"集積回路デバイスであって、回路機能を提供するように構成される能動回路要素を含む頂部表面を有する基板、ボンドパッドに結合される少なくとも一つのトレースを含む相互接続金属層を含むメタライゼーションスタック、及び前記ボンドパット上のボンディング特徴、を含み、前記トレースが、均一トレース部及び前記ボンドパッドまで延びるパターン化されたトレース部を含み、前記パターン化されたトレース部が、互いに電気的に並列である少なくとも3つのサブトレースを含み、i前記複数のサブトレースの各々に対するスクエアの数が前記複数のサブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの範囲内であることと、ii前記サブトレースの各々を介して導通される前記ボンディング特徴に提供される電流密度が、前記ボンディング特徴に提供される平均電流密度プラス又はマイナス20パーセントの範囲であることと、の少なくとも1つである、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記サブトレースがその周囲に沿って前記ボンドパッドに接し、且つ、前記サブトレースが前記周囲に沿って互いから実質的に等しい分離を有する、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記サブトレースが少なくとも10サブトレースを含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記メタライゼーションスタックが頂部金属層を含み、前記相互接続金属層が前記頂部金属層の下にあり、前記ボンドパッドが前記頂部金属層を含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記ボンディング特徴が、はんだバンプ、基板貫通バイア、ピラー、スタッド、又は中に複数の金属粒子を有する有機ボンディング材料を含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記サブトレースのそれぞれ1つ及び前記ボンディング特徴の間の誘電体層内の複数のバイアを更に含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記ボンドパッドと前記ボンディング特徴との間の電流スプレッド層と、前記ボンドパッドと前記電流スプレッド層との間の誘電体層とを更に含み、前記誘電体層が、前記ボンドパッドと前記電流スプレッド層との間の個別のコンタクトを提供する複数のバイアを含む、デバイス。請求項7に記載のデバイスであって、前記サブトレースが、前記サブトレースの少なくとも1つにより提供されるパスに関連付けられるスクエアの数が、前記サブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの範囲の外側にあるような寸法とされ、且つ前記バイアのそれぞれのバイアが、前記iiを提供するような寸法とされる、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記少なくとも一つのトレースが、少なくとも3つのサブトレースに分割する第1のパターン化されたトレース部を含む第1のトレースと、少なくとも3つの第2のサブトレースに分割する第2のパターン化されたトレース部を含む第2のトレースとを含む、複数の独立トレースを含む、デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記ボンディング特徴がはんだバンプを含む、デバイス。集積回路デバイスであって、回路機能を提供するように構成される能動回路要素を含む頂部表面を有する基板、頂部金属層と前記頂部金属層の下の相互接続金属層を含むメタライゼーションスタックであって、前記相互接続金属層が、前記頂部金属層を含むボンドパッドに結合する少なくとも一つのトレースを含む、前記メタライゼーションスタック前記ボンドパッド上に形成されるアンダーバンプメタライゼーション層、及び前記アンダーバンプメタライゼーション層上に形成されるはんだバンプ、を含み、前記トレースが、前記ボンドパッドまで延びるパターン化されたトレース部を含み、前記パターン化されたトレース部が、互いに電気的に並列である少なくとも3つのサブトレースに分割し、及びi前記複数のサブトレースの各々に対するスクエアの数が前記複数のサブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの範囲内であることと、ii前記サブトレースの各々を介して導通される前記ボンディング特徴に提供される電流密度が、前記ボンディング特徴に提供される平均電流密度プラス又はマイナス20パーセントの範囲であることとの少なくとも1つである、デバイス。