表面にめっき層が形成された部品であって、金属材料で形成された本体部と、前記本体部の表面を被覆するように形成され、又は、前記本体部の表面を被覆するように形成された下地めっき層の表面を被覆するように形成された、ポーラスめっき層と、Sn又はSn合金によって前記ポーラスめっき層の表面を被覆するように形成されるとともに、外部に対して露出する表層めっき層と、を備え、前記ポーラスめっき層は、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造が分散して形成された多孔質体として構成され、前記表層めっき層は、前記ポーラスめっき層の表面において分散して形成された前記ポーラス構造を覆うように形成されていることを特徴とする、部品。請求項1に記載の部品であって、他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有するとともに表面にめっき層が形成された電子部品として設けられていることを特徴とする、部品。請求項1又は請求項2に記載の部品であって、前記ポーラスめっき層を形成する金属は、Ni又はNi合金であることを特徴とする、部品。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の部品であって、前記下地めっき層が備えられ、前記下地めっき層と前記ポーラスめっき層とが、同じ金属によって形成され、又は、同じ金属の合金によって形成され、或いは、一方が所定の金属によって形成されるとともに他方がその所定の金属を含む合金によって形成されていることを特徴とする、部品。特許文献1においては、Snめっき後にリフロー処理を施すことでウィスカの発生を抑制する方法が開示されている。しかしながら、リフロー処理が施されると、めっき層中のSn又はSn合金が、部品表面の形状等の要因により、溶融した際に表面張力によって凝集し易くなり、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じ易くなってしまう。これにより、Sn又はSn合金と母材又は下地めっき層の金属との合金層が露出或いは酸化し易くなってしまうという問題がある。とくに、実装処理が施される電子部品等のようにはんだ付けが行われる部品の場合、上記の問題は、はんだ濡れ性の低下の要因となってしまう。また、部品によっては、その表面のSnめっき層を外部の他の部材が摺動したり加圧したりする状態で用いられることが多い。このため、そのような部品においては、Sn又はSn合金のめっき層に対して作用する外力の影響によって、Sn又はSn合金が局所的に掻き集められるように変形及び変位し、Sn又はSn合金の凝集が発生してしまい易い。そして、Sn又はSn合金のめっき層では、上記のような凝集が発生すると、ウィスカの発生及び成長が促進されてしまい易い傾向がある。そして、特許文献1に開示された部品のように、リフロー処理が施された部品であっても、上記のように、Sn又はSn合金のめっき層に対して作用する外力の影響によって、ウィスカの発生及び成長が促進されてしまい易い傾向があり、更なる抑制が望まれる状況にある。本発明は、上記実情に鑑みることにより、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じてしまうことを抑制でき、Sn又はSn合金によって形成された表層のめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生及び成長を抑制することができる、部品を提供することを目的とする。上記目的を達成するための第1発明に係る部品は、表面にめっき層が形成された部品であって、金属材料で形成された本体部と、前記本体部の表面を被覆するように形成され、又は、前記本体部の表面を被覆するように形成された下地めっき層の表面を被覆するように形成された、ポーラスめっき層と、Sn又はSn合金によって前記ポーラスめっき層の表面を被覆するように形成されるとともに、外部に対して露出する表層めっき層と、を備え、前記ポーラスめっき層は、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造が分散して形成された多孔質体として構成され、前記表層めっき層は、前記ポーラスめっき層の表面において分散して形成された前記ポーラス構造を覆うように形成されていることを特徴とする。この構成によると、部品の本体部を構成する母材の金属は、直接に又は下地めっき層を介して、多孔質体としてのポーラスめっき層で被覆される。そして、ポーラスめっき層の表面に、Sn又はSn合金によって形成された表層めっき層が被覆される。更に、表層めっき層は、ポーラスめっき層の表面に分散するポーラス構造を覆ってポーラスめっき層を被覆するように形成される。上記により、表層めっき層に対して外部の他の部材が摺動或いは加圧等することで外力を作用させる場合であっても、表層めっき層におけるSn又はSn合金の凝集を抑制することができる。