複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、前記被加工基板を第1のステージに載置し、前記金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去して溝部を形成し、前記被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを前記被加工基板の前記溝部に出射し、前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するダイシング方法。前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射の領域の長さを制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とする請求項1記載のダイシング方法。前記クラックが前記被加工基板表面において略直線的に形成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載のダイシング方法。前記クラックを形成した後に、外力を加えることにより前記被加工基板を割断することを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載のダイシング方法。前記金属加工がプレーナ加工法またはフライカット加工法であることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載のダイシング方法。前記金属加工の際に、前記被加工基板表面を切削することを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項記載のダイシング方法。前記被加工基板の位置と前記パルスピッカーの動作開始位置が同期することを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載のレーザダイシング方法。前記ステージを前記クロック信号に同期させて移動することにより、前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させることを特徴とする請求項7記載のレーザダイシング方法。前記被加工基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項8いずれか一項記載のダイシング方法。複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、前記被加工基板を第1のステージに載置し、前記金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去し、前記被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、前記被加工物表面に、パルスピッカーとレーザビームスキャナを用いて、前記クロック信号に同期して前記パルスレーザビームを通過と遮断を切り替えながら1次元方向に走査し、前記1次元方向に前記パルスレーザビームを走査した後に、前記1次元方向に直交する方向に前記ステージを移動して、更に前記クロック信号に同期して前記パルスレーザビームを前記1次元方向に走査し、前記被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するダイシング方法であって、前記レーザビームスキャナからの走査位置信号に基づき、前記パルスピッカーにおける前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、走査毎の加工原点位置を補正することを特徴とするダイシング方法。前記第2のステージは、前記レーザビームスキャナの走査位置信号に基づいて、前記1次元方向に直交する方向の移動制御がされることを特徴とする請求項10項記載のダイシング方法。もっとも、金属膜は粘りがあるため、裏面に金属膜を被覆された半導体ウェハを、上記1の方法のように切削ブレードで切削すると、分割された半導体チップの裏面外周にバリが発生する。また、切削ブレードに金属屑が付着して目詰まりが生じ、切削ブレードの寿命が低下するという問題がある。また、上記2の方法においては、そろばん玉状のダイヤモンドホイールや、ダイヤモンド刃物は消耗品となり、例えば、2インチのサファイア基板では、2枚加工すると交換しなければならないほど消耗が激しい。この交換の為の機械停止時間は、スループットの低下につながる。また、交換用刃物はオペレーションコストの増加、ひいては製品価格の上昇につながる。また、上記3の方法は、レーザビームを金属表面に集光させて集光点の金属を溶融する方法や、気化プラズマ化させる方法である。しかし、共に融解物やデブリと呼ばれる加工屑が発生し、加工屑を嫌う半導体チップの製造には不向きである。そして、上記4の方法では、透過性を有する波長のパルスレーザビームを使用するが、金属膜レーザビームを透過することがないため、金属膜下の基板に変質層を形成することができない。このため、裏面金属をエッチングで除去し、金属膜を除去した部分からレーザ光を照射して割断する方法がある。この場合、高額なエッチング加工用の装置が必要となり、製品価格の上昇につながる。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により金属膜を除去し、その後、パルスレーザビームの照射をすることで、低コストで、優れた割断特性を実現するダイシング方法を提供することを目的とする。本発明の一態様のダイシング方法は、複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、前記被加工基板を第1のステージに載置し、前記金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去して溝部を形成し、前記被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを前記被加工基板の前記溝部に出射し、前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記被加工基板に基板表面に達するクラックを形成することを特徴とする。上記態様の方法において、前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することが望ましい。上記態様の方法において、前記クラックが前記被加工基板表面において略直線的に形成されることが望ましい。上記態様の方法において、前記クラックを形成した後に、外力を加えることが望ましい。上記態様の方法において、前記金属加工がプレーナ加工法またはフライカット加工法であることが望ましい。上記態様の方法において、前記金属加工の際に、前記被加工基板表面を切削することが望ましい。上記態様の方法において、前記被加工基板の位置と前記パルスピッカーの動作開始位置が同期することが望ましい。この時、前記ステージを前記クロック信号に同期させて移動することにより、前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させることが望ましい。上記態様の方法において、前記被加工基板がサファイア基板であることが望ましい。上記態様の方法において、前記照射エネルギーを30~150mWとし、前記パルスレーザビームの通過を1~4光パルス単位、遮断を1~4光パルス単位とすることにより照射の間隔を1~6μmとすることが望ましい。前記照射エネルギーを50±5mWとし、前記加工点深さを25.0±2.5μmとし、前記パルスレーザビームの通過を1光パルス単位、遮断を2光パルス単位とすることにより照射の間隔を3.6±0.4μmとすることが望ましい。本発明の一態様のダイシング方法は、複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、前記被加工基板を第1のステージに載置し、前記金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去し、前記被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、前記被加工物表面に、パルスピッカーとレーザビームスキャナを用いて、前記クロック信号に同期して前記パルスレーザビームを通過と遮断を切り替えながら1次元方向に走査し、前記1次元方向に前記パルスレーザビームを走査した後に、前記1次元方向に直交する方向に前記ステージを移動して、更に前記クロック信号に同期して前記パルスレーザビームを前記1次元方向に走査し、前記被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するダイシング方法であって、前記レーザビームスキャナからの走査位置信号に基づき、前記パルスピッカーにおける前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、走査毎の加工原点位置を補正することを特徴とする。上記態様の方法において、前記第2のステージは、前記レーザビームスキャナの走査位置信号に基づいて、前記1次元方向に直交する方向の移動制御がされることが望ましい。本発明によれば、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により金属膜を除去し、その後、パルスレーザビームの照射をすることで、低コストで、優れた割断特性を実現するダイシング方法を提供するが可能になる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書中、加工点とは、パルスレーザビームの被加工基板内での集光位置焦点位置近傍の点であり、被加工基板の改質程度が深さ方向で最大となる点を意味する。そして、加工点深さとは、パルスレーザビームの加工点の被加工基板表面からの深さを意味するものとする。第1の実施の形態本実施の形態のダイシング方法は、複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、被加工基板を第1のステージに載置し、金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去して溝部を形成し、被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを被加工基板の前記溝部に出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期してパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成する。