"過硫酸塩の添加量が8~30質量、塩基性化合物の添加量が1~15質量、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする金属エッチング用組成物。さらに過酸化水素の添加量が0.1~10質量となるように配合された請求項1に記載の金属エッチング用組成物。さらに0.1~5質量のキレート剤を含む請求項2に記載の金属エッチング用組成物。前記過硫酸塩が、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、および過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項2または3に記載の金属エッチング用組成物。前記塩基性化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、およびコリンからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項2~4のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物。前記金属が、タングステンまたはチッ化タングステンである請求項2~5のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物。過酸化水素が無添加である請求項1に記載の金属エッチング用組成物。さらに0.1~5質量のキレート剤を含む請求項7に記載の金属エッチング用組成物。前記過硫酸塩が、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、および過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項7または8に記載の金属エッチング用組成物。前記塩基性化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、およびコリンからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項7~9のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物。前記金属が、タングステンまたはチッ化タングステンである請求項7~10のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物。珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にタングステン系金属単独、またはチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属、またはチタン系金属およびタングステン系金属の少なくとも一部を請求項2~6のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物を用いて除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属を請求項7~11のいずれか一項に記載の金属エッチング用組成物を用いてチタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記チタン系金属が、チタンおよび/またはチッ化チタンである請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなく、常温で高速に長時間安定してタングステン系金属を除去することができるエッチング用組成物を提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決するエッチング用組成物について鋭意検討した結果、過硫酸塩、塩基性化合物、および水を用いて調製され、任意に過酸化水素がさらに配合され、任意にキレート剤がさらに含まれる、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液が、基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなくタングステン系金属を常温で高速にエッチングできることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は下記の事項を含む。[1]過硫酸塩の添加量が8~30質量、塩基性化合物の添加量が1~15質量、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする金属エッチング用組成物。[2]さらに過酸化水素の添加量が0.1~10質量となるように配合された[1]に記載の金属エッチング用組成物。[3]さらに0.1~5質量のキレート剤を含む[2]に記載の金属エッチング用組成物。[4]前記過硫酸塩が、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、および過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である[2]または[3]に記載の金属エッチング用組成物。