"第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が470±10nmの範囲内であり、前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が増加していることを特徴とする発光素子。前記共振器出力スペクトルの最大値となる波長における前記バンド吸収フィルタの透過率をT0とし、最大値となる波長から10nmの波長における透過率をT10としたときに、透過率の比ΔT[=T10/T0]が0.9以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透過率の比ΔTが0.7以下であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記バンド吸収フィルタの透過変化率RAが-0.01[1/nm]以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子。第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が620±20nmの範囲内であり前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が減少していることを特徴とする発光素子。前記共振器出力スペクトルの最大値となる波長における前記バンド吸収フィルタの透過率をT0とし、最大値となる波長から-10nmの波長における透過率をT-10としたときに、透過率の比ΔT[=T-10/T0]が0.9以下であることを特徴とする請求項5に記載の発光素子。前記透過率の比ΔTが0.7以下であることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。前記バンド吸収フィルタの透過変化率RAが0.01[1/nm]以上であることを特徴とする請求項1,6,7のいずれか1項に記載の発光素子。色度座標のNTSCの色純度からのズレΔu’v’が0.05以内であるか、またはNTSCの色再現範囲を拡大する色度座標であることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の発光素子。すなわち、本発明が解決しようとする課題には、上述した問題が一例として挙げられる。よって本発明の目的は、共振器構造の発光素子及び表示装置において、例えば膜厚が設計値から外れて共振器光路長が増減したとしても、輝度変動を抑制することのできる技術を提供することが一例として挙げられる。本発明の発光素子は、請求項1に記載のように、第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が470±10nmの範囲内であり、前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が増加していることを特徴とする。本発明の表示装置は、請求項5に記載の通り、第1反射部材と、第2反射部材と、前記第1反射部材および第2反射部材の間に配置される発光層を有し、前記第1反射部材と前記第2反射部材との間で共振される光の一部を前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過する共振器構造と、前記第1反射部材又は前記第2反射部材で透過した光の一部をさらに透過するバンド吸収フィルタと、を備え、前記共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長が620±20nmの範囲内であり、前記バンド吸収フィルタの吸収スペクトルは、前記共振器出力スペクトルの中心波長から長波長側に向かって単調に吸収率が減少していることを特徴とする。以下、本発明の好ましい実施形態による発光素子及び表示装置について、添付図面を参照しながら詳しく説明する。以下の説明では、赤色R,緑色G,青色Bにそれぞれ発光する発光素子を備えた表示装置を一例に挙げて説明する。但し、以下に説明する実施形態によって本発明の技術的範囲は何ら限定解釈されることはない。第1の実施形態図1及び図2は、共通の基板1に赤色R,緑色G,青色Bに発光する3個の発光素子R,G,Bを配置してRGBユニットを形成した一例を示す。図1は、発光素子R,G,Bの縦断面図であり、図2は、平面図である。なお、実際の表示装置は、基板1に多数の発光素子R,G,Bを配列して表示領域を形成し、図示しない表示領域外に配置された駆動回路によってパッシブ駆動又は素子毎にも駆動回路を配置してアクティブ駆動される構成である。本実施形態による発光素子R,G,Bは、図1に示すように、第1反射部材としての陽極2、有機層3、第2反射部材としての陰極4を基板上に積層し、成膜面側から発光を取り出すいわゆるトップエミッション構造である。これらRGBの発光素子は、バンクと称する隔壁部5によって区画されている。