100を主面とする基板上に形成されたInGaPからなる第一のpn接合層と、GaAsからなる第二のpn接合層と、InGaAsからなる第三のpn接合層と、を含む発電層と、前記発電層と電気的に接続し、受光面側に形成された第一の電極と、前記発電層と電気的に接続し、受光面と反対側に形成された第二の電極、を備えた光電変換素子と、前記光電変換素子に接するレンズとからなる、レンズ一体型の太陽電池において、前記光電変換素子は、前記第一の電極と電気的に接続し、かつ前記光電変換素子の少なくとも一部と絶縁膜を介して接触する第一の金属めっきと、前記光電変換素子の前記第二の電極と電気的に接続された第二の金属めっきを含み、断面視において、前記光電変換素子の中央部の受光面側が凸となる湾曲構造であり、前記光電変換素子を受光面と反対側から見た平面視において、前記第一の金属めっきと前記第二の金属めっきを合わせた金属めっき全体の形状が、前記光電変換素子の中心を通る[010]方向の直線に対し線対称であり、かつ、前記光電変換素子の中心を通る[001]方向の直線に対し線対称であることを特徴とした太陽電池。前記光電変換素子の断面視において、前記光電変換素子が湾曲していない状態での発電層の大きさをw、前記光電変換素子の湾曲量をdとしたとき、d/wは、0.01より大きく、0.04より小さいことを特徴とした請求項1に記載の太陽電池。前記集光レンズを通過する光において、前記第一のpn接合層のバンドギャップに対応する光の焦点を第一の焦点と、前記第二のpn接合層のバンドギャップに対応する光の焦点を第二の焦点と、前記第三のpn接合層のバンドギャップに対応する光の焦点を第三の焦点としたとき、前記第一の焦点、前期第二の焦点および前記第三の集光が前記集光レンズ内部にあることを特徴とした請求項1および請求項2に記載の太陽電池。前記レンズに対し、前記光電変換素子を固定する際、前記光電変換素子の周辺部のみを固定することを特徴とした、請求項1~3に記載の太陽電池。前記第一の金属めっきに対して、前記第二の金属めっきが、前記光電変換素子の中心を通る[010]方向の直線に対し線対称であり、かつ、前記光電変換素子の中心を通る[001]方向の直線に対し線対称であることを特徴とした請求項1~4に記載の太陽電池。しかしながら、非特許文献1に記載された光電変換素子を用いた集光型太陽電池よりも、さらに優れた特性の集光型太陽電池を作製することが要望されている。非特許文献2には、理論最高変換効率が得られるトップセル、ミドルセルおよびボトムセルの組み合わせが記載されている。非特許文献2によると、非特許文献1の光電変換素子のトップセルおよびミドルセルのバンドギャップを狭くすることにより、変換効率の高いセルが実現できるとしている。しかしながら、非特許文献1に記載された光電変換素子は、トップセルInGaPとミドルセルGaAsが、GaAs単結晶基板からのエピタキシャル成長により形成されるため、トップセルとミドルセルのバンドギャップを狭くすることが出来ない。本発明は、トップセルとミドルセルのバンドギャップを狭くし、より高い変換効率を有する太陽電池を提供することを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明の太陽電池は、100を主面とする基板上に形成されたInGaPからなる第一のpn接合層と、GaAsからなる第二のpn接合層と、InGaAsからなる第三のpn接合層と、を含む発電層103と、前記発電層103と電気的に接続し、受光面側に形成された第一の電極104と、前記発電層103と電気的に接続し、受光面と反対側に形成された第二の電極105、を備えた光電変換素子102と、前記光電変換素子102に接するレンズ101とからなる、レンズ一体型の太陽電池において、前記光電変換素子102は、前記第一の電極104と電気的に接続し、かつ前記光電変換素子102の少なくとも一部と絶縁膜108を介して接触する第一の金属めっき106と、前記光電変換素子103の前記第二の電極105と電気的に接続された第二の金属めっき107を含み、断面視において、前記光電変換素子102の中央部の受光面側が凸となる湾曲構造であり、前記光電変換素子102を受光面と反対側から見た平面視において、前記第一の金属めっき106と前記第二の金属めっき107を合わせた金属めっき全体の形状が、前記光電変換素子の中心301を通る[010]方向の直線に対し線対称であり、かつ、前記光電変換素子の中心301を通る[001]方向の直線に対し線対称であることを特徴とする。本構成により、InGaP層とGaAs層のバンドギャップを狭くし、非特許文献2に記された理論最高変換効率が得られる光電変換素子の構成に近づけることができる。したがって、変換効率の高い集光型の太陽電池を実現することができる。本発明の太陽電池によれば、より高い変換効率を実現できる。図面を参照しながら、以下、本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1図1aは、実施の形態1における太陽電池の断面図を示している。図1aに示されるように、本実施の形態1の太陽電池は、レンズ101と光電変換素子102を具備する。