前縁シールドを作製する方法であって、基板を覆って化学機械研磨停止層を堆積させること、前記化学機械研磨停止層を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、特徴的画定部を形成するために、前記化学機械研磨停止層の少なくとも一部分および前記基板の少なくとも一部分をエッチングすること、前記化学機械研磨停止層を露出させるために前記フォトレジストマスクを除去すること、前縁シールド材料を、前記特徴的画定部内にかつ前記露出した化学機械研磨停止層を覆って堆積させること、前記化学機械研磨停止層を露出させるために前記前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、前記化学機械研磨停止層を除去することを含む方法。前記前縁シールド材料は磁性材料を含む請求項1に記載の方法。前記磁性材料は、コバルト鉄、コバルト鉄ニッケル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項2に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項3に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、100オングストロームと500オングストロームとの間の厚さを有する請求項4に記載の方法。前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項5に記載の方法。前記基板はAl2O3を含む請求項6に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項1に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、100オングストロームと500オングストロームとの間の厚さを有する請求項1に記載の方法。前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項1に記載の方法。前縁シールドを作製する方法であって、基板を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、特徴的画定部を形成するために、前記基板の少なくとも一部分をエッチングすること、前記基板を露出させるために前記フォトレジストマスクを除去すること、前記基板を覆ってかつ前記特徴的画定部内に化学機械研磨停止層を堆積させること、前記化学機械研磨停止層を覆って前縁シールド材料を堆積させること、前記化学機械研磨停止層の少なくとも一部分を露出させるために、前記前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、前記化学機械研磨停止層の前記露出した部分を除去することを含む方法。前記前縁シールド材料は磁性材料を含む請求項11に記載の方法。前記磁性材料は、コバルト鉄、コバルト鉄ニッケル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項12に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項13に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、100オングストロームと500オングストロームとの間の厚さを有する請求項14に記載の方法。前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項15に記載の方法。前記基板はAl2O3を含む請求項16に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、タンタル、およびそれらの組合せからなる群から選択される請求項11に記載の方法。前記化学機械研磨停止層は、100オングストロームと500オングストロームとの間の厚さを有する請求項11に記載の方法。前記前縁シールド材料は、スパッタリングまたは電気めっきによって堆積される請求項11に記載の方法。本発明の実施形態は、一般に、前縁シールドおよび磁気書込みヘッドに関し、より具体的には、前縁シールドおよび磁気ヘッド内のテーパ付き構造の作製に関する。本発明の一実施形態は、磁気ヘッドを作製する方法を提供する。方法は、一般に、第1の非磁性材料がその上に配設された基板を提供することであって、第1の非磁性材料内に特徴的画定部が形成され、特徴的画定部内に第1の磁性材料が配設され、特徴的画定部は台形断面形状を有し、第1の磁性材料は特徴的画定部内で平坦表面を形成する基板を提供すること、平坦表面上に第2の磁性材料を堆積すること、第2の磁性材料の一部が露出するように第2の磁性材料上にパターニングされたレジスト材料を形成すること、第2の磁性材料の少なくとも1つのテーパ付き表面が形成されるように第2の磁性材料をエッチングすること、パターニングされるレジスト材料を除去すること、少なくとも1つのテーパ付き表面を有する第2の磁性材料上に第2の非磁性材料を堆積させること、第2の非磁性材料上に第3の非磁性材料を堆積させること、および、第2の非磁性材料および第2の非磁性材料の表面に対して第3の非磁性材料を平坦化することを含む。