ステージと、ベースと、前記ステージと前記ベースとの間に配置されていて、ばね性を有する支持部で前記ステージを支持する支持機構と、前記ステージを駆動するように前記ステージと前記ベースとの間に配置されたアクチュエータと、前記アクチュエータを制御する制御部とを備える位置決め装置であって、前記制御部は、目標位置に対する前記ステージの位置偏差と、前記ステージと前記ベースとの相対位置の変動量とに基づいて、前記位置偏差が低減され、かつ、前記支持部の前記ばね性によって前記ステージに作用する力の少なくとも一部が打ち消されるように前記アクチュエータを制御する、ことを特徴とする位置決め装置。前記制御部は、前記位置偏差が低減されるように前記アクチュエータを制御する第1指令値と、前記変動量に応じて前記支持部の前記ばね性によって前記ステージに作用する力の少なくとも一部が打ち消されるように前記アクチュエータを制御する第2指令値との和を含む指令値によって前記アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の位置決め装置。前記制御部は、前記変動量に前記ばね性の剛性値を乗じることによって前記第2指令値を得る、ことを特徴とする請求項2に記載の位置決め装置。前記制御部は、前記偏差および前記変動量のほか、前記ステージの加速度指令値に基づいて前記アクチュエータを制御する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の位置決め装置。前記支持部は、永久磁石と永久磁石との間に作用する反発力によって前記ステージを支持する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に位置決め装置。粗動ステージを更に備え、前記ベースは前記粗動ステージに搭載されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の位置決め装置。原版のパターンを基板に転写する露光装置であって、前記原版を位置決めする原版位置決め機構と、前記基板を位置決めする基板位置決め機構と、前記原版のパターンを前記基板に投影する投影光学系と、を備え、前記原版位置決め機構および前記基板位置決め機構の少なくとも一方は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の位置決め装置を含む、ことを特徴とする露光装置。デバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項7に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、該基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。粗動ステージは微動ステージに比べて大型であるので、粗動ステージの位置を制御するためのフィードバック制御系の帯域を高くすることは難しい。また、微動ステージに実装される配線や配管は、粗動ステージで受けた後に外部と連結される。このため、粗動ステージのフィードバック制御系は、粗動ステージの駆動時に、これらの配線や配管から外乱を受ける。これらの理由により、粗動ステージの偏差は、例えば、微動ステージの偏差の10倍程度になりうる。両ステージの偏差の違いのため、支持ユニットの反発固定子と反発可動子との相対位置の変動が生じる。この相対位置の変動は、微動ステージの制御に対する外乱になりうる。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、位置決め精度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、位置決め装置に係り、前記位置決め装置は、ステージと、ベースと、前記ステージと前記ベースとの間に配置されていて、ばね性を有する支持部で前記ステージを支持する支持機構と、前記ステージを駆動するように前記ステージと前記ベースとの間に配置されたアクチュエータと、前記アクチュエータを制御する制御部とを備える。ここで、前記制御部は、目標位置に対する前記ステージの位置偏差と、前記ステージと前記ベースとの相対位置の変動量とに基づいて、前記位置偏差が低減され、かつ、前記支持部の前記ばね性によって前記ステージに作用する力の少なくとも一部が打ち消されるように前記アクチュエータを制御する。本発明によれば、位置決め精度の向上に有利な技術が提供される。図1を参照しながら本発明の第1実施形態の位置決め装置1000について説明する。位置決め装置1000は、例えば、露光装置における原版ステージ機構および基板ステージ機構の少なくとも一方として構成されうる。位置決め装置1000は、例えば、微動ステージ7を6自由度に関して位置決めするように構成されうる。