支持基板の第1主表面にクラッド及びコアが順次積層されて構成された光導波路と、前記コアの上面上に設けられ、かつ前記コアの上面からの離間距離が光の伝播方向に沿って連続的に狭まる反射面を有する、前記光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層とを具えることを特徴とする光結合器。前記光導波路から前記高屈折率層に入射した光は、前記反射面によって反射され、前記支持基板を通過して、該支持基板の前記第1主表面と対向する第2主表面から出射され、及び前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面から、該支持基板を通過して前記高屈折率層に入射する光は、前記反射面によって反射され、前記高屈折率層から前記光導波路に入射されることを特徴とする請求項1に記載の光結合器。前記光導波路から前記高屈折率層に入射した光の、前記反射面に対する入射角が臨界角以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光結合器。前記反射面は、前記コアの上面に対して凹型の湾曲面であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の光結合器。前記クラッドは、酸化シリコンを材料として形成され、前記コアは、単結晶シリコンを材料として形成され、前記高屈折率層は、アモルファスシリコン又は単結晶シリコンを材料として形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の光結合器。請求項1~5のいずれか一項に記載の光結合器の、前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面側に、該第2主表面から出射される光を受光する受光素子が設けられていることを特徴とする光デバイス。請求項1~5のいずれか一項に記載の光結合器の、前記支持基板の前記第1主表面と対向する前記第2主表面側に、該第2主表面へ入射する光を発光する発光素子が設けられていることを特徴とする光デバイス。しかしながら、非特許文献1に開示された光導波路を製造するためには、予め支持基板をAuで被覆しておく必要がある。そのため、製造プロセスが複雑化する。また、特許文献1及び非特許文献1に開示された光導波路では、いずれも高価なAuを利用するため、製造コストが増大する。この発明の目的は、平面型の光導波路と、この光導波路の導波面から外れて設置された光学素子とを結合させることができ、従来と比して、容易でかつ安価なコストで製造できる光結合器を提供することにある。上述の目的の達成を図るため、この発明による光結合器は、光導波路と高屈折率層とを具えている。光導波路は、支持基板の第1主表面にクラッド及びコアが順次積層されて構成されている。高屈折率層は、コアの上面上に設けられ、かつコアの上面からの離間距離が光の伝播方向に沿って連続的に狭まる反射面を有している。また、高屈折率層は、光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高く設定されている。この発明による光結合器では、高屈折率層の反射面で光を反射させることによって、光を光導波路の導波面から外れた方向へ出射することができる。または、光導波路の導波面から外れた方向から、光を光導波路に入射することができる。そして、この発明による光結合器では、上述した特許文献1及び非特許文献1に係る構造とは異なり、Au層を必要としない。従って、容易で、かつ安価なコストで製造することができる。以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。図1及び図2を参照して、この発明による光結合器について説明する。図1及び図2は、この発明による光結合器を示す模式図である。図1は、光結合器の斜視図である。また、図2Aは、光結合器を、支持基板の第1主表面側から見た平面図である。また、図2Bは、図2Aに示すI-I線で切り取った切り口を示す端面図である。また、図2Cは、図2Aに示すI-I線で切り取った切り口を示す端面図であり、光結合部を拡大して示した図である。図2Cでは、切り口を示すハッチングを省略している。なお、ここでは、一例として、光が光結合器から出射する場合について説明する。光結合器10は、支持基板20と、光導波路30と、高屈折率層40とを具えている。支持基板20は、例えば単結晶シリコンを材料とした平板状体として構成されている。そして、支持基板20は、第1主表面20aと、この第1主表面20aに対向する第2主表面20bを有している。光導波路30は、支持基板20の第1主表面20aにクラッド31及びコア33が順次積層された、平面型の光導波路として形成されている。クラッド31は、支持基板20の第1主表面20aを被覆して形成されている。また、クラッド31は、例えば酸化シリコンを材料として形成されている。コア33は、クラッド31の上面31a上に、所望の平面形状にパターニングされて形成されている。