レーザ出力用の複数の発光素子と、前記発光素子の共振器方向に直交する互いに対向する前記発光素子に電力を供給するための第1接続面と第2接続面を有する半導体レーザバーと、前記半導体レーザバーの第1接続面と電気的および熱的に接合された第1電極側接続面を有し、第1電極を兼ねる、前記半導体レーザバーに近接した位置に微小流路マイクロチャネルを有する第1水冷ヒートシンクと、前記半導体レーザバーの第2接続面と電気的および熱的に接続された第2電極接続面を有し、ヒートスプレッダを兼ねる第1導電性支持部材と、前記第2電極接続面に対向する面で前記導電性支持部材と電気的および熱的に接続された屈曲性を有する金属箔と、前記水冷ヒートシンクと前記金属箔間に配置され機械的に接合された絶縁板と、前記金属箔と電気的および熱的に接合された第2電極を兼ねる微小流路マイクロチャネルを有する第2水冷ヒートシンクとを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。前記半導体レーザバーの第1接続面と電気的および熱的に接合された電極接続面を有し、前記電極接続面に対向するヒートシンク接続面で前記第1水冷ヒートシンクと電気的および熱的に接続されたヒートスプレッダを兼ねる第2導電性支持部材を備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。前記半導体レーザバーは、略405nmの発振波長を有するGaN系半導体からなる半導体層を有することを特徴とする請求項1ないしは2記載の半導体レーザ装置。前記第1水冷ヒートシンクは銅とモリブデンの積層構造体であり、半導体レーザ素子に近い熱膨張係数を有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体レーザ装置。前記導電性支持部材は銅とタングステンないしは銅とモリブデンの複合材料からなり、前記銅とモリブデンの積層構造体からなる第1水冷ヒートシンクと略同一の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。前記導電性支持部材はダイヤモンドからなる本体部の表面に厚さ2μm以上の積層構造からなる金属被覆層を有することを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。前記導電性支持部材はダイヤモンドと銅の複合材料からなることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。特許文献1では、バンプと呼ばれる突起状の端子と空隙に充填されたペースト等を介してレーザバーと引き出し電極が接続されている。バンプを用いた接続ではバンプのサイズによって素子と引き出し電極間の間隙距離が決まるため、接続熱抵抗を抑制するためにバンプのサイズを縮小し密度を上げると間隙距離は狭くなるが充填剤であるペースト等の未充填やボイド空隙の発生が多くなるという課題がある。加えてバンプサイズを小さくすることにより、接合部における応力集中が生じるため半田を材料として用いた場合、クラックの発生頻度が高くなる。さらに接続部がバンプとペーストないしは半田といった複数材料の複合構造であるため熱膨張係数がそれぞれ異なり半導体レーザバーからの排熱サイクルを繰り返すことにより、接合面に加えられる熱応力の作用で電極表面からの剥離が生じ、熱抵抗が増加してしまい、益々熱応力が大きくなるという正循環が生じて最終的には電気的接続が解消されて、オープン故障に至る。本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、レーザバーを高出力で発振させた際に生じる排熱を効率的に放散するとともに、レーザバー実装時等に生じる熱応力を軽減せしめ、安定した特性を得ることができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。前記のような課題を解決するために、本発明の半導体レーザ装置は、レーザ出力用の複数の発光素子と、発光素子の共振器方向に直交する互いに対向する前記発光素子に電力を供給するための第1接続面と第2接続面を有する半導体レーザバー、前記半導体レーザバーの第1接続面と電気的および熱的に接合された第1電極側接続面を有し、第1電極を兼ねる、前記半導体レーザバーに近接した位置に微小流路マイクロチャネルを有する第1水冷ヒートシンクと、前記半導体レーザバーの第2接続面と電気的および熱的に接続された第2電極接続面を有し、ヒートスプレッダを兼ねる第1導電性支持部材と、前記第2電極接続面に対向する面で前記導電性支持部材と電気的および熱的に接続された屈曲性を有する金属箔と、前記水冷ヒートシンクと前記金属箔間に配置され機械的に接合された絶縁板と、前記金属箔と電気的および熱的に接合された第2電極を兼ねる微小流路マイクロチャネルを有する第2水冷ヒートシンクから構成される。