"基板の粗さを得る方法において、前記基板に形成されたパターンに関する設計情報を得る第1のステップと、前記設計情報を用いて、前記基板の表面粗さを得ることができる表面粗さ測定領域を得る第2のステップとを有することを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項1に記載の方法において、前記第2のステップでは、前記表面粗さ測定領域を前記設計情報から検索して得ることを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項1に記載の方法において、前記表面粗さ測定領域とは、前記設計情報の中の平坦な領域であることを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項1に記載の方法において、前記表面粗さ測定領域とは、前記設計情報の中の2つのチップ間に形成された領域であることを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項1に記載の方法において、前記第2のステップでは、前記基板の表面より下層に形成されたパターンの情報を使用して、前記表面粗さ測定領域を得ることを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項1に記載の方法において、さらに、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域へ光を照射する第3のステップと、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域からの光を検出する第4のステップと、前記第4のステップにて検出した検出信号を使用して、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域の粗さを得る第5のステップとを有することを特徴とする基板の粗さを得る方法。請求項6に記載の方法において、前記第5のステップでは、前記検出信号を前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域の粗さへ変換する関数を使用することを特徴とする基板の粗さを得る方法。基板の粗さを得るための装置において、前記基板に形成されたパターンに関する設計情報を得るための第1の手段と、前記設計情報を用いて、前記基板の表面粗さを得ることができる表面粗さ測定領域を得るための第2の手段とを有することを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項8に記載の装置において、前記第2の手段は、前記表面粗さ測定領域を前記設計情報から検索して得ることを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項8に記載の装置において、前記表面粗さ測定領域とは、前記設計情報の中の平坦な領域であることを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項8に記載の装置において、前記表面粗さ測定領域とは、前記設計情報の中の2つのチップ間に形成された領域であることを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項8に記載の装置において、前記第2の手段は、前記基板の表面より下層に形成されたパターンの情報を使用して、前記表面粗さ測定領域を得ることを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項8に記載の装置において、さらに、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域へ光を照射する照明光学系と、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域からの光を検出する検出光学系と、前記検出光学系にて検出した検出信号を使用して、前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域の粗さを得る第3の手段とを有することを特徴とする基板の粗さを得るための装置。請求項13に記載の装置において、前記第3の手段では、前記検出信号を前記基板の中の表面粗さ測定領域に該当する領域の粗さへ変換する関数を使用することを特徴とする基板の粗さを得るための装置。