MEMSデバイスを形成する方法であって、基板上に犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層上に金属層を形成するステップと、前記金属層を覆う保護層を形成するステップと、前記保護層および前記金属層をエッチングして、前記金属層の残り部分上に形成された前記保護層の残り部分を有する構造を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップとを含み、前記保護層の残り部分は、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、前記金属層の残り部分を保護する、方法。前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの前記可動部分を形成するステップの後、前記保護層の残り部分の残留部分が前記金属層の残り部分の上に残るように、前記保護層を形成するために用いられる材料および前記保護層の厚さが選択されている、請求項1に記載の方法。前記保護層および前記金属層をエッチングして前記構造を形成するステップの後に、前記保護層の残り部分を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記構造がボンディングパッド構造を含む、請求項1記載の方法。前記犠牲層上に導電性層を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの前記可動部分を形成するステップに先立って、前記導電性層をエッチングして前記可動部分の機構を形成するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記保護層は、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含む、請求項1に記載の方法。前記保護層は、シリコンリッチ窒化シリコンを含む、請求項1に記載の方法。MEMSデバイスを形成する方法であって、基板上に犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層上に金属層を形成するステップと、前記金属層をエッチングして、前記金属層の残り部分を有する構造を形成するステップと、少なくとも前記金属層の残り部分を覆う保護層を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップとを含み、前記保護層は、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの前記可動部分を形成するステップの間、前記金属層の残り部分を保護する、方法。前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、前記犠牲層の残留部分が前記金属層の残り部分上に残るように、前記保護層を形成するために用いられる材料、および前記保護層の厚さが選択されている、請求項8に記載の方法。前記保護層をエッチングすることに先立って、前記保護層を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記構造がボンディングパッド構造を含む、請求項8に記載の方法。前記犠牲層上に導電性層を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、前記導電性層をエッチングして前記可動部分の機構を形成するステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含む、請求項8に記載の方法。前記保護層がシリコンリッチ窒化物を含む、請求項8に記載の方法。MEMSデバイスを形成する方法であって、基板上に犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層上に金属層を形成するステップと、前記金属層を覆う保護層を形成するステップと、前記保護層および前記金属層をエッチングして、前記金属層の残り部分上に形成された前記保護層の残り部分を有するボンディングパッド構造を形成するステップと、少なくとも前記保護層の残りの部分を覆う絶縁層を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップとを含み、前記保護層の残り部分は、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、少なくとも、前記ボンディングパッド構造を形成する前記金属層の残り部分の上面を汚染から保護する、方法。前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、前記犠牲層の残り部分の残留部分が前記金属層の残り部分上に残るように、前記保護層を形成するために用いられる材料、および前記保護層の厚さが選択されている、請求項15に記載の方法。前記犠牲層上に導電性層を形成するステップと、前記犠牲層をエッチングして前記MEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、前記導電性層をエッチングして前記可動部分の機構を形成するステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。前記保護層は、窒化シリコン、および窒化チタンからなる群から選択されている、請求項15に記載の方法。前記保護層がシリコンリッチ窒化物を含む、請求項1記載の方法。前記保護層は、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含む、請求項16に記載の方法。したがって、特に、ある程度の運動の自由度を有する特徴を提供することに関連して、MEMSデバイスを製造するためのプロセスを改善する必要がある。