QFN用金属積層板を用いたQFNの製造方法であって、上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせて、銅箔/ニッケル/支持体の3層からなるQFN用金属積層板を準備する工程、前記QFN用金属積層板を用いて、銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、前記銅箔をエッチングする工程、前記ニッケル層をエッチングする工程、レジストを除去して配線を形成する工程、配線用銅箔の表面にIC基板を積層する工程、IC基板とIC基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、IC基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、支持体をエッチングする工程、支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有することを特徴とするQFNの製造方法。QFN用金属積層板を用いたQFNの製造方法であって、上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせて、銅箔/ニッケル/支持体の3層からなるQFN用金属積層板を準備する工程、前記QFN用金属積層板を用いて、銅箔上に金メッキ層、または、ニッケルめっき下層/金メッキ上層の2層からなる配線パターンを形成する工程、前記銅箔をエッチングする工程、前記ニッケル層をエッチングする工程、前記配線パターンの表面にIC基板を積層する工程、IC基板とIC基板を積層していない前記配線パターンとを結線する工程、IC基板、結線、及び前記配線パターンを有機樹脂で埋める工程、支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、支持体をエッチングする工程、支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有することを特徴とするQFNの製造方法。前記QFN用金属積層板を準備する工程において、前記上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせる前に、それぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせることを特徴とする請求項1又は2に記載のQFNの製造方法。前記ニッケル層がニッケルめっき層またはニッケル箔からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のQFNの製造方法。前記銅箔あるいは支持体へのニッケル層の形成は、銅箔あるいは支持体とニッケル箔のそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に重ね合わせて、冷間圧延による方法で前記銅箔あるいは支持体に積層することを特徴とする請求項4に記載のQFNの製造方法。前記銅箔の厚みが8~100μmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のQFNの製造方法。前記ニッケルめっき層が0.1~10μmであることを特徴とする請求項4に記載のQFNの製造方法。前記ニッケル箔が5~20μmであることを特徴とする請求項4又は5に記載のQFNの製造方法。前記支持体が銅からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のQFNの製造方法。前記支持体が30~150μmであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のQFNの製造方法。前記活性化処理が、10~1×10-3Paの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Aとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に1~50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Aと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のQFNの製造方法。本発明は、より薄型化、小型化、高集積度化に対応でき、且つ生産性に優れたQFNQuadFlatNoleadPackageを得ることができるQFN用金属積層板を用いたQFNの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する請求項1に係る本発明のQFNの製造方法は、QFN用金属積層板を用いたQFNの製造方法であって、上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせて、銅箔/ニッケル/支持体の3層からなるQFN用金属積層板を準備する工程、前記QFN用金属積層板を用いて、銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、前記銅箔をエッチングする工程、前記ニッケル層をエッチングする工程、レジストを除去して配線を形成する工程、配線用銅箔の表面にIC基板を積層する工程、IC基板とIC基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、IC基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、支持体をエッチングする工程、支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有することを特徴とするものである。