上記従来技術では、ウェハ加工途中の微細な凹凸のパターンを有するパターン付きウェハの表面粗さを測定することができない。つまり、パターン付きウェハに照明光レーザ光を入射すると、微細な凹凸のパターンから生じる散乱光がノイズとなるため、パターン無しウェハの表面粗さしか測定できなかった。また、ウェハを切断またはFIB集束イオンビーム加工して切り口を電子顕微鏡で観察する断面観察方法では、断面を観察するまでの準備に長時間を要する。さらに、切断やFIB加工が行なわれたウェハは製品にならないという問題がある。そして、AFM原子間力顕微鏡による観察では、パターン付きウェハの表面粗さを精度良く測定することができるが、スループットが非常に低く、測定に時間が掛かりすぎる問題がある。そこで本発明は、パターン付きウェハの表面粗さを高速、かつ高精度に自動測定することを課題とする。また、本発明を用いて測定したウェハの表面粗さ及びグレーンサイズ粒度などの測定データを用い、半導体デバイスのプロセス段階でのプロセス異常の早期発見を可能にし、歩留まりを向上することを課題とする。以上の問題を解決して、パターン付きウェハの表面粗さを測定するために、本発明の基板の粗さを得る方法は、基板に形成されたパターンに関する設計情報を得る第1のステップと、設計情報を用いて、基板の表面粗さを得ることができる表面粗さ測定領域を得る第2のステップとを有する。本発明によれば、パターン付きウェハの表面粗さを高速、かつ高精度に自動測定することができるという効果がある。また、本発明により測定されたウェハの表面粗さ及びグレーンサイズ粒度などの測定データを用い、SPC管理StatisticalProcessControl;統計的工程管理をすることにより、半導体デバイスのプロセス段階でのプロセス異常の早期発見が可能となり、迅速に異常を解析し、プロセスにフィードバックすることにより歩留まりを大幅に向上できる。本発明を、ウェハ表面の異物や欠陥を検査する光学式ウェハ表面検査装置に適用した例を以下に述べる。ここでは、パターン付きウェハの表面粗さの測定するために、パターン付きウェハに存在する表面粗さを測定可能な平坦領域を利用する。[第1実施形態]以下、本発明の一実施形態を図1ないし図8により説明する。本発明に係るシステムの一例を図1に示す。本システムは、光学式ウェハ表面検査装置110、データサーバ120及び設計情報サーバ130を含んで構成され、各装置はネットワーク140を介して接続される。ここで、光学式ウェハ表面検査装置110は、ウェハ表面に光を照射し、ウェハ上に当たり散乱した光の強度散乱光強度とその位置座標を取得する手段を有する。詳細は後述する。データサーバ120は、前記光学式ウェハ表面検査装置110から取得した測定データや、レビューSEMScanningElectronMicroscopeやCD-SEMCriticalDimension-ScanningElectronMicroscopeの測定データ、電気テスト装置のテストデータ、異物成分分析装置の分析データなど、従来からのウェハの検査装置を用いてウェハを測定した測定データを保存可能なコンピュータである。また、データサーバ120は検量線データベース121を有し、その検量線データベース121は、データサーバ120に保存されている測定データより作成される検量線を保存している。設計情報データベース130は、ウェハの設計情報を保存しておくデータベースであり、例えば、半導体デバイスを構成する機能ブロックのレイアウトデータフロアプランデータや、そのレイアウトの結果作成されるレイヤ素子の活性層や配線層などを形成するためのマスクデータ、半導体チップが有するパターンの形状、ウェハ上の半導体チップの位置、スクライブ領域の位置、TEGの位置等の情報を保存し、測定箇所の検索や、データサーバ120に保存されている従来からのウェハの検査装置を用いて測定した測定データとのリンケージを担うデータベースである。ネットワーク140は、例えばイーサネット登録商標による通信ネットワークである。図2に光学式ウェハ表面検査装置の概念を示す。光学式ウェハ表面検査装置110は、試料検査台210、照明光源220、散乱光検出部230、信号合成部240、全体制御部250、ステージ制御部260、情報表示部270、入力操作部280、記憶部290、通信部295から構成されている。