"半導体チップと、リード端子と、前記半導体チップと前記リード端子の上部に位置し、かつ、前記半導体チップと前記リード端子側に位置する下面と、前記下面と反対側の上面とを有する導電性の接続板と、を備えた半導体装置において、前記接続板は、前記下面において、前記半導体チップと接着材により電気的に接続する第1の面を有する第1の領域、前記リード端子と前記接着材により電気的に接続する第2の面を有する第2の領域、及び前記第1の領域と前記第2の領域とを結ぶ第3の領域を備え、前記第3の領域には、前記第2の面が前記リード端子と接続した場合に、前記第2の面に対して上方向に離れた第3の面を備えたことを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記リード端子と前記接続板の第2の面が前記接着材により係止されており、前記リード端子と前記接続板の第3の面の間で、前記接着材が吸収されることを特徴とする半導体装置。請求項1又は請求項2に記載の半導体装置において、前記接続板の第3の面が設けられた位置の前記接続板の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。請求項1から請求項3のうちの何れか1項に記載の半導体装置において、前記接続板の第3の面の端部位置は前記リード端子の先端面と同一面上にあることを特徴とする半導体装置。請求項1から請求項3のうちの何れか1項に記載の半導体装置において、前記接続板の第3の面の端部位置は前記リード端子の先端面より、前記リード端子側にずれた位置にあることを特徴とする半導体装置。請求項1から請求項5のうちの何れか1項に記載の半導体装置において、前記第3の面は前記接続板の下面の端部から対向する端部まで形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1から請求項6のうちの何れか1項に記載の半導体装置において、前記半導体チップ、前記リード端子、及び前記接続板は、樹脂を有する封止体によって封止されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、半導体装置1の組立て時、接続板11を半導体チップ8およびソースリード5と接続する際に、例えば接着材15にはんだなどを用いた場合、接続時にはんだが溶融し接続板11の薄肉部13の周辺に濡れ拡がり、はんだの凝縮により接続板11がソースリード5側に動いてしまう恐れがある。図5は、本発明が解決しようとする課題をわかりやすく模式的に示した図である。接続板11とソースリード5の接続部にあるはんだ接着材15が薄肉部13周辺に濡れ拡がり、はんだの凝縮により接続板11がソースリード5側へ移動し、接続板11と半導体チップ8間のはんだ接着材14と、半導体チップ8とヘッダ2間のはんだ接着材9厚さが薄くなってしまう。そのため、はんだが薄くなると温度サイクル試験や実稼動時の発熱ではんだに発生する熱ひずみが増加し、はんだの接続信頼性が大きく低下することが懸念される。特に、接続板11と半導体チップ8、半導体チップ8とヘッダ2間の2つのはんだ接着材14と9があるため、両者のはんだ接続寿命が大きく低下してしまう。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決することのできる高信頼度の接続板形状を用いた半導体装置を提供することにある。上記課題を解決するのに、本発明では、接続板のソースリードとの接続部周辺の薄肉部の形状を制御することで、はんだ接着材接続時に接続板が動かぬよう係止する手法を見出した。これは、例えば接着材にはんだを用いる場合、はんだの濡れ拡がり性を考慮して実現可能となる。簡単に説明すると、例えば接続板とソースリードとの接続部周辺の接続板の薄肉部に段差を形成し、接続板がソースリード側に移動しないようにする。また、はんだの濡れ拡がりを考慮すると、接続板とソースリードが十分接続可能な面積を確保できる範囲で接続板に溝を形成し、はんだの濡れ拡がりを防ぐことで接続板がソースリード側に移動しないようにする。これにより、はんだ接続時に接続板が動かず、接続板と半導体チップ間および半導体チップとヘッダ間の2つのはんだの厚さが容易にかつ的確に確保される。以上により、高出力化対応のため半導体チップと外部電極リードとを接続板で接続した半導体装置においても、十分な信頼性を有する半導体装置の製造が可能となる。具体的には、例えば以下の半導体装置を提供することができる。1第1の電極と第2の電極とを電気的に接続する接続板を有する半導体装置において、前記接続板の前記第1の電極もしくは第2の電極との接続部に段差が設けられ、前記第1の電極もしくは第2の電極と前記段差との間が導電性の接着材で接続され、前記接続板が前記段差により前記第1の電極もしくは第2の電極に係止されていることを特徴とする半導体装置。