基板と、前記基板上に形成され、化学修飾グラフェンとを備え、前記化学修飾グラフェンは、端部が終端原子で終端されているグラフェンであり、前記基板の材料が銅で、前記終端原子がフッ素である化学修飾グラフェン。化学修飾グラフェンの剥離方法であって、前記化学修飾グラフェンは、基板と、前記基板上に形成され、化学修飾グラフェンとを備え、前記化学修飾グラフェンは、端部が終端原子で終端されているグラフェンであり、前記基板の材料が銅で、前記終端原子がフッ素であり、基板上にグラフェンを形成する第一ステップと、前記第一ステップの後、前記グラフェン上に保護膜を形成する第二ステップと、前記第二ステップの後、前記グラフェンと前記基板との間にアルカリ金属の原子をインターカレートさせる第三ステップと、前記第三ステップの後、前記グラフェンを前記基板から剥離する第四ステップとを含有し、前記アルカリ金属がナトリウムである化学修飾グラフェンの剥離方法。しかしながら、前記従来のグラフェンをフッ素化すると、グラフェンの電子状態が変化してしまうという課題を有していた。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、グラフェンの電子状態を変化させずに、グラフェンの剥離を容易にする構成および方法を提供することを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明の化学修飾グラフェンは、基板と、前記基板上に形成され、化学修飾グラフェンとを備え、前記化学修飾グラフェンは、端部が終端原子で終端されているグラフェンであり、前記基板の材料が銅で、前記終端原子がフッ素である化学修飾グラフェンを特徴とする。本発明のグラフェンは、端部のみをフッ素化されているので、グラフェンの電子状態を変化させずに、グラフェンの剥離が容易にすることができる。以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1に、本発明の実施の形態1を表す。図1に、グラフェン1と、フッ素原子2と、基板3とを表す。基板3の材料に、銅Cuを用いる。Cu基板上に、炭素原子で構成されるグラフェン1を形成する。グラフェン1は、フッ素で終端されている。このように、グラフェン1の端部をフッ素化することで、フッ素原子2と結合している炭素原子の吸着距離が大きくなる第295-299頁。また、端部のみをフッ素化するので、グラフェン1の電子状態は、水素で終端されている場合とほぼ同じである第295-299頁。このように、かかる構成によれば、グラフェン1の端部のみを化学修飾させることで、グラフェン1の電子状態を変化させずに基板3からのグラフェン1の剥離を容易にすることができる。実施例1CVD法により、Cu基板3上にグラフェン1を成膜した。基板温度は1000°Cとし、エチレンガスを供給した。その後、大気中に出し、グラフェン1上に保護膜であるポリメタクリル酸メチル樹脂を形成した。再び真空装置において、XeF2ガスを供給することで、グラフェン1の端部をフッ素化した。グラフェン1上に保護膜を形成することで、グラフェン全面ではなくグラフェンの端部のみをフッ素化することが可能となった。次に、ゲッターソースによりNa原子を基板表面に照射することで、グラフェン1と基板3の間に、Na原子をインターカレートさせた。このようにインターカレートすることで、グラフェン1と基板3との結合が弱まるので、基板3からグラフェン1を剥離させることができる。本実施例では、グラフェン1の端部をフッ素原子2で終端させることで、端部の炭素原子の吸着距離が大きくなり、インターカレートする原子数が増えることで、グラフェン1の剥離が容易になった。なお、本実施例では、基板としてCuを用いたが、グラフェンを成膜することが可能な触媒材料であれば、いかなるものでも構わない。また、グラフェンの端部を化学修飾するのに、本実施例では、フッ素を用いたが、他のハロゲン元素でも構わない。さらに、インターカレート原子として、本実施例では、Naを用いたが、他のアルカリ金属でも構わない。