[5]前記塩基性化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、およびコリンからなる群より選ばれる少なくとも1種である[2]~[4]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物。[6]前記金属が、タングステンまたはチッ化タングステンである[2]~[5]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物。[7]過酸化水素が無添加である[1]に記載の金属エッチング用組成物。[8]さらに0.1~5質量のキレート剤を含む[7]に記載の金属エッチング用組成物。[9]前記過硫酸塩が、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、および過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である[7]または[8]に記載の金属エッチング用組成物。[10]前記塩基性化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、およびコリンからなる群より選ばれる少なくとも1種である[7]~[9]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物。[11]前記金属が、タングステンまたはチッ化タングステンである[7]~[10]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物。[12]珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にタングステン系金属単独、またはチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属、またはチタン系金属およびタングステン系金属の少なくとも一部を[2]~[6]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物を用いて除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。[13]珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属を[7]~[11]のいずれかに記載の金属エッチング用組成物を用いてチタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。[14]前記チタン系金属が、チタンおよび/またはチッ化チタンである[12]または[13]に記載の半導体装置の製造方法。本発明の金属エッチング用組成物は、基板に含まれる珪素系材料に対してダメージを与えることなくタングステン系金属を常温で高速にエッチングすることが可能であり、半導体装置の製造に有効である。以下に本発明を詳細に説明する。本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩の添加量が8~30質量、塩基性化合物の添加量が1~15質量、となるように配合された、フッ素含有化合物を含まない25°CでのpHが8以上の水溶液であることを特徴とする。本発明の金属エッチング用組成物は、過硫酸塩と塩基性化合物が所定量で配合されているため常温でタングステン系金属を高速でエッチングすることができる。また、金属エッチング用組成物に過酸化水素をさらに添加することによりチタン系金属をエッチングすることもできる。一般的に塩基性の過酸化水素水は、チタン系金属およびタングステン系金属の双方に対しエッチング性を有するが、本発明においては、金属エッチング用組成物中の過酸化水素の濃度を制御することにより、チタン系金属およびタングステン系金属の双方をエッチングすることもできるし、チタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的にエッチングすることもできる。また、フッ素含有化合物を含まないため、Si、SiO2、Si3N4などの珪素系材料にダメージを与えない。さらに、キレート剤を任意に添加することにより、半導体基板表面への金属の再付着を抑制する効果を有する。このような金属エッチング用組成物を用いることで、半導体装置の製造方法に有効な加工手段を提供することができる。本発明のエッチング用組成物に用いられる過硫酸塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、および過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を用いることができる。半導体製造工程に適した高純度の製品が入手しやすく、安価であることから、過硫酸アンモニウムが好ましい。過硫酸塩はエッチング用組成物中に添加量が8~30質量、好ましくは10~25質量、より好ましくは12~20質量となるように配合される。