基板を準備する第1工程と、前記基板上に薄膜を形成する第2工程と、前記薄膜に対して、所定の波長の光線を、前記基板に対して相対走査させつつ照射し、前記薄膜の少なくとも所定領域を結晶化する第3工程と、を含み、前記第1工程では、前記基板の最大残留応力の発生方向を特定し、前記第3工程では、特定した前記最大残留応力の発生方向に前記光線を走査する、結晶性薄膜の形成方法。前記第1工程では、前記基板の反り量を測定することによって、前記反り量が大きい方向を前記最大残留応力の発生方向として特定する、請求項1に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記光線は、YAGレーザー光線、連続発振のレーザー光線及びランプ加熱用光線のいずれかである、請求項1又は2に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記第3工程では、前記光線を前記薄膜の全面に照射する、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記基板は矩形であり、前記最大残留応力の発生方向は、前記基板の長手方向である、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記基板は、当該基板の前駆体を熱加工により製造されたものである、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記基板は、当該基板の前駆体が引き伸ばされることにより成形され、前記最大残留応力の発生方向は、前記基板が引き伸ばされた方向である、請求項6に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記基板はガラス基板である、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法。前記基板はプラスチック基板である、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法。請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の結晶性薄膜の形成方法を用いて、ボトムゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する工程を含む、薄膜トランジスタの製造方法。しかしながら、レーザー光を用いてアモルファスシリコン膜等の薄膜を結晶化すると、レーザー光の照射によって薄膜の温度が上昇し、薄膜で発生した熱の多くが基板に伝達される。これにより、薄膜からの熱によって基板の温度が上昇し、基板が収縮して反ってしまうという問題がある。基板に反りが発生すると、その後の製造工程において、製造装置のステージ等に基板を固定する際に、基板チャック等を正常に行うことができない場合がある。また、本願発明者は、基板上の薄膜にレーザー光を照射することよって、基板の反り量や収縮量に異方性があるという新たな課題をも見出した。すなわち、レーザー光の照射によって発生する基板の反りや収縮が基板の縦方向と横方向とで異なるという課題を見出した。このように、基板の反り量や収縮量に異方性が生じると、その後のフォトリソグラフィ工程露光工程において、所定の露光を行うことができない場合がある。特に、表示パネル用の基板の場合、近年の表示パネルの大画面化に伴って基板端部における反り量が大きくなり、上記の問題は顕著になってきている。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、基板の反り量の増加を抑えることができる結晶性薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様は、基板を準備する第1工程と、前記基板上に薄膜を形成する第2工程と、前記薄膜に対して、所定の波長の光線を、前記基板に対して相対走査させつつ照射し、前記薄膜の少なくとも所定領域を結晶化する第3工程と、を含み、前記第1工程では、前記基板の最大残留応力の発生方向を特定し、前記第3工程では、特定した前記最大残留応力の発生方向に前記光線を走査することを特徴とする。本発明によれば、基板の反り量の増加を抑制することができ、また、基板の反り量や収縮量の異方性を改善することができる。本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様は、基板を準備する第1工程と、前記基板上に薄膜を形成する第2工程と、前記薄膜に対して、所定の波長の光線を、前記基板に対して相対走査させつつ照射し、前記薄膜の少なくとも所定領域を結晶化する第3工程と、を含み、前記第1工程では、前記基板の最大残留応力の発生方向を特定し、前記第3工程では、特定した前記最大残留応力の発生方向に前記光線を走査するものである。本態様によれば、基板の最大残留応力の発生方向を特定し、その後、特定した最大残留応力の発生方向に沿って光線を走査させているので、光線の照射によって生じる基板全体としての反り量や収縮量の増加を抑制することができる。これにより、基板の反り量を装置に固定できる範囲内に抑えることができるので、その後の製造工程において、基板チャック等を正常に行うことができる。さらに、光線照射による温度勾配によって基板の反り量や収縮量に異方性を生じさせることになるが、本態様では、上記のように特定した最大残留応力の発生方向に沿って光線を走査させているので、光線照射によって発生する基板の反り量や収縮量の異方性と基板の残留応力の異方性とが互いの異方性を打ち消し合う方向に作用する。これにより、光線照射後における基板の反り量や収縮量を等方的にすることができるので、その後のフォトリソグラフィ工程における所定の露光を容易に行うことができ、パターンずれの発生を防止することができる。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記第1工程では、前記基板の反り量を測定することによって、前記反り量が大きい方向を前記最大残留応力の発生方向として特定してもよい。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記光線は、YAGレーザー光線、連続発振のレーザー光線及びランプ加熱用光線のいずれかである。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記第3工程では、前記光線を前記薄膜の全面に照射してもよい。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記基板は矩形であり、前記最大残留応力の発生方向は、前記基板の長手方向であることが好ましい。