"分子コア直径と分子コア厚みとのアスペクト比分子コア直径/分子コア厚みが少なくとも3である燐光発光性化合物と、ディスコティック液晶性ホスト化合物と、を少なくとも有し、前記燐光発光性化合物の分子半径と、前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径とのサイズ比燐光発光性化合物の分子半径/ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径が、0.8~1.2であることを特徴とする有機電界発光素子用材料。燐光発光性化合物が、白金錯体である請求項1に記載の有機電界発光素子用材料。ディスコティック液晶性ホスト化合物が、下記一般式1で表されることを特徴とする請求項1から2のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。ただし、前記一般式1中、Hは、液晶母核部を表し、Lは、2価の連結基を表し、R1~R9は、水素原子又は置換基を表す。nは、1~12の整数を表し、mは、0~3の整数を表す。ディスコティック液晶性ホスト化合物が、ディスコティックネマチック液晶相を発現する請求項1から3のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。燐光発光性化合物が、下記構造式1から5のいずれかで表される燐光発光性化合物から選択される少なくとも1つである請求項1から4のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。ただし、前記構造式1中、X、Y、Zは、炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。m、n、p、qは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。R1~R4は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、m、n、p、qが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Arは、置換又は無置換のアリール基を表す。ただし、前記構造式2中、X、Y、Zは、炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。r、s、t、uは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。R5~R8は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、r、s、t、uが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。W1とW2とは、アルキル基を表し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。ただし、前記構造式3中、A、Bは、環状構造を表し、Aが環を形成するとき、Bは環を形成していてもいなくてもよい。また、Aが環を形成しないとき、Bは環を形成する。Aは芳香環又は複素環を表し、Bはヘテロ環又はヘテロアリールを表す。R13~R16は、水素原子、アルキル基、アリール基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、R14とR15、R13とR16は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。ただし、前記構造式4中、R1~R3、X、Y、Z、Ar、m、n、pは、前記構造式1と同義であり、M、Qは、炭素原子又は窒素原子であり、R30は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、gは、0~3の整数を表す。ただし、前記構造式5中、R1~R2、Z、Ar、m、nは、前記構造式1と同義であり、M、Q、R30、gは、前記構造式4と同義である。燐光発光性化合物が、下記構造式6で表される請求項1から5のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。ただし、前記構造式6中、Bは、芳香族及び非芳香族の6員環のいずれかを形成してもよい。R17~R26は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24、R25とR26は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。陽極と陰極との間に、請求項1から6のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を含有する発光層を少なくとも有する有機電界発光素子において、燐光発光性化合物の遷移双極子モーメントが、前記陽極に対して水平に配向されていることを特徴とする有機電界発光素子。発光層が、フッ素原子含有化合物を0.0001質量~10質量含有する請求項7に記載の有機電界発光素子。フッ素原子含有化合物が、フッ素原子を4個以上含む側鎖置換基を3個以上有する請求項8に記載の有機電界発光素子。フッ素原子含有化合物が、以下の構造式A及びBのいずれかで表される請求項8から9のいずれかに記載の有機電界発光素子。ただし、前記構造式A中、R27、R28は、各々独立にフッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基を表す。ただし、前記構造式B中、R29は、フッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基、アシル基を表す。発光層を、請求項1から6のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を用いた溶液プロセスにて形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高い発光効率、高い偏光発光比、高い外部量子効率及び高い発光量子収率を両立することができる有機電界発光素子用材料、並びにそれを用いた有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、<1>分子コア直径と分子コア厚みとのアスペクト比分子コア直径/分子コア厚みが少なくとも3である燐光発光性化合物と、ディスコティック液晶性ホスト化合物と、を少なくとも有し、前記燐光発光性化合物の分子半径と、前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径とのサイズ比燐光発光性化合物の分子半径/ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径が、0.8~1.2であることを特徴とする有機電界発光素子用材料である。<2>燐光発光性化合物が、白金錯体である前記<1>に記載の有機電界発光素子用材料である。<3>ディスコティック液晶性ホスト化合物が、下記一般式1で表される前記<1>から<2>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料である。ただし、前記一般式1中、Hは、液晶母核部を表し、Lは、2価の連結基を表し、R1~R9は、水素原子又は置換基を表す。nは、1~12の整数を表し、mは、0~3の整数を表す。<4>ディスコティック液晶性ホスト化合物が、ディスコティックネマチック液晶相を発現する前記<1>から<3>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料である。<5>燐光発光性化合物が、下記構造式1から5のいずれかで表される燐光発光性化合物から選択される少なくとも1つである前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料である。ただし、前記構造式1中、X、Y、Zは、炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。m、n、p、qは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。R1~R4は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、m、n、p、qが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Arは、置換又は無置換のアリール基を表す。ただし、前記構造式2中、X、Y、Zは、炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。r、s、t、uは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。R5~R8は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、r、s、t、uが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。W1とW2とは、アルキル基を表し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。ただし、前記構造式3中、A、Bは、環状構造を表し、Aが環を形成するとき、Bは環を形成していてもいなくてもよい。また、Aが環を形成しないとき、Bは環を形成する。Aは芳香環又は複素環を表し、Bはヘテロ環又はヘテロアリールを表す。R13~R16は、水素原子、アルキル基、アリール基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、R14とR15、R13とR16は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。ただし、前記構造式4中、R1~R3、X、Y、Z、Ar、m、n、pは、前記構造式1と同義であり、M、Qは、炭素原子又は窒素原子であり、R30は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、gは0~3の整数を表す。ただし、前記構造式5中、R1~R2、Z、Ar、m、nは、前記構造式1と同義であり、M、Q、R30、gは、前記構造式4と同義である。<6>燐光発光性化合物が、下記構造式6で表される前記<1>から<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料である。ただし、前記構造式6中、Bは、芳香族及び非芳香族の6員環のいずれかを形成してもよい。R17~R26は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、又はヘテロ環基を表し、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24、R25とR26は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。<7>陽極と陰極との間に、前記<1>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を含有する発光層を少なくとも有する有機電界発光素子において、燐光発光性化合物の遷移双極子モーメントが、前記陽極に対して水平に配向されていることを特徴とする有機電界発光素子である。<8>発光層が、フッ素原子含有化合物を0.0001質量~10質量含有する前記<7>に記載の有機電界発光素子である。<9>フッ素原子含有化合物が、フッ素原子を4個以上含む側鎖置換基を3個以上有する前記<8>に記載の有機電界発光素子である。<10>フッ素原子含有化合物が、以下の構造式A及びBのいずれかで表される前記<8>から<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。ただし、前記構造式A中、R27、R28は、各々独立にフッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基を表す。ただし、構造式B中、R29は、フッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基、アシル基を表す。<11>発光層を、前記<1>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料を用いた溶液プロセスにて形成する工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、高い発光効率、高い偏光発光比、高い外部量子効率及び高い発光量子収率を両立することができる有機電界発光素子用材料、並びにそれを用いた有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。有機電界発光素子用材料本発明の有機電界発光素子用材料は、燐光発光性化合物と、ディスコティック液晶性ホスト化合物とを含み、更に、必要に応じて、その他の化合物を有してなる。<燐光発光性化合物>前記燐光発光性化合物の分子コア直径と分子コア厚みとのアスペクト比分子コア直径/分子コア厚みとしては、少なくとも3であり、3~30がより好ましく、4~20が特に好ましい。前記アスペクト比が、3未満であると、分子揺らぎが大きくなり、配向性が低下することがあり、30を超えると、ディスコティック液晶性ホスト化合物への溶解性が極端に低下したり、配向性が低下することがある。前記分子コア直径とは、クロモフォア共役系でつながった発色団、発光骨格の最も長い分子長を意味する。