"一端が入力端に接続された第1のインダクタ、一端が前記第1のインダクタの他端に接続され、他端が接地された結合用インダクタ、及び前記入力端と接地間に接続された第1可変容量素子とで形成された一次側同調回路と、一端が出力端に接続され、他端が前記第1のインダクタの他端に接続された第2のインダクタ、前記結合用インダクタ、及び前記出力端と接地間に接続された第2可変容量素子とで形成された二次側同調回路と、前記入力端と出力端間に接続された第1のキャパシタと、前記結合用インダクタに並列に接続された第2のキャパシタと、を備え、前記第1、第2のインダクタ及び結合用インダクタと、前記第1のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、所定周波数範囲内の高域側信号受信時に、前記結合用インダクタと第2のキャパシタとの並列接続回路の共振周波数が、受信している信号のイメージトラップ周波数より高い周波数になるように設定したことを特徴とするテレビジョンチューナの複同調回路。前段に他の同調回路が接続されていると共に、前記他の同調回路にもイメージトラップ回路が形成されていることを特徴とする請求項1記載のテレビジョンチューナの複同調回路。前記他の同調回路が、高周波増幅回路を介して接続されていることを特徴とする請求項2記載のテレビジョンチューナの複同調回路。一端が入力端に接続された第1のインダクタ、一端が前記第1のインダクタの他端に接続され、他端が接地された結合用インダクタ、及び前記入力端と接地間に接続された第1可変容量素子とで形成された1次側同調回路と、一端が出力端に接続され、他端が前記第1のインダクタの他端に接続された第2のインダクタ、前記結合用インダクタ、及び前記出力端と接地間に接続された第2可変容量素子とで形成された2次側同調回路と、前記入力端と出力端間に接続された第1のキャパシタと、前記結合用インダクタに並列に接続された第2のキャパシタと、を備え、前記第1のインダクタ及び第2のインダクタを、それぞれ直列接続された2個のインダクタで構成し、前記第1のインダクタを構成する2個のインダクタの接続点と第2のインダクタを構成する2個のインダクタの接続点との間に第3のキャパシタを接続すると共に、前記接続点それぞれとグランド間にスイッチ回路を接続し、所定周波数範囲内の信号受信時に前記スイッチ回路をオフとすることで、前記所定周波数範囲内の信号受信時に前記第1、第2のインダクタ及び結合用インダクタと、前記第1、第3のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、前記所定周波数範囲外の信号受信時に前記スイッチ回路をオンとすることで、前記所定周波数範囲外の信号受信時に前記第1、第2のインダクタと、前記第1のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、前記所定周波数範囲内の高域側信号受信時に、前記結合用インダクタと第2のキャパシタとの並列接続回路の共振周波数が、受信している信号のイメージトラップ周波数より高い周波数になるように設定したことを特徴とするテレビジョンチューナの複同調回路。前記結合用インダクタに直列又は並列に接続された抵抗を備えたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のテレビジョンチューナの複同調回路。しかしながら、従来のテレビジョンチューナの複同調回路は、所定周波数範囲のバンドにおいて低域側から高域側の広範囲でそれぞれイメージ周波数を抑圧する必要があるが、高域側のチャンネル受信時にイメージトラップ回路によるトラップ位置が十分に高域側にシフトせずにイメージ周波数に対して低域側にずれて十分な減衰が得られないという問題があった。たとえば、イメージトラップ回路のキャパシタCをVHFハイバンドの特性に合わせた容量値に設定した場合、VHFローバンドの高域側受信時に、トラップ周波数がイメージ周波数に対して低域側にずれてしまって十分な減衰量が得られない問題がある。この対策として、結合用インダクタLaのL値を増加させることも考えられるが、それではVHFローバンドの低域側の同調特性に影響を及ぼすことから対策として十分でない。