液浸リソグラフィ装置であって、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む熱的調整システムと、を備える、液浸リソグラフィ装置。基板テーブルは中央部と中央部を囲む周辺部とを含み、凹部は中央部に形成され、ドレインは周辺部に形成される、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。中央部および周辺部は分離システムによって互いに分離されており、分離システムは中央部と周辺部との間の熱または振動もしくはその両方の移送を低減するよう構成され、および/または熱的調整システムは基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成される、請求項2に記載の液浸リソグラフィ装置。基板テーブルの周辺部は、下面および使用中凹部に支持される基板の上面と平行となる上面を有する平面部を含み、熱的調整システムは基板テーブルの周辺部の平面部の下面に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む、請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。凹部の支持部の裏側に向けられた流体を抽出するよう構成された流体抽出システムを備える、請求項2から4のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の導管を通じて流れるよう構成され、導管は熱的調整システムの一部を形成すると共に周辺部を熱的に調整するために使用され、および/または流体抽出システムはさらにドレインから流体を抽出するよう構成される、請求項5に記載の液浸リソグラフィ装置。流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の共通導管を通じて抽出されるよう構成されるか、または、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第1導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第2導管を通じて抽出されるよう構成される、請求項6に記載の液浸リソグラフィ装置。ドレインから流体を抽出し、かつ、熱的調整システムから流体を、その流体が凹部の支持部の裏側に向けられた後に抽出するよう構成された流体抽出システムを備える、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体は基板テーブルの共通導管を通じて抽出されるか、または、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの第1導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の第2導管を通じて抽出されるよう構成される、請求項8に記載の液浸リソグラフィ装置。熱的調整システムは開口プレートを含み、開口プレートには開口が設けられ、開口プレートは開口によって提供される流体ジェットが凹部の支持部の裏側に向けられるよう凹部の支持部に隣接して設けられる、請求項1から9のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。開口プレートおよび凹部の支持部は、開口と凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体を抽出するための出口とを除いて封止される空間を部分的に定義する、請求項10に記載の液浸リソグラフィ装置。熱的調整システムは、開口プレートの開口に流体を提供するよう構成された流体マニホルドを含む、請求項10または11に記載の液浸リソグラフィ装置。基板テーブルの周辺部は、基板テーブルの周辺部を直接熱するヒータを含む、請求項2から12のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。デバイス製造方法であって、基板テーブルの凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、基板の上面に液浸流体を提供することと、基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む、デバイス製造方法。リソグラフィ装置であって、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備え、熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、を含む、リソグラフィ装置。リソグラフィプロセスの実行中、ひとつ以上の熱源がリソグラフィ装置内のひとつ以上の要素に亘って温度変化を引き起こすかもしれない。時間についての温度変化があるかもしれない。そのような温度分布はリソグラフィプロセス内でエラーを引き起こす可能性がある。例えば、ひとつ以上の熱源によって引き起こされるプロセスエラーが低減または最小化されうるリソグラフィプロセスを提供することが望ましい。ある態様によると、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口を含む熱的調整システムと、を備える。ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、基板の上面に液浸流体を提供することと、基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む。ある態様によると、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備える。熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された開口と、を含む。ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有し、基板テーブルは凹部を囲む周辺部を有することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けることによって凹部の支持部を熱的に調整することと、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けることによって基板テーブルの周辺部を熱的に調整することと、を含む。図1は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するよう構成されている照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストでコーティングされたウエハWを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウエハテーブルWTと、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイからなるターゲット部分Cに投影するよう構成されている投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、を備える。照明システムILは、放射を方向付け、放射を形成し、または放射を制御するために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスMAの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスMAが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスMAを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。支持構造MTは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAを例えば投影システムPSに対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書ではパターニングデバイスという用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。