しかしながら、ここでは、説明の簡単化のために、粗動ステージ1および微動ステージ特許請求の範囲におけるステージに対応7をX軸方向に関して位置決めするための構成を説明する。粗動ステージ1は、ステージ定盤2の上に静圧ガイドなどの粗動ガイド3を介して配置され、X軸方向に移動自由になっている。粗動ステージ1の位置は、粗動ステージ1に固定された粗動反射鏡6を使って粗動レーザ干渉計5により計測される。粗動レーザ干渉計5は、粗動ステージ1の位置計測結果を粗動ステージ位置計測値4として出力する。粗動ステージ1の位置は、粗動ステージ位置計測値4を用いて不図示のフィードバック制御系によって制御される。微動ステージ7は、粗動ステージ1の上に搭載されたベース9によって支持機構8を介して下方から支持されている。図4は、支持機構8を例示する図である。図4aは、組み立てられた状態の支持機構8を例示している。図4bは、説明の便宜のために分解された状態の支持機構8を例示している。支持機構8は、微動ステージ7とベース9との間に配置されていて、ばね性を有する支持部SPで微動ステージ7を支持する。支持機構8は、典型的には、微動ステージ7を下方から支持する。支持部SPは、微動ステージに固定された反発可動子31と、粗動ステージ1の上に搭載れたベース9に固定された反発固定子32とを含みうる。支持機構8は、反発可動子31を微動ステージ7に固定する固定部不図示と、反発固定子32をベース9に固定する固定部40とを有する。反発可動子31は、反発可動磁石33と反発可動磁石ホルダ34とを含む。反発可動磁石33は、板状の単極永久磁石であって、板厚方向X軸方向に着磁されている。図4bにおいて、反発可動磁石33の着磁方向は、X軸のプラス方向がN極で、X軸のマイナス方向がS極である。反発固定子32は、前側ヨーク36と、後側ヨーク37と、2個の横ヨーク38と、2枚の反発固定磁石39とを有しうる。前側ヨーク36と後側ヨーク37には、それぞれ反発固定磁石39が固定されている。これらの反発固定磁石39は、板状の単極永久磁石であって、板厚方向X軸方向に着磁されている。ここで、2枚の反発固定磁石39の着磁方向は、反発可動磁石33の着磁方向とは逆になっている。つまり、2枚の反発固定磁石39の着磁方向は、X軸のプラス方向がS極で、X軸のマイナス方向がN極である。前側ヨーク36、後側ヨーク37および横ヨーク38は、反発固定磁石39の磁束を循環させるためのものであって、鉄等の軟磁性体で構成されうる。前側ヨーク36の裏面についている反発固定磁石39の奥側つまりN極から出た磁束は、後側ヨーク37の表面についている反発固定磁石39の手前側つまりS極に入る。そして、その反発固定磁石39の奥側つまりN極から出た磁束は、後側ヨーク37に入り、左右この場合、Y軸のプラス方向とマイナス方向に分かれて2枚の横ヨーク38に入る。その後、その磁束は、2枚の横ヨーク38中をX軸のプラス方向に流れて前側ヨーク36に入り、前側ヨーク36中でヨーク中央に向かうように流れて前側ヨーク36の裏面の反発固定磁石39のN極に達する。2枚の反発固定磁石39の間の距離は反発可動磁石33の板厚より大きく設定されていて、反発可動磁石33は、2枚の反発固定磁石39の間に非接触で挿入されている。反発可動子31の反発可動磁石33が反発固定子32の2枚の反発固定磁石39の間に挿入されると、両者は同じ極同士が対面するので、反発固定磁石39と反発可動磁石33の間に、Z軸のプラス方向上向きの反発力が働く。この反発力によって微動ステージ7が支持される。反発可動磁石33のN極側と、S極側の各々で、X軸方向にも反発力が働くが、その反発力は、反発可動磁石33と2枚の反発固定磁石39とがX軸方向に関して対称な配置になっている。そのため、反発可動磁石33が2枚の反発固定磁石39の間の中間位置基準位置に位置するときは、反発可動磁石33には、X軸方向に沿った力は作用しない。しかし、反発可動磁石33のX軸方向における位置が2枚の反発固定磁石39の間の中間位置基準位置から変位すると、その変位を打ち消す方向にその変位の量に応じた復元力が反発可動磁石33に作用する。つまり、支持部SPは、反発可動子31と反発固定子32とのX軸方向における相対位置の変動を打ち消すばね性を有する。なお、図4a、bに示す支持機構8は、1つの構成例に過ぎず、支持機構8は、他の種々の構成を有しうる。支持機構8は、例えば、コイルばね又は空気ばねで構成された支持部SPを有しうる。以下、再度図1を参照しながら説明を続ける。位置決め装置1000は、微動ステージ7を駆動するように微動ステージ7とベース9との間に配置されたリニアモータアクチュエータ10と、リニアモータ10を制御する制御部CNTとを備えている。リニアモータ10は、微動ステージ7とベース9との間に力を作用させて微動ステージ7を駆動する。