半導体基板の表面を酸化して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、をこの順で実施して前記半導体基板の表面における金属不純物の存在量の合計を1×109atomscm2以上かつ1×1014atomscm2以下に調節する第1工程と、前記半導体基板の表面の存在量が調節された金属不純物を触媒として前記半導体基板の表面をウエットエッチングすることにより前記半導体基板の表面に複数のピットを形成する第2工程と、前記半導体基板の内部の不純物を拡散させて前記不純物を前記半導体基板の表面近傍および前記ピットの近傍に集める第3工程と、前記半導体基板の表面に集められた前記不純物を除去する第4工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の改質方法。前記第1工程を複数回実施して前記半導体基板の表面の金属不純物の量を調節した後に前記第2工程を実施すること、を特徴とする請求項1に記載の半導体基板の改質方法。前記半導体基板の表面の金属不純物が、カルシウムCa、マンガンMn、クロムCr、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、チタンTi、銀Ag、インジウムIn、スズSn、カドミウムCd、モリブデンMo、アルミニウムAl、マグネシウムMg、金Au、白金Pt、パラジウムPdを含むこと、を特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の改質方法。前記酸化膜形成工程では、オゾン水、過酸化水素水、塩酸のうち少なくとも1つを用いて前記半導体基板の表面を処理すること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体基板の改質方法。前記酸化膜除去工程では、前記酸化膜が形成された前記半導体基板の表面を、フッ酸を含む溶液を用いて処理すること、を特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体基板の改質方法。前記酸化膜除去工程では、前記酸化膜が形成された前記半導体基板の表面を、フッ酸を含む純水を用いて処理すること、を特徴とする請求項5に記載の半導体基板の改質方法。前記第2工程では、フッ酸と酸化剤とを含む溶液をエッチング液としてウエットエッチングすること、を特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体基板の改質方法。前記第2工程では、フッ酸と過酸化水素とを含む純水またはフッ酸とオゾンとを含む純水をエッチング液としてウエットエッチングすること、を特徴とする請求項7に記載の半導体基板の改質方法。前記第1工程の前に、前記半導体基板の表層に形成されたダメージ層を除去すること、を特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の半導体基板の改質方法。前記第4工程の後に、前記第4工程において前記半導体基板の表面に付着した金属不純物を洗浄すること、を特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の半導体基板の改質方法。しかしながら、上記特許文献1の技術によれば、太陽電池ウエハ表面にオゾン浄処理とDHF処理を実施したのみで、FPMHFH2O2処理を実施しない場合は、ウエハ表面に微細なピット多孔質層および孔が形成されない。このため、その後に拡散処理等の熱処理を実施してもゲッタリングの効果が低く、該ウエハではバルクライフタイムが向上しない。さらに、オゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理の実施後にFPM処理を実施しても、ウエハ表面に金属不純物等が存在しない場合または極少量である場合にはウエハ表面に微細なピット多孔質層および孔が形成され難い。このため、その後に太陽電池ウエハに拡散処理等の熱処理を実施してもウエハ内部の金属不純物がウエハ表面に集まり難く、ウエハ内部を効率的に高純度化改質できない。このため、ウエハのバルクライフタイムが向上しない。ここでピットとはウエハ表面に形成された、多孔質層および、その孔のことである。また、上記特許文献2の技術によれば、太陽電池ウエハ表面にDHF洗浄処理およびFPMHFH2O2処理を実施したのみでは、太陽電池ウエハ表面の洗浄がされていないため、ウエハ表面に付着した不純物量が多い。この場合は、拡散処理等の熱処理によってウエハ内部に金属等不純物が入り易いため、効率良く太陽電池ウエハ内部を高純度化改質できない。このため、ウエハのバルクライフタイムが向上しない。また、特許文献1および特許文献2に記載された洗浄プロセスを組み合わせて半導体基板を洗浄しても、太陽電池ウエハ内部に多くの金属不純物が残存し、太陽電池ウエハ内部を効率的に高純度化改質できない。このため、ウエハのバルクライフタイムが向上しない。すなわち、従来の方法を用いた熱処理前の太陽電池ウエハの洗浄では、ウエハ表面の洗浄はできても、その後の熱処理によるゲッタリングの効果を向上させることができなかった。この結果、ウエハ内部に含まれる金属不純物が効率良く除去できないため、効率良くバルクライフタイムを向上させることができなかった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体基板の表面および内部の金属不純物を除去して表面および内部ともに高清浄な半導体基板が得られる半導体基板の改質方法を得ること、を目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる半導体基板の改質方法は、半導体基板の表面を酸化して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、をこの順で実施して前記半導体基板の表面における金属不純物の存在量の合計を1×109atomscm2以上、1×1014atomscm2以下に調節する第1工程と、前記半導体基板の表面の存在量が調節された金属不純物を触媒として前記半導体基板の表面をウエットエッチングすることにより前記半導体基板の表面に複数のピット多孔質層および孔を形成する第2工程と、前記半導体基板の内部の不純物を拡散させて前記不純物を前記半導体基板の表面近傍および前記ピットの近傍に集める第3工程と、前記半導体基板の表面に集められた前記不純物を除去する第4工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、半導体基板の表面および内部の金属不純物を効果的に除去することができる。これにより、表面および内部ともに高清浄な半導体基板が得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる半導体基板の改質方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。実施の形態半導体からなり太陽電池基板として用いる太陽電池ウエハ以下、ウエハと呼ぶ場合がある内部の不純物をウエハ表面に集めるゲッタリング処理は、ウエハに熱を加えてリンPまたはボロンB等の元素を拡散させ、該処理によってウエハ内部に形成される数オームストロングÅレベルの欠陥にウエハ内部の金属不純物を集める。ウエハ表面に欠陥が存在することで、ウエハ表面に金属不純物が集まり易い。したがって、本発明者は、ウエハ表面に微細なピット多孔質層および孔を形成することにより、ウエハ表面に金属不純物を効率的に集めることができると考えた。ウエハ表面にピットを形成させる方法としては、物理的方法および化学的方法がある。物理的方法としては、酸化アルミニウムAl2O3等の金属酸化物を噴き付けるブラスト処理がある。しかし、この方法ではウエハ表面に金属不純物が大量に付着してしまうため、その後に拡散処理等の熱処理を実施した際に、ウエハ表面に付着した金属不純物がウエハ内部に入り込む。