2第1の電極と第2の電極とを電気的に接続する接続板を有する半導体装置において、前記接続板の前記第1の電極もしくは第2の電極との接続部に溝が設けられ、前期第1の電極もしくは第2の電極と前記溝よりも外側が導電性の接着材で接続され、前記接続板が前記第1の電極もしくは第2の電極に係止されていることを特徴とする半導体装置。このように、接続板のソースリードとの接続部周辺の薄肉部に段差を設けることで、はんだのような導電性の接着材の凝縮による接続板の移動を容易にかつ的確に防ぐことができる。また、接続板のソースリードとの接続部の薄肉部に、接続板とソースリードが十分接続可能な面積を確保できる範囲で接続板に溝を形成し、はんだの濡れ拡がりを防ぐことで接続板がソースリード側に動かず、はんだのような接着材の凝縮による接続板の移動を容易にかつ的確に防ぐことができる。これにより、接続板を接続する際に接続板が動かず、接続板と半導体チップ間および半導体チップとヘッダ間の2つの接着材の厚さが十分に確保され、高出力化対応のため半導体チップと外部電極リードとを接続板で接続した半導体装置においても、高信頼度な半導体装置の製造が可能となる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置の実施例について詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。[実施例1]図9は、本発明の半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。半導体装置は、図に示すように、リードフレーム準備191、チップボンディング192、ワイヤボンディング193、接着材塗布194、接続板付け195、接着材硬化処理196、封止体形成197、切断除去198の各工程を経て製造される。特に、本発明は、接続板付け195と接着材硬化処理196において、接続板が移動して接着材厚さが薄くなることを防ぐことを解決するものである。図6および図7は、本発明の実施例1である半導体装置の内部構造概略である。図6は半導体装置の内部断面概略図であり、図7は半導体装置の内部平面概略図である。図では、封止体を取り除いて示しており、点線で封止体の外形を示してある。本実施例では、本発明を縦型パワートランジスタ半導体装置に適用した例である。すなわち、ドレインD電極、ソースS電極、ゲートG電極を有する電界効果トランジスタを組み込んだ半導体チップが半導体装置1に組み込まれている。半導体装置1は、図6および図7に示すように、外観的には、扁平視四角形上の封止体3の一端面から3本のリード4,5,6を平行に延在する構造となっている。封止体3は絶縁性樹脂からなり、リード4,5,6は金属製である。リード4,5,6は、例えば銅合金からなり、封止体3は例えばエポキシ樹脂からなっている。中央のリード5はソースリード5であり、その左側のリード4はゲートリード4、その右側のリード6はドレインリード6である。封止体3の下面には支持基板ヘッダ2の下面が露出している。この支持基板2はその幅が封止体3の幅と略同一の幅となり、封止体3と一致して重なっている。封止体3の1端から突出する3本のリードは、同一平面上に位置する構造になっている。また、右側のドレインリード6は、封止体3の内部において1段階段状に下方に屈曲し、支持基板2に繋がっている。支持基板2の厚さはドレインリード6の厚さよりも厚くなっている。半導体装置1は、その製造方法において、リードフレームと称されるパターニングされた接続板が使用されるが、この接続板は一部で厚さが異なる異形材が使用される。厚い部分で支持基板2が形成され、薄い部分でリードが形成される。中央のソースリード5の先端は幅が広いソースリードポスト16になり、ゲートリード4の先端もやや幅が広いゲートリードポスト17になる。リードポスト16には後述する幅が広い接続板18が接続される。また、リードポスト17にはワイヤ10が接続される。ワイヤ10は、例えば直径125μmのAlワイヤなどを使用する。また、前記封止体3内には、半導体チップ8が配置されている。この半導体チップ8は、例えば縦型パワーMOSFETが形成され、図8に示すように下面裏面にドレイン電極19を有し、上面主面にはソース電極20とゲート電極21を有した構造である。この半導体チップ8は、下面のドレイン電極19が導電性の接着材9を介して支持基板2に固定されている。半導体チップ8は、例えば支持基板2の長手方向に沿う長さが6.7mm、支持基板2の幅方向の長さが9.0mmとなっている。ゲートリード4のリードポスト17は、ワイヤ10を介して半導体チップ8のゲート電極21に接続されている。ワイヤ10は、例えば直径が125μmになるAlワイヤである。また、半導体チップ8のソース電極20とソースリード5は電気的に接続されている。