第1主面に少なくとも第1電極および制御電極が形成されかつ第2主面に第2電極が形成されたスイッチング素子が少なくとも1つ配置される配線シート付き配線体であって、前記第1電極に接続される接続部を有した導電体と、前記第1電極に前記導電体を介して接続される電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備え、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は、前記接続部を有する本体部と、前記本体部から延長して設けられた延長部とを備え、前記配線シートは、前記延長部に配置され、前記延長部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材を備え、前記配線シートは、前記介在部材に配置され、前記介在部材は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子は、前記導電体に接続する端子本体部と、前記端子本体部から延長して設けられた支持部とを備え、前記配線シートは、前記支持部に配置され、前記支持部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1~4のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体の前記接続部と前記配線シートの前記制御端子とは、前記スイッチング素子の前記第1主面における前記第1電極と前記制御電極との配置関係に対応するように、配置されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1~5のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は応力を緩和する緩衝材により形成されていることを特徴とする配線シート付き配線体。請求項1~6のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体を含む半導体装置。第1主面に少なくとも第1電極および制御電極が形成されかつ第2主面に第2電極が形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記第1電極に接続される接続部を有する導電体と、前記導電体に接続される第1電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子を有する配線シートと、前記第2主面に接続される第2電極端子と、前記第1電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材とを備える半導体装置の製造方法であって、前記配線シートの前記制御端子が形成されている面である端子形成面の反対側の面に前記介在部材を貼り付ける工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体とを固定治具に配置する工程と、前記固定治具に配置された前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体に前記第1電極端子を配置し、前記介在部材と前記導電体と前記第1電極端子とを半田で接続する工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記制御電極とが接触しかつ前記導電体の前記接続部と前記第1電極とが接触するように前記スイッチング素子を前記配線シートおよび前記導電体に配置し、前記制御端子と前記制御電極とを半田で接続しかつ前記接続部と前記第1電極とを半田で接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。ところで、スイッチング素子の高耐圧化により従来よりもスイッチング素子が小型化する傾向にある。このため、スイッチング素子の各電極の面積が従来のIGBTに比べて小さい。例えば、SiCを用いたMOSFETは、ソース電極の面積およびゲート電極の面積は従来のSi系IGBTの電極よりも小さい。また、Si系のスイッチング素子でも深溝トレンチ方式等により高耐圧化および小型化する傾向にあり、これに伴って各電極が小さくなっている。電極面積が小さくなると次の問題が生じる。この点について図8を参照して説明する。図8に示す半導体装置では、ゲート電極820は絶縁基板900の電極920を介してリード930に接続され、エミッタ電極810は絶縁基板900の電極910を介してリードに接続されている。コレクタ電極830は導電体940を介してリード950に接続されている。スイッチング素子800の小型化からエミッタ電極810とゲート電極820制御電極との間の間隔daが短くなるため、エミッタ電極810に接続される電極配線体とゲート電極820に接続される電極配線体との間の間隔を小さくする必要がある。ところが、特許文献1の技術では両電極両配線体の間隔を小さくすることは難しい。これは次の理由による。図8に示す半導体装置では、エミッタ電極810に接続される電極910およびゲート電極820に接続される電極920として、絶縁基板900に形成された電極を用いる。これらの電極はエッチング加工により形成されるため、両電極の間隔dxを電極の厚さhよりも小さくすることが難しい。また、エミッタ電極810に大電流が流れるため電極を厚くする必要がある。このため、両電極の間隔dxは、エミッタ電極810に接続される電極910の厚さhに制限される。このような理由により、スイッチング素子の小型化にともなう電極間配線体間の要求距離を、特許文献1の技術で実現することは難しい。すなわち、従来技術のパッケージ構造では、小型のスイッチング素子を搭載することが困難である。一方、スイッチング素子の各電極と配線構造体の各配線体との接続をワイヤボンディングにより接続することも考えられる。しかし、このような接続構造の場合、次の課題がある。