基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、少なくとも2層からなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟み前記下部電極と対向する領域を有する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極とが対向する領域であって、前記少なくとも2層からなる圧電膜のそれぞれの層の間に設けられた絶縁膜と、を具備し、前記絶縁膜の上面は下面よりも平坦であることを特徴とする圧電薄膜共振器。前記絶縁膜の上面のRMS値は、下面のRMS値に対して30以上小さいことを特徴とする請求項1記載の圧電薄膜共振器。前記圧電膜は2層からなり、前記絶縁膜は2層の前記圧電膜の間に設けられた1層からなることを特徴とする請求項1または2記載の圧電薄膜共振器。前記絶縁膜は、酸化シリコンを主成分とする絶縁膜であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。前記圧電膜は、窒化アルミニウムまたは不純物を添加した窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器。基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に第1圧電膜を形成する工程と、前記第1圧電膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面を平坦化する工程と、上面が平坦化された前記絶縁膜上に第2圧電膜を形成する工程と、前記第2圧電膜上に、前記第1圧電膜と前記絶縁膜と前記第2圧電膜とを挟み前記下部電極と対向する領域を有するように上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電薄膜共振器の製造方法。前記第1圧電膜の形成と、前記絶縁膜の形成と、前記絶縁膜の上面の平坦化と、前記第2圧電膜の形成とは、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行われることを特徴とする請求項6記載の圧電薄膜共振器の製造方法。前記絶縁膜の上面の平坦化は、不活性ガスのプラズマを利用して行われることを特徴とする請求項6または7記載の圧電薄膜共振器の製造方法。前記第1圧電膜の上面を平坦化する工程を有し、前記絶縁膜を形成する工程は、上面が平坦化された前記第1圧電膜上に前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項記載の圧電薄膜共振器の製造方法。圧電薄膜共振器において、圧電膜の配向性は、共振特性を決める重要な要素の1つである。しかしながら、特許文献1のように、圧電膜の間に挟んで温度補償膜である薄膜を配置する構造の場合、圧電膜の配向性が乱れてしまうことが生じ得る。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、周波数の温度特性を改善すると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることが可能な圧電薄膜共振器およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、少なくとも2層からなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟み前記下部電極と対向する領域を有する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極とが対向する領域であって、前記少なくとも2層からなる圧電膜のそれぞれの層の間に設けられた絶縁膜と、を具備し、前記絶縁膜の上面は下面よりも平坦であることを特徴とする圧電薄膜共振器である。本発明のよれば、周波数の温度特性を改善することができると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。上記構成において、前記絶縁膜の上面のRMS値は、下面のRMS値に対して30以上小さい構成とすることができる。上記構成において、前記圧電膜は2層からなり、前記絶縁膜は2層の前記圧電膜の間に設けられた1層からなる構成とすることができる。上記構成において、前記絶縁膜は、酸化シリコンを主成分とする絶縁膜である構成とすることができる。