"a厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、b鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、c有機媒体とを含む厚膜ペースト組成物。前記導電性金属が銀を含む、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。前記有機媒体がポリマーを含む、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。前記有機媒体が溶剤、安定剤、界面活性剤、および増粘剤からなる群から選択された1つまたは複数の添加剤をさらに含む、請求項3に記載の厚膜ペースト組成物。前記導電性金属が前記全固形分の90~95重量である、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。前記Pb-Te-Oが少なくとも部分的に結晶性である、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。TiO2、LiO2、B2O3、PbF2、SiO2、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O、Al2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、V2O5、ZrO2、MoO3、Mn2O3、Ag2O、ZnO、Ga2O3、GeO2、In2O3、SnO2、Sb2O3、Bi2O3、BiF3、P2O5、CuO、NiO、Cr2O3、Fe2O3、CoO、Co2O3、およびCeO2からなる群から選択された添加剤をさらに含む、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。前記鉛-テルル酸化物がSi、Sn、Li、Ti、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Co、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce、およびNbからなる群から選択された1つまたは複数の元素をさらに含む、請求項1に記載の厚膜ペースト組成物。a半導体基板の少なくとも1つの表面上に堆積された1つまたは複数の絶縁膜を含む半導体基板を提供する工程と、b厚膜ペースト組成物を前記絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程であって、前記厚膜ペースト組成物が、i前記組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、ii鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、iii有機媒体とを含む工程と、c前記半導体基板、1つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して、1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む方法。前記厚膜ペースト組成物が前記絶縁膜上にパターン状に適用される、請求項9に記載の方法。前記焼成が空気中でまたは酸素含有雰囲気中で行われる、請求項9に記載の方法。a半導体基板と、b前記半導体基板上の1つまたは複数の絶縁層と、c前記1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、導電性金属と鉛-テルル-酸化物とを含む電極とを含む物品。半導体デバイスである、請求項12に記載の物品。前記半導体デバイスが太陽電池である、請求項13に記載の物品。本発明の一態様は、a厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、b鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、c有機媒体とを含有する厚膜ペースト組成物である。本発明の別の態様は、aその上に堆積された1つまたは複数の絶縁膜を含有する半導体基板を提供する工程と、b厚膜ペースト組成物を1つまたは複数の絶縁膜上に適用して層状構造物を形成する工程であって、厚膜ペースト組成物が、i組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、ii鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、iii有機媒体とを含有する工程と、c半導体基板、1つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して、1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを包含する方法である。