反応室内の少なくとも1つの基板に連続自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成されたプラズマ原子層堆積反応炉を作動させることと、堆積サイクルのほぼ全体にわたって、不活性ガス源からのガスを前記反応室に向かって開いた拡張型ラジカル供給部に流入させることと、を含む方法。前記方法は、プラズマ原子層堆積期間のうちのプラズマ前駆体パルス期間中、前記不活性ガス源からのガスを、プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させることを含み、前記ガスは、当該パルス期間中、発生させたラジカルのキャリアガスとして機能する、請求項1に記載の方法。前記方法は、プラズマ原子層堆積期間のうちのパージ期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させることを含み、前記ガスは、当該パージ期間中、パージおよび不活性シールドガスとして機能する、請求項1または2に記載の方法。プラズマ原子層堆積期間および熱原子層堆積期間の両期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させること、を含む請求項1から3の何れか1項に記載の方法。不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を迂回する経路で前記ラジカル供給部に流入させること、を含む請求項1から4の何れか1項に記載の方法。前記プラズマ原子層堆積期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通る経路および前記プラズマ源を迂回する別の経路の両経路で、前記ラジカル供給部に流入させること、を含む請求項1に記載の方法。前記熱原子層堆積期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を迂回する前記経路のみで、前記ラジカル供給部に流入させることと、当該期間中、前記プラズマ源を通って流れる前記不活性ガス源からのガスを排気管路に導くことと、を含む請求項1または6に記載の方法。前記方法は、前記プラズマ原子層堆積期間中、1つ以上の熱原子層堆積供給管路を通して不活性ガスを前記反応室に向けて導くことを含み、前記1つ以上の熱原子層堆積供給管路は、前記プラズマ原子層堆積期間中、ラジカルを前記反応室に導く1つ以上のプラズマ源管路から離隔される、請求項1から7の何れか1項に記載の方法。少なくとも1つの機械式アクチュエータによって収縮形状と伸長形状との間で変形可能な変形可能供給部を使用すること、を含む請求項1から8の何れか1項に記載の方法。少なくとも1つの基板を担持する基板ホルダが前記変形可能供給部に機械的に結合され、前記方法は、前記変形可能供給部を変形させることによって、少なくとも1つの基板を担持する前記基板ホルダを装填または取り出しのための上方位置に上昇させること、を含む請求項9に記載の方法。プラズマ原子層装置であって、不活性ガス源から反応室に向かって開いた拡張型ラジカル供給部までのガス管路と、堆積サイクルのほぼ全体にわたって前記不活性ガス源からのガスを供給部に流入させるように構成された制御システムと、を備え、前記プラズマ原子層堆積反応炉は、前記反応室内の少なくとも1つの基板に連続自己飽和表面反応によって材料を堆積させるように構成される、プラズマ原子層装置。前記制御システムは、プラズマ原子層堆積期間のうちのプラズマ前駆体パルス期間中、前記不活性ガス源からのガスを、プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させるように構成され、前記ガスは、当該パルス期間中、発生させたラジカルのキャリアガスとして機能する、請求項11に記載の装置。前記制御システムは、プラズマ原子層堆積期間のうちのパージ期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させるように構成され、前記ガスは、当該パージ期間中、パージおよび不活性シールドガスとして機能する、請求項11または12に記載の装置。前記制御システムは、プラズマ原子層堆積期間および熱原子層堆積期間の両期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通して前記ラジカル供給部に流入させるように構成される、請求項11乃至13の何れかに記載の装置。前記制御システムは、不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を迂回する経路で、前記ラジカル供給部に流入させるように構成される、請求項11から14の何れか1項に記載の装置。