ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を含み、ニッケル又はコバルトが粒子の表面域に偏在している銅粒子であって、前記銅粒子の中心域は、主要構成元素が銅であり、前記中心域から粒子表面に向かうに連れてニッケル又はコバルトの割合が漸増しているとともに銅の割合が漸減しており、前記表面域は、銅と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方とを含み、かつ銅の割合よりもニッケル及びコバルトの合計量の割合の方が高くなっている銅粒子。中心域が、少量構成元素としてニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を含む請求項1に記載の銅粒子。中心域においては、粒子の径方向での銅と、ニッケル及びコバルトの合計量との比率が略一定になっている請求項1又は2に記載の銅粒子。一次粒子径が50~2000nmであり、中心域の直径が一次粒子径の45~90である請求項3に記載の銅粒子。表面域の厚みを2倍した値が一次粒子径の0.1~45.1である請求項4に記載の銅粒子。中心域における銅の割合が80atm以上であり、ニッケル及びコバルトの合計量の割合が20atm以下である請求項2ないし5のいずれか一項に記載の銅粒子。表面域における銅の割合が1~49atmであり、ニッケル及びコバルトの合計量の割合が51~99atmである請求項1ないし6のいずれか一項に記載の銅粒子。ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を含み、ニッケル又はコバルトが粒子の表面域に偏在している銅粒子からなる芯材粒子と、該芯材粒子の表面を被覆する銀の層とからなる銀被覆銅粒子であって、前記芯材粒子の中心域は、主要構成元素が銅であり、前記中心域から前記芯材粒子の表面に向かうに連れてニッケル又はコバルトの割合が漸増しているとともに銅の割合が漸減しており、前記芯材粒子の前記表面域は、銅と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方とを含み、かつ銅の割合よりもニッケル及びコバルトの合計量の割合の方が高くなっている銀被覆銅粒子。亜酸化銅粒子と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物とを含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、次いで、25°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する工程を有する銅粒子の製造方法。亜酸化銅粒子を含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物を添加し、次いで、25°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する工程を有する銅粒子の製造方法。請求項1ないし7のいずれか一項に記載の銅粒子を含むことを特徴とする導電性ペースト。請求項8に記載の銀被覆銅粒子を含むことを特徴とする導電性ペースト。本発明の課題は、前述した従来技術が有する種々の欠点を解消し得る銅粒子を提供することにある。本発明は、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を含み、ニッケル又はコバルトが粒子の表面域に偏在している銅粒子であって、前記銅粒子の中心域は、主要構成元素が銅であり、前記中心域から粒子表面に向かうに連れてニッケル又はコバルトの割合が漸増しているとともに銅の割合が漸減しており、前記表面域は、銅と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方とを含み、かつ銅の割合よりもニッケル及びコバルトの合計量の割合の方が高くなっている銅粒子を提供するものである。また本発明は、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を含み、ニッケル又はコバルトが粒子の表面域に偏在している銅粒子からなる芯材粒子と、該芯材粒子の表面を被覆する銀の層とからなる銀被覆銅粒子であって、前記芯材粒子の中心域は、主要構成元素が銅であり、前記中心域から前記芯材粒子の表面に向かうに連れてニッケル又はコバルトの割合が漸増しているとともに銅の割合が漸減しており、前記芯材粒子の前記表面域は、銅と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方とを含み、かつ銅の割合よりもニッケル及びコバルトの合計量の割合の方が高くなっている銀被覆銅粒子を提供するものである。