SiC基板にSF6のみ又はSF6とArとの混合ガスによるドライエッチングにより凹部を形成する際に、エッチングマスクとしてレジスト現像後に130°C~160°Cの温度で1分~5分ポストベークするとともに、基板印加バイアス電力とアンテナ電力との比基板印加バイアス電力/アンテナ電力を0.01~0.1としたことを特徴とするドライエッチング方法。本発明は、エッチング側壁を2段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後のマスク剥離工程を簡素化できるSiC基板のドライエッチング方法を提供することを課題とする。上記の課題は、以下のSiCドライエッチング方法によって解決される。SiC基板にSF6のみ又はSF6とArとの混合ガスによるドライエッチングにより凹部を形成する際に、エッチングマスクとしてレジスト現像後に130°C~160°Cの温度で1分~5分ポストベークするとともに、基板印加バイアス電力とアンテナ電力との比基板印加バイアス電力/アンテナ電力を0.01~0.1としたことを特徴とするドライエッチング方法。本発明によれば、レジストをマスクにしてSiC基板を深さ1μm以上ドライエッチングすることができ、金属やSiO2膜をエッチングマスクにする必要がなく、簡素化された工程でSiC基板に凹部分を形成できる。凹部分の側壁のテーパー角度も開口部分に近い方が緩やかな2段階の傾斜形状にでき、デバイス動作時のエッジ部分への電界集中を緩和することができ、耐圧の向上が期待できる。実施の形態1レジストマスクを用いたSiC基板のドライエッチング方法を実施の形態1を用いて説明する。結晶構造が4HSiCでC面4°オフ基板又はSiCエピタキシャル膜付きの4°オフ基板を有機洗浄、RCA洗浄した後、レジストを2μmの厚さで塗布、露光、現像を行いエッチングパターンを形成した。その後、140°Cで1分間のポストベークを行った。このレジスト付きパターン基板をICP方式のドライエッチング装置でSF6をエッチングガスとして圧力05Paでドライエッチングした。図1にSiO2膜をエッチングした場合のレジストとの選択比が基板印加バイアス電力以下、バイアスパワーというとアンテナ電力以下、アンテナパワーというの比によって変化する様子を示す。図1によれば、バイアスアンテナパワーの比が小さい方が、選択比が高くなることがわかる。エッチングする対象がSiC基板になってもこの傾向は同様である。バイアスアンテナパワー比が01以下、好ましくは001にすることが、選択比を大きくすることに有利である。図1に示した結果をもとに、SiC基板C面でのドライエッチングを行った。SF6ガス流量50sccm、圧力05Pa、アンテナパワー400W、バイアスパワー20Wで240秒でドライエッチングした。このときSiC基板は裏面からHeガスで冷却している。この条件でドライエッチングすると、SiC基板は約02μmminの早さでエッチングされる。その時のレジストのエッチングレートは約04μmminである。ラインとスペースが2μm2μmの間隔でパターニングされた場合のエッチング断面形状を図2に示す。これは収束イオンビーム装置FIBで断面を切り出した写真である。表面にPtの保護膜が形成されている。エッチング深さは約08μmである。エッチング側壁の角度は、凹部底に近い方は約55°になっており、開口部に近い方は約35°になっている。この実施例の条件でこのように側壁が2段階のテーパー角度がつくようにドライエッチングされ、1段目、2段目の角度はかなりテーパーになるようエッチングできる。次に直径50μmの円形にドライエッチングした場合の断面形状を図3に示す。エッチング深さは同様に約08μmであるが、エッチング側壁の角度は凹部底に近い方は約35°になっており、開口部に近い方は約20°になっている。エッチング面積が広い方がさらにテーパー角度は緩やかになる。このようにテーパー角度はエッチング幅面積によって違う。このような2段のテーパー形状になることによってエッチングした端部が鋭角にならなくなり電界集中を緩和でき、このエッチング方法で作製したSiC半導体素子のリーク電流の発生を抑え耐圧の向上を達成できる。実施の形態2エッチング条件のアンテナパワーとバイアスパワーを更に変更した実施の形態2を説明する。結晶構造が4HSiCでC面4°オフ基板又はSiCエピタキシャル膜付きの4°オフ基板を有機洗浄、RCA洗浄した後、レジストを25μmの厚さで塗布、露光、現像を行いエッチングパターンを形成した。その後、140°Cで1分間のポストベークを行った。このレジスト付きパターン基板をICP方式のドライエッチング装置でSF6をエッチングガスとして圧力05Paでアンテナパワー700W、バイアスパワー7Wすなわちバイアスアンテナパワー比が001でドライエッチングした。このときSiC基板は、裏面からHeガスで冷却している。この条件でドライエッチングすると、SiC基板は約0175μmminの早さでエッチングされる。その時のレジストのエッチングレートは約033μmminである。ラインとスペースが2μm2μmの間隔でパターニングされた場合のエッチング断面形状を図4に示す。これは収束イオンビーム装置FIBで断面を切り出した写真である。表面にPtの保護膜が形成されている。エッチング深さは約11μmである。エッチング側壁の角度は凹部底に近い方は約55°になっており、開口部に近い方は約30°になっている。この実施の形態2の条件でこのように側壁が2段階のテーパー角度がつくようにエッチングされ、実施の形態1と同様に1段目、2段目の角度はかなりテーパーになるようにエッチングできる。次に、直径50μmの円形にドライエッチングした場合の断面形状を図5に示す。エッチング深さは同様に約11μmであるが、エッチング側壁の角度は凹部底に近い方は約30°になっており、開口部に近い方は約20°になっている。このようにエッチング幅が広い方がさらにテーパー角度は緩やかになる。実施の形態2の条件でSiCをエッチングすると深さは11μmまで深くすることができ、エッチング側壁の2段テーパー形状は実施の形態1より更に緩やかな角度に形成できる。