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、所定周波数範囲のバンドで高域側のチャンネル受信時に、低域側での特性を犠牲にすることなく、高域側のイメージ妨害耐性を改善できるテレビジョンチューナの複同調回路を提供することを目的とする。本発明のテレビジョンチューナの複同調回路は、一端が入力端に接続された第1のインダクタ、一端が前記第1のインダクタの他端に接続され、他端が接地された結合用インダクタ、及び前記入力端と接地間に接続された第1可変容量素子とで形成された一次側同調回路と、一端が出力端に接続され、他端が前記第1のインダクタの他端に接続された第2のインダクタ、前記結合用インダクタ、及び前記出力端と接地間に接続された第2可変容量素子とで形成された二次側同調回路と、前記入力端と出力端間に接続された第1のキャパシタと、前記結合用インダクタに並列に接続された第2のキャパシタと、を備え、前記第1、第2のインダクタ及び結合用インダクタと、前記第1のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、所定周波数範囲内の高域側信号受信時に、前記結合用インダクタと第2のキャパシタとの並列接続回路の共振周波数が、受信している信号のイメージトラップ周波数より高い周波数になるように設定したことを特徴とする。この構成によれば、結合用インダクタに第2のキャパシタを並列に接続し、高域側信号受信時に、前記結合用インダクタと第2のキャパシタとの並列接続回路の共振周波数が、受信している信号のイメージトラップ周波数より高い周波数になるように設定したので、高域側では結合用インダクタの特性インピーダンスが極めて高くなり、第1、第2のインダクタのL値が小さくなり、トラップ周波数を高くできることとなり、バンド内の高域側のチャンネル受信時に、バンド内の低域側での特性を犠牲にすることなく、高域側のイメージ妨害耐性を改善できる。また上記テレビジョンチューナの複同調回路において、前段に他の同調回路が接続されていると共に、前記他の同調回路にもイメージトラップ回路が形成されていることを特徴とする。また上記テレビジョンチューナの複同調回路において、前記他の同調回路が、高周波増幅回路を介して接続されている。本発明のテレビジョンチューナの複同調回路は、一端が入力端に接続された第1のインダクタ、一端が前記第1のインダクタの他端に接続され、他端が接地された結合用インダクタ、及び前記入力端と接地間に接続された第1可変容量素子とで形成された1次側同調回路と、一端が出力端に接続され、他端が前記第1のインダクタの他端に接続された第2のインダクタ、前記結合用インダクタ、及び前記出力端と接地間に接続された第2可変容量素子とで形成された2次側同調回路と、前記入力端と出力端間に接続された第1のキャパシタと、前記結合用インダクタに並列に接続された第2のキャパシタと、を備え、前記第1のインダクタ及び第2のインダクタを、それぞれ直列接続された2個のインダクタで構成し、前記第1のインダクタを構成する2個のインダクタの接続点と第2のインダクタを構成する2個のインダクタの接続点との間に第3のキャパシタを接続すると共に、前記接続点それぞれとグランド間にスイッチ回路を接続し、所定周波数範囲内の信号受信時に前記スイッチ回路をオフとすることで、前記所定周波数範囲内の信号受信時に前記第1、第2のインダクタ及び結合用インダクタと、前記第1、第3のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、前記所定周波数範囲外の信号受信時に前記スイッチ回路をオンとすることで、前記所定周波数範囲外の信号受信時に前記第1、第2のインダクタと、前記第1のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、前記所定周波数範囲内の高域側信号受信時に、前記結合用インダクタと第2のキャパシタとの並列接続回路の共振周波数が、受信している信号のイメージトラップ周波数より高い周波数になるように設定したことを特徴とする。この構成によれば、所定周波数範囲内の信号受信時に前記第1、第2のインダクタ及び結合用インダクタと、前記第1、第3のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成し、所定周波数範囲外の信号受信時に前記第1、第2のインダクタと、前記第1のキャパシタとでイメージトラップ回路を形成するため、所定周波数範囲内の信号受信及び所定周波数範囲外の信号受信に適したイメージトラップ回路TRが実現する。