不純物の固体ソースを加熱し蒸発させてガスを発生させ、前記ガスを基板に噴射することによって前記基板上に不純物を含有する膜を形成することを特徴とする成膜方法。前記ガスの噴射前に前記基板を予熱することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。前記固体ソースを噴射孔を有する容器内に配置し、前記容器内で前記固体ソースを加熱して発生した前記ガスを前記噴射孔から前記基板に噴射することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜方法。前記容器内に前記ガスを搬送するためのキャリアガスを導入し、前記ガスを前記キャリアガスとともに前記噴射孔から噴射することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法。搬送装置によって連続的に搬送される前記基板に前記ガスを噴射することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法。前記膜の形成と同時に前記ガスの温度を利用して前記基板中への前記不純物の拡散を行なうことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の成膜方法。前記固体ソースがボロンを有することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の成膜方法。前記固体ソースがリン酸化物を有することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の成膜方法。不純物の固体ソースを加熱し蒸発させてガスを発生させる加熱手段と、前記ガスを基板に噴射することによって前記基板上に不純物を含有する膜を形成する噴射手段とを備えることを特徴とする成膜装置。前記ガスを噴射する前の前記基板を予熱する予熱手段を備えることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。前記固体ソースを収容する容器部を備え、前記加熱手段は前記容器部の内部に配置され、前記噴射手段は、前記容器部に形成された噴射孔であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の成膜装置。前記容器部に前記ガスを搬送するためのキャリアガスを導入するキャリアガス導入手段を備え、前記噴射孔は前記ガスを前記キャリアガスとともに噴射することを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。前記噴射手段に前記基板を連続的に搬送する搬送手段を備えることを特徴とする請求項9から請求項12までのいずれか1項に記載の成膜装置。前記膜の形成と同時に前記ガスの温度を利用して前記基板中への前記不純物の拡散を行なうことを特徴とする請求項9から請求項13までのいずれか1項に記載の成膜装置。前記固体ソースがボロンを有することを特徴とする請求項9から請求項14までのいずれか1項に記載の成膜装置。前記固体ソースがリン酸化物を有することを特徴とする請求項9から請求項14までのいずれか1項に記載の成膜装置。近年、太陽電池による発電システムの普及が急速に進んでおり、発電効率の向上が望まれているが、実際には、安価な太陽電池パネルを大量に設置することが、当面の発電量確保のためには重要である。ここで、太陽電池パネルを安価に供給するためには、製造リードタイムの短縮、製造設備の低価格化が急務であることは言うまでもないが、特に、従来のPNジャンクション形成のための製造手法である不純物層の成膜装置及び成膜工程を簡素化することが有用である。上述した従来技術のように、プラズマを用いて、拡散用不純物層を成膜する場合、成膜装置には、真空設備や高周波設備を必要とするため、設備自体が高価になる。また、成膜速度は主に成膜ソースガスの流量に依存するが、減圧状態では大量のソースガスを導入することが困難であり、成膜工程の長時間化を招き、製造コストの高騰につながる。さらに、真空設備は、連続処理ができず必然的にバッチ式処理となるため、生産性向上が困難である。これに対し、大気圧下において、モノシランSiH4、ジボランB2H6、ホスフィンPH3をソースガスとしてAPCVD処理を行なう場合、これらのガスは爆燃性、毒性等があって危険なガスとして分類されており、その使用においては、制限と安全設備が課せられ、設備自体の運用には付帯設備の導入コストが必須である。