導電性を有する平板状の第1の導電部と、前記第1の導電部の両側に、前記第1の導電部を挟持するように配置された一対の絶縁層と、前記第1の導電部を挟持した前記一対の絶縁層の両側に配置された一対の半導体層と、導電性を有すると共に、前記第1の導電部の一の端部から一方の前記半導体層へ延伸している第2の導電部と、導電性を有すると共に、前記第1の導電部の前記一の端部と対向する他の端部から他方の前記半導体層へ延伸している第3の導電部と、を備える熱電発電素子を複数積層して構成される積層型熱電変換モジュールであって、前記第2の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第2の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって前記積層型熱電変換モジュールの外側方向には、一方の前記半導体層から他方の前記半導体層にかけて第1の熱絶縁部が形成されており、前記第1の熱絶縁部の熱伝導率は、前記絶縁層の熱伝導率と、前記半導体層の熱伝導率と、前記第1の導電部の熱伝導率と、前記第2の導電部の熱伝導率と、前記第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低いことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。請求項1記載の積層型熱電変換モジュールであって、さらに、前記第3の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第3の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって前記積層型熱電変換モジュールの外側方向には、一方の前記半導体層から他方の前記半導体層にかけて第2の熱絶縁部が形成されており、前記第2の熱絶縁部の熱伝導率は、前記絶縁層の熱伝導率と、前記半導体層の熱伝導率と、前記第1の導電部の熱伝導率と、前記第2の導電部の熱伝導率と、前記第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低いことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。請求項1記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第3の導電部は、前記第1の導電部の前記他の端部から他方の前記半導体層の端部へと延伸し、前記第3の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第3の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって前記積層型熱電変換モジュールの外側方向には何も形成されていないことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。請求項1ないし3のいずれか一項記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第1の熱絶縁部と前記第2の熱絶縁部とのうちの少なくとも一方は、表面に凹凸を有することを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。請求項2または4記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第1の熱絶縁部と前記第2の熱絶縁部とは、互いに異なる熱伝導率を有することを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。熱電変換モジュールを用いた熱起電力は、熱電変換モジュールが熱源に接触する側と接触しない側との温度差に比例するため、熱電変換モジュール内における熱源に接触する側と接触しない側との温度差は、できるだけ大きくすることが好ましい。しかし、同じ極性のみの半導体で形成される積層型熱電変換モジュールでは、生じた熱起電力を取り出すために、その内部に熱伝導率が大きな金属製の導電部を備える構成とされている。このため、従来では、熱電変換モジュール内において、熱源からの熱が導電部を介して熱源に接触しない側へ伝熱してしまい、両者の温度差を大きくすることが困難であるという問題があった。本発明は、積層型の熱電変換モジュールにおいて、熱源に接触する側から熱源に接触しない側へ向けての伝熱を抑制することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]導電性を有する平板状の第1の導電部と、前記第1の導電部の両側に、前記第1の導電部を挟持するように配置された一対の絶縁層と、前記第1の導電部を挟持した前記一対の絶縁層の両側に配置された一対の半導体層と、導電性を有すると共に、前記第1の導電部の一の端部から一方の前記半導体層へ延伸している第2の導電部と、導電性を有すると共に、前記第1の導電部の前記一の端部と対向する他の端部から他方の前記半導体層へ延伸している第3の導電部と、を備える熱電発電素子を複数積層して構成される積層型熱電変換モジュールであって、前記第2の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第2の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって前記積層型熱電変換モジュールの外側方向には、一方の前記半導体層から他方の前記半導体層にかけて第1の熱絶縁部が形成されており、前記第1の熱絶縁部の熱伝導率は、前記絶縁層の熱伝導率と、前記半導体層の熱伝導率と、前記第1の導電部の熱伝導率と、前記第2の導電部の熱伝導率と、前記第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低いことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。このような構成とすれば、第2の導電部うちの絶縁層接触部の反対側であって積層型熱電変換モジュールの外側方向には、一方の半導体層から他方の半導体層にかけて第1の熱絶縁部が形成されており、第1の熱絶縁部の熱伝導率は、絶縁層の熱伝導率と、半導体層の熱伝導率と、第1の導電部の熱伝導率と、第2の導電部の熱伝導率と、第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低い。このため、積層型熱電変換モジュールを用いた発電時には、第1の熱絶縁部が形成された側を熱源に接触させることで、熱源に接触する側から熱源に接触しない側へ向けての伝熱を抑制することができる。[適用例2]適用例1記載の積層型熱電変換モジュールであって、さらに、前記第3の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第3の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって前記積層型熱電変換モジュールの外側方向には、一方の前記半導体層から他方の前記半導体層にかけて第2の熱絶縁部が形成されており、前記第2の熱絶縁部の熱伝導率は、前記絶縁層の熱伝導率と、前記半導体層の熱伝導率と、前記第1の導電部の熱伝導率と、前記第2の導電部の熱伝導率と、前記第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低いことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。