炭化珪素基板を準備する工程と、2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に前記炭化珪素基板をさらすことによって、前記炭化珪素基板上に酸化膜を形成する工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。前記雰囲気は5μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する、請求項1に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記雰囲気は10μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する、請求項2に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記雰囲気は18体積以上の酸素濃度を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記雰囲気は25g/m3以上の水蒸気濃度を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記酸化膜を形成する工程は、前記雰囲気中に前記炭化珪素基板を2時間以上さらす工程を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記雰囲気は2mg/m3以下の二酸化窒素濃度を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。炭化珪素基板を準備する工程と、2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に前記炭化珪素基板をさらすことによって、前記炭化珪素基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜が形成された前記炭化珪素基板を搬送する工程と、前記炭化珪素基板を搬送する工程の後に、前記酸化膜を除去する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。半導体装置の製造場所へと半導体基板が搬送される際に、この搬送によって半導体基板の表面が何らかの影響を受け、その結果、半導体装置の特性に悪影響が生じることがある。具体的には、搬送中に半導体基板の表面が受ける汚染または機械的ダメージに起因して、半導体装置の特性が劣化することがある。このような悪影響は半導体基板が炭化珪素基板である場合に特に深刻となり得る。たとえば炭化珪素基板の表面が機械的ダメージを受けると、この基板を用いた半導体装置の製造におけるアニールたとえば活性化アニールにおいて、積層欠陥が伸展し得る。積層欠陥が存在すると、半導体装置の信頼性が低下し得る。またこの炭化珪素基板上にエピタキシャル成長が行われる場合、表面の汚染または機械的ダメージは、エピタキシャル層の結晶性の低下を招き得る。そこで本発明の一の目的は、半導体装置の特性に及ぼす搬送による影響を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することである。また本発明の他の目的は、汚れまたは機械的ダメージなどから炭化珪素基板の表面を保護することができる、炭化珪素基板の製造方法を提供することである。本発明の炭化珪素基板の製造方法は、次の工程を有する。炭化珪素基板が準備される。2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板をさらすことによって、炭化珪素基板上に酸化膜が形成される。本炭化珪素基板の製造方法によれば、2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板をさらすことによって、熱酸化処理を必須とすることなく、炭化珪素基板の表面を保護するのに必要な厚さを有する酸化膜を形成することができる。好ましくは雰囲気は5μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有し、より好ましくは雰囲気は10μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する。これにより、より十分な厚さを有する酸化膜を形成することができる。好ましくは雰囲気は18体積以上の酸素濃度を有する。これにより、酸化膜をより速やかに形成することができる。好ましくは雰囲気は25g/m3以上の水蒸気濃度を有する。これにより、酸化膜をより速やかに形成することができる。好ましくは酸化膜が形成される際に、雰囲気中に炭化珪素基板が2時間以上さらされる。これにより、形成される酸化膜の厚さをおおよそ飽和させることができる。好ましくは雰囲気は2mg/m3以下の二酸化窒素濃度を有する。これにより雰囲気が過度に高い二酸化窒素濃度を有することがないので、作業性を高めることができる。本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、次の工程を有する。炭化珪素基板が準備される。2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に炭化珪素基板をさらすことによって、炭化珪素基板上に酸化膜が形成される。酸化膜が形成された炭化珪素基板が搬送される。