"InP基板に形成され、表面にInP窓層を備える受光素子であって、前記InP窓層からの亜鉛Znの選択拡散によってpn接合が形成され、前記受光層は、第1の組成のInxGa1-xAsと第2の組成のInyGa1-yAsとが交互に2対以上積層されてなり、前記第1の組成のInxGa1-xAsはその吸収端波長が1.8μm~1.75μmの間にあり、かつ前記第2の組成のInyGa1-yAsはその吸収端波長が該第1の吸収端波長より短く、前記InP窓層と受光層との間に、該InP窓層および受光層に接して前記InPに格子整合するIn0.53Ga0.47AsまたはInAl0.48As0.52の中間層が位置することを特徴とする、受光素子。前記第1の組成のInxGa1-xAsにおけるIn組成xモル比:以下同じは、0.56以上0.58以下、また前記第2の組成のInyGa1-yAsにおけるIn組成yは、0.48以上0.50以下であることを特徴とする、請求項1に記載の受光素子。前記InP基板と前記受光層との間に、該InP基板および受光層に接して前記InPに格子整合する、In0.53Ga0.47AsまたはInAl0.48As0.52のバッファ層が位置することを特徴とする、請求項1または2に記載の受光素子。前記中間層の中で、前記選択拡散されたZnの濃度が、前記InP窓層側における1E18cm-3~1E19cm-3から受光層側における5E16cm-3以下へと減少することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の受光素子。前記InP窓層の中で、前記選択拡散されたZnの濃度が、表面側における1E18cm-3~1E19cm-3から前記中間層側における5E16cm-3以下へと減少することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の受光素子。前記選択拡散に用いたマスクパターンが前記InP窓層上に接して残存していて、前記選択拡散に用いたマスクパターンの開口部の大きさが、該開口部間の隙間の0.6倍以上5倍以下であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の受光素子。前記受光層、中間層およびバッファ層の少なくとも一つが、N、PおよびSbの一種以上を含有することを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の受光素子。請求項1~7のいずれか1項に記載の受光素子と、読み出し回路とを備えることを特徴とする、検出装置。複数の波長帯で観察することで分解能および解像度は向上するが、上記の波長域全体にわたって検出できて、小型で経済性に富むセンサは見あたらない。上記のInP基板の格子定数に対して、大きな格子定数の組成のInGaAsと小さい格子定数の組成のInGaAsとを備える受光素子の場合、アレイ化するために選択拡散によって複数の受光素子を形成した場合、横方向に拡散が促進されて異常拡散隣り合う画素間の短絡のリスクが増大する。また、InGaAsの組成をInP基板の格子定数から外すため、格子欠陥密度が高くなり、窓層の結晶性が劣化して、暗電流を抑えることが難しい。光量が微小な場合、暗電流の増大要因は検出感度を大きく劣化させるので確実に除く必要がある。さらに、上記のように格子不整合度を大きくしても、1700nm付近まで長波長化するのが限界であり、わずかの差であるが、それ以上の長波長帯1800nm程度にまで感度を拡大することはできない。波長1700nm以上の長い波長域では、赤外や遠赤外を主受光域とするMCTHgCdTeやPbSなどを用いた受光素子とせざるをえない。血管の内視鏡のようにファイバを介して観察するような用途では、上述のように、得られる光量が非常に少ないため、高解像度を得るために暗電流を低く抑えて高いS/N比とすることが求められる。このため、MCTやPbSを用いた受光素子では冷却が必須となる。冷却が必要な受光素子は、装置が大掛かりで高価にならざるをえない。本発明は、波長域1800nm程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子およびこれを用いた検出装置を提供することを目的とする。本発明の受光素子は、InP基板に形成され、表面にInP窓層を備える。