"無機酸、等電点が7より小さいアミノ酸、カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸、のなかから選ばれる一つ以上の酸および/またはその塩と、無機アルカリ剤と、溶剤とを含む、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液無機酸、等電点が7より小さいアミノ酸、カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸、のなかから選ばれる一つ以上の酸および/またはその塩の含有量が、現像液全体のなかで0.01~10質量である、請求項1に記載の導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液アルカリ剤が、カリウムおよび/またはナトリウムの、水酸化物および/または炭酸塩を含む、請求項1または2に記載の、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液。pHが12から13.5の間である、請求項1~3のいずれかに記載の、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液。導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジストの、少なくとも一部表面を未露光とする露光工程と、請求項1~4のいずれかの現像液を用いて、上記フォトレジストを現像する工程とを含む、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジストを現像し、レジストパターンを形成する方法。導電性高分子を含む基材上に、フォトレジスト膜を形成する膜形成工程と、上記フォトレジスト膜を加熱するプリベーク工程と、上記プリベーク工程により得られたレジスト膜を露光する工程であって、該レジスト膜の表面のうち、上記導電層の表面に配された上記レジスト膜の少なくとも一部表面を未露光とする露光工程と、上記露光工程における露光部と未露光部とのいずれかを上記現像液で除去し、導電性高分子を含む基材の少なくとも一部分を露出させる現像工程と、を、順次、備える請求項5に記載のレジストパターンを形成する方法。導電性高分子がポリチオフェンまたはポリピロールである請求項5または6に記載のレジストパターンを形成する方法。ポジ型フォトレジストを用い、リン酸、グリシン、アスパラギン酸のなかから1つ以上選択される酸と、KOHとK2CO3とからなるアルカリ剤と水とを含む現像液で現像する、請求項5~7のいずれかに記載のレジストパターンを形成する方法。請求項5~8のいずれかに記載の方法で形成されたレジストパターンを用いて、導電性高分子を含む基材の少なくとも一部を除去し、導電パターンを形成する方法。請求項9に記載の方法で形成された導電パターンを有する基板導電性高分子を含む基材の上に被覆されたフォトレジスト膜を、フォトリソグラフ法によって露光させた後、露光部または非露光部を除去するための現像液として、TMAHを含む現像液を用いることが一般的であったが、TMAHは、接触した導電性高分子に導電性の低下や密着性の低下等のダメージを与える可能性があった。本発明の課題は、導電性高分子に接触してもダメージを与えない現像液を与えることにより、導電性が高い導電性高分子のパターンを提供することである。本発明者らは、導電性高分子を含む基材と接触したときに、導電性高分子に表面抵抗の増大やレジストとの密着性の低下といったダメージを与えず、フォトレジストに選択的で良好な現像をすることのできる現像液の組成を検討した結果、本発明を完成するに至った。本発明は、以下に示される。1.無機酸、等電点が7より小さいアミノ酸、カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸、のなかから選ばれる一つ以上の酸および/またはその塩と、無機アルカリ剤と、溶剤とを含む、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液2.無機酸、等電点が7より小さいアミノ酸、カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸、のなかから選ばれる一つ以上の酸および/またはその塩の含有量が、現像液全体のなかで0.01~10質量である、上記1.に記載の導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液3.アルカリ剤が、カリウムおよび/またはナトリウムの、水酸化物および/または炭酸塩を含む、上記1.または2.に記載の、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液。4.pHが12から13.5の間である、上記1.~3.のいずれかに記載の、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジスト用の現像液。5.導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジストの、少なくとも一部表面を未露光とする露光工程と、上記1.~4.のいずれかの現像液を用いて、上記フォトレジストを現像する工程とを含む、導電性高分子を含む基材上に配されたフォトレジストを現像し、レジストパターンを形成する方法。6.