空洞部を有する基板と、前記空洞部を覆うようにして前記基板の上方に配設された薄膜状のダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成された可動電極板と、前記ダイアフラムに対向させるようにして前記基板の上面に固定されたバックプレートと、前記可動電極板と対向する位置において前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた音響センサであって、前記ダイアフラム及び前記可動電極板が複数領域に実質的に分割されていて、分割された各可動電極板と前記固定電極板によって複数個の並列に接続されたキャパシタが構成されていることを特徴とする音響センサ。前記ダイアフラム及び前記可動電極板は、スリットによって分割されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記スリットは、前記ダイアフラムの最大変位箇所を通過する位置に形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記スリットによって分割された前記ダイアフラムの各領域は、前記スリットを挟んでそれぞれ最大変位箇所を有していることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記スリットは、前記ダイアフラムの支持箇所のうちいずれか2つの支持箇所を結ぶ線分上に位置していることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記スリットが部分的に途切れていて、当該スリットを挟んでその両側に位置するダイアフラムの各領域どうしが当該スリットの途切れた部分を通して部分的につながっていることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記スリットの幅が10μm以下であることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記スリットの長さは、当該スリットの延長方向における前記ダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上であることを特徴とする、請求項2に記載の音響センサ。前記ダイアフラムが円形状であることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記ダイアフラムが矩形状であることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。前記ダイアフラムは、その縁を複数箇所で前記基板又は前記バックプレートに支持されており、当該支持箇所のうち隣接する支持箇所の間の少なくとも一箇所に空隙が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。音響振動が前記空洞部を通って前記ダイアフラムに到達することを特徴とする、請求項1に記載の音響センサ。請求項1に記載した音響センサと、前記音響センサから出力された信号を処理するための回路とを備えたマイクロフォン。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、センサの小型化を妨げることなくセンサのS/N比を向上させることのできる音響センサと、当該音響センサを用いたマイクロフォンを提供することにある。本発明に係る音響センサは、空洞部を有する基板と、前記空洞部を覆うようにして前記基板の上方に配設された薄膜状のダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成された可動電極板と、前記ダイアフラムに対向させるようにして前記基板の上面に固定されたバックプレートと、前記可動電極板と対向する位置において前記バックプレートに設けた固定電極板とを備えた音響センサであって、前記ダイアフラム及び前記可動電極板が複数領域に実質的に分割されていて、分割された各可動電極板と前記固定電極板によって複数個の並列に接続されたキャパシタが構成されていることを特徴としている。なお、可動電極板は、ダイアフラムに設けてあってもよく、ダイアフラム自体が可動電極板となっていてもよい。本発明の音響センサにあっては、ダイアフラムが複数領域に実質的に分割されているだけであるので、音響振動に対する静電容量や感度は、ダイアフラムが分割される前と実質的に変化がない。