過硫酸塩の添加量が8質量以上であれば、タングステン系金属のエッチングに寄与する成分の濃度を目的とする用途に十分なものとし、効率よくタングステン系金属を除去することができる。一方、過硫酸塩の添加量が30質量以下であれば、常温で添加する場合でも過硫酸塩自体の溶解度が問題にならず、他の成分の添加濃度も制限されない。過硫酸塩の添加方法は、特に制限されず、予め高濃度の水溶液を調製し所定の濃度となるように配合することもできるし、粉体のまま所定の濃度となるように配合することもできる。また、過硫酸塩として添加する代わりに、その過硫酸塩に対応する、より酸化状態の低い含硫黄物質に対して電解法または任意の強酸化剤を用いて、液中で過硫酸イオンまたは過硫酸を生成させてもよい。例えば、硫酸を電解することにより液中に過硫酸を生成させた組成物も本発明の効果を奏すると考えられるため、このような態様も本発明の範囲内に含まれる。また、上記に挙げた過硫酸塩を複数組み合わせて添加してもよい。本発明の金属エッチング用組成物に過酸化水素をさらに配合すると、チタン系金属のエッチング作用を発現させることができる。過酸化水素源としては、一般的な市販の30~35質量過酸化水素水を用いることができる。過酸化水素はエッチング用組成物中に好ましくは0.1~10質量、より好ましくは5~10質量添加される。過酸化水素の添加量が10質量より高い場合も問題なくエッチングを実施することはできるが、他の成分の添加濃度が制限されるため、エッチングレートとのバランスを考慮して添加することが好ましい。本発明の金属エッチング用組成物に用いられる塩基性化合物は、過硫酸塩および過酸化水素のエッチング性を制御することを目的として添加される。塩基性化合物の種類としては特に限定されるものではないが、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水酸化テトラアルキルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物、アンモニア、コリン、トリメチルアミンなどのアルキルアミン類、ピペリジン、ピペラジン、N-メチルモルホリン、イミダゾール、イミダゾリウム塩、ピリジン、ピリジニウム塩、ピロール、ピロリジウム塩、グアニジンおよびそれらの誘導体を用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。これらのなかでは、水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニア、およびコリンが、半導体製造プロセスで問題となる金属系成分を含まず安価で高純度な原料が容易に入手できることから好ましい。添加量は添加する化合物、およびその他の成分の添加濃度により異なるので一概に述べることができないが、金属エッチング用組成物のpHを8以上にする量であり、本発明では1~15質量であり、好ましくは1.5~10質量である。塩基性化合物の添加量が1質量以上であれば金属エッチング組成物のpHを8以上にすることができ、タングステン系金属を高速で除去することができる。塩基性化合物の添加量が15質量より高い場合でも用いることは可能であるが、大幅な除去効果の改善はない。本発明の金属エッチング用組成物には、必要に応じてキレート剤を配合することができる。キレート剤は、金属エッチング用組成物に溶解した金属イオンのキレート効果による捕集、およびチタン系金属とタングステン系金属のエッチングレート比を調節するために添加される。キレート剤の具体例としてはエチレンジアミン四酢酸EDTA、クエン酸、イミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸NTA、ヘキサメチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸DTPA、1,2-ジアミノシクロヘキサン四酢酸CyDTA、ビス2-アミノエチルエチレングリコール四酢酸EGTA、ビス2-ヒドロキシエチルグリシン、エチレンジアミンジプロピオン酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、蟻酸、乳酸、アスコルビン酸、酒石酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、グルタミン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、スルファミン酸、チオ酢酸、チオリンゴ酸、システイン、グリシン、アラニン、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸、長鎖アルキル硫酸、長鎖アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、長鎖アルキルトリメチルアンモニウムハライドおよびそれらの誘導体等が挙げられる。これらの中でもエッチング特性、環境に対する安全性の観点から、好ましくはクエン酸が用いられる。これらのキレート剤は塩の形で添加してもよい。半導体装置に使用する観点から、キレート剤の塩を使用する場合はアンモニウム塩もしくはテトラメチルアンモニウム塩が好ましい。