"基材と、前記基材上に形成されたRE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの組成式で表される酸化物超電導体からなる酸化物超電導層とを備え、前記酸化物超電導層には、Baを含む常電導相と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相とが分散されてなり、前記常電導相が、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種とBaとを含む酸化物であることを特徴とする酸化物超電導導体。前記アルカリ土類金属が、SrまたはCaであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導導体。前記常電導相がBaとZrとを含む酸化物であり、前記アルカリ土類金属がSrであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化物超電導導体。前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種が、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすに対して0.01質量以上1質量以下の範囲で前記酸化物超電導層に含有されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体。前記アルカリ土類金属が、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすに対して0.01質量以上0.25質量以下の範囲で前記酸化物超電導層に含有されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体。前記アルカリ土類金属の導入量は、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入量に対して40mol以下であることを特徴とする請求項5に記載の酸化物超電導導体。前記基材と前記酸化物超電導層との間に、中間層とキャップ層とがこの順に介在され、前記酸化物超電導層上に安定化層が形成されてなることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体。酸化物超電導導体の製造方法であって、RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの組成式で表される酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属と、を含むターゲットを使用し、物理気相蒸着法により、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種とBaとを含む常電導相と、前記Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相と、が分散された酸化物超電導層を前記基材上に形成することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。前記ターゲットとして、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの構成元素を含む粉末に対し、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物の粉末を0.1mol以上10mol以下の範囲で混入させ、前記アルカリ土類金属を含む化合物の粉末を0.1mol以上2mol以下の範囲で混入させて焼結させたターゲットを用いることを特徴とする請求項8に記載の酸化物超電導導体の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載されるような、積層欠陥導入により磁場中の臨界電流特性を改善しようとする試みでは、高臨界電流を可能とする超電導薄膜形成のための最適な条件を意図的に外す方針となる。本来、超電導層の成膜の際には成膜条件の厳密な制御が必要である。したがって、特許文献1に記載のように酸素分圧又は基板温度等の成膜条件を変化させて超電導層を成膜する方法は、最適成膜条件からずれた成膜方法になる。このため、臨界電流特性が大きく劣化したり、欠陥量の制御が困難となり、その長尺に亘り均一な臨界電流特性を有した超電導線材を作製することが難しくなるといった問題があった。また、特許文献2に記載されるような、柱状結晶を超電導層に導入することにより磁場中の臨界電流特性を改善する試みでは、上記積層欠陥の制御よりは簡便であるが、無磁場あるいは極低磁場領域での臨界電流特性が低下するといった問題がある。また、柱状結晶がc軸超電導層の膜厚方向;超電導線材の基材に垂直方法に平行に大きく成長しすぎることで、c軸方向に磁場が印加された場合には、量子化磁束の動きを抑制する強い効果が得られるものの、c軸に対して45°の方向等、他の角度に磁場が印加された場合には、量子化磁束の動きを抑制する効果が弱いため、臨界電流特性の低下が若干大きくなってしまうという問題があった。本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、磁場中の臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の第1態様の酸化物超電導導体は、基材と、前記基材上に形成されたRE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの組成式で表される酸化物超電導体からなる酸化物超電導層とを備える。前記酸化物超電導層には、Baを含む常電導相と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相とが分散されている。前記常電導相は、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種とBaとを含む酸化物である。