上記構成において、前記圧電膜は、窒化アルミニウムまたは不純物を添加した窒化アルミニウムである構成とすることができる。本発明は、基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に第1圧電膜を形成する工程と、前記第1圧電膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上面を平坦化する工程と、上面が平坦化された前記絶縁膜上に第2圧電膜を形成する工程と、前記第2圧電膜上に、前記第1圧電膜と前記絶縁膜と前記第2圧電膜とを挟み前記下部電極と対向する領域を有するように上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電薄膜共振器の製造方法である。本発明によれば、周波数の温度特性を改善することができると共に、第2圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。上記構成において、前記第1圧電膜の形成と、前記絶縁膜の形成と、前記絶縁膜の上面の平坦化と、前記第2圧電膜の形成とは、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行われる構成とすることができる。この構成によれば、不純物の付着が抑制された第1圧電膜の上面に絶縁膜を形成でき、平坦化され且つ不純物の付着が抑制された絶縁膜の上面に第2圧電膜を形成することができるため、良好な共振特性を得ることができる。上記構成において、前記絶縁膜の上面の平坦化は、不活性ガスのプラズマを利用して行われる構成とすることができる。上記構成において、前記第1圧電膜の上面を平坦化する工程を有し、前記絶縁膜を形成する工程は、上面が平坦化された前記第1圧電膜上に前記絶縁膜を形成する構成とすることができる。この構成によれば、絶縁膜の上面の平坦度をより良好にすることができ、第2圧電膜の配向性の乱れをより抑制することができる。本発明によれば、周波数の温度特性を改善することができると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。まず、比較例1に係る圧電薄膜共振器について説明する。図1は、比較例1に係る圧電薄膜共振器の共振部の断面模式図の例である。図1を参照して、下部電極50上に、例えばスパッタ法を用いて、第1圧電膜52が形成されている。下部電極50は、例えばRuルテニウムからなり、第1圧電膜52は、例えばAlNからなる。第1圧電膜52上に、例えばスパッタ法を用いて、温度補償膜として機能する絶縁膜54が形成されている。絶縁膜54上に、例えばスパッタ法を用いて、第2圧電膜56が形成されている。第2圧電膜56は、例えばAlNからなる。絶縁膜54は、温度補償膜として機能することから、第1圧電膜52と第2圧電膜56との弾性定数の温度係数の符号とは反対の符号の温度係数を有し、例えばSiO2からなる。絶縁膜54は、例えば第1圧電膜52の上面に接して設けられ、第2圧電膜56は、例えば絶縁膜54の上面に接して設けられている。第2圧電膜56上に、例えばスパッタ法を用いて、例えばRuからなる上部電極58が形成されている。下部電極50と上部電極58とは、第1圧電膜52と第2圧電膜56とを挟み、互いに対向する領域を有するように設けられている。絶縁膜54は、下部電極50と上部電極58とが対向する領域であって、第1圧電膜52と第2圧電膜56との間に挟まれて設けられている。このように、上部電極と下部電極とが対向する領域において、圧電膜の間に温度補償膜として機能する絶縁膜を設けることで、特許文献1に記載されているように、周波数の温度特性を改善することができる。ここで、絶縁膜54の上面の平坦度に注目する。図2は、絶縁膜54の上面の平坦度について表した断面模式図の例である。図2を参照して、第1圧電膜52は、下部電極50上に、例えばスパッタ法によって形成され、その膜厚は、例えば0.6μm程度である。このため、第1圧電膜52の上面60の平坦度は悪い。絶縁膜54は、第1圧電膜52の上面60に接して、例えばスパッタ法によって形成され、その膜厚は、例えば25nm程度である。このため、絶縁膜54の上面62は、第1圧電膜52の上面60の平坦度を受け継ぎ、第1圧電膜52の上面60が転写されたような形状となる。つまり、絶縁膜54の上面62の平坦度は、第1圧電膜52の上面60の平坦度と同程度になる。