化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。前記冷却室の下方に位置し、該冷却室から落下する有害物を貯める貯蔵室を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の有害物除去装置。前記冷却室内に配置され、多孔板から成る円筒部材を有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有害物除去装置。前記有害物がリン系化合物であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有害物除去装置。しかし、従来のこのような有害物除去装置の場合、冷却水配管の表面全体に有害物が一様に析出すると、その後はガス冷却効率が急激に低下して、有害物除去装置内で有害物が析出せずにほとんどが除害筒に流れてしまい、除害筒の寿命及び有害物除去能力を低下させたり、配管が詰まって閉塞するなどといった問題が発生する。そのため、有害物除去装置の掃除を頻繁にしなければならず生産性が低下する原因となっている。本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、有害物除去装置の有害物の析出量を増加して除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる有害物除去装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によれば、化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置が提供される。このようなものであれば、冷却水配管と接触した金属メッシュが冷却されて冷却表面積が飛躍的に増加するので、有害物の析出量を増加でき、また、金属メッシュの表面に析出させることで有害物が粗な状態で表面に付着するので有害物が自然と落下するようになり、析出量をさらに増加できるものとなる。そのため、有害物の除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できるものとなる。このとき、前記冷却室の下方に位置し、該冷却室から落下する有害物を貯める貯蔵室を有するものであることが好ましい。このようなものであれば、落下した有害物によって目詰まりを起こしてガス閉塞が発生するのを抑制でき、掃除の頻度をより低減できるものとなる。またこのとき、前記冷却室内に配置され、多孔板から成る円筒部材を有するものであることが好ましい。このようなものであれば、ガス導入口から導入された排出ガスを有害物除去装置内でより長く滞留させることができ、有害物をより析出し易くすることができる。またこのとき、前記有害物がリン系化合物であることが好ましい。このような、特に化合物半導体の薄膜成長時に使用されるPH3に由来する有害なリンを除去するものであれば、化合物半導体の薄膜成長において本発明を特に有効に適応できる。本発明では、化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガス内の有害物を除去する有害物除去装置において、冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するので、冷却表面積を増加させて有害物の析出量を増加でき、また、有害物が粗な状態で表面に付着するので、有害物が自然と落下して析出量をさらに増加できるものとなり、有害物の除去効率を向上できるものとなる。これにより、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる。以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上記したように、従来の有害物除去装置では有害物の析出可能量が少なく、一旦冷却水配管の表面析出表面全体に有害物が一様に析出してしまうとガス冷却効率が急激に低下し、それ以上有害物が析出しなくなってしまう。そのため、有害物除去装置の掃除を頻繁にしなければならず生産性が低下する原因となっている。そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、有害物除去装置の冷却水配管の周りに、有害物の析出表面積を増加するための熱伝導性、すなわち冷却性の良い金属メッシュを巻くことによって、析出面積を大幅に増加し、また有害物を粗な状態で析出するので、析出量を飛躍的に増加できることに想到し、本発明を完成させた。本発明の有害物除去装置1は、図1に示すように、化合物半導体薄膜形成装置10と除害筒11との間に配置される。化合物半導体薄膜形成装置10は、例えば、AlGaInPの薄膜結晶を有機金属気相成長法でGaAs基板上にエピタキシャル成長させる装置であり、化合物半導体薄膜形成装置10内で加熱状態にあるGaAs基板に、トリメチルガリウムTMGやトリメチルインジウムTMI、トリメチルアルミニウムTMAなどの有機金属の蒸気とホスフィンPH3のV族原料ガスとを含んだキャリアガスを供給し、これらの原料ガスを結晶基板上で熱分解反応させる。この際、供給したキャリアガスが化合物半導体薄膜形成装置10から排出ポンプ12によって排出され、本発明の有害物除去装置1によって、排出ガス内の有害物を除去して除害筒11に排出される。図2は本発明の有害物除去装置の一例を示す概略図である。