"純度3N以上の無酸素銅から形成され、スパッタリング面における111面の配向率が13以上30以下であり、前記スパッタリング面における200面の配向率が10以上50以下であり、平均結晶粒径が0.1mm以上0.2mm以下であることを特徴とするスパッタリング用銅ターゲット材。ただし、前記111面及び前記200面の配向率は、前記111面、前記200面、220面、及び311面について、X線回折により得られる各結晶面のピークの測定強度を、JCPDSに記載の前記各結晶面に対応する結晶面のピークの相対強度でそれぞれ除した値の合計値を100とした場合の割合である。前記スパッタリング面における111面の配向率が20以上であり、前記スパッタリング面における200面の配向率が30以上であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用銅ターゲット材。鋳造工程、熱間圧延工程、および冷間圧延工程を経て製造され、前記冷間圧延工程にて加工度が5超30未満となる冷間圧延を施されたことを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリング用銅ターゲット材。成膜直後の抵抗率が2.0μΩcm未満の純銅からなるスパッタリング膜の高融点金属を含む膜上への形成に用いられることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のスパッタリング用銅ターゲット材。純度3N以上の無酸素銅を鋳造して銅鋳塊とする鋳造工程と、前記銅鋳塊を熱間圧延して銅板とする熱間圧延工程と、前記熱間圧延した前記銅板を冷間圧延して更に薄くする冷間圧延工程と、を有し、前記冷間圧延工程では、前記銅板の加工度が5超30未満となるよう前記銅板を薄くすることを特徴とするスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法。ところで、液晶表示装置のフレーム速度の更なる高速化や大画面化を図るため、純銅のスパッタリング膜を用いた電極配線においては一層の低抵抗化が望まれている。しかしながら、純銅を用いたスパッタリング膜をガラス基板上やアモルファスシリコンα-Si膜上に形成する場合、チタンTiやモリブデンMo等の高融点金属を含む膜を下地膜とすることがあり、この場合、スパッタリング膜の抵抗率は、ガラス基板上などに形成された場合に比べていっそう高くなり易い。このようなより厳しい条件下では、上述の特許文献4のような微量添加であっても、スパッタリング膜の抵抗率を増大させる要因となり得るAg等をターゲット材中に混入させることは避けなければならない。一方で、電極配線の形成のタクトタイム短縮の要請から、成膜速度も高速に維持しなければならない。また、上述の特許文献3,4では、Ti等の膜上に形成されたスパッタリング膜の抵抗率に対する効果については特に言及するものではなく、特許文献3については結晶粒径への影響も明示されてはいない。このように、スパッタリング用銅ターゲット材の好ましい結晶組織やその取得方法については、依然、検討の余地がある。本発明の目的は、高い成膜速度が得られると共に、高融点金属を含む膜上に低抵抗な純銅からなるスパッタリング膜を形成することが可能なスパッタリング用銅ターゲット材及びスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法を提供することである。本発明の第1の態様によれば、純度3N以上の無酸素銅から形成され、スパッタリング面における111面の配向率が13以上30以下であり、前記スパッタリング面における200面の配向率が10以上50以下であり、平均結晶粒径が0.1mm以上0.2mm以下であるスパッタリング用銅ターゲット材が提供される。ただし、前記111面及び前記200面の配向率は、前記111面、前記200面、220面、及び311面について、X線回折により得られる各結晶面のピークの測定強度を、JCPDSに記載の前記各結晶面に対応する結晶面のピークの相対強度でそれぞれ除した値の合計値を100とした場合の割合である。