"外部からの圧力により撓むダイヤフラムを構成し、下面側に凹部が形成されたシリコンからなる上側部材と、上面側に凹部が形成され、前記上側部材と共に容器をなすシリコンからなる下側部材と、前記上側部材の周縁部と下側部材の周縁部との間にその周縁部が全周に亘って挟まれ、前記凹部により形成される空間に感圧素子である水晶振動子が形成された水晶板と、この水晶板の周縁部と前記上側部材の周縁部との間、及び前記水晶板の周縁部と前記下側部材の周縁部との間の各々に水晶板側からこの順番に形成された二酸化シリコンからなるエピタキシャルSiO2層及び非晶質の炭化シリコン層と、を備え、前記上側部材、水晶板及び下側部材が前記エピタキシャルSiO2層及び炭化シリコン層を介して互に接合されていることを特徴とする圧力センサ。本発明はこのような事情の下になされたものであり、ダイヤフラム式圧力センサにおいて、容器及び感圧素子の材料の熱膨張係数差に起因する感度低下を抑制することのできる圧力センサを提供することにある。本発明の圧力センサは外部からの圧力により撓むダイヤフラムを構成し、下面側に凹部が形成されたシリコンからなる上側部材と、上面側に凹部が形成され、前記上側部材と共に容器をなすシリコンからなる下側部材と、前記上側部材の周縁部と下側部材の周縁部との間にその周縁部が全周に亘って挟まれ、前記凹部により形成される空間に感圧素子である水晶振動子が形成された水晶板と、この水晶板の周縁部と前記上側部材の周縁部との間、及び前記水晶板の周縁部と前記下側部材の周縁部との間の各々に水晶板側からこの順番に形成された二酸化シリコンからなるエピタキシャルSiO2層及び炭化シリコン層と、を備え、前記上側部材、水晶板及び下側部材が前記エピタキシャルSiO2層及び炭化シリコン層を介して互に接合されていることを特徴とする。本発明は、圧力センサの容器を形成する上側部材及び下側部材としてシリコンを材料に用い、非晶質の炭化シリコン層とエピタキシャルSiO2層とを介して上側部材、水晶振動子を含む水晶板及び下側部材を接合している。前記炭化シリコン層は弾性が大きく、緩衝層の役割を果たすため、環境温度の変化が起こった場合に、シリコンと水晶との熱膨張率の違いを当該緩衝層が吸収するため応力の発生が少なく、検出感度の低下が抑えられる。また炭化シリコン層はシリコン及び水晶と強固に面接合することから容器と水晶板との結合力が大きい。更にまた容器としてシリコンを用いることにより圧力センサの耐圧性が大きい。先ず本発明の実施の形態における圧力センサの構造について説明する。図1に示すように、圧力センサは容器を構成するための上側部材1及び下側部材3と、上側部材1及び下側部材3の間に設けられる感圧素子である水晶振動子2が形成された水晶板25と、を備えている。上側部材1及び下側部材3は各々シリコンにより作られている。上側部材1は扁平な円柱形の上面側に円形の凹部13が形成されると共に、下面側に前記凹部13よりも口径の小さい円形の凹部14が形成され、これら凹部13、14の間の薄肉部分底部分をダイヤフラム15として構成したものである。そのダイヤフラム15は直径が例えばおよそ10mmに設定されている。その厚さが例えば14mmであり、押圧されると撓む弾性板として構成されている。ダイヤフラム15は上面が例えば車両に設けられたタイヤの内部空間などの測定雰囲気に面し、測定雰囲気の圧力に応じて変形する。即ち、ダイヤフラム15は測定雰囲気の圧力が容器内の圧力よりも大きくなったときに容器の内側へ撓み、小さくなったときに容器の外側へ撓む。水晶板25は例えばATカットの水晶からなり、後述のようにエッチングによりくり抜かれて、環状枠部23で囲まれる領域にその両端が当該環状枠部23に連結されて直径方向に伸びる短冊形状の水晶片24が形成された構成になっている。環状枠部23は上側部材1の環状壁16と下側部材3の環状壁38との間にその周縁部が全周に亘って挟みこまれており、上側部材1及び下側部材3により囲まれた気密空間内に置かれることとなる。水晶片24と上側部材1及び下側部材3との接合面は、水晶片24側より、夫々厚さ1~10μmの二酸化シリコンからなるエピタキシャルSiO2層12、32、厚さ50~100μmの炭化シリコンの炭化シリコン層11、31の順に構成されている。当該水晶振動子2はダイヤフラム15と平行に、つまりダイヤフラム15と対向して配置されていることになり、両端を支えられた両梁支えの構造となっている。短冊形状の水晶片24の両面には例えばCrを下地層とし、その上にAuを積層した励振電極21、22が形成され、電極21、22は下側部材3の環状壁36の上面側からの下面側へ貫通する貫通孔34内を通る導電路39を介して、容器外部へと引き回され、外部端子36に接続されている。次に本発明に係る圧力センサの製造方法について説明する。先ず上側部材用ウエハ10、水晶振動子用ウエハ20、下側部材用ウエハ30を用意する。上側部材用及び、下側部材用ウエハ10、30は、例えばシリコンを材料とする。水晶振動子用ウエハ20は前述のようにATカットされた水晶を用いる。各ウエハ10、20、30はフォトリソグラフィ工程によるマスクの形成及びエッチング工程により、それぞれ上側部材1、水晶板25、下側部材3の外形が作製される。上側部材用ウエハ10はRCA洗浄により表面に親水化処理が施された後、図3に示すように片面に、非結晶質である炭化シリコンSiC層11が形成される。