"半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層のキャリア生成箇所にスピン偏極キャリアを生成するスピン偏極キャリア生成手段と、前記キャリア生成箇所を通過する表面弾性波を前記チャネル層に発生させる表面弾性波発生手段と、前記チャネル層内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させるスピン軌道相互作用調整手段とを少なくとも備えることを特徴とするスピン偏極キャリア輸送装置。請求項1記載のスピン偏極キャリア輸送装置において、前記チャネル層は、主表面を001とされた閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する半導体の基板に形成された量子井戸構造であり、前記表面弾性波発生手段は、互いに異なる方向に進行して所定の箇所で干渉する第1表面弾性波および第2表面弾性波を前記チャネル層に発生させる第1表面弾性波発生手段および第2表面弾性波発生手段から構成され、前記第1表面弾性波と前記第2表面弾性波とが干渉して前記チャネル層に生成されるピエゾポテンシャルが進行する領域に前記キャリア生成箇所が配置されていることを特徴とするスピン偏極キャリア輸送装置。請求項2記載のスピン偏極キャリア輸送装置において、前記スピン偏極キャリア生成手段は、前記キャリア生成箇所の上に形成されて、磁化された強磁性体からなる電極から構成され、前記スピン軌道相互作用調整手段は、前記第1表面弾性波発生手段および前記第2表面弾性波発生手段が出力する表面弾性波の振幅を制御する振幅制御手段であることを特徴とするスピン偏極キャリア輸送装置。請求項2記載のスピン偏極キャリア輸送装置において、前記スピン偏極キャリア生成手段は、前記キャリア生成箇所に円偏光のレーザー光を照射するレーザー照射手段であり、前記スピン軌道相互作用調整手段は、前記キャリア生成箇所に電界を印加する電界印加手段であることを特徴とするスピン偏極キャリア輸送装置。請求項1~4のいずれか1項に記載のスピン偏極キャリア輸送装置において、前記表面弾性波発生手段は、前記チャネル層の上に形成された櫛形電極から構成されていることを特徴とするスピン偏極キャリア輸送装置。ところで、半導体中のスピンを情報の媒体として伝達しようとする場合、より長い距離を輸送伝達できることが重要となる。直流電界を用いたスピン輸送手法では、輸送可能な距離は、スピン緩和時間スピン偏極率がゼロに減衰していくときの減衰時定数で決定される。従って、輸送可能な距離を長くするためには、スピン緩和時間を長くすることが必要となる。スピン緩和時間を長くするためには、スピン緩和の原因となる電子正孔相互作用を抑制するために、不純物のドーピングが必要であり、かつ、ドーピング密度を精密に制御しなければならないという問題がある。一方、表面弾性波を用いたスピン輸送手法では、電子正孔相互作用に起因するスピン緩和機構を効果的に抑制することができることが知られている。しかし、表面弾性波を用いたスピン輸送では、DyakonovPerel機構と呼ばれるスピン軌道相互作用に起因するスピン緩和のため、スピンの輸送可能距離は数十~数百μmが限界であるという問題がある非特許文献3参照。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離を、より長くできるようにすることを目的とする。本発明に係るスピン偏極キャリア輸送装置は、半導体からなるチャネル層と、チャネル層のキャリア生成箇所にスピン偏極キャリアを生成するスピン偏極キャリア生成手段と、キャリア生成箇所を通過する表面弾性波をチャネル層に発生させる表面弾性波発生手段と、チャネル層内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させるスピン軌道相互作用調整手段とを少なくとも備える。上記スピン偏極キャリア輸送装置において、チャネル層は、主表面を001とされた閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する半導体の基板に形成された量子井戸構造であり、表面弾性波発生手段は、互いに異なる方向に進行して所定の箇所で干渉交差する第1表面弾性波および第2表面弾性波をチャネル層に発生させる第1表面弾性波発生手段および第2表面弾性波発生手段から構成され、第1表面弾性波と第2表面弾性波とが干渉してチャネル層に生成されるピエゾポテンシャルが進行する領域にキャリア生成箇所が配置されていればよい。上記スピン偏極キャリア輸送装置において、スピン偏極キャリア生成手段は、キャリア生成箇所の上に形成されて、磁化された強磁性体からなる電極から構成され、スピン軌道相互作用調整手段は、第1表面弾性波発生手段および第2表面弾性波発生手段が出力する表面弾性波の振幅を制御する振幅制御手段であればよい。また、スピン偏極キャリア生成手段は、キャリア生成箇所に円偏光のレーザー光を照射するレーザー照射手段であり、スピン軌道相互作用調整手段は、キャリア生成箇所に電界を印加する電界印加手段であってもよい。なお、表面弾性波発生手段は、チャネル層の上に形成された櫛形電極から構成されていればよい。以上説明したように、本発明によれば、チャネル層内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させるようにしたので、半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離を、より長くできるようになるという優れた効果が得られる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるスピン偏極キャリア輸送装置の構成を示す構成図である。このスピン偏極キャリア輸送装置は、半導体からなるチャネル層101と、スピン偏極キャリア生成部102と、表面弾性波発生部103と、スピン軌道相互作用調整部104とを備える。スピン偏極キャリア生成部102は、チャネル層101のキャリア生成箇所にスピン偏極キャリアを生成する。表面弾性波発生部103は、キャリア生成箇所を通過する表面弾性波131をチャネル層101の上に発生させる。スピン軌道相互作用調整部104は、チャネル層101内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させる。上述した本実施の形態におけるスピン偏極キャリア輸送装置では、スピン偏極キャリア生成部102によりチャネル層101のキャリア生成箇所に生成されたスピン偏極キャリアは、表面弾性波発生部103により生成された表面弾性波131により、表面弾性波131が進行する方向に輸送される。このようにスピン偏極キャリアが輸送される中で、スピン軌道相互作用調整部104によりチャネル層101内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさが一致する状態とされているので、この輸送の過程においては、DyakonovPerel機構によるスピン緩和が抑制されるようになる。この結果、本実施の形態によれば、半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離が、より長くなる。以下、より詳細に説明する。半導体中の伝導帯電子に対するスピン軌道相互作用は、当該電子に働く有効磁場として現れる。半導体チャネルが、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する半導体材料の層基板で形成され、001面の2次元系とみなされる場合、有効磁場ベクトルの各成分は波数ベクトルの成分kX、kY、kZの1次結合で表される。さらにこの項は、以下の式1に示される、αタイプとβタイプの2種類に分類されることが知られている非特許文献4参照。磁場ベクトルは、波数に対して、図2に示すような依存性を持つ。通常、磁場ベクトルΩαkΩβkの方向は、波数ベクトルの方向、すなわち運動方向に依存する。そのため一般的には、電子がランダムな散乱を受けると、有効磁場もランダムに変動する。スピンの緩和が、DyakonovPerel機構によって支配される系においては、上述した有効磁場の変動がスピン緩和の原因となる。発生した散乱と散乱との間において、電子は特定の波数を持って運動するため、有効磁場を感じて有効磁場の周りを回転歳差運動する。この回転の角度は、時間と磁場の大きさに比例する。散乱に伴い波数がランダムに変化すると、スピンの向きは徐々に初期の状態が失われていく。発明者らは、材料および構造などを調節することによって、αとβの値を等しくした状態に着目した。α=βの状態では、ベクトルΩαkΩβkの方向が波数によらず同じ方向となる。この結果、ある初期状態にある電子スピンの運動に注目すると、スピンは散乱経路によらず位置のみの関数として表されるようになる。つまり、任意の2地点の間を移動する電子は、複数回の散乱と共に様々な経路をとりうるが、最終的なスピンの向きは散乱経路には依存せず必ず決まったスピンの向きになる。この原理により、α=βが実現された系においては、DyakonovPerel機構によるスピン緩和は完全に抑制される。実際には、他の機構によるスピン緩和があるため緩和時間は無限大にはならないが、α=βの状態においてスピンの寿命が1桁以上増大することが実験的に観測された。上述したような、DyakonovPerel機構によるスピン緩和が抑制された永続的スピン螺旋状態を輸送中のスピンに対して適用することで、スピンの輸送距離を飛躍的に伸ばすことが期待される。これまで報告されている表面弾性波によって輸送される電子のスピン緩和は、DyakonovPerel機構によって支配されていることが知られているため、この効果の実現が期待できる。以下、実施例を用いてより詳細に説明する。実施例1はじめに、実施例1について図3を用いて説明する。図3は、実施例1におけるスピン偏極キャリア輸送装置の構成を示す構成図である。このスピン偏極キャリア輸送装置は、まず、量子井戸構造からなるチャネル層301が形成された基板302を備える。また、チャネル層301の上に形成され、互いに異なる方向に進行して所定の箇所で干渉交差する第1表面弾性波および第2表面弾性波をチャネル層301に発生させる第1表面弾性波発生部303および第2表面弾性波発生部304を備える。第1表面弾性波発生部303および第2表面弾性波発生部304は、例えば、チャネル層301の上に形成された櫛形電極から構成されている。基板302は、主表面を001とされた閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する半導体から構成され、例えば、GaAsから構成されている。また、チャネル層301は、基板302の上に形成された障壁層、量子井戸層、障壁層からなる単一量子井戸から構成されたものであればよい。例えば、AlGaAsからなる2つの障壁層に、GaAsからなる井戸幅層厚20nm程度の量子井戸層が挟まれた構造となっていればよい。また、障壁層の厚さは、50nm程度とすればよい。この構造とすることで、表面から50nm程度下の領域に、量子井戸層からなる半導体チャネルが形成されるようになる。また、第1表面弾性波発生部303による第1表面弾性波と、第2表面弾性波発生部304による第2表面弾性波とが干渉してチャネル層301に生成されるピエゾポテンシャルが進行する領域に、磁化された強磁性体からなる電極305が配置されている。電極305に電圧を印加することで、スピン偏極キャリア生成手段となり、電極305の配置箇所が、キャリア生成箇所となる。また、このスピン偏極キャリア輸送装置は、第1表面弾性波発生部303および第2表面弾性波発生部304が出力する表面弾性波の振幅を制御する振幅制御部306を備える。振幅制御部306が、スピン軌道相互作用調整手段となる。以下、動作について説明すると、まず、第1表面弾性波発生部303および第2表面弾性波発生部304に、例えば、周波数0.82GHzの高周波電圧を印加する。これにより、第1表面弾性波発生部303より[-110]方向に第1表面弾性波が発生し、第2表面弾性波発生部304より[110]方向に、第2表面弾性波が発生する。これらの表面弾性波は、進行方向に対して垂直な方向に波面が広がっており、これらに対応してチャネル層301の表面障壁層の上に、線状のピエゾポテンシャルが形成される。また、上述した第1表面弾性波および第2表面弾性波が交渉すると、各々の波面が交差した箇所に対応し、点状のピエゾポテンシャルが発生し、これが、010方向に進行する。さらに、チャネル層301の井戸層は、表面から十分に近いため、縦方向層方向のピエゾ電界も同時に発生する。上述した点状のピエゾポテンシャルの発生により、この発生領域には、前述したαタイプのスピン軌道相互作用であるラッシュバRashbaスピン軌道相互作用が発生する。βタイプのスピン軌道相互作用は、チャネル層301を構成する半導体材料で決まる固有の値を持つのに対し、ラッシュバスピン軌道相互作用は、電界に比例する。このため、振幅制御部306により第1表面弾性波発生部303および第2表面弾性波発生部304に供給するRF電圧の振幅を調整することで、ラッシュバスピン軌道相互作用、言い換えるとαタイプのスピン軌道相互作用が調整できる。従って、振幅制御部306によりαタイプのスピン軌道相互作用を調整し、これをβタイプのスピン軌道相互作用に一致させることで、点状のピエゾポテンシャルが進行する輸送経路において、|α|=|β|の性質を有する半導体チャネルが実現できる。この状態で、上述したチャネル層301における輸送経路中のキャリア生成箇所に、電圧を印加した電極305によりスピン偏極電子を注入すれば、注入された電子は、歳差運動しながら1mm以上の距離を輸送されていくようになる。このように、実施例1によれば、スピン偏極電子を、より長く輸送できるようになる。実施例2次に、実施例2について図4を用いて説明する。図4は、実施例2におけるスピン偏極キャリア輸送装置の構成を示す構成図である。このスピン偏極キャリア輸送装置は、まず、量子井戸構造からなるチャネル層401が形成された基板402を備える。また、チャネル層401の上に形成され、互いに異なる方向に進行して所定の箇所で干渉交差する第1表面弾性波および第2表面弾性波をチャネル層401に発生させる第1表面弾性波発生部403および第2表面弾性波発生部404を備える。第1表面弾性波発生部403および第2表面弾性波発生部404は、例えば、チャネル層401の上に形成された櫛形電極から構成されている。基板402は、主表面を001とされた閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する半導体から構成され、例えば、GaAsから構成されている。また、チャネル層401は、基板402の上に形成された障壁層、量子井戸層、障壁層からなる単一量子井戸から構成されたものである。例えば、AlGaAsからなる2つの障壁層に、GaAsからなる井戸幅層厚20nm程度の量子井戸層が挟まれた構造となっている。障壁層の厚さは、50nm程度である。この構造とすることで、表面から50nm程度下の領域に、量子井戸層からなる半導体チャネルチャネル層401が形成されるようになる。また、第1表面弾性波発生部403による第1表面弾性波と、第2表面弾性波発生部404による第2表面弾性波とが干渉してチャネル層401に生成されるピエゾポテンシャルが進行する領域のいずれかの箇所キャリア生成箇所に円偏光のレーザー光を照射するレーザー照射部405を備える。表面弾性波により形成されたポテンシャルが存在する領域に,円偏光のレーザー光を照射すると,スピン偏極電子を生成することができる。レーザー照射部405が、スピン偏極キャリア生成手段となり、レーザー光の照射箇所が、キャリア生成箇所となる。なお、照射されるレーザー光のスポットサイズは、スピン軌道相互作用によってスピンが1回転する距離よりも十分小さい1μm程度とする。また、このスピン偏極キャリア輸送装置は、第1表面弾性波と第2表面弾性波とが干渉してチャネル層401に生成されるピエゾポテンシャルが進行する領域キャリア生成箇所に電界を印加する電界印加部406を備える。電界印加部406が、スピン軌道相互作用調整手段となる。電界印加部406は、例えば、メッシュ状の金属電極から構成することができる。メッシュ状の金属電極であれば、メッシュの孔部にチャネル層401の表面が露出するので、レーザー光が照射でき、スピン偏極キャリアが生成できる。以下、動作について説明すると、まず、第1表面弾性波発生部403および第2表面弾性波発生部404に、例えば、周波数0.82GHzの高周波電圧を印加する。これにより、第1表面弾性波発生部403より[-110]方向に第1表面弾性波が発生し、第2表面弾性波発生部404より[110]方向に、第2表面弾性波が発生する。これらの表面弾性波は、進行方向に対して垂直な方向に波面が広がっており、これらに対応してチャネル層401の表面障壁層の上に、線状のピエゾポテンシャルが形成される。また、上述した第1表面弾性波および第2表面弾性波が交渉すると、各々の波面が交差した箇所に対応し、点状のピエゾポテンシャルが発生し、これが、010方向に進行する。さらに、チャネル層401の井戸層は、表面から十分に近いため、縦方向層方向のピエゾ電界も同時に発生する。上述した点状のピエゾポテンシャルの発生により、この発生領域には、前述したαタイプのスピン軌道相互作用であるラッシュバスピン軌道相互作用が発生する。βタイプのスピン軌道相互作用は、チャネル層401を構成する半導体材料で決まる固有の値を持つのに対し、ラッシュバスピン軌道相互作用は、電界に比例する。このため、電界印加部406により印加する電界を調整することで、ラッシュバスピン軌道相互作用、言い換えるとαタイプのスピン軌道相互作用が調整できる。従って、電界印加部406によりαタイプのスピン軌道相互作用を調整し、これをβタイプのスピン軌道相互作用に一致させることで、点状のピエゾポテンシャルが進行する輸送経路において、|α|=|β|の性質を有する半導体チャネルが実現できる。この状態で、上述したチャネル層401における輸送経路中のキャリア生成箇所に、レーザー照射部405によりレーザー光を照射してスピン偏極電子を注入すれば、注入された電子は、歳差運動しながら1mm以上の距離を輸送されていくようになる。このように、実施例2によれば、スピン偏極電子を、より長く輸送できるようになる。以上に説明したように、本発明によれば、表面弾性波によるスピン輸送において、スピン軌道相互作用の大きさを調整してα=βの性質を容易に実現し、スピン緩和時間を著しく長くしたので、スピン情報を保った状態で、半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離をより長くすることが可能となる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、メッシュ状の金属電極で電界を印加するようにしたが、これに限るものではない、表面弾性波によるスピン輸送経路に電界が印加できればよく、例えば、チャネル層を備える基板の裏面側より電界を印加する構成としてもよい。"