上記構成により、金属膜を有する被加工基板のダイシングにおいて、高いスループットで、優れた割断特性を実現するダイシング方法を提供することが可能になる。そして、パルスレーザビームの加工においては、被加工基板表面において連続するクラックを形成することで、特にサファイア基板のように硬質な基板のダイシングが容易になる。また、狭いダイシング幅でのダイシングが実現される。ここで、優れた割断特性とは、1直線性良く割断されること、2ダイシングした素子の収率が向上するよう小さな割断力で割断できること、3クラック形成の際に照射するレーザの影響で基板上に設けられる素子、例えば、基板上のエピタキシャル層で形成されるLED素子、の劣化が生じないこと等が挙げられる。図2は、本実施の形態において被加工基板の例としてあげる半導体ウェハの概念図である。図2aは上面図、図2bは図2aのA-A断面図である。この半導体ウェハ1には、例えばサファイア基板2の上の、例えばGaN系半導体層3に、例えば、複数の高輝度LED素子4が形成されている。そして、高輝度LED素子4が形成される面の他方の面には、例えば金AuまたはアルミニウムAlの反射膜が金属膜5として形成されている。また、各高輝度LED素子4の間は、ダイシングのために一定の幅を持ち、素子が形成されないダイシングライン図2a中の実線で区画されている。ダイシングの際は、このダイシングライン上とその延長線図2a中の破線上でウェハを割断することで、個々のチップであるLEDに分割する。図1は、本実施の形態のダイシング方法の工程概念図である。まず、図1aに示すように、半導体ウェハの高輝度LED素子4が形成されている面側に、ダイシングによって半導体ウェハがチップに分割される際に、個々のチップをつなぎとめる粘着テープ5が形成されている。この半導体ウェハを、金属加工装置のステージ第1のステージ上に載置する。この金属加工装置はダイヤモンドバイト7を用いて金属を加工可能な公知の装置である。そして、図1bに示すように、ステージ上に載置された、半導体ウェハの金属膜5を、ダイヤモンドバイト7を用いた金属加工によりダイシングラインに沿って除去し溝部を形成する。このとき、金属加工方法は、例えば、ステージに対してダイヤモンドバイトが直線的に移動するプレーナ加工法、または、ステージ対してダイヤモンドバイトが回転移動するフライカット加工法を採用することが可能である。なお、金属膜5の加工精度を上げる観点からは、プレーナ加工の方が望ましい。また、溝部の底部の金属膜5は、すべて除去しても一部残してもかまわない。全部除去した上で、溝部のサファイア基板2の表面を切削することで、後に、半導体ウェハを割断する際の外力を小さくすることも可能である。一方、金属膜5をレーザ光が透過する程度の厚さだけ残すことによって、ダイヤモンドバイト7によるサファイア基板2の切削屑の発生をおさえたり、後のレーザ加工のクラック形成を安定化させたりすることも可能である。このように、本実施の形態によれば、被加工基板や金属膜の材料や厚さ等に応じて最適なプロセスを選択して実施できるという利点がある。なお、金属加工の際には、発生する切削屑をダイヤモンドバイト7近傍に設けられる吸入ノズルにより吸入することが望ましい。次に、半導体ウェハを、パルスレーザ加工装置のステージ第2のステージ上に載置する。そして、パルスレーザ加工装置内でクロック信号を発生し、図1cに示すように、このクロック信号に同期したパルスレーザビーム8を半導体ウェハの溝部に出射する。この時、パルスレーザビーム8の焦点位置はサファイア基板2の内部の所定の位置とする。そして、半導体ウェハとパルスレーザビーム8とを相対的に移動させる。そして、半導体ウェハへのパルスレーザビーム8の照射と非照射を、クロック信号に同期してパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替える。これによって、半導体ウェハに金属膜5側のウェハ表面に達するクラックを形成する。後に、詳述するように、レーザ加工の際、パルスレーザビーム8の照射エネルギー、パルスレーザビーム8の加工点深さ、および、パルスレーザビーム8の照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成する。次に、図1dに示すように、ブレーキング装置のブレーカ9により、外力を加えることにより、半導体ウェハを個々の高輝度LEDのチップに分割する。この時、ブレーキング装置にかえて、粘着テープを伸長させることで外力を加えてもかまわない。また、ブレーキング装置と粘着テープの双方を用いて、外力を印加するものであってもかまわない。本実施の形態のダイシング方法によれば、スループットが高く、低コスト、高歩留まりで、高精度なダイシング方法を実現することが可能となる。なお、ここでは、金属加工装置でウェハ上のダイシングラインの金属膜をすべて除去してから、レーザダイシング加工を行う場合を例に説明した。金属加工装置とパルスレーザ加工装置との2台の装置を用いる場合は必然的にこのプロセスとなる。もっとも、1本1本のダイシングラインごとに、金属膜除去と、パルスレーザビームの照射によるレーザ加工を1対として実施する方法であってもかまわない。この場合には、ダイシングラインに沿った走査回数を半減できるためスループットが向上するという利点がある。また、金属加工とレーザ加工の合わせ精度が向上し、より精度の高いダイシングが実現されるという利点もある。金属加工とレーザ加工が一体化し、ダイヤモンドバイトの位置とレーザ光の照射位置が、半導体ウェハとの相対移動との関係で一直線上に乗るように設計された加工装置を用いることで、上記方法が実現される。この装置の場合、第1のステージと第2のステージは同じである。次に、本実施の形態のレーザダイシング加工について詳述する。上記ダイシング方法において、レーザ加工を実現する本実施の形態のレーザダイシング装置は、被加工基板を載置可能なステージと、クロック信号を発生する基準クロック発振回路と、パルスレーザビームを出射するレーザ発振器と、パルスレーザビームをクロック信号に同期させるレーザ発振器制御部と、レーザ発振器とステージとの間の光路に設けられ、パルスレーザビームの被加工基板への照射と非照射を切り替えるパルスピッカーと、クロック信号に同期して、光パルス単位でパルスレーザビームのパルスピッカーにおける通過と遮断を制御するパルスピッカー制御部と、を備える。図3は本実施の形態のレーザダイシング装置の一例を示す概略構成図である。図3に示すように、本実施の形態のレーザダイシング装置10は、その主要な構成として、レーザ発振器12、パルスピッカー14、ビーム整形器16、集光レンズ18、XYZステージ部20、レーザ発振器制御部22、パルスピッカー制御部24および加工制御部26を備えている。加工制御部26には所望のクロック信号S1を発生する基準クロック発振回路28および加工テーブル部30が備えられている。レーザ発振器12は、基準クロック発振回路28で発生するクロック信号S1に同期した周期TcのパルスレーザビームPL1を出射するよう構成されている。照射パルス光の強度はガウシアン分布を示す。クロック信号S1は、レーザダイシング加工の制御に用いられる加工制御用クロック信号である。ここでレーザ発振器12から出射されるレーザ波長は被加工基板に対して透過性の波長を使用する。レーザとしては、Nd:YAGレーザ、Nd:YVO4レーザ、Nd:YLFレーザ等を用いることができる。例えば、被加工基板がサファイア基板である場合には、波長532nmの、Nd:YVO4レーザを用いることが望ましい。パルスピッカー14は、レーザ発振器12とレーザビームスキャナ18との間の光路に設けられる。そして、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL1の通過と遮断オン/オフを切り替えることで被加工基板へのパルスレーザビームPL1の照射と非照射を、光パルス数単位で切り替えるよう構成されている。このように、パルスピッカー14の動作によりパルスレーザビームPL1は、被加工基板の加工のためにオン/オフが制御され、変調された変調パルスレーザビームPL2となる。パルスピッカー14は、例えば音響光学素子AOMで構成されていることが望ましい。また、例えばラマン回折型の電気光学素子EOMを用いても構わない。ビーム整形器16は、入射したパルスレーザビームPL2を所望の形状に整形されたパルスレーザビームPL3とする。例えば、ビーム径を一定の倍率で拡大するビームエキスパンダである。また、例えば、ビーム断面の光強度分布を均一にするホモジナイザのような光学素子が備えられていてもよい。また、例えばビーム断面を円形にする素子や、ビームを円偏光にする光学素子が備えられていても構わない。集光レンズ18は、ビーム整形器16で整形されたパルスレーザビームPL3を集光し、XYZステージ部20上に載置される被加工基板W、例えばLEDが下面に形成されるサファイア基板にパルスレーザビームPL4を照射するよう構成されている。XYZステージ部20は、被加工基板Wを載置可能で、XYZ方向に自在に移動できるXYZステージ以後、単にステージとも言う、その駆動機構部、ステージの位置を計測する例えばレーザ干渉計を有した位置センサ等を備えている。ここで、XYZステージは、その位置決め精度および移動誤差がサブミクロンの範囲の高精度になるよう構成されている。そして、Z方向に移動させることでパルスレーザビームの焦点位置を被加工基板Wに対して調整し、加工点深さを制御することが可能である。加工制御部26はレーザダイシング装置10による加工を全体的に制御する。基準クロック発振回路28は、所望のクロック信号S1を発生する。また、加工テーブル部30には、ダイシング加工データをパルスレーザビームの光パルス数で記述した加工テーブルが記憶される。次に、上記レーザダイシング装置10を用いたレーザダイシング方法について、図3~図10を用いて説明する。まず、被加工基板W、例えば、サファイア基板をXYZステージ部20に載置する。このサファイア基板は、例えば下面にエピタキシャル成長されたGaN層を有し、このGaN層に複数のLEDがパターン形成されているウェハである。ウェハに形成されるノッチまたはオリエンテーションフラットを基準にXYZステージに対するウェハの位置合わせが行われる。なお、裏面に形成された金属膜のダイシングライン部は既に除去されているものとして、以下説明する。図4は、本実施の形態のレーザダイシング方法のタイミング制御を説明する図である。