このような構成とすれば、第3の導電部のうちの絶縁層接触部の反対側であって積層型熱電変換モジュールの外側方向には、さらに、一方の半導体層から他方の半導体層にかけて第2の熱絶縁部が形成されており、第2の熱絶縁部の熱伝導率は、絶縁層の熱伝導率と、半導体層の熱伝導率と、第1の導電部の熱伝導率と、第2の導電部の熱伝導率と、第3の導電部の熱伝導率と、のいずれよりも低い。このため、積層型熱電変換モジュールを用いた発電時に、第1の熱絶縁部が形成された側と、第2の熱絶縁部が形成された側と、のどちらを熱源に接触させた場合であっても、伝熱抑制効果を得ることができる。また、熱電発電素子の製造を簡略化することができる。[適用例3]適用例1記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第3の導電部は、前記第1の導電部の前記他の端部から他方の前記半導体層の端部へと延伸し、前記第3の導電部は、少なくとも一部が前記絶縁層に接した絶縁層接触部を有し、前記第3の導電部のうち、前記絶縁層接触部の反対側であって積層型熱電変換モジュールの外側方向には何も形成されていないことを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。このような構成とすれば、第3の導電部は、第1の導電部の他の端部から他方の半導体層の端部へと延伸するように形成され、第3の導電部のうち、絶縁層接触部の反対側あって積層型熱電変換モジュールの外側方向には何も形成されていない。このようにすれば、熱電発電素子の製造を簡略化することができる。[適用例4]適用例1ないし3のいずれか一項記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第1の熱絶縁部と前記第2の熱絶縁部とのうちの少なくとも一方は、表面に凹凸を有することを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。このような構成とすれば、第1の熱絶縁部と第2の熱絶縁部とのうちの少なくとも一方は、表面に凹凸を有する。表面に凹凸を有する構成とすれば、熱源側では伝熱量を抑制することができ、冷却側では熱絶縁部の表面積が大きくなるため、その放熱効果を向上させることができる。この結果、積層型熱電変換モジュールにおける伝熱抑制効果を向上させることができる。[適用例5]適用例2または4記載の積層型熱電変換モジュールであって、前記第1の熱絶縁部と前記第2の熱絶縁部とは、互いに異なる熱伝導率を有することを特徴とする、積層型熱電変換モジュール。このような構成とすれば、第1の熱絶縁部と第2の熱絶縁部とを、互いに異なる熱伝導率とすることができる。なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能である。例えば、積層型熱電変換モジュールおよびその製造方法、積層型熱電変換モジュール用の熱電発電素子およびその製造方法、またはこれらの製造装置、製造システム等の形態で実現することができる。また、本発明は、上述した種々の特徴を必ずしも全て備えている必要はなく、その一部を省略して構成することもできる。次に、本発明の一態様である積層型熱電変換モジュールの実施の形態を説明する。A.第1実施形態:A-1.熱電変換モジュール1の構造:図1は、本発明の一実施形態としての熱電変換モジュール1の斜視図である。熱電変換モジュール1は、複数の熱電発電素子EEを積層した積層型の熱電変換モジュールである。1つの熱電発電素子EEの大きさは、例えば、X方向の長さが0.51mm、Y方向の長さが2.0mm、Z方向の長さが2.0mmである。図1の例では、熱電変換モジュール1は、熱電発電素子EEを4層積層した構造を有している。熱電変換モジュール1は、その積層方向X方向に対して垂直な方向Y方向の一方側を熱源に接触させることで、他方側との間で温度差を生じさせ、当該温度差を熱起電力に変換することができるデバイスである。なお、以降では便宜的に、熱電変換モジュール1のうち、熱源に接触する側の面を加熱面と呼ぶ。また、熱電変換モジュール1のうち、熱源に接触しない側の面、換言すれば、Y方向について加熱面と反対側の面を冷却面と呼ぶ。なお、熱電変換モジュール1の使用時に冷却面側を冷却しない場合もあるが、ここでは便宜的に一律に冷却面と呼ぶ。図2は、熱電変換モジュール1の側面図である。図2は、図1におけるXY平面上における側面図である。熱電変換モジュール1の熱電発電素子EEは、第1の熱絶縁部2と、一対の絶縁層4と、導電部6と、一対の半導体層8とを備えている。なお、各部の材質の詳細は後述する。以降では、1つの熱電発電素子EEを例にして説明する。熱電発電素子EEの中央部には、導電性を有する導電部6が形成されている。導電部6は、第1の導電部6aと、第2の導電部6bと、第3の導電部6cとを含んでいる。第1の導電部6aは平板状である。第2の導電部6bは、第1の導電部6aの一の端部具体的には、加熱面側の辺から一方の半導体層8にかけて延伸するように形成されている。同様に、第3の導電部6cは、第1の導電部6aの一の端部と対向する他の端部具体的には、冷却面側の辺から他方の半導体層8にかけて延伸するように形成されている。本実施形態では、導電部6の厚さすなわち、第1の導電部6aはX方向の長さ、第2の導電部6bおよび第3の導電部6cはY方向の長さは0.01mmである。なお、以降において端部とは、厳密な端部だけでなく、端部の近傍部分も含む意味において使用する。導電部6の第1の導電部6aの両側には、第1の導電部6aを挟持するように一対の絶縁層4が形成されている。具体的には、図2のように熱電変換モジュール1をその側面から見た場合、絶縁層4は、一方が第3の導電部6cの外側冷却面側にかけて回り込むようなL字形状を有し、他方が第3の導電部6cの内側まで延びたI字形状を有するように形成されている。本実施形態では、それぞれの絶縁層4の厚さX方向の長さは0.05mmである。第1の導電部6aを挟持した一対の絶縁層4の両外側には、さらに、一対の半導体層8が形成されている。半導体層8は、平板状で、同じ極性の半導体素子である。なお、半導体層8の極性は全て同じであればよく、n型でもよいし、p型でもよい。本実施形態では、それぞれの半導体層8の厚さX方向の長さは0.2mm、Y方向の長さは2.0mm、Z方向の長さは2.0mmである。また、第2の導電部6bは絶縁層4に接する絶縁層接触部BCを有している。本実施例における絶縁層接触部BCは、平板状の第2の導電部6bのうちの絶縁層4と対向する面である。また、第2の導電部6bのうち、絶縁層接触部BCの反対側であって熱電変換モジュール1の外側方向、換言すれば、第2の導電部6bの外側加熱面側には、一方の半導体層8から他方の半導体層8にかけて、第1の熱絶縁部2が形成されている。すなわち、第1の熱絶縁部2は、一対の絶縁層4の両外側に配置された一対の半導体層8の隙間を埋めるように形成されている。本実施形態では、第1の熱絶縁部2の厚さX方向の長さは0.11mm、Y方向の長さは0.1mm、Z方向の長さは2.0mmである。熱電変換モジュール1は、上記のような熱電発電素子EEが、半導体層8の面同士を重ねるようにして、同一の向きに複数接合された積層構造を有している。なお、熱電発電素子EEの積層数は任意に設定することができる。