本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドを作製する方法を提供する。方法は、一般に、平坦表面から基板表面の下地部分までテーパが付く平坦表面を有する磁気前縁シールドを基板表面に形成すること、前縁シールド材料上に磁気前縁材料を堆積させること、磁気前縁材料上のレジスト材料をパターニングすることであって、パターニングされるレジスト材料が磁気前縁材料の一部分を露出させるようにパターニングすること、パターニングされるレジスト材料をマスクとして使用して、磁気前縁材料の露出部分をエッチングすることであって、磁気前縁材料の露出部分を除去して、1つまたは複数のテーパ付き表面が形成されるようにエッチングすること、1つまたは複数のテーパ付き表面を有する磁気前縁材料を覆ってエッチング停止層を堆積させること、エッチング停止層を覆ってバルク充填材料を堆積させること、および、エッチング停止層に対してバルク充填材料を平坦化することを含む。本発明の別の実施形態は、磁気ヘッドの一実施形態を提供する。磁気ヘッドは、一般的に、非磁性電気絶縁材料と、非磁性電気絶縁材料上に形成された前縁シールドと、前縁シールド上に形成された前縁テーパであって、磁気ヘッドのエアベアリング面ABS端部から離れるようにテーパが付く、前縁テーパと、前縁テーパおよび前縁シールド上に形成され、かつ、テーパ付き後縁部分を有するテーパ付き領域および非テーパ付き領域を有する書込み極であって、書込み極のテーパ付き領域の厚さは、磁気ヘッドのエアベアリング面ABS端部から離れる方向に増加する、書込み極と、磁極の非テーパ付き領域上に形成された第1の非磁性層と、テーパ付き領域上に形成された非磁性バンプ層であって、第1の非磁性層の側壁部分に隣接する、非磁性バンプ層と、バンプ層によって覆われない書込み極のテーパ付き領域の一部分上に形成された第2の非磁性層と、テーパ付き領域上に形成された後縁シールドであって、少なくとも第2の非磁性層およびバンプ層だけ書込み極から分離される、後縁シールドとを備える。別の実施形態では、前縁シールドを作製する方法が開示される。方法は、基板を覆って化学機械研磨停止層を堆積させること、化学機械研磨停止層を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、および、特徴的画定部を形成するために、化学機械研磨停止層の少なくとも一部分および基板の少なくとも一部分をエッチングすることを含む。方法はまた、化学機械研磨停止層を露出させるためにフォトレジストマスクを除去すること、前縁シールド材料を、特徴的画定部内にかつ露出した化学機械研磨停止層を覆って堆積させること、化学機械研磨停止層を露出させるために前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、化学機械研磨停止層を除去することを含む。別の実施形態では、前縁シールドを作製する方法が開示される。方法は、基板を覆ってフォトレジストマスクを形成すること、特徴的画定部を形成するために、基板の少なくとも一部分をエッチングすること、および、基板を露出させるためにフォトレジストマスクを除去することを含む。方法はまた、基板を覆ってかつ特徴的画定部内に化学機械研磨停止層を堆積させること、化学機械研磨停止層を覆って前縁シールド材料を堆積させること、化学機械研磨停止層の少なくとも一部分を露出させるために、前縁シールド材料を化学機械研磨すること、および、化学機械研磨停止層の露出部分を除去することを含む。本発明の先に引用した特徴が詳細に理解されうるように、手短に先に要約された本発明のより詳細な説明が、その一部が添付図面に示される実施形態を参照して行われてもよい。しかし、添付図面は、本発明の典型的な実施形態だけを示し、したがって、その範囲について制限的であると考えられず、本発明について、他の同様に有効な実施形態を容認してもよいことが留意される。以下では、本発明の実施形態が参照される。しかし、本発明は、述べた特定の実施形態に限定されないことが理解されるべきである。代わりに、以下の特徴および要素の任意の組合せが、異なる実施形態に関連してもしなくても、本発明を実装し実施することが想定される。さらに、本発明の実施形態が、考えられる他の解決策に比べてかつ/または先行技術に比べて利点を達成する可能性があるが、特定の利点が所与の実施形態によって達成されるか否かは、本発明について制限的ではない。そのため、以下の態様、特徴、実施形態、および利点は、例証に過ぎず、特許請求項複数可で明示的に引用される場合を除いて、添付特許請求の範囲の要素または制限であると考えられない。