電解質分離壁であり、前記壁は、活性層を含み、前記活性層が、前記壁及び前記活性層の支持体として作用する多孔性材料から作られる支持層を通って、カチオンが選択的に移動するように、インターカレーション及び脱インターカレーションを起こす材料からなる、壁。請求項1に記載の壁であり、前記多孔性材料が、ムライト、シリカ、ガラスファイバ、石英又はセラミックから選択される、壁。請求項1に記載の壁であり、前記多孔性材料の多孔度が、0.4と0.6の間である、壁。請求項1に記載の壁であり、前記活性層の材料が、二元系又は三元系材料であり、ホストネットワークとして作用し、酸化還元反応によるカチオンを可逆的に包含する性質を持つ、壁請求項4に記載の壁であり、前記活性層の材料が、金属カルコゲニドである、壁。請求項5に記載の壁であり、前記金属カルコゲニドが、モリブデンクラスタを含むカルコゲニドMonXn2又はMxMonXn2である、壁。請求項4に記載の壁であり、前記活性層の材料が、リチウム、及び金属の酸化物、ホスフェート又はフッ化物型又はこれらの型の組合せとの化合物である、壁。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の壁の製造方法であり、粉末状の活性材料、バインダー及び溶媒を含む溶液を調製し、前記多孔性材料の支持層の表面を前記溶液でコーティングし、及び前記溶媒を蒸発させて、前記支持層上に密閉活性層を形成する、方法。請求項8に記載の方法であり、前記バインダーがポリビニリデンフロリドである、方法。請求項8に記載の方法であり、前記溶媒が、1-メチル-2-ピロリドンである、方法。請求項8に記載の方法であり、前記粉末状材料が、溶媒を除いて、80重量の比率で存在する、方法。請求項8に記載の方法であり、前記粉末状材料が、顆粒サイズが30と100μmの間である、方法。請求項8に記載の方法であり、前記溶液が、さらに粉末状グラファイトを含む、方法。請求項8に記載の方法であり、前記活性層が、前記支持体が前記活性層を通じて見えるまで研磨される、方法。電気化学的移動によるカチオンの選択的抽出方法であり、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の移動壁が電解質分離壁として使用され、前記カチオンの移動を、一方で前記第1の電解質と、他方で前記第2の電解質又は前記移動壁との間の電位差を生成させて、前記第1の電解質の側で前記移動壁内で前記カチオンのインターカレーションを起こし、前記第2の電解質で前記壁内で前記カチオンを脱インターカレーションさせて散乱させることで、保証する、方法。請求項15に記載の方法であり、前記電解質の少なくとも1つが、非水性である、方法。請求項15に記載の方法であり、前記移動壁が、電気的に、前記壁と、それぞれの電解質中に設けられる参照電極との間の電位を測定する装置に接続され、かつ前記電解質に供される電位を適合化する、方法。請求項15に記載の方法であり、前記電位差が、前記第1の電解質と前記移動壁との間で生成され、かつ前記第2の電解質側で前記カチオンの前記脱インターカレーションが、前記第2の電解質内の化学的酸化剤による脱インターカレーションである、方法。請求項1に記載の方法であり、連続的カチオン移動が、端部電解質の間に設けられる移動壁、及び前記種々の壁の間に1以上の中間電解質を連続的に設けることで、保証される、方法。本発明の課題は、従って、選択的移動壁を提供するものであり、これは優れた移動速度と通過可能なカチオンのより広い範囲を可能とするものである。前記課題を鑑みて、本発明は、電解質分離壁に関し、これは前記壁を通じてカチオンの選択的移動のためにインターカレーション及び脱インターカレーションを起こすことができる材料から作られる密閉活性層を含み、これは前記活性層を支持するための多孔性材料からなる支持層を含むことを特徴とする。本発明者は、機械的強度及び非常に薄くできる厚さを持つ活性層を与える多孔性支持体を持つ壁を製造することに成功した。