"互いに異なる軸方向を有する第1軸部および第2軸部と、前記第1軸部の回動によって回動するとともに、前記第2軸部の回動によって回動するミラー部と、前記ミラー部および前記第1軸部を囲み、前記第2軸部の回動によって回動する可動枠部と、前記第2軸部を介して前記可動枠部を振動させることで、前記第1軸部および前記第2軸部を中心軸として前記ミラー部を駆動させる駆動部とを備え、前記第2軸部の軸上であって、前記第1軸部の回動に対して逆位相となる対称な位置に、前記可動枠部の角度を検出する第1角度検出部および第2角度検出部が設けられていることを特徴とする、光走査装置。前記第1角度検出部および前記第2角度検出部は、前記第1軸部に対して軸対称な位置に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および前記第2角度検出部は、ミラー面に対して面対称な位置に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の光走査装置。前記第1角度検出部からの第1検出信号および前記第2角度検出部からの第2検出信号を用いて、前記可動枠部の角度を検出する演算部を備えることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および前記第2角度検出部は、それぞれ、ピエゾ抵抗素子を有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の光走査装置。前記ピエゾ抵抗素子は、前記第2軸部の回動により発生するせん断応力が最も大きくなる位置近傍に配置されていることを特徴とする、請求項5に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および第2角度検出部がピエゾ抵抗素子を有し、かつ、n型単結晶シリコン材料から構成される光走査装置であって、前記ピエゾ抵抗素子は、p型領域で形成されるとともに、一対の検出電極を結ぶ方向が、n型単結晶シリコン材料の100面における100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第2軸部は、100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されていることを特徴とする、請求項7に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および第2角度検出部がピエゾ抵抗素子を有し、かつ、p型単結晶シリコン材料から構成される光走査装置であって、前記ピエゾ抵抗素子は、n型領域で形成されるとともに、一対の検出電極を結ぶ方向が、p型単結晶シリコン材料の100面における110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されていることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第2軸部は、110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されていることを特徴とする、請求項9に記載の光走査装置。前記略平行とは、-10度から10度の範囲内であり、前記略垂直とは、80度~100度の範囲内であることを特徴とする、請求項7~10のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および第2角度検出部はピエゾ抵抗素子を有し、前記ピエゾ抵抗素子は、平面十字形状を有し、その4つの先端部に、互いに対向して、一対の印加電極および一対の検出電極が配置されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第1角度検出部および第2角度検出部はピエゾ抵抗素子を有し、前記ピエゾ抵抗素子は、平面Oリング形状を有し、そのリング中心から互いに90度の方向となる4つの部分に、互いに対向して、一対の印加電極および一対の検出電極が配置されていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の光走査装置。前記第1軸部の近傍に、前記ミラー部の角度を検出する第3角度検出部を有することを特徴とする、請求項1~13のいずれか1項に記載の光走査装置。請求項1~14のいずれか1項に記載の光走査装置と、前記光走査装置の駆動制御を行う光走査装置制御部と、前記光走査装置の前記ミラー部に光を照射する光源と、前記光源を駆動する光源駆動回路と、画像信号に基づき前記光源駆動回路を介して前記光源の制御を行う画像信号制御部とを備えることを特徴とする、画像投影装置。しかしながら、上記特許文献1に記載された従来の光走査装置では、2次元走査において、可動フレーム部の駆動による検出信号にミラー部の駆動による影響が重なって検出されてしまうという不都合がある。そのため、このクロストークの影響により検出精度が低下するという問題点がある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、ミラーの走査角度の検出精度を向上させた2次元走査の光走査装置を提供することである。この発明のもう1つの目的は、走査角度の検出精度が向上された光走査装置を備えることで高品質な画像を投影できる画像投影装置を提供することである。上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による光走査装置は、互いに異なる軸方向を有する第1軸部および第2軸部と、第1軸部の回動によって回動するとともに、第2軸部の回動によって回動するミラー部と、ミラー部および第1軸部を囲み、第2軸部の回動によって回動する可動枠部と、第2軸部を介して可動枠部を振動させることで、第1軸部および第2軸部を中心軸としてミラー部を駆動させる駆動部とを備えている。