集積回路デバイスを形成する方法であって、能動回路要素を含む頂部表面を有する基板を提供すること、互いに電気的に並列である少なくとも3つのサブトレースを含むパターン化されたトレース部を含む少なくとも一つのトレースを含む相互接続金属層を含むメタライゼーションスタックを形成すること、前記少なくとも3つのサブトレースに結合されるボンドパッドを形成すること、及び前記ボンドパット上にボンディング特徴を形成すること、を含み、前記パターン化されたトレース部が、互いに電気的に並列である少なくとも3つのサブトレースを含み、及びi前記複数のサブトレースの各々に対するスクエアの数が前記複数のサブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの範囲内であることと、ii前記サブトレースの各々を介して導通される前記ボンディング特徴に提供される電流密度が、前記ボンディング特徴に提供される平均電流密度プラス又はマイナス20パーセントの範囲であることとの少なくとも1つである、方法。請求項12に記載の方法であって、前記メタライゼーションスタックを前記形成することが、頂部金属層を形成することを含み、前記相互接続金属層が前記頂部金属層の下にあり、及び前記ボンドパッドが前記頂部金属層を含む、方法。請求項12に記載の方法であって、前記サブトレースがその周囲に沿って前記ボンドパッドに接し、及び前記サブトレースが前記周囲に沿って前記サブトレースの近隣に対する実質的に等しい分離を有する、方法。請求項12に記載の方法であって、前記ボンドパッドと前記ボンディング特徴との間の電流スプレッド層を形成すること、前記ボンドパッドと前記電流スプレッド層との間に誘電体層を形成すること、及び前記誘電体層に各々前記ボンドパッドと前記電流スプレッド層との間の個別のコンタクトを提供する複数のバイアを形成すること、を更に含む、方法。図1Aは、例示の一実施例に従った、ボンディング特徴の下の誘電体開口115の周囲にわたって実質的に等しい分布を有する、実質的に等しいサブトレース電流を提供する少なくとも3つのサブトレースを有するエッジフィードを提供する例示のEM耐性フィードライン構造100を示す。図1Aに1つの大型の誘電体開口115を示すが、開示される実施例は、後に形成されるボンディング特徴の下に、代わりにより小さな誘電体開口のアレイを、又は両方を含んでもよい。ボンディング特徴は、本明細書において概してはんだバンプとして記載する。しかし、ボンディング特徴は更に、基板貫通バイアTSV、ピラー例えば、銅ピラー、スタッド例えば、金スタッド、又は中に複数の金属粒子を有する有機ボンディング材料を含み得る。EM耐性フィードライン構造100は、電気的に並列であり、ボンドパッド上のボンディング特徴を含む、後に形成される金属スタック図示せずの下に示される誘電体開口115の周囲に沿って電気的コンタクトを提供するように分布する、少なくとも3つのサブトレース105a、105b、105cなどを含む、パターン化されたトレース部105に結合される均一即ち、従来のトレース部102を含む。後に形成される金属スタックは誘電体開口115の上にあり得、これは、一つの特定の実施例において、はんだボール/NiアンダーバンプメタライゼーションUMB/A1ボンドパッドを含み得る。それぞれ複数のフィードラインサブトレース105a、105b、105cなどは、サブトレースによって提供されるそれぞれのパスに関連付けられる多数のスクエアが、全て、複数のサブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセント±20の範囲内となるような寸法とされるため、EM耐性フィードライン構造100により実質的に等しいサブトレース電流が提供される。図1Aに示す最も長いサブトレースであるサブトレース105aは、最も幅広いサブトレースでもあり、図示される最も短いサブトレースであるサブトレース105bは最も幅が狭いサブトレースでもあり、サブトレース105cは、中間の長さ及び中間のライン幅を有して示されるサブトレースであることが分かる。パターン化されたトレース部105におけるサブトレースは全て、それらのそれぞれのパス長さに沿って一定のライン幅を有して示されているが、それぞれのサブトレースのスクエアの結果の数が上述のよう数値的範囲であれば、実質的に等しいサブトレース電流を提供するためライン幅は一定である必要はないことに注意されたい。