本発明の別の態様は、a半導体基板と、b半導体基板上の1つまたは複数の絶縁層と、c1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ半導体基板と電気的接触し、導電性金属と鉛テルル-酸化物とを含有する電極とを備える物品である。太陽光発電システムは、化石燃料の必要性を低減するという点において環境にやさしいと考えられる。本発明は、改良された電気的性能を有する光起電装置を製造するために使用することができる組成物を提供する。厚膜ペースト組成物は、a組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、b鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、c有機媒体とを含有する。本明細書において定義されるとき、有機媒体は、厚膜ペースト組成物を含む固形分の一部であるとは考えられない。導電性金属導電性金属は、銀、銅、およびパラジウムからなる群から選択される。導電性金属は、フレーク形、球形、粒形、結晶形、粉末、または他の不規則な形およびそれらの混合物であってもよい。導電性金属はコロイド懸濁液として提供されてもよい。金属が銀であるとき、それは銀金属、銀誘導体、またはそれらの混合物の形態であってもよい。典型的な誘導体には、銀の合金、酸化銀Ag2O、例えばAgCl、AgNO3、AgOOCCH3酢酸銀、AgOOCF3トリフルオロ酢酸銀、またはオルト燐酸銀Ag3PO4などの銀塩がある。また、他の厚膜ペースト成分と相溶性の他の形態の銀を使用することもできる。一実施形態において、導電性金属またはその誘導体は、厚膜ペースト組成物の固体成分の約85~約99.5重量である。さらなる実施形態において、導電性金属またはその誘導体は、厚膜ペースト組成物の固体成分の約90~約95重量である。実施形態において、厚膜ペースト組成物の固形分部分は、約85~約99.5重量の球状銀粒子を含有する。一実施形態において、厚膜ペースト組成物の固形分部分は、約85~約90重量の銀粒子および約1~約9.5重量の銀フレークを含有する。一実施形態において、厚膜ペースト組成物は導電性であるコートされた銀粒子を含有する。適したコーティングはホスフェートおよび界面活性剤を含有する。適した界面活性剤には、ポリエチレンエポキシド、ポリエチレングリコール、ベンゾトリアゾール、ポリエチレングリコール酢酸、ラウリン酸、オレイン酸、カプリン酸、ミリスチン酸、リノール酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ステアレートの塩、パルミテートの塩、およびそれらの混合物などがある。塩の対イオンはアンモニウム、ナトリウム、カリウム、およびそれらの混合物であり得る。銀の粒径は、いかなる特定の限定も受けない。一実施形態において、平均粒径は0.5~10ミクロンである。別の実施形態において、平均粒径は1~5ミクロンである。本明細書中で用いられるとき、粒径またはD50は、平均粒径を意味することが意図される。平均粒径は、50の体積分布粒径を意味する。体積分布粒径は、Microtrac粒径分析器を用いてレーザー回折および分散法によって定量されてもよい。鉛-テルル-酸化物鉛-テルル-酸化物Pb-Te-Oを調製するには、TeO2および酸化鉛粉末を混合し、粉末混合物を空気中でまたは酸素含有雰囲気中で加熱して溶融体を形成し、溶融体を急冷し、急冷された材料を細砕およびボールミル粉砕し、ミル粉砕された材料を選別して所望の粒径を有する粉末を提供する。酸化鉛粉末は、PbO、Pb3O4、およびPbO2からなる群から選択された1つまたは複数の成分を含有してもよい。鉛およびテルル酸化物の混合物の焼成は典型的に、800~1200°Cのピーク温度まで行われる。溶融混合物を例えばステンレス鋼プラテン上でまたは逆転ステンレス鋼ローラー間で急冷して、厚い小板を形成する。得られた小板を粉砕して、粉末を形成する。得られた小板をミル粉砕して粉末を形成することができる。典型的に、ミル粉砕された粉末は、0.1~3.0ミクロンのD50を有する。実施形態において、このように形成されたPb-Te-Oは少なくとも部分的に結晶性であってもよい。典型的に、PbOおよびTeO2粉末の混合物は、組み合わせられた粉末に基づいて5~95モルの酸化鉛および5~95モルの酸化テルルを含有する。一実施形態において、PbOおよびTeO2粉末の混合物は、組み合わせられた粉末に基づいて30~85モルの酸化鉛および15~70モルの酸化テルルを含有する。