"鉄系遷移金属を含有する基材上に、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜をコーティングする工程を含む立方晶窒化ホウ素コーティング方法において、前記立方晶窒化ホウ素膜をコーティングする工程の前に、前記基材上に該基材に含有されている前記遷移金属のホウ化物またはケイ化物を形成する前工程を含むことを特徴とする方法。前記前工程が、前記鉄系遷移金属を含有する基材上にホウ素をコーティングし、その後、該遷移金属とホウ素とが溶融する温度にまで加熱した後、該遷移金属とホウ素とが固化する温度にまで冷却することにより、該遷移金属のホウ化物を形成することから成る、請求項1に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記加熱温度が、前記鉄系遷移金属とホウ素とから成る2成分系における最もホウ素リッチな組成の共晶の共晶点以上である、請求項2に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記加熱およびその後の冷却を水素を含むガスまたは水素を含むプラズマ中で行う、請求項2に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記前工程および前記立方晶窒化ホウ素膜コーティング工程を同一の装置内で行う、請求項2から請求項4のいずれかに記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記基材が、前記鉄系遷移金属を結合相とする超硬合金である、請求項2から請求項5のいずれかに記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記基材が、WC-Co系超硬合金である、請求項6に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記前工程が、化学気相成長CVD法または物理気相成長PVD法により、鉄系遷移金属を含有する基材の表面にケイ素を蒸着させることにより該遷移金属のケイ化物を形成することから成る、請求項1に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記前工程および前記立方晶窒化ホウ素膜コーティング工程を同一の装置内で行う請求項8に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記基材が、前記鉄系遷移金属を結合相とする超硬合金である、請求項8または9に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。前記基材が、WC-Co系超硬合金である、請求項10に記載の立方晶窒化ホウ素コーティング方法。ホウ化またはケイ化された鉄系遷移金属を含有する基材上に立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜がコーティングされた被覆材料であって、前記コーティングされた立方晶窒化ホウ素が、光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱および光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のいずれか一方または両方の半値幅が50cm-1以下のピークを示し、且つ、スクラッチテストにより10N以上の剥れ荷重を有することを特徴とする被覆材料。しかし、従来の立方晶窒化ホウ素コーティング法では、中間層を設ける場合には、製造プロセスが複雑になり、コストアップとなること、また場合によっては、中間層の硬さ、強度が不足のため、複合材料全体の機械的強度が低下するという課題を有する。また熱膨張係数のミスマッチで中間層あるいはcBN膜が剥れやすくなる場合があり、その製造プロセスに精密なコントロールが要求されることとなり、実施化の場合のコストアップになるという課題を有する。また、従来の立方晶窒化ホウ素コーティング法では、基体をホウ化するに際して、単に熱拡散によりホウ化を行っているので、ホウ化硼化の程度をコントロールすることが難しく、ホウ素硼素不足の場合は表面層の鉄系金属がホウ化されずに残るという課題を有する。また、鉄系金属のホウ化が不十分の場合には、その触媒作用によりBNコーティング時にsp2結合BN相が生成しやすいという課題を有する。