"可撓性基板上に複数の下部電極を堆積し、堆積された前記複数の下部電極は実質的に平行なパターンを有することと、前記可撓性基板上に複数のナノ圧電ワイヤを堆積し、堆積された前記複数のナノ圧電ワイヤは実質的にチェッカー盤のようなパターンを有することと、複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、複数の上部電極を堆積し、堆積された前記複数の上部電極は実質的に平行なパターンを有することと、前記ナノ圧電センサの配列上に複数の可撓性微細バンプを堆積し、前記複数の可撓性微細バンプは前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合されることとを含む方法。前記ナノ圧電ワイヤを堆積する前に、前記基板上に触媒の層を堆積することをさらに含み、堆積された前記触媒の層は実質的にチェッカー盤のようなパターンを有し、前記基板上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することは、前記触媒の層上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することを含み、前記複数のナノ圧電ワイヤは、前記基板に対して垂直な配向を有する、請求項1に記載の方法。前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数のナノ圧電ワイヤ間に可撓性絶縁材料の層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積することと、をさらに含み、前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項1に記載の方法。前記ナノ圧電ワイヤを堆積する前に、前記基板上に触媒の層を堆積し、堆積された前記触媒の層は、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有し、前記基板上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することは、前記触媒の層上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することを含み、前記複数のナノ圧電ワイヤは前記基板に対して垂直な配向を有することと、前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数のナノ圧電ワイヤ間に可撓性絶縁材料の層を堆積することと、前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積し、前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置することとを含む、請求項1に記載の方法。前記可撓性基板は以下の材料、すなわち、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリジメチルシロキサン、エポキシ、および/または液晶ポリマーのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。前記複数の可撓性微細バンプは、平坦ではない表面を形成し、各微細バンプは、半円型形状および/または半楕円型形状を備える、請求項1に記載の方法。前記ナノ圧電センサの配列は、静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項1に記載の方法。可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有する複数のナノ圧電ワイヤを堆積することと、堆積された前記複数のナノ圧電ワイヤの一部を除去して、実質的にチェッカー盤のようなパターンを形成することと、前記可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有し、前記ナノ圧電ワイヤと電気的に接続された複数の下部電極を堆積することと、複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、実質的に平行なパターンを有する複数の上部電極を堆積することと、前記ナノ圧電センサの配列上に、前記ナノ圧電センサの配列に動作的に結合された複数の可撓性微細バンプを堆積することと、を含む、方法。前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数の下部電極上に絶縁材料の層を堆積することをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積することと、をさらに含み、前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項9に記載の方法。前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項9に記載の方法。前記複数の可撓性微細バンプは、平坦ではない表面を形成し、各可撓性微細バンプは、半型形状および/または半楕円型形状を備える、請求項9に記載の方法。前記ナノ圧電センサの配列は、静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項9に記載の方法。可撓性基板と、前記可撓性基板に動作可能に結合され、ナノ圧電ワイヤの層を備えるナノ圧電センサの配列と、前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された複数の可撓性微細バンプと、を備える機器。静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項16に記載の機器。前記ナノ圧電ワイヤ間に位置する可撓性絶縁材料の層と、可撓性絶縁材料の上層と、静電荷遮蔽材料と、をさらに備え、前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料が前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項16に記載の機器。前記ナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項16に記載の機器。1つまたは複数のプロセッサによって実行される場合、コンピューティングデバイスが、可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有する複数の下部電極を堆積すること、前記可撓性基板上に、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有する複数のナノ圧電ワイヤを堆積すること、複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、実質的に平行なパターンを有する複数の上部電極を堆積すること、および前記ナノ圧電センサの配列上に、前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された複数の可撓性微細バンプを堆積すること、を動作的に可能にする機械可読命令を記憶して備える信号担持媒体を備える、物品。前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項20に記載の物品。以下の説明は、特許請求された主題の徹底的な理解を提供するために、特定の詳細と共にさまざまな例を記述する。しかしながら、特許請求された主題が、本明細書に開示された特定の詳細のうちのいくつかまたは複数がなくとも実施可能であることは、当業者に理解されるであろう。さらに、いくつかの細部においては、周知の方法、手順、システム、コンポーネントおよび/または回路は、特許請求された主題を不必要に不明瞭にすることを避けるために詳細には説明されていない。以下の詳細な説明において、本願の一部を形成する添付図面が参照される。図面において、文脈が別に指示していない限り、通常、同様の符号は同様のコンポーネントを指し示す。詳細な説明、図面および特許請求の範囲に記載された例示的な実施形態は、限定することを意味していない。本願に提示された主題の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用可能であると共に、他の変更を行うことも可能である。本明細書に一般的に記載されると共に、図面に図示された本開示の態様が多様な異なる構成において構成され、置換され、結合され、そして設計され、そのすべてが明確に意図されると共に、本開示の一部をなすことは容易に理解されるであろう。本開示は、概して、とりわけ、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造することに関する方法、機器、およびシステムについて言及する。いくつかの種類の触覚情報は、電子皮膚型触覚装置e-skinによって得ることができる。