"トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードであって、前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、順番に積層される、基板と、陽極層と、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備え、前記陰極層は、前記電子注入層の表面に設けられるアルミニウム層と、前記アルミニウム層の表面に設けられる銀と酸化ケイ素との混合薄膜層とを含むことを特徴とする、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオード。前記混合薄膜層において、銀の質量百分率は45~90であることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオード。前記アルミニウム層の厚みは0.3nm~1nmであり、前記混合薄膜層の厚みは20nm~35nmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオード。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、透明のポリイミド又はポリカーボネートであることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオード。前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項1に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオード。トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法であって、基板を洗浄、乾燥するステップS1と、前記基板の表面に陽極層を蒸着するステップS2と、前記陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着して積層させるステップS3と前記電子注入層の表面にアルミニウム層を蒸着した後、前記アルミニウム層の表面に銀と酸化ケイ素との混合薄膜層を蒸着し、前記アルミニウム層と混合薄膜層が、複層構造を有する陰極層を形成するステップS4と、を含み、前記製造工程を実施することにより、前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードを得る、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法。前記混合薄膜層において、銀の質量百分率は、45~90であることを特徴とする、請求項6に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法。前記アルミニウム層の厚みは0.3nm~1nmであり、前記混合薄膜層の厚みは20nm~35nmであることを特徴とする、請求項6又は7に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法。前記基板の材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、透明のポリイミド又はポリカーボネートであることを特徴とする、請求項6に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法。前記陽極層の材料は、銀、アルミニウム又は金であることを特徴とする、請求項6に記載のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法。本発明の目的は、可視光に対する比較的高い透過率を有するトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードを提供することにある。トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、順番に積層された、基板と、陽極層と、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、陰極層とを備えており、ここで、前記陰極層は、前記電子注入層の表面に設けられるアルミニウム層と、前記アルミニウム層の表面に設けられる銀と酸化ケイ素との混合薄膜層とを含む。上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードにおける前記混合薄膜層において、銀の質量百分率は45~90であり、前記アルミニウム層の厚みは0.3nm~1nmであり、前記混合薄膜層の厚みは20nm~35nmである。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードにおいて、基板に使用される材料は、ポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、透明のポリイミドPI又はポリカーボネートPCである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードのホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層に使用される材料は、当該分野で一般に使用される材料である。以下にその例を示す。ホール注入層の材料は、4,4’,4’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンm-MTDATA及びフタロシアニン銅CuPcから選択される。ホール輸送層の材料は、NPBN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、TPDN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、及びTCTA4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンから選択される。発光層の材料は、Alq3:C545Tここで、C545T1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オンをゲスト材料とし、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2、FIrpic:CBPここで、FIrpicイリジウムIIIビス[2-4,6-ジフルオロフェニルピリジネート-N,C2’]ピコリネートをゲスト材料とし、CBP4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は8、TPBi:Irppy3ここで、Irppy3トリス2-フェニルピリジンイリジウムをゲスト材料とし、TPBi1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は4、DPVBi4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル、及び、DPVBiとRubreneルブレンとからなる複合層すなわち、DPVBi/Rubreneから選択される。電子輸送層の材料は、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、Bphen4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、及びTPBi1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、Ag、Al又はAu等の金属である。本発明は、上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法をさらに提供し、当該製造方法は、基板を洗浄、乾燥するステップS1と、真空蒸着法を利用して、前記基板の表面に陽極層を蒸着するステップS2と、真空蒸着法を利用して、前記陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着して積層させるステップS3と前記電子注入層の表面にアルミニウム層を蒸着した後、前記アルミニウム層の表面に銀と酸化ケイ素との混合薄膜層を蒸着し、前記アルミニウム層と混合薄膜層が、複層構造を有する陰極層を形成するステップS4と、を含み、前記製造工程を実施することにより、前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードを製造しうる。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクロトッルミネッセンスダイオードにおいて、陰極層は、アルミニウム層と、銀と酸化ケイ素との混合薄膜層とからなる複合層構造を有しており、当該陰極の可視光透過率は70~80に達するため、陰極層表面の光射出率を向上させ、その結果、当該デバイスの発光効率は、従来の9.2lm/Wから、19.2lm/W~22.3lm/Wに向上する。