マスクとして利用した酸化シリコン膜131が第1裏面パッシベーション膜として形成されているため、第2裏面パッシベーション膜135はn領域109上および酸化シリコン膜131上に形成される。その後、n型シリコン基板104の受光面に受光面パッシベーション膜106である窒化シリコン膜、及び反射防止膜107である窒化シリコン膜をCVD法により形成する。受光面パッシベーション膜106である窒化シリコン膜は、反射防止膜107である窒化シリコン膜よりも窒素含有率が低く、屈折率が高い膜である。また、受光面パッシベーション膜106は酸化シリコン膜でもよい。次に、図7gを用いて次工程を説明する。図7gは、n型シリコン基板104の受光面側が上となっている。n型シリコン基板104の裏面側に形成したn領域109上、p領域110上に電極を形成するため、p領域110上では、第1裏面パッシベーション膜である酸化シリコン膜131及び第2裏面パッシベーション膜135に、n領域109上では、第2裏面パッシベーション膜135にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行う。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図7hに示すように、n型シリコン基板104の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n領域109にはn型用電極102が形成され、p領域110にはp型用電極103が形成され、裏面電極型太陽電池81を作製した。以上のように、上記の裏面電極型太陽電池の製造方法において、図7eのようにp領域110上の酸化シリコン膜131を残すことによって、n領域109上、p領域110上に、それぞれ、異なるパッシベーション膜を形成することができるので、工程を低減することが可能となる。また、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。さらに、この製造方法を用いれば、p領域110上に第1裏面パッシベーション膜を、n領域109上に第2裏面パッシベーション膜135を、それぞれ、位置ずれを抑えて形成することができる。そしてさらに、n領域109上に正の固定電荷を有する窒化シリコン膜を形成するので、n領域109上では高いパッシベーション性を有する。上記では、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板を用いることも可能である。p型シリコン基板を用いる場合は、より高い短絡電流を得るために、シリコン基板の導電型であるp型と異なる導電型であり、電極が形成されたn領域の合計面積のほうが、電極が形成されたp領域の合計面積よりも大きい。さらに、本発明の裏面電極型太陽電池の概念には、MWTMetalWrapThrough型半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池などの構成の太陽電池等も含まれる。