パターニングデバイスMAは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書では投影システムという用語は、使用される露光放射あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影システムと同義に用いられ得る。ここに図示されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるのテーブル及び/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有し、それらのうちの少なくともひとつまたは全てが基板を保持しうるタイプのものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に他の1以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源SOがエキシマレーザである場合には、光源SOとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源SOはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適切な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源SOが例えば水銀ランプである場合には、光源SOはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般には、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータILはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。光源SOと同様に、イルミネータILはリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされてもよいしみなされなくてもよい。例えば、イルミネータILはリソグラフィ装置と一体であってもよく、またはリソグラフィ装置と別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータILがそれに取り付け可能なように構成されてもよい。オプションで、イルミネータILは取り外し可能であって別途提供されてもよい例えば、リソグラフィ装置の製造者または他のサプライヤーによって。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスMAによりパターンが付与される。パターニングデバイスMAを通過した放射ビームBは投影システムPSを通過する。投影システムPSはビームを基板Wのターゲット部分Cにフォーカスする。第2の位置決め装置PWと位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なるターゲット部分Cを位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ図1には明示せずとにより放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリから機械検索後や走査中に行われる。一般に支持構造MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現される。同様に基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは異なり、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分C間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンの全体が1回の照射でターゲット部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされるすなわち単一静的露光。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分Cの非走査方向の幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分Cの走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型では、基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影システムに対し実質的に静止状態にある。本発明のある実施の形態が指向する更なる一構成は、液体が閉じ込められないオールウェットallwet型である。この構成においては、基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。図2乃至図5の液体供給装置はいずれもこうしたシステムに使用可能であるが、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。4つの異なる形式の局所液体供給システムが図2乃至図5に図示されている。1つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影システムの最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して供給するというものである基板は一般に投影システムの最終要素よりも大きな面積をもつ。そのための構成の一例がPCT特許出願第WO99/49504号に開示されている。図2及び図3に示されるように、液体が少なくとも1つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって除去される。つまり、基板が-X方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素のX側にて供給され、-X側にて除去される。図2は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。基板Wの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Wの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図2では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図3に示され、ここでは各側に4組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図4に示されている。液体は、投影システムPSの両側にある2つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口によって供給され、投影システムPSの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムPSと基板Wとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Wの移動方向によって決まる他方の組合せの入口及び出口は作動させない。図4の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。本明細書にその全体が援用される欧州特許出願公開第1420300号及び米国特許出願公開第2004-0136494号明細書には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための2つのテーブルが設けられている。レベリング計測が1つのテーブルで第1位置で液浸液なしで実行され、露光が1つのテーブルで第2位置で液浸液ありで実行される。ある構成では、装置は1つのテーブルのみを有するかまたは、2つのテーブルを有し、それらのテーブルのうちの一方のみが基板を支持できる。国際公開第2005/064405号には、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成が開示されている。このようなシステムにおいては、基板上面全体が液体で覆われる。