また、コア33は、後述する光結合部50を除く領域以下、平面導波部55では、上面33a及び側面33bが露出し、空気と接している。また、コア33は、クラッド31及び空気よりも高い屈折率を有する例えば単結晶シリコンを材料として形成されている。その結果、コア33が実質的な光の伝送路として機能し、光導波路30に入射された光がコア33の平面形状に応じた伝播方向に伝播する。なお、図中では、光導波路30を伝播する光の伝播方向を矢印100で示してある。また、平面導波部55を伝播する光を矢印S1で示してある。高屈折率層40は、コア33の上面33a上に設けられている。そして、高屈折率層40が形成された領域では、光導波路30及び高屈折率層40の積層構造として光結合部50が構成されている。高屈折率層40は、光結合部50における光導波路30を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い材料で形成されている。すなわち、クラッド31の屈折率をn1、コア33の屈折率をn2、高屈折率層40の屈折率をn3、及び光結合部50における光の等価屈折率をneffとしたとき、これら各屈折率の関係が、n1<neff<n3<n2、n1<neff<n3=n2、又はn1<neff<n2<n3のいずれかの条件を満たす。その結果、光導波路30を伝播する光は、光結合部50において、光導波路30から高屈折率層40へ入射される図2B及びCにおいて、高屈折率層40へ入射された光を矢印S2で示す。クラッド31を酸化シリコンで、及びコア33を単結晶シリコンでそれぞれ形成してある場合には、上述した条件を満たすために、高屈折率層40を例えばアモルファスシリコン又は単結晶シリコンで形成することができる。高屈折率層40をアモルファスシリコンで形成した場合には、各屈折率の関係は、n1<neff<n3<n2となる。また、高屈折率層40を単結晶シリコンで形成した場合には、各屈折率の関係は、n1<neff<n3=n2となる。なお、クラッド31、コア33、及び高屈折率層40の各材料は、上述した条件を満たし、かつ光結合器10に入力される光の波長に対して透明であればよく、任意好適なものを用いることができる。また、高屈折率層40は、コア33の上面33aと対向する反射面40aを有している。反射面40aは、コア33の上面33aからの離間距離が光の伝播方向100に沿って連続的に狭まる傾斜面として設計されている。高屈折率層40へ入射された光S2は、この反射面40aによって反射され、支持基板20を通過して、支持基板20の第2主表面20bから出射される図2B及びCにおいて、反射面40aによって反射された光を矢印S3で示す。反射面40aは、例えばコア33の上面33aに対して凹型の湾曲面すなわちレンズ面、又は平坦面として形成されている。図1及び図2では、反射面40aをレンズ面とした構成例を示している。反射面40aをレンズ面とした場合には、第2主表面20bから出射される光S3を集光することができるため、結合効率を向上させることができる。また、反射面40aの曲率半径、又はコア33の上面33aの傾斜角を、高屈折率層40に入射した光S2の反射面40aに対する入射角図2C中にθで示すが臨界角以上となるように設計するのが好ましい。入射角θを臨界角以上に設定することによって、反射面40aへ入射する光S2を全反射させることができる。そのため、光S2に対する光S3の光欠損を防止することができ、結合効率を向上させることができる。なお、入射角θは、光S2の入射点における、反射面40aに対する法線43と、光S2の光線とがなす角である。また、光結合部50では、コア33及び高屈折率層40の平面形状を、光の伝播方向100に沿って幅が拡大するテーパ形状とすることができる。そして、このテーパ形状における幅を調節することによって、第2主表面20bから出射される光S3の光界分布を調節することができる。第2主表面20bから出射された光S3は、受光素子70に受光される。受光素子70は、光S3の光路と交わる位置に位置決めされて第2主表面20b側に設けられている。受光素子70として、例えばPDを用いることができる。また、光S3が第2主表面20bにおいて反射するのを防止するために、第2主表面20bの、光S3の光路と交わる位置に反射防止膜60を形成するのが好ましい。反射防止膜60は、例えば単結晶シリコンと酸化シリコンとを交互に複数積層した多層膜とすることができる。なお、上述した例では、光S3を受光素子70によって受光する構成について説明したが、受光素子70の位置に例えば光ファイバを設置し、光ファイバに光S3を入射させることもできる。また、ここでは、光導波路30を伝播する光を、第2主表面20bから出射する場合について説明したが、光の伝播経路は可逆であるため、第2主表面20bから光結合器10へ入射した光を、光導波路30へ入射することもできる。図3は、光を光結合器10へ入射する場合の構成例を説明する図であり、図2Bに対応する端面図である。第2主表面20bから光結合器10に光を入射する場合には、支持基板20の第2主表面20b側に、第2主表面20bへ入射する光を発光する発光素子80を設ける。