基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部間に設置された際に、前記一対の給電部間から前記円筒部の円周面上を越える位置にまで達して前記一対の給電部間を隔離する隔壁部を有する絶縁構造体。基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように、前記断熱壁体の外側に設けられた絶縁構造体。前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する請求項2の絶縁構造体。基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部が前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように、前記断熱壁体の内側または外側に設けられた絶縁構造体であって、前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する絶縁構造体。請求項1~4いずれかの絶縁構造体を有する加熱装置。請求項5の加熱装置を有する基板処理装置。前記した発熱体の保持構造体においては、狭い方が加熱分布上有利になるために、発熱体の一対の給電部の間隔は狭く設定されることが多い。しかしながら、発熱体の一対の給電部の間隔を狭く設定すると、発熱体の両端が近接する状態になる。他方、発熱体は温度が上昇すると、熱膨張によって伸びる。また、発熱体は長期間使用されることによっても伸びる傾向がある。そして、発熱体が伸びると、発熱体の両端の間隔が狭くなるために、発熱体の一対の給電部の間隔が狭くなり、終には接触することにより、電気的に短絡したり、温度が高い場合には互いに溶着したりしてしまう。本発明の目的は、発熱体の短絡や溶着を防止し発熱体の寿命を延長することができる発熱体の保持構造体を提供することにある。本発明の第二の目的は、発熱体の短絡や溶着を防止し発熱体の寿命を延長することができる絶縁構造体を提供することにある。本発明の第三の目的は、発熱体の短絡や溶着を防止し発熱体の寿命を延長することができる加熱装置を提供することにある。本発明の第四の目的は、発熱体の短絡や溶着を防止し発熱体の寿命を延長することができる基板処理装置を提供することにある。前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。1基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部間に設置された際に、前記一対の給電部間から前記円筒部の円周面上を越える位置にまで達して前記一対の給電部間を隔離する隔壁部を有する絶縁構造体。2基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように、前記断熱壁体の外側に設けられた絶縁構造体。3前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する前記2の絶縁構造体。4基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部が前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように、前記断熱壁体の内側または外側に設けられた絶縁構造体であって、前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する絶縁構造体。5前記1~4いずれかの絶縁構造体を有する加熱装置。6前記5の加熱装置を有する基板処理装置。前記した手段によれば、発熱体が熱膨張した場合であっても、一対の給電部が接触するのを防止することができるので、発熱体の短絡や溶着を未然に防止することができる。以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。本実施の形態において、本発明に係る発熱体の保持構造体は、本発明に係る基板処理装置の一実施の形態であるCVD装置バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に設置された本発明に係る加熱装置の一実施の形態であるヒータユニットに使用されている。本発明の基板処理装置の一実施の形態であるCVD装置は、図1に示されているように、垂直に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11はアウタチューブ12とインナチューブ13とから構成されている。アウタチューブ12は石英SiO2が使用されて円筒形状に一体成形されており、インナチューブ13は石英SiO2もしくは炭化シリコンSiCが使用されて円筒形状に一体成形されている。アウタチューブ12は内径がインナチューブ13の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ13にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ13は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ13の筒中空部はボート22によって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ13の下端開口はウエハを出し入れするための炉口15を構成している。