"第1レーザビームを生成する段階と、回折光学素子を利用し、前記第1レーザビームを複数個の第2レーザビームに分割する段階と、分割された複数個の前記第2レーザビームを、前記基板の周面と平行な前記基板の内部の平面に集束させる段階と、前記平面に沿って前記基板を面分離させる段階と、を含む基板の加工方法。前記基板は、移動部上に位置し、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階後に、前記移動部を前記平面と平行な方向に移動させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。前記基板は、移動部上に位置し、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階後に、前記移動部を前記平面と平行な方向に回転させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。前記回折光学素子は、複数個の回折格子を含み、前記基板の加工方法は、前記回折格子を回転させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。前記基板は、前記平面を取り囲むエッジ領域をさらに含み、前記基板を面分離させる段階前に、前記基板の前記エッジ領域を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。複数個の前記第2レーザビームのエネルギー分布は、それぞれガウス分布形状を有し、複数個の前記第2レーザビームを前記基板内部の平面に集束させる段階は、集束レンズを使用して行われ、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームのエネルギーが互いに重畳されて均一なエネルギー分布となるように、前記基板と前記集束レンズとの間の距離を調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階によって、前記基板内部の前記平面上に、複数個の改質領域が形成され、前記基板を面分離させる段階は、前記改質領域間に、前記平面に沿ってクラックが伝播されるように、前記基板に応力を印加する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。前記基板に応力を印加する段階は、ウォータジェット、エアゾールジェット、レーザまたはブレードを利用し、前記基板の側面に応力を印加する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板の加工方法。前記基板に応力を印加する段階は、UVレーザビームを利用し、前記基板の周面に衝撃波を印加する段階、又は前記基板を加熱しまたは冷却して、前記基板に熱応力を印加する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板の加工方法。前記基板に応力を印加する段階は、前記基板内部の前記平面の上部領域及び下部領域をそれぞれ固定させる段階と、前記上部領域または前記下部領域のうち少なくとも一方を、前記平面と垂直な方向または平行な方向に移動させる段階と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板の加工方法。本発明の技術的課題は、スラリを使用せずに、基板を面分離させることによって、コスト節減を図ることができる基板の加工方法を提供することである。本発明の他の技術的課題は、スラッジの発生を防止できる基板の加工方法を提供することである。本発明の一様態による基板の加工方法が提供される。前記基板の加工方法は、第1レーザビームを生成する段階、回折光学素子を利用し、前記第1レーザビームを複数個の第2レーザビームに分割する段階、分割された複数個の前記第2レーザビームを、前記基板の周面と平行な前記基板内部の平面に集束させる段階、及び前記平面に沿って前記基板を面分離させる段階を含むことができる。前記基板の加工方法の一例によれば、前記基板は、移動部上に位置し、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階後に、前記移動部を前記平面と平行な方向に移動させる段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板は、移動部上に位置し、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階後に、前記移動部を前記平面と平行な方向に回転させる段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記回折光学素子は、複数個の回折格子diffractiongratingsを含み、前記基板の加工方法は、前記平面内に集束された複数個の前記第2レーザビームのフォーカス間隔が変化するように、前記回折格子を回転させる段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板は、前記平面を取り囲むエッジ領域をさらに含み、前記基板を面分離させる段階前に、前記基板の前記エッジ領域を除去する段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、複数個の前記第2レーザビームのエネルギー分布は、それぞれガウス分布Gaussiandistribution形状を有し、複数個の前記第2レーザビームを前記基板内部の平面に集束させる段階は、集束レンズを使用して行われ、前記基板の加工方法は、複数個の前記第2レーザビームのエネルギーが互いに重畳されて均一なエネルギー分布となるように、前記基板と前記集束レンズとの間の距離を調節する段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、複数個の前記第2レーザビームを集束させる段階によって、前記基板内部の前記平面上に、複数個の改質領域が形成され、前記基板を面分離させる段階は、前記複数個の改質領域間に、前記平面に沿ってクラックが伝播されるように、前記基板に応力を印加する段階をさらに含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板に応力を印加する段階は、ウォータージェットwaterjet、エアゾールジェットaerosoljet、レーザ、またはブレードbladeを利用し、前記基板の側面に応力を印加する段階を含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板に応力を印加する段階は、UVレーザビームを利用し、前記基板の周面に衝撃波を印加する段階を含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板に応力を印加する段階は、前記基板を加熱しまたは冷却して、前記基板に熱応力を印加する段階を含むことができる。前記基板の加工方法の他の例によれば、前記基板に応力を印加する段階は、前記基板内部の前記平面の上部領域及び下部領域をそれぞれ固定させる段階と、前記上部領域または前記下部領域のうち少なくとも一方を、前記平面と垂直な方向または平行な方向に移動させる段階を含むことができる。本発明の他の様態による基板の加工方法が提供される。前記基板の加工方法は、第1レーザビームを生成する段階、回折光学素子を利用し、前記第1レーザビームを複数個の第2レーザビームに分割する段階、分割された複数個の前記第2レーザビームを前記基板の周面と平行な前記基板内部の平面に集束させる段階、前記基板を移動または回転させることによって前記基板内部の前記平面上に複数個の改質領域を形成する段階、前記基板の前記平面を取り囲むエッジ領域を除去する段階、及び前記複数個の改質領域間にクラックが伝播されるように、前記基板に応力を印加することによって、前記平面に沿って前記基板を面分離させる段階を含むことができる。本発明の実施形態による基板の加工方法は、レーザを使用して基板を面分離させるので、機械的研磨を行うためのスラリの使用が不要である。従って、工程コストを節減できる。また、機械的研磨による副産物であるスラッジの発生を防止できる。すなわち、親環境的の工程の遂行が可能である。また、本発明の実施形態による基板の加工方法は、機械的研磨によって発生しうるウェーハの損傷、汚染などを防止できる。従って、ウェーハの収率を上昇させることができる。さらに、本発明の実施形態による基板の加工方法は、面分離がなされて残ったウェーハをリサイクルすることができる。すなわち、ウェーハのコスト低減を達成できる。以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の実施形態は、当技術分野で当業者に、本発明についてさらに完全に説明するために提供されるものであり、以下の実施形態は、さまざまな異なる形態に変形され、本発明の範囲が、以下の実施形態に限定されるものではない。むしろそれら実施形態は、本開示をさらに忠実であって完全なものにし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。以下、本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態を概略的に図示する図面を参照しつつ説明する。図面において、例えば、製造技術及び/または公差によって、図示された形状の変形が予想されうる。従って、本発明の実施形態は、本明細書に図示された領域の特定形状に制限されるものであると解釈されるものではなく、例えば、製造上で引き起こされる形状の変化を含むものである。図1は、本発明の技術的思想による実施形態による基板加工装置100を概略的に示したものである。