"ナノインプリント法によって回折格子を作製する方法であって、前記回折格子のためのモールドパターンを有するモールドを用意する工程と、複数のショットエリアを含む主面を有する回折格子層の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上にプライマ層を形成する工程と、前記複数のショットエリアのうちの一のショットエリア及び前記プライマ層の上に第1の樹脂を配置する工程と、前記第1の樹脂に前記モールドを押し付ける工程と、前記第1の樹脂に前記モールドを押し付けた後に前記第1の樹脂を硬化して、前記モールドパターンに応じたパターンを有する第1の樹脂層を形成する工程と、前記第1の樹脂層から前記モールドを離間した後に、前記第1の樹脂層を用いたエッチングにより前記絶縁膜に前記パターンを転写して、前記回折格子層の上にマスク層を形成する工程と、前記マスク層を用いて前記回折格子層をエッチングすることにより、回折格子構造を形成する工程と、を備え、前記モールドは、本体部と、前記本体部から突出して設けられた突出部とを有し、前記突出部は、前記モールドパターンが形成された上面を有し、前記各ショットエリアは、第1の部分と、前記第1の部分を囲う第2の部分とを含み、前記プライマ層は、前記第1の部分及び前記絶縁膜の上に形成され、前記プライマ層は、前記第2の部分及び前記絶縁膜の上には形成されておらず、前記プライマ層の濡れ性は、前記モールドの濡れ性よりも低く、前記絶縁膜の濡れ性は、前記プライマ層の濡れ性及び前記モールドの濡れ性よりも高い、ことを特徴とする回折格子を作製する方法。前記一のショットエリアは、前記複数のショットエリアのうちの別のショットエリアと隣接しており、前記各ショットエリアは、前記別のショットエリアと前記一のショットエリアとの境界と、前記第2の部分の外縁とに沿って延びる第3の部分を含み、前記プライマ層は、前記第3の部分及び前記絶縁膜の上に形成され、前記第1の樹脂は、前記第1の部分及び前記プライマ層の上に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の回折格子を作製する方法。前記プライマ層を形成する工程は、前記絶縁膜の上に前記プライマ層のための第2の樹脂層を形成する工程と、前記第2の樹脂層をエッチングすることにより、前記第2の部分の上の前記第2の樹脂層に開口を設けると共に、前記第1の部分、前記第3の部分及び前記絶縁膜の上に前記プライマ層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の回折格子を作製する方法。前記モールドは石英を含み、前記プライマ層はポリアクリレート系の樹脂材料を含み、前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを含み、前記第1の樹脂は、シリル化生成物を主成分とする樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂又はポリエステル系樹脂を含む紫外線硬化樹脂である、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の回折格子を作製する方法。前記モールドは石英を含み、前記プライマ層はポリアクリレート系の樹脂材料を含み、前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを含み、前記第1の樹脂は、ポリメチルメタアクリレート又はポリウレタンを含む熱硬化樹脂である、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の回折格子を作製する方法。前記マスク層を形成する工程は、前記第1の樹脂層から前記モールドを離間した後に、前記パターンを埋め込むように、シリコンを含む第3の樹脂層を形成する工程と、前記パターンの突部の上面が露出するまで前記第3の樹脂層を選択的にエッチングする工程と、前記パターンの溝部に残存する前記第3の樹脂層をマスクとして、前記第1の樹脂層及び前記プライマ層をエッチングする工程と、を含む、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の回折格子を作製する方法。特許文献1に記載の製造方法においては、上述したように、絶縁層の上に塗布されたシリコン非含有樹脂のパターニングに、ナノインプリント法を用いることができる。ナノインプリント法の方式としては、例えばステップアンドリピート方式を用いることができる。