電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、1つ以上のMOSトランジスタとが半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、開口と遮蔽部とを有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程とを有し、前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を第1方向から見た場合に、隣接する前記蓄積領域の間に位置する分離領域を前記開口から露出し、前記半導体基板を前記第1方向とは異なる方向から見た場合に、前記1つ以上のMOSトランジスタのチャネル領域を前記開口から露出するとともに、前記分離領域を前記遮蔽部により遮り、前記注入工程では、前記第1方向に沿って照射されたイオンが前記分離領域に注入され、前記異なる方向に沿って照射されたイオンが前記1つ以上のMOSトランジスタのチャネル領域に注入されることを特徴とする製造方法。前記異なる方向は前記第1方向よりも前記半導体基板の表面の法線に対する角度が大きいことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記注入工程では、前記分離領域に注入されたイオンが、前記1つ以上のMOSトランジスタのチャネル領域に注入されたイオンよりも、前記半導体基板の表面からの位置が深くなるようにイオンを照射することを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。前記蓄積領域は第1導電型であり、前記異なる方向に沿って照射されたイオンは、第1導電型の半導体領域を形成するためのイオンであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の製造方法。前記1つ以上のMOSトランジスタは第1MOSトランジスタと第2MOSトランジスタとを含み、前記異なる方向は互いに異なる第2方向及び第3方向を含み、前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を前記第2方向から見た場合に、前記第1MOSトランジスタのチャネル領域を前記開口から露出し、前記半導体基板を前記第3方向から見た場合に、前記第2MOSトランジスタのチャネル領域を前記開口から露出するとともに、前記第1MOSトランジスタのチャネル領域を前記遮蔽部により遮り、前記注入工程では、前記第2方向に沿って照射されたイオンが前記第1MOSトランジスタのチャネル領域に注入され前記第3方向に沿って照射されたイオンが前記第2MOSトランジスタのチャネル領域に注入されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の製造方法。前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を前記第2方向から見た場合に、前記第2MOSトランジスタのチャネル領域を前記遮蔽部により遮ることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を前記第1方向から見た場合に、前記蓄積領域の中央部分を前記開口から露出し、前記半導体基板を前記異なる方向から見た場合に、前記中央部分を前記遮蔽部により遮り、前記注入工程では、前記第1方向に沿って照射されたイオンが前記中央部分に注入されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の製造方法。電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、MOSトランジスタとが半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、前記MOSトランジスタのチャネル領域を含む第1領域と、前記第1領域と異なる領域で、隣接する前記蓄積領域の間に位置する分離領域を含む第2領域と、を露出させる開口を有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程と、を有し、前記注入工程は、第1の角度で、少なくとも前記第1領域にイオンを注入する工程と、前記第1の角度とは異なる第2の角度で、前記第2領域のみにイオンを注入する工程と、を有することを特徴とする製造方法。