なお、陰極4上にさらに封止膜などの有機層あるいは無機層を積層する場合がある。さらに、前記発光が取り出される成膜面と対向する位置に、共振器構造からの光の一部をさらに波長選択的に透過するバンド吸収フィルタBEF6が配置されている。このバンド吸収フィルタ6は、好ましくは、図1に示すようにRGBの各発光素子に共通のフィルタである。バンド吸収フィルタ6は、図示しない支持部材によって固定配置されるフィルタ支持部材によって支持されている。図1には、例えば透明材料で形成された基板フィルタ支持基板7によってフィルタ支持部材を構成した例を示す。フィルタ支持部材は、基板に限定されることはなく、透明フィルムなどであってもよい。さらに、例えば外光反射を防止するための構造や材料を付加してもよい。陽極2は、反射電極21と透明電極22の2層構造である。陽極2のホール注入層31に接する材料としては、仕事関数の高い材料が用いられる。具体的には、反射電極21の材料として、例えばAl、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Agなどの金属またはそれらを含む合金や金属間化合物などを用いることができる。反射電極21の厚みは、例えば100nmである。反射電極21は、400~700nmの波長の光に対する反射率の平均値が例えば80以上であり高い反射率が望ましい。また、透明電極22の材料として、例えばITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxideなどの金属酸化物などを用いることができる。透明電極22の厚みは、例えば75nmである。なお、図1及び図2では図示を省略しているが、陽極2には引き出し電極配線電極が接続されている。なお、陽極2は、反射電極21の単層構造であってもよい。有機層3は、一部の層が無機材料で構成されることもあり得る。また、更に分割して多層化すること、或いは単一の層で複数の層の機能を有するように積層数を減らすこともできる。図1に示す有機層3は、陽極2側から順に、ホール注入層31、ホール輸送層32、発光層33、電子輸送層34が積層された多層構造である。有機層3は、少なくとも発光層33を有していればよいが、効率的にエレクトロルミネッセンス現象を促進させるために、ホール注入層31、ホール輸送層32、電子輸送層34などを配置することが好ましい。共振器構造とする場合、RGBの各発光素子にはそれぞれ好ましい共振器光路長がある。図1の構造の場合は、反射電極21と陰極4の反射面の離間距離が共振器光路長である。一例として、赤色Rの好ましい共振器光路長を得るための積層膜厚は300nmであり、緑色Gの好ましい共振器光路長を得るための積層膜厚は235nmであり、青色Bの好ましい共振器光路長を得るための積層膜厚は200nmである。これら共振器光路長は、例えば有機層3の膜厚によって調整する。但し、既述したように、製作工程において膜厚が設計値から外れることを完全に防止することは困難である。特に、塗布法によって有機層3を成膜する場合に膜厚制御が難しい。例えば、インクジェット法で成膜する場合、素子間に5以上の膜厚のバラツキが生じる場合がある。図1に示す構造は、一例として、ホール注入層31の厚みを変えて共振器光路長を調整している。具体的には、赤色Gのホール注入層31の厚み設計値は、例えば125nmであり、緑色Gのホール注入層31の厚み設計値は、例えば65nmであり、青色Bのホール注入層31の厚み設計値は、例えば20nmである。ホール輸送層32、発光層33、電子輸送層34については、RGBの共振器構造で同じ厚みにしている。ホール輸送層32の厚み設計値は、例えば30nmであり、発光層33の厚み設計値は、例えば30nmであり、電子輸送層34の厚み設計値は、例えば40nmである。ホール注入層31及びホール輸送層32としては、正孔の輸送特性が高い材料で形成されていればよく、一例として、銅フタロシアニンCuPcなどのフタロシアニン化合物、m-MTDATA等のスターバースト型アミン、ベンジジン型アミンの多量体、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]-ビフェニルNPB、N-フェニル-p-フェニレンジアミンPPD等の芳香族第三級アミン、4-ジ-P-トリルアミノ-4’-[4-ジ-P-トリルアミノスチリル]スチルベンゼン等のスチルベン化合物、トリアゾール誘導体、スチリルアミン化合物、バッキーボール、C60等のフラーレンなどの有機材料が用いられる。また、ポリカーボネート等の高分子材料中に低分子材料を分散させた高分子分散系の材料を使用してもよい。但し、これらの材料に限定されることはない。発光層33としては、赤色R,緑色G,青色Bのエレクトロルミネッセンス現象を発生する材料を用いることができる。