炭化珪素基板が搬送された後に、酸化膜が除去される。本炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、炭化珪素基板が搬送される際に、炭化珪素基板に酸化膜が形成されている。よって搬送による影響は主に酸化膜に対して生じるので、搬送後に酸化膜を除去することで、炭化珪素半導体装置の特性に及ぼす搬送による影響を抑制することができる。本発明によれば、上述したように、十分な厚さを有する酸化膜によって炭化珪素基板の表面を保護することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1図1に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板89は単結晶基板80および酸化膜70を有する。単結晶基板80は表面および裏面を有する。酸化膜70はこの表面および裏面の各々の上に設けられている。次に炭化珪素基板89の使用方法について説明する。炭化珪素基板89は、酸化膜70が設けられた状態で搬送される。この搬送は、たとえば、炭化珪素基板89が製造された場所から、炭化珪素基板89を用いて半導体装置を製造する場所まで行われる。搬送後に酸化膜70が除去されることで、図2に示すように、単結晶基板80の表面および裏面の少なくともいずれかが露出される。この目的で、たとえば、いわゆるSPM洗浄が行われる。言い換えると、硫酸および過酸化水素の混合薬液による洗浄が行われる。この後、単結晶基板80の表面および裏面の少なくともいずれかに対して半導体プロセスが行われることで、半導体装置が製造される。次に炭化珪素基板89の製造方法について、以下に説明する。図3に示すように、炭化珪素単結晶300が準備される。炭化珪素単結晶300は、たとえば、炭化珪素から作られた種結晶を用いた昇華再結晶法によって形成され得る。次に炭化珪素単結晶300を用いて単結晶基板80炭化珪素基板が準備される。単結晶基板80は、たとえば炭化珪素単結晶300がスライスされることによって形成され得る。また図4に示すように、基板保管庫20炭化珪素基板の製造装置が準備される。基板保管庫20は、容器30と、固定具31と、排気系40と、二酸化窒素ガス源41と、酸素ガス源42と、キャリアガス源43と、湿度調節器44と、バルブ50~53とを有する。この構成により容器30内の雰囲気は二酸化窒素を含有することができ、さらに酸素および水蒸気の少なくともいずれかを含有することができる。またたとえば容器30に扉が設けられることで、容器30内に基板を搬入したり容器30外に基板を搬出したりすることができる。キャリアガス源43は、たとえば、窒素ガス源である。キャリアガスは、二酸化窒素ガスを安定的に輸送するのに用いることができる。またこのキャリアガスは、容器30を開放する前に容器30内の二酸化窒素濃度を低くするためのパージガスとして用いられてもよい。固定具31は、基板を容器30中において保持するためのものである。好ましくは固定具31は基板の側面を保持するように構成されている。言い換えると、好ましくは固定具31は基板の主表面に接することなく基板を保持するように構成されている。次に図5に示すように、単結晶基板80が容器30内に収められる。次に容器30内の雰囲気が、2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有するものとされる。二酸化窒素濃度は、好ましくは5μg/m3以上とされ、より好ましくは10μg/m3以上とされる。また好ましくは二酸化窒素濃度は2mg/m3以下とされる。また好ましくは、この雰囲気は18体積以上の酸素濃度を有する。また好ましくはこの雰囲気は25g/m3以上の水蒸気濃度を有する。また好ましくは、雰囲気の温度は常温である。単結晶基板80炭化珪素基板が上記雰囲気にさらされる結果、図6に示すように、単結晶基板80炭化珪素基板上に酸化膜70が形成される。好ましくは単結晶基板80は雰囲気中に2時間以上さらされる。次に、酸化膜70が形成された単結晶基板80が容器30から取り出される。これにより炭化珪素基板89図1が得られる。本実施の形態によれば、2μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する雰囲気に単結晶基板80をさらすことによって、単結晶基板80の表面を保護するのに必要な厚さを有する酸化膜70を形成することができる。より具体的にいうと、積層欠陥の起点となり得るダメージを単結晶基板80の表面に形成されにくくするために、1nm以上の厚さを有する酸化膜70を形成することができる。好ましくは雰囲気は5μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有し、より好ましくは雰囲気は10μg/m3以上の二酸化窒素濃度を有する。これにより、より十分な厚さを有する酸化膜70を形成することができる。また酸化膜70の形成を常温あるいはそれに近い温度で行うことができる。よって酸化膜の形成が熱酸化によって行われる場合に比して、より簡素な工程で酸化膜を形成することができる。また基板保管庫20図6を用いることで、酸化膜70の形成と基板の保管とを同時に行うことができる。言い換えると、酸化膜70図1の形成後に炭化珪素基板89を基板保管庫へと移す必要がない。好ましくは雰囲気は18体積以上の酸素濃度を有する。これにより酸化膜70をより速やかに形成することができる。