"直接給電点、容量給電点および接地点を備える放射素子と、給電ラインから前記放射素子の直接給電点または前記容量給電点に対する給電を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の接地点とグランドとの間に導通/非導通を切り替える第2のスイッチとを備えたことを特徴とするアンテナ装置。直接給電点または接地点となる接続点と容量給電点とを備える放射素子と、給電ラインから前記放射素子の直接給電点または前記容量給電点に対する給電を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の前記接続点とグランドとの間に導通/非導通を切り替える第2のスイッチとを備えたことを特徴とするアンテナ装置。直接給電点または接地点となる第1の接続点と容量給電点となる第2の接続点とを備える放射素子と、前記放射素子の前記第1の接続点と第1の給電ラインまたはグランドとの接続を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の前記第2の接続点と第2の給電ラインの接続/開放を切り替える第2のスイッチとを備えたことを特徴とするアンテナ装置。前記第1のスイッチまたは第2のスイッチの少なくとも一方はPINダイオードまたはMESFETで構成されている、請求項1~3のいずれかに記載のアンテナ装置。前記給電ラインにインピーダンス整合回路が配置された、請求項1~4のいずれかに記載のアンテナ装置。前記給電ラインに対する前記インピーダンス整合回路の接続を切り替える第3のスイッチを備えた、請求項5に記載のアンテナ装置。前記第3のスイッチはPINダイオードまたはMESFETで構成されている、請求項6に記載のアンテナ装置。前記放射素子は直方体形状の誘電体または磁性体の基体に放射電極が形成されたものである、請求項1~7のいずれかに記載のアンテナ装置。前記基体に前記第1のスイッチまたは第2のスイッチが設けられた、請求項8に記載のアンテナ装置。請求項5~7のいずれかに記載のアンテナ装置を備え、当該アンテナ装置の少なくとも前記放射素子、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、および前記インピーダンス整合回路は一つの基板に構成され、実装先基板への実装用電極が前記基板に形成されたアンテナモジュール。請求項1~9のいずれかに記載のアンテナ装置または請求項10に記載のアンテナモジュールと、前記アンテナ装置またはアンテナモジュールに給電する給電回路とを備えた携帯端末。ところが、特許文献1のアンテナ装置においては、スイッチで給電位置と接地位置を変更することによって基板電流の方向を変更する構成である。そのため、アンテナ構造自体は変わらないので、基板電流の方向はそれほど大きく変わらず、アンテナの位置によっては指向性の向きも微妙に傾く程度の変化しかしないと推測される。特許文献2は表面実装型アンテナについて給電方法を直接給電にするか容量給電にするかを選択するものであるので指向性は変化しない。任意の方向に指向性を変化させる場合にはそれぞれに応じたアンテナを複数実装して切り替えなければならず、実装面積が拡大し、コストアップの問題が生じる。そこで、本発明の目的は、単一の放射素子を備えてアンテナの指向方向を切り替えられるようにしたアンテナ装置、それを備えたアンテナモジュールおよび携帯端末を提供することにある。1本発明のアンテナ装置は、直接給電点、容量給電点および接地点を備える放射素子と、給電ラインから前記放射素子の直接給電点または前記容量給電点に対する給電を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の接地点とグランドとの間に導通/非導通を切り替える第2のスイッチとを備える。2本発明のアンテナ装置は、直接給電点または接地点となる接続点と容量給電点とを備える放射素子と、給電ラインから前記放射素子の直接給電点または前記容量給電点に対する給電を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の前記接続点とグランドとの間に導通/非導通を切り替える第2のスイッチとを備える。3本発明のアンテナ装置は、直接給電点または接地点直接接地点となる第1の接続点と容量給電点となる第2の接続点とを備える放射素子と、前記放射素子の前記第1の接続点と第1の給電ラインまたはグランドとの接続を切り替える第1のスイッチと、前記放射素子の前記第2の接続点と第2の給電ラインの接続/開放を切り替える第2のスイッチとを備える。4上記1~3に記載の構成で、第1のスイッチまたは第2のスイッチの少なくとも一方はPINダイオードまたはMESFETで構成されることが好ましい。