即ち、表層めっき層に外力が作用した場合、表層めっき層における外力が作用した部分及びその近傍のSn又はSn合金の少なくとも一部は、変形及び変位する。そして、変形及び変位するSn又はSn合金の一部は、ポーラスめっき層の表面のポーラス構造に対して埋め込まれることになる。これにより、表層めっき層に対して外力が作用する場合であっても、表層めっき層のSn又はSn合金が局所的に掻き集められて凝集してしまうような状態が発生することが抑制される。そして、表層めっき層のSn又はSn合金の凝集が抑制されることで、ウィスカの発生及び成長が抑制されることになる。また、表層めっき層に外力が作用した際にポーラス構造に埋め込まれるようにSn又はSn合金が変形及び変位するため、外力が作用することで発生する応力も低減されることになる。これにより、表層めっき層における外力が作用した部分の残留応力も低減され、ウィスカの発生及び成長も抑制されることになる。また、上記の部品によると、ポーラスめっき層を形成するとともに更にそのポーラス構造の表面にSn又はSn合金の表層めっき層をポーラス構造を覆うように形成する構成によって、表層めっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生及び成長が十分に抑制される。このため、Sn又はSn合金の表層めっき層を形成した後に、ウィスカ対策としてのリフロー処理を施すことが不要となる。これにより、表層めっき層中のSn又はSn合金が溶融によって凝集してしまうことが防止されることになり、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じてしまうことが抑制されることになる。よって、Sn又はSn合金と母材又は下地めっき層の金属との合金層が露出或いは酸化しやすくなってしまうことを抑制できる。更に、はんだ付けが行われる部品である場合であっても、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じることが抑制されるため、はんだ濡れ性の低下が生じることも抑制できる。従って、上記の構成によると、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じてしまうことを抑制でき、Sn又はSn合金によって形成された表層のめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生及び成長を抑制することができる、部品を提供することができる。第2発明に係る部品は、第1発明の部品が、他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有するとともに表面にめっき層が形成された電子部品として設けられていることを特徴とする。コネクタ、端子、スイッチ、或いはリレー、等のように、他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有する電子部品は、表層のめっき層に対して外力が作用する環境で用いられることが多い。しかし、上記の構成の電子部品は、Sn又はSn合金によって形成された表層のめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生及び成長を抑制することができる。また、ウィスカの発生及び成長が抑制されるため、上記の構成の電子部品によると、ウィスカによって電気的な短絡が誘発されてしまうことも抑制される。尚、電気接点部を有する電子部品に対してウィスカ対策としてのリフロー処理が施された場合、凸状に形成された電気接点部の表面において、溶融したSn又はSN合金が表面張力によって盛り上がって厚くなってしまい易いという問題がある。この場合、更に、電気接点部においてウィスカが成長し易くなってしまうという問題がある。しかし、上記の構成の電子部品によると、ウィスカ対策としてのリフロー処理が不要であり、電気接点部におけるウィスカの発生及び成長も抑制されることになる。また、上記の構成の電子部品は、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じることが抑制される。このため、Sn又はSn合金と母材又は下地めっき層の金属との合金層が露出或いは酸化しやすくなってしまうことを抑制でき、はんだ濡れ性の低下が生じることも抑制できる。第3発明に係る部品は、第1発明又は第2発明の部品において、前記ポーラスめっき層を形成する金属は、Ni又はNi合金であることを特徴とする。この構成によると、ポーラスめっき層が、表層めっき層を形成するSn又はSn合金に対して、イオン化傾向の差が小さい、即ち、標準電極電位差が小さい、Ni又はNi合金で形成される。このため、ポーラスめっき層と表層めっき層との間において、電池の形成が抑制され、腐食の発生が抑制される。