SiC又はGaNを主成分とした半導体基板と、前記半導体基板上に接合された複数の金属層と、を備えた半導体装置であって、前記複数の金属層は、最外層に外部との電気接続を行うための配線金属層を備え、前記配線金属層は、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち少なくとも1種類の微量の溶質元素を添加した合金層であり、前記配線金属層に含まれるAgへの溶質元素の添加量は、それぞれ01atCu以上、03atAl以上、01atBe以上、015atSb以上である半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記配線金属層には、外部電極との電気接続を行うための接合部材または外部基板が接続されることを特徴とする半導体装置。請求項2記載の半導体装置において、前記複数の金属層は、前記半導体基板と前記配線金属層との間に、Ti、W、Ta、Pt、Moの何れかによって構成された電極層を備え、前記電極層は前記半導体基板とオーミック接触またはショットキー接触していることを特徴とする半導体装置。請求項3記載の半導体装置において、前記電極層と前記配線金属層との間には、Cu、Mo、W、Pt、Ni、Ti、Crの何れかによって構成されたバリア層を備えていることを特徴とした半導体装置。請求項2記載の半導体装置において、前記半導体装置はショットキーバリアダイオード又は、FET、ダイオードであることを特徴とした半導体装置。請求項2から5何れか一項記載の半導体装置を接続した回路基板。SiC半導体又はGaN半導体の動作温度はSi半導体より高く、Si半導体の動作保障温度より100°C以上高い200°Cや300°Cでの動作となる。このため、SiC半導体又はGaN半導体を採用する場合、これら半導体基板自体を構成する材料の耐熱温度だけでなく、これらを半導体素子として実装するための接合材料や周辺の構成部品、例えば配線金属層の耐熱温度が問題となる。また金属は、その再結晶温度近傍で結晶構造が変化するに伴い、抵抗率も変化するため、半導体素子として実装した場合に再結晶温度を超えてしまうと、動作不良の原因となる。また、外部との接続に用いる金属ワイヤ等や接続先の基板等からの応力により、配線金属層の故障の原因となる。従来技術では、SiCおよびGaN半導体の動作温度にて動作不良を起こさず使用可能な配線金属層については考慮されていない。例えば特許文献1記載の配線金属材料では、再結晶温度については考慮されておらず、SiC半導体およびGaN半導体の動作温度では配線材料の劣化による動作不良、および外部からの応力による故障を招く懸念が生じる。また、Cu、Al、Ti、Pd、Ni、V、Ta、W、Mo、Cr、Ru、Mgの添加量が制限されており、再結晶温度を十分に高めるためには相当量のAuを添加しなければならないため、従来に比して価格の高い半導体デバイスとなる。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、SiC半導体およびGaN半導体の動作温度において配線材料等の周辺部材の特性変化を抑制し、安定して動作可能なSiC半導体又はGaN半導体を、コストを抑えながら提供することにある。上記課題を解決するため本発明は、SiC又はGaNを主成分とした半導体基板と、前記半導体基板上に接合された複数の金属層と、を備えた半導体装置であって、前記複数の金属層は、最外層に外部との電気接続を行うための配線金属層を備え、前記配線金属層は、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち少なくとも1種類の微量の溶質元素を添加した合金層であり、前記配線金属層に含まれるAgへの溶質元素の添加量は、それぞれ01atCu以上、03atAl以上、01atBe以上、015atSb以上であることを特徴とする。本発明によれば、合金層内部の転移や原子空孔等の点欠陥は添加金属の原子と容易に結合するため点欠陥自体は移動し難い温度領域が拡がる。これにより、配線金属層の再結晶温度が高くなる。すなわち、本発明のSiC半導体およびGaN半導体は配線金属の機械的特性や電気特性が変化することなく安定して動作可能となる。以下、本発明構造の実施例を説明する。図1を用いて本発明の基本構造を示す一実施例を説明する。図1は本発明の半導体装置の一部を示す断面構成図である。SiC基板4上に金属層3、その上層に金属層2、最表層に金属層1からなる半導体装置である。例えば、ショットキーバリアダイオード、FET、ダイオード等の半導体装置を構成する。金属層3はSiC基板とオーミック接触により電極オーミック電極を形成しており、例えば、Ti、W、Ta、Pt、Moの何れかの金属層をスパッタ蒸着によって形成する。ここで、オーミック接触とは、半導体と金属の接触接合の種類の一つであり、抵抗値一定となる接触である。一般的に、あらゆる半導体においてこの接触が重要となっており、例えば、CPUやメモリ等を形成するトランジスタには電気を流すための電極としてこのオーミック接触からなるオーミック電極が用いられている。なお、ここでの接触は、ショットキー接触であってもよい。次に、金属層3の上面には金属層2を形成する。金属層2は例えばCu、Mo、W、Pt、Ni、Ti、Crの何れかの金属層をスパッタ蒸着により形成する。ここで、金属層2はバリア層の役割を果たし、金属層2に接合する金属層中の金属原子の拡散を防ぎ、金属拡散による半導体装置の特性変化や不具合の発生を防止することが可能となる。