光吸収層としてカルコパイライト化合物を用いた太陽電池において、前記光吸収層はp型半導体であり、前記光吸収層上にはn型半導体のバッファ層が形成され、このバッファ層と接する前記光吸収層の境界部はホウ素Bがドープされることでn型半導体化していることを特徴とする太陽電池。基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にカルコパイライト化合物からなる光吸収層を形成する工程と、前記光吸収層上にバッファ層を形成する工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記光吸収層を形成した後でバッファ層を形成する前、またはバッファ層を形成する工程で光吸収層をホウ素含有溶液に浸漬するホウ素添加工程を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項2に記載の太陽電池の製造方法において、前記バッファ層形成工程は、前記光吸収層をバッファ層形成溶液中に浸漬しバッファ層形成溶液中でバッファ層を成長させる化学浴堆積法CBDを用い、前記ホウ素添加工程は前記バッファ層形成溶液中にホウ素化合物を添加してホウ素含有バッファ層形成溶液とすることで、ホウ素添加とバッファ層形成を同時に行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項2または3に記載の太陽電池の製造方法において、前記ホウ素含有バッファ層形成溶液はホウ酸塩を溶解させたことを特徴とする太陽電池の製造方法。図5a及びbはInをドーパント元素とした場合の光吸収層とバッファ層の形成工程を説明した図であり、先ずaに示すように、セレン化直後の光吸収層には多数のCu空孔が存在している。この光吸収層をCBD処理などによってInをドープすると、bに示すように、幾つかのCu空孔にInが侵入し、光吸収層の表層部バッファ層との境界部となる部分がn型化される。しかしながら表層部の全てのCu空孔にInが侵入するわけではなく、多くのCu空孔が残されている。そのため、n型化が十分とは言えない。また、ZnやCdもInと同様にCu空孔に侵入する確率が低い。本発明は、上記課題に鑑み、光吸収層のバッファ層との境界部のn型化を促進させ、太陽電池特性の向上を図ることを目的とする。上記課題を解決するため本発明に係る太陽電池は、光吸収層はカルコパイライト化合物を用いたp型半導体であり、前記光吸収層上にはn型半導体のバッファ層が形成され、このバッファ層と接する前記光吸収層の境界部はホウ素Bがドープされることでn型半導体化している構成である。また本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にカルコパイライト化合物からなる光吸収層を形成する工程と、前記光吸収層上にバッファ層を形成する工程とを備えた太陽電池の製造方法であって、前記光吸収層を形成した後でバッファ層を形成する前、またはバッファ層を形成する工程で光吸収層をホウ素含有溶液に浸漬するホウ素添加工程を備えている。好ましくは、前記バッファ層形成工程では、前記光吸収層をバッファ層形成溶液中に浸漬しバッファ層形成溶液中でバッファ層を成長させる化学浴堆積法CBDを用いる。そして、前記ホウ素添加工程は前記バッファ層形成溶液中にホウ素化合物を添加してホウ素含有バッファ層形成溶液とすることで、ホウ素添加とバッファ層形成を同時に行う。また、前記ホウ素含有バッファ層形成溶液は例えばホウ酸塩を溶解させることで調整される。ホウ素Bイオンの半径は20pmでありIn81pm、Zn88pm:6配位或いはCd109pm:6配位に比べ小さく、Cu空孔に侵入しやすい。そのため、光吸収層のバッファ層との境界部に薄く高濃度のn型層が形成される。その結果、光電変換効率に優れた太陽電池が得られる。図1に示すように、本発明に係る太陽電池のカルコパイライト型光吸収層4はCIGSCuInGaSeから構成され、下部電極3に近い側はp型半導体として機能し、バッファ層に近い側はドーピングによってn型半導体として機能し、特にバッファ層との境界部となる部分には薄く高濃度でドーパントが存在するn型半導体であるn層となっている。図2aはセレン化後の光吸収層4を示している。この光吸収層4を形成するには、下部電極3の表面に先ずIn層を形成する。In層の形成は、例えばInの単体ターゲットを用いたスパッタリングで行う。スパッタリングの他にCVDやPVDも可能である。次いで、In層の上にCuGa層を形成してプリカーサとする。上記のプリカーサにセレン化を施す。セレン化は前記プリカーサをセレン化炉内でH2Se雰囲気に曝すことで行われる。例えば、炉内をH2Se雰囲気とし温度を500°Cから520°Cとすることでプリカーサをセレン化することができる。このようにしてカルコパイライト型光吸収層4が形成される。この光吸収層4には図2aに示したように、多数のCu空孔が残っている。次いで、化学浴堆積法CBD:ケミカルバスデポジション法により光吸収層4の上にバッファ層を形成する。CBDに用いる溶液にはInイオン、Sイオンの他にホウ素イオンが溶解している。ここで、ホウ素イオンはInイオンが侵入しなかったCu空孔を埋めるために添加するものであり、その濃度は、300~400ppb/リットルが好ましい。またホウ素源としては、ホウ酸H3BO3を用いることができる。なお、ホウ酸を添加する場合は、ホウ酸の溶解を促進するため、溶液をアルカリ側にすることが好ましい。上記の化学浴堆積法CBDによって図2bに示すように、光吸収層4のバッファ層との境界部となる表層のCu空孔はInイオン及びホウ素イオンが侵入し、空孔は殆ど存在しないn層が形成される。従来にあっては、図9bに示したように、表層のCu空孔のうちのいくつかはそのまま残ってしまい、n型化が促進しないため、電池特性が向上していなかったが、本願のように光吸収層4のバッファ層との境界部に薄く且つ高濃度のn層が形成されることで、以下に述べる理由で電池特性が向上する。図3はpn接合のバンド図であり、拡散電位VDは以下の式1で表される。式1から明らかなように、n層の電子密度nnが増加するとバンド図は細線から太線になる。即ち、拡散電位VDが大きくなる。また、拡散電位VDが大きくなると逆方向飽和電流IOが低下する。式2は開放電圧VOCと逆方向飽和電流IOとの関係を表す式である。この式2から明らかなように、逆方向飽和電流IOが低下すると、開放電圧VOCが増加する。次いで、上述したようにバッファ層形成時に溶液中にホウ素を含めた実施例の各特性を、ホウ素を含めなかった従来例の特性に対して相対評価した結果を以下の表に示す。表からVocFFPmaxのいずれの特性も向上していることが分かる。実施例にあっては、バッファ層の形成工程とn層の形成工程とを同一工程としたが、バッファ層を形成する工程の前に光吸収層をホウ素含有溶液に浸漬し、Cu空孔にホウ素イオンを侵入させてもよい。