発光層33の材料の一例としては、8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム錯体Alq3などの蛍光性有機金属化合物、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBiなどの芳香族ジメチリディン化合物、1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物、3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZなどのトリアゾール誘導体、アントラキノン誘導体、フルオノレン誘導体等の蛍光性有機材料、ポリパラフィニレンビニレンPPV系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾールPVK系などの高分子材料、白金錯体やイリジウム錯体などの燐光性有機材料を用いることができる。但し、これらの材料に限定されることはない。また、有機材料でなくともよく、エレクトロルミネッセンス現象を発生する無機材料を用いてもよい。電子輸送層34としては、電子の輸送特性が高い材料で形成されていればよく、一例として、PyPySPyPy等のシラシクロペンタジエンシロール誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体などの有機材料、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウムAlq3などの8-キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、3-4-ビフェニル-5-4-t-ブチルフェニル-4-フェニル-1,2,4-トリアゾールTAZなどのトリアゾール系化合物、2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチル-1,3,4-オキサジアゾ-ルPBDなどのオキサジアゾール系化合物、バッキーボール、C60、カーボンナノチューブなどのフラーレンを使用することができる。但し、これらの材料に限定されることはない。陰極4の材料としては、電子輸送層34に接する領域の仕事関数が低く陰極全体の反射及び透過の損失が小さい材料を用いることができる。具体的には、陰極4の材料として、Al、Mg、Ag、Au、Ca、Liなどの金属またはその化合物、あるいはそれらを含む合金などを単層あるいは積層して用いることができる。また、電子輸送層34に接する領域に薄いフッ化リチウムや酸化リチウムなどを形成し、電子注入特性を制御することもある。陰極4の厚みは、例えば10nmである。前述したように、本実施形態は、成膜面側すなわち陰極側から光を出力するトップエミッション構造である。従って、陰極4は、400~700nmの波長の光に対する透過率の平均値が例えば20以上の半透過性の電極である。透過率は、例えば電極の膜厚などによって調整することができる。なお、図1及び図2では図示を省略しているが、陰極4には引き出し電極配線電極が接続されている。陰極4上にさらに封止膜を積層する場合には、例えば水蒸気や酸素の透過率が小さい透明の無機材料で形成することができる。封止膜の材料としては、一例として窒化ケイ素SiNx、窒化酸化ケイ素SiOxNy、酸化アルミニウムAlOx、窒化アルミニウムAlNxなどを用いることができる。バンクと称する隔壁部5の材料としては、一例としてフッ素成分を含有する感光性樹脂を用いることができる。フッ素成分を含有することにより、液状材料に対して撥液性を発揮することができるので、塗布法を用いて成膜する場合の液流れいわゆるオーバーラップを抑制することができる。さらに、隔壁部5は、遮光性を有する材料で形成するのが好ましい。また、バンド吸収フィルタBEF6としては、例えば略ガウシアン形状の吸収特性を有する単一バンド吸収のフィルタを用いることができる。バンド吸収フィルタ6は、下記の吸収特性を有していれば形状や材料が限定されることはない。一例として、バンド吸収フィルタ6は、フィルム状や板状のフィルタを表示面に貼り付けるようにしてもよく、また下記の吸収特性を有する色素を表示面に塗布又は付着させることによってフィルタを構成してもよい。但し、単一バンド吸収のフィルタであることから、青色B,赤色R,緑色Gの中のいずれを対象色とするかによって、フィルタの吸収特性が異なる。以下の説明は、好ましい例として、青色Bを対象色とした場合について説明する。なお、以下の説明においては、説明の便宜上、発光強度が最大となる波長を中心波長と称する。図3に示すように、青色Bを対象色とした場合、共振器構造からの出力スペクトル以下、共振器出力スペクトルと称すS1の中心波長λBが470nm±10nmである。また、±10nmと幅をもたせたのは、NTSC色純度を得るための中心波長λBが共振器出力スペクトルS1の幅やPL形状に依存するためである。