前記多孔性支持体は、前記活性層のレベルで生じる電気化学的反応を邪魔しないことが観察された。前記活性層の厚さを低減することで、本発明の目標の一つである従来技術による前記速度限界を大きく超える移動速度が達成された。前記多孔性材料は、例えばムライト、シリカ、ガラスファイバ、石英又はセラミクスから選択される。これらの材料は、前記壁の役割を満たすために必要な品質、即ち機械的強度、前記電解質内に含まれる物質に対する耐性を提供する。前記多孔性材料の多孔度は、例えば0.4と0.6の間である。この値は、占められる容積との関係で前記材料の比率で表される。前記多孔性支持体中に存在する電解質の容量と、前記支持体の機械強度との間には好ましいトレードオフが存在する。特に、前記活性層の材料は、二元系又は三元系の材料であり、酸化還元反応によるカチオンの可逆的包含性を持つホストネットワークとして作用するものである。本発明者は、シェブレル相は、インターカレーション/脱インターカレーション反応を起こして選択的移動壁を形成する材料であるのみならず、より一般的に酸化還元反応が起こる場合でも安定である、ということを見出した。前記活性層の材料は、例えば金属カルコゲニドである。特に、前記金属カルコゲニドは、モリブデンクラスタを含むカルコゲニドMonXn2又はMxMonXn2であり、ここでXはS硫黄、Seセレン及びTeテルルから選択されるカルコゲニドであり、Mは金属である。数nは例えば、1、1.5、2、3、4、5、6及び9から選択される。他の組成物によると、前記活性層の材料は、リチウム、及び金属の酸化物型、ホスフェート又はフッ化物型又はこれらの型の組合せとの化合物であり、前記金属は、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、バナジウム、チタン及びクロムから選択される。これらの材料は、インターカレーション及び脱インターカレーション反応を起こし、カチオンを選択的に移動することができることが分かる。移動壁の製造方法によれば、粉末状の活性材料、バインダー及び溶媒を含む溶液を調製し、多孔性材料から作られる支持層の表面に前記溶液をコーティングし、その後前記溶媒を蒸発させて、前記支持体上に密閉活性層を形成する。得られる活性層は密閉されており、前記壁が分離する電解質が混合されないことを保証する。又当初の粉末処方にも拘わらず、前記活性層は導電性であり、このことは前記顆粒がお互いに接触して、前記活性層の全表面上で酸化還元反応が起こることを可能にする。得られた層は、当初の目的に非常によく一致する。前記バインダーは例えばポリビニリデンフロリドである。前記溶媒は、例えば1-メチル-2-ピロリドンである。前記粉末状の材料が、溶媒を除いて、80重量の率で存在する場合、結果は満足するものである。粉末状材料は、例えば顆粒サイズ30と100μmの間である。より好ましくは、前記溶液はさらに粉末状のグラファイトを含む。これにより、前記活性層の導電性がより確実になる。より好ましくは、前記活性層は、前記支持層が前記活性層を通して見えるまで研磨されることである。これにより前記活性層の厚さが低減される。この低減にも拘わらず、前記密閉性は維持され、壁の収率には影響しない。電流密度の限界値の増加が見られる。本発明の課題はまた、電気化学的移動によるカチオンの選択的抽出方法であり、これは前記記載の移動壁が電解質分離壁として使用され、前記カチオンの移動を、一方で前記第1の電解質と、他方で前記第2の電解質又は前記移動壁との間の電位差を生成させて、前記第1の電解質の側で前記移動壁内で前記カチオンのインターカレーションを起こし、前記第2の電解質で前記壁内で前記カチオンを脱インターカレーションさせて散乱させることで、保証することを特徴とする方法である。その他の特徴は次に通りである:-少なくとの1つの電解質は非水溶性である。