"入射する光に応じた電荷を蓄積する画素が複数配列されてなる撮像部を備えた撮像装置であって、前記撮像部における複数の前記画素からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部と、前記撮像部の各画素から電荷を順次転送する電荷転送部と、前記電荷転送部によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部と、前記撮像部の各画素の出力として、前記電荷読み出し部によって読み出される電荷、又は前記電荷転送部によって転送され且つ前記電荷増倍部によって増加される電荷、のいずれかを選択する選択部と、前記選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部と、を有することを特徴とする撮像装置。前記電荷増倍部は、前記電荷転送部で転送される各画素の電荷を複数に分割する電荷分割部と、前記電荷分割部によって分割された各電荷をそれぞれ増倍する構成をなし、且つ増倍率がそれぞれ異なるように構成された複数の並列増倍部と、複数の前記並列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記電荷増倍部は、前記電荷転送部から転送された電荷を前記電荷分割部による分割の前に増倍する事前増倍部を備え、前記電荷分割部は、前記事前増倍部によって増倍された画素の電荷を複数に分割することを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記出力選択部は、複数の前記並列増倍部からの各出力において、前記所定の出力基準を満たす出力が複数ある場合に、当該所定の出力基準を満たす最も低い出力を選択することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の撮像装置。前記電荷増倍部は、入力された電荷を増倍する構成された直列増倍部が複数直列接続されてなり、各直列増倍部で増倍された電荷が読み出し可能とされており、更に、複数の前記直列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記撮像部での露光時間を制御する露光制御手段を備え、前記電荷読み出し手段は、前記露光制御手段が前記露光時間を所定の一定時間に制御したときに、各画素に蓄積された電荷を読み出し、前記選択部は、前記露光時間が前記一定時間に制御されたときに前記電荷読み出し手段によって各画素から読み出される各電荷の値を設定値と比較し、電荷の値が当該設定値に達した画素については、前記電荷読み出し部によって読み出される電荷を出力として選択することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の撮像装置。前記露光時間が前記一定時間に制御されたときに前記電荷読み出し手段によって読み出されるいずれかの画素の電荷が前記設定値より大きい所定の上限値に達するか否かを判断する判断手段を備え、前記露光制御手段は、前記判断手段によりいずれかの画素の電荷が前記上限値よりも大きいと判断された場合に、前記露光時間を前記一定時間よりも短い所定の短時間に制御し、前記選択部は、前記露光時間が前記一定時間に制御されたときに前記判断手段によって前記上限値に達したと判断された対象画素において、前記露光時間が前記短時間に制御されたときに当該対象画素の電荷が前記上限値に達しない場合に、当該対象画素の出力として、前記露光時間が前記短時間に制御されたときに前記電荷読み出し部によって当該対象画素から読み出される電荷を用いることを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。しかしながら、特許文献1に開示される撮像装置では、画素7毎に電荷を増倍するための増加部10が設けられるため、各画素7のサイズが非常に大きくなり、高画素化が難しいという問題がある。特に画素毎に電圧を印加する回路や増倍率を制御する回路が必要となるため、画素7のサイズの大型化が避けられない。また、特許文献1の構成では、各画素7に蓄積された電荷は、画素毎に独立して設けられた増加部10によってそれぞれ増倍されることになるが、装置の製造誤差等に起因して各増加部10の増倍率にばらつきが生じやすいため、画素間で増倍のばらつきが生じてしまうことが懸念される。更に、増倍に必要な高電圧を各画素7の内部で印加する必要があるため、光電変換を行うフォトダイオード8にその影響が及ぶこと例えばノイズ等の発生も懸念される。一方、特許文献2の固体撮像装置1は、像倍率の異なる複数の増倍レジスタ部31~34を備えているが、電荷の増倍制御のみを利用しているため、一部の画素の輝度が飽和してしまう場合に当該画素から適切な出力を読み出すことができない。また、増倍が必要無い画素についても増倍されてしまうため、ノイズが乗りやすいという問題もある。更に、この構成では、領域毎に増倍部が必要となり、増倍率を制御するための回路も領域毎に必要となるため、装置構成、回路構成が大型化、複雑化せざるを得ない。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現することを目的とする。上記目的を達成するため、第1の発明は、入射する光に応じた電荷を蓄積する画素が複数配列されてなる撮像部を備えた撮像装置であって、前記撮像部における複数の前記画素からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部と、前記撮像部の各画素から電荷を順次転送する電荷転送部と、前記電荷転送部によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部と、前記撮像部の各画素の出力として、前記電荷読み出し部によって読み出される電荷、又は前記電荷転送部によって転送され且つ前記電荷増倍部によって増加される電荷、のいずれかを選択する選択部と、前記選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部と、を有することを特徴とする。