二種類又は二種類以上の一般式Iで表される化合物を含むことを特徴とする、高散乱スメクチック相液晶材料。一般式I中では、R1は、C1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及び前記基に対応するハロゲン化物;いずれかのCH2がO、S、CF2、CF2O、CO、COO、OCO、OCOO、CFCF、CHCF、CFCH又はCHCHに置換されたC1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及びその異性体から選ばれる一種であり;R2は、CN、F、NCS、NCO、CF3、CHF2、CH2F、OCF3、OCHF2、OCH2F、NO2、Cl、CHCF2及びOCHCF2;C1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及び前記基に対応するハロゲン化物;いずれかのCH2がO、S、CF2、CF2O、CO、COO、OCO、OCOO、CFCF、CHCF、CFCH又はCHCHに置換されたC1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基及びその異性体から選ばれる一種であり;A、B、C、Dは、剛直環構造基であり、それぞれに、及びシクロアルケニル基から選ばれる一種であり;前記基の環における水素原子X1~X14を含むは、CN、F、CF3、CHF2、CH2F、OCF3、OCHF2、OCH2F、NO2、Cl、アルキル基又はアルコキシ基に置換されても良い;Z1~Z3は、それぞれに、単結合、C1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、シリル基及びシロキサン基;いずれかのCH2がO、S、CO、COO、OCO、OCOO、CFCF、CHF、CF2、CF2O、CH2O、OCH2、CHCH、CHN、C≡C、CHNNCH、CHCF、CFCH、CH2CF2、CF2CH2又はに置換されたC1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及びその異性体から選ばれる一種であり;X1~X14は、それぞれに、H、CN、NCS、F、Cl、CF3、CHF2、CH2F、OCF3、OCHF2、OCH2F、NO2、アルキル基及びアルコキシ基から選ばれる一種であり;M1、M2、M3、M4は0、1又は2の整数であり、且つM1M2M3M4≧2である。前記の一般式Iで表される化合物において、R1は、C1C15のアルキル基、C1C15のアルコキシ基、C1C15のアルケニル基、C1C15のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及び前記基に対応するハロゲン化物;いずれかのCH2がO、Sに置換されたC1C15のアルキル基、C1C15のアルコキシ基、C1C15のアルケニル基、C1C15のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及びその異性体から選ばれる一種であり;R2は、CN、F、NCS、CF3、CHF2、CH2F、OCF3、OCHF2、OCH2F、Cl;C1C15のアルキル基、C1C15のアルコキシ基、C1C15のアルケニル基、C1C15のアルケニルオキシ基、シリル基、シロキサン基及び前記基に対応するハロゲン化物;CH2がO、Sに置換されたC1C15のアルキル基、C1C15のアルコキシ基、C1C15のアルケニル基、C1C15のアルケニルオキシ基及びその異性体から選ばれる一種であり;A、B、C、Dは、それぞれに、から選ばれる一種であり;Z1~Z3は、それぞれに、単結合、C2H4、CHCH、C≡C、CF2O、CH2O、COO及びCHNNCHから選ばれる一種であり;X1~X14は、それぞれに、H、CN、NCS、F、Cl及びCF3から選ばれる一種であり;M1、M2、M3、M4はそれぞれに0又は1であり、且つM1M2M3M4≧2であることを特徴とする、請求項1に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記の一般式Iで表される化合物において、R1は、C1C10のアルキル基、C1C10のアルコキシ基、C1C10のアルケニル基、シリル基、シロキサン基及び前記基に対応するハロゲン化物;前記基におけるいずれかのCH2がOに置換されたC1C10のアルキル基、C1C10のアルコキシ基、C1C10のアルケニル基、シリル基、シロキサン基及びその異性体から選ばれる一種であり;R2はCN、F、NCS、CF3又はOCF3であり;A、B、C、Dは、それぞれに、から選ばれる一種であり;Z1~Z3は、それぞれに、単結合、C2H4、CHCH、C≡C、CF2O、CH2O及びCOOから選ばれる一種であり;X1~X14は、それぞれに、H、CN、F及びClから選ばれる一種であり;M1、M2、M3、M4はそれぞれに0又は1であり、且つM1M2M3M4≧2であることを特徴とする、請求項2に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記の一般式Iで表される化合物は、アルキン系化合物であり、その構造は一般式IIIで表されることを特徴とする、請求項3に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式III中では、R6はC1C10のアルキル基又はC1C10のアルコキシ基であり;R7はCN、NCS又はFであり;E、Fは、それぞれに、から選ばれる一種であり;X15~X20は、それぞれに、H又はFから選ばれる一種であり;M5、M6は0又は1の整数であってもよい。