"第1の高周波電源からプラズマ生成用の高周波電力を印加して処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は、バイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源と、前記プラズマ処理空間を形成する処理容器の内壁に少なくとも一部が接し、前記処理容器内にて上下動することにより前記プラズマ処理空間の接地容量を調整する調整機構とを有し、前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が500W以下の場合、前記調整機構を可動範囲の上側に位置付け、前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が1500W以上の場合、前記調整機構を可動範囲の下側に位置付けることを特徴とするプラズマ処理方法。前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が500Wより大きく1500Wより小さい場合、前記調整機構を移動させないか、又は前記調整機構を可動範囲のいずれかの位置に位置付けることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。前記第1の高周波電源から印加される高周波電力は、200W以上に設定される請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。多層膜構造の異なる複数のエッチングプロセスを前記処理容器内で連続して実行する場合、前記調整機構は、各エッチングプロセスの条件に応じて上下動することにより、前記プラズマ処理空間の接地容量を調整する請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。前記調整機構に対して前記プラズマ処理空間と反対側の位置に設けられ、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記調整機構に固定したメタル製シール材をさらに有する請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成し、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理空間を形成する処理容器の内壁に少なくとも一部が接し、前記処理容器内にて上下動することにより前記プラズマ処理空間の接地容量を調整する調整機構と、前記調整機構に対して前記プラズマ処理空間と反対側の位置に設けられ、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記調整機構に固定したメタル製シール材と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記メタル製シール材は、フレキシブルなメタルに絶縁物を被覆して形成される請求項6に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマ処理装置は、対向位置に上部電極と下部電極とを有し、前記調整機構は、前記下部電極の外周に配置された複数の細孔を持つバッフル板を有し、該バッフル板に可動棒を取り付けて該バッフル板を上下動させることを特徴とする請求項6又は7に記載のプラズマ処理装置。該バッフル板の内周側には、前記プラズマ処理空間と反対側に向けて第1の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第1の仕切り板に固定する第1のメタル製シール材を含む請求項8に記載のプラズマ処理装置。前記バッフル板の外周側には、前記バッフル板に対して前記第1の仕切り板と反対側の向きに第2の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第2の仕切り板に固定する第2のメタル製シール材を含む請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。前記プラズマ処理装置は、対向位置に上部電極と下部電極とを有し、前記調整機構は、前記上部電極の外周に配置された平板を有し、該平板に可動棒を取り付けて該平板を上下動させることを特徴とする請求項6~10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。前記平板の内周側には、前記プラズマ処理空間と反対側に向けて第3の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第3の仕切り板に固定する第3のメタル製シール材を含む請求項11に記載のプラズマ処理装置。前記平板の外周側には、前記平板に対して前記第3の仕切り板と同じ向きに第4の仕切り板が前記処理容器に近接して固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第4の仕切り板に固定する第4のメタル製シール材を含む請求項12に記載のプラズマ処理装置。処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成し、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器内のプラズマ処理空間に露出可能なように配置され、接地されたメタル製部材と、可動により、前記プラズマ処理空間に露出する前記メタル製部材の面積を調整することを特徴とするプラズマ処理装置。前記調整機構は、前記メタル製部材自身を可動する、又は前記メタル製部材に近接して誘電部材を可動することを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理装置。前記調整機構は、可動棒によって前記誘電部材を前記メタル製部材に近接して動かすことにより、前記メタル製部材が前記プラズマ処理空間に露出する面積を調整することを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理装置。