表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記インプリント処理ステーションに接続され、当該インプリント処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットを有することを特徴とする、請求項1に記載のインプリントシステム。前記塗布ユニットは、前記第1のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項2に記載のインプリントシステム。前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した2列のインプリントブロックが形成され、前記2列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板を搬送するための搬送領域が形成されていることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載のインプリントシステム。前記テンプレート搬入出ステーションは、前記各インプリントユニット毎に複数設けられていることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のインプリントシステム。前記搬送領域では、前記各インプリントユニットにテンプレートを搬送することを特徴とする、請求項4に記載のインプリントシステム。前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有することを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載のインプリントシステム。前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第1のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項7に記載のインプリントシステム。前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していることを特徴とする、請求項8に記載のインプリントシステム。インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリントシステムは、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記インプリント処理ステーションに接続され、当該インプリント処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第1のレジスト膜を形成し、前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート搬入出ステーションから前記インプリント処理ステーションに複数のテンプレートを連続して搬送し、前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴とする、インプリント方法。前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されることを特徴とする、請求項10に記載のインプリント方法。前記インプリントシステムは、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有し、第1のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有することを特徴とする、請求項10又は11に記載のインプリント方法。請求項10~12のいずれかに記載のインプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。請求項13に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。しかしながら、現状、テンプレートの表面に所定の微細なパターンを形成するのは技術的に困難である。すなわち、テンプレート上に、高いアスペクト比の深い溝を有するパターンを形成するのが困難な状況にある。かかるテンプレートを用いて上述したインプリント処理を行うと、ウェハ上に薄い膜厚のレジストパターンが形成される。この場合、その後ウェハ上の被処理膜のエッチング処理を行う際に、レジストパターンが十分な耐エッチング性能を発揮できず、被処理膜のパターンを適切に形成できない。そこで、上述のインプリント処理を行う前に、予めウェハの被処理膜上に他のレジスト膜を形成しておくことが考えられる。かかる場合、インプリント処理を行うことで形成されたレジストパターンをマスクとして、他のレジスト膜をエッチング処理し、他のレジストパターンを形成する。そうすると、これら2つのレジストパターンが一体となって十分な耐エッチング性能を発揮し、被処理膜のパターンを適切に形成することができる。しかしながら、他のレジスト膜の形成処理とインプリント処理とでは、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が異なる。他のレジスト膜は、例えばウェハ上に塗布液を塗布した後、当該塗布液を焼成することで形成される。この場合、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が短く、現状の装置では、例えば1時間当たり200枚のウェハに対して、他のレジスト膜の形成処理を行うことができる。一方、インプリント処理では、ウェハ上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対するテンプレートのパターンの転写が複数回、例えば100回行われる。このため、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が長く、現状の装置では、例えば1時間当たり20枚のウェハに対してインプリント処理を行うのが限界である。このように処理時間が異なる2つの処理を連続して行うと、インプリント処理を行っている間、他のレジスト膜の形成処理を停止せざるをえない。したがって、複数のウェハに対して所定のレジストパターンを連続的に効率よく形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できない。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記インプリント処理ステーションに接続され、当該インプリント処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。