したがって、絶縁膜54の上面62の平坦度も悪い。そして、第2圧電膜56は、平坦度の悪い絶縁膜54の上面62に接して、例えばスパッタ法によって形成される。このように、比較例1に係る圧電薄膜共振器では、第1圧電膜52と第2圧電膜56との間に絶縁膜54を設けていることで周波数の温度特性は改善できる。しかしながら、平坦度の悪い絶縁膜54の上面62に接して第2圧電膜56を設けているため、第2圧電膜56のc軸配向性が乱れてしまう。文献NewElectrodeMaterialforLowlossandHighQFBARFiltersTYokoyama外4名IEEEUltrasonicSymposium2004pp429432によれば、圧電薄膜共振器の共振特性は、圧電膜のc軸配向性に大きな影響を受ける。このため、比較例1に係る圧電薄膜共振器のように、第2圧電膜56のc軸配向性が乱れていては、共振特性は悪くなってしまう。そこで、上記課題に鑑み、周波数の温度特性を改善すると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることが可能な圧電薄膜共振器の実施例について以下に説明する。図3aは、実施例1に係る圧電薄膜共振器の上面模式図の例である。図3bは、図3aのA-A間の断面模式図の例であり、図3cは、図3aのB-B間の断面模式図の例である。図3aから図3cを参照して、例えばSi基板からなる基板10上に、例えばRuからなる下部電極12が設けられている。下部電極12の膜厚は、例えば260nmである。基板10上および下部電極12上に、例えばAlNからなる第1圧電膜14が設けられている。第1圧電膜14の膜厚は、例えば0.6μmである。第1圧電膜14上に、温度補償膜として機能する例えばSiO2からなる絶縁膜16が設けられている。絶縁膜16の膜厚は、例えば25nmである。絶縁膜16は、例えば第1圧電膜14の上面に接して設けられている。詳しくは後述するが、絶縁膜16の上面の平坦度は、下面の平坦度よりも小さくなっている。絶縁膜16上に、例えばAlNからなる第2圧電膜18が設けられている。第2圧電膜18の膜厚は、例えば0.6μmである。第2圧電膜18は、例えば絶縁膜16の上面に接して設けられている。第2圧電膜18上に、第1圧電膜14、絶縁膜16、および第2圧電膜18を挟み下部電極12と対向する領域を有して、例えばRuからなる上部電極20が設けられている。上部電極20の膜厚は、例えば260nmである。下部電極12と上部電極20とが対向する領域が共振部22となる。共振部22の下側であって、基板10と下部電極12との間には、ドーム形状の膨らみを有する空隙24が設けられている。ドーム形状の膨らみとは、空隙24の周辺部における空隙24の高さよりも、空隙24の中心部ほど空隙24の高さが高くなるような形状の膨らみをいう。下部電極12の下側には、後述する犠牲層をエッチングするための導入路26が設けられている。導入路26の先端付近は、第1圧電膜14、絶縁膜16、および第2圧電膜18で覆われてなく、導入路26の先端は孔部28となっている。また、第1圧電膜14、絶縁膜16、および第2圧電膜18には、下部電極12との電気的な接続を可能とするための開口部30が設けられている。次に、図4aから図4hを用いて、実施例1に係る圧電薄膜共振器の製造方法を説明する。図4aから図4dは、図3aのA-A間に相当する断面模式図の例であり、図4eから図4hは、図3aのB-B間に相当する断面模式図の例である。図4aおよび図4eを参照して、基板10上に、例えばMgO酸化マグネシウムからなる犠牲層32を、例えばスパッタ法または蒸着法を用いて形成する。その後、例えば露光技術とエッチング技術を用いて、犠牲層32を、空隙24が形成されるべき領域に残存させる。犠牲層32の膜厚は、例えば20nmである。次いで、Arガス雰囲気中でRuターゲットをスパッタすることにより、基板10上および犠牲層32上に下部電極12を形成する。その後、露光技術とエッチング技術を用いて、下部電極12を所望の形状とする。このとき、下部電極12の一部は、犠牲層32を覆うような形状とする。図4bおよび図4fを参照して、Ar/N2混合ガス雰囲気中でAlターゲットをスパッタすることにより、基板10上および下部電極12上に第1圧電膜14を形成する。次に、Arガス雰囲気中でSiO2ターゲットをスタッパすることにより、第1圧電膜14上に絶縁膜16を形成する。