筒状の高周波シールド、第一高周波コイル、および、第二高周波コイルを備える高周波コイルであって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルは、前記高周波シールドの内側に周方向に間隔をあけて配置され、それぞれ、前記高周波シールドの中心軸を挟んで対向する2つの部分筒状コイルを備え、前記部分筒状コイルは、それぞれ、前記中心軸と同軸の部分筒状導体と、前記部分筒状導体の内側に配置され、前記中心軸と実質的に平行な複数の第一導体と、前記第一導体の両端をそれぞれ前記部分筒状導体に接続する複数の第一キャパシタと、前記第一導体の少なくとも一方の端部と隣接する前記第一導体の端部を短絡する1以上の第二導体と、を備えることを特徴とする高周波コイル。請求項1に記載の高周波コイルであって、前記高周波シールドは、楕円筒形状であることを特徴とする高周波コイル。請求項1に記載の高周波コイルであって、前記高周波シールドは、円筒形状であることを特徴とする高周波コイル。請求項2記載の高周波コイルであって、前記各第一導体は、前記楕円筒形状の中心軸から長軸方向に向かうにつれて、前記高周波シールド内壁との距離が小さくなるよう配置されることを特徴とする高周波コイル。請求項2記載の高周波コイルであって前記各第一導体は、前記高周波シールド内壁からの距離が等しくなるよう配置されることを特徴とする高周波コイル。請求項1記載の高周波コイルであって、前記部分筒状導体が前記高周波シールドと一体であることを特徴とする高周波コイル。請求項1記載の高周波コイルであって、前記高周波シールドおよび前記部分筒状導体は、傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する構造を有することを特徴とする高周波コイル。請求項1記載の高周波コイルであって、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間の磁気結合を調整する磁気結合調整手段をさらに備えることを特徴とする高周波コイル。請求項8記載の高周波コイルであって、前記磁気結合調整手段は、少なくとも一つの第二キャパシタが挿入された導体ループを備え、前記導体ループは、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイル間の複数の間隙の中の、前記中心軸に対し、軸対称の位置の一対の間隙内に配置され、前記第二キャパシタの値は、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間の磁気結合を防止するように調整されることを特徴とする高周波コイル。請求項8記載の高周波コイルであって、前記磁気結合調整手段は、第三キャパシタと調整用インダクタとが直列接続された複数の磁気結合調整用回路を備え、前記磁気結合調整回路は、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイル間の複数の間隙の中の、前記中心軸に対し、軸対称の位置の一対の間隙内に配置され、前記第三キャパシタは、前記第一導体の端部に接続され、前記調整用インダクタは、前記部分筒状導体に接続され、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルにそれぞれ接続された前記調整用インダクタ間で互いに磁気結合が生じるように配置され、前記調整用インダクタの相互インダクタンスの値と前記第三キャパシタの値とは、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間の磁気結合を防止するように調整されることを特徴とする高周波コイル。請求項1記載の高周波コイルであって、傾斜磁場により生じる渦電流を通さず高周波電流を通す渦電流防止用キャパシタが、前記第一導体および前記第二導体の少なくとも一方に挿入されていることを特徴とする高周波コイル。請求項3記載の高周波コイルであって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルの周方向の間隔は、全て等しいことを特徴とする高周波コイル。請求項1記載の高周波コイルであって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルは、所定の信号により当該高周波コイルユニットの動作/非動作を切り替えるデチューニング手段をそれぞれ備えることを特徴とする高周波コイル。請求項13記載の高周波コイルであって、前記デチューニング手段は、PINダイオードを備えることを特徴とする高周波コイル。請求項13記載の高周波コイルであって、前記デチューニング手段は、PINダイオードとインダクタとを直列接続した回路にキャパシタを並列接続した回路であることを特徴とする高周波コイル。静磁場を形成する静磁場形成手段と、傾斜磁場を形成する傾斜磁場形成手段と、高周波磁場を形成する高周波磁場形成手段と、前記高周波磁場を検査対象に印加し検査対象からの核磁気共鳴信号を検出する送受信用コイルと、前記送受信用コイルで検出した核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段と、前記傾斜磁場形成手段、前記高周波磁場形成手段及び前記信号処理手段の動作を制御する制御手段と、を備える磁気共鳴撮像装置であって、前記送受信用コイルは、請求項1記載の高周波コイルと、高周波信号制御手段と、を備え、前記高周波信号制御手段は、第一の信号分配合成手段と、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれに接続される2つの第二の信号分配合成手段と、を備え、前記第一の信号分配合成手段は、前記2つの第二の信号分配合成手段に、それぞれ、位相差が90度となる高周波信号を供給するとともに、各第二の信号分配合成手段から供給された高周波信号を、一方の信号の位相を90度シフトさせて合成し、前記第二の信号分配合成手段は、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれの2つの部分筒状コイルに、それぞれ、位相差が180度となる高周波信号を供給するとともに、当該2つの部分筒状コイルから供給された信号を、一方の信号の位相を180度シフトさせて合成することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。静磁場を形成する静磁場形成手段と、傾斜磁場を形成する傾斜磁場形成手段と、高周波磁場を形成する高周波磁場形成手段と、前記高周波磁場を検査対象に印加する送信用コイルと、検査対象からの核磁気共鳴信号を検出する受信用コイルと、前記受信用コイルで検出した核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段と、前記傾斜磁場形成手段、前記高周波磁場形成手段、及び前記信号処理手段の動作を制御する制御手段と、を備える磁気共鳴撮像装置であって、前記送信用コイルは、請求項13記載の高周波コイルと、高周波信号制御手段と、を備え、前記高周波信号制御手段は、第一の信号分配合成手段と、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれに接続される2つの第二の信号分配合成手段と、を備え、前記第一の信号分配合成手段は、前記2つの第二の信号分配合成手段に、それぞれ、位相差が90度となる高周波信号を供給するとともに、各第二の信号分配合成手段から供給された高周波信号を、一方の信号の位相を90度シフトさせて合成し、前記第二の信号分配合成手段は、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれの2つの部分筒状コイルに、それぞれ、位相差が180度となる高周波信号を供給するとともに、当該2つの部分筒状コイルから供給された信号を、一方の信号の位相を180度シフトさせて合成し、前記受信用コイルは、前記所定の信号により当該受信コイルを動作させない第二のデチューニング手段を備えることを特徴とする磁気共鳴撮像装置。しかしながら、2つの半円筒状のバードケージ型コイルを対向させ、かつ間隔をあけて配置する場合、円筒状RFコイルの一部を取り除くため、コイルが発生する高周波磁場は、コイルが対向する方向に平行な直線偏波磁場となり、QD方式と比べて照射電力効率が半減する。また、シールドと面状の導体構造体とからなる部分アンテナは、2つの静磁場マグネットが対向して配置されるオープン型MRI装置用のRFコイルであり、そのままトンネル型MRI装置のRFコイルとして用いることは困難である。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、トンネル型MRI装置において、製造コストの増大を招くことなく、かつ、照射効率や撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなしに、広い検査空間を確保する技術を提供することを目的とする。本発明は、筒状の高周波シールドの内側に4つの部分筒状コイルを2つずつ対向させて間隔をあけて配置し、個々の部分筒状コイルにより生成される磁場を合成することにより円偏波もしくは楕円偏波磁場を生成するRFコイルユニットを提供する。部分筒状コイルは、部分筒状導体と高周波シールドの中心軸と実質的に平行な複数の第一導体と各第一導体の両端と部分筒状導体を接続する複数のキャパシタと第一導体の少なくとも一方の端部を隣接する第二導体とを備える。各部分筒状コイルには、基準周波数は同一で、所望の振幅比および位相差を有する高周波信号をそれぞれ供給する。具体的には、筒状の高周波シールド、第一高周波コイル、および、第二高周波コイルを備える高周波コイルであって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルは、前記高周波シールドの内側に周方向に間隔をあけて配置され、それぞれ、前記高周波シールドの中心軸を挟んで対向する2つの部分筒状コイルを備え、前記部分筒状コイルは、それぞれ、前記中心軸と同軸の部分筒状導体と、前記部分筒状導体の内側に配置され、前記中心軸と実質的に平行な複数の第一導体と、前記第一導体の両端をそれぞれ前記部分筒状導体に接続する複数の第一キャパシタと、前記第一導体の少なくとも一方の端部と隣接する前記第一導体の端部を短絡する1以上の第二導体と、を備えることを特徴とする高周波コイルを提供する。また、前述の高周波コイルと、高周波信号制御手段と、を備える高周波コイルユニットであって、前記高周波信号制御手段は、第一の信号分配合成手段と、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれに接続される2つの第二の信号分配合成手段と、を備え、前記第一の信号分配合成手段は、前記2つの第二の信号分配合成手段に、それぞれ、位相差が90度となる高周波信号を供給するとともに、各第二の信号分配合成手段から供給された高周波信号を、一方の信号の位相を90度シフトさせて合成し、前記第二の信号分配合成手段は、前記第一の高周波コイルおよび前記第二の高周波コイルそれぞれの2つの部分筒状コイルに、それぞれ、位相差が180度となる高周波信号を供給するとともに、当該2つの部分筒状コイルから供給された信号を、一方の信号の位相を180度シフトさせて合成することを特徴とする高周波コイルユニットを提供する。さらに、静磁場を形成する静磁場形成手段と、傾斜磁場を形成する傾斜磁場形成手段と、高周波磁場を形成する高周波磁場形成手段と、前記高周波磁場を検査対象に印加し検査対象からの核磁気共鳴信号を検出する送受信用コイルと、前記送受信用コイルで検出した核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段と、前記傾斜磁場形成手段、前記高周波磁場形成手段及び前記信号処理手段の動作を制御する制御手段と、を備える磁気共鳴撮像装置であって、前記送受信用コイルとして、前述の高周波コイルユニットを用いることを特徴とする磁気共鳴撮像装置を提供する。また、前述の高周波コイルは、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間の磁気結合を調整する磁気結合調整手段をさらに備え、前記磁気結合調整手段は、少なくとも一つの第二キャパシタが挿入された導体ループであって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイル間の複数の間隙の中の、前記中心軸に対し、軸対称の位置の一対の間隙内に配置され、前記第二キャパシタの値は、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間に磁気結合が生じないように調整されていてもよい。また、前記磁気結合調整手段は、第三キャパシタと調整用インダクタとが直列接続された複数の磁気結合調整用回路であって、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイル間の複数の間隙の中の、前記中心軸に対し、軸対称の位置の一対の間隙内に配置され、前記第三キャパシタは、前記第一導体の端部に接続され、前記調整用インダクタは、前記部分筒状導体に接続され、前記第一高周波コイルおよび前記第二高周波コイルにそれぞれ接続された前記調整用インダクタ間で互いに磁気結合が生じるように配置され、前記調整用インダクタの相互インダクタンスの値と前記第三キャパシタの値とは、前記第一高周波コイルと前記第二高周波コイルとの間に磁気結合が生じないように調整されていてもよい。また、前記第一キャパシタは、前記各部分筒状コイルが、前記高周波信号の周波数で共振するよう調整されていてもよい。