そして、上記第2軸部の軸上であって、第1軸部の回動に対して逆位相となる対称な位置に、可動枠部の角度を検出する第1角度検出部および第2角度検出部が設けられている。この第1の局面による光走査装置では、上記のように、可動枠部の角度を検出する第1,第2角度検出部が第1軸部の回動に対して逆位相となる対称な位置に設けられているため、第1,第2角度検出部からの信号を用いることで、第1軸部の回動の影響を取り除くことができる。このため、第1軸部の回動の影響を受けない第2軸部の回動による信号のみを取り出すことができる。これにより、高精度にミラー部の走査角度を検出することができる。また、このように構成すれば、第1軸部の回動の影響を取り除くために、たとえば、駆動回路にフィルターなどを設ける必要がなくなる。そのため、駆動回路からフィルターなどを削減することができるので、駆動回路の簡素化小型化を図ることもできる。上記第1の局面による光走査装置において、第1角度検出部および第2角度検出部は、第1軸部に対して軸対称な位置に配置されているのが好ましい。このように構成すれば、逆位相となる対称な位置での検出信号により、容易に、第1軸部の回動クロストークの影響を除去することができる。また、上記第1の局面による光走査装置において、第1角度検出部および第2角度検出部は、ミラー面に対して面対称な位置に配置されていてもよい。このように構成した場合でも、逆位相となる対称な位置での検出信号が得られるため、容易に、第1軸部の回動クロストークの影響を除去することができる。上記第1の局面による光走査装置において、第1角度検出部からの第1検出信号および第2角度検出部からの第2検出信号を用いて、可動枠部の角度を検出する演算部を備えているのが好ましい。このように構成すれば、逆位相となる対称な位置での検出信号を用いて演算部で演算するたとえば和をとることで、第1軸部の回動クロストークの影響が除去された、第2軸部の回動による信号のみを容易に取り出すことができる。上記第1の局面による光走査装置において、第1角度検出部および第2角度検出部は、それぞれ、ピエゾ抵抗素子を有する構成とすることができる。このように構成すれば、第2軸部の回動により発生するせん断応力を、ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化として検出することができる。これにより、高精度に可動枠部の角度を検出することができる。加えて、光走査装置の小型化を容易に図ることができる。この場合において、ピエゾ抵抗素子は、第2軸部の回動により発生するせん断応力が最も大きくなる位置近傍に配置されているのが好ましい。このように構成すれば、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。また、第1角度検出部および第2角度検出部がピエゾ抵抗素子を有する構成の場合、光走査装置をn型単結晶シリコン材料から構成し、ピエゾ抵抗素子をp型領域で形成するのが好ましい。この場合、ピエゾ抵抗素子は、一対の検出電極を結ぶ方向が、n型単結晶シリコン材料の100面における100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成すれば、容易に、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。また、この場合において、第2軸部は、100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成すれば、より容易に、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。なお、光走査装置をp型単結晶シリコン材料から構成し、ピエゾ抵抗素子をn型領域で形成することもできる。この場合、ピエゾ抵抗素子は、一対の検出電極を結ぶ方向が、p型単結晶シリコン材料の100面における110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成した場合も、容易に、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。また、この場合において、第2軸部は、110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成すれば、より容易に、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。ここで、100軸に対して略平行とは、-10度から10度の範囲内とすることができる。また、100軸に対して略垂直とは、80度~100度の範囲内とすることができる。このような範囲内であれば、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。第1角度検出部および第2角度検出部がピエゾ抵抗素子を有する場合、ピエゾ抵抗素子は、平面十字形状を有し、その4つの先端部に、互いに対向して、一対の印加電極および一対の検出電極が配置されているのが好ましい。このように構成すれば、ミラー部の角度をより高感度に検出することができる。また、ピエゾ抵抗素子は、平面十字形状以外に平面Oリング形状であってもよい。この場合、平面Oリング形状のリング中心から互いに90度の方向となる4つの部分に、互いに対向して、一対の印加電極および一対の検出電極が配置されているのが好ましい。このように構成すれば、ミラー部の角度をより高感度に検出することができる。