"型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をするように構成されている転写装置と、を有することを特徴とする転写システム。請求項1に記載の転写システムにおいて、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置は、前記位置決め装置の加熱手段とは別の加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段と前記転写装置の加熱手段とは、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されていることを特徴とする転写システム。請求項1に記載の転写システムにおいて、前記成形材料は、熱硬化性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて前記熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱硬化性樹脂を成形するように構成されていることを特徴とする転写システム。請求項1に記載の転写システムにおいて、前記成形材料は、紫外線硬化樹脂であり、前記位置決め装置では、前記紫外線硬化樹脂の一部を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されていることを特徴とする転写システム。請求項1に記載の転写システムにおいて、前記成形材料は、熱可塑性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化し前記熱可塑性樹脂への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されていることを特徴とする転写システム。型に形成されている微細な転写パターンを、熱可塑性樹脂で構成されている基板に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して、前記転写をするように構成されている転写装置と、を備えており、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化し前記基板への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されていることを特徴とする転写システム。請求項1~請求項3、請求項5、請求項6のいずれか1項に記載の転写システムにおいて、前記位置決め装置では、紫外線硬化樹脂を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されていることを特徴とする転写システム。請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の転写システムにおいて、前記転写装置による前記押圧はローラを用いてなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記ローラから離れていることを特徴とする転写システム。請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の転写システムにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記型基板保持体から離れていることを特徴とする転写システム。請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の転写システムにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記ローラに形成されている切り欠き、前記型基板保持体に形成されている切り欠きの少なくともいずれかの切り欠きによって、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記ローラ、前記型基板保持体の少なくともいずれかに非接触なように構成されていることを特徴とする転写システム。型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写方法において、前記型に対する前記基板の位置決めをする位置決め工程と、前記位置決め工程による位置決め後、前記型と前記基板とをお互いに接着する接着工程と、前記接着工程で接着された前記型と前記基板とを搬送する搬送工程と、前記搬送工程での搬送後、お互いに接着された前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をする転写工程と、を有することを特徴とする転写方法。ところで、上記従来の転写装置では、型に対する基板の位置決めと転写のための押圧とを行っているので、正確な位置決めが困難になる場合があり、また、転写の際にかける押圧力が制限されるという問題がある。すなわち、基板設置体の厚さを厚くして、転写の際における押圧力を大きくすることができるようにすると、たとえば、厚いガラスを介してカメラで型や基板のアイマークを撮影しなければならず、アイマークの位置ずれ量を正確に測定することができないおそれがある。一方、基板設置体を薄くすると、アイマークの位置ずれ量をカメラで正確に測定することができるようになるが、基板設置体の剛性が低くなるので、転写のときに大きな押圧力をかけることが難しくなる。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムおよび転写方法において、型に対する基板の正確な位置決めができると共に、転写の際の押圧力を上げることにより転写に要する時間を短くすることができる転写システムおよび転写方法を提供することを目的とする。第1のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をするように構成されている転写装置とを有する転写システムである。