アウタチューブ12とインナチューブ13との間の下端部は、円形リング形状に形成されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16はインナチューブ13およびアウタチューブ12についての交換等のためにインナチューブ13およびアウタチューブ12にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド16がCVD装置のヒータベース19に支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド16の側壁の上部には排気管17が接続されており、排気管17は排気装置図示せずに接続されて処理室14を所定の真空度に真空排気し得るように構成されている。排気管17はアウタチューブ12とインナチューブ13との間に形成された隙間に連通した状態になっており、アウタチューブ12とインナチューブ13との隙間によって排気路18が構成されている。排気路18は、横断面形状が一定幅の円形リング形状になっている。排気管17がマニホールド16に接続されているため、排気管17は円筒形状の中空体を形成されて垂直方向に長く形成された排気路18の最下端部に配置された状態になっている。マニホールド16には下端開口を閉塞するシールキャップ20が、垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ20はアウタチューブ12の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ11の外部に設備されたボートエレベータ21一部のみが図示されている。によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ20の中心線上には、被処理基板としてのウエハ1を保持するためのボート22が垂直に立脚されて支持されている。ボート22は複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。シールキャップ20にはガス導入管23がインナチューブ13の炉口15に連通するように接続されており、ガス導入管23には原料ガス供給装置およびキャリアガス供給装置いずれも図示せずに接続されている。ガス導入管23から炉口15に導入されたガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路18を通って排気管17から排気される。アウタチューブ12の外部には、プロセスチューブ11の内部を加熱する本実施の形態に係る加熱装置であるヒータユニット30がアウタチューブ12の周囲を包囲するように同心円に設備されている。ヒータユニット30はステンレス鋼SUSが使用されて上端閉塞で下端開口の円筒形状に形成されたケース31を備えており、ケース31の内径および全長はアウタチューブ12の外径および全長よりも大きく設定されている。ケース31の内部には、アウタチューブ12の外径よりも大きい円筒形状の断熱壁体33が、アウタチューブ12と同心円に設置されている。断熱壁体33とケース31の内周面との間の隙間32は、空冷のための空間である。断熱壁体33はケース31の内径より小さい外径を有する円盤形状の天井壁部34と、アウタチューブ12の外径よりも大きい内径およびケース31の内径よりも小さい外径を有する円筒形状の側壁部35とを備えている。天井壁部34は側壁部35の上端の開口を閉塞するように被せられており、天井壁部34の上端面はケース31の天井壁の下面に接するように設けられている。なお、天井壁部34およびケース31の天井壁を貫通する排気口を設け、断熱壁体33とアウタチューブ12との間の雰囲気を強制空冷させるよう構成してもよい。側壁部35の外径がケース31の内径よりも小さく設定されていることにより、側壁部35とケース31との間には空冷空間としての隙間32が形成されている。なお、隙間32と断熱壁体33とアウタチューブ12との間の空間を貫通させるように断熱壁体33の側壁部35に貫通孔を設け、断熱壁体33とアウタチューブ12との間の雰囲気を強制空冷させるよう構成してもよい。そして、断熱壁体33の側壁部35は断熱ブロック36が複数個、垂直方向に積み重ねられることで一つの筒体として構築されている。図1および図2に示されているように、断熱ブロック36は短尺の円筒形状であるドーナツ形状の本体37を備えており、本体37は繊維状または球状のアルミナやシリカ等の絶縁材insulatingmaterialとしても機能する断熱材が使用されて、バキュームフォーム法の成形型によって一体成形されている。なお、断熱ブロック36および本体37は円筒形状の円周方向に複数個に分割、例えば円筒形状を所定の角度にて複数個に分割した状態で成形し、その後、円筒形状に組み立てるようにしてもよい。こうすると、断熱ブロック36にも遊び動き易さが形成されるために、断熱ブロック36へ応力が加わったとしても割れ難くなる。好ましくは、四分割とするとサイズ的にもよい。本体37の下端部には、結合雄部凸部38が本体37の内周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。本体37の上端部には、結合雌部凹部39が本体37の外周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。