炭化シリコン層11はシリコン上に格子定数差の大きいヘテロエピタキシャルSiO2層を成長させるために設けられる層であり、規則的な原子配列を持たない非晶層を設けることで、例えばシリコン等の基板の上にエピタキシャルSiO2層のような格子定数の異なる層を成長させることができる。炭化シリコン層11は、図3に示すように、水晶板25と接合する面の表面全体に形成される。炭化シリコン層11は、例えば光CVD装置により、反応ガスとして、シランSiH4と酸素O2、キャリアガスとして水素H2を用いて基板加熱温度200°Cの低温で、シリコン基板上に成膜される。次に図3に示すように、上側部材用ウエハ10における前記炭化シリコン層11の上にエピタキシャルSiO2層12が成長される。エピタキシャルSiO2層12は例えば光CVD装置を用いて、反応ガスとして、シランSiH4と酸素O2500~570°Cの温度で成長される。エピタキシャルSiO2層12が形成された、しかる後、上側部材1は上面部側及び接合面側に図3に示すように凹部13、14が形成される。具体的な加工については上側部材1の両面にスパッタリングにより金属膜が形成され、フォトリソグラフィにより、金属マスクパターンが形成される。その後上側部材1の上面部側には例えば、RIEReactiveIonEtching加工により凹部13が形成されると共に、接合部側は、例えばケミカルエッチング加工により凹部14が形成されることで、例えば厚さ1.4mm程度のダイヤフラム15が形成される。一方下側部材用ウエハ30は上面部側が接合面になる。この接合面には、上側部材1と同様にRCA洗浄が施された後に、図5に示すように、炭化シリコン層31が低温成長され、その後図5に示すように、当該炭化シリコン層31上に一面を覆うようにエピタキシャルSiO2層32が形成される。次に図5に示すように下側部材3に凹部33が設けられると共に、配線35を通す貫通孔34が下側部材3の環状壁38の上面部から、下面部側へ垂直に貫通するように設けられ、水晶振動子2に設けられた電極21、22を接続するための導電路39が形成される。貫通孔34は、例えばサンドブラストによって形成される。次に前記貫通孔34に配線35が形成され、下側部材3の下面部に外部端子部36が形成される。貫通孔34に設けられる配線35は、例えばペースト状のAu等の導電材料を貫通孔34に充填することで形成され、前記外部端子部36と接合される。当該配線の下側部材3の上面部側には、後述する水晶振動子2に設けられた電極21、22に接続するための接合部37が設けられる。水晶片24の両面には図6、7に示すように、電極21,22が形成される。電極21は、励振電極に相当する水晶片24上面部側中央部位から一端側を介して環状部材23の下面側へ引き回され、下側部材3に設けられた一方の接続部37に対応する位置まで伸ばされる。電極22は他方の接続部37に対応する位置より水晶片24の下面部に沿って中央部まで引き回され、両面に形成された電極21、22で水晶片24を挟み込むように形成される。続いて図8に示すように、上側部材1、水晶板25及び下側部材3を平面方向の互いの位置を合わせた状態で、この順に重ね合わせ互いに接合させる。この結果、上側部材1及び下側部材3の夫々に設けられたエピタキシャルSiO2層12、32により水晶板25を上下から挟み込むように接合される。上側部材1と水晶板25とは、例えばアルゴンビームを用いた表面活性化接合により常温下で接合される。一方下側部材3と水晶板25とは酸素プラズマを用いた表面活性化接合により常温下で接合されると共に前記電極21、22及び、配線の接合部37が電気的に接続される。その後ダイシングを行うことにより、個々の圧力センサに切り分けられる。次に上述実施の形態に係る圧力センサの作用を説明する。本発明の圧力センサの上側部材1を例えばタイヤのバルブに取り付ける。このときタイヤの内部は加圧状態大気圧以上の雰囲気であり、その圧力に応じてダイヤフラム15の円板部が容器の内側に撓む。この撓み量に応じて、上側部材の環状壁16は外側に押し広げられるため、上側部材1の環状壁16を介して接合された水晶振動子2の両端部に水晶振動子の長さ方向の引っ張り応力が加わり、図9に示すように、当該水晶振動子2が撓む。この撓みにより水晶振動子2の共振周波数が変化し、その周波数信号が外部端子36を介し、図示しない外部導電路及び発振回路を介して計測回路部により計測され、これにより圧力値が検出される。上述実施の形態によれば、圧力センサの容器を形成する上側部材1及び下側部材3としてシリコンを材料に用い、非晶質の炭化シリコン層11、31とエピタキシャルSiO2層12、32とを介して上側部材1、水晶振動子2を含む水晶板25及び下側部材3を互いに接合している。前記炭化シリコン層11、31は弾性が大きく、緩衝層の役割を果たすため、環境温度の変化が起こった場合に、シリコン容器1、3と水晶片24との熱膨張率の違いを当該炭化シリコン層11、31が吸収するため応力の発生が少なく、検出感度の低下が少なく抑えられる。また炭化シリコン層11、31は非晶質であり、特定の原子配置を持たないため、接合面の原子の配置を一致させることができ、シリコン及び水晶と強固に面接合することから容器と水晶板25との結合力が大きい。更にまた容器としてシリコンを用い、シリコンの基板で水晶を挟むことにより大きな強度の圧力センサが得られる。"