別の実施形態において、PbOおよびTeO2粉末の混合物は、組み合わせられた粉末に基づいて30~65モルの酸化鉛および35~70モルの酸化テルルを含有する。いくつかの実施形態においてPbOおよびTeO2粉末の混合物は1つまたは複数の他の金属化合物をさらに含有する。適した他の金属化合物には、TiO2、LiO2、B2O3、PbF2、SiO2、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O、Al2O3、MgO、CaO、SrO、BaO、V2O5、ZrO2、MoO3、Mn2O3、Ag2O、ZnO、Ga2O3、GeO2、In2O3、SnO2、Sb2O3、Bi2O3、BiF3、P2O5、CuO、NiO、Cr2O3、Fe2O3、CoO、Co2O3、およびCeO2などがある。表1および2は、PbO、TeO2および、鉛-テルル酸化物を製造するために使用することができるその他の任意選択的に金属化合物を含有する粉末混合物のいくつかの例を列挙する。この一覧は例示目的であり、限定的であることを意図しない。したがって、本明細書中で用いられるとき、用語Pb-Te-Oはまた、Si、Sn、Li、Ti、Ag、Na、K、Rb、Cs、Ge、Ga、In、Ni、Zn、Ca、Mg、Sr、Ba、Se、Mo、W、Y、As、La、Nd、Co、Pr、Gd、Sm、Dy、Eu、Ho、Yb、Lu、Bi、Ta、V、Fe、Hf、Cr、Cd、Sb、Bi、F、Zr、Mn、P、Cu、Ce、およびNbからなる群から選択された1つまたは複数の元素の酸化物を含有する金属酸化物を含めてもよい。有機媒体厚膜ペースト組成物の無機成分を有機媒体と混合して、印刷のために適したコンシステンシーおよびレオロジーを有する粘性ペーストを形成する。多種多様な不活性粘性材料を有機媒体として使用することができる。有機媒体は、ペーストの製造、出荷および貯蔵の間に並びにスクリーン印刷プロセスの間、印刷スクリーン上で無機成分が十分な安定度を有して分散することができる有機媒体であり得る。適した有機媒体は、固形分の安定な分散体、スクリーン印刷のための適切な粘度およびチキソトロピー、基板およびペースト固形分の、適切な湿潤性、良い乾燥速度、および良い焼成性質を提供するレオロジー性質を有する。有機媒体は、増粘剤、安定剤、界面活性剤、および/または他の一般的な添加剤を含有することができる。有機媒体は、溶剤中のポリマーの溶液であってもよい。適したポリマーには、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェノール樹脂との混合物、低級アルコールのポリメタクリレート、およびエチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテルなどがある。適した溶剤には、例えばアルファ-またはベータ-テルピネオールなどのテルペンまたはそれらと他の溶剤との、例えばケロシン、ジブチルフタレート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシレングリコールおよび150°Cを超える沸点を有するアルコール、およびアルコールエステルとの混合物などがある。他の適した有機媒体成分には、ビス2-2-ブトキシエトキシエチルアジペート、二塩基性エステル、例えばDBE、DBE-2、DBE-3、DBE-4、DBE-5、DBE-6、DBE-9およびDBE1B、オクチルエポキシタレート、イソテトラデカノール、および水素化ロジンのペンタエリトリトールエステルなどがある。また、有機媒体は、厚膜ペースト組成物を基板上に適用した後に急速な固化を促進するための揮発性液体を含有することができる。厚膜ペースト組成物中の有機媒体の最適な量は、ペーストを適用する方法および使用された特定の有機媒体に依存している。典型的に、厚膜ペースト組成物は、70~95重量の無機成分と5~30重量の有機媒体とを含有する。有機媒体がポリマーを含有する場合、有機組成物は8~15重量のポリマーを含有してもよい。厚膜ペースト組成物の調製一実施形態において、導電性金属粉末、Pb-Te-O粉末、および有機媒体を任意の順で混合することによって厚膜ペースト組成物を調製することができる。いくつかの実施形態において、無機材料を最初に混合し、次に、それらを有機媒体に添加する。粘度は、必要ならば、溶剤を添加することによって調節されてもよい。高剪断を与える混合方法が有用である。