本発明によれば、トンネル型MRI装置において、製造コストの増大を招くことなく、かつ、照射効率や撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなしに、広い検査空間を確保できる。<<第一の実施形態>>以下、本発明を適用する第一の実施形態について説明する。以下、本発明の実施形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。まず、本実施形態のMRI装置の全体構成について説明する。図1は本実施形態のMRI装置の外観図であり、図中、座標系900のz軸の方向が静磁場方向である。本実施形態のMRI装置100は、水平磁場方式のマグネット110と、テーブル120と、を備える。被検体10は、テーブル120に寝かせられた状態でマグネット110のボア内の撮像空間に挿入され、撮像される。なお、以下、本明細書では、静磁場方向をz方向、テーブル120の面上において、z方向に直交する方向をx方向、テーブル面に直交する方向をy方向とする。図2は、本実施形態のMRI装置100の概略構成を示すブロック図である。図1と同じ要素は同じ符号で示す。本図において、920は、静磁場B0の向きを表す。本実施形態のMRI装置100は、水平磁場方式のマグネット110と、傾斜磁場コイル210と、静磁場均一度を調整するためのシムコイル220と、傾斜磁場電源230と、シム電源240と、高周波磁場を被検体に照射送信するとともに前記被検体から発生する核磁気共鳴信号を検出受信して検出信号として出力する送受信コイル310と、送信および受信のタイミングに合わせて高周波信号のオンとオフとを切り替える送受信切換器320と、高周波信号分配合成器370と、送信器330と、受信器340と、シーケンサ410と、計算機510と、表示装置520と、記憶装置530と、を備える。傾斜磁場コイル210及びシムコイル220は、それぞれ傾斜磁場電源230、シム電源240に接続され、傾斜磁場電源230およびシム電源240から供給される傾斜磁場制御電流およびシム制御電流により、それぞれ、傾斜磁場およびシム磁場を撮影空間に印加する。送受信コイル310は、高周波信号分配合成器370を介して2つの送受信切換器320に接続され、送受信切換器320はそれぞれ送信器330及び受信器340に接続される。高周波磁場照射用の高周波信号は、送受信切換器320および高周波信号分配合成器370を通じて送受信コイル310に印加され、被検体10に高周波磁場を照射送信される。照射された高周波磁場により被検体10から発生する核磁気共鳴信号は送受信コイル310によって検出受信され、検出された信号は、高周波信号分配合成器370および送受信切換器320を通り、受信器340で信号の増幅および検波が行われる。受信器340で検波された信号はA/D変換器不図示を介して計算機510に送られる。検波された信号や測定条件は、必要に応じて、計算機510に接続される記憶装置530に保存される。計算機510では、受信した信号に対し、画像再構成などの信号処理を行う。その結果は、計算機510に接続される表示装置520に表示される。また、計算機510では、MRI装置100全体の動作の制御を行う。シーケンサ410は、計算機510からの指示に従って、予めプログラムされたタイミング、強度で各装置が動作するように制御を行う。具体的には、傾斜磁場電源230、シム電源240、送受信切換器320、受信器340及び送信器330に命令を送る。また、受信器340において検波の基準とする磁気共鳴周波数は、シーケンサ410によりセットされる。本実施形態では、送受信コイル310の形状と高周波信号分配合成器370の構成とを工夫し、被検体10の入る検査空間を広げ、検査空間内で少なくとも被検体10内の照射分布の均一性を従来と同程度に維持し、その照射分布に関し、従来と同程度の均一性を維持する。まず、本実施形態で送受信コイル310として用いるRFコイル装置311の詳細を説明する。図3および図4は、本実施形態のRFコイル装置311の構成を説明するための図である。図3aは、RFコイル装置311を、RFシールド31後述の中心軸910の方向から見た図であり、図3bは、RFコイル装置311の構成要素である部分筒状コイル51後述を斜め横から見た図であり、図4aは、第一RFコイル11後述をRFシールド31後述の中心軸910の方向から見た図であり、図4bは、第二RFコイル21後述をRFシールド31後述の中心軸910の方向から見た図である。RFコイル装置311は、図3および図4に示すように、第一RFコイル11と、第二RFコイル21と、RFシールド31と、を備える。図3aに示すように、RFシールド31は、被検体10が入ることが可能な大きさの円筒状導体にて構成される。RFシールド31の円筒状導体の厚さは、例えば、傾斜磁場を通し高周波磁場を遮蔽するように50μmとする。図3aおよび図4aに示すように、第一RFコイル11は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5151Aおよび51Cを備える。また、図3aおよび図4bに示すように、第二RFコイル21は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5151Bおよび51Dを備える。第一RFコイル11と第二RFコイル21とは、RFシールド31の内側周方向に間隔をあけて配置される。ここでは、図3aに示すように、第一RFコイル11と第二RFコイル21とは、中心軸910を含むyz平面を鏡像面とし、鏡像対称に配置される。このとき、部分筒状コイル51Aと51Bとの間および部分筒状コイル51Cと51Dとの間には、それぞれ、周方向の長さがG1の第一間隙81が設けられ、また、部分筒状コイル51Aと51Dとの間および部分筒状コイル51Bと51Cの間には、それぞれ、周方向の長さがG2の第二間隙82が設けられる。なお、本実施形態では、第一RFコイル11と第二RFコイル21の周方向の間隔は、全て等しいものとする。すなわち、長さG1と長さG2とは同じとする。部分筒状コイル51は、図3bに示すように、部分筒状導体41と、中心軸910に実質的に平行な複数の第一導体61と、第一導体61の両端をそれぞれ部分筒状導体41に接続する複数の第一キャパシタ71と、第一導体61の両端を、隣接する第一導体61の端部に接続する複数の第二導体62とを備える。図3bでは、第一導体61は5本、第一キャパシタ71は10個、第二導体62は10本である場合を例示するが、本数、個数はこれに限られない。部分筒状導体41は、RFシールド31と中心軸910を同一とし、RFシールド31の内側の面内壁に接するように配置される。第一導体61は、部分筒状導体41と一定の距離を保ちながら、すなわち、RFシールド31と中心軸910を同一とする仮想の円筒面上に、RFシールド31の周方向に等間隔に配置される。なお、部分筒状導体41の厚さは、傾斜磁場を通し高周波磁場を遮蔽するように50μmとする。部分筒状コイル51の第一キャパシタ71の値は、第一導体61と2つの第一キャパシタ71と部分筒状導体41とで構成されるループ63の共振周波数がMRI装置100に用いる磁気共鳴周波数に一致するよう調整される。例えば、直径690mm、長さ1000mmのRFシールド31の内部に、図3に示す構造を持つ4つの部分筒状コイル5151A~51Dを、第一間隙81の周方向の長さG1および第二間隙82の周方向の長さG2がともに130mmとなるように配置し、部分筒状コイル5151A~51Dの第一導体61の寸法を幅40mm、長さ540mmとし、第二導体の寸法を幅45mm、長さ54mmとし、第一導体61を、中心軸910を同一とし直径624mmの円筒面に沿って配置し、ループ63の共振周波数を64MHzに合わせる場合、第一キャパシタ71の値は42pFとなる。なお、部分筒状導体41はRFシールド31と電気的に導通しているため、部分筒状導体41とRFシールド31とは一体とみなすことができる。さらに、図5に示すように、各部分筒状コイル5151A、51B、51C、51Dは、それぞれ、給電点374第一の給電点374A、第二の給電点374B、第三の給電点374C、第四の給電点374Dを備え、第一キャパシタ71に給電点374が配置されている。図5では省略しているが、各部分筒状コイル51の給電点374と第一キャパシタ71の間には、それぞれインピーダンス調整回路が配置されている。各部分筒状コイル51は、給電点374を介し、高周波信号分配合成器370から高周波信号を供給されるとともに、検出した高周波信号を高周波信号分配合成器370に出力する。高周波信号分配合成器370は、RFコイル装置311を構成する各部分筒状コイル5151A、51B、51C、51Dに所定の位相差で高周波信号を供給するとともに、各部分筒状コイル5151A、51B、51C、51Dで検出した高周波信号の位相差を解消して合成する。以下、RFコイル装置311と高周波信号分配合成器370とをRFコイルユニット301と呼ぶ。次に、高周波信号分配合成器370の構成の詳細と、RFコイル装置311と、高周波信号分配合成器370および送受信切換器320を介した送信器330および受信器340との接続の詳細と、について説明する。高周波信号分配合成器370は、図5に示すように、第一の信号分配合成手段であるQDハイブリッド371と、2つの第二の信号分配合成手段である0-180度分配合成回路と、を備える。2つの0-180度分配合成回路を、それぞれ、第一0-180度分配合成回路372および第二0-180度分配合成回路373と呼ぶ。QDハイブリッド371は、2入力2出力の回路で、入力信号が1つの場合、当該信号を信号波形の位相差が90度となる2つの信号に分配して出力し、入力信号が2つの場合、一方の信号の位相を90度シフトさせて他方の信号と合成し、合成後の信号を出力する。また、第一0-180度分配合成回路372および第二0-180度分配合成回路373は、1つの高周波信号を信号波形の位相差が180度となる2つの高周波信号に分配する機能と、2つの高周波信号を一方の位相を180度シフトさせたのち合成して出力する機能と、を有する。送信器330および受信器340は、それぞれ送受信切換器320を介してQDハイブリッド371に接続される。QDハイブリッド371の2つの出力は、第一0-180度分配合成回路372と第二0-180度分配合成回路373との入力にそれぞれ接続される。第一0-180度分配合成回路372の2つの出力は、部分筒状コイル51Aの第一給電点374Aと部分筒状コイル51Cの第三給電点374Cとにそれぞれ接続され、第二0-180度分配合成回路373の2つの出力は、部分筒状コイル51Bの第二給電点374Bと部分筒状コイル51Dの第四給電点374Dとにそれぞれ接続される。送受信切換器320は、シーケンサ410からの指示の従って、オンオフ制御される。指示は、高周波信号照射時は、送信器330に接続されている送受信切換器320がオンされ、核磁気共鳴信号検出時は、受信器340に接続されている送受信切換器320がオンされるようになされる。なお、図5では、部分筒状コイル51の最も外側の第一キャパシタ71に給電点374が配置されているが、給電点374の配置位置はこれに限られず、第一キャパシタ71を挟むように配置されていればよい。また、図5では、第一導体61が5本の場合を例示しているが、本数はこれに限られず、2本以上であればよい。次に、以上のように、第一キャパシタ71の値が調整され、送信器330および受信器340に、送受信切換器320および高周波信号分配合成器370を介して接続されるRFコイル装置311が、高周波磁場を被検体10に照射するとともに被検体10から発生する核磁気共鳴信号を検出して検出信号として出力することを説明する。なお、高周波信号は、前述のように、予め定められたプログラムに従って計算機510により制御されるシーケンサ410からの指示に従って、送信器330から出力される。この時、送信器330に接続されている送受信切換器320は、シーケンサ410からの指示によりオンとなる。図5に示すように、高周波信号が送信器330から送受信切換器320を介して入力されると、QDハイブリッド371は、入力された高周波信号を、互いの位相差が90度となるように2つの高周波信号に分配し、それぞれ第一0-180度分配合成回路372と第二0-180度分配合成回路373とに出力する。第一0-180度分配合成回路372は、入力された高周波信号を、互いの位相差が180度となるように2つの高周波信号に分配し、それぞれ第一給電点374Aと第三給電点374Cとに印加する。第二0-180度分配合成回路373は、入力された高周波信号を、互いの位相差が180度となるように2つの高周波信号に分配し、第二給電点374Bと第四給電点374Dとにそれぞれ印加する。図6を用いて給電点374に高周波信号が印加されたときの部分筒状コイル51に流れる高周波電流について説明する。部分筒状コイル51の第一キャパシタ71に高周波信号が印加されると、第一導体61と2つの第一キャパシタ71と部分筒状導体41とで構成されるループ63は共振状態となり、ループ63に沿って高周波電流91が流れる。このとき、隣接する第一導体61の端部は第二導体62によって短絡されているため、第二導体62によって短絡されている第一導体61の端部に生じる電位は、全て同じとなる。第一導体61と部分筒状導体41の距離が、複数の第一導体61でそれぞれ一定であることから、第一導体61のインダクタンスは全て同じであり、第一導体61に流れる高周波電流91は全て同位相同振幅となる。互いの位相差が180度となる高周波信号が第一給電点374Aと第三給電点374Cとにそれぞれ印加されたときの、部分筒状コイル51Aと51Cとの動作を、図7を用いて説明する。なお、図7は説明を容易にするため第二RFコイル21を省略する。また、各部分筒状コイル51Aおよび51Cに流れる高周波電流をそれぞれ91Aおよび91Cとする。