第4発明に係る部品は、第1発明乃至第3発明のいずれかの部品において、前記下地めっき層が備えられ、前記下地めっき層と前記ポーラスめっき層とが、同じ金属によって形成され、又は、同じ金属の合金によって形成され、或いは、一方が所定の金属によって形成されるとともに他方がその所定の金属を含む合金によって形成されていることを特徴とする。この構成によると、下地めっき層とポーラスめっき層とが、同じ金属同士、又は、同じ金属の合金同士、或いは、所定の金属とその合金とによって形成される。このため、下地めっき層とポーラスめっき層との間において、電池の形成が抑制され、腐食の発生が抑制される。また、下地めっき層が設けられるため、母材の金属が露出してしまうことが確実に防止される。本発明によると、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じてしまうことを抑制でき、Sn又はSn合金によって形成された表層のめっき層に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生及び成長を抑制することができる、部品を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。尚、本実施形態の説明においては、コネクタ用の端子として構成された電子部品に対して本発明が適用された場合を例にとって説明するが、この例に限らず、本発明を適用することができる。本発明は、Sn又はSn合金によって表層のめっき層が形成された金属製の部品に関して、広く適用することができるものである。即ち、端子以外の電子部品に対して本発明が適用されてもよく、また、電子部品以外の金属製の部品に対して本発明が適用されてもよい。図1は、本実施形態における部品として構成されたコネクタ用の端子1がコネクタ100において取り付けられた状態を示す断面図である。コネクタ100は、例えば、フラットケーブル101の端部が接続されるコネクタとして構成されている。尚、図1は、コネクタ100の幅方向に対して垂直な断面を示している。そして、図1においては、コネクタ100におけるハウジング部材102及び回動部材103と、端子1に対して電気的に接続されるフラットケーブル101とについては、断面で図示し、端子1については外形を図示している。図1に示すように、コネクタ100は、ハウジング部材102と、回動部材103と、本実施形態の端子部品1とを備えて構成されている。尚、端子1は、コネクタ100において複数備えられている。ハウジング部材102及び回動部材103は、絶縁性材料として構成された樹脂材料によって形成されている。端子1は、金属材料で形成され、例えば、リン青銅によって形成されている。そして、後述するように、端子1の表面にはめっき層が形成されている。ハウジング部材102には、複数の端子1のそれぞれが挿入される複数の挿入口102aが形成され、各挿入口102aは、ハウジング部材102の内側の空間領域後述の開放領域102bに連通するように形成されている。尚、複数の挿入口102aは、コネクタ100の幅方向に直列に並んで配置されている。そして、ハウジング部材102における複数の挿入口102aと反対側において外部に対して開放されるように形成された開放領域102bは、フラットケーブル101の端部が配置される領域を構成している。また、開放領域102bに配置されるフラットケーブル101の端部は、絶縁被覆が剥がされて導体が露出し、端子1と電気的に接続可能な状態に形成されている。尚、フラットケーブル101は、例えば、フレキシブルフラットケーブル或いはフレキシブルプリント回路基板等として設けられ、平行に配列された複数の導体が一体に絶縁被覆されることで形成されている。端子1は、一方の端部おいて、二股状に突出するように形成された一対の突出片部1a、1bが形成され、他方の端部において、図示しない他の機器や基板等に対して実装等によって取り付けられる。そして、端子1は、この一対の突出片部1a、1bにおいて、ハウジング部材102の挿入孔102aに挿入される。このとき、端子1は、ハウジング部材102に対して挿入口102aにおいて圧入される状態で挿入される。また、端子1における一方の突出片部1aには、フラットケーブル101の端部における各導体に対して電気的に接続される電気接点部1cが突起状に形成されている。また、端子1における他方の突出片部1bには、後述の回動部材103における各回転軸部103aの外周に対して摺動自在に係止する係止凹部1dが形成されている。尚、上述のように、本実施形態における部品を構成する端子1は、他の部材であるフラットケーブル101に対して電気的に接続される電気的接点部1cを有するとともに表面にめっき層が形成された本実施形態における電子部品も構成している。回動部材103は、ハウジング部材102及び複数の端子1に対して回動するように操作されるレバー状の部材として設けられるとともに、フラットケーブル101の端部の各導体を各端子1に対して加圧した状態で押し付ける部材として設けられている。