前記分子コア直径としては、理論計算により下記のように規定される。ここでいう理論計算は、密度汎関数法を用いて行い、具体的には、Gaussian03米ガウシアン社を用いて、基底関数:6-31G、交換相関汎関数:B3LYP/LANL2DZにて、構造最適化計算を行う。構造最適化計算により得られた最適化構造を用い、最も長い分子長のボールスティック表示における長さを前記燐光発光性化合物の分子コア直径と定義する。前記分子コア厚みとは、前記クロモフォアを平面としたときの分子の厚みを意味する。前記分子コア厚みについても、前記分子コア直径と同様の手法で求められ、ボールスティック表示における分子の厚み方向の長さを分子コア厚みと定義する。前記燐光発光性化合物の分子半径としては、0.40nm~3.0nmが好ましく、0.80nm~2.5nmがより好ましく、1.20nm~2.0nmが特に好ましい。前記分子半径が、0.40nm未満であると、液晶中での配向性低下、発光強度の低下および可視域に発光波長を制御できないことがあり、3.0nmを超えると、成膜時の配向性低下や液晶への相溶性低下が生じることがある。燐光発光性化合物の分子半径は、側鎖を含む分子全体を円盤としたときの半径と定義する。前記分子半径としては、前記分子コア直径と同様に、理論計算により下記のように規定される。ここでいう理論計算は、密度汎関数法を用いて行い、具体的には、Gaussian03米ガウシアン社を用いて、基底関数:6-31G、交換相関汎関数:B3LYP/LANL2DZにて構造最適化計算を行う。前記構造最適化計算により得られた最適化構造を用い、前記燐光発光性化合物の分子半径を求める。前記燐光発光性化合物としては、前記アスペクト比を満たすものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress社1987年発行、H.Yersin著,PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag社1987年発行、山本明夫著有機金属化学-基礎と応用-裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。前記配位子としては、例えば、ハロゲン配位子、芳香族炭素環配位子、含窒素ヘテロ環配位子、ジケトン配位子、カルボン酸配位子、アルコラト配位子、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。前記ハロゲン配位子としては、例えば、塩素配位子などが挙げられる。前記芳香族炭素環配位子としては、例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなどが挙げられる。前記含窒素ヘテロ環配位子としては、例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなどが挙げられる。前記ジケトン配位子としては、例えば、アセチルアセトンなどが挙げられる。前記カルボン酸配位子としては、例えば、酢酸配位子などが挙げられる。前記アルコラト配位子としては、例えば、フェノラト配位子などが挙げられる。前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、白金が好ましく、前記燐光発光性化合物としては、白金錯体であることが好ましい。前記白金錯体としては、前記アスペクト比が3以上となる点で、平面状の配位構造である4座となる白金白金錯体が好ましく、更に配位子がほぼ平面となるサレン系、ポルフィリン系、6員環-5員環-炭素連結-5員環-6員環型、5員環-6員環-N連結-6員環-5員環型骨格の白金錯体がより好ましい。前記白金錯体としては、下記構造式1~5で表される燐光発光性化合物から選択されることが好ましい。前記構造式1中、X、Y、Zは、炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。m、n、p、qは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。これらの中でも、mは、0~2が好ましく、0~1がより好ましい。nは、0~2が好ましく、0~1がより好ましい。pは、0~2が好ましく、0~1がより好ましい。qは、0~2が好ましく、0~1がより好ましい。R1~R4は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、好ましくは、R1~R2は、アルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、シリル基を表し、R3~R4は、アルキル基、アリール基を表す。前記アルキル基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、t-ブチル基、t-アミル基、s-ブチル基などが挙げられる。前記アリール基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メトキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、s-オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。前記アリールオキシ基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。前記シリル基としては、炭素数3~24の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数3~18が好ましく、具体的には、例えば、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及びアルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。m、n、p、qが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。Arは、置換又は無置換のアリール基を表し、アリール基としては、例えばフェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。前記構造式2中、X、Y、Zは、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子を表し、ZとYのいずれか一方が、窒素原子であり、Yが窒素原子のときは、Xは、炭素原子である。r、s、t、uは、それぞれ独立に0~3の整数を表す。これらの中でも、rは、0~2が好ましく、0又は1がより好ましい。sは、0~2が好ましく、0又は1がより好ましい。tは、0又は1が好ましく、uは、0又は1が好ましい。R5~R8は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、R5~R6は、アルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、シリル基が好ましく、R7~R8は、アルキル基、アリール基が好ましい。前記アルキル基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、t-ブチル基、t-アミル基、s-ブチル基などが挙げられる。前記アリール基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メトキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、s-オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。前記アリールオキシ基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。前記シリル基としては、炭素数3~24の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数3~18が好ましく、具体的には、例えば、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及び直鎖状アルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。r、s、t、uが2以上の場合、各々隣同士で互いに連結して環状構造を形成してもよい。W1とW2とは、炭素数1~10のアルキル基を表し、互いに結合して環状構造を形成してもよい。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、シクロヘキシル環状構造などが挙げられる。これらの中でも、高アスペクト比の観点でメチル基、シクロヘキシル環状構造が好ましい。前記構造式3中、A、Bは環状構造を表し、Aが環を形成するとき、Bは環を形成していてもいなくてもよい。また、Aが環を形成しないとき、Bは環を形成する。Aは芳香環、複素環を表し、Bはヘテロ環、ヘテロアリールを表す。前記Aと前記Bとの組み合わせとしては、Aがベンゼン環かつBが非環、Aがベンゼン環かつBがピリジン環、Aが非環かつBがピリジン環が好ましい。R13~R16は、水素原子、アルキル基、アリール基、シリル基、ヘテロ環基を表し、R14とR15、R13とR16は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。前記環状構造としては、例えば、R13とR16、R14とR15がそれぞれ結合した芳香環を表す。これらの中でも、アスペクト比及び分子サイズの観点でR13とR16、R14とR15がそれぞれ結合した芳香環が好ましい。前記構造式3のより好ましい態様としては、下記構造式6が挙げられる。前記構造式6中、Bは、芳香族及び非芳香族の6員環のいずれかを形成してもよい。R17~R26は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表し、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24、R25とR26は互いに結合して環状構造を形成してもよい。R17、R20、R21、R24は、水素原子、アルキル基が好ましく、R18、R19、R22、R23は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基を表し、R25~R26は、水素原子、アルキル基、フッ素原子、R25とR26が結合した芳香環を表す。前記アルキル基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数1~12が好ましく、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、t-ブチル基、t-アミル基、s-ブチル基などが挙げられる。前記アリール基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メトキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、s-オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。前記アリールオキシ基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、具体的には、例えば、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。前記シリル基としては、炭素数3~24の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数3~18が好ましく、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及び直鎖状アルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。ただし、前記構造式4中、R1~R3、X、Y、Z、Ar、m、n、pは、前記構造式1と同義である。M、Qとしては、それぞれ独立に炭素原子又は窒素原子であり、R30は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、シアノ基、シリル基、ヘテロ環基を表す。gは、0~3の整数を表し、0~2の整数が好ましい。前記アルキル基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルキル基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルキル基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、t-ブチル基、t-アミル基、s-ブチル基などが挙げられる。前記アリール基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリール基を表し、縮環していてもよく、例えば、フェニル基、トルイル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~20の置換又は無置換のアルコキシ基を表し、直鎖、分岐、環状いずれの構造であってもよい。前記アルコキシ基としては、炭素数1~12が好ましく、具体的には、例えば、メトキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、s-オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基などが挙げられる。