上記のような熱電変換モジュール1において、第1の熱絶縁部2の熱伝導率は、絶縁層4の熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、導電部6の熱伝導率と、のいずれよりも低い。すなわち、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaは、絶縁層4の熱伝導率кins、半導体層8の熱伝導率кsemi、導電部6の熱伝導率кcondに対して、次の式1~3の全ての関係を満たす。кa<кins式1кa<кsemi式2кa<кcond式3なお、上記において、絶縁層4の熱伝導率кins、半導体層8の熱伝導率кsemi、導電部6の熱伝導率кcond間の関係は問わない。また、上記では、第1の導電部6aの熱伝導率=第2の導電部6bの熱伝導率=第3の導電部6cの熱伝導率=кcondであるものとしている。しかし、кa<第1の導電部6aの熱伝導率、かつ、кa<第1の導電部6aの熱伝導率、かつ、кa<第1の導電部6aの熱伝導率、の関係を満たす限りにおいて、第1~第3の導電部の熱伝導率は、互いに異なっていても良い。A-2.熱電変換モジュール1の製造方法:図3は、熱電変換モジュール1の製造の流れを示す説明図である。ステップS102では、熱絶縁部21と、絶縁層41と、導電部61aおよび導電部61bと、半導体シート81とを備える積層体1aを作製する。詳細は後述する。ステップS104では、熱絶縁部22と、絶縁層42aおよび絶縁層42bと、導電部62aおよび導電部62bと、半導体シート82とを備える積層体1bを作製する。詳細は後述する。ステップS106では、ステップS102で作製した積層体1aと、ステップS104で作製した積層体1bとを貼り合わせた構造体を作製する。詳細は後述する。ステップS108では、ステップS106で作製した構造体が、複数の熱電変換モジュール1を含むように形成されている場合に、当該構造体を所定の大きさになるように切断する。なお、所定の大きさとは任意に設定することができる。第1実施形態の場合の大きさは、図1、図2で説明した通りである。ステップS110では、切断された各構造体に対する脱脂を行う。脱脂の条件は、ステップS102およびステップS104で用いたバインダおよび分散材の分量に応じて、適宜設定する。第1実施形態では、脱脂温度250°Cで、脱脂時間は10時間とした。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、脱脂温度は、200~300°Cの範囲内で変更可能である。また、脱脂時間は1~100時間の範囲内で変更可能である。ステップS112では、脱脂された各構造体に対する焼成を行う。焼成の条件は、ステップS102およびステップS104で用いた半導体シート81の半導体材料と、絶縁層41の絶縁材料と、熱絶縁部21の絶縁材料と、導電部61a、bの電極材料とに応じて、適宜設定する。第1実施形態では、焼成温度850°Cで、焼成時間は5時間とした。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、焼成温度は、800~950°Cの範囲内で変更可能である。また、焼成時間は1~50時間の範囲内で変更可能である。A-2-1.積層体1aの作製:図4は、積層体1aの製造の流れを示す説明図である。図4Aは、以下の手順1~4によって作製される半導体シート81を示している。手順1所定量の半導体材料と、所定量の有機溶剤と、所定量の分散材と、これらを混合するための所定量の玉石と、を樹脂ポットに封入してポットミル混合を行い、分散混合液を作製する。なお、半導体材料としては特に限定がなく、種々の材料を用いることができる。半導体材料は、例えば、Ca3Co4O9のような、高温大気安定性の高い酸化物熱電材料を用いることが好ましい。有機溶剤としては特に限定がなく、種々の材料を用いることができる。有機溶剤は、例えば、エチルアルコール、トルエン、キシレン等の、比較的揮発性の高い溶剤を用いることが好ましい。第1実施形態では、半導体材料としてCa3Co4O9を用いた。Ca3Co4O9は、CaCO3とCo3O4とを焼成後に、Ca3Co4O9となるような化学量論比にて混合し、850°Cで5時間焼成し作製した。半導体材料の含有量は、60wtとした。また、有機溶剤としてエチルアルコールを用いた。エチルアルコールの含有量は、39wtとした。分散材の含有量は1wtとした。第1実施形態では、ポットミル混合を行った混合時間は5時間とした。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、半導体材料として、酸化物系のNaCo2O4やSrTiO3もしくはZn1xAlxO、テルライド系のBi2Te3もしくはPbTeや、シリサイド系のFeSi2やMg2Si等を用いても良い。さらに、例えば、半導体材料の含有量は、40~70wtの範囲内で変更可能である。同様に、有機溶剤の含有量は30~60wtの範囲内で、分散材の含有量は0.5~5wtの範囲内で、混合時間は0.5時間~30時間の範囲内で、それぞれ変更可能である。手順2手順1で作製した分散混合液に対して、所定量のワニスを添加してポットミル混合を行い、成形用のスラリーを作製する。ワニスは、バインダと、可塑剤と、有機溶剤とを混合したものである。ワニスに含まれるバインダとしては特に限定がなく、ブチラール系、セルロース系等、種々の材料を用いることができる。可塑剤としてはフタル酸系化合物等を用いることができる。第1実施形態では、ワニスに含まれるバインダとしてブチラール樹脂を用いた。ワニスと分散混合液の混合物全体に対するバインダの含有量は3.2wtとした。また、可塑剤としてフタル酸ジオクチルを用いた。ワニスと分散混合液の混合物全体に対する可塑剤の含有量は1.1wtとした。第1実施形態では、手順1の分散混合液の含有量を81wt、ワニスの含有量を19wtとして、5時間ポットミル混合を行った。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、可塑剤として、フタル酸ジブチルDBP等を用いても良い。さらに、例えば、ワニスと分散混合液の混合物全体に含まれるバインダの含有量は1~7wtの範囲内で、ワニスと分散混合液の混合物全体に含まれる可塑剤の含有量は0.3~5wtの範囲内で、それぞれ変更可能である。同様に、手順1の分散混合液の含有量は70~90wtの範囲内で、ワニスの含有量は10~30wtの範囲内で、混合時間は0.5時間~30時間の範囲内で、それぞれ変更可能である。手順3手順2で作製したスラリーを、ドクターブレード法を用いてキャスティングし、シートを成形する。なお、シートの成形には種々の方法を用いることができ、例えば押出し成形等を採用してもよい。手順4手順3で成形したシートを、後工程での印刷が可能な程度の大きさに切り出す。図4Bは、半導体シート81に対して、絶縁層41を形成する様子を示している。手順5所定量の絶縁材料を、所定量の溶剤と、所定量のバインダと混合し、混練することによって印刷用ペーストを作製する。なお、絶縁材料としては特に限定がなく、種々の材料を用いることができる。絶縁材料は、例えば、一般的なシリカ系のガラスのような、半導体材料よりも熱伝導率が低い材料を用いることが好ましい。絶縁材料と、溶剤と、バインダとの含有量は任意に定めることができる。手順6手順5で作製した印刷用ペーストを、半導体シート81に対して、半導体シート81の一部が露出するような所定のパターンで印刷し、絶縁層41を形成する。この際、絶縁層41の厚みは特に規定されない。