試料検査台210は、ウェハ200などの試料を上に載せる試料ステージ211、回転軸212を中心に試料ステージ211を回転させる回転駆動部213、試料ステージ211を径方向に移動させるスライド駆動部214を備えている。ここで、回転駆動部213及びスライド駆動部214は、後述の全体制御部250の指令信号を受けた後述のステージ制御部260により、制御されている。照明光源220は、照射する光照明光221が試料ステージ211上のある一点スポットを照射するように設置されている。そのため、ステージ制御部260の制御により、試料検査台210の回転駆動部213が回転軸212を回転させつつ、スライド駆動部214が径方向に移動することで、試料ステージ211上のあらゆる場所をスポットとすることができ、照明光221を試料ステージ211上のウェハ200の特定の位置に照射することができる。そして、照明光221が照射されたウェハ200の特定の位置を、回転駆動部213の回転角度と、スライド駆動部214の径方向の移動距離により、ステージ制御部260にてXY座標化することができる。取得したXY座標のデータは全体制御部250を介して、記憶部290に保存される。ここで、照明光221には光の当たる面積をできるだけ小さくするために、レーザ光のような光の収束度が高い光が好ましい。散乱光検出部230は、光を検出する検出器231a~231dを有している。図2では、低角度位置に配設した検出器231a、231dと高角度位置に配設した検出器231b、231cの計4つの検出器を図示したが、検出器の数に限定はなく、各検出器231a~231dが、それぞれのスポットと検出器との方位角及び仰角のうち少なくとも一方が異なるように、2つ以上の検出器が配置されていればよい。各検出器231a~231dは、照明光源220から照明光レーザ光221がウェハ200の表面上に照射され、スポットで発生する散乱光をそれぞれ検出する。検出器231a~231dが出力する検出信号には、異物や欠陥の信号欠陥信号と表面粗さ信号Haze信号;ヘイズ信号が含まれる。また、散乱光検出部230において、各検出器231a~231dは、それぞれ増幅器232a~232dに接続し、次にA/D変換器233a~233dに接続している。これにより、各検出器231a~231dの検出信号は、増幅器232a~232dにて増幅され、A/D変換器233a~233dにてディジタル信号化される。信号合成部240は、ディジタル信号化された検出器231a~231dの検出信号を指定された演算条件に従って合成した合成信号を作る。信号合成部240で合成した合成信号のデータと、合成信号の基になったディジタル信号化された検出器231a~231dの検出信号のデータは、全体制御部250を介して記憶部290に保存される。全体制御部250は、光学式ウェハ表面検査装置全体の制御を行う。例えば、入力操作部280からの操作信号を受け、記憶部290に格納されているプログラムを実行して、操作信号に対応する処理を行い、ステージ制御部260が試料検査台210が有する回転駆動部213及びスライド駆動部214を制御するための指令信号を出力したり、信号合成部240でディジタル信号化された検出器231a~231dの検出信号を合成するための演算条件を変更する。また、全体制御部250は、信号合成部240で合成した合成信号のデータと、合成信号の基になったディジタル信号化された検出器231a~231dの検出信号のデータを記憶部290に記憶させたり、記憶部290に格納された処理プログラムを実行して、それらデータを加工し、情報表示部270に表示させる。入力操作部280は、ユーザが上記のように信号合成部240による検出信号の合成条件を入力したり、各装置の動作等を指示するためのものである。記憶部290は、各種制御演算処理に必要なプログラム定数、測定結果合成信号や検出信号、入力操作部280により設定された合成条件などを格納している。それぞれの検出器231a~231dの合成信号のデータ及び検出信号のデータは、ステージ制御部260から得られるウェハ上の散乱光の測定位置座標と共に記憶される。通信部295は、ネットワーク140に接続されており、全体制御部250は、通信部295を介して、データサーバ120や設計情報データベース130とデータの送受信を行う。図3は、本発明に係る光学式ウェハ表面検査装置を用いて、ウェハ表面のパターンのない領域を測定した際の散乱光強度分布図である。