"基板と、前記基板上に積層されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に設けられた凹部と、前記ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、前記半導体層に対し、互いに離れた位置で接続するソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。前記半導体層上の少なくとも中央部に積層する保護膜を設けたことを特徴とする請求項1に記載した薄膜トランジスタ。前記凹部は、ゲート電極と厚さ方向で対向可能な位置にだけ形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜トランジスタ。前記半導体層は、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。前記半導体層は、有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、を有することを特徴とする画像表示装置。前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする請求項6に記載した画像表示装置。請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁体層を形成する工程と、前記ゲート電極と対向する前記ゲート絶縁体層位置に凹部を形成する工程と、前記凹部内に塗布法により半導体層を形成する工程と、前記半導体層上の少なくとも中央部に保護膜を形成する工程と、前記半導体層上の互いに離隔した位置で接続するようにソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。前記凹部の形成は、ドライエッチング法で形成することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。しかしながら、特許文献2の方法においてチャネル部に半導体溶液を注入するには隔壁の形成が必要となる為、通常のトランジスタ作製方法に加えて隔壁材料の成膜、及びパターニングのプロセスを別途行わなければならない。本発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、トランジスタ素子分離を実現することで高性能、高安定の薄膜トランジスタの製造方法を提供する。前記課題を解決するために、本発明のうち請求項1に記載した発明は、基板と、前記基板上に積層されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上に積層されたゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に設けられた凹部と、前記ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、前記半導体層に対し、互いに離れた位置で接続するソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供するものである。次に、請求項2に記載した発明は、前記半導体層上の少なくとも中央部に積層する保護膜を備えることを特徴とする。次に、請求項3に記載した発明は、前記凹部は、ゲート電極と厚さ方向で対向可能な位置にだけ形成されていることを特徴とする。次に、請求項4に記載した発明は、前記半導体層は、金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする。次に、請求項5に記載した発明は、前記半導体層は、有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする。次に、請求項6に記載した発明は、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され且つ前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、を有することを特徴とする画像表示装置を提供するものである。次に、請求項7に記載した発明は、前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置のいずれかであることを特徴とする。次に、請求項8に記載した発明は、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法であって、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁体層を形成する工程と、前記ゲート電極と対向する前記ゲート絶縁体層位置に凹部を形成する工程と、前記凹部内に塗布法により半導体層を形成する工程と、前記半導体層上の少なくとも中央部に保護膜を形成する工程と、前記半導体層上の互いに離隔した位置で接続するようにソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。次に、請求項9に記載した発明は、前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれかであることを特徴とする。次に、請求項10に記載した発明は、前記凹部の形成は、ドライエッチング法で形成することを特徴とする。本発明によれば、ゲート絶縁体層に直接凹部を形成することで、塗布法により所望の場所に半導体層の成膜、及びトランジスタ素子分離を行うことが可能となる。また、トランジスタ素子を安定して駆動することが可能であり、更には、隔壁の形成プロセスが不要な為、製造プロセスの簡易化を図ることが可能である。以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。なお、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの構成は特に限定されない。