"ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドとを備え、前記ダイパッドは、少なくとも2箇所のコーナーにおいて前記ボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を備えることを特徴とする配線基板。前記ダイパッドの特徴形状部の表面は導体層であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。前記ダイパッドの特徴形状部は、3箇所のコーナーにおいて設けられたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板。前記ダイパッドの特徴形状部は、4箇所のコーナーにおいて設けられたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の配線基板。前記ダイパッドの特徴形状部は、鉤状の形状であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれかに記載の配線基板。ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドと、前記ダイパッドとは分離して前記基板本体上に形成された導体層の特徴形状部を備えることを特徴とする配線基板。前記特徴形状部は、細長い矩形の形状であり、その長辺が、前記基板本体の前記ボンディングパッドが配列されていない側の辺に平行に配置されていることを特徴とする請求項6記載の配線基板。前記特徴形状部は、その長辺が前記基板本体の前記ボンディングパッドが配列されている側の辺に平行に配置されている細長い矩形の形状を有することを特徴とする請求項6記載の配線基板。前記基板本体の前記ダイパッド、前記特徴形状部、前記ボンディングパッドを除いた表面が、絶縁体によって覆われていることを特徴とする請求項6~請求項8のいずれかに記載の配線基板。請求項1~請求項9のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板のダイパッド上に接着剤を介して固着された矩形状の半導体チップと、前記半導体チップの対向する二辺に沿って配列されたボンディングパッドと前記配線基板のボンディングパッドを電気的に接続するワイヤと、前記配線基板の表面を、前記半導体チップ、前記ワイヤとともに封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドの外周枠は前記半導体チップの外周枠の外側に近接して存在することを特徴とする半導体装置。配線基板の中央に接着剤を介して矩形状の半導体チップが固着され、前記半導体チップの対向する二辺に沿って配列された第1のボンディングパッドとこの第1のボンディングパッドに沿って前記配線基板の側に配列された第2のボンディングパッドの間をワイヤで電気的に接続し、前記配線基板の表面を、前記半導体チップ、前記ワイヤとともに封止樹脂によって封止した半導体装置であって、前記配線基板は、前記半導体チップの第1のボンディングパッドが配列された辺に隣接した辺に近接して、前記半導体チップを挟む2箇所に、配線基板の外形に対して規定の角度方向に延びる特徴形状部を備えていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、このようにして得られた半導体装置には以下の課題がある。配線基板上の配線パターンには、ワイヤ4との接続性を確保するために金属のめっきが施されている。めっきと配線基板を封止する封止樹脂との接着力は著しく低い。配線パターンと封止樹脂5との界面にて接着力が低いと、その半導体装置をマザー基板に搭載する際のリフローの熱によって界面剥離が発生し、半導体装置の信頼性を劣化させる。従って、配線基板2上の配線パターンは、その面積を極力小さくするか、あるいはその表面をソルダーレジストで被覆して、封止樹脂5との接着力低下を極力抑えるように設計する。当然、ダイパッド2aもその対象である。半導体装置の信頼性を向上させるためにダイパッド2aの面積を小さくすると、半導体チップ1とダイパッド2aとを接合する接着剤3のはみ出しが、図9bに符号Aで示すようにダイパッド2aの外周部に達し、半導体チップ1の搭載位置の精度の確認に必要な、ダイパッド2aのパターンの外周部の検出が正確にできない。また、ソルダーレジストでダイパッド2aを被覆しても、ソルダーレジストは着色されているため、配線パターンの外周部の検出ができない。本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、配線基板に対する半導体チップの搭載精度を確保しつつ、信頼性の劣化を引き起こさない半導体装置用の配線基板を提供することを目的とする。