この受光素子では、InP窓層からの亜鉛Znの選択拡散によってpn接合が形成され、受光層は、第1の組成のInxGa1-xAsと第2の組成のInyGa1-yAsとが交互に2対以上積層されてなり、第1の組成のInxGa1-xAsはその吸収端波長が1.8μm~1.75μmの間にあり、かつ第2の組成のInyGa1-yAsはその吸収端波長が該第1の吸収端波長より短く、InP窓層と受光層との間に、該InP窓層および受光層に接してInPに格子整合するIn0.53Ga0.47AsまたはInAl0.48As0.52の中間層が位置することを特徴とする。上記の構成によれば、第1の組成のInxGa1-xAsをInPの格子定数より相当大きくても、第2の組成のInyGa1-yAsをInPの格子定数より相当小さくするので歪補償がなされ、全体としては整合性がとれて格子欠陥密度は所定レベルに抑えられる。このため、第1の組成のInxGa1-xAsを長波長化しても格子定数を大きくしてバンドギャップを小さくしても、十分低い暗電流とすることができる。非常に大雑把な言い方をすれば、第2の組成のInyGa1-yAsは、受光域の上限の拡大には貢献しないが、受光層全体の格子定数の均衡をとるために配置している、という見方もできる。この結果、受光層の格子定数が原因で暗電流を大きくすることなく、受光域の長波長化が実現して波長1750nm~1800nm帯にまで感度を広げることができる。また、受光層上に接してInPに格子整合する中間層In0.53Ga0.47AsまたはInAl0.48As0.52が配置される。このため、平坦性および結晶性に優れたInP窓層を成長することができるので、表面起因の暗電流を低く抑えて高S/Nの信号を得ることができる。さらにInP窓層と中間層との界面は整合性が良いので、選択拡散時にZnの異常拡散とくに横方向に広がる拡散を防止することができる。このため、高集積高密度の二次元アレイの場合において、画素間の短絡、ノイズの増大を防止することができる。上記により、光量が限られる血管内視鏡などの用途にとくに適した受光素子を得ることができる。第1の組成のInxGa1-xAsにおけるIn組成xモル比:以下同じを、0.56以上0.58以下、また第2の組成のInyGa1-yAsにおけるIn組成yを、0.48以上0.50以下とするのがよい。これによって、第1の組成のInxGa1-xAsによって受光域を1800nm程度にまで長波長した上で、第2の組成のInyGa1-yAsと組み合わせることで、暗電流を低くすることができる。InP基板と受光層との間に、該InP基板および受光層に接してInPに格子整合する、InGaAsまたはInAlAsのバッファ層を位置させることができる。上記のバッファ層はInPに格子整合するので、ヘテロ界面での格子欠陥密度の増大を防止することができる。このため、その上に積層する受光層の結晶性を良好にすることができ、高S/N信号を得ることができる。中間層の中で、選択拡散されたZnの濃度を、InP窓層側における1E18cm-3~1E19cm-3から受光層側における5E16cm-3以下へと減少させることができる。上記のZn濃度分布では、中間層と受光層との界面付近には高い格子欠陥密度の箇所は生じないので、この領域において、Znを高濃度から低濃度とすることによって、Znの異常拡散を防止することができる。この結果、画素間の短絡やノイズ増大を防ぐことができる。InP窓層の中で、選択拡散されたZnの濃度を、表面側における1E18cm-3~1E19cm-3から中間層側における5E16cm-3以下へと減少させることができる。InP窓層内でZn濃度を低いレベルに低下するので、より安全サイドでZnの異常拡散を防止することができる。選択拡散に用いたマスクパターンがInP窓層上に接して残存させて、選択拡散に用いたマスクパターンの開口部の大きさを、該開口部間の隙間の0.6倍以上5倍以下、とすることができる。選択拡散マスクパターンを残すことで除去する場合に比べて表面の結晶性を良好に維持することができ、暗電流を低くすることができる。また、格子整合するIn0.53Ga0.47Asなどの中間層を配置するため選択拡散における異常拡散が防止され、開口部の大きさを、対画素ピッチ比で相当大きくしてもクロストークなどを防止することができる。このため、開口部の大きさを、開口部間の隙間の0.6倍以上5倍以下、とすることができ、感度を確保することができる。開口部の形状は何でもよく、○状でも、□状でもよい。画素ピッチが30μmのとき、開口部の大きさはおよそ11.2μm以上25μm以下となる。