ステップアンドリピート方式においては、例えば、板状の本体部と本体部から突出して設けられた突出部とを有するモールドが用いられる。そのようなモールドにおいては、回折格子のためのモールドパターンは突出部の上面に設けられる。ステップアンドリピート方式においては、複数のショットエリアのうちの一のショットエリアの絶縁層の上に、ナノインプリント用樹脂として、例えば紫外線硬化樹脂を配置する。この紫外線硬化樹脂にモールドの突出部を押し付けることにより、紫外線硬化樹脂にパターンを形成する。紫外線硬化樹脂にパターンを形成する際には、モールドパターンの溝部に紫外線硬化樹脂を充填する必要がある。絶縁層の濡れ性がモールドの濡れ性よりも高い場合には、絶縁層の上に配置された紫外線硬化樹脂にモールドの突出部を押し付けたときに、モールドの突出部と絶縁層との間の紫外線硬化樹脂が、絶縁層の表面に沿って広がってしまうので、モールドパターンの溝部に充填されないという問題が生じる。そのような問題を解決するためには、モールドの濡れ性よりも低い濡れ性の密着層を絶縁層の上に形成し、その密着層の上に紫外線硬化樹脂を配置する方法が考えられる。このような方法によれば、密着層の上に配置された紫外線硬化樹脂が、密着層の表面に沿って広がりにくいため、モールドパターンの溝部に充填される。上述したように濡れ性の低い密着層を用いる方法においては、密着層の上の紫外線硬化樹脂にモールドを押し付けたときに、モールドの突出部と密着層との間からはみ出した余剰の紫外線硬化樹脂が、密着層の表面に沿って広がりにくい。このため、余剰の紫外線硬化樹脂が、モールドの突出部の側面に沿って盛り上がってしまう。この盛り上がり部分が、紫外線の照射によって硬化する。その結果、その盛り上がり部分が、除去困難な厚さのバリとなってしまう。ナノインプリント用樹脂として、紫外線硬化樹脂の代わりに熱硬化樹脂を用いた場合にも、同様の問題が生じる。本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、モールドのパターンの溝部にナノインプリント用樹脂を充填できると共に、余剰のナノインプリント用樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子を作製する方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明の回折格子を作製する方法は、ナノインプリント法によって回折格子を作製する方法であって、回折格子のためのモールドパターンを有するモールドを用意する工程と、複数のショットエリアを含む主面を有する回折格子層の上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上にプライマ層を形成する工程と、複数のショットエリアのうちの一のショットエリア及びプライマ層の上に第1の樹脂を配置する工程と、第1の樹脂にモールドを押し付ける工程と、第1の樹脂にモールドを押し付けた後に第1の樹脂を硬化して、モールドパターンに応じたパターンを有する第1の樹脂層を形成する工程と、第1の樹脂層からモールドを離間した後に、第1の樹脂層を用いたエッチングにより絶縁膜に前記パターンを転写して、回折格子層の上にマスク層を形成する工程と、マスク層を用いて回折格子層をエッチングすることにより、回折格子構造を形成する工程と、を備え、モールドは、本体部と、本体部から突出して設けられた突出部とを有し、突出部は、モールドパターンが形成された上面を有し、各ショットエリアは、第1の部分と、第1の部分を囲う第2の部分とを含み、プライマ層は、第1の部分及び絶縁膜の上に形成され、プライマ層は、第2の部分及び絶縁膜の上には形成されておらず、プライマ層の濡れ性は、モールドの濡れ性よりも低く、絶縁膜の濡れ性は、プライマ層の濡れ性及びモールドの濡れ性よりも高い、ことを特徴とする。この方法においては、ナノインプリント用樹脂としての第1の樹脂をプライマ層の上に配置した後に、モールドを押し付ける。プライマ層の濡れ性は、モールドの濡れ性よりも低いので、第1の樹脂にモールドを押し付けたときにモールドパターンの溝部に第1の樹脂が充填される。一方、プライマ層は、一のショットエリアの第1の部分及び絶縁膜上に形成されている。また、プライマ層は、一のショットエリアの第2の部分には形成されていないので、第1の部分を取り囲む第2の部分の上には、絶縁膜が露出している。絶縁膜の濡れ性は、プライマ層の濡れ性及びモールドの濡れ性よりも高い。