特許文献1のように、半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するためには、その条件ごとにレジストパターン形成工程とイオン注入工程とを繰り返す必要がある。それにより、製造工数が増加し、それに応じて製造コスト製造時間も増大する。そこで、本発明は半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供することを目的とする。上記課題に鑑みて、本発明の1つの側面は、電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、1つ以上のMOSトランジスタとが半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、開口と遮蔽部とを有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程とを有し、前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を第1方向から見た場合に、隣接する前記蓄積領域の間に位置する分離領域を前記開口から露出し、前記半導体基板を前記第1方向とは異なる方向から見た場合に、前記1つ以上のMOSトランジスタのチャネル領域を前記開口から露出するとともに、前記分離領域を前記遮蔽部により遮り、前記注入工程では、前記第1方向に沿って照射されたイオンが前記分離領域に注入され、前記異なる方向に沿って照射されたイオンが前記1つ以上のMOSトランジスタのチャネル領域に注入されることを特徴とする製造方法を提供する。上記手段により、半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術が提供される。添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。本発明は一般にMOSトランジスタと、素子間を分離する不純物拡散層とを有する半導体装置に対して適用可能であり、以下ではこのような半導体装置の一例としてCMOS型の固体撮像装置を扱う。図1は本発明の様々な実施形態に係る製造方法によって製造される固体撮像装置100の構成の一例を説明するレイアウト図である。図1aは固体撮像装置100の平面図を示し、図1bおよび図1cはそれぞれ図1aのA-A’線およびB-B’線における断面図を示す。図2から図8においても同様にaが平面図を示し、bおよびcがそれぞれ各平面図におけるA-A’線およびB-B’線における断面図を示す。固体撮像装置100は、複数の画素が二次元状アレイ状に配置された画素アレイ、該画素アレイにおける行を選択する行選択回路、該画素アレイにおける列を選択する列選択回路、列信号線を介して該画素アレイから信号を読み出す読み出し回路を含みうる。画素アレイ、行選択回路、列選択回路および読み出し回路は、半導体基板101に形成される。典型的には、読み出し回路は、該画素アレイにおける該行選択回路によって選択された行の画素の信号を読み出し、該列選択回路は、該読み出し回路によって読み出された1行分の画素の信号の中から外部に出力すべき信号を選択する。固体撮像装置100の各画素は同様の構成を有しうるので、図1では1つの画素PXLとその周辺の画素の一部分とを示し、画素PXLについて説明する。図1では説明のために画素の境界を点線で示す。場合によっては、この点線が直線でない場合も有り得る。半導体基板101は、例えば半導体領域102とその上に配置されたウェル領域103不純物半導体領域ともいうとを含みうる。半導体領域102は、第1導電型のシリコン基板でありうる。ウェル領域103は、第1導電型でありうる。ウェル領域103の中には、第1導電型の蓄積領域104が形成されうる。半導体基板101の表面ウェル領域103の表面には酸化膜等の絶縁膜107が形成され、該絶縁膜107の上には転送ゲート106が形成されている。ここで、第1導電型がN型であり第2導電型がP型である場合は蓄積領域104には電子が蓄積され、第1導電型がP型であり第2導電型がN型である場合は蓄積領域104には正孔が蓄積される。以下では説明のために第1導電型がN型であり、第2導電型がP型である場合を扱うが、その逆でも本発明は成り立つ。画素PXLは蓄積領域104、電荷電圧変換部105フローティングディフュージョンおよび転送ゲート106を有する。光電変換素子は少なくとも蓄積領域104とウェル領域103とによって形成され、固体撮像装置100への入射光によって光電変換素子で発生した電荷は、当該光電変換素子の蓄積領域104に蓄積される。