請求項1の発明では、撮像部における複数の画素からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部と、撮像部の各画素から電荷を順次転送する電荷転送部とが設けられており、更に、電荷転送部によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部が設けられている。また、撮像部の各画素の出力として、電荷読み出し部によって読み出される電荷、又は電荷転送部によって転送され且つ電荷増倍部によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。この構成では、各画素から転送された電荷を共通の電荷増倍部によって増倍しているため、各画素内に増倍用の領域を大きく確保する必要がなく、画素毎に増倍率を制御する回路を設ける必要もない。従って、画素サイズを効果的に抑えることができ、高画素化を図ることができる。また、各画素内において増倍のために高い電圧を印加する必要が無く、各画素で使用する電圧を抑えることができるため、高い電圧が各画素で印加されることに起因する悪影響例えば画素内で発生するノイズ等を抑制することができる。また、各画素の電荷が共通の電荷増倍部で増倍されるため、画素間の増倍のばらつきが小さくなる。更に、電荷転送部による転送及び電荷増倍部による増倍とは独立して各画素の電荷を読み出すことができるため、転送、増倍しない場合の各画素の電荷についても迅速に読み出すことができる。従って、例えば露光時間等の条件を変更した画像を、転送、増倍とは独立して取得することができ、短時間でダイナミックレンジの広い画像を取得しやすくなる。請求項2の発明では、電荷増倍部は、電荷転送部で転送される各画素の電荷を複数に分割する電荷分割部と、電荷分割部によって分割された各電荷をそれぞれ増倍する構成をなし、且つ増倍率がそれぞれ異なるように構成された複数の並列増倍部と、複数の並列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部と、を備えている。この構成によれば、複数の増倍率で増倍した結果を得ることができ、各画素に適した増倍率の出力を得やすくなる。また、電圧や増倍回数などを細かく複雑に制御せずとも複数の増倍率で増倍した結果を得ることができる。請求項3の発明では、電荷増倍部は、電荷転送部から転送された電荷を電荷分割部による分割の前に増倍する事前増倍部を備え、電荷分割部は、事前増倍部によって増倍された画素の電荷を複数に分割している。電荷分割部によって電荷を分割すると、各並列増倍部を流れる電荷が小さくなることが懸念されるが、上記のように事前増倍部を設けることで、分割後に電荷が小さくなりすぎることを抑えることができる。請求項4の発明では、出力選択部は、複数の並列増倍部からの各出力において、所定の出力基準を満たす出力が複数ある場合に、当該所定の出力基準を満たす最も低い出力を選択している。増倍率が高くなるほどノイズの影響が懸念されるため、上記のように出力基準を満たす複数の出力の中で最も低い出力を選択すればノイズの影響を抑えることができる。請求項5の発明では、電荷増倍部は、入力された電荷を増倍する構成された直列増倍部が複数直列接続されてなり、各直列増倍部で増倍された電荷が読み出し可能とされており、更に、複数の直列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部が設けられている。この構成では、転送される電荷の分割等を行う必要が無いため、電荷量が少なくなりすぎず、転送された電荷をより確実に増加させることができる。請求項6の発明では、撮像部での露光時間を制御する露光制御手段を備え、電荷読み出し手段は、露光制御手段が露光時間を所定の一定時間に制御したときに、各画素に蓄積された電荷を読み出している。そして、選択部は、露光時間が一定時間に制御されたときに電荷読み出し手段によって各画素から読み出される各電荷の値を設定値と比較し、電荷の値が当該設定値に達した画素については、電荷読み出し部によって読み出される電荷を出力として選択している。このようにすることで、電荷が一定値設定値に達した画素については増倍された電荷出力を用いないようにすることができ、撮像部内に高輝度の領域が存在する場合に飽和を防ぎやすくなる。請求項7の発明では、露光時間が一定時間に制御されたときに電荷読み出し手段によって読み出されるいずれかの画素の電荷が設定値より大きい所定の上限値に達するか否かを判断する判断手段を備え、露光制御手段は、判断手段によりいずれかの画素の電荷が上限値よりも大きいと判断された場合に、露光時間を一定時間よりも短い所定の短時間に制御し、選択部は、露光時間が一定時間に制御されたときに判断手段によって上限値に達したと判断された対象画素において、露光時間が短時間に制御されたときに当該対象画素の電荷が上限値に達しない場合に、当該対象画素の出力として、露光時間が短時間に制御されたときに電荷読み出し部によって当該対象画素から読み出される電荷を用いている。このようにすることで、一定時間の露光制御によって電荷の値が大きくなりすぎる画素例えば飽和に達した画素等が存在する場合に、短時間の露光制御を行うことで電荷の蓄積を抑えることができる。そして、露光時間が短時間に制御されたときに当該画素の電荷が上限値に達しない場合には、このように抑制された電荷を読み出して適切な出力として用いることができる。