請求項2の発明は、QFN用金属積層板を用いたQFNの製造方法であって、上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせて、銅箔/ニッケル/支持体の3層からなるQFN用金属積層板を準備する工程、前記QFN用金属積層板を用いて、銅箔上に金メッキ層、または、ニッケルめっき下層/金メッキ上層の2層からなる配線パターンを形成する工程、前記銅箔をエッチングする工程、前記ニッケル層をエッチングする工程、前記配線パターンの表面にIC基板を積層する工程、IC基板とIC基板を積層していない前記配線パターンとを結線する工程、IC基板、結線、及び前記配線パターンを有機樹脂で埋める工程、支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、支持体をエッチングする工程、支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有することを特徴とするものである。請求項3の発明は、請求項1又は2のQFNの製造方法において、前記QFN用金属積層板を準備する工程において、前記上層としてニッケル層を形成した銅箔と支持体、あるいは、銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを重ね合わせる前に、それぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせることにより製造することを特徴とするものである。請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項のQFNの製造方法において、前記ニッケル層がニッケルめっき層またはニッケル箔からなることを特徴とするものである。また、請求項5の発明は、請求項4に記載のQFNの製造方法において、前記銅箔あるいは支持体へのニッケル層の形成は、銅箔あるいは支持体とニッケル箔のそれぞれの対向する接合面を活性化処理した後に重ね合わせて、冷間圧延による方法で前記銅箔あるいは支持体に積層すること特徴とするものである。さらに、請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のQFNの製造方法において、前記銅箔の厚みは8~100μmであることを特徴とするものである。請求項7の発明は、請求項4に記載のQFNの製造方法において、前記ニッケルめっき層が0.1~10μmであることを特徴とするものである。請求項8の発明は、請求項4又は5に記載のQFNの製造方法において、前記ニッケル箔が5~20μmであることを特徴とする。また、請求項9の発明は、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のQFNの製造方法において、前記支持体が銅からなることを特徴とする。請求項10の発明は、請求項1乃至9のいずれかに記載のQFNの製造方法において、前記支持体が30~150μmであることを特徴とする。さらに、請求項11の発明は、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のQFNの製造方法において、前記活性化処理が、10~1×10-3Paの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Aとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に1~50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Aと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とする。本発明のQFNの製造方法により重ね合わされるQFN用金属積層板は、エッチングによる配線パターンを形成する前に、予め配線形成用材料銅箔が支持体に積層されているので、配線形成用材料は強度があり、8~100μm望ましくは18~50μmの極薄化が可能である。また、エッチングによる配線形成後に、支持体を積層する工程が不要となり、支持体をバンプとして使用できる。また、配線形成用材料は配線としても使用できる。また、本発明のQFNの製造方法によれば、QFN用金属積層板は低圧下率での冷間圧延により積層されるので、積層した後も素材の機械特性がほとんど変化しないため、QFN用金属積層板の設計が容易である。また、ニッケル層が形成された銅箔と支持体、又は銅箔とニッケル層が形成された支持体は、重ね合わせる前に、それぞれの接合面を活性化処理するので、ニッケル層と支持体の接合界面には、これらの酸化物がなく、後のエッチング工程で形成した配線の抵抗値が安定したものが得られる。また、前記接合面の活性化処理をスパッタエッチング処理により行うことによって、高速処理で良好な活性化処理ができ、その結果積層接合が低温で達成できる。また、本発明のQFNの製造方法によれば、前記銅箔/ニッケル層/支持体の3層からなるQFN用金属積層板を使用するので、配線形成用材料は強度があり、より薄型化、小型化、高集積度のQFNを得ることができ、且つ支持体を積層する工程が不要であり、生産性に優れている。本発明者らは、上記課題を解決するために、鋭利研究した結果、配線形成用材料の薄肉化が可能な次の構成をもつQFN用金属積層板は、QFNの薄型化、小型化、高集積度化に対応できることを見いだした。即ち、本発明のQFNの製造方法により重ね合わされるQFN用金属積層板は、銅箔/ニッケル層/支持体の3層から構成されている。前記ニッケル層は、銅箔または支持体上にめっき法または積層法により設ける。めっき法としては、公知の方法が適用でき、例えば電気めっき法、浸漬めっき法、真空蒸着法などで行う。ニッケル層としては、ニッケル単独あるいはニッケルを主成分とするニッケル合金を用いることができる。ニッケルを主成分とするニッケル合金としては、ニッケル-リン合金、ニッケル-ボロン合金などが適用できる。リンあるいはボロンなどの合金成分は、ニッケル合金めっき中に20質量以下含まれることが望ましい。20質量を超えると、エッチングストップ層としての役割が効果的でなくなる。ニッケル層の厚みとしては、0.1~10μmが望ましく、より望ましくは0.5~2μmである。