図1Aは、エッジフィード実施例は、ボンディング特徴例えば、はんだバンプに結合するための従来の単一フィードライン配置に比べて、要する余分のメタライゼーションエリアがわずかであることを示す。図1Aに示すエッジフィード実施例は、上にあるボンディング特徴例えばはんだバンプにおいて改善された電流スプレッドを提供するため、この実施例により、同じEM電流性能に対するデバイスの上側金属層における全体的により小さな金属エリア要件をもたらすために用いられるボンディング特徴のためのエリアが低減され得、そのためICデバイスに対しコスト削減を提供する。ウエハチップスケールパッケージWSCPに適用される場合、均一トレース部102及びパターン化されたトレース部105はいずれもリダイレクト層RDLから形成され得る。この実施例において、パターン化されたトレース部105は、IC上のボンドパッドの上にあるRDLパッドに結合し、UBMパッドがRDLパッド上にあり得、はんだバンプがUBMパッド上にあり得る。この実施例において、誘電体開口115は、ポリイミド層内の開口など、RDLとUBMとの間の誘電体内の開口であり得る。上述のように、幾つかの開示される実施例は、サブトレースの各々を介して導通されるボンディング特徴に提供される、実質的にマッチングされたサブ電流及び実質的にマッチングされた電流密度の両方を提供し得る。例えば、図1Bは、例示の一実施例に従った、実質的に等しいサブトレース電流及び実質的に等しいサブトレース電流密度の両方を提供し、更に、ボンディング特徴の下の誘電体開口115の周囲にわたって実質的に等しい物理的分布も提供する、少なくとも3つのサブトレース125a、125b、125cを有する例示EM耐性フィードライン構造130の表示を示す。従来技術で知られているように、ボンディング特徴の下の誘電体開口115に入る電流密度Jは、サブトレースコンタクトにおける電流IをコンタクトのエリアAで除算することにより分かり、J=I/Aにより与えられる。その末端部125a1で幅が拡げられてないことを示す、サブトレース125aなどの一層長いサブトレースに比べて、サブトレース125bなどの狭いサブトレースは、誘電体開口115に延びるその末端部125b1で著しく幅が広げられており、それにより、それぞれのサブトレースの幅が、誘電体開口115に延びるそれらの末端部において同じ幅又はほぼ同じ幅となるようにされることが分かる。中間のライン幅を有するサブトレース125cは、その末端部125c1の適度な幅の広がりを示す。それぞれのサブトレースにおける電流が互いにマッチングされ、それらのコンタクトにおけるエリアも同じであるため、電流密度マッチングが提供される。図1Cは、例示の一実施例に従った、ボンドパッドの周囲に沿って実質的に等しい分布を有するボンドパッド170をフィードする実質的に等しいサブトレース電流を提供する、少なくとも3つのサブトレース165a、165b、165cなどを有するパターン化されたトレース部165に結合される均一トレース部162を含む例示のEM耐性フィードライン構造150を示す。この実施例において、フィードライン構造150及びボンドパッド170は全て同じ金属層から形成される。この金属層は、金属相互接続層、頂部金属層、又はRDLであり得る。図2Aは、例示の一実施例に従った、ボンドパッドのエリアにわたってコンタクト領域225内で結合される実質的に等しいサブトレース電流を提供する少なくとも3つのサブトレースを有するエリアフィード実施例を示し、複数のバイア230がボンドパッド215上の誘電体層内に形成される、例示のEM耐性フィードライン構造200を示す。EM耐性フィードライン構造200は、均一トレース部102、及び複数のサブトレース205a、205b、205cなどを含むパターン化されたトレース部205を含む。複数のサブトレース205a、205b、205cなどは、複数のサブトレースの各々によって提供されるパスに関連付けられる多数のスクエアが全て、複数のサブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの範囲内であるような寸法とされる。コンタクト領域225において、それぞれのサブトレース205a、205b、205cは、サブトレース205a、205b、205cとボンドパッド215との間の誘電体層内に形成される、単一の誘電体開口図1Aに示す誘電体開口115など又は複数のバイアを用いてボンドパッド215と接することができる。ボンドパッド215は、それぞれの有効なボンドパッド部215a、215b、215cを画定する位置でその上の誘電体層から形成されるバイア230を含む例示の円形のバイアパターンを有する。