上記第1の局面による光走査装置において、好ましくは、第1軸部の近傍に、ミラー部の角度を検出する第3角度検出部を有している。このように構成すれば、第1軸部のせん断応力を抵抗値で検出可能であるとともに、小型であり、かつ高精度にミラー部の角度を検出することができる。この発明の第2の局面による画像投影装置は、上記第1の局面による光走査装置と、光走査装置の駆動制御を行う光走査装置制御部と、光走査装置のミラー部に光を照射する光源と、光源を駆動する光源駆動回路と、画像信号に基づき光源駆動回路を介して光源の制御を行う画像信号制御部とを備えている。この第2の局面による画像投影装置では、上記のように、第1の局面による光走査装置を備えることによって、小型コンパクトで、かつ高精度にミラー走査をすることができる。このため、高品質に映像投影することができる。以上のように、本発明によれば、ミラーの走査角度の検出精度を向上させた2次元走査の光走査装置を容易に得ることができる。また、本発明によれば、走査角度の検出精度が向上された光走査装置を備えることで高品質な画像を投影できる画像投影装置を容易に得ることができる。以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態による画像投影装置の投影の様子を示した模式図である。図2は、本発明の第1実施形態による画像投影装置の光走査装置と光源との位置関係を示した模式図である。図3は、本発明の第1実施形態による画像投影装置の構成を示したブロック図である。図4~図10は、本発明の第1実施形態による光走査装置を説明するための図である。まず、図1~図10を参照して、本発明の第1実施形態による光走査装置およびその光走査装置を備えた画像投影装置について説明する。第1実施形態による画像投影装置100は、図1に示すように、たとえば略箱形の形状を有しており、スクリーンなどの投影面200に映像画像を投影するプロジェクター装置として構成されている。この画像投影装置100では、投影面200に向けて照射される光線のラスター走査を行うことにより、投影面200への2次元画像の表示が可能となっている。このラスター走査では、たとえば表示画像の上端における開始位置Qaから、表示画像の下端における終了位置Qbまで光線が連続的に走査されることで、1回の画像表示が完了する。なお、終了位置Qbまで光線が走査されると、次の画像表示のために、開始位置Qaに復帰する垂直走査および水平走査が画像表示を伴わない垂直ブランキング期間中に行われる。図2に示すように、画像投影装置100の内部には、光走査装置10と、光走査装置10に向けて光線たとえばレーザー光LTを発する光源30が設けられている。光走査装置10は、光源30からの光線LTを投影面200図1参照に向けて反射するミラー部11を有している。このミラー部11は、X軸に平行な第1軸ミラー軸部と、Y軸に平行で第1軸と略直角に交差する第2軸枠軸部とを中心とした回動が可能に構成されている。そして、ミラー部11が第1軸および第2軸において2次元的に回動することにより、ミラー部11で反射された光源30からの光線LTがラスター走査される。また、図3に示すように、画像投影装置100は、上記した光走査装置10および光源30に加えて、光走査装置10の駆動制御を行う光走査装置制御部40と、光源30を駆動し光線LTの変調が可能な光源駆動回路70と、光源駆動回路70を制御する画像信号制御部80とを有している。光走査装置10は、角度検出部18,19を有している。この角度検出部18,19は、ミラー部11の角度回動角度振れ角を検出する角度検出センサとしてピエゾ抵抗素子を有している。光走査装置制御部40は、ミラー部11に関するX軸周りの回動、つまり水平方向H方向の駆動を制御する水平駆動制御部50と、ミラー部11に関するY軸周りの回動、つまり垂直方向V方向の駆動を制御する垂直駆動制御部60とを有している。画像信号制御部80は、たとえば画像投影装置100の外部から入力された画像信号に基づき光源30を制御するための制御信号を生成する。そして、この制御信号に基づき、光源駆動回路70を介して光源30の制御たとえば点灯消灯の制御や発光強度の制御を行う。なお、上記光走査装置制御部40には、ミラー部11の駆動のタイミングを画像信号と同期させるための同期信号が入力される。これにより、入力された画像信号に基づく適切な画像表示が投影面200図1参照で行われる。また、第1実施形態による光走査装置1010aは、シリコン基板に対してエッチング処理などを施すことで得られる構造体MEMS構造体からなり、図4に示すように、ミラー部11に加えて、固定枠12、駆動部13および可動枠部14などを一体的に有している。なお、以下の説明では、ミラー部11の中心を図4の縦方向に横切る軸映像画像をX方向左右方向に走査する軸をX軸とし、ミラー部11の中心を図4の横方向に横切る軸映像画像をY方向上下方向に走査する軸をY軸とする。言い換えると、X軸とY軸とが直交する点をミラー部11の中心とする。固定枠12は、光走査装置10の外縁に相当する部分であって、他の部分ミラー部11、駆動部13および可動枠部14などを取り囲んでいる。駆動部13は、X軸方向において固定枠12と連結され、Y軸方向において固定枠12と分離されている。さらに、駆動部13は4つのユニモルフ構造を含んでいるとともに、その4つのユニモルフ構造がX軸およびY軸のそれぞれを対称軸として対称となり、かつ、互いに離間した状態となるように配置されている。また、駆動部13としてのユニモルフ構造は、図5に示すように、圧電素子13aたとえば、PZTなどを原料とした焼結体を分極処理したものを一対の電極13bで挟持し、それをシリコン基板の駆動部13となる領域上に貼り付けることによって形成されている。