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層上に保護層を形成するステップをさらに含む。方法は、保護層および金属層をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップを含み、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成する間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。方法は、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さが、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、保護層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されることをさらに特徴とし得る。方法は、保護層および金属層をエッチングして構造を形成するステップの後、保護層の残り部分を覆う絶縁層を形成するステップをさらに備える。方法において、構造がボンディングパッド構造を含むことをさらに特徴とし得る。方法が、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含む。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層がシリコンリッチ窒化シリコンを含むことをさらに特徴とし得る。さらに、MEMSデバイスを形成する方法が記載される。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層をエッチングして、金属層の残り部分を有する構造を形成するステップをさらに含む。方法は、少なくとも金属層の残り部分を覆う保護層を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、保護層が、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、金属層の残り部分を汚染から保護する。方法において、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さは、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、犠牲層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されている。方法は、保護層をエッチングすることに先立って、保護層を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む。方法において、構造がボンディングパッド構造を含むことをさらに特徴とし得る。方法は、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含んでもよい。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの一つを含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコンを含むことをさらに特徴とし得る。さらに、MEMSデバイスを形成する方法が記載される。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層を覆う保護層を形成するステップを含む。方法は、保護層および金属層をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有するボンディングパッド構造を形成するステップをさらに含む。方法は、少なくとも保護層の残り部分を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、保護層の残り部分が、少なくとも、ボンディングパッド構造を形成する金属層の残り部分の上面を、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、汚染から保護する。方法において、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さは、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、犠牲層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されている。方法は、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含んでもよい。方法において、保護層が、シリコン窒化物および窒化チタンからなる群から選択されることをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化物を含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含むことをさらに特徴とし得る。本発明は例示の方法により説明されており、添付の図面により限定されるものではなく、図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図中の要素は簡潔かつ明確に説明されており、必ずしも寸法通りに描かれていない。一態様において、微小電気機械システムMEMSデバイスは、ポリシリコン部材の運動の自由度を提供するエッチングを用いて製造され、同時に、運動の自由度を提供するエッチングを実行するために用いられたエッチャントから接触パッドを保護する。この保護は、犠牲層を堆積して、接触パッドの位置上の部分を残るように犠牲層をパターニングすることによって達成される。