半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に配置された複数のリード部とを含むリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置された半導体素子と、リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、リードフレーム、半導体素子および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、各リード部は、封止樹脂部の外方に露出する外部端子を有し、各リード部の外部端子は、ダイパッドの周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置。各リード部の外部端子は、平面から見て複数の円周のうちいずれかの円周上に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。ダイパッドの裏面全体が、封止樹脂部の外方に露出することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。ダイパッドに、追加の外部端子を有する吊りリードが連結されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体装置。追加の外部端子は、封止樹脂部の角部側から各リード部の外部端子が配置された円周上まで延びていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。封止樹脂部は、直方体形状を有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部は、円柱形状を有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部のうちリードフレームの表面より上方に位置する部分の断面形状は、台形形状を有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の半導体装置各リード部の裏面において、封止樹脂部の外方に露出する露出面が封止樹脂部の周縁に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。ダイパッドは、表面側から薄肉化されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。少なくとも1つのリード部の上面に、他の半導体装置の裏面に接続可能な外部突出端子が形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項記載の半導体装置。半導体装置の製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含むリードフレームとを作製する工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を載置する工程と、リードフレームのリード部と半導体素子とを導電部により電気的に接続する工程と、リードフレーム、半導体素子および導電部を封止樹脂部により封止する工程とを備え、各リード部は、封止樹脂部の外方に露出する外部端子を有し、各リード部の外部端子は、ダイパッドの周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。また近年、例えばリードフレームタイプの小型の半導体装置QFN、SON、LGA等において、とりわけ半導体装置に熱ストレスが加わった際の実装信頼性を向上させることや半導体装置の薄型化が求められている。ところで一般に、半導体装置の熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数とは異なっている。したがって、例えば製造時に熱が加えられたり、または自動車等の高温環境下で使用されたときに、半導体装置に対して熱ストレスが加わる。この場合、半導体装置の熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数との相違により熱応力が生じ、この熱応力が特定の箇所に集中すると、その箇所から半導体装置が破損してしまうおそれがある。例えばQFNパッケージは、特許文献1に示すガルウイング端子をもつQFPパッケージと比べた場合、基板実装時の熱歪みを吸収する量が少ないため、実装信頼性が低くなってしまう。このためQFNパッケージにおいては、基板実装時の熱歪みにより、特にパッケージのコーナー部の外部端子に熱応力が集中しやすく、このことが実装信頼性を低下させる原因となっている。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に配置された複数のリード部とを含むリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置された半導体素子と、リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、リードフレーム、半導体素子および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、各リード部は、封止樹脂部の外方に露出する外部端子を有し、各リード部の外部端子は、ダイパッドの周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、各リード部の外部端子は、平面から見て複数の円周のうちいずれかの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、ダイパッドの裏面全体が、封止樹脂部の外方に露出することを特徴とする半導体装置である。