スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える非接触型の受電装置と、前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも1箇所に配置された、平均板厚が5μm以上50μm以下のアモルファス合金薄帯またはFe基微結晶合金薄帯を1枚または複数枚有する磁性箔体とを具備し、前記磁性箔体の飽和磁束密度をMs[T]、前記磁性箔体の合計板厚をt[μm]としたとき、前記磁性箔体は前記飽和磁束密度Msと前記合計板厚tとの積で表される値Mstが15以上であり、前記受電コイルによる受電速度が0.25W/h以上であることを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記磁性箔体の比透磁率の実成分をμr’としたとき、前記磁性箔体は前記比透磁率の実成分μr’と前記合計板厚tとの積で表される値μr’tが40000以上であることを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記磁性箔体の電気抵抗値R[Ωm]がRμr’≧1.01×10-3を満たすことを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記スパイラルコイルは前記二次電池の周囲に配置されており、かつ前記磁性箔体は前記スパイラルコイルと前記回路基板との間に配置されていることを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記磁性箔体はその外周端部を前記回路基板と反対方向に折り曲げた折曲部を有することを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記磁性箔体の外周端部は前記スパイラルコイルの外周部より外側まで延在していることを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記磁性箔体はスリットを有することを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器において、前記二次電池はLiイオン二次電池であることを特徴とする電子機器。請求項1記載の電子機器と、前記電子機器の前記受電コイルと非接触で配置される給電コイルと、前記給電コイルに交流電圧を印加する電源とを備える給電装置とを具備し、前記給電コイルに発生させた磁束を前記受電コイルに伝達して電力を非接触で伝送することを特徴とする非接触充電装置。本発明の目的は、電磁誘導で受電側に発生する渦電流を抑えることによって、渦電流に起因する発熱や受電効率の低下を抑制することを可能にした受電装置を用いた電子機器および非接触充電装置を提供することにある。本発明の態様に係る電子機器は、スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える非接触型の受電装置と、前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも1箇所に配置された、平均板厚が5μm以上50μm以下のアモルファス合金薄帯またはFe基微結晶合金薄帯を1枚または複数枚有する磁性箔体とを具備し、前記磁性箔体の飽和磁束密度をMs[T]、前記磁性箔体の合計板厚をt[μm]としたとき、前記磁性箔体は前記飽和磁束密度Msと前記合計板厚tとの積で表される値Mstが15以上であり、前記受電コイルによる受電速度が0.25W/h以上であることを特徴としている。本発明の態様に係る非接触充電装置は、本発明の態様に係る電子機器と、前記電子機器の前記受電コイルと非接触で配置される給電コイルと、前記給電コイルに交流電圧を印加する電源とを備える給電装置とを具備し、前記給電コイルに発生させた磁束を前記受電コイルに伝達して電力を非接触で伝送することを特徴としている。以下、本発明を実施するための形態について説明する。図1および図2は本発明の第1の実施形態による電子機器の構成を示している。図1および図2に示す電子機器1は非接触充電方式を適用した受電装置2と電子機器本体3とを具備している。受電装置2や電子機器本体3は筐体4内に配置されており、これらによって電子機器1が構成されている。受電装置2は、スパイラルコイルを有する受電コイル11と、受電コイル11に発生した交流電圧を整流する整流器12と、整流器12で整流された直流電圧が充電される二次電池13とを備えている。電子機器本体3は、受電装置2の二次電池13に充電された直流電圧が供給されて動作する電子デバイス14と、電子デバイス14が実装された回路基板15とを備えている。電子機器本体3は電子デバイス14や回路基板15以外に電子機器1の機能や動作等に応じた部品や装置を備えていてもよい。受電コイル11を構成するスパイラルコイルとしては、銅線等の金属ワイヤを平面状態で巻回した平面コイル、金属粉ペーストをスパイラル状に印刷して形成した平面コイル等が用いられる。