第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上において、前記第1半導体層の主面に対し平行な方向に、第1導電形の第2半導体層と、第2導電形の第3半導体層と、がそれぞれ周期的に配列された周期的配列構造と、前記第3半導体層の上に設けられた第2導電形の第4半導体層と、前記第4半導体層の表面に選択的に設けられた第1導電形の第5半導体層と、前記第2半導体層の一部と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層の一部と、に絶縁膜を介して接する制御電極と、前記周期的配列構造の外側の前記第1半導体層の上に設けられ、前記周期的配列構造に含まれる不純物濃度よりも不純物濃度が低い第1導電形の第6半導体層と、前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層と、に接続された第2主電極と、を備え、前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1半導体層は、矩形状であり、前記第2半導体層と、前記第3半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、前記矩形の互いに対向する辺に対して平行な方向における前記周期的配列構造の最外周の前記周期構造と、前記辺に対して直交する方向における前記周期的配列構造の前記最外周の前記周期構造と、が、異なり、前記周期的配列構造の最外周における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか一方の周期は、前記最外周に沿った前記最外周以外の前記周期的配列構造における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか他方の周期の2倍であることを特徴とする半導体素子。第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上において、前記第1半導体層の主面に対し平行な方向に、第1導電形の第2半導体層と、第2導電形の第3半導体層と、がそれぞれ周期的に配列された周期的配列構造と、前記第3半導体層の上に設けられた第2導電形の第4半導体層と、前記第4半導体層の表面に選択的に設けられた第1導電形の第5半導体層と、前記第2半導体層の一部と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層の一部と、に絶縁膜を介して接する制御電極と、前記周期的配列構造の外側の前記第1半導体層の上に設けられ、前記周期的配列構造に含まれる不純物濃度よりも不純物濃度が低い第1導電形の第6半導体層と、前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層と、に接続された第2主電極と、を備え、前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第2半導体層と、前記第3半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、前記周期的配列構造の最外周の周期構造は、前記最外周以外の前記周期的配列構造の周期構造と異なることを特徴とする半導体素子。前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1半導体層は、矩形状であり、前記矩形の対向する一対の辺に対して平行な方向における前記周期的配列構造の最外周の前記周期構造と、前記辺に対して直交する方向における前記周期的配列構造の前記最外周の前記周期構造と、は、異なることを特徴とする請求項2記載の半導体素子。前記周期的配列構造の最外周における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか一方の周期は、前記最外周に沿った前記最外周以外の前記周期的配列構造における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか他方の周期の2倍であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体素子。前記周期的配列構造において、前記第2半導体層の不純物濃度と、前記第3半導体層の不純物濃度と、は、前記平行な方向および前記直交する方向において変化し、前記周期的配列構造の前記最外周の内側から前記周期的配列構造の前記最外周側に向かい、前記第2半導体層の不純物濃度と、前記第3半導体層の不純物濃度と、が段階的に低くなることを特徴とする請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体素子。