キレート剤の配合濃度は、その化学種により異なるので一概には述べることができないが、好ましくは0.1~5質量である。キレート剤の配合濃度が5質量以下であれば、キレート剤の種類によらず、キレート剤に起因するエッチングレートの低下を防止または抑制することができる。また、上記配合濃度であれば、キレート剤を金属エッチング用組成物に十分に溶解させることができるため、組成物中での懸濁物の生成、半導体基板上での残渣の発生等を防止または抑制することができる。本発明の金属エッチング用組成物は、水溶液として使用するが、必要に応じてアセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの、水と混和する有機溶媒を添加することもできる。除去性能等に悪影響を与えないものであれば有機溶媒は上記のものに限定されるものではない。また、本発明の金属エッチング用組成物で処理を行った後に、基板上からキレート剤の残渣等を除去するために、これらの有機溶剤で後洗浄を行ってもよい。本発明においてタングステン系金属とは、タングステンおよびチッ化タングステンを指す。また、チタン系金属とは、チタンおよびチッ化チタンを指す。これらの金属は、半導体装置上に独立して、または積層されて存在していてもよく、任意の比率にて合金化された物質、例えばタングステンとチタンの合金であるTiWやチッ化タングステンとチッ化チタンの合金であるTiWNとして存在していてもよい。本発明の金属エッチング用組成物は、フッ素含有化合物を含有しないためシリコン、SiO2、Si3N4等の珪素系材料を侵さないので、これらの珪素系材料を含む基板に形成されたタングステン系金属膜の除去に好適に用いることができ、また、過酸化水素をさらに添加した組成物は、チタン系金属膜またはタングステン系金属膜とチタン系金属膜との積層膜等の除去に好適に用いることができる。これらの金属膜の基板への成膜方法は特に限定されるものではなく、スパッタリング、CVDChemicalVaporDeposition、ALDAtomicLayerDeposition、真空蒸着、めっき等のいずれの手法も用いることができ、また成膜条件や熱処理条件も限定されるものではない。本発明の金属エッチング用組成物は、金属薄膜の形成条件や膜厚などに応じて、金属選択性および除去性を最適化するために、使用する液量、処理回数、処理温度等の処理条件を適宜設定することができる。液温は例えば1~100°Cの範囲とすることができるが、本発明の金属エッチング用組成物は室温で高速にタングステン系金属をエッチングできることを特徴とするものであるから、液温は好ましくは5~40°C、より好ましくは15~30°Cである。室温でエッチング処理を行うことにより、優れた金属除去性および液寿命が得られる。上記温度より低い温度で使用した場合、金属除去性の低下や成分の沈殿が起こりうる。上記温度より高い温度で使用する場合、成分の分解や液の成分の揮発による濃度変化に留意し、加温するのがよい。本発明の金属エッチング用組成物を調製するにあたり、金属成分を含まない過硫酸塩、塩基性化合物、キレート剤等を選択することで、半導体デバイスを金属で汚染せずにエッチング処理することができる。金属エッチング用組成物が金属成分を含む場合は、MEMSデバイスや実装技術等の金属汚染の影響を受けない電子デバイスの製造工程に使用でき、金属汚染の影響を受ける可能性のある電子デバイスであっても、エッチング処理を行った後、高純度の希塩酸等で洗浄処理すれば使用できる。上記タングステン系金属膜を用いる電子デバイスとしては、ディスプレイデバイス、半導体デバイス、MEMSデバイス、プリント配線基板などが挙げられるが、これらに限定されない。例えば、最終製品にタングステン系金属膜は残らないが、製造プロセスの途中でタングステン系金属が使用され、本発明の金属エッチング用組成物によってタングステン系金属が全て溶解除去されるデバイスも含まれる。本発明の金属エッチング用組成物を用いて半導体装置を製造する際、通常は枚葉法を用いて半導体ウエハ表面に金属エッチング用組成物をノズルから供給することにより処理を行うことができる。他にもバッチ法により半導体ウエハを処理槽内で金属エッチング用組成物に浸漬することにより処理を行うこともできる。これらの処理は、攪拌、揺動、および超音波をかけながら行うこともできる。また、タングステン系金属を材料として用いる半導体装置であれば、エッチバック以外の半導体装置の製造工程にも用いることができる。本発明の金属エッチング用組成物は、前記組成にて実際の半導体装置の製造時に用いられるが、輸送や調合の容易さの点から、水以外の各成分を使用時の比率と等しい比率で含む濃縮溶液、または固体もしくは粉末として製造、運搬、貯蔵してもよい。濃縮溶液は、使用時に超純水によって希釈され、本発明で開示した濃度範囲内で使用される。また、各成分の一部または全部を輸送時に個別に運搬し、半導体装置の製造時に各成分を混合して使用してもよい。本発明の金属エッチング用組成物の原料となりうる成分、すなわち過硫酸塩、塩基性化合物、過酸化水素水、および/またはキレート剤は、イオン交換法、キレート樹脂法、晶析、蒸留、イオン交換膜もしくは限外濾過膜を用いた高度な精製を行う、および/または製造設備からの不純物混入を防止することによって、金属不純物濃度が著しく低い状態、例えば数ppb以下の濃度で、金属エッチング用組成物に使用することができる。このような原料を用いて調製された金属エッチング用組成物は、最先端の半導体製造プロセスの品質基準に対応することができる。精製方法については上記に述べた方法に制限されるものではない。また、金属成分を元々含む、あるいは金属成分を含まないものの高度に精製されていない金属エッチング用組成物を用いてエッチング処理を実施した場合でも、その処理の後に半導体デバイスにダメージを与えない範囲で超高純度の水や塩酸等で再度洗浄を実施することにより上記品質基準を満たすこともできる。本発明の金属エッチング用組成物を用いる半導体装置の製造方法としては、例えば以下の2つの方法が挙げられる。すなわち、第一の方法は、珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にタングステン系金属単独、またはチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属、またはチタン系金属およびタングステン系金属の少なくとも一部を、過酸化水素をさらに添加した金属エッチング用組成物を用いて除去する工程と、を含む製造方法である。第二の方法は、珪素系材料を含む基板の少なくとも一部にチタン系金属およびタングステン系金属を含む膜を形成する工程と、前記タングステン系金属を過酸化水素が無添加のエッチング用組成物を用いてチタン系金属に優先してタングステン系金属を選択的に除去する工程と、を含む製造方法である。これらの方法は、例えば半導体装置の配線工程に対して適用できる。また、半導体ウエハ等の基板に構成される半導体素子、磁性体素子、バリアメタル、ライナーメタル、電極の製造工程等の用途に対して広く用いることができる。本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。エッチングレートの評価方法タングステン膜またはチタン膜を有する基板を本発明の金属エッチング用組成物に浸漬した際のエッチングレートを以下の方法により測定した。タングステンまたはチタンからなる薄膜をそれぞれスパッタリングによりシリコン基板上に製膜した。膜厚は、タングステンは100nm、チタンは85nmとした。これらの基板を0.5×0.5cm角に切り出してエッチングレート評価用のサンプル片を得た。金属エッチング用組成物は、表1に示した各実施例および比較例の組成となるように、水に対して各成分を添加することにより調製した。調製した各組成物を別々のガラス製容器に投入し、恒温槽を用いて25°Cに保温した。これらに上記サンプル片を投入して静置し、目視にて観察しながら金属膜が消失するまでの時間をストップウォッチにより計測した。pHはpHメーターAS-212アズワン製により25°Cで測定した。試薬は過硫酸アンモニウムキシダ化学製、過ヨウ素酸キシダ化学製、過塩素酸キシダ化学製、50質量フッ酸関東化学製、フッ化アンモニウム和光純薬製、69質量硝酸キシダ化学製、特級、35質量塩酸和光純薬製、85質量リン酸和光純薬製、高速液体クロマトグラフ用、水酸化ナトリウムキシダ化学製、一級、水酸化カリウムキシダ化学製、特級、28質量アンモニア水キシダ化学製、特級、25質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液昭和電工製、TMAHと省略、コリン東京化成工業製、30質量過酸化水素水キシダ化学製、電子材料用、98質量硫酸キシダ化学製、特級、フェリシアン化カリウム和光純薬工業製を用いた。尚、調製に際して混合順序は得られる液の特性に無関係である。エッチング用組成物中の水は純水および試薬に含まれる水分よりなる。タングステンに対するエッチング用組成物の組成検討過硫酸塩、過酸化水素、フッ素系成分、フェリシアン化カリウム、その他酸化剤、酸、塩基性化合物等を含むエッチング用組成物を調製し、タングステンに対する25°Cでのエッチングレートを評価した結果を表1にまとめて示す。過硫酸アンモニウムを含む実施例では、いずれも珪素系材料にダメージを与えるフッ素系成分を含まずに略70nm/min以上のエッチングレートでタングステンをエッチングをすることが出来た。過硫酸塩を含まない比較例でも、タングステンを高速にエッチング出来るもの比較例1、7はあるが、これらはフッ素系成分またはフェリシアン化カリウムを含有しており、好ましい組成ではない。過酸化水素およびアンモニアを含む比較例11では、50nm/min程度のエッチングが実施できるものの、後述するように液寿命が短く発泡も激しいため、安定してエッチングを実施することができず、実施例の結果よりも劣る。過硫酸アンモニウム、アンモニア、過酸化水素を配合したエッチング用組成物のエッチングレートの濃度依存性本発明の過硫酸アンモニウム、アンモニア、および任意成分として過酸化水素を配合したエッチング用組成物について、タングステン系金属としてタングステンを用いたエッチングレートの組成依存性を図1a~c、チタン系金属としてチタンを用いたエッチングレートの組成依存性を図2a~cにそれぞれ示す。