同様に、本発明theinventionに対する言及は、本明細書で開示される本発明の任意の主題の一般化と見なされないものとし、特許請求項複数可で明示的に引用される場合を除いて、添付特許請求の範囲の要素または制限であると考えられないものとする。本発明の実施形態は、一般に、前縁シールドおよび磁気書込みヘッドに関し、より具体的には、前縁シールドおよびテーパ付き磁極の作製方法に関する。磁極は、エアベアリング面ABSにまたはその近くに複数のテーパ付き表面を有してもよく、書込み極の厚さは、ABSから離れる方向に増加する。ここで図1を参照して、本発明を具現化するディスクドライブ100が示される。図1に示すように、少なくとも1つの回転可能磁気ディスク112は、スピンドル114上で支持され、ディスクドライブモータ118によって回転する。各ディスク上での磁気記録は、磁気ディスク112上の同心データトラックの環状パターン図示せずの形態である。少なくとも1つのスライダ113は、磁気ディスク112の近くに位置決めされ、各スライダ113は、1つまたは複数の磁気ヘッド組立体121を支持する。磁気ディスクが回転するにつれて、スライダ113は、磁気ヘッド組立体121が、所望のデータが書込まれる磁気ディスクの異なるトラックにアクセスするように、ディスク表面122にわたって半径方向に内側にまた外側に移動する。各スライダ113は、サスペンション115によってアクチュエータアーム119に取付けられる。サスペンション115は、スライダ113をディスク表面122に対してバイアスさせるわずかなばね力を提供する。各アクチュエータアーム119は、アクチュエータ手段127に取付けられる。図1に示すアクチュエータ手段127は、ボイスコイルモータVCMであってよい。VCMは、一定磁場内で可動のコイルを備え、コイル移動の方向および速度は、コントローラ129によって供給されるモータ電流信号によって制御される。ディスク記憶システムの動作中に、磁気ディスク112の回転は、スライダ113とディスク表面122との間にエアベアリングを生成し、スライダ113に上向き力または揚力を及ぼす。そのため、エアベアリングは、通常動作中に、サスペンション115のわずかなばね力と釣り合い、小さな実質的に一定の間隔だけ、ディスク表面から離れかつディスク表面のわずか上のところでスライダ113を支持する。ディスク記憶システムの種々の構成要素は、アクセス制御信号および内部クロック信号などの、制御ユニット129によって生成される制御信号によって動作が制御される。通常、制御ユニット129は、ロジック制御回路、記憶手段、およびマイクロプロセッサを備える。制御ユニット129は、種々のシステム動作を制御するために、ライン123上のドライブ駆動制御信号およびライン128上のヘッド位置およびシーク制御信号などの制御信号を生成する。ライン128上の制御信号は、スライダ113を、ディスク112上の所望のデータトラックに最適に移動させ位置決めするために、所望の電流プロファイルを提供する。書込みおよび読取り信号は、記録チャネル125によって書込みおよび読取りヘッド121に/から伝達される。図2を参照して、スライダ113内の磁気ヘッド121の配向がより詳細に見られることができる。図2は、スライダ113のABS視図であり、見てわかるように、誘導書込みヘッドおよび読取りセンサを含む磁気ヘッドは、スライダの後縁に位置付けられる。典型的な磁気ディスク記憶システムおよび図1の添付図の上記説明は、示すだけのためのものである。ディスク記憶システムが、多数のディスクおよびアクチュエータを含んでもよく、また、各アクチュエータがいくつかのスライダを支持してもよいことが明らかであるべきである。ここで図3を参照して、本発明は、テーパ付き書込み極およびテーパ付き前縁を有する磁気ヘッド302で具現化されうる。磁気書込みヘッド302は、磁気書込み極304および磁気戻り極306を含む。磁気後方ギャップ層308および磁気整形層310は、エアベアリング表面ABSから除去された場所で戻り極306を書込み極304に磁気的に接続する。磁気書込み極はさらに、前縁シールド307および前縁テーパ305によって画定される。導電性で非磁性の書込みコイル318は、書込み極304と戻り極306との間を通過し、また同様に、書込み極304の上を通過してもよい。書込みコイル318は、非磁性で電気絶縁性の材料322の上部に載ることができ、アルミナおよび/またはハードベークされたフォトレジストなどの非磁性で電気絶縁性の材料320内に埋め込まれる。動作中、コイル318を流れる電流は磁場を誘起し、書込み極304を流れる磁束をもたらす。これによって、磁場が、図1に示す磁気媒体122などの磁気媒体に向かって書込み極304から放出される。この書込み磁場は、媒体を流れて、書込み極304によって書込まれた磁気ビットを消去しないほどに十分に大きな断面を有する戻り極306に戻る。書込み磁場勾配を増加させるためにそれにより、スイッチング速度を増加させるために、書込みヘッド302はまた、前縁テーパ305を有する磁気前縁シールド307を含む。さらに、書込み磁場勾配を増加させるためにそれにより、スイッチング速度を増加させるために、書込みヘッド302はまた、磁気後縁シールド312を含む。