"半導体パッケージのための半導体回路が複数形成されたMAP基板の表面に樹脂モールドを施し、このモールド樹脂面をダイシングテープに貼り付けてダイシングし、切断した個々の半導体パッケージをピックアップする半導体パッケージの製造方法において、上記MAP基板の複数の半導体回路が配置された集合エリアの外周で、ダイシングソーによって切断される切断片エリアの上記モールド樹脂面に、切断ラインより所定距離離れた位置にレーザーにて第1ダミーマークを施し、この第1ダミーマークが施されたモールド樹脂面を上記ダイシングテープに減圧雰囲気下で貼り付けることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。上記半導体回路を形成した個々のパッケージエリア内の周辺部のモールド樹脂面に、上記パッケージエリアの中心に対して略点対称となる形状の第2ダミーマークをレーザーにて施したことを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。上記パッケージエリア内の第2ダミーマークの一部に、方向判別用の形状を付加したことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体パッケージの製造方法。上記切断片エリアの第1ダミーマーク又は上記パッケージエリア内の第2ダミーマークを同一のマークとし、一回のレーザー照射で施すようにしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。ところで、従来の半導体パッケージの製造方法では、図8に示されるように、MAP基板1の周囲に、テープ7が貼り付けられていない樹脂4の部分があり、この部分の切断片1fが飛散してブレードの破損等を起こすという問題があった。即ち、図7で説明したモールド工程では、下金型2と上金型3でクランプする際に、樹脂漏れ対策を施すことから、MAP基板1の周囲にモールドされていないエリアが発生し、モールド樹脂4との段差ができる。この段差は、モールド樹脂厚と等しく、薄型の半導体パッケージで200~300μm程度、一般的な半導体パッケージで500~700μm程度となる。このような段差のあるモールド樹脂面をテープ7に貼り付けるため、図8に示されるように、モールド樹脂4がなくテープ7に貼り付けられない部分を有する切断片1fが生じ、この切断片1fは、非常に不安定な状態でテープ7と接着するため、ダイシング時に高圧の純水によって飛散し易くなる。そして、この切断片1fがダイシング中に飛散すると、ダイシングブレードとの接触によるブレードの破損、或いはブレードの異常磨耗を起こすことなる。また、上記切断片1fには、包装等の後工程で使用するアライメントマークMcが付されている場合もあり、後工程の作業が困難になる等の問題もある。従来では、半導体ウェハーウェハーレベルCSPの端材の飛散防止を図るものとして、上記特許文献1があり、この文献1では、図11に示されるように、レーザーマークにてウェハー12の裏面の外周部に線状若しくは点状に加工した溝部13を設けており、この溝部13にダイシングテープの粘着剤が浸入することによって、釘若しくはくさびのような働きをし、ダイシングテープが半導体ウェハーに粘着しようとする力が強化されることで、端材の飛散を防止する。しかし、この方法は、ウェハーレベルCSP用途として考えられたもので、ウェハー周辺が平坦で、ウェハー自体も粘着剤との接着力が元々強いため、飛散を防止する接着力の強化はそれ程大きい必要はない。そのため、上記文献1では、ウェハー12にレーザーマーカーで形成される溝部13の深さは2~3μm程度と説明されており、この深さの溝部13に、大気中での通常のテープ貼り付けによる毛細管現象を利用して、粘着剤接着剤を十分浸入させることが可能である。また、2~3μm程度の深さの溝部13に浸入した粘着剤を含むウェハーレベルCSPをダイシングしたとしても、粘着剤の巻上げによるウェハーレベルCSPへの付着も問題がない。