導電性高分子を含む基材上に、フォトレジスト膜を形成する膜形成工程と、上記フォトレジスト膜を加熱するプリベーク工程と、上記プリベーク工程により得られたレジスト膜を露光する工程であって、該レジスト膜の表面のうち、上記導電層の表面に配された上記レジスト膜の少なくとも一部表面を未露光とする露光工程と、上記露光工程における露光部と未露光部とのいずれかを上記現像液で除去し、導電性高分子を含む基材の少なくとも一部分を露出させる現像工程と、を、順次、備える上記5に記載のレジストパターンを形成する方法。7.上記導電性高分子がポリチオフェンまたはポリピロールである上記5.または6.に記載のレジストパターンを形成する方法。8.ポジ型フォトレジストを用い、リン酸、グリシン、アスパラギン酸のなかから1つ以上選択される酸と、KOHとK2CO3とからなるアルカリ剤と水とを含む現像液で現像する、上記5.~7のいずれかに記載のレジストパターンを形成する方法。9.上記5.~8.のいずれかに記載の方法で形成されたレジストパターンを用いて、導電性高分子を含む基材の少なくとも一部を除去し、導電パターンを形成する方法。10.上記9.に記載の方法で形成された導電パターンを有する基板本発明によれば、導電性高分子を含む基材にフォトリソグラフ法を応用したときに導電性高分子の導電性を損ねることがなく、表面にレジストパターンを有し高い導電性を保った導電性高分子基材や、微細なパターンと高い導電性を有する導電性高分子の導電パターン等を得ることができる。以下、本発明について詳細に説明する。特にことわりのないは質量を意味する。導電性高分子を含む基材は、図1に示されるように、基体自体が導電性高分子を含む基材からなる場合や、図4に示されるような、導電性高分子を含まない基体の上に導電性高分子を含む基材が積層されて導電性高分子を含む基材層となる場合のように、様々な形状で使用されうるが、本発明は、いずれの形状においても、導電性高分子を含む基材の上に配されたフォトレジストを現像して、所定の形状を有するパターン化されたレジスト膜部分図面では131で示される部分を形成する際に用いられる、レジスト現像液以下現像液と呼ぶに関する。現像によって形成された所定の形状を有するパターン化されたレジスト膜部分131レジストパターンは、図2に示すように、導電性高分子を含む基材の上にレジストパターンを有する構造を与える。このような例としては、有機ELで導電性高分子層と接触する絶縁層や陰極隔壁をレジストで形成する場合が挙げられる。また、レジストパターンをマスクとして、導電性高分子層に導電性や表面抵抗等を変化させるドーパント等を含浸させたり作用させたりして、図3に示す、変質された導電性高分子を含む基材部分122を形成させたりすることもできる。さらに、導電性高分子を含む基材層をエッチング等の方法で部分的に除去して、図6の121に示す、パターン化された導電性高分子を含む基材部分を形成したりすることができる。なお、所定の形状にパターン化された導電性高分子を含む基材部分を導電パターンと呼ぶ。得られた導電パターンの上に再度カラーレジストを塗布し、露光現像を繰り返してRGB三原色の液晶画素を得ることなどもできるこのように、本発明の現像液およびパターン形成方法を用いることにより、上記導電性高分子を含む基材にフォトリソグラフ法を応用して様々な電子部品を製造することができる。本発明の現像液は導電性高分子を含む基材の表面に形成された、レジスト膜を現像できるものであるが、当該レジスト膜は、好ましくは導電性高分子を含む基材の表面に各種コーティング方法により所定の膜厚に形成されたものであり、この膜を加熱するプリベーク工程と、上記プリベーク工程により得られたレジスト膜を露光する工程であって、レジスト膜の表面のうち、少なくとも一部表面を未露光とする露光工程と、上記露光工程における露光部または未露光部を上記現像液で除去し、上記導電性高分子を含む基材の少なくとも一部表面を露出させる工程等を応用することもでき、露出している基材にドーピング等の方法で他の成分を導入したり、性質を変化させる工程や、露出している基材部分を除去して導電パターンを形成する工程を応用することもでき、その後、残存しているレジストパターンを除去することもできる。本発明の現像液で現像されるレジスト膜は、少なくともアルカリ性現像液で現像可能なフォトレジストからなる。フォトレジストには露光部分が現像で除去されるポジ型と、非露光部分が現像で除去され、露光部分は除去されないネガ型があり、本発明の現像液はこのいずれにも応用可能であるが、好ましくは、より精細なパターンを形成できるポジ型である。ネガ型レジストとして好ましいものは、液体状のレジストや固体フィルム状のドライフィルムと呼ばれるものであり、より好ましいのは固体フィルム状のドライフィルムである。ポジ型フォトレジストとして好ましいものは、ナフトキノンジアジド化合物およびノボラック樹脂を含む組成物であり、さらに、ポリビニルメチルエーテルを含んでも良く、通常ポジ型フォトレジストに併用される染料、接着助剤および界面活性剤等の添加剤を含有することができる。上記ナフトキノンジアジド化合物は、ポジ型フォトレジストの感光成分であり、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸、または1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸もしくは1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸のエステルもしくはアミドが挙げられる。