したがって、ウエハ表面にピットを形成させる方法としてブラスト処理を用いた場合は、効果的にウエハの高純度化ができない。化学的方法によりウエハ表面に微細なピットを形成する場合は、ウエハ表面に金属不純物が付着している必要がある。すなわち、ウエハ表面にピットの起点となる金属不純物が必要となる。化学的方法によりウエハ表面にピットを形成させるメカニズムは、太陽電池ウエハシリコン等のエッチング反応の触媒として作用する微細な金属不純物がウエハ表面に付着している状態で、ウエハをFPMHFH2O2等酸化剤溶液に浸漬させて、ウエハ表面に付着した金属不純物を介して太陽電池ウエハシリコンのエッチング溶解反応を加速させる、というものである。この場合は、ウエハ表面に金属不純物が多く存在するほどウエハ表面に微細なピットが多数形成される。しかし、太陽電池ウエハ表面の金属不純物量が多くなるため、拡散処理等の熱処理を実施した場合に、ウエハ表面の金属不純物が太陽電池ウエハ内部に拡散する。したがって、このような方法では効果的に太陽電池ウエハの高純度化ができない。一方、ウエハ表面の不純物を洗浄処理により除去してウエハ表面に不純物が存在しない場合は、FPM処理を実施してもウエハ表面にピットが形成されない。したがって、拡散処理等の熱処理を実施してもゲッタリング効果が低い。そこで、本発明者は、化学的方法によりウエハ表面に微細なピットを形成する場合に、ピット形成前のウエハ表面の金属不純物量をゲッタリング効果に影響を与えない範囲で調節することが重要と考え、拡散処理等の熱処理によるゲッタリング効果を高めることが可能な半導体基板の改質方法を見出した。上述した課題を解決するために、本発明にかかる半導体基板の改質方法は、半導体基板の表面を酸化して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、をこの順で実施して前記半導体基板の表面における金属不純物の存在量を調節する第1工程と、前記半導体基板の表面の金属不純物を触媒として前記半導体基板の表面をウエットエッチングすることにより前記半導体基板の表面に複数のピットを形成する第2工程と、前記半導体基板の内部の不純物を拡散させて前記不純物を前記半導体基板の表面近傍および前記ピットの近傍に集める第3工程と、前記半導体基板の表面に集められた前記不純物を除去する第4工程と、を含むことを特徴とする。以下においては、半導体基板の改質方法の実施の形態として太陽電池ウエハの改質方法について説明する。図1は、本発明の実施の形態の説明において使用される用語が示す部位を模式的に示す太陽電池ウエハの断面図である。図1においては、被改質太陽電池基板であるシリコン等の半導体からなる太陽電池ウエハ5の表面が太陽電池ウエハ表面1であり、該太陽電池ウエハ表面1に金属および有機物等不純物2が付着している状態を示している。また、ダメージ層4とはウエハをスライスした際にできる太陽電池ウエハ表面1の凹凸を意味し、太陽電池ウエハ内部3とは太陽電池ウエハ表面1より内部分を意味し、特にダメージ層4よりも内部分を意味する。以下では、太陽電池ウエハ5がシリコンウエハである場合を例に説明する。本実施の形態にかかる太陽電池ウエハの改質方法の工程を図2および図3-1~図3-7を用いて説明する。図2は、実施の形態にかかる太陽電池ウエハの改質方法のフローを示すフローチャートである。本実施の形態にかかる太陽電池ウエハの改質方法は、順に、第1エッチング工程ステップS101、第1洗浄工程ステップS102、第2洗浄工程ステップS103、ピット形成工程ステップS104、拡散ゲッタリング工程ステップS105、第2エッチング工程ステップS106、第3洗浄工程ゲッタリング工程ステップS107を含み、第1洗浄工程ステップS102と第2洗浄工程ステップS103とを繰り返し実施する。図3-1~図3-7は、図2に示したフローチャートの各工程における太陽電池ウエハ5の表面状態の様子を模式的に示す断面図である。詳細には、図3-1は、図2に示した第1エッチング工程ステップS101を実施する前の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-2は、図2に示した第1洗浄工程ステップS102を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-3は、図2に示した第1洗浄工程~第2洗浄工程ステップS102~S103を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-4は、図2に示したピット形成工程ステップS104を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-5は、図2に示した拡散工程ステップS105を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-6は、図2に示した第2エッチング工程ステップS106を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-7は、図2に示した第3洗浄工程ステップS107を実施した後の太陽電池ウエハ5の様子を模式的に示す断面図である。図3-1~図3-7では、1枚の太陽電池ウエハ5を示しているが、本実施の形態にかかる太陽電池ウエハの改質方法においては複数の太陽電池ウエハ5が同時に処理されてもよく、例えば複数の太陽電池ウエハ5を投入して運搬可能なキャリアを用いてもよい。本実施の形態にかかる太陽電池ウエハの改質方法では、まず第1エッチング工程ステップS101において、太陽電池ウエハ表面1を、エッチング液を用いてエッチングする。第1エッチング工程では、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、等のアルカリを含むエッチング液、これらのアルカリとイソプロピルアルコールIPA、界面活性剤、キレート等の有機物を含む異方性エッチング液、アンモニア過酸化水素水、アンモニア水、混酸等をエッチング液として用いて太陽電池ウエハ表面1をエッチングしてダメージ層を除去し、太陽電池ウエハ表面1近傍に存在する金属および有機物等の不純物2を除去する。これにより、図3-1に示される太陽電池ウエハ表面1の近傍に存在する金属および有機物等不純物2は一旦除去されるが、図3-2に示すように太陽電池ウエハ5の表面に金属不純物6が再付着する。すなわち、図3-1に示されるように太陽電池ウエハ表面1に金属および有機物等不純物2が付着した状態から、エッチングにより図3-2に示すように太陽電池ウエハ表面1の金属および有機物等不純物2が除去され、さらに太陽電池ウエハ5の表面に金属不純物6が再付着した状態となる。なお、太陽電池ウエハ内部3には、金属不純物11が存在する。第1エッチング工程では、太陽電池ウエハ表面1から0.2μm~50μmの深さ範囲をエッチングする。このような深さのエッチング処理は、上述したエッチング液で0.1分~60分程度エッチングすることで行われる。第1エッチング工程のエッチング液として、水酸化カリウムKOH、水酸化ナトリウム、アンモニア水等のアルカリを含むエッチング液、または混酸HNO3HF等の酸を含むエッチング液を用いる場合には、その薬液濃度は0.01wt~96wt程度が好ましく、異方性エッチングするために使用する添加剤の濃度は0.01wt~50wtであることが好ましい。また、処理温度は、25°C~95°C程度が好ましい。第1エッチング工程の前には、オゾン水の様な酸化剤を用いて太陽電池ウエハ表面1に酸化膜を形成する洗浄処理と、その後にフッ酸を含む洗浄液を用いて太陽電池ウエハ表面1を洗浄して酸化膜およびこの酸化膜中に含まれる不純物を除去する洗浄処理を繰り返し実施してもよい。これにより、太陽電池ウエハ表面1の金属および有機物等不純物2を除去できるため、第1エッチング工程で金属および有機物の効果による異方性エッチングが抑制されて太陽電池ウエハ表面1が平坦になり、ピット形成工程で太陽電池ウエハ表面にピットを均一に形成しやすくなる。