開口部の大きさは、○の場合は直径、□の場合は一辺の長さをさし、上記の場合、○の場合直径11.2μm以上25μm以下であり、正方形の場合一辺の長さ11.2μm以上25μm以下となる。開口部の隙間は、18.8μm~5μmである。隙間18.8μmのとき開口部の大きさは11.2μm以上30μm以下の所定範囲内にあり、隙間5μmのとき開口部の大きさは25μm以上30μm以下の所定範囲内にある。受光層、中間層およびバッファ層の少なくとも一つが、N、PおよびSbの一種以上を含有するようにできる。たとえばNを含有させると、第1および第2の組成のInGaAsのバンドギャップは小さくなって、受光域をより長波長側に拡大することができる。また、このようなNの作用を利用すれば、第1の組成のInGaAsの格子定数をそれほど大きくしないで済むので、格子欠陥密度をより一層低くすることができる。この結果、暗電流を低下させることができる。SbまたはPの場合は、含有させることで、結晶性に優れた第1および第2のInGaAsを得ることができる。本発明の検出装置は、上記のいずれかの受光素子と、読み出し回路とを備えることを特徴とする。これによって、暗電流が低く、受光域を波長1.8μm程度まで拡大した受光素子を用いて、高解像度の検出を行うことが可能となる。本発明によれば、波長域1800nm程度にまで受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、暗電流を低くできる受光素子等を提供することができる。図1は、上記の受光素子10における半導体積層構造を示す図であり、次の積層構造を有する。InP基板1/In0.53Ga0.47Asバッファ層2/In0.58Ga0.42As3aとIn0.48Ga0.52As3bとの交互積層体からなる受光層3/In0.53Ga0.47As中間層4/InP窓層5ここでIn0.53Ga0.47As中間層4およびInP窓層5はn-型であってもよい。InP窓層5の表面5aからp型不純物である亜鉛Znが選択拡散されて画素が形成されている。選択拡散されたZnの分布は、In0.53Ga0.47As中間層4内において、InP窓層5の側における1E18cm-3~1E19cm-3から受光層側における5E16cm-3以下へと急減している図2参照。上記の積層構造は、つぎの考え方に基づいて構成されている。1.受光層3におけるIn0.58Ga0.42As3a第1の組成:バンドギャップをできるだけ小さくして長波長の光を受光できるように、In組成xを0.58としている。この結果、波長1800nm程度まで受光域の上限を拡大することができる。しかし、In0.58Ga0.42As3aの格子定数は大きく、単独ではInPに格子整合しにくい。その結果、格子欠陥密度が高くなると暗電流が増大するため、微弱な光を十分な解像度で検出することが難しくなる。2.受光層3におけるIn0.48Ga0.52As3b第2の組成:1第2の組成のIn0.48Ga0.52As3bはIn組成yを、第1の組成におけるIn組成xよりも0.1も小さくしている。第1組成のIn0.58Ga0.42As3aは格子定数が大きいため、格子定数の小さい第2の組成のIn0.48Ga0.52As3bによって格子整合上の均衡をとる。第1組成と第2組成との組み合わせによって、In0.58Ga0.42As3aには圧縮歪が、またIn0.48Ga0.52As3bには引張歪が分布して、両者によって歪補償された積層体が形成される。この結果、受光層3の厚み範囲に、In0.58Ga0.42As3aおよびIn0.48Ga0.52As3bの平均の格子定数の受光層3が配置されたとみることができる。この結果、受光層3上に接して成長される中間層4および窓層5における格子欠陥密度は大きくならず、表面性状の良好な、In0.53Ga0.47As中間層4/InP窓層5、が形成され、暗電流は増大しない。2受光波長域の上限波長1800nm付近は、上記の第1組成のIn0.58Ga0.42As3aに任せて、それよりバンドギャップの大きいエネルギに対応する光を受光する。もちろん、第1組成のIn0.58Ga0.42As3a自体、長波長上限付近の光だけでなく、それより短波長側の光をも受光する。3.InPに格子整合する、In0.53Ga0.47Asバッファ層2、およびIn0.53Ga0.47As中間層4:In0.53Ga0.47Asは、InPに格子整合する組成であり、上記のIn0.53Ga0.47Asバッファ層2、およびIn0.53Ga0.47As中間層4によって、界面ヘテロ界面での格子欠陥密度の上昇を抑えることができる。