"シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、前記ガラス層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を有するn型拡散層の製造方法。前記ドナー元素を含むガラス層が、n型拡散層形成組成物を塗布した後に加熱することで得られるガラス層である請求項1に記載のn型拡散層の製造方法。前記n型拡散層形成組成物が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種のドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有する請求項2に記載のn型拡散層の製造方法。前記ドナー元素を含むガラス層が、オキシ塩化リンPOCl3を原料として形成されるガラス層である請求項1に記載のn型拡散層の製造方法。請求項1~請求項4のいずれか1項の製造方法によりシリコン基板上にn型拡散層を形成する工程と、形成された前記n型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の製造方法により製造されるn型拡散層を有するシリコン基板と、前記n型拡散層上に設けられた電極と、を有する太陽電池素子。前述の特許文献1の方法では、高濃度拡散材と低濃度拡散材が接触するため、互いに交じり合い、高濃度n型拡散層と低濃度n型拡散層を選択的に形成することが難しい。また、特許文献2の方法で選択エミッタを形成すれば、選択的ドーピングが可能であるが、ドーピング濃度の異なる領域を一度に形成することができないという課題がある。本発明は、以上の通り、従来の問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡便な工程でドーピング濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能な太陽電池素子の製造方法の提供を課題とする。前記課題を解決する手段は以下の通りである。<1>シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、前記ガラス層の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を有するn型拡散層の製造方法。<2>前記ドナー元素を含むガラス層が、n型拡散層形成組成物を塗布した後に加熱することで得られるガラス層である前記<1>に記載のn型拡散層の製造方法。<3>前記n型拡散層形成組成物が、Pリン及びSbアンチモンから選択される少なくとも1種のドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有する前記<2>に記載のn型拡散層の製造方法。<4>前記ドナー元素を含むガラス層が、オキシ塩化リンPOCl3を原料として形成されるガラス層である前記<1>に記載のn型拡散層の製造方法。<5>前記<1>~<4>のいずれか1項に記載の製造方法によりシリコン基板上にn型拡散層を形成する工程と、形成された前記n型拡散層上に電極を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。<6>前記<1>~<4>のいずれか1項に記載の製造方法により製造されるn型拡散層を有するシリコン基板と、前記n型拡散層上に設けられた電極と、を有する太陽電池素子。本発明によれば、比較的簡便な工程でドナー濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能となる。本明細書において工程との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また本明細書において~は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。<n型拡散層の製造方法>本発明のn型拡散層の製造方法について説明する。本発明のn型拡散層の製造方法は、1シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、2前記シリコン酸化膜をパターン状に形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、3前記ガラス層の形成時又は形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、4前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を少なくとも有する。