前記アリールオキシ基としては、炭素数6~10の置換又は無置換のアリールオキシ基を表し、縮環していてもよく、具体的には、フェニルオキシ基、トルイルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。前記シリル基は、炭素数3~24の炭素原子で置換されたシリル基を表し、トリアルキルシリル基、アリールジアルキルシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基のいずれであってもよい。前記シリル基としては、炭素数3~18が好ましく、具体的には、例えば、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基などが挙げられる。これらの中でも、アスペクト比の観点で、直鎖状アルキル基及び直鎖状アルキル基を置換基として有する前記置換基が好ましい。ただし、前記構造式5中、R1~R2、Z、Ar、m、nは、前記構造式1と同義であり、M、Q、R30、gは、前記構造式4と同義である。これらの中でも、燐光発光性化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記燐光発光性化合物の含有量としては、前記有機電界発光素子用材料の質量における含有量が、0.1質量~30質量が好ましく、1質量~25質量がより好ましく、5質量~20質量が特に好ましい。前記含有量が、0.1質量未満であると、十分な発光輝度が得られないことがあり、30質量を超えると、ディスコティック液晶性ホスト化合物への相溶性の低下、会合や濃度消光による発光効率の低下が生じることがある。<ディスコティック液晶性ホスト化合物>前記ディスコティック液晶性ホスト化合物は、平面性の高い円盤状の分子からなる液晶相であり、屈折率が、負の光学一軸性である。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物としては、後述する本発明の有機電界発光素子の発光層に含まれるホスト材料として機能する。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物が発現する液晶相としては、カラムナー液晶相、ディスコティックネマチック液晶相ND液晶相などが挙げられる。これらの中でも、良好なモノドメイン性を示すディスコティックネマチック液晶相が好ましい。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物としては、下記一般式1で表されることが好ましい。ただし、一般式1中、Hは、液晶母核部を表し、Lは、2価の連結基を表し、R1~R9は、水素原子又は置換基を表す。nは、1~12、mは、0~3を表す。前記Lとしては、2価の連結基であり、例えば、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、環状脂肪族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基-COO-及び-OCO-、カルボニル基、アゾ基-CH=N-及び-N=CH-、アゾキシ基などが挙げられる。これらの中でも、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、エーテル基、エステル基、チオエーテル基、又はカルボニル基がより好ましい。前記R1~R9としては、水素原子又は置換基であり、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、又はアルキル基が好ましい。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物には、C.Destradeらの研究報告Mol.Cryst.71巻、111頁1981年に記載されているベンゼン誘導体、C.Destradeらの研究報告Mol.Cryst.122巻、141頁1985年、Physicslett,A,78巻、82頁1990に記載されているトルキセン誘導体、B.Kohneらの研究報告Angew.Chem.96巻、70頁1984年に記載されたシクロヘキサン誘導体及びJ.M.Lehnらの研究報告J.C.S.,Chem.Commun.,1794頁1985年、J.Zhangらの研究報告J.Am.Chem.Soc.116巻、2655頁1994年に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルが含まれる。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物としては、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造の化合物も含まれる。分子又は分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。前記母核としては、下記一般式H-1~H-3のいずれかで表される構造のものが好ましい。ただし、前記一般式H-1~H-3中、Z100~Z107は各々独立に置換若しくは無置換の5員又は6員環からなる芳香環を表し、これらは更に芳香環で縮環されてもよい。Z103~Z105のいずれか一つ及びZ106~Z107のいずれかは環を形成しなくてもよい。A1~A3は炭素原子又は窒素原子を表す。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物から形成される本発明の有機電界発光素子用材料としては、最終的に有機電界発光素子用材料に含まれる化合物がディスコティック液晶性ホスト化合物である必要はなく、例えば、低分子のディスコティック液晶性分子が熱や光で反応する基を有しており、結果的に熱、光で反応により重合又は架橋し、高分子化し液晶性を失った化合物も含まれる。ディスコティック液晶性ホスト化合物の好ましい例としては、特開平8-50206号公報に記載されている。また、ディスコティック液晶性ホスト化合物の重合については、特開平8-27284号公報に記載がある。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物としては、例えば下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記化合物D1~D17において、D1、D4、D6、D13、及びD15~D17が好ましく、D4、D16及びD17がより好ましい。上記化合物D1~D17において、L、L’、L’’、L’’’は、炭素数4~18のアルキル基、炭素数4~18のアルコキシ基、炭素数6~10のアリーレン基、炭素数5~19のアシルオキシ基、炭素数4~19のアルコキシカルボニル基、炭素数7~11のアリールオキシカルボニル基、それらの組み合わせからなる群より選ばれる置換基が好ましい。これらは互いに結合して環を形成してもよい。前記環としては、芳香環、脂肪族環、複素環、及び複素芳香環のいずれであってもよい。前記アルキル基としては、例えば、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、n-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基などが挙げられる。前記アリーレン基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。前記アシルオキシ基としては、例えば、オクタノイルオキシ基、デカノイルオキシ基、ウンデカノイルオキシ基、2-オクテノイルオキシ基、2-デセノイルオキシ基、2-ウンデセノイルオキシ基、2-ドデセノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、4-ヘキシルベンゾイルオキシ基などが挙げられる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基などが挙げられる。前記アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、4-ペンチルフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。これらの中でも、アルコキシ基、アシルオキシ基が好ましい。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の含有量としては、前記有機電界発光素子用材料の質量における含有量が、70質量~99.9質量が好ましく、75質量~99質量がより好ましく、80質量~95質量が特に好ましい。前記含有量が、70質量未満であると、液晶性が消失し、燐光発光性化合物の配向性が低下することがあり、99.9質量を超えると、燐光発光性化合物の濃度が0.1質量以下となるため、十分な発光輝度が得られないことがある。前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径としては、0.5nm~3nmが好ましく、1.0nm~2.5nmがより好ましく、1.5nm~2.0nmが特に好ましい。前記分子半径が、0.5nm未満であると、液晶性が発現しないことがあり、3nmを超えると、有機電界発光素子用ホスト材料としての性能が低下することがある。ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径は、側鎖を含む分子全体を円盤としたときの半径と定義する。前記分子半径としては、理論計算により下記のように規定される。ここでいう理論計算は、密度汎関数法を用いて行い、具体的には、Gaussian03米ガウシアン社を用いて、基底関数:6-31G、交換相関汎関数:B3LYP/LANL2DZにて構造最適化計算を行う。前記構造最適化計算により得られた最適化構造を用い、前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径を求める。前記燐光発光性化合物の分子半径と前記ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径とのサイズ比燐光発光性化合物の分子半径/ディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径としては、0.8~1.2であり、0.85~1.15がより好ましく、0.9~1.1が特に好ましい。前記サイズ比が、0.8未満、又は1.2を超えると、有機電界発光素子の正面方向の輝度が減少する。これは、燐光発光性化合物を混合することにより、ディスコティック液晶性ホスト化合物の秩序度オーダーパラメーターが低下するため、成膜後、モノドメインかつ分子全体の平均が水平配向となっていても、個々の分子の配向方向にばらつきがでるためであると推測している。ここで、有機電界発光素子の正面方向とは、有機電界発光素子を立てて配置し、基板側から前記発光層へ垂線を引き、この方向から見た方向のことをいう。なお、前記オーダーパラメーターとしては、有機電界発光素子の輝度の点で、0.60以上が好ましく、0.65以上がより好ましく、0.68以上が特に好ましい。前記前記オーダーパラメーターSは、例えば、ラビング方向と平行な偏光及び垂直な偏光を各々照射し、それぞれの吸収スペクトルA∥及びA⊥を日本分光社製の紫外可視分光光度計V-670にて測定し、極大吸収波長におけるA∥及びA⊥から、下記数式1及び2に従い求めることができる。R=2A∥-A⊥/A⊥数式1S=R-1/R2数式2<その他の化合物>前記その他の化合物としては、フッ素原子含有化合物、添加剤などが挙げられる。前記フッ素原子含有化合物及び前記添加剤については後述する。有機電界発光素子、有機電界発光素子の製造方法本発明の有機電界発光素子は、陽極と、陰極と、発光層とを有してなり、更に、必要に応じて、その他の層を有してなる。本発明の有機電界発光素子の製造方法は、本発明の有機電界発光素子用材料を用いた溶液プロセスにて形成する工程を含み、更に、必要に応じて、その他の工程を有してなる。本発明の有機電界発光素子は、本発明の有機電界発光素子の製造方法により好適に製造される。以下、本発明の有機電界発光素子の説明を通じて、本発明の有機電界発光素子の製造方法の詳細についても明らかにする。<発光層>前記発光層は、本発明の有機電界発光素子用材料を含み、更に、必要に応じてその他の材料を含む。なお、前記有機電界発光素子用材料の詳細については、上述した通りである。前記有機電界発光素子用材料に含まれる燐光発光性化合物の遷移双極子モーメントとしては、前記陽極に対して水平に配向されていることが好ましい。水平に配向されることで、陽極に対して垂直方向への発光成分が増加する点で有利である。遷移双極子モーメントの方向としては、理論計算により下記のように規定される。ここでいう理論計算は、Gaussian03米ガウシアン社を用いて行う。計算に使用する分子構造は、構造最適化計算を行って生成エネルギーが最小となる構造を用い、遷移双極子モーメントの方向を求める。-その他の材料-前記その他の材料としては、フッ素原子含有化合物、添加剤などが挙げられる。--フッ素原子含有化合物--前記フッ素原子含有化合物は、前記発光層中の空気界面側に偏在する性質を有し、前記フッ素原子含有化合物を前記発光層に含有させることで、前記有機電界発光素子用材料を前記陽極に対して効果的に水平方向に配向させることができる。前記フッ素原子含有化合物としては、フッ素原子を4個以上含む側鎖置換基を3個以上有することが好ましく、3個~18個含んでいることがより好ましく、4個~12個含んでいることが特に好ましい。