電動機のU相巻線と接続された一対のU相側パワー半導体素子と、前記電動機のV相巻線と接続された一対のV相側パワー半導体素子と、前記電動機のW相巻線と接続された一対のW相側パワー半導体素子と、前記U相側パワー半導体素子を駆動する一対のU相側駆動回路と、前記V相側パワー半導体素子を駆動する一対のV相側駆動回路と、前記W相側パワー半導体素子を駆動する一対のW相側駆動回路と、前記一対のU相側駆動回路に電源を供給するU相側電源供給部と、前記U相側直流電源とは独立して前記一対のV相側駆動回路に電源を供給するV相側電源供給部と、前記U相側直流電源及び前記V相側直流電源とは独立して前記一対のW相側駆動回路に電源を供給するW相側電源供給部とを備えたことを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項1に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記一対のU相側パワー半導体素子の一方のエミッタと他方のコレクタとが前記U相側巻線に接続され、前記一対のV相側パワー半導体素子の一方のエミッタと他方のコレクタとが前記V相側巻線に接続され、前記一対のW相側パワー半導体素子の一方のエミッタと他方のコレクタとが前記W相側巻線に接続され、前記一対のU相側パワー半導体素子の夫々のゲートが前記一対のU相側駆動回路と接続され、前記一対のV相側パワー半導体素子の夫々のゲートが前記一対のV相側駆動回路と接続され、前記一対のW相側パワー半導体素子の夫々のゲートが前記一対のW相側駆動回路と接続され、前記一対のU相側駆動回路が少なくともトランス部と電源ICを含むU相側直流電源と接続され、前記一対のV相側駆動回路が少なくともトランス部と電源ICを含むV相側直流電源と接続され、前記一対のW相側駆動回路が少なくともトランス部と電源ICを含むW相側直流電源と接続されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項2に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記U相側直流電源、V相側直流電源、及びW相側直流電源は少なくとも鉄心と一次巻線と夫々の駆動回路に接続された二次巻線とを含んでいることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。直流電流を3相の交流電流に変換して電動機を駆動するパワー半導体素子よりなるパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールを駆動する駆動回路を備えた自動車用電力変換制御装置において、前記パワー半導体モジュール及び前記駆動回路は前記3相の交流電流に対応して3個の単位半導体モジュールと3個の単位駆動回路より構成され、前記単位駆動回路の電源供給部をそれぞれ独立して設けたことを特徴とする自動車用電力変換制御装置。直流電流を3相の交流電流に変換するため一相毎に一対のパワー半導体素子を備えた3個の単位半導体モジュールが収容された金属製のケースと、前記単位半導体モジュールの一対のパワー半導体素子を駆動する3個の単位駆動回路、前記単位駆動回路にそれぞれ独立して電力を供給する3個の電源供給装置、及び前記単位駆動回路を制御する低電圧制御回路部を設けた制御基板を備え、制御基板には、その中央部付近に前記低電圧制御回路部が配置され、前記低電圧制御回路部の対向する一方の一辺の外方向側に2相の単位駆動回路とこれの電源供給装置を配置し、前記低電圧制御回路部の対向する他方の一辺側に残りの1相の単位駆動回路とこれの電源供給装置を配置したことを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項5に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記単位駆動回路を構成する一対の駆動回路は並べて配置されており、前記一対の駆動回路の間に少なくとも共通の電源供給装置が配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項6に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記共通の電源供給装置を境にして、ほぼ同形状の前記駆動回路が対称に配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。