また、本体37の上端の内周側には、内側方向に突き出た突出部37aが形成されている。隣り合う上下の断熱ブロック36の突出部37aの間に、発熱体を取り付けるための取付溝凹部40が側壁部35の内周面を円形リング状に切り欠かれた状態となるように、一定深さ一定高さに形成されている。取付溝40はそれぞれの断熱ブロック36に対し一つずつ形成されており、一つの閉じた円形状となっている。取付溝40の内周面には、図3bに示されているように、発熱体を位置決め保持するための鎹かすがい形状の保持具41が複数個、周方向に略等間隔に取り付けられている。発熱体42にはFe-Cr-Al合金やMOSi2およびSiC等の抵抗発熱材料が使用される。発熱体42は、図3aに示されているように、波形の平板形状をしている。また、上側波部42aと上側隙間43aおよび下側波部42bと下側隙間43bがそれぞれ交互に形成されている。これらはプレス加工やレーザ切断加工等によって一体成形される。発熱体42は断熱ブロック36の内周に沿って、円形リング形状に設けられている。発熱体42が形成する円形リング形状の外径は、断熱ブロック36の取付溝40の内径内周面の直径よりも若干だけ小径である。以上述べたように、円形リング形状をした発熱体42の円筒部51が形成される。図1~図3に示されているように、発熱体42の円筒部51は断熱ブロック36の取付溝40毎に設けられている。その上下段には隣り合う他の発熱体42の円筒部51が隔離されて設けられている。図3abに示されているように、複数個の保持具41、41が上側隙間43aの下端から下側隙間43bの上端に跨がるように配置され、断熱ブロック36に挿入される。このようにして、取付溝40の内周面から離間された状態で発熱体42は保持されている。図2および図3に示されているように、発熱体42の円筒部51の両端部44、44には一対の給電部45、46が、円形リング形状の円周方向と直角であって半径方向外向きにそれぞれ屈曲されて形成されている。一対の給電部45、46の先端部には一対の接続部47、48が互いに逆方向となるように、給電部45、46と直角にそれぞれ屈曲されて形成されている。一対の給電部45、46における発熱量の低下を抑制するために、一対の給電部45、46の間隔は小さく設定されている。好ましくは、一対の給電部45、46が円形リング形状の円周方向から半径方向外向きの直角にそれぞれ屈曲される箇所は、発熱体42の上側波部42aの最上部付近もしくは下側波部42bの最下部付近とするとよい。こうすることにより、発熱体42を一対の給電部45、46にさらに隙間なく敷き詰めることができる。一対の給電部45、46の位置に対応する円筒形状の断熱ブロック36には、一対の挿通溝49、50がそれぞれ形成されている。両挿通溝49、50は取付溝40側から円筒形状の径方向に本体37の外周側にかけて達するように形成される。両給電部45、46の両挿通溝49、50にそれぞれ挿通されている。なお、挿通溝49、50は両給電部45、46が挿通される前は、両挿通溝49、50の間をも含め、両挿通溝49、50が一つの挿通溝となるように形成しておき、両給電部45、46を挿通後に、両給電部45、46間に繊維状または球状のアルミナやシリカ等の絶縁材としても機能する断熱材を埋めることで、断熱壁体33および挿通溝49、50を形成してもよい。本体37の外周面における両挿通溝49、50の部分には、絶縁構造体の一例である外側絶縁部材としての碍子以下、外側碍子という。52が設けられている。外側碍子52は絶縁構造体の一例であり、アルミナやシリカ等の耐熱性を有する絶縁材としてのセラミックが使用されて、焼結法等の適当な製法により、断熱ブロック36よりも硬度、曲げ強度および密度を高くすることができる。例えば、外側碍子52は断熱ブロック36よりアルミナ成分の含有率を高くすることで硬度、曲げ強度、密度を高くすることができる。図4aに示されているように、外側碍子52は略正方形であって、断熱ブロック36の外周面の曲面に対応するような若干の曲面R1を持つ平盤形状に一体成形されており、本体37の外周面に固定されている。外側碍子52は、少なくとも断熱ブロック36と同等以上の硬度、同等以上の曲げ強度および同等以上の密度を備えている。なお、好ましくは、外側碍子52の硬度を、断熱ブロック36の硬度よりも高くすると、効果的に発熱体42の暴れを抑止することができる。また、好ましくは、外側碍子52の曲げ強度および/または密度を断熱ブロック36の曲げ強度および/または密度よりも高くすると、効果的に発熱体42の暴れを抑止することができる。外側碍子52の上部には、一対の給電部を挿通するための挿通部としての一対の保持溝53、54がそれぞれ形成されている。両保持溝53、54の位置は、両挿通溝49、50の位置に対応させ、略同位置となるようにしている。両保持溝53、54には両挿通溝49、50に挿通された両給電部45、46がそれぞれ挿通されて保持されている。好ましくは、図4aに示されているように、保持溝53、54は外側碍子52の最上部に至るまで切欠くように形成するとよい。一対の給電部を設置した後に、外側碍子52を取付けたり、交換することが可能となるからである。但し、保持溝53、54は外側碍子52の最上部まで切欠かずに孔形状で形成することもできる。