一方、ダイアフラムの分割された各領域はほぼ独立して動くことができるので、各領域は熱雑音に対しては独立して不連続に変位し、各領域のノイズを加え合わせると、ノイズが打ち消し合って小さくなる。その結果、音響センサのS/N比が向上する。しかも、ダイアフラムを複数領域に分割して各領域で音響を検知しているので、音響センサの小型化が妨げられることがない。本発明に係る音響センサのある実施態様は、前記ダイアフラム及び前記可動電極板をスリットによって分割したことを特徴としている。ダイアフラム及び可動電極板の開口が広くなるとダイアフラム及び可動電極板を空気が通過して漏れやすくなり、音響センサの低周波特性が悪くなる。この実施態様では、ダイアフラム及び可動電極板をスリットによって分割しているので、ダイアフラム及び可動電極板を分割するための開口を狭くでき、音響センサの低周波特性の劣化を防止し、感度の低下を防ぐことができる。スリットを形成された音響センサの別な実施態様においては、前記スリットが、前記ダイアフラムの最大変位箇所を通過する位置に形成されていることを特徴としている。かかる実施態様では、ダイアフラムの最大変位箇所を通過するようにスリットを設けているので、音響センサのS/N比改善効果を大きくできる。スリットを形成された音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットによって分割された前記ダイアフラムの各領域が、前記スリットを挟んでそれぞれ最大変位箇所を有していることを特徴としている。かかる実施態様では、分割されたダイアフラムの各領域が、スリットを挟んでそれぞれ最大変位箇所を有しているので、音響センサのS/N比改善効果を大きくできる。スリットを形成された音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットが、前記ダイアフラムの支持箇所のうちいずれか2つの支持箇所を結ぶ線分上に位置していることを特徴としている。この実施態様に置いては、ダイアフラムの支持箇所を結ぶ線分上にスリットを形成しているので、スリットの端の変位を小さくでき、スリットの端における応力集中を小さくすることができる。また、スリットを形成された音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットが部分的に途切れていて、当該スリットを挟んでその両側に位置するダイアフラムの各領域どうしが当該スリットの途切れた部分を通して部分的につながっていてもよい。スリットを形成された音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットの幅が10μm以下であることを特徴としている。一般的なサイズのMEMS音響センサでは、スリットの幅が10μmを超えるとロールオフ周波数が500Hzにもなって低周波特性が悪化することがあるので、スリットの幅は当該実施態様のように10μm以下であることが望ましい。スリットを形成された音響センサのさらに別な実施態様においては、前記スリットの長さが、当該スリットの延長方向における前記ダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上であることを特徴としている。スリットの長さがダイアフラムの幅の1/2よりも短いと、スリットによって分割されたダイアフラムの各領域間における変位の不連続性が損なわれ、全体としてノイズを低減する効果が悪くなるので、スリットの延長方向におけるダイアフラムの差し渡し長さの1/2以上であることが望ましい。本発明に係る音響センサにおいては、ダイアフラムの形状は特に限定されないが、音響センサの特性上からは、円形状や矩形状のダイアフラムを用いることが望ましい。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様は、前記ダイアフラムが、その縁を複数箇所で前記基板又は前記バックプレートに支持されており、当該支持箇所のうち隣接する支持箇所の間の少なくとも一箇所に空隙が形成されていることを特徴としている。ダイアフラムの全周を固定した場合には、ダイアフラムのバネ性が高くなって音響センサの感度が低下しやすくなるが、当該実施態様ではダイアフラムを部分的に固定しているので、ダイアフラムのバネ性が高くなるのを防ぐことができ、音響センサの感度低下を防ぐことができる。また、支持箇所間の空隙は、ベンチホールとして利用することができる。本発明に係る音響センサのさらに別な実施態様は、音響振動が前記空洞部を通って前記ダイアフラムに到達することを特徴としている。