この後縁シールド312は、後縁ギャップ層332によって書込み極304から分離される。書込み極304はまた、後縁戻り極316に接続されてもよく、後縁戻り極316は、後縁シールド312を、整形層310の後方部分などの書込みヘッド302の後方部分に接続する。一部の実施形態では、書込みヘッドの第1の幅は、20nmと150nmとの間であり、エアベアリング面ABSに平行な平面に対して角度αで、ABSから離れるようにテーパが付きうる。一実施形態では、αは、約30°Cと約60°Cとの間である。ここで図4Aおよび4Bを参照して、本発明の一実施形態による書込みヘッドの極先端部分が示される。図4Aに示すように、書込みヘッド402は、先に述べた実施形態と同様のテーパ付き後縁部分406を有するが、テーパ付き前縁部分408も有する書込み極404を含む。テーパ付き後縁とテーパ付き前縁の両方を有することは、書込み極404の磁気飽和を回避しながら、書込み極404の先端に磁束を収束させることによって書込みヘッド402の性能をさらに最適化する。書込みヘッド402は、前縁シールド410、前縁テーパ411を有する磁気前縁シールド、ならびに、後縁シールド412、および後縁磁気シールドを有する。前縁シールド410は、書込み極404から前縁ギャップ距離414だけ分離され、後縁シールド412は、書込み極404の後縁から後縁ギャップ距離416だけ分離され、前縁ギャップ距離414は、動作中に磁気書込み磁場が前縁シールド410に向けて引き寄せられることを防止するために、後縁ギャップ距離416より著しく大きい。前縁ギャップ距離414は、好ましくは後縁ギャップ距離の少なくとも2倍であり、より好ましくは、後縁ギャップ距離416の約4倍である。一例では、前縁ギャップ距離414は約100μmであり、一方、後縁ギャップ距離416は約25μmでありうる。前縁シールド410は、第1および第2の非磁性層418、420によって書込み極404から分離される。第1の層418は、クロムCrまたはニッケルクロムNiCrの合金などの材料から構成されうる。第2の層420は、ルテニウムRuなどの材料から構成されうる。書込みヘッドはまた、非磁性スペーサ層422を含み、非磁性スペーサ層422は、NiCrなどの材料から構成され、50~200μmの厚さを有しうる。非磁性スペーサ層422は、エアベアリング面ABSから所望の距離に位置するフロントエッジ424を有する。アルミナAl2O3などの材料から構成された非磁性バンプ426は、非磁性スペーサ層422のフロントエッジ424に形成され、書込み極404のテーパ付き後縁406の一部分を覆って延在する。非磁性スペーサ層422および非磁性バンプ426は、後縁シールド412と書込み極404との間のさらなる間隔を提供し、同様にこのさらなる間隔へのスムーズな移行を提供することによってこの間隔のプロファイルを最適化する。書込みヘッドはまた、非磁性後縁ギャップ層428を含み、非磁性後縁ギャップ層428は、後縁シールド412を書込み極404から分離し、非磁性バンプ426および非磁性スペーサ層422を覆って延在してもよい。非磁性後縁ギャップ層は、ルテニウムなどの材料から構成されうる。さらに、非磁性で電気絶縁性の充填層430は、シールド410、412の背後に設けられるが、構造は、同様にこれらの領域に含まれうる。同様に、コバルト鉄CoFeなどの高磁気モーメントシード層432が、後縁シールドの性能を改善するために、後縁シールド412の底部に含まれてもよい。図4Bは、エアベアリング面から見た書込みヘッド402を示す。図4Bを見てわかるように、後縁シールド412は、側面シールド部分452、454を形成するために、書込み極の側面を超えて下方に延在する。こうした理由で、後縁シールド412は、ラップアラウンドwrap-aroundシールドとも呼ばれうる。書込みヘッドはまた、SiO2またはアルミナなどの反応性イオンエッチング可能なRIE可能材料から好ましくは構成される非磁性絶縁側面充填層456、458を含む。非磁性絶縁側面充填層が実質的に垂直な外側側面を有すること、および、図4Aを参照して先に論じた層420が、同様に書込みヘッドの側面を上方に延在することも見てわかる同様に、以下で明らかになる理由でわかる。層420、456、428、432の厚さは、側面ギャップ距離460を画定する。シールド412、410が互いに接触しないように層418および428が、後縁シールド412と前縁シールド410との間に延在することが図4Bを見てわかる。本発明の別の実施形態では、層418および428は、後縁シールド412および前縁シールド410が、層418、428を超えた領域で磁気接触するように、書込み極404から離れたある地点で終了する。この実施形態は、後縁シールド412からの磁束の流れを改善することによって後縁シールド412の性能を改善しうる。図5A~5Gは、図3および図4A~4Bを参照して上述した種々の実施形態に従って磁気書込みヘッドを製造する方法の実施形態を述べる。