第2のアスペクトの発明は、第1のアスペクトの発明において、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置は、前記位置決め装置の加熱手段とは別の加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段と前記転写装置の加熱手段とは、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されている転写システムである。第3のアスペクトの発明は、第1のアスペクトの発明において、前記成形材料は、熱硬化性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて前記熱硬化性樹脂が硬化する温度よりも低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱硬化性樹脂を成形するように構成されている転写システムである。第4のアスペクトの発明は、第1のアスペクトの発明において、前記成形材料は、紫外線硬化樹脂であり、前記位置決め装置では、前記紫外線硬化樹脂の一部を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている転写システムであるである。第5のアスペクトの発明は、第1のアスペクトの発明において、前記成形材料は、熱可塑性樹脂であり、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記熱可塑性樹脂を軟化し前記熱可塑性樹脂への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されている転写システムである。第6のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、熱可塑性樹脂で構成されている基板に転写する転写システムにおいて、前記型に対する前記基板の位置決めをし、この位置決め後に、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている位置決め装置と、前記位置決め装置とは別体で構成され、前記位置決め装置で位置決めされてお互いが接着された前記型と前記基板とを受け取り、前記型と前記基板とを押圧して、前記転写をするように構成されている転写装置とを備えており、前記位置決め装置は、前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記位置決め装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、前記基板と前記型とを加熱し、この加熱後に、前記型に対する前記基板の位置決めをするように構成されており、前記転写装置は、お互いが接着された前記基板と前記型とを加熱する加熱手段を備えており、前記転写装置の加熱手段を用いて、前記基板を軟化し前記基板への前記微細な転写パターンの転写をするように構成されている転写システムである。第7のアスペクトの発明は、第1のアスペクト~第3のアスペクト、第5のスペクト、第6のスペクトのいずれか1のアスペクトにおいて、前記位置決め装置では、紫外線硬化樹脂を用いて、前記型と前記基板とをお互いに接着するように構成されている転写システムである。第8のアスペクトの発明は、第1のアスペクト~第7のアスペクトのいずれか1のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧はローラを用いてなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記ローラから離れている転写システムである。第9のアスペクトの発明は、第1のアスペクト~第7のアスペクトのいずれか1のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記転写装置では前記型基板保持体から離れている転写システムである。第10のアスペクトの発明は、第1のアスペクト~第7のアスペクトのいずれか1のアスペクトにおいて、前記転写装置による前記押圧は、ローラと型基板保持体とで前記型と前記基板と挟み込むことでなされるように構成されており、前記ローラに形成されている切り欠き、前記型基板保持体に形成されている切り欠きの少なくともいずれかの切り欠きによって、前記位置決め装置で前記型と前記基板とを接着した部位が、前記ローラ、前記型基板保持体の少なくともいずれかに非接触なように構成されている転写システムである。第11のアスペクトの発明は、型に形成されている微細な転写パターンを、基板に設けられている成形材料に転写する転写方法において、前記型に対する前記基板の位置決めをする位置決め工程と、前記位置決め工程による位置決め後、前記型と前記基板とをお互いに接着する接着工程と、前記接着工程で接着された前記型と前記基板とを搬送する搬送工程と、前記搬送工程での搬送後、お互いに接着された前記型と前記基板とを押圧して前記成形材料を成形し、前記転写をする転写工程とを有する転写方法である。本発明によれば、型に対する基板の正確な位置決めができると共に、転写の際の押圧力を上げることにより転写に要する時間を短くすることができるという効果を奏する。転写システム1は、図6で示すように、型モールドMに形成されている微細な転写パターン微細な凹凸で形成された転写パターンM1を、基板Wに設けられている成形材料Dに転写するものである。転写によって、成形材料Dには型Mの転写パターンM1に対して反転している微細な凹凸D1が形成される。微細な凹凸D1M1の高さやピッチは、たとえば可視光線の波長程度になっている。転写システム1は、図1で示すように、位置決め装置3と転写装置5とを備えて構成されている。基板ストッカ7に格納されている基板Wが塗布装置9に搬送され、この搬送されてきた基板Wに、塗布装置9で硬化前の成形材料Dが設置されるようになっている。