前記調整機構は、可動棒によって前記メタル製部材を動かすことにより、前記メタル製部材が前記プラズマ処理空間に露出する面積を調整することを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理装置。一般的に、処理容器の壁及びプラズマ間の電位差Vwall-Vplasmaは、電極から供給する高周波のパワーに依存する。よって、上記問題を解決するためには、壁が削れ過ぎず、かつ壁に膜が堆積しすぎないように高周波のパワーを制御すればよい。しかし、高周波のパワーは、プラズマを生成するために最適な値に設定する必要がある。このため、壁にかかる電位は、積極的に制御する対象とはならず、高周波のパワーや処理容器の形によって決まってしまう。また、同一処理容器内で異なるプロセスが連続的に実行される場合、プロセス毎に最適な高周波のパワーは異なるため、あらゆるプロセス条件で処理容器の壁及びプラズマ間の電位差を所望の範囲内に納めることは極めて困難である。従って、使用する代表的な高周波のパワーに対して最適な、壁及びプラズマ間の電位差になるように処理容器の構造を設計している。しかし、近年、多層膜構造の異なる複数のエッチングプロセスを同一処理容器内で連続して実行するという多層膜構造の一括エッチングが主流となっている。このため、同一処理容器内で高周波のパワーが非常に低い条件と非常に高い条件との連続プロセスが要求される。これにより、さらに壁及びプラズマ間の電位差Vwall-Vplasmaが非常に大きくなったり非常に小さくなったりして上記壁の削れや壁への膜の堆積の問題が大きくなっている。上記特許文献1のA/C比の制御方法によれば、可動板は処理容器の側壁の一部に取り付けられ、上下動する。このため、可動部からゴミが生じたり、異常放電が生じたりする場合がある。また、可動板を壁の内側に引き込むため、処理容器全体の対称性が失われ、プラズマの状態が不安定になり、ウエハに良好なプラズマ処理を施しにくいという問題を有していた。上記課題に鑑み、本発明は、プラズマの状態を安定的に保ちながら、プロセスに応じて適正にA/C比を制御することが可能な、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のある態様によれば、第1の高周波電源からプラズマ生成用の高周波電力を印加して処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は、バイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源と、前記プラズマ処理空間を形成する処理容器の内壁に少なくとも一部が接し、前記処理容器内にて上下動することにより前記プラズマ処理空間の接地容量を調整する調整機構とを有し、前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が500W以下の場合、前記調整機構を可動範囲の上側に位置付け、前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が1500W以上の場合、前記調整機構を可動範囲の下側に位置付けることを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。かかる構成によれば、バイアス用の高周波電力が500W以下の場合、調整機構は可動範囲の上側に位置付けられる。これにより、プラズマ処理空間の接地容量が小さくなり、A/C比を小さくすることができる。この結果、処理容器の壁とプラズマとの電位差Vwall-Vplasmaは大きくなり、壁面側のシース電圧が高くなる。これにより、壁面側のシース領域にてイオンの加速を強め、壁へのイオンの衝突力を大きくして、壁に反応物が堆積することを抑制することができる。この結果、処理容器内にて壁が削れ過ぎず、かつ壁に堆積物が付着しすぎないように制御することができる。一方、バイアス用の高周波電力が1500W以上の場合、調整機構は可動範囲の下側に位置付けられる。これにより、プラズマ処理空間の接地容量が大きくなり、A/C比を大きくすることができる。この結果、処理容器の壁とプラズマとの電位差Vwall-Vplasmaは小さくなり、壁面側のシース電圧は低くなる。これにより、壁面側のシース領域にてイオンの加速を弱め、壁へのイオンの衝突力を小さくし、壁の削れを抑制することができる。この結果、バイアス用の高周波電力が1500W以上であっても、壁が削れ過ぎず、かつ壁に堆積物が付着しすぎないように制御することができる。また、かかる構成によれば、上記A/C比の制御にかかわらず、プラズマ生成用の高周波電力は、プロセスに応じて適正なパワーを印加することができるため、プラズマの状態を安定的に保つことも確保される。前記第2の高周波電源から印加される高周波電力が500Wより大きく1500Wより小さい場合、前記調整機構を移動させないか、又は前記調整機構を可動範囲のいずれかの位置に位置付けてもよい。前記第1の高周波電源から印加される高周波電力は、200W以上に設定されてもよい。多層膜構造の異なる複数のエッチングプロセスを前記処理容器内で連続して実行する場合、前記調整機構は、各エッチングプロセスの条件に応じて上下動することにより、前記プラズマ処理空間の接地容量を調整してもよい。前記調整機構に対して前記プラズマ処理空間と反対側の位置に設けられ、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記調整機構に固定したメタル製シール材をさらに有してもよい。上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成し、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理空間を形成する処理容器の内壁に少なくとも一部が接し、前記処理容器内にて上下動することにより前記プラズマ処理空間の接地容量を調整する調整機構と、前記調整機構に対して前記プラズマ処理空間と反対側の位置に設けられ、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記調整機構に固定したメタル製シール材と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。