好ましくは雰囲気は25g/m3以上の水蒸気濃度を有する。これにより、酸化膜70をより速やかに形成することができる。好ましくは酸化膜70が形成される際に、雰囲気中に単結晶基板80が2時間以上さらされる。これにより、形成される酸化膜70の厚さをおおよそ飽和させることができる。好ましくは雰囲気は2mg/m3以下の二酸化窒素濃度を有する。これにより雰囲気が過度に高い二酸化窒素濃度を有することがないので、作業性を高めることができる。具体的には、仮に容器30内の雰囲気を置換せずに容器30を開放しても、環境中への二酸化窒素の拡散をほぼ無視し得るものとすることができる。なお本実施の形態における炭化珪素基板89の製造装置である基板保管庫20図4においては容器30の外部に二酸化窒素ガス源41が設けられるが、二酸化窒素の供給源は容器30の内部に配置されてもよい。たとえば、二酸化窒素の供給源としての硝酸が容器30内に配置されてもよく、この場合、炭化珪素基板89の製造装置の構成がより簡素化される。実施の形態2図7に示すように、本実施の形態の炭化珪素基板99はエピタキシャル基板90および酸化膜70を有する。酸化膜70はエピタキシャル基板の表面および裏面の各々の上に設けられている。エピタキシャル基板90は単結晶基板80およびエピタキシャル層81を有する。エピタキシャル層81はバッファ層121および耐圧保持層122を有する。次に炭化珪素基板99の使用方法について説明する。炭化珪素基板99は、酸化膜70が設けられた状態で、搬送される。この搬送は、たとえば、炭化珪素基板99が製造された場所から、炭化珪素基板99を用いて半導体装置を製造する場所まで行われる。搬送後、酸化膜70が除去されることで、図8に示すようにエピタキシャル基板90上に設けられたエピタキシャル層81の表面が露出される。すなわち、酸化膜70が除去されたエピタキシャル基板90が得られる。この後、エピタキシャル基板90のエピタキシャル層81に対して半導体プロセスが行われることで、半導体装置が製造される。次に炭化珪素基板99の製造方法について説明する。まず実施の形態1において説明した方法によって単結晶基板80が形成される図3。次に単結晶基板80上にエピタキシャル層81が形成されることで、エピタキシャル基板90が形成される図8。次に、実施の形態1において単結晶基板80上に酸化膜70が形成されたのと同様の方法によって図6、エピタキシャル基板90上に酸化膜70が形成される図7。これにより炭化珪素基板99が得られる。本実施の形態によれば、エピタキシャル層81を有する炭化珪素基板99、すなわちエピタキシャル基板において、実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。実施の形態3図9に示すように、本実施の形態の半導体装置は、MOSFET100であり、具体的には、縦型DiMOSFETDoubleImplantedMOSFETである。MOSFET100は、エピタキシャル基板90、ゲート絶縁膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。エピタキシャル基板90は、単結晶基板80、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n領域124、およびp領域125を有する。単結晶基板80およびバッファ層121はn型の導電型を有する。バッファ層121におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3である。またバッファ層121の厚さは、たとえば0.5μmである。耐圧保持層122は、バッファ層121上に形成されており、また導電型がn型の炭化珪素からなる。たとえば、耐圧保持層122の厚さは10μmであり、そのn型の導電性不純物の濃度は5×1015cm3である。この耐圧保持層122の表面には、導電型がp型である複数のp領域123が互いに間隔を隔てて形成されている。p領域123の内部において、p領域123の表面層にn領域124が形成されている。また、このn領域124に隣接する位置には、p領域125が形成されている。複数のp領域123の間から露出する耐圧保持層122上にはゲート絶縁膜126が形成されている。具体的には、ゲート絶縁膜126は、一方のp領域123におけるn領域124上から、p領域123、2つのp領域123の間において露出する耐圧保持層122、他方のp領域123および当該他方のp領域123におけるn領域124上にまで延在するように形成されている。ゲート絶縁膜126上にはゲート電極110が形成されている。また、n領域124およびp領域125上にはソース電極111が形成されている。このソース電極111上には上部ソース電極127が形成されている。ゲート絶縁膜126と、半導体層としてのn領域124、p領域125、p領域123および耐圧保持層122との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値は1×1021cm3以上となっている。これにより、特にゲート絶縁膜126下のチャネル領域ゲート絶縁膜126に接する部分であって、n領域124と耐圧保持層122との間のp領域123の部分の移動度を向上させることができる。次にMOSFET100の製造方法について、以下に説明する。まず実施の形態1で説明した炭化珪素基板89が準備される図10:ステップS110。