しかし、電気絶縁性および印刷性を向上させるために、絶縁層41の厚みは0.1~100μmが好ましく、1~30μmがより好ましい。また、印刷方法は、スクリーン印刷のほか、メタルマスク印刷等を用いることができる。第1実施形態では、絶縁材料として、シリカ系ガラスを用いて印刷用ペーストを作製した。また、シート厚0.2mmに成形された半導体シート81に対して、スクリーン印刷を用いて、50μmの厚さで絶縁層41を印刷した。印刷パターンは、半導体シート81の左側端部から、幅0.11mmの露出帯を設け、他の部分を覆うようなパターンとした。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、絶縁材料として、ホウケイ酸ガラスや、ビスマス系ガラスのような絶縁ガラス熱伝導率к=約1~2WmKat100°Cや、ZrO2のような絶縁セラミック熱伝導率к=約3WmKat100°C等、を用いても良い。さらに、例えば、印刷ではなく、半導体シート81に対して、シート化した絶縁層41を積層する方法を採用してもよい。図4Cは、半導体シート81に対して、熱絶縁部21を形成する様子を示している。手順7所定量の熱絶縁部用の絶縁材料を、所定量の溶剤と、所定量のバインダと混合し、混練することによって印刷用ペーストを作製する。なお、熱絶縁部用の材料としては特に限定がなく、種々の材料を用いることができる。熱絶縁部用の絶縁材料は、例えば、一般的なシリカ系ガラスや、レンガ材や、断熱材のような、絶縁層を形成する絶縁材料よりも熱伝導率が低い材料を用いることが好ましい。熱絶縁部用の絶縁材料と、溶剤と、バインダとの含有量は任意に定めることができる。手順8手順7で作製した印刷用ペーストを、半導体シート81の端部に形成された露出帯に対して、所定のパターンで印刷し、熱絶縁部21を形成する。この際、熱絶縁部21の厚みは特に規定されない。また、印刷方法は、スクリーン印刷のほか、メタルマスク印刷等を用いることができる。第1実施形態では、熱絶縁用部の絶縁材料として、絶縁層41と同様のシリカ系ガラスを用いて印刷用ペーストを作製した。ただし、手順7で作製される印刷用ペーストに含まれるシリカ系ガラスの粒径は、絶縁層41形成時の手順5で作製される印刷用ペーストに含まれるシリカ系ガラスの粒径よりも大きい。これは、焼成後、有機分が蒸発した際に、熱絶縁部21のシリカ系ガラスの充填率を絶縁層41のシリカ系ガラスの充填率よりも低くすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率を絶縁層4の熱伝導率よりも低くするためである。また、シート厚0.2mmに成形された半導体シート81に対して、スクリーン印刷を用いて、55μmの厚さで熱絶縁部21を印刷した。印刷パターンは、半導体シート81の左側端部から、幅0.1mmを覆うようなパターンとした。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、印刷ではなく、半導体シート81に対して、シート化した熱絶縁部21を積層する方法を採用してもよい。また、例えば、上記では、絶縁層41と熱絶縁部21について、同じ絶縁材料を使用した上で、熱絶縁部21の絶縁材料の充填率を絶縁層41よりも低くすることで、熱絶縁部21の熱伝導率を絶縁層41よりも低くした。しかし、絶縁層41と熱絶縁部21とは、同じ絶縁材料を用いる必要はない。具体的には、熱絶縁部21には、絶縁層41の絶縁材料よりも熱伝導率が低い絶縁材料を用いることができる。例えば、シャモットレンガやろう石レンガのようなレンガ材シャモットレンガの熱伝導率к=約0.47WmKat100°C、ろう石レンガの熱伝導率к=約0.63WmKat100°Cや、ガラスウールのような断熱材熱伝導率к=約0.045WmKat100°C等を用いることができる。熱絶縁部21に、絶縁層41の絶縁材料よりも熱伝導率が低い絶縁材料を用いた場合、熱絶縁部21と絶縁層41との充填率は、同じにすることができる。具体的には、熱絶縁部21の絶縁材料には、上述のシリカ系ガラスのような固体のほか、気体や、液体を用いることもできる。例えば、絶縁材料として気体を用いる場合は、図4Cの手順7、8で示した熱絶縁部21の印刷を省略する。そうすれば、焼成後、熱絶縁部21の場所に空洞が形成され、当該空洞に気体空気が充填された態様の熱絶縁部21を形成することができる。また、例えば、絶縁材料として液体を用いる場合は、気体の際と同様に、図4Cの手順7、8で示した熱絶縁部21の印刷を省略する。そして、焼成後、熱絶縁部21の場所に形成された空洞に対して、液体を充填することで、当該空洞に液体が充填された態様の熱絶縁部21を形成することができる。図4Dは、半導体シート81に対して、導電部61aを形成する様子を示している。手順9所定量の電極材料を、所定量の溶剤と、所定量のバインダと混合し、混練することによって印刷用ペーストを作製する。なお、電極材料に用いる金属は特に限定がなく、種々の金属を用いることができる。電極材料と、溶剤と、バインダとの含有量は任意に定めることができる。手順10手順9で作製した印刷用ペーストを、半導体シート81の露出部すなわち、絶縁層41も熱絶縁部21も形成されていない凹部を埋めるように印刷し、導電部61aを形成する。なお、導電部61aの厚みは特に規定されない。印刷方法は、スクリーン印刷のほか、メタルマスク印刷等を用いることができる。第1実施形態では、電極材料として銀Agを用いた。また、半導体シート81に対して、スクリーン印刷を用いて、10μmの厚さで導電部61aを印刷した。なお、上記第1実施形態の態様はあくまで一例である。例えば、電極材料として、金Auや、白金Ptや、銅Cuや、パラジウムPdや、ニッケルNiや、Ag-Pd合金等を用いても良い。図4Eは、半導体シート81に対して、導電部61bを形成する様子を示している。手順11手順9で作製した印刷用ペーストを、熱絶縁部21を除いた導電部61aと、絶縁層41とに対して、所定のパターンで印刷し、導電部61bを形成する。この際、導電部61bの厚みは特に規定されない。しかし、導電部61bの厚さが薄すぎると電気抵抗が高くなるおそれがあり、一方、導電部61bの厚さが厚すぎると熱電変換モジュール1の加熱面から冷却面へ熱が伝わりやすくなる。このため、導電部61bの厚さは0.1~30μが好ましく、0.5~10μmがより好ましい。第1実施形態では、電極材料として銀Agを用いた。また、半導体シート81に対して、スクリーン印刷を用いて、5μmの厚さで導電部61bを印刷した。また、印刷パターンは、半導体シート81の左側端部の熱絶縁部21が形成されている部分を避けると共に、半導体シート81の右側端部から、幅0.1mmの露出帯を設け、他の部分を覆うようなパターンとした。A-2-2.積層体1bの作製:図5は、積層体1bの製造の流れを示す説明図である。図5Aは、半導体シート82を示している。半導体シート82の作製手順は、図4Aで説明した手順1~4と同様である。また、第1実施形態における半導体シート82の態様についても、図4Aの説明と同様である。図5Bは、半導体シート82に対して、絶縁層42aおよび絶縁層42bを形成する様子を示している。絶縁層42a、42bの作製手順は、図4Bで説明した手順5、6と同様である。また、第1実施形態における絶縁層42a、42bの態様のうち、絶縁材料と絶縁層42a、42bの厚さは、図4Bの説明と同様である。絶縁層42aの印刷パターンは、半導体シート82の左側端部から、幅0.1mmを覆うようなパターンとした。