式I:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4はそれぞれ独立して、式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体。式III:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4は式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物を、式IV:MNR62IV式中、Mはアルカリ金属原子、R6は炭素数1~4のアルキル基または炭素数3~24のトリアルキルシリル基を示すで表わされる金属アミドの存在下で、式V:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R4はそれぞれ独立して、式IIで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物と反応させることを特徴とする式I:式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じで表わされるアミノ酸誘導体の製造方法。式VI:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R7はそれぞれ独立して、水素原子または式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基、R8は炭素数1~4のアルキレン基を示すで表わされるアミノ酸誘導体。式I:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4はそれぞれ独立して、式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体を、酸を含む非水系溶媒の溶液中で前記酸と反応させて環化させることを特徴とする式VI:式中、R1およびR2は前記と同じ、R7はそれぞれ独立して、水素原子または式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基、R8は炭素数1~4のアルキレン基を示すで表わされるアミノ酸誘導体の製造方法。本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、高収率で、かつ高い光学純度で製造することができるアミノ酸誘導体およびその製造方法、ならびに前記アミノ酸誘導体の製造中間体およびその製造方法を提供することにある。本発明は、1式I:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4はそれぞれ独立して、式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体、2式III:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4は式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物を、式IV:MNR62IV式中、Mはアルカリ金属原子、R6は炭素数1~4のアルキル基または炭素数3~24のトリアルキルシリル基を示すで表わされる金属アミドの存在下で、式V:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R4はそれぞれ独立して、式IIで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物と反応させることを特徴とする式I:式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じで表わされるアミノ酸誘導体の製造方法、3式VI:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R7はそれぞれ独立して、水素原子または式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基、R8は炭素数1~4のアルキレン基を示すで表わされるアミノ酸誘導体、ならびに4式I:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4はそれぞれ独立して、式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体を、酸を含む非水系溶媒の溶液中で前記酸と反応させて環化させることを特徴とする式VI:式中、R1およびR2は前記と同じ、R7はそれぞれ独立して、水素原子または式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基、R8は炭素数1~4のアルキレン基を示すで表わされるアミノ酸誘導体の製造方法に関する。本発明によれば、高収率で、かつ高い光学純度で製造することができるアミノ酸誘導体およびその製造方法、ならびに前記アミノ酸誘導体の製造中間体およびその製造方法を提供される。アミノ酸誘導体の製造中間体およびその製造方法本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体は、式I:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4はそれぞれ独立して、式II:式中、R5は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基を示すで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる。本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体は、例えば、式III:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R3は炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基、R4は式IIで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物を、式IV:MNR62IV式中、Mはアルカリ金属原子、R6は炭素数1~4のアルキル基または炭素数3~24のトリアルキルシリル基を示すで表わされる金属アミドの存在下で、式V:式中、R1は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R4はそれぞれ独立して、式IIで表わされるアルコキシカルボニル基を示すで表わされる化合物と反応させることにより、製造することができる。式Iにおいて、R1は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基である。R1は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数2~4のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数2~4のアルキニル基などが挙げられる。