本発明の別の態様は、a半導体基板の少なくとも1つの表面上に堆積された1つまたは複数の絶縁膜を含む半導体基板を提供する工程と、b厚膜ペースト組成物を1つまたは複数の絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程であって、厚膜ペースト組成物が、i組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、ii鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、iii有機媒体とを含む工程と、c半導体基板、1つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して、1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む方法である。一実施形態において、接合を有する半導体基板とその主表面上に形成された窒化ケイ素絶縁膜とを含む物品から半導体デバイスが製造される。方法は、絶縁膜上に予め決められた形状と厚さおよび予め決められた位置において絶縁層を貫通することができる厚膜ペースト組成物を適用する例えば、コーティングまたはスクリーン印刷工程と、次に焼成してその結果、厚膜ペースト組成物が絶縁膜と反応して絶縁膜を貫通し、それによってシリコン基板との電気的接触をもたらす工程とを包含する。この方法の一実施形態を図1において説明する。図1aは単結晶シリコンまたは多結晶シリコンp型基板10を示す。図1bにおいて、逆極性のn型拡散層20を形成してp-n接合を作る。n型拡散層20が、リン源としてオキシ塩化リンPOCl3を使用してリンPの熱拡散によって形成されてもよい。一切の特定の改良がない場合、n型拡散層20は、シリコンp型基板の表面全体の上に形成される。拡散層の深さは、拡散温度および時間を制御することによって変化させられてもよく、一般に、約0.3~0.5ミクロンの厚さの範囲において形成される。n型拡散層は、数十オーム/のシート抵抗率を有し得る。レジスト等を有するn型拡散層20の1つの表面を保護した後、図1cに示されるように、n型拡散層20をエッチングによって大部分の表面から除去し、その結果、それは1つの主表面上にだけ残る。次に、有機溶剤等を用いてレジストを除去する。次に、図1dにおいて、反射防止コーティングとしても機能する絶縁層30がn型拡散層20上に形成される。絶縁層は通常は窒化ケイ素であるが、SiNx:H膜すなわち、絶縁膜が、後続の焼成加工の間の不活性化のための水素を含有する、酸化チタン膜、または酸化ケイ素膜とすることもできる。窒化ケイ素膜の約700~900Åの厚さは、約1.9~2.0の屈折率のために適している。絶縁層30の堆積はスパッタリング、化学蒸着、または他の方法によって行うことができる。次に、電極が形成される。図1eに示されるように、本発明の厚膜ペースト組成物を絶縁膜30上にスクリーン印刷し、次に乾燥させる。さらに、アルミニウムペースト60および裏面銀ペースト70を基板の裏面上にスクリーン印刷し、連続的に乾燥させる。焼成は、数秒~数十分の間750~850°Cの温度において行われる。従って、図1fに示されるように、焼成の間にアルミニウムがアルミニウムペーストからシリコン基板の裏面上に拡散し、それによって、高濃度のアルミニウムドーパントを含有するp層40を形成する。この層は一般に裏面電界BSF層と呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率を改良するのを助ける。焼成は、乾燥されたアルミニウムペースト60をアルミニウム後部電極61に変換する。裏面銀70は同時に焼成され、銀または銀/アルミニウム後部電極71になる。焼成の間、裏面アルミニウムと裏面銀との間の境界は合金の状態を呈し、それによって電気接続を達成する。後部電極の大部分の領域は、一つにはp層40を形成する必要のために、アルミニウム電極によって占められる。同時に、アルミニウム電極へのはんだ付けは不可能なので、銀または銀/アルミニウム後部電極が、銅リボン等によって太陽電池を相互接続するための電極として裏面の限られた領域の上に形成される。前面上に、本発明の厚膜ペースト組成物500は焼成の間に焼結して絶縁膜30を貫通し、それによってn型拡散層20との電気的接触を達成する。このタイプのプロセスは一般にファイアスルーfirethroughと呼ばれる。このファイアスルーされた状態、すなわち、ペーストが溶融して絶縁膜30を通過する程度は、絶縁膜30の特質および厚さ、ペーストの組成、および焼成条件に依存する。焼成されたとき、図1fに示されるようにペースト500は電極501になる。一実施形態において、絶縁膜は、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、SiNx:H、酸化ケイ素、オキシ窒化炭素ケイ素、炭素を含有する窒化ケイ素膜、炭素を含有する酸化ケイ素膜、および酸化ケイ素/酸化チタン膜から選択される。