"基板と、前記基板上に形成され、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層と、前記第一の窒化物半導体層上に形成され、当該第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層と、前記第二の窒化物半導体層上に形成され、当該第二の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層と、前記第三の窒化物半導体層上に直接あるいは中間層を介して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成されたゲート電極とを備えてなり、前記第一の窒化物半導体層に不純物としてホウ素を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。前記基板が炭化ケイ素であり、前記第一の窒化物半導体層が窒化アルミニウムであり、前記第二の窒化物半導体層が窒化ガリウムであり、前記第三の窒化物半導体層が窒化アルミニウムガリウムであることを特徴とする請求項1記載の電界効果型トランジスタ。前記第一の窒化物半導体層のホウ素の濃度が、5E16~5E19[/cm3]の範囲であることを特徴とする請求項1又は2記載の電界効果型トランジスタ。本発明の目的は、耐圧向上を図った電界効果型トランジスタを提供することにある。本件発明者等は、電界効果型トランジスタの耐圧向上について熱意検討を行った結果、意外にも、窒化系化合物半導体層へ鉄のような遷移金属をドーピングすることなく、本件請求項1~3に係る発明によって効果的に達成することができることを見いだした。[1]すなわち、本発明は、基板と、前記基板上に形成され、核生成層として機能する第一の窒化物半導体層と、前記第一の窒化物半導体層上に形成され、当該第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層と、前記第二の窒化物半導体層上に形成され、当該第二の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層と、前記第三の窒化物半導体層上に直接あるいは中間層を介して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成されたゲート電極とを備えてなり、前記第一の窒化物半導体層に不純物としてホウ素を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタを提供する。[2]上記[1]記載の発明にあって、前記基板が炭化ケイ素であり、前記第一の窒化物半導体層が窒化アルミニウムであり、前記第二の窒化物半導体層が窒化ガリウムであり、前記第三の窒化物半導体層が窒化アルミニウムガリウムであることを特徴としている。[3]上記[1]又は[2]記載の発明にあって、前記第一の窒化物半導体層のホウ素の濃度が、5E16~5E19[/cm3]の範囲であることを特徴としている。本発明によれば、電界効果型トランジスタの耐圧向上を達成することができる。以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。窒化物トランジスタの構成図1において、符号101は、III族窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ以下、窒化物トランジスタという。におけるポリタイプ4H、又はポリタイプ6Hの半絶縁性炭化ケイ素基板SiC基板である。そのSiC基板101上には、ホウ素をドープした第一の窒化物半導体層である窒化アルミニウム核生成層B-AlN102が形成されている。その窒化アルミニウム核生成層102上には、第二の窒化物半導体層であるアンドープ窒化ガリウム層un-GaN103が形成されている。そのアンドープ窒化ガリウム層103上には、第三の窒化物半導体層である窒化アルミニウムガリウム電子供給層un-AlGaN104が形成されている。アンドープ窒化ガリウム層103は、窒化アルミニウム核生成層102よりも電子親和力の大きい材料からなる。窒化アルミニウムガリウム電子供給層104は、アンドープ窒化ガリウム層103よりも電子親和力の小さい材料からなる。その窒化アルミニウムガリウム電子供給層104上には、ケイ素をドープした窒化ガリウム中間層Si-GaN106が形成されている。