フィード電流がボンドパッド部からコンタクト領域225内のボンドパッド215の上にあり得る例示の2ミクロン厚みのニッケルUBM層図示せずへ横切るため、破線のリングとして示される外側リング235a、235b、235cは、ボンドパッド部215a、215b、215cを超えて拡がる電流を表す。図2Aに示すように、コンタクト領域225の上のUBM層の殆ど全エリアは、その上に配置され得るボンディング特徴例えばはんだバンプのため電流をスプレッドさせ、ボンディング特徴例えばはんだバンプの全断面エリアにわたって均一な電流分布を仮想的に保証する。この実施例において、ボンドパッド215が、UBMを下にある金属例えば、銅サブトレースのパターン化されたトレース部205に結合することができる例えば、アルミニウム層を含む、頂部金属層が効果的にパターン化される。このパターン化は、ボンドパッド215の上の開口が、金属パターン化要件に応じて、これらに限定されないが、円又はスクエアを含む種々の形状に形づくられ得る、バイアのアレイを含むように実行され得る。バイアのエリアは、バイアのエリアがボンドパッド金属及びUBM金属の厚みが増大するにつれて増大するように、ボンドパッド金属及びその上のUBM金属の厚みに基づき得る。例えば、ボンドパッド215上のUBMを含み、バイア230が円である実施例において、バイア230の直径は、UBM厚みの2倍プラスボンドパッド金属厚みの2倍プラス又はマイナス20パーセントであり得る。そのため、1ミクロン厚みのボンドパッド215及び2ミクロン厚みUBM層では、バイア230は、直径6ミクロンプラス又はマイナス直径の20パーセントであり得る。隣接するバイア230間の間隔も、上にある金属厚みに基づき得る。例えば、バイア間隔は、次のバイアまでの最大距離がUBM金属厚みの2倍プラス又はマイナス20パーセントであるようにされ得る。そのため、2ミクロン厚みのUBMの場合、バイア間距離は4ミクロンプラス又はマイナス20パーセントであり得る。各バイア230はこのように、スクエアの数、ひいては各サブトレースの抵抗、が実質的に等しいが、ボンディング特徴スタック例えば、UBM上のはんだバンプの抵抗にボンドパッド215の上のバイア抵抗を加えた合計より著しく高くなるような方式で、均一トレース部102から個別のサブトレース205a、205b、205cによりフィードされる。そのため直径35ミクロンの、ボンドパッド215とUBMとの間の従来の誘電体例えばポリイミドのバイア開口例えば、はんだバンプ開口、及び1ミクロンのボンドパッド層例えばアルミニウム及び2ミクロンのUBM例えば、ニッケルでは、ボンドパッドの上の従来の単一の誘電体開口を、図2Aに示すような14個の個々のフィードラインサブトレースを備えた14個の6ミクロンの円形のバイア230で置き換えることができる。バイアは、サブトレース205a、205b、205cのより簡単なルーティングがこれを助けることを可能にするために非対称に形づくられ得る。有効なボンドパッド部215a、215b、215cに対するサブトレース205a、205b、205cの全体的な加算された幅は、ボンディング特徴例えば、はんだバンプに対する総抵抗を最小化するため均一トレース部102のものと等しくされ得る。別の実施例において、図2Aに示すフィードライン構造200に比べて、同様であるが高められた電流スプレッドフィードライン構造を生じるように、図2Aに示すようなボンドパッド215の上のバイアの代わりに、サブトレースとボンドパッド215との間のコンタクト領域225にバイアパターンが形成され得る。この実施例は、ボンドパッド215上のUBM層を含む実施例において、それがUBM層に達する前に、電流がボンドパッド215例えば、1μmのアルミニウムの厚みを横断するため、付加的な電流スプレッドの利点を有する。UBM上のボンディング特徴のための図2Aに示すエリアフィード実施例は、UBMにおいてボンディング特徴インタフェースまでの実質的に全ボンディング特徴断面にわたって均一な電流分布を提供する。この実施例は、標準的なバンプフィード構造に比べて、占める余分なメタライゼーションエリアはあるとしても非常にわずかであり、ボンディング特徴に対する全体的なエリアを小さくする、一層小さなバンプ構造の利点を有する。ボンディング特徴における電流分布の改善された均一性と金属フィード構造の低減されたエリアとを組み合わせると、同じEM電流性能に対するICデバイスの上側金属層における全体的により小さな金属エリア要件をもたらし、そのためICデバイスに対するコスト削減となる。図2Bは、例示の一実施例に従った、ボンドパッド215にコンタクト領域225内で結合される少なくとも3つのサブトレース255a、255b及び255cを有し、複数のバイア230a、230b及び230cが、ボンドパッド215のエリアにわたって分布されるボンドパッド215上の誘電体層内に形成される、例示のEM耐性フィードライン構造250を示す。