かかる実施態様によれば、基板内の空洞部がフロントチャンバとなり、音響センサの外部の空間がバックチャンバとなるので、バックチャンバの容積を大きくでき、音響センサの感度を向上させることができる。本発明に係るマイクロフォンは、本発明に係る音響センサと、前記音響センサから出力された信号を処理するための回路とを備えたものである。本発明のマイクロフォンは、本発明の音響センサを用いているので、マイクロフォンのS/N比を改善することができる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。第1の実施形態図4-図6を参照して本発明の実施形態1による音響センサの構造を説明する。図4は実施形態1の音響センサ41を示す断面図である。図5は、音響センサ41の平面図である。また、図6は、音響センサ41から天蓋部44を取り除いた状態の平面図である。この音響センサ41はMEMS技術を利用して作製された静電容量型素子である。図4に示すように、音響センサ41は、シリコン基板42半導体基板の上面にアンカー46を介してダイアフラム43振動電極板が設けられ、その上に微小なエアギャップ空隙50を介して天蓋部44が固定されている。単結晶シリコンからなるシリコン基板42には、表面から裏面に貫通したバックチャンバ45空洞部が開口されている。バックチャンバ45は内周面が垂直面となっていてもよく、テーパー状に傾斜していてもよい。ダイアフラム43の外周縁下面を支持するための複数個のアンカー46は、シリコン基板42の上面にほぼ等間隔に設けられている。さらに、シリコン基板42の上面には、ダイアフラム43を囲むようにして土台部51が形成されている。アンカー46及び土台部51は、SiO2によって形成されている。図6に示すように、ダイアフラム43は、略円形状に形成されている。ダイアフラム43は、導電性を有するポリシリコン薄膜によって形成されていてダイアフラム43自体が可動電極板となっている。ダイアフラム43は、バックチャンバ45の上方を覆うようにしてシリコン基板42の上に配置され、アンカー46によって基板42上でほぼ等間隔に支持されている。よって、ダイアフラム43は宙空に支持されるととともに、隣接するアンカー46間においては、音響振動を通過させるための狭いベントホール52が、ダイアフラム43の外周部下面とシリコン基板42の上面との間に形成されている。また、ダイアフラム43からは外側に向けて帯板状の引出配線53が延びている。ダイアフラム43の全周をシリコン基板42に固定した場合には、ダイアフラム43の拘束力が強くなり、ダイアフラム43のバネ性が高くなって音響センサ41の感度が低下する。そのため、上記のようにダイアフラム43をアンカー46によって等間隔に支持して、アンカー46間にベントホール52空隙を形成している。ダイアフラム43は、その最大変位箇所である中央を通過するように位置を定められた幅の狭い直線状のスリット47により、均等に2分割されている。ただし、ダイアフラム43はスリット47によって完全に2分割されているというのではなく、スリット47の端部付近で機械的及び電気的につながっている。以下においては、スリット47によって分割されたダイアフラム43の2つの半円形をした領域をそれぞれダイアフラム43a、43bと呼ぶことにする。両ダイアフラム43a、43bは、同一形状かつ同一寸法に形成されている。天蓋部44は、SiNからなるバックプレート48固定膜の下面にポリシリコンからなる固定電極板49を設けたものである。天蓋部44は、ドーム状に形成されていてその下に空洞部分を有しており、その空洞部分でダイアフラム43を覆っている。天蓋部44の下面すなわち、固定電極板49の下面とダイアフラム43の上面との間には微小なエアギャップ50空隙が形成されている。固定電極板49とダイアフラム43は互いに対向していてキャパシタを構成している。天蓋部44のほぼ全体には、上面から下面に貫通するようにして、音響振動を通過させるためのアコースティックホール54音響孔が多数穿孔されている。図4及び図5に示すように、アコースティックホール54は規則的に配列されている。図示例では、アコースティックホール54は、互いに120°の角度を成す3方向に沿って三角形状に配列されているが、矩形状や同心円状などに配置されていてもよい。図4に示すように、天蓋部44の下面には、円柱状をした微小なストッパ55突起が突出している。ストッパ55は、バックプレート48の下面から一体に突出しており、固定電極板49を貫通して天蓋部44の下面に突出している。