本発明によれば、一の基板処理ステーションに対して、インプリント処理ステーションには、第2のレジスト膜の形成と所定のレジストパターンの形成以下、インプリント処理という場合があるを行うインプリントユニットが複数配置されている。このため、基板処理ステーションで複数の基板上に第1のレジスト膜を形成し、当該基板処理ステーションからインプリント処理ステーションに第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーションにはテンプレート搬入出ステーションが接続されているので、当該テンプレート搬入出ステーションからインプリント処理ステーションに複数のテンプレートを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対するインプリント処理を各インプリントユニットで並行して行うことができる。このため、基板処理ステーションにおける処理時間とインプリントユニットにおける処理時間が異なる場合でも、基板処理ステーションにおける基板の処理を停止させることなく、基板を連続して適切に処理することができる。したがって、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットと、前記塗布された塗布液を焼成する加熱ユニットと、を有していてもよい。前記塗布ユニットは、前記第1のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであってもよい。前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した2列のインプリントブロックが形成され、前記2列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板を搬送するための搬送領域が形成されていてもよい。前記テンプレート搬入出ステーションは、前記各インプリントユニット毎に複数設けられていてもよい。また、前記搬送領域では、前記各インプリントユニットにテンプレートを搬送してもよい。前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有していてもよい。前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第1のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであってもよい。前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していてもよい。別な観点による本発明は、インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリントシステムは、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記インプリント処理ステーションに接続され、当該インプリント処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第1のレジスト膜を形成し、前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート搬入出ステーションから前記インプリント処理ステーションに複数のテンプレートを連続して搬送し、前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴としている。前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されるようにしてもよい。前記インプリントシステムは、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有し、第1のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有していてもよい。また別な観点による本発明によれば、前記インプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。本発明によれば、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるインプリントシステム1の構成の概略を示す平面図である。図2及び図3は、インプリントシステム1の構成の概略を示す側面図である。本実施の形態のインプリントシステム1では、図4に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成されたテンプレートTが用いられる。以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面T1といい、当該表面T1と反対側の面を裏面T2という。テンプレートTの表面T1には、図5に示すように転写パターンCの形状に沿った離型剤Sが成膜されている。なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。また、離型剤Sの材料には、後述するウェハ上の第2のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。インプリントシステム1は、図1に示すように複数、例えば25枚の基板としてのウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム1との間で搬入出したり、ウェハカセットCWに対してウェハWを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション2と、ウェハWに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理ステーションとしてのウェハ処理ステーション3と、テンプレートTを用いてウェハW上に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットを複数備えたインプリント処理ステーション4と、複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とインプリントシステム1との間で搬入出したり、テンプレートカセットCTに対してテンプレートTを搬入出したりする複数のテンプレート搬入出ステーション5と、一体に接続した構成を有している。