ウェハに照明光レーザ光を照射し、ウェハ表面から生じる散乱光を検出器により取得する。検出した散乱光を信号処理することにより、散乱光強度分布図141を作成し、異物成分と表面粗さ成分との分離を行う。例えば、図3に示すように、測定対象であるウェハの表面には、異物301a,301b、欠陥302、及び、平坦面上のある点310と、点310とは別の点がある。このウェハに照明光レーザ光を照射することで、平坦面上の点310で生じる散乱光から散乱光強度W310が得られる。同様に、異物301aから散乱光強度W301a、平坦面上の点311から散乱光強度W311、欠陥302から散乱光強度W302、異物301bから散乱光強度W301bを順に取得することができる。そして、測定したウェハの表面上の点の散乱光強度から、散乱光強度分布図141を作成することができる。ここで、図2に示す入力操作部280にて指定する閾値を用いて、異物成分と表面粗さ成分との分離を行う。例えば閾値をLとすることで、異物の散乱光強度W301a,W301b及び欠陥の散乱光強度W302は、異物成分とすることができる。異物成分を取り除いて残ったW310,W311などの全ての散乱光強度表面粗さ成分の散乱光強度から平均をとることにより、測定対象であるウェハの表面粗さの散乱光強度であるHaze値を得ることができる。ここで、異物成分とは、異物,欠陥などで生じる散乱光の散乱光強度が閾値L以上である散乱光強度のことをいう。次に図4~図8を用いて、光学式ウェハ表面検査装置でパターン付きウェハの表面粗さを測定する処理のフロー及び、その処理において用いられる情報の構成の例について説明する。図4は、パターン付きウェハの表面粗さを測定する処理のフローを示す図である。まず設計情報データベース130から、測定対象のパターン付きウェハ以下、パターン付き検査ウェハとするの設計情報を取得するステップS401。取得した設計情報から測定可能領域を検索して探し出すステップS402。測定可能領域の検索条件として、光学式ウェハ表面検査装置110を用いて測定するため、照明光であるビームスポット径が約10マイクロメートルのレーザ光を照射することで生じる散乱光から散乱光強度を測定することができる十分な大きさの面積50マイクロメートル×50マイクロメートル程度以上を有し、かつ、散乱光強度の測定に影響を及ぼすほどのノイズが発生しない程度に平坦である場所を有するウェハであることが条件である。図5にパターン付きウェハの測定可能領域の一例を示す。ウェハ200上には、ウェハ上には1000点以上のチップが存在する。あるチップ510は、パターン520,521,522を有する。パターン520,521,522以外の場所で、表面粗さを測定するために十分な大きさの面積50マイクロメートル×50マイクロメートル程度以上を有し、かつ、散乱光強度の測定に影響を及ぼすほどのノイズが発生しない程度に平坦である条件を満たす領域である、平坦領域530が測定可能領域となる。ここで、ウェハが複数のレイヤを有し、レイヤ間の膜の透明性が高く薄い場合、下のレイヤのパターンの形状などにより、散乱光強度の測定に影響を及ぼすほどのノイズが発生しやすい。その場合には、下のレイヤの設計情報も考慮して、測定可能領域を検索する必要がある。次に、検索により複数見つかった測定可能領域に対して、測定手順情報を作成するステップS403。これは、設計情報データベース130からの測定可能領域の位置情報及びレイヤ情報などから測定位置、測定範囲、フォーカスなどの測定手順情報を自動で作成することが可能である。そして、作成した測定手順情報に基づき、パターン付き検査ウェハの測定可能領域の散乱光強度を測定するステップS404。次に、パターン付き検査ウェハの測定可能領域にて測定した散乱光強度より散乱光強度分布図を作成するステップS405。そして、散乱光強度解析を行い、閾値を用いて異物成分と表面粗さ成分との分離を行い、表面粗さ成分のみを抽出するステップS406。パターン付き検査ウェハの平坦領域内にて測定した全ての測定点の表面粗さ成分の散乱光強度から平均をとることにより、測定対象であるパターン付き検査ウェハの表面粗さ成分の散乱光強度であるHaze値を取得するステップS407。次に、予め検量線データベース121に保存している検量線を取得するステップS408。この検量線の作成手順は後述するように、複数のウェハを測定し、取得したデータから作成されたもので、いわば検量線はウェハの標準値である。この検量線はHaze値を基に、表面粗さ算術平均粗さRa,二乗平均粗さRmsなどやグレーンサイズなどがある。次にステップS407にて取得したパターン付き検査ウェハのHaze値を、ステップS408にて取得した検量線に当てはめ、ステップS409、パターン付き検査ウェハの表面粗さ算術平均粗さRa,二乗平均粗さRmsなどやグレーンサイズなどを取得しステップS410、取得したデータを管理対象データに変換して、記憶部290に保存する。ステップS411。ここで、図6ないし図8を用いて検量線の作成手順と取得する検量線の例を示す。図6は検量線の作成手順を表したフロー図である。まず、適当なウェハ以下、標本ウェハと称するを取得する。ステップS601この標本ウェハは検量線を作成するためのデータ取得用のウェハであるため、様々な膜種例えば、Si,Poly-Si,Cuなどやレイヤで作られていてもよい。しかし、標本ウェハとして選ばれる条件があり、光学式ウェハ表面検査装置110を用いて測定するため、照明光であるビームスポット径が約10マイクロメートルのレーザ光を照射することで生じる散乱光から散乱光強度を測定することができる十分な大きさの面積50マイクロメートル×50マイクロメートル程度以上を有し、かつ、散乱光強度の測定に影響を及ぼすほどのノイズが発生しない程度に平坦である場所を有するウェハであることが条件である。次に、光学式ウェハ表面検査装置110を用いて、標本ウェハの平坦な場所の散乱光強度から標本ウェハのHaze値を測定するステップS602。次に、AFM原子間力顕微鏡等を用いて、標本ウェハの表面粗さ、グレーンサイズ粒度などを測定するステップS603。また、ステップS603の測定は、AFM原子間力顕微鏡を用いず、標本ウェハをFIB集束イオンビーム加工して、切り口を電子顕微鏡などで観察し測定する方法を用いて、標本ウェハの表面粗さ、グレーンサイズ粒度などを測定してもよい。次に、光学式ウェハ表面検査装置110を用いて取得した標本ウェハのHaze値と、AFM原子間力顕微鏡などで測定した標本ウェハの表面粗さ、グレーンサイズなどから、検量線を作成するステップS604。そして、作成した検量線を検量線データベース121に保存するステップS605。ここで保存される検量線の情報の形態はマップ、グラフ、テーブル、関数等でも構わないものとする。本実施形態では検量線を用いたが、なんらかの関係を有する情報Aと情報Bとの対応関係を示すことができればよく、それはマップ、グラフ、テーブル、関数等でも構わない。図7は検量線を表で示した一例であり、光学式ウェハ表面検査装置110により測定した標本ウェハのHaze値と、AFM原子間力顕微鏡などにより測定した、標本ウェハの表面粗さ算術平均粗さRa,二乗平均粗さRmsなどやSIMなどにより測定した標本ウェハのグレーンサイズ粒度などの関係を示している。粒径はEBSP法ElectronBack-ScatteringDiffraction;後方散乱電子回折法などにより明らかにし、Haze値との関係を検量線にする。そして、図7の一例では、表は異なる膜種例えば、Si,Poly-Siの検量線を有しているが、予め様々な他の膜例えばCu,Alなどとの関係を検量線として作成しておくことで、所望の膜種の表面粗さ測定が可能となる。図8は、図7の表の光学式ウェハ表面検査装置110により測定した標本ウェハのHaze値と、AFM原子間力顕微鏡などにより測定した、標本ウェハの表面粗さ二乗平均粗さRmsの関係を検量線で示している。図8に示すグラフを用い、図4のステップS409で行われるパターン付き検査ウェハのHaze値を、検量線に当てはめることで、パターン付き検査ウェハの表面粗さを示す二乗平均粗さRmsを取得できる。一例を挙げると、パターン付き検査ウェハのHaze値が40の場合、検量線より、パターン付き検査ウェハの表面粗さを示す二乗平均粗さRmsは0.16であることがわかる。ここで、全体制御部250は、図4のステップS410で記憶部290に保存した管理対象データを情報表示部270に出力することができる。情報表示部270に出力する際、管理対象データをGUIGraphicalUserInterface表示、テキスト表示、Hazeマップ、表面粗さマップなどに変換して表示することができる。また、その表示を記憶部290に保存することも可能である。