ストッパ55はバックプレート48と同じくSiNからなるので、絶縁性を有する。このストッパ55は、静電気力によってダイアフラム43が固定電極板49に固着して離れなくなるのを防ぐためのものである。天蓋状をしたバックプレート48の外周縁からは、全周にわたって保護膜56が連続的に延出している。保護膜56は、土台部51とその外側の領域を覆っている。引出配線53は土台部51に固定されており、固定電極板49から延出された引出配線57も土台部51の上面に固定されている。一方、保護膜56には開口があけられており、当該開口を通して引出配線53の上面に可動側電極パッド58が形成され、可動側電極パッド58は引出配線53を通じてダイアフラム43に導通している。また、バックプレート48の上面に設けられた固定側電極パッド59は、スルーホールなどを介して引出配線57に導通し、さらに固定電極板49に導通している。この音響センサ41では、ダイアフラム43がダイアフラム43aとダイアフラム43bに2分割されている。そのため、共通の天蓋部44とバックチャンバ45の間において、ダイアフラム43aと固定電極板49のうちダイアフラム43aに対向する領域からなるキャパシタによって一方の音響センシング部60aが構成されている。また、ダイアフラム43bと固定電極板49のうちダイアフラム43bに対向する領域からなるキャパシタによって他方の音響センシング部60bが構成されている。しかも、両センシング部60a、60bは、天蓋部44内の同じ箇所において一体的に形成され、同じ構造、同じ形状、同じ寸法を有していて、実質的に同一の特性を有している。この音響センサ41にあっては、音響振動がアコースティックホール54を通過して天蓋部44内のエアギャップ50に入ると、薄膜であるダイアフラム43a、43bが音響振動によって同じ位相で振動する。ダイアフラム43a、43bが振動して各ダイアフラム43a、43bと固定電極板49との間のギャップ距離が変化すると、各センシング部60a、60bの静電容量が変化する。この結果、各センシング部60a、60bにおいては、ダイアフラム43a、43bが感知している音響振動音圧の変化がダイアフラム43a、43bと固定電極板49の間の静電容量の変化となり、電気的な信号として出力される。また、ダイアフラム43a、43bはいずれも可動側電極パッド58につながっており、固定電極板49は共通しているので、音響センシング部60aキャパシタと音響センシング部60bキャパシタとは、電気的に並列接続されている。この音響センサ41では、ダイアフラム43aとダイアフラム43bが電気的に導通していて、固定電極板49が共通となっている。しかも、基板42上の同じ位置に音響センシング部60aと60bが設けられていて、両センシング部60a、60bは同位相の音響振動を検知する。そのため、スリット47によってダイアフラム43a、43bどうしが分離されていても、音響センサ41の音響振動に対する静電容量や感度は、スリット47を形成する前と実質的に変化がない。これに対し、ダイアフラム43aと43bはスリット47により分割されていてほぼ独立して動くことができるので、スリット47の両側においてはダイアフラム43a、43bの変位は不連続となることができる。そのため、音響センシング部60aに発生する熱雑音と音響センシング部60bに発生する熱雑音とは、異なる位相の信号として検知される。よって、両センシング部60a、60bのノイズを加え合わせると、ノイズが打ち消し合って小さくなる。その結果、音響センサ41のS/N比が向上する。以上においては、音響センサ41のS/N比が向上する理由を簡単に説明したが、以下においては、等価回路を用いてさらに説明する。図7は、音響センサ41を単純化した等価回路を表している。スリット47で分離された2つの音響センシング部60a、60bは、並列に接続された2つの可変キャパシタCP1、CP2で表すことができる。ここで、2つの可変キャパシタCP1、CP2は同じ性能を有している。さらに、音響振動やノイズなどの信号発生源は、可変キャパシタCP1、CP2に直列に接続したそれぞれの交流電源SG1、SG2で表す。この結果、図7に示すように、音響センシング部60aは可変キャパシタCP1と交流電源SG1を直列に接続した回路で表され、音響センシング部60bは可変キャパシタCP2と交流電源SG2を直列に接続した回路で表される。さらに、音響センサ41は、両直列接続回路を並列に接続した等価回路で表される。図7の等価回路における特性又は回路定数を、つぎのような記号で表す。