基板と、前記基板の上に位置し、光吸収用第1真性層を含む第1光電変換部と、前記第1光電変換部を透過した光を前記第1光電変換部に反射する後面反射層を含み、前記後面反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた第1後面反射膜を備え、前記第1後面反射膜は前記第1光電変換部の第1真性層と直接接触する薄膜太陽電池。前記第1後面反射膜は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm1以下の光吸収係数を有する物質からなる請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第1後面反射膜は800nmの波長で1.5乃至2.5の屈折率を有する物質からなる請求項1記載の薄膜太陽電池。前記第1真性層は800nmの波長で3乃至5の屈折率を有する物質からなる請求項3記載の薄膜太陽電池。前記第1真性層は水素化された非晶質シリコンa-Si:Hまたは水素化された微結晶シリコンμc-Si:Hを含む請求項4記載の薄膜太陽電池。前記第1後面反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる請求項1記載の薄膜太陽電池。前記後面反射層は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm1以上の光吸収係数を有する物質からなる第2後面反射膜をさらに含む請求項6記載の薄膜太陽電池。前記第2後面反射膜は前記第1後面反射膜に比べて電気伝導度が高い請求項7記載の薄膜太陽電池。前記第2後面反射膜はAZOまたはBZOからなる請求項8記載の薄膜太陽電池。前記第2後面反射膜は前記第1後面反射膜の後面に位置する請求項9記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部は前記第1光電変換部と前記基板の間に位置する第2光電変換部をさらに含み、前記第2光電変換部は第2真性層を含む請求項6記載の薄膜太陽電池。前記第1光電変換部と前記第2光電変換部の間に中間反射層が位置する請求項11記載の薄膜太陽電池。前記中間反射層は前記第1真性層と直接接触する第1中間反射膜を含み、前記第1中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる請求項12記載の薄膜太陽電池。前記中間反射層は前記第1中間反射膜及び前記第2真性層とそれぞれ接触する第2中間反射膜をさらに含み、前記第2中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる請求項13記載の薄膜太陽電池。前記第1光電変換部はp型ドーピング層をさらに含み、前記中間反射層は前記第1光電変換部のp型ドーピング層と直接接触する第1中間反射膜を含み、前記第1中間反射膜はAZOまたはBZOからなる請求項12記載の薄膜太陽電池。前記中間反射層は前記第1中間反射膜及び前記第2真性層とそれぞれ接触する第2中間反射膜をさらに含み、前記第2中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる請求項15記載の薄膜太陽電池。前記光電変換部は前記第2光電変換部と前記基板の間に位置する第3光電変換部をさらに含む請求項11記載の薄膜太陽電池。前記第1光電変換部と前記第3光電変換部の間には少なくとも一つの中間反射層が位置する請求項17記載の薄膜太陽電池。前記少なくとも一つの中間反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなるか、AZOまたはBZOからなる第1中間反射膜を含む請求項18記載の薄膜太陽電池。前記少なくとも一つの中間反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、n型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及びn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる第2中間反射膜をさらに含む請求項19記載の薄膜太陽電池。本発明の目的とするところは、後面反射層が隣接ドーピング層の役目を兼ねるようにしドーピング層による電流損失減少を抑制して製造工程が減少した薄膜太陽電池を提供することにある。前記課題を解決するために本発明の一側面による薄膜太陽電池は基板と、前記基板の上に位置し、光吸収用第1真性層を含む第1光電変換部と、前記第1光電変換部を透過した光を前記第1光電変換部に反射する後面反射層を含み、後面反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた第1後面反射膜を備え、第1後面反射膜は第1光電変換部の第1真性層と直接接触する。