スパイラルコイルの巻回形状は、円形、楕円、四角形、多角形等、特に限定されるものではない。スパイラルコイルの巻回数も要求特性に応じて適宜設定される。整流器12としては、トランジスタやダイオード等の半導体素子が挙げられる。整流器12の個数は任意であり、必要に応じて1個または2個以上の整流器12が用いられる。整流器12はTFT等の成膜技術で形成したものであってもよい。図1および図2において、整流器12は回路基板15の受電コイル11側に設置される。整流器12は回路基板15の受電コイル11とは反対側の面に設けてもよい。二次電池13は充放電が可能なものであり、平板型やボタン型等の種々の形状のものを使用することができる。電子デバイス14には、抵抗素子、容量素子、インダクタンス素子、制御素子、記憶素子等、回路を構成する各種の素子や部品が含まれる。さらに、これら以外の部品や装置であってもよい。回路基板15は樹脂基板やセラミックス基板等の絶縁基板の表面や内部に回路を形成したものである。電子デバイス14は回路基板15に実装されている。電子デバイス14は回路基板15に実装されていないものを含んでいてもよい。第1の実施形態の電子機器1は、例えば図1に示すように、スパイラルコイル受電コイル11と二次電池13との間に設置された磁性箔体16を具備している。すなわち、スパイラルコイル11と二次電池13とは磁性箔体16を挟んで配置されている。スパイラルコイル11はその少なくとも一部として平面部を有し、この平面部は磁性箔体16の表面に沿って配置されている。受電装置2として見た場合、それを構成するスパイラルコイル11と二次電池13との間に磁性箔体16が配置されていることになる。磁性箔体16は図2に示すように、二次電池13と回路基板15との間に設置してもよい。この場合、磁性箔体16はスパイラルコイル11と回路基板15との間に配置されていることになる。さらに、磁性箔体16はスパイラルコイル11と整流器12との間やスパイラルコイル11と電子デバイス14との間に配置してもよい。磁性箔体16はこれら各箇所のうち1箇所以上に配置される。磁性箔体16は2箇所もしくはそれ以上の箇所に配置されていてもよい。図3は第2の実施形態による電子機器を示している。図3に示す電子機器1において、スパイラルコイル11は二次電池13の周囲に設置されている。言い換えると、二次電池13はスパイラルコイル11の中央付近に設けられた空洞部内に設置されている。磁性箔体16はスパイラルコイル11と回路基板15との間に加えて、スパイラルコイル11と二次電池13との間にも存在するように、中央付近を突出させた形状を有している。なお、図3では整流器12や電子デバイス13の図示を省略している。第2の実施形態の電子機器1においても、磁性箔体16はスパイラルコイル11と回路基板15との間、スパイラルコイル11と整流器12との間、スパイラルコイル11と電子デバイス14との間に配置してもよい。磁性箔体16はこれら各箇所のうち1箇所以上に配置される。磁性箔体16は2箇所もしくはそれ以上の箇所に配置されていてもよい。電子機器1の横幅を小さくするためには第1の実施形態の構造が好ましい。電子機器1の厚さを薄くするためには第2の実施形態の構造が好ましい。これらの形態は適用する電子機器1の構造等に併せて適宜選択される。電子機器1の構成は図1ないし図3に限られるものではない。スパイラルコイル11と二次電池13と回路基板15の配置は種々に変更が可能である。例えば、上側から二次電池、回路基板、スパイラルコイルを順に配置してもよい。磁性箔体は例えば回路基板とスパイラルコイルとの間に配置される。スパイラルコイル11と回路基板15との間に磁性箔体16を配置する場合、単にスパイラルコイル11/磁性箔体16/回路基板15を積層するだけでもよいし、これらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。他の場合も同様であり、各構成要素を積層するだけでもよいし、それらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。上述したように、スパイラルコイル11と二次電池13との間、スパイラルコイル11と整流器12との間、スパイラルコイル11と電子デバイス14との間、スパイラルコイル11と回路基板15との間の少なくとも1箇所に磁性箔体16を配置することによって、充電時にスパイラルコイル11を通る磁束を磁性箔体16でシールドすることができる。これによって、電子機器1内部の回路基板15等と鎖交する磁束が減少するため、電磁誘導による渦電流の発生を抑制することが可能となる。従って、回路基板15に実装された電子デバイス14や整流器12の渦電流による発熱、回路基板15の回路の発熱、さらに渦電流に起因するノイズの発生を抑制することができる。電子機器1内部における発熱の抑制は、二次電池13の性能や信頼性の向上に寄与する。さらに、渦電流による発熱を抑制することによって、受電装置2に供給する電力を増大させることができる。