"ポリチオフェンを含むポリマー半導体であって、前記ポリチオフェンは、約1,000から約40万ダルトンのMnを持ち、前記ポリチオフェンは、構造式1で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物X、芳香族または複素環式芳香族化合物Y、およびこれらの組み合わせから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物と、から誘導され、1式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である、ことを特徴とするポリマー半導体。約1,000から約40万ダルトンのMnを持つポリチオフェンを含むポリマー半導体の製造法であって、前記製造法は、ベンゾキノンジチオフェンを、式M-R’式中、Mは、MgX’またはLi、X’はハロゲン、R’は炭化水素基で示される試薬と反応させて中間体を生成する工程と、生成した中間体を還元して、構造式1で示される、4,8-二置換ベンゾジチオフェンを生成する工程と、1前記ベンゾジチオフェンの2および6位置を、少なくとも1つのホウ素試薬または少なくとも1つのハロゲン原子で置換する工程と、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物Xと、芳香族または複素環式芳香族化合物Yとから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物を、前記ベンゾジチオフェンの2および6位置に共重合させて繰り返し単位を得る工程と、前記繰り返し単位を共重合させてポリマー半導体を得る工程と、から成ることを特徴とするポリマー半導体の製造法。ポリチオフェンを含むポリマー半導体化合物を含む電子デバイスであって、前記ポリチオフェンは、約1,000から約40万ダルトンのMnを持ち、前記ポリチオフェンは、構造式1で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物Xと、芳香族または複素環式芳香族化合物Yとから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物と、から誘導され、1式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である、ことを特徴とする電子デバイス。光発電デバイスで使用する半導体ポリマーおよび関連材料の開発は進んでいるが、これらのデバイスの性能を向上させる材料および材料加工法が求められている。本願は、この要求に応えようとするものであり、更にこれに関連した利益を与えるものである。従って、本願は、従来よりも優れたポリマー半導体を実現するものであり、本願では、ポリチオフェンを含むポリマー半導体を開示する。このポリチオフェンは、約1,000から約40万ダルトンのMnを持ち、構造式1で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物X、芳香族または複素環式芳香族化合物Y、およびこれらの組み合わせから成る群より選ばれる、少なくとも1つの2価結合基となる化合物とから誘導される。1式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である。実施の形態において、本件では、約1,000から約40万ダルトンのMnを持つポリチオフェンを含むポリマー半導体の製造法について述べる。この方法は、ベンゾキノンジチオフェンを、式M-R’式中、Mは、MgX’またはLi、X’はハロゲン、R’は炭化水素基で示される試薬と反応させて中間体を生成する工程と、生成した中間体を還元して、構造式1で示される、4,8-二置換ベンゾジチオフェンを生成する工程と、1ベンゾジチオフェンの2および6位置を、少なくとも1つのホウ素試薬または少なくとも1つのハロゲン原子で置換する工程と、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物Xと、芳香族または複素環式芳香族化合物Yとから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物を、ベンゾジチオフェンの2および6位置に共重合させて繰り返し単位を得る工程と、繰り返し単位を重合させてポリマー半導体を得る工程と、から成るものである。実施の形態において、本件では、ポリチオフェンを含むポリマー半導体化合物を含む電子デバイスについて述べる。このポリチオフェンは、約1,000から約40万ダルトンのMnを持ち、構造式1で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物X、および、芳香族または複素環式芳香族化合物Yから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物とから誘導される。1式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である。本発明のポリマー半導体は、光発電デバイスの性能を向上させる。