光吸収層としてCIGSを用いた太陽電池の製造方法であって、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にIn層を形成し、このIn層上にアルカリ金属を含有するCuGa層を形成し、このCu-Ga層上にCu、In、Gaのうちの少なくとも1種以上からなり且つアルカリ金属を含まない層を形成してプリカーサとする工程と、前記プリカーサをセレン化Se化してCIGS光吸収層とする工程と、を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1に記載の太陽電池の製造方法において、前記アルカリ金属を含まない層をInとしたことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法において、前記下部電極上に形成されるIn層と前記アルカリ金属を含まない層との厚みの比率を1:1~9:1としたことを特徴とする太陽電池の製造方法。本発明者らは、上述した下部電極上にIn層を形成し、このIn層の上にCu-Gaにアルカリ金属を添加したスパッタターゲットを用いてアルカリ金属を含むCu-Ga層を形成して特性の検証を行った。しかしながら、アルカリ金属含有Cu-Ga層を表層としたプリカーサは、表層の外観にムラが生じやすく、セレン化後にもムラが残り太陽電池パネルの外観品質が損なわれやすいという問題が新たに発生した。これは、Cu-Ga層に含まれるアルカリ金属単体又は化合物の大気中の水分との作用によるものと考えられる。本発明は、上記課題に鑑み、光吸収層の結晶性を向上させることと外観性に優れたCIGS太陽電池を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明に係る太陽電池の製造方法は、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にIn層を形成し、このIn層上にアルカリ金属を含有するCuGa層を形成し、このCu-Ga層上にCu、In、Gaのうちの少なくとも1種以上からなり且つアルカリ金属を含まない層を形成してプリカーサとする工程と、前記プリカーサをセレン化Se化してCIGS光吸収層とする工程とを備えている。前記アルカリ金属を含まない層としてはIn層がより好ましい。表層をIn層とすることで、結果的にCIGS光吸収層の表層の平坦度が向上し、この上に形成するバッファ層や上部電極層の平坦度も向上し、界面での損失が低減される。また下部電極上に形成されるIn層と前記アルカリ金属を含まない層In層との厚みの比率は1:1~9:1とするのが好ましい。プリカーサのIn量は下部電極上のIn層とCu-Ga層上のIn層によって決まるが、下部電極上のIn層が薄いとGaの偏析防止が十分でなくなり、下部電極上のIn層が厚い即ち相対的にCu-Ga層上のIn層が薄いと水分に対するバリア効果が小さくなる。これらを勘案すると、上記の範囲が適当である。本発明によれば、Cu-Ga層上に形成されるアルカリ金属を含まない層によってCu-Ga層が大気からバリアされることになる。よってCu-Ga層に含まれるアルカリ金属と大気中の水分との作用が妨げられるため、表層の外観のムラを防止することができる。これに加えてCIGSの結晶性向上、下部電極とCIGSからなる光吸収層との間の密着性向上、更には上部電極の平坦度の向上が同時に達成される。その結果、光電変換効率に優れた太陽電池が得られる。図1は一般的なCIGS太陽電池の構成を示したものであり、ガラスやマイカからなる基板1上にアルカリ制御層2を介してモリブデンMoなどからなる下部電極3が形成され、この下部電極3上にCIGS光吸収層4が形成され、このCIGS光吸収層4の上にバッファ層5を介して透明な上部電極6が形成されている。実際の太陽電池は、スクライブによって複数の直列接続された単位セルに分割されている。上記CIGS太陽電池に太陽光が照射されると、電子-と正孔の対が発生し、電子-と正孔はp型半導体とn型半導体との接合面で、電子-がN型半導体へ正孔がp型半導体に集まり、その結果、n型半導体とp型半導体との間に起電力が発生する。この状態で端子に導線を接続することにより、電流を外部に取り出すことができる。上記CIGS光吸収層を形成するには、図2aに示すように下部電極の表面にIn層を形成する。In層の形成は、例えばInの単体ターゲットを用いたスパッタリングで行う。スパッタリングの他にCVDやPVDも可能である。次いで、図2bに示すように、In層の上にアルカリ金属を含有するCuGa層を形成する。実施例ではアルカリ金属としてNaを用いた。層の形成手段としては、例えば、CuGa-Na合金ターゲットを用いたスパッタリングとする。次いで、図2cに示すように、アルカリ金属を含有するCuGa層の上にCu、In、Gaのうちの少なくとも1種以上からなり且つアルカリ金属を含まない層を形成する。実施例ではInを選択した。形成手段は前記と同様である。以上によって形成されたIn層、Naを含有するCuGa層およびIn層からなるプリカーサにセレン化を施し、図2dに示すようにCIGS光吸収層とする。セレン化の条件は、例えば、加熱炉内にプリカーサを形成した基板を投入し、炉内温度が100°Cに達した時点から炉内にH2Seガスをチャージし、500°C~520°Cまで加熱し、この温度を40分間維持する。この後、CIGS光吸収層の上にバッファ層を介して上部電極となるZnOAl等をスパッタリングやCVD等により形成し、その上に反射防止膜を形成し、さらに、レーザー照射や金属針等により反射防止膜、透明電極、バインダ層及び光吸収層を分割するスクライブを行い、最後に、下部電極及び上部電極に引き出し端子を形成することにより、太陽電池が完成する。