また、本発明では、前記構成に加え、前記半導体レーザバーの第1接続面と電気的および熱的に接合された電極接続面を有し、前記電極接続面に対向するヒートシンク接続面で前記第1水冷ヒートシンクと電気的および熱的に接続されたヒートスプレッダを兼ねる第2導電性支持部材を備えることにより、放熱性を高めるとともに、特に実装時に生じる熱応力を低減しうる。さらに、従属項に記載された発明は、本発明に係わる半導体レーザ装置の具体的なものを規定する。本発明によれば、レーザバーを高出力で発振させた際に生じる排熱を効率的に放散するとともに、レーザバー実装時等に生じる熱応力を軽減せしめ、安定した特性を得ることができる半導体レーザ装置を実現することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は本発明の一実施の形態に係わる半導体レーザ装置の全体構成を表す分解斜視図である。図2は本発明の半導体レーザ装置の断面図であり、レーザ光出射端近傍の拡大図である。図3は本発明の半導体レーザ装置の正面図であり、レーザ光出射端近傍の拡大図である。図において半導体レーザバー10は、例えば略405nmの発振波長を有する窒化ガリウムGaN系半導体からなる半導体層を有する青紫色レーザである。半導体レーザバー10は複数のレーザダイオード素子図示せずが並設されたレーザダイオードバーであり、その寸法は例えば、長さ約3mm、共振器長約0.8mm、厚み約0.1mmである。なお、半導体レーザバー10の熱膨張係数は約4.5ppm/K、熱伝導率は130W/mKである。半導体レーザバー10の内部の下面側には、レーザダイオード素子のn型半導体が配置されており、さらに半導体レーザバーの下面にはn型半導体に電力を供給するための第1接続面である、例えば最表面が金Au層となるようにチタンTi層、白金Pt層、Au層を順に積層した構成の金属層が設けられている。また、半導体レーザバー10の内部の上面側には、レーザダイオード素子のp型半導体が配置されており、さらに半導体レーザバーの上面にはp型半導体に電力を供給するための第2接続面である、例えば最表面が金Au層となるようにチタンTi層、白金Pt層、Au層を順に積層した構成の金属層が設けられている。第1水冷ヒートシンク11aは前方レーザ光出射端側に微小流路マイクロチャネルを設けた銅Cu、熱伝導率は398W/mK薄板とモリブデンMo、熱伝導率は140W/mK薄板を積層して構成されており、8ppm/Kの熱膨張係数を有する。さらに、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。第1水冷ヒートシンク11aの寸法は、例えば、幅約10.8mm、奥行き約27mm、厚み約1.55mmである。また、第1水冷ヒートシンク11aの前方約3mmの部分には厚み約5μmの金錫AuSn半田層が形成されている。第2水冷ヒートシンク11bは前方レーザ光出射端側に微小流路マイクロチャネルを設けた銅Cu薄板とモリブデンMo薄板を積層して構成されており、8ppm/Kの熱膨張係数を有する。さらに、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。第2水冷ヒートシンク11bの寸法は、例えば、幅約10.8mm、奥行き約27mm、厚み約1.55mmである。屈曲性を有する金属箔12は例えば、厚み約50μmのCuからなり、表面はAuメッキ処理がなされている。全体的な平面形状は前方が狭くなった凸型形状であり、幅約10.8mm、奥行き約25mmの平板から幅約4mmの凸部が長さ約2mmで突き出た構成である。さらに水冷ヒートシンクの冷却水流入口、冷却水排出口、固定用貫通穴部と重なる部分はほぼ同一径の穴が形成されている。屈曲性の金属箔12の熱伝導は最も断面積の小さい凸部であっても、通常、上側電極の電気的および熱的な接続に用いられる50μm径のAuワイヤ約125本分に相当する。導電性支持部材21aは例えば、熱膨張係数が約8ppm/KのCu約20とW約80の複合材料熱伝導率は200W/mKからなり、表面はAuメッキ処理されている。導電性支持部材21aの寸法は、例えば、長さ約5mm、奥行き約1.5mm、厚み約0.3mmである。さらに導電性支持部材21aの上面および下面には厚み約2.5μmのAuSn半田層が形成されている。