第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上において、前記第1半導体層の主面に対し平行な方向に、第1導電形の第2半導体層と、第2導電形の第3半導体層と、がそれぞれ周期的に配列された周期的配列構造と、前記第3半導体層の上に設けられた第2導電形の第4半導体層と、前記第4半導体層の表面に選択的に設けられた第1導電形の第5半導体層と、前記第2半導体層の一部と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層の一部と、に絶縁膜を介して接する制御電極と、前記周期的配列構造の外側の前記第1半導体層の上に設けられ、前記周期的配列構造に含まれる不純物濃度よりも不純物濃度が低い第1導電形の第6半導体層と、前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層と、に接続された第2主電極と、を備え、前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第2半導体層は、ハニカム状に配置され、前記第3半導体層は、前記第2半導体層によって取り囲まれ、前記周期的配列構造の最外周の周期構造は、前記最外周以外の前記周期的配列構造の周期構造と異なることを特徴とする半導体素子。前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1半導体層は、矩形状であり、前記矩形の互いに対向する辺に対して平行な方向において、前記第3半導体層の周期は、前記最外周以外の前記周期的配列構造における前記第3半導体層の周期と同じであり、前記平行な方向に対して直交する方向において、前記第2半導体層の周期は、前記最外周以外の前記周期的配列構造における前記第3半導体層の周期と同じであることを特徴とする請求項6記載の半導体素子。本発明が解決しようとする課題は、より耐圧の高い半導体素子を提供することである。実施形態の半導体素子は、第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上において、前記第1半導体層の主面に対し平行な方向に、第1導電形の第2半導体層と、第2導電形の第3半導体層と、がそれぞれ周期的に配列された周期的配列構造と、を備える。実施形態の半導体素子は、前記第3半導体層の上に設けられた第2導電形の第4半導体層と、前記第4半導体層の表面に選択的に設けられた第1導電形の第5半導体層と、前記第2半導体層の一部と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層の一部と、に絶縁膜を介して接する制御電極と、前記周期的配列構造の外側の前記第1半導体層の上に設けられ、前記周期的配列構造に含まれる不純物濃度よりも不純物濃度が低い第1導電形の第6半導体層と、を備える。実施形態の半導体素子は、前記第1半導体層に電気的に接続された第1主電極と、前記第4半導体層と、前記第5半導体層と、に接続された第2主電極と、を備える。前記第1半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1半導体層は、矩形状である。前記第2半導体層と、前記第3半導体層と、はそれぞれドット状に配置されている。前記矩形の互いに対向する辺に対して平行な方向における前記周期的配列構造の最外周の前記周期構造と、前記辺に対して直交する方向における前記周期的配列構造の前記最外周の前記周期構造と、が、異なる。前記周期的配列構造の最外周における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか一方の周期は、前記最外周に沿った前記最外周以外の前記周期的配列構造における前記第2半導体層および前記第3半導体層のいずれか他方の周期の2倍である。以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体素子の模式図であり、aは、半導体素子の全体の概要を示す平面模式図、bは、aのα-β線に沿った位置の断面模式図である。図1aに示すように、半導体素子1は、素子領域セル領域1aと、素子領域1aの周囲に設けられた終端領域1bと、を有する。素子領域1aには、ゲート配線1gが設けられている。図1bに示すように、半導体素子1においては、n形のドレイン層第1半導体層10の上に、ドレイン層10の主面に対し平行な方向に、n形ピラー層第2半導体層11と、p形ピラー層第3半導体層12と、がそれぞれ周期的に配列されたスーパージャンクション構造周期的配列構造80Aを備える。半導体素子1においては、p形ピラー層12の上に、p形のベース層第4半導体層13が設けられている。ベース層13の表面には、n形のソース層第5半導体層14が選択的に設けられている。n形ピラー層11の一部と、ベース層第4半導体層13と、ソース層14の一部と、には、ゲート絶縁膜20を介してゲート電極制御電極21が接している。ゲート電極21は、上述したゲート配線1gに電気的に接続されている。半導体素子1においては、終端領域1bにSJ構造80Aを備えていない。SJ構造80Aの最外周のp形ピラー層12aには、n形もしくはp形の高抵抗層第6半導体層15が接している。すなわち、SJ構造80Aの外側のドレイン層10の上に、高抵抗層15が設けられている。高抵抗層15に含まれる不純物濃度は、SJ構造80Aに含まれる不純物濃度よりも低い。例えば、半導体素子1が高い耐圧を得るためには、高抵抗層15の不純物濃度がn形ピラー層11もしくはp形ピラー層12の不純物濃度の1/10以下であることが望ましい。