また、金属層2の上面には金属層1を形成する。金属層1は半導体素子外部との電気接続を行うための配線金属層の役割を果たす。従来技術では、金属層1は、AlやCu又はAgを用いていた。一方、本発明では、金属層1を、Agを主成分として、Cu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層とする。さらに、これら添加元素の添加量は、少なくともそれぞれの元素について01atCu以上、03atAl以上、01atBe以上、015atSb以上とする。これ以下の添加量の場合、金属層1の再結晶温度がSiC半導体又はGaN半導体の動作温度より高くなることを保証できないからである。なお、これら元素の添加量は、それぞれの元素をAgに添加した時に、SiC半導体又はGaN半導体の動作温度を再結晶温度が超えるように算出した値である。また、金属層1は、例えば、スパッタ蒸着により形成する。あるいは、めっき法により形成する。従来技術では、図7に示すように半導体装置の配線金属層にはAlやCu、Ag等を用いている。しかし、これらの金属の再結晶温度はSiC半導体の動作温度200°Cあるいは300°Cよりも低い。このため、半導体の使用温度において、配線金属層の特性変化を生じ、さらには半導体装置に不具合を来たすことが懸念される。本実施例によれば、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を上記添加量に従い添加した合金とすることにより、Ag中の原子空孔や転移等の点欠陥は添加金属の金属原子と結合し、点欠陥は移動し難くなる。この結果、合金の再結晶温度はAgの再結晶温度よりも高くなり、合金の機械的特性や電気的特性が変化せず安定した温度域が拡大する。すなわち、金属の再結晶温度を上昇させることにより、金属が軟化を始める温度を上昇させ、機械的特性や抵抗率等の電気的特性が変化しない温度領域を拡げることが可能である。また、Cu、Al、Be、Sbの代わりにAuを添加することも考えられるが、Auは上記金属元素よりもコストがかかる。また再結晶温度の上昇の効果は薄いため、Cu、Al、Be、Sbよりも添加量が増加してしまう。したがって、Cu、Al、Be、SbをAgに添加した合金を配線金属層に用いることで、コスト増加を抑えつつ、配線金属層の機械的特性や抵抗率等の電気的特性が変化しない温度領域を拡げることが可能となる。上記合金を、さらに本半導体装置の金属層3に用いることにより、高温においても金属層の機械的劣化や抵抗値の変化のない安定した動作が可能な半導体デバイスの提供が可能となる。特に、SiC半導体が本来の性能を最大限に発揮するための動作温度は200°Cあるいは300°Cと云われているが、従来技術でSiC半導体を200°C以上で、配線金属層の特性劣化を生じることなく使用することは困難である。一方、本発明では、上記実施例により例えば200°C以上でも安定して動作可能なSiC半導体を提供する。図5および図6を用いて、本発明の半導体装置の金属層、つまり、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金に関し、機械的特性の特徴を説明する。図5は温度に伴う金属の硬度の変化を示しており、何れの金属も該金属の再結晶温度近傍において硬度の低下が生じ、さらに再結晶が進むにつれて金属の硬度は低下を続ける。これは、金属中の原子空孔や転位等の点欠陥の移動によるものであり、点欠陥が移動によって消滅するに伴い金属材料の硬度は低下する。すなわち、点欠陥の存在により金属材料の硬度が変化する。図6は、温度に伴う硬度の変化について、AgとAgを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金とを比較して示した図である。Agに対し、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金は、再結晶温度が上昇する。これに伴い、硬度が低下を始める温度も高温側へシフトする。これは、Agに上記の金属元素を微量添加することにより、Ag中の原子空孔や転位等の点欠陥は添加金属の金属原子と結合する。この結合するエネルギーが大きい程、点欠陥は移動し難く、その結果、再結晶温度は高温側へシフトし易く金属は変形を起こし難い温度域が拡大する。Agに添加する上記金属Cu、Al、Be、Sbの原子は、数多く存在する金属種の中でも、Ag中の転位との結合エネルギーが比較的高い。このため、他の金属ではなく、上記添加金属がAgの再結晶温度を上昇させるのに適当な金属である。さらに、これらの添加金属は数ある金属種の中でも低抵抗率を有する金属である。よって、これらの金属を用いることにより、従来技術と比較して、半導体装置の電気的特性を同等以上とすることが可能となる。図2、図3を用いて本発明の半導体装置を外部電極に接続する構造の一実施例を説明する。図2は本発明の半導体装置に金属リードを接合して外部電極に繋げた一部を示す断面構成図である。本発明の半導体装置の金属層1に接合材料5によって金属リード6を接合する。ここで、接合材料5は、例えば、ここでははんだペーストとする。また、金属リード6は、例えばここではCuを用いる。一方、図3は本発明の半導体装置に金属ワイヤを接合して外部電極に繋げた断面構成図を示す。また、外部電極への接続は、これらの方式に限られず、はんだバンプなどによる接合など、様々な接続方式が採用できる。本発明の半導体装置の金属層1に金属ワイヤ7を超音波接合により接続する。