胴体と、前記胴体に設けられた複数の電極と、前記胴体に設けられ、前記複数の電極と電気的に連結されて光を生成する発光チップと、前記複数の電極と電気的に連結され、前記発光チップの下部に形成されて前記発光チップを冷却させる熱電素子と、を含むことを特徴とする、発光装置。前記熱電素子は、冷却プレート、放熱プレート、そして前記冷却プレート及び前記放熱プレートの間に少なくとも1つの半導体対を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記発光チップと前記電極との間に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記胴体を貫通するように形成されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記複数の電極の下に形成されることを特徴とする、請求項4に記載の発光装置。前記発光チップは、少なくとも1つの発光ダイオードを含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記複数の電極のうち、第1電極及び第2電極は前記発光チップに電気的に連結され、第3電極及び第4電極は前記熱電素子に電気的に連結されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記発光チップ及び前記熱電素子は、同一の前記電極と電気的に連結されていることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記熱電素子の冷却プレートが前記発光チップの下部に配置されていることを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。前記放熱プレートは、下面に複数の突起を含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記半導体対の上下部に形成されて前記半導体対を直列連結する複数の電極板を含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記複数の電極板と前記冷却プレート及び前記放熱プレートの間に絶縁層をさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の発光装置。前記胴体は溝部を含み、前記発光チップは前記溝部の内に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。前記溝部の内に封入材を含むことを特徴とする、請求項13に記載の発光装置。前記熱電素子は、前記溝部の内に配置されることを特徴とする、請求項13に記載の発光装置。本発明の目的は、信頼性が向上した発光装置を提供することにある。本発明の実施形態に従う発光装置は、胴体と、上記胴体に設けられた複数の電極と、上記胴体に設けられ、上記複数の電極と電気的に連結されて光を生成する発光チップと、上記複数の電極と電気的に連結され、上記発光チップを冷却させる熱電素子ThermoElectricCoolerModuleと、を含む。本発明によれば、熱電素子を含んで発光チップの劣化を最小化することによって、信頼性が向上した発光装置を提供することができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付の図面を参照しつつ実施形態に従う発光装置について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に従う発光装置100の断面図である。図1を参照すると、第1実施形態に従う発光装置100は、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて上記発光チップ20を冷却させる熱電素子ThermoElectricCoolerModule40と、を含むことができる。上記胴体10は、ポリフタルアミドPPA:Polyphthalamideのような樹脂材質、シリコンSi、金属材質、PSGphotosensitiveglass、サファイアAl2O3、印刷回路基板PCBのうち、少なくとも1つで形成できる。上記胴体10が電気伝導性を有する材質で形成された場合、上記胴体10の表面には絶縁膜図示せずがさらに形成されて、上記胴体10が上記複数の電極31、32と電気的にショートshortされることを防止することができる。上記胴体10の上面の形状は、上記発光装置100の用途及び設計によって、四角形、多角形、円形など、多様な形状を有することができる。上記胴体10には上部が開放されるように溝部cavity15が形成できる。上記溝部15は、コップ形状、凹な容器形状などで形成されることができ、上記溝部15の内側面は底に対して垂直な側面または傾斜した側面となることができる。また、上記溝部15を上から見た形状は、円形、四角形、多角形、楕円形などの形状でありうる。上記複数の電極31、32は、互いに電気的に分離されるように離隔して上記胴体10に設けられる。上記複数の電極31、32は、上記発光チップ20に電気的に連結されて、上記発光チップ20に電源を供給することができる。図1の図示によると、上記複数の電極31、32は第1電極31及び第2電極32を含むが、これは上記発光装置100の設計によって多様に変形されることができ、これに対して限定するのではない。また、上記複数の電極31、32は、一端が上記胴体10の溝部15の内に配置され、他端が上記胴体10の背面に配置されることと図示されたが、これに対しても限定するのではない。上記複数の電極31、32は、金属材質、例えば、チタニウムTi、銅Cu、ニッケルNi、金Au、クロムCr、タンタルTa、白金Pt、すずSn、銀Ag、燐Pのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記複数の電極31、32は、単層または多層構造を有するように形成されることもできる。