第1実施形態以下、本発明を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。撮像装置の構成まず、図1を参照し、第1実施形態に係る撮像装置1に全体構成について概説する。図1は、第1実施形態に係る撮像装置を概略的に例示するブロック図である。図2は、図1の撮像装置においてCCD転送型として構成される部分を概略的に説明する説明図である。図3は、図1の撮像装置において、X-Yアドレス型として構成される部分を概略的に説明する説明図である。図4Aは、画素内の断面構成を模式的に示す模式図であり、図4Bは、配列された複数の画素の平面構成を模式的に示す模式図である。図5は、転送部で転送された電荷の増倍方法を概念的に説明する説明図である。図6は、並列増倍部での増倍の様子を概念的に説明する説明図である。図7は、電荷の分割方法の一例を概念的に説明する説明図である。図8は、図1の撮像装置の制御部の構成を概念的に例示するブロック図である。第1実施形態に係る撮像装置1は、車載カメラやその他のカメラデジタルカメラ等などに用いられるものであり、撮像部2において結像された撮像対象の像を電気信号に変換し画像データを生成するように構成されている。この撮像装置1は、図1に示すように、主として、撮像部2、電荷読み出し部10、電荷転送部20、電荷増倍部30、AD変換部61,62、制御部40などによって構成されている。撮像部2は、入射する光に応じて電荷を生成、蓄積するように構成された画素3が複数配列されてなるものであり、これら複数の画素3が例えばマトリックス状に配置されている。なお、図1では、画素3が5行4列で配置された構成を示しているが、図1に示す例はあくまで簡略的に示すものであり、画素3の行数や列数は様々な数とすることができる。各画素3は、図4Aに示すように、受光量に応じた電荷を蓄積するフォトダイオード4を備えている。各画素3では、フォトダイオード4での光電変換により電荷が発生及び蓄積するように構成され、フォトダイオード4で発生した電荷は、フローティングディフュージョン検出器14によって読み出し可能とされると共に、垂直CCD21によって転送可能とされている。フォトダイオード4は、上方側に形成された開口部を介して、N領域内に光を取り込み得るように構成されてている。具体的には、図4Aのように、P導電型の半導体基板P型基板17において、フォトダイオード4を構成するN導電型の半導体領域N領域が形成されている。電荷転送部20は、各画素3を構成する各フォトダイオード4で生成、蓄積された電荷を順次転送するように構成されている。この電荷転送部20は、撮像部2を構成する各画素列毎に設けられた複数の垂直CCD21と、これら複数の垂直CCD21の一端側に設けられた水平CCD22とを備えている。本実施形態では、図4Aのように、フォトダイオード4を構成するN導電型の半導体領域N領域に隣接する形で、垂直CCD21を構成するN導電型の半導体領域N領域27が形成されている。フォトダイオード4を構成するN領域は、垂直CCD21を構成するN領域27よりも高い濃度で形成されている。また、垂直CCD21を構成するN領域27の一方面側には、酸化膜26が配されている。更に、垂直CCD21を構成するN領域27の上には、酸化膜26を介して転送電極24,25が形成され、当該N領域27、酸化膜26及び転送電極24,25によって垂直CCD21が構成されている。この垂直CCD21は、画素列に対応して設けられる公知の垂直転送路VCCDとして構成されており、画素列を構成する各フォトダイオード4で蓄積された電荷を各フォトダイオード4に対応する領域で一旦保持し、各転送電極24、25に加えられるクロックパルスに同期してそれら保持した各電荷を下方側の水平CCD22に順次転送するようになっている。このような転送動作が各垂直CCD21で行われる。本実施形態では、撮像部2の一部がインターライン型のイメージセンサとして機能している。具体的には、撮像部2において各検出部13を除いた部分が図2のように構成され、画素3の列毎に垂直CCD21が設けられ、各垂直CCD21のそれぞれの端部に水平CCD22が接続されている。なお、垂直CCD21や水平CCD22は光電変換を行わないように遮光膜で覆われた構成となっている。電荷読み出し部10は、撮像部2を構成する複数の画素3からそれぞれ電荷を読み出し可能に構成されており、主として、水平走査回路11と、垂直走査回路12と、これら水平走査回路11及び垂直走査回路12によって動作する各検出部13とを備えている。この電荷読み出し部10は、図3に示すように、X-Yアドレス型の構成をなし、水平走査回路11によって選択された列及び垂直走査回路12によって選択された行の画素から電荷を読み出すように機能している。各検出部13は、図4Aのように、画素3毎に設けられたフローティングディフュージョン検出器14以下、FDA14とも称すると、各画素3においてフォトダイオード4とFDA14との間に設けられた半導体領域と、この半導体領域の一方面側に配される酸化膜18と、酸化膜18を介して基板17上に配される読み出し電極15とを備えている。この検出部13では、フォトダイオード4を構成するN導電型の半導体領域N領域に対応して、このN領域から距離をあけてN導電型の半導体領域N領域が形成されている。このN領域によって構成されるFDA14は、公知のフローティングディフュージョン検出器として構成されており、対応するフォトダイオード4から移動された電荷を電圧に変換して読み出すように機能する。