図7aに示すように、高周波電流91Aが、図7aの紙面に垂直に手前に向かって部分筒状コイル51Aの第一導体61上を流れるとき、高周波電流91Aにより生じる高周波磁場92Aは、RFシールド31の中心における座標系900のx軸に対して45度の角度をなす直線偏波磁界となる。これは、第一間隙81の周方向の長さG1と第二間隙82の周方向の長さG2とが同じであり、4つの部分筒状コイル5151A~51Dが、座標系900のx方向およびy方向に対称に配置されているためである。また、部分筒状コイル51Cに流れる高周波電流91Cは、部分筒状コイル51と部分筒状コイル51Cに印加される高周波信号の位相差が180度であるため、図7bに示すように、紙面に垂直に奥に向かって流れる。このとき高周波電流91Cによって発生する高周波磁場92Cは、高周波磁場92Aと同じ向きとなる。従って、図7cに示すように、部分筒状コイル51Aと部分筒状コイル51Cとを備える第一RFコイル11は、座標系900のx軸に対して45度の角度をなす高周波磁場92Eを発生する。なお、図を見やすくするために、図7aでは、部分筒状コイル51B、51C、51Dの記載を省略し、図7bでは、部分筒状コイル51A、51B、51Dの記載を省略、図7cでは、部分筒状コイル51B、51Dの記載を省略した。部分筒状コイル51Bと部分筒状コイル51Dとを備える第二RFコイル21により発生する高周波磁場92Fは、図8に示すように、高周波磁場92Eと90度の角度をなす。これは、本実施形態では、第一間隙81の周方向の長さG1および第二間隙82の周方向の長さG2を等しくしているため、第二RFコイル21が、第一RFコイル11をRFシールド31の中心軸910を軸として90度回転させた構造を有するためである。よって、第一RFコイル11が発生する高周波磁場92Eと第二RFコイル21とが発生する高周波磁場92Fとは、磁場の向きが互いに直交する。ここで、第一0-180度分配合成回路372と第二0-180度分配合成回路373とに印加される高周波信号の位相差は90度であることから、高周波磁場92Eと高周波磁場92Fとの位相差は90度となる。従って、高周波磁場92Eと高周波磁場92Fとの合成磁場は、座標系900のz方向から見てxy面内を回転する磁場となる。このように、本実施形態のRFコイル装置311は、高周波信号分配合成器370から高周波信号の供給を受け、RFシールド31の内部に、QD照射方式と同様に回転磁場を照射する。以下、本実施形態のRFコイルユニット301による高周波磁場の照射もQD照射と呼ぶ。照射した高周波磁場により、核磁気共鳴信号が、座標系900のz方向からみてxy面内を回転する磁場となって被検体10から放射される。RFコイル装置311は、相反定理に従い、高周波磁場を照射する場合と同様に、xy面内を回転する磁場を検出する。具体的には、第一給電点374A、第二給電点374B、第三給電点374C、第四給電点374Dに、それぞれ、核磁気共鳴信号に対応した高周波信号が生じる。図5に示すように、第一給電点374Aと第三給電点374Cとに生じた高周波信号は、第一0-180度分配合成回路372に入力され、ここで一方の信号の位相を180度シフトさせて合成される。また、第二給電点374Bと第四給電点374Dとに生じた高周波信号は、第二0-180度分配合成回路373に入力され、ここで一方の信号の位相を180度シフトさせて合成される。第一0-180度分配合成回路372および第二0-180度分配合成回路373で合成された2つの信号は、QDハイブリッド回路371に入力され、ここで一方の信号の位相を90度シフトさせて合成されて出力される。受信時は、受信器340に接続されている送受信切換器320が、シーケンサ410からの指示によりオンとなるため、出力は、送受信切換器320を介して、受信器340に送られる。以上から、本実施形態のRFコイル装置311は、高周波信号分配合成器370から高周波信号の供給を受け、高周波磁場を被検体10に照射するとともに、被検体10から発生する核磁気共鳴信号を検出して、高周波信号分配合成器370を介して検出信号として出力する。従って、本実施形態の、RFコイル装置311と高周波信号分配合成器370とを備えるRFコイルユニット301は、MRI装置の送受信コイルとして動作する。次に、本実施形態のRFコイル装置311の第一RFコイル11と第二RFコイル21との間に磁気結合が生じないこと、すなわち、送受信時にこれらのコイル間はデカップリング状態であることを、以下説明する。なお、磁気結合は、一般に、2つ以上のコイルを用いる場合、コイルの配置によってコイル間に生じることがあり、コイルの照射強度が低下したり、インピーダンスピークを2つに分裂させて所望の高周波磁場の照射を妨げる。図9aに示すように、第二RFコイル21に高周波信号を印加すると、第二RFコイル21を構成する2つの部分筒状コイル51B、51Dに、高周波電流91B、91Dがそれぞれ流れる。このとき、2つの部分筒状コイル51B、51Dに印加される高周波信号の位相差が180度であるため、高周波電流91B、91Dは互いに逆向きに流れる。その結果、高周波磁場92Fが生じる。高周波磁場92Fを磁束93として表すと、磁束93は、図9aに示すように、2つの部分筒状コイル51B、51DからそれぞれRFシールド31の内壁に沿って進み、第一RFコイル11を構成する2つの部分筒状コイル51A、51Cと鎖交して、元の部分筒状コイルに戻る経路をとる。このとき、RFシールド31の中心軸910付近の磁束93は、2つの部分筒状コイル51A、51Cが対向する向きと平行な向きとなる。第二RFコイル21により生じる磁束93と部分筒状コイル51Cとの関係を図9bに示す。ここで、部分筒状コイル51A、51Cが対向する向きをy’軸とし、部分筒状コイル51B、51Dが対向する向きをx’軸とし、RFシールド31の中心軸910の向きをz’軸とする座標系901を考える。座標系901では、磁束93は、RFシールド31の中心軸910付近では、-y’方向を向いているが、RFシールド31があるため、部分筒状コイル51Cの近傍では、x’方向と-x’方向の2つの方向に分かれる。このとき、-x’方向を向く磁束93dとx’方向を向く磁束93bとが、それぞれ部分筒状コイル51Cの第一導体61と2つの第一キャパシタ71と部分筒状導体41で構成されるループ63に鎖交する。ループ63に鎖交する向きは、磁束93dと磁束93bとで反対となる。図10aに示すように、磁束93dにより、ループ63上をx’方向を向く磁束を発生させる向きに流れる誘導電流94dが、部分筒状コイル51Cに生じる。一方、図10bに示すように、磁束93bにより、ループ63上を-x’方向を向く磁束を発生させる向きに流れる誘導電流94bが部分筒状コイル51Cに生じる。このとき、第一導体61上に流れる高周波電流は全ての同位相同振幅になるため、誘導電流94dおよび誘導電流94bは全ての第一導体61上を流れる。磁束93dと磁束93bとの分布がx’軸方向に対称であるため、誘導電流94dと誘導電流94bとの大きさは互いに等しい。ところが、第一導体61上に流れる誘導電流94dと誘導電流94bとの向きは反対であるため、第一導体61上に流れる誘導電流94dと誘導電流94bとは相殺される。従って、第二RFコイル21によって生じる高周波磁場により、第一のRFコイル11の部分筒状コイル51C上には誘導電流が流れないこととなる。4つの部分筒状コイル51A、51B、51C、51Dの配置の対称性から、部分筒状コイル51Cに対向して配置される部分筒状コイル51Aについても同様に、第二RFコイル21によって生じる高周波磁場により、誘導電流は流れない。また、第一RFコイル11によって生じる高周波磁場により、第二RFコイル21の部分筒状コイル51Bおよび51Dには、それぞれ、誘導電流は流れない。従って、第二RFコイル21と第一RFコイル11との間に磁気結合は生じない。以上説明した本実施形態のRFコイル装置311の検査空間の拡大の度合いと性能とについて、従来から用いられているバードケージコイルと比較した結果を示す。ここでは、性能として照射強度および照射分布の均一度をとりあげる。両コイルの照射分布は、電磁界シミュレーションにより求めた。比較に用いたRFコイル装置311の仕様は以下の通りである。RFシールド31の直径は、690mm、同長さは、1000mm、部分筒状コイル51の第一導体61の寸法は、幅40mm、長さ540mm、同個数は、5個、第二導体62の寸法は、幅45mm、長さ54mmで、同個数は、10個とした。第一導体61と第二導体62とは、RFシールド31の中心軸910を共有する直径624mmの円筒面上に沿って配置した。また、RFシールド31の内部に、4つの部分筒状コイルを、第一間隙81の周方向の長さG1と第二間隙の周方向の長さ82G2とがともに130mmとなるように配置した。各第一キャパシタ71の値は、RFコイル装置311の共振周波数が64MHzとなるよう調整した。比較の対象とするバードケージコイルは、RFコイル装置311と同一寸法のRFシールド31を用い、RFシールド31と中心軸910を共有する直径624mmの円筒面上に沿って幅40mmのコイルエレメントが配置される長さ540mmのハイパス型16ラングバードケージコイルとした。このバードケージコイルも、共振周波数が64MHzとなるようキャパシタの値を調整した。RFコイル装置311においては、高周波信号分配合成器370から高周波信号の供給を受け、本実施形態で説明した手法によるQD照射を行い、バードケージコイルでは、通常のQD方式による照射を行った。コイルの照射強度は、コイルに挿入される被検体10の影響を強く受ける。そこで、人体の腹部を模擬した直径300mm長さ500mmの円柱ファントムを、円柱ファントムの中心と中心軸とがそれぞれRFシールド31の中心と中心軸910とを共有する位置に配置して、照射強度の計算を行った。このときのファントムの導電率は0.6[S/m]、比誘電率は45とした。また、照射分布はコイルに挿入する被検体10の形状に大きく依存するため、照射分布の均一性は、コイルに円柱ファントムを挿入しない状態無負荷で評価した。RFコイル装置311では、RFシールド31の中心原点とするを通り中心軸910に垂直な平面上において、原点を中心とした半径150mmの領域における1Wあたりの照射強度の平均は、0.294[A/m/√W]、同一領域における照射分布の均一度は3.4であった。一方、ハイパス型16ラングバードケージコイルでは、同一領域における1Wあたりの照射強度の平均は、0.345[A/m/√W]であり、照射分布の均一度は2.3であった。なお、照射分布の均一度は、設定した領域内の照射強度の最大値と最小値との和に対する最大値と最小値との差の比率を百分率で表したものである。本実施形態のRFコイル装置311の照射強度は、QD照射を行ったハイパス型16ラングバードケージコイルの85であった。15の差は送信器330の増幅器の電力容量の余裕度の範囲内で吸収可能であり、本実施形態のRFコイル装置311は、従来のバードケージコイルとほぼ同等の照射強度を持つことが示された。また、均一度についても、RFコイル装置311とバードケージコイルとの差は1程度と非常に小さく、本実施形態のRFコイル装置311は、バードケージコイルと同等の均一な照射分布を持つことが示された。一方、検査空間については、図11に示すように、RFコイル装置311を用いる場合、バードケージ型コイルを用いる場合に比べて、座標軸900のx軸方向およびy軸方向に空間89が拡大する。具体的には、第一間隙81の周方向の長さG1および第二間隙82の周方向の長さG2をそれぞれ130mmとしているため、RFシールド31の中心を座標系900の原点とするとき、y方向に±65mm以内の領域でx軸方向の空間89が左右それぞれ33mmで計66mm拡大し、x方向に±65mm以内の領域でy軸方向の空間89が上下それぞれ33mmで計66mm拡大する。従って、16ラングバードケージ型コイルの代わりに本実施形態のRFコイル装置311を用いることで、同程度の照射強度、照射分布の均一度を維持しながら検査空間を広げることができる。以上説明したように、本実施形態によれば、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、被検体の入る検査空間を広げることができる。このとき、QD方式の照射QD照射を可能とし、かつ、従来の円筒状RFコイルと同程度の照射強度および照射分布の均一性を実現できる。従って、本実施形態によれば、トンネル型MRI装置において、バードケージ型コイルに比して、照射効率および所望の撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなく、かつ、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、広い検査空間を確保可能な送受信コイルを提供できる。本実施形態によれば、このような送受信コイルを用い、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、被検体の入る検査空間を広げ、被検体に開放感を与えるMRI装置、検査空間内に各種機器の設置スペースを確保できるMRI装置を構成することができる。なお、本実施形態の部分筒状コイル51では、隣接する第一導体61の両端をそれぞれ第二導体62で接続している。これは、隣接するループ63に流れる高周波電流91を同位相同振幅とするためであり、隣接する第一導体61の接続手法はこれに限られない。第一導体61の両端部のうち、少なくとも一方の端部が第二導体62により短絡されていればよい。例えば、図12aに示すように、隣接する第一導体61の一方の端部であって同一方向の端部のみを第二導体62で接続してもよい。また、図12bに示すように、メアンダ線状に、隣接する第一導体61の一方の端部を交互に第二導体62で接続してもよい。