前記メタル製シール材は、フレキシブルなメタルに絶縁物を被覆して形成されてもよい。前記プラズマ処理装置は、対向位置に上部電極と下部電極とを有し、前記調整機構は、前記下部電極の外周に配置された複数の細孔を持つバッフル板を有し、該バッフル板に可動棒を取り付けて該バッフル板を上下動させてもよい。該バッフル板の内周側には、前記プラズマ処理空間と反対側に向けて第1の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第1の仕切り板に固定する第1のメタル製シール材を含んでもよい。前記バッフル板の外周側には、前記バッフル板に対して前記第1の仕切り板と反対側の向きに第2の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第2の仕切り板に固定する第2のメタル製シール材を含んでもよい。前記プラズマ処理装置は、対向位置に上部電極と下部電極とを有し、前記調整機構は、前記上部電極の外周に配置された平板を有し、該平板に可動棒を取り付けて該平板を上下動させてもよい。前記平板の内周側には、前記プラズマ処理空間と反対側に向けて第3の仕切り板が固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第3の仕切り板に固定する第3のメタル製シール材を含んでもよい。前記平板の外周側には、前記平板に対して前記第3の仕切り板と同じ向きに第4の仕切り板が前記処理容器に近接して固定され、前記メタル製シール材は、一方の端部を前記処理容器の内壁に固定し、他方の端部を前記第4の仕切り板に固定する第4のメタル製シール材を含んでもよい。上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、処理容器内のプラズマ処理空間にプラズマを生成し、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器内のプラズマ処理空間に露出可能なように配置され、接地されたメタル製部材と、可動により、前記プラズマ処理空間に露出する前記メタル製部材の面積を調整することを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。前記調整機構は、前記メタル製部材自身を可動する、又は前記メタル製部材に近接して誘電部材を可動してもよい。前記調整機構は、可動棒によって前記誘電部材を前記メタル製部材に近接して動かすことにより、前記メタル製部材が前記プラズマ処理空間に露出する面積を調整してもよい。前記調整機構は、可動棒によって前記メタル製部材を動かすことにより、前記メタル製部材が前記プラズマ処理空間に露出する面積を調整してもよい。以上説明したように本発明によれば、プラズマの状態を安定的に保ちながら、プロセスに応じて適正にA/C比を制御することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。<第1実施形態>プラズマ処理装置の全体構成まず、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る容量結合型平行平板型のエッチング装置を模式的に示した縦断面図である。エッチング装置10は、処理容器内部にて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の一例である。図1aは、調整機構200が上方に位置する場合、図1bは、調整機構200が下方に位置する場合を示している。エッチング装置10は、ウエハWをプラズマ処理する処理容器100を有する。処理容器100は円筒状で、たとえばアルミニウム等の金属から形成され、接地されている。処理容器100の内部には、上部電極105及び下部電極110が対向して配設され、これにより、一対の平行平板電極が構成されている。上部電極105の表面には、アルミナ又はイットリアが溶射されている。上部電極105には、複数のガス穴105aが貫通していて、ガス供給源115から供給されたガスを複数のガス穴105aから処理容器内に導入するようになっている。上部電極105は、可変直流電源以下、直流電源130とも称呼する。に接続されていて、直流電源130から供給された直流電流を上部電極105に印加することにより、処理容器内で生成されるプラズマを変動させることなく、上部電極105に付着したF系膜を取り除くことができる。下部電極110には、ウエハWを載置する載置台120が設けられている。載置台120は、アルミニウム等の金属から形成されていて、図示しない絶縁体を介して支持部材125により支持されている。これにより、下部電極110は電気的に浮いた状態になっている。載置台120の外周近傍には、細孔を有するバッフル板205が設けられていてガスの流れを制御する。バッフル板205は接地されている。バッフル板205を含む調整機構200の構成及び動作については後程詳しく説明する。下部電極110には、整合器135を介して第1の高周波電源140が接続されている。第1の高周波電源140は、プラズマ生成用の高周波電力を出力する。ガス供給源115から供給されたガスは、第1の高周波電源140から出力された、例えば60MHzの高周波の電界エネルギーにより励起され、これにより、プラズマ処理空間Uにプラズマが生成される。生成されたプラズマにより、ウエハWにエッチング処理が施される。なお、プラズマ処理空間Uは、処理容器の内壁側のアノード領域Caとウエハ側のカソード領域Ccとに囲まれた空間である。下部電極110には、整合器145を介して第2の高周波電源150が接続されている。第2の高周波電源150は、例えば2MHzのバイアス用の高周波電力を出力する。第2の高周波電源150を用いて載置台120にバイアス電圧を印加することにより、載置台120に向けてイオンを引き込む。なお、第1の高周波電源140から出力される高周波電力は、60MHzに限られず、40MHzや100MHz等であってもよい。