埋め込み型のナノワイヤのアレイを少なくとも1つ有するマトリクスであって、各ナノワイヤが第1の端部と第2の端部を有するナノワイヤ、および、前記ナノワイヤの間に配置される1つ以上の充填材を有し、前記ナノワイヤは、実質的に互いに平行であり、且つ前記1つ以上の充填材を用いて互いに相対的に位置固定され、前記1つ以上の充填材の各々は、50ワット毎メートル毎ケルビン未満の熱伝導率を有し、前記マトリクスは、少なくとも昇華温度および融解温度を有し、前記昇華温度および前記融解温度は各々350°Cより高温であることを特徴とする、マトリクス。上記マトリクスは熱電素子の一部であることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記1つ以上の充填材を含む複数のナノ構造をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のマトリクス。上記第1の端部と上記第2の端部の間の距離は少なくとも300μmであることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記第1の端部と上記第2の端部の間の距離は少なくとも400μmであることを特徴とする、請求項4に記載のマトリクス。上記第1の端部と上記第2の端部の間の距離は少なくとも500μmであることを特徴とする、請求項5に記載のマトリクス。上記第1の端部と上記第2の端部の間の距離は少なくとも525μmであることを特徴とする、請求項6に記載のマトリクス。上記ナノワイヤは約0.0001mm2の面積に対応することを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記ナノワイヤは0.01mm2より小さい面積に対応することを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記ナノワイヤは少なくとも100mm2の面積に対応することを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記面積は少なくとも1000mm2であることを特徴とする、請求項10に記載のマトリクス。上記面積は少なくとも2500mm2であることを特徴とする、請求項11に記載のマトリクス。上記面積は少なくとも5000mm2であることを特徴とする、請求項12に記載のマトリクス。上記融解温度および上記昇華温度は各々450°Cより高温であることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記融解温度および上記昇華温度は各々550°Cより高温であることを特徴とする、請求項14に記載のマトリクス。上記融解温度および上記昇華温度は各々650°Cより高温であることを特徴とする、請求項15に記載のマトリクス。上記融解温度および上記昇華温度は各々750°Cより高温であることを特徴とする、請求項16に記載のマトリクス。上記融解温度および上記昇華温度は各々800°Cより高温であることを特徴とする、請求項17に記載のマトリクス。上記熱伝導率は5ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記熱伝導率は1ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項19に記載のマトリクス。上記熱伝導率は0.1ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項20に記載のマトリクス。上記熱伝導率は0.01ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項21に記載のマトリクス。上記熱伝導率は0.001ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項22に記載のマトリクス。上記熱伝導率は0.0001ワット毎メートル毎ケルビン未満であることを特徴とする、請求項21に記載のマトリクス。上記1つ以上の充填材の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、および酸化物からなる一群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記フォトレジストはG線フォトレジストであることを特徴とする、請求項25に記載のマトリクス。上記酸化物は、Al2O3、FeO、FeO2、Fe2O3、TiO、TiO2、ZrO2、ZnO、HfO2、CrO、Ta2O5、SiN、TiN、BN、SiO2、AlN、およびCNからなる一群から選択されることを特徴とする、請求項25に記載のマトリクス。上記1つ以上の充填材は、1つ以上の酸化物からなる1つ以上の長鎖を含むことを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。多孔質マトリクスであることを特徴とする請求項1に記載のマトリクス。上記ナノワイヤの表面は親水性を有していることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記ナノワイヤの表面は疎水性を有していることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記マトリクスの少なくとも1つの表面は平坦化されていることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記1つ以上の充填材は、それぞれ異なる層に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記異なる層は、第1の層、第2の層、および第3の層を含み、上記第1の層は、SiN、TiN、BN、AlN、およびCNからなる一群から選択される1つ以上の材料を含み、上記第2の層は、第1の酸化物を含み、上記第3の層は、第2の酸化物を含むことを特徴とする、請求項33に記載のマトリクス。上記第1の酸化物はSiO2であり、上記第2の酸化物はZrO2であることを特徴とする、請求項34に記載のマトリクス。上記第1の層は上記ナノワイヤ上に配置され、上記第2の層は上記第1の層上に配置され、上記第3の層は上記第2の層上に配置されることを特徴とする、請求項34に記載のマトリクス。上記異なる層は、第4の層および第5の層をさらに含み、前記第4の層は、上記第1の酸化物を含み、前記第5の層は、上記第2の酸化物を含むことを特徴とする、請求項34に記載のマトリクス。第1の領域および第2の領域を有し、上記1つ以上の充填材は、前記第1の領域内に配置される1つ以上の第1の材料および前記第2の領域内に配置される1つ以上の第2の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記ナノワイヤは半導体を含むことを特徴とする、請求項1に記載のマトリクス。