また、本実施形態では、RFシールド31および部分筒状導体41の厚さを50μmとしたが、これらの厚みは50μmに限られない。例えば、傾斜磁場を切り替えるときに生じる交流磁場の周波数における円筒状導体の表皮深さ程度でもよく、傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する厚さであればよい。また、RFシールド31および部分筒状導体41は網状の導電性シートでもよく、さらに、表面が絶縁体で覆われた複数の導電性シートを互いの一部を重ねて合わせて敷き詰めたものでもよい。すなわち、RFシールド31および部分筒状導体41は傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する構造であればよい。また、高周波信号分配合成器370の構成内部配線は、上記図5に示すものに限られない。高周波信号分配合成器370の入力信号および出力信号の振幅および位相の関係が、上述の関係を満たす構成であればよい。また、本実施形態では、第一給電点374Aと第三給電点374Cとに印加する高周波信号の位相差、および、第二給電点374Bおよび第四給電点374Dとに印加する高周波信号の位相差は、ともに180度としているが、厳密に180度でなくてもよい。位相差が180度でないことによるRFコイル装置311の照射強度の低下が10以内であれば、180度近傍の所定の角度であってもよい。また、第一の0-180度分配合成回路372と第二の0-180度分配合成回路373とに供給する高周波信号の位相差は、90度としているが、厳密に90度でなくてもよい。90度でないことによるRFコイル装置311の照射強度の低下が10以内であれば、90度近傍の所定の角度であってもよい。また、上記実施形態では、部分筒状コイル51の部分筒状導体41がRFシールド31の内壁に接するように配置され、一体とみなされる場合を例にあげて説明しているが、両者の位置関係はこれに限られない。部分筒状導体41は、RFシールド31の内壁から所定の距離をおいて配置してもよい。また、部分筒状導体41とRFシールド31とは一体、すなわち、部分筒状導体41を備えず、RFシールド31が部分筒状導体41を兼ねる構成であってもよい。ここで、各部分筒状コイル5151A、51B、51C、51Dの部分筒状導体41が、RFシールド31の内壁から所定の距離をおいて配置される例RFコイル装置312と呼ぶ。を図13に示す。ただし、この場合、RFコイル装置312の検査空間を縮小させないため、部分筒状導体41とRFシールド31の内壁との間の距離は、できるだけ短くすることが望ましい。例えば、5mm以下が望ましい。なお、図13はRFコイル装置312を中心軸910の方向から見た図であり、給電点374は省略する。また、RFコイル装置312は、部分筒状コイル51の部分筒状導体41がRFシールド31の内壁から離れている点のみ図3に示すRFコイル装置311と異なり、他の構成は同じである。RFコイル装置312において、部分筒状コイル51に流れる高周波電流91は、部分筒状導体41上を流れているため、部分筒状導体41がRFシールド31から離れていても高周波電流91の分布は変化することはない。また、部分筒状コイル51により発生する高周波磁場の分布は、部分筒状導体41がRFシールド31の内壁から離れている領域の近傍のみ異なり、部分筒状コイル51内部および被検体10が配される内部空間では同じとなる。従って、RFコイル装置312を備えるRFコイルユニットは、RFコイル装置311を備えるRFコイルユニット301同様、QD照射を実現する。すなわち、RFコイル装置312によれば、RFコイル装置311と同様の効果を得ることができる。さらに、RFコイル装置312では、図13に示すように、部分筒状コイル51がRFシールド31から距離をおいて配置される。このため、RFシールド31の寸法に誤差が生じた場合でも、所望の位置に部分筒状コイル51を配置することができ、コイルの位置精度が向上する。また、RFシールド31を傾斜磁場コイル210と一体化する場合、部分筒状コイル51をRFシールド31と分離することで、傾斜磁場コイル210の振動が部分筒状コイル51に直接伝わるのを防ぐことができる。これにより、部分筒状コイル51が備えるキャパシタを固定する半田の劣化を防止でき、コイルの安定性が向上する。以上説明したように、本実施形態の変形例であるRFコイル装置312によれば、トンネル型MRI装置において、バードケージ型コイルに比して、照射効率および所望の撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなく、かつ、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、広い検査空間を確保可能な送受信コイルを提供できる。さらに、送受信コイルの位置精度および安定性が向上する。<<第二の実施形態>>次に、本発明を適用する第二の実施形態について説明する。本実施形態のMRI装置は基本的に第一の実施形態と同様である。ただし、RFコイル装置が備えるRFシールドと第一RFコイルおよび第二RFコイルとの形状が異なる。以下、第一の実施形態と異なる構成に主眼をおいて本実施形態を説明する。なお、本実施形態においても、水平磁場方式のマグネット110が発生する静磁場920の向きを座標系900のz軸方向とする。図14は、本実施形態のRFコイル装置313の構成を説明するための図である。このRFコイル装置313は、図2の送受信コイル310として用いる。図14aは、RFコイル装置313を中心軸910の方向から見た図であり、図14bは、RFコイル装置313の第一RFコイル12および第二RFコイル22を構成する部分楕円筒状コイル52を斜め横から見た図である。本実施形態のRFコイル装置313は、第一RFコイル12と、第二RFコイル22と、RFシールド32とを備える。本実施形態のRFシールド32は、被検体10が入ることが可能な大きさの楕円筒形状の導体で構成される。断面の楕円は、座標系900のx軸方向に長軸を持つ。第一RFコイル12は、RFシールド32の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分楕円状コイル5252Aおよび52Cを備える。また、第二RFコイル22は、RFシールド32の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分楕円状コイル5252Bおよび52Dを備える。第一RFコイル12と第二RFコイル22とは、中心軸910を含む面に対し、面対称に配置される。このとき、部分楕円筒状コイル52Aと52Bとの間および部分楕円筒状コイル52Cと52Dとの間には、それぞれ、周方向の長さがG3の第一間隙83が設けられ、また、部分楕円筒状コイル52Aと52Dとの間および部分楕円筒状コイル52Bと52Cとの間には、それぞれ、周方向の長さがG4の第二間隙84が設けられる。なお、本実施形態では、第一間隙83の周方向長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じないように決定される。決定方法については後述する。部分楕円筒状コイル52は、図14bに示すように、部分楕円筒状導体42と、中心軸910に実質的に平行な複数の第一導体61と、第一導体61の両端をそれぞれ部分楕円筒状導体42に接続する複数の第一キャパシタ71と、第一導体61の両端を、隣接する第一導体61の端部に接続する複数の第二導体62とを備える。図14bでは、第一導体61は5本、第一キャパシタ71は10個、第二導体62は10本である場合を例示するが、本数、個数はこれに限られない。部分楕円筒状導体42は、RFシールド32の内側の面内壁に接するように配置される。ここで、第一の実施形態のRFコイル装置311およびRFコイル装置312では、RFシールド31部分筒状導体41と、部分筒状コイル51の第一導体61および第二導体62との距離は一定である。しかし、本実施形態のRFコイル装置313では、各第一導体61は、RFシールド32部分楕円筒状導体42の中心軸から長軸方向に向かうにつれて、RFシールド32の内壁との距離が小さくなるよう配置される。すなわち、本実施形態では、部分楕円筒状コイル52の第一導体61および第二導体62と、RFシールド32部分楕円筒状導体42との距離は、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて狭まるよう配置される。ただし、第一導体61は、周方向には、第一の実施形態同様、等間隔に配置される。このとき、第一RFコイル12を構成する部分楕円筒状コイル52Aおよび52C、および第二RFコイル22を構成する部分楕円筒状コイル52Bおよび52Dは、それぞれ中心軸910に対して180度の回転対称となる形状を有する。図14aに示すように、本実施形態のRFコイル装置313は、RFシールド32の短軸y軸方向の径が第一の実施形態のRFシールド31のy軸方向の直径と同じ長さであれば、x軸方向の径がRFシールド31の径より長くなる。このため、RFコイル装置311に比べ、被検体10とRFシールド32との間の空間88が拡大する。なお、本実施形態では、RFコイル装置313の部分楕円筒状コイル52に配置される複数の第一キャパシタ71の値は、配置される位置ごとに調整される。調整方法を以下に示す。部分楕円筒状コイル52の第二導体62を取り除いた状態で、第一導体61と2つの第一キャパシタ71と部分楕円筒状導体42とで構成される複数のループ図14では、5つをそれぞれループ63とする。まず、ループ63ごとに、ループ63が単体で動作する時の共振周波数が同一の周波数となるように、第一キャパシタ71の値をそれぞれ調整する。次に、第二導体62を接続し、調整した各ループ63の第一キャパシタ71の値の比を維持しながら、RFコイル装置313で用いる磁気共鳴周波数に一致するよう、各第一キャパシタ71の値を調整する。本実施形態では、部分楕円筒状コイル52は、第一導体61と部分楕円筒状導体42との距離が、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて狭くなるよう配置される。第一導体61と部分楕円筒状導体42との距離が近くなるにつれて、第一導体61のインダクタンスの値が低下するため、本実施形態では、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて、第一導体61のインダクタンスの値が低下する。従って、各ループ63の共振周波数が一致するように第一キャパシタ71の値を調整すると、第一キャパシタ71の値は、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる傾向を示す。なお、本実施形態のRFコイル装置313の、各給電点の配置、高周波信号分配合成器370および送受信切換器320を介した送信器330および受信器340との接続は、図5に示す第一の実施形態の接続態様と同様である。すなわち、図14では省略しているが、部分楕円筒状コイル52Aは第一給電点を、同52Bは第二給電点を、同52Cは、第三給電点を、同52Dは、第四給電点を備え、それぞれ高周波信号の供給を受けるとともに、発生する高周波磁場を検出する。各給電点は、第一の実施形態同様、第一キャパシタ71を挟む位置に配置される。次に、以上のように調整されたRFコイル装置313が、高周波磁場を被検体10に照射するとともに前記被検体10から発生する核磁気共鳴信号を検出して検出信号として出力することを説明する。上述のように、RFコイル装置313と送信器330との接続関係は、第一の実施形態と同様である。従って、送信器330から印加された高周波信号は高周波信号分配合成器370で4つに分配され、RFコイル装置313の第一給電点、第二給電点、第三給電点、および第四給電点にそれぞれ印加される。このとき、第一給電点と第三給電点とにそれぞれ印加される信号の位相差と、第二給電点と第四給電点とにそれぞれ印加される信号の位相差はともに180度となり、第一給電点と第二給電点とにそれぞれ印加される信号の位相差は90度となる。各給電点に高周波信号が印加されたときに部分楕円筒状コイル52の複数の第一導体61に流れる高周波電流の位相は、第一の実施形態と同様に同位相である。しかし、高周波電流の振幅は中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる傾向を示す。これは、第一キャパシタ71の値が、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなるとともに、第二導体62によって隣接する第一導体の端部が短絡されることで、短絡されている第一導体の端部の電位が一定に保たれるためである。互いの位相差が180度となる高周波信号が第一給電点と第三給電点とにそれぞれ印加されたときの、部分楕円筒状コイル52Aと52Cとの動作を、図15を用いて説明する。なお、説明を容易にするため、図15aでは、部分楕円筒状コイル52B、52C、52Dを、図15bでは、同52A、52B、52Dを、図15cでは、第二RFコイル22を、それぞれ省略する。高周波信号が第一給電点に印加されたとき、部分楕円筒状コイル52Aの複数の第一導体61に、同じ位相で、振幅が中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる高周波電流95Aが、図15aの紙面に垂直に手前に向かって流れるとすると、RFシールド32の中心における高周波磁場96Aは、座標系900のx軸に対して角度θ1をなす向きに発生する。また、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cとに印加される高周波信号の位相差が180度であるため、部分楕円筒状コイル52Cに流れる高周波電流95Cは、図15bの紙面に垂直に奥に向かって、同じ位相で、振幅が中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる。このとき高周波電流95Cによって発生する高周波磁場96Cは、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cとの形状が中心軸910に対して180度の回転対称の関係にあることから、高周波磁場96Aと同じ向きとなる。従って、図15cに示すように、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cとで構成される第一RFコイル12は、座標系900のx軸に対して角度θ1をなす高周波磁場96Eを発生する。また、部分楕円筒状コイル52Bと部分楕円筒状コイル52Dとで構成される第二RFコイル22により発生する高周波磁場96Fは、第二RFコイル22が、第一RFコイル12に対して中心軸910を含むyz平面を鏡像面とする鏡像対称の位置にあることから、図16に示すように、座標系900のx軸に対して角度θ2=180°―θ1をなす。高周波磁場96Eと高周波磁場96Fとがなす角度θdはθd=|θ2―θ1|となる。角度θdは、部分楕円筒状コイル52の複数の第一導体61の配置や第一間隙83の周方向の長さG3および第二間隙84の周方向の長さG4によって決まり、0度から180度の間の値を示す。このとき、第一0-180度分配合成回路372と第二0-180度分配合成回路373とに印加される高周波信号の位相差は90度であることから、高周波磁場96Eと高周波磁場96Fとの位相差は90度となり、高周波磁場96Eと高周波磁場96Fとの合成磁場は、座標系900のz方向から見てxy面内を回転する楕円偏波磁場となる。なお、θdが90度のとき、円偏波磁場となる。従って、RFコイル装置313は、RFシールド32の内部に、楕円偏波磁場円偏波磁場を含むを照射する。図17に、第一RFコイル12から照射される高周波磁場96Eの1Wあたりの円偏波磁場強度B1と、高周波磁場96Eと高周波磁場96Fとの合成磁場による1Wあたりの円偏波磁場強度B12との比B12/B1と、角度θdの関係を示す。本図に示すように、合成磁場による1Wあたりの円偏波磁場強度B12は、角度θdのすべての範囲で1以上を示し、θd=90度で最大√2を示す。照射した高周波磁場により、核磁気共鳴信号が、座標系900のz方向からみてxy面内を回転する磁場となって被検体10から放射される。RFコイル装置313は、相反定理に従い、高周波磁場を照射する場合と同様に、xy面内を回転する磁場を検出する。以上説明したように、RFコイル装置313と高周波信号分配合成器370とを備えるRFコイルユニットは、高周波磁場を被検体10に照射するとともに前記被検体10から発生する核磁気共鳴信号を検出して検出信号として出力する送受信コイルとして動作する。次に、本実施形態の第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4の決定方法を、図18を用いて説明する。これらの長さは、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じないよう決定される。部分楕円筒状コイル52Aの複数の第一導体61に、同じ位相で、振幅が中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる高周波電流95Aが、図18aの紙面に垂直に手前に向かって流れるとき、高周波電流95Aにより生じる第一磁束97は、部分楕円筒状コイル52Bのループ63に対して、RFシールド32の内壁に沿って、部分楕円筒状コイル52Cから部分楕円筒状コイル52Aに向かって鎖交する。このため、部分楕円筒状コイル52Bの第一導体61上に、図18aの紙面に垂直に奥に向かって第一誘導電流IAが流れる。一方、部分楕円筒状コイル52Cに流れる高周波電流95Cは、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cとに印加される高周波信号の位相差が180度である。このため、図18bに示すように、高周波電流95Cにより生じる第二磁束98は、部分楕円筒状コイル52Bのループ63に対して、RFシールド32の内壁に沿って、部分楕円筒状コイル52Aから部分楕円筒状コイル52Cに向かって鎖交する。その結果、部分楕円筒状コイル52Bの第一導体61上に、図18aの紙面に垂直に手前に向かって第二誘導電流ICが流れる。このとき、第一誘導電流と第二誘導電流の大きさは、第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4に依存する。ここで、部分楕円筒状コイル52A~52DをRFシールド32の内壁に沿って移動させることを考える。まず、他の部分楕円筒状コイル52A、52Cを固定し、部分楕円筒状コイル52Bを部分楕円筒状コイル52Aの方に移動させる。このとき、部分楕円筒状コイル52Bが部分楕円筒状コイル52Aに近づくにつれて、第一誘導電流IAの値が増加するとともに、部分楕円筒状コイル52Bは部分楕円筒状コイル52Cから離れるため、第二誘導電流ICは減少する。なお、部分楕円筒状コイル52Dは、部分楕円筒状コイル52Bの移動に伴い、部分楕円筒状コイル52Bおよび52Dが、中心軸910に対して180度の回転対称となる位置に移動させる。反対に、部分楕円筒状コイル52Bを部分楕円筒状コイル52Cの方に移動させる。部分楕円筒状コイル52Bが部分楕円筒状コイル52Cに近づくにつれて、第二誘導電流ICの値が増加するとともに、部分楕円筒状コイル52Bは部分楕円筒状コイル52Aから離れるため、第一誘導電流IAは減少する。よって、第一誘導電流IAの絶対値および第二誘導電流ICの絶対値と第二間隙84の周方向の長さG4の関係は、図18cのように表わすことができる。図18cにおいて、縦軸は誘導電流の絶対値|I|、横軸は、第二間隙84の周方向の長さG4である。本図に示すように、第二間隙84の周方向の長さG4bにおいて、第一誘導電流IAの絶対値と第二誘導電流ICの絶対値との大きさが等しくなる。このとき、第一誘導電流IAと第二誘導電流ICとの向きは反対であるため、部分楕円筒状コイル52Bには、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cによる誘導電流が流れない。すなわち、第二間隙84の周方向の長さをG4bとすると、磁気結合が生じない状態を実現できる。これにより、第二間隙84の周方向の長さG4がG4bに決定される。これに伴い、第一間隙83の周方向の長さG3も決定される。本実施形態では、このように、第一誘導電流IAの絶対値と第二誘導電流ICの絶対値との大きさが等しくなる位置を探索し、第二の間隙84の周方向の長さG4bおよび第一間隙83の周方向の長さG3を決定する。従って、第二間隙84の周方向の長さG4をG4bに決定するにあたり、部分楕円筒状コイル52Bに誘導電流が流れていないことを確かめる必要がある。これは、例えば、ネットワークアナライザを用いて確かめることができる。すなわち、ネットワークアナライザの第一ポートを第一0-180分配合成回路372を介して部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Cとに接続し、ネットワークアナライザの第二ポートを部分楕円筒状コイル52Bに接続し、第一ポートと第二ポートとの通過特性S12から判断する。また、電磁界シミュレーションによって確かめることができる。以上、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じないように第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4を決定する方法を説明した。次に、本実施形態のRFコイル装置313の検査空間の拡大の度合いと照射強度および照射分布の均一度について、従来から用いられているバードケージコイルと比較した結果を示す。両コイルの照射分布は、電磁界シミュレーションにより求めた。比較に用いたRFコイル装置313の仕様は以下の通りである。楕円筒状のRFシールド32の長軸方向の直径は700mm、短軸方向の直径は635mm、長さは1000mmとし、部分楕円筒状コイル52の第一導体61の寸法は、幅40mm、長さ540mmで、その個数は5個とし、部分楕円筒状コイル52の第二導体62の寸法は幅45mm、長さ36mmで、その個数は10個とした。第一導体61および第二導体62は、RFシールド32の中心軸910を共有する長軸方向の直径680mm、短軸方向の直径575mmの楕円筒面上に沿って配置する。また、第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4は、それぞれ184mm、152mmとした。各第一キャパシタ71の値は、RFコイル装置313の共振周波数が64MHzとなるよう調整した。また、比較に用いるバードケージコイルは、RFシールド32と同寸法の楕円筒状のRFシールドを用い、第一導体61と第二導体62とが配置される楕円筒面と同寸法の楕円筒面上に沿って幅40mmのコイルエレメントが配置される、長さ540mmのハイパス型16ラング楕円バードケージコイルとした。このバードケージコイルも、共振周波数が64MHzとなるようキャパシタの値を調整した。RFコイル装置313においては、本実施形態で説明した手法によるQD照射を行い、楕円バードケージコイルでは、通常のQD方式による照射を行った。また、第一の実施形態の比較例同様、人体の腹部を模擬した直径300mm長さ500mmの円柱ファントムを、円柱ファントムの中心と中心軸とがそれぞれRFシールド32の中心と中心軸910とを共有する位置に配置し、照射強度の計算を行った。このときのファントムの導電率は0.6[S/m]、比誘電率は45とした。また照射分布の均一性は、コイルに円柱ファントムを挿入しない状態無負荷で評価した。RFコイル装置313では、RFシールド32の中心原点とするを通り中心軸910に垂直な平面上において、原点を中心とした半径150mmの領域における1Wあたりの照射強度の平均は、0.272[A/m/√W]、同一領域における照射分布の均一度は5.3であった。一方、楕円バードケージコイルでは、同一領域における1Wあたりの照射強度の平均は、0.309[A/m/√W]であり、照射分布の均一度は5.0であった。なお、照射分布の均一度は、設定した領域内の照射強度の、最大値と最小値との和に対する最大値と最小値との差の比率を百分率で表したものである。本実施形態のRFコイル装置313の照射強度は、QD照射を行った楕円バードケージコイルの88であった。12の差は送信器330の増幅器の電力容量の余裕度の範囲内で吸収可能であり、本実施形態のRFコイル装置313は従来の楕円バードケージコイルとほぼ同等の照射強度を持つことが示された。また、均一度についても、RFコイル装置313と楕円バードケージコイルの差は1以下と非常に小さく、本実施形態のRFコイル装置313は、楕円バードケージコイルと同等の均一な照射分布を持つことが示された。一方、検査空間については、RFコイル装置313を用いる場合、楕円バードケージコイルの場合に比べて、座標系900のx軸方向およびy軸方向に空間が拡大する。具体的には、RFシールド32の中心を座標系900の原点とするとき、y方向に±76mm以内の領域でx軸方向の空間88図14参照が20mm拡大し、x方向に±92mm以内の領域でy軸方向の空間88図14参照が66mm拡大する。従って、送受信コイル310として、楕円バードケージコイルの代わりに本実施形態のRFコイル装置313を用いることで、同程度の照射強度、照射分布の均一度を維持しながら検査空間を広げることができる。以上説明したように、本実施形態によれば、照射効率および所望の撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなく、被検体10の入る検査空間を広げた送受信コイル310を提供できる。このとき、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくする必要もない。また、本実施形態によれば、RFシールドおよびRFコイルが楕円筒形状であるため、一方向の検査空間をさらに拡大することができる。従って、本実施形態によれば、被検体に開放感を与えるMRI装置や、検査空間内に各種機器の設置スペースを確保できるMRI装置を構成することができる。なお、本実施形態では、第一導体61および第二導体62と、部分楕円筒状導体42との距離が、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうに連れて狭くなるようこれらの各構成を配置する場合を例にあげて説明しているが、これらの配置はこれに限られない。第一の実施形態同様、第一導体61および第二導体62と部分楕円筒状導体42との距離は一定としてもよい。すなわち、第一導体61および第二導体62を構成するそれぞれの導体の、RFシールド32の内壁からの距離が等しくなるよう配置されてもよい。また、第一導体61および第二導体62を構成するそれぞれの導体は、RFシールド32部分楕円筒状導体42の中心軸から長軸方向に向かうにつれて、RFシールド32の内壁との距離が大きくなるよう配置されてもよい。すなわち、第一導体61および第二導体62と、部分楕円筒状導体42との距離が、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうに連れて広くなるようにしてもよい。また、任意の2つの第一導体61の間で、部分楕円筒状導体42との距離が異なっていてもよい。また、本実施形態では、第一導体61は、周方向に等間隔に配置したが、等間隔でなくともよく、照射分布が均一となるように配置されればよい。