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記アルカリ土類金属が、SrまたはCaであることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記常電導相がBaとZrとを含む酸化物であり、前記アルカリ土類金属がSrであることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種が、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすに対して0.01質量以上1質量以下の範囲で前記酸化物超電導層に含有されていることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記アルカリ土類金属が、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすに対して0.01質量以上0.25質量以下の範囲で前記酸化物超電導層に含有されていることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記アルカリ土類金属の導入量は、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入量に対して40mol以下であることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、前記基材と前記酸化物超電導層との間に、中間層とキャップ層とがこの順に介在され、前記酸化物超電導層上に安定化層が形成されてなることが好ましい。上記課題を解決するため、本発明の第2態様の酸化物超電導導体の製造方法は、RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの組成式で表される酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属と、を含むターゲットを使用し、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種とBaとを含む常電導相と、前記Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相と、が分散された酸化物超電導層を物理気相蒸着法により前記基材上に形成する。本発明の第2態様の酸化物超電導導体の製造方法においては、前記ターゲットとして、前記RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの構成元素を含む粉末に対し、前記Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物の粉末を0.1mol以上10mol以下の範囲で混入させ、前記アルカリ土類金属を含む化合物の粉末を0.1mol以上2mol以下の範囲で混入させて焼結させたターゲットを用いることが好ましい。本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、酸化物超電導層中に、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種に加え、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属が導入されている。Baを含む常電導相である柱状結晶においては、従来のように1種の元素を導入して成長させた柱状結晶の人工ピンに比べると、c軸方向の成長が抑制される傾向となる。その結果、本発明におけるBaを含む常電導相である柱状結晶においては、c軸方向の結晶が10nm~100nmといった程良い長さに成長し、磁場が印加される全ての角度の領域において、臨界電流特性の改善が可能となる。また、本発明の第1態様の酸化物超電導導体においては、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属が、酸化物超電導層中に導入されている。これにより、ペロブスカイト構造のRE1Ba2Cu3Oy超電導体においてREとBaの置換が起こることが抑制され、臨界電流特性の低下を効果的に抑制することができる。本発明の第2態様の酸化物超電導導体の製造方法においては、酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属とを所望の割合で混入させた原料を用いている。これにより、簡便に、臨界電流特性が良好な酸化物超電導導体を製造できる。また、パルスレーザ蒸着法PLD法等の物理気相蒸着法で、RE1Ba2Cu3Oyの組成式で表される酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属とを含むターゲットを使用することにより、従来の成膜装置を使用して、簡便な工程で酸化物超電導導体を製造できる。本発明の酸化物超電導導体及びその製造方法の一実施形態について説明する。本発明の酸化物超電導導体は、基材と、基材上に形成されたRE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすの組成式で表される酸化物超電導体からなる酸化物超電導層とを備える。前記酸化物超電導層には、Baを含む常電導相と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相とが分散されている。前記常電導相は、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baとを含む酸化物である。また、上記のBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相としては、アルカリ土類金属をAで表し、Zr,Sn,Hf,Ce,Tiなどの元素をBで表したとき、酸素Oと結合されたペロブスカイト化合物ABO3が挙げられる。図1は、本発明に係る酸化物超電導導体の一例を示す概略斜視図である。図1に示す酸化物超電導導体10は、基材11の上に、ベッド層12と中間層13とキャップ層14と酸化物超電導層15とがこの順に積層されている。酸化物超電導層15の上には、安定化層16が積層されている。酸化物超電導導体10において、ベッド層12は略することもできる。本実施形態の酸化物超電導導体10に適用できる基材11としては、通常の超電導線材又は超電導導体の基材として使用可能であって、高強度を有する基材であればよい。