外側碍子52の両保持溝53、54は、発熱体42の給電部45、46を保持することにより、発熱体42の暴れを抑えることができる。両保持溝53、54の間隔は本体37の両挿通溝49、50の間隔に対応させて、同じ間隔としている。ここで、発熱体42の暴れとは、発熱体42に給電することにより発熱体42が熱膨張を起こしたり、給電を止めることにより熱収縮を起こしたりして、本来配置されている位置からずれたり、移動したり、捩じれたりするように動く現象のことをいう。取付溝40の内周面における両挿通溝49、50に対応する部位には、絶縁構造体の一例である内側絶縁部材としての碍子以下、内側碍子という。55が当接されて固定されている。内側碍子55は絶縁構造体の一例であり、アルミナやシリカ等の耐熱性を有する絶縁材としてのセラミックが使用されて、焼結法等の適当な製法により、断熱ブロック36よりも硬度、曲げ強度および密度を高くすることができる。例えば、内側碍子55は断熱ブロック36よりアルミナの成分の含有率を高くすることで、硬度、曲げ強度、密度を高くすることができる。図4bに示されているように内側碍子55は略正方形であって、断熱ブロック36の取付溝40の内周面の曲面に対応するような若干の曲面R2を持つ平盤形状に一体成形されている。内側碍子55は、少なくとも断熱ブロック36と同等以上の硬度および同等以上の曲げ強度および同等以上の密度が備えられている。なお、好ましくは、内側碍子55の硬度を断熱ブロック36の硬度よりも高くすると、効果的に発熱体42の暴れを抑止することができる。また、好ましくは、内側碍子55の曲げ強度および/または密度を断熱ブロック36の曲げ強度および/または密度よりも高くすると、効果的に発熱体42の暴れを抑止することができる。内側碍子55の上部には、一対の給電部を挿通するための挿通部としての一対の保持溝56、57がそれぞれ形成されている。両保持溝56、57の位置は、両挿通溝49、50の位置に対応させ、略同位置となるようにしている。両保持溝56、57には両挿通溝49、50に挿通された両給電部45、46がそれぞれ挿通されて保持されている。好ましくは、図4bに示されているように、保持溝56、57は内側碍子55の最上部に至るまで切欠くように形成するとよい。一対の給電部45、46を設置した後に内側碍子55を取り付けたり、交換することが可能となるからである。但し、保持溝56、57は内側碍子55の最上部まで切欠かずに孔形状で形成することもできる。内側碍子55の両保持溝56、57は、発熱体42の給電部45、46を保持することにより発熱体42の暴れを抑えることができる。両保持溝56、57の間隔は本体37の挿通溝49、50に対応させ、同じ間隔としている。内側碍子55の内側端面断熱ブロック36と反対側の端面すなわち発熱体42の円筒部51側の端面には、両保持溝56、57の間に、発熱体42の一対の給電部45、46および円筒部51を隔てる隔壁部58が設けられている。隔壁部58は取付溝40の内周面に当接し固定した際に、少なくとも発熱体42の円筒部51の内周面上の位置まで設けられる厚さtになっている。好ましくは、図2に示されているように、隔壁部58は取付溝40の内周面に接するように設け固定した際に、発熱体42の円筒部51の内周面上を越えて円筒部51の内側まで設けられる厚さtとするとよい。このようにすることにより、効果的に発熱体42の一対の給電部45、46および円筒部51を隔てることができる。また、隔壁部58の高さhは、取付溝40の内周面に当接し固定した際に、少なくとも、発熱体42の板幅と同等以上の値ないし寸法hとされている。また、発熱体42の一対の給電部45、46を隔てるように一対の給電部45、46を同じ高さの位置に設置できるように、両保持溝56、57と同じ高さ位置に設けられている。好ましくは、隔壁部58の高さhは、図3aに示されるように、取付溝40の内周面に接するように設け固定した際に、発熱体42の円筒部51の上側波部42aの最上部の高さと下側波部42bの最下部の高さとの間の値h1より大きくするとよい。このようにすることにより、一対の給電部45、46および円筒部51を効果的に隔てることができる。隔壁部58は内側碍子55の内側端面から両側に曲部R3を形成させて設けられている。この曲部R3が設けられることにより、内側碍子55を成形し易くできるとともに、内側碍子55の強度が増し、発熱体42の円筒部51が膨張し、伸び、隔壁部58と接触しても内側碍子55が割れたりし難くなる。なお、曲部R3は曲面形状とするのみならず、平坦面から成るテーパ形状としてもよい。図2および図3に示されているように、上段側の発熱体42の一方の接続部以下、プラス側接続部という。47には給電端子61が溶接されており、他方の接続部以下、マイナス側接続部という。48には渡り線62の上端部が溶接されている。渡り線62の下端部は下段側の発熱体42のプラス側接続部47に接続されている。したがって、下段側の発熱体42のプラス側接続部47は上段側の発熱体42のマイナス側接続部48の真下付近に位置しており、その分だけ下段側の発熱体42の円筒部51の両端部44、44は上段側の発熱体42の円筒部51の両端部44、44よりも周方向にずれた状態になっている。渡り線62はこの渡り線62の表面からの放熱を小さく抑制するために、Fe-Cr-Al合金やMOSi2およびSiC等の抵抗発熱材料が使用されて、断面が円形の丸棒形状に形成されている。但し、渡り線の電流容量の都合によっては、渡り線62は断面が四角形の角棒形状に形成してもよい。