"リング変調器と、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に設けられ、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材と、を有することを特徴とする光半導体素子。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の外側に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の内側に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の上方に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の下方に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。前記リング導波路を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。前記リング導波路のリング共振波長と共振光の吸収に伴う発熱の量との第1の関係と、前記リング導波路の発熱の量とそれに伴って変化するリング共振波長との第2の関係とを比較したときに、前記第1の関係の極大を与えるリング共振波長において、前記第1の関係における発熱の量が、前記第2の関係における発熱の量よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。互いに周回光路長が相違する複数のリング変調器と、前記リング変調器毎に、当該リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に設けられ、当該リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材と、を有することを特徴とする光半導体素子。リング変調器と、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に設けられ、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材と、を有する光半導体素子に対し、ヒータを用いて前記リング変調器の温度を所定の温度超まで加熱する工程と、前記リング変調器への被変調光の入射を開始する工程と、次いで、前記ヒータを用いた加熱を終了する工程と、を有し、前記リング導波路のリング共振波長と共振光の吸収に伴う発熱の量との第1の関係と、前記リング導波路の発熱の量とそれに伴って変化するリング共振波長との第2の関係とを比較したときに、前記第1の関係の極大を与えるリング共振波長において、前記第1の関係における発熱の量が、前記第2の関係における発熱の量よりも大きく、前記所定の温度は、前記第1の関係を示すグラフと前記第2の関係を示すグラフとの交点のうちで、前記第1の関係の極大を与えるリング共振波長より短波長側の直近のものに該当する温度であることを特徴とする光半導体素子の制御方法。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の外側に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の光半導体素子の制御方法。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の内側に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の光半導体素子の制御方法。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の上方に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の光半導体素子の制御方法。前記光吸収材の少なくとも一部は、前記リング導波路の下方に設けられていることを特徴とする請求項9に記載の光半導体素子の制御方法。リング変調器を形成する工程と、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材を形成する工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。前記光吸収材の少なくとも一部を、前記リング導波路の外側に形成することを特徴とする請求項14に記載の光半導体素子の製造方法。前記光吸収材の少なくとも一部を、前記リング導波路の内側に形成することを特徴とする請求項14に記載の光半導体素子の製造方法。前記光吸収材の少なくとも一部を、前記リング導波路の上方に形成することを特徴とする請求項14に記載の光半導体素子の製造方法。