ウェハ搬入出ステーション2、ウェハ処理ステーション3、インプリント処理ステーション4は、この順でY方向図1の左右方向に並べて配置されている。複数のテンプレート搬入出ステーション5は、インプリント処理ステーション4内の後述する複数のインプリントユニット60毎に設けられている。ウェハ搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のウェハカセットCWをX方向図1中の上下方向に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション2は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。なお、本実施の形態において、ウェハカセットCW内のウェハW上にはエッチング処理の対象となる被処理膜図示せずが予め形成されている。ウェハ搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なウェハ搬送体12が設けられている。ウェハ搬送体12は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、ウェハカセットCWとウェハ処理ステーション3との間でウェハWを搬送できる。ウェハ処理ステーション3には、その中心部に搬送ユニット20が設けられている。この搬送ユニット20の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックG1~G4が配置されている。ウェハ処理ステーション3の正面側図1のX方向負方向側には、ウェハ搬入出ステーション2側から第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2が順に配置されている。処理ステーション3の背面側図1のX方向正方向側には、ウェハ搬入出ステーション2側から第3の処理ブロックG3、第4の処理ブロックG4が順に配置されている。ウェハ処理ステーション3のウェハ搬入出ステーション2側には、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット21が配置されている。ウェハ処理ステーション3のインプリント処理ステーション4側には、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット22と、ウェハWを一時的に保管するバッファカセット23が配置されている。搬送ユニット20は、ウェハWを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット20は、処理ブロックG1~G4内に配置された後述する各種処理ユニット、トランジションユニット21、22、及びバッファカセット23に対してウェハWを搬送できる。第1の処理ブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハW上に塗布液としての第1のレジスト液を塗布する塗布ユニットとしてのレジスト塗布ユニット30、31が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックG2も同様に、レジスト塗布ユニット32、33が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室34、35がそれぞれ設けられている。第3の処理ブロックG3には、図3に示すようにウェハWの温度を調節する温度調節ユニット40、41、ウェハWを加熱処理する加熱ユニット42、43が下から順に4段に重ねられている。第4の処理ブロックG4にも、第3の処理ブロックG3と同様に、温度調節ユニット50、51、ウェハWを加熱処理する加熱ユニット52、53が下から順に4段に重ねられている。インプリント処理ステーション4には、図1に示すように2列のインプリントブロックE1、E2が配置されている。第1のインプリントブロックE1はインプリント処理ステーション4の正面側図1のX方向負方向側に配置され、第2のインプリントブロックE2はインプリント処理ステーション4の背面側図1のX方向正方向側に配置されている。2列のインプリントブロックE1、E2の間には、ウェハWを搬送するための搬送領域E3が形成されている。第1のインプリントブロックE1には、複数、例えば5基のインプリントユニット60がY方向に並べて配置されている。また、各インプリントユニット60の搬送領域側E3には、ウェハWとテンプレートTの受け渡しを行うトランジションユニット61が配置されている。第2のインプリントブロックE2にも、第1のインプリントブロックE1と同様に、複数、例えば5基のインプリントユニット60とトランジションユニット61がY方向に並べて配置されている。なお、インプリントユニット60の数は、ウェハ処理ステーション3における処理時間とインプリントユニット60の処理時間に基づいて設定される。すなわち、ウェハ処理ステーション3では、例えば1時間当たり200枚のウェハWに対してウェハ処理を行うことができる。一方、インプリントユニット60では、例えば1時間当たり20枚のウェハWに対してインプリント処理を行う。したがって、本実施の形態では、インプリント処理ステーション4に10基のインプリントユニット60が設けられている。搬送領域E3には、ウェハWを保持して搬送するウェハ搬送ユニット70が設けられている。ウェハ搬送ユニット70は、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送ユニット70は、搬送領域E3内を移動し、ウェハ処理ステーション3とトランジションユニット61と間でウェハWを搬送できる。テンプレート搬入出ステーション5は、インプリントユニット60毎に複数、例えば10基設けられている。テンプレート搬入出ステーション5には、カセット載置台80が設けられている。カセット載置台80は、テンプレートカセットCTを載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション5は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。テンプレート搬入出ステーション5には、テンプレートTを保持して搬送するテンプレート搬送体81が設けられている。テンプレート搬送体81は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、テンプレートカセットCTと後述するトランジションユニット82との間でテンプレートTを搬送できる。