転送ゲート106は、MOSトランジスタのゲートとして機能する。行選択回路から転送ゲート106にアクティブレベルの電圧が供給されることによって転送ゲート106の下にMOSトランジスタのチャネルが形成され、蓄積領域104に蓄積された電荷がこのチャネルを通して電荷電圧変換部105に転送される。このチャネルが出来る領域を含み、ゲートの下にあり、ソースとドレインとの間にある領域をチャネル領域と称する。画素PXLは電荷電圧変換部105の電圧をリセットするリセットスイッチや、電荷電圧変換部105の電圧に応じた信号を列信号線に出力する増幅部や、画素を選択するための選択スイッチ等として機能する1つ以上のMOSトランジスタを含みうる。その他のMOSトランジスタとして、光電変換素子の電荷と隣接する光電変換素子の電荷とを加算するためのスイッチ等も挙げられる。これらのMOSトランジスタのうちの1つをMOSトランジスタT1第1MOSトランジスタとよび、別のものをMOSトランジスタT2第2MOSトランジスタとよぶ。MOSトランジスタT1、T2は何れの機能を有するトランジスタであってもよい。本実施形態では、MOSトランジスタT1、T2のいずれもN型である場合を扱うが、少なくとも一方がP型であってもよい。MOSトランジスタT1は、半導体基板101内のウェル領域103のアクティブ領域に形成されたソースT1s、ドレインT1dと、ソースT1sおよびドレインT1dの間のチャネル領域に形成されたイオン導入層注入層T1iとを有しうる。MOSトランジスタT1はさらにチャネル領域を覆うように半導体基板101の絶縁膜107の上に形成されたゲートT1gを有しうる。MOSトランジスタT2もMOSトランジスタT1と同様に、ソースT2s、ドレインT2d、イオン導入層注入層T2iおよびゲートT2gを有しうる。固体撮像装置100はさらに、トランジスタT1、T2の下にP型の不純物拡散層112を有しうる。固体撮像装置100では各画素が電荷電圧変換部105とMOSトランジスタT1、T2とを有しているが、複数の画素が電荷電圧変換部105とMOSトランジスタT1、T2とを共有してもよい。また、固体撮像装置100は電荷電圧変換部105やMOSトランジスタT1、T2に接続される配線層を有しうるが、配線層は周知の構成と同じであってもよいため、説明および図示を省略する。固体撮像装置100はまた、半導体基板101の表面に形成された絶縁膜107と蓄積領域104との間に形成されたP型の拡散層108を有する。固体撮像装置100はさらに、MOSトランジスタT1、T2を他の素子から分離するための酸化膜等の絶縁膜109、および絶縁膜109の直下に配置されたチャネルストップとして機能するP型の半導体層111を有しうる。固体撮像装置100はさらに、隣接する画素の光電変換素子を分離するP型の不純物拡散層110を有しうる。不純物拡散層110は隣接する画素の光電変換素子の間に配置され、特にこれらの画素の蓄積領域104の間に配置されうる。説明のために、各図に示すような座標系CSを設定する。この座標系CSでは、XY平面が半導体基板101の表面に平行であり、Z軸が半導体基板101の表面の法線に平行である。本実施形態では、X方向に隣接した2つの画素の蓄積領域104の間に電荷電圧変換部105やMOSトランジスタT1、T2が形成され、Y方向に隣接した2つの画素の蓄積領域104の間には他の素子が形成されずに不純物拡散層110が形成される。以下の説明において、半導体領域の形成される範囲を図面に示しているが、あくまで模式的なものである。続いて、図2から図4を用いて図1に示した固体撮像装置100の製造方法の第1実施形態を説明する。まず、図2に示される半導体基板101を準備する。この半導体基板101には、ウェル領域103、電荷電圧変換部105、絶縁膜107、109、半導体層111、拡散層108、ソースT1s、T2s、ドレインT1d、T2dが形成されている。また、半導体基板101の上に転送ゲート106およびゲートT1g、T2gが形成されている。以下の各実施形態における製造方法では、説明を簡単にするため、転送ゲート106およびゲートT1g、T2gは不図示である。このような半導体基板101を形成する方法は周知の技術を用いればよいため、その説明を省略する。次に、半導体基板101の上にフォトリソグラフィー工程によってレジストパターンRPを形成する。レジストパターンRPは図2に示すような開口OPと遮蔽部SDとを有する。