直流電流を3相の交流電流に変換するため一相毎に一対のパワー半導体素子を備えた3個の単位半導体モジュールが収容された金属製のケースと、前記単位半導体モジュールの一対のパワー半導体素子を駆動する3個の単位駆動回路、前記単位駆動回路にそれぞれ独立して電力を供給する3個の電源供給装置、及び前記単位駆動回路を制御する低電圧制御回路部を設けた制御基板を備え、制御基板には、その一辺に寄せてほぼ矩形状の前記低電圧制御回路部が配置され、前記低電圧制御回路部の三辺に夫々1相毎に単位駆動回路とこれの電源供給装置を配置したことを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項8に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記単位駆動回路を構成する一対の駆動回路は並べて配置されており、前記一対の駆動回路の間に少なくとも共通の電源供給装置が配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項9に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記共通の電源供給装置を境にして、ほぼ同形状の駆動回路が対称に配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。直流電流を3相の交流電流に変換するため一相毎に一対のパワー半導体素子を備えた3個の単位半導体モジュールが収容された金属製のケースと、前記単位半導体モジュールの一対のパワー半導体素子を駆動する3個の単位駆動回路、前記単位駆動回路にそれぞれ独立して電力を供給する3個の電源供給装置、及び前記単位駆動回路を制御する低電圧制御回路部を設けた制御基板を備え、制御基板には、一方の領域に寄せて前記低電圧制御回路部が配置され、前記低電圧制御回路部の他方の領域に1相毎に単位駆動回路とこれの電源供給装置を対として3列に配置したことを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項11に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記単位駆動回路を構成する一対の駆動回路は並べて配置されており、前記一対の駆動回路の間に少なくとも共通の電源供給装置が配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。請求項12に記載の自動車用電力変換制御装置において、前記共通の電源供給装置を境にして、ほぼ同形状の駆動回路が対称に配置されていることを特徴とする自動車用電力変換制御装置。このようなリンプホーム機能を有する自動車用電力変換制御装置にあっては、この他にこの電力変換制御装置が自動車に搭載される環境であるため、その体格を小さくする、すなわち小型化して搭載性を向上することや、ハイブリッド車においてはガソリンエンジンの燃費を向上するため軽量化が求められている。しかしながら、特許文献1に記載の自動車用電力変換制御装置においては確かにリンプホーム機能を備えてはいるが、各IGBT駆動回路の各ゲート回路にトランスを含む電源が6個必要なことから小型化や軽量化ができなく、上記した様に搭載性向上や燃費向上等の要請にこたえることができなかった。本発明の目的は、リンプホーム機能を備えると共に、小型化及び軽量化を向上した自動車用電力変換制御装置を提供することにある。本発明の特徴は、直流電流を3相の交流電流に変換して電動機を駆動するパワー半導体素子よりなるパワー半導体モジュールと、このパワー半導体モジュールを駆動する駆動回路を備えた自動車用電力変換制御装置において、パワー半導体モジュール及び駆動回路は3相の交流電流に対応して3個の単位半導体モジュールと3個の単位駆動回路より構成され、単位駆動回路の電源供給部をそれぞれ独立して設けたことを特徴とする自動車用電力変換制御装置、にある。1相の半導体モジュールに故障が生じても他の2相は故障した1相とは独立した専用の直流電源を有しているので、この故障したIGBTの影響を受けることなく動作可能である。したがって、他の2相V相及びW相は故障した1相U相とは独立して動作が可能となり、電動機10を継続して回転させることが可能となるものである。また、トランスを含む電源供給部をU相、V相及びW相の個別に専用のトランスを含む直流電源を3個設けることによって、その体格が小型化され、且つ重量も軽減されるので、自動車として求められる搭載性向上や燃費向上等の要請にこたえることができる。以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明の理解を助けるため現在提案されている自動車用電力変換制御装置の構成と故障の発生状況について図8を用いて説明する。図8において、自動車用電力変換制御装置の主要な回路構成を示しており、参照番号10は3相交流で動作する電動機であって、この電動機10はIGBTモジュール11と接続され、IGBTモジュール11からの駆動信号によって電動機10を構成する固定側の誘導巻線に回転磁界を発生させて電動機10を回転するようにしている。このIGBTモジュール11は6個のIGBTよりなるスイッチング素子Sn1~スイッチング素子Sn6よりなっている。