半導体装置と制御手段とを備えるシステムであって、半導体装置は、半導体基板を備えており、半導体基板には、メイン素子と、第1検出素子と、第2検出素子が形成されており、制御手段は、第1検出素子の電流密度Id1と、第2検出素子の電流密度Id2と、予め決められた係数K1と、予め決められた係数K2から、Im=K1Id1K2Id2の数式により得られる値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御し、半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第2検出素子の温度よりも第1検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SHであり、半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度よりも第2検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SLであり、係数K1と係数K2の比K1/K2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とするシステム。半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が、第2検出素子の面積と略等しく、制御手段が、第1検出素子を流れる電流I1と、第2検出素子を流れる電流I2を検出し、電流I1と、電流I2と、予め決められた係数L1と、予め決められた係数L2から、Im=L1I1L2I2の数式により値Imを算出し、係数L1と係数L2の比L1/L2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が面積S1であり、第2検出素子の面積が面積S2であり、制御手段が、第1検出素子を流れる電流I1と、第2検出素子を流れる電流I2を検出し、Im=I1I2の数式により値Imを算出し、面積S1と面積S2の比S1/S2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が面積S3であり、第2検出素子の面積が面積S4であり、第1検出素子の電極と第2検出素子の電極の両方に対して電気的に接続されており、第1検出素子を流れる電流I1と第2検出素子を流れる電流I2が流れるように構成されている配線をさらに有し、制御手段が、前記配線を流れる電流I3を検出し、面積S3と面積S4の比S3/S4が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。半導体装置と制御手段とを備えるシステムであって、半導体装置は、半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体基板の第1領域内を流れる電流を検出する第1検出素子と、半導体基板の第2領域内を流れる電流を検出する第2検出素子を備えており、制御手段は、第1検出素子で検出される電流I1と、第2検出素子で検出される電流I2と、予め決められた係数L1と、予め決められた係数L2から、Im=L1I1L2I2の数式により得られる値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御し、半導体装置を動作させたときに、半導体素子が形成されている領域の中で第2検出素子の温度よりも第1検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SHであり、半導体装置を動作させたときに、半導体素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度よりも第2検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SLであり、係数L1と係数L2の比L1/L2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とするシステム。半導体基板を備えており、半導体基板には、メイン素子と、第1検出素子と、第2検出素子が形成されている、という構成を備える半導体装置を流れる電流の制御方法であって、第1検出素子の電流密度Id1と、第2検出素子の電流密度Id2と、予め決められた係数K1と、予め決められた係数K2から、Im=K1Id1K2Id2の数式により得られる値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御し、半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第2検出素子の温度よりも第1検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SHであり、半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度よりも第2検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SLであり、係数K1と係数K2の比K1/K2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい、ことを特徴とする制御方法。半導体装置の通電時には、半導体基板内の温度分布が不均一となるため、半導体基板に形成されている各素子の間で温度差が生じる。また、半導体基板内のキャリアの移動度は温度によって変化する。このため、半導体基板内の位置によって、各素子に流れる電流が異なる。したがって、半導体基板内の温度分布を考慮しなければ、検出素子に流れる電流からメイン素子に流れる電流を正確に予測することができない。上述した特許文献1の技術では、2つの検出素子を流れる電流の平均値に基づいて半導体装置を制御しており、半導体基板内の温度分布を考慮していない。したがって、半導体基板内で温度分布が生じたときに、適切に半導体装置を制御することができない虞があった。例えば、メイン素子に流れる電流がそれほど高くないにも係わらず半導体装置に流れる電流が制限されたり、逆に、メイン素子に流れる電流が高いにも係わらず半導体装置に流れる電流が制限されない場合があった。