したがって、第1の樹脂にモールドを押し付けたときに、余剰の第1の樹脂がモールドの突出部とプライマ層との間からはみ出すが、その余剰の第1の樹脂は第2の部分の上の絶縁膜の表面に沿って広がる。その結果、余剰の第1の樹脂が、モールドの突出部の側面に沿って盛り上がることを回避できる。よって、余剰の第1の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる。本発明の回折格子を作製する方法においては、一のショットエリアは、複数のショットエリアのうちの別のショットエリアと隣接しており、各ショットエリアは、別のショットエリアと一のショットエリアとの境界と、第2の部分の外縁とに沿って延びる第3の部分を含み、プライマ層は、第3の部分及び絶縁膜の上に形成され、第1の樹脂は、第1の部分及びプライマ層の上に配置されるものとすることができる。この方法においては、第3の部分及び絶縁膜の上にも、濡れ性の低いプライマ層が形成されることとなる。このため、余剰の第1の樹脂の広がりが、第3の部分の上のプライマ層で留められる。このため、余剰の第1の樹脂が別のショットエリアにはみ出すことを防止できる。また、本発明の回折格子を作製する方法は、プライマ層を形成する工程は、絶縁膜の上にプライマ層のための第2の樹脂層を形成する工程と、第2の樹脂層をエッチングすることにより、第2の部分の上の第2の樹脂層に開口を設けると共に、第1の部分、第3の部分及び絶縁膜の上にプライマ層を形成する工程と、を含むことができる。この方法によれば、第2の部分の上において絶縁層を露出させることができると共に、第1及び第3の部分の上にプライマ層を形成できる。また、本発明の回折格子を作製する方法においては、モールドは石英を含み、プライマ層はポリアクリレート系の樹脂材料を含み、絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを含み、第1の樹脂は、シリル化生成物を主成分とする樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂又はポリエステル系樹脂を含む紫外線硬化樹脂であるものとすることができる。この方法によれば、モールドの表面の濡れ性と、プライマ層の表面の濡れ性と、絶縁膜の表面の濡れ性とを、所望の関係に調整できる。或いは、本発明の回折格子を作製する方法においては、モールドは石英を含み、プライマ層はポリアクリレート系の樹脂材料を含み、絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを含み、第1の樹脂は、ポリメチルメタアクリレートPMMA又はポリウレタンPURを含む熱硬化樹脂であるものとすることもできる。この方法によっても、モールドの表面の濡れ性と、プライマ層の表面の濡れ性と、絶縁膜の表面の濡れ性とを、所望の関係に調整できる。さらに、本発明の回折格子を作製する方法においては、マスク層を形成する工程は、第1の樹脂層からモールドを離間した後に、パターンを埋め込むように、シリコンを含む第3の樹脂層を形成する工程と、パターンの突部の上面が露出するまで第3の樹脂層を選択的にエッチングする工程と、パターンの溝部に残存する第3の樹脂層をマスクとして、第1の樹脂層及びプライマ層をエッチングする工程とを含むことができる。この方法によれば、第1の樹脂層の上に、回折格子のためのパターンを埋め込んで第3の樹脂層を形成する。第3の樹脂層の表面は平坦に形成できる。そのため、第3の樹脂層をマスクとして第1の樹脂層及びプライマ層をエッチングし、その後、当該第1の樹脂層及びプライマ層をマスクとしたエッチングにより絶縁膜に上記パターンを転写して、回折格子層の上にマスク層を形成することで、例えば半導体基板表面に凹凸がある場合でも、その影響を低減することができる。本発明によれば、モールドのパターンの溝部にナノインプリント用樹脂を充填できると共に、余剰のナノインプリント用樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子を作製する方法を提供することができる。本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の回折格子を作製する方法、及び半導体光素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。本実施形態においては、ナノインプリント法によって回折格子を作製する。本実施形態におけるナノインプリント法には、ステップアンドリピート方式を用いる。