5上記1~4に記載の構成で、前記給電ラインにインピーダンス整合回路が配置されることが好ましい。6上記5に記載の構成で、前記給電ラインに対する前記インピーダンス整合回路の接続を切り替えるために第3のスイッチを備えることが好ましい。7上記6に記載の構成で、前記第3のスイッチはPINダイオードまたはMESFETで構成されていることが好ましい。8上記1~7に記載の構成で、前記放射素子は直方体形状の誘電体または磁性体の基体に放射電極が形成されたものであることが好ましい。9上記8に記載の構成で、前記第1のスイッチまたは第2のスイッチは前記基体に設けられていることが好ましい。10本発明のアンテナモジュールは、上記5~7のいずれかに記載のアンテナ装置を備え、当該アンテナ装置の少なくとも前記放射素子、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、および前記インピーダンス整合回路は一つの基板に構成され、この基板に実装先基板への実装用電極が形成されたものである。11本発明の携帯端末は、請求項1~9のいずれかに記載のアンテナ装置または請求項10に記載のアンテナモジュールと、前記アンテナ装置またはアンテナモジュールに給電する給電回路とを備える。この発明によれば、単一の放射素子でアンテナの指向方向を切り替えることができ、必要に応じてアンテナの指向性を適正化できる。《第1の実施形態》図2A、図2Bは第1の実施形態に係るアンテナ装置201の主要部の斜視図である。図2Aと図2Bとでは視点が異なる。アンテナ装置201は基板131と基板131に実装されたアンテナチップ121とで構成されている。直方体形状の誘電体基体20の第1端面には放射電極21、上面には放射電極22、第2端面には放射電極23がそれぞれ形成されている。これらの放射電極21,22,23は連続している。誘電体基体20の第1端面には容量給電電極24が形成されている。誘電体基体20の下面には前記放射電極21,23および容量給電電極24につながる実装用電極が形成されている。上述した誘電体基体20およびその外面に形成された各種電極によってアンテナチップ121が構成されている。基材30の上面にはグランド電極31、給電回路接続電極32、給電ライン33,34,35、先端電極36等が形成されている。この基材30および基材30に形成された上述の各種電極によって基板131が構成されている。この基板131のグランド電極が形成されていない非グランド領域NGAに前記アンテナチップ121が実装されている。放射電極21は給電ライン35に導通していて、容量給電電極24は給電ライン34に導通している。また、放射電極23は先端電極36に導通している。給電ライン33と給電ライン34,35との間には第1のスイッチ素子41が接続実装されている。先端電極36とグランド電極31との間には第2のスイッチ素子42が接続実装されている。給電ライン33の所定位置にはグランド電極31との間に整合回路51が接続されている。給電回路接続電極32は給電ラインを明確に示すために浮島状のパターンとして表したが、一般的には基板131に構成されている給電回路の線路コプレーナラインがつながっている。このことは以降の別の実施形態についても同様である。アンテナチップ121は本発明の特許請求の範囲に記載の放射素子に相当する。放射電極21の下端は直接給電点Pdfである。容量給電電極24と放射電極21との対向部分容量形成部は容量給電点Pcfである。放射電極23の下端部は接地点Pgである。図3Aはアンテナ装置201の主要部の平面図、図3Bはその等価回路図である。図3Aに示す第1のスイッチ素子41は給電ライン33を給電ライン34または35の一方に選択的に接続する。また、第2のスイッチ素子42は先端電極36の接地/開放を切り替える。図3Bにおいて放射電極REは前記放射電極21,22,23に相当する。給電容量CFは容量給電点の容量に相当する。図3A、図3Bに示されている第1のスイッチ素子41が給電ライン34側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は導通状態にされる。この状態で、放射電極REは容量給電されることになる。逆に、第1のスイッチ素子41が給電ライン35側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は開放状態にされる。この状態で、放射電極REは直接給電されることになる。なお、第1のスイッチ素子41および第2のスイッチ素子42はPINダイオードまたはMESFETで構成される。これらのスイッチ素子は形状が小さいため、アンテナの占有面積を省スペースとすることができる。またスイッチング速度が速いため、アンテナ動作の切替を瞬時におこなうことができる。スイッチングに高速性が要求されない場合にはMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子で構成してもよい。