図1および図2は、本発明の様々な代表的な実施の形態を示したものであり、本件に提示の構造式で示されるポリマー半導体は、薄膜トランジスタTFT構造内の半導体材料として用いられている。図3は、本発明の様々な代表的な実施の形態を示したものであり、本件に提示の構造式で示されるポリマー半導体は、ポリマー太陽電池PSC構造内の光活性層として用いられている。ベンゾジチオフェン系半導体ポリマーは、有機薄膜トランジスタおよび有機ポリマー太陽電池の重要な材料である。ベンゾジチオフェンポリマーの例としては、米国特許出願公開第2009/0256139号、米国特許出願公開第2009/0256138号、米国特許出願公開第2009/0181509号、米国特許出願公開第2009/0179194号、米国特許出願公開第2009/0140237号、米国特許出願公開第2009/0140236号、米国特許出願公開第2009/0124788号、米国特許出願公開第2009/0114909号、米国特許出願公開第2008/0146776号、米国特許出願公開第2008/0108834号、米国特許出願公開第2008/0108833号、米国特許出願公開第2008/0103314号、米国特許出願公開第2008/0103286号、米国特許出願公開第2008/0102559号、米国特許出願公開第2007/0284572号、米国特許出願公開第2007/0235719号、米国特許出願公開第2007/0148812号、米国特許出願公開第2007/0145453号、米国特許出願公開第2007/0145371号、米国特許出願公開第2007/0145357号に記載のものが挙げられる。この重要な材料は可溶性で製造での使用が容易となる、デバイスの製造で熱アニール工程を行わなくても、TFTにおいて高い電界効果移動度を示す。ベンゾジチオフェンBDT類は、一般に次の構造式を用いて表される。ベンゾジチオフェン核部分自体の有機溶媒に対する溶解度は非常に低い。しかし、一部修飾を加えることで、構造式1で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物X、および、芳香族または複素環式芳香族化合物Yから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物とから誘導された、約1,000から約40万ダルトンのMnを持つポリチオフェンを含むポリマー半導体のように、可溶性のBDT含有ポリマー類を得ることができる。1式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である。具体的な実施の形態において、可溶性のBDT含有ポリマーは、構造式2で示されるポリマーである。2式中、R1およびR2は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖であり、Xは、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物であり、nは、繰り返し単位の数であって、約2から約5000、約2から約3000、約5から約1000、約5から約800、約5から約200、または約5から約75である。ポリマーの数平均分子量Mnは、例えば、約1,000から約40万ダルトンDa、例えば、約1,000から約25万Da、約2,000から約20万Da、約5,000から約75,000Da、約1万から約5万Daであり、質量平均分子量Mwは、約600から約50万Da、例えば、約1,500から約20万Da、約2,000から約10万Da、約2,500から約75,000Da、約5,000から約5万Daである。分子量はいずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマトグラフィで測定する。本件に記載のポリマー半導体は、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物Xと、芳香族または複素環式芳香族化合物Yとから成る群より選ばれる、少なくとも1つの二価結合基となる化合物を含んでいる。芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物Xは、縮合芳香族半導体化合物または縮合複素環式芳香族半導体化合物である。電子受容体化合物がポリマー半導体のキノン形quinodalformを安定化し、これによりポリマー半導体のエネルギーギャップを小さくするものであれば、どのような電子受容体化合物を使用しても良い。芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物の例は、構造式II-1から構造式II-8で示すことができる。II-1II-2式中、Yは、CまたはNであり、Zは、O、S、またはSeである。II-3II-4II-5II-6II-7II-8別記のない限り、構造式1のポリマー半導体、構造式2のポリマー半導体化合物、構造式1および2のポリマー半導体の調製に用いられる電子受容体化合物の、R1、R2、R3で示される置換基の表記において、用語炭化水素基には、非置換炭化水素基と置換炭化水素基の両方が含まれる。非置換炭化水素基は、例えば、約1から約50、約2から約40、約2から約35、または約2から約24個の炭素原子を含んでいる。