基材11の形状としては、長尺のケーブルを形成するためにテープ状であることが好ましい。基材11の材質としては、耐熱性の金属が好ましい。この金属としては、例えば、銀、白金、ステンレス鋼、銅、ハステロイ米国ヘインズ社登録商標等のニッケル合金等の各種金属材料が挙げられ、もしくは、これら各種金属材料上にセラミックスが配された材料等が挙げられる。各種耐熱性の金属の中でも、ニッケル合金が好ましい。なかでも、市販品であれば、ハステロイが好適である。ハステロイとしては、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。基材11の厚さは、目的に応じて適宜調整すればよく、通常は、10~500μmである。ベッド層12は、耐熱性が高く、基材11との界面反応性を低減し、その上に配される膜の配向性を得るために用いる。このようなベッド層12は、必要に応じて配され、例えば、イットリアY2O3、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、アルミナとも呼ぶ等から構成される。ベッド層12は、例えば、スパッタリング法等の成膜法により形成され、ベッド層12の厚さは例えば10~200nmである。また、本発明において、酸化物超電導導体10の構造としては図1に示す構造に限られず、基材11とベッド層12との間に拡散防止層が介在された構造を用いてもよい。拡散防止層は、基材11の構成元素がベッド層12を介して酸化物超電導層15へと拡散するのを防止する目的で形成された層であり、窒化ケイ素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、あるいは希土類金属酸化物等から構成される。拡散防止層の厚さは、例えば10~400nmである。なお、拡散防止層の結晶性は問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成すればよい。後述する中間層13又はキャップ層14および酸化物超電導層15等の他の層を基材11上に形成する際に、このような層が必然的に加熱されたり熱処理される結果として熱履歴を受けると、基材11の構成元素の一部がベッド層12を介して酸化物超電導層15に拡散することがある。このため、基材11とベッド層12との間に拡散防止層を介在させることにより、この構成元素の拡散を抑制することができる。特に、拡散防止層とベッド層12とが積層された2層構造を採用することで、基材11側から基材11の上方に向けて元素が拡散することを効果的に抑制することができる。基材11とベッド層12との間に拡散防止層を介在させる構造の例としては、拡散防止層としてAl2O3が用いられ、ベッド層12としてY2O3が用いられた構造を例示できる。中間層13の構造は、単層構造あるいは複層構造のいずれでもよい。中間層12の材質としては、その上に積層される酸化物超電導層15の結晶配向性を制御するために、2軸配向する物質から選択される。中間層13の好ましい材質として具体的には、Gd2Zr2O7、MgO、ZrO2-Y2O3YSZ、SrTiO3、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等の金属酸化物を例示できる。中間層13の厚さは、目的に応じて適宜調整すればよいが、通常は、0.005~2μmの範囲である。中間層13は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法以下、IBAD法と略記する等の物理気相蒸着法;化学気相成長法CVD法;塗布熱分解法MOD法;溶射等、酸化物薄膜を形成する公知の方法で積層できる。特に、IBAD法で形成された前記金属酸化物層は、結晶配向性が高く、酸化物超電導層15又はキャップ層14の結晶配向性を制御する効果が高い点で好ましい。IBAD法とは、金属酸化物の蒸着時に、下地の蒸着面に対して所定の角度でイオンビームを照射することにより、結晶軸を配向させる方法である。通常は、イオンビームとして、アルゴンArイオンビームを使用する。例えば、Gd2Zr2O7、MgO又はZrO2-Y2O3YSZからなる中間層13は、IBAD法における結晶配向度を表す指標であるΔΦFWHM:半値全幅の値を小さくできるため、特に好適である。キャップ層14は、中間層13の表面に対してエピタキシャル成長し、その後、横方向面に平行な方向に粒成長オーバーグロースして、結晶粒が面内方向に選択成長するという過程を経て形成された層であることが好ましい。このようなキャップ層14は、前記金属酸化物層からなる中間層13よりも高い面内配向度が得られる。キャップ層14の材質は、上記機能を発現し得る材質であれば特に限定されないが、好ましい材質として具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等が例示できる。キャップ層14の材質がCeO2である場合、キャップ層14は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe-M-O系酸化物を含んでいてもよい。このCeO2層は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが望ましい。PLD法によるCeO2層の成膜条件としては、基材の温度が約500~1000°Cに設定され、圧力が約0.6~100Paに設定され、成膜ガスガス雰囲気として酸素が用いられた条件が挙げられる。CeO2層の膜厚は、50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましく、500nm以上であれば更に好ましい。但し、CeO2層が厚すぎると、結晶配向性が悪くなるので、その膜厚は500~1000nmであることが好ましい。このように、良好な配向性を有するキャップ層14上に後述する酸化物超電導層15を形成すると、酸化物超電導層15もキャップ層14の配向性に整合するように結晶化する。よってキャップ層14上に形成された酸化物超電導層15は、結晶配向性に乱れが殆どない。また、酸化物超電導層15を構成する結晶粒の1つ1つにおいては、基材11の厚さ方向に電気を流しにくいc軸が配向し、基材11の長さ方向にa軸どうしあるいはb軸どうしが配向している。