すなわち、ワイヤボンディングに使用するワイヤは、アルミニウムを材料とし、最大径はワイヤボンディングに必要な柔軟性を得るため、細径ワイヤが採用される。スイッチング素子の小型化に伴い、スイッチング素子の電流密度が高くなり、当然に、ワイヤボンディングのワイヤも高電流密度化する。その結果、該ワイヤが電流により溶断されるおそれがある。本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ワイヤ接続によらず、小型のスイッチング素子の実装することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供することにある。1請求項1に記載の発明は、第1主面に少なくとも第1電極および制御電極が形成されかつ第2主面に第2電極が形成されたスイッチング素子が少なくとも1つ配置される配線シート付き配線体であって、前記第1電極に接続される接続部を有した導電体と、前記第1電極に前記導電体を介して接続される電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備え、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されていることを要旨とする。大電流が流れる電極と小電流が流れる制御電極とが同一面に存在するスイッチング素子の小型化にともなって、配線構造体には次の事項が要求されている。すなわち、大電流用の電極と小電流用の電極との間の絶縁を確保し、両者の間隔を小さくすることが要求される。しかし、従来の配線体構造、すなわち絶縁基板上に電極を形成する構造の場合、配線構造の加工上の制限すなわち電極厚さによる両電極間隔が制限されるため、上記要求を満たすことが難しい。本発明では、スイッチング素子の第1電極に接続する電極と、スイッチング素子の制御電極に接続する電極とを別部品として構成する。すなわち、配線シート付き配線体は、スイッチング素子の第1電極に接続される接続部を有した導電体と、スイッチング素子の制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備える。接続部と制御端子との間の間隔は、配線シートの加工精度による。配線シートの加工精度は、接続部と制御端子との間の間隔を、小型のスイッチング素子の第1電極と制御電極との間の間隔と同等にすることが可能な程度に高い。このため、従来に比べて小型のスイッチング素子を実装することができる。2請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は、前記接続部を有する本体部と、前記本体部から延長して設けられた延長部とを備え、前記配線シートは、前記延長部に配置され、前記延長部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。この発明では、接続部が設けられている導電体に配線シートを配置する。このため、配線シートの制御端子と導電体の接続部とが同一平面に配置するための支持部材を新たに設ける必要がない。3請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材を備え、前記配線シートは、前記介在部材に配置され、前記介在部材は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。この発明では、介在部材に配線シートを配置する。すなわち、配線シートを配置するための介在部材を導電体とは別に設けている。このため、導電体とは異なる材料により介在部材を形成することが可能である。4請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子は、前記導電体に接続する端子本体部と、前記端子本体部から延長して設けられた支持部とを備え、前記配線シートは、前記支持部に配置され、前記支持部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。この発明では、電極端子の端子本体部の延長部である支持部に配線シートを配置する。このため、配線シートの制御端子と導電体の接続部とが同一平面に配置するために新たな部材を設ける必要がない。5請求項5に記載の発明は、請求項1~4のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体の前記接続部と前記配線シートの前記制御端子とは、前記スイッチング素子の前記第1主面における前記第1電極と前記制御電極との配置関係に対応するように、配置されていることを要旨とする。この発明では、導電体と制御端子との配置関係とスイッチング素子の第1電極と制御電極との配置関係とを対応させている。このため、導電体と配線シートとが配置されている部分にスイッチング素子を配置するとき、スイッチング素子の第1電極と導電体、およびスイッチング素子の制御電極と制御端子とを精確に接続することができる。6請求項6に記載の発明は、請求項1~5のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は応力を緩和する緩衝材により形成されていることを要旨とする。この発明によれば、導電体が緩衝材により形成されているため、第1電極端子とスイッチング素子との間またはこれら部材の内部に生じる応力を緩和することができる。7請求項7に記載の発明は、請求項1~6のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体を含む半導体装置である。本発明では、半導体装置は上記構成の配線シート付き配線体を備えるため、スイッチング素子として従来よりも小型の素子を採用することができる。このため、半導体装置を従来構造の半導体装置よりも小さくすることができる。