本発明の第2の態様によれば、前記スパッタリング面における111面の配向率が20以上であり、前記スパッタリング面における200面の配向率が30以上である第1の態様に記載のスパッタリング用銅ターゲット材が提供される。本発明の第3の態様によれば、鋳造工程、熱間圧延工程、および冷間圧延工程を経て製造され、前記冷間圧延工程にて加工度が5超30未満となる冷間圧延を施された第1又は第2の態様に記載のスパッタリング用銅ターゲット材が提供される。本発明の第4の態様によれば、成膜直後の抵抗率が2.0μΩcm未満の純銅からなるスパッタリング膜の高融点金属を含む膜上への形成に用いられる第1~第3の態様のいずれかに記載のスパッタリング用銅ターゲット材が提供される。本発明の第5の態様によれば、純度3N以上の無酸素銅を鋳造して銅鋳塊とする鋳造工程と、前記銅鋳塊を熱間圧延して銅板とする熱間圧延工程と、前記熱間圧延した前記銅板を冷間圧延して更に薄くする冷間圧延工程と、を有し、前記冷間圧延工程では、前記銅板の加工度が5超30未満となるよう前記銅板を薄くするスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法が提供される。本発明によれば、高い成膜速度が得られると共に、高融点金属を含む膜上に低抵抗な純銅からなるスパッタリング膜を形成することができる。上述のように、下地の違いによって、形成される純銅スパッタリング膜の抵抗率が異なる場合がある。例えば、ガラス基板上であれば成膜直後で容易に1.7μΩcm程度の純銅スパッタリング膜が得られる。これに対し、チタンTi等の高融点金属を含む膜上に純銅スパッタリング膜を形成すると抵抗率が増大してしまう。そこで、本発明者等は、良好な結晶性を備える純銅スパッタリング膜を得るためには、下地となる所定の膜上に運動エネルギーの高い銅のスパッタリング粒子を到達させ、膜上での移動マイグレーションによりスパッタリング粒子を適切な結晶格子位置に配置させることが必要であると考えた。一方、スパッタリング時のターゲット材の表面へのイオン衝突の際には、同じエネルギーのイオン衝突に対して放出され易い原子ほど、つまり、成膜速度が高いほど、高い運動エネルギーのスパッタリング粒子が放出していると考えられる。以上の考察に基づき、本発明者等は、高い成膜速度が得られるよう、スパッタリング用銅ターゲット材の結晶組織等の最適化を試みた。鋭意研究の結果、スパッタリング用銅ターゲット材の表面が111面や200面に配向しているほど、成膜速度は高い傾向が得られることがわかった。続いて、本発明者等は、111面や200面を多く配向させるスパッタリング用銅ターゲット材の製造方法についても鋭意研究を行った。順に、鋳造工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程、熱処理工程を経る製造方法において、冷間圧延工程で220面を配向させ、その後の熱処理工程で111面を配向させるという手法では10以下しか配向しなかった111面が、熱間圧延工程での温度と冷間圧延工程での加工度とを調整することにより高い配向率で得られることがわかった。本発明は、発明者等が見いだした上記知見に基づくものである。<本発明の一実施形態>1スパッタリング用銅ターゲット材以下に、本発明の一実施形態に係るスパッタリング用銅Cuターゲット材10後述の図1を参照について説明する。スパッタリング用銅ターゲット材10は、例えば所定の厚さと幅および長さとを備える矩形の平板型に形成され、例えば液晶表示装置等に用いられる薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor等の電極配線となる純銅スパッタリング膜の形成に用いられるよう構成される。スパッタリング用銅ターゲット材10を構成する純銅は、例えば純度が3N99.9以上の無酸素銅OFC:OxygenFreeCopperである。また、スパッタリング用銅ターゲット材10の表面、つまり、スパッタリング面における111面の配向率は、例えば13以上30以下、より好ましくは20以上であり、200面の配向率は、例えば10以上50以下、より好ましくは30以上である。