その後、絶縁膜16の上面にArプラズマを数十秒間照射し、絶縁膜16の上面を平坦化させる。図4cおよび図4gを参照して、Ar/N2混合ガス雰囲気中でAlターゲットをスパッタすることにより、絶縁膜16上に第2圧電膜18を形成する。次に、Arガス雰囲気中でRuターゲットをスパッタすることにより、第2圧電膜18上に上部電極20を形成する。なお、第1圧電膜14の形成、絶縁膜16の形成、絶縁膜16の上面の平坦化、第2圧電膜18の形成、および上部電極20の形成は、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行う。その後、露光技術とエッチング技術を用いて、第1圧電膜14、絶縁膜16、第2圧電膜18、および上部電極20を所望の形状とする。さらに、露光技術とエッチング技術を用いて、導入路26の先端の孔部28を形成する。なお、孔部28は、下部電極12の形成と同時に形成することもできる。図4dおよび図4hを参照して、犠牲層32をエッチングするためのエッチング液を孔部28から導入し、導入路26を経て犠牲層32を除去する。ここで、下部電極12、第1圧電膜14、絶縁膜16、第2圧電膜18、および上部電極20からなる積層膜の応力は、スパッタ条件の調整により圧縮応力となるように設定されている。このため、犠牲層32のエッチングが完了した時点で、積層膜は膨れ上がり、基板10と下部電極12との間に、ドーム形状をした膨らみを有する空隙24が形成される。次に、絶縁膜16の上面の平坦度について説明する。図5は、絶縁膜16の上面の平坦度について表した断面模式図である。図5を参照して、絶縁膜16の上面36は、第1圧電膜14の上面34即ち、絶縁膜16の下面に比べて平坦度が向上している。これは、図4bおよび図4fで説明したように、絶縁膜16を形成した後、絶縁膜16の上面にArプラズマを照射したためである。ここで、第1圧電膜14の上面34と絶縁膜16の上面36の平坦度を調べた。平坦度は、図4aから図4hで説明した製造方法により製造したウエハに対して、面内3箇所の合計15チップについて、第1圧電膜14まで形成した後の第1圧電膜14の上面34のRMS値と、絶縁膜16の平坦化を行った後の絶縁膜16の上面36のRMS値と、を測定した。その結果、測定した15チップの平均値で、第1圧電膜14の上面34のRMS値は1.7nmであったのに対し、絶縁膜16の上面36のRMS値は0.6nmであった。このように、絶縁膜16の上面36にArプラズマを照射することで、絶縁膜16の上面36の平坦度が向上し、RMS値が半分以下にできることが分かった。次に、平坦度が向上した絶縁膜16の上面36に形成された第2圧電膜18のc軸配向性を調べた。c軸配向性の調査は、第2圧電膜18のX線回折におけるロッキングカーブの半値幅を調べることで行った。その結果、第2圧電膜18の半値幅は、3°程度と良好な結果が得られた。比較例1に係る圧電薄膜共振器のように、平坦度の悪い絶縁膜54の上面62に第2圧電膜56を形成した場合、第2圧電膜56のc軸配向性が乱れてしまうが、実施例1に係る圧電薄膜共振器にように、平坦度が向上した絶縁膜16の上面36に第2圧電膜18を形成することで、第2圧電膜18のc軸配向性の乱れを抑制できることが分かった。次に、実施例1に係る圧電薄膜共振器の周波数の温度特性について測定した。図6aは、実施例1に係る圧電薄膜共振器の周波数の温度特性の測定結果である。また、比較のために、図6bに、絶縁膜16が設けられていない点を除いて実施例1に係る圧電薄膜共振器と同じ構造を有する比較例2に係る圧電薄膜共振器の周波数の温度特性の測定結果を示す。なお、温度特性の測定は、-35°Cから85°Cの間で20°C刻みで温度を変化させて、共振周波数と反共振周波数とを測定した。図6aおよび図6bを参照して、比較例2に係る圧電薄膜共振器の共振周波数の温度係数は-27.3ppm/°Cで、反共振周波数の温度係数は-32.1ppm/°Cである。これに対し、実施例1に係る圧電薄膜共振器の共振周波数の温度係数は-17.6ppm/°Cで、反共振周波数の温度係数は-20.4ppm/°Cである。このように、実施例1に係る圧電薄膜共振器の共振周波数および反共振周波数の温度係数は、比較例2に係る圧電薄膜共振器の共振周波数および反共振周波数の温度係数に比べて、10ppm程度改善された結果となった。