テンプレート搬入出ステーション5には、インプリントユニット60との間でテンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット82が配置されている。次に、上述したウェハ処理ステーション3のレジスト塗布ユニット30~33の構成について説明する。レジスト塗布ユニット30は、図6に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずが形成されたケーシング100を有している。ケーシング100内の中央部には、ウェハを保持して回転させるスピンチャック110が設けられている。スピンチャック110は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック110上に吸着保持できる。スピンチャック110には、シャフト111を介して回転駆動部112が設けられている。この回転駆動部112により、スピンチャック110は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。スピンチャック110の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ113が設けられている。カップ113の下面には、回収した液体を排出する排出管114と、カップ113内の雰囲気を排気する排気管115が接続されている。図7に示すようにカップ113のX方向負方向図7の下方向側には、Y方向図7の左右方向に沿って延伸するレール120が形成されている。レール120は、例えばカップ113のY方向負方向図7の左方向側の外方からY方向正方向図7の右方向側の外方まで形成されている。レール120には、アーム121が取り付けられている。アーム121には、ウェハW上に第1のレジスト液を供給するレジスト液ノズル122が支持されている。アーム121は、ノズル駆動部123により、レール120上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル122は、カップ113のY方向正方向側の外方に設置された待機部124からカップ113内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム121は、ノズル駆動部123によって昇降自在であり、レジスト液ノズル122の高さを調節できる。なお、本実施の形態において、塗布液としての第1のレジスト液には、例えばカーボンを有するレジスト液が用いられる。また、塗布液として、SOGSpinOnGlass膜形成用の塗布液を用いてもよい。なお、レジスト塗布ユニット31~33の構成は、上述したレジスト塗布ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述したウェハ処理ステーション3の加熱ユニット42、43、52、53の構成について説明する。加熱ユニット42は、図8に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずが形成されたケーシング130を有している。ケーシング130内の底面には、ウェハWが載置される載置台131が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くように載置台131の上面に載置される。載置台131内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン132が設けられている。昇降ピン132は、昇降駆動部133により上下動できる。載置台131の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔134が形成されており、昇降ピン132は、貫通孔134を挿通するようになっている。また、載置台131の上面には、ウェハWを加熱する熱板135が設けられている。熱板135の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板135を所定の設定温度に調節できる。なお、この熱板135は、ウェハWの上方、例えば後述する蓋体140の天井面に設けてもよい。また、ウェハWの上方と下方に熱板135を設けてもよい。載置台131の上方には、上下動自在の蓋体140が設けられている。蓋体140は、下面が開口し、載置台131と一体となって処理室Kを形成する。蓋体140の上面中央部には、排気部141が設けられている。処理室K内の雰囲気は、排気部141から均一に排気される。なお、加熱ユニット43、52、53の構成は、上述した加熱ユニット42の構成と同様であるので説明を省略する。また、温度調節ユニット40、41、50、51の構成についても、上述した加熱ユニット42と同様の構成を有し、熱板135に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット42における蓋体140を省略してもよい。次に、上述したインプリント処理ステーション4のインプリントユニット60の構成について説明する。インプリントユニット60は、図9に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずとテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング150を有している。ケーシング150内の底面には、ウェハWが載置されて保持されるウェハ保持部151が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部151の上面に載置される。ウェハ保持部151内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン152が設けられている。昇降ピン152は、昇降駆動部153により上下動できる。ウェハ保持部151の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔154が形成されており、昇降ピン152は、貫通孔154を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部151は、当該ウェハ保持部151の下方に設けられた移動機構155により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。図10に示すようにウェハ保持部151のX方向負方向図10の下方向側には、Y方向図10の左右方向に沿って延伸するレール160が設けられている。レール160は、例えばウェハ保持部151のY方向負方向図10の左方向側の外方からY方向正方向図10の右方向側の外方まで形成されている。