磁性箔体16はスパイラルコイル11に対する磁心としても機能するため、受電効率ひいては充電効率を高めることが可能となる。これらは電子機器1に対する充電時間の短縮に寄与する。磁性箔体16としては、磁性合金薄帯磁性合金リボンや磁性合金薄板等が用いられる。磁性箔体16には各種の軟磁性材料を適用することができる。磁性箔体16の具体的な構成としては以下に示すようなものが挙げられる。磁性合金薄帯は、Co基アモルファス合金、Fe基アモルファス合金、またはFe基微結晶合金で構成することが好ましい。これら磁性材料はいずれもロール急冷法単ロールまたは双ロールで作製できることから、平均板厚が50μm以下の薄帯を容易に得ることができる。磁性合金薄帯を構成するアモルファス合金は、一般式:T1-aMa100-bXb...1式中、TはCoおよびFeから選ばれる少なくとも1種の元素を、MはNi、Mn、Cr、Ti、Zr、Hf、Mo、V、Nb、W、Ta、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、ReおよびSnから選ばれる少なくとも1種の元素を、XはB、Si、CおよびPから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、aおよびbは0≦a≦0.3、10≦b≦35atを満足する数であるで表される組成を有することが好ましい。1式において、元素TがCoとFeの両方を含んでいる場合、Coが多ければCo基アモルファス合金、Feが多ければFe基アモルファス合金と呼称する。1式において、元素Tは磁束密度、磁歪値、鉄損等の要求される磁気特性に応じて組成比率を調整するものとする。元素Mは熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等のために添加される元素である。元素Mの添加量はaの値として0.3以下とすることが好ましい。元素Mの添加量があまり多すぎると相対的に元素Tの量が減少することから、アモルファス磁性合金薄帯の磁気特性が低下する。元素Mの添加量を示すaの値は実用的には0.01以上とすることが好ましい。aの値は0.15以下とすることがより好ましい。元素Xはアモルファス合金を得るために必須の元素である。特に、Bホウ素は磁性合金のアモルファス化に有効な元素である。Siけい素はアモルファス相の形成を助成したり、また結晶化温度の上昇に有効な元素である。元素Xの含有量があまり多すぎると透磁率の低下や脆さが生じ、逆に少なすぎるとアモルファス化が困難になる。このようなことから、元素Xの含有量は10~35atの範囲とすることが好ましい。元素Xの含有量は15~25atの範囲とすることがさらに好ましい。Fe基微結晶合金薄帯としては、一般式:Fe100-c-d-e-f-g-hAcDdEeSifBgZh...2式中、AはCuおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素を、DはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Coおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1種の元素を、EはMn、Al、Ga、Ge、In、Snおよび白金族元素から選ばれる少なくとも1種の元素を、ZはC、NおよびPから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、c、d、e、f、gおよびhは0.01≦c≦8at、0.01≦d≦10at、0≦e≦10at、10≦f≦25at、3≦g≦12at、15≦fgh≦35atを満足する数であるで実質的に表される組成を有するFe基合金からなり、かつ面積比で金属組織の20以上が粒径50nm以下の微結晶粒からなるものが挙げられる。2式において、元素Aは耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損や透磁率等の磁気特性を改善する元素である。元素Aの含有量があまり少ないと結晶粒の粗大化抑制効果を十分に得ることができず、逆にあまり多すぎると磁気特性が劣化する。従って、元素Aの含有量は0.01~8atの範囲とすることが好ましい。元素Dは結晶粒径の均一化や磁歪の低減等に有効な元素である。元素Dの含有量は0.01~10atの範囲とすることが好ましい。元素Eは軟磁気特性や耐食性の改善に有効な元素である。元素Eの含有量は10at以下とすることが好ましい。SiおよびBは薄帯製造時における合金のアモルファス化を助成する元素である。Siの含有量は10~25atの範囲、Bの含有量は3~12atの範囲とすることが好ましい。SiおよびB以外のアモルファス化助成元素として元素Zを含んでいてもよい。その場合、Si、Bおよび元素Zの合計含有量は15~35atの範囲とすることが好ましい。微結晶構造は、特に粒径が5~30nmの結晶粒を合金中に面積比で50~90の範囲で存在させた形態とすることが好ましい。アモルファス合金薄帯は、例えばロール急冷法溶湯急冷法により作製される。具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融状態から急冷することにより作製される。微結晶合金薄帯は、例えば液体急冷法によりアモルファス合金薄帯を作製した後、その結晶化温度に対して-50~120°Cの範囲の温度で1分~5時間の熱処埋を行い、微結晶粒を析出させることにより得ることができる。液体急冷法の急冷速度を制御して微結晶粒を直接析出させる方法によっても、微結晶合金薄帯を得ることができる。アモルファス合金やFe基微結晶合金からなる磁性合金薄帯の平均厚さは5~50μmの範囲とすることが好ましい。平均板厚が50μm以下の磁性合金薄帯は、後述する折曲部や開放部の形成加工が行いやすいという利点を有する。磁性合金薄帯の平均厚さが50μmを超えると透磁率が低くなり、また損失が大きくなるおそれがある。磁性合金薄帯の平均厚さを5μm未満としても、それ以上の効果が得られないばかりでなく、逆に製造コストの増加を招くことになる。磁性合金薄帯の厚さは5~35μmの範囲とすることがより好ましく、さらに好ましくは10~25μmの範囲である。磁性箔体16はアモルファス合金やFe基微結晶合金に代えて、パーマロイや珪素鋼板等で形成してもよい。この場合には、溶解インゴットや焼結インゴットに鍛造や圧延等の加工を施して薄板化する。パーマロイや珪素鋼板等からなる磁性合金薄板の板厚は10~40μmの範囲とすることが好ましい。磁性合金薄板の板厚が40μmを超えると、渦電流により磁性板内部の損失が増大する。一方、磁性合金薄板の板厚が10μm未満であると、十分なシールド効果が得られない。磁性合金薄板の板厚は10~25μmの範囲とすることがより好ましい。上述した磁性箔体16は飽和磁束密度Msと板厚tとの積で表されるMst値が15以上という特性を有している。Msは磁性箔体16の飽和磁束密度、tは磁性箔体16の板厚[μm]である。磁性箔体16を複数の箔体の積層体で構成する場合、板厚tは複数の箔体の板厚の合計を示すものとする。一部のみに箔体の積層体を適用する場合には、最も多く積層した部分の厚さ合計した板厚を板厚tとする。複数の磁性箔体を絶縁層等の非磁性体層を介して積層する場合、非磁性体層の厚さは板厚tに含めないものとする。Mst値が15以上の磁性箔体16は良好なシールド効果を有するため、磁性箔体16からの磁束の漏洩が抑制される。磁性箔体16からの磁束の漏洩を抑制することによって、整流器12、電子デバイス14、回路基板15等に発生する渦電流を抑制することができる。これによって、電子機器1内部における発熱を抑制することが可能となる。特に、受電速度を0.25W/h以上とする場合において、そのような受電速度に見合った磁束のシールド効果を高めることができる。さらに、磁性箔体16からの磁束の漏洩を抑制することで、受電コイル11による電力の受電効率が向上する。これによっても、電子機器1内部の発熱を抑制することができる。例えば、Liイオン二次電池のように充電容量が大きい二次電池に充電する場合には、送信する電力を大きくする必要がある。このことは、非接触充電方式では送信する磁束量が増大することを意味する。Mst値が15以上の磁性箔体16を用いることによって、増大した磁束を確実にシールドすることが可能となる。従って、渦電流に起因する電子機器1内部の発熱を確実に抑制することが可能となる。一方、磁性箔体16のMst値が15未満の場合には、磁束のシールド効果が不十分となるため、磁束の漏洩が増大して渦電流に起因する温度上昇が大きくなる。Mst値が15以上の磁性箔体16は、二次電池13に充電容量が大きいLiイオン二次電池を適用する場合に好適である。特に、磁性箔体16は受電速度を0.25W/h以上とする場合に有効である。磁性箔体16のMst値は25以上であることがより好ましい。さらに、受電コイル11による受電効率を高める上で、磁性箔体16は比透磁率の実成分μr’と板厚tとの積で表されるμr’t値が40000以上という特性を有することが好ましい。μr’は磁性箔体16の比透磁率の実成分である。μr’t値が40000以上の場合には、磁性箔体16のインダクタンスが大きくなるため、磁性箔体16が渦電流により磁気飽和しにくくなる。また、磁性箔体16の飽和、非飽和にかかわらず、磁性箔体16からの磁束漏洩が抑制されるため、整流器12、電子デバイス14、回路基板15等に発生する渦電流を抑制することができる。これによって、電子機器1内部における発熱をさらに抑制することが可能となる。磁性箔体16のインダクタンスを高めることによって、受電コイル11による受電効率を向上させることができる。これによっても、渦電流に起因する発熱が抑制される。磁性箔体16のμr’t値が40000未満であると、渦電流の抑制効果が不十分になるため、例えば送電電力が1Wh以上になったときに、二次電池13が必要以上に発熱する。これは受電時に生じた渦電流により磁性箔体16の磁気特性が飽和し、渦電流をそれ以上抑制できなくなるためである。