前記の一般式Iで表される化合物は、複素環系化合物であり、その構造は一般式IVで表されることを特徴とする、請求項3に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式IV中では、R8はC1C10のアルキル基又はC1C10のアルコキシ基であり;R9はCN、NCS又はFであり;G、Hは、それぞれに、から選ばれる一種であり;X21~X22は、それぞれに、H又はFから選ばれる一種であり;M7、M8は0又は1の整数であってもよく、且つM5M6≧1である。前記の一般式Iで表される化合物は、ジフルオロエーテル系化合物であり、その構造は一般式Vで表されることを特徴とする、請求項3に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式V中では、R10はC1C10のアルキル基又はC1C10のアルコキシ基であり;R11はCN、NCS又はFであり;環構造Iは、から選ばれる一種であり;X23~X28は、それぞれに、H又はFから選ばれる一種であり;M9は0又は1の整数であってもよい。前記の一般式Iで表される化合物は、多環ビフェニル系化合物であり、その構造は一般式VIで表されることを特徴とする、請求項3に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式VI中では、R12はC1C10のアルキル基又はC1C10のアルコキシ基であり;R13はCN、NCS又はFであり;環構造J、Kは、から選ばれる一種であり;Z4は、単結合、COO、C2H4、から選ばれる一種であり;X29~X32は、それぞれに、H又はFから選ばれる一種であり;M10、M11は0又は1の整数であってもよい。前記の高散乱スメクチック相液晶材料は、スメクチックA、B、C、D、E、F、G、H又はI相の液晶材料であることを特徴とする、請求項3に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記の高散乱スメクチック相液晶材料は、スメクチックA、B、C、D、E、F、G、H又はI相の液晶材料と、アルキン系化合物、複素環系化合物、ジフルオロエーテル系化合物及び多環ビフェニル系化合物のうち少なくとも一種類とを含むことを特徴とする、請求項8に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記の高散乱スメクチック相液晶材料には、さらに一種類又は複数種類の一般式IIで表されるイオン型化合物がドープされていることを特徴とする、請求項1に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式II中では、R3は、C0C20のアルキル基、C0C20のアルコキシ基、C0C20のアルケニル基、C0C20のアルケニルオキシ基及び前記基に対応するハロゲン化物;フェロセニルメチル基、フェニル基;いずれかのCH2がO、S、CF2、CF2O、CO、COO、OCO、OCOO、CFCF、CHCF、CFCH、CHCH、又はフェニル基に置換されたC0C20のアルキル基、C0C20のアルコキシ基、C0C20のアルケニル基、C0C20のアルケニルオキシ基及びその異性体から選ばれる一種であり;Xはカチオンであり、Na、K、N、3NR4はC1C30のアルキル基、C1C30のアルコキシ基、C1C30のアルケニル基、C1C30のアルケニルオキシ基、前記基に対応するハロゲン化物、又はフェニル基である。、3P、から選ばれる一種であり;中では、R4はC1C30のアルキル基、C1C30のアルコキシ基、C1C30のアルケニル基、C1C30のアルケニルオキシ基、前記基に対応するハロゲン化物、又はフェニル基であり;R5は、C1C30のアルキル基、C1C30のアルコキシ基、C1C30のアルケニル基、C1C30のアルケニルオキシ基、前記基に対応するハロゲン化物、又はフェニル基であり;Yはアニオンであり、F、Cl、Br、I、、、SO4、ClO4及びから選ばれる一種である。