Ca/2[F]:可変キャパシタCP1の静電容量Cb/2[F]:可変キャパシタCP2の静電容量ΔCa/2[F]:可変キャパシタCP1の受圧時の静電容量変化ΔCb/2[F]:可変キャパシタCP2の受圧時の静電容量変化V[V]:音響センサ41への印加電圧Sa[V]:音響センシング部60aの感度出力Sb[V]:音響センシング部60bの感度出力Na[V]:音響センシング部60aのノイズ出力Nb[V]:音響センシング部60bのノイズ出力Sa/Na:音響センシング部60aのS/N比Sb/Nb:音響センシング部60bのS/N比ここで、感度出力とは、交流電源で発生した音響振動によって音響センシング部あるいは、可変キャパシタから出る信号出力であって、電圧×固定キャパシタの静電容量変化/固定キャパシタの静電容量で表される。したがって、音響センシング部60aの感度出力は、Sa=V×ΔCa/2/Ca/2=V×ΔCa/Caとなる。同様に、音響センシング部60bの感度出力は、Sb=V×ΔCb/2/Cb/2=V×ΔCb/Cbとなる。いま、図8に示すように、音響センシング部60aのみに音響振動やノイズが加わった状況を考える。音響センシング部60bでは音響振動やノイズによる信号は発生していないので、音響センシング部60bの交流電源SG2は省略し、可変キャパシタCP1の静電容量は変化しないと考える。まず、交流電源SG1から音響振動だけが出力されているとすると、音響センシング部60aから出力される感度出力は、上記のように、Sa=V×ΔCa/Caとなる。しかし、この音響センシング部60aには、音響センシング部60bのキャパシタCP2が並列に接続されているので、キャパシタCP2は音響センシング部60aに対しては寄生容量として働き、音響センシング部60aの感度を減衰させる。キャパシタCP1とCP2は同じ静電容量を有しているので、音響センサ41から出力される感度出力すなわち、信号処理回路へ入力される感度出力Stotは、次式で表されるように半減する。Stot=Ca/2/{Ca/2Cb/2}×Sa=Sa/2つぎに、電源SG1からノイズだけが出力されている場合を考える。この場合も、音響センシング部60aから出ているノイズ出力をNaとすると、音響センシング部60aに並列に接続されたキャパシタCP2の影響により、音響センサ41から出力されるノイズ出力すなわち、信号処理回路へ入力されるノイズ出力Ntotは、次式で表されるように半減する。Ntot=Ca/2/{Ca/2Cb/2}×Na=Na/2図8とは反対に音響センシング部60bのみに音響振動が加わった状況では、図8の場合と同様に考えて、音響センサ41から出力される感度出力Stotは、音響センシング部60bの感度出力Sbが半減して次式のようになる。Stot=Cb/2/{Cb/2Ca/2}×Sb=Sb/2また、音響センシング部60bのみにノイズが発生している状況を考えると、音響センシング部60aのキャパシタCP1の影響により、音響センサ41から出力されるノイズ出力Ntotは、音響センシング部60bのノイズ出力Nbが半減して次式で表される。Ntot=Cb/2/{Cb/2Ca/2}×Nb=Nb/2つぎに、図7のように、音響センシング部60aと60bで同時に感度出力Sa、Sbとノイズ出力Na、Nbが発生している場合を考える。感度出力とノイズ出力を分けて考える。感度出力は、音響振動を感知する各ダイアフラム43a、43bが同一の天蓋部44内において極く近接した位置に配置されているので、両ダイアフラム43a、43bは同じ時刻においては同じ位相と振幅で振動している。しかも、音響センシング部60aの可変キャパシタCP1と音響センシング部60bの可変キャパシタCP2は並列に接続されている。その結果、音響センサ41の感度出力Stotは、上で求めた各音響センシング部60a、60bの感度出力Sa/2、Sb/2の和となる。Stot=Sa/2Sb/2ここで、Sa=Sbであるから、上式は、Stot=Saとなる。これは、図9A-図9Cに示すように、音響センサ41では、位相と振幅が同じ2つの信号図9A及び図9Bの感度出力Sa/2、Sb/2が重ね合わされたものが全体の感度出力Stot=Sa図9Cとして出力されることを表し、スリット47を設けても音響センサ41の感度出力Stotはスリット47を設ける前と変わりがないことを示している。一方、ノイズは熱雑音に由来するので、スリット47によって互いに分離している音響センシング部60aと60bではそれぞれ独立してランダムにノイズが発生している。