これは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるので有利な場合がある。これは、基板の温度制御および処理に有利に働く。国際公開第2005/064405号では、液体供給システムは、液体を投影システムの最終要素と基板との間のギャップに供給する。供給された液体は、基板の残り部分にわたって漏れるまたは流れることが許容されている。基板テーブルのエッジの障壁によって液体が漏れるのが防止され、制御された方法で基板テーブルの上面から液体を除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御および処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発が生じる可能性がある。米国特許出願公開第2006/0119809号明細書には、この問題を多少とも解決するのに役立つ一つの方法が開示されている。基板を全ての位置において覆う部材が設けられており、該部材は、液浸液を自身と基板及び/または基板を保持する基板テーブルの表面との間に広げるよう構成される。提案されている別の構成は流体ハンドリング構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図5に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向光軸の方向では多少の相対運動があってよい。流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成される。ある実施の形態においては、流体ハンドリング構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号明細書に開示されている。別の実施の形態においては、流体ハンドリング構造は非ガスシールであるシールを有し、したがって液体閉じ込め構造と称されてもよい。図5は、バリア部材または液体閉じ込め構造を形成する本体12を有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリング構造若しくはデバイスを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、投影システムPSの最終要素と基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Wの表面について言及した場合、追加的にまたは選択的に基板テーブルWTの表面にもついても言及していることを留意されたい。液体ハンドリング構造は、投影システムPSに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向一般には光軸方向では多少の相対運動があってよい。ある実施の形態においては、本体12と基板Wの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。流体ハンドリング構造は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11の少なくとも一部に液体を収容する。基板Wに対する非接触シール、例えばガスシール16が投影システムPSの像フィールドの周囲に形成され、基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間11に液体が閉じ込められてもよい。この空間11は少なくとも一部が本体12により形成される。本体12は投影システムPSの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影システムPSの下方かつ本体12内部の空間11に、液体入口13によって供給される。液体出口13によって液体が除去されてもよい。本体12は、投影システムPSの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施の形態においては本体12は、上端において内周が投影システムPSまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。液体は、本体12の底部と基板Wの表面との間に使用時に形成されるガスシール16によって空間11に収容されてもよい。ガスシール16は、例えば空気又は合成空気、ある実施の形態ではN2又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール16の気体は、圧力の作用で入口15を介して本体12と基板Wとの隙間に提供される。気体は出口14から抜き取られる。気体入口15での過剰圧力、出口14の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体12と基板Wとの間の液体に作用する気体の力が空間11に液体を収容する。入口及び出口は空間11を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間11に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されている。図5の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Wの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第2006-0038968号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリング構造を含む構成が開示されている。ある実施の形態においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。ある実施の形態の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し液体単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば5μm乃至300μmの、望ましくは5μm乃至50μmの範囲の直径の小孔を有する。ある実施の形態においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性例えば親水性をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が90度未満である。その他にも多様な液体供給システムが可能であり、例えば液体メニスカスが二相抽出によって出口開口に固定される気体吸引構成であり、これは例えば米国特許出願公開第2009-0279060号および第2009-0279062号に開示されており、これらのそれぞれは参照によりその全てが本明細書に組み入れられる。本発明は、いかなる特定のタイプの液体供給システムに限定されるものではない。本発明は、投影システムの最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め型液浸システムへの使用に有利でありえ、例えばその使用を最適とすることもある。しかしながら、本発明は任意の他のタイプの液体供給システムと共に使用されうる。図6は、本発明の実施の形態に係る基板テーブルWTの一部を模式的に示す。図示のとおり、基板テーブルWTは基板Wを支持するための中央部51と中央部51を囲む周辺部52とを含む。中央部51は、基板Wの下側を支持するための突起54を含んでもよい支持部53を含む。基板Wを支持部53に固定するため、突起54を囲む空間は真空引きされてもよい。基板テーブルWTの中央部51の支持部53は、基板テーブルWT内で凹部を形成するよう構成されてもよい。凹部は周辺部52によって部分的に定義されてもよい。例えば、図6に示されるように、周辺部52の上面が基板テーブルWTによって支持される基板Wの上面と実質的に同一平面となるように、基板テーブルWTを構成してもよい。周辺部52のエッジは基板テーブルWTの凹部のエッジを定義してもよい。基板Wはこの凹部の中で支持される。周辺部52はドレインを含んでもよい。このドレインは、使用中、基板Wのエッジと凹部のエッジとの間のギャップ55の中に漏れる液浸流体を受けるよう構成される。ドレインを通じての抽出を使用することによって、基板Wのエッジと基板テーブルWTの中の凹部のエッジとの間のギャップから泡を除去することができる。