"検査対象のパターンが形成された基体を支持するステージと、前記基体の表面に水平な方向に前記ステージを移動させるステージ駆動手段と、前記基体に光を照射する光源と、前記光を照射された前記基体からの反射光を検出して信号を出力する検出手段と、前記光源から照射された光を前記基体に導き、前記基体からの反射光を前記検出手段に導く光学系と、照射された光の前記基体におけるフォーカス位置を前記基体の表面に垂直な方向に変動させるフォーカス位置変動手段と、前記ステージの移動と前記パターンの位置への前記光の照射とを対応させて前記フォーカス位置が変動するように前記ステージ駆動手段と前記フォーカス位置変動手段とを制御する制御手段と、前記検出手段からの信号に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する判定手段と、を備えるパターン検査装置。前記制御手段は、前記パターンの設計データから前記パターンの位置を特定することを特徴とする請求項1に記載のパターン検査装置。前記光学系は、鏡筒に収納され、前記フォーカス位置変動手段は、前記鏡筒を移動させることにより、前記フォーカス位置を変動させることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン検査装置。前記フォーカス位置変動手段は、前記鏡筒を移動させるピエゾ素子を含むことを特徴とする請求項3に記載のパターン検査装置。前記フォーカス位置変動手段は、前記光源から照射された光の屈折率を電気的に変動させる素子を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のパターン検査装置。前記判定手段は、瞳面における前記反射光の強度分布から前記パターンの欠陥の有無を判定することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のパターン検査装置。前記光源は、波長幅が±数nm~数十nmのパルスレーザを照射することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン検査装置。前記光源は、中心波長幅が±数pm以下で、中心波長が互いに異なる複数のレーザを組み合わせて照射する広帯域光源であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のパターン検査装置。検査対象のパターンが形成された基体に向けて光源から光を照射し、照射光の前記基体におけるフォーカス位置を前記基体の表面に垂直な方向に変動させながら、前記基体の表面に水平な方向に前記基体の表面を前記照射光で走査し、前記基体からの反射光を検出して得られる信号に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する、パターン検査方法。前記パターンの設計データから前記パターンの位置を特定し、前記照射光の前記基体におけるフォーカス位置は、前記パターンの位置で変動する、ことを特徴とする請求項9に記載のパターン検査方法。前記検査対象であるパターンは、互いに同一の形状および寸法を有するように異なるセルまたはダイに形成された第1および第2のパターンを含み、前記欠陥の有無は、前記第1のパターンからの反射光を検出して得られた第1の画像と前記第2のパターンからの反射光を検出して得られた第2の画像とを比較するセルツーセル比較またはダイツーダイ比較により行われることを特徴とする請求項9または10に記載のパターン検査方法。前記第1および第2の画像は、デフォーカス画像を含むことを特徴とする請求項11に記載のパターン検査方法。本発明は、高アスペクト比のパターンに存在する欠陥の検出感度を向上させるパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。実施形態のパターン検査装置は、ステージと、ステージ駆動手段と、光源と、検出手段と、光学系と、フォーカス位置変動手段と、制御手段と、判定手段と、を含む。前記ステージは、検査対象のパターンが形成された基体を支持する。前記ステージ駆動手段は、前記基体の表面に水平な方向に前記ステージを移動させる。前記光源は、前記基体に光を照射する。前記検出手段は、前記光を照射された前記基体からの反射光を検出して信号を出力する。前記光学系は、前記光源から照射された光を前記基体に導き、前記基体からの反射光を前記検出手段に導く。前記フォーカス位置変動手段は、照射された光の前記基体におけるフォーカス位置を前記基体の表面に垂直な方向に変動させる。