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記基板は、当該基板の前駆体を熱加工により製造されたものである。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記基板は、当該基板の前駆体が引き伸ばされることにより成形され、前記最大残留応力の発生方向は、前記基板が引き伸ばされた方向であることが好ましい。また、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記基板はガラス基板とすることができる。あるいは、本発明に係る結晶性薄膜の形成方法の一態様において、前記基板はプラスチック基板とすることもできる。また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様は、上記の結晶性薄膜の形成方法を用いて、ボトムゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する工程を含むものである。以下、本発明の実施の形態における結晶性薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。また、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。すなわち、本発明は、請求の範囲だけによって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、各図面において、実質的に同一の構成、動作、及び効果を表す要素については、同一の符号を付す。結晶性薄膜の形成方法まず、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法における各工程を模式的に示す断面図及び平面図である。なお、図1において、a2~d2は平面図であり、a1~d1は、それぞれa2~d2のX-X線における断面図である。まず、図1のa1及びa2に示すように、基板11を準備し、基板11を装置のステージ基台100上に設置して固定する基板準備工程。基板11としては、例えば石英ガラス等のガラス材料によって構成されたガラス基板、又は、透明樹脂等の樹脂材料によって構成された可撓性を有するプラスチック基板を用いることができる。基板11の設置基板チャックは、例えば基板11の裏面を基台100の表面に真空チャックにより吸着させることにより行われる。また、基板11としては、一例として、G4.5基板730mm×920mmを用いることができるが、基板サイズはどの大きさのものであっても構わない。基板11を準備する工程では、基板11の内部に残留する内部残留応力のうちの最大残留応力が発生している方向を特定する。最大残留応力が発生している方向は、例えば、基板11の横方向X軸方向及び縦方向Y軸方向の各両端部における反り量を測定することによって特定することができる。この場合、基板11の反り量は、基板11を設置する基台の表面から基板11の端部下面までの距離を測定することによって求めることができる。例えば、図1のa2において、矩形の基板11の両短辺の中心点における反り量X軸方向における反り量と、基板11の両長辺の中心点における反り量Y軸方向における反り量とを測定し、X軸方向及びY軸方向のうち反り量の大きい方を最大残留応力の発生方向として特定することができる。図1のa2では、X軸方向における反り量の方が大きくなっているので、基板11の最大残留応力の発生方向は、X軸方向、すなわち、基板11の長手方向である。なお、基板11を準備する工程には、その他に、例えばガラス基板の表面に付着した付着物等を除去する基板洗浄工程、ガラス基板表面のアルカリ金属成分を除去するためのガラス基板表面エッチング工程、あるいは、ガラス基板に含まれているアルカリ金属成分が半導体薄膜などに無拡散することを防止するためにSiN膜やSiO膜等のアンダーコート層をガラス基板表面に形成するアンダーコート形成工程、等が含まれていても構わない。次に、図1のb1及びb2に示すように、基板11の上方に、非結晶の半導体薄膜等からなる薄膜を形成する薄膜形成工程。例えば、基板11の上方に、アモルファスシリコン膜からなる非結晶のシリコン薄膜15を形成する。非結晶のシリコン薄膜15の膜厚は、例えば、30nm以上200nm以下とすることができる。次に、図1のc1及びc2に示すように、非結晶のシリコン薄膜15を結晶化させるために、所定の波長の光線として所定の光強度分布を有するレーザー光30を準備し、非結晶のシリコン薄膜15に対してレーザー光30を所定の一定速度で走査方向40に相対走査させて、非結晶のシリコン薄膜15にレーザー光30を照射するレーザー光照射工程。本実施の形態において、所定の波長の光線としては、YAGの連続発振型のレーザーCWレーザーを用いている。レーザー光照射工程では、基板準備工程で特定した最大残留応力の発生方向に沿ってレーザー光30を走査させる。つまり、最大残留応力の発生方向がレーザー光の走査方向40となるようにレーザー光30を走査させる。この場合、レーザー光30の走査方向と最大残留応力の発生方向とが平行するようにレーザー光30を走査することが好ましい。本実施の形態では、基板11の最大残留応力の発生方向はX軸方向であるので、図1のc2に示すように、X軸方向に沿ってレーザー光30を走査した。レーザー光30の走査によりレーザー光30が照射された非結晶のシリコン薄膜15の所定領域は、レーザー光30による熱エネルギーによってアニールされて結晶化し、例えば結晶質のシリコンとなる。このように、非結晶のシリコン薄膜15が結晶化されて、結晶化領域を含む結晶性シリコン薄膜16となる。本実施の形態では、レーザー光30を非結晶のシリコン薄膜15の全面に照射して、非結晶のシリコン薄膜15の全領域を結晶化させている。なお、レーザー光30の非結晶のシリコン薄膜15表面における強度分布形状は、レーザー光30の走査方向40に短軸を有するとともに走査方向40に対して交差する方向に長軸を有する略矩形状である。これにより、非結晶のシリコン薄膜15表面におけるレーザー光30の照射形状も、レーザー光30の走査方向40に短軸を有するとともに走査方向40に対して交差する方向に長軸を有する略矩形状となる。また、図1のc2のレーザー光30の上部に図示される曲線は、レーザー光30の短軸方向における強度分布の一例を示すものであり、例えばガウシアン曲線の強度分布を有する。その後、非結晶のシリコン薄膜15へのレーザー光30の照射を所定の位置まで続けることにより、図1のd1及びd2に示すように、非結晶のシリコン薄膜15の所定領域における結晶化が完了する。ここで、レーザー光照射工程において非結晶のシリコン薄膜15を結晶化する際の様子について、図2A及び図2Bを用いてさらに詳細に説明する。