デバイス製造に用いるシリコン単結晶ウェーハの評価方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面にゲート酸化膜を形成した後、デバイス製造シミュレーション熱処理を行ない、その後、前記ゲート酸化膜のGOI特性を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。前記デバイス製造シミュレーション熱処理は、酸素を含む雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。前記ゲート酸化膜形成後にポリシリコン膜を形成し、その後前記デバイス製造シミュレーション熱処理をした後に、フォトリソグラフィ技術により前記ポリシリコン膜に電極パターンを形成し、該電極を通して前記ゲート酸化膜のGOI特性を評価することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、デバイス製造工程終了後デバイス製品のGOI特性の評価結果と近いGOI特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、デバイス製造に用いるシリコン単結晶ウェーハの評価方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面にゲート酸化膜を形成した後、デバイス製造シミュレーション熱処理を行ない、その後、前記ゲート酸化膜のGOI特性を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。このようなシリコン単結晶ウェーハの評価方法であれば、デバイス製造工程終了後のGOI特性の評価結果と近いGOI特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となる。またこのとき、前記デバイス製造シミュレーション熱処理は、酸素を含む雰囲気中で行うことができる。前記デバイス製造シミュレーション熱処理は、具体的には、実際にデバイスを製造するデバイスメーカーによって異なるが、例えば、酸素を含む雰囲気中で行うことができる。またこのとき、前記ゲート酸化膜形成後にポリシリコン膜を形成し、その後前記デバイス製造シミュレーション熱処理をした後に、フォトリソグラフィ技術により前記ポリシリコン膜に電極パターンを形成し、該電極を通して前記ゲート酸化膜のGOI特性を評価することが好ましい。このように、ゲート酸化膜形成後に電極となるポリシリコン膜を形成することで、ポリシリコン膜がゲート酸化膜の保護膜としても作用するために好ましい。また、デバイス製造シミュレーション熱処理後にフォトリソグラフィ技術により前記ポリシリコン膜に電極パターンを形成することによって、電極パターン付きウェーハを製造後に熱処理を行う場合に比べて、炉の汚染が少なく済むために、装置管理上好ましい。以上説明したように、本発明のシリコン単結晶の評価方法によれば、デバイス製造工程終了後デバイス製品のGOI特性評価結果と近いGOI特性耐評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を従来より高い精度で予測することが可能となる。以下、本発明について、より詳細に説明する。ウェーハメーカーでのGOI特性は、出荷段階で測定した耐圧である。しかしながら、デバイスメーカーで問題となるGOI特性は、デバイス製造工程終了後のデバイス製品のGOI特性である。即ち、デバイスメーカーにおいて、ゲート酸化膜は比較的デバイス製造工程の初期で作られるが、耐圧測定は、熱処理、電界、イオンインプラ等のダメージを受けた最終的なデバイス製品に対して行われる。本発明者らは、この点に注目して、新たな評価方法を検討した。従来、ウェーハメーカーで行われていたGOI特性の測定方法では、シミュレーション熱処理後にゲート酸化膜を形成してGOI特性を測定していた。この方法は、図2Aに示されるように、シミュレーション熱処理後に、そのシミュレーションでできた酸化膜を除去し、その後、新たにゲート酸化膜を作りその耐圧を測るという方法であった。しかし、この方法ではデバイス製造工程の初期段階でゲート酸化膜をつけている実際のデバイス製品の耐圧結果とは異なる結果となるという問題があった。これは、図2Aに示すように、従来のGOI特性の評価方法は、結果的にシミュレーション熱処理で表層にできたBMDの影響を受けたGOI特性を測定するという方法になっているためである。