"駆動対象スイッチング素子の制御端子と電位基準端子との間に印加する駆動電圧を供給する駆動用電源と、この駆動用電源によって充電される1つ以上のコンデンサと、前記駆動用電源と前記コンデンサとの間に接続され、両者間の接続形態を切り替えるための接続切替え手段と、前記駆動対象スイッチング素子の制御端子に接続される抵抗素子と、直列に接続されると共に、両者の共通接続点が前記抵抗素子に接続され、前記駆動用電源の極性に対して逆方向となる還流ダイオードがそれぞれ並列に接続されている第1及び第2スイッチング素子と、カソードが前記第1スイッチング素子の一端に接続される正側ダイオードと、アノードが前記第2スイッチング素子の一端に接続される負側ダイオードと、前記駆動対象スイッチング素子の制御端子と前記駆動用電源との間に接続され、前記制御端子の電位が前記駆動用電源の電圧を超えて変化しようとすると導通状態となる還流経路形成素子と、前記切替え手段と前記第1及び第2スイッチング素子とを制御することで、以下に示す1~3の通電経路を形成可能に構成される通電制御回路とを備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子の駆動回路。1前記コンデンサを充電する経路。2前記駆動用電源と前記コンデンサとを直列に接続し、前記抵抗素子を介して前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を充電する経路。3前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を、前記コンデンサを介して前記駆動電源の負側端子に接続し、前記抵抗素子を介して前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を放電させる経路。前記コンデンサは、正側コンデンサ及び負側コンデンサで構成され、前記接続切替え手段は、正側スイッチング素子及び負側スイッチング素子で構成され、共通接続点となるアノードが前記駆動用電源の正側端子に接続される、前記正側ダイオード及び前記正側スイッチング素子からなる正側直列回路と、共通接続点となるカソードが前記駆動用電源の負側端子に接続される、前記負側ダイオード及び前記負側スイッチング素子からなる負側直列回路と、前記正側コンデンサは、前記正側直列回路に並列に接続され、前記負側コンデンサは、前記負側直列回路に並列に接続され、前記通電制御回路は、前記通電経路2では前記駆動用電源と前記正側コンデンサとを直列に接続し、前記通電経路3では前記駆動対象スイッチング素子の制御端子を、前記負側コンデンサを介して前記駆動電源の負側端子に接続することを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。前記正側コンデンサと前記負側コンデンサとが直列に接続されており、前記正側及び負側コンデンサの直列回路と、前記第1及び第2スイッチング素子の直列回路とが並列に接続されていることを特徴とする請求項2記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。前記接続切替え手段は、前記駆動用電源の両端に接続され、第1~第4スイッチング素子からなるHブリッジ回路で構成され、前記コンデンサは、前記Hブリッジ回路の出力端子間に接続され、前記正側ダイオードは、前記コンデンサの一端側にアノードが接続され、前記負側ダイオードは、前記コンデンサの他端側にカソードが接続され、前記第1及び第2スイッチング素子は、前記正側ダイオードのカソードと、前記負側ダイオードのアノードとの間に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。前記還流経路形成素子は、第3スイッチング素子で構成され、前記通電制御回路は、前記第3スイッチング素子も併せて制御することで、前記制御端子の電位が前記駆動用電源の電圧を超えて変化しようとすると、前記還流経路形成素子を介して前記駆動用電源側に還流電流を流す経路を形成することを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。前記還流経路形成素子は、ダイオードで構成されることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。