図6に示されるように、ドレインは開口61を含んでもよく、液浸液はこの開口61を通って抽出導管62へ流れていく。例えば、開口61は、基板テーブルWTの周辺部52を巡るように拡がるチャネルの形で提供されてもよい。代替的にまたは追加的に、開口61は複数の個別の開口の形で提供されてもよい。図示されるように、ドレインは、開口61を横切り凹部のエッジに至るまで拡がるカバー部63を含んでもよく、基板Wはこの凹部の中で支持される。また、ドレインは液浸液が開口61に入る前にカバー63の下を通過するよう構成されてもよい。抽出導管62は基板テーブルWTの周辺部52を巡るように拡がっていてもよく、次にひとつ以上の導管によって低圧源に接続されてもよい。この低圧源は、例えば液浸液をリザーバに戻すために液浸液を抽出する。図6に示されるように、基板テーブルWTの中央部51は、基板テーブルWTの支持部53を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムを含む。言い換えると、熱的調整システムは、支持部53の温度の任意の変動を、それが支持部53の幅に亘るものであれ時間の経過によるものであれ、低減または最小化するよう構成される。熱的調整システムはひとつ以上の開口72を含んでもよく、これらの開口72のそれぞれまたはこれらの開口72が一緒になって、基板テーブルWTの支持部53の下側に液体などの流体のジェット71を提供する。この場合、支持部53の下側は、支持部53の基板Wを支持する側とは反対側であることは理解されるであろう。液体のジェット71を供給することにより、基板テーブルWTの支持部53から効率的に熱を取り除くことができる。したがって、基板テーブルWTの支持部53の温度変動が低減されうる。支持部53は、他の制約にしたがいつつも、できる限り熱伝導がよくなるように選択されてもよい。したがって、支持部53はSiSiCなどの熱伝導性材料から形成されてもよい。支持部53は、基板Wを支持するために十分な構造強度を提供しつつ、できる限り薄くされてもよい。ひとつ以上の開口72は開口プレート73に形成されてもよく、この開口プレート73は液体のひとつ以上のジェット71が支持部53の下側に向けられるように支持部53に隣接して設けられる。そのまたはそれぞれの開口72はマニホルド74と接続され、このマニホルド74は各開口72に液体を分配するよう構成される。図6に示されるように、ある実施の形態では、マニホルド74は開口プレート73に直接隣接して設けられてもよい。特に、マニホルド74は開口プレート73によって部分的に形成されてもよい。マニホルド74をひとつ以上の開口72にできるだけ近づけて設けることで、そのまたはそれぞれの開口72に提供される液体における温度変動を低減または最小化できる。その結果、支持部53における温度変動を低減できる。図6に示されるように、リザーバ76からマニホルド74へ液体を提供するために入口75が設けられてもよい。ある実施の形態では、リザーバ76からマニホルド74の中へ複数の開口が設けられてもよい。これにより、マニホルド74内の液体の温度変動をさらに低減できる。その結果、そのまたはそれぞれの開口72からの液体のジェット71の温度変動をさらに低減できる。開口プレート73は熱伝導を低減または最小化するように選択されてもよい。これにより、そのまたはそれぞれの開口72によって提供される液体のジェット71の任意の温度変動を低減または最小化できる。さらに、開口プレート73がマニホルド74の一部を形成する場合、開口プレート73の熱伝導を低減することによって、マニホルド74内の液体の任意の温度変動を低減できる。図6に示されるように開口プレート73がマニホルド74の一部を形成する場合、開口プレート73は、液体のジェット71を提供するのに必要な圧力でマニホルド74内に液体を保持できる程度に十分な剛性を提供するよう選択されてもよい。例えば、その圧力は例えば0.3barから1.5barであってもよい。ひとつ以上の開口72は任意の適切な構成を有してもよい。例えば、0.3barから1.5barの液体圧力では、ひとつ以上の開口72は例えば100μmから300μmの断面幅例えば直径を有してもよい。さらに、開口プレート73は任意の数の開口72を含んでもよい。例えば、開口プレート73は例えば500個から5000個の開口72を含んでもよく、そのそれぞれが支持部53の下側に液体のジェット71を提供する。ひとつ以上の開口72が約100μmの幅を有する構成については、ひとつ以上の開口72へ液体を同じように分配するために、マニホルド74の深さを約2mmから3mmとしてもよい。図6に示されるように、ある実施の形態では、ひとつ以上の薄い壁78を設けて開口プレート73上で支持部53を支持してもよい。ひとつ以上の壁78は、支持部53と開口プレート73との間の熱の移送を最小化または低減するよう構成されてもよい。例えば、図6に示されるように、ひとつ以上の壁78は中空の柱の形で提供されてもよい。そのような構成では、開口72のひとつ以上はそのような中空の柱の中に配置されてもよい。したがって、液体のジェット71は中空の柱内に提供される。ある実施の形態では、中空の柱の断面は円形または楕円形であってもよい。ある実施の形態では、中空の柱の断面は正方形などの矩形であってもよい。そのような構成では、中空の柱のエッジのいくつかは、使用中の基板テーブルWTの走査方向と平行となるよう構成されてもよい。代替的にまたは追加的に、エッジのいくつかは基板テーブルの別の移動方向に揃えられてもよい。基板テーブルはこの移動方向に比較的大きな加速度で動かされる。このような構成により、基板テーブルWTが使用中最も大きな加速度を経験する方向において最大の剛性を提供できる。ある実施の形態では、開口プレート73から支持部53を支持するひとつ以上の壁78は、複数の接続リブすなわち平面壁部78の形で提供されてもよい。例えば、互いに平行な複数の平面壁部が設けられてもよい。矩形断面柱と同じように、リブは例えば使用中の基板テーブルWTの走査方向と平行となるように方向付けられてもよい。これにより剛性を最大化できる。そのような構成では壁の面内の線は走査方向と平行となることは理解されるであろう。ひとつ以上の壁78は、その構成にかかわらず、ひとつ以上の適切に方向付けられた液体のジェット71によって熱的に調整されてもよい。代替的にまたは追加的にひとつ以上の壁78は、支持部53の下側に向けられた後の液体によって十分に熱的に調整されてもよい。図6には示されていないが、支持部53と開口プレート73とを分離するひとつ以上の壁78内にひとつ以上の開口を設けてもよいことは理解される。これにより、液体が支持部53の下側に向けられた後、その液体の移動が可能となる。さらに、図6には示されていないが、マニホルド74内に例えば開口プレート73を支持するようにひとつ以上の壁を設けてもよい。これにより、マニホルド74に強度と剛性を提供できる。マニホルド74内のひとつ以上の壁は、例えば支持部53を支持するひとつ以上の壁78について上述された構成のひとつにしたがって構成されてもよい。ある実施の形態では、基板テーブルWTの中央部51は周辺部52から分離されてもよい。例えば、中央部51および周辺部52は分離システムによって分離されていてもよい。分離システムは中央部51と周辺部52との間の熱または振動もしくはその両方の移送を低減または最小化するよう構成される。例えば、図6に示されるように、ある実施の形態では、中央部51と周辺部52との間にギャップ81が設けられる。したがって、中央部51と周辺部52とは例えば50μmから300μmの距離だけ離されてもよい。中央部51は周辺部52から離されていてもよいが、中央部51と周辺部52との間の熱および/または振動の生じうる移送を低減または最小化しつつ中央部51の部分と周辺部52の部分との間に液体および/または気体型シールを設けるためにシール部材82、83が設けられてもよいことは理解されるであろう。例えば、図6に示されるように、シール部材ステッカーstickerと称されてもよいはステンレス鋼などの金属から作られてもよく、中央部51の下面と周辺部52の下面との間に取り付けられてもよい。そのようなシール部材は、支持部53の下側に向けられた後の液体を、例えばその液体が抽出されて液体リザーバ76に戻される前には含んでもよい。他の既知のシール部材が使用されてもよいことは理解されるであろう。