この6個のスイッチング素子Sn1~Sn6はそれぞれ2個毎に対となって電動機10のU相、V相及びW相の各巻線に電力を供給するものである。そして、スイッチング素子Sn1、スイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn5のコレクタ側は直流電源12に接続され、スイッチング素子Sn2、スイッチング素子Sn4及びスイッチング素子Sn6のエミッタはインダクタンスLu、Lv、Lwを介してアースされている。このインダクタンスは配線のインダクタンスである。スイッチング素子Sn1、スイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn5のコレクタ側が接続された直流電源12は例えば、複数個のリチウムイオン電池を直列接続して高電圧の直流電源を確保している。そして、スイッチング素子Sn1のエミッタとスイッチング素子Sn2のコレクタが接続され、この対からなるスイッチング素子でU相の巻線の電力を制御し、同様に、スイッチング素子Sn3のエミッタとスイッチング素子Sn4のコレクタが接続され、この対からなるスイッチング素子でV相の巻線の電力を制御し、同様に、スイッチング素子Sn5のエミッタとスイッチング素子Sn6のコレクタが接続され、この対からなるスイッチング素子でW相の巻線の電力を制御しており、これらの構成は既に周知の構成である。更に、スイッチング素子Sn1~スイッチングSn6のゲートにゲートドライバである駆動回路13~駆動回路18が接続され、これらの駆動回路13~駆動回路18によってU相、V相及びW相の巻線駆動信号が生成される。駆動回路13~駆動回路18の電源は共通の電源供給部19によって供給されており、この電源供給部19はトランス部20と、このトランス部20への電気的エネルギ供給を制御するMOS型FETよりなるスイッチング素子21と、電源IC22及びコンデンサ23より構成されている。トランス部20は1個の共通一次巻線24と各駆動回路13~駆動回路18に接続される6個の二次巻線25A~二次巻線25Fより構成されている。これらの構成についても周知の構成であり、またその作動も周知であるのでここではその作動の説明は省略するが、故障の発生状況について以下に説明する。例えば、W相のスイッチング素子Sn5が何らかの理由で破壊された場合、そのエネルギは容易にスイッチング素子Sn5のゲート酸化膜を破壊し、スイッチング素子Sn5のコレクタからベース側に矢印1図面には丸付きで示している。のように高電圧が印加される。ここで、駆動回路17は通常スイッチング素子Sn5の最大ゲート電圧程度で動作するように作られているため、前述した高電圧が印加されるとスイッチング素子Sn5に接続されている駆動回路17が破壊され短絡電流が矢印2図面には丸付きで示している。のように流れる。この短絡電流はトランス部20の駆動回路17に接続された二次巻線25Aに矢印3図面には丸付きで示している。ように電流の流れを生じさせる。一方、トランス部20の共通一次巻線24への電流は矢印4図面には丸付きで示している。で示されるように流れるが、二次巻線25Aの矢印3で示すような電流の流れによって大方の電気的エネルギが消費され、他の二次巻線24B~二次巻線24F端子の出力が出なくなる。この結果、駆動回路13~駆動回路18が作動できなくなって電動機10への電力供給が滞るようになる。このように、電動機10の回転を続けるために必要な、壊れたスイッチング素子Sn5のW相以外の他のU相及びV相の電源も無くなり電動機10は停止することになる。したがって、郊外や山間地でこのような故障を生じると自動車を動かせなくなり、運転者や同乗者の安全等に大きな悪影響を及ぼすことになる。このため、電動機を回転させて自動車を動かすことができるような、いわゆるリンプホーム機能が要求されている。このような事象の対応策として特許文献1にあるように、各IGBTの各ゲート回路に独立した6個のトランスを含む電源を接続することで、IGBTのいずれか1個が短絡したりして故障しても、残りの電源が生きているので少なくとのU相、V相及びW相の内の2相の巻線によって電動機を回転することができる構成としている。このようなリンプホーム機能を有する自動車用電力変換制御装置にあっては、上述したようにこの電力変換制御装置が自動車に搭載される環境であるため、その体格を小さくする、すなわち小型化して搭載性を向上することや、ハイブリッド車においてはガソリンエンジンの燃費を向上するため軽量化が要請されている。しかしながら、特許文献1に記載の自動車用電力変換制御装置においては確かにリンプホーム機能を備えてはいるが、各ゲート回路にトランスを含む電源が6個必要なことから小型化や軽量化ができなく、上記した様な搭載性向上や燃費向上等の要請にこたえることができなかった。次にこのようなリンプホーム機能を備えると共に、小型化及び軽量化の要請に対応する自動車用電力変換制御装置の一実施例について説明する。