第1後面反射膜は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm-1以下の光吸収係数を有する物質から成り得る。第1後面反射膜は800nmの波長で1.5乃至2.5の屈折率を有する物質からなることができ、第1真性層は800nmの波長で3乃至5の屈折率を有する物質から成り得る。第1真性層は水素化された非晶質シリコーンa-Si:Hまたは水素化された微結晶シリコンμc-Si:Hを含む。第1後面反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:Hと微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つから成り得る。後面反射層は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm-1以上の光吸収係数を有する物質からなる第2後面反射膜をさらに含むことができる。第2後面反射膜は第1後面反射膜に比べて電気伝導度が高い物質、例えばAZOまたはBZOから成り得、また、第1後面反射膜の後面に位置し第2電極と直接接触する。光電変換部は第1光電変換部と基板の間に位置する第2光電変換部をさらに含むことができ、第2光電変換部は第2真性層を含む。この時、第1光電変換部と第2光電変換部の間に中間反射層が位置することができ、中間反射層は第1真性層と直接接触する第1中間反射膜を含むことができる。この時、第1中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:Hと微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つから成り得る。この場合、中間反射層は第1中間反射膜及び第2真性層とそれぞれ接触する第2中間反射膜をさらに含むことができる。この時、第2中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:Hと微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つから成り得る。他の例で、第1中間反射膜は第1光電変換部のp型ドーピング層と直接接触するAZOまたはBZOから成り得る。この時、中間反射層は第1中間反射膜及び第2真性層とそれぞれ接触する第2中間反射膜をさらに含むことができる。この時、第2中間反射膜はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:Hと微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つから成り得る。光電変換部は第2光電変換部と基板の間に位置する第3光電変換部をさらに含むことができる。この時、第1光電変換部内だ第3光電変換部の間には少なくとも一つの中間反射層が位置することができる。少なくとも一つの中間反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:Hと微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる第1中間反射膜を含むことができる。第1中間反射膜はAZOまたはBZOからなることもある。少なくとも一つの中間反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた、微結晶シリコン酸化物μc-SiOx:H、微結晶シリコン窒化物μc-SiNx:H及び微結晶シリコン酸化窒化物μc-SiOxNy:Hの中の一つからなる第2中間反射膜をさらに含むことができる。一般的に、第1真性層を透過した後、後面反射層で反射する光は後面反射層と接しているドーピング層、例えば基板を通じて光が入射される上板型構造でのn型ドーピング層を2回透過するようになり、この時光の一部はn型ドーピング層で吸収され光損失が発生する。ところで、後面反射層の第1反射膜が隣接ドーピング層の役目を兼ねる本願発明の場合には第1反射膜が第1真性層と直接接触するので、前述の光損失が抑制される。したがって、太陽電池の電流減少を抑制することができる。そして、第1反射膜が微細結晶シリコン酸化物、微細結晶シリコン窒化物及び微細結晶シリコン酸化窒化物の内の一つからなるので、下部セルに到逹した長波長の太陽光成分を効果的に反射させ下部セルの電流を増加させることができる。そして、後面反射層を第1反射膜及び第2反射膜の2重層で構成する場合には後面反射層が第1反射膜だけからなる場合に比べて第1反射膜の厚さを減少させることができる。したがって、第1反射膜の蒸着に必要な工程時間を縮めることができ、工程に必要な費用を減らすことができる長所がある。