これらのうち、好ましくは、ポリヒドロキシ芳香族化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルもしくは1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステルであり、さらに好ましくは、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンもしくは2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノンもしくは2,3,4,2’,4’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシの1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルもしくは1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステルである。上記ノボラック樹脂は、ポジ型フォトレジストの成膜成分である。このノボラック樹脂は特に制限はなく、従来、公知のポジ型フォトレジスト組成物において被膜形成用物質として慣用されているもの、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール等の芳香族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒド等のアルデヒドとを、シュウ酸またはp-トルエンスルホン酸等の酸性触媒の存在下に縮合させたものを用いることができる。フォトレジストにおいて、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物の含有比率としては、ノボラック樹脂100質量部に対し、ナフトキノンジアジド化合物は5質量部~100質量部であり、好ましくは10質量部~80質量部である。上記ポリビニルメチルエーテルとしては、分子量等に限定されることなく、すべての重合体を用いることができ、例えば、BASF社製商品ルトナールM40やルトナールA25等が挙げられる。上記ポジ型フォトレジスト組成物が添加剤を含む場合、組成物全体に対する上記のノボラック樹脂とナフトキノンジアジド化合物の2成分またはポリビニルメチルエーテルを加えて主要3成分の含有割合は、70以上が好ましく、さらに好ましくは80以上である。本発明における導電性高分子を含む基材としては、導電性高分子として、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体等を含むものが挙げられる。これらの導電性高分子は、単独で用いてよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。好ましい導電性高分子は安定性の高いポリチオフェン及びその誘導体であり、さらに好ましいのはポリ3,4-ジアルコキシオキシチオフェン及びその誘導体であり、最も好ましいのは導電性、空気中での安定性および耐熱性に優れたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン及びその誘導体である。導電性高分子を含む基材を、それ以外の基体に載せて用いる場合の基体としては、プリベーク工程、現像工程等において、変形、変質等を引き起こすものでなければ、特に限定されない。この基体は、通常、樹脂、金属、無機化合物等を含む材料からなるものである。例えば、樹脂を含むフィルム、シート、板や、金属、無機化合物等を含む箔、板等が挙げられる。本発明においては、フィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂や、ポリカーボネート樹脂等の熱可塑性樹脂を含むフィルムなどが好ましく用いられる。上記導電性高分子を含む基材は、導電性を向上させる目的で、ドーパント、エンハンサー等を含有してもよい。上記ドーパントとしては、ヨウ素、塩素等のハロゲン、BF3、PF5等のルイス酸、硝酸、硫酸等のプロトン酸や、遷移金属、アルカリ金属、アミノ酸、核酸、界面活性剤、色素、クロラニル、テトラシアノエチレン、TCNQ等、従来、公知のドーパントを用いることができる。導電性高分子としてポリチオフェンを用いる場合のドーパントとしては、ポリスチレンスルホン酸が好ましい。ドーパントは、あらかじめ導電性高分子を含む基材に含まれていてもよいし、パターン化されたレジスト膜をマスクとして導電性高分子を含む基材の特定の部分に後から含ませても良いし、これらを併用しても良い。導電性高分子を含む基材の特定の一部に含ませた場合は、その部分のみの導電性を変化させることができるので、導電性高分子を含む基材中に抵抗素子やスイッチング素子等の機能部品を作りこんだり、外部電極との界面接触抵抗の低減等の効果を得ることができる。上記導電性高分子を含む基材がドーパントを含有する場合、その含有量は、導電性高分子100質量部に対して、好ましくは50~5,000質量部、より好ましくは100~3,000質量部である。このドーパントが上記範囲の量で含有されると、導電性の向上効果が十分に発揮される。また、上記エンハンサーは、導電性高分子を含む基材の形成時に導電性高分子を規則的に配列させて、導電性を向上させる成分であり、好ましくは、大気圧における沸点が100°C以上である極性化合物である。その例としては、ジメチルスルホキシドDMSO、N-メチルピロリドンNMP、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール等が挙げられる。これらは、単独で用いてよいし、2つ以上を組み合わせて用いてもよい。上記導電性高分子を含む基材がエンハンサーを含有する場合、その含有量は、上記の基材に対して、好ましくは1~10、さらに好ましくは3~5である。上記導電性高分子を含む基材としては、市販の商品を用いることができる。例えば、ポリチオフェンを含有する組成物としては、H.C.Starck社により製造されたCLEVIOS登録商標の商品であり、CLEVIOSP、CLEVIOSPH、CLEVIOSPH500、CLEVIOSPAG、CLEVIOSPHCV4、CLEVIOSFE、CLEVIOSFHCが例示される。また、帝人デュポンフィルム社により製造されたカレンファイン登録商標の商品を用いることができる。この商品は、ポリ3、4-エチレンジオキシチオフェンを含有し、ポリスチレンスルホン酸をドーパントとしている。他にも、ポリピロール系導電性高分子層が積層された、アキレス社製のSTシリーズや、ポリアニリン系導電性高分子層が積層されたマルアイ社のSCSシリーズなどが知られている。上記導電性高分子を含む基材の形成工程において、導電性高分子を含む基材層を形成する方法は、特に限定されない。例えば、導電性高分子を含む基材を基体に塗布して乾燥したり、導電性高分子を含む基材をそのままフィルム化することにより、導電性高分子を含む基材層を得ることができる。導電性高分子を含む基材を基体の上に塗布する場合の塗布方法は、特に限定されず、スピンコート法、ロールコート法、ディップ法、キャスト法、スプレー法、インクジェット法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等を用いることができる。塗布条件は、所望の膜厚となるよう、塗布方法、組成物の固形分濃度、粘度等を考慮の上、選択することができる。導電性高分子を含む基材を形成する他の方法としては、導電性高分子を含む基材を、剥離可能な基体に塗布し、乾燥して得られたフィルムを、そのまま使用したり、他の基体表面に密着させて複合体とすることもできる。このとき、接着剤を用いてよいし、接着剤を用いずに、加熱等を利用してもよい。尚、導電性高分子を含む基材層は、基体の全面に形成してよいし、所望の部分に形成してもよい。上記導電性高分子を含む基材層の厚さは、あまり厚いものは経済的でないので、好ましくは0.01~500μm、さらに好ましくは0.03~10μmである。導電性高分子を含む基材自体を基体として用いる場合の好ましい厚さは1~500μm、さらに好ましくは3~100μmであるレジスト膜の形成は、上記フォトレジストを、導電性高分子を含む基材の表面に膜形成する工程である。フォトレジストを塗布する場合の方法は、特に限定されず、スピンコート法、ロールコート法、ディップ法、キャスト法、スプレー法、インクジェット法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等を用いることができる。組成物は、通常、室温で塗布されるが、必要に応じて、導電性高分子を含む基材を加熱しながら、組成物を塗布してもよい。また、フォトレジストが固体フィルム状の場合は、塗布でなく、貼り合わせ、熱圧着等の方法で積層することもできる。レジスト膜の好ましい厚さは、0.5~10μm、さらに好ましくは1~5μmである。レジスト膜は、プリベーク工程により加熱されることが好ましく、加熱条件は、通常、フォトレジストの組成により、適宜、選択されるが、好ましくは、80°C~140°Cである。尚、加熱時の雰囲気は、特に限定されないが、通常、大気である。上記プリベーク工程後のレジスト膜の厚さは、好ましくは0.5~10μm、より好ましくは1~5μmである。膜厚が上記範囲にあると、ピンホールによる歩留まり低下が抑えられ、露光、現像、剥離等の処理が短時間で終了できる上、現像不良や剥離不良が発生し難くなるために好ましい。次に、フォトマスクを介して、上記レジスト膜の表面に選択的に光を照射する露光工程。フォトレジストがポジ型の場合、レジスト膜の露光部は、通常アルカリ溶解性となるので、現像工程により除去される。ネガ型の場合は非露光部が除去される。上記露光工程における露光条件は、レジスト膜の組成添加剤の種類等、厚さ等により、適宜、選択される。また、この露光には、通常の可視光線の他に、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等の荷電粒子線等の放射線を用いることもできる。その後、現像工程において、現像液を用いてレジスト膜の可溶部を除去し、導電性高分子を含む基材層の表面を露出させる。現像後に残ったレジスト膜は、次工程のマスクとして、あるいは絶縁部等のデバイスを構成する材料として利用してもよい。本発明の現像液は、上記の現像工程で用いられるものである。ポジ型レジストとして好ましい、ナフトキノンジアジド-ノボラック型フォトレジストからなるレジスト膜に、従来、現像液として一般的に用いられてきたのはアルカリ水溶液である。このアルカリ水溶液の調製に用いられるアルカリとしては、有機アルカリおよび無機アルカリがある。半導体、液晶パネル、プリント配線板等の電気電子部品の製造には、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH等のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド等の有機アルカリが多用されている。