8請求項8に記載の発明は、第1主面に少なくとも第1電極および制御電極が形成されかつ第2主面に第2電極が形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記第1電極に接続される接続部を有する導電体と、前記導電体に接続される第1電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子を有する配線シートと、前記第2主面に接続される第2電極端子と、前記第1電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材とを備える半導体装置の製造方法であって、前記配線シートの前記制御端子が形成されている面である端子形成面の反対側の面に前記介在部材を貼り付ける工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体とを固定治具に配置する工程と、前記固定治具に配置された前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体に前記第1電極端子を配置し、前記介在部材と前記導電体と前記第1電極端子とを半田で接続する工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記制御電極とが接触しかつ前記導電体の前記接続部と前記第1電極とが接触するように前記スイッチング素子を前記配線シートおよび前記導電体に配置し、前記制御端子と前記制御電極とを半田で接続しかつ前記接続部と前記第1電極とを半田で接続する工程とを含むことを要旨とする。この発明によれば、固定治具により配線シートと導電体とが所定位置に位置決めされて配置されるため、配線シートと導電体とに対してスイッチング素子を精確に接続することができる。すなわち、スイッチング素子と第1電極と導電体の接続部との位置ずれ、およびスイッチング素子の制御電極と配線シートの制御端子との位置ずれを小さくすることができる。本発明によれば、ワイヤ接続によらず、小型のスイッチング素子の実装することのできる配線シート付き配線体、および配線シート付き配線体を備えた半導体装置を提供することができる。また、半導体装置の製造方法によれば、小型のスイッチング素子を配線シートと導電体とに対して精確に接続することができる。第1実施形態図1を参照して、本発明の半導体装置の一例について説明する。以下に説明する半導体装置1は、モータを制御するインバータ回路等に用いられる。半導体装置1は、スイッチング素子10と、フライホイールダイオード20と、これら2つの素子が配置される配線構造体30と、これら2つの素子を封止する封止部80とを備えている。配線構造体30は、スイッチング素子10の第1主面11側に接続される配線構造体である配線シート付き配線体35と、スイッチング素子10の第2主面12側に接続される配線構造体である配線体36とにより構成されている。半導体装置1の回路構成は次の通り。スイッチング素子10とフライホイールダイオード20とは並列接続されている。すなわち、スイッチング素子10のソース電極14とフライホイールダイオード20のアノード電極とが接続され、かつスイッチング素子10のドレイン電極13とフライホイールダイオード20のカソード電極とが接続されている。スイッチング素子10のゲート電極15には信号配線配線61、図2参照が接続されている。なお、フライホイールダイオード20はスイッチング素子10の逆方向に発生する電力を逃す。これにより、過大な電圧がスイッチング素子10に加わることを抑制する。以下、半導体装置1の各構成要素について説明する。スイッチング素子10は、SiCのn型MOSFETにより形成されている。スイッチング素子10の第1主面11には、ソース電極14第1電極と、ゲート電極15制御電極と、4つのモニタ電極が形成されている。スイッチング素子10の第2主面12にはドレイン電極13第2電極が形成されている。第1のモニタ電極は、温度モニタ用としてスイッチング素子10内に形成された温度特性モニタ用ダイオードのアノードに接続されている。第2のモニタ電極は、前記温度特性モニタ用ダイオードのカソードに接続されている。なお、第1のモニタ電極と第2のモニタ電極との間の電位差に基づいてスイッチング素子10の温度が推定される。第3のモニタ電極は、スイッチング素子10内のドレイン層に接続されている。すなわち、ドレイン電流の一部が出力される。例えば、ドレイン電流の1/10000が分流される。第4のモニタ電極は、スイッチング素子10内のソース層に接続されている。なお、スイッチング素子10のゲート電極15に入力される信号は、ソース層の電位すなわち第4のモニタ電極の電位を基準にして形成される。ソース電極14は、ゲート電極15および第1~第4のモニタ電極よりも大きい。ゲート電極15および第1~第4のモニタ電極は、第1主面11の端側に一列に配置されている。これら電極は、略同じ大きさに形成されている。封止部80は、スイッチング素子10とフライホイールダイオード20とを封止する。封止樹脂としては、例えば、酸化ケイ素等のフィラ含有のエポキシ樹脂、PPS樹脂ポリフェニレンサルファイド樹脂等が用いられる。配線構造体30は半導体装置1の配線を構成する。配線構造体30は、第1電極端子40と、第2電極端子50と、配線シート60と、4個の導電体第1~第4導電体31~34とを備えている。第1電極端子40について説明する。第1電極端子40は半導体装置1の端子を構成する。第1電極端子40の第1面41には、第1導電体31と第3導電体33とが設けられている。第1導電体31は、スイッチング素子10が配置されるところに配置されている。第1導電体31の第1主面31Aは第1半田91で第1電極端子40に接続されている。第3導電体33は、フライホイールダイオード20が配置されるところに配置されている。第3導電体33の第1主面33Aは第1半田91で第1電極端子40に接続されている。なお、第1半田91としては鉛フリー半田が用いられる。第1半田91は後述の第2半田92の融点よりも高い。