本発明の一実施例になる自動車用電力変換制御装置の回路構成を図1に示しているが、図1に示す構成部品と共通する符号は同一物、或いは機能が均等のものを示している。図1において、参照番号30はU相の電力を制御する一対のスイッチング素子Sn1及びスイッチング素子Sn2よりなる単位半導体モジュール以下、単位IGBTモジュールという。であり、同様に、V相の電力を制御する一対のスイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn4よりなる単位IGBTモジュール31、W相の電力を制御する一対のスイッチング素子Sn5及びスイッチング素子Sn6よりなる単位IGBTモジュール32が備えられている。単位IBGTモジュール30のスイッチング素子Sn1は駆動回路13に接続され、またスイッチング素子Sn2は駆動回路14に接続されており、この単位IGBTモジュール30に対応して駆動回路13と駆動回路14が単位駆動回路として構成されている。また、単位IBGTモジュール31のスイッチング素子Sn3とスイッチング素子Sn4の駆動回路15と駆動回路16と、単位IBGTモジュール32のスイッチング素子Sn5とスイッチング素子Sn6の駆動回路17と駆動回路18も単位駆動回路として構成されていることはもちろんである。そして、本発明では各単位IGBTモジュール30~単位IGBTモジュール32のそれぞれの単位駆動回路に個別に独立した電源供給部33を備えたことが特徴となっている。尚、図1においてはIGBTモジュール30の単位駆動回路専用の独立した電源供給部33を示し、IGBTモジュール31、IGBTモジュール32の単位駆動回路専用の独立した電源供給部はその図示を省略しているが全て同じ構成となっている。この電源供給部33はトランス部34と、このトランス部34への電気的エネルギ供給を制御するMOS型FETよりなるスイッチング素子35と、電源IC36及びコンデンサ37より構成されている。また、トランス部34は鉄心と、この鉄心と電磁結合された1個の一次巻線38と、この鉄心と電磁結合され駆動回路13に接続される二次巻線39、及びこの鉄心と電磁結合され駆動回路14に接続される二次巻線40より構成されている。これによって駆動回路13及び駆動回路14の電源が専用に独立して確保されている。インダクタンスLuは配線のインダクタンスであり、これにより駆動回路14の電源が変化しないようにスイッチング素子Sn2のエミッタを一点アースとして駆動回路14のアース点を決定している。他のIGBTモジュール31、IGBTモジュール32も同様である。駆動回路14の入力側の二次巻線40とアースの間にフィードバック信号用の分割抵抗R1及びR2が設けられ、この分割抵抗R1及びR2の間の中間電圧信号により電源IC36はMOS型FET35を駆動し駆動回路14への電圧が一定になるように制御している。直流電源12から入力される電気エネルギはコンデンサ37に蓄えられ、トランス部34を介して駆動回路13及び駆動回路14に電圧変換されて電圧が印加される。そして、駆動回路13及び駆動回路14はスイッチング素子Sn1及びスイッチング素子Sn2を駆動して電動機10のU相の巻線に電力を供給するものである。ここで、駆動回路13に接続されたトランス部34の二次巻線39の一次巻線に対する巻線比は、駆動回路14に接続された二次巻線40の巻線比と同じにすることにより同一の電圧が出るように設定されている。以上において、スイッチング素子Sn1~スイッチング素子Sn6のいずれかの1個が故障しても電動機10を回転させ続けるためには、故障したスイッチング素子で制御されていた1相例えば、U相以外の2相例えば、V相及びW相が動作可能で、かつ故障したスイッチング素子Sn1と対の関係にある正常なスイッチング素子Sn2がOFFになる必要がある。そこで、U相側の故障したスイッチング素子Sn1のゲートが短絡されると、この故障したスイッチング素子Sn1の駆動回路13に接続された二次巻線39に短絡電流が流れて一次巻線に入力された電気エネルギが消費され、対の関係にある正常なスイッチング素子Sn2に接続された駆動回路14に電力が供給されないように作動する。すなわち、一方のスイッチング素子Sn1が故障して短絡すると、対の関係にある正常なスイッチング素子Sn2がOFFとなるものである。一方、他の2相は故障した1相とは独立した専用の直流電源を有しているので、この故障したIGBTの影響を受けることなく動作可能である。したがって、他の2相V相及びW相は故障した1相U相とは独立して動作が可能となり、電動機10を継続して回転させることが可能となるものである。このように、郊外や山間地で故障を生じても電動機を回転させて自動車を動かすことができるようにあり、運転者や同乗者の安全向上に大きく貢献できるものである。