"行列状に複数の受光部が形成され、当該複数の受光部により受光領域が構成された半導体基板と、前記半導体基板の受光領域であって、前記複数の受光部の間の行間を列方向に延びて形成された垂直転送部と、前記半導体基板であって、前記受光領域の列方向に隣接し、行方向に延びて形成された第1の水平転送部と、前記半導体基板であって、前記第1の水平転送部に対して前記受光領域とは反対側に隣接し、行方向に延びて形成された第2の水平転送部と、前記第1の水平転送部の上方に形成された第1の水平転送電極と、前記第1の水平転送部の上方であって、前記第1の水平転送電極に隣接して形成された第2の水平転送電極とを備え、前記第1の水平転送電極の下方においては、前記受光領域側のポテンシャルが前記第2の水平転送部側のポテンシャルよりも高く、前記第2の水平転送電極の下方においては、前記第2の水平転送部側のポテンシャルが前記受光部側のポテンシャルよりも高いことを特徴とする固体撮像装置。前記第1の水平転送電極は、前記受光領域側の幅が前記第2の水平転送部側の幅よりも広く、前記第2の水平転送電極は、前記第2の水平転送部側の幅が前記受光領域側の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1の水平転送電極の下方の前記第1の水平転送部のN型不純物分布は、前記受光領域側の幅よりも前記第2の水平転送部側の幅が広く、前記第2の水平転送電極の下方の前記第1の水平転送部のN型不純物分布は、前記第2の水平転送部側の幅が前記受光領域側の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の水平転送部の上方に形成された第3の水平転送電極をさらに備え、前記第1の水平転送電極の下方においては、前記第2の水平転送電極側のポテンシャルが前記第2の水平転送電極とは反対側のポテンシャルよりも高いことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の固体撮像装置。画素微細化が進むCCDイメージセンサにあって、水平転送レジスタゲート長905は画素微細化に伴って縮小されている。近年量産化されている1.4μm画素サイズのCCDイメージセンサにおける水平転送レジスタゲート長905は、0.7μm程度である。即ち、第一水平転送電極902の水平転送レジスタゲート長905は画素サイズで決まるため、FPNを抑制のためのポテンシャル勾配を形成するには、第一水平転送レジスタ804の第一水平転送電極902は垂直転送レジスタ802側の狭小化する必要がある。他方、垂直転送レジスタ802から第一水平転送レジスタ804へ信号電荷201を転送する場合にも垂直転送レジスタ802から第一水平転送レジスタ804へ向けて下降するポテンシャル勾配が必要とされる。垂直転送レジスタ802側の転送電極の狭小化は、この垂直転送レジスタ802から第一水平転送レジスタ804へ向けて下降するポテンシャル勾配の低下を招き、垂直転送レジスタ802に信号電荷901を残留させ、この残留信号電荷に起因したFPNが発生するという問題が生じる。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、垂直転送レジスタから第一水平転送レジスタへの転送不良と、第一水平転送レジスタから第二水平転送レジスタへの転送不良とを抑えた、高画質な複数の水平転送レジスタを有する固体撮像装置を提供することである。本発明に係る固体撮像装置は、行列状に複数の受光部が形成され、当該複数の受光部により受光領域が構成された半導体基板と、半導体基板の受光領域であって、複数の受光部の間の行間を列方向に延びて形成された垂直転送部と、半導体基板であって、受光領域の列方向に隣接し、行方向に延びて形成された第1の水平転送部と、半導体基板であって、第1の水平転送部に対して受光領域とは反対側に隣接し、行方向に延びて形成された第2の水平転送部と、第1の水平転送部の上方に形成された第1の水平転送電極と、第1の水平転送部の上方であって、第1の水平転送電極に隣接して形成された第2の水平転送電極とを備え、第1の水平転送電極の下方においては、受光領域側のポテンシャルが第2の水平転送部側のポテンシャルよりも高く、第2の水平転送電極の下方においては、第2の水平転送部側のポテンシャルが受光部側のポテンシャルよりも高いことを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置では、垂直転送部からの第1の水平転送部への転送不良と、第1の水平転送部から第2の水平転送部への転送不良とを抑制することができる。本発明に係る固体撮像装置は、上記構成において、第1の水平転送電極は、受光領域側の幅が第2の水平転送部側の幅よりも広く、第2の水平転送電極は、第2の水平転送部側の幅が受光領域側の幅よりも広い、という構成にすることもできる。このような構成とすれば、不純物濃度を変えることなく、ポテンシャルを変えることができる。