また、第2の高周波電源150から出力される高周波電力は、2MHzに限られず、800kHzや3MHz等であってもよい。処理容器100の底面には排気口155が設けられ、排気口155に接続された図示しない排気装置により処理容器100の内部を排気し、処理容器内を所望の真空状態に維持する。A/C比の原理ここで、調整機構200について説明する前に、A/C比の原理について説明する。図10に示したように、2つの電極90,92の面積A1,A2A1≠A2の関係を考察し、それぞれのシース電圧V1,V2及びシースの厚さD1,D2を高周波放電の電極面積で表す。図10では、ブロッキングコンデンサ94を用いて、高周波電源96から高周波電力を供給したときの電極付近の電圧分布を示す。このとき、質量miの正イオンはグロー空間内に生じ、衝突することなくシースを飛行し、空間電荷制限電流jiに従う。ji=KV3/2/mi1/2D2K:定数また、正イオンの電流密度は一様で両電極で等しい。この2つの仮定を用いると、V13/2/D12=V23/2/D221が成り立つ。シースの容量は電極面積に比例し、シースの厚さに反比例する。C∝A/D2高周波電圧は2つの容量で容量的に配分される。V1/V2=C2/C132式及び3式を組み合わせると、V1/V2=A2/D2×D1/A1これを1式に代入すると、V1/V2=A2/A144式4は、次のことを示す。a大きなシース電圧は小さな電極にかかる。b電極間の非対称性A2/A1はその4乗で電圧比V1/V2に影響を及ぼす。よって、壁に入射するイオンエネルギーを減少させ、壁の削れを抑止するためには、A/C比を大きくすればよい。一方、壁に入射するイオンエネルギーを増大させ、壁への成膜を抑止するためには、A/C比を小さくすればよい。調整機構そこで、本実施形態では、図1に示したように調整機構200が設けられている。調整機構200は、バッフル板205、可動棒210、第1の仕切り板215、第2の仕切り板220、第1のメタル製シール材225及び第2のメタル製シール材230を有している。調整機構200は、下部電極110の外周に配置されている。調整機構200の各部は、アルミニウムにアルミナAl2O3又はイットリアY2O3を溶射した部材を使用する。ただし、メタルに絶縁物が被覆されていれば他の材料を使用してもよい。バッフル板205には可動棒210が取り付けられている。可動棒210は、処理容器の底部を突き抜けている。図示しないモータ又はエアーシリンダにより可動棒210を上下動させることによって、下部電極110と処理容器100の側壁との間でバッフル板205を上下動させる。バッフル板205の内周側には、プラズマ処理空間Uと反対側に向けて第1の仕切り板215が固定されている。バッフル板205の外周側には、バッフル板205に対して第1の仕切り板215と反対側の向きに第2の仕切り板220が固定されている。第2の仕切り板220は、処理容器100の内壁に近接している。第1の仕切り板215及び第2の仕切り板220により、調整機構220が上下動してもプラズマがプラズマ処理空間Uから上部電極105の外周側や下部電極110の外周側に回り込まないようになっている。メタル製シール材は、調整機構200に対してプラズマ処理空間Uと反対側の位置に設けられた第1のメタル製シール材225及び第2のメタル製シール材230を有している。第1のメタル製シール材225の一方の端部は、処理容器100の内壁に固定され、他方の端部は第1の仕切り板215に固定されている。第2のメタル製シール材230の一方の端部は、処理容器100の内壁に固定され、他方の端部は第2の仕切り板220に固定されている。第1のメタル製シール材225及び第2のメタル製シール材230は、概ね同一構成であるため、ここでは、第1のメタル製シール材225を図示した図2aを参照しながらメタル製シール材について説明する。第1のメタル製シール材225は、柔軟性をもったフレキシブルなメタルのシート材である。調整機構200の上下動に応じて可動するため、フレキシブルな材料が用いられる。第1のメタル製シール材225は、短冊状に形成され、両端近傍に貫通穴225aが設けられている。第1のメタル製シール材225の両方の貫通穴225aにネジ225bを挿入し、両ネジ225bによって第1の仕切り板215と処理容器100の壁とにネジ止めする。ネジ止めの際、第1のメタル製シール材225にたわみを持たせておく。このようにして、フレキシブルなメタル製シール材で導電をとる。これにより、同電位グラウンドのメタル製シール材でプラズマを閉じ込めることができる。この結果、バッフル板205が上下動する際に生じるガスの流れにより、プラズマがバッフル板205の穴から排気側に漏れてしまうのを防ぐことができる。なお、第1のメタル製シール材225及び第2のメタル製シール材230は、下部電極110及び上部電極105の外周にて、第1の仕切り板215及び第2の仕切り板220と処理容器100との間を橋渡しする状態で複数枚設置されることが好ましい。第1のメタル製シール材225の変形例としては、図2bに示したように、金属のワイヤ225cを複数本束ねて両端でメタル部材225dに取り付けるようにしてもよい。この場合にも、メタル部材225dに形成された貫通穴225aにネジ225bを挿入して第1のメタル製シール材225を処理容器の壁面及び仕切り板にネジ止めする。処理容器の壁とプラズマ間の電位差Vwall-Vplasmaは、エッチングプロセスの生産性に大きく関係する。つまり、電位差Vwall-Vplasmaが大きすぎると、プラズマ中のイオンによる壁面へのスパッタ力が強くなり、またプラズマ中のラジカルが壁面に堆積しにくくなって、処理容器の壁が削られ、パーティクル、チャンバ内汚染、パーツの消耗等の原因になる。一方、電位差Vwall-Vplasmaが小さすぎると、プラズマ中のイオンによる壁面へのスパッタ力が弱くなり、プラズマ中のラジカルが壁面に付着し易くなって、壁に反応生成物が堆積し膜を形成する。例えば、前工程にてCF系ガスを使用したプロセスを実行した場合、プロセス中に処理容器の壁面にCF膜ポリマーが形成される。