図2および図5に示されているように、ヒータユニット30のケース31の外周面における給電端子61の設置場所に対応する位置には、両接続部47、48や渡り線62を被覆する端子ケース63が被せ付けられており、端子ケース63の内部にはガラスウール等の断熱材64が充填されている。端子ケース63には複数個の給電端子61が絶縁碍子65を介して挿入されている。次に、前記構成に係るCVD装置によるIC等の半導体装置の製造方法における成膜工程を簡単に説明する。図1に示されているように、複数枚のウエハ1がボート22に装填ウエハチャージされると、複数枚のウエハ1を保持したボート22は、ボートエレベータ21によって持ち上げられて処理室14に搬入ボートローディングされる。この状態で、シールキャップ20はマニホールド16の下端開口をシールした状態となる。プロセスチューブ11の内部が所定の圧力真空度となるように排気管17を介して真空排気される。また、プロセスチューブ11の内部が所定の温度となるようにヒータユニット30によって加熱される。この際、処理室14内が所定の温度分布となるように、温度センサ24が検出した温度情報に基づきヒータユニット30の発熱体42への通電具合がフィードバック制御される。続いて、ボート22が回転機構25によって回転されることにより、ウエハ1が回転される。次いで、所定の流量に制御された原料ガスが、処理室14内へガス導入管23を通じて導入される。導入された原料ガスは処理室14内を上昇し、インナーチューブ13の上端開口から排気路18に流出して排気管17から排気される。原料ガスは処理室14内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、この際に、熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積デポジションされる。予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源図示せずから不活性ガスが供給され、処理室14内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室14内の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ21によりシールキャップ20が下降されて、マニホールド16の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ1がボート22に保持された状態で、マニホールド16の下端からプロセスチューブ11の外部に搬出ボートアンローディングされる。その後に、処理済のウエハ1はボート22から取り出されるウエハディスチャージ。ところで、ヒータユニット30の発熱体42は温度が上昇すると、熱膨張によって伸びる。また、発熱体42は長期間使用されることによっても伸びる傾向がある。例えば、図6aに示されているように、発熱体42の一対の給電部45、46の間隔は狭く設定されているために、発熱体42が伸びると、一対の給電部45、46の間隔が狭くなり、終には接触することにより、電気的に短絡したり、温度が高い場合には互いに溶着してしまう可能性がある。特に、図3abに示すように、給電部付近では、挿通溝49、50や内側碍子55を設ける必要があるため、保持具41を発熱体42の円筒部51を保持するようにうまく配置できないため、発熱体42が円周方向に伸び易くなってしまうので、前述のような問題が起こり易い。また、保持具41が発熱体42の暴れによって、割れたり断熱ブロック36から抜けたり円筒部51の円周方向にずれたりしてしまうことがある。この場合も、一対の給電部45、46の間隔が狭くなり、終には接触することにより電気的に短絡したり温度が高い場合には、互いに溶着してしまう可能性がある。しかし、本実施の形態においては、一対の給電部45、46が外側碍子52および内側碍子55によって互いに絶縁された状態で保持されているとともに、内側碍子55において両給電部45、46の間および円筒部51より半径方向内側に隔壁部58が設けられているので、図6bに示されているように、発熱体42が伸びた場合であっても、一対の給電部45、46同士および円筒部51が接触するのを防止することができ、発熱体42の短絡や溶着を未然に防止することができる。前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。1発熱体の一対の給電部を外側碍子および内側碍子によって保持するとともに、内側碍子に両給電部および発熱体の円筒部の接触を阻止する隔壁部を設けることにより、発熱体が伸びた場合であっても、一対の給電部同士および発熱体の円筒部が接触するのを防止することができるので、発熱体の短絡や溶着を未然に防止することができる。2発熱体の短絡や溶着を未然に防止することにより、発熱体の寿命を延長することができる。3発熱体が伸びた時における発熱体の一対の給電部同士および円筒部の接触を防止することができるので、本発明を使用しない場合に比べ、一対の給電部を互いに接近させることができる。その結果、発熱体の無い給電部での温度低下を最小限度に抑制することができる。なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。