また、トランスを含む電源供給部をU相、V相及びW相の個別に専用のトランスを含む直流電源を3個設けることによって、各スイッチング素子のゲートの駆動する駆動回路毎に6個の電源を設ける場合に比べてその体格が小型化され、且つ重量も軽減されるので、自動車として求められる搭載性向上や燃費向上等の要請にこたえることができる。以上は、本発明の基本的な回路構成を説明したものであるが、本回路構成よりなる自動車用電力変換制御装置を実際に自動車に搭載する場合のより有利な回路構成部品の配置について説明する。図2は自動車用電力変換制御装置を分解して斜め方向から見た斜視図であり、特に実装回路を収納するケースの内部を示している。図2において、金属製のケース41の内部には電動機10を駆動するIGBTモジュールや、高電圧を電動機10に送電するバスバーや、IGBTモジュールを冷却する冷却機構等が配置されているが、これらは本発明とはさほど関連しないので詳細な説明は省略する。ケース41の互いに対向する外壁42の内周壁面にはスイッチング素子Sn1とこれと対になるスイッチング素子Sn2よりなるIGBTモジュール30、スイッチング素子Sn3とこれと対になるスイッチング素子Sn4よりなるIGBTモジュール31、及びスイッチング素子Sn5とこれと対になるスイッチング素子Sn6よりなるIGBTモジュール32がヒートシンク可能なように取り付けられている。それぞれのスイッチング素子Sn1~スイッチング素子Sn6には制御端子43が設けられており、この制御端子43はケース41の外壁方向に沿って延びている。そしてこれらのそれぞれの制御端子43は制御基板44の端子孔45に挿入されてハンダ付け等の方法で制御基板の回路構成部品と電気的に接続されている。図3は制御基板44の回路構成部品の配置状態を示した実装面を表しているが、この実装面は図2においてケース41の内部側に面するものである。すなわち、制御基板44の回路構成部品がケース41に収納される構成となっている。図3において、制御基板44の中央付近には電動機10の制御信号を生成するための低電圧制御回路部46が配置され、この低電圧制御回路部46の互いに対向する一辺の外方向側に各IGBTモジュールの駆動回路と電源供給部が配置されている。具体的には、図3に示す低電圧制御回路部46の一辺である上方左側の外方向側には、U相のスイッチング素子Sn1を駆動する駆動回路13と、このスイッチング素子Sn1と対をなすスイッチング素子Sn2を駆動する駆動回路14が配置されている。各駆動回路13及び駆動回路14にはスイッチング素子Sn1及びスイッチング素子Sn2であるIGBTの制御端子が電気的に接続されている。そして、駆動回路13及び駆動回路14の間に電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここで、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部46に隣接して配置されている。同様に、図3に示す低電圧制御回路部46の一辺である上方右側の外方向側には、V相のスイッチング素子Sn3を駆動する駆動回路15と、このスイッチング素子Sn3と対をなすスイッチング素子Sn4を駆動する駆動回路16が配置されている。各駆動回路15及び駆動回路16にはスイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn4であるIGBTの制御端子が電気的に接続されている。そして、駆動回路15及び駆動回路16の間にV相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここでも、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部46に隣接して配置されている。したがって、低電圧制御回路部46の一辺にU相とV相の2相の駆動回路と電源供給部が配置されるようになっており、ケース41の形状が長方形である実装形状に適している。残りはW相の1相であるため当然長方形のケースに収めることができる。更に、図3に示す低電圧制御回路部46の他方の一辺である下方右側の外方向側には、W相のスイッチング素子Sn5を駆動する駆動回路17と、このスイッチング素子Sn5と対をなすスイッチング素子Sn6を駆動する駆動回路18が配置されている。各駆動回路17及び駆動回路18にはスイッチング素子Sn5及びスイッチング素子Sn6であるIGBTの制御端子が電気的に接続されている。そして、駆動回路17及び駆動回路18の間にW相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここでも、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部46に隣接して配置されている。図3からわかるように、駆動回路13と駆動回路14は紙面に対して平面視でほぼ同形状でしかもトランス34と電源IC36を境に対称に配置されている。