高抵抗層15の表面には、ガードリング層25が選択的に設けられている。高抵抗層15の表面にガードリング層25を設けることにより、ベース層13の端部での電界集中が抑制される。これにより、半導体素子1は、高い終端耐圧を保持する。高抵抗層15と、ガードリング層25と、の上には、フィールド絶縁層22が設けられている。SJ構造80Aとは反対側の高抵抗層15の側面には、フィールドストップ層23が接している。フィールドストップ層23と、フィールド絶縁層22の一部と、の上には、フィールドストップ電極24が設けられている。ドレイン層10には、ドレイン電極第1主電極30が電気的に接続されている。ベース層13と、ソース層14と、には、ソース電極第2主電極31が接続されている。ドレイン層10、n形ピラー層11、p形ピラー層12、12a、ベース層13、ソース層14、高抵抗層15、フィールドストップ層23、およびガードリング層25の主成分は、例えば、ケイ素Siである。ゲート電極21、ゲート配線1gの主成分は、例えば、ポリシリコンである。ゲート絶縁膜20、フィールド絶縁層22の材質は、例えば、酸化ケイ素SiO2である。ドレイン電極30、ソース電極31、およびフィールドストップ電極24の材質は、金属である。実施形態においては、n形、n形を第1導電形とし、p形を第2導電形としてもよい。また、図中に示すZ軸方向第1方向は、ドレイン層10からベース層13に向かう方向であり、X軸方向第2方向は、Z軸方向に対して垂直な方向であり、Y軸方向第3方向は、X軸方向およびZ軸方向に対して垂直な方向とする。X軸方向は、半導体装置1の平面形状が矩形状である場合、矩形の1つの辺の方向図中の矩形の縦方向の辺であり、Y軸方向は、X軸方向およびZ軸方向に垂直な方向である。ドレイン層10の平面形状が矩形状である場合、この矩形の互いに対向する辺に対して平行な方向X軸方向におけるSJ構造80Aの最外周の前記周期構造と、その辺に対して平行な方向に直交する方向Y軸方向におけるSJ構造80Aの最外周の前記周期構造と、は、異なる。次に、半導体素子1のSJ構造80Aを形成する方法について説明する。SJ構造80Aは、例えば、イオン注入と、結晶成長と、を繰り返す工程によって形成される。この場合、n形ピラー層11のそれぞれの不純物濃度、もしくは、p形ピラー層12のそれぞれの不純物濃度は、イオン注入の際に用いられるマスクの開口面積を変化させることで調整できる。例えば、特定の部分のピラー層の不純物濃度を選択的に低下させるには、特定の部分のピラー層の位置に対応するマスクの開口部の面積をより小さくすればよい。マスクの開口部の面積は、フォトリソグラフィ等によって調整される。例えば、SJ構造の最外周のピラー層の不純物濃度を、他のピラー層の不純物濃度の概ね半分にするには、最外周のピラー層の位置に対応するマスクの開口部の面積を、他のピラー層の位置に対応するマスクの開口部の面積の概ね半分にすればよい。しかし、マスクの材質は、レジストであり、マスクの開口部の面積が小さくなるほど、開口部の面積のばらつきは大きくなる。すなわち、従前の手法により、SJ構造を形成すると、SJ構造の最外周のピラー層の不純物濃度がばらついてしまう可能性がある。例えば、図2は、参考例に係るスーパージャンクション構造を形成するためのマスクパターンの平面模式図である。図2に例示されたマスクパターン400は、図1に示す領域90を形成する際に用いられる。イオン注入の際には、不純物がマスクパターン400の開口部を介して半導体層に選択的に注入される。なお、図2では、説明の都合上、n形不純物を注入するための開口部410、410aと、p形不純物を注入するための開口部420、420aと、が併せて表示されている。マスクパターン400には、p形ピラー層12を形成するための開口部420と、n形ピラー層11を形成するための開口部410と、が周期的にドット状に設けられている。開口部410aの位置と、開口部420aの位置と、は、SJ構造の最外周のピラー層の位置に対応している。また、図中には、素子領域1aの単位セル430の領域が表示されている。SJ構造の最外周のp形ピラー層12aの不純物濃度を、最外周以外のSJ構造のp形ピラー層12の不純物濃度の概ね半分にするためには、図2に示すように、開口部420aの面積を開口部420の面積の概ね半分にすればよい。これにより、開口部420aを介して注入される不純物の量は、開口部420を介して注入される不純物の量の概ね半分になる。同様に、SJ構造の最外周のn形ピラー層の不純物濃度を、最外周以外のSJ構造のn形ピラー層11の不純物濃度の概ね半分にするためには、図2に示すように、開口部410aの面積を開口部410の面積の概ね半分にすればよい。これにより、開口部410aを介して注入される不純物の量は、開口部410を介して注入される不純物の量の概ね半分になる。また、開口部410a、420aのそれぞれの面積を開口部410、420のそれぞれの面積の半分にすることにより、それぞれの単位セル430内のn形ピラー層の不純物量およびp形ピラー層の不純物量の合計量が略同じになる。