前記の一般式IIで表されるイオン型化合物において、R3は、C0C16のアルキル基、C0C16のアルコキシ基、C0C16のアルケニル基、C0C16のアルケニルオキシ基、フェロセニルメチル基、フェニル基、いずれかのCH2がO、S、又はフェニル基に置換されたC0C16のアルキル基、C0C16のアルコキシ基、C0C16のアルケニル基、C0C16のアルケニルオキシ基及びその異性体から選ばれる一種であり;Xはカチオンであり、Na、K、N、3N、3P、から選ばれる一種であり;中では、R4はC1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、前記基に対応するハロゲン化物、又はフェニル基であり;R5はC1C20のアルキル基、C1C20のアルコキシ基、C1C20のアルケニル基、C1C20のアルケニルオキシ基、前記基に対応するハロゲン化物、又はフェニル基であり;Yはアニオンであり、F、Cl、Br、、、SO4、ClO4、及びから選ばれる一種であることを特徴とする、請求項10に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記の一般式IIで表されるイオン型化合物において、R3は、C0C16のアルキル基、フェニル基、いずれかのCH2が又はフェニル基に置換されたC0C16のアルキル基及びその異性体から選ばれる一種であり;Xはカチオンであり、Na、K、N、3NR4はC1C16のアルキル基又はフェニル基である。、3P、から選ばれる一種であり、中では、R4はC1C16のアルキル基又はフェニル基であり;R5はC1C16のアルキル基又はフェニル基であり;Yはアニオンであり、F、Cl、Br、、、SO4及びClO4から選ばれる一種であることを特徴とする、請求項11に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。前記のイオン型化合物は、構造が一般式VIIで表される化合物であることを特徴とする、請求項12に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式VII中では、Rは、C0C16のアルキル基、C0C16の末端アルケニル基から選ばれる一種であり;Xはアニオンであり、F、Cl、Br、、、SO4及びClO4から選ばれる一種である。前記の高散乱スメクチック相液晶材料は、スメクチックA相材料であるか、又はスメクチックAよりも秩序度の高い非スメクチックA相材料であることを特徴とする、請求項1~13のいずれか一項に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。一般式Iで表される化合物の含有量は、混合液晶層総重量の1wt~100wtであり、一般式IIのイオン型化合物の含有量は、混合液晶層総重量の00001wt~10wtであることを特徴とする、請求項14に記載の高散乱スメクチック相液晶材料。請求項1~15のいずれか一項に記載の高散乱スメクチック相液晶材料を用いたことを特徴とする、高散乱スメクチック相液晶表示デバイス。前記の高散乱スメクチック相材料には、さらにポリエステル系材料、ポリスチレン系高分子材料又はガラス製のスペーサーボールあるいはスペーサーロッド、プレポリマー、又は二色性染料が添加されることを特徴とする、請求項16に記載の高散乱スメクチック相液晶表示デバイス。請求項1~15のいずれか一項に記載の高散乱スメクチック相液晶材料の、低周波フロスティング及び高周波クリアリングの二重周波数ドライブモードが使用されているデバイスにおける応用。本発明において、以下の混晶実験手順に従い混晶及びテストを行う:1、まず、選ばれた複数種類の単量体化合物材料を所定の割合に従ってはかり、逐次にバイアル瓶に添加する;2、はかっておく材料の入ったバイアル瓶をオープンに入れて、液晶が完全に透き通るようになるまで加熱する;3、超音波振動又は磁気攪拌により、液晶を十分で均一に混合させる;4、混合された液晶を加熱して厚さ12μmの液晶セルに注入する;5、±40Vの電圧にて、液晶セルに対して30Hzの周波数においてフロスティングを行い、2KHzの周波数においてクリアリングを行い、すべての波形は矩形波であり;6、以上の液晶セルのコントラストをテストする。スメクチック相液晶ディスプレイのコントラストは、デバイスのクリアリング状態における光透過率とデバイスのフロスティング状態における光透過率との比である。通常、すべての材料のクリアリング状態における光透過率がほぼ同じであるので、コントラストは主に材料のフロスティング状態における光透過率、即ち、スメクチック相液晶材料の散乱状態による。業界では、反射型スメクチック相液晶類表示デバイスのコントラストに対する標準テスト方法はまだないので、実験において、複数種類の普遍でシンプルなコントラストテスト方法を採用してテストを行った末に、検証及び比較基準として、一種類の肉眼の視覚効果に近いテスト方法を選定した。コントラストテスト方法:顕微鏡法によるテスト方法このようなテスト方法は常用でシンプルなテスト方法であり、その測定結果はより肉眼に近い。その装置についは、図4に示すように、顕微鏡法によりコントラストをテストするための装置として光透過率測定システムHLTTMSを採用し、結像装置としてLeica社のDM2500M型金属顕微鏡を採用し、光信号コレクターとしてMicrovision社のMVVD120SC型工業CCDカメラを採用し、数値計算ソフトウェアとしてHalation社のHLCR11Aソフトウェアを採用する。