第1導電型の半導体基板の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板に設けられたチャネル形成領域と、前記ソース領域および前記ドレイン領域および前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極と、からなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、前記ドレイン領域の一部は、前記ドレイン領域の表面から前記半導体基板の内部に向かう半球状の窪みであるトンネル領域を有しており、前記フローティングゲート電極の一部は前記トンネル領域の前記半球状の窪みに沿って入り込んだ形状を有し、前記トンネル領域と前記フローティングゲート電極の一部との間には、トンネル絶縁膜が設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記半球状の窪みは、前記ドレイン領域の表面から一段掘り下げられた領域である掘り下げ領域内に形成されている請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記半球状の窪みの曲率半径は、前記半球状の窪みを上面より観察した際の半径に等しい請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、5000オングストローム以下である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、10000オングストローム以下である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。前記コントロールゲート絶縁膜あるいは、前記トンネル絶縁膜の一方もしくは両方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である請求項1記載の電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。しかしながら、改善例のようにドレイン領域と別に専用のトンネル領域を設ける半導体装置においては、占有面積が増大し半導体装置のコストアップに繋がるなどの問題点があった。また、書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域のエッジへの配慮はなされていなかった。上記問題点を解決するために、本発明は半導体装置を以下のように構成した。第1導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、前記ドレイン領域の一部には、前記ドレイン領域の表面から半球状に掘り下げられた半球状の窪みが設けられてトンネル領域を形成しており、前記フローティングゲート電極は前記トンネル領域の前記半球状の窪みに沿って入り込む形状で形成されており、前記トンネル領域と前記フローティングゲート電極との間には、トンネル絶縁膜が設けられている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記半球状の窪みは、前記ドレイン領域の表面から一段掘り下げられた第1の掘り下げ領域内に形成されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記半球状の窪みの曲率半径は、前記半球状の窪みを上面より観察した際の半径に等しい電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、5000オングストローム以下である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、10000オングストローム以下である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。また、前記コントロールゲート絶縁膜あるいは、前記トンネル絶縁膜の一方もしくは両方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜である電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とした。電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置において、トンネル領域は、データの書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与える特に重要な要素である。とりわけトンネル領域のエッジ部分は、欠陥が生じやすく、従来から課題となっていた。本発明では、ドレイン領域の一部に、ドレイン領域の表面から半球状に掘り下げられた半球状の窪みを設けてトンネル領域を形成し、フローティングゲート電極はトンネル領域の半球状の窪みに沿って入り込む形状で形成した。そしてトンネル領域とフローティングゲート電極との間には、トンネル絶縁膜を設けた。このようなトンネル領域の構造を構成することによって、データの書き換えや保持動作においてフローティングゲート電極とドレイン領域との間に高い電圧がかかった際にも、トンネル領域のエッジ部近傍への電界集中を防止することができ、トンネル領域に形成されたトンネル絶縁膜全体へ均一に電界が印加されるようになるため、メモリセルの信頼性を向上させ、より多くのデータ書き換え回数や、データ保持時間を達成することができる。また、トンネル領域は半球状にドレイン領域表面から内部へ入り込んだ形状を有するため、トンネル領域の殆どの領域は欠陥の多いドレイン領域表面部分を回避して、良好な結晶性を保つ内部領域にて形成されることになり、そこに形成されるトンネル絶縁膜の信頼性は従来に比べて大きく向上する。また、半球状の窪みを、ドレイン領域の表面から一段掘り下げられた第1の掘り下げ領域内に形成することによって、さらにより厳密に欠陥の多いドレイン領域表面部を回避することができる。また、半球状の窪みの曲率半径は、半球状の窪みを上面より観察した際の半径に等しい形状とした。すなわち、半球状の窪みは、完全な半球形であり、曲面はいずれの場所でも均一な形状であり、したがって、データ書き換え時などにこの表面に形成されるトンネル絶縁膜にかかる電界は、全ての位置で均一になる。これによって、トンネル絶縁膜の局所的な劣化を防止し、データ書き換え特性や、データ保持特性を大きく向上させることができる。また、半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、5000オングストローム以下とした。これによって、微細な面積のトンネル領域を形成することができ、フローティングゲート電極とコントロールゲート電極との容量と、フローティングゲート電極とドレイン領域との容量の対比指標であるカップリングレシオを大きくとることができる。これによって、データの書き換え動作に必要な電圧を下げることができるようになり、低電圧動作が可能になる。