本実施形態では、レジストパターンRPは、Z軸方向から半導体基板101を見た場合に、遮蔽部SDによって蓄積領域104と電荷電圧変換部105とを覆う。また、レジストパターンRPは、Z軸方向から半導体基板101を見た場合に、MOSトランジスタT1、T2のチャネル領域ソースとドレインとの間の領域と、隣接する蓄積領域104の間の領域以下、蓄積領域分離領域とよぶとを開口OPから露出する。続いて、図3に示すように、Z軸に平行な方向DR1第1方向、すなわち半導体基板101の表面に直交する方向DR1に沿ってイオンを照射注入する工程を行う。つまり、イオン照射方向注入方向が方向DR1である。ここで、方向DR1は半導体基板の表面の法線に対して0度である。本明細書において、方向は座標系CSにおける空間ベクトルによって規定される。レジストパターンRPは、方向DR1から半導体基板101を見た場合に、蓄積領域104および電荷電圧変換部105を遮蔽部SDによって遮り、蓄積領域分離領域およびMOSトランジスタT1、T2が形成される領域を開口OPから露出する。そのため、レジストパターンRPの開口OPを通過したイオンは、半導体基板101の表面のうち、図3aの斜線部301で示す部分に到達し、半導体基板101内に注入される。ここで注入されるイオンは例えばホウ素やインジウムなどのP型半導体領域を形成するためのイオンである。蓄積領域分離領域に注入されたイオンは半導体基板101内にP型の不純物拡散層110を形成する。また、MOSトランジスタT1、T2が形成される領域に注入されたイオンはこれらのトランジスタのソースT1s、T2sおよびドレインT1d、T2dの下にP型の不純物拡散層112を形成する。続いて、図4に示すように、YZ平面に平行で、Z軸から傾いた方向DR2第2方向に沿ってイオンを照射注入する工程を行う。つまり、イオン照射方向注入方向が方向DR2である。ここで、方向DR2は半導体基板の表面の法線NLに対して角度θを有する。これにより、レジストパターンRPの開口OPを通過したイオンが、半導体基板101の表面のうち、図4aの斜線部401で示す部分に到達し、半導体基板101内に注入される。MOSトランジスタT1、T2の閾値電圧を上昇したい場合にはボロンなどのドナーイオンを注入し、この閾値電圧を低下したい場合には砒素や燐などのアクセプタイオンを注入する。レジストパターンRPは、方向DR2から半導体基板101を見た場合に、蓄積領域104、電荷電圧変換部105および蓄積領域分離領域を遮蔽部SDによって遮り、MOSトランジスタT1、T2が形成される領域を開口OPから露出する。そのため、MOSトランジスタT1、T2が形成される領域に注入されたイオンはこれらのトランジスタのチャネル領域にイオン導入層T1i、T2iを形成する。一方で、蓄積領域分離領域へ向けて照射されたイオンはレジストパターンRPの遮蔽部SDに遮蔽されて、半導体基板101に到達しない。レジストパターンRPは半導体基板に垂直な側面を有しているので、この遮蔽される領域の一辺をDSDとすると、レジストパターンRPの厚さDRPとイオン注入方向の角度θから、DSD=tanθ×DRPの関係がある。ここで、所望のDSDを有するために、レジストパターンの厚さDRPやイオン注入方向の角度θを設定できる。このように、方向DR2から半導体基板101を見た場合に、隣接する蓄積領域104を分離する領域はレジストパターンRPの遮蔽部SDの陰になるため、この領域にはMOSトランジスタT1、T2の閾値電圧を調整するためのイオンが導入されない。そのため、このイオンによる蓄積領域104を分離する不純物拡散層110の分離特性がこのイオンにより低下すること、または蓄積領域104の特性がこのイオンにより低下することを防止できる。また、MOSトランジスタT1、T2の下には不純物拡散層112が形成されるが、不純物拡散層112はイオン導入層T1i、T2iよりも深くに位置し、ウェル領域103よりも高濃度である。この不純物拡散層112は、N型のウェル領域103に配置されるN型のMOSトランジスタT1、T2を動作させるためのポテンシャルバリアとして機能可能である。なお、転送ゲート106は、これらイオン注入工程照射工程が終了した後に形成することも可能である。以上の工程を経て、図1の固体撮像装置100が製造される。本実施形態のCMOS型の固体撮像装置においては、増幅部のMOSトランジスタの閾値は信号のダイナミックレンジやノイズに大きな影響を与えるため、増幅部のMOSトランジスタにイオン導入層を形成することが好ましい。