このような駆動部13では、一対の電極13bに、分極反転を起こさない範囲で±の電圧交流電圧が印加されると、一対の電極13bに挟持された圧電素子13aが伸長または収縮する。そして、それに応じて、シリコン基板の駆動部13となる領域が変形撓み変形/曲げ変形する。すなわち、駆動部13は、電力が供給されることで駆動する。また、図4に示すように、可動枠部14は、駆動部13の内側に位置する略ひし形形状の枠である。また、可動枠部14と固定枠12との間には、Y軸方向に沿って延びる一対の枠軸部垂直トーションバー15が設けられている。この一対の枠軸部15は、Y軸と重なり、かつ、X軸に対して対称となるように配置されている。さらに、一対の枠軸部15のそれぞれの一方端は、固定枠12のY軸上の端部に連結されている。そして、可動枠部14は、一対の枠軸部15の他方端の間に配置されており、その他方端一対の枠軸部15によって支持挟持されている。このため、可動枠部14は、枠軸部15を回動軸中心軸としてY軸周りに回動可能とされている。可動枠部14は、ミラー部11を囲む枠であり、その内側には、ミラー部11に加えて、X軸方向に沿って延びる一対のミラー軸部水平トーションバー16が設けられている。この一対のミラー軸部16は、X軸と重なり、かつ、X軸に対して対称となるように配置されている。さらに、一対のミラー軸部16のそれぞれの一方端は、可動枠部14のX軸上の端部に連結されている。そして、ミラー部11は、一対のミラー軸部16の他方端の間に配置されており、その他方端一対のミラー軸部16によって支持挟持されている。このため、ミラー部11は、可動枠部14とともにY軸周りに回動され、ミラー軸部16を回動軸中心軸としてX軸周りにも回動される。なお、枠軸部15は、本発明の第2軸部の一例であり、ミラー軸部16は、本発明の第1軸部の一例である。また、上記ミラー部11は、たとえば略円形状に形成されており、金やアルミニウムなどからなる反射膜をシリコン基板のミラー部11となる領域上に貼り付けることで得ている。なお、これ以外に、たとえば、シリコン基板の一部に金やアルミニウム等の反射膜を蒸着やスパッタ法にて形成することで得ることもできる。また、金やアルミニウムの上に誘電体多層膜を形成して反射率を向上させることも可能である。また、4つの駆動部13は、その一部が連結部17によって枠軸部15と連結されている。この連結部17は、シリコン基板の駆動部13となる領域および枠軸部15と一体的に形成されている。そして、この連結部17を通じて、駆動部13で発生する駆動力を枠軸部15へ伝達し、ミラー部11を走査する。さらに、枠軸部15の近傍には、この枠軸部15の捩れ角度を検出するための角度検出部18が設けられている。同様に、ミラー軸部16の近傍には、このミラー軸部16の捩れ角度を検出するための角度検出部19が設けられている。角度検出部18および19は、それぞれ、ピエゾ抵抗素子20を有しており、枠軸部15およびミラー軸部16の変形時に生じるせん断応力を抵抗値で検出する。そして、角度検出部18からの出力に基づいて、枠軸部15によるY軸周りのミラー部11可動枠部14の角度振れ角を検出するとともに、角度検出部19からの出力に基づいて、ミラー軸部16によるX軸周りのミラー部11の角度振れ角を検出する。また、角度検出部18は、枠軸部15の軸上Y軸上に配置されており、角度検出部19は、ミラー軸部16の軸上X軸上に配置されている。なお、軸上とは、枠軸部15上およびミラー軸部16上のみならず、枠軸部15の延長線上およびミラー軸部16の延長線上をも含む。また、角度検出部19は、本発明の第3角度検出部の一例である。ここで、第1実施形態では、上記角度検出部18は、2つの角度検出部第1角度検出部18a、第2角度検出部18bを有している。そして、これら第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bが、ミラー軸部16の回動に対して互いに逆位相となる対称な位置に設けられている。具体的には、第1実施形態では、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bが、ミラー軸部16に対して軸対称となる位置に設けられている。また、図6に示すように、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は、枠軸部15の回動により発生するせん断応力が最も大きくなる位置近傍に配置されている。具体的には、枠軸部15の軸上であって、枠軸部15の根元部分枠軸部15の固定枠12側の根本部分連結部分または根元部分の近傍に角度検出部18ピエゾ抵抗素子20が形成されている。また、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は、固定枠12の内側におけるX軸に沿った縁部12a縁部12aをX軸方向に結ぶ仮想線Pに対して枠軸部15側に配置されている。第1実施形態の光走査装置10は、n型単結晶シリコン材料から構成されており、ピエゾ抵抗素子20は、p不純物たとえばボロンなどがドープイオン注入されたp型領域で形成されている。ピエゾ抵抗素子20イオン注入された領域は、図6に示すように、平面十字形状を有しており、その4つの先端部の各々に電極21が1つずつ形成されている。これらの電極21は、イオン注入された領域上ドープ領域上に形成された金属層からなる。そして、4つの電極21のうち、互いに対向する一対の電極21aが、電流が印可される印可電極21aとなっており、互いに対向する他の一対の電極21bが、電圧を検出する検出電極21bとなっている。なお、各電極21には、信号線配線22が接続されている。ここで、ピエゾ抵抗素子20の感度は、シリコン単結晶の結晶方位の影響を大きく受けるため、より高感度に軸部のせん断力を検出するためには、上記ピエゾ抵抗素子20は、一対の検出電極21bを結ぶ方向が、n型単結晶シリコン材料の100面における100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成することにより、ピエゾ抵抗素子20の感度を高めることができるので、ミラー部11の角度を高感度に検出することが可能となる。さらに、枠軸部15は、100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。この場合も、ミラー部11の角度を高感度に検出することが可能となる。なお、100軸に対して略平行とは、たとえば、-10度から10度の範囲内とすることができる。また、100軸に対して略垂直とは、たとえば、80度~100度の範囲内とすることができる。このような範囲内であれば、ミラー部11の角度を高感度に検出することが可能となる。また、ピエゾ抵抗素子20による抵抗値の検出は、たとえば、枠軸部15に平行な電極cd間に定電流を印加し、枠軸部15に垂直な電極ab間の電圧を検出することで行われる。なお、X軸周りの角度を検出する角度検出部19ピエゾ抵抗素子20図4参照についても、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bと同様に構成されているのが好ましい。光走査装置10の走査動作は、4つの駆動部13を駆動伸縮させるタイミングを調整し、ミラー部11をX軸周りおよびY軸周りに振動させることによって行われる。たとえば、Y軸周りに振動させるときの周波数は約60Hzに設定され、X軸周りに振動させるときの周波数は約30kHzに設定される。なお、Y軸周りに振動させるときの垂直駆動信号は、たとえば三角波とされ、X軸周りに振動させるときの水平駆動信号は、たとえば正弦波とされる。4つの駆動部13のそれぞれに13-1~13-4の符号を付して具体的に説明する。ミラー部11をY軸周りに振動させる際には、駆動部13-1および13-3を一方の組とするとともに、駆動部13-2および13-4を他方の組とし、一方の組および他方の組のそれぞれに印加する電圧の正負を反転させる。この場合、一方の組である駆動部13-1および13-3が伸長する方向に変形すると、他方の組である駆動部13-2および13-4が収縮する方向に変形する。また、一方の組である駆動部13-1および13-3が収縮する方向に変形すると、他方の組である駆動部13-2および13-4が伸長する方向に変形する。これにより、ミラー部11が可動枠部14とともにY軸周りに振動し、ミラー部11の傾き角度がY軸周りに変動する。また、ミラー部11をX軸周りに振動させる際には、駆動部13-1および13-2を一方の組とするとともに、駆動部13-3および13-4を他方の組とし、一方の組および他方の組のそれぞれに印加する電圧の正負を反転させる。この場合、一方の組である駆動部13-1および13-2が伸長する方向に変形すると、他方の組である駆動部13-3および13-4が収縮する方向に変形する。また、一方の組である駆動部13-1および13-2が収縮する方向に変形すると、他方の組である駆動部13-3および13-4が伸長する方向に変形する。これにより、ミラー部11が可動枠部14とともにX軸周りに振動し、ミラー部11の傾き角度がX軸周りに変動する。このとき、駆動部13を変形させることのみでミラー部11をX軸周りに回動させようとすると、ミラー部11のX軸周りの傾き角度の変動は小さくなってしまう。このため、実際に走査動作を行う際には、駆動部13に印加される電圧の周波数によってミラー部11が共振するように、駆動部13への印加電圧の周波数が設定される。すなわち、ミラー部11のX軸周りの振動は、ミラー軸部16を基準としてなされる。上記のようにミラー部11を動作させることで、互いに直交している2軸周りにミラー部11を回動させることができ、1つのミラー部11で二次元走査することが可能となる。なお、水平方向H方向の駆動信号正弦波と垂直方向V方向の駆動信号三角波とを重畳した電圧を4つの駆動部圧電素子13-1~13-4に加えることによって、上記のようにミラー軸部16を支点にした水平方向の共振駆動と、可動枠部14全体を駆動させる垂直方向の駆動とを実現することができる。ここで、2次元駆動時におけるミラー部11の垂直方向の理想的な動き駆動波形を図7に示す。図7の縦軸は、ミラーのV方向角度を示しており、横軸は時間を示している。図7に示すように、ミラー部11図4参照の垂直方向の駆動は、垂直駆動信号三角波に対応した駆動波形となっているのが好ましい。しかしながら、垂直方向の駆動においては、走査方向が変わる瞬間の折り返し破線Rで囲んだ部分が急なため、図8に示すように、垂直方向の走査に対して共振が発生する。このときの周波数は、1kHz~2kHz程度である。この共振の影響により、垂直方向に一定速度で走査することが困難となり、投影画像には明暗の横縞が発生する。なお、図8は、2次元駆動時におけるミラー部11の垂直方向の共振が垂直方向の走査に影響した状態実際のセンサ角度検出部18の検出波形出力波形を示している。さらに、光走査装置10は、ミラー部11をX軸周りにも回動させて水平方向H方向にも走査するため、そのクロストークの影響を受ける。すなわち、可動枠部14の駆動による検出信号には、ミラー部11の駆動によるクロストークの影響が重なって検出されてしまう。具体的には、図8の検出波形の一部を拡大した図に示すように、垂直方向の走査における検出波形は、水平方向の周波数30kHz付近にて垂直方向に細かく振動する。