成形材料Dが設置された基板Wは位置決め装置3に搬送供給されるようになっている。なお、上述した基板Wの搬送は、図示しないロボット等の搬送装置によってなされる。位置決め装置3では、詳しくは後述するが、型Mに対する基板Wの位置決め等がなされるようになっている。位置決め装置3に供給される型Mは、分離装置転写後に成形材料Dを介してお互いがくっついている基板Wと型Mとを分離する装置11で分離された型Mであり、図示しないロボット等の搬送装置によって分離装置11から位置決め装置3に供給されるようになっている。なお、型Mが樹脂材料等で構成されていて再使用されない場合には、図示しない型ストッカに格納されている未使用の型Mを位置決め装置3に供給するようにしてもよい。転写装置5では、詳しくは後述するが、型Mに形成されている転写パターンM1を、基板Wに設けられている成形材料Dに転写するようになっている。位置決め装置3から転写装置5に型Mと基板W成形材料Dとを搬送する搬送装置13もロボット等で構成されている。転写装置5で転写がされ一体化している型Mと基板Wと成形材料Dと図6b参照は、分離装置11に搬送されて型Mが基板Wと成形材料Dとから分離されるようになっている図6c参照。型Mから分離された基板Wと成形材料Dとは、転写後ストッカ15に搬送されるようになっている。この基板W等の搬送も、図示しないロボット等の搬送装置によってなされる。なお、転写システム1における基板Wや型M等の搬送や位置決めや転写等は、制御装置17の制御の下、たとえば枚葉で行われるようになっている。型Mは、ニッケル等の金属もしくは紫外線が透過する石英ガラス等の材料もしくは樹脂等の材料で構成されている。また、型Mは、図4や図6で示すように、たとえば矩形な平板状に形成されており、微細な転写パターンM1は、型Mの厚さ方向の一方の面に形成されている。微細な転写パターンM1が形成されている型Mの部位転写パターン形成部位M2は、たとえば矩形状に形成されており、型Mの中央部に存在している。したがって、型Mの厚さ方向の一方の面の周辺部には、ロ字状の微細転写パターン非形成部位M3が存在している。基板Wは、たとえば、所定の波長の電磁波が透過する材料ガラス等の可視光が透過する材料もしくはシリコン等の材料で、矩形な平板状に形成されている。基板Wの大きさは、型Mとほぼ同じかもしくは僅かに大きいかもしくは僅かに小さくなっている。成形材料Dは、たとえば、熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化樹脂等の樹脂材料で構成されている可視光が透過する材料で構成されている場合もある。成形材料Dは、基板Wの厚さ方向の一方の面に、薄い膜状になって設けられている。成形材料Dが設けられている基板Wの部位成形材料設置部位W1は、たとえば矩形状に形成されており、基板Wの中央部に存在している。したがって、基板Wの厚さ方向の一方の面の周辺部には、ロ字状の成形材料非設置部位W2が存在している。また、成形材料設置部位W1の大きさは、転写パターン形成部位M2とほぼ同じかもしくは僅かに大きいかもしくは僅かに小さくなっている。成形材料Dは、転写前には、硬化しておらず液体状もしくは流動体状になっており、転写をするときに硬化し成形物が形成されるようになっている。位置決め装置3は、型Mに対する基板Wの位置決めをするように構成されている。また、位置決め装置3は、上記位置決め後に、たとえば接着剤を用いて、型M型Mの一部と基板成形材料Dが設けられている基板の一部Wとをお互いに接着することによって、型Mに対する基板Wの位置を固定し、型Mと基板Wとを一体化するように構成されている。ここで、位置決め装置3について詳しく説明するが、以下、説明の便宜のために、水平な1方向をX軸方向とし、水平な他の1方向であってX軸方向に直交する方向をY軸方向とし、鉛直方向をZ軸方向とする。位置決め装置3は、図2で示すように、基板Wを設置するためのXYθステージ19と型Mを保持するための型保持体21とを備えている。XYθステージ19は、XYθステージ基台23と、XYθステージテーブル25とを備えて構成されている。XYθステージ基台23は、ベース体27の平面状の上面の中央部でベース体27に一体的に設けられている。XYθステージテーブル25は、XYθステージ基台23の上方に設けられており、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構でガイドされている。そして、XYθステージテーブル25は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、X軸方向とY軸方向とθ軸まわりとにおいて、XYθステージ基台23に対して移動回動位置決め自在になっている。θ軸とは、Z軸方向に延びた軸であって、たとえば、XYθステージ19の中心を通る軸である。XYθステージテーブル25の平面状の上面の中央には、平板状の基板設置体29が一体的に設けられている。基板設置体29の平面状の上面は、水平に展開している。そして、基板Wを容易に着脱自在な基板保持手段基板保持部;基板保持機構;たとえば真空吸着31によって、基板設置体29上面の中央部で、基板Wを一体的に保持するようになっている。基板Wは、厚さ方向の他方の面成形材料Dが設けられていない面が下側に位置して、基板設置体29の上面に面接触し、基板設置体29に保持されるようになっている。したがって、基板設置体29に設置された基板Wの一方の面水平方向に展開している上面に成形材料Dが存在している。型保持体21は型保持体支持体33を介してベース体27に支持されている。型保持体支持体33は、支柱35と水平梁37とを備えて構成されている。支柱35は、たとえば、一対で設けられている。一方の支柱35は、X軸方向の一端部側でXYθステージ19から離れて、ベース体27の上面から立設してベース体27に一体的に設けられている。他方の支柱35は、X軸方向の他端部側でXYθステージ19から離れて、ベース体27の上面から立設してベース体27に一体的に設けられている。