上記テレビジョンチューナの複同調回路において、前記結合用インダクタに直列又は並列に接続された抵抗を備えている。この構成によれば、結合用インダクタに対して抵抗R1を直列又は並列に接続することで、LC並列共振回路のQ特性が抑圧される。このため、所定周波数範囲内の高域側信号受信時の波形のうねり現象が低減される。また、抵抗の付加により、イメージ周波数位置での減衰量をさらに大きくできる。本発明によれば、所定周波数範囲のバンドで高域側のチャンネル受信時に、低域側での特性を犠牲にすることなく、高域側のイメージ妨害耐性を改善できる。以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。実施の形態1図1は一実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路の構成図である。本実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路1は、一次側同調回路F1と、この一次側同調回路F1と結合する二次側同調回路F2と、希望チャンネルのイメージ周波数を抑圧するイメージトラップ回路TRとを備えている。なお、複同調回路1の入力側にはアンテナ同調回路2及びRF増幅回路3が配置され、複同調回路1の出力側には周波数混合器4が配置されている。アンテナ同調回路2にはイメージトラップ回路が形成されている。一次側同調回路F1は、複同調回路1の入力端子INに対して第1インダクタL1の一端が接続されると共に、第1可変容量素子であるバラクタダイオードVD1のカソードが直流カットコンデンサCaを介して接続されている。第1インダクタL1の他端は結合用インダクタLaを経由して接地され、バラクタダイオードVD1のアノードも接地されている。バラクタダイオードVD1のカソードにはチューニング電圧Vtuが印加される。このように、一次側同調回路F1は、第1インダクタL1、結合用インダクタLa、バラクタダイオードVD1からなるLC並列共振回路で構成されている。二次側同調回路F2は、第2インダクタL2の一端が、第1インダクタL1と結合用インダクタLaとの中間接続点に接続されている。第2インダクタL2の他端は複同調回路1の出力端子OUTに接続されると共に第2可変容量素子であるバラクタダイオードVD2のカソードに直流カットコンデンサCbを介して接続されている。第2インダクタL2の一端は結合用インダクタLaを経由して接地され、バラクタダイオードVD2のアノードも接地されている。バラクタダイオードVD2のカソードにはチューニング電圧Vtuが印加される。このように、二次側同調回路F2は、結合用インダクタLa、第2インダクタL2、バラクタダイオードVD2からなるLC並列共振回路で構成されている。イメージトラップ回路TRは、複同調回路1の入力端子INと出力端子OUTとの間を接続するキャパシタC1と、第1インダクタL1及び第2インダクタL2からなる閉回路で構成されている。チューニング電圧Vtuの高低に連動してトラップ周波数が可変する。このとき、キャパシタC1の容量値をVHFハイバンドの特性に合わせて設定している場合でも、VHFローバンドの低域側から高域側の全範囲でイメージ周波数を十分に減衰できる位置にトラップが形成配置されるようにしている。そのため、本実施の形態では、結合用素子として機能する結合用インダクタLaに対してキャパシタC2を並列に接続した。結合用インダクタLaとキャパシタC2とでLC並列共振回路を構成している。結合用インダクタLaとキャパシタC2とからなるLC並列共振回路の共振周波数が、高域側のチャンネル受信時のイメージ周波数よりも高域側に位置するように、キャパシタC2の容量値を設定する。たとえば、VHFローバンドにおいて、低域側のチャンネルが48.25MHzで、高域側のチャンネルが126.25MHzであるとする。高域側のチャンネル受信時は、受信チャンネル126.25MHzから高域側に78MHz離れた位置にイメージ周波数が現れる。そこで、結合用インダクタLaとキャパシタC2とからなるLC並列共振回路の共振周波数は、イメージ周波数126.2578MHzよりも高域側に位置するように設定する。