半導体結晶膜を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置において、反応管と、基板を支持するサセプタが先端に設けられた回転軸が中央に設けられ、前記反応管と間隙を有して摺動自在に前記反応管に内挿される可動内挿管と、前記反応管と前記可動内挿管との前記間隙を閉鎖する間隙閉鎖部材が設けられ、かつ前記可動内挿管の内表面を覆うように形成された被覆本体部を有する最内挿管と、を含み、前記最内挿管が出入自在に前記可動内挿管に収容されてなることを特徴とする半導体結晶膜の気相成長装置。前記最内挿管の被覆本体部が、管状本体部と、前記管状本体部の基端部に設けられた析出物溜まり部と、前記管状本体部の先端部に開口された開口部と、を有し、前記最内層管の前記間隙閉鎖部材と前記被覆本体部とが、一体的に形成されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体結晶膜の気相成長装置。前記間隙閉鎖部材が、前記最内層管の被覆本体部の先端部に設けられたフランジ部材であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体結晶膜の気相成長装置。前記反応管、可動内挿管及び最内挿管が、石英ガラス製であることを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の半導体結晶膜の気相成長装置。前記半導体が、GaNであることを特徴とする請求項1~4いずれか1項記載の半導体結晶膜の気相成長装置。本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされたもので、気相成長の際に析出物が付着する領域を、取り外しが容易な最内挿管で覆うことにより、気相成長工程の都度毎回新しく綺麗な環境で育成を行うことができ、育成を安定化させることができるようにした半導体結晶膜の気相成長装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の半導体結晶膜の気相成長装置は、半導体結晶膜を気相エピタキシャル成長させる気相成長装置において、反応管と、基板を支持するサセプタが先端に設けられた回転軸が中央に設けられ、前記反応管と間隙を有して摺動自在に前記反応管に内挿される可動内挿管と、前記反応管と前記可動内挿管との前記間隙を閉鎖する間隙閉鎖部材が設けられ、かつ前記可動内挿管の内表面を覆うように形成された被覆本体部を有する最内挿管と、を含み、前記最内挿管が出入自在に前記可動内挿管に収容されてなることを特徴とする。前記反応管としては、横置き型でもよいし、縦置き型でもよい。前記最内挿管の被覆本体部が、管状本体部と、前記管状本体部の基端部に設けられた析出物溜まり部と、前記管状本体部の先端部に開口された開口部と、を有し、前記最内層管の前記間隙閉鎖部材と前記被覆本体部とが、一体的に形成されてなるのが好適である。また、前記間隙閉鎖部材が、前記最内挿管の被覆本体部の先端部に設けられたフランジ部材であるのが好ましい。前記反応管、可動内挿管及び最内挿管としては、石英ガラス製であるのが好ましい。さらに、前記半導体が、III-V族化合物半導体が好ましく、GaNが特に好ましい。本発明によれば、気相成長の際に析出物が付着する領域を、取り外しが容易な最内挿管で覆うことにより、気相成長工程の都度毎回新しく綺麗な環境で育成を行うことができ、育成を安定化させることができるようにした半導体結晶膜の気相成長装置を提供することができるという著大な効果を有する。本発明によれば、析出物がついた最内挿管を毎回洗浄して育成を行えばよく、従来のように大変なメンテナンス作業を行う必要がなくなった。また、本発明によれば、気相成長する際の成長速度が安定するばかりでなく、析出物が、反応管と可動内挿管との間隙に入り込みづらくなることにより、安全面でも大きく改善した。以下、本発明の一つの実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、これらの説明は例示的に示されるもので限定的に解釈すべきものでないことはいうまでもない。図1において、符号10は、本発明に係る半導体結晶膜の気相成長装置の一つの実施の形態を示す。