前記電解質は、前記区画で異なっていてよく、特に塩の性質、酸性度レベル、錯化剤の存在、溶媒の性質、特に例えばDMSO、DMF、イオン性液体、固体電解質などの鉱物性又は有機非水溶媒などである。-前記移動壁が、電気的に、前記壁と、それぞれの電解質中に設けられる参照電極との間の電位を測定する装置に接続され、かつ前記電解質に供される電位を適合化される。-前記電位差が、前記第1の電解質と前記移動壁との間で生成され、かつ前記第2の電解質側で前記カチオンの前記脱インターカレーションが、前記第2の電解質内の化学的酸化剤による脱インターカレーションである。-連続的カチオン移動が、端部電解質の間に設けられる移動壁、及び前記種々の壁の間の1以上の中間電解質を連続的に設けることで、保証される。-前記移動する金属が、前記カソード上に電気めっきされている。-異なる性質の少なくとも2つの移動壁が前記第1の区画と、対応して平行に配置される区画から分離し、それにより、前記移動壁のそれぞれに特有の変更されたインターカレーション電気分解により異なるカチオンを選択的に移動させる。分離区画への移動は、それぞれの金属の特定の同時回収を可能にし、例えばリチウム及びコバルトイオンを含む原料溶液についてはコバルトの移動のためのMo6S8から作られる活性層を、及びリチウムの選択的移動のためのLiMn2O4から作られる活性層を使用する。本発明の他の構成及び利点について、以下の記載を、添付された図面を参照しつつ読むことでより明瞭なものとなるであろう。本発明によるディスク形状の移動壁2は、微細活性層22が堆積された多孔性支持体21から形成される。密閉ディスクの製造は、第1段階で、前記多孔性支持体21を製造し、第2段階で前記支持体21へ前記活性層22を適用することで実施される。多孔性支持体の製造前記多孔性支持体21は、ムライト、石英又はセラミックの形で市販され利用可能である。一例として、ひとつの実施態様が以下説明され、これは電気化学における分離膜としての応用のために調節可能な多孔性を開発するカオリン及びアルミナ系セラミック膜の製造についての次のGarcia-Gabaldonらの文献により与えられる手順から援用される:電気化学反応装置で分離膜として使用される異なるセラミック膜の有効電気伝導性に対する多孔度の効果、JournalofMembranesSciences2802006536-544。前記手順は次の通りである:第1に、以下の材料からなる混合物を5g準備する。-2.52gのカオリン水和珪酸アルミニウムAl2Si2O5OH4-3.80gのアルミナAl2O3-1gの既成馬鈴薯澱粉前記粉末混合物を磁器乳鉢中で均一にし、その後最小量のアセトンを用いて凝集物の形成を防止する。この混合物を、空気中で14時間乾燥させる。得られた粉末をその後手動で前記磁器乳鉢中で10分間再粉砕し、その約1gを取り、25mm直径のダイ中で、圧力2トンで5分間圧縮してディスクに成形する。圧縮されたディスクは1mmの厚となる。このサンプルを、続く2つの加熱処理操作に供する。第1の加熱処理操作は300°Cであり、空気中で馬鈴薯澱粉を酸化させる。この有機バインダは、1時間で除去され、これにより多孔性を形成する。さらなる加熱処理は1100°Cで8~24時間行い、十分機械的強度を保証する。この熱処理後、2つのディスクは、直径24mm及び厚さ1mmとして得られる。表面積は4.5cm2である。X線回折分析が前記多孔性ディスクで行われた図2。記録されたスペクトルは、不純物がないこと、及びアルミナ相及びムライト相の形成を示す。前記ディスクの多孔度は、pH紙及び硝酸HNO3を用いて、図3で示される次の方法で試験される:pH紙の色の変化が前記ディスクの適切な多孔度を確認した。前記多孔度試験は、最初の馬鈴薯澱粉含有量が10の場合に多孔度0.553、及び最初の馬鈴薯澱粉含有量が5の場合に多孔度0.501を与える。活性層の製造前記ディスクの製造の第2段階は、前記多孔性支持体21の表面を物理的にコーティングすることを含む。