第1電極端子40の第2面42、すなわちスイッチング素子10に対向する面と反対側の面には、絶縁シート43が貼り付けられている。絶縁シート43は、ポリイミド樹脂により形成されている。また、絶縁シート43の外側面には金属シート44が貼り付けられている。金属シート44は、スイッチング素子10とフライホイールダイオード20とを封止樹脂で封止して半導体装置1を形成するときに露出させる。すなわち、第1電極端子40の第1面41側が封止樹脂により封止される一方、第1電極端子40の第2面42側の金属シート44が外部に露出する。なお、絶縁シート43と金属シート44との積層体は、銅張ポリイミド積層シートを用いて形成されている。第1電極端子40の材料としては、導電性および熱伝導性の観点から銅が用いられる。例えば、タフピッチ銅、無酸素銅等、純度の高い銅により形成される。なお、軽量化のために、アルミニウムが用いられることもある。第2電極端子50について説明する。第2電極端子50は半導体装置1の端子を構成する。第2電極端子50は第1電極端子40と同様の材料により形成されている。第2電極端子50の第1面51には、第2導電体32と第4導電体34とが設けられている。第2導電体32は、スイッチング素子10が配置されるところに配置されている。第2導電体32の第1主面32Aは、第1半田91で第2電極端子50に接続されている。第4導電体34は、フライホイールダイオード20が配置されるところに配置されている。第4導電体34の第1主面34Aは、第1半田91で第2電極端子50に接続されている。第2電極端子50の第2面52、すなわちスイッチング素子10に対向する面と反対側の面には、絶縁シート53が貼り付けられている。また、絶縁シート53には金属シート54が貼り付けられている。第2電極端子50の第1面51側は樹脂で封止され、第2電極端子50の第2面52側の金属シート54は外部に露出している。第1~第4導電体31~34について説明する。第1~第4導電体31~34は略直方体に形成されている。第1導電体31の熱膨張係数は、スイッチング素子10の熱膨張係数よりも大きく、かつ第1電極端子40の熱膨張係数よりも小さい。第2導電体32の熱膨張係数は、スイッチング素子10の熱膨張係数よりも大きく、かつ第2電極端子50の熱膨張係数よりも小さい。すなわち、第1導電体31および第2導電体32は、導体としての機能と、スイッチング素子10の熱膨張係数と第1電極端子40または第2電極端子50の熱膨張係数との差に起因して生じる応力を緩和する緩衝材としての機能を有する。第3導電体33の熱膨張係数は、フライホイールダイオード20の熱膨張係数よりも大きく、かつ第1電極端子40の熱膨張係数よりも小さい。第4導電体34の熱膨張係数は、フライホイールダイオード20の熱膨張係数よりも大きく、かつ第2電極端子50の熱膨張係数よりも小さい。すなわち、第3導電体33および第4導電体34は、導体としての機能と、フライホイールダイオード20の熱膨張係数と第1電極端子40または第2電極端子50の熱膨張係数との差に起因して生じる応力を緩和する緩衝材としての機能を有する。第1導電体31は、平面視で、スイッチング素子10よりも大きい。第1導電体31の第2主面31Bには、スイッチング素子10のソース電極14に対応して、半田接続部31C接続部が形成されている。すなわち、半田接続部31Cにより第1導電体31とスイッチング素子10のソース電極14とが接続されている。なお、半田接続部31Cは第2半田92で形成されている。第1導電体31の第2主面31Bにおいて、スイッチング素子10のゲート電極15およびモニタ電極に対向する部分には、配線シート60の一端部が配置されている。配線シート60の端子64~68図2参照とスイッチング素子10のゲート電極15および各モニタ電極とは、第2半田92で接続されている。なお、便宜上、第1導電体31においてスイッチング素子10のソース電極14に対応する部分を本体部31Xといい、第1導電体31において本体部31Xを取り囲む部分を延長部31Yという。延長部31Yは、配線シート60と第1電極端子40との間に介在し、配線シート60を支持するとともに、第1電極端子40の第1面41を基準面とした配線シート60の高さを設定する。すなわち、第1電極端子40の第1面41を基準面とした第1導電体31の半田接続部31Cの高さと、第1電極端子40の第1面41を基準面とした配線シート60の高さとが一致するように、延長部31Yの厚寸法Haが設定されている。具体的には、半田接続部31Cの厚寸法と、配線シート60の端子部分の厚寸法が略同じの場合、図1に示されるように、本体部31Xの厚寸法と延長部31Yの厚寸法とは等しくされる。一方、半田接続部31Cの厚寸法よりも配線シート60の端子部分の厚寸法が大きいときは、その厚寸法の差に応じて、本体部31Xの厚寸法よりも延長部31Yの厚寸法Haが小さくされる。第2導電体32の第1主面32Aおよび第2主面32Bは、スイッチング素子10のドレイン電極13よりも大きい。第2導電体32の第2主面32Bは第2半田92でめっき処理されている。第3導電体33の第1主面33Aおよび第2主面33Bは、フライホイールダイオード20の第1主面21よりも大きい。第3導電体33の第2主面33Bは第2半田92でめっき処理されている。第4導電体34の第1主面34Aおよび第2主面34Bは、フライホイールダイオード20の第2主面22よりも大きい。第4導電体34の第2主面34Bは第2半田92でめっき処理されている。なお、上記第1~第4導電体31~34の代わりとして、第1主面および第2主面が金めっき等されている導電体を用いることもできる。また、半田めっきが施されていない導電体を用いることもできる。この場合は、導電体と第1電極端子40または第2電極端子50との接続に半田プリフォームまたは半田ペーストを用いる。第1導電体31、第2導電体32、第3導電体33、および第4導電体34は、例えば、Cu/Mo/Cu積層板、Cu-Mo合金Cu-Mo複合材、Cu-W合金Cu-W複合材、Al-SiC合金、コバールFe-Ni-Co、タングステンW、モリブデンMo、鉄Fe、42アロイFe-Ni等により形成される。