このため音響センシング部60aのノイズと音響センシング部60bのノイズは、図10A及び図10Bに示すように、位相や振幅の揃っていない独立な信号となっている。よって、音響センサ41から出力されるノイズ出力Ntotは、図10Cに示すように、音響センシング部60aから出力されるノイズ出力Na/2と音響センシング部60bから出力されるノイズ出力Nb/2との分散を加法する際の演算で求められる。すなわち、次式のようになる。Stot=√{Na/22Nb/22}ここで、Na=Nbであるから、上式は、Stot=Na/√2となる。上記のように、音響センサ41の感度出力Stotは加算され、ノイズ出力Ntotは分散を加法する際の演算で求められる。その結果、音響センサ41のS/N比は、√2Sa/Naとなり、スリット47を設けていない場合と比較すると、S/N比は√2倍となるもしくは、3dB向上する。試作品によれば、スリット47を形成する前後で感度出力には変化が見られなかったが、ノイズ出力はスリット47を設けることによって3dB低下した。よって、S/N比は、スリット47を設けることによって3dB高くなった。よって、ダイアフラム43にスリット47を設けることによって音響センサ41のS/N比を向上させられることが定量的に示された。つぎに、ダイアフラム43に設けるスリット47の長さ及び幅について考える。スリット47の長さL図6参照は、ダイアフラム43の幅を50以上横断していることが望ましい。すなわち、スリット47の長さLは、スリット47を延長した線上におけるダイアフラム43の幅に対して1/2以上の長さを有していることが望ましい。スリット47は、ダイアフラム43a側における変位とダイアフラム43b側における変位を隔絶させて不連続にするために設けられるが、スリット47の長さLがダイアフラム43の幅の1/2よりも短いと、ダイアフラム43a側とダイアフラム43b側における変位の不連続性が損なわれるからである。また、スリット47の幅W図6参照は、10μm以下であることが望ましい。スリット47の幅Wが広すぎるとスリット47を通ってエアギャップ50からバックチャンバ45へ漏れる空気量が増大し、ロールオフ周波数が高くなって音響センサ41の低周波特性が悪化するからである。ロールオフ周波数Frolloffとは、図11に示すように、低周波数側で感度出力が一定デシベル低下したところの周波数である。一般的にロールオフ周波数Frolloffは、ベントホール52の音響抵抗Rventholeと、バックチャンバ45内の空気のコンプライアンスCbackchamber=空気バネ定数に反比例し、次式で表される。Frolloff∝1/RventhollCbackchamber従って、スリット47の幅Wが大きくなると音響抵抗Rventholeが小さくなり、ロールオフ周波数Frolloffが高くなり、音響センサ41の低周波特性が悪くなる。音響抵抗Rventholeはスリット47の長さLにも影響されるが、例えばスリット47の幅Wが1μmであればロールオフ周波数Frolloffは50Hz以下であり、スリット47の幅が10μmになるとロールオフ周波数Frolloffは500Hzにもなる。このようにスリット47の幅が10μmを超えると著しくロールオフ周波数が高くなって低周波特性が悪化し、音響センサ41の感度が大きく損なわれてしまうので、スリット47の幅Wは10μm以下であることが望ましい。また、熱雑音によってダイアフラムの各部分に加わる圧力の合力は、ダイアフラムが剛性を有するとすれば、ダイアフラムの最大変位箇所に働く。スリット47を形成する前のダイアフラム43の最大変位箇所はその中心にあるから、スリット47はダイアフラム43の中心を通過するように形成し、分割された各ダイアフラム43a、43bがスリット47を挟んでその両側にそれぞれ最大変位箇所を有するようにすることが望ましい。なお、上記実施形態1では、もっとも好ましい実施形態として、ダイアフラム43a、43bどうしを同じ形状及び同じ寸法とし、音響センシング部60a、60bが互いに実質的に同じ特性を持つようにしていた。しかし、本発明は、必ずしもこのような実施形態に限られるものではなく、ダイアフラム43aとダイアフラム43bが異なる形状又は異なる寸法を有していて、音響センシング部60aと音響センシング部60bが異なる特性を有していても差し支えない。第2の実施形態図12に本発明の実施形態2による音響センサ61の平面図を示す。図13は、天蓋部44を除いた状態における音響センサ61の平面図である。