図5A~5Gは、本発明の実施形態に従って書込み極の前縁テーパの作製中に実施される例示的なステップを示す。図5Aに示すように、一実施形態では、構造の作製は、基板材料500を設けることによって始まってもよい。基板材料500は、アルミナaluminaとしても知られる酸化アルミニウムAl2O3などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料500は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示さないが、基板材料500は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料500内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層上記310を含んでもよい。基板材料500は、図3の絶縁材料320に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料500は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。反応性イオンエッチングRIEに耐性がある材料層510、RIE停止層は、基板を覆って堆積される。RIE停止層510は、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCR、ルテニウムRu、およびそれらの組合せなどの非磁性材料またはこれらの材料の積重層でありうる。充填層520は、材料層510を覆って堆積される。充填層520は、反応性イオンエッチング可能なRIE可能材料、たとえば、アルミナAl2O3、二酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素であってよく、以下で明らかになるように、少なくとも所望の書込み極の厚さの所望の厚さと同程度に堆積される。特徴的画定部535は、イオンビームエッチングIBEなどの反応性イオンエッチングRIEプロセスによって、充填層520の反応性イオンエッチング可能RIE可能材料内に形成されてもよい。反応性イオンエッチングRIEプロセスは、好ましくは、特徴的画定部535がテーパ付き側壁537を有する状態で充填層520を形成するために、垂直に対して1つまたは複数の角度で実施される。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部へ外側に角度付けられる。こうした構造は、表面から材料520内へのテーパ付き構造を実現し、台形形状を形成しうる。図6A~6Eに述べる研磨停止材料であってよい非磁性材料530は、原子層堆積などの共形的堆積プロセスによって堆積されてもよい。この非磁性材料530は、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCr、ルテニウムRu、およびそれらの組合せを含む非磁性材料、または、これらの材料の積重層であってよく、形成される書込み極のトラック幅を収縮させるために、トレンチの幅を有利には減少させるのに十分な厚さまで堆積されてもよい。その後、コバルト鉄CoFeまたはコバルトニッケル鉄CoNiFeなどの磁性材料540が、電気めっきなどによって、充填層520内に形成された特徴的画定部535内に堆積されてもよい。磁性材料540は、後の主極構造のための構造の前縁シールド材料を形成する。化学機械研磨CMPプロセスが実施されて、磁性層540が平坦化され、書込み極材料540が特徴的画定部535内にある図5Aに示す構造を残してもよい。その後、イオンミリングが、実施されて、充填層520を超えて延在する可能性がある非磁性層535の部分が除去されてもよい。図5Bを参照して、その後、前縁テーパ材料になる磁性材料550が、スパッタリングプロセスなどによって、充填材料520、非磁性材料530、および磁性材料540の平坦化表面上に共形的に堆積される。磁性材料550は、ニッケル鉄NiFe、コバルト鉄CoFe、コバルトニッケル鉄CoNiFe、およびそれらの組合せの群から選択される金属合金である。磁性材料550は、磁性層540と同じ材料であっても、異なる材料であってよい。磁性材料550は、スパッタリングプロセスによって堆積されてもよく、また、約500Å~約1500Å、たとえば約1100Åの厚さに堆積されてもよい。その後、フォトレジスト/レジスト材料560が、堆積され、磁性材料550上でパターニングされる。図5Cを参照して、イオンミリングプロセスまたはイオンビームエッチングIBEプロセスなどの反応性イオンエッチングプロセスが、パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560によって露出した磁性材料550の部分を除去するために実施されてもよい。イオンミリングが実施されて、磁性材料層550の一部分が好ましい角度で除去され、それにより、磁性材料層550上へのテーパ付き表面555の形成が可能になる。