"EUV放射源であって、燃料液滴をプラズマ生成位置に送る燃料供給源と、前記プラズマ生成位置において前記燃料液滴に入射する第1レーザ放射ビームを供給し、それによって当該燃料液滴を気化させてEUV放射放出プラズマを生成する第1レーザビーム源と、前記プラズマ生成位置においてその後第2レーザ放射ビームを供給する第2レーザビーム源と、を備え、当該第2レーザ放射ビームは、前記燃料液滴の不完全気化に起因するデブリ粒子を気化させるように構成される、EUV放射源。前記第1レーザビーム源は、パルスビームとしての前記第1レーザ放射ビームを供給し、前記第2レーザビーム源は、パルスビームとしての前記第2レーザ放射ビームを供給する、請求項1に記載のEUV放射源。前記第1レーザビーム源および前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームの放射パルスの始端が、前記第1レーザ放射ビームの放射パルスの始端から100ナノ秒以上後に前記プラズマ生成位置に入射するようにさらに構成される、請求項2に記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームの放射パルスが、前記燃料液滴の気化によって生成されたプラズマが減衰した後に前記プラズマ生成位置に入射するように構成される、請求項2または3に記載のEUV放射源。前記第1レーザビーム源および前記第2レーザビーム源は、前記第1レーザ放射ビームの後続の放射パルスが前記プラズマ生成位置に入射する前に、前記第2レーザ放射ビームの放射パルスが終了しているように構成される、請求項2~4のいずれかに記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、放射パルス列としての前記第2レーザ放射ビームを供給する、請求項2~4のいずれかに記載のEUV放射源。前記第1レーザビームおよび前記第2レーザビーム源は、前記第1レーザ放射ビームの後続の放射パルスが前記プラズマ生成位置に入射する前に、前記第2レーザ放射ビームの前記放射パルス列が終了しているようにさらに構成される、請求項6に記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームの放射パルス長が前記放射パルス列の長さの10分の1以下であるように構成される、請求項6または7に記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームが前記プラズマ生成位置において0.4mm以上の直径を有するように構成される、請求項1~8のいずれかに記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームが前記プラズマ生成位置において0.6mm以下の直径を有するように構成される、請求項1~9のいずれかに記載のEUV放射源。前記第2レーザビーム源は、前記第2レーザ放射ビームが当該EUV放射源の光軸に対して30°以下の角度を定めるように構成される、請求項1~10のいずれかに記載のEUV放射源。前記第2レーザ放射ビームが前記プラズマ生成位置を2回以上通過するように前記第2レーザ放射ビームを反射するミラーをさらに備える、請求項1~11のいずれかに記載のEUV放射源。前記第2レーザ放射ビームが前記プラズマ生成位置を3回以上通過するように前記第2レーザ放射ビームを反射する追加のミラーをさらに備える、請求項12に記載のEUV放射源。リソグラフィ装置であって、請求項1~13のいずれかに記載のEUV放射源と、前記EUV放射源によって生成されたEUV放射ビームを調整する照明システムと、前記EUV放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するたサポートと、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン形成されたEUV放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を備える、リソグラフィ装置。EUV放射を生成する方法であって、燃料液滴をプラズマ生成位置に送ることと、第1レーザ放射ビームを前記プラズマ生成位置に誘導することによって前記燃料液滴を気化させてEUV放射放出プラズマを生成することと、その後、第2レーザ放射ビームを前記プラズマ生成位置に誘導することによって前記燃料液滴の不完全気化に起因するデブリ粒子を気化させることと、を含む、方法。0019図1は、本発明の一実施形態に係る、ソースコレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、0020-放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、0021-パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、0022-基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、0023-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、反射投影システムPSと、を備える。