逆にホウ素過剰の場合は、例えば炭化タングステンWCに代表される超硬合金ではその主成分たるWCはホウ化されにくいので、WC上に固体ホウ素が残るという課題を有する。WC上に過剰の固体ホウ素がある場合は、その窒化反応ではcBNができずsp2結合BN相が生成しやすいという課題を有する。これらの理由のため、超硬合金や高速度鋼のような鉄系遷移金属を含有する基材上へcBNコーティングを実施する技術は、現在のところ十分に確立されていない。本発明は、前記課題を解消するためになされたもので、鉄系遷移金属を含有する基材上へのsp2結合BNの生成を抑え、該鉄系金属の触媒作用による妨害を防ぐことにより、立方晶窒化ホウ素膜の密着性および均一性を向上させる立方晶窒化ホウ素コーティング技術を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意研究の結果、如上の基材に含有されている鉄系遷移金属そのものの一部を確実にホウ化硼化またはケイ化珪化することにより、上記目的が達成され得ることを見出し、本発明を導き出した。かくして、本発明は、鉄系遷移金属を含有する基材上に、立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜をコーティングする工程を含む立方晶窒化ホウ素コーティング方法において、前記立方晶窒化ホウ素膜をコーティングする工程の前に、前記基材上に該基材に含有されている前記遷移金属のホウ化物またはケイ化物を形成する前工程を含むことを特徴とする方法を提供するものである。<基材の種類>本発明のコーティング法が適用される鉄系遷移金属を含有する基材とは、鉄系遷移金属を結合相結合剤とする超硬合金または、鉄系遷移金属を構成成分とする鋼特に高速度鋼である。ここで、本発明に関連して、鉄系遷移金属とは、クロムCr、マンガンMn、鉄Fe、コバルトCoおよびニッケルNiであり、特に、鉄Fe、コバルトCoおよびニッケルNiを指称する。超硬合金としては、WC-Co系合金、WC-TiC-Co系合金、WC-TaC-Co系合金、WC-Ni系合金、WC-Ni-Cr系合金、TiN-Ni系合金等の鉄、コバルト、ニッケルを結合剤とするものが挙げられる。このうち、最も広く用いられている超硬合金はWC-Co系合金であるが、これはWCの硬度、高温強度等とCoのWCに対する良接着性により、合金としての硬度、靭性、対欠損性等の機械的特性が特に優れているからである。高速度鋼は、しばしばハイスやHSSと略称される。本発明は、このような高硬度基材にcBNをコーティングするのに有効であり、得られる材料は、cBNの高硬度、耐熱性、耐酸化性、低摩耗性等を有効活用できる応用分野例えば、切削工具、研削工具、ドリル等の加工工具、金型、ダイス、ボンディングツール等の対磨耗冶具、磁気記憶媒体の保護膜等の高温耐酸化性の低摩擦摺動部材に用いることができる。本発明は、WC-Co系超硬合金のように、鉄系遷移金属としてコバルトCoを含有する基材に対して適用されるのが特に好ましい。<ホウ化物の形成>本発明に従うcBNコーティング法の好ましい態様においては、鉄系遷移金属を含有する基材上に立方晶窒化ホウ素をコーティングする前に、該基材上に該遷移金属のホウ化物硼化物を形成する前工程が含まれる。ホウ化物を形成するこの前工程は、鉄系遷移金属を含有する基材上にホウ素をコーティングし、その後、該遷移金属とホウ素とが溶融する温度にまで加熱した後、該鉄系遷移金属とホウ素とが固化する温度にまで冷却することから成る。特に、この加熱温度が、鉄系遷移金属とホウ素とから成る2成分系における最もホウ素リッチな組成の共晶の共晶点以上であることが好ましい。このようなホウ化物形成前工程により、基材上にホウ化物として鉄系遷移金属とホウ素との固溶体特にホウ素リッチな固溶体が予め形成されていることにより、sp2結合のBNの生成を抑制してcBN相がコーティングされるものと考えられる。以下、コバルト含有炭化タングステンから成る超硬合金基材のように鉄系遷移金属としてCoコバルトが含有されている場合を例にとり、本発明に従うホウ化物形成について考察する。図1は、コバルト-ホウ素2成分系の状態図常圧下である。コバルトのような鉄系遷移金属とホウ素の状態図は、一般に、図に示されるように、融解曲線凝固曲線が複数の極小値を示す複数の共晶点温度を示す。本発明に従えば、この状態図を参照して、ホウ化条件として、コバルトとホウ素が溶融する液体化する温度図の状態図でLで示される領域の存する温度にまで加熱した後、コバルトとホウ素とが固化する温度図の状態図でSで示される領域の存する温度まで冷却急冷する。