以下により詳細に記載するように、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含むことができる触覚装置が本明細書に記載される。このような触覚装置は、静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成することができる。以下により詳細に記載するように、圧力分布および表面形態ならびに/または表面テクスチャの検知は、ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づくことができる。たとえば、このように検知された圧力分布データおよび表面テクスチャたとえば、相対的な摺動は、材料の種類、材料の強度、等を判定することに利用することができる。人間の皮膚は、触れるおよびなでるの動作によってこの情報を得る。触覚装置において、触れるは静的接触の圧力分布および表面形態によって得ることができ、なでるは、相対的な摺動途中の対象の表面テクスチャを判定することによって得ることができる。図1は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における例示的な触覚装置を示す例示的な斜視図である。図示の例において、例示的な触覚装置100は、可撓性基板102を含むことができる。いくつかの例において、可撓性基板102は、以下の材料、すなわちポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリジメチルシロキサン、エポキシ、液晶ポリマー等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。いくつかの例において、触覚装置100は、触媒の層104を含むことができる。触媒の層104は、ナノ圧電ワイヤを堆積する前に可撓性基板102上に堆積することができる。いくつかの例において、触媒の堆積層104は、図1に示すように、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有することができる。いくつかの例において、触媒の層104の堆積は、スタンプ、e-ビームによるパターニング、スパッタリング、フォトリソグラフィによるパターニング、化学蒸着CVD、印刷たとえば、インクジェット式印刷等、エレクトロスピニング、シャドウマスク等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、触媒の層104は、以下の材料、すなわち金、酸化亜鉛、窒化ガリウム、シード層の層等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。いくつかの例において、触覚装置100は、複数の下部電極106を含むことができる。下部電極106は、可撓性基板100上に堆積することができる。たとえば、下部電極106は、図示のように、実質的に平行なパターンに堆積することができる。いくつかの例において、下部電極106の堆積は、フォトリソグラフィによるパターニング、印刷たとえば、インクジェット式印刷、インプリンティング等、電気めっき、スパッタリング、蒸発等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、下部電極106は、以下の材料、すなわちニッケル/金Ni/Au、チタン/金Ti/Au等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。図2は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、複数のナノ圧電ワイヤ202を含むことできる。いくつかの例において、ナノ圧電ワイヤ202は可撓性基板102上に直接堆積することができる。他の例において、ナノ圧電ワイヤ202は、触媒の層104上に堆積することができる。いくつかの例において、ナノ圧電ワイヤ202は、図2に図示するように、可撓性基板102に対して垂直配向を有することができる。いくつかの例において、ナノ圧電ワイヤ202の堆積は、直接成長たとえば、触媒の層104もしくは可撓性基板102上における成長によって、または外部で成長させたナノ圧電ワイヤの物理的移動によって、行うことができる。いくつかの例において、ナノ圧電ワイヤ202は、以下の材料、すなわち酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、ジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤ等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。たとえば、ナノ圧電ワイヤ202は、ワイヤ型形状、シート型形状、またはナノ圧電ワイヤ202が、配向した結晶方向をもって圧電性材料として作用するような長さの他の型の形状を有することができる。たとえば、ナノ圧電ワイヤ202は、最初にナノワイヤたとえば、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、ジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤ等のワイヤ型形状に形成することができ、または最初にナノシート酸化亜鉛型ナノシート、窒化ガリウム型ナノシート、およびジルコン酸チタン酸鉛型ナノシートとして形成して、選択的にナノシートとして残すことができ、もしくは後にワイヤ型形状にパターン化することができる。一非限定例において、垂直方向に整列されたZnO型ナノ圧電ワイヤ202は、触媒の層104の上に直接成長させることができる。たとえば、ShengXu、NageshAdiga、ShanBa、TirthankarDasgupta、C.F.JeffWu、およびZhongLinWang、実験の統計学的設計によって誘導されたZnOナノワイヤ配列の成長品質の最適化および改善、ACSNano3、2009、1803~1812に論じられた成長技法を参照。同一または同様の方法が種々の材料のナノ圧電ワイヤ202を形成することに利用することができる。ナノ圧電ワイヤ202は、いくつかの態様において、ナノ発電装置として機能することができる。ナノ発電装置として、ナノ圧電ワイヤ202は、電気エネルギーに変換可能な、微環境からの機械的エネルギーたとえば、衝撃、摩擦、微小流体および/または音波を収集することができる。ナノ発電装置としての動作に加えて、ナノ圧電ワイヤ202は、半導体特性をもって機能することができる。このような半導体特性は、圧電性電位を使用して、関連付けられたチャネル電流を調節可能な、ナノ圧電ワイヤ202における電子輸送を調節することができる。ナノ圧電ワイヤ202の一用途は、ひずみを検知することであってもよい。本明細書において使用されているように、用語ひずみは、限定はされないが、引張ひずみ、圧縮ひずみ、曲げひずみ、軸ひずみ、せん断ひずみ、もしくは捻じれひずみ等、および/またはこれらの組み合わせを含むさまざまなひずみのいずれかとして参照することができる。図3は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、可撓性絶縁材料の層302を含むことができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料の層302は、ナノ圧電ワイヤ202間に配することができる。たとえば、可撓性絶縁材料の層302は、上部電極を堆積する前に、複数のナノ圧電ワイヤ202間に堆積することができる。このような例において、可撓性絶縁材料302の一部不図示をたとえば、プラズマエッチング等によって除去して、後に上部電極と接続するためのナノ圧電ワイヤ202の上端不図示を露出することができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料302の堆積は、スタンプ、スピンコーティング、インクジェット式印刷、インプリンティング等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料302は、以下の材料、すなわちポリジメチルシロキサンPDMS、シリコーンゴム、他の絶縁性ポリマー材料等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。図4は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、複数の上部電極402を含むことができる。上部電極402は、上部電極402がナノ圧電ワイヤ202たとえば、図2参照と電気的に結合できるように、堆積することができる。いくつかの例において、上部電極402は、図4に図示するように、実質的に平行なパターンを有することができる。