本発明は、ダイパッドに、追加の外部端子を有する吊りリードが連結されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、追加の外部端子は、封止樹脂部の角部側から各リード部の外部端子が配置された円周上まで延びていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部は、直方体形状を有していることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部は、円柱形状を有していることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部のうちリードフレームの表面より上方に位置する部分の断面形状は、台形形状を有していることを特徴とする半導体装置である。本発明は、各リード部の裏面において、封止樹脂部の外方に露出する露出面が封止樹脂部の周縁に設けられていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、ダイパッドは、表面側から薄肉化されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、少なくとも1つのリード部の上面に、他の半導体装置の裏面に接続可能な外部突出端子が形成されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、半導体装置の製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含むリードフレームとを作製する工程と、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を載置する工程と、リードフレームのリード部と半導体素子とを導電部により電気的に接続する工程と、リードフレーム、半導体素子および導電部を封止樹脂部により封止する工程とを備え、各リード部は、封止樹脂部の外方に露出する外部端子を有し、各リード部の外部端子は、ダイパッドの周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、各リード部の外部端子は、ダイパッドの周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されている。このことにより、半導体装置と実装基板との熱膨張の相違により生じる熱応力は、各外部端子に設けられたはんだ部に対して均等に加わり、特定のはんだ部が破損することを防止することができる。この結果、半導体装置を実装する際、あるいは半導体装置を実装した後、半導体装置に熱が加わった場合における、半導体装置の信頼性を向上させることができる。以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図7を参照して説明する。半導体装置の構成まず、図1乃至図4により、本発明の一実施の形態による半導体装置の構成について説明する。図1乃至図4は、本発明の一実施の形態による半導体装置QFNパッケージを示す図である。図1乃至図4に示すように、半導体装置20は、ダイパッド15と、ダイパッド15の周囲に配置された複数のリード部16とを有するリードフレーム10を備えている。リードフレーム10のダイパッド15上には、半導体素子21が載置されている。リードフレーム10の各リード部16と、半導体素子21の各端子部21aとは、それぞれボンディングワイヤ導電部22によって電気的に接続されている。また、リードフレーム10、半導体素子21、およびボンディングワイヤ22は、封止樹脂部23によって樹脂封止されている。リードフレーム10は、全体として銅、銅合金、42合金Ni42のFe合金等の金属材料からなっている。リードフレーム10のダイパッド15およびリード部16は、上述した金属材料からなる1枚の金属基板を用いて、例えばエッチング加工により各々形成されたものである。ダイパッド15は、表面側から見て円形状となるとともに図3、裏面側から見ても円形状となっている図4。また、図2および図4に示すように、ダイパッド15の裏面15bは、その全体が封止樹脂部23の外方に露出している。一方、ダイパッド15の表面15aは、半導体素子21の載置面となっており、封止樹脂部23内に完全に覆われている。また、各リード部16は、ダイパッド15から外方へ向けて放射状に延びる帯形状を有しており、隣接するリード部16同士は互いに電気的に絶縁されている。各リード部16は、ボンディングワイヤ22が接続される内部端子17と、内部端子17の裏面側に設けられ、裏面外方へ露出する外部端子18とを有している。さらに、各リード部16は、封止樹脂部23の側面に露出する側面端子26を有している。図4に示すように、各外部端子18は、それぞれ平面長方形形状を有している。このほか、各外部端子18の形状としては、多角形、台形、円形、楕円形等であってもよい。さらに、複数の内部端子17は、平面から見て同一の円周上に配置され、複数の外部端子18は、平面から見て同一の円周上に配置されている。すなわち図3に示すように、各内部端子17は、ダイパッド15の周囲において、円周C1上に配置されている。