"ナノパターンニングされた円筒状のフォトマスクを形成する方法であって、マスター基板上にマスターパターンを形成する工程であって、前記マスターパターンは、大きさが約1ナノメートルから約100マイクロメートルの範囲の要素を含む、工程と、透明な円筒体の表面上にエラストマー材料の層を形成する工程と、マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程と、を含む方法。前記マスター基板は、平坦なリジッド基板である請求項1に記載の方法。前記マスター基板は、フレキシブルな材料からなる請求項1に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、プレートトゥシリンダーナノインプリントリソグラフィ、標準的な接触又は近接形態における光学リソグラフィ、ボンドデタッチ又は転写リソグラフィ、マイクロコンタクト印刷、ナノ転写印刷、及び走査ビーム干渉リソグラフィを含む請求項1に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、リソグラフィマスクとして前記マスターを用いるリソグラフィ処理の際に、前記円筒体を連続的に回転することを含む請求項1に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、リソグラフィ処理間でのその後の回転ステップ時に、円筒体の一つの部分でリソグラフィがなされるステップ-アンド-ローテートモードを含む請求項1に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、プレート-トゥ-シリンダー形態のナノインプリントリソグラフィ技術を含む請求項1に記載の方法。前記ナノインプリントリソグラフィ技術は、レリーフプロファイルを前記円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にインプリントするために、前記円筒体に前記レリーフプロファイルを有するナノ構造化された基板マスターを接触することを含む請求項7に記載の方法。前記円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料のインプリントされた部分を硬化する工程をさらに含む請求項8に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、接触光リソグラフィを用いることを含む請求項1に記載の方法。前記マスターから前記円筒体の前記表面のエラストマー材料の前記層へ前記マスターパターンを転写する工程は、ボンドデタッチリソグラフィ技術を用いることを含む請求項1に記載の方法。前記ボンドデタッチリソグラフィ技術は、堆積又は成長された酸化層を有する基板上の金属層に形成される前記マスターパターンを形成する工程と、プラズマ、UV、オゾン又はコロナ放電へ露出することにより前記エラストマー材料及び前記酸化層を活性化する工程と、活性化された前記酸化層及び活性化された前記エラストマー材料の露出された部分を接触させて、互いに接合すると共に、前記酸化層の金属で覆われた部分を接合しない工程と、前記円筒体を回転させて、前記エラストマー材料の接合した部分を前記円筒体から引き離す工程と、を含む請求項11に記載の方法。前記パターンは、大きさが約10ナノメートルから約1マイクロメートルの範囲の要素を含む請求項1に記載の方法。前記パターンは、大きさが約50ナノメートルから約500ナノメートルの範囲の要素を含む請求項1に記載の方法。ナノパターンニングされた円筒状のフォトマスクを形成する方法であって、エラストマー基板上にパターンを形成する工程であって、前記パターンは、大きさが約1ナノメートルから約100ミクロンの範囲の要素を含む、工程と、パターンニングされた前記エラストマー基板を円筒体の表面へラミネートする工程と、を含む方法。ナノパターンニングされたエラストマーは、前記円筒体へ取り付けられたときにその端部において膜がわずかに重複するように前記円筒体の周囲の長さよりもわずかに長い請求項15に記載の方法。前記パターンを有する前記円筒体上のエラストマー膜の端部の隙間を埋める工程をさらに含む請求項15に記載の方法。エラストマー膜は、薄い金属コーティングで覆われ、ナノ構造パターンは、前記金属コーティングで形成され、エラストマーが、前記円筒体と前記金属コーティングで形成されたナノ構造パターンとの間にあるように前記エラストマーは、前記円筒体へ取り付けられ、前記フォトマスクは、プラズモニックマスクである、請求項15に記載の方法。エラストマー膜は、2又はそれ以上の層を含む請求項15に記載の方法。前記2又はそれ以上の層は、相対的に薄くかつ柔軟な第1の層と、相対的に薄くかつ硬い第2の層とを含み、前記第1の層が前記円筒体の前記表面と前記第2の層との間となるように、前記第1及び第2の層は、前記円筒体の前記表面にラミネートされ、ナノ構造パターンは、前記第2の層に形成される請求項19に記載の方法。前記エラストマー基板上に前記パターンを形成する工程は、前記エラストマー基板上に形成される前記パターンの一部に対応するパターンを有する小さなマスターを形成する工程と、前記小さなマスター上の前記パターンを一又はそれ以上のサブマスターへ転写する工程と、前記パターンを前記エラストマー基板上へインプリントするためのモールドとして前記サブマスターを使用する工程と、を含む請求項15に記載の方法。