加工制御部26内の基準クロック発振回路28において、周期Tcのクロック信号S1が生成される。レーザ発振器制御部22は、レーザ発振器12がクロック信号S1に同期した周期TcのパルスレーザビームPL1を出射するよう制御する。この時、クロック信号S1の立ち上がりとパルスレーザビームの立ち上がりには、遅延時間t1が生ずる。レーザ光は、被加工基板に対して透過性を有する波長のものを使用する。ここで、被加工基板材料の吸収のバンドギャプEgより、照射するレーザ光の光子のエネルギーhνが大きいレーザ光を用いることが好ましい。エネルギーhνがバンドギャプEgより非常に大きいと、レーザ光の吸収が生ずる。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を被加工基板の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化、非晶質化、分極配向または微小クラック形成等の永続的な構造変化が誘起されてカラーセンターが形成される。このレーザ光パルスレーザビームの照射エネルギー照射パワーは、被加工基板表面に連続的なクラックを形成する上での最適な条件を選ぶ。そして、被加工基板材料に対して、透過性を有する波長を使用すると、基板内部の焦点付近にレーザ光を導光、集光が可能となる。従って、局所的にカラーセンターを作ることが可能となる。このカラーセンターを、以後、改質領域と称する。パルスピッカー制御部24は、加工制御部26から出力される加工パターン信号S2を参照し、クロック信号S1に同期したパルスピッカー駆動信号S3を生成する。加工パターン信号S2は、加工テーブル部30に記憶され、照射パターンの情報を光パルス単位で光パルス数で記述する加工テーブルを参照して生成される。パルスピッカー14は、パルスピッカー駆動信号S3に基づき、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL1の通過と遮断オン/オフを切り替える動作を行う。このパルスピッカー14の動作により、変調パルスレーザビームPL2が生成される。なお、クロック信号S1の立ち上がりとパルスレーザビームの立ち上がり、立下りには、遅延時間t2、t3が生ずる。また、パルスレーザビームの立ち上がり、立下りと、パルスピッカー動作には、遅延時間t4、t5が生ずる。被加工基板の加工の際には、遅延時間t1~t5を考慮して、パルスピッカー駆動信号S3等の生成タイミングや、被加工基板とパルスレーザビームとの相対移動タイミングが決定される。図5は、本実施の形態のレーザダイシング方法のパルスピッカー動作と変調パルスレーザビームPL2のタイミングを示す図である。パルスピッカー動作は、クロック信号S1に同期して光パルス単位で切り替えられる。このように、パルスレーザビームの発振とパルスピッカーの動作を、同じクロック信号S1に同期させることで、光パルス単位の照射パターンを実現できる。具体的には、パルスレーザビームの照射と非照射が、光パルス数で規定される所定の条件に基づき行われる。すなわち、照射光パルス数P1と、非照射光パルス数P2を基にパルスピッカー動作が実行され、被加工基板への照射と非照射が切り替わる。パルスレーザビームの照射パターンを規定するP1値やP2値は、例えば、加工テーブルに照射領域レジスタ設定、非照射領域レジスタ設定として規定される。P1値やP2値は、被加工基板の材質、レーザビームの条件等により、ダイシング時のクラック形成を最適化する所定の条件に設定される。変調パルスレーザビームPL2は、ビーム整形器16により所望の形状に整形されたパルスレーザビームPL3とする。さらに、整形されたパルスレーザビームPL3は、集光レンズ18で集光され所望のビーム径を有するパルスレーザビームPL4となり、被加工基板であるウェハ上に照射される。ウェハをX軸方向およびY軸方向にダイシングする場合、まず、例えば、XYZステージをX軸方向に一定速度で移動させて、パルスレーザビームPL4を走査する。そして、所望のX軸方向のダイシングが終了した後、XYZステージをY軸方向に一定速度で移動させて、パルスレーザビームPL4を走査する。これにより、Y軸方向のダイシングを行う。上記の照射光パルス数P1と、非照射光パルス数P2およびステージの速度で、パルスレーザビームの照射非照射の間隔が制御される。Z軸方向高さ方向については、集光レンズの集光位置焦点位置がウェハ内の所定深さに位置するよう調整する。この所定深さは、ダイシングの際にクラックが所望の形状に形成されるよう設定される。この時、被加工基板の屈性率:n被加工基板表面からの加工位置:LZ軸移動距離:Lzとすると、Lz=L/nとなる。即ち、集光レンズによる集光位置を被加工基板の表面をZ軸初期位置とした時、基板表面から深さLの位置に加工する場合、Z軸をLz移動させればよい。図6は、本実施の形態のレーザダイシング方法の照射パターンの説明図である。図のように、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL1が生成される。そして、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、変調パルスレーザビームPL2が生成される。そして、ステージの横方向X軸方向またはY軸方向の移動により、変調パルスレーザビームPL2の照射光パルスがウェハ上に照射スポットとして形成される。このように、変調パルスレーザビームPL2を生成することで、ウェハ上に照射スポットが光パルス単位で制御され断続的に照射される。図4の場合は、照射光パルス数P1=2、非照射光パルス数P2=1とし、照射光パルスガウシアン光がスポット径のピッチで照射と非照射を繰り返す条件が設定されている。ここで、ビームスポット径:Dμm繰り返し周波数:FKHzの条件で加工を行うとすると、照射光パルスがスポット径のピッチで照射と非照射を繰り返すためのステージ移動速度Vm/secは、V=D×10-6×F×103となる。例えば、ビームスポット径:D=2μm繰り返し周波数:F=50KHzの加工条件で行うとすると、ステージ移動速度:V=100mm/secとなる。また、照射光のパワーをPワットとすると、パルスあたり照射パルスエネルギーP/Fの光パルスがウェハに照射されることになる。パルスレーザビームの照射エネルギー照射光のパワー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔のパラメータが、クラックが被加工基板表面において連続して形成されるよう決定される。図7は、サファイア基板上に照射される照射パタ-ンを示す上面図である。照射面上からみて、照射光パルス数P1=2、非照射光パルス数P2=1で、照射スポット径のピッチで照射スポットが形成される。図8は、図7のAA断面図である。図に示すようにサファイア基板内部に改質領域が形成される。そして、この改質領域から、光パルスの走査線上に沿って基板表面に達するクラックが形成される。そして、このクラックが被加工基板表面において連続して形成される。図9は、本実施の形態の作用の説明図である。例えば、設定できる最大のパルスレーザビームのレーザ周波数で、かつ、設定できる最速のステージ速度で、パルスレーザを照射する場合の照射可能位置を、図9aの点線丸で示す。図9bは、照射/非照射=1/2の場合の照射パターンである。実線丸が照射位置で、点線丸が非照射位置である。ここで、照射スポットの間隔非照射領域の長さをより短くした方が、割断性が良いと仮定する。この場合は、図9cに示すように、ステージ速度を変更せずに照射/非照射=1/1とすることで対応が可能である。仮に本実施の形態のように、パルスピッカーを用いなければ、同様の条件を現出させるためにはステージ速度を低下させることが必要となりダイシング加工のスループットが低下するという問題が生ずる。ここで、照射スポットを連続させて照射領域の長さをより長くした方が、割断性が良いと仮定する。この場合は、図9dに示すように、ステージ速度を変更せずに照射/非照射=2/1とすることで対応が可能である。仮に本実施の形態のように、パルスピッカーを用いなければ、同様の条件を現出させるためにはステージ速度を低下させ、かつ、変動させることが必要となりダイシング加工のスループットが低下するとともに制御が極めて困難になるという問題が生ずる。図9bの照射パターンで照射エネルギーを上げることで、図9dに近い条件とすることも考えられるが、この場合、1点に集中するレーザパワーが大きくなり、クラック幅の増大やクラックの直線性に劣化が懸念される。また、サファイア基板にLEDが形成されている場合には、クラックと反対側のLED領域に到達するレーザ量が増大し、LED素子の劣化が生ずるという恐れもある。このように、本実施の形態によれば、例えば、レーザビームの条件やステージ速度条件を変化させずとも多様の割断条件を実現することが可能であり、生産性や素子特性を劣化させることなく最適な割断条件を見出すことが可能となる。なお、本明細書中、照射領域の長さ非照射領域の長さとは図9dに図示する長さとする。図10は、ステージ移動とダイシング加工との関係を説明する図である。XYZステージには、X軸、Y軸方向に移動位置を検出する位置センサが設けられている。例えば、ステージのX軸またはY軸方向への移動開始後、ステージ速度が速度安定域に入る位置をあらかじめ同期位置として設定しておく。そして、位置センサにおいて同期位置を検出した時、例えば、移動位置検出信号S4図3がパルスピッカー制御部24に送られることでパルスピッカー動作が許可され、パルスピッカー駆動信号S3によりパルスピッカーを動作させるようにする。同期位置を、例えば、被加工基板の端面として、この端面を位置センサで検出することにしてもよい。このように、SL:同期位置から基板までの距離WL:加工長W1:基板端から照射開始位置までの距離W2:加工範囲W3:照射終了位置から基板端までの距離が管理される。このようにして、ステージ位置とパルスピッカーの動作開始位置が同期する。すなわち、パルスレーザビームの照射と非照射と、ステージの位置との同期がとられる。そのため、パルスレーザビームの照射と非照射の際、ステージが一定速度で移動する速度安定域にあることが担保される。したがって、照射スポット位置の規則性が担保され、安定したクラックの形成が実現される。ここで、厚い基板を加工する場合に、異なる加工点深さのパルスレーザビームを複数回複数層基板の同一走査線上を走査してクラックを形成することにより、割断特性を向上させることが考えられる。このような場合、ステージ位置とパルスピッカーの動作開始位置が同期することにより、異なる深さの走査において、パルス照射位置の関係を任意に精度よく制御することが可能となり、ダイシング条件の最適化が可能になる。図11は、異なる加工点深さのパルスレーザビームを、複数回基板の同一走査線上を走査してクラックを形成する場合の説明図である。基板断面における照射パターンの模式図である。ON色付きが照射、OFF白色が非照射領域である。図11aは、照射の走査の1層目と2層目が同相の場合、すなわち、1層目と2層目で照射パルス位置の上下関係が揃っている場合である。図11bは、照射の走査の1層目と2層目が異相の場合、すなわち、1層目と2層目で照射パルス位置の上下関係がずれている場合である。図12は、図11の条件で割断した場合の割断面の光学写真である。図12aが同相、図12bが異相の場合である。それぞれ上側の写真が低倍率、下側の写真が高倍率となっている。このように、ステージ位置とパルスピッカーの動作開始位置が同期することにより、照射の走査の1層目と2層目の関係を精度よく制御することが可能となる。なお、図12a、bに示した被加工基板は厚さ150μmのサファイア基板である。この場合、割断に要した割断力は同相の場合が0.31N、異相の場合が0.38Nであり、同相の方が割断特性に優れていた。なお、ここでは照射/非照射のパルス数を、1層目と2層目で同じとする場合を例に示したが、1層目と2層目で異なる照射/非照射のパルス数として最適な条件を見出すことも可能である。また、例えば、ステージの移動をクロック信号に同期させることが、照射スポット位置の精度を一層向上させるため望ましい。これは、例えば、加工制御部26からXYZステージ部20に送られるステージ移動信号S5図3をクロック信号S1に同期させることで実現可能である。本実施の形態のレーザダイシング方法のように、基板表面にまで達し、かつ、被加工基板表面において連続するクラックを形成することで、後の基板の割断が容易になる。したがって、ダイシングの生産性が向上する。なお、クラック形成後の最終的な基板の割断、すなわち個々のLEDチップへの分割は、クラック形成後に自然に分割されるものであっても、人為的な力を更に印加することで分割されるものであっても構わない。従来のように、パルスレーザビームを連続的に基板に照射する方法では、例え、ステージ移動速度、集光レンズの開口数、照射光パワー等を最適化したとしても、基板表面に連続して形成するクラックを所望の形状に制御することは困難であった。本実施の形態のように、パルスレーザビームの照射と非照射を、光パルス単位で断続的に切り替えて照射パターンを最適化することで、基板表面に達するクラックの発生が制御され、優れた割断特性を備えたレーザダイシング方法が実現される。すなわち、例えば、基板表面にレーザの走査線に沿った略直線的で連続する幅の狭いクラックの形成が可能となる。このような略直線的な連続するクラックを形成することで、ダイシング時に、基板に形成されるLED等のデバイスに及ぼされるクラックの影響を最小化できる。また、例えば、直線的なクラックの形成が可能となるため、基板表面にクラックが形成される領域の幅を狭くできる。このため、設計上のダイシング幅を狭めることが可能である。したがって、同一基板あるいはウェハ上に形成されるデバイスのチップ数を増大させることが可能となり、デバイスの製造コスト削減にも寄与する。[実施例]以下、本実施の形態のレーザ加工部分についての実施例を説明する。実施例1実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。被加工基板:サファイア基板、基板厚100μmレーザ光源:Nd:YVO4レーザ波長:532nm照射エネルギー:50mWレーザ周波数:20KHz照射光パルス数P1:1非照射光パルス数P2:2ステージ速度:25mm/sec加工点深さ:被加工基板表面から25.2μm図13は、実施例1の照射パターンを示す図である。図に示すように、光パルスを1回照射した後、光パルス単位で2パルス分を非照射とする。この条件を以後、照射/非照射=1/2という形式で記述する。なお、ここでは照射非照射のピッチはスポット径と等しくなっている。実施例1の場合、スポット径は約1.2μmであった。したがって、照射の間隔は約3.6μmとなっていた。レーザダイシングの結果を、図14aに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。上側の光学写真は、基板内部の改質領域に焦点を合わせて撮影している。下側の光学写真は、基板表面のクラックに焦点を合わせて撮影している。また、図15はクラックの方向に垂直な基板の断面SEM写真である。被加工基板は幅約5mmの短冊状であり、短冊の伸長方向に垂直にパルスレーザビームを照射して、クラックを形成した。クラックを形成した後、ブレーカを用いて割断に要する割断力を評価した。実施例2照射/非照射=1/1とする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図14bに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例3照射/非照射=2/2とする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図14cに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例4照射/非照射=2/3とする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図14eに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。比較例1照射/非照射=1/3とする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図14dに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例1~4では、パルスレーザビームの照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を上記のように設定することで、図14および図15で示されるように、被加工基板表面において連続するクラックを形成できた。特に、実施例1の条件では、極めて直線的なクラックが被加工基板表面に形成されていた。そして、実施例1の条件が最も小さい割断力で基板を割断することが可能であった。したがって、被加工基板がサファイア基板である場合には、各条件の制御性も考慮すると、照射エネルギーを50±5mWとし、加工点深さを25.0±2.5μmとし、パルスレーザビームの通過を1光パルス単位、遮断を2光パルス単位とすることにより照射の間隔を3.6±0.4μmとすることが望ましい。一方、実施例3のように、改質領域が接近し、改質領域間の基板内部にクラックが形成されると表面のクラックが蛇行し、クラックが発生する領域の幅が広がる傾向がみられた。これは、狭い領域に集中するレーザ光のパワーが大きすぎるためと考えられる。比較例1では、条件が最適化されておらず、基板表面において連続するクラックは形成されなかった。したがって、割断力の評価も不可能であった。実施例5実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。被加工基板:サファイア基板、基板厚100μmレーザ光源:Nd:YVO4レーザ波長:532nm照射エネルギー:90mWレーザ周波数:20KHz照射光パルス数P1:1非照射光パルス数P2:1ステージ速度:25mm/secレーザダイシングの結果を、図16aに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。上側の光学写真は、基板内部の改質領域に焦点を合わせて撮影している。下側の光学写真は、基板表面のクラックに焦点を合わせて撮影している。実施例6照射/非照射=1/2とする以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16bに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例7照射/非照射=2/2とする以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16cに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例8照射/非照射=1/3とする以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16dに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例9照射/非照射=2/3とする以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16eに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例10照射/非照射=2/3とする以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16fに示す。上側が基板上面の光学写真、下側が上側より低倍率の基板上面の光学写真である。実施例5~10では、パルスレーザビームの照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を上記のように設定することで、図16で示されるように、被加工基板表面において連続するクラックを形成できた。特に、実施例8の条件では、比較的直線的なクラックが被加工基板表面に形成されていた。また、実施例8の条件は割断力も小さかった。もっとも、実施例1~4の照射エネルギーが50mWの場合に比べ、表面のクラックが蛇行し、クラックが発生する領域の幅が広がる傾向がみられた。これは、90mWの場合は、50mWに比べて狭い領域に集中するレーザ光のパワーが大きすぎるためと考えられる。実施例11実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。被加工基板:サファイア基板レーザ光源:Nd:YVO4レーザ、基板厚100μm波長:532nm照射エネルギー:50mWレーザ周波数:20KHz照射光パルス数P1:1非照射光パルス数P2:2ステージ速度:25mm/sec加工点深さ:被加工基板表面から約15.2μm実施例1より加工点深さが10μm浅い条件、すなわち、実施例1よりもパルスレーザビームの集光位置がより被加工基板表面に近い条件でダイシング加工を行った。