なお、111面及び200面の配向率は、X線回折により得られる種々の結晶面を示す各ピークとの測定強度比から求められる値である。各ピークの測定強度は、例えば各ピークに対応する結晶面のピークの相対強度で補正して用いられる。相対強度には、例えばJCPDSJointCommitteeforPowderDiffractionStandardsに記載の値が用いられる。具体的には、次式1,2でそれぞれ表わされるように、111面及び200面の配向率は、111面、200面、220面、及び311面について、X線回折により得られる各結晶面のピークの測定強度を、JCPDSに記載の上記各結晶面に対応する結晶面のピークの相対強度でそれぞれ除した値の合計値を100とした場合の割合である。また、スパッタリング用銅ターゲット材10の平均結晶粒径は、例えば0.1mm以上0.2mm以下である。なお、平均結晶粒径は、JISH0501に規定の伸銅品結晶粒度試験法の比較法により求められる値である。上記のように、111面の配向率が例えば13以上30以下であり、200面の配向率が例えば10以上50以下のスパッタリング用銅ターゲット材10を用いることで、高い運動エネルギーの銅のスパッタリング粒子が放出され易くなる。よって、高い成膜速度が得られると共に、到達した膜上でのスパッタリング粒子のマイグレーション及び適切な結晶格子位置への配置により、例えばTiやモリブデンMo等の高融点金属を含む膜上であっても、成膜直後の抵抗率が例えば2.0μΩcm未満の純銅スパッタリング膜を形成することができる。また、上記のように、平均結晶粒径が例えば0.1mm以上0.2mm以下のスパッタリング用銅ターゲット材10を用いることで、良好な膜厚の均一性を有し、緻密な純銅スパッタリング膜を形成することができる。2スパッタリング用銅ターゲット材の製造方法次に、本発明の一実施形態に係るスパッタリング用銅ターゲット材10の製造方法について説明する。本実施形態では、最近の大型ディスプレイパネル等の液晶表示装置、例えば第10世代の3m角程度の基板サイズに対応すべく、主に、鋳造工程、熱間圧延工程、冷間圧延工程をこの順に行う製造方法が採用されている。まず、鋳造工程にて、純度が3N99.9以上の無酸素銅を鋳造し、所定厚さ、所定幅の矩形の銅鋳塊インゴットとする。次に、高温による加工工程として、熱間圧延工程にて、650°C以上900°C以下の温度で加熱した銅鋳塊に圧延を施し熱間圧延、表面酸化層黒皮を除去皮むきして所定厚さの銅板とする。続いて、冷間圧延工程にて、室温の状態で銅板を冷間圧延して更に薄くし、銅板の外形を整える。このとき、銅板の加工度が5超30未満、より好ましくは10以下となるよう銅板を薄くする。また、冷間圧延工程では1回の処理で冷間圧延を施してもよく、或いは、複数回に分けて処理を行ってもよい。なお、加工度は、次式3で定義される。加工度=加工前板厚―加工後板厚/加工前板厚×1003次に、矯正機で銅板の曲がりを矯正し、フライス等により切削加工を行うとともに所定長さに切り出して、所定厚さ、所定幅のスパッタリング用銅ターゲット材10とする。以上により、スパッタリング用銅ターゲット材10が製造される。上述のように、本実施形態では、熱間圧延工程を650°C以上900°C以下で行う。温度を650°C以上の高温とすることにより、111面の配向率の高い結晶組織が得られるとともに、所定量の200面も現れてくる。また、温度を900°C以下とすることで、銅鋳塊の酸化を制御したり、製造時の作業性を向上させたりすることができる。また、本実施形態では、冷間圧延工程を銅板の加工度が5超30未満、より好ましくは10以下となるよう行う。冷間圧延工程においては、熱間圧延工程にて配向した200面の一部が220面に配向してしまう。したがって、冷間圧延工程での加工度を所定値以下とすることにより、111面の配向率を例えば13以上30以下と高く維持しつつ、200面の配向率を例えば10以上、より好ましくは30以上に保つことができる。また、冷間圧延工程により、結晶粒径の微細化も促進される。したがって、加工度を例えば5超とすることにより、比較的微細な結晶粒径が得られ、スパッタリング用銅ターゲット材10中の平均結晶粒径を例えば0.1mm以上0.2mm以下とすることができる。