この状態で次工程にて同一処理容器内でO2ガスを使用したプロセスを実行すると、O2にCFが混在した形でプラズマが生成されることとなり、壁面に付着したCF膜の成分がプラズマ中に入り込んで他の物質と化学反応を起こし、所望のプラズマ処理に悪影響を及ぼすこととなる。いわゆるメモリイフェクトMemoryEffectの問題である。このメモリイフェクトの問題に加え、壁への膜の付着が多いほど処理容器内を頻繁にクリーニングする必要が生じ、生産性の低下、製造コストの増大を引き起こす。さらに、近年、エッチングレート等を上昇させて加工時間を短縮することによりスループットを向上させたいというユーザの要求が高まっている。この要求に応じて、よりハイパワーの高周波電力を処理容器内に供給する必要が生じている。高周波電源からハイパワーの高周波電力が出力されると、壁面へのスパッタ力が強くなる一方、ラジカルが壁面に堆積しにくくなって壁の削れが大きくなってくる。調整機構の位置そこで、本実施形態では、上述したように、プラズマ処理空間Uを形成する処理容器100の内壁に少なくとも一部が接し、処理容器内にて上下動することによりプラズマ処理空間Uの接地容量を調整する調整機構200が設けられている。例えば、図1aでは、調整機構200は可動範囲の上端部に位置付けられている。図1bでは、調整機構200は可動範囲の下端部に位置付けられている。図1aに示した調整機構200の位置では、アノード領域Caの面積は小さくなりすなわち、A/C比は小さくなり、壁へのスパッタ力は大きくなる。一方、図1bに示した調整機構200の位置では、アノード領域Caの面積は大きくなりすなわち、A/C比は大きくなり、壁へのスパッタ力は小さくなる。よって、壁への膜の付着を防ぐためには、図1aのように調整機構200を上方位置に移動させ、A/C比を小さくすればよい。一方、壁の削れを防ぐためには、図1bのように調整機構200を下方位置に移動させ、A/C比を大きくすればよい。しかしながら、近年、多層膜構造の異なる複数のエッチングプロセスを同一処理容器内で連続して実行する一括エッチングが主流となっているため、一つの処理容器内で高周波のパワーが非常に低い条件と非常に高い条件との連続ステップが要求される。これにより、処理容器100の壁面及びプラズマ間の電位差Vwall-Vplasmaが非常に大きくなったり非常に小さくなったりして壁の削れや壁への堆積の問題が大きくなっている。図3には、プラズマ励起用の高周波電力HFパワーを1500Wに固定し、バイアス用の高周波電力LFパワーを可変にして横軸に表し、アルゴンのイオンArの最大エネルギーを縦軸に表したときのパーティクル発生及びポリマー付着の状態を示している。グラフ上の直線は、上からバイアス用の高周波電力が2MHzでA/C比が6の場合、バイアス用の高周波電力が13MHzでA/C比が4の場合、バイアス用の高周波電力が13MHzでA/C比が6の場合が示されている。このグラフは、イオンの最大エネルギーが150eV以上では、壁の削れによりパーティクルが発生する懸念があり、75eV以下では壁にポリマーが付着する懸念があることを示している。しかし、いずれの条件の場合にも、イオンの最大エネルギーを75eV~150eVに制御することは上記連続ステップのプロセスではほぼ不可能である。ここで、グラフ内の3つの直線を比べてみると、すべての場合においてLFパワーが高いほうが、スパッタ力が大きくなり、壁が削れやすいことがわかる。また、LFパワーが同じ場合には、A/C比が大きいA/C=4<A/C=6ほうが、スパッタ力が小さくなり、壁に膜がつきやすいことがわかる。したがって、バイアス用の高周波電力が2MHzでA/C比が6の場合であって、LFパワーが500W以下の場合、調整機構200を可動範囲の上側に位置付ける。これにより、スパッタ力を上げることができ、壁にポリマーが堆積しすぎる懸念を払拭できる。また、同条件の場合、LFパワーが1500W以上の場合、調整機構200を可動範囲の下側に位置付ける。これにより、スパッタ力を下げることができ、壁を削りすぎてパーティクルが発生する懸念を払拭できる。特に、HARCHighAspectRatioContactでは、一般的に2MHz程度の低い周波数をバイアス用の高周波電力として使用するため、調整機構200を、上記パワーを基準として切り替えることが好ましい。なお、バイアス用の高周波電力のLFパワーが500Wより大きく1500Wより小さい場合には、調整機構200を可動範囲のどの位置に置いても、パーティクル発生及びポリマー付着の懸念はない。よって、この範囲のLFパワーでは調整機構200は動かさない方が、ゴミ等が発生せず好ましい。また、このような調整機構200の上下動の制御は、プラズマ励起用の高周波電力のHFパワーが、200W以上に設定されていることが基準となる。同様に、バイアス用の高周波電力が13MHzでA/C比が4の場合であって、LFパワーが600W以下の場合、調整機構200を可動範囲の上側に位置付ける。これにより、スパッタ力を上げることができるため、壁にポリマーが堆積しすぎる懸念を払拭できる。また、同条件の場合、LFパワーが2250W以上の場合、調整機構200を可動範囲の下側に位置付ける。これにより、スパッタ力を下げることができるため、壁を削りすぎてパーティクルが発生する懸念を払拭できる。同様に、バイアス用の高周波電力が13MHzでA/C比が6の場合、LFパワーが1250W以下の場合、調整機構200を可動範囲の上側に位置付ける。これにより、スパッタ力を上げることができるため、壁にポリマーが堆積しすぎる懸念を払拭できる。調整機構200を上下動させた場合の処理容器内の状態を、図4及び図5を参照しながら説明する。図4aは、調整機構200を可動範囲の最上部位置図1a参照に配置した場合の壁の電位を示し、図4bは、最下部位置図1b参照に配置した場合の壁の電位を示している。なお、このときのプロセス条件は、圧力30mTorr、ガスC4F6ガス/O2ガス/Arガス=70/70/200sccm、40MHzのプラズマ励起用のRFパワー1500Wである。また、直流電源130から0V又は-150Vの直流電圧DCSが印加されている。これによれば、直流電圧DCSの値によらず、かつLFパワー電位LFVppが変化していても、調整機構200を最上部位置に移動させた場合には、最下部位置に移動させた場合より、壁の電位が高くなることがわかる。