従って得られた酸化物超電導層15は、結晶粒界における量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣化が殆どないので、基材11の長さ方向に電気を流し易くなり、十分に高い臨界電流密度が得られる。酸化物超電導層15は、RE123系の酸化物超電導体からなり、酸化物超電導層15においては、Baを含む常電導相と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相とが分散されている。RE123系の酸化物超電導体は、RE1Ba2Cu3Oy式中、REは希土類元素を表し、6.5<y<7.1を満たすなる組成で表される物質であり、REとしては、具体的には、Y、La、Nd、Sm、Er、Gd等が挙げられる。このような物質の中でも、Gd1Ba2Cu3Oy、Y1Ba2Cu3Oyが好ましく、Gd1Ba2Cu3Oyがより好ましい。酸化物超電導層15に分散されているBaを含む常電導相は、酸化物超電導層15中の量子化磁束の動きを抑制する人工ピンとして機能する。Baを含む常電導相としては、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baとを含む酸化物が挙げられ、具体的には、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaCeO3、BaTiO3であり、中でも、BaZrO3が好ましい。これらの常電導相は、酸化物超電導層15中に、Zr、Sn、Hf、CeまたはTiの何れかの元素を導入することにより、Baと共に酸化物を形成し、柱状結晶として成長する。さらに、酸化物超電導層15中には、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相が分散されている。Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属としては、具体的には、Sr、Ca、Mg、Beを例示でき、中でもSrまたはCaが好ましく、Srが特に好ましい。希土類元素は、例えばランタノイドにおいては原子番号の小さい軽希土類ほどイオン半径が大きくなる。そのため、一連のRE1Ba2Cu3OyRE123系の酸化物超電導体においては、特にREがGd又はGdよりも軽希土類の場合に、Baとイオン半径が近くなる。このため、ペロブスカイト構造のRE1Ba2Cu3Oyにおいて、REとBaの置換が起こりやすくなることがある。このようにREとBaの置換が起こってしまうと超電導体の臨界電流特性が低下してしまうことがあった。本発明においては、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を、酸化物超電導層15中に導入することにより、ペロブスカイト構造のRE1Ba2Cu3OyにおいてREとBaの置換が起こることを抑制することができる。また、ペロブスカイト構造のRE1Ba2Cu3Oy母相において、導入したアルカリ土類金属がBaの位置に入る場合もあるが、このように母相にアルカリ土類金属が入った箇所は常伝導性であるため、量子化磁束の動きを抑制する人工ピンとして機能する。従来、RE123系超電導層の量子化磁束の人工ピンとして知られている物質としては、Zrなどの4価の元素が用いられてきた。この場合では、Zrを導入することにより、BaZrO3等のペロブスカイト構造の柱状結晶をc軸方向超電導層の膜厚方向;基材の垂直方向に成長させている。しかしながら、このように単純にZrのみを導入した従来の柱状結晶の人工ピンでは、c軸方向に結晶が成長しすぎてしまい、c軸方向の磁場中では良好な臨界電流特性となるが、c軸に垂直な方向超電導層の水平方向;基材の水平方向など、c軸よりずれた方向の磁場が印加されると臨界電流特性の低下が起こるという問題があった。すなわち、人工ピンとして単純に1種の元素を導入して柱状結晶を成長させる方法では、磁場への異方性が強いという問題があった。本発明においては、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種に加え、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を酸化物超電導層15に導入することにより、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaCeO3、BaTiO3等のペロブスカイト構造の柱状結晶中にもアルカリ土類金属が導入される。これにより、柱状結晶中のBaとアルカリ土類金属との置換などにより、Baを含む常電導相である柱状結晶においては、従来の1種の元素を導入して成長させた柱状結晶の人工ピンに比べると、c軸方向の成長が抑制される傾向となる。その結果、本発明におけるBaを含む常電導相、即ち、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaCeO3、BaTiO3等のペロブスカイト構造の柱状結晶においては、c軸方向の結晶が10nm~100nmといった程良い長さに成長し、磁場が印加される全ての角度の領域において臨界電流特性の改善が可能となる。また、上述したアルカリ土類金属によるRE1Ba2Cu3Oy母相におけるREとBaの置換抑制効果が相乗的に作用し、より一層臨界電流特性の改善が可能となる。本発明においては、酸化物超電導層15中に、Baを含む常電導相としてZrBaO3が導入され、Baよりイオン半径が小さいアルカリ土類金属としてSrが導入されていることが特に好ましく、この場合においては磁場が印加される全ての角度の領域において臨界電流特性の改善が可能となる。酸化物超電導層15中における、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入割合は、RE1Ba2Cu3Oyの母相に対して、0.01~1質量の範囲が好ましい。また、酸化物超電導層15中における、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合は、RE1Ba2Cu3Oyの母相に対して、0.01~0.25質量の範囲が好ましい。