したがって、本明細書では、メイン素子に流れる電流に応じて適切に半導体装置を制御することができる技術を提供することを目的とする。請求項1に係るシステムは、半導体装置と制御手段を備える。半導体装置は、半導体基板を備えている。半導体基板には、メイン素子と、第1検出素子と、第2検出素子が形成されている。制御手段は、第1検出素子の電流密度Id1と、第2検出素子の電流密度Id2と、予め決められた係数K1と、予め決められた係数K2から、式1Im=K1Id1K2Id2の数式により得られる値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御する。半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第2検出素子の温度よりも第1検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SHである。半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度よりも第2検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SLである。係数K1と係数K2の比K1/K2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい。メイン素子には、以下のように電流が流れる。例えば、図10に示すように、半導体基板250内に、メイン素子が形成されている領域200と、第1検出素子210と、第2検出素子220が配置されている場合を考える。この例においては、半導体基板250の中心250a付近の領域202では第1半導体素子210に近い温度となり、その外側の領域204では第2半導体素子220に近い温度となると仮定する。領域202内の温度は第1検出素子210の温度に近いので、領域202内のメイン素子に流れる電流の電流密度は第1検出素子210に流れる電流の電流密度と略等しくなる。したがって、第1検出素子の電流密度Id1に領域202の面積SHを乗算した値SHId1は領域202を流れる電流と略一致する。同様に、第2検出素子の電流密度Id2に領域204の面積SLを乗算した値SLId2は領域204を流れる電流と略一致する。したがって、メイン素子全体に流れる電流Ixは、以下の式に示す値となる。式2Ix=SHId1SLId2上述した請求項1において、例えば、係数K1として面積SHを採用し、係数K2として面積SL採用を採用すると、上述した式1と式2が一致する。したがって、この場合には、請求項1のシステムは、メイン素子に流れる電流を正確に検出することができる。但し、実際のシステムにおいては、電流Ixそのものを検出する必要はなく、電流Ixに比例する値例えば、電流Ixの1/100の値等を検出すればよい。電流Ixに正確に比例する値を検出できれば、電流Ixに応じて適切に電流を制御できる。このために、請求項1のシステムでは、係数K1と係数K2の比K1/K2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しくなっている。このように、比K1/K2が比SH/SLと略等しいと、上述した式1で算出される値Imは、電流Ixに正確に比例する。例えば、係数K1として面積SHの1/100の値を採用し、係数K2として面積SLの1/100の値を採用すると、上述した式1で算出される値Imは、電流Ixの1/100の値となる。このように、請求項1のシステムは、メイン素子領域に流れる電流Ixに正確に比例する値Imを算出し、算出した値Imに基づいて電流を制御するので、適切に電流を制御することができる。なお、上記の説明では図10の半導体装置を例として説明したが、図10の半導体装置は単に例示したものにすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。例えば、図10では第1検出素子210が中心250aに重なる位置に形成されているが、第1検出素子210が中心250aと重ならない位置に形成されていてもよい。また、図10では、第1検出素子210と第2検出素子220の面積が等しいが、これらの面積が異なっていてもよい。また、図10では、検出素子が2つ記載されているが、検出素子が3つ以上形成されていてもよい。なお、請求項1において、メイン素子と第1検出素子と第2検出素子は、MOSFETやIGBT等のスイッチング素子であってもよいし、ダイオード等の整流素子であってもよい。また、比K1/K2が比SH/SLと略等しいとは、比K1/K2が、比SH/SLに対して±10の誤差範囲内にあることを意味する。また、値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御するとは、値Imが閾値を超えたときに半導体装置に流れる電流を制限するものいわゆる、保護動作であってもよいし、値Imが目標値となるように制御するものいわゆる、フィードバック制御であってもよい。また、半導体装置を流れる電流を制御するとは、電流制御対象の半導体装置自体を制御することでその電流を制御してもよいし、電流制御対象の半導体装置とは別の半導体装置によって電流制御対象の半導体装置を流れる電流を制御してもよい。例えば、電流制御対象の半導体装置がダイオードである場合には、ダイオードに接続されている素子を用いてダイオードに流れる電流を制御してもよい。また、制御は、値Imのみに基づいて行ってもよいが、その他の値を考慮して行ってもよい。例えば、3つの検出素子が存在する場合には、Imm=ImK3Id3=K1Id1K2Id2K3Id3K1:K2:K3=SH:SL:SKとなる値Immに基づいて制御を行ってもよいなお、上式において、電流密度Id3は第3検出素子の電流密度であり、面積SKは半導体装置を動作させたときに、メイン素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度及び第2検出素子の温度よりも第3検出素子の温度に近い温度となる領域の面積である。。このような値Immに基づいて制御を行うことも、値Imに基づいて制御を行うことと等しい。