研磨材、少なくとも1種の酸化剤、及びクエン酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、シュウ酸、アミノ酸、それらの塩、及びそれらの混合物を含む化合物の群より選択される約0.1~5.0wtの錯化剤、を含有する化学機械的研磨スラリーであって、pHが約5~約9であり、フィルム形成剤を含有しない、化学機械的研磨スラリー。前記錯化剤が酒石酸である、請求項1に記載の化学機械的研磨スラリー。前記酒石酸が0.5~約3.0wtの量で存在する、請求項2に記載の化学機械的研磨スラリー。前記酸化剤が、還元したときにヒドロキシルラジカルを形成する化合物である、請求項1に記載の化学機械的研磨スラリー。前記酸化剤が、過酸化水素、過酸化水素尿素、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項4に記載の化学機械的研磨スラリー。前記過酸化水素が、約0.3~約17wtの量で存在する、請求項5に記載の化学機械的研磨スラリー。研磨材、過酸化水素、過酸化水素尿素、及びそれらの混合物からなる群より選択される酸化剤、及び酒石酸、を含有する化学機械的研磨スラリーであって、pHが5~9であり、フィルム形成剤を含有しない、化学機械的研磨スラリー。前記酸化剤が過酸化水素である、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記酸化剤が過酸化水素尿素である、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記酒石酸が、約0.5~約3.0wtの量で前記スラリー中に存在する、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記研磨材が少なくとも1種の金属酸化物である、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの混合物を含む群より選択される、請求項11に記載の化学機械的研磨スラリー。前記研磨材が金属酸化物の水性分散体である、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記金属酸化物研磨材が、サイズ分布が約1.0μm未満で平均結合体直径が約0.4μm未満の金属酸化物結合体からなっている、請求項11に記載の化学機械的研磨スラリー。前記金属酸化物研磨材が、一次粒子直径が0.4μm未満で表面積が約10m2/g~約250m2/gの分離した個々の金属酸化物球体からなっている、請求項11に記載の化学機械的研磨スラリー。前記研磨材の表面積が約5m2/g~約430m2/gである、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記研磨材の表面積が約30m2/g~約170m2/gである、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。前記研磨材が、沈降研磨材又はフュームド研磨材からなる群より選択される、請求項7に記載の化学機械的研磨スラリー。約1.0~約15.0wtのアルミナ研磨材、約1.0~約12.0wtの過酸化水素、及び約0.5~約3.0wtの酒石酸、を含有する化学機械的研磨スラリーであって、この組成物のpHが約5~約9に調節されており、フィルム形成剤を含有しない、化学機械的研磨スラリー。少なくとも1種の界面活性剤を含有する、請求項19に記載の化学機械的研磨スラリー。a約1.0~約15.0wtの研磨材、約0.3~約17.0wtの酸化剤、約0.1~約5.0wtの少なくとも1種の錯化剤、及び脱イオン水を混合して、フィルム形成剤を含有しない化学機械的研磨スラリーをもたらす工程、b前記スラリーのpHを約5~約9に調節する工程、c前記化学機械的研磨スラリーを基材に適用する工程、及びdパッドを前記基材と接触させ、前記基材に対してこのパッドを動かすことによって、前記基材から金属層の少なくとも一部を除去する工程、を含む、少なくとも1つの金属層を有する基材を研磨する方法。