上記熱電素子40は、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて駆動され、上記発光チップ20を冷却させることによって、上記発光チップ20の劣化を防止することができる。上記熱電素子40は、図示したように、上記複数の電極31、32のうち、いずれか1つの上に形成されるか、上記胴体10に形成されることもでき、これに対して限定するのではない。以下、上記熱電素子40の構成及び作用について詳細に説明する。図2は、上記熱電素子40の断面図である。図2を参照すると、上記熱電素子40は、冷却プレート41、上記冷却プレート41の下に第1熱伝導性絶縁板43a、上記第1熱伝導性絶縁板43aの下に複数の第1極板44a、上記複数の第1極板44aの下に互いに電気的に直列で連結された複数の半導体対45、上記複数の半導体対45の下に複数の第2極板44b、上記複数の第2極板44bの下に第2熱伝導性絶縁板43b、及び上記第2熱伝導性絶縁板43bの下に放熱プレート42を含むことができる。上記複数の半導体対45は、行方向に互いに交番する少なくとも一対のn型半導体45a及びp型半導体45bを含む。上記n型半導体45a及びp型半導体45bは、上記複数の第1極板44a及び複数の第2極板44bにより互いに電気的に直列で連結されるようになる。上記複数の第1極板44a及び複数の第2極板44bのプラス、マイナス-極の両端に直流DC電圧を印加すれば、上記n型半導体45aでは電子Electronの流れによって、上記p型半導体45bでは正孔Holeの流れによって熱が移動して上記冷却プレート41は冷却され、上記放熱プレート42は熱くなるようになる。一方、上記複数の第1極板44a及び複数の第2極板44bが電気的にショートされないながら熱が円滑に移動できるように、上記冷却プレート41と上記複数の第1極板44aとの間には上記第1熱伝導性絶縁板43aを形成し、上記放熱プレート42と上記複数の第2極板44bとの間には上記第2熱伝導性絶縁板43bを形成することができる。即ち、2種の異なる伝導性物質を接して電流が流れる時、2つの伝導性物質の接合部で熱の発生または吸収が起こるペルティエ効果Peltiereffectを用いたものであって、互いに異なる伝導性物質の間でキャリヤのポテンシャルエネルギーの差によりポテンシャルエネルギーが低い状態にある物質から高い状態にある物質にキャリヤを運搬するが、外部からエネルギーを得る必要があるので、接点で熱エネルギーを奪われ、反対の場合、熱エネルギーが放出されるようになる効果を用いる。このような熱電素子40は、小型化及び軽量化されて、上記発光装置100の内にも実装することができ、印加される上記直流DC電圧の極性によって上記冷却プレート41と放熱プレート42の用途が互いに変わることができ、上記直流DC電圧の大きさを制御することによって、正確な温度制御が可能であり、機械的原理でなくnp型半導体の内の電子及び正孔の動きを用いて駆動されるので、寿命が半永久的であり、環境親和的であるという長所がある。これによって、上記熱電素子40は上記発光チップ20を効果的に冷却させることによって、上記発光チップ20の劣化を防止し、結果的に上記発光装置100の信頼性を向上させることができる。図1では、上記熱電素子40の冷却プレート41及び放熱プレート42が別途に形成されていることと図示したが、これとは異なり、冷却プレート41が上記熱電素子40の上に形成されている発光チップ20の最下層であることができ、上記放熱プレート42が上記熱電素子40の下部の電極31であることができる。図1及び図2を参照すると、上記発光チップ20は、上記熱電素子40の冷却プレート41の上に載置されることができ、上記複数の電極31、32に電気的に連結されて光を生成することができる。上記発光チップ20は、成長基板の上に形成されたバッファ層を含むアンドープドUndoped半導体層と、上記アンドープド半導体層の上に形成された第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型の半導体層の上に形成された透明電極と、上記第1導電型の半導体層の上に形成された第1電極と、上記透明電極層の上に形成された第2電極と、を含む。上記成長基板は、サファイアAl2O3、Si、SiC、GaAs、ZnO、MgOのうち、いずれか1つで形成されることができ、例えば、上記成長基板としてサファイア基板を使用することができる。上記アンドープド半導体層はGaN系半導体層で形成されることができ、例えば、トリメチルガリウムTMGaを水素ガス及びアンモニアガスと共にチャンバーに注入して成長させたアンドープドGaN層を使用することができる。上記第1導電型の半導体層は、例えばn型半導体層を含むことができる。上記第1導電型の半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0vxy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングできる。上記活性層は、上記第1導電型の半導体層を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型の半導体層を通して注入される正孔または、電子とが互いに会って、上記活性層の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGapの差によって光を放出する層である。上記活性層は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか1つで形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成できる。上記活性層が上記多重量子井戸構造で形成された場合、上記活性層は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成できる。