いくつかの例において、上部電極402の堆積は、フォトリソグラフィによるパターニング、印刷たとえば、インクジェット式印刷、インプリンティング等、電気めっき、スパッタリング、蒸発等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、上部電極402は、以下の材料、すなわちニッケル/金Ni/Au、チタン/金Ti/Au等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。いくつかの例において、上部電極402、ナノ圧電ワイヤ202たとえば、図2参照、および/または下部電極106は、ナノ圧電センサの配列404を形成することができる。このようなナノ圧電センサの配列404は、可撓性基板102と結合することができ、ナノ圧電センサの配列404は、ナノ圧電ワイヤ202たとえば、図2参照の層を含むことができる。図5は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、可撓性絶縁材料の上層502を含むことができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料の上層502は、上部電極402上に堆積することができる。たとえば、可撓性絶縁材料の上層502は、可撓性微細バンプを堆積する前に上部電極402上に堆積することができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料の上層502の堆積は、スタンプ、スピンコーティング、インクジェット式印刷、インプリンティング等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料の上層502は、以下の材料、すなわちポリジメチルシロキサンPDMS、シリコーンゴム、他の絶縁性ポリマー材料等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。動作において、可撓性絶縁材料の上層502は、静電荷遮蔽材料から上部電極402を絶縁することができる。このような静電荷遮蔽材料に関する追加の詳細は、図6に関して以下に見つけることができる。図6は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、静電荷遮蔽材料602を含むことができる。静電荷遮蔽材料602は、可撓性絶縁材料の上層502上に堆積することができる。いくつかの例において、可撓性絶縁材料の上層502および/または静電荷遮蔽材料602は、複数の可撓性微細バンプたとえば、図7参照とナノ圧電センサの配列404との間に配することができる。いくつかの例において、静電荷遮蔽材料602の堆積は、転写、スタンプ、e-ビームによるパターニング、スパッタリング、フォトリソグラフィによるパターニング、化学蒸着CVD、印刷たとえば、インクジェット式印刷、インプリンティング等、エレクトロスピニング、シャドウマスク等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、静電荷遮蔽材料602は、以下の材料、すなわちグラフェン、カーボンナノチューブ網、導電性ゴム等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。動作において、静電荷遮蔽材料602および/または可撓性絶縁材料の上層502は、触覚装置100への静電気の影響を低減させることができる。たとえば、静電荷は、触覚装置100の出力信号に対する障害を引き起こす可能性がある。図7は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図1の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置100は、複数の可撓性微細バンプ702を含むことができる。可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404上に堆積することができる。可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404に動作可能に結合することができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404上に直接堆積することができる。他の例において、可撓性微細バンプ702は、1つまたは複数の中間層たとえば、静電荷遮蔽材料602および/または可撓性絶縁材料の上層502等と共にナノ圧電センサの配列404上に堆積することができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702は、平坦ではない表面を形成することができる。たとえば、個々の可撓性微細バンプ702は、半円型形状、半楕円型形状等、および/またはこれらの組み合わせを含むことができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702の堆積は、スタンプ、印刷たとえば、インクジェット式印刷等、スピンコーティングおよびエッチング等、ならびに/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。他の例において、可撓性微細バンプ702は、プラズマエッチング等によるなど、次いで可撓性微細バンプ702へとエッチング可能な膜として堆積することができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702は以下の材料、すなわちポリジメチルシロキサンPDMS、シリコーンゴム等、および/またはこれらの組み合わせのうちの1つまたは複数を含むことができる。動作において、ナノ圧電センサの配列404に動作可能に結合された可撓性微細バンプ702は、静的型接触によって圧力分布および表面形態を検知するように、ならびに/または動的型接触によって表面テクスチャを検知するように構成することができる。以下により詳細に記載するように、圧力分布および表面形態ならびに/または表面テクスチャの検知は、ナノ圧電センサの配列404からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づくことができる。図8は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における別の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、別の例示的な触覚装置800は、ナノ圧電ワイヤ202を含むことができる。このような例において、ナノ圧電ワイヤ202は、図8に示すように、可撓性基板102に対して実質的に水平な配列で、かつ個々のナノ圧電ワイヤ202に対して実質的に平行なパターンで、可撓性基板102上に堆積することができる。一非限定例において、水平に配列されたZnO型ナノ圧電ワイヤ202は、可撓性基板102上に直接成長させることができる。たとえば、YongQin、RusenYangおよびZhongLinWang、あらゆる基板上への水平ZnOナノワイヤ配列の成長、J.Phys.Chem.C112、2008、18734~18736に論じられている成長技法参照。同一または同様の方法が種々の材料のナノ圧電ワイヤ202の形成に利用することができる。追加的にまたは代替的に、ナノ圧電ワイヤ202は、図2に関して上述したように可撓性基板102とは別個に成長させ、転写技術を使用して移植し、図8に図示する実質的に平行なパターン有するナノ圧電ワイヤ202とすることができる。たとえば、このような転写技術は、転写印刷および/またはその他を含むことができる。たとえば、GuangZhu、RusenYang、SihongWang、およびZhongLinWang、横方向のZnOナノワイヤ配列に基づく可撓性高出力ナノ発電装置、NanoLetters10、2010、3151~3155;Fan,Z.ら、印刷可能なナノワイヤ電子機器およびセンサの開発に向けて、Adv.Mater.21、2009、3730~3743;および/またはZhiyongFan、JohnnyC.Ho、ZacheryA.Jacobson、RoieYerushalmi、RobertL.Alley、HalehRazavi、およびAliJavey、密着印画による高秩序半導体ナノワイヤ配列のウェハスケールの組み立て、NanoLett.8、2008、20~25に論じられている転写印刷技法を参照のこと。図9は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図8の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、ナノ圧電ワイヤ202の複数の部分902を除去することができる。たとえば、ナノ圧電ワイヤ202の部分902を除去して、図9に図示するように、実質的にチェッカー盤のようなパターンを形成することができる。いくつかの例において、ナノ圧電ワイヤ202の部分902の除去は、エッチング、その他、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。