ここで、本発明の関与するCo-B系においては、予め基板上にホウ素がコーティングされているので、図に示される状態図のうち、ホウ素Bがリッチな領域、すなわち、図の右側が、温度条件を定めるのに資することができるものと考えられる。すなわち、Co-B系の場合、本発明に従う好ましい態様として、CoコバルトとBホウ素とから成る2成分系における最もホウ素リッチな組成の共晶の共晶点図の状態図中、Bが原子のパーセントで61のCo-B共晶点である1350°C以上の温度に加熱した後、その共晶点以下の温度図の状態図で、S1S2で示される領域の存する温度:例えば、1000°C以下にまで冷却することにより、基材上にホウ化物BリッチなCoB固溶体の層が形成され成膜され、Co相またはCoリッチの相は存在しないと考えられる。他の鉄系遷移金属についても、上記と同様に、状態図を参考にして、ホウ化物を形成するための温度条件を定めることができる。例えば、図8および図9は、鉄系遷移金属として、それぞれ、鉄およびニッケルを含有する基材のホウ化条件を定めるのに用いることのできるFe-B系の状態図およびNi-B系の状態図である。いずれの場合においても、鉄とホウ素またはニッケルとホウ素が溶融する温度それらの状態図でLで示される領域の存する温度にまで加熱した後、鉄とホウ素またはニッケルホウ素とが固化する温度にまで急冷する。特に、Fe-B系においては、図中に示す共晶点1500°C以上、また、Ni-B系においては図中に示す共晶点1018°C以上に加熱した後、急冷することが好ましい。融体液体の存在する温度が低い場合には、融体の存在する状態でもcBN堆積が可能である。液体状態のCoとBは、例えば、WC-Co超硬合金のようにホウ化物をつくりにくいWC粒上に固体のホウ素が存在する場合にも、CoとWCの親和性のため濡れていき、ホウ素と結合相Coの相互拡散を促進し、さらにWCのホウ化も促進し、均一なcBNのコーティングが容易となり得る。かくして、本発明に従うホウ化物形成工程においては、先ず、ホウ素硼素の供給を行い、ホウ素コーティングを行う。基材上へのホウ素コーティングは、既知の手段を工夫して行うことができ、例えば、ホウ素供給源として三フッ化ホウ素などを用いて、化学気相成長法CVD:化学蒸着法、電子ビーム蒸着,イオンビーム蒸着,イオンプレーティング,スパッタリング,レーザーアブレーション等の物理的気相成長法PVD:物理蒸着法、あるいは固体ホウ素粉末のシーディングのいずれかまたはこれらの手段を組み合わせることにより行うことができる。ホウ素コーティングに要する時間は、一般に、5分~20分であり、例えば、10分である。ホウ素コーティング後、既に詳述したように、基材を所定温度に加熱して所定時間保持した後、冷却する。所定の加熱温度に保持する時間は、一般に、1分~10分間であり、また、冷却は、所定の加熱温度から冷却温度に1分以下で急冷することが好ましい。以上のホウ化物形成工程は、真空中、アルゴン等の不活性ガス中、窒素ガス中、または不活性ガスと窒素の混合ガス中で行うことができる。この際、水素を含むガス中または水素を含むプラズマ中で行う場合は、不活性ガス雰囲気中の場合よりかなり低い温度で、遷移金属とホウ素を共融させることができ、より低温で遷移金属のホウ化物固溶体を形成することができる。これは、水素が加わることで成分がひとつ増加し、融点降下が起るためと考えられる。水素を含むプラズマ中の方が、水素を含有するガス中より、この共融操作の反応速度を上げることができる。<ケイ化物の形成>本発明に従うcBNコーティング法の別の好ましい態様においては、鉄系遷移金属を含有する基材上に該遷移金属のケイ化物珪化物を形成する前工程が含まれる。Bホウ素はCoコバルトなどの鉄系遷移金属とは反応が遅いので、Bと該遷移金属とが溶融してBがCoに入り易いようにして、液体から固体に冷却することが必要である。これに対して、Siケイ素:珪素はCoなどの鉄系遷移金属とは反応し易いので、従来から知られた各種手段により、高温で該遷移金属の表面に蒸着させることにより、その遷移金属のケイ化物を得ることができる。すなわち、本発明に従いケイ化物を形成する前工程は、ケイ素供給源となる原料から、化学気相成長法CVD:化学蒸着法または物理的気相成長法PVD:物理蒸着法により、鉄系遷移金属を含有する基材の表面にケイ素を蒸着させることにより、該遷移金属のケイ化物を形成することから成る。CVD法には、プラズマCVDや光CVD等が知られているが、本発明にはプラズマCVDが適している。