これらのスイッチ素子に対する制御信号は基板131に構成されている制御回路不図示から与えられる。これらのことは以降の別の実施形態についても同様である。図4Aは直接給電動作時のリターンロス特性、図4Bは容量給電動作時のリターンロス特性である。アンテナチップ121の放射電極の共振周波数は1.5GHz帯の周波数である。いずれの給電動作においても、同じ周波数でリターンロスは使用周波数帯域で-10dB以下となっていて、充分なリターンロス特性が得られることがわかる。図5は直接給電動作での基板の電流分布と指向性について示す図、図6は容量給電動作での基板の電流分布と指向性について示す図である。図5A、図6Aは基板131のグランド電極31に流れる電流の強度分布基板電流の密度分布を示す図であり、電流密度の高い箇所ほど高濃度で表している。基板はx-y面に配置されていて、基板に対してアンテナチップ121の実装位置はx軸方向に向いている。この例では、基板131の長辺のほぼ中央位置にアンテナチップ121が実装されている。図5B、図6Bは基板のx-y面基板の面方向での指向性、図5C、図6Cは基板のy-z面基板に対して垂直な面での指向性である。いずれも放射効率の高い箇所ほど高濃度で表している。図5Aと図6Aを対比すれば明らかなように、直接給電動作と容量給電動作とでは基板電流の電流密度が異なる。直接給電動作でも容量給電導体でもアンテナチップ121が実装された基板131の辺SFの電流密度は高いが、直接給電動作では、アンテナチップ121が実装された辺SFに対して直交する辺SCの電流密度も高くなる傾向がある。容量給電動作ではアンテナチップ121の実装位置に沿った基板131の辺SFに電流が広く分布する。アンテナの指向性は基板電流密度の高い辺の方向を向くことは周知である。したがって、直接給電動作ではx方向を指向し、容量給電動作ではy方向を指向する。このことは図5B,図5C、図6B,図6Cの指向性図からも明らかである。すなわち、直接給電動作では、図5B,図5Cに表れているように、放射電界強度の高い方向はほぼy軸方向を向いている。また、容量給電動作では、図6B,図6Cに表れているように、放射電界強度の高い方向はほぼx軸方向を向いている。直接給電動作と容量給電動作の切替は前記第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によって行われるので、この第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によってアンテナ装置201の指向性を切り替えることができる。《第2の実施形態》図7A、図7Bは第2の実施形態に係るアンテナ装置202の主要部の斜視図である。図7Aと図7Bとでは視点が異なる。アンテナ装置202は基板132と基板132に実装されたアンテナチップ122とで構成されている。直方体形状の誘電体基体20の第1端面には放射電極21、上面には放射電極22、第2端面には放射電極23がそれぞれ形成されている。これらの放射電極21,22,23は連続している。誘電体基体20の第1端面には容量給電電極24が形成されている。誘電体基体20の下面には放射電極23および容量給電電極24につながる実装用電極が形成されている。上述した誘電体基体20およびその外面に形成された各種電極によってアンテナチップ122が構成されている。基材30の上面にはグランド電極31、給電回路接続電極32、給電ライン33,34,35、先端電極36等が形成されている。この基材30および基材30に形成された上述の各種電極によって基板132が構成されている。この基板132のグランド電極が形成されていない非グランド領域NGAに前記アンテナチップ122が実装されている。放射電極23は給電ライン35に導通していて、容量給電電極24は給電ライン34に導通している。また、放射電極23は先端電極36に導通している。給電ライン33と給電ライン34,35との間には第1のスイッチ素子41が接続実装されている。先端電極36とグランド電極31との間には第2のスイッチ素子42が接続実装されている。給電ライン33の所定位置にはグランド電極31との間に整合回路51が接続されている。アンテナチップ122は本発明の特許請求の範囲に記載の放射素子に相当する。容量給電電極24と放射電極21との対向部分容量形成部は容量給電点Pcfである。放射電極23の下端部は直接給電点または接地点となる接続点Pdgである。図8Aはアンテナ装置202の主要部の平面図、図8Bはその等価回路図である。図8Aに示す第1のスイッチ素子41は給電ライン33を給電ライン34または35の一方に選択的に接続する。また、第2のスイッチ素子42は先端電極36の接地/開放を切り替える。