本発明では、ドナー元素を含むガラス層からシリコン基板へのドナー元素の拡散を遅延させ、シリコン基板中のドナー濃度の低い領域、つまりn型拡散層領域を形成するために、ドナー元素を含むガラス層とシリコン基板との間に、特定厚みのシリコン酸化膜を介在させることを特徴としている。n型拡散層およびn型拡散層が形成される様子を図1を参照しながら説明する。受光面に電極を有する選択エミッタ方式のSi太陽電池は、電極下にドナーリン濃度の高いn型拡散層5領域を有する。本発明の製造方法ではシリコン基板10の受光面において、電極を形成する予定領域以外の領域に、予めシリコン酸化膜2を形成しておく。このときシリコン酸化膜2の平均厚みを0.01μm以上2μm以下とする。その後、気相拡散や塗布拡散を用いてドナー元素を含むガラス層3を受光面全域に形成し、熱拡散を行う。シリコン酸化膜2が形成されていない領域では、ドナー元素を含むガラス層3がシリコン基板10に接触しているため、高濃度のドナー元素が拡散したn型拡散層5が形成される。一方、平均厚み0.01μm以上2μm以下のシリコン酸化膜2が形成されている領域では、上層に存在するガラス層3からのドナー元素が、まずシリコン酸化膜2を拡散し、その後遅延してシリコン基板10へ拡散する。結果的に、シリコン酸化膜2が形成されている領域では、n型拡散層5よりもドナー濃度の低いn型拡散層4が形成される。ここで、シリコン酸化膜2の平均厚みが0.01μmより薄いと、ドナー元素の拡散の十分な遅延効果が得られず、ドナー濃度の異なる領域が形成され難い。また平均厚みが2μmより厚いとシリコン基板へ充分にドナー元素が拡散されずn型拡散層4が形成され難い。このように本発明の製造方法によれば、一度の熱拡散処理によってドナー濃度の異なる複数の領域を形成することができるため、シリコン基板10への熱的損傷が小さくなる。またその後のフッ酸処理によって、受光面のシリコン酸化膜2およびドナー元素を含むガラス層3が一度に取り除かれるため、工程も単純であり製造上のコストメリットは高い。以下では、本発明のn型拡散層の製造方法の詳細について、図1を参照しながら説明する。図1は、本発明のn型拡散層の製造工程の一例を概念的に表す模式断面図である。以降の図面においては、共通する構成要素に同じ符号を付す。図11は、シリコン基板10としてp型半導体基板を表している。シリコン基板10にアルカリ溶液を付与してダメージ層を除去し、テクスチャー構造をエッチングにて得る。詳細には、インゴットからスライスした際に発生するシリコン表面のダメージ層を20質量苛性ソーダで除去する。次いで1質量苛性ソーダと10質量イソプロピルアルコールの混合液によりエッチングを行い、テクスチャー構造を形成する図中ではテクスチャー構造の記載を省略する。太陽電池素子は、受光面表面側にテクスチャー構造を形成することにより、光閉じ込め効果が促され、高効率化が図られる。図12では、シリコン基板10上にパターニングされたシリコン酸化膜2を形成する。シリコン酸化膜2は、シリコン基板10の上に膜状に形成され、最終的にフッ酸等の薬液により除去されるものであればよく、そのようなシリコン酸化膜2を与える材料としては、SiO2微粒子の溶剤分散液や、有機シリコン化合物のゾルゲル溶液などが選ばれる。SiO2微粒子の溶剤分散液の市販品としては、例えば、日産化学工業株式会社製IPA-ST10~20nm径のSiO2微粒子を30含むイソプロピルアルコール分散液、日産化学工業株式会社製EAC-ST10nm~20nm径のSiO2微粒子を30含む酢酸エチル分散液などを挙げることができる。有機シリコン化合物のゾルゲル溶液の市販品としては、日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料HSG-100、東京応化工業株式会社製の有機SiO2系被膜形成用塗布液SOGなどを挙げることができる。シリコン酸化膜2の形成方法としては特に制限されず、従来公知の方法を適宜適用することができる。例えば、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液を用いて、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法等などの塗布方法によってシリコン酸化膜の前駆体膜を形成し、これを加熱する方法が挙げられる。塗布後に、組成物中に含まれる溶剤を揮発させるための乾燥工程が必要な場合がある。この場合には、80°C~300°C程度の温度で、ホットプレートを使用する場合は1分~10分、乾燥機などを用いる場合は10分~30分程度で乾燥させる。この乾燥条件は、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液などの溶剤組成に依存しており、本発明では特に上記条件に限定されない。