また中間反射層及び後面反射層の厚さを最適化し各光電変換部に流れる電流の均衡を合わせることで高効率太陽電池を実現することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明はいろいろな形態に実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして、図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似の部分に対しては同一である図面符号を付けた。層、膜、領域などの部分が他の部分上にあると言う時、これは他の部分真上にある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分真上にあると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。それでは添付した図面を参照にして本発明の一つの実施の形態を説明する。図1は、本発明の第1実施の形態に係る薄膜太陽電池の概路図の、単一接合型太陽電池の部分断面図である。図1を参照にすれば、本実施の形態に係る単一接合型薄膜太陽電池は基板110を通じて光が入射される上板型構造を有する。しかし、本発明は下板型構造にも適用が可能である。ここで、下板型構造は光が基板の反対側から入射される構造を言う。上板型構造の単一接合型薄膜太陽電池はガラスまたは透明プラスチックなどからなる基板110、基板110上に位置する導電性透明電極120、透明電極120上に位置する第1光電変換部130、第1光電変換部130上に位置する後面反射層160、そして後面反射層160上に位置する後面電極170を備える。ここで、透明電極120は第1電極であり、後面電極170は第2電極である。透明電極120は、基板110の全体面に形成され、また、第1光電変換部130と電気的に接続されている。したがって、透明電極120は光によって生成されたキャリア内の一つ、例えば正孔を収集し出力する。透明電極120は反射防止膜の機能も遂行することができる。透明電極120の上部表面はランダムのピラミッド構造を有する複数個の凹凸を備えたテクスチャリング表面に形成することができる。このように、透明電極120の表面をテクスチャリング表面で形成すれば、透明電極の光反射度が減少され光の吸収率が増加するので、太陽電池の効率が向上する。この時形成される凹凸の高さは約1μm乃至10μmで有り得る。透明電極120は、大部分の光が透過し電気がよく流れるように高い光透過度と高い電気伝導度が要求される。このような透明電極120はインジウムスズ酸化物、スズ酸化物、AgO、ZnO-、フッ素スズ酸化物及びこれらの混合物からなる群から選択することにより形成することができる。透明電極120の比抵抗の範囲は約102Ωcm乃至1011Ωcmで有り得る。第1光電変換部130は、水素化された非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは水素化された微結晶シリコンで形成できる。このような第1光電変換部130は、透明電極120上に順に積層された第1導電型の半導体層である第1p型ドーピング層131及び第1真性層132を含む。第1p型ドーピング層131はシリコンを含む原料ガスにホウ素、ガリウム、インジウムなどのような3価元素の不純物を含むガスを混合し形成することができる。本実施の形態で第1p型ドーピング層131は800nmの波長で3乃至5程度の屈折率を有する物質、例えば水素化された非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは水素化された微結晶シリコンで形成することができる。第1p型ドーピング層131のバンドギャップ調節のために、膜の中には炭素Cまたは酸素Oなどの元素を数乃至数十添加することができる。第1真性層132は、キャリアの再結合率を減らし光を吸収するためのものであり、電子と正孔のようなキャリアがここで主に生成される。このような第1真性層132は800nmの波長で3乃至5位の屈折率を有する物質、例えば水素化された非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは水素化された微結晶シリコンで形成することができる。第1真性層132のバンドギャップ調節のために、膜の中には炭素C、酸素OまたはゲルマニウムGeなどの元素を数乃至数十添加することができる。第1真性層132と直接接触する後面反射層は第1真性層132を透過した光を第1真性層132の方へ反射させ、第1光電変換部130の動作効率を向上するもので、本実施の形態では第1後面反射膜161を含む。したがって、第1真性層132を透過した光は第1真性層132で吸収されない光であり、第1真性層132の方へ反射する光は第1真性層132を透過した光の全部または一部で有り得る。従来は後面反射層にドーピングされた酸化亜鉛、例えばAZOZnO:AlまたはBZOZnO:Bを使った。