絶縁層42bの印刷パターンは、半導体シート82の左側端部から幅0.11mmの露出帯を、半導体シート82の右側端部から幅0.1mmの露出帯を、それぞれ設け、他の部分を覆うようなパターンとした。図5Cは、半導体シート82に対して、熱絶縁部22を形成する様子を示している。熱絶縁部22の作製手順は、図4Cで説明した手順7、8と同様である。また、第1実施形態における熱絶縁部22の態様のうち、絶縁材料と熱絶縁部22の厚さは、図4Cの説明と同様である。熱絶縁部22の印刷パターンは、半導体シート82の右側端部から、幅0.1mmを覆うようなパターンとした。図5Dは、半導体シート82に対して、導電部62aを形成する様子を示している。導電部62aの作製手順は、図4Dで説明した手順9、10と同様である。また、第1実施形態における導電部62aの態様についても、図4Dの説明と同様である。図5Eは、半導体シート82に対して、導電部62bを形成する様子を示している。導電部62bの作製手順は、図4Dで説明した手順9、11と同様である。また、第1実施形態における導電部62bの態様についても、図4Eの説明と同様である。A-2-3.貼り合わせ:図6は、積層体1aと、積層体1bとを貼り合わせた構造体の製造の流れを示す説明図である。まず、図6Aのように、積層体1aと、時計回りに180°回転させた状態の積層体1bとを貼り合わせ、熱圧着をかけることによって1つの構造体とする。図6Bは、積層体1aおよび1bにより形成された構造体を示している。この構造体が、1つの熱電発電素子EEとなる。図6Bより、図2で説明した第1の熱絶縁部2は、熱絶縁部21と熱絶縁部22とにより形成されていることがわかる。同様に、絶縁層4は、絶縁層41と絶縁層42aと絶縁層42bとにより形成されていることがわかる。同様に、第1の導電部6aは、導電部61bと導電部62bとにより形成されていることが、第2の導電部6bは導電部61aにより形成されていることが、第3の導電部6cは導電部62aにより形成されていることが、それぞれわかる。同様に、半導体層8は、半導体シート81と半導体シート82とにより形成されていることがわかる。図6Cは、図6Bにより作製された複数の熱電発電素子EEを、一方の熱電発電素子EEの半導体シート82と、他方の熱電発電素子EEの半導体シート81とが重なるようにして積層して構成された熱電変換モジュール1を示している。なお、図では3層積層構造としているが、積層数は任意に定めることができる。例えば、半導体シート81、82のシート厚を薄くした上で、積層する熱電発電素子EEの枚数を増加させれば、熱電変換モジュール1から得られる電圧を大きくすることができる。一方で、半導体シート81、82のシート圧を厚くした上で、積層する熱電発電素子EEの枚数を減少させれば、熱電変換モジュール1から得られる電流を大きくすることができる。A-3.性能評価:図7は、第1実施形態の熱電変換モジュール1を対象として実施した性能評価試験の結果を示す説明図である。性能評価試験では、まず、第1実施形態として示した熱電変換モジュール1において、第1の熱絶縁部2の熱伝導率を変化させた複数のサンプルサンプル1~6を用意した。サンプル1~6は、上述の第1実施形態として示した態様の通り、半導体層8の半導体材料としてCa3Co4O9を、導電部6の電極材料として銀Agを、絶縁層4の絶縁材料としてシリカ系ガラスを、それぞれ用いている。半導体層8の100°Cにおける熱伝導率кsemiは約3.0W/mK、導電部6の100°Cにおける熱伝導率кcondは約420.0W/mK、絶縁層4の100°Cにおける熱伝導率кinsは約1.20W/mKであった。また、サンプル1~6は、第1の熱絶縁部2の絶縁材料としてシリカ系ガラスを用い、当該シリカ系ガラスの充填率を変化させることで、互いに、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaが異なるものとした。サンプル1は、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率と同じすなわち100とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=絶縁層4の熱伝導率кinsとした。サンプル2は、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率の75とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=3/4×絶縁層4の熱伝導率кinsとした。サンプル3は、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率の50とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=2/4×絶縁層4の熱伝導率кinsとした。サンプル4は、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率の25とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=1/4×絶縁層4の熱伝導率кinsとした。サンプル5は、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率の10とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=1/10×絶縁層4の熱伝導率кinsとした。サンプル6は、第1の熱絶縁部2に対してシリカ系ガラスを充填せず、空気層とする構成換言すれば、第1の熱絶縁部2に対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4に対するシリカ系ガラスの充填率の0とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=約1/30×絶縁層4の熱伝導率кinsとした。以上のようにして形成した複数のサンプルのそれぞれについて、第1の熱絶縁部2が形成されている側を加熱面、反対側を冷却面として、冷却面側を水冷で冷却しつつ加熱面側が500°Cとなるように加熱した際の、冷却面中央部の温度を測定した。冷却面中央部の温度下面中心温度は、図7に示すように、第1の熱絶縁部2の熱伝導率を絶縁層4と同じとしたサンプル1では413°Cであった。同様に、冷却面中央部の温度は、第1の熱絶縁部2の熱伝導率を絶縁層4の3/4としたサンプル2では406°C、2/4としたサンプル3では400°C、1/4としたサンプル4では397°C、1/10としたサンプル5では395°C、1/30としたサンプル6では395°Cであった。この結果から、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaが小さくなるに従って冷却面中央部の温度下面中心温度が低くなること、換言すれば、加熱面と冷却面との温度差が大きくなることがわかる。これは、熱源と導電部6との間に、熱伝導率が小さい第1の熱絶縁部2を介在させることで、導電部6を介した加熱面側から冷却面側への伝熱が抑制されるためである。導電部6の熱伝導率кcond=約420.0W/mKは、半導体層8の熱伝導率кsemi=約3.0W/mKや絶縁層4の熱伝導率кins=約1.20W/mKよりも格段に大きいため、このように、導電部6を介した伝熱を抑制することは、熱電変換モジュール1の加熱面側から冷却面側への伝熱を効果的に抑制できることにつながる。