前記側鎖置換基の数が、3個未満であると、液晶性を発現しない、空気界面側にフッ素原子含有化合物が偏在しないことがあり、18個を超えると、溶剤溶解性や成膜性が低下することがある。また、前記側鎖置換基1個あたり、フッ素原子を4個以上含むことが好ましく、6個~30個含むことがより好ましく、8個~25個含むことが特に好ましい。前記フッ素原子が、4個未満であると、空気界面側にフッ素原子含有化合物が偏在しないことがあり、30個を超えると、溶剤溶解性や成膜性が低下することがある。前記フッ素原子の数は、元素分析、MASS、1H-NMR、19F-NMRで測定することができる。これらの中でも、フッ素原子含有化合物としては、例えば以下の構造式A及びBで表される化合物が好ましい。ただし、構造式A中、R27、R28は、各々独立にフッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基を表し、-CH2CF24H、-CH2CF26H、-CH2CF28H、-CH23C4F9、-CH2CH2OCH2CH2C6F13などが好ましい。ただし、構造式B中、R29は、フッ素原子を4個以上有する置換又は無置換のアルキル基、アシル基を表し、-CH2CF24H、-CH2CF26H、-CH2CF28H、-CH23C4F9、-CH2CH2OCH2CH2C6F13などが好ましい。前記フッ素原子含有化合物の含有量としては、前記発光層における含有量が0.0001質量~10質量が好ましく、0.001質量~5質量がより好ましく、0.01質量~2質量が特に好ましい。前記含有量が、0.0001質量未満であると、ディスコティック液晶性ホスト化合物に対する十分な水平配向性が得られないことがあり、10質量を超えると、溶剤溶解性や成膜性の低下、液晶性の低下がおこることがある。前記含有量は、塗布液調製時の含有比で決まり、更に作製した膜の元素分析で測定することができる。また、ディスコティック液晶性ホスト化合物のディスコティックネマティック液晶相-等方相転移温度は、50°C~300°Cが好ましく、70°C~300°Cがより好ましく、100°C~300°Cが特に好ましい。配向させたディスコティック液晶性ホスト化合物としては、分子の配向状態を維持して固定することが好ましい。固定化は、重合反応により実施する方法や、液晶相-ガラス転移を利用して行うことが好ましい。重合反応としては、重合開始剤を用いた熱重合反応や光重合反応などを用いることができるが、素子性能の観点からは重合開始剤を用いない方法が好ましく、スチリル基による熱重合反応やシランカップリング剤によるゾルゲル硬膜法が挙げられる。前記重合開始剤としては、例えば、α-カルボニル化合物米国特許2367661号、同2367670号の各公報記載、アシロインエーテル米国特許2448828号公報記載、α-炭化水素置換芳香族アシロイン化合物米国特許2722512号公報記載、多核キノン化合物米国特許3046127号、同2951758号の各公報記載、トリアリールイミダゾールダイマーとp-アミノフェニルケトンとの組み合わせ米国特許3549367号公報記載、アクリジン及びフェナジン化合物特開昭60-105667号、米国特許4239850号の各公報記載及びオキサジアゾール化合物米国特許4212970号公報記載が含まれる。前記重合開始剤の使用量としては、塗布液の固形分の0.001質量~5質量が好ましく、0.001質量~1質量がより好ましい。<<発光層の形成方法>>前記発光層の形成方法製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、転写プロセス或いは溶液プロセスにて形成することが好ましい。前記転写プロセスとしては、例えば、圧力転写、熱転写、レーザー熱転写、熱圧転写などが挙げられる。なお、転写に用いる転写基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、剥離性の観点から、フッ素系材料でコーティングされたもの又は接触角が大きいものが好ましい。前記溶液プロセスとしては、例えば、コート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などが挙げられる。前記コート法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などが挙げられる。これらの中でも、パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法が好ましい。なお、必要に応じて、前記有機電界発光素子用材料を有機溶媒などに溶解又は分散させて塗布液とし、溶液プロセスにて発光層を形成するようにしてもよい。前記有機溶媒としては、例えば、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒などが挙げられる。前記炭化水素系溶媒としては、例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタレン、1,2-ジクロロベンゼンなどが挙げられる。前記ケトン系溶媒しては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。前記ハロゲン化炭化水素系溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどが挙げられる。前記アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどが挙げられる。前記エーテル系溶媒としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどが挙げられる。前記エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどが挙げられる。前記発光層の厚みとしては、10nm~100nmが好ましく、15nm~50nmがより好ましく、20nm~40nmが特に好ましい。前記厚みが、10nm未満であると、正孔と電子の再結合が発光層で起こりにくくなるため、発光効率が低下することがあり、100nmを超えると、駆動電圧が高くなることがある。前記厚みは、例えば、水晶振動子QCMや触針式膜厚計を用いて測定することができる。前記発光層の形成方法としては、必要に応じて、溶液プロセスによって成膜された発光層用膜に光を照射することでディスコティック液晶性ホスト化合物の少なくとも一部を一軸配向させて、発光層を形成させるようにしてもよい。前記照射する光としては、一方向に直線偏光した紫外線、又は電子線などが挙げられる。これらの中でも、紫外線が好適に用いられる。前記光照射の照射エネルギーとしては、20mJ/cm2~50J/cm2が好ましく、20mJ/cm2~5,000mJ/cm2がより好ましく、100mJ/cm2~800mJ/cm2が特に好ましい。また、光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。<陽極>前記陽極としては、前記発光層に正孔を供給する電極としての機能を有していれば特に制限されない。本発明の有機電界発光素子の性質上、前記陽極及び前記陰極のうち少なくとも一方は透明であることが好ましい。前記陽極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前記陽極を構成する材料としては、例えば、導電性金属酸化物、金属、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、無機導電性物質、有機導電性材料、これらとITOとの積層物などが挙げられる。前記導電性金属酸化物としては、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫ATO、FTO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化亜鉛インジウムIZOなどが挙げられる。前記金属としては、例えば、金、銀、クロム、ニッケルなどが挙げられる。前記無機導電性物質としては、例えば、ヨウ化銅、硫化銅などが挙げられる。前記有機導電性材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどが挙げられる。前記陽極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、湿式方式、化学的方式、物理的方式などが挙げられる。前記湿式方式としては、例えば、印刷方式、コーティング方式などが挙げられる。前記化学的方式としては、例えば、CVD、プラズマCVD法などが挙げられる。前記物理的方式としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。なお、前記陽極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。前記陽極の厚みとしては、特に制限はなく、材料により適宜選択可能であるが、10nm~10μmが好ましく、50nm~5μmがより好ましい。前記厚みは、例えば、水晶振動子QCMや触針式膜厚計を用いて測定することができる。前記陽極の抵抗値としては、発光層などに確実に正孔を供給するために、103Ω/□以下が好ましく、102Ω/□以下がより好ましい。<陰極>前記陰極としては、前記発光層に電子を注入する電極としての機能を有していれば特に制限されない。前記陰極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、その他の金属、これらの金属の合金などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することが好ましい。前記アルカリ金属としては、例えば、リチウム、ナトリウムなどが挙げられる。前記アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウムなどが挙げられる。前記その他の材料としては、例えば、金、銀、鉛、アルミニウムなどが挙げられる。前記希土類金属としては、例えば、インジウム、イッテルビウムなどが挙げられる。前記合金としては、例えば、ナトリウム-カリウム合金、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-銀合金などが挙げられる。これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを含有する材料が特に好ましい。前記アルミニウムを含有する材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量~10質量のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物例えば、リチウム-アルミニウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金などを意味する。前記陰極の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、湿式方式、化学的方式、物理的方式などが挙げられる。前記湿式方式としては、例えば、印刷方式、コーティング方式などが挙げられる。前記化学的方式としては、例えば、CVD、プラズマCVD法などが挙げられる。前記物理的方式としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。なお、前記陰極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタなどをして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。前記陰極の厚みとしては、10nm~1,000nmが好ましく、20nm~500nmがより好ましく、50nm~100nmが特に好ましい。前記厚みが、50nm未満であると、酸化して劣化することがあり、1,000nmを超えると、成膜時に放射熱を得ることで劣化することがある。前記厚みは、触針式段差計で測定することができる。<その他の層>前記その他の層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、基板などが挙げられる。-正孔注入層、正孔輸送層-前記正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。該正孔注入層及び正孔輸送層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。これらの層に用いられる正孔注入材料又は正孔輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、また、無機化合物であってもよい。前記正孔注入材料及び正孔輸送材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、イリジウム錯体、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、三酸化モリブデンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、アリルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、イリジウム錯体、三酸化モリブデンが好ましい。前記正孔注入層及び正孔輸送層としては、電子受容性ドーパントを含有させることができる。前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物であってもよく、有機化合物であってもよい。