第1導電型InP基板上に活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第1導電型とは逆の第2導電型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層を形成する工程と、前記エッチングストップ層上に接するように、第2導電型クラッド層を形成する工程と、前記第2導電型クラッド層上に接するように、第2導電型コンタクト層を形成する工程と、前記第2導電型コンタクト層を形成する工程の後、前記第2導電型コンタクト層をメサ形状に加工する工程と、前記第2導電型クラッド層を、前記第2導電型コンタクト層のメサをマスクとして塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、前記第2導電型クラッド層をメサ形状に加工する工程と、を備える半導体レーザの製造方法。請求項1に記載の半導体レーザの製造方法において、前記第2導電型クラッド層は、第2導電型InPである半導体レーザの製造方法。請求項1または2に記載の半導体レーザの製造方法において、前記第2導電型コンタクト層をメサ形状に加工する工程において、ドライエッチングにより前記第2導電型コンタクト層を加工する半導体レーザの製造方法。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法において、前記第2導電型クラッド層をメサ形状に加工する工程において、前記混合液の酢酸及び塩酸の混合比は、n:13≦n≦10である半導体レーザの製造方法。請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法において、前記エッチングストップ層を形成する工程において、前記エッチングストップ層を前記活性層の直上に接するように形成する半導体レーザの製造方法。請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法において、前記エッチングストップ層を形成する工程の後、前記エッチングストップ層に、平面視で前記第2導電型コンタクト層のメサと平行となるように、直線状の開口部を形成する工程を備え、前記第2導電型クラッド層及び前記第2導電型コンタクト層のメサを前記開口部上に形成し、前記開口部の幅より広く形成する半導体レーザの製造方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法において、前記活性層のバンドギャップと、前記活性層と接するガイド層のバンドギャップとの差を、120meV以上とする半導体レーザの製造方法。第1導電型InP基板と、前記第1導電型InP基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられ、第1導電型とは逆の第2導電型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層と、前記エッチングストップ層上に接するように設けられた第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層上に接するように設けられた第2導電型コンタクト層と、を備え、前記第2導電型クラッド層及び前記第2導電型コンタクト層はメサ形状である半導体レーザ。請求項8に記載の半導体レーザにおいて、前記第2導電型クラッド層及び前記第2導電型コンタクト層のメサの側面と、前記エッチングストップ層の上面とのなす角は、90±2度の範囲内である半導体レーザ。特許文献1に記載されている製造方法では、p型上部クラッド層とpキャップ層をHCl系エッチャントで同時にエッチングして、リッジ部を形成している。しかし、発明者は、上記方法として、たとえば塩酸とリン酸の混合液によりエッチングした場合、メサの底付近の側面において、面方位が出てしまい、メサ形状にバラつきが生じることを見出した。本発明によれば、第1導電型InP基板上に活性層を形成する工程と、前記活性層上に、第1導電型とは逆の第2導電型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層を形成する工程と、前記エッチングストップ層上に接するように、第2導電型クラッド層を形成する工程と、前記第2導電型クラッド層上に接するように、第2導電型コンタクト層を形成する工程と、前記第2導電型コンタクト層を形成する工程の後、前記第2導電型コンタクト層をメサ形状に加工する工程と、前記第2導電型クラッド層を、前記第2導電型コンタクト層のメサをマスクとして塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、前記第2導電型クラッド層をメサ形状に加工する工程と、を備える半導体レーザの製造方法、が提供される。本発明によれば、第1導電型InP基板と、前記第1導電型InP基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられ、第1導電型とは逆の第2導電型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層と、前記エッチングストップ層上に接するように設けられた第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層上に接するように設けられた第2導電型コンタクト層と、を備え、前記第2導電型クラッド層及び前記第2導電型コンタクト層はメサ形状である半導体レーザ、が提供される。