しかしながら、特許文献1の構成では、静電誘導トランジスタをオンさせている間はツェナーダイオードを介して電流が流れ続けるので、駆動回路における損失が大きく、高周波数帯でのスイッチングに対応できない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、駆動電圧の印加に制限があるスイッチング素子を高い周波数で高速にスイッチングできる半導体スイッチング素子の駆動回路を提供することにある。請求項1記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、接続切替え手段により駆動用電源とコンデンサとの間の接続形態を切り替える。また、第1及び第2スイッチング素子の共通接続点と、駆動対象スイッチング素子の制御端子との間に抵抗素子を接続し、前記制御端子と駆動用電源の正側端子との間に、前記制御端子の電位が駆動用電源の電圧を超えて変化しようとすると導通状態となる還流経路形成素子を配置する。そして、通電制御回路は、接続切替え手段と第1及び第2スイッチング素子とを制御することで通電経路1~3を形成する。通電経路2では、駆動用電源と充電したコンデンサとを直列に接続して、抵抗素子を介して駆動対象スイッチング素子の制御端子を急速に充電する。そして、通電経路3では、駆動対象スイッチング素子の制御端子を、充電されたコンデンサを介して駆動電源の負側端子に接続し、抵抗素子を介して前記制御端子を放電させる。すなわち、駆動対象スイッチング素子の制御端子を充電する場合には、抵抗素子を介して駆動用電源の電圧の2倍となる電圧を印加して充電電流を急速に流すことができる。この時、前記制御端子の電位が駆動用電源電圧を超えて変化しようとすれば、還流経路形成素子を介して駆動用電源側に還流電流を流す経路が形成され、制御端子の電位がクランプされる。また、前記制御端子から放電させる場合には、抵抗素子を介して負極性の駆動用電源電圧が印加されるので、充電状態にある制御端子の電位に対して、約2倍の電位差を付与して放電させることができる。そして、上記の充電の過程において、前記制御端子の電位が駆動用電源電圧を超えて変化しようとすれば、駆動用電源側に還流電流を流す経路が形成されて制御端子の電位がクランプされる。したがって、駆動対象スイッチング素子の制御端子に印加される電位を制限しつつ高速にターンオン,ターンオフさせることができる。請求項2記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、コンデンサを、正側及び負側の2つのコンデンサとする。また、接続切替え手段を正側及び負側スイッチング素子で構成し、それぞれ正側,負側ダイオードと共に正側,負側直列回路を構成する。そして、正側,負側コンデンサを正側,負側直列回路にそれぞれ並列に接続し、通電制御回路は、通電経路2では駆動用電源と正側コンデンサとを直列に接続し、通電経路3では駆動対象スイッチング素子の制御端子を、負側コンデンサを介して駆動電源の負側端子に接続する。すなわち、正側及び負側の2つのコンデンサを使用することで、駆動対象スイッチング素子の制御端子を充電する場合と、前記制御端子から放電させる場合との接続切り替えを簡単に行うことができる。この場合、請求項3記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、正側コンデンサと負側コンデンサとを直列に接続し、この直列回路と第1及び第2スイッチング素子の直列回路とを並列に接続する。これにより、通電制御回路が以下のようにして各スイッチング素子を制御することで、通電経路1~3を形成することができる。1負側スイッチング素子のみをターンオンすると、駆動用電源,正側ダイオード,正側コンデンサ,負側スイッチング素子,駆動用電源-の経路で正側コンデンサがVG-Vfに充電される。但し、VGは駆動用電源電圧,Vfはダイオードの順方向電圧である。また、負側スイッチング素子をターンオフして正側スイッチング素子をターンオンすると、駆動用電源,正側スイッチング素子,負側コンデンサ,負側ダイオード,駆動用電源-の経路で負側コンデンサがVG-Vfに充電される。