図10は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図8の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、下部電極106は、可撓性基板102上に、ナノ圧電ワイヤ202と電気的に接続させて堆積することができる。下部電極106は、図10に示すように、実質的に平行なパターンを有することができる。図11は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図8の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、触覚装置は、絶縁材料の層1102を含むことができる。たとえば、絶縁材料の層1102は、上部電極404不図示を堆積する前に、下部電極106上に堆積することができる。いくつかの例において、絶縁材料の層1102の堆積は、スタンプ、e-ビームによるパターニング、スパッタリング、フォトリソグラフィによるパターニング、化学蒸着CVD、印刷たとえば、インクジェット式印刷、インプリンティング等、エレクトロスピニング、シャドウマスク等、および/またはこれらの組み合わせによって行うことができる。いくつかの例において、絶縁材料の層1102は、1つもしくは複数の剛体性誘電材料たとえば、酸化アルミニウムAl2O3、二酸化ケイ素SiO2等を含むことができ、および/または1つもしくは複数の可撓性絶縁材料たとえば、ポリジメチルシロキサンPDMS、シリコーンゴム等を含むことができる。絶縁材料の層1102が剛体性誘電材料を含む例において、絶縁材料の層1102は、触覚装置がさらにいくらか柔らかくあるように、下部電極106および上部電極不図示の重複位置上のみに作製することができる。図12は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図8の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、上部電極402は、上部電極402がナノ圧電ワイヤ202と電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列404を形成することができるように堆積することができる。いくつかの例において、堆積された複数の上部電極は、図12に示すように、実質的に平行なパターンを有することができる。図13は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、所定の処理段階における図8の例示的な触覚装置の例示的な斜視図である。図示の例において、可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404上に堆積することができる。たとえば、可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404に動作可能に結合することができる。図14は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、動作中の例示的な触覚装置を示す例示的な上面図である。図示の例において、触覚装置100および/または触覚装置800は、ナノ圧電センサの配列404に動作可能に結合された可撓性微細バンプ702を含むことができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702は、ナノ圧電センサの配列404の間に配置され、ナノ圧電センサの配列404におけるセンサのうちの1つまたは複数にひずみを伝達することができる。図示の例において、1つの可撓性微細バンプ702は、4つのナノ圧電センサ1402、1404、1406、および1408に動作可能に結合することができる。他の例において、1つの可撓性微細バンプ702は、たとえば、図7および図13に図示するように、1対1の比で1つのナノ圧電センサに動作可能に結合することができ、9つのナノ圧電センサに動作可能に結合することができ、その他の数のナノ圧電センサに動作可能に結合することができ、および/またはこれらの組み合わせに動作可能に結合することができる。たとえば、可撓性微細バンプ702とナノ圧電センサの配列404との間の比は、異なる比が混在してもよいたとえば、あるところでは1対1の比、あるところでは1対4の比、あるところでは1対9の比、等。このような可撓性微細バンプ702の分布は、ナノ圧電センサの配列404における隣接するセンサ間の干渉を減少させることができ、および/または対象物の微細な表面構造に対して表面材料から遮蔽する効果を減少させることができる。したがって、触覚装置100および/または800は、対象物の微細な表面テクスチャを検知することができる。いくつかの例において、圧力分布および表面形態ならびに/または表面テクスチャの検知は、ナノ圧電センサの配列404からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づくことができる。たとえば、このような検知された圧力分布データおよび表面テクスチャたとえば、相対的な摺動は、材料の種類、材料の強度等の判定に利用することができる。人間の皮膚は、触れるおよびなでるの動作によってこの情報を得る。触覚装置100および/または800を用いて、触れるは静的接触の圧力分布および表面形態によって得ることができ、なでるは、相対的な摺動途中の物の表面テクスチャを判定することによって得ることができる。いくつかの例において、可撓性微細バンプ702は、人間の指紋で行われる機能と同様の機能を行うことができる。たとえば、可撓性微細バンプ702に加えられたひずみ1410たとえば、引張ひずみ、圧縮ひずみ、曲げひずみ、軸ひずみ、せん断ひずみ、もしくは捻じれひずみ等、および/またはこれらの組み合わせは、ナノ圧電センサの配列404に転写することができる。図示の例において、ひずみ1410は、ナノ圧電センサ1408に加えられている圧縮ひずみおよびナノ圧電センサ1404に加えられている引張ひずみを結果として生じさせる。これにより、ひずみ1410の大きさおよび方向は、ナノ圧電センサ1404およびナノ圧電センサ1408によって出力される、相対する圧電信号を比較することによって判定することができる。したがって、可撓性微細バンプ702は、対象物によって圧縮することができたとえば、分布および表面形態を検知することになる、ならびに/または対象物に対してすべることができたとえば、表面テクスチャを検知することになる、これにより、受けた圧力または変形は、ナノ圧電センサの内部配列404によって知覚することができる。たとえば、可撓性微細バンプ702は、円滑でないまたは円滑な触覚検知を生じさせるように、ひずみ1410のせん断力部分を検知容易な垂直方向の圧力に変換することができる。圧縮および/またはすべりの振幅および周波数は、対象物の表面テクスチャに密接に関連し得る。表面テクスチャの情報および対象物の相対的な摺動は、上述のように、触れるおよびなでるの機能を達成するように、ナノ圧電センサの配列404からの出力信号を分析することによって得ることができる。対象物の表面テクスチャが異なる場合には、可撓性微細バンプ702のすべりまたは圧縮に応答する周波数および振幅も異なることができる。たとえば、対象物の触れられた領域テクスチャ情報は、ナノ圧電センサの配列404からのナノ圧電信号を収集し、対応するデータを分析することによって得ることができる。動作において、触覚装置100および/または触覚装置800は、静的型接触を通じて圧力分布および表面形態を検知するように、ならびに/または動的型接触を通じて表面テクスチャを検知するように構成することができる。いくつかの例において、触覚装置100および/または触覚装置800は、同時に静的モードおよび/または動的モードにおいて作動することができる。たとえば、触覚装置100は、応力が変化したとき、圧電信号を出力することによって動的モードにおいて作動することができる。動的状況下において、ナノ圧電材料は、応力下において変形することができ、これにより、圧電電位は、電極106および402たとえば、図7参照の両端に誘導され、外部回路に過渡電流パルスを誘導させることができる。ひずみ1410の大きさおよび方向の違いに応じて、ナノ圧電センサの配列404に誘導された過渡電流パルスの振幅および電流方向は異なり得る。このため、ナノ圧電センサの配列404におけるナノ圧電材料の検知されたひずみ情報は、圧電過渡電流パルスの振幅および方向によって測定することができる。静的状況下において、触覚装置100が半導体型ナノ圧電材料を使用すると、ナノ圧電センサの配列404におけるナノ圧電材料と電極106および402たとえば、図7参照との間のショットキー障壁は圧電電位の下で調節され、これにより、整流特性の変化を結果的に生じさせることができる。そのため、たとえば、圧力が維持される場合、整流特性の変化を維持することができ、これにより、触覚装置100はたとえば、動的圧力に加えて静的圧力を検知することができる。