絶縁性基板上に、複数のp型薄膜パターンとn型薄膜パターンが交互に配設され、隣同士の異種の薄膜パターンが接合され、二次元平面上に温度差を形成して発電する熱電薄膜素子を設けてなる熱電薄膜デバイスであって、前記絶縁性基板と前記熱電薄膜素子の界面にバッファ層を、前記熱電薄膜素子の電気抵抗と前記バッファ層の電気抵抗の比が10-5~0.4となるように規定して配置したことを特徴とする熱電薄膜デバイス。前記バッファ層の厚さが0.1nm~100nmであることを特徴とする請求項1に記載の熱電薄膜デバイス。前記バッファ層は、Cr、Ni、Cu又はTiを50at以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の熱電薄膜デバイス。二次元平面上における温度差の形成に、集光した太陽光を用いることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の熱電薄膜デバイス。しかしながら、上記のような熱電薄膜デバイスの構造では、熱電薄膜が平面方向に広がるため、基板との接触面積が増え、熱電薄膜と基板が主に熱膨張差によって剥離しやすいという問題点があった。従来、薄膜構造を有する多くの工業部品の場合、薄膜と基板の間にバッファ層を設けることによって、密着性を高めてきた。バッファ層としては、通常の薄膜の場合は金属層を使用することが一般的である。しかし、上記のような熱電薄膜デバイスの場合、基板と熱電薄膜素子との密着性向上のために金属バッファ層を導入すると、薄膜熱電対熱電薄膜が金属バッファ層により電気回路的に短絡し、外部への起電力の取り出しができなくなるために、金属バッファ層を使用できないことが常識とされてきた。特許文献2の場合も、バッファ層を薄膜熱電対には設けず、電極パッドの部分のみバッファ層を設け、その部分の剥離を防止するものであった。本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、基板と熱電薄膜の密着性を向上させ、熱電薄膜の剥離を効果的に防止でき、効率よく起電力を得ることができ、しかも薄型化、小型化を図ることができる熱電薄膜デバイスを提供することを課題とする。本発明者らは、上記の剥離の問題を解決すべく、熱電薄膜の基板上への密着性を向上させるため、鋭意検討を重ねた結果、熱電薄膜と基板との界面に配置するバッファ層として、従来の常識では意味がないと思われてきた金属薄膜を選択し、熱電薄膜の電気抵抗とバッファ層の電気抵抗の比が一定の範囲となるように制御すると、短絡を起こすことなく、熱電薄膜の基板上への密着性を向上させ、外部に起電力を効率的に取り出すことが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明よれば、上記課題を解決するため、第1に、絶縁性基板上に、複数のp型薄膜パターンとn型薄膜パターンが交互に配設され、隣同士の異種の薄膜パターンが接合され、二次元平面上に温度差を形成して発電する薄膜熱電素子を設けてなる熱電薄膜デバイスであって、前記絶縁性基板と前記熱電薄膜素子の界面にバッファ層を、前記熱電薄膜素子の電気抵抗と前記バッファ層の電気抵抗の比が10-5~0.4となるように規定して配置したことを特徴とする熱電薄膜デバイスを提供する。第2には、上記第1の発明において、前記バッファ層の厚さが0.1nm~100nmであることを特徴とする熱電薄膜デバイスを提供する。第3には、上記第1又は第2の発明において、前記バッファ層は、Cr、Ni、Cu又はTiを50at以上含むことを特徴とする熱電薄膜デバイスを提供する。第4には、上記第1から第3のいずれかの発明において、二次元平面上における温度差の形成に、集光した太陽光を用いることを特徴とする熱電薄膜デバイスを提供する。請求項1の発明によれば、基板と熱電薄膜パターンの界面に、熱電薄膜の電気抵抗とバッファ層の電気抵抗の比が一定の範囲となるように制御してバッファ層を設けることにより、薄膜技術とリソグラフィ技術により作製された熱電薄膜パターンと基板との密着性を向上させるとともに、外部に起電力を効率的に取り出すことができ、なおかつ、薄型化、小型化を図ることができる熱電薄膜デバイスの提供が可能となる。