このようなマスクパターン400を用いれば、SJ構造の最外周のp形ピラー層もしくは、n形ピラー層の不純物濃度を、最外周以外のSJ構造のp形ピラー層もしくは、n形ピラー層の不純物濃度の概ね半分にすることができる。マスクパターン400を用いてSJ構造を形成したときのSJ構造の平面形状の模式図を、図3に示す。図3は、参考例に係るスーパージャンクション構造の平面模式図である。図3には、各ピラー層の位置と、マスクパターンの各開口部の位置と、の対応が分かるように、n形ピラー層11、p形ピラー層12等のほか、マスクパターン400に係る開口部410、420等が表示されている。参考例に係るSJ構造100においては、開口部420aが設けられた場所に、p形ピラー層12aが形成されている。p形ピラー層12aは、SJ構造100の最外周に位置している。p形ピラー層12aには、SJ構造100側において、n形ピラー層11が隣接している。また、p形ピラー層12aには、SJ構造100側とは反対側において、高抵抗層15が隣接している。半導体素子がオフ時には、例えば、n形ピラー層11、11aの電位がp形ピラー層12、12aの電位よりも高くなるように、p形ピラー層12、12aと、n形ピラー層11、11aと、の間に電位差が設けられる。このため、p形ピラー層12と、n形ピラー層11と、によって形成されるpn接合界面からは、p形ピラー層12側およびn形ピラー層11側のそれぞれに空乏層が伸び、p形ピラー層12のそれぞれと、n形ピラー層11のそれぞれと、は、所定の電圧で完全に空乏化する。例えば、図中では、p形ピラー層12と、n形ピラー層11と、によって形成されるpn接合界面からp形ピラー層12側に伸びる空乏層の方向を矢印P1で表し、このpn接合界面からn形ピラー層11側に伸びる空乏層の方向を矢印N1で表している。しかし、SJ構造100の最外周に位置するp形ピラー層12aは、不純物濃度がp形ピラー層12aよりも低い高抵抗層15に隣接している。このため、p形ピラー層12aと、高抵抗層15と、によって形成されるpn接合界面からは、p形ピラー層12a側に空乏層が伸び難くなる。例えば、図中では、p形ピラー層12aと、高抵抗層15と、によって形成されるpn接合界面からp形ピラー層12a側に伸びる空乏層の方向を矢印P2で表し、このpn接合界面から高抵抗層15側に伸びる空乏層の方向を矢印N2で表している。高抵抗層15については、高抵抗層15自体の不純物濃度が低いために、pn接合界面からの空乏層が伸び易い。このため、空乏の伸びを示す矢印N2の長さは、矢印N1、P1の長さよりも長く表記されている。しかし、p形ピラー層12aと、高抵抗層15と、によって形成されるpn接合界面からp形ピラー層12a側に伸びる空乏層は、p形ピラー層12内に伸びる空乏層に比べ伸び難くなる可能性がある。同様の現象は、SJ構造100の最外周に位置するn形ピラー層11a内でも起こり得る。この現象を解消するために、参考例では、開口部420a、410aの面積を開口部420、410の面積よりも小さくして、不純物濃度がp形ピラー層12もしくは、n形ピラー層11よりも低いp形ピラー層12aもしくは、n形ピラー層11aを形成している。これにより、p形ピラー層12a、およびn形ピラー層11aにおいても、空乏層が伸びやすくなり、半導体素子の終端領域は高耐圧になる。例えば、SJ構造の最外周のp形ピラー層12aもしくは、n形ピラー層11aの不純物濃度をp形ピラー層12もしくは、n形ピラー層11の不純物濃度の概ね半分に調整して、p形ピラー層12aもしくは、n形ピラー層11aにおいても、空乏層が伸び易くなる調整している。しかし、マスクの開口部の面積が小さくなるほど、開口部の面積のばらつきが大きくなってしまう。例えば、開口部の幅を、ドレイン層10の主面に対して垂直な方向から眺めたときの開口部の幅として定義する。開口部の幅のばらつきが±0.1μmである場合、開口部の一辺の長さが2μmのときの開口部の面積のばらつきは、±約10程度であるのに対し、開口部の一辺の長さが1μmになると、開口部の面積のばらつきは、±20程度になってしまう。このため、参考例においては、p形ピラー層12aの不純物量のばらつき、および、n形ピラー層11aの不純物量のばらつきが大きくなってしまい、SJ構造の最外周において耐圧が低下する可能性がある。これに対し、第1実施形態では、以下に示す方法により、SJ構造80Aを形成する。図4は、第1実施形態に係るスーパージャンクション構造を形成するためのマスクパターンの平面模式図である。第1実施形態に係るマスクパターン40は、図1に示す領域90を形成する際に用いられる。図4には、マスクパターン40の最外周付近の様子が示されている。イオン注入の際には、不純物がマスクパターン40の開口部を介して半導体層に選択的に注入される。図4では、説明の都合上、n形不純物を注入するための開口部41、41aと、p形不純物を注入するための開口部42、42aと、が併せて表示されている。実際のマスクでは、半導体層にn形不純物を注入する際には、開口部41、41aのみが設けられ、半導体層にp形不純物を注入する際には、開口部42、42aのみが設けられている。マスクパターン40においては、開口部41、41a、42、42aのそれぞれがドット状に周期的に配置されている。