2そして、第1スイッチング素子をターンオンすると、駆動用電源,正側スイッチング素子,正側コンデンサ,第1スイッチング素子,抵抗素子,駆動対象スイッチング素子の制御端子,駆動対象スイッチング素子の電位基準側出力端子,駆動用電源-の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電される。3また、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電されている状態から、正側スイッチング素子をターンオフし、第2スイッチング素子をターンオンすると、駆動対象スイッチング素子の制御端子,抵抗素子,第2スイッチング素子,負側コンデンサ,負側スイッチング素子,駆動用電源-,駆動対象スイッチング素子の電位基準側出力端子の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が放電される。請求項4記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、接続切替え手段を、駆動用電源の両端に接続されるHブリッジ回路で構成して、コンデンサを、そのHブリッジ回路の出力端子間に接続する。そして、正側ダイオードのアノードをコンデンサの一端側に接続し、負側ダイオードのカソードをコンデンサの他端側に接続し、第1及び第2スイッチング素子を、正側ダイオードのカソードと負側ダイオードのアノードとの間に接続する。これにより、通電制御回路が以下のようにして各スイッチング素子を制御することで、通電経路1~3を形成することができる。ここで、Hブリッジ回路を構成する4つのスイッチング素子を、H1~H4と称す1Hブリッジ回路において、駆動用電源の両端にそれぞれ接続されるスイッチング素子H1,H4を共にターンオンすれば、コンデンサが電圧VGで充電される。2スイッチング素子H1,H4を共にターンオフし、スイッチング素子H3及び第1スイッチング素子をターンオンすると、駆動用電源,スイッチング素子H3,コンデンサ,正側ダイオード,第1スイッチング素子,抵抗素子,駆動対象スイッチング素子の制御端子,駆動対象スイッチング素子の電位基準端子,駆動用電源-の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電される。3また、駆動対象スイッチング素子の制御端子が充電されている状態から、スイッチング素子H3及び第1スイッチング素子をターンオフし、スイッチング素子H1,H4を共にターンオンしてコンデンサを再度充電してからスイッチング素子H1,H4を共にターンオフし、スイッチング素子H2及び第2スイッチング素子をターンオンすると、駆動対象スイッチング素子の制御端子,抵抗素子,第2スイッチング素子,コンデンサ,スイッチング素子H2,駆動用電源-の経路で電流が流れ、駆動対象スイッチング素子の制御端子が放電される。請求項5記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、還流経路形成素子を、第3スイッチング素子で構成し、通電制御回路が第3スイッチング素子も併せて制御することで、駆動対象スイッチング素子の制御端子の電位が駆動用電源の電圧を超えて変化した際に、還流経路形成素子を介して駆動用電源側に還流電流を流す経路を形成する。したがって、適切なタイミングで還流電流を流す経路を形成することで、前記制御端子の電位をクランプすることができる。請求項6記載の半導体スイッチング素子の駆動回路によれば、還流経路形成素子を、ダイオードで構成する。すなわち、駆動対象スイッチング素子の制御端子と駆動用電源の正側端子との間にダイオードを接続すれば、前記制御端子の電位が駆動用電源電圧VGよりも順方向電圧Vfを超えて上昇すると、ダイオードが導通して還流電流を流す経路が形成される。また、制御端子と駆動用電源の負側端子との間にダイオードを接続すれば、前記制御端子の電位が駆動用電源電圧VGよりも順方向電圧Vfを超えて下降すると、ダイオードが導通して還流電流を流す経路を形成できる。第1実施例以下、第1実施例について図1ないし図4を参照して説明する。図1は、例えばNチャネルFETを駆動するための駆動回路を示す。NチャネルFET1駆動対象スイッチング素子は、ドレイン側に図示しない負荷が接続されており、駆動回路2は、NチャネルFET1のゲート-ソース間に接続されているローサイド駆動方式。