図1は、ステップアンドリピート方式に用いられるモールドを模式的に示す図である。本実施形態に係る方法では、まず、図1に示されるモールド1を用意する工程S101。なお、以下の説明では、主に、ナノインプリント用樹脂として紫外線硬化樹脂を用いた光式ナノインプリント法による回折格子の作製方法について述べる。モールド1は、本体部2と突出部3とからなる。本体部2は、平板状の形状を有する。突出部3は、本体部2の上面2aから突出して設けられている。突出部3は、上面2aの略中央部に配置されている。突出部3は、上面3aと側面3bとを有している。側面3bは、上面3aと本体部2の上面2aとを接続している。上面3aには、回折格子のためのモールドパターンMPが形成されている。モールドパターンMPは、上面3aの略中央部に配置されている。モールドパターンMPは、所定の方向に沿って複数の溝部Maが配列されて構成されている。溝部Maは、その配列方向に交差する方向に沿って延びるストライプ状の形状を有する。溝部Maの寸法や配列のピッチは、作製する回折格子の態様に合わせて決定される。このモールド1は、例えば、石英製とすることができる。また、モールド1は、露光のための紫外線に対して透明である。図2に示されるように、第1導電型例えばn型の半導体基板10を用意する工程S102。半導体基板10は、例えば、InPやGaN等のIII-V族化合物半導体からなる。この半導体基板10の上に、半導体積層20を形成する工程S103。半導体積層20は、第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、及び回折格子層15を含む。第1のクラッド層11、第1の光閉じ込め層12、活性層13、第2の光閉じ込め層14、及び回折格子層15は、この順で半導体基板10の主面の法線方向に配列されている。第1のクラッド層11は、例えば、第1導電型を有するIII-V族化合物半導体からなる。第1のクラッド層11のIII-V族化合物半導体は、例えば、InPやGaN等とすることができる。第1の光閉じ込め層12は、例えば、第1導電型を有するIII-V族化合物半導体からなる。第1の光閉じ込め層12のIII-V族化合物半導体は、例えば、GaInAsP等とすることができる。活性層13は、例えば、GaInAsPやAlGaInAs等のIII-V族化合物半導体からなる。活性層13は、例えば、多重量子井戸構造や単一量子井戸構造を有する。第2の光閉じ込め層14は、例えば、第2導電型例えばp型を有するIII-V族化合物半導体からなる。第2の光閉じ込め層14のIII-V族化合物半導体は、例えば、GaInAsP等とすることができる。回折格子層15は、例えば、第2導電型を有するIII-V族化合物半導体からなる。回折格子層15のIII-V族化合物半導体は、例えば、GaInAsP等とすることができる。回折格子層15には、後に回折格子構造が形成される。半導体積層20の各層の成長には、例えば、有機金属気相成長法を用いることができる。回折格子層15は、主面15aを有している。図3に示されるように、回折格子層15の主面15aは、複数のショットエリアSHを有している。ショットエリアSHは、二次元アレイ状に配列されている。各ショットエリアSHは、矩形状に設定されている。各ショットエリアSHは、矩形状の第1の部分P1を含む。第1の部分P1は、ショットエリアSHの略中央部に配置されている。ショットエリアSHは、それぞれ、第1の部分P1を囲う矩形環状の第2の部分P2を含む。第1の部分P1と第2の部分P2とは互いに接合されている。各ショットエリアSHは、第2の部分P2の外縁とショットエリアSH同士の境界とに沿って延びる第3の部分P3を含む。第3の部分P3は、4つのショットエリアSHに接するショットエリアSHにおいては、矩形環状に設定されている。第3の部分P3は、3つのショットエリアSHと接するショットエリアSHにおいては、U字状に設定されている。第3の部分P3は、2つのショットエリアSHと接するショットエリアSHにおいては、L字状に設定されている。以下、図中のIII-III線に沿った部分断面図を用いて説明を続ける。図4のa部に示されるように、回折格子層15の主面15aの上に絶縁膜30を形成する工程S104。絶縁膜30は、シリコン無機膜を含み、例えば、SiO2等の酸化シリコン、SiN等の窒化シリコン、又はSiON等の窒化酸化シリコン等を含む。絶縁膜30は、例えば、化学気相成長法を用いて形成することができる。絶縁膜30は、回折格子層15の主面15aの全面を覆って形成される。