イットリウム安定化酸化ジルコニウムを含む歯科修復材用ベニアリングセラミックにおいて、以下の成分a~g、つまり、aSiO255.0-72.5重量パーセントbNb2O56.0-19.8重量パーセントcB2O31.0-9.0重量パーセントdAl2O31.2-6.0重量パーセントeLi2O5.0-16.5重量パーセントfNa2O1.4-11.0重量パーセントgZrO20.5-4.0重量パーセントを含有することを特徴とする、ベニアリングセラミック。イットリウム安定化酸化ジルコニウムを含む歯科修復材用ベニアリングセラミックにおいて、以下の成分a~f、つまり、aSiO258.0-68.0重量パーセントbNb2O510.0-19.8重量パーセントcAl2O31.2-6.0重量パーセントdLi2O8.0-16.5重量パーセントeNa2O1.4-8.0重量パーセントfZrO20.5-4.0重量パーセントを含有することを特徴とする、ベニアリングセラミック。TiO2、La2O3、MgO、CaO、ZnO、BaO、P2O5、及び/又は、フッ化物の成分のうち、少なくとも一つをさらに含有し、当該全ての添加成分の合計濃度が、多くても4.0重量パーセントまでの範囲であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のベニアリングセラミック。染料と、以下の元素、つまり、Fe、Sn、Ce、Mn、V、Cr、Pr、Tb、Nd、Sm、In、Eu、Dyの酸化物又はフッ化物とが、個々に、又は、染色性又は蛍光発光性添加物として組み合わせて含有されることを特徴とする、請求項1又は2に記載のベニアリングセラミック。イットリウム安定化酸化ジルコニウムを含む歯科修復材を、請求項1~4のいずれか一項に記載のベニアリングセラミックでベニアリングする方法において、以下の工程a~f、つまり、a1400°Cにおいて溶融したガラスを水中でフリットにする工程と、b前記フリットにしたガラスを、490°Cから590°Cの温度で、且つ、2~6時間のあいだ、焼き戻して核生成する工程と、c冷却後、前記焼き戻したガラスを、0.3μm~30μmの粒子サイズに機械で粉砕する工程と、d前記前処理したパウダーをペースト又は泥漿に加工して、前記歯科修復材に装着する工程と、e850°Cから910°Cの範囲で熱処理を実行して、二ケイ酸リチウムを結晶化する工程と、f結晶化の制御により、酸化ニオブに富む相が二ケイ酸リチウムに隣接して濃縮されて表面へのガラス薄層の助長をし、その結果別の光沢焼成が不要となる、工程とによって特徴づけられる、方法。ベニアリングセラミックの半透明性又は透明性を増すために、前記工程fの後にレーザーによって二ケイ酸リチウム結晶相を局所的に溶融することを特徴とする、請求項5に記載の方法。イットリウム安定化酸化ジルコニウムを含む歯科修復材を、請求項1~4のいずれか一項に記載のベニアリングセラミックでベニアリングする方法において、以下の工程a~e、つまり、a1400°Cで溶融したガラスを水中でフリットにする工程と、b前記フリットにしたガラスを、490°Cから590°Cの温度で、且つ、2~6時間のあいだ、焼き戻して核生成する工程と、c冷却後、前記焼き戻したガラスを、0.3μm~30μmの粒子サイズに機械で粉砕する工程と、d前記前処理したパウダーをペースト又は泥漿に加工して、前記歯科修復材に装着する工程と、e911°Cから940°Cの範囲で熱処理を実行し、レーザーによって二ケイ酸リチウム結晶相を誘発する工程と、によって特徴づけられる、方法。前処理したパウダーを、水及び/又は有機試薬の添加によってペースト又は泥漿に加工することを特徴とする、請求項5~7のいずれか一項に記載の方法。前記泥漿が、噴霧によって装着されることを特徴とする、請求項5~8のいずれか一項に記載の方法。本発明の課題は、二ケイ酸リチウムを基にした半透明なベニアリングセラミックと、イットリウム安定化酸化ジルコニウムで作られた歯科修復材に前記ベニアリングセラミックを装着する方法とを発展させることである。このベニアリングセラミックは、白榴石、メタケイ酸リチウム、又は、βリチア輝石を含有すべきではなく、且つ、非常に良好な耐薬品性、酸化ジルコニウムへの優れた接着性、ならびに、良好な表面品質を有するべきである。本発明にしたがうと、この課題は、イットリウム安定化酸化ジルコニウムのベニアリングセラミックにおいて解決され、当該セラミックは次の組成:aSiO255.0-72.5重量質量bNb2O56.0-19.8重量cB2O31.0-9.0重量dAl2O31.2-6.0重量eLi2O5.0-16.5重量fNa2O1.4-11.0重量gZrO20.5-4.0重量で作られており、且つ、結晶化中に形成された薄いガラス層を備えたベニアリングセラミックの表面上に備えられる。二ケイ酸リチウムは、前記ベニアリングセラミックの主な結晶相を形成する。絶対に必要なわけではないが、前記二ケイ酸リチウムに加えて酸化ニオブも部分的に結晶化されることが望ましい。酸化ニオブは二ケイ酸リチウムの構造中には組み込まれていないか、又は、組み込まれていても非常に少量である。結晶化の制御により、ニオブが豊富な相が、二ケイ酸リチウムの直ぐ隣に濃縮される。結晶化処理による相組成の改質が、高い酸化二オブ含量を有するガラス相を導く。前記酸化二オブが豊富なガラス相は、ベニアリングセラミックの非常に高い表面品質を可能とするので、別の光沢焼成は不要である。色合わせ又は蛍光発光のために、染色化合物又は色素が前記ベニアリングセラミックに加えられてもよい。個々の染色化合物の濃度は、多くても3.0重量パーセントであるべきである。本技術は、La2O3、BaO、CaO、MgO、ZnO、P2O5、TiO2及びフッ素を、互いとは関係なく加えることによって改質することが可能である。添加物の全濃度は、多くても4.0重量パーセントまでの範囲である。前記ベニアリングセラミックは、酸化ジルコニウムに対して非常に良好な接着性を有する。したがって、不透明化剤、又は、ライナーは必ずしも必要ではない。添加されたベニアリングセラミックの開始材料は、コーティング技術によってイットリウム安定化酸化ジルコニウムにパウダーとして装着することが可能である。前記パウダーは、噴霧によって装着可能な泥漿スリップを形成するように、規定の摩砕処理において加工することも可能である。次に続く結晶化の後、高い表面品質を備えたベニアリングセラミックが形成される。ベニアリングセラミックは、歯科用オーブン釜内での加熱処理と、次に続くレーザー処理とを組み合わせることを可能にする。このために、骨格セラミックに装着される前記ベニアリングセラミックの開始材料が、850°Cから910°Cの、及び、911°Cから940°Cの温度範囲において歯科用オーブン内で焼結される。850°Cから910°Cの温度範囲において結晶化の制御が実施され、結果として生じるベニアリングセラミックは高い表面品質を有する。このようにして製造されたベニアリングセラミックは、既に歯科修復材用に使用可能である。別の処理工程においてレーザーを用いることにより、前記ベニアリングセラミックの局所的艶出しも可能である。ベニアリングセラミックの開始材料を、911°Cから940°Cの温度範囲で骨格セラミック表面上に焼結し、且つ、別の処理工程においてレーザーを用いて局所的結晶化を誘発することも可能である。前記ベニアリングセラミックは、多層において装着が可能である。酸化ジルコニウムへの非常に良好な接着性と非常に良好な表面品質により、噴霧された層であっても表面仕上げベニアリング処理には十分であることができる。本発明を実施例と図面を参照しながら以下により完全に記載する。次の表1に典型的な組成を表す。イットリウム安定化酸化ジルコニウムは、歯科修復材用骨格セラミックとして用いた。これは、選択的に染色可能である。100°Cから500°Cの温度範囲では、イットリウム安定化酸化ジルコニウムは、11.1×10-6/Kの熱膨張率αを有する。本発明に記載のベニアリングセラミックに対する熱膨張率α100°C-500°Cは、9.5×10-6/Kと11.0×10-6/Kの間である。イットリウム安定化酸化ジルコニウムと前記ベニアリングセラミックとの間の接着強度を、三点曲げ試験によって決定した。このために、酸化ジルコニウムで作られた二つの円形棒の端面にパウダー状ベニアリングセラミックを塗布して、規定の熱処理を施した。上記方法にしたがって測定した接着強度は、100MPa以上であるべきである。耐薬品性を、DINEN6872:2009-1ISOに従って決定し、本発明に係るベニアリングセラミックに対して<50μg/cm2である。表2は、例えば表1中の実施例4及び5の組成物に対する熱膨張率α100°C-500°C、接着強度、及び、耐薬品性についてのパラメーターを表している。図1は、ベニアリングセラミックの製造に対する技術的手法を図示している。表1に列挙した開始ガラスの組成物を、白金製坩堝又はセラミック製坩堝内において1400°Cの温度で溶融し、次いで水中で注型してフリットを製造した。結晶化制御を促進するために、フリットにした開始ガラスを540°C±50°Cで約4時間焼き戻して、冷却後パウダーにした。用いた粒子サイズは0.3μmから30μmの範囲である。ベニアリングセラミックの結晶化は、760°Cの温度において既に始まっている。二ケイ酸リチウムに加え、メタケイ酸リチウムとクリストバライトの結晶相も、760°Cから840°Cの温度範囲において発生する。温度が増加するにつれて、メタケイ酸リチウムとクリストバライトの結晶相は溶解する。850°Cから940°Cの温度範囲において結晶化制御が行われる。図2のX線回折XRDは、900°Cの結晶化温度を表している。結晶化中、表面と、イットリウム安定化酸化ジルコニウムとの界面とに、薄いガラス層を形成した。前記表面層にある薄いガラス層は、ベニアリングセラミックにとって重要な品質基準であり、より有効な処理技術を可能にする。図3に、ベニアリングセラミックの微細構造を走査型電子顕微鏡によって画像化した。ベニアリングセラミックは、ペーストとしてブラシによって、及び、噴霧によっても装着することが可能である。薄層の効率的な装着には噴霧が好適であり、一つ以上の層を吹き付けることが可能である。別の製法では、約1000°Cの温度において、透明ガラスとしてイットリウム安定化酸化ジルコニウムの骨格セラミックへ前記ベニアリングセラミックを融着する。そのために、前記ガラスの融着が、セラミックオーブン内で、又は、レーザーの使用により実施することが可能である。液相線温度よりも高い温度でイットリウム安定化酸化ジルコニウムへ装着されたベニアリングセラミックが、当該ベニアリングセラミックにおけるレーザー誘発結晶化の開始材料として用いられる。規定のレーザーの使用により、装着層を部分的にガラス状にしたり、又は、特定の範囲を選択的に結晶化させることが可能である。図4は、レーザーによる結晶化のための可能な手法を表している。