図2Aは、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法におけるレーザー光照射工程において、非結晶のシリコン薄膜にレーザー光を照射する際の様子を模式的に示す斜視図である。また、図2Bは、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法におけるレーザー光照射工程で用いられるレーザー光の強度分布ビームプロファイルを示す図である。図2Aに示すように、基板11上に形成された非結晶のシリコン薄膜15をレーザー光30によって結晶化する際、レーザー光30は、非結晶のシリコン薄膜15に対して走査方向40に相対走査させる。すなわち、レーザー光30及び基板11の少なくともいずれか一方を移動させることで、非結晶のシリコン薄膜15に対してレーザー光30を相対走査させる。本実施の形態では、レーザー光30レーザー光出射装置を固定し、図2Aに示すように、非結晶のシリコン薄膜15が形成された基板11が設置されたステージ不図示を、基板11の最大残留応力の発生方向であるX軸方向の第1方向41に移動させることによって、非結晶のシリコン薄膜15に対してレーザー光30を走査方向40X軸方向における第1方向41とは反対方向の第2方向に走査した。なお、X軸方向の走査が終わる毎に基板11をY軸方向に移動させてさらにX軸方向の走査を行い、このX軸方向の走査を複数回繰り返し行うことによって、非結晶のシリコン薄膜15の全領域に対してレーザー光30を照射させることができる。レーザー光30の光源は、本実施の形態のように、連続発振型のレーザーCWレーザーであることが望ましい。CWレーザーは、連続的にレーザー光が発振されるため、パルスレーザーよりも高速化が可能である。また、CWレーザーは、パルスレーザーよりも走査速度が1桁以上速いため、スループットを容易に向上させることが可能となる。また、レーザー光30の波長は405nm~632nmとすることができ、例えば波長が532nmのグリーン光を発する半導体レーザーからなるCWレーザーを用いることができる。レーザー光30は、図2Bに示すように、短軸X軸方向における光強度分布がガウシアン分布である凸形状の分布となるように、また、短軸方向に直交する長軸Y軸方向における光強度分布がトップフラット状の分布となるように、ビーム成形されている。なお、図2Bにおいて、レーザー光30のビーム半値幅W1は、レーザー光30の短軸方向における強度分布の半値幅FWHM:FullWidthatHalfMaximumを表している。また、図2Bにおいて、レーザー光30のビーム長軸幅W2は、レーザー光30の長軸方向における強度分布の長軸方向の幅フラット幅を表している。このように構成されたレーザー光30は、非結晶のシリコン薄膜15に照射される際、レーザー光30の強度分布の短軸方向を走査方向40として非結晶のシリコン薄膜15に対して相対的に走査される。以上のように、図2Bに示す強度分布を有するレーザー光30を用いて非結晶のシリコン薄膜15に照射することにより、非結晶のシリコン薄膜15におけるレーザー光30の照射形状を略矩形状とすることができる。例えば、ビーム半値幅W1を32μmとしビーム長軸幅W2を300μmとし、ビーム長軸幅W2がビーム半値幅W1よりも大きくなるように構成することができる。次に、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法の作用効果について、本発明に至った経緯も含めて、図3A~図8Bを用いて以下詳細に説明する。まず、本願発明者は、基板上に形成された薄膜をレーザー光で結晶化することによって、基板の反り量や収縮量が増加するということを見出した。これは、レーザー光の照射によって薄膜の温度が上昇し、この薄膜で発生した熱が基板に伝導して基板温度が上昇したことに起因する。つまり、レーザー光に基づく熱的負荷によって基板の温度が上昇し、基板が収縮したり反ったりすると考えられる。特に、薄膜結晶化のレーザー光としてCWレーザーを用いた場合、レーザー光照射による薄膜への入熱時間がマイクロ秒オーダー例えば、50~100μ秒となる。このCWレーザー光の入熱時間は、ナノ秒オーダーであるエキシマレーザーの入熱時間例えば30n秒やYAGパルスレーザーの入熱時間例えば30~150n秒と比べて非常に長い。この結果、CWレーザーを用いて薄膜を結晶化したときに、基板の反りや収縮が発生しやすい。つまり、薄膜結晶化のレーザー光源としてCWレーザーを用いた場合に、基板の反り量や収縮量が増加するという現象が顕著に現れる。また、YAGレーザー光線又はランプ加熱用光線についてもCWレーザーと同様に入熱時間が長いので、基板の反り量や収縮量が増加するという現象が顕著に現れる。さらに、本願発明者は、レーザー光の照射方向走査方向とその垂直方向走査方向と直交する方向とで、基板面内において反り量や収縮量に異方性が発生することを実験により見出した。この点について、図3A及び図3Bを用いて説明する。図3Aは、基板の横方向と縦方向とについて、レーザー光照射後の基板の反り量を測定した結果を示す図である。図3Aの右図に示すように、この実験では、基板11としてオリフラ付き6インチφ0.7mm厚のガラス基板を用意し、この基板11上に非結晶のシリコン膜を形成してX軸方向横方向にレーザー光を照射し、これにより、非結晶のシリコン薄膜を結晶化して結晶性シリコン薄膜16とした。このときの基板11におけるX軸方向横方向及びY軸方向縦方向の両端部における反り量を測定した結果を図3Aの左図に示す。なお、この測定結果において、反り量がマイナス-の場合は、基板11の端部が上方向に上がって反っている場合であり、反り量がプラスの場合は、基板11の中央部が上方向に上がって反っている場合である。また、本実験では、基板11のオリフラ方向をX軸方向としている。図3Aに示す測定結果によると、レーザー光をX軸方向横方向に沿って照射させた場合の反り量は約-55μmであったが、レーザー光をY軸方向縦方向に沿って照射させた場合の反り量は約-90μmであった。つまり、レーザー光の照射方向走査方向とその垂直方向とで基板11の反り量が異なり、基板11の反り量に異方性が発生していることが分かった。なお、横方向測定の反り量及び縦方向の反り量のいずれもが基板チャック時のスペック基板の固定可能範囲である±50μmを超えており、基板の平坦性を確保できていないことも分かった。このように、基板11の平坦性が確保されていないと、基板11をステージ等に固定する際の真空チャック時等において基板把持に制約が生じたり、基板搬送方向に制約が生じたりするという問題がある。また、図3Bは、基板の横方向と縦方向とについて、レーザー光照射後の基板の収縮量を測定した結果を示す図である。なお、この実験では、図3Aと同じように、基板11上に結晶性シリコン薄膜16を形成したサンプルを4つ準備し、4つのサンプルのそれぞれについて基板11の収縮量を測定した。