また、図4に示すように、各外部端子18は、ダイパッド15の周囲において、円周C2上に配置されている。この場合、円周C1およびC2は、互いに同一の円からなっているすなわち中心および径がともに同一となっている。なお、外部端子18内部端子17が円周上に配置されているとは、外部端子18内部端子17の中心が円周上に配置されていることをいう。一方、図1および図3に示すように、ダイパッド15には、外部端子29を有する吊りリード19が連結されている。この吊りリード19は、ダイパッド15の四隅にそれぞれ設けられており、ダイパッド15から放射状に延びている。各外部端子29は、半導体装置20の裏面側に露出しており、それぞれ外部端子18と同一形状からなる長方形形状を有している。なお、このような外部端子29は、例えばグランドGND端子として用いることができる。このように構成することにより、吊りリード19および外部端子29を有効に利用することができる。なお、吊りリード19の本数は4本に限られるものではなく、4本以外の数、例えば2本であっても良い。また図1および図2において、半導体素子21としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子21は、各々ボンディングワイヤ22が取り付けられる複数の端子部21aを有している。また、半導体素子21は、例えばダイボンディングペーストにより、ダイパッド15の表面15aに固定されている。各ボンディングワイヤ22は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、それぞれその一端が半導体素子21の端子部21aに接続されるとともに、その他端がリード部16の内部端子17に接続されている。封止樹脂部23は、直方体形状を有している。封止樹脂部23としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはPPS樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、図1および図3において、便宜上、封止樹脂部23を透明なものとして表示しているが、黒色等の不透明なものが用いられても良い。半導体装置の製造方法次に、図1乃至図4に示す半導体装置20の製造方法について、図5a-dおよび図6a-fを用いて説明する。なお、以下においては、1枚の金属基板11から複数の半導体装置20を製造する工程について説明するが、これに限らず、1枚の金属基板11から1つの半導体装置20を製造することも可能である。まず図5aに示すように、リードフレーム10を構成する金属基板11を準備する。この金属基板11としては、上述のように銅、銅合金、42合金Ni42のFe合金等からなる基板を使用することができる。なお金属基板11は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。次に、金属基板11の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層32、33を形成する図5b。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。次に、エッチング用レジスト層32、33を耐腐蝕膜として金属基板11に腐蝕液でエッチングを施す図5c。腐蝕液は、使用する金属基板11の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板11として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板11の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。次いで、エッチング用レジスト層32、33を剥離して除去する。このようにして、ダイパッド15と、ダイパッド15周囲に配置された複数のリード部16とを有するリードフレーム10が得られる図5d。この場合、各リード部16の裏面は、外部端子18を除いてハーフエッチングにより薄肉化されている。また外部端子18は、平面から見て1つの円周C2上に配置されている図4参照。このようにして得られたリードフレーム10は、複数のダイパッド15と複数のリード部16とを有する多面付リードフレームからなっている図6a。次に、リードフレーム10のダイパッド15の表面15a上に、半導体素子21を搭載する。この場合、ダイボンディングペーストを用いて、半導体素子21をダイパッド15の表面15a上に載置して固定するダイアタッチ工程図6b。次に、半導体素子21の各端子部21aと、各リード部16の内部端子17とを、ボンディングワイヤ22によって互いに電気的に接続するワイヤボンディング工程図6c。次に、リードフレーム10に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂部23を形成する図6d。これにより、リードフレーム10、半導体素子21、およびボンディングワイヤ22を封止する。このとき、ダイパッド15の裏面15b全体が封止樹脂部23の外方に露出する。また各外部端子18も封止樹脂部23の裏面から外方に露出する。次に、各半導体素子21間の封止樹脂部23をダイシングすることにより、リードフレーム10を各半導体素子21毎に分離する図6e。この際、まずリードフレーム10をダイシングテープ37上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード38を回転させながら、各半導体素子21間のリードフレーム10および封止樹脂部23を切断する。