"基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を冷却する冷却手段と、前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、を備え、前記固定手段は、前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドとを有することを特徴とする電子機器。前記第1の磁石は、S極とN極が前記基板の表面と平行な面に沿って交互に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、前記第1の磁石の磁極の配列と逆の配列でS極とN極が交互に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の電子機器。前記磁気シールドは、前記第2の磁石の前記第1の磁石との結合面を除く全部又は一部を覆うことを特徴とする請求項3に記載の電子機器。前記磁気シールドは、前記第1の磁石の一方の極と他方の極との間を通る磁束の経路に沿って配置されることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。前記磁気シールドは、前記第1の磁石の前記結合面を露出させて前記第1の磁石を収容する軟磁性体の収容部材であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の電子機器。前記磁気シールドは、接着材料に磁性粉末を混入した防磁層であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の電子機器。前記冷却手段は、前記電子部品を前記基板に対して密閉する受熱容器と、前記受熱容器内に冷媒を供給する配管と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子機器。前記冷却手段は、前記電気部品の前記基板への実装面と反対側の面に取り付けられる冷却フィンを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子機器。しかし、単に従来のパッケージ構造に磁石を取り付けて結合を図ろうとすると、図2に示すように、別の問題が生じる。図2では、半導体パッケージ1020の上面に、熱伝導グリース1021により冷却フィン放熱部1030が接着されている。半導体パッケージ1020がフリップチップ接合されている基板1011上に、磁石1040を配置して、磁石1040と、冷却フィン1030側に接着された磁性材料1035とを吸着させる。この場合、磁石1040から磁力線が周囲に広がるため、近い場所に電気的な機能を持つ配線やコネクタ部品などがある場合に悪影響が懸念される。図2の例では、磁石1040からの磁界が基板1011内部の配線1015に影響し、本来の必要な信号にノイズが入る。また、磁界の影響で電流そのものが変化して、誤動作の原因になるおそれがある。冷却部に水冷式の冷却チャンバを用いる場合にも同様の問題が生じる。そこで、簡単な構成で冷却部を半導体装置に取り付けるとともに、近傍に位置する配線等の電気的要素への磁界の影響を防止することのできる電子機器を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、電子機器は、基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を冷却する冷却手段と、前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、を備え、前記固定手段は、前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドとを備える。簡単な構成で、磁束漏れによる電気的要素への悪影響を防止しつつ、半導体素子等の電子部品を冷却するための冷却部を基板に取り付けることができる。図3~図5は、実施例1による電子機器1の基本構造を示す図である。図3は、図5Bの冷却フィンを図5AのLSIチップ20に密着させた状態でインターポーザ基板11に固定したときのA-A’断面図、図4は同じくB-B’断面図である。実施例1では、LSIチップ20を冷却対象とし、インターポーザ基板11に搭載されたLSIチップ20の上面、すなわち回路形成面と反対側の面に、放熱部としての冷却フィン30を熱伝導グリース21で接着する。LSIチップ20に取り付けられた冷却フィン30をインターポーザ基板11に固定する固定手段として、磁気チャック40の構成を採用する。図3及び図4に示すように、磁気チャック40は、基板11の側に接着層13を介して固定される第1の磁石41Aと、冷却フィン30の側に接着層13を介して固定される第2の磁石41Bと、第1の磁石41Aと第2の磁石41Bの互いに対向する吸着面磁気的な結合面41cを除く周囲を覆う磁性部材45とを含む。第1の磁石41Aと第2の磁石41Bとは、互いに対向する吸着面41cの磁極が反対の極となるように配置され、N極とS極との間の吸引力により磁気チャックとして機能する。図3の例では、互いに吸引された状態で、第1の磁石41Aと第2の磁石41Bの全体が磁性部材たとえば、透磁率の高い軟質磁性材料45の中に包容されている。透磁率の高い軟磁性材は磁気を通し易いため、磁石の一方の極から放出される磁気のほとんどが磁性部材45の中を通って他方の極へと向かう。その結果、磁石41A、41Bから出る磁束の漏洩が抑制され、磁気チャック40の近傍に位置する配線パターン15や電気的な素子不図示等への影響を低減することができる。図4のB-B’断面に示すように、磁石41Aと41Bの各々は、その吸着面41cに多数の磁極が交互に現れる構成となっている。図4の例では、第1の磁石41Aと第2の磁石41Bの各々が複数のブロック状の小磁石42で構成され、各小磁石42は磁極の向きが交互に逆向きになるように配列されている。具体的には、第1の磁石41Aの場合、N極が吸着面41cになる小磁石42nと、S極が吸着面41cになる小磁石42sを交互に配列する。他方、第2の磁石41Bでは、その吸着面41cで第1の磁石41Aの小磁石42n、42sと逆の磁極が対向するように、S極が吸着面41cになる小磁石42sと、N極が吸着面41cになる小磁石42nとを交互に配列する。この構成により、インターポーザ基板11と冷却フィン30を結ぶ磁気回路が複数形成され、強固な密着が実現される。また、磁極同士がいたるところで対向する磁極と引き合うので、位置合わせが容易かつ正確になる。さらに、隣接する小磁石42sと42nの間でもN極からS極に向かう磁束が発生するので、小磁石42の配列方向においても互いに密着することができる。この場合も、小磁石42nから隣接する小磁石42sへ向かう磁束は、磁性部材45に閉じ込められるので、インターポーザ基板11に形成された配線パターン15に悪影響を与えることはない。図5Aと図5Bは、それぞれ実施例1で用いるインターポーザ基板11の上面図と、冷却フィン30の下面図である。図5AのLSIチップ20上に図5Bの冷却フィン30を密着させ、第1の磁石40Aと第2の磁石40Bで冷却フィン30をインターポーザ基板11に固定する。インターポーザ基板11は、平面サイズが42mm×42mm、厚さが2mmのガラスセラミック製である。実施例1では、中央に20mm×20mm、厚さが1mmのシリコン製のLSIチップ30をフリップチップ接合する。冷却フィン30はアルミ合金で作製し、ベース部分は34mm×34mm、フィン部30fの高さは10mm、その数は10枚である。インターポーザ基板11上で、基板の4辺に沿って、軟質磁性部材45に取り囲まれた第1の磁石41Aが配置されている。冷却フィン30の全周には、接着層13により軟質磁性部材45に取り囲まれた第2の磁石41Bが固定されている。軟質磁性部材45は、たとえば透磁率の高いパーマロイ鉄ニッケル系である。図6は、実施例1で用いる磁石41、たとえばインターポーザ基板11側に配置される第1の磁石41Aの構成を示す図である。複数のブロック状の永久磁石である小磁石42を磁極の方向S極とN極が交互になるように配列する。隣接する小磁石42間を、2液性のエポキシ系の接着剤で固定して、第1の磁石41Aを作製する。冷却フィン30側に配置される第2の磁石41Bも同様の構成であるが、吸着面41cに現れる磁極の向きが、第1の磁石41Aの吸着面41cに現れる磁極の向きと逆の配列になる。このような磁石41A、41Bを、その吸着面41cを除いて軟質磁性部材45で被覆する1つの方法として、図7に示すように、各磁石に対応して、たとえば第1の磁石41Aを収容するために、溝45cが形成された収容部材45Aを用いる。