電荷読み出し部10では、水平走査回路11及び垂直走査回路12によって各検出部13の読み出し電極15がオン状態に駆動されるようになっており、これら水平走査回路11及び垂直走査回路12は、各フォトダイオード4で生成及び蓄積された信号電荷をAD変換部61へと順次転送するように機能している。図1、図3に示す構成では、各画素3に設けられた読み出し電極15が垂直走査回路12に設けられた各信号線に接続されている。垂直走査回路12は、例えば行毎に信号線が設けられてなる垂直走査シフトレジスタとして構成され、各信号線に順次電圧を印加するように構成されている。この垂直走査回路12から信号線に電圧が印加されると、電圧が印加されている当該信号線に接続される読み出し電極15がオン状態となる。水平走査回路11は、例えば列毎に信号線が設けられてなる水平走査シフトレジスタとして構成されており、各信号線を介して列毎に設けられた各スイッチ19を駆動するように構成されている。この構成では、垂直走査回路12によっていずれかの行の信号線に電圧が印加され、この行の各画素3において読み出し電極15がオン状態となったときに、水平走査回路11によって各スイッチ19が順次駆動されることに応じて、この行の各画素3の電荷がAD変換部61に順次転送される。そして、このような行毎の転送動作を全部の行に対して行うようになっている。図4のように、画素3では、垂直走査回路12によって読み出し電極15がオン状態とされたときに、この読み出し電極15の一方側に隣接するフォトダイオード4に蓄積された電荷が他方側に隣接するFDA14に転送され、FDA14は、フォトダイオード4から移動された電荷をN領域に蓄積する。そして、水平走査回路11によって当該画素3に対応するスイッチ19が駆動されたときに、この移動された電荷を公知の方法で電圧に変換して出力している。なお、FDA14を構成するN領域は、フォトダイオード4を構成するN領域よりも高い濃度で形成されている。電荷増倍部30は、上述の電荷転送部20によって順次転送される各画素3の電荷を、共通の経路で増倍するように構成されている。この電荷増倍部30は、事前増倍部31と、電荷分割部39と、並列増倍部32とを備えており、電荷転送部20によって順次転送される各画素3の電荷を複数の経路で増倍し得るようになっている。事前増倍部31は、電荷転送部20から転送された電荷を電荷分割部による分割の前に増倍するように構成されている。この事前増倍部31は、公知の電子増倍型CCDEMCCDElectronMultiplyingCCDとして構成されており、電荷を増倍するための高電界領域を備え、電荷転送部20から転送される電荷を高電界領域に通すことで、信号電荷を増倍させるように機能している。なお、事前増倍部31での増倍率の制御方法は、増倍の回数で制御する方法であってもよく、電極に印加する電圧で制御する方法であってもよい。電荷分割部39は、電荷転送部20で転送される各画素の電荷を複数に分割するように構成されており、具体的には、事前増倍部31によって増倍された画素の電荷を複数に分割している。この電荷分割部39は、例えば図7のように、P導電型の半導体基板39aの一方面側に形成されたN導電型の半導体領域39bと、この半導体領域39bの一方面側に配される絶縁膜39cと、絶縁膜39c上に配される複数の電極39d、39e、39fを備えている。そして、電荷転送部20によって電荷が送られてきたときには、まず図7Aのように中央の電極39dをオンさせてこの電荷を当該電極39d付近で保持し、その後、電極39dのオン状態を維持すると共に電極39dの両側の電極39e、39fをオンさせてこの電荷を電極39d、39e、39f付近で全体的に保持する。その後、電極39e、39fのオン状態を維持しつつ中央の電極39dをオフ状態とすることで、上記電荷が2つに分割され、分割された各電荷が両側の電極39e、39fのそれぞれの付近で保持されることになる。なお、図7では、いずれかの画素の電荷が事前増倍部31によって増倍された後の電荷の量を6という値で概念的に示しており、この電荷が2つに分割された後の電荷の量を3という値で概念的に示している。また、図7では、増倍された画素の電荷を2つに分割する例を示しているが、分割数は2以上であっても良い。例えば、図7のように2分割された各電荷を同様の方法で更に2分割すれば、分割数は4となる。並列増倍部32は、電荷分割部39によって分割された各電荷をそれぞれの経路で増倍する構成をなし、且つそれぞれの経路の増倍率が異なるように構成されている。なお、図1では、電荷分割部39によって2つに分割された電荷を2つの各増倍経路で増倍させる構成を例示しており、図5、図6では、別例として、電荷分割部39によって4つに分割された電荷を2つの各増倍経路で増倍させる構成を例示している。以下では、4つに分割された電荷を4つの増倍経路で増倍させる構成図5、図6の構成を代表例として説明するが、本実施形態の撮像装置1では電荷分割部39での分割数及び並列増倍部32での増倍経路の数はどちらの例であってもよく、分割数や増倍経路の数をこれら以外の数としてもよい。並列増倍部32の各増倍経路を構成する各電子増倍型CCD33~36は、いずれも公知の電子増倍型CCDEMCCDElectronMultiplyingCCDとして構成されており、電荷を増倍するための高電界領域を備え、電荷分割部39によって分割された電荷を高電界領域に通すことで、信号電荷を増倍させるように機能している。なお、各電子増倍型CCD33~36は、それぞれの増倍率が異なるように構成されており、具体的には、電子増倍型CCD33の増倍率が1倍とされ、電子増倍型CCD34の増倍率が10倍、電子増倍型CCD35の増倍率が100倍、電子増倍型CCD36の増倍率が1000倍とされている。なお、各電子増倍型CCD33~36での増倍率の制御方法は、増倍の回数で制御する方法であってもよく、電極に印加する電圧で制御する方法であってもよい。