ここで、Hazeマップとは、Haze値の大きさとパターン付き検査ウェハ上で測定した平坦領域の位置関係を示す等高線表示や3次元変換表示である。同じように表面粗さマップは、Haze値から検量線を用いて取得した表面粗さの大きさとパターン付き検査ウェハ上で測定した平坦領域の位置関係を示す等高線表示や3次元変換表示を示す。また、パターン付き検査ウェハを複数枚用意し、各パターン付き検査ウェハを測定し、Haze値や管理対象データステップS411にて変換したデータを取得し、その得たデータを基に、時系列プロットまたは管理図を作成し、SPC管理StatisticalProcessControl;統計的工程管理をすることにより成膜プロセスの異常検知が可能となる。表面粗さは半導体デバイス製作時の温度、湿度、加水などの様々な条件が複雑に集積された条件の影響を受ける。そのため、本発明を用いて、半導体デバイスのプロセス段階で早期にプロセス異常を検出し、即座に異常を解析し、プロセスにフィードバックすることにより歩留まりを大幅に向上できる。[第2実施形態]図4に示したパターン付きウェハの表面粗さを測定する処理のフローで説明した測定可能領域を検索する方法は、設計情報データベース130からチップ上の平坦領域203を検索する例であったが、近年の半導体デバイスは非常に複雑化しており、光学式ウェハ表面検査装置において表面粗さが測定できる平坦領域203測定可能領域がチップ内に必ずしも存在するとは限らない。測定可能領域がチップ内に存在しない場合にも、表面粗さの測定ができる第2実施形態を、図9を用いて説明する。図9は第1実施形態にて測定対象である平坦領域の代わりにスクライブ領域を用いる第2実施形態である。ウェハ200には多数の半導体チップ910が形成される。これら半導体チップと半導体チップとの間にはスクライブ領域920が設けられ、この領域で切断されて半導体チップ910が完成する。通常、このスクライブ領域920にTEGTestElementGroup;テストエレメントグループ930が設計される。このTEG930は、切断されて半導体チップとなってからでは評価することができない、半導体製品の開発段階で特定の要素を評価するために作られた、その特定の要素を含むテスト用の処理が施されたテスト領域テストパターンのことである。半導体製品の微細化、高集積化により、実製品では内部の素子の特性や信頼性を個別に評価することは不可能になったため、各設計段階での評価目的に適合したTEG930を個別に設計することで、各要素を効率よく高精度に評価することができ、半導体製造プロセスの最適条件の確立、プロセス制御等にフィードバックすることもできる。そのTEG930のひとつに膜圧測定テスト領域があり、本発明の実施形態の一つは当該膜圧測定テスト領域にてウェハの表面粗さを測定することも可能である。膜圧測定テスト領域であるTEG930は半導体デバイスの材料と同じであり、膜圧も半導体デバイスとほぼ等しい。そして、光学式ウェハ表面検査装置110を用いて測定するため、照明光であるビームスポット径が約10マイクロメートルのレーザ光を照射することで生じる散乱光から散乱光強度を測定することができる十分な大きさの面積50マイクロメートル×50マイクロメートル程度以上を有し、かつ、散乱光強度の測定に影響を及ぼすほどのノイズが発生しない程度に平坦であるTEG930を用いることでウェハの表面粗さを測定可能である。本実施形態では好適な例としてTEGのひとつである膜圧測定テスト領域を示したが、前記条件を満たす領域を兼ね備えていれば、他のTEGやスクライブ領域でも測定可能である。本実施形態を用いれば、ウェハ上のチップ内に表面粗さを測定するために十分な大きさの面積を有する平坦領域が存在しなくても、ウェハ上のスクライブ領域を測定することでウェハの表面粗さを測定することが可能である。表面粗さ測定に使用するテスト領域の位置も、設計情報データベース130に保存されており、TEG930の位置情報などから容易に測定手順情報を自動作成し、表面粗さを測定できる。また、パターンなしのウェハにおいては、ウェハ表面を全面測定することにより精度のよいHazeマップを作成できるが、Hazeマップは通常、ウェハ当たり20点程度の測定点があれば作成できる。実際のウェハ上には1000点以上のチップが存在するため、1000点以上のスクライブ領域が存在することになる。このため、本発明を用いれば、パターン付きウェハにおいても精度のよいHazeマップを高速に作成することが可能である。