また、値Imは、電流密度Id1、Id2を検出し、検出した電流密度Id1、Id2を用いて算出してもよいし、第1検出素子を流れる電流と第2検出素子を流れる電流を検出し、検出した電流を用いて値Imを算出してもよいし、値Imに相当する物理量を検出できるように半導体装置を構成しておき、値Imそのものを検出してもよい。また、各領域の面積面積SH、面積SL等及び後述する各検出素子の面積は、半導体基板を平面視したときの面積を意味する。また、半導体基板の深さ方向にはそれほど温度勾配は生じないので、上述した温度第1検出素子の温度、第2検出素子の温度、各領域の温度は、半導体基板の深さ方向においては任意の深さにおける温度を用いることができる。但し、当該温度は、半導体基板の表面における温度であることが好ましい。請求項2のシステムは、以下の構成を有している。このシステムでは、半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が、第2検出素子の面積と略等しい。また、制御手段が、第1検出素子を流れる電流I1と、第2検出素子を流れる電流I2を検出し、電流I1と、電流I2と、予め決められた係数L1と、予め決められた係数L2から、式3Im=L1I1L2I2の数式により値Imを算出する。係数L1と係数L2の比L1/L2は、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい。請求項2においては、第1検出素子の面積と第2検出素子の面積が等しいので、これらの面積を面積S0とすると、I1=S0Id1、I2=S0Id2となる。したがって、式3は、以下のように変形することができる。式4Im=L1S0Id1L2S0Id2ここで、式4の中の項L1S0と項L2S0は、L1S0/L2S0=SH/SL=K1/K2の関係を満たす。したがって、L1S0=K1、L2S0=K2と当てはめることができる。したがって、上式4すなわち、上式3は上式1と等しい。すなわち、請求項2の式と請求項1の式は等しい。したがって、請求項2の構成によれば、請求項1で定めた値Imに基づいて、適切にメイン素子を流れる電流を制御することができる。なお、請求項2において、第1検出素子の面積と第2検出素子の面積が略等しいとは、第1検出素子の面積が第2検出素子の面積に対して±10の誤差範囲内にあることを意味する。また、比L1/L2が比SH/SLと略等しいとは、比L1/L2が、比SH/SLに対して±10の誤差範囲内にあることを意味する。請求項3のシステムは、以下の構成を有している。この構成では、半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が面積S1であり、第2検出素子の面積が面積S2である。半導体基板を平面視したときに、第2検出素子の面積が第1検出素子の面積より大きい。制御手段は、第1検出素子を流れる電流I1と、第2検出素子を流れる電流I2を検出し、式5Im=I1I2の数式により値Imを算出する。面積S1と面積S2の比S1/S2は、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい。上述した式5は、各検出素子の電流密度Id1、Id2を用いて、以下のように変形することができる。式6Im=S1Id1S2Id2ここで、S1/S2=SH/SL=K1/K2の関係が満たされるので、S1=K1、S2=K2と当てはめることができる。したがって、上式6すなわち、上式5は上式1と等しい。すなわち、請求項3の式と請求項1の式は等しい。すなわち、請求項3の構成によれば、第1検出素子に流れる電流I1と第2検出素子に流れる電流I2を検出し、これらを合計するだけで値Imを算出することができる。なお、請求項3において、比S1/S2が比SH/SLと略等しいとは、比S1/S2が、比SH/SLに対して±10の誤差範囲内にあることを意味する。また、請求項4のシステムは、以下の構成を有している。この構成では、半導体基板を平面視したときに、第1検出素子の面積が面積S3であり、第2検出素子の面積が面積S4である。システムは、第1検出素子の電極と第2検出素子の電極の両方に対して電気的に接続されており、第1検出素子を流れる電流I1と第2検出素子を流れる電流I2が流れるように構成されている配線をさらに有する。制御手段は、前記配線を流れる電流I3を検出する。面積S3と面積S4の比S3/S4は、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい。電流I3は、電流I1、I2の合計値であるので、以下のように表すことができる。式7I3=I1I2=S3Id1S4Id2ここで、S3/S4=SH/SL=K1/K2の関係が満たされるので、S3=K1、S4=K2と当てはめることができる。したがって、上式7は上式1と等しい。すなわち、電流I3は、値Imそのものである。すなわち、請求項4の電流I3は、請求項1の値Imと等しい。この構成によれば、電流I3を検出するだけで値Imが得られる。すなわち、演算を行うことなく値Imが得られる。なお、請求項4において、比S3/S4が比SH/SLと略等しいとは、比S3/S4が、比SH/SLに対して±10の誤差範囲内にあることを意味する。また、請求項5のシステムは、以下の構成を有する。このシステムでは、半導体装置は、半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体基板の第1領域内を流れる電流を検出する第1検出素子と、半導体基板の第2領域内を流れる電流を検出する第2検出素子を備えている。制御手段は、第1検出素子で検出される電流I1と、第2検出素子で検出される電流I2と、予め決められた係数L1と、予め決められた係数L2から、Im=L1I1L2I2の数式により得られる値Imに基づいて半導体装置を流れる電流を制御する。半導体装置を動作させたときに、半導体素子が形成されている領域の中で第2検出素子の温度よりも第1検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SHである。半導体装置を動作させたときに、半導体素子が形成されている領域の中で第1検出素子の温度よりも第2検出素子の温度に近い温度となる領域の面積が面積SLである。係数L1と係数L2の比L1/L2が、面積SHと面積SLの比SH/SLと略等しい。このシステムでは、半導体基板の所定領域内の電流を検出する検出素子を用いる。すなわち、検出素子自体には半導体基板内の電流が流れなくてもよい。検出素子には、例えば、GMR巨大磁気抵抗効果を利用した電流センサ等、半導体基板内の局所的な領域内の電流を検出できる素子を採用することができる。このような構成でも、半導体装置を流れる電流を好適に制御できる。以下に説明する実施例の技術の特徴について以下に列記する。特徴1メイン素子の上面側の電極がメイン素子用ボンディングワイヤーを介してリードフレームに接続されており、各検出素子の電極が検出素子用ボンディングワイヤーを介してリードフレームに接続されている。メイン素子の半導体層中の電気抵抗を抵抗R1、メイン素子の上面側の電極からメイン素子用ボンディングワイヤーのリードフレーム側の端部までの配線抵抗を抵抗Rw1、少なくとも1つの検出素子の半導体層の電気抵抗をR2、その検出素子の上面側の電極から検出素子用ボンディングワイヤーのリードフレーム側の端部までの配線抵抗を抵抗Rw2とすると、R1/Rw1=R2/Rw2の関係が略満たされている。特徴21つの検出素子用ボンディングワイヤーに対して複数の検出素子の上面側の電極が接続されており、その複数の検出素子の中でその検出素子用ボンディングワイヤーから最も遠い検出素子が、上記抵抗の比の関係を満たしている。特徴3メイン素子と各検出素子が、同種の半導体素子である。特徴4メイン素子と各検出素子が、半導体基板の厚さ方向に電流を流す素子である。実施例1のシステムは、図1に示すように、半導体装置10と制御装置50を備えている。半導体装置10は、半導体基板20と、半導体基板20の表面に形成された電極や絶縁膜等によって構成されている。半導体基板20には、3つの検出領域22、24、26が設けられており、各検査領域内に電流検出素子が形成されている。半導体基板20を平面視したときに、検出領域22は半導体基板20の中心20a上に形成されており、検出領域26は半導体基板20の外周部近傍に形成されており、検出領域24は検出領域22と検出領域26の中間に形成されている。検査領域22、24、26の面積半導体基板20を平面視したときの面積は、互いに略等しい。以下では、検査領域22、24、26の面積を、面積S0という。半導体基板20の検出領域22~26が形成されていない領域の略全体には、メイン素子領域28が設けられている。図2は、検査領域22からメイン素子領域28に跨る範囲における半導体基板20の断面図を示している。図2に示すように、メイン素子領域28及び検出領域22内には、エミッタ領域70、ボディ領域72、ドリフト領域74、コレクタ領域76、ゲート電極78、ゲート絶縁膜80、エミッタ電極82、コレクタ電極84によって、多数のIGBTが形成されている。図示していないが、検出領域24、26内にも、同様のIGBTが形成されている。なお、コレクタ電極84は、半導体基板20の下面全域に形成されているので、検出領域22~26及びメイン素子領域28内の全てのIGBTはコレクタ電極84を共有している。コレクタ電極84は、ハンダ接合により図示しないリードフレームに接続されている。また、図1、2に示すように、エミッタ電極82は、領域毎に分離して形成されている。エミッタ領域70、ボディ領域72及びゲート電極78は、各領域内のエミッタ電極82の下側に形成されている。各ゲート電極78は図1のゲートパッド86に接続されている。したがって、検出領域22~26内のIGBTは、メイン素子領域28内のIGBTと共にスイッチングする。図示していないが、各エミッタ電極82とゲートパッド86は、ボンディングワイヤーによってリードフレームに接続されている。これによって、図3に示す回路が形成されている。図3に示すように、メイン素子領域28内のIGBT以下、IGBT28というのエミッタ電極82はエミッタ側の配線60に直接接続されている。検出領域22内のIGBT以下、IGBT22というのエミッタ電極82は抵抗器RS1を介してエミッタ側の配線60に接続されている。検出領域24内のIGBT以下、IGBT24というのエミッタ電極82は抵抗器RS2を介してエミッタ側の配線60に接続されている。検出領域26内のIGBT以下、IGBT26というのエミッタ電極82は抵抗器RS3を介してエミッタ側の配線60に接続されている。図3のコレクタ端子92とエミッタ端子94の間に電圧を印加すると共に閾値以上のゲート電圧をゲートパッド86に印加すると、IGBT22~28がオンする。すなわち、コレクタ電極84から各領域22~28内のエミッタ電極82に向かって電流が流れる。IGBT22に流れる電流は、抵抗器RS1に流れる。IGBT24に流れる電流は、抵抗器RS2に流れる。IGBT26に流れる電流は、抵抗器RS3に流れる。制御装置50は、抵抗器RS1~RS3の両端に生じる電圧を検出することで、IGBT22に流れる電流I22、IGBT24に流れる電流I24、IGBT26に流れる電流I26を検出する。制御装置50は、電流I22、I24、I26に基づいて、以下の計算式により値Immを算出する。式8Imm=L1I22L2I24L3I26係数L1、L2、L3については、後に詳細を説明する。制御装置50は、電流I22、I24、I26をモニタしながら、繰り返し値Immを算出する。制御装置50は、値Immが閾値ImmTHに達した場合には、ゲート電圧を低下させてIGBT22~28をオフさせる。これによって、メイン素子であるIGBT28に過電流が流れることを防止する。後に詳述するが、式8によって算出される値Immは、半導体基板20内で温度分布が生じた場合であっても、メイン素子であるIGBT28に流れる電流Ixに対して略一定の比率を維持する値となる。したがって、値Immの閾値ImmTHを規定することで、メイン素子であるIGBT28に流れる電流Ixの許容最大値を規定することになる。次に、半導体基板20の温度と電流の関係について説明する。通電時には、半導体基板20が温度上昇する。