当初、本発明者等は、冷間圧延工程で配向した220面が、その後、400°C程度の比較的低温の熱処理工程における再結晶化で111面へと配向するという知見を得た。このことから、本発明者等は、冷間圧延工程における加工度を従来の30~50程度に保ち、熱処理工程と種々に組み合わせて111面の配向率の高い結晶組織を得ようと試みた。しかしながら、加工性の点などから冷間圧延工程における加工度を50程度までしか高めることができないこともあり、得られた111面の配向率は10以下であった。本実施形態では、本発明者等の更なる取り組みにより得られた知見に基づき、高温での熱間圧延工程にて111面の配向率の高い結晶組織を得て、冷間圧延工程では加工度を例えば30未満に抑えることとしたので、111面及び200面の配向率の高いスパッタリング用銅ターゲット材10が得られる。3スパッタリング用銅ターゲット材を用いた成膜方法次に、本発明の一実施形態に係るスパッタリング用銅ターゲット材10を用いたスパッタリングにより、純銅スパッタリング膜を成膜する方法について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るスパッタリング用銅ターゲット材10が装着されたスパッタリング装置20の縦断面図である。スパッタリング装置20は、例えば直流DC放電を用いたDCスパッタリング装置として構成されている。なお、図1に示すスパッタリング装置20はあくまでも一例であって、スパッタリング用銅ターゲット材10は、この他、種々のタイプのスパッタリング装置に装着して用いることができる。図1に示すように、スパッタリング装置20は、真空チャンバ21を備えている。真空チャンバ21内の上部には基板保持部22sが設けられ、成膜対象となる基板Sが、成膜される面を下方に向けて保持される。基板Sは、例えば被成膜面となるTiやMo等の高融点金属を含む膜が予め形成されたガラス基板等である。真空チャンバ21内の底部には、ターゲット保持部22tが設けられ、例えばスパッタリング用銅ターゲット材10が、基板Sの被成膜面と対向するよう、スパッタリング面を上方に向けて保持される。なお、スパッタリング装置20内に複数の基板Sを保持して、これら基板Sを一括処理、或いは連続処理してもよい。また、真空チャンバ21の一方の壁面にはガス供給管23fが接続され、ガス供給管23fと対向する他方の壁面にはガス排気管23vが接続されている。ガス供給管23fには、アルゴンArガス等の不活性ガスを真空チャンバ21内に供給する図示しないガス供給系が接続されている。ガス排気管23vには、Arガス等の真空チャンバ21内の雰囲気を排気する図示しないガス排気系が接続されている。係るスパッタリング装置20にて基板Sへの成膜を行う際は、Arガス等を真空チャンバ21内に供給し、スパッタリング用銅ターゲット材10に負の高電圧、基板Sに正の高電圧が印加されるよう、真空チャンバ21に対してDC放電電力を投入する。これにより、主にスパッタリング用銅ターゲット材10と基板Sとの間にプラズマが生成され、プラスのアルゴンArイオンGが、スパッタリング用銅ターゲット材10のスパッタリング面に衝突する。ArイオンGの衝突により、スパッタリング用銅ターゲット材10から叩き出された銅のスパッタリング粒子Pが基板Sの被成膜面へと堆積されていき、基板S上には、純銅からなるスパッタリング膜Mが形成される。上述のように、従来のスパッタリング用銅ターゲット材を用い、例えばTi等の膜上に純銅等をスパッタリングすると、抵抗率の高いスパッタリング膜となってしまうことがあった。このような現象は、Ti等の膜上に形成されたスパッタリング膜が、膜中に空隙を多く含んでいたり、不規則な原子配列の結晶であったりと、結晶性が不良であるためと考えられる。そこで、本発明者等が考察したように、Ti等の膜上に到達した銅のスパッタリング粒子を、被着した膜上で移動マイグレーションさせ、なるべく適切な結晶格子位置に配置させることができれば、良好な結晶性を備える低抵抗率の純銅スパッタリング膜を形成できると考えられる。このマイグレーションは、スパッタリング粒子の運動エネルギーが高いほど容易になる。