複数のITO分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるITOスパッタリングターゲットであって、配列したITO分割ターゲット間のクリアランス側の側面にのみ、インジウム、インジウム合金又は錫合金から選択された1の物質の被覆層を有するITOスパッタリングターゲット。インジウム合金又は錫合金が、In-Sn、In-Bi、In-Bi-Sn、In-Ga、In-Ga-Sn、In-Ga-Bi、Sn-Ga、Sn-Bi、Sn-Ga-Biの中から選択されたいずれか1の物質であることを特徴とする請求項1に記載のITOスパッタリングターゲット。ITO分割ターゲット間のクリアランスが0.2~0.8mmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のITOスパッタリングターゲット。被覆層の厚みが0.04~0.35mmで、クリアランスの大きさから被覆層の厚みを引いた隙間の大きさが0.1~0.72mmであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のITOスパッタリングターゲット。本発明は、分割ITOターゲットの連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるITOスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ITOスパッタリングターゲットを複数の分割ターゲットから構成し、この複数の分割ターゲットの縁部を工夫することにより、分割ターゲットを配列して大型のターゲットを作製し、各分割ターゲットの縁部に起因するパーティクル発生による不良を低減することができるスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することができるとの知見を得た。このような知見に基づき、本発明は、1複数のITO分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるITOスパッタリングターゲットであって、配列したITO分割ターゲット間のクリアランス側の側面にのみ、インジウム、インジウム合金又は錫合金から選択された1の物質の被覆層を有するITOスパッタリングターゲット、を提供する。2また、本発明は、インジウム合金又は錫合金が、In-Sn、In-Bi、In-Bi-Sn、In-Ga、In-Ga-Sn、In-Ga-Bi、Sn-Ga、Sn-Bi、Sn-Ga-Biの中から選択されたいずれか1の物質であることを特徴とする上記1に記載のITOスパッタリングターゲット、を提供する。3また、本発明は、ITO分割ターゲット間のクリアランスが0.2~0.8mmであることを特徴とする上記1又は2に記載のITOスパッタリングターゲット、を提供する。4また、本発明は、被覆層の厚みが0.04~0.35mmで、クリアランスの大きさから、被覆層の厚みを引いた隙間の大きさが0.1~0.72mmであることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のITOスパッタリングターゲット、を提供する。このように調整した本発明のスパッタリングターゲットは、分割ITOターゲットの連続スパッタ時においても、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得られるITOスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供することができ、成膜の歩留まりを向上させ、製品の品質を高めることができるという大きな利点を有する。本発明のITOスパッタリングターゲットは、複数のITO分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるITOスパッタリングターゲットであり、配列したITO分割ターゲット間のクリアランス側の側面にのみ、インジウム、インジウム合金又は錫合金から選択された1の物質の被覆層を有する構造のITOスパッタリングターゲットを基本とする。すなわち、バッキングプレート上に配列した複数のITO分割ターゲットは、それぞれの側面が密着しているのではなく、一定の間隔クリアランスを有する。この概念図を図2に示す。一方、本発明の代表的なITOスパッタリングターゲットを説明する断面図を図1に示す。この分割ITOターゲットの各部材は、次のような方法で製造することができる。まず、酸化インジウム粉と酸化錫粉を酸化錫が10wtとなる様に秤量する。通常のITOの酸化錫濃度は、10wtであるが、透明導電体特性として許容可能な範囲で酸化錫の濃度を3~40wtの範囲とすることもできる。次に、秤量した原料粉の湿式媒体攪拌ミル等による混合粉砕を行い、流動性の向上のための造粒を行うが、造粒時のスラリーに、成形体強度の増加を目的としてPVA等のバインダーを加えても良い。次に、プレス成形を行った後、酸素雰囲気又は大気雰囲気で常圧焼結して、ITO焼結体を得る。得られたITO焼結体を、機械的加工して、分割ITOターゲットの各部材とする。この際、角には面取り加工をし、表面粗さを小さくする加工をすることがより好ましい。分割ITOターゲットの個数は、例えばFPDに適合させるために、大型ITOターゲットの寸法に応じて定めることができる。このようなITOターゲットは、平面的に見て、一般に矩形なので、これに対応させて長方形の分割ITOターゲットを複数個配列して作製することができる。しかしながら、分割ITOターゲットが長方形に限定されないことは、当然であり、他の形状、例えば正方形、三角形、扇型、あるいはこれらを適宜組み合わせて作製することもできる。本願発明は、これらを包含する。上記の様にして作製したITOターゲットの各部材の側面にインジウム又はインジウム合金等を側面に被覆し、前記物質の被覆層を形成する。この被覆層を形成する手段は、特に制限がないが、例えば下記のバッキングプレートにボンディングを行う、インジウム又はインジウム合金からなるロウ材を用いて形成しても良い。他の手段としては、溶射法、めっき法などを用いることができる。また、側面のみを電解で還元してIn系メタルにすることもできる。被覆層を形成した後、銅又は銅合金等からなるバッキングプレートに、インジウム又はインジウム合金からなるロウ材を用いて、前記図1に示すように、ボンディングを行う。インジウム又はインジウム合金等を側面にのみ付けるのは、インジウム等を付けないと、ITOターゲットの分割ターゲット各部材間のクリアランスによる端部を基点とした異常放電等が発生し易くなるためであり、また、逆に、従来例の様に、クリアランス全部にインジウム等を埋め込んでしまうと、その部分の上部に形成される膜の電気的特性が、他の部分に形成される膜の電気的特性と異なってしまうからである。ITOターゲットの分割ターゲット各部材間のクリアランス間隔の調整が必要であり、このクリアランスは0.2~0.8mmとする。この場合のITO分割ターゲット間のクリアランスは、被覆層を形成する前のクリアランスである。ITO分割ターゲットのクリアランス側の側面にのみ、インジウム、インジウム合金又は錫合金から選択された1の物質の被覆層を形成する。その後、バッキングプレート上に配列し、バッキングプレートに接合する。バッキングプレート上に接合した各ITO分割ターゲットについては、上記の通り一定のクリアランスが必要であり、このクリアランスが0.2mm未満であると、多分割ITOターゲットの各部材をバッキングプレートに貼り付けた後の、接合層ロウ材を用いたボンディング層の冷却時の熱収縮による隣接ターゲット部材間の衝突による破損を防止することが難しくなるためである。また、逆に0.8mmより広いと、インジウム等を各ターゲット部材の側面に形成したとしても、側面に形成された膜の電気的特性がターゲット部材とやや異なるため、クリアランス間隔の開け過ぎにより、スパッタリング時の膜の面内均一が劣ってしまうからである。また、ITOターゲットのスパッタリング時及び冷却時には、多少の熱膨張と収縮が繰り返されるが、分割ターゲットのクリアランスは、それを適度に調整する機能を持つので、ターゲットの亀裂や割れを防止できる効果もある。各ITO分割ターゲットの側面に形成する被覆層の厚みは0.04~0.35mmとする。この被覆層は、クリアランスに向かい合う片面の厚さである。この被覆層は、ノジュールの発生や異常放電を抑制すると共に、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がないようにすることが目的である。被覆層の厚みが0.04mm未満では、その効果がなく、0.35mmを超えると、分割ターゲットのクリアランスそのものを大きくしなければならなくなり、膜の均一性に問題が生ずるので、被覆層の厚みは0.04~0.35mmとするのが好ましい。当然ではあるが、分割ターゲットのクリアランスに応じて、被覆層の厚みを上記の範囲で調節する。以上の結果、クリアランスの大きさから、被覆層の厚みを引いた隙間の大きさを0.1~0.72mmとするのが好適である。分割ターゲットの側面に付ける材料としては、インジウム、インジウム合金、錫合金が好ましい。これらの金属又は合金は比較的融点が低いために、側面に付けるのが容易だからである。また、インジウム合金及び錫合金の、好ましい例としては、In-Sn、In-Bi、In-Bi-Sn、In-Ga、In-Ga-Sn、In-Ga-Bi、Sn-Ga、Sn-Bi、Sn-Ga-Biを挙げることができる。これらの合金は、特に、インジウムとの合金を形成した場合、比較的低融点であり、より好ましい材料である。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1原料として、比表面積が5m2/gの酸化インジウム粉末と酸化錫粉末を重量比で9:1の割合に混合した混合粉末を、ビーズミルによる湿式媒体攪拌ミルで混合粉砕後、プレス用金型に入れて、700Kg/cm2の圧力で成形し、ITO成形体を作製した。