また本発明は、前記の銅粒子の好ましい製造方法として、亜酸化銅粒子と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物とを含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、次いで、25°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する工程を有する銅粒子の製造方法を提供するものである。更に本発明は、前記の銅粒子の別の好ましい製造方法として、亜酸化銅粒子を含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物を添加し、次いで、25°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する工程を有する銅粒子の製造方法を提供するものである。本発明によれば、耐酸化性が高く、かつ銅単体に近い導電性を有するニッケル又はコバルト含有の銅粒子が提供される。以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。本発明の銅粒子は、銅を主要構成元素として含み、添加元素としてニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方を少量含有するものである。ニッケル又はコバルトは粒子の表面域に偏在している。以下の説明においては、ニッケル及びコバルトを総称してニッケル等ともいう。ニッケル等というときには文脈に応じてニッケル及びコバルトの双方を意味する場合と、ニッケル又はコバルトを択一的に意味する場合とがある。本発明の銅粒子は、その径方向に沿っていくつかの部位に大別される。該部位は、中心域及び表面域である。中心域とは、銅粒子の最も内側に位置している部位のことである。表面域とは、銅粒子の最表面を含み、かつ該最表面から所定の深さにわたる部位のことである。また本発明の銅粒子は、その用途によっては、中心域と表面域との間に位置する遷移域を有していてもよい。図1には、本発明の銅粒子における銅及びニッケル等の径方向の分布と、中心域A、遷移域B及び表面域Cとの関係の一例が示されている。同図に示す銅粒子は、ニッケル等としてニッケルを含有するものである。以下、これら各域について説明する。本発明の銅粒子においては、主要構成元素である銅は、該銅粒子の主として中心域Aに多量に存在している。このことによって本発明の銅粒子は、ニッケル等を含有するものでありながら、全体としては銅単体に近い性質を発現するものとなる。銅粒子の中心域は、銅のみから構成されているか、又は銅を主要構成元素として含み、かつ少量構成元素としてニッケル等を含んでいる部位である。主要構成元素とは、当該元素の存在割合が60atm以上、特に70atm以上である元素のことをいう。一方、少量構成元素とは、当該元素の存在割合が40atm以下、特に30atm以下である元素のことをいう。中心域Aが銅のみから構成されている場合、該中心域Aとは、本発明の銅粒子における内部に位置し、かつ銅のみからなる部位のことである。中心域Aが銅を主要構成元素として含み、かつ少量構成元素としてニッケル等を含んでいる場合、該中心域Aとは、銅粒子における内部に位置し、かつ銅粒子の径方向での銅とニッケル等との比率が略一定になっている部位のことである。中心域Aに少量構成元素であるニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方が含まれている場合、これらの元素は、いずれか一方のみを用いてもよく、両方を併用してもよい。中心域Aが銅及びニッケル等を含有する場合、該中心域Aは銅とニッケル等との合金から構成されることが好ましい。銅に加えてニッケル等を含有する中心域Aを有する銅粒子は、銅のみからなる中心域Aを有する銅粒子に比べて、中心域Aと、後述する遷移域Bや表面域Cとが剥離しづらくなるという利点がある。中心域Aが、ニッケル等を含むか否かにかかわらず、該中心域Aにおける銅の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して80atm以上であることが好ましく、90atm以上であることが更に好ましい。一方、ニッケル及びコバルトの合計量の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して20atm以下であることが好ましく、10atm以下であることが更に好ましい。