これは、前述したように、調整機構200を最上部位置に移動させた場合には、最下部位置に移動させた場合より、スパッタ力が強くなることを表している。図5aは、バッフル板調整機構200が可動範囲の最上部位置バッフル板上;図1a参照及び最下部位置バッフル板下;図1b参照の場合のLFパワー電位LFVpp及び直流電圧Vdcを、直流電源130からの直流電圧DCSが0Vの場合右側と-150Vの場合左側について示している。図5bは、バッフル板調整機構200が可動範囲の最上部位置バッフル板上;図1a参照及び最下部位置バッフル板下;図1b参照の場合のRFパワー電位HFVppを、直流電源130からの直流電圧DCSが0Vの場合右側と-150Vの場合左側について示している。なお、このときのプロセス条件は、圧力30mTorr、ガスC4F6ガス/O2ガス/Arガス=70/70/200sccm、40MHzのプラズマ励起用のRFパワー1500Wである。これによれば、直流電圧DCSが0Vの場合、-150Vの場合のいずれも、LFパワー電位LFVppに変化はなかった。また、直流電圧Vdc、RFパワー電位HFVppも若干の変化程度であった。このことは、調整機構200を上下動させることにより、ウエハW上の電位はほとんど変化せず、ウエハ上のプラズマ特性には大きな影響を与えずに、壁とプラズマ間の電位を変化させることができることを示している。多層膜の連続エッチングの具体例次に、本実施形態に係るエッチング装置10を用いて、多層膜構造の異なる複数のエッチングプロセスを同一処理容器内で連続して実行する場合の具体例について、図6を参照しながら説明する。図6aに示したように、シリコン基板Siには、下から順にSiO2膜40、アモルファスカーボン膜50、SiON膜60、反射防止膜BARC70、レジスト膜80が積層されている。本例の多層膜の連続エッチングでは、まず、レジスト膜80をマスクとして、反射防止膜70及びSiON膜60をエッチングする。このときのプロセス条件は、圧力/100mTorr、ガス種/CF4ガス、ガス流量/200sccm、HF/周波数40MHz/パワー1000W、LF/周波数3MHz/パワー0Wである。このプロセスではLFパワーは印加されない。よって、プロセス中、壁はたたかれない。このため、壁に膜が付着しやすい。よって、アノード面積を小さくして壁がたたかれやすいようにしたほうがよい。以上から、本エッチング実行前に調整機構200を上部位置に上げておく。次に、図6bに示したアモルファスカーボンα-カーボン膜50をエッチングする。このときのプロセス条件は、圧力/10mTorr、ガス種/O2ガス/COSガスの混合ガス、ガス流量/400/20sccm、HF/周波数40MHz/パワー1000W、LF/周波数3MHz/パワー0Wである。このプロセスでもLFパワーは印加されないため、壁はたたかれない。しかし、本プロセスではガス種により壁に膜はつかない。以上から、本エッチングの実行に際しては調整機構200は上部位置に上げたまま動かさない。ただし、調整機構200を任意の位置に動かしてもよい。次に、図6cに示したSiO2膜40をエッチングする。このときのプロセス条件は、圧力/30mTorr、ガス種/C4F6/O2/Arの混合ガス、ガス流量/70/70/200sccm、HF/周波数40MHz/パワー1500W、LF/周波数3MHz/パワー4500Wである。このプロセスでは、LFパワー4500Wであるため、壁がたたかれる。よって、アノード面積を大きくして壁がたたかれにくいようにしたほうがよい。以上から、本エッチング実行前に調整機構200を下部位置に下げておく。このように、調整機構200は、同一処理容器内での多層膜の連続エッチングプロセスに応じて各プロセス開始前に位置を調整する。これにより、プラズマ処理空間Uの接地容量を調整し、パーティクルの発生や壁への膜の付着を抑止し、壁が削れ過ぎず、かつ壁に堆積物が付着しすぎない状態に制御することができる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態に係るエッチング装置の全体構成について、図7を参照しながら説明する。第2実施形態に係るエッチング装置10では、調整機構の構成及び設置位置が第1実施形態に係る調整機構と異なる。よって、その相違点を中心に説明し、第1実施形態と同じ構成については説明を省略する。本実施形態に係る調整機構300は、平板305、可動棒310、第3の仕切り板315、第4の仕切り板320、第3のメタル製シール材325及び第4のメタル製シール材330を有している。調整機構300は、上部電極105の外周に配置されている。平板305の内周側には、プラズマ処理空間Uと反対側に向けて第3の仕切り板315が固定されている。平板305の外周側には、平板305に対して第3の仕切り板315と同じ向きに第4の仕切り板320が固定されている。第4の仕切り板320は、処理容器100に近接して配置されている。第3のメタル製シール材325材は、一方の端部を処理容器100の内壁に固定し、他方の端部を第3の仕切り板315に固定する。第4のメタル製シール材330は、一方の端部を処理容器100の内壁に固定し、他方の端部を第4の仕切り板320に固定する。平板305には可動棒310が取り付けられている。第1実施形態と異なり、可動棒310は、処理容器の天井面を突き抜けている。図示しないモータ又はエアーシリンダの駆動により可動棒310を通じて平板305が上下動する。なお、仕切り板及びメタル製シール材の機能は第一実施形態と同様である。図7aは、調整機構300が可動範囲の最上位置にある場合、図7bは、調整機構300が可動範囲の最下位置にある場合を示している。本実施形態によっても、調整機構300の位置調整によりA/C比を変化させてプラズマ処理空間Uの接地容量を調整し、パーティクルの発生及び壁への膜の付着を抑止し、壁が削れ過ぎず、かつ壁に堆積物が付着しすぎない状態に制御することができる。また、本実施形態では、バッフル板205は固定されているため、調整機構の移動とともにバッフル板205の穴からプラズマが漏れることを防止できる。