図2に示すように、有害物除去装置1は冷却室7を有し、この冷却室7には化合物半導体薄膜形成装置10からの排出ガスを冷却室7内に導入するガス導入口3が設けられている。また、冷却室7内には、螺旋状に巻かれた例えばSUSから成る冷却水配管2が設けられている。この冷却水配管2内で冷却水が循環し、導入される排出ガスが冷却されるようになっている。また、冷却水配管2の周囲には金属メッシュ5が配置されている。この金属メッシュ5は、その少なくとも一部が冷却水配管2に接触しており、冷却水配管2によって金属メッシュ5も冷却されるようになっている。この冷却された冷却水配管2及び金属メッシュ5の表面に排出ガス中の有害物が析出し、排出ガスから有害物が除去される。有害物が除去された後、排出ガスはガス排出口4から除害筒11へと排出される。このように、本発明の有害物除去装置では、冷却された析出表面積が飛躍的に大きくなり、冷却水配管の表面だけで有害物が析出していた従来の有害物除去装置と比べて、有害物の析出量が非常に多くなり、有害物の除去能力が飛躍的に向上する。また、有害物は粗い状態で金属メッシュの表面に付着するので有害物の一部が自然と落下するようになり、金属メッシュによるガスの冷却効率が低下しにくくなるので、有害物の析出量をさらに向上できる。ここで金属メッシュ5は、金属製のメッシュ構造を有するものであれば特に限定されないが、例えば、金属細線をコイル状にしたものを巻回して絡めて塊状とした金属たわしなどを用いることができる。また、図2に示すように、冷却室7の下方に貯蔵室8を設け、冷却室7から落下する有害物を貯めることができるように構成することが好ましい。このようにすれば、上記したような有害物の自然落下によって有害物除去効率が低下しにくい状態を保ちつつ、有害物を効率的に貯蔵室8に貯めることができ、排出ガスを系外に出すためのガス排出口4及び除害筒11などが析出する有害物によって目詰まりを起こすのに要する時間を更に大幅に増加させることが可能となる。ここで、冷却室や貯蔵室の高さや幅は特に限定されず、導入するガス流量、除去する有害物の量などに応じて適宜設定できる。また、図2に示すように、多孔板から成る円筒部材6を冷却室内に配置することが好ましい。このようにすれば、導入された排出ガスの流路を蛇行させて長くし、ガスの流速を遅くすることができる。これにより、排出ガスの有害物除去装置内での滞留時間を長くすることができるので、有害物の析出量をより増加することができる。ここで、円筒部材は例えばSUS製とすることができるが、特にこれに限定されることはない。或いは、円筒部材の代わりに仕切り板を設けて排出ガスの流路を長くするように構成しても良い。また、本発明の有害物除去装置は、有害物としてリン系化合物を除去できるものであることが好ましい。このようなものであれば、特に原料ガスとしてPH3を用いる化合物半導体の薄膜成長において本発明を有効に適応できる。以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例図2に示すような本発明の有害物除去装置を図1に示すように化合物半導体薄膜形成装置の排気ポンプの後段に設置した。ここで、有害物除去装置として、SUS製の冷却水配管に接触するように金属メッシュとしての金属たわしをその周囲に設け、冷却水配管の内側にSUS製の多孔板パンチングボードから成る円筒部材を設けたものを用いた。そして、化合物半導体薄膜形成装置で厚さ200μmのn型GaAs単結晶基板上に、MOVPE法により組成式AlGaInPにて表される化合物にて各々構成されたn型クラッド層1.0μm、活性層0.6μm、p型クラッド層1.0μmをこの順序で積層し、その上面にp型GaP電流拡散層を成長させるエピタキシャル成長を行なった。ここで使用するガスとしてはAl源ガスとしてトリメチルアルミニウムTMAl、Ga源ガスとしてトリメチルガリウムTMGa、In源ガスとしてトリメチルインジウムTMIn、P源ガスとしてホスフィンPH3を使用した。また、ドーパントガスとしては、p型ドーパントとしてはジメチル亜鉛DMZn、n型ドーパントとしてはモノシランを使用した。上記のようなエピタキシャル成長を繰り返し行い、化合物半導体薄膜形成装置から排出されたガス内のPH3を本発明の有害物除去装置によって除去し、冷却効率を評価した。ここで冷却効率とは、リンが全く析出していない初期状態の有害物除去装置を用いたときの排出ガス流量に対するリンの析出量を100としたときの、排出ガス量に対するリンの析出量の比率を表す。図3にPH3の積算量総供給量と冷却効率の結果を示す。図3に示すように、後述する比較例の結果と比べ、PH3の積算量の増加に伴う冷却効率の低下が大幅に抑制され、積算量が3倍以上となった状態でもなお、70という十分な冷却効率を有していることが分かる。すなわち、比較例に比べ、析出量が大幅に増加していた。このように、本発明の有害物除去装置は有害物の除去効率を向上できることが確認できた。比較例図4に示す本発明の金属メッシュを有さない従来の有害物除去装置を用いた以外、実施例と同様にエピタキシャル成長を繰り返し行い、実施例と同様に評価した。その結果を図3に示す。図3に示すように、実施例の結果と比べ、PH3の積算量の増加に伴って冷却効率が著しく低下しており、析出しなくなるまでの間の析出量も少なく、有害物除去装置の清掃をより短期間で行う必要があることが確認できた。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。