上記のように、スパッタリングは、放電プラズマ中のArイオン等がターゲット材の表面に衝突し、ターゲット材を構成する原子間の結合が切れて原子が放出される現象である。よって、同じエネルギーのイオン衝突に対して放出され易い原子ほど、放出直後の運動エネルギーは高いと考えられる。つまり、スパッタリング用銅ターゲット材の浸食エロージョン速度やスパッタリング膜の成膜速度が高いときほど、高い運動エネルギーのスパッタリング粒子が放出していると考えられる。本実施形態では、本発明者等の鋭意研究により、高い浸食速度及び成膜速度が得られ、原子を放出し易い傾向がみられた111面の配向率の高いスパッタリング用銅ターゲット材10としている。また、同様に、111面に次いで高い成膜速度が得られた200面の配向率も高めている。これにより、高い成膜速度を得つつ、運動エネルギーの高いスパッタリング粒子Pを放出して膜上に被着させ、膜上でマイグレーションによる適切な結晶格子位置への配置を起こさせ、良好な結晶性を備える抵抗率の低い純銅のスパッタリング膜Mを得ることができる。また、本実施形態では、スパッタリング用銅ターゲット材10中の平均結晶粒径を例えば0.1mm以上0.2mm以下と比較的小さく保っているので、スパッタリング膜Mを緻密な膜とすることができ、また、膜厚の均一性を良好に保つことができる。更には、スパッタリング中の異常放電アーク等が起こり難く、スパッタリング装置20内やスパッタリング膜M上のパーティクルの低減を図ることができる。なお、上述のように、現在では、アークやパーティクル等の弊害については、装置面からの対策によりかなりの改善がみられている。例えば、ターゲット材の裏面にイオンを引き付けるためのマグネットを配し、このマグネットを揺動させて浸食が起きる部分を常に移動させ、ターゲット材にノジュールが形成されてしまうのを抑制する工夫を施してもよい。また、カソード電極となる矩形のターゲット材を併設したマルチカソードタイプの装置を用いれば、隣り合うカソード電極間で交流電源を負荷する交流ACスパッタリングにより、安定したプラズマを発生させてアークの発生を抑制することも可能である。以上のように基板S上に形成された純銅のスパッタリング膜Mは、例えば所望のパターニングを施され、TFTをはじめとする各種の半導体素子の電極配線等として利用される。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態では、スパッタリング用銅ターゲット材10を矩形の平板型としたが、スパッタリング用銅ターゲット材の形状はこれに限られず、円板型やその他の形状であってもよい。また、上述の実施形態では、スパッタリング用銅ターゲット材10の製造方法に係る高温加工工程として熱間圧延工程を行ったが、高温加工工程はこれに限られず、例えば熱間押出工程等の高温で加熱して塑性加工を行う工程であればよい。また、上述の実施形態では、スパッタリング用銅ターゲット材10を用い、Ti等の膜上に純銅スパッタリング膜を形成することとしたが、純銅スパッタリング膜の下地となる高融点金属を含む膜はこれ以外の膜であってもよい。具体的には、Ti、Moのほか、タングステンWやタンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi等の膜やこれら金属の合金膜、或いはこれらと他の金属との合金膜等であってもよい。また、スパッタリング膜の下地は、α-Si膜やガラス基板等であってもよい。1スパッタリング用銅ターゲット材の評価次に、本発明の実施例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材の評価結果について比較例11~16とともに説明する。スパッタリング用銅ターゲット材の製作まずは、上述の実施形態と同様の手法、手順にて、純度が3N99.95の無酸素銅を鋳造し、厚さが150mm、幅が300mmの矩形の銅鋳塊を製作した。次に、この銅鋳塊から実施例11に係るスパッタリング用銅ターゲット材を製作した。すなわち、銅鋳塊をArガス雰囲気で800°Cに保持した加熱炉内で2時間加熱し、加熱炉から取り出した後、直ちに熱間圧延工程を施して厚さが30mmの銅板とした。