そして、この回動部材103は、ハウジング部材102の幅方向に沿って延びるとともにハウジング部材102の開放領域102bを部分的に覆うように形成されている。また、回動部材103は、一方の端部側が回動操作用の操作部103bとして形成され、他方の端部側に複数の溝部103cが幅方向に沿って並んで配置されるように形成されている。各溝部103cは、各端子1における他方の突出片部1bの先端部分が挿入される溝部を構成している。そして、各溝部103cには、この溝部103cに亘って架け渡されるように形成された各回転軸部103aが配置されている。この各回転軸部103aの外周に対しては、前述のように、端子1の他方の突出片部1bにおける係止凹部1dが摺動自在に係止される。これにより、回動部材103は、各回転軸部103aにおいて各端子1の係止凹部1dに係止した状態で、複数の端子1に対して回動自在に支持されるように構成されている。コネクタ100においては、ハウジング部材102に対して、各挿入口102aから各端子1が圧入される。そして、ハウジング部材102に対して複数の端子1が全て圧入された状態で、回動部材103が取り付けられる。このとき、回動部材103は、ハウジング部材103に対して略垂直な姿勢で、各回転軸部103aにおいて各端子1の係止凹部1dに係止される。各回転軸部103aが各係止凹部1dに係止されることで、複数の端子1に対して回動部材103が回動自在に支持されることになる。上記のようにコネクタ100が組み立てられた状態で、フラットケーブル101の端部が、開放領域102bに配置された複数の端子1におけるそれぞれの一対の突出片部1a、1bの間に挿入される。このとき、回動部材103がハウジング部材102に対して略垂直な姿勢の状態のコネクタ100において、フラットケーブル101の端部が各一対の突出片部1a、1bの間に挿入される。そして、フラットケーブル101の端部が挿入された後、操作部103bが操作されることにより、回動部材103が、各回転軸部103aにおいて各係止凹部1dに摺動しながら複数の端子1に対して回動する。これにより、回動部材103においてフラットケーブル101に対向する面として設けられた加圧面103dによって、フラットケーブル101の端部の各導体が各端子1における電気接点部1cに対して押し付けられて、各導体と各電気接点部1cとが電気的に接続されることになる。そして、フラットケーブル101の端部の各導体が各端子1の電気接点部1cを加圧した状態で、フラットケーブル101の端部がコネクタ1に保持され、コネクタ100とフラットケーブル101とが接続されることになる。次に、本実施形態の部品及び電子部品である端子1における表面のめっき層の構造について詳しく説明する。図2は、端子1の表面における一部の断面について模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。尚、図2では、ハウジング部材102に圧入された端子1が電気接点部1cにおいてフラットケーブル101の導体と接触する部分における模式拡大断面図を示している。図2に示すように、端子1は、本体部11と、下地めっき層12と、ポーラスめっき層13と、表層めっき層14とを備えて構成されている。本体部11は、金属材料例えば、リン青銅などの銅合金で形成された母材を構成している。下地めっき層12は、本体部11の表面を被覆するように形成されている。ポーラスめっき層13は、下地めっき層12の表面を被覆するように形成されている。表層めっき層14は、ポーラスめっき層13の表面を被覆するように形成されている。下地めっき層12は、本体部11の表面に対して、例えば、Niニッケル又はNi合金が被覆されることで形成されている。下地めっき層12は、例えば、電気めっきプロセスにより形成される。尚、下地めっき層12は、無電解めっきプロセスによって形成されてもよい。ポーラスめっき層13は、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造13aが分散して形成された多孔質体として構成されている。また、ポーラスめっき層13を形成する金属は、例えば、Ni又はNi合金として構成されている。上記のように、本実施形態では、下地めっき層12及びポーラスめっき層13を形成する金属が、いずれも、Ni又はNi合金として構成されている。よって、本実施形態では、例えば、下地めっき層12及びポーラスめっき層13が、ともに、Niで形成される。又は、下地めっき層12及びポーラスめっき層13が、ともに、Ni合金で形成される。或いは、下地めっき層12及びポーラスめっき層13の一方がNiで形成されて他方がNi合金で形成される。このように、本実施形態では、下地めっき層12とポーラスめっき層13とが、同じ種類の金属であるNiによって形成され、又は、同じ種類の金属の合金であるNi合金によって形成され、或いは、一方が所定の金属としてのNiによって形成されるとともに他方がその金属を含む合金であるNi合金によって形成されている。