これは、絶縁膜16は例えばSiO2からなり、第1圧電膜14および第2圧電膜18は例えばAlNからなるため、絶縁膜16の弾性定数の温度係数は、第1圧電膜14および第2圧電膜18の弾性定数の温度係数に対して逆の符号となる。このため、絶縁膜16が、下部電極12と上部電極20とが対向する領域であって、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に設けられていることで、周波数の温度特性が改善されたものである。なお、絶縁膜16は、下部電極12と上部電極20とが対向する領域共振部22の一部に設けられている場合でもよいが、周波数の温度特性を改善する観点からは、下部電極12と上部電極20とが対向する領域共振部22の全面を覆って設けられている場合が好ましい。以上説明してきたように、実施例1によれば、図3bのように、基板10上に下部電極12が設けられ、下部電極12上に第1圧電膜14と第2圧電膜18とが設けられ、第2圧電膜18上に、第1圧電膜14と第2圧電膜18とを挟み下部電極12と対向する領域を有する上部電極20が設けられている。そして、下部電極12と上部電極20とが対向する領域であって、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に絶縁膜16が設けられていると共に、図5のように、絶縁膜16の上面は下面よりも平坦になっている。このような圧電薄膜共振器は、図4aから図4hで説明したように、基板10上に下部電極12を形成し、下部電極12上に第1圧電膜14を形成し、第1圧電膜14上に絶縁膜16を形成する。そして、絶縁膜16の上面を平坦化する。その後、上面が平坦化された絶縁膜16上に第2圧電膜18を形成し、第2圧電膜18上に、第1圧電膜14と絶縁膜16と第2圧電膜18とを挟み下部電極12と対向する領域を有するように上部電極20を形成することで得ることができる。このように、下部電極12と上部電極20とが対向する領域で、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に絶縁膜16が設けられていることで、図6aのように、周波数の温度特性を改善することができる。また、平坦度が向上した絶縁膜16の上面36に第2圧電膜18を形成しているため、第2圧電膜18のc軸配向性の乱れを抑制することができる。これにより、例えば共振先鋭度Q値の向上、電気機械結合係数K2の向上、スプリアスの抑制等、圧電薄膜共振器の共振特性を良好なものとすることができる。したがって、実施例1によれば、周波数の温度特性が改善できると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。第2圧電膜18のc軸配向性の乱れを抑制する観点から、絶縁膜16の上面36のRMS値は、下面即ち、第1圧電膜14の上面34のRMS値に対して30以上小さいことが好ましく、50以上小さいことがより好ましく、80以上小さいことがさらに好ましい。また、第2圧電膜18のc軸配向性の乱れを抑制する観点から、絶縁膜16の上面36のRMS値は、1.0nm以下の場合が好ましく、0.8nm以下の場合がより好ましく、0.6nm以下の場合がさらに好ましい。図4cおよび図4gで説明したように、第1圧電膜14の形成と、絶縁膜16の形成と、絶縁膜16の上面の平坦化と、第2圧電膜18の形成とは、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行われることが好ましい。これにより、第1圧電膜14と絶縁膜16との界面、および絶縁膜16と第2圧電膜18との界面に、不純物が付着することを抑制できる。即ち、不純物の付着が抑制された第1圧電膜14の上面に絶縁膜16を形成でき、平坦化され且つ不純物の付着が抑制された絶縁膜16の上面に第2圧電膜18を形成することができる。よって、良好な共振特性を得ることができる。図4bおよび図4fでは、絶縁膜16の上面の平坦化は、Arプラズマを照射することで行っているが、Arガス以外の不活性ガスのプラズマを照射する等、不活性ガスのプラズマを利用して行う場合でもよい。圧電膜は、第1圧電膜14と第2圧電膜18との2層からなり、絶縁膜16は、2層の圧電膜である第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に設けられた1層からなる場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。圧電膜は、3層や4層など、2層以上の複数層である場合でもよい。