図4のb部に示されるように、絶縁膜30の上に樹脂層40を形成する工程S105。樹脂層40は、本実施形態における第2の樹脂層を構成する。樹脂層40は、例えば、ポリアクリレート系の樹脂材料を含む。樹脂層40は、絶縁膜30の全面に形成される。樹脂層40は、後の工程でパターン形成されてプライマ層として機能する。図5のa部に示されるように、樹脂層40の上にマスク層50を形成する工程S106。マスク層50は、第1の部分51と開口部52と第3の部分53とからなる。第1の部分51は、ショットエリアSHの第1の部分P1の上に配置されている。第1の部分51は、ショットエリアSHの第1の部分P1に合わせて形成される。開口部52は、ショットエリアSHの第2の部分P2の上に配置されている。開口部52は、ショットエリアSHの第2の部分P2に合わせて形成されている。第3の部分53は、ショットエリアSHの第3の部分に配置されている。第3の部分53は、ショットエリアSHの第3の部分P3に合わせて形成されている。ショットエリアSHの第2の部分P2の上においては、開口部52から樹脂層40が露出している。図5のb部に示されるように、マスク層50を用いて樹脂層40をエッチングすることにより、プライマ層60を形成する工程S107。プライマ層60は、第1の部分61と開口部62と第3の部分63とからなる。第1の部分61は、ショットエリアSHの第1の部分P1の部分の上に配置されている。開口部62は、ショットエリアSHの第2の部分P2の上に位置している。第3の部分63は、ショットエリアSHの第3の部分に配置されている。この工程S107では、ショットエリアSHの第2の部分P2の上の樹脂層40に開口部62を設けると共に、ショットエリアSHの第1の部分P1、第3の部分P3及び絶縁膜30の上にプライマ層60を形成する。ショットエリアSHの第2の部分P2の上においては、開口部52及び開口部62から絶縁膜30が露出している。この後、マスク層50を除去する。図6は、マスク層50が除去された状態を示す平面図である。図6に示されるように、プライマ層60の第1の部分61は矩形状を有している。プライマ層60の開口部62は、第1の部分61を囲うような矩形環状を有している。プライマ層60の第3の部分63は、ショットエリアSH同士の境界Sに沿って延びている。開口部62は、第1の部分61と第3の部分63とで規定されている。開口部62からは絶縁膜30が露出している。ここで、プライマ層60の濡れ性は、モールド1の濡れ性よりも低い。また、絶縁膜30の濡れ性は、プライマ層60の濡れ性及びモールド1の濡れ性よりも高い。本実施形態において、濡れ性は、図7に示されるように、所定層Cと純水の液滴Lとの接触角θによって表される。接触角θが大きいほど濡れ性が低くい。一実施例としては、プライマ層60の接触角θは、例えば50度程度である。モールド1の接触角は、例えば30度程度である。絶縁膜30の濡れ性は、例えば10度程度である。図8のa部に示されるように、一のショットエリアSH例えば、図3におけるショットエリアSH1のプライマ層60の上に紫外線硬化樹脂Uを配置する工程S108。紫外線硬化樹脂Uは、本実施形態における第1の樹脂を構成する。紫外線硬化樹脂Uは、このショットエリアSHの第1の部分P1及びプライマ層60の上に滴下される。つまり、紫外線硬化樹脂Uは、このショットエリアSHのプライマ層60の第1の部分61に滴下される。紫外線硬化樹脂Uは、このショットエリアSHの第2の部分P2及び第3の部分P3の上には配置されない。紫外線硬化樹脂Uは、例えば、シリル化生成物を主成分とする樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂又はポリエステル系樹脂を含む。図8のb部に示されるように、紫外線硬化樹脂Uにモールド1を押し付ける工程S109。より具体的には、紫外線硬化樹脂Uにモールド1の突出部3の上面3aを押し付ける。このとき、突出部3の上面3aに形成されたモールドパターンMPがプライマ層60の第1の部分61に対向する。このモールド1の押し付けにより、モールド1の突出部3とプライマ層60の第1の部分61との間から、余剰の紫外線硬化樹脂Uaがはみ出るが、はみ出した余剰の紫外線硬貨樹脂Uaは、ショットエリアSHの第2の部分P2上の絶縁膜30の表面に沿って広がる。図9のa部に示されるように、紫外線硬化樹脂Uにモールド1を押し付けた後に、紫外線硬化樹脂Uに紫外線UVを照射する工程S110。紫外線UVの照射は、モールド1の裏面1bの側から行われる。