ケイ素供給源となる原料ガスをアルゴンまたはアルゴン水素などの雰囲気中で、加熱した基材に蒸着させることにより、鉄系遷移金属のケイ化物が形成される。CVD法の原料ガスとしては、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2、四塩化珪素SiCl4等の珪素を含むガス、あるいはモノメチルシランSiH3CH3、テトラメチルシリコンSiCH44、テトラエトキシシリコンTEOS:SiOC2H54等の珪素および/または炭素を含むガスが挙げられる。基材温度を、300°C以上、好ましくは500°C以上とすることで、直接鉄系遷移金属のケイ化を行うことができる。鉄系遷移金属を結合相とする超硬合金の場合には、超硬物質相例えば、コバルト含有炭化タングステンWC-Coの場合には、WC相が該当するは、鉄系遷移金属相よりケイ化反応が遅く、500°C程度では十分にケイ化されないことから、ケイ素の気化しやすい条件例えば、低温でのCVD法または水素プラズマ中でのケイ化で、鉄系遷移金属相のみをケイ化することができる。基材を800°C以上に加熱すると、超硬物質相もケイ化される。PVD法としては、イオンビーム蒸着、イオンプレーティングまたは固体ケイ素をターゲットとして電子ビーム蒸着やスパッタリングすることが挙げられ、好ましい手法としてアルゴンなどの不活性ガス中での高周波スパッタリング法が例示される。PVDの場合、基材表面に存在する当初の固体ケイ素が薄い場合でも、その後の加熱により固体ケイ素が結合相に吸収ケイ化されて充分なケイ化物層が形成される。<cBNのコーティング>以上のようにして、鉄系遷移金属を含有する基材上に、該金属のホウ化物またはケイ化物を形成した後に、cBNのコーティング成膜を実施する。このcBNの成膜は、これまで知られている立方晶窒化ホウ素の化学気相成長法CVD、物理的気相成長法PVDのいずれかあるいはそれら組み合わせた方法を用いることにより行うことができる。すなわち、プラズマジェット、マイクロ波プラズマ,誘導結合型プラズマ,電子サイクロトロン共鳴プラズマなどのさまざまな高密度プラズマを用いるプラズマCVD法、バイアススパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンビームアシスト蒸着等のPVD法を用いることができる。このうち、フッ素を用いるプラズマCVD法が特に好ましい。すなわち、ジボラン,三フッ化ホウ素等のホウ素源、窒素,アンモニア等の窒素源、及び三フッ化ホウ素,フッ素,フッ化水素等のフッ素源を気相中に供給し、気相をプラズマ化により活性化し、立方晶窒化ホウ素を基体上へ析出させる。このCVDの実施により、後述するように、特に結晶性のよいcBN膜を高い密着性でコーティングすることができる。フッ素を用いるプラズマCVD法によるcBNのコーティングに際しては、反応容器壁或いは反応容器内に設置した参照電極に対し、基体にバイアス電圧をかける。反応とプラズマの制御のために水素および希ガスのうちどちらか単独を或いは両方を加えることができる。プラズマの種類としては、プラズマジェット,マイクロ波プラズマ,誘導結合型プラズマ,電子サイクロトロン共鳴プラズマなどのさまざまな高密度プラズマを利用できる。基体バイアスには直流、交流、高周波、或いはそれらの重積、或いはそれらをパルス化した電源のいずれでも用いることができる。最適なバイアス電圧は、ガス圧、ガス組成、基体温度等により異なるが、0~-150V程度、プラズマの種類によっては0~100V程度の正のバイアスを用いることも可能である。<材料の特性>本発明に従えば、超硬合金や高速度鋼などの基材に対して、高結晶性のcBNが高密着度にコーティングされた優れた被覆材料が得られる。すなわち、得られるcBN膜は、ラマンスペクトルでcBNの光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱又は光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のいずれか一方あるいは両方の半値幅が、50cm1以下のピークを示し、あるいは、薄膜X線回折で、前記表面膜の立方晶窒化ホウ素の111、200、220、311の内のいずれか1の反射ピークの2θの半値幅が、それぞれ1.5、2.5、2.5、3度以下であるような高い結晶性を有する。