前記サブマスターへの転写は、スタンプ-アンド-ステップ法により行われる請求項21に記載の方法。前記サブマスターの大きさは、パターンにおけるわずかな重複がエラストマー基板上の連続的なギャップフリーパターンを提供するように、フィールド間のステップよりもわずかに大きくなるように選択される請求項22に記載の方法。前記エラストマー基板上に前記パターンを形成する工程は、エラストマーシートをパターンニングするために干渉リソグラフィを用いることと、前記エラストマー基板を形成するために用いられる第2のレプリカを生成することを含む請求項15に記載の方法。前記パターンは、大きさが約10ナノメートルから約1マイクロメートルの範囲の要素を含む請求項15に記載の方法。前記パターンは、大きさが約50ナノメートルから約500ナノメートルの範囲の要素を含む請求項15に記載の方法。ナノパターンニングされた円筒状のフォトマスクを形成する方法であって、透明な円筒体の表面上にエラストマー材料の層を形成する工程と、直接パターンニング処理により前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にパターンを形成する工程であって、前記パターンは、大きさが約1ナノメートルから約100マイクロメートルの範囲の要素を含む、工程と、を含む方法。前記エラストマー材料上に前記パターンを形成する工程は、前記透明な円筒体の外面に液状ポリマー前駆体を堆積する工程と、前記パターンを平坦なマスター又はサブマスターポリマー前駆体から転写する工程と、固定された前記パターンを有するポリマー膜を形成するために前記ポリマー前駆体を硬化する工程と、を含む請求項27に記載の方法。前記パターンを転写する工程は、前記マスターにより前記パターンをナノインプリントすることを含む請求項28に記載の方法。ナノインプリントする前に前記ポリマー前駆体を部分的に硬化する工程をさらに含む請求項29に記載の方法。エラストマー膜は、薄い金属コーティングでコーティングされ、ナノ構造パターンは、前記金属コーティングで形成され、エラストマーは、前記透明な円筒体と前記金属コーティングで形成される前記ナノ構造パターンとの間にあり、前記フォトマスクは、プラズモニックマスクである、請求項27に記載の方法。エラストマー膜は、2又はそれ以上の層を含む請求項27に記載の方法。前記2又はそれ以上の層は、相対的に薄くかつ柔軟な第1の層と、相対的に薄くかつ硬い第2の層とを含み、前記第1の層が前記円筒体の前記表面と前記第2の層との間となるように、前記第1及び第2の層は、前記円筒体の前記表面にラミネートされ、ナノ構造パターンは、前記第2の層に形成される請求項32に記載の方法。直接パターンニング処理により前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にパターンを形成する工程は、前記円筒体上に塗布されたフォトレジストに干渉リソグラフィを行う工程と、前記フォトレジストを現像する工程と、現像された前記フォトレジストの前記パターンにおける開口を通じて前記円筒体に材料をめっきする工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、マスター円筒体の残留物の表面のめっきされた材料の前記パターンを残し、それにより、ナノ構造化されたマスター円筒体を形成する工程と、前記透明な円筒体上の液状ポリマーへのシリンダー-トゥ-シリンダーナノインプリントパターン転写のためにナノ構造化されたマスター円筒体を用いる工程と、を含む請求項27に記載の方法。前記直接パターンニング処理により前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にパターンを形成する工程は、前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にレーザーアブレーションを行うことを含む請求項27に記載の方法。前記レーザーアブレーションを行うことは、2-フォトン又は3-フォトンエッチングの使用を含む請求項27に記載の方法。前記直接パターンニング処理により前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にパターンを形成する工程は、ナノ構造化されたアルミナによりマスター円筒体をコーティングする工程と、シリンダー-トゥ-シリンダーナノインプリントリソグラフィを用いて、前記ナノ構造化されたアルミナのナノパターンを前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料へ転写する工程と、を含む請求項27に記載の方法。前記直接パターンニング処理により前記透明な円筒体の前記表面上の前記エラストマー材料にパターンを形成する工程は、所望のナノ構造化された表面レリーフパターンを形成するために平坦な基板をパターンニングする工程と、UV硬化可能な液状ポリマー前駆体材料により前記透明な円筒体をコーティングする工程と、前記液状ポリマー前駆体材料が前記表面レリーフパターンへ流れ込むように、前記UV硬化可能な液状ポリマー前駆体材料をナノ構造化された前記表面レリーフパターンに接触させる工程と、前記透明な円筒体の前記表面上の前記UV硬化可能な液状ポリマー前駆体材料の一部分を硬化するために、前記透明な円筒体の前記表面と前記UV硬化可能な液状ポリマー前駆体材料との接触領域をUV光へ露出する工程と、前記透明な円筒体が前記円筒体と前記基板との間の摩擦力によって回転するように前記基板を移動する工程と、を含む請求項27に記載の方法。