尚、NチャネルFET1については、FETをMOS構造に限定する意図ではないが、図中では便宜上MOSFETのシンボルで図示している。駆動回路2は、NチャネルMOSFET2のゲート制御端子,ソース電位基準側出力端子間に接続されており、ゲート駆動用電源3により供給される電源VGに基づいて、NチャネルMOSFET2のゲート制御端子に対して充放電電流Igを供給する。尚、図1に示すスイッチのシンボルとダイオードとの並列回路は、実体としては例えばNチャネルMOSFETであるが、説明を簡単にするため上記のシンボルで示している。ゲート駆動用電源3の正側端子は、スイッチSa1接続切り替え手段,正側スイッチング素子とダイオードDa1正側ダイオードとの直列回路の共通接続点アノードに接続されており、負側端子は、スイッチSa2接続切り替え手段,負側スイッチング素子とダイオードDa2負側ダイオードとの直列回路の共通接続点カソードに接続されている。また、スイッチSa1及びSa2も直列に接続されている。ダイオードDa1のカソードと、ダイオードDa2のアノードとの間には、スイッチS1及びS2第1及び第2スイッチング素子の直列回路と、コンデンサC1正側コンデンサ及びC2負側コンデンサの直列回路とが接続されている。コンデンサC1及びC2の共通接続点は、スイッチSa1及びSa2の共通接続点に接続されている。そして、スイッチS1及びS2の共通接続点と、NチャネルFET1のゲート制御端子との間には、抵抗素子Rgが接続されている。また、NチャネルFET1のゲートとゲート駆動用電源3の正側端子との間には、スイッチS3還流経路形成素子,第3スイッチング素子が接続されている。スイッチSa1,Sa2,S1~S3のオンオフ制御は、図示しない制御回路によって行われる。ここで、スイッチSa1,Sa2,S1~S3と前記制御回路とが通電制御回路4を構成している。次に、本実施例の作用について図2ないし図4も参照して説明する。図2は、制御回路によって行われるスイッチSa1,Sa2,S1~S3のオンオフ切替えと、各部の電圧,電流波形を示すタイミングチャートである。また、図3は、NチャネルFET1をターンオンさせる場合のスイッチSa1,Sa2,S1~S3の切替え順序と、それに伴う電流の流れを示したものである。<NチャネルFET1のターンオン>図3において、先ず1図2~図4中の丸数字を、括弧付き数字で示す初期状態として、スイッチSa2,S2がオンしていることでNチャネルFET1のゲートは、ゲート駆動用電源3の負側端子の電位例えば0V,グランド電位からコンデンサC2の充電電圧分だけ低下した電位-VGVfとなっており、ターンオフ状態にあるとする。尚、Vfはダイオードの順方向電圧である。この状態で、コンデンサC1は電圧VG-Vfに充電される。ここから、2スイッチSa2をターンオフし、続いて3スイッチSa1をターンオンすると、コンデンサC2が電圧VG-Vfに充電される。次に、4スイッチS2をターンオフし、5スイッチS1をターンオンすると、ゲート駆動用電源3の正側端子,スイッチSa1コンデンサC1,スイッチS1,抵抗素子Rg,NチャネルFET1のゲート-ソース,ゲート駆動用電源3の負側端子となる通電経路が形成される。これにより、コンデンサC1がゲート駆動用電源3と直列に接続された状態で、抵抗素子Rgを介してNチャネルFET1のゲートが充電される。すると、NチャネルFET1のゲート-ソース間電圧Vgsが上昇し、電圧Vgsが電圧VGよりも上昇すると、6電流I_Rgは、抵抗素子Rg,スイッチS3の還流ダイオード,スイッチSa1コンデンサC1,スイッチS1を介して流れる。これにより、ゲート-ソース間電圧Vgsは電圧VGにクランプされる。この状態から7スイッチS3をターンオンすると、電流I_Rgは、スイッチS3の還流ダイオードに替わりスイッチS3自身を流れる。そして、8スイッチS1をオフすると、電流経路が断たれてNチャネルFET1のターンオンが完了する。また、この状態ではコンデンサC2が充電される。<NチャネルFET1のターンオフ>図4において、1上記のようにNチャネルFET1がターンオンしてコンデンサC2が充電されている状態から、2スイッチSa1をターンオフし、3スイッチSa2をターンオフすればコンデンサC1が充電される。それから、4スイッチS3をターンオフし、5スイッチS2をターンオンすると、NチャネルFET1のゲート,抵抗素子Rg,スイッチS2,コンデンサC2,スイッチSa2ゲート駆動用電源3の負側端子,NチャネルFET1のソースとなる通電経路が形成される。