非置換炭化水素基の例としては、例えば、直鎖アルキル基、分枝アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基が挙げられる。アルキル基の例としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、およびこれらの異性体が挙げられる。用語アルキルとは、炭素原子と水素原子のみから成り、完全に飽和しており、式CnH2n1式中、nは、アルキル置換基の構造を決定する整数で示される置換基を指す。アルキル鎖は、直鎖でも分枝でも良い。用語アリールとは、炭素原子と水素原子のみから成り、芳香族である置換基を指す。置換炭化水素基は、例えば、約1から約70、約10から約60、約20から約50個の炭素原子を含み、例えば、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素、イオウ、アミノ、ニトロ、シアノ、メトキシル、エトキシル、プロポキシ、またはこれらの組み合わせで置換されている。置換炭化水素基は、ヘテロ原子の付いた、例えば、直鎖アルキル基、分枝アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基である。アルキル基の例としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、およびこれらの異性体が挙げられる。実施の形態において、炭化水素基は、必要に応じて置換されたアルキルおよび必要に応じて置換されたアリールであっても良い。別記のない限り、R1、R2、R3で示される置換基の表記において、上記の用語ヘテロ原子には、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素、イオウ、窒素、酸素、またはこれらの組み合わせが含まれる。更に、ヘテロ原子は、例えば、塩素やフッ素などのひとつの原子、あるいは、例えば、アミノ化合物NH2中の窒素原子Nや、SO2化合物中のイオウ原子Sなどの、化合物に含まれているひとつの原子であっても良い。更に、具体的な実施の形態において、R1およびR2はそれぞれ、約8から約24個の炭素原子を含むアルキル基である。別の実施の形態において、R1とR2は同じものである。ある具体的な例において、R1とR2はそれぞれ-C12H25である。芳香族または複素環式芳香族化合物Yは、置換または非置換のチオフェン、ビチオフェン、チエノチオフェン、フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレン、カルバゾール、オリゴアリーレン、またはこれらの混合物である。本件に記載のポリマー半導体は、ボロン酸またはエステルで置換したアルキル化ベンゾジチオフェン核と、ハロゲンで二置換した電子受容体化合物との共役conjugatedクロスカップリング反応によって調製可能である。このような反応は一般に鈴木カップリングと呼ばれる。あるいは、ポリマー半導体は、ハロゲンで置換したアルキル化ベンゾジチオフェン核と、ボロン酸またはエステルで置換した電子受容体化合物との共役クロスカップリング反応によっても調製できる。本件に記載の半導体は、山本カップリング、Stilleカップリング、Heckカップリングなど、別のアリール-アリールカップリング反応でも調製可能である。適当なクロスカップリング反応の例は、その内容を全て本件に引用して援用する、米国特許出願公開第2009/0179198号に述べられている。その他のクロスカップリング反応は、Houら,BandgapandMolecularEnergyLevelControlofConjugatedPolymerPhotovolaticMaterialsBasedonBenzo12b45bdithiophenMACROMOLECULES20084160126018、および、Ustaら,AirStableSolutionProcessablenChannelandAmbipolarSemiconductorsForThinFilmTransistorsBasedontheIndenofluorenebisCoreJAMCHEMSOC200813085808581に述べられている。同時係属中の米国特許出願第12/575,701号に述べられているように、アルキル化ベンゾジチオフェン核を生成するための公知の方法のひとつは、-C12H25鎖の付加を用いて示されている、下記のスキーム1である。ベンゾキノン開始物質から始め、アルキニルマグネシウムまたはアルキニルリチウム試薬スキーム1において、Mは、MgXまたはLi、Xはハロゲンを使用し、また、塩化スズIISnCl2を用いたジオールの還元により、4および8位置にアルキル側鎖を付加する。次に、アルキニル結合をH2ガスで還元する。この3段階工程では、一般に危険と考えられている可燃性の水素ガスを使用する。更にこの方法は、実験室gレベル以上の規模で行うのは困難である。スキーム1ベンゾジチオフェン核のアルキル化法を、次のスキーム2に、これも-C12H25鎖の付加を用いて示す。