望ましくは、半球状の窪みを上面から観察した際の直径は、5000オングストローム以下とすることが良いが、加工装置の精度などの問題から難しい場合には、次善の策として半球状の窪みを上面から観察した際の直径を、10000オングストローム以下とすることでもカップリングレシオの増大に効果を奏する。また、コントロールゲート絶縁膜あるいは、トンネル絶縁膜の一方もしくは両方は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜として、信頼性をさらに向上している。これらの手段によって、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域の欠陥の生じやすいエッジ部への電界集中を防止し、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。以下図面に基づいて実施例を説明する。図1は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第1の実施例を示す模式的断面図である。第1導電型のP型のシリコン基板101表面に、互いに間隔を置いて第2導電型のN型のソース領域201とドレイン領域202とが設けられ、ソース領域201とドレイン領域202との間のP型のシリコン基板101表面であるチャネル形成領域と、ソース領域201とドレイン領域202とチャネル形成領域の上には、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ400Åのゲート絶縁膜301を介してポリシリコンなどからなるフローティングゲート電極501が設けられ、フローティングゲート電極501上には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるコントロールゲート絶縁膜601を介して容量結合したポリシリコンなどからなるコントロールゲート電極701が形成されている。ここで、ドレイン領域202の一部には、ドレイン領域202の表面から半球状に掘り下げられた直径3000オングストロームで、曲率半径が直径のちょうど半分である1500オングストロームに設定された半球状の窪み130が形成されている。半球状の窪み130は完全に均一な半球状の形状でドレイン領域202に埋め込まれた形をとっている。半球状の窪み130の表面部分にはトンネル領域801が形成され、フローティングゲート電極501はトンネル領域202に形成された半球状の窪み130に沿って入り込む形状で形成されている。そしてトンネル領域202とフローティングゲート電極501との間には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜あるいはそれらの複合膜などからなるトンネル絶縁膜401が形成されている。本発明による第1の実施例では、ドレイン領域202の一部に、ドレイン領域202の表面から半球状に掘り下げられた半球状の窪み130を設けてトンネル領域801を形成し、フローティングゲート電極501はトンネル領域801の半球状の窪み130に沿って入り込む形状で形成した。そしてトンネル領域202とフローティングゲート電極501との間には、トンネル絶縁膜401を設けた。トンネル領域801の構造をこのように構成することによって、データの書き換えや保持動作においてフローティングゲート電極501とドレイン領域202との間に高い電圧がかかった際にも、トンネル領域801のエッジ部近傍への電界集中を防止することができ、トンネル領域801に形成されたトンネル絶縁膜401全体へ均一に電界が印加されるようになるため、メモリセルの信頼性を向上させ、より多くのデータ書き換え回数や、データ保持時間を達成することができる。また、トンネル領域801は半球状にドレイン領域202表面から内部へ入り込んだ形状を有するため、トンネル領域801の殆どの領域は欠陥の多いドレイン領域202の表面部分を回避して、良好な結晶性を保つ内部領域にて形成されることになり、そこに形成されるトンネル絶縁膜401の信頼性は従来に比べて大きく向上する。また、半球状の窪み130の曲率半径は、半球状の窪みを上面より観察した際の半径に等しい形状とした。すなわち、半球状の窪み130は、完全な半球形であり、曲面はいずれの場所でも均一な形状であり、したがって、データ書き換え時などにこの表面に形成されるトンネル絶縁膜401にかかる電界は、全ての位置で均一になる。これによって、トンネル絶縁膜401の局所的な劣化を防止し、データ書き換え特性や、データ保持特性を大きく向上させることができる。また、半球状の窪み130を上面から観察した際の直径は、3000オングストローム以下としたので、微細な面積のトンネル領域801を形成することができ、フローティングゲート電極501とコントロールゲート電極701との容量と、フローティングゲート電極501とドレイン領域202との容量の対比指標であるカップリングレシオを大きくとることができる。これによって、データの書き換え動作に必要な電圧を下げることができるようになり、低電圧動作が可能になる。半球状の窪み130を上面から観察した際の直径は、5000オングストローム以下とすることが望ましいが、加工装置の精度などの問題から難しい場合には、次善の策として半球状の窪み130を上面から観察した際の直径を、10000オングストローム以下とすることでもカップリングレシオの増大に効果を奏する。また、コントロールゲート絶縁膜601あるいは、トンネル絶縁膜401の一方もしくは両方をシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の複合膜として、信頼性をさらに向上させている。図2は、本発明による電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置の第2の実施例を示す模式的断面図である。図1に示した第1の実施例と異なる点は、半球状の窪み130が、ドレイン領域202の表面から一段掘り下げられた第1の掘り下げ領域140内に形成している点である。第1の掘り下げ領域140を設けることによって、トンネル領域801を完全にドレイン領域202の表面領域から離間させて形成することができる。これによって図1に示した第1の実施例に比べて、さらに厳密にドレイン領域表面部を回避したトンネル領域801を形成することができ、その表面に形成されるトンネル絶縁膜401の信頼性はさらに向上することができる。その他の説明は、図1と同一の符号を付記することで説明に代える。これらの手段によって、電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置における書き換え特性や保持特性に顕著に影響を与えるトンネル領域801の欠陥の生じやすいエッジ部への電界集中を防止し、占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることができる。