所定の装置内に設けられたPN接合ダイオードと、前記PN接合ダイオードに既知の温度下で既知の定電流を流した時の第1の順方向電圧に関連した電圧値を予め記憶させてある記憶手段と、前記所定の装置の動作時に前記PN接合ダイオードに前記既知の定電流を流した時点の第2の順方向電圧を測定する測定手段と、前記第2の順方向電圧と、前記記憶手段から読み出した前記第1の順方向電圧に関連した電圧値とを用いて、所定の演算式により前記測定手段による測定時の温度を検出する検出手段とを備えることを特徴とする温度検出回路。前記記憶手段は、前記第1の順方向電圧に関連した電圧値として、前記第1の順方向電圧と予め定めた基準電圧値との差分の電圧を予め記憶していることを特徴とする請求項1記載の温度検出回路。しかしながら、上記の従来の温度検出回路では、温度測定のたびに定電流切替制御が必要だったり、2式に基づく演算又は変換テーブルを用いて温度を求めるなど、温度のコントローラにとっての負担は必ずしも軽いとはいえない場合もあるなどの課題もある。本発明は以上の点に鑑みなされたもので、現在のPN接合ダイオードの順方向電圧と予め記憶させておいた順方向電圧とから容易に現在の温度を検出することができる温度検出回路を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の温度検出回路は、所定の装置内に設けられたPN接合ダイオードと、PN接合ダイオードに既知の温度下で既知の定電流を流した時の第1の順方向電圧に関連した電圧値を予め記憶させてある記憶手段と、所定の装置の動作時にPN接合ダイオードに既知の定電流を流した時点の第2の順方向電圧を測定する測定手段と、第2の順方向電圧と、記憶手段から読み出した第1の順方向電圧に関連した電圧値とを用いて、所定の演算式により測定手段による測定時の温度を検出する検出手段とを備えることを特徴とする。ここで、上記記憶手段は、第1の順方向電圧に関連した電圧値として、第1の順方向電圧と予め定めた基準電圧値との差分の電圧を予め記憶していてもよい。本発明によれば、現在のPN接合ダイオードの順方向電圧と予め記憶させておいた順方向電圧とから容易に現在の温度を検出することができ、これにより低コストで、かつ、効率良く温度制御などが可能になる。次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図1は、本発明になる温度検出回路の一実施の形態の回路系統図を示す。同図に示すように、本実施の形態の温度検出回路10は、所定の装置であるLSI内に設けられており、PNPトランジスタ11と、そのエミッタに接続された定電流回路12と、書き込み/読出し回路13と、不揮発性メモリ14と、出力回路15とで構成されている。本実施の形態の温度検出回路10は、PNPトランジスタ11のエミッタベース間のPN接合ダイオードの順方向電圧を既知の環境下で測定して予め不揮発性メモリ14に基準電圧として記憶させておき、その後LSI動作時にPNPトランジスタ11のエミッタベース間のPN接合ダイオードの順方向電圧を測定し、その測定した順方向電圧と不揮発性メモリ14から読み出した基準電圧とを用いた演算により、現在のLSI内の温度を検出するようにしたものである。なお、定電流回路12はLSI内には持たずにLSIの外部から定電流を供給してもよい。次に、本実施の形態の温度検出回路10の動作について説明する。まず、ウェハ検査工程など温度管理されている環境下で、PNPトランジスタ11のPN接合ダイオードに、定電流回路12から定電流I1を流して書き込み/読出し回路13によりPNPトランジスタ11のエミッタ電圧すなわち、PN接合ダイオードの順方向電圧を測定する。この測定電圧値をVF1として不揮発性メモリ14に書き込む。ここまでの処理はLSIテストプログラムを利用して行い、LSIテスト全体の一部として実施すればよい。次に、このLSIがセット内に実装されると全体は中央処理装置CPUなどのコントローラによって制御されることになる。例えば、CPUがLSIの温度を読み取って、それに応じて冷却ファンの風量を制御して温度調整をすることなどが考えられる。この場合、CPUは上記のVF1測定に使った時と同じ定電流I1を定電流回路12からPNPトランジスタ11のPN接合ダイオードに流して書き込み/読出し回路13によりPNPトランジスタ11のエミッタ電圧すなわち、PN接合ダイオードの順方向電圧を測定させる。この時の測定電圧値をVF2とする。続いて、出力回路15は、書き込み/読出し回路13から出力される、現在のPN接合ダイオードの順方向電圧VF2と、不揮発性メモリ14に予め記憶されている同じPN接合ダイオードの順方向電圧VF1とに基づいて、次式により現在のLSI内の温度T2を簡易的に算出する。T2={VF1-VF2/2}T13ここで、上式中、T1はVF1を測定した時の絶対温度である。また、PN接合ダイオードの温度係数は2mV/°Cとしており、電圧VF1及びVF2はmV単位の値とする。このように、温度の精度がそれほど要求されないシステム用途においては、決められた絶対温度T1下で予め順方向電圧VF1を測定して記録しておくことで、簡単な制御と従来に比べて簡単な演算で現在のLSI内の絶対温度T2を求めることができる。