"プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有することを特徴とする半導体装置。本願発明は、プラスチック支持体プラスチックフィルムもしくはプラスチック基板を含むを用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供することを課題とする。また、遮光マスクとして金属膜を用いた液晶表示装置では、他の配線との寄生容量が形成され信号の遅延が生じやすいという問題が生じていた。また、遮光マスクを他の配線と絶縁するために有機膜を用いた場合、製造工程が増加するという問題が生じていた。本願発明は、プラスチックに比べて耐熱性のある基板ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属基板、もしくはセラミックス基板の上に必要な素子を形成し、後にそれらの素子を室温の処理によりプラスチック支持体に移すことを特徴としている。なお、前記必要な素子とは、アクティブマトリクス型の電気光学装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子典型的にはTFTもしくはMIM素子並びに発光素子を指す。また、プラスチック支持体としてはPESポリエチレンサルファイル、PCポリカーボネート、PETポリエチレンテレフタレートもしくはPENポリエチレンナフタレートを用いることができる。本明細書で開示する発明の構成は、基板上に接着層と、前記接着層上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に発光素子とを有し、前記発光素子から発光した光は、前記基板を通過して放射されることを特徴とする半導体装置である。上記構成において、前記基板は、有機材料からなるプラスチック基板である。また、前記絶縁膜上に駆動回路を有し、前記発光素子及び前記駆動回路はTFTを有している。また、各上記構成において、前記基板上にカラーフィルタが、発光素子と重なる位置に設けられている。なお、ここではカラーフィルタとして、パターニングされた1つの着色層単色を指している。また、前記カラーフィルタを覆い、且つ平坦化された絶縁膜を有していることを特徴としている。また、前記カラーフィルタのうち、赤色のカラーフィルタが、少なくとも前記TFTのチャネル形成領域と重なる位置に設けられていることを特徴としている。また、各上記構成において、前記基板に対向して固定基板が前記発光素子上に設けられている。また、他の発明の構成は、TFTが設けられ、且つ有機材料からなる第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に保持された液晶材料とを有し、前記第1の基板と前記TFTとの間にカラーフィルタを備えたことを特徴とする半導体装置である。上記構成において、前記有機材料からなる第1の基板は、プラスチック基板である。また、前記カラーフィルタを覆い、且つ平坦化された絶縁膜を有していることを特徴としている。また、前記カラーフィルタは、少なくともTFTのチャネル形成領域と重なる位置に設けられていることを特徴としている。また、前記カラーフィルタとともにブラックマスクを有していることを特徴としている。また、上記構造を実現するための作製方法に関する発明の構成は、第1の基板上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に発光素子を形成する工程と、前記発光素子上に第1接着層を用いて固定基板を貼り合わせる工程と、フッ化ハロゲンを含むガスに晒すことにより前記分離層を除去して第1の基板を分離する工程と、前記絶縁膜と第2の基板とを第2接着層を用いて貼り合わせる工程とを有し、前記第2の基板上にはカラーフィルタを有していることを特徴とする半導体装置の作製方法である。上記構成において、前記第2の基板として、プラスチック基板を用いることを特徴としている。また、前記分離層としてシリコンからなる膜を用いることを特徴としている。また、上記構成において、前記カラーフィルタは、前記第2の基板側から見て前記活性層と重なることを特徴としている。また、前記活性層と重なるカラーフィルタは赤色であることを特徴としている。また、作製方法に関する他の発明の構成は、第1の基板上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に活性層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆う第1層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1層間絶縁膜上に配線及び画素電極を形成する工程と、対向電極を設けた固定基板をシール剤により前記第1の基板の上に貼り合わせる工程と、前記画素電極と前記対向電極との間に液晶を注入する工程と、前記分離層をフッ化ハロゲンを含むガスに晒すことにより除去して第1の基板を分離する工程と、前記絶縁膜と第2の基板とを接着層を用いて貼り合わせる工程とを有し、前記第2の基板上にはカラーフィルタを有していることを特徴とする半導体装置の作製方法である。上記構成において、前記カラーフィルタは、前記第2の基板側から見て前記活性層と重なることを特徴としている。また、前記活性層と重なるカラーフィルタは赤色であることを特徴としている。また、上記構成において、前記第2の基板として、プラスチック基板を用いることを特徴としている。また、前記固定基板として透光性を有する基板を用いることを特徴としている。また、上記構成において、前記分離層としてシリコンからなる膜を用いることを特徴としている。また、前記分離層を除去して第1の基板を分離する工程としては、公知の技術、例えば分離層としてシリコンを用い、レーザー光を照射することによって分離してもよい。本発明は、半導体素子の作製過程においてプラスチックよりも耐熱性の高い基板素子形成基板を用いるため、電気特性の高い半導体素子を作製することができる。さらに、半導体素子及び発光素子を形成した後で前記素子形成基板を剥離し、プラスチック支持体を貼り合わせる。そのため、プラスチック支持体を支持基板とし、且つ、高性能な電気光学装置を作製することが可能となる。また、支持基板がプラスチックであるため、フレキシブルな電気光学装置にすることもでき、且つ、軽量な電気光学装置とすることが可能である。また、半導体素子及び発光素子が設けられた下地膜とプラスチック支持体との間にカラーフィルタを設けることによりカラー化を達成するとともに、TFTの遮光膜として機能させることができ、装置の信頼性を向上させることができる。本願発明の実施形態について、以下に説明する。図1は、本願発明の一例EL表示装置を示したものである。プラスチック基板第2の基板11と下地膜12とが第2接着層58で接着されている。また、下地膜12上には画素部を構成するスイッチング用TFT201、電流制御用TFT202、駆動回路を構成するpチャネル型TFT205、nチャネル型TFT204が設けられている。なお、各TFTは、各TFTの活性層チャネル形成領域17a、17b、29、38、42、ソース領域13、26、35、40、ドレイン領域14、27、36、41、LDD領域15a~d、37を含むと、活性層を覆うゲート絶縁膜18と、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域と重なるゲート電極19a、19b、30、39、43と、ゲート電極を覆う第1層間絶縁膜20と、第1層間絶縁膜上に前記活性層に達するソース配線21、31、44、45、及びドレイン配線22、32、46と、ソース配線及びドレイン配線を覆う第1パッシベーション膜47と、第1パッシベーション膜を覆う第2層間絶縁膜48とを含む。ただし、電流制御用TFT202においては、第2層間絶縁膜48上にドレイン配線32に達する画素電極陽極49と、画素電極上にEL層51と、EL層上に陰極52と、陰極上に保護電極53とを有している。また、保護電極を覆う第2パッシベーション膜54と固定基板56とを接着させる第1接着層55が設けられている。この固定基板56は、素子と基板とを分離する際、素子を固定するためのものであり、固定基板56は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、シリコン基板、もしくはプラスチック基板であればよい。図1に示したEL表示装置の発光方向は、図中の矢印の方向であり、発光した光は、カラーフィルタ57を通過し、第2の基板11を通過して放射される。また、本願発明は、第2の基板11において貼り合わせる面側にカラーフィルタ57が設けられていることも特徴の一つである。