"希薄金属錯体水溶液を調製し、金属錯体の安定度定数logβiと担体金属の電極電位とを制御して電極反応の電極電位を調和させ、希薄金属錯体水溶液に担体金属を接触させ、該希薄金属錯体水溶液よりナノクラスタ金属とともに金属錯体を担体金属上に析出させ、前記水溶液と担体金属との接触を解いて錯体結晶の析出を停止させることを特徴とする金属錯体量子結晶の作成方法。銀錯体量子結晶を作成する方法であって、500~2000ppmの希薄銀錯体水溶液を用いる請求項1記載の方法。銀錯塩として安定度定数logβiが8以上を選択し、希薄水溶液を調製する請求項2記載の方法。銀錯体水溶液がハロゲン化銀と銀錯化剤との反応により形成される請求項2記載の方法。銀錯化剤が、チオ硫酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、ヨウ化カリ、チオサリチル酸塩、チオシアヌル酸塩からなる群から選ばれる請求項4記載の方法。担体金属が銅合金である請求項2記載の方法。そこで、本発明者らは従来のSERS基板の欠点を鋭意研究の結果、この問題を解消するためには、ナノ金属クラスタの粒度および配列を制御して調製し、ナノ金属クラスタの性質である局在表面プラズモン共鳴効果を与えるだけでなく、被測定分子と電荷移動錯体を形成するイオン化金属の性質を有するイオン化金属特性を備えるナノ金属クラスタを提供する必要があることが見出されており、これに着目し、その作成方法を提供することを目的とする。本発明は、希薄金属錯体水溶液を調製し、金属錯体の安定度定数logβiと担体金属の電極電位とを制御して電極反応の電極電位を調和させ、希薄金属錯体水溶液に担体金属を接触させ、該希薄金属錯体水溶液よりナノクラスタ金属とともに金属錯体を担体金属上に析出させ、前記水溶液と担体金属との接触を解いて錯体結晶の析出を停止させることを特徴とする金属錯体量子結晶の作成方法にある。金属錯体量子結晶を作成するには、金属ナノ粒子の析出を抑制する必要があり、500~2000ppmの希薄錯体水溶液を用いるのが好ましい。銀錯体量子結晶を作成するには、銀錯塩として安定度定数logβiが8以上を選択し、希薄水溶液を調製して銀錯体の析出を制御するのが好ましい。安定度定数logβiが8以下の場合、15以上の場合は電極反応速度が早すぎたり、遅すぎたりするので、基板側の電極電位等の調整により電極反応速度を制御するのがよい。銀錯体水溶液はハロゲン化銀と銀錯化剤との反応により形成されるのが容易である。錯化剤により銀錯体の配位子を選択し、金属錯体量子結晶に吸着される被測定分子の吸着性能を調整するために種々の配位子を供給する錯化剤が適用できる。銀錯体の量子結晶を作成するための銀錯化剤は、チオ硫酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、ヨウ化カリ、チオサリチル酸塩、チオシアヌル酸塩からなる群から選ばれる1種または2種が好ましいことが見出されている。担体金属は合金であるのが好ましく、銅の場合は黄銅、リン青銅であるのが好ましいことが見出されている。金属錯体の安定度定数は電極反応にネルンストの式数1を用いれば、金属錯体の安定度定数から電極反応の標準電極電位が得られる。数1E ゚=RT/|Z|FlnβiここでE ゚は標準電極電位、Rは気体定数、Tは絶対温度、Zはイオン価、Fはファラデー定数を表す。従って、電極電位を考慮して担体金属を選択し、両者の電極電位が調和するように制御することにより、金属錯体水溶液中での電極反応を制御してナノ金属クラスタと金属錯体の量子結晶を担体金属上に析出させることができる。銅および銅合金を担体金属とする場合は、安定度定数が8以下の錯化剤アンモニア、エタノールアミンでの電極反応は、標準電極電位033ホ ゙ルトより大きいため、反応が速やかに進みすぎる。他方、安定度定数が、8及び87の銀チオシアン二錯体及び銀亜硫酸二錯体では、500~2000ppm、好ましくは800~1500ppmの希薄液は3分前後の時間で担体銅合金上に良好な銀錯体量子結晶を作成することができた。また、安定度定数8以上の銀チオ硫酸二及び三錯体でも同様であった。銀錯体液の組成としては、塩化銀に対し銀錯化剤を2ないし4倍量添加して溶解させ、500ppm~2000ppmに希釈される。さらに安定剤として亜硫酸塩を加えても良い。さらに、pH調整剤としてリン酸三水素塩を加えても良い。還元剤は、通常必要としないが、本発明の電析に影響を与えない範囲で有機金属錯体を形成する場合は反応速度を向上させるために加える場合もある。銀錯体量子結晶を作成する場合の各種銀錯化剤を鋭意検討した結果、その銀錯体の安定度定数logβiが8以上の銀錯化剤が3分前後の析出時間で良好な量子結晶を作成できることが判明した。通常銀錯塩は、ハロゲン化銀と銀錯化剤との反応により形成されるが、ハロゲン化銀としては、臭化銀よりも塩化銀の方が好ましい。錯化剤としては、チオ硫酸塩、チオシアン酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、ヨウ化カリ、チオサリチル酸塩、チオシアヌル酸塩などがあげられる。以下に、参考のため、図4に代表的な銀錯体の安定度定数、電極反応における電極電位を示す。図中、oTSA、EAは其々オルトチオサルチル酸、エタノールアミンを示す。以下図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。塩化銀をチオ硫酸水溶液又はアンモニア水溶液に溶解した銀錯体チオ硫酸銀、銀アンモニア錯体1000ppm水溶液無色透明を作成する。次いで、表面清浄な市販リン青銅基板上に、銀錯体水溶液1滴10μLずつ間隔を置いて滴下し、3分後窒素ブローして水滴を飛散乾燥させ、表面プラズモン共鳴励起基板を調製した。その基板にレーザ照射し、株式会社ラムダビジョン製造ラマン分光器を用い、785nmの波長のレーザ分解能20cm-1、レーザ出力120mW、スポットサイズ100μΦを励起光として用いて表面プラズモンの増強効果を測定した。そのラマン散乱スペクトルグラフを図3A~Cに示す。明確なスペクトルが観測され、基板表面に形成された各種量子結晶は優れた局在表面プラズモン共鳴増強効果を有することを確認した。次いでチオ硫酸銀錯体で形成した基板の表面状態を走査型電子顕微鏡で観察すると、100~150nmの六方板状結晶が形成されているのが確認でき図1、更に拡大すると規則的に配列された量子ドットを内包することができた図2。このようにして作成した3分凝集のリン青銅基板上で4,4-ビピリジンと違って吸着性の悪いローダミンを1μMに純水で希釈して滴下し、上記と同様にしてラマンスペクトルを観測した結果、1μMまで局在表面プラズモン共鳴増強効果が確認できた。ローダミンが吸着され、電荷移動錯体を形成し、それに対し局在表面プラズモン共鳴増強効果が認められたということができ、リン青銅基板上に形成された六方板状結晶中に銀ナノ粒子が量子ドットを形成し、局在表面プラズモン共鳴増強効果とターゲット分子を吸着して電荷移動錯体を形成する結果であると、推測することができる。"