このようにして、図1乃至図4に示す半導体装置20が得られる図6f。本実施の形態の作用効果次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図7を用いて説明する。図7は、本実施の形態による半導体装置が実装基板上に実装されている状態を示す断面図である。すなわち図7に示すように、本実施の形態による半導体装置20は、実装基板45上に配置して実装される。この場合、半導体装置20は、リード部16の外部端子18に設けられたはんだ部41と、ダイパッド15の裏面15bに設けられたはんだ部42とにより、実装基板45に対して固定実装される。なお、実装基板45は、主としてガラスエポキシ樹脂からなっている。ところで、半導体装置20には、実装基板45にはんだにより実装する際、あるいは実装基板45に実装された後の使用環境により、様々な熱が加わることが考えられる。この場合、半導体装置20全体の熱膨張係数が実装基板45の熱膨張係数と異なると、半導体装置20と実装基板45との熱膨張率の違いによって熱応力が生じる。この結果、とりわけ半導体装置20と実装基板45との間に位置するはんだ部41およびはんだ部42が破損あるいは界面剥離を起こしてしまうおそれがある。一般に、リードフレーム10の熱膨張係数は、実装基板45の熱膨張係数に比較的近い。これに対して封止樹脂部23の熱膨張係数は、リードフレーム10の熱膨張係数より小さい。一例として、これに限定されるものではないが、銅からなるリードフレーム10、主としてガラスエポキシ樹脂からなる実装基板45、エポキシ樹脂からなる封止樹脂部23の熱膨張係数は、それぞれ約17×10-6/K、約16×10-6/K、約10×10-6/Kである。またSiからなる半導体素子21の熱膨張係数は、約3.5×10-6/Kである。したがって、半導体装置20のうち、相対的に大きな割合を占める封止樹脂部23の影響により、半導体装置20全体の熱膨張係数は、実装基板45の熱膨張係数から乖離する傾向がある。本実施の形態によれば、複数のリード部16の外部端子18は、平面から見て1つの円周C2上に配置されている。したがって、半導体装置20と実装基板45との熱膨張の相違により生じる熱応力は、各外部端子18に設けられたはんだ部41に対して均等に加わるようになっており、特定のはんだ部41が破損することを防止することができる。また本実施の形態によれば、ダイパッド15の裏面15bは、封止樹脂部23の外方に露出しているので、この裏面15b全体にはんだ部42を設けて、ダイパッド15を実装基板45に取り付けることができる。さらに、半導体素子21からの熱をダイパッド15の裏面15bから放熱することができる。ダイパッド15の形状は図に示されている以外にも自由に設計することが可能であるが、円形状円盤状となっていることが好ましい。半導体装置20に熱が加わった際、半導体装置20と実装基板45との熱膨張係数の相違による熱応力は、周方向均一に分散する。したがって、ダイパッド15の裏面15bに設けられたはんだ部42のうち特定の部分に熱応力が集中することがなく、はんだ部42の破損を防止することができるからである。またダイパッド15は、半導体装置20の中心に設けられており、かつ半導体装置20全体の面積に占める割合が大きいので、はんだ部42を用いてダイパッド15と実装基板45とをしっかりと連結することができる。このように、半導体装置20の中心部でダイパッド15を実装基板45に対して強固に連結しているので、半導体装置20に熱応力が加わった場合でも、ダイパッド15周囲に設けられた外部端子18に接続されたはんだ部41に与える熱ストレスの影響を軽減することができる。さらに本実施の形態によれば、封止樹脂部23の側面に側面端子26が露出しているので、側面端子26を用いて半導体装置20の試験を行うことができる。半導体装置の変形例次に、図8乃至図32により、本発明による半導体装置の各種変形例について説明する。図8乃至図32において、図1乃至図7に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。変形例1図8乃至図10は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Aを示している。すなわち図8は、半導体装置20Aの断面図図2に対応する図であり、図9は、半導体装置20Aの平面図図3に対応する図であり、図10は、半導体装置20Aの裏面図図4に対応する図である。図8乃至図10に示す半導体装置20A変形例1において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、各吊りリード19は、それぞれ平面略卵形状の外部端子71追加の外部端子を有している。各外部端子71は、半導体装置20Aの裏面側に露出している図10。また各外部端子71は、それぞれ外部端子18より面積が広く、かつダイパッド15側に向けて徐々に先細となっている。このような外部端子71は、例えばグランドGND端子として用いることができる。また、このような比較的大型の外部端子71を用いることにより、半導体装置20Aを実装基板45に実装する際、はんだ部41を用いて外部端子71を実装基板45に対して強固に連結することができ、半導体装置20Aに熱ストレスが加わった際の実装信頼性を更に向上することができる。