さらに、P型であればボロン、N型であればリンを含んだ溶液もしくはペーストを基板上に滴下後スピンもしくはインクジェット方式プリント等で塗布後過熱して拡散層を得る場合、スピン方式では、薬液のほとんどが利用されずに廃棄されるため効率的ではない。また、これらの不純物は粒子状として溶剤に含まれるため、インクジェットプリント用のプリンタヘッドの小径ノズルを詰まらせる事となり、太陽電池製造のような量産工程には不向きである。なお、上述した太陽電池製造に関する諸問題は、半導体の製造においても同様の状況にある。上述した問題に鑑み、本発明の課題は、有害有毒なガスを使用せず、大気圧下で効率よく高濃度の不純物を含む膜を成膜する成膜方法及び成膜装置を提供することである。本発明は、以下のような解決手段により、上述した課題を解決する。請求項1に係る発明は、不純物の固体ソースを加熱し蒸発させてガスを発生させ、前記ガスを基板に噴射することによって前記基板上に不純物を含有する膜を形成することを特徴とする成膜方法である。請求項2に係る発明は、前記ガスの噴射前に前記基板を予熱することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法である。請求項3に係る発明は、前記固体ソースを噴射孔を有する容器内に配置し、前記容器内で前記固体ソースを加熱して発生した前記ガスを前記噴射孔から前記基板に噴射することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜方法である。請求項4に係る発明は、前記容器内に前記ガスを搬送するためのキャリアガスを導入し、前記ガスを前記キャリアガスとともに前記噴射孔から噴射することを特徴とする請求項3に記載の成膜方法である。請求項5に係る発明は、搬送装置によって連続的に搬送される前記基板に前記ガスを噴射することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の成膜方法である。請求項6に係る発明は、前記膜の形成と同時に前記ガスの温度を利用して前記基板中への前記不純物の拡散を行なうことを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の成膜方法である。請求項7に係る発明は、前記固体ソースがボロンを有することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の成膜方法である。請求項8に係る発明は、前記固体ソースがリン酸化物を有することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の成膜方法である。請求項9に係る発明は、不純物の固体ソースを加熱し蒸発させてガスを発生させる加熱手段と、前記ガスを基板に噴射することによって前記基板上に不純物を含有する膜を形成する噴射手段とを備えることを特徴とする成膜装置である。請求項10に係る発明は、前記ガスを噴射する前の前記基板を予熱する予熱手段を備えることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置である。請求項11に係る発明は、前記固体ソースを収容する容器部を備え、前記加熱手段は前記容器部の内部に配置され、前記噴射手段は、前記容器部に形成された噴射孔であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の成膜装置である。請求項12に係る発明は、前記容器部に前記ガスを搬送するためのキャリアガスを導入するキャリアガス導入手段を備え、前記噴射孔は前記ガスを前記キャリアガスとともに噴射することを特徴とする請求項11に記載の成膜装置である。請求項13に係る発明は、前記噴射手段に前記基板を連続的に搬送する搬送手段を備えることを特徴とする請求項9から請求項12までのいずれか1項に記載の成膜装置である。請求項14に係る発明は、前記膜の形成と同時に前記ガスの温度を利用して前記基板中への前記不純物の拡散を行なうことを特徴とする請求項9から請求項13までのいずれか1項に記載の成膜装置である。請求項15に係る発明は、前記固体ソースがボロンを有することを特徴とする請求項9から請求項14までのいずれか1項に記載の成膜装置である。請求項16に係る発明は、前記固体ソースがリン酸化物を有することを特徴とする請求項9から請求項14までのいずれか1項に記載の成膜装置である。