開口部41aの位置は、SJ構造80Aの最外周に配置されるn形ピラー層の位置に対応している。開口部42aの位置は、SJ構造80Aの最外周に配置されるp形ピラー層の位置に対応している。開口部41、42のそれぞれは、SJ構造80Aの最外周以外に配置されるn形ピラー層、p形ピラー層のそれぞれに対応している。開口部41、41a、42、42aのそれぞれの面積は、略同じである。マスクパターン40の最外周の周期構造は、SJ構造80Aの最外周に対応している。マスクパターン40の最外周以外の周期構造は、SJ構造80Aの最外周以外の周期構造に対応している。マスクパターン40の最外周の周期構造は、マスクパターン40の最外周以外の周期構造と異なる。例えば、X軸方向において、開口部41aの周期は、開口部42の周期の2倍である。Y軸方向においては、開口部42aの周期は、開口部41の周期の2倍である。また、X軸方向において、開口部41aの一部は、互いに対向する開口部42の間に挿入されている。Y軸方向において、開口部42aの一部は、互いに対向する開口部41の間に挿入されている。また、図4には、素子領域1aにおける単位セル43の領域と、最外周単位セル44X、44Yの領域と、が表示されている。マスクパターン40においては、単位セル43内の開口部41の面積と、開口部42の面積と、が略同じである。また、マスクパターン40においては、X軸方向における最外周単位セル44X内の開口部41aの面積と、開口部42の面積と、が略同じである。また、マスクパターン40においては、Y軸方向における最外周単位セル44Y内の開口部42aの面積と、開口部41の面積と、が略同じである。第1実施形態では、単位セル43と、最外周単位セル44X、44Yと、を組み合わせ、最外周の開口部41a、42aのそれぞれの面積と、最外周以外の開口部41、42のそれぞれの面積と、を略同じにしている。これにより、第1実施形態に係るマスクパターン40においては、開口部のそれぞれの面積のばらつきが抑制される。このようなマスクパターン40を用いてイオン注入を施すと、単位セル43内および最外周単位セル44X、44Y内において、n形ピラー層の不純物濃度と、p形ピラー層の不純物量と、が略同じになる。マスクパターン40を用いて、SJ構造80Aを形成したときの模式的な平面形状を、図5に示す。図5は、第1実施形態に係るスーパージャンクション構造の平面模式図である。図1bの断面模式図は、例えば、図5のα’-β’の位置に対応している。図5には、各ピラー層の位置と、マスクパターンの各開口部の位置と、の対応が分かるように、n形ピラー層11、p形ピラー層12等のほか、マスクパターン40に係る開口部41、42等が表示されている。また、図5には、素子領域1aにおける単位セル43と、最外周単位セル44X、44Yと、が表示されている。図5に示すように、単位セル43内のn形ピラー層11の面積と、p形ピラー層12の面積と、は、略同じである。さらに、最外周単位セル44X内でも、n形ピラー層11aの面積と、p形ピラー層12の面積と、が略同じであり、最外周単位セル44Y内でも、p形ピラー層12aの面積と、n形ピラー層11の面積と、が略同じである。すなわち、単位セル43のそれぞれ、および最外周単位セル44X、44Yのそれぞれにおいて、n形ピラー層の不純物量と、p形ピラー層の不純物量と、は略同じである。第1実施形態に係るSJ構造80Aにおいては、ドレイン層10の主面に対して垂直な方向からみて、n形ピラー層11、11a、p形ピラー層12、12aがドット状に配置されている。SJ構造80Aの最外周の周期構造は、最外周以外のSJ構造80Aの周期構造と異なる。例えば、X軸方向におけるSJ構造80Aの最外周の周期構造と、Y軸方向におけるSJ構造80Aの最外周の周期構造と、は異なる。具体的には、X軸方向においては、開口部41aが設けられた場所に、n形ピラー層11aが形成されている。n形ピラー層11aは、SJ構造80Aの最外周に位置している。n形ピラー層11aには、SJ構造80A側において、p形ピラー層12が隣接している。n形ピラー層11aは、互いに対向するp形ピラー層12の間に設けられている。また、n形ピラー層11aと、p形ピラー層12aと、には、SJ構造80A側とは反対側において、高抵抗層15が隣接している。Y軸方向においては、開口部42aが設けられた場所に、p形ピラー層12aが形成されている。p形ピラー層12aは、SJ構造80Aの最外周に位置している。p形ピラー層12aには、SJ構造80A側において、n形ピラー層11が隣接している。p形ピラー層12aは、互いに対向するn形ピラー層11の間に設けられている。また、p形ピラー層12aと、n形ピラー層11と、には、SJ構造80A側とは反対側において、高抵抗層15が隣接している。また、第1実施形態においては、X軸方向の最外周単位セル44Xのパターンと、Y軸方向の最外周単位セル44Yのパターンと、が異なる。例えば、SJ構造80Aの最外周におけるn形ピラー層11aおよびp形ピラー層12aのいずれか一方の周期は、この最外周に沿った最外周以外のSJ構造80Aにおけるn形ピラー層11およびp形ピラー層12のいずれか他方の周期の2倍になっている。