窒化アルミニウム核生成層102、アンドープ窒化ガリウム層103、窒化アルミニウムガリウム電子供給層104、及び窒化ガリウム中間層106によりGaN-HEMT高電子移動度トランジスタ構造が構成される。アンドープ窒化ガリウム層103、及びアンドープ窒化アルミニウムガリウム電子供給層104の間の格子定数差に起因して、アンドープ窒化アルミニウムガリウム電子供給層104内のピエゾ効果によって発生した二次元電子ガス層105が、アンドープ窒化ガリウム層103中のアンドープ窒化アルミニウムガリウム電子供給層104との界面付近接合面付近に形成されている。窒化ガリウム中間層106の表面には、ソース電極107、ドレイン電極108、及びゲート電極109が配置されている。ソース電極107及びドレイン電極108は、チタンとアルミニウムの複層構造からなる。ゲート電極109は、ソース電極107及びドレイン電極108の間に形成されており、ニッケルと金の複層構造からなる。ところで、窒化物トランジスタ構造においては、例えば遮断状態に、その窒化物トランジスタ構造中に何らかの電流リーク経路が存在すると、電極間あるいは素子間に漏洩電流が発生することとなり、当該デバイスの耐圧は著しく低下してしまう。この電流リーク経路は、窒化物エピタキシャル層と基板との界面付近において頻繁に発生すると考えられる。その理由は、エピタキシャル層が成長される以前の基板は、極めて特殊な前処理を行わない限り、一旦、大気に曝された後にエピタキシャル装置に導入されるのが一般的であり、この大気中においてはドナーとしてリーク源になるケイ素などの不純物が大量に基板表面に付着するためである。すなわち、リーク源となる不純物が付着した基板表面とエピタキシャル層の成長初期層との界面付近が電流リーク経路となる。この電流リーク経路の発生を抑止するために窒化物トランジスタ構造において用いられる一般的な手法が、窒化ガリウムへの鉄ドーピングである。窒化ガリウム系、あるいはリン化インジウム系の化合物半導体へ鉄などの遷移金属をドーピングすると、化合物半導体が高抵抗化することは知られている。これは、ドーピングされた遷移金属が化合物半導体のバンドキャップ中に深いトラッピング準位を形成し、この準位がフリーキャリアをトラップすることによる。エピタキシャル層中で膜厚の大部分を占める窒化ガリウムへ鉄をドーピングすることにより、電流リーク経路とデバイス能動層である二次元電子ガス発生領域とを切り離す。その結果として、電気親和力の大きい窒化ガリウムへの鉄ドーピングには短所があるが、窒化ガリウム系デバイスの耐圧を向上させることができるという利点がある。鉄などの遷移金属は、上述したように、化合物半導体のバンドキャップ中に深いトラッピング準位を形成する。このため、化合物半導体構造のうちトランジスタ動作に直接寄与しない部分には鉄が混入されていた方が耐圧の観点から好ましい。しかしながら、その反面、トランジスタ動作で核心となるチャネル部分に鉄が混入していると、導電性が低下してしまうという不都合が生じる。特に、窒化物トランジスタでは、チャネル部分を走行するキャリアがトラッピング準位に捕獲されることにより、高周波動作時にドレイン電流が大幅に低下する、所謂カレントコラプス現象が発生することが指摘されている。すなわち、チャネル部分に混入した鉄がカレントコラプス現象を引き起こしていると言える。この実施の形態に係る構成は、鉄ドーピングを用いることなく、電界効果型の窒化物トランジスタ構造の耐圧を向上させること構成に主要な特徴部を有している。SiC基板101と窒化物エピタキシャル層との界面を形成する核生成層として機能する窒化アルミニウム層にホウ素を不純物としてドーピングすることが肝要である。図示例によると、SiC基板101上には、不純物としてホウ素を含有した窒化アルミニウム核生成層102が形成されている。ホウ素をドーピングすることにより、窒化アルミニウムを高抵抗化させることができるようになり、SiC基板101と窒化アルミニウム核生成層102との界面のリーク電流を大幅に低減させることが可能となる。ホウ素の窒化物がほぼ絶縁体となることが、窒化アルミニウム核生成層102の導電性に大きく影響を与える。窒化アルミニウム核生成層102に不純物としてドーピングするホウ素の濃度は、5E16~1E19[/cm3]の範囲内に設定する。窒化アルミニウム核生成層102の膜厚としては、ホウ素の濃度を考慮すると、10nm以上1000nm以下とすることが好適である。窒化アルミニウム核生成層102の膜厚が10nm未満では、ホウ素の濃度を5E16~1E19[/cm3]の範囲内としても、5E16[/cm3]未満のホウ素濃度と耐圧性との結果に効果的な差が得られない。