前記光吸収材の少なくとも一部を、前記リング導波路の下方に形成することを特徴とする請求項14に記載の光半導体素子の製造方法。本発明は、リング変調器のリング共振波長を安定して制御することができる光半導体素子、その制御方法及びその製造方法を提供することを目的とする。光半導体素子の一態様には、リング変調器と、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に設けられ、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材と、が設けられている。光半導体素子の制御方法の一態様では、リング変調器と、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に設けられ、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材と、を有する光半導体素子に対し、ヒータを用いて前記リング変調器の温度を所定の温度以上に加熱し、前記リング変調器への被変調光の入射を開始する。次いで、前記ヒータを用いた加熱を終了する。前記リング導波路のリング共振波長と共振光の吸収に伴う発熱の量との第1の関係と、前記リング導波路の発熱の量とそれに伴って変化するリング共振波長との第2の関係とを比較したときに、前記第1の関係の極大を与えるリング共振波長において、前記第1の関係における発熱の量が、前記第2の関係における発熱の量よりも大きい。また、前記所定の温度は、前記第1の関係を示すグラフと前記第2の関係を示すグラフとの交点のうちで、前記第1の関係の極大を与えるリング共振波長より短波長側の直近のものに該当する温度である。光半導体素子の製造方法の一態様では、リング変調器を形成し、前記リング変調器を導波する被変調光の経路から離間した位置に、前記リング変調器のリング導波路から漏れた光を吸収し、前記リング導波路の温度を上昇させる光吸収材を形成する。上記の光半導体素子等によれば、光吸収材の作用により、リング共振波長を変調に適したものに安定して制御することができる。以下、実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。第1の実施形態先ず、第1の実施形態について説明する。図1Aは、リング変調器の一例を示す図である。このリング変調器には、2本の直線状の導波路1及び2と、その間に設けられたリング導波路3とが含まれている。更に、リング導波路3の外側に変調電極4が設けられ、リング導波路3の内側に変調電極5が設けられている。そして、導波路1の入力ポート6に入射されるCW光は、リング導波路3の周回光路長により決まるリング共振波長周回光路長の整数分の1と当該CW光の波長とが一致する場合に、導波路2の出力ポート8に導かれる。一方、リング共振波長と当該CW光の波長とが一致しない場合は、導波路1の出力ポート7に導かれる。また、リング導波路3に印加する変調電圧Vを変化させて、リング導波路3に屈折率変化を生じさせ、リング導波路3の周回光路長を変化させると、リング共振波長が変化する。従って、特定波長で見た場合の透過率が変化するため、これを光強度変調に利用することができる。例えば図1Bに示す波長を持つCW光を入射すると、出力ポート7への出力光のパワーは変調電圧Vが電圧Vlowのときに大きくなり、変調電圧Vが電圧Vhighのときに小さくなる。一方、出力ポート8への出力光のパワーは変調電圧Vが電圧Vlowのときに小さくなり、変調電圧Vが電圧Vhighのときに大きくなる。従って、変調電圧Vを電圧Vhigh及び電圧Vlowの間で変化させることにより、光強度変調がかかった信号を出力ポート7及び8から得ることができる。次に、入射光の損失について説明する。ここでは、図2Aに示すように、導波路2が設けられていないものとする。リング変調器では、入射光波長がリング共振波長近傍になると、入射光はリング導波路3内を周回し、その間に損失を受ける。このため、図2Bに示すように、出力ポートへの透過光のパワー11は、リング共振波長から離れている場合と比べて小さくなる。このときに受ける損失には2種類あり、一つはリング導波路3の側面荒れにより散乱されたり、リング曲面で曲がりきれず放射されたりすることによる損失である。つまり、リング導波路3から漏れた光のパワー13の分の損失である。もう一つは、リング導波路3の材料による光吸収がもたらす損失である。つまり、吸収された光のパワー12の分の損失である。この光のパワー12は熱エネルギに変換され、リング導波路3が発熱する。そこで、第1の実施形態には、リング導波路3から漏れた光を有効活用すべく、図3Aに示すように、リング変調器を導波する光の経路から離間した位置に、リング導波路3から漏れた光を吸収し、リング導波路3の温度を上昇させる光吸収材9が設けられている。