第1エッチング工程の後には、太陽電池ウエハ5に対して水洗処理等のリンス処理を実施することが好ましい。リンス処理は、超純水、純水、アノード水、カソード水、水素水等によるリンス処理が好ましい。水洗処理の処理時間は、0.1分~60分程度である。水洗処理は、水が蒸発しない90°Cの以下の温度で実施するのが好ましい。さらに、リンス処理後にフッ酸HF、塩酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3HNO3等で太陽電池ウエハ5の表面のアルカリを中和してもよい。つぎに、第1洗浄工程ステップS102において、太陽電池ウエハ5の表面を酸化して酸化膜を形成させる洗浄液を用いて太陽電池ウエハ5を洗浄し、太陽電池ウエハ5の表面に酸化膜を形成する。第1洗浄工程の洗浄処理に用いる洗浄液としては、酸化剤としてオゾンO3や過酸化水素H2O2を含む洗浄液オゾンO3水、過酸化水素H2O2水等、アンモニア水、アンモニア過酸化水素水、塩酸HCl、硝酸HNO3、硫酸H2SO4、燐酸H3PO4等の酸を含む洗浄液、塩酸HCl、硝酸HNO3、硫酸H2SO4等の酸と過酸化水素水H2O2とを含む洗浄液塩酸過酸化水素水、硫酸過酸化水素水等などを用いることができる。その中でもオゾンO3水、過酸化水素H2O2水、塩酸は、一般的な材料であり入手が容易である。第1洗浄工程の洗浄液にオゾン水を用いる場合のオゾン水洗浄処理時間は、1秒~60分程度であり、温度は50°C以下であることが好ましい。オゾン水洗浄処理を1秒~60分の間で実施し、オゾン水洗浄処理と第2洗浄工程ステップS103フッ酸洗浄処理とを繰り返し実施すれば、処理時間に関係なく太陽電池ウエハ5の表面の洗浄効果が得られる。また、第1洗浄工程では、1nm以下の膜厚の酸化膜が太陽電池ウエハ5の表面に形成される。この酸化膜は、オゾン水等の酸化膜を形成する洗浄液で0.1秒~600秒程度、太陽電池ウエハ5を洗浄することで形成される。しかし、この酸化膜の膜厚は、洗浄条件にもよるが処理時間10秒~60分の間で飽和してそれ以上処理を継続してもさらなる酸化膜の成長は生じない。このため、酸化膜を形成させる洗浄液による洗浄は、酸化膜が一定量成長する時間より長い時間実施する必要はない。ただし、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量を調節する場合には洗浄時間を10秒以下で実施することも必要である。なお、第1洗浄工程の洗浄液にオゾン水を用いる場合、オゾン水洗浄処理時間が変化してもオゾン水洗浄処理とフッ酸洗浄処理とを繰り返し実施すれば洗浄効果がほとんど変わらないとすると、オゾン濃度を高くしても洗浄効果は処理時間の変化と同様に変化しないと考えられるが、実際にオゾン濃度を高くするとオゾン水洗浄処理による洗浄効果は高くなる。オゾン濃度が10mg/L以上のオゾン水を用いてオゾン水洗浄処理を実施すると、さらに洗浄効果が高まる。このため、洗浄液に用いるオゾン水のオゾン濃度は、10mg/L~150mg/Lの範囲であることが好ましい。ただし、オゾン水の洗浄効果は、オゾン濃度が0.1~10mg/Lの範囲である場合でも得られる。このようにオゾン水のオゾン濃度を高くすると洗浄効果が向上する要因は、オゾン濃度を高くすることで、純水中や超純水中のオゾンと太陽電池ウエハ5の表面の金属および有機物等不純物2とが接触し易くなり、太陽電池ウエハ5とオゾン水とが接触する際に太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物6をイオン化し易くなることである。オゾン水洗浄処理では太陽電池ウエハ5の表面に酸化膜が形成され、この酸化膜が金属不純物のイオン化を抑制する。したがって、オゾン水洗浄において太陽電池ウエハ5の表面に酸化膜が形成される前に太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物6を効率良く除去するには、オゾン水のオゾン濃度が高い方が効果的である。第1洗浄工程の洗浄液として、塩酸HCl、硫酸H2SO4、過酸化水素水H2O2、アンモニアNH3水、硝酸HNO3等を用いる場合には、その薬液濃度は0.0001wt~96wt程度が好ましい。薬液濃度が96wtよりも高くても、形成される酸化膜の厚みは飽和するため、これ以上の薬液濃度で処理しても追加的な効果は期待できない。第1洗浄工程の前には、第1エッチング工程で洗浄した太陽電池ウエハ5を、純水や超純水等にフッ酸HFを含ませた洗浄液を用いて洗浄してもよい。また、第1洗浄工程ステップS102の後には、必要であれば太陽電池ウエハ5に対して水洗処理等のリンス処理を実施することが好ましい。リンス処理は、超純水、純水、アノード水、カソード水、水素水等によるリンス処理が好ましい。つぎに、第2洗浄工程ステップS103において、フッ酸HFを含む洗浄液を用いて太陽電池ウエハ5の表面を1秒~60分程度洗浄し、第1洗浄工程で形成された太陽電池ウエハ5の表面の酸化膜例えば酸化シリコンおよびこの酸化膜中に含まれる金属不純物を除去する。第2洗浄工程で使用する洗浄液は、フッ酸HFの濃度が0.01wt~50wtの水溶液であることが好ましい。そして、本実施の形態においては、第1洗浄工程ステップS102と第2洗浄工程ステップS103とを洗浄処理単位として、この洗浄処理単位を複数回繰り返して実施する。この第1洗浄工程ステップS102と第2洗浄工程ステップS103とを複数回繰り返すことによって、図3-2に示したように第1エッチング工程ステップS101において太陽電池ウエハ5の表面に付着した金属不純物6が徐々に除去される。除去されなかった金属不純物6は、図3-3に示されるように太陽電池ウエハ5の表面に残存する。これにより、図3-3に示されるように太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量金属不純物6の存在量の合計を調節することができる。そして、本実施の形態では、第1洗浄工程と第2洗浄工程とを繰り返し実施して太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量を調節することにより、拡散工程ステップS105前の太陽電池ウエハ5の表面における金属不純物6の合計を1×109atoms/cm2以上、1×1014atoms/cm2以下に調節する。ここで存在量の合計が調節される金属不純物には、カルシウムCa、マンガンMn、クロムCr、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、銅Cu、亜鉛Zn、チタンTi、銀Ag、インジウムIn、スズSn、カドミウムCd、モリブデンMo、アルミニウムAl、マグネシウムMg、金Au、白金Pt、パラジウムPdが含まれる。なお、Ca、Mn、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ti、Ag、In、Sn、Cd、Mo、Al、Mg、Au、Pt、Pdの金属不純物量が1×109atomscm2より少ない場合は、太陽電池ウエハ5のエッチング反応の触媒となる金属不純物が不足するため、次工程においてフッ酸過酸化水素水FPM:HF/H2O2/H2OによるFPM処理を実施しても太陽電池ウエハ5の表面にピット7が形成され難い。このため、その後に拡散処理等の熱処理を実施しても太陽電池ウエハ5内部の金属不純物が太陽電池ウエハ表面に集まり難い。したがって、拡散処理等の熱処理におけるゲッタリング効果が低く、効果的に太陽電池ウエハの高純度化改質ができない。また、Ca、Mn、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ti、Ag、In、Sn、Cd、Mo、Al、Mg、Au、Pt、Pdの金属不純物量が1×1014atomscm2より多い場合は、太陽電池ウエハ5のエッチング反応の触媒となる金属不純物が十分存在するため、次工程においてフッ酸過酸化水素水FPM:HF/H2O2/H2OによるFPM処理を実施することにより太陽電池ウエハ5の表面にピット7が大量に形成される。