そこで、本発明では、実際のデバイス製造工程に近づけるため、デバイス製造シミュレーション熱処理前にゲート酸化膜を形成するようにプロセスの順番を変更した。即ち、デバイス製造シミュレーション熱処理、ゲート酸化、GOI特性の測定という工程順の従来のGOI特性の評価方法に対して、図2Bのようにデバイス製造シミュレーション熱処理とゲート酸化の順番を変更し、ゲート酸化、デバイス製造シミュレーション熱処理、GOI特性の測定という工程順のGOI特性の評価方法とした。その結果、従来のGOI特性の評価結果と大きく異なることが分かった。また、この結果はデバイス製品での耐圧不良の結果に近い結果となることを見出した。以下、本発明について更に詳述する。図1に本発明のシリコン単結晶ウェーハの評価方法の一例を示した工程フロー図を示す。本発明は、GOI特性を評価されるシリコン単結晶ウェーハ1を準備し図1A、次いで、シリコン単結晶ウェーハ1の表面にゲート酸化膜2を形成し図1B、その後デバイス製造シミュレーション熱処理を行い図1D、ゲート酸化膜2のGOI特性を評価する図1Fことを特徴とする。このように、従来のGOI特性評価方法に対して、ゲート酸化膜の形成と、デバイス製造シミュレーション熱処理との順番を替えることによって、デバイス製造工程終了後のデバイス製品の耐圧特性評価結果に近い評価結果を得ることができる。即ち、本方法の評価方法によれば、上記特許文献1、2のようなAs-Grownの欠陥を見つけるのではなく、デバイス製造工程の初期段階でAs-Grownの欠陥を含んだゲート酸化膜が、デバイス製造工程における全ての熱処理を終えてどうなるのかを事前に予測することが可能となる。また、従来のウェーハメーカーで行われていた、シミュレーション熱処理後にゲート酸化膜を形成してGOI特性を測定する方法は、結果的にデバイスシミュレーション熱処理で表層にできたBMDの影響を受けたGOI特性を測定するという方法になっていた図2Aのに対し、本発明の評価方法は、デバイス製造シミュレーション熱処理前にゲート酸化膜を形成するために、ゲート酸化膜の耐圧特性がデバイス製造工程で行われるであろう熱処理に対して強いか弱いかを評価することができ、即ち、デバイス製造工程終了後のデバイス製品の耐圧特性評価に近い評価方法となり、その評価結果を事前に得ることができる図2B。ここで、本発明について更に詳述する。図1Aのように、評価されるシリコン単結晶ウェーハ1を準備する。準備するシリコン単結晶ウェーハ1は、例えばチョクラルスキーCZ法で引き上げたもので、直径300mmのウェーハを用いることができるが、その製造方法、サイズ、導電型、結晶方位、酸素濃度など特に限られるものではない。デバイス製造に用いられ、GOI特性評価が求められるすべてのシリコン単結晶ウェーハを対象とすることができる。次いで、図1Bのように、シリコン単結晶ウェーハの表面にゲート酸化を行ってゲート酸化膜2を形成する。ゲート酸化膜2の形成方法としては、特に限定されないが、例えば酸素雰囲気中で加熱することにより熱酸化膜を形成することができる。次いで、図1Cのように、ゲート酸化膜の耐圧測定を行うために、例えば、ポリシリコン膜3を形成することができる。ポリシリコン膜3の形成方法としては、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法によりSiH4を熱分解して形成することもできる。このポリシリコン膜3は、電極として用いるので、形成の際にリンやボロン等のドーパントをドープして抵抗率を下げておくことが好ましい。電極であるポリシリコン膜3はゲート酸化膜2の保護膜としての役割も兼ねる。次いで、図1Dのように、デバイス製造シミュレーション熱処理を行う。本発明において、デバイス製造シミュレーション熱処理とは、デバイス製造工程で行われる熱処理をシミュレーションしたものであり、実際に作製されるデバイスの仕様やデバイスメーカー等によって異なってくる。例えば、図3に示すようなデバイス製造シミュレーション熱処理を行うことが可能である。尚、酸素を含む雰囲気下でデバイス製造シミュレーション熱処理を行った後には、酸化膜4が形成され得る。次いで、図1Eのように、フォトリソグラフィ技術によりポリシリコン膜3に電極パターン3’の形成を行うことができる。電極パターン3’の形成は、図1E右段に示されるように行うことができる。即ち、デバイス製造シミュレーション熱処理で形成された酸化膜4を除去した後、フォトレジストからなるパターン5を形成する図1E-1。