導電性支持部材はCu約30とMo約70の複合材料熱膨張係数約8ppm/K、熱伝導率は200W/mKから構成されていてもよい。熱膨張係数を水冷ヒートシンク11aと略同一の値とすることで特に実装時に生じる熱応力を低減することができる。絶縁板13は厚み40μmのポリイミドPIとPIを上下からはさむ接着層上下とも約10μmから構成され総厚み約60μmであり、全体的な平面形状は幅約10.8mm、奥行き約25mmの矩形である。さらに水冷ヒートシンクの冷却水流入口、冷却水排出口、固定用貫通穴部と重なる部分はほぼ同一径の穴が形成されている。スペーサ13、上部電極取り出し部を兼ねる押さえ板14、下部電極取り出し部を兼ねる冷却水流路ベース部15はCuからなり、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。本発明の半導体レーザ装置は、例えば、以下のように製造することができる。まず、例えばGaNからなる基板上に、例えば有機金属化学気相成長MOCVD法等でGaN系半導体からなる半導体層を形成し、上下面に前記金属層を形成する。続いて所定の寸法にGaN基板を成形する。これにより、図に示した半導体レーザバー10を形成する。続いて、第1水冷ヒートシンク11aを用意し、先端部のAuSn半田層と、半導体レーザバー10下部の第1接続面を対向させ、精度よく位置合わせを行った上で、半導体レーザバー10を第1水冷ヒートシンクに載せる。さらに、導電性支持部材21aを用意し、下面のAuSn半田層と、半導体レーザバー10上部の第2接続面を対向させ、精度よく位置合わせを行った上で、導電性支持部材21aを半導体レーザバー10上に載せる。さらに、金属箔12を用意し、導電性支持部材21aの上面のAuSn半田層上に精度よく位置合わせを行った上で金属箔12の凸部を載せる。続いて金属箔12の凸部に平板の治具を介して下向きの力約0.6Nを加え、第1水冷ヒートシンク11aに対して加熱処理を施すことにより、金属箔12の凸部、導電性支持部材21a、半導体レーザバー10、第1水冷ヒートシンク11aを溶着させる。さらに、絶縁板13を用意し、第1水冷ヒートシンク11aに下部接着層を介して接着する。続いて、金属箔12凸部の導電性支持部材21aと固着していない部分を図2のように屈曲させる。加えて、絶縁板13上部の接着層を介して絶縁板13上に、金属箔12の平板部を接着する。上記の工程で第1水冷ヒートシンク11a上に半導体レーザバー10、導電性支持部材21a、絶縁板13、屈曲性金属箔12が固定された部材が完成する。半導体レーザバー10を、略同一でレーザバーに近い熱膨張係数を有する導電性支持部材21aと第1水冷ヒートシンク11aではさんで実装を行うことにより、半導体レーザバー10の上面と下面の両面で熱膨張係数の均衡がとれることとなり、実装時に生じる熱応力を低減し、半導体レーザバー10の反りを抑制することができる。ここで前記部材を図示しないOリング1を間にはさんで冷却水流路ベース15に載せる。続いて図示しないOリング2とスペーサ13を間にはさんで第2水冷ヒートシンク11bを前記部材に載せる。さらに図示しないOリング3を間にはさんで押さえ板14を第2水冷ヒートシンク11bに載せる。絶縁性の止めネジ16a~16c例えば、アルミナセラミックAl2O3製を用いて前記全ての部材を冷却水路ベース部15に固定する。次に、動作について説明する。図示しない駆動用電源装置のプラス極は押さえ板14後方端部のねじ穴に、端子、導線を介して電気的に接続される。プラス極からの電流は、押さえ板14と第2水冷ヒートシンク11b、スペーサ13、金属箔12、導電性支持部材21aとを通って半導体レーザバー10に流れる。電流は半導体レーザバー10内部のpnジャンクションに注入され、図中のレーザ光出射方向にレーザ光が出力される。pnジャンクションを流れた電流は第1水冷ヒートシンク11aと冷却水流路ベース部15を通って、冷却水流路ベース部15上面後部のねじ穴に端子、導線を介して接続された駆動用電源装置のマイナス極に戻る。続いてレーザ光出力時の熱の流れに関して説明する。前記pnジャンクション部で発生した熱は、上方向に関しては、まず導電性支持部材21aに拡散し、続いて金属箔12の凸部を介して平板部に伝わり、スペーサ13、第2水冷ヒートシンク11bに拡散する。第2水冷ヒートシンク11bに伝わった熱はマイクロチャネル部で、図示しない冷却水循環装置から冷却水路ベース部15を介してマイクロチャネル部に流入した冷却水に熱を奪われる。冷却水は冷却水路ベース部15から排出され冷却水循環装置に戻る。