窒化アルミニウム核生成層102の膜厚が1000nmを越えると、ホウ素の濃度を5E16~1E19[/cm3]の範囲内としても、窒化物エピタキシャル層の表面モフォロジが著しく悪化するので好ましくない。なお、リーク電流制御のため、窒化アルミニウム核生成層102のSi濃度は、5E16~3E17の範囲とすることが好ましい。素子特性のバラツキを制御するために、アンドープ窒化ガリウム層103のC濃度及びSi濃度は、7E16[/cm3]以下となるように成膜する。アンドープ窒化ガリウム層103の膜厚としては、200nm~2000nmの範囲内とすることが好ましく、より好ましくは、550nm~1200nmの範囲内とすることが望ましい。以下に、図1~図5を参照しながら、本発明の更に具体的な実施の形態として、実施例を挙げて詳細に説明する。なお、この実施例では、上記実施の形態の典型的な一例を挙げており、本発明は、この実施例に限定されるものではないことは勿論である。[実施例1]窒化物トランジスタ構造の製造方法上記実施の形態に係る窒化物トランジスタは、次の製造方法により効果的に得られる。窒化物トランジスタの主要部を製造するにあたり、先ず、基板としてポリタイプ4Hあるいはポリタイプ6Hの半絶縁性SiC基板JUST基板101を用意する。次に、例えばMOVPEMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置を用い、原料ガスとしてアンモニアガス、TMATriMethylAluminum、及びTEBTriEthylBoronを供給することで、SiC基板101上に膜厚800nmの窒化アルミニウム核生成層102以下、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102ともいう。を形成する。ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102を形成する際の反応温度は、本出願人が先に提案した特開2005-32823号公報に記載されているように、1200°Cが最も望ましい。次いで、同一のMOVPE装置を用いて、原料ガスとしてアンモニアガス、及びTMGTriMethylGalliumを供給することで、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102上に、膜厚1200nmのアンドープ窒化ガリウム層103を形成する。このときの反応温度は、1020°Cに設定する。次いで、同一のMOVPE装置を使用し、原料ガスとしてアンモニアガス、TMA、及びTMGを供給することで、アンドープ窒化ガリウム層103上に、膜厚30nmの窒化アルミニウムガリウム電子供給層104を形成する。次いで、同一のMOVPE装置を使用し、原料ガスとしてアンモニアガス、及びTMGを供給することで、窒化アルミニウムガリウム電子供給層104上に、膜厚8nmの窒化ガリウム中間層Si-GaN106を形成する。窒化ガリウム中間層106は、Si濃度が1E17~1E19[/cm3]の範囲内となるように成膜する。ここで、SiC基板101上にホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102、アンドープ窒化ガリウム層103、及び窒化アルミニウムガリウム電子供給層104を順に積層形成した段階のエピタキシャル多層膜をSIMSSecondaryIonMassSpectroscopyで分析したところ、図5に示すようなエピタキシャル多層膜中のガリウム、アルミニウム、及びホウ素の深さ方向分布が得られた。図5から理解できるように、SiC基板101の表面上に合計約2.0μmの厚さで、初期の目的とする濃度範囲を満たすように、下方から順に、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102、アンドープ窒化ガリウム層103、及び窒化アルミニウムガリウム電子供給層104の三層構造が形成されていることが確認された。窒化アルミニウム核生成層102のC濃度及びSi濃度と、アンドープ窒化ガリウム層103のC濃度及びSi濃度のいずれもが、5E16~7E16[/cm3]の範囲内であった。これにより、さらに効果的なリーク電流の低減を図るとともに、素子特性のバラツキを抑えた。アンドープ窒化ガリウム層103のホウ素の濃度は、窒化アルミニウム核生成層102の界面近傍窒化アルミニウム核生成層102から20nmまでの範囲を除き、SIMSによる検出下限値以下であった。