また、RFシールド32および部分楕円筒状コイル52の部分楕円筒状導体42は、第一の実施形態同様、円筒形状としてもよい。この場合も、部分楕円筒状コイル52の第一導体61および第二導体62と部分楕円筒状導体42との距離は、中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて狭まるように配置する。また、第一の実施形態同様、RFシールド32および部分楕円筒状導体42を一体に構成してもよい。さらに、RFシールド32および部分楕円筒状導体42との間に空間を設けて配置するよう構成してもよい。また、本実施形態においても、第一の実施形態同様、隣接する第一導体61の両端部は、少なくとも一方の端部が第二導体62により短絡されていればよい。また、RFシールド32および部分楕円筒状導体42は、傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する厚さおよび構造であればよい。また、高周波信号分配合成器370の構成内部配線は、上記図5に示すものに限られない。高周波信号分配合成器370の入力信号および出力信号の振幅および位相の関係が、上述の関係を満たす構成であればよい。各給電点に印加される高周波信号の位相差、第一の0-180度分配合成回路372と第二の0-180度分配合成回路373とに供給する高周波信号の位相差も第一の実施形態と同様、所定の範囲で幅を持たせることが可能である。<<第三の実施形態>>次に、本発明を適用する第三の実施形態について説明する。本実施形態のMRI装置は基本的に第二の実施形態と同様である。しかし、本実施形態のMRI装置の送受信コイル310として用いるRFコイル装置314は、第二の実施形態のRFコイル装置313に加えて、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間の磁気結合を調整する磁気結合調整部を備える。以下、第二の実施形態と異なる構成に主眼をおいて本実施形態を説明する。なお、本実施形態においても、水平磁場方式のマグネット110が発生する静磁場920の向きは、座標系900のz軸方向とする。図19は、本実施形態のRFコイル装置314の構成を説明するための図である。このRFコイル装置314は、図2の送受信コイル310として用いる。図19aは、RFコイル装置314を中心軸910の方向から見た図であり、図19bは、部分楕円筒状コイル52Cおよび52Dを中心軸910を通り座標系900のxz平面に平行な平面911から見た図である。上述のように、本実施形態のRFコイル装置314は、第二の実施形態のRFコイル装置313と基本的に同様の構成を有する。本実施形態のRFコイル装置314は、さらに、磁気結合調整部を備える。磁気結合調整部は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間の磁気結合を防止するための構成で、本実施形態では、磁気結合調整部として第二キャパシタ72が挿入された導体ループ64を備える。導体ループ64は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間の複数の間隙の中の、中心軸910に対し軸対称の位置にある一対の間隙内に配置される。すなわち、導体ループ64は、部分楕円筒状コイル52Aと部分楕円筒状コイル52Bとの間、および部分楕円筒状コイル52Cと部分楕円筒状コイル52Dとの間に、それぞれ配置される。このとき、導体ループ64は、そのループ面が中心軸910を含むyz平面に対して垂直となるよう配置される。また、第二キャパシタ72の値は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じないよう調整される。なお、本実施形態のRFコイル装置314の、各給電点の配置、高周波信号分配合成器370および送受信切換器320を介した送信器330および受信器340との接続は、図5に示す第一の実施形態の接続態様と同様である。すなわち、図19では省略しているが、部分楕円筒状コイル52Aは第一給電点を、同52Bは第二給電点を、同52Cは、第三給電点を、同52Dは、第四給電点を備え、それぞれ高周波信号の供給を受けるとともに、発生する高周波磁場を検出する。各給電点は、第一の実施形態同様、第一キャパシタ71を挟む位置に配置される。第二の実施形態では、第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じない特定の長さに固定される。しかし、本実施形態では、磁気結合調整部により、これらの間隙の周方向の長さを自由に設定できる。以下、本実施形態の磁気結合調整部導体ループ64により、第一間隙83の周方向の長さG3と第二間隙84の周方向の長さG4を調整可能なことを説明する。第二キャパシタ72が挿入された導体ループ64は、共振周波数fdを持つ共振回路である。共振周波数fdがRFコイル装置314の動作周波数より低くなるよう第二キャパシタ72の値が調整されると、導体ループ64は、RFコイル装置314の動作周波数において、誘導性リアクタンスとして動作する。このとき、部分楕円筒状コイル52Aの複数の第一導体61に、同じ位相で、振幅が中心軸910からx軸方向に沿って外側に向かうにつれて大きくなる高周波電流95Aが、紙面に垂直に手前に向かって流れると、図18aに示すように、高周波電流95Aにより生じる第一磁束97は、導体ループ64のループ面をRFシールド32に向かって貫く方向に鎖交する。その結果、第一磁束97を打ち消すように導体ループ64に誘導電流が流れる。この誘導電流による磁束は、部分楕円筒状コイル52Bのループ63に対して、RFシールド32の内壁に沿って、部分楕円筒状コイル52Cから部分楕円筒状コイル52Aに向かって鎖交する。よって、導体ループ64により、ループ63に鎖交する第一磁束97が実質的に増加し、部分楕円筒状コイル52B上を流れる第一誘導電流IAが増加する。第一誘導電流IAの絶対値および第二誘導電流ICの絶対値と第二間隙84の周方向の長さG4との関係を、図20aに実線で示す。図20aにおいて、縦軸は誘導電流の絶対値|I|、横軸は、第二間隙84の周方向の長さG4である。ここでは、導体ループ64がない場合の、第一誘導電流IAの絶対値と第二間隙84の周方向の長さG4との関係を点線で示す。このように、導体ループ64が追加されると、同じ第二間隙84の周方向の長さG4に対する第一誘導電流IAの絶対値は増加する。従って、第一誘導電流IAの絶対値と第二誘導電流ICの絶対値とが同じになる第二間隙84の周方向の長さG4、すなわち、第一誘導電流IAと第二誘導電流ICとが打ち消しあう場合の第二間隙84の周方向の長さG4は、導体ループ64がない場合の長さG4bからG’4bへと短くなる。第一誘導電流IAの絶対値の増加量は、第二キャパシタ72の値により変化させることができる。このため、第二キャパシタ72の値を変えることで、第二間隙84の周方向の長さG4を短くする方に調整することができる。同様に第一間隙83の周方向の長さG3を決めることができる。一方、共振周波数fdがRFコイル装置314の動作周波数より高くなるよう、第二キャパシタ72の値が調整されると、導体ループ64は、RFコイル装置314の動作周波数において、容量性リアクタンスとして動作する。このとき、高周波電流95Aにより生じる第一磁束97が、導体ループ64のループ面をRFシールド32に向かって貫く方向に鎖交すると、導体ループ64に鎖交する第一磁束97と同じ向きの磁束を生じるように導体ループ64に誘導電流が流れる。この誘導電流による磁束は、部分楕円筒状コイル52Bのループ63に対して、RFシールド32の内壁に沿って、部分楕円筒状コイル52Aから部分楕円筒状コイル52Cに向かって鎖交する。よって、導体ループ64により、ループ63に鎖交する第一磁束97が減少し、部分楕円筒状コイル52B上を流れる第一誘導電流IAが実質的に減少する。第一誘導電流IAの絶対値および第二誘導電流ICの絶対値と第二間隙84の周方向の長さG4との関係を、図20bに実線で示す。図20bにおいて、縦軸は誘導電流の絶対値|I|、横軸は、第二間隙84の周方向の長さG4である。ここでは、導体ループ64がない場合の、第一誘導電流IAの絶対値と第二間隙84の周方向の長さG4との関係を点線で示す。このように、導体ループ64が追加されると、同じ第二間隙84の周方向の長さG4に対する第一誘導電流IAの絶対値は、減少する。従って、第一誘導電流IAの絶対値と第二誘導電流ICの絶対値とが同じになる第二間隙84の周方向の長さG4、すなわち、第一誘導電流IAと第二誘導電流ICとが打ち消しあう場合の第二間隙84の周方向の長さG4は、導体ループ64がない場合の長さG4bからG’’4bへと長くなる。第一誘導電流IAの絶対値の減少量は、第二キャパシタ72の値により変化させることができるため、第二キャパシタ72の値を変えることで、第二間隙84の周方向の長さG4を長いほうに調整することができる。同様に、第一間隙83の周方向の長さG3を決めることができる。以上説明したように、導体ループ64を配置し、第二キャパシタ72の値を調節することで、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に磁気結合を生じさせることなく、第一間隙83の周方向の長さG3および第二間隙84の周方向の長さG4を自由に決定することができる。なお、本実施形態のRFコイル装置314は、第一間隙83の周方向の長さG3および第二間隙84の周方向の長さG4の設定に自由度を有する構成以外は、第二の実施形態のRFコイル装置313と同様の構成で、同様の動作を行う。従って、第二の実施形態同様、送受信コイル310として動作する。以上説明したように、本実施形態によれば、第二の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態によれば、導体ループ64に挿入した第二キャパシタ72の値を調節することで、磁気結合を発生させることなく、第一間隙83の周方向の長さG3および第二間隙84の周方向の長さG4を自由に設定することができ、設計自由度が拡大する。なお、本実施形態では導体ループ64をそのループ面が中心軸910を含むyz平面に対して垂直となるよう配置したが、導体ループ64の配置はこれに限らない。第二キャパシタ72の値を調節することで第一誘導電流IAと第二誘導電流ICとが打ち消しあうことが可能な程度の大きさの磁気結合を、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に生じさせる配置であればよい。また、本実施形態では磁気結合調整部として第二キャパシタ72が挿入された導体ループ64を用いたが、これに限られない。部分楕円筒状コイル52間の磁気結合量を調整可能なものであれば、構成、形状は問わない。ここで、他の磁気結合調整部を備えるRFコイル装置315を図21に示す。図21aは、RFコイル装置315を中心軸910の方向から見た図であり、図21bは、RFコイル装置315を、中心軸910を通り座標系900のxz平面に平行な平面911から、部分楕円筒状コイル52Cおよび52Dの方を見た図である。RFコイル装置315では、磁気結合調整部として、第三キャパシタ73と調整用インダクタ74とが直列接続された磁気結合調整用回路を備える。磁気結合調整用回路は、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間の複数の間隙の中の、中心軸910に対し軸対称の位置にある一対の間隙内に配置される。すなわち、ここでは、磁気結合調整用回路は、部分楕円筒状コイル52Aと52Bとの間、および、部分楕円筒状コイル52Cと52Dとの間に、それぞれ複数配置される。ここで、部分楕円筒状コイル52Cと52Dとの間には、第三キャパシタ73Cと調整用インダクタ74Cとを備える磁気結合調整用回路と、第三キャパシタ73Dと調整用インダクタ74Dとを備える磁気結合調整用回路と、が配置されるものとする。このとき、第三キャパシタ73Cの他端は部分楕円筒状コイル52Cの第一導体61に接続され、調整用インダクタ74Cの他端は部分楕円筒状コイル52Cの部分楕円筒状導体42に接続される。また、第三キャパシタ73Dの他端は部分楕円筒状コイル52Dの第一導体61に接続され、調整用インダクタ74Dの他端は部分楕円筒状コイル52Dの部分楕円筒状導体42に接続される。なお、調整用インダクタ74Cと調整用インダクタ74Dとは、調整用インダクタ74Cと調整用インダクタ74Dとの間に磁気結合が生じるように配置される。すなわち、調整用インダクタ74Cと調整用インダクタ74Dとは、両者が近接し、かつ、両者が生成する磁界の向きが直角とならないよう配置される。また、調整用インダクタ74Cおよび74Dの相互インダクタンスの値と第三キャパシタ73の値とは、第一RFコイル21と第二RFコイル22との間に磁気結合が生じないよう調整される。また、部分楕円筒状コイル52Aと52Bとの間に配置される磁気結合調整用回路は、それぞれ、第三キャパシタ73A、73Bおよび調整用インダクタ74A、74Bを備え、その構成および接続態様は、部分楕円筒状コイル52Cと52Dとの間に配置される磁気結合調整用回路と同様である。この磁気結合調整用回路では、調整用インダクタ74の相互インダクタンスの値と第三キャパシタ73の値とを変化させることで、第一RFコイル12と第二RFコイル22との間に生じる磁気結合の大きさを変化させることができる。このため、第二キャパシタ72が挿入された導体ループ64の場合と同様に、第一間隙83の周方向の長さG3および第二間隙84の周方向の長さG4を自由に設定できる。なお、本実施形態においても、第二の実施形態同様の各種の変形が可能である。