前記パターンは、大きさが約10ナノメートルから約1マイクロメートルの範囲の要素を含む請求項27に記載の方法。前記パターンは、大きさが約50ナノメートルから約500ナノメートルの範囲の要素を含む請求項27に記載の方法。上述した用途は、マスター電子ビーム、深UV、干渉及びナノインプリントリソグラフィ等の既知のナノリソグラフィ技術の一つを用いて製造されるからマスクを製造し、その後、レプリカを形成するためにポリマーを硬化したポリマー材料をモールディングすることによりマスターからレプリカを生成し、最後に、円筒体の表面上にレプリカ膜をラミネートするこのようなマスクの方法を提案する。残念ながら、この方法は、ポリマー膜のピース間でのいくつかのマクロなスティッチングラインを回避できず、生成してしまうたとえ、マスターが非常に大きく、ワンピースのポリマー膜だけが円筒体の表面全体を覆うように要求された場合であっても、一つのティッチングラインが回避できない。本願は、ローリングマスクリソグラフィ装置のためのマスクを製造するいくつかの新たな方法を提案する。本発明の実施形態は、本体の内側又は外側に配置される光源と、膜の外側表面上にナノ構造を有する円筒体の外側表面上にラミネート、堆積又は他の手法で形成される透明なエラストマー膜と、を有し、光学的に透明な円筒体を備える近接場光学リソグラフィマスクの製造の課題を解決する。マスクは、約1ナノメートルから約100マイクロメートルの範囲の大きさの要素featuresを有するパターンを備え、約10ナノメートルから約1マイクロメートルであることが好ましく、約50ナノメートルから約500ナノメートルであることがより好ましい。マスクは、約1ナノメートルから約1000ナノメートルの大きさの範囲の要素を印刷するために用いられることができ、約10ナノメートルから約500ナノメートルメートルであることが好ましく、約50ナノメートルから約200ナノメートルであることがより好ましい。本発明の実施形態は、ローリングマスクリソグラフィのための近接場光学リソグラフィの製造に有益な方法に関連する。円筒状マスクは、ポリマーでコーティングされ、位相シフトリソグラフィ又はプラズモニック印刷のためのマスクを得るために所望の要素でパターンニングされるポリマー例えば、エラストマーは、円筒体表面上に配置される前又は後にパターンニングされる。円筒体表面へのイメージ転写のためのマスターは、既知のマイクロリソグラフィ又はナノリソグラフィ法例えば、ナノインプリントリソグラフィ、エネルギービーム、UVフォトリソグラフィ、干渉リソグラフィ、自己組織化、ナノポーラス材料又は自然ナノ構造化表面を用いて生成される。マスターは、所望のナノメートルスケールの要素を有する平坦なリジッドプレート又はフレキシブルフィルムでありうる。以下の方法は、円筒体表面上にポリマー層をパターンニングすることが提案される:プレート-トゥ-シリンダーplate-to-cylinderナノインプリントリソグラフィ、標準的な接触又は近接場形態の光学リソグラフィ、ボンドデタッチ又はデカールトランスファーリソグラフィ、マイクロコンタクトプイリンティング、ナノトランスファープリンティング及び走査ビーム干渉リソグラフィscanningbeaminterferencelithography。全ての提案された方法は、リソグラフィプロセス中に円筒体が連続的に回転される連続的なモードで実施されうる。それに替えて、全ての提案された方法は、プロセス間でその後の回転ステップ時に、リソグラフィが円筒体の一つの部分で行われるステップ-アンド-ローテートモードで実施されうる。詳細な説明の前置きとして、本願明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形1つのa、an、及びこのtheは、文脈から明らかにそうではないと判明する場合でない限り、複数形の指示対象を包含するということに留意されたい。以下の詳細な説明では、その一部を形成し、本発明が実践される特定の実施形態を図示することにより示される、添付の図面が参照される。ここで、上top、下bottom、前front、後back、先頭のleading、後端のtrailing、上のabove、下のbelow等の方向を示す用語は、説明される図面の方向を示すために用いられる。本発明の実施形態の構成要素が多数の異なる方向に位置しうるため、方向を示す用語は、図示を目的に用いられ、それに制限されない。他の実施形態が用いられてもよく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で構造的又は論理的な変化がなされてもよい。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではなく、また、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義される。発明者らは、以前に国際公開公報WO2009094009号においてローリングマスクRollingmask近接場ナノリソグラフィシステムについて説明しており、これは、参照により本明細書に援用される。