この銅板の表面酸化層を除去した後、冷間圧延工程では、1回の処理で28mmの厚みにまで銅板を薄くした加工度:約7。その後、フライスにより厚さが20mmとなるまで切削加工を施して、実施例11に係るスパッタリング用銅ターゲット材とした。また、上記の実施例11と同様の手法、手順にて、熱間圧延工程の温度および冷間圧延工程の加工度を上述の所定値の範囲内で様々に変えて、実施例12~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を併せて製作した。更に、当初、本発明者等が検討したように、冷間圧延工程と熱処理工程とを調整して111面の配向率の増加を試みる例として、上記の銅鋳塊から比較例11に係るスパッタリング用銅ターゲット材を製作した。すなわち、上記の実施例11と略同様の手法、手順にて、温度を800°Cとする熱間圧延工程で、厚さが60mmの銅板を製作した。冷間圧延工程では30mmの厚みにまで銅板を薄くし加工度:50、熱処理工程での温度を400°Cとした。その後の工程により、最終的な厚さが20mmの比較例11に係るスパッタリング用銅ターゲット材とした。また、上記の比較例11と同様の手法、手順にて、熱間圧延工程の温度および冷間圧延工程の加工度を上述の所定値の範囲外の値を含むよう様々に変えて、比較例12~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を併せて製作した。スパッタリング用銅ターゲット材の測定続いて、上述の機械加工前のスパッタリング用銅ターゲット材からそれぞれブロック材を切り出し、スパッタリング面にあたる圧延面を研磨して得られた結晶組織について、各結晶面の配向率及び平均結晶粒径の測定を行った。まずは、実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材についX線回折測定を行い、スパッタリング面における各結晶面の配向率を調べた。すなわち、111面、200面、220面、及び311面のピーク強度をX線回折により測定し、JCPDSに記載の上記各結晶面に対応する結晶面のピークの相対強度を用い、上述の式1,2から111面及び200面の配向率を求めた。また、実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材について、JISH0501に規定の伸銅品結晶粒度試験法の比較法に基づき平均結晶粒径を測定した。すなわち、JISH0501に掲載の標準写真と各スパッタリング用銅ターゲット材の結晶組織の写真とを見比べて平均結晶粒径を同定した。図2に、実施例11及び比較例11の測定結果を示す。図2のグラフの横軸は、111面、200面、220面、及び311面の各結晶面であり、縦軸はスパッタリング面における結晶面の配向率である。グラフ中、実施例11のデータを◆印と実線とで示し、比較例11のデータを■印と破線とで示している。また、グラフの上の表には、平均結晶粒径mm、各結晶面の配向率と併せて、参考値としてビッカース硬さHvの数値を示した。図2に示すように、冷間圧延工程での加工度を約7とした実施例11では、冷間圧延工程での加工度を50とした比較例11に比べ、111面及び200面の配向率の高いスパッタリング用銅ターゲット材が得られた。また、実施例11の平均結晶粒径は、比較例11に比べれば多少粗大であるものの、比較的細かい結晶組織が得られた。以下の表1に、実施例11~16及び比較例11~16の全データを示す。表中、所定値を外れた値については括弧つきで示した。表1に示すように、冷間圧延工程での加工度が所定値内の実施例11~16においては、111面及び200面の配向率、平均結晶粒径はいずれも所定の範囲内の数値が得られた。また、熱間圧延工程での温度が特に高い実施例11及び14~16では、111面の配向率が20以上、200面の配向率が30以上となっており、より望ましい値となっている。一方、比較例11~16においては、いずれも冷間圧延工程での加工度を従来同様30~50としており、111面の配向率は10以下となってしまった。