本発明によれば、第2導電型コンタクト層をメサ形状に加工し、その後、第2導電型コンタクト層のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングする。このように、あらかじめ第2導電型コンタクト層のメサを形成することにより、第2導電型クラッド層のサイドエッチングを防止することができ、側面が垂直なメサ形状に加工することができる。さらに、第2導電型クラッド層下に接するように、エッチングストップ層として、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1が設けられている。これにより、塩酸及び酢酸の混合液のエッチングをエッチングストップ層の上面で停止させることができる。このように、メサの幅は、第2導電型コンタクト層のエッチング幅により制御することができ、一方で、メサの高さは、エッチングストップ層の位置により制御することができる。すなわち、それぞれ独立の工程により、メサ形状を精密に制御することができる。したがって、安定的に半導体レーザのメサ形状を得ることができる。本発明によれば、安定的に半導体レーザのメサ形状を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。以下の実施の形態において、第1導電型がn型、第2導電型がp型である場合を例として示すが、これらは、逆とすることもできる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体レーザの構成を示す断面図である。この半導体レーザは、n型InP基板1と、n型InP基板1上に設けられた活性層3と、活性層3上に設けられ、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層6と、エッチングストップ層6上に接するように設けられたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に接するように設けられたp型コンタクト層8と、を備えている。また、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8は、メサ形状である。以下、詳細を説明する。図1のように、第1の実施形態に係る半導体レーザは、n型InP基板1上に、n型ガイド層2、活性層3、p型ガイド層4、InP層5、エッチングストップ層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を備えている。n型InP基板1上には、n型ガイド層2が設けられている。n型ガイド層2は、たとえば、n型InGaAsPである。また、n型ガイド層2上には、活性層3が設けられている。活性層3は、InGaAsPの多重量子井戸構造MQWを有している。ここで、活性層3のバンドギャップは、半導体レーザの所望の動作波長になるように調整されている。活性層3のバンドギャップは、たとえば、0.954eV波長1.3μmである。活性層3上には、p型ガイド層4が設けられている。p型ガイド層4は、たとえば、p型InGaAsPである。また、p型ガイド層4上には、InP層5が設けられている。ここで、活性層3のバンドギャップと、活性層3と上下に接しているn型ガイド層2及びp型ガイド層4のバンドギャップとの差は、120meV以上である。なお、ここでいう活性層3のバンドギャップとは、半導体レーザの発振エネルギーのことである。このようにバンドギャップを制御することにより、キャリア閉じ込め効果や光閉じ込め効果を増すことができ、半導体レーザの発光効率を上げることができる。また、InP層5上には、エッチングストップ層6が設けられている。エッチングストップ層6は、たとえば、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1である。エッチングストップ層6は、後述するように、As組成比yが0.32より大きいことにより、塩酸及び酢酸の混合液によるエッチングにおいて、p型クラッド層7に対してエッチング選択性を有し、エッチングされにくい性質を有する。これにより、エッチングストップ層6として機能する。p型クラッド層7は、エッチングストップ層6上に接するように設けられている。p型クラッド層7は、後述する塩酸及び酢酸の混合液によるエッチングにおいて、エッチングストップ層6よりもエッチングされやすい性質を有する。具体的には、p型クラッド層7は、たとえば、p型InPである。p型コンタクト層8は、p型クラッド層7上に接するように設けられている。p型コンタクト層8は、後述する塩酸及び酢酸の混合液によるエッチングにおいて、p型クラッド層7に対してエッチング選択性を有し、エッチングされにくい性質を有することが好ましい。具体的には、p型コンタクト層8は、たとえば、p型InGaAsPである。なお、p型InGaAsPとは、p型InGaAsPまたはp型InGaAsのことである。また、p型クラッド層7とp型コンタクト層8は、メサ形状である。ここで、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8のメサの側面と、エッチングストップ層6の上面とのなす角は、90±2度の範囲内である。このような形状とすることで、半導体レーザを動作させるときに安定的に電流狭窄効果を得ることができる。