このクロストークは、ミラー部11可動枠部14の垂直方向の制御に悪影響を与える。なお、図8では、検出波形の線を太く表示することで、クロストークのノイズの影響を表現している。また、ミラー部11の水平方向の駆動は共振動作であるため、周波数にはばらつきがある。そのため、第1実施形態では、可動枠部14の角度を検出する角度検出部18を第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを含むように構成するとともに、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを、ミラー軸部16の回動に対して逆位相となる対称な位置に配置している。このため、第1角度検出部18aからの検出信号第1検出信号と第2角度検出部18bからの検出信号第2検出信号との和をとる加算することで、クロストークが除去される。そして、クロストークが除去された検出信号を垂直駆動制御部60図3参照にフィードバックすることで、共振の影響が除去される。これにより、ミラー部11を垂直方向に一定速度で走査することが可能となる。具体的には、図9に示すように、第1実施形態では、垂直駆動制御部60が、プリアンプ61および62、演算部63、位相補償器64、ゲイン補償器65、パワーアンプ66を含んで構成されている。また、第1実施形態では、可動枠部14の角度を検出する角度検出部18が、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを含んで構成されているため、たとえば、センサ1が第1角度検出部18aに対応し、センサ2が第2角度検出部18bに対応している。また、センサ1からの検出信号出力波形は、プリアンプ61で信号増幅されて演算部63に入力される。一方、センサ2からの検出信号出力波形は、プリアンプ62で信号増幅されて演算部63に入力される。演算部63は、アナログ処理またはデジタル処理によって、入力された信号を演算加算し、演算加算した信号を出力する。また、センサ1からの出力増幅された出力は、たとえば、図10のAに示すような波形となり、センサ2からの出力増幅された出力は、たとえば、図10のBに示すような波形となる。上述のように、センサ1第1角度検出部18aとセンサ2第2角度検出部18bとは、ミラー軸部16図4参照の回動に対して逆位相となる対称な位置に配置されている。このため、センサ1の検出信号出力波形に加わるクロストークの波形と、センサ2の検出信号出力波形に加わるクロストークの波形とは、位相が180度異なる。すなわち、互いに逆相となっている。そのため、演算部63において、センサ1第1角度検出部18aからの検出信号出力波形とセンサ2第2角度検出部18bからの検出信号出力波形とが演算加算されることで、図10のCに示すように、クロストークがキャンセルされる。これにより、ミラー軸部16図4参照の回動の影響を受けない枠軸部15図4参照の回動による信号のみが取り出される。なお、図10のA、Bでは、検出波形の線を太く表示することで、クロストークのノイズの影響を表現しており、図10のCでは、波形の線を細く表示することで、クロストークのノイズの影響が除去された状態を表現している。そして、図9に示すように、クロストークの影響が除去された信号は位相補償器64によって位相補償が施された後、垂直駆動信号にフィードバックされる。具体的には、垂直駆動信号からフィードバック信号が減算される。フィードバック信号が減算された垂直駆動信号は、ゲイン補償器65に入力されて、ゲイン補償器65でゲイン補償が施される。ゲイン補償が施された信号はパワーアンプ66に入力されて電力増幅され、垂直方向駆動アクチュエーター90駆動部13に供給される。これにより、光走査装置10の駆動部13図4参照が駆動される。このように、第1実施形態では、センサ1第1角度検出部18aからの検出信号出力波形とセンサ2第2角度検出部18bからの検出信号出力波形とを演算加算することで、クロストークがキャンセルされる。そして、クロストークがキャンセルされた、枠軸部15の回動による信号を垂直駆動信号にフィードバックすることによって、ミラー部11の垂直方向の共振が取り除かれる。これにより、可動枠部14の角度を高精度に制御することが可能となるので、高品質の映像投影が可能となる。なお、上記第1実施形態とは異なり、枠軸部15の捩れ角度を検出するための角度検出部18を1つ配置1箇所に配置した場合を比較例として説明する。図11は、比較例による光走査装置を垂直方向に駆動するための垂直駆動制御部のブロック図である。図11を参照して、比較例による光走査装置は、クロストークの影響を除去するためのバンドパスフィルタBPF503を備えている。また、比較例では、可動枠部の角度を検出する角度検出部センサ501からの検出信号出力波形は、プリアンプ502で信号増幅されて、BPF503に入力される。そして、BPF503でクロストークの影響が除去される。クロストークの影響が除去された検出信号は位相補償器504によって位相補償が施された後、垂直駆動信号にフィードバックされる。そして、ゲイン補償器505でゲイン補償が施される。ゲイン補償が施された信号はパワーアンプ506に入力されて電力増幅され、垂直方向駆動アクチュエーター507駆動部に供給される。しかしながら、この場合のBPF503は、規模が大きく、また調整が必要であるという不都合がある。これに対し、第1実施形態では、上記のように、センサ1第1角度検出部18aとセンサ2第2角度検出部18bとを用いることによって、BPF503を削除することが可能となる。そのため、駆動回路等の簡素化小型化を図ることができる。