実施形態2の音響センサ61では、ダイアフラム43に複数本図示例では3本のスリット47を設けて、ダイアフラム43を3領域以上図示例では4領域に分割し、実質的に独立した複数個のダイアフラム43a、43b、...を設けている。そして、各ダイアフラム43a、43b、...と共通の固定電極板49とによって複数個の音響センシング部60a、60b、...キャパシタを構成している。実施形態2の音響センサ61は、実施形態1の音響センサ41よりもダイアフラム43の分割数を大きくしたものである。このようにスリット47を増やしてダイアフラム43の分割数を増加させた場合にも各ダイアフラム43a、43b、...の形状や面積が異なっていてもよい。、実施形態1と同様な理由により音響センサ61のS/N比を高くできる。さらに、ダイアフラム43の分割数を増加させれば、それだけますます音響センサ61のノイズを低減してS/N比を向上させる効果が高くなる。第3の実施形態図14は本発明の実施形態3による音響センサ62の断面図である。図15は、実施形態3の音響センサ62の平面図である。実施形態3の音響センサ62にあっては、ダイアフラム43は実施形態1のようにアンカー46によって支持されておらず、単にシリコン基板42の上面に置かれているだけである。一方、バックプレート48の下面のうち、ダイアフラム43の外周部に対向する位置からは、ダイアフラム43の上面に当接させるための突起71が下方へ向けて突出させられている。したがって、ダイアフラム43と固定電極板49との間に電圧が印加されると、ダイアフラム43は静電引力によって固定電極板49へ向けて引き上げられる。上方へ引き上げられたダイアフラム43は突起71の下端面に当接して固定され、ダイアフラム43と固定電極板49との間には一定間隔のエアギャップ50が形成される。そして、このダイアフラム43に音響振動が加わると、ダイアフラム43と固定電極板49で構成されるキャパシタの静電容量が変化するので、音響振動が検出される。また、ダイアフラム43には、1本複数本であってもよい。のスリット47が設けられており、分割されたダイアフラム43a、43bと固定電極板49によって2つの音響センシング部60a、音響センシング部60bが構成されている。よって、この音響センサ62にあっても、実施形態1の場合と同様にして、音響センサ62のS/N比が向上させられる。第4の実施形態図16は、本発明の実施形態4による音響センサ63の分解斜視図である。図17は、音響センサ63の、天蓋部44を取り除いた状態の平面図である。この音響センサ63は、矩形のダイアフラム34を用いたものである。シリコン基板42には角柱状のバックチャンバ45が開口されており、バックチャンバ45の上面開口を覆うようにしてシリコン基板42の上面にダイアフラム43が配置されている。ダイアフラム43の四隅には脚部72が設けられており、ダイアフラム43は、シリコン基板42の上面に設けられたアンカー46によって各脚部72が固定されている。ダイアフラム43は、対角方向のスリット47によってダイアフラム43aと43bに分割されている。天蓋部44も、矩形状のダイアフラム43を覆うように略矩形状に形成されている。図17の破線は、ダイアフラム43が音響振動で変位しているときの変位量を等高線で表したものであり、中心に近づくほど変位量が大きくなっている。このように四隅を固定されたダイアフラム43では、中心が最大変位箇所となっており、ダイアフラム43の最大変位箇所を通過するようにスリット47を形成すれば、音響センサ63のS/N比改善効果を大きくできる。第5の実施形態図18は、本発明の実施形態5による音響センサ64の平面図である。図19は、音響センサ64の、天蓋部44を取り除いた状態の平面図である。この音響センサ64では、ダイアフラム43の中心を通過するようにして、ダイアフラム43の端から端までスリット47を形成している。したがって、ダイアフラム43は、スリット47によって2つのダイアフラム43aと43bに完全に分離されている。こうして分離された両ダイアフラム43a、43bは、シリコン基板42の上面に形成された二股状の引出配線53によって接続されている。このようにダイアフラム43a、43bを完全に分離させるようにすれば、音響センシング部60a、60bどうしの独立性が高くなる。なお、ダイアフラム43をスリット47によって完全に分割する場合、図20に示すように、各ダイアフラム43a、43bに別々に引出配線53a、53bを設けてもよい。この引出配線53a、53bは、音響センサの外部で接続してもよく、信号処理回路ASIC内で接続してもよい。