矩形状の回路基板を有する高周波モジュールであって、前記回路基板上に、RF信号を入力する入力部と、前記入力部から供給されるRF信号を受信する受信回路部と、前記入力部から前記受信回路部に前記RF信号を伝送する伝送ラインとを有し、前記伝送ラインは、直線状であって、前記入力部と前記受信回路部とを結ぶ最短の伝送ライン長であることを特徴とする高周波モジュール。前記伝送ライン上に電装部品が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。前記電装部品は、前記RF信号が入力される入力部と、前記RF信号が出力される出力部とが、前記伝送ラインに沿うように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の高周波モジュール。前記電装部品は、略直方体形状からなり、前記電装部品の長手方向が、前記伝送ラインと略平行となるように、前記伝送ラインに沿うように配置されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の高周波モジュール。前記回路基板上にグランドパターンを有し、前記グランドパターンは、前記伝送ラインと一定の距離を設けるように離間して配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記受信回路は、発振部を有し、前記回路基板上に前記発振部の周波数を決定する水晶振動子を有し、前記水晶振動子は、前記入力部が配置された前記回路基板の一の辺の対辺に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記受信回路部は、IC部と端子部とを有し、前記受信回路部に電源を供給する電源配線は、前記IC部を囲うように配置され、前記電源配線の周囲に、前記グランドパターンが形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記伝送ラインの延長線上に設けられている外部コネクタを介して、前記入力部に前記RF信号が供給されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記入力部が配置された前記回路基板の辺に沿うように、前記RF信号から特定の周波数成分を除去するノッチフィルタが配置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記回路基板は、正方形状を含むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の高周波モジュール。前記受信回路部は、前記回路基板の一方の辺を含む領域に形成され、前記入力部は、前記一方の辺に対向する他方の辺を含む領域に形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の高周波モジュール。請求項1乃至11のいずれか一項に記載の高周波モジュールを含む電子機器。アンテナからRF信号が供給される外部コネクタを有し、前記外部コネクタは、前記伝送ラインの延長線上に設けられることを特徴とする請求項12に記載の電子機器。しかしながら、上述した従来技術に示されているようなモジュールでは、IC化されたチューナ部に含まれるRFRadioFrequency部の品質を確保することができず、RF性能を向上させることができなかった。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、RF性能を向上させる高周波モジュール、及び該高周波モジュールを備えた電子機器を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、矩形状の回路基板30を有する高周波モジュール10であって、前記回路基板30上に、RF信号を入力する入力部20と、前記入力部20から供給されるRF信号を受信する受信回路部22と、前記入力部20から前記受信回路部22に前記RF信号を伝送する伝送ライン21とを有し、前記伝送ライン21は、直線状であって、前記入力部20と前記受信回路部22とを結ぶ最短の伝送ライン長であることを特徴とする。また、本発明は、上述した高周波モジュール10を含む電子機器100である。なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。本発明によれば、RF性能を向上させることが可能となる。次に、本発明を実施するための形態について説明する。<高周波モジュールを含む電子機器の概略構成>図1は、本実施形態に係る高周波モジュールを含む電子機器の概略構成を示す図である。図1に示すように、本実施形態の電子機器100は、例えば地上デジタルテレビやディスクレコーダ等であり、高周波モジュール10と、外部コネクタ11と、ライン12とを有するように構成される。なお、電子機器100は、上述した構成の他、地上デジタルテレビとして用いられる場合に、例えば復調器、表示装置、音響装置等の構成を含む。また、電子機器100は、ディスクレコーダとして用いられる場合に、例えば復調器、録画再生装置等の構成を含むものとする。高周波モジュール10は、アンテナ13から供給されるRF信号を、外部コネクタ11及びライン12を介して受信する。外部コネクタ11は、アンテナ13から供給されるRF信号をライン12に出力する。なお、外部コネクタ11は、例えば、後述する高周波モジュール10に含まれるライン21の延長線上に設けると良い。ライン12は、外部コネクタ11と高周波モジュール10とを結ぶ直線状の配線である。ライン12は、外部コネクタ11と、後述する高周波モジュール10の入力部20との間でインピーダンス整合を行い、高周波モジュール10にRF信号を伝送する。