光吸収材9は、光を吸収し、この光のパワー13を熱のパワー14に変換する。そして、リング導波路3の温度を上昇させる。この結果、図3Bに示すように、漏れた光のパワーの分の損失がほとんど消失し、吸収及び発熱に寄与するパワー12及び14の和が大きくなる。つまり、光吸収材9が設けられていない場合に失われていたエネルギの大半を占めている散乱光及び放射光を熱エネルギに変換し、リング導波路3の温度の上昇に寄与させることが可能になる。次に、リング導波路3の温度の上昇に伴う効果について説明する。一般的に、リング共振波長はリング導波路の温度上昇に伴う屈折率増大により長波長化する。従って、リング導波路の発熱量とリング共振波長との間には、図4Aに示すような関係がある。また、リング共振波長がCW光の波長に近づくと、CW光がリング導波路中を周回する回数が増大し、発熱量が増大する。従って、共振光の吸収に伴う発熱量とリング共振波長との間には、図4Bに示すような関係がある。このため、リング導波路の発熱量及びリング共振波長は、図4Aに示す関係及び図4Bに示す関係の双方が満たされる3つ交点21、22及び23のいずれかに安定化することになる。但し、3交点のうち交点22は不安定点である。例えば、交点22よりリング共振波長が長波長側にずれると、共振光の吸収による発熱量が増加し、更に長波長化するという正帰還がかかる。この結果、最終的に交点23に安定化する。また、交点22よりリング共振波長が短波長側にずれると、共振光の吸収による発熱量が減少し、更に短波長化するという正帰還がかかる。この結果、最終的に交点21に安定化する。また、交点22の周辺のみならず、広い波長範囲で見ても、図4C中の直線上の矢印が示すように、交点22を境に、これより長波長側にリング共振波長がある場合は交点23に安定化し、交点22より短波長側にある場合は交点21に安定化する。従って、図4Cに示すように、リング導波路のリング共振波長と共振光の吸収に伴う発熱の量との第1の関係と、リング導波路の発熱の量とそれに伴って変化するリング共振波長との第2の関係とを比較したときに、第1の関係の極大を与えるリング共振波長CW光波長において、第1の関係における発熱の量が、第2の関係における発熱の量よりも大きい場合には、次のような現象が生じる。すなわち、初期状態で図5Aに示す関係が成り立つリング変調器に対し、図5Bに示すように、ヒータを用いた加熱により強制的にリング共振波長を交点22より長波長側に設定した後、図5Cに示すように、加熱を終了すると、リング共振波長は交点23に安定化することになる。このように安定化させた後には、ヒータを動作させなくても、リング共振波長は交点23にロックされるため、ヒータの消費電力はゼロにできる。また、一度ロックすれば自動的にロックし続けるため、出射光の観察及びフィードバック制御等は不要である。なお、図5Bに示す例では、リング共振波長が交点23よりも長波長になるまで加熱を行っているが、交点22よりも長波長になるように加熱を行えばよい。すなわち、上記の第1の関係を示すグラフ図4Bと上記の第2の関係を示すグラフ図4Aとの交点21~23のうちで、第1の関係の極大を与えるリング共振波長CW光波長より短波長側の直近のもの交点22に該当する温度を超える温度まで加熱を行えばよい。このような安定点の波長は、CW光に対してオンオフの変調をかけるのに適した波長である。以下これに関して説明する。リング変調器では、図6に示すように、変調電圧Vを電圧Vlow及び電圧Vhighの間で変化させることによって、リング共振波長をシフトさせてCW光に変調をかける。また、共振光の吸収による発熱量は、図7Aに示すように、変調電圧Vに応じて変化する。変調をかけた際のリング共振波長は時間的に変化しているため一意に決まらないが、便宜上、図7Aでは、変調電圧Vが電圧Vlowのときのリング共振波長と定義している。図7Aに示すように、変調電圧Vが電圧Vlowのときと変調電圧Vが電圧Vhighのときとで、共振光の吸収による発熱量を示す曲線が変化する。また、リング導波路の温度変化は、変調電圧Vの切り替えに比べて低速である。このため、マーク率が50であれば、これらの2曲線の時間平均が共振光吸収に伴う発熱量を示す曲線31となる。このように変調をかけた場合であっても、図5A~図5Cに示す関係と同様に、図7Bに示すように、交点22より長波長側にリング共振波長をヒータでシフトさせた後に加熱を終了することにより、交点23に安定化させることができる。このとき、CW光波長は透過スペクトルに対して図8に示す位置にあり、電圧Vlowの透過率と電圧Vhighの透過率との間で変調をかけることが可能な波長にリング共振波長がロックされる。