レール160には、アーム161が取り付けられている。アーム161には、ウェハW上に第2のレジスト液を供給するレジスト液ノズル162が支持されている。レジスト液ノズル162は、例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル162には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル162の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口図示せずが形成されている。そして、レジスト液ノズル162は、第2のレジスト液の供給タイミング、第2のレジスト液の供給量等を厳密に制御できる。アーム161は、ノズル駆動部163により、レール160上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル162は、ウェハ保持部151のY方向正方向側の外方に設置された待機部164からウェハ保持部151上のウェハWの上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム161は、ノズル駆動部163によって昇降自在であり、レジスト液ノズル162の高さを調整できる。ケーシング150内の天井面であって、ウェハ保持部151の上方には、図10に示すようにテンプレートTを保持するテンプレート保持部170が設けられている。すなわち、ウェハ保持部151とテンプレート保持部170は、ウェハ保持部151に載置されたウェハWと、テンプレート保持部170に保持されたテンプレートTが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部170は、テンプレートTの裏面T2の外周部を吸着保持するチャック171を有している。チャック171は、当該チャック171の上方に設けられた移動機構172により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートTは、ウェハ保持部151上のウェハWに対して所定の向きに回転し昇降できる。テンプレート保持部170は、チャック171に保持されたテンプレートTの上方に設けられた光源173を有している。光源173からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源173からの光は、テンプレートTを透過して下方に照射される。なお、インプリントユニット60内には、トランジションユニット61との間でウェハWを搬送するウェハ搬送機構図示せずと、トランジションユニット82との間でテンプレートTを搬送するテンプレート搬送機構図示せずとが設けられている。また、テンプレート搬送機構は、テンプレートTの表裏面を反転させるように回動自在に構成されている。以上のインプリントシステム1には、図1に示すように制御部200が設けられている。制御部200は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、インプリントシステム1におけるウェハ処理、インプリント処理等を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部200にインストールされたものであってもよい。本実施の形態にかかるインプリントシステム1は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム1で行われるウェハ処理、インプリント処理等について説明する。図11は、このウェハ処理とインプリント処理の主な処理フローを示し、図12は、各工程におけるウェハWとテンプレートTの状態を示している。先ず、テンプレート搬入出ステーション5において、テンプレート搬送体81によって、カセット載置台80上のテンプレートカセットCTからテンプレートTが取り出され、トランジションユニット82に搬送される。なお、テンプレートカセットCT内のテンプレートTは、転写パターンCが形成された表面T1が上方を向くように収容されている。その後、インプリントユニット60内のテンプレート搬送機構によって、テンプレートTはインプリントユニット60内に搬送される図11の工程A1。このとき、テンプレート搬送機構によって、テンプレートTの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートTの裏面T2が上方に向けられる。インプリントユニット60に搬入されたテンプレートTは、テンプレート保持部170のチャック171に吸着保持される。なお、本実施の形態においては、各インプリントユニット60にテンプレートTを搬送することで、複数のテンプレート搬入出ステーション5からインプリント処理ステーション4に、複数のテンプレートTが連続的に搬送されることになる。このようにテンプレート搬入出ステーション5からインプリントユニット60へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション2において、ウェハ搬送体12により、カセット載置台10上のテンプレートカセットCWからウェハWが取り出され、ウェハ処理ステーション3のトランジションユニット21に搬送される図11の工程A2。なお、ウェハカセットCW内のウェハWは、その被処理面が上方を向くように収容されている。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWはレジスト塗布ユニット30に搬送され、スピンチャック110に受け渡される。続いて、レジスト液ノズル122をウェハWの中心部上方まで移動させると共に、ウェハWを回転させる。そして、回転中のウェハW上に第1のレジスト液を供給し、遠心力により第1のレジスト液をウェハW上で拡散させて、ウェハWの表面全面に第1のレジスト液を塗布する図11の工程A3。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWは加熱ユニット42に搬送される。加熱ユニット42に搬入されたウェハWは、昇降ピン132に受け渡され、載置台131に載置される。続いて、蓋体140が閉じられ、ウェハWは熱板135によって例えば200°Cに加熱される。所定時間経過後、ウェハW上の第1のレジスト液が焼成され、図12aに示すようにウェハW上に第1のレジスト膜R1が形成される図11の工程A4。なお、第1のレジスト膜R1は、例えば10nmの膜厚で形成される。