窒化ケイ素膜はスパッタリング、プラズマ強化化学蒸着PECVD、または熱CVD法によって形成されてもよい。一実施形態において、酸化ケイ素膜は熱酸化、スパッタリング、または熱CFDまたはプラズマCFDによって形成される。酸化チタン膜は、チタン含有有機液状物質を半導体基板上にコートして焼成することによって、または熱CVDによって形成されてもよい。この方法において、半導体基板は単結晶または多結晶シリコン電極とすることもできる。適した絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、SiNx:H、酸化ケイ素、オキシ窒化炭素ケイ素、炭素を含有する窒化ケイ素膜、炭素を含有する酸化ケイ素膜、および酸化ケイ素/酸化チタンから選択された1つまたは複数の成分を含有する。本発明の一実施形態において、絶縁膜は反射防止コーティングARCである。絶縁膜が半導体基板に適用されることも、それは酸化ケイ素の場合のように自然形成することもあり得る。一実施形態において、絶縁膜は窒化ケイ素の層を含有する。窒化ケイ素はCVD化学蒸着、PECVDプラズマ強化化学蒸着、スパッタリング、または他の方法によって堆積することができる。一実施形態において、絶縁層の窒化ケイ素を処理して窒化ケイ素の少なくとも一部を除去する。処理は化学処理であってもよい。窒化ケイ素の少なくとも一部を除去することによって厚膜ペースト組成物の導体と半導体基板との間の改良された電気的接触をもたらす場合がある。これは、半導体デバイスの改良された効率をもたらす場合がある。一実施形態において、絶縁膜の窒化ケイ素は反射防止コーティングの一部である。厚膜ペースト組成物は、一パターンとして、例えば、接続線を有する母線として絶縁膜上に印刷されてもよい。印刷は、スクリーン印刷、めっき、押出、インクジェット、造形印刷またはマルチプル印刷、またはリボンによって行われてもよい。この電極形成プロセスにおいて、厚膜ペースト組成物が加熱されて有機媒体を除去し、金属粉末を焼結する。加熱は、空気中でまたは酸素含有雰囲気中で行わうことができる。この工程は通常、焼成と称される。焼成温度プロファイルは典型的に、乾燥された厚膜ペースト組成物からの有機バインダー材料、並びに存在する一切の他の有機材料の焼尽を可能にするように設定される。一実施形態において、焼成温度は750~950°Cである。焼成は、高い輸送速度、例えば100~500cm/分を用いて、結果として0.05~5分のホールドアップ時間でベルト炉内で行うことができる。複数の温度領域、例えば3~11の領域を用いて、所望の熱プロファイルを制御することができる。焼成時に、導電性金属およびPb-Te-Oの混合物が絶縁膜を貫通する。絶縁膜の貫通は電極と半導体基板との間の電気的接触をもたらす。焼成後に、中間層が半導体基板と電極との間に形成される場合があり、中間層はテルル、テルル化合物、鉛、鉛化合物、およびシリコン化合物の1つまたは複数を含有し、そこにおいてシリコンはシリコン基板および/または絶縁層を供給源としてもよい。焼成後に、電極は、下にある半導体基板と接触し且つ1つまたは複数の絶縁層と接触し得る焼結された金属を含有する。本発明の別の態様は、a半導体基板の少なくとも1つの表面上に堆積された1つまたは複数の絶縁膜を含む半導体基板を提供する工程と、b厚膜ペースト組成物を1つまたは複数の絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程であって、厚膜ペースト組成物が、i組成物中の全固形分に基づいて導電性金属またはその誘導体85~99.5重量と、ii鉛のテルルに対するモル比が5/95~95/5である鉛-テルル-酸化物を、固形分に基づいて0.5~15重量と、iii有機媒体とを含有する工程と、c半導体基板、1つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して、1つまたは複数の絶縁層と接触し且つ半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む方法によって形成された物品である。このような物品は光起電装置の製造において有用である場合がある。一実施形態において、物品は、厚膜ペースト組成物から形成された電極を含む半導体デバイスである。一実施形態において、電極は、シリコン太陽電池上の前面電極である。一実施形態において、物品は後部電極をさらに備える。厚膜ペースト組成物の例示的な調製および評価を以下に説明する。実施例I鉛-テルル-酸化物の調製表1および2のガラスフリットの鉛-テルル-酸化物の調製TeO2粉末99純度およびPbO粉末ACS試薬用、99純度および任意選択的に、PbF2、SiO2、B2O3、P2O5、リン酸鉛、SnO2、SnO、Li2O、Li2CO3、LiNO3、V2O5、Ag2O、Ag2CO3、AgNO3の混合物をポリエチレン容器内で30分にわたって混転して出発粉末を混合した。