μr’t値が40000以上の磁性箔体16は、二次電池13に充電容量が大きいLiイオン二次電池を適用する場合に好適である。特に、μr’t値が40000以上の磁性箔体16は、受電速度を0.25W/h以上とする場合に有効である。μr’t値は90000以上であることがより好ましい。Mst値を大きくするためには、磁性箔体16の飽和磁束密度Msを大きくする、もしくは板厚tを厚くする。磁性箔体16の飽和磁束密度Msを高める方法としては、飽和磁束密度が大きい材料組成を磁性箔体16に適用することが挙げられる。μr’t値を大きくする場合も同様であり、材料組成や熱処理で磁性箔体16の比透磁率の実成分μr’を大きくしたり、板厚tを厚くする。アモルファス磁性合金薄帯からなる磁性箔体16であれば、200°C~結晶化温度-10°Cの温度で10~120分の熱処理を施すことが有効である。これらは適宜に組合せて適用される。磁性箔体16の飽和磁束密度Msは板厚tの過剰な増加を抑制するという観点から0.5T以上であることが好ましい。同様に、磁性箔体16の比透磁率の実成分μr’は120以上であることが好ましい。磁性箔体16の平均板厚が厚すぎると、前述したように磁性箔体16の透磁率や加工性が低下する。このため、磁性箔体16の平均板厚は前述した範囲内とすることが好ましい。そのような条件を満足させた上で、板厚tを大きくするためには、磁性箔体16に磁性合金薄帯や磁性合金薄板の積層体を適用することが好ましい。磁性合金薄帯や磁性合金薄板を積層して用いることによって、各薄帯や薄板の厚さの増加を抑制しつつ、磁性箔体16の板厚tを厚くすることができる。これらによって、Mst値が15以上の磁性箔体16、さらにはμr’t値が40000以上の磁性箔体16を得ることができる。さらに、磁性箔体16の電気抵抗値R[Ωm]はRμr’≧1.01×10-3を満たすことが好ましい。磁性箔体16の板厚を表皮効果によるスキンデプスの厚さより厚く設定しても、それ以上の部分は磁性体としての効果をほとんど示さない。従って、磁性箔体16の板厚はスキンデプスの厚さ以下とすることが好ましい。上記したRμr’値は、スキンデプスの厚さ=δ、μr’t=40000、μ0=真空の透磁率=4π×10-7、膜厚=t、ω=角周波数としたとき、μ0μr’δ=μ0μr’2R/μ0μr’ω1/2≧μ0μr’t=μ040000から求めたものである。これは、透磁率が低い材料では十分なμ0μr’を得ることができず、十分に発熱を抑制できないことを意味する。次に、渦電流による不具合をさらに抑制する方法および構造について説明する。磁性箔体16は図4に示すように、その外周端部をスパイラルコイル11の外周部より外側まで延在させることが好ましい。図4において、doは磁性箔体16のスパイラルコイル11の外側にはみ出した部分はみ出し部である。このような構造とすることによって、スパイラルコイル11に生じた磁束をより効果的に磁性箔体16で遮断することができる。これは基板等と鎖交する磁束に基づく渦電流の抑制、さらに渦電流による発熱や受電効率の低下の抑制に寄与するものである。磁性箔体16のはみ出し部分doは図5や図6に示すように、回路基板15とは反対側スパイラルコイル11側に折り曲げてもよい。図5および図6において、磁性箔体16はその外周端部を回路基板15とは反対側に折り曲げた折曲部16aを有している。折曲部16aの形状は、図5に示すように複数回折り曲げてもよいし、図6に示すように1回折り曲げるだけでもよい。磁性箔体16の外周部をスパイラルコイル11側に折り曲げることによって、渦電流の抑制効果をさらに高めることができる。さらに、磁性箔体16はスパイラルコイル11の磁心としても機能する。この場合、磁性箔体16の外周端部をスパイラルコイル11側に折り曲げることによって、磁心としての磁性箔体16と給電コイル1次コイルとのギャップを小さくすることができる。これによって、受電効率を高めることが可能となる。この際、給電コイルに近接させる磁性箔体16の面積が大きいほど効果がある。このため、図5に示すように、磁性箔体16の外周端部を給電コイルの巻回面法線と略平行な方向に向けることによって、より効果的に磁気回路を形成して受電効率を高めることが可能となる。磁性箔体16の中央部には、図7、図8および図9に示すように開放部16bを設けてもよい。磁性箔体16の開放部16bは、スパイラルコイル11の中心部に対応する位置に設けられる。開放部16bの形状は、図7に示すような磁性箔体16の中央部をスパイラルコイル11の方向に窪ませた形状凸形状、図8に示すような磁性箔体16の中央部に穴を開けた形状、図9に示すような磁性箔体16の中央部を折り曲げた形状等が挙げられる。開放部16bを設けて給電コイル1次コイルとのギャップを小さくすることによって、より効果的に磁気回路を形成して受電効率を高めることが可能となる。図8において、diは磁性箔体16のスパイラルコイル11より内側に存在させた部分を示している。図9に示す折り曲げ部分は、磁性箔体16のスパイラルコイル11より内側に存在させた部分diをスパイラルコイル11の方向に折り曲げたものである。磁性箔体16の外周部をスパイラルコイル11の外側にはみ出させた構造と中央部に開放部を設けた構造はそれぞれ単独で用いてもよいし、また両方を採用してもよい。これらの構造を両方採用した方が受電効率の向上効果がより顕著になる。なお、図4ないし図9では整流器12、二次電池13、電子デバイス13の図示を省略している。図15も同様である。さらに、磁性箔体16内の渦電流を抑制するために、磁性箔体16にはスリットを設けることが好ましい。磁性箔体16はスリットで複数に分割し、電気路または電流路を分断することがより有効である。スリットを設けた磁性箔体16の例を図10ないし図14に示す。これらの図において、符号17はスリットを示している。スリット17が磁性箔体16を切断している場合、それは磁性箔体16の分割線に相当する。図10は磁性箔体16の縦横に直交するスリット17を形成した状態を示している。図10に示す磁性箔体16は四分割されている。図11は磁性箔体16の縦横にそれぞれ複数本のスリット17を形成した状態を示している。図11に示すように、複数本のスリット17を形成する場合、スリット17のサイズやスリット17同士の間隔は任意である。図12は磁性箔体16の対角線方向に直交するスリット17を形成した状態を示している。このように、スリット17は水平や垂直に限らず、角度を付けて形成してもよい。図示しないが、スリットは放射線状に形成してもよい。図13は磁性箔体16の片方の端から途中までスリット17を設けた状態を示している。スリット17は対向する辺の両方から反対側の辺に向けてそれぞれ形成されている。図14は磁性箔体16の両端から途中までのスリット17を形成し、さらに中央付近にもスリット17を形成した状態を示している。電気路を分断する際、スパイラルコイル11の中央部になるほど磁束が大きくなるため、分割後の磁性箔体16の面積が中央部になるほど小さくなるように、スリット17を設けることが効果的である。ただし、スリット数分割数を多くすると磁気抵抗が大きくなるために受電効率は低下する。このため、渦電流の抑制効果と受電効率の両方を考慮してスリット17を設けることが好ましい。渦電流の抑制効果と受電効率の両方を向上させためには、複数枚の磁性箔体を用いることが有効である。複数枚の磁性箔体を用いた例を図15に示した。図15に示す電子機器1においては、スパイラルコイル11と回路基板15との間に3枚の磁性箔体16A、16B、16Cを配置している。磁性箔体16Aは図10に示したようなスリット17を有している。磁性箔体16Bは図11に示したスリット17を有している。磁性箔体16Cはスリットを有しておらず、外周部を折り曲げたものである。このように、折曲部16aを設けた磁性箔体16Cとスリット17を設けた磁性箔体16A、16Bの両方を用いることによって、渦電流の抑制効果と受電効率の両方を高めることができる。スリット17を形成した磁性箔体16は開放部16bを設けた磁性箔体16組合せてもよいし、折曲部16aと開放部16bの両方を具備する磁性箔体16とスリット17を形成した磁性箔体16とを組合せてもよい。3枚以上n枚以上の磁性箔体16を用いる場合、そのうち2枚n-1枚を同一形状構造の磁性箔体16としてもよいし、3枚n枚の磁性箔体16全てに同じものを用いてもよい。上述した実施形態の受電装置2とそれを用いた電子機器1においては、スパイラルコイル11を鎖交した磁束に起因する渦電流が抑制されるため、機器内部の発熱を低下させることができると共に、受電効率を向上させることが可能となる。これによって、給電時の電力を大きくすることができ、充電時間の短縮を図ることができる。この実施形態の電子機器1は携帯電話機、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラ、ゲーム機等に好適である。このような電子機器1は給電装置にセットして非接触充電が行われる。図16は本発明の実施形態による非接触充電装置の構成を示している。図17は図16に示す非接触充電装置の回路図である。図16および図17に示す非接触充電装置20において、電子機器1は前述した実施形態で示したものである。図16において、矢印は磁束の流れを示している。図17において、符号21は平滑用のコンデンサである。給電装置30は給電コイル31と給電コイル用磁心32と給電コイル31に交流電圧を印加する電源33とを備えている。電子機器1を給電装置30上にセットした際、給電コイル31は受電コイル11と非接触で配置される。非接触充電装置20による充電は以下のようにして行われる。まず、給電装置30の給電コイル31に電源33から交流電圧を印加し、給電コイル31に磁束を生じさせる。給電コイル31に発生させた磁束は、給電コイル31と非接触で配置された受電コイル11に伝達される。受電コイル11では磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。この交流電圧は整流器12で整流される。整流器12で整流された直流電圧は二次電池13に充電される。