図1を参照すれば、基板加工装置100は、レーザ光源110、ミラー120、回折光学素子DOE:diffractiveopticalelement130、集束レンズ140及び移動部160を含むことができる。レーザ光源110は、第1レーザビーム125を生成するように構成されうる。第1レーザビーム125は、赤外線IRレーザビームを含むことができる。さらに、レーザ光源110は、クラックcrack領域を形成するための、Nd:YAGレーザ、Nd:YVO4レーザ、Nd:YLFレーザ、チタンサファイアレーザまたはファイバーレーザを含むことができる。レーザ光源110は、回折光学素子130の上方に位置しうる。また、レーザ光源110によって生成されって出射された第1レーザビーム125の光路を修正するように、レーザ光源110と回折光学素子130との間に、少なくとも1つのミラー120が配置されうる。回折光学素子130は、第1レーザビーム125を複数個の第2レーザビーム135に分割するように構成されうる。さらに具体的には、回折光学素子130は、レーザビームの回折現象を利用し、入射される1つのレーザビームを複数個に分岐して出射するように構成できる。回折光学素子130は、一次元または二次元のビームアレイを形成するための複数個の回折格子diffractiongrating132図2を含むことができる。図示されていないものの、回折格子132が回転できるように、回折光学素子130は、回転手段図示せずによって固定されうる。前記回転手段によって、前記回折格子132は、回折光学素子130の表面と垂直な方向Zを基準に、時計回り方向または反時計回り方向に回転しうる。集束レンズ140は、移動部160と回折光学素子130との間に位置しうる。集束レンズ140は、複数個の第2レーザビーム135を、基板150内の複数位置、すなわち、基板150の周面inplainと平行な基板150内部の平面155上の位置に集束させるように構成されうる。従って、集束レンズ140によって、基板150内部で生成された集束されたビーム157は、基板150から均一な深さに配置されうる。集束されたビーム157は、均一な直径に形成され、例えば、5μm以下でありうる。また、集束されたビーム157は、均一なエネルギーを有することができる。前記エネルギーによって、基板150内部の平面155上に、改質領域158図2が形成される。移動部160は、基板150を搭載できる。移動部160は、基板150を基板150の周面と平行な方向X,Yに移動させるように構成されうる。移動部160の移動によって、集束されたビーム157の位置が変更され、それによって、平面155上に形成された改質領域図示せずが延びることができる。基板150は、半導体基板、化合物半導体基板、液晶ディスプレイLCD:liquidcrystaldisplay基板、発光ダイオードLED:lightemittingdiode基板、及びその他のガラス/セラミック基板を含むことができる。図2は、本発明の技術的思想による実施形態による基板加工装置100内の回折光学素子130、及び回折光学素子130によって透過されたレーザビームが基板150内部の平面155に集束された様子を概略的に示したものである。図2を参照すれば、回折光学素子130が回転していない場合、フォーカス157によって形成された改質領域158は、互いに第1間隔hをもって離間して配置されうる図4ないし図8。一方、回転手段図示せずによって、回折光学素子130が所定角度αほど回転する場合、集束されたビーム157によって形成された改質領域158は、互いに第1間隔hより小さい第2間隔h1をもって離間して配置されうる。従って、回折光学素子130を回転させることによって、改質領域158間の間隔が調節されうる。集束されたビーム157の直径が5μm以下である場合、基板の面分離のための適正改質領域の第1間隔h及び第2間隔h1は、例えば、1μmないし10μmでありうる。図3は、複数個の第2レーザビーム135がそれぞれ有するエネルギー分布、及び複数個の第2レーザビーム135が重畳される場合に有するエネルギー分布を概略的に示したものである。図3を参照すれば、回折光学素子130によって、第1レーザビーム125から分岐された複数個の第2レーザビーム135は、それぞれガウス分布Gaussiandistributionのようなエネルギー分布136を有することができる。集束レンズ140によって、複数個の第2レーザビーム135が集束される場合、ガウスエネルギー分布136を有する第2レーザビーム135が重畳されうる。この場合、複数個の第2レーザビーム135のエネルギーが互いに重畳され、均一なエネルギー分布を有するビーム137にが生成されるように、基板150と集束レンズ140との間の距離dが調節される。距離dの調節のために、移動部160は、基板150と垂直な方向Zに移動するように構成されうる。すなわち、複数個の第2レーザビーム135が重畳されて形成されたエネルギーを有するビーム137は、複数個の第2レーザビーム135それぞれに比べて、さらに均一なエネルギー分布を有することができる。