置換基としては、酸素原子;硫黄原子;アミノ基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基などの炭素数1~4のアルコキシ基;メチルチオメチル基などのアルキル基の炭素数が1~4のアルキルチオアルキル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロブチル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。置換基を有してもよい炭素数2~4のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。置換基を有してもよい炭素数2~4のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、チオフェニル基、フリル基、インドイル基、インドイルメチル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。R2は、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基である。置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基は、R1における置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基と同じである。式Iにおいて、R3は、炭素数1~4のアルコキシ基と炭素数1~4のアルキル基とを有するアルコキシアルキル基である。炭素数1~4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。炭素数1~4のアルコキシ基のなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度を向上させる観点から、好ましくはメトキシ基である。炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。炭素数1~4のアルキル基のなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度を向上させる観点から、好ましくはメチル基である。アルコキシアルキル基の具体例としては、メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、2-エトキシエチル基、2-n-プロピルオキシエチル基、2-イソプロピルオキシエチル基、2-n-ブチルオキシエチル基、2-イソブチルオキシエチル基、2-tert-ブチルオキシエチル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の収率および光学純度を向上させる観点から、好ましくはメトキシメチル基である。式Iにおいて、R4は、それぞれ独立して、式IIで表わされるアルコキシカルボニル基である。それぞれのR4は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。式IIにおいて、R5は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または炭素数6~12のアリール基である。炭素数1~4の脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、炭素数2~4のアルケニル基、炭素数2~4のアルキニル基などが挙げられる。炭素数1~4のアルキル基は、R3における炭素数1~4のアルキル基と同じである。炭素数2~4のアルケニル基としては、例えば、炭素数2~4のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、イソプロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。置換基を有してもよい炭素数2~4のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。炭素数6~12のアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、アントリル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。R4の具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度を向上させる観点から、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基である。式IIIで表わされる化合物は、例えば、出発原料として天然型α-アミノ酸を用いて容易に得ることができる。式IIIにおけるR1、R2、R3およびR4は、式IにおけるR1、R2、R3およびR4と同じである。式IVにおいて、Mは、アルカリ金属原子である。前記アルカリ金属原子としては、例えば、リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子などが挙げられる。これらのアルカリ金属原子のなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体を高収率で製造する観点から、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子が好ましく、ナトリウム原子またはカリウム原子がより好ましく、カリウム原子がさらに好ましい。式IVにおいて、R6は、炭素数1~4のアルキル基または炭素数3~24のトリアルキルシリル基である。炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体を高収率かつ高い光学純度で製造する観点から、イソプロピル基が好ましい。炭素数3~24のトリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体を高収率かつ高い光学純度で製造する観点から、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基またはtert-ブチルジメチルシリル基が好ましく、トリメチルシリル基がより好ましい。式IVで表わされる金属アミドの具体例としては、例えば、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムジイソプロピルアミド、カリウムジイソプロピルアミドなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体を高収率かつ高い光学純度で製造する観点から、ナトリウムヘキサメチルジシラジドおよびカリウムヘキサメチルジシラジドが好ましく、カリウムヘキサメチルジシラジドがより好ましい。式Vにおいて、R1およびR4は、式IにおけるR1およびR4と同じである。式Vにおいて、R4は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応は、不活性ガス雰囲気下に式IVで表わされる金属アミドを含む溶液中で行なうことができる。前記溶液に用いられる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。前記溶媒は、単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。前記溶媒は、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体を高収率かつ高い光学純度で製造する観点から、好ましくはトルエンとテトラヒドロフランとの混合溶媒である。