"磁気抵抗薄膜の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界の強度を評価する磁界強度センサであって、基板に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度傾斜させた状態で保持する、ことを特徴とする磁界強度センサ。請求項1において、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して5度~30度の角度で傾斜させた状態で保持することを特徴とする磁界強度センサ。請求項1または2において、上記基板がポリイミドフィルムであることを特徴とする磁界強度センサ。請求項1~3のいずれかにおいて、上記磁気抵抗薄膜は、合金薄膜であって、磁歪定数が小さく150°C以上の高キュリー温度を有することを特徴とする磁界強度センサ。被測定導線を貫通させる環状磁気コアにギャップを設け、このギャップに請求項1~4のいずれかに記載の磁気センサを介装させることにより、上記導線に流れる直流電流を測定するようにしたことを特徴とする直流電流センサ。請求項1~4のいずれかに記載の上記磁界強度センサを用いて、上記磁気抵抗薄膜の膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度傾斜させた状態で上記抵抗値変化を検出することを特徴とする磁界強度測定方法。ホール素子はGaAsなどの化合物半導体基板を用いて構成され、一定の電流供給下で磁界強度にほぼ比例した起電力いわゆるホール電圧を発生する。このホール電圧から磁界強度を定量検出することができる。しかし、このホール素子は4端子の能動素子で電流供給が必要なため、センサ部および測定回路の構成が複雑になりやすいという問題があった。また、温度特性にも問題があり、高温タイプのInAs素子でも最高耐熱温度が125°C程度であるため、使用環境の制約が大きいという問題があった。一方、MR素子は基板に磁気抵抗薄膜の導体パターンを形成することにより構成され、その磁気抵抗薄膜の抵抗値変化から磁界強度を検出するものであって、回路構成が簡単であり、また形状の自由度が高い。このため、ホール素子に比べてセンサ部および測定回路の構成を簡単化できるという利点がある。さらに、磁気抵抗薄膜には、Ni,Fe,Coなどの強磁性元素からなる合金薄膜を使用することができるが、そのキュリー温度は高く、400°C以上のキュリー温度を示す。したがって、温度特性や耐熱性にすぐれたものを得やすく、ホール素子の使用が困難な環境下でも使用できるという利点がある。しかし、このMR素子には磁界強度に対する抵抗値変化の直線性が悪いという問題があり、このため、精度を要求される磁界強度測定ではホール素子に大きく劣っていた。また、磁気センサとしての感度が低く、微弱な磁界強度の評価には適さないという問題もあった。MR素子の検出感度を高める方法としては、磁気バイアスをかける方法が提案されているが、この場合は、その磁気バイアスをかけるために構成が大幅に複雑化し、MR素子を用いることの利点が損なわれてしまう。本発明は以上のような背景を鑑みてなされたもので、その目的は、構成を複雑化することなく、MR素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにすることにある。本発明の上記以外の目的および構成については、本明細書の記述および添付図面にてあきらかにする。本発明が提供する解決手段は以下のとおりである。1磁気抵抗薄膜の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界の強度を評価する磁界強度センサであって、基板に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度傾斜させた状態で保持する、ことを特徴とする磁界強度センサ。2上記手段1において、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して5度~30度の角度で傾斜させた状態で保持することを特徴とする磁界強度センサ。3上記手段1または2において、上記基板がポリイミドフィルムであることを特徴とする磁界強度センサ。4上記手段1~3のいずれかにおいて、上記磁気抵抗薄膜は、合金薄膜であって、磁歪定数が小さく150°C以上の高キュリー温度を有することを特徴とする磁界強度センサ。5被測定導線を貫通させる環状磁気コアにギャップを設け、このギャップに上記手段1~4のいずれかに記載の磁気センサを介装させることにより、上記導線に流れる直流電流を測定するようにしたことを特徴とする直流電流センサ。6上記手段1~4のいずれかに記載の上記磁界強度センサを用いて、上記磁気抵抗薄膜の膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度傾斜させた状態で上記抵抗値変化を検出することを特徴とする磁界強度測定方法。