また、膜厚のバラツキによる中心波長λBのシフト幅も考慮した。一方、比視感度スペクトルの中心波長は、明所視標準で555nmである。この場合において、本実施形態では、好ましい一例として、吸収の中心波長λaが例えば495nmの透過スペクトルS2を有するバンド吸収フィルタ6を用いる。さらに好ましくは、ベース吸収0としたときに、ピーク吸収が60以上である。また、図3には、設計値通りの膜厚を形成したときに、バンド吸収フィルタ6を通じて出力される光のスペクトル以下、発光出力スペクトルS3を示している。さらに詳しくは、バンド吸収フィルタ6の吸収スペクトルS2は、共振器出力スペクトルS1に接近しており、共振器出力スペクトルS1の中心波長λBから長波長側に向かって単調に吸収率が増加している。そして、重要な要素として、共振器出力スペクトルS1の中心波長付近の透過率変化が、輝度変動を抑制するのに充分であることが好ましい。具体的には、図4に示すように、中心波長λBにおける透過率をT0とし、前記中心波長から10nmの波長における透過率をT10としたときに、透過率の比ΔT[=T10/T0]が好ましくは0.9以下、さらに好ましくは0.7以下、より好ましくは0.6以下である。以上のように、本実施形態は、上記の吸収条件を満たすバンド吸収フィルタ6を用いて、共振器構造から出力される光の一部をさらに吸収する構成とした。すなわち、共振器出力スペクトルS1の中心波長λBが高視感度側~480nmにシフトする場合は発光出力が減少するように、中心波長λBが低視感度側~460nmにシフトする場合は発光出力が増加するように、中心波長λB付近の形状をバンド吸収フィルタ6によって制御する構成とした。かかる構成としたことにより、例えば膜厚が±10nmの範囲内で設計値から外れて共振器光路長にバラツキが生じたとしても、輝度変動を抑制することができる。この場合において、色度座標のNTSCの色純度からのズレΔu’v’は0.05以内またはNTSCの色再現範囲を拡大する色度座標であり、カラー表示のための良好な色純度を満たしている。以下、より具体的なシミュレーション結果を参照しながら、輝度変動が抑制されることについて説明する。但し、以下のシミュレーション結果は一例であり、本実施形態を何ら限定するものではない。共振器出力スペクトルS1の中心波長λBの設計値を例えば472nmとした場合において、図5aには膜厚が設計値から-1nmとなった場合のシミュレーション結果を示す。また、図5bには、設計値通りの膜厚となった場合のシミュレーション結果を示す。また、図5cには、膜厚が設計値から1nmとなった場合のシミュレーション結果を示す。バンド吸収フィルタ6は、吸収の中心波長λaが500nm、吸収係数σが10nmの略ガウシアン形状の吸収特性を有するものを用いた。透過率の比ΔT[=T10/T0]は概ね0.9である。なお、図5に記載した各スペクトルの内、スペクトルS10は、バンド吸収フィルタ6の透過スペクトルであり、スペクトルS11は、バンド吸収フィルタ6を通じて出力される発光出力スペクトルである。また、スペクトルS12は、比較として、バンド吸収フィルタ6を設けない場合の発光出力スペクトルである。さらに、スペクトルS13は、共振器構造を用いないで発光させた場合の内部発光であるフォトルミネッセンススペクトルである。さらに、膜厚が設計値付近で増減した場合の正面輝度の変化をシミュレーションした結果を図6に示す。図5のシミュレーション結果のように、上記の条件を満たすバンド吸収フィルタ6を用いたことにより、共振器出力スペクトルS1の中心波長λBが高視感度側にシフトする場合は発光出力が減少し、中心波長λBが低視感度側にシフトする場合は発光出力が増加するように制御される。このように制御すると、膜厚の増減によって発光強度は変動するものの、図6のシミュレーション結果のように、膜厚の増減に対する輝度変動が抑制される。すなわち、バンド吸収フィルタ6を用いない場合は、設計値付近における膜厚変化±1nmによって±5の輝度変化が生じるのに対し、バンド吸収フィルタ6を用いた場合は、設計値における輝度は10程度減少するものの、膜厚変化±1nmに対して輝度変化が±3程度に抑制される。なお、設計値はフィルタ透過後の発光が、輝度及び色度に対して最適化されたものである。他の例として、図7は、吸収の中心波長が495nm、吸収係数σが10nmの略ガウシアン形状の吸収特性を有するバンド吸収フィルタ6を用いた場合のシミュレーション結果である。透過率の比ΔT[=T10/T0]は概ね0.7である。この場合も、スペクトルの挙動は図5と同様の傾向にあるが、透過率の比ΔTの値を小さくした分、膜厚の増減に伴う発光出力の変動幅が大きくなっている。その結果、図8のシミュレーション結果のように、膜厚の増減に対する輝度変動は、設計値における輝度は20程度減少するものの、膜厚変化±1nmに対して輝度変化が±1程度に抑制される。