上記活性層の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層が形成されることもでき、上記クラッド層はAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記第2導電型の半導体層は、例えば、p型半導体層で具現できる。上記第2導電型の半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングできる。一方、上記第1導電型の半導体層がp型半導体層を含み、上記第2導電型の半導体層がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第2導電型の半導体層の上にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型の半導体層が形成されることもでき、これによって、上記発光構造層は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型の半導体層及び上記第2導電型の半導体層の内のドーパントのドーピング濃度は均一または不均一に形成できる。即ち、上記発光構造層の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記第1導電型の半導体層、活性層、及び第2導電型の半導体層を含む発光構造層は、多様な変形された構造で形成されることができ、実施形態で例示した上記発光構造層の構造に限定されるのではない。上記透明電極層は、上記第2導電型の半導体層と上記第2電極との間に配置されてオーミック接触層の役割をし、例えば、ITO、ZnO、RuOx、TiOx、またはIrOxのうち、少なくともいずれか1つで形成できる。上記透明電極層は必ず形成されなければならないものではなく、上記第2導電型の半導体層の上に上記第2電極が直ぐに形成されることも可能である。上記発光チップ20は、上記複数の電極31、32のうち、いずれか1つに載置されるか、上記胴体10の上に載置されて、上記熱電素子40と熱的thermallyに連結されることもできるが、これに対して限定するのではない。上記発光チップ20は、例えば、少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができ、上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する有色発光ダイオード、または紫外線を放出するUVUltraViolet発光ダイオードでありうるが、これに対して限定するのではない。上記発光チップ20は、図示したように、ワイヤボンディングwirebonding方式により上記複数の電極31、32と電気的に連結されるか、フリップチップflipchip、ダイボンディングdiebonding方式などにより上記複数の電極31、32と電気的に連結できる。上記胴体10の溝部15の内には上記発光チップ20を封入して保護するように封入材50が形成されることができ、上記封入材50は蛍光体を含むことができる。上記封入材50は、シリコンまたは樹脂材質で形成できる。上記封入材50は、上記溝部15の内に上記シリコンまたは樹脂材質を充填した後、これを硬化する方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。上記蛍光体は上記封入材50の内に添加されることができ、上記発光チップ20から放出される第1光により励起されて第2光を生成することができる。例えば、上記発光チップ20が青色発光ダイオードであり、上記蛍光体が黄色蛍光体である場合、上記黄色蛍光体は青色光により励起されて黄色光を放出することができ、上記青色光及び黄色光が混色されることによって上記発光装置100は白色光を提供することができる。但し、これに対して限定するのではない。一方、上記封入材50の上にはレンズ図示せずがさらに形成されて、上記発光装置100が放出する光の配光を調節することができる。また、上記発光装置100の上記胴体10には耐電圧の向上のためにツェナダイオードzenerdiode図示せずなどをさらに設けられることもできる。図3は、本発明の第2実施形態に従う発光装置100Aの上面図である。図3を参照すると、第2実施形態に従う発光装置100Aは、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32、33、34と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32、33、34のうち、第1電極31及び第2電極32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32、33、34のうち、第3電極33及び第4電極34と電気的に連結されて上記発光チップ20を冷却させる熱電素子ThermoElectricCoolerModule40と、を含むことができる。第2実施形態に従う発光装置100Aは、第1実施形態に従う発光装置100と電極の配置及び配線を除いては同一である。上記発光チップ20は上記複数の電極31、32、33、34のうちの第1電極31及び第2電極32と電気的に連結され、上記熱電素子40は上記複数の電極31、32、33、34のうちの第3電極33及び第4電極34と電気的に連結される。したがって、上記発光チップ20と上記熱電素子40とは互いに独立的に駆動できる。即ち、上記発光チップ20及びその周辺の温度によって上記熱電素子40に流れる電流量を調節することによって、上記発光チップ20を適切に冷却させることができる。また、上記熱電素子40に流れる電流量をより効果的に調節するために、上記発光装置100Aの胴体10にはサーミスタthermistorのような温度感知センサ図示せずをさらに含むことができ、これに対して限定するのではない。図4は、本発明の第3実施形態に従う発光装置100Bの側断面図である。