図1aは、実施の形態1における光電変換素子の断面図を示している。図1bに示すように、本実施の形態1の光電変換素子102は、発電層103、第一の電極104、第二の電極105、第一の金属めっき106、第二の金属めっき107を具備する。第一の電極104は、発電層103と電気的に接続されている。第二の電極105は、第一の電極104と対抗する面において発電層103と電気的に接続されている。第一の金属めっき106は、第一の電極104と電気的に接続されている。第二の金属めっきは、第二の電極105と、電気的に接続されている。第一の金属めっき106と発電層103および第二の電極105との間には、短絡防止のために、絶縁膜108が形成されている。図2は、実施の形態1における発電層103の断面図を示している。図2に示すように、発電層103は、n型InGaP層110、p型InGaP層111、n型GaAs層112、p型GaAs層113、n型InGaAs層114、p型InGaAs層115、第一のトンネル接合層116および第二のトンネル接合層117を具備する。積層方向をz方向と定義する。z方向に沿って、第一のトンネル接合層116は、n型GaAs層112とp型InGaPa層111の間に挟まれている。第二のトンネル接合層117は、n型InGaAs層114とp型GaAs層113の間に挟まれている。図1bに示した第一の電極104は、n型InGaP層110に電気的に接続されている。第二の電極105は、p型InGaAs層115に電気的に接続されている。Z方向に沿って、n型窓層118およびn型コンタクト層125が、n型InGaP層110および第一の電極104の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、n型窓層118は、n型InGaP層110およびn型コンタクト層125の間に挟まれる。Z方向に沿って、n型コンタクト層125は、n型窓層118および第一の電極104の間に挟まれる。Z方向に沿って、第一のp型バリア層119が、p型InGaP層111および第一のトンネル接合層116の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第一のn型バリア層120が、n型GaAs層112および第一のトンネル接合層116の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第二のp型バリア層121が、第二のトンネル接合層117およびp型GaAs層113の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第二のn型バリア層122およびバッファ層124が、第二のトンネル接合層117およびn型InGaAs層114の間に挟まれていることが好ましい。z方向に沿って、第二のn型バリア層122は、n型InGaAs層114およびバッファ層124に挟まれる。バッファ層124は、第二のn型バリア層122および第二のトンネル接合層117に挟まれる。Z方向に沿って、第三のp型バリア層123およびp型コンタクト層126が、p型InGaAs層115および第二の電極105の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第三のp型バリア窓層123は、p型コンタクト層126およびp型InGaP層115の間に挟まれる。Z方向に沿って、p型コンタクト層126は、第二の電極105および第三のp型バリア層118の間に挟まれる。第一の電極104、n型コンタクト層125、n型窓層118、n型InGaP層110、p型InGaP層111、第一のp型バリア層119、第一のトンネル接合層116、第一のn型バリア層120、n型GaAs層112、p型GaAs層113、第二のp型バリア層121、第二のトンネル接合117、バッファ層124、第二のn型バリア層122、n型InGaAs層114、p型InGaAs層115、第三のp型バリア層123、p型コンタクト層126、および第二の電極105は、この順で電気的に直列に接続される。光電変換素子102は、第一の電極104が形成されている面において、レンズと接触する。光電変換素子102のレンズと接触する側の面を受光面とする。図1bに示すように、光電変換素子102は受光面の中央が凸となるように湾曲した構造となる。光電変換素子102の湾曲により、n型InGaP層110、p型InGaP層111、n型GaAs層112およびp型GaAs層113は、面内方向に膨張する。膨張によりGaAsおよびInGaPの結晶格子間隔が広がるため、n型InGaP層110、p型InGaP層111、n型GaAs層112およびp型GaAs層113のバンドギャップが狭くなる。バンドギャップが狭くなったことにより、光電変換素子102は非特許文献2に記載された、理論最高変換効率が得られる光電変換素子の構成に近づき、したがって高い変換効率の太陽電池を実現できる。図1bに示すように、第一の金属めっき106および第二の金属めっき107は、光電変換素子102の受光面側には形成されず、受光面と反対の面に形成されている。第一の金属めっき106および第二の金属めっき107は、圧縮応力が掛かる条件でめっき成長を実施している。