また、各外部端子18は、ダイパッド15の周囲において、円周C2上に配置されており図10、各内部端子17は、ダイパッド15の周囲において、円周C2より径の小さい円周C5上に配置されている図9。変形例2図11乃至図13は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Bを示している。すなわち図11は、半導体装置20Bの断面図図2に対応する図であり、図12は、半導体装置20Bの平面図図3に対応する図であり、図13は、半導体装置20Bの裏面図図4に対応する図である。図11乃至図13に示す半導体装置20B変形例2において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、封止樹脂部23は円柱形状を有している。この場合、封止樹脂部23の外面を構成する円と、円周C1C2とは、互いに同心円からなっている。このような半導体装置20Bを製造する場合、封止樹脂部23を形成する工程図6d参照において、円柱形状の金型を用いて熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、このような円柱状の封止樹脂部23を作製することができる。この場合、封止樹脂部23が平面から見て円形状からなっているので、半導体装置20Bに熱が加わった際、半導体装置20Bと実装基板45との熱膨張係数の相違による熱応力を周方向均一に分散させることができ、半導体装置20Bの実装信頼性を更に向上することができる。変形例3図14乃至図16は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Cを示している。すなわち図14は、半導体装置20Cの断面図図2に対応する図であり、図15は、半導体装置20Cの平面図図3に対応する図であり、図16は、半導体装置20Cの裏面図図4に対応する図である。図14乃至図16に示す半導体装置20C変形例3において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、各リード部16の外部端子18は、平面から見て複数2つの円周C2およびC4のうちいずれかの円周上に配置されている。図15に示すように、各リード部16の内部端子17は長方形形状を有している。各リード部16のうち内部端子17以外の部分は、各内部端子17より幅が狭くなっている。また、複数の内部端子17は、2つの円周C1およびC3のうちいずれか一方の円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。円周C1およびC3は、互いに同心円の関係にあり、その径は円周C1の方が大きい。同様に、図16に示す半導体装置20Cの裏面において、複数の外部端子18は、2つの円周C2およびC4のうちいずれか一方の円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。また円周C2およびC4は、互いに同心円の関係にあり、その径は円周C2の方が大きい。なお、内部端子17および外部端子18の配置位置はこれに限られるものでなく、例えば、内部端子17および外部端子18を3つ以上の円周上に配置することも考えられる。また、内部端子17および外部端子18の面積および形状は、それらが配置されている円周毎に異ならせても良い。このように外部端子18を複数の円周C2およびC4上に配置したことにより、半導体装置20Cに熱ストレスが加わった際のはんだ実装信頼性を向上させることができるとともに、半導体装置20Cの裏面において外部端子18を効率良く配置することができ、半導体素子21の多ピン化に対応することができる。変形例4図17乃至図19は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Dを示している。すなわち図17は、半導体装置20Dの断面図図2に対応する図であり、図18は、半導体装置20Dの平面図図3に対応する図であり、図19は、半導体装置20Dの裏面図図4に対応する図である。図17乃至図19に示す半導体装置20D変形例4は、図8乃至図10に示す変形例1と、図14乃至図16に示す変形例3とを組合せたものである。すなわち、図17乃至図19に示す半導体装置20Dにおいて、各吊りリード19は、それぞれ平面略卵形状の外部端子71追加の外部端子を有している。また、各リード部16の外部端子18は、平面から見て2つの円周C2およびC4のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例5図20乃至図22は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Eを示している。すなわち図20は、半導体装置20Eの断面図図2に対応する図であり、図21は、半導体装置20Eの平面図図3に対応する図であり、図22は、半導体装置20Eの裏面図図4に対応する図である。図20乃至図22に示す半導体装置20E変形例5は、図11乃至図13に示す変形例2と、図14乃至図16に示す変形例3とを組合せたものである。すなわち、図20乃至図22に示す半導体装置20Eにおいて、封止樹脂部23は、円柱形状を有している。また、各リード部16の外部端子18は、平面から見て2つの円周C2およびC4のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例6図23乃至図25は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Fを示している。