また、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入量の総和は、RE1Ba2Cu3Oyの母相に対して、0.02~1.25質量程度とすることが好ましい。このような割合で酸化物超電導層15中にZr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種、およびBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を導入することにより、量子化磁束の動きを効果的に抑制して磁場中の臨界電流特性の低下を抑制し、且つ、RE1Ba2Cu3Oyの母相におけるREとBaの置換に起因する臨界電流特性の低下を抑制することができる。この結果、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体10を実現することができる。これに対し、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入割合がRE1Ba2Cu3Oyの母相に対して0.01質量未満の場合、或いは、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合がRE1Ba2Cu3Oyの母相に対して0.01質量未満の場合では、Baを含む常電導相の導入による上記ピン止め効果、又はRE1Ba2Cu3Oyの母相におけるREとBaの置換を抑制する効果が得られ難くなる可能性がある。また、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入割合がRE1Ba2Cu3Oyの母相に対して1質量を越える場合、或いは、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合がRE1Ba2Cu3Oyの母相に対して0.25質量を越える場合では、酸化物超電導層15中におけるRE123系酸化物超電導体の割合が低くなりすぎて、酸化物超電導導体10の超電導特性が低下してしまう可能性がある。Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入量は、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の導入量に対して40mol以下とすることが好ましい。このような割合でBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を導入することにより、Baと、Zr、Sn、Hf、CeまたはTiの何れかの酸化物である柱状結晶の導入割合、又は柱状結晶のc軸方向への成長長さが10nm~100nmといった程良い長さになる。この結果、本実施形態の酸化物超電導導体では、磁場を印加する全ての角度の領域において、臨界電流特性の改善が可能となる。酸化物超電導層15の組成の比率を特定する方法においては、例えば、電子ビームの解析データで組成を特定し、断面を透過型電子顕微鏡TEMで観察して、異相および常電導相の比率を求めることによって、酸化物超電導層15の組成の比率を特定できる。酸化物超電導層15の厚みは、目的に応じて適宜調整可能であるが、0.3~9μmであることが好ましく、0.5~5μmであることがより好ましい。また、酸化物超電導層15は、均一な厚みであることが好ましい。酸化物超電導層15を形成する方法においては、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法等の物理気相蒸着法;化学気相成長法CVD法;塗布熱分解法MOD法等で酸化物超電導層15を積層することができる。このような方法の中でも、生産性の観点からパルスレーザ蒸着法PLD法、TFA-MOD法トリフルオロ酢酸塩を用いた有機金属堆積法、塗布熱分解法又はCVD法を用いることが好ましい。MOD法は、金属有機酸塩を塗布した後に熱分解させる方法である。より具体的には、金属成分の有機化合物を均一に溶解した溶液を基材上に塗布した後、この溶液を加熱して熱分解させることにより基材上に薄膜を形成する。この方法は、真空プロセスを必要とせず、低コストで高速成膜が可能であるため長尺のテープ状酸化物超電導導体の製造に適している。このMOD法では、原料溶液の組成を調整することによって、形成される酸化物超電導層15中の、Baを含む常電導相、又はBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合を制御できる。CVD法では、原料ガスの種類又は流量を制御することによって、形成される酸化物超電導層15中の、Baを含む常電導相、又はBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合を制御できる。PLD法では、使用するターゲットの組成比を調整することにより、形成される酸化物超電導層15中、Baを含む常電導相、又はBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の導入割合を制御できる。上記方法により酸化物超電導層15を形成するには、RE1Ba2Cu3OyRE123系に対して、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種が0.01~1質量、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属が0.01~0.25質量の範囲で混入されるように原料の組成比を調整することにより、その組成比が反映された薄膜酸化物超電導層15を形成することができる。具体的には、例えば、パルスレーザ蒸着PLD法により成膜する場合、RE1Ba2Cu3OyRE123系の粉末、或いはRE1Ba2Cu3OyRE123系の構成元素を含む粉末に対し、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物の粉末を0.1~10mol、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む化合物の粉末を0.1~2mol混入させて焼結させたターゲットを使用することが好ましい。