この圧縮応力により、光電変換素子102は、受光面が凸となるように湾曲した構造となる。図1bに示すように、断面視における光電変換素子102の中央部と周辺部の高さの差を、湾曲量dとする。湾曲量dは、後述する光電変換素子102の作製工程において、第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の成長条件、金属種、膜厚を変えることにより、制御することが出来る。図3aに光電変換素子102の受光面側の平面図を示す。図3aに示すように、光電変換素子102の受光面側は、発電層103と接続電極109を電気的に接続する、第一の電極104が形成されている。第一の電極104は、発電層103と接続電極109を電気的に接続し、かつ発電層103への光の照射を完全に遮断しない形状であれば良い。具体的には、金属材料を、櫛型、格子型に形成した電極を用いることができる。また、酸化インジウムスズや酸化亜鉛などの透明導電材料を、光電変換素子102の受光面を完全に覆うように形成した透明電極でも良い。図3bに受光面と反対側の平面図を示す。図3bに示すように、光電変換素子102は、受光面と反対側から見たときに第一の金属めっき106および第二の金属めっき107を合わせた金属めっき全体の形状が、光電変換素子の中心301を通る[010]方向の直線に対し線対称な構造であり、かつ光電変換素子の中心301を通る[001]方向の直線に対し線対称な構造である。線対称構造とすることにより、光電変換素子102が湾曲した際に、クラックや欠陥が発生しにくく、高い変換効率を実現できる。集光レンズ101の表面には、光が照射される。照射される光としては、太陽光が好ましい。集光レンズ101の裏面は、光電変換素子102に接することが好ましい。集光レンズ101により、光電変換素子102に光が集束する。集光レンズ101は、使用する光電変換素子の大きさに応じて、適宜決めればよい。一例として、光電変換素子102の受光面の大きさが一辺0.5ミリメートルの正方形の場合、およそ5ミリメートル~50ミリメートルの直径、3ミリメートル~20ミリメートルの厚み、およそ1.1~2.0の屈折率を有することが好ましい。集光レンズ101の材料は特に限定されない。集光レンズ101の材料の例は、ガラスまたは樹脂である。集光レンズ101を通過する光のうち、InGaP層のバンドギャップと対応した波長を持つ光の焦点を、第一の焦点201、GaAs層のバンドギャップと対応した波長を持つ光の焦点を、第二の焦点202、InGaAs層のバンドギャップと対応した波長を持つ光の焦点を、第三の焦点203とする。図4に示すように、第一の焦点201、第二の焦点202および第三の焦点203が、すべて集光レンズ101の内部に存在することが好ましい。レンズの焦点距離は短波長の光ほど短くなる。したがって、図4のように、第一の焦点201、第二の焦点202および第三の焦点203のすべてを集光レンズ101の内部にした場合、集光レンズ101の底面においては、短波長の光ほど照射面積が大きくなる。本実施の形態1においては、InGaP層に対応する光が最も短波長である。したがって、InGaP層に対応する光は、光電変換素子102の広範囲に照射されることになる。InGaP層は他の層と比較して再結合速度が数桁遅いために、光の照射面積が広くなり側壁近辺に照射されても、他の層と比較して再結合による変換効率の低下が少ない。第一の焦点201、第二の焦点202および第三の焦点203が、レンズの外側、もしくは内側と外側に分かれて存在する場合、GaAsもしくはInGaAsに対応する波長の光の照射面積が最大となる。この場合、側壁付近の再結合が起こりやすく変換効率の低下量が大きくなるため、好ましくない。n型窓層118は、n型InGaP層110と近い格子定数を持ち、かつn型InGaP層110よりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。n型窓層118の材料の例は、n型InAlPまたはp型InAlGaPである。第一のp型バリア層119は、p型InGaP層111と近い格子定数を持ち、かつp型InGaP層111よりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。第一のp型バリア層119の材料の例は、n型InAlPまたはn型InAlGaPである。第一のn型バリア層120は、n型GaAs層112と近い格子定数を持ち、かつn型GaAs層112よりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。第一のn型バリア層120の材料の例は、n型InGaPまたはn型AlGaAsである。第二のp型バリア層121は、p型GaAs層113と近い格子定数を持ち、かつp型GaAs層113よりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。第一のp型バリア層121の材料の例は、p型InGaPまたはn型AlGaAsである。第二のn型バリア層122は、n型InGaAs層114と近い格子定数を持ち、かつn型InGaAs層114よりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。