前記基材が銅合金含有層を有する、請求項21に記載の方法。前記基材が、チタン及び窒化チタンの層を更に有し、このチタン及び窒化チタンの層の少なくとも一部を工程cにおいて除去する、請求項21に記載の方法。前記化学機械的研磨スラリーを、前記パッドに適用してから、このパッドを前記基材と接触させる、請求項21に記載の方法。前記酸化剤が、過酸化水素、過酸化水素尿素、又はそれらの混合物である、請求項21に記載の方法。前記錯化剤が酒石酸である、請求項21に記載の方法。前記化学機械的研磨スラリーのpHが、約5.0~約9.0である、請求項21に記載の方法。前記研磨材が金属酸化物である、請求項21に記載の方法。前記金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの混合物を含む群より選択される、請求項28に記載の方法。前記研磨材が金属酸化物の水性分散体である、請求項21に記載の方法。前記金属酸化物研磨材が、沈降アルミナ、フュームドアルミナ、沈降シリカ、フュームドシリカ、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項30に記載の方法。a約1.0~約15.0wtのアルミナ、約1.0~約12.0wtの過酸化水素、約0.5~約3.0wtの酒石酸、及び脱イオン水を混合して、チタンに対する銅合金の研磨選択性[Cu:Ti]が約4.0未満である化学機械的研磨スラリーをもたらすこと、b前記化学機械的研磨スラリーのpHを約5.0~約9.0に調節すること、c前記化学機械的研磨スラリーを基材に適用すること、及びdパッドを前記基材と接触させ、前記基材に対してこのパッドを動かすことによって、銅合金層の少なくとも一部、チタン層の少なくとも一部、及び窒化チタン層の少なくとも一部を除去すること、を含む、銅合金層、チタン層及び窒化チタン層を有する基材を研磨する方法。a錯化剤を保持する第1の容器、b酸化剤を保持する第2の容器、並びにc前記第1の容器、前記第1の容器、及び第3の容器からなる群より選択される容器に装填された研磨材、を有する、化学機械的研磨スラリーを調製するのに有益な複数容器設備。CMP処理のフィルム形成機構において不動態化剤を使用することの望ましさにも関わらず、形成される不動態層フィルムの厚さを制御することが可能なCMPスラリーの配合に関する問題、及び形成されるフィルムが研磨可能であることを確実にする問題が残っている。これらの問題は、許容できない低研磨速度の又は劣った研磨結果を示すフィルム形成CMPスラリーをもたらすことがある。従って、基材表面、より特に銅合金を有する基材の表面に、除去可能な薄い不動態層を形成することができるCMPスラリーがまだ必要とされている。望ましいCMPスラリーは、良好な薄いフィルムの研磨選択性を示し、同時にディッシングが最小であり小さい欠陥率を有する研磨された基材を与える。本発明は、再現可能で許容できる速度で、金属を有する基材を研磨することができる化学機械的研磨スラリーを意図している。更に、本発明の化学機械的研磨スラリーは、絶縁体研磨選択率が小さく、銅及び銅合金含有金属層に対しては大きい研磨選択率を示す。更に、単一の化学機械的研磨スラリーを使用して、金属層、特に集積回路の銅又は銅合金含有層を研磨する方法を意図している。1つの態様では、本発明は化学機械的研磨スラリーである。このスラリーは、研磨材、少なくとも1種の酸化剤、並びにクエン酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、マロン酸、シュウ酸、アミノ酸、及びそれらの塩を含む化合物の群より選択される錯化剤を含んでいる。このスラリーは、フィルム形成剤を含有していない。もう1つの態様では、本発明は化学機械的研磨スラリーである。このスラリーは、研磨材、過酸化水素、過酸化水素尿素ureahydrogenperoxide、及びそれらの混合物からなる群より選択される酸化剤、並びに酒石酸を含んでいる。