ベンゾジチオフェン-4,8-ジオンなどのp-ベンゾキノン開始物質から始め、有機マグネシウムまたは有機リチウム試薬スキーム2およびスキーム3において、Mは、MgXまたはLi、Xはハロゲンを用いて、-C12H25鎖を中心ベンゼン環の4および8位置に直接付加する。試薬の有機部分は、直鎖アルキル、分枝アルキル、アリール、またはヘテロアリールである。次に、還元的芳香族化工程reductivearomatizationstepを行う。この2段階工程は、精製が簡単で、水素ガスを使用する反応を省略できる。もうひとつの利点は、スキーム1に示す実施の形態を用いたのでは達成できない4および8位置には導入不可能な、分枝アルキル鎖やアリール環などの置換基を、この方法では付加できることである。スキーム2本発明の方法を、より概略的にスキーム3に示す。スキーム3式中、Mは、MgXまたはLi、Xはハロゲン、R1は、直鎖アルキル、分枝アルキル、アリール、またはヘテロアリールである。開始物質のベンゾキノンジチオフェンまたはベンゾジチオフェン-4,8-ジオンAを試薬Bと反応させて、4および8位置にR1置換基が付いた中間体化合物図示せずを得る。次に、この中間体化合物を還元して、4,8-二置換ベンゾジチオフェンC構造式2とする。還元Reduction工程では一般に、R1の構造に影響を与えないものであればどのような還元剤を用いても良いが、具体的な実施の形態では、SnCl2の酸性溶液一般に、HClの添加によりが用いられる。有機マグネシウムまたは有機リチウム試薬M-R1は少なくとも35のpKa、即ち、35以上のpKaを持つ。言い換えると、この試薬は非常にアルカリ性である。代表的な試薬は、臭化ドデシルマグネシウムであり、そのpKaは約50である。ベンゾキノンジチオフェンのpKaは約35である。このようにpKaの違いが大きいと、一般に、所望とするBDTの収率を低下させる、好ましくない酸-塩基副反応が起きる。しかし、反応過程を注意深く選ぶことで、BDTが適度の収率で生成する。スキーム1に示されている先行技術の方法では、約25のpKaを持つアルキニルマグネシウムまたはアルキニルリチウム試薬を使用しているため、このような競合する副反応は起こらない。還元工程では通常、R1の構造に影響を与えないものであればどのような還元剤を用いても良い。実施の形態において、還元は、金属塩化物の酸性溶液一般に、HClの添加によりを用いて行われる。代表的な金属塩化物としては、塩化スズ、塩化亜鉛、塩化鉄が挙げられるが、具体的な実施の形態では、SnCl2の酸性溶液が用いられる。一般に試薬は溶媒に溶解して試薬溶液とする。溶媒は、炭化水素溶媒、芳香族溶媒、ジエチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフランTHF、1,4-ジオキサン、またはこれらの混合物である。代表的な溶媒としては、シクロヘキサン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、トルエンが挙げられる。具体的な実施の形態において、溶媒は無水エーテル溶媒である。一般に、無水エーテル溶媒に溶解した有機マグネシウムまたは有機リチウム試薬の溶液に、ベンゾキノンジチオフェンを加える。有機マグネシウムまたは有機リチウム試薬の濃度は約0.1Mから約1.0Mである。一般に反応物は、約20°Cから約120°Cの範囲、例えば、約40°Cから約80°Cに加熱する。一般に加熱時間は、約1時間から約4時間である。別の実施の形態において、加熱時間は少なくとも1時間である。反応物を室温まで冷し、水を加えて過剰の有機マグネシウムまたは有機リチウム試薬をクエンチquenchedする。次に、反応物を塩化スズの酸性溶液で処理する。10体積の塩酸溶液に溶解した塩化スズの濃度は、約1Mから約3Mである。一般に反応物は、約20°Cから約120°Cの範囲、例えば、約40°Cから約80°Cに加熱する。反応物は、少なくとも1時間、例えば、約2時間から約24時間加熱する。反応物を室温まで冷し、当該技術で公知の標準的な方法を用いて、生成物Cを単離精製する。例えば、カラムクロマトグラフィと再結晶を組み合わせて、生成物を精製しても良い。カラムは、例えば、シリカゲルを使用する。一部の実施の形態において、カラムクロマトグラフィと再結晶を用いて、94の最小HPLC純度が得られる。この工程を最適化し、何度も繰り返すと、およそ30の安定した収率となる。具体的な実施の形態において、有機マグネシウム/有機リチウム試薬Bは、ヘキサン、またはエーテル溶媒/エーテル含有溶媒、例えば、テトラヒドロフランTHF、1,4-ジオキサン、tert-ブチルメチルエーテルTBMEなどの溶媒に溶解する。次に、この溶液に、開始物質のベンゾキノンジチオフェンAを加えて反応を開始する。具体的な実施の形態において、ベンゾキノンジチオフェンと試薬との反応は、不活性雰囲気中、例えば、アルゴンまたは窒素中で行う。4および8位置に完全に置換基を付加させるには、試薬とベンゾキノンジチオフェンとのモル比試薬:ベンゾキノンジチオフェンを、約2:1から約4:1とする。様々な成分を添加する順序は重要ではない。例えば、ベンゾキノンジチオフェンをエーテル溶媒に懸濁させたものに、有機マグネシウム/有機リチウム試薬を加えても良く、この反応は、前述のように、およそ30の収率で行うことができる。