このようなmolまたは質量の範囲でRE123系酸化物超電導体の中に、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種、および、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を混入することにより、上述のようにBaを含む常電導相とアルカリ土類金属を含む異相とが分散形成される。これによって、量子化磁束の動きを効果的に抑制しつつ、RE123系母相のREとBaとの置換を効果的に抑制可能な酸化物高電導層15を形成できる。この結果として、磁場中の臨界電流の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体10を実現することができる。本発明において、上述した方法の中でも、物理気相蒸着法であるPLD法により酸化物超電導層15を形成することが特に好ましい。以下、本発明の酸化物超電導導体の製造方法の一実施形態として、PLD法による製造方法について説明する。図2は、PLD法による酸化物超電導層の成膜に使用されるレーザ蒸着装置の一例を示す概略斜視図である。図2に示すレーザ蒸着装置20は、基材11上にベッド層12、中間層13、及びキャップ層14が順次積層された長尺の薄膜積層体25を巻回するリールなどの複数の巻回部材を含む。複数の巻回部材は、巻回部材の軸方向が互いに略平行になるように同軸的に配列している。より具体的には、レーザ蒸着装置20は、一対の巻回部材群23、24第1巻回部材23及び第2巻回部材24と、送出リール21と、巻取リール22と、基板ホルダ26と、加熱装置図示略と、ターゲット27と、レーザ光発光装置28と、を備えている。一対の巻回部材群23、24は、離間して対向配置されている。送出リール21は、第1巻回部材群23の外側に配置された薄膜積層体25を送り出す。巻取リール22は、第2巻回部材群24の外側に配置された薄膜積層体25を巻き取る。基板ホルダ26は、巻回部材群23、24の巻回により複数列とされた薄膜積層体25を支持する。加熱装置は、基板ホルダ26に内蔵された薄膜積層体25を加熱する。ターゲット27は、薄膜積層体25と対向配置されている。レーザ光発光装置28は、ターゲット27にレーザ光Lを照射する。一対の巻回部材群23、24、送出リール21及び巻取リール22を駆動装置図示略により互いに同期して駆動させることにより、送出リール21から送り出された薄膜積層体25が一対の巻回部材群23、24を周回し、巻取リール22に巻き取られる。一対の巻回部材群23、24に巻回された長尺の薄膜積層体25は、巻回部材群23、24を周回することにより、蒸着粒子の堆積領域内にて複数列レーンを構成するように配置されている。そのため、本実施形態のレーザ蒸着装置20においては、レーザ光Lをターゲット27の表面に照射すると、ターゲット27から叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子の噴流以下、プルーム29と記すが生じ、ターゲット27に対向する領域を走行する薄膜積層体25の表面に向けて蒸着粒子を堆積させることができる。ターゲット27は、形成しようとする酸化物超電導層15と同等または近似した組成、あるいは、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた複合酸化物あるいは酸化物超電導体に、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む化合物とが、所望の割合で混入された焼結体などの板材からなっている。本発明の酸化物超電導導体10の酸化物超電導層15の形成工程においては、以下に述べるような焼結体等をターゲット27として使用することが好ましい。具体的に、RE1Ba2Cu3OyRE123系の粉末、或いはRE1Ba2Cu3OyRE123系の構成元素を含む粉末に対し、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物の粉末を0.1~10mol混入させ、また、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む化合物の粉末を0.1~2mol混入させて焼結させることにより形成された焼結体等をターゲット27として用いることが好ましい。更に、具体的には、例えば、BaZrO3の常電導相とSrを含む異相とが分散された酸化物超電導層15を成膜する場合、RE1Ba2Cu3OyRE123系の粉末に対し、ZrO2を0.1~10molとSrOを0.1~2molとを混入させて焼結させたターゲットを使用することができる。ここで、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種含む化合物と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む化合物の総混入量は、RE1Ba2Cu3OyRE123系に対し、12mol以下とすることが好ましい。この化合物の総混入量が12molを超えると、酸化物超電導層15中におけるRE123系酸化物超電導体の割合が低くなりすぎて、酸化物超電導導体10の超電導特性が低下してしまう可能性がある。Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属の混入量は、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種の混入量に対して、40mol以下とすることが好ましい。このような割合でBaよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属をターゲット27に混入することにより、Baと、Zr、Sn、Hf、CeまたはTiの何れかの酸化物である柱状結晶の導入割合又は結晶のc軸方向への成長長さが10nm~100nmといった程良い長さになり、磁場が印加される全ての角度の領域において、臨界電流特性の改善が可能となる。