"半導体チップとなるチップ領域を複数含む半導体ウエハを準備する工程と、光の照射により接着力が低下する接着層を含む接着材を介して、前記半導体ウエハの第1の面を支持基板に接着する工程と、前記半導体ウエハを各々の半導体チップに分割する工程と、前記各々の半導体チップを保持した状態で、前記接着層全体に光を照射し前記各々の半導体チップと前記支持基板とを剥離する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。半導体チップとなるチップ領域を複数含む半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの第1の面に、前記チップ領域間の境界であるダイシングラインに沿って溝を形成する工程と、光の照射により接着力が低下する接着層を含む接着材を介して、前記半導体ウエハの前記第1の面を支持基板に接着する工程と、前記第1の面とは反対側の第2の面から前記半導体ウエハを研磨して前記溝を貫通させることによって前記半導体ウエハを各々の半導体チップに分割する工程と、前記各々の半導体チップを保持した状態で、前記接着層全体に光を照射し前記各々の半導体チップと前記支持基板とを剥離する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。前記半導体ウエハの前記第1の面を前記支持基板に接着する前に、前記半導体ウエハの前記第1の面に第1のバンプ電極を形成する工程と、前記半導体ウエハの前記第1の面を前記支持基板に接着した後に、前記半導体ウエハを貫通し前記第1のバンプ電極と接続された貫通ビアを形成する工程と、前記半導体ウエハの、前記第1の面とは反対側の第2の面に、前記貫通ビアと接続された第2のバンプ電極を形成する工程と、を含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記接着材は金属からなる導体層を含み、前記接着層は前記導体層の両面に設けられており、前記接着材は、前記第1のバンプ電極が一方の前記接着層を貫通して前記導体層と接触するように前記半導体ウエハに接着され、前記貫通ビアと前記第2のバンプ電極のうちの少なくとも一方は、前記導体層を介して前記第1のバンプ電極に給電しつつ電気めっき法によって形成される、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。近年、例えば貫通電極を有する薄い半導体チップが製造されている。この半導体チップは、50μm程度と薄く、シリコン基板を貫通する貫通電極用のビアを有している。そのため、貫通電極を有する薄い半導体チップの強度は、貫通電極の無い半導体チップよりも弱い。したがって、ダイシングテープから半導体チップを剥離するときに、半導体チップの突き上げにより生じる応力集中によって、貫通ビアを基点として半導体チップにクラックが発生することがある。このように、強度の弱い半導体チップを突き上げると半導体チップにクラックが生じることがある。したがって、このような問題を解決できる半導体装置の製造方法が提供されることが望まれる。一態様における半導体装置の製造方法は、半導体チップとなるチップ領域を複数含む半導体ウエハを準備する工程と、光の照射により接着力が低下する接着層を含む接着材を介して、半導体ウエハの第1の面を支持基板に接着する工程と、半導体ウエハを各々の半導体チップに分割する工程と、各々の半導体チップを保持した状態で、接着層全体に光を照射し各々の半導体チップと支持基板とを剥離する工程と、を含む。上記製造方法では、特定の光を照射により、接着材の接着力を低下させる。これにより、半導体チップを突き上げることなく、半導体チップを支持基板から剥離することができる。したがって、半導体チップのクラックの発生を抑制することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下では、一例として、貫通ビアが形成された半導体チップを有する半導体装置の製造方法について説明するが、本発明は、ウエハを分割して複数の半導体チップを得ることを含む半導体装置の製造方法全般に適用することができる。図1および図3は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の製造方法を示している。まず、図1aに示すように、最終的に半導体チップとなるチップ領域14を複数含む半導体ウエハ10を準備する。各々のチップ領域14の間の境界は、ダイシングライン16となっている。半導体ウエハ10のチップ領域14毎に、所定の回路17、例えばメモリ回路と、電極パッド図2および図3に示す符号24参照。上の第1のバンプ電極19と、が形成される。本実施形態では、回路17や第1のバンプ電極19は、半導体ウエハ10の第1の面11以下、便宜上表面とよぶ。に形成される。次に、図1bに示すように、半導体ウエハ10の表面11に、ダイシングライン16に沿って所定の深さの溝22を形成するハーフカット工程。ハーフカット工程は、例えば図示しないダイシング装置のステージ上に半導体ウエハ10が保持された状態で行われることが好ましい。この状態で、ダイシングライン16に沿って、高速回転する不図示のダイシングブレードにより半導体ウエハ10をハーフカットする。次に、半導体ウエハ10は、図1cに示すように、接着材30を介して支持基板20に保持される。支持基板20としては、例えばガラス基板を用いることができる。半導体ウエハ10の表面11、つまり第1のバンプ電極19が形成された面が支持基板20に向けられる。図2は、半導体ウエハ10と支持基板20との接着部分の拡大図、つまり図1cに示す領域A2の拡大図である。