また、図3に示すように第2の基板11上に駆動回路部ゲート線側駆動回路303、ソース線側駆動回路304及び画素部302のTFT素子の遮光膜としてカラーフィルタ57を配置していることを特徴としている。また、画素部において、図2に画素部R301、画素部G302、画素部B303のそれぞれに対応するカラーフィルタ304~308の配置例を示す。特に遮光膜としてカラーフィルタを用いる場合、赤色のカラーフィルタは通過する光の波長が高く、非単結晶珪素膜にほとんど影響を与えないため、有効である。参考までに非単結晶珪素膜55nmに対する吸収率と照射される波長との関係を図20に示した。本発明において、光の劣化から保護するためにTFTのゲート電極の下方、即ちチャネル形成領域の下方にカラーフィルタRを形成する。また、カラーフィルタには、最も単純なストライプパターンをはじめとして、斜めモザイク配列、三角モザイク配列、RGBG四画素配列、もしくはRGBW四画素配列などを用いることができる。なお、プラスチック基板上のカラーフィルタを保護するために保護絶縁膜を形成してもよい。保護絶縁膜は、カラーフィルタに含まれる不純物による汚染を防ぐ上で重要な役割を果たす。こうすることによって劣化しやすいカラーフィルタを保護できる。また、耐熱性も向上することができる。また、カラーフィルタを覆う平坦化のための絶縁膜を形成してもよい。加えて、カラーフィルタとともにブラックマトリクスを形成してもよい。また、本願発明は上記構成を実現するための工程として、TFT素子をシリコン膜シリコンゲルマニウム膜も含むからなる分離層膜厚100~500nmの上に形成しておき、最終工程にてフッ化ハロゲンを含むガスを用いて分離層を除去することを特徴としている。その結果、各素子と前記基板とが分離されるので、その後、素子をプラスチック支持体に接着することが可能となる。このフッ化ハロゲンによるシリコン膜のエッチングは室温で容易に進行するため、耐熱性の低い発光素子を形成した後であっても問題なく行うことができる。フッ化ハロゲンとは化学式XFnXはフッ素以外のハロゲン、nは整数で示される物質であり、一フッ化塩素ClF、三フッ化塩素ClF3、一フッ化臭素BrF、三フッ化臭素BrF3、一フッ化ヨウ素IFもしくは三フッ化ヨウ素IF3を用いることができる。また、シリコン膜は結晶質シリコン膜であっても非晶質シリコン膜であっても良い。このフッ化ハロゲンは、シリコン膜と酸化シリコン膜との選択比が大きく、シリコン膜の選択的なエッチングが可能である。なお、上述のフッ化ハロゲンにシリコン膜を晒すだけでシリコン膜はエッチングされるが、他のフッ化物四フッ化炭素CF4もしくは三フッ化窒素であってもプラズマ状態とすることで本願発明に用いることは可能である。加えて、物理的な作用光、熱など、化学的な作用薬液との反応など、あるいは機械的な作用引張力、振動などのいずれか一または複数の作用を受けることで基板から分離させてもよい。こうすることにより、プラスチック基板上に特性の良好なTFTを設けることができるとともに、さらなるEL表示装置の軽量化を図ることができる。また、組み立てが容易となる。図12は、本願発明の一例液晶表示装置を示したものである。第2の基板プラスチック基板1108上にカラーフィルタ1106を設けられ、第1の接着層1107によりTFT素子の下地膜と接着されている。なお、ここでは、赤色、青色、緑色の画素のうち、赤色の画素部を示している。また、固定基板1001には対向電極1002、配向膜1003が設けられている。ただし、固定基板は透光性を有した基板である。また、TFT素子と固定基板は、図示していないがシール材で接着されている。画素部の画素電極と対向基板との間には液晶1004が挟持されている。図12において、最も特徴的である点は、カラーフィルタが設けてある面を内側にして貼り合わせている点である。また、カラーフィルタの配置は図14、図15に示したようにする。このように、駆動回路部及び画素部のTFT素子の遮光膜としてカラーフィルタを配置した場合、赤色のカラーフィルタは通過する光の波長が高く、非単結晶珪素膜にほとんど影響を与えないため、有効である。また、カラーフィルタからなる遮光膜とTFTの半導体膜との距離が近いため、効率よく遮光することができる。こうすることにより、プラスチック基板上に特性の良好なTFTを設けることができるとともに、さらなる液晶表示装置の軽量化を図ることができる。また、組み立てが容易となる。以上の構成でなる本願発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。本願発明の実施例について図4~図7を用いて説明する。ここでは、第1の基板500上に画素部とその周辺に設けられる駆動回路部のTFTを同時に作製する方法について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路に関しては基本単位であるCMOS回路を図示することとする。図4Aにおいて、500は素子が形成される基板以下、素子形成基板というであり、その上には非晶質シリコン膜からなる分離層501aが100~500nm本実施の形態では300nmの厚さに形成される。本実施の形態では素子形成基板第1の基板500としてガラス基板を用いるが、石英基板、シリコン基板、金属基板もしくはセラミックス基板を用いても構わない。なお、本明細書中では、半導体素子もしくは発光素子が形成された基板全体を指して素子形成基板と呼ぶ場合もある。また、分離層501aの成膜は減圧熱CVD法、プラズマCVD法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。分離層501aの上には酸化シリコン膜からなる絶縁膜501bが200nmの厚さに形成される。絶縁膜501bの形成は減圧熱CVD法、プラズマCVD法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。次に、絶縁膜501bの上に50nmの厚さの非晶質シリコン膜502を公知の成膜法で形成する。なお、アモルファスシリコン膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む半導体膜微結晶半導体膜を含むであれば良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。ここから図4Cまでの工程は本出願人による特開平10-247735号公報を完全に引用することができる。同公報ではNi等の元素を触媒として用いた半導体膜の結晶化方法に関する技術を開示している。まず、開口部503a、503bを有する保護膜504を形成する。本実施例では150nm厚の酸化珪素膜を用いる。そして、保護膜504の上にスピンコート法によりニッケルNiを含有する層Ni含有層505を形成する。このNi含有層の形成に関しては、前記公報を参考にすれば良い。次に、図4Bに示すように、不活性雰囲気中で570°C14時間の加熱処理を加え、アモルファスシリコン膜502を結晶化する。この際、Niが接した領域以下、Ni添加領域という506a、506bを起点として、基板と概略平行に結晶化が進行し、棒状結晶が集まって並んだ結晶構造でなるポリシリコン膜507が形成される。次に、図4Cに示すように、保護膜504をそのままマスクとして15族に属する元素好ましくはリンをNi添加領域506a、506bに添加する。こうして高濃度にリンが添加された領域以下、リン添加領域という508a、508bが形成される。次に、図4Cに示すように、不活性雰囲気中で600°C、12時間の加熱処理を加える。この熱処理によりポリシリコン膜507中に存在するNiは移動し、最終的には殆ど全て矢印が示すようにリン添加領域508a、508bに捕獲されてしまう。これはリンによる金属元素本実施例ではNiのゲッタリング効果による現象であると考えられる。この工程によりポリシリコン膜509中に残るNiの濃度はSIMS質量二次イオン分析による測定値で少なくとも2×1017atomscm3にまで低減される。Niが、この程度まで低減されるとTFT特性には何ら悪影響を与えることはない。また、この濃度は殆ど現状のSIMS分析の測定限界であるので、実際にはさらに低い濃度2×1017atomscm3以下であると考えられる。こうして触媒を用いた結晶化され、且つ、その触媒がTFTの動作に支障を与えないレベルにまで低減されたポリシリコン膜509が得られる。その後、このポリシリコン膜509のみを用いた活性層510~513をパターニング工程により形成する。なお、この時、後のパターニングにおいてマスク合わせを行うためのマーカーを、上記ポリシリコン膜を用いて形成すると良い。図4D次に、50nm厚の窒化酸化シリコン膜をプラズマCVD法により形成し、その上で酸化雰囲気中で950°C、1時間の加熱処理を加え、熱酸化工程を行う。なお、酸化雰囲気は酸素雰囲気でも良いし、ハロゲン元素を添加した酸素雰囲気でも良い。