本実施形態に係る薄膜トランジスタは、図1及び図2に示すように、基板1と、前記基板1上に積層されたゲート電極2及びキャパシタ電極3と、前記基板1上、前記ゲート電極2、及びキャパシタ電極3上に積層されたゲート絶縁体層4と、前記ゲート絶縁体層4に設けられた凹部11と、前記ゲート絶縁体層4の凹部11内に形成された半導体層5と、前記半導体層5に対し、互いに離れた位置で接続するソース電極7及びドレイン電極8と、を有する。凹部11はゲート電極2の直上に形成されている。また、薄膜トランジスタは基板1上に複数形成されている。前記凹部11の形状は、凹部11内に形成される半導体層5がソース電極7、ドレイン電極8と接続できるようになっていれば良いが、少なくともゲート電極2の直上ゲート電極2と厚さ方向で対向する位置で、ゲート電極2直上からはみ出ることなく形成されていることが望ましい。凹部11は、図4に示すように、ゲート電極2上に複数形成され、凹部11は互いに接続せずに離間して形成されていることが望ましい。凹部11の形状としては例えば、ゲート電極2の長辺と平行な長辺を持つ長方形や、楕円などがあるが、これに限るものではなく、後述する凹部11の形成方法であるドライエッチング法で形成できる形状であればどのような形状でも良い。本実施形態の基板1として、具体的にはポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフォン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレンテトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラス及び石英等を使用することができる。但し、本発明の基板1はこれらに限定されるものではない。これらは単独として使用してもよいが、二種以上を積層した複合の基板1として使用してもよい。本実施形態の基板1が有機物フィルムである場合は、薄膜トランジスタの素子の耐久性を向上させるために透明のガスバリア層図示せずを形成することができる。ガスバリア層としては酸化アルミニウムAl2O3、酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素SiN、酸化窒化ケイ素SiON、炭化ケイ素SiC及びダイヤモンドライクカーボンDLCなどが挙げられる。但し、本発明の基板1はこれらに限定されるものではない。またこれらのガスバリア層は2層以上積層して使用することもできる。ガスバリア層は有機物フィルムを用いた基板1の片面だけに形成してもよいし、両面に形成しても構わない。ガスバリア層は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法、ホットワイヤーCVD法及びゾル-ゲル法などを用いて形成することができるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。本実施形態のゲート電極2、キャパシタ電極3、ソース電極78、及びドレイン電極89には、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化カドミウムCdO、酸化インジウムカドミウムCdIn2O4、酸化カドミウムスズCd2SnO2、酸化亜鉛スズZn2SnO4、酸化インジウム亜鉛In-Zn-O等の酸化物材料が好適に用いられる。またこの酸化物材料に不純物をドープすることも導電率を上げるために好ましい。例えば、酸化インジウムにスズやモリブデン、チタンをドープしたもの、酸化スズにアンチモンやフッ素をドープしたもの、酸化亜鉛にインジウム、アルミニウム、ガリウムをドープしたものなどである。この中では特に酸化インジウムにスズをドープした酸化インジウムスズ通称ITOが低い抵抗率のために特に好適に用いられる。またAu、Ag、Cu、Cr、Al、Mgなどの金属材料も好適に用いられる。また導電性酸化物材料と低抵抗金属材料を複数積層したものも使用できる。この場合、金属材料の酸化や経時劣化を防ぐために導電性酸化物薄膜/金属薄膜/導電性酸化物薄膜の順に積層した3層構造が特に好適に用いられる。またPEDOTポリエチレンジオキシチオフェン等の有機導電性材料も好適に用いることができる。ゲート電極2、ソース電極7及びドレイン電極8は全て同じ材料であっても構わないし、また全て違う材料であっても構わない。しかし、工程数を減らすためにソース電極78とドレイン電極89は同一の材料であることがより望ましい。これらの電極2,3,8,9は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVDChemicalVaporDeposition、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、またはスクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法等で形成することができるが、これらに限定されるものではない。本実施形態に係る薄膜トランジスタに用いられるゲート絶縁体層4として用いられる材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMAポリメチルメタクリレート等のポリアクリレート、PVAポリビニルアルコール、PSポリスチレン、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。ゲートリーク電流を抑えるためには、絶縁材料の抵抗率は1011Ωcm以上、特に1014Ωcm以上であることが好ましい。ゲート絶縁体層4は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成される。これらのゲート絶縁体層4は膜の成長方向に向けて組成を傾斜したものもまた好適に用いられる。本実施形態に係る薄膜トランジスタのゲート絶縁体層4上に形成された凹部11は、図1~図4に示すように、ゲート電極2の直上に位置し、かつ互いの凹部は離間して設けられており、従来のドライエッチング技術を用いてゲート絶縁体層4に直接形成される。