一方、インターポーザーを用いるCSP等の半導体パッケージの場合、モールド樹脂に含まれる金型離型剤が樹脂表面にしみ出ることによって、テープ7との接着強度は弱くなっており、またモールド樹脂面の平坦度も低いことから、ウェハーレベルCSPに比べて、ダイシング中の切断片1fの剥がれや飛散が発生し易いという問題がある。また、CSP等の半導体パッケージ製造においては、パッケージサイズが2mm角以下と小型化されるにつれ、上記金型離型剤の影響によって、周辺エリアのみならず、パッケージ5自体の剥がれも発生するという問題が顕著になる。更に、上述のように、UV照射や加熱によってテープ7の接着力をなくすような方法でも、2mm角以下のパッケージ5では切断片1fの飛散を防止することは容易ではなく、この飛散防止を優先してテープ7の接着力を高くする方法では、UV照射後でも接着強度の強さが残るため、パッケージ5の取出し性が安定しないという問題は残される。そのため、接着力と取り出し性の双方を両立する特性を有するダイシングテープ7の開発及び選定は容易ではない。また、上記切断片1f周辺部の剥がれ対策として、図6に示されるように、MAP基板1の周囲の切断片1fa,1fbのエリアのモールド樹脂4を大きくする方法がある。即ち、図6の切断片1faエリアの縦幅、切断片1fbエリアの横幅は、パッケージサイズにより決定され、特に10ピン程度の2.0mm角を下回るパッケージ5では2.0mm以下と小さいため、ダイシング等の負荷に耐え得る、テープ7との接着を維持するためには、切断片1faエリアの横幅Haと切断片1fbエリアの縦幅Hbを3mm以上とする必要がある。しかし、このようにすると、半導体回路集合エリアが狭くなり、1枚のMAP基板1で製作できる半導体パッケージ5の個数が減るため、高コストとなるという問題がある。更に、従来の上記包装工程でのピックアップにおいて、マークMa,Mbの存在によりパッケージ5が傾き、取出しエラーが発生するという問題もある。即ち、図10で説明したように、パッケージ5の中央部をニードル9で突き上げることによって、テープ7からパッケージ5を剥がすが、図9のように、パッケージ5には、ロットマークMaとアドレスマークMbがパッケージ中心に対して非対称の位置に印字されており、このマークMa,Mb内への粘着剤が浸入するため、テープ7から剥離される際にバランスを失い、突き上げられたパッケージ5が斜めになる。この結果、パッケージ5がコレット10の中心に吸着されず水平にピックアップされず、その取出し、取出し後の挿入コレットへの受け渡し、包装部材のポケットへの挿入等ができず装置ジャムの発生を誘発し、生産性に大きな影響を与えることになる。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、MAP基板の周囲の切断片部のモールド樹脂エリアを大きくして製作数を減らすことなく、MAP基板周囲の切断片の飛散を容易に防止し、ダイシングブレードの破損等がなくなり、また包装工程のピックアップ時に半導体パッケージが傾くことを防止し、安定した生産性を達成することができる半導体パッケージの製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1の発明は、半導体パッケージのための半導体回路が複数形成されたMAPモールドアレイパッケージ基板の表面に樹脂モールドを施し、このモールド樹脂面をダイシングテープに貼り付けてダイシングし、切断した個々の半導体パッケージをピックアップする半導体パッケージの製造方法において、上記MAP基板の複数の半導体回路が配置された集合エリアの外周で、ダイシングソーによって切断される切断片エリアの上記モールド樹脂面に、切断ラインより所定距離離れた位置にレーザーにて第1ダミーマークを施し、この第1ダミーマークが施されたモールド樹脂面を上記ダイシングテープに減圧雰囲気下で貼り付けることを特徴とする。