これにより、抵抗素子Rgには電圧-VGVfが印加され、NチャネルFET1のターンオン時とは逆の方向に電流I_Rgが増加してNチャネルFET1のゲートから電流Igとして流れ、当該ゲートを放電させる。6そして、電流I_Rg=Igがゼロになれば、NチャネルFET1のターンオフが完了し、コンデンサC1が充電状態となる。以上のように本実施例によれば、ダイオードDa1及びスイッチSa1,スイッチSa2及びダイオードDa2で正側,負側直列回路をそれぞれ構成し、コンデンサC1,C2を正側,負側直列回路にそれぞれ並列に接続し、スイッチSa1,Sa2によりゲート駆動用電源3とコンデンサC1,C2の間の接続形態を切り替える。また、スイッチS1及びS2の共通接続点と、NチャネルFET1のゲートとの間に抵抗素子Rgを接続し、前記ゲートとゲート駆動用電源3の正側端子との間にスイッチS3を配置する。そして、通電制御回路4は、スイッチSa1,Sa2,S1~S3を制御することで、コンデンサC1,C2を充電する経路と、ゲート駆動用電源3とコンデンサC1とを直列に接続してNチャネルFET1のゲートを充電する経路と、ゲートの電位が電圧VGを超えて上昇しようとするとゲート駆動用電源3に還流電流を流す経路と、コンデンサC2をゲート駆動用電源3の負側端子に接続して、NチャネルFET1のゲートを放電する経路とを形成するようにした。これにより、NチャネルFET1のゲートを充電する場合には、抵抗素子Rgを介して電源電圧VGの2倍となる電圧を印加して充電電流を急速に流すことができ、この時に、ゲート電位を電源電圧VGでクランプできる。また、ゲートから放電させる場合には、抵抗素子Rgを介して負極性の電圧が印加されるので、充電状態にあるゲートの電位に対して約2倍の電位差を付与して放電させることができる。したがって、NチャネルFET1のゲートに印加される電位を制限しつつ高速にターンオン,ターンオフさせることができる。また、通電制御回路4がスイッチS3も制御するので、適切なタイミングで還流電流を流す経路を形成してゲート電位をクランプすることができる。第2実施例図5ないし図8は第2実施例であり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施例の駆動回路11は、スイッチS3に替えてダイオードD1還流経路形成素子が配置されている点のみが相違している。したがって、図6に示すタイミングチャートでは、スイッチS3のオンオフ制御が削除されており、その他のスイッチのオンオフ制御も第1実施例とは若干相違している。次に、第2実施例の作用について図6ないし図8を参照して説明する。<NチャネルFET1のターンオン>図6において、1~6については第1実施例と全く同じパターンとなる。但し6では、スイッチS3に並列接続されているダイオードに替えて、ダイオードD1を介して還流電流が流れ、ゲート-ソース間電圧Vgsは電圧VGにクランプされる。続く7では、スイッチSa1をオフすることで、電流I_Rgは、NチャネルFET1のゲート,ダイオードD1,ゲート駆動用電源3,NチャネルFET1のソースを介して流れる。この状態から8スイッチSa2をターンオンすると、電流I_Rgが流れる電流経路が断たれてNチャネルFET1のターンオンが完了する。また、この状態ではコンデンサC1が充電される。<NチャネルFET1のターンオフ>1この場合、ターンオンシーケンスの8における通電経路が相違しているため、ターンオフシーケンスの初期状態も第1実施例とは異なっており、上記のようにコンデンサC1を充電している状態から開始される。そして、2スイッチS1をターンオフしてから3スイッチS2をターンオンすると図4の5と同じ通電経路となり、4NチャネルFET1のゲートが放電されてターンオフが完了する。以上のように第2実施例によれば、還流経路形成素子をダイオードD1で構成したので、第1実施例のように通電制御回路4がスイッチS3を制御せずとも、NチャネルFET1のゲート電位の変化に応じてダイオードD1が導通することで、還流電流を流す経路を自動的に形成することができる。第3実施例図9ないし図12は第3実施例であり、第1実施例と異なる部分について説明する。