前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン化金属、金属酸化物などが挙げられる。前記ハロゲン化金属としては、例えば、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどが挙げられる。前記金属酸化物としては、例えば、五酸化バナジウム、三酸化モリブデンなどが挙げられる。前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどが挙げられる。これらの電子受容性ドーパントは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。前記電子受容性ドーパントの使用量としては、材料の種類によって異なるが、正孔輸送材料又は正孔注入材料に対して0.01質量~50質量が好ましく、0.05質量~50質量がより好ましく、0.1質量~30質量が特に好ましい。前記正孔注入層及び正孔輸送層の平均厚みとしては、1nm~500nmが好ましく、5nm~200nmがより好ましく、10nm~100nmが特に好ましい。-電子輸送層-前記電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層であり、上述したように、前記電子輸送層の三重項エネルギーは、陰極側隣接層の三重項エネルギーよりも大きいことが好ましい。前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、ベンゾニトリル系化合物、イミダゾピリジン誘導体などが挙げられる。前記キノリン誘導体としては、例えば、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンバソクプロイン;BCP、BCPにLiをドープしたもの、トリス8-キノリノラトアルミニウムAlqなどの8-キノリノール又はその誘導体を配位子とする有機金属錯体、BAlqビス-2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニル-フェノラト-アルミニウムIIIなどが挙げられる。これらの中でも、BCPにLiをドープしたもの、BAlqが特に好ましい。前記電子輸送層の形成方法としては、例えば、蒸着法、湿式製膜法、電子ビーム法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法高周波励起イオンプレーティング法、分子積層法、LB法、印刷法、転写法などの上述した方法により好適に形成することができる。前記電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、1nm~500nmが好ましく、10nm~50nmがより好ましい。前記電子輸送層は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。-電子注入層-前記電子注入層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。前記電子注入層は、1種又は2種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。前記電子注入層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、0.1nm~200nmが好ましく、0.2nm~100nmがより好ましく、0.5nm~50nmが特に好ましい。-基板-本発明の有機電界発光素子としては、前記基板上に設けられていることが好ましく、陽極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機材料、有機材料などが挙げられる。前記無機材料としては、例えば、イットリア安定化ジルコニアYSZ、無アルカリガラス、ソーダライムガラスなどが挙げられる。前記有機材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレンなどが挙げられる。前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。前記基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層ガスバリア層を設けることができる。前記透湿防止層ガスバリア層の材料としては、例えば、窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。前記透湿防止層ガスバリア層は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。-電子ブロック層-前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば前述の正孔輸送性ホスト材料として挙げたものが利用できる。また、前記電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。前記電子ブロック層の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布法、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。前記電子ブロック層の厚みとしては、1nm~200nmが好ましく、1nm~50nmがより好ましく、3nm~10nmが特に好ましい。-保護層-本発明の有機電界発光素子は、保護層によって全体が保護されていてもよい。前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni、MgO、SiO、SiO2、Al2O3、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、TiO2、SiNx、SiNxOy、MgF2、LiF、AlF3、CaF2、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1以上の吸水性物質、吸水率0.1以下の防湿性物質などが挙げられる。前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法高周波励起イオンプレーティング法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。-封止容器-本発明の有機電界発光素子としては、封止容器を用いて全体が封止されていてもよい。更に、前記封止容器と有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばパラフィン類、流動パラフィン類、フッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。-樹脂封止層-本発明の有機電界発光素子としては、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により封止することで抑制するようにしてもよい。前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の点からエポキシ樹脂が特に好ましい。前記エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。前記樹脂封止層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法などが挙げられる。有機電界発光素子の層構成図1は、本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す概略図である。有機電界発光素子10としては、基板1上に形成された陽極2と、正孔注入層3と、正孔輸送層4と、発光層5と、電子輸送層6と、電子注入層7と、陰極8とをこの順に積層してなる。なお、陽極2と陰極8とは電源を介して互いに接続されている。用途本発明の有機電界発光素子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に利用できる。前記有機ELディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば月刊ディスプレイ、2000年9月号、33~37ページに記載されているように、色の3原色青色B、緑色G、赤色Rに対応する光をそれぞれ発光する有機電界発光素子を基板上に配置する3色発光法、白色発光用の有機電界発光素子による白色発光をカラーフィルターを通して3原色に分ける白色法、青色発光用の有機電界発光素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色R及び緑色Gに変換する色変換法などが知られている。また、本発明の有機電界発光素子としては、前記燐光発光性化合物などにより得られる異なる発光色を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色を得ることができる。例えば、青色、緑色及び赤色用の有機電界発光素子とする場合、所望の波長付近に発光ピークを有する燐光発光性化合物を有機電界発光素子用材料又は発光層に含有させればよい。また、例えば、白色用の有機電界発光素子とする場合、燐光発光性化合物として、420nm~500nmに発光ピークを有する青色燐光発光性化合物、500nm~570nmに発光ピークを有する緑色燐光発光性化合物、及び570nm~650nmに発光ピークを有する赤色燐光発光性化合物を含有させるようにしてもよい。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。合成例1<燐光発光性化合物1の合成>上記式中、Meは、メチル基を表す-化合物1aの合成-2,4-ジヒドロキシベンズアルデヒド20g、n-デシルブロミド32g及び炭酸カリウム20gを200mLのジメチルアセトアミドDMAc中に混合させ、60°Cで4時間反応させた。反応液を濾過し、得られた濾液を酢酸エチル/飽和食塩水に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/10することにより、化合物1a20.3gを得た。-化合物1bの合成-化合物1a3g、4,5-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン0.73gのエタノール溶液30mLに酢酸5滴を1mL駒込ピペットで滴下し、80°Cで6時間反応させた。析出した固体を濾取し、エタノールで再結晶することにより、化合物1b2.7gを得た。-燐光発光性化合物1の合成-化合物1b1.5g、酢酸ナトリウム0.19gのアセトニトリル溶液30mLに、PtCl20.61gのジメチルスルホキシドDMSO溶液15mLを80°Cにて滴下し、7時間反応させた。反応液を減圧にて濃縮し、得られた固体をエタノールで洗浄し、シリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=8/1し、酢酸エチルで再結晶することにより、燐光発光性化合物10.72gを得た。なお、化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。外観は黄色固体であった。燐光発光性化合物1の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、12.3であり、分子半径は、1.91nmであった。合成例2<燐光発光性化合物3の合成>-化合物3bの合成-合成例1で合成した化合物1a4.37g、o-フェニレンジアミン0.85gのエタノール溶液45mLに酢酸2滴を1mL駒込ピペットで滴下し、80°Cで3時間反応させた。析出した固体を濾取し、エタノールで再結晶することにより、化合物3b3.7gを得た。-燐光発光性化合物3の合成-化合物3b3g、酢酸ナトリウム0.39gのアセトニトリル溶液60mLに、PtCl21.27gのDMSO溶液30mLを80°Cにて滴下し、7時間反応させた。反応液を減圧にて濃縮し、得られた固体をエタノールで洗浄し、シリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=6/1し、酢酸エチルで再結晶することにより、燐光発光性化合物31.8gを得た。なお、化合物の同定は、元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。外観は黄色固体であった。燐光発光性化合物3の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、12.3であり、分子半径は、1.91nmであった。合成例3<燐光発光性化合物4の合成>上記式中、Etは、エチル基を表す-化合物4aの合成-1,2-ジニトロベンゼン4.6g、硫酸銀17gの硫酸溶液46mLに、臭素5mLを滴下し、100°Cで30分反応後、120°Cで30分反応させ、更に180°Cで6時間反応させた。反応終了後、反応液を氷水に注加し、析出した固体を濾過した。得られた濾液に酢酸エチルを加え、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/5し、ヘキサン/酢酸エチル=6/1で再結晶することにより、化合物4a1.6gを得た。-化合物4bの合成-化合物4a0.6g、ヨウ化銅35mg、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム106mgのテトラヒドロフランTHF溶液24mLに、トリエチルアミン1.27mLを滴下した後、1-デシン0.77mLを滴下し、窒素雰囲気下室温で12時間反応させた。