このエッチングが、もし接触パッドが保護されていないならば、接触パッド上に層を残す傾向があり、ワイヤボンドまたは他の接触材料を付着させることを困難にする。このエッチングは運動の自由度に対して非常に重要であり、したがって、MEMSデバイスの必要とされる性能を達成するために制御することは非常に重要である。エッチング後、犠牲層の残った部分が除去されて、接触パッドが接触に利用できるようにする。これは、以下の説明及び図面を参照することによって、より理解される。本明細書に記載された半導体基板は任意の半導体材料またはこれらの材料の組み合わせであってもよく、例えば、ガリウム砒素、シリコンゲルマニウム、シリコンオンインシュレータSOI、シリコン、単結晶シリコン、等、およびこれらの組み合わせであってよい。図1は、MEMSデバイス10を示し、MEMSデバイス10は、基板12と、基板12上に成長された熱酸化層14と、ポリシリコン部分16、18、および22を有するパターニングされたポリシリコン層と、ポリシリコン部分16、18、および22上かつ熱酸化層14上の窒化シリコン層であって、ポリシリコン部分16および熱酸化層14上の窒化物部分24と、ポリシリコン部分18上の窒化物部分26と、ポリシリコン部分22および熱酸化層14上の窒化物部分28とを有する、窒化シリコン層と、堆積された酸化層であって、窒化物部分24上の酸化物部分30と、窒化物部分26上の酸化物部分32と、窒化部分28上の酸化物部分34とを有する堆積された酸化層と、酸化物部分30、32、34、および熱酸化層14上のポリシリコン層36と、酸化物部分38および酸化物部分40を有する、ポリシリコン層36上に堆積された酸化物層と、堆積された酸化物層40およびポリシリコン層36上の金属層42とを含む。ポリシリコン層36の領域31は、酸化物部分30と32との間、窒化物部分24と26との間、およびポリシリコン部分16と18との間にある。ポリシリコン層36の領域33は、酸化物部分32と34との間、窒化物部分26と28との間、およびポリシリコン部分18と22との間にある。金属層の領域35は酸化物部分38と40との間にある。様々な層の有効厚さは以下の通りである。熱酸化物層14は2.5ミクロン、ポリシリコン部分16、18および22は0.35ミクロン、窒化物部分24、26、および28は0.3ミクロン、酸化物部分30、32、および34は1.8ミクロン、ポリシリコン層36は25ミクロン、酸化物部分38および40は0.4ミクロン、金属層35は1.4ミクロンである。他の寸法でも同様に機能する。金属層42がアルミニウムを含んでもよく、銅およびシリコンのような他の材料を含んでもよい。酸化物部分30、32、および34は、好ましくはテトラエチルオルトシリケートTEOSを用いて堆積されるが、他の技術も有効である可能性がある。様々なポリシリコン層はドープされていてもよい。ポリシリコン部分18は導電性であるべきであり、したがって、ポリシリコンがこのために選択された場合、ポリシリコンはドープされるべきである。図2は、0.75ミクロンの厚さを有し得るシリコンリッチ窒化シリコンSiRN層44を堆積した後のMEMSデバイス10を示す。SiRN層44は2.19の屈折率を有し得る。より低いか、または高い屈折率を得られるシリコンの他の相対濃度も有効である可能性がある。定比窒化シリコンは、約2.02の屈折率を有する。したがって、2.02を超える屈折率が好ましい。蒸気のフッ化水素酸HFに対して、シリコンリッチ窒化シリコンがより緩徐にエッチングされるので、SiRNは定比窒化シリコンよりも望ましい。SiRNは望ましい材料であるが、他の材料もまた層44に対して有効である可能性がある。典型的材料は窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物である。他の材料も有効であり得る。例示されたように、層44は導体または誘電体であってよい。図3は、領域35に合わせて金属層42およびSiRN層44のパターンエッチングを実行して、領域31に合わせられた領域35の金属層42と、SiRN層44の部分とを残した後のMEMSデバイス10を示す。図4は、0.4ミクロンの厚さを有し得る酸化物層46を堆積した後のMEMSデバイス10を示す。図5は、酸化物層46、酸化物層40、およびポリシリコン層36を貫通する開口48、50、および52をエッチングし、酸化物部分30、32、および34を露出させた後のMEMSデバイス10を示す。開口48がコンタクトスタック54を包囲する。開口50および52は、開口50および52と隣接するポリシリコン層36の部分を、ポリシリコン層36の連続部分の一部として残すようになっている。これはMEMSデバイスの可動部材となり、MEMSデバイスの可動部分とも呼ばれる。図6は、酸化物部分30、32、34と、酸化物層46および40とを除去する気相HFを用いる酸化物エッチング後のMEMSデバイスを示す。酸化物30、32および34は犠牲的であると考えられる。SiRN層44はエッチストップとして機能して、金属層42がHFエッチングを受けないようにし、したがって、SiRN層44は金属層42を保護する保護層である。SiRN層44もエッチングされるが、酸化物がSiRN層より早くエッチングされるように気相HFエッチングが調整される。このエッチングの結果、残渣58が窒化物24、26、および28の上に、残渣56がSiRN層44の上に生じる。酸化物部分32および34の除去が、可動となるべきポリシリコン層36の可動部材部分をリリースする効果を有する。したがって、MEMSデバイスにおいてこの効果を有する酸化物エッチングはリリースエッチングreleaseetchと呼ばれる場合がある。領域33が、ポリシリコン層36の可動部材部分のベースとして機能する。領域31で、コンタクトスタック54の一部であるポリシリコン層36の部分がポリシリコン部分18へのコンタクトを形成し、一方、ポリシリコン部分18は、領域33における可動部材とコンタクトする。