"a第1導電型を有する第1化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第1導電型と異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が、順次、基体上に積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えた発光素子であって、積層構造体は、少なくとも第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有し、第1化合物半導体層は、0.6μmを超える厚さを有し、第1化合物半導体層内には、第1化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている発光素子。第1化合物半導体層は、基体側から、第1クラッド層及び第1光ガイド層の積層構造を有し、第1光ガイド層は、0.6μmを超える厚さを有し、高屈折率層は、第1光ガイド層の内部に形成されている請求項1に記載の半導体光増幅器。活性層と第1光ガイド層との界面から、活性層側に位置する第1光ガイド層の部分と高屈折率層との界面までの距離は、0.25μm以上である請求項2に記載の半導体光増幅器。第1光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnG1、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnHRとしたとき、0<nHR-nG1≦0.3を満足する請求項2に記載の発光素子。単一モードの光ビームを出射する請求項1に記載の発光素子。半導体レーザ素子から成る請求項1に記載の発光素子。半導体光増幅器から成る請求項1に記載の発光素子。第2化合物半導体層は、基体側から、第2光ガイド層及び第2クラッド層の積層構造を有し、第1光ガイド層の厚さは、第2光ガイド層の厚さよりも厚い請求項1に記載の発光素子。第1化合物半導体層、活性層、及び、第2化合物半導体層は、GaN系化合物半導体から成る請求項1に記載の発光素子。半導体レーザ素子及び半導体光増幅器の高出力化の達成のための一手段として、光閉込め係数を低くすることが挙げられる。光閉込め係数を低くするためには、図9のAに示すように、n型化合物半導体から成るn型光ガイド層の厚さを厚くすればよく、これによって、光場強度分布のピークが活性層からn型光ガイド層へと移動する。その結果、光閉じ込め係数の低減を図ることができ、高出力動作時に活性層付近の光密度を低下させることができる結果、光学的損傷を防ぐことができ、また、特に半導体光増幅器においては、増幅光の飽和エネルギーが増大し、高出力化の達成を図ることができる。尚、図9のAの横軸はn型光ガイド層の厚さ単位:nmであり、縦軸は光閉込め係数である。しかしながら、本発明者らの検討の結果、n型光ガイド層の厚さが0.6μmを超えると、図9のBに示すように、半導体レーザ素子あるいは半導体光増幅器から出射される光ビームが単一モードではなくなることが判明した。尚、図9のBの横軸はn型光ガイド層の厚さ単位:nmであり、縦軸はファーフィールドパターンFFP、遠視野像の半値全幅FWHM,FullWidthatHalfMaximumであり、単位は度である。また、図10に近視野像を示すが、光ビームは、単一モードではなくなり、マルチビーム形状となっていることが判る。n型化合物半導体層の厚さが0.6μmを超えると光ビームが単一モードではなくなる原因は、化合物半導体層の厚さ方向の単一モードのカットオフ条件から外れてしまうためであると考えられる。そして、このように、光ビームが単一モードではなくなると、レンズや光ファイバーを用いる応用にあっては、集光特性が劣化する等の弊害が生じ得る。従って、本開示の目的は、単一モードを有する光ビームを出射し得る、高出力の半導体レーザ素子あるいは半導体光増幅器といった発光素子を提供することにある。上記の目的を達成するための本開示の発光素子は、a第1導電型を有する第1化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第1導電型と異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が、順次、基体上に積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えた発光素子であって、積層構造体は、少なくとも第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有し、第1化合物半導体層は、0.6μmを超える厚さを有し、第1化合物半導体層内には、第1化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている。本開示の発光素子にあっては、第1化合物半導体層は0.6μmを超える厚さを有するので、光閉込め係数を低くすることができ、また、光場強度分布のピークが活性層から第1化合物半導体層へと移動する結果、高出力動作時に活性層付近の光密度を低下させることができ、光学的損傷を防ぐことができるだけでなく、特に半導体光増幅器においては、増幅光の飽和エネルギーが増大し、高出力化の達成を図ることができる。しかも、第1化合物半導体層内には、第1化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されているので、高屈折率層を設けない場合と比較して、より広い範囲で化合物半導体層の厚さ方向の単一モードの条件を満たすことができ、カットオフ条件の緩和が可能となり、単一モードの光ビームを出射することができる。以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本開示の発光素子、全般に関する説明2.