本発明に係る固体撮像装置は、上記構成において、第1の水平転送電極の下方の第1の水平転送部のN型不純物分布は、受光領域側の幅よりも第2の水平転送部側の幅が広く、第2の水平転送電極の下方の第1の水平転送部のN型不純物分布は、第2の水平転送部側の幅が受光領域側の幅よりも広い、という構成にすることもできる。このような構成とすれば、転送電極の形状を変えることなく、ポテンシャルを変えることができる。本発明に係る固体撮像装置は、上記構成において、第2の水平転送電極と対向した第2の水平転送部の上方に形成された第3の水平転送電極をさらに備え、第1の水平転送電極の下方においては、第2の水平転送電極側のポテンシャルが第2の水平転送電極とは反対側のポテンシャルよりも高い、という構成にすることもできる。このような構成とすれば、第1の水平転送部から第2の水平転送部への転送不良をさらに抑制することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。[実施例1]図1は、本発明の第一の実施例に係る固体撮像装置の構成を示す概略図である。図1に示すように、画素単位で水平、垂直方向に二次元配列された複数個のフォトセンサ101と、これら複数個のフォトセンサ101の垂直列毎に配されてフォトセンサ101で発生した信号電荷を垂直転送する複数本の垂直転送レジスタ102とによってイメージ部103が構成されている。垂直転送レジスタ102は、垂直走査に相当する動作を受け持っており、垂直転送クロックφV1~φV4によって4相駆動される。垂直転送レジスタ102の出力側には、垂直転送レジスタ102から移送されてきた信号電荷を各々水平転送する例えば第一、第二水平転送レジスタ104,105が併置されている。第一、第二水平転送レジスタ104,105は水平走査に相当する動作を受け持っており、水平転送クロックφH1、φH2、φH3、φH4a、φH4bによって4相駆動される。この第一、第二水平転送レジスタ104,105には、垂直転送レジスタ102から信号電荷が転送される。そして、第一、第二水平転送レジスタ104,105への振分けは、両者間に配された水平転送レジスタ間転送ゲートHHG106によって行われる。この水平転送レジスタ間転送ゲートには、水平転送レジスタ間転送パルスφHHGが印加される。第一、第二水平転送レジスタ104,105の出力側には、転送されてきた信号電荷を検出して信号電圧に変換する例えばフローティングディフュージョンアンプ構成の第一、第二出力部107,108が設けられており、これら第一、第二出力部107,108から各々画素信号が出力される。以上により、第一、第二出力部107,108を有する2チャンネル画素信号出力のCCDイメージセンサが構成されている。図2に図1に示した第一、第二水平転送レジスタ104,105に対応する4相駆動方式の水平転送レジスタの平面図を示し、図3に図2の平面図におけるA-A’線断面の構造図を示す。図3に示すように、pウェル201表面側にはn型転送チャネル202が形成されており、その上方には、第一、第二、第三、第四転送電極203,204,205,206がゲート絶縁膜図示せずを介して形成されている。この第一、第二、第三、第四転送電極203,204,205,206には、それぞれ転送パルスφH1、φH2、φH3、φH4aまたはφH4bが印加される。ここで、図2に示すように、第一水平転送レジスタ304における第一、第三転送電極203,205の形状は、垂直転送レジスタ102側図1を参照の方が第二水平転送レジスタ305側よりも広く形成されている。例えば、1.4μm画素サイズのCCDイメージセンサの場合、垂直転送レジスタ102図1を参照側は0.5μmであり、第二水平転送レジスタ305側は、0.2μmである。尚、第一、第三転送レジスタにおける垂直転送レジスタ102側の転送電極の幅は、垂直転送レジスタの幅例えば、0.3~0.4μm程度よりも広く形成されている。なお、図2に示すように、本実施例に係る固体撮像装置では、信号電荷をブロックするチャネルストップ210が形成されている。他方、第二、第四転送電極204,206の形状は、第二水平転送レジスタ側の方が垂直転送レジスタ302側よりも広く形成されている。例えば、1.4μm画素サイズのCCDイメージセンサの場合、垂直転送レジスタ102側図1を参照は0.2μmであり、第二水平転送レジスタ305側は、0.5μmである。尚、本実施例において第一、第二水平転送レジスタ304、305の第一、第二、第三転送電極203,204,205は、例えば、タングステン配線図示せずを介して、電気的に繋がっている。図4に示すタイミングチャートと図2を用いて、本実施例における固体撮像装置での水平転送レジスタの動作を説明する。初期状態t=t0では、垂直転送電極207の転送パルスφV4がHレベルであり、この印加電圧により、垂直転送電極207下のポテンシャルが深くなっており、垂直転送電極207下に信号電荷が蓄積されている。時刻t1では、垂直転送電極207の転送パルスφV4がHレベルからLレベルとなり、垂直転送レジスタ最終電極208の転送パルスφVLがLレベルからHレベルとなることから、垂直転送電極207下のポテンシャルは浅くなり、垂直転送レジスタ最終電極208のポテンシャルが深くなる。従って、信号電荷は垂直転送レジスタ最終電極208に移送される。時刻t2では、垂直転送レジスタ最終電極208の転送パルスφVLがHレベルからLレベルとなることから、垂直転送レジスタ最終電極208下のポテンシャルは浅くなり、垂直転送レジスタ102図1を参照より信号電荷は移送され、第一水平転送レジスタ304の第一転送電極203下の蓄積領域に移送される。このとき、第一転送電極203の転送パルスφH1は、Hレベルであり、第一転送電極203下のポテンシャルは深くなっている。時刻t3では、第一転送電極203の転送パルスφH1がHレベルからLレベルとなり、第四転送電極206の転送パルスφH4a、φH4bがLレベルからHレベルとなることから、第一転送電極203下のポテンシャルは浅くなり、第四転送電極206下のポテンシャルは深くなる。従って、信号電荷は第四転送電極206下に移送される。時刻t4では、水平転送レジスタ間転送パルスφHHGがLレベルからHレベルとなり、転送パルスφH4aがHレベルからLレベルとなることから、水平転送レジスタ間転送ゲート306下のポテンシャルが深くなり、第一水平転送レジスタ304の第四転送電極206下のポテンシャルが浅くなる。従って、信号電荷は水平転送レジスタ間転送ゲート306下に移送される。時刻t5では、水平転送レジスタ間転送パルスφHHGがHレベルからLレベルとなることで、信号電荷は、第二水平転送レジスタ305の第四転送電極206に移送される。このようにして、垂直転送レジスタ102図1を参照より移送されてきた信号電荷は、第一、第二水平転送レジスタ304、305に振り分けられる。以降、水平転送パルスφH1、φH2、ΦH3、φH4a、φH4bによって4相駆動され、振り分けられた信号電荷は、第一、第二水平転送レジスタ304、305の出力側に設けられた第一、第二出力部107,108図1を参照へと転送され、画素信号として出力される。ところで、ポテンシャルの深さは、チャネル長に依存し、チャネル長が長いとポテンシャルは深くなり、短いとポテンシャルは浅くなる。本実施例においては、図3の断面構造図で示したとおり、転送電極下の不純物濃度は一様であることから、チャネル長は転送電極の幅によって決定される。第一水平転送レジスタ304の第一、第三転送電極203,205は垂直転送レジスタ102側図1を参照の方が第二水平転送レジスタ305側よりも広く形成されていることから、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが深く、第二水平転送レジスタ305側のポテンシャルが浅く形成される。他方、第一水平転送レジスタ304の第二、第四転送電極204,206は垂直転送レジスタ102側図1を参照よりも第二水平転送レジスタ305側の方が広く形成されているため、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが浅く、第二水平転送レジスタ305側のポテンシャルが深く形成される。本実施例においては、垂直転送レジスタ102側図1を参照から第一水平転送レジスタ304への信号電荷転送は、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが深く形成された第一転送電極203へ信号電荷が移送される。よって、垂直転送レジスタ102図1を参照と第一水平転送レジスタ304間のポテンシャル勾配を十分に確保できるようになるため、垂直転送レジスタ102図1を参照での信号電荷の残存を抑制し、FPNの発生を防止することが可能となる。また、第一水平転送レジスタ304から第二水平転送レジスタ305への信号電荷転送は、信号電荷を隣接する第一転送電極203から第四転送電極206に移送した後に行う。第四転送電極206は、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが浅く、第二水平転送レジスタ305側のポテンシャルが深いため、垂直転送レジスタ102図1を参照から第二水平転送レジスタ305に向かったポテンシャル勾配を持つ。よって、第一水平転送レジスタ304での信号電荷の残存を抑制し、FPNの発生を防止することができる。尚、本実施例で示したように、第一水平転送レジスタ304の第一転送電極における垂直転送レジスタ102側図1を参照の転送電極の幅は、垂直転送レジスタ幅209よりも広く形成することが望ましい。このような形態をとることにより、垂直転送レジスタ102図1を参照から第一水平転送レジスタ304に信号電荷を転送する際、入口に対して出口が拡がった信号電荷の経路となるため、よりスムーズな信号電荷の転送が可能となる。[変形例]図5に示すように、第二水平転送レジスタ305の転送電極形状を変更した変形例に係る固体撮像装置の構成の一部を示す。なお、図5に示す第二水平転送レジスタ305の転送電極を除く部分については、上記実施例1に係る固体撮像装置と同一構成を備えるので、図示および説明を省略する。図5に示すように、第二水平転送レジスタ第四転送電極406の形状を第一水平転送レジスタ304の方がその反対側よりも広く形成する。これにより、第二水平転送レジスタ第四転送電極406の第一水平転送レジスタ304側のポテンシャルが深く形成される。よって、本変形例に係る固体撮像装置では、実施例1に係る固体撮像装置に対し、第一水平転送レジスタ304から第二水平転送レジスタ305へのポテンシャル勾配が更に大きくなり、第一水平転送レジスタ304から第二水平転送レジスタ305へ信号電荷を転送するがよりスムーズになり、第一水平転送レジスタでの信号電荷の残存FPNを抑制できる。尚、第一水平転送レジスタ304側の第二水平転送レジスタ第四転送電極406の幅は、水平転送レジスタ間転送チャネル幅407よりも広く形成することが望ましい。このような形態をとることにより、第一水平転送レジスタ304から第二水平転送レジスタ305に信号電荷を転送する際、入口に対して出口が拡がった信号電荷の経路となるため、よりスムーズな信号電荷の転送が可能となる。[実施例2]第二の実施例において、第一の実施例と異なる点は、第一水平転送レジスタ304におけるポテンシャル勾配を不純物分布によって形成する点であり、その他の構成は第一の実施例と同様である。よって、その要旨となる点について説明する。本実施例の第一、第二水平転送レジスタ304、305に対応する4相駆動方式の水平転送レジスタの平面図を図6に示し、当該図6に示す平面図におけるB-B’線断面の構造図を図7に示す。図7に示すように、pウェル501表面側にはn型転送チャネル502が形成されており、その上方には、第一、第二、第三、第四転送電極503,504,505,506がゲート絶縁膜図示せずを介して形成されている。この第一、第二、第三、第四転送電極503,504,505,506には、それぞれ転送パルスφH1、φH2、φH3、φH4aまたはφH4bが印加される。尚、本実施例において第一、第二水平転送レジスタ304、305の第一、第二、第三転送電極503,504,505は、例えば、タングステン配線図示せずを介して、電気的に繋がっている。ここで、第一、第二、第三、第四転送電極503,504,505,506下にはp型不純物領域510が形成されている。p型不純物領域510の形成には、例えば、フォトリソグラフィーにより所望の注入領域をパターニングした後、注入エネルギーを50keV、ドーズ量を5.0E11個/cm2に設定して硼素Bなどのp型不純物を注入する。図6および図7に示すように、第一水平転送レジスタ304における第一、第三転送電極503,505下のp型不純物510は、第一、第三転送電極503,505下のn型転送チャネル502が垂直転送レジスタ302側の方が第二水平転送レジスタ305側よりも広くなるように形成される。他方、第二、第四転送電極504,506下のp型不純物510は、第二、第四転送電極504,506下のn型転送チャネル502が、第二水平転送レジスタ側の方が垂直転送レジスタ302側よりも広くなるように形成される。本実施例において、第一水平転送レジスタ304における第一、第二、第三、第四転送電極503,504,505,506のポテンシャルの深さは、各転送電極下のn型転送チャネル502に依存する。即ち、第一水平転送レジスタ304の第一、第三転送電極503,505下のn型転送チャネル502は、垂直転送レジスタ302側の方が第二水平転送レジスタ305側よりも広く形成されていることから、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが深く、第二水平転送レジスタ305側のポテンシャルが浅く形成される。他方、第一水平転送レジスタ304の第二、第四転送電極504,506下のn型転送チャネル502は垂直転送レジスタ302側よりも第二水平転送レジスタ305側の方が広く形成されているため、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが浅く、第二水平転送レジスタ305側のポテンシャルが深く形成される。以上のように、本実施例においても、第一の実施例と同様に垂直転送レジスタ102図1を参照から第一水平転送レジスタ304への信号電荷転送は、垂直転送レジスタ102側図1を参照のポテンシャルが深く形成された第一転送電極503に信号電荷が転送される。このことにより、垂直転送レジスタ302と第一水平転送レジスタ304間のポテンシャル勾配を十分に確保できるようになるため、垂直転送レジスタ102図1を参照での信号電荷の残存を抑制し、FPNの発生を防止することが可能となる。また、第一水平転送レジスタ304から第二水平転送レジスタ305への信号電荷転送は、垂直転送レジスタ102図1を参照から第二水平転送レジスタ305に向かったポテンシャル勾配を持つ第四転送電極506を介するため、第一水平転送レジスタ304での信号電荷の残存を抑制し、FPNの発生を防止することができる。更に、本実施例では、イオン注入によりp型不純物領域510を形成するだけで容易にポテンシャル勾配を形成し、FPNの発生を抑制することができる。"