収容部材45Aは、パーマロイ鉄ニッケル系を用いて機械加工で溝45cを形成した両端がオープンの収容体45aと、収容体45aに収容された磁石41Aの両端部を覆う端面部材45bとを、組み立て可能に構成したものである。もちろんこの例に限られず、あらかじめ収容体45aに端面部材45bが取り付けられた箱体の中に、磁石41Aを収容する構成としてもよい。図示はしないが、磁石41Bについても同様に、その吸着面41cが露出するように収容体45aの溝45c内に磁石41Bを収容し、磁石41Bの両端面に端面部材45bを接着剤等で貼り付けることによって、吸着面41cを除く全体が磁性材料の収容部材で覆われた構造とすることができる。図7の例では、パーマロイの収容体45aの底部と側壁の厚さ、及び端面部材45bの厚さが1mmになるように加工した。この中に収める磁石41Aの大きさは2mm×30mm、厚さ1mmである。磁石41Aを構成する小磁石42の大きさは、2mm×2mm、厚さが1mmで、吸着面41cにN極とS極が交互に現れるように配列する。パーマロイと小磁石42はそのままでも互いに吸着するが、今回は2液性のエポキシ系の接着剤不図示を使用して固定した。インターポーザ11側の磁石41Aの小磁石の配列と、冷却フィン30側の磁石41Bの小磁石42の配列は逆の極配列になっており、互いに同ピッチで配列されている。図6及び図7の例では、複数のブロック状の永久磁石である小磁石42をN極とS極が交互になるように配列し、吸着面41cに磁極が繰り返し交互に露出するように構成したが、あらかじめ磁極が交互に配列するように着磁した幅2mm、長さ30mmの角柱形のフェライト磁石を用いてもよい。ブロック状の小磁石を組み合わせて密着させた磁石41Aと41Bをパーマロイで覆った構成と、磁極が交互に配列する一対の角柱型フェライト磁石を互いに吸着させてパーマロイで覆った構成の双方について、パーマロイの外側に磁性粉を挟み込んだフィルム磁束の分布を観察するシートを当てて磁性粉の動きを観察した結果、いずれの構成においても、磁石に対するような磁性粉の動きはなかった。また、いずれの構成でも、磁性体である金属を近づけても引き付けられることはなく、十分に軟性磁性部材45中に磁束が閉じ込められていることが確認できた。図8は、図7のような収容部材45A、45Bに収容された磁石41A、41Bを用いて磁気チャック40を構成し、冷却フィン30をインターポーザ基板11に吸着固定させたときの全体図である。磁石41Aをその吸着面磁気的な結合面41cだけを露出させて収容する磁性材パーマロイ等の収容部材45Aを、吸着面41cが上向きになるようにインターポーザ基板11に固定する。他方、磁石41Bをその吸着面41cだけを露出させて収容する磁性材パーマロイ等の収容部材45Bを、吸着面41cが下向きになるように冷却フィン30の側壁に固定する。LSIチップ20の回路形成面と逆の面に熱伝導グリース21を塗布し、冷却フィン30とインターポーザ基板11を付き合わせると、磁石41Aと磁石41BのN極とS極が互いに引き寄せ合い、熱伝導グリース21を潰して平坦化する。これととともに、最も吸着の強い箇所、すなわち冷却フィン30とインターポーザ基板11の位置合わせがなされるべき位置で冷却フィン30が固定される。いったん磁石41Aと41Bが吸着されたならば、磁石41A、41Bは磁性部材45に完全に取り囲まれた状態になり、露出面がなくなる。これにより、外部への磁束漏れのほとんどない実装構造を備えた電子機器1が完成する。この構成では、磁力を利用して密着させるので、固定のための構造が簡略化されるだけでなく、冷却フィン30とインターポーザ基板11との位置合わせが容易になる。さらに、熱伝導グリース21を熱により接着力が破壊される接着材料とすることにより、放熱フィン30をインターポーザ基板11から取り外す場合に、一方を他方に対して水平面内でひねる回転させるだけで、容易に取り外すことができる。なお、実施例1では、磁石41A、41Bの吸着面41cを除く全周囲を軟磁性部材45で覆ったが、周辺の配線や電気的な機能を有する部品に影響のない場合は、たとえば放熱フィン30に取り付けられる第2磁石41Bの一部を覆わないことも可能である。<変形例>図9~図11は、実施例1の変形例を示す図である。図9は、図10Bの冷却フィン30を図10AのLSIチップ20に密着させてインターポーザ基板11上に固定した状態でのC-C’断面図である。上述した実施例1では、磁石41Aと41Bを、多数の磁極が交互に配列された構成としたが、変形例では、磁石51Aと51Bのそれぞれの吸着面41cに、いずれか一方の磁極のみが現れる構成とする。たとえば、図9及び図10に示すように、第1の磁石51Aは、その露出面にN極が現れるように軟磁性材の収容部材45Aに収容されて、インターポーザ基板11上に配置される。他方、第2の磁石51Bは、その露出面にS極が現れるように軟磁性材の収容部材45Bに収容されて、冷却フィン30に取り付けられる。図10AのLSIチップ20上に熱伝導グリース21を塗布し、図10Bの冷却フィン30を対向させると、磁石51Aと51Bが互いに引き寄せ合って磁気チャック50として機能し、冷却フィン30を適正位置に固定する。磁石51Aと51Bは、互いに吸着された状態では軟性磁性部材45で完全に取り囲まれているので、磁束が外部に漏れ出てインターポーザ基板11の配線パターン15等に影響を与えることを防止できる。変形例で用いるインターポーザ基板11、LSIチップ20、冷却フィン30は、実施例1で用いたものと同じ材料、同じサイズである。片面が単極となる磁石51A,51Bのサイズは、露出されて吸着面となる面の大きさが2mm×30mm、厚さが1mmである。吸着面全体にひとつの極S極又はN極が現れる磁石を用いる構成でも、異なる磁極間での吸引力を利用して密着固定するので、冷却フィン30を自己整合的にインターポーザ基板11上に固定することができる。図12は、実施例2による電子機器70を示す概略構成図である。実施例1ではLSIチップ20に冷却フィン30を密着させる実装構造を示したが、実施例2では、LSIチップを内蔵する半導体パッケージ80を冷却対象とする。大型化した高性能のLSIを回路基板に実装するには、LSIベアチップを一旦インターポーザに搭載して半導体パッケージとし、LSIチップの搭載面と反対側のインターポーザ面に形成した電極上にはんだボールを載せるBGABallGridArrayパッケージが有効である。そこで、実施例2では、パッケージ化した半導体装置に冷却機構を組み込んだ電子機器を提供する。図12の例では、半導体パッケージ80は、LSIチップ20を搭載したインターポーザ基板81と、これを覆う42mm×42mmで厚さ3mmの金属カバー82を備える。LSIチップ20及びインターポーザ基板81のサイズは、実施例1と同様である。金属カバー82は、LSIチップ20を収容できるように、LSIチップ20と接する側の面に30mm×30mm×1.5mmの寸法のリセス84を有する。金属カバー82とLSIチップ20は低融点金属83で接合されており、インターポーザ基板81と金属カバー82は、耐熱性接着剤85で固定されている。半導体パッケージ80は、接合用の電極91により回路基板71に電気的に接続されている。図13A~図13Dは、半導体パッケージ80を回路基板71に実装する際の工程図である。まず、図13Aに示すように、半導体パッケージ80のインターポーザ基板81の電極面に、Sn3Ag05Cuはんだボール87を搭載する。次に、図13Bに示すように、最高温度240°Cの窒素雰囲気のリフロー炉でリフローすることによってはんだバンプ電極88を形成する。次に、図13Cに示すように、回路基板71の電極72上に、メタルマスクを用いて、Sn3Ag05Cuペースト73を印刷し、図13Bの半導体パッケージ80を回路基板71と位置合わせする。最後に、図13Dに示すように、最高温度240°Cの窒素雰囲気のリフロー炉でリフローして、半導体パッケージ80を回路基板71に接合する。図12に戻って、上述のようにして作製された半導体パッケージ80の実装体に、冷却機構を組み込む。すなわち、回路基板71側に、第1の磁石41Aをその吸着面41cだけが露出するように磁性材の収容部材55Aで被覆して配置する。図12の例では、第1の磁石41Aは、その吸着面41cが半導体パッケージ80の上面と揃うように磁性材の収容部材55Aに収容されている。一方、冷却フィン30の側壁に、第2の磁石41Bをその吸着面41cだけが第1の磁石41Aと対向する向きで露出するように、磁性材の収容部材55Bに収容して取り付けておく。半導体パッケージ80の実装面と反対側の面に熱伝導グリース21を塗布する。