これにより、モールド1のモールドパターンMPに応じたパターンPを有する紫外線硬化樹脂層70が形成される。紫外線硬化樹脂層70は、本実施形態における第1の樹脂層を構成する。図9のb部に示されるように、モールド1を紫外線硬化樹脂層70から離間する工程S111。これにより、回折格子のためのパターンPを有する紫外線硬化樹脂層70が一のショットエリアSHのうえに形成される。ところで、回折格子のためのパターンPを有する樹脂層の形成方法としては、光式ナノインプリント法の代わりに、熱式ナノインプリント法を用いることもできる。熱式ナノインプリント法では、上記の工程S108で用いる紫外線硬化樹脂Uの代わりに、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂以下、熱硬化樹脂等というを用いることができる。熱硬化樹脂等には、例えば、ポリメチルメタアクリレートPMMAやポリウレタンPUR等を挙げることができる。また、熱式ナノインプリント法を用いる場合には、上記の一のショットエリアSH例えば、図3におけるショットエリアSH1のプライマ層60の上に熱硬化樹脂等を配置工程S108Aした後、熱硬化樹脂等の温度をガラス転移点以上に上げることにより、熱硬化樹脂等を軟化させて低粘度状態にする。その後、モールド1をその熱硬化樹脂等に押し付ける工程S109A。その後、熱硬化樹脂等を軟化させた温度から、熱硬化樹脂等が硬化する温度まで、熱硬化樹脂等の温度を下げることにより、熱硬化樹脂等を硬化させる工程S110A。そして、モールド1を熱硬化樹脂等から離間する工程S111A。上記の工程S108~工程S111を全てのショットエリアSHに対して繰り返し行うステップアンドリピート。これにより、全てのショットエリアSHの上に紫外線硬化樹脂層70が形成される。なお、工程S108~工程S111の代わりに、工程S108A~工程S111Aを全てのショットエリアSHに対して繰り返し行うこともできる。その場合には、全てのショットエリアSHの上に、紫外線硬化樹脂層70の代わりに熱硬化樹脂等からなる樹脂層が形成される。図10のa部に示されるように、紫外線硬化樹脂層70の上に樹脂層80を形成する工程S112。樹脂層80は、本実施形態における第3の樹脂層を構成する。樹脂層80は紫外線硬化樹脂層70のパターンPを埋め込んで、その表面が平坦になるように形成される。樹脂層80の材料としては、例えば、有機珪素化合物シリコン含有樹脂を用いることができる。ここで、紫外線硬化樹脂層70、及びプライマ層60を構成する樹脂は、シリコン元素を含まないものシリコン非含有樹脂とすることができる。図10のb部に示されるように、樹脂層80をエッチングすることにより、樹脂層80から平坦化層90を形成するS113。このエッチングには、例えば、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。このエッチングでは、シリコンSi元素を含む樹脂層80を選択的にエッチングする。このエッチングは、紫外線硬化樹脂層70におけるパターンPの突部70aの上面70bが露出するように行われる。したがって、紫外線硬化樹脂層70におけるパターンPの溝部70cには、平坦化層90が残存している。ところで、半導体基板10がInPといった化合物半導体からなる場合、その表面は平坦でなく、0.1μm100nm程度の凹凸表面粗さを有する場合がある。このような凹凸を有する半導体基板10の上に形成した半導体層に1層のレジスト層を用いて回折格子を形成すると、半導体基板10の表面の凹凸の影響で回折格子のパターンの形状例えば回折格子のパターン幅等にバラツキが生じる場合がある。一方、本実施形態では、上記のように紫外線硬化樹脂層70の上に平坦な表面を有する樹脂層80からなる積層樹脂膜2層レジストを形成し、その後、樹脂層80をエッチングして平坦化層90を形成することにより、半導体基板10の表面の凹凸の影響を低減することができる。図11のa部に示されるように、紫外線硬化樹脂層70のパターンPの溝部70cに残存する樹脂層80すなわち平坦化層90をマスクとして用いて、紫外線硬化樹脂層70、及びプライマ層60を、絶縁膜30が露出するまでエッチングする工程S114。平坦化層90は、紫外線硬化樹脂層70におけるパターンPの溝部70cを埋め込んでいるので、パターンPが正確に反転されたパターンが形成される。このエッチングには、例えば、O2ガス及びN2ガスを含むエッチングガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。