第6の実施形態ダイアフラム43にスリット47を設ける場合には、ダイアフラム43の最大変位箇所を通過するように設けることが好ましいが、スリット47の方向については特に限定されるものではない。たとえば、実施形態4の音響センサ63では、矩形状のダイアフラム43の固定箇所を結ぶ方向、すなわちダイアフラム43の対角方向にスリット47を設けたが、必ずしもこれに限るものではない。図21に示すように、矩形状のダイアフラム43の辺と平行な方向にスリット47を形成してもよい。この場合には、左右のベントホール52の中央を結ぶ方向となるので、分割されたダイアフラム43a、43bはいずれも片持ち梁状に支持されることになる。また、図22に示すように、スリット47は、ダイアフラム43の対角方向や辺に平行な方向から傾いていても差し支えない。図21や図22のように、スリット47の方向がダイアフラム43の固定箇所を向いていない場合には、分割されたダイアフラム43a、43bは片持ち梁状に支持される。そのためスリット47の端の変位が大きくなり、スリット47の端に応力集中が発生しやすくなる。応力集中が大きくなると、ダイアフラム43が応力集中の影響を受けて破損しやすくなる。これに対し、実施形態4のようにスリット47が対角方向を向いている場合には、スリット47の端の変位が小さくなるので、スリット47の端における応力集中も小さくなる。したがって、図21や図22のようなスリット47の配置も可能であるが、スリット47は実施形態4のようにダイアフラム43の固定箇所どうしを結ぶ方向に設けることが望ましい。第7の実施形態スリットの両側に形成される各ダイアフラムは、スリットを通過して一部つながっていても差し支えない。たとえば、図23に示す実施形態では、1本のスリット47が部分的に途切れていて、2本のスリット47が直線状に並んだようになっている。したがって、スリット47を挟んでその両側に位置するダイアフラム43a、43bどうしは、スリット47の途切れた部分を通して部分的につながっている。このような形態であっても、スリット47の途切れている部分の長さがあまり長くなければ問題ない。第8の実施形態図24は上記各実施形態の音響センサを用いたMEMSマイクロフォンの断面図である。また、図25は、カバーを外した状態のマイクロフォンの平面図である。このマイクロフォン81は、回路基板82とカバー83からなるパッケージ内に音響センサ65と信号処理回路84ASICを内蔵させたものである。音響センサ65と信号処理回路84は、回路基板82の上面に実装されている。音響センサ65の電極パッド58、59は、それぞれボンディングワイヤ91によって信号処理回路84のパッド85a、85bに接続されている。回路基板82の下面にはマイクロフォン81を外部と電気的接続するための端子88が複数個設けられ、回路基板82の上面には端子88と導通した電極部89a-89c;90a、90bが設けられている。回路基板82に実装された84の各パッド86a-86c;87a、87bは、それぞれボンディングワイヤ92によって電極部89a-89c;90a、90bに接続されている。なお、信号処理回路84のパッドは、音響センサ65へ電源を供給する機能や、音響センサ65の容量変化信号を外部へ出力する機能を有するものである。回路基板82の上面には、音響センサ65及び信号処理回路84を覆うようにしてカバー83が取り付けられている。カバー83の上面には、パッケージ内に音響振動を導き入れるための音導入孔93が開口されている。また、パッケージは電磁シールドの機能を有しており、外部からの電気的な外乱や機械的な衝撃からマイクロフォン81を保護している。したがって、音導入孔93からパッケージ内に入った音響振動は、音響センサ65によって検出され、信号処理回路84によって所定の信号処理を施された後に出力される。ここで、音響センサ65として本発明に係る音響センサを用いているので、S/N比の高いマイクロフォン81となっている。なお、図26は別な構造のマイクロフォン94を示す。このマイクロフォン94では、音導入孔93はカバー83でなく、シリコン基板42の空洞部の下面に対向する位置において回路基板82に開口されている。このマイクロフォン94においては、回路基板82の音導入孔93から音響振動が導入されるので、シリコン基板42の空洞部はフロントチャンバ95となり、パッケージ内部の空間がバックチャンバ45となる。よって、このような形態によれば、バックチャンバ45の体積を大きくすることができ、マイクロフォン81の感度をさらに向上させることができる。