以下に示される例では、前記コーティングは、式Mo6X8Xはカルコゲニドのシェブレル相の揮発性溶媒中の懸濁物で実施される。前記作用電極は、前記活性物を含む粉末化合物Mo6S8又はMo6Se8から製造される。ポリビニリデンフロリドPVDFの添加は、バインダの役割をする。前記Mo6Se8相は次のセラミック合成法により実施することで得られる:Mo02MoSe2混合物を均一混合し、250MPaで円筒状に冷間圧縮して、これをアーク加熱炉でモリブデンルツボ内に密閉し、部分的にアルゴン圧力下で、その後50時間1300°Cに加熱する。同じく粉砕し50μmスクリーニング処理もこの化合物に適用される。合成粉末の純度は、回折計で得られるX線回折図により調べられる。前記硫黄系シェブレル相の合成は、例えばCu3Mo6S8などの中間金属を含む三元相の方法でも実施される。この三元系化合物の合成は、Cu、MoS2及びMoのミクロサイズ粉末を密閉シリカチューブに入れて真空中で1000°Cで50時間保持して実施される。前記最初の混合物は、ボールミル粉砕機で30分均一化されたCu、MoS2及びMoのミクロサイズ粉末からなり、これは250MPaの圧力で冷間圧縮される。前記モリブデン粉末は、水素流下で1000°Cで3時間脱酸化され、前記MoS2粉末は、密閉シリカ管中で、前記元素の化学両論的混合物を800°Cまで徐々に加熱することで製造される。使用される前記粉末化された生成物の顆粒サイズは、30から100マイクロメートルの範囲である。前記Mo6Se8相は次のセラミック合成法により実施することで得られる:Mo2MoSe2混合物を均一混合し、250MPaで円筒状に冷間圧縮して、これをアーク加熱炉でモリブデンルツボ内に密閉し、部分的にアルゴン圧力下で、その後50時間1300°Cに加熱する。合成粉末の純度は、回折計で得られるX線回折図により調べられる。前記活性層の多孔性支持体へのコーティングによる適用シェブレル相マトリクスの場合1-メチル-2-ピロリドン以下、NMPとする中の95シェブレル相と5のPVDFの粉末の懸濁物を、0.1gの固体Mo6X8相と、0.005gのPVDFを1mlのNMPを用いて形成する。前記全体を2時間撹拌する。パスツールピペットを用いて、Mo6X8-PVDF懸濁物の数滴を前記多孔性支持体ディスク上に、できるだけ均一に表面を完全にカバーするように置く。その後全体を加熱炉内に1時間入れてNMPを溶媒を除去する。この条件下で、Mo6S8又はMo6Se8から得られる膜は前記ディスク表面に接着し、その厚さは約80μmである。また、図4による密閉性試験は、pH紙が色変化を起こさないということから前記多孔性ディスクの孔の適切な閉鎖が確認される。電気伝導度試験は、これらの顆粒間の優れた電気接触を示す。スピンコーティング原理を用いるコーティング技術もまた使用された。それらは、同様の構成のコーティングをする。Mo6S8二元系相の合成のために、前記コーティングが適用されたアルミニウムカルボキシラートとに電気化学的手段により銅の化学的脱インターカレーションがなされる。LixMyOz型酸化物マトリクスの場合他の例によると、前記壁は、一般式LixMyOzここでy及びzは整数で表される活性材料、例えば、限定されるものではないがLixCoO2、LiMn2O4、LiV3O8、LiNiO2又はLiMnO2などの活性材料で製造される。前記活性材料はまた、金属Mの混合物を含み得る。製造原理は、なお、LixMyOz懸濁物による前記多孔性支持体のコーティングである。前記コーティング溶液は、80重量の前記活性材料、10のPVDFバインダの役割、及び10の炭素導電性を保証するを含む粉末混合物から製造される。前記混合物は乳鉢で完全に均一化される。懸濁物は、1-メチル-2-ピロリドン中で製造され、これは0.2gの前記粉末と1mlのNMPを混合して2時間撹拌して製造される。