一方、パターン化されたレジスト膜部分をマスクとして、銅やクロム等の金属のエッチングを行なう場合は、金属の腐食防止のために水酸化ナトリウム、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウム等の無機アルカリとからなる緩衝液が用いられる場合もあることが知られている。本発明者らは、導電性高分子を含む基材上に、レジスト膜を形成し、露光後、現像液として、アルカリ剤と好ましくは所定濃度の酸および/またはその塩とを含む現像液を用いてレジスト膜を現像することで、微細なパターンから太いパターンまで、自在のレジストパターンを形成でき、現像液に接触した導電性高分子を含む基材の表面抵抗を増大させたり、密着性を低下させたりというダメージが少ないこと見出して本発明を完成した。本発明の現像液は、導電性高分子を含む基材の保護剤としての酸を含む、アルカリ性の現像液である。現像液に保護剤を添加すると、現像液と接触したときの導電性高分子を含む基材の表面抵抗の増大を抑制することができ、保護剤としては、界面活性剤、無機塩、カルボン酸塩、アミノ酸等が挙げられ、これらのうちの1種以上を併用することができるが、特に酸またはその塩が含まれるとき、表面抵抗の増大を抑制する効果が大きいので、本発明においては酸またはその塩が必須の成分である。上記現像液は、現像する能力を持つためにはアルカリ性であるからpHとしては7より大きいことが必須であるが、好ましくは、pH11以上、さらに好ましくはpH12以上、より好ましくはpH12.5以上であり、pHの上限は、pH13.5を超えると表面抵抗の増大が著しくなり、pH14を超えると更に極端に表面抵抗が増大するため、pH14以下が好ましく、さらに好ましくはpH13.5以下である。本発明の現像液の主成分は無機アルカリ剤と溶剤であり、必須成分としての酸および/またはその塩と、その他の各種添加剤を含んでも良いものである。現像液の主成分であるアルカリ剤としては、溶剤に溶けて塩基性を示す無機物質なら何でも用いることができるが、KOH、NaOH、K2CO3、KHCO3、Na2CO3、NaHCO3等の無機アルカリ剤であり、好ましくは保護剤の効果が大きく表れる無機アルカリ剤であり、より好ましくは、KOH、K2CO3、KHCO3等のカリウム塩であり、更に好ましくはKOHである。TMAH等のテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドに代表される有機アルカリ剤は少量ならば含まれても差し支えなく、具体的にはアルカリ剤の50質量未満ならば含まれても良い。これらのアルカリ剤は1種以上を併用することも差し支えない。特に水酸化アルカリと炭酸塩を併用すると導電性高分子を含む基材の表面抵抗値を増大させない効果があるので好ましい。併用する炭酸塩の量はアルカリ剤の1モルに対して0.1~2.0モル併用することが好ましく、0.5~1.5モル併用することがより好ましい。炭酸塩としては、炭酸カリウムおよび/または炭酸ナトリウムが好ましく、炭酸カリウムがより好ましい。導電性高分子層とレジスト膜が直接接触している場合に、高解像度の現像を行うために、現像液に含まれるアルカリ金属類の濃度は好ましくは0.08mol/リットル~0.20mol/リットルであり、さらに好ましくは0.09mol/リットル~0.18mol/リットル濃度、より好ましくは0.09mol/リットル~0.15mol/リットル濃度である。アルカリ金属としてはカリウムであることが好ましい。上記アルカリ剤において、カリウム、ナトリウム以外のアルカリ金属イオンがふくまれるときは、リチウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオン等が挙げられる。カリウムイオンと、ナトリウムイオンは共存していても、露光工程後のレジスト膜における露光部を効率よく除去することができ、本発明を実施することができる。しかしながら、レジストパターンが導電性高分子層に直接接触している場合、あまりナトリウムイオンの濃度が高いと、レジストパターンが導電性高分子を含む基材層から剥がれて脱落しやすくなり、所望のレジストパターン形成が困難となる。従って、本発明の現像液におけるナトリウムイオンの濃度の上限は、0.1mol/リットル未満であることが好ましい。本発明の現像液の主成分の一つである溶剤は、無機アルカリ剤と保護剤を溶解するものならば何でも用いることができるが、好ましくは極性溶媒であり、さらに好ましくは水である。水に極性溶媒を混合させたものも同様に好ましく使用することができる。極性溶媒のうち、塩基性のアミン類、アンモニア類、ピペラジン類は導電性高分子に悪影響を与えるため多量に含まれることは好ましくない。本発明の現像液の必須成分である酸および/またはその塩として用いることができるものは、無機酸、等電点が7より小さいアミノ酸、カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸、のなかから選ばれる一つ以上の酸および/またはその塩である。無機酸としては塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、ホウ酸、フッ化水素酸などが挙げられるが、この中で好ましいものは塩酸、硝酸、硫酸、リン酸であり、さらに好ましくは塩酸およびリン酸である。