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、図1に示されるように、順番に積層される、基板101と、陽極層102と、ホール注入層103と、ホール輸送層104と、発光層105と、電子輸送層106と、電子注入層107と、陰極層108とを備える。ここで、前記陰極層108は、前記電子注入層107の表面に設けられるアルミニウム層1081と、前記アルミニウム層1081の表面に設けられる銀と酸化ケイ素との混合薄膜層1082とを含む。すなわち、基板101/陽極層102/ホール注入層103/ホール輸送層104/発光層105/電子輸送層106/電子注入層107/アルミニウム層Al1081/銀Agと酸化ケイ素とSiOの混合薄膜層1082である。Ag:SiO層は、銀Agと酸化ケイ素SiOとの混合薄膜層を示す。すなわち、前記陰極層108の構造は、Al層1081/Ag:SiO層1082となっている。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの前記混合薄膜層において、銀の質量百分率は45~90であり、前記アルミニウム層の厚みは0.3nm~1nmであり、前記混合薄膜層の厚みは、20nm~35nmである。銀Agと酸化ケイ素SiOとの混合薄膜層1082において、SiOは、当該陰極層の透過率を向上させることができ、前記Ag:SiO混合薄膜層の可視光透過率は70~80に達することができる。さらに、蒸着工程において、SiOは、金属Agと反応して、一部の金属酸化物AgOを生成可能であるとともに、電極の電子注入能力効率を向上させることができる。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードにおいて、使用された基板の材料は、ポリマー薄膜であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、透明のポリイミドPI又はポリカーボネートPCである。当該トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードがトップエミッション型のOLEDデバイスであることを考慮すれば、その基板の材料のポリマー薄膜の表面に対して平坦化及び硬化の処理を施さなければならず、その表面硬度は2H~3H鉛筆硬度である。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードにおけるホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層に使用される材料は、当該分野で一般に使用される材料である。以下、その例を示す。ホール注入層の材料は、4,4’,4’’-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミンm-MTDATA及びフタロシアニン銅CuPcから選択される。ホール輸送層の材料は、NPBN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス1-ナフタレニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、TPDN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン、及びTCTA4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イル-トリフェニルアミンから選択される。発光層の材料は、Alq3:C545Tここで、C545T1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オンをゲスト材料とし、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2、FIrpic:CBPここで、FIrpicイリジウムIIIビス[2-4,6-ジフルオロフェニルピリジネート-N,C2’]ピコリネートをゲスト材料とし、CBP4,4’-N,N-ジカルバゾール-ビフェニルをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は8、TPBi:Irppy3ここで、Irppy3トリス2-フェニルピリジンイリジウムをゲスト材料とし、TPBi1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンをホスト材料とし、ゲスト材料のドーピング質量百分率は4、DPVBi4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル、及び、DPVBiとRubreneルブレンとからなる複合層すなわち、DPVBi/Rubreneから選択される。電子輸送層の材料は、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、Bphen4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、及びTPBi1,3,5-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルベンゼンから選択される。電子注入層の材料は、LiF、CsF及びLi2Oから選択される。前記陽極の材料は、金属Ag、Al又はAuである。前記陽極層の厚みは60nm~150nmである。さらに、本発明は、上述したトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造方法を提供し、図2により示されるように、当該製造方法は、以下に示すステップを含む。ステップS1、基板たとえば、ポリマー薄膜を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させて、後の工程のために用意しておく。ここで、ポリマー薄膜は、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルスルホンPES、透明のポリイミドPIまたはポリカーボネートPCを含む。ステップS2、真空蒸着の方法を用いて、洗浄した基板の表面に陽極層を蒸着し、当該陽極層の厚みが60nm~150nmである。ステップS3、真空蒸着の方法を用いて、陽極層の表面において、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とを順番に蒸着し、前記ホール注入層、前記ホール輸送層、前記発光層、前記電子輸送層、及び前記電子注入層の厚みは、それぞれ、30nm~40nm、20nm~50nm、15nm~20nm、30nm~40nm、及び1nmである。ステップS4、前記電子注入層の表面に、厚みが0.3nm~1nmのアルミニウム層を蒸着し、さらに、前記アルミニウム層の表面に、厚みが20nm~35nmの銀と酸化ケイ素との混合薄膜層すなわち、Ag:SiOを蒸着し、前記アルミニウム層と混合薄膜層が、複層構造を有する陰極層を形成する。上述した製造工程を実施することにより、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードを製造しうる。前記ステップS1において、ポリマー薄膜の洗浄過程をさらに含む。まず、ポリマー薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄し、洗浄した後、イソプロパノールと、アセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させる。前記ステップ2において、前記陽極層の表面処理ステップをさらに含む。前記陽極層を作製した後、作製した陽極層をプラズマ装置に入れて、プラズマ処理を行う。その結果、プラズマ処理した陽極層は、ホールの注入バリアを低減することができる。前記ステップS4において、Ag:SiO層の製造ステップをさらに含む。AgとSiOとを2つの蒸発ボートにそれぞれ入れて、加熱蒸着によって2種類の材料を同時に蒸着することで、混合物薄膜を作製し得、さらに、材料の蒸着速度を調節することにより、膜層における材料の比率を制御し、Ag:SiO層を製造しうる。本発明により提供されたトップエミッション型の有機エレクロトッルミネッセンスダイオードにおいて、陰極層は、アルミニウム層と、銀と酸化ケイ素との混合薄膜層とから構成される複合層構造を有しており、当該陰極の可視光透過率は、70~80に達するため、陰極層表面の光射出率を向上させる。その結果、当該デバイスの発光効率は、従来の9.2lm/Wから、19.2lm/W~22.3lm/Wに向上する。以下、図面を参照し、本発明のより好ましい実施例についてさらに詳しく説明する。