なお、図の簡略化のため、半導体ウエハに形成されている回路等は示されていない。接着材30は、導電性を有する金属からなる導体層32と、導体層32の両面に設けられた接着層31,33とを有することが好ましい。この場合、接着層31,33は、特定の光、例えば紫外線UV光の照射により接着力が低下する材料から成る。接着層31,33は、例えば紫外線の照射により発泡することによって接着力が低下する材料であって良い。また、接着層31,33は、例えばLTHC住友スリーエム株式会社製のように、レーザ光の照射により気化することによって接着力が低下するものであっても良い。半導体ウエハ10側の接着層31は、例えば20μm程度の高さの第1のバンプ電極19の周囲を覆っている。この接着層31は、第1のバンプ電極19の先端が導体層32に接触するように、バンプ電極19の高さと同程度の厚みを有している。つまり、第1のバンプ電極19は、接着層31を貫通して導体層32と電気的に接続されている。導体層32は、後に半導体チップに貫通ビアや第2のバンプ電極をめっき法で形成する際に、それぞれの半導体チップに電圧を供給するための給電層として利用できる。図3は、別の実施例における、ウエハと支持基板との接着部分を示している。本実施例においても、半導体ウエハ10を支持基板20に接着する接着材30は、図2に示すものと同様に三層構造となっている。しかしながら、図3では、第1のバンプ電極19が、一方の接着層31および導体層32を貫通している。これにより、第1のバンプ電極19は、より確実に導体層32と電気的に接続される。したがって、第1のバンプ電極19と接着材30の導体層32との間の接続不良を防止し、後に行うめっき法の際に各々の第1のバンプ電極19に良好に給電できる。次に、図1dに示すように、半導体ウエハ10を、支持基板20に保持された状態で、表面11とは反対側の第2の面12以下、便宜上裏面と呼ぶ。から研削するウエハBG工程。これにより、半導体ウエハ10は、所定の厚さ、例えば50μmまで薄型化される。このとき、半導体ウエハ10の表面11に形成された溝22が裏面12に露出する。つまり、溝22が半導体ウエハ10を貫通して、半導体ウエハ10は半導体チップ13毎に分割される。このように、半導体ウエハ10の表面11に溝22を形成した後に、半導体ウエハ10の裏面12を研削して半導体ウエハ10を各々の半導体チップ13に分割する。この分割方法は、ダイシング装置によりダイシングラインに沿ってウエハを完全に切断フルカットする場合と比べて、半導体チップの欠けチッピングの発生を抑制することができるという利点がある。次に、第1のバンプ電極19に対応する位置に、薄型化された半導体ウエハ10の裏面12から第1のバンプ電極19に達する孔を形成する。この孔はエッチングによって形成できる。その後、電気めっき法により、当該孔の内部に、Cu等の導体を充填することで貫通ビア18を形成する。電気めっき法を行う際、接着材30の導電層32を通じて、各々の半導体チップ10の第1のバンプ電極19に電圧を供給することができる。その後、同様に、導電層32を通じて各々の第1のバンプ電極19および貫通ビア18に給電し、電気めっき法を行うことで、図1eに示すように貫通ビア18上に第2のバンプ電極26を形成することができる。第2のバンプ電極26は、貫通ビア18を介して、対応する第1のバンプ電極19と電気的に接続される。貫通ビア18と第2のバンプ電極26のうちの少なくとも一方を電気めっき法で形成する場合には、接着剤30は、導体層32を含んでいることが好ましい。電気めっき法を行わない場合には、接着剤30は、導体層32を含んでいなくても良い。この場合、接着剤30は、特定の光、例えば紫外線UV光の照射により接着力が低下する材料から成る1つの接着層のみから構成されていても良い。次に、図4aに示すように、治具サポータ40によって、支持基板20に保持された各々の半導体チップ13を保持する。治具40には、各々の半導体チップ13に対応した位置に吸引孔41が設けられている。吸引孔41を通じて半導体チップ13を吸引することで、治具40は各々の半導体チップ13を一括して保持する。次に、図4bに示すように、半導体チップ13を治具40に吸引保持した状態で、支持基板20側から接着材30全体に紫外線を照射する。これにより、接着材30の接着層31,33は、紫外線に反応して接着力が低下する。これにより、図4cに示すように、各々の半導体チップ13から支持基板20を剥離することができる。ここでは、紫外線に反応する接着層31,33が用いられているが、紫外線以外の光に反応する接着層を用いることもできる。このとき、支持基板20は、接着剤30に向けて照射すべき光を透過する材料から成ることが好ましい。その後、図4dに示すように、治具40による半導体チップ13の吸引を解除し、半導体チップ13を吸引コレット42によりピックアップする。吸引コレット42は吸引孔43を有しており、半導体チップ13を吸引保持することができる。以上のような工程を経て、1つの半導体ウエハ10から複数の半導体チップ13が一括して得られる。上記のように個片化された半導体チップ13を治具40で保持した状態で、接着剤30の接着層31,33全体に紫外線を照射し、半導体チップ13を一括して支持基板20から剥離する。これにより、半導体チップを突き上げることなく、半導体チップから支持基板を剥離することができる。したがって、例えば貫通ビア18を有する薄い半導体チップ13であってもクラックの発生を抑制することができる。図5は、上記の半導体チップ13を用いて、CoCチップオンチップ型の半導体装置を組み立てる組立フローの一例を示している。