一面に互いに隣接する少なくとも2つの凸部を有する下地膜の前記一面上に、前記2つの凸部間における膜厚が前記2つの凸部のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上となるように第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜よりも硬い第2の絶縁膜を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜を形成する工程の後であって、前記第2の絶縁膜を形成する工程の前に、前記第1の絶縁膜を薄化する工程をさらに備える半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記薄化は、ウェットエッチングによって行われる半導体装置の製造方法。請求項1ないし3いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜を形成する工程の後に、前記第2の絶縁膜を平坦化する工程をさらに備える半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、前記平坦化は、CMPによって行われる半導体装置の製造方法。請求項1ないし5いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜は、BPSG膜、またはPSG膜である半導体装置の製造方法。請求項1ないし6いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の絶縁膜は、SiO2膜である半導体装置の製造方法。請求項1ないし7いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第1の絶縁膜を形成する工程の前において、前記下地膜上に配線パターンを形成する工程をさらに備え、前記凸部は、前記配線パターンによって構成されている半導体装置の製造方法。請求項1ないし8いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記下地膜は、半導体基板であり、前記凸部は、ポリシリコンによって構成される半導体装置の製造方法。請求項1ないし8いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記下地膜は、層間絶縁膜であり、前記凸部は、Al配線によって構成されている半導体装置の製造方法。層間絶縁膜は、硬い絶縁膜を用いて形成する必要がある場合がある。しかし、硬い層間絶縁膜は凹凸に対する埋め込み性が悪い。このため、層間絶縁膜を形成する面に凹凸が存在する場合に、層間絶縁膜に空隙が発生することがあった。本発明によれば、一面に互いに隣接する少なくとも2つの凸部を有する下地膜の前記一面上に、前記2つの凸部間における膜厚が前記2つの凸部のうち少なくとも一方の高さの半分以上となるように第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜よりも硬い第2の絶縁膜を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、下地膜上に形成される第1の絶縁膜は、下地膜上の隣接する2つの凸部間における膜厚が2つの凸部のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上である。このため、第1の絶縁膜の表面は、2つの凸部と比較して緩やかな凹凸面を有する。そして第1の絶縁膜上に、第1の絶縁膜よりも硬い第2の絶縁膜を形成する。このため、硬い第2の絶縁膜は、2つの凸部と比較して緩やかな凹凸面上に形成されることとなる。従って、表面の絶縁膜を硬くしつつ、層間絶縁膜に空隙が発生することを抑制できる。本発明によれば、層間絶縁膜に空隙が発生することを抑制し、半導体装置の製造における歩留まりの向上を図ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置100を示す断面図である。図2~5は、図1に示す半導体装置100の製造方法を示す断面図である。半導体装置100の製造方法は、半導体基板10の一面上に絶縁膜50を形成する工程と、絶縁膜50上に絶縁膜60を形成する工程と、を備えている。半導体基板10は、一面に少なくとも2つの凸部90を有している。2つの凸部90は、互いに隣接している。絶縁膜50を形成する工程においては、2つの凸部90間における膜厚が2つの凸部90のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上となるように絶縁膜50を形成する。絶縁膜60は、絶縁膜50よりも硬い。以下、半導体装置100の構成および製造方法について詳細に説明する。まず、図1を用いて、半導体装置100の構成を説明する。