[実施例1]本実施例1におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PET/Ag/m-MTDATA/NPB/C545T:Alq3/Alq3/LiF/Ag/Ag:SiOである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は、以下に示す。PET薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PET薄膜表面に、厚みが60nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層C545T:Alq3ここで、C545がゲスト材料で、Alq3がホスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2と、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、陰極層を蒸着し、その構造はAl/Ag:SiOであり、ここで、Al層の厚みは0.3nmであり、Ag:SiO層の厚みは20nmであり、Ag:SiOにおけるAgの質量百分率は45.2である。[実施例2]実施例2におけるトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PC/Al/m-MTDATA/TPD/DPVBi/Bphen/CsF/Al/Ag:SiOである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は以下に示す。PC薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PC薄膜表面に、厚みが80nmのAlを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで5分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが40nmのホール輸送層TPDと、厚みが20nmの発光層DPVBiと、厚みが40nmの電子輸送層Bphenと、厚みが1nmの電子注入層CsFとを順番に蒸着した。さらに、陰極層を蒸着し、その構造はAl/Ag:SiOであり、ここで、Al層の厚みは1nmであり、Ag:SiO層の厚みは25nmであり、Ag:SiOにおけるAgの質量百分率は65.8である。[実施例3]実施例3のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PI/Ag/CuPc/TCTA/TPBi:Irppy3/TPBi/Li2O/Al/Ag:SiOである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は以下に示す。PI薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PI薄膜表面に、厚みが100nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層CuPcと、厚みが50nmのホール輸送層TCTAと、厚みが20nmの発光層TPBi:Irppy3ここで、TPBiがホスト材料で、Irppy3がゲスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は4でありと、厚みが20nmの電子輸送層TPBiと、厚みが1nmの電子注入層Li2Oとを順番に蒸着した。さらに、陰極層を蒸着し、その構造はAl/Ag:SiOであり、ここで、Al層の厚みは0.3nmであり、Ag:SiO層の厚みは35nmであり、Ag:SiOにおけるAgの質量百分率は75.8である。[実施例4]実施例4のトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PEN/Au/m-MTDATA/NPB/FIrpic:CBP/Alq3/LiF/Al/Ag:SiOである。前記トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は以下に示す。PEN薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PEN薄膜表面に、厚みが120nmのAuを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層FIrpic:CBPここで、FIrpicがゲスト材料で、CBPがホスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は8でありと、厚みが20nmの電子輸送層Alq3、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、陰極層を蒸着し、その構造はAl/Ag:SiOであり、ここで、Al層の厚みは0.5nmであり、Ag:SiO層の厚みは20nmであり、Ag:SiOにおけるAgの質量百分率は89.7である。[比較例1]本比較例1の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PET/Ag/m-MTDATA/NPB/C545T:Alq3/Alq3/LiF/Agである。前記有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は以下に示す。PET薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PET薄膜表面に、厚みが60nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPB、厚みが20nmの発光層FC545T:Alq3ここで、C545T1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-11-オンがゲスト材料で、Alq3トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムがホスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2と、さらに、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、厚みが20nmのAg陰極を蒸着した。[比較例2]本比較例2の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの構造は、PET/Ag/m-MTDATA/NPB/C545T:Alq3/Alq3/LiF/Ag/ITOである。当該有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造工程は以下に示す。PET薄膜基板を、洗浄剤含有の脱イオン水に入れて超音波洗浄した。洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で20分間超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。真空蒸着システムにおいて、PET薄膜表面に、厚みが60nmのAgを沈着させて陽極とし、さらに、陽極を酸素プラズマで2分間処理した。処理完了後、陽極に対して、厚みが30nmのホール注入層m-MTDATAと、厚みが50nmのホール輸送層NPBと、厚みが20nmの発光層FC545T:Alq3ここで、C545Tがゲスト材料で、Alq3がホスト材料で、ゲスト材料のドーピング質量百分率は2と、厚みが40nmの電子輸送層Alq3と、厚みが1nmの電子注入層LiFとを順番に蒸着した。さらに、厚みが50nmのITO陰極を低周波スパッタリングで積層した。実施例1、2、3、4と比較例1とにおいて製造したデバイスに対して、発光性能テストを行った。当該テストは、8Vの作動電圧におけるデバイスの発光輝度及びデバイスの最大発光効率を含み、テストの結果は表1に示す。表1により、Al/Ag:SiO複合層型の陰極層は、陰極層の光透過率を増大させるとともに、陰極層の比較的良好な導電性を維持させ、さらに、電子注入性能についても、比較例1の薄層金属Ag及びITO電極と比較して高い結果を示したことがわかった。よって、各種の発光性能データはいずれも良好であった。図3は、実施例1、比較例1及び比較例2の有機エレクトロルミネッセンスダイオードの電流密度-電圧特性の曲線図である。図3の曲線により、本発明の実施例1により提供されたAlAg:SiO複合層型の陰極層は更なる良好な電子注入効果を有するため、デバイスは、同じ作動電圧においてより高い電流密度を得ることができる。なお、本発明のより好ましい実施例に関する上記説明は、比較的詳細的なものであるが、本発明の特許請求の範囲に対する制限でならず、本発明の請求する範囲は、添付の特許請求の範囲に基づくものであると理解されるべきである。"