しかし、ドーピングされた酸化亜鉛は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して光吸収係数が高い。さらに具体的にいえば、ドーピングされた酸化亜鉛は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm-1以上の光吸収係数を有する。したがって、後面反射層まで到逹した大部分の長波長光は後面反射層によって吸収され光の損失が大きくなる問題点がある。このような問題点を解決するために、本願発明の実施の形態は700nm以上の波長を有する太陽光成分に対し400cm-1以下の光吸収係数を有し、800nmの波長で1.5乃至2.5の屈折率を有する物質で第1後面反射膜161を形成する。光吸収係数及び屈折率に対する上記の条件を満足する物質では水素化された微結晶シリコン酸化物、水素化された微結晶シリコン窒化物及び水素化された微結晶シリコン酸化窒化物を例に挙げることができる。図2に示すように、水素化された微結晶シリコン酸化物はドーピングされた酸化亜鉛に比べて700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して吸収係数が非常に低い。したがって、水素化された微結晶シリコン酸化物からなる第1後面反射膜161を含む後面反射層160は後面反射層160まで到逹した大部分の長波長光を吸収しないで透過あるいは反射させるので、光の損失を最小化することができる。水素化された微結晶シリコン酸化物からなる第1後面反射膜161はドーピングされた酸化亜鉛からなる後面反射層に比べて伝導度が低い。しかし、第1後面反射膜161を形成する時酸素投入量を調節し第1後面反射膜161が適切な伝導度を有するように形成すれば伝導度が低下することによる問題点を抑制することができる。この時、第1後面反射膜161の厚さは数十nm乃至μmの範囲内で適切に形成することができる。図2では水素化された微結晶シリコン酸化物を例であげて説明したが、第1後面反射膜161は水素化された微結晶シリコン窒化物または水素化された微結晶シリコン酸化窒化物で形成することもできる。一方、本発明で、第1後面反射膜161は第1光電変換部130のn型ドーピング層の役目を一緒に遂行する。このために、第1後面反射膜161は原料ガスにりんP、砒素As、アンチモンSbなどのように5価元素の不純物を含むガスを混合し形成することができる。第1光電変換部130と第1後面反射膜161はプラズマ化学気相成長のような化学気相成長によって形成することができる。第1光電変換部130の第1p型ドーピング層131と後面反射層160の第1後面反射膜161は第1真性層132を間に置いてp-n接合を形成するので、第1真性層132で生成された電子と正孔は接触電位差によって分離し互いに異なる方向に移動する。例えば、正孔は第1p型ドーピング層131を通じて透明電極120の方へ移動し、電子は第1後面反射膜161を通じて後面電極170の方へ移動する。後面電極170は後面反射層160の全体面上に位置し、電気的に後面反射層160と接続されている。このような後面電極170はp-n接合を通じて生成されたキャリアの内で電子を収集し出力する。図3及び図4は本実施の形態の薄膜太陽電池と従来の薄膜太陽電池の効率を比べたもので、図3及び図4の実験に使われた本実施の形態の薄膜太陽電池は水素化された微結晶シリコンで形成された第1p型ドーピング層131、第1真性層132、そしてn-ドーピングされた微結晶シリコン酸化物で形成された第1後面反射膜161を含む。図3及び図4から分かるように、本実施の形態の薄膜太陽電池Bは従来の薄膜太陽電池Aに比べて700nm以上の赤外線帯域で効率EQEが多少増加することが分かる。また、太陽電池の電流密度Jscも本実施の形態の薄膜太陽電池Bが従来の薄膜太陽電池Aに比べて2位増加することが分かる。以下、図5を参照にして、図1の変形実施の形態を説明する。前述の図1の実施の形態で、第1後面反射膜161だけで後面反射層160を構成する場合には、ドーピングされた酸化亜鉛で後面反射層を構成する場合に比べて後面反射層160の蒸着に必要な工程時間が増加し、工程に必要な費用が増加する。この場合、本実施の形態のように後面反射層160を微結晶シリコン酸化物からなる第1後面反射膜161の後面に第2後面反射膜162をさらに形成することができる。この時、第2後面反射膜162は、第1後面反射膜161に比べて電気伝導度が高く700nm以上の波長を有する太陽光成分に対して400cm-1以上の光吸収係数を有する物質、例えばAZOまたはBZOで形成できる。このように、第1後面反射膜161の後面に第2後面反射膜162を形成すれば、第1後面反射膜161を前術の図1の後面反射膜161に比べて薄い厚さで形成することが可能であるので、工程時間及び費用の増加を最小化することができる。以下では図6乃至図8を参照して、本発明の第2実施の形態を説明する。