一方、下方向に関しては、熱は第1水冷ヒートシンク11aに拡散して伝わり、半導体レーザバー10直下に設けられた第1水冷ヒートシンク11a内のマイクロチャネル部で冷却水に熱を奪われる。上方向と同様に冷却水は冷却水路ベース部から排出され冷却水循環装置に戻る。上記のように本発明の半導体レーザ装置では半導体レーザバーの上下両方向から熱伝導性の高い部材を介して、排熱を効率的に冷却水に放散することで、安定した特性で高出力のレーザ光を出力することができる。実施の形態2図1は本発明の一実施の形態に係わる半導体レーザ装置の全体構成を表す分解斜視図である。図4は本発明の半導体レーザ装置の断面図であり、レーザ光出射端近傍の拡大図である。図5は本発明の半導体レーザ装置の正面図であり、レーザ光出射端近傍の拡大図である。図において半導体レーザバー10は、例えば略405nmの発振波長を有する窒化ガリウムGaN系半導体からなる半導体層を有する青紫色レーザである。半導体レーザバー10は複数のレーザダイオード素子図示せずが並設されたレーザダイオードバーであり、その寸法は例えば、長さ約3mm、共振器長約0.8mm、厚み約0.1mmである。なお、半導体レーザバー10の熱膨張係数は約4.5ppm/Kである。半導体レーザバー10の内部の下面側には、レーザダイオード素子のn型半導体が配置されており、さらに半導体レーザバーの下面にはn型半導体に電力を供給するための第1接続面である、例えば最表面が金Au層となるようにチタンTi層、白金Pt層、Au層を順に積層した構成の金属層が設けられている。また、半導体レーザバー10の内部の上面側には、レーザダイオード素子のp型半導体が配置されており、さらに半導体レーザバーの上面にはp型半導体に電力を供給するための第2接続面である、例えば最表面が金Au層となるようにチタンTi層、白金Pt層、Au層を順に積層した構成の金属層が設けられている。第1水冷ヒートシンク11aは前方レーザ光出射端側に微小流路マイクロチャネルを設けた銅Cu薄板とモリブデンMo薄板を積層して構成されており、8ppm/Kの熱膨張係数を有する。さらに、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。第1水冷ヒートシンク11aの寸法は、例えば、幅約10.8mm、奥行き約27mm、厚み約1.55mmである。第2水冷ヒートシンク11bは前方レーザ光出射端側に微小流路マイクロチャネルを設けた銅Cu薄板とモリブデンMo薄板を積層して構成されており、8ppm/Kの熱膨張係数を有する。さらに、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。第2水冷ヒートシンク11bの寸法は、例えば、幅約10.8mm、奥行き約27mm、厚み約1.55mmである。屈曲性を有する金属箔12は例えば、厚み約50μmのCuからなり、表面はAuメッキ処理がなされている。全体的な平面形状は前方が狭くなった凸型形状であり、幅約10.8mm、奥行き約25mmの平板から幅約4mmの凸部が長さ約2mmで突き出た構成である。さらに水冷ヒートシンクの冷却水流入口、冷却水排出口、固定用貫通穴部と重なる部分はほぼ同一径の穴が形成されている。屈曲性の金属箔12の熱伝導は最も断面積の小さい凸部であっても、通常、上側電極の電気的および熱的な接続に用いられる50μm径のAuワイヤ約125本分に相当する。導電性支持部材21a、21bは例えば、熱膨張係数が約2.3ppm/K、熱伝導率は>1000W/mKのダイヤモンドからなり、表面にはTi層0.06μm、Pt層0.2μm、Au層2μmを順に積層した構成の金属層が形成されている。導電性支持部材21aの寸法は、例えば、長さ約5mm、奥行き約1.5mm、厚み約0.2mmである。さらに導電性支持部材21a、21bの上面および下面には厚み約2.5μmのAuSn半田層が形成されている。導電性支持部材21a、21bは表面にAuメッキ層が形成されたダイヤモンド約40とCu約60の複合材料熱膨張係数約6ppm/K、熱伝導率は550W/mKからなり、上面および下面には厚み約2.5μmのAuSn半田層が形成されている構成でもよい。絶縁板22は厚み40μmのポリイミドPIとPIを上下からはさむ接着層上下とも約10μmから構成され総厚み約60μmであり、全体的な平面形状は幅約10.8mm、奥行き約25mmの矩形である。さらに水冷ヒートシンクの冷却水流入口、冷却水排出口、固定用貫通穴部と重なる部分はほぼ同一径の穴が形成されている。スペーサ13、上部電極取り出し部を兼ねる押さえ板14、下部電極取り出し部を兼ねる冷却水流路ベース部15はCuからなり、表面および内部流路はAuメッキ処理が施されている。