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWは温度調節ユニット40に搬送され、ウェハWが所定の温度、例えば常温に調節される。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWはトランジションユニット22に搬送される。続いて、ウェハ搬送ユニット70によって、ウェハWはインプリント処理ステーション4に搬送される。ここで、上述した工程A2~A4を繰り返し行い、複数のウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成し、複数のウェハWが連続的にインプリント処理ステーション4に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション4にウェハWを搬送する前に、バッファカセット23において、第1のレジスト膜R1が形成されたウェハWを一時的に保管してもよい。その後、ウェハ搬送ユニット70によって、ウェハWはトランジションユニット61に搬送される。続いて、インプリントユニット60内のウェハ搬送機構によって、ウェハWはインプリントユニット60内に搬送される図11の工程A5。インプリントユニット60に搬入されたウェハWは、昇降ピン152に受け渡され、ウェハ保持部151上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部151に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル162をウェハWの径方向に移動させ、図12bに示すようにウェハW上に第2のレジスト液を塗布し、第2のレジスト膜R2を形成する図12の工程A6。このとき、制御部200により、レジスト液ノズル162から供給される第2のレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分に塗布される第2のレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分転写パターンCにおける凸部に対応する部分に塗布される第2のレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上に第2のレジスト液が塗布される。なお、第2のレジスト膜R2は、例えば50nmの膜厚で形成される。ウェハW上に第2のレジスト膜R2が形成されると、ウェハ保持部151に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部170に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。そして、図12bの矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に下降させる。テンプレートTは所定の位置まで下降し、テンプレートTの表面T1がウェハW上の第2のレジスト膜R2に押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源173から光が照射される。光源173からの光は、図12cに示すようにテンプレートTを透過してウェハW上の第2のレジスト膜R2に照射され、これにより第2のレジスト膜R2は光重合する。このようにしてウェハW上の第2のレジスト膜R2にテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される図11の工程A7。その後、図12dに示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。このとき、テンプレートTの表面T1には離型剤Sが塗布されているので、ウェハW上のレジストがテンプレートTの表面T1に付着することはない。その後、ウェハWは、昇降ピン152によってウェハ搬送機構に受け渡され、インプリントユニット60から搬出され、トランジションユニット61に搬送される図11の工程A8。その後、ウェハWは、ウェハ搬送ユニット70によってウェハ処理ステーション3に搬送された後、ウェハ搬送体12によってウェハカセットCWに戻される。なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばインプリントシステム1の外部において、図12eに示すように当該残存膜Lを除去してもよい。以上の工程A5~A8を繰り返し行い、一のテンプレートTを用いて、複数のウェハW上にレジストパターンPをそれぞれ形成する。そして、所定枚数のウェハWに対して工程A5~A8が行われると、テンプレートTが交換される。すなわち、テンプレート搬送機構によってテンプレートTの表裏面が反転された後、テンプレートTはインプリントユニット60から搬出され、トランジションユニット82に搬送される図11の工程A9。その後、テンプレートTは、テンプレート搬送体81によってテンプレートカセットCTに戻される。なお、テンプレートTを交換するタイミングは、テンプレートTの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハWに異なるパターンPを形成する場合にも、テンプレートTが交換される。例えばテンプレートTを1回使用する度に当該テンプレートTを交換してもよい。また、例えば1枚のウェハW毎にテンプレートTを交換してもよいし、例えば1ロット毎にテンプレートTを交換してもよい。このようにして、インプリントシステム1において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。以上の実施の形態によれば、インプリントシステム1において、図12eに示したようにウェハW上に第1のレジスト膜R1と、第2のレジスト膜R2のレジストパターンPが形成される。そして、その後インプリントシステム1の外部のエッチング処理ユニット図示せずにおいて、第2のレジスト膜R2のレジストパターンPをマスクとして、第1のレジスト膜R1をエッチング処理してレジストパターンを形成する。そうすると、これら第1のレジスト膜R1のレジストパターンと第2のレジスト膜R2のレジストパターンPが一体となって十分な耐エッチング機能を発揮する。したがって、ウェハW上の被処理膜を適切にエッチング処理して、当該被処理膜のパターンを適切に形成することができる。また、以上の実施の形態によれば、一のウェハ処理ステーション3に対して、インプリント処理ステーション4には、インプリントユニット60が複数配置されている。