トルエンとテトラヒドロフランとの混合溶媒において、トルエン/テトラヒドロフラン体積比は、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度を向上させる観点から、好ましくは1/10~1/1、より好ましくは1/5~1/3である。前記溶液における金属アミドの濃度は、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の光学純度を向上させる観点から、好ましくは0.3~2.0体積モル濃度、より好ましくは0.4~0.6体積モル濃度である。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応に際して、式IIIで表わされる化合物に対する式Vで表わされる化合物の量は、反応時間の短縮、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度の向上、精製の容易性の確保などの観点から、式IIIで表わされる化合物1モルあたり、好ましくは1.5~5モル、より好ましくは1.5~2.5モルである。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応に際して、用いられる金属アミドの量は、反応時間の短縮、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率および光学純度の向上、精製の容易性の確保などの観点から、式IIIで表わされる化合物1モルあたり、好ましくは1~3モル、より好ましくは1~1.5モルである。不活性ガスとしては、例えば、アルゴンガス、窒素ガスなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応に際して、反応温度は、本発明のアミノ酸誘導体の製造中間体の収率及び光学純度の向上の観点から、好ましくは-100~-60°C、より好ましくは-90~-70°Cである。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応に際して、反応時間は、式IIIで表わされる化合物、式Vで表わされる化合物、金属アミド、および前記溶液に用いられる溶媒それぞれの種類などによって異なるので、一概には決定することができないことから、通常、反応完了までに要する時間であればよい。式IIIで表わされる化合物と式Vで表わされる化合物との反応は、式IIIで表わされる化合物および式Vで表わされる化合物を、式IVで表わされる金属アミドを含む溶液に添加することによって行なうことができる。このとき、金属アミドを含む溶液への式IIIで表わされる化合物および式Vで表わされる化合物の添加は、金属アミドを含む溶液の温度が前記反応温度に維持しながら行なうことが好ましい。前記反応では、式Iで表わされるアミノ酸誘導体の製造中間体は、2種類のジアステレオマーの混合物として得ることができる。また、前記反応では、式IIIで表される化合物の三置換炭素不斉炭素の立体配置が維持されたまま進行する。したがって、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体の四置換炭素不斉炭素の立体配置は、式IIIで表わされる化合物の三置換炭素不斉炭素の立体配置と同じになる。アミノ酸誘導体およびその製造方法本発明のアミノ酸誘導体は、式VI:式中、R1はそれぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R2は置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基、R7はそれぞれ独立して、水素原子または式IIで表わされるアルコキシカルボニル基、R8は炭素数1~4のアルキレン基を示すで表わされる。本発明のアミノ酸誘導体は、例えば、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体を、酸を含む非水系溶媒の溶液中で前記酸と反応させて環化させることによって製造することができる。式VIにおいて、R1は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基である。式VIにおいて、R1は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基は、式IのR1における置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基と同じである。式VIにおいて、R2は、置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基である。置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基は、式IのR2における置換基を有してもよい炭素数1~4の脂肪族炭化水素基および置換基を有してもよい炭素数6~12のアリール基と同じである。式VIにおいて、R7は、それぞれ独立して、水素原子または式IIで表わされるアルコキシカルボニル基である。それぞれのR7は、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。式VIにおいて、R8は炭素数1~4のアルキレン基である。炭素数1~4のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基などの直鎖アルキレン基;イソプロピレン基、イソブチレン基、sec-ブチレン基、t-ブチレン基などの分枝鎖アルキレン基などが挙げられる。これらのなかでは、本発明のアミノ酸誘導体の製造が容易であることから、好ましくはメチレン基である。酸を含む非水系溶媒の溶液において、酸としては、例えば、塩化水素、硫酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。かかる酸のなかでは、本発明のアミノ酸誘導体を高収率で、かつ高い光学純度で製造する観点から、好ましくは塩化水素である。非水系溶媒は、本発明の目的を阻害しないものであればよい。非水系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルムなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。非水系溶媒のなかでは、留去が容易であることから、好ましくは酢酸エチルである。酸を含む非水系溶媒の溶液の具体例としては、例えば、塩化水素の酢酸エチル溶液、塩化水素のジオキサン溶液などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。酸を含む非水系溶媒の溶液において、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応を迅速に進める観点から、酸は、溶液中において飽和状態となっていることが好ましい。式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応に際して、用いられる酸の量は、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体および酸それぞれの種類などによって異なるので、一概には決定することができないことから、通常、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体が環化するに十分な量であればよい。