熱伝導グリース21は、たとえば、加熱により接着力が破壊される性質の伝熱性の接着剤である。冷却フィン30を、熱伝導グリース21が塗布された半導体パッケージ80に付き合わせると、第1の磁石41Aと第2の磁石41Bとの吸引力により、冷却フィン30が半導体パッケージ80に密着されるとともに、自己整合的に回路基板71上の所定位置に固定される。吸着面41cを有する磁石41A、41B、及び磁性材の収容部材55A、55Bで磁気チャック60を構成する。なお、実施例1の磁石41A、41Bに代えて、変形例図9の磁石51A、51Bを用いても同様の構成と機能を実現できることは言うまでもない。図14Aは、図12に示す磁気チャック60を用いた電子機器70の適用例としてのラックサーバ90Aの概略構成図である。回路基板71上に、半導体パッケージの実装構造70とともに、電源部品92、コネクタ部品95、コントローラ94、メモリー部品93等を電気的に接合し、ラック91にセットする。電子機器70に組み込まれた冷却フィン30に風を当てて冷却効率を高めるために、ラック91に冷却ファン97を設ける。この構造によりラック内部へ風を送ることLSIチップ20図12参照から発生した熱を効率よく放熱することができる。また、図14Bに示すように、回路基板71上に、電子機器70を複数配置してもよい。実施例2においても、配線パターンや電気的な機能を有する部品に影響のない場合は、磁石51A、51Bの吸着面を除く全周囲を軟性磁性体55で覆わずに、一部を露出させる構成としてもよい。図15~図23を参照して、実施例3の電子機器を説明する。実施例3では、冷媒方式の冷却機構により発熱体半導体素子等の電子部品を直接冷却する構成の電子機器を提供する。冷却機構を、第1の磁気連結部と第2の磁気連結部により電子部品を搭載する基板に取り付ける点は、実施例1,2と同様である。実施例3では、第1の磁気連結部に磁石を用い、第2の磁気連結部に、磁石と磁気的に結合する磁性体を用いる。このとき、磁性体との結合面を除く磁石の全面又は一部を、軟磁性体で覆う。図15は、実施例3の電子機器が適用されるサーバのブロック図である。サーバ101は、CPUCentralProcessingUnit102と、外部記憶装置103と、入力装置104と、出力装置105と、通信装置106と、内部記憶装置107を含み、これらは相互にバス接続されている。CPU102は、半導体パッケージを用いて構成され、図示しないRAMRandomAccessMemoryやROMReadOnlyMemory、その他の回路を有し、演算処理やサーバ101の制御を行う。外部記憶装置103は、外部の記録メディアに情報を書き込んだり、読み出したりする装置である。入力装置104としては、キーボードやマウスなどがあげられる。通信装置106は、外部の端末などとネットワークを介して接続するために使用される。内部記憶装置107としては、例えばハードディスクドライブなどがあげられる。図16は、CPU102に用いられる半導体チップを冷却するための冷却装置109の概略図である。冷却装置109は、冷媒を加圧して吐出するポンプ110を有する。ポンプ110の吐出口110Aには、配管111で熱交換器112が接続されている。熱交換器112には、配管111を介して、複数の受熱容器冷却モジュール113A~113D適宜、受熱容器113と総称するが接続されている。各受熱容器113は、配管111で直列に接続されており、最も下流側の受熱容器113Dは、配管111でポンプ110の吸入口110Bに接続されている。実施例3では、CPU102として機能する半導体チップ図16では不図示が各受熱容器113内に収容されて、回路基板121に実装されている。図16の例では、4つの受熱容器113のそれぞれに対応して、4つの半導体チップが配置されているが、受熱容器113の数及び配置は、この例に限定されない。冷却装置109で半導体チップの冷却に用いる冷媒としては、例えば、水、プロピレングリコール等の不凍液を混合した水、炭酸ガスなどが用いられる。配管111は、金属又はゴム等の弾性体で形成されたチューブが用いられる。配管111を、銅などの金属製パイプとしてもよい。図17は、基板121に配置される半導体装置151と、受熱容器113の概略断面図である。受熱容器113は、下部半導体装置151と対向する側に開口部131を有する箱形の本体部132を有する。本体部132の上部132Aには、第1及び第2の貫通孔133A、133Bが形成されている。各貫通孔133A、133Bに配管111が1本ずつ接続される。受熱容器113は、例えば防食性に優れる銅などから製造される。図18は、受熱容器113を開口部131側から見た底面図である。図17及び図18に示すように、受熱容器113の側壁132Bの下面インタポーザ156との対向面に、シール材134が接着剤等によって固定されている。シール材134は、例えばフッ素系ゴムやシリコーンゴム、天然ゴム、ウレタンゴムなどで製造したOリングである。シール材134の断面形状は、丸形や四角形、三角形など任意の形状である。図17、図18に示すように、受熱容器113の本体部132の4つの側壁132Bの各外面には、第1の磁気連結部135が接着剤136を用いて1つずつ取り付けられている。第1の磁気連結部135の各々は、本体部132の各側壁132Bに沿って横方向に延び、その長さは側壁132Bの長さにほぼ等しい。図19は、第1の磁気連結部135の分解斜視図である。第1の磁気連結部135は、直方体に形成された第1の磁石141を有する。第1の磁石141は、S極とN極が交互に配置されるように着磁されている。つまり、第1の磁石141は、極性の異なる磁石が本体部132の側壁132Bに沿って交互に複数配列した構成を有する。第1の磁気連結部135は、磁力線のシールド部材として機能する板状の軟磁性体142、143、144を含む。軟磁性体142、143、144は、第1の磁石141の下面基板との対向面を除いて、第1の磁石141に磁気的に取り付けられている。軟磁性体142は、第1の磁石141の両側を覆っている。図18に示すように、一方の軟磁性体142は、接着剤136によって本体部132の側壁132Bに接着される。図19に戻って、別の軟磁性体143が、第1の磁石141の両端を覆っている。さらに別の軟磁性体144は、第1の磁石141の上面基板と対向する面の反対側の面を覆っている。第1の磁石141としては、保磁力の高い硬磁性材料、例えば、酸化物系の磁石であるフェライト磁石や、金属系の磁石であるネオジム鉄磁石、アルニコ磁石、サマリウムコバルト磁石などの永久磁石が用いられる。軟磁性体142~144としては、例えば、鉄、珪素鋼、パーマロイ、センダスト、バーメンジュール、コバール、ニッケル合金である42合金又は52合金が使用される。なお、軟磁性体142~144は、接着剤などで第1の磁石141に固定してもよい。図17に戻り、受熱容器113が取り付けられる半導体装置151について説明する。実施例3では、半導体装置151は、基板であるインターポーザ156に半導体チップ152を実装して形成されている。半導体チップ152は、基板に半導体回路が形成され、基板の下面インターポーザとの対向面には電極154が複数配列されている。各電極154には、ハンダ155が取り付けられている。半導体チップ152の電極154は、ハンダ155を介してインターポーザ156の電極157に電気的に接続されている。半導体チップ152とインターポーザ156の間の隙間には、例えばエポキシ樹脂にセラミックをフィラーとして混合させたアンダーフィル材158が充填されている。インターポーザ156は、樹脂製の基板であり、その一方の面半導体チップが接続される面に電極157が形成されている。インターポーザ156の他方の面には、電極159が形成されている。また、インターポーザ156の内部には、回路60が形成されている。インターポーザ156の一方の面半導体チップが接続される面には、第2の磁気連結部171が接着剤172で固定されている。図20は、インターポーザ156の平面図である。図20に示すように、第2の磁気連結部171は、半導体チップ152を囲むように4箇所に固定されている。各第2の磁気連結部171は、図18に示す第1の磁気連結部135に対向する位置にそれぞれ接着されている。第2の磁気連結部171は、直方体形に形成された結合部材173を有する。結合部材173は、例えば、鉄、珪素鋼、パーマロイ、センダスト、パーメンジュール、コバール、ニッケル合金である42合金又は52合金などの軟磁性体で形成される。第2の磁気連結部171はまた、磁力線のシールド部材として機能する板状の軟磁性体174,175,176が、結合部材173の上面第1の磁気連結部との連結面を除き、下面、側面、端面のそれぞれに磁気的に取り付けられている。