同様に、駆動回路15と駆動回路16、及び駆動回路17と駆動回路18も紙面に対して平面視でほぼ同形状でしかもトランス34と電源IC36を境に対称に配置されている。また、各IGBTモジュール30、31、32の接続端子43は各駆動回路13~駆動回路18の外周で接続されるように構成されている。そして、低電圧制御回路部46と各駆動回路13~駆動回路18との電気的な制御信号のやり取りは、低電圧制御回路部46と各駆動回路13~駆動回路18の間に介装されたU相側フォトカプラ47、V相側フォトカプラ48、W相側フォトカプラ49によって行われている。このような制御基板44の回路構成部品の配置の主な特徴は、1低電圧制御回路部46の互いに対向する側に各駆動回路13~駆動回路18を配置したこと、2各相で対となるスイッチング素子の駆動回路の間に各相専用の電源供給部であるトランス部と電源ICMOS型FET内臓でない場合はMOS型FETは別体に配置されるを配置したこと、3各相専用の電源供給部であるトランス部と電源ICを低電圧制御回路部46に隣接して配置したこと、4IGBTよりなるスイッチング素子との接続部を各駆動回路13~駆動回路18の外側に配置したこと、5各相の対となる駆動回路が実質同形状で、トランス部と電源ICを境にして対称に配置されていること、である。このような配置構成を採用したので、各相毎に独立して電源供給部や駆動回路を合理的に配置することが可能となる。また、低電圧制御回路46、フォトカプラ47~フォトカプラ49、各駆動回路13~駆動回路18及びIGBTモジュールの接続端子といった方向に順次その電位が高くなる方向に配置しているので電気的な絶縁確保の上で有利な配置となっている。更に2相の駆動回路等を並べて配置したので、自動車への搭載上のレイアウトで長方形のケースが求められたときに適用が容易である。更に、各相の対となる駆動回路が実質同形状で、トランス部と電源ICを境にして対称とされる構成としたので生産性に優れている。次に、自動車用電力変換制御装置を実際に自動車に搭載する場合の別の有利な回路構成部品の配置について説明する。図4は図2と同様に自動車用電力変換制御装置を分解して斜め方向から見た斜視図であり、特に実装回路を収納するケースの内部を示している。図4において、金属製のケース50の内部には電動機10を駆動するIGBTモジュールや、高電圧を電動機10に送電するバスバーや、IGBTモジュールを冷却する冷却機構等が配置されているが、詳細な説明は省略する。ケース50の三辺の外壁51の内周壁面にはそれぞれ一辺毎に、スイッチング素子Sn1とこれと対になるスイッチング素子Sn2よりなるIGBTモジュール30、スイッチング素子Sn3とこれと対になるスイッチング素子Sn4よりなるIGBTモジュール31、及びスイッチング素子Sn5とこれと対になるスイッチング素子Sn6よりなるIGBTモジュール32がヒートシンク可能なように取り付けられている。それぞれのスイッチング素子Sn1~スイッチング素子Sn6には制御端子43が設けられており、この制御端子43はケース50の外壁方向に沿って延びている。そしてこれらのそれぞれの制御端子43は制御基板52の端子孔53に挿入されてハンダ付け等の方法で制御基板の回路構成部品と電気的に接続されている。図5は制御基板52の回路構成部品の配置状態を示した実装面を表しているが、この実装面は図4においてケース50の内部側に面するものである。すなわち、制御基板52の回路構成部品がケース50に収納される構成となっている。図5において、制御基板52の一辺側に寄せて電動機10の制御信号を生成するための形状がほぼ矩形状の低電圧制御回路部54が配置され、この外側の三辺の周囲に各IGBTモジュールの駆動回路と電源供給部が配置されている。具体的には、図5に示す制御基板52に配置された低電圧制御回路部54の左側の一辺側には、U相のスイッチング素子Sn1を駆動する駆動回路13と、このスイッチング素子Sn1と対をなすスイッチング素子Sn2を駆動する駆動回路14が配置されている。各駆動回路13及び駆動回路14の外周側にはスイッチング素子Sn1及びスイッチング素子Sn2であるIGBTの制御端子43が電気的に接続されている。そして、駆動回路13及び駆動回路14の間に電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここで、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部54の左側の一辺に隣接して配置されている。同様に、図5に示す制御基板52に配置された低電圧制御回路部54の上方中央側の一辺側には、V相のスイッチング素子Sn3を駆動する駆動回路15と、このスイッチング素子Sn3と対をなすスイッチング素子Sn4を駆動する駆動回路16が配置されている。