例えば、隔壁部58を有する内側碍子55は、断熱壁体を構築する断熱ブロック36の本体37と一体的に成形してもよいし、一体型の断熱壁体33に一体的に成形してもよい。隔壁部58は内側碍子55に一体的に成形するに限らず、断熱壁体を構築する断熱ブロック36の本体37や一体型の断熱壁体33に設けてもよい。内側碍子55の保持溝56、57は上側にそれぞれ形成するに限らず、内側碍子55の下側にそれぞれ形成するようにしてもよい。同様に、外側碍子52の保持溝53、54においても上側にそれぞれ形成するに限らず、外側碍子52の下側にそれぞれ形成するようにしてもよい。つまり、隔壁部を有する本発明に係る絶縁構造体は、断熱壁体と別体の絶縁部材である碍子によって構成してもよいし、断熱壁体自体によって構成してもよい。本発明に係る発熱体の保持構造体は、CVD装置のヒータユニットに適用するに限らず、酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置のヒータユニット等の加熱装置全般に適用することができる。さらに、本発明に係る加熱装置は、CVD装置に適用するに限らず、酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。本発明の好ましい態様を付記する。1基板処理装置に用いられる発熱体の保持構造体であって、円筒形状に形成された断熱壁体と、該断熱壁体の内周側に沿って円筒状に設けられた円筒部と、該円筒部の端部に前記断熱壁体を貫通するように設けられた一対の給電部とを有する発熱体と、少なくとも一部が前記一対の給電部間に設けられるとともに、他の一部が前記円筒部の内周面を超えて円筒部の内側にまで達するように設けられた碍子とを有する発熱体の保持構造体。2基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部間から前記円筒部の円周面上の位置を越えて前記円筒部の内側にまで達して前記一対の給電部間を隔離する隔壁部を有する絶縁構造体。3基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部間から前記円筒部の円周面上の位置にまで達して前記一対の給電部間を隔離する隔壁部を有する絶縁構造体。4前記発熱体の一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられており、前記断熱壁体とは別体の2つの絶縁部材を有する前記2の絶縁構造体。5前記発熱体の一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられており、前記断熱壁体とは別体の2つの絶縁部材を有する前記3の絶縁構造体。6前記発熱体の一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられており、前記断熱壁体とは別体で前記断熱壁体の外側に設けられた外側絶縁部材を有する前記23の絶縁構造体。7前記発熱体の一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられており、前記隔壁部を有し、前記断熱壁体とは別体で前記断熱壁体の内側に設けられた内側絶縁部材を有する前記23の絶縁構造体。8前記断熱壁体の内側に設けられた内側絶縁部材と、前記断熱壁体の外側に設けられた外側絶縁部材とを有する前記45の絶縁構造体。9前記絶縁部材が、前記断熱壁体よりも高い硬度を有する前記4567または8の絶縁構造体。10前記絶縁部材が、前記断熱壁体よりも高い曲げ強度を有する前記45678または9の絶縁構造体。11基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部間を隔離するための絶縁構造体であって、前記一対の給電部が、前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように、前記断熱壁体の外側に設けられた絶縁構造体。12前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する前記11の絶縁構造体。13基板処理装置に用いられる加熱装置の発熱体が、円筒形状の円筒部と該円筒部の端部に設けられた一対の給電部とを有しており、前記一対の給電部が前記円筒部の外周側に形成された断熱壁体を貫通するように設けられている給電部において、前記一対の給電部間を隔離するように前記断熱壁体の内側または外側に設けられた絶縁構造体であって、前記断熱壁体よりも高い硬度または曲げ強度または密度を有する絶縁構造体。14前記一対の給電部を保持するための一対の保持溝が設けられている前記2~13のいずれかの絶縁構造体。15前記保持溝が前記絶縁構造体の最上部または最下部に至るまで切欠くように形成された前記14の絶縁構造体。16前記2~15いずれかの絶縁構造体を有する加熱装置。17前記16の加熱装置を有する基板処理装置。18前記発熱体が、前記一対の給電部に接続され、前記断熱壁体の外側に設けられる一対の接続部を有する前記1の発熱体の保持構造体。19前記発熱体が、前記一対の給電部に接続される一対の接続部を有する前記2または3の絶縁構造体。20前記発熱体が、前記一対の給電部にそれぞれ接続され、前記断熱壁体の外側に設けられる一対の接続部を有する前記4~13の絶縁構造体。21前記19または20の絶縁構造体を有する加熱装置。22前記21の加熱装置を有する基板処理装置。