構成を複雑化することなく、MR素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようになる。たとえば直流電流センサに用いれば、直流電流を高感度および高精度に測定することができる。上記以外の作用/効果については、本明細書の記述および添付図面にてあきらかにする。図1は、本発明の第1実施形態をなす磁界強度センサの平面図および斜視図を示す。同図に示す磁界強度センサ10は、MR素子磁気抵抗薄膜素子20と、このMR素子20を保持する保持具30とによって主要部が構成されている。MR素子20は、図2に拡大して示すように、非磁性で絶縁性の薄い素子基板21に磁気抵抗薄膜22による導電パターンが葛折れ状に形成されている。素子基板21にはポリイミドフィルムが使用されている。このポリイミドフィルムは保形性と可撓性を有して曲げなどに対する形状の自由度が高く、耐熱温度も350°Cと高い。磁気抵抗薄膜22は、主としてNi,Fe,Coなどの強磁性元素からなる合金薄膜が使用されている。この種の合金薄膜は磁歪定数が非常に小さいとともに、400°C以上の高キュリー温度を示す。このような素子基板21と磁気抵抗薄膜22の組み合わせにより、ホール素子よりも遙かに高い耐熱性の磁気センサが構成されている。磁気抵抗薄膜22はスパッタリングにより形成され、フォトリソグラフィ技術によって葛折れ状の導電路にパターニングされている。その導電路の両端は端子パッド部23にそれぞれ接続している。保持具30は、図1のa~cに示すように、細長い薄板状のリード基板31を用いて構成されている。このリード基板31は、高耐熱性の非磁性絶縁材であるポリイミドフィルムを用いて構成され、保形性と可撓性を有する。つまり、長形の薄い板バネ状をなしている。このリード基板31の先端部に上記MR素子20が接着等により装着保持されている。リード基板31の表面には印刷配線によるリード配線32が形成されている。リード配線32の先端部はボンディングワイヤ33を介して上記端子パッド部23に接続される。また、その基端部は、図3に示すように、ケーブル11などを介して測定装置50に接続されるようになっている。測定装置50は、図3に示すように、MR素子20の磁気抵抗変化量を測定する抵抗測定回路51、測定された抵抗変化量を磁界強度に変換するデータ変換回路52、および抵抗変化量から変換された磁界強度を表示器等に出力する出力装置53などによって構成される。上記MR素子20は、図1のcに示すように、磁気抵抗薄膜22面P2がリード基板31の保持面P1に対して所定角度5度~30度で傾斜するように装着保持されている。このために、MR素子20の一辺の下側とリード基板31との間にスペーサ部材41が介装されている。そして、このスペーサ部材41の高さにより、所定の傾斜角度が設定されている。これにより、リード基板31の保持面P1を基準面とし、この基準面が被測定磁界方向Mxの鉛直面P1となるように保持具30を操作して設置すると、MR素子20の磁気抵抗薄膜22面がその磁界Mx方向の鉛直面P1に対して所定角度5度~30度だけ傾斜させられる。上記のように、本発明の磁界強度センサ10は、MR素子20の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Mxの強度を定量検出するに際し、図4のaとbに示すように、上記磁気抵抗薄膜22面を磁界方向の鉛直面P1に対して所定角度θだけ傾斜させた状態で上記抵抗値変化を検出することができるように構成されている。図5~図8に示すグラフa~gは、磁界強度の変化に対するMR素子20の磁気抵抗変化状態をそれぞれ示す。この場合、MR素子20はポリイミドフィルム基板を用いた。磁気抵抗薄膜22はCuまたはTiの下地層50nm厚にNi80Fe20合金層100nm厚を積層したものを、コイル幅200μm,コイルスペース50μmの導電パターンに形成した。グラフaは上記傾斜角度θが0度の場合の磁気抵抗変化状態を示す。これは磁気抵抗薄膜が磁界方向の鉛直面に平行な場合である。この場合、印加磁界の強度が±160kA/m以下で磁気抵抗の変化が緩慢であるとともに、磁気抵抗変化にヒステリシスが見られる。このため、磁気抵抗変化の緩慢領域では磁界強度検出の感度が低下し、ヒステリシス領域では検出の精度が悪化してしまう。さらに、印加磁界の強度が±500kA/m付近で抵抗変化曲線の急な折れ曲がりが生じている。このため、印加磁界の強度が大きい場合でも、磁界強度に対する抵抗値変化の直線性が悪く、高精度の検出が行えないという問題が生じる。