複数の画素を含む固体撮像装置であって、前記複数の画素は、第1種類の画素および第2種類の画素を含み、前記第1種類の画素は、第1カラーフィルタと、半導体層に形成された第1光電変換部と、前記第1カラーフィルタを透過して前記第1光電変換部に入射し前記第1光電変換部を透過した光を前記第1光電変換部に向けて反射する第1反射領域とを含み、前記第2種類の画素は、第2カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第2光電変換部と、前記第2カラーフィルタを透過して前記第2光電変換部に入射し前記第2光電変換部を透過した光を前記第2光電変換部に向けて反射する第2反射領域とを含み、前記第1カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第2カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第1反射領域の面積は、前記第2反射領域の面積より小さい、ことを特徴とする固体撮像装置。前記半導体層は、第1面および第2面を有し、前記第1カラーフィルタおよび前記第2カラーフィルタは、前記第2面の側に配置され、前記第1種類の画素は、前記第1光電変換部の信号を読み出すために前記半導体層の前記第1面に形成されたトランジスタを更に含み、前記第2種類の画素は、前記第2光電変換部の信号を読み出すために前記半導体層の前記第1面に形成されたトランジスタを更に含む、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体層は、第1面および第2面を有し、前記第1カラーフィルタおよび前記第2カラーフィルタは、前記第2面の側に配置され、前記第1反射領域および前記第2反射領域の少なくとも一方は、前記第1面の側に配置された配線層によって形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体層は、第1面および第2面を有し、前記第1カラーフィルタおよび前記第2カラーフィルタは、前記第2面の側に配置され、前記第1面の側に複数の配線層を含む配線構造が配置され、前記第1反射領域および前記第2反射領域は、前記複数の配線層のうち前記第1面に最も近い配線層によって形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記半導体層は、第1面および第2面を有し、前記第1カラーフィルタおよび前記第2カラーフィルタは、前記第2面の側に配置され、前記第1反射領域および前記第2反射領域の少なくとも一方は、前記第1面の側に配置された部材によって形成され、前記部材は、固定された電位が与えられるか、フローティング状態に維持される、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の画素は、第3種類の画素を更に含み、前記第3種類の画素は、第3カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第3光電変換部と、前記第3カラーフィルタを透過して前記第3光電変換部に入射し前記第3光電変換部を透過した光を前記第3光電変換部に向けて反射する第3反射領域とを含み、前記第1カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第3カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第1反射領域の面積は、前記第3反射領域の面積より小さい、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1反射領域および前記第2反射領域は、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンおよびタンタルのいずれか1つを主成分として構成された部材によって形成されている、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1反射領域および前記第2反射領域は、誘電体多層膜によって形成されている、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記半導体層は、2μm以上の厚さを有する、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。赤色、緑色および青色のそれぞれの画素に反射部が設けられる場合、例えば、緑色の画素のカラーフィルタに斜めに入射し該カラーフィルタを透過した光の一部は、青色の画素の反射部で反射されて当該青色の画素のフォトセンサに入射しうる。この場合、緑色の画素と青色の画素との間で混色が発生しうる。同様にして、緑色の画素と青色の画素との間で混色が発生しうる。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、複数の画素を含む固体撮像装置を対象とし、前記複数の画素は、第1種類の画素および第2種類の画素を含み、前記第1種類の画素は、第1カラーフィルタと、半導体層に形成された第1光電変換部と、前記第1カラーフィルタを透過して前記第1光電変換部に入射し前記第1光電変換部を透過した光を前記第1光電変換部に向けて反射する第1反射領域とを含み、前記第2種類の画素は、第2カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第2光電変換部と、前記第2カラーフィルタを透過して前記第2光電変換部に入射し前記第2光電変換部を透過した光を前記第2光電変換部に向けて反射する第2反射領域とを含み、前記第1カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第2カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第1反射領域の面積は、前記第2反射領域の面積より小さい、ことを特徴とする。