レーザダイシングの結果を、図17aに示す。基板内部の改質領域に焦点を合わせて撮影している。写真において、右側の線10μmが実施例11の条件である。比較のために、加工点深さのみ異なる実施例1の条件0が左側に示されている。実施例12照射/非照射=1/1とする以外は、実施例11と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17bに示す。実施例13照射/非照射=2/2とする以外は、実施例11と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17cに示す。実施例14照射/非照射=1/3とする以外は、実施例11と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17dに示す。実施例15照射/非照射=2/3とする以外は、実施例11と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17eに示す。実施例11~15では、パルスレーザビームの照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を上記のように設定することで、図17で示されるように、被加工基板表面において連続するクラックを形成できた。もっとも、実施例1~4の場合に比べ、表面に改質領域の大きな亀裂が露出した。そして、表面のクラックが蛇行し、クラックが発生する領域の幅が広がる傾向がみられた。上記実施例により、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射非照射の間隔を制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成することが可能となり、割断性に優れるレーザダイシング方法が提供できることが明らかになった。実施例16実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。被加工基板:サファイア基板、基板厚100μmレーザ光源:Nd:YVO4レーザ波長:532nm照射エネルギー:90mWレーザ周波数:20KHz照射光パルス数P1:1非照射光パルス数P2:1ステージ速度:25mm/sec実施例5より加工点深さが10μm浅い条件、すなわち、実施例5よりもパルスレーザビームの集光位置がより被加工基板表面に近い条件でダイシング加工を行った。レーザダイシングの結果を、図18aに示す。基板内部の改質領域に焦点を合わせて撮影している。写真において、右側の線10μmが実施例16の条件である。比較のために、加工点深さのみ異なる実施例5の条件0が左側に示されている。実施例17照射/非照射=1/2とする以外は、実施例16と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図18bに示す。実施例18照射/非照射=2/2とする以外は、実施例16と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図18cに示す。実施例19照射/非照射=1/3とする以外は、実施例16と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図18dに示す。実施例20照射/非照射=2/3とする以外は、実施例16と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図18eに示す。実施例21照射/非照射=1/4とする以外は、実施例16と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図18fに示す。実施例16~21では、パルスレーザビームの照射エネルギー、加工点深さ、および、照射非照射の間隔を上記のように設定することで、図18で示されるように、被加工基板表面において連続するクラックを形成できた。もっとも、実施例5~10の場合に比べ、表面に改質領域の大きな亀裂が露出した。そして、表面のクラックが蛇行し、クラックが発生する領域の幅が広がる傾向がみられた。したがって、割断後の割断部も蛇行が見られた。以上、以上実施例1~21、比較例1の評価から、被加工基板の厚さが100μmの場合には、クラックの直線性に優れるため割断部の直線性も優れ、割断力も小さい実施例1の条件が最適であることが明らかになった。実施例22実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。被加工基板:サファイア基板、基板厚150μmレーザ光源:Nd:YVO4レーザ波長:532nm照射エネルギー:200mWレーザ周波数:200KHz照射光パルス数P1:1非照射光パルス数P2:2ステージ速度:5mm/sec加工点深さ:被加工基板表面から約23.4μm実施例1~21が被加工基板厚が100μmのサファイア基板であったのに対し、本実施例は被加工基板厚が150μmのサファイア基板である。レーザダイシングの結果を、図19aに示す。上側が基板の割断面の光学写真、下側が基板断面における照射パターンの模式図である。ON色付きが照射、OFF白色が非照射領域である。被加工基板は幅約5mmの短冊状であり、短冊の伸長方向に垂直にパルスレーザビームを照射して、クラックを形成した。クラックを形成した後、ブレーカを用いて割断に要する割断力を評価した。実施例23照射/非照射=2/4とする以外は、実施例22と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図19bに示す。実施例24照射/非照射=3/5とする以外は、実施例22と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図19cに示す。クラックの直線性は実施例22~23とも同程度であり、割断後の割断部の直線性も同程度であった。また、実施例22の割断に要する割断力は2.39N~2.51N、実施例23は2.13N~2.80N、実施例24は1.09N~1.51Nであった。この結果、割断に要する割断力は照射/非照射=3/5とした実施例24の条件が最も少ないことが分かった。したがって、被加工基板の厚さが150μmの場合には、実施例24の条件が最適であることが明らかになった。以上、実施例より、被加工基板の厚さが変わった場合でも、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ等に加え、パルスレーザビームの照射と非照射を、パルスレーザビームが同期すると同じ加工制御用のクロック信号に同期して制御して、光パルス単位で切り替えることにより、最適な割断特性を実現できることが明らかになった。なお、実施例では被加工基板が100μmと150μmの場合について例示したが、さらに厚い200μm、250μmの被加工基板でも最適な割断特性を実現できる。第2の実施の形態本実施の形態のダイシング方法は、複数の素子が形成され、一方の面に金属膜を有する被加工基板のダイシング方法であって、被加工基板を第1のステージに載置し、金属膜を、ダイヤモンドバイトを用いた金属加工により除去し、被加工基板を第2のステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工物表面に、パルスピッカーとレーザビームスキャナを用いて、クロック信号に同期してパルスレーザビームを通過と遮断を切り替えながら1次元方向に走査し、1次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、1次元方向に直交する方向に第2のステージを移動して、更にクロック信号に同期してパルスレーザビームを1次元方向に走査し、被加工基板に基板表面に達するクラックを形成するダイシング方法であって、レーザビームスキャナからの走査位置信号に基づき、パルスピッカーにおけるパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、走査毎の加工原点位置を補正することを特徴とする。本実施の形態のダイシング方法は、レーザビームスキャナを有する、パルスレーザ加工装置を用いる加工方法であること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。本実施の形態のパルスレーザ加工装置は、レーザ発振器のパルス、レーザビームスキャナの走査、およびパルスレーザビームの通過と遮断を、同一のクロック信号に直接または間接的に同期させる。このように、レーザ系とビーム走査系の同期を維持することで、パルスレーザビームの照射スポットの位置決め精度を向上させる。そして、さらに、パルスレーザビームの光パルス数に基づき、パルスレーザビームの通過と遮断を制御することを可能にする。これにより、レーザ発振器のパルス、レーザビームスキャナの走査、およびパルスレーザビームの通過と遮断の同期維持が容易になる。また、制御回路の構成が簡略化できる。本実施の形態のパルスレーザ加工装置は、パルスレーザビームの照射スポットの位置決め精度を一層向上させるとともに、被加工物表面の安定した微細加工とその高速化を容易に実現する。図20は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置の構成図である。パルスレーザ加工装置10は、その主要な構成として、レーザ発振器12、パルスピッカー14、ビーム整形器16、レーザビームスキャナ18、XYステージ部20、パルスピッカー制御部24および加工制御部26を備えている。加工制御部26には所望のクロック信号S1を発生する基準クロック発振回路28が備えられている。レーザ発振器12は、基準クロック発振回路26で発生するクロック信号S1に同期したパルスレーザビームPL1を出射するよう構成されている。このレーザ発振器12は、超短パルスであるpsピコ秒レーザビームあるいはfsフェムト秒レーザビームを発振するものが望ましい。ここでレーザ発振器12から射出されるレーザ波長は被加工物の光吸収率、光反射率等を考慮して選択される。例えば、Cu、Ni、難削材であるSKD11等を含む金属材料あるいはダイヤモンドライクカーボンDLCからなる被加工物の場合、Nd:YAGレーザの第2高調波波長:532nmを用いることが望ましい。パルスピッカー14は、レーザ発振器12とレーザビームスキャナ18との間の光路に設けられる。そして、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL1の通過と遮断オン/オフを切り替えることで被加工物ワークWの加工と非加工を切り替えるよう構成されている。