プラズマ窒化装置の真空反応室内にプラズマを発生させるアンテナと前記真空反応室内のプラズマ領域との間に配置されて前記真空反応室の天板として用いられるとともに、石英を用いて板状に形成された主板部と、前記主板部の表面のうち少なくともプラズマ雰囲気に接する面を前記石英よりも緻密な膜で形成した緻密膜と、を備え、前記緻密膜は、前記主板部上に膜生成を行うことによって形成された膜であることを特徴とするプラズマ窒化装置用石英天板。前記緻密膜は、CVD法を用いて形成された膜であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ窒化装置用石英天板。前記緻密膜は、CVD-SiO2膜であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ窒化装置用石英天板。前記緻密膜は、CVD-SiO2膜が形成された後、前記CVD-SiO2膜が酸化剤を含んだガス雰囲気または不活性ガス雰囲気で熱処理された膜であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ窒化装置用石英天板。前記緻密膜は、CVD-SiN膜であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ窒化装置用石英天板。処理チャンバと、前記処理チャンバの下部に配置され被処理基板を載置するステージと、前記処理チャンバの上部に配置されプラズマを発生させるアンテナと、前記アンテナと前記ステージとの間に配置され、石英を用いて板状に形成された主板部と、前記主板部のうち少なくとも前記プラズマに接する面を石英よりも緻密な膜で形成した緻密膜と、を備え、前記緻密膜は、前記主板部上に膜生成を行うことによって形成された膜であることを特徴とするプラズマ窒化装置。本発明が解決しようとする課題は、石英欠片の飛沫を防止して、高品質な窒化膜を形成することができるプラズマ窒化装置用石英天板およびプラズマ窒化装置を提供することである。実施形態によれば、プラズマ窒化装置用石英天板が提供される。プラズマ窒化装置用石英天板は、プラズマ窒化装置の真空反応室内にプラズマを発生させるアンテナと前記真空反応室内のプラズマ領域との間に配置されて前記真空反応室の天板として用いられる。プラズマ窒化装置用石英天板は、石英を用いて板状に形成された主板部と、前記主板部の表面のうち少なくともプラズマ雰囲気に接する面を前記石英よりも緻密な膜で形成した緻密膜と、を備えている。そして、前記緻密膜は、前記主板部上に膜生成を行うことによって形成された膜である。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るプラズマ窒化装置用石英天板およびプラズマ窒化装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。実施形態図1は、実施形態に係る石英天板を備えたプラズマ窒化装置の構成を模式的に示す断面図である。プラズマ窒化装置100は、ウエハWなどの基板上にプラズマ窒化膜を形成する装置であり、真空反応室内は気密に構成されている。プラズマ窒化装置100は、石英天板プラズマ窒化装置用石英天板1Xと、SPASlotPlaneAntennaであるアンテナ2と、処理チャンバ3と、を備えて構成されている。石英天板1Xは、ウエハWが載置される台後述のステージ6の上部側に配置されており、真空反応室の天板として用いられる。ここでの石英天板1Xは、後述の石英天板1A~1Dに対応している。石英天板1Xは、概略円板状をなしており、処理チャンバ真空反応室3内とアンテナ2との間を密閉する。石英天板1Xは、その主部が珪素酸化物である石英プラズマ耐性を有した部材10で構成されるとともに、石英天板1Xの表面表層のうち、少なくともプラズマ雰囲気に接する面が石英10よりも緻密な密度が大きい緻密膜SiO2膜またはSiN膜など50で形成されている。緻密膜50は、後述するCVD-SiO2膜30、CVD-SiN膜40、緻密SiO2膜35、緻密SiN膜45などの緻密な膜であり、例えば数nm以上の膜厚で構成しておく。このような構成により、石英天板によって引き起こされるウエハWの不良欠陥を防止する。処理チャンバ3は、底部を有した略略円筒状をなしており、プラズマ窒化処理を行う真空反応室内の側面および底面を囲っている。処理チャンバ3の側壁には、プラズマ窒化膜の形成に用いるガスの導入部である管状のガス導入部5Aと、ガスの排出部である管状のガス排出部5Bと、が設けられている。ガス導入部5Aには、ガス供給を行う配管図示せずを介してガス供給源図示せずが接続されている。ガス供給源から供給されるガスとしては、例えば、N2、Arなどがある。アンテナ2は、概略円板状の平面アンテナであり、処理チャンバ3の上部側に配置されている。アンテナ2は、処理チャンバ3内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、マイクロ波プラズマを発生させる。処理チャンバ3の内側である真空反応室内には、ウエハWを水平に支持するステージ6が設けられている。ステージ6は、ウエハWを載置する側の面である上面側が、セラミック材7で構成されている。また、ステージ6内にはステージ6を加熱するヒータ図示せずが設けられている。ステージ6は、ウエハWを支持した状態で上下に移動し、これにより、ウエハWを所望の位置に移動させる。また、処理チャンバ3を構成する壁面内には、処理チャンバ3の表面処理室側を冷却するための冷却水4が流されている。同様に、アンテナ2を構成する壁面内には、アンテナ2の表面処理室側を冷却するための冷却水4が流されている。また、処理チャンバ3の側壁には、プラズマ窒化装置100に隣接する搬送室図示せずとの間でウエハWの搬出入を行うウエハ搬出入口が設けられている。プラズマ窒化装置100によってウエハW上に窒化膜を形成する際には、ウエハWが処理チャンバ3内に搬入され、ステージ6上に載置される。そして、ステージ6が上下に移動することにより、ウエハWが所定位置に移動する。さらに、ヒータがステージ6を加熱することにより、ウエハWを加熱する。この後、プラズマ窒化膜の形成に用いるガス例えばN2、Arが、ガス導入部5Aから処理チャンバ3内に導入される。そして、処理チャンバ3内では、アンテナ2によって、プラズマ領域8にマイクロ波プラズマを発生させる。このとき、ステージ6からの輻射熱により、プラズマ領域8が加熱される。これにより、ウエハW上にプラズマ窒化膜の形成が行われる。本実施形態では、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気プラズマ領域8に接する面を、石英10よりも緻密なSiO2などで形成しておく。ここで、石英10の表面形成方法について説明する。石英10の表面は、例えば、CVDChemicalVaporDeposition装置を用いたCVD-SiO2膜によって形成しておく。ここでのCVD装置は、例えば、シリコンソースガスと酸化剤ガスとの化学反応によってCVD-SiO2膜を形成する。シリコンソースガスとしては、例えば、SiH4ガス、Si2H2Cl2ガス、Si2H6ガスなどが用いられ、酸化剤ガスとしては、例えば、N2Oガス、O2ガスなどが用いられる1。また、CVD装置は、例えば、シリコンおよび酸素を含んだTEOSTetraEthylOrthoSilicateなどのソースガスを用いてCVD-SiO2膜を形成してもよい2。また、1または2の方法を用いてCVD-SiO2膜を形成した後、O2、H2O、O3、N2Oなどの酸化剤を含んだガス雰囲気またはN2、Arなどの不活性ガス雰囲気にて、CVD-SiO2膜に熱処理を施してもよい。なお、CVD-SiO2膜を形成するCVD装置としては、ガスの活性化のためのエネルギーを熱で得る熱CVD装置であってもよいし、LPLowPressureCVD装置やPEPlasmaEnhancedCVD装置などであってもよい。また、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気に接する面を緻密なSiNで形成しておいてもよい。石英10の表面は、例えば、CVD装置を用いたCVD-SiN膜によって形成しておく。ここでのCVD装置は、例えば、シリコン種と窒化種との化学反応によってCVD-SiN膜を形成する。シリコン種としては、例えば、SiH2Cl2、SiH4などが用いられ、窒化種としては、例えば、NH3ガス、窒素ラジカルなどが用いられる。なお、CVD-SiN膜を形成するCVD装置としては、熱CVD装置、LPCVD装置、PECVD装置などの何れのCVD装置であってもよい。図2は、CVD法を用いて作製された石英天板の構成を示す断面図である。図2のaに示すように、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気に接する面底面側にCVD-SiO2膜30が形成されて石英天板1Aが構成される。また、図2のbに示すように、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気に接する面底面側にCVD-SiN膜40を形成することによって石英天板1Bを構成してもよい。また、本実施の形態では、CVD法によってCVD-SiO2膜30やCVD-SiN膜40を形成する場合について説明したが、CVD法以外の方法で、石英10よりも緻密なSiO2膜やSiN膜で石英10の表面を形成してもよい。例えば、スパッタリング装置を用いて、石英10の表面を緻密SiO2膜や緻密SiN膜で形成してもよい。図3は、CVD法以外の方法を用いて作製された石英天板の構成を示す断面図である。図3のaに示すように、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気に接する面底面側が緻密SiO2膜35で形成されることによって、石英天板1Cが構成される。また、図3のbに示すように、石英10の表面のうち、例えばプラズマ雰囲気に接する面底面側を緻密SiN膜45で形成することによって石英天板1Dを構成してもよい。ここで、プラズマ窒化の際に石英天板1X上に生成されるSiN膜について説明する。図4は、プラズマ窒化の際に石英天板上に生成されるSiN膜を説明するための図である。図4のaは、石英天板に表面処理を行わなかった場合の石英天板1Yの断面図を示している。また、図4のbは、石英天板に表面処理を行なった場合の石英天板1Xの断面図を示している。図4のbに示す緻密膜50は、CVD-SiO2膜30、CVD-SiN膜40、緻密SiO2膜35、緻密SiN膜45などである。図4のaに示すように、表面処理を行わなかった石英天板1Yの場合、ウエハW上に窒化膜を形成する際に、石英天板1Yの表面に厚い珪素窒化物SiN膜20が形成される。一方、図4のbに示すように、表面処理を行なって緻密膜50を形成しておいた石英天板1Xの場合、ウエハW上に窒化膜を形成した際に、石英天板1Xの表面に薄い珪素窒化物SiN膜60しか形成されない。このように、本実施の形態では、石英10の表面に緻密膜50を成膜しておくので、石英10よりも緻密で且つ欠陥の少ないピンホールの無い緻密膜50で石英10の表面を形成することが可能となる。また、もともとの石英10表面にある物理的な凹凸を、段差被覆率のよいCVD法などを用いて形成することで、隙間無く石英10の表面を覆うことができる。このため、プラズマ窒化による石英天板1XのSiNへの表面変化を、緻密膜50のごく表面の数nmにとどめることができる。したがって、石英天板1X内部の石英10へプラズマ窒化時のラジカル窒化種が拡散されることを防ぎ、石英10の変質を防ぐことができる。これにより、石英10とは熱膨張率の異なるSiN層が石英10に及ぶことを防止でき、この結果、石英天板1Xの表面が厚膜化することを防止できる。そして、石英天板1Xの表面に形成されるSiN膜を薄く維持できるので、SiN膜の応力による力が小さくなる。このため、石英天板1Xの破断を防止することができ、その結果、石英10のひび割れを防ぐことが可能になる。したがって、石英天板1Xから微小な石英10の欠片が飛散することを防ぐことが可能となる。また、石英天板1Xの寿命が長くなり、長期に渡って石英天板1Xを使用することが可能となる。ウエハWへのプラズマ窒化膜の成膜は、例えばウエハプロセスの所定のレイヤで行われる。そして、プラズマ窒化膜が形成されたウエハWを用いて半導体装置半導体集積回路が作製される。具体的には、レジストの塗布されたウエハWにフォトマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハWを現像してウエハW上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてウエハWの下層側をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する実パターンをウエハW上に形成する。半導体装置を製造する際には、上述したプラズマ窒化膜などの成膜処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。なお、本実施の形態では、石英10のうちプラズマ領域8側の面に緻密膜50を形成する場合について説明したが、石英10の側面やアンテナ2側の主面上面にも緻密膜50を形成してもよい。このように実施形態によれば、石英10の表面に緻密膜50を成膜しておくので、プラズマ窒化による石英天板1XのSiNへの表面変化を、ごく少量に抑えることが可能となる。したがって、プラズマ窒化に起因する石英10の欠片の飛沫を防止して、高品質な窒化膜を形成することが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。