式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応に際して、反応温度は、通常、0~80°Cであればよい。式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応は、通常、室温で行なうことができる。式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応に際して、反応時間は、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体および酸の種類などによって異なるので、一概には決定することができないことから、通常、反応完了までに要する時間であればよい。式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体と酸との反応は、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体の四置換炭素不斉炭素の絶対立体配置が維持されたまま進行する。したがって、式VIで表わされるアミノ酸誘導体の四置換炭素不斉炭素の絶対立体配置は、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体の四置換炭素不斉炭素の絶対立体配置と同じになる。以上のように、式Iで表わされるアミノ酸誘導体製造中間体を環化させることによって式VIで表わされる本発明のアミノ酸誘導体が得られる。得られた本発明のアミノ酸誘導体には、通常、2種類のジアステレオマーが含まれている。本発明のアミノ酸誘導体は、2種類のジアステレオマーが含まれている状態で使用してもよい。また、本発明のアミノ酸誘導体は、必要により、2種類のジアステレオマーをそれぞれ分離して用いてもよい。2種類のジアステレオマーそれぞれの分離は、例えば、分取薄層クロマトグラフィーなどによって容易に行なうことができる。また、本発明のアミノ酸誘導体は、エステルの状態で使用してもよく、必要により、脱エステル化させて用いてもよい。さらに、本発明のアミノ酸誘導体は、必要により、式VIで表わされるアミノ酸誘導体のアルコキシカルボニル基を除去して用いてもよい。以上のようにして得られる本発明のアミノ酸誘導体は、医薬、農薬などの原料、前記医薬、農薬などの製造中間体などに使用することが期待されるものである。以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例において、得られた化合物の物性を測定する際に使用した機器は、以下のとおりである。1HNMRおよび13CNMR核磁気共鳴装置日本電子株製、JMN-ECX400P型赤外吸収IR赤外吸収装置日本分光株製、商品名:FT/IR-4200実施例1アミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bの調製以下に示す化合物1および2を出発物質として用い、式:式中、Bnはベンジル基、BOCはtert-ブトキシカルボニル基、MOMはメトキシメチル基、Etはエチル基、KHMDSはカリウムヘキサメチルジシラジド、THFはテトラヒドロキシフランを示すで表わされるように、アミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bを調製した。アルゴンガス雰囲気下、液温が-78°Cに保たれた0.47Mのカリウムヘキサメチルジシラジドのトルエン溶液0.24mmol0.51mLに、化合物165mg、0.2mmolと化合物2140mg、0.4mmolとを含む無水テトラヒドロキシフラン溶液2.0mLを、45分間かけて滴下した。つぎに、得られた混合物を-78°Cにて15分間撹拌した後、得られた反応物を飽和塩化アンモニア水溶液に添加し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過した。得られた濾液から、減圧下に溶媒を留去することによって得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル体積比=7/3に供し、アミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bからなるジアステレオマー混合物3a/3b127.8mg、変換後のジアステレオマー比=1/1を無色油状物質として得た。なお、化合物3aおよび3bを後述のアミノ酸誘導体化合物4aおよび4bに導いた後、それぞれを分離し、化合物3aおよび3bそれぞれの物性および光学純度を決定した。アミノ酸誘導体の製造中間体ジアステレオマー混合物3a/3bの1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:19.4°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:122123139160223236290340412416470480494524716737実施例1で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体ジアステレオマー混合物3a/3bの1HNMRスペクトルの測定結果を図1に示す。実施例2アミノ酸誘導体化合物4aおよび4bの調製実施例1で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bを用いて式:式中、Bnはベンジル基、BOCはtert-ブトキシカルボニル基、MOMはメトキシメチル基、Etはエチル基、4NHCl/AcOEtは4N塩化水素の酢酸エチル溶液、Meはメチル基を示すに示されるように、アミノ酸誘導体化合物4aおよび4bを調製した。実施例1で得られたジアステレオマー混合物3a/3b45mg、0.07mmolの酢酸エチル溶液0.6mLに4N塩化水素の酢酸エチル溶液2.0mLを室温にて添加した。得られた混合物を室温にて30分間撹拌した後、得られた反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に添加し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過した。得られた濾液から、減圧下に溶媒を留去することによって得られた残渣を分取薄層クロマトグラフィー展開溶媒メタノール/クロロホルム体積比=1/9に供し、アミノ酸誘導体である化合物4a10.6mg、収率:50および化合物4b10.7mg、収率:50、光学純度83eeそれぞれを無色油状物質として得た。化合物4aおよび4bの物性を決定した。アミノ酸誘導体化合物4aの1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:19.1°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:127150163179200373385401413422514520731739実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4aの1HNMRスペクトルの測定結果を図2に示す。