本発明の配線基板は、ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドとを備え、前記ダイパッドは、少なくとも2箇所のコーナーにおいて前記ボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を備えることを特徴とする。また、本発明の配線基板は、ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドと、前記ダイパッドとは分離して前記基板本体上に形成された導体層の特徴形状部を備えることを特徴とする。本発明によれば、ダイパッドの少なくとも2箇所のコーナーにおいてボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を設ける、または、ダイパッドから分離して特徴形状部を設けることで、半導体チップの搭載精度の向上と高信頼性化とを両立した半導体装置を実現できる。以下、本発明の各実施の形態を図1~図7に基づいて説明する。実施の形態1図1aは、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置10をその上方から見た状態を示す。図1bは断面図、図1cは底面図である。外周形状が矩形状の配線基板12は、基板本体12oの上面にダイパッド12aと、ボンディングパッド12bならびにボンディングパッド12bに配線パターンで接続されたランド12cなどからなる配線パターンを設け、基板本体12oの下面に外部端子12eが設けられている。ランド12cと外部端子12eは、図1bと図1cに示すように、基板本体12oの内部に形成されたスルーホール12dで接続されている。半導体チップ11は、配線基板12のダイパッド12aに接着剤13を介して搭載している。半導体チップ11のボンディングパッド11aと、配線基板12のボンディングパッド12bとの間がワイヤ14によって接続されている。この半導体装置10は、基板本体12oの上面と、半導体チップ11、ワイヤ14とともに封止樹脂15によって封止して構成されている。この半導体装置10は、外部電極12eが、ここで図示していないマザー基板の電極と接合されることにより、半導体チップ11の電気信号を外部に取り出すことができる。ダイパッド12aの形状は、平面形状が四辺形の半導体チップ11と同じか僅かに大きな四辺形である。また、ダイパッド12aに搭載される半導体チップ11の複数のボンディングパッド11aに沿って、複数のボンディングパッド12bがダイパッド12aの対向する二辺に設けられている。ここで、本実施の形態1においてはダイパッド12aのコーナー部の形状に特徴がある。ダイパッド12aの外周部は、おおまかには半導体チップ11の四辺形の形状に沿っており、搭載する半導体チップ11のボンディングパッド11aが配置されていない二辺に平行な辺、すなわち、ボンディングパッド12bに対向していない短辺のコーナー部に、ここでは、ダイパッド12aの四隅のうち3つの隅に、ボンディングパッド12bに対向している辺をそのまま延伸した方向Y方向に突出させた規定の形状である矩形の特徴形状部P1,P2,P3が形成されている。基板本体12oのダイパッド12a、特徴形状の特徴形状部P1,P2,P3、ボンディングパッド12bを除いた表面が、絶縁体のソルダーレジスト図示せずによって覆われている。この構成によると、以下のように半導体装置10はその信頼性を劣化させること無く、半導体チップ11をダイパッド12aに搭載する精度が向上する。図2aは、ダイパッド部12aに接着剤13を塗布し、半導体チップ11を搭載する前の状態を示している。ここで、接着剤13は半導体チップ11をダイパッド12aに強固に接合するためにダイパッド12aの面積の全面に濡れ広がっている。半導体チップ11を高精度に搭載する際には、ダイパッド12aの位置を正確に認識しなければならない。従来のダイパッドの形状図9aに示すにおいては、ダイパッドの外周部を認識しようとしても接着剤3の影響で正確な認識ができず、半導体チップ11の搭載位置がばらつく。しかし、本実施の形態1に示すようにダイパッド12aの3隅に特徴形状の特徴形状部P1,P2,P3があれば、その3箇所からダイパッド12aのX軸,Y軸を検出することで、接着剤13の影響を受けずに半導体チップ11の搭載位置を正確に算出できる。従って、半導体チップ11の搭載位置の精度を高めることができる。ここで特徴形状部P1,P2,P3をダイパッド12aの短辺の隅部に配置する構成には以下の利点がある。接着剤13は半導体チップ11とダイパッド12aとを接着するために塗布されるため、ダイパッド12aの中心部において量が多く、ダイパッド12aの外周部に向かうほどその量が少なくなる。