実施例1本開示の発光素子3.実施例2実施例1の変形、その他本開示の発光素子において、第1化合物半導体層は、基体側から、第1クラッド層及び第1光ガイド層の積層構造を有し、第1光ガイド層は、0.6μmを超える厚さを有し、高屈折率層は、第1光ガイド層の内部に形成されている形態とすることができる。即ち、このような形態にあっては、第1光ガイド層は、基体側から、第1光ガイド層の第1の部分、高屈折率層、第1光ガイド層の第2の部分が積層された構成を有する。ここで、第1光ガイド層の第1の部分を、便宜上、第1-A光ガイド層と呼び、第1光ガイド層の第2の部分を、便宜上、第1-B光ガイド層と呼ぶ。上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子にあっては、活性層と第1光ガイド層との界面活性層と第1-B光ガイド層との界面から、活性層側に位置する第1光ガイド層の部分第1-B光ガイド層と高屈折率層との界面までの距離云い換えれば、第1-B光ガイド層の厚さは、0.25μm以上であることが望ましい。尚、第1光ガイド層の厚さから高屈折率層の厚さを減じた値の上限値として、5μmを例示することができる。また、以上に説明した各種好ましい形態を含む本開示の発光素子にあっては、第1光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnG1、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnHRとしたとき、0<nHR-nG1≦0.3好ましくは、0.02≦nHR-nG1≦0.2を満足する形態とすることができる。尚、活性層を構成する化合物半導体材料の平均屈折率をnAcとしたとき、nHR≦nAcを満足することが好ましい。また、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子において、発光素子は単一モードの光ビームを出射する形態とすることができる。更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子において、積層構造体の光出射端面から出射された光ビームのリッジストライプ構造の幅方向の寸法をLBX、リッジストライプ構造の厚さ方向の寸法をLBYとしたとき、3×100≦LBY/LBX≦1×103好ましくは、1×101≦LBY/LBX≦1×102を満足することが望ましい。更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子にあっては、積層構造体の光出射端面において、リッジストライプ構造の厚さ方向に沿った、積層構造体における活性層中心点から、積層構造体から出射される光ビームの中心点までの距離YCCは、0m<YCC≦第1光ガイド層の厚さ好ましくは、0m<YCC≦第1-B光ガイド層の厚さを満足することが望ましい。更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子にあっては、発光素子から半導体レーザ素子を構成することができる。あるいは又、半導体光増幅器SOAを構成することができ、この場合、入射する光ビームの光強度を2倍以上増幅して出射する形態とすることができる。更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子において、第2化合物半導体層は、基体側から、第2光ガイド層及び第2クラッド層の積層構造を有し、第1光ガイド層の厚さは、第2光ガイド層の厚さよりも厚い形態とすることができる。更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子において、第1化合物半導体層、活性層、及び、第2化合物半導体層は、GaN系化合物半導体から成る構成とすることができる。具体的には、積層構造体は、AlGaInN系化合物半導体から成る構成とすることができる。高屈折率層も、AlGaInN系化合物半導体から成る構成とすることができる。ここで、AlGaInN系化合物半導体として、より具体的には、GaN、AlGaN、GaInN、AlGaInNを挙げることができる。更には、これらの化合物半導体に、所望に応じて、ホウ素B原子やタリウムTl原子、ヒ素As原子、リンP原子、アンチモンSb原子が含まれていてもよい。活性層は、例えば、量子井戸構造を有する。具体的には、単一量子井戸構造[QW構造]を有していてもよいし、多重量子井戸構造[MQW構造]を有していてもよい。量子井戸構造を有する活性層は、井戸層及び障壁層が、少なくとも1層、積層された構造を有するが、井戸層を構成する化合物半導体,障壁層を構成する化合物半導体の組合せとして、InyGaN,GaN、InyGaN,InzGaN[但し、y>z]、InyGaN,AlGaNを例示することができる。本開示の発光素子において、第1化合物半導体層は、0.6μmを超える厚さを有するが、第1化合物半導体層の上限値として、例えば、10μmを例示することができる。以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の発光素子これらを総称して、以下、本開示の発光素子等と呼ぶ場合があるにおいて、発光素子の軸線とリッジストライプ構造の軸線とは、所定の角度で交わっている構成とすることができる。ここで、所定の角度θとして、0.1度≦θ≦10度を例示することができる。リッジストライプ構造の軸線とは、光出射端面便宜上、第2端面と呼ぶ場合があるにおけるリッジストライプ構造の両端の二等分点と、光出射端面第2端面とは反対側の積層構造体の端面便宜上、第1端面と呼ぶ場合があるにおけるリッジストライプ構造の両端の二等分点とを結ぶ直線である。また、発光素子の軸線とは、第1端面及び第2端面に直交する軸線を指す。