軟磁性体174~176の材料は、受熱容器113側の第1の磁石141及び軟磁性体142~143と同様の材料から製造できる。結合部材173と軟磁性体174~176を、一体の部材として製造してもよい。あるいは、結合部材173と、軟磁性体174~176を、異なる軟磁性材料から製造してもよい。図18では、シール材134を受熱容器113に取り付けていたが、受熱容器113の側ではなく、インターポーザ156に取り付けてもよいし、シール材134を、受熱容器113とインターポーザ156のそれぞれに設けてもよい。図17に戻り、半導体装置151が実装される回路基板121について説明する。回路基板121は、その内部に電気回路179が形成されると共に、一方の面インターポーザ156と対向する面に電極178が形成されている。この電極178には、ハンダ177を介して半導体装置151のインターポーザ156が実装される。なお、回路基板121には、コンデンサなどの他の部品不図示も実装される。次に、冷却装置9の取り付け方法について説明する。まず、図17に示すように、半導体チップ152を実装したインターポーザ156を回路基板121に実装する。続いて、インターポーザ156の一方の面半導体チップ152を実装するに、4つの第2の磁気連結部171が、半導体チップ152を囲むように接着剤72で取り付けられる。これにより、第2の磁気連結部171の結合部材173が、軟磁性体176を介してインターポーザ156に固定される。結合部材173は、上面第1の磁気連結部135の磁石141との結合面以外の面が軟磁性体174~176で覆われている。他方、受熱容器113では、本体部132の側壁132Bのそれぞれに第1の磁気連結部135が1つずつ接着剤136で取り付けられる。これにより、4つの第1の磁石141が、軟磁性体142を介して接着剤172で受熱容器113の側面に固定される。第1の磁石141は、第2の磁気連結部171に連結される結合面図17では下面以外の面が、軟磁性体142~144で覆われる。この状態から、図21に示すように、半導体チップ152を覆って、受熱容器113がインターポーザ156に取り付けられる。これにより、半導体チップ152は、受熱容器113の内部空間に収容される。半導体チップ152が受熱容器113に覆われると同時に、受熱容器113側の第1の磁気連結部135の第1の磁石141は、インターポーザ156側の第2の磁気連結部171の結合部材173に磁気的に結合させられる。第1の磁気連結部135と第2の磁気連結部171とを連結させたときのインターポーザ156の上面から、受熱容器113の壁部132Bの下端面までの距離は、外部から力が作用していないときのシール材134の高さより小さく設計されている。このため、受熱容器113をインターポーザ156に取り付けたときには、シール材134が潰れる。これにより、受熱容器113内に半導体チップ152が収容された状態で、開口部131が、シール材134を介してインターポーザ156によって密閉される。さらに、受熱容器113の貫通孔133A,133Bに配管111図16参照が接続される。これによって、図16に示すように、配管111を介して受熱容器113がポンプ110と熱交換器112が接続され、冷却装置109が形成される。なお、配管111を受熱容器13に接続した後に、受熱容器113をインターボーザ156に取り付けてもよい。図21に示すように、第1の磁気連結部135と第2の磁気連結部171を磁気的に連結させると、第1の磁気連結部135の第1の磁石141と、第2の磁気連結部171の結合部材173の周囲が、軟磁性体142~144,174~176で覆われる。より詳細には、第1の磁石141及び結合部材173の側面が、軟磁性体142,174で覆われ、上面が軟磁性体144で覆われ、下面が軟磁性体176で覆われる。軟磁性体142~144,174~176は、磁極の方向が容易に変化するので、周囲に比べて磁力線を通し易い。したがって、軟磁性体142~144,174~176内を通る磁力線が増えることで、軟磁性体142~144,174~176の外側を通る磁力線が少なくなる。その結果、第1の磁石141及び結合部材173の周囲の磁力線の広がりが抑制される。図22は、軟磁性体142~144,174~176がない場合の磁力線の広がりを示す。この場合、第1の磁石141の周囲に磁力線が広く分布し、受熱容器13の周囲に実装された電気的機能を有する部品や、インターポーザ156の回路160にまで磁場が作用する可能性がある。図23は、実施例3の実装構造の効果を示す。図22と比較して、軟磁性体142~144,174~176が第1の磁石141の磁束の経路に沿って配置されている。より詳細には、軟磁性体142~144,174~176は、第1の磁石141により生じる磁力線の経路上であって、第1の磁石141の一極S極又はN極から他極N極又はS極に至る間の閉じた経路上に配置されている。このため、軟磁性体142~144,174~176によって、第1の磁石141の磁力線の広がりが抑えられる。その結果、インターポーザ156の回路160や、受熱容器113の周囲に実装された他の部品に磁場が作用しないか、磁場が回路や部品に影響を与えない程度に弱められる。図21に戻って、半導体装置151の半導体チップ152を冷却する方法について説明する。半導体チップ152を冷却するときは、ポンプ110図16参照を駆動させて冷媒を吐出させる。冷媒は、熱交換器112において冷却された後、図21の破線の矢印に示すように、配管111を通って第1の貫通孔133Aから受熱容器113の内部に流入する。このとき、受熱容器113内に収容された半導体装置151が冷媒によって直接に冷却され、半導体チップ52の熱が奪われる。半導体チップ152を冷却した冷媒は、第2の貫通孔133Bを通って受熱容器113から排出される。そして、4つの受熱容器113A~113D図16参照を順番に通って各半導体チップ152を冷却した後の冷媒は、ポンプ110に吸入された後、再び吐出口110Aから吐出させる。このようにして、冷却装置109は、冷媒を循環させながら、半導体チップ152を冷却する。半導体チップ152の背面の表面積を増やすために、半導体チップ152の表面を粗くしたり、細かい溝を形成したりすることによって、半導体チップ152の冷却効率をさらに向上させてもよい。次に、受熱容器113をインターポーザ156から取り外し、半導体チップ152の交換や取り外しを行う方法について説明する。受熱容器113を取り外すタイミングとしては、たとえば半導体チップ152の修理時や交換時があげられる。受熱容器113をインターポーザ156から取り外すときは、インターポーザ156に対して受熱容器113を回動させる。これにより、第1の磁石141と結合部材173の位置がずれる。第1の磁石141と結合部材173の結合面は、細長形状なので、受熱容器113をインターポーザ156の面に対して回動自在にすることで、第1の磁石141と軟磁性体172の結合面積が減って、結合力を簡単に弱めることができる。受熱容器113を平行移動させて第1の磁石141の位置をずらしてもよい。このため、インターポーザ156上には、受熱容器113を回動できる領域が設けられている。その後、受熱容器113をインターポーザ156から引き上げると、受熱容器113がインターポーザ156から取り外され、受熱容器113の内部にあった半導体チップ152が露出する。続いて、インターポーザ156を回路基板11に接合しているハンダ177を加熱によって溶融させて、インターポーザ156を回路基板121から取り外す。この後、必要に応じて、半導体チップ152を実装したインターポーザ156を再び回路基板121に実装する。この場合の半導体チップ52を実装したインターポーザ56の回路基板121への実装方法や、受熱容器113を用いた半導体チップ152の冷却方法は、前記と同様である。以上、説明したように、実施例3では、受熱容器113をインターポーザ156に取り付ける第1の磁石141の磁束の経路に沿った表面に、磁力線の広がりを抑制するシールド部材として軟磁性体142~144を取り付けた。軟磁性体142~144は、第1の磁石141で発生する磁力線を通過させ易いので、第1の磁石141によって発生する磁束は、軟磁性体142~144に集中する。その結果、第1の磁石141によって発生する磁場の広がりが抑制される。受熱容器113をインターポーザ156に取り付けたときには、軟磁性体142~144,174~176が、第1の磁石141の囲むように配置されるので、第1の磁石141によって発生する磁力線の拡がりが全方位にわたって抑えられる。その結果、第1の磁石141の周囲の回路や部品が磁場の影響を受け難くなる。