さらに結晶性がよい場合は、上記ラマンピークの半値幅は25cm1以下に、X線回折の111、200、220、311の内のいずれか1の反射ピークの2θの半値幅が、それぞれ1、1.5、1.5、2度以下となる。また、本発明によって得られるcBNコート材料は、cBNの密着度が高く、スクラッチテストにより密着度を測定すると、本発明によるホウ化物を形成させた場合、剥れ加重は30N以上であり、また、本発明によるケイ化物を形成させた場合は10N以上であることが確認されている。本発明に従えば、このように密着性の優れたcBN被覆材料が得られる様子をWC-Co系超硬合金の場合を例として模式的に説明すると次のようになる:すなわち、図2に示すように、ホウ化物またはケイ化物の相2が、基体3WC相31およびCo相32からなると、cBN膜1との間の中間層として存在する。ホウ化物またはケイ化物の相2は、より詳細には、WC相31と接する面ではタングステンのホウ化物またはケイ化物が主に生じており、Co相32と接する面ではコバルトのホウ化物またはケイ化物が主に生じている。また、ケイ化物を形成させる場合、前述のように、基材の温度を調節する等の手段により、専らCoとケイ化物を形成させ、WC相にはcBNが直接コーティングされていることもある。なお、超硬物質相WC相に直接cBNがコーティングされている場合には、弾性率が高いという特性があり、一方、ケイ化物が基体表面の全面に存在する場合には、じん性が高いという特性がある。コーティングによりこのような特性の違いがあるために、用途に応じて両者を使い分けて利用することができる。これに対して、従来のcBNコーティング方法では、図3に示すように、sp2結合BN膜100が、基体3に成膜されること同図や、cBNをコーティングする場合に、分厚いsp2結合BN膜100が、基体3に成膜されること同図があり、sp2結合BN膜100上のcBNコーティングが剥がれ易い状態であった。しかし、本発明のcBNコーティング方法では、Coコバルトがホウ化物ホウ素との固溶体またはケイ化物となることで、sp2結合BN生成への触媒作用が抑制され、図2に示すように、cBN膜の生成と密着性の向上が可能となった。本発明のcBN膜は基体側にごく微量のsp2結合BNが存在する場合があるが、この場合もcBN膜の密着性は良好である。本発明の実施に際して、化学気相成長法CVD:化学蒸着法により、ホウ化物またはケイ化物の形成およびその後の立方晶窒化ホウ素を主成分とする膜のコーティングを実施する場合には、供給ガスを切り替えることにより、同一装置内で共通化して実施できることとなり、製造工程を簡略化して作業負荷を軽減することができる。ホウ化物またはケイ化物の形成およびcBNコーティングのいずれかあるいは複数の工程がPVD法の場合でも、それらの工程を工夫することにより同一装置内で全工程を実施することができる。なお、上記では、cBNコーティングの対象となる基材として、主として、Coコバルトを結合相とする超硬合金について説明したが、本発明は、鉄系遷移金属を含有する他の種類の基材にも同様に適用できる。この場合でも、上述したcBNコーティングと同等なcBNコーティングを実施することができる。以下、本発明の特徴をさらに具体的に説明するため実施例を示すが、本発明はこれらの実施例によって制限されるものではない。下記実施例のうち、実施例1-3は、cBNコーティングの前にホウ化物を形成する例であり、実施例4および5は、cBNコーティングの前にケイ化物を形成する例である。また、剥れ加重は、ダイアモンド圧子を押し付け加重を増しながら引っ張るスクラッチ試験により測定したものである。アルゴンと三フッ化ホウ素と水素ガス20:0.01:0.1のプラズマから、基板温度700°Cにて、6コバルト含有炭化タングステン以下WC-6Co基板上に10分間ホウ素膜を堆積し、そのままアルゴン-水素プラズマ20:0.1中で1100°Cに5分間加熱後、500°Cに冷却してホウ化物を形成した。その後アルゴン-三フッ化ホウ素―水素―窒素ガス20:0.003:0.005:1.5からのプラズマCVDにより基板温度850°C、基板バイアス-85Vにて20分間の反応によりcBN膜を堆積させた。これらのプロセスは、全て同じ反応槽内で圧力50Torrでアークジェットプラズマを用いて行った。このcBN膜の膜厚は4ミクロンであった。密着性をアコースティックエミッション付きスクラッチテスト機で調べたところ、剥れ加重は40Nであった。