なおパターニングされたシリコン酸化膜を得るには、例えば、マスクテープによりパターン状にマスクした後、前記溶剤分散液やゾルゲル溶液を塗布する方法、パターン状にインクジェット法により塗布する方法、スクリーン印刷する方法、などが挙げられる。シリコン酸化膜の平均膜厚は、0.01μm以上2μm以下の範囲であり、0.1μm以上0.5μm以下の範囲であることが好ましい。ここで、平均膜厚は、AMBIOS社製触針式段差計XP-1によって測定した値であり、シリコン酸化膜形成部と非形成部の境界の段差を5点測定した平均値とする。シリコン酸化膜は、電極を形成する予定位置には形成せず、それ以外の領域に形成する。これにより電極直下にドナー濃度の高いn型拡散層領域が形成され、それ以外の部分にはn型拡散層領域が形成されて、選択エミッタ型の太陽電池素子を得ることができる。シリコン酸化膜の非形成領域の位置や大きさは、所望の選択エミッタの位置や大きさや合わせて、適宜調整する。図13では、パターニングされたシリコン酸化膜2上に、ドナー元素を含むガラス層3を形成する。ドナー元素を含むガラス層を形成する方法は特に限定されず、従来公知の方法などを適宜採用することができる。例えば、ドナー元素含有化合物であるオキシ塩化リンPOCl3などの気相拡散ガスによって形成する方法、ドナー元素を含有する溶液やペーストを塗布する方法などを挙げることができる。気相拡散ガスによる形成方法は、ドナー元素含有化合物であるオキシ塩化リンPOCl3、窒素、酸素の混合ガス雰囲気において800°C~900°Cで数十分の処理を行う方法である。この方法によって、シリコン基板にリンケイ酸ガラスPSGが形成される。そして、熱拡散時にはこのPSGからシリコン基板にドナー元素であるリンが拡散する。なお、この気相拡散ガスを用いる気相反応法では、表面のみならず、側面、裏面にもn型拡散層が形成されるため、n型拡散層の形成を予定していない領域にはマスクなどを行うか、或いは側面等のn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程を行う。ドナー元素を含有する溶液やペーストを塗布する方法としては、例えば半導体の製造分野などで用いられている、ドナー元素含有化合物として、五酸化リンP2O5あるいはリン酸二水素アンモニウムNH4H2PO4等のリン酸塩を含有する溶液を塗布する方法が挙げられる。また、ドナー元素としてリンを含むペーストを塗布する方法も挙げられる。リン酸塩を含有する溶液やペーストを塗布した場合には、熱拡散処理時にドナー元素またはその含有化合物が、拡散源である溶液、またはペースト中から飛散するため、上記混合ガスを用いる気相反応法と同様、拡散層形成時にリンの拡散が側面及び裏面にもおよび、塗布した部分以外にもn型拡散層が形成される。したがって、n型拡散層の形成を予定していない領域にはマスクなどを行うか、或いは側面等のn型拡散層を除去するためのサイドエッチング工程を行う。更には、下記に示すようなドナー元素を含むガラス粉末と分散媒とを含有するn型拡散層形成組成物を塗布して、ドナー元素を含むガラス層を形成する方法が挙げられる。ドナー元素を含むガラス粉末を含むn型拡散層形成組成物を用いる場合には、リン酸塩を含有する溶液やペーストを塗布する場合と異なり、所望の領域に選択的にn型拡散層を形成することが可能である。この理由として、ドナー成分がガラス粉末中の元素と結合しているか、又はガラス中に取り込まれているため、揮散しにくいものと考えられる。ドナー元素を含有する溶液、ペースト及びn型拡散層形成組成物などの液体塗布は、例えば、印刷法、スピン法、刷毛塗り、スプレー法、ドクターブレード法、ロールコーター法、インクジェット法等の方法を採用することができる。前記n型拡散層形成組成物は、少なくともドナー元素を含むガラス粉末以下、単にガラス粉末と称する場合があると、分散媒とを含有し、更に塗布性等を考慮してその他の添加剤を必要に応じて含有してもよい。ここで、n型拡散層形成組成物とは、ドナー元素を含むガラス粉末を含有し、シリコン基板に塗布した後にこのドナー元素を熱拡散することでn型拡散層を形成することが可能な材料をいう。ドナー元素をガラス粉末中に含むn型拡散層形成組成物を用いることで、所望の部位にドナー元素を含むガラス層が形成され、ドナー元素がシリコン基板中に拡散する。本発明に係るドナー元素を含むガラス粉末について、詳細に説明する。ドナー元素とは、シリコン基板中にドーピングさせることによってn型拡散層を形成することが可能な元素である。ドナー元素としては第15族の元素が使用でき、例えばPリン、Sbアンチモン、Biビスマス、Asヒ素等が挙げられる。