パスツールピペットを用いて、前記LixMyOzNMP-PVDF溶液の数滴を、前記多孔性支持体ディスクの表面に置いて、できるだけ全表面を均一にカバーするようにする。この操作はまた、スピンコーティング技術を用いて実施され得る。その後全体を加熱炉内に1時間入れてNMPを除去する。これらの条件下で、得られる酸化物膜は、前記ディスク表面に接着し、その厚さは約80μmである。また、密閉性試験は、前記多孔性ディスクの孔の適切な閉鎖を確認する。電気伝導度試験が、前記膜の優れた電気的挙動を示す。マトリクスがどの型であっても、界面電位に従うために、前記ディスク周りにグラファイトラッカー23を用いて電気的接触を配置する必要がある。前記ディスクの輪郭は、前記活性層22の表面上に重なる前記ラッカーで埋め込まれる。選択的移動プロセス図5では、本発明の移動壁を用いる選択的移動プロセスを実施するための装置を示す。前記装置は、タンク1を含み、これは2つの区画11及び12を含み、これらは電解質を収容するように適合され、分離壁13で分離され、前記分離壁はディスク2からなる移動壁2を設け、これは前記壁13内に密閉される。前記装置はまた、アノードA1を前記第1の区画11内に配置し、かつカソードC2を前記第2の区画12内に配置する。電位差ΔEは、前記アノードA1とカソードC2の間に自体知られる方法で適用され、前記電解質E1及びE2の間に電流iを流してチェックする。前記活性層22は前記第1の区画11の側に置かれるが、それが前記第2の区画12の側に置かれる場合でも前記システムは操作される。図5に示されるように、バネ構成可動接触システム44は、グラファイトラッカーによりカバーされた前記ディスク2の輪郭と電気接触することを保証し、制御装置へ接続される前記ディスクが、前記タンク1のそれぞれの区画11、12にそれぞれ設けられる参照電極33、34に対して前記ディスクの界面電位Ei1とEi2を測定し得るように適合される。通常、前記装置は次にように使用される:前記区画11と12が必要な電解質、例えば限定されるものではないが、第1の区画11に第1の電解質E1として100mlの0.5MのNa2SO4MiSO4を、かつ第2の区画12に第2の電解質E2として、100mlの0.5MのNa2SO4が充填され、ここでMiは分離される1以上の金属カチオンである。前記アノードA1は、前記第1の区画11に設けられ、前記カソードC2は前記第2の区画12に設けられ、前記ディスクの接触44が前記電位制御手段と接続され、これは前記電解質E1及びE2に浸漬される前記参照電極33、34と接続される。従って前記界面電位がチェックされ、前記界面電位は、前記アノードA1と前記カソードC2との間の全電位ΔEを適合させて、前記移動壁2の操作表面積又は平行に設けられる前記移動壁の全ての操作表面積に関連して電流密度、例えば2と200A/cm2の間を得るように調整され得る。全内包性的状態globalintensiostaticstateがアノードA1及びカソードC2間で確立される。ここで前記活性層22の材料のホストネットワークをRHとする。前記2区画の全電気化学操作では、前記電解質E1は、異なる金属及び同一か異なる荷電の金属イオン、例えばMn、M’n、M’’n’の混合物を含む処理されるべき当初の溶液であり、前記電解質E2は、金属Mの調整溶液であり、以下のように進行する:-活性層22と電解質E1との境界で、カチオンMnのインターカレーションが次のように起こり:RHxMnxne-=>MxRH-活性層22と電解質E2例えばMnの調整溶液との境界でこの同じカチオンの脱インターカレーションが次のように起こる。MxRH=>RHxne-xMn前記ホストネットワークの金属イオンの移動性は、従ってひとつの媒体から溶解されたカチオンMnを他の媒体へ、他の化学種を一つの区画から他の区画へ移動させることなく、移動させることが可能となる。