あるいは又、本開示の発光素子等において、第2端面におけるリッジストライプ構造の幅をW2、第1端面におけるリッジストライプ構造の幅をW1としたとき、W2>W1を満足する構成とすることができる。尚、W2は5μm以上である形態とすることができ、W2の上限値として、限定するものではないが、例えば、4×102μmを例示することができる。また、W1は1.4μm乃至2.0μmである形態とすることができる。リッジストライプ構造の各端部は、1本の線分から構成されていてもよいし、2本以上の線分から構成されていてもよい。前者の場合、リッジストライプ構造の幅は、例えば、第1端面から第2端面に向かって、単調に、テーパー状に緩やかに広げられる構成することができる。一方、後者の場合、リッジストライプ構造の幅は、例えば、第1端面から第2端面に向かって、先ず同じ幅であり、次いで、単調に、テーパー状に緩やかに広げられ、あるいは又、リッジストライプ構造の幅は、例えば、第1端面から第2端面に向かって、先ず広げられ、最大幅を超えた後、狭められる構成とすることができる。本開示の発光素子等から半導体光増幅器を構成する場合、半導体光増幅器に入射させるレーザ光を生成するレーザ光源はモード同期半導体レーザ素子から成り、モード同期半導体レーザ素子が出射するパルスレーザ光が半導体光増幅器に入射する形態とすることができ、この場合、レーザ光源は、モード同期動作に基づきパルスレーザ光を出射する構成とすることができる。モード同期半導体レーザ素子を、本開示の発光素子から構成することができる。但し、レーザ光源はこのような形態に限定するものではなく、連続発振型の周知のレーザ光源、利得スイッチング方式、損失スイッチング方式Qスイッチング方式等を含む種々の方式形式の周知のパルス発振型のレーザ光源、チタンサファイヤレーザといったレーザ光源を用いることもできる。尚、半導体光増幅器は、光信号を電気信号に変換せず、直接光の状態で増幅するものであり、共振器効果を極力排除したレーザ構造を有し、半導体光増幅器の光利得で入射光を増幅する。本開示の発光素子等から半導体光増幅器を構成する場合、半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光強度密度は、限定するものではないが、光出射端面を構成する活性層1cm2当たり60キロワット以上、好ましくは600キロワット以上である構成とすることができる。また、半導体光増幅器は、透過型半導体光増幅器から構成されている形態とすることができるが、これに限定するものではなく、例えば、半導体レーザ素子と半導体光増幅器とが一体になったモノリシック型半導体光増幅器から構成されている形態とすることもできる。本開示の発光素子等から半導体レーザ素子を構成する場合、半導体レーザ素子は、更に、外部鏡外部反射鏡を備えている形態とすることができる。即ち、外部共振器型の半導体レーザ素子とすることができる。あるいは又、モノリシック型の半導体レーザ素子とすることもできる。尚、外部共振器型の半導体レーザ素子は、集光型であってもよいし、コリメート型であってもよい。外部共振器型の半導体レーザ素子にあっては、光ビーム光パルスが出射される積層構造体の一端面の光反射率は0.5以下であることが好ましい。尚、この光反射率の値は、従来の半導体レーザ素子において光ビーム光パルスが出射される積層構造体の一端面の光反射率通常、5乃至10よりも格段に低い値である。外部共振器型のモード同期半導体レーザ素子にあっては、外部共振器長さZ’,単位:mmの値は、0<Z’<1500好ましくは、30≦Z’≦150であることが望ましい。本開示の発光素子等から半導体レーザ素子を構成する場合、少なくとも第2端面には低反射コート層が形成されている構成とすることができる。また、本開示の発光素子等から半導体光増幅器を構成する場合、第1端面及び第2端面には低反射コート層が形成されている構成とすることができる。ここで、低反射コート層は、例えば、酸化チタン層、酸化タンタル層、酸化ジルコニア層、酸化シリコン層及び酸化アルミニウム層から成る群から選択された少なくとも2種類の層の積層構造から成る。本開示の発光素子等において、第2化合物半導体層の上には第2電極が形成されている。ここで、第2電極は、パラジウムPd単層、ニッケルNi単層、白金Pt単層、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/白金層の積層構造、又は、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/ニッケル層の積層構造から成る形態とすることができる。尚、下層金属層をパラジウムから構成し、上層金属層をニッケルから構成する場合、上層金属層の厚さを、0.1μm以上、好ましくは0.2μm以上とすることが望ましい。あるいは又、第2電極を、パラジウムPd単層から成る構成とすることが好ましく、この場合、厚さを、20nm以上、好ましくは50nm以上とすることが望ましい。第2電極の幅は、ストライプ構造の幅から、適宜、決定すればよい。第1導電型をn型とするとき、n型の導電型を有する第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極は、金Au、銀Ag、パラジウムPd、Alアルミニウム、Tiチタン、タングステンW、Cu銅、Zn亜鉛、錫Sn及びインジウムInから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、例えば、Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Auを例示することができる。第1電極は第1化合物半導体層に電気的に接続されているが、第1電極が第1化合物半導体層上に形成された形態、第1電極が導電材料層や導電性の基体を介して第1化合物半導体層に接続された形態が包含される。第1電極や第2電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のPVD法にて成膜することができる。第1電極や第2電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Tiチタン、アルミニウムAl、Pt白金、Au金、Niニッケルから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ti/Pt/Auの多層構成、Ti/Auの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。また、本開示の発光素子等において、第2化合物半導体層は、p型GaN層及びp型AlGaN層が交互に積層された超格子構造を有し;超格子構造の厚さは0.7μm以下である構造とすることができる。このような超格子構造の構造を採用することで、クラッド層として必要な屈折率を維持しながら、発光素子の直列抵抗成分を下げることができ、発光素子の低動作電圧化につながる。尚、超格子構造の厚さの下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができるし、超格子構造を構成するp型GaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、超格子構造を構成するp型AlGaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、p型GaN層及びp型AlGaN層の層数合計として、60層乃至300層を例示することができる。また、活性層から第2電極までの距離は1μm以下、好ましくは、0.6μm以下である構成とすることができる。このように活性層から第2電極までの距離を規定することで、抵抗の高いp型の第2化合物半導体層の厚さを薄くし、発光素子の動作電圧の低減化を達成することができる。尚、活性層から第2電極までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができる。また、第2化合物半導体層には、Mgが、1×1019cm3以上、ドーピングされており;活性層からの波長405nmの光に対する第2化合物半導体層の吸収係数は、少なくとも50cm1である構成とすることができる。このMgの原子濃度は、2×1019cm3の値で最大の正孔濃度を示すという材料物性に由来しており、最大の正孔濃度、即ち、この第2化合物半導体層の比抵抗が最小になるように設計された結果である。第2化合物半導体層の吸収係数は、発光素子の抵抗を出来るだけ下げるという観点で規定されているものであり、その結果、活性層の光の吸収係数が、50cm1となるのが一般的である。しかし、この吸収係数を上げるために、Mgドープ量を故意に2×1019cm3以上の濃度に設定することも可能である。この場合には、実用的な正孔濃度が得られる上での上限のMgドープ量は、例えば8×1019cm3である。また、第2化合物半導体層は、活性層側から、ノンドープ化合物半導体層、及び、p型化合物半導体層を有しており;活性層からp型化合物半導体層までの距離は、1.2×107m以下である構成とすることができる。このように活性層からp型化合物半導体層までの距離を規定することで、内部量子効率が低下しない範囲で、内部損失を抑制することができ、これにより、例えば、レーザ発振が開始される閾値電流Ithを低減させることができる。尚、活性層からp型化合物半導体層までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、5×108mを挙げることができる。また、リッジストライプ構造の両側面には、SiO2/Si積層構造から成る積層絶縁膜が形成されており;リッジストライプ構造の有効屈折率と積層絶縁膜の有効屈折率との差は、5×103乃至1×102である構成とすることができる。このような積層絶縁膜を用いることで、100mWを超える高出力動作であっても、単一基本横モードを維持することができる。p側光ガイド層の厚さは、例えば、100nm以下とすることが好ましい。活性層における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは、2.4eV以上であることが望ましい。また、活性層から出射される光の波長は、360nm乃至500nm、好ましくは400nm乃至410nmであることが望ましい。ここで、以上に説明した各種の構成を、適宜、組み合わせることができることは云うまでもない。上述したとおり、第2化合物半導体層において、活性層と電子障壁層との間には、ノンドープ化合物半導体層例えば、ノンドープGaInN層、あるいは、ノンドープAlGaN層を形成してもよい。更には、活性層とノンドープ化合物半導体層との間に、光ガイド層としてのノンドープGaInN層を形成してもよい。第2化合物半導体層の最上層を、MgドープGaN層p側コンタクト層が占めている構造とすることもできる。本開示の発光素子等を構成する各種の化合物半導体層例えば、GaN系化合物半導体層を基体に順次形成するが、ここで、基体として、サファイア基板の他にも、GaAs基板、GaN基板、SiC基板、アルミナ基板、ZnS基板、ZnO基板、AlN基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、InP基板、Si基板、これらの基板の表面主面に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。主に、GaN系化合物半導体層を基板に形成する場合、GaN基板が欠陥密度の少なさから好まれるが、GaN基板は成長面によって、極性/無極性/半極性と特性が変わることが知られている。