0.1μm未満では、ニッケル層が均一に被覆しないので、エッチングストップ層としての役割の点で問題が生じる。一方、10μmを超えると、厚すぎてエッチング層としての効果が飽和し、経済的でない。一方、ニッケルの銅箔又は支持体との積層方法としては、ニッケル箔を冷間圧延法、熱間圧延法、冷間圧延後熱処理する方法など公知の方法で、銅箔または支持体上に積層する。特に、ニッケル箔と、銅箔または支持体の接合するそれぞれの表面を、積層する前に、活性化処理をして接合表面の酸化物などを取り除いた後、低圧下率での冷間圧延による活性化接合法により積層する。以下にその活性化接合法をニッケル箔と銅箔を接合する場合について説明する。ニッケル箔と銅箔は、接合前に接合予定面をそれぞれ活性化処理を行う。活性化処理は、真空槽内に装填された銅箔、ニッケル箔をそれぞれアース接地された一方の電極電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極電極Bとの間に、10~1×10-3Paの極低圧不活性ガス雰囲気好ましくはアルゴンガス中で、1~50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極と接触した銅箔、ニッケル箔のそれぞれの面積が、電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理することにより行う。なお不活性ガス圧力が1×10-3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極と接触した銅箔、ニッケル箔のそれぞれの面積を電極Bの面積より小さくする必要があり、1/3以下とすることにより、充分な効率でエッチング可能となり、胴箔とニッケル箔のスパッタエッチングが均一となる。その後これら活性化処理された銅箔、ニッケル箔を積層接合する。積層接合は、銅箔、ニッケル箔のそれぞれ活性化処理された面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニットで冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、銅箔、ニッケル箔ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Tを銅箔、ニッケル箔の温度°Cとするとき、0°C<T≦300°Cで良好な圧接状態が得られる。0°C以下では特別な冷却装置が必要となり、300°Cを超えると組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。また圧延率Rは、0.01≦R≦30であることが好ましい。0.01未満では充分な接合強度が得られず、30を超えると変形が大きくなり加工精度上好ましくない。より好ましくは、0.1≦R≦3である。このように積層接合することにより、所要の層厚みを有するニッケル箔を積層した銅箔を形成することができる。さらに必要により所定の大きさに切り出して製造することができる。このようにして製造されたニッケル箔を積層した銅箔に、必要により残留応力の除去または低減などのために熱処理を施してもよい。なお積層接合はバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出されたニッケル箔と銅箔を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理を行い、さらにニッケル箔と銅箔を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、ニッケル箔と銅箔を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理は、ニッケル箔と銅箔を絶縁支持された一方の電極とし、アース接地された他の電極との間で行うことが好ましい。ニッケル箔として、ニッケル箔だけでなく、公知のニッケルを主成分とした合金箔、例えばニッケル-鉄合金箔等も適用できる。ニッケル箔の厚みとして、5~20μmが望ましい。ニッケル箔の厚みが5μm未満では、ニッケル箔にピンホールができやすく、エッチングストップ層としての役割の効果がほとんどなくなる。逆に20μmを超えると、厚すぎてエッチングストップ層としての効果が飽和し経済的でない。銅箔は、電解銅箔あるいは圧延銅箔などが適用できる。また、銅箔としては、Cuの他、JISに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリウム系合金例えば、ベリリウム2、残部が銅の合金など、銅銀系合金例えば、銀3~5、残部が銅の合金などなど公知のものが適用できる。銅箔の厚みとしては、8~100μmが望ましい。より望ましくは18~50μmである。8μm未満では、薄いため導電性の点で問題が生じ、逆に100μmを超えると、厚すぎて不経済である。支持体は、エッチング後にバンプとして残すため、銅箔と同じ材料を適用する。支持体の厚みとしては、30~150μmが望ましい。より望ましくは50~80μmである。30μm未満では、バンプあるいは支持体としての機能を有さず、逆に150μmを超えると、厚すぎて不経済である。ニッケルめっきした銅箔と支持体、銅箔とニッケルめっきした支持体、ニッケル箔を積層した銅箔と支持体あるいは、銅箔とニッケル箔を積層した支持体との積層は、冷間圧延法、熱間圧延法、冷間圧延後の熱拡散処理により行う。特に、ニッケルめっきした銅箔と支持体、銅箔とニッケルめっきした支持体、ニッケル箔を積層した銅箔と支持体あるいは、銅箔とニッケル箔を積層した支持体の接合するそれぞれの表面を、積層する前に、活性化処理をして接合表面の酸化物などを取り除いた後、低圧下率での冷間圧延による活性化接合法により積層する。その活性化接合法については、上記した条件で行うが、以下、ニッケルめっきした銅箔と支持体を使用した例の接合方法を図3により説明する。図3に示すように、真空槽52内において、巻き戻しリール62に設置された支持体20の接合予定面側が、活性化処理装置70で活性化処理される。同様にして巻き戻しリール64に設置されたニッケルめっきした銅箔24の接合予定面側が、活性化処理装置80で活性化処理される。活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽52内に装填されたニッケルめっきした銅箔24、支持体20をそれぞれアース接地された一方の電極Aと接触させ、交流電源に接続され絶縁支持された他の電極Bとの間に、10~1×10-3Paの極低圧不活性ガス雰囲気好ましくはアルゴンガス中で、1~50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触したニッケルめっきした銅箔24、支持体20のそれぞれの面積が、電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理する。なお不活性ガス圧力が1×10-3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Aと接触したニッケルめっきした銅箔24、支持体20のそれぞれの面積を電極Bの面積より小さくする必要があり、1/3以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。そのため、図示してないが電極Aと電極Bとの間に、両者の対向面積を調節するための適度の開口を有する遮蔽板マスクが設けられている。その後これら活性化処理されたニッケルめっきした銅箔24、支持体20を積層接合する。積層接合は、ニッケルめっきした銅箔24、支持体20のそれぞれ活性化処理された面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ圧接ユニット60で冷間圧接を施すことによって達成される。この際の積層接合は低温度で可能であり、ニッケルめっきした銅箔24、支持体20ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Tをニッケルめっきした銅箔24、支持体20の温度°Cとするとき、0°C<T≦300°Cで良好な圧接状態が得られる。0°C以下では特別な冷却装置が必要となり、300°Cを超えると組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。また圧延率Rは、0.01≦R≦30であることが好ましい。0.01未満では充分な接合強度が得られず、30を超えると変形が大きくなり加工精度上好ましくない。より好ましくは、0.1≦R≦3である。このように積層接合することにより、所要の層厚みを有するニッケルめっきした銅箔24と支持体20のQFN用金属積層板22を形成することができ、巻き取りロール66に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、ニッケルめっきした銅箔と支持体とのQFN用金属積層板4を製造することができる。このようにして製造されたQFN用金属積層板22に、必要により残留応力の除去または低減などのために熱処理を施してもよい。なお積層接合はバッチ処理を用いることができる。すなわち真空槽内に予め所定の大きさに切り出されたニッケルめっきした銅箔24や支持体20を複数枚装填して活性化処理装置に搬送して垂直または水平など適切な位置に処理すべき面を対向または並置した状態などで設置または把持して固定して活性化処理を行い、さらにニッケルめっきした銅箔24や支持体20を保持する装置が圧接装置を兼ねる場合には活性化処理後に設置または把持したまま圧接し、ニッケルめっきした銅箔や支持体を保持する装置が圧接装置を兼ねない場合にはプレス装置などの圧接装置に搬送して圧接を行うことにより達成される。なお活性化処理は、ニッケルめっきした銅箔24や支持体20を絶縁支持された一方の電極Aとし、アース接地された他の電極Bとの間で行うことが好ましい。次に、銅箔、ニッケル層、支持体の3層からなるQFN用金属積層板4からQFNを製造する方法を図1及び図2により説明する。ニッケル層として銅箔1にニッケルめっき2を行った場合について説明する。なお、図1は、QFNの極薄化ができ、かつQFNの製造工程で、改めて支持体を積層する必要性がなく、工程の省略が可能な点で特徴がある端子タイプQFNについて示す図である。図2の再配線タイプでは、端子タイプに加え、残留した銅箔を結線の代替えとして使用できるので、結線として高価な金の使う量結線の長さを少なくすることができる。すなわち、IC基板側の端子位置とマザーボード側の端子位置を離れて設置できる。レジスト配線パターンの形成QFN用金属積層板4の銅箔1の表面にレジスト塗布後、露光、現像を行い、レジスト配線パターンを形成するレジスト配線パターンの形成工程。これらの一連の手法については、常法に基づいて行うことができる。また、図示しないが、レジスト配線パターンを金めっき層またはニッケルめっき下層/金めっき上層の2層で形成しても良い。2層めっきの場合、高価な金の厚みを薄くでき経済的である。この配線パターン形成用の金属めっきは、電気めっき、無電解めっき又は蒸着めっきで行うのが配線パターンの精度の点で望ましい。次に、QFN用金属積層板4の銅箔1のエッチングを行う銅箔エッチング工程。銅箔1は、市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いて、エッチングを行うことができる。ニッケルめっき層2はエッチングストップ層として働くのでエッチングされないで残留する。次に、レジストを除去して、配線を形成する配線形成工程。引き続き、エッチング液を変えて、露出したニッケル層のみをエッチングするニッケル層エッチング工程。エッチングストップ層がニッケルなので、市販のニッケル除去液例えばメルテックス社製N-950を用いることができる図1bと図2b参照。IC基板の積層および結線上記工程で、残留した銅箔はその表面に、接着剤を介してIC基板7を積層するIC基盤積層工程。次いで、IC基板7と、その周辺にある銅箔1とを結線6をする結線工程。接着剤は接着性の他に絶縁性を有することを必要とする。接着剤は、公知のものが適用でき、特に限定されるものではない。例えば、エポキシ系樹脂、ユリア系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、オレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、クロロプレンゴム系樹脂、ニトリル系樹脂、スチレン-ブタジエン-ゴム系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、ポリウレタン系樹脂あるいはホットメルト接着剤が適用できる、ホットメルト接着剤としては、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、ポリアミド、ポリエステル、アタクチックポリプロピレン、熱可塑性エラストマーなどが適用できる。また、結線の代わりにIC基板7を上下逆にして、IC基板は残留した銅箔1と半田ボールを介して接合することができる。この場合、高価な金線で結線する必要はない。結線した後、支持体3上のIC基板7、接着剤、結線6及び配線用銅箔を有機樹脂5で埋める図1cと図2c参照。有機樹脂5は、公知のものが適用でき、特に限定されるものではないが、接着剤の成分と似たものが望ましい。例えば、エポキシ系樹脂、ユリア系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、オレフィン系樹脂、イソシアネート系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、クロロプレンゴム系樹脂、ニトリル系樹脂、スチレン-ブタジエン-ゴム系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、ポリウレタン系樹脂あるいはホットメルト接着剤が適用できる、ホットメルト接着剤としては、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、ポリアミド、ポリエステル、アタクチックポリプロピレン、熱可塑性エラストマーなどが適用できる。支持体除去有機樹脂5でIC基板7、接着剤、結線6及び配線用銅箔を埋めた後、支持体3を除去する支持体除去工程。支持体3は全てか一部エッチングにより除去する。支持体3の全て除去する場合、支持体3をエッチング液で全て溶解する図1dと図2d参照。また、図1eと図2eに示すように、一部除去してバンプを形成する場合、支持体3は銅箔を用い、銅箔の表面にレジスト塗布後、露光、現像を行い、レジストパターンを形成する。これらの一連の手法については、常法に基づいて行うことができる。次に、QFN用金属積層板の支持体3のエッチングを行う支持体エッチング工程。銅箔は、市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いて、エッチングを行うことができる。次に、レジストを除去してバンプ8を形成するバンプ形成工程。以上のようにして、バンプ8を有するQFNを製造することができる。実施例11材料構成QFN用金属積層板は、ニッケルめっき厚み:1μmした銅箔電解銅箔、厚み:18μmと支持体である銅箔電解銅箔、厚み:50μmとを、ニッケルめっき層と厚み50μmの銅箔とを接するように向かい合わせて、活性化接合方法により積層して得た。活性化接合条件真空雰囲気:アルゴンガス雰囲気、10-2Pa印加した交流:30MHz圧延率:0.52レジスト配線パターン形成厚み18μmの銅箔上にレジスト塗布後、露光、現像を行い、レジスト配線パターンを形成した。3エッチング市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いて、厚み18μm銅箔の選択エッチングを行った。4レジスト除去レジストを除去し、配線を形成した。次いで、市販のニッケル除去液メルテックス社製N-950を用いて露出したニッケルめっき層エッチングストップ層をエッチングにより除去した。5IC基板の積層残留した銅箔上に、接着剤エポキシ系接着剤、厚み:12μmを介してIC基板を積層した。次いでIC基板と、その周辺の残留した配線用銅箔とを結線した。さらに、IC基板、配線用銅箔及び結線とを有機樹脂エポキシ系樹脂で埋めた。6バンプ形成用レジスト配線パターン形成支持体である厚み30μmの銅箔電解銅箔上にレジスト塗布後、露光、現像を行い、バンプ形成用レジスト配線パターンを形成する。7支持体エッチング市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いて銅の選択エッチングを行い、バンプを形成する。実施例21材料構成QFN用金属積層板は、ニッケルめっき厚み:1μmした銅箔電解銅箔、厚み:18μmと支持体であるアルミニウム箔JISH4000の合金記号1100、厚み:80μmとを、ニッケルめっき層とアルミニウム箔とを接するように向かい合わせて、活性化接合方法により積層して得た。活性化接合条件真空雰囲気:アルゴンガス雰囲気、1×10-1Pa印加した交流:10MHz圧延率:1.02レジスト配線パターン形成厚み18μmの銅箔上にレジスト塗布後、露光、現像を行い、レジスト配線パターンを形成した。3エッチング市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いて、厚み18μm銅箔の選択エッチングを行った。4レジスト除去レジストを除去し、配線を形成した。次いで、市販のニッケル除去液メルテックス社製N-950を用いて露出したニッケルめっき層エッチングストップ層をエッチングにより除去した。5IC基板の積層残留した銅箔上に、接着剤エポキシ系接着剤、厚み:15μmを介してIC基板を積層した。次いでIC基板と、その周辺の残留した配線用銅箔とを結線した。さらに、IC基板、配線用銅箔及び結線とを有機樹脂エポキシ系樹脂で埋めた。6支持体の除去支持体である厚み80μmのアルミニウム箔を市販のアルカリ系銅のエッチング液等を用いてアルミニウム箔を除去した。