このような割合で、RE1Ba2Cu3OyRE123系の粉末、或いはRE1Ba2Cu3OyRE123系の構成元素を含む粉末に対し、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種を含む化合物と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む化合物とを混入させた焼結体をターゲット27として使用することにより、RE123系酸化物超電導層15中に、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種が0.01~1質量、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属が0.01~0.25質量の範囲で分散導入される。これにより、Baを含む常電導相とアルカリ土類金属を含む異相とが分散形成され、量子化磁束の動きを効果的に抑制しつつ、RE123系母相のREとBaとの置換を効果的に抑制して、磁場中の臨界電流の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体10を実現することができる。ターゲット27にレーザ光Lを照射するレーザ光発光装置28としては、ターゲット27から蒸着粒子を叩き出すことができるレーザ光Lを発生する装置であれば、Ar-F193nm、Kr-F248nmなどのエキシマレーザ、YAGレーザ、CO2レーザなどのレーザ光を照射する装置を用いてもよい。次に、図2に示す構成を有するレーザ蒸着装置20を用いて長尺の薄膜積層体25の上基材11上のキャップ層14の上面に酸化物超電導層15を成膜する方法を説明する。まず、ターゲット27を所定の位置に設置し、次いで、送出リール21に巻回されている薄膜積層体25を引き出しながら、一対の巻回部材群23、24に順次巻回する。その後、薄膜積層体25の先端側を巻取リール22に巻き取り可能に取り付ける。これによって、一対の巻回部材群23、24に巻回された薄膜積層体25は、一対の巻回部材群23、24を周回し、ターゲット27に対向する位置に複数列並んで移動可能になる。その後、排気装置図示略を駆動し、少なくとも一対の巻回部材群23、24間を走行する薄膜積層体25を覆うように設置された処理容器不図示内を減圧する。この際、必要に応じて処理容器内に酸素ガスを導入して容器内の雰囲気を酸素雰囲気としてもよい。次に、ターゲット27にレーザ光Lを照射して成膜を開始するよりも前の適当な時に、加熱装置図示略に通電して少なくとも成膜領域を走行する薄膜積層体25を加熱し、一定温度に保温する。成膜時の薄膜積層体25の表面温度は、適宜調整可能であり、例えば、780~850°Cに設定することができる。続いて、送出リール21から薄膜積層体25を送り出しつつ、レーザ光発光装置28からレーザ光Lを発生させ、レーザ光Lをターゲット27に照射する。この時、レーザ光Lが照射される位置をターゲット27の表面上で移動させるようにターゲット27を走査しながら、レーザ光Lをターゲット27に照射することが好ましい。また、ターゲット移動機構図示略によって、ターゲット27をその平行な面に沿って移動させることも好ましい。このように、ターゲット27におけるレーザ光Lが照射される位置を移動させることにより、ターゲット27の表面全域から順次プルーム29が発生し、ターゲット27の粒子が叩き出される、或いはターゲット27の粒子が蒸発する。このため、レーン状に複数配列した薄膜積層体25の個々に可能な限り均一な酸化物超電導層15を成膜できる。ターゲット27から叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子によって、その放射方向の断面積が徐々に拡大していく形状を有するプルーム29が発生し図2参照、複数列並んで移動している薄膜積層体25の表面に、蒸着粒子が堆積する。したがって、薄膜積層体25がこれら一対の巻回部材群23、24を周回する間に、酸化物超電導層15が繰り返し成膜され、必要な厚さが得られるように酸化物超電導層15が薄膜積層体25上に積層される。酸化物超電導層15の成膜後、得られた酸化物超電導導体10は巻取リール21に巻き取られる。以上の工程により、薄膜積層体25基材11上のキャップ層14の上面に、Baを含む常電導相と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を含む異相とが分散された酸化物超電導層15を形成できる。酸化物超電導層15の上には、図1に示すように安定化層16が積層されることが好ましい。酸化物超電導層15の上に積層される安定化層16は、酸化物超電導層15の一部領域が常電導状態に転移しようとした場合に、酸化物超電導層15を流れる電流が転流する電流のバイパス路として機能する。このように安定化層16を設けることにより、酸化物超電導層15の超電導状態を安定化し、酸化物超電導層15の焼損が防止される。安定化層16の材料としては、導電性が良好な金属からなる材料を採用することが好ましく、具体的には、銀又は銀合金、銅などからなる材料が例示できる。安定化層16の構造としては、1層構造でもよいし、2層以上の積層構造であってもよい。安定化層16の積層方法としては、公知の方法が用いられるが、銀層をメッキ又はスパッタ法で形成し、その上に銅テープなどを貼り合わせるなどの方法を採用できる。安定化層16の厚さは、3~300μmの範囲に設定することができる。このような構成を有する酸化物超電導導体10の外周面を絶縁層で被覆することにより、超電導線材を得ることができる。絶縁層は、通常使用される各種樹脂等、公知の材質からなる。前記樹脂としては、具体的には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ケイ素樹脂、シリコン樹脂、アルキッド樹脂、ビニル樹脂等が例示できる。絶縁層による被覆の厚さは特に限定されず、被覆対象の部位等に応じて、適宜調節すればよい。絶縁層の材質に応じて公知の方法で絶縁層を形成すればよく、例えば、原料を塗布して、この原料を硬化させればよい。また、シート状の絶縁層が入手できる場合には、この絶縁層を使用して酸化物超電導導体10を被覆してもよい。本発明の酸化物超電導導体10には、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属を酸化物超電導層15中に導入することにより、ペロブスカイト構造のRE1Ba2Cu3Oy超電導体においてREとBaの置換が起こることを抑制している。これにより、臨界電流特性の低下を効果的に抑制することができる。