"第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成され、ポリシランを含むP型半導体材料と、N型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2の電極層とを有することを特徴とする紫外光センサー。請求項1記載の紫外光センサーにおいて、前記光電変換層は、前記第1の電極層上に形成され、前記P型半導体材料を含むP型半導体層と、前記P型半導体層上に形成され、前記N型半導体材料を含むN型半導体層とを有することを特徴とする紫外光センサー。請求項1の紫外光センサーにおいて、前記光電変換層は、前記P型半導体材料と前記N型半導体材料とのバルクヘテロ接合を有することを特徴とする紫外光センサー。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の紫外光センサーにおいて、前記ポリシランは、一般式式中、R1は炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、R2は、炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、nは、10~1000の整数を表すで表される構造を有することを特徴とする紫外光センサー。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の紫外光センサーにおいて、前記第1の電極層の材料は、インジウムスズ酸化物であり、前記第2の電極層の材料は、アルミニウムであることを特徴とする紫外光センサー。第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層上に、ポリシランを含むP型半導体材料とN型半導体材料を含み、紫外光のみを吸収する光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に、第2の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする紫外光センサーの製造方法。しかしながら、シリコンを用いた光センサーに可視光をカットするフィルターを設ける方法では、可視光をカットするフィルターを素子に組み込むため、素子が大型になることと感度が落ちるということがあった。また、シリコンの代わりに可視光を吸収しない化合物半導体を用いる方法では、化合物半導体自体が高価であり、安価な光センサーを実現することが困難であった。本発明の目的は、紫外光を可視光から分離して検出する、安価で高効率の紫外光センサー及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成され、ポリシランを含むP型半導体材料と、N型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2の電極層とを有する紫外光センサーが提供される。また、実施形態の他の観点によれば、第1の電極層を形成する工程と、前記第1の電極層上に、ポリシランを含むP型半導体材料とN型半導体材料を含み、紫外光のみを吸収する光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に、第2の電極層を形成する工程とを有する紫外光センサーの製造方法が提供される。開示の紫外光センサー及びその製造方法によれば、紫外光を可視光から分離して検出する、安価で高効率の紫外光センサー及びその製造方法を提供することができる。[第1実施形態]第1実施形態による紫外光センサー及びその製造方法について図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本実施形態による紫外光センサーの構造を示す断面図である。図2は、ポリシランの光吸収スペクトルを示すグラフである。図3は、本実施形態による紫外光センサーの動作を示す図である。図4は、本実施形態による紫外光センサーのエネルギーダイアグラムである。図5は、本実施形態による紫外光センサーの出力特性を示すグラフである。本実施形態による紫外光センサーの構造について図1を用いて説明する。透明基板であるガラス基板10上には、インジウムスズ酸化物ITOを材料とする透明な第1の電極層12が形成されている。第1の電極層12上には、紫外光のみを吸収して光電流を発生する光電変換層13が形成されている。光電変換層13は、P型半導体であるポリシランを含み、紫外光のみを吸収するP型半導体層14と、P型半導体層14上に形成され、N型半導体であるフェニルC61酪酸メチルエステルPCBMを含むN型半導体層16とを有する。光電変換層13上には、アルミニウムを材料とする第2の電極層18が形成されている。このように、本実施形態による紫外光センサーは、ガラス基板10上の第1の電極層12及び第2の電極層18を電極とし、その間のP型半導体層14及びN型半導体層16を光電変換層13とする構造を有している。P型半導体層14は、前述のようにポリシランを含み、紫外線を吸収する層である。ポリシランは下記の構造で表される。式中、R1は、炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、R2は、炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基を表し、nは、10~1000の整数を表す。ポリシランの具体例としては、特に限定されるものではないが、例えば、下記の構造で表されるポリジフェニルシランが挙げられる。式中、nは、10~1000の整数を表す。或いは、下記の構造で表されるポリm-ヘキソキシフェニルフェニルシランが挙げられる。