このため、ウェハ処理ステーション3で複数のウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成し、当該ウェハ処理ステーション3からインプリント処理ステーション4に第1のレジスト膜R1が形成された複数のウェハWを連続して搬送できる。また、各インプリントユニット60にはテンプレート搬入出ステーション5が接続されているので、複数のテンプレート搬入出ステーション5からインプリント処理ステーション4に複数のテンプレートTを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーション4では、各テンプレートTを用いた各ウェハWに対するインプリント処理を各インプリントユニット60で並行して行うことができる。このため、ウェハ処理ステーション3における処理時間とインプリントユニット60における処理時間が異なる場合でも、ウェハ処理ステーション3におけるウェハ処理を停止させることなく、ウェハWを連続して適切に処理することができる。したがって、ウェハW上に所定のレジストパターンPを適切且つ効率よく形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。また、ウェハ処理ステーション3では、レジスト塗布ユニット30においてウェハW上に第1のレジスト液を塗布した後、加熱ユニット42においてウェハW上の第1のレジスト液を焼成している。したがって、ウェハW上に第1のレジスト膜R1を適切に形成することができる。以上の実施の形態のインプリントシステム1では、複数のテンプレート搬入出ステーション5が各インプリントユニット60に設けられていたが、図13~図15に示すように一のテンプレート搬入出ステーション300を設けてもよい。テンプレート搬入出ステーション300は、インプリント処理ステーション4に接続されている。そして、ウェハ搬入出ステーション2、ウェハ処理ステーション3、インプリント処理ステーション4と、テンプレート搬入出ステーション300は、この順でY方向図13の左右方向に並べて配置されている。テンプレート搬入出ステーション300には、カセット載置台310が設けられている。カセット載置台310は、複数のテンプレートカセットCTをX方向図1中の上下方向に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション300は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。テンプレート搬入出ステーション300には、X方向に延伸する搬送路311上を移動可能なテンプレート搬送体312が設けられている。テンプレート搬送体312は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、テンプレートカセットCTと後述するトランジションユニット320又はバッファカセット321との間でテンプレートTを搬送できる。テンプレート搬入出ステーション300には、インプリント処理ステーション4との間でテンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット320と、テンプレートTを一時的に保管するバッファカセット321が配置されている。なお、バッファカセット321は、必要に応じて省略してもよい。また、インプリント処理ステーション4の搬送領域E3には、ウェハ搬送ユニット70に加えて、テンプレートTを保持して搬送するテンプレート搬送ユニット330が設けられている。ウェハ搬送ユニット70とテンプレート搬送ユニット330は、互いに干渉しないように配置されている。テンプレート搬送ユニット330は、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在な搬送アームを有している。テンプレート搬送ユニット330は、搬送領域E3内を移動し、テンプレート搬入出ステーション300とトランジションユニット61と間でテンプレートTを搬送できる。なお、インプリントシステム1のその他の構成は、前記実施の形態のインプリントシステム1の構成と同様であるので説明を省略する。かかる場合、テンプレート搬入出ステーション300からインプリントユニット60にテンプレートTを搬送する際、先ず、テンプレート搬入出ステーション300において、テンプレート搬送体312によって、カセット載置台310上のテンプレートカセットCTからテンプレートTが取り出され、トランジションユニット320に搬送される。その後、テンプレート搬送ユニット330によって、テンプレートTはトランジションユニット61に搬送される。続いて、インプリントユニット60内のテンプレート搬送機構によって、テンプレートTはインプリントユニット60内に搬送される図11の工程A1。なお、テンプレート搬入出ステーション300からインプリント処理ステーション4には、複数のテンプレートTが連続的に搬送される。なお、インプリントシステム1におけるウェハ処理とインプリント処理のその他の工程は、上述した工程A2~A9と同様であるので説明を省略する。本実施の形態によれば、テンプレートTの搬入出を一のテンプレート搬入出ステーション300で行うので、インプリントシステム1の装置構成を簡略化できると共に、インプリントシステム1の占有面積を小さくできる。このため、インプリントシステム1の製造コストを低廉化することができる。また、例えば一のテンプレートカセットCTに収容された複数のテンプレートTを異なるインプリントユニット60に搬入してもよく、あるいは異なるインプリントユニット60から搬出されたテンプレートTを一のテンプレートカセットCTに収容してもよい。したがって、本実施の形態によれば、インプリントシステム1におけるテンプレートTの搬送及びインプリント処理の自由度を大きくすることができる。前記した実施の形態では、図11のフローでも示したように、ウェハW上に第1のレジスト膜R1が形成された後は、インプリント処理ステーション4にウェハWが搬送され、その後第2のレジスト膜R2が形成される。しかしながら、テンプレートTを第2のレジスト膜R2に接触させて転写パターンCを転写した際に、テンプレートTの表面に離型剤Sが成膜されていても、第2のレジスト膜R2がテンプレートT側に付着する可能性も否定できない。かかる場合に鑑みて、第2のレジスト膜R2のウェハW側への密着性、定着生を向上させる処理を、第2のレジスト膜R2の形成前に予め行なっておくことが好ましい。たとえば第2のレジスト膜R2の材料が、たとえばUV硬化性樹脂の場合、第1のレジスト膜R1の表面に、当該UV硬化性樹脂との密着性を向上させる、シランカップリング剤などの密着剤を塗布して成膜しておくことが好ましい。