前記制御システムは、前記プラズマ原子層堆積期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を通る経路および前記プラズマ源を迂回する別の経路の両方で、前記ラジカル供給部に流入させるように構成される、請求項11に記載の装置。前記制御システムは、前記熱原子層堆積期間中、前記不活性ガス源からのガスを、前記プラズマ源を迂回する前記経路のみで、前記ラジカル供給部に流入させるべく、さらに、当該期間中、前記プラズマ源を通って流れる前記不活性ガス源からのガスを排気管路に導くべく、構成される、請求項11または16に記載の装置。前記制御システムは、前記プラズマ原子層堆積期間中、1つ以上の熱原子層堆積供給管路を通して不活性ガスを前記反応室に向けて導くように構成され、前記1つ以上の熱原子層堆積供給管路は、前記プラズマ原子層堆積期間中、ラジカルを前記反応室に導く1つ以上のプラズマ源管路から離隔される、請求項11から17の何れか1項に記載の装置。前記供給部は変形可能であり、前記装置は前記供給部を収縮形状と伸長形状との間で変形させるための機械式アクチュエータを少なくとも1つ備える、請求項11から18の何れか1項に記載の装置。少なくとも1つの基板を担持する基板ホルダが前記変形可能供給部に機械的に結合され、前記変形可能供給部を変形させることによって、少なくとも1つの基板を担持する前記基板ホルダを装填または取り出しのための上方位置に上昇させる、請求項19に記載の装置。100mmのシリコンウエハを図3に示されている複式昇降機によって反応室335に装填した。トリメチルアルミニウムTMAと水H2Oとからの酸化アルミニウムAl2O3を200°Cでシリコンウエハ上に成長させるために、図6による堆積反応炉の器具類と図7のタイミング図とを用いた。キャリアおよびパージガス管路101を通るアルゴンガスの流量は30sccmであった。TMAパルス長は0.1秒であり、この後に6秒間のパージが続いた。酸素ガスパルス送出弁414を開き、50sccmの酸素ガスを、パルス送出弁414を介して遠隔プラズマ発生器110に流した。プラズマをオンにするためにRF電力を0Wから2500Wに上げ、2500Wレベルに6秒間維持した。その後、プラズマをオフにするために、RF電力を2500Wから0Wに下げた。次に、酸素ガス弁を閉じ、システムを不活性ガスで10秒間パージした。36nm厚のAl2O3薄膜が成長するまで、この堆積サイクルを繰り返した。この結果、楕円偏光計によって49箇所で測定した薄膜の厚さの不均一性は1σで僅か1.3であった。一例示的実施形態において、本願明細書に記載の堆積反応炉は、コンピュータ制御のシステムである。システムのメモリに格納されたコンピュータプログラムはいくつかの命令を含む。これら命令は、システムの少なくとも1つのプロセッサによって実行されると、命令どおりに堆積反応炉を作動させる。これら命令は、コンピュータ可読プログラムコードの形態でもよい。図8は、堆積反応炉制御システム800の概略ブロック図を示す。基本的なシステムセットアップ工程においては、ソフトウェアの助けによりパラメータがプログラミングされ、ヒューマンマシンインタフェースHMI:humanmachineinterface端末806によって命令が実行され、イーサネットバス804を介して制御ボックス802にダウンロードされる。一実施形態において、制御ボックス802は、汎用プログラマブル論理制御PLC:programmablelogiccontrolユニットを備える。制御ボックス802は、メモリに格納されたプログラムコードを含む制御箱ソフトウェアを実行するための少なくとも1つのマイクロプロセッサと、ダイナミックおよびスタティックメモリと、I/Oモジュールと、A/DおよびD/Aコンバータと、複数の電源リレーとを備える。制御ボックス802は、堆積反応炉の各弁の空圧式制御装置に電力を送り、質量流量制御装置との双方向通信を有し、プラズマ源の作動およびラジカルの発生、ならびに昇降機の動作を制御するほか、堆積反応炉の作動を別様に制御する。制御ボックス802は、堆積反応炉からのプローブ読み取り値を測定してHMI端末806に中継してもよい。点線816は、堆積反応炉の各部と制御ボックス802との間の境界線を示す。上記の説明は、本発明の特定の実装例および実施形態の非限定例として、本発明の実施のために本発明者らが現時点で最良と考えている形態についての完全かつ有益な説明を提供した。ただし、本発明は上記の実施形態の詳細に限定されず、本発明の特性から逸脱することなく他の実施形態において同等の手段を用いて実現することも可能であることは当業者には明らかである。さらに、本発明の上記実施形態の特徴のいくつかは、他の特徴を同様に使用することなく効果的に使用されてもよい。したがって、上記説明は、本発明を限定するものではなく、本発明の原理の単なる例示として考えられたい。よって、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。