また、本発明の酸化物超電導導体10は、酸化物超電導層15中に、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種に加え、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属が導入された構成を有する。これにより、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaCeO3、BaTiO3等のBaを含む常電導相である柱状結晶においては、従来のように1種の元素を導入して成長させた柱状結晶の人工ピンに比べると、c軸方向の成長が抑制される傾向となる。その結果、本発明におけるBaを含む常電導相、即ち、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaCeO3、BaTiO3等のペロブスカイト構造の柱状結晶においては、c軸方向の結晶が10nm~100nmといった程良い長さに成長し、磁場を印加する全ての角度の領域において臨界電流特性の改善が可能となる。また、上述したアルカリ土類金属によるRE1Ba2Cu3Oy母相におけるREとBaの置換を抑制する効果が相乗的に作用し、より一層臨界電流特性の改善が可能となる。さらに、本発明の酸化物超電導導体の製造方法によれば、酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属とを所望の割合で混入させた原料を用いることにより、簡便に、臨界電流特性が良好な酸化物超電導導体を製造できる。また、物理気相蒸着法であるパルスレーザ蒸着法PLD法で、RE1Ba2Cu3Oyの組成式で表される酸化物超電導体の構成元素と、Zr、Sn、Hf、CeおよびTiよりなる群から選択される1種と、Baよりイオン半径の小さいアルカリ土類金属とを含むターゲットを使用することにより、従来の成膜装置を使用して、簡便な工程で臨界電流特性が良好な酸化物超電導導体を製造できる。以上、本発明の酸化物超電導導体、及び酸化物超電導導体の製造方法の一実施形態について説明したが、上記実施形態において、酸化物超電導導体の各部、酸化物超電導線材の製造方法およびそれに使用される装置は一例であって、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1幅5mm、厚さ0.1mmのテープ状のハステロイC276米国ヘインズ社登録商標製の基材上に、スパッタ法によりAl2O3拡散防止層;膜厚150nmを成膜した。次いで、この拡散防止層上に、イオンビームスパッタ法によりY2O3ベッド層;膜厚20nmを成膜した。次いで、このベッド層上に、イオンビームアシストスパッタ法IBAD法によりMgO中間層;膜厚10nmを形成した。次いで、この中間層上に、パルスレーザ蒸着法PLD法によりCeO2キャップ層:膜厚500nmを成膜した。次いでCe2O層上に、図2に示すレーザ蒸着装置20を用いて、パルスレーザ蒸着法PLD法により膜厚1.0μmのRE123系の酸化物超電導層を成膜し、さらに、この酸化物超電導層上に厚さ10μmのAg安定化層をスパッタして酸化物超電導導体を作製した。なお、酸化物超電導層の成膜は、GdBa2Cu3OyGdBCOの粉末にSrOを1molとZrO2を5mol混入させた粉末を焼結させたターゲットを使用し、温度800°C、圧力80Pa、レーザ出力180W、酸素80雰囲気下にて行った。比較例1ターゲットとして、GdBa2Cu3Oyの焼結体を用いて酸化物超電導層を成膜したこと以外は、実施例1と同様にして酸化物超電導導体を作製した。比較例2ターゲットとしてGdBa2Cu3Oyの粉末にZrO2を5mol混入させた粉末を焼結させた焼結体を用いて酸化物超電導層を成膜したこと以外は、実施例1と同様にして酸化物超電導導体を作製した。比較例3ターゲットとしてGdBa2Cu3Oyの粉末にSrOを5mol混入させた粉末を焼結させた焼結体を用いて酸化物超電導層を成膜したこと以外は、実施例1と同様にして酸化物超電導導体を作製した。実施例1および比較例1、2の酸化物超電導導体について、液体窒素温度下77K、3Tの磁場下における臨界電流密度JcMAcm-2を測定した。図3に、実施例および比較例1、2の酸化物超電導導体について、臨界電流密度の磁場印加角度依存性をプロットした結果を示す。なお、図3において、GdBCOSrZr-oxideは実施例1、GdBCOは比較例1、GdBCOZr-oxideは比較例2の結果を夫々示す。また、比較例3の酸化物超電導導体について、液体窒素温度下77Kで3Tの磁場をθ=0°c軸に平行方向;基材に垂直方向で印加した際の臨界電流密度Jcを測定したところ、Jc<0.1MAcm-2であり、比較例1よりも低い臨界電流特性であった。図3の結果より、RE123系酸化物超電導体であるGdBa2Cu3Oyに、ZrとSrを導入した実施例の酸化物超電導導体は、磁場印加角度がc軸に平行な場合θ=0°に加えて、c軸よりずれた角度で磁場が印加された場合0<θ<90°、特にθ=45°付近などにおいても、比較例1及び2の酸化物超電導導体に比べて、臨界電流密度の低下を抑制することができている。従って、実施例の酸化物超電導導体は、磁場中の臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有することが明らかである。実施例2:ZrO2及びSrO混入量の検討ターゲットとして、GdBa2Cu3Oyの粉末に、表1記載の混入量でZrO2及びSrOを混入させた粉末を焼結させた焼結体を用いて酸化物超電導層を成膜したこと以外は、実施例1と同様にしてサンプル1~9の酸化物超電導導体を作製した。得られたサンプル1~9の酸化物超電導導体について、液体窒素温度下77Kで3Tの磁場をθ=0°c軸に平行方向;基材に垂直方向で印加した際の臨界電流密度Jcを測定した。結果を表1に併記した。表1に示す結果より、GdBa2Cu3Oyの粉末に、ZrO2とSrOを総混入量12mol以下で混入させた粉末を焼結させた焼結体を用いたサンプル4~8は、臨界電流密度の低下を効果的に抑制することができることが確認された。また、GdBa2Cu3Oyの粉末へのSrOの混入量は、ZrO2の混入量に対して、モル比で40以下の場合サンプル4~6、サンプル8に、臨界電流密度の低下を効果的に抑制することが確認された。"