これらの材料は熱膨張係数の上記条件を満たす。これらの材料のなかでも、Cu/Mo/Cu積層板、Cu-Mo合金Cu-Mo複合材、Cu-W合金Cu-W複合材は、他の材料に比べて熱伝導率が高いため放熱性の観点から好ましい。Cu-Mo複合材は、銅CuにモリブデンMoを含浸させた材料、もしくはモリブデンMoに銅Cuを含浸させた材料を示す。Cu-W複合材は、銅CuにタングステンWを含浸させた材料、もしくはタングステンWに銅Cuを含浸させた材料を示す。図2を参照して、配線シート60について説明する。配線シート60は、フレキシブルプリント基板により形成されている。具体的には次の構成を有する。配線シート60は、5本の配線61と、配線61の一面を覆う第1ポリイミド層と、配線61の他面を覆う第2ポリイミド層とを備えている。配線61は、銅材により形成されている。配線シート60は、第1電極端子40に固定される固定部60Aと、5本の配線61を外部に引き出すリード部60Bとにより区分される。固定部60Aには貫通孔62が形成されている。貫通孔62は、第1導電体31に形成された半田接続部31Cと同じ形状に形成されている。貫通孔62の内側に半田接続部31Cが入るように、配線シート60が第1導電体31に固定されている。リード部60Bは、封止部80の外側に引き出されている。リード部60Bの一端部には、第2ポリイミド層の一部が除去された部分すなわち開口部63が形成されている。開口部63には5個の端子64~68が形成されている。各端子64~68は配線61の先端部に形成されている。5個の端子64~68は、ゲート端子64制御端子と4個のモニタ端子65~68とにより構成されている。ゲート端子64はゲート電極15に接続されている。第1モニタ端子65は第1のモニタ電極に接続されている。第2モニタ端子66は第2のモニタ電極に接続されている。第3モニタ端子67は第3のモニタ電極に接続されている。第4モニタ端子68は第4のモニタ電極に接続されている。5個の端子64~68と貫通孔62との配置関係は次の通りである。貫通孔62はスイッチング素子10のソース電極14に対向する位置に設けられている。5個の端子64~68のぞれぞれは、各端子に対応する電極に対して設けられている。すなわち、貫通孔62と5個の端子64~68との配置関係と、ソース電極14と5個の電極4つのモニタ電極とゲート電極15。5個の電極というときは以下同様。との配置関係は一致する。これら5個の端子64~68には半田層が設けられている。半田層は第2半田92により形成されている。5個の端子64~68の表面の高さ半田層の表面と半田接続部31Cとの高さとは、略一致する。すなわち、第1導電体31にスイッチング素子10が配置されたとき、スイッチング素子10が傾かないように構成されている。上記半導体装置1の各部材の厚寸法に関して説明する。スイッチング素子10およびフライホイールダイオード20の厚寸法は、200μm~300μmである。配線シート60のリード部60Bの厚寸法は、50μm~100μmである。配線シート60の端子形成部分の厚寸法端子の半田層を含めた厚寸法は70μm~170μmとされている。各導電体31~34の厚寸法は200μm~500μmである。第1電極端子40および第2電極端子50の厚寸法は500μm~2000μmである。上記半導体装置1の配線シート付き配線体35について説明する。なお、配線シート付き配線体35は、配線シート60と第1電極端子40と第1導電体31と第3導電体33とにより構成される図1参照。配線シート付き配線体35の構造は、半導体装置1において、配線シート60と第1電極端子40と第1導電体31と第3導電体33とにより構成される構造体の構造と同様である。以下に、配線シート付き配線体35の構造的特徴について説明する。近年、スイッチング素子10の小型化により、ソース電極14と5個の電極との間隔が小さくなっている。このため、第1導電体31と5個の端子64~68との間隔を小さくする必要がある。しかし、図8に示した従来の配線構造体の場合、絶縁基板900に、スイッチング素子800のエミッタ電極810に接続される電極910と、ゲート電極820に接続される電極920とを形成するため、これらの間隔を狭めることは難しい。その理由は、ソース電極14に対応する電極910の厚さを確保する必要がある一方、絶縁基板900に電極910および電極920を形成する場合にこれら電極の間隔dxをこれら電極の厚さhよりも小さくすることがエッチング加工上困難であることによる。これに対して、本実施形態では、スイッチング素子10のソース電極14に対応する電極とゲート電極15に対応する電極とをそれぞれ別部材とした。すなわち、ソース電極14に接続される電極を第1導電体31上に半田接続部31Cとして構成した。また、ゲート電極15に接続される電極を配線シート60上のゲート端子64として構成した。そして、配線シート60を第1導電体31上に配置した。これにより、ソース電極14に接続される電極とゲート電極15に接続される電極の間の間隔、すなわち第1導電体31上の半田接続部31Cとゲート端子64との間の間隔を小さくすることを可能とする。すなわち、半田接続部31Cと配線シート60の各端子64~68との間の間隔は、貫通孔62の端子側の縁62A図2参照と端子64~68の端縁との間の距離Lによる。フレキシブル基板の加工精度によれば、この距離Lを、スイッチング素子10のソース電極14とゲート電極15との間の間隔約100μmと略同等の距離とすることが可能である。このため、半田接続部31Cと配線シート60の各端子64~68との間の間隔を、SiCのような小型のスイッチング素子10におけるソース電極14とゲート電極15との間隔に適合するように設定することができる。また、ソース電極14に接続される電極すなわち半田接続部31Cを、第1導電体31に形成する。