このように、非接触充電装置20においては非接触で電力の伝送が行われる。次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。充電システム非接触充電システムとして携帯電話機用の充電システムを用意した。給電装置はAC電源からの電力を制御回路を通して一定の電磁波に変換し、その電磁波を送信する一次コイル給電コイルを置き台の近傍に配置したものである。携帯電話機は受電装置としてスパイラルコイルからなる二次コイル受電コイルと二次コイルに生じた交流電力を整流する整流器が実装された回路基板と二次電池Liイオン二次電池とを具備している。二次コイルは銅線を外周30mm、内周23mmに平面状に巻回したものである。比較例1上記した携帯電話機において、磁性箔体を用いずに受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例1とした。実施例1磁性箔体として、飽和磁束密度Msが0.55、比透磁率の実成分μr’が18000、平均板厚が9.5μmで、組成がCo70Fe5Si5B20原子比のアモルファス合金薄帯を用意した。このアモルファス合金薄帯に440°C×30minの条件で熱処理を施した。アモルファス合金薄帯は外周部のはみ出し量doが6mmの形状を有する。このようなアモルファス合金薄帯を3枚積層し、図1に示したように二次コイル受電コイル11と二次電池13との間に配置した。このような磁性箔体を有する受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例1とした。実施例2~3実施例1と同一組成のアモルファス合金薄帯を用いて、熱処理条件、平均板厚、積層数を表1に示す条件に変更する以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例2~3とした。実施例4~7磁性箔体として、Fe78Si8B14原子比の組成を有するアモルファス合金薄帯を用意した。アモルファス合金薄帯の熱処理条件、平均板厚、積層数は表1に示す通りである。このアモルファス合金薄帯を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例4~7とした。参考例1磁性箔体として、平均板厚が25μmで、組成がFe78Ni22原子比のパーマロイ薄板を用意した。このパーマロイ薄板に水素雰囲気中で熱処理を施した。熱処理条件は、1200°C×30分→100°C/hで徐冷→600°C×60分→100°C/hとした。このようなパーマロイ薄板を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を参考例1とした。実施例9~10磁性箔体として、F74Cu1Ni1Mn1Si15B8原子比の組成を有するFe基微結晶合金薄帯を用意した。Fe基微結晶合金薄帯は、金属組織の95面積比が粒径40nm以下の微結晶粒からなる。このようなFe基微結晶合金薄帯を単層で、もしくは3枚積層して用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置をそれぞれ構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を実施例9~10とした。参考例2磁性箔体として、3質量のSiを含有し、残部が実質的にFeからなる珪素鋼板を用意した。珪素鋼板の平均板厚は200μmである。このような珪素鋼板を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を参考例2とした。比較例2~7実施例1と同一組成のアモルファス合金薄帯を用いて、熱処理条件、平均板厚、積層数を表1に示す条件に変更する以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。磁性箔体のMst値はいずれも15未満である。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例2~7とした。比較例8~10磁性箔体として、Co76Fe4Ni3Si6B11原子比の組成を有するアモルファス合金薄帯を用意した。このアモルファス合金薄帯の熱処理条件、平均板厚、積層数は表1に示す通りである。アモルファス合金薄帯のMst値はいずれも15未満である。このようなアモルファス合金薄帯を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置をそれぞれ構成した。これらの受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例8~10とした。比較例11樹脂フィルム上にスパッタ法でCo65Zr19Nb16原子比組成の薄膜を形成して磁性シートを作製した。磁性シートのMst値は15未満である。このような磁性シートを用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置を用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例13とした。