本発明によれば、例えばモノシランSiH4、ジボランB2H6、ホスフィンPH3等の危険性の高い有毒ガスを使用することなく成膜ができるため、装置の安全性が高く除害設備等の付帯設備が不要となり、ひいては太陽電池パネルの価格自体を引き下げる効果が期待できる。また、高濃度の不純物拡散膜を成膜できるため、成膜処理時間の短縮及び膜除去に必要なウェットプロセス処理時間の短縮の効果も期待できる。また、拡散装置を使用せずに成膜及び拡散を同時に行なうことも可能となるので、製造工程の簡素化を図ることも可能である。なお、太陽電池パネルに限らず、半導体においても実質的に同様の効果を得ることができる。以下、本発明を適用した成膜方法及び成膜装置の実施形態について、図面等を参照して説明する。各実施形態の成膜方法及び成膜装置は、例えば、太陽電池パネルや半導体の製造工程において、シリコン基板の両面に、不純物であるボロン及びリンを含有する膜を成膜するものである。そして、N型拡散層を形成するためには、ボロンを有する膜を形成した後に、例えば800~1100°Cまで酸素又は窒素雰囲気下で加熱して、ボロンをシリコン基板中に拡散させる。また、P型拡散層を形成するためには、リンを有する膜を形成した後に、例えば800~1000°Cまで酸素又は窒素雰囲気化で加熱して、リンをシリコン基板中に拡散させる。なお、この拡散時に、例えばSiO2等からなるキャップ層を形成してもよい。<第1実施形態>以下、本発明を適用した成膜装置の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態の成膜装置の構成を示す図であって、図1aは図1bのa-a部矢視断面図であり、図1bは図1aのb-b部矢視断面図である。成膜装置100は、気化容器110、加熱装置120、排気装置130等を備えて構成されている。気化容器110は、例えばほぼ直方体状のボックスとして構成されている。気化容器110の内部は、例えばボロンの固体ソースSを加熱し、蒸発させる気化空間として機能する。固体ソースSは、出来るだけ表面積を大きくし、蒸気が取り出しやすいように穴加工又は溝加工等が施されている。気化容器110の底面部には、固体ソースSが固定される固体ソース固定プレート111が設けられている。固体ソース固定プレート111には、固体ソースSが嵌め込まれる凹部112が形成されている。また、固体ソース固定プレート111には、固体ソースSが蒸発して発生したガスGを、例えばシリコン基板であるワークWに噴射する噴射孔であるスリットノズル113が形成されている。さらに、気化容器110は、冷却水が通流される冷却水通路114が設けられている。冷却水通路114は、後述するリフレクタ123と、気化容器110の外壁との間に配置され、後述するハロゲンバルブ121とほぼ平行に配置されている。加熱装置120は、ハロゲンバルブ121、石英チューブ122、リフレクタ123、クーリングガス接続ポート124等を備えて構成されている。ハロゲンバルブ121は、円柱状に形成され、例えば3本が水平方向に並べて平行に配列されている。ハロゲンバルブ121の両端部は、気化容器110の壁面に設けられたランプソケットによって支持されている。石英チューブ122は、円筒状に形成され、ハロゲンバルブ121はその内径側にほぼ同心となるように挿入されている。石英チューブ122は、長時間の照射における過昇温を防止するものである。リフレクタ123は、3本の石英チューブ122の上方及び側方に配置された反射板であって、上面部はそれぞれの石英チューブ122を取り囲む曲面状に形成されている。クーリングガス接続ポート124は、石英チューブ122から装置の上方へ突き出して設けられ、石英チューブ122の内部にハロゲンバルブ121を冷却するためのクーリングガスを導入し、また、排出するものである。クーリングガスとして、例えば、N2を用いることができる。クーリングガス接続ポート124は、石英チューブ122の両端部にそれぞれ設けられている。排気装置130は、ワークWに噴射された後の余剰なガスGを、気化容器110の下部の周囲から回収して排出する通路である。第1実施形態においては、固体ソースSがハロゲンバルブ121の発光波長を吸収して発熱し、蒸発した蒸気であるガスGは、図示しないキャリアガス接続口から導入されたキャリアガスとともに、スリットノズル113から数ミリメートル下側を通過するワークWに噴射され、その後排気装置130から回収される。このとき、噴射された蒸気は、蒸気温度雰囲気よりも低温である基板との接触によりワークWの表面に膜として固着する。