上記半導体はシリコンであることを特徴とする、請求項39に記載のマトリクス。埋め込み型のナノ構造アレイを少なくとも1つ有するマトリクスであって、第1の端部と第2の端部をそれぞれ有する、間隙に対応するナノ構造、および、少なくとも前記間隙の内部に配置される1つ以上の充填材を有し、前記ナノ構造の各々は、半導体材料を含み、前記ナノ構造は、実質的に互いに平行であり、前記1つ以上の充填材を用いて互いに相対的に位置固定され、前記1つ以上の充填材の各々は、50ワット毎メートル毎ケルビン未満の熱伝導率を有し、前記マトリクスは、少なくとも昇華温度および融解温度を有し、前記昇華温度および前記融解温度はそれぞれ350°Cより高温であることを特徴とする、マトリクス。上記ナノ構造はナノ孔に対応し、前記ナノ孔は上記間隙であることを特徴とする、請求項41に記載のマトリクス。上記ナノ構造はナノワイヤに対応し、前記ナノワイヤの周囲の空間は上記間隙であることを特徴とする、請求項41に記載のマトリクス。埋め込み型のナノ構造アレイを少なくとも1つ有するマトリクスの製造方法であって、ナノ構造に対応する間隙を少なくとも1つ以上の充填材で充填する工程であって、前記1つ以上の充填材の各々は50ワット毎メートル毎ケルビン未満の熱伝導率を有し、前記ナノ構造は半導体材料を含んでいる工程、および、少なくとも前記ナノ構造が埋め込まれたマトリクスを形成する工程であって、前記マトリクスは少なくとも昇華温度および融解温度を有し、前記昇華温度および前記融解温度はそれぞれ350°Cより高温である工程を有し、前記間隙の充填工程は、前記ナノ構造を実質的に互いに平行に保つ工程、および、前記1つ以上の充填材を用いて前記ナノ構造を互いに相対的に位置固定する工程を有することを特徴とする、方法。第1の端部および第2の端部をそれぞれ有する上記ナノ構造を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項44に記載の方法。上記1つ以上の充填材の各々は、フォトレジスト、スピンオンガラス、スピンオンドーパント、エアロゲル、キセロゲル、および酸化物からなる一群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項44に記載の方法。上記ナノ構造の1つ以上の表面に対して前処置を施す工程をさらに有することを特徴とする請求項44に記載の方法。上記ナノ構造の1つ以上の表面に対して前処置を施す工程は、上記ナノ構造の上記1つ以上の表面の疎水性を変化させる工程を有することを特徴とする、請求項47に記載の方法。上記1つ以上の充填材を調製する工程をさらに有することを特徴とする請求項44に記載の方法。上記1つ以上の充填材を調製する工程は、上記1つ以上の充填材をドープする工程を有することを特徴とする、請求項49に記載の方法。上記1つ以上の充填材を硬化する工程をさらに有することを特徴とする請求項44に記載の方法。上記1つ以上の充填材を硬化する工程は、上記1つ以上の充填材を少なくとも300°Cまで加熱する工程を有することを特徴とする、請求項51に記載の方法。上記1つ以上の充填材を硬化する工程は、上記1つ以上の充填材を少なくとも500°Cまで加熱する工程を有することを特徴とする、請求項52に記載の方法。上記マトリクスの少なくとも1つの表面を平坦化する工程をさらに有することを特徴とする請求項44に記載の方法。上記マトリクスの少なくとも1つの表面を平坦化する工程は、上記マトリクスの前記表面を研磨する工程を有することを特徴とする、請求項54に記載の方法。上記間隙を充填する工程は、液体状の上記1つ以上の充填材を上記ナノ構造に塗布する工程、および、上記ナノ構造を回転させて、上記1つ以上の充填材の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする、請求項44に記載の方法。上記間隙を充填する工程は、上記ナノ構造を上記1つ以上の充填材中にディッピングする工程を有することを特徴とする、請求項44に記載の方法。上記間隙を充填する工程は、上記1つ以上の充填材を蒸着する工程を有することを特徴とする、請求項44に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は化学気相蒸着を含むことを特徴とする、請求項58に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は原子層成長を含むことを特徴とする、請求項58に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は、テトラ‐メチル‐オルト‐ケイ酸塩TMOS、テトラ‐エソ‐オルト‐ケイ酸塩TEOS、およびシランSiH4からなる一群から選択される少なくとも1つを使用する工程を有することを特徴とする、請求項58に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は、少なくとも、上記1つ以上の充填材からなる絶縁保護層を形成する工程を有することを特徴とする、請求項58に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は、上記1つ以上の充填材を層状に蒸着する工程を有することを特徴とする、請求項58に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は、SiN、TiN、BN、AlN、およびCNからなる一群から選択される1つ以上の材料を含む第1の層を蒸着する工程、第1の酸化物を含む第2の層を蒸着する工程、および、第2の酸化物を含む第3の層を蒸着する工程を有することを特徴とする、請求項63に記載の方法。上記第1の酸化物はSiO2であり、上記第2の酸化物はZrO2であることを特徴とする、請求項64に記載の方法。上記第1の層を蒸着する工程は、上記ナノ構造の表面上に上記第1の層を蒸着する工程を有し、上記第2の層を蒸着する工程は、上記第1の層上に上記第2の層を蒸着する工程を有し、上記第3の層を蒸着する工程は、上記第2の層上に上記第3の層を蒸着する工程を有することを特徴とする、請求項64に記載の方法。上記1つ以上の充填材を蒸着する工程は、上記第1の酸化物を含む第4の層を蒸着する工程、および、上記第2の酸化物を含む第5の層を蒸着する工程を有することを特徴とする、請求項64に記載の方法。上記1つ以上の充填材は、1つ以上の第1の材料および1つ以上の第2の材料を含み、上記間隙は、第1の複数の間隙および第2の複数の間隙を含み、上記間隙を充填する工程は、前記1つ以上の第1の材料を用いて前記第1の複数の間隙を充填する工程、および、前記1つ以上の第2の材料を用いて前記第2の複数の間隙を充填する工程を有することを特徴とする、請求項44に記載の方法。