ある実施の形態では、図6に示されるように、基板テーブルWTの中央部51と周辺部52との間にシール部材83が設けられる。これにより、基板テーブルWTの支持部53、開口プレート73および周辺部52の一部によって定義される空間85を封止することができる。理解されるように、液体のひとつ以上のジェット71はこの封止された空間85内に提供される。そのような構成は、使用中は完全に湿るすなわち熱的調整システムで使用される液体の蒸気で飽和することとなるので有利である。空間85内での温度変動の原因となりうる液体の蒸発を防ぐことができる。ある実施の形態では、例えば第2シール部材83を除くことによって空間85は封止されない。そのような構成によると、空間85からの液体の抽出レートを非一様または揺動的にすることができ、有利となりうる。ある実施の形態では、液体が基板テーブルWTの支持部53の下側に向けられた後その液体を空間85から抽出するシステムは特に、開口プレート73が常にその全表面に亘って液体の連続的なフィルムを維持する例えばこれは図6に短い破線で示されているのを支援するよう構成されてもよい。これにより、開口プレート73の表面からの液体の蒸発を低減できる。その結果、開口プレート73の表面、ひとつ以上の開口72が設けられる任意のノズルの表面、および/またはひとつ以上の壁78の表面、に亘る温度変動の有力な原因を低減できる。しかしながら、開口プレート73の表面上の液体の層の厚さを最小化することが望ましい。これにより、使用中の基板テーブルWTの質量を低減できる。加えて、これにより、使用中の基板テーブルWTの移動によって引き起こされる液体のスロッシングの影響を低減できる。上述の通り、熱的調整システムの中で各種液体または他の流体を使用できる。例えば、液体は水であってもよい。ある実施の形態では、液体は液浸液と同じであってもよい。そのような構成では、単一の抽出システムを使用して、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップ55の中に漏れる液浸液を受けるドレインからの液体と、基板テーブルWTの支持部53の下側に向けられた後の液体と、を抽出してもよい。ある実施の形態では、熱的調整システムで使用される液体は、3Mによって製造されるFluorinertなどの熱伝導性および電気絶縁性を有する液体であってもよい。ある実施の形態では、図6に示されるように、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85の一部から、ドレインから液体を抽出するのに使用される抽出導管62へと通じるひとつ以上の開口91が設けられてもよい。したがって、共通導管62が使用されてもよく、その共通導管62は液体を共通リザーバ76に戻してもよい。液体は、それがリザーバ76に戻される前に適切に調整されてもよい。ある実施の形態では、抽出導管62は、ひとつ以上の開口61とひとつ以上の開口91との下流に、適切な流れ制御器を伴うベントを備えてもよい。これにより、抽出圧力に変動がある場合でも、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85の内部の圧力変動を低減できる。ある実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85から抽出導管62への液体の流れを制限する流れ制御器92が設けられてもよい。ひとつ以上の開口91の配置および流れ制御器92の構成を使用して空間85内の液面を制御できることは理解されるであろう。図19に示される実施の形態は図6に示される実施の形態の変形例であるが、その図19に示される実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85の中に壁170が設けられてもよい。図19に示されるように、壁170はダムのごとく機能してもよく、ひとつ以上の開口72を囲む領域を、導管62につながるひとつ以上の開口91から分離する。液体のひとつ以上のジェット71の周囲の空間内に液面を確保するのを支援するために、壁170が使用されてもよい。壁170は、ひとつ以上の開口91を通じて導管62へ液体のみが抽出されるのを支援してもよい。ある実施の形態では、基板テーブルWTの周辺部52内の共通抽出導管62を通じた液体の流れを使用して、周辺部52を熱的に調整してもよい。例えば、液体が基板テーブルWTの周辺部52の全体に流れるように、共通抽出導管62が構成されてもよい。この点について、基板テーブルWTの支持部53の下側に向けられた液体の温度変化は18mKから24mK程度の大きさであることを注意しておく。したがって、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85から抽出される液体は、基板テーブルWTの周辺部52を熱的に調整するのに十分でありうる。代替的にまたは追加的に、ある実施の形態では、周辺部52を熱的に調整するために、基板テーブルWTの周辺部52内にヒータ95が設けられてもよい。図7は、図6に関連して上述された実施の形態と似ているがドレインの構成について異なる基板テーブルWTの構成を示す。簡潔のため、差異のみが説明されるであろう。特に、図7に示される構成では、基板Wのエッジと基板テーブルWT内の凹部のエッジとの間のギャップ55の直下に狭められたギャップ101が設けられるよう、ドレインが構成される。このドレインを通じた抽出を使用することによって、基板Wの下側への液体の漏洩を防ぐまたは低減することができる。図7に示されるように、基板テーブルWTの中央部51の支持部53上の突起と基板テーブルWTの周辺部52のエッジ上の突起との間に、狭められたギャップ101が設けられてもよい。しかしながら、図7ではそれらの突起は同じサイズのものとして示されているが、これは必ずしも必要ではないことは理解されるべきである。実際、一方の突起は他方の突起よりも大きくてもよく、あるいはまた省略されてもよい。狭められたギャップ101の直下には、基板テーブルWTの上方の大気と流体的に通じるチャンバ102が設けられる。ある実施の形態では、基板テーブルWTの外部から突起間の狭められたギャップ101を通りチャンバ102の中まで一本の線を直線的に引くことができる。ある実施の形態では、その線は鉛直な線であり、および/またはチャンバ102の底壁上でチャンバ102の境界と交わる。この構成によって、狭められたギャップ101およびチャンバ102の寸法が正しく選択された場合、ガスナイフは液体を保持するのを助けるために液体供給システムにおいて使用されるのであるがこのガスナイフがギャップ101の存在によって影響を受けなくなるという効果が奏されうる。ガスナイフはチャンバ102の底を感じないからである。ある実施の形態では、チャンバ102内の気圧は基板テーブルWTの外部の気圧すなわち、周囲の気圧と同じに維持される。これは、通常動作中、ギャップ101が液体供給システムによって覆われておらずかつ液体供給システムのひとつ以上のガスフローデバイスがギャップ55を通じてガスを吹つけている場合、ギャップ101を通じたガスの流れは実質的に存在しないことを意味する。液体供給システムがギャップ55の一部を覆う場合でも、チャンバ102内は周囲の気圧に維持されうる。チャンバ102は環状または基板テーブルWTの周辺部52の周りに巡らされる別の形状であり、基板Wの外周囲の別の箇所でギャップ55を通じて基板テーブルWTの上方の大気に通じているであろうからである。チャンバ102から液体を除去するために、チャンバ102内に負圧を生成しないように液体が除去されてもよい。例えば毛細管通路105における毛細管作用を使用して、チャンバ102から抽出導管106の中へ液体を除去できる。代替的に、例えばチャンバ102における通路105の口に液体が存在することが検出された場合のみ通路105に負圧を与えるひとつ以上の液体除去デバイスが設けられてもよい。代替的にまたは追加的に、液体をチャンバ102から除去するために、微小ふるいmicrosieve単相抽出器例えば、欧州特許出願公開第1628163号参照が使用されてもよい。代替的にまたは追加的に、液体供給システム12は任意の時刻において平面視で基板の局所的な領域にのみ液体を供給するのであるが、この液体供給システム12がギャップ55の上に配置されている場合にチャンバ102の一部を負圧源に接続するか否かをコントローラが制御してもよい。