中心域Aが、銅に加えてニッケル等を含んでいる場合、銅とニッケル及びコバルトの合計量との比率がほぼ一定になっている該中心域Aにおける銅の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して80~99atmであることが好ましく、90~99atmであることが更に好ましい。一方、ニッケル及びコバルトの合計量の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して1~20atmであることが好ましく、1~10atmであることが更に好ましい。中心域における銅及びニッケル等の割合がこの範囲内であることによって、本発明の銅粒子は、ニッケル等を含有するものでありながら、全体としては銅単体に近い導電性を発現するものとなる。中心域Aが、銅に加えてニッケル等を含んでいる場合、銅とニッケル及びコバルトの合計量との比率がほぼ一定になっている該中心域Aの直径は、銅粒子の一次粒子径の45~90であることが好ましく、48~75であることが更に好ましい。中心域Aが銅のみからなる場合にも、銅粒子の一次粒子径に対する該中心域Aの直径はこの範囲内であることが好ましい。銅粒子の一次粒子径に対する該中心域Aの直径がこの範囲内であることによって、本発明の銅粒子は、銅よりも導電性の低い金属であるニッケル等を含有するものでありながら、全体としては銅単体に近い導電性を発現するものとなる。ニッケル等は、本発明の銅粒子の表面近傍、すなわち表面域C及び遷移域Bに偏在している。表面域C及び遷移域Bに偏在しているニッケル等は、本発明の銅粒子の耐酸化性を高める目的で用いられている。詳細には、ニッケル等は、銅よりも耐酸化性の高い元素である。このような元素が本発明の銅粒子の表面近傍に偏在していることによって、本発明の銅粒子の耐酸化性が高められる。そして、該銅粒子の中心域Aは、先に述べたとおり銅を主要構成元素として含んでいるので、本発明の銅粒子は、銅の有する高い導電性が維持される。これらの結果、本発明の銅粒子は、銅単体に近い導電性を有するものでありながら、銅単体よりも高い耐酸化性を有するものとなる。ニッケル等が偏在している遷移域Bは、必要に応じて形成される部位である。遷移域Bは、中心域Aと表面域Cとの間に位置する部位であり、一定の厚みを有する略球殻をなしている。遷移域Bには、ニッケル等に加えて銅が含まれている。ニッケル等と銅とは好ましくは合金を形成している。遷移域Bにおいては銅の割合がニッケル等の割合以上になっている。また、遷移域Bにおいては粒子表面に向かうに連れてニッケル等の割合が漸増している。これとともに遷移域Bにおいては、粒子表面に向かうに連れて銅の割合が漸減している。このように遷移域Bにおいては、銅及びニッケル等の割合が連続的に変化しており、銅のみの領域やニッケルのみの領域は存在していない。遷移域Bにおける中心域A寄りの部位においては、粒子内部に向かうに連れてニッケル等の存在割合が漸減しており、遷移域Bと中心域Aとの境界を挟んで、遷移域Bと中心域Aとでニッケル等の存在割合が連続的に変化している。銅に関しても同様に、遷移域Bにおける中心域A寄りの部位においては、粒子内部に向かうに連れて銅の存在割合が漸増しており、遷移域と中心域との境界を挟んで、遷移域Bと中心域Aとで銅の存在割合が連続的に変化している。これによって、遷移域Bと中心域Aとの一体性が高まり、両域の境界における剥離が起こりづらくなる。一方、遷移域Bにおける表面域C寄りの部位においては、粒子表面に向かうに連れてニッケル等の存在割合が漸増しており、遷移域Bと表面域Cとの境界を挟んで、遷移域Bと表面域Cとでニッケル等の存在割合が連続的に変化している。銅に関しても同様に、遷移域Bにおける表面域C寄りの部位においては、粒子表面に向かうに連れて銅の存在割合が漸減しており、遷移域Bと表面域Cとの境界を挟んで、遷移域Bと表面域Cとで銅の存在割合が連続的に変化している。これによって、遷移域Bと表面域Cとの一体性が高まり、両域の境界における剥離が起こりづらくなる。このように、遷移域Bにおいて、銅及びニッケル等の割合が連続的に変化していることで、中心域Aと表面域Cとが遷移域Bを介して連続体となるので、表面域Cの剥離が効果的に防止される。これとは対照的に、例えば銅の芯材粒子の表面にニッケル等をめっきによって被覆したり、銅の芯材粒子の表面に酸化物の微粒子を付着させたりすると、芯材粒子と、めっき部分又は酸化物の微粒子との剥離が起こりやすい。遷移域Bの機能を効果的に発現させる観点から、該遷移域Bの厚みを2倍した値は、本発明の銅粒子の一次粒子径の9.9~54.9であることが好ましく、24.5~51.5であることが更に好ましい。