気相成長装置10は、反応管12と、基板14を支持するサセプタ16が先端に設けられた回転軸18が中央に設けられ、前記反応管12と間隙20を有して摺動自在に前記反応管12に内挿される可動内挿管22と、前記反応管12と前記可動内挿管22との前記間隙20を閉鎖する間隙閉鎖部材24が設けられ、かつ前記可動内挿管22の内表面を覆うように形成された被覆本体部26を有する最内挿管28と、を含み前記最内挿管28が出入自在に前記可動内挿管22に収容されてなる構成とされている。また、図示例では、図2によく示される如く、前記最内挿管28の被覆本体部26が、管状本体部32と、前記管状本体部32の基端部に設けられ、析出物34が溜められる析出物溜まり部35と、前記管状本体部32の先端部に開口された開口部36と、を有しており、前記最内層管28の前記間隙閉鎖部材24と前記被覆本体部26とが、一体的に形成されてなる構成とされている。また、図2において、符号38は、回転軸18が内挿されるガイド部であり、先端にガイド穴40を有している。したがって、前記ガイド部38に、回転軸18が内挿されることで、前記析出物溜まり部35は閉塞せしめられることになる。また、気相成長装置10は、反応管12の内部に内挿された可動内挿管22が抜けないように固定するキャップ42を含み、接合部材44と接合することで、反応管12の後端部が閉塞される。なお、符号46は、可動内挿管22の後端近傍に形成された排気口である。キャップ42と接合部材44との接合構造については、例えば特許文献1の段落0015から0016に記載されたようなフランジとジョイント部材を用いた接合構造とすることができる。図示例では、前記間隙閉鎖部材24は、前記最内層管28の被覆本体部26の先端部に設けられたフランジ部材とされており、前記反応管12、可動内挿管22及び最内挿管28を、石英ガラスで作製した例を示した。また、前記半導体としては、III-V族化合物半導体が好ましく、GaNが特に好ましい。上記のように構成することにより、気相エピタキシャル成長の際に発生する析出物34が付着した最内層管28を取り外して毎回洗浄するようにすれば、気相成長工程の都度毎回新しく綺麗な環境で育成を行うことができ、育成を安定化させることができる。以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り様々の変形が可能であることは勿論である。実施例1上記した構成の半導体結晶膜の気相成長装置を用いて、HVPE法により、GaN結晶膜を作製した。反応管、可動内挿管及び最内挿管は、石英ガラス製のものを使用した。反応管内に支持したサファイア基板に対し、キャリアガスとしてH2を用いGaとHClと反応させたGaClガスをNH3ガスとともに供給し、サファイア基板上にGaNを気相成長させた。1バッチ終了毎に、最内挿管を外して洗浄し使用した。実施例1では、図3に示すように、30バッチを過ぎても成長速度が落ちることなく、安定した成長速度が実現できた。また、180バッチの育成を行ったところで、反応管の透明度を目視にて確認したが、変化は見られなかった。比較例1図4に示した従来の半導体結晶膜の気相成長装置を用いて、実施例1と同様に、HVPE法により、GaN結晶膜を作製した。反応管、可動内挿管及び最内挿管は、石英ガラス製のものを使用した。反応管内に支持したサファイア基板に対し、キャリアガスとしてH2を用いGaとHClと反応させたGaClガスをNH3ガスとともに供給し、サファイア基板上にGaNを気相成長させた。比較例1では、育成を進めるにつれて、析出物が可動内挿管の奥に溜まってしまった。これにより、GaClガス及びNH3ガスの原料ガスの流れが変化し、成長速度が落ちてしまった。比較例1では、図3に示される如く、20バッチくらいから成長速度が明らかに落ちてしまい、20~30バッチの育成で、成長速度が50μmhrよりも落ちてしまった。したがって、20~30バッチ毎に可動内挿管を交換する必要が生じた。また、50~60バッチの育成を行ったところで、反応管の透明度を目視にて確認したところ、透明度が落ちていたため、反応管も交換する必要が生じた。このように、本発明では、気相成長の際に析出物が付着する領域を、取り外しが容易な最内挿管で覆っているため、気相成長工程の都度毎回新しく綺麗な環境で育成を行うことができ、育成を安定化させることができる。