その結果、液体供給システム内の液体はギャップ55の中へ排出される。液体供給システムがギャップ55の上に配置されていない場合、負圧源はチャンバ102に接続されない。したがって、ほとんどの時間はチャンバ102は周囲の圧力となっているが、液体がチャンバ102の中に落ちていくかまたはチャンバ102内に液体が存在する場合、チャネル105を通じて負圧源が適用され、チャンバ102に入ってくる液体が除去される。図6の構成と同様に、図7に示され上述されたドレインを有する構成では、共通の抽出チャネルを使用して、基板Wのエッジと凹部のエッジとの間のギャップ55を通じて漏れる液体と基板テーブルWTの支持部53の下側に向けられた液体とを抽出してもよい。したがって、例えば、支持部53の下側に向けられた液体はチャンバ102の中へ入っていってもよい。そのチャンバ102は基板テーブルWTの周辺部内のドレインの一部を形成する。液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85を封止することが望まれる場合は、ある実施の形態では、空間85とチャンバ102とを分離するために壁110が設けられてもよい。図7に示されるように、液体を液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85からチャンバ102の中へ流すためにひとつ以上の開口111が設けられてもよい。図8は、本発明のさらなる実施の形態に係る基板テーブルWTの一部を示す。ここでもまた、図6に示される構成と図8に示される構成との差異のみが議論されるであろう。本実施の形態に示されるように、ドレインから抽出されるべき液体と熱的調整システムから抽出されるべき液体とについて別々に抽出導管が設けられる。特に、図示されるように、基板Wのエッジと基板テーブルWT内の凹部のエッジとの間のギャップ55を通じて漏れる液体は基板テーブルWTの周辺部52の内部の第1抽出導管62を介して抽出されてもよい。液体を液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85から抽出するために第2抽出導管120が設けられてもよい。図示されるように、ある実施の形態では、第2抽出導管120は基板テーブルWTの周辺部52の内部に設けられてもよい。特に第2抽出導管120を通じた液体の流れを使用して基板テーブルWTの周辺部52を熱的に調整できることは理解されるであろう。図6に示される構成と同様に、第2抽出導管120の中への液体の流れを制御するために、流れ制御器91が設けられてもよい。図8に模式的に示されるように、第1および第2抽出導管62、120は液体を共通リザーバ76に戻してもよい。あるいはまた、第1および第2抽出導管62、120は液体を別々のリザーバに戻してもよい。これにより、ドレインによって抽出された液体と熱的調整システムにおいて使用された液体とは別々に維持されうる。どちらの場合でも、液体はリザーバに戻される前に適切に調整されてもよい。図9は、基板テーブルWTのさらなる実施の形態を模式的に示す。図示の通り、本実施の形態では、図7に示されるようなおよび上述のようなドレイン構成が設けられるが、そのドレイン構成は、ドレインについての第1抽出導管106と、基板テーブルWTの中央部51の内部の第2抽出導管125と、を備える。この第2抽出導管125は、液体のひとつ以上のジェット72が提供される空間85から液体を抽出するためのものである。ある実施の形態では、図9に示されるように、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85を封止することが望まれる場合、空間85とドレインのチャンバ102とを分離するために設けられる壁126に開口が設けられなくてもよい。図9に示されるような実施の形態ではドレインからの液体の抽出および熱的調整システムからの液体の抽出のそれぞれについて別々の抽出導管106、125が設けられるが、その別々の抽出導管は液体を共通リザーバ76に戻してもよいし、または別々のリザーバに戻してもよいことは理解されるべきである。図10から13は、図6から9に示される実施の形態のさらなる変形例をそれぞれ示す。それぞれの場合において、実施の形態間の唯一の違いは、基板テーブルWTは分離システムによって中央部と周辺部とに分離されておらず、基板テーブルWTは単一の完全な基板テーブルであることである。したがって、例えば図6に示されるシール部材82、83は必要ではない。図6から13に関連して上述された実施の形態のそれぞれにおいて、液体のひとつ以上のジェット71はそのまたは各開口72から提供され、その開口72は開口プレート73上のひとつ以上のノズルとして形成される。しかしながら、ひとつ以上のノズルが提供される必要はないことは理解されるべきである。したがって、図6から13に示される任意の実施の形態との関連で使用されうる本発明の実施の形態では、ひとつ以上の開口72は開口プレート73の上面と同一平面となりうる。言い換えると、基板テーブルWT内の凹部の支持部53と対向する開口プレート73の面にひとつ以上の開口72を形成してもよい。そのような構成が図14に示される。任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、支持部53の下面、すなわち液体のひとつ以上のジェット71が向けられる面は、液体のそのまたは各ジェット71に関連するインデントを含んでもよい。そのような構成が図15に示される。ひとつ以上のインデント130は、そのインデント130の中へ向けられた液体のジェット71の中の液体が反対に開口プレート73に向けられるよう構成されてもよい。例えば、液体はその液体が隣のジェットからの液体と干渉しないように再方向付けされてもよい。隣接するジェットからの再方向付けされた液体は開口プレート73へ戻っていくときに混合されてもよいことは理解されるべきである。任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85は液体で完全に満たされてもよい。その結果、液体のひとつ以上のジェット71は液体のバルクの中で提供される。上述の通り、図6から13に示される実施の形態や図14および/または15に示される構成と組み合わせられた実施の形態のうちの任意のひとつにおいて、液体のひとつ以上のジェット71が提供される空間85からの液体の抽出は、開口プレート73上に恒常的な液体層が残るようになされてもよい。既述の通り、スロッシングを防ぐためにこの層をできる限り薄くすることが有利であるかもしれない。代替的にまたは追加的に、図16に示されるように、開口プレート73上に多孔質材料の層が設けられてもよい。多孔質材料は、開口プレート73上に連続的な液体層が残り、したがって開口プレート73の一部が乾くことによって生じうる熱負荷を低減するのを支援することができる。多孔質材料135は、基板テーブルWTの移動中の液体のスロッシングを防ぐかまたは低減しうる。多孔質材料は比較的低い熱伝導性を有するよう選択されてもよい。例えば、多孔質材料は、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、SchottAGによって製造されるZerodurなどのセラミック、石英、またはポリアセタール共重合体polyacetalcopolymer、POMから形成されてもよい。任意の上述の実施の形態において、熱的調整システムは基板テーブルWTの支持部53へ液体を提供し、それによって支持部53を熱的に調整し、したがって支持部53上で支持される基板Wを熱的に調整する。そうするために液体の温度が注意深く制御されうることは理解されるであろう。ある実施の形態では、図6および17に示されるように、リザーバ76内の液体の温度を調整するために、液体リザーバ76内にヒータ141および/またはクーラ142が設けられてもよい。加えて、リザーバ76内の液体の温度を監視するために温度センサ143が設けられてもよい。センサ143からのデータを使用してヒータ141および/またはクーラ142を制御してもよい。代替的にまたは追加的に、マニホルド74内の液体の温度を調整するために、マニホルド74内にヒータ145および/またはクーラ146が設けられてもよい。