次いで、該パターン5を用いてエッチングによりポリシリコン膜をエッチングして電極パターン3’を得ることができる図1E-2。その後は、ポリシリコン膜からなる電極パターン3’をレジスト組成物6により保護して裏面をエッチングし図1E-3、レジスト組成物6を除去する図1E-4。このように、デバイス製造シミュレーション熱処理後に、フォトリソグラフィ技術により電極パターン3’を得ることによって、電極パターン付きウェーハを熱処理する場合に比べて炉の汚染が少なく済むために、装置管理上好ましい。その後、図1Fのように、ゲート酸化膜2のGOI特性評価を行う。GOI特性評価としては、特に限定されるものではなく、公知の方法を用いてTZDB特性評価やTDDB特性評価を行うことができる。以下に本発明の実施例、比較例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実際にデバイス製造工程に流れる製品ウェーハから品種の違うロットを抜き取り、それぞれのロットにおいて以下の実施例1、比較例2の評価方法でGOI特性を測定した。流れ品ではデバイス製品での大きな歩留り差は当然ながら認められなかった。また、GOI特性の測定結果も同じであった。そこで、デバイスの製造に新しい品種のウェーハを投入するタイミングにあわせて、サンプルA~Cについて、実施例1、比較例1、比較例2の評価方法でGOI特性を測定し、デバイス製品のGOI特性評価結果と比較を行った。ウェーハは直径300mmのシリコン単結晶であり、GOI特性の測定点数は3000点とした。実施例1上記対象のシリコン単結晶ウェーハの表面に、ゲート酸化を行いゲート酸化膜を形成し、ゲート酸化膜上にポリシリコン膜を形成した後、デバイス製造シミュレーション熱処理を行った。ポリシリコン膜上に付いた表面酸化膜を除去し、フォトリソグラフィ技術によりポリシリコン膜に電極パターンを形成し、該電極を通してGOI特性の測定を行った。GOI特性の測定は、上記処理を行ったシリコン単結晶ウェーハへ一定電流をゲート酸化膜が破壊するまで印加する定電流TDDB法を用いて、ゲート酸化膜に電界ストレスを印加することで行った。尚、図4はストレス印加の状況を示している。一定の電流密度でストレス印加し図4a、その時の電圧をモニタする図4b。絶縁破壊が起こると急激な電圧変化が起こり、破壊を知ることができる。印加した電流ストレスは0.01A/cm2、測定温度は100°Cとした。電極面積は4mm2であった。TDDB特性の評価結果により得られた良品率を以下表1に示す。実施例1の評価方法による評価結果サンプルCが悪いは、デバイス製品の評価結果サンプルCが悪いと同様となった。また、デバイス製造シミュレーション熱処理はリソグラフィによるパターン形成前に行ったため、装置の汚染なく熱処理を行うことができた。比較例1上記対象のシリコン単結晶ウェーハの表面に、ゲート酸化を行いゲート酸化膜を形成し、ポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ技術によりポリシリコン膜に電極パターンを形成した。ポリシリコン電極を通して、実施例1と同様の方法でGOI特性を測定した。TDDB特性の評価結果により得られた良品率を表1に示す。このような比較例1のデバイス製造シミュレーション熱処理を行わないGOI特性の評価方法による評価結果は、サンプルA~サンプルCについてほぼ同様となり、デバイスでの評価結果サンプルCが悪いと異なるものとなった。比較例2シミュレーション熱処理を上記対象のシリコン単結晶ウェーハに行った。シミュレーション熱処理中に酸素での熱処理があり、表面のシリコン単結晶ウェーハ上に酸化膜が形成されるので、この酸化膜をフッ酸HFを用いて除去した。その後、ゲート酸化を行いゲート酸化膜を形成し、ポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ技術によりポリシリコン膜に電極パターンを形成し、該ポリシリコン電極を通して、実施例1と同様の方法でGOI特性の測定を行った。TDDB特性の評価結果により得られた良品率を表1に示す。比較例2の評価方法によれば、サンプルAが悪いという結果が得られたが、これは、デバイス製品での評価結果サンプルCが悪いと異なるものであった。比較例2の評価方法は、結果的にシミュレーション熱処理で発生する表層の欠陥評価となるために、デバイス製品での評価結果と異なると思われる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。