前記制御手段は、前記ステージの移動と前記パターンの位置への前記光の照射とを対応させて前記フォーカス位置が変動するように前記ステージ駆動手段と前記フォーカス位置変動手段とを制御する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、本発明の実施の一形態に係るパターン検査装置を例示するための模式図である。図2は、比較例によるパターン検査装置を例示するための模式図である。1比較例まず、本発明者が発明をするに至った過程で検討を加えた比較例について例示をする。図2に示す比較例によるパターン検査装置400には、光源100、ハーフミラーHM、ウェーハステージ300および検出器200が設けられている。パターン検査装置400には、オートフォーカス機能が設けられており、光源100から照射されハーフミラーHMで反射した光L100がウェーハWの表面でジャストフォーカスとなるよう焦点位置が自動調整される。ウェーハWの表面には検査対象であるパターンが形成されている。そして、焦点位置が固定された状態で、ウェーハWを載置するウェーハステージ300をウェーハ面に水平な方向で移動させることにより、ウェーハ面に水平な方向でウェーハWを光L100で走査する。光L100の照射によりウェーハから反射した光L200をハーフミラーHMが透過させて検出器200の検出面で結像させ、得られた信号から検査対象であるパターンの画像を形成し、この画像に基づいて欠陥の有無を判定する。しかしながら、近年、微細構造体の微細化や高集積化のより一層の進展により、検査対象であるパターンのアスペクト比が高くなっている。図3aは、このような微細構造体の一例を示す斜視図であり、図3bは図3aの微細構造体のA-A切断線における断面図である。図3に例示する微細構造体では、ウェーハWの上に形成された絶縁層に溝パターンTRが所定ピッチで形成されている。図3の例において溝パターンTRの溝幅は50nmであり、その深さは2000nmとなっている。すなわち、溝パターンTRのアスペクト比は2000/50=40となっており、このようなアスペクト比は今後より一層高くなる傾向にある。このような高アスペクト比の溝パターンでは、図4の符号DF1,DF2に示すように、異なる深さの欠陥が形成される可能性がある。このような検査対象パターンに対して、図2に例示したパターン検査装置400で欠陥検査を行う場合、欠陥の深さに応じてフォーカス面が異なるため、適切なパターン画像を取得することが困難である。図4に示すように、単層膜または積層膜500の頂面、欠陥DF1の頂面、欠陥DF2の頂面のいずれの位置をジャストフォーカスとしても、他の位置深さの照射対象物からは正しい形状を反映した反射光が返ってこないからである。2実施の一形態図1に戻り、本実施の形態によるパターン検査装置について説明する。図1に例示するパターン検査装置1には、光源10、鏡筒20、制御部30、メモリMR、ステージ40、ステージコントローラ50、検出器60、信号処理部70および欠陥判定部80が設けられている。光源10は光L1を照射する。鏡筒20は、ハーフミラーHMおよび対物レンズ22を含む光学系を含み、光L1をハーフミラーで反射してその光路をウェーハWに向け、対物レンズ22で焦点位置を制御してウェーハWに照射させる。対物レンズ22は、電気的に屈折率を変えるEOElectricOptical素子で形成され、制御部30から与えられる制御信号に従って光L1のフォーカス位置を変更する。鏡筒20には、ピエゾ素子24が設けられ、制御部30から与えられる制御信号に従って鏡筒20をウェーハWの表面に垂直な方向で振動させる。本実施の形態において、制御部30と、対物レンズ22およびピエゾ素子24の少なくともいずれかとは、例えばフォーカス位置変動手段に対応する。ウェーハW上には単層膜または積層膜500が形成され、単層膜または積層膜500には、検査対象である溝パターンTRが形成されている。ウェーハWは、本実施形態において例えば基体に対応する。光LはウェーハWで反射し、反射光L2が鏡筒20に入射する。鏡筒20は反射光L2をハーフミラーHMを透過させて検出器60に導き、検出器60の検出面で光学像が結像される。ステージ40は、ウェーハWを載置するとともに、ステージコントローラ50から与えられる制御信号に従い、ウェーハWをウェーハ面に水平な方向で移動させる。これにより、ウェーハWはウェーハ面に水平な方向で光L1により走査される。ステージコントローラ50は、制御部30からの指令信号に従い、ステージ40を駆動するための制御信号を生成する。ステージ40、ステージコントローラ50および制御部30は、本実施の形態において、例えばステージ駆動手段に対応する。