この反応性イオンエッチングでは、エッチングガス中の酸素と、シリコン含有樹脂に含まれるシリコンとが反応してシリコン生成物が生じる。この反応性イオンエッチング中に生成されるシリコン生成物によって、シリコンを含有する平坦化層90のエッチングレートは小さくなる。一方、シリコンを含まない紫外線硬化樹脂層70及びプライマ層60は、O2ガス及びN2ガスを含むエッチングガスによって、エッチングが進行する。したがって、このエッチングにより、シリコンSiを含む樹脂からなる平坦化層90をマスクとして、シリコンSiを含まない紫外線硬化樹脂層70及びプライマ層60を選択的にエッチングすることができる。ここで、マスクに用いる平坦化層90の表面は、半導体基板10の表面の凹凸の影響を受けない。故に、回折格子のためのパターンP正確には、パターンPの反転パターンが、紫外線硬化樹脂層70及びプライマ層60に、正確に転写される。図11のb部に示されるように、パターンが形成された紫外線硬化樹脂70及びプライマ層60をマスクとして、回折格子層15が露出するまで絶縁膜30をエッチングする工程S115。この絶縁膜30のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチング法等のドライエッチングによって行うことができる。絶縁膜30のエッチングは、シリコン元素を含まない紫外線硬化樹脂層70及びプライマ層60に対するエッチングレートよりも、絶縁膜30に対するエッチングレートの方が高いエッチング法によって行うことが好ましい。例えば、この工程における絶縁膜30のエッチングは、CF4ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって行うことができる。なお、このエッチングで平坦化層90がエッチングされ、残存しなくともよい。このエッチングにより、紫外線硬化樹脂層70のパターンP正確にはパターンPの反転パターンが絶縁膜30に転写されて、マスク層100が形成される。つまり、この工程では、紫外線硬化樹脂層70を用いて、エッチングにより絶縁膜30にパターンPを転写し、マスク層100を形成する。マスク層100は、モールドパターンMPに対応するように配列された開口部100aを有している。マスク層100を形成した後、図12のa部に示されるように、プライマ層60、紫外線硬化樹脂層70、及び平坦化層90を除去する工程S116。この工程におけるプライマ層60、紫外線硬化樹脂層70、及び平坦化層90の除去には、例えばエッチングによって行うことができる。シリコン元素を含む樹脂からなる平坦化層90のエッチングには、例えば、CF4ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いることができる。また、シリコン元素を含まない紫外線硬化樹脂層70及びプライマ層60のエッチングには、例えば、O2ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法を用いることができる。図12のb部に示されるように、マスク層100を用いて回折格子層15をエッチングすることにより、回折格子構造15bを形成する工程S117。このエッチングには、例えば、CH4とH2との混合ガスによる反応性イオンエッチングを用いることができる。回折格子構造15bを形成した後に、図13のa部に示されるように、マスク層100を除去する工程S118。マスク層100の除去には、例えば、フッ酸水溶液を用いることができる。図13のb部に示されるように、回折格子構造15bの上に埋め込み層16を形成する工程S119。埋め込み層16は、回折格子構造15bを埋め込んでいる。これにより、回折格子150が形成される。埋め込み層16は、第2導電型を有するIII-V族化合物半導体からなる。埋め込み層16のIII-V族化合物半導体は、例えば、InP等とすることができる。埋め込み層16は、例えば、有機金属気相成長法によって成長できる。埋め込み層16を成長した後に、図14に示されるように、半導体メサ17を形成する。半導体メサ17は、埋め込み層16、回折格子層15、第2の光閉じ込め層14、活性層13、第1の光閉じ込め層12、及び第1のクラッド層11をエッチングすることにより形成される。半導体メサ17を埋め込むように埋め込み層18を形成した後に、埋め込み層16,18の上に第2のクラッド層19を形成する。埋め込み層18は、例えば、FeがドープされたInP等の半絶縁性III-V族化合物半導体からなる。