デバイス後工程にて最終シリコンチップ厚みが100μm以下となる半導体デバイス用シリコン基板において、裏面研削もしくは研磨後にレーザー光を照射し裏面全面または一部を溶融させる際に重金属を捕獲する物質を取り込ませる事を特徴とするシリコン基板の製造方法。溶融領域に取り込ませる物質は、炭素、ボロンなどの元素から構成された物質であり裏面から1μm以下の深さにピーク濃度が5×1017/cm3以上1×1021/cm3以下とする請求項1に記載のシリコン基板の製造方法。レーザー光照射によるシリコン基板の溶融後の固化過程でシリコン単結晶構造に転位を導入させる事を特徴とする請求項1に記載のシリコン基板。本発明の目的は、デバイス後工程で薄型化されたシリコン基板に対してチップ強度の低下を抑制でき、重金属汚染に対してもデバイス特性の劣化を防止できるシリコン基板及びその製造方法を提供することにある。発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、シリコン基板の少なくとも一方向の面からレーザー光を照射することによりシリコン表面または裏面を溶融させた状態で重金属を捕獲できる物質を所定濃度ドープさせ、再結晶化させる際に転位を導入させることによりチップ強度の低下がなく強力なゲッタリング作用を有していることを見出し、本発明を完成させるに到った。請求項1に記載の発明は、デバイス後工程での裏面研削後もしくは研磨後に最終シリコンチップ厚みが100μm以下に薄型化されるシリコン基板に対して、裏面全面または一部にレーザー光を照射することによりシリコンを溶融させ、溶融面から重金属を捕獲させる事が可能な物質を所定濃度取り込ませる製造方法である。請求項1に記載の発明によれば、研削後もしくは研磨後の薄型化されたシリコン基板の裏面側からレーザー光を照射し全面または一部を溶融させる。シリコン材料を溶融させると溶融面と接する環境物質を取り込む現象は知られており、この現象を利用して重金属を捕獲する物質を雰囲気あるいは溶融させる面に存在させることにより所定濃度取り込ませる。これにより後工程での重金属汚染を捕獲することが可能となりデバイス特性を維持できる。レーザー光としては、短一波長に限定するものでなく複数の波長光を使用しても良く、連続照射法でもパルス照射法でも可能である。レーザー光の照射は、研削あるいは研磨後の薄厚化されたシリコン基板またはチップ化された後でも良い。尚、本説明はレーザー光を用いた記載をしているがシリコンを溶融できる手法であれば電子線など採用可能である。請求項2に記載の発明は、少なくとも炭素、酸素、窒素、ホウ素などの重金属を捕獲できる元素を1又は2以上含む物質である請求項1の製造方法である。請求項2に記載の発明によれば、取り込み物質はシリコン裏面に重金属を捕獲できる元素を含む有機化合物、ホウ素化合物などを吸着、塗布あるいは成膜すればよい。一方、雰囲気ガスに該物質を含有させる方法としては、酸素と窒素の場合には空気導入、炭素の場合には二酸化炭素、アルコールなど炭素化合物ガスを導入すればよい。ホウ素の場合にはマイクロガラス繊維であるホウ素酸化物B2O3を充填させた容器を通したガスなどを採用すればよい。尚、いずれの手法も取り込み物質の濃度は、目的とする元素を含む物質濃度やガス分圧を変化させることで調整することができる。取り込み物質の濃度は、元素に依存するがピーク濃度として5×1017/cm3以上1×1021/cm3以下とする。物質濃度が5×1017/cm3以下であれば重金属の捕獲能力が弱く、1×1021/cm3超であると再結晶化時に単結晶シリコン構造が出来にくくなりシリコンチップ強度の低下を招くためである。より好ましい物質濃度は、1×1018/cm3以上1×1020/cm3以下である。更に効率よく重金属を捕獲するためには、取り込み物質量を増加させれば良い。すなわち、レーザー光の照射時間の延長や照射回数を増加させることで溶融表面から逐次取り込まれる物質を高濃度で均一にシリコン内部に拡散し物質濃度を増加させる。シリコン溶融深さに関しては、特に限定しないがレーザー光照射によりデバイス作製面の温度が400°Cを超えないようにする。400°Cを超えるとデバイス特性に悪影響を及ぼすと言われているためでありシリコン裏面の溶融条件であれば1μm以下とすることが好ましい。請求項3に記載の発明は、溶融させたシリコンに対して単結晶化させながら同時に転位を導入させる請求項1記載の製造方法である。請求項3に記載の発明によれば、シリコン溶融後の再結晶速度を速めることで単結晶化と同時に転位を導入する事ができる。一般的に転位の存在は、強度を低下させると考えられているが、後工程の処理温度は400°C以下のため、転位の移動や増殖が起こらない。従い、転位が存在していてもチップ強度の低下はなく、導入させた転位はゲッタリングサイトとして作用するばかりでなく金属捕獲物質の取り込み量も増加させる事ができデバイス特性に悪影響を与える重金属を確実に捕獲できる。本発明の工程を説明すると、前工程でデバイス形成されたシリコン基板は後工程へと移る。先ず、デバイス作製面にバックグラインド用保護テープが貼り付けられシリコン基板の裏面研削が行われる。シリコン基板の厚みは、裏面研削により100μm以下まで薄型化され、更に裏面を研磨あるいはエッチングを行い研削キズ、スクラッチや非晶質領域を除去する。次に、ドーピング物質の存在する環境下でレーザー光をシリコン基板裏面の全面または一部に照射する。その後、ダイシング工程、ワイヤーボンディング、樹脂封入工程へと進んでいく。研削や研磨工程が重金属混入の主原因と言われているが、上記デバイス組み立て工程で使用されるインターポーザや封入樹脂の材質などからも混入する。特に、銅が主汚染元素であり、これを捕獲する事が重要である。ニッケルに関しては、高濃度のホウ素を取り込んでも捕獲能力がないため転位網を形成させることで容易にゲッタリングさせることが出来る。鉄に関しては、ホウ素や炭素を取り込むとゲッタリングできる。しかし、銅に関しては、イオン化して室温下でもシリコン基板内を自由に拡散できる元素であるため、例えば、研削工程で導入された銅は転位網に一旦は捕獲されるが組み立て工程での熱処理により簡単に転位から放出してデバイス活性層へと移動しデバイス特性を劣化させる。従い、銅に対して捕獲能力の高いホウ素や炭素を高濃度ドープさせることが必要であり、転位網を形成させることで高濃度化させることが可能である。本発明の別の手法としては、シリコン基板表面のデバイス作製領域を除く領域やスクライブラインに捕獲能力の高い炭素やホウ素をドープさせる事も可能であり裏面側から拡散してきた銅イオンを確実にゲッタリングできデバイス特性の劣化を抑制できる。このように、本発明によるシリコン基板及びその製造方法によれば、最終チップ厚みが100μm以下となるデバイス作製されたシリコン基板に対してデバイス後工程での重金属汚染に対するデバイス特性の劣化を抑制でき、チップ強度の低下もないため歩留を大幅に改善できる。[比較例1]直径100mm、厚み525μm、初期酸素濃度が1.4×1018atoms/cm3、比抵抗が1Ωcmから2Ωcmに調整されたボロンドープのCZ基板を準備した。全てのサンプルに対して表面にバックグラインドテープを貼り付け裏面側から2000番の砥石にて研削を行い、最終厚みを200μmとした。図1に裏面側断面の電子顕微鏡写真を示す。更に、裏面側から4μm深さ研磨を行い完全に研削キズを除去させた。同様に電子顕微鏡観察した結果を図2に示す。サンプル1[比較例2]サンプル1から各5枚抜き取り、フッ化水素水溶液にて自然酸化膜を除去させた後に固体レーザー808nm連続発振レーザーで基板を溶融させないように補助加熱を行い、同時にエキシマーレーザー装置を用いて波長515nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度4J/cm2の条件にてアルゴンガス雰囲気下で裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.2μmの深さを溶融させた。サンプル2サンプル1から4枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた後にエキシマーレーザー装置を用いて波長515nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度4J/cm2の条件にてアルゴン雰囲気下で裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル3サンプル1を3枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた後に固体レーザー808nm連続発振レーザーで基板を溶融させないように補助加熱を行い、エキシマーレーザー装置を用いて波長515nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度4J/cm2の条件にて二酸化炭素ガス下で裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル4サンプル1を2枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた状態でエキシマーレーザー装置を用いて波長515nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度4J/cm2の条件にて二酸化炭素ガス下で裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル5サンプル1を2枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた状態でエキシマーレーザー装置を用いて波長515nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度4J/cm2の条件にてマイクロガラス繊維を詰め込んだ容器を通ったエアーを溶融面に吹き付けながら裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル6サンプル1を2枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた状態でグリーンレーザー装置を用いて波長532nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度5J/cm2の条件にてマイクロガラス繊維を詰め込んだ容器を通った二酸化炭素ガスを溶融面に吹き付けながら裏面全面にレーザー光を照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル7サンプル1を2枚抜き取り、自然酸化膜を除去させた状態でグリーンレーザー装置を用いて波長532nm、パルス幅200ナノ秒、エネルギー密度5J/cm2の条件にてマイクロガラス繊維を詰め込んだ容器を通った二酸化炭素ガスを溶融面に吹き付けながら裏面レーザー光を5mmピッチで全面に照射させ表面から約0.3μmの深さを溶融させた。サンプル8[評価1]サンプル2とサンプル3を各1枚抜き出して電子顕微鏡にて裏面側の断面観察を行った。図3に示すようにサンプル2は、非晶質層やクラックなどのキズは観察されず補助加熱にて徐冷させているため転位も形成されていない。サンプル3に関しては、図4に示すように非晶質層やクラックなど観察されず急冷効果のためシリコン単結晶に転位網が形成されていることを確認した。[評価2]サンプル2とサンプル3を1枚抜き取り、ニッケル汚染濃度が5×1011atoms/cm2になるようにシリコン基板裏面側にスピンコートさせた。得られたサンプルを9000°Cで1時間熱処理を施した後にWrightEtchingにて表面に析出したニッケルシリサイドを評価した。サンプル2には欠陥密度が1×105個/cm2発生しているのに対してサンプル3には欠陥が観察されなかった。[評価3]各サンプルから2枚抜き取り、銅汚染濃度が1×1012atoms/cm2になるようにシリコン基板裏面側にスピンコートさせた。得られたサンプルは、ホットプレートにて250°Cとなるようにサンプル裏面側から30分間加熱した。全てのサンプルに対して、シリコン基板表面まで拡散した銅を全反射蛍光X線にて評価した。サンプル1からサンプル3は、汚染濃度の半分以上の銅濃度が検出された。サンプル4は、5×1010atoms/cm2の銅濃度であったが、サンプル5からサンプル8では、1.2×1010atoms/cm2以下の銅濃度であった。[評価4]サンプル2、サンプル4、サンプル5に関して、裏面深さ方向の炭素濃度プロファイルを測定するためにSIMSを用いた。サンプル2の炭素濃度ピークは、2。0×1017atoms/cm3、サンプル4では8.5×1017atoms/cm3あったがサンプル5では1.2×1018atoms/cm3であることがわかった。