図3Bに示す測定結果によると、いずれのサンプルにおいても、レーザー光照射後のY軸方向縦方における基板11の収縮量縦方向収縮量は、レーザー光照射後のX軸方向横方向における基板11の収縮量横方向収縮量に対して、2倍以上大きいことが分かる。つまり、レーザー光の照射方向走査方向とその垂直方向とで、基板11の収縮量に異方性が発生していることが分かった。このように、基板11の面内において収縮量や反り量に異方性が発生すると、露光装置のズーム機構が等方性であることから、その後のフォトリソグラフィ工程において、露光装置による収縮量補正を行うことができず、パターンずれが発生する場合がある。このように、図3A及び図3Bに示す実験結果に基づいて、本願発明者は、レーザー光の照射方向走査方向とその垂直方向とで、基板の反り量や収縮量に異方性が生じるということを見出した。そして、本願発明者は、この原因について考察した結果、レーザー光の照射時における基板温度の勾配が一要因であることをつきとめた。以下、この点について、図4を用いて説明する。図4のaは、非結晶のシリコン薄膜にレーザー光を照射するときの様子を模式的に示す平面図であり、図4のbは、aのレーザー光照射領域周辺における基板温度勾配を模式的に示す図である。図4のaに示すように、ガラス基板不図示上に成膜した非結晶のシリコン薄膜15アモルファスシリコン膜に対して所定の照射幅でレーザー光30CWレーザーを走査方向40に沿って照射すると、レーザー光30によって照射された領域の非結晶のシリコン薄膜15は、結晶化されて結晶性シリコン薄膜16多結晶シリコン薄膜となる。このとき、非結晶のシリコン薄膜15のレーザー光照射領域には、レーザー光の強度分布及びレーザー走査方向に起因する温度勾配が発生するので、結晶性シリコン薄膜16からの伝導熱によって、図4のbに示すように、基板においても同様の温度勾配が発生する。この場合、同図に示すように、レーザー光の走査方向40とは反対側の方向では、レーザー光30の走査方向40短軸における光強度分布がガウシアン曲線であることと、結晶性シリコン薄膜16の余熱効果とに起因して、基板の温度勾配は相対的に小となり、この結果、放熱量も相対的に小となる。また、レーザー光の走査方向40では、レーザー光30の走査方向40短軸における光強度分布がガウシアン曲線であることに起因して、基板の温度勾配は相対的に中となり、この結果、放熱量も相対的に中となる。また、レーザー光の走査方向40に対して垂直な方向走査方向40と同一平面において走査方向40と直交する方向では、レーザー光30が照射されずに熱的負荷を受けていないので、基板の温度勾配は相対的に大となり、この結果、放熱量も大となる。このように、薄膜にレーザー光を照射した基板については、レーザー光の走査方向40と、その反対側の方向と、その垂直方向とにおいて、温度勾配及び放熱量に異方性が発生する。これにより、基板の冷却速度が方向によって異なることとなり、この結果、基板の反り量や収縮量にも異方性が発生する。つまり、レーザー光の走査方向40とは反対側の方向では、冷却速度が相対的に小となり、基板の反り量や収縮量も小となる。また、レーザー光の走査方向40では、冷却速度が相対的に中となり、基板の反り量や収縮量も中となる。また、レーザー光の走査方向40に対して垂直な方向では、冷却速度が相対的に大となり、基板の反り量や収縮量も大となる。本願発明者は、以上の考察に基づいて、レーザー光の走査方向40照射方向とその垂直方向とで、基板の反り量や収縮量に異方性が発生することを見出し、特に、図4に示すように、レーザー光の走査方向40に対して垂直な方向において、基板の反り量や収縮量を最も大きく増加させる作用があることをつきとめた。なお、基板の反り量や収縮量は、レーザー光照射領域周辺に生じる基板の温度勾配が原因であるので、基板のサイズや形状には関係なく発生し、上述のとおり、レーザー光の走査方向40に応じて相対的な大小関係がある。そして、本願発明者は、このようなレーザー光照射による基板の反り量や収縮量の増加を抑制する方策について鋭意検討した結果、基板作製時に発生する残留応力の異方性を利用することにより、レーザー光照射による基板の反り量や収縮量の増加を抑制することができることを見出した。ここで、基板作製時に発生する残留応力について、図5を用いて説明する。図5は、基板作製時に発生する基板内部の残留応力を説明するための図である。図5に示すように、基板11がガラス基板である場合、ディスプレイ用ガラス基板の成形方法としては、オーバーフロート法、フュージョン法、又は、フロート法等がある。これらの方法は、基板11の前駆体である溶融ガラスを熱加工することにより板状のガラス基板を形成する方法である。例えば、オーバーフロー法やフロート法では、溶解したガラス溶融ガラスを鉛直方向や水平方向に引き伸ばして冷却することによって板状のガラス板に成形する。この場合、溶融ガラスが引き伸ばされてガラス基板として引き出される方向引き出し方向では、当該引き出し方向における除冷によって温度勾配が大きくなるので、冷却速度放熱速度が相対的に大きくなる。一方、ガラス基板の引き出し方向に対して直交する方向では、均一な温度となっているので温度勾配は小さくなり、冷却速度放熱速度も相対的に小さくなる。このように、ガラス基板は、ガラス基板の作製方法に起因してガラス基板の引き出し方向とこれに直交する方向とでは冷却速度が異なるので、ガラス基板の内部に残留する応力に異方性が発生する。そして、ガラス基板の引き出し方向における残留応力は、ガラス基板の引き出し方向に対して直交する方向における残留応力よりも大きくなり、ガラス基板の引き出し方向における残留応力がガラス基板における最大残留応力となる。すなわち、ガラス基板における最大残留応力の発生方向は、ガラス基板が引き伸ばされた方向である。このことから、そもそもガラス基板には、基板内部の残留応力によって反りが発生している。つまり、レーザー光を照射する前においてガラス基板には僅かの反りが発生しており、最大残留応力が発生している方向において反り量が最大となっている。従って、ガラス基板の引き出し方向が予め分かっている場合には、当該引き出し方向を最大残留応力の発生方向として特定することができるが、ガラス基板の引き出し方向が分からない場合であっても、ガラス基板における複数方向の反り量を測定することによってガラス基板の残留応力を測定し、この中からガラス基板の反り量が最大となる方向をガラス基板における最大残留応力の発生方向として特定することができる。例えば、矩形状のガラス基板の場合、基板中心を通る長手方向の両端部の反り量と、基板中心を通る短手方向の両端部の反り量とを測定し、反り量の大きい方の方向を最大残留応力の発生方向として特定することができる。なお、ガラス基板の作製方法に関わらず、基板内部には残留応力が発生する。