以下の実施の形態の説明において、前述の第1実施の形態と同一である構成要素に対しては同一である図面符号を付与し、これに対する詳細な説明は省略する。図6は、本発明の第2実施の形態に係る薄膜太陽電池の概路図として、2重接合型薄膜太陽電池の部分断面図を示す。本実施の形態の薄膜太陽電池は第1光電変換部130と透明電極120の間に位置する第2光電変換部140をさらに含む。2重接合型薄膜太陽電池の場合、第2光電変換部140は水素化された非晶質シリコンで形成することができ、第1光電変換部130は水素化された微結晶シリコンで形成することができる。水素化された非晶質シリコンで形成された第2光電変換部140は約1.7eVの光学バンドギャップを有し、近紫外線、紫、青などのような短波長帯域の光を主に吸収する。そして水素化された微結晶シリコンで形成された第1光電変換部130は約1.1eVの光学バンドギャップを有し、赤色から近赤外線までの長波長帯域の光を主に吸収する。したがって、2重接合型薄膜太陽電池は第1実施の形態の単一接合型薄膜太陽電池に比べて効率が向上する。第2光電変換部140は透明電極120上に順に積層された第2p型ドーピング層141、第2真性層142及び第2n型ドーピング層143を含む。第2p型ドーピング層141は、シリコンSiを含む原料ガスにホウ素、ガリウム、インジウムなどのような3価元素の不純物を含むガスを混合し形成することができる。また、第2n型ドーピング層143はシリコンを含む原料ガスにりんP、砒素As、アンチモンSbなどのように5価元素の不純物を含むガスを混合し形成することができる。そして、第1光電変換部140は第2光電変換部140の第2n型ドーピング層143上に順に形成された第1p型ドーピング層131及び第1真性層132を含む。そして、第1真性層132上には前述の第1実施の形態で説明した構造の後面反射層160が位置し、後面反射層160は第1真性層142と直接接触する。図7は、図6の変形実施の形態を示したのである。本実施の形態において、第2光電変換部140は第2p型ドーピング層141と第2真性層142からなり、第1光電変換部130は第1真性層132からなる。そして、第1真性層132と第2真性層142の間には中間反射層180が位置する。中間反射層180は短波長の太陽光成分を第2光電変換部140に向けて反射する一方、長波長の太陽光成分は第1光電変換部130の方へ透過する。このような作用をする中間反射層180は水素化された非晶質シリコン、微結晶シリコンまたは水素化された微結晶シリコンの内で一つの物質で形成された第1中間反射膜181、及び第1中間反射膜181と同一である物質、または前述の物質の中から選択された第1中間反射膜181とは異なる物質で形成された第2中間反射膜182で形成される。この時、第2真性層132及び第1中間反射膜181とそれぞれ接触する第2中間反射膜182は、第1光電変換部130のn型ドーピング層の役目を遂行するようにn型不純物でドーピングされ、第2中間反射膜182及び第1真性層132とそれぞれ接触する第1中間反射膜181は、第1光電変換部130のp型ドーピング層の役目を遂行するようにp型不純物でドーピングされる。図7では中間反射層180が第1中間反射膜181及び第2中間反射膜182の2重膜で構成されたことを説明したが、中間反射層180は単一膜からなることもできる。すなわち、中間反射層180は第1中間反射膜181または第2中間反射膜182の中の一つの膜だけからなることもできる。しかし、この場合には中間反射層180にドーピングされた不純物の導電性タイプによって第1光電変換部130または第2光電変換部140の構造が変わることがある。すなわち、中間反射層180がn型不純物がドーピングされた第2中間反射膜182だけからなる場合には第1中間反射膜181の位置に第1光電変換部130の第1p型ドーピング層が位置するようになる。これと同様に、中間反射層180がp型不純物がドーピングされた第1中間反射膜181だけからなる場合には第2中間反射膜182の位置に第2光電変換部140の第2n型ドーピング層が位置するようになる。そして、第1光電変換部130の第1真性層132の上には前述の第1実施の形態で説明した後面電極層160が位置する。図8は、図6の他の変形実施の形態を示したのである。本実施の形態で、第1光電変換部130は第1p型ドーピング層131及び第1真性層132からなり、第2光電変換部140は第2p型ドーピング層141及び第2真性層142からなる。そして、中間反射層180は第1光電変換部130の第1p型ドーピング層131と直接接触する第1中間反射膜183と、第2真性層142及び第1中間反射膜183とそれぞれ接触する第2中間反射膜182を含む。この時、第1中間反射膜183はAZOまたはBZOからなり、第2中間反射膜182はn型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物と微結晶シリコン窒化物及び微結晶シリコン酸化窒化物の中の一つからなる。