等電点が7より小さいアミノ酸として好ましいのはα-アミノ酸であり、アスパラギン酸、グルタミン酸等の酸性アミノ酸、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、アスパラギン、グルタミン、プロリン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン等の中性アミノ酸が挙げられる。これらのα-アミノ酸のうちグリシン以外は光学活性であるが、D体もL体も同様に用いることができる。さらに好ましいものはグリシン、グルタミン酸、アスパラギン酸であり、より好ましいのはグリシンとアスパラギン酸である。また、溶剤が水である場合は、炭素数が6以下のものが、水への溶解性が高い傾向があるので好ましい。カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸としてはシュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等の脂肪族および芳香族ジカルボン酸、クエン酸等のトリカルボン酸などが挙げられる。カルボキシル基を二つ以上持つカルボン酸は、通常、カルボン酸の数に対応した複数のpKa値を有するが、好ましいのは、最も小さいpKa値が3以下の値を有するものである。また、溶剤が水である場合は、炭素数が6以下のものが、水への溶解性が高い傾向があるので好ましい。これらの酸は、塩であっても良く、塩であるときに酸の対イオンとして好ましいものは上記のアルカリ剤の塩基である。そして、上記の酸および/または塩基は2つ以上を併用することも差し支えなく、なかでもアミノ酸と無機酸の組み合わせは好ましい組み合わせである。本発明において用いる、上記の酸および/または塩の濃度は、現像液全体に対して質量濃度で0.01~10が好ましく、さらに好ましくは0.1~1である。この範囲の中でも、現像液に含まれるアルカリ剤の1モルに対して0.01~0.5モルの範囲内にあることがより好ましい。本発明の現像液およびパターン形成方法において、保護剤として酸および/またはその塩の他に併用できるものとしては界面活性剤および無機塩が挙げられ、界面活性剤としてはノニオン型界面活性剤が好ましく、無機塩としては、中性カルシウム塩が好ましい。より具体的には、界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテルが好ましく、ポリオキシエチレントリデシルエーテルがさらに好ましい。無機塩としては、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属のハロゲン化物が特に好ましい。保護剤の併用成分の含有量は、特に限定されないが、酸および/またはその塩を必須とする保護剤全体のなかで50未満、好ましくは30未満である。本発明の現像液を用いる現像工程によって、レジスト膜における露光部または非露光部が部分的に除かれた後、露出している導電性高分子を含む基材の表面と現像液とが接触することになる。従来の現像液では、この接触によって導電性高分子を含む基材の表面にダメージが与えられるが、本発明の現像液ではダメージが抑制される。本発明の現像液を用いる現像の好ましい現像時間は、1秒以上30分以下、さらに好ましくは10秒以上200秒以下である。現像時間が長すぎると、導電性高分子を含む基材の表面の一部が腐食される場合がある。一方で、現像時間があまりに短いと現像残りが生じる場合がある。上記現像工程により露出している導電性高分子を含む基材は、次にパターン化されたレジスト膜部分をマスクとして、ドーピング等の方法により、部分的に変質させても良いし、あるいは上記のレジスト膜部分をマスクとして、エッチング等の方法により除去されてもよい。上記現像工程において、現像液の温度は、特に制限はないが、温度が高くなるほど現像速度は速くなり、一方、温度が低いと、現像速度が遅くなって、時間はかかるものの膜減りやレジストパターンの脱落は、発生し難くなる。従って、好ましい現像液の温度は、15°C以上35°C以下である。現像方法としては、浸漬法やスプレー法等の方法を適用することができる。露出している導電性高分子を含む基材層部を除去する場合には、導電性高分子の性状にあわせて、公知のエッチング液およびエッチング方法を用いることができる。エッチング液の具体例としては、WO2008/041461国際公開パンフレットに記載のある、0.5を超え70以下のNH42CeNO36または0.5以上30以下のCeSO42、を含むエッチング液であり、具体的なエッチング方法も、上記の国際公開パンフレットに開示されている方法を適用することができる。本発明においては、好ましくは1~30、より好ましくは3~20のNH42CeNO36を含むエッチング液を用いることにより、パターン化されたレジスト膜部分131の下方側に接する導電性高分子を含む基材層を侵すことなく、露出している導電性高分子を含む基材を効率よく除去することができる。パターン化されたレジスト膜部分を除去したい場合には、剥離剤を使用することができるが、導電性高分子を含む基材に悪影響の少ない剥離剤としては、化学構造中に酸素原子、硫黄原子、またはその両方を含む非プロトン性有機溶剤a、ならびに、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および有機第4アンモニウム塩以外であって、化学構造中に窒素原子を有する有機溶剤bが挙げられる。