0024照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0025サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0026パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応する場合がある。0027パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0028照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。EUV放射に対して真空を用いることが望ましいことがある。というのは、ガスは放射を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。0029本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。0030リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0031図1を参照すると、イルミネータILは、ソースコレクタモジュールSOから極端紫外線EUV放射ビームを受ける。EUV放射を生成する方法としては、EUV範囲の1つ以上の発光線を用いて材料を少なくとも1つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマLPPと呼ばれることが多いそのような方法において、燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。燃料は、例えば、必要な線発光素子を有する材料の液滴、流れ、またはクラスタとすることができる。ソースコレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを供給するための図1に示されないレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばEUV放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを使用して集光される。例えば、CO2レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0032イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセット視野ミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0033放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0034例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00351.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。00362.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。00373.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0038上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0039図2は、ソースコレクタモジュールSOと、照明システムILと、投影システムPSとを備えるリソグラフィ装置100をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールSOは、真空環境をソースコレクタモジュールSOの囲い構造220内に維持することができるように構築および配置される。0040レーザLAは、燃料供給源200から供給されるキセノンXe、スズSn、またはリチウムLiなどの燃料内に、レーザビーム205を介してレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数10eVの高電離プラズマ210が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマから放出され、近垂直入射コレクタCOによって集光され、集束される。0041コレクタCOによって反射された放射は、仮想放射源点IFに集束される。仮想放射源点IFは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールSOは、中間焦点IFが囲い構造220の開口221に、または開口221の付近に位置するように配置される。