HFエッチングが金属層42に接触する場合、HFエッチングが、酸素、アルミニウム、およびフッ素を含有する化合物の層を形成することが知られている。この化合物は、金属層42に対して優れた電気的接触を形成することを困難にする。例えば、金はこの化合物に良好に付着しない。さらに、この化合物は容易に除去されない。残渣56も、電気的接触を形成することに良好ではないが、残渣は、エッチングを実行した後の洗浄に通常に用いられる手法を使用して容易に除去される。例えば、過酸化水素中でのリンスの後に、350°Cでベーキングすることは有効であり、これは残渣58を除去することに対しても有効である。気相HFプロセスはツールを含んでもよく、無水HF液体混合物を気化してHF蒸気を形成するか、または気体の窒素を、HFおよび水を含有する高濃度溶液に通してバブリングする。有効なプロセス希釈剤は窒素ガスである。MEMSデバイスの有効な乾燥を促進するために、気体イソプロピルアルコールまたは類似する疎水性化合物をプロセスに加えても良い。プロセスチャンバは大気圧または大気圧よりも低い圧で動作し得る。反応の温度は室温で維持されるか、または高温25~50°Cで実行されてもよい。さらに、プロセスパラメータは、堆積された酸化物と比較して、SiRNに対して異なるレートを達成するように調整可能である。例えば、酸化物エッチングレートはSiRNエッチングレートの4倍以上とし得る。これが、SiRN層の厚さの選択に自由度を許容する。フッ化水素HFは二酸化シリコンをエッチングするための有効な方法であり、MEMSプロセスにおいて用いられる一般的な犠牲材料である。しかしながら、特に、水の存在のために、水を含む形式のエッチングがアルミニウムを腐食する可能性がある。酸化物をエッチングするための気相HFの使用は、エッチングの間のアルミニウムの腐食を低減する。しかしながら、二酸化シリコンのエッチングによって遊離した水蒸気は、アルミニウム上で凝集する可能性があり、アルミニウム、フッ素、酸素の望ましくない化合物の形成をもたらす。図7は、リンスおよびベーキングを実施して、残渣56および残渣58を除去した後のMEMSデバイス10を示す。図8は、窒化物部分24、26、および28と窒化物層44とを除去した後のMEMSデバイス10を示す。これによりコンタクトスタック54の金属層42の上面が露出される。これにより、完成したMEMSデバイスと、コンタクトする金属層42とが残され、このMEMSデバイスは、続いて従来の方法でパッケージングされる。この除去は、窒化物とポリシリコンとの間で選択性を有するドライプラスマエッチングを用いることによって引き起こされ得る。図9は、図2~8の実施形態の代替としてのMEMSデバイス70を示し、MEMSデバイス70は、図2に示されるようなSiRNの層を堆積する代わりに、層42のパターンエッチングを実行した後の図1のMEMSデバイス10である。これにより、層40中の開口に金属層42の部分が残される。この例において、層42の残り部分と層40との間に小さな空間が存在し、これによりポリシリコン層36の小さな部分が露出される。図10は、層42の残り部分、露出されたポリシリコン層36の小さい部分、および層40を覆うようにSiRNの層54を堆積した後のMEMSデバイス70を示す。図11は、SiRNの層45のパターンエッチングを実行して、層42の残り部分の側壁にSiRNが残るようにした後のMEMSデバイス70を示す。これにより、気相HFエッチングが層42の残り部分の任意の部分に側壁にも接触することを回避する。側壁を覆うことが、図3のMEMSデバイス10との主な違いである。図11のMEMSデバイス70は、その後、図4~8におけるMEMSデバイス10について記載されたように処理される。したがって、保護層、好ましくはSiRNが提供されることにより、連続的な構造要素として残るポリシリコン部分から形成された可動部材の運動に自由度を与える効果を有する酸化物除去エッチングの間、コンタクトが保護されることが分かる。酸化物を除去するエッチングは、可動要素の想定される動作において非常に重要である。この目的のために、気相HFエッチングは非常に有効であることが見出された。コンタクトにおけるエッチングの悪影響のために、犠牲保護層を採用することが、コンタクトの汚染問題を回避するという点において有効である。また、HFエッチングが調整されることにより、コンタクトを覆う所望のエッチストップを得る際に、犠牲保護層を過度の厚さとする必要がない。以上、MEMSデバイスを形成する方法が提供されたことが理解されよう。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層上に保護層を形成するステップをさらに含む。方法は、保護層および金属層をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップを含み、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成する間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。方法は、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さが、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、保護層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されることをさらに特徴とし得る。方法は、保護層および金属層をエッチングして構造を形成するステップの後、保護層の残り部分を覆う絶縁層を形成するステップをさらに備える。方法において、構造がボンディングパッド構造を含むことをさらに特徴とし得る。