制御部40は、図8に示すように、制御判断部41と、制御情報記憶部42と、出力選択部43と、出力合成部44と、画素値記憶部45とを備えている。なお、制御部40は、マイコンなどの単一の制御回路がこれら制御判断部41、制御情報記憶部42、出力選択部43、出力合成部44、画素値記憶部45として機能していてもよく、これら制御判断部41、制御情報記憶部42、出力選択部43、出力合成部44、画素値記憶部45がそれぞれ別々の回路やメモリとして構成されていてもよい。制御判断部41は、第1モードと、第2モードとで処理内容が異なっており、第1モードのときには露光時間を最も長い時間に制御して撮像を行い、電荷読み出し部10によって読み出されてAD変換器61によってデジタル信号に変換された各画素の値出力値を、それぞれ予め定められた第1規定値と比較し、第1規定値以上なら増倍不要、第1規定値未満なら増倍を行うという判断をする。この制御判断部41による判断の結果は、各画素3の座標情報と共に制御情報記憶部42に記憶される。図10Aは、制御情報記憶部42に記憶される判断結果を概念的に示しており、各画素を特定する座標情報と判断結果の情報とを対応付けて示している。また、第2モードのときには、露光時間を複数の状態に制御しており、ある露光時間に制御されたときに、電荷読み出し部10によって読み出されてAD変換器61によってデジタル信号に変換された各画素の値出力値を、それぞれ予め定められた第2規定値と比較し、第2規定値以上なら露光時間短縮必要、第2規定値未満なら露光時間短縮不要と判断をする。露光時間短縮不要と判断された画素については、その画素の座標に対応付けてそのときの露光時間の情報を記憶する。このような処理は、露光時間が変更される毎に行うようになっている。出力選択部43は、上述の電荷増倍部30により複数の電荷増倍結果が得られた場合に、いずれかの増倍結果を選択するように機能している。具体的には、各電子増倍型CCD33~36からの出力具体的には、各電子増倍型CCD33~36からの各出力がAD変換された各出力値の内、出力値が規定の範囲に収まっており且つ増倍率が最も小さい出力値を選択する。そして、選択された出力値がいずれの増倍率のものであるかは、制御情報記憶部42に記憶され、選択された出力値自体は、画素値記憶部45に記憶される。出力合成部44は、制御情報記憶部42に記憶される情報及び画素値記憶部45に記憶される情報に基づき、電荷読み出し部10によって読み出された出力値のデータと、出力選択部43によって選択された出力値のデータとに基づいて合成データを生成している。具体的には、制御判断部41にて増倍が不要と判断された各画素については、電荷読み出し部10によって読み出された出力値のデータに基づいて各画素の画素値のデータを生成しており、制御判断部41にて増倍が必要と判断された各画素については、出力選択部43によって選択された出力値のデータに基づいて各画素の画素値のデータを生成している。撮像装置の動作次に、撮像装置1の動作について説明する。図9は、図1の撮像装置における撮像処理の流れを例示するフローチャートである。図10は、各画素における増倍の要否の判別結果高輝度画素と低輝度画素の判別結果を示す説明図である。図10Bは、増倍が必要と判別された各画素低輝度画素の出力値及び増倍率のデータを概念的に説明する説明図である。図10Cは、増倍が不要と判別された各画素高輝度画素の出力値及び露光時間のデータを説明する説明図である。図11Aは、増倍が不要と判別された画素高輝度画素の電荷を電荷読み出し部によって読み出す動作状態フォトダイオードから検出部側に電荷を転送する状態を説明する説明図であり、図11Bは、その図11Aでの転送後の状態を説明する説明図である。図11Cは、図11Aでの転送後の残余の電荷を、電荷転送部によって転送する動作を説明する説明図である。図12Aは、増倍が必要と判別された画素低輝度画素の電荷の状態を説明する説明図であり、図12Bは、読み出し部による読み出し動作が行われているときの低輝度画素の電荷維持状態を説明する説明図である。図12Cは、低輝度画素の電荷を電荷転送部によって転送する動作を説明する説明図である。図13は、増倍率の選択方法を説明する説明図である。図9のS1に示すように、通常の露光時間による撮像処理を行う。このS1の処理では、露光時間を所定の通常露光時間第1の時間T1に設定して各画素3で受光を行い、その後、各画素3に蓄積された電荷を電荷読み出し部10によって順次読み出す。電荷読み出し部10によって各画素3から読み出された電荷は制御部40の制御判断部41に入力される。この制御判断部41は、各画素3から読み出された電荷に基づき、電荷量が閾値第1規定値に達している画素高輝度画素のアドレスを特定すると共に、電荷量が閾値第1規定値に達していない画素低輝度画素のアドレスを特定するS2。制御判断部41での判断結果は図10Aのように記憶される。なお、図10Aでは、各画素のアドレスと判断結果とを対応付けて示しており、高輝度画素については0の値を対応付け、低輝度画素については1の値を対応付けて記憶している。なお、このS1~S2の処理が第1モードに相当する。このように高輝度画素のアドレスと低輝度画素のアドレスを特定した後には、第1の読み出し処理を行うS3。この読み出し処理では、露光時間を通常露光時間第1の時間T1に設定して各画素3で受光を行い、その後、上述のようにアドレスが特定された各高輝度画素図10Aの例では、D11、D12、D13等の電荷を電荷読み出し部10によって選択的に読み出す。このS3では、各高輝度画素の電荷が図11Aのように転送された後、フローティングディフュージョン検出器14にて上述のように読み出されることになる。