なお、ミラー部11のX軸周りの角度を検出する角度検出部19図4参照は、Y軸周りの回動の影響を受けないため1つでもよい。第1実施形態では、上記のように、可動枠部14の角度振れ角を検出する角度検出部18を、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを含むように構成するとともに、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bをミラー軸部16の回動に対して逆位相となる対称な位置に設けることによって、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bからの信号を用いることで、ミラー軸部16の回動クロストークの影響を取り除くことができる。このため、ミラー軸部16の回動の影響を受けない枠軸部15の回動による信号のみを取り出すことができる。これにより、高精度にミラー部11の走査角度を検出することができる。また、第1実施形態では、ミラー軸部16の回動クロストークの影響を取り除くために、たとえば、駆動回路にフィルターBPFなどを設ける必要がない。そのため、駆動回路垂直駆動制御部60からフィルターBPFなどを削減することができるので、駆動回路の簡素化小型化を図ることもできる。また、第1実施形態では、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを、ミラー軸部16に対して軸対称な位置に配置することによって、逆位相となる対称な位置での検出信号により、容易に、ミラー軸部16の回動クロストークの影響を除去することができる。また、第1実施形態では、第1角度検出部18aからの検出信号および第2角度検出部からの検出信号を用いて可動枠部14の角度を検出する演算部63を備えることによって、逆位相となる対称な位置での検出信号を用いて演算部63で演算することで、ミラー軸部16の回動クロストークの影響が除去された、枠軸部15の回動による信号のみを容易に取り出すことができる。また、第1実施形態では、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを、それぞれ、ピエゾ抵抗素子20を有する構成とすることによって、枠軸部15の回動により発生するせん断応力を、ピエゾ抵抗素子20の抵抗値の変化として検出することができる。そのため、高精度に可動枠部14の角度を検出することができる。加えて、光走査装置10の小型化を容易に図ることができる。また、第1実施形態では、ピエゾ抵抗素子20を、枠軸部15のせん断応力が最も大きくなる位置近傍に配置することによって、ミラー部11の角度を高感度に検出することができる。なお、角度検出に用いるピエゾ抵抗素子の数を増やしても、MEMSミラーを製造するシリコン加工プロセスにおいては、同じプロセス中で同時に形成できるので、コストアップ要因とはならない。さらに、第1実施形態では、ミラー軸部16の近傍に、ミラー部11の角度X軸周りの回動角度を検出する角度検出部19を設けることによって、ミラー軸部16のせん断応力を抵抗値で検出可能であるとともに、小型であり、かつ高精度にミラー部11X軸周りの回動角度の角度を検出することができる。なお、第1実施形態では、上記光走査装置10を用いて画像投影装置100を構成することにより、画像投影装置100を、小型コンパクトで、かつ高精度にミラー走査をすることが可能に構成することができる。このため、このように構成された画像投影装置100は、高品質に映像投影することができる。たとえば横縞低減等の画質向上効果を得ることができる。第2実施形態図12は、本発明の第2実施形態による光走査装置の平面図である。図13は、本発明の第2実施形態による光走査装置の一部を示した断面図である。次に、図12および図13を参照して、本発明の第2実施形態による光走査装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。この第2実施形態による光走査装置1010bでは、上記第1実施形態と同様、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bが、ミラー軸部16の回動に対して互いに逆位相となる対称な位置に設けられている。ただし、第2実施形態では、上記第1実施形態とは異なり、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bが、ミラー面に対して面対称な位置に配置されている。具体的には、図12および図13に示すように、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bは、互いに面対称となるように、光走査装置10シリコン基板の表面側および裏面側に形成されている。第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態では、上記のように、第1角度検出部18aおよび第2角度検出部18bを、ミラー面に対して面対称な位置に配置することによって、上記第1実施形態と同様、逆位相となる対称な位置での検出信号が得られるため、容易に、ミラー軸部16の回動クロストークの影響を除去することができる。また、光走査装置1010bを用いて画像投影装置を構成することで、上記第1実施形態と同様、画像投影装置を、小型コンパクトで、かつ高精度にミラー走査をすることが可能に構成することができる。第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。第3実施形態図14は、本発明の第3実施形態による光走査装置のピエゾ抵抗素子を示した平面図である。