通電時における半導体基板内の温度分布は、その半導体基板内の電流密度分布や、半導体基板の放熱特性等によって異なる。本実施例の半導体基板20では、メイン素子領域28内に略一様に電流が流れる。また、半導体基板20は外周側ほど放熱されやすい。このため、半導体基板20は中心20a側ほど温度が高く、外周側ほど温度が低くなる。図1の領域32~36は、通電時の半導体基板20の表面上面の温度の分布に従って区分した領域である。領域32は、通電時に検出領域22の表面温度に近い表面温度となる領域である。領域34は、通電時に検出領域24の表面温度に近い表面温度となる領域である。領域36は、通電時に検出領域26の表面温度に近い表面温度となる領域である。通電時には、領域32が最も高温となり、領域36が最も低温となる。領域32~36は略同心状に分布する。例えば、所定の動作条件で通電したときに、検出領域22の表面温度が約55°Cとなり、検出領域24の表面温度が約45°Cとなり、検出領域26の表面温度が約35°Cとなる場合には、領域32の表面温度が50°C以上となり、領域34の表面温度が40~50°Cとなり、領域36の表面温度が40°C以下となる。上記の通り、領域32~36は同心状に分布するので、領域32~36の面積半導体基板20を平面視したときの面積は外周側の領域ほど大きくなる。領域32~36の面積S32~S36は、予め行った実験により特定されている。本実施例では、S32:S34:S36=1:7:16である。領域32の表面温度は検出領域22の表面温度と略等しくなるので、領域32内の電流密度は検出領域22内の電流密度Id22と略等しくなる。したがって、領域32内を流れる電流I32は、以下の数式に示す値と略一致する。I32=S32Id22同様に、領域34内の表面温度は検出領域24の表面温度と略等しくなるので、領域34内の電流密度は検出領域24内の電流密度Id24と略等しくなる。したがって、領域34内を流れる電流I34は、以下の数式に示す値と略一致する。I34=S34Id24同様に、領域36内の表面温度は検出領域26の表面温度と略等しくなるので、領域36内の電流密度は検出領域26内の電流密度Id26と略等しくなる。したがって、領域36内を流れる電流I36は、以下の数式に示す値と略一致する。I36=S36Id26メイン素子であるIGBT28を流れる電流Ixは、これらの電流I32~I36を加算した電流となる。すなわち、式9Ix=I32I34I36=S32Id22S34Id24S36Id26の関係が満たされる。次に、上述した式8の値Immについて説明する。式8の中の係数L1~L3は、L1:L2:L3=S32:S34:S36を満たすように設定されている。より具体的には、係数L1は、領域32検出素子22と温度が略等しくなる領域の面積S32の約1/100の値に設定されている。同様に、係数L2は面積S34の約1/100の値に設定されており、係数L3は面積S36の約1/100の値に設定されている。したがって、上述した式8は、式10Imm=S32I22S34I24S36I26/100と変形することができる。また、実施例1では、検査領域22~26の面積が何れも面積S0であるので、I22=S0Id22、I24=S0Id24、I26=S0Id26と表すことができる。したがって、上述した式10は、以下のように変形することができる。式11Imm=S32Id22S34Id24S36Id26S0/100式9と式11を比較することで明らかなように、値Immは、電流IxをS0/100倍した値である。したがって、上述した式8で得られる値Immは、半導体装置10に流れる電流Ixに略比例する値となる。このため、値Immは、半導体基板20内に温度分布が生じた場合でも、電流Ixに対して略一定の比率を維持するように変化する。したがって、値Immに基づいてIGBT22~28をオフさせることで、半導体装置10に過電流が流れることを確実に防止することができる。例えば、半導体基板20の中心の領域32が高温となって電流I32が10減少すると、電流Ix中における電流I32の割合が1/24であるので、電流Ixは1/240だけ減少する。このとき、上述した式8に従って、値Immも1/240だけ減少する。このように、値Immは、電流Ixに対して略一定の比率を維持するように変化する。一方、従来の技術のように、平均値に基づいて半導体装置を制御すると、電流Ixの変化率と値Immの変化率が大きく異なる。例えば、値Immを、電流I22~I26の平均値により算出する場合を考える。この場合、半導体基板20の中心の領域32が高温となって電流I32が10減少すると、値Immは1/30だけ減少する。すなわち、実際の電流Ixが1/240しか減少していないにも係わらず、値Immは1/30も減少してしまう。このように、従来技術では、温度変化が生じたときに、値Immの変化率と電流Ixの変化率が大きく異なってしまう。このように、実施例1の技術によれば、値Immが電流Ixに対して略一定の比率を維持するように変化するので、実際の電流Ixに応じて正確に半導体装置10を制御することができる。なお、上述した実施例1では、抵抗器RS1~RS3の電気抵抗が互いに等しかった。しかしながら、これらの電気抵抗を互いに異ならせて、係数L1~L3に応じた電圧が各抵抗器RS1~RS3の両端に生じるようにしてもよい。例えば、L1:L2:L3=RS1:RS2:RS3となるように各電気抵抗を設定することができる。このように電気抵抗を設定すると、各抵抗器RS1~RS3に同一の電流が流れた場合でも、各抵抗器の両端に生じる電圧が係数L1~L3の比率と等しくなる。したがって、制御装置50は、これらの電圧を加算するだけで、式8の関係を満たす値Immを算出することができる。なお、実施例1では、IGBT22のエミッタ電極82からリードフレームまでの配線抵抗が、IGBT28のエミッタ電極82からリードフレームまでの配線抵抗に対応した値とされている。すなわち、各エミッタ電極82は、ボンディングワイヤーによってリードフレームに接続されている。ボンディングワイヤーは、電気抵抗を有しており、実施例1ではボンディングワイヤーの電気抵抗が配線抵抗に相当する。ボンディングワイヤーは半導体装置10の発熱によって加熱され、その電気抵抗は温度によって変化する。