発光素子80は、上述した受光素子70に対応する位置に設置される。発光素子80として、例えばLDを用いることができる。発光素子80が発光した光は、第2主表面20bから、支持基板20を通過して、光結合部50の高屈折率層40に入射される図3において、高屈折率層40に入射される光を矢印S4で示す。既に説明したように、光結合部50では、コア33及び高屈折率層40の平面形状がテーパ形状となっている。このテーパ形状における幅を、光S4の光界分布に対応して調節することによって、高屈折率層40に入射される光S4の光欠損を抑制することできる。高屈折率層40に入射された光S4は、反射面40aによって反射される図3において、反射面40aによって反射された光を矢印S5で示す。反射面40aによって反射された光S5は、高屈折率層40から光導波路30に入射される図3において、光導波路30に入射された光を矢印S6で示す。なお、上述した例では、発光素子80から発光された光S5を第2主表面20bへ入射する構成について説明したが、発光素子80の位置に例えば光ファイバを設置し、光ファイバからの光S5を第2主表面20bへ入射することもできる。図1~3を参照して説明した光結合器10は、周知のSOISiliconOnInsulator基板を利用することによって製造することができる。すなわち、まず、支持基板層、酸化シリコン層、及び単結晶シリコン層SOI層が順次積層されて構成されたSOI基板を用意する。ここで、支持基板層を研磨することによって、予め厚さを調節しておくことができる。次に、例えば周知のエッチング技術を用いて、SOI層を所望のコア33の平面形状にパターニングする。このパターニングされたSOI層をコア33とする。その結果、支持基板20としての支持基板層上に、クラッド31としての酸化シリコン層、及びコア33が積層されて構成された光導波路30を形成することができる。次に、例えば周知のスパッタ法又はエピタキシャル成長法を用いて、コア33の上面33aに高屈折率層40の材料層を形成する。次に、周知のエッチング技術を用いて、材料層をパターニングする。このパターニングにおいて、上述した反射面40aに対応した傾斜面を有するレジストマスクを用いることによって、傾斜面である反射面40aを有する高屈折率層40を形成することができる。なお、傾斜面を有するレジストマスクは、グレースケールの露光マスクを用いてレジストを露光することによって作成することができる。このように、光結合器10は、周知のSOI基板を利用することによって、容易に製造することができる。以上説明したように、光結合器10では、光結合部50において、高屈折率層40の反射面40aで光S2を反射させることによって、平面導波部55における光導波路30の導波面から外れた方向へ、光を出射することができる。または、平面導波部55における導波面から外れた方向から、光を光導波路に入射することができる。また、上述した特許文献1及び非特許文献1に係る構造とは異なり、Au層を形成せず、かつ周知のSOI基板を利用することによって製造することができる。従って、製造が容易であり、また、安価なコストで製造することができる。ここで、発明者らは、光結合器10の特性を評価するために、FDTDFiniteDifferenceTimeDomain法を用いてシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、光結合器10が送受信する光の波長を1.5μmとした。また、図2A及びBの構成例に示す各構成要素の寸法を以下のように設定した。すなわち、支持基板20の厚さH1を50μm、クラッド31の厚さH2を2.1μm、コア33の厚さH3を0.3μm、及び反射面40aとコア33の上面33aとの最大離間距離H4を3.3μmとした。また、光の伝播方向100に沿った光結合部50の長さL1を9.6μmとした。また、支持基板20及びコア33を単結晶シリコン屈折率:3.52、クラッド31を酸化シリコン屈折率:1.44、及び高屈折率層40をアモルファスシリコン屈折率:3.48でそれぞれ構成した。また、反射面40aを、曲率半径が27μmの湾曲面とした。まず、光を光結合器10から出射する構成例図2Bの結合効率として、平面導波部55を伝播する光S1に対する、第2主表面20bから出射される光S3の強度の割合を計算した。その結果、光S1に対する光S3の強度は約90となった。次に、光を光結合器10へ入射する構成例図3の結合効率として、高屈折率層40に入射される光S4に対する、光導波路30に入射された光S6の強度の割合を計算した。なお、直径5μmのコアを有する光ファイバから、光S4を光結合器10へ入射する場合について計算した。その結果、光S4に対する光S6の強度は約70となった。ここで、例えば特許文献1では、上述したグレーティング及びAu層を利用した構造によって、60の結合効率が得られることが開示されている。従って、上述したシミュレーションから、この発明による光結合器10では、特許文献1に係る構造と比して、より優れた結合効率を得られることが明らかとなった。