なお、信号がない状態バーストオフ状態と信号のある状態バーストオン状態とが混在するバースト信号に対してもリング共振波長を被変調光にロックさせ続けることが可能である。すなわち、図9に示すように、変調電圧Vが常に電圧Vlowである状態バーストオフ状態と、変調電圧Vが電圧Vlow及び電圧Vhighでランダムに切り替わる状態バーストオン状態とが混在するバースト信号に対してもリング共振波長を被変調光にロックさせ続けることが可能である。図9には、バーストオン状態のマーク率が50の場合を示している。バーストオフ状態での曲線33と直線32との交点は、バーストオン状態での曲線31と直線32との交点22、23とは異なる。そこで、ここでは、交点22、23に相当するバーストオフ状態の交点を22 ́、23 ́と記述する。バーストオン状態で交点23にリング共振波長がロックされた状態のときに、バーストオフ状態に切り替わると、交点23は安定状態でなくなる。但し、交点23 ́は交点22 ́より長波長側に位置するため、最終的に交点23 ́に安定化する。また、交点23 ́に安定した状態でバーストオン状態に切り替わると、同様に交点23 ́は安定状態でなくなるが、交点22より長波長側に位置するため、交点23に安定化する。このように、バーストオン状態とバーストオフ状態とが切り替わった場合には、リング共振波長は交点23と交点23 ́との間で遷移する。そして、このような遷移が生じても、ロックが外れることはなく、バーストオン状態になれば交点23に戻ることが可能である。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。図10Aは、第2の実施形態に係る光半導体素子のレイアウトを示す図であり、図10Bは、図10A中のI-II線に沿った断面図であり、図10Cは、図10A中のIII-II線に沿った断面図である。第2の実施形態では、図10B及び図10Cに示すように、Si基板101上にSiO2膜102が形成されている。そして、図10A~図10Cに示すように、SiO2膜102上に、リング状のn層105n、n-層104n、p-層104p及びp層105pがこの順で内側から配列して形成されている。n層105n、n-層104n、p-層104p及びp層105pには、例えば、不純物がドーピングされたSiが用いられる。また、n層105n、n-層104n、p-層104p及びp層105pを覆うSiO2膜106がSiO2膜102上に形成され、SiO2膜106上でn-層104n及びp-層104pの上方にリング状のヒータ107が形成されている。SiO2膜106はクラッド層として機能する。更に、ヒータ107を覆うSiO2膜108がSiO2膜106上に形成されている。SiO2膜108及びSiO2膜106に、n層105nまで達する孔及びp層105pまで達する孔が形成されており、SiO2膜108上に、n層105nまで達する孔を介してn層105nに接続された変調電極110n、及びp層105pまで達する孔を介してp層105pに接続された変調電極110pが形成されている。そして、変調電極110n及び110pを覆うSiO2膜111がSiO2膜108上に形成されている。このようにして、リング導波路が構成されている。なお、図10Aでは、SiO2膜102、106、108及び111をまとめてSiO2膜125と表している。また、リング導波路の近傍に、リング導波路との間で光が行き来する直線状の導波路121が形成されている。そして、リング導波路の周囲に、リング導波路と導波路121との間の光の経路から離間して、略リング状の光吸収材114aが設けられている。光吸収材114aはSi基板101の表面よりも低い位置からSiO2膜111の表面まで達するようにして形成されている。また、光吸収材114aの周囲に溝115が形成されており、導波路121のリング導波路とは反対側に溝122が形成されている。更に、ヒータ107に電流を流す2個の電極124が設けられている。2個の電極124間に所定の電圧が印加されることにより、ヒータ107に電流が流れ、ジュール熱が発生する。ヒータ107には、例えば、Tiが用いられる。ヒータ107に、W、Pt、又はドーピングを行ったSiが用いられてもよい。安定した高抵抗膜を形成できる材料であれば、これらに限定されるのもではない。また、それぞれが変調電極110n、110pに接続される2個の電極123も設けられている。光吸収材114aには、例えば、入射光波長を吸収する色素を含有する紫外線UV硬化ポリマー又は熱硬化ポリマーが用いられる。光吸収材114aに、単結晶、多結晶又はアモルファスのSi若しくはGeが用いられてもよく、これらに高濃度のドーピングを行って光吸収を強めたものが用いられてもよい。被変調光波長に強い吸収能を持つ材料であれば、これらに限定されるものではない。