この膜のラマン散乱スペクトルを図4に示すが、光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱又は光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱のピークの半値幅はそれぞれ、20.1、39.1cm1であった。比較例1実施例1と同じ装置で、WC-6Coの基板上に、ホウ素コートのプロセスなしに、アルゴン-三フッ化ホウ素―水素―窒素ガス20:0.003:0.005:1.5からのプラズマCVDにより基板温度850°C、基板バイアス-85Vにて20分間の反応をさせたところ、sp2結合のBNを主成分とするやわらかな剥れやすい膜が得られたのみであった。比較例2実施例1と同じプロセスであるが、アルゴン-水素中プラズマ中の1100°Cでの加熱なしにBN成膜を行ったところ、sp2結合BNの上にcBNの生成した膜が得られたが、取り出し後数時間で剥れてしまった。比較例3実施例1と同じプロセスであるが、アルゴン-水素プラズマ中の1100°Cでの加熱の代わりに、アルゴンのみのプラズマ中の1100°Cでの5分間の加熱の後にBN成膜で得られた膜は、sp2結合BNの上にcBNの生成した膜であったが、スクラッチテストによる剥れ加重は<1Nと密着性が劣っていた。実施例1と同じプロセスであるが、アルゴン-水素プラズマの代わりに、アルゴンのみのプラズマ中での1分間の1370°Cの加熱後、850°Cの成膜で得られたcBN膜は剥れ加重30Nの密着性を示した。WC-6Co基材上に、アルゴン中の高周波スパッタリングにより、約1μmのホウ素膜をコーティングした。その後、実施例1と同じアークジェットプラズマCVD装置にてアルゴンプラズマ中1370°Cで1分間の加熱後500°Cまで冷却し、アルゴン-三フッ化ホウ素―水素―窒素ガス20:0.003:0.005:1.5からの50TorrでのプラズマCVDにより基板温度850°C、基板バイアス-85Vにて20分間の反応によりcBN膜を堆積させた。850°Cの成膜で得られたcBN膜は、剥れ加重30Nの密着性を示した。これら実施例および比較例の結果を下記の表にまとめて一覧で記載した。アルゴンと四塩化珪素と水素ガス20:0.005:0.01のプラズマから、基板温度800°Cにて、WC-6Coを10分間ケイ化珪化し、その後アルゴン、三フッ化ホウ素、水素、窒素ガス20:0.003:0.005:1.5からのプラズマCVDにより基板温度850°Cにて20分間の反応によりcBN膜を堆積させた。これらのプロセスは全て同じ反応槽内で圧力50Torr下でのアークジェットプラズマを用いた。このcBN膜の膜厚は4ミクロンであった。この膜の薄膜X線回折図を図5に示す。sp2結合のBNのピークは目立たず、cBNのピークが見られ、特に111反射は鋭いピークとなっている。そのほかにWSi2とCoSiが現れている。この膜のラマン散乱スペクトルを図7に示す。光学的縦波モードのフォノンによるラマン散乱および光学的横波モードのフォノンによるラマン散乱の半値幅はそれぞれ20.4、34.1cm1であった。この膜は密着性がよく、スクラッチテストによる密着性テストでは、剥れ加重は40Nであった。比較例4実施例4と同じプロセスにおいて、最初のケイ化処理なしにBNの成膜を行った場合は、図6の薄膜X線回折図に示すように、sp2結合のBNを主成分tBNとする、剥れやすい膜しか得られなかった。膜厚は4.3ミクロンであった。cBNは非常に弱く、tBNが最も強く現れている。この膜に、スクラッチテストによる密着性テストを行ったところ、剥れ加重は1N以下であった。6コバルト含有炭化タングステン以下WC-6Co基材上に、アルゴン中の高周波スパッタリングにより、約100nmの珪素膜をコーティングした。これをヘリウム-窒素-三フッ化ホウ素-水素ガス80:20:1.5:15からの高周波誘導プラズマCVD法にて基体温度700°Cで300mTorrの圧力下、30Vのバイアス電圧を用いた30分の成膜により、cBNを主成分とする約2ミクロン厚の膜を得た。この膜に、アコースティックエミッション付きスクラッチテスト機による密着性テストを行ったところ、剥れ加重は10Nであった。比較例5同じ材質の基材を用い、珪素コーティングなしで、ヘリウム-窒素-三フッ化ホウ素-水素ガス80:20:1.5:15からの高周波誘導プラズマCVD法にて、基体温度700°Cで300mTorrの圧力下、30Vのバイアス電圧を用いてBN膜をコートし、cBNおよびsp2結合のBNからなる約2ミクロン厚の膜を得た。この膜にスクラッチテストによる密着性テストを行ったところ、剥れ加重は1N以下であった。"