出発粉末混合物を白金るつぼ内に置き、空気中で10°C/分の加熱速度において900°Cまで加熱し、次に900°Cに1時間保持して混合物を溶融した。白金るつぼを炉から取り出して溶融物をステンレス鋼プラテン上に流し込むことによって溶融物を900°Cから急冷した。得られた材料を乳鉢および乳棒で100メッシュ未満に微粉砕した。次に、D50が0.5~0.7ミクロンになるまで、微粉砕された材料をジルコニアボールとイソプロピルアルコールとを有するポリエチレン容器内でボールミル粉砕した。次に、ボールミル粉砕された材料をミル粉砕ボールから分離し、乾燥させ、100メッシュのスクリーンに通して、厚膜ペーストの調製試料において使用される粉末を得た。表3のガラスフリットの鉛-テルル-酸化物の調製表3の鉛-テルル-リチウム-酸化物Pb-Te-Li-Ti-O組成物を調製するために、Pb3O4およびTeO2粉末、および任意選択的に、表3に示されるように、SiO2、P2O5、Pb2P2O7、Ag2O、AgNO3および/またはSnO2を混合およびブレンドした。ブレンドされた粉末バッチ材料を白金合金るつぼに充填し、次に、空気含有またはO2含有雰囲気を使用する900~1000°Cの炉内に入れた。成分の完全溶液を得た後、熱処理の時間は20分であった。次に、成分の融解から生じる得られた低粘度液体を金属ローラーによって急冷した。次に、急冷されたガラスを粉砕し、選別して0.1~3.0ミクロンのD50を有する粉末を得た。実施例IIペーストの調製表5、6、7、および8の厚膜ペーストの調製厚膜ペーストの有機成分と相対量を表2に示す。有機成分がThinky混合ジャーThinkyUSA,Inc内に入れられ、十分にブレンドされるまで2000RPMにおいて2~4分間Thinky方式で混合された。無機成分Pb-Te-O粉末および銀導電性粉末をガラスジャー内で15分にわたって混転により混合した。無機成分の全重量は88gであり、その85~87gは銀粉末であり、1~3gはPbO、TeO2粉末の混合物であった。次に、無機成分の三分の一を有機成分を保有するThinkyジャーに添加し、1分間2000RPMにおいて混合した。無機成分の全てが添加されて混合されるまでこれを繰り返した。ペーストを冷却し、粘度を200~500Pa.sに調節するために溶剤を添加して、次に1分間200RPMにおいて混合した。所望の粘度が得られるまでこの工程を繰り返した。次に、ペーストを1ミルの間隙において0psiで3回および75psiで3回ロールミル粉砕した。分散度を磨砕度FOGによって測定した。FOG値は厚膜ペーストについて典型的に20/10以下である。各々のペーストの粘度を14スピンドルおよび6カップを有するB型粘度計で測定した。ペーストの粘度を24時間後に室温において200~320Pa.sに調節した。粘度を3分後に10RPMにおいて粘度計で測定した。表9、10、12、および13の厚膜ペーストの調製一般的に、ペーストの調製試料を以下の手順を用いて調製した。表9、10、12、および13の適切な量の溶剤、媒体および界面活性剤を秤量し、混合缶内で15分間混合した。Agは固形分の主要部分なので、それを徐々に添加してより十分に浸潤することを確実にした。ペーストを十分に混合したとき、0~250psiに徐々に圧力を増加させながらそれを反復的に3本ロール練り機を通過させた。ロールの間隙を2ミルに設定した。ペーストの粘度をB型粘度計を用いて測定し、溶剤および樹脂の適切な量を添加してペーストの粘度を230~280Pa-secの目標に向けて調節した。分散度を磨砕度FOGによって測定した。ペーストの典型的なFOG値は4番目に長い連続した掻き傷について20ミクロン未満であり、ペーストの50が掻き傷を与えられる場所について10ミクロンである。表9、10、12および13のデータを生じるために使用された最終ペーストを製造するために、表1のフリット2~3重量をAgペースト分に混合し、粉砕機として当業者に公知の回転ガラス板間の剪断によって分散させた。表12および13の最終ペーストを製造するために3つの別個のペーストを以下によって製造た、すなわち、1Agの適切な量を表4のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した、2表3の第1のガラスフリットの適切な量を表4のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した、および3表3の第2のガラスフリットの適切な量を表4のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した。