この熱酸化工程では活性層と上記窒化酸化シリコン膜との界面で酸化が進行し、約15nm厚のポリシリコン膜が酸化されて約30nm厚の酸化シリコン膜が形成される。即ち、30nm厚の酸化シリコン膜と50nm厚の窒化酸化シリコン膜が積層されてなる80nm厚のゲート絶縁膜514が形成される。また、活性層510~513の膜厚はこの熱酸化工程によって30nmとなる。図4E次に、図5Bに示すように、レジストマスク515a、515bを形成し、ゲート絶縁膜514を介してp型を付与する不純物元素以下、p型不純物元素というを添加する。p型不純物元素としては、代表的には13族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程チャネルドープ工程というはTFTのしきい値電圧を制御するための工程である。なお、本実施例ではジボランB2H6を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。この工程により1×1015~1×1018atomscm3代表的には5×1016~5×1017atomscm3の濃度でボロンを含む不純物領域516~518が形成される。次に、図5Bに示すように、レジストマスク519a、519bを形成し、ゲート絶縁膜514を介してn型を付与する不純物元素以下、n型不純物元素というを添加する。なお、n型不純物元素としては、代表的には15族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いることができる。なお、本実施例ではフォスフィンPH3を質量分離しないでプラズマ励起したプラズマドーピング法を用い、リンを1×1018atomscm3の濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。この工程により形成されるn型不純物領域520には、n型不純物元素が2×1016~5×1019atomscm3代表的には5×1017~5×1018atomscm3の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。次に、図5Cに示すように、添加されたn型不純物元素及びp型不純物元素の活性化工程を行う。活性化手段を限定する必要はないが、ゲート絶縁膜514が設けられているので電熱炉を用いたファーネスアニール処理が好ましい。また、図5Aの工程でチャネル形成領域となる部分の活性層/ゲート絶縁膜界面にダメージを与えてしまっている可能性があるため、なるべく高い温度で加熱処理を行うことが望ましい。本実施例の場合には耐熱性の高い結晶化ガラスを用いているので、活性化工程を800°C、1時間のファーネスアニール処理により行う。なお、処理雰囲気を酸化性雰囲気にして熱酸化を行っても良いし、不活性雰囲気で加熱処理を行っても良い。この工程によりn型不純物領域520の端部、即ち、n型不純物領域520の周囲に存在するn型不純物元素を添加していない領域図5Aの工程で形成されたp型不純物領域との境界部接合部が明確になる。このことは、後にTFTが完成した時点において、LDD領域とチャネル形成領域とが非常に良好な接合部を形成しうることを意味する。次に、200~400nm厚の導電膜を形成し、パターニングしてゲート電極521~524を形成する。なお、ゲート電極は単層の導電膜で形成しても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜とすることが好ましい。ゲート電極の材料としては公知の導電膜を用いることができる。具体的には、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンW、クロムCr、アルミニウムAl、銅Cu、銀Agまたは、導電性を有するシリコンSiから選ばれた元素でなる膜、または前記元素の窒化物でなる膜代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜、または前記元素を組み合わせた合金膜代表的にはMo-W合金、Mo-Ta合金、または前記元素のシリサイド膜代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜を用いることができる。勿論、単層で用いても積層して用いても良い。本実施例では、50nm厚の窒化タングステンWN膜と、350nm厚のタングステンW膜とでなる積層膜を用いる。これはスパッタ法で形成すれば良い。また、スパッタガスとしてXe、Ne等の不活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止することができる。また、この時、ゲート電極522はn型不純物領域520の一部とゲート絶縁膜514を介して重なるように形成する。この重なった部分が後にゲート電極と重なったLDD領域となる。なお、ゲート電極523a、523bは断面では二つに見えるが、実際は電気的に接続されている。次に、図6Aに示すように、ゲート電極521~524をマスクとして自己整合的にn型不純物元素本実施例ではリンを添加する。こうして形成される不純物領域525~532にはn型不純物領域520の濃度でリンが添加されるように調節する。具体的には、1×1016~5×1018atomscm3典型的には3×1017~3×1018atomscm3の濃度が好ましい。次に、図6Bに示すように、ゲート電極等を覆う形でレジストマスク533a~533dを形成し、n型不純物元素本実施例ではリンを添加して高濃度にリンを含む不純物領域534~538を形成する。ここでもフォスフィンPH3を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリンの濃度は1×1020~1×1021atomscm3代表的には2×1020~5×1021atomscm3となるように調節する。この工程によってnチャネル型TFTのソース領域若しくはドレイン領域が形成されるが、スイッチング用TFTは、図6Aの工程で形成したn型不純物領域528~530の一部を残す。この残された領域が、図1におけるスイッチング用TFTのLDD領域15a~15dに対応する。次に、図6Cに示すように、レジストマスク533a~533dを除去し、新たにレジストマスク539を形成する。そして、p型不純物元素本実施例ではボロンを添加し、高濃度にボロンを含む不純物領域540~543を形成する。ここではジボランB2H6を用いたイオンドープ法により3×1020~3×1021atomscm3代表的には5×1020~1×1021atomscm3の濃度となるようにボロンを添加する。なお、不純物領域540~543には既に1×1020~1×1021atomscm3の濃度でリンが添加されているが、ここで添加されるボロンはその少なくとも3倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成されていたn型の不純物領域は完全にp型に反転し、p型の不純物領域として機能する。次に、図6Dに示すように、レジストマスク539を除去した後、第1層間絶縁膜544を形成する。第1層間絶縁膜544としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組み合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は400nm~1.5μmとすれば良い。本実施例では、200nm厚の窒化酸化珪素膜の上に800nm厚の酸化珪素膜を積層した構造とする。その後、それぞれの濃度で添加されたn型またはp型不純物元素を活性化する。活性化手段としては、ファーネスアニール法が好ましい。本実施例では電熱炉において窒素雰囲気中、550°C、4時間の熱処理を行う。さらに、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~450°Cで1~12時間の熱処理を行い水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。なお、水素化処理は第1層間絶縁膜544を形成する間に入れても良い。即ち、200nm厚の窒化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を行い、その後で残り800nm厚の酸化珪素膜を形成しても構わない。次に、図7Aに示すように、第1層間絶縁膜544に対してコンタクトホールを形成し、ソース配線545~548と、ドレイン配線549~551を形成する。加えて、分離層を効率よく除去するために、画素の各所に分離層501aまで達するコンタクトホールを形成する。また、ここでは図示しないが、外部の配線と接続させるために端子部において、分離層501aまで達するコンタクトホールを形成し、ソース配線またはドレイン配線と接続する配線を形成している。