さらに、磁性層は、イオンミリングされて、図5Cに示すように、下地磁性材料540の水平表面境界bound内にテーパ部分の端部を有するテーパ付き材料が実現されてもよい。一実施形態では、磁性材料層550は、基板表面上の下地磁性材料540にだけ結合したテーパ付き部分を有する。イオンミリングは、垂直に対して1つまたは複数の角度で実施され、それにより、パターニングされたフォトレジスト/レジスト層560による影生成は、堆積直後の状態のasdeposited層の表面に平行な平面に対して20~40°、たとえば約30°などの10~60°の角度を形成するようテーパ付き表面にさせる。テーパ付き構造は、前縁テーパ構造を形成する。図に示すように、前縁テーパは、2つ以上のテーパ付き側面を有してもよく、また、各側面は、同じ角度または実質的に同じ角度を有してもよい。任意の非磁性材料550が、層図示せずの表面上に堆積された場合、非磁性材料530は、イオンミリングプロセスによって除去されてもよい。図5Dを参照して、パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560は、その後、磁性層550から除去される。パターニングされたフォトレジスト/レジスト材料560は、リフトオフまたはアッシングプロセスによって除去されてもよい。図5Eを参照して、非磁性層570は、磁性材料層550ならびに充填層520、非磁性材料530、および磁性材料540の露出表面を覆って共形的に堆積される。非磁性層570は、反応性イオンエッチングRIE停止層であってよく、また、タンタルTa、窒化タンタルTaN、チタンTi、窒化チタンTiN、クロムCr、ニッケルとクロムの合金NiCr、ルテニウムRu、およびそれらの組合せを含む非磁性材料またはこれらの材料の積重層であってよい。非磁性層570は、40~60μmまたは約50μmの厚さまで堆積されてもよい。図5Fを参照して、アルミナなどの非磁性材料のバルク層580が、共形的非磁性RIE停止層570を覆って堆積されてもよい。バルク層580および任意選択で、非磁性RIE停止層570は、その後平坦化されてもよい。基板材料500およびバルク層580は、同じ材料であってよい、また、数ある誘電材料の中で、アルミナAl2O3、酸化ケイ素、窒化ケイ素、それらの組合せの群から選択された材料を含んでもよい。形成された構造は、その後、主極処理を実現してもよい。図5Gは、エアベアリング面プロセス後の層構造を示し、図3に示す前縁テーパ付き表面を有する書込み極の形成を可能にするABSを含む前縁シールド部分307および前縁テーパ部分305を示す。図5Aで形成される構造は、いくつかの異なるプロセスによって形成されてもよく、そのプロセスのうちの2つの実施形態が、図6A~6Eおよび図7A~7Eを参照してそれぞれ次の通りに述べられうる。前縁シールドを形成する一方法は、基板を覆ってシード層を堆積させることを含む。シード層は、電気めっきまたはスパッタリングなどの従来の堆積技法によって堆積されてもよい。その後、シード層の選択エリアを露出したままにするフォトレジストマスクが形成される。その後、磁性材料が、シード層の露出エリア上に堆積される。その後、マスクならびにマスクの下にある露出したシード層が、除去されてもよい。除去は、下地基板を露出させるために、イオンビームミリングを利用して行われてもよい。その後、Al2O3層が、基板および磁性材料の部分を含む露出表面を覆って形成されてもよい。その後、Al2O3が、同様に少なくとも部分的に研磨される磁性材料を露出させるために、CMPプロセスを使用して平坦化されてもよい。プロセスフローは、単純であるが、前縁シールドの好ましい0.1~0.3ミクロン厚について所望の均一性を達成できず、したがって、製造性がない。対照的に、図6A~6Eに関して以下で論じるプロセスフローは、前縁シールド厚のよりよい平均および均一制御を提供するために、CMP停止層の堆積、光パターニング、エッチング、再充填、CMP、および光ミリングを含む。図7A~7Eに関して以下で論じるプロセスフローは、エッチング、停止層および前縁シールド材料を用いた再充填、その後、CMPおよび軽イオンビームエッチングを含む。図6A~6Eについてのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスシグネチャを残さず、一方、図7A~7Eについてのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスシグネチャを有することになる。図6A~6Eと図7A~7Eの両方についての前縁シールドは、リーダが完成した後に作製される。前縁シールドは、約0.2ミクロン~約0.3ミクロンの範囲のスロートハイト長throatheightlengthを持って作製される。前縁シールドの厚さは、約0.1ミクロンと約0.3ミクロンとの間である。前縁シールド用の磁性材料は、NiFe、CoNiFe、およびCoFeなどの軟質磁性材料を含んでもよい。