この化学機械的研磨スラリーのpHは、約5.0~約9.0であるが、フィルム形成剤はこのスラリー中に存在しない。更にもう1つの態様では、本発明は、少なくとも1つの金属層を有する基材を研磨する方法である。研磨は、約1.0~約15.0wtの研磨材、約0.3~約15.0wtの酸化剤、約0.5~約5.0wtの少なくとも1種の錯化剤、及び脱イオン水を混合し、化学機械的研磨スラリーを形成することによって行う。フィルム形成剤はスラリーに加えない。次に、化学機械的研磨スラリーを基材に適用し、パッドを基材に接触させて基材に対してパッドを動かすことによって、金属層の少なくとも一部を基材から除去する。更にもう1つの態様では、本発明は化学機械的研磨スラリーを調製するために有益な複数容器設備である。この複数容器設備は、錯化剤を保持する第1の容器、酸化剤を保持する第2の容器を具備している。研磨材は、第1の容器、第2の容器、又は第3の容器からなる群より選択される容器に装填することができる。本発明は、化学機械的研磨組成物の先駆物質、及びフィルム形成剤なしでさえ効果的な化学機械的研磨スラリーに関する。この化学機械的研磨スラリーは、研磨材及び先駆物質を含む。この先駆物質は、少なくとも1種の酸化剤及び錯化剤を含む。ここで酸化剤及び錯化剤は、研磨する基材表面の溶解を抑制するのに十分な量で選択して配合する。化学機械的研磨スラリーは金属、特に銅及び銅合金含有金属層であって、集積回路、薄いフィルム、多層半導体、及びウェハーを含む群から選択される基材と結合したものを、研磨するのに有益である。本発明の様々な好ましい態様を詳細に説明する前に、本明細書で使用するいくつかの用語を定義する。化学機械的研磨スラリーCMPスラリーは、本発明の有益な生成物であり、これは酸化剤、研磨材、錯化剤、及び他の随意の成分を含有する。しかしながら、このCMPスラリーはフィルム形成剤を含有しない。CMPスラリーは、多層金属化部分を研磨するのに有益である。これは限定をするわけではないが、半導体薄膜、集積回路薄膜、及びCMP処理が有益な任意の他のフィルム及び基材を挙げることができる。銅及び銅含有合金という用語は、ここでは相互に交換可能に使用する。これはこの用語が、限定をするわけではないが、純粋な銅、銅アルミニウム合金、及びTi/TiN/Cuの層を含む基材、及びTa/TaN/Cu多層基材を、含むことは当業者の理解の範囲内であるためである。本発明の化学機械的研磨スラリーは、少なくとも1種の酸化剤を含有する。この酸化剤は、基材の1又は複数の金属層を酸化して、対応する酸化物、水酸化物、又はイオンにするのに役立つ。例えば本発明では、酸化剤を使用して、金属層を酸化してその対応する酸化物又は水酸化物にすることができる。例えば、チタンを酸化チタンにし、タングステンを酸化タングステンにし、銅を酸化銅にし、タンタルを酸化タンタルにし、及びアルミニウムを酸化アルミニウムにすることができる。酸化剤は、CMPスラリーに組み入れて、金属を機械的に研磨して対応する酸化物層を除去することによって、金属又は金属に基づく成分を研磨する場合に有益である。ここで、この金属又は金属に基づく成分としては、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、銅、タングステン、アルミニウム、及びアルミニウム合金、例えばアルミニウム/銅合金、並びにそれらの様々な混合物及び組み合わせを挙げることができる。本発明のCMPスラリーで使用される酸化剤は、還元したときにヒドロキシルラジカルを形成する化合物から選択することができる。そのような酸化剤は、金属及び金属含有基材の層、特に銅合金層に対する良好な研磨選択性を示す。還元したときにヒドロキシルラジカルを形成する金属酸化化合物の限定をしない例としては、過酢酸、過酸化水素尿素、過酸化尿素、及び過酸化水素、及びそれらの混合物を挙げることができ、過酸化水素、過酸化水素尿素、及びそれらの混合物が好ましい酸化剤である。酸化剤は、約0.3~約30.0wtの量で化学機械的研磨スラリー中に存在することができる。