以上のように構成された複同調回路1では、VHFローバンドの低域側チャンネル例えば、48.25MHz受信時には、一次側同調回路F1及び二次側同調回路F2においてそれぞれ受信チャンネルに相当する希望波f1、f2が受信され、後段の周波数混合器4で中間周波信号に周波数変換される。イメージトラップ回路TRでは、後述するように追加したキャパシタC2による特性の影響はないので、トラップ周波数が受信チャンネル48.25MHzのイメージ周波数上へシフトし、イメージ周波数を十分に減衰することができる。このとき、結合用インダクタLaとキャパシタC2とで構成されるLC並列共振回路の共振周波数よりも大幅に低い周波数であるので、結合用インダクタLaの特性インピーダンスは非常に小さく、イメージトラップ回路TRの特性への影響は無視できる。図2にVHFローバンドの低域側受信時における複同調回路1の特性を示す。キャパシタC2は9.1PFであり、低域側の受信チャンネルは48.25MHzでシミュレーションしている。受信チャンネル48.25MHzから高域側に78MHzずれたイメージ周波数位置での減衰は67dBであり、イメージ周波数上に重ねて設定されたトラップによって十分な減衰量が確保されている。VHFローバンドでの高域側チャンネル例えば、126.25MHz受信時には、一次側同調回路F1及び二次側同調回路F2においてそれぞれ受信チャンネルに相当する希望波f1、f2が受信され、後段の周波数混合器4で中間周波信号に周波数変換される。イメージトラップ回路TRでは、結合用インダクタLaとキャパシタC2とで構成されるLC並列共振回路の共振周波数が、受信チャンネル126.25MHzのイメージ周波数よりも高域側に設定されているので、高域側受信時における結合用インダクタLaの特性インピーダンスが極めて大きくなっている。このため、結合用インダクタLaの特性インピーダンスが増加するのに対応して、イメージトラップ回路TRのL値第1、第2インダクタL1,L2のL値が小さくなるので、イメージトラップ回路TRのトラップ周波数が上がることになる。すなわち、これまでは高域側受信時にトラップ周波数の高域側へのシフト量が不十分であったが、本実施の形態では結合用インダクタLaの特性インピーダンスが大きくなっていることで、トラップ周波数の高域側へのシフト量を増大させることができる。しかも、シフト量はキャパシタC2の容量設定によって容易に調整できるので、低域側での特性を犠牲にすること無く、高域側のイメージ妨害耐性を改善できる。図3にVHFローバンドの高域側受信時における複同調回路1の特性シミュレーションを示す。キャパシタC2は9.1PFであり、高域側の受信チャンネルは126.25MHzでシミュレーションしている。これまでは高域側受信時にトラップ周波数の高域側へのシフト量が不十分であったためにイメージ周波数よりも低域の受信チャンネル側に位置していたトラップがイメージ周波数上までシフトしている。このため、イメージ周波数位置での減衰は64dBであり、イメージ周波数上に重ねて設定されたトラップによって十分な減衰量が確保されている。図4abcは追加容量の容量値を変化させて共振回路LaC2の共振点の推移とイメージ周波数成分の減衰量とを対比させた特性シミュレーションを示す。図4aは追加容量が8.2PF、図4bは追加容量が9.1PF、図4cは追加容量が10PFであり、受信チャンネルは126.25MHzである。追加容量が8.2PF、9.1PFの場合に63dBの減衰量を実現している。キャパシタC2の容量値に応じて共振点がシフトしている。図5はキャパシタC2の装着前後での特性変化をNo1~No3のN3の評価Sampleで行った結果を図示している。キャパシタC2を9.1PFとして低域側から高域側までの各受信チャンネルについて特性変化減衰量の評価を行った。初期No1から初期No3は、キャパシタC2=9.1PFを追加していない回路構成での減衰特性であり、修正No.1から修正No.3はキャパシタC2=9.1PFを追加した回路構成での減衰特性である。同図より、高域側104.25MHz、126.25MHzでは顕著な減衰量の改善10dBから20dB程度が認められる。図7に比較のために従来のテレビジョンチューナの複同調回路10のVHFローバンドでの低域側受信時及び高域側受信時の特性を示す。