結果として、基板150と集束レンズ140との間の距離dを調節することによって、複数個の第2レーザビーム135それぞれのエネルギーを有するガウスエネルギー分布136のエッジ部のエネルギーが重畳され、所定の加工閾値エネルギーに達するようにすることができ、線状の均等エネルギー分布を有するビーム137を利用した基板150の加工が行われる。図4ないし図8は、移動部160が移動することによって、基板150内部の平面155上に集束されたレーザビーム157によって、基板150内部の平面155に改質領域158が形成される過程を概略的に示した一例である。図4を参照すれば、基板加工装置内の集束レンズ140によって集束された複数個の第2レーザビーム135は、基板150内部の平面155の結晶構造を変化させることができる。さらに具体的には、集束されたビーム157のレーザエネルギーによって、基板150内部平面155の結晶結合力が弱まりうる。図面には、フォーカス157が基板内平面155の中心に位置している。しかし、本発明は、これに制限されるものではなく、例えば、フォーカス157は、基板内平面155の中心以外の他のいかなる地点にも位置するように調整されうる。図5を参照すれば、基板150内部の平面155と平行した第1方向Yに、移動部160が移動することができる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、第1方向Yに移動することができる。従って、第1方向Yに沿って、基板150内部の平面155に、改質領域158が形成されうる。この場合、複数個の第2レーザビーム135図1は、基板内部の平面155に集束された状態を維持でき、従って、連続的に改質領域158が形成されうる。図6を参照すれば、基板150内部の平面155と平行するように、第1方向Yと垂直な第2方向Xに、移動部160が所定距離だけ移動することができる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、第2方向Xに移動することができる。移動部160が第2方向Xに移動する間、レーザ光源110図1は、第1レーザビーム125図1から出射されず、従って、フォーカス157が形成されない。図7を参照すれば、図5で説明したように、移動部160は、第1方向Yに再び移動することができる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、第1方向Yに移動し、それによって、新しい改質領域158が形成されうる。図8を参照すれば、図6及び図7の段階、すなわち、移動部160を第1方向Y及び第2方向Xに移動させることによって、基板150内部の平面155全体に、改質領域158が形成されうることが分かる。図9ないし図13は、移動部160が回転することによって、基板150内部の平面155上に集束されたレーザビーム157によって、基板150内部の平面155に、改質領域158が形成される過程を概略的に示した他の例である。図9は図4と同じ図面であり、基板加工装置100内の集束レンズ140によって、複数個の第2レーザビーム135が基板150内部の平面155に集束された状態であることは、前述の通りである。図面には、フォーカス157が、基板内平面155の中心に位置している。しかし、本発明は、これに制限されるものではなく、例えば、フォーカス157は、基板内平面155の終端部分または他の任意の地点に位置しうる。図10を参照すれば、基板150内部の平面155と垂直な方向を軸に、移動部160が時計回り方向または反時計回り方向に回転しうる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、時計回り方向または反時計回り方向に回転し、これによって、基板150内部の平面155に、改質領域158が円形状に形成されうる。図11を参照すれば、基板150内部の平面155と平行な方向に、移動部160が所定距離だけ移動することができる。前記方向は、フォーカス157が配置された方向に沿って延びる方向でありうる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、前記方向に移動することができる。移動部160が前記方向に移動する間、レーザ光源110図1は、第1レーザビーム125図1を出射せず、従って、フォーカス157が形成されない。図12を参照すれば、基板150内部の平面155と垂直な方向を軸に、移動部160が時計回り方向または反時計回り方向に回転しうる。従って、移動部160に搭載された基板150もまた、時計回り方向または反時計回り方向に回転し、これによって、基板150内部の平面155に、新しい改質領域158が円形状に形成されうる。円形状の改質領域158に均一なエネルギーが印加されうるように、集束されたビーム157は、均一ではないエネルギーを有することができる。