有機マグネシウム試薬の反応性を調節する、LiClやLiBrなどの塩添加剤は反応収率に影響せず、これも試薬溶液に添加することができる。この方法を、5gの規模で行ったところ同程度の収率であった。より大規模なバッチでも、30程度の一定した再現性のある収率となると予想される。前述のように、構造式1で示されるポリマー半導体は、ボロン酸あるいは、エステルまたはハロゲンで置換したこのような半導体と、ハロゲン化した、あるいはボロン酸またはエステルで置換した電子受容体化合物との共役クロスカップリング反応によって調製可能である。鈴木重縮合は、レジオレギュラー、ブロック、およびランダム共重合体の調製に用いられる。特に、ブロック共重合体または交互共重合体、特にAB型共重合体は、第1モノマーの両方の反応基がホウ素であり、第2モノマーの両方の反応基がハロゲンであるような、第1モノマーと第2モノマーから調製する。ブロック共重合体の合成については、例えば、国際公開第2005/014688号に詳細に述べられている。ブロック共重合体の別の合成については、JSakamotoら,SuzukiPolycondensationPolyarylenesalaCarteMACROMOLRAPIDCOMMUN200930653687と、その参考文献に述べられている。本件に記載のポリマー半導体は、鈴木宮浦カップリング法により、ホウ素試薬で置換したアルキル化ベンゾジチオフェン核と、ハロゲンで二置換した電子受容体化合物とを共重合させて製造する。更に、本件に記載のポリマー半導体は、ハロゲンで二置換した電子受容体化合物と、ホウ素試薬で置換したアルキル化ベンゾジチオフェン核とをカップリングさせても製造できる。いずれの共重合法で生成したポリマー半導体も交互共重合体である。ホウ素試薬の例としては、ボロン酸類、ボロン酸エステル類、ジアルコキシボラン類、-BOR’OR基式中、R’およびRは、先に定義した炭化水素基を含む、ビスアルコキシジボラン類bisdiboronsが挙げられる。ハロゲン原子の例としては、塩素、フッ素、臭素が挙げられる。次に、ベンゾジチオフェンベンゾジチオフェン核の2および6位置をハロゲン原子またはホウ素試薬で置換したを、触媒存在下で、電子受容体化合物Xおよび/または芳香族または複素環式芳香族化合物Yと共重合させて、繰り返し単位を得る。触媒の例としては、Pd0錯体またはPdII塩が挙げられる。Pd0錯体の例は、少なくとも1つのホスフィン配位子を持つもの、例えば、テトラキストリフェニルホスフィンPdPPh34、トリストリオルト-トリルホスフィンPdo-Tol3P、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0/トリオルト-トリルホスフィンPddba/Po-Tol3、パラジウムIIジ-t-bpfPdCl2、ジクロロ=ビストリオルト-トリルホスフィンパラジウムIIPdo-tol3PCl2である。PdII塩の例としては、[1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]-ジクロロパラジウムPdCl2dppf;PdCl2PPh32;ジクロロ=1,1-ビスジ-tert-ブチルホスフィノフェロセン-パラジウム、および酢酸パラジウムが挙げられる。ポリマー半導体は、通常のコーティング溶媒に可溶またはほぼ可溶であるため、ポリマー溶液となる。例えば、実施の形態において、ポリマー半導体は、塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの溶媒に対して、少なくとも約0.1質量、より具体的には、約0.3質量から約10質量、または約50質量までの溶解度を持つ。更に、本件に記載の構造式で示されるポリマー半導体は、安定した伝導度、例えば、一般的な4プローブ伝導度測定法fourprobeconductivitymeasurementsによる測定で、約10-9S/cmから約10-4S/cm、より具体的には、約10-8S/cmから約10-5S/cmの伝導度を示す。ポリマー溶液を用いたプリント有機エレクトロニックPOEデバイスの製造は、基材上に必要に応じた1つ以上の他の層を形成する前、あるいは形成した後の適当な時期に、適当な液相成長法liquiddepositiontechniqueを用いて、基材上にポリマー溶液を堆積することにより行うことができる。このように、基材へのポリマー溶液の液相成長は、基材上に、あるいは、既に層とした物質、例えば、薄膜トランジスタの半導体層および/または絶縁層を備えた基材上に行うことができる。用語液相成長法とは、例えば、液体塗布法や印刷法などの液体プロセスを用いて組成物を堆積する方法であって、この液体は、溶媒中にポリマー半導体を均一または不均一に分散させたものである。更に、ポリマー溶液は、基材上にどのような適当なパターンで堆積させても良い。液体塗布法の例としては、例えば、スピンコーティング、ブレードコーティング、ロッドコーティング、浸漬塗布などが挙げられる。印刷法の例としては、例えば、リソグラフィまたはオフセット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ステンシル印刷、インクジェット印刷、スタンプ印刷マイクロコンタクトプリント法など、等が挙げられる。