同様に、マニホルド74内に温度センサ147が設けられてもよい。マニホルド74内の温度センサ147を使用して、液体リザーバ76内のヒータ141および/またはクーラ142を制御しマニホルド74内のヒータ145および/またはクーラ146を制御してもよい。いずれの場合でも、図17に示されるように、温度センサ143、147からの測定データに基づいてヒータ141、145および/またはクーラ142、146のうちのひとつ以上を制御するコントローラ150が設けられてもよい。ある実施の形態では、代替的にまたは追加的に、液体の個々のジェット71を形成する液体の温度を調整するために、ひとつ以上の開口72に対してヒータ152が設けられてもよい。ヒータ152の制御のための測定データを提供するために、ヒータ152の下流に温度センサ153が設けられてもよい。図17に示されるように、ヒータ152および温度センサ153はコントローラ150によって制御されてもよい。そのような構成によって熱的調整システムの制御が改善されうることは理解されるべきである。したがって、例えば、支持部53に亘って熱負荷が一致していない場合でも、熱的調整システムを制御して基板テーブルWT内の凹部の支持部53に亘る温度を一致させることができる。さらに、例えば、熱的調整システムは基板テーブルWT内の正および負の熱負荷の両方を補償することができるであろう。さらに、例えば、熱的調整システムは、液体が基板テーブルWT内のチャネルを通して流れる既知のシステムよりも、基板テーブルWTをより速く熱的に調整できる。これが実現されうるのは、ヒータなどのアクチュエータを含む専用の制御ループと温度センサなどのフィードバックセンサとによって各ジェット71の温度を個々に制御できるからである。任意の上述の実施の形態と組み合わせ可能な実施の形態では、図18に示されるように、基板テーブルWTの周辺部52に追加的な熱的調整が設けられてもよい。特に、熱的調整システムは、基板テーブルWTの周辺部52の一部162を熱的に調整するために液体のひとつ以上のジェット161を導くよう構成されたひとつ以上の開口160を備えてもよい。上述のドレイン構成を含まない基板テーブルWTの内部にそのような構成が設けられてもよいことは理解されるべきである。言い換えると、熱的調整システムは基板テーブルWTの中央部および基板テーブルWTの周辺部の両方を熱的に調整するよう構成されてもよい。この基板テーブルWTの中央部は基板Wを支持し、基板テーブルWTの周辺部は基板Wを囲み、例えば基板テーブルWT上に支持された場合の基板Wの上面と同一平面となる上面を有してもよい。図18は、図6に示されるドレインに対応するドレインを含む実施の形態についての構成を模式的に示す。図示の通り、基板テーブルWTの周辺部52の上面を熱的に調整するよう熱的調整システムが設けられる。上面162は例えば基板テーブルWTの凹部内に支持された基板Wの上面と同一平面となるよう構成されてもよい。図示の通り、熱的調整システムは、凹部の支持部53の熱的調整に関連して上述されたのと同様な方法で、基板テーブルWTの周辺部52の上面162の下側に液体のひとつ以上のジェット161を提供する。凹部の支持部53の熱的調整についての構成の上述の変形例は基板テーブルWTの周辺部52の上面162の熱的調整にも適用されうることは理解されるべきである。図18に示される通り、液体が周辺部52の上面162の下面に向けられた後、基板テーブルWTの周辺部52内の熱的調整システムからその液体を抽出してもよい。液体の抽出は既に上述された導管への別個の抽出導管によって行われてもよいことは理解されるべきである。あるいはまた、抽出は任意の既述の抽出導管と組み合わせられてもよい。理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他のマイクロスケールや更にナノスケールの部品、フィーチャの用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書におけるウエハあるいはダイという用語がそれぞれ基板あるいはターゲット部分という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。本明細書において放射及びビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を含む。レンズという用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む1つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施の形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令のひとつ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクであってもよい。機械で読み取り可能な命令は2以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら2以上のコンピュータプログラムはひとつ以上の異なるメモリ及び/またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。本明細書に記載のひとつ以上のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくともひとつの構成要素内部に設けられたひとつ以上のコンピュータプロセッサによってひとつ以上のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。ひとつ以上のプロセッサは少なくとも1つのコントローラと通信可能に構成されていてもよい。例えば、コントローラの各々は、上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するためのひとつ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラはそのようなコンピュータプログラムを記録するデータ記録媒体及び/またはそのような媒体を受けるハードウエアを含んでもよい。したがって、コントローラはひとつ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。本発明のひとつ以上の実施の形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び/または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び/または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。本明細書で述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施の形態においては投影システムと基板及び/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。ひとつ以上の構造体、及びひとつ以上の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、ひとつ以上の液体開口、ひとつ以上の気体開口、ひとつ以上の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口または流体ハンドリング構造からの出口または液浸空間からの出口または流体ハンドリング構造への入口であってもよい。ある実施の形態においては、空間の表面は基板及び/または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは空間の表面は基板及び/または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、空間が基板及び/または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するためのひとつ以上の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部を含む基板テーブルと、基板テーブルの中のドレインであって、使用中、基板テーブル上の基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を受けるよう構成されたドレインと、凹部の支持部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムであって凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口を含む熱的調整システムと、を備える。ある実施の形態では、基板テーブルは中央部と中央部を囲む周辺部とを含み、凹部は中央部に形成され、ドレインは周辺部に形成される。ある実施の形態では、中央部および周辺部は分離システムによって互いに分離されており、分離システムは中央部と周辺部との間の熱および振動のうちの少なくともひとつの移送を最小化するよう構成される。ある実施の形態では、熱的調整システムは基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成される。ある実施の形態では、基板テーブルの周辺部は、下面および使用中凹部の中で支持される基板の上面と平行となる上面を有する平面部を含み、熱的調整システムは基板テーブルの周辺部の平面部の下面に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口を含む。ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置は流体抽出システムを備え、この流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた流体を抽出するよう構成される。ある実施の形態では、流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の少なくともひとつの導管を通じて流れるよう構成され、その少なくともひとつの導管は熱的調整システムの一部を形成すると共に周辺部を熱的に調整するために使用される。ある実施の形態では、流体抽出システムはさらにドレインから流体を抽出するよう構成される。ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の共通導管を通じて抽出されるよう構成される。ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第1導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第2導管を通じて抽出されるよう構成される。ある実施の形態では、液浸リソグラフィ装置は流体抽出システムを備え、この流体抽出システムは、ドレインから流体を抽出し、かつ、熱的調整システムから流体を、その流体が凹部の支持部の裏側に向けられた後に抽出するよう構成される。ある実施の形態では、ドレインから抽出された流体および凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体は基板テーブルの中の共通導管を通じて抽出される。ある実施の形態では、流体抽出システムは、ドレインから抽出された流体が基板テーブルの中の第1導管を通じて抽出され、凹部の支持部の裏側に向けられた後抽出された流体が基板テーブルの周辺部の中の第2導管を通じて抽出されるよう構成される。ある実施の形態では、流体抽出システムは、凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体の、共通導管内への流れを制限する流体流れ制御器を含む。ある実施の形態では、熱的調整システムは開口プレートを含み、開口プレートには少なくともひとつの開口が設けられ、開口プレートは少なくともひとつの開口によって提供される各流体ジェットが凹部の支持部の裏側に向けられるよう凹部の支持部に隣接して設けられる。ある実施の形態では、少なくともひとつの開口のそれぞれは、凹部の支持部に向かう向きに開口プレートから突き出た対応するノズルとして形成される。ある実施の形態では、少なくともひとつの開口は、凹部の支持部と対向する開口プレートの面と同一平面となる。ある実施の形態では、凹部の支持部は複数の薄い壁によって支持され、その薄い壁は開口プレートによって支持される。ある実施の形態では、複数の薄い壁は少なくともひとつの中空の柱を含み、開口プレート中の少なくともひとつの開口は対応する流体ジェットが中空の柱と共に提供されるよう提供される。ある実施の形態では、液浸リソグラフィはさらにアクチュエータシステムを備え、そのアクチュエータシステムは使用中走査方向に基板テーブルを動かすよう構成され、複数の薄い壁は平面状でありその壁面内の線が走査方向と平行となるように構成される。ある実施の形態では、開口プレートおよび凹部の支持部は、少なくともひとつの開口と凹部の支持部の裏側に向けられた後の流体を抽出するための少なくともひとつの出口とを除いて封止される空間を部分的に定義する。ある実施の形態では、少なくともひとつの出口は、使用中連続的な流体のフィルムが開口プレートを覆うように構成される。ある実施の形態では、多孔質材料が開口プレート上に設けられる。ある実施の形態では、熱的調整システムは使用中空間が流体で満たされるよう構成される。ある実施の形態では、凹部の支持部の裏側は各流体ジェットに関連するインデントを含み、このインデントはこのインデントの中に向けられた流体が開口プレートに向けて戻っていくよう構成される。ある実施の形態では、熱的調整システムは、開口プレートの少なくともひとつの開口に流体を提供するよう構成された流体マニホルドを含む。ある実施の形態では、マニホルドは開口プレートの凹部の支持部とは反対側の空間の中に設けられる。ある実施の形態では、流体は流体リザーバからマニホルドへ、マニホルド内に通じるひとつ以上の開口を通じて提供される。ある実施の形態では、流体リザーバおよびマニホルドのうちの少なくともひとつにクーラおよびヒータのうちの少なくともひとつが設けられる。ある実施の形態では、ヒータおよびクーラのうちの少なくともひとつは少なくともひとつの開口のそれぞれの上流に設けられ、流体が各開口を脱する前にその流体を加熱または冷却するよう構成される。ある実施の形態では、リソグラフィ装置はさらに、少なくともひとつのヒータおよびクーラの下流に設けられた少なくともひとつの温度センサと、少なくともひとつの温度センサからの測定データに基づいて少なくともひとつのヒータおよびクーラを制御するよう構成されたコントローラと、を備える。ある実施の形態では、基板テーブルの周辺部は、基板テーブルの周辺部を直接熱するヒータを含む。ある実施の形態では、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有することと、基板の上面に液浸流体を提供することと、基板のエッジと凹部のエッジとの間のギャップの中に漏れる液浸流体を基板テーブルの中のドレインを通じて抽出することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって、凹部の支持部を熱的に調整することと、を含む。ある実施の形態では、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板を支持するよう構成された支持部を有する凹部と凹部を囲む周辺部とを含む基板テーブルと、凹部の支持部および基板テーブルの周辺部を熱的に調整するよう構成された熱的調整システムと、を備え、熱的調整システムは、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口と、基板テーブルの周辺部の一部に流体ジェットを向けるよう構成された少なくともひとつの開口と、を含む。ある実施の形態では、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、基板テーブルの中の凹部に基板を提供し、凹部は基板を支持するよう構成された支持部を有し、基板テーブルは凹部を囲む周辺部を有することと、凹部の支持部の、基板を支持する支持側とは反対の裏側に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって凹部の支持部を熱的に調整することと、基板テーブルの周辺部の一部に少なくともひとつの流体ジェットを向けることによって基板テーブルの周辺部を熱的に調整することと、を含む。