図4を参照すると、第3実施形態に従う発光装置100Bは、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて、上記発光チップ20を冷却させる熱電素子ThermoElectricCoolerModule40bと、を含むことができる。第3実施形態に従う発光装置100Bは、第1実施形態に従う発光装置100に比べて上記熱電素子40bが上記胴体10を貫通するように形成されることを除いては同一である。上記熱電素子40bは、上記胴体10を貫通するように形成されるが、具体的に説明すれば、上記熱電素子40bの冷却プレート41は、上記胴体10の溝部15の内に配置されるようになり、放熱プレート42bは上記胴体10の背面に露出できる。上記放熱プレート42bは、表面積を広げることによって、熱を効果的に放出できるように凹凸パターンを有することができる。図5は、本発明の第4実施形態に従う発光装置100Cの側断面図である。図5を参照すると、第4実施形態に従う発光装置100Cは、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて上記発光チップ20を冷却させる熱電素子40cと、を含むことができる。第4実施形態に従う発光装置100Cは、第1実施形態に従う発光装置100に比べて上記熱電素子40cが上記胴体10を貫通するように形成される。上記胴体10のキャビティ15の底面には上記発光チップ20を実装するための実装パッド33が形成されており、上記実装パッド33は上記複数の電極31、32と離隔している。上記複数の電極31、32及び実装パッド33の下には上記熱電素子40cが接触できる。これによって、上記熱電素子40cは上記複数の電極31、32及び実装パッド33を媒介にして上記発光チップ20を冷却させることができる。上記熱電素子40cは、上記電極31、32と上記第1及び第2極板44a、44bが直接付着されて電気的に連結されている場合、上記放熱プレート42と上記電極31、32とは絶縁されており、一例として、第2熱伝導性絶縁板43bが上記放熱プレート42の側面に拡張されて上記放熱プレート42と上記電極31、32とを絶縁することができる。図6は、本発明の第5実施形態に従う発光装置100Dの側断面図である。図6を参照すると、第5実施形態に従う発光装置100Dは、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて上記発光チップ20を冷却させる熱電素子40dと、を含むことができる。第4実施形態に従う発光装置100Cは、第1実施形態に従う発光装置100に比べて上記熱電素子40dが上記胴体10を貫通するように形成され、上記発光チップ20が上記複数の電極31、32のうちのいずれか1つの上に形成されている。上記発光チップ20は、上記複数の電極31、32のうちのいずれか1つの上に配置され、上記複数の電極31、32の下には上記熱電素子40dが接触できる。これによって、上記熱電素子40dは上記複数の電極31、32を媒介にして上記発光チップ20を冷却させることができる。上記熱電素子40dは、上記電極31、32と上記第1及び第2極板44a、44bが直接付着されて電気的に連結されている場合、上記放熱プレート42と上記電極31、32とは絶縁されており、一例として、第2熱伝導性絶縁板43bが上記放熱プレート42の側面に拡張されて上記放熱プレート42と上記電極31、32とを絶縁することができる。図6の発光装置100Dは、発光チップ20の下面が上記電極31と電気的に連結されており、上面が他の電極32とワイヤボンディングされている。即ち、図6には図1乃至図5に図示された水平型タイプの発光素子とは異なり、垂直型タイプの発光チップ20が例示されている。図6の発光チップ20は、伝導性支持基板の上に反射層と、上記反射層の上にオーミック接触層と、上記オーミック接触層の上に第2導電型の半導体層と、上記第2導電型の半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第1導電型の半導体層と、上記第1導電型の半導体層の上に第1電極と、が形成されている。図7は、本発明の第6実施形態に従う発光装置100Eの側断面図である。図7を参照すると、第6実施形態に従う発光装置100Eは、胴体10と、上記胴体10に設けられた複数の電極31、32と、上記胴体10に設けられ、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて光を生成する発光チップ20と、上記複数の電極31、32と電気的に連結されて上記発光チップ20を冷却させる熱電素子40eと、を含むことができる。第6実施形態に従う発光装置100Eは、第1実施形態に従う発光装置100に比べて上記熱電素子40eが上記胴体10を貫通し、上記胴体10の内に上記電極31、32と上記熱電素子40eの電極44bとを電気的に連結する伝導性ビア11が形成されている。即ち、上記伝導性ビア11の一端が上記胴体10の内の複数の電極31、32と直接連結され、他端が上記胴体10の内に埋め込まれている熱電素子40eの電極44bと直接連結されている。即ち、上記熱電素子40eの電極44a、44b及び半導体層の構成が第1実施形態と反対に形成されて、各々の電極44bとビア11とが連結される。上記発光チップ20は、上記複数の電極31、32のうちのいずれか1つの上に形成されることができ、図5のように、電極31、32と分離されて位置することもできる。図8は、本発明の第7実施形態の発光装置の斜視図である。図8を参考すると、発光装置100Fは、胴体10と、上記胴体10の表面にシリコンオキサイドSixOyで形成された絶縁層12と、上記胴体10の上に配置される少なくとも1つの発光チップ20と、上記胴体10の上に配置されて上記発光チップ20と電気的に連結される電極31、32と、を含む。上記胴体10は、シリコンSi、アルミニウムAl、アルミニウムナイトライドAlN、AlOx、PSGphotosensitiveglass、サファイアAl2O3、ベリリウムオキサイドBeO、及びPCBPrintedCircuitBoard基板、各種樹脂などで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記胴体10は、例えば、射出成形により形成されるか、多数個の層を積層して形成できる。上記胴体10がシリコンSi胴体の場合、上記胴体10に導電型ドーパントを注入する方式によりツェナzenerダイオードなどの保護素子を集積回路形態で形成することもでき、これに対して限定するのではない。上記胴体10には上部が開放されるようにキャビティ15が形成できる。上記キャビティ15は、例えば、射出成形により形成されるか、エッチングにより形成できる。上記キャビティ15は、コップ形状、凹な容器形状などで形成されることができ、その内側面は垂直な側面または傾斜した側面となることができる。上記傾斜した側面は、シリコンSi材質で形成された上記胴体10に湿式エッチングWetEtchingを行って形成された場合、50 ゚乃至60 ゚の傾斜を有することができる。また、上記キャビティ15の表面形状は、円形、四角形、多角形、楕円形などの形状でありうる。上記胴体10の表面には上記絶縁層12が形成できる。上記絶縁層12は、上記胴体10が上記電極31、32、または外部電源などと電気的にショートされることを防止する。したがって、上記胴体10がAlN、AlOxなどの絶縁体で形成される場合に、上記絶縁層12は形成できないこともある。上記絶縁層12は、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3等からなる群から少なくとも1つが選択されて形成されることができ、好ましくは、シリコンオキサイドSiO2、SixOyで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記絶縁層12は、上記胴体10がシリコンSi材質で形成された場合、熱的酸化thermaloxidation方法によりシリコン酸化膜SiliconOxideFilmの形態で形成できる。または、上記絶縁層12はスパッタリングSputtering、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、電子ビームEbeam蒸着などの方法により蒸着されて形成されることもでき、これに対して限定するのではない。上記絶縁層12の上には上記電極31、32が形成できる。上記電極31、32は正極と負極とに電気的に分離されて、上記発光チップ20及び胴体10の内に形成されている熱電素子図示せずに電源を提供することができる。一方、上記電極31、32を混同せずに識別するために、上記胴体10にはカソードマークcathodemark70が形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記電極31、32は、図8のように、各々電極胴体部31a、32aと上記電極胴体部31a、32aから突出された延長部31b、32bを含むように形成できる。上記延長部31b、32bの幅は上記電極胴体部31a、32aの幅より小さいことができ、上記胴体10のキャビティ15の内には上記延長部31b、32bのみ配置できる。そして、上記延長部31b、32bにはワイヤ21、22が接合されて、上記第1電極及び第2電極31、32を上記発光チップ20と電気的に連結できる。上記発光チップ20は上記胴体10の上に載置できる。上記胴体10が上記キャビティ15を含む場合、上記発光チップ20は上記キャビティ15の内に載置できる。上記胴体10の内には図5乃至図7のように、熱電素子40c、40d、40eが埋め込むことができ、上記電極31、32が図5及び図6のように胴体10の外部を囲みながら形成されて、下部まで連結されて熱電素子40c、40d、40eと電気的に連結されることもでき、図7のように胴体10の内の熱電素子40c、40d、40eと伝導性ビア11を通じて連結されることもできる。実施形態のパッケージはトップビュー形態で図示及び説明したが、サイドビュー方式で具現して上記のような放熱特性、伝導性、及び反射特性の改善効果があり、このような実施形態に従う発光素子パッケージは、指示装置、信号装置、前照灯、電光板、照明装置、表示装置などに適用できる。以下、図9及び図10を参考にして本発明の適用例を説明する。図9は、本発明に従う発光装置を含むバックライトユニットを説明する斜視図である。但し、図9のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに限定されるのではない。図9を参照すると、バックライトユニット1100は、ボトムカバー1140、このボトムカバー1140の内に配置された光ガイド部材1120、及びこの光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置できる。ボトムカバー1140は、光ガイド部材1120、発光モジュール1100、及び反射シート1130が収納できるように上面が開口されたボックスbox形状で形成されることができ、金属または樹脂で形成できる。しかしながら、これに限定されるのではない。発光モジュール1110は、基板700に載置された複数の発光装置600を含むことができる。複数の発光装置600は、光ガイド部材1120に光を提供する。図示したように、発光モジュール1110は、ボトムカバー1140の内側面のうち、少なくともいずれか1つに配置されることができ、これによって光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に光を提供することができる。但し、発光モジュール1110はボトムカバー1140の内で光ガイド部材1120の下に配置されて、光ガイド部材1120の底面に向けて光を提供することもできる。これは、バックライトユニット1100の設計によって多様に変形可能である。光ガイド部材1120はボトムカバー1140の内に配置できる。光ガイド部材1120は発光モジュール1110から提供を受けた光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドすることができる。このような光ガイド部材1120は、例えば、導光板lightguidepanel:LGPでありうる。この導光板は、例えば、ポリメチルメタアクリレートpolymethylmetaacrylate、PMMAのようなアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートpolyethyleneterephthalate;PET、環状オレフィン共重合体COC、ポリカーボネートpolycarbonate、PC、ポリエチレンナフタレートpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つで形成できる。この光ガイド部材1120の上側に光学シート1150が配置できる。この光学シート1150は、例えば、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、光学シート1150は、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成できる。この場合、拡散シート1150は発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させ、この拡散された光が集光シートにより表示パネル図示せずに集光できる。この際、集光シートから出射される光はランダムに偏光された光である。輝度上昇シートは、集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。そして、輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムdualbrightnessenhancementfilmでありうる。また、蛍光シートは蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムでありうる。光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置できる。反射シート1130は、光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を光ガイド部材1120の出射面に向けて反射することができる。この反射シート1130は、反射率の良い樹脂、例えば、PET、PC、ポリビニルクロライドpolyvinylchloride、レジンなどで形成できるが、これに限定されるのではない。図10は、本発明に従う発光装置を含む照明システムを説明する図である。但し、図10の照明システム1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図10を参照すると、照明システム1200は、ケース胴体1210、このケース胴体1210に設けられた発光モジュール1230、及びケース胴体1210に設けられ、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220を含むことができる。ケース胴体1210は放熱特性が良好な物質で形成されることが好ましく、例えば金属または樹脂で形成できる。発光モジュール1230は、基板700及びこの基板700に載置される少なくとも1つの発光装置600を含むことができる。上記基板700は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができ、例えば、一般印刷回路基板printedcircuitboard:PCB、メタルコアmetalcorePCB、軟性flexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、基板700は光を効率的に反射する物質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。基板700の上には少なくとも1つの発光装置600が載置できる。発光装置600は各々少なくとも1つの発光素子LED:LightEmittingDiodeを含むことができる。発光素子は、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光素子、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光素子を含むことができる。発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光素子、赤色発光素子、及び緑色発光素子を組合せて配置することができる。また、発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートがさらに配置されることができ、蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、蛍光シートには黄色蛍光体が含まれることができ、発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを過ぎて最終的に白色光と見られるようになる。連結端子1220は発光モジュール1230と電気的に連結されて電源を供給することができる。図10の図示によると、連結端子1220はソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、連結端子1220はピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果を得ることができる。図9及び図10で説明するバックライトユニット1100及び照明システム1200は、本発明の図1乃至図8で説明している発光装置を発光モジュール1110、1230に含むことによって、優れる光効率を得ることができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。