安全性、ガラス化の容易さ等の観点から、P又はSbが好適である。ドナー元素をガラス粉末に導入するために用いるドナー元素含有物質としては、P2O3、P2O5、Sb2O3、Bi2O3及びAs2O3が挙げられ、P2O3、P2O5及びSb2O3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。また、ドナー元素を含むガラス粉末は、必要に応じて成分比率を調整することによって、溶融温度、軟化点、ガラス転移点、化学的耐久性等を制御することが可能である。更に以下に記す、ガラス成分物質を含むことが好ましい。ガラス成分物質としては、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、WO3、MoO3、MnO、La2O3、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、TiO2、ZrO2、GeO2、TeO2及びLu2O3等が挙げられ、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることが好ましく、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及びMoO3から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。ドナー元素を含むガラス粉末の具体例としては、前記ドナー元素含有物質と前記ガラス成分物質の双方を含む系が挙げられ、P2O5-SiO2系ドナー元素含有物質-ガラス成分物質の順で記載、以下同様、P2O5-K2O系、P2O5-Na2O系、P2O5-Li2O系、P2O5-BaO系、P2O5-SrO系、P2O5-CaO系、P2O5-MgO系、P2O5-BeO系、P2O5-ZnO系、P2O5-CdO系、P2O5-PbO系、P2O5-V2O5系、P2O5-SnO系、P2O5-GeO2系、P2O5-TeO2系等のドナー元素含有物質としてP2O5を含む系、前記のP2O5を含む系のP2O5の代わりにドナー元素含有物質としてSb2O3を含む系のガラス粉末が挙げられる。なお、P2O5-Sb2O3系、P2O5-As2O3系等のように、2種類以上のドナー元素含有物質を含むガラス粉末でもよい。上記では2成分を含むガラス粉末を例示したが、P2O5-SiO2-V2O5、P2O5-SiO2-CaO等、3成分以上を含むガラス粉末でもよい。ガラス粉末中のガラス成分物質の含有比率は、溶融温度、軟化点、ガラス転移温度、化学的耐久性を考慮して適宜設定することが望ましく、一般には、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、0.5質量以上90質量以下であることがより好ましい。具体的には、例えば、ガラス成分物質として、SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2、及びMoO3から選択される少なくとも1種を含有するガラスである場合、シリコン基板との反応物が、フッ酸処理時に残渣として残らないため、好ましい。また、ガラス成分物質として酸化バナジウムV2O5を含むガラス例えばP2O5-V2O5系ガラスの場合には、溶融温度や軟化点を降下させる観点から、V2O5の含有比率は、1質量以上50質量以下であることが好ましく、3質量以上40質量以下であることがより好ましい。ガラス粉末の軟化点は、拡散処理時の拡散性、液だれの観点から、200°C~1000°Cであることが好ましく、300°C~900°Cであることがより好ましい。ガラス粉末の形状としては、略球状、扁平状、ブロック状、板状及び鱗片状等が挙げられ、n型拡散層形成組成物とした場合の基板への塗布性や均一拡散性の点から、略球状、扁平状又は板状であることが望ましい。ガラス粉末の粒径は、100μm以下であることが望ましい。100μm以下の粒径を有するガラス粉末を用いた場合には、平滑な塗膜が得られやすい。更に、ガラス粉末の粒径は50μm以下であることがより望ましい。なお、下限は特に制限されないが、0.01μm以上であることが好ましい。ここで、ガラスの粒径は、平均粒子径を表し、レーザー散乱回折法粒度分布測定装置等により測定することができる。ドナー元素を含むガラス粉末は、以下の手順で作製される。最初に原料、例えば、前記ドナー元素含有物質とガラス成分物質を秤量し、るつぼに充填する。るつぼの材質としては白金、白金-ロジウム、イリジウム、アルミナ、石英、炭素等が挙げられ、溶融温度、雰囲気、溶融物質との反応性等を考慮して適宜選ばれる。