本発明によれば、感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術が提供される。図1~図5を参照しながら本発明の第1実施形態の固体撮像装置100について説明する。図1は、固体撮像装置100をその撮像面に垂直な面で切断した模式的な断面図であり、簡単化のために2つの画素のみが示されている。ここで、撮像面とは、複数の画素が配列されて構成された画素アレイが配置された面である。図2は、固体撮像装置100をその撮像面に平行な面である図1のA-A’面で切断した模式的な断面図である。固体撮像装置100は、例えば、MOS型イメージセンサとして、又は、CCDイメージセンサとして構成されうる。固体撮像装置100は、第1面120および第2面121を有する半導体層101を有する。半導体層101は、例えば、シリコン基板で構成されうる。固体撮像装置100は、更に、半導体層101の第1面120の側に配置された配線構造WSと、半導体層101の第2面121の側に配置されたカラーフィルタ層107とを有する。カラーフィルタ層107は、第1カラーフィルタ107a、第2カラーフィルタ107b、第3カラーフィルタ107c不図示を含みうる。第1カラーフィルタ107a、第2カラーフィルタ107bおよび第3カラーフィルタ107cの配列は、例えば、ベイヤー配列に従いうる。第1カラーフィルタ107aの透過率が最大となる波長は、第2カラーフィルタ107bの透過率が最大となる波長より短い。また、第1カラーフィルタ107aの透過率が最大となる波長は、第3カラーフィルタ107cの透過率が最大となる波長より短い。以下では、第1カラーフィルタ107aは青色Bの波長域の光を透過し、第2カラーフィルタ107bは緑色Gの波長域の光を透過し、第3カラーフィルタ107cは赤色Rの波長域の光を透過するものとして説明する。しかしながら、本発明は、第1カラーフィルタ107aが青色Bの波長域の光を透過し、第2カラーフィルタ107bが赤色Rの波長域の光を透過し、第3カラーフィルタ107cが緑色Gの波長域の光を透過する構成においても成り立つ。固体撮像装置100は、更に、カラーフィルタ層107の上にアレイ状に配列された複数のマイクロレンズ108を有しうる。固体撮像装置100は、更に、半導体層101の第2面121とカラーフィルタ層107との間に平坦化層106を有しうる。平坦化層106は、例えば、カラーフィルタ層107の下地膜として機能させることができる。撮像時に、光は、マイクロレンズ108を通して光電変換部102に入射する。ここで、マイクロレンズ108は、半導体層101の第2面121の側に配置され、配線構造WSは、半導体層101の第1面120の側に配置されている。このように、配線構造が設けられた第1面の側とは反対側の第2面の側から光を入射させる固体撮像装置は、裏面照射型と呼ばれうる。半導体層101には、複数の光電変換部102が形成されている。半導体層101と光電変換部102とは、互いに反対導電型の不純物半導体領域で構成され、半導体層101と光電変換部102とによってPN接合フォトダイオードが形成されている。光電変換部102は、信号として読み出される電荷の極性と同一の極性を有するキャリアを多数キャリアとする領域である。半導体層101には、隣接する光電変換部102を相互に分離する素子分離部103が形成されうる。素子分離部103は、光電変換部102の導電型とは反対の導電型を有する不純物半導体領域、および/または、絶縁体を有しうる。ここで、絶縁体は、LOCOS分離またはSTI分離等でありうる。固体撮像装置100は、光電変換部102102a、102b、102cの信号を読み出すために半導体層101の第1面120に形成された複数のトランジスタTrを更に含む。トランジスタTrは、例えばポリシリコンで構成されるゲート電極104を含む。図1、図3、図4では、トランジスタTrを構成するソース、ドレイン、ゲート酸化膜などは省略されている。固体撮像装置100がMOS型イメージセンサとして構成される場合において、複数のトランジスタTrは、例えば、光電変換部102に蓄積された電荷を不図示のフローティングディフュージョンに転送するための転送トランジスタを含みうる。配線構造WSは、積層配線部109と、層間絶縁膜105とを含む。積層配線部109は、例えば、第1配線層110と、第2配線層111と、第3配線層112とを含みうる。層間絶縁膜105は、例えば、シリコン酸化膜で形成されうる。この実施形態では、第1配線層110は、カラーフィルタ107a、107b、107cを透過して光電変換部102に入射し光電変換部102を透過した光を光電変換部102に向けて反射する反射領域を形成している。第1配線層110は、図2に例示されるように、第1反射領域110a、第2反射領域110bおよび第3反射領域110cを含みうる。積層配線部109としての第1配線層110と、第2配線層111と、第3配線層112は、例えば、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンおよびタンタルのいずれか1つを主成分として構成されうる。あるいは、第1反射領域110a、第2反射領域110b、第3反射領域110cは、例えば、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンおよびタンタルのいずれか1つを主成分として構成された部材によって形成されうる。