すなわち、ガラス基板の反り量を測定することによって最大残留応力の発生方向を特定することができる。また、本実施の形態において、基板11は、ガラス基板の場合について説明したが、プラスチック基板樹脂基板の場合でも同様のことが言える。プラスチック基板の場合、当該基板の前駆体として、転移温度以上に加熱されたプラスチック材料を熱加工することによって板状に成形する。プラスチック基板の成形方法としては、溶融押出成型法、溶液流延法、カレンダー法、又は、延伸方法等がある。なお、プラスチック基板でも、引き伸ばされて成形される場合は、引き出し方向が最大残留応力の発生方向となる。また、プラスチック基板の最大残留応力の発生方向についても、プラスチック基板における複数方向の反り量を測定することによって特定することができる。このように、基板11の内部に存在する残留応力には異方性があり、引き出されて成形された基板11については、基板引き出し方向が最大残留応力の発生方向である。本願発明は、以上の知見に基づいてなされたものであり、レーザー光照射前における基板11の残留応力の異方性と、上述したレーザー光照射による基板の反り量や収縮量の異方性とに着目して、基板11の残留応力の異方性に応じてレーザー光の走査方向照射方向を決定するという着想を得た。具体的には、基板11の最大残留応力の発生方向を特定し、その後、特定した最大残留応力の発生方向にレーザー光30を走査させればよいことを見出した。つまり、図6に示すように、レーザー光30を用いて非結晶のシリコン薄膜15を結晶化する際、基板11の最大残留応力の発生方向とレーザー光30の走査方向40とを揃えることによって、基板11の残留応力の異方性とレーザー光照射による基板11の反り量や収縮量の異方性とを緩和させることとした。これにより、レーザー光の照射によって生じる基板全体としての反り量や収縮量の増加を抑制することができる。この点について、図7A及び図7Bを用いて説明する。図7Aは、比較例に係る結晶性薄膜の形成方法におけるレーザー光照射前後の基板反り量の変化を説明するための図である。また、図7Bは、本実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法におけるレーザー光照射前後の基板反り量の変化を説明するための図である。図7Aのaに示すように、レーザー光照射前において、基板11の最大残留応力の発生方向がX軸方向横方向である場合、レーザー光30をY軸方向縦方向に走査させてしまうとすなわち、レーザー光30を基板11の最大残留応力の発生方向に対して垂直な方向に走査させてしまうと、上述のとおり、レーザー光30による基板11の反り量や収縮量はレーザー光30の走査方向に対して垂直な方向この場合、X軸方向において最も大きくなることから、基板11の最大残留応力の発生方向X軸方向とレーザー光30による基板11の反り量や収縮量が最大となる方向X軸方向とが一致する。これにより、図7Aのbに示すように、レーザー光照射後では、もともとX軸方向横方向に存在する大きな反り量A0にレーザー光による最大の反り量が加わるので、X軸方向横方向における基板11の反り量A1はレーザー光照射前の反り量A0から大きく増大した値となるA1>A0。これに対して、図7Bのaに示すように、レーザー光照射前において、基板11の最大残留応力の発生方向がX軸方向横方向である場合、本実施の形態のように、基板11の最大残留応力の発生方向とレーザー光30の走査方向とを揃えてレーザー光30をX軸方向横方向に走査させることにより、レーザー光30による基板11の反り量や収縮量はレーザー光30の走査方向に対して垂直な方向この場合、Y軸方向において最も大きくなることから、基板11の最大残留応力の発生方向X軸方向とレーザー光30による基板11の反り量や収縮量が最大となる方向Y軸方向とが一致せず、90度ずれた状態となる。言い換えると、基板11の最大残留応力の発生方向X軸方向とレーザー光30による基板11の反り量や収縮量が最小となる方向X軸方向とが一致することになる。これにより、図7Bのbに示すように、レーザー光照射後では、もともとX軸方向横方向に存在する最大の反り量A0にレーザー光による最小の反り量が加わるのみであるので、X軸方向横方向における基板11の反り量A2は、図7Aのbのような大きな反り量A1とならずに、レーザー光照射前の反り量A0から僅かに増大した値となるA1>A2>A0。以上のとおり、本実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法によれば、基板11の最大残留応力の発生方向を特定し、その後、特定した最大残留応力の発生方向に沿ってレーザー光30を走査させているので、レーザー光30の照射によって生じる基板11全体としての反り量や収縮量の増加が抑制され、基板11の平坦性を改善することができる。これにより、基板11の反り量を製造装置に固定できる範囲内に抑えることが可能となるので、その後の製造工程において製造装置のステージに基板11を固定する際、真空チャック等による基板チャックを正常に行うことができる。また、上述のように、レーザー光30の照射による温度勾配によって基板11の反り量や収縮量に異方性を生じさせることになるが、本実施の形態では、特定した最大残留応力の発生方向に沿ってレーザー光30を走査させているので、レーザー光30の照射による温度勾配に伴う基板11の反り量や収縮量の面内異方性と基板11の残留応力の面内異方性とが互いの異方性を打ち消し合う方向に作用する。これにより、レーザー光30の照射後における基板11の反り量や収縮量を基板面内において等方的にすることができるので、その後のフォトリソグラフィ工程において、露光装置のズーム機構によって収縮量の補正をすることができて所定定の露光を容易に行うことができる。これにより、レーザー光30の照射後におけるフォトリソグラフィ工程において、パターンずれが発生することを防止することができる。この本発明の効果について実験を行った。以下、この実験結果について図8A及び図8Bを用いて説明する。図8Aは、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法の効果を説明するための図であり、レーザー光照射前後における縦方向と横方向との基板反り量の差を示している。図8Bは、図8Aの測定条件を説明するための図であり、基板11上に形成された非結晶のシリコン薄膜15に対するレーザー光の照射方向左図及びレーザー光照射によって形成された結晶性シリコン薄膜16となった基板11における基板反り量の測定方向右図を示している。また、この実験では、基板11として前述したオリフラ付き6インチφ0.7mm厚のガラス基板を用いており、オリフラ方向を横方向X軸方向とし、オリフラに垂直な方向を縦方向Y軸方向としている。