次に、このITO成形体を、酸素雰囲気中で、昇温速度5°C/minで室温から1500°Cまで昇温後、1500°Cで20時間温度を保持し、その後、炉冷することで焼結した。このようにして得られた焼結体の表面を、平面研削盤で400番ダイヤモンド砥石を使用して厚み6.5mmまで研削し、さらに側辺をダイヤモンドカッターで127mm×508mmサイズに切断して、ITOターゲット部材とした。この様な加工体を2枚作製した。これらの焼結体を200°Cに設定したホットプレート上に設置、昇温後、側面にのみ、0.05mm厚のインジウムを付けた。次に、無酸素銅製のバッキングプレートを200°Cに設定したホットプレート上に設置し、インジウムをロウ材として使用し、その厚みが約0.2mmとなるように塗布した。このバッキングプレート上に、上記の様にして側面にインジウムを付けた2枚のITO焼結体を0.4mmのクリアランスを設けて接合面同士を相対して設置し、室温まで放置冷却した。上記から隣接する分割ターゲットの被覆層間の距離間隔は、0.3mmとなる。このターゲットをシンクロン製マグネトロンスパッタ装置BSC-7011に取り付け、投入パワーはDC電源で2.3W/cm2、ガス圧は0.6Pa、スパッタガスはアルゴンArでガス流量は300sccm、スパッタ積算電力量は120WHr/cm2まで行った。スパッタ中は、マイクロアーク発生回数回を測定した。マイクロアークの判定基準は、検出電圧100V以上、放出エネルギーアーク放電が発生している時のスパッタ電圧×スパッタ電流×発生時間が10mJ以下である。スパッタ積算電力量は160WHr/cm2後にコーニング1737を基板として設置して、膜厚200nmとして、クリアランス部に対向する基板面と、そこから反対方向に2cmずつ及び4cmずつ離れた、合計5点のシート抵抗を測定し、平均値とシート抵抗のばらつき=100×2最大シート抵抗値-最大シート抵抗値/最大シート抵抗値最大シート抵抗値を求めることで、膜抵抗均一性を評価したR1。この実施例1のR15点のシート抵抗、平均値、シート抵抗のばらつきの結果を、表1に示す。また、クリアランス、クリアランスへのインジウム等の付着状態、積算120WHr/cm2までのマイクロアーク発生累積回数、膜特性等の結果も合わせて表1に示す。上記表1、図1に示すように、実施例1の分割ターゲットの側面に被覆した材料はインジウムIn、被覆層の厚みは0.05mm、クリアランスは0.4mm、マイクロアークの発生回数は260回、シート抵抗の平均値は10.3Ω/□、シート抵抗のばらつきは7.3となり、シート抵抗の平均値は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なく、マイクロアークの発生回数が少ないという結果が得られた。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができ、このようにシート抵抗の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。実施例2被服層の厚みを0.1mmに変えた以外は、実施例1と同様条件で行った。この結果を、同様に表1、図1に示す。隣接する分割ターゲットの被覆層間の距離間隔は、0.2mmとなる。マイクロアークの発生回数は232回、シート抵抗の平均値は10.2Ω/□、シート抵抗のばらつきは7.0となり、シート抵抗は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なく、マイクロアークの発生回数が少ないという結果が得られた。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができ、このようにシート抵抗の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。実施例3クリアランスを0.2mmに変えた以外は、実施例1と同様条件で行った。隣接する分割ターゲットの被覆層間の距離間隔は、0.1mmとなる。この結果を、同様に表1、図1に示す。マイクロアークの発生回数は210回、シート抵抗の平均値は10.3Ω/□、シート抵抗のばらつきは4.9となり、シート抵抗は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なく、マイクロアークの発生回数が少ないという結果が得られた。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができ、このようにシート抵抗の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。実施例4ITO分割ターゲット側面へ付けるインジウムを、錫濃度が10atであるIn-Sn合金に変えた以外は、実施例1と同様条件で行った。