すなわち図23は、半導体装置20Fの断面図図2に対応する図であり、図24は、半導体装置20Fの平面図図3に対応する図であり、図25は、半導体装置20Fの裏面図図4に対応する図である。図23乃至図25に示す半導体装置20F変形例6において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、各リード部16の裏面において、封止樹脂部23の裏面外方に露出する面露出面72が、封止樹脂部23の周縁に設けられている。このように、封止樹脂部23の周縁に露出面72を設けたことにより、半導体装置20Fを実装基板45に実装する際、はんだ部41はんだが封止樹脂部23の周縁に形成されるので、はんだの有無を半導体装置20Fの側面から確認することができる。なお、各外部端子18は、ダイパッド15の周囲において、円周C2上に配置されており図25、各内部端子17は、ダイパッド15の周囲において、円周C2より径の小さい円周C5上に配置されている図24。変形例7図26は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Gを示している。図26は、半導体装置20Gの断面図図2に対応する図である。図26に示す半導体装置20G変形例7において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、ダイパッド15は、例えばハーフエッチングにより表面側から薄肉化されている。したがって、ダイパッド15の表面15aは、各リード部16の内部端子17より下方裏面側に位置している。このようにダイパッド15を薄肉化したことにより、半導体装置20G全体を薄型化することができる。変形例8図27は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Hを示している。図27は、半導体装置20Hの断面図図2に対応する図である。図27に示す半導体装置20H変形例8において、図1乃至図7に示す実施の形態と異なり、封止樹脂部23のうちリードフレーム10の表面より上方に位置する部分の断面形状は、台形形状を有している。このような半導体装置20Hを製造する場合、封止樹脂部23を形成する工程図6d参照において、各半導体装置20Hに対応する個々の金型を用いることにより、このような形状の封止樹脂部23を作製することができる個別モールドタイプ。このように、封止樹脂部23のうちリードフレーム10の表面より上方に位置する部分の断面形状を台形形状にすることにより、熱膨張係数が相対的に低い封止樹脂部23の体積を減らしている。このことにより、半導体装置20H全体の熱膨張係数を実装基板45図7参照の熱膨張係数に近づけることができるので、半導体装置20Hに熱が加わった際の熱応力を軽減し、実装信頼性を向上させることができる。変形例9図28は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Iを示している。すなわち図28は、半導体装置20Iの裏面図図4に対応する図である。図28に示す半導体装置20I変形例9は、図8乃至図10に示す変形例1において、外部端子71追加の外部端子を、封止樹脂部23の4つの角部側から、各リード部16の外部端子18が配置された円周C2上まで径方向内側に延ばしたものである。このように、外部端子71追加の外部端子が外部端子18近傍まで延びていることにより、外部端子18に対する実装ストレスをさらに緩和することができる。変形例10図29および図30は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Jを示している。すなわち図29は、半導体装置20Jの平面図図3に対応する図であり、図30は、半導体装置20Jの裏面図図4に対応する図である。図29および図30に示す半導体装置20J変形例10は、図17乃至図19に示す変形例4において、外部端子71追加の外部端子を、封止樹脂部23の4つの角部側から、各リード部16の外部端子18が配置された円周C2上まで径方向内側に延ばしたものである。このように、外部端子71追加の外部端子が外部端子18近傍まで延びていることにより、外部端子18に対する実装ストレスをさらに緩和することができる。変形例11図31および図32は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Kを示している。すなわち図31は、半導体装置20Kの平面図図3に対応する図であり、図32は、半導体装置20Kの断面図図2に対応する図である。図31および図32に示す半導体装置20K変形例11において、複数のリード部16のうち少なくとも1つの上面に、外部突出端子65が形成されている。外部突出端子65は、封止樹脂部23に形成された開口部23aから露出し形成され、半導体装置20Kの上面からの接続を可能としている。なお外部突出端子65には、はんだやAgペーストなど一般的な接続材を用いることが可能である。また図31に示すように、このような外部突出端子65は、さらに吊りリード19の上面に設けられていても良い。このように、外部突出端子65がリード部16の上面に形成されることにより、図32に示すように、下方の半導体装置20Kの外部突出端子65を、上方の半導体装置20Kの外部端子18に接続することができる。これにより、複数の半導体装置20Kを上下に積層することが可能となる。上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。