Agペーストおよびフリットペーストの適切な量を遊星形遠心ミキサー日本、東京の株式会社シンキーを用いて一緒に混合した。表11は、表12および13の実施例の組み合わせられたフリット組成物を示す。表11に示された組み合わせられたフリット組成物は、表3のフリット組成物を使用して表12および13のブレンディング比において計算される。以下の詳細によって表に列挙されたペースト組成物を製造するために上に記載された手順を用いて表5、7、8、9、12、および13のペーストの実施例を製造した。試験されたペーストは85~88の銀粉末を含有した。これらの実施例はD50=2.0μmを有する単一の球状銀を使用した。実施例III太陽電池の作製表6、7、および8の実施例の太陽電池の作製厚膜ペーストの性能を試験するための太陽電池は、酸によってエッチングされたテクスチャー化表面を有する65ohm/sq.のリンドープトエミッター層と厚さ70nmのPECVDSiNx反射防止コーティングとを有する厚さ175ミクロンのQ.Cell多結晶シリコンウエハから製造された。太陽電池はQ-CellsSEOTThalheim,Germanyによって供給された。ダイアモンドウエハ用ソーを使用してウエハを28mm×28mmのウエハに切断した。切断後にAMI-PrescoMSP-485スクリーン印刷機を用いてウエハをスクリーン印刷し、母線、0.254cmのピッチの11本の導体線、および完全研磨面、スクリーン印刷されたアルミニウム裏面導体を提供した。印刷および乾燥後に、電池をBTU国際急速熱処理ベルト炉内で焼成した。表3に示された焼成温度は炉の設定温度であり、実際のウエハ温度よりも約125°C高かった。焼成された導体線の線幅の中央値は120ミクロンであり、平均の線の高さは15ミクロンであった。線の抵抗率の中央値は3.0E-6ohmcmであった。28mm×28mmの電池の性能は、太陽電池の全充填比FFを約5低減するエッジ効果によって影響されることが予想される。表9、10、12、および13の実施例の太陽電池の作製p型ベース上にリンドープトエミッターを有する1.1インチ×1.1インチのダイシングソーカット多結晶シリコン太陽電池にペーストを適用した。実施例♯1のペーストを62Ω/□エミッターを有するDeutscheCellDeutscheCell,Germany多結晶ウエハに適用し、実施例♯2~♯6のペーストを55Ω/□エミッターを有するGintechGintechEnergyCorporationTaiwan多結晶ウエハに適用した。使用された太陽電池はイソトロパ酸のエッチングによってテクスチャー化され、SiNX:Hの反射防止コーティングARCを有した。表9、10、12および13に示されるように効率および充填比を各々の試料について測定した。各々のペーストについて、5~12の試料について効率および充填比の平均値および中央値が示される。各々の試料は、250mm/secのスキージー速度を有するETPモデルL555プリンターセットを使用してスクリーン印刷することによって製造された。使用されたスクリーンは、325メッシュおよび23μmのワイヤを有するスクリーンの20μmのエマルション上に100μmの開口を有する11の指線および1.5mmの開口を有する1つの母線のパターンを有した。市販のAlペースト、DuPontPV381をデバイスの照明されない裏面上に印刷した。次に、印刷されたパターンを両面に有するデバイスを10分間、250°Cのピーク温度の乾燥炉内で乾燥させた。次に、560cm/分のベルト速度および550-600-650-700-800-905~945°Cの温度設定値を用いてCF7214Despatch6領域IR炉で基板を太陽側の面を上にして焼成した。加工品の実際の温度を加工の間に測定した。各々の加工品の推定ピーク温度は740~780°Cであり、各々の加工品は4秒の全時間の間650°Cを超えていた。次に、較正されたST-1000試験機を用いて、完全に加工された試料をPV性能について試験した。実施例IV太陽電池の性能効率および充填比試験手順表6、7、および8の実施例の効率および充填比太陽電池の性能をST-1000、TelecomSTVCo.IV試験機を用いて25°C/-1.0°Cにおいて測定した。IV試験機のXeアーク灯は公知の強度を有する直射日光をシミュレートし、電池の前面を照射した。試験機は4接触法を使用して約400の負荷抵抗の設定において電流Iおよび電圧Vを測定し、電池のI-V曲線を求めた。太陽電池効率Eff、充填比FF、および直列抵抗RsをI-V曲線から計算した。Rsは特に接触抵抗率ρc、導体線抵抗およびエミッターシート抵抗によって影響される。