請求項2の発明によれば、バッファ層の膜厚を一定の範囲に規定することにより、請求項1で規定した電気抵抗比をより簡易に調整することができる。請求項3の発明によれば、導電性が高いにもかかわらず、熱電薄膜素子を短絡させることなく、密着性の高い金属を含む材料を使用することにより、基板との密着性をより確実なものとすることができる。請求項4の発明によれば、二次元平面上における温度差の形成に、集光した太陽光を用いることにより、より安価に、かつ、より効率的に起電力を外部に取り出すことができる。以下、本発明の実施形態について詳述する。本発明は、絶縁性基板上に、複数のp型薄膜パターンとn型薄膜パターンが交互に配設され、隣同士の異種の薄膜パターンが接合され、一対の熱電薄膜パターンを構成し、二次元平面上に温度差を形成して発電する薄膜熱電素子を設けてなる熱電薄膜デバイスに係るものであり、前記絶縁性基板と前記熱電薄膜素子の界面にバッファ層を、前記熱電薄膜素子の電気抵抗と前記バッファ層の電気抵抗の比が10-5~0.4となるように規定して配設したことを特徴とするものである。図1に、本発明の一実施形態に係る熱電薄膜デバイス1を平面図で示し、図2に、図1のX-Y線断面図を示す。この熱電デバイス1は、熱電効果を利用して発電を行うものであり、絶縁性基板2上に熱電薄膜素子3を設けた構造を有している。熱電薄膜素子3は、図1に示すように、一定幅を有する直線状のp型薄膜パターン4とn型薄膜パターン5が交互に配設され、図において一番右側のp型薄膜パターン4の一端4aとn型薄膜パターン5の一端5aが接合され、一対の熱電薄膜パターンを形成し、その接合点が温接点6となっている。また、n型パターン5の他端5bとその左隣のp型パターン4の他端4bが接合され、一対の熱電薄膜パターンを形成し、その接合点が冷接点7となっている。このような熱電薄膜パターンが繰り返し配置され、一番右側のp型薄膜パターン4の他端4bに電極パッド部8が接続され、一番左側のn型薄膜パターン5の一端5aに電極パッド部9が接続されている。本実施形態の熱電薄膜デバイス1では、p型薄膜パターン4と絶縁性基板2との間、及びn型薄膜パターン5と絶縁性基板2との間にそれぞれバッファ層10が配設されている。このバッファ層10の電気抵抗は、熱電薄膜パターンp型薄膜パターン4とn型薄膜パターン5の電気抵抗に対する比、すなわち熱電薄膜パターンの電気抵抗/バッファ層の電気抵抗が10-5~0.4となるように規定される。前記比が10-5未満であると絶縁性基板2との密着性が十分でなくなり、0.4より大きくなると導電性が大きくなるため起電力の外部への効率的な取り出しに影響を与える。バッファ層10としては絶縁性基板2や熱電薄膜パターンとの接合力の強いCr、Ni、Cu、Ti等の金属、あるいはこれらの金属を50以上含む合金や化合物を用いることができる。その場合、熱電薄膜パターンの電気抵抗/バッファ層の電気抵抗が上記範囲内となるように考慮する。バッファ層10の膜厚は、材料の種類によっても異なるが、通常、0.1nm~100nmであることが好ましい。バッファ層10の膜厚がこのような範囲であると、絶縁性基板2との密着性の向上、起電力の外部への効率的な取り出しが行える。バッファ層10の成膜には、スパッタリング等、従来公知の各種方法を用いることができる。本実施形態の熱電薄膜デバイス1において絶縁性基板2の熱伝導率は、温接点6と冷接点7との間、すなわちpn接合間の温度差を大きくする観点から小さいこと望ましく、例えば10W/mK以下とすることが好ましい。絶縁性基板2の材料としては、上記のような小さな熱伝導率を有するものであれば特に限定されないが、例えばSiO2系ガラス基板や表面がSiO2系ガラスよりなるものを使用することができる。