ところが、磁気抵抗薄膜を磁界方向の鉛直面に対して傾けると、つまり、上記傾斜角度θをゼロよりも大きい有意な角度にすると、グラフb~gにそれぞれ示すように、印加磁界強度が小さい領域での磁気抵抗変化の直線性が改善されるとともに、抵抗変化曲線の急な折れ曲がりが解消あるいは緩和され、これにより、検出の感度および精度が共に大幅に改善されることが判明した。これは本発明者らにより知得されたものであり、本発明はこの知得に基づいている。傾斜の方向については、グラフcとd、グラフeとfがそれぞれ同角度で左方向と右方向に傾斜させた場合の特性を示すが、左右どちらに傾斜した場合でも、その傾斜角度θに応じた特性が得られた。さらに、上記傾斜角度θの最適化について本発明者らは、表1および図9に示すように、上記傾斜角度θを5度以上にすると、磁気抵抗変化のヒステリシス発生をほぼ抑制できることを知得した。また、上記傾斜角度θが20度以上になると、グラフgに示すように、磁気抵抗が高感度に変化する領域が狭まる傾向、つまり、高感度検出のダイナミックレンジが狭まる傾向が現れるようになる。このため、その高感度検出のダイナミックレンジを80kA/m以上確保するためには、表1および図9にその実証データ例を示すように、上記傾斜角度θを30度以下とすればよいことが判明した。表1は、磁気抵抗薄膜としてCu50nm厚/Ni80Fe20合金100nm厚を積層したものを、コイル幅100μm,コイルスペース50μmの導電パターンに形成し、この磁気抵抗薄膜の測定角度磁界方向の鉛直面に対する傾斜角度に対する抵抗変化のヒステリシスの状態と、抵抗変化曲線の急な折れ曲がりが生じるところの磁界強度折れ曲がり磁界強度[kA/m]の状態を示す。磁気変化を抵抗変化として感度良く測定できる範囲いわゆる測定ダイナミックレンジは、表1における折れ曲がり磁界[kA/m]によって示される。図9は、上記測定角度に対するダイナミックレンジ[kA/m]の状態をグラフ化して示す。上記によれば、図1~図3に示した磁界強度センサ10は、MR素子20の磁気抵抗薄膜22面P2を磁界方向の鉛直面P1に対して5度~30度の角度で傾斜させた状態で保持するように構成されていることがとくに望ましい。MR素子では、たとえば、Ni80Fe20合金薄膜のように、磁歪定数の非常に小さい磁気抵抗薄膜を用いたとしても、歪による薄膜の磁化変化により、異方性分散が生じる。この異方性分散が磁気抵抗変化にヒステリシスを生じさせると考えられる。しかし、この異方性分散の影響は、磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して傾斜させることにより軽減されることが判明した。さらに、その異方性分散の影響を無くすためには、上記のように、磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して5度以上傾けるとよいことが判明した。さらに、その異方性分散による影響の回避に着目するならば、上記傾斜角度θは、15度~30度の範囲がより望ましいことが判明した。上記実施形態では、MR素子20の基板21が保形性と可撓性を有しているが、これにより、一方向磁界強度を測定する空間部が狭かったり異形状であったりした場合でも、MR素子を湾曲させることでその測定空間部に差し込み、測定を行うことができるという利点が得られる。この場合、MR素子20を湾曲させることによる検出特性への悪影響が懸念されるが、図10に示すように、MR素子20の全体に、磁界方向Mxの鉛直面に対して上述した所定の傾斜角度θを持たせることにより、その湾曲による悪影響はほぼ回避できることが確認された。図11は、上記磁界強度センサ10の好適な応用例を模式的に示す。上述したように、本発明の磁界強度センサ10は、従来のMR素子を用いた磁界強度センサに比べて、検出の感度および精度が向上しているので、従来はホール素子を用いなければならなかった計測用途にも好適に適用可能である。同図はその適用例である直流電流センサを示す。同図に示す直流電流センサはクランプ電流計とも呼ばれているもので、分割開閉式環状磁気コア61,62を貫通する導線60に流れる直流電流ixを、環状磁気コア61,62に誘導される磁界強度によって測定する。環状磁気コア61,62の磁路にはギャップ63が設けてあり、このギャップ63に磁界強度センサ10が介装されている。磁界強度センサ10は、その磁路ギャップ63を通過する一方向磁界Mxの磁界強度を定量検出する。センサ部であるMR素子20は保持具30によって保持されているが、この保持は、磁気抵抗薄膜面が磁界方向Mxの鉛直面に対して5度~30度の範囲になるよう、行われている。これにより、直流電流ixの大きさに応じて誘導される磁界強度を高感度および高精度に定量検出し、直流電流ixを高感度および高精度に測定することができる。以上、本発明をその代表的な実施例に基づいて説明したが、本発明は上述した以外にも種々の態様が可能である。たとえば、MR素子20の保持具30は上述した以外にも種々の形態が可能である。"