また、本実施形態では、楕円筒形状を有する第二の実施形態のRFコイル装置313が磁気結合調整部を備える場合を例にあげて説明したが、第一の実施形態のRFコイル装置311、312のように円筒形状のRFコイル装置が本実施形態の磁気結合調整部を備えてもよい。第一の実施形態では、第一間隙81の周方向の長さG1および第二間隙82の周方向の長さG2を等しくし、磁気結合を防止しているが、この場合、その制約無しに磁気結合を防止できる。すなわち、磁気結合調整部の第二キャパシタ72の値を調整することで、第一間隙81の周方向の長さG1および第二間隙82の周方向の長さG2を自由に設定することができる。<<第四の実施形態>>次に、本発明を適用する第四の実施形態について説明する。本実施形態のMRI装置は、基本的に第一の実施形態と同様である。ただし、本実施形態のMRI装置では、送信用RFコイルと受信用RFコイルとが別個に設けられる。以下、第一の実施形態と異なる構成を中心に説明する。なお、本実施形態においても、水平磁場方式のマグネット110が発生する静磁場920の向きは座標系900のz軸方向とする。図22は、本実施形態のMRI装置101の概略構成を示すブロック図である。本実施形態のMRI装置101は、基本的に第一の実施形態のMRI装置100と同様の構成を有する。ただし、高周波磁場を照射する送信用RFコイルと核磁気共鳴信号を受信する受信用RFコイルとを、独立に備える。すなわち、送受信コイル310の代わりに送信用RFコイル350と受信用RFコイル360とを備える。本実施形態では、送信用RFコイル350は高周波信号分配合成器370を介して送信器330に接続され、受信用RFコイル360は受信器340に接続される。なお、送受信切換器320は備えない。また、本実施形態のMRI装置101は、送信用RFコイル350および受信用RFコイル360間の動作/非動作を切り換え、両コイル間の磁気結合を防止するデチューニング回路駆動装置380をさらに備える。デチューニング回路駆動装置380は、送信用RFコイル350および受信用RFコイル360に接続され、両コイルにデチューニング信号を送信し、両コイルの動作/非動作を切り替える。本実施形態では、デチューニング信号送信中は、送信用RFコイル350を動作させ、受信用RFコイル360を非動作状態とし、デチューニング信号非送信中は、送信用RFコイル350を非動作状態とし、受信用RFコイル360を動作させる。なお、デチューニング信号は、予め定められたプログラムに従って計算機510により制御されるシーケンサ410からの指示に従って出力される。次に、本実施形態の送信用RFコイル350について説明する。本実施形態の送信用RFコイル350は、デチューニング信号により動作/非動作を切り替える構成を備える。図23に、本実施形態の送信用RFコイル350に用いるRFコイル装置316を示す。図23aは、RFコイル装置316を後述のRFシールド31の中心軸910の方向から見た図であり、図23bは、RFコイル装置316の構成要素である部分筒状コイル53を斜め横から見た図である。RFコイル装置316は、図3に示すRFコイル装置311と略同様の構成を有する。すなわち、第一RFコイル13と、第二RFコイル23と、RFシールド31と、を備える。図23aに示すように、RFシールド31は、被検体10が入ることが可能な大きさの円筒状導体にて構成される。第一RFコイル13と第二RFコイル23との配置は、第一の実施形態の第一RFコイル11と第二RFコイル21との配置と同様である。また、第一RFコイル13は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5353Aおよび53Cを備える。また、第二RFコイル23は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5353Bおよび53Dを備える。部分筒状コイル53は、図23bに示すように、部分筒状導体41と、中心軸910に実質的に平行な複数の第一導体61と、第一導体61の両端をそれぞれ部分筒状導体41に接続する複数の第一キャパシタ71と、第一導体61の両端を、隣接する第一導体61の端部に接続する複数の第二導体62とを備える。図23bでは、第一導体61は5本、第一キャパシタ71は10個、第二導体62は10本である場合を例示するが、本数、個数はこれに限られない。さらに、各部分筒状コイル5353A、53B、53C、53Dは、その第一導体61上にそれぞれデチューニング回路381を備える。なお、本実施形態においても、部分筒状導体41は、RFシールド31の内側の面内壁に接するように配置される。第一導体61は、部分筒状導体41と一定の距離を保ちながら、すなわち、RFシールド31と中心軸910を同一とする仮想の円筒面上に、RFシールド31の周方向に等間隔に配置される。なお、第一の実施形態同様、RFシールド31と部分筒状導体41とを一体に構成してもよい。また、本実施形態のRFコイル装置316の、各給電点の配置、高周波信号分配合成器370との接続は、図5に示す第一の実施形態の接続態様と同様である。すなわち、図23では省略しているが、部分筒状コイル53Aは第一給電点を、同53Bは第二給電点を、同53Cは、第三給電点を、同53Dは、第四給電点を備え、それぞれ、高周波信号分配合成器370から高周波信号の供給を受ける。各給電点は、第一の実施形態同様、第一キャパシタ71を挟む位置に配置される。ただし、本実施形態では、図22に示すように、高周波信号分配合成器370は、送受信切換器320を介さず、送信器330に接続され、送信器330から高周波信号の入力を受ける。デチューニング回路381は、図24aに示すように、PINダイオード382と制御線383とを備える。PINダイオード382は、ダイオードの順方向に流れる直流電流の値が一定値以上で概ね導通状態となる特性を持ち、直流電流によりオン/オフを制御される。また、PINダイオード382の両端には、制御線383が接続される。PINダイオード382は、制御線383および高周波信号を電気的に絶縁するチョークコイル384を介して、デチューニング回路駆動装置380の出力端子に接続される。PINダイオード382のオン/オフは、デチューニング回路駆動装置380からの制御電流385により制御される。デチューニング回路駆動装置380からデチューニング信号が印加されると、制御電流385により全てのPINダイオード382がオン導通状態となり、RFコイル装置316は、図3に示すRFコイル装置311と同様の電気特性を示す。また、デチューニング回路駆動装置380からのデチューニング信号の印加が停止されると、制御電流385の値が0となる。RFコイル装置316では、PINダイオード382がオフになると、第一導体61は概ね開放状態となる。その結果、RFコイル装置316にはほとんど電流が流れない。従って、RFコイル装置316は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振せず、高周波磁場もほとんど発生しない。次に、本実施形態の受信用RFコイル360について説明する。本実施形態では、受信用RFコイル360として、図25に示す表面コイル601を用いる。図25aに示すように、表面コイル601は、ループ導体611と、キャパシタ612と、マッチング用キャパシタ613と、デチューニング回路614と、プリアンプ615と、を備える。キャパシタ612とマッチング用キャパシタ613とデチューニング回路614とはループ導体611に挿入される。また、マッチング用キャパシタ613の両端に配線が設けられ、プリアンプ615に接続される。デチューニング回路614は、図25bに示すように、インダクタ621とPINダイオード622とが直列接続された回路と、その回路に並列に接続されたキャパシタ623とを備える。PINダイオード622は、ダイオードの順方向に流れる直流電流の値が一定値以上で概ね導通状態となる特性を持ち、直流電流によりオン/オフが制御される。また、PINダイオード622の両端は、チョークコイル624を介して、デチューニング回路駆動装置380の出力端子に接続される。キャパシタ612とキャパシタ623とマッチング用キャパシタ613とは、表面コイル601が、本実施形態のMRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振し、マッチング用キャパシタ613の両端から見たコイルのインピーダンスが所定の値となるよう調整される。また、デチューニング回路614は、PINダイオード622がオンの場合に、インダクタ621とキャパシタ623とがMRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振するように調整される。表面コイル601では、デチューニング回路駆動装置380からデチューニング信号が印加されると、制御電流385によりPINダイオード622がオン導通状態となり、デチューニング回路614がインダクタ621とキャパシタ623とで構成される並列共振回路となる。この並列共振回路は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で高インピーダンスとなり、表面コイル601のループ導体611は概ね開放状態となる。その結果、表面コイル601は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振せず、ループ導体611にはほとんど電流が流れない。また、デチューニング回路駆動装置380からのデチューニング信号の印加が停止されると、表面コイル601では、制御電流385の値が0となる。そして、PINダイオード622はオフとなり、デチューニング回路614はキャパシタ623として動作する。その結果、表面コイル601は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振する。次に、デチューニング回路駆動装置380によるデチューニング信号を用いた制御を説明する。送信器330から高周波信号が印加される直前に、デチューニング回路駆動装置380からRFコイル装置316および表面コイル601にデチューニング信号を印加する。すると、RFコイル装置316は、RFコイル装置311同様送信用RFコイル350として動作する。このとき、表面コイル601のループ導体611には、ほとんど電流が流れず、RFコイル装置316と表面コイル601とは、互いに磁気結合が生じない状態となる。従って、上記タイミングで印加されるデチューニング信号により、RFコイル装置316は、磁気結合に起因する共振周波数の移動やコイルのQ値の低下無しに、高周波磁場を被検体10に照射できる。このとき、上述のように、PINダイオード382が全てオンの場合、RFコイル装置316は、RFコイル装置311と同様に動作する。従って、第一の実施形態と同様に、上記信号を受け取った送信用RFコイル350は、QD方式と同様の方法で被検体10に高周波磁場を照射する。また、被検体10から発せられる核磁気共鳴信号受信時は、デチューニング回路駆動装置380からRFコイル装置316および表面コイル601へのデチューニング信号の印加を停止する。すると、RFコイル装置316にはほとんど電流が流れず、高周波磁場が発生しない。また、表面コイル601は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振する。従って、被検体10から発せられる核磁気共鳴信号を受信する際、表面コイル601とRFコイル装置316との磁気結合が無くなり、表面コイル601は、磁気結合による共振周波数の移動やコイルのQ値の低下無しに、核磁気共鳴信号を高感度に受信することができる。なお、表面コイル601で受信した信号は、プリアンプ615で増幅され、受信器340に送られる。以上説明したように、デチューニング回路駆動装置380からのデチューニング信号の出力を制御することにより、図23に示すRFコイル装置316を、QD方式と同様の方法で高周波磁場を照射するコイルとして動作させ、図25に示す表面コイル601を受信用RFコイル360として動作させることができる。上述したように、本実施形態によれば、高周波磁場印加時に表面コイル601受信用RFコイル360を高インピーダンス化し、核磁気共鳴信号の受信時にRFコイル装置316送信用RFコイル350を高インピーダンス化することにより、磁気共鳴周波数で共振する送信用RFコイル350と受信用RFコイル360との磁気結合を防止することができる。そして、RFコイル装置316は、第一の実施形態のRFコイル装置311と同様の照射を行うことができる。従って、本実施形態によれば、送信用RFコイル350と受信用RFコイル360とを別個に備える場合であっても、また、上述のように、送信用RFコイル350の形状と受信用RFコイル360の形状とが異なる場合であっても、第一の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、本実施形態によれば、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、被検体の入る検査空間を広げることができる。このとき、QD方式の照射QD照射を可能とし、かつ、従来の円筒状RFコイルと同程度の照射強度および照射分布の均一性を実現できる。従って、本実施形態によれば、トンネル型MRI装置において、バードケージ型コイルに比して、照射効率および所望の撮影領域における照射分布の均一性を大きく低下させることなく、かつ、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすること無しに、広い検査空間を確保可能な送信コイルを提供できる。さらに、本実施形態によれば、送信用RFコイル350の形状および受信用RFコイル360の形状を独立に選択することが可能となる。