このため、その界面上に接して形成される受光層3や窓層5の結晶性を良好にすることができる。この結果、暗電流を低く保つことができる。4.また、InP窓層5/In0.53Ga0.47As中間層4のヘテロ界面の深さ位置には、Znの選択拡散による高濃度のZnが分布するが、格子整合界面であるため、横方向に異常拡散することがない。この結果、各受光部画素は隣の画素とある程度の距離を持てば独立性を維持することができ、クロストークなどのおそれは生じない。このため、クロストークを防止するために過剰に大きな画素ピッチをとる必要はない。この結果、選択拡散マスクパターンの開口直径D15μmに対して、画素Pの間隔30μm程度に抑えることができる。このため無駄な光の通過を抑えることができ、所定レベル以上の感度を確保することができる。図2は、選択拡散されたZnの濃度分布を示す図である。図2には、2つのZn分布F1およびF2を示す。どちらのZn分布であってもよい。分布F1に比べて、分布F2は浅い範囲にZnを分布させている。どちらのZn分布F1,F2であっても、高濃度のZnが分布するInP窓層5/In0.53Ga0.47As中間層4のヘテロ界面は、格子整合界面なので、Znが異常拡散にして横方向に広がることはない。Zn分布F1ではpn接合15は受光層3内に位置するが、他方のZn分布F2ではpn接合15はIn0.53Ga0.47As中間層4内に位置する。どちらの場合も、Zn濃度はInP窓層5側から受光層3側へと減少する傾斜勾配が付いているので、逆バイアス電圧下、空乏層は受光層3の下面に向かって広く広げることができ、受光感度を確保することができる。図3は、本発明の実施の形態における受光素子10を含む検出装置50を示す断面図である。光はInP基板1の裏面から入射される。光量が少ないことは上述のとおりである。図3において、この検出装置50では、受光素子10と読み出し回路70とが組み合わされて形成される。読み出し回路70はマルチプレクサによって構成される。InP基板1の上に形成された受光素子10は、エピタキシャル層側を、実装基板の機能を有するマルチプレクサ70に向けて、いわゆるエピダウン実装されている。各画素Pのエピタキシャル層のp型領域6に接続するp部電極11と、共通のn型InP基板1に設けられるn部電極グランド電極12とは、それぞれ、読み出し回路ROIC:ReadOutIC70の読み出し電極パッド71とグランド電極パッド72とに接続されている。受光素子10のグランド電極12は配線電極12eによって対向する読み出し回路70に対面するように配置されている。これら受光素子10の各電極11,12eおよび読み出し回路70の電極パッド71,72には、被覆メタル11m,71mが取り付けられている。受光素子10の電極11,12と、読み出し回路70の電極パッド71,72との接続には接合バンプが用いられる。接合前には、受光素子の電極には接合バンプ9が、また読み出し回路70の電極パッド71,72には接合バンプ79が配置され、接合されて接合部979を形成する。画素電極11からの受光信号である電気信号はマルチプレクサに送られ、マルチプレクサでは各画素Pにおける電気信号を受けて、対象物の全体像を形成する処理を行う。入射光は、InP基板1の裏面に形成したAR膜35を通して導入され、p型領域6の先端に位置するpn接合15に印加された逆バイアス電圧によって張り出す空乏層において受光される。p型領域6に含まれるp型不純物であるZnは、選択拡散マスクパターン36の開口から拡散導入される。この選択拡散マスクパターン36はSiN膜から形成されており、選択拡散処理を行った後も、そのまま受光素子10に残される。その理由は、選択拡散マスクパターン36を除去するとき、InP窓層5の結晶性を損ね、また表面5aの平坦性を損ねて暗電流増大の原因を生じるからである。このため選択拡散マスクパターン36は、そのまま残して保護膜として機能させるのがよい。保護膜としては、この選択拡散マスクパターン36を覆うように、さらにSiONのパッシベーション膜43を配置するのがよい。図3において、画素または単位となる受光素子が二次元配列された受光素子10は、共通のInP基板1に設けられている。図4は、図3に示す二次元に画素Pが配列された受光素子10を示す平面図である。画素Pは320×256個約8.2万画素、ピッチ30μmである。