次に表面域Cについて説明する。表面域Cとは、先に述べた遷移域Bよりも粒子の外側に位置し、かつ本発明の銅粒子の表面を含む領域である。表面域Cは一定の厚みを有する略球殻をなしている。表面域Cは、遷移域Bと同様にニッケル等及び銅を含んでいる。本発明の銅粒子の耐酸化性を高める観点からは、表面域はニッケル等のみで構成されることが有利であるが、ニッケル等は銅に比べて導電性が低いことから、表面域Cをニッケル等のみで構成すると、本発明の銅粒子の導電性を、銅単体に近づけることが容易でなくなる。そこで、表面域Cにも銅を含有させることで、導電性低下の防止を図っている。尤も表面域Cにおける銅の割合はニッケル等の割合よりも低くなっている。つまり、表面域Cにおいては、銅の割合よりもニッケル等の割合の方が高くなっている。こうすることで、耐酸化性を損なうことなく、導電性を維持することができる。表面域Cにおいては、銅とニッケル等が共存していることは上述のとおりであるところ、該表面域Cにおいて、銅とニッケル等とは合金を形成していることが好ましい。また、表面域Cにおいては、該表面域Cの厚み方向において、銅及びニッケルの存在割合の傾斜は、遷移域におけるそれらの存在割合の傾斜よりも小さくなっている。表面域Cはその厚みを2倍した値が、銅粒子の一次粒子径の0.1~45.1であることが好ましく、0.5~27.5であることが更に好ましい。銅粒子の一次粒子径に対する表面域Cの厚みがこの範囲内であることによって、本発明の銅粒子は、耐酸化性と導電性の双方が両立したものとなる。表面域Cにおける銅の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して1~49atmであることが好ましく、2~30atmであることが更に好ましい。一方、ニッケル及びコバルトの合計量の割合は、銅とニッケル等との合計量に対して51~99atmであることが好ましく、70~98atmであることが更に好ましい。表面域Cにおける銅及びニッケル等の割合がこの範囲内であることによって、本発明の銅粒子は、ニッケル等を含有するものでありながら、全体としては銅単体に近い導電性を発現するものとなる。前記の表面域C及び遷移域Bの厚みや表面域C及び遷移域Bでの銅及びニッケル等の割合、並びに先に述べた中心域Aの直径や該中心域Aでの銅及びニッケル等の割合は、FIBを用いて銅粒子の断面のサンプルを作製し、該断面をSEM-STEM-EDXを用いて元素分析することで求めることができる。本発明の銅粒子全体に占めるニッケル及びコバルトの合計量の割合は、導電性と耐酸化性とのバランスの点から、10~40atmであることが好ましく、10~30atmであることが更に好ましい。この割合は、本発明の銅粒子を硝酸や硫酸等の溶媒に全溶解させて溶液を調製し、その溶液をICP発光分光分析装置によって分析することによって測定することができる。本発明の銅粒子は、その用途に応じて粒径を適宜調整できる。本発明の銅粒子を、例えばスクリーン印刷、ディスペンシング及びインクジェット印刷等の手段で微細電気配線形成に用いる場合には、一次粒子径を50~2000nmに設定することが好ましく、200~1000nmに設定することが更に好ましい。銅粒子の一次粒子径は、例えば画像解析式粒度分布測定ソフトウェアMacView株式会社マウンテック製によって測定することができる。本発明の銅粒子は、その用途に応じて形状を適宜調整できる。典型的には等方形状、例えば球状の形状を採用することができる。本発明の銅粒子は例えば導電性ペーストの原料として用いることができる。この導電性ペーストは、本発明の銅粒子と、有機ビヒクルと、ガラスフリットとを含有するものである。この有機ビヒクルは、樹脂成分と溶剤とを含む。樹脂成分としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチルセルロース、カルボキシエチルセルロース等が挙げられる。溶剤としては、ターピネオール及びジヒドロターピネオール等のテルペン系溶剤や、エチルカルビトール及びブチルカルビトール等のエーテル系溶剤が挙げられる。ガラスフリットとしては、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等が挙げられる。導電性ペーストにおける銅粒子の割合は例えば36~97.5質量とすることが好ましい。ガラスフリットの割合は例えば1.5~14質量とすることが好ましい。有機ビヒクルの割合は例えば1~50質量とすることが好ましい。このようにして得られた導電性ペーストは、例えば、プリント配線板の回路形成、セラミックコンデンサの外部電極等の電気的導通確保、EMI対策のために好適に使用される。