第一のn型バリア層122の材料の例は、n型In03Ga07Pである。第三のp型バリア層123は、p型InGaAs層115と近い格子定数を持ち、かつp型InGaAs層115よりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。第一のp型バリア層123の材料の例は、p型In03Ga07Pである。バッファ層124は、p型GaAs層113とn型InGaAs層114の格子不整合を解消するために設けられる層である。バッファ層124の例は、In1xGaxPにおいて、xの値を0.51から0.22まで徐々に変化させたものである。n型コンタクト層125の材料は、n型窓層118との界面および第一の電極104との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。n型コンタクト層125の材料の例は、n型GaAsである。p型コンタクト層126の材料は、第三のp型バリア層123との界面および第二の電極105との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。p型コンタクト層126の材料の例は、p型GaAsである。図1bに示されるように、発電層103の側面は絶縁膜108によって被覆される。絶縁膜108の材料の例は、ノンドープのInGaP、二酸化シリコン、または窒化シリコンである。第一の電極104と第一の金属めっき106の間には、接続電極109が形成されていることが好ましい。接続電極109の材料は、第一の電極103との界面および第二の金属めっき106との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。接続電極109の材料の例は、Ti、Alである。第一のトンネル接合層116および第二のトンネル接合層117は、高濃度にドーピングされ、かつ非常に薄い半導体層のpn接合からなる。第一のトンネル接合層116および第二のトンネル接合層117は、GaAsおよびInGaPと近い格子定数を持つ材料を適宜組み合わせて用いればよい。例としては、GaAs、InGaP、AlGaAsである。光電変換素子102を製造する方法以下、図5a~図5gを参照しながら光電変換電池素子102を製造する方法を説明する。まず、図5aに示されるように、GaAs基板127の表面に、犠牲層128および発電層103を順次、分子線エピタキシー法または有機金属化学気相成長法以下、MOCVD法というのような一般的な半導体成長方法により成長させる。犠牲層128は、GaAsと近い格子定数を有する。犠牲層128は、GaAsに対して選択的にエッチングされるための層である。犠牲層128の材料の例は、AlAsである。発電層103は、受光面側が下層となるように、図2に示したn型コンタクト層125からp型コンタクト層126まで、順次積層される。次に、図5bに示されるように、発電層103上にマスク129を形成する。マスク129を用いて、発電層103を、ドライエッチングによりエッチングする。ドライエッチングにおいては、Cl2ガスや、BCl3およびSF6の混合ガスが用いられ得る。図5cに示されるように、レジストマスク129を除去する。第二の電極105、接続電極109および絶縁膜108を形成する。n側電極105および接続電極109を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。絶縁膜108を形成する手法の例は、化学気相成長法である。図5dに示されるように、第一の金属めっき106および第二の金属めっき107を成長させる。第一の金属めっき106および第二の金属めっきを成長させる手法の例は、無電解めっき、電解めっきである。図5eに示されるように、第一の金属めっき106および第二の金属めっき107に下地基板130を固定する。GaAs基板127および犠牲層128をエッチングにより除去する。下地基板130の例は、シリコン基板またはガラス基板である。必要に応じて、第一の金属めっき106および第二の金属めっき107と下地基板130の間にはワックスまたは粘着シートが挟まれ得る。図5fに示されるように、発電層103上および接続電極109上に、第一の電極104を形成する。これにより、発電層103と接続電極109が第一の電極104を介して電気的に接続される。第一の電極104を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。最後に、図5gに示されるように、下地基板130を除去する。除去の際、第一の金属めっきに収縮応力が掛かり、図5gのように湾曲した構造となる。このようにして、光電変換素子102が得られる。得られた光電変換素子102は、集光レンズ101に取り付けられる。図6は光電変換素子102の、集光レンズ101への固定方法の一例を示す図である。図6に示すように、集光レンズ101の焦点位置へ光電変換素子102を配置した後に、周辺部のみを接着剤131などを用いて固定することが好ましい。