また一般的に留意すべきことは、アノードA1とカソードC2を含む2つの区画11、12に設けられる電解質は異なるものであり、これは特に前記塩、酸性度レベル、錯化剤の存在、溶媒の性質、特に有機又は鉱物性非水溶性溶媒の性質DMSO、DMF、イオン性液体、固体電解質などにより異なる、ということである。従って、例えば、硫酸塩媒体から塩化物媒体へ前記媒体を散乱させることなくイオン移動させることが可能となる。図6の変形例で、前記タンクは3つの区画を含む。前記2つの端部区画11’、12’は図1に示される例の区画11及び12と等価である。ひとつの追加の区画15は、電解質E3を含み、前記2つの区画11’及び12’の間に設けられ、これらと分離壁13’及び13’’で分離され、それぞれは本発明の1以上の移動壁2’、2’’を含む。これらの移動壁2’、2’’は、前記区画11’から区画12’への移動の選択制を簡単に増加させ得るように同じ性質でもよい。これらはまた、異なる性質でもよく、前記種々の区画間に供される電位を特定の値にすることで、例えば異なるカチオンを分離するように調節され得る。例えば、2つのタイプのカチオンは、区画11’から区画15へ移動され、かつ区画15から区画12’へのみ移動され得る。従って、ディスク及び移動パラメータの種々の組合せが、前記種々の分離及び処理を行うために用いられ得る。図6の変更例の場合において、中間的電解質又は電解質E3はまた、前記2つの電解質E1又はE2と同じで、異なっていてもよい。他の変更例は図7に示され、前記タンクは3つの区画を含む。中心の区画11’’は、図2で示される例の第1の区画11と等価である。前記LH区画12’’は、図2で示される例の前記第2の区画12と等価である。電解質E3を含む追加の区画16は、前記第1の区画の右に設けられた本発明の1以上の移動壁2’’’を含む分離壁13’’’で分離される。これらの移動壁2’’’は前記分離壁13、13’’’による性質とは異なり、それぞれの区画について特定のカチオンを選択的に移動させる。例えば、前記第1の電解質E1は、コバルト及びリチウムイオンを含む原料溶液である。前記第1の移動壁2は、前記第1及び第2の区画11’’、12’’の間にあり、コバルトの選択的移動のためにMo6S8から形成される活性材料を含み、一方前記第2の移動壁2’’’は、前記第1及び第3の区画11’’、16との間にあり、リチウムを選択的に同時に移動させるためにLiMn2O4からなる活性材料を含む。前記第1の区画11’’は、前記アノードA1’’を含み、それにより前記第2の区画内で前記アノードA1’’とカソードC2’’との間に移動電流及び前記アノードA1’’と前記第3の区画内16のカソードC3との間に他の移動電流が形成される。例1図5に示される設定で上で説明したように、シェブレル相系活性層22でカバーされる多孔性ディスク21が移動壁2として使用される。前記第1の電解質E10.1MのNa2SO4、0.1MのH2SO4媒体中の0.1MのM2カチオン溶液を含む前記第1の区画11と、0.1MのNa2SO4と0.1MのH2SO4を含む第2の調整電解質E2を含む前記第2の区画12が、Mo6S8及びMo6Se8系のそれぞれ2つの異なるディスク、及び異なる電流密度について研究された。この研究の目的は、異なるカチオンMnについて、移動のファラデー収率を測定し、多孔性Mo6S8及びMo6Se8ディスクの限界条件を決定し、及び電流密度限界を推定することである。前記移動プロセスは、Mx/2Mo6X8の化学量論で堆積させたMo6X8材料から推定された挿入されたカチオンの量での予備的条件化に基づく。表1及び2は、活性材料のMo6S8とMo6Se8のそれぞれについて得られた結果を示す。これから分かることは、前記ファラデー収率は90を超えることが興味深く、かつ電流密度は従来技術約16/m2に比較して超えていることが興味深い。硫黄相については、定量的移動が、低電流密度3.2A/m2で2.10-2モル/時間/m2の速度、及び高電流密度70A/m2で3モル/時間/m2が達成される。