本発明においては、これまで説明してきた銅粒子の導電性を一層高める用い方を採用することができる。この目的のために、本発明によれば、上述の銅粒子を芯材粒子として用い、該芯材粒子の表面を銀の層で被覆してなる銀被覆銅粒子も提供される。この銀被覆銅粒子における芯材粒子は、上述の銅粒子そのものである。芯材粒子の表面を被覆する銀の層は、該芯材粒子の表面を連続して被覆していてもよく、あるいは不連続に例えば島状に被覆していてもよい。銀の層が芯材粒子の表面を連続して被覆している場合には、銀被覆銅粒子の表面には、芯材粒子の表面が露出していない。銀の層が芯材粒子の表面を不連続に被覆している場合には、銀被覆銅粒子の表面には、芯材粒子の表面の一部が露出しており、例えば特性X線を用いた元素マッピングによって銅及びニッケル等が検出される。銀は銅よりも導電性の高い金属なので、銅粒子の表面を銀の層で被覆することで、導電性が一層高まる。また銀は銅よりも酸化されづらい元素なので、耐酸化性も高まる。しかも銀は、銅粒子の表面を被覆するに足る量を用いればよいので、銅よりも高価な金属である銀を用いても経済的に不利とはならない。この銀被覆銅粒子も、先に述べた銅粒子と同様に導電性ペーストの原料として用いることができる。つまり、この銀被覆銅粒子を用いて、該銀被覆銅粒子を含む導電性ペーストを調製することができる。次に、本発明の銅粒子の好適な製造方法について説明する。本発明の銅粒子は、主として、以下に述べる製造方法1及び製造方法2に従い好適に製造することができる。製造方法1本製造方法においては、1-1亜酸化銅粒子と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物とを含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、次いで、1-225°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する。以下、本製造方法について詳細に説明する。1-1の工程においては、亜酸化銅粒子と、ニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物とを用意する。亜酸化銅粒子は、その粒径に制限はなく、該亜酸化銅粒子から銅が首尾よく還元する程度の粒径を有していればよい。ニッケル等の水溶性化合物としては、ニッケルに関しては例えば硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硝酸ニッケル、炭酸ニッケル、酢酸ニッケル、水酸化ニッケル等が挙げられ、コバルトに関しては例えば、塩化コバルト、硫酸コバルト、炭酸コバルト、酢酸コバルト等が挙げられる。水性スラリー中における亜酸化銅粒子の濃度は、還元を首尾よく行う観点から、0.1~20質量とすることが好ましく、1~10質量とすることが更に好ましい。ニッケル等の水溶性化合物の濃度は、目的とする銅粒子に含まれるニッケル等の割合に応じて、亜酸化銅粒子の濃度との関係で決定される。亜酸化銅粒子及びニッケル等の水溶性化合物を水と混合して水性スラリーが得られたら、これに第1の還元剤を添加する。第1の還元剤は、先に述べたとおり25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vであるものである。このような標準電極電位を有する還元剤を用いることで、亜酸化銅を還元させることができ、かつニッケルイオン又はコバルトイオンの還元を可能な限り抑えることができる。そのような還元剤としては、例えばヒドラジン、グルコース、アスコルビン酸、ホルムアルデヒド、アルコールなどが挙げられる。これらの還元剤は、単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。水性スラリーに第1の還元剤を添加するに際しては、該還元剤が所望の還元力を発現するようにするために、水性スラリー中の温度等を調整することが好ましい。例えば第1の還元剤としてヒドラジンを用いる場合には、水性スラリーを50~80°Cに加熱することが好ましい。第1の還元剤の添加は一括添加でもよく、あるいは一定時間にわたる逐次添加でもよい。還元のコントロールのしやすさの点からは、逐次添加を行うことが有利である。第1の還元剤の添加量は、該還元剤の添加完了後の水性スラリー中に、未還元の亜酸化銅粒子が残存する量とする。こうすることで、後述する1-2の工程においても、亜酸化銅粒子の還元が生じるからである。