また、それぞれの最外周単位セル44X、44Yにおける不純物量は略同じである。半導体素子1がオフ時には、例えば、n形ピラー層11、11aの電位がp形ピラー層12、12aの電位よりも高くなるように、p形ピラー層12、12aと、n形ピラー層11、11aと、の間に電位差が設けられる。そして、単位セル43内のn形ピラー層11の不純物濃度と、p形ピラー層12の不純物量と、は、略同じである。このため、p形ピラー層12と、n形ピラー層11と、によって形成されるpn接合界面からは、p形ピラー層12側およびn形ピラー層11側のそれぞれに空乏層が伸び、p形ピラー層12のそれぞれと、n形ピラー層11のそれぞれと、は、所定の電圧で完全に空乏化する。例えば、図中では、p形ピラー層12と、n形ピラー層11と、によって形成されるpn接合界面からp形ピラー層12側に伸びる空乏層の方向を矢印P1で表し、このpn接合界面からn形ピラー層11側に伸びる空乏層の方向を矢印N1で表している。これにより、半導体素子1の素子領域1aは、高耐圧を保持する。また、上述したように、最外周単位セル44X、44Y内のn形ピラー層の不純物濃度と、p形ピラー層の不純物量と、は、略同じである。従って、SJ構造80Aの最外周に位置するn形ピラー層11aと、n形ピラー層11aに隣接するp形ピラー層12と、によって形成されるpn接合界面からも、p形ピラー層12側およびn形ピラー層11a側のそれぞれに空乏層が伸び、p形ピラー層12のそれぞれと、n形ピラー層11aのそれぞれと、は、所定の電圧で完全に空乏化する。例えば、図中では、p形ピラー層12と、n形ピラー層11aと、によって形成されるpn接合界面からp形ピラー層12側に伸びる空乏層の方向を矢印P1で表し、このpn接合界面からn形ピラー層11a側に伸びる空乏層の方向を矢印N1で表している。同様の現象は、SJ構造80Aの最外周に位置するp形ピラー層12a内でも起こり得る。これにより、半導体素子1の素子領域1aの終端SJ構造80Aの最外周は、高耐圧を保持する。なお、実際にマスクパターン40を用いて半導体層にイオン注入を施すと、n形ピラー層11と、p形ピラー層12と、の間の距離よりも、n形ピラー層11aと、p形ピラー層12と、の間の距離が短くなる。これは、マスクパターン40において、開口部41と、開口部42と、の間の距離よりも、開口部41aと、開口部42と、の間の距離が短いためである。すなわち、n形ピラー層11aの不純物プロファイルと、p形ピラー層12の不純物プロファイルと、が互いに重なるためである。これにより、実効的なn形ピラー層11aの不純物濃度は、n形ピラー層11に比べ低減する。同様に、n形ピラー層11と、p形ピラー層12と、の間の距離よりも、n形ピラー層11と、p形ピラー層12aと、の間の距離は、短くなる。これにより、実効的なp形ピラー層12aの不純物濃度は、p形ピラー層12に比べ低減する。その結果、SJ構造80Aの最外周は、最外周以外のSJ構造80Aよりも完全に空乏化し易くなり、SJ構造80Aの最外周での耐圧が高くなる。なお、図4では、X軸方向において、開口部41aの一部が互いに対向する開口部42の間に挿入され、Y軸方向において、開口部42aの一部が互いに対向する開口部41の間に挿入された形態を示したが、開口部41aが互いに対向する開口部42の間に挟まれ、開口部42aが互いに対向する開口部41の間に挟まれたマスクパターンであってもよい。このようなマスクパターンを用いても、同様の効果が得られる。このように、マスクパターン40においては、開口部41、41a、42、42aのそれぞれの面積が略同じであるために、n形ピラー層11aの不純物濃度およびp形ピラー層12aの不純物濃度がばらつき難くなる。従って、半導体素子1の耐圧は、参考例に比べてさらに高くなる。第2実施形態図6は、第2実施形態に係るスーパージャンクション構造を形成するためのマスクパターンの平面模式図である。第2実施形態に係るマスクパターン50は、図1に示す領域90を形成する際に用いられる。図6では、説明の都合上、n形不純物を注入するための開口部51、51aと、p形不純物を注入するための開口部52、52aと、が併せて表示されている。実際のマスクでは、半導体層にn形不純物を注入する際には、開口部51、51aのみが設けられ、半導体層にp形不純物を注入する際には、開口部52、52aのみが設けられている。また、図6では、同じ面積の開口部が組になって、それぞれの組ごとに群分けされている。それぞれの組は破線によって群分けされている。括弧内に示された数字は、各群に属す開口部の面積の規格値である。マスクパターン50においては、SJ構造の最外周の内側からSJ構造の最外周側に向かい図中の矢印91の方向、開口部51の面積と、開口部52の面積と、が段階的に小さくなっている。例えば、開口部51の面積と、開口部52の面積と、がX軸方向およびY軸方向においてそれぞれ段階的に変化している。具体的には、開口部51については、群ごとに面積が1.0、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5になるように段階的に小さくなっている。