なお、このガラス基板の引き出し方向は、基板横方向であるので、基板横方向X軸方向が基板の最大残留応力の発生方向である。また、レーザー光の照射条件としては、照射パワー密度を70kW/cm2とし、走査スピードスキャンスピードを380mm/sとし、ビーム長軸幅を0.89mmとし、スキャンピッチを0.95mmとした。この結果、図8Aに示すように、基板の最大残留応力の発生方向とは異なる方向である縦方向Y軸方向にレーザー光を照射した場合比較例の場合、レーザー光照射前においては、基板の横方向端部と縦方向端部とにおける基板反り量の差は約2μmであったが、レーザー光照射後においては、基板の横方向端部と縦方向端部とにおける基板反り量の差は約60μmにまで大きくなった。これに対して、基板の最大残留応力の発生方向と同じ方向である横方向X軸方向にレーザー光を照射した場合本発明の場合、レーザー光照射前においては、基板の横方向端部と縦方向端部とにおける基板反り量の差は約3μmであったが、レーザー光照射後においては、基板の横方向端部と縦方向端部とにおける基板反り量の差は約37μmにまでしか大きくならなかった。すなわち、基板11の反り量の増加を抑制できていることが確認できた。また、本実施の形態では、最大残留応力の発生方向に沿ってレーザー光30を走査させているすなわち、最大残留応力の発生方向とレーザー光30とをほぼ揃え、最大残留応力の発生方向とレーザー光の走査方向とのなす角度をほぼ0°にしているが、これに限らない。本実施の形態において、最大残留応力の発生方向とレーザー光の走査方向とのなす角度は、0°以上30°以下であってもよく、より好ましくは0°以上10°以下である。最大残留応力の発生方向とレーザー光の走査方向とのなす角度を0°以上30°以下とすることにより、レーザー光30の走査方向が最大残留応力の発生方向に向くため、本発明の効果を得ることができる。逆に、前記角度が、例えば50°よりも大きいような場合には、レーザー光30の走査方向が最大残留応力の発生方向と直交する方向側に向くこととなり、その結果、本発明の効果が得にくくなる。また、例えばビーム長が5mm以下の連続発振のレーザー光を用いて大面積の基板上に形成された薄膜に対してレーザー光を順次繰り返して走査する場合、前回走査領域と今回走査領域とを重ね合せて照射することがある。しかし、この場合、実際の設備では、設備の精度などの原因により上記のように重ね合せて照射することが困難な場合がある。この場合、次の走査領域照射領域のTFT部分にはレーザー光を照射させないように、レーザー走査方向と基板の設置状態向きや角度との間には高い精度が必要となる。この精度は、基板を移動させる距離やTFTサイズにも依存するが、一番精度が低いケースを見積もっても、0.1°以下の精度が必要になる。本発明では、最大残留応力の発生方向とレーザー光の走査方向とが2~3°程度のずれていたとしても、問題なく本発明の効果を得ることができるので、実際の設備の基板の設置精度、基板上のTFTアレイ部分の設計精度、あるいはレーザー光走査装置の走査精度にバラツキがあっても本発明の効果を得ることができる。薄膜トランジスタの製造方法次に、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法について説明する。本実施の形骸に係る薄膜トランジスタの製造方法では、上記の実施の形態に係る結晶性薄膜の形成方法を用いて薄膜トランジスタのチャネル層が形成される。本実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する工程基板準備工程と、基板の上方にゲート電極を形成する工程ゲート電極形成工程と、基板の上方にゲート絶縁膜を形成する工程ゲート絶縁膜形成工程と、基板の上方に非結晶のシリコン薄膜を形成する工程非結晶のシリコン薄膜形成工程と、基板の上方にソース電極及びドレイン電極を形成する工程ソースドレイン電極形成工程と、非結晶のシリコン薄膜にレーザー光を照射することにより非結晶のシリコン薄膜を結晶化して結晶化領域を有する結晶性シリコン薄膜を形成する工程結晶性シリコン薄膜形成工程とを含む。結晶性シリコン薄膜形成工程は、上述の結晶性薄膜の形成方法におけるレーザー光照射工程結晶化工程と同様の方法によって行うことができる。なお、結晶性シリコン薄膜形成工程によって得られる結晶化領域は、薄膜トランジスタのチャネル層となる。ここで、薄膜トランジスタには、ボトムゲート型とトップゲート型の2種類の構造がある。ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、層構成が、下から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル層シリコン半導体膜となっている。一方、トップゲート型の薄膜トランジスタは、層構成が、下から順に、チャネル層、ゲート絶縁膜、ゲート電極となっている。以下、ボトムゲート型及びトップゲート型の各薄膜トランジスタの製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、本実施の形態に係るボトムゲート型の薄膜トランジスタ10の製造方法について、図9を用いて説明する。図9は、本実施の形態に係るボトムゲート型の薄膜トランジスタの製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。図9のaに示すように、まず、基板11を準備し、基板11をステージ不図示に設置する。基板11としては、例えば、ガラス基板を用いることができる。次に、図9のbに示すように、基板11の上に、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜等の絶縁膜からなるアンダーコート層12を形成する。シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜は、プラズマCVDによって形成することができる。次に、図9のcに示すように、アンダーコート層12の上に、所定形状のゲート電極13を形成する。例えば、基板11の上方の全面に、モリブデンMo、タングステンW、銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、クロムCr、チタンTi、タンタルTa、あるいはそれらを組み合わせた合金などのゲート金属膜をスパッタリングによって成膜し、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、ゲート金属膜をパターニングして所定形状のゲート電極13を形成する。次に、図9のdに示すように、ゲート電極13を覆うようにして、ゲート電極13上及び露出するアンダーコート層12上に、ゲート絶縁膜14を成膜する。