図15は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、例示的な触覚装置を形成する例示的な工程1500の図である。図示の例において、工程1500、および本明細書に記載される他の工程は、処理ステップ、機能的動作、イベントおよび/または行為等として説明することができるさまざまな機能ブロックまたは動作を示す。本開示の観点から、当業者であれば、図15に示す機能ブロックに対する多数の代替形態が種々の実装形態で実行可能であると認識するであろう。たとえば、図15に示されるように、工程1500は、ブロックまたは動作の1つの特定の順序を備えるが、これらのブロックまたは動作が提示される順序は、特許請求される主題をいずれかの特定の順序に必ずしも限定するものではない。同様に、特許請求される主題の範囲を逸脱することなく、図15に示されていない中間動作、および/もしくは図15に示されていない付加的動作を使用することが可能であり、ならびに/または図15に示された動作のいくつかを削除することができる。工程1500は、ブロック1502、1506、1510、および/または1514によって図示されるような動作のうちの1つまたは複数を含むことができる。図示されているように、工程1500は、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造するために実施することができる。処理は、動作1502、複数の下部電極を堆積する、で開始することができ、複数の下部電極を可撓性基板上に堆積することができる。たとえば、複数の下部電極を可撓性基板上に堆積することができ、堆積された複数の下部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。処理は動作1502から動作1506、複数のナノ圧電ワイヤを堆積する、へと続くことができ、複数のナノ圧電ワイヤを可撓性基板上に堆積することができる。たとえば、複数のナノ圧電ワイヤを可撓性基板上に堆積することができ、堆積された複数のナノ圧電ワイヤは、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有することができる。処理は動作1506から動作1510、複数の上部電極を堆積する、へと続くことができ、複数の上部電極が複数のナノ圧電ワイヤと電気的に結合することができるように、複数の上部電極を堆積することができる。たとえば、複数の上部電極が複数のナノ圧電ワイヤと電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成することができるように、複数の上部電極を堆積することができる。いくつかの例において、堆積された複数の上部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。処理は動作1510から動作1514、複数の可撓性微細バンプを堆積する、へと続くことができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列上に堆積することができる。たとえば、複数の可撓性微細バンプはナノ圧電センサの配列上に堆積することができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列に動作可能に結合することができる。工程1500に関する付加的または代替的な詳細は、図16および/または図17に関して以下により詳細に説明することができる。図16は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、例示的な触覚装置を形成する例示的な工程1600の図である。図示の例において、工程1600は、ブロック1602、1604、1606、1608、1610、1612、1613、および/または1614によって図示されるような動作のうちの1つまたは複数を含むことができる。図示されているように、工程1600は、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造するために実施することができる。処理は、動作1602、複数の下部電極を堆積する、で開始することができ、複数の下部電極を可撓性基板上に堆積することができる。たとえば、複数の下部電極を可撓性基板上に堆積することができ、堆積された複数の下部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。処理は動作1602から動作1604、触媒の層を堆積する、へと続くことができ、触媒の層を基板上に堆積することができる。たとえば、ナノ圧電ワイヤを堆積する前に、触媒の層を基板上に堆積することができる。いくつかの例において、堆積された触媒の層は、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有することができる。処理は動作1604から動作1606、複数のナノ圧電ワイヤを堆積する、へと続くことができ、複数のナノ圧電ワイヤを堆積することができる。たとえば、複数のナノ圧電ワイヤを触媒の層上に堆積することによって、複数のナノ圧電ワイヤを可撓性基板上に堆積することができる。いくつかの例において、複数のナノ圧電ワイヤは、基板に対して垂直配向を有することができる。処理は動作1606から動作1608、ナノ圧電ワイヤ間に可撓性絶縁材料の層を堆積する、へと続くことができ、可撓性絶縁材料の層を複数のナノ圧電ワイヤ間に堆積することができる。たとえば、上部電極を堆積する前に、可撓性絶縁材料の層を複数のナノ圧電ワイヤ間に堆積することができる。処理は動作1608から動作1610、複数の上部電極を堆積する、へと続くことができ、複数の上部電極が複数のナノ圧電ワイヤと電気的に結合することができるように、複数の上部電極を堆積することができる。たとえば、複数の上部電極が複数のナノ圧電ワイヤと電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成することができるように、複数の上部電極を堆積することができる。いくつかの例において、堆積された複数の上部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。処理は動作1610から動作1612、上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積する、へと続くことができ、可撓性絶縁材料の上層を複数の上部電極上に堆積することができる。たとえば、可撓性微細バンプを堆積する前に、可撓性絶縁材料の上層を複数の上部電極上に堆積することができる。処理は動作1612から動作1613、可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積する、へと続くことができ、静電荷遮蔽材料を可撓性絶縁材料の上層上に堆積することができる。たとえば、静電荷遮蔽材料を可撓性絶縁材料の上層上に堆積することができ、可撓性絶縁材料の上層および/または静電荷遮蔽材料を、複数の可撓性微細バンプとナノ圧電センサの配列との間に配する。処理は動作1613から動作1614、複数の可撓性微細バンプを堆積する、へと続くことができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列上に堆積することができる。たとえば、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列上に堆積することができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列に動作可能に結合することができる。図17は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成された、別の例示的な触覚装置を形成する例示的な工程1700の図である。図示の例において、工程1700は、ブロック1702、1704、1706、1708、および/または1710によって図示されるような動作のうちの1つまたは複数を含むことができる。図示されているように、工程1700は、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造するために実施することができる。処理は、動作1702、複数のナノ圧電ワイヤを堆積する、で開始することができ、複数のナノ圧電ワイヤを可撓性基板上に堆積することができる。たとえば、複数のナノ圧電ワイヤを可撓性基板上に堆積することができ、堆積された複数のナノ圧電ワイヤは実質的に平行なパターンを有する。処理は動作1702から動作1704、堆積された複数のナノ圧電ワイヤの一部を除去する、へと続くことができ、堆積された複数のナノ圧電ワイヤの一部を除去することができる。たとえば、堆積された複数のナノ圧電ワイヤの一部を除去して、実質的にチェッカー盤のようなパターンを形成することができる。処理は動作1704から動作1706、複数の下部電極を堆積する、へと続くことができ、複数の下部電極を可撓性基板上に堆積することができる。