このように、パルスピッカー14の動作によりパルスレーザビームPL1は、被加工物の加工のためにオン/オフが制御され変調された変調パルスレーザビームPL2となる。パルスピッカー14は、例えば音響光学素子AOMで構成されていることが望ましい。また、例えばラマン回折型の電気光学素子EOMを用いても構わない。ビーム整形器16は、入射したパルスレーザビームPL2を所望の形状に整形されたパルスレーザビームPL3とする。例えば、ビーム径を一定の倍率で拡大するビームエキスパンダである。また、例えば、ビーム断面の光強度分布を均一にするホモジナイザのような光学素子が備えられていてもよい。また、例えばビーム断面を円形にする素子や、ビームを円偏光にする光学素子が備えられていても構わない。レーザビームスキャナ18は、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL4を、1次元方向のみに走査するよう構成されている。このように、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームPL4を走査することにより、パルスレーザビームの照射スポットの位置決め精度が向上する。また、1次元方向のみの走査とすることによっても、パルスレーザビームの照射スポットの位置決め精度の向上を図ることができる。なぜなら、2次元方向の走査を行うレーザビームスキャナは、構造上1次元方向のみ走査するレーザビームスキャナに対してビームの位置精度が劣化するためである。レーザビームスキャナ18としては、例えば1軸スキャンミラーを備えたガルバノメータスキャナが挙げられる。図21は、ガルバノメータスキャナを用いたレーザビームスキャナの説明図である。ガルバノメータスキャナは、1軸スキャンミラー29、ガルバノメータ31、レーザビームスキャナ制御部32を有している。ここで、ガルバノメータ31は、例えば走査角センサ36からのフィードバックによるサーボ制御のようなスキャンミラー回転の駆動機構を備えている。加工制御部26からは、クロック信号S1に同期した走査指令信号S2が送られる。そして、ガルバノメータ31は、走査指令信号S2に基づくレーザビームスキャナ制御部32からの駆動信号S3により駆動制御されるよう構成されている。ガルバノメータスキャナは、1軸スキャンミラー29により全反射するパルスレーザビームPL3を、図2の矢印に示すようにスキャンミラーの回転運動首振りに従い走査する。レーザビームスキャナ18には、走査角センサ36が備えられている。ガルバノメータスキャナの場合には、その1軸スキャンミラー28の回転位置をロータリエンコーダ等によって検出する構造になっている。そして、走査角センサ36は検出した走査角検出信号S4をレーザビームスキャナ制御部32に送り、ガルバノメータ31の駆動制御用として使用する。また、レーザビームスキャナ制御部32は、走査角検出信号S4に基づき走査位置信号である走査角信号S5を加工制御部26に送信する。そして、上記1軸スキャンミラー29で反射したパルスレーザビームPL3は、fθレンズ34を通り、1次元方向に、例えば一定の速度Vで並行して走査される像高H=fθのパルスレーザビームPL4となる。そして、このパルスレーザビームPL4が、XYステージ部20上に保持される被加工物Wの表面を微細加工する照射パルス光として、被加工物W上に投射される。レーザビームスキャナ18には、ガルバノメータスキャナの他に、例えば、ポリゴンスキャナ、ピエゾスキャナ、またはレゾナントスキャナ等を適用することも可能である。上記いずれのレーザビームスキャナであっても、加工を行う範囲で一定の走査速度Vが確保できるように制御するよう構成されることが、加工精度を上げる観点から重要である。図22は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置のレーザビームスキャナの走査を説明する図である。図22に示すように、スキャンミラーの走査角範囲の走査開始位置から走査終了位置に対応する位置範囲には、加速期間、安定域、減速期間がある。加工精度をあげるためには、実際の加工範囲が含まれる安定域内で走査速度Vが一定となるよう制御するよう装置が構成されることが重要である。XYステージ部20は、被加工物Wを載置可能で、パルスレーザビームが走査される1次元方向に直交する方向を含むXY方向に自在に移動できるXYステージ、その駆動機構部、XYステージの位置を計測する例えばレーザ干渉計を有した位置センサ等を備えている。ここで、XYステージは、2次元の広範囲、例えば1m程度のX方向およびY方向の距離範囲で、連続移動あるいはステップ移動できるようになっている。そして、その位置決め精度および移動誤差がサブミクロンの範囲の高精度になるよう構成されている。加工制御部26は、半導体集積回路からなるマイクロコンピュータMCU、マイクロプロセッサMPU、デジタルシグナルプロセッサDSP、半導体メモリ、回路基板等のハードウェアまたはこれらのハードウェアとソウトウェアとの組み合わせにより構成されている。パルスレーザ加工装置による加工を統合して制御する。図23は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置の加工制御部の説明図である。加工制御部26は、レーザ系ビーム走査系制御部36、加工データ設定部38および加工パターン生成部40を備えている。レーザ系ビーム走査系制御部36は、レーザ発振器12やパルスピッカー14等のレーザ系およびレーザビームスキャナ18等のビーム走査系を制御する。レーザ系ビーム走査系制御部36には、レーザ系やビーム走査系の条件を設定するレーザビーム条件設定部68、レーザ系やビーム走査系の同期を維持するためのクロック信号S1を発生する基準クロック発振回路26を備えている。また、レーザ系やビーム走査系の同期を維持するために、位相同期処理回路42、レーザビームスキャナ制御回路32、同期位置設定部44、同期検出回路46等を備えている。加工パターン生成部40では、例えば、外部から加工データ設定部40に入力される加工データを、実際の加工に即したパラメータのデータに変換する。加工データ設定部40に入力される加工データは、例えば、3次元形状の指定、寸法、形状の数、配置、ワークの材料名、ワークの寸法等で構成されている。図24は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置の加工パターン生成部の説明図である。加工パターン生成部40には、加工データ設定部38に入力される加工データを解析する加工データ解析部48が備えられる。また、加工データ解析部48での解析を基に、加工テーブルおよびステージ移動テーブルを生成するテーブル生成部49を備えている。加工テーブルは、加工パターンについて、待機長、加工長や非加工長をパルスレーザビームの光パルス数に基づき記載する。すなわち、テーブル生成部49は、加工データの加工長および非加工長と、パルスレーザビームのスポット径と、を基準に加工テーブルを生成する。ステージ移動テーブルは、加工パターンについて、XYステージ部の移動距離等を記載する。また、加工パターン生成部40は、加工テーブルを備えるパルスピッカー加工テーブル部50を備えている。また、ステージ移動テーブルを備えるステージ移動テーブル部52を備えている。なお、加工テーブルやステージ移動テーブルについては、上記のように加工パターン生成部40の内部で生成される装置構成であっても、加工パターン生成部40やパルスレーザ加工装置10の外部で生成される装置構成であっても構わない。そして、加工パターン生成部40には、パルスピッカー加工テーブル部50から出力される加工原点に関する情報が入力される加工原点SYNCレジスタ54以下、単に加工原点レジスタとも記載を備える。また、パルスピッカー加工テーブル部50から出力される待機長、加工長や非加工長に関する情報が入力される待機長レジスタ56、加工長レジスタ58、および非加工長レジスタ60が備えられている。加工パターン信号生成部62には、加工原点レジスタ54、待機長レジスタ56、加工長レジスタ58、および非加工長レジスタ60の値が入力され、パルスピッカー制御部24へと送られる。移動信号生成部64は、ステージ移動テーブル部52からのデータに基づき、ステージ移動信号S15を生成し、ステージ制御部66へと出力するよう構成されている。加工パターン生成部40で生成されたデータは、レーザ系ビーム走査系制御部36へも出力され、レーザ系とビーム走査系の同期維持に用いられる。図25は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置の加工パターン信号生成部の説明図である。加工パターン信号生成部62は、加工原点カウンタ70、待機長カウンタ72、加工長カウンタ74、および非加工長カウンタ76を備えている。これらのカウンタは、タイミング形成回路88から出力されるカウンタ制御信号S8により、カウントを開始するよう構成されている。また、レジスタとカウンタとの値を比較する機能を有する加工原点比較器80、待機長比較器82、加工長比較器84、および非加工長比較器86を備えている。これらの比較器は、レジスタとカウンタとの値が一致した場合は、一致信号a~dをタイミング形成回路88へ出力するよう構成されている。そして、タイミング形成回路88は、入力される同期検出信号S9、一致信号a~d、走査終了コードに基づき、加工パターン出力回路90へ出力制御信号S10を出力するよう構成されている。加工パターン出力回路90は、加工長比較器84からの出力と、タイミング形成回路88からの出力制御信号S10により加工パターン信号S7を発生するよう構成されている。上記加工制御部26は、基準クロック発振回路において、パルスレーザビームの繰り返し周波数入力データに基づきレーザ発振器12に与える発振器クロッククロック信号S1を生成する。そして、レーザ発振器12は、その発振器クロックS1によりパルスレーザビームを生成する。すなわち、クロック信号に同期したパルスレーザビームが出射される。加工開始指示が行われると、内蔵するシャッターを開にすることでパルスレーザビームPL1を出射する。このようにして、パルスレーザビームPL1が出射される際にはファーストパルスは存在せず、安定出力エネルギーが維持される。また、加工制御部26は、上述した2次元加工データから加工パターン信号S7を生成する。そして、パルスピッカー制御部24は、この加工パターン信号S7に従い、クロック信号S1によりパルスレーザビームPL1との同期を確保したパルスピッカー駆動信号S6を、パルスピッカー14に供給する。