図8Bにおいて放射電極REは前記放射電極21,22,23に相当する。給電容量CFは容量給電点の容量に相当する。図8A、図8Bに示されている第1のスイッチ素子41が給電ライン34側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は導通状態にされる。この状態で、放射電極REは容量給電されることになる。逆に、第1のスイッチ素子41が給電ライン35側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は開放状態にされる。この状態で、放射電極REは直接給電されることになる。第1の実施形態で示したように、第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によって直接給電動作と容量給電動作が切り替えられるので、その第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によってアンテナ装置202の指向性を切り替えることができる。《第3の実施形態》図9A、図9Bは第3の実施形態に係るアンテナ装置203の主要部の斜視図である。図9Aと図9Bとでは視点が異なる。アンテナ装置203は基板133と基板133に実装されたアンテナチップ123とで構成されている。直方体形状の誘電体基体20の第1端面には放射電極21、上面には放射電極22、第2端面には放射電極23がそれぞれ形成されている。これらの放射電極21,22,23は連続している。誘電体基体20の第1端面には容量給電電極24が形成されている。誘電体基体20の下面には放射電極23および容量給電電極24につながる実装用電極が形成されている。上述した誘電体基体20およびその外面に形成された各種電極によってアンテナチップ123が構成されている。基材30の上面にはグランド電極31、給電回路接続電極32A,32B、給電ライン33A,33B、先端電極36A,36B等が形成されている。この基材30および基材30に形成された上述の各種電極によって基板133が構成されている。この基板133のグランド電極が形成されていない非グランド領域NGAに前記アンテナチップ123が実装されている。放射電極23は先端電極36Aに導通していて、容量給電電極24は先端電極36Bに導通している。先端電極36A、給電ライン33Aおよびグランド電極31には第1のスイッチ素子41が接続実装されている。給電ライン33Bと先端電極36Bとの間には第2のスイッチ素子42が接続実装されている。給電ライン33A,33Bの所定位置にはグランド電極31との間に整合回路51A,51Bがそれぞれ接続されている。アンテナチップ123は本発明の特許請求の範囲に記載の放射素子に相当する。容量給電電極24と放射電極21との対向部分容量形成部は容量給電点Pcfである。放射電極23の下端部は直接給電点または接地点となる接続点Pdgである。図10Aはアンテナ装置203の主要部の平面図、図10Bはその等価回路図である。図10Aに示す第1のスイッチ素子41は先端電極36Aを給電ライン33Aまたは接地電極の一方に選択的に接続する。また、第2のスイッチ素子42は先端電極36Bを給電ライン33Bに接続するか開放するかを切り替える。図10Bにおいて放射電極REは前記放射電極21,22,23に相当する。給電容量CFは容量給電点の容量に相当する。図10A、図10Bに示されている第1のスイッチ素子41が給電ライン33A側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は開放状態にされる。この状態で、放射電極REは直接給電されることになる。逆に、第1のスイッチ素子41が接地電極側を選択するとき、第2のスイッチ素子42は給電ライン33B側を選択する。この状態で、放射電極REは容量給電されることになる。第1の実施形態で示したように、第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によって直接給電動作と容量給電動作が切り替えられるので、その第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によってアンテナ装置201の指向性を切り替えることができる。また、第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42の切替によって2つの給電回路からの給電が切り替えられるので、直接給電動作と容量給電動作を別々の給電回路の給電を行うことができる。《第4の実施形態》図11Aは第4の実施形態に係るアンテナ装置204の主要部の平面図、図11Bはその等価回路図である。アンテナ装置204は基板134と基板134に実装されたアンテナチップ121とで構成されている。