第1の第1の磁石141は、結合部材173に対向する結合面を除いて軟磁性体142~144で覆われている。結合部材173は、第1の磁石141に対向する結合面を除いて軟磁性体174~176で覆われている。したがって、インターポーザ156に受熱容器113を取り付けると同時に、第1の磁石141の周囲が軟磁性体142~146,174~176で覆われる。これにより、第1の磁石141の磁力線の広がりを簡単に抑制できる。また、第1の磁石141は、インターポーザ156の上面半導体チップ実装面と平行な面に沿って、S極とN極を交互に配置したので、強い結合力が得られる。このため、受熱容器113をインターポーザ156に確実に取り付けることができる。また、第1の磁石141によって受熱容器113側のシール材134を潰して半導体チップ152を密閉するようにしたので、冷媒の漏れ出しを確実に防止できる。この受熱容器113では、冷媒を直接に半導体装置151に接触させるので、効率良く半導体チップ152を冷却できる。半導体チップ152を取り外すときは、第1の磁石141を結合部材173からずらすことで簡単に受熱容器113を取り外せるので、リワークが容易になる。次に、実施例3の電子機器の具体的な作製例を説明する。インターポーザ156には、例えば、80mm×80mmで厚さが5mmのガラスセラミックスを用いた。また、半導体チップ152は、例えば、25mm×25mmのものを用いた。第2の磁気連結部171は、例えば、10mm×2.5mm×70mmの結合部材173を用い、第1の磁気連結部135との結合面を除いて、厚さ1mmのパーマロイ製の軟磁性体174~176で覆った。第2の磁気連結部171を、たとえばエポキシ系接着剤172によりインターポーザ156上に取り付けた。受熱容器113の本体部132は、以下のように形成した。本体部132は、80mm×80mmで厚さが8mmの銅板の中央に、60mm×60mmの大きさで深さが4mmの掘り込みを形成した。本体132の上面132Aに貫通孔133A,133Bを形成し、貫通孔133A,133Bに直径3mmの銅製のパイプを取り付けた。第1の磁気連結部135については、第1の磁石141を、例えば、10mm×5mm×70mmのフェライト磁石を用いて形成した。フェライト磁石は、結合部材173との結合面下面を除いて厚さ1mmのパーマロイ製の軟磁性体142~144で覆った。第1の磁気連結部135を受熱容器113に取り付ける接着剤136は、例えばエポキシ系接着剤である。ここで、第1の磁石141に用いられるフェライト磁石は、S極とN極とが約6mmの長さで交互に配列されるように着磁することにより形成した。着磁後の第1の磁石141の上に磁性粉を挟み込んだシートを被せたところ、磁性粉によって形成される模様から、磁極が交互に配列されていることがわかった。これに対し、第2の磁気連結部との結合面下面を除いて第1の磁石141を軟磁性体174~176で覆った後、軟磁性体174~176の上に磁性粉を挟み込んだシートを被せたところ、磁性体による模様は確認されなかった。このことから、軟磁性体174~176によって、第1の磁石141の周囲に与える磁場の影響が大幅に軽減されたことがわかった。次いで、第1の磁気連結部135を、結合面下面が受熱容器113の本体部132の下端に位置するようにして、受熱容器の側面に接着した。また、本体部132の底面に沿って、シール材134例えば直径が4mmのフッ素系ゴムからなるOリングを接着剤で固定した。このようにしてインターポーザ156に取り付けた冷却装置109において、冷媒として純水をポンプ110で3リットル/分の流量を循環させたところ、シール材34から純水が漏れることなく、半導体チップ152を冷却できた。また、受熱容器113にインターポーザ156に対して回転方向の力を加えたところ、受熱容器113を簡単にインターポーザ56から取り外すことができた。ここで、受熱容器113を取り外すときには、冷媒が供給される側の配管111を外して、冷媒の代わりに圧縮空気を供給して各受熱容器113の内部に溜まっている冷媒を追い出して空気に置換した。なお、第1の磁石141は、S極とN極が交互に配置された多極構造であることが好ましいが、単一の磁極の磁石を用いてもよい。この場合には、例えば、受熱容器113を挟んで対向配置される一対の磁石141を同じ磁極にする。また、第1の磁石141の形状は、直方体に限定されない。第2の磁気連結部171は、回路基板121に設けられてもよい。この場合、半導体チップ152は、インターポーザ156を介さずに回路基板121に実装してもよい。また、第2の磁気連結部171は、インターポーザ156の側部に接着剤172で取り付けてもよい。受熱容器113に第2の磁気連結部171を取り付け、インターポーザ561に第1の磁気連結部35を取り付けてもよい。図24~図30を参照して実施例4について説明する。実施例4では、第1の磁気連結部と第2の磁気連結部の双方に磁石を用いる。なお、適宜実施例3に係る図面を参照し、実施例3と同じ構成要素には同一の符号を付して説明する。実施例4の電子機器としては、図15に示すサーバ101があげられる。サーバ101は、実施例3と同様に、図16に示すようにCPU102を冷却するための冷却装置109を有する。冷却装置109は、受熱容器113の本体部132の4つの側壁132Bの外面のそれぞれに第1の磁気連結部135が1つずつ取り付けられ、インターポーザ156の一方の面に第2の磁気連結部181が取り付けられている。第2の磁気連結部181は、インターポーザ156の半導体チップ153の実装面に接着剤172で固定されている。図24の平面図に示すように、第2の磁気連結部181は、半導体チップ152を囲むように4箇所に固定されている。また、図11の分解斜視図を示すように、第2の磁気連結部81は、直方体形に形成された第2の磁石182を有し、第2の磁石182にはシールド部材として機能する板状の軟磁性体174,175,176が、第1の磁気連結部135との結合面図25では上面を除く各面に磁気的に取り付けられている。具体的には、軟磁性体174は第2の磁石182の両側面を覆い、別の軟磁性体175は第2の磁石182の両端を覆っている。さらに別の軟磁性体176は、第2の磁石182の下面インターポーザ156への接着面を覆い、接着剤172によりインターポーザ156に固定されている。また、第2の磁石182は、S極とN極が交互に配置されるように着磁されている。第2の磁石182は、受熱容器113側の第1の磁気連結部135の第1の磁石141と同様の材料から製造できる。また、軟磁性体174~176は、接着剤などで第2の磁石182に固定してもよい。図26に示すように、インターポーザ156側の第2の磁気連結部181は、受熱容器113側の第1の磁気連結部135に対向する位置に配置されている。第2の磁石182のS極とN極は、インターポーザ156の面に平行な面方向に沿って交互に配置されており、さらに第1の磁気連結部135の第1の磁石141のS極とN極の配置と反対になっている。つまり、第1の磁石141がS極、N極、S極と配列されている場合に、第2の磁石182はN極、S極、N極と配列されている。次に、冷却装置109の取り付け方法について説明する。まずに、インターポーザ156に半導体チップ152を搭載する。インターポーザ156には、第2の磁気連結部181が接着剤172で取り付けられる。第2の磁気連結部181では、第2の磁石182が第1の磁気連結部135との結合面を除いて軟磁性体174~176で覆われている。インターポーザ156は、回路基板121に実装される。続いて、図21に示すように、第1の磁気連結部135が接着された受熱容器113が半導体チップ152を覆うようにインターポーザ156に取り付けられる。受熱容器113に、配管111を介してポンプ110と熱交換器112が接続される図16参照。これにより、冷却装置109が形成される。この状態において、受熱容器113は、第1の磁気連結部135の第1の磁石141がインターポーザ156側の第2の磁石182に磁気的に結合させられる。図26に示すように、第1の磁石141のS極と第2の磁石182のN極とがインターポーザ156の実装面に対して垂直方向に配置され、結合される。さらに、第1の磁石141のN極と第2の磁石182のS極とがインターポーザ156の実装面に対して垂直方向に配置され、結合される。これにより、受熱容器113がインターポーザ156に引き寄せられ、シール材134が潰される。受熱容器113内に半導体チップ152が収容された状態で、開口領域131がインターポーザ156により密閉され、冷媒の回路が形成される。第1の磁石141と第2の磁石182を磁気的に結合させると、第1及び第2の磁石141,182の周囲が軟磁性体142~144,174~176で覆われる。