例えば、基板11の上方の全面に、プラズマCVDにより、ゲート絶縁膜14として酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜あるいはこれらの積層膜をゲート電極13の上に成膜する。次に、図9のeに示すように、ゲート絶縁膜14の上に、非結晶のシリコン薄膜15を形成する。例えば、ゲート絶縁膜14の上に、非結晶のシリコン薄膜15としてアモルファスシリコン薄膜をプラズマCVDによって成膜する。次に、脱水素アニール処理を行った後に、図9のfに示すように、非結晶のシリコン薄膜15に対してレーザー光30を所定の走査方向40に相対走査させつつ、レーザー光30を非結晶のシリコン薄膜15の所定領域に照射する。これにより、非結晶のシリコン薄膜15が結晶化されて結晶性シリコン薄膜16となる。この工程は、上述の結晶性薄膜の製造方法におけるレーザー光照射工程と同様の方法によって行う。次に、図9のgに示すように、結晶性シリコン薄膜16のチャネル領域上にチャネル保護膜17を形成する。例えば、所定の塗布方法によって結晶性シリコン薄膜16上に所定の有機材料を塗布して仮焼成し、その後、露光及び現像を施すことによってパターニングする。これにより、所定形状の有機膜からなるチャネル保護膜17を形成することができる。次に、図9のhに示すように、チャネル保護膜17を覆うようにして結晶性シリコン薄膜16上に、コンタクト層18を形成する。例えば、プラズマCVDによって、リン等の5価元素の不純物がドープされたアモルファスシリコンからなるコンタクト層18n層を成膜する。次に、図9のiに示すように、コンタクト層18上に、ソース電極19S及びドレイン電極19Dとなるソースドレイン金属膜19を形成する。例えば、コンタクト層18の上に、例えば、Cu銅等の単層構造、又は、MoW/Al/MoWの三層構造等のソースドレイン金属膜19をスパッタリングによって成膜する。その後、図9のjに示すように、ソースドレイン金属膜19をパターニングすることによって、離間形成された一対のソース電極19S及びドレイン電極19Dを形成する。例えば、ソースドレイン金属膜19上に所定形状のレジストを塗布形成し、レジストをマスクとしてソースドレイン金属膜19をウェットエッチングすることによって、所定形状のソース電極19S及びドレイン電極19Dにパターン形成する。その後、ソース電極19S及びドレイン電極19D上のレジストを除去してソース電極19S及びドレイン電極19Dをマスクとしてドライエッチングを施すことにより、あるいは、ソース電極19S及びドレイン電極19D上のレジストを残したままドライエッチングを施すことにより、コンタクト層18及び結晶性シリコン薄膜16をパターニングすることにより、図9のkに示すように、所定形状の一対のコンタクト層18と、島状の結晶性シリコン薄膜16チャネル層とを形成することができる。なお、ドライエッチングのエッチングガスとしては、例えば、塩素系ガスを用いることができる。このようにして、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ10を製造することができる。なお、その後、窒化シリコン又は酸化シリコン等の絶縁膜をCVDによって成膜して、全体をパッシベーション膜で覆ってもよい。以上、本実施の形態に係るボトムゲート型の薄膜トランジスタ10の製造方法によれば、非結晶のシリコン薄膜15をレーザー光30によって結晶化する際に、基板11の最大残留応力の発生方向にレーザー光30を走査させている。これにより、基板11の反り量の増加を抑制することができるので、その後の工程において、基板11をステージに確実に固定することができる。また、ボトムゲート型の薄膜トランジスタでは、上述のように、ゲート電極13をパターン形成するときの1回目のフォトリソグラフィ工程と、ソース電極19S及びドレイン電極19Dをパターン形成するときの2回目のフォトリソグラフィ工程とがあり、非結晶のシリコン薄膜15を結晶化するレーザー光照射工程結晶化工程が1回目のフォトリソグラフィ工程と2回目のフォトリソグラフィ工程との間にある。従って、レーザー光照射工程によって、基板11の反り量や収縮量が増大したり基板11の反り量や収縮量に異方性が生じたりすると、2回目のフォトリソグラフィ工程時においてパターンずれが発生するという問題がある。このように、ボトムゲート型の薄膜トランジスタでは、特に、レーザー光照射工程における基板11の反りや収縮の影響を大きく受けることになる。これに対して、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ10の製造方法では、基板11の反り量及び収縮量の異方性を改善することができるので、その後のフォトリソグラフィ工程において、所定の露光を行うことができる。すなわち、フォトリソグラフィ工程時において、露光装置のズーム機構によって基板11の収縮量の補正を行うことができるので、1回目のフォトリソグラフィ工程と2回目のフォトリソグラフィ工程とのパターンずれを防止することができる。その結果、製造ばらつきを抑えることができるので、面内均一性に優れた薄膜トランジスタを製造することができる。また、本実施の形態では、レーザー光30を非結晶のシリコン薄膜15の全面に照射した場合であっても、面内均一性に優れ、かつ、高いキャリア移動度を有する薄膜トランジスタを高スループットで製造することができる。この点について、以下説明する。従来、SOGSystemonGlassの表示パネルでは、画素部のTFTは、面内均一性及びスループットに優れていることが好ましいので、入熱時間の短いエキシマレーザー又はYAGパルスレーザーを用いて非結晶のシリコン薄膜を結晶化することが考えられる。しかしながら、エキシマレーザー又はYAGパルスレーザーでは、TFTのキャリア移動度特性を良好なものとすることができない。一方、画素部周辺における周辺回路部のTFTは、高いキャリア移動度が要求されているので、CWレーザーを用いて非結晶のシリコン薄膜を結晶化することが考えられる。しかしながら、CWレーザーは、TFT特性がばらつき面内均一性が低下するとともに、スループットも低下する。このように、従来のSOGの表示パネルにおけるTFTでは、画素部及び周辺回路部の両方のTFTの要求を同時に満たすような結晶化を行うことができるレーザー光がなかった。これに対して、本実施の形態におけるCWレーザー光による結晶化は、上述のように面内均一性に優れたTFTを製造することができ、また、スループットも向上させることが可能となる。従って、本実施の形態によれば、CWレーザー光を用いて非結晶のシリコン薄膜の全面を照射したとしても、面内均一性に優れ、かつ、高いキャリア移動度を有する薄膜トランジスタを高スループットで製造することができる。次に、本実施の形態に係るトップゲート型の薄膜トランジスタ20の製造方法について、図10を用いて説明する。