本実施形態に係る薄膜トランジスタに用いる半導体層5としては、有機物又は金属酸化物を主成分とする有機半導体材料又は酸化物半導体材料が使用でき、これらの材料を溶媒に溶解又は分散させたインキを塗布法により凹部11上に塗布することで有機半導体層又は酸化物半導体層が形成される。有機半導体材料としては、ポリチオフェン、ポリアリルアミン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子系有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、ペリレン、およびそれらの誘導体のような低分子系有機半導体材料を用いてもよい。しかしながら、低コスト化、フレキシブル化、大面積化を考慮すると塗布法が適用できる有機半導体材料を用いることが望ましい。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物や半導体ナノ粒子分散液なども半導体材料として用いてもよい。有機半導体材料を溶解分散させるための溶媒としては、テトラヒドロフランやジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン系溶媒、エタノール、やIPA等のアルコール系溶媒、クロロホルムや1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、キシレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒、N-メチルピロリドン、スルホラン、2硫化炭素、さらには水等が挙げられ、これらを単独で用いても、混合して用いても良い。有機半導体層5を形成する塗布法としては、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートなど、公知の方法を用いることが出来る。酸化物半導体材料としては、亜鉛Zn、インジウムIn、スズSn、タングステンW、マグネシウムMg及びガリウムGaのうち一種類以上の元素を含む酸化物である、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウムIn2O3、酸化インジウム亜鉛In-Zn-O、酸化スズSnO2、酸化タングステンWO及び酸化亜鉛ガリウムインジウムIn-Ga-Zn-Oなどの材料が挙げられるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。これらの材料の構造は単結晶、多結晶、微結晶、結晶とアモルファスとの混晶、ナノ結晶散在アモルファス、アモルファスのいずれであってもかまわない。酸化物半導体材料を溶解分散させるための溶媒としては、テトラヒドロフランやジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチルケトン等のケトン系溶媒、エタノール、やIPA等のアルコール系溶媒、クロロホルムや1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、キシレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒、N-メチルピロリドン、スルホラン、2硫化炭素、さらには水等が挙げられ、これらを単独で用いても、混合して用いても良い。酸化物半導体層5を形成する塗布法としては、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートなど、公知の方法を用いることが出来る。本実施形態に係る保護膜6として用いられる材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMAポリメチルメタクリレート等のポリアクリレート、PVAポリビニルアルコール、PSポリスチレン、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。薄膜トランジスタに電気的影響を与えないためには、保護膜6の抵抗率は1011Ωcm以上、特に1014Ωcm以上であることが好ましい。保護膜6は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成される。これらの保護膜6は膜の成長方向に向けて組成を傾斜したものもまた好適に用いることができる。画像表示装置次に、図2に記載の薄膜トランジスタを用いた画像表示装置を、図3を参照して説明する。画像表示装置は、図3に示すように、上述の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極7及び前記ドレイン電極8上に形成された層間絶縁膜9と、前記層間絶縁膜9上に形成され且つ前記ドレイン電極8に電気的に接続された画素電極10と、前記画素電極10上に形成された共通電極を含む表示媒体と、を有する。本実施形態に係る層間絶縁膜9としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア及び酸化チタン等の無機材料、または、ポリメチルメタクリレートPMMAなどのポリアクリレート、ポリビニルアルコールPVA、ポリスチレンPS、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ樹脂及びポリビニルフェノールなどの有機材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるものではない。層間絶縁膜9はゲート絶縁体層4と同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。これらの層間絶縁膜9は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。層間絶縁膜9は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法などの方法を用いて形成することができるが本発明ではこれらに限定されるものではない。