このようして、クロック信号S1に同期して、パルスピッカー14が、パルスレーザビームの通過と遮断を切り替える。また、加工制御部26は、レーザビームスキャナ18の走査開始時にクロック信号S1との同期を確保した走査指令信号S2を生成する。そして、レーザビームスキャナ18のレーザビームスキャナ制御部32が上記走査指令信号S2を受けてレーザビームスキャナ18の駆動制御を行う。このようにして、クロック信号に同期して、レーザビームスキャナ18がパルスレーザビームを1次元方向のみに走査する。更に、加工制御部26は、レーザビームスキャナ18からの走査位置信号である走査角信号S5に基づいてX-Yステージ部20の移動タイミングを判定し、上記2次元加工データと上記移動タイミングによりステージ移動信号S15を生成する。この場合の走査角信号S5は、図22で説明した加工が終了する加工終端位置あるいはスキャナ走査が終了する走査終了位置を走査角センサ36で検出した走査角検出信号S4からのものである。そして、X-Yステージ部20は上記ステージ移動信号S15に指示されて動作する。このように、X-Yステージは、レーザビームスキャナの走査位置信号に基づいて、例えば、レーザビームスキャナの走査方向とは直交する方向の移動制御がされる。これによって、次の走査への時間が短縮され、レーザビーム加工の更なる高速性が実現される。そして、本実施の形態において、レーザビームスキャナからの走査位置信号に基づき、走査毎の加工原点位置を補正する補正機構を有することが望ましい。この補正機構を有することにより、各走査毎のレーザビームスキャナの加速期間図22参照における走査速度ばらつきが補償され、さらに高精度な加工が可能となるからである。なお、図20において、加工制御部26がビーム整形器14も制御する構成になっていてもよい。この場合は、特に、ビーム整形器14においてビーム径を自動制御したりビーム断面の光強度分布を自動調整したりする場合に有効になる。次に、パルスレーザ加工装置10の主要な動作について説明する。ワークWのレーザ加工動作においては、レーザ発振器12はその内蔵する制御部によりレーザ発振のほとんどが制御され自律して動作している。もっとも、上述した基準クロック発振回路26によりパルス発振のタイミング等の制御がなされる。これについて図26を参照して説明する。レーザビームスキャナの例として図21に示したガルバノメータスキャナの1軸スキャンミラー29は、走査起動信号により図22で説明したような走査開始位置走査原点で走査起動する。この時、レーザビームスキャナ18は、図26aに示すようにクロック信号S1の例えば立ち上がり立ち下りでもよいに同期した走査指令信号S2により指示を受け、そのレーザビームスキャナ制御部32がガルバノメータ31の駆動制御を行う。ここで、走査指令信号33は、XY2-100プロトコルに対応することで、例えば100kHzTs=10μsecでの絶対走査角指令に従う。なお、図26aは、パルスレーザの発振周波数を500kHzTp=2μsec、パルスレーザビームのビーム径を16μm、走査速度Vを4000mm/secとした場合の、走査起動時のクロック信号S1の立ち上がりに同期した走査指令信号S2の例を示している。このような動作が、パルスレーザビームの走査毎に行われる。ここで、図22の加速期間では、スキャナ速度が早期に安定した走査速度Vになるように、走査指令信号S2によりレーザビームスキャナ制御部32はガルバノメータ31の駆動制御を行う。この時、最適条件での1軸スキャンミラー29の走査角繰り返し再現性は、安定領域では10μrad/p-p程度が経験的に得られることが確認されている。この値は、焦点距離が100mmのfθレンズとした場合、1μm/p-pの走査位置再現性になる。しかし、上記加速期間の繰り返し安定性は、長期走査において10倍程度まで悪化するため、加工開始位置において走査ごとに変動が生じる。そこで、補正機構によって、レーザビームスキャナからの走査位置信号走査角信号S5に基づき、走査毎の加工原点位置を補正する。例えば、加速期間終了後、充分な安定域例えば、経験的には加速期間が1msec~1.5msecで、焦点距離が100mmのfθレンズとした場合、その走査角範囲は約2.3度~3.4度であるに達した後、図26bに示すように予め設定されている同期角θsyを検出信号として走査角センサ36により検出する時、走査指令信号θo:走査開始位置からの走査角との差分を位相差θiとし、この位相差により走査指令信号S2に対する加工原点までの距離を補正する。上記加工原点までの距離補正値は、加工時の第1回目走査i=1を基準補正値として記憶し、以後のi=nとなる第n回目の走査開始位置からの走査の都度、位相差θnと位相差θ1の差分を第n回目走査の第1回目走査に対する走査指令信号に対する加工原点までの距離補正値として、第1回目走査時と第n回目走査時の加工原点位置を一致させる。図27に示した加工パターン信号S7は、加工原点からの距離データを含め3次元ビットマップから与えられている。このため、走査毎に加工原点位置が一致すると、加工パターン信号31の加工開始位置も一致し、パルスピッカー駆動信号S6も所望のタイミングで生成される。レーザビームスキャナ18が図21に説明したガルバノメータスキャナからなる場合、スキャナクロック信号がレーザビームスキャナ制御部32からの駆動信号としてサーボ制御モータを駆動させる。しかし、レーザビームスキャナ18もその自律した動作によりその位相ズレが生じることがある。そこで、上記スキャン動作の繰り返し毎に発生する走査位置信号となる同期角検出信号により、発振パルス光の通過/遮断とビームのスキャン動作との同期化、すなわちタイミングを合わせることで、極めて安定したレーザ加工が可能になる。レーザビームスキャナからの走査位置信号に基づき、パルスピッカーにおけるパルスレーザビームの通過と遮断を制御することが望ましい。具体的には、例えば、補正機構が、走査位置信号走査角信号S5に基づき、パルスピッカーにおけるパルスレーザビームの通過と遮断を制御する。すなわち、上記スキャンミラーの回転位置の同期位置角検出の走査位置信号から検出した位相差に基づき、パルスピッカー14の駆動信号のタイミングを指定する。これによって、パルスレーザビームの走査毎の加工原点位置を補正する。あるいは、例えば、補正機構が、走査位置信号から検出した位相差から得られる距離補正値を、走査開始位置からの走査角にθoに対するレーザビームスキャナへの走査指令信号以降の走査指令信号に与えることで、パルスレーザビームの走査毎の加工原点位置を補正する。パルスピッカー動作によりパルスレーザビームはパルス周波数変調され所要の変調パルス光が生成される。これについて図27を参照して説明する。図27に示すように、周波数Tpのクロック信号S1からのt1遅延のパルスレーザビームPL1は、パルスピッカー駆動信号S6により遮断/通過の動作がなされる。例えば、そのパルスピッカー駆動信号S6は、加工パターン信号S7をクロック信号S1の立ち上がりによりサンプリングし、クロック信号S1の一クロックの立ち上がりからt2時間遅延して立ち上がり、所要数クロック後の他クロックの立ち上がりからt3時間遅延して立ち下がるパターン信号になる。そして、このパルスピッカー駆動信号によりパルスピッカー14の動作がその遅延時間t4およびt5に従って生じ、その動作の間のパルスレーザビームPL1が変調パルスレーザビームPL2として抽出される。ここで、上記遅延時間t2、t3、t4およびt5はパルスピッカー14に合わせて設定される。なお、パルスピッカー14が音響光学素子AOMを使用する場合、上記パルスピッカー駆動信号S6の反転パターン信号が、超音波発生制御部における発振のON/OFFを制御するドライバ信号となる。そして、この反転パターンのドライバ信号により所要の発振パルス光が抽出されることになる。また、上述したようにレーザビームスキャナ18からの走査位置信号走査角信号S5、例えばそのスキャンミラーの回転位置における加工終端位置の走査位置信号が、X-Yステージ移動部20の移動タイミングを指示する。レーザビームスキャナ18の1次元走査方向をX軸方向とすると、上記移動タイミングにより、Y軸方向の所定幅のステップ移動あるいは連続移動がなされる。あるいは、X-YステージのX軸方向の所定距離の連続移動あるいはステップ移動が行われる。このようにして、X-Yステージの予め決められている移動パターンの移動制御が行われる。例えば、パルスピッカー動作パターンにより生成された変調パルスレーザビームPL2は、各パルス光がビーム整形器16において所要の形状に整形される。そして、上記レーザビームスキャナ18によるX軸方向の走査とX-Yステージ部20によるワークW位置のY軸方向の移動によって、ワークWの所要位置に照射パルス光が投射され、ワークW表面の高精度の微細加工がなされる。パルスピッカー動作パターンにおける各パルスピッカー動作の時間幅および各動作の時間間隔はそれぞれ異なるようになっていてもよい。次に、上記パルスレーザ加工装置10を用いたパルスレーザ加工方法について説明する。このパルスレーザ加工方法は、ステージに被加工物ワークを載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工物表面に、上記クロック信号に同期してパルスレーザビームを1次元方向に走査し、1次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、上記1次元方向に直交する方向にステージを移動して、更に上記クロック信号に同期してパルスレーザビームを上記1次元方向に走査するパルスレーザ加工方法である。そして、パルスレーザビームを上記1次元方向に走査する際に、パルスレーザビームの光パルス数に基づき、上記クロック信号に同期してパルスレーザビームの照射と非照射を切り替える。図26は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置のタイミング制御を説明する信号波形図である。ステージに載置されるワークWを加工する際、レーザ発振器12は内蔵する制御部によりレーザ発振の大半が制御され自律して動作する。もっとも、図26aに示すように基準クロック発振回路により生成される周期Tpのクロック信号S1により、パルス発振のタイミングの制御が行われ、クロック信号S1に同期した周期TpのパルスレーザビームPL1を出射する。レーザビームスキャナ18は、走査起動信号S11に基づき図18に示す走査開始位置走査原点で走査起動する。