たとえば、複数の下部電極をナノ圧電ワイヤと電気的に接続させて可撓性基板上に堆積することができ、堆積された複数の下部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。処理は動作1706から動作1708、複数の上部電極を堆積する、へと続くことができ、複数の上部電極を堆積することができる。たとえば、複数の上部電極を複数のナノ圧電ワイヤと電気的に結合して、ナノ圧電センサの配列を形成することができるように、複数の上部電極を堆積することができる。いくつかの例において、堆積された複数の上部電極は実質的に平行なパターンを有することができる。いくつかの例において、複数の上部電極を堆積する前に、絶縁材料の層を複数の下部電極上に堆積することができる。処理は動作1708から動作1710、複数の可撓性微細バンプを堆積する、へと続くことができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列上に堆積することができる。たとえば、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列上に堆積することができ、複数の可撓性微細バンプをナノ圧電センサの配列に動作可能に結合することができる。いくつかの例において、複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、可撓性絶縁材料の上層を複数の上部電極上に堆積することができる。追加的または代替的に、静電荷遮蔽材料を可撓性絶縁材料の上層上に堆積することができ、可撓性絶縁材料の上層および/または静電荷遮蔽材料を複数の可撓性微細バンプとナノ圧電センサの配列との間に配することができる。図18は、本開示の少なくともいくつかの例により構成可能な例示的なコンピュータプログラム製品1800を示す。プログラム製品1800は、信号担持媒体1802を含むことができる。信号担持媒体1802は、1つまたは複数のプロセッサによって実行される場合、コンピューティングデバイスが、図15の工程1500、図16の工程1600、および/または図17の工程1700に関して前述した機能を提供することを動作的に可能にし得る1つまたは複数の機械可読命令1804を含むことができる。したがって、たとえば、1つまたは複数のコンピューティングデバイスは、媒体1802によって伝達される命令1804に応答して、図15、図16、および/または図17に示される動作の1つまたは複数を引き受けることができ、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造することができる。いくつかの実装形態において、信号担持媒体1802は、限定はされないが、ハードディスクドライブ、コンパクトディスクCD、デジタルバーサタイルディスクDVD、デジタルテープ、メモリなどの、非一時的コンピュータ可読媒体1806を包含することができる。いくつかの実装形態において、信号担持媒体1802は、限定はされないが、メモリ、読み取り/書き込みR/WCD、R/WDVD、その他などの、記録可能媒体1808を包含することができる。いくつか実装形態において、信号担持媒体1802は、限定はされないが、デジタル通信媒体および/またはアナログ通信媒体たとえば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンク、その他などの、通信媒体1810を包含することができる。図19は、本開示の少なくともいくつかの実施形態により構成でき、当業者によって具体化可能な、例示的なコンピューティングデバイス1900を示すブロック図である。基本構成1901の一例において、コンピューティングデバイス1900は、1つまたは複数のプロセッサ1910およびシステムメモリ1920を含むことができる。メモリバス1930は、プロセッサ1910とシステムメモリ1920との間で通信するために使用することができる。所望の構成に応じて、プロセッサ1910は、限定はされないが、マイクロプロセッサμP、マイクロコントローラμC、デジタル信号プロセッサDSP、またはこれらのいずれかの組み合わせを含むいずれかのタイプとすることができる。プロセッサ1910は、レベル1キャッシュ1911およびレベル2キャッシュ1912などの1つまたは複数のレベルのキャッシングと、プロセッサコア1913と、レジスタ1914と、を含むことができる。プロセッサコア1913は、演算論理装置ALU、浮動小数点演算装置FPU、デジタル信号処理コアDSPコア、またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。また、メモリコントローラ1915は、プロセッサ1910と共に使用することもでき、または、いくつかの実装形態においては、メモリコントローラ1915は、プロセッサ1910の内部部品とすることもできる。所望の構成に応じて、システムメモリ1920は、限定はされないが、揮発性メモリRAMなど、不揮発性メモリROM、フラッシュメモリ、他など、またはこれらのいずれかの組み合わせを含むいずれかのタイプとすることができる。システムメモリ1920は、オペレーティングシステム1921と、1つまたは複数のアプリケーション1922と、プログラムデータ1924と、を含むことができる。アプリケーション1922は、少なくとも図15の工程1500、図16の工程1600、および/または図17の工程1700に関連して説明した機能ブロックおよび/または動作を含む、本明細書で説明したような機能を実行するように構成された、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造する堆積アルゴリズム1923を含むことができる。プログラムデータ1924は、堆積アルゴリズム1923と使用するためのデータ1925を含むことができる。いくつかの実装形態例において、アプリケーション1922は、本明細書において説明されたような、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置を製造する実装形態を提供することができるように、オペレーティングシステム1921上でプログラムデータ1924を用いて動作するように構成することができる。たとえば、1つまたは複数のコンピューティングデバイス1900は、本明細書において説明されたような、ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプを含む触覚装置センサを製造する実装形態を提供することができるように、アプリケーション1922の全部または一部を実行することができる。前述のこの基本構成が、破線1901内のこれらのコンポーネントによって図19に示されている。コンピューティングデバイス1900は、付加的な特徴または機能、および基本構成1901と要求されるいずれかの装置およびインターフェースとの間の通信を容易にする付加的なインターフェースを有することが可能である。たとえば、バス/インターフェースコントローラ1940は、ストレージインターフェースバス1941を介した、基本構成1901と1つまたは複数のデータ記憶装置1950との間の通信を容易にするために使用することができる。データ記憶装置1950は、取外し式ストレージデバイス1951、非取外し式ストレージデバイス1952、またはこれらの組み合わせとすることができる。取外し式ストレージデバイスおよび非取外し式ストレージデバイスの例には、いくつか例を挙げると、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブHDDなどの磁気ディスクデバイス、コンパクトディスクCDドライブまたはデジタルバーサタイルディスクDVDドライブなどの光ディスクドライブ、ソリッドステートドライブSSD、ならびにテープドライブが含まれる。コンピュータ記憶媒体の例には、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータなどの情報を記憶するためのいずれかの方法または技術で実施された揮発性媒体および不揮発性媒体、取外し式媒体および非取外し式媒体が含まれ得る。システムメモリ1920、取外し式ストレージ1951および非取外し式ストレージ1952は、すべて、コンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体は、限定はされないが、RAM、ROM、EEPROM、フラッシュメモリもしくは他のメモリ技術、CD-ROM、デジタルバーサタイルディスクDVDもしくは他の光記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置もしくは他の磁気記憶装置、または所望の情報を記憶するのに使用可能であると共に、コンピューティングデバイス1900によってアクセス可能な他のいずれかの媒体を含むことができる。このようないずれかのコンピュータ記憶媒体は、デバイス1900の一部であってもよい。コンピューティングデバイス1900は、バス/インターフェースコントローラ1940を介したさまざまなインターフェース装置たとえば、出力インターフェース、周辺インターフェース、および通信インターフェースから基本構成1901への通信を容易にするためのインターフェースバス1942を含むことも可能である。出力インターフェース1960の例には、1つまたは複数のA/Vポート1963を介してディスプレイまたはスピーカなどのさまざまな外部装置に通信するように構成可能なグラフィックス処理ユニット1961およびオーディオ処理ユニット1962が含まれ得る。周辺インターフェース1970の例には、1つまたは複数のI/Oポート1973を介して、入力装置たとえば、キーボード、マウス、ペン、音声入力装置、タッチ入力装置、他または他の周辺装置たとえば、プリンタ、スキャナ、他などの外部装置と通信するように構成可能なシリアルインターフェースコントローラ1971またはパラレルインターフェースコントローラ1972が含まれ得る。通信インターフェース1980の例には、1つまたは複数の通信ポート1982を介したネットワーク通信上における1つまたは複数のその他のコンピューティングデバイス1990との通信を容易にするように構成可能なネットワークコントローラ1981が含まれる。通信接続は、通信媒体の一例である。通信媒体は、典型的には、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または搬送波もしくは他のトランスポート機構などの変調されたデータ信号における他のデータによって具現化することができると共に、いずれかの情報伝送媒体を含むことができる。変調されたデータ信号とは、信号内で情報を符号化するような方法で設定または変更された特性の1つまたは複数を有する信号であってもよい。例を挙げると、限定ではないが、通信媒体は、有線ネットワークまたは直接配線接続などの有線媒体、ならびに音響、無線周波数RF、赤外線IRおよび他の無線媒体などの無線媒体を含むことができる。本明細書で使用される場合、用語コンピュータ可読媒体は、記憶媒体および通信媒体の両方を含むことができる。コンピューティングデバイス1900は、携帯電話機、携帯情報端末PDA、パーソナルメディアプレーヤ装置、無線ウェブ閲覧装置、パーソナルヘッドセット装置、アプリケーション特定装置、または上記機能のいずれかを含むハイブリッド装置などのスモールフォームファクタポータブルまたはモバイル電子装置の一部として実装することができる。また、コンピューティングデバイス1900は、ラップトップコンピュータ構成および非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実装することもできる。さらに、コンピューティングデバイス1900は、無線基地局、または他の無線システムもしくは装置の一部として実装することもできる。前述の詳細な説明のいくつかの部分は、コンピュータメモリなどのコンピューティングシステムメモリ内に記憶されたデータビットまたは二進数信号に対する動作のアルゴリズムまたは記号表示の点から提示される。これらのアルゴリズム記述またはアルゴリズム表現は、データ処理技術の当業者によって、仕事の内容を他の当業者に伝達するために使用される技法の例である。アルゴリズムとは、本明細書においても一般的にも、所望の結果に導く自己矛盾のない一連の動作または同様の処理であると考えられる。この文脈において、動作または処理は、物理的量の物理的操作を伴う。典型的には、そのような量は、記憶され、伝送され、結合され、比較され、または他の方法で操作されることが可能な電気信号または磁気信号の形態をとることができるが、必須ではない。主として一般に使用されているという理由により、このような信号を、ビット、データ、値、要素、記号、文字、用語、数字、数値などと呼ぶことが、時として好都合であることが知られている。しかしながら、上記の用語および同様の用語はすべて、適切な物理量と関連付けられるべきであり、簡便な標識に過ぎないということは理解されるべきである。特段の記載がない限り、以下の議論から明らかなように、本明細書の議論を通して利用される処理すること、演算すること、計算すること、判定することなどの用語は、コンピューティングデバイスのメモリ、レジスタもしくは他の情報記憶装置、伝送装置、またはディスプレイ装置内で物理的電子的量または磁気的量として表されるデータを操作し、または変換するコンピューティングデバイスの動作または処理を指すと理解される。特許請求される主題の範囲は、本明細書で記載された特定の実装形態に限定されない。たとえば、いくつかの実装形態は、デバイス上、または複数のデバイスの組み合わせの上で動作するように使用されるなど、ハードウェアにおいて実施することができるのに対し、たとえば、他の実装形態は、ソフトウェアおよび/またはファームウェアにおいて実施することができる。同様に、特許請求される主題の範囲は、この点に限定されないが、いくつかの実装形態は、信号担持媒体、記憶媒体および/または複数の記憶媒体などの1つまたは複数の物品を含むことができる。たとえば、CD-ROM、コンピュータディスク、フラッシュメモリなどの、このような記憶媒体は、命令を記憶して有することができ、当該命令は、たとえば、コンピューティングシステム、コンピューティングプラットフォーム、または他のシステムなどのコンピューティングデバイスによって実行されるときに、たとえば、前述した実装形態のうちの1つなどの、特許請求される主題に従うプロセッサの実行を結果として得ることができる。1つの可能性として、コンピューティングデバイスは、1つまたは複数の処理ユニットもしくはプロセッサと、ディスプレイなどの1つまたは複数の入力/出力装置と、キーボードおよび/またはマウスと、スタティックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ、フラッシュメモリ、および/またはハードドライブなどの1つまたは複数のメモリと、を含むことができる。システムの側面でのハードウェアの実装形態とソフトウェアの実装形態との間には、ほとんど相違が残されていない。ハードウェアまたはソフトウェアの使用は、一般にいつもそうではないが、ある状況ではハードウェアとソフトウェアの間の選択が重要になり得るという点でコスト対効果のトレードオフを表す設計上の選択である。本明細書に記載された、プロセスおよび/またはシステムおよび/または他の技術をもたらすことができるさまざまな達成手段がありたとえば、ハードウェア、ソフトウェア、および/またはファームウェア、好ましい達成手段は、プロセスおよび/またはシステムおよび/または他の技術が導入される状況によって異なる。たとえば、実装者が速度と正確性が最も重要であると決定すると、実装者は主にハードウェアおよび/またはファームウェアの達成手段を選択することができる。フレキシビリティが最も重要なら、実装者は主にソフトウェアの実装形態を選択することができる。または、さらに別の代替案として、実装者は、ハードウェア、ソフトウェア、および/またはファームウェアのなんらかの組み合わせを選択することができる。前述の詳細な説明では、ブロック図、フローチャート、および/または例の使用によって、装置および/またはプロセスのさまざまな実施形態を説明してきた。そのようなブロック図、フローチャート、および/または例が1つまたは複数の機能および/または動作を含む限りにおいて、そのようなブロック図、フローチャート、または例の中のそれぞれの機能および/または動作は、広範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または実質上それらのすべての組み合わせにより、個別におよび/または集合的に実装可能であることが、当業者には理解されるであろう。ある実施形態では、本明細書に記載された主題のいくつかの部分は、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、デジタルシグナルプロセッサDSP、または他の集積化方式によって実装することができる。しかし、本明細書で開示された実施形態のいくつかの態様が、全体においてまたは一部において、1つまたは複数のコンピュータ上で動作する1つまたは複数のコンピュータプログラムとしてたとえば、1つまたは複数のコンピュータシステム上で動作する1つまたは複数のプログラムとして、1つまたは複数のプロセッサ上で動作する1つまたは複数のプログラムとしてたとえば、1つまたは複数のマイクロプロセッサ上で動作する1つまたは複数のプログラムとして、ファームウェアとして、あるいは実質上それらの任意の組み合わせとして、等価に集積回路に実装することができることを、当業者は認識するであろうし、電気回路の設計ならびに/またはソフトウェアおよび/もしくはファームウェアのコーディングが、本開示に照らして十分当業者の技能の範囲内であることを、当業者は認識するであろう。さらに、本明細書に記載された主題のメカニズムをさまざまな形式のプログラム製品として配布することができることを、当業者は理解するであろうし、本明細書に記載された主題の例示的な実施形態が、実際に配布を実行するために使用される信号伝達媒体の特定のタイプにかかわらず適用されることを、当業者は理解するであろう。