はみ出し量が最も少なくなるのが隅部であり、その隅部に特徴形状部を配置することで、接着剤の影響を最小限にすることができる。反対に、ダイパッド12aの隅部以外、例えばダイパッド12aのボンディングパッド11aが配置された辺に対向している長辺に特徴形状部P1,P2,P3を配置した場合、接着剤13のはみ出しの影響によりその位置の正確な検出ができない虞がある。さらに、ダイパッド12aの3隅の特徴形状部P1,P2,P3が、ボンディングパッド12bの配置されていないY軸方向に突起している構成には、以下の利点がある。特徴形状部P1,P2,P3がY軸方向に突起していることにより、たとえその特徴形状部において封止樹脂との界面剥離を生じても、その剥離がボンディングパッド12bの方向に延伸する虞は小さく、ワイヤ14の断線という致命的な不良を防止することができる。また、その方向には、ボンディングパッド12bが配置されておらず配線パターンの密度が低いため、ボンディングパッド12bが配置されている方向に突起させるよりも配線基板12の面積を低減することができ、半導体装置の小型化に寄与する。図2bに示しているのは、図2aのように塗布した接着剤13を介してダイパッド12aの上に半導体チップ11を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図である。ここで、ダイパッド12aの3箇所の特徴形状である特徴形状部P1,P2,P3によりダイパッド12aのX軸とY軸が検出され、これに対して半導体チップ11の外形、もしくは回路等の特徴パターンを認識することによりその搭載位置を確認することができる。従って、たとえ搭載位置ズレが発生したとしても、その後の検査における測定作業により不良品を排除できる。特徴形状部P1,P2,P3の規定の形状は、認識に対して必要最小限の面積にとどめる事により、ダイパッド12aの面積を四辺形の形状のまま接着剤13の影響を排することができるまで増大させることに比べて、半導体装置10をマザー基板に実装する際の熱によるダイパッド12aとその封止樹脂15との界面剥離の発生を抑えることができる。つまり、半導体チップ11の搭載位置の精度向上と高信頼性とを両立させることができる。具体的な大きさの一例を以下に述べる。半導体チップ11の平面寸法は0.5mm×0.5mmから2mm×2mmまでの間とし、それを搭載するダイパッド12aのサイズは、それに対応する半導体チップ11の各辺の寸法に対して0μmから200μmまでの範囲で半導体チップ11の寸法より大きいものとする。半導体チップ11の厚みとして50μmから200μmまでの間とし、接着剤13の半導体チップ11の側面への這い上がりは、それが半導体チップ11の表面にまで達するとショートが起きるため、半導体チップ11の厚みの2/3以下、すなわち33μmから133μmまでとする。接着剤13の半導体チップ11の外周からのはみ出し寸法は、上記の這い上がりの寸法の1/2から2/2の間なので16μmから133μmとなる。従ってダイパッド12aの特徴形状部P1,P2,P3の寸法としては、ダイパッド12aの中心に半導体チップ11が搭載されたとして、その半導体チップ11の外周部から133μm以上突起していれば、接着剤13のはみ出しに影響されることが無いため好ましい。搭載した半導体チップ11とはみ出した接着剤13の平面模式図とその要部拡大図を図2cに示す。次に、半導体装置10の各構成物に使用する材料について説明する。半導体チップ11としてはSiを想定しているが、その機能に応じてSiC,SiGe,GaAs,GaN等の化合物であってもよい。配線基板12は一般的に基板本体12oと導体部とよりなり、基板本体12oとしてはガラスエポキシ,BTレジン,ポリイミドテープ等に代表される有機材料とアルミナセラミックス基板に代表される無機材料に二分される。導体としては有機の基板本体12oに対してはCu、無機の基板本体12oに対してはWが代表的である。本実施の形態1での基板本体12oとしては有機材料を想定しているが、無機材料の適用を除外しているわけではない。Cu箔の表面にはCuの酸化汚染防止のためのNiめっき、更にワイヤ14との接続性を確保するためのAuめっきやAgめっきの処理を施すのが一般的である。接着剤13としてはエポキシ等の樹脂にAgフィラーを分散させた導電性のAgペーストが一般的であるが、絶縁性のペースト材も一般に使用されており、これを接着剤13として使用することもできる。ワイヤ14としてはAu合金が一般的であるが、Al,Cu合金も適用できる。封止樹脂15としては通常はエポキシ樹脂が使用されるが、ビフェニル樹脂,シリコーン樹脂等の他の樹脂を使用することもできる。封止樹脂15は、通常は光による半導体チップ11の誤動作を防止するため黒色に着色されているのが一般的であるが、受光素子等の光によって機能する半導体チップが搭載されている場合には光を透過する樹脂が使用される。