次に、図4および図14を参照して、本発明の第3実施形態による光走査装置について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。この第3実施形態では、図14に示すように、角度検出部18のピエゾ抵抗素子20イオン注入された領域が、平面Oリング形状を有しており、そのリング中心から互いに90度の方向となる4つの部分に、電極21が1つずつ形成されている。これらの電極21は、イオン注入された領域上ドープ領域上に形成された金属層からなる。そして、4つの電極21のうち、互いに対向する一対の電極21aが、電流が印可される印可電極21aとなっており、互いに対向する他の一対の電極21bが、電圧を検出する検出電極21bとなっている。また、各電極21には、信号線配線22が接続されている。なお、この場合においても、ピエゾ抵抗素子20は、一対の検出電極21bを結ぶ方向が、n型単結晶シリコン材料の100面における100軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成することにより、ピエゾ抵抗素子20の感度を高めることができるので、ミラー部11図4参照の角度を高感度に検出することが可能となる。また、X軸周りの角度を検出する角度検出部19ピエゾ抵抗素子20図4参照についても、角度検出部18と同様に構成されているのが好ましい。第3実施形態のその他の構成は、上記第1および第2実施形態と同様である。また、第3実施形態の効果は、上記第1および第2実施形態と同様である。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。たとえば、上記第1~第3実施形態では、第1角度検出部および第2角度検出部をそれぞれ1つずつ設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、第1角度検出部および第2角度検出部をそれぞれ複数ずつ設けてもよい。このように構成すれば、角度の検出感度を向上させることができる。また、上記第1~第3実施形態では、ミラー部を駆動させる駆動部を、圧電素子を含む圧電駆動方式に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ミラー部を駆動させる駆動アクチュエーターは、圧電駆動方式以外であってもよい。たとえば、静電式であってもよいし、電磁式であってもよい。また、上記第1~第3実施形態では、角度検出部を、ピエゾ抵抗素子を有する構成とした例を示したが、本発明はこれに限らず、角度検出部は、ピエゾ抵抗素子以外のたとえばフォトセンサや他の歪みセンサなどを有する構成とされていてもよい。ただし、上記角度検出部は、ピエゾ抵抗素子を有する構成とされているのが、小型な構成で、かつ高精度に検出可能なため、好ましい。また、上記第1~第3実施形態では、光走査装置をn型単結晶シリコン材料から構成し、ピエゾ抵抗素子をp型領域で形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、光走査装置をp型単結晶シリコン材料から構成し、ピエゾ抵抗素子をn型領域で形成することもできる。この場合、ピエゾ抵抗素子は、一対の検出電極を結ぶ方向が、p型単結晶シリコン材料の100面における110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。このように構成した場合も、容易に、ミラー部の角度を高感度に検出することができる。また、この場合、枠軸部は、110軸に対して、略平行あるいは略垂直となるように配置されているのが好ましい。なお、110軸に対して略平行とは、上記実施形態と同様、たとえば、-10度から10度の範囲内とすることができる。また、110軸に対して略垂直とは、たとえば、80度~100度の範囲内とすることができる。また、上記第1~第3実施形態では、第1角度検出部からの検出信号と第2角度検出部からの検出信号とを演算部で加算することによりクロストークをキャンセルする例を示したが、演算部での演算は、クロストークをキャンセルすることが可能な演算であれば、加算以外の演算加算を含む演算であってもよい。この場合、演算部を別途設ける構成としてもよい。さらに、上記実施形態では、第1,第2角度検出部のピエゾ抵抗素子を、固定枠の内側におけるX軸に沿った縁部仮想線Pに対して枠軸部側に配置した例を示したが、この場合、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は、仮想線Pにかからないように配置されていてもよいし、図15および図16に示すように、仮想線Pにかかるように配置されていてもよい。また、図17および図18に示すように、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は、仮想線Pに対して固定枠12側に配置されていてもよい。この場合も、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は、仮想線Pにかからないように配置されていてもよいし、仮想線Pにかかるように配置されていてもよい。ただし、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20が仮想線Pから離れすぎると、特に固定枠側に離れすぎると、検出感度が下がり、角度を検出しにくくなるため、角度検出部18ピエゾ抵抗素子20は仮想線Pの近傍に配置されているのが好ましい。なお、上記で開示された技術構成を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"