実施形態の一つは、図1に示される。ローリングマスクRollingmaskは、光源12を含む中空円筒体11の形状のガラス石英フレームからなる。円筒体11の外側表面上にラミネートされたエラストマー膜13は、所望のパターンに基づいて製造されたナノパターン14を有する。ローリングマスクは、感光性材料16でコーティングされた基板15と接触させられる。ナノパターン14は、位相シフト露光を実施するように設計されることができ、このような場合に、ナノグルーブのアレイ、ポスト又はカラムとして製造される、又は任意の形状の要素を含んでもよい。それに替えて、ナノパターンは、プラズモニック印刷のためのナノメタリックアイランドのパターンのアレイとして製造されうる。ローリングマスクのナノパターンは、大きさが約1ナノメートルから約100マイクロメートルの範囲の要素を有することができ、約10ナノメートルから約1マイクロメートルの範囲が好ましく、約50ナノメートルから約500ナノメートルの範囲がより好ましい。ローリングマスクは、大きさが約1ナノメートルから約1000ナノメートルの範囲の要素を印刷することに用いることができ、約10ナノメートルから約500ナノメートルの範囲が好ましく、約50ナノメートルから約200ナノメートルの範囲がより好ましい。ローリングマスク近接場光学リソグラフィのためのオプト-メカニカルシステムの全体図は、図2に示され、円筒体21は、バネ27でつるされている。図3は、本発明の第1実施形態を示し、プレート-トゥ-シリンダー形態のナノインプリントリソグラフィ技術は、円筒体表面に堆積されたポリマー層をパターンニングするために用いられてもよい。中空の透明な円筒体31は、ディッピング、スプレーイング、ローラーコーティング、ナイフエッジコーティング、又は他の方法を用いて、ポリマー材料32でコーティングされる。円筒体31は、レリーフプロファイル34を有するナノ構造化された基板マスター33で覆われ、レリーフプロファイル34は、ポリマー材料32にインプリントされる。円筒体の表面のインプリントされた部分は、熱又はUV光で硬化される例えば、熱硬化又はUV硬化ポリマー。このプロセスは、マスターの表面上の円筒体を回転すること、又はマスターを移動することによる連続的なモードで行われることができ、インプリントプロセス時に回転可能な円筒体と接触する。マスター33と接触する円筒体31の一部分のインプリントされたストライプの熱硬化は、例えば、アパーチャ36を通じて高温ガスをブローするホットガンのような熱源35を用いてなされうる。それに替えて、IRランプが熱源35として用いられてもよい。アパーチャ36は、熱せされる円筒体31の一部分を隔離するように構成されてもよい。熱源35は、マスター33が透明な材料である場合に、マスターの他の側から円筒体31の内側又は外側に配置されうる。アパーチャ36は、加熱ゾーンに対する良好な熱アイソレーションを提供するための冷却手段を含む。UV硬化は、UVランプ又はUVLEDを用いて行われうる。また、アパーチャ又は光学系は、インプリント領域のみに光を集中させるために用いられうる。それに替えて、マスター33は、マスターに接触するポリマーが動的に硬化するように、加熱されうる。冷却シールドは、マスター33と接触しない円筒体の領域を熱的に隔離するために実施されうる。ポリマー32として用いられうる熱硬化ポリマーの一例は、ポリジメチルシロキサンPDMSのようなエラストマーである。UV硬化ポリマーの一例は、エポキシシリコーン材料又はポリジメチルシロキサン-ウレタンアクリレートでありうる。円筒体31は、円筒体31の表面が完全にパターンニングされない間のこの動的なインプリントプロセス時にマスター33の並進運動に同期して回転する。円筒体の回転は、パターンの重複を最小化又は防ぐために精密角度エンコーダーを用いて正確に制御されうる。図4は、接触光学リソグラフィが光学マスク41を用いてパターンを形成するために用いられる別の実施形態を示し、光学マスク41は、透明及び不透明な要素を有するマスク、又は表面レリーフを有する位相シフトマスク、又は2つの組み合わせ又は3つ全てのマスクのタイプの組み合わせでありうる。光は、光源43から光学系44を通じて接触領域へ向けられる。回転の速度は、感光性ポリマー45の所望の露光時間を提供するように設計される。露光プロセスは、次にポリマーの現像が続き、ポリマーの現像は、露光された領域ポリマーがポジティブの場合及び露光されない領域ポリマーがネガティブの場合を溶解する。図5は、円筒体51に堆積されるポリマー52のパターンニングに用いられるいわゆるボンド-デタッチリソグラフィの別の実施形態を示す。ポリマー52は、例えば、エラストマー材料、特に、ポリジメチルシロキサンPDMSからなる。ポリマー52又はその前駆体は、円筒体51に堆積される。ガラス又は他の適切な材料からなる基板53は、基板53上に堆積又は成長された酸化層を有する。一実施形態では、パターン54は、ガラス/酸化物に堆積された金の層に形成される。別の実施形態では、パターン54は、テフロン登録商標又はパリレン層からなってもよい。ポリマー52及び基板53上の酸化層54の露光された部分の両方の面は、酸素、エアプラズマ、UVオゾン、コロナ放電55に露出されることにより活性化される。その後、活性化されたポリマー52と活性化された酸化物54とが接触すると、それらは、強固なSi-O-Si結合により互いに結合する。