ここで、金属ワイヤ7は、例えば、AuワイヤやCuワイヤ、Alワイヤ等が考え得る。半導体装置の金属層に金属リードや金属ワイヤ等を接合した構造では、使用温度の変化に伴う熱応力によって金属リードや金属ワイヤは変形する。金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形は、半導体装置の金属層へも応力を伝達する。同時に、従来技術の金属層Al、Cu、Agは、少なくとも150°C以上の温度では金属の再結晶に伴う強度劣化が生じる。このため、150°C以上の温度において金属層の強度劣化が生じている際に金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形が金属層に伝達すると、金属層の劣化による半導体装置の不良が発生する。例えば、金属層の剥離や金属リード剥がれ等が考えられる。あるいは、金属層の特性変化により、半導体装置の電気的特性に変化が生じることが懸念される。本発明によれば、半導体装置の金属層1にAgを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を上記添加量に従い添加した合金による合金層を用いることにより、金属層1の再結晶に伴う機械的特性の劣化を150°C以上とできる。このために、150°C以上において金属リードおよび金属ワイヤの熱応力変形が生じても、これに伴う半導体装置の不具合、例えば合金層の剥がれや金属リード剥がれの生じる可能性が極めて低い、信頼性高い半導体装置を提供することが可能となる。また、電気的特性の変化が生じない温度域も拡がり、安定して動作可能な半導体装置の実現が可能である。図4を用いて本発明の半導体装置を外部基板に接続する構造の一実施例を説明する。図4は本発明の半導体装置を外部基板に接続した一部を示す断面構成図である。SiC基板4上に金属層3、その上層に金属層2、最表層に金属層1を形成し、さらにこれとは対するSiC基板4上に金属層8、その上層に金属層9、さらにその上層に金属層10からなる半導体装置を接合材料11を介して外部基板12に接合した実装構造である。金属層8は例えばTiのスパッタ蒸着により形成する。その上層の金属層9は例えばNiめっきにより形成する。そしてその上層の金属層10は本発明構造の特徴であるAgの合金層とし、Agを主成分として、Cu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層により形成する。また、接合材料11は、例えば、はんだペーストあるいはAgペースト等を用いる。外部基板12は、例えば、熱伝導率の高い金属基板を用いる。半導体装置を外部基板に接合する構造では、半導体装置、接合材料、外部基板それぞれの物性の違いにより応力とそれに伴う変形が生じる。例えば、それぞれの部材の線膨張係数差により各部材には熱応力変形が生じる。また、それぞれの部材のヤング率の違いにより、接合部にはせん断応力とこれに伴うせん断変形が生じる。さらに、従来技術では、金属層10はAgやNi、Auを用いることが多いが、これらの金属の再結晶温度は少なくとも200°Cよりも低く、200°C以上の温度では金属中の原子空孔や転位等の点欠陥の移動に伴い金属の特性変化が生じる。この結果、金属の強度は低下する等機械的特性に劣化を生じる。このように、金属層10の物性が使用環境温度によって変化し、さらに熱応力変形やせん断変形が加わると、半導体装置に予期せぬ不具合を来たすことになる。不具合とは、例えば、金属層10の剥がれや接合材料11内の亀裂発生等が懸念される。本発明によれば、金属層10はAgを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種類または複数種の微量の金属元素を添加した合金層であるため、金属層10の再結晶温度を200°C以上とすることが可能となる。これにより、200°C以上の使用環境において熱応力変形やせん断変形が加わっても、合金層自体の特性は変化しないため予測し得ない不具合を生じる可能性が極めて少ない。すなわち、機械的特性に優れかつ信頼性設計が容易な半導体装置を提供することが可能となる。本発明によれば、SiC半導体またはGaN半導体を構成する配線金属層を、Agを主成分としてCu、Al、Be、Sbのうち1種又は複数種の金属を微量添加した合金とすることにより、合金層内部の転移や原子空孔等の点欠陥は添加金属の原子と容易に結合するため点欠陥自体は移動し難い温度領域が拡がる。これにより、配線金属層の再結晶温度が従来技術の配線金属層例えばAlやCu、Agよりも高くなる。特に、微量添加金属を上記した原子量濃度で添加することにより、再結晶温度は150°C以上となる。すなわち、本発明のSiC半導体およびGaN半導体は150°C以上の動作温度、例えば200°C、300°Cにおいても、配線金属の機械的特性が変化することなく安定して動作可能となる。また、配線金属の抵抗率についても、安定して動作可能な温度領域が拡がる。従来技術の配線金属では、再結晶温度近傍になると配線金属の抵抗率は変化を始めるため、使用温度によって半導体デバイス自体の特性に変化を招く。一方、本発明の配線金属では、合金内部の点欠陥が移動し難い温度領域が拡がることにより、再結晶温度が高温になるだけではなく、配線金属の抵抗率が変化しない安定した温度領域が拡がる。すなわち、本発明のSiC半導体およびGaN半導体は150°C以上の動作温度でも配線金属の抵抗率が変化し難く安定して動作可能となる。