仮想放射源点IFは放射放出プラズマ210の像である。0042その後、放射は照明システムILを横切る。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおける放射ビーム21の所望の角度分布およびパターニングデバイスMAにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセット視野ミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含むことができる。パターニングデバイスMAで放射ビーム21が反射されると、パターン形成されたビーム26が形成され、パターン形成されたビーム26は、投影システムPSによって、反射エレメント28および30を介して、基板テーブルWTによって保持された基板W上に結像される。0043一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明システムILおよび投影システムPSに存在してよい。さらに、図示されたミラーより数の多いミラーが存在してよい。例えば、図2に示すものと比較して、投影システムPS内に追加の1つ~6つの反射エレメントが存在してよい。0044図3は、図2のソースコレクタモジュールSOの一部分のより大きい概略図である。図3を参照すると、燃料供給源200は、燃料の液滴例えば、スズを、コレクタCOの焦点に位置決めされるプラズマ生成位置201に供給している。レーザビーム205は、燃料液滴に入射し、それによって燃料液滴を気化させる。結果として得られるプラズマ210は、コレクタCOによって集光されて中間焦点IFコレクタの第2焦点に集束されるEUV放射を放出する。EUV放射は、中間焦点IFからリソグラフィ装置の照明システム内に進む図2を参照。ソースコレクタモジュールの光軸OXは、図3の破線によって示されている。0045図3は、レーザビーム205が燃料液滴に入射し、当該燃料液滴がプラズマ210を形成し始めた時点の状況を概略的に示すことを試みている。0046図4は、図3と同様であるものの、後の時点における装置を示している。図4において、レーザビーム205は、もはやプラズマ生成位置に入射しない。しばらくの時間が経っているので、プラズマは減衰しており、もはや存在しない。レーザビーム205以降、第1レーザビーム205と呼ぶは、もはやプラズマ生成位置201に入射しない。しかし、今度は、第2レーザビーム250が、プラズマ生成位置201に入射する。図4から分かるように、第2レーザビーム250は、プラズマ生成位置を越えて進み、中間焦点IFに隣接して配置されるビームストップ251に入射する。0047第2レーザビーム250は、図3に示す第1レーザビーム205より大きい直径を有する。本実施形態において、第2レーザビーム250は、光軸OX上に位置せず、光軸に対する角度を定める。第2レーザビーム250の目的は、第1レーザビーム205による燃料液滴の不完全な気化中に生成されたデブリ粒子を気化させることである。デブリ粒子252は、図4に概略的に示されている。デブリ粒子のサイズは、目に見えるように図4において誇張されている。0048第2レーザビーム250は、かなりの割合のデブリ粒子252を気化させるために十分なパワーおよび十分な直径を有し得る。デブリ粒子の気化は有利である。というのは、デブリ粒子はいったん気化すると、リソグラフィ装置のコレクタCOまたは他の光学表面上に汚染を生じさせないからである。0049第2レーザビーム250をパルス化することができ、それによってレーザビームが継続的に供給された場合と比較してより高強度の放射をプラズマ生成位置201に射出することができる。より高強度の放射は、より低強度の放射と比べてデブリ粒子のより完全な気化をもたらす。第2レーザビーム250は、例えば、10ナノ秒以上のパルス長を有し得る。第2レーザビームは、例えば、10マイクロ秒以下のパルス長を有し得る。0050図3および図4から推認され得るように、プラズマ生成位置に入射する第1レーザビーム205とプラズマ生成位置に入射する第2レーザビーム250との間の時間遅延が生じ得る。時間遅延は、燃料液滴が第1レーザビーム205によって気化する態様に起因するさまざまな要因を考慮に入れ得る。燃料液滴が気化する正確な態様は十分に分かっていないが、気化プロセスは以下のとおりであり得ると考えられている。第1レーザビーム205は、燃料液滴この例では、燃料はスズであるの一方側に入射する。スズの小粒子は燃料液滴の表面からアブレーションされ、燃料液滴から離れるように進む。エネルギーが燃料液滴によって吸収され、それにより燃料液滴が温度上昇し膨張する。燃料液滴は、膨張し続け、そして分解する。燃料液滴が分解するにつれて、燃料液滴の一部は気化し、EUV放射放出プラズマを形成する。