受光素子の用途としては、光の照度センサー、リモートコントロール機器用の受光センサー、光ディスクドライブのピックアップ用の受光IC等が挙げられる。特に受光ICにおいては、光ディスクの信号を読み取るレーザー光を正確に受光しなければならないため、その半導体装置10において半導体チップ11の搭載位置に高い精度を要求されており、本発明の有用性は高い。本実施の形態1の応用例を、図3a~図3dに示す。図1に示した特徴形状部P1,P2,P3は、ダイパッド12aの3隅に配置されているが、これは図3aに示すようにダイパッド12aの対角の2箇所の特徴形状部P1,P3であっても構わない。対角の2箇所の特徴形状部P1,P3を認識することでダイパッド12aのX軸,Y軸を算出できるからである。また、図3bに示すようにダイパッド12aの4隅に設けても構わない。4箇所の特徴形状部P1,P2,P3,P4をそれぞれ認識し、X軸,Y軸を算出すれば、それだけ半導体チップ11の搭載精度は向上する。但し、認識に要する時間は追加した特徴形状部P4を認識する時間の分だけ増えるため、生産効率は低下する。図3cでは、図3aと比べて配線パターンに引き出し線12fが追加されている点が異なっている。この引き出し線12fは、ダイパッド12a,ボンディングパッド12bならびにランド12cなどにめっきする場合に使用される。配線基板12の導体には前記した理由でめっきが施されるのが一般的であり、そのめっきの手法としては大きく電解めっきと無電解めっきとに分けられる。電解めっきの場合は導通が必要なので、配線基板12上の全ての導体部分には、半導体装置10の組立に必要な箇所の他に、通電のための引き出し線を設ける必要がある。この図3cでは、ダイパッド12aに対して設けた引き出し線12fを、ダイパッド12aの1つのコーナーに設けているが、この位置に限るものでない。また、半導体チップ11の機能によっては、グランドなどの基準電位のように電位を同じくするボンディングパッド12aを吊リードで接続しても良い。電解めっきは一般的にめっきの組織が緻密で品質が高く、かつコストも低いため有用である。ただし、引き出し線12fに要する面積の分、導体のパターン配置の自由度は減り、微細な導体パターンの必要な配線基板には不向きである。その場合には引き出し線12fの不要な無電解めっきが適用される。なお、これまでの説明では、ダイパッド12aの特徴形状部P1~P3,P1とP3,P1~P4はダイパッド12aから外側に突出した矩形の突起状としていたが、規定の形状はこの形状に限らない。図3dに示しているのはその別の一例で、特徴形状部P1,P3を鉤状の形状としている。配線基板12の導体は、通常エッチングによりパターニングされるが、その製法上、設計したパターン通りの形状を確保できない場合がある。そうした場合、矩形の突起状のパターンに替えてより複雑な形状の特徴パターンとすることで、特徴形状のユニーク性を確保することができる。なお、上記の図1aおよび図3a~図3dに述べた実施の形態1の各実施例は、それぞれ示された形状に限定されるものではなく、適宜、組み合わせることができる。このように、実施の形態1の半導体装置に使用した配線基板12は、半導体チップ11の搭載精度の向上と、半導体装置10としての高信頼性化とを同時に実現することができ、配線基板のダイパッドパターン上に接着剤を介して半導体チップを搭載する構成を備えた半導体装置全般に有用であり、特に半導体チップの搭載ズレに対する要求の厳しいPDICphotodetectorintegratedcircuit等の半導体装置に有用である。実施の形態2図4aは、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置20をその上方から見た状態を示す。なお、実施の形態1と同様の作用をなすものには同一の符号を付けて説明する。実施の形態1では、半導体チップ11を配線基板12に高精度に搭載するための特徴形状部P1~P3,P1とP3,P1~P4などをダイパッド12aに設けたが、この実施の形態2では、ダイパッド12aとは分離して細長い矩形の特徴形状部P5を設けた点が異なっている。その他は実施の形態1と同じである。実施の形態1に示すようにダイパッド12aに突起状の特徴形状部を設けると、この半導体装置10をマザー基板に実装する際、この特徴形状部を基点にダイパッド12aと封止樹脂15との界面剥離が発生することがあり得る。その界面剥離はダイパッド12aと接着剤13または接着剤13と半導体チップ11との界面の剥離に至り、半導体チップ11の機能に支障をきたす虞がある。これに対して、図4aに示すように特徴形状部P5とダイパッド12aとが分離していると、マザー基板への実装時に特徴形状部P5と封止樹脂15との界面がたとえ剥離したとしても、その剥離が接着剤13や半導体チップ11まで至ることが無く、半導体チップ11の機能に支障をきたす虞が小さい。