この結合の強度は、接触領域のみに局所的な加熱を提供するためのアパーチャ又はシールド57を通じたヒートガン又はIRランプのような熱源56を用いた急速な温度硬化により促進されうる。それに替えて、基板53は、接触すると、PDMS-酸化結合の急速な硬化を促進するように加熱されうる。特定の活性化されたポリマー例えば、PDMSは、金の表面で結合を形成する。円筒体が回転すると、基板上の酸化物は、結合したポリマー52を引き付けて、円筒体51から離し、円筒体51の表面上にパターンを形成して、酸化物表面上の金のパターンを補完する。さらに別の実施形態では、デカールトランスファーリソグラフィは、円筒体をパターンニングするために用いられてもよい。このような実施形態では、マスターは、基板に堆積され、かつ所望の要素でパターンニングされた薄いエラストマー層例えば、PDMSからなってもよい。図6は、例えば、UV、オゾン、酸化物、エアプラズマ、又はコロナ放電のような活性化源への露出により円筒体62上にパターンニングされたエラストマーマスター64及びパターンニングされないエラストマー62の両方の表面がどのように活性化されるか、及び円筒体62の回転時の接触を示す。その結果、マスター上のエラストマー要素は、円筒体62上のエラストマー層と結合され、円筒体が回転すると、マスターから円筒体の表面上に転写される。より好ましい別の実施形態では、エラストマーマスターは、再利用されうる。この場合、ガラス、Si又は他のリジッド材料からなるリジッドマスターは、所望の要素でパターンニングされ、その後、特定の厚さを有するエラストマー例えば、PDMS層は、この表面レリーフの上に堆積される。位相マスクの場合には、エラストマー層は、位相マスク表面レリーフの所望の厚さと等しい又は非常に近い厚さを有することが好ましい。マスクにより使用される光の波長及びマスク材料の屈折率によると、理想的な厚さは、100nm-500nmでありうる。これに限定されないが例として、365nmの光源及びSylgard184PDMScompositionとして商業的に販売されているPDMSの理想的な厚さは、約400nmである。UVオゾン、酸化物、エアプラズマ、又はコロナ放電により活性化され、円筒表面上のPDMSの層に接触すると、マスタープロファイルにより規定されるPDMSフィーチャーは、円筒体表面に転写される。その後、マスターは、残りのPDMS材料から切り離され、次のプロセスで再度コーティングされる。次のいくつかの実施形態は、プラズモニック近接場マスクの製造方法について説明する。第1の実施形態では、図7に示すように、プラズモニック近接場マスクは、上述した位相シフトマスク製造と同様の方法の一つを用いて製造される。近接場マスクは、円筒体72上のナノパターンニングされたエラストマー層71を含む。プラズモニック効果は、パターンニングされた基板75上のフォトレジスト表面74に堆積される薄い金属の膜73を用いることにより実現されうる。光源76からのUV光がナノパターンニングされたエラストマー層71を通じて通過したとき、局部的な表面プラズモンは、入射フォトンと金属膜73の表面の自由電子との相互作用により励起される。プラズモンの励起は、ナノパターンの端部に大量のエネルギー蓄積を招く。エラストマーマスクパターンの端部は、フォトレジストの光波場の変調を提供し、これは、基板75の対応するパターンを形成するために用いられる。それに替えて、薄い金属層は、先ず、円筒体表面に直接堆積されることができ、その後、薄い例えば、100nm以下エラストマー層は、金属層の上に堆積され、かつ本発明で説明した方法のいずれかに基づいてパターンニングされることができる。得られたマスクは、エラストマーマスクパターンの端部がフォトレジストの光波場の変調を提供するプラズモニックマスクとして機能することができ、パターンを形成するために用いられる。図8に示すさらに別の実施形態では、プラズモニックマスクの製造は、a上述した方法の一つ例えば、ナノインプリント又は光学リソグラフィに基づいて円筒体82上のフォトレジスト81の堆積及びパターンニングにより開始する。その後、b金属層がフォトレジストパターンの上に堆積され、それに続いてc円筒体82の表面上の金属パターン84を除去するリフトオフプロセスフォトレジストの溶解が行われる。最後に、d薄いエラストマー例えば、PDMS層85は、金属層84上に堆積される。得られたマスクは、プラズモニック近接場マスクとして機能することができる。別の実施形態は、円筒体表面に金属パターンを転写するためのマイクロコンタクトプリンティング技術を用いる。図9のaは、円筒体91が、先ず、金属層92例えば、金の層で覆われ、次に、その上に堆積された自己組織化モノレイヤーself-assembledmonolayerSAM94を有するパターンニングされた基板マスター93と接触される、このスキームを示す。軟らかい材料からなるマスター93にとっては、マスター93の表面と円筒体91との密着性を確実にすることが好ましく、よって、PDMSのようなエラストマーは、この目的のために用いられてもよい。SAM94は、金属層92の金属原子と特定の親和性を有するように選択されうる金の場合には、SAMは露出されたチオール基を有しうる。円筒体91とマスター93とが接触すると、SAM分子は、金属表面92と結合し、円筒体が回転し、かつマスター93からSAMモジュールをデタッチすると、このような分子は、円筒体の表面に転写される。