勿論、実施例1では鉄ドープしないので、鉄は検出下限値以下であった。そして、定法に従い、一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて、ソース電極107、ドレイン電極108、及びゲート電極109のそれぞれを窒化ガリウム中間層106の表面上に形成する。以上の製造工程により、この実施例1に係る独自のIII族窒化物半導体を用いた窒化物トランジスタの主要部を製造することができる。図2を参照すると、図2aには、この実施例1に係る窒化物トランジスタのソース電極107、及びドレイン電極108の電極間電圧を変数としてDC駆動時のリーク電流値が示されている。図2bは、従来の窒化物トランジスタのDC駆動時のリーク電流値を示している。リーク電流の値が大きいほど、トランジスタ特性への悪影響が大きいと言える。図2から理解できるように、この実施例1に係る窒化物トランジスタは、従来の窒化物トランジスタよりリーク電流値が一桁以上抑制低減されていることが確認できた。図3及び図4を参照すると、図3には、この実施例1に係る窒化物トランジスタの印加電圧50Vにおけるリーク電流と、核生成層として機能する第一の窒化物半導体層である窒化アルミニウム核生成層102へのホウ素ドーピング濃度との相関関係が示されている。一方、図4には、窒化アルミニウム核生成層102ヘホウ素ドーピングされた窒化物トランジスタ用エピタキシャルウェハの表面が示されている。図4aは、ホウ素ドーピング濃度が5E18[/cm3]である場合の一例を例示し、図4bは、ホウ素ドーピング濃度が7E19[/cm3]である場合の一例を例示している。上記製法を用い、下記表1に示すホウ素ドーピング濃度条件で試料1~9をそれぞれ試作し、9通りのGaN-HEMT構造を得た。表1に示すホウ素ドーピング濃度とリーク電流との相関関係を図3のグラフ上にプロットした。図3から明らかなように、ホウ素のドーピング濃度が高いほど、リーク電流の抑止効果は高いということが分かる。このリーク電流の抑止効果は、窒化アルミニウム核生成層102へのホウ素ドーピング濃度が5E16[/cm3]を越えてから発生し、ホウ素ドーピング濃度の増加とともに、リーク電流が低減され、リーク電流の抑止効果が大きくなっていることが理解できる。一方、ホウ素のドーピング濃度が5E19[/cm3]を越えると、図4bに示すように、窒化物トランジスタ用のエピタキシャルウェハの表面モフォロジが著しく劣化する。その表面モフォロジが劣化すると、電極の形成などに悪影響を与えるので好ましくない。これらの結果から、窒化アルミニウム核生成層102に不純物としてドーピングするホウ素の濃度は、5E16~5E19[/cm3]の範囲内に設定することが好適であるといえる。[実施例2]上記実施例1にあっては、意図せずにSiが付着した半絶縁性SiC基板JUST基板101を用いて得られた窒化物トランジスタの一構成例を例示したが、実施例2では、意図的にSiを付着させた基板を用いる例を説明する。この実施例2にあっては、上記実施例1と同様に炉内に基板をセットする。炉内にテトラエチルシランを流し、基板上に単位面積当たり1E12[/cm3]のSiを付着させる。このSi付着基板に対して、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102のホウ素濃度を2E18[/cm3]とし、上記実施例1と同様の構造を形成した。その結果、低リーク電流であり、良好な耐圧性が得られた。[実施例3]アンドープ窒化ガリウム層103の炭素濃度を制御することで、耐圧性を向上させることができる。この実施例3にあっては、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102のホウ素濃度を制御するとともに、アンドープ窒化ガリウム層103の炭素濃度を制御することで、耐圧性の向上を図った。本件発明者等は、電界効果型トランジスタの耐圧向上について熱意検討を行った結果、ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102のホウ素濃度を制御することに加えて、アンドープ窒化ガリウム層103の炭素濃度を8E16[/cm3]以上にすることで、耐圧性向上に有効であることを見いだした。一方で、アンドープ窒化ガリウム層103の上層部、例えば窒化アルミニウムガリウム電子供給層104の近傍窒化アルミニウムガリウム電子供給層104とアンドープ窒化ガリウム層103との界面から基板101側へ50nmまでの範囲における炭素濃度が1E17[/cm3]を越えると、トランジスタ特性の低下が起こるということを確認した。