本発明のCMPスラリー中に存在する酸化剤は、約0.3~約17.0wtであることが好ましく、約1.0~約12.0wtの量で存在することが最も好ましい。もう1つの態様では、酸化剤は過酸化水素尿素である。過酸化水素尿素は、34.5wt過酸化水素及び65.5wt尿素であるので、本発明のCMPスラリーは比較的多くの量の過酸化水素尿素を含有して、上述の所望の酸化剤使用量を達成しなければならない。例えば、1.0~12.0wtの酸化剤は、3倍又は3.0~36.0wtの量の過酸化水素尿素に対応する。過酸化水素尿素を含有するCMPスラリーは、過酸化尿素と水を組み合わせることを含む多くの方法によって、及び尿素と過酸化水素を約0.75:1~約2:1のモル比で組み合わせて過酸化水素尿素酸化剤を与えることによって、配合することができる。本発明のCMPスラリーは、酸化剤に加えて別個のフィルム形成剤を含有しない点で、他のCMPスラリー、特に銅層の研磨に有益なCMPスラリーとは異なっている。本発明の組成物では使用されないそのような別個のフィルム形成剤の例としては、環状化合物、例えばイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、及びベンゾチアゾールを挙げることができる。別個のフィルム形成剤によって形成される腐食抑制層の深さの制御及び続く除去に関する問題点を避けるために、本発明のスラリー組成物及びその先駆物質では、別個のフィルム形成剤を用いない。化学機械的研磨の間に、表面の欠陥を最小にするために、基材表面の溶解を抑制することが重要である。酸化剤と組み合わせて表面の溶解を制御するために有益であることが分かっている1つの分類は、錯化剤である。有益な錯化剤としては、限定をするわけではないが、酸、例えばクエン酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、酢酸、マロン酸、シュウ酸及び他の酸、及びそれらの塩、例えば酒石酸アンモニウム、並びにアミノ酸及びアミノ硫酸及びそれらの塩を挙げることができる。好ましい錯化剤は、酒石酸、クエン酸、マロン酸、及びそれらの混合物であり、酒石酸が最も好ましい。錯化剤は、酸化した金属との錯体を形成するのに役立ち、下側の酸化していない金属と錯体を形成するのには役立たない。このことによって、酸化層の深さを制限する。錯化剤は、本発明のCMPスラリー中に約0.1~約5.0wt、好ましくは約0.5~約3.0wtの量で存在する。本発明のCMPスラリーのpHは、約2.0~約12.0、好ましくは約5.0~約9.0、最も好ましくは約6.5~約7.5に維持して、CMPプロセスの制御を促進することが望ましい。スラリーの取り扱いの問題及び基材研磨品質の問題は、本発明のCMPスラリーのpHが低すぎる場合、例えば2未満である場合にもたらされる。錯化剤として酒石酸を選択すると、CMPスラリーのpHは約2.0になり、pHを調節して比較的大きくすることが必要になる。本発明のCMPスラリーのpHは、任意の既知の酸、塩基、又はアミンを使用して調節することができる。しかしながら、金属イオンを含まない酸又は塩基、例えば水酸化アンモニウム若しくはアミン、又は硝酸、リン酸、硫酸若しくは有機酸の使用は、本発明のCMPスラリーへの望ましくない金属成分の導入を防ぐのに好ましい。硬化、フロキュレーション、及び分解に対する本発明のCMPスラリーの安定性を促進するために、様々な随意のCMPスラリー添加剤、例えば界面活性剤、安定化剤、又は分散剤を使用することができる。CMPスラリーに界面活性剤を加える場合、界面活性剤はアニオン性、カチオン性、非イオン性、若しくは両性界面活性剤でよく、又は2若しくはそれ以上の界面活性剤の組み合わせを使用することができる。更に、界面活性剤の添加は、ウェハーのウェハー内不均一性WIWNUを減少させ、それによってウェハー表面を改良し、ウェハー欠陥を減少させるのに有益な場合があることが分かった。一般に、本発明で使用する随意の添加剤、例えば界面活性剤の量は、スラリーの効果的な安定化を達成するのに十分な量であるべきであり、これは典型的に、選択される特定の界面活性剤及び金属酸化物研磨材の表面特性に依存して変化する。