図6A~6Eを参照して、図5Aの構造は、最初に基板材料600を設けることによって形成されてもよい。基板材料600は、アルミナとしても知られている酸化アルミニウムAl2O3などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料600は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。さらに、示さないが、基板材料600は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料600内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層上記310を含んでもよい。基板材料600は、図3の絶縁材料320に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料600は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。化学機械研磨CMPに耐性がある材料層610、CMP耐性材料またはCMP停止層は、基板を覆って堆積される。CMP耐性材料610は、イリジウムIr、ルテニウムRu、ロジウムRh、タンタルTa、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料であってよく、また、好ましくは非磁性材料である。CMP耐性材料610は、100Å~500Åの厚さに堆積されてもよい。フォトレジスト材料620は、その後、CMP耐性材料610上に堆積され、パターニングされる。図6Bを参照して、特徴的画定部625は、露出したCMP耐性材料610および下地基板材料600を反応性イオンエッチングRIEすることまたはイオンビームエッチングIBEすることによって基板材料600内に形成されてもよい。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、テーパ付き側壁627を有する特徴的画定部625を形成するために垂直に対して1つまたは複数の角度で実施される。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部の底部から特徴的画定部の上部へ外側に角度付けられる。フォトレジスト/レジスト材料620はまた、リフトオフまたはアッシングプロセスなどによってエッチングプロセス後に除去される。0.1μm~0.3μmの深さまたは厚さを有する特徴的画定部が形成される。コバルト鉄CoFeまたはコバルトニッケル鉄CoNiFeなどの磁性材料630は、図6Cに示すように、CMP停止層610上でかつ基板材料600内に形成された特徴的画定部625内に堆積される。磁性材料630は、電気めっきまたは物理気相堆積スパッタリングプロセスなどのめっきプロセスによって堆積されてもよい。化学機械研磨CMPプロセスなどによる平坦化プロセスが実施されて、CMP停止層610を覆って堆積された磁性層630が除去され、CMP耐性材料に対して磁性層630が平坦化され、本質的に特徴的画定部625内に形成された前縁シールドである図6Dに示す構造が残ってもよい。その後、軽イオンビームエッチングIBEプロセスまたはスパッタエッチングプロセスなどによるイオンミリングも実施されて、図6Eに示すように、平坦化プロセス後に依然として残るCMP耐性材料610の部分が除去されてもよい。LETプロセスが、さらに最後まで使用される場合、イオンミリングは省略されうる。イオンミリングは、約100Åと約500Åとの間で除去されてもよい。図7A~7Eを参照して、構造は、最初に基板材料700を設けることによって形成されてもよい。基板材料700は、アルミナとしても知られている酸化アルミニウムAl2O3などの非磁性材料からなってもよい。図には示さないが、基板材料700は、磁気ヘッドの1つまたは複数の他の構成要素、たとえば、本明細書で既に形成された、読取りヘッドおよび書込みヘッドの1つまたは複数の構成要素を含んでもよい。その後、フォトレジスト/レジスト材料720は、基板材料700上に堆積されパターニングされる。さらに、示さないが、基板材料700は、任意の特徴的画定部の底部を形成するために、基板材料700内に配設された反応性イオンエッチング可能な停止層上記310を含んでもよい。基板材料700は、図3の絶縁材料320に対応してもよい。代替の実施形態では、基板材料700は、本明細書に述べる磁性材料であってよい。図7Bを参照して、特徴的画定部725は、露出した基板材料700を反応性イオンエッチングRIEすることまたはイオンビームエッチングIBEすることによって基板材料700内に形成されてもよい。反応性イオンエッチングプロセスは、好ましくは、テーパ付き側壁727を有する特徴的画定部725を形成するために垂直に対して1つまたは複数の角度で実施される。1つまたは複数の角度は、垂直に対して10°~60°であり、特徴的画定部725の底部から特徴的画定部725の上部へ外側に角度付けられる。