非プロトン性有機溶剤aおよび有機溶剤bは、組み合わせて用いてもよい。具体的に好ましい剥離剤としては、非プロトン性有機溶剤aとしてジメチルスルホキシド、炭酸エチレンおよびγ-ブチロラクトンのなかから選ばれる1つ以上であり、窒素原子を有する有機溶剤bとして、N-メチルピロリドン、ジメチルホルムアミドおよびジメチルアセトアミドのなかから選ばれる1つ以上であり、これらaとbとの組み合わせを含むものを挙げることができる。上記剥離剤を用いる処理温度は、特に限定されない。処理温度が高いと、剥離剤の粘度が低くなる傾向にあり、短時間でレジスト膜部の除去が終了する。ただし、処理温度が高すぎると、剥離後のパターン化された、導電性高分子を含む基材部分121の表面抵抗が上昇し、導電性が低下することがある。そのため、5°C~60°Cが好ましく、さらに好ましくは5°C~50°C、より好ましくは10°C~40°Cである。本発明によれば、微細にパターン化された導電パターンおよびレジストパターンを形成することができ、導電性高分子を含む基材の表面抵抗は良好な値を保つ。以下に例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例に限定されるものではない。<現像液の調製>表1、2、4に列記する現像液は、まず、ガラスビーカーに、表の酸欄に示す酸を、表の酸添加量単位g欄に示す重量になるように秤量して脱イオン水90gに溶解し、次に堀場製作所製ガラス電極型式9621Cと堀場製作所製pHメーター型式D-12で液のpHを測定しながら、pH値が表のpH欄の値になるまでアルカリ剤と脱イオン水を適宜加えた。調整後の全体の液重量を測定して表に記入した。表1の実施例11において、酸が塩酸グリシン、酸添加量が0.0440.075と記載されているのは、塩酸をHClとして0.044gおよびグリシンを0.075g添加したことを意味する。なお、pHメーターはpH=4,7,9の3種の標準液で校正してから用いた。表3の実施例18~25で示す、アルカリ剤1と共にアルカリ剤2を用いるときは、まず、ガラスビーカーに、表の酸欄に示す酸を、表の酸添加量単位g欄に示す重量になるように秤量して脱イオン水90gに溶解し、次に炭酸アルカリ塩であるアルカリ剤2を表のアルカリ剤2添加量単位gだけ加えて溶解し、ガラス電極式pHメーターで液のpHを測定しながら、pH値が表のpH欄の値になるまでアルカリ剤1と脱イオン水を適宜加えた。調整後の全体の液重量を測定して表に記入した。なお、酸が常温で固体の場合は、固体のまま秤量して採取し、塩酸のように通常は溶液として用いられるものは、酸の純分重量が添加量になるように、希釈濃度分を換算して採取した。すなわち、表の酸添加量が1gだったとき、酸が50水溶液だった場合は、酸の水溶液2gを採取して加えたことを意味する。塩酸は東亞合成株式会社製の35品商品名白塩酸、硝酸は和光純薬工業製の硝酸60試薬特級品、硫酸は和光純薬工業製の硫酸純度95.0以上試薬特級品、リン酸は和光純薬工業製のリン酸純度85.0以上試薬特級品、シュウ酸は和光純薬工業製のシュウ酸無水和光特級品、グリシンはキシダ化学製のグリシン試薬特級品、グルタミン酸は和光純薬工業製のL‐グルタミン酸試薬特級品、クエン酸はキシダ化学製のクエン酸1水和物試薬特級品、フタル酸は和光純薬工業製のフタル酸和光特級品、アスパラギン酸は和光純薬工業製のDL‐アスパラギン酸和光特級品、アルギニンは和光純薬工業製のDL‐アルギニン和光規格品、安息香酸は和光純薬工業製の安息香酸試薬特級品、酢酸は和光純薬工業製の酢酸純度99.7以上試薬特級品、を使用した。アルカリ剤は、KOHは東亞合成株式会社製の商品名スーパーカリ‐R、TMAHは和光純薬工業製の25テトラメチルアンモニウム=ヒドロキシド溶液精密分析用、NaOHは東亞合成株式会社製の48水酸化ナトリウム、K2CO3は和光純薬工業製の炭酸カリウム無水試薬特級品、Na2CO3はキシダ化学製の炭酸ナトリウム無水試薬特級品、を使用した。<導電性高分子を含む基材層の作製>導電性高分子を含まない基体として表面をコロナ処理したポリエチレンテレフタレートPETシートを選び、その表面に導電性高分子として商品名CLEVIOSFE商品名、エイチシースタルク株式会社製、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン含有を用いて100nm程度の導電性高分子を含む基材の薄膜を作製した。これを、導電性高分子を含む基材層を積層した基板Aとした。なお、表4では、上記のCLEVIOSFE/PETフィルムの代わりに、実施例26,27および比較例12~15では、PETフィルム基体にポリピロール系導電性高分子層が積層された、アキレス社製のSTポリのフィルム基板を使用した。実施例28,29および比較例16~19では、A-PETフィルム基体にポリアニリン系導電性高分子層が積層されたフィルム基板として、マルアイ社のSCSA-PETを使用した。<レジストパターンの作製>また、基板Aの表面に、フォトレジストとして、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂を含むポジ型フォトレジストである商品名TRP-43東亞合成株製をスピンコーターを用いてコートし、90°Cで15分プリベークをおこなって、膜厚1.2μmのレジスト層を形成した。このレジスト層を露光装置株ハイテック製を用いてマスクパターンを介して100mJ/cm2の光量で露光し、表1に示す各種現像液にて25°Cで現像し、水洗後、乾燥して、基板Aの導電性高分子を含む基材層上にレジストパターンを有する基板Bを形成した。