例えば、基板150内部の平面155の中心を基準に、集束されたビーム157の外側部が有するエネルギーは、集束されたビーム157の内側が有するエネルギーよりさらに高くすることができる。図13を参照すれば、図11及び図12に示されている段階、すなわち、移動部160を基板150内部の平面155と平行な方向に移動させ、基板150内部の平面155と垂直な方向を軸に回転させることによって、基板150内部の平面155全体に、改質領域158が円形状に形成されうることが分かる。図14は、本発明の技術的思想による実施形態による基板の加工方法を概略的に示したフローチャートである。本実施形態による基板の加工方法を遂行するために、図1の基板加工装置100が使われうる。以下、図1及び図14を参照すれば、まず、レーザ光源110を利用して、第1レーザビーム125を生成して出射するS300。その後、出射された第1レーザビーム125を、回折光学素子130を介して複数個の第2レーザビーム135に分割するS310。その後、分割された複数個の第2レーザビーム135を、基板150の周面と平行な基板150内部の平面155に集束させるS320。集束された複数個の第2レーザビーム135のエネルギーによって、基板150内平面155の結晶結合力が弱まりうる。その後、基板150を移動または回転させることによって、基板150内部の平面155上に、複数個の改質領域158を形成するS330。改質領域158が形成されていないエッジ領域E図15を除去するために別途の除去工程が遂行されうるS340。その後、複数個の改質領域158間に、平面155に沿ってクラックが伝播されるように、基板150に応力を印加して、基板150を面分離させるS350。図15は、本発明の技術的思想による実施形態による基板の加工方法のうち、エッジ領域を除去する段階を概略的に示したものである。図15を参照すれば、基板150のエッジ領域Eは、複数個の第2レーザビーム135が集束されずに、それによって、エッジ領域Eには、改質領域158が形成されない。従って、基板150の面分離のために、エッジ領域Eを除去するためのトリミングtrimming工程が遂行されうる。前記工程を行うために、レーザ、グラインディングgrinding及びワイヤカットwirecutなどの方法が使われうる。図16ないし図18は、本発明の技術的思想による実施形態による基板の加工方法のうち、基板150の面分離のために応力を印加する段階の例示を概略的に示したものである。図16を参照すれば、平面155に沿って改質領域158間にクラックが伝播されるように、基板150の側面に応力が印加されうる。例えば、ウォータジェットwaterjet、エアゾールジェットaerosoljet、レーザまたはブレードbladeを利用して、基板150の側面に応力を印加でき、それによって、改質領域158間にクラックが伝播されうる。図17を参照すれば、平面155に沿って、改質領域158間にクラックが伝播されるように、加熱手段170を介して、基板150の温度を変化させることができる。この場合、基板150の熱膨張または熱収縮によって、基板150に熱応力が印加され、それによって、改質領域158間にクラックが伝播されうる。図18を参照すれば、平面155に沿って、改質領域158間にクラックが伝播されるように、基板150の周面に応力が印加されうる。さらに具体的には、UVultravioletレーザ光源180を介して生成された衝撃波を、基板150の周面に印加することによって、改質領域158間にクラックが伝播されうる。図19及び図20は、本発明の技術的思想による実施形態による基板の加工方法のうち、基板150の面分離のために応力を印加する段階の他の例示を概略的に示したものである。図19及び図20を参照すれば、固定手段190,195によって、基板150内部の平面155の上部領域A及び下部領域Bが固定されうる。その後、図19のように、上部領域Aを平面155と垂直または水平な方向に移動させたり、図20のように、上部領域Aを平面155と平行な方向に回転させることによって、基板150の上部領域Aと下部領域Bとが分離されうる。図19及び図20の場合、下部領域Bが固定され、上部領域Aが移動または回転されているが、それとは逆に、基板150の面分離のために、上部領域Aが固定され、下部領域Bが移動または回転してもよい。本発明の明確な理解のために、添付した図面の各部位の形状は、例示的なものであると理解せねばならない。図示された形状以外の多様な形状に変形されうることに留意せねばならない。図面に記載された同じ番号は、同じ要素を指す。以上で説明した本発明が、前述の実施形態及び添付された図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を外れない範囲内で、さまざまな置換、変形及び変更が可能であるということは、本発明が属する技術分野で当業者において明白なことである。"