テスト手順:1、サンプルをステージに置いて、顕微鏡の焦点距離を調整して、サンプルを鮮明に結像させる。2、サンプルを取り除いて、HLCR11Aソフトウェアを使用してCCDにより収集されてきた各点の数値に対して、以下の計算を行う:Yi=0299R0587G0114B。3、各点のYi値について加算を行い、正規化係数を得るY0=ΣYi。4、サンプルをステージに置いて、HLCR11Aソフトウェアを使用してこの際のY値を計算するY=ΣYi。5、サンプル透過率はT=YY0100と定義される。6、スメクチック相液晶のサンプルについて、クリアリング状態における透過率Tc=YcY0100、フロスティング状態における透過率Ts=YsY0100、コントラストCr=TcTsである。簡単に言えば、まず、ステージには液晶セルが置かれず、光源顕微鏡に配置されたハライドランプから発する光線が直接に対物レンズに入る場合、レシーバーにより光線を収集し、レシーバーは収集された光線エネルギーを対応する電気信号に変換してコンピューターのソフトウェアに送信して、ソフトウェアは基本参照値としてこの際の電気信号Bを記録する。そして、接眼レンズに液晶セルが明らかに観察できるように、この際の光源の輝度Lを固定させ、液晶セルをステージに置きテージの高さを調整する。レシーバーはこの際に収集された液晶セルのクリアリング及びフロスティング状態における光線エネルギーをそれぞれに、電気信号に変換してコンピューターまで送信する。コンピューターのソフトウェアは、クリアリング及びフロスティング状態で受信した光線エネルギーをそれぞれに対照して、基本参照とする光源エネルギーと比較を行う。即ち、クリアリング状態で受信した光線エネルギーの電気信号Qを基本参照値Bで割ると、クリアリング状態における透過率の値QLが得られ、フロスティング状態で受信した光線エネルギーの電気信号Mを基本参照値Bで割ると、フロスティング状態における透過率の値MLが得られ、クリアリング状態における透過率をフロスティング状態における透過率で割るQLML100と、コントラストの値が得られる。実施例1:複素環液晶を用いて大きな液晶ドメインのスメクチックA相高散乱混晶を得る。本実施例において、混晶のテクスチャー図は図5のように表される10倍の対物レンズにて撮影。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックA相に属するが、その液晶ドメインが大きく、且つ緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は10に過ぎず、コントラストは9:1である。実施例2:複素環液晶を用いて非スメクチックA相高散乱混晶を得る。実施例1の混晶方法及びコントラストテスト方法にしたがって、表8の処方について実験を行う。以下の実施例は前記と同様である。図6に示すように、本実施例の混晶のテクスチャー図10倍の対物レンズにて撮影であり、顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、明らかにスメクチックA相液晶に属しない。テクスチャーにより、この混晶テクスチャーはスメクチックB又はHと似ていると判断した。液晶ドメインはスメクチックAの針状から不規則なバルク状液晶ドメインへと変わり、且つ緊密に配列しており、液晶ドメイン間にほぼ隙間がなく、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は84であり、フロスティング状態における透過率は7に過ぎず、コントラストは12:1である。実施例3:スメクチックB相を用いて混合してスメクチックB相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックB型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例4:スメクチックC相を用いて混合してスメクチックC相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックC型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は10に過ぎず、コントラストは9:1である。実施例5:スメクチックD相を用いて混合してスメクチックD相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックD型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例6:スメクチックE相を用いて混合してスメクチックE相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックE型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例7:スメクチックF相を用いて混合してスメクチックF相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックF型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例8:スメクチックG相を用いて混合してスメクチックG相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックG型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例9:スメクチックH相を用いて混合してスメクチックH相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックH型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例10:スメクチックI相を用いて混合してスメクチックI相高散乱混晶を得る。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、スメクチックI型液晶に属し、液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例11:各種のスメクチック相液晶材料を用いて混合して定義されたことのないスメクチック相高散乱混晶を得る。図7は実施例11の混晶テクスチャー図10倍の対物レンズにて撮影である。顕微鏡にてそのテクスチャーを観察した結果、流れる水のようなテクスチャーとなり、定義されたことのないスメクチック相であり、その液晶ドメインが緊密に配列しており、フロスティング状態における遮光効果が良い。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は9に過ぎず、コントラストは10:1である。実施例12:アルキン系液晶を用いて高散乱混合液晶材料を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例13:シアノテルフェニル液晶を用いて高散乱混合液晶材料を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例14:多環系材料を混合して高散乱混合液晶材料を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は88であり、フロスティング状態における透過率は11であり、コントラストは8:1である。実施例15:通常のスメクチックA相材料に一般式IIIの化合物を加えて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例16:通常のスメクチックA相材料に一般式IVの化合物を加えて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例17:通常のスメクチックA相材料に一般式Vの化合物を加えて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例18:通常のスメクチックA相材料に一般式VIの化合物を加えて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例19:通常のスメクチックA相材料と一般式III、IV、V、VIの化合物とを任意に組み合わせて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。実施例20:通常のスメクチックA相材料と一般式III、IV、V、VIの化合物とを任意に組み合わせて高散乱混晶を得る。テストした結果、クリアリング状態における透過率は90であり、フロスティング状態における透過率は15であり、コントラストは6:1である。本発明の高散乱スメクチック相液晶材料のディスプレイにおける応用高散乱スメクチック相材料を用いた表示デバイスは主に表示層からなり、図8に示すように、当該表示層は第一の基体層及び第二の基体層からなり、当該第一の基体層と当該第二の基体層との間に前記高散乱スメクチック相材料を含む混合層が設けられており、当該第一の基体層の当該混合層に向く側に第一の導電電極層が設けられており、当該第二の基体層の当該混合層に向く側に第二の導電電極層が設けられており、当該第一の導電電極層、第二の導電電極層はそれぞれにM個、N個の電極から構成されておりM、N≧1、当該M個の電極とN個の電極との間に静的画像を表示するための画素マトリックスが形成されている。一般に、当該表示層の裏面に裏板層が設けられていても良い。カラー表示を達成するために、表示層と裏板層との間にカラーフィルム層を設置することができる;当該ディスプレイの光学構造を最適化にするために、当該表示層と当該裏板層との間に光強化層が設けられていてもよく、当該光強化層は光強化基板、光強化部材からなる。光強化基板は、高分子フィルム又はガラスであり;光強化部材は、光強化フィルム又はプリズム構造である。光強化部材は光強化基板の表示層及び又は裏板層に向く表面に設置されてもよく、第一の基体層の光強化層に向く表面又は及び第二の基体層の光強化層に向く表面に設置されてもよい。