検出器60は、その検出面で結像した光L2を光電変換して検出信号を出力する。検出器60は、例えば赤外CCDChargeCoupledDeviceまたは光電子増倍管などにより構成される。ただし、これらに限定されるわけではなく、結像された像の光を光電変換できるものを適宜選択することができる。信号処理部70は、検出器60から与えられる検出信号を処理して溝パターンTRを含む単層膜または積層膜500の表面の画像を生成する。欠陥判定部80は、信号処理部70から与えられる画像を処理し、例えばダイツーダイ比較またはセルツーセル比較により、溝パターンTRにおける欠陥の有無などを判定する。本実施の形態において、欠陥判定部80は例えば判定手段に対応する。メモリMRには、後述する欠陥検査方法を実行するための検査アルゴリズムが記述されたレシピファイルが格納され、また、三次元の位置情報を含む、検査対象である溝パターンTRの設計データベースが格納される。制御部30は、メモリMRからレシピファイルを読み込んで、記述された検査アルゴリズムに従って上述した各種の制御信号を生成し、ステージコントローラ50、対物レンズ22、鏡筒20のピエゾ素子24へ与える。次に、図1に示すパターン検査装置を用いて欠陥検査を行う方法について例示する。まず、図示しないアライメントパターンなどを用いてステージ40のX-Y座標系と、メモリMRに格納された設計データベース中のパターン位置情報との対応付けを行う。次に、光源10からウェーハWへ光L1を照射しつつ、制御部30が制御信号を生成し、ステージコントローラ50を介して検査対象領域の溝パターンTRが光L1で順次に走査されるようにステージ40を移動させる。そして、光L1が溝パターンTRの真上に位置する時、制御部30が制御信号を生成して対物レンズ22またはピエゾ素子24に与え、これにより、光L1のフォーカス位置がウェーハWの表面に垂直な方向で変化する。そして、光L1がそれぞれのフォーカス位置で対物レンズ22により集光されてウェーハWへ照射されて反射し、溝パターンTR内の異なる深さの光学像が検出器60の検出面で結像し、信号処理部70により、同一の溝パターンTRについて複数のパターン画像が生成され、欠陥判定部80により欠陥の有無が判定される。図5を参照しながらダイツーダイ比較により欠陥を判定する方法を例示する。例えば図5の紙面左側に例示するダイ80のように、例えば不純物などの影響から溝パターンTR3においてD2の深さにまでしかエッチングができなかったために、欠陥DFが存在するダイと、図5の紙面右側に例示するダイ90のように、良好に加工され欠陥が存在しないダイと比較した場合を取り挙げる。ステージ40の移動により照射光が各溝パターンの位置に到来したタイミングで、例えば深さD1,D2,D3の箇所でそれぞれジャストフォーカスになるようフォーカス位置を変動させると、各溝パターンにおいて3枚のパターン画像が得られ、ダイ80と90とで6枚のパターン画像が得られる。図5の例では、溝パターンTR1とTR11、TR2とTR12、TR3とTR13,およびTR4とTR14では互いに同一のパターン画像が得られるので、欠陥は検出されない。そして、溝パターンTR3の深さD1について得られたパターン画像801と溝パターンTR13の深さD1について得られたパターン画像901とを対比すると、いずれもデフォーカス画像であるが、両者の間でほとんど差異が無く、欠陥は検出されない。しかしながら、溝パターンTR3の深さD2について得られたパターン画像802と溝パターンTR13の深さD2について得られたパターン画像902とを対比すると、パターン画像902はデフォーカス画像であるが、パターン画像802では画像の上下に延在するラインパターンが途中で短絡されている一方、パターン画像902ではこのような短絡が無い。従って、ダイ80の溝パターンTR3で欠陥DF3が存在すると判定される。さらに、溝パターンTR3の深さD3について得られたパターン画像803と溝パターンTR13の深さD3について得られたパターン画像903とを対比すると、パターン画像803は、デフォーカス画像となっているが、パターン画像901との間で著しい差異が見られ、結局は欠陥DF3が存在するものと判定される。本実施の形態において、パターン画像801~803は例えば第1の画像に対応し、また、パターン画像901~903は例えば第2の画像に対応する。なお、以上の判定では、欠陥が存在しないダイ90を参照したが、ダイ90において欠陥が存在するかどうか不明の場合は、一般的なダイツーダイ比較と同様に、もう一つのダイとの比較を含めた2回の比較により欠陥判定を行う。