また図5は、画素Pにおける選択拡散マスクパターン36の開口部36hまたは開口直径Dを説明するための図であり、図5aは平面図、また図5bは断面図である。選択拡散においては、横方向各層の面に平行な方向に拡散が生じて、正常拡散の場合ΔDは小さいがその場合でもゼロではない。格子不整合のヘテロ界面等において異常拡散が生じると隣の画素とクロストークを生じる程度にΔDは拡大する。本実施の形態では、受光層3を歪補償された積層体3a,3bによって構成し、その歪補償された積層体3a,3bの平均格子定数に合致する格子定数を持つIn0.53Ga0.47As中間層をエピタキシャル成長する。さらにその上にやはり中間層4に格子整合するInP窓層5を配置する。このため、格子欠陥密度を低くできて暗電流を小さくできるだけでなく、選択拡散における異常な横方向拡散を防止することができる。開口部の大きさを、開口部間の隙間の0.6倍以上5倍以下、として感度を確保しながら画素ピッチPを小さくすることができる。画素ピッチPが30μmのとき、開口部の大きさは11.2μm以上25μmとし、開口部の隙間は、上記の開口部との比率を保ちながら、5μm~18.8μmとするのがよい。InP基板1は、100から[111]方向または[11-1]方向に5度~20度傾斜したオフアングル基板とするのがよい。より望ましくは、100から[111]方向または[11-1]方向に10度~15度傾斜させる。このような大きなオフ角基板を用いることにより、欠陥密度が小さく結晶性に優れた、In0.53Ga0.47Asバッファ層2、In0.58Ga0.42As3a/In0.48Ga0.52As3bの交互積層体からなる受光層3、In0.53Ga0.47As中間層4、およびInP窓層5、を得ることができる。この結果、暗電流が抑制された受光素子10や検出装置50を得ることができる。このため、微弱な近赤外光を受光して撮像する装置の性能を大きく向上させる受光層を得ることができる。すなわち上記オフアングル基板を用いて形成された受光素子の有する作用は、血管内からの反射光を受光して撮像する撮像装置の品質向上にとくに有用である。上記のInP基板のオフ角は、InP基板1上に良好な結晶性のエピタキシャル膜を成長させる場合の重要な要素である。とくに本実施の形態の変形例に位置付けられるNを含有するGaInNAs層を含む受光層の場合、重要である。すなわち上記の受光層3中に、Nを含む化合物半導体、たとえばGaInNAsが含まれる場合、上記のような大きなオフ角のInP基板を用いない限り、実際には、実用に耐える、良好なエピタキシャル層として形成されることは不可能である。すなわち、上記のような大きなオフ角のInP基板を用いない限り、Nを含む化合物半導体、たとえばGaInNAsは暗電流を抑制し、暗点を減らした受光層になることはない。微弱な血管内視鏡の光を用いて鮮明な画像を得ることができない。上記例としてあげたGaInNAsだけでなく、GaInNAsPおよびGaInNAsSbにおいてもInP基板のオフ角は、上記のような大きい角度範囲が、良好な結晶性を得るのに必要であるという点で同じである。上記の受光素子10における半導体積層構造は、どのような成長法で成長してもよい。とくにMBE分子線エピタキシ:MolecularBeamEpitaxy法、MOVPE有機金属気相成長MealOrganicVaporPhaseEpitaxy法などを用いるのがよい。まず、InP基板1上に、In0.53Ga0.47Asバッファ層2、In0.58Ga0.42As3aとIn0.48Ga0.52As3bとの交互積層体からなる受光層3、In0.53Ga0.47As中間層4、およびInP窓層5を成膜する。次いで、InP窓層5上に、SiNの選択拡散マスクパターン36を形成する。開口直径Dは15μmとし、画素ピッチPは30μmとするのがよい。このあと、選択拡散によってZnを拡散導入して、受光層3または中間層4内にpn接合15を形成する。次いで、SiONのパッシベーション膜43を形成する。このあと、p型領域6にはAuZnによるp部電極11を、またn型In0.53Ga0.47Asバッファ層2にはAuGeNiのn部電極12を、それぞれオーミック接触するように設ける。InP基板1の裏面には、またSiONの反射防止膜35を設け、InP基板裏面側を入射面とする裏面入射型で使う場合に、光の反射を防止する。上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。"