より詳細には、第1の磁石141及び第2の磁石182の側面が、軟磁性体142,174で覆われ、上面が軟磁性体144で覆われ、下面が軟磁性体176で覆われる。図27は、実施例4の磁束閉じ込め効果を説明するための図である。仮に、第1の磁石141と第2の磁石182が軟磁性体142~144,174~176で覆われていない場合は、図22に示すように、磁力線が拡がって周辺の部品や回路に磁場の影響を与える可能性がある。これに対し、実施例4の冷却装置109では、図27に示すように、軟磁性体142~144,174~176が、第1の磁石141と第2の磁石182の磁束の経路に沿って配置されている。より詳細には、軟磁性体142~144,174~176は、第1及び第2の磁石141,182により生じる磁力線の経路上であって、第1の磁石141の一極S極又はN極から他極N極又はS極に至る間の閉じた経路上と、第2の磁石182の一極S極又はN極から他極N極又はS極に至る間の閉じた経路上のそれぞれに配置されている。これにより、軟磁性体142~144,174~176内を通る磁力線が増え、軟磁性体142~144,174~176のさらに外側を通る磁力線が少なくなる。その結果、第1の磁石141と第2の磁石182の周囲における磁力線の広がりが抑制される。が抑えられ、インターポーザ156の回路や、受熱容器113の周囲に実装された他の部品に作用する磁場の影響が無視できる程度に低減される。半導体チップ152の冷却方法は、実施例3と同様である。図28及び図29は、受熱容器113をインターポーザ156から取り外す手法を説明する図である。受熱器113は半導体チップ152の交換時などに取り外される。取り外し時には、図28Aの状態から、受熱容器113をインターポーザ156に対して相対的に回動させる頭8B。第1の磁気連結部135の第1の磁石141と、第2の磁気連結部181の第2の磁石182は、S極とN極が交互に配列され、かつ第1の磁石141と第2の磁石182とで異なる磁極が対向するように結合されている。このため、受熱容器113をインターポーザ156の面に対して回動させると、第1の磁石141と第2の磁石182の磁極の配置がずれ、N極同士、S極同士が対向して配置されるようになる。これにより、第1の磁石141と第2の磁石182が互いに反発して、第1の磁気連結部135と第2の磁気連結部182の間の結合が弱められ、受熱容器113とインターポーザ156との結合が解除される。インターポーザ156上には、受熱容器113を回動できる領域が設けられている。受熱容器113を引き上げてインターポーザ156から取り外すと、受熱容器113内の半導体チップ152が露出する。なお、受熱容器113をインターポーザ56から取り外すときは、図29に示すように受熱容器113を平行移動させることで、第1の磁石141と第2の磁石182の相対する磁極をずらしてもよい。インターポーザ156を回路基板121に接合しているハンダ177図21参照を加熱溶融して、インターポーザ156を回路基板121から取り外すことができる。その後、必要に応じて、半導体チップ152を実装したインターポーザ156を再び回路基板121に実装する。半導体チップ152をインターポーザ156に取り付ける方法や、受熱容器113を用いた半導体チップ152の冷却方法は、実施例3と同様である。以上説明したように、実施例4では、受熱容器113とインターポーザ156のそれぞれに磁石141,182を設け、磁石141,182を結合させるようにしたので、半導体チップ152を簡単に密閉できる。第1の磁石141と第2の磁石182のそれぞれの磁束の経路に沿った表面に、磁力線の広がりを抑制するシールド部材として、軟磁性体142~144、軟磁性体174~176を取り付けた。軟磁性体142~144,174~176は、第1及び第2の磁石141,182で発生する磁力線を通過させ易いので、第1及び第2の磁石141,182によって発生する磁束は、軟磁性体142~144、174~176に集中する。その結果、第1及び第2の磁石141,182によって発生する磁場の広がりを抑制できる。受熱容器113をインターポーザ156に取り付けたときには、軟磁性体142~144及び174~176が、第1の磁石141と第2の磁石182を囲むように配置されるので、第1及び第2の磁石41,82によって発生する磁力線の拡がりが全方位にわたって抑えられる。その結果、第1及び第2の磁石141,182の周囲の回路や部品が磁場の影響を受けにくくなる。第1の磁石141と第2の磁石182は、S極とN極が交互に複数配列されている。また、第1の磁石141と第2の磁石182のS極とN極の配列を逆にしたので、受熱容器113とインターポーザ156を高い結合力で接合できる。受熱容器113をインターポーザ156に取り付けた状態では、2つの磁石141,182の連結部分では、S極とN極の組み合わせが交互に配列される。このため、受熱容器113の位置が少しずれただけでは、受熱容器113がインターポーザ156から外れることはない。これは、受熱容器113の位置がずれると、2つの磁石141,182のS極同士、又はN極同士が近接して反発し合い、元のS極とN極が対向して配置された状態に戻ろうとする力が作用するためである。このため、冷却装置109では受熱容器113の位置ずれを防止できる。他方、受熱容器113とインターポーザ156の位置をずらしてN極同士、S極同士を対向させると、磁石141,182の反発力を利用して受熱容器113を取り外すことができる。このため、高い結合力を実現しながらも、受熱容器113を容易に取り外せる。その他の効果は、実施例3と同様である。次に、実施例4の具体的作製工程を説明する。インターポーザ156には、例えば、80mm×80mmで厚さが5mmのガラスセラミックスを用いた。また、半導体チップ152は、例えば25mm×25mmのチップである。第2の磁気連結部181の第2の磁石182として、10mm×2.5mm×70mmのフェライト磁石を用いて形成した。フェライト磁石は、S極とN極とが約6mmの長さで交互に配列されるように着磁することで形成した。さらに、フェライト磁石は、第1の磁気連結部135との結合面を除いて、厚さ1mmのパーマロイ製の軟磁性体174~176で覆った。第2の磁気連結部181を、第2の磁石182の結合面が上側に露出するように、インターポーザ156上に取り付けた。第2の磁石182の磁極の配列と、軟磁性体174~176の効果は、後述するように磁性粉を挟んだシートを用いて確認した。受熱容器113の本体部132として、80mm×80mmで厚さが8mmの銅板の中央に、60mm×60mmの大きさで深さが4mmの掘り込みを形成した。本体132の上面132Aに貫通孔133A,133Bを形成し、貫通孔133A,133Bに直径3mmの銅製のパイプを取り付けた。第1の磁気連結部135は、第1の磁石141として、10mm×5mm×70mmのフェライト磁石を用いて形成した。フェライト磁石は、S極とN極とが約6mmの長さで交互に配列されるように着磁することにより形成した。さらに、フェライト磁石は、第2の磁気連結部181との結合面を除いて厚さ1mmのパーマロイ製の軟磁性体142~144で覆った。接着剤136には、例えば、エポキシ系接着剤を用いた。第1の磁気連結部135を、その結合面が本体部132の下端に位置するように接着した。本体部132の下端に、シール材134として例えば直径が4mmのフッ素系ゴムからなるOリングを接着剤で固定した。このようにしてインターポーザ156に取り付けた冷却装置109において、冷媒として純水をポンプ10で3リットル/分の流量を循環させたところ、シール材134から純水が漏れることなく、半導体チップ152を冷却することができた。第1の磁石141は、本体部132の2つの側壁132Bが形成するコーナー部、又はコーナー部の周辺のみに配置してもよい。また、第1の磁石141は、本体部132の側壁32Bの中央部分のみに配置してもよい。これらの場合において、第2の磁石182は第1の磁石141に対向する位置のみに配置してもよい。実施例4の変形例図30は、実施例4の変形例を示す。変形例では、第1の磁石141の受熱容器113との接着面のみに軟磁性体142が取り付けられている。図30の例では、軟磁性体142は、第1の磁石141の高さと同じ高さに設けられているが、第1の磁石141の上端よりも上方に延ばしてもよい。第2の磁石182には、受熱容器113との接触面と、インターポーザ156との接触面底面とに軟磁性体174,176が設けられている。図30のインターポーザ156では、第1の磁石141と第2の磁石182の近傍に、回路や電子部品が配置されていない。