第1の還元剤の添加が完了した時点では、亜酸化銅粒子の還元によって生成した銅の粒子この粒子を、目的とする銅粒子と区別する目的で前駆体粒子という。が水性スラリー中に含まれている。また、未還元の亜酸化銅粒子が残存している。第1の還元剤は消費されて、水性スラリー中には実質的に存在していない。更に、第1の還元剤によるニッケルイオン等の還元はほとんど生じておらず、イオンの状態で水性スラリー中に存在している。尤も、一部のニッケルイオン等が第1の還元剤によって還元されることがあり、その場合には、亜酸化銅粒子の還元によって生成した前駆体粒子中に、ニッケル等が銅との合金を形成して少量含有された状態になっている。この状態の前駆体粒子におけるニッケル等の分布は該粒子の径方向において略均一になっている。前駆体粒子は、目的とする銅粒子における中心域Aにほぼ対応する。第1の還元剤の添加が完了したら、次いで前記の1-2の工程を行う。本工程においては、還元力の異なる2種の還元剤を用いる。これら2種の還元剤としては、先に述べた第1の還元剤と、25°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤とを用いる。本工程で用いる第1の還元剤は、先に述べた1-1の工程で用いた第1の還元剤と同種でもよく、あるいは異種でもよい。第2の還元剤を用いることで、亜酸化銅並びにニッケルイオン及びコバルトイオンを還元させることができる。そのような第2の還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化アルミニウムリチウム、水素化ビスアルミニウムナトリウムなどが挙げられる。これら第2の還元剤は、単独で用いてもよく、あるいは2種以上を組み合わせて用いてもよい。第1の還元剤についても同様である。第1の還元剤と第2の還元剤の添加は、どちらか一方を先行して添加し、他方を後から添加してもよく、あるいは両還元剤を同時に添加してもよい。いずれの場合であっても、第1及び第2の還元剤の添加は一括添加でもよく、あるいは一定時間にわたる逐次添加でもよい。還元のコントロールのしやすさの点からは、逐次添加を行うことが有利である。第1及び第2の還元剤を水性スラリーに添加するに際しては、これらの還元剤が所望の還元力を発現するように、水性スラリー中の温度等を調整することが好ましい。例えば第1の還元剤としてヒドラジンを用い、かつ第2の還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを用いる場合には、水性スラリーを50~80°Cに加熱することが好ましい。第1及び第2の還元剤の添加によって、前駆体粒子の表面に、銅及びニッケル等が析出する。これによって目的とする銅粒子における遷移域B及び表面域Cが形成される。遷移域B及び表面域Cを首尾よく形成するためには、上述した水性スラリーの温度等を調整することが必要であるほかに、第1の還元剤と第2の還元剤との使用比率を適切に調整することも必要である。この観点から、第1の還元剤と第2の還元剤との使用比率質量比を、第1の還元剤:第2の還元剤=500:1~50:1とすることが好ましい。こうすることで、本工程において、亜酸化銅粒子の還元の程度が時間の経過とともに徐々に低下し、それとは対照的にニッケルイオン等の還元の程度が徐々に高まる。その結果、前駆体粒子の表面に遷移域Bが形成され、引き続き表面域Cが形成される。このようにして目的とする銅粒子が得られる。この銅粒子の中心域における銅及びニッケル等の径方向の分布は、第1の還元剤の種類によっては、先に述べた図1に示すとおり、中心域が銅を主要構成元素とし、かつニッケル等が少量含有されたものとなる。もちろん、第1の還元剤の種類によっては、中心域が実質的に銅のみからなるものを得ることもできる。実質的にとは、意図せず不可避的に銅以外の元素が混入することを許容する趣旨である。製造方法2本製造方法においては、2-1亜酸化銅粒子を含む水性スラリーに、25°Cでの標準電極電位が0.34~-0.36E/Vである第1の還元剤を添加し、2-2該水性スラリーにニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物を添加し、次いで、2-325°Cでの標準電極電位が-0.36E/V未満である第2の還元剤を、第1の還元剤ととともに添加する。2-1の工程において用いられる亜酸化銅粒子及び第1の還元剤としては、製造方法1の工程1-1で用いたものと同様のものを用いることができる。水性スラリー中の亜酸化銅粒子の濃度や、水性スラリーの温度も工程1-1と同様とすることができる。また、水性スラリーに添加する第1の還元剤の量は、工程1-1と同様に、該還元剤の添加完了後の水性スラリー中に、未還元の亜酸化銅粒子が残存する量とする。