第3実施例の駆動回路21ではコンデンサC2が削除されており、コンデンサC1は、ダイオードDa1のアノードと、ダイオードDa2のカソードとの間に接続されている。また、スイッチSa1及びSa2の直列回路には、スイッチSa3及びSa4の直列回路が並列に接続されており、これらはHブリッジ回路接続切替え手段22を構成しており、Hブリッジ回路22と図示しない制御回路とが通電制御回路23を構成している。そして、コンデンサC1は、スイッチSa1及びSa2の共通接続点と、スイッチSa3及びSa4の共通接続点との間に接続されている。次に、第3実施例の作用について図10ないし図12を参照して説明する。<NチャネルFET1のターンオン>図11において、1初期状態として、スイッチSa2,S2がオンしてNチャネルFET1はターンオフ状態にあり、そのゲートは、ゲート駆動用電源3の負側端子の電位からコンデンサC1の充電電圧分だけ低下した電位-VGVfとなっている。ここから、2スイッチSa2をターンオフし、続いて3スイッチSa1及びS4をターンオンすると、コンデンサC1が電圧VGに充電される。次に、4スイッチS2,Sa1,Sa4をターンオフし、5スイッチSa3をターンオンし、6スイッチS1をターンオンすると、ゲート駆動用電源3の正側端子,スイッチSa3コンデンサC1,ダイオードDa1スイッチS1,抵抗素子Rg,NチャネルFET1のゲート-ソース,ゲート駆動用電源3の負側端子となる通電経路が形成される。これにより、コンデンサC1がゲート駆動用電源3と直列に接続された状態で、抵抗素子Rgを介してNチャネルFET1のゲートが充電される。すると、NチャネルFET1のゲート-ソース間電圧Vgsが上昇し、電圧Vgsが電圧VGよりも上昇すると、7電流I_Rgは、抵抗素子Rg,スイッチS3の還流ダイオード,ゲート駆動用電源3の正側端子,スイッチS3,コンデンサC1,ダイオードDa1,スイッチS1を介して流れる。これにより、ゲート-ソース間電圧Vgsは電圧VGにクランプされる。この状態から8スイッチS1,Sa3をターンオフし、9スイッチS3,Sa1,Sa4をターンオンすると、電流I_Rgは、スイッチS3の還流ダイオードに替わりスイッチS3自身を流れ、電流経路が断たれてNチャネルFET1のターンオンが完了する。また、この状態ではコンデンサC1が充電される。<NチャネルFET1のターンオフ>図12において、1上記のようにNチャネルFET1がターンオンしてコンデンサC1が充電されている状態から、2スイッチS3,Sa1,Sa4をターンオフし、3スイッチSa2をターンオンし、4スイッチS2をターンオンすると、NチャネルFET1のゲート,抵抗素子Rg,スイッチS2,ダイオードDa2,コンデンサC1,スイッチSa2ゲート駆動用電源3の負側端子,NチャネルFET1のソースとなる通電経路が形成される。これにより、抵抗素子Rgには電圧-VGVfが印加され、NチャネルFET1のターンオン時とは逆の方向に電流I_Rgが増加してNチャネルFET1のゲートから電流Igとして流れ、当該ゲートを放電させる。5そして、電流I_Rg=Igがゼロになれば、NチャネルFET1のターンオフが完了し、コンデンサC1が充電状態となる。以上のように第3実施例によれば、接続切替え手段を、ゲート駆動用電源3の両端に接続されるHブリッジ回路22で構成し、コンデンサC1を、Hブリッジ回路の出力端子間に接続する。そして、正側ダイオードDa1のアノードをコンデンサC1の一端側に接続し、負側ダイオードDa1のカソードをコンデンサC1の他端側に接続して、第1及び第2スイッチング素子S1及びS2を、正側ダイオードDa1のカソードと負側ダイオードDa2のアノードとの間に接続した。したがって、1つのコンデンサC1だけを用いて、NチャネルFET1を高速にターンオン,ターンオフさせることができる。本発明は上記し、又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変型又は拡張が可能である。第3実施例において、第2実施例と同様に、還流経路形成素子にダイオードを用いても良い。駆動対象スイッチング素子を、MOSFETやMISFET,JFETやHEMTHighElectronMobilityTransistorなどであっても良い。スイッチング素子S1a~Sa4については、並列接続されているダイオードは不要である。"