光強化層の設計としては、ディスプレイに入射する光線を複数回反射屈折させ、光線の表示層内に入射する回数及び量を増やし、フロスティング状態に表示する必要がある画素の対応する表示層部分において、より多くの光線を屈折させて散乱効果を強化させるようにし、散乱効果の強化によりフロスティング状態の画素に輝度を向上させ、フロスティング状態の画素と全透明状態の画素との間のコントラストが著しく向上するようにする。当該表示層は、図8に示すように、既に従来の技術に開示されているので、ここに表示層の構造等をさらに詳しく説明しない。当該裏板層はPET又はPC又はプラスチック又は紙系材料から作製でき、当該裏板層は、黒色、白色又はその他の色でもよい。当該光強化層は、図9に示すように、透明であり、光透過性がいい。当該基板はPET材から作製し、当該光強化部材は、光強化フィルム又はプリズム構造であってもよい。光強化フィルムは、一層の高屈折率樹脂フィルムであり、屈折率が165~18にある。当該プリズム構造は高屈折率の樹脂から作製し、屈折率が165~18にコントロールされている。実際に製作する場合、高屈折率樹脂フィルムをカットしてプリズム構造を得ることが可能である。当該基板の当該表示層に向く表面、及び裏板層に向く表面に設けられているプリズム構造は、凸状か凹状にされてもかまわず、かつ当該基板の当該表示層に向く表面に設けられているプリズム構造と、当該基板の裏板層に向く表面に設けられているプリズム構造とは同一でも異なっていてもよい。スメクチック相液晶材料の混合層:混合液晶層は、通常前記高散乱スメクチック相材料、導電物、スペーサー、場合によっては重合体が混合されてなるものである。1前記混合層は、前記高散乱スメクチック相材料、導電物、スペーサーが混合されてなるものである。前記スメクチック相液晶は、本発明の高散乱スメクチック相液晶材料を採用しても構わない。前記スペーサーは、ポリエステル系材料、ポリスチレン系高分子材料又はガラス製のスペーサーボールあるいはスペーサーロッドである。前記混合層の組成について、前記高散乱スメクチック相材料は混合総重量の00002~9999を占め、前記導電物は混合総重量の00001~10を占め、前記スペーサーは混合総重量の00001~90を占める。2前記混合層には、重合体構造に封入され、前記高散乱スメクチック相材料、導電物及びスペーサーからなる混合物が含まれている。前記スメクチック相液晶は、本発明の高散乱スメクチック相液晶材料を採用しても構わない。前記スペーサーは、ポリエステル系材料、ポリスチレン系高分子材料又はガラス製のスペーサーボールあるいはスペーサーロッドである。前記重合体構造は、単分子体材料又は重合分子材料を対応する層の内側の面に直接に印刷したり、エッチングしたり、ナノインプリントしたり、ジェット印刷したりして、所定構造を有する重合分子材料に熱硬化又は紫外線硬化されることで形成された。当該単分子体材料は、エポキシ樹脂、ポリアクリレート又はポリメタクリレート系単量体の中のいずれか1種である。前記混合層の組成について、前記高散乱スメクチック相材料は混合総重量の00002~9999を占め、前記重合分子材料は混合総重量の00001~80を占め、前記導電物は混合総重量の00001~10を占め、前記スペーサーは混合総重量の00001~80を占める。前記重合体構造には、前記高散乱スメクチック相材料、導電物及びスペーサーからなる混合物を収容する収容チャンバーが形成されている。前記重合体構造は規則的なボール状、マイクロシリンダー状、糸状、半球形状、平行ストリップ状、立方体、直方体、クロースワイヤ状、ネットワーク構造、スクエア格子構造、不規則多辺形構造又は前記複数種類の構造の混合構造の中のいずれか1種であり;前記重合体構造は均一又は不均一であり;前記重合体構造は前記高散乱スメクチック相材料、導電物及びスペーサーとは、相互に混和又は分散されているか、相互に接触又は分断されている。本発明の高散乱スメクチック相材料は、二枚の導電層付きのプラスチックフィルム又はガラスの間に充填されて調光媒体として用いられることもできるし、真空にてラティススクリーンに注入されて表示デバイスとして用いられることもできる。液晶セルの厚さをコントロールするために、さらに本発明の高散乱スメクチック相材料にポリエステル系材料、ポリスチレン系高分子材料又はガラス製のスペーサーボールあるいはスペーサーロッドを加えても良い。施工粘度を低減して液晶セルの粘着の堅さを向上させるために、さらに高散乱スメクチック相材料にプレポリマーを加えても良い。カラー表示の効果を達成するために、さらに高散乱スメクチック相材料に二色性染料を加えても良い。本発明の高散乱液晶材料をスメクチック表示デバイスに応用し、スメクチック表示デバイスの優れた光学構造及びドライブ方法により、当該高散乱液晶材料のディスプレイにおける応用を実現させる。当該高散乱液晶材料を用いれば、優れた光学構造を備えるスメクチック相液晶ディスプレイが得られる。本発明の高散乱スメクチック相材料は、調光媒体又は表示デバイスの材料として用いられることに限らず、いずれの低周波フロスティング及び高周波クリアリングの二重周波数ドライブモードを用いたデバイスに、本発明が提供する材料を使用しても構わない。