この固定方法では、温度上昇に伴い集光レンズ101が膨張した際にも、光電変換素子102に大きな応力が掛からないため、破壊されにくい構成となる。実施の形態2図7aは、実施の形態2における光電変換素子102の断面図を、図7bは、光電変換素子102の受光面の底面図を示している。本実施の形態2の光電変換素子102は、第一の金属めっき106に対して、前記第二の金属めっき107が、前記光電変換素子の中心を通る[001]方向の直線に対し線対称となっている。実施の形態2においては、第一の金属めっき106と第二の金属めっき107の面積が同一になっているため、光電変換素子102を電極が形成された基板に実装することが容易となる。例えば、異方性導電膜を用いて実装する場合、光電変換素子全体に圧力を掛けるため、めっき部の面積が異なると圧力が不均一となり、断線や素子破壊を引き起こしやすい。本実施の形態2に構成においては、めっき部が同面積であるため、圧力が均一となり、断線や素子破壊を抑制できる。実施の形態2においては、第一の金属めっき106に対して、前記第二の金属めっき107が、前記光電変換素子の中心を通る[001]方向の直線に対し線対称としたが、前記光電変換素子の中心を通る[010]方向の直線に対し線対称としてもよい。実施の形態3図8aは、実施の形態3における光電変換素子102の断面図を、図8bは、光電変換素子102の受光面の底面図を示している。本実施の形態3の光電変換素子102は、第一の金属めっき106と、前記第二の金属めっき107が、絶縁膜132を介して接触した構造となっている。実施の形態3においては、光電変換素子102を受光面と底面図において、ほぼ全面を金属めっきが被覆した構造となる。そのため、発電層103の放熱性が高くなり、変換効率の向上が期待できる。実施の形態3の光電変化素子102は、実施の形態1の製造工程において、図5dとして示した工程を変えることにより作製できる。図5dに示した製造工程において、第一の金属めっき106と第二の金属めっき107を同時に成長させず、第一の金属めっき106のみを成長させる。続いて絶縁膜132を成長させ、最後に第二の金属めっき107を成長する。他の製造工程は実施の形態1と同じである。これにより、実施の形態3の太陽電池を実現できる。実施例以下の実施例により、本発明をより詳細に説明する。実施例1実施例1では、図1bに示される光電変換素子102を、図5a~図5gに示される方法によって作製した。表1は、実施例1による発電層103の、各層の組成および膜厚を示す。実施例1における集光レンズ101は10ミリメートル四方であり、約17ミリメートルの厚みを有していた。集光レンズ101は、波長約630ナノメートルの光において0.4ミリメートル四方の焦点スポットを有していた。実施例1による太陽電池は、以下のように作製された。まず、図5aに示されるように、表1に示す層104~114を、GaAs基板127上にMOCVD法により成長させた。次に、図5bに示されるように、p型コンタクト126上に、フォトリソグラフィにより0.5ミリメートル四方を有する正方形のレジスト膜を形成した。このレジスト膜をマスク129として用いて、BCl3およびSF6の混合ガスを用いたICPプラズマエッチングを実施することにより、表1に示した各層を除去した。このようにして、0.5ミリメートルのパターンを形成した。剥離液を用いてマスク129を除去した。除去後、図5cに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜および250ナノメートルの厚みを有する金膜をp型コンタクト層126上および犠牲層128上に積層し、第二の電極105および接続電極109を形成した。次に、図5cに示されるように、400ナノメートルの厚みを有するSiNからなる絶縁膜108を、プラズマCVD装置を用いて形成した。次に、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜、および200ナノメートルの厚みを有する金膜を形成した。この金膜上に、電解めっきにより厚さ10マイクロメートルの金めっきを成長させ、図5dに示される構造を得た。次に、第二の金属めっき107が形成された面に、ワックス日化精工株式会社製をスピンコーターにより塗布した。ワックスを乾燥させることにより、第一の金属めっき106および第二の金属めっき105をガラス製の下地基板130に固定した。固定後、クエン酸および過酸化水素の混合液を用いて、GaAs基板127を除去した。続いて、バッファードフッ酸を用いて犠牲層128を除去して、n型コンタクト層125を露出させた。このようにして、図5eに示される構造を得た。次に、図5fに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜、150ナノメートルの厚みを有する白金膜、および250ナノメートルの厚みを有する金膜を、n型コンタクト層125上および、接続電極109上に順次成膜し、第一の側電極104を形成した。第一の電極104を形成後、イソプロパノールを用いてワックスを溶かし、下地基板130を除去した。このようにして、図5gに示される光電変換素子102を得た。