気化しない燃料液滴の一部は、さまざまなサイズを有するスズのデブリ粒子252を形成する。0051第1レーザビーム205が燃料液滴に入射しなくなった後に燃料液滴が砕けて気化する場合があり得る。これは、第1レーザビーム205のパルス長次第であり得る。0052小さいデブリ粒子は、より大きいデブリ粒子と比べてより早く進む。これらの小さいデブリ粒子は、燃料液滴の最初のアブレーション中に生成されている場合がある。小さいデブリ粒子の早期形成および高速度例えば、最高1000m/sに起因して、所与の時点において、これらの液滴は、より大きいデブリ粒子と比べてプラズマ生成位置201からより遠くに位置する。より大きいデブリ粒子は、より後に生成され、より低い速度を有することになる。0053デブリ粒子は、すべての方向に等しくプラズマ生成位置201から広がるのではないと考えられている。むしろ、他の方向と比較してより高い割合のデブリ粒子が中間焦点IFの通常の方向に進み得ると考えられている。このため、第2レーザビーム250は、ソースコレクタモジュールの光軸OAにかなり重なる向きを有している。このことは図4に概略的に示されており、プラズマ生成位置201を通過し、プラズマ生成位置を越えて光軸OAとのかなりの重なりをもたらす第2レーザビーム250を示している。本発明の別の実施形態において、第2レーザビーム250は、任意の向きでプラズマ生成位置201に誘導され得る。ただし、一部の向きは、説明した実施形態または第2レーザビーム250の光軸OAとのかなりの重なりをもたらす他の実施形態によってもたらされる気化と比較してデブリ粒子の少ない気化をもたらすことがある。0054一実施形態において、第2レーザビーム250は、第1レーザビーム205と同軸であり得る。しかし、このことを達成するためには、プラズマ生成位置201に入射する第1レーザビーム205の望ましくないパワーの減少を引き起こし得るビームスプリッタまたは他の光学系を第1レーザビーム205のビーム経路に設けることが必要になり得る。図4に示すように、第2レーザビーム250は、ソースコレクタモジュールの光軸OAに対して小さい角度で供給される場合があり、それによって第2レーザビーム250を第1レーザビーム205のビーム経路に導く光学系を設ける必要を回避する。光軸に対する小さい角度は、例えば、30°未満、20°未満、または10°未満とすることができる。0055ソースコレクタモジュールの光軸OAに対して小さい角度で第2レーザビーム250を設けることは、中間焦点IFに向かって従って、照明システムILのリフレクタまで進んでいるデブリ粒子252が第2レーザビーム内で最長時間を過ごすという利点をもたらす。特にこれらのデブリ粒子が照明システムILのリフレクタに入射しないように、また、リフレクタの反射率を低下させないように、デブリ粒子を気化させることが望ましい。0056第1レーザビーム205がプラズマ生成位置201において燃料液滴に最初に入射する時点と、第2レーザビーム250がプラズマ生成位置201に入射する時点との間に遅延が存在する。時間遅延は、第1レーザビーム205のパルスの始端から第2レーザビーム250のパルスの始端まで測定され得る。時間遅延は、例えば、100ナノ秒以上とすることができる。時間遅延は、例えば、5マイクロ秒とすることができる。時間遅延は、第2レーザビーム250がプラズマ生成位置201に入射する前に、燃料液滴の気化によって生成されたプラズマが減衰し得るという点で有益であり得る。プラズマは、第2レーザビーム250を吸収し得る。従って、存在する場合、デブリ粒子に入射する第2レーザビーム250の放射の強度を低減させ得る。時間遅延の更なる利点は、時間遅延によって、燃料液滴が砕け、砕けたものが互いにある程度分離する時間が与えられることである。断片の分離は、第2レーザビーム250に関して、第2断片が第1断片の影内に位置する可能性を低減させ、従って、第2レーザビームが第2断片に入射しない可能性を低減させるので、望ましい。0057第1レーザビーム205および第2レーザビーム250は、パルスレーザビームである。上述のとおり、第1レーザビーム205のパルスの始端と第2レーザビーム250のパルスの始端との間の遅延は、例えば、100ナノ秒以上である。場合により、第1レーザビーム205のパルス長は、100ナノ秒より長くてよい。この場合、第1レーザビーム205は、第2レーザビーム250がプラズマ生成位置201に入射するときにプラズマ生成位置201に依然として入射し得る。0058一実施形態において、遅延は、第1レーザビーム205によるプラズマの点火後に経過した時間の観点から測定され得る。遅延は、例えば、第1レーザビーム205によるプラズマの点火後の約2マイクロ秒未満であり得る。0059第2レーザビーム250のパルス長は、デブリ粒子252がプラズマ生成位置201から離れるように進む速度の理解に基づいて選択され得る。