このとき、ワークWは、急激な温度変化による損傷を防ぐため、予め加熱されており、この予熱によって効率よく成膜される。以下、本実施形態の成膜装置によって酸化ボロンを成膜し、その後拡散処理を行なったシリコン基板の実施例について説明する。図2は、実施例1のSIMSプロファイルデータを示すグラフである。実施例1においては、固体ボロンを700°Cで加熱蒸発させてシリコン基板の表面に酸化ボロン膜を成膜し、キャップ酸化膜無しで1100°Cで拡散を行なっている。図2に示すように、ボロン濃度1×1019個/cm3を、深さ方向で0.7μmまで拡散可能である。図3は、実施例2のSIMSプロファイルデータを示すグラフである。実施例2においては、実施例1と同様の条件で成膜した後、さらにSiO2からなる厚さ約100nmのキャップ酸化膜を成膜して1100°Cで拡散を行なっている。図3に示すように、実施例2においては、ボロン濃度1×1019個/cm3を、深さ方向で1.5μmまで拡散可能である。<第2実施形態>次に、本発明を適用した成膜装置の第2実施形態について説明する。なお、従前の実施形態と実質的に共通する箇所については同じ符号を付して説明を省略し、主に相違点について説明する。図4は、第2実施形態の成膜装置の構成を示す図である。第2実施形態の成膜装置200においては、固体ソースSをパイプ210の内部に収容してパイプ210の外部からハロゲンバルブ121によって加熱する。そして、発生した蒸気及びキャリアガスを有するガスGを、パイプ210の下部に形成されたスリットノズル211からワークWに噴射する構成としている。パイプ210は、例えばカーボン、もしくはSiCといった、ハロゲンバルブ121の発光波長を吸収し加熱が容易でありかつ耐熱性を有する素材によって形成される。パイプ210は、その横断面が例えば矩形に形成され、スリットノズル211はその下面部に形成される。パイプ210は、例えば4本が水平方向に平行に配列され、ハロゲンバルブ121は、その上面及び側面と対向して配置されている。なお、パイプ210の材質、形状等は、これに限定されず適宜変更することが可能である。パイプ210の下部は、気化容器110の下面部に形成された開口から、ワークW側に露出している。パイプ210は、図示しないキャリアガスの導入ポートを備えている。以上説明した第2実施形態においても、上述した第1実施形態の効果と実質的に同様の効果を得ることができる。<第3実施形態>次に、本発明を適用した成膜装置の第3実施形態について説明する。図5は、第3実施形態の成膜装置の構成を示す図である。第3実施形態の成膜装置300は、コンベアCによって搬送されるワークWが通過する筒状の熱拡散炉310の内部に、固体ソースSが固定されたパイプ320を装着し、ワークWをパイプ320の内部を通過させることによって、成膜及び拡散を同時かつ連続的に行なうことが可能となっている。また、熱拡散炉310の入口側、出口側には、それぞれ入口側パージチャンバ330、出口側パージチャンバ340が設けられている。また、熱拡散炉310と出口側パージチャンバ340との間には、基板冷却部350が設けられている。以上説明した第3実施形態においては、成膜及び拡散を同時かつ連続的に行なうことによって、製造工程を簡素化することが可能となる。<第4実施形態>次に、本発明を適用した成膜装置の第4実施形態について説明する。第4実施形態の成膜装置は、ハロゲンバルブで加熱された固体ソースSから効率よくボロンを取り出すために、酸素雰囲気下で350°C以上の雰囲気を可能とした装置ユニットである。図6は、第4実施形態の成膜装置の構成を示す図である。図6に示すように、第4実施形態の成膜装置400は、コンベアCの搬送経路状に、予備加熱ゾーンZ1、成膜ゾーンZ2、冷却ゾーンZ3を順次配置したものである。成膜ゾーンZ2は、第2実施形態と同様の成膜装置200を、コンベアCの搬送方向に沿って例えば2機設置している。成膜装置200の側面部には、キャリアガスの導入ポート410が設けられている。変形例本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。1各実施形態は固体ソースとしてボロンを用い、P型ジャンクションの製造に用いられるものであるが、本発明は固体ソースとして五酸化リンなどを用いて、N型ジャンクションの製造に用いることも可能である。2成膜装置の構造、構成、各部材の形状や配置等は、上述した各実施形態のものに限らず適宜変更することが可能である。3上述した各実施例の成膜条件等は一例であって、これらは適宜変更することが可能である。