すなわち、半田接続部31Cを絶縁基板上に形成するのではなく、ソース電極14の電極面に対して垂直方向に延びる立体的な導電体に半田接続部31Cを形成する。この構造により、ソース電極14に流れる大電流にも耐える導体断面積が確保される。なお、第1導電体31の半田接続部31Cと配線シート60の各端子64~68との間の間隔を小さくする構造として、上記実施形態とは異なる構造を採用することもできる。以下、その例を説明する。図3を参照して変形例を説明する。第1導電体31の平面形状をソース電極14の形状と略同じ大きさとする。そして、第1導電体31の第2主面31Bに半田めっき層を形成する。半田めっき層は、スイッチング素子10のソース電極14に接続する半田接続部31D接続部を構成する。また、配線シート60の貫通孔62に第1導電体31が嵌り込む構成とする。このような構造においても、第1導電体31の半田接続部31Dと配線シート60の各端子64~68との間の間隔を、小型のスイッチング素子10におけるソース電極14とゲート電極15との間隔に適合するように設定することができる。この構造の場合は、第1導電体31の厚さを配線シート60の厚さと同等とする必要がある。このため、厚さが70μm~170μmであって応力緩和性能を発揮することができる材料が採用される。半導体装置1の製造方法の一例について説明する。第1工程では、第1電極端子40に、銅張ポリイミド積層シート絶縁シート43と金属シート44の積層体を貼り付ける。具体的には、銅張ポリイミド積層シートと第1電極端子40とを積層し、真空熱プレス装置を用いて、300°C、3MPaでプレスする。第2工程では、第1工程と同様の方法で第2電極端子50に銅張ポリイミド積層シートを貼り付ける。第3工程では、第1導電体31に配線シート60を加熱圧着により接着する。そして、銅張ポリイミド積層シート付きの第1電極端子40の上に、配線シート60付きの第1導電体31と、第3導電体33とを配置し、第1半田91で接続する。これにより、配線シート付き配線体35図1参照が完成する。第4工程では、銅張ポリイミド積層シート付きの第2電極端子50に、第2導電体32と、第4導電体34とを配置し、第1半田91で接続する。第5工程では、第3工程で形成した配線シート付き配線体35の上にスイッチング素子10およびフライホイールダイオード20を配置し、さらに、これら素子の上に第4工程で形成した部品を配置して、第2半田92により半田接続する。なお、第2半田92としては、第1半田91よりも融点が低いものを用いる。第6工程では、スイッチング素子10およびフライホイールダイオード20を封止樹脂で封止する。具体的には、モールド成形機にて、第1電極端子40と第2電極端子50の間に封止樹脂を充填し、半導体装置1を形成する。また、必要に応じて、半導体装置1に水冷ジャケット放熱装置を取り付ける。第2実施形態図4を参照して、半導体装置1の変形例について説明する。この変形例は、上記第1実施形態の配線シート付き配線体35に対して次の変更を加えたものとなっている。すなわち、上記第1実施形態では、配線シート60を第1導電体31の第2主面31Bに配置しているが、本変形例では、新たに別部材としてスペーサ100を加え、スペーサ100介在部材に配線シート60を配置する。以下、この変更にともない生じる前記第1実施形態の配線シート付き配線体35の構成からの変更について説明する。なお、前記配線シート付き配線体35と共通する構成については同一の符合を付してその説明を省略する。図4に示すように、第1導電体31の平面形状はソース電極14の形状と同じ形状とされている。第1導電体31の第2主面31Bには半田めっき層が形成されている。半田めっき層は、スイッチング素子10のソース電極14に接続する半田接続部31E接続部を構成する。スペーサ100は、第1導電体31が嵌る導電体貫通孔110を有する。導電体貫通孔110の断面形状は、第1導電体31の平面構造と同じであり、導電体貫通孔110の大きさは第1導電体31よりも若干大きい。すなわち、導電体貫通孔110は、この導電体貫通孔110に第1導電体31を入れたとき第1導電体31を殆ど動かせることができない寸法に形成されている。また、スペーサ100の厚寸法Hbは、第1導電体31の厚寸法と略等しい。なお、配線シート60の各端子64~68の表面の高さ半田層の表面と第1導電体31の半田接続部31Eとの高さとが精確に一致することを設計条件として、スペーサ100の厚寸法Hbを次のように設定してもよい。すなわち、各端子64~68およびの半田層の厚さ、第1導電体31の半田接続部31E、および配線シート60の厚さ等を考慮したとき、スペーサ100の厚寸法Hbと第1導電体31の厚さとを異なせた方が好ましい場合には、スペーサ100の厚さおよび第1導電体31の厚さを上記設計条件が満たされる適切な値に設定する。配線シート60は、加熱圧着によりスペーサ100に固定されている。具体的には、第1導電体31の半田接続部31Eと5個の端子64~68との配置関係と、ソース電極14と5個の電極との配置関係が一致するように、配線シート60がスペーサ100に固定されている。また、第1電極端子40の第1面41を基準面とした配線シート60の5個の端子64~68の表面の高さ半田層の表面と、第1電極端子40の第1面41を基準面とした第1導電体31の半田接続部31Eとの高さとは、略一致する。すなわち、スイッチング素子10が所定位置に配置されたとき、スイッチング素子10が傾かないように構成されている。次に、半導体装置1の配線シート付き配線体35の構造的特徴について説明する。スペーサ100の導電体貫通孔110により第1導電体31が位置決めされる。すなわち、導電体貫通孔110により第1導電体31の移動が規制される。このため、第1導電体31と5個の端子64~68との配置関係が大きくずれることはない。特に、第1電極端子40に第1導電体31を半田で固定するとき半田の表面張力により第1導電体31が所定位置からずれる場合があるが、導電体貫通孔110で第1導電体31の移動が規制され、第1導電体31と配線シート60上の各端子64~68との位置関係が所定位置関係に維持される。