開口部52については、群ごとに面積が1.0、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5になるように段階的に小さくなっている。最外周の開口部51a、52aの面積は、0.5である。このようなマスクパターン50を用いてSJ構造を形成すると、図7のようになる。図7は、第2実施形態に係るスーパージャンクション構造の平面模式図である。図7には、各ピラー層の位置と、マスクパターンの各開口部と、の対応が分かるように、n形ピラー層11、p形ピラー層12等のほか、マスクパターン50に係る開口部51、52等が表示されている。そのほか、図7には、素子領域1aにおける単位セル53の領域と、最外周における最外周単位セル54X、54Yの領域と、が表示されている。第2実施形態に係るSJ構造80Bにおいては、n形ピラー層11のそれぞれと、p形ピラー層12のそれぞれと、がドット状に周期的に配置されている。上述したように、マスクパターン50の開口部の面積は、SJ構造80Bの最外周の内側からSJ構造80Bの最外周側に向かい段階的に小さくなっている。従って、n形ピラー層11の不純物濃度と、p形ピラー層12の不純物濃度と、は、X軸方向およびY軸方向において段階的に変化している。例えば、SJ構造80Bの最外周の内側からSJ構造80Bの最外周側に向かい図中の矢印91の方向、n形ピラー層11の不純物濃度と、p形ピラー層12の不純物濃度と、が段階的に低くなっている。また、第2実施形態に係るSJ構造80Bにおいては、単位セル53内のn形ピラー層11の面積と、p形ピラー層12の面積と、が略同じである。さらに、最外周単位セル54X内でも、n形ピラー層11aの面積と、p形ピラー層12の面積と、が略同じであり、最外周単位セル54Y内でも、p形ピラー層12aの面積と、n形ピラー層11の面積と、が略同じである。すなわち、単位セル53のそれぞれ、および最外周単位セル54X、54Yのそれぞれにおいて、n形ピラー層の不純物量と、p形ピラー層の不純物量と、は略同じである。上述したように、マスクパターン50において、単位セル53内での開口部51と、開口部52と、の面積は略同じである。これにより、SJ構造80Bにおいては、単位セル53内でのn形ピラー層11の不純物量と、p形ピラー層12の不純物量と、が略同じになる。また、マスクパターン50において、最外周単位セル54X内での開口部51aと、開口部52と、の面積は略同じであり、最外周単位セル54Y内での開口部51と、開口部52aと、の面積は略同じである。これにより、SJ構造80Bにおいては、最外周単位セル54X内でのn形ピラー層11aの不純物量と、p形ピラー層12の不純物量と、が略同じになり、最外周単位セル54Y内でのn形ピラー層11の不純物量と、p形ピラー層12aの不純物量と、が略同じになる。すなわち、第2実施形態に係るSJ構造80Bにおいては、それぞれの単位セル53内、およびそれぞれの最外周単位セル54X、54Y内において、n形ピラー層の不純物量と、p形ピラー層の不純物量と、が略同じである。これにより、それぞれの単位セル53内、およびそれぞれの最外周単位セル54X、54Y内において、n形ピラー層と、p形ピラー層と、が完全に空乏化することが可能になる。その結果、第2実施形態に係るSJ構造80Bは、高耐圧を保持する。また、第2実施形態に係るSJ構造80Bにおいては、単位セル53内および最外周単位セル54X、54Y内でのn形ピラー層の不純物量と、p形ピラー層の不純物量と、のバランスが崩れることなく、単位セル53内の不純物量がSJ構造80Bの最外周の内側から最外周側に向かい図中の矢印91の方向、段階的に低くなっている。これにより、SJ構造80Bの端部の耐圧が高くなる。一般的に、SJ構造80Bの最外周がベース層13の端部に近づくほど、SJ構造80Bの最外周の電界分布は、ベース層13の端部での電界集中によって変調され易い。SJ構造80Bの最外周の電界分布が変調されると、SJ構造80Bの端部の耐圧が低下する場合がある。しかし、第2実施形態では、予めSJ構造80Bの端部の耐圧を高くしているので、SJ構造80Bの最外周をベース層13の端部に近づけても、SJ構造80Bの端部の耐圧低下が起き難い。これにより、SJ構造80Bの最外周からベース層13の端部までの余分なオフセット領域を短くすることができ、素子面積がより小さくなる。また、図7に示す各群に属す開口部のそれぞれの面積は、略同じであることから、群ごとの開口部の幅のばらつきは略同じになる。その結果、SJ構造80Bの端部でのピラー層の不純物濃度は、ばらつき難くなり、SJ構造80Bの端部での耐圧低下が抑制される。第3実施形態図8は、第3実施形態に係るスーパージャンクション構造を形成するためのマスクパターンの平面模式図である。図8には、素子領域1aにおける単位セル63の領域と、最外周単位セル64X、64Yの領域と、が表示されている。第3実施形態に係るマスクパターン60は、図1に示す領域90のSJ構造を形成する際に用いられる。図8には、マスクパターン60の最外周付近の様子が示されている。イオン注入の際には、不純物がマスクパターン60の開口部を介して半導体層に選択的に注入される。