なお、図7の結果からは、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaが特定の値よりも小さくなった場合は、冷却面中央部の温度には、大きな低下効果が見られないこともわかる。以上のように、第1実施形態の構成によれば、熱電変換モジュール1の第2の導電部6bのうちの絶縁層接触部BCの反対側であって熱電変換モジュール1の外側方向、すなわち、熱電変換モジュール1の外側面加熱面には、一方の半導体層8から他方の半導体層8にかけて第1の熱絶縁部2が形成されており、第1の熱絶縁部2の熱伝導率は、絶縁層4の熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、第1の導電部6aの熱伝導率と、第2の導電部6bの熱伝導率と、第3の導電部6cの熱伝導率と、のいずれよりも低い。このため、熱電変換モジュール1を用いた発電時には、第1の熱絶縁部2が形成された側を熱源に接触させることで、換言すれば、第1の熱絶縁部2が形成された側を加熱面とすることで、熱源に接触する側加熱面側から熱源に接触しない側冷却面側へ向けての伝熱を抑制することができる。B.第2実施形態:本発明の第2実施形態では、冷却面側にも熱絶縁部を有する構成について説明する。以下では、第1実施形態と異なる構成を有する部分についてのみ説明する。なお、図中において第1実施形態と同様の構成部分については先に説明した第1実施形態と同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。B-1.熱電変換モジュール1xの構造:図8は、第2実施形態としての熱電変換モジュール1xの斜視図である。図9は、熱電変換モジュール1xの側面図である。図1、2に示した第1実施形態との違いは、冷却面側に第2の熱絶縁部2xを備える点と、第2の熱絶縁部2xを備えることに伴う絶縁層4xの形状の違いのみであり、他の構成は第1実施形態と同様である。導電部6の第1の導電部6aの両側には、第1の導電部6aを挟持するように一対の絶縁層4xが形成されている。具体的には、図9のように熱電変換モジュール1xをその側面から見た場合、絶縁層4xは、一方が第2の導電部6bの内側から第2の熱絶縁部2xの内側にかけて延びたI字形状を有し、他方が第1の熱絶縁部2の内側から第3の導電部6cの内側にかけて延びたI字形状を有するように形成されている。絶縁層4xの厚さX方向の長さは第1実施形態と同様である。また、本実施形態における熱電変換モジュール1xには、さらに、第3の導電部6cが絶縁層4xと接している絶縁層接触部BC1の反対側であって熱電変換モジュール1xの外側方向、換言すれば、第3の導電部6cの外側冷却面側には、一方の半導体層8から他方の半導体層8にかけて、第2の熱絶縁部2xが形成されている。本実施例における絶縁層接触部BC1は、平板状の第3の導電部6cのうちの絶縁層4xと対向する面である。第2の熱絶縁部2xは、一対の絶縁層4xの両外側に配置された一対の半導体層8の隙間を埋めるように形成されている。本実施形態では、第2の熱絶縁部2xの厚さX方向の長さは0.11mm、Y方向の長さは0.1mm、Z方向の長さは2.0mmである。上記のような熱電変換モジュール1xにおいて、第1の熱絶縁部2の熱伝導率および第2の熱絶縁部2xの熱伝導率は、絶縁層4xの熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、導電部6の熱伝導率と、のいずれよりも低いことが好ましい。すなわち、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaは、第1実施形態で説明した式1~3の全ての関係を満たすことが好ましい。さらに、第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кbは、絶縁層4xの熱伝導率кinsx、半導体層8の熱伝導率кsemi、導電部6の熱伝導率кcondに対して、次の式4~6の全ての関係を満たすことが好ましい。кb<кinsx式4кb<кsemi式5кb<кcond式6なお、上記において、絶縁層4xの熱伝導率кinsx、半導体層8の熱伝導率кsemi、導電部6の熱伝導率кcond間の関係は問わない。また、上記では、第1の導電部6aの熱伝導率=第2の導電部6bの熱伝導率=第3の導電部6cの熱伝導率=кcondであるものとしている。しかし、кb<第1の導電部6aの熱伝導率、かつ、кb<第1の導電部6aの熱伝導率、かつ、кb<第1の導電部6aの熱伝導率、の関係を満たす限りにおいて、第1~第3の導電部の熱伝導率は、互いに異なっていても良い。B-2.熱電変換モジュール1xの製造方法:図10は、熱電変換モジュール1xの製造の流れを示す説明図である。図3に示した第1実施形態との違いは、ステップS102、S104、S106に代えてステップS202、S204を備える点のみであり、他の手順については第1実施形態と同様である。ステップS202では、熱絶縁部23aおよび熱絶縁部23bと、絶縁層43と、導電部63aおよび導電部63bと、半導体シート83とを備える積層体1cを作製する。詳細は後述する。ステップS204では、ステップS202で作製した積層体1cを2枚用いて、それらを貼り合わせた構造体を作製する。詳細は後述する。B-2-1.積層体1cの作製:図11は、積層体1cの製造の流れを示す説明図である。図11Aは、半導体シート83を示している。半導体シート83の作製手順は、図4Aで説明した手順1~4と同様である。また、第2実施形態における半導体シート83の態様についても、図4Aの説明と同様である。図11Bは、半導体シート83に対して、絶縁層43を形成する様子を示している。絶縁層43の作製手順は、図4Bで説明した手順5、6と同様である。また、第2実施形態における絶縁層43の態様のうち、絶縁材料と絶縁層43の厚さは、図4Bの説明と同様である。絶縁層43の印刷パターンは、半導体シート83の左側端部から幅0.11mmの露出帯を、半導体シート82の右側端部から幅0.1mmの露出帯を、それぞれ設け、他の部分を覆うようなパターンとした。図11Cは、半導体シート83に対して、熱絶縁部23aおよび熱絶縁部23bを形成する様子を示している。熱絶縁部23a、23bの作製手順は、図4Cで説明した手順7、8と同様である。また、第2実施形態における熱絶縁部23a、23bの態様のうち、絶縁材料と熱絶縁部23a、23bの厚さは、図4Cの説明と同様である。熱絶縁部23aの印刷パターンは、半導体シート83の左側端部から、幅0.1mmを覆うようなパターンとした。熱絶縁部23bの印刷パターンは、半導体シート83の右側端部から、幅0.1mmを覆うようなパターンとした。図11Dは、半導体シート83に対して、導電部63aを形成する様子を示している。導電部63aの作製手順は、図4Dで説明した手順9、10と同様である。また、第2実施形態における導電部63aの態様についても、図4Dの説明と同様である。図11Eは、導電部63bを形成する様子を示している。導電部63bの作製手順は、図4Dで説明した手順9、11と同様である。また、第2実施形態における導電部63bの態様についても、図4Eの説明と同様である。B-2-2.貼り合わせ:図12は、2枚の積層体1cを貼り合わせた構造体の製造の流れを示す説明図である。まず、図12Aのように、積層体1cと、時計回りに180°回転させた状態の積層体1cとを貼り合わせ、熱圧着をかけることによって1つの構造体とする。図12Bは、2枚の積層体1cにより形成された構造体を示している。