2-1の工程において生成する前駆体粒子は、目的とする銅粒子における中心域にほぼ対応する。この前駆体粒子は、先に述べた製造方法1の1-1の工程で生成する前駆体粒子と異なり、該粒子中にニッケル等を含有することはない。前駆体粒子の生成時においては、反応系内にニッケルイオン等は存在していないからである。第1の還元剤の添加が完了した時点では、亜酸化銅粒子の還元によって生成した前駆体粒子が水性スラリー中に含まれている。また、未還元の亜酸化銅粒子が残存している。第1の還元剤は消費されて、水性スラリー中には実質的に存在していない。この状態下に、2-2の工程を行い、水性スラリー中にニッケル及びコバルトのうちの少なくとも一方の水溶性化合物を添加する。該水溶性化合物としては、製造方法1の工程1-1で用いたものと同様のものを用いることができる。また、水性スラリー中における該水溶性化合物の濃度は、目的とする銅粒子に含まれるニッケル等の割合に応じて、仕込みの亜酸化銅粒子の濃度との関係で決定される。水性スラリー中にニッケル等の水溶性化合物を添加した時点では還元反応はほとんど生じず、該スラリー中には、前駆体粒子、亜酸化銅粒子及びニッケルイオン等が存在している。次いで2-3の工程を行う。本工程では、製造方法1の工程1-2と同様の操作を行う。したがって、本工程の詳細については、製造方法1の工程1-2に関する説明が適宜適用される。製造方法2を採用すると、中心域が実質的に銅のみからなる銅粒子を容易に得ることができる。実質的にとは、意図せず不可避的に銅以外の元素が混入することを許容する趣旨である。製造方法1及び2のいずれを採用した場合であっても、その後に付加的な工程を更に行うことで、先に述べた銀被覆銅粒子を得ることができる。この付加的な工程としては、製造方法1又は2で得られた銅粒子及び銀の水溶性化合物を含む水性スラリーに、銀イオンの還元剤を添加する工程が挙げられる。この工程に用いられる銀の水溶性化合物としては、例えば硝酸銀、酢酸銀、ヨウ化銀、塩化銀、酸化銀、臭化銀、シアン化銀等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、銀イオンの還元剤としては、例えば次亜リン酸、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、アスコルビン酸、ホルムアルデヒド、グルコース、アルコール等、銀の標準電極が0.799V以下の物質の溶液が挙げられる。これらの還元剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。還元剤による銀イオンの還元工程においては、水性スラリーに含まれる銀の水溶性化合物の濃度や、水性スラリーに添加する還元剤の種類及び/又は量を適宜調整することで、銅粒子の表面に析出する銀の析出状態をコントロールすることができる。つまり、銅粒子の表面を連続して被覆する銀の層が形成されるように還元を行うこともでき、あるいは銅粒子の表面を不連続に例えば島状に被覆する銀の層が形成されるように還元を行うこともできる。そのような還元の条件は、当該技術分野における当業者の知識の範囲内であり、特に説明するまでもない。以上、本発明をその好ましい実施形態に基づき説明したが、本発明は前記の実施形態に制限されない。例えば前記の説明は、銅粒子の中心域と表面域との間に遷移域が存在する好ましい実施形態に基づくものであったが、銅粒子の用途によっては、遷移域を形成しなくてもよい。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。実施例1純水0.73リットルに、40.4gの亜酸化銅粒子及び67.1gの硫酸ニッケルを加えて70°Cで混合して水性スラリーを得た。この温度条件下に、42.4gのヒドラジン25°Cにおける標準電極電位:0.11E/Vを30分間にわたり逐次添加した。これによって、亜酸化銅粒子に由来する前駆体粒子が水性スラリー中に生成した。また、水性スラリーには、未還元の亜酸化銅粒子が残存し、かつニッケルイオンが存在していた。次に、水性スラリーの温度を上述の条件に調整した状態で、57.5gのヒドラジンと、0.1gの水素化ホウ素ナトリウム25°Cにおける標準電極電位:-1.241E/Vとを同時に、かつ1分間にわたり逐次添加した。このようにして、目的とする銅粒子を得た。実施例2実施例1において、硫酸ニッケルの使用量を22.3gに減量した。これ以外は実施例1と同様にして銅粒子を得た。比較例1本比較例は銅のみからなる粒子の例である。この粒子は、特開2009-74152号公報の実施例1に準じて製造した。