次に、電気炉でガラス組成に応じた温度で加熱し融液とする。このとき融液が均一となるよう攪拌することが望ましい。続いて得られた融液をジルコニア基板やカーボン基板等の上に流し出して融液をガラス化する。最後にガラスを粉砕し粉末状とする。粉砕にはジェットミル、ビーズミル、ボールミル等公知の方法が適用できる。n型拡散層形成組成物中のドナー元素を含むガラス粉末の含有比率は、塗布性、ドナー元素の拡散性を考慮し決定される。一般には、n型拡散層形成組成物中のガラス粉末の含有比率は、0.1質量以上95質量以下であることが好ましく、1質量以上90質量以下であることがより好ましく、1.5質量以上85質量以下であることがさらに好ましく、2質量以上80質量以下が特に好ましい。本発明のn型拡散層形成組成物は、上記ガラス粉末を分散させる媒体分散媒として、その他のバインダーを必要に応じて含んでいてもよい。その他のバインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド類、ポリビニルアミド類、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキサイド類、ポリスルホン酸、アクリルアミドアルキルスルホン酸、セルロースエーテル類、セルロース誘導体、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロース、ゼラチン、澱粉及び澱粉誘導体、アルギン酸ナトリウム類、キサンタン、グア及びグア誘導体、スクレログルカン及びスクレログルカン誘導体、トラガカント及びトラガカント誘導体、デキストリン及びデキストリン誘導体、メタアクリル酸樹脂、メタアクリル酸エステル樹脂例えば、アルキルメタアクリレート樹脂、ジメチルアミノエチルメタアクリレート樹脂等、ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、又はこれらの共重合体、他にも、シロキサン樹脂を適宜選択しうる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。その他のバインダーの重量平均分子量は特に制限されず、組成物としての所望の粘度を鑑みて適宜調整することが望ましい。重量平均分子量は溶剤への溶解性と溶解物のハンドリング性の観点から、5000~500000が好ましく、10000~200000がより好ましく、20000~100000がもっとも好ましい。n型拡散層形成組成物は、分散媒として少なくとも1種の溶剤を含むことが好ましい。溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-iso-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン等のケトン系溶剤;ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル-n-プロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチル-n-ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のエーテル系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン等のエステル系溶剤;アセトニトリル、N-メチルピロリジノン、N-エチルピロリジノン、N-プロピルピロリジノン、N-ブチルピロリジノン、N-ヘキシルピロリジノン、N-シクロヘキシルピロリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤;メタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、t-ブタノール、n-ペンタノール、i-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、t-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のアルコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ-n-ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールモノエーテル系溶剤;α-テルピネン、α-テルピネオール、ミルセン、アロオシメン、リモネン、ジペンテン、α-ピネン、β-ピネン、ターピネオール、カルボン、オシメン、フェランドレン等のテルペン系溶剤;水等が挙げられる。これらは1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。