請求項2の発明は、上記半導体回路を形成した個々のパッケージエリア内の周辺部のモールド樹脂面に、上記パッケージエリアの中心に対して略点対称となる形状の第2ダミーマークをレーザーにて施したことを特徴とする。請求項3の発明は、上記パッケージエリア内の第2ダミーマークの一部に、方向判別用の形状を付加したことを特徴とする。請求項4の発明は、上記切断片エリアの第1ダミーマーク又は上記パッケージエリア内の第2ダミーマークを同一のマークとし、一回一連のレーザー照射で施すようにしたことを特徴とする。上記請求項1の構成によれば、MAP基板の切断片エリア部分のモールド樹脂面に、ダイシングソーによる切断ラインより所定距離例えば30~50μm程度離れた干渉しない位置に第1ダミーマーク例えば四角形マークがレーザーにて形成される。また、請求項2の構成によれば、半導体回路形成のパッケージエリア内モールド樹脂面の周辺部に対し、パッケージエリア中心に対して点対称となる第2ダミーマーク例えば四角枠のマーク、4辺又は4コーナーにおいて形状が略同一となるマークがレーザーにて形成される。上記第1及び第2ダミーマークを施す切断ラインからの距離は、切断時にダイシングテープの伸び等の原因により発生するカットズレを十分に考量することが必要であり、30~50μm程度が好ましい。この距離が30~50μm程度より小さい場合は、ダイシングにより第1ダミーマークの一部が切断されることがあり、このダミーマークに入り込んだ粘着剤糊の巻上げによる製品への異物付着が起り易くなる。一方、30~50μm程度より大きい場合は、第1ダミーマークへ入り込む粘着剤が少なくなり、切断片の大きさに対して十分なアンカー効果が得られない場合がある。一般に、レーザー加工によって形成されるマークの加工溝の深さは、使用されるレーザーの基本波及び1/2基本波の制御、レーザーパワーの制御によって所望の深さに調整できるが、このような制御によって、本発明の第1ダミーマーク、第2ダミーマーク、方向判別用マーク等の深さは、10μm以上としている。また加工幅はレーザーマーク線幅の制御により調整できる。また、上記第1ダミーマーク、第2ダミーマークが施されたMAP基板のモールド樹脂面に対しダイシングテープを貼り付ける際には、大気圧から真空状態までのチャンバー内の減圧過程において、チャンバー内の圧力及び吸引時間を最適な値に設定することで、減圧雰囲気下でモールド樹脂面をダイシングテープに良好に貼り付けることができる。例えば、1~10kPa程度の減圧雰囲気下とすれば、深さ20~30μm程度の加工溝に同程度の深さでダイシングテープの粘着剤糊が入り込み、十分なアンカー効果が得られる。即ち、加工溝内を減圧雰囲気にした後、大気圧雰囲気に戻すことにより、大気圧との圧力差によって発生する力を利用することで、ダイシングテープの裏面の粘着剤を加工溝内へ入れることができ、具体的には、大気圧約100kPaと上記減圧雰囲気1~10kPaとの圧力差を利用することになる。上記減圧雰囲気の圧力より高い場合は、粘着剤が入り込む力が弱く、また低い場合は、大気圧との差圧は殆ど変わらないため、減圧にかかる時間が長く、生産性が悪くなる。本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、MAP基板周囲の切断片の剥がれ、飛散が容易に防止され、ダイシングブレードの破損、異常磨耗等を起こすことがなく、MAP基板の周囲の切断片部のモールド樹脂エリアを小さくすることもでき、1枚の基板での製作数を増やすことが可能となる。また、包装工程のピックアップ時に半導体パッケージが傾くことを防止し、安定した生産性を達成することができるという効果がある。上記請求項2の発明によれば、第2レーザーマークが個々のパッケージエリアの中心に対して略点対称となる位置に配置されるので、ダイシング時の半導体パッケージの剥がれを良好に防止できると共に、ピックアップ時には半導体パッケージが傾くことを防止して安定した生産性が確保できるという利点がある。