このように構成された光半導体素子では、リング導波路のn-層104n及びp-層104p間のpn接合の空乏領域の大きさが変調電圧Vに応じて変化し、この変化に伴って導波モード130の屈折率の変調が実現される。また、リング導波路から光131が漏れるが、その一部が光吸収材114aに吸収され、光を吸収した光吸収材114aにおいて発熱132が生じ、リング導波路の温度を上昇させる。従って、変調動作を開始する前にヒータ107によってリング導波路を加熱してリング共振波長を第1の実施形態における交点22と同様の波長よりも高くし、その後にヒータ107による加熱を終了すれば、リング共振波長をロックすることができる。このため、安定した制御を実現することができる。また、ヒータ107を動作させ続ける必要がないため、消費電力を低く抑えることができる。更に、溝115及び122が形成されているため、溝115及び122の外側との熱抵抗が増大しており、熱の損失を低減することができる。このため、ヒータ107による温度上昇、及び光吸収による温度上昇を効果的にリング導波路の温度上昇に利用することができる。第3の実施形態次に、第3の実施形態について説明する。図11Aは、第3の実施形態に係る光半導体素子のレイアウトを示す図であり、図11Bは、図11A中のI-II線に沿った断面図であり、図11Cは、図11A中のIII-II線に沿った断面図である。第3の実施形態では、図11A~図11Cに示すように、n層105nの内側にリング状の光吸収材114bが設けられており、その内側にも溝115が設けられている。他の構成は第2の実施形態と同様である。このような第3の実施形態では、光吸収材114bにおいても光131の吸収及び発熱132が生じる。このため、第2の実施形態よりも高効率で熱を利用することができる。なお、光吸収材114bが設けられていれば、光吸収材114aが設けられていなくともよい。第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明する。図12Aは、第4の実施形態に係る光半導体素子のレイアウトを示す図であり、図12Bは、図12A中のI-II線に沿った断面図であり、図12Cは、図12A中のIII-II線に沿った断面図である。第4の実施形態では、図12A~図12Cに示すように、リング状の光吸収材114cが光吸収材114a及び114bを繋ぐようにしてSiO2膜111上に形成されている。従って、リング導波路のほぼ全体が光吸収材114cにより上方から覆われている。他の構成は第3の実施形態と同様である。このような第4の実施形態では、光吸収材114cにおいても光131の吸収及び発熱132が生じる。このため、第3の実施形態よりも更に高効率で熱を利用することができる。なお、光吸収材114cが設けられていれば、光吸収材114a及び114bの一方又は両方が設けられていなくともよい。第5の実施形態次に、第5の実施形態について説明する。図13Aは、第5の実施形態に係る光半導体素子のレイアウトを示す図であり、図13Bは、図13A中のI-II線に沿った断面図であり、図13Cは、図13A中のIII-II線に沿った断面図である。第5の実施形態では、図13A~図13Cに示すように、リング状の光吸収材114dが光吸収材114a及び114bを繋ぐようにしてSiO2膜102下に形成されている。従って、リング導波路のほぼ全体が光吸収材114dにより下方から覆われている。また、光吸収材114d下には空洞部116が存在する。他の構成は第4の実施形態と同様である。このような第5の実施形態では、光吸収材114dにおいても光131の吸収及び発熱132が生じる。そして、第5の実施形態では、光吸収材114a、114b、114c及び114dにより、リング導波路のほぼ全体が四方から取り囲まれている。このため、第4の実施形態よりも更に高効率で熱を利用することができ、熱の損失がほとんど生じない。更に、空洞部116の存在も熱の損失の低減に大きく寄与する。なお、光吸収材114dが設けられていれば、光吸収材114a、114b及び114cの一部又は全体が設けられていなくともよい。第6の実施形態次に、第6の実施形態について説明する。第6の実施形態は、第1~第5の実施形態に係る光半導体素子の制御方法に関する。図14Aは、第6の実施形態に係る光半導体素子の制御方法の例を示すフローチャートであり、図14Bは、他の例を示すフローチャートである。図14Aに示す制御方法では、初期状態ステップS11からヒータ107を動作させるステップS12。次いで、多波長光源も動作させステップS13、その後に、ヒータ107への電圧の印加を終了してヒータ107の動作を終了させるステップS14。そして、変調動作を開始するステップS15。図14Bに示す制御方法では、初期状態ステップS21から多波長光源を動作させるステップS22。