導体線抵抗およびシート抵抗は様々な試料について公称で同等であるので、Rsの差は第一にρcによる。Suns-VOC技術を用いて理想係数を測定した。理想係数は0.1日射量において記録される。実施例1~12の厚膜ペーストを使用して作製された太陽電池の効率、充填比、直列抵抗、および理想係数の中央値を求め、表6に記載する。実施例13~27の厚膜think-filmペーストを使用して作製された太陽電池の効率の平均値および中央値を求め、表7に記載する。実施例13~27の厚膜think-filmペーストを使用して作製された太陽電池の充填比の平均値および中央値を求め、表8に記載する。試験手順表9、10、12、および13の実施例の効率および充填比本明細書に記載された方法によって製造された太陽電池を変換効率について試験した。効率を試験する典型的な方法を以下に示す。実施形態において、本明細書に記載された方法によって製造された太陽電池を効率を測定するための商用I-V試験機TelecomSTV、モデルST-1000内に置いた。I-V試験機のXeアーク灯が公知の強度、AM1.5を有する直射日光をシミュレートし、電池の前面を照射した。試験機は多点接触方法を用いて約400の負荷抵抗の設定において電流Iおよび電圧Vを測定し、電池のI-V曲線を求めた。充填比FFと効率Effとの両方をI-V曲線から計算した。比較例Iビスマス-テルル-酸化物ビスマス-テルル-酸化物の調製表14に示されたビスマス-テルル-酸化物Bi-Te-Oを含有する組成物は、酸化ホウ素B2O3、酸化亜鉛ZnO、酸化チタンTiO2、酸化ビスマスBi2O3、酸化テルルTeO2、炭酸リチウムLiCO3、およびリン酸リチウムLiPO4を使用して、実施例Iにおいて上述された手順、すなわち、表3のガラスフリットの鉛-テルル-酸化物の調製によって調製された。ペーストの調製ガラスAを使用するペーストを以下の手順によって製造した。適切な量の有機ビヒクル表4とAg粉末とを混合することによってペーストを製造した。0~75psiに徐々に圧力を増加させながらAgペーストを3本ロール練り機を通過させた。B型粘度計を用いてAgペーストの粘度を測定し、溶剤および樹脂の適切な量を添加してペーストの粘度を230~280Pa-secの目標に向けて調節した。別のペーストを製造するために適切な量の有機ビヒクル表4およびガラス粉末Aを混合した。0~250psiに徐々に圧力を増加させながらフリットペーストを3本ロール練り機を通過させた。各々のペーストの分散度を磨砕度FOGによって測定した。ペーストの典型的なFOG値は4番目に長い連続した掻き傷について20ミクロン未満であり、ペーストの50が掻き傷を与えられる場所について10ミクロン未満である。遊星形遠心ミキサー日本、東京の株式会社シンキーを用いてAgおよびフリットペーストを混合物と一緒に混合して、表15に示された最終ペーストの配合を実施した。太陽電池の作製と効率および充填比の測定p型ベース上にリンドープトエミッターを有する1.1インチ×1.1インチのダイシングソーカット多結晶シリコン太陽電池にペーストを適用した。62Ω/□のエミッターを有するDeutscheCellDeutscheCell,Germany多結晶ウエハにペーストを適用した。使用された太陽電池はイソトロパ酸のエッチングによってテクスチャー化され、SiNX:Hの反射防止コーティングARCを有した。表15に示されるように、効率および充填比を各々の試料について測定した。200mm/秒のスキージー速度を有するETPモデルL555プリンタセットを用いてスクリーン印刷することによって各々の試料を製造した。使用されたスクリーンは、325メッシュおよび23μmのワイヤを有するスクリーンの20μmのエマルション上に100μmの開口を有する11の指線および1.5mmの開口を有する1つの母線のパターンを有した。市販のAlペースト、DuPontPV381をデバイスの照明されない裏面上に印刷した。次に、印刷されたパターンを両面に有するデバイスを10分間、250°Cのピーク温度の乾燥炉内で乾燥させた。次に、560cm/分のベルト速度および500-550-610-700-800-HZ6の温度設定値を用いてCF7214Despatch6領域IR炉で基板を太陽側の面を上にして焼成し、そこにおいてHZ6=885、900および915°Cであった。加工品の実際の温度を加工の間に測定した。各々の加工品の推定ピーク温度は745~775°Cであり、各々の加工品は4秒の全時間の間650°Cを超えていた。次に、較正されたST-1000試験機を用いて、完全に加工された試料をPV性能について試験した。表15に示された効率および充填比を各々の試料について測定した。各々のペーストについて、6つの試料について効率および充填比の平均値および中央値を示す。"