ただし、第1実施形態と異なり、プラズマ処理空間Uより上部に位置する調整機構300を可動させるため、パーティクルが発生したときには処理容器全体に広がるおそれがある。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態に係るエッチング装置の全体構成について、図8を参照しながら説明する。第3実施形態に係るエッチング装置10では、調整機構の構成が第2実施形態に係る調整機構と異なる。よって、その相違点を中心に説明し、第2実施形態と同じ構成については説明を省略する。本実施形態に係る調整機構400は、平板405、可動棒410、第3の仕切り板415、第4の仕切り板420、第3のメタル製シール材425及び第4のメタル製シール材430を有している。調整機構400は、上部電極105の外周に配置されている。平板405の内周側には、プラズマ処理空間Uと反対側に向けて第3の仕切り板415が固定されている。平板405の外周側には、平板405に対して第3の仕切り板415と同じ向きに第4の仕切り板420が固定されている。第4の仕切り板420は、処理容器100に近接して配置されている。平板405には可動棒410が取り付けられている。第2実施形態と異なり、可動棒410は、処理容器の底部を突き抜けている。図示しないモータ又はエアーシリンダの駆動により可動棒410を通じて平板405が上下動する。なお、仕切り板及びメタル製シール材の機能は第1及び第2実施形態と同様である。第3のメタル製シール材425は、一方の端部を処理容器100の内壁に固定し、他方の端部を第3の仕切り板415に固定する。第4のメタル製シール材430は、一方の端部を処理容器100の内壁に固定し、他方の端部を第4の仕切り板420に固定する。図8aは、調整機構400が上側に位置する場合、図8bは、調整機構400が下側に位置する場合を示している。本実施形態によっても、調整機構400の位置調整によりA/C比を変化させてプラズマ処理空間Uの接地容量を調整し、パーティクルの発生及び壁への膜の付着を抑止し、壁が削れ過ぎず、かつ壁に付着物が堆積しすぎない状態に制御することができる。また、本実施形態では、第2実施形態と同様に、バッフル板205は固定されているため、バッフル板205の穴からプラズマが漏れることを防止することができる。ただし、プラズマ処理空間Uより上部に位置する調整機構400を可動させるため、パーティクルが発生したときには処理容器全体に広がるおそれがある。以上、上記各実施形態に係るエッチング装置10のいずれかを用いて本実施形態に係るプラズマ処理方法を実行することができる。これにより、多層膜構造の一括エッチングにおいて、同一処理容器内で高周波のパワーが非常に低い条件と非常に高い条件との連続ステップを実行しても、調整機構の位置調節により壁が削れ過ぎず、かつ壁に堆積物が付着しすぎない状態に制御することができる。次に、本発明の第4及び第5実施形態に係るエッチング装置について説明する。各実施形態に係るエッチング装置の具体的構成を説明する前に、第4及び第5実施形態に係るエッチング装置によって、プラズマ-チャンバ壁間のポテンシャルVwall-Vplasmaの電位差を大きく制御できることを、図11を参照しながら説明する。図11は、調整機構に後述するメタル製部材を用いた場合直線Ptcと、アノード部材を用いた場合比較例Ptとを比較して示したグラフである。メタル製部材は導体又は半導体で形成され、処理容器内に配置され、接地されている。アノード部材は、例えばアルミニウムが溶射膜にて被覆され、処理容器内に配置され、接地されている。比較例の直線Ptは、アノード部材を用いた調整機構の一例を示した第1~第3実施形態の場合を示す。直線Ptcは、メタル製部材を用いた調整機構の一例を示した第4実施形態の場合を示す。図11の結果を得るために行ったプロセス条件を示す。圧力30mTorrプラズマ励起用の高周波電力40MHz1500Wバイアス用の高周波電力3MHz0~4500WDC電圧0Vガス種及びガス流量C4F6/Ar/O2=70/200/70sccm図11の横軸は、バイアス用の高周波電力を示し、縦軸は、プラズマ-チャンバ壁間のポテンシャルVwall-Vplasmaの電位差を示す。これによれば、直線Ptcは、直線Ptに比べてバイアス用の高周波電力に対する傾斜が小さい。よって、第4実施形態では、プロセス条件に合わせてバイアス用の高周波電力の出力を大きく変化させても、プラズマ-チャンバ壁間のポテンシャルをバラツキなく適正な範囲内の値に制御することができる。上記観点から、第4実施形態に係るエッチング装置では、処理容器内にメタル製部材を装着し、メタル製部材のプラズマ空間への露出面積を変化させる。また、第5実施形態に係るエッチング装置では、第4実施形態に係るエッチング装置の変形例を示す。以下に具体的構成を説明する。<第4実施形態>まず、本発明の第4実施形態に係るエッチング装置の全体構成について、図12を参照しながら説明する。図12では、図1の処理容器100及び処理容器100内の各パーツの形状が異なって示されているが、第4実施形態に係るエッチング装置10の基本的構成は、調整機構を除き、第1実施形態図1と同一である。図12ではガス供給源は省略されている。第4実施形態に係る調整機構500は、メタル製部材510、可動棒520及び誘電部材530を有している。メタル製部材510は、処理容器100内の下部電極110の外周にて下部電極110を囲むようにリング状に配置され、バッフル板205に固定されている。具体的には、メタル製部材510は、径方向の断面がL字型になるように、底部にて外側に突出し、その突出部分がバッフル板205と接続されることにより接地されている。メタル製部材510は、Siの導体やSiC等の半導体など、シリコン含有物質であることが好ましい。メタル製部材510には、Cを用いることもできる。メタル製部材510の位置は、プラズマ処理空間Uへ露出するように設けられ、かつ後述するように、誘電部材530によってプラズマ処理空間Uから遮蔽可能な位置であれば、図12に示した位置に限られない。メタル製部材510の突出部分の上方には、誘電部材530が昇降可能に設けられている。