第2実施形態においては、この構造体が、1つの熱電発電素子EEとなる。図12Bより、第2実施形態では、図9で説明した第1の熱絶縁部2は、一方側の熱絶縁部23aと熱絶縁部23bの組により形成されていることがわかる。また、第2の熱絶縁部2xは、他方側の熱絶縁部23aと熱絶縁部23bとにより形成されていることがわかる。同様に、絶縁層4xは、2枚の絶縁層43により形成されていることがわかる。同様に、第1の導電部6aは2枚の導電部63bにより形成されていることが、第2の導電部6bは一方側の導電部63aにより形成されていることが、第3の導電部6cは他方側の導電部63aにより形成されていることが、それぞれわかる。同様に、半導体層8は、2枚の半導体シート83により形成されていることがわかる。図12Cは、図12Bにより作製された複数の熱電発電素子EEを、一方の熱電発電素子EEの半導体シート83と、他方の熱電発電素子EEの半導体シート83とが重なるようにして積層して構成された熱電変換モジュール1xを示している。なお、図では3層積層構造としているが、積層数は任意に定めることができる。B-3.性能評価:図13は、第2実施形態の熱電変換モジュール1xを対象として実施した性能評価試験の結果を示す説明図である。性能評価試験では、まず、第2実施形態として示した熱電変換モジュール1xにおいて、第1の熱絶縁部2の熱伝導率および第2の熱絶縁部2xの熱伝導率を、それぞれ変化させた複数のサンプルサンプル1~5を用意した。サンプル1~5は、上述の第2実施形態として示した態様の通り、半導体層8の半導体材料としてCa3Co4O9を、導電部6の電極材料として銀Agを、絶縁層4の絶縁材料としてシリカ系ガラスを、それぞれ用いている。半導体層8の100°Cにおける熱伝導率кsemiは約3.0W/mK、導電部6の100°Cにおける熱伝導率кcondは約420.0W/mK、絶縁層4の100°Cにおける熱伝導率кinsは約1.20W/mKであった。また、サンプル1~5は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xの絶縁材料としてシリカ系ガラスを用い、当該シリカ系ガラスの充填率を変化させることで、互いに、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaおよび第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кbが異なるものとした。サンプル1は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対するシリカ系ガラスの充填率を、それぞれ絶縁層4xに対するシリカ系ガラスの充填率と同じすなわち100とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кb=絶縁層4xの熱伝導率кinsxとした。サンプル2は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対するシリカ系ガラスの充填率を、それぞれ絶縁層4xに対するシリカ系ガラスの充填率の75とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кb=3/4×絶縁層4xの熱伝導率кinsxとした。サンプル3は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対するシリカ系ガラスの充填率を、それぞれ絶縁層4xに対するシリカ系ガラスの充填率の50とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кb=2/4×絶縁層4xの熱伝導率кinsxとした。サンプル4は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対するシリカ系ガラスの充填率を、それぞれ絶縁層4xに対するシリカ系ガラスの充填率の10とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кb=1/10×絶縁層4xの熱伝導率кinsxとした。サンプル6は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対してシリカ系ガラスを充填せず、空気層とする構成換言すれば、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xに対するシリカ系ガラスの充填率を、絶縁層4xに対するシリカ系ガラスの充填率の0とすることで、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кa=第2の熱絶縁部2xの熱伝導率кb=約1/30×絶縁層4xの熱伝導率кinsxとした。以上のようにして形成した複数のサンプルのそれぞれについて、第1の熱絶縁部2が形成されている側を加熱面、第2の熱絶縁部2xが形成されている側を冷却面として、冷却面側を水冷で冷却しつつ加熱面側が500°Cとなるように加熱した際の、冷却面中央部の温度を測定した。冷却面中央部の温度下面中心温度は、図13に示すように、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xの熱伝導率を絶縁層4xと同じとしたサンプル1では413°Cであった。同様に、冷却面中央部の温度は、第1の熱絶縁部2および第2の熱絶縁部2xの熱伝導率を絶縁層4xの3/4としたサンプル2では411°C、2/4としたサンプル3では409°C、1/10としたサンプル4では407°C、1/30としたサンプル5では406°Cであった。この結果から、第1の熱絶縁部2の熱伝導率кaおよび第2の熱絶縁部2の熱伝導率кbが小さくなるに従って冷却面中央部の温度下面中央温度が低くなること、換言すれば、加熱面と冷却面との温度差が大きくなることがわかる。これは、第1実施形態と同様に、熱源と導電部6との間に、熱伝導率が小さい第1の熱絶縁部2を介在させることで、導電部6を介した加熱面側から冷却面側への伝熱が抑制されるためである。以上のように、第2実施形態の構成によれば、熱電変換モジュール1xの第3の導電部6cのうちの絶縁層接触部BC1の反対側であって熱電変換モジュール1xの外側方向には、さらに、一方の半導体層8から他方の半導体層8にかけて第2の熱絶縁部2xが形成されており、第2の熱絶縁部2xの熱伝導率は、絶縁層4xの熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、第1の導電部6aの熱伝導率と、第2の導電部6bの熱伝導率と、第3の導電部6cの熱伝導率と、のいずれよりも低い。このため、熱電変換モジュール1xを用いた発電時に、第1の熱絶縁部2が形成された側加熱面と、第2の熱絶縁部2xが形成された側冷却面と、のどちらを熱源に接触させた場合であっても、上記のような伝熱抑制効果を得ることができる。また、熱電発電素子EEを作製するために必要な積層体は、積層体1cの1種類のみでよいため、熱電発電素子EEの製造を簡略化することができる。C.第3実施形態:本発明の第3実施形態では、導電部の一部が冷却面側に露出している構成について説明する。以下では、第1実施形態と異なる構成を有する部分についてのみ説明する。なお、図中において第1実施形態と同様の構成部分については先に説明した第1実施形態と同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。