すなわち、共振器出力スペクトルS1の中心波長付近の透過率変化が大きいバンド吸収フィルタ6を用いることで、より確実に輝度変動を抑制することができる。他の例として、図9は、吸収の中心波長が495nm、吸収係数σが15nmの略ガウシアン形状の吸収特性を有するバンド吸収フィルタ6を用いた場合のシミュレーション結果である。透過率の比ΔT[=T10/T0]は概ね0.6である。この場合も、スペクトルの挙動は図5及び図7と同様の傾向にあるが、透過率の比ΔTの値をさらに小さくした分、膜厚の増減に伴う発光出力の変動幅が大きくなっている。その結果、図10のシミュレーション結果のように、膜厚の増減に対する輝度変動は、設計値における輝度は35程度減少するものの、十分な色純度を保ったまま輝度変化をほぼゼロにできていることが分かる。すなわち、共振器出力スペクトルS1の中心波長付近の透過率変化がさらに大きいバンド吸収フィルタ6を用いることで、さらに確実に輝度変動を抑制することができる。図11は、共振器出力スペクトルS1の中心波長λBにおけるバンド吸収フィルタ6の吸収変化率RAと、膜厚変動に対する輝度変化率RLの関係をシミュレーションした結果を示している。吸収変化率RAは、中心波長λBにおける吸収スペクトルの勾配を、波長λBの吸収率で除したものであり、RA[1/nm]=dAλB/dλ/AλBの計算式によって算出することができる。また、輝度変化率RLは、NTSC色純度を満たす最適膜厚をd0としたときに、d0±2nmの膜厚ズレに対する輝度の変化率である。より詳しくは、輝度変化率RL[]=d0±2nmにおける輝度最大~最少の差/d0における輝度×100によって算出した値である。図11に結果を示すように、青色Bの発光素子における吸収変化率RA[1/nm]は-0.01以下が好ましく、さらに好ましくは-0.02以下である。なお、図1に示した発光素子は、反射電極及び半透過電極によって第1及び第2の反射部材を構成しているが、これに限定されることはなく、電極とは別の反射膜を形成するようにしてもよい。この場合、電極とは別の反射膜の素子側の陽極及び陰極は、透明電極とするのが好ましい。第2の実施形態本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、バンド吸収フィルタ6で制御する対象色を赤色Rにした実施形態である。図12に示すように、赤色Rを対象色とした場合、共振器出力スペクトルS1の中心波長λRが620±20nmである。±20nmと幅をもたせたのは、NTSC色純度を得るための中心波長λRが共振器出力スペクトルS1の幅やPL形状に依存するためである。また、膜厚のバラツキによる中心波長λRのシフト幅も考慮した。一方、比視感度の中心波長は、明所視標準で555nmである。この場合において、本実施形態では、好ましい一例として、吸収の中心波長λaが例えば590nmの透過スペクトルS2を有するバンド吸収フィルタ6を用いる。さらに好ましくは、ベース吸収0としたときに、ピーク吸収が60以上である。また、図12には、設計値通りの膜厚を形成したときに、バンド吸収フィルタ6を通じて出力される発光出力スペクトルS3を示している。より詳しくは、バンド吸収フィルタ6の吸収スペクトルS2は、共振器出力スペクトルS1に接近しており、共振器出力スペクトルS1の中心波長λRから長波長側に向かって単調に吸収率が減少している。そして、重要な要素として、共振器出力スペクトルS1の中心波長付近の透過率変化が、輝度変動を抑制するのに充分であることが好ましい。具体的には、図13に示すように、中心波長λRにおける透過率をT0とし、前記中心波長から-10nmの波長における透過率をT-10としたときに、透過率の比ΔT[=T-10/T0]が好ましくは0.9以下、さらに好ましくは0.7以下、より好ましくは0.6以下である。さらに、図11と同様にして、共振器出力スペクトルS1の中心波長λRにおけるバンド吸収フィルタ6の吸収変化率RAと、膜厚変動に対する輝度変化率RLの関係をシミュレーションした結果、赤色Rの発光素子における吸収変化率RA[1/nm]は0.01以上が好ましく、さらに好ましくは0.02以上である。このように、赤色Rを対象色とした場合であっても、共振器出力スペクトルS1の中心波長λRが高視感度側にシフトする場合は発光出力が減少するように、中心波長λRが低視感度側にシフトする場合は発光出力が増加するように、中心波長λR付近の形状をバンド吸収フィルタ6によって制御することができる。従って、青色Bの場合と同様に、例えば膜厚が±10nmの範囲内で設計値から外れて共振器光路長にバラツキが生じたとしても、輝度変動を抑制することができる。第3の実施形態本実施形態は、第1及び第2の実施形態の変形例であり、バンド吸収フィルタ6で制御する対象色を青色Bと赤色Rの両方にした実施形態である。すなわち、第1の実施形態の吸収特性を有するバンド吸収フィルタと、第2の実施形態の吸収特性を有するバンド吸収フィルタの両方を準備し、2層積層した構成とする。