また、本開示の発光素子等を構成する各種の化合物半導体層例えば、GaN系化合物半導体層の形成方法として、有機金属化学的気相成長法MOCVD法,MOVPE法や分子線エピタキシー法MBE法、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等を挙げることができる。ここで、MOCVD法における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウムTMGガスやトリエチルガリウムTEGガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。また、n型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、n型不純物n型ドーパントとしてケイ素Siを添加すればよいし、p型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、p型不純物p型ドーパントとしてマグネシウムMgを添加すればよい。また、GaN系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウムAlあるいはインジウムInが含まれる場合、Al源としてトリメチルアルミニウムTMAガスを用いればよいし、In源としてトリメチルインジウムTMIガスを用いればよい。更には、Si源としてモノシランガスSiH4ガスを用いればよいし、Mg源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いればよい。尚、n型不純物n型ドーパントとして、Si以外に、Ge、Se、Sn、C、Te、S、O、Pd、Poを挙げることができるし、p型不純物p型ドーパントとして、Mg以外に、Zn、Cd、Be、Ca、Ba、C、Hg、Srを挙げることができる。本開示の発光素子等にあっては、積層構造体は、少なくとも第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有するが、このリッジストライプ構造は、第2化合物半導体層のみから構成されていてもよいし、第2化合物半導体層及び活性層から構成されていてもよいし、第2化合物半導体層、活性層、及び、第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されていてもよい。リッジストライプ構造の形成にあっては、化合物半導体層を、例えば、ドライエッチング法でパターニングすればよい。本開示の発光素子等を、例えば、光ディスクシステム、通信分野、光情報分野、光電子集積回路、非線形光学現象を応用した分野、光スイッチ、レーザ計測分野や種々の分析分野、超高速分光分野、多光子励起分光分野、質量分析分野、多光子吸収を利用した顕微分光の分野、化学反応の量子制御、ナノ3次元加工分野、多光子吸収を応用した種々の加工分野、医療分野、バイオイメージング分野といった分野に適用することができる。実施例1は、本開示の発光素子に関する。実施例1の発光素子は、具体的には、半導体レーザ素子であり、発光素子の軸線に垂直な仮想平面で切断したときの模式的な一部断面図を図1に示すように、a第1導電型を有する第1化合物半導体層21、化合物半導体から成る活性層発光領域、利得領域23、及び、第1導電型と異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層22が、順次、基体20’上に積層されて成る積層構造体20、b第2化合物半導体層22上に形成された第2電極32、並びに、c第1化合物半導体層21に電気的に接続された第1電極31、を備えている。実施例1の発光素子は、リッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造、SeparateConfinementHeterostructureを有する。そして、積層構造体20は、少なくとも第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造20Aを有し;第1化合物半導体層21は、0.6μmを超える厚さを有し;第1化合物半導体層21内には、第1化合物半導体層21を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層24が形成されている。具体的には、第1化合物半導体層21は、基体側から、第1クラッド層121A及び第1光ガイド層121Bの積層構造を有し、第1光ガイド層121Bは0.6μmを超える厚さを有し、高屈折率層24は第1光ガイド層121Bの内部に形成されている。ここで、第1光ガイド層121Bは、基体側から、第1光ガイド層の第1の部分第1-A光ガイド層121B1、高屈折率層24、第1光ガイド層の第2の部分第1-B光ガイド層121B2が積層された構成を有する。高屈折率層24を含む第1光ガイド層121Bの全体の厚さを1.25μmとした。また、活性層23と第1光ガイド層121Bとの界面活性層23と第1-B光ガイド層121B2との界面から、活性層側に位置する第1光ガイド層121Bの部分第1-B光ガイド層121B2と高屈折率層24との界面までの距離は、0.25μm以上であり、実施例1にあっては、具体的には、0.35μmである。即ち、第1-B光ガイド層121B2の厚さは0.35μmである。高屈折率層24は、厚さ50nmのIn002Ga098Nから成る。第1光ガイド層121B1,121B2を構成する化合物半導体材料の屈折率をnG1、高屈折率層24を構成する化合物半導体材料の屈折率をnHR、活性層23を構成する化合物半導体材料の平均屈折率をnAcとしたとき、0<nHR-nG1≦0.3好ましくは、0.02≦nHR-nG1≦0.2を満足し、nHR≦nAcを満足している。具体的には、nHR=2.547nG1=2.520nAc=2.620である。尚、リッジストライプ構造20Aの長さ及び幅を、それぞれ、1.0mm、1.6μmとした。発光素子は単一モードの光ビームを出射する。尚、具体的には、基体20’はn型GaN基板から成り、化合物半導体層はn型GaN基板の0001面上に設けられている。尚、n型GaN基板の0001面は、C面とも呼ばれ、極性を有する結晶面である。また、第1化合物半導体層21、活性層23、及び、第2化合物半導体層22から構成された積層構造体20は、GaN系化合物半導体、具体的にはAlGaInN系化合物半導体から成り、より具体的には、以下の表1に示す層構成を有する。ここで、表1において、下方に記載した化合物半導体層ほど、基体20’に近い層である。尚、活性層23における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは3.06eVである。活性層23は、井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有しており、障壁層の不純物具体的には、シリコン,Siのドーピング濃度は、2×1017cm3以上、1×1020cm3以下である。また、リッジストライプ構造20Aの両側にはSiO2/Siから成る積層絶縁膜25が形成されている。尚、SiO2層が下層であり、Si層が上層である。そして、リッジストライプ構造20Aの頂面に相当するp型GaNコンタクト層122Dに、第2電極p側オーミック電極32が形成されている。一方、基体20’の裏面には、Ti/Pt/Auから成る第1電極n側オーミック電極31が形成されている。実施例にあっては、第2電極32を厚さ0.1μmのPd単層から構成した。p型AlGaN電子障壁層122Aの厚さは10nmであり、第2光ガイド層p型AlGaN層122Bの厚さは50nmであり、第2クラッド層p型AlGaN層122Cの厚さは0.5μmであり、p型GaNコンタクト層122Dの厚さは100nmである。更には、第2化合物半導体層22を構成するp型AlGaN電子障壁層122A、第2光ガイド層122B、第2クラッド層122C、p型GaNコンタクト層122Dには、Mgが、1×1019cm3以上具体的には、2×1019cm3、ドーピングされている。一方、第1クラッド層n型AlGaN層121Aの厚さは2.5μmである。高屈折率層24を含む第1光ガイド層n型GaN層121Bの全体の厚さは、上述したとおり、1.25μmであり、第1光ガイド層121Bの全体の厚さ1.25μmは、第2光ガイド層122Bの厚さ100nmよりも厚い。また、第1光ガイド層121BをGaNから構成しているが、代替的に、第1光ガイド層121Bを、活性層23よりもバンドギャップの広い化合物半導体であって、第1クラッド層121Aよりもバンドギャップの狭い化合物半導体から構成することもできる。[表1]第2化合物半導体層22p型GaNコンタクト層Mgドープ122D第2クラッド層p型Al005Ga095N層Mgドープ122C第2光ガイド層p型Al001Ga099N層Mgドープ122Bp型Al020Ga080N電子障壁層Mgドープ122A活性層23GaInN量子井戸活性層23井戸層:Ga092In008N/障壁層:Ga098In002N第1化合物半導体層21第1-B光ガイド層n型GaN光121B2高屈折率層n型In002Ga098N高屈折率層24第1-A光ガイド層n型GaN層121B1第1クラッド層n型Al003Ga097N層121A但し、井戸層2層:10nm[ノンドープ]障壁層3層:12nm[ドーピング濃度Si:2×1018cm3]図4に、第2クラッド層122C、第2光ガイド層122B、p型AlGaN電子障壁層122A、活性層23、第1-B光ガイド層121B2、高屈折率層24、第1-A光ガイド層121B1、第1クラッド層121Aにおける屈折率分布及び光場強度のプロファイルを計算した結果を示す。高屈折率層24の存在によって、光場強度が第1クラッド層121B側に移動していることが判る。尚、図4の横軸は、p型GaNコンタクト層Mgドープ122Dと第2電極32との界面からの距離を表す。また、図5に、高屈折率層24の厚さを30nm及び50nmとして、第1-B光ガイド層121B2の厚さを変化させたときの光閉込め係数を計算にて求めた結果を示す。図5から、第1-B光ガイド層121B2の厚さを0.25μm以上とすることで、低い光閉込め係数を達成することができることが判る。また、種々の解析の結果、高屈折率層24の厚さは50nm以下であることが、発光素子から出射される光ビームのマルチビーム化を確実に抑制するといった観点から望ましく、また、InGaNから成る高屈折率層24におけるInの原子が5未満であることが、発光素子から出射される光ビームのマルチビーム化を確実に抑制するといった観点から望ましいことが判明した。実施例1の発光素子を備えた半導体レーザ装置組立体の概念図を図2のAに示す。図2のAに示す半導体レーザ装置組立体は、外部共振器型である。即ち、実施例1における半導体レーザ装置組立体は、実施例1の発光素子から成る半導体レーザ素子10、レンズ12、光学フィルター13、外部鏡14、及び、レンズ15から構成されている。そして、レーザ光源から出射されたレーザ光は、光アイソレータ16を介して外部に出射される。半導体レーザ素子10の光出射端面である第2端面には、例えば、1層の酸化チタン層と1層の酸化アルミニウム層とが積層された構造を有する低反射コート層ARあるいは無反射コート層ARが形成されている。また、第2端面と対向する第1端面には、高反射コート層HRが形成されている。そして、半導体レーザ素子の第1端面と外部鏡14とで外部共振器が構成され、上述したとおり、外部鏡14から光ビームを取り出す。光学フィルター13には、主にバンドパスフィルターが用いられ、レーザの発振波長の制御のために挿入される。外部共振器長さZ’によって光パルス列の繰り返し周波数fが決定され、次式で表される。