以上の結果から、熱間圧延工程の温度を650°C以上とし、冷間圧延工程の加工度を5超30未満、より好ましくは10以下とすることで、スパッタリング用銅ターゲット材の平均結晶粒径を0.1mm以上0.2mm以下に保ちつつ、スパッタリング面における111面の配向率を13以上30以下、より好ましくは20以上に、200面の配向率を10以上50以下、より好ましくは30以上にできることがわかった。2純銅スパッタリング膜の評価次に、本発明の実施例21~26に係る純銅スパッタリング膜の評価結果について比較例21~26とともに説明する。評価サンプルの製作上述の実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を用い、図3に示すように、ガラス基板51上或いはTi膜52上に、純銅スパッタリング膜53g,53tがそれぞれ格子状に複数区画に区切って形成された評価サンプルを製作した。すなわち、以下に述べるスパッタリング実験機に適合させるため、まずは、上述の実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を機械加工して、厚さが5mm、直径が100mmの円形に切り出した。次に、この円形状の各スパッタリング用銅ターゲット材を、上述の実施形態に係るスパッタリング装置20と略同様の機能を備えるDC放電方式のスパッタリング実験機に装着した。続いて、基板保持部の回転によりガラス基板51がスパッタリング用銅ターゲット材の直上を通過する回転成膜方式にて、ガラス基板51上或いはTi膜52上にスパッタリングによる成膜をそれぞれ行った。図3a1及びa2に示す実施例21g~26g及び比較例21g~26gに係る評価サンプルは、それぞれ実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を用いて成膜された純銅スパッタリング膜53gを有している。係る構成は、3mm角の開口部を2mm間隔で100マス縦10マス×横10マス有するメタルマスク図示せずを、50mm角のガラス基板51上に保持し、純銅スパッタリング膜53gを3mm角の格子状に区切って100区画、ガラス基板51上に形成して得た。以下の表2に、スパッタリングによる成膜条件を示す。図3b1及びb2に示す実施例21t~26t及び比較例21t~26tに係る評価サンプルは、それぞれ実施例11~16及び比較例11~16に係るスパッタリング用銅ターゲット材を用いて成膜された純銅スパッタリング膜53tを有している。各評価サンプルの形成にあたっては、予め、Tiターゲット材を用いてTi膜52をガラス基板51の全面に形成しておいた。このTi膜52上に上記と同様のメタルマスクを保持し、純銅スパッタリング膜53tを3mm角の格子状に区切って100区画、Ti膜52上に形成した。Ti膜52及び純銅スパッタリング膜53tの膜厚は、それぞれ約50nm及び約300nmとした。以下の表3に、スパッタリングによる成膜条件を示す。評価サンプルの膜厚測定まずは、実施例21g~26g及び比較例21g~26gに係る評価サンプルを用い、純銅スパッタリング膜53gの膜厚を測定した。膜厚は、レーザ顕微鏡を用いて純銅スパッタリング膜53gの格子状に区切った各区画とガラス基板51との段差を計測することにより測定した。また、測定した膜厚から、膜厚の平均値、膜厚の分布を示す標準偏差、及び成膜速度をそれぞれ求めた。成膜速度nm/min.は、測定した膜厚を成膜時間の10分で除した値である。図4に、実施例21g及び比較例21gの測定結果を示す。図4aは本発明の実施例21gに係る評価サンプルを示す模式図であり、図4bは比較例21gに係る評価サンプルを示す模式図である。模式図中には、それぞれの評価サンプルの10×10個の各区画に対応する位置に、各区画における純銅スパッタリング膜53gの膜厚を表示した。また、図の上段の表には、各評価サンプルの膜厚平均値nm、標準偏差nm、及び成膜速度平均値nm/min.の数値を示した。図4に示すように、純銅スパッタリング膜53gの成膜速度は、比較例21gよりも実施例21gの方が10ほど高く、111面及び200面の配向率の高いスパッタリング用銅ターゲット材を用いて形成されたためであると考えられる。