上述した実施例1~11および比較例1~13のMst値およびμr’t値は表2に示す通りである。各例の非接触充電装置の結合効率と発熱量を測定並びに評価した。評価結果を表2に示す。結合効率は、一次コイル給電コイルから一定の電力ここでは1Wを送信したとき、どれだけの電力を二次コイル受電コイルに伝えられるかで評価した。比較例1の結合効率二次コイルに伝えられた電力量を100としたとき、2割以上向上したもの120以上140未満を○、4割以上向上したもの140以上を◎、2割未満であったもの120未満を×で示した。発熱量は、0.4W/hの送電速度と1.5W/hの送電速度による送電をそれぞれ2時間行い、2時間後の温度上昇を測定した。温度上昇が25°C以下のものを◎、温度上昇が25°Cを超えて40°C以下のものを○、温度上昇が40°Cを超えたものを×で示した。送電前の温度は室温25°Cで統一した。受電速度は送電速度が0.4W/hのときに0.25W/h、送電速度が1.5W/hのときに0.9W/hとした。表2から明らかなように、Mst値が15以上の磁性箔体を用いることによって、良好な特性を得ることが可能となる。実施例に関しては、2時間の充電でほぼ充電が完了した。さらに、2時間以上充電した状態を5時間保持したが、温度はそれほど上昇しなかった。これは過充電しても温度上昇が飽和することを意味する。温度上昇発熱量に関しては、電池容量を満たすための充電充電速度が重要であることが分かる。一方、比較例では発熱量が大きかった。このような場合には、送電量を小さくして長時間充電しないと不具合が生じてしまう。実施例12実施例1の磁性箔体アモルファス合金薄帯を3枚積層したものにおいて、外周側のはみ出し部do=6mmを折り曲げて折曲部を形成した。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例13実施例1の磁性箔体において、縦横にスリットを1本ずつ形成した図10参照。スリットの幅は100μmとした。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例14実施例1の磁性箔体において、縦横それぞれに複数のスリットを形成した図11参照。スリットは中央に行くにしたがって周期形成ピッチが狭くなるようにした。スリットの幅は50~1000μmの範囲とした。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例15実施例1の磁性箔体において、複数本のスリットを放射状に形成した図12参照。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例16実施例1の磁性箔体において、箔体の端部から途中までのスリットを複数本形成した図13参照。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例17実施例1の磁性箔体において、箔体の端部から途中までのスリットと独立したスリットの両方を複数本形成した図14参照。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例18実施例1の磁性箔体において、3枚のアモルファス合金薄帯のうち2枚はそのままとし、1枚は外周部を折り曲げて折曲部を形成した図15参照。このような磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。実施例19図3に示したように、スパイラルコイルを二次電池の周囲に配置した。さらに、実施例1と同一構成の磁性箔体を、スパイラルコイルと回路基板との間とスパイラルコイルと二次電池との間に存在するように折り曲げて配置した。このような構成を適用する以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。この受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表3に示す。表3から明らかなように、磁性箔体には各種の形状を適用することができる。そのような磁性箔体の形状を適宜に使用することによって、さらなる効果が得られる。参考例3、比較例12表4に示すように、Rμr’値が異なる磁性箔体パーマロイを用意した。これらの磁性箔体を用いる以外は、実施例1と同様にして受電装置を構成した。これら受電装置の特性を実施例1と同様にして測定並びに評価した。その結果を表4に併せて示す。表4から、Rμr’値は1.01×10-3以上であることが好ましいことが分かる。なお、本発明は上記した実施形態に限られるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な範囲で適宜組合せて実施することができ、その場合には組合せた効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。