具体的には示さなかったが、中間反射層180は第1中間反射膜183または第2中間反射膜182の中の一つの膜だけからなることもある。一方、具体的には説明しなかったが、前述の2重接合型薄膜太陽電池も後面反射層160が前述の第1実施の形態と同一である構造から成り得ることは当業者に自明である。図9は、本発明の第3実施の形態に係る薄膜太陽電池の概路図の、3重接合型薄膜太陽電池の部分断面図である。本実施の形態の薄膜太陽電池は第2光電変換部140と透明電極120の間に位置する第3光電変換部150をさらに含む。本実施の形態で、第1光電変換部130は第1p型ドーピング層131及び第1真性層132で形成され、第2光電変換部140は第2p型ドーピング層141及び第2真性層142で形成され、第3光電変換部150は第3p型ドーピング層151及び第3真性152で形成される。そして、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間及び第2光電変換部140と第3光電変換部150の間にはそれぞれ中間反射層180が形成される。図9に示したように、中間反射層180は第1p型ドーピング層131または第2p型ドーピング層141と接触する第1中間反射膜181と、第2真性層142または第3真性152と接触する第2中間反射膜182を含むことができる。この時、第1中間反射膜181はn型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物と微結晶シリコン窒化物及び微結晶シリコン酸化窒化物の中の一つからなることがある。第1中間反射膜181はAZOまたはBZOからなることもある。第2中間反射膜182はp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物と微結晶シリコン窒化物及び微結晶シリコン酸化窒化物の中の一つから成り得る。図9では前記中間反射層180の図面符号を同一に適用することで二つの中間反射層180が互いに同一であることを例で挙げたが、前記二つの中間反射層180は互いに異なる物質または互いに異なる層構造からなることもある。例えば、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間に位置する中間反射層は第1中間反射膜及び第2中間反射膜の2重膜構造からなる一方、第2光電変換部140と第3光電変換部150の間に位置する中間反射層は第1中間反射膜または第2中間反射膜の単一膜構造から成り得る。また、これの反対の場合も可能である。また、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間に位置する中間反射層と第2光電変換部140と第3光電変換部150の間に位置する中間反射層がそれぞれ単一膜構造からなり、各層を構成する物質が互いに同一であるか、互いに異なることもある。例えば、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間に位置する中間反射層と第2光電変換部140と第3光電変換部150の間に位置する中間反射層がn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物と微結晶シリコン窒化物及び微結晶シリコン酸化窒化物の中から選択されたいずれか一つの同一である物質または互いに異なる物質から成り得る。これと同様に、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間に位置する中間反射層と第2光電変換部140と第3光電変換部150の間に位置する中間反射層がすべてAZOまたはBZOの単一膜構造から成り得る。また、第1光電変換部130と第2光電変換部140の間に位置する中間反射層はn型不純物またはp型不純物がドーピングされた微結晶シリコン酸化物と微結晶シリコン窒化物及び微結晶シリコン酸化窒化物の中から選択されたある一つの物質からなり、第2光電変換部140と第3光電変換部150の間に位置する中間反射層はAZOまたはBZOから成り得るし、これの反対場合も可能である。このように、2つの中間反射層180を構成する物質は光電変換部の厚さ、屈折率などの他の要素によって適切なものを選択し使うことができる。一方、具体的には示さなかったが、前述の3重接合型の薄膜太陽電池も前述の第1実施の形態の後面反射層160を備えることは当業者に自明である。以上で本発明の実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はここに限定されるものではなくて請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。