アミノ酸誘導体化合物4aの13CNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:重クロロホルム77ppm測定温度:19.1°C共鳴周波数:100MHz13CNMRδ:141203372535555568612671128112841286135417281750実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4aの13CNMRスペクトルの測定結果を図3に示す。アミノ酸誘導体化合物4aの赤外吸収<測定条件>測定法:液膜法測定温度:20°CIRcm1331629632924173814561373125811321033実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4aの赤外吸収スペクトルの測定結果を図4に示す。アミノ酸誘導体化合物4bの1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:18.7°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:128131136186254345362390415422520524731741実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4bの1HNMRスペクトルの測定結果を図5に示す。アミノ酸誘導体化合物4bの13CNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:重クロロホルム77ppm測定温度:19°C共鳴周波数:100MHz13CNMRδ:141282381556586589611670128212841286135617241751実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4bの13CNMRスペクトルの測定結果を図6に示す。アミノ酸誘導体化合物4bの赤外吸収<測定条件>測定法:液膜法測定温度:20°CIRcm1332229662925173514551374128712631191114910971040実施例2で得られたアミノ酸誘導体化合物4bの赤外吸収スペクトルの測定結果を図7に示す。実施例3アミノ酸誘導体の製造中間体化合物6の調製実施例1において、化合物1の代わりに、以下に示す化合物5を用いたことおよび混合物を-78°Cにて15分間撹拌する代わりに、混合物を-78°Cにて30分間撹拌したことを除き、実施例1と同様の操作を行ない、式:式中、Phはフェニル基、Bnはベンジル基、BOCはtert-ブトキシカルボニル基、MOMはメトキシメチル基、Etはエチル基、KHMDSはカリウムヘキサメチルジシラジド、THFはテトラヒドロキシフランを示すに示されるように、アミノ酸誘導体の製造中間体化合物6を得た。アミノ酸誘導体の製造中間体化合物6を後述のアミノ酸誘導体化合物7に導いた後、それぞれを分離し、アミノ酸誘導体の製造中間体化合物6の物性を決定した。アミノ酸誘導体の製造中間体化合物6の1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:19.2°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:126144150282303311370413421450453497506530708735実施例3で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物6の1HNMRスペクトルの測定結果を図8に示す。実施例4アミノ酸誘導体化合物7の調製実施例2において、実施例1で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bの代わりに実施例3で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物6を用いたことを除き、実施例2と同様の操作を行ない、式:式中、Bnはベンジル基、Phはフェニル基、およびEtはエチル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体化合物7を得た収率:87、光学純度:94ee。アミノ酸誘導体化合物7の物性を決定した。アミノ酸誘導体の製造中間体化合物7の1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:19.2°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:128149176255283296338363389410426513700702722737実施例4で得られたアミノ酸誘導体化合物7の1HNMRスペクトルの測定結果を図9に示す。実施例5アミノ酸誘導体の製造中間体化合物9の調製実施例1において、化合物1の代わりに、以下に示す化合物8を用いたことおよび混合物を-78°Cにて15分間撹拌する代わりに、混合物を-78°Cにて150分間撹拌したことを除き、実施例1と同様の操作を行ない、式:式中、Bnはベンジル基、BOCはtert-ブトキシカルボニル基、MOMはメトキシメチル基、Etはエチル基、KHMDSはカリウムヘキサメチルジシラジド、THFはテトラヒドロキシフランを示すに示されるように、アミノ酸誘導体の製造中間体化合物9を得た。なお、化合物8を後述のアミノ酸誘導体化合物9に導いた後、それぞれを分離し、化合物9の物性を決定した。アミノ酸誘導体の製造中間体化合物9の1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:18.7°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:131144151226261318325407420450460490520724740実施例5で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物9の1HNMRスペクトルの測定結果を図10に示す。実施例6アミノ酸誘導体化合物10の調製実施例2において、実施例1で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物3aおよび3bの代わりに実施例5で得られたアミノ酸誘導体の製造中間体化合物9を用いたことを除き、実施例2と同様の操作を行ない、式中、Bnはベンジル基、およびEtはエチル基を示すで表わされるアミノ酸誘導体化合物10を得た収率:30、光学純度:99ee。化合物10の物性を決定した。アミノ酸誘導体の製造中間体化合物10の1HNMR<測定条件>溶媒:重クロロホルムCDCl3内部標準:テトラメチルシラン0ppm測定温度:19.5°C共鳴周波数:400MHz1HNMRδ:085090129138159180242345361392414424518525732740実施例6で得られたアミノ酸誘導体化合物10の1HNMRスペクトルの測定結果を図11に示す。以上の結果から、入手が容易なアミノ酸から得られる式IIIで表わされる化合物を、式IVで表わされる金属アミドの存在下で、式Vで表わされる化合物と反応させることによって式Iで表わされるアミノ酸誘導体の製造中間体を調製し、得られた製造中間体を、酸を含む非水系溶媒中で環化させることにより、高収率で、かつ高い光学純度でアミノ酸誘導体を製造することができることがわかる。