<導電パターンの作製>基板Bのレジストパターンをマスクとして、10質量の硝酸セリウムアンモニウムと10質量の硝酸の混合物であるエッチング液を用いて、30°Cにて1分間浸漬し、導電性高分子を含む基材をエッチング処理し、水洗して導電パターンを形成した。最後に、導電性高分子上のレジスト層を、剥離液としてγ‐ブチロラクトンを撹拌羽で400回転/分で撹拌しながら10°Cにて1分間浸漬して剥離した。その後イオン交換水を洗浄液として、撹拌羽で400回転/分で撹拌しながら10°Cにて1分間浸漬してリンスした。こうして導電パターンを有する基板Cを得た。<導電性高分子を含む基材の表面抵抗の評価>導電性高分子を含む基材が表面に露出した基板Aに対し、ピン間距離5mmのES型4探針プローブ株式会社ダイアインスツルメントの商品名MCP-TP08を基材表面に接触させて、表面抵抗計株式会社ダイアインスツルメントの商品名ロレスターGPによって、JISK-7194に定める4探針法に基づく表面抵抗値を測定した。表面抵抗値は基板の中心近くで6点測定してその平均値を表面抵抗1とした。その後、表面抵抗を測定した基板Aを表1~4で示す各々の現像液に25°Cで1分間浸し、取り出して脱イオン水で十分流水洗浄して、清浄な紙商品名キムワイプに脱イオン水を吸収させ、30分間自然乾燥した後、再び表面抵抗2を測定した。そして、表面抵抗2-表面抵抗1/表面抵抗1×100、の値を増加率単位として表1~4に示した。増加率の値が大きいほど、現像液による表面抵抗の増大が大きかったことを示すので、増加率の値が小さい現像液がより優れていることを示す。なお、表4のポリアニリンを使用した実施例28、29と比較例16~19では現像液に浸漬する時間を1分にすると表面抵抗計の測定範囲を超えるほどの表面抵抗が上昇したため、浸漬時間を1分より短縮して測定した。-は酸を添加していないことを示す。表1の結果は、アルカリ剤として、同じKOHを用いる場合でも、本発明の酸を加えないか、あるいは本発明とは異なる酸を加えた現像液と接触した場合、導電性高分子を含む基材の表面抵抗の増加率が70以上と、大きく増加してしまうことを示しており、一方、本発明の現像液に接触した場合の、導電性高分子を含む基材の表面抵抗の増加率は70を下回っていることから、本発明の現像液は導電性高分子を含む基材の表面抵抗に悪影響を与えにくいということができる。現像液の現像特性について、以下の試験をおこなった。☆現像性線幅100μmのラインスペースでレジストパターンを作製した基板Bを、乾燥後、300倍の光学顕微鏡で観察し、現像で除かれているべき部分のレジストの残りの有無を観察した。表1の実施例1~11と比較例1~4では、すべての例で不正なレジスト残りはなく、きれいなレジストパターンが得られていたので表1には現像性の評価結果は記載しなかった。表2においては、比較例8および9において、現像性が良好でなく、線長で合計10mmの範囲のラインを追って調べた中で、5か所以上のスペース部分にレジスト残りが認められたので、表2の現像特性の欄に白抜きの三角△の印で示した。現像性と密着性の両方が良好だったものは丸印○で示した。☆密着性レジスト層に線幅100μmのラインスペースのレジストパターンを切った後、導電性高分子を含む基材をエッチングし、次いで剥離液にて該レジスト層を剥離して、基板Cを得た。基板Cを300倍の光学顕微鏡で観察し、ラインの異状具合を調べた。レジストパターンと導電性高分子を含む基材との間で剥離があると、エッチング液が入り込むために、残るべき導電パターンがエッチングされて切れてしまうが、表1の実施例1~11と比較例1~4では、すべての例で不正な導電パターンは認められず、きれいな導電パターンが得られていたので表1には現像性と密着性の評価結果は記載しなかった。表2においては、比較例10および11では、現像性は良好だったが、密着性が良好でなかった。エッチング後にレジストを剥離してみたところ、線長で合計10mmの範囲のラインを追って調べた中で、5か所以上で導電パターンが途切れてしまっていたので、密着性不良と判断し、表2の現像特性の欄に黒塗りの三角▲の印で示した。現像性と密着性の両方が良好だったものは丸印○で示した。-は酸を添加していないことを示す。表2の結果は、アルカリ剤として、本発明とは異なるTMAHを用いた現像液を接触させた場合には、本発明と同じ酸を加えても効果がないか、あるいは却って酸を加えない場合よりも、導電性高分子を含む基材の表面抵抗の増加率が大きくなったり、現像特性が悪化したりしてしまい良好な結果が得られないことを示しており、本発明の効果は特殊な組み合わせの場合に限って得られることを示している。さらに実施例14、15と比較例8の現像特性に着目すると、アルカリ剤だけでは現像特性が悪化するようなpH値でも、本発明の現像液は良好な現像特性を有する。-は酸を添加していないことを示す。表3,4の実施例18~29および比較例12~19では、レジスト現像性や密着性には問題なく、すべてきれいなレジストパターンと導電パターンが得られた。表3の結果は、アルカリ剤が水酸化アルカリと炭酸アルカリ塩の混合物であるとき、表面抵抗の増加率が低い良好な現像液となることを示している。表4の結果は、本発明の現像液はポリチオフェン系の他、ポリピロール系、ポリアニリン系の導電性高分子を含む基材と接触する現像液としても、ポリチオフェン系の場合と同様な効果があることを示している。"