上記請求項4の発明によれば、断片エリアの第1ダミーマーク又はパッケージエリア内の第2ダミーマークを、インターポーザーに予めデザインされた位置合わせのアライメントマークを用いて、位置精度よく印字することが可能となり、工程の追加や製造時間の増加を招くことがない。図1には、本発明の第1実施例に係る半導体パッケージCSP:ChipSizePackageの製造方法で用いられるMAP基板の一部が示され、図2には、個々の半導体パッケージの樹脂面に付されたマークが示されており、第1実施例のMAP基板16では、複数の半導体回路がダイボンドワイヤボンド又はフリップチップボンディング等でアレイ状に搭載され、その後のモールド工程にて、図7で説明したように、MAP基板16を下金型2と上金型3で挟み込み、金型キャビティ内へエポキシ樹脂4を注入し熱硬化することで、半導体回路を搭載した集合エリアが樹脂4によりモールド封止される。そして、MAP基板16のモールド樹脂面に対し、予めMAP基板上にデザインされたアライメントマークMcを画像で位置確認し、レーザーにより、第1ダミーマークMd、第2ダミーマークMe、半導体パッケージの向きを識別するための方向判別用マークMf、製品に関する情報を示すロットマークMaの全てが一回のレーザー照射で施される。即ち、図1に示されるように、MAP基板16の周辺部で半導体回路搭載エリアの外側の切断片16fエリアのそれぞれに、四角形実施例は正方形であるが、その他、長方形、円形、多角形、2次元形状等の第1ダミーマークMdが付され、図2にも示されるように、半導体回路が形成された半導体パッケージ17エリアのそれぞれに、四角枠その他、円形枠、点状枠等の第2ダミーマークMeとロットマークMaが付され、この第2ダミーマークMeの1つのコーナー図の右下の角に方向判別識別用マーク形状Mfが付加される。そして、これらのマークMa,Md~Mfは、全て1回一連のレーザー照射により一括して形成される。上記レーザー装置として、例えばYVO4、YAG等の結晶にて基本波1.064μmの発振光を主に用いる赤外レーザー、この赤外レーザー光をSHG結晶を通して532nmに変換して用いるグリーンレーザー等が用いられる。これらのレーザーをモールド樹脂面に照射すれば、モールド樹脂4は相互作用により昇華、溶融又は分解し、またその反応熱により昇華、溶融又は分解が進行し、レーザーをガルバノミラーと呼ばれる可動ミラーにより動かすことによって上記のマークMa,Md~Mfの図形、文字が付され印字等される。実施例のモールド樹脂4は、赤外との相互作用が強いため、マークMa,Md~Mfの加工深さは、赤外レーザーでは20~30μm、グリーンレーザーでは5~20μm程度となる。上記第1ダミーマークMd及び第2ダミーマークMeは、切断時のダイシングテープの伸び等によるカットズレを考量して、切断ライン100から30~50μmの距離だけ離して付すようにする。また、個々の半導体パッケージ17エリアに形成される第2ダミーマークMeとロットマークMaは、パッケージ17の中心に対して略対称となる位置に付され、上記方向判別用マークMfは上記対称関係を崩さないように、小さく形成される。更に、これらのマークMa,Md~Mfの溝の深さは、20~30μm程度とすることが好ましい。次に、上記のマークMa,Md~Mfを形成した後、ダイシングテープ7への貼付けが行われるが、ここでは、図1のMAP基板16を真空チャンバー内に配置し、1~10kPa程度の減圧雰囲気下でモールド樹脂4がテープ7に貼り付けられる。これにより、真空チャンバーから取り出された直後、深さ20~30μm10μm以上のマークMa,Md,Me,Mfの溝内には、大気圧の力で、同程度の深さで多量の粘着剤が侵入し、高いアンカー効果が得られる。即ち、減圧雰囲気下に置くことで、粘着剤の凝集力に打ち勝って多くの粘着剤を浸入させることができる。次の工程では、テープ7に貼られたMAP基板16が、図の切断ライン100に沿ってダイシングソーにて切断される。