水平梁37は、長手方向の一端部が一方の支柱35の上端部に一体的に設けられており、長手方向の他端部が他方の支柱35の上端部に一体的に設けられている。そして、型保持体支持体33が門形になっていると共に、水平梁37は、XYθステージ19の上方でXYθステージ19から離れて、X軸方向に長く延びている。型保持体21は、型保持体本体部39と型保持部たとえばバキュームチャック41とを備えて構成されている。型保持体本体部39は、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構でガイドされている。そして、型保持体21は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、XYθステージ19の上方でXYθステージ19から離れ、Z軸方向でXYθステージ19に接近離反する方向で、型保持体支持体33ベース体27;XYθステージ19に対して移動位置決め自在になっている。バキュームチャック41は型保持体本体部39の下端部で型保持体本体部39に一体的に設けられている。バキュームチャック41の下面は、水平方向に展開しており、この下面の中央部に型Mの厚さ方向の他方の面転写パターンM1が形成されていない面が面接触し、真空吸着で型Mを着脱自在に保持するようになっている。なお、XYθステージ19の基板設置体29に基板Wが設置され型保持体21に型Mが保持されている状態で、Z軸方向から見ると、基板Wの中心と型Mの中心とがお互いにほぼ一致していると共に、基板Wの縦方向と型Mの縦方向とがX軸方向とほぼ一致している。また、XYθステージ19の基板設置体29に基板Wが設置され型保持体21に型Mが保持されている状態では、基板Wの上方に型Mが存在している。そして、型Mが基板Wの上方で基板W成形材料Dから離れて存在している状態から、型保持体21がZ軸方向下方向に移動することで、基板Wの成形材料Dと型Mとがお互いに接触するようになっている。XYθステージ19の内側には、空洞43が形成されており、空洞43の上側は、基板設置体29で蓋がされている。この空洞43内にカメラ45とリフトピン47とが設けられている。リフトピン47は、図示しないガイドベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構でガイドされて、制御装置17の制御の下、図示しないシリンダ等のアクチュエータを適宜駆動することで、上下方向で移動するようになっている。カメラ45は、たとえば、X軸方向とY軸方向とで移動位置決め自在になっている。また、カメラ45が、X軸方向やY軸方向で位置決めされている状態で、基板設置体29を通して、基板Wと型Mとを撮影することができるようになっている。基板Wは、ガラス等の可視光線が透過可能な材料で構成されている。なお、基板設置体29が金属等で構成されている場合には、基板設置体29に設けられている貫通孔49を通して、基板Wと型Mとをカメラ45で撮影することができるようになっている。また、図1では、カメラ45で型Mを見た場合、成形材料Dを通して型Mを撮影するように描かれているが、実際には、成形材料DのX軸方向の寸法は、もっと小さくなっており、貫通孔49のところには、成形材料Dが存在しておらず、カメラ45で型Mを撮影した場合、成形材料Dを通さずに型Mを撮影することができるようになっている。なお、基板設置体29には、転写による押圧力がかからず、基板Wを載置等することができればよいので、極力薄く形成されている。カメラ45は、少なくとも一対が設けられており、XYθステージ19の一方の側に1つのカメラ45が設けられており、XYθステージ19の他方の側に1つのカメラ45が設けられている。そして、各カメラ45で、基板Wのたとえば隅に描かれているアイマーク図示せずと、型Mのたとえば隅に描かれているアイマーク図示せずとを撮影し、この撮影結果に応じて、制御装置17の制御の下、XYθステージテーブル25を適宜動かすことで、型Mのアイマークと基板Wのアイマークとをたとえばお互いに一致させる。これにより、型保持体21に保持されている型Mに対する、基板設置体29に設置されている基板Wの位置X軸方向、Y軸方向およびθ軸まわりの位置を正しいものにすることができる。なお、基板Wがシリコン等の可視光線を透過しない材料で構成されている場合にあっては、カメラ45を適宜移動して基板Wのアイマークと型Mのアイマークとを別個に撮影するのであるが、基板Wのアイマーク撮影用に、2つのカメラとを設け、型Mのアイマーク撮影用に、別の2つのカメラとを設けてあってもよい。このように2つのカメラ45を移動する場合もしくは4つのカメラを設けた場合、基板Wを型Mよりも小さく形成し、もしくは、基板Wに貫通孔を設ける等して、型Mのアイマーク撮影用のカメラが、基板Wを通さずに型Mのアイマークを撮影することができるようになっているものとする。さらに、カメラ45をXYθステージ19に設けることに代えてもしくは加えて、型保持体本体部39に設けてあってもよい。そしてたとえば、XYθステージ19に設けたカメラ45によって基板Wのアイマークを撮影し、型保持体本体部39に設けたカメラによって型Mのアイマークを撮影してもよい。リフトピン47は、下端に位置している場合、基板設置体29に設置されている基板Wの下方で基板Wから離れている。一方、リフトピン47が上端に位置している場合には、基板設置体29の中央に設けられている貫通孔51を通して、リフトピン47の上端部が、基板設置体29の上面から上方に僅かに突出するようになっている。基板設置体29による真空吸着を止めてリフトピン47が基板設置体29の上面から上方に僅かに突出することにより、基板設置体29に設置されていた基板Wが基板設置体29から容易に離れるようになっている。そして、搬送装置13で搬送するようになっている。支柱35には、ベース体27と型保持体21とXYθステージ19と水平梁37とから離れて、ディスペンサ支持体53が設けