半田レジストオープン部によって露出された接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、前記半田レジスト上にメタルポスト形成用開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階と、前記開口部にメタルポストを形成する段階と、前記発泡樹脂層を除去する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法。前記開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階は、前記ベース基板上に発泡樹脂層を形成する段階と、前記発泡樹脂層をレーザーによってパターニングしてメタルポスト形成用開口部を形成する段階と、を含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階の前に、前記露出された接続パッドを含んで、前記半田レジスト上にシード層を形成する段階をさらに含み、前記発泡樹脂層を除去する段階の後に、露出されたシード層を除去する段階をさらに含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板を準備する段階は、接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、前記接続パッドを有するベース基板上に半田レジストを形成する段階と、前記半田レジストに半田レジストオープン部を形成して前記接続パッドを露出させる段階と、を含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板を準備する段階は、前記露出された接続パッド上に表面処理層を形成する段階をさらに含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層である請求項5に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層または前記パラジウムメッキ層と金メッキ層とが順に形成された構造を有する請求項5に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記発泡樹脂層の発泡樹脂は、接着性を有し、熱処理時に非接着性を示す請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記発泡樹脂層の発泡樹脂は、接着性を有し、熱処理時に非接着性を示し、前記発泡樹脂層を除去する段階は、熱処理によって行われる請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記メタルポストを形成する段階は、電解メッキによって行われる請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記メタルポストは、銅、ニッケル、錫、金、これらの合金またはこれらの組合せからなる群から選ばれる請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記シード層を形成する段階は、無電解メッキによって行われる請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記メタルポストを形成する段階の後に、前記メタルポストの表面を平坦化する段階をさらに含む請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。本発明は上述した従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の一側面は、バンピングによってメタルポストを形成するにあたり、レジスト成分として既存のドライフィルムの代わりに発泡樹脂を適用することにより、効果的にバンピングできる半導体パッケージ基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の他の側面は、メタルポストに損傷を与えることなくレジストの除去が可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明のさらに他の側面は、工程の数を減らすことにより、経済的かつ効率的な工程によって高信頼性の半導体パッケージ基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の好ましい一実施形態によると、半田レジストオープン部によって露出された接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、前記半田レジスト上にメタルポスト形成用開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階と、前記開口部にメタルポストを形成する段階と、前記発泡樹脂層を除去する段階と、を含む半導体パッケージ基板の製造方法が提供される。前記製造方法において、前記開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階は、前記ベース基板上に発泡樹脂層を形成する段階と、前記発泡樹脂層をレーザーによってパターニングしてメタルポスト形成用開口部を形成する段階と、を含むことができる。前記開口部を有する発泡樹脂層を形成する段階の前に、前記露出された接続パッドを含んで前記半田レジスト上にシード層を形成する段階をさらに含み、前記発泡樹脂層を除去する段階の後に、露出されたシード層を除去する段階をさらに含むことができる。前記ベース基板を準備する段階は、接続パッドを有するベース基板を準備する段階と、前記接続パッドを有するベース基板上に半田レジストを形成する段階と、前記半田レジストに半田レジストオープン部を形成して前記接続パッドを露出させる段階と、を含むことができる。前記ベース基板を準備する段階は、前記露出された接続パッド上に表面処理層を形成する段階をさらに含むことができる。前記表面処理層は、一実施例によると、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層であることができ、さらに他の実施例によると、前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層または前記パラジウムメッキ層と金メッキ層とが順に形成された構造を有することができる。前記発泡樹脂層の発泡樹脂は、好ましくは、接着性を有し、熱処理時に非接着性を示す。前記発泡樹脂層の発泡樹脂は、好ましくは、接着性を有し、熱処理時に非接着性を示し、前記発泡樹脂層を除去する段階は、熱処理によって行われることができる。前記メタルポストを形成する段階は、電解メッキによって行われることができる。前記メタルポストは、銅、ニッケル、錫、金、これらの合金またはこれらの組合せからなることができる。前記シード層を形成する段階は、無電解メッキによって行われることができる。前記メタルポストを形成する段階の後に、前記メタルポストの表面を平坦化する段階をさらに含むことができる。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に従って本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明の好ましい一側面によると、既存のドライフィルム剥離工程を削除することにより、強塩基の剥離液に対する金属ポストの損傷を防止することができる。また、ドライフィルムの積層から露光まで行われる工程による不良発生の要因を除去することができる。さらに、工程の数を減らして、比較的簡単な工程によって半導体パッケージ基板の半田バンピング工程を行うことができる。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、前記構成要素は、前記用語によって限定されない。以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。図8から図14は、本発明の好ましい一実施形態による半導体パッケージ基板100の製造方法を説明するために概略的に示した工程フロー図である。まず、図8を参照すると、半田レジスト103のオープン部103aによって露出された接続パッド102を有するベース基板101を準備する。一実施例によると、前記ベース基板101を準備する段階は、接続パッド102を有するベース基板101を準備する段階と、前記接続パッド102を有するベース基板101上に半田レジスト103を形成する段階と、前記半田レジスト103に半田レジストオープン部103aを形成して前記接続パッド102を露出させる段階と、を含むことができる。前記ベース基板101は、絶縁層に接続パッド102を含む1層以上の回路が形成された回路基板であり、好ましくは印刷回路基板であることができる。本図面では、説明の便宜のために具体的な内層回路構成を省略して図示したが、当業者であれば、前記ベース基板101として絶縁層に1層以上の回路が形成された通常の回路基板が適用できるということを十分認識できるであろう。前記絶縁層としては、印刷回路基板の絶縁層として用いられる樹脂絶縁層または半導体基板の絶縁層として用いられるセラミック絶縁層が用いられることができる。前記樹脂絶縁層としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また熱硬化性樹脂及び/または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。前記接続パッド102上には、後続工程によって半田バンプが形成され、前記半田バンプを介して半導体素子または外部部品と内層回路を電気的に接続させる。前記接続パッド102を含む回路は、回路基板分野において回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用可能であり、印刷回路基板では銅を用いることが一般的である。前記半田レジスト103は、最外層回路を保護する保護層としての機能をし、電気的絶縁のために形成されるものであり、最外層の接続パッド102を露出させるためにオープン部103aが形成される。前記半田レジスト103は、当業界で公知されたように、例えば、半田レジストインク、半田レジストフィルムまたはカプセル化材などで構成されることができるが、特にこれに限定されるものではない。前記ベース基板101を準備する段階は、前記露出された接続パッド102上に表面処理層104105を形成する段階をさらに含むことができる。前記表面処理層は、当業界で公知されたものであれば特に限定されるものではないが、例えば、電解金メッキElectroGoldPlating、無電解金メッキImmersionGoldPlating、OSPorganicsolderabilitypreservativeまたは無電解錫メッキImmersionTinPlating、無電解銀メッキImmersionSilverPlating、ENIGelectrolessnickelandimmersiongold;無電解ニッケルメッキ/置換金メッキ、DIGメッキDirectImmersionGoldPlating、HASLHotAirSolderLevellingなどによって形成されることができる。