n型拡散層形成組成物中の溶剤の含有比率は、塗布性、ドナー濃度を考慮し決定される。n型拡散層形成組成物の粘度は、塗布性を考慮して、10mPaS以上1000000mPaS以下であることが好ましく、50mPaS以上500000mPaS以下であることがより好ましい。粘度は、例えばE型粘度計を用いて、25°C、5rpmで測定することができる。図14では、ガラス層3の形成時又は形成後に、熱拡散処理を施す。この熱拡散処理により、図に示すようにシリコン基板10にドナー元素を含むガラス層3が接触している箇所では高濃度にドナー元素が拡散して、ドナー高濃度の領域つまりn型拡散層5が形成される。一方シリコン酸化膜2が存在する箇所では、ドナー元素を含むガラス層3からのドナー元素の拡散がシリコン酸化膜2の存在により遅延され、結果的にシリコン基板10にドナー低濃度の領域つまりn型拡散層4が形成される。熱拡散処理は600°C~1200°Cで行ことが好ましい。熱拡散処理には公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、熱拡散処理時の炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。熱拡散処理時間は、n型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、1分間~60分間とすることができ、2分間~30分間であることがより好ましい。続いて、図15に示すように、前記熱拡散処理の後、シリコン酸化膜2およびドナー元素を含むガラス層3がエッチングなどによって取り除かれる。エッチングとしては、フッ酸等の酸に浸漬する方法、苛性ソーダ等のアルカリに浸漬する方法など公知の方法が適用できる。以上のように、本発明のn型拡散層の製造方法によれば、ドーピング濃度の異なる複数の領域を一度に形成することが可能である。従来のように、ドーピング濃度の異なる領域ごとにシリコン酸化膜のパターニングを行い、シリコン酸化膜をエッチングにより除去する方法に比べて、本発明の方法は簡便である。また、本発明の方法により得られたドーピング濃度の異なる複数のn型拡散層領域を有するシリコン基板は、シリコン酸化膜のエッチング回数が少ないため、エッチングによる損傷が少なく、太陽電池素子に用いた場合に効率の向上が図られる。<太陽電池素子の製造方法>本発明の太陽電池素子の製造方法について説明する。本発明の太陽電池素子の製造方法は、上記の方法によりシリコン基板上にn型拡散層を形成する工程と、形成されたn型拡散層上に電極を形成する工程と、を少なくとも有する。下記のように電極の形成は、n型拡散層上に反射防止膜16図2参照を形成した後に行ってもよい。シリコン基板10のn型拡散層が形成された面を受光面として使用する場合には、n型拡散層の面側の表面に反射防止膜を形成する。反射防止膜は公知の技術を適用して形成される。例えば、反射防止膜がシリコン窒化膜の場合には、SiH4とNH3の混合ガスを原料とするプラズマCVD法により形成する。このとき、水素が結晶中に拡散し、シリコン原子の結合に寄与しない軌道、即ちダングリングボンドと水素が結合し、欠陥を不活性化水素パッシベーションする。より具体的には、上記混合ガス流量比NH3/SiH4が0.05~1.0、反応室の圧力が13.3Pa0.1Torr~266.6Pa2Torr、成膜時の温度が300°C~550°C、プラズマの放電のための周波数が100kHz以上の条件下で形成される。次に受光面の反射防止膜上に、表面電極用金属ペーストをスクリーン印刷法で印刷塗布乾燥させ、n型拡散層の領域上に表面電極を形成する。表面電極用金属ペーストは、1金属粒子と2ガラス粒子とを必須成分とし、必要に応じて3樹脂バインダー、4その他の添加剤を含む。次いで、裏面電極を形成する。なお、シリコン基板10において裏面電極を形成する領域には、p型拡散層が形成されている。p型拡散層の形成方法は特に限定されず、例えば、ドナー元素を含むガラス粉末の代わりにアクセプタ元素を含むガラス粉末を用いて、n型拡散層形成組成物と同様にして構成されるp型拡散層形成組成物を、シリコン基板10の裏面n型拡散層形成組成物を塗布した面とは反対側の面に塗布し、焼成処理することで、裏面にp型拡散層を形成してもよい。また、気相拡散ガスを用いる気相反応法やドナー元素を含有する溶液又はペーストを用いる方法によって裏面にも形成されたn型拡散層を、アルミニウムによってp型拡散層へ変換してp型拡散層を形成してもよい。本発明では裏面電極の材質や形成方法は特に限定されない。例えば、アルミニウム、銀、銅等の金属を含む裏面電極用ペーストを塗布し、乾燥させて、裏面電極を形成してもよい。このとき、裏面にも、モジュール工程における素子間の接続のために、一部に銀電極形成用銀ペーストを設けてもよい。そして電極を焼成して、太陽電池素子を完成させる。600°C~900°Cの範囲で数秒~数分間焼成すると、表面側では電極用金属ペーストに含まれるガラス粒子によって絶縁膜である反射防止膜が溶融し、更にシリコン基板10表面も一部溶融して、ペースト中の金属粒子例えば銀粒子がシリコン基板10と接触部を形成し凝固する。これにより、形成した表面電極とシリコン基板のn型拡散層5とが導通される。これはファイアースルーと称されている。表面電極の形状について説明する。表面電極は、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32で構成される。図2Aは、表面電極を、バスバー電極30、及び該バスバー電極30と交差しているフィンガー電極32からなる構成とした太陽電池素子を表面から見た平面図であり、図2Bは、図2Aの一部を拡大して示す斜視図である。このような表面電極は、例えば、上述の金属ペーストのスクリーン印刷、又は電極材料のメッキ、高真空中における電子ビーム加熱による電極材料の蒸着等の手段により形成することができる。バスバー電極30とフィンガー電極32とからなる表面電極は受光面側の電極として一般的に用いられていて周知であり、受光面側のバスバー電極及びフィンガー電極の公知の形成手段を適用することができる。上記では、表面にn型拡散層、裏面にp型拡散層を形成し、更にそれぞれの層の上に表面電極及び裏面電極を設けた太陽電池素子について説明したが、本発明のn型拡散層形成組成物を用いればバックコンタクト型の太陽電池素子を作製することも可能である。バックコンタクト型の太陽電池素子は、電極を全て裏面に設けて受光面の面積を大きくするものである。つまりバックコンタクト型の太陽電池素子では、裏面にn型拡散部位及びp型拡散部位の両方を形成しpn接合構造とする必要がある。本発明のn型拡散層形成組成物は、特定の部位にn型拡散部位を形成することが可能であり、よってバックコンタクト型の太陽電池素子の製造に好適に適用することができる。以下、本発明の実施例をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限するものではない。なお、特に記述が無い限り、薬品は全て試薬を使用した。または断りがない限り質量を意味する。[実施例1]aウエハ処理PVGSolutions株式会社製の単結晶p型Siウエハ156mm×156mm、膜厚170μm、表面テクスチャー付きの上に、太陽電池用電極パターン状にポリイミド製テープを貼った。その上層に日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料HSG-100をスピンコート法1000rpm、10秒間により成膜し、250°Cに加熱したホットプレート上で3分間加熱した後、太陽電池用電極パターン状に貼ったポリイミド製テープを剥がした。パターニングされたシリコン酸化膜の厚みを膜厚計AMBIOS社製、製品名:触針式段差計XP-1で測ったところ、平均厚みは0.3μmであった。225mm径の石英製横型チューブ拡散炉に、上述のSiウエハを入れ、窒素ガス/酸素ガス/オキシ塩化リンガス=12/0.6/0.1L/分を流しながら、830°C、12分間加熱した。このSiウエハを10フッ化水素酸に5分間浸し、純水で洗浄すると、表面に形成されていたガラス層およびシリコン酸化膜は全て溶解除去されていた。得られたSiウエハのシート抵抗を、三菱化学株製Loresta-EPMCP-T360型低抵抗率計を用いて四探針法により測定した。シート抵抗は、シリコン酸化膜の形成領域と非形成領域を測定した。b太陽電池の作製上述のSiウエハ表面に、CVD法を用いて窒化ケイ素SiNx膜を900Åオングストローム積層し、反射防止膜とした。続いて前項aウエハ処理にて、電極バターン状態にシリコン酸化膜を形成しなかった領域にデュポン製銀ペースト商品名:PV159をスクリーン印刷法によりパターニング印刷し、焼成後の膜厚が20μmとなるよう、印刷条件スクリーン版のメッシュ、印刷速度、印圧を適宜調整した。これを150°Cに加熱したオーブンの中に15分間いれ、溶剤を蒸散により取り除いた。続いてこのSiウエハ裏面に、アルミニウム電極ペーストを焼成後の膜厚が30μmとなるように、全面に塗布した。これを150°Cに加熱したオーブンの中に15分間入れ、溶剤を蒸散により取り除いた。続いてトンネル炉ノリタケ社製、1列搬送W/Bトンネル炉を用いて大気雰囲気下、焼成最高温度800°Cで保持時間10秒の加熱処理焼成を行って、所望の電極が形成された太陽電池素子C-1を作製した。