この結果を、同様に表1、図1に示す。隣接する分割ターゲットの被覆層間の距離間隔は、0.3mmとなる。マイクロアークの発生回数は212回、シート抵抗の平均値は10.4Ω/□、シート抵抗のばらつきは5.8となり、シート抵抗は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なく、マイクロアークの発生回数が少ないという結果が得られた。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができ、このようにシート抵抗の変動が少ないことは、基板上に均一に成膜されていることを意味しているものである。比較例1ITO分割ターゲット側面へ何も付けず、分割ターゲットのクリアランスを0.4mmとした以外は、実施例1と同様条件で行った。この結果を、同様に表1に示す。また、ITO分割ターゲット側面へ被覆層を形成していないので、構造的には、図2に示すようになる。マイクロアークの発生回数は750回、シート抵抗の平均値は10.2Ω/□、シート抵抗のばらつきは3.9となり、シート抵抗の平均値は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なかったが、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果が得られた。比較例2ITO分割ターゲット側面へInを0.02mm付けた以外は、実施例1と同様条件で行った。この結果を、同様に表1、図1に示す。隣接する分割ターゲットの被覆層間の距離間隔は、0.3mmとなる。マイクロアークの発生回数は736回、シート抵抗の平均値は10.2Ω/□、シート抵抗のばらつきは3.9となり、シート抵抗の平均値は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なかったが、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果が得られた。比較例3ITO分割ターゲット側面へ何も付けず、分割ターゲットのクリアランスを0.2mmとした以外は、実施例1と同様条件で行った。この結果を、同様に表1に示す。また、ITO分割ターゲット側面へ被覆層を形成していないので、構造的には、図2に示すようになる。マイクロアークの発生回数は508回、シート抵抗は10.2Ω/□、シート抵抗のばらつきは3.0となり、シート抵抗の平均値は適度の数値であり、シート抵抗のばらつきが少なかったが、比較例1よりも若干減少したが、マイクロアークの発生回数が極めて多くなるという結果が得られた。比較例4分割ターゲットの配置、すなわち分割ターゲット間のクリアランスを0.4mmとしたが、ITO分割ターゲット間にインジウムInを埋め込んだ。分割ターゲット間にクリアランスはあるが、その間に別物質が入り、隙間が事実上消滅した状態となった。これ以外は、実施例1と同様条件とした。この結果を、同様に表1に示す。マイクロアークの発生回数は240回、シート抵抗の平均値は9.4Ω/□、シート抵抗のばらつきは38.2となり、マイクロアークの発生回数は実施例と同程度であったが、シート抵抗の平均値が悪くなり、シート抵抗のばらつきが極めて大きくなった。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができるが、このようにシート抵抗の変動が大きいことは、基板上に均一に成膜されていないことを意味している。比較例5分割ターゲットの配置、すなわち分割ターゲット間のクリアランスを0.2mmとしたが、ITO分割ターゲット間にインジウムInを埋め込んだ。分割ターゲット間にクリアランスはあるが、その間に別物質が入り、隙間が事実上消滅した状態となった。これ以外は、実施例1と同様条件とした。この結果を、同様に表1に示す。マイクロアークの発生回数は198回、シート抵抗の平均値は9.9Ω/□、シート抵抗のばらつきは17.6となり、マイクロアークの発生回数は実施例とほぼ同程度であったが、シート抵抗の平均値が悪くなり、シート抵抗のばらつきが極めて大きくなった。ITOの場合、シート抵抗により基板上の膜の特性を評価することができるが、このようにシート抵抗の変動が大きいことは、基板上に均一に成膜されていないことを意味している。上記の実施例、比較例から明らかなように、複数のITO分割ターゲットをバッキングプレート上に配列し、該バッキングプレートに接合して構成されるITOスパッタリングターゲットとし、配列したITO分割ターゲット間のクリアランス側の側面にのみ、インジウム、インジウム合金又は錫合金から選択された1の物質の被覆層を有する構造とすることは極めて重要である。これによって、ノジュールの発生や異常放電を抑制することができるとともに、クリアランス部分に対向した基板上に形成される膜の特性が他の部分の膜の特性と差異がない、すなわち膜特性の均一性の高い膜が得ることができる。