例えば、上記実施形態で説明したように、送信用RFコイル350として、被検体10の入る検査空間が広がり、かつ、均一な高周波磁場を照射可能なRFコイル装置316を用い、また、受信用RFコイル360として、被検体10の近くに配置でき、核磁気共鳴信号を高感度に受信することができる表面コイル601を用いることができる。従って、本実施形態によれば、被検体10に開放感を与えるとともに、個々の被検体10に最適化した磁気共鳴画像の撮像が可能となる。なお、RFコイル装置316の形状は上記態様に限られない。デチューニング回路381が配置でき、受信用RFコイル360と干渉しないように制御可能なコイルであればよい。例えば、第一の実施形態の変形例であるRFコイル装置312と同様の構成であってもよい。また、第二の実施形態およびその変形例のRFコイル装置313、314、315と同様の構成であってもよい。さらに、それらの変形例のRFコイル装置であってもよい。また、受信用RFコイル360の形状も上記態様に限られない。デチューニング回路614が配置され、送信用RFコイル350と干渉しないように制御されるコイルであればよい。例えば、表面コイル601をアレイ状に構成したアレイコイルやバードケージ型コイルであってもよい。さらに、RFコイル装置316では、デチューニング回路381にPINダイオード382を用いているが、デチューニング回路381は、これに限られない。例えば、PINダイオード382の代わりに、図24bに示すクロスダイオード386を用いてもよい。クロスダイオード386は、RFコイル装置316に印加される高周波信号によりオンとなり導通状態となり、高周波信号の印加の停止とともにオフとなり高抵抗の状態となる。この動作はPINダイオード382の動作と同じである。クロスダイオード386を用いることで、デチューニング回路駆動装置380による制御を行わなくとも、RFコイル装置316は、表面コイル601と磁気結合を生じることなく、送信用RFコイル350として動作する。また、本実施形態のRFコイル装置は、第一キャパシタ71の代わりにデチューニング回路を備えるよう構成してもよい。この場合、第一導体61上にデチューニング回路381は備えない。この場合のRFコイル装置317を図26に示す。図26aは、RFコイル装置317を中心軸910の方向から見た図であり、図26bは、RFコイル装置317の第一RFコイル14および第二RFコイル24を構成する部分筒状コイル54を斜め横から見た図である。ここでは、各第一導体61の両端を部分筒状導体41に接続する2つの第一キャパシタ71の一方のみデチューニング回路381に置き換えた場合を例示するが、両方の第一キャパシタ71をデチューニング回路381に置き換えてもよい。すなわち、少なくとも一方の第一キャパシタ71が置き換えられていればよい。RFコイル装置317は、図3に示すRFコイル装置311と略同様の構成を有する。すなわち、RFコイル装置317は、第一RFコイル14、第二RFコイル24およびRFシールド31を備える。図26aに示すように、RFシールド31は、被検体10が入ることが可能な大きさの円筒状導体にて構成される。第一RFコイル14と第二RFコイル24との配置は、第一の実施形態の第一RFコイル11と第二RFコイル21との配置と同様である。また、第一RFコイル14は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5454Aおよび54Cを備える。また、第二RFコイル24は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5454Bおよび54Dを備える。部分筒状コイル54は、図26bに示すように、部分筒状導体41と、中心軸910に実質的に平行な複数の第一導体61と、第一導体61の一方の端部を部分筒状導体41に接続する複数の第一キャパシタ71と、第一導体61の両端を、隣接する第一導体61の端部に接続する複数の第二導体62とを備える。さらに、RFコイル装置317の部分筒状コイル54は、部分筒状コイル54の他方の端部には、第一キャパシタ71の代わりにデチューニング回路388を備える。図26bでは、第一導体61は5本、第一キャパシタ71は5個、第二導体62は10本、デチューニング回路388は5個、である場合を例示するが、本数、個数はこれに限られない。なお、部分筒状導体41は、RFシールド31の内側の面内壁に接するように配置される。第一導体61は、部分筒状導体41と一定の距離を保ちながら、すなわち、RFシールド31と中心軸910を同一とする仮想の円筒面上に、RFシールド31の周方向に等間隔に配置される。また、RFコイル装置317の、各給電点の配置、高周波信号分配合成器370との接続は、上記RFコイル装置317と同様である。すなわち、図26では省略しているが、部分筒状コイル54Aは第一給電点を、同54Bは第二給電点を、同54Cは、第三給電点を、同54Dは、第四給電点を備え、それぞれ、高周波信号分配合成器370から高周波信号の供給を受ける。各給電点は、第一の実施形態同様、第一キャパシタ71を挟む位置に配置される。ただし、本実施形態では、図22に示すように、高周波信号分配合成器370は、送受信切換器320を介さず、送信器330に接続され、送信器330から高周波信号の入力を受ける。デチューニング回路388は、図27に示すように、インダクタ387とPINダイオード382とが直列接続された回路と、その回路に並列に接続された第一キャパシタ71とを備える。PINダイオード382の両端は、チョークコイル384を介して、デチューニング回路駆動装置380の出力端子に接続される。デチューニング回路388は、PINダイオード382がオンの場合に開放状態となり、オフの場合に第一キャパシタ71として動作する。よって、RFコイル装置317は、PINダイオード382をオフにすれば、図3に示すRFコイル装置311と同様の電気特性を示す。よって、送信器330より高周波磁場を照射するための高周波信号を印加する直前に、デチューニング回路駆動装置380は、デチューニング回路388のPINダイオード382がオフとなるように制御電流385の値を0にする。これにより、高周波磁場の照射時にRFコイル装置317は、送信用RFコイル350として動作する。また、高周波磁場を照射後、デチューニング回路駆動装置380から、デチューニング回路388に、PINダイオード382がオンとなるように制御電流385を流す。これにより、図26bに示す部分筒状コイル54のデチューニング回路388は概ね開放状態となり、RFコイル装置317は、MRI装置101で設定されている磁気共鳴周波数で共振しなくなる。よって、表面コイル601とRFコイル装置317との磁気結合が無くなり、表面コイル601は、磁気結合による共振周波数の移動やコイルのQ値の低下無しに、核磁気共鳴信号を受信することができる。なお、本実施形態においても、第一の実施形態同様、RFシールド31および部分筒状導体41は、傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する厚さおよび構造であればよい。また、第一の実施形態同様、各種の変形が可能である。<<第五の実施形態>>次に、本発明を適用する第五の実施形態について説明する。本実施形態のMRI装置は、基本的に第一の実施形態と同様である。ただし、送受信コイル310として用いるRFコイル装置が部分筒状コイルの第二導体62上に渦電流防止用のキャパシタを備える点が異なる。以下、第一の実施形態と異なる構成を中心に説明する。なお、本実施形態においても、水平磁場方式のマグネット110が発生する静磁場920の向きは座標系900のz軸方向とする。図28は、本実施形態のRFコイル装置318の構成を説明するための図である。このRFコイル装置318は、図2の送受信コイル310として用いる。図28aは、RFコイル装置318を中心軸910の方向から見た図であり、図28bは、RFコイル装置318の第一RFコイルおよび第二RFコイルを構成する部分筒状コイル55を斜め横から見た図である。RFコイル装置318は、図3に示すRFコイル装置311と略同様の構成を有する。すなわち、第一RFコイル15と、第二RFコイル25と、RFシールド31と、を備える。図28aに示すように、RFシールド31は、被検体10が入ることが可能な大きさの円筒状導体にて構成される。第一RFコイル15と第二RFコイル25との配置は、第一の実施形態の第一RFコイル11と第二RFコイル21との配置と同様である。また、第一RFコイル15は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5555Aおよび55Cを備える。また、第二RFコイル25は、RFシールド31の内側の周方向に沿って中心軸910を挟んで対向する位置に配置される、2つの部分筒状コイル5555Bおよび55Dを備える。部分筒状コイル55は、図28bに示すように、部分筒状導体41と、中心軸910に実質的に平行な複数の第一導体61と、第一導体61の両端をそれぞれ部分筒状導体41に接続する複数の第一キャパシタ71と、第一導体61の両端を、隣接する第一導体61の端部に接続する複数の第二導体62とを備える。本実施形態の部分筒状コイル55は、渦電流防止用の第四キャパシタ75をさらに備える。この第四キャパシタ75は、第二導体62上に挿入される。第四キャパシタ75の値は、傾斜磁場コイル210により発生する傾斜磁場を切り替えるときに発生する渦電流の周波数領域で高抵抗となり、部分筒状コイル55の動作周波数では、短絡状態となるように調整される。なお、図28bでは、第一導体61は5本、第一キャパシタ71は10個、第二導体62は10本、第四キャパシタ75は8個である場合を例示するが、本数、個数はこれに限られない。なお、本実施形態においても、部分筒状導体41は、RFシールド31の内側の面内壁に接するように配置される。第一導体61は、部分筒状導体41と一定の距離を保ちながら、すなわち、RFシールド31と中心軸910を同一とする仮想の円筒面上に、RFシールド31の周方向に等間隔に配置される。なお、第一の実施形態同様、RFシールド31と部分筒状導体41とを一体に構成してもよい。また、本実施形態のRFコイル装置318の、各給電点の配置、高周波信号分配合成器370および送受信切換器320を介した送信器330および受信器340との接続は、図5に示す第一の実施形態の接続態様と同様である。すなわち、図28では省略しているが、部分筒状コイル55Aは第一給電点を、同55Bは第二給電点を、同55Cは、第三給電点を、同55Dは、第四給電点を備え、それぞれ高周波信号の供給を受けるとともに、発生する高周波磁場を検出する。各給電点は、第一の実施形態同様、第一キャパシタ71を挟む位置に配置される。傾斜磁場コイル210から印加する傾斜磁場を切り替えるとき、磁場変化により、導体のみで構成されるループには渦電流が発生する。エコープレーナーイメージング法など傾斜磁場の向きを周期的に切り替えるような撮影シーケンスでは、切り換え時に渦電流により生じる磁場によって、画像ひずみやアーチファクトが生じる場合がある。上述のように、本実施形態のRFコイル装置318は、渦電流の周波数領域で高抵抗となり、部分筒状コイル55の動作周波数では、短絡状態となるように調整される第四キャパシタ75を備える。従って、本実施形態のRFコイル装置318では、第四キャパシタ75が、傾斜磁場を切り替えるときに発生する渦電流の周波数領域で高抵抗となるため、隣接する2本の第一導体61と第二導体62とで構成される導体ループ上に渦電流が流れることを防止できる。従って、渦電流による画像ひずみやアーチファクトの発生を防止することができる。また、本実施形態のRFコイル装置318は、第四キャパシタ75以外の構成は第一の実施形態のRFコイル装置311と同様であるため、その動作周波数において、第一の実施形態のRFコイル装置311と同様に動作する。従って、本実施形態のRFコイル装置318を備えるRFコイルユニットは、高周波磁場を被検体10に照射するとともに前記被検体10から発生する核磁気共鳴信号を検出して検出信号として出力する送受信コイル310として動作する。以上説明したように、本実施形態によれば、第一の実施形態と同様の効果を奏する送受信コイルを提供できる。さらに、本実施形態によれば、渦電流による画像ひずみやアーチファクトの発生を防止することができ、画質を向上させることができる。なお、本実施形態では、部分筒状コイル55の第二導体62上に渦電流防止用の第四キャパシタ75を備える場合を例示しているが、第四キャパシタ75の挿入位置はここに限られない。上述のように、隣接する2本の第一導体61と第二導体62とで構成される導体ループ上に渦電流が流れることを防止できればよく、例えば、第一導体61上に挿入されてもよい。すなわち、第一導体61および第二導体62の少なくとも一方に挿入されていればよい。なお、本実施形態では、第一の実施形態のRFコイル装置311、312が第四キャパシタ75を備える場合を例にあげて説明したが、第四キャパシタ75を備えるRFコイル装置はこれに限られない。第二の実施形態のRFコイル装置313、第三の実施形態のRFコイル装置314、315であってもよい。また、第四の実施形態のRFコイル装置316、317であってもよい。また、本実施形態においても、第一の実施形態同様、RFシールド31および部分筒状導体41は、傾斜磁場を通し、高周波磁場を遮蔽する厚さおよび構造であればよい。また、第一の実施形態同様、各種の変形が可能である。上記各実施形態によれば、マグネットまたは傾斜磁場コイルの内径を大きくすることなしに被験者の入る検査空間を広げ、被検体内の照射分布が均一で円または楕円偏波の高周波磁場の照射が可能となるRFコイルを提供できる。このようなRFコイルによれば、画質の低下なしに被験者に開放感を与えるMRI装置や、検査空間内に各種機器の設置スペースを確保できるMRI装置を構成することができる。