図10は、本実施の形態に係るトップゲート型の薄膜トランジスタの製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。図10のaに示すように、まず、基板11を準備し、基板11をステージ不図示に設置する。基板11としては、例えば、ガラス基板を用いることができる。次に、図10のbに示すように、基板11の上に、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜等の絶縁膜からなるアンダーコート層12を形成する。次に、図10のcに示すように、アンダーコート層12の上に、非結晶のシリコン薄膜15を形成する。例えば、アンダーコート層12の上に、非結晶のシリコン薄膜15としてアモルファスシリコン薄膜をプラズマCVDによって成膜する。次に、図10のdに示すように、非結晶のシリコン薄膜15に対してレーザー光30を所定の走査方向40に相対走査させつつ、レーザー光30を非結晶のシリコン薄膜15の所定領域に照射する。これにより、図10のeに示すように、非結晶のシリコン薄膜15が結晶化されて結晶性シリコン薄膜16となる。この工程は、上述の結晶性薄膜の製造方法におけるレーザー光照射工程と同様の方法によって行う。次に、図10のfに示すように、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、結晶性シリコン薄膜16を島状にパターン形成する。次に、図10のgに示すよう、島状の結晶性シリコン薄膜16を覆うようにしてゲート絶縁膜14を成膜する。例えば、基板11の上方の全面に、プラズマCVDにより、ゲート絶縁膜14として酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜あるいはこれらの積層膜を、結晶性シリコン薄膜16及びアンダーコート層12の上に成膜する。次に、図10のhに示すように、結晶性シリコン薄膜16の上方に、所定形状のゲート電極13を形成する。例えば、スパッタリングによってゲート絶縁膜14上の全面にゲート金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、ゲート金属膜をパターニングして所定形状のゲート電極13を形成する。次に、図10のiに示すように、ゲート電極13をマスクとして結晶性シリコン薄膜16の両端部に不純物をドープすることにより、コンタクト領域21を形成する。次に、図10のjに示すように、基板11の上方に、パッシベーション膜22を形成する。例えば、ゲート電極13及びゲート絶縁膜14を覆うようにして、基板11の上方の全面に、酸化シリコン等の絶縁膜からなるパッシベーション膜22をプラズマCVD等によって成膜する。その後、同図に示すように、LDD領域21を露出させるようにパッシベーション膜22にコンタクトホールを形成する。次に、図10のkに示すように、パッシベーション膜22のコンタクトホールを埋めるように、パッシベーション膜22の上に一対のソース電極19S及びドレイン電極19Dを形成する。このようにして、トップゲート型の薄膜トランジスタ20を製造することができる。なお、その後、窒化シリコン又は酸化シリコン等の絶縁膜をCVDによって成膜して、さらに全体をパッシベーション膜で覆ってもよい。以上、本実施の形態に係るトップゲート型の薄膜トランジスタ20の製造方法によれば、非結晶のシリコン薄膜15をレーザー光30によって結晶化する際に、基板11の最大残留応力の発生方向にレーザー光30を走査させている。これにより、基板11の反り量の増加を抑制することができるので、基板チャック時の平坦性を改善することができる。従って、後の工程において、基板11をステージに確実に固定することができる。また、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ10の製造方法では、基板11の反り量及び収縮量の異方性を改善することができるので、その後のフォトリソグラフィ工程において、所定の露光を行うことができる。以上、本発明の実施の形態に係る結晶性薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施の形態において、所定の光線としてCWレーザーを用いたが、これに限らない。所定の光線として、YAGレーザー光線又はランプ加熱用光線等を用いることもできる。また、上記の実施の形態において、最大残留応力の発生方向は、X軸方向第1方向及びY軸方向第2方向の直交する2方向のうちの一方の方向として特定したが、これに限らない。例えば、Z軸を通りXY平面上における複数の方向のうちの一方向を、最大残留応力の発生方向として特定しても構わない。また、上記の実施の形態において、半導体薄膜としてシリコン薄膜を用いたが、シリコン薄膜膜以外の半導体薄膜を用いることもできる。例えば、ゲルマニウムGe又はSiGeからなる半導体薄膜を用いて、これらの半導体薄膜を結晶化させても構わない。さらに、半導体薄膜は、n型半導体及びp型半導体のいずれであってもよい。また、本実施の形態において、レーザー光は、ビーム半値幅W1がビーム長軸幅W2よりも小さくなるように構成したが、ビーム半値幅W1がビーム長軸幅W2よりも大きくなるように構成しても構わない。この場合であっても、本実施の形態と同様にレーザー光の走査方向は変わらず、レーザー光の短軸と走査方向とが一致するようにレーザー光の走査を行う。また、本実施の形態において、シリコン薄膜に照射されたときのレーザー光の照射形状強度分布形状は長軸及び短軸を有する矩形状としたが、これに限らない。例えば、シリコン薄膜に照射されたときのレーザー光の照射形状強度分布形状は、楕円形状等のその他の長軸及び短軸を有する形状、あるいは、円形や正方形とすることもできる。また、上記の実施の形態におけるボトムゲート型の薄膜トランジスタでは、チャネル保護膜17を備えるチャネル保護型の薄膜トランジスタとしたが、チャネル保護膜17を形成せずに、チャネルエッチング型の薄膜トランジスタとしても構わない。また、本実施の形態によって形成される結晶性薄膜結晶性薄膜基板は、薄膜トランジスタだけではなく、太陽電池又はイメージセンサ等の光電変換素子等、各種電子デバイスにも用いることができる。また、本実施の形態によって製造される薄膜トランジスタ又は薄膜トランジスタのアレイ基板は、有機EL表示装置又は液晶表示装置等の表示装置に用いることができる。また、表示装置については、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ又は携帯電話などの電子機器に適用することができる。なお、その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。