同図aに示すように、低域側48.25MHz受信時の特性は十分な減衰を確保できているが、同図bに示すように、高域側126.25MHz受信時の特性はイメージ周波数位置で十分な減衰量を確保できていない。これは、高域側126.25MHz受信時にはトラップがイメージ周波数よりも希望波側となる低域側に配置されていることによる。以上の比較例からも、本実施の形態では、高域受信時に結合用インダクタLaの特性インピーダンスが大きくなり、トラップ周波数の高域側へのシフト量が増大していることが確認できる。図8は図1に示されるテレビジョンチューナの複同調回路の変形例を示す構成図である。図8に示されるテレビジョンチューナの複同調回路1aは、一次側同調回路F1F1aと、一次側同調回路F1F1aと結合する二次側同調回路F2F2aと、希望チャンネルのイメージ周波数を抑圧するイメージトラップ回路TRとを備えている。なお、複同調回路1aの入力側にはアンテナ同調回路2及びRF増幅回路3が配置され、複同調回路2の出力側には周波数混合器4が配置されている。アンテナ同調回路2にはイメージトラップ回路が形成されている。一次側同調回路F1は、複同調回路1aの入力端子INに対してインダクタL1aの一端が接続されると共に、第1可変容量素子であるバラクタダイオードVD1のカソードが直流カットコンデンサCaを介して接続されている。インダクタL1aの他端はインダクタL1bの一端に接続されると共に、スイッチ回路SW1を介して接地されている。インダクタL1bの他端は結合用インダクタLaを経由して接地されている。バラクタダイオードVD1のアノードも接地されている。バラクタダイオードVD1のカソードにはチューニング電圧Vtuが印加される。このように、一次側同調回路F1は、インダクタL1a,L1b、結合用インダクタLa、バラクタダイオードVD1からなるLC並列共振回路で構成されている。一次側同調回路F1aは、スイッチ回路SW1がオンの状態では、インダクタL1b及び結合用インダクタLaが無効となり、インダクタL1a、バラクタダイオードVD1からなるLC並列共振回路が構成される。二次側同調回路F2は、インダクタL2bの一端が、インダクタL1bと結合用インダクタLaとの中間接続点に接続されている。インダクタL2bの他端はインダクタL2aの一端に接続されると共に、スイッチ回路SW2を介して接地されている。インダクタL2aの他端は複同調回路1aの出力端子OUTに接続されると共に第2可変容量素子であるバラクタダイオードVD2のカソードに直流カットコンデンサCbを介して接続されている。インダクタL2bの一端は結合用インダクタLaを経由して接地されている。バラクタダイオードVD2のアノードも接地されている。バラクタダイオードVD2のカソードにはチューニング電圧Vtuが印加される。このように、二次側同調回路F2は、インダクタL2a,L2b、結合用インダクタLa、バラクタダイオードVD2からなるLC並列共振回路で構成されている。二次側同調回路F2aは、スイッチ回路SW2がオンの状態では、インダクタL2b及び結合用インダクタLaが無効となり、インダクタL2a、バラクタダイオードVD2からなるLC並列共振回路が構成される。ここで、インダクタL2aは、インダクタL1aと誘導結合している。一次側同調回路F1,F1a、二次側同調回路F2,F2aは、スイッチ回路SW1、SW2のオン/オフによって受信帯域が切り替えられる。VHFローバンドの受信時にはスイッチ回路SW1、SW2をオフにして、インダクタL1a,L1b,L2a,L2b、及び結合用インダクタLaを有効化する。VHFハイバンドの受信時にはスイッチ回路SW1、SW2をオンにして、インダクタL1b,L2b、及び結合用インダクタLaを無効化する。つまり、VHFローバンドの受信時には一次側同調回路F1及び二次側同調回路F2に切り替えられ、VHFハイバンドの受信時には一次側同調回路F1a及び二次側同調回路F2aに切り替えられる。イメージトラップ回路TRは、複同調回路1aの入力端子INと出力端子OUTとの間を接続するキャパシタC1と、インダクタL1a,L1b,L2a,L2bからなる閉回路で構成されている。チューニング電圧Vtuの高低に連動してトラップ周波数が可変する。このとき、キャパシタC1の容量値をVHFハイバンドの特性に合わせて設定している場合でも、VHFローバンドの低域側から高域側の全範囲でイメージ周波数を十分に減衰できる位置にトラップが形成配置されるようにしている。