本実施形態では、MOSトランジスタT1を増幅部のMOSトランジスタとし、N型の半導体領域を形成するためのイオンを注入してN型のイオン導入層T1iを形成する。増幅部のMOSトランジスタT1をノイズが低減可能な埋め込みチャネル型のMOSトランジスタとして形成するためである。また、MOSトランジスタT2をリセットスイッチとし、N型の半導体領域を形成するためのイオンをN型のイオン導入層T2iを形成する。ここでは、リセットスイッチの閾値の設定に合わせて、N型あるいはP型のイオン導入層T2iを形成できる。上記の実施形態では、2つのイオン注入工程で共通のレジストパターンRPを使用することにより、レジストパターンの形成工程および剥離工程を低減でき、固体撮像装置100を安価かつ短時間で製造できる。上記の例では方向DR2が方向DR1よりも半導体基板101の表面の法線に対する角度が大きい場合を扱った。しかし、イオンを照射する方向を調整することによって、これらの角度を等しくしてもよいし、大小関係を逆にしてもよい。例えば、図3で説明した不純物拡散層110を形成するためのイオンを、XZ平面に平行で、Z軸から傾いた方向に沿って注入してもよい。この方向から半導体基板101を見た場合に、レジストパターンRPは、蓄積領域104、電荷電圧変換部105およびMOSトランジスタT1、T2が形成される領域を遮蔽部SDによって遮る。また、この方向から半導体基板101を見た場合に、レジストパターンRPは、蓄積領域分離領域を開口OPから露出する。そのため、不純物拡散層110は形成されるが、MOSトランジスタT1、T2の下にある不純物拡散層112は形成されない。続いて、図5を用いて図1に示した固体撮像装置100の製造方法の第2実施形態を説明する。第2実施形態では、図4を用いて説明したイオン注入工程までは第1実施形態と同様であり、その後にYZ平面に平行で、Z軸から傾いた方向DR3第3方向からイオンを注入する工程をさらに行う。方向DR2と方向DR3とは互いに異なる。本実施例では、半導体基板101の表面の法線と方向DR3との成す角は、半導体基板101の表面の法線と方向DR2との成す角よりも大きい。ここで表面の法線と方向が成す角とは、当該法線と、方向に沿った直線とがなす角度90度以下をいう。第1実施形態におけるイオン注入方向の角度θを用いると、第3方向の角度θ3は第2方向の角度θと、θ<θ3となる。そのため、レジストパターンRPは、方向DR3から半導体基板101を見た場合に、蓄積領域104、電荷電圧変換部105、蓄積領域分離領域およびMOSトランジスタT1が形成される領域を遮蔽部SDによって遮る。また、レジストパターンRPは、方向DR3から半導体基板101を見た場合に、MOSトランジスタT2が形成される領域を開口OPから露出する。これにより、レジストパターンRPの開口OPを通過したイオンが、半導体基板101の表面のうち、図5aの斜線部501で示す部分に到達し、半導体基板101内に導入される。このイオンにより、MOSトランジスタT1のイオン導入層T1iの濃度は更に高くなる。しかし、MOSトランジスタT2のイオン導入層T2iには方向DR3から注入されたイオンは到達しないので、イオン導入層T2iの濃度は変わらない。また、蓄積領域分離領域に向けて照射されたイオンはレジストパターンRPの遮蔽部SDに遮蔽されて、半導体基板101に到達しない。MOSトランジスタT1にはイオン導入層T1iを形成する必要があるが、MOSトランジスタT2にはイオン導入層T2iを形成する必要がない場合には、図5に示すイオン注入工程を行い、図4に示すイオン注入工程を省略すればよい。第2実施形態では、複数のMOSトランジスタの閾値電圧が異なるようにできるため、第1実施形態の利点に加えて、固体撮像装置100の性能を向上できる。続いて、図6および図7を用いて図1に示した固体撮像装置100の製造方法の第3実施形態を説明する。第3実施形態では、図3を用いて説明したイオン注入工程までは第1実施形態と同様である。その後に図6に示されるようなYZ平面に平行で、Z軸から傾いた方向DR4に沿ってイオンを注入する工程と、図7に示されるようなZ軸から傾いた方向DR5に沿ってイオンを注入する工程とをさらに行う。本実施例では、方向DR4第2方向と方向DR5第3方向とは半導体基板101との成す角が同じであり、XZ平面に関して面対称である。図6に示すように、レジストパターンRPは、方向DR4から半導体基板101を見た場合に、蓄積領域104、電荷電圧変換部105、蓄積領域分離領域およびMOSトランジスタT1が形成される領域を遮蔽部SDによって遮る。