ここで、cは光速であり、nは導波路の屈折率である。外部共振器長さZ’,単位:mmの値を、100mmとした。また、光ビーム光パルスが出射される積層構造体20の第2端面の光反射率は0.5以下例えば、0.3であり、光ビーム光パルスが反射される積層構造体20の第1端面の光反射率は、例えば、85以上、100未満例えば、95である。更には、光学フィルター13の光透過率は、例えば、85以上、100未満例えば、90であり、半値幅は、0nmを超え、2nm以下例えば、1nmであり、ピーク波長は、400nm以上、450nm以下例えば、410nmであり、外部鏡14の光反射率は0を超え、100未満例えば、20である。尚、以上の各種パラメータの値は一例であり、適宜、変更することができることは云うまでもない。f=c/2nZ’あるいは又、図2のBに示すコリメート型の外部共振器にあっても、高反射コート層HRが形成された半導体レーザ素子の端面と外部鏡14とで外部共振器を構成し、外部鏡14から光ビームを取り出す。図3のA及びBに示す外部共振器にあっては、半導体レーザ素子の第2端面と外部鏡とで外部共振器を構成し、半導体レーザ素子から光ビームを取り出す。第2端面には低反射コート層ARが形成されている。尚、図3のAに示す例は集光型であり、図3のBに示す例はコリメート型である。あるいは又、図3のCに示すように、半導体レーザ素子をモノリシック型とすることもできる。以下、実施例1の発光素子の製造方法を、基体等の模式的な一部断面図である図6のA、B、図7のA、Bを参照して説明する。[工程-100]先ず、基体20’の上、具体的には、n型GaN基板の0001面上に、周知のMOCVD法に基づき、第1導電型n型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層21高屈折率層24を含む、GaN系化合物半導体から成る活性層発光領域、利得領域23、並びに、第1導電型と異なる第2導電型p型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層22が、順次、積層されて成る積層構造体20を形成する図6のA参照。[工程-110]次に、第2化合物半導体層22を、厚さ方向に一部分、ドライエッチング法に基づきエッチングして、リッジストライプ構造20Aを形成する。具体的には、先ず、第2化合物半導体層22上に帯状の第2電極32を形成する。より具体的には、真空蒸着法に基づきPd層32Aを全面に成膜した後図6のB参照、Pd層32A上に、フォトリソグラフィ技術に基づき帯状のエッチング用レジスト層を形成する。そして、王水を用いて、エッチング用レジスト層に覆われていないPd層32Aを除去した後、エッチング用レジスト層を除去する。こうして、図7のAに示す構造を得ることができる。尚、リフトオフ法に基づき、第2化合物半導体層22上に帯状の第2電極32を形成してもよい。第2電極32のパターニングを行う際の、第2電極32のエッチングレートをER0、積層構造体20のエッチングレートをER1としたとき、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。ER0/ER1がこのような関係を満足することで、積層構造体20をエッチングすること無くあるいは、エッチングされても僅かである、第2電極32を確実にパターニングすることができる。次いで、第2電極32をエッチング用マスクとして、第2化合物半導体層22を、厚さ方向に一部分、ドライエッチング法に基づきエッチングすることで、リッジストライプ構造20Aを形成する。具体的には、Cl2ガスを用いたRIE法に基づき、第2電極32をエッチング用マスクとして用いて、第2化合物半導体層22の一部分をエッチングする。こうして、図7のBに示す構造を得ることができる。このように、帯状にパターニングされた第2電極32をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジストライプ構造20Aを形成するので、第2電極32とリッジストライプ構造20Aとの間に合わせずれが生じることがない。[工程-130]その後、積層絶縁膜25の形成、第2電極32の上の積層絶縁膜25の除去、第1電極31の形成、基板の劈開等を行い、更に、パッケージ化を行うことで、実施例1の発光素子を作製することができる。尚、[工程-100]に引き続き、第2電極32を形成すること無く、リッジストライプ構造20Aを形成し、次いで、[工程-120]を実行した後、第2電極32の形成を行い、その後、[工程-130]を実行してもよい。実施例1の発光素子にあっては、第1化合物半導体層は、0.6μmを超える厚さを有し、第1化合物半導体層内には、第1化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている。それ故、光閉込め係数を低くすることができ、また、光場強度分布のピークが活性層から第1化合物半導体層へと移動する結果、活性層に高い電流を流しても活性層における発光効率の低下が生じ難くなり、高出力化の達成を図ることができるし、単一モードの光ビームを出射することが可能となる。実施例2は、実施例1の変形であるが、レーザ光源200からのレーザ光を光増幅して出射する半導体光増幅器SOA300が、実施例2の発光素子から構成されている。半導体光増幅器を含む実施例2の光出力装置の概念図を図8に示す。レーザ光源200を構成する半導体レーザ素子及び半導体光増幅器300は、実質的に、実施例1において説明した発光素子と同じ構成、構造を有する。実施例2の光出力装置において、レーザ光源200から出射されたレーザ光は、光アイソレータ316、反射ミラー317を介して、反射ミラー320に入射する。反射ミラー320によって反射されたレーザ光は、半波長板λ/2波長板321、レンズ322を通過して、半導体光増幅器300に入射する。