例えば、選択される界面活性剤を十分に使用しないと、CMPスラリーの安定か効果がほとんど又は全く得られない。他方で、CMPスラリーにおいて過剰な量の界面活性剤を使用すると、スラリーにおいて望ましくない発泡及び/又はフロキュレーションがもたらされることがある。結果として一般に、界面活性剤のような安定化剤は、約0.001~約0.2wt、好ましくは約0.001~約0.1wtの量で、本発明のスラリー中に存在すべきである。更に、既知の技術を使用して、添加剤は、スラリーに直接に加えること、又は金属酸化物研磨材の表面に処理することができる。いずれの場合でも、添加剤の量を調節して、研磨スラリーにおける所望の濃度を達成する。好ましい界面活性剤としては、ドデシル硫酸ナトリウム塩、ラウリル硫酸ナトウム、ドデシル硫酸アンモニウム塩、及びそれらの混合物を挙げることができる。有益な界面活性剤の例としては、UnionCarbideが製造するTRITON商標DF-16、及びAirProductsandChemicalsが製造するSURFYNOL商標を挙げることができる。本発明のCMPスラリーは、研磨材を含む。研磨材は典型的に、金属酸化物研磨材である。金属酸化物研磨材は、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア、及びそれらの混合物を含む群より選択することができる。本発明のCMPスラリーは好ましくは、約1.0~約15.0wt又はそれを超える研磨材を含有している。しかしながら、本発明のCMPスラリーは、約2.0~約6.0wtの研磨材を含有していることがより好ましい。金属酸化物研磨材は、当業者に既知の任意の技術で製造することができる。金属酸化物研磨材は、任意の高温プロセス、例えばゾルーゲル、熱水若しくはプラズマプロセスを使用して、又はフュームド若しくは沈降金属酸化物を製造するプロセスによって製造することができる。好ましくは、金属酸化物はフュームドfumed又は沈降研磨材であり、より好ましくはフュームド研磨材、例えばフュームドシリカ又はフュームドアルミナである。例えば、フュームド金属酸化物の製造方法は、水素及び酸素の炎での適当な供給蒸気例えば、アルミナ研磨材のためには塩化アルミニウムの加水分解を含む、既知の方法である。ほぼ球形の溶融粒子は、燃焼工程で形成する。ここで、この粒子の直径はプロセスパラメーターによって変化する。典型的に一次粒子として言及されるアルミナ又は同様な酸化物のこれらの溶融球体を衝突させることによって、それらの接触点において互いに溶融させて、枝分かれした3次元的な鎖状結合体をもたらす。この結合体を破壊するのに必要とされる力は、かなりのものである。冷却及び収集の間に、結合体は更に衝突する。このことは、いくらかの機械的なからみをもたらして、凝集塊を作ることもある。凝集塊は、ファンデルワールス力によって互いに緩く結合しており、分解することができると考えられる。すなわち、適当な媒体中での適切な分散によって、凝集塊を分解することができると考えられる。沈降研磨材は、従来の技術、例えば高濃度塩、酸又は他の凝結剤の影響下での水性媒体からの所望の粒子の凝結によって、製造することができる。この粒子には、当業者に既知の従来技術によって、ろ過、洗浄、乾燥、及び他の反応生成残留物との分離を行う。S.Brunauer、P.H.Emmet及びI.TellerのJ.Am.ChemicalSociety、第60巻、p.3091938年の方法で計算され一般にBET表面積として言及される好ましい金属酸化物の表面積は、約5m2/g~約430m2/g、好ましくは約30m2/g~約170m2/gである。IC産業での厳格な純度の要求のために、好ましい金属酸化物は高純度であるべきである。高純度とは、供給源、例えば原料不純物及び微量処理汚染物質からの全不純物含有量が、典型的に1未満、好ましくは0.01すなわち、100ppm未満であることを意味している。本発明のスラリーにおいて有益な金属酸化物研磨材は、金属酸化物結合体又は個々の単独球形粒子からなっていてよい。