高周波モジュール10は、入力部20と、伝送ライン21と、受信回路部22と、クリスタル発振器23とを有するように構成される。入力部20は、外部コネクタ11及びライン12を介して入力したRF信号を伝送ライン21に出力する。入力部20は、フィルタ24と、バラン25とを有するように構成される。伝送ライン21は、入力部20から出力されたRF信号を受信回路部22に伝送する。ここで、伝送ライン21は、受信回路部22へのRF信号の伝送性能を良くするため、直線状とし、入力部20と受信回路部22とを結ぶ最短の伝送ライン長となるように構成する。なお、伝送ライン21の構成については後述する。受信回路部22は、可変周波数発振回路26と、アンプ27と、ミキサー28とを有するように構成される。受信回路部22は、例えばI2CInter-IntegratedCircuitインターフェースから出力された制御信号に応じて、伝送ライン21から得られたRF信号を、IFIntermediateFrequency信号に周波数変換して出力する。また、受信回路部22には、受信回路部22の動作に必要な所定の電源が供給される。クリスタル発振器23は、水晶振動子で決定される基準周波数により発振する。フィルタ24は、例えば入力されたRF信号から特定の周波数成分を除去するノッチフィルタ等であり、特定の周波数成分を除去したRF信号をバラン25に出力する。なお、フィルタ24の構成については後述する。バラン25は、フィルタ24から供給された不平衡のRF信号を平衡のRF信号へと変換し、伝送ライン21に出力する。可変周波数発振回路26は、クリスタル発振器23からの出力に基づき、ローカル発振周波数を生成し、生成したローカル発振周波数をミキサー28に供給する。アンプ27は、伝送ライン21から得られた平衡のRF信号を増幅し、増幅したRF信号をミキサー28に供給するミキサー28は、可変周波数発振回路26から供給されたローカル発振周波数と、アンプ27から供給されたRF信号を混合してIF信号を出力する。なお、上述した可変周波数発振回路26とクリスタル発振器23とを、PLL回路の一部として構成し、PLL回路の分周比をI2Cからの制御信号で制御して、所定の周波数を可変周波数発振回路30から出力させても良い。<高周波モジュールの回路ブロック>次に、上述した高周波モジュール10の回路ブロックについて説明する。図2は、本実施形態に係る高周波モジュールの回路ブロックを示す図である。図2に示すように、高周波モジュール10は、回路基板30に実装される。回路基板30は、矩形状例えば正方形状の多層基板により構成される。回路基板30は、例えば4層の基板により構成される。回路基板30上には、入力部20と、伝送ライン21と、受信回路部22と、クリスタル発振器23を構成する水晶振動子23-1の他、電源又は制御用電装部品29とが形成されている。例えば、回路基板30上では、受信回路部22や水晶振動子23-1等が、回路基板30の一方の辺を含む受信回路実装領域30-1に形成され、入力部20や伝送ライン21等がその一方の辺に対向する他方の辺を含む入力部実装領域30-2に形成されている。本実施形態では、回路基板30上に受信回路実装領域30-1及び入力部実装領域30-2を設けて、部品実装の領域を分割することによって、後述するような受信回路部22へのRF信号の伝送性能を良くすることが可能となる。入力部20の領域では、グランドに対して直列接続された2つのツェナーダイオードD1と、フィルタ24と、バラン25とが配置されている。フィルタ24は、コンデンサC1~C3と、コイルL1及びコイルL4とを含むノッチフィルタトラップフィルタとして構成される。また、これらの電装部品すなわちコンデンサC1~C3と、コイルL1及びコイルL4は、回路基板30の辺に沿うように、配置されている。伝送ライン21は、バラン25と、受信回路部22との間に形成され、伝送ライン21上には、インピーダンス整合用の電装部品として、コイルL2~L3、コンデンサC4~C5とが配置されている。これにより、伝送ライン21は、バラン25により変換された平衡のRF信号に対して、受信回路部22への挿入損失を少なくするインピーダンス整合を行って、RF信号を受信回路部22に伝送する。また、伝送ライン21上の電装部品すなわちコイルL2~L3、コンデンサC4~C5は、RF信号が入力される入力部とRF信号が出力される出力部とが、伝送ライン21の直線状に沿うように配置されている。また、伝送ライン21上の電装部品は、バラン25と受信回路部22とを結ぶ最短の伝送ライン長となるように配置される。また、伝送ライン21上の電装部品は、直方体形状からなるチップ部品であり、各電装部品の長手方向が伝送ライン21と平行となるよう、伝送ライン21に沿うように配置されている。これにより、RF信号の損失を最小に抑え、受信回路部22へのRF信号の伝送性能を良くする。クリスタル発振器23を構成する水晶振動子23-1は、入力部20が配置された回路基板30の一の辺の対辺の領域に配置されている。これにより、水晶振動子23-1からの発振により生じる入力部20に入力されたRF信号に対する影響を少なくすることが可能となる。電源又は制限用電装部品29-1~29-2は、電源供給又は制御信号入力のための電装部品等であり、受信回路部22の周囲に配置されている。上述したように、本実施形態の高周波モジュール10は、回路基板30における入力部20と、伝送ライン21と、受信回路部22と、水晶振動子23-1とのそれぞれの配置により、受信回路部22におけるRF信号の受信性能を向上させることが可能となる。<回路基板30の各層のレイアウト:表層第1層>次に、上述した回路基板30を構成する各層のレイアウトについて説明する。図3は、本実施形態に係る回路基板の表層第1層のレイアウトを説明する図である。図3に示すように、回路基板30の表層30Aでは、上述したように、入力部20と、伝送ライン21と、受信回路部22と、水晶振動子23-1と、電源又は制御用電装部品29とが実装されている。