ポーラスめっき層13は、種々の公知の方法により形成することができる。例えば、ポーラスめっき層13を電気めっきプロセスによって形成する際に、下地めっき層12の表面に樹脂などの疎水性の微粒子を分散して配置する方法を用いることができる。これにより、導電部と絶縁部との境界部で過電圧を生じさせて微細な水素ガスを多数発生させ、これらの泡をとりこむようにめっき層を析出させる方法を用いることができる。また、異種金属の粉末を混合してポーラスめっき層13の素材金属以外の金属を溶出させる方法を用いることができる。この場合、まず、下地めっき層12の表面において、ポーラスめっき層13の素材金属の粉末と、この素材金属よりも融点が低い他の金属の粉末とを混合して固化させる。そして、その後、低融点の金属を溶出させてポーラスめっき層13を形成する方法を用いることができる。また、スパッタリング法を用いることでポーラスめっき層13を形成してもよい。この場合、スパッタリングによって、下地めっき層12の表面をターゲットとして、ポーラスめっき層13の素材金属と炭素との混合体を蒸着させる。これにより、下地めっき層12の表面に、ポーラスめっき層13の素材金属と炭素との混合膜を形成する。そして、その混合膜を空気等の酸化性雰囲気中にて加熱することによって、多孔質体としてのポーラスめっき層13を形成してもよい。また、ポーラスめっき層13を電気めっきプロセスによって形成する際に、ポーラスめっき層13の素材金属の塩の水溶液中に、炭素或いは樹脂を浮遊又は融解させておく方法を用いることができる。上記の条件下で、電気めっきプロセスを実行することにより、形成されるめっき層中に炭素粉末或いは樹脂粉末が取り込まれることになる。そして、めっき層中に取り込まれた炭素粉末或いは樹脂粉末を加熱処理によって分解或いは消失させることによって、多孔質体としてのポーラスめっき層13を形成してもよい。表層めっき層14は、端子1の表面において最も外側に設けられ、外部に対して露出するめっき層として構成されている。そして、表層めっき層14は、Sn錫又はSn合金によって形成されている。例えば、表層めっき層14は、Snめっき層として、或いは、Sn-Ag5合金めっき層Snが約95でAg銀が約5の組成の合金めっき層として構成される。また、表層めっき層14は、ポーラスめっき層13の表面において分散して形成されたポーラス構造13aを覆うように形成されている。尚、表層めっき層14は、ポーラスめっき層13の表面において分散したポーラス構造13aを完全に覆うように形成されていなくてもよい。表層めっき層14は、ポーラスめっき層13の表面において分散したポーラス構造13aを全体的に覆うように形成されていればよい。表層めっき層14は、例えば、ポーラスめっき層13の表面において、電気めっきプロセスによって形成される。このとき、表層めっき層14の素材金属は、まず、ポーラスめっき層13の表面においてポーラス構造13aを区画するように外側に突出した部分に対して選択的に析出する。そして、Sn又はSn合金の析出が進展することで、析出したSn又はSn合金が、ポーラス構造13aの外側で互いに結合する。更に、結合したSn又はSn合金の外側においても析出が繰り返されることで、ポーラス構造13aを覆う表層めっき層14が形成される。図3は、端子1の表面に外力が作用したときにおける表層めっき層14の変形挙動を模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。表層めっき層14に対して外部の他の部材としてのフラットケーブル101が摺動或いは加圧等することで外力を作用させる場合、図3に模式的に例示するように、表層めっき層14における外力が作用した部分及びその近傍のSn又はSn合金の少なくとも一部が、変形及び変位する。そして、変形及び変位するSn又はSn合金の一部は、ポーラスめっき層13の表面のポーラス構造13aに対して埋め込まれることになる。尚、端子1においては、下地めっき層12の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、1~4μm程度に設定される。ポーラスめっき層13の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、0.5~4μm程度に設定される。また、ポーラスめっき層13のポーラス構造13aの空間領域における最大寸法の平均値は、例えば、ポーラスめっき層13の厚み寸法と同等の寸法水準に設定される。また、表層めっき層14の平均厚み寸法は、Snめっきの場合であれば、その目標値が、例えば、0.5~4μm程度に設定される。また、Sn-Ag5合金めっき層の場合、表層めっき層14の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、0.5~4μm程度に設定される。次に、本発明の効果を検証するために行った検証試験の結果について説明する。