本実施形態に係る画素電極10は、薄膜トランジスタのドレイン電極8と電気的に接続していなければならない。具体的には、層間絶縁膜9をスクリーン印刷法などの方法でパターン印刷してドレイン電極8の部分に層間絶縁膜9を設けない方法や、層間絶縁膜9を全面に塗布し、そのあとレーザビーム等を用いて層間絶縁膜9に穴を空ける方法などが挙げられるが、本発明ではこれらに限定されるものではない。本発明の薄膜トランジスタに組み合わせる表示媒体表示装置としては、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置などが挙げられる。実施例1本発明者は、ゲート絶縁体層4上に直接凹部11を形成し実施例、塗布法により半導体活性層半導体層5を成膜した画像表示装置図3と、ゲート絶縁体層上に別途隔壁を形成し比較例、塗布法により半導体活性層を成膜した画像表示装置図6を作製し、両者の特性の関係について検討した。また、本発明者は、ゲート絶縁体層4の材料として酸化窒化ケイ素SiONを、半導体層5の材料としてIn―Zn―O系酸化物を、隔壁材料としてポリイミドを用いて画像表示装置を作製した。基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを100nm成膜し、感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、塩酸によりエッチングを行い、剥離液により感光型フォトレジストを剥離し、ITOのパターニングを行い、ゲート電極2及びキャパシタ電極3にした以下、フォトリソグラフィー法と言う。次にRFマグネトロンスパッタ法により基板1と接するSiONからなるゲート絶縁体層4膜厚400nmを成膜した。成膜後、感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、反応性イオンエッチング以下、RIEと言うによりゲート電極2の直上に離間して、ゲート絶縁体層4に直接凹部11エッチング量40nmを形成した。次に、In―Zn―O系酸化物溶液をインクジェット法により凹部11に直接注入した膜厚40nm。注入後、400°C、30分間ホットプレートにてアニール処理を施した。さらにRFマグネトロンスパッタ法によりSiONからなる保護膜6膜厚80nmを成膜した。半導体層5とソース電極7、及び、半導体層5とドレイン電極8は電気的に接触している必要があるため、半導体層5中央のみに保護膜6が残るように感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、RIEにより保護膜6を形成した。DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを100nm成膜し、ソース電極7とドレイン電極8を形成した。更に、スピンコート方によりエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜93μmを形成し、フォトリソグラフィー法によりドレイン電極8と画素電極10との接触箇所となる開口部を形成し、DCマグネトロンスパッタリング法によりITOを膜厚100nmに成膜し、所望の形状にパターニングを行い、画素電極10として薄膜トランジスタを作製した。作製した薄膜トランジスタ上に、表示媒体12として電気泳動方式電子ペーパー前面板を貼り付け、画像表示装置を作製した。比較例図5及び図6に示すように、基板1上に、DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを100nm成膜し、フォトリソグラフィー法により、ゲート電極2及びキャパシタ電極3にした。次にRFマグネトロンスパッタ法により基板1と接するSiONからなるゲート絶縁体層4膜厚200nmした。続いて、隔壁13の形成を行った。東レ社製、フォトニース、商品名DL-1000で表示されるポジ型感光性ポリイミドを全面スピンコートした。感光性ポリイミドは、隔壁13の高さを40nmとするように約40nmの厚さで塗布した。次に、全面に塗布した感光性ポリイミドに対し、フォトリソグラフィー法により露光、現像を行い、ゲート絶縁体層4上に配置される隔壁13を形成した。隔壁13のパターンは230°C、30分間オーブンにて焼成を行った。次に、In―Zn―O系酸化物溶液をインクジェット法により凹部11に直接注入した膜厚40nm。注入後、ホットプレートにて400°Cでアニール処理を施した。さらにRFマグネトロンスパッタ法によりSiONからなる保護膜6膜厚80nmを成膜した。半導体層5とソース電極7、及び、半導体層5とドレイン電極8は電気的に接触している必要があるため、半導体層5中央のみに保護膜6が残るように感光性フォトレジストを塗布後、露光し、現像液により現像を行い、RIEにより保護膜6を形成した。DCマグネトロンスパッタ法を用いてITOを100nm成膜し、ソース電極7とドレイン電極8を形成した。更に、スピンコート方によりエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜93μmを形成し、フォトリソグラフィー法によりドレイン電極8と画素電極10との接触箇所となる開口部を形成し、DCマグネトロンスパッタリング法によりITOを膜厚100nmに成膜し、所望の形状にパターニングを行い、画素電極10として薄膜トランジスタを作製した。作製した薄膜トランジスタ上に、表示媒体12として電気泳動方式電子ペーパー前面板を貼り付け、画像表示装置を作製した。画像表示装置を駆動した結果、隔壁13を設けなかった画像表示装置においても隔壁13を設けた画像表示装置と同等の良好な画像表示を行うことができた。ゲート絶縁体層4上に直接凹部11を設けることで、従来の画像表示装置よりも隔壁13の作製プロセスを省け、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことができた。結果として、安定した特性を示す薄膜トランジスタの製造プロセスの簡易化を図ることができた。"