しかし、この場合はピット7が大量に形成される反面、その後の拡散処理等の熱処理において太陽電池ウエハ5内部に拡散する金属不純物量も増加する。したがって、効果的に太陽電池ウエハの高純度化改質ができない。なお、NaナトリウムおよびKカリウム等の金属は、シリコン等の太陽電池ウエハ5に対するFPM処理におけるエッチングの触媒反応には関与しない。しかし、これらの金属が太陽電池ウエハ5の表面に存在する場合は、太陽電池の特性を低下させる要因となる可能性がある。したがって、太陽電池ウエハ5の表面におけるNaナトリウムおよびKカリウム等の金属不純物量は、109atoms/cm2以下であることが好ましい。つぎに、ピット形成工程ステップS104において、フッ酸HFと、過酸化水素水、塩酸HCl、オゾンO3等の酸化剤と、を含む溶液で太陽電池ウエハ5を処理し、図3-4に示されるように太陽電池ウエハ5の表面に複数の微細なピット7を形成する。フッ酸HFと、過酸化水素H2O2水、塩酸、オゾンO3等の酸化剤を含む溶液による処理は、太陽電池ウエハ5の表面をエッチングする効果がある。その後、太陽電池ウエハ5の表面に、窒素N2ブロー乾燥、IPA乾燥、スピン乾燥等の乾燥処理を実施して太陽電池ウエハ5の表面の水分を除去する。ここで、太陽電池ウエハ5の表面に金属等の不純物が付着している場合に太陽電池ウエハ5の表面に効果的に微細なピット7を形成することができる。すなわち、図3-3に示した金属不純物6は、上述したエッチング液によるシリコン等の太陽電池ウエハ5とのエッチング反応を加速させる。これにより、図3-4に示すように太陽電池ウエハ5の表面に複数の微細なピット7が形成されて太陽電池ウエハ5の表面に多孔質層が形成される。この場合、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物6が多いほど太陽電池ウエハ5の表面に多孔質層を形成し易いが、その反面、太陽電池ウエハ5の表面から太陽電池ウエハ内部3に拡散する金属不純物量も多くなる。しかし、太陽電池ウエハ5の表面に付着している金属不純物量を調節できれば純度の高い太陽電池ウエハが得られる。そこで、ピット形成工程前に、上述した第1洗浄工程ステップS102と第2洗浄工程ステップS103と繰り返して太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量を調節し、太陽電池ウエハ5の表面に意図的に所定量の金属不純物6を付着させた状態にする。そして、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物6の触媒効果を用いてフッ酸HFと、過酸化水素水、塩酸、オゾンO3等の酸化剤を含む溶液を用いてピット形成処理を実施し、次に実施する拡散処理のゲッタリング効果を高める。ピット形成工程では、上述したエッチング液を用いて、太陽電池ウエハ5を1秒~60分程度洗浄およびエッチングする。これにより、太陽電池ウエハ5の表面に付着しているAg、Cu、Ni、Fe、Au、Pt、Pd等の金属不純物6による触媒効果により太陽電池ウエハ5のエッチング反応を加速させて、図3-3に示した太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物6と共に太陽電池ウエハ5の表面にピット7を形成する図3-4。ピット形成工程で使用するエッチング液は、例えばフッ酸HFを0.1wt~50wt、純水を50wt~99.9wt、酸化剤である過酸化水素水H2O2を0.1wt~30wt含む水溶液であることが好ましい。また、上記水溶液において酸化剤として過酸化水素水H2O2の代わりに、オゾンO3を含む場合はその濃度が0.1~30mg/L、HClを含む場合はその濃度が0.1wt~30wtである水溶液であることが好ましい。つぎに、拡散工程ステップS105において、太陽電池ウエハ5を加熱して太陽電池ウエハ5の表面にPリンまたはBボロン等の不純物元素を太陽電池ウエハ内部3に拡散させる。拡散工程では、例えばリンPまたはボロンBを含むガス中に太陽電池ウエハ5を曝露し、またはリンPまたはボロンB等の元素を含む化合物を太陽電池ウエハ5の表面に塗布して、100°C~950°C程度の温度で1分~120分程度熱処理を実施する。これにより太陽電池ウエハ5の表面の近傍に太陽電池ウエハ内部3の金属不純物11が集まり、さらにピット形成工程ステップS104で形成された多孔質層の近傍に金属不純物11が凝集する。この結果、図3-5に示されるように太陽電池ウエハ5の表面近傍および多孔質層の周辺に金属不純物8が集まる。なお、拡散工程の実施後には太陽電池ウエハ5の表面に酸化膜が形成されている場合があるため、純水や超純水等にフッ酸を含ませた洗浄液を用いて太陽電池ウエハ5を洗浄して酸化膜を除去することが好ましい。つぎに、第2エッチング工程ステップS106において、エッチング液を用いて太陽電池ウエハ5をエッチングすることにより、拡散工程ステップS105において太陽電池ウエハ5の表面近傍および多孔質層の周辺に凝集した金属不純物8を除去する。すなわち、第2エッチング工程では、拡散工程において金属不純物8が集まった高濃度不純物層を除去する。第2エッチング工程では、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH等のアルカリを含むエッチング液、これらのアルカリとイソプロピルアルコールIPA、界面活性剤、キレート等の有機物を含む異方性エッチング液、アンモニア過酸化水素水、アンモニア水、混酸等を用いて太陽電池ウエハ5を洗浄、エッチングする。これにより、図3-6に示されるように拡散工程ステップS105において太陽電池ウエハ5の表面近傍および多孔質層の周辺に凝集した金属不純物8が除去され、純度の高い太陽電池ウエハ5が得られる。第2エッチング工程では、太陽電池ウエハ5の表面から0.2μm~50μmの深さ範囲をエッチングする。このような深さのエッチング処理は、上述したエッチング液で0.1秒~60分程度エッチングすることで行われる。第1エッチング工程のエッチング液として、水酸化カリウムKOH、水酸化ナトリウム、アンモニア水等のアルカリを含むエッチング液、または混酸HNO3HF等の酸を含むエッチング液を用いる場合には、その薬液濃度は0.01wt~96wt程度が好ましく、異方性エッチングするために使用する添加剤の濃度は0.01wt~50wtであることが好ましい。また、処理温度は、25°C~95°C程度が好ましい。第2エッチング工程の後には、必要であれば太陽電池ウエハ5に対して水洗処理等のリンス処理を実施することが好ましい。リンス処理は、超純水、純水、アノード水、カソード水、水素水等によるリンス処理が好ましい。水洗処理の処理時間は、0.1分~60分程度である。水洗処理は、水が蒸発しない90°Cの以下の温度で実施するのが好ましい。つぎに、第3洗浄工程ステップS107において、洗浄液で太陽電池ウエハ5の表面を洗浄し、さらに水洗工程を必要に応じて組み合わせて洗浄工程を複数回実施し、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物を除去する。第2エッチング工程の後には、太陽電池ウエハ内部3の金属不純物8は除去されているが、太陽電池ウエハ5の表面には第2エッチング工程において表面に付着した金属不純物9が存在する。このため、第3洗浄工程では、太陽電池ウエハ5を洗浄することにより太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物9を除去して高清浄な太陽電池ウエハ表面10を得る。これにより、太陽電池ウエハ内部3および太陽電池ウエハ5の表面ともに高清浄な、バルクライフタイムが向上した太陽電池ウエハ5が得られる。