本発明の半導体レーザ装置は、例えば、以下のように製造することができる。まず、例えばGaNからなる基板上に、例えば有機金属化学気相成長MOCVD法等でGaN系半導体からなる半導体層を形成し、上下面に前記金属層を形成する。続いて所定の寸法にGaN基板を成形する。これにより、図に示した半導体レーザバー10を形成する。続いて、第1水冷ヒートシンク11aと導電性支持部材21aを用意し、精度よく位置合わせを行った上で、導電性支持部材21aを第1水冷ヒートシンクに載せる。さらに、導電性支持部材21a上面のAuSn半田層と、半導体レーザバー10下部の第1接続面を対向させ、精度よく位置合わせを行った上で、半導体レーザバー10を導電性支持部材21a上に載せる。加えて、導電性支持部材21bを用意し、下面のAuSn半田層と、半導体レーザバー10上部の第2接続面を対向させ、精度よく位置合わせを行った上で、導電性支持部材21bを半導体レーザバー10上に載せる。さらに、金属箔12を用意し、導電性支持部材21bの上面のAuSn半田層上に精度よく位置合わせを行った上で金属箔12の凸部を載せる。続いて金属箔12の凸部に平板の治具を介して下向きの力約0.6Nを加え、第1水冷ヒートシンク11aに対して加熱処理を施すことにより、金属箔12の凸部、導電性支持部材21b、半導体レーザバー10、導電性支持部材21a、第1水冷ヒートシンク11aを溶着させる。さらに、絶縁板22を用意し、第1水冷ヒートシンク11aに下部接着層を介して接着する。続いて、金属箔12凸部の導電性支持部材21bと固着していない部分を図4のように屈曲させる。加えて、絶縁板22上部の接着層を介して絶縁板22上に、金属箔12の平板部を接着する。上記の工程で第1水冷ヒートシンク11a上に導電性支持部材21a、半導体レーザバー10、導電性支持部材21b、絶縁板22、屈曲性金属箔12が固定された部材が完成する。半導体レーザバー10を同一のレーザバーに近い熱膨張係数を有する導電性支持部材21a、21bではさんで実装を行うことにより、半導体レーザバー10の上面と下面の両面で熱膨張係数の均衡がとれることとなり、実装時に生じる熱応力を低減し、半導体レーザバー10の反りを抑制することができる。さらに、非常に高い熱伝導率を有する材料で導電性支持部材を構成することにより、レーザバーで発生した熱を速やかに拡散することが可能となる。ここで前記部材を図示しないOリング1を間にはさんで冷却水流路ベース15に載せる。続いて図示しないOリング2とスペーサ13を間にはさんで第2水冷ヒートシンク11bを前記部材に載せる。さらに図示しないOリング3を間にはさんで押さえ板14を第2水冷ヒートシンク11bに載せる。絶縁性の止めネジ16a~16c例えば、アルミナセラミックAl2O3製を用いて前記全ての部材を冷却水路ベース部15に固定する。次に、動作について説明する。図示しない駆動用電源装置のプラス極は押さえ板14後方端部のねじ穴に、端子、導線を介して電気的に接続される。プラス極からの電流は、押さえ板14と第2水冷ヒートシンク11b、スペーサ13、金属箔12、導電性支持部材21bとを通って半導体レーザバー10に流れる。電流は半導体レーザバー10内部のpnジャンクションに注入され、図中のレーザ光出射方向にレーザ光が出力される。pnジャンクションを流れた電流は導電性支持部材21bと第1水冷ヒートシンク11a、冷却水流路ベース部15とを通って、冷却水流路ベース部15上面後部のねじ穴に端子、導線を介して接続された駆動用電源装置のマイナス極に戻る。続いてレーザ光出力時の熱の流れに関して説明する。前記pnジャンクション部で発生した熱は、上方向に関しては、まず導電性支持部材21bに拡散し、続いて金属箔12の凸部を介して平板部に伝わり、スペーサ13、第2水冷ヒートシンク11bに拡散する。第2水冷ヒートシンク11bに伝わった熱はマイクロチャネル部で、図示しない冷却水循環装置から冷却水路ベース部15を介してマイクロチャネル部に流入した冷却水に熱を奪われる。冷却水は冷却水路ベース部15から排出され冷却水循環装置に戻る。一方、下方向に関しては、熱はまず導電性支持部材21aに拡散し、続いて第1水冷ヒートシンク11aに伝わり、半導体レーザバー10直下に設けられた第1水冷ヒートシンク11a内のマイクロチャネル部で冷却水に熱を奪われる。上方向と同様に冷却水は冷却水路ベース部から排出され冷却水循環装置に戻る。上記のように本発明の半導体レーザ装置では半導体レーザバーの上下両方向から熱伝導性の高い部材を介して、排熱を効率的に冷却水に放散することで、安定した特性で高出力のレーザ光を出力することができる。