制御部CNTは、フィードバック制御器11、フィードフォワード制御器12、差分器17、加算器21を含み、これらは、典型的には、デジタル計算機で構成されうる。微動ステージ7の位置は、粗動ステージ1の位置を計測するための粗動レーザ干渉計5と同じ計測基準部材に設けられた微動レーザ干渉計14によって計測される。ここで、微動レーザ干渉計14は、微動ステージ7に固定された微動反射鏡15を使って微動ステージ7の位置を計測し、微動ステージ7の位置計測結果を微動ステージ位置計測値13として出力する。差分器17は、微動ステージ7のX軸方向に関する位置指令値目標位置16と微動ステージ位置計測値13との差分、即ち、X軸方向に関する位置偏差18を演算する。フィードバック制御器11は、例えばPID演算により、位置偏差18を低減するフィードバック制御指令値第1指令値19を決定する。微動ステージ7および粗動ステージ1の位置は、前述のように、同じ計測基準部材に固定された微動レーザ干渉計14および粗動レーザ干渉計5によって計測されている。したがって、微動ステージ7の位置から粗動ステージ1の位置を差し引くことにより微動ステージ7と粗動ステージ1との相対位置を得ることができる。この相対位置から両ステージ7、1のサーボ初期化時の初期相対位置基準相対位置を差し引けば、相対位置の変動量を得ることができる。ベース9は粗動ステージ1に搭載されているので、この変動量は、支持機構8の支持部SPのX軸方向のばね性における変位量に等しい。この変位量に相当する復元力を支持部SPが発生する。この復元力は、微動ステージ7の位置を制御するためのフィードバック制御系に対する外乱として作用する。この変位量に対して支持部SPのX軸方向のばね性における剛性値ばね定数を乗じることによって、微動ステージ7に対する外乱を計算することができる。フィードフォワード制御器12は、この外乱の少なくとも一部を打ち消すための力指令値をフィードフォワード制御指令値第2指令値Fcとして発生する。ここで、フィードフォワード制御器12は、フィードフォワード制御指令値Fcを式1に従って決定することができる。Fc=KXc式1ここで、Kは支持機構8支持部SPのX軸方向のばね性における剛性値ばね定数、Xcは変位量である。加算器21は、フィードバック制御指令値19とフィードフォワード制御指令値Fcとを加算して微動制御指令値22を発生する。DA変換器23は、微動制御指令値22をアナログ信号の電流指令値24に変換する。電流ドライバ25は、電流指令値24に従ってリニアモータ10に電流26を供給する。これにより、微動制御指令値22に従った推力で微動ステージ7が駆動される。この推力により、外乱の少なくとも一部を打ち消し、微動ステージ7を高速かつ高精度で位置決めすることができる。以上のように、制御部CNTは、目標位置に対する微動ステージ7の位置の偏差と、微動ステージ7とベース9との相対位置の変動量とに基づいてリニアモータ10を制御する。ここで、制御部CNTは、該偏差が低減され、かつ、支持部SPのばね性によって微動ステージ7に作用する力の少なくとも一部が打ち消されるようにリニアモータ10を制御する。支持機構8の支持部SPのX軸方向における剛性値は、支持機構8を位置決め装置1000に組み込んだ状態で決定することができる。以下、その方法を例示的に説明する。まず、粗動ステージ1と微動ステージ7との相対位置を前もって定めた基準相対位置になるようにして、この状態でフィードバック制御器11を含むフィードバック制御系の初期化を行う。そして、この状態におけるフィードバック制御指令値19を記録する。次に、粗動ステージ1と微動ステージ7との相対位置を変更して静止させ、再びフィードバック制御指令値19を記録する。この相対位置の変更量が変位量Xcに相当し、Xcの値を徐々に変更して同様の処理を行う。相対位置の変更量の最大値は、位置決め装置1000の通常の動作時における微動ステージ7と粗動ステージ1との相対位置の変動量の最大値に基づいて決定すればよい。ここで、相対位置を変更する度に微動ステージ7および粗動ステージ1を静止させて、その時のフィードバック制御指令値19を記録してもよい。あるいは、相対位置を極低速で連続的に変更しながらフィードバック制御指令値19を記録してもよい。この際には、微動ステージ7の位置偏差18が静止時と極低速時とで違いがない程度に速度を低く設定すればよい。図2は、変位量Xcを変えてフィードバック制御指令値19を計測した結果と、その一次近似直線を示す。変位量Xcに対してフィードバック制御指令値19の傾きは正の符号となっている。静止状態におけるフィードバック制御指令値19は外乱に対抗する力である。一方、支持機構8の支持部SPのばね性による復元力は、変位量Xcに対して負の傾きである。図2の場合は、変位量Xcに対してフィードバック制御指令値19が一次直線で近似できており、この傾きが剛性値Kである。