本明細書の記載において使用する粒子という用語は、1よりも多い一次粒子の結合体及び個々の単独粒子の両方に言及している。金属酸化物研磨材は、サイズ分布が約1.0μm未満すなわち、全ての粒子の直径が1.0μm未満であり、平均粒子直径が約0.4μm未満であり、且つ研磨結合体自身の間のファンデルワールス力を打ち消して超えるのに十分な力を有する金属酸化物粒子からなることが好ましい。そのような金属酸化物研磨材は、研磨の間のひっかき、ピットマーク、くぼみ、及び他の表面の不完全性を最少化又はなくすのに効果的であることが分かっている。本発明の粒度分布は、既知の技術、例えば透過電子顕微鏡TEMを使用して決定することができる。平均粒子直径とは、TEM画像解析を使用したときの、すなわち粒子の断面積に基づく平均等価球直径に言及している。力に関しては、金属酸化物粒子の水和力又は表面電位のいずれかが、粒子間のファンデルワールス力を打ち消して超えるのに十分でなければならないことを意味している。もう1つの好ましい態様では、金属酸化物研磨材は、分離している個々の金属酸化物粒子からなっており、この粒子の一次粒子直径は0.4μm400nm未満であり、表面積は約10m2/g~約250m2/gである。好ましくは、金属酸化物研磨材は、約3~約45の固体、好ましくは10~20の固体を含有する金属酸化物の濃水性分散体として、研磨スラリーの水性媒体中に加える。金属酸化物の水性分散体は、従来の技術によって製造することができる。従来の技術としては、金属酸化物研磨材を適当な媒体、例えば脱イオン水にゆっくりと加えて、コロイド状分散体を作ることを挙げることができる。分散は典型的に、金属酸化物の水溶液を、当業者に既知の高剪断混合条件で処理することによって達成する。分散体のpHは、コロイドの安定性を最大化するために調節して、等電点から約4.0のpHにすることができる。分散体は典型的に、CMPスラリー調製の間に脱イオン水及び他のスラリー成分で希釈する。最も好ましい金属酸化物研磨材は、SEMI-SPERSE商標W-A355フュームドアルミナ分散体である。これは、Cabot社が製造するものである。W-A355は、pHが約4.0の9wtフュームドアルミナ分散体である。本発明のCMPスラリーを使用して、任意のタイプの金属層を研磨することができるが、本発明の化学機械的研磨スラリーは、銅、チタン、窒化チタン、及び窒化タンタルの研磨速度が速く、且つタンタルの研磨速度が許容できることが見出されている。更に、この化学機械的研磨スラリーは、誘電体絶縁層に対する研磨速度が望ましく小さいことを示す。本発明のCMPスラリーは、当業者に既知の従来の方法によって調製することができる。典型的に、酸化剤及び他の非研磨成分は、水性媒体、例えば脱イオン水又は希釈水に所定の濃度で加えて、そのような成分が完全に媒体に溶解するまで低剪断条件で混合する。フュームドアルミナのような金属酸化物研磨材の濃分散体は、媒体に加え、そして最終的なCMPスラリー中の研磨材含有量が所望のレベルになるまで希釈する。本発明のCMPスラリーは、単一容器設備適当な水性媒体中の酸化剤、研磨材、及び錯化剤として供給することができる。CMPスラリー劣化の可能性をさけるために、少なくとも2つの容器の設備を使用することが好ましい。ここで、第1の容器は、錯化剤、研磨分散体、及び任意の随意の添加剤を保持しており、第2の容器は、酸化剤を保持している。本発明のCMPスラリー成分の他の2容器の組み合わせは、当業者の知識の範囲内である。本発明のCMPスラリーは、1又は複数の錯化剤と、1又は複数の金属酸化物研磨材及び脱イオン水を組み合わせて、酸化剤を含まないCMP先駆物質をもたらすことによって、配合することができる。スラリー先駆物質からの本発明のCMPスラリーの配合は、過酸化水素含有スラリーに関連する安定性、輸送性、及び安全性の問題をなくす。これは、酸化剤を含有しないCMP先駆物質を調製して、使用箇所に輸送し、そして現場で酸化剤、例えば過酸化水素と混合して、CMPスラリーをもたらすこともできるためである。