このシステムでは、IGBT28のオン抵抗R28とIGBT28のエミッタ電極に接続されているボンディングワイヤーの電気抵抗RW28との比R28/RW28が、IGBT22のオン抵抗R22とIGBT22のエミッタ電極に接続されているボンディングワイヤーの電気抵抗RW22との比R22/RW22と略等しい。したがって、IGBT28とボンディングワイヤーからなる電流経路の電気抵抗の温度による変化率が、IGBT22とボンディングワイヤーからなる電流経路の電気抵抗の温度による変化率と略等しくなる。このように、配線部分を含めて電気抵抗が調整されているので、IGBT22を流れる電流の温度による変化率がIGBT28を流れる電流の温度による変化率により近くなる。したがって、電流Ixに対してより正確に追随する値Immを算出することができる。上述した実施例1の構成と請求項との対応関係について説明する。実施例1の検出素子22、24は互いに面積が等しいので、検出素子22が請求項2の第1検出素子に相当し、検出素子24が請求項2の第2検出素子に相当する。したがって、検出素子22に流れる電流I22が請求項2の電流I1に相当し、検出素子24に流れる電流I24が請求項2の電流I2に相当する。また、上述した式8の係数L1、L2の比L1/L2は、領域32第1検出素子22に近い温度となる領域と領域34第2検出素子24に近い温度となる領域の面積比S32/S34と等しい。したがって、式8の係数L1は請求項2の係数L1に相当し、式8の係数L2は請求項2の係数L2に相当する。したがって、式8の第1項L1I22が請求項2の式の第1項L1I1に相当し、式8の第2項L2I24が請求項2の式の第2項L2I2に相当する。すなわち、式8は、請求項2の式Im=L1I1L2I2を含んでいる。したがって、上述した式8に基づいてメイン素子28を制御する実施例1のシステムは、請求項2のシステムに相当する。また、上述したように、請求項2の式Im=L1I1L2I2は、請求項1の式Im=K1Id1K2Id2と等しい。したがって、実施例1のシステムは、請求項1のシステムに相当するともいえる。なお、上記の説明では、検出素子22が第1検出素子に相当するとともに検出素子24が第2検出素子に相当するとしたが、検出素子24が第1検出素子に相当するとともに検出素子26が第2検出素子に相当するとみなすこともできるし、検出素子26が第1検出素子に相当するとともに検出素子22が第2検出素子に相当するとみなすこともできる。次に、実施例2のシステムについて説明する。図4は、実施例2のシステムが有する半導体装置10の上面図を示している。なお、実施例2のシステムのうち実施例1のシステムと機能が共通する部分については同一の参照番号を用いる。また、以下の説明では、実施例2のシステムのうち実施例1のシステムと異なる部分について主に説明し、共通する部分については適宜説明を省略する。図4に示すように、実施例2では、検出領域22~26の面積S22~S26が、S22<S24<S26の関係を満たしている。より詳細には、面積S22が面積S32の約1/100であり、面積S24が面積S34の約1/100であり、面積S26が面積S36の約1/100である。つまり、S22:S24:S26=S32:S34:S36の関係が満たされている。制御装置50は、抵抗RS1~RS3によって、各IGBT22~26を流れる電流I22~I26を検出する。そして、I22~I26を加算することで、値Immを算出する。すなわち、値Immは、以下の数式により算出される。式12Imm=I22I24I26制御装置50は、値Immが閾値ImmTHに達した場合に、ゲート電圧を低下させてIGBT22~28をオフさせる。これによって、半導体装置10に過電流が流れることを防止する。ここで、上述した式12の値Immについて説明する。各IGBT22~26を流れる電流I22~I26を電流密度Id22~Id26を用いて表すと、I22=S22Id22、I24=S24Id24、I26=S26Id26となる。また、上述したように、S22=S32/100、S24=S34/100、S26=S36/100であるので、式12は、式13Imm=S32Id22S34Id24S36Id26/100と変形することができる。また、実施例2の半導体装置でも実施例1の半導体装置と同様に、メイン素子領域28を流れる電流Ixは、上述した式9に示す値となる。式9と式13を比較することで明らかなように、実施例2において算出される値Immは、メイン素子領域28を流れる電流Ixの約1/100の値である。すなわち、実施例2のシステムでも、メイン素子であるIGBT28に流れる電流Ixに応じて適切に半導体装置10を制御することができる。また、このような構成によれば、制御装置50で行う演算が実施例1よりも簡略化される。上述した実施例2の構成と請求項との対応関係について説明する。実施例2では、検出素子22と検出素子24の面積比S22/S24が、領域32第1検出素子22に近い温度となる領域と領域34第2検出素子24に近い温度となる領域の面積比S32/S34と等しい。したがって、検出素子22が請求項3の第1検出素子に相当し、検出素子24が請求項3の第2検出素子に相当する。したがって、検出素子22に流れる電流I22が請求項3の電流I1に相当し、検出素子24に流れる電流I24が請求項3の電流I2に相当する。このため、上述した式12は、請求項3の式Im=I1I2を含んでいる。したがって、式12に基づいてメイン素子28を制御する実施例2のシステムは、請求項3のシステムに相当する。また、上述したように、請求項3の式Im=I1I2は、請求項1の式Im=K1Id1K2Id2と等しい。したがって、実施例2のシステムは、請求項1のシステムに相当するともいえる。なお、上記の説明では、検出素子22が第1検出素子に相当するとともに検出素子24が第2検出素子に相当するとしたが、検出素子24が第1検出素子に相当するとともに検出素子26が第2検出素子に相当するとみなすこともできるし、検出素子26が第1検出素子に相当するとともに検出素子22が第2検出素子に相当するとみなすこともできる。次に、実施例3のシステムについて説明する。図5は、実施例3のシステムが有する半導体装置10の上面図を示している。