得られた光電変換素子102を第一の電極104が上になるように置き、実体顕微鏡を用いて観察した。このとき、顕微鏡の対物レンズから光電変換素子102の中心部および周辺部までの焦点距離の差から、光電変換素子の湾曲量dを測定した。dは約5マイクロメートルであった。集光レンズ101の焦点位置の中心が、光電変換素子102の中心と一致するように、得られた光電変換素子102を集光レンズ101に配置し、光電変換素子の周辺部分をエポキシ接着剤により固定した。このようにして、実施例1による太陽電池を得た。実施例1による太陽電池に対し、ワイヤボンディングにより、電流取り出し用の配線を接続した。実施例1による太陽電池に、ソーラーシミュレータ株式会社ワコム電創製を用いて擬似太陽光AM1.5G相当を照射し、太陽電池の短絡電流密度および開放電圧を測定し、変換効率を算出した。表2に、後述される実施例2~3および比較例1~3のデータと共に、変換効率を示す。変換効率は、以下の等式Iに従って算出した。変換効率=太陽電池からの最大出力値/太陽光のエネルギー等式I上記等式において記述された最大出力値は、非特許文献3の図1.8にパワー密度として示されるように、以下の等式IIで定義される出力値の最大値である。出力値=太陽電池から得られる電流密度太陽電池から得られるバイアス電力等式II詳しくは、非特許文献3に開示された11頁~13頁を参照せよ。JennyNelson著、ThePhysicsofsolarcells、WorldScientificPubCoInc.実施例2第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を20マイクロメートルとした以外は、実施例1と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは10マイクロメートルであった。実施例3第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を40マイクロメートルとした以外は、実施例1と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは20マイクロメートルであった。実施例4実施例4として、図7aおよび図7bに示される光電変換素子を作製し、変換効率を測定した。作製方法および測定方法は、実施例1と同様である。このとき、光電変換素子の湾曲量dは5マイクロメートルであった。実施例5第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を20マイクロメートルとした以外は、実施例4と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは10マイクロメートルであった。実施例6第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を40マイクロメートルとした以外は、実施例4と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは20マイクロメートルであった。比較例1第一の金属めっき106および第二の金属めっき107を成長する際に、応力調整を実施し、圧縮応力が掛からないように調整した以外は、実施例1と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは0マイクロメートルであった。比較例2第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を60マイクロメートルとした以外は、実施例1と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の屈曲量dは30マイクロメートルであった。比較例3比較例5として、図9に示すように、光電変換素子を受光面の底面図において、金属めっきの形状が、[010]方位および[001]方位に対して非対称な太陽電池を作成した。平面図における金属めっきの形状以外は、実施例1と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の屈曲量dは5マイクロメートルであった。比較例4第一の金属めっき106および第二の金属めっき107を成長する際に、応力調整を実施し、圧縮応力が掛からないように調整した以外は、実施例4と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは0マイクロメートルであった。比較例5第一の金属めっき106および第二の金属めっき107の膜厚を60マイクロメートルとした以外は、実施例4と同様に光電変換素子を作成した。このとき、光電変換素子の湾曲量dは30マイクロメートルであった。表2から明らかなように、光電変換素子が、d/wが0.01以上、かつd/wが0.04以下の範囲において湾曲する際に、従来例よりも高い変換効率が達成された。実施例1、実施例4および比較例5より、光電変換素子の第一の金属めっき106および第二の金属めっき107を合わせた金属めっき全体の形状が、[010]方位および[001]方位に対して非対称の場合、高い変換効率が得られないことが確認できた。