一方で、精度が要求される場合でも、上記の絶対温度T1と定電流回路12からPNPトランジスタ11のエミッタに供給する定電流I1とが既知の状態で、順方向電圧VF1を測定し不揮発性メモリ14に記憶しているので、1式にこれらを代入してダイオードの逆方向飽和電流Isを求め、その後に同じ1式に現在の順方向電圧VF2と定電流I1と先に求めたダイオードの逆方向飽和電流Isとを代入することにより、より精度の高い温度として絶対温度T2を求めることも可能である。なお、メモリデータの書き込み/読出し回路13は、図2Aに示すリセット信号RESETと、同図Bに示す読出しクロックCKと、同図Cに示すシリアルデータDATAとを用いて図2の読出しのタイミングで構成すれば、使用ピン数も少なくて済む。図2のタイミングチャートでは、図2Aにハイレベルで示すリセット信号RESETで読出しの初期化をした後に、同図Bに示す読出しクロックCKの立上りに同期して、10ビットのVF1値B9~B0がMSBB9から順に読み出される様子を示している。なお、この図2は一例であり、使用ピンなどを含めてこれに限定するものではない。また、メモリデータの読出しは毎回行う必要はなく、例えば電源を入れた初期化の時に1度読み出してCPUのメモリに格納しておけば、以降はこのデータを参照すればよいのでCPUの負担は非常に少なくて済む。次に、本発明の他の実施の形態について説明する。この実施の形態は、図1に示した実施の形態の基準となる順方向電圧VF1を書込む不揮発性メモリ14のビット数の削減を図る構成としたものである。通常、PN接合ダイオードの順方向電圧VF1はばらつきを考慮して600mV~700mV程度の値になる。これを2値化して不揮発性メモリ14に書き込もうとすると図2と共に説明したようにメモリデータは10ビット必要になる。そこで、本実施の形態では、PN接合ダイオードの順方向電圧VF1そのものではなく、650mVの差分値として表現するとPN接合ダイオードの順方向電圧VF1は±50mVで表現されるので、不揮発性メモリ14にはPN接合ダイオードの順方向電圧VF1を予め定めた基準電圧である650mVの差分値として記憶するものとする。この場合、上記の差分値は7ビットで表現できるので前記10ビットの場合に比べてチップ面積の削減などを図れる。また、不揮発性メモリ14の種類はいろいろ考えられ、そのいずれかに限定するものではないが、例えば、ポリシリコンを用いたヒューズ型のメモリは、CMOSのLSIプロセスでそのまま作れるので便利であり、コスト増加もほとんど無い。図3は、不揮発性メモリ14としてヒューズ型のメモリを用いた回路例を示す。同図において、不揮発性メモリ14は、複数のプロービングパッド31と、複数のポリシリコンヒューズ32と、ヒューズの切断非切断判断回路33とからなる。ヒューズの切断非切断判断回路33はメモリデータの書き込み/読出し回路13に接続されている。メモリデータの書き込みは、各ビット毎に設けたポリシリコンヒューズ32を、書込む値に応じて断線または非断線にすることで行うが、ポリシリコンヒューズ32は電流を流して溶断することが可能なのでLSIテスタで各ビットに必要な電流を流すか否かの制御で書込める。そこで、図3に示すように各ポリシリコンヒューズ32毎にプロービングパッド31を設けておいて、そこに溶断のための電流を印加するかどうかで制御すれば特別な書込み回路も不要になる。そしてこのプロービングパッド31は、測定した順方向電圧VF1を書込むのに使うだけであり、ウェハ検査の時だけあればよい。よって、LSIパッケージの外に取り出す必要は無いのでピン数の増加をもたらすことはない。読出しはメモリデータの書き込み/読出し回路13を通して行われる。例えば、メモリデータの書き込み/読出し回路13はパラレル入力シリアル出力のシフトレジスタで構成され、リセット信号RESETでポリシリコンヒューズ32の切断非切断の情報をヒューズの切断非切断判定回路33から並列に取り込み、読出しCKに応じて順にこのヒューズ切断非切断の情報をシフトし、シリアルDATAとして出力する。この動作のタイミングは図2のタイミングチャートと同じである。以上のように、本実施の形態の温度検出回路10では、LSI内のPN接合ダイオードによる温度センサと不揮発性メモリ14とを併せ持ち、そこにこの温度センサ固有の基準電圧値VF1を書込んでおき、測定した現在のLSI内のPN接合ダイオードの順方向電圧VF2と上記の基準電圧値VF1との差分を取る程度の演算で現在の絶対温度T2を容易に検出することができ、これにより低コストで、かつ、効率良く温度制御などが可能になるなどの効果が得られる。また、セット内に特別な温度センサを設ける必要もなくなる。なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、PN接合ダイオードはPNPトランジスタ以外のNPNトランジスタやPN接合ダイオードそのものも使用可能であることは勿論である。また、上記例ではPN接合ダイオードの順方向電圧VF1を650mVの差分値として記憶するものとして説明したが、650mVに限定されるものではない。