S3で高輝度画素の電荷を読み出した後には、増倍が必要か否かを判断するS4。具体的には、S2において、電荷量が閾値第1規定値に達していない画素低輝度画素が確認されているか否かを判断し、このような低輝度画素が存在する場合にはS4にてYesに進み、S3での読み出し後における各画素3の残余の電荷を電荷転送部20によって転送するS5。各低輝度画素の電荷は、S3では読み出されず、図12Aのような露光の際の状態から図12Bのように維持され、このように各低輝度画素に蓄積された電荷は、S5において図12Cのように転送されることになる。各低輝度画素については、このように電荷転送部20によって転送される電荷に基づいて得られる出力値が画素値を決定するためのデータとして用いられることになる。また、S2で高輝度画素と特定された画素については、S3にて図11Bのように読み出された後の残余の電荷が、S5にて図11Cのように転送されることになる。なお、高輝度画素については、電荷読み出し部10からの出力値が画素値を決定するためのデータとして用いられ、電荷転送部20を介して転送される電荷図11Cのような残余の電荷は、画素値を決定するためのデータとしては用いられないことになる。電荷転送部20によって各画素3各低輝度画素及び各高輝度画素から順次転送される電荷は、上述の電荷増倍部30によって増倍される。この電荷増倍部30では、各画素3から転送される電荷が上述の事前増倍部31にてある程度の増倍率で増倍された後、その増倍された電荷が電荷分割部39にて複数例えば4つの電荷に分割される。そして、それら分割された各電荷が、並列増倍部32の各増倍経路を構成する電子増倍型CCD33~36によってそれぞれ増倍されることになる。本実施形態では、電荷分割部39で分割されたいずれかの電荷第1の電荷が電子増倍型CCD33にて増倍率1倍で増倍され、この増倍後の出力値がAD変換器62aでデジタルデータに変化されて出力選択部43に入力される。また、電荷分割部39で分割された他の電荷第2の電荷が電子増倍型CCD34にて増倍率10倍で増倍され、この増倍後の出力値がAD変換器62bでデジタルデータに変化されて出力選択部43に入力される。また、電荷分割部39で分割された別の電荷第3の電荷が電子増倍型CCD35にて増倍率100倍で増倍され、この増倍後の出力値がAD変換器62cでデジタルデータに変化されて出力選択部43に入力される。更に、電荷分割部39で分割された別の電荷第4の電荷が電子増倍型CCD36にて増倍率1000倍で増倍され、この増倍後の出力値がAD変換器62dでデジタルデータに変化されて出力選択部43に入力される。なお、第1の電荷、第2の電荷、第3の電荷、第4の電荷は、全てがほぼ同じ値になるように電荷分割部39によって分割されている。各電子増倍型CCD33~36からのデータ具体的には、各AD変換器62a~62dからのデータは出力選択部43に入力され、この出力選択部43によって必要なデータが抽出される。この出力選択部43は、画素3毎に得られる増倍データ画素3の電荷毎に電子増倍型CCD33~36で増倍されたデータの内、増倍が必要と判別された画素即ち、S2で低輝度画素と判別された画素のデータを抽出し、増倍が不要と判別された画素即ち、S2で高輝度画素と判別された画素のデータを破棄又は非参照データとする。さらに、各低輝度画素のデータ毎に、電子増倍型CCD33~36で増倍されたデータの中から所定の出力基準を満たすデータを抽出する。なお、低輝度画素のデータにおいて所定の出力基準を満たす出力が複数ある場合には、当該所定の出力基準を満たす最も低い出力を選択する。具体的には、各低輝度画素のデータ毎に、電子増倍型CCD33~36で増倍されたデータの中から、第1閾値電圧飽和閾値電圧以下であって、且つ第2閾値電圧最低電圧以上のデータを抽出する。例えば、図13の左図のように、低輝度画素の中でも輝度がある程度大きい画素については、増倍率が10倍、100倍、1000倍のラインCCD34~36からの各出力値が飽和レベル第1閾値電圧を超えるレベルに達し、増倍率が1倍のラインCCD33からの出力値が第1閾値電圧飽和閾値電圧以下であって且つ第2閾値電圧最低電圧以上となるようなことが想定される。このような場合には、増倍率が1倍のラインCCD33からの出力値を採用データとして抽出する。また、図13の中図のように、低輝度画素の中で輝度が中程度の画素については、増倍率が100倍、1000倍のラインCCD35~36からの各出力値が飽和レベル第1閾値電圧を超えるレベルに達し、増倍率が10倍のラインCCD33からの出力値が第1閾値電圧飽和閾値電圧以下であって且つ第2閾値電圧最低電圧以上となり、増倍率が1倍のラインCCD33からの各出力値が最低レベル第2閾値電圧を下回るレベル未満となることが想定される。このような場合には、増倍率が10倍のラインCCD34からの出力値を採用データとして抽出する。また、図13の右図のように、低輝度画素の中でも輝度が小さい画素については、増倍率が1000倍のラインCCD36からの出力値が第1閾値電圧飽和閾値電圧以下であって且つ第2閾値電圧最低電圧以上となり、増倍率が1倍、10倍、100倍のラインCCD33~35からの各出力値が最低レベル第2閾値電圧を下回るレベル未満となることが想定される。このような場合には、増倍率が1000倍のラインCCD36からの出力値を採用データとして抽出する。このように各低輝度画素において採用された増倍率は、図10Bのように各低輝度画素の出力値採用された増倍率での出力値と対応付けてそれぞれ記憶する。なお、本実施形態では、制御部40が選択部の一例に相当し、撮像部の各画素の出力として、電荷読み出し部によって読み出される電荷、又は電荷転送部によって転送され且つ電荷増倍部によって増加される電荷、のいずれかを選択するように機能する。また、制御部40は、出力選択部の一例に相当し、複数の並列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択するように機能しており、特に、複数の並列増倍部からの各出力において、所定の出力基準を満たす出力が複数ある場合には、当該所定の出力基準を満たす最も低い出力を選択するように機能している。図9に戻り、撮像処理の説明を続けると、S5での転送動作の後には、S3で読み出された高輝度画素において飽和画素が存在するか否かを判断するS6。具体的には、S3で読み出された高輝度画素からの出力値を所定の閾値飽和電圧値と比較しており、S3で読み出された各高輝度画素の出力値のいずれかが閾値飽和電圧値を超えている場合には、その閾値を超えている画素飽和画素のアドレスを特定する。また、閾値を超えていない画素非飽和画素については、各非飽和画素の出力値をそのときの露光時間その出力値が得られたときの露光時間と対応付けて記憶する。例えば、通常の露光時間T1のときの非飽和画素については、各非飽和画素の出力値と露光時間T1とを対応付けて記憶する。また、S6でYesと判断される場合には、現在そのYesと判断される際の露光時間よりも露光時間を短時間に切り替えて露光動作を行うと共に、S6で特定された各飽和画素の出力値を読み出し、これら画素前回のS6で飽和画素と判断された画素について上述と同様の処理を行う。即ち、これら画素からの出力値を所定の閾値飽和電圧値と比較し、いずれかの画素の出力値が閾値飽和電圧値を超えている場合には、その閾値を超えている画素飽和画素のアドレスを特定する。また、閾値を超えていない画素非飽和画素については、各非飽和画素の出力値をそのときの露光時間その出力値が得られたときの露光時間と対応付けて記憶する。このように処理を行うことで、各高輝度画素について図10Cのようなデータが得られ、各高輝度画素の出力値が露光時間非飽和画素と判断されるときの露光時間と対応付けて記憶されることになる。本実施形態では、制御部40が判断手段の一例に相当し、露光時間が一定時間T1に制御されたときに電荷読み出し部10によって読み出されるいずれかの画素の電荷が設定値より大きい所定の上限値に達するか否かを判断するように機能する。また、制御部40は、露光制御手段の一例に相当し、撮像部2での露光時間を制御するように機能する。そして、各低輝度画素毎に抽出された出力値及び増倍率に基づいて各低輝度画素の画素値を算出する。制御情報が増倍率情報の場合には、画素値Vxyについては、出力値Sxyと増倍率Mxyとに基づいて、Vxy=Sxy×1Mxyの式により算出される。なお、ここで、xは画素の行を示し、yは画素の列を示している。また、制御情報が露光時間情報Txyの場合は、T1を標準露光時間通常露光時間として、VxySxy×TTxyの式により算出される。そして、このように算出される高輝度画素の画素値及び低輝度画素の画素値を画素の配列に従って配列することで画像データが得られることになる。なお、本実施形態では、制御部40はが算出部の一例に相当し、上記選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出するように機能している。第1実施形態の主な効果第1実施形態に係る撮像装備1では、撮像部2における複数の画素3からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部10と、撮像部2の各画素3から電荷を順次転送する電荷転送部20とが設けられており、更に、電荷転送部20によって順次転送される各画素3の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部30が設けられている。また、撮像部2の各画素3の出力として、電荷読み出し部10によって読み出される電荷、又は電荷転送部20によって転送され且つ電荷増倍部30によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素3の出力に基づいて、各画素3の画素値を算出する算出部とが設けられている。この構成では、各画素3から転送された電荷を共通の電荷増倍部30によって増倍しているため、各画素内に増倍用の領域を大きく確保する必要がなく、画素3毎に増倍率を制御する回路を設ける必要もない。従って、画素サイズを効果的に抑えることができ、高画素化を図ることができる。また、各画素内において増倍のために高い電圧を印加する必要が無く、各画素3で使用する電圧を抑えることができるため、高い電圧が各画素3で印加されることに起因する悪影響例えば画素内で発生するノイズ等を抑制することができる。また、各画素3の電荷が共通の電荷増倍部30で増倍されるため、画素間の増倍のばらつきが小さくなる。更に、電荷転送部20による転送及び電荷増倍部30による増倍とは独立して各画素3の電荷を読み出すことができるため、転送、増倍しない場合の各画素3の電荷についても迅速に読み出すことができる。従って、例えば露光時間等の条件を変更した画像を、転送、増倍とは独立して取得することができ、短時間でダイナミックレンジの広い画像を取得しやすくなる。また、電荷増倍部30は、電荷転送部20で転送される各画素3の電荷を複数に分割する電荷分割部39と、電荷分割部39によって分割された各電荷をそれぞれ増倍する構成をなし、且つ増倍率がそれぞれ異なるように構成された複数の並列増倍部32と、複数の並列増倍部32における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部と、を備えている。この構成によれば、複数の増倍率で増倍した結果を得ることができ、各画素に適した増倍率の出力を得やすくなる。