ここで、前記サブトレース電流は、サブトレースに対するスクエアの平均数プラス又はマイナス20パーセントの外側の範囲を有し、バイアは、ボンドパッドの上のボンディング特徴に実質的に等しい電流密度を提供するような寸法にされる。この実施例において、バイア230a、230b及び230cは、一層高い電流となる255bなどの一層短いサブトレースが、より小さなバイアエリアを有するサブトレース255aなど一層低い電流を搬送するサブトレースに比べて、一層大きいエリアのバイアエリアに結合されるような寸法とされる。外側リングが、それらの対応するバイア230a、230b及び230cのサイズを反映するサイズを有する235a、235b、235cとして示されており、電流が、ボンドパッド部から、典型的にコンタクト領域225におけるボンドパッド215の上にあるその上の図示せず金属層へ横切るため、電流がボンドパッド部215a、215b、215cを超えて拡がることを示す。開示される実施例は更に、同じボンディング特徴例えば、はんだバンプに結合される2つ又はそれ以上の独立フィードライン即ち、IC上の異なるノードからがあるIC設計に適用することもできる。フィードが電流均一性を最大化させることと組み合わされるべきか、又は各入力ラインでの予期される電流ローディングに基づいて分割されるべきかの判定は自由裁量で成され得る。そのため、均一な分割のため、サブトレースに分けられる前に独立フィードラインが共につながれ得る。各独立フィードラインから予期される電流が設計により既知である場合、ボンディング特徴にフィードするコンタクトバイアの数は、ボンディング特徴のエリアにわたる均一な電流分布をもたらすように入力ライン毎に分割され得る。そのため、各ラインで等しい電流の2つの独立フィードラインがある場合、バイアの半分がフィードラインの一つに、バイアの半分が他方のフィードラインに割り当てられ得る。図3は、例示の一実施例に従った、いずれもボンドパッド215に結合される、均一トレース部312を含む第1の独立フィードライン310と、均一トレース部322を含む第2の独立フィードライン320とを有する例示のEM耐性フィードライン構造300を示す。フィードライン310及び320は、各々パターン化されたトレース部315及び325を含み、パターン化されたトレース部315及び325は各々、実質的に等しいサブトレース電流を提供する4つのサブトレース315a~d及び325a~dを含む。第1のフィードライン310及び第2のフィードラインは、異なる金属相互接続から形成されて示されている。第1のフィードライン310は、金属層N例えば、第7のレベル金属から形成されて示されており、第2のフィードライン320は、金属層N-l例えば第6のレベル金属から形成されて示されている。第1のフィードライン310は、I1のフィード電流をフィードするよう示されており、第2のフィードライン320は電流I2をフィードするよう示されている。I1及びI2は概して等しい電流ではない。図4は、図1Aに示す誘電体開口115に類似する誘電体開口又は複数のバイア図示せずによるなど、METn例えば、銅バンプパッドを含むバンプパッド419に結合する複数のサブトレースを含む均一トレース部402及びパターン化されたトレース部406を含む、開示されるEM耐性フィードライン401を含むMETn412として示される頂部相互接続金属層を含むバックエンドオブラインBEOLメタライゼーションスタック420を含む例示のICデバイス400を示す。BEOLスタック420は、第1の誘電体層431及び第2の誘電体層432を更に含む。ICデバイス400は、能動回路要素409を有する基板405を含み、能動回路要素におけるノード417が、BEOL420を介する接続により均一トレース部402に結合されて示されている。頂部金属層例えば、アルミニウムから形成されるボンドパッド415がバンプパッド419の上にあり、電流スプレッド層を提供するUBMパッドがボンドパッド415上にあり、はんだバンプ435として示されるボンディング特徴がUBMパッド418の上にある。図4に示すMETn412はEM耐性フィードラインを提供するように示されているが、IC400上の任意の金属相互接続層は概して、下にある金属相互接続層など、EM耐性フィードラインを提供するために用いられ得る。或るボンディング特徴では、図示されるUBMパッド418は必要とされない可能性があることに注意されたい。