そこで、アンドープ窒化ガリウム層103の下層部側の成長温度を980°Cに設定し、炉内圧力を50Torr約13,332Paに制御し、アンドープ窒化ガリウム層103の上層部側における炭素の混入を制御した。具体的には、アンドープ窒化ガリウム層103の下層部ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102側から窒化アルミニウムガリウム電子供給層104の近傍までにおける炭素濃度が8E16以上15E16[/cm3]以下の範囲となるように、アンドープ窒化ガリウム層103の下層部を少なくとも250nmとし、250nm~550nmの範囲内の厚さを有するように成膜した。アンドープ窒化ガリウム層103の上層部は、窒化アルミニウムガリウム電子供給層104の近傍の炭素濃度が1E17[/cm3]を越えないように成膜した。好ましくは、7E16[/cm3]以下となるように成膜することで、トランジスタ特性の低下を抑えることが可能となった。なお、アンドープ窒化ガリウム層103の厚さによっては、上層部と下層部との間に介在層に相当する層が存在する。この介在層の炭素濃度は、上層部における濃度から下層部における濃度の範囲内とした。アンドープ窒化ガリウム層103のSi濃度は、5E16~7E16[/cm3]の範囲となるように成膜した。これにより、ドレイン耐圧の向上、素子間リークの抑制が実現できることを確認した。炭素が、窒化物半導体中において点欠陥例えば、窒素空孔あるいはn型不純物に起因するフリーのn型キャリアをトラッピングし、不活性化する役割を果たしていると、本件発明者等は考えた。ホウ素ドープ窒化アルミニウム核生成層102のホウ素濃度制御によるリーク電流制御に加え、成長条件の制御を用いてのアンドープ窒化ガリウム層103への炭素添加により、トランジスタ特性を低下させることなく、耐久性の向上が実現できた。以上の説明からも明らかなように、本発明の窒化物トランジスタを上記実施の形態、及び実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態、実施例、及び図示例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。本発明にあっては、次に示すような変形例も可能である。[変形例]1図示例では、SiC基板101を例示したが、基板の材料としては、窒化物半導体層を形成できる材料であれば、特に限定されるものではなく、例えばサファイアやシリコンを基板に用いることができる。2図示例では、ホウ素をドープした第一の窒化物半導体層として窒化アルミニウム核生成層B-AlN102を例示したが、これに限定されるものではなく、例えばAlGaNなどのホウ素をドープした窒化物半導体層を用いることができる。3図示例では、第二の窒化物半導体層としてアンドープ窒化ガリウム層un-GaN103を例示したが、これに限定されるものではなく、第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の大きいAlGaN、InGaNやAlInGaNなどの窒化物半導体層であってもよい。4図示例では、第三の窒化物半導体層として窒化アルミニウムガリウム電子供給層un-AlGaN104を例示したが、これに限定されるものではない。窒化アルミニウムガリウム電子供給層に代えて、第二の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さいInAlNなどの窒化物半導体層を用いることができる。5図示例では、中間層として窒化ガリウム中間層Si-GaN106を例示したが、これに限定されるものではなく、Si-AlGaNなどの窒化物半導体層であってもよい。6図示例では、窒化ガリウム中間層106の表面にソース電極107、ドレイン電極108、及びゲート電極109を配置した一構成例を例示したが、これに限定されるものではなく、ソース電極107、ドレイン電極108、及びゲート電極109をアンドープ窒化アルミニウムガリウム層104上に形成した構成であってもよい。以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記実施の形態及び実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施の形態及び実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。"