式中、nは、10~1000の整数を表す。或いは、下記の構造で表されるものが挙げられる。式中、mは、1~6の整数を表し、nは、10~1000の整数を表す。この構造を満たす例として、m=4であるポリn-ブチルフェニルシランやm=6であるポリヘキシルフェニルシランが挙げられる。或いは、下記の構造で表されるものが挙げられる。式中、kは、1~6の整数を表し、mは、1~6を表し、nは、10~1000を表す。図2は、ポリシランの光吸収スペクトルを示すグラフである。このグラフは、ポリシランとしてポリn-ブチルフェニルシランを用いた例である。図2に示すように、ポリn-ブチルフェニルシランは350nm以下の波長の光に強い吸収のピークを示す。この性質は、ポリシランの一般的な性質である。ポリシランは、紫外光を吸収するが、可視光を吸収しない。P型半導体層14は、必ずしも1種類のポリシランを含有するものである必要はなく、複数種類のポリシランを含有するものでもよい。また、P型半導体層14は、必ずしもポリシランのみにより形成される必要はないが、紫外光を選択的に検出する観点から、紫外光以外を吸収する物質、例えば、可視光や赤外光を吸収する色素物質を添加しないことが望ましい。N型半導体層16は、N型半導体材料を含む層である。N型半導体材料の具体例としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェニルC60酪酸メチルエステル、フェニルC61酪酸メチルエステル等のN型有機半導体材料が挙げられる。或いは、C70酪酸メチルエステル、C60フラーレン、C70フラーレン、ポリ{2,5-ジオクチルオキシシアノテレフタリリデン}等のN型有機半導体材料が挙げられる。或いは、ポリ{5-2-エチルヘキシルオキシ-2-メトキシ-シアノテレフタリリデン}、ポリベンゾイミダゾベンゾフェナントロリン、ポリベンゾビスイミダゾベンゾフェナントロリン等のN型有機半導体材料が挙げられる。N型半導体層16は、必ずしも1種類のN型半導体を含有するものである必要はなく、複数種類のN型半導体を含有するものでもよい。また、N型半導体層16は、必ずしもN型有機半導体により形成される必要はなく、N型無機半導体により形成されてもよい。第1の電極層12の材料は、P型半導体層14を形成するP型半導体が有する価電子帯によって決定される。第1の電極層12の材料が有する仕事関数は、P型半導体層14を形成するP型半導体の価電子帯より大きいことが望ましい。この条件を満たす例として、ITOが挙げられる。第2の電極層18の材料は、N型半導体層16を形成するN型半導体が有する伝導帯によって決定される。第2の電極層18の材料が有する仕事関数は、N型半導体層16を形成するN型半導体が有する伝導帯より小さいことが望ましい。この条件を満たす例として、アルミニウムが挙げられる。本実施形態による紫外光センサーの動作について図3を用いて説明する。図3に示すように、第1の電極層12に正の電位を付加し、第2の電極層18に負の電位を付加する。また、検出対象の紫外光は、紫外光センサーのガラス基板10の裏側にから照射される。図4は、本実施形態による紫外光センサーの電極及び光電変換層13のエネルギーダイアグラムである。P型半導体層14に紫外光が入射すると、P型半導体層14の材料であるポリシランは紫外光を吸収し、励起子を生成する。この励起子は電子と正孔の対であり、電荷を持たないのでP型半導体層14内を自由に拡散することができる。P型半導体層14とN型半導体層16の界面に励起子が到達すると、PN接合の内蔵電界によって励起子は電荷分離される。励起子から分離した電子は、より安定したエネルギー状態である層に移動する、つまり、N型半導体層16内に移動し、第2の電極層18まで到達する。励起子から分離した正孔は、よりエネルギー状態の安定した層に移動する、つまり、P型半導体層14内を逆戻りして第1の電極層12に到達する。このように、分離した電子及び正孔がそれぞれ第2の電極層18及び第1の電極層12に移動することにより、光電流が発生する。図5は、本実施形態による紫外光センサーの出力特性を示すグラフである。測定条件として、330nmの紫外光を紫外光センサーに照射し続けた。このグラフは、本実施形態による紫外光センサーに印加する電圧を増加させた際の電流の変化を示している。約0.45V以上の電圧を印加すると、電流密度はマイナスとなる。これは、紫外光がP型半導体層14に入射することによって形成された励起子がP型半導体層14とN型半導体層16の界面で電荷分離して光電流が流れたことを表している。印加する電圧を増加することにより、分離した電子は界面からN型半導体層16を経て負の電位を印加した第2の電極層18に移動しやすくなり、分離した正孔は界面からP型半導体層14を経て正の電位を印加した第1の電極層12に移動しやすくなるためである。つまり、図5の結果から、紫外光の照射により発生する光電流を検知することにより、本実施形態による紫外光センサーは紫外光に対応するセンサーとして動作することが検証された。次に、本実施形態による紫外光センサーの製造方法について図1を用いて説明する。まず、透明基板であるガラス基板10上に、例えば、スパッタリング法により、例えば、膜厚200nmのITO膜を堆積する。これにより、ガラス基板10上に透明な第1の電極層であるITO層12が形成される。次いで、ITO層12上に、例えば、ポリヘキシルフェニルシラン溶液を塗布し、ガラス基板10を高速回転させ、熱処理を加えることにより、膜厚50nmのポリヘキシルフェニルシラン膜を形成する。これにより、ITO層12上にP型半導体であるポリシラン層14が形成される。