固体撮像装置100は、複数の画素が配列されて構成された画素アレイを有する。ここで、複数の画素は、少なくとも第1種類の画素と第2種類の画素とを含み、典型的には、第1種類の画素と第2種類の画素と第3種類の画素とを含む。一例において、第1種類の画素は、第1カラーフィルタ107aと、第1光電変換部102aと、第1反射領域110aとを含みうる。第1反射領域110aは、第1カラーフィルタ107aを透過して第1光電変換部102aに入射し第1光電変換部102aを透過した光を第1光電変換部102aに向けて反射する。第2種類の画素は、第2カラーフィルタ107bと、第2光電変換部102bと、第2反射領域110bとを含みうる。第2反射領域110bは、第2カラーフィルタ107bを透過して第2光電変換部102bに入射し第2光電変換部102bを透過した光を第2光電変換部102bに向けて反射する。第3種類の画素は、第3カラーフィルタ107cと、第3光電変換部102cと、第3反射領域110cとを含みうる。第3反射領域110cは、第3カラーフィルタ107cを透過して第3光電変換部102cに入射し第3光電変換部102cを透過した光を第3光電変換部102cに向けて反射する。第1反射領域110aの面積は、第2反射領域110bの面積より小さい。また、第1反射領域110aの面積は、第3反射領域110cの面積より小さい。以下、具体的な例を提供するために、半導体層101の厚さが3μmであるものとして、半導体層101による光の吸収、反射領域110a、110b、110cを設けることによる効果を説明する。第2面121に入射した光が第2面121と第1面120との間の半導体領域において吸収される割合第2面121に入射した光に対する割合は、光の波長によって異なる。光が第2面121に対して垂直に入射する場合を考える。この場合、第2面121を通過して第1面120に到達するまでの間に、緑色のカラーフィルタ107bを透過した波長550nmの光はその約87.2が吸収され、赤色のカラーフィルタ107cを透過した波長620nmの光はその約70.3が吸収される。このとき、図3に模式的に示すように、吸収されなかった光114は、反射領域110a、110b、110cを含む第1配線層110で反射され、光電変換部102に戻され、光電変換部102で吸収される。よって、反射領域110a、110b、110cを設けることによって感度を向上させることができる。一方、青色のカラーフィルタ107aを透過した波長450nmの光113は、第2面121から第1面120へ到達するまでの間にその99.9が吸収される。つまり、波長450nmの光113の殆どは、第1面120へ到達する前に光電変換部102で光電変換される。そのため、青色の画素第1種類の画素の第1面120の側に設ける反射領域110aは、緑色および赤色の画素の第1面120の側に設ける反射領域110b、110cより面積が小さくても、感度には殆ど影響がない。むしろ、青色の画素第1種類の画素に設けられた第1反射領域110aには、図4に模式的に示すように、周辺の画素の光電変換部102を透過した緑色領域および赤色領域の光114が入射しうる。このような光114が青色の画素第1種類の画素に設けられた第1反射領域110aで反射され、青色の画素の光電変換部102aに入射しうる。これにより、青色の画素の信号に他の色の画素の信号が混ざる混色が起こりうる。したがって、青色の画素第1種類の画素の第1反射領域110aの面積を第2反射領域110bの面積より小さくし、第1反射領域110aの面積を第3反射領域110cの面積より小さくすることにより、感度の向上と混色の低減を実現することができる。ここで、青色の画素第1種類の画素の第1反射領域110aの面積を第2反射領域110bおよび第3反射領域110cのいずれか一方の面積より小さくするだけでも、感度の向上と混色の低減の効果を得ることができる。第1実施形態では、反射領域110a、110b、110cを配線層110により形成しているので、別個の層を追加する必要がなく、製造工程の複雑化を抑制することができる。また、第1実施形態では、反射領域110a、110b、110cを複数の配線層110、111、112のうち半導体層101の第1面120に最も近い配線層によって形成している。これにより、反射領域110a、110b、110cと光電変換部102との距離が短くなり、迷光を低減することができる。その結果、感度が向上し、混色が低減される。第1実施形態では、反射領域110a、110b、110cが複数の配線層110、111、112のうち半導体層101の第1面120に最も近い配線層によって形成されている。しかしながら、反射領域110a、110b、110cは、他の配線層111、112によって形成されてもよいし、複数の配線層110、111、112のうちの2以上の配線層によって形成されてもよい。反射領域の面積は、反射領域として機能する部分を第1面120に投影したときに第1面120に投影された部分の面積として評価されうる。図5a、bには、第1配線層110で反射領域110a、110b、110cを形成し、第2配線層111で反射領域111a、111b、111cを形成し、第3配線層112で反射領域112a、112b、112c形成する例が示されている。ここで、図5bには、反射領域として機能する部分が第1面120に投影して示されている。第1種類の画素は、第1反射領域110a、111a、112aを有し、第2種類の画素は、第2反射領域110b、111b、112bを有し、第3種類の画素は、第3反射領域110c、111c、112cを有する。このような構成では、反射領域110a、110b、110cを形成する第1配線層110の面積を小さくすることができるので、第1配線層110と半導体層101との間の寄生容量が小さくなり、ノイズが低減される。上記の具体例では、半導体層101の厚さが3μmであったが、半導体層101の厚さは、例えば2μm以上でありうる。半導体層101の厚さが2μm以上である場合、青色のカラーフィルタ107aを透過した波長450nmの光は、第2面121から第1面120へ到達する間にその99.0以上が吸収される。青色のカラーフィルタ107aを透過した波長450nmの光の殆どは、第1面120へ到達する前に光電変換部102で光電変換される。そのため、青色の画素第1種類の画素の第1面120の側に設ける反射領域110aは、緑色および赤色の画素の第1面120の側に設ける反射領域110b、110cよりも小さくても、感度には殆ど影響がない。反射領域110a、110b、110cの形状は、それに対応する光電変換部102に光が集光されるように凹面形状にされうる。マイクロレンズ108の焦点位置を第1面120と反射領域110a、110b、110cとの間にすることにより、反射領域110a、110b、110cによって反射された光の広がりを抑制することができる。これにより、反射領域110a、110b、110cによって反射された光が光電変換部102に戻される割合を高くすることができ、感度を向上させることができる。図6を参照しながら本発明の第2実施形態の固体撮像装置200について説明する。ここで言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態の固体撮像装置200は、反射領域210a、210b、210cが積層配線部109とは異なる位置に配置されている。ここで、反射領域210a、210b、210cは、前述の反射領域110a、110b、110cと同様に、カラーフィルタ107を透過して光電変換部102に入射し光電変換部102を透過した光を光電変換部102に向けて反射する。第1反射領域210aは、第1カラーフィルタ107aを有する第1種類の画素に設けられる。第2反射領域210bは、第2カラーフィルタ107bを有する第2種類の画素に設けられる。第3反射領域210cは、第3カラーフィルタ107cを有する第3種類の画素に設けられる。反射領域210a、210b、210cを有する部材が金属などの導電材料で構成される場合において、当該部材は、固定された電位が与えられるか、フローティング状態に維持されうる、反射領域210a、210b、210cは、例えば、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンおよびタンタルのいずれか1つを主成分として構成された部材によって形成されうる。あるいは、反射領域210a、210b、210cは、誘電体多層膜によって形成されてもよい。第1反射領域210aの面積は、第2反射領域210bの面積より小さい。また、第1反射領域210aの面積は、第3反射領域210cの面積より小さい。第2実施形態では、反射領域210a、210b、210cが積層配線部109とは異なる位置に配置されているので、反射領域210a、210b、210cを形成するための工程を追加する必要がある。しかしながら、一方で、配線を目的とする積層配線部109を反射領域としても利用する構成に比べて、反射領域210a、210b、210cの配置の自由度は高く、第1面120により近い位置に反射領域210a、210b、210cを配置しうる。これにより、迷光を低減することができる。その結果、感度が向上し、混色が低減される。また、配線を目的とする積層配線部109を反射領域としても利用する構成に比べて、反射領域210a、210b、210cは、それを形成するための材料の選択の自由度が高いので、例えば、アルミニウムや銅よりも反射率の高い材料を使用することができる。これにより感度を向上させることができる。また、配線を目的とする積層配線部109を反射領域としても利用する構成に比べて、反射領域210a、210b、210cは、形状の自由度が高いので、例えば、光電変換部に光を集光させる凹面形状などを採用することができる。これにより感度を向上させることができる。第2実施形態では、第1種類、第2種類および第3種類の画素の全てが積層配線部109とは異なる部材で形成された反射領域を有する。しかしながら、本発明は、第1種類、第2種類および第3種類の画素の一部は積層配線部109とは異なる部材で形成された反射領域を有し、他の一部は積層配線部109を反射領域としうる。例えば、青色および緑色の画素の反射領域を第1配線層110で形成し、赤色の画素の反射領域を第1面120と第1配線層110との間に配置しうる。これは、赤色の画素の反射領域の反射率を青色および緑色の画素の反射領域の反射率よりも高くし、赤色の画素の感度を向上させるために有利である。あるいは、青色の画素の反射領域を第1配線層110で形成し、緑色および赤色の画素の反射領域を第1面120と第1配線層110との間に配置しうる。これは、緑色および赤色の画素の反射領域の反射率を青色の画素の反射領域の反射率よりも高くし、緑色および赤色の画素の感度を向上させるために有利である。反射領域210a、210b、210cは、半導体層101と積層配線部109との間に限らず、積層配線部109内の配線層110、111、112の間に形成されてもよい。反射領域210a、210b、210cは、第1種類、第2種類、第3種類の画素のそれぞれに応じた位置つまり、反射すべき光の波長帯域に応じた位置に配置されてもよい。これにより、第1種類、第2種類、第3種類の画素の感度を個々に高めることができる