[実施例2]an型拡散層形成組成物の調製P2O5-SiO2-CaO系ガラスP2O5:50.0、SiO2:43、CaO:7粉末10gと、エチルセルロースエチル化度50、重量平均分子量50,0006.8gと、酢酸2-2-ブトキシエトキシエチル83.2gとを、自動乳鉢混練装置を用いて混合してペースト化し、n型拡散層形成組成物を調製した。bウエハ処理PVGSolutions株式会社製の単結晶P型Siウエハ156mm×156mm、膜厚170μm、表面テクスチャー付きの上に、太陽電池用電極パターン状にポリイミド製テープを貼った。その上層に日立化成工業株式会社製の層間絶縁膜用塗布材料HSG-100をスピンコート法1000rpm、10秒間により成膜し、250°Cに加熱したホットプレート上で3分間加熱した後、太陽電池用電極パターン状に貼ったポリイミド製テープを剥がした。パターニングされたシリコン酸化膜の平均厚みを実施例1と同様にして測ったところ、0.3μmであった。シリコン酸化膜が形成された面に、上記aにて調製したn型拡散層形成組成物をスクリーン印刷により全面塗布し、150°Cに加熱した乾燥機の中に15分間入れて溶剤を蒸散させた。これを225mm径の石英製横型チューブ拡散炉に入れ、窒素ガス/酸素ガス=8.0/2.0L/分を流しながら、900°C、10分間加熱した。このSiウエハを10フッ化水素酸に5分間浸し、純水で洗浄すると、表面に形成されていたガラス層およびシリコン酸化膜は全て溶解除去されていた。その後、実施例1に記載した方法で窒化膜と電極を形成し、太陽電池素子C-2を得た。[実施例3]aウエハ処理PVGSolutions株式会社製の単結晶P型Siウエハ156mm×156mm、膜厚170μm、表面テクスチャー付きの上に、太陽電池用電極パターン状にポリイミド製テープを貼った。その上層に日産化学工業株式会社製IPA-ST10~20nm径のSiO2微粒子を30含むイソプロピルアルコール分散液をスピンコート法1000rpm、10秒間により成膜し、250°Cに加熱したホットプレート上で3分間加熱した後、太陽電池用電極パターン状に貼ったポリイミド製テープを剥がした。その後1000°Cに加熱した焼成炉に1時間入れた。パターニングされたシリコン酸化膜の平均厚みを実施例1と同様にして測ったところ、0.4μmであった。シリコン酸化膜が形成された面に、実施例2aにて調製したn型拡散層形成組成物をスクリーン印刷により全面塗布し、150°Cに加熱した乾燥機の中に15分間入れて溶剤を蒸散させた。これを225mm径の石英製横型チューブ拡散炉に入れ、窒素ガス/酸素ガス=8.0/2.0L/分を流しながら、900°C、10分間加熱した。このSiウエハを10フッ化水素酸に5分間浸し、純水で洗浄すると、表面に形成されていたガラス層およびシリコン酸化膜は全て溶解除去されていた。その後、実施例1に記載した方法で窒化膜と電極を形成し、太陽電池素子C-3を得た。[比較例1]実施例1において、シリコン酸化膜を形成しなかった以外は同様に作製し、太陽電池素子H-1を得た。[比較例2]実施例2において、シリコン酸化膜の厚みを2.5μmとした以外は同様に作製し、太陽電池素子H-2を得た。下記表1には、実施例1~3および比較例1~2のSiウエハにおける、シリコン酸化膜の形成領域と非形成領域のシート抵抗値の測定結果を示す。表1に示されるように、実施例1~3では、シリコン基板のシリコン酸化膜形成領域ではn型拡散層が形成され、非形成領域ではn型拡散層が形成されていた。これに対して、シリコン酸化膜を形成していない比較例1では、シリコン基板の全面がn層となっており、ドーピング濃度の異なる複数の領域が形成されていなかった。また、シリコン酸化膜の平均厚みが2μmを超える比較例2では、シリコン酸化膜の形成領域においてシート抵抗値が高くなっており、n型拡散層が形成されていなかった。<太陽電池素子の評価>作製した太陽電池素子の評価は、擬似太陽光として株ワコム電創製WXS-155S-10、電流-電圧IV評価測定器としてI-VCURVETRACERMP-160EKOINSTRUMENT社製の測定装置を組み合わせて行った。太陽電池としての発電性能を示すη変換効率、FFフィルファクター、Voc開放電圧およびJsc短絡電流は、それぞれJIS-C-8912、JIS-C-8913およびJIS-C-8914に準拠して測定を行なうことで得られたものである。得られた各測定値を、比較例1の測定値を100.0とした相対値に換算して表2に示した。実施例1~3は、n型拡散層およびn型拡散層が形成された選択エミッタ型の太陽電池素子となっており、比較例1および2に比べて、太陽電池素子の性能が向上していた。"