[第3実施形態]次に第3の実施形態について説明する。図1に示す第1実施形態のシステム構成である、光学式ウェハ表面検査装置110、データサーバ120、設計情報データベース130に、さらに図10のように、ネットワーク140に、レビューSEM150、CD-SEM160、異物成分分析装置170、AFM原子間力顕微鏡180、電気テスト装置190を接続するシステム構成である。レビューSEM150は、走査型電子顕微鏡を用いて、ウェハ上の欠陥の観察や分類を行う装置である。一般的に光学式の欠陥検査装置で異物の有無や位置を調べ、その情報を基にレビューSEMで異物を観察,分類するために用いる。CD-SEM160は、チップ内のパターン幅の自動測定を行う装置である。異物成分分析装置170は、異物成分を分析する装置であり、例えばEDXエネルギー分散型X線分析装置である。AFM180は、プローブの先端がウェハ表面から受ける原子間力を測定し、ウェハの表面状態凹凸の様子として観察する装置である。電気テスト装置190は、チップに信号波形を与え、その時、チップから出てくる出力波形と予め電気テスト装置190にて記憶されている正常な波形との比較を行う装置である。ここで、光学式ウェハ表面検査装置110が有する信号合成部240が出力するデータである、信号合成部240で合成した合成信号のデータと、合成信号の基になったディジタル信号化された検出器231a~231dの検出信号のデータは、ネットワーク140を介して、レビューSEM150やCD-SEM160や他の装置に、出力可能な構成としてもよい。ここで第3実施形態のシステムの動作について説明する。第1実施形態で示したシステムにより、ウェハの表面粗さの測定が行われ、Haze値を取得し、そのHaze値から、ウェハの表面粗さ算術平均粗さRa,二乗平均粗さRmsなどやグレーンサイズなどを取得し、取得したデータを管理対象データに変換して、記憶部290に保存する。作成した散乱光強度分布図から、散乱光強度解析を行うことにより、異物成分も取得することができる。例えば異物の位置座標情報や異物の大きさ情報に対し、選択された異物の情報を付加してデータサーバ120にネットワーク140を介して送信する。ここで、選択された異物の情報の付加方法としては、例えば、前記検査結果に対策の要否のフラグを付加してやればよい。そして、光学式ウェハ表面検査装置110で検出された異物をさらに詳しく調べるために、被検査物をレビューSEM150、あるいはCD-SEM160に移動させる。この移動は、手搬送でもよいし、機械搬送でもかまわない。被検査物をレビューSEM150、あるいはCD-SEM160に移動させた後、レビューSEM150、あるいはCD-SEM160からデータサーバ120にアクセスし、ネットワーク140を介してデータサーバ120から検査結果を受信する。そして、この検査結果を用いてレビューあるいは測長を開始する。レビューあるいは測長の際に、設計情報データベース130にアクセスし、設計情報から検査位置の検索及び位置情報のマッチング等を行い、位置情報を正確かつ高速に割り出し、効率よくレビューあるいは測長を実施することが可能である。このとき、光学式ウェハ表面検査装置110により付加された情報を用いて、対策が必要な異物を優先的にレビューすることにより、不良原因となる異物の解析を迅速に行うことが可能となる。また、同様に、異物成分分析装置170においても光学式ウェハ表面検査装置110により付加された情報により、対策が必要な異物を優先的に分析することができ、不良原因の解析を迅速に進めることができる。これらのレビューデータや解析結果はデータサーバ120に保存しておき、電気テスト装置190でのテスト結果と突き合わせることにより、最終的に不良になるか否かを確認することができる。もし、最終的に不良とならない場合には、データサーバ120から光学式ウェハ表面検査装置110に対して対策が必要な異物を選択する基準を変更するデータを送信し、光学式ウェハ表面検査装置110の対策要否の基準を変更することによって対策が必要な異物を、より高精度に選択することが可能となり、半導体製造における不良対策をより迅速に行うことが可能となる。なお、以上の説明はネットワークを介してデータの送受信を行うことを例にとって説明したが、必ずしもネットワークを介して行う必要はなく、例えば、取り外し可能な記憶媒体やプリントアウトされた紙によるデータの受け渡しを行ってもよい。"