第2のクラッド層19は、例えば、第2導電型を有するIII-V族化合物半導体からな。第2のクラッド層19のIII-V族化合物半導体は、例えば、InP等とすることができる。その後、第3のクラッド層19の上に、コンタクト層21を形成すると共に、コンタクト層21の上に上部電極22を形成する。コンタクト層21は、例えば、第2導電型を有するIII-V族化合物半導体からなる。コンタクト層21のIII-V族化合物半導体は、例えば、GaInAs等とすることができる。上部電極22は、例えば、Ti/Pt/Auからなる積層構造を有する。その後、半導体基板10を所定の厚さまで裏面研削した後に、半導体基板10の裏面10bの上に下部電極23を形成する。下部電極23は、例えば、AuGeNi合金からなる。以上の工程により、回折格子150を有する分布帰還型レーザ半導体光素子200が作製される。以上説明した本実施形態に係る方法の作用効果について説明する。図15のa部に示されるように、本実施形態に係る方法においては、プライマ層60の上に紫外線硬化樹脂Uを配置した後に、モールド1を押し付ける。プライマ層60の濡れ性は、モールド1の濡れ性よりも低い。このため、紫外線硬化樹脂Uは、モールド1が押し付けられたときにプライマ層60に沿って広がり難く、モールドパターンMPの溝部Maに充填される。プライマ層60は、一のショットエリアSHの第1の部分P1及び絶縁膜30の上に形成された第1の部分61を有している。また、プライマ層60は、一のショットエリアSHの第2の部分P2に開口部62を有している。つまり、第1の部分P1を取り囲む第2の部分P2の上においては、絶縁膜30が露出している。絶縁膜30の濡れ性は、プライマ層60の濡れ性及びモールド1の濡れ性よりも高い。したがって、紫外線硬化樹脂Uにモールド1を押し付けたときに、余剰の紫外線硬化樹脂Uaがモールド1の突出部3とプライマ層60との間からはみ出すが、その余剰の紫外線硬化樹脂Uaは第2の部分P2の上の絶縁膜30の表面に沿って広がる。その結果、余剰の紫外線硬化樹脂Uaが、モールド1の突出部3の側面3bに沿って盛り上がることを回避できる。よって、余剰の紫外線硬化樹脂Uaによって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる。一方で、図15のb部に示されるように、絶縁膜30の全面にプライマ層60を形成した場合においては、紫外線硬化樹脂Uにモールド1を押し付けたときに、余剰の紫外線硬化樹脂Uaがモールド1の突出部3とプライマ層60との間からはみ出して、その余剰の紫外線硬化樹脂Uaが、相対的に濡れ性の高いモールド1の突出部3の側面3bに沿って盛り上がる。その結果、その盛り上がり部が紫外線照射により硬化すると、除去困難な厚さのバリBが形成されてしまう。さらに、本実施形態に係る方法においては、ショットエリアSHの第3の部分P3及び絶縁膜30の上にも、濡れ性の低いプライマ層60第3の部分63が形成される。このため、余剰の紫外線硬化樹脂Uaの広がりが、第3の部分P3の上のプライマ層60第3の部分63で留められる。このため、余剰の紫外線硬化樹脂Uaが別のショットエリアSHにはみ出すことを防止できる。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明したが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。例えば、マスク層100を形成する工程工程S114,S115において、絶縁膜30をエッチングするためのマスク層の形成方法として、紫外線硬化樹脂層70の上に平坦な表面を有する樹脂層80からなる積層樹脂膜2層レジストを形成し、平坦化層90をマスクとして、紫外線硬化樹脂層70、及びプライマ層60を、絶縁膜30が露出するまでエッチングする方法について説明した。しかし、このような積層樹脂膜を用いずに、回折格子のためのパターンPが形成された紫外線硬化樹脂層70をマスクとして、絶縁膜30をエッチングするようにしてもよい。また、本実施形態に係る方法は、回折格子層15の下に活性層を設けた分布帰還型半導体レーザを作製するものとしたが、回折格子層15の上に活性層を設けた分布帰還型半導体レーザを作製する方法に適用してもよい。また、本実施形態に係る方法では、半導体光素子として分布帰還型半導体レーザを作製したが、本発明に係る半導体光素子を作製する方法はこれに限定されない。本発明に係る半導体光素子を作製する方法は、回折格子を有する任意の素子を作製する場合に好適に適用できる。"