例えば、ボンディング特徴が銅ピラーであるとき、銅ピラーは、銅ボンドパッド直上に形成され得る。図5は、例示の一実施例に従った、金属/有機ボンディング材料を含む接合525によりパッド521を有する基板520にボンディングされるパッド511に結合されるフリップチップ配置に開示されるEM耐性フィードライン構造を有するICダイ510を含むスタックされたICデバイス500を示す。開示される実施例は、特に、開示されるフィードライン構造によって提供される接合525の実質的に全断面エリアにわたって提供される電流スプレッドにより示される金属/有機ボンディング材料などの低EM抵抗を備えたボンディング材料に有用であり得る。開示される実施例は、ボンディング特徴に結合される任意のフィードライン構造に適用され得る。ボールを含むWCSPは単なる1つの例である。開示される実施例の恩恵を受け得る他のフィード構造には、TSV対RDL対リモートパッド配置が含まれる。2つの異なるリファレンス構造に対し、いずれも、ボンドパッドに結合される実質的に等しいサブトレース電流を提供するような寸法にされた14個のフィードラインサブトレースを備え、ボンドパッド上の2ミクロンのNiUMB及びUBM上のはんだバンプを備えた、図1Aに示すEM耐性フィードライン構造100エッジフィード、図2Aに示すEM耐性フィードライン構造200エリアフィードに対し、ブラックの式から得た故障までの平均時間MTTFパラメータを用いてEM性能を比較するためにシミュレーションが実行された。第1のリファレンス構造は、それらの長さにわたって同じ均一サブトレースライン幅を有することを除けば、フィードライン構造200と同等の14個のフィードラインサブトレースを含み、第2のリファレンス構造は、ボンドパッド上の同じ層スタックを備えた従来の単一フィードライン配置を含む。ブラックの式下記は、EMに起因する半導体回路のMTTFのための数学的モデルである。MTTF=Awj-neQ/kTここで、Aは定数であり、jは電流密度であり、nはモデルパラメータであり、QはeV電子ボルトでのアクティベーションエネルギーであり、kはボルツマン定数であり、TはKでの絶対温度であり、wは金属ライン/ワイヤの幅である。実行されたシミュレーションに基づいて、全てそれぞれの長さにわたって同じ均一ライン幅を有する14個のフィードラインサブトレースを有する第1のリファレンス構造は、従来の単一フィードライン配置に比べて約20~40のはんだ寿命の改善を提供した。これに対し、図1Aに示すフィードライン構造100は、200~300のはんだ寿命の改善を提供することが分かった。図2Aに示すフィードライン構造200は、一桁以上、すなわち、>1,000、のはんだ寿命の改善を提供することが分かった。サブトレースを、サブトレース電流にマッチングするような寸法とすることを含む開示される実施例により得られることが分かったMTTF性能インパクトの大きさは、改善の大きさに基づく臨界を示す予期しない結果を証明した。具体的には、エッジフィード実施例でははんだ寿命の200~300の改善、及びエリアフィード実施例では>1,000のはんだ寿命の改善であり、いずれも、差の度合いではなく、種類の差が適切に考慮されるべきであるため、従来のフィードライン構造だけでなく第1のリファレンス構造から達成される結果に対して著しい改善を表す。ウエハ半導体基板上に形成される能動回路要素は、一般的に、トランジスタ、ダイオード、キャパシタ、及びレジスタを含む回路要素だけでなく、これらの種々の回路要素を相互接続する信号ライン及び他の電気的導体を含み、IC回路機能を提供するように構成される。本明細書において用いられるようにIC回路機能を提供するとは、例えば、特定用途向け集積回路ASIC、デジタルシグナルプロセッサ、無線周波数チップ、メモリ、マイクロコントローラ及びシステムオンチップ、又はそれらの組み合わせを含み得るICからの回路機能を指す。開示される実施例は、種々のデバイス及び関連する製品を形成する種々のプロセスフローに統合することが可能である。半導体基板は、その中に種々の要素を及び/その又は上に層を含み得る。これらは、障壁層、他の誘電体層、デバイス構造、能動要素、及びソース領域、ドレイン領域、ビットライン、ベース、エミッタ、コレクタ、導電性ライン、導電性ビアなどを含む受動要素を含み得る。また、バイポーラ、CMOS、BiCMOS、及びMEMSを含む種々のプロセスにおいて、開示される実施例を用いることができる。本開示に関連する習熟者であれば、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び本発明の特許請求の範囲内で他の実施例を実装し得ることが分かるであろう。"