図8では、説明の都合上、n形不純物を注入するための開口部61、61aと、p形不純物を注入するための開口部62、62aと、が併せて表示されている。実際のマスクでは、半導体層にn形不純物を注入する際には、開口部61、61aのみが設けられ、半導体層にp形不純物を注入する際には、開口部62、62aのみが設けられている。マスクパターン60においては、開口部61は、ハニカム状に配置され、開口部62は、開口部61によって取り囲まれている。マスクパターン60の最外周の周期構造は、SJ構造の最外周に対応している。マスクパターン60の最外周以外の周期構造は、SJ構造の最外周以外に対応している。マスクパターン60の最外周の周期構造は、マスクパターン60の最外周以外の周期構造と異なる。例えば、マスクパターン60の最外周においては、X軸方向の最外周単位セル64Xにおいて、開口部62aが開口部61によって挟まれている。X軸方向においては、2つの開口部61と、1つの開口部62aとが、列をなしている。また、マスクパターン60の最外周においては、Y軸方向の最外周単位セル64Yにおいて、開口部61aが終端になり、開口部61aが列をなしている。また、マスクパターン60においては、X軸方向において、開口部62aの周期が開口部62の周期と略同じである。また、マスクパターン60においては、Y軸方向において、開口部61aの周期が開口部62の周期と略同じである。マスクパターン60においては、単位セル63内の開口部61の面積は、開口部62の面積の略2倍である。また、マスクパターン60においては、X軸方向における最外周単位セル64X内の開口部61の面積は、開口部62の面積の略2倍である。また、マスクパターン60においては、Y軸方向における最外周単位セル64Y内の開口部61の面積は、開口部62の面積の2倍である。第3実施形態では、単位セル63と、最外周単位セル64X、64Yと、を組み合わせ、最外周の開口部61、62のそれぞれの面積と、最外周以外の開口部61、62のそれぞれの面積と、を略同じにしている。これにより、第3実施形態に係るマスクパターン60においては、開口部のそれぞれの面積のばらつきが抑制される。マスクパターン60を用いてイオン注入を施すときは、開口部62から半導体層に注入するドーズ量atoms/cm2を開口部61から半導体層に注入するドーズ量atoms/cm2の略2倍にする。これにより、単位セル63内および最外周単位セル64X、64Y内において、n形ピラー層11の不純物濃度と、p形ピラー層12の不純物量と、が略同じになる。このようなマスクパターン60を用いてSJ構造を形成すると、図9のようになる。図9は、第3実施形態に係るスーパージャンクション構造の平面模式図である。図9には、各ピラー層の位置と、マスクパターンの各開口部と、の対応が分かるように、n形ピラー層11、p形ピラー層12等のほか、マスクパターン60に係る開口部61、62等が表示されている。そのほか、図9には、素子領域1aにおける単位セル63の領域と、最外周における最外周単位セル64X、64Yの領域と、が表示されている。第3実施形態に係るSJ構造80Cにおいては、ドレイン層10の主面に対して垂直な方向からみて、n形ピラー層11は、ハニカム状に配置されている。p形ピラー層12は、n形ピラー層11によって取り囲まれている。SJ構造80Cの最外周の周期構造は、最外周以外のSJ構造80Cの周期構造と異なる。また、SJ構造80Cの最外周におけるX軸方向のp形ピラー層12aの周期は、最外周以外のSJ構造80CにおけるX軸方向のp形ピラー層12の周期と同じである。SJ構造80Cの最外周におけるY軸方向のn形ピラー層11aの周期は、最外周以外のSJ構造80CにおけるY軸方向のp形ピラー層12の周期と同じである。n形ピラー層11の配置がハニカム状になっても、X軸方向の最外周単位セル64Xと、Y軸方向の最外周単位セル64Yと、をSJ構造80Cの最外周に配置することで、それぞれの最外周単位セル64X、64Y内の不純物量は略同じであり、且つ、マスクパターンの開口面積は、素子領域1aと、終端領域1bと、で略同じである。第3実施形態においても第2実施形態のように、段階的にピラー層の不純物濃度を変化させて、SJ構造80Cの端部の耐圧を高くすることも可能である。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、実施形態では、第1導電形をn形、第2導電形をp形として説明をしたが、第1導電形をp形、第2導電形をn型形とする構造も実施形態に含まれる。また、プレーナ型ゲート構造を用いて説明したが、トレンチ型ゲート構造を用いても同様なピラー配置とすることで、同様な効果が得られる。また、終端領域表面にガードリング層を形成する構造を示したが、終端構造に限定されることはなく、リサーフやフィールドプレートなど他の構造を用いても実施可能である。また、イオン注入と埋め込み結晶成長を繰り返すプロセスを用いて説明したが、SJ構造の形成プロセスに限定されることはなく、加速電圧を変化させるプロセスなど他のプロセスを用いても実施可能である。また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。