このような塗布処理は、図11のフローに即して言えば、たとえば第1のレジスト液を焼成した後工程A4の後に行なうとよい。そしてそのような密着剤を塗布するにあたっては、第1のレジスト膜R1を形成する第1のレジスト液の塗布を行なった、図6に示したような塗布ユニット30~33と同じ構成を持った塗布装置を用いることができる。そしてそのように密着剤を塗布した後、必要に応じてウェハWを加熱し、さらには必要に応じて冷却し、その後にインプリントユニット60に搬入し、以後図11に示したフローと同様に、第2のレジスト膜R2の形成処理工程A6を実施すればよい。またそのように第1のレジスト膜R1の表面に密着剤を成膜する際、前記した塗布ユニット30のような液体を塗布する装置ではなく、密着剤の蒸気をウェハW表面に供給して成膜するようにしてもよい。図16は、その際に使用する密着剤の塗布ユニットとしての成膜ユニット250の構成の概略を示している。この成膜ユニット250は、たとえば塗布ユニット30~33の一部に代えて、基板処理ステーション3に搭載される。成膜ユニット250は、図16に示すようにウェハWが載置される載置台260と、当該載置台260の上方に設けられた蓋体261とを有している。蓋体261は、例えば昇降機構図示せずによって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、蓋体261の下面は開口している。そして、蓋体261と載置台260とが一体となって、密閉された処理空間Kを形成できるようになっている。載置台260には、ウェハWの表面たとえば第1のレジスト膜R1の形成面が上方を向くように当該ウェハWが載置される。載置台260の上面には、ウェハWの温度を制御する温度制御板270が設けられている。温度制御板270は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、ウェハWを所定の温度に調節できる。載置台260内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン271が設けられている。昇降ピン271は、昇降駆動部272により上下動できる。載置台260の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔273が形成されおり、昇降ピン271は、貫通孔273を挿通するようになっている。また、蓋体261の天井面には、ウェハW上に密着剤の蒸気と水蒸気を供給するガス供給管290が設けられている。ガス供給管290には、密着剤の蒸気を供給する密着剤供給源291と、水蒸気を供給する水蒸気供給源292が接続されている。また、ガス供給管290には、密着剤供給源291から供給される密着剤の蒸気と、水蒸気供給源292から供給される水蒸気の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群293が設けられている。密着剤供給源291は、内部に液体状の密着剤を貯留している。また、密着剤供給源291には、当該密着剤供給源291内に窒素ガスを供給するガス供給管図示せずが接続されている。密着剤供給源291では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の密着剤が気化して、密着剤の蒸気が生成される。この密着剤の蒸気は、前記窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給管290に供給さる。水蒸気供給源292は、例えば内部に水を貯留している。そして、例えばこの水を加熱して気化させて、水蒸気が生成される。蓋体261の側面には、処理空間Kの雰囲気を排気する排気管294が接続されている。排気管294には、処理空間Kの雰囲気を真空引きする排気ポンプ295が接続されている。かかる構成を有する成膜ユニット250を用いて密着剤を第1のレジスト膜R1の表面に成膜するには、たとえば図11に示した工程A4の後に、ウェハWが塗布ユニット250に搬送される。搬送されたウェハWは、昇降ピン271に受け渡され、載置台260に載置される。このとき、載置台260上のウェハWは、温度制御板270によって所定の温度、例えば50°Cに温度調節される。続いて、蓋体261が下降し、当該蓋体261と載置台260とで密閉された処理空間Kが形成される。その後、ガス供給管290から処理空間Kに密着剤の蒸気が供給される。供給された密着剤の蒸気は、ウェハWの表面上に堆積する。その後、ガス供給管290から処理空間Kに水蒸気が供給され、当該水蒸気はウェハW上に堆積した密着剤に供給される。水蒸気が供給されるとウェハW上に堆積した密着剤の分子が加水分解され、さらにウェハWの表面と密着剤分子が脱水縮合により結合される。これによってウェハW上に形成された第1のレジスト膜R1と、その上に形成される第2のレジスト膜R2との密着性が向上する。なお、ウェハW上に密着剤を成膜した後、処理空間Kの雰囲気を不活性ガス、例えば窒素ガスに置換してもよい。このように密着剤の蒸気を供給して、ウェハW表面に密着剤を成膜する方式によれば、液体の密着剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンスする必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。なお上記した例では、載置台260上のウェハWは、温度制御板270によって所定の温度、例えば50°Cに温度調節されていたが、必ずしもそのように常温よりも高い温度にウェハWを温度調整する必要がなく、常温、たとえば20°C~25°Cのまま成膜してもよい。また上記した例では、積極的に水蒸気を供給して加水分解を促進するようにしたが、そのように積極的に水蒸気を供給しなくとも、周囲の雰囲気中の水分によって、加水分解が行なわれ、前記した脱水縮合による結合反応は実現される。なお第1のレジスト膜R1の塗布にあたっても、レジスト液の蒸気をウェハW上に供給して、ウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成するようにしてもよい。この場合、第1のレジスト膜R1は、前記したような密着性を高める効果を有するものが好ましい。以上の実施の形態のインプリントシステム1において、各処理ユニットの構成は前記実施の形態に限定されず、各処理を行うことができる構成であれば、種々の構成を取り得る。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。