また、電圧や増倍回数などを細かく複雑に制御せずとも複数の増倍率で増倍した結果を得ることができる。また、電荷増倍部30は、電荷転送部20から転送された電荷を電荷分割部39による分割の前に増倍する事前増倍部31を備え、電荷分割部39は、事前増倍部31によって増倍された画素3の電荷を複数に分割している。電荷分割部39によって電荷を分割すると、各並列増倍部32を流れる電荷が小さくなることが懸念されるが、上記のように事前増倍部31を設けることで、分割後に電荷が小さくなりすぎることを抑えることができる。また、出力選択部は、複数の並列増倍部32からの各出力において、所定の出力基準を満たす出力が複数ある場合に、当該所定の出力基準を満たす最も低い出力を選択している。増倍率が高くなるほどノイズの影響が懸念されるため、上記のように出力基準を満たす複数の出力の中で最も低い出力を選択すればノイズの影響を抑えることができる。また、撮像部2での露光時間を制御する露光制御手段を備え、電荷読み出し手段は、露光制御手段が露光時間を所定の一定時間に制御したときに、各画素3に蓄積された電荷を読み出している。そして、選択部は、露光時間が一定時間に制御されたときに電荷読み出し手段によって各画素3から読み出される各電荷の値を設定値と比較し、電荷の値が当該設定値に達した画素については、電荷読み出し部10によって読み出される電荷を出力として選択している。このようにすることで、電荷が一定値設定値に達した画素については増倍された電荷出力を用いないようにすることができ、撮像部2内に高輝度の領域が存在する場合に飽和を防ぎやすくなる。また、露光時間が一定時間に制御されたときに電荷読み出し手段によって読み出されるいずれかの画素の電荷が設定値より大きい所定の上限値に達するか否かを判断する判断手段を備え、露光制御手段は、判断手段によりいずれかの画素の電荷が上限値よりも大きいと判断された場合に、露光時間を一定時間よりも短い所定の短時間に制御し、選択部は、露光時間が一定時間に制御されたときに判断手段によって上限値に達したと判断された対象画素において、露光時間が短時間に制御されたときに当該対象画素の電荷が上限値に達しない場合に、当該対象画素の出力として、露光時間が短時間に制御されたときに電荷読み出し部10によって当該対象画素から読み出される電荷を用いている。このようにすることで、一定時間の露光制御によって電荷の値が大きくなりすぎる画素例えば飽和に達した画素等が存在する場合に、短時間の露光制御を行うことで電荷の蓄積を抑えることができる。そして、露光時間が短時間に制御されたときに当該画素の電荷が上限値に達しない場合には、このように抑制された電荷を読み出して適切な出力として用いることができる。[第2実施形態]次に第2実施形態について説明する。図14は、第2実施形態に係る撮像装置を概略的に例示するブロック図である。なお、第2実施形態は、電荷増倍部30の構成のみが第1実施形態と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって第1実施形態と同様の部分については、第1実施形態と同一の符号を付して詳細な説明は省略することとし、以下では第1実施形態と異なる点について重点的に説明することとする。図14に示すように、第2実施形態に係る撮像装置200において、電荷増倍部230は、入力された電荷を増倍する構成された直列増倍部233~235が複数直列接続されてなり、各直列増倍部233~235で増倍された電荷が読み出し可能とされている。そして、これら直列増倍部233~235から読み出されたデータがAD変換部62でそれぞれデジタルデータに変換されて出力選択部43に入力されるようになっている。図14の例では、直列増倍部233は、最終的に各画素の電荷を10倍の増倍率で増倍した値が出力されるようになっており、直列増倍部234は、最終的に各画素の電荷を30倍の増倍率で増倍した値が出力されるようになっている。また、直列増倍部235は、最終的に各画素の電荷を50倍の増倍率で増倍した値が出力されるようになっている。また、各直列増倍部233~235の読み出し部分FG1~FG3は、公知のフローティングゲートアンプとして構成されており、非破壊読み出し構造を採用し、CCD内に電荷を保持したまま電荷量を読み出すことができるようになっている。なお、出力選択部43は、各画素のデータ画素のデータ毎に、各直列増倍部233~235から出力される出力値の中から第1実施形態と同様の方法で必要なデータを抽出するようになっている。本実施形態では出力選択部43を備えた制御部40が出力選択部の一例に相当し、複数の直列増倍部233~235における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択するように機能する。第2実施形態の主な効果本実施形態に係る撮像装置200でも、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、電荷増倍部30は、入力された電荷を増倍する構成された直列増倍部が複数直列接続されてなり、各直列増倍部で増倍された電荷が読み出し可能とされており、更に、複数の直列増倍部における各出力の中から、所定の出力基準を満たす出力を選択する出力選択部が設けられている。この構成では、転送される電荷の分割等を行う必要が無いため、電荷量が少なくなりすぎず、転送された電荷をより確実に増加させることができる。[他の実施形態本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。上記実施形態では、CCD転送部をインターライン型の転送部として構成したが、各画素の電荷を転送し得る公知の他の転送構成であってもよく、例えばフレーム転送型の転送部として構成されていてもよい。"