この時、レーザビームスキャナ18は図26aに示すように、クロック信号S1の立ち上がり立下りでもよいに同期した、加工制御部26で生成される周期Tsの走査指令信号S2により指示を受ける。そして、この走査指令信号S2に基づき、レーザビームスキャナ制御部32がガルバノメータ31の駆動制御を行う。このように、レーザビームスキャナ18により、クロック信号S1に同期してパルスレーザビームを1次元方向に走査する。この時、パルスレーザビームの照射と非照射を切り替えることで、ワークW表面にパターンを加工する。なお、走査指令信号S2は、XY2-100プロトコルに対応することで、例えば、100kHzTs=10μsecでの、ガルバノメータ31の走査角0度位置を基準とする絶対走査角指令に従う。なお、図26aは、パルスレーザビームの発振周波数を500kHzTp=2μsec、パルスレーザビームのビーム径を16μm、走査速度Vを4000mm/secとした場合の、走査起動時のクロック信号S1の立ち上がりに同期した走査指令信号S2の例を示している。1次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、上記1次元方向に直交する方向にステージを移動して、更に上記クロック信号に同期してパルスレーザビームを上記1次元方向に走査する。このように、パルスレーザビームの1次元方向の走査と、上記1次元方向に直交する方向にステージの移動が交互に行われる。ここで、レーザビームスキャナ18からの走査位置信号である走査角信号S5が、XYステージ部の移動タイミングを指示する。レーザビームスキャナ18の1次元走査方向をX軸方向とすると、上記移動タイミングにより、Y軸方向の所定幅のステップ移動あるいは連続移動がなされる。その後、パルスレーザビームをX方向に走査する。ここで、図22の加速期間では、走査速度が早期に安定した走査速度Vになるように、走査指令信号S2によるレーザビームスキャナ18の制御を行う。最適条件での1軸スキャンミラー29の走査角繰り返し再現性は、安定域では10μrad/p-p程度が得られることが経験的に明らかである。この値は、焦点距離が100mmのfθレンズとした場合、1μm/p-pの走査位置再現性になる。もっとも、加速期間における走査速度Vの繰り返し安定性は、長期の走査において10倍程度まで悪化する。このため、図22における加工原点の位置が走査ごとに変動する恐れがある。そこで、加速期間終了後、充分に安定した領域で、パルスレーザビームPL1の発振と、ビーム走査との同期をとるための同期角θsyを設定する。充分に安定した領域に達するまでの走査角範囲は、例えば、加速期間が1msec~1.5msecで、焦点距離が100mmのfθレンズとした場合、約2.3度~3.4度である。そして、図26bに示すように、この同期角を走査角センサ36が検出する。そして、同期角を検出する時に走査開始位置からの走査角θ0に対応する走査指令信号S2との位相差θiを求める。そして、この位相差θiに基づき、走査指令信号S2に対する加工原点までの距離を補正する。上記加工原点までの距離の補正値は、加工時の第1回目の走査i=1を基準補正値として記憶させる。そして、以後のi=nとなる第n回目の走査開始位置からの走査の都度、位相差θnと位相差θ1の差分を第n回目走査の第1回目走査に対する走査指令信号S2に対する加工原点までの距離補正値とする。求められた距離補正値は、走査開始位置からの走査角θ0に対する走査指令信号S2:絶対走査角指令以降の走査指令信号S2に与えることで、加工原点位置が補正される。このようにして、レーザビームスキャナ18の加速期間における走査速度がばらついたとしても、第1回目走査時と第n回目走査時の加工原点位置を一致させることが可能となる。以上のように、1次元方向にパルスレーザビームを走査した後に、上記1次元方向に直交する方向にステージを移動して、更に上記クロック信号S1に同期してパルスレーザビームを上記1次元方向に走査する場合において、走査ごとの加工原点位置が一致し、加工精度が向上する。上記、1次元方向にパルスレーザビームを走査する際に、パルスレーザビームの光パルス数に基づき、上記クロック信号S1に同期してパルスレーザビームの照射と非照射を切り替える。パルスレーザビームの照射と非照射は、パルスピッカーを用いて行われる。図18に示すように、SL:同期角検出位置からワークまでの距離WL:ワーク長W1:ワーク端から加工原点まで距離W2:加工範囲W3:加工終端からワーク端までの距離とする。ここで、加工原点=同期角検出位置SLW1となり、ワークはステージ上に固定位置で設置されるため、SLも固定距離となる。更に、同期角検出位置を基準とするワーク上の加工原点以下、加工原点SYNCとも表記は、加工原点SYNC=SLW1となる。この加工原点SYNCは、上述のような補正を行うことで管理され、走査ごとに常に安定した位置から加工が開始される。なお、図18に示すように、実加工は加工範囲W2に収まる範囲で行われる。例えば、ビームスポット径Dμm、ビーム周波数FkHzの加工条件で走査を行う場合、加工速度:Vm/secは、スポット径の1/nずつ、ビームの照射位置をずらす場合、V=D×10-6×F×103/nとなる。パルスピッカーにより光パルスを制御して加工を行う場合、パルスピッカーで作成するパルスピッカー駆動信号S6は、実際に加工を行う領域を加工長により定義し、繰り返し加工ピッチを非加工長により定義することが可能である。ここで、加工長をL1とし、非加工長をL2とすると、パルスレーザビームの光パルス数に基づき、加工長レジスタ設定は、加工パルス数=L1/D/n-1非加工長レジスタ設定は、非加工パルス数=L2/D/n1とすることができる。また、加工原点SYNCから実際に加工を開始する位置を待機長として定義することで、加工形状ごとの開始位置を設定する。ここで、待機長をLWとすると、加工原点SYNCレジスタ設定は、加工原点SYNC光パルス数=SLW1/D/n待機長レジスタ設定は、待機長光パルス数=LW/D/nとすることができる。なお、加工長、非加工長、待機長、加工原点SYNCに対する各レジスタへの設定値は、それぞれに対応する光パルス数である。そして、この光パルス数は、使用されるビームプロファイルに基づいて予め決定される補正のための光パルス数を加味した値となる。上記のレジスタ設定値は、照射する光パルス数で管理される。また、同期角検出後の加工待機区間についても光パルス数で管理される。このようにパルスピッカーの管理を光パルス数で行うことにより、基準となるクロック信号S1とパルスピッカーとの同期を容易に維持でき、安定した繰り返し性が維持される。そして、クロック信号S1とパルスピッカー14との同期を維持することで、高精度なレーザ加工が簡易に実現される。図27は、本実施の形態のパルスレーザ加工装置のパルスピッカー動作のタイミング制御を説明する信号波形図である。加工データから生成され、光パルス数で管理される加工パターン信号S7は、加工パターン信号生成部40の加工パターン出力回路62から出力される。図27に示すように、周期Tpのクロック信号S1からt1遅延したパルスレーザビームPL1は、パルスピッカー駆動信号S6に基づき遮断/通過が制御される。なお、レーザビームスキャナ18の走査と、パルスレーザビームの遮断/通過との同期は、走査角指令信号S2生成タイミングをクロック信号S1に同期させることで行っている。例えば、パルスピッカー駆動信号S6は、加工パターン信号S7をクロック信号S1の立ち上がりによりサンプリングする。そして、クロック信号S1の一クロックの立ち上がりからt2時間遅延して立ち上がる。そして、所要のパルス数に相当するクロック数後、加工パターン信号S7がインアクティブとなった状態をクロック信号S1の立ち上がりでサンプリングし、t3時間遅延して立ち下がる。そして、このパルスピッカー駆動信号S6により、パルスピッカー14の動作が遅延時間t4およびt5経過後に生ずる。このパルスピッカー14の動作により、パルスレーザビームPL1が、変調パルスレーザビームPL2として抽出される。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。実施の形態においては、ダイシング方法、ダイシング装置等で、本発明の説明に直接必要としない部分については記載を省略したが、必要とされるダイシング方法、ダイシング装置等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのダイシング方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。例えば、実施の形態では、被加工基板として、LEDが形成されるサファイア基板を例に説明した。サファイア基板のように硬質で劈開性に乏しく割断の困難な基板に本発明は有用であるが、被加工基板は、その他、SiC炭化珪素基板等の半導体材料基板、圧電材料基板、ガラス基板等であっても構わない。また、実施の形態においては、照射光パルス数P1=2、非照射光パルス数P2=1とする場合を例に説明したが、P1とP2の値は、最適条件とするために任意の値を取ることが可能である。また、実施の形態においては、照射光パルスがスポット径のピッチで照射と非照射を繰り返す場合を例に説明したが、パルス周波数あるいはステージ移動速度を変えることで、照射と非照射のピッチを変えて最適条件を見出すことも可能である。例えば、照射と非照射のピッチをスポット径の1/nやn倍にすることも可能である。特に、被加工基板がサファイア基板の場合には照射エネルギーを30~150mW以下とし、パルスレーザビームの通過を1~4光パルス単位、遮断を1~4光パルス単位とすることにより照射の間隔を1~6μmとすることで、被加工基板表面において連続性および直線性の良好なクラックを形成することが可能である。また、ダイシング加工のパターンについては、例えば、照射領域レジスタ、非照射領域レジスタを複数設けたり、リアルタイムで照射領域レジスタ、非照射領域レジスタ値を所望のタイミングで、所望の値に変更したりすることでさまざまなダイシング加工パターンへの対応が可能となる。また、レーザダイシング装置として、ダイシング加工データをパルスレーザビームの光パルス数で記述した加工テーブルを記憶する加工テーブル部を備える装置を例に説明した。しかし、必ずしも、このような加工テーブル部を備えなくとも、光パルス単位でパルスレーザビームのパルスピッカーにおける通過と遮断を制御する構成を有する装置であればよい。また、素子についてはAu等の反射膜を有する高輝度LEDを例に説明したが、裏面に金、銀、アルミニウム等の金属膜を電極材料として有するパワートランジスタ等、その他の素子であってもかまわない。