第3洗浄工程の洗浄処理に用いる洗浄液としては、塩酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3等の酸を含む洗浄液、オゾンO3や過酸化水素H2O2等の酸化剤を含む洗浄液、アンモニアNH3水等が挙げられる。その後、太陽電池ウエハ表面10にパッシベーション膜として例えばアモルファスシリコンaSi、窒化シリコンSiN等を形成することで、従来よりも太陽電池ウエハ5の内部の再結合速度を低く抑えることができ、太陽電池ウエハ5のバルクライフタイムが向上する。なお、第1エッチング工程~第3洗浄工程ステップS101~ステップS107において使用する溶液の溶媒は、純水、超純水、アノード水、カソード水、水素水等の機能水を使用することができる。また、第1エッチング工程~第3洗浄工程ステップS101~ステップ107では、必要に応じて超音波洗浄、電解処理、乾燥処理等を実施することができる。なお、実施の形態のそれぞれのウエットプロセスステップS101~ステップS107の前後には水洗処理等を実施してもよい。つぎに、比較のため従来の太陽電池ウエハの洗浄方法について説明する。まず、特許文献1に記載された洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法について、図4-1~図4-6を参照して説明する。図4-1~図4-6は、特許文献1に記載された洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を模式的に示す断面図である。特許文献1の洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を実施した場合は、まず図4-1に示す太陽電池ウエハ表面1をエッチングすることによりダメージ層4を除去し、太陽電池ウエハ表面1近傍に存在する金属および有機物等の不純物2を除去する図4-2。この際、ダメージ層4および太陽電池ウエハ内部3に存在する金属不純物がエッチング液中に溶け出して金属不純物6として太陽電池ウエハ5の表面に再付着する。なお、太陽電池ウエハ内部3には、金属不純物11が存在する。この太陽電池ウエハ5に対してオゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理とを繰り返して太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量の調節処理を実施すると、図4-3に示すように太陽電池ウエハ5の表面に付着した金属不純物6が除去され、除去されなかった金属不純物6が太陽電池ウエハ5の表面に残存する。つぎに、純水洗浄処理および乾燥処理を実施した後に、フッ酸過酸化水素水FPM:HF/H2O2/H2OによるFPM処理を実施せずに、太陽電池ウエハ5に拡散ゲッタリング処理を実施すると、図4-4に示されるように太陽電池ウエハ5の表面近傍および多孔質層の周辺に金属不純物8が集まるとともに太陽電池ウエハ内部3に金属不純物6が拡散する。そして、この状態で太陽電池ウエハ5の表面にエッチング処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面近傍に集まった金属不純物8が除去されるが、ゲッタリング効果が低いため太陽電池ウエハ内部3の金属不純物は除去され難く、太陽電池ウエハ内部3には金属不純物11が多く残存する。また、太陽電池ウエハ5の表面には金属不純物9が付着する図4-5。その後、太陽電池ウエハ5の表面に洗浄処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物9が除去されるため、高清浄な太陽電池ウエハ表面10が得られる。しかし、太陽電池ウエハ内部3には内在していた金属不純物11および拡散した金属不純物6が多く残存し、太陽電池ウエハ内部3の高純度化改質はできない。つぎに、特許文献2に記載された洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法について、図5-1~図5-6を参照して説明する。図5-1~図5-6は、特許文献2に記載された洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を模式的に示す断面図である。特許文献2の洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を実施した場合は、まず図5-1に示す太陽電池ウエハ表面1をエッチングすることによりダメージ層4を除去し、太陽電池ウエハ表面1近傍に存在する金属および有機物等の不純物2を除去する図5-2。この際、ダメージ層4および太陽電池ウエハ内部3に存在する金属不純物がエッチング液中に溶け出して金属不純物6として太陽電池ウエハ5の表面に再付着する。なお、太陽電池ウエハ内部3には、金属不純物11が存在する。この太陽電池ウエハ5に対してオゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理とを実施せずに、すなわち洗浄による太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量の調節処理を実施せずにFPMHFH2O2処理を実施する。この場合は、太陽電池ウエハ5の表面は、金属不純物6が大量に付着している状態であるため、太陽電池ウエハ5の表面には大量のピット7が形成され、太陽電池ウエハ5の表面に多孔質層を有する図5-3に示す太陽電池ウエハ5が得られる。そして、純水洗浄処理および乾燥処理を実施した後に太陽電池ウエハ5に拡散ゲッタリング処理を実施すると、図5-4に示されるように太陽電池ウエハ5の表面近傍およびピット7の近傍に金属不純物8が集まるとともに太陽電池ウエハ内部3に金属不純物6が拡散する。そして、この状態で太陽電池ウエハ5の表面にエッチング処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面近傍に集まった金属不純物8が除去されるが、太陽電池ウエハ5の表面には金属不純物9が付着する図5-5。その後、太陽電池ウエハ5の表面に洗浄処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物9が除去されるため、高清浄な太陽電池ウエハ表面10が得られる。しかし、太陽電池ウエハ内部3には金属不純物6が多く残存し、太陽電池ウエハ内部3の高純度化改質はできない。上記のように、特許文献1の洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を実施した場合は、太陽電池ウエハ5の表面の洗浄処理オゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理を実施するがFPM処理を実施しない。このため、太陽電池ウエハ5の表面に微細なピット7が形成されず、拡散ゲッタリング処理を実施してもゲッタリング効果が低く、該太陽電池ウエハ5ではバルクライフタイムが向上しない。また、特許文献2の洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を実施した場合は、太陽電池ウエハ5の表面の洗浄処理オゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理を実施していないため、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量を調節できず、拡散ゲッタリング処理時に多量の金属不純物6が太陽電池ウエハ内部3に拡散する。この太陽電池ウエハ5内部に拡散した金属不純物6は、その後のエッチングおよび洗浄では除去できない。このため、該太陽電池ウエハ5ではバルクライフタイムが向上しない。したがって、これらいずれの改質方法においては、太陽電池ウエハの改質効果は十分には得られず、太陽電池ウエハ5のバルクライフタイムは向上しない。つぎに、特許文献1および特許文献2に記載された洗浄プロセスを組み合わせた太陽電池ウエハの改質方法について、図6-1~図6-7を参照して説明する。図6-1~図6-7は、特許文献1および特許文献2に記載された洗浄プロセスに基づいた太陽電池ウエハの改質方法を模式的に示す断面図である。特許文献1および特許文献2に記載された洗浄プロセスを組み合わせた太陽電池ウエハの改質方法を実施した場合は、図6-1に示す太陽電池ウエハ表面1をエッチングすることによりダメージ層4を除去し、太陽電池ウエハ表面1近傍に存在する金属および有機物等の不純物2を除去する図6-2。この際、ダメージ層4および太陽電池ウエハ内部3に存在する金属不純物がエッチング液中に溶け出して金属不純物6として太陽電池ウエハ5の表面に再付着する。なお、太陽電池ウエハ内部3には、金属不純物11が存在する。この太陽電池ウエハ5に対してオゾン水洗浄処理とDHF洗浄処理とを繰り返して実施すると、図6-3に示すように太陽電池ウエハ5の表面に付着した金属不純物6が除去され、除去されなかった金属不純物6が太陽電池ウエハ5の表面に残存する。しかし、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量は調節されないため、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量は例えば1×109atoms/cm2未満となる。この太陽電池ウエハ5に対してFPMHFH2O2処理を実施する。この場合は、太陽電池ウエハ5の表面には金属不純物6がほとんど存在しないため、太陽電池ウエハ5の表面にピット7が形成され難く、図6-4に示されるようにピット7の少ない太陽電池ウエハ5が得られる。そして、純水洗浄処理および乾燥処理を実施した後に太陽電池ウエハ5に拡散ゲッタリング処理を実施すると、図6-5に示されるように太陽電池ウエハ5の表面近傍およびピット7の近傍に金属不純物8が集まるとともに太陽電池ウエハ5内部に金属不純物6が拡散する。しかし、ピット7の数が少ないため太陽電池ウエハ5内部の金属不純物のゲッタリング効果が低く、太陽電池ウエハ5内部の金属不純物が太陽電池ウエハ5の表面に集まり難い。そして、この状態で太陽電池ウエハ5の表面にエッチング処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面に集まった太陽電池ウエハ内部3の金属不純物は除去されるが、ゲッタリング効果が低いため太陽電池ウエハ内部3の金属不純物は除去され難く、太陽電池ウエハ内部3には金属不純物11が多く残存する。また、太陽電池ウエハ5の表面には金属不純物9が付着する図6-6。その後、太陽電池ウエハ5の表面に洗浄処理を実施すると、太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物9が除去されるため、高清浄な太陽電池ウエハ表面10が得られる。しかし、太陽電池ウエハ内部3には内在していた金属不純物11および拡散した金属不純物6が多く残存し、太陽電池ウエハ内部3の高純度化改質はできない。上記のように、特許文献1および特許文献2に記載された洗浄プロセスを組み合わせた太陽電池ウエハの改質方法においても、太陽電池ウエハの改質効果は十分には得られず、太陽電池ウエハ5のバルクライフタイムは向上しない。これに対して、上述した本実施の形態では、太陽電池ウエハ5に酸化膜を形成する第1洗浄工程オゾン水洗浄処理等とこの酸化膜を除去する第2洗浄工程DHF処理等とを複数回繰り返し実施して太陽電池ウエハ5の表面の金属不純物量を1×109atoms/cm2以上、1×1014atoms/cm2以下に調節し、太陽電池ウエハ5の表面にピットを形成した後に、拡散処理の熱処理を実施し、太陽電池ウエハ5表面のエッチング処理および洗浄を実施する。これにより、本実施の形態では、太陽電池ウエハ5の改質効果が高くなり、太陽電池ウエハ5の内部を効率的に高純度化改質できるため、従来よりもバルクライフタイムを長くする、すなわち表面再結合速度を低く抑えることができる。さらに、改質した太陽電池ウエハ5の表面にパッシベーション膜を形成することで、従来よりもバルクライフタイムをより長くする、すなわち表面再結合速度をより低く抑えることができ、該太陽電池ウエハ5を用いた太陽電池の光電変換効率を大きく向上させることが可能となる。つぎに、具体的な実施例に基づいて本発明を説明する。本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法の効果を検証するために、浸漬式洗浄を用いて本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法の実施例と、比較例との比較を行った。実施例および比較例における拡散工程前の処理条件を表1に示す。実施例および比較例において被改質太陽電池基板に用いた太陽電池ウエハ5は、サイズが100mm角のn型単結晶シリコンウエハ以下、シリコンウエハと呼ぶ場合があるであり、比抵抗3Ωcmである。実施例では、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法を用いてシリコンウエハにウエハ改質処理を実施した。実施例にかかる半導体基板の改質方法のプロセスは、図3-1~図3-7に示した断面図に対応している。まず、第1エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いて図3-1に示されるシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した。その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図3-2。つぎに、第1洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを1分間洗浄してシリコンウエハ表面に酸化膜を形成した。シリコンウエハに水洗を実施した後、第2洗浄工程としてフッ酸HF濃度が0.5wtのフッ酸を含む洗浄液DHF25°Cを用いてシリコンウエハを1分間洗浄して、シリコンウエハ表面の酸化膜を除去した。そして、シリコンウエハに水洗処理を実施した後、第1洗浄工程と第2洗浄工程とを単位洗浄処理として該単位洗浄処理の実施回数が3回~50回となるように単位洗浄処理を繰り返して実施し、シリコンウエハ表面の金属不純物量を1×109atoms/cm2以上、1×1014atoms/cm2以下とした図3-3。つぎに、ピット形成工程として、フッ酸HF濃度が0.5wtの過酸化水素水H2O2を0.5wtを含むFPM溶液25°Cを用いてシリコンウエハを20分間処理することによりシリコンウエハ表面にピット7を形成して多孔質層を形成した図3-4。つぎに、シリコンウエハを乾燥し、拡散工程として800°CのPOCl3ガス中で拡散処理ゲッタリング処理を実施した図3-5。つぎに、第2エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いてシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した、その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図3-6。つぎに、第3洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを10分間洗浄し、その後、フッ酸HF0.5wt処理を1分実施した。この第3洗浄工程を20回繰り返した図3-7。そして、シリコンウエハの乾燥処理を実施した後、シリコンウエハ表面にアモルファスシリコンを成膜してライフタイムを評価した。さらに、このシリコンウエハを用いて太陽電池セルを作製し、太陽電池セルのセル特性を評価した。