これは、金属表面bでレジストマスク95を形成する。このレジストは、次に金属エッチングのためのエッチングマスクとして用いられることができ、金属ナノ構造96を形成する。最後に、cこのナノ構造は、スリップ-フリー移動のための円筒とマスターとの間の透明でコンフォーマルな接合を提供するために、薄いエラストマー層97で覆われる。別の実施形態は、円筒体表面に金属なのパターンを形成するためのナノ転写印刷を用いる。このプロセスは、上述したマイクロコンタクト印刷とは逆である。ここでは、図10に示すように、薄い金属層例えば、金は、軟らかいエラストマー材料例えば、PDMSからなるマスターパターン101から印刷され、これは、金属親和性の露出した基を有するSAM層103で覆われる金に親和する場合には、これらは、例えば、チオール-終結したSAMでありうる。円筒体102上のSAM層103とマスターパターン101上の金属との共有結合は、マスターと円筒体との接触を形成する。円筒体102を回転することは、金属-マスター界面での不具合を生じさせ例えば、金はPDMSと強固に接着しない、金属パターンを円筒体表面94へ転写する。最後に、エラストマー材料例えば、PDMSの準備中にプラズモニックマスクに対する別の実施形態では、ナノ金属粒子は、ポリマー前駆体と混合され、金属-含浸エラストマー例えば、金属-含浸PDMSが形成され、その後、上述した方法のいずれかを用いて円筒体表面上にパターンニングされる。得られたマスクは、エラストマーマスクパターンの端部がフォトレジストの光学場の変調を提供するプラズモニックマスクとして機能することができ、パターンを形成するために用いられる。大きな領域のためにナノサイズのフィーチャーによりマスターを製造するコストが増大するため、マスター表面領域を制限することが望まれる。この場合、全ての前述した実施形態は、本明細書においてステップ-アンド-ローテートstep-and-rotateモードと呼ばれる様式で実施されうる。このモードでは、図11に示すように、ポリマー層112を有する円筒体111は、パターンニングされた114の狭いストライプ113と接触させられ、その後、円筒体に堆積されたポリマー112は、提案された上述した方法の一つナノインプリントリソグラフィ、フォトリソグラフィ、デカール転写又はボンドデタッチリソグラフィを用いてパターンニングされる。そして、最後に、円筒体は、マスターから取り外され、位置決め及びマスター表面における円筒体の露光されない/インプリントされない/印刷されない部分のために十分な角度で回転され、再度、パターンニングのために接触させられる。円筒体の回転は、角度エンコーダーを用いて正確に制御されうる。このようなステップ-アンド-ローテートプロセスは、円筒体表面全体がパターンニングされるまで繰り返されてもよい。別の実施形態は、複数のフィーチャーのパターン又はマスター上に製造される異なるサイズのパターンの勾配を使用し、基板は、図11に示すように、パターンのタイプの一つを使用するように、又はパターンのタイプの別のものを円筒体にインプリント/露光するように転写されうる。別の実施形態は、平坦なマスターに替えて、フレキシブルなマスターが、他の材料からなるナノ構造化されたポリマー、金属又はフレキシブル膜の形態で使用される上述した実施形態のいずれかを含む。図12は、円筒体122上のポリマー層121が、第1のリール124から第2のリール125へ移送されるフレキシブルなマスター123によりインプリントされる、このようなシステムの一例を示す。別の円筒体126は、フレキシブルマスター膜に圧力を与え、かつ支持するために用いられる。同一のフレキシブルマスター123は、ナノインプリントマスター又は表面レリーフを有する位相シフトマスク、不透明かつ透明な領域を有するフォトマスク、若しくはボンドデタッチ又はデカールトランスファーリソグラフィのためにパターンニングされ、かつ活性化されるエラストマー膜であってもよい。別の実施形態は、円筒体の表面に堆積される感光性層をパターンニングするために干渉/ホログラフィックリソグラフィを採用する。図13は、走査ビーム干渉リソグラフィcanningbeaminterferencelithographySBILのためのセットアップを示す簡略化された概念図を示す。一対の狭い低歪レーザービーム131は、円筒体の表面上に堆積される感光性ポリマー132の表面に重複し、小さな格子像を生成する。円筒体は、ビームの下をX-Y方向に移動され、円筒体表面全体にわたって格子像を描きながら回転される。光学系又は円筒体は、その後、90度回転され、このプロセスは、再度繰り返されてもよく、多くの用途のためにポスト又はホールのアレイを生成する必要がある市松模様のパターンを生成しうる。本発明のいくつかの実施形態では、図14に示すように、平坦なポリマー膜141は、ナノパターンニングされてもよく、得られたナノパターンニングされたポリマー膜143は、円筒体142の表面に付着されてもよい。その結果が円筒状マスク144である。これに限定されないが例として、例えば、以下の出願人が共通し、共に米国で係属中である、2009年4月1日に提出されたBorisKobrinらによる発明の名称がLARGEAREANANOPATTERNINGMETHODANDAPPARATUSである米国特許出願第12/384,219号、この出願が2010年5月20日に公開された米国特許公開公報20100123885号に説明される平坦なポリマー膜は、透明な回転円筒体マスクを用いてリソグラフィパターンニングされてもよく、双方の内容の全体が参照により本明細書に援用される。