誘電部材530は、石英、アルミナ等の誘電体で形成されている。誘電部材530は、可動棒520の上端部に固定され、支持される。可動棒520とバッフル板205とは分離している。可動棒520は処理容器100の底部を突き抜けていて、図示しないモータ又はエアーシリンダに接続され、モータ又はエアーシリンダからの駆動力より上下に可動する。これによって誘電部材530が昇降する。これにより、誘電部材530は、下部電極110の外周部であって下部電極110と処理容器100の側壁との間を、メタル製部材510に近接して動く。このようにして、誘電部材530をメタル製部材510の外周側に近接した位置より上下動させることにより、メタル製部材510は、プラズマ処理空間Uに露出したり、誘電部材530によりその露出を遮蔽されたりする。このようにしてプラズマ処理空間Uに露出するメタル製部材510の面積が調整される。以上に説明したように、本実施形態に係るエッチング装置10によれば、固定され、接地されたメタル製部材510のプラズマ処理空間Uへの露出面積を、可動式の誘電部材530により可変に制御する。これにより、図11の直線Ptcに示したように、バイアス用の高周波電力の出力を、例えばプロセス条件に合わせて大きく変化させても、プラズマ-チャンバ壁間のポテンシャルのバラツキを抑え、適正な範囲内の値に制御することができる。これにより、壁が削れ過ぎず、かつ壁に膜が堆積しすぎないように高周波のパワーを制御することができる。この結果、パーティクル、チャンバ内汚染、パーツの消耗、メモリイフェクトMemoryEffect等の問題を効果的に解消することができる。また、バイアス電圧が高いパワー条件の場合であっても、プラズマリークが発生するまでのマージンを向上させることができる。<第5実施形態>次に、本発明の第5実施形態に係るエッチング装置の全体構成について、図13を参照しながら説明する。第4実施形態と同様、第5実施形態に係るエッチング装置10の基本的構成は、調整機構を除き、第1実施形態と同一である。第5実施形態に係る調整機構600は、メタル製部材610、可動棒620、連結部材630、メタル製シール材640、支持部材650を有している。第5実施形態に係るメタル製部材610は、下部電極110の外周にて下部電極110を囲むようにリング状に配置されている。本実施形態では、メタル製部材610はバッフル板205に固定されていない。メタル製部材610の材質は、第4実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。メタル製部材610の位置は、メタル製部610の昇降によって、メタル製部610がプラズマ処理空間Uへ露出したり、プラズマ処理空間Uから遮蔽されることが可能な位置であれば、図13に示した位置に限られない。連結部材630は逆L字状であり、その突出部の上面にてメタル製部材610と連結し、メタル製部材610を支持する。連結部材630はまた、その下端部にて可動棒620と連結する。さらに、連結部材630は、その外周側壁にてメタル製シール材640の一端と接続されている。メタル製シール材640の他端は、処理容器100の内壁と接続される。これにより、連結部材630は、メタル製シール材640を介して接地される。連結部材630は、その突出部の下面が支持部材650の上端部と当接する位置で止まる。これにより、メタル製部材610はバッフル板205より下方まで降下しないようになっている。可動棒620は処理容器100の底部を突き抜けていて、図示しないモータ又はエアーシリンダに接続され、モータ又はエアーシリンダからの駆動力より上下に可動する。これにより、メタル製材材610は下部電極110の外周部の下部電極110と処理容器100の側壁との間で昇降する。このようにして、第5実施形態に係る調整機構600によれば、メタル製部材610を直接可動することにより、プラズマ処理空間Uに露出するメタル製部610の面積を調整することができる。以上に説明したように、本実施形態に係るエッチング装置10によれば、メタル製部材610のプラズマ処理空間Uへの露出面積を、メタル製部材610を直接可動することにより、可変に制御する。これにより、第4実施形態と同様に、バイアス用の高周波電力の出力を、例えばプロセス条件に合わせて大きく変化させても、プラズマ-チャンバ壁間のポテンシャルのバラツキを抑え、適正な範囲内の値に制御することができる。これにより、壁が削れ過ぎず、かつ壁に膜が堆積しすぎないように高周波のパワーを制御することができる。この結果、パーティクル、チャンバ内汚染、パーツの消耗、メモリイフェクトMemoryEffect等の問題を効果的に解消することができ、バイアス電圧が高いパワー条件の場合であっても、プラズマリークのマージンを向上させることができる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、本発明に係る調整機構は、第1実施形態の調整機構と第2実施形態の調整機構とを組み合わせ、両方を駆動させるようにしてもよい。また、第1実施形態の調整機構と第3実施形態の調整機構とを組み合わせ、両方を駆動させるようにしてもよい。その他、各実施形態のいかなる組み合わせも可能である。一般に、平行平板型プラズマ処理装置では、圧力が100mTorr以下の場合には、全体にプラズマが生成される。一方、圧力が100mTorr以上の場合、印加した側にプラズマが生成される。よって、上部電極又は下部電極のいずれかにプラズマ励起用の高周波電力を印加した場合、特に圧力が100mTorr以上のプロセスでは、印加された電極側近傍にプラズマが生成されることとなる。よって、印加された電極の外周に配置された調整機構を可動させたほうが、壁の削れ及び壁への堆積物の付着をより効果的に制御することができる場合がある。他方、生成されたプラズマが乱れないようにプラズマが生成される側と反対側に位置する調整機構を駆動させたほうが上記各実施形態の効果が発揮されやすい場合もある。本発明のプラズマ処理装置によりプラズマ処理される被処理体は、シリコンウエハに限れず、FPDFlatPanelDisplay用基板又は太陽電池用基板等であってもよい。"