そのため、上述した複同調回路1aでは、結合用素子として機能する結合用インダクタLaに対してキャパシタC2を並列に接続し、結合用インダクタLaとキャパシタC2とでLC並列共振回路を構成した。キャパシタC2の容量値は、結合用インダクタLaとキャパシタC2とからなるLC並列共振回路の共振周波数が、高域側のチャンネル受信時のイメージ周波数よりも高域側に位置するように設定する。上述した複同調回路1aでは、VHFローバンドの低域側チャンネル例えば、48.25MHz受信時には、一次側同調回路F1、二次側同調回路F2においてそれぞれ受信チャンネルに相当する希望波f1、f2が受信され、後段の周波数混合器4で中間周波信号に周波数変換される。イメージトラップ回路TRでは、キャパシタC2による特性の影響はないので、トラップ周波数が受信チャンネル48.25MHzのイメージ周波数上へシフトし、イメージ周波数を十分に減衰することができる。また、複同調回路1aは、スイッチ回路SW1、SW2を備えることにより、受信周波数範囲に応じてインダクタL1a,L1b,L2a,L2b、及び結合用インダクタLaの有効/無効を切り替える。このため、一次側同調回路F1,F1a、二次側同調回路F2,F2aを切り替えて、希望波を良好に受信可能である。また、図1に示される複同調回路1と同様、結合用インダクタLaの特性インピーダンスが大きくなっていることで、トラップ周波数の高域側へのシフト量を増大させることができる。シフト量はキャパシタC2の容量設定によって容易に調整できるので、低域側での特性を犠牲にすること無く、高域側のイメージ妨害耐性を改善できる。本実施の形態は、他の実施の形態に示される構成と適宜組み合わせて実施可能である。実施の形態2図9は一実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路の構成図である。本実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路1bは、図8に示される複同調回路1aにおいて、結合用インダクタLaに対して抵抗R1を並列にキャパシタC2に対して抵抗R1を直列に接続したものに相当する。すなわち、本実施の形態では、結合用素子として機能する結合用インダクタLaに対してキャパシタC2を並列に接続し、結合用インダクタLaに対して抵抗R1を並列にキャパシタC2に対して抵抗R1を直列に接続した。結合用インダクタLaとキャパシタC2とでLC並列共振回路を構成し、抵抗R1によってLC並列共振回路のQ特性を抑圧している。このため、VHFハイバンドの受信時におけるLC並列共振回路の影響を低減できる。また、抵抗R1を付加したことにより、イメージ周波数をさらに減衰させることができる。図10にVHFローバンドの高域側受信時における本実施の形態の複同調回路1bの特性シミュレーション結果を示す。キャパシタC2は7.5PF、抵抗R1は10Ωであり、高域側の受信チャンネルは119.25MHzでシミュレーションしている。また、図11にVHFローバンドの高域側受信時における図8の複同調回路1aの特性シミュレーション結果を示す。キャパシタC2は7.5PFであり、高域側の受信チャンネルは119.25MHzでシミュレーションしている。図11に示されるように、図8に係る複同調回路1aでは、結合用インダクタLaとキャパシタC2とで構成されるLC並列共振回路の共振特性によるインピーダンス変化の影響を受け、LC並列共振回路の共振点である318MHz付近において波形のうねり現象が発生している。このようにVHFハイバンドの受信周波数帯域内にうねりが生じるのは、LC並列共振回路の共振周波数が、受信チャンネル119.25MHzのイメージ周波数よりも高域側に設定されているためである。VHFハイバンドの受信時には、LC並列共振回路が一次側同調回路F1a及び二次側同調回路F2aに並列に接続されるため、LC並列共振回路の共振特性が一次側同調回路F1a及び二次側同調回路F2aの特性に影響を及ぼす。本実施の形態の複同調回路1bは、結合用インダクタLaに対して抵抗R1を並列にキャパシタC2に対して抵抗R1を直列に接続することで、図10に示されるようにLC並列共振回路のQ特性を抑圧している。