本発明の随意のスラリー先駆物質は、尿素、少なくとも1種の錯化剤、及び少なくとも1種の金属酸化物研磨材の水性混合物を含む。フィルム形成剤以外の追加の成分を、尿素含有スラリー先駆物質に加えることができる。本発明の最も好ましいスラリー先駆物質は、上述の量の、フュームドアルミナ、錯化剤、及び界面活性剤の水性分散体を含む。ここで、錯化剤は、シュウ酸アンモニウム、酒石酸、酒石酸アンモニウム、又はそれらの混合物から選択され、好ましくは酒石酸である。スラリー先駆物質又はそれらの混合物のpHは、好ましくは約5.0~約9.0である。複数容器CMPスラリー設備は、ウェハーの所望の金属層で使用するのに適当な任意の標準研磨装置と共に使用することができる。複数容器設備は、適当な場合、1又は複数のCMPスラリー成分を、2又はそれよりも多い容器に水性の又は乾燥した形で保持している。複数容器設備を使用して、基材にスラリーを提供する前又は提供するときに、様々な容器からの成分を所望の量で組み合わせて、上述の量の少なくとも1種の酸化剤、錯化剤、及び少なくとも1種の研磨材を含有するCMPスラリーをもたらす。好ましい容器設備は、アルミナ、尿素、錯化剤、及び界面活性剤を含有しpHが約5.0~約8.0のCMPスラリー先駆物質を保持する第1の容器と、過酸化水素を保持する第2の容器とを具備している。ここで、錯化剤は、シュウ酸アンモニウム、酒石酸、酒石酸アンモニウム、及びそれらの混合物から選択される。研磨箇所では、研磨を行うときに、予め選択された量のCMPスラリーと選択された量の過酸化水素とを組み合わせて、本発明のCMPスラリーを提供する。本発明のCMPスラリーは、二酸化ケイ素研磨素度を有意に増加させない。しかしながら、本発明のCMPスラリーは、銅、チタン、窒化チタン、タンタル、及び窒化タンタルの層を、制御された条件において良好な速度で研磨する。従って、本発明のCMPスラリーは、チタン、銅、窒化チタン、タンタル、及び窒化タンタル層の研磨選択性を制御するのに効果的である。本発明の研磨スラリーは、半導体集積回路製造の様々な段階で使用して、表面不完全部分及び欠陥を最少化しながら、所望の研磨速度で効果的な研磨を提供することができる。特定のタイプと量の、少なくとも1種の研磨材、少なくとも1種の酸化剤、及び錯化剤を含有し、フィルム形成剤を含有しないCMPスラリーは、銅合金、チタン及び窒化チタン、タンタル及び窒化タンタルを含有する複数の金属層を速い速度で研磨し、誘電体層に対する良好な選択性を示せることを我々は見出した。以下の例は、本発明の好ましい態様及び本発明の組成物を使用する好ましい方法を説明している。[例1]この例は、フィルム形成剤BTAを伴うCMPスラリー及びフィルム形成剤BTAを伴わないCMPスラリーの存在下での、銅の溶解及び腐食を評価している。CMP処理の間のCuの溶解速度は、電気化学的な測定から求める。電気化学低なデータのほとんどは、Cu回転ディスク電極Pineによる回転装置を伴う及び273PontentiostatであってCorrosionSoftwareを伴うものEGG、PERによるからなる装置を使用して、他の場所で得るすなわち、研磨テーブル以外で。プラチナメッシュ電極を補助電極として使用し、飽和硫酸水銀電極MSEを参照電極として使用する。電気化学データは、予め選択された電極の回転速度である500rpm又は最大で19.94m/秒で、回転装置と電極を、磨擦パッドと接触させて下向きの力を1.2kg又は5.9psiにして又はパッドの上に持ち上げて得る。金属表面を摩擦又は研磨工具上で研磨しているとき及び摩擦の後で、装置は金属の溶解を測定することができる。摩擦中の値は、研磨の間の化学的速度のおおよその測定値であり、摩擦の後の測定値は、所定のスラリー中における金属の腐食速度であると考えられる。典型的に、電気化学的なデータは、動電位分極曲線として記録する。ここで、電位掃引は、開回路電位に対して約-0.25Vカソードからいくらかのアノード電位まで、10mV/秒の速度で行っている。