なお、実施例3のシステムのうち実施例2のシステムと機能が共通する部分については同一の参照番号を用いる。また、以下の説明では、実施例3のシステムのうち実施例2のシステムと異なる部分について主に説明し、共通する部分については適宜説明を省略する。図5に示すように、実施例3では、実施例2と同様に、検出領域22~26の面積S22~S26が、S22:S24:S26=S32:S34:S36の関係を満たしている。さらに、実施例3では、半導体基板20上に形成されている配線88によって、検出領域22~26内のエミッタ電極82が互いに接続されている。最も外側の検出領域26のエミッタ電極82には、ボンディングワイヤーが接続されている。すなわち、実施例3では、1本のボンディングワイヤーによって、検出領域22~26内のエミッタ電極82がリードフレームに接続されている。これにより、図6に示す回路が構成されている。すなわち、実施例3の構成では、IGBT22~26が、共通の抵抗器RSCを介して配線60に接続されている。このため、抵抗器RSCには、IGBT22を流れる電流I22と、IGBT24を流れる電流I24と、IGBT26を流れる電流I26を合計した電流IC=I22I24I26が流れる。制御装置50は、抵抗器RSCによって電流ICを検出する。そして、電流ICが閾値ICTHに達した場合に、ゲート電圧を低下させてIGBT22~28をオフさせる。これによって、メイン素子であるIGBT28に過電流が流れることを防止する。ここで、電流Icは、実施例2の式12に示す値Immと等しい。すなわち、電流Icは、電流Ixに略比例する値である。したがって、実施例3のシステムでも、メイン素子であるIGBT28に流れる電流Ixに応じて適切に半導体装置10を制御することができる。また、このような構成によれば、電流Icが値Immに相当するので、制御装置50で値Immを算出する必要がなくなる。なお、実施例3のシステムでは、IGBT22のエミッタ電極82からリードフレームまでの配線抵抗が、IGBT28のエミッタ電極82からリードフレームまでの配線抵抗に対応した値となっている。すなわち、上述したように、IGBT28のエミッタ電極82はボンディングワイヤーによってリードフレームに接続されている。したがって、IGBT28の配線抵抗は、ボンディングワイヤーの電気抵抗である。一方、IGBT22のエミッタ電極82は半導体基板20上の配線88とボンディングワイヤーによってリードフレームに接続されている。したがって、IGBT22の配線抵抗は、ボンディングワイヤーの電気抵抗と配線88の電気抵抗を加算した値である。このシステムでは、IGBT28のオン抵抗R28と配線抵抗RW28との比R28/RW28が、IGBT22のオン抵抗R22と配線抵抗RW22との比R22/RW22と略等しい。したがって、IGBT28とその配線部分ボンディングワイヤーからなる電流経路の電気抵抗の温度による変化率が、IGBT22とその配線部分配線88とボンディングワイヤーからなる電流経路の電気抵抗の温度による変化率と略等しくなる。したがって、電流Ixに対してより正確に追随する値Immを算出することができる。なお、実施例3のように検出領域22~26内のエミッタ電極82を配線により接続する場合には、図5に示すように、半導体基板20の中心20aからその中心20aに対して最も近い半導体基板20の外周端に向かって検出領域22~26が配列されていることが好ましい。このように検出領域22~26を配置することで、配線88の長さを最小化することができる。例えば、図7に示すように半導体基板20の中心20aから半導体基板20の角部に向かって検出領域22~26が配列されていると、半導体基板20上の配線88の距離が長くなる。配線88により占有される面積が増えるので、メイン素子領域28の面積が減少してしまう。図5に示すように検出領域22~26を配置すれば、配線による占有面積を最小化することができる。また、半導体基板の形状が長方形である場合には、半導体基板の中心からその中心に最も近い辺外周端に向かって検出領域が配列されていることが好ましい。上述した実施例3の構成と請求項との対応関係について説明する。実施例3では、検出素子22と検出素子24の面積比S22/S24が、領域32第1検出素子22に近い温度となる領域と領域34第2検出素子24に近い温度となる領域の面積比S32/S34と等しい。したがって、検出素子22が請求項4の第1検出素子に相当し、検出素子24が請求項4の第2検出素子に相当する。このため、検出素子22に流れる電流I22が請求項4の電流I1に相当し、検出素子24に流れる電流I24が請求項4の電流I2に相当する。実施例3において電流I22と電流I24が流れるように構成されている抵抗器RSCは、請求項4の配線第1検出素子を流れる電流I1と第2検出素子を流れる電流I2が流れるように構成されている配線に相当する。したがって、実施例3の抵抗器RSCを流れる電流ICは、請求項4の電流I3に相当する。このため、電流ICに基づいてメイン素子28を制御する実施例3のシステムは、請求項4のシステムに相当する。また、上述したように、請求項4の電流I3は、請求項1の値Imと等しい。したがって、実施例3のシステムは、請求項1のシステムに相当するともいえる。なお、上記の説明では、検出素子22が第1検出素子に相当するとともに検出素子24が第2検出素子に相当するとしたが、検出素子24が第1検出素子に相当するとともに検出素子26が第2検出素子に相当するとみなすこともできるし、検出素子26が第1検出素子に相当するとともに検出素子22が第2検出素子に相当するとみなすこともできる。次に、実施例4のシステムについて説明する。図8は、実施例4のシステムが有する半導体装置10の上面図を示している。なお、実施例4のシステムのうち実施例1のシステムと機能が共通する部分については同一の参照番号を用いる。また、以下の説明では、実施例4のシステムのうち実施例1のシステムと異なる部分について主に説明し、共通する部分については適宜説明を省略する。実施例4のシステムが有する半導体装置では、半導体基板20の略全体に亘ってメイン素子領域28が形成されており、検出領域22~26が形成されていない。