以下においても、貫通配線を有する半導体チップを例に挙げて説明する。CoCチップオンチップ型の半導体装置では、半導体チップ13が互いに積層され、図5bに示すチップ積層体56が形成されるダイボンディング工程。半導体チップ13は、治具40からピックアップするときに用いた吸引コレット42に保持された状態で、ダイボンディング工程に移行されることが好ましい。なお、半導体チップ13は、一旦治具40から収納トレイへ収納された後に、ダイボンディング工程に移行されても良い。ダイボンディング工程では、例えば、ヒータを備えたボンディングツールにより、半導体チップ13を高温に加熱しつつ、別の半導体チップ13に荷重を印加する。このようにして、ある半導体チップ13の表面11に形成された第1のバンプ電極19と、別の半導体チップ13の裏面12に形成された第2のバンプ電極26とが、熱圧着により接続される。同様にして、複数の半導体シップ13を積層することによって、チップ積層体56が形成される。この積層体56を搭載する配線基板70を準備する図5a参照。。配線基板70は、例えば0.14mmの厚みを有するガラスエポキシ配線基板であって良い。配線基板70は、マトリックス状に配置された複数の製品形成部71を有している。複数の製品形成部71には、それぞれ所定の配線パターンが形成されている。配線パターンは、絶縁膜、例えばソルダーレジストで部分的に覆われている。配線基板70の、製品形成部71同士の間の境界は、ダイシングライン72となっている。製品形成部71の一面側の配線パターンがソルダーレジストから露出された部位は、接続パッド73となっている。また、製品形成部71の他面側の配線がソルダーレジストから露出された部位はランド74となっている。接続パッド73と、これに対応するランド74とは、配線基板70に形成された配線により電気的に接続されている。次に、図5bに示すように、チップ積層体56を、配線基板70のそれぞれの製品形成部71に実装する。チップ積層体56の実装には、例えば、加熱機構を備えた不図示のボンディングツールを用いることができる。ボンディングツールは、チップ積層体56の一面を吸引保持し、チップ積層体56を所定温度まで加熱する。ボンディングツールは、チップ積層体56の表面に露出したバンプ電極を、対応する配線基板70の接続パッド73上に所定温度で熱圧着する。このようにして、配線基板70の全ての製品形成部71にチップ積層体56を実装する。次に、図5cに示すように、配線基板70上のチップ積層体56の周りに第1の封止体64を形成する。第1の封止体64は、チップ積層体56の端部付近にアンダーフィル材を供給することによって形成できる。アンダーフィル材は、毛細管現象により、積層された半導体チップ間の隙間に充填される。また、アンダーフィル材は、毛細管現象により、チップ積層体56と配線基板70との間にも充填される。アンダーフィル材の充填が完了した後、配線基板70と共にチップ積層体56を所定温度でキュアする。これにより、アンダーフィル材が硬化して、チップ積層体56の周囲及び半導体チップ間に第1の封止体64が形成される。次に、図5dに示すように、チップ積層体56の周りに形成された第1の封止体64を第2の封止体81で封止するモールド工程。モールド工程では、配線基板70は、図示しないトランスファモールド装置の金型にセットされる。金型には複数のチップ積層体56を一括的に覆うキャビティが形成されている。キャビティ内に加熱溶融されたモールド樹脂を注入し、配線基板70上のチップ積層体56を封止する。モールド樹脂は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。それから、所定の温度でキュアしてモールド樹脂を熱硬化することによって、複数のチップ積層体56を一括的に覆う第2の封止体81が形成される。その後、第2の封止体81を取り囲む金型により、所定の温度でベークすることで、第2の封止体81を完全に硬化させる。チップ積層体56を構成する個々の半導体チップ同士の間に予め第1の封止体64が充填されているため、モールド工程において、半導体チップ同士の間にボイドが発生することがない。次に、図5eに示すように、配線基板70に形成されたランド74に、外部端子82を形成する。外部端子82は、例えば半田のような導電性の金属ボールが用いられる。金属ボールは、例えば、複数の金属ボールを吸引保持する吸引孔を備えたマウントツールによって配線基板70のランド74上に搭載される。具体的には、マウントツールに保持された複数の金属ボールにフラックスを転写し、配線基板70上の複数のランド74に一括して金属ボールを搭載する。全ての製品形成部へ金属ボールを搭載した後、配線基板70をリフローすることで外部端子82が形成される。次に、図5fに示すように、外部端子82が形成された配線基板70は、ダイシングラインに沿って、個々の製品形成部毎に分離される基板ダイシング工程。基板ダイシング工程では、まず、配線基板70上に形成された第2の封止体81の一面にダイシングテープ86を貼着し、ダイシングテープ86によって配線基板70を支持する。その後、図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより、配線基板70をダイシングラインに沿って縦横に切断する。このようにして、配線基板70は、ダイシングラインに沿った切断穴87によって製品形成部毎に分離される。そして、チップ積層体56を含む各々の製品形成部をダイシングテープ86からピックアップすることで、複数のCoC型の半導体装置が製造できる。以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。"