実施の形態において、ポリマー溶液の液相成長により、約5nmから約5mm、約10nmから約1000μm、約100nmから約500μm、約1μmから約100μm、約5μmから約25μmの範囲の厚さを持ったポリマー半導体の層を堆積する。この段階での堆積ポリマー溶液が、かなりの導電率を示すことがある。ポリマー溶液を、例えば、約150°C以下、または約130°C以下、例えば、約50°Cから約150°C、約50°Cから約130°C、約50°Cから約80°C、約100°Cから約130°C、約100°Cから約120°Cの温度に加熱し、ポリマー溶液から溶媒を除いて、構造式1で示されるポリマー半導体を含む層を基材上に形成する。加熱温度は、先に堆積した層や基材単一層基材でも多層基材であってもの性質を劣化させない温度である。加熱は、例えば、1秒間から約10時間、約10秒間から1時間の期間で行うことができる。加熱は、空気中、不活性雰囲気中、例えば、窒素またはアルゴン中で、あるいは、還元性雰囲気中、例えば、1から約20体積の水素を含む窒素中で行うことができる。加熱はまた、通常の大気圧下で、または減圧下で、例えば、約1000mbar約1.0×105Paから約0.01mbar約1.0Paで行うことができる。本件において、用語加熱には、基材から溶媒を除くために十分なエネルギーを与えられる、全ての手法が含まれる。加熱法の例としては、熱的加熱例えば、ホットプレート、オーブン、バーナー、赤外IR線、レーザビーム、マイクロ波放射線、UV線、またはこれらの組み合わせが挙げられる。実施の形態において、構造式1で示されるポリマー半導体は、電子デバイス類、例えば、薄膜トランジスタ、ダイオード、光発電デバイスポリマー太陽電池PSCなどに用いられる。ここでは、電子デバイスの半導体としての本ポリマーの使用を、薄膜トランジスタと光発電デバイスを用いて説明する。実施の形態において、aゲート誘電体層と、bゲート電極と、c半導体層と、dソース電極と、eドレイン電極と、f基材層とから成る、薄膜トランジスタを提示する。ゲート電極と半導体層がいずれもゲート誘電体層と接触し、ソース電極とドレイン電極がいずれも半導体層と接触し、半導体層が、本件に記載のポリマー半導体化合物を含むものであるならば、ゲート誘電体層、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極、基材層は、どのような配置であっても良い。本発明について更に述べるならば、実施の形態において、一般に基材層は、意図した用途に応じて、様々な適当な形状のシリコンなどのシリコン材料、ガラス板、プラスチックフィルムまたはシートなどである。構造の柔軟なデバイスでは、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドシートなどのプラスチック基材が用いられる。基材の厚さは、例えば、約10μmから約100mmであり、具体的な厚さは、特に可撓性プラスチック基材では約50から約100μm、ガラスやシリコンなどの硬い基材では約1から約10mmである。ゲート電極をソースおよびドレイン電極と隔て、半導体層と接しているゲート誘電体層は、一般に、無機材料フィルム、有機ポリマーフィルム、または有機-無機複合材フィルムである。ゲート誘電体層の厚さは、例えば約10nmから約1μmであり、より具体的な厚さは約100nmから約500nmである。誘電体層に適した無機材料の例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウムなどが挙げられる。誘電体層に用いられる有機ポリマーの例としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリビニルフェノール、ポリイミド類、ポリスチレン、ポリメタクリラート類、ポリアクリラート類、エポキシ樹脂などが挙げられる。無機-有機複合材の例としては、ナノサイズの金属酸化物粒子をポリエステル、ポリイミド、エポキシ樹脂などのポリマー中に分散させたものが挙げられる。ゲート誘電体層の一般的な厚さは、使用する誘電材料の誘電率に応じて、約50nmから約500nmである。より具体的には、誘電材料が、例えば、少なくとも約3の誘電率を持つならば、約300nmの適当な誘電体の厚さで、好ましい電気容量例えば、約10-9から約10-7F/cm2とすることができる。例えば、誘電体層とソース/ドレイン電極に接してその間に置かれているものは、本件に提示の構造式で示されるポリマー半導体を含む活性半導体層であり、一般にこの層の厚さは、例えば、約10nmから約1μmまたは約40から約100nmである。この層は、一般に、本発明のポリマー半導体の溶液を、スピンコーティング、キャスティング、スクリーン印刷、スタンプ印刷、またはジェット印刷するなど、溶液プロセスによって製造可能である。ゲート電極は、薄い金属箔、導電性ポリマーフィルム、導電性インクまたはペーストから製造した導電性フィルム、あるいは基材自体例えば、大量にドープしたシリコンであっても良い。