尚、光アイソレータ316は、半導体光増幅器300からの戻り光が、レーザ光源200に向かうことを防止するために配置されている。そして、半導体光増幅器300において光増幅され、レンズ330を介して系外に出射される。半導体光増幅器300は、透過型半導体光増幅器から構成されている。そして、半導体光増幅器300の光入射端面第1端面301、及び、光入射端面301に対向する光出射端面第2端面302には、低反射コート層ARが形成されている。低反射コート層ARは、1層の酸化チタン層と1層の酸化アルミニウム層とが積層された構造を有する。光入力端面301側から入射されたレーザ光は、半導体光増幅器300の内部で光増幅され、反対側の光出射端面302から出力される。レーザ光は基本的に一方向にのみ導波される。また、実施例2にあっては、レーザ光源200は、実施例1の発光素子である半導体レーザ素子を備えた実施例1の半導体レーザ装置組立体から成り、レーザ光源200が出射するレーザ光が半導体光増幅器300に入射する。具体的には、半導体光増幅器300に入射させるレーザ光を生成するレーザ光源200はモード同期半導体レーザ素子から成り、モード同期半導体レーザ素子が出射するパルスレーザ光が半導体光増幅器300に入射する。以上の点を除き、実施例2の発光素子は、実施例1の発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。尚、半導体光増幅器は、透過型半導体光増幅器から構成されているが、これに限定するものではなく、例えば、モノリシック型半導体光増幅器から構成されていてもよい。以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した発光素子、半導体レーザ素子、半導体レーザ装置組立体、半導体光増幅器、光出力装置、レーザ光源の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができる。また、実施例においては、種々の値を示したが、これらも例示であり、例えば、使用する発光素子の仕様が変われば、変わることは当然である。実施例においては、高屈折率層を、第1光ガイド層に設けたが、場合によっては、第1クラッド層に設けてもよく、この場合、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率は、第1クラッド層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い。また、例えば、発光素子の軸線とリッジストライプ構造の軸線とは、所定の角度で交わっている構成としてもよいし、リッジストライプ構造の平面形状をテーパー状としてもよい。実施例においては、発光素子を、n型GaN基板の極性面であるC面,{0001}面上に設けたが、代替的に、{11-20}面であるA面、{1-100}面であるM面、{1-102}面といった無極性面上、あるいは又、{11-24}面や{11-22}面を含む{11-2n}面、{10-11}面、{10-12}面といった半極性面上に、発光素子を設けてもよく、これによって、発光素子の活性層にたとえピエゾ分極及び自発分極が生じた場合であっても、活性層の厚さ方向にピエゾ分極が生じることは無く、活性層の厚さ方向とは略直角の方向にピエゾ分極が生じるので、ピエゾ分極及び自発分極に起因した悪影響を排除することができる。尚、{11-2n}面とは、ほぼC面に対して40度を成す無極性面を意味する。尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。[1]《発光素子》a第1導電型を有する第1化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第1導電型と異なる第2導電型を有する第2化合物半導体層が、順次、基体上に積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えた発光素子であって、積層構造体は、少なくとも第2化合物半導体層の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造を有し、第1化合物半導体層は、0.6μmを超える厚さを有し、第1化合物半導体層内には、第1化合物半導体層を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層が形成されている発光素子。[2]第1化合物半導体層は、基体側から、第1クラッド層及び第1光ガイド層の積層構造を有し、第1光ガイド層は、0.6μmを超える厚さを有し、高屈折率層は、第1光ガイド層の内部に形成されている[1]に記載の半導体光増幅器。[3]活性層と第1光ガイド層との界面から、活性層側に位置する第1光ガイド層の部分と高屈折率層との界面までの距離は、0.25μm以上である[2]に記載の半導体光増幅器。[4]第1光ガイド層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnG1、高屈折率層を構成する化合物半導体材料の屈折率をnHRとしたとき、0<nHR-nG1≦0.3を満足する[2]又は[3]に記載の発光素子。[5]単一モードの光ビームを出射する[1]乃至[4]のいずれか1項に記載の発光素子。[6]半導体レーザ素子から成る[1]乃至[5]のいずれか1項に記載の発光素子。[7]半導体光増幅器から成る[1]乃至[5]のいずれか1項に記載の発光素子。[8]第2化合物半導体層は、基体側から、第2光ガイド層及び第2クラッド層の積層構造を有し、第1光ガイド層の厚さは、第2光ガイド層の厚さよりも厚い[2]乃至[6]のいずれか1項に記載の発光素子。[9]第1化合物半導体層、活性層、及び、第2化合物半導体層は、GaN系化合物半導体から成る[1]乃至[8]のいずれか1項に記載の発光素子。"