このとき、上述のように、第1ダミーマークMdの存在によって個々の切断片16fがしっかりと固定され、第2ダミーマークMeとロットマークMaの存在によって個々のパッケージ17がしっかりと固定されることになり、切断片16fは高圧の洗浄水、切削水の負荷に耐え、剥がれ落ちないので、ダイシングブレードの破損や異常磨耗が発生することがない。また、第1及び第2ダミーマークMd,Meは、切断ライン100にはないため、マーク溝内に浸入した多量の粘着剤が同時に切断されることはなく、ブレードの巻上げによってパッケージ17へ粘着剤が付着することを防止できる。次に、上記ダイシングによりパッケージ17が個片化されると、テープ7に貼り付けられたままパッケージ17の電極面に対して製品試験マルチプローブ試験が行われ、その後は、パッケージ17の剥がれが容易となるように、テープ7の粘着剤をUV照射等の方法により硬化させた上で、ピックアップ装置にて良品のパッケージ17を個別にピックアップし、製品の包装が行われる。即ち、図3には、ピックアップ時の様子が示されており、ニードル9により、テープ7の粘着面とは反対方向からパッケージ17が突き上げられることで、パッケージ17をテープ7から引き剥がしながら、ピックアップコレット10のエアー吸着によりパッケージ5の取出しが行われるが、この時には、第2ダミーマークMeと方向判別マークNfがパッケージ中心に対して対称に配置され、これらの溝内に粘着剤8が浸入しているから、従来のように、パッケージ17が傾いたりすることなく、水平状態を維持するので、パッケージ17の安定した取り出しが可能となる。そして、コレット10に吸着されたパッケージ17は、反転によりモールド樹脂マーク面を上に向けた状態で包装部材のポケットに挿入され、そのポケット口をテーピングによりカバーすることで、包装される。上記実施例において、第2ダミーマークMeの線幅は、ロットマークMaの文字幅以上例えば30μm以上とし、第2ダミーマークMeの大きさもロットマークMaの文字高さ以上の長さ例えば0.4mm以上とるのが望ましい。また、上記マークMa,Md~Mfの溝深さを20~30μm程度としたが、この溝の深さに応じて、多量の粘着剤8の浸入を防ぎ、粘着剤8の浸入がアンカー効果として適当となるように減圧状態を調整するのが好ましく、例えばロータリーポンプによる真空チャンバー内の減圧の時間を最適な時間に設定することで、粘着剤の浸入を制御し多様なアンカー効果を得ることが可能である。図4には、第2実施例に係るMAP基板の一部が示されており、このMAP基板26では、切断片26fエリアのモールド樹脂面に設ける第1ダミーマークMdとして、パッケージ17に付したものと同じマークを形成するようにしたものである。即ち、方向判別用マークMfを有する第2ダミーマークMeとロットマークMaからなるマークMe,Mfと同じ模様で、Maと同じ文字を切断片26fエリアにも形成する。そして、これらの第1ダミーマークMdと第2ダミーマークMeを一回のレーザー照射によって形成すれば、新たな加工工程或いはコストの追加もなく、良好な位置精度で形成できるという利点がある。上記第1及び第2実施例によれば、図6との比較で分かるように、MAP基板16,26周囲部での左右側の横幅Haと上下側の縦幅Hbを短くするモールド樹脂エリアを小さくすることができ、これによって、1枚のMAP基板16,26のパッケージ製作数を増やすことが可能となる。図5には、実施例の半導体パッケージ17に印字されるマークの他の例が示されており、この例では、図5に示されるように、第2ダミーマークMeとして、4辺又は4コーナーのそれぞれに棒状形長めの長方形をパッケージ中心に対し点対称となるように2個並べた形状の図2の四角枠を規則性を以って切断したマークを付し、方向判別マークMfとして、パッケージ17の右下の棒状形の端部を少し延ばした延出部を形成したものである。このようなマークによっても、上記と同じ効果を得ることができる。上記第1及び第2実施例では、第1ダミーマークMdを半導体回路搭載エリアの外周の全ての切断片16f,26fのエリアに設けているが、この第1ダミーマークMdは、1つおき、2つ置きというように、部分的に配置することも可能である。"