ゲート電極材料の例としては、金、銀、クロム、酸化インジウムスズ、導電性ポリマーポリスチレンスルホナートをドープしたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPSS/PEDOTなど、ポリマーバインダ中に分散させたカーボンブラック/グラファイトまたはコロイド状銀から成る導電性インク/ペーストAchesonColloidsCompany製のElectrodag、NoelleIndustries製の、銀を加えた導電性熱可塑性インクなど、等が挙げられる。ゲート層は、真空蒸着、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング、導電性ポリマー溶液または導電性インクの塗布、あるいは、スピンコーティング、キャスティング、または印刷による散布によって製造する。ゲート電極層の厚さは、例えば、約10nmから約10μmであり、具体的な厚さは、例えば、金属箔では約10から約200nm、ポリマー導体では約1から約10μmである。ソースおよびドレイン電極層は、半導体層に対して低抵抗の抵抗接点となるような材料から作ることができる。ソースおよびドレイン電極としての使用に適した典型的な材料としては、金、ニッケル、アルミニウム、白金、導電性ポリマー、導電性インクなど、ゲート電極材料であるものが挙げられる。この層の典型的な厚さは、例えば、約40nmから約1μmであり、より具体的な厚さは、約100から約400nmである。TFTデバイスは、幅W、長さLの半導体チャネルを含んでいる。半導体チャネルの幅は、例えば、約10μmから約5mmであり、具体的なチャネル幅は約100μmから約1mmである。半導体チャネルの長さは、例えば、約1μmから約1mmであり、より具体的なチャネル長さは約5μmから約100μmである。ソース電極は接地しており、ドレイン電極に、一般に、例えば、約0Vから約-80Vのバイアス電圧を印加して、ゲート電極に、一般に、例えば、約10Vから約-80Vの電圧を印加した際に半導体チャンネルを通って流れる電荷キャリアを集める。実施の形態において、本件の構造式で示されるポリマー半導体化合物を含むポリマー半導体層を含む薄膜トランジスタのアニーリング温度は、約150°C以下、約125°C以下、または約100°C以下である。図1に、ゲート電極18と、ゲート電極18を内包しているゲート誘電体層14とに接した基材16を含む、TFT構造を示す。ゲート誘電体層14の上には、ソース電極20とドレイン電極22がある。ソース電極20とドレイン電極22の間とその上には、ポリマー半導体層12がある。ゲート電極18は、基材16の中、ゲート誘電体層14の中などのどこにあっても良い。図2に、ゲート電極18と、ゲート電極18を内包しているゲート誘電体層14とに接した基材16を含む、TFT構造を示す。ゲート誘電体層14の上にはポリマー半導体層12がある。ポリマー半導体層12の上には、ソース電極20とドレイン電極22がある。本発明のTFTデバイスの様々な要素としてここに挙げられていない、その他公知の適当な材料も、実施の形態において選択可能である。実施の形態において、本件に記載のポリマー半導体は、ポリマー太陽電池PSCなどの光発電デバイスにも用いられる。本件に記載のポリマー半導体を用いると、広い光吸収に対してポリマーのバンドギャップが低く、このため光発電デバイスの効率が高く、シリコン太陽電池に比べて軽量で柔軟性の高い光発電デバイスを、より安い製造コストで作れるようになる。実施の形態において、a第1電極と、b第2電極と、c薄膜層と、d基材とから成る、光発電デバイスを提示する。第1電極と第2電極がいずれも薄膜層と接触し、薄膜層が、本件に記載のポリマー半導体化合物を含むものであるならば、基材、第1電極、第2電極、薄膜層は、どのような配置であっても良い。本発明について更に述べるならば、実施の形態において、一般に基材層は、意図した用途に応じて、様々な適当な形状のシリコンなどのシリコン材料、ガラス板、プラスチックフィルムまたはシートなどである。構造の柔軟なデバイスでは、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドシートなどのプラスチック基材が用いられる。基材の厚さは、例えば、約10μmから約100mmであり、具体的な厚さは、特に可撓性プラスチック基材では約50から約100μm、ガラスやシリコンなどの硬い基材では約1から約10mmである。例えば、第1電極と第2電極に接してその間に置かれているものは、本件に提示の構造式で示されるポリマー半導体を含む薄膜層であり、一般にこの層の厚さは、例えば、約10nmから約1μmまたは約40から約100nmである。この層は、一般に、本発明のポリマー半導体の溶液を、スピンコーティング、キャスティング、スクリーン印刷、スタンプ印刷、またはジェット印刷するなど、溶液プロセスによって製造可能である。第1電極と第2電極は、薄い金属箔、導電性ポリマーフィルム、導電性インクまたはペーストから製造した導電性フィルム、あるいは基材自体例えば、大量にドープしたシリコンであっても良い。