信号伝達媒体の例には、フレキシブルディスク、ハードディスクドライブHDD、コンパクトディスクCD、デジタル多用途ディスクDVD、デジタルテープ、コンピュータメモリ、などの記録可能なタイプの媒体、ならびに、デジタル通信媒体および/またはアナログ通信媒体たとえば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなどの通信タイプの媒体が含まれるが、それらには限定されない。本明細書で説明したやり方で装置および/またはプロセスを記載し、その後そのように記載された装置および/またはプロセスを、データ処理システムに統合するためにエンジニアリング方式を使用することは、当技術分野で一般的であることを当業者は認識するであろう。すなわち、本明細書に記載された装置および/またはプロセスの少なくとも一部を、妥当な数の実験によってデータ処理システムに統合することができる。通常のデータ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、ビデオディスプレイ装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリなどのメモリ、マイクロプロセッサおよびデジタル信号プロセッサなどのプロセッサ、オペレーティングシステムなどの計算実体、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース、およびアプリケーションプログラムのうちの1つもしくは複数、タッチパッドもしくはスクリーンなどの1つもしくは複数の相互作用装置、ならびに/またはフィードバックループおよびコントロールモータを含むコントロールシステムたとえば、位置検知用および/もしくは速度検知用フィードバック、コンポーネントの移動用および/もしくは数量の調整用コントロールモータを含むことを、当業者は理解するであろう。通常のデータ処理システムは、データコンピューティング/通信システムおよび/またはネットワークコンピューティング/通信システムの中に通常見られるコンポーネントなどの、市販の適切なコンポーネントを利用して実装することができる。本明細書に記載された主題は、さまざまなコンポーネントをしばしば例示しており、これらのコンポーネントは、他のさまざまなコンポーネントに包含されるか、または他のさまざまなコンポーネントに接続される。そのように図示されたアーキテクチャは、単に例示に過ぎず、実際には、同じ機能を実現する多くの他のアーキテクチャが実装可能であることが理解されよう。概念的な意味で、同じ機能を実現するコンポーネントの任意の構成は、所望の機能が実現されるように効果的に関連付けされる。したがって、特定の機能を実現するために組み合わされた、本明細書における任意の2つのコンポーネントは、アーキテクチャまたは中間のコンポーネントにかかわらず、所望の機能が実現されるように、お互いに関連付けされていると見ることができる。同様に、そのように関連付けされた任意の2つのコンポーネントは、所望の機能を実現するために、互いに動作可能に接続または動作可能に結合されていると見なすこともでき、そのように関連付け可能な任意の2つのコンポーネントは、所望の機能を実現するために、互いに動作可能に結合できると見なすこともできる。動作可能に結合できる場合の具体例には、物理的にかみ合わせ可能な、および/もしくは物理的に相互作用するコンポーネント、ならびに/またはワイヤレスに相互作用可能な、および/もしくはワイヤレスに相互作用するコンポーネント、ならびに/または論理的に相互作用する、および/もしくは論理的に相互作用可能なコンポーネントが含まれるが、それらに限定されない。本明細書における実質的にすべての複数形および/または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および/または用途に適切なように、複数形から単数形に、および/または単数形から複数形に変換することができる。さまざまな単数形/複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲たとえば、添付の特許請求の範囲の本体部において使用される用語は、全体を通じてオープンなopen用語として意図されていることが、当業者には理解されようたとえば、用語含むincludingは、含むがそれに限定されないincludingbutnotlimitedtoと解釈されるべきであり、用語有するhavingは、少なくとも有するhavingatleastと解釈されるべきであり、用語含むincludesは、含むがそれに限定されないincludesbutisnotlimitedtoと解釈されるべきである、など。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句少なくとも1つのatleastoneおよび1つまたは複数のoneormoreを使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句1つまたは複数のまたは少なくとも1つのおよびaまたはanなどの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞aまたはanによる請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に1つのそのような記載を含む発明に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではないたとえば、aおよび/またはanは、通常、少なくとも1つのまたは1つまたは複数のを意味すると解釈されるべきである。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、通常、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されようたとえば、他の修飾語なしでの2つの記載tworecitationsの単なる記載は、通常、少なくとも2つの記載、または2つ以上の記載を意味する。さらに、A、BおよびC、などの少なくとも1つに類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されているたとえば、A、B、およびCの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、AおよびBを共に、AおよびCを共に、BおよびCを共に、ならびに/またはA、B、およびCを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない。A、B、またはC、などの少なくとも1つに類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されているたとえば、A、B、またはCの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、AおよびBを共に、AおよびCを共に、BおよびCを共に、ならびに/またはA、B、およびCを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない。2つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および/または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方oneoftheterms、当該用語のいずれかeitheroftheterms、または両方の用語bothtermsを含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、句AまたはBは、AまたはBあるいはAおよびBの可能性を含むことが理解されよう。本明細書において実装形態、1つの実装形態、いくつかの実装形態または他の実装形態の参照は、1つまたは複数の実装形態に関連して記載された特定の特性、構造、または特徴が少なくともいくつかの実装形態に包含可能であること意味し得るが、必ずしもすべての実装形態に包含されることを意味するものではない。前述の説明における実装形態、1つの実装形態またはいくつかの実装形態のさまざまな表現は、必ずしもすべて同一の実装形態を指しているとは限らない。特定の例示的な技法が、さまざまな方法およびシステムを使用して本明細書に記載されると共に示されているが、特許請求される主題から逸脱することなく、さまざまな他の変更を行うことができ、そして均等物によって置換可能であることは、当業者に理解されるべきである。また、本明細書において記載された中心概念から逸脱することなく、特定の状況を特許請求される主題の教示に適合させる多様な変更も可能である。したがって、特許請求される主題は、開示される特定の例に限定されないが、そのような特許請求される主題は、添付の特許請求の範囲、およびその均等物の範囲に含まれるすべての実装形態も包含可能であることを意図するものである。"