各駆動回路15及び駆動回路16の外周側にはスイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn4であるIGBTの制御端子43が電気的に接続されている。そして、駆動回路15及び駆動回路16の間にV相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここでも、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部54の上方中央側の一辺側に隣接して配置されている。更に、図5に示す制御基板52に配置された低電圧制御回路部54の右側の一辺側には、W相のスイッチング素子Sn5を駆動する駆動回路17と、このスイッチング素子Sn5と対をなすスイッチング素子Sn6を駆動する駆動回路18が配置されている。各駆動回路17及び駆動回路18の外周側にはスイッチング素子Sn5及びスイッチング素子Sn6であるIGBTの制御端子43が電気的に接続されている。そして、駆動回路17及び駆動回路18の間にW相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここでも、電源供給部33を構成するトランス部34と電源IC36は低電圧制御回路部54の右側の一辺側に隣接して配置されている。そして、低電圧制御回路部54と各駆動回路13~駆動回路18との電気的な制御信号のやり取りは、低電圧制御回路部54と各駆動回路13~駆動回路18の間に介装されたU相側フォトカプラ47、V相側フォトカプラ48、W相側フォトカプラ49によって行われている。このような制御基板52の回路構成部品の配置の主な特徴は、1低電圧制御回路部54の三辺側のそれぞれに各相の駆動回路13~駆動回路18を配置したこと、2各相で対となるスイッチング素子の駆動回路の間に各相専用の電源供給部であるトランス部と電源ICMOS型FET内臓でない場合はMOS型FETは別体に配置されるを配置したこと、3各相専用の電源供給部であるトランス部と電源ICを低電圧制御回路部54に隣接して配置したこと、4IGBTよりなるスイッチング素子との接続部を各駆動回路13~駆動回路18の外側に配置した、ことである。尚、この実施例においても実施例2で示したように、駆動回路13と駆動回路14、駆動回路15と駆動回路16、及び駆動回路17と駆動回路18を紙面に対して平面視でほぼ同形状でしかもトランス34と電源IC36を境に対称に配置するように構成しても良い。このような配置構成を採用したので、各相毎に独立して電源供給部や駆動回路を合理的に配置することが可能となる。また、低電圧制御回路部54、フォトカプラ47~フォトカプラ49、各駆動回路13~駆動回路18及びIGBTモジュールの接続端子といった方向に順次その電位が高くなる方向に配置しているので電気的な絶縁確保の上で有利な配置となっている。更に、3相の駆動回路等を低電圧制御回路部54の一辺ごとに三辺に分けて配置したので、自動車への搭載上のレイアウトで正方形のケースが求められたときに適用が容易である。更に、低電圧制御回路部54からの駆動信号配線が各相の駆動回路毎に均等かつ短縮できるので、制御信号や駆動信号の配線長が長くなることによる信号の劣化や信号伝達の遅延及び駆動回路毎による信号遅延の差を防ぐことができるといった効果が期待できる。次に、自動車用電力変換制御装置を実際に自動車に搭載する場合の更に別の有利な回路構成部品の配置について説明する。図6は図2と同様に自動車用電力変換制御装置を分解して斜め方向から見た斜視図であり、特に実装回路を収納するケースの内部を示している。図6において、金属製のケース60の内部には電動機10を駆動するIGBTモジュールや、高電圧を電動機10に送電するバスバーや、IGBTモジュールを冷却する冷却機構等が配置されているが、詳細な説明は省略する。ケース60の左側の内部空間領域には、スイッチング素子Sn1とこれと対になるスイッチング素子Sn2よりなるIGBTモジュール30、スイッチング素子Sn3とこれと対になるスイッチング素子Sn4よりなるIGBTモジュール31、及びスイッチング素子Sn5とこれと対になるスイッチング素子Sn6よりなるIGBTモジュール32が並べて取り付けられている。それぞれのスイッチング素子Sn1~スイッチング素子Sn6には前述したように制御端子43が設けられており、この制御端子43はケース60開口端方向に沿って延びている。そしてこれらのそれぞれの制御端子43は制御基板61の端子孔62に挿入されてハンダ付け等の方法で制御基板61の回路構成部品と電気的に接続されている。図7は制御基板61の回路構成部品の配置状態を示した実装面を表しているが、この実装面は図6においてケース60の内部側に面するものである。すなわち、制御基板61の回路構成部品がケース60に収納される構成となっている。図7において、制御基板61の右側の領域に寄せて電動機10の制御信号を生成するための低電圧制御回路部63が配置され、この低電圧制御回路部63の左側領域に各IGBTモジュールの駆動回路と電源供給部が配置されている。