第1および第2電極材料の例としては、銀、金、クロム、フッ素をドープした酸化スズFTO、ZnO-Ga2O3、ZnO-Al2O3、SnO2-Sb2O3、酸化インジウムスズ、導電性ポリマーポリスチレンスルホナートをドープしたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPSS/PEDOTなど、ポリマーバインダ中に分散させたカーボンブラック/グラファイトまたはコロイド状銀から成る導電性インク/ペーストAchesonColloidsCompany製のElectrodag、NoelleIndustries製の、銀を加えた導電性熱可塑性インクなど、等が挙げられる。第1電極および/または第2電極層は、真空蒸着、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング、導電性ポリマー溶液または導電性インクの塗布、あるいは、スピンコーティング、キャスティング、または印刷による散布によって製造する。第1および/または第2電極層の厚さは、例えば、約10nmから約10μmであり、具体的な厚さは、例えば、金属箔では約10から約200nm、ポリマー導体では約1から約10μmである。図3に、第1電極32に接した基材30を含む、光発電セル構造を示す。第1電極32の上には、本件に記載のポリマー半導体を含む薄膜層34がある。薄膜層34の上には第2電極36がある。実施例1:500mlの丸底フラスコ中で、無水テトラヒドロフラン150mlを、臭化ドデシルマグネシウムの1M溶液34ml、34mmolで処理した。固体の4,8-デヒドロベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン-4,8-ジオン2.50g、11.4mmolを一度に加え、アルゴン雰囲気中で反応物を60°Cに加熱した。90分後、加熱浴を外して反応物を室温まで冷やし、注意深く水20mlを加えてクエンチした。塩化スズII12.91g、68.1mmolを10体積塩酸溶液30mlに加えた溶液で、反応物を処理し、60°Cに加熱した。18時間後、加熱浴を外して反応物を室温まで冷やした。層を分けて、有機層を乾燥MgSO4を使用、濾過し、ロータリーエバポレータを用いて濃縮した。溶離液としてヘキサンを用いて、粗生成物を短いSiO2プラグに通し、粗生成物をヘキサンから再結晶させて、4,8-ジドデシルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェンを白色固体1.7g、収率28として得た。構造を、1Hおよび13CNMR分光法で確認した。実施例2:250mlの丸底フラスコ中で、実施例1で調製した、6.36g12.1mmolの4,8-ジドデシルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェンを、ジクロロメタン150mlと酢酸37.5mlとの混合物に溶解させた。N-ブロモスクシンイミド4.40g、24.7mmolを2分間に亘って少しずつ加えて反応物を処理し、暗所で18時間撹拌した。反応混合物をCH2Cl2で希釈し、水75mlと1MNaOH溶液2×75mlで洗った。有機層を乾燥MgSO4、濾過し、ロータリーエバポレータを用いて濃縮した。粗生成物をヘキサンから再結晶させて、2,6-ジブロモ-4,8-ジドデシルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェンを淡黄色固体5.3g、収率64として得た。構造を、1Hおよび13CNMR分光法で確認した。実施例3:100mlのシュレンク管中で、2,6-ジブロモ-4,8-ジドデシルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン実施例2で調製685mg、1mmol、1モル当量と、4,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イルベンゾ[c][1,2,5]チアジアゾール388mg、1mmol、1モル当量とを、トルエン20mlと、2MK2CO3水溶液10mlと、Aliquat3360.1~0.5mlとの混合物に溶解する。次に、Arで1時間、混合物を十分に脱酸素する。次に、反応物をPdPPh341~5molで処理し、80~90°Cに加熱する。72時間後、フェニルボロン酸とブロモベンゼンを加えて、共重合体鎖をエンドキャップする。次に、粗共重合体をメタノール溶液で沈殿させ、減圧濾過して集め、ソックスレー抽出とメタノールでの沈殿とを組み合わせて精製する。実施例3は、次に示すスキーム4と、MZhangら,FieldEffectTransistorsBasedonaBenzothiadiazoleCyclopentadithiopheneCopolymerJAmChemSoc200712934723473に記載の鈴木重合反応に基づくものである。スキーム4実施例4:共重合体P1上のスキーム4に表示のバンドギャップn=3は、市販のソフトウェアパッケージWindows登録商標用、Spartan’06登録商標で密度関数理論B3LYP,6-31G計算を用いて、2.1eVと推定された。この計算は気相中であって、充填効果packingeffectsを考慮していないことに注意されたい。共役長n>3と充填効果を考慮に入れれば、この物質の固体状態でのバンドギャップはより小さいと予想される。"