このため、スイッチング素子10のソース電極14および5個の電極と、第1導電体31および各端子64~68とが適切な状態で接続される。図5を参照して、配線シート付き配線体35の製造方法を説明する。なお、図5は、図4の配線シート付き配線体35を180度回転させた図である。以下に示す製造方法では、第1導電体31、第3導電体33および配線シート60を位置決めする固定治具200を用いる。まず、固定治具200について説明する。固定治具200は、第1導電体31、第3導電体33および配線シート60が配置することができる大きさの金属板である。固定治具200には、スペーサ付きの配線シート60を位置決めする第1位置決め部210と、第1導電体31を位置決めする第2位置決め部220と、第3導電体33を位置決めする第3位置決め部230とが形成されている。第1位置決め部210と第2位置決め部220は、配線シート60の端子形成面60Cを第1位置決め部210に接触させた状態、かつ第1導電体31の半田接続部31Eを第2位置決め部220に接触させた状態で、スペーサ付きの配線シート60と第1導電体31とを所定位置関係に位置決めする。すなわち、第1導電体31の半田接続部31Eと各端子64~68との配置関係と、スイッチング素子10のソース電極14と5個の電極との配置関係が一致するように、スペーサ付きの配線シート60と第1導電体31とを位置決めする。第3位置決め部230は、第1導電体31に対して所定距離に配置されるように第3導電体33を位置決めする。第1導電体31と第3導電体33との間の距離は、第3導電体33とスペーサ100とが接触しない長さに設定されている。また、第1位置決め部210と第2位置決め部220と第3位置決め部230とは、配線シート60の端子64~68の表面と、第1導電体31の半田接続部31Eの表面と、第3導電体33の半田接続部33Cの表面とが同一平面に配置されるように、配線シート60と第1導電体31と第3導電体33とを位置決めする。第1位置決め部210の表面、第2位置決め部220の表面、および第3位置決め部230の表面には、半田が接着しない離型層が形成されている。離型層は、例えば、半田レジストのコーティング、半田レジストにより形成されたドライフィルムの加熱圧着により形成される。また、離型層に液状の離型剤を塗布してもよい。次に、半導体装置1の製造方法のうち、配線シート付き配線体35の工程を説明する。配線シート付き配線体35の製造工程で上記固定治具200が用いられる。なお、他の工程は、第1実施形態と同様である。第1工程では、第1電極端子40に、銅張ポリイミド積層シート絶縁シート43と金属シート44の積層体を貼り付ける。第2工程では、加熱圧着により、スペーサ100に配線シート60を接着する。第3工程では、固定治具200に、スペーサ100付きの配線シート60を第1位置決め部210に配置し、第1導電体31を第2位置決め部220に配置し、第3導電体33を第3位置決め部230に配置する。第4工程では、スペーサ100、第1導電体31、および第3導電体33の上に、銅張ポリイミド積層シート付きの第1電極端子40を置く。そして、半田リフロー法により、スペーサ100と、第1導電体31と、第3導電体33と、第1電極端子40とを接続する。第3実施形態図6および図7を参照して、半導体装置1の変形例について説明する。この変形例は、上記第2実施形態の配線シート付き配線体35に対して次の変更を加えたものとなっている。すなわち、上記第2実施形態では、スペーサ100を第1電極端子40に配置する構造とするが、本変形例では、スペーサ100と第1電極端子40とを一体にする。以下、この変更にともない生じる第2実施形態の配線シート付き配線体35の構成からの変更について説明する。なお、前記配線シート付き配線体35と共通する構成については同一の符合を付してその説明を省略する。第1電極端子40は、端子本体部40Aと、端子本体部40Aから延長した第1段部40B支持部と第2段部40Cを備えている。端子本体部40Aは、第2実施形態の第1電極端子40に該当する。第1段部40Bは第2実施形態のスペーサ100に該当する。すなわち、第1段部40Bは、端子本体部40Aの第1面41Aを基準面として配線シート60の高さを規定する。第1段部40Bと第2段部40Cとの間の間隔dyは、第1導電体31が嵌る寸法に設定されている。第1導電体31の平面形状はソース電極14の形状と略同じ形状とされている。第1導電体31の第2主面31Bには半田めっき層が形成されている。半田めっき層は、スイッチング素子10のソース電極14に接続する半田接続部31F接続部を構成する。配線シート60は、加熱圧着により第1段部40Bに固定されている。具体的には、第1導電体31の半田接続部31Fと5個の端子64~68との配置関係と、ソース電極14と5個の電極との配置関係が一致するように、配線シート60が第1段部40Bに固定されている。また、端子本体部40Aの第1面41Aを基準面とした5個の端子64~68の表面の高さ半田層の表面と、端子本体部40Aの第1面41Aを基準面とした第1導電体31の半田接続部31Fとの高さとは、略一致する。すなわち、スイッチング素子10が所定位置に配置されるとき、スイッチング素子10が傾かないように構成されている。上記半導体装置1の配線シート付き配線体35の構造的特徴について説明する。第2実施形態の第1電極端子40に該当する端子本体部40Aと、第2実施形態のスペーサに該当する第1段部40Bとが一体に形成されている第1電極端子40を採用しているため、第2実施形態の配線シート付き配線体35に比べて、部品点数が少ない。このため、製造工程が簡略化される。上記各実施形態によれば以下の効果が得られる。1上記各実施形態では、スイッチング素子10のソース電極14に接続する電極と、スイッチング素子10のゲート電極15に接続する電極とを別部品とする。すなわち、配線シート付き配線体35は、スイッチング素子10のソース電極14に接続される半田接続部31Cを有した第1導電体31と、スイッチング素子10の5個の電極に接続される端子64~68が設けられた配線シート60とを含む構造とされている。半田接続部31C接続部と端子64~68との間の間隔は、配線シート60の加工精度による。配線シート60の加工精度は、半田接続部31Cと端子64~68との間の間隔を、小型のスイッチング素子10のソース電極14と5個の電極との間の間隔と同等にすることが可能な程度に高い。このため、従来に比べて小型のスイッチング素子10を実装することができる。2上記各実施形態では、第1導電体31の半田接続部31Cと配線シート60の端子64~68とは、スイッチング素子10の第1主面11におけるソース電極14と5個の電極との配置関係に対応するように、配置されている。このため、第1導電体31と配線シート60とが配置されている部分にスイッチング素子10を配置するとき、スイッチング素子10のソース電極14と第1導電体31、およびスイッチング素子10の5個の電極と配線シート60の各端子64~68とを精確に接続することができる。3上記各実施形態では、第1~第4導電体31~34が緩衝材により形成されている。この構成によれば、第1電極端子40、第2電極端子50、スイッチング素子10およびフライホイールダイオード20の間で生じる応力、またはこれら部材の内部に生じる応力を緩和することができる。4上記第1実施形態では、第1導電体31の延長部31Yに配線シート60を配置する。そして、延長部31Yを、配線シート60の各端子64~68と第1導電体31の半田接続部31Cとが同一平面に配置されるように、形成する。これにより、スイッチング素子10が傾かないようにすることができる。また、配線シート60の端子64~68と第1導電体31の半田接続部31Cとが同一平面に配置するための支持部材を設ける必要がない。5上記第2実施形態では、配線シート60をスペーサ100介在部材に配置する。スペーサ100を、配線シート60の端子64~68と第1導電体31の半田接続部31Eとが同一平面に配置されるように、形成する。なお、第1導電体31とは異なる材料によりスペーサ100を形成することができる。例えば、樹脂によりスペーサ100を形成することもできる。6上記第3実施形態では、第1電極端子40の第1段部40B支持部に配線シート60を配置している。このため、配線シート60の端子64~68と第1導電体31の半田接続部31Cとが同一平面に配置するために新たな部材を設ける必要がない。7上記各実施形態の半導体装置1は、上記構成の配線シート付き配線体35を含むため、内部に実装するスイッチング素子10として従来構造の半導体装置に比べて小型の素子を採用することができる。このため、半導体装置1を従来構造の半導体装置よりも小さくすることができる。8上記第2実施形態の半導体装置1の製造方法では、固定治具200を用いて配線シート60と第1導電体31とが所定位置に位置決めする。配線シート60と第1導電体31とに対してスイッチング素子10を精確に接続することができる。その他の実施形態なお、本発明の各実施態様は上記に示した態様に限られるものではなく、これを例えば以下に示すように変更して実施することもできる。また以下の各変形例は、異なる変形例同士を互いに組み合わせて実施することもできる。上記第1実施形態では、第1導電体31と第3導電体33とが別個の部材として構成されているが、これを一個の部材として構成してもよい。この構成によれば、第1導電体31と第3導電体33を個別に第1電極端子40に実装する必要がない。このため、第1導電体31と第3導電体33とを別部材として構成する場合と比べて、配線構造体30の製造工程を簡略化することができる。上記各実施形態では、第1電極端子40および第2電極端子50に貼り付けている絶縁シート43、53として、ポリイミド樹脂により形成したシートを用いているが、絶縁シート43、53の材料はこれに限定されない。例えば、絶縁シート43、53の材料として、エポキシ樹脂、PPS樹脂、PET樹脂ポリエチレンテレフタレート樹脂、PEEK樹脂ポリエーテルエーテルケトン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、これら樹脂に絶縁性フィラを含有した樹脂を用いることができる。また、セラミックス基板を用いてもよい。セラミックス基板としては、例えばSiN、AlN、Al2O3、SiC、SiO2等を用いることができる。上記各実施形態では、スイッチング素子10と第1導電体31または第2導電体32との接続およびフライホイールダイオード20と第3導電体33または第4導電体34との接続に第2半田92を用いている。また、第1電極端子40と第1導電体31または第3導電体33との接続および第2電極端子50と第2導電体32または第4導電体34との接続に第1半田91を用いている。このように融点の異なる2種類の半田を用いているが、この構成に代えて、半田の種類を統一してもよい。上記各実施形態では、配線シート60としてフレキシブルプリント基板を用いているが、所謂フラットケーブルを用いることもできる。この構成の場合においても、少なくとも上記1と同様の効果が得られる。上記各実施形態では、スイッチング素子10とフライホイールダイオード20とが並列接続する半導体装置1の配線構造体30に本発明を適用しているが、スイッチング素子10だけを含む半導体装置1の配線構造体30に本発明を適用することもできる。上記各実施形態では、スイッチング素子10としてSiC-MOSFETを用いているが、スイッチング素子10の種類は限定されない。すなわち、本発明は、一主面に2以上の電極を備えたスイッチング素子10を含む半導体装置の配線構造体に適用可能である。スイッチング素子10の他の例としては、例えば、GaN等のIII族窒化物材料を用いたMOSFET、Si-IGBTnチャンネルIGBT、SiC-IGBT等が挙げられる。