例えば、第2レーザビーム250のパルス長は、すべてのデブリ粒子252が第2レーザビームの直径の外側を進むためのすなわち、第2レーザビームを超えて進むための所要時間より長い場合がある。0060第2レーザビーム250は、第1レーザビーム205のパルスの後にプラズマ生成位置201に入射する単一のパルスを含み得る。あるいは、第2レーザビーム250は、第1レーザビーム205のパルスの後にプラズマ生成位置201に入射する複数のパルスを含み得る。デブリ粒子による第2レーザビーム250の吸収は、第2レーザビームのピーク強度とともに非線形に増加し得る。第2レーザビーム250の強度は、第2レーザビームのパルス長を低減させることによって増加し得る。しかし、上述のとおり、すべてのデブリ粒子252が第2レーザビームの直径の外側を進むための所要時間より長い時間、第2レーザビーム250でプラズマ生成位置を照明することが望ましい場合がある。第2レーザビーム250は、パルス列として設けられ得る。パルス列は、デブリ粒子252が第2レーザビームの直径の外側を進むためにかかる時間にわたってプラズマ生成位置201においてデブリ粒子252を照明するという観点から望ましい持続時間を有し得る。パルス長は、例えば、パルス列の持続時間の10分の1以下とすることができ、パルス列の持続時間の100分の1以下とすることができ、または、パルス列の持続時間の1000分の1以下とすることができる。0061第2レーザビーム250は、例えば、10ナノ秒以上のパルス長を有し得る。第2レーザビームは、例えば、10マイクロ秒以下のパルス長を有し得る。0062デブリ粒子252に入射する第2レーザビーム250の放射のエネルギー密度は、例えば、4J/cm2以上であり得る。このことは、0.5ミクロンの直径を有するデブリ粒子例えば、スズを8ナノ秒以内に気化させるために十分であり得る。デブリ粒子252に入射する第2レーザビーム250の放射のエネルギー密度は、例えば、16J/cm2以上であり得る。このことは、2ミクロンの直径を有するデブリ粒子例えば、スズを33ナノ秒以内に気化させるために十分であり得る。0063第2レーザビーム250は、例えば、10マイクロ秒以下の長さを有するパルス列を供給し得る。0064第2レーザビーム250のパルスは、時間の関数としての従来の形状、例えば、ガウス形状を有し得る。あるいは、第2レーザビーム250のパルスは、従来にない形状、例えば、パルスの立ち上がりエッジがパルスの立ち下がりエッジより長い非対称形状を有し得る。より長い立ち上がりエッジの作用としては、より低い強度の放射がデブリ粒子に最初に入射するということになる。上述のとおり、最初に生成されたデブリ粒子は、燃料液滴からのアブレーションに起因する小粒子であり得る。放射パルスの立ち上がりエッジにおける比較的低強度は、これらの小さいデブリ粒子を気化させるために十分であり得る。0065第1レーザビーム205のパルスの始端と第2レーザビーム250のパルスの始端との間の遅延、および第2レーザビーム250のパルス長は、第1レーザビーム205の次のパルスがプラズマ生成位置201に入射する前に、第2レーザビームのパルスが終了しているようにされ得る。第1レーザビーム205の連続するパルスは、例えば、20マイクロ秒以上ごとに区切られ得る。0066第1レーザビーム205のパルスと第2レーザビーム250のパルスとの間の時間遅延を示すことに加えて、図3および図4は、第1レーザビーム205と第2レーザビーム250の直径の違いを概略的に示している。第1レーザビームの燃料液滴に入射する割合を最大にするために、第1レーザビーム205は、プラズマ生成位置201に密に集束される説明を容易にするために、集束光学系は省略されている。燃料液滴は、例えば、10ミクロン程度の直径を有し得る。第1レーザビーム205も同様の直径を有し得る。これに対して、第2レーザビーム250は、プラズマ生成位置において密な集束を有する必要はない。むしろ、第2レーザビーム250は、第2レーザビーム250がかなりの割合のデブリ粒子に入射する程度に十分に大きい直径を有し得る。0067第2レーザビーム250は、例えば、プラズマ生成位置201において0.4mm以上の直径を有してよく、例えば、プラズマ生成位置において1mm以上の直径を有してよく、また、例えば、プラズマ生成位置において2mm以上の直径を有してよい。第2レーザビーム250は、例えば、プラズマ生成位置201において6mm以上の直径を有してよい。第2レーザビーム250は、例えば、プラズマ生成位置201において約1mm2であってよい。0068第2レーザビーム250の波長は、デブリ粒子が気化する効率に対して影響を及ぼし得る。この場合であるかどうか確かでないが、デブリ粒子が第2レーザビーム250の波長よりかなり小さい直径を有する場合、そのデブリ粒子による第2レーザビームの吸収効率は低減することがある。従って、第2レーザを用いて気化させることが望ましい最小のデブリ粒子の直径より短い、またはそのような直径と実質的に等しい波長で第2レーザビーム250を供給することが有利であり得る。0069最小閾値直径未満の直径を有するデブリ粒子を気化させることが望ましくない場合があり得る。最小閾値直径は、例えば、300ナノメートルであり得る。ガス流デブリ緩和システム、またはフォイルトラップなどの他の機構は、これらの小さいデブリ粒子をリソグラフィ装置のコレクタCOまたは他の光学表面に近づけないために使用され得る。使用され得るフォイルトラップの例は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、米国特許第6,359,969号に記載されている。0070場合により、第2レーザビーム250は、一部のデブリ粒子を完全に気化させないことがあり、代わりに、それらのデブリ粒子のサイズを単に縮小する場合がある。このことが起こる場合、他の機構が、サイズが縮小されたデブリ粒子をリソグラフィ装置のコレクタCOまたは他の光学表面に近づけないようにする。0071第2レーザビーム250の波長は、例えば、100ナノメートル以上であり得る。第2レーザビーム250の波長は、例えば、10ミクロン以下であり得る。第2レーザビーム250の波長は、第1レーザビーム205の波長と異なり得る。第2レーザビームは、例えば、エキシマレーザ例えば、157ナノメートルの波長を有する、ArFレーザ、KrFレーザ、NdYAGレーザ、または他の適切なレーザによって生成され得る。レーザは、例えば、0.1kW以上のパワーを有するレーザビームを生成することが可能であり得る。レーザは、例えば、最高10kWのパワーを有するレーザビームを生成することが可能であり得る。0072第1レーザビーム205によって用いられる一部の光学系は、第2レーザビーム250によっても用いられ得る。このことによって、多少の収差が第2レーザビーム250に持ち込まれ得る。しかし、上述のとおり第2レーザビームは密に集束されないので、この収差は、第2レーザビームにあまり影響を及ぼさない場合がある0073第1レーザビーム205および第2レーザビーム250は、それぞれ第1レーザビーム源および第2レーザビーム源を用いて生成され得る。各レーザビーム源は、例えば、レーザを備えることがあり、さらに、レーザビームを放射生成位置201に射出するように構成された1つ以上の光学コンポーネントを備えることがある。0074一実施形態において、第1レーザビーム205および第2レーザビーム250は、同一のレーザを用いて生成され得る。このことは、例えば、レーザの利得媒体の第1遷移を用いて第1レーザビーム205を生成し、レーザの利得媒体の第2遷移を用いて第2レーザビーム250を生成することによって達成され得る第1および第2遷移は、異なるエネルギーの光子を生じさせる。この実施形態において、同一のレーザは、第1レーザビーム源の一部を形成してよく、第2レーザビーム源の一部を形成してよい。0075一実施形態において、ビームストップ251は、第2レーザビーム250を反射するように構成されたミラー例えば、集束ミラーと置き換えられ得る。ミラーは、デブリ粒子252によって吸収されない第2レーザビーム250の一部を反射してプラズマ生成位置201の方に戻し得る。従って、第2レーザビーム250は、デブリ粒子に2回目の入射をすることになる。一実施形態において、第2ミラーは、第2レーザビーム250が第2ミラーによって反射されて再びプラズマ生成位置201を通過して戻るように位置決めされ得る。2つのミラーは、例えば、第2レーザビーム250がプラズマ生成位置201を複数回通過することを提供し得る。第2レーザビーム250がプラズマ生成位置を通過する回数は、例えば、2回以上、5回以上、または10回以上であり得る。2つのミラーは、例えば、開放型共振器であり得る。0076本発明の実施形態は、プラズマ生成位置において燃料材料の照射を行ってプラズマ生成位置に存在する燃料材料を気化させる、または当該燃料材料のサイズを縮小するように構築および配置された照射システムを設けるとみなされ得る。照射システムは、第2レーザビームを生成するレーザを備えるとみなされ得る。0077気化するデブリ粒子への言及は、デブリ粒子の蒸発を含むとみなされ得る。0078本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0079光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0080レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0081EUV放射という用語は、5~20nmの範囲内、例えば、13~14nmの範囲内、または例えば、6.7nmや6.8nmなどの5~10nm範囲内の波長を有する電磁放射を包含していると考えるとよい。0082以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。"