図1aは、過硫酸アンモニウムおよびアンモニア9質量となる量を配合し、過酸化水素は無添加であり、pHが9.5~9.8のエッチング用組成物において、過硫酸アンモニウムの濃度を変化させたときのものである。図1bは、過硫酸アンモニウム15質量となる量およびアンモニアを配合し、過酸化水素は無添加であり、pHが8.4~9.5のエッチング用組成物において、アンモニアの濃度1質量以上を変化させたときのものである。図1cは、過硫酸アンモニウム15質量となる量、アンモニア7質量となる量、および過酸化水素を配合し、pHが9.3~9.5のエッチング用組成物において、過酸化水素の濃度を変化させたときのものである。図2aは、過硫酸アンモニウム、アンモニア7質量となる量、および過酸化水素8質量となる量を配合し、pHが9.6のエッチング用組成物において、過硫酸アンモニウムの濃度を変化させたときのものである。図2bは、過硫酸アンモニウム15質量となる量、アンモニア、および過酸化水素8質量となる量を配合し、pHが8.4~9.5のエッチング用組成物において、アンモニアの濃度1質量以上を変化させたときのものである。図2cは、過硫酸アンモニウム15質量となる量、アンモニア7質量となる量、および過酸化水素を配合し、pHが9.3~9.5のエッチング用組成物において、過酸化水素の濃度を変化させたときのものである。タングステンのエッチングレートは、過硫酸アンモニウム、アンモニアの低濃度域では濃度の増加に伴い上昇し、次第に飽和する傾向を有するが、過酸化水素の濃度には依存しないことがわかる。これに対して、チタンのエッチングレートは過酸化水素、アンモニアの濃度の増加に伴い緩やかに上昇するが、過硫酸アンモニウムの濃度には依存しないことがわかる。このように、タングステンのエッチングレートを制御する場合は過硫酸アンモニウムの濃度、チタンのエッチングレートを制御する場合は過酸化水素の濃度を調整することにより、それぞれの金属種に対して独立してエッチングレートを設定することができる。すなわち、過酸化水素が無添加のエッチング組成物を用いることによりタングステンをチタンに優先して選択的に高速でエッチングすることが可能であり、過酸化水素をさらに添加したエッチング組成物を用いることによりタングステンとチタンの積層膜、またはタングステンとチタンの合金膜のエッチングをすることができ、高速でのエッチングを必要としない場合にはチタン単独膜のエッチングをすることもできる。タングステンのエッチングレートは過硫酸アンモニウム濃度を10質量以上、アンモニア濃度を3質量以上とすることにより室温で60nm/min以上のエッチングレートを示すことが示唆される。図3に、一例として、過硫酸アンモニウム15質量となる量、アンモニア6質量となる量、および過酸化水素8質量となる量を配合し、pHが9.5である本発明の金属エッチング用組成物を用いたときの、タングステンのエッチングレートの経時変化を示す。参考のため、一般的なタングステンのエッチング用組成物であるAPM30質量過酸化水素水:28質量アンモニア水を5:1容量比で混合、4質量のアンモニアおよび25質量の過酸化水素を含む溶液を用いたタングステンのエッチングレートの経時変化をあわせて示す。その結果、本発明のエッチング用組成物ではごく初期にエッチングレートの低下が起こるものの、その後80時間を経過した時点においてもエッチングレートは100nm/min以上を保持するのに対して、APMでは初期エッチングレートは60nm/min程度となるものの20時間付近を境にしてエッチングレートが低下し、略80時間経過後ではエッチング性が完全に失われた。このように、本発明の金属エッチング用組成物は安定して高速なエッチングを長期間継続して実施することができ、生産性およびコストの観点から好ましい。珪素系材料のダメージ評価方法珪素系材料からなる膜を有する基板をエッチング用組成物に浸漬した際のダメージを評価するため、以下の評価を行った。シリコン基板上にSiO2またはSi3N4からなる薄膜をスパッタリングにより膜厚を50nmとして製膜した。また、シリコン基板上にまずSiO2からなる50nmの薄膜をスパッタリングにより製膜し、さらにその上にポリシリコンからなる膜をスパッタリングにより160nmの厚みで製膜した。これらの基板を2×1cm角に切り出し、前記の金属膜を有するウエハの評価と同様に実施例1~8および比較例4~7の各エッチング用組成物に25°Cで1時間浸漬して評価を行った。処理後の基板について、膜厚の変化を干渉型膜厚計大日本スクリーン製造製、VM-2000を用いて評価した。その結果を表1に示す。その結果、本発明の実施例1~8の各エッチング用組成物では珪素系材料からなる膜に対して膜厚変化が無かったが、フッ素を含む比較例4~7の組成物で処理した場合には膜厚が変化し、エッチングレートは1nm/min以上であった。このように、本発明の金属エッチング用組成物は、珪素系材料Si、SiO2、およびSi3N4を含む基板に対してダメージを与えずにタングステン系金属および/またはチタン系金属をエッチングすることができる。"