反応液を酢酸エチル/希塩酸混合比:酢酸エチル/希塩酸=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/40、展開後1/20することにより、化合物4b0.34gを得た。-化合物4cの合成-10Pd/C63mgに、化合物4b0.33gのエタノール溶液10mLを滴下した後、飽水ヒドラジン4.93gを滴下し、85°Cで5時間反応させた。反応液をセライト濾過後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/1することにより、化合物4c0.27gを得た。-化合物4dの合成-化合物4c0.19g、化合物1a0.15gのエタノール溶液3mLに、70°Cにて酢酸1滴を1mL駒込ピペットで滴下し、6時間反応させた。減圧にて濃縮後、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/6することにより、化合物4d0.28gを得た。-燐光発光性化合物4の合成-化合物4d0.2g、酢酸ナトリウム37mgのアセトニトリル溶液7mLに、PtCl262mgのDMSO溶液3.5mLを80°Cにて滴下し、5時間反応させた。反応液を減圧にて濃縮し、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/1することにより、燐光発光性化合物40.22gを得た。なお、化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。外観は黄色アモルファス固体であった。燐光発光性化合物4の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、12.3であり、分子半径は、1.91nmであった。合成例4<燐光発光性化合物5の合成>-化合物5aの合成-LAH水素化アルミニウムリチウムの1MのTHF溶液130mLをTHF100mLと混合し、氷冷下で、トランス-4-ペンチルシクロヘキサンカルボン酸23.5gのTHF溶液80mLを1.5時間かけて滴下した。滴下後、室温にて1.5時間反応させ、その後、80°Cにて2時間反応させた。反応液を1N塩酸氷水に注加し、酢酸エチルにて抽出を行った。有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/40、展開後酢酸エチル/ヘキサン=1/5することにより、化合物5a21.9gを得た。-化合物5bの合成-化合物5a21.9gのアセトニトリル溶液360mLに室温にて、三臭化リン16.8mLを滴下し、45°Cで3時間撹拌させた。室温まで冷却後、臭化カリウム50gを15分かけて添加した。更にピリジン30mLを滴下後、80°Cにて3時間反応させた。反応液を酢酸エチル/氷水混合比:酢酸エチル/氷水=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:ヘキサンすることにより、化合物5b25.1gを得た。-化合物5cの合成-化合物5b24.1gと2,6-ジメチル-4-ニトロフェノール17.9gのNMP溶液240mLに炭酸カリウム20.2gを加え、90°Cで3.5時間反応後、100°Cにて2.5時間反応させた。更に、130°Cにて2時間反応させた後、1N塩酸水/酢酸エチル混合比:1N塩酸水/酢酸エチル=1/1に注加した。有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:ヘキサン、展開後酢酸エチル/ヘキサン=1/10し、得られた粗体をメタノール洗浄することで、化合物5c23.7gを得た。-化合物5dの合成-還元鉄27.8g、塩化アンモニウム2.7g、イソプロピルアルコール290mL及び水29mLを三ツ口フラスコにいれ、95°Cにてメカニカルスターラーで撹拌300rpmした。濃塩酸を少量滴下し、活性化させた後、化合物5c23.7gを少しずつ添加した。加熱還流下で3時間撹拌後、反応液をセライト濾過した。濾液を酢酸エチル/炭酸水素ナトリウム水溶液混合比:酢酸エチル/炭酸水素ナトリウム水溶液=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/10、展開後1/5することで、化合物5d21.3gを得た。-化合物5eの合成-4-メチルピラゾール5.0g、1-クロロ-3-ヨードベンゼン9.68g、Cu2O0.29g炭酸セシウム26.46g及びサリチルアルデヒドオキシム関東化学製1.11gのDMAc溶液100mLを窒素雰囲気下にて140°Cにて5時間反応した。反応液に酢酸エチルを加え、セライト濾過した。濾液を飽和食塩水に注加し、分液後、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/7することで、化合物5e6.35gを得た。-化合物5fの合成-化合物5e1.0g、化合物5d0.72g、t-ブトキシカリウム1.13g、Pddba227mg及び2-ジ-t-ブチルホスフィノビフェニル和光純薬製56.4mgのトルエン溶液10mLを窒素雰囲気下にて110°Cで6時間反応した。反応液に酢酸エチル及び水を加え、分液後、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/9することで、化合物5f0.65gを得た。-燐光発光性化合物5の合成-化合物5f0.4g及びPtCl20.17gのベンゾニトリル溶液3mLを窒素雰囲気下にて190°Cで24時間反応させた。反応後、ベンゾニトリルを減圧留去し、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=7/1した。得られた固体をエタノールで洗浄後、酢酸エチルで洗浄することで、燐光発光性化合物50.3gを得た。なお、化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。燐光発光性化合物5の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、3.1であり、分子半径は、1.93nmであった。合成例5<燐光発光性化合物6の合成>-化合物6aの合成-p-トランス-4-ペンチルシクロヘキシルブロモベンゼン東京化成製4g、トリ-t-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート関東化学製0.135g、Pddba20.15g、塩化リチウム0.33g及び亜鉛ビスビストリメチルシリルアミドALDRICH製3gのTHF溶液40mLを窒素雰囲気下にて50°Cで6時間反応させた。反応液に酢酸エチルを加え、1N塩酸水に注加した。炭酸カリウムで中和後、分液した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/3.5することで、化合物6a3.1gを得た。-化合物6bの合成-化合物5e1.0g、化合物6a0.58g、t-ブトキシカリウム1.13g、Pddba227mg及び2-ジ-t-ブチルホスフィノビフェニル和光純薬製56.4mgのトルエン溶液10mLを窒素雰囲気下にて110°Cで6時間反応した。反応液に酢酸エチル及び水を加え、分液後、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/9することで、化合物6b0.57gを得た。-燐光発光性化合物6の合成-化合物6b0.3g及びPtCl20.14gのベンゾニトリル溶液3mLを窒素雰囲気下にて190°Cで24時間反応させた。反応後、ベンゾニトリルを減圧留去し、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=7/1した。得られた固体をエタノールで洗浄後、酢酸エチルで洗浄することで、燐光発光性化合物60.27gを得た。なお、化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。燐光発光性化合物6の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、3.1であり、分子半径は、1.74nmであった。合成例6<燐光発光性化合物30の合成>-燐光発光性化合物30の合成-合成例1の化合物1aの合成において、n-デシルブロミドをn-ペンチルブロミドに代えた以外は、合成例1の化合物1aの合成と同様にして、燐光発光性化合物30を合成した。なお、得られた化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。燐光発光性化合物30の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、12.3であり、分子半径は、1.28nmであった。合成例7<燐光発光性化合物16の合成>-化合物16aの合成-HelveticaChimicaActa,1992,vol.75No.5,p.1578-1592に記載の方法に従い、化合物16aを合成した。-化合物16bの合成-DaltonTransactions2003No.1,p.153-159に記載の方法に従い、化合物16aから化合物16bを合成した。-化合物16cの合成-化合物16b3.2gのジエチルエーテル溶液200mLに、-50°CでLDA/THF溶液18mLを滴下し攪拌後、-10°Cでメチル-4-ヘキシルベンゾエイト7.8gを添加し、6時間攪拌した。氷水に注加し、クロロホルム、1N塩酸水を加え、分液をおこなった。硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製することで、化合物16c6.7gを得た。-燐光発光性化合物16の合成-化合物16c3g及びPtCl21gのベンゾニトリル溶液30mLを窒素雰囲気下にて190°Cで24時間反応させた。反応後、ベンゾニトリルを減圧留去し、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製した。得られた固体をエタノールで洗浄後、酢酸エチルで洗浄することで、燐光発光性化合物162.7gを得た。なお、得られた化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。燐光発光性化合物16の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、5.5であり、分子半径は、1.39nmであった。合成例8<燐光発光性化合物23の合成>-化合物23aの合成-HelveticaChimicaActa,1991vol74No.1,p27-46、JournalofMedicinalChemistry,1998,vol.41,No.19,p3582-3595、及び国際公開第2006/37982号に記載の方法に従い、合成した。-化合物23cの合成-化合物23a22.4g、化合物23b和光純薬製3.6g、Cu2O0.29g炭酸セシウム26.46g及びサリチルアルデヒドオキシム関東化学製1.11gのDMAc溶液100mLを窒素雰囲気下にて140°Cにて5時間反応した。反応液に酢酸エチルを加え、セライト濾過した。濾液を飽和食塩水に注加し、分液後、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/7することで、化合物23c7.4gを得た。-燐光発光性化合物23の合成-化合物23c2.4g及びPtCl21gのベンゾニトリル溶液30mLを窒素雰囲気下にて190°Cで24時間反応させた。反応後、ベンゾニトリルを減圧留去し、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製した。得られた固体をエタノールで洗浄後、酢酸エチルで洗浄することで、燐光発光性化合物231.1gを得た。なお、得られた化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。燐光発光性化合物23の分子コア直径、分子コア厚み及び分子半径は、Gaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、アスペクト比は、5.4であり、分子半径は、1.37nmであった。合成例9<ディスコティック液晶性ホスト化合物1の合成>上記式中、Etは、エチル基を表す-ホスト1ahost-1aの合成-エチルジエチルホスホノアセテート和光純薬製20mLの1,2-ジメトキシエタンDME溶液200mLに、氷冷下でNaH4.0gを添加し、室温にて10分攪拌後、再び氷冷下でデカナール和光純薬製18.9mLのDME溶液60mLを滴下した。80°Cで3時間反応後、反応液を酢酸エチル/希塩酸混合比:酢酸エチル/希塩酸=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/30することにより、ホスト1a18.9gを得た。-ホスト1bhost-1bの合成-ホスト1a10.6gのDME溶液100mLに、水酸化リチウム1水和物4.3g水溶液40mLを滴下し、80°Cにて5時間反応させた。反応液を酢酸エチル/希塩酸混合比:酢酸エチル/希塩酸=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/3し、ノルマルヘキサンにて再結晶することにより、ホスト1b7.0gを得た。-ディスコティック液晶性ホスト化合物1の合成-ホスト1b8.6g、ジイソプロピルエチルアミン7.9mLのTHF溶液80mLに、-15°C下でメシルクロリド3.2mLを滴下した。