また、上記分離層501aまで達するコンタクトホールは、第1層間絶縁膜544、ゲート絶縁膜514、下地膜501bを順次エッチングすることによって形成する。なお、本実施例ではこの電極を、Ti膜を100nm、Tiを含むアルミニウム膜を300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続形成した3層構造の積層膜とする。勿論、他の導電膜でも良い。次に、50~500nm代表的には200~300nmの厚さで第1パッシベーション膜552を形成する。本実施例では第1パッシベーション膜552として300nm厚の窒化酸化シリコン膜を用いる。これは窒化シリコン膜で代用しても良い。この時、窒化酸化シリコン膜の形成に先立ってH2、NH3等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことは有効である。この前処理により励起された水素が第1層間絶縁膜544に供給され、熱処理を行うことで、第1パッシベーション膜552の膜質が改善される。それと同時に、第1層間絶縁膜544に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化することができる。次に、図7Bに示すように、有機樹脂からなる第2層間絶縁膜553を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、アクリル、BCBベンゾシクロブテン等を使用することができる。特に、第2層間絶縁膜553はTFTが形成する段差を平坦化する必要があるので、平坦性に優れたアクリル膜が好ましい。本実施例では2.5μmの厚さでアクリル膜を形成する。次に、第2層間絶縁膜553、第1パッシベーション膜552にドレイン配線551に達するコンタクトホールを形成し、画素電極陽極554を形成する。本実施例では酸化インジウムスズITO膜を110nmの厚さに形成し、パターニングを行って画素電極とする。また、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合した透明導電膜を用いても良い。この画素電極がEL素子の陽極となる。次に、珪素を含む絶縁膜本実施例では酸化珪素膜を500nmの厚さに形成し、画素電極554に対応する位置に開口部を形成して第3層間絶縁膜555を形成する。開口部を形成する際、ウェットエッチング法を用いることで容易にテーパー形状の側壁とすることができる。開口部の側壁が十分になだらかでないと段差に起因するEL層の劣化が顕著な問題となってしまう。次に、EL層556及び陰極MgAg電極557を、真空蒸着法を用いて大気解放しないで連続形成する。なお、EL層556の膜厚は80~200nm典型的には100~120nm、陰極557の厚さは180~300nm典型的には200~250nmとすれば良い。この工程では、赤色に対応する画素、緑色に対応する画素及び青色に対応する画素に対して順次EL層及び陰極を形成する。但し、EL層は溶液に対する耐性に乏しいためフォトリソグラフィ技術を用いずに各色個別に形成しなくてはならない。そこでメタルマスクを用いて所望の画素以外を隠し、必要箇所だけ選択的にEL層及び陰極を形成するのが好ましい。即ち、まず赤色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて赤色発光のEL層及び陰極を選択的に形成する。次いで、緑色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて緑色発光のEL層及び陰極を選択的に形成する。次いで、同様に青色に対応する画素以外を全て隠すマスクをセットし、そのマスクを用いて青色発光のEL層及び陰極を選択的に形成する。なお、ここでは全て異なるマスクを用いるように記載しているが、同じマスクを使いまわしても構わない。また、全画素にEL層及び陰極を形成するまで真空を破らずに処理することが好ましい。なお、EL層556としては公知の材料を用いることができる。公知の材料としては、駆動電圧を考慮すると有機材料を用いるのが好ましい。例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層でなる4層構造をEL層とすれば良い。また、本実施例ではEL素子の陰極としてMgAg電極を用いた例を示すが、公知の他の材料であっても良い。なお、緑色の発光層を形成する時は、発光層の母体材料としてAlq3トリス-8-キノリノラトアルミニウム錯体を用い、キナクリドンもしくはクマリン6をドーパントとして添加する。また、赤色の発光層を形成する時は、発光層の母体材料としてAlq3を用い、DCJT、DCM1もしくはDCM2をドーパントとして添加する。また、青色の発光層を形成する時は、発光層の母体材料としてBAlq32-メチル-8-キノリノールとフェノール誘導体の混合配位子を持つ5配位の錯体を用い、ペリレンをドーパントとして添加する。勿論、上記有機材料に限定する必要はなく、公知の低分子系有機EL材料、高分子系有機EL材料もしくは無機EL材料を用いることが可能である。高分子系有機EL材料を用いる場合は塗布法を用いることもできる。また、EL層として一重項励起により発光蛍光する発光材料シングレット化合物からなる薄膜、または三重項励起により発光リン光する発光材料トリプレット化合物からなる薄膜を用いることができる。また、保護電極558としてはアルミニウムを主成分とする導電膜を用いれば良い。保護電極558はEL層及び陰極を形成した時とは異なるマスクを用いて真空蒸着法で形成すれば良い。また、EL層及び陰極を形成した後で大気解放しないで連続的に形成することが好ましい。最後に、窒化珪素膜でなる第2パッシベーション膜559を300nmの厚さに形成する。実際には保護電極558がEL層を水分等から保護する役割を果たすが、さらに第2パッシベーション膜559を形成しておくことで、EL素子の信頼性をさらに高めることができる。こうして第1の基板500上に図7Cに示すような構造のアクティブマトリクス型EL表示装置が完成する。なお、実際には、図7Cまで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性の高い保護フィルムラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やセラミックス製シーリングカンなどのハウジング材でパッケージング封入することが好ましい。その際、ハウジング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料例えば酸化バリウムを配置することでEL層の信頼性寿命が向上する。本実施例では、実施例1の工程終了後、実施例1で第1の基板上に形成されたTFT及びEL素子をプラスチック基板に移す工程の一例を図8、図9に説明する。まず、実施例1に従って図7Cの状態を得る。ただし、本実施例では、カラーフィルタを用いるため、白色発光の有機EL層を備えたEL素子を用いた。具体的には、発光層として、特開平8-96959号公報または特開平9-63770号公報に記載された材料を用いれば良い。本実施例では発光層として1,2-ジクロロメタンに、PVKポリビニルカルバゾール、Bu-PBD2-4-tert-ブチルフェニル-5-4-ビフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、クマリン6、DCM14-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン、TPBテトラフェニルブタジエン、ナイルレッドを溶解したものを用いる。なお、図8Aは、図7Cに対応している。また、図7C中の第1の基板500は第1の基板600に対応し、分離層501aは分離層601に対応している。ただし、実施例1では示さなかったが図8Aでは端子部も示している。端子部においてソース配線またはドレイン配線と接続している配線は分離層601と接して形成されている。次に、図8Bに示すように、第1接着層603により素子を固定するための基板以下、固定基板という602を貼り合わせる。本実施の形態では固定基板602として可撓性のプラスチックフィルムを用いるが、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、シリコン基板もしくはセラミックス基板を用いても良い。また、第1接着層603としては、後に分離層601を除去する際に選択比のとれる材料を用いる必要がある。代表的には樹脂からなる絶縁膜を用いることができ、本実施の形態ではポリイミドを用いるが、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良い。なお、EL素子から見て観測者側電気光学装置の使用者側に位置する場合は、光を透過する材料であることが必要である。図8Bのプロセスを行うことによりパッケージング処理と同様に、EL素子を完全に大気から遮断することができる。これにより酸化による有機EL材料の劣化をほぼ完全に抑制することができ、EL素子の信頼性を大幅に向上させることができる。次に、図8Cに示すように、EL素子の形成された第1の基板600全体を、フッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、分離層601の除去を行う。本実施の形態ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素ClF3を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。希釈ガスとしては、アルゴン、ヘリウムもしくはネオンを用いても良い。流量は共に500sccm8.35×106m3/sとし、反応圧力は1~10Torr1.3×102~1.3×103Paとすれば良い。また、処理温度は室温典型的には20~27°Cで良い。この場合、シリコン膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化シリコン膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで分離層601が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。なお、同じくシリコン膜で形成されている活性層はゲート絶縁膜に覆われているため三フッ化塩素ガスに晒されることがなく、エッチングされることはない。本実施例の場合、分離層601は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第1の基板600と下地膜が分離される。このとき、TFT及びEL素子は薄膜を積層して形成されているが、固定基板602に移された形で残る。なお、ここでは分離層601が端部からエッチングされていくことになるが、第1の基板600が大きくなると完全に除去されるまでの時間が長くなり好ましいものではない。従って、第1の基板600が対角3インチ以下好ましくは対角1インチ以下である場合に望ましい。こうして固定基板602にTFT及びEL素子を移したら、図9Aに示すように、第2接着層608を形成し、プラスチック基板である第2基板605を貼り合わせる。なお、第2の基板605には、画素部において、各画素及びTFTの位置に対応するカラーフィルタ606が設けられ、端子部において端子接続部607と、露呈した配線と接するように端子接続部上に設けられた導電性フィラーを含む導電異方性接着剤609とが設けられている。このとき、各カラーフィルタ606はスピンコート法とフォトリソグラフィ技術との組み合わせもしくは印刷法を用いて形成することができるため、問題なくプラスチックフィルム上に形成することができる。カラーフィルタは、顔料を含んだアクリル樹脂富士フィルムオーリン製を膜厚1~2μmのものを用いた。また、素子形成基板上にカラーフィルタを形成する場合に比べて、歩留まりの向上が期待できる。また、第2接着層608としては樹脂からなる絶縁膜代表的にはポリイミド、アクリル、ポリアミドもしくはエポキシ樹脂を用いても良いし、無機絶縁膜代表的には酸化シリコン膜を用いても良い。こうして第1の基板600から第2の基板605へとTFT及びEL素子が移される。その結果、図9Bに示したように、第2の基板605上に画素部612、駆動回路部611、端子部610が設けられたフレキシブルなEL表示装置を得ることができる。また、固定基板600と第2の基板605を同一材料プラスチックフィルムとすると熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けにくくすることができる。本実施例では実施例2に示した端子部とは異なる構造の端子部を図10Aに示す。図10Aにおいて、TFT素子及びEL素子の構成は実施例2と同一であるので省略する。以下に図10Aに示した端子部の作製方法を示す。まず、第2の基板上に、実施例2と同様にカラーフィルタを形成する。次いで、このカラーフィルタを覆う保護膜707を形成する。次いで、保護膜上に露呈された配線と重なる位置に第1電極704を形成する。次いで、この状態の第2基板と下地膜700とを接着層で接着する。次いで、第2の基板705、保護膜707を順次エッチングして電極704に達するコンタクトホールを形成する。次いで、第2電極706を形成する。こうして図10Aに示した端子部701が形成される。また、上記端子部とは構造が異なる他の例を図10Bに示す。図10Bにおいて、画素部803及び駆動回路部802を形成する際、下地膜800を形成する前に電極804を形成しておく。そして、貼り合わせる第2の基板805の端部と固定基板との端部をずらすことによって、電極804を露出させたままの状態とする。こうして端子部801が形成される。本実施例は、実施例1または実施例2と自由に組み合わせることが可能である。実施例1及び実施例2に従い、パッケージング等の処理により気密性を高めたら、第2の基板プラスチック基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子接続部607図9Aと外部信号端子とを接続するためのコネクターフレキシブルプリントサーキット:FPCを取り付けて製品として完成する。このような出荷できる状態にまでしたEL表示装置を本明細書中ではELモジュールという。本実施例では、本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置の構成を図11の斜視図を用いて説明する。本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置は、プラスチック基板901上に形成された、画素部902と、ゲート側駆動回路903と、ソース側駆動回路904で構成される。画素部のスイッチング用TFT905はnチャネル型TFTであり、ゲート側駆動回路903に接続されたゲート配線906、ソース側駆動回路904に接続されたソース配線907の交点に配置されている。また、スイッチング用TFT905のドレインは電流制御用TFT908のゲートに接続されている。さらに、電流制御用TFT908のソース側は電源供給線909に接続される。本実施例のような構造では、EL駆動電源線909には接地電位アース電位が与えられている。また、電流制御用TFT908のドレインにはEL素子910が接続されている。また、このEL素子910のカソードには所定の電圧本実施例では10~12Vが加えられる。そして、外部入出力端子となるFPC911には駆動回路まで信号を伝達するための入出力配線接続配線912、913、及びEL駆動電源線909に接続された入出力配線914が設けられている。また、ここでは固定基板915でパッケージングしている。また、本実施例は実施例1乃至3のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。本発明の実施例を図16~図18を用いて説明する。ここでは、画素部の画素TFTおよび保持容量と、画素部の周辺に設けられる駆動回路のTFTを同時に作製する方法について工程に従って詳細に説明する。図16Aにおいて、基板101にはコーニング社の7059ガラスや1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板や石英基板などを用いる。そして、基板101のTFTを形成する表面に、後の工程で基板101を分離するために分離層100を形成する。非晶質シリコン膜からなる分離層100は100~500nm本実施の形態では300nmの厚さに形成される。分離層100の成膜は減圧熱CVD法、プラズマCVD法、スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。分離層100の上には、基板101からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜102を形成する。例えば、プラズマCVD法でSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜102aを10~200nm好ましくは50~100nm、同様にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコン膜102bを50~200nm好ましくは100~150nmの厚さに積層形成する。ここでは下地膜102を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させて形成しても良い。次に、25~80nm好ましくは30~60nmの厚さで非晶質構造を有する半導体層103aを、プラズマCVD法やスパッタ法などの方法で形成する。非晶質構造を有する半導体膜には、非晶質半導体層や微結晶半導体膜があり、非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。プラズマCVD法で非晶質シリコン膜を形成する場合には、下地膜102と非晶質半導体層103aとは両者を連続形成することも可能である。そして、結晶化の工程を行い非晶質半導体層103aから結晶質半導体層103bを作製する。その方法としてレーザーアニール法や熱アニール法固相成長法、またはラピットサーマルアニール法RTA法を適用することができる。結晶化の工程ではまず、非晶質半導体層が含有する水素を放出させておくことが好ましく、400~500°Cで1時間程度の熱処理を行い含有する水素量を5atom以下にしてから結晶化させると膜表面の荒れを防ぐことができるので良い。結晶化をレーザーアニール法にて行う場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやアルゴンレーザーをその光源とする。パルス発振型のエキシマレーザーを用いる場合には、レーザー光を線状に加工してレーザーアニールを行う。レーザーアニール条件は実施者が適宣選択するものであるが、例えば、レーザーパルス発振周波数30Hzとし、レーザーエネルギー密度を100~500mJcm2とする。そして線状ビームを基板全面に渡って照射し、この時の線状ビームの重ね合わせ率オーバーラップ率を80~98として行う。このようにして図16Bに示すように結晶質半導体層103bを得ることができる。そして、結晶質半導体層103b上に第1のフォトマスクPM1を用い、フォトリソグラフィーの技術を用いてレジストパターンを形成し、ドライエッチングによって結晶質半導体層を島状に分割し、図16Cに示すように島状半導体層104~108を形成する。結晶質シリコン膜のドライエッチングにはCF4とO2の混合ガスを用いる。その後、プラズマCVD方またはスパッタ法により50~200nmの厚さの酸化シリコン膜によるマスク層を形成する。本実施例では130nmの厚さの酸化シリコン膜を形成した。次いで、ゲート絶縁膜109を形成する。ゲート絶縁膜109はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、膜厚を40~150nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、120nmの厚さで酸化窒化シリコン膜から形成する。また、SiH4とN2OにO2を添加させて作製された酸化窒化シリコン膜は、膜中の固定電荷密度が低減されているのでこの用途に対して好ましい材料となる。また、SiH4とN2OとH2とから作製する酸化窒化シリコン膜はゲート絶縁膜との界面欠陥密度を低減できるので好ましい。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。そして、図16Dに示すように、第1の形状のゲート絶縁膜109上にゲート電極を形成するための耐熱性導電層111を200~400nm好ましくは250~350nmの厚さで形成する。耐熱性導電層は単層で形成しても良いし、必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成る積層構造としても良い。本明細書でいう耐熱性導電層にはTa、Ti、Wから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。本実施例ではW膜を300nmの厚さで形成する。W膜はWをターゲットとしてスパッタ法で形成しても良いし、6フッ化タングステンWF6を用いて熱CVD法で形成することもできる。次に、第2のフォトマスクPM2を用い、フォトリソグラフィーの技術を使用してレジストによるマスク112~117を形成する。そして、第1のエッチング処理を行う。本実施例ではICPエッチング装置を用い、エッチング用ガスにCl2とCF4を用い、1Paの圧力で3.2Wcm2のRF1356MHz電力を投入してプラズマを形成して行う。基板側試料ステージにも224mWcm2のRF1356MHz電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイアス電圧が印加される。この条件でW膜のエッチング速度は約100nmminである。第1のエッチング処理はこのエッチング速度を基にW膜が丁度エッチングされる時間を推定し、それよりもエッチング時間を20増加させた時間を実際のエッチング時間とした。第1のエッチング処理により第1のテーパー形状を有する導電層118~123が形成される。図17Aで示すと同様にテーパー部の角度は15~30°が形成される。残渣を残すことなくエッチングするためには、10~20程度の割合でエッチング時間を増加させるオーバーエッチングを施すものとする。W膜に対する酸化窒化シリコン膜第1の形状のゲート絶縁膜109の選択比は2~4代表的には3であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20~50nm程度エッチングされ第1のテーパー形状を有する導電層の端部近傍にテーパー形状が形成された第2の形状のゲート絶縁膜134が形成される。そして、第1のドーピング処理を行い一導電型の不純物元素を島状半導体層に添加する。ここでは、n型を付与する不純物元素添加の工程を行う。第1の形状の導電層を形成したマスク112~117をそのまま残し、第1のテーパー形状を有する導電層118~123をマスクとして自己整合的にn型を付与する不純物元素をイオンドープ法で添加する。n型を付与する不純物元素をゲート電極の端部におけるテーパー部とゲート絶縁膜とを通して、その下に位置する半導体層に達するように添加するためにドーズ量を1×1013~5×1014atomscm2とし、加速電圧を80~160keVとして行う。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリンPまたは砒素Asを用いるが、ここではリンPを用いた。このようなイオンドープ法により第1の不純物領域124、126、128、130、132には1×1020~1×1021atomiccm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素が添加され、テーパー部の下方に形成される第2の不純物領域Aには同領域内で必ずしも均一ではないが1×1017~1×1020atomiccm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素が添加される。この工程において、第2の不純物領域A125、127、129、131、133において、少なくとも第1の形状の導電層118~123と重なった部分に含まれるn型を付与する不純物元素の濃度変化は、テーパー部の膜厚変化を反映する。即ち、第2の不純物領域A125、127、129、131へ添加されるリンPの濃度は、第1の形状の導電層に重なる領域において、該導電層の端部から内側に向かって徐々に濃度が低くなる。これはテーパー部の膜厚の差によって、半導体層に達するリンPの濃度が変化するためである。次に、図17Bに示すように第2のエッチング処理を行う。エッチング処理も同様にICPエッチング装置により行い、エッチングガスにCF4とCl2の混合ガスを用い、RF電力3.2Wcm2、バイアス電力45mWcm2、圧力1.0Paでエッチングを行う。この条件で形成される第2の形状を有する導電層140~145が形成される。その端部にはテーパー部が形成され、該端部から内側にむかって徐々に厚さが増加するテーパー形状となる。第1のエッチング処理と比較して基板側に印加するバイアス電力を低くした分等方性エッチングの割合が多くなり、テーパー部の角度は30~60°となる。また、第2の形状のゲート絶縁膜134の表面が40nm程度エッチングされ、新たに第3の形状のゲート絶縁膜170が形成される。そして、第1のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でn型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を70~120keVとし、1×1013cm2のドーズ量で行い、第2の形状を有する導電層140~145と重なる領域の不純物濃度を1×1016~1×1018atomscm3となるようにする。このようにして、第2の不純物領域B146~149を形成する。そして、pチャネル型TFTを形成する島状半導体層104、106に一導電型とは逆の導電型の不純物領域156、157を形成する。この場合も第2の形状の導電層140、142をマスクとしてp型を付与する不純物元素を添加し、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、nチャネル型TFTを形成する島状半導体層105、107、108は、第3のフォトマスクPM3を用いてレジストのマスク151~153を形成し全面を被覆しておく。ここで形成される不純物領域156、157はジボランB2H6を用いたイオンドープ法で形成する。不純物領域156、157のp型を付与する不純物元素の濃度は、2×1020~2×1021atomscm3となるようにする。しかしながら、この不純物領域156、157は詳細にはn型を付与する不純物元素を含有する3つの領域に分けて見ることができる。第3の不純物領域156a、157aは1×1020~1×1021atomscm3の濃度でn型を付与する不純物元素を含み、第4の不純物領域A156b、157bは1×1017~1×1020atoms/cm36の濃度でn型を付与する不純物元素を含み、第4の不純物領域B156c、157cは1×1016~5×1018atomscm3の濃度でn型を付与する不純物元素を含んでいる。しかし、これらの不純物領域156b、156c、157b、157cのp型を付与する不純物元素の濃度を1×1019atoms/cm3以上となるようにし、第3の不純物領域156a、157aにおいては、p型を付与する不純物元素の濃度を1.5から3倍となるようにすることにより、第3の不純物領域でpチャネル型TFTのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題はな生じない。また、第4の不純物領域B156c、157cは一部が第2のテーパー形状を有する導電層140または142と一部が重なって形成される。その後、図18Aに示すように、ゲート電極およびゲート絶縁膜上から第1の層間絶縁膜158を形成する。第1の層間絶縁膜は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。いずれにしても第1の層間絶縁膜158は無機絶縁物材料から形成する。第1の層間絶縁膜158の膜厚は100~200nmとする。そして、それぞれの濃度で添加されたn型またはp型を付与する不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法RTA法を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400~700°C、代表的には500~600°Cで行うものであり、本実施例では550°Cで4時間の熱処理を行った。活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化させ、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~450°Cで1~12時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。次いで、第2の層間絶縁膜を有機絶縁物材料で形成する。このように、第2の層間絶縁膜を有機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘電率が低いので、寄生容量を低減するできる。しかし、吸湿性があり保護膜としては適さないので、本実施例のように、第1の層間絶縁膜158として形成した酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み合わせて用いると良い。その後、第4のフォトマスクPM4を用い、所定のパターンのレジストマスクを形成し、それぞれの島状半導体層に形成されソース領域またはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成し、第5のフォトマスクPM5によりレジストマスクパターンを形成し、エッチングによってソース線160~164とドレイン線165~168を形成する。次いで、その上に透明導電膜を80~120nmの厚さで形成し、第6のフォトマスクPM6によりパターニングすることによって画素電極図18Bにおいて180で示すを形成した。透明導電膜には酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnO、酸化亜鉛ZnOも適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウムGaを添加した酸化亜鉛ZnO:Gaなどを好適に用いることができる。こうして6枚のフォトマスクにより、同一の基板上に、駆動回路のTFTと画素部の画素TFTとを有した基板を完成させることができる。駆動回路には第1のpチャネル型TFT1100、第1のnチャネル型TFT1101、第2のpチャネル型TFT1102、第2のnチャネル型TFT1103、画素部には画素TFT1104、保持容量1105が形成されている。本明細書では便宜上このような基板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。駆動回路の第1のpチャネル型TFT1100には、第2のテーパー形状を有する導電層がゲート電極220としての機能を有し、島状半導体層104にチャネル形成領域206、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域207a、ゲート電極220と重ならないLDD領域を形成する第4の不純物領域A207b、一部がゲート電極220と重なるLDD領域を形成する第4の不純物領域B207cを有する構造となっている。第1のnチャネル型TFT1101には、第2のテーパー形状を有する導電層がゲート電極221としての機能を有し、島状半導体層105にチャネル形成領域208、ソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域209a、ゲート電極221と重ならないLDD領域を形成する第2の不純物領域AA209b、一部がゲート電極221と重なるLDD領域を形成する第2の不純物領域B209cを有する構造となっている。チャネル長2~7μmに対して、第2の不純物領域B209cがゲート電極221と重なる部分の長さは0.1~0.3μmとする。このLovの長さはゲート電極221の厚さとテーパー部の角度から制御する。nチャネル型TFTにおいてこのようなLDD領域を形成することにより、ドレイン領域近傍に発生する高電界を緩和して、ホットキャリアの発生を防ぎ、TFTの劣化を防止することができる。駆動回路の第2のpチャネル型TFT1102は同様に、第2のテーパー形状を有する導電層がゲート電極222としての機能を有し、島状半導体層106にチャネル形成領域210、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域211a、ゲート電極222と重ならないLDD領域を形成する第4の不純物領域A211b、一部がゲート電極222と重なるLDD領域を形成する第4の不純物領域B211cを有する構造となっている。駆動回路の第2のnチャネル型TFT1103には、第2のテーパー形状を有する導電層がゲート電極223としての機能を有し、島状半導体層107にチャネル形成領域212、ソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域213a、ゲート電極223と重ならないLDD領域を形成する第2の不純物領域A213b、一部がゲート電極223と重なるLDD領域を形成する第2の不純物領域B213cを有する構造となっている。第2のnチャネル型TFT201と同様に第2の不純物領域B213cがゲート電極223と重なる部分の長さは0.1~0.3μmとする。本実施例では、実施例5で得られたアクティブマトリクス基板から液晶表示装置を作製する例を示す。実施例5に従い図18Bの状態を得た後、配向膜を形成し、固定基板とシール材で貼り合わせる。なお、透光性を有する固定基板1001には対向電極1002、配向膜1003が形成されている。また、図示しないがスペーサとシール材に含まれるフィラーとで基板間隔が保たれている。また、基板間には液晶1004が充填される。次いで、実施例2に示したように基板全体をフッ化ハロゲンを含むガス中に晒し、分離層100の除去を行う。本実施例ではフッ化ハロゲンとして三フッ化塩素ClF3を用い、希釈ガスとして窒素を用いる。流量は共に500sccm8.35×106m3/sとし、反応圧力は1~10Torr1.3×102~1.3×103Paとすれば良い。また、処理温度は室温典型的には20~27°Cで良い。この場合、シリコン膜はエッチングされるが、プラスチックフィルム、ガラス基板、ポリイミド膜、酸化シリコン膜はエッチングされない。即ち、三フッ化塩素ガスに晒すことで分離層100が選択的にエッチングされ、最終的には完全に除去される。本実施例の場合、分離層100は露呈した端部から徐々にエッチングされていき、完全に除去された時点で第1の基板101と下地膜102が分離される。次いで、下地膜102と第2の基板プラスチック基板1108とを接着層1107で貼り合わせる。図12また、第2の基板プラスチック基板1108上には、画素部においては各画素電極毎にRGBのいずれかのカラーフィルタ1106が配置されている。また、遮光するため各TFTと重なるように赤色のカラーフィルタが配置されている。なお、図12の画素部は赤Rの画素のものである。また、図13に緑Gまたは青Bの画素の場合における画素部の断面構造図の一例を示した。TFTと重なるカラーフィルタは赤のカラーフィルタ1106aとし、開口部1109と重なるカラーフィルタは緑Gまたは青Bのカラーフィルタ1106bを配置する。また、図12、図13、及び図16~図18には端子部を図示していないが、実施例2または実施例3で示した端子部のいずれか一の構成と同様に分離層に達するコンタクトホールを形成し、所望の配線と接続する電極を作製すればよい。実施例6に示したカラーフィルタ1106において、図14にストライプ状のカラーフィルタとした場合を適用した一例を本実施例に示す。図14Aは基板1400上に設けられた画素部1401、ソース線側駆動回路1402、及びゲート線側駆動回路1403とカラーフィルタ1404~1405との配置関係を簡略に示した上面図である。本実施例は、周辺回路である駆動回路1402、1403上に赤のカラーフィルタR1404a、1404bが設けられ、TFTの活性層の光劣化を防止すると同時に平坦化の役割も果たしている。また、画素部1401上にはストライプ状にカラーフィルタB1405b、カラーフィルタR1405a、カラーフィルタG1405cが繰り返し配置されている。図14Bに画素の一部3×3行列を拡大した模式図を示した。図14Bに示すように画素TFT部1407を保護するカラーフィルタ1405dが各画素毎に形成されている。なお、ここではソース線、ゲート線、電極を図示していないが、各カラーフィルタの間隙と重なるように配置されているため、光漏れはない。このようにすることによってカラーフィルタ1405dはブラックマスクの役割を果たすため、従来必要であったブラックマスクの形成工程が省略できる。また、ここでは画素電極と画素TFTとを接続するコンタクトホールを図示していないが、実際には画素TFTと画素電極との層間にカラーフィルタを形成しているためコンタクトホールの箇所には開口が存在している。本実施例は実施例7とは異なるカラーフィルタの配置の例を図15に示す。図15Aは基板1500上に設けられた画素部1501、ソース線側駆動回路1502、及びゲート線側駆動回路1503とカラーフィルタ1504、1505との配置関係を簡略に示した上面図である。本発明は、周辺回路である駆動回路1502、1503上に赤のカラーフィルタR1504が設けられ、TFTの活性層の光劣化を防止すると同時に平坦化の役割も果たしている。また、画素部1501上にはマトリクス状にカラーフィルタB1505b、カラーフィルタG1505cが配置され、それらの間隙を埋めるようにカラーフィルタR1505aが形成されている。図15Bに画素の一部3×3行列を拡大した模式図を示した。図15Bに示すように画素TFT部1507を保護するカラーフィルタ1505aは互いに繋がっている。なお、ここではソース線、ゲート線、電極を図示していないが、各カラーフィルタの間隙と重なるように配置されているため、光漏れはない。このようにすることによってカラーフィルタ1505aはブラックマスクの役割を果たすため、従来必要であったブラックマスクの形成工程が省略できる。また、ここでは画素電極と画素TFTとを接続するコンタクトホールを図示していないが、実際には画素TFTと画素電極との層間にカラーフィルタを形成しているためコンタクトホールの箇所には開口が存在している。実施例5~8を用いて得られたアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を図19の斜視図を用いて説明する。なお、図19において、図12、図13、図16~図18と同じ符号同士は対応している。図19においてアクティブマトリクス型液晶表示装置は、プラスチック基板1108上に形成された、画素部1204と、走査信号駆動回路1205と、画像信号駆動回路1206とその他の信号処理回路1207とで構成される。画素部1204には画素TFT1104と保持容量1105が設けられ、画素部の周辺に設けられる駆動回路はCMOS回路を基本として構成されている。走査信号駆動回路1205と、画像信号駆動回路1206はそれぞれゲート配線224とソース配線164で画素TFT1104に接続している。また、フレキシブルプリント配線板FlexiblePrintedCircuit:FPC1208が外部入力端子1201に接続していて画像信号などを入力するのに用いる。そして接続配線1203でそれぞれの駆動回路に接続している。また、基板1108には図示していないが、カラーフィルタが設けられている。実施例1~4ではEL素子を用いた電気光学装置を例にして説明してきたが、本願発明はECエレクトロクロミクス表示装置、フィールドエミッションディスプレイFEDまたは半導体を用いた発光ダイオードを有する電気光学装置に用いることも可能である。本願発明を実施して形成されたCMOS回路や画素部は様々な電気光学装置アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマトリクス型EL表示装置、アクティブマトリクス型EC表示装置に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本願発明を実施できる。その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクターリア型またはフロント型、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等などが挙げられる。それらの一例を図21及び図22に示す。図21Aはパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を表示部2003に適用することができる。図21Bはビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を表示部2102に適用することができる。図21Cはモバイルコンピュータモービルコンピュータであり、本体2201、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。本発明は表示部2205に適用できる。図21Dはゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。本発明は表示部2302に適用することができる。図21Eはプログラムを記録した記録媒体以下、記録媒体と呼ぶを用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVDDigtialVersatileDisc、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部2402に適用することができる。図21Fはデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部2503、操作スイッチ2504、受像部図示しない等を含む。本発明を表示部2502に適用することができる。図22Aは携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906等を含む。本発明を音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904に適用することができる。図22Bは携帯書籍電子書籍であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表示部3002、3003に適用することができる。図22Cはディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上特に30インチ以上のディスプレイには有利である。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1~10のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。"