一次関数で近似した場合に誤差が大きい場合には、高次関数近似を用いてもよい。あるいは、変位量Xcを引数として数値テーブルを参照して剛性値を決定してもよい。ここでは、説明の簡単化のためにX軸方向に関する位置決めに関して説明したが、上記のX軸方向に関する制御をY軸方向に関する制御にも適用することができる。上記の実施形態では、支持機構8の支持部SPのX軸方向におけるばね性の変位量を粗動ステージ1と微動ステージ7との位置計測値の差分で求めていたが、微動ステージ7とベース9との距離を直接計測するギャップセンサを設けてその出力を用いてもよい。図3を参照しながら本発明の第2実施形態の位置決め装置1001について説明する。ここで特に言及しない事項は、第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、フィードバック制御指令値19に対して、フィードフォワード制御指令値Fcの他に、加速度フィードフォワード制御指令値101を加算して微動制御指令値22を生成する。これにより、微動ステージ7および粗動ステージ1の加減速時における位置偏差18を小さくすることができる。加速度フィードフォワード制御指令値101は、位置指令値16と連動した加速度指令値102と、その加速度指令値102の位相進み補償を行った補正制御指令値103とを加算器105で加算した指令値である。補正制御指令値103は、位相進み補償器104が加速度指令値102を処理することによって生成される。位相進み補償器104は、例えば、加速度指令値102の一階微分値および二階微分値を算出し、それらの各々に調整用ゲインを乗じた結果を補正制御指令値103として出力するように構成されうる。補正制御指令値103は、例えば、デジタル計算機でのサンプリング時間による加速度指令値102の遅れと、電流ドライバ25の応答遅れに対処するためのものである。さらに高次微分の項も用いても良いが、デジタル計算機の離散化と量子化の影響により精度が悪くなるので、二階微分値までを使用するのが良い。この位相進み補償の結果、リニアモータ10が出力する加減速力は、加速度指令値102に対する遅れが小さいものとなる。支持機構8の支持部SPのばね性による外乱の影響は、フィードフォワード制御器12により抑えられる。したがって、微動ステージ7を駆動するリニアモータ10が発生する力から微動ステージ7の位置微動ステージ位置計測値までの伝達関数は、1/Ms2Mは微動ステージの質量、sはラプラス演算子という単純な形となる。よって、加速度指令値102に従った加減速力がリニアモータ10からフィードフォワード制御で出力されることで、加減速時の位置偏差を非常に小さくすることができる。露光装置は、ステージの等速移動中に基板を露光するスキャン露光が主流であり、生産性を高めるには加速して等速になってから露光可能な偏差振幅に落ち着くまでの整定時間を短縮することが重要である。第2実施形態の位置決め装置1001は、加速時における位置偏差を非常に小さくできるので、等速になったと同時に基板を露光するために有利である。一方、フィードフォワード制御器12を用いない構成では、支持機構8のばね性と粗動ステージ1の影響により、上記の伝達関数は1/Ms2のような単純な形とはならず、加速度指令値102によって加速時における位置偏差を小さくすることは難しい。第1実施形態および第2実施形態において、微動ステージ7を駆動するアクチュエータは、リニアモータ10のみに限定されるものではない。例えば、加速度が大きいときにリニアモータ10の発熱が問題になる場合は、加減速用の電磁石が追加されてもよい。次に、図5を参照しながら第1実施形態および第2実施形態を通して例示的に説明された本発明の位置決め装置を備える露光装置EXについて説明する。露光装置EXは、基板Wに原版Rのパターンを転写するように構成されている。露光装置EXは、原版Rを位置決めする原版位置決め機構RSMと、原版Rを照明する照明系ILと、基板Wを位置決めする基板位置決め機構WSMと、原版Rのパターンを基板に投影する投影光学系POとを含みうる。原版位置決め機構RSMおよび基板位置決め機構WSMの少なくとも一方は、上記の位置決め装置1000および1001に代表される位置決め装置を含んで構成されうる。次に、本発明の一実施形態のデバイス製造方法について説明する。デバイスは、例えば、半導体デバイスでありうる。半導体デバイスは、ウエハ半導体基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置EXを用いて、感光剤が塗布された基板に原版のパターンを転写する工程と、その基板を現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入とを含みうる。