前記表面処理層は、一実施例によると、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層であることができ、さらに他の実施例によると、前記表面処理層は、ニッケルメッキ層またはニッケル合金メッキ層上にパラジウムメッキ層、金メッキ層または前記パラジウムメッキ層と金メッキ層とが順に形成された構造を有することができる。図8では、一例として、ENIG層、即ち、無電解ニッケルメッキ層104上に置換金メッキ層105が形成された構造を示した。次に、図9を参照すると、前記露出された接続パッド102を含んで、前記半田レジスト103上にシード層106を形成する。前記シード層106は、特に限定されず、当業界で公知された通常の蒸着法及び無電解メッキ法などによって行われることができる。好ましくは、前記シード層106は無電解銅メッキによって行われることができる。また、前記シード層106の形成過程は、後でメタルポストの形成時に適用される工法に応じて選択的に省略することができる。次に、図10及び図11を参照すると、前記シード層106が形成された半田レジスト103上に、メタルポスト形成用開口部107aを有する発泡樹脂層107を形成する。一実施例によると、前記開口部107aを有する発泡樹脂層107を形成する段階は、図10に示したように、前記シード層106が形成されたベース基板101上に発泡樹脂層107を形成する段階と、図11に示したように、前記発泡樹脂層107をレーザーによってパターニングしてメタルポスト形成用開口部107aを形成する段階と、を含むことができる。前記発泡樹脂層107の発泡樹脂としては、好ましくは接着性を有する発泡テープであり、熱処理時には非接着性を示すものが用いられることができ、上述した物性を有するものであれば、特に限定されずに当業界で公知された全てのものが使用可能である。一方、前記発泡樹脂層107の開口部107aは、レーザーによって加工されることにより、既存の露光/現像を利用したフォトリソグラフィ工程で発生する問題点を予め防止する同時に、工程の数を減らし、パターン形成の精度を高めることができる。前記レーザーとしては、特に限定されず、当業界でホール加工に用いられるレーザー手段として公知されたCO2またはYagレーザーなどが全て適用可能である。図12を参照すると、前記開口部107aに半田バンプとしてメタルポスト108を形成する。一実施例によると、前記メタルポスト108は、無電解メッキまたは電解メッキによって形成することができ、好ましくは、電解メッキによって形成することができる。前記メタルポスト108が無電解メッキのような別のメッキ引込線を不要とする工程によって形成される場合、図9を参照して、上述したシード層106の形成過程は省略することができる。前記メタルポスト108は、銅、ニッケル、錫、金、これらの合金またはこれらの組合せからなることができる。また、前記メタルポスト108の表面には、必要に応じて、当業界で公知された表面処理層をさらに形成することができる。一方、前記メタルポスト108を形成した後、必要に応じて、前記メタルポスト108の高さ偏差、例えば、メッキ偏差を減らすために、メタルポスト108の表面を平坦化する段階がさらに行われることができる。前記平坦化過程は、形成されているメタルポスト108に実質的な損傷を与えないものであれば、特に限定されずに当業界で公知された全ての工法が適用可能である。次に、図13を参照すると、半田バンプであるメタルポストの形成時にレジストとして用いられた発泡樹脂層107を除去する。前記発泡樹脂層107の除去は、実際に適用された素材に応じて多様な工法が適用されることができる。一実施例によると、前記発泡樹脂層107として熱処理時に非接着性を示す発泡テープが用いられた場合、前記発泡樹脂層107は、熱処理によって除去されることができる。この際、適用される熱処理の温度は、実際に用いられる発泡テープの種類に応じて適宜調節されることができることは、勿論である。次に、図14を参照すると、前記発泡樹脂層107を除去した後、露出された不要なシード層106を除去する。シード層が用いられていない場合、この過程を省略することができる。前記シード層106の除去方法は、特に限定されず、例えば、当業界で公知されたように、NaOHまたはKOHのような強塩基を用いたクィックエチング、またはH2O2/H2SO4を利用したフラッシュエッチング工法によって行うことができる。上述したように、本発明の好ましい一側面によると、半田バンプであるメタルポストの形成時、レジストとして既存のドライフィルムの代わりに発泡樹脂層を適用することにより、金属ポストを損傷することなく高信頼性のメタルポストを形成することができる。また、ドライフィルムの積層から露光まで行われる工程による不良発生の要因を除去することができる。さらに、工程の数を減らして、比較的簡単な工程によって半導体パッケージ基板の半田バンピング工程を高精度で行うことができる。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による半導体パッケージ基板の製造方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。