エラストマー膜は、任意の適切なナノリソグラフィ技術を用いてナノ構造化されてもよい。適切な技術の例は、ナノインプリントリソグラフィ、紫外線UVリソグラフィ、ステッパーを含む電子ビームリソグラフィ等を含むがこれに限定されない。ナノパターンニングの後、膜は、円筒体の外側表面に取り付け例えば、ラミネートられてもよい。ナノパターンニングされた膜143は、円筒体に取り付けられたときに、膜がその端部で膜自体にわずかに重複するように、円筒体142の周囲よりもわずかに長くなっていてもよい。このような重複は、膜上のパターンがリソグラフィ時に基板へ転写されたときに、パターンの隙間をなくす又は低減しうる。それに替えて、円筒体と同一の曲率半径を有する湾曲したマスター又はサブマスターは、隙間をパターンニングするために用いられてもよい。図14に示す実施形態は、図15に示すようなプラズモニックマスクの製造のために変更されてもよい。プラズモニックマスクの製造に関する実施形態では、ポリマー例えば、エラストマー膜151は、薄い金属コーティング152で覆われてもよく、ナノ構造パターンは、金属コーティング152に形成されてもよい。得られた複合ナノパターニング膜153は、例えば、ラミネーションにより円筒体154の表面に取り付けられてもよい。その結果が円筒状プラズモニックマスク155である。これに限定されないが例として、このようなプラズモニックマスクは、ナノ構造パターンを有するエラストマー膜151をパターンニングし、その後、金属ナノ構造を形成するためにナノ構造パターンをオーバーコーティングし、その後、金属ナノ構造が外側になるようにエラストマー膜を円筒体へ取り付けることにより形成されてもよい。いくつかの実施形態では、ナノパターンニングされた膜は、円筒体に直接製造されてもよい。例えば、図16に示すように、液状ポリマー前駆体の膜161は、例えば、ディッピング、ローラーコーティング、又はスプレーコーティングによって円筒体162の外側表面に堆積されてもよい。その後、ナノパターン163は、熱硬化、UV硬化又は光学リソグラフィポリマー層が感光性の場合又はボンドデタッチリソグラフィによる適切なナノインプリント法例えば、プレート-トゥ-シリンダーを用いて、平坦なマスター又はサブマスター164から膜161へ転写されうる。液状ポリマー膜161の硬化は、ナノパターンを固定し、円筒状マスク165を完成させる。いくつかの実施形態では、ナノ構造をポリマー上にインプリントする前にポリマーを部分的に硬化することが好ましい。一方で、ポリマーの厚さの均一性を制御することが難しくなる。上述した実施形態の変形例では、ポリマー膜は、1つの層ではなく、2又はそれ以上の層を含みうる。例えば、図17に示すように、ポリマー膜171は、ソフトクッションとして円筒体173に直接堆積される相対的に薄い例えば、0.5-5ミリメートル厚さエラストマーの第1の層172を含んでもよい。第1の層171よりも高い弾性率highermodulusを有するポリマーの第2の層174例えば、100-1000ナノメートル厚さは、第1の層に形成される又は取り付けられ、本願明細書で上述した方法を用いてナノ構造化されうる。別の実施形態では、図18に示すように、第1のクッション層181は、硬い層に替わって形成され、円筒体182の表面へラミネートされうる。薄く、硬い第2の層183は、その後、第1の層181の上に堆積され、その後、本明細書に記載の方法を用いてパターンニングされうる。他の実施では、第1の層は、円筒体の表面へ堆積されてもよく、その後、部分的又は全体的に硬化され、その後、薄く、硬い第2の層183は、先ず、パターンニングされ、その後、第1の層181の上にラミネートされうる。上述した本発明の特定の実施形態では、広い領域のマスターは、円筒体の直接パターンニング、又はその後円筒体へラミネートされるポリマー層をパターンニングするために用いられてもよいことがわかる。このような広い領域のマスターを形成するための異なる方法が多数存在し、これらは、二つの主なグループに分けられる。第1の主なグループは、後続のラミネーションによる平坦な膜のパターンニングとして分類されてもよい。第2の主なグループは、直接シリンダーパターンニングとして分類されてもよい。平坦な膜のパターンニングでは、ポリマー膜は、平坦な状態でパターンニングされ、その後、円筒体の表面へ取り付けられてもよい。平坦な状態で膜をパターンニングすることが可能な異なるアプローチは多数存在する。第1の例では、小さなマスターは、シリコンSi又はガラスにナノパターンをエッチングするために、例えば、電子ビームelectronbeamE-beam、深紫外線deepultravioletDUV、ホログラフィックリソグラフィ等で製造されてもよい。小さなマスターは、数ミリメートルから数センチメートルの大きさであってもよい。小さなマスター上のパターンは、一又は多数のサブマスター例えば、ポリウレタン、エポキシ、SSQ、MRI等のポリマー材料へ転写されてもよい。その後、サブマスターは、パターンを、円筒体へラミネートされるポリマー材料の大きなシートへインプリントするためのモールドとして用いられうる。