この場合、絶縁膜16は、圧電膜のそれぞれの層の間に挟まれて設けられることとなる。つまり、圧電膜は少なくとも2層からなり、絶縁膜は少なくとも2層からなる圧電膜のそれぞれの層の間に設けられた構成の場合であればよい。絶縁膜16はSiO2からなる場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。絶縁膜16は、温度補償膜としての機能を有するために、第1圧電膜14および第2圧電膜18の弾性定数の温度係数に対して逆の符号の温度係数を有する絶縁膜であれば、その他の材料からなる絶縁膜の場合でもよい。例えば、酸化シリコンに他の元素をドープしたような絶縁膜を用いることができる。即ち、絶縁膜16は、酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を用いることができる。また、音速の温度係数が正となる材料で絶縁性があるものを用いることもできる。第1圧電膜14と第2圧電膜18とはAlNからなる場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。窒化アルミニウムや窒化アルミニウムに他の元素をドープしたような場合でもよい。即ち、第1圧電膜14と第2圧電膜18とは、窒化アルミニウムまたは不純物を添加した窒化アルミニウムからなる場合でもよい。また、窒化アルミニウムの他に、酸化亜鉛ZnOからなる場合や酸化亜鉛に他の元素をドープしたような場合でもよい。第1圧電膜14と第2圧電膜18とは、同じ材料からなる場合が好ましい。また、第1圧電膜14と第2圧電膜18との膜厚が異なる場合でもよい。この場合、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に設けられた絶縁膜16は、下部電極12側もしくは上部電極20側に偏って配置されることとなる。基板10は、Si基板からなる場合に限られず、ガラス基板やGaAs基板等のその他の基板を用いることができる。下部電極12および上部電極20は、Ruの他に、Al、Cu、Mo、W、Ta、Pt、Rh、Ir、Cr、Ti等の金属材料を用いることができる。図3bのように、基板10と下部電極12との間に、ドーム形状をした空隙24が形成されたFBARタイプの圧電薄膜共振器の場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。実施例1の変形例1に係る圧電薄膜共振器のように、基板10の一部を除去することで、基板10に空隙24が形成されたFBARタイプの圧電薄膜共振器の場合でもよい。また、実施例1の変形例2に係る圧電薄膜共振器のように、SMRタイプの圧電薄膜共振器の場合でもよい。図7は、実施例1の変形例1に係る圧電薄膜共振器の断面模式図の例である。図7を参照して、基板10の一部が除去され、基板10の上面に凹部が形成されている。この凹部を覆うように、基板10上に、下部電極12が設けられている。これにより、下部電極12の下側に空隙24が形成される。下部電極12上に、第1圧電膜14、絶縁膜16、第2圧電膜18、および上部電極20が順次積層されていて、第1圧電膜14と絶縁膜16と第2圧電膜18とを挟み、下部電極12と上部電極20とが対向する領域共振部は、空隙24上に位置している。図7のように、基板10に空隙24が形成されたFBARタイプの圧電薄膜共振器の場合でも、下部電極12と上部電極20とが対向する領域であって、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に絶縁膜16が設けられると共に、絶縁膜16の上面が下面よりも平坦であることで、周波数の温度特性が改善できると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。なお、空隙24が、基板10の下面まで基板10を貫通したバイアホールである場合でもよい。図8は、実施例1の変形例2に係る圧電薄膜共振器の断面模式図の例である。図8を参照して、基板10上に、低音響インピーダンス膜38と高音響インピーダンス膜40とがλ/4λ:弾性波の波長の膜厚で交互に積層された音響多層膜42が設けられている。音響多層膜42上には、下部電極12、第1圧電膜14、絶縁膜16、第2圧電膜18、上部電極20が順次設けられている。