検証試験では、本発明の実施例として、本実施形態に対応する実施例に係る端子以下、端子1aというとして、表層めっき層14がSn-Ag5合金めっき層として構成された端子1aを作製した。そして、端子1aの表層めっき層14の平均厚み寸法の目標値は、2μmに設定した。また、検証試験においては、実施例の端子1aと比較するため、下地めっき層12の表面にポーラスめっき層13が設けられておらず、下地めっき層12の表面にSnめっき層が形成された、比較例に係る端子以下、端子C1というの作製も行った。そして、端子C1に対しては、Snめっき層形成後に、リフロー処理を施した。検証試験としては、本発明によるウィスカ発生の抑制効果を検証するため、ウィスカ発生状況確認試験を行った。ウィスカ発生状況確認試験では、実施例に係る端子1aと比較例に係る端子C1とについて、ハウジング部材102に圧入するとともにフラットケーブル101の端部の導体に対して加圧して接続した状態で、常温で放置し、ウィスカの発生状況を確認した。尚、比較例に係る端子C1に関しては、96時間放置し、表層のSnめっき層におけるウィスカ発生状況について、SEMScanningElectronMicroscope:走査型電子顕微鏡による観察を行うことで確認した。一方、実施例に係る端子1aに関しては、96時間放置した状態と、500時間放置した状態とにおいて、表層めっき層14におけるウィスカ発生状況について、SEMによる観察を行うことで確認した。また、比較例に係る端子C1及び実施例に係る端子1aのいずれにおいても、フラットケーブル101の導体が加圧状態で接触する電気接点部においてSEMによる観察を行った。図4は、比較例に係る端子であって96時間放置されるウィスカ発生状況確認試験が行われた端子の電気接点部のSnめっき層の表面を撮影したSEM写真の画像を示す図である。図5は、実施例に係る端子1aであって96時間放置されるウィスカ発生状況確認試験が行われた端子1aの電気接点部の表層めっき層14の表面を撮影したSEM写真の画像を示す図である。図6は、実施例に係る端子1aであって500時間放置されるウィスカ発生状況確認試験が行われた端子1aの電気接点部の表層めっき層14の表面を撮影したSEM写真の画像を示す図である。尚、図4、図5及び図6においては、画像中の寸法を示す尺度が、線分表示で示されている。図4に示すように、比較例に係る端子C1では、リフロー処理が施されていても、100μm程度の長さのウィスカが発生した。そして、この端子C1では、Snめっき層に対して作用する外力の影響によって、Snが掻き集められるように凝集した状態が発生していることが確認された。上記に対し、実施例に係る端子1aでは、図5及び図6に示すように、96時間放置された状態だけでなく、500時間放置された状態においても、ウィスカが発生しなかった。また、表層めっき層14に対して作用する外力の影響によってSn合金が掻き集められるように凝集してしまうことが抑制されていることが確認された。ウィスカ発生状況確認試験以外の検証試験として、実施例に係る端子1aについて、はんだ濡れ性確認試験も行った。このはんだ濡れ性確認試験においては、実施例に係る端子1aについて、プレッシャークッカーテスター部品の耐湿評価の加速寿命試験機を用いて温度が105°C、湿度が100、処理時間が8時間の条件にて処理を行い、その後、リフロー炉を通過させて基板に対して実装し、はんだ濡れ性を確認した。その結果、プレッシャークッカーテスターによって高温高湿度条件を経た後に基板に実装された場合であっても、母材金属及び下地めっき層12の露出が見られず、良好なはんだ濡れ性が端子1aにおいて確保されていることが確認された。以上説明したように、本実施形態によると、端子1の本体部11を構成する母材の金属は、下地めっき層12を介して、多孔質体としてのポーラスめっき層13で被覆される。そして、ポーラスめっき層13の表面に、Sn又はSn合金によって形成された表層めっき層14が被覆される。更に、表層めっき層14は、ポーラスめっき層13の表面に分散するポーラス構造13aを覆ってポーラスめっき層13を被覆するように形成される。上記により、表層めっき層14に対して外部の他の部材であるフラットケーブル101が摺動或いは加圧等することで外力を作用させる場合であっても、表層めっき層14におけるSn又はSn合金の凝集を抑制することができる。即ち、表層めっき層14に外力が作用した場合、表層めっき層14における外力が作用した部分及びその近傍のSn又はSn合金の少なくとも一部は、変形及び変位する。そして、変形及び変位するSn又はSn合金の一部は、ポーラスめっき層13の表面のポーラス構造13aに対して埋め込まれることになる。これにより、表層めっき層14に対して外力が作用する場合であっても、表層めっき層14のSn又はSn合金が局所的に掻き集められて凝集してしまうような状態が発生することが抑制される。そして、表層めっき層14のSn又はSn合金の凝集が抑制されることで、ウィスカの発生及び成長が抑制されることになる。