1時間攪拌後、反応液にジイソプロピルエチルアミン7.9mLを加え、続いて2,3,6,7,10,11-ヘキサヒドロキシトリフェニレン水和物2gのTHF溶液80mLを滴下し、触媒量のジメチルアミノピリジンを加え、室温にて6時間攪拌した。反応液を酢酸エチル/希塩酸混合比:酢酸エチル/希塩酸=1/1に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/8し、エタノール/ノルマルヘキサン=95/5にて再結晶することにより、ディスコティック液晶性ホスト化合物15.0gを得た。なお、化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。外観は白色固体であった。ディスコティック液晶性ホスト化合物1の分子半径をGaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、分子半径は、1.80nmであった。偏光顕微鏡を用いた液晶相の観察をおこなったところ、下記温度域にて液晶相を示した。Col48Nd79IsoCol:カラムナー相、Nd:ディスコティックネマチック相、Iso:等方相合成例10<ディスコティック液晶性ホスト化合物4の合成>以下の手順により、下記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物4を合成した。上記式中、Meは、メチル基を表し、Etは、エチル基を表し、Phは、フェニル基を表す。各々の工程は、良好な収率60~80で反応をおこなうことができ、ディスコティック液晶性ホスト化合物4を5.7g得た。なお、前記化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。前記化合物の外観は、白色固体であった。ディスコティック液晶性ホスト化合物4の分子半径をGaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、分子半径は、1.89nmであった。偏光顕微鏡を用いた液晶相の観察をおこなったところ、下記温度域にて液晶相を示した。Cr48Nd116IsoCr:結晶相、Nd:ディスコティックネマチック相、Iso:等方相合成例11<ディスコティック液晶性ホスト化合物5の合成>以下の手順により、下記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物5を合成した。上記工程は、良好な収率60~80で反応をおこなうことができ、ディスコティック液晶性ホスト化合物5を3.2g得た。なお、前記化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。前記化合物の外観は、白色固体であった。ディスコティック液晶性ホスト化合物5の分子半径をGaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、分子半径は、1.87nmであった。偏光顕微鏡を用いた液晶相の観察をおこなったところ、下記温度域にて液晶相を示した。Cr108Col166IsoCr:結晶相、Col:カラムナー相、Iso:等方相合成例12<ディスコティック液晶性ホスト化合物6の合成>国際公開第2005/123737号記載の方法に従い、下記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物6を合成した。なお、前記化合物の同定は元素分析、NMR及びMASSスペクトルにより行った。前記化合物の外観は、淡黄色固体であった。ディスコティック液晶性ホスト化合物6の分子半径をGaussian03米ガウシアン社にて構造最適化を行うことにより算出した結果、分子半径は、1.46nmであった。偏光顕微鏡を用いた液晶相の観察をおこなったところ、下記温度域にて液晶相を示した。Cr195Nd177IsoCr:結晶相、Nd:ディスコティックネマチック相、Iso:等方相実施例1-有機電界発光素子用材料1の作製-ディスコティック液晶性ホスト化合物195mg及び燐光発光性化合物15mgを混合し、THFで溶解後、窒素雰囲気下90°Cで20分加熱乾燥した後、真空検体乾燥機にて120°Cで1時間減圧乾燥させて、有機電界発光素子用材料1を作製した。燐光発光性化合物1とディスコティック液晶性ホスト化合物1とのサイズ比燐光発光性化合物1の分子半径/ディスコティック液晶性ホスト化合物1の分子半径を算出したところ、1.06であった。実施例2~12-有機電界発光素子用材料2~12の作製-下記表1に示されるディスコティック液晶性ホスト化合物95mg及び燐光発光性化合物5mgを用いて、有機電界発光素子用材料1同様の方法で有機電界発光素子用材料2~12を作製した。各有機電界発光素子用材料における燐光発光性化合物とディスコティック液晶性ホスト化合物とのサイズ比を表1に示す。なお、実施例6で用いられたディスコティック液晶性ホスト化合物2は、特開平10-321371号公報に記載されている、以下の構造式で表される化合物である。比較例1-比較有機電界発光素子用材料1の作製-実施例1において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を特開平10-321371号公報に記載されているディスコティック液晶性ホスト化合物2に代えた以外は実施例1と同様にして、比較有機電界発光素子用材料1を作製した。燐光発光性化合物1とディスコティック液晶性ホスト化合物2とのサイズ比を算出したところ、1.55であった。比較例2-比較有機電界発光素子用材料2の作製-実施例1において、燐光発光性化合物1を特開平10-321371号公報に記載の比較燐光発光性化合物1に代えた以外は、実施例1と同様にして比較有機電界発光素子用材料2を作製した。比較燐光発光性化合物1とディスコティック液晶性ホスト化合物1とのサイズ比を算出したところ、0.34であった。比較例3-比較有機電界発光素子用材料3の作製-実施例1において、燐光発光性化合物1を特開2002-43056号公報に記載の比較燐光発光性化合物2に代えた以外は、実施例1と同様にして比較有機電界発光素子用材料3を作製した。比較燐光発光性化合物2とディスコティック液晶性ホスト化合物1とのサイズ比を算出したところ、0.43であった。比較例4-比較有機電界発光素子用材料4の作製-比較例2において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を上記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物2に代えた以外は、比較例2と同様にして比較有機電界発光素子用材料4を作製した。比較燐光発光性化合物1とディスコティック液晶性ホスト化合物2とのサイズ比を算出したところ、0.56であった。比較例5-比較有機電界発光素子用材料5の作製-比較例3において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を特開2002-43056号公報に記載のディスコティック液晶性ホスト化合物3に代えた以外は、比較例3と同様にして比較有機電界発光素子用材料5を作製した。比較燐光発光性化合物2とディスコティック液晶性ホスト化合物3とのサイズ比を算出したところ、0.57であった。比較例6-比較有機電界発光素子用材料6の作製-実施例1において、燐光発光性化合物1を下記構造式で表される比較燐光発光性化合物3に代えた以外は、実施例1と同様にして比較有機電界発光素子用材料6を作製した。比較燐光発光性化合物3とディスコティック液晶性ホスト化合物1とのサイズ比を算出したところ、0.86であった。比較例7-比較有機電界発光素子用材料7の作製-実施例1において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を下記構造式で表される非液晶性ホスト化合物1NPDに代えた以外は、実施例1と同様にして、比較有機電界発光素子用材料7を作製した。燐光発光性化合物1と非液晶性ホスト化合物1とのサイズ比を算出したところ、1.05であった。比較例8-比較有機電界発光素子用材料8の作製-実施例1において、燐光発光性化合物1を下記構造式で表される比較燐光発光性化合物4に代えた以外は、実施例1と同様にして、比較有機電界発光素子用材料8を作製した。比較燐光発光性化合物4とディスコティック液晶性ホスト化合物1とのサイズ比を算出したところ、0.77であった。比較例9-比較有機電界発光素子用材料9の作製-比較例1において、燐光発光性化合物1を下記構造式で表される比較燐光発光性化合物5に代えた以外は、比較例1と同様にして、比較有機電界発光素子用材料9を作製した。比較燐光発光性化合物5とディスコティック液晶性ホスト化合物2とのサイズ比を算出したところ、1.23であった。有機電界発光素子用材料1~12及び比較有機電界発光素子用材料1~9の評価-評価セルの作製-作製した有機電界発光素子用材料1を、グローブボックス内でサントレーディング社製の液晶セルに120°Cで注入し、エポキシ樹脂で封止をおこなった。100°Cでアニール後、徐冷することで評価セル1を作製した。なお、サントレーディング社製の液晶セルは、ITO透明電極付きのガラス板1.1mmに、ラビング処理をおこなった垂直配向性ポリイミド配向膜JALS-682JSR社製を付設し、セルギャップ8μmで、エポキシ樹脂シール付きの液晶セルである。有機電界発光素子用材料2~12についても同様に評価セル2~12を作製した。-比較評価セルの作製-有機電界発光素子用材料1を比較有機電界発光素子用材料1~9に代えた以外は同様にして比較評価セル1~9を作製した。<オーダーパラメーターの測定>作製した評価セル1に、ラビング方向と平行な偏光及び垂直な偏光を各々照射し、それぞれの吸収スペクトルA∥及びA⊥を日本分光社製の紫外可視分光光度計V-670にて測定した。極大吸収波長におけるA∥及びA⊥から、オーダーパラメーターSを下記数式1及び2に従い求めた。結果を表1に示す。評価セル2~12及び比較評価セル1~9についても同様に行った。R=2A∥-A⊥/A⊥数式1S=R-1/R2数式2<偏光発光比測定>作製した液晶セル1に対し、45°の角度から励起光浜松ホトニクス製紫外可視UV-VISファイバ光源L10290を入射し、90°の角度基板法線方向に設置された偏光子を配した蛍光光度計オーシャンオプティクス社製小型光ファイバー蛍光検出器USB4000-FLにて、偏光発光測定をおこなった。結果を表1に示す。評価セル2~12及び比較評価セル1~9についても同様に行った。有機電界発光素子材料の欄中、比較とは、比較有機電界発光素子材料を表す。燐光発光性化合物の欄中、比較とは、比較燐光発光性化合物を表す。ディスコティック液晶性ホスト化合物の欄中、非液晶とは、非液晶性ホスト化合物を表す。表1からわかるように、燐光発光性化合物のアスペクト比が3より大きく、燐光発光性化合物の分子コア直径とディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径とのサイズ比が0.8~1.2となる有機電界発光素子用材料は、オーダーパラメーター並びに偏光発光比が高いことが確認された。実施例13<評価基板1の作製><<水平配向発光の確認>>25mm×25mm×0.7mmの石英ガラス基板を洗浄し、UVオゾン処理した後、配向膜日産化学製水平配向膜SE-130をスピンコート塗布し、100°Cで10分、その後180°Cで1時間加熱することで下地基板を得た。ディスコティック液晶性ホスト化合物192mg、燐光発光性化合物17mg及び下記構造式で表されるフッ素原子含有化合物11mgの固形分含有率2のTHF溶液を調製し、窒素雰囲気下で作製した下地基板上にスピンコート500rpm、5秒間、その後2,000rpm、20秒間させた。50°Cにて真空乾燥し、評価基板1を作製した。評価基板1を偏光顕微鏡クロスニコルで観察したところ、暗視野であり水平配向していることを確認した。なお、一般にディスコティック液晶は、分子平面内の屈折率に異方性を持たないため、前記条件下では水平配向している場合に、暗視野となり、水平配向していない場合には、明視野となる。実施例14~18<評価基板2~6の作製><<水平配向発光の確認>>下記表2に示されるディスコティック液晶性ホスト化合物92mg、燐光発光性化合物7mgを用いた以外は、評価基板1の作製方法と同様の方法で評価基板2~6を作製した。評価基板2~6を偏光顕微鏡クロスニコルで観察したところ、暗視野であり水平配向していることを確認した。比較例10<比較評価基板1の作製>実施例13において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を特開平10-321371号公報に記載されているディスコティック液晶性ホスト化合物2に代えた以外は実施例13と同様にして、比較評価基板1を作製した。比較例11<比較評価基板2の作製>実施例13において、燐光発光性化合物1を特開平10-321371号公報に記載の比較燐光発光性化合物1に代えた以外は、実施例13と同様にして比較評価基板2を作製した。比較例12<比較評価基板3の作製>実施例13において、燐光発光性化合物1を特開2002-43056号公報に記載の比較燐光発光性化合物2に代えた以外は、実施例13と同様にして比較評価基板3を作製した。比較例13<比較評価基板4の作製>比較例12において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を上記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物2に代えた以外は、比較例2と同様にして比較評価基板4を作製した。