この場合、左側の領域と右側の領域の広さはそれぞれ低電圧制御回路部63や各相の駆動回路、電源供給部の大きさによって適宜選択されるものである。具体的には、図7に示す制御基板61の左側の領域には、U相のスイッチング素子Sn1を駆動する駆動回路13と、このスイッチング素子Sn1と対をなすスイッチング素子Sn2を駆動する駆動回路14が配置されている。各駆動回路13及び駆動回路14にはスイッチング素子Sn1とスイッチング素子Sn2であるIGBTの制御端子43が電気的に接続されている。そして、駆動回路13及び駆動回路14の間に電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここで、駆動回路13と駆動回路14は図面上では横に並べて配置されている。つまり、低電圧制御回路部63に対していずれか一個の駆動回路が対向するように長手方向に2段に配置されている。同様に、図7に示す制御基板61の左側の領域には、V相のスイッチング素子Sn3を駆動する駆動回路15と、このスイッチング素子Sn3と対をなすスイッチング素子Sn4を駆動する駆動回路16が配置されている。各駆動回路15及び駆動回路16にはスイッチング素子Sn3及びスイッチング素子Sn4であるIGBTの制御端子が電気的に接続されている。そして、駆動回路15及び駆動回路16の間にV相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここで、駆動回路15と駆動回路16は図面上では横に並べて配置されている。つまり、低電圧制御回路部63に対していずれか一個の駆動回路が対向するように長手方向に2段に配置されている。更に、図7に示す制御基板61の左側の領域には、W相のスイッチング素子Sn5を駆動する駆動回路17と、このスイッチング素子Sn5と対をなすスイッチング素子Sn6を駆動する駆動回路18が配置されている。各駆動回路17及び駆動回路18にはスイッチング素子Sn5及びスイッチング素子Sn6であるIGBTの制御端子が電気的に接続されている。そして、駆動回路17及び駆動回路18の間にW相専用の電源供給部33を構成するトランス部34と、MOS型FETのスイッチング素子35を内蔵した電源IC36が配置されている。尚、電源IC36はスイッチング素子35と別体であっても良く、この場合、スイッチング素子35は電源IC36の近くに配置されるようになる。ここで、駆動回路17と駆動回路18は図面上では横に並べて配置されている。つまり、低電圧制御回路部63に対していずれか一個の駆動回路が対向するように長手方向に2段に配置されている。また、各相毎に駆動回路、電源供給部、駆動回路の組み合せで3列にわたって取り付けられている。そして、低電圧制御回路部63と各駆動回路13~駆動回路18との電気的な制御信号のやり取りは、低電圧制御回路部63と各駆動回路13~駆動回路18の間に介装されたU相側フォトカプラ47、V相側フォトカプラ48、W相側フォトカプラ49によって行われている。ここで、U相側フォトカプラ47、V相側フォトカプラ48、W相側フォトカプラ49は実質同一線上に位置されている。つまり、低電圧制御回路部63の一辺側に対向して各相の駆動回路が対向配置されているため、低電圧制御回路部63の一辺に沿ってすべてのフォトカプラ47~49を配置することができる。もちろん、フォトカプラと各駆動回路13~駆動回路18とは配線によって接続されている。このような制御基板61の回路構成部品の配置の主な特徴は、1低電圧制御回路部63の一辺側に対向して各相の駆動回路13~駆動回路18を長手方向に2段にしてその半分を配置したこと、2各相で対となるスイッチング素子の駆動回路の間に各相専用の電源供給部であるトランス部と電源ICMOS型FET内臓でない場合はMOS型FETは別体に配置されるを配置したこと、3U相側フォトカプラ47、V相側フォトカプラ48及びW相側フォトカプラ49を低電圧制御回路部63の一辺に沿って同一線上に配置した、ことである。このような配置構成を採用したので、各相毎に独立して電源供給部や駆動回路を合理的に配置することが可能となる。この実施例においても実施例2で示したように、駆動回路13と駆動回路14、駆動回路15と駆動回路16、及び駆動回路17と駆動回路18を紙面に対して平面視でほぼ同形状でしかもトランス34と電源IC36を境に対称に配置するように構成しても良い。また、低電圧制御回路部63、フォトカプラ47~フォトカプラ49、各駆動回路13~駆動回路18及びIGBTモジュールの接続端子といった方向に順次その電位が高くなる方向に配置しているので電気的な絶縁確保の上で有利な配置となっている。また、フォトカプラを同一線上にすべて配置したので、図3及び図5にあるようにフォトカプラの設置面積を縮小でき、結果として基板面積を縮小できる効果が期待できる。