このように、本実施の形態によれば、基体の表面に水平な方向のみならず、これに垂直な方向においてもフォーカス位置を変動させて検査対象のパターンを走査するので、高アスペクト比のパターンに存在する欠陥についても高い感度で検出することが可能になる。以上、実施の一形態について説明したが、これに限るものでは決してなく、その技術的範囲内で種々変形して適用できることは勿論である。例えば上記実施の形態では、各溝パターンについて3枚のパターン画像を取得することとしたが、複数枚であれば、他の数量のパターン画像を取得して相互比較しても勿論よい。また、上記実施の形態では、検出器60の検出信号からパターン画像を取得し、これに基づいて欠陥の有無を判定する例を取り上げたが、パターン画像を取得することなく、例えば検出信号の強度を比較することによっても欠陥の有無を判定することは可能である。この場合、例えば図1のパターン検査装置1の構成要素のうち、信号処理部70を使用することなく検出器60の検出信号を欠陥判定部80に直接送り、これに基づいて欠陥判定部80が欠陥の有無を検査する。3薄膜の膜厚ばらつきに起因するノイズの回避薄膜で形成されたパターンを検査対象とするパターン検査においては、薄膜の膜厚ばらつきによる光の干渉がノイズとなる。それを回避するため、パターン検査装置の光源として、膜厚ばらつきをキャンセルできる波長幅を有することが望ましい。より具体的には、±数nm以上の波長幅を有する光源が望ましく、それを実現するためには、例えばTi:sapphireの3倍高調波でフェムト10-15秒オーダーのパルスレーザで波長260nm±数十nmのものを用いればよい。図6は、図1に例示のパターン検査装置について、ある欠陥からの反射率の波長依存性をシミュレーションにより求めたグラフ図である。薄膜干渉の影響から波長に依存して反射率は大きく変化する。そのため、図6に示す例では、波長260nm付近において反射率が低下してしまっている。そのため、通常の単一波長のレーザでは充分な感度が得られないことが分かる。そこで、例えば図1に例示のパターン検査装置において、光源10として波長260nm±数十nmのパルスレーザ光源を用いれば、図6の反射率変動の積分強度の平均が信号強度となる。これにより、膜厚変動に対してロバストなパターン検査が可能になる。さらに、パルスレーザ光源に替えて、波長が互いに異なる複数のレーザが結合された広帯域光源を用いることもできる。図7は、深紫外光を生成するための基本光源ユニットを例示するための模式図である。図7に示す基本光源ユニット620は、赤外レーザダイオード622と、直列に接続されたSHGSecondHarmonicGeneration素子624a,624bとを含む。赤外レーザダイオード622とSHG素子624a、SHG素子624aとSHG素子624b間は光ファイバOFで光学的に接続される。赤外レーザダイオード622は、波長1064nm±0.25nmの赤外レーザを出射する。この赤外レーザが2つのSHG素子624a,624bにより4倍高調波が発生し、SHG素子624bから深紫外光が出力される。波長と波長幅との関係は、Δλ=Δλ266nm×λ266nm×λ1064nm2となるため、SHG素子624bから出力される深紫外光は、約266nm±1.5pmの波長幅を有する。図8aおよびbは、図7に例示する基本光源ユニット620を複数用いて構成された広帯域光源を例示するための模式図である。図8aに例示する広帯域光源600は、100個の基本光源ユニット620とコンバイナ630とを備える。各基本光源ユニット620の中心波長は温度制御により互いに異なるものとなっている。そして、中心波長が互いに異なる深紫外をコンバイナ630で結合することにより、所望の波長幅の光源を得ることができる。本例の広帯域光源600では、波長幅±1.5nmの光源が実現される。勿論、この波長幅に限られることなく、元の赤外レーザダイオード622の出射光の中心波長と基本光源ユニット620の数とを制御することにより、所望の波長幅の光源を得ることが可能になる。また、図8bに例示する広帯域光源700は、100個の基本光源ユニット620とホモジナイザ640とを備える。ホモジナイザ640は、100個の基本光源ユニット620から出力される中心波長が互いに異なる複数の深紫外光の不均一な光強度分布を均一化する。ホモジナイザ640として、具体的には、屈折で光を曲げるアレイレンズを用いるものの他、DOE回折光学素子:DiffractiveOpticalElementを用いて回折光で波面を制御するもの等を用いることができる。本実施形態において、ホモジナイザ640は例えば波面均一化光学系に対応する。"