なぜなら、配線基板12において特徴形状部P5とダイパッド12aとの間の基材表面は、封止樹脂15との界面の接着力がそれらのめっき部との接着力よりも大きいため、たとえ特徴形状部P5で界面剥離が発生してもそれがダイパッド12aにまで達して半導体チップ11の故障にまで至る虞が低いからである。従って、実施の形態2の半導体装置20は実施の形態1に示した半導体装置10よりも信頼性を高めることができる。次に、接着剤13が図4bに示すようにダイパッド12aの面積全面に濡れ広がっていても、特徴形状部P5を認識することにより半導体チップ11を正確な位置に搭載することができることを説明する。ここでダイパッド12aは、配線基板12のX軸に平行である。直線状の特徴形状部P5は、その長辺が、基板本体12oのボンディングパッド12bが配列されていない側の辺に平行に配置されているため、この直線状の特徴形状部P5の、例えば、特徴形状部P5の中央付近S1の形状を認識することでダイパッド12a部のX軸を検出することができ、そのX軸のデータから配線基板12のY軸を仮想的に演算できる。図4cは、接着剤13を介してダイパッド12aの上に半導体チップ11を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図である。ここで、特徴形状部P5を仮想線で示す中央付近Bを認識することにより配線基板12のX軸とY軸が検出され、これに対して半導体チップ11の外形を認識することにより、配線基板12に対する半導体チップ11の搭載位置を演算することができる。従って、たとえ搭載位置ズレが発生したとしても、その後の測定作業により不良品を排除できる。半導体チップ11の平面寸法が0.5mm×0.5mmから2mm×2mmまでの間とし、それを搭載するダイパッド12aのサイズは、それに対応する半導体チップ11の各辺の寸法に対して0μmから200μmまでの範囲で半導体チップ11の寸法より大きい。接着剤13の半導体チップ11からのはみ出し寸法についても実施の形態1と同様に16μmから133μmとなる。従って、特徴形状部P5の配置としては、その半導体チップ11の外周部から133μm以上離れた位置に配置されていれば、接着剤13のはみ出しに影響されることが無く、好ましい。搭載した半導体チップ11とはみ出した接着剤13の平面模式図とその要部拡大図を図5に示す。本実施の形態2の応用例を図6a~図6dに示す。図6aに示した実施例の特徴形状部P6は、半導体チップ11のボンディングパッド11aが配置されていない二辺に平行な辺、すなわちボンディングパッド12bに対向していないダイパッド12aの短辺に直角に、細長い矩形の形状の一つである直線状の特徴形状部P6が基板本体12oに設けられている。この特徴形状部P6の中央付近S2を認識することで配線基板12のY軸を検出し、そのY軸を基準にX軸を検出して半導体チップ11の搭載精度を向上させ、また搭載位置ずれが発生した不良品を排除できる。図6bに示した実施例の特徴形状部P7は、特徴形状部P6の直線状に変わる他の形状を示している。この特徴形状部P7の中央付近S3を認識することで配線基板12のY軸を検出し、そのY軸を基準にX軸を検出して半導体チップ11の搭載精度を向上させ、また搭載位置不良品を排除できる。この例は、T字状の例を示している。この他に、X軸とY軸との平行な直線を組み合わせた形状、例えば十字状、L字状の形状などが使用できる。図6cに示した実施例の特徴形状部P8は、図3cと同様に、ダイパッド12a,ボンディングパッド12bならびにランド12cなどにめっきする場合に使用される場合で、図4aに示した特徴形状部P5の両端に引き出し線12fを追加して形成されている。ダイパッド12a,ボンディングパッド12bならびにランド12cについても引き出し線12fが設けられている。この図6cに示したように、特徴形状部P5に引き出し線12fを所定角度の例えば直角に、つまり、ダイパッド12aのY軸に平行に配置すれば、この引き出し線12fを認識することで、ダイパッド12aのY軸を検出でき、半導体チップ11の搭載精度の向上に有利である。なお、特徴形状部P5およびそれと導通する引き出し線12fの形状としては、ここで示したコの字を90度回転させた形状のほか、T字状,L字状,逆L字状,カタカナのト字状などのようにダイパッド12aのX軸,Y軸方向に沿った直線パターンを組み合わせた各種の形状を適用できる。図6dに示した実施例の特徴形状部P8,P9は、図6cでの実施例で見られたダイパッド12aが無く、特徴形状部P8と同様の特徴形状部P9を、半導体チップ11を挟んで対象の位置に配置した応用例である。この実施例を適用できるのは、半導体チップ11で実現しようとしている機能がダイパッド12aを必要としない場合に限られる。