図1に示すように、半導体装置100は、半導体基板10と、絶縁膜20と、配線30と、エッチングストッパ膜40と、絶縁膜50と、絶縁膜60と、コンタクト84と、配線32と、を備えている。半導体基板10には、拡散層12が形成されている。半導体基板10は、例えばシリコン基板である。配線30は、半導体基板10のうち拡散層12に挟まれている領域上に、絶縁膜20を介して形成されている。配線30は、例えばゲート配線であり、ポリシリコンによって構成されている。絶縁膜20は、例えばゲート絶縁膜であり、シリコン酸化膜によって構成されている。エッチングストッパ膜40は、半導体基板10上および配線30上に形成されている。エッチングストッパ膜40は、例えばSiNによって構成されている。凸部90は、半導体基板10上に形成された絶縁膜20と配線30とエッチングストッパ膜40によって構成されている。凸部90の高さは、例えば4900Å以上である。また、2つの凸部90間の間隔は、例えば7000Å以下である。エッチングストッパ膜40上には、絶縁膜50が形成されている。絶縁膜50は、例えばPSG膜、またはBPSG膜等である。また、絶縁膜50は、凸部90間において平らな部分を有しない。絶縁膜50上には、絶縁膜60が形成されている。絶縁膜60は、例えばSiO2である。配線32は、絶縁膜60内に設けられている。コンタクト84は、配線32と配線30とを接続するように、絶縁膜50および絶縁膜60内に設けられている。配線32は、例えばWにより構成される。次に、図1~6を用いて、半導体装置100の製造方法について説明する。まず半導体基板10に、絶縁膜20を形成する。絶縁膜20は、例えば熱酸化により形成される。次いで、絶縁膜20上に導電膜を形成する。次いで、導電膜上にレジストパターンを形成する。そしてレジストパターンをマスクとして導電膜をエッチングする。これにより、絶縁膜20上に配線30が形成される。次いで、半導体基板10に不純物イオン注入を行い、拡散層12を形成する。次いで、半導体基板10上および配線30上に、エッチングストッパ膜40を形成する。そして、エッチングストッパ膜40上に、絶縁膜50を形成する。これにより、図2に示す構造が得られる。図2に示す段階において、絶縁膜50の膜厚は、2つの凸部90間における膜厚が2つの凸部90のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上であり、例えば6500Åである。この場合、絶縁膜50の表面には緩やかな凹凸が形成される。このとき、絶縁膜50二つの凸部90間上に位置する部分には、平らな部分が形成されない。なお、絶縁膜50の膜厚は、凸部90の少なくとも一方の高さの1.3倍以上であることがさらに好ましい。次いで、図3に示すように、絶縁膜50を薄化する。このとき、後の工程図5参照において行われるCMP化学機械研磨によって絶縁膜50が露出しない条件の下で、絶縁膜50を薄化する。薄化前における絶縁膜50の表面の凹凸が緩やかであったため、薄化後における絶縁膜50の表面の凹凸も緩やかとなる。絶縁膜50の薄化は、例えばウェットエッチングによって絶縁膜50の全面をエッチバックすることにより行う。ウェットエッチングは等方性エッチングであるため、薄化前より、さらに絶縁膜50の表面を平坦化することができる。次いで、図4に示すように、絶縁膜50上に絶縁膜50よりも硬い絶縁膜60を形成する。絶縁膜50の表面の凹凸は緩やかである。また、絶縁膜50のうち二つの凸部90間上に位置する部分には、平らな部分が形成されない。よって、絶縁膜60内に疎な部分は形成されない。この場合の疎な部分とは、絶縁膜60内の他の部分よりも膜密度が低い部分を意味する。次いで、図5に示すように、絶縁膜60の表面をCMPによって平坦化する。絶縁膜60は硬い膜であるため、CMPによるスクラッチが発生しにくい。その後、図1に示すように、絶縁膜50および絶縁膜60を貫通し、配線30と接続するコンタクト84および配線32を形成する。配線32の形成は、例えばダマシン法によって行われる。次に、本実施形態の効果を説明する。図8は、比較例に係る半導体装置104を示す断面図である。図9および図10は、図8に示す半導体装置104の製造方法を示す断面図である。図11は、図8に示す半導体装置104を示す平面図であって、比較例における課題を説明するための模式図である。比較例に係る半導体装置104の製造方法では、まず、図9に示すように、絶縁膜50を形成する。このとき、2つの凸部90間における絶縁膜50の膜厚は、2つの凸部90のいずれに対しても、その高さの半分以下である。そして、図10に示すように、絶縁膜50上に絶縁膜60を形成する。その後、絶縁膜60をCMPにより平坦化する図8。比較例に係る半導体装置104の製造方法では、絶縁膜50を形成する工程において、2つの凸部90間における絶縁膜50の膜厚は、2つの凸部90のいずれに対しても、その高さの1.2倍未満である。このため、絶縁膜50は、2つの凸部90間を埋め込む程度の膜厚を形成しない。よって、絶縁膜50の表面のうち2つの凸部90間に位置する部分には、大きな凹部70が形成される。