後者の値は、80μmと推定されるMo6S8ジャンクション厚さについて限界速度であるように考えられる。活性材料Mo6Se8のディスクに関しては、カチオンCd2、Zn2、Mn2、Cu2及びIn3についてのみこれらのセレン相の移動速度は、硫黄相と同程度であり、3.2A/m2で5.10-2モル/時間/m2、70A/m2で4モル/時間/m2である。表3及び4は、それぞれの元素について70A/m2の電流密度での移動速度を示す。選択性カチオン選択的移動プロセスでは、前記第1の電解質E1は、前記壁を通じて移動する一つのタイプのみのカチオンの混合物を含む。前記選択性は、前記電解操作の際に、前記活性層22の2つの表面に供給される電圧が、一種のみのカチオンのインターカレーション及び脱インターカレーションを起こすという事実により起こる。他のカチオンを移動するためには、より高い電位が供給される必要があり、それは前記プロセスの目的ではない。移動されるカチオンのタイプは、最小のインターカレーション電位と最大の脱インターカレーション電位を持ち、これらは、飽和カロメル電極SCEにより与えられる参照電位に関して表現される。移動実験は、Co/Ni、Cd/Zn、Cd/Ni、Zn/Mn、Cd/Co、Co/Fe、Ni/Fe及びCd/Co/Niなどの合成混合物について実施された。次の例では、2つの等モルカチオン混合物0.1Mから実施され、移動選択性は、カチオンMnの移動選択性率で表現され、これは、考慮される種についての移動したカチオンMtnの量と、区画2内の全ての種の移動したカチオンMitnの総和との比Mtn/ΣMitnで表され、例えばCo2Ni2混合物では、Cot/CotNitとなる。この比は従って、選択性が上がると100に近づき、非選択性では50の値となる。表5及び6は、異なる電流密度で種々の混合物について得られた選択性率を示す。異なる電流密度について得られた値は、1から7時間の電解の際に一時間毎に得られた選択性率の平均値に対応する。これから分かることは、前記選択性率は電流密度に依存するということである。前記選択性は、高い電流密度で高くなり、従って高い移動速度を誘導する。前記壁の活性層22の性質はカチオン選択性移動に重要な役割を果たす。Ni2の存在下でCd2又はZn2の移動選択性は、セレンマトリクスを用いると実に99まで改善される。同じ観察結果が、Cd/Co混合物においてCd2の場合についても見られる。前記選択性は、前記活性層22の厚さが小さいことによっては影響されない。例2この例では、活性層22は材料LiCoO2から厚さ約80μmで作られる。かかる材料は、例えばリチウムイオン電池の陽極で使用される。第1の電解質は、1MのNa2SO4媒体中のLiの1M水溶液である。調整溶液として作用する第2の電解質はNa2SO4の1M水溶液である。結果を表7に示す。例3この例は例2に類似するが、調整溶液として作用する第2の電解質がプロピレンカーボネート溶媒及び過塩素酸テトラブチルアンモニウムである点で異なっている。前記アノードは白金コーティングチタンから、カソードはステンレススチールから作られている。結果を表8に示す。例4上で説明した手順による多孔性支持体上にMo6S8-PVD堆積による製造した膜から、過剰の材料を手動で、顆粒サイズ2400のSiCディスクで数秒間摩耗させて、多孔性支持体の色が現れるまで研磨して除去した。従って移動材料の部分は孔の中の部分を残して除去された。この操作は前の例と同じ方法で行われ試験され、約80A/m2の電流密度で、前の例よりも、ファラデー収率を損なうことなく明らかにより有効な移動性能を示す。例5:混合Li2SO4及びCoSO4電解質からLiの移動この例では、活性層は、材料LiMn2O4から厚さ約80μmで作られる。第1の電解質は、カチオンLi1M及びCo20.5Mを硫酸塩媒体中に含む水溶液である。調整溶液として作用する第2の電解質は、濃度1MのNa2SO4溶液である。結果を表9に示す。