方法が、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含む。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層がシリコンリッチ窒化シリコンを含むことをさらに特徴とし得る。さらに、MEMSデバイスを形成する方法が記載される。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層をエッチングして、金属層の残り部分を有する構造を形成するステップをさらに含む。方法は、少なくとも金属層の残り部分を覆う保護層を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、保護層が、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、金属層の残り部分を汚染から保護する。方法において、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さは、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、犠牲層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されている。方法は、保護層をエッチングすることに先立って、保護層を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む。方法において、構造がボンディングパッド構造を含むことをさらに特徴とし得る。方法は、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含んでもよい。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの一つを含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコンを含むことをさらに特徴とし得る。さらに、MEMSデバイスを形成する方法が記載される。方法は、基板上に犠牲層を形成するステップを含む。方法は、犠牲層上に金属層を形成するステップをさらに含む。方法は、金属層を覆う保護層を形成するステップを含む。方法は、保護層および金属層をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有するボンディングパッド構造を形成するステップをさらに含む。方法は、少なくとも保護層の残り部分を覆う絶縁層を形成するステップをさらに含む。方法は、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、保護層の残り部分が、少なくとも、ボンディングパッド構造を形成する金属層の残り部分の上面を、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの間、汚染から保護する。方法において、保護層を形成するために用いられる材料、および保護層の厚さは、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップの後、犠牲層の残り部分の残留部分が金属層の残り部分上に残るように選択されている。方法は、犠牲層上に導電性層を形成するステップと、犠牲層をエッチングしてMEMSデバイスの可動部分を形成するステップに先立って、導電性層をエッチングして可動部分の機構を形成するステップとをさらに含んでもよい。方法において、保護層が、シリコン窒化物および窒化チタンからなる群から選択されることをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化物を含むことをさらに特徴とし得る。方法において、保護層が、シリコンリッチ窒化シリコン、窒化チタン、チタン、およびアモルファス炭化物からなる群のうちの1つを含むことをさらに特徴とし得る。さらに、明細書及び特許請求の範囲において、前方、後方、上方、下方、上に、下になど用語が、もしあるとすれば、説明の目的で用いられているが、これは必ずしも恒久的な相対関係を説明するものではない。これらのそのように用いられた用語は、適切な状況下においては交換可能であり、本明細書において説明される発明の実施形態は、例えば、明細書において図示または説明されたもの以外の位置づけによる動作が可能である。前述の詳細な説明は、具体的な例示の実施の形態を参照しながら本発明を説明するものである。しかし、添付の特許請求の範囲で定義された本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更が加えられ得ることが理解されよう。例えば、別のエッチングがリリースエッチングとして有効であることが見出され、依然としてコンタクトに有害な効果をもたらす可能性があり、犠牲保護層を用いることで恩恵を受け得る。ポリシリコン層は、コンタクトメタルがパターニングされた後にパターニングされることが説明されたが、逆の場合もあり、その場合、可動部材を形成するためにポリシリコン層36がパターニングされ、その後、金属層42がパターニングされてコンタクトが形成される。詳細な説明及び添付図面は限定するものではなく、単に例と見なされるべきであり、そのような修正又は変更は、すべて本明細書で説明され定義された本発明の範囲内に入るものとする。具体的な実施例に関して説明された、利益、利点、問題の解決方法は、任意の、または全ての請求項の、重要とされ、要求され、不可欠とされる機能や構成要素であると見なされるべきではない。特に明記しない限り、第1及び第2等の用語は、そのような用語が述べる要素間を任意に区別するために用いる。従って、これらの用語は、必ずしもそのような要素の時間的な又は他の優先順位付けを示そうとするものではない。