このようにQ特性を抑制することで、VHFハイバンドの受信時においてもインピーダンス変化の影響が大きく緩和され、波形のうねり現象が低減される。また、抵抗R1を付加したことにより、トラップ回路の減衰特性にも変化が生じる。図8の複同調回路1aではイメージ周波数位置での減衰は54dBであるのに対し図11、本実施の形態の複同調回路1bではイメージ周波数位置での減衰は59dBとなっている図10。このように、抵抗R1の付加により、イメージ周波数位置での減衰量をさらに大きくできる。なお、複同調回路1bにおいて、LC並列共振回路のQ特性を抑圧するために付加する抵抗R1は、結合用インダクタLaに対して抵抗R1を並列にキャパシタC2に対して抵抗R1を直列に接続することに限られない。結合用インダクタLaに対して抵抗R1を直列にキャパシタC2に対して抵抗R1を並列に接続しても良い。本実施の形態は、他の実施の形態に示される構成と適宜組み合わせて実施可能である。実施の形態3図12は一実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路の構成図である。本実施の形態に係るテレビジョンチューナの複同調回路1cは、図9に示される複同調回路1bにおいて、インダクタL1a及びインダクタL1bの接続点と、インダクタL2a及びインダクタL2bの接続点との間にキャパシタC3を接続したものに相当する。このような構成の複同調回路1cにおいて、VHFローバンドの受信時にはスイッチ回路SW1、SW2をオフにして、インダクタL1a,L1b,L2a,L2b、及び結合用インダクタLaを有効化すると共に、キャパシタC3を有効化する。VHFハイバンドの受信時にはスイッチ回路SW1、SW2をオンにして、インダクタL1b,L2b、及び結合用インダクタLaを無効化すると共に、キャパシタC3を無効化する。これにより、VHFローバンドの受信時には、インダクタL1a,L1b,L2a,L2b、結合用インダクタLa、キャパシタC1,C3によってイメージトラップ回路TRが構成される。VHFハイバンドの受信時には、インダクタL1a,L2a、キャパシタC2によってイメージトラップ回路TRが構成される。このため、VHFローバンド及びVHFハイバンドの双方の帯域に適したイメージトラップ回路TRが実現する。図13にVHFローバンドの高域側受信時における本実施の形態の複同調回路1cの特性シミュレーション結果を示す。高域側の受信チャンネルは119.25MHzでシミュレーションしている。図14にVHFハイバンドの高域側受信時における本実施の形態の複同調回路1cの特性シミュレーション結果を示す。高域側の受信チャンネルは359.25MHzでシミュレーションしている。また、図15にVHFローバンドの高域側受信時における図9の複同調回路1bの特性シミュレーション結果を示す。高域側の受信チャンネルは119.25MHzでシミュレーションしている。また、イメージトラップ回路TRのキャパシタC2の容量値はVHFハイバンドの受信に最適化している。図13及び図14から分かるように、本実施の形態の複同調回路1cではVHFローバンドの高域側受信時及びVHFハイバンドの高域側受信時の双方においてイメージ周波数位置での減衰は77dBとなっている。これは、イメージトラップ回路TRが、キャパシタC2によってVHFハイバンドの受信に最適化されると共に、キャパシタC2,C3によってVHFローバンドの受信に最適化されているためである。一方で、キャパシタC2の容量値をVHFハイバンドの受信に最適化した図9の複同調回路1bでは、VHFローバンドの高域側受信時においてイメージ周波数位置での減衰は59dBとなっている。このように、本実施の形態に係る複同調回路1cでは、インダクタL1a及びインダクタL1bの接続点と、インダクタL2a及びインダクタL2bの接続点との間にキャパシタC3が付加されることで、VHFローバンド及びVHFハイバンドの双方の帯域に適したイメージトラップ特性が得られることが分かる。本実施の形態は、他の実施の形態に示される構成と適宜組み合わせて実施可能である。以上の説明では、VHFローバンドにおける高域側受信のイメージ妨害耐性の改善について説明したが、VHFハイバンド、UHFにおいてもVHFローバンドと同様の周波数配置低域側から高域側に分散されたチャンネル配置であるので、同様に適用可能である。"