次いで、ポリシラン層14上に、例えば、PCBM溶液を塗布し、ガラス基板10を高速回転させ、熱処理を加えることにより、例えば、膜厚50nmのPCBM膜を形成する。これにより、ポリシラン層14上にN型半導体であるPCBM層16が形成される。次いで、PCBM層16上に、例えば、真空蒸着法により、例えば、膜厚350nmのアルミニウム膜を製膜する。これにより、PCBM層16上に第2の電極層であるアルミニウム層18が形成される。こうして、本実施形態の紫外光センサーを完成する。このように、本実施形態によれば、紫外光センサーを安価に作製することができる。また、本実施形態による紫外光センサーは、可視光をカットするフィルターを用いる光センサーよりも紫外光を高効率で検出することができる。[第2実施形態]第2実施形態による紫外光センサー及びその製造方法について図6及び図7を用いて説明する。図1乃至図5に示す第1実施形態による紫外光センサー及びその製造方法と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図6は、本実施形態による紫外光センサーの構造を示す断面図である。図7は、本実施形態による紫外光線センサーの光電変換層20の模式図である。はじめに、本実施形態による紫外光センサーの構造について図6を用いて説明する。透明基板であるガラス基板10上には、ITOを材料とする透明な第1の電極層12が形成されている。第1の電極層12上には、紫外光のみを吸収する光電変換層20が形成されている。光電変換層20は、P型半導体であるポリシランを含み、紫外光のみを吸収するP型半導体領域22と、N型半導体であるPCBMを含むN型半導体領域24とを有している。P型半導体領域22とN型半導体領域24とは、バルクヘテロ接合構造を形成している。光電変換層20上には、アルミニウムを材料とする第2の電極層18が形成されている。このように、本実施形態による紫外光センサーは、ガラス基板10上の第1の電極層12及び第2の電極層18を電極とし、その間に光電変換層20を有している。本実施形態による紫外光センサーにおいて、光電変換層20のP型半導体領域22は、第1実施形態による紫外光センサーの光電変換層13のP型半導体材料と同様の材料で形成されている。また、本実施形態による紫外光センサーにおいて、光電変換層のN型半導体領域24は、第1実施形態による紫外光センサーの光電変換層13のN型半導体材料と同様の材料で形成されている。図7は、本実施形態による光電変換層20の模式図である。バルクヘテロ接合とは、P型半導体領域22とN型半導体領域24が無配向に層分離した状態のことである。このため、P型半導体領域22とN型半導体領域24との接触面積、つまり、電荷分離面積は、積層構造をとる光電変換層13のP型半導体層14とN型半導体層16との電荷分離面積より大きくなる。そのため、紫外光により励起した励起子が電荷分離界面に到達する確率が増加し、第1の電極層12及び第2の電極層18にそれぞれ移動する正孔及び電子の数が増えるので、光電流は大きくなる次に、本実施形態による紫外光センサーの製造方法について図6を用いて説明する。まず、透明基板であるガラス基板10上に、例えば、スパッタリング法により、例えば、膜厚200nmのITO膜を堆積する。これにより、ガラス基板10上に透明な第1の電極層12が形成される。次いで、第1の電極層12上に、ポリヘキシルフェニルシランとPCBMとの混合ポリマー溶液を塗布し、熱処理を加えることにより、ポリヘキシルフェニルシランとPCBMの混合層を形成する。これにより、第1の電極層12上にP型半導体領域22とN型半導体領域24を有する光電変換層20が形成される。次いで、光電変換層20上に、例えば、真空蒸着法により、例えば、膜厚350nmのアルミニウム膜を製膜する。これにより、光電変換層20上に第2の電極層18が形成される。こうして、本実施形態の紫外光センサーを完成する。このように、本実施形態によれば、光電変換層20がバルクヘテロ接合を有することにより、紫外光センサーの感度を向上させることができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、透明基板としてガラス基板用いたが、紫外光を透過するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、プラスチック基板でもよい。上記実施形態では、第1の電極層の材料にITOを用いたが、P型半導体層を形成するP型半導体が有する価電帯より大きな仕事関数を有する材料であれば、特に限定されるものではない。また、第2の電極層の材料にはアルミニウムを用いたが、N型半導体層を形成するN型半導体が有する伝導帯より小さな仕事関数を有する材料であれば、特に限定されるものではない。例えば、ITOを陽極である第1の電極層に用いる場合、陰極である第2の電極層の材料は、アルミニウム、マグネシウム、アルミニウム-リチウム合金、カルシウム、アルミニウム/フッ化リチウム、セシウムでもよい。或いは、銀、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム/カルシウム、アルミニウム/二酸化セシウムでもよい。例えば、ITOを陰極である第2の電極層に用いる場合、陽極である第1の電極層の材料は、金、銅、銀、アルミニウムでもよい。上記実施形態では、ガラス基板上に、第1の電極層、P型半導体層、N型半導体層、第2の電極層の順に形成したが、第2の電極層、N型半導体層、P型半導体層、第1の電極層の順で形成してもよい。その際の基板は透明でなくても電極層を支持するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、Si基板やプラスチック基板でもよい。"