エッチングストップ層6が露出した表面と、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8のメサの側壁には、誘電体層9が設けられている。誘電体層9は、たとえば、SiO2である。この誘電体層9を設けることにより、大気や水分の侵入を防ぎ、活性層3等を保護することができる。また、n型InP基板1下には、n側電極11が設けられている。一方、p型コンタクト層8上には、p側電極10が設けられている。次に、図2を用いて、第1の実施形態における半導体レーザの製造方法を説明する。図2は、第1の実施形態に係る半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。第1の実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、n型InP基板1上に、活性層3を形成する。次いで、活性層3上に、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1であるエッチングストップ層6を形成する。次いで、エッチングストップ層6上に接するように、p型クラッド層7を形成する。次いで、クラッド層7上に接するように、p型コンタクト層8を形成する。次いで、p型コンタクト層8を形成する工程の後、p型コンタクト層8をメサ形状に加工する。次いで、p型クラッド層7を、p型コンタクト層8のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、p型クラッド層7をメサ形状に加工する。以下、詳細を説明する。第1の実施形態では、結晶成長は有機金属気相成長法MOVPEにより行う。また、原料としては、たとえば、トリメチルインジウムTMIn、トリエチルガリウムTEGa、アルシンAsH3、ホスフィンPH3を用いる。また、導電型の制御におけるドーパントは、ジシランSi2H6、ジエチルジンクDEZnを用いる。まず、図2aのように、n型InP基板1上に、n型ガイド層2として、n型InGaAsPを成長させる。次いで、n型ガイド層2上に、活性層3として、InGaAsPを成長させ、多重量子井戸構造MQWを形成する。次いで、活性層3上に、p型ガイド層4として、p型InGaAsPを成長させる。p型ガイド層4上に、InP層5を成長させる。ここで、活性層3のバンドギャップと、活性層3と上下に接しているn型ガイド層2及びp型ガイド層4のバンドギャップとの差を、120meV以上とする。次いで、InP層5上に、エッチングストップ層6として、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1を成長させる。組成比は、原料ガスの流量比を制御することにより調整することができる。次いで、エッチングストップ層6上に接するように、p型クラッド層7として、p型InPを成長させる。次いで、p型クラッド層7上に接するように、p型コンタクト層8として、p型InGaAsPを成長させる。次いで、p型コンタクト層8を形成する工程の後、一度MOVPE装置から基板を取り出し、フォトレジストを塗布する。次いで、露光および現像を行い、フォトレジストを所定のストライプ状にパターニングする。次いで、図2bのように、ドライエッチングにより、上記したストライプ状のフォトレジストをマスクとして、p型コンタクト層8をメサ形状に加工する。このとき、ドライエッチングは、RIEReactiveIonEtchingにより行う。また、エッチングガスとしては、たとえば、Ar、SiCl4を用いる。また、このエッチング時間を制御することにより、p型コンタクト層8をメサ形状に加工する。この際、確実にp型コンタクト層8が除去されるまでエッチングを行い、p型クラッド層7がエッチングされ始めるまでエッチングを行う。次いで、フォトレジストを除去する。次いで、図2cのように、p型クラッド層7を、p型コンタクト層8のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、p型クラッド層7をメサ形状に加工する。このとき、混合液における塩酸及び酢酸の混合比は、n:13<n<10である。このように、あらかじめp型コンタクト層8であるp型InGaAsPのメサが形成されていることにより、p型クラッド層7であるp型InPへのサイドエッチングを防止することができる。また、この工程により、p型クラッド層7はエッチングされ、エッチングストップ層6の上面までエッチングされる。このとき、エッチングストップ層6であるp型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1は、As組成比yが0.32より大きいため、上記した塩酸及び酢酸の混合液のエッチャントに対してエッチングされにくい。これにより、塩酸及び酢酸の混合液によるエッチングを、確実にエッチングストップ層6の上面で停止させることができる。この原理については、詳細を後述する。また、この工程により、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8のメサの側面と、エッチングストップ層6の上面とのなす角を、90±2度の範囲内に形成することができる。次いで、図2dのように、全表面を覆うように、誘電体層9として、SiO2を成膜する。次いで、p型コンタクト層8の上部に位置するところに、ドライエッチングにより、誘電体層9の開口部を形成する。次いで、p型コンタクト層8上の開口部に、p側電極10を形成する。