一方、膜厚の標準偏差は、実施例21gの方が大きいという結果であった。しかし、膜厚の平均値は実施例21gの方が大きく、平均値に対する標準偏差の割合変動係数でみると、実施例21gが0.64、比較例21gが0.52と、膜厚のバラツキには大差がないことがわかる。実施例21gに対応する実施例11に係るスパッタリング用銅ターゲット材において、平均結晶粒径を0.15mmに制御したことにより、上記のように、純銅スパッタリング膜53gの膜厚の均一性を保つことができた。評価サンプルの抵抗率測定次に、実施例21t~26t及び比較例21t~26tに係る評価サンプルに対してTFTの製造過程で純銅スパッタリング膜が受け得る200°C~300°Cの温度で熱処理工程を行った。そして、熱処理前後で純銅/Ti積層膜膜厚が300nm/50nmのシート抵抗を測定し、Ti膜52上の純銅スパッタリング膜53tの抵抗率を求めた。シート抵抗の測定方法としては、3mm角の各区画の上面、つまり純銅スパッタリング膜53tの表面の4隅付近に電極の針を当てて行うファンデルパウvanderPauw法を用いた。このシート抵抗に、上述と同様の手法で測定した純銅スパッタリング膜53tの膜厚を乗じて抵抗率を求めた。すなわち、膜厚の測定には、株式会社キーエンス製カラー3Dレーザ顕微鏡VK-8710を用いた。シート抵抗の測定には、ケースレーインスツルメンツ株式会社製2612A型2chシステムソースメータを用いた。係るソースメータにより、-100mA~100mAまで電流値を掃引Sweep印加し、電圧を測定した。次に、ファンデルパウvanderPauw法の計算式にしたがい、測定電流値と電圧値とからシート抵抗を求めた。この際、-100mAと100mAとにおける抵抗値の平均を取り、オフセット分をキャンセルした。以上により求めたシート抵抗値に、上記レーザ顕微鏡で測定した膜厚を乗ずることで膜抵抗率μΩcmを求め、Ti膜52上の純銅スパッタリング膜53tの抵抗率とした。抵抗率は純銅スパッタリング膜53tの物性値のひとつであり、純銅スパッタリング膜53tが、空隙等の欠陥が少なく結晶性の良好な膜であると、低い値を示す。なお、純銅のバルク材としての最小の抵抗率は1.67μΩcmである。図5に、実施例21t及び比較例21tの測定結果を示す。図5の横軸は熱処理温度°Cであり、縦軸は純銅スパッタリング膜53tの抵抗率μΩcmである。図中、実施例21tのデータを◆印と実線とで示し、比較例21tのデータを■印と破線とで示している。図5に示すように、成膜直後Asdepoであっても、実施例21tの方が、比較例21tよりも低い抵抗率を示し、実施例21tにおいては、Ti膜52上であっても良好な結晶性の純銅スパッタリング膜53tが得られていることがわかる。また、両者とも、200°C及び300°Cの熱処理後には抵抗率の低下がみられ、熱処理により結晶の欠陥が修正されたことがわかる。但し、熱処理後であっても、依然、比較例21tの方が実施例21tよりも高い抵抗率を示しており、成膜直後の結晶の状態が影響を及ぼしていると考えられる。図6に、実施例21t~26t及び比較例21t~26tの全データを示す。実施例21t~26t及び比較例21t~26tにおいても、上記と同様の傾向がみられた。また、以下の表4に、実施例21~26及び比較例21~26の全データを示す。表4に示すように、熱間圧延工程での温度が高く、111面及び200面の配向率がとりわけ高かった実施例11及び14~16に対応する実施例21及び24~26においては、90nm/min.を超える成膜速度が得られた。一方、111面の配向率10以下であった比較例11~16に対応する比較例21~26においては、成膜速度、抵抗率とも、実施例21~26よりも悪く、スパッタリング特性が劣ると考えられる。以上の結果から、スパッタリング用銅ターゲット材の所定の結晶面の配向率及び平均粒径を上述のように制御することで、Ti等の高融点金属を含む膜上であっても、高い成膜速度が得られると共に、成膜直後の抵抗率が2.0μΩcm未満の良好な結晶性を備える純銅スパッタリング膜53g,53tが得られることがわかった。"