次いで、ヒータ107も動作させステップS23、その後に、ヒータ107への電圧の印加を終了してヒータ107の動作を終了させるステップS24。そして、変調動作を開始するステップS25。このような制御を行うことにより、いずれの例によってもリング共振波長をロックすることができる。なお、初期状態でのリング共振波長は被変調光波長より短波長になるように設定する。つまり、初期状態でのリング共振波長は作製精度及び温度によりばらつくため、これを考慮して最も長波長側にばらついた場合においても被変調光波長より短波長になるように設定する。また、動作時のヒータ107の電圧Vheater,onは、初期状態でのリング共振波長が最も短波長側にばらついた場合においても、ヒータ107の動作時に被変調光波長よりも長波長になるように設定する。第7の実施形態次に、第7の実施形態について説明する。第7の実施形態は、第5の実施形態と同様の光半導体素子を製造する方法に関する。図15A~図15Pは、第7の実施形態に係る光半導体素子の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず、図15Aに示すように、Si基板201上にSiO2膜202を形成し、その上にSi膜203を形成する。次いで、図15Bに示すように、n層を形成する予定の領域及びp層を形成する予定の領域の周囲においてSi膜203をエッチングすることにより、Si膜203にメサ部203aを形成する。その後、n層を形成する予定の領域及びn-層を形成する予定の領域にn型不純物を低濃度でドーピングしてn-層204nを形成し、p層を形成する予定の領域及びp-層を形成する予定の領域にp型不純物を低濃度でドーピングしてp-層204pを形成する。n-層204n、p-層204pはどちらを先に形成してもよい。続いて、図15Dに示すように、n層を形成する予定の領域にn型不純物を更にドーピングしてn層205nを形成し、p層を形成する予定の領域に更にp型不純物をドーピングしてp層205pを形成する。n層205n、p層205pはどちらを先に形成してもよい。次いで、図15Eに示すように、n層205nの一部及びp層205pの一部をエッチングして、リング導波路を構成する領域のみにn層205n及びp層205pを残存させる。その後、図15Fに示すように、n層205n、n-層204n、p-層204p及びp層205pを覆うSiO2膜206をSiO2膜202上に形成する。SiO2膜206はクラッド層として機能する。続いて、図15Gに示すように、SiO2膜206上でn-層204n及びp-層204pの上方の位置にリング状のヒータ207を形成する。次いで、図15Hに示すように、ヒータ207を覆うSiO2膜208をSiO2膜206上に形成する。その後、図15Iに示すように、SiO2膜208及びSiO2膜206に、n層205nまで達する孔209n及びp層205pまで達する孔209pを形成する。続いて、図15Jに示すように、SiO2膜208上に、孔209nを介してn層205nに接続される変調電極210n、及び孔209pを介してp層205pに接続される変調電極210pを形成する。次いで、図15Kに示すように、変調電極210n及び変調電極210pを覆うSiO2膜211をSiO2膜208上に形成する。その後、図15Lに示すように、光吸収材を形成する予定の領域、つまりリング導波路の内側及び外側に溝212を形成する。溝212の深さは、例えばSi基板201の内部まで達する程度とする。続いて、図15Mに示すように、溝212を介してSi基板201の表層部を等方的にエッチングすることにより、溝212同士を繋ぐ空洞部213を形成する。次いで、図15Nに示すように、空洞部213内及び溝212内に光吸収材214を形成する。このとき、光吸収材214は、SiO2膜211上においても溝212同士を繋ぐように形成する。その後、図15Oに示すように、光吸収材214の両脇に溝215を形成する。このとき、溝215の底面の位置は、光吸収材214の底面よりも深くする。続いて、図15Pに示すように、溝215を介してSi基板201の表層部を等方的にエッチングすることにより、溝215同士を繋ぐ空洞部216を形成する。このようにして、第5の実施形態と同様の光半導体素子を製造することができる。なお、第4の実施形態と同様の光半導体素子を製造する場合には、空洞部213の形成を省略して光吸収材214がリング導波路の下方まで入り込まないようにし、更に、溝215及び空洞部216の形成を省略すればよい。第3の実施形態と同様の光半導体素子を製造する場合には、更に、光吸収材214がSiO2膜211上に形成されないようにすればよい。例えば、マスクを形成しておけばよい。第2の実施形態と同様の光半導体素子を製造する場合には、更に、リング導波路の内側の溝212の形成を省略し、溝212をリング導波路の外側にのみ形成すればよい。第8の実施形態次に、第8の実施形態について説明する。図16Aは、第8の実施形態に係る光半導体素子の構造を示す図である。第8の実施形態では、図16Aに示すように、導波路1に沿って第5の実施形態と同様のN個のリング変調器411~41Nが設けられている。つまり、N個のリング変調器411~41Nが縦列接続されている。リング変調器411~41Nのリング周回光路長は互いに異なっており、図16Bに示すように、リング変調器411~41Nの初期状態の各リング共振波長はλ1 ́、λ2 ́、...、λN ́である。また、導波路1の入力部には多波長光源42が接続されており、多波長光源42から導波路1に、N種の発振波長λ1、λ2、...、λNを持つ多波長光が入力される。ここで、図16Bに示すように、発振波長λ1、λ2、...、λNは、それぞれ初期状態におけるリング共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́より長波長となっている。また、発振波長λ1、λ2、...、λN、及びリング共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́は、リング変調器411~41Nの各ヒータを動作させたときに、リング共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́が発振波長λ1、λ2、...、λNより長波長になるように設定されている。このような第8の実施形態に対し、第6の実施形態と同様に、各ヒータを動作させると、図16Bに示すように、リング共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́が、発振波長λ1、λ2、...、λNより長波長になる。この状態で、第6の実施形態と同様に、各ヒータの動作を終了させると、図16Bに示すように、共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́が、それぞれ発振波長λ1、λ2、...、λNの変調に適した波長にロックされる。そして、この波長において、適切な変調をかけることが可能になる。なお、本実施形態では、リング変調器411~41Nの共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́が入力側光源側から出力側に向かって長波長になっているが、つまり、λ1 ́<λ2 ́<、...、<λN ́の関係が成り立っているが、共振波長λ1 ́、λ2 ́、...、λN ́の並びの順序はこれに限定されるものではなく、どのような順序でリング変調器411~41Nが配列していてもよい。また、本実施形態では、第5の実施形態と同様のリング変調器411~41Nが設けられているが、リング変調器411~41Nが第1~第4の実施形態と同様の構造を備えていてもよい。また、図16Bには、ヒータの動作時にリング共振波長が共振波長の1つのみを横切るような制御が図示されているが、2つ以上の共振波長を横切ってもよい。第9の実施形態次に、第9の実施形態について説明する。第9の実施形態は、光送受信器に関する。図17は、第9の実施形態に係る光半導体素子を示す図である。第9の実施形態に係る光送受信器51には、8種の発振波長λ1、λ2、...、λ8を持つ多波長光を発する多波長光源52が設けられており、多波長光源52に複数の導波路59が接続されている。導波路59毎に、8個のリング変調器を備えたリング変調器群50が設けられている。8個のリング変調器の初期状態のリング共振波長はλ1 ́、λ2 ́、...、λ8 ́である。更に、各リング変調器の変調を制御する変調器ドライバ53が設けられている。変調器ドライバ53は、例えば各リング変調器の変調電圧を制御する。そして、各導波路59に出力ポート57が設けられている。更に、光送受信器51には、複数の入力ポート58が設けられており、各入力ポート58に、例えば波長分割多重方式WDM:wavelengthdivisionmultiplexingの分波器56が接続されている。そして、分波器56から出力された光信号を受光するフォトダイオード55が設けられており、フォトダイオード55の出力を入力するTIAtranceimpedanceamplifier/LAlimitingamplifier54が設けられている。このような第9の実施形態では、リング変調器群50が第8の実施形態と同様の動作を行う。従って、共振波長λ1 ́~λ8 ́が、それぞれ発振波長λ1~λ8の変調に適した波長にロックされ、この波長において、適切な変調をかけることが可能である。なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。"