この接続手段は、図6および図7に示すように、厚肉部12とこれに連なる薄肉部13とを有した金属からなる接続板18と、厚肉部12の下面を半導体チップ8のソース電極20に接続する導電性の接着材14と、薄肉部13の下面をソースリード5のリードポスト16に接続する導電性の接着材15とで構成されている。このとき、支持基板2に半導体チップ8を固定する接着材9、接続板18を半導体チップ8およびリードポスト16に接続する接着材14と15は、はんだまたはAgペーストを使用することができる。接続板18は、図7に示すように、オン抵抗を低減するために幅広になっている。ソース電極20の幅とリードポスト16の幅は、接続板18の幅程度かそれ以上広い幅になっている。接続板18は、例えば異形材の銅合金からなり、薄肉部13の厚さは0.5mm程度、厚肉部12の厚さは2.0mm程度であり、長さは8.0mm程度、幅は7.0mm程度である。このような異形材を用いることで、接続板18の熱容量を大きくし、放熱性が向上する。同時に、電気的なオン抵抗も低減できる。このとき、ソースリード5のリードポスト16と導電性の接着材15によって接続される接続板18の薄肉部13には、図6に示すように段差22が設けてある。この段差22は、図5に示したように本発明が解決しようとする課題である接続板11の移動を防止するためのものである。つまり、リードポスト16に塗布された導電性の接着材15が、接続板18の薄肉部13周辺に濡れ拡がり、接着材15の凝縮による接続板18のリードポスト16側への移動を防ぐものである。すなわち、リードポスト16の先端面と接続板18の薄肉部13に形成された段差22の垂直面が接触することで、接続板18を係止することが可能となる。もちろん、リードポスト16の先端面と段差22の間には、導電性の接着材15が存在することもあるため、必ずしもリードポスト16の先端面と段差22の垂直面が接触しなくても、接続板18が係止されることは明白である。なお、段差22の大きさは、接続板18が係止されればどのような大きさであってもよい。これにより、接続板18がソースリード5側へ移動し、接続板18と半導体チップ8の間の導電性の接着材14と、半導体チップ8とヘッダ2の間の接着材9の厚さが薄くなることを防ぎ、温度サイクル試験や実稼動時の発熱で接着材に発生する熱ひずみを抑制することで接続信頼性が大きく向上し、高信頼度の半導体装置の提供が可能となる。一方、接続板18の平坦な上面上を、封止体3を形成する樹脂が覆っている。この覆っている層の厚さは略均一であり、例えば0.98mm程度の厚さとなり、確実に接続板18を覆い、耐湿性向上を実現している。また、半導体チップ8から外れる封止体3の中央部分には、半導体装置1を実装基板などに取り付ける際利用する孔7が形成されている。[実施例2]図10および図11は、本発明の実施例2である半導体装置の内部構造概略である。図10は半導体装置の内部断面概略図であり、図11は半導体装置の内部平面概略図である。図では、封止体を取り除いて示しており、点線で封止体の外形を示してある。実施例2の半導体装置1は、実施例1の半導体装置1において、接続板18の薄肉部13に形成された段差22に代わり、接続板24に溝23を形成したものである。本実施例の半導体装置1では、接続板24の薄肉部13にリードポスト16と接続される面側に溝23が形成されている。この溝23は、図5に示したように本発明が解決しようとする課題である接続板11の移動を防止するためのものである。つまり、リードポスト16に塗布された導電性の接着材15が、接続板24の薄肉部13周辺に濡れ拡がり、接着材15の凝縮による接続板24のリードポスト16側への移動を防ぐものである。すなわち、リードポスト16の先端上にある導電性の接着材15は、接続板24の薄肉部13に形成された溝23よりも先端側、すなわちリードポスト16側にしか濡れ拡がらないため、接続板24をその場に係止することが可能となる。側面から見たリードポスト16に対する溝23の位置は、設計上リードポスト16の先端面と同一面上でよいが、製造上ソースリード5側、もしくは接続板24側にずれても、接続板24が係止されていれば全く問題はない。また、溝23内に接着材15が濡れ拡がっても、溝23内で接着材15の濡れ拡がりを十分に吸収できることから、接続板24の移動は十分に抑えることができる。なお、溝23の大きさは、接続板24が係止されていればどのような大きさであってもよい。これにより、接続板24がソースリード5側へ移動し、接続板24と半導体チップ8の間の導電性の接着材14と、半導体チップ8とヘッダ2の間の接着材9の厚さが薄くなることを防ぎ、温度サイクル試験や実稼動時の発熱で接着材に発生する熱ひずみを抑制することで接続信頼性が大きく向上し、高信頼度の半導体装置の提供が可能となる。"