なお、受信回路部22は、IC部22-1及び端子部22-2によって構成される。また、回路基板の表層30Aには、GNDパターングランドパターン31Aが形成されている。GNDパターン31Aは、例えば部品実装に必要な領域を除く領域の全面にわたって形成されている。ここで、伝送ライン21に近接するGNDパターン31A-1は、伝送ライン21と一定の距離例えば図3に示す矢印d1、d2を設けるように離間して配置されている。上述したように、GNDパターン31A-1が配置されることにより、伝送ライン21における所定のインピーダンスを確保すること等が可能となる。<回路基板30の各層のレイアウト:第2層>次に、図4は、本実施形態に係る回路基板の第2層のレイアウトを説明する図である。なお、回路基板30の第2層30Bは、回路基板30の各層30A~30Dを重ねたときに、図3に示す回路基板30の表層30Aの下の階層を構成するものである。図4に示すように、回路基板30の第2層30Bには、GNDパターン31Bとスルーホール32とが形成されている。図4に示すGNDパターン31Bは、図4に示すスルーホール32が形成されている領域を除く領域の全面に形成されている。なお、図4に示すスルーホール32は、例えば回路基板30を構成する各層30A~30Dに設けられた端子を電気的に接続するために用いられる。上述した回路基板30の第2層30Bにより、後述する回路基板30の第3層30Cに形成されている電源パターン等から生じる表層30Aの受信回路部22へのノイズの影響を抑制することが可能となる。<回路基板30の各層のレイアウト:第3層>次に、図5は、本実施形態に係る回路基板の第3層のレイアウトを説明する図である。図5に示すように、回路基板30の第3層30Cには、GNDパターン31Cと、スルーホール32Cと、電源パターン電源配線40とが形成されている。ここで、電源パターン40-1及び電源パターン40-2は、回路基板30の各層30A~30Dを重ねたときに、表層30Aの受信回路部22のうち、IC部22-1の領域と重なる第3層30Cの領域22Cを避けた領域に形成されている。また、電源パターン40-1及び電源パターン40-2は、領域22Cを囲うように配置されている。なお、電源パターン40-1及び電源パターン40-2は、表層30Aに実装される受信回路部22に電源を供給するものである。また、電源パターン40-1及び電源パターン40-2の周囲には、GNDパターン31C-1~31C-3が形成されている。上述したように、領域22Cを避けた領域に電源パターン40が形成されていることにより、電源パターン40から表層30Aの受信回路部22へのノイズの影響を抑制することが可能となる。また、GNDパターン31C-1~31C-3の各配置により回路基板30の第2層30Bと第4層30Dとの間の干渉を抑制することが可能となる。<回路基板30の各層のレイアウト:第4層>次に、図6は、本実施形態に係る回路基板の第4層回路基板の裏面のレイアウトを説明する図である。図6に示すように、回路基板30の第4層30Dには、GNDパターン31Dと、入力端子41と、電源端子42と、GND端子43と、出力端子44と、制御信号用端子45とが形成されている。例えば、上述した伝送ライン21から伝送されるRF信号は、入力端子41を介して、各層のスルーホール32を通り、表層30Aの入力部20に入力される。また、表層30Aの受信回路部22への電源は、電源端子42を介して入力され、電源パターン40及びスルーホール32を通って供給される。また、各層に形成されるGNDパターン31は、GND端子43-1~43-13を介して接地される。上述したように、本実施形態の高周波モジュール10は、回路基板30が正方形状となるように形成されている。したがって、例えば電子機器100等に高周波モジュール10を実装する場合に、電源端子42や、GND端子43、出力端子44、制御信号用端子45を電子機器100等の回路基板上へ半田付けする際の応力が均等になる。これにより、高周波モジュール10を、電子機器100等の回路基板上に確実に実装することが可能となる。<高周波モジュールの製造方法>次に、上述した高周波モジュール10の製造方法について説明する。図7は、本実施形態に係る高周波モジュールの製造方法を説明する図である。本実施形態における高周波モジュール10は、図7A~Fに示す工程により製造される。図7Aに示す工程では、集合基板としての基板上に、上述した実装部品例えば、入力部20や伝送ライン21を構成する電装部品、受信回路部22のIC、水晶振動子23-1等を実装する。次に、図7Bに示す工程では、上述した実装部品を実装した基板全体を樹脂モールドによりトランスファーモールドする。ここで、樹脂モールドには、例えば熱可塑性樹脂等を用いると良い。次に、図7Cに示す工程では、ダイシングブレードを用いて、トランスファーモールドした基板上のダイシングラインを、ダイシング裁断して、個片化する。次に、図7Dに示す工程では、個片化したモジュールの表面に蒸着例えばイオンプレーティング等によってアルミを付着させ、個片化したモジュールの天面及び側面にアルミ層を形成してシールド化する。次に、図7Eに示す工程では、アルミ蒸着したモジュールの下面に、レジストを印刷する。次に、図7Fに示す工程では、レジストにレーザでレーザーマーキングして文字型番等を刻み、検査する。上述したように、本発明の実施形態によれば、回路基板上に実装された各電装部品及び回路基板上に形成されたGNDパターン等の配置により、RF性能を向上させることが可能となる。また、RF性能が向上した高周波モジュールにより、マルチチューナ化が可能となる。以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。