ここでダイパッド12aを排除し、基板本体12oに半導体チップ11を直接に接着剤13にて接合することで、基材に対する接着剤13の接着力はダイパッド12aに対するそれよりも一般的に高いため、半導体装置10を高信頼性化することができる。更に、半導体チップ11を挟んで特徴形状部P8,P9の2箇所に、配線基板12の外形に対して規定の角度方向に延びる特徴形状部を配置しているため、搭載精度の向上に寄与する。なお、図6cで特徴形状部P8および引き出し線12fの形状について述べた説明は、全てこの図6dにも適用できる。また、図6dは導体パターン表面のめっきが電解めっきの場合を示しているが、これが無電解めっきであってもその効果は同等に得ることができる。以上の説明において、特徴形状部の配置は、四辺形の形状の半導体装置10の中で、半導体チップ11のボンディングパッド11aが配置されていない辺に対向した領域に限定した。その理由は、半導体チップ11のボンディングパッド11aが配置されている辺に対向した領域、すなわち、ボンディングパッド12bやランド12cが配置された側に特徴形状部を配置すると、この特徴形状部と封止樹脂15との間で界面剥離が発生した場合、それが進展してボンディングパッド12bに至り、電気的な接続が損なわれる虞があるからである。なお、半導体装置10に使用できる材料については実施の形態1に述べた内容と重複するのでここでの説明は割愛する。実施の形態3図7abは、それぞれ本発明の実施の形態3にかかる半導体装置を示す。実施の形態2との違いは、配線基板12の表面を、ダイパッド12a,ボンディングパッド12b,特徴形状部を除いて、ソルダーレジスト30a,30b,30cにて被覆している点である。前述したように、めっき部は封止樹脂15との接着力が低いため、必要の無い箇所は封止樹脂15との界面の面積を極力小さくする方が好ましい。またソルダーレジスト30a,30b,30cはめっき部よりも封止樹脂15との界面での接着力が高い。従って、外部に露出することが必要な部分、すなわち、接着剤13を塗布して半導体チップ11を搭載するダイパッド12a,ワイヤ14と接続するボンディングパッド12b,特徴形状部P5,P8,P9を除いた部分を、ソルダーレジスト30a,30b,30cで被覆することで、半導体装置10の信頼性を高めることができる。図7aは、図4aに示した半導体装置に上記の改変を施した実施の形態3の基づく半導体装置40を示している。配線基板12の表面をソルダーレジスト30a,30b,30cにて被覆し、ソルダーレジスト30aの中央でダイパッド12aを露出させ、ソルダーレジスト30aとソルダーレジスト30bの間でボンディングパッド12bを露出させ、ソルダーレジスト30aとソルダーレジスト30cの間でもボンディングパッド12bを露出させている。ソルダーレジスト30a,30b,30cは互いに分離されている必要はなく、連なっていてもよい。ここでの特徴形状部P5を認識することで、半導体チップ11をダイパッド12aに高精度で搭載でき、また搭載後の位置の測定ができる。図7bは、同様に図6dに示した半導体装置10に上記の改変を施した実施の形態3の基づく半導体装置50を示している。図6dに示した半導体装置10の場合にはダイパッド12aを有していないため、その部分でのソルダーレジスト30aの開口は無く、ソルダーレジスト30aの表面上に半導体チップ11が接着剤13を介して直接に搭載されている。界面剥離の起点となるダイパッド12aが無く、かつ特徴形状部P8,P9は、特徴形状部P5とその両端の引き出し線12fがソルダーレジスト30aの開口から露出しているため、高信頼性かつ半導体チップ11の搭載位置の精度に優れた半導体装置50を実現できる。なお、この図7bで示す実施例においてダイパッド12aが設けられていない別の理由、例えば半導体チップ11を搭載するソルダーレジスト30aの表面の平坦性を確保する等によってダイパッド12aを設けてその上をソルダーレジスト30aで被覆してもよい。また、ここでの特徴形状部P5に代わり、実施の形態1にて説明した特徴形状部P1~P3,P1とP3,P1~P4などを有するダイパッド形状を本実施の形態3に適用できる。また、ここでの特徴形状部P5に代わり、実施の形態2にて説明した十字状、T字状、L字状、逆L字状などの、配線基板12のX軸,Y軸に平行な直線部分を組み合わせた特徴形状部などをこの実施の形態3に適用することもできる。なお、上記の実施の形態1~3および各々の実施例に記載の構成はあくまで本発明の一例として記載したものであり、発明の内容を記載された実施形態の構成のみに限定するものではない。また、上記の実施の形態1~3は本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせて実施できる。"