次いで、n型InP基板下に、n側電極11を形成する。以上により、第1の実施形態の半導体レーザを形成することができる。ここで、第1の実施形態におけるメサ形状を得るための原理について説明する。図3は、第1の実施形態におけるメサ形状を得るための原理を説明するための図である。図3aは、エッチングストップ層6のp型In1-xGaxAsyP1-yにおけるAs組成比yと、酢酸と塩酸の混合液たとえば混合比6:1によりエッチングした場合のエッチングレートとの関係を示している。なお、図3aでは、InP基板上に、組成比の異なるInGaAsPの単膜を成膜したサンプルを用いている。図3aのように、As組成比yが大きくなるにつれて、エッチングレートは単調減少となる傾向を示す。特に、As組成比yが0.32よりも大きくなると、急激にエッチングレートが落ちることが分かる。このため、p型クラッド層7の下に接するように、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1を設けることにより、エッチングストップ層6として機能させることができる。図3bは、p型クラッド層7のエッチング時間と、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8によって形成されたメサの高さとの関係を示している。なお、図3bと、後述する図3cでは、第1の実施形態の半導体レーザと同様の工程によって、p型コンタクト層8までを形成したサンプルを用いている。このとき、エッチングストップ層6として、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1を形成している。また、あらかじめp型コンタクト層8であるp型InGaAsPのメサを形成した後に、p型クラッド層7をエッチングしている。加えて、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8の合計の厚さが1.33μm以上となるように形成されている。図3bのように、エッチング時間が経過するにつれて、p型クラッド層7が徐々にエッチングされていき、メサ高さ1.33μmとなったところで一定となっていることが分かる。すなわち、p型クラッド層7ここではp型InPのみがエッチングされ、エッチングストップ層6でエッチングが停止していることが分かる。このように、p型クラッド層7の下に接するように、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1を設けることにより、エッチングストップ層6として機能させることができる。また、図3cは、p型クラッド層7のエッチング時間と、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8によって形成されたメサ幅との関係を示している。同図中のメサ上部幅とは、p型コンタクト層8のメサ上部の幅を示している。また、同図中のメサ底幅とは、p型クラッド層7のメサ底部の幅を示している。図3cのように、エッチング時間が経過しても、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8の幅はほぼ一定を保っていることが分かる。このように、あらかじめp型コンタクト層8のメサが形成されていることにより、p型クラッド層7のサイドエッチングを防止することができる。以上のようにして、第1の実施形態におけるメサ形状を得ることができる。次に、図4を用い、比較例と対比しながら、第1の実施形態の効果について説明する。図4は、第1の実施形態の効果を説明するための図である。図4は、比較例として、p型コンタクト層8までを形成した後に、塩酸とリン酸の混合液を用いて、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8を一度にエッチングした場合を示している。図4のうち、図4aは、比較例において、理想的にエッチングがなされた場合を示している。一方、図4b、図4c、図4dは、比較例において、エッチング不良が起きた場合を示している。比較例では、図4b、図4c、図4dのように、p型クラッド層7のメサの底部において、p型クラッド層7の面方位が出てしまい、メサ形状にバラつきが生じる可能性がある。このように、メサ底部で広がるような形状となってしまった場合には、電流狭搾効果が得られず、半導体レーザの特性を大きくバラつかせ、安定した特性が得られない。一方、第1の実施形態によれば、p型コンタクト層8をメサ形状に加工し、その後、p型コンタクト層8のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングする。このように、あらかじめp型コンタクト層8のメサを形成することにより、p型クラッド層7のサイドエッチングを防止することができ、側面が垂直なメサ形状に加工することができる。さらに、p型クラッド層7下に接するように、エッチングストップ層6として、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1が設けられている。このエッチングストップ層6は、塩酸及び酢酸の混合液によるエッチングにおいて、p型クラッド層7に対してエッチング選択性を有し、エッチングされにくい性質を有する。これにより、塩酸及び酢酸の混合液のエッチングをエッチングストップ層6の上面で停止させることができる。