比較例14<比較評価基板5の作製>比較例12において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を特開2002-43056号公報に記載のディスコティック液晶性ホスト化合物3に代えた以外は、比較例12と同様にして比較評価基板5を作製した。比較例15<比較評価基板6の作製>実施例13において、燐光発光性化合物1を上記構造式で表される比較燐光発光性化合物3に代えた以外は、実施例13と同様にして比較評価基板6を作製した。比較例16<比較評価基板7の作製>実施例13において、ディスコティック液晶性ホスト化合物1を上記構造式で表される非液晶性ホスト化合物1NPDに代えた以外は、実施例13と同様にして、比較評価基板7を作製した。比較例17<比較評価基板8の作製>実施例13において、燐光発光性化合物1を上記構造式で表される比較燐光発光性化合物4に代えた以外は、実施例13と同様にして、比較評価基板8を作製した。比較例18<比較評価基板9の作製>比較例10において、燐光発光性化合物1を上記構造式で表される比較燐光発光性化合物5に代えた以外は、比較例10と同様にして、比較評価基板9を作製した。評価基板1~6及び比較評価基板1~9の評価<PL発光分布評価>作製した評価基板1に対し、PL発光分布測定変角測定を行った駿河精機製自動θステージ使用。各角度において得られた輝度の総和で規格化し、その90°方向基板法線方向における評価基板と非液晶性ホスト化合物1を用いた等方的発光する比較評価基板7に対する発光強度比を算出し、発光分布とした。結果を表2に示す。評価基板2~6及び比較評価基板1~9についても同様に行った。表2中、比較基板とは、比較評価基板を表す。燐光発光性化合物の欄中、比較とは、比較燐光発光性化合物を表す。ディスコティック液晶性ホスト化合物の欄中、非液晶とは、非液晶性ホスト化合物を表す。表2から、燐光発光性化合物のアスペクト比が3より大きく、燐光発光性化合物の分子コア直径とディスコティック液晶性ホスト化合物の分子半径とのサイズ比が0.8~1.2となる有機電界発光素子用材料は、発光分布が高いことから正面方向の輝度が増加することがわかる。実施例19<有機電界発光素子Aの作製>-塗布液1の調製-上記構造式で表される燐光発光性化合物10.1質量、上記構造式で表されるディスコティック液晶性ホスト化合物10.9質量に、MEKメチルエチルケトン99.0質量を混合し、有機電界発光素子用塗布液塗布液1を得た。-有機電界発光素子Aの作製-25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上にITOを150nmの厚みで蒸着し製膜したものを透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング及び洗浄した。このITOガラス基板上に、下記構造式で表されるPTPDES-2ケミプロ化成製、Tg=205°C2質量部を電子工業用シクロヘキサノン関東化学製98質量部に溶解し、厚みが約40nmとなるようにスピンコート2,000rpm、20秒間、した後、120°Cで30分間乾燥と160°Cで10分間アニール処理することで、正孔注入層を成膜した。この正孔注入層上に前記塗布液1をグローブボックス露点-68度、酸素濃度10ppm内で厚みが約40nmとなるようにスピンコート1,300rpm、30秒間、し、発光層とした。次いで、発光層上に、電子輸送層として、下記構造式で表されるBAlqビス-2-メチル-8-キノリノラト-4-フェニル-フェノラト-アルミニウムIIIを、厚みが40nmとなるように真空蒸着法にて形成した。電子輸送層上に、電子注入層としてフッ化リチウムLiFを、厚みが1nmとなるように真空蒸着法にて形成した。更に金属アルミニウムを70nm蒸着し、陰極とした。以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグロ-ブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株製を用いて封止することで、有機電界発光素子Aを作製した。実施例20~24<有機電界発光素子B~Fの作製>実施例19において、塗布液1に含まれる燐光発光性化合物1及びディスコティック液晶性ホスト化合物1をそれぞれ、下記表3に示す組み合わせの燐光発光性化合物及びディスコティック液晶性ホスト化合物に変更した以外は、実施例19と同様にして、有機電界発光素子B~Fを作製した。比較例19及び20<有機電界発光素子a及びbの作製>実施例19において、塗布液1に含まれる燐光発光性化合物1及びディスコティック液晶性ホスト化合物1をそれぞれ、表3に示す組み合わせの燐光発光性化合物及びディスコティック液晶性ホスト化合物変更した以外は、実施例19と同様にして、有機電界発光素子a及びbを作製した。有機電界発光素子の評価<外部量子効率>KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計BM-8を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーPMA-11を用いて測定した。これらを元に輝度が1,000cd/m2付近の外部量子効率を輝度換算法により算出した。なお、比較発光材料1を用いた比較例19の外部量子効率を1としたときの相対値を算出した。<素子耐久性評価>初期の発光輝度500cd/m2で、室温において、有機電界発光素子A~F、並びにa及びbに定電流を印加して連続的に駆動を行い、発光輝度が1/2に低下するまでの時間を測定した。測定した値を基に、有機電界発光素子aを1としたときの、実施例における有機電界発光素子A~F及びbの輝度半減期を相対的に評価した。結果を表3に示す。表3からわかるように、比較例である有機電界発光素子a及びbと比較して、本発明の有機電界発光素子A~Fの方が、外部量子効率及び素子耐久性輝度半減期に優れる結果となった。有機電界発光素子A~F、並びに有機電界発光素子a及びbの材料の電子親和力及びイオン化ポテンシャルはほとんど同じであることから、素子耐久性の差は、燐光発光性化合物の遷移双極子モーメントが、陽極に対して水平に配向されていることによる光取り出し効率の向上に起因すると推測される。実施例25~30、並びに比較例21及び22-有機電界発光素子G~L、並びに有機電界発光素子c及びdの作製-0.7mmの厚み、25mm角のガラス基板上に陽極としてITOIndiumTinOxideを厚み150nmにスパッタ蒸着したのち、エッチング及び洗浄した。ITOを成膜した基板を洗浄容器に入れ、2-プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV-オゾン処理を行った。このガラス基板上に以下の各層を形成した。次に、陽極ITO上に、下記構造式で表される化合物A米国特許出願公開2008/0220265号明細書に記載のCompound15質量部を、電子工業用シクロヘキサノン関東化学製99.5質量部に溶解乃至分散させた正孔注入層塗布液をスピンコートした後、200°Cで30分間乾燥して、厚み5nmの正孔注入層を形成した。なお、前記スピンコート及び乾燥は、グローブボックス露点-60°C、酸素濃度1ppm内で行った。次に、下記構造式で表される化合物B米国特許出願公開2008/0220265号明細書に記載のHTL-110質量部を、トルエン脱水和光純薬製99.0質量部に溶解させて、正孔輸送層塗布液を調製した。この正孔輸送層塗布液を正孔注入層上にスピンコートし、200°Cで30分間乾燥することで厚み18nmの正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上に、ホスト材料としての下記表4で表される化合物9質量部と、発光材料としての下記表4で表される化合物1質量部とを、THF99.0質量部に溶解乃至分散し、モレキュラーシーブ商品名:モレキュラーシーブ3A1/16、和光純薬株式会社製を添加し、グローブボックス中で孔径0.22μmのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でスピンコートし、100°Cで30分間乾燥して、厚み30nmの発光層を形成した。次に、前記発光層上に、BAlqBis-2-methyl-8-quinolinolato-4-phenyl-phenolate-aluminium-IIIを真空蒸着法にて蒸着して、厚み40nmの電子輸送層を形成した。次に、前記電子輸送層上にフッ化リチウムLiFを蒸着して、厚み1nmの電子注入層を形成した。次に、前記電子注入層上に金属アルミニウムを蒸着し、厚み70nmの陰極を形成した。作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株製を用いて封止した。以上のようにして得られた有機電界発光素子G~L、並びにc及びdについて、実施例19と同様の評価を行った。結果を表4に示す。表4からわかるように、比較例である有機電界発光素子c及びdと比較して、本発明の有機電界発光素子G~Lの方が、外部量子効率及び素子耐久性輝度半減期に優れる結果となった。実施例31~36、並びに比較例23及び24-正孔注入層PEDOT/ナフィオン用塗布液の合成-ナフィオン登録商標DE521水性コロイド状分散液5.0の60g、脱イオン水240g、及び過硫酸ナトリウム1.0gを500mLのセパラブルフラスコへ量り入れ、N2フローしながら1時間撹拌した。次に、硫酸鉄IIIn水和物和光純薬製、091-02832を350μg添加した。さらに、3,4-エチレンジオキシチオフェン1.5gを添加し、4時間撹拌した。イオン交換樹脂レバチット登録商標S100ランクセス社製の10g、及び、イオン交換樹脂レバチット登録商標MP62WSランクセス社製の10gを加え、1時間撹拌することによって反応を停止させた。なお、2つのイオン交換樹脂は、使用前に水に何の色もなくなるまで別々に脱イオン水で洗浄した。このようにして得られた分散液をろ過により、イオン交換樹脂を分離し、PEDOTポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ナフィオンの水分散液を得た。得られた水分散液に1Nの塩酸を添加し、遠心分離処理後、固形分を回収し、脱イオン水を添加し、再度遠心分離処理を施すことによって、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTと酸ポリマーとを含有するスラリーを回収した。このスラリー99.85質量部と、硬化剤としてフェネチルトリメトキシシラン0.15と、あらかじめモレキュラーシーブス3A1/8和光純薬製を用いて脱水処理をした非水系溶剤イソプロパノールとエチレングリコールとの9:1混合溶剤400質量部とを混合することにより、固形分20質量の正孔注入層用塗布液を調製した。-有機電界発光素子M~R、並びに有機電界発光素子e及びfの作製-0.7mmの厚み、25mm角のガラス基板上に陽極としてITOIndiumTinOxideを厚み150nmにスパッタ蒸着したのち、エッチング及び洗浄した。ITOを成膜した基板を洗浄容器に入れ、2-プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV-オゾン処理を行った。このガラス基板上に以下の各層を形成した。次に、陽極ITO上に、前期正孔注入層塗布液をスピンコートした後、100°Cで10分間乾燥し、150°Cで30分間アニール処理することで、膜厚40nmの正孔注入層を形成した。なお、前記スピンコート及び乾燥は、グローブボックス露点-60°C、酸素濃度1ppm内で行った。次に、上記構造式で表される化合物B米国特許出願公開2008/0220265号明細書に記載のHTL-14質量部を、電子工業用2-ブタノン関東化学製996質量部に溶解させて、正孔輸送層塗布液を調製した。この正孔輸送層塗布液を前記正孔注入層上にスピンコートし、150°Cで30分間乾燥することで厚み10nmの正孔輸送層を形成した。次に、前記正孔輸送層上に、ホスト材料としての下記表5で表される化合物9質量部と、燐光発光材料としての下記表5で表される化合物1質量部とを、THF溶媒990質量部に溶解乃至分散し、モレキュラーシーブ商品名:モレキュラーシーブ3A1/16、和光純薬株式会社製を添加し、グローブボックス中で孔径0.22μmのシリンジフィルターを用いて濾過して調製した発光層塗布液を、グローブボックス中でスピンコートし、100°Cで30分間乾燥して、厚み30nmの発光層を形成した。次に、前記発光層上に、BAlqBis-2-methyl-8-quinolinolato-4-phenyl-phenolate-aluminium-IIIを真空蒸着法にて蒸着して、厚み40nmの電子輸送層を形成した。次に、前記電子輸送層上にフッ化リチウムLiFを蒸着して、厚み1nmの電子注入層を形成した。次に、前記電子注入層上に金属アルミニウムを蒸着し、厚み70nmの陰極を形成した。作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤XNR5516HV、長瀬チバ株製を用いて封止した。以上のようにして得られた有機電界発光素子M~R、並びに有機電界発光素子e及びfについて、実施例19と同様の評価を行った。結果を表5に示す。表5からわかるように、比較例である有機電界発光素子e及びfと比較して、本発明の有機電界発光素子M~Rの方が、外部量子効率及び素子耐久性輝度半減期に優れる結果となった。"