評価したそれぞれのスラリーのpHは7.0であった。スラリーで使用したアルミナは、Cabot社が製造するSEMI-SPERSE商標W-A355フュームドアルミナ分散体であり、所望の含有率まで希釈した。電流密度として装置で測定した銅溶解速度は、Å/分に関して再び計算して、いくつかのスラリーについて表1に示した。この結果は、摩擦中及び摩擦の後のCuの溶解速度は、H2O2及び界面活性剤のみを含有するスラリーを使用すると比較的小さいことを示しており、これは、Cu表面がCu-酸化物によって不動態化されるためであるスラリー2。H2O2へのBTAの添加は更なる表面フィルムを提供し、摩擦を伴う場合及び摩擦を伴わない場合のCuの溶解速度を1桁減少させるスラリー1。強力な錯化剤、例えばシュウ酸アンモニウムをスラリーに添加すると、摩擦を伴うときのCu溶解速度は、過酸化物だけのときに比べて100倍大きくなりスラリー2とスラリー4とを比較、他方でCu腐食速度は約5Å/分から60Å/分に増加する。BTAのようなフィルム形成剤の使用はそれぞれ、摩擦を伴うときにCu溶解速度を96Å/分まで減少させ、摩擦の後のCu溶解速度を1.4Å/分まで減少させる。酒石酸を伴うスラリー5及びスラリー6の場合、BTAを伴う又は伴わず摩擦を伴う又は伴わないCuの溶解速度は、まだ比較的小さい。従って、この錯化剤が存在すると、酸化剤の不動態化の能力は有意に効果的なものではなくなり、フィルム形成剤BTAはCu腐食速度を制限するために必要ではない。[例2]この例は、0.04wtのBTAフィルム形成剤を伴うCMPスラリー及び伴わないCMPスラリーの、様々な基材の層を研磨する能力を評価する。それぞれのスラリーは、2.0wtのH2O2、1.0wtの酒石酸、3.0wtのSEMI-SPERSE商標W-A355フュームドアルミナ分散体Cabot社が製造、及び50ppmのTritonDF-16を含有していた。それぞれのスラリーのpHは、NH4OHによって調製して使用の前に7.0にした。それぞれのCMPスラリーは、IPEC472ポリッシャとTi、TiN、又はTa下側層を有するPVD銅ウェハーに適用し、Rodel社が製造する穿孔されたIC1000/SUBAIVパッドスタックを使用して、下向きの力を20.7kPa3psi、テーブル速度を55rpm、スピンドル速度を30rpm、そして背圧を5.50.8psiにして研磨した。研磨データは以下の表2に報告する。この結果は、BTAを伴うスラリー及び伴わないスラリーでの研磨性能が類似のものであり、ディッシング及び腐食を考慮するとBTAを伴わないスラリーがわずかに優れていることを示す。[例3]この例では、異なる濃度のH2O2及び酒石酸を伴うpHが7.0のスラリーを使用して、Cu、Ta、及びガラスの除去速度を決定した。それぞれのスラリーで使用する研磨材は、Cabot社が製造するSEMI-SPERSE商標W-A355フュームドアルミナ分散体であった。研磨の結果は、表3に報告する。PVD銅ウェハーは、IPEC472ツールを使用して、下向きの力を20.7kPa3psi、背圧を4.10.6psi、圧盤速度を55rpm、そしてキャリアー速度を30rpmにして研磨した。表3に示された結果は、酒石酸に対する過酸化物の重量分率が大きいと、Cu除去速度が小さくなるすなわち、不動態化が良好になることを示す。本発明は、CMPスラリー先駆物質及びそれらから製造されたスラリーである。これは、フィルム形成剤を伴わずに、研磨材、少なくとも1種の酸化剤、及び少なくとも1種の錯化剤を含有している。本発明のCMPスラリーは、再現可能な薄い不動化態層を作ることによって、制御された様式で金属層を研磨することができる。結果として、研磨工程に比較的不定要素をもたらさずに、スラリーの研磨性能を比較的安定で制御可能なものにし、研磨結果を良好にし、且つ成品の貯蔵寿命を増加させる。特定の態様を使用して本発明を説明してきたが、本発明の本質から離れずに変更を行えることが理解される。本発明の範囲は本明細書の上述の説明及び例によっては制限されず、特許請求の範囲の記載で示されていると考えられる。