このように、SMRタイプの圧電薄膜共振器には空隙が設けられてなく、第1圧電膜14と絶縁膜16と第2圧電膜18とを挟み、下部電極12と上部電極20とが対向する領域共振部は、音響多層膜42上に位置している。図8のように、空隙の代わりに音響多層膜42が設けられたSMRタイプの圧電薄膜共振器の場合でも、下部電極12と上部電極20とが対向する領域であって、第1圧電膜14と第2圧電膜18との間に絶縁膜16が設けられると共に、絶縁膜16の上面が下面よりも平坦であることで、周波数の温度特性が改善できると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることができる。図9は、実施例2に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示すフローチャートの例である。なお、実施例2に係る圧電薄膜共振器の上面図および断面図は、実施例1に係る圧電薄膜共振器と同じであり、図3aから図3cに示しているため、ここでは説明を省略する。また、製造方法を示す断面図も実施例1に係る圧電薄膜共振器と同じであり、図4aから図4hに示しているため、ここでは説明を省略する。図9を参照して、まず、基板10上であって、空隙24が形成されるべき領域に犠牲層32を形成するステップS10。次いで、基板10上および犠牲層32上に下部電極12を形成し、所望の形状にパターン化するステップS12。次いで、基板10上および下部電極12上に、第1圧電膜14を形成するステップS14。次いで、第1圧電膜14の上面にArプラズマを照射し、第1圧電膜14の上面を平坦化させるステップS16。次いで、上面を平坦化した第1圧電膜14上に、絶縁膜16を形成するステップS18。次いで、絶縁膜16の上面にArプラズマを照射して、絶縁膜16の上面を平坦化させるステップS20。次いで、上面を平坦化した絶縁膜16上に、第2圧電膜18を形成するステップS22。次いで、第2圧電膜18上に、上部電極20を形成するステップS24。第1圧電膜14の形成、第1圧電膜14の平坦化、絶縁膜16の形成、絶縁膜16の平坦化、第2圧電膜18の形成、および上部電極20の形成は、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行う。次いで、第1圧電膜14、絶縁膜16、第2圧電膜18、および上部電極20を所望の形状にパターン化するステップS26。次いで、犠牲層32をエッチングして、基板10と下部電極12との間に、ドーム形状をした膨らみを有する空隙24を形成するステップS28。以上説明してきたように、実施例2では、第1圧電膜14を形成した後、第1圧電膜14の上面を平坦化し、上面が平坦化された第1圧電膜14上に絶縁膜16を形成している点で、実施例1とは異なる。実施例1では、図5で説明したように、第1圧電膜14の上面34の平坦度は悪いが、実施例2では、第1圧電膜14の上面を平坦化しているため、第1圧電膜14の上面の平坦度が向上している。そして、実施例2では、平坦度が向上した第1圧電膜14の上面に絶縁膜16を形成しているため、絶縁膜16の形成が終了した時点での絶縁膜16の上面の平坦度は実施例1に比べて良好である。そして、絶縁膜16の上面をさらに平坦化しているため、実施例1に比べて、絶縁膜16の上面の平坦度はより向上している。よって、絶縁膜16の上面に形成する第2圧電膜18のc軸配向性の乱れをより抑制することができ、より良好な共振特性を得ることができる。第1圧電膜14の形成、第1圧電膜14の上面の平坦化、絶縁膜16の形成、絶縁膜16の上面の平坦化、および第2圧電膜18の形成は、同一真空装置内で、真空を破ることなく連続して行われることが好ましい。これにより、平坦化され且つ不純物の付着が抑制された第1圧電膜14の上面に絶縁膜16をでき、平坦化され且つ不純物の付着が抑制された絶縁膜16の上面に第2圧電膜18を形成することができる。よって、良好な共振特性を得ることができる。第1圧電膜14の上面の平坦化は、Arプラズマを照射する場合に限られず、Arガス以外の不活性ガスのプラズマを照射する等、不活性ガスのプラズマを利用して行われる場合でもよい。実施例2においても、実施例1の変形例1のように基板10に空隙24が形成されたFBARタイプの圧電薄膜共振器や、実施例1の変形例2のように空隙の代わりに音響多層膜42が設けられたSMRタイプの圧電薄膜共振器を用いることができる。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。