このアンテナチップ121は第1の実施形態で示したアンテナチップと同じものである。基板134に設けられている給電ライン33の所定位置にはグランド電極31との間に切替整合回路52が接続されている。図11Bに示すように切替整合回路52は複数この例では二つの整合回路素子52a,52bおよび第3のスイッチ素子43を備えている。この第3のスイッチ素子43の切替によって整合回路素子52a,52bの一方が給電ライン33と接地との間に接続される。これらの整合回路素子52a,52bは放射電極REに対する直接給電と容量給電とに応じて選択される。すなわち第1のスイッチ素子41および第2のスイッチ素子42の切替に連動して第3のスイッチ素子43が切り替えられる。《第5の実施形態》図12Aは第5の実施形態に係るアンテナ装置205の主要部の平面図、図12Bはその等価回路図である。アンテナ装置205は基板135と基板135に実装されたアンテナチップ122とで構成されている。このアンテナチップ122は第2の実施形態で示したアンテナチップと同じものである。基板135に設けられている給電ライン33の所定位置にはグランド電極31との間に切替整合回路52が接続されている。図12Bに示すように切替整合回路52は整合回路素子52a,52bおよび第3のスイッチ素子43を備えている。第4の実施形態と同様に、第3のスイッチ素子43の切替によって整合回路素子52a,52bの一方が給電ライン33と接地との間に接続される。これらの整合回路素子52a,52bは放射電極REに対する直接給電と容量給電とに応じて選択される。すなわち第1のスイッチ素子41および第2のスイッチ素子42の切替に連動して第3のスイッチ素子43が切り替えられる。《第6の実施形態》図13は第6の実施形態に係るアンテナ装置206の主要部の斜視図である。アンテナ装置206は基板136と基板136に実装されたアンテナチップ126とで構成されている。直方体形状の誘電体基体20の第1端面には放射電極21、上面には放射電極22、第2端面には放射電極23図13では後面に隠れているがそれぞれ形成されている。これらの放射電極21,22,23は連続している。誘電体基体20の第1端面には容量給電電極24が形成されていて、さらに容量給電電極24と放射電極21との間に第1のスイッチ素子41が設けられている。誘電体基体20の第2端面には基板のグランド電極31につながる電極が形成されていて、さらにこの電極と放射電極23との間に第2のスイッチ素子が設けられている。なお、図13ではスイッチ素子41部分にスイッチ記号を表している。図14は前記アンテナ装置206の等価回路図である。図14において放射電極REは前記放射電極21,22,23に相当する。給電容量CFは容量給電点の容量に相当する。第1のスイッチ素子41は給電容量CFの両端の導通/開放を切り替える。また、第2のスイッチ素子42は放射電極23の先端の接地/開放を切り替える。図13、図14に示されている第1のスイッチ素子41が導通するとき、第2のスイッチ素子42は開放状態にされる。この状態で、放射電極REは直接給電されることになる。逆に、第1のスイッチ素子41が開放されるとき、第2のスイッチ素子42は導通状態にされる。この状態で、放射電極REは容量給電されることになる。前記第1のスイッチ素子41と第2のスイッチ素子42とがアンテナチップ126に設けられているので、基板136への実装部品点数が削減されて全体に簡素化できる。また、基板に対するアンテナの占有スペースを削減できる。《第7の実施形態》図15は第7の実施形態のアンテナモジュール301およびアンテナモジュール301の実装状態を示す斜視図である。このアンテナモジュール301は、モジュール基板137に第1の実施形態で示したアンテナ装置が構成されたものである。モジュール基板137の下面には実装先基板141への実装用電極が形成されている。アンテナモジュール301が基板141に実装されることによってアンテナ装置が構成される。このようにアンテナ装置をモジュール化して一部品にすることで、アンテナの特性確認が容易となる。《第8の実施形態》図16は第8の実施形態の携帯端末の平面図である。携帯端末411は筐体401の前面に液晶表示パネルLCDが設けられている。筐体401の内部には基板131を備えていて、この基板131にアンテナチップ121が実装されている。この基板131とアンテナチップ121とによって第1の実施形態で示したアンテナ装置が構成されている。基板131にはアンテナ装置に対する給電回路を含む通信回路が構成されている。《他の実施形態》以上に示した各実施形態では誘電体基体20に各種電極を形成してアンテナチップを構成したが、磁性体基体に各種電極を形成することによってアンテナチップを構成してもよい。いずれの場合でも波長短縮効果によって電極長を短く設計できることから、アンテナを小型化できる。"