プリント配線板を搬送しながら加熱する複数の加熱ゾーンを持ったリフロー装置であって、少なくとも、前記プリント配線板を搬送するコンベアと、前記プリント配線板の一部分を局部的に加熱する局部加熱ユニットであって、前記加熱ゾーンごとに設けた複数の局部加熱ユニットと、前記プリント配線板が通過したことを検知する被加熱物通過検知センサと、を備えており、前記局部加熱ユニットは、前記プリント配線板への接触および非接触が制御可能に個々に駆動でき、且つ、個々に温度制御が可能であることを特徴とするリフロー装置。局部加熱ユニットのプリント配線板への接触および非接触の制御が、被加熱物通過検知センサからの信号に従って行われることを特徴とする請求項1に記載のリフロー装置。局部加熱ユニットが棒状体であって、棒状体の断面で被加熱物に接触することを特徴とする請求項1または2に記載のリフロー装置。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、局部的に加熱および冷却を行い、基板表面の温度分布の不均一性を低減する構造を追加することで、タクトタイムを増加させることなく、温度分布の不均一性を低減できるリフロー装置を提供することを課題としている。上記課題を解決するための手段として、本発明の請求項1は、プリント配線板を搬送しながら加熱する複数の加熱ゾーンを持ったリフロー装置であって、少なくとも、前記プリント配線板を搬送するコンベアと、前記プリント配線板の一部分を局部的に加熱する局部加熱ユニットであって、前記加熱ゾーンごとに設けた複数の局部加熱ユニットと、前記プリント配線板が通過したことを検知する被加熱物通過検知センサと、を備えており、前記局部加熱ユニットは、前記プリント配線板への接触および非接触が制御可能に個々に駆動でき、且つ、個々に温度制御が可能であることを特徴とするリフロー装置である。また、請求項2に記載の発明は、局部加熱ユニットのプリント配線板への接触および非接触の制御が、被加熱物通過検知センサからの信号に従って行われることを特徴とする請求項1に記載のリフロー装置である。また、請求項3に記載の発明は、局部加熱ユニットが棒状体であって、棒状体の断面で被加熱物に接触することを特徴とする請求項1または2に記載のリフロー装置である。本発明によるリフロー装置は、温度補償する構造を追加することで、タクトタイムを大幅に増加させることなく、平面基板面内の温度リフロープロファイルムラを低減することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1~4は本発明の一形態に係り、図1は従来のリフロー装置の基本構成の一例を示す概略図、図2は本発明のリフロー装置の基本構成の一例を示す概略図、図3は本発明のリフロー装置が動作している一例であり、本発明の棒状局部加熱ユニットが動作し、被加熱物と接触している一例を示す概略図である。図4は本発明の棒状局部加熱ユニットの断面の一例を示す概略図である。図1は、従来のリフロー装置の一例を示すものである。図1において、1はヒーター、2は冷却ファン、3は基板搬送用コンベア、4は小型基板である。図2は本発明におけるリフロー装置の一例を示すものであり、5は局部加熱ユニット、6は被加熱物通過検知センサである。図3は本発明の局部加熱ユニット5が大型基板7を加熱している一例を示したものである。図4は、本発明の棒状局部加熱ユニット5の一例であり、被加熱物と接触する面を見たものである。本発明の局部加熱ユニット5は、複数の棒状のものから構成され、この棒状ものが基板に接触することで基板温度を調整する。局部加熱ユニット5は、リフロー装置のヒーター1からの気流を妨げない構造となっていることが必要であり、局部加熱ユニットの形態は、これに限らず、例えばヒーター1からの気流が流れ込むための格子状開口を持った形状でも良い。以上のように構成されたリフロー装置の動作について、以下にその動作について説明する。半導体素子が実装された基板4は、図2の入口図1に示した入口と同じ位置にある。より基板搬送用コンベア3によって、リフロー装置内を搬送される。ヒーター1により小型基板4は上下から加熱され、任意の温度プロファイルによりフラックスの活性、金属表面の酸化膜除去、はんだ金属の溶融による半導体素子と基板のはんだ金属を介した接合、冷却の後に継手部の形成を行なう。本発明の実施形態の1つとして、図3の入口から基板搬送用コンベア3によってリフロー装置内を搬送された大型基板7が、被加熱物通過検知センサ6の下を通過すると、搬送速度に応じて局部加熱ユニット5が上昇し大型基板7と接触、局部加熱もしくは冷却を行なうことができる。この局部加熱ユニット5は、1つ1つの温度設定をすることができるようになっている。リフロー装置で処理する基板4のサイズやその他の仕様の違いによって処理される基板4の温度プロファイルの不均一性を小さくするように、局部加熱ユニット5の個々の温度設定を行う。具体的な温度条件としては、フラックスの活性化を行うプリヒートを行う加熱ゾーンは150°C~170°C、30秒間~120秒間の加熱処理を行う。その次のはんだ付けを行う加熱ゾーンは、250°C~255°C、10秒間~20秒間の加熱処理を行う。この時に、処理する基板サイズがはんだ付けを行う加熱ゾーンより長いために、前段のプリヒートを行う加熱ゾーンにはみ出してしまう場合は、そのはみ出した基板4の部分は温度が低くなってしまうため、局部加熱ユニット5を基板4に接触させて加熱する。また、はみ出していない場合にも、1つの加熱ゾーンの中で基板4の温度に不均一性がある場合は、設定温度に近づけるために、同様に、局部加熱ユニット5を基板4に接触させて、加熱または冷却を行う。この様にすることで、1つの基板の各部の温度プロファイルの不均一性が従来より低減された。その結果、フラックスの活性化が不十分なために発生するはんだ付け不良や局所的なはんだの未溶融の発生の低減を、タクトタイムを変えずに達成することが可能となった。この局部加熱ユニット5の配置は、大型基板7の下側に限られず、上側もしくは上下の両方に設置しても良いし、上下方向とは垂直方向の、側方の片側または両側に設置しても良い。また、本発明の局部加熱ユニット5の実施形態として、局部加熱ユニット5の内部に温度調整用の機構が内蔵されているのであるが、その温度調整用の機構の一例として電熱線を使用することができる。また温度調整用の機構の一例として、局部加熱ユニット5の内部に液体循環用導管を有しており、この中を液体が循環することで、局部加熱ユニット5の温度を調整することができる。また、この導管を循環する物質は、液体に限らず気体であっても良い。また温度調整用の機構の一例として、ヒートパイプを使用することができる。また温度調整用の機構の一例として、ペルチェ素子を使用することができる。