まず純水6.5Lに硫酸銅6000gを投入して撹拌し、その後、液温を50°Cに保持しつつ、硫酸銅水溶液の液量が9リットルとなるように、更に水を添加して、濃度を調整した。当該硫酸銅水溶液に、アンモニア水溶液濃度25質量2537ミリリットルを30分で添加して中和し、銅塩化合物スラリーを得た。そして、銅塩化合物スラリーを30分静置して熟成させた。ここまでは銅塩化合物スラリーの液温を50°Cに保持したが、熟成後は液温を45°Cに調整した。次に、銅塩化合物スラリーの銅濃度が2.0mol/リットルとなるように水を添加して液量を調整した。この銅塩化合物スラリーをpH6.3、液温50°Cの条件に保ち、ここに、ヒドラジン1水和物450gとpH調整剤としてのアンモニア水溶液濃度25質量591mリットルとを30分間かけて連続添加し、亜酸化銅スラリーとした。そして、還元反応を完全に行うため、更に30分間撹拌を続けた。その後、リパルプ洗浄のため、亜酸化銅スラリーに純水を加えて18リットルに液量調整した後、静置して亜酸化銅粒子を沈殿させ、静置後の上澄液を14リットル抜く操作を、pHが4.7になるまで繰り返した。そして、温めた純水8リットルを加えて全液量を12リットルにし、液温を45°Cに維持して、銅濃度を2.0mol/リットルに調整し、これを洗浄亜酸化銅スラリーとした。銅濃度調整後の洗浄亜酸化銅スラリーに、次亜リン酸アンモニウム3.02gを添加し、5分間撹拌した。再び、洗浄亜酸化銅スラリーの銅濃度が2.0mol/リットルとなるように水を添加して液量を調整した。この洗浄亜酸化銅スラリーに、ヒドラジン一水和物1200gを30分間で添加した。次に、更に15分間撹拌を行い、還元反応を完全に行わせ銅粉を還元析出させた。析出した銅粒子を濾過して採取した。そして、洗浄後、当該銅粉に、オクタデシルアミン1.5gを溶解させたメタノール溶液5リットルに入れ有機表面処理を施し、濾別分離後、70°C、5時間の加熱乾燥を行い、更に解砕処理を施して銅粒子を得た。比較例2本比較例は、銅のみからなる粒子の表面に二酸化ケイ素からなる微粒子を付着させてなる粒子の例である。この粒子は、特許文献1特開2004-84069号公報の0037~0040に準じて製造した。具体的には銅粒子1kgと酸化ケイ素粒子0.05kgとを、ハイブリタイザーを用いて、回転数6000rpmで、5分間のメカノケミカルな固着処理を行い、酸化ケイ素コート銅粒子を製造した。評価実施例及び比較例で得られた粒子について、その一次粒子径、及び粒子中に占めるニッケルの割合を、上述の方法で測定した。また、粒子断面における径方向での銅及びニッケルの元素マッピングから中心域の直径並びに遷移域及び表面域の厚みを測定した。更に、熱重量測定TGによって粒子の耐酸化性を以下の手順で評価した。また、粒子の導電性を以下の手順で測定した。それらの結果を以下の表1に示す。また、実施例1の粒子について、粒子断面における径方向での銅及びニッケルの分布状態を元素マッピングによって測定した。その結果を図2に示す。更に銅及びニッケルの量の分析を行った。その結果を図3に示す。粒子の断面作製にはFIB株式会社日立製作所製のFB-2100Aを用いた。また銅及びニッケルのマッピング並びに銅及びニッケルの量の分析には、SEMCarlZeiss製のSUPRA55VP、EDXEDAX製のPegasusSystemを用いた。TGによる耐酸化性の評価熱重量測定装置セイコーインスツルメンツ株式会社製のTG/DTA6300を用いた。試料の質量を13mgとし、大気雰囲気中、昇温速度10°C/minで試料を加熱し、質量変化を測定した。質量が1増加した時点での温度を求め、耐酸化性の指標とした。この温度が高いほど耐酸化性が良好であることを意味する。粒子の導電性の測定粒子の導電性は、圧粉抵抗測定による体積抵抗率で評価した。測定装置として三菱化学製のロレスタGPMCP-T600を用い、4端子4探針法に従い測定した。測定時の圧力負荷は1000kgf/cm2とした。図2及び図3に示すように、実施例1の銅粒子は、中心域の主要構成元素が銅であり、ニッケルが少量含まれていることが判る。また、中心域の外側に、ニッケルの割合が漸増するとともに銅の割合が漸減する遷移域が存在し、その外側に銅の割合よりもニッケル又はコバルトの割合の方が高くなっている表面域が存在することが判る。なお図には示していないが、実施例2の銅粒子も、実施例1の銅粒子と同様の元素分布を有していた。また表1に示す結果から明らかなように、各実施例の銅粒子は、各比較例の粒子に比べて耐酸化性が高いことが判る。また、各実施例の銅粒子は、銅のみからなる比較例1の粒子に近い実用的な導電性を有することが判る。