サブマスターのパターンニングは、フィールド間のギャップを最小限にするための二次元での高い精度の移動を有するスタンプ-アンド-ステップstamp-and-stepによりなされうる。スタンプサイズつまり、マスターの大きさは、フィールド間のステップよりもわずかに大きくなるように選択され、そのため、パターンにおける非常に小さな重複が広い領域のモールドの連続的なギャップ-フリーパターンを提供する。フィールド間のギャップは、上記で説明したように充填され、かつパターンニングされる。別の代替手段は、広い領域の基板表面をパターンニングするために干渉リソグラフィを用いることであり、後にポリマーの第2のレプリカを生成するために用いられる。得られたパターンニングされたポリマーは、その後、円筒体表面へラミネートされうる。多数の異なる技術が直接シリンダーパターンニングのために想定されてもよい。例えば、図19に示すように、干渉リソグラフィスキャニング又はステップ-アンド-リピートのいずれかは、円筒体192上にコーティングされたフォトレジスト191に行われてもよい。レジスト192は現像され、得られたパターンは、例えば、現像されたレジスト191のパターンにおける開口を通じて円筒体上に材料193例えば、金属をめっきすることにより、円筒体上にめっきされてもよい。レジスト191が除去された後、めっきされた材料の残り及び得られたナノ構造化された円筒体194は、続いて、第2の円筒体196上の材料195例えば、部分的に硬化されたポリマー又は別のレジストへのシリンダー-トゥ-シリンダーナノインプリントパターン転写のために用いられてもよい。別の実施では、めっきを行わず、干渉リソグラフィが用いられうる。例えば、いくつかのベークされたレジスト材料は、プレート-トゥ-シリンダー又はシリンダー-トゥ-シリンダーモードでの直接ナノインプリントに使用するのに十分であり、例えば、SU-8レジストのようなエポキシタイプのフォトレジストである。いくつかの実施形態では、円筒体表面に堆積されるポリマー材料のレーザーアブレーション例えば、2又は3-フォトンエッチングは、シリンダー-トゥ-シリンダーナノインプリントパターン転写のためにマスク又はマスターを製造するための干渉リソグラフィに替わって使用されてもよい。2又は3-フォトンエッチングにおいて、2又はそれ以上のレーザービームは、円筒体表面上の一点で交わる。レーザービームが交差する点において、2-フォトン又は3-フォトンプロセスは、円筒体表面から材料を局所的に除去する相互作用を生じるように行われる。他の実施形態では、ナノ構造化されたアルミナでコーティングされたマスター円筒体は、シリンダー-トゥ-シリンダーナノインプリントパターン転写を用いてポリマーコートされたマスクにナノパターンを転写するために用いられてもよく、ナノポーラスアルミナは、マスク又はリソグラフィを使用せずに、所望の孔の大きさ及び孔の密度を有するナノポーラスにより形成されうる。図20は、円筒状マスク製造のさらに別のアプローチを示す。先ず、平坦な基板201例えば、ガラス、シリコン、金属又はポリマーは、特定のナノ構造化されたパターン202を有する所望の表面レリーフを形成するために、ステップ-アンド-リピートナノインプリント、干渉リソグラフィ、アノードアルミナポーラスanodicaluminaporous表面製造、球体の自己組織化self-assemblyofspheres、後続のエッチングによるナノ粒子、又は他の既知のナノリソグラフィ技術を用いてパターンニングされてもよい。その後、UV硬化可能な液状ポリマー前駆体材料204でコーティングされた石英円筒体203は、パターンニングされた表面202に接触させられ、液状ポリマー前駆体をパターンニングされた表面202の表面レリーフ構造へ流れ込ませる。UV光源205は、円筒体203の表面とポリマー前駆体材料204との接触領域へUV光を発する。UV光は、ポリマー材料204を硬化して、パターンニングされた表面202から円筒体203の表面への硬化されたポリマーのパターンを凝固する。このインプリントは、基板の移動中に行われ、円筒体上のポリマー材料204と基板201との間の摩擦力により円筒体203を回転させる。UV光源205は、円筒体203の内側に配置されてもよい。それに替えて、UV光源205は、円筒体203の外側に配置されてもよく、UV光は、円筒体203の表面とポリマー前駆体材料204との接触領域の内側及び接触領域上に発せられてもよい。上記は、本発明の好ましい実施形態の完全な説明であるが、各種の代替、変形又は均等物を用いることが可能である。したがって、本発明の範囲は、上述した説明に示すものによって決められるものではなく、添付の特許請求の範囲と共に、それらの均等物の全範囲に示すものにより決められるべきである。好ましいか好ましくないかに関わらず、任意の機能は、任意の他の機能と組み合わされてもよい。不定冠詞A又はAnは、他に明示的に示されている場合を除いて、冠詞に続く一又はそれ以上のアイテムの量を示す。ミーンズプラスファンクションを含む限定が、所与のクレームにおいて手段meansforのフレーズを用いて明確に規定されていない限り、添付の特許請求の範囲は、ミーンズプラスファンクションを含むものとして解釈されるものではない。特定の機能を行う手段を明確に述べない特許請求の範囲の構成要素は、米国特許法第112条第6パラグラフで特定されるような手段又はステップとして解釈されない。"