次に、炭化珪素基板89が製造された場所から、この炭化珪素基板89を用いてMOSFET100を製造する場所へと、炭化珪素基板89が搬送される図10:ステップS120。次に実施の形態1で説明したように酸化膜70が除去される図10:ステップS130。次に図11に示すように、単結晶基板80上にエピタキシャル層81が形成される。具体的には、単結晶基板80上にバッファ層121が形成され、バッファ層121上に耐圧保持層122が形成される。これによりエピタキシャル基板90が形成される図10:ステップS140。バッファ層121は、導電型がn型の炭化珪素からなり、その厚さは、たとえば0.5μmとされる。またバッファ層121における導電型不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3とされる。耐圧保持層122の厚さは、たとえば10μmとされる。また耐圧保持層122におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1015cm3とされる。図12に示すように、注入工程図10:ステップS150により、p領域123と、n領域124と、p領域125とが、以下のように形成される。まずp型の導電性不純物が耐圧保持層122の一部に選択的に注入されることで、p領域123が形成される。次に、n型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってn領域124が形成され、またp型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってp領域125が形成される。なお不純物の選択的な注入は、たとえば酸化膜からなるマスクを用いて行われる。このような注入工程の後、活性化アニール処理が行われる。たとえば、アルゴン雰囲気中、加熱温度1700°Cで30分間のアニールが行われる。図13に示すように、ゲート絶縁膜形成工程図10:ステップS160が行われる。具体的には、耐圧保持層122と、p領域123と、n領域124と、p領域125との上を覆うように、ゲート絶縁膜126が形成される。この形成はドライ酸化熱酸化により行われてもよい。ドライ酸化の条件は、たとえば、加熱温度が1200°Cであり、また加熱時間が30分である。その後、窒化アニール工程図10:ステップS170が行われる。具体的には、一酸化窒素NO雰囲気中でのアニール処理が行われる。この処理の条件は、たとえば加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が120分である。この結果、耐圧保持層122、p領域123、n領域124、およびp領域125の各々と、ゲート絶縁膜126との界面近傍に、窒素原子が導入される。なおこの一酸化窒素を用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴンArガスを用いたアニール処理が行われてもよい。この処理の条件は、たとえば、加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が60分である。図14に示すように、電極形成工程図10:ステップS180により、ソース電極111およびドレイン電極112が、以下のように形成される。ゲート絶縁膜126上に、フォトリソグラフィ法を用いて、パターンを有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜をマスクとして用いて、ゲート絶縁膜126のうちn領域124およびp領域125上に位置する部分がエッチングにより除去される。これによりゲート絶縁膜126に開口部が形成される。次に、この開口部においてn領域124およびp領域125の各々と接触するように導体膜が形成される。次にレジスト膜を除去することにより、上記導体膜のうちレジスト膜上に位置していた部分の除去リフトオフが行われる。この導体膜は、金属膜であってもよく、たとえばニッケルNiからなる。このリフトオフの結果、ソース電極111が形成される。なお、ここでアロイ化のための熱処理が行なわれることが好ましい。たとえば、不活性ガスであるアルゴンArガスの雰囲気中、加熱温度950°Cで2分の熱処理が行なわれる。再び図9を参照して、ソース電極111上に上部ソース電極127が形成される。また、ゲート絶縁膜126上にゲート電極110が形成される。また、単結晶基板80の裏面図中、下面上にドレイン電極112が形成される。以上によりMOSFET100が得られる。本実施の形態によれば、炭化珪素基板89図1が搬送される際に、炭化珪素基板89に酸化膜70が形成されている。よって搬送による影響は主に酸化膜70に対して生じるので、搬送後に酸化膜70を除去することで、MOSFET100の特性に及ぼす搬送による影響を抑制することができる。より具体的には、たとえば活性化アニールのような1000°C程度以上の温度でのアニールが行われる前に、炭化珪素基板89の搬送時図10:ステップS120に生じた機械的な傷が、酸化膜70の除去図10:ステップS130によって除去される。これにより、アニールの際に、機械的な傷を起点として炭化珪素単結晶中において積層欠陥が伸展してしまうことを防止することができる。よってMOSFET100中の積層欠陥を少なくすることができるので、MOSFET100の信頼性を高めることができる。実施の形態4本実施の形態においても、実施の形態3のMOSFET100図9と同様のものが製造される。以下に、本実施の形態におけるMOSFET100の製造方法について説明する。まず実施の形態2で説明したように炭化珪素基板99図7が準備される図15:ステップS111。次に、炭化珪素基板99が製造された場所から、この炭化珪素基板99を用いてMOSFET100図9を製造するための場所へと、炭化珪素基板99が搬送される図15:ステップS120。次に実施の形態2で説明したように酸化膜70が除去される図15:ステップS130。この後、実施の形態1の図12~図14と同様の工程を経て図15:ステップS150~S180、MOSFET図9が得られる。本実施の形態においても、実施の形態3と同様の効果が得られる。なお実施の形態3および4において、導電型が入れ替えられた構成、すなわちp型とn型とが入れ替えられた構成を用いることもできる。またMOSFET100について詳しく説明したが、半導体装置はMOSFET以外のMISFETであってもよい。また半導体装置はMISFETに限定されるものではなく、たとえばIGBTまたはJFETであってもよい。実施例1容器30図5内の雰囲気の二酸化窒素濃度を積極的に増大させ、この雰囲気下で単結晶基板80を2時間保存した。なお酸素濃度は20体積に固定した。その結果、単結晶基板80上に酸化膜70図6が形成された。二酸化窒素濃度の値が2μg/m3、5μg/m3および10μg/m3のそれぞれの場合、酸化膜70の厚さは1.3nm、1.4nmおよび1.6nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm以上であった。比較例1上記実施例1と異なり、雰囲気中の二酸化窒素濃度を積極的には増大させなかった。その結果、二酸化窒素濃度は0.3μg/m3であり、酸化膜70図6の厚さは0.7nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm未満であった。実施例1および比較例1で得た、酸化膜70付きの単結晶基板80をSPM洗浄することで、酸化膜70を除去した。その後、各単結晶基板80を1000°Cで2時間加熱した。この加熱による、単結晶基板80の表面からの積層欠陥の伸展を観察した。比較例1の単結晶基板80における積層欠陥の伸展に比して、実施例1の単結晶基板80における積層欠陥の伸展は、二酸化窒素濃度の値が2μg/m3、5μg/m3および10μg/m3のそれぞれの場合、67、65および60に抑制されていた。実施例2容器30図5内の雰囲気の酸素濃度を積極的に調整し、この雰囲気下で単結晶基板80を2時間保存した。なお二酸化窒素濃度は2μg/m3に固定した。その結果、単結晶基板80上に酸化膜70図6が形成された。酸素濃度の値が18体積濃度、20体積濃度および22体積のそれぞれの場合、酸化膜70の厚さは1.1nm、1.3nmおよび1.3nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm以上であった。比較例2容器30図5内の雰囲気の二酸化窒素濃度を2μg/m3、酸素濃度を16体積とし、この雰囲気下で単結晶基板80を2時間保存した。その結果単結晶基板80上に形成された酸化膜70図6の厚さは、0.8nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm未満であった。実施例3容器30図5内の雰囲気の水蒸気濃度を積極的に調整し、この雰囲気下で単結晶基板80を2時間保存した。なお二酸化窒素濃度は2μg/m3に固定した。その結果、単結晶基板80上に酸化膜70図6が形成された。水蒸気濃度の値が25g/m3および30g/m3のそれぞれの場合、酸化膜70の厚さは1.2nmおよび1.3nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm以上であった。比較例3容器30図5内の雰囲気の二酸化窒素濃度を2μg/m3、酸素濃度を16体積、水蒸気濃度を20g/m3とし、この雰囲気下で単結晶基板80を2時間保存した。その結果単結晶基板80上に形成された酸化膜70図6の厚さは、0.9nmであった。すなわち酸化膜70の厚さは1nm未満であった。実施例4容器30図5内の雰囲気の二酸化窒素濃度を2μg/m3、酸素濃度を20体積とし、この雰囲気下で単結晶基板80上に形成される酸化膜70の厚さの時間変化を調べた。30分後、60分後、90分後、120分後、150分後および180分後のそれぞれの時点で、酸化膜70の厚さは0.4nm、0.8nm、1.1nm、1.3nm、1.3nmおよび1.3nmであった。また二酸化窒素濃度を5μg/m3に変更した場合は、30分後、60分後、90分後、120分後、150分後および180分後のそれぞれの時点で、酸化膜70の厚さは0.4nm、0.9nm、1.2nm、1.4nm、1.4nmおよび1.4nmであった。また二酸化窒素濃度を10μg/m3に変更した場合は、30分後、60分後、90分後、120分後、150分後および180分後のそれぞれの時点で、酸化膜70の厚さは0.8nm、1.2nm、1.5nm、1.6nm、1.7nmおよび1.7nmであった。以上から、2時間経過後には酸化膜70の厚さがほぼ飽和することがわかった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。