このようにして、メサの幅は、p型コンタクト層8のエッチング幅により制御することができ、一方で、メサの高さは、エッチングストップ層6の位置により制御することができる。すなわち、それぞれ独立の工程により、メサ形状を精密に制御することができる。以上のように、第1の実施形態によれば、安定的に半導体レーザのメサ形状を得ることができる。第2の実施形態図5は、第2の実施形態に係る半導体レーザの構成を示す断面図である。第2の実施形態は、以下の点を除いて、第1の実施形態と同様である。エッチングストップ層6を形成する工程において、エッチングストップ層6を活性層3の直上に接するように形成する。以下、詳細を説明する。図5のように、第2の実施形態に係る半導体レーザは、活性層3の直上に接するように、エッチングストップ層6が設けられている。ここで、エッチングストップ層6は、p型ガイド層4の役割も担うため、前述のように、活性層3のバンドギャップと、当該エッチングストップ層6のバンドギャップとの差は、120meV以上である。第2の実施形態の製造方法では、活性層3まで第1の実施形態と同様の工程を行った後、エッチングストップ層6を形成する工程において、エッチングストップ層6を活性層3の直上に接するように形成する。このとき、エッチングストップ層6として、p型In1-xGaxAsyP1-y0≦x≦1;0.32<y≦1を成長させる。この後、p型クラッド層7を塩酸と酢酸の混合液によるウエットエッチングする工程において、活性層3の隣接層までエッチングされることになるため、このエッチングストップ層6のAs組成比は厳密に制御することが必要である。第2の実施形態によれば、エッチングストップ層6が活性層3の直上に接するように設けられていることにより、p型ガイド層4を兼ねることができる。また、エッチングストップ層6が活性層3に隣接しているため、半導体レーザの特性に影響を与えないために、エッチングストップ層6をオーバーエッチングすることができない。そのため、エッチングストップ層6のAs組成比を厳密に制御することにより、活性層3に悪影響を与えずに、精密にメサ形状を制御することができる。第3の実施形態図6は、第3の実施形態に係る半導体レーザの構成を示す断面図である。第3の実施形態は、以下の点を除いて、第1の実施形態と同様である。エッチングストップ層6を形成する工程の後、エッチングストップ層6に、平面視でp型コンタクト層のメサと平行となるように、直線状の開口部不図示を形成する。また、p型クラッド層及びp型コンタクト層のメサを開口部上に形成し、開口部の幅より広く形成する。以下、詳細を説明する。図6のように、第3の実施形態に係る半導体レーザは、エッチングストップ層6には、平面視でp型コンタクト層のメサと平行となるように直線状の開口部が設けられている。ここで、開口部の大きさは、半導体レーザの特性を考慮して決定される。具体的には、開口部の幅は、たとえば、1.8μmである。また、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8のメサは開口部上に形成されている。なお、平面視で、メサ中心と開口部の中心とが同じ位置となるように形成されていることが好ましい。また、p型クラッド層7及びp型コンタクト層8のメサは、開口部の幅より広く形成されている。具体的には、メサの幅は、たとえば、2.0μmである。第3の実施形態の製造方法では、まず、エッチングストップ層6を形成する工程の後、一度MOVPE装置から取り出し、フォトレジストを塗布する。次いで、露光および現像により、フォトレジストを、平面視でp型コンタクト層のメサと平行となるように直線状にパターニングする。次いで、ドライエッチングまたはウエットエッチングにより、当該フォトレジストをマスクとして、エッチングストップ層6をエッチングする。ここで、ドライエッチングで開口部を形成する場合は、エッチング時間を制御することにより、エッチングストップ層6のみをエッチングする。一方、ウエットエッチングで開口部を形成する場合は、硝酸系の混合液を用いて、エッチングストップ層6のみをエッチングする。なお、硝酸系の混合液を用いることにより、InP層5をエッチングすることがない。次いで、マスクに用いたフォトレジストを除去する。次いで、エッチングストップ層6の開口部に露出したInP層5上に、p型クラッド層7として、p型InPを成長させる。これにより、エッチングストップ層6の開口部の上方には、p型クラッド層7の凹部が形成されている。次いで、p型クラッド層7上に接するように、p型コンタクト層8として、p型InGaAsPを成長させる。これにより、エッチングストップ層6の開口部の上方には、p型コンタクト層8の凹部が形成されている。また、p型コンタクト層8の凹部の中心は、平面視でp型クラッド層7の凹部の中心と同じ場所に位置している。この工程以降、第1の実施形態と同様にして、pクラッド層7及びp型コンタクト層8のメサを形成する。第3の実施形態によれば、p型クラッド層及びp型コンタクト層のメサを開口部上に形成し、開口部の幅より広く形成するため、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、p型コンタクト層8の幅を、エッチングストップ層6の開口部の幅よりも広くすることにより、さらに電流狭窄効果が向上し、かつコンタクト抵抗の低減が可能となる。このように、さらに半導体レーザの特性を向上させることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。