この場合、青色Bと赤色Rで塗り分けのないフィルタで輝度変動抑制効果を得ることが可能となる。但し、2層積層する構成に限定されることはなく、青色B及び赤色Rの発光素子に各々配置した構成とすることもできる。このような構成にすれば、青色B及び赤色Rの両方の輝度変動を抑制することが可能となる。さらに、2つのフィルタを準備することに限定されず、例えば第1の実施形態の吸収特性の条件と、第2の実施形態の吸収特性の条件の両方を満たす2バンド吸収の単一フィルタを用いることもできる。第4の実施形態なお、第1~第3の実施形態では、ホール注入層31の厚みを変えてRGBの共振器光路長を調整した一例を説明した。但し、これに限定されることはなく、図14に示すように、発光層33の厚みを変えてRGBの共振器光路長を調整するようにしてもよい。第5の実施形態さらに、第1~第4の実施形態では、トップエミッション構造の発光素子を一例に挙げて説明した。しかし、この構造に限定されることはなく、図15に示すように、ボトムエミッション構造であってもよい。図15は、図1の反射電極21を半透過電極とし、陰極4を反射電極とすることによって、ボトムエミッション構造とした例を示す。この場合のバンド吸収フィルタ6は、図15に示すように基板1に配置してもよく、あるいは図1に示したようなフィルタ支持基板7を用いて基板1と対向するように配置してもよい。但し、構造が限定されることはない。第6の実施形態続いて、図1に示したRGB発光素子を製造する手順について、一例を説明する。まず、例えば蒸着やスパッタ法などを用いて反射電極21、透明電極22を順に成膜する。これら電極21,22のパターニングは、例えばフォトリソグラフィー法によって行うことができる。次に、例えばフッ素成分を含有する感光性樹脂を基板1上に塗布し、乾燥させて成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法によって図1に示すようなパターンを有する隔壁部5を形成する。例えばパッシブ型の場合は、電極21,22をストライプ状に形成した後、隔壁部5を形成する。一方、例えばアクティブ型の場合は、駆動回路毎に接続されたアイランド状に電極21,22を形成した後、隔壁部5を形成する。次に、ホール注入層32の液体材料を、例えばインクジェットノズルなどを用いて隔壁部5によって区画された領域内に塗布し、乾燥させて成膜する。ホール輸送層32、発光層33についても、同様に塗布法によって各素子毎に塗り分けて成膜する。膜厚は、例えば液体材料の塗布量によって調節することができる。次に、蒸着法を用いて電子輸送層34及び陰極4を順に形成する。陰極4のパターニングは、メタルマスクなどのマスクを用いるか、又は隔壁部5のバンク形状を利用して行うことができる。例えばパッシブ型の場合、陰極4をストライプ状にパターニングすることができる。一方、例えばアクティブ型の場合は、パターニングを行わずに、いわゆるベタ電極とすることができる。最後に、例えばフィルム状のバンド吸収フィルタ6を貼り付けたフィルタ支持基板7を、発光が取り出される成膜面と対向する位置に配置することにより、図1及び図2に示したRGB発光素子を製造することができる。以上のように、第1~第6の実施形態によれば、共振器構造を有する発光素子において、共振器構造からの共振器出力スペクトルの最大値となる波長と、比視感度の最大値となる波長との間に透過が最小値となる波長を有するバンド吸収フィルタによって、共振器構造からの光の一部をさらに波長選択的に透過する構成としたことにより、共振器光路長の変動に起因する輝度変動を抑制することができる。換言すると、膜厚が設計値から外れても、輝度変動が少ないので、ひいては膜厚バラツキの許容幅が広がることになり、歩留まりの向上及び低コスト化を実現することができる。上記実施形態に従う技術は、有機薄膜発光素子の他、積層素子構造を有する無機薄膜発光素子電場発光、発光ダイオードに適用することができる。また発光素子を面上にアレイ化して配置した発光型表示装置に適用することができる。また、第1及び第2反射部材の両側から発光を取り出す構造であってもよい。さらに、RGBの三色に限定されることもなく、一色又は二色あるいは他の色を含んでいてもよい。以上、本発明を具体的な実施形態に則して詳細に説明したが、形式や細部についての種々の置換、変形、変更等が、特許請求の範囲の記載により規定されるような本発明の精神及び範囲から逸脱することなく行われることが可能であることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には明らかである。従って、本発明の範囲は、前述の実施形態及び添付図面に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて定められるべきである。"