0.1μm~0.3μmの深さまたは厚さを有する特徴的画定部が形成される。フォトレジスト/レジスト材料720はまた、リフトオフまたはアッシングプロセスなどによってエッチングプロセス後に除去される。図7Cを参照して、化学機械研磨CMPに耐性がある材料層、CMP耐性材料710またはCMP停止層は、基板を覆ってかつ特徴的画定部内に共形的に堆積される。CMP耐性材料710は、イリジウムIr、ルテニウムRu、ロジウムRh、タンタルTa、およびそれらの組合せからなる群から選択される材料であってよく、また、好ましくは非磁性材料である。CMP耐性材料710は、100Å~500Åの厚さにスパッタ堆積されてもよい。コバルト鉄CoFeまたはコバルトニッケル鉄CoNiFeなどの磁性材料730は、図7Cに示すように、CMP耐性材料710上でかつ基板材料700内に形成された特徴的画定部725内に堆積されてもよい。磁性材料730は、電気めっきまたは物理気相堆積スパッタリングプロセスなどのめっきプロセスによって堆積されてもよい。化学機械研磨CMPプロセスなどによる平坦化プロセスが実施されて、CMP耐性材料710に対して磁性層730が除去され平坦化され、本質的に特徴的画定部725内に形成された前縁シールドである図7Dに示す構造が残ってもよい。その後、軽イオンビームエッチングIBEプロセスなどによるイオンミリングも実施されて、図7Eに示すように、平坦化プロセス後に依然として残るCMP耐性材料710の部分が除去されてもよい。図6A~6Eおよび図7A~7Eに示すプロセスフローは同等である。図6A~6Eに示すプロセスフローは、CMP停止層のプロセスシグネチャを残さず、一方、図7A~7Eのプロセスフローは、CMP停止層のプロセスシグネチャを有することになる。Cr/NiCrRIE停止層は、前縁シールドが完成した後に前縁シールド上に堆積されて、前縁テーパはないが、4つの側面ラップアラウンドシールドを有する垂直書込みヘッドが作られてもよい。前縁シールドが行われた後、垂直書込みヘッドが前縁シールドと前縁テーパの両方を有するように、前縁テーパもまた、前縁シールド上に構築されうる。図8A~8Fを参照して、書込み材料上に主極を形成する一実施形態は次の通りである。図5Fに示す非磁性充填材料580が除去される。好ましくはNiCrから構成されるオプションの非磁性ステップ層が、非磁性層570非磁性反応性イオンエッチングRIE停止層および前縁テーパ材料555を覆って堆積されてもよい。その後、極材料810が堆積され平坦化される。極材料810は、本明細書で述べる磁性材料を含んでもよい。好ましくはNiCrから構成される非磁性ステップ層820は、極材料810を覆って堆積される。マスク層および/またはフォトレジスト/レジスト層図示せずが、非磁性ステップ層820および極材料810を覆って堆積されパターニングされる。その後、非磁性ステップ層820および極材料810は、イオンミリングプロセスによってエッチングされパターニングされて、上側テーパ付き表面825が形成される。その後、任意のマスクまたはフォトレジスト/レジスト材料が除去されて、図8Bに示す構造が提供される。アルミナなどの非磁性材料層830が、図8Cに示すように、原子層堆積または化学気相堆積などの共形的堆積プロセスによって堆積される。その後、イオンミリングが実施されて、アルミナ層の水平に配設された部分が優先的に除去され、非磁性ステップ層820のフロントエッジにアルミナバンプ835が残る。非磁性材料層840は、図8Dに示すように、所望の後縁ギャップ厚を画定する厚さに堆積される。後縁ギャップ層840は、ルテニウムおよび他の非磁性材料から構成されうる。その後、アルミナ860などの非磁性で電気絶縁性の材料860は、後縁ギャップ層840上に堆積されてもよい。図8Eを参照して、その後、非磁性で電気絶縁性の材料860がエッチングされて、エアベアリング面から後縁ギャップ層840の実質的に水平な部分に沿う部分まで形成される後縁ギャップ層840の部分が露出されてもよい。オプションの高磁気モーメントシード層850が、露出した後縁ギャップ層840上に堆積されパターニングされてもよい。後縁シールド870は、高磁気モーメントシード層850上に堆積されてもよい。高磁気モーメントシード層850は、後縁シールドの性能を最大にするために、後縁シールド870312の前縁に設けられてもよい。後縁戻り極などのさらなる構造、さらなる非磁性で電気絶縁性の材料、およびコイルが、ヘッド構造を形成するために構造上に形成されてもよい。その後、構造は、図3に示す構造を形成するため、図8Fの構造を通して形成されるラインABSによって示すエアベアリング面を形成するために処理されてもよい。上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の他のまたさらなる実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてもよく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。