比較例1では、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法と同様の手順を用いて、シリコンウエハ表面の金属不純物量を1×1014atomscm2より多くしてシリコンウエハにウエハ改質処理を実施した。比較例1にかかる半導体基板の改質方法のプロセスは、図7-1~図6-7に示した断面図に対応している。まず、第1エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いて図7-1に示されるシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した。その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図7-2。つぎに、第1洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを1分間洗浄してシリコンウエハ表面に酸化膜を形成した。シリコンウエハに水洗処理を実施した後、第2洗浄工程としてフッ酸HF濃度が0.5wtのフッ酸を含む洗浄液DHF25°Cを用いてシリコンウエハを1分間洗浄して、シリコンウエハ表面の酸化膜を除去した。そして、シリコンウエハに水洗処理を実施した後、第1洗浄工程と第2洗浄工程とを単位洗浄処理として該単位洗浄処理の実施回数が1回および2回となるように単位洗浄処理を繰り返して実施し、シリコンウエハ表面の金属不純物量を1×1014atoms/cm2より多くした図7-3。つぎに、ピット形成工程として、フッ酸HF濃度が0.5wtの過酸化水素水H2O2を0.5wtを含むFPM溶液25°Cを用いてシリコンウエハを20分間処理することによりシリコンウエハ表面にピットを形成して多孔質層を形成した図7-4。つぎに、シリコンウエハを乾燥し、拡散工程として800°CのPOCl3ガス中で拡散処理ゲッタリング処理を実施した図7-5。つぎに、第2エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いてシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した、その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図7-6。つぎに、第3洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを10分間洗浄し、その後、フッ酸HF0.5wt処理を1分実施した。この第3洗浄工程を20回繰り返した図7-7。そして、シリコンウエハの乾燥処理を実施した後、シリコンウエハ表面にアモルファスシリコンを成膜してライフタイムを評価した。さらに、このシリコンウエハを用いて太陽電池セルを作製し、太陽電池セルのセル特性を評価した。比較例2では、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法と同様の手順を用いて、シリコンウエハ表面の金属不純物量を1×109atoms/cm2より少なくしてシリコンウエハにウエハ改質処理を実施した。比較例2にかかる半導体基板の改質方法のプロセスは、図6-1~図6-7に示した断面図に対応している。まず、第1エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いて図6-1に示されるシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した。その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図6-2。つぎに、第1洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを1分間洗浄してシリコンウエハ表面に酸化膜を形成した。シリコンウエハに水洗を実施した後、第2洗浄工程としてフッ酸HF濃度が0.5wtのフッ酸を含む洗浄液DHF25°Cを用いてシリコンウエハを1分間洗浄して、シリコンウエハ表面の酸化膜を除去した。そして、シリコンウエハに水洗処理を実施した後、第1洗浄工程と第2洗浄工程とを単位洗浄処理として該単位洗浄処理の実施回数が100回となるように単位洗浄処理を繰り返して実施し、シリコンウエハ表面の金属不純物量を1×109atoms/cm2より少なくした図6-3。つぎに、ピット形成工程として、フッ酸HF濃度が0.5wtの過酸化水素水H2O2を0.5wtを含むFPM溶液25°Cを用いてシリコンウエハを20分間処理することによりシリコンウエハ表面にピット7を形成して多孔質層を形成した図6-4。つぎに、シリコンウエハを乾燥し、拡散工程として800°CのPOCl3ガス中で拡散処理ゲッタリング処理を実施した図6-5。つぎに、第2エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いてシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した、その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図6-6。つぎに、第3洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを10分間洗浄し、その後、フッ酸HF0.5wt処理を1分実施した。この第3洗浄工程を20回繰り返した図6-7。そして、シリコンウエハの乾燥処理を実施した後、シリコンウエハ表面にアモルファスシリコンを成膜してライフタイムを評価した。さらに、このシリコンウエハを用いて太陽電池セルを作製し、太陽電池セルのセル特性を評価した。比較例3では、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法においてピット形成工程を実施せずにシリコンウエハにウエハ改質処理を実施した。比較例3にかかる半導体基板の改質方法のプロセスは、図4-1~図4-6に示した断面図に対応している。まず、第1エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いて図4-1に示されるシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した。その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図4-2。つぎに、第1洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを1分間洗浄してシリコンウエハ表面に酸化膜を形成した。シリコンウエハに水洗を実施した後、第2洗浄工程としてフッ酸HF濃度が0.5wtのフッ酸を含む洗浄液DHF25°Cを用いてシリコンウエハを1分間洗浄して、シリコンウエハ表面の酸化膜を除去した。そして、シリコンウエハに水洗処理を実施した後、第1洗浄工程と第2洗浄工程とを単位洗浄処理として該単位洗浄処理の実施回数が1回~100回となるように単位洗浄処理を繰り返して実施し、シリコンウエハ表面の金属不純物量が1×109atoms/cm2未満、1×109atoms/cm2以上かつ1×1014atoms/cm2以下、1×1014atoms/cm2より多いウエハを作製した図4-3。つぎに、ピット形成工程を実施せずにシリコンウエハを乾燥し、拡散工程として800°CのPOCl3ガス中で拡散処理ゲッタリング処理を実施した図4-4。つぎに、第2エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いてシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した、その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図4-5。つぎに、第3洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを10分間洗浄し、その後、フッ酸HF0.5wt処理を1分実施した。この第3洗浄工程を20回繰り返した図4-6。そして、シリコンウエハの乾燥処理を実施した後、シリコンウエハ表面にアモルファスシリコンを成膜してライフタイムを評価した。さらに、このシリコンウエハを用いて太陽電池セルを作製し、太陽電池セルのセル特性を評価した。比較例4では、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法においてピット形成工程を実施せずにシリコンウエハにウエハ改質処理を実施した。比較例4にかかる半導体基板の改質方法のプロセスには、図5-1~図5-6に示した断面図が対応する。まず、第1エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いて図5-1に示されるシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した。その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図5-2。つぎに、第1洗浄工程および第2洗浄工程を実施せずにシリコンウエハ表面の金属不純物量を1×1014atoms/cm2以上とした状態で、ピット形成工程として、フッ酸HF濃度が0.5wtの過酸化水素水H2O2を0.5wtを含むFPM溶液25°Cを用いてシリコンウエハを20分間処理することによりシリコンウエハ表面にピット7を形成して多孔質層を形成した図5-3。つぎに、シリコンウエハを乾燥し、拡散工程として800°CのPOCl3ガス中で拡散処理ゲッタリング処理を実施した図5-4。つぎに、第2エッチング工程として、水酸化ナトリウムアルカリ1.5wtとイソプロピルアルコール5wtとを含むエッチング液を用いてシリコンウエハを30分間エッチングするとともにシリコンウエハ表面にテクスチャを形成した、その後、フッ酸HF0.5wtを含む処理液によりシリコンウエハを1分間処理し、シリコンウエハ表面のアルカリを中和した図5-5。つぎに、第3洗浄工程として、オゾン濃度が30mg/L25°Cのオゾン水を用いてシリコンウエハを10分間洗浄し、その後、フッ酸HF0.5wt処理を1分実施した。この第3洗浄工程を20回繰り返した図5-6。そして、シリコンウエハの乾燥処理を実施した後、シリコンウエハ表面にアモルファスシリコンを成膜してライフタイムを評価した。さらに、このシリコンウエハを用いて太陽電池セルを作製し、太陽電池セルのセル特性を評価した。上記した実施例および比較例1、2、3、4における拡散前処理条件、単位洗浄処理第1洗浄工程第1洗浄工程の実施回数、ピット形成工程前のシリコンウエハ表面の金属不純物量atoms/cm2、ライフタイムμsecを表1および図8に示す。図8は、シリコンウエハ表面の金属不純物量とバルクライフタイムとの関係を示す特性図である。また、太陽電池セルを作製するために、実施例および比較例1、2、3、4のシリコンウエハの表面にCVD成膜装置でアモルファスシリコン膜を形成して、その上にITO電極を成膜した。さらに、ITO電極レーザーで開口してAg電極を取り付けた。作製した各太陽電池セルについてI-V測定を実施してセル特性、すなわち太陽電池セルの光電変換効率を評価した。その結果を表1および図9に示す。図9は、シリコンウエハ表面の金属不純物量と太陽電池セルの光電変換効率との関係を示す特性図である。表1および図8、図9からわかるように、実施の形態にかかる半導体基板の改質方法を実施した実施例では、シリコンウエハにおける電荷キャリアの再結合抑制効果および太陽電池セルの光電変換効率が比較例1乃至4を大幅に上回った。すなわち、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法により、シリコンウエハのバルクライフタイムを従来よりも向上させることができる。さらに、該シリコンウエハの表面にパッシベーション膜を形成することで、バルクライフタイムをより長くすることができ、太陽電池セルの光電変換効率を大きく向上させることが可能となる。なお、実施例および比較例1乃至3においては、単位洗浄処理第1洗浄工程オゾン水洗浄第2洗浄工程DHF処理の実施回数を変化させて、シリコンウエハ表面の金属不純物量を調節している。しかし、単位洗浄処理を実施する前のシリコンウエハ表面の金属不純物量は使用するシリコンウエハの種類メーカーや前処理条件エッチング処理条件等により変化する。また、シリコンウエハ表面の金属不純物は、シリコンウエハ表面に付着している有機物や単位洗浄処理前の処理エッチング処理条件等によってシリコンウエハ表面から除去され難い場合や除去され易い場合がある。したがって、シリコンウエハ表面の金属不純物量は、酸化膜を形成する第1洗浄工程と該酸化膜を除去する第2洗浄工程との実施回数によって決まるものではない。ただし、シリコンウエハ表面の金属不純物量は、酸化膜を形成する第1洗浄工程オゾン水洗浄と該酸化膜を除去する第2洗浄工程DHF処理との実施回数が多いほど減少する傾向にある。以上説明したように、実施の形態にかかる半導体基板の改質方法においては、拡散処理の熱処理前に、半導体基板に酸化膜を形成する第1洗浄工程オゾン水洗浄処理等とこの酸化膜を除去する第2洗浄工程DHF処理等とを複数回繰り返し実施し、かつ処理回数を調節して、半導体基板の表面の金属不純物量を1×109atomscm2以上、1×1014atomscm2以下に調節する。すなわち、拡散等の熱処理前に、半導体基板の表面の金属不純物量を調節して、意図的に半導体基板の表面に金属不純物を付着させた状態にする。つぎに、半導体基板の表面に付着した金属不純物の触媒効果を用いて半導体基板の表面に化学的に微細なピットを形成するピット形成工程FPM処理を実施して、ゲッタリング時に半導体基板内部の金属不純物が半導体基板の表面が集まり易くし、ゲッタリング効果を高める。つぎに、半導体基板にリンPまたはボロンBなどを拡散させて半導体基板内部に金属不純物を拡散させ難くして拡散等の熱処理を実施し、半導体基板の表面に該半導体基板内部の金属不純物を集める。そして、ゲッタリングにより半導体基板の表面に集まった金属不純物をエッチング処理により除去し、半導体基板の表面に洗浄処理を実施する。これにより、半導体基板の表面および内部の金属不純物を効率的に除去でき、表面および内部ともに高清浄な、バルクライフタイムに優れた半導体基板が得られる。また、このようにして得られた半導体基板の表面にパッシベーション膜を形成することにより表面再結合速度を従来よりも低く抑えることができバルクライフタイムをさらに長くできる。また、産業利用の際に、受け入れおよび購入時未加工の太陽電池ウエハ表面の金属および有機不純物量は、ウエハのインゴットおよびスライス工程ごとに変化する。したがって、太陽電池セル作製前にウエハ表面の金属不純物量を抜き取り評価し、オゾン水洗浄とフッ酸処理との繰返し処理回数を受け入れおよび購入時のウエハのインゴットおよびスライス工程毎に適宜決めることが好ましい。これにより、上記第1洗浄工程オゾン水洗浄、ステップS102と上記第2洗浄工程フッ酸処理、ステップS103との繰り返し処理で、再現性良くウエハ表面の金属不純物量を調節することが出来る。そして、本実施の形態にかかる半導体基板の改質方法で改質した半導体基板を用いて太陽電池セルを作製することにより太陽電池セルの光電変換効率を向上させることができ、光電変換効率不足に起因した不要発生を抑制して太陽電池の歩留まりを向上させることができる。本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、上記実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態にわたる構成要件を適宜組み合わせてもよい。