また、レジストパターンRPは、方向DR4から半導体基板101を見た場合に、MOSトランジスタT2が形成される領域を開口OPから露出する。そのため、方向DR4から照射され、レジストパターンRPの開口OPを通過したイオンは、半導体基板101の表面のうち、図6aの斜線部601で示す部分に到達し、半導体基板101内に注入される。このイオンにより、MOSトランジスタT1のチャネル領域にイオン導入層T1iが形成される。しかし、MOSトランジスタT2のチャネル領域には方向DR4から注入されたイオンは到達しないので、この工程ではイオン導入層T2iは形成されない。図7に示すように、レジストパターンRPは、方向DR4から半導体基板101を見た場合に、蓄積領域104、電荷電圧変換部105、蓄積領域分離領域およびMOSトランジスタT2が形成される領域を遮蔽部SDによって遮る。また、レジストパターンRPは、方向DR4から半導体基板101を見た場合に、MOSトランジスタT1が形成される領域を開口OPから露出する。そのため、方向DR5から照射され、レジストパターンRPの開口OPを通過したイオンは、半導体基板101の表面のうち、図7aの斜線部701で示す部分に到達し、半導体基板101内に注入される。このイオンにより、MOSトランジスタT2のチャネル領域にイオン導入層T2iが形成される。しかし、MOSトランジスタT1のチャネル領域には方向DR4から注入されたイオンは到達しないので、この工程ではイオン導入層T1iの濃度は変わらない。また、図6および図7のイオン注入工程の両方において、隣接する画素の蓄積領域104の間を露出する開口OPから注入されたイオンはレジストパターンRPの遮蔽部SDに遮蔽されて、半導体基板101に到達しない。また、MOSトランジスタT1、T2のうちの一方のみにイオン導入層を形成する場合には、図6のイオン注入工程と図7のイオン注入工程のどちらか一方を実施すればよい。第3実施形態では、複数のMOSトランジスタの閾値電圧を独立して制御できるため、第1実施形態および第2実施形態の利点に加えて、MOSトランジスタの閾値電圧の調整の自由度が高まる。例えば、それぞれのMOSトランジスタの閾値電圧を調整するために異なるイオン種を用いることもできる。続いて、図8を参照して上述の実施形態の変形例を説明する。第1実施形態に対して変形例を適用した場合を説明するが、第2実施形態や第3実施形態にも適用できる。この変形例では、レジストパターンRPの開口OPは蓄積領域104の中央部分をさらに露出する。これにより、図3のイオン注入工程において、蓄積領域104の中央部分にもP型の不純物拡散層110が形成される。これにより、N型の蓄積領域104に蓄積された電荷を電荷電圧変換部105に転送する転送効率が向上しうる。この内側の領域を開口する部分の開口OPの大きさは、図4のイオン注入工程においてイオンが到達しない程度に形成しうる。このため、蓄積領域104の内側に形成された不純物拡散層110はMOSトランジスタの閾値電圧を調整するためのイオンの影響を受けない。上述の実施形態では、画素の構成に限って説明してきたが、読み出し回路等の回路のトランジスタにも適用可能である。また、上述の実施形態では2つのMOSトランジスタの閾値電圧を調整する方法を説明してきたが、レジストパターンの厚さや開口の位置大きさ、イオンを導入する方向を調整することによって、3つ以上のMOSトランジスタの閾値電圧を調整することもできる。各実施形態は組み合わせ可能である。また、上記ではCOMS型固体撮像装置を例として説明したが、他の形態の固体撮像装置に適用可能である。また、例えばMOSトランジスタを有するメモリセルの信号保持部を分離する不純物拡散層と、該MOSトランジスタの閾値電圧を調整するイオン導入層とを有する記憶装置などの半導体装置にも適用可能である。また、各実施形態における複数のイオン注入工程は上述した順番後は異なる順番で実施されてもよいし、同時に実施されてもよい。同時に実施するためには、例えば、イオンを発生するイオン源、イオンを輸送するビームライン、イオンを加速する加速管を含むイオン注入機構を2系統有するイオン注入装置を準備すればよい。イオン注入工程は、熱処理工程を伴っていてもよい。本発明の半導体装置の製造方法によれば、少なくとも2つの領域を露出させる開口を有するレジストパターンを用い、異なる方向に沿って少なくとも2回のイオンを注入する工程を実施することで、2つの領域の半導体領域を作り分けることができる。