C-1.熱電変換モジュール1yの構造:図14は、第3実施形態としての熱電変換モジュール1yの側面図である。図2に示した第1実施形態との違いは、絶縁層4yの形状と、導電部6yの形状のみであり、他の構成は第1実施形態と同様である。導電部6yは、第1の導電部6ayと、第2の導電部6bと、第3の導電部6cyとを含んでいる。第1の導電部6ayは平板状であり、加熱面側に位置する一の端部は第1の熱絶縁部2の内側に、冷却面側に位置する他の端部は熱電変換モジュール1yの端面冷却面に、それぞれ位置するように配置されている。第2の導電部6bは、第1の導電部6ayの一の端部加熱面側の辺から一方の半導体層8にかけて延伸するように形成されている。同様に、第3の導電部6cyは、第1の導電部6ayの一の端部と対向する他の端部冷却面側の辺から他方の半導体層8にかけて延伸するように形成されている。このように、本実施例では、第3の導電部6cyのうち、絶縁層4yと接する絶縁層接触部BC1の反対側冷却面側であって熱電変換モジュール1xの外側方向には、何も形成されていない。このため、冷却面側に第3の導電部6cyが露出している。また、導電部6の厚さは第1実施形態と同様である。第1の導電部6ayの両側には、第1の導電部6ayを挟持するように一対の絶縁層4yが形成されている。具体的には、図14のように熱電変換モジュール1yをその側面から見た場合、絶縁層4yは、一方が第2の導電部6の内側から熱電変換モジュール1yの端面冷却面にかけて延びたI字形状を有し、他方が第1の熱絶縁部2の内側から第3の導電部6cyの内側にかけて延びたI字形状を有するように形成されている。絶縁層4xの厚さX方向の長さは第1実施形態と同様である。上記のような熱電変換モジュール1yにおいても、第1の熱絶縁部2の熱伝導率は、絶縁層4yの熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、導電部6yの熱伝導率と、のいずれよりも低いことが好ましい。C-2.熱電変換モジュール1yの製造方法:熱電変換モジュール1yは、第1実施形態の熱電変換モジュール1の製造方法において、絶縁層と、導電部の印刷パターンを変更すれば実現可能であるため、説明を省略する。以上のように、第3実施形態の構成によれば、第3の導電部6cyは、第1の導電部6ayの他の端部から他方の半導体層8の端部へと延伸するように形成され、第3の導電部のうち絶縁層接触部BC1の反対側であって熱電変換モジュール1yの外側方向には、何も形成されていない。このようにすれば、熱電発電素子EEの製造工程を簡略化することができる。また、冷却面側に熱伝導率が高い導電部6第3の導電部6cyが、他の部材を介さずに配置されることにより、冷却面側に導電部6の一部が露出した態様となるため、熱電変換モジュール1yに対して水冷を行った場合、高い冷却効果を得ることができる。D.第4実施形態:本発明の第4実施形態では、熱絶縁部2の形状が異なる構成について説明する。以下では、第2実施形態と異なる構成を有する部分についてのみ説明する。なお、図中において第2実施形態と同様の構成部分については先に説明した第2実施形態と同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。D-1.熱電変換モジュール1zの構造:図15は、第4実施形態としての熱電変換モジュール1zの側面図である。図9に示した第2実施形態との違いは、第1の熱絶縁部2に代えて第1の熱絶縁部2zを、第2の熱絶縁部2xに代えて第2の熱絶縁部2xzを、それぞれ備える点のみであり、他の構成は第2実施形態と同様である。第1の熱絶縁部2zは、加熱面側の表面に凹凸が形成されている点で、第1の熱絶縁部2と異なる。その他、材料や寸法は第1の熱絶縁部2と同様である。第2の熱絶縁部2xzは、冷却面側の表面に凹凸が形成されている点で、第2の熱絶縁部2xと異なる。その他、材料や寸法は第2の熱絶縁部2xと同様である。上記のような熱電変換モジュール1zにおいても、第1の熱絶縁部2zの熱伝導率および第2の熱絶縁部2xzの熱伝導率は、絶縁層4xの熱伝導率と、半導体層8の熱伝導率と、導電部6の熱伝導率と、のいずれよりも低いことが好ましい。D-2.熱電変換モジュール1zの製造方法:熱電変換モジュール1zは、第2実施形態の熱電変換モジュール1xの製造方法において、熱絶縁部の印刷パターンを変更すれば実現可能であるため、説明を省略する。以上のように、第4実施形態の構成によれば、第1の熱絶縁部2zと第2の熱絶縁部2xzとのうちの少なくとも一方は、表面に凹凸を有する。表面に凹凸を有する構成とすれば、熱絶縁部第1の熱絶縁部2z、第2の熱絶縁部2xzの表面積が大きくなるため、その放熱効果を向上させることができる。この結果、熱電変換モジュールにおける伝熱抑制効果を向上させることができる。E.変形例:なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。E1.変形例1:上記実施形態では、熱電変換モジュールの構成について例示した。しかし、熱電変換モジュールの構成は、熱電変換モジュールの用途や、必要とされる性能等に応じて適宜設定することが可能である。例えば、熱電変換モジュールの各部の寸法を任意に変更することができる。また、熱電発電素子の積層数を変更してもよい。例えば、熱電変換モジュールの形状を変更することもできる。具体的には、大きさの異なる熱電発電素子を組み合わせることで、円柱形状のような、様々な形状の熱電変換モジュールを構成してもよい。E2.変形例2:上記第2、第4実施形態では、第1の熱絶縁部と、第2の熱絶縁部とは、同じ熱伝導率を有するものとした。しかし、第1の熱絶縁部と、第2の熱絶縁部とを、異なる熱伝導率を有する構成としてもよい。E3.変形例3:上記第4実施形態は、第2実施形態の変形として説明した。しかし、上記第4実施形態に記載の発明は、第1実施形態の変形として適用されてもよい。すなわち、加熱面側にのみ熱絶縁部を有する構成においても、当該熱絶縁部の形状を変えることができる。上記第4実施形態は、第2実施形態の変形として、第1および第2の熱絶縁部の両方が、表面に凹凸を有する構成とした。しかし、第1および第2の熱絶縁部のいずれか一方にのみ、表面に凹凸を有する構成としてもよい。E4.変形例4:上記実施例では、導電部の形状の一例を示した。しかし、導電部の形状、具体的には、導電部における第1の導電部、第2の導電部、第3の導電部の形状およびそれらの配置については、種々の変形が可能である。図16は、変形例における導電部6の斜視図である。例えば、図16のように、第2の導電部6bおよび第3の導電部6cが、第1の導電部6aの端部の近傍部分から延伸する構成を採用してもよい。この場合、第1実施形態もしくは第2実施形態に示した熱電変換モジュールの製造方法において、絶縁層または導電部の印刷パターンを変更すれば実現可能である。図17は、変形例における導電部の斜視図である。例えば、図17のように、第2の導電部6bおよび第3の導電部6cの形状は、複数の円筒が隣接して連なる形状としてもよい。この場合、第1実施形態もしくは第2実施形態に示した熱電変換モジュールの製造方法において、絶縁層の印刷パターンを変更すれば実現可能である。具体的には、絶縁層の印刷において、円筒形状の穴を残すような印刷パターンを採用すればよい。また、他の製造方法として、第1実施形態もしくは第2実施形態と同様の方法で絶縁層を形成した後、所定の場所にレーザー加工による穿穴等でビアを形成し、当該ビアに導電部を印刷することで実現してもよい。