p型薄膜パターン4とn型薄膜パターン5の材料としては、熱電効果を発揮するものであれば従来公知の各種の材料の組み合わせとすることができるが、好ましい一例を挙げれば、p型薄膜パターン4としては、Bi-Sb-Teを用い、n型薄膜パターン5としてBi-Te-Seを用いたものが例示できる。p型薄膜パターン4、n型薄膜パターン5の膜厚は、成膜時間の制約、剥離、電気抵抗の観点から0.1~10μmであることが好ましい。これらの薄膜パターンの成膜には、スパッタリング等、従来公知の各種方法を用いることができる。本実施形態の熱電薄膜デバイス1は、応力の緩和等のためバッファ層6、p型薄膜パターン4、n型薄膜パターン5の成膜後に200~400°Cの真空雰囲気中や不活性ガス中で30~120分間程度、加熱処理を施すことが好ましい。このようにすると、絶縁性基板2との密着性をより向上させることができる。温接点6と冷接点7との間に温度差を形成するためには、高温部となる温接点6を各種方法で高温状態とする。温接点6を高温状態にするには温接点6の配置形態を考慮して加熱手法を選択する。本実施形態では、直線状に加熱するため、例えばホットプレートを用いたり、太陽光をシリンドリカルレンズで集光する方法等を用いることができる。太陽光を利用する場合、太陽光の吸収効率を向上させるため、温接点6の上に細幅で直線状のカーボン薄膜等を設けるようにしてもよい。高温部と低温部の温度差は10~200°Cが好ましい。以上、本発明を一実施形態に基づき説明してきたが、本発明による熱電薄膜パターンは図3や図4のような形態としてもよい。図3のパターンは、基板上のある点から放射状に温度差がつく場合に有効であり、図4のパターンは基板上に複数の熱スポットが存在する場合に有効である。また、直線状と放射状を組み合わせたようなパターンとしてもよい。以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに具体的に述べる。[実施例1~4、比較例]SiO2系ガラス基板厚さ1mm、縦20mm、横26mm上に熱電薄膜のパターニングを行うため、リソグラフィプロセスで作製したレジストパターン厚さ15μmをマスクとして、スパッタリング法でp型熱電薄膜Bi0.5-Sb1.5-Te3を1μmの厚さに成膜したところ、レジスト剥離時に熱電薄膜もともに剥離してしまった。n型熱電薄膜Bi2-Te2.7-Se0.3を1μmの厚さに成膜しても同じように剥離した。そこで、リソグラフィプロセスを用いてマスク用の上記と同じ材料よりなるレジストパターンを設けた後、バッファ層としてCr薄膜をそれぞれ0.1nm、1nm、18nm、100nm、1μmの厚さに成膜させ、その上にp型熱電薄膜Bi0.5-Sb1.5-Te3、n型熱電薄膜Bi2-Te2.7-Se0.3を順次スパッタリング法により1μmの厚さに成膜したところ、剥離することなく成膜することができた。300°Cの真空雰囲気中で60分間アニールしても、熱電薄膜が剥離することはなく、密着性の高い熱電薄膜を形成できることが分かった。また、直列に接続された熱電薄膜パターンの両端の電極パッド部自体も、p型、若しくはn型の薄膜であり、熱電パターンと同時に作製した。これらの熱電薄膜デバイスの起電力を測定したところ、表1に示す値が得られた。また、熱電薄膜の電気抵抗とバッファ層の電気抵抗との比と、特性との関係を表1に併せて示す。温度差はホットプレートで40°Cとした。[実施例5~7]上述した例においては、バッファ層としてCrを用いる例について示したが、バッファ層にNi、Cu、Tiを用いた場合についても検討した。バッファ層の種類以外は、熱電薄膜デバイス、作製プロセスともに上記実施例と同様にした。いずれのバッファ層を用いた場合にも、熱電薄膜は剥離せず、密着性の高い熱電薄膜が得られた。これらの熱電薄膜デバイスの起電力を測定したところ、表2に示すような値が得られた。熱電薄膜の抵抗と、物性値から見積もったバッファ層の抵抗の比を抵抗比として表2に合わせて示す。温度差はホットプレートで高温側を加熱して約70°Cの温度差を生成した。