このため、第1の磁石141と第2の磁石182の磁力線のうち、受熱容器113の外側に向かう磁束は抑制しなくても、回路や電子部品に磁場の影響を与えることがない。そこで、変形例では、第1の磁気連結部135の第1の磁石141と、第2の磁気連結部181の第2の磁石182の受熱容器113の外側の面には軟磁性体を配置していない。他方、受熱容器113に隣接する側の面には、軟磁性体174,176が配置されているので、半導体チップ152に対する磁場の影響は抑制される。第2の磁石182の底面にも軟磁性体42が配置されているので、インターポーザ156の電極やこれに接続される回路配線160に対する磁場の影響は抑制される。このように、実施例4の変形例では、回路が電子部品に影響を与える可能性がある領域のみに軟磁性体142,174,176を配置したので、装置構成を簡略化できる。図30では、軟磁性体142,174,176が断面L字形状に配置される例を説明したが、軟磁性体を各磁石141,182の内側受熱容器113に隣接する側の側面にのみ配置してもよい。また、各磁石141,182の両側面のみに配置してもよい。さらに、第1の磁石141の上面を除く全面に軟磁性体142,174,176を配置してもよい。実施例3、4を通じて、軟磁性体142~144,174~176は、第1の磁石141と、結合部材173実施例3又は第2の磁石182実施例4の周囲を、結合面を除いて覆っていれば良く、第1の磁石141と、結合部材173又は第2の磁石182との間に接着剤などが介在してもよい。図31A~図31Cは、実施例5の半導体パッケージの実装工程を示す図である。実施例5では、実施例3及び4と同様に、半導体チップ252をインターポーザ256にフリップチップ接合した半導体パッケージ251を、受熱容器213で密閉し、冷媒により半導体チップ252を直接冷却する。実施例5では、第2の磁気連結部281を、インターポーザ基板256の四辺に沿って基板の側面に取り付ける。第2の磁気連結部281と、受熱容器213側に取り付けられた第1の磁気連結部235とで、受熱容器213を半導体パッケージ251に実装するとともに、冷媒循環用の空間を形成する。図31Aに示すように、インターポーザ基板256の側面に、接着材272を介して第2の磁気連結部281が取り付けられる。インターポーザ基板256は、80mm×80mm、厚さ5mmのガラスセラミック製の基板である。インターポーザ基板256上に、例えば25mm×25mmの半導体チップ252がフリップチップ接合され、アンダーフィル材258で封止されている。第2の磁気連結部281は、第2の磁石282と、第2の磁石282の結合面以外の面を覆う軟磁性体274を含む。第2の磁石282は、10mm×5mm×70mmのフェライト磁石を、S極とN極とが約6mmの長さで交互に配列されるように着磁したものである。軟磁性体274は、厚さ1mmのパーマロイである。軟磁性体274で、第2の磁石282の第1の磁気連結部235との結合面以外の面の少なくとも一部を覆う。具体的には、磁束の影響から保護すべき電気的部品や配線等に近接する側の面を覆う。図31Aの例では、第2の磁石282の結合面上面以外のすべての面が軟磁性体274により覆われている。また、第2の磁気連結部281は、第2の磁石281の結合面がインターポーザ基板256の表面から約1.5mm上方に位置するように、インターポーザ基板256の側面に取り付けられている。受熱容器213は、80mm×80mmで厚さが8mmの銅板の中央に、60mm×60mmの大きさで深さが4mmの掘り込みを形成して本体部232とした。冷媒を循環させるための配管111図16参照を取り付けるために、本体の上面232Aに貫通孔233A,233Bを形成し、直径3mmの銅製のパイプ111を貫通孔233A、233Bに取り付けた。第1の磁気連結部235は、第1の磁石241と、結合面以外の面を覆う軟磁性体242を含む。第1の磁石241は、10mm×5mm×70mmのフェライト磁石を、S極とN極とが約6mmの長さで交互に配列されるように着磁することにより形成した。フェライト磁石241の、第2の磁気連結部281との結合面を除く面を、厚さ1mmのパーマロイ製の軟磁性体242で覆った。第1の磁気連結部235をエポキシ系接着剤236で受熱容器213の側面232Bの下端部に固定した。第1の磁気連結部235は、その結合面が本体部232の底面から約1.5mm下方に突出するように接着した。本体部2l32の下端に、シール材234として例えば直径が4mmのフッ素系ゴムからなるOリングを接着剤で固定した。次に、図31Bに示すように、インターポーザ基板256と受熱容器213を相対する位置に位置合わせして搭載する。第1の磁気連結部235の第1の磁石241の磁極の配列と、第2の磁気連結部281の第2の磁石282の磁極の配列は互い違いに配置されているので、多少の位置ずれがあっても、反対の磁極同士が引き合おうとするので、受熱容器213とインターポーザ基板256とは適正な位置で結合される。このとき、第1の磁気連結部235と第2の磁気連結部281との磁力による結合によって、シール材234が約1mm変形し、受熱容器213とインターポーザ基板256の間に密閉空間231を作り出す。次に、図31Cに示すように、受熱容器213及び配管111を含む循環路に、冷媒205を供給する。冷媒205として、純水をポンプ110で3.2リットル/分の流量を循環させたところ、シール材234から純水が漏れることなく、半導体チップ252を冷却することができた。実施例5においても、半導体パッケージ252への冷却機構の実装を磁気的な結合によって行なうが、磁石241、282の周囲を互いの結合面を除いて軟磁性体で覆うことにより、電気的な部品、配線への磁束の影響を防止することができる。実施例5は図31A~31Cに描かれる例に限定されない。第1の磁気連結部235は、本体部232の2つの側壁232B間のコーナー部、又はコーナーの周辺のみに配置してもよいし、本体部232の側壁232Bの中央部分のみに配置してもよい。これらの場合において、第2の磁気連結部182は第1の磁気連結部235と対向するように、インターポーザ基板256のコーナー部若しくはその近傍、又は各辺の中央部に配置する。受熱容器213を取り外すときは、冷媒205の出入口のホース不図示をはすし、圧力空気を入れることで内部に溜まった冷媒を追い出すことができる。また、図28を参照して説明したように、受熱容器213をインターポーザ基板256に対して回転する方向に力を加えることで、第1の磁気連結部235の第1の磁石241と、第2の磁気連結部281の第2の磁石282の磁極同士がずれ、簡単に取り外すことができる。なお、磁石241、282の材料はフェライト磁石限らず、金属系の磁石であるネオジム鉄磁石、アルニコ磁石、サマリウムコバルト磁石などの材料を用いても同じ効果が得られる。シール材234は、フッ素系ゴムのOリングに限定されず、第1の磁石241と第2の磁石282の結合によって変形できる材料であれば、シリコーンゴム、天然ゴム、ウレタンゴムなど、他の材料を用いてもよい。Oリングのように断面が円形である必要もなく、第1の磁気連結部235と第2の磁気連結部281の結合時に変形できれば、どのような断面形状であってもよい。さらに、シール材を受熱容器235に取り付ける代わりに、インターポーザ基板256上に取り付けてもよいし、受熱容器235とインターポーザ基板256の双方に取り付けてもよい。図32は、実施例5の半導体装置の実装構造200の概略図である。半導体チップ252をインターポーザ基板256に搭載した半導体パッケージ251に、冷却機構の一部である受熱容器213を固定手段250により固定する。固定手段250は、受熱容器235に取り付けられた第1の磁気連結部235と、インターポーザ基板256に取り付けられた第2の磁気連結部281を含む。受熱容器213内はシール材234により密閉される空間である。リザーバ206内の冷媒205は、ポンプ110、流量計204、配管111により、受熱容器213に供給され、発熱体である半導体チップ252を直接冷却する。受熱容器213は磁気的な固定手段250によって半導体パッケージ251に実装されているが、磁石241、282を軟磁性体242、274で覆うことにより図31A~図31C参照、電子部品である電子部品252への磁束の影響を防止することができる。また、受熱容器213と半導体パッケージ251を相対的に回転させる方向に力を加えるだけで、受熱容器213を容易に取り外すことができる。図33は、実施例1~5で用いた磁石の磁極配列を示す図である。磁気的な固定手段としての磁気チャックの結合面上に、磁性粉をフィルムに挟み込んだ磁極可視シート301を置くと、S極とN極が交互に並んだ磁極の配列を視認することができる。