硬い絶縁膜60は、凹部70に対する埋め込み性が悪い。よって、絶縁膜50上に絶縁膜60を形成すると、凹部70上において絶縁膜60内に疎な部分72が生じる。特に、凹部70が平らな部分を有する場合には、疎な部分72が顕著に現れる。疎な部分72が生じると、コンタクトやスルーホール等を形成する過程において疎な部分72がエッチングされ、図11に示すように層間絶縁膜内に空隙74が発生することがある。この空隙74に導通性の物質が形成されると、例えば素子分離領域14によって分離されたトランジスタ上に形成される隣接するコンタクト80やスルーホール同士が導通してしまう。この場合、半導体装置は不良となり、半導体装置の製造において歩留まりの低下を引き起こす。これに対し、本実施形態によれば、半導体基板10上に形成される絶縁膜50は、2つの凸部90間における膜厚が2つの凸部90のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上である。この場合、絶縁膜50を形成する工程において、2つの凸部90間は絶縁膜50によって十分に埋め込まれる。このため、絶縁膜50に形成される凹部70は小さく、絶縁膜50の表面は2つの凸部90と比較して緩やかな凹凸面を有することとなる。また、凹部70には、平らな部分が生じない。このとき、硬い絶縁膜60は、2つの凸部90と比較して緩やかな凹凸面上に形成されることとなる。よって、層間絶縁膜には疎な部分が発生しない。従って、表面の絶縁膜を硬くしつつ、層間絶縁膜に空隙が発生することを抑制し、半導体装置の製造における歩留まりの向上を図ることができる。図6は、絶縁膜50の膜厚とアスペクト比との相関を示したグラフである。この場合のアスペクト比とは、凹部70の深さを2つの凸部90間の間隔で割った値である。すなわち、アスペクト比が小さい程、絶縁膜50上の凹凸面は緩やかとなる。図6に示すように、絶縁膜50の膜厚が5000Å以下である場合、アスペクト比が大きくなり、層間絶縁膜内に空隙が発生した。また、絶縁膜50の膜厚が6000Å以上である場合、アスペクト比は小さくなり、層間絶縁膜内に空隙が発生しなかった。このように、絶縁膜50の膜厚が大きい程、アスペクト比は小さくなり、層間絶縁膜内に空隙が発生することが抑制された。また、図6に示す場合において、半導体基板上に形成された凸部の高さは4900Åである。このため、絶縁膜50の膜厚が5880Å以上に位置する点において、絶縁膜50の膜厚は、2つの凸部90のうち少なくとも一方の高さの1.2倍以上となる。よって、図7において絶縁膜50の膜厚が5880Å以上に位置する点図7中A-A線より右側に位置する点が、本実施形態に係る半導体装置100に該当する。よって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によって、空隙の発生が抑制できたことがわかる。なお、図6に示す測定結果は、いずれも凸部90の高さが4900Åであり、間隔が7000Åである条件において得られたものである。また、本実施形態によれば、絶縁膜50を形成した後に絶縁膜50を薄化する。絶縁膜50は、形成時において緩やかな凹凸面を有するため、薄化後においても緩やかな凹凸面を有することとなる。よって、半導体装置の製造における歩留まりの向上を図るとともに、半導体装置の薄型化を図ることができる。また、CMPにより層間絶縁膜を研磨して平坦化を行う場合において、層間絶縁膜がBPSG膜等の柔らかい膜であると、層間絶縁膜にスクラッチが発生することがある。スクラッチが発生した層間絶縁膜上に配線を形成すると、配線間にショート等が生じることがある。この場合、半導体装置の製造における歩留まりを低下させてしまう。これに対し、本実施形態によれば、平坦化工程において研磨されるのは硬い絶縁膜60である。このため、CMPによるスクラッチが発生しにくい。よって、半導体装置の製造における歩留まりをさらに向上することができる。図7は、第2の実施形態に係る半導体装置102を示す断面図であり、第1の実施形態における図1に対応している。本実施形態に係る半導体装置102は、配線30が層間絶縁膜上に形成されたAl配線である点を除いて、第1の実施形態に係る半導体装置100と同様である。また本実施形態に係る半導体装置102の製造方法は、第1の実施形態に係る半導体装置100の製造方法と同様である。図7に示すように、配線30は、絶縁膜52上に形成されている。絶縁膜52は、層間絶縁膜であり、例えばSiO2により構成されている。配線30は、Al配線である。配線30上には、絶縁膜50および絶縁膜60を貫通し、配線30と接続するようにビアプラグ82が形成されている。そして絶縁膜60およびビアプラグ82上には、ビアプラグ82と接続するように配線34が形成されている。ビアプラグ82は、例えばWによって構成される。配線34は、例えばAl配線またはW配線である。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。