また、半導体基板20の表面のうち図1の検出領域22~26に対応する位置に、電流センサ122、124、126が設置されている。電流センサ122~126は、GMR巨大磁気抵抗効果を利用した電流センサであり、その下部の半導体基板20中を流れる電流を局所的に検出する。制御装置50は、電流センサ122~126が検出する電流I122、I124、I126に基づいて、以下の計算式により値Immを算出する。式14Imm=L1I122L2I124L3I126なお、係数L1~L3は、実施例1と同様の係数である。この式14は、上述した式8に相当する。すなわち、式14で算出される値Immは、電流Ixに略比例する値である。したがって、実施例4のシステムでも、実施例1のシステムと同様に、メイン素子であるIGBT28に流れる電流Ixに応じて適切に半導体装置10を制御することができる。上述した実施例4の構成と請求項との対応関係について説明する。実施例4の電流センサ122は請求項5の第1検出素子に相当し、電流センサ124は請求項5の第2検出素子に相当する。したがって、電流センサ122の検出電流I122が請求項5の電流I1に相当し、電流センサ124の検出電流I124が請求項5の電流I2に相当する。また、上述した式14の係数L1、L1の比L1/L1は、領域32第1検出素子電流センサ122に近い温度となる領域と領域34第2検出素子電流センサ124に近い温度となる領域の面積比S32/S34と等しい。したがって、式14の係数L1は請求項5の係数L1に相当し、式14の係数L2は請求項5の係数L2に相当する。したがって、式14の第1項L1I122が請求項5の式の第1項L1I1に相当し、式14の第2項L2I124が請求項5の式の第2項L2I2に相当する。すなわち、式14は、請求項5の式Im=L1I1L2I2を含んでいる。すなわち、上述した式14に基づいて電流を制御する実施例4のシステムは、請求項5のシステムに相当する。なお、上記の説明では、電流センサ122が第1検出素子に相当するとともに電流センサ124が第2検出素子に相当するとしたが、電流センサ124が第1検出素子に相当するとともに電流センサ126が第2検出素子に相当するとみなすこともできるし、電流センサ126が第1検出素子に相当するとともに電流センサ122が第2検出素子に相当するとみなすこともできる。なお、上述した実施例1~4では、IGBTが形成されている半導体装置について説明したが、半導体装置に形成されている素子は、MOSFETであってもよいし、ダイオードであってもよい。MOSFETを採用する場合には、上述した実施例1~4と同様に、値Immに基づいてMOSFETのゲート電圧を制御することで、MOSFETに流れる電流を制御することができる。また、ダイオードを採用する場合には、ダイオードにスイッチング素子を接続し、値Immに基づいてスイッチング素子を制御することで、ダイオードに流れる電流を制御することができる。また、IGBTやMOSFETを採用する場合でも、外部のスイッチング素子によりこれらに流れる電流を制御するようにしてもよい。また、上述した実施例1~4では、制御回路80を、半導体装置10に過電流が流れることを防止するための保護回路として使用した。しかしながら、値Immが目標値となるすなわち、メイン素子であるIGBT28を流れる電流Ixが目標値となるように、値Immに応じてゲート電圧を制御するフィードバック制御を行ってもよい。このような制御を行う場合でも、上記のように値Immを算出することで、正確な制御が可能となる。また、上述した実施例1~4では、3つの検出領域22~26又は電流センサ122~126が形成されていたが、これらの数は2つであってもよいし、4つ以上であってもよい。また、上述した実施例1~4では、最も中心側の検出領域22または電流センサ122が、半導体基板20の中心20a上に形成されていたが、必ずしも最も中心側の素子が半導体基板20の中心20a上に形成されている必要はなく、中心20aから外れた位置に形成されていてもよい。次に、実施例5のシステムについて説明する。図9は、実施例5のシステムが有する半導体装置10の上面図を示している。なお、実施例5のシステムのうち実施例1のシステムと機能が共通する部分については同一の参照番号を用いる。また、以下の説明では、実施例5のシステムのうち実施例1のシステムと異なる部分について主に説明し、共通する部分については適宜説明を省略する。実施例5では、メイン素子領域28が半導体基板20の片側図9の右側に偏って形成されており、図9の左側の領域29メイン素子領域28の外側の領域には、メイン素子領域28とは別の半導体素子が形成されている。また、検出領域22~26は、メイン素子領域28内に形成されている。実施例5の半導体装置10では、メイン素子領域28が偏って形成されているので、領域32~36すなわち、検出領域22、24、26のそれぞれに対応する表面温度となる領域32~36の分布も実施例1~4とは異なる。つまり、実施例5の半導体装置10では、最も高温となる領域32が半導体基板20の中心からずれた位置に存在し、また、各領域32~36は楕円状に歪んだ形で分布している。実施例5におけるメイン素子領域28内の領域32~36の面積S32~S36も、実施例1と同様に、予め行った実験により特定されている。実施例5のシステムでも、実施例1の式8と同様の数式、すなわち、Imm=L1I22L2I24L3I26の数式によって値Immを算出する。なお、係数L1~L3は、上述したように分布する領域32~36の面積S32~S36に基づいて、L1:L2:L3=S32:S34:S36の関係を満たすように定められている。したがって、実施例5のシステムでも、実施例1のシステムと同様に、メイン素子であるIGBT28に流れる電流に応じて適切に半導体装置10を制御することができる。このように、メイン素子領域28が偏った形で配置されていたり、より複雑な形状で配置されている場合でも、メイン素子領域28内の温度分布に基づいて係数L1~L3が定められていれば、適切に半導体装置10を制御することができる。実施例2~4でも、同様のことがいえる。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。