このような磁極可視シート301を用いて、本発明の磁気チャックの磁束閉じ込め効果を確認する。図34Aに示すように、S極とN極が交互に配列されるように着磁した10×5×70mmのフェライト磁石302を用意する。この磁石302に磁極可視シート301を重ねると、図34Bに示すように、磁極の配列が見える。これは、磁石302の表面から磁束が出て、磁極可視シート301内の磁性粉に作用するからである。これによって、磁界の状況を認識することができる。次に、図35Aに示すように、図34Aのフェライト磁石302上に、軟磁性材料として厚さ1mmのコバールCoFeNi合金板303を配置する。このコバール303上に磁極可視シート301を重ねると、図35Bに示すように、磁極の模様を認識することができない。これは、軟磁性体であるコバール303の存在により、磁束が外部に漏れ出ていないことを示す。このように、磁気的固定手段磁気チャックに用いる磁石を軟磁性体で覆うことにより、外部に与える磁界の影響を抑制することができる。図36は、実施例6の防磁手段を説明するための図である。実施例6では、軟磁性材として、樹脂材料に磁性粉末を混合した防磁材を用いる。S極とN極が交互に配列されるように着磁した10×5×70mmのフェライト磁石302を用意する図36A。このフェライト磁石302の表面に、エポキシ系接着剤20gと粒径50μm以下のニッケルNi粉末50gを混ぜ合わせた防磁材304を塗布する図36B。防磁材304の膜厚が6mmになるまで数回に分けて塗布し、磁気シールド層305を形成する。磁気シールド層305の上に、磁極可視シート301を重ねて観察したところ、磁極配列を表わす模様は観察されず、磁束閉じ込め機能を果たしていることが確認された。実施例6では、磁性粉末としてニッケルNi粉末を用いたが、他の軟磁性材の粉末を用いてもよい。また、エポキシ系接着剤に替え、アクリル系、ポリイミド系、ゴム系の接着剤を用いて磁性粉末を閉じ込めてもよい。図37は、磁気シールド防磁層305に含まれる軟磁性粉末との混合割合と、膜厚の関係を示すグラフである。エポキシ系接着剤とNi粉末を以下のa~fの割合で混合しすべて重量比、厚さ1mmの防磁板を作製した。磁極可視シート301を介して観察される磁極配列の模様が見えなくなるまで防磁板を重ね、そのときの膜厚を測定した。a接着剤5Ni粉末95b接着剤10Ni粉末90c接着剤15Ni粉末85d接着剤20Ni粉末80e接着剤29Ni粉末71実施例6で用いた磁気シールド層f接着剤50Ni粉末50接着剤が乾燥して板状になったところで、10×5×70mmのフェライト磁石302の表面にNi粉末が混合された防磁板を張り合わせていき、その都度、磁極可視シート301を一番上に配置して磁極の状態を確認し、磁極配列の模様が見えなくなったときの厚さを確認した。Ni粉末の含有量と磁極配列の模様がみえなくなったときの厚さをプロットしたのが図37のグラフである。実施例6で用いたフェライト磁石302は、磁気シールド層305がない場合は、約7mm離れたところまで磁界の分布が確認できる。Ni粉末を50混合させた磁気シールド層305を塗布しても7mmの厚さが必要であり、あまり効果がない。Ni粉末を70混合した場合は、厚さ6mmで防磁でき、Ni量が85を超えると厚さ5mm以下にできる。以上から、コバール等の軟磁性体で磁石を覆うのが効果的であるが、軟磁性体の被覆部材収容部材の厚さを減らし、磁気チャックを基板側と冷却機構ヒートシンクや受熱容器に接着する際に、磁性粉末を混入した磁気シールド層305で接着することも可能である。以上、特定の実施例について説明してきたが、本発明はこれらの例に限定されず、本発明の範囲内で種々の変更、置換、変形が可能である。たとえば、発熱体として半導体チップを例にとって説明したが、これに限らず、発熱をともなう任意の電子部品への冷却機構の取り付けに適用することができる。第1の磁気連結部と第2の磁気連結部のいずれか一方に磁石を用いる場合、他方を磁石で構成してもよいし、着磁されていない磁性体を用いてもよい。その場合、磁石は冷却機構の側に取り付けてもよいし、基板側インターポーザ基板又はベアチップ実装の場合は回路基板に取り付けてもよい。また、磁気シールドとして軟磁性体を用いて磁束を集中、迂回させ、これによって電気的部品の方向へ磁束を通さない構成とする代わりに、磁束そのものを止める反磁性体を磁気シールドとして用いてもよい。また、第1の磁石、第2の磁石として、酸化物系の永久磁石を用いても、金属系の永久磁石を用いてもよい。また、実施例1~実施例6の任意の組み合わせが可能である。たとえば、実施例3~実施例5の半導体パッケージの実装構造で、受熱容器をインターポーザ基板に磁気的に固定してシール材で密閉する代わりに、実施例2のように、第2の磁気連結部を回路基板に設けることによって受熱容器を回路基板に固定して半導体チップを密閉してもよい。以上の説明に対し、以下の付記を提示する。付記1基板上に実装された電子部品と、前記電子部品を冷却する冷却手段と、前記冷却手段を前記基板に固定する固定手段と、を備え、前記固定手段は、前記基板と前記冷却手段のうちの一方に設けられる第1の磁石と、前記基板と前記冷却手段のうちの他方に設けられて前記第1の磁石と磁気的に結合する第2の磁性部材と、前記第1の磁石と前記第2の磁性体との結合面を除き、前記第1の磁石の全部又は一部を覆う磁気シールドと、を有することを特徴とする電子機器。付記2前記第1の磁石は、S極とN極が前記基板の表面と平行な面に沿って交互に配置されていることを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記3前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、前記第1の磁石の磁極の配列と逆の配列でS極とN極が交互に配置されていることを特徴とする付記2に記載の電子機器。付記4前記磁気シールドは、前記第2の磁石の前記第1の磁石との結合面を除く全部又は一部を覆うことを特徴とする付記3に記載の電子機器。付記5前記磁気シールドは、前記第1の磁石の一方の極と他方の極との間を通る磁束の経路に沿って配置されることを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記6前記磁気シールドは、前記第1の磁石の前記結合面を露出させて前記第1の磁石を収容する軟磁性体の収容部材であることを特徴とする付記1~5のいずれか1に記載の電子機器。付記7前記磁気シールドは、接着材料に磁性粉末を混入した防磁層であることを特徴とする吹き1~5のいずれか1に記載の電子機器。付記8前記磁性粉末は軟磁性粉末であり、その混入量は50重量よりも多いことを特徴とする付記7に記載の電子機器。付記9前記第1の磁石は、複数のブロック状の永久磁石を磁極の向きが交互になるように同ピッチで配列して構成されることを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記10前記第1の磁石は、異なる磁極が交互に配列するように着磁された酸化物系の磁石であることを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記11前記第2の磁性部材は第2の磁石であり、前記第1の磁石と前記第2の磁石は、互いに結合する結合面に逆向きの単一の磁極を有することを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記12前記冷却手段を前記基板に密着させて前記電子部品を密閉するシール手段をさらに含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記13前記冷却手段は、前記電子部品を前記基板に対して密閉する受熱容器と、前記受熱容器内に冷媒を供給する配管と、を含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。付記14前記第1の磁石は前記受熱容器の側壁に取り付けられることを特徴とする付記13に記載の電子機器。付記15前記受熱容器と前記基板との間に配置されるシール部材をさらに含むことを特徴とする付記13に記載の電子機器。付記16前記シール部材は、前記固定手段の内側に設けられることを特徴とする付記15に記載の電子機器。付記17前記シール部材は、前記第1の磁石と前記第2の磁性体が磁気的に結合したときに変形することによって、前記受熱容器を前記基板に対して密閉することを特徴とする付記15に記載の電子機器。付記18前記冷却手段は、前記電気部品の前記基板への実装面と反対側の面に取り付けられる放熱フィンを含むことを特徴とする付記1に記載の電子機器。"