また、表層めっき層14に外力が作用した際にポーラス構造13aに埋め込まれるようにSn又はSn合金が変形及び変位するため、外力が作用することで発生する応力も低減されることになる。これにより、表層めっき層14における外力が作用した部分の残留応力も低減され、ウィスカの発生及び成長も抑制されることになる。また、端子1によると、ポーラスめっき層13を形成するとともに更にそのポーラス構造13aの表面にSn又はSn合金の表層めっき層14をポーラス構造13aを覆うように形成する構成によって、表層めっき層14に対して外力が作用する場合であってもウィスカの発生が十分に抑制される。このため、Sn又はSn合金の表層めっき層14を形成した後に、ウィスカ対策としてのリフロー処理を施すことが不要となる。これにより、表層めっき層14中のSn又はSn合金が溶融によって凝集してしまうことが防止されることになり、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じてしまうことが抑制されることになる。よって、Sn又はSn合金と母材又は下地めっき層12の金属との合金層が露出或いは酸化しやすくなってしまうことを抑制できる。更に、はんだ付けが行われる端子1において、Sn又はSn合金のめっき層の厚みにむらが生じることが抑制されるため、はんだ濡れ性の低下が生じることも抑制できる。従って、端子1によると、Sn又はSn合金のめっき層である表層めっき層14の厚みにむらが生じてしまうことを抑制できる。そして、端子1によると、Sn又はSn合金によって形成された表層めっき層14に対して外力が作用する場合であっても、ウィスカの発生及び成長を抑制することができる。また、電子部品としての端子1は、ウィスカの発生及び成長が抑制されるため、例えば、隣接する端子1同士において、ウィスカによって電気的な短絡が誘発されてしまうことも抑制される。また、従来は、電気接点部を有する電子部品に対してウィスカ対策としてのリフロー処理が施された場合、凸状の電気接点部の表面において、表面張力によってSn又はSn合金が盛り上がり、ウィスカが成長し易い状態となってしまうという問題があった。しかし、本実施形態の電子部品としての端子1によると、ウィスカ対策としてのリフロー処理が不要であり、電気接点部1cにおけるウィスカの発生及び成長も抑制されることになる。また、端子1によると、ポーラスめっき層13が、表層めっき層14を形成するSn又はSn合金に対して、イオン化傾向の差が小さい、即ち、標準電極電位差が小さい、Ni又はNi合金で形成される。このため、ポーラスめっき層13と表層めっき層14との間において、電池の形成が抑制され、腐食の発生が抑制される。また、端子1によると、下地めっき層12とポーラスめっき層13とが、同じ金属同士、又は、同じ金属の合金同士、或いは、所定の金属とその合金とによって形成される。このため、下地めっき層12とポーラスめっき層13との間において、電池の形成が抑制され、腐食の発生が抑制される。また、下地めっき層12が設けられるため、母材の金属が露出してしまうことが確実に防止される。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、次のように変更して実施してもよい。1上述の実施形態では、端子として構成された電子部品に本発明が適用された場合を例にとって説明したが、端子に限らず、本発明を適用することができる。即ち、Sn又はSn合金によって表層のめっき層が形成される金属製の部品であれば、本発明を広く適用することができる。例えば、金属製のコネクタ、金属製のスイッチ、金属製のリレー、等の電子部品に対して本発明が適用されてもよい。また、電気接点部を有する電子部品以外の金属製の部品に対しても本発明が広く適用されてもよい。例えば、コネクタにおける樹脂製のハウジングに取り付けられ、電磁波ノイズ対策としてのシールド機能を発揮する金属製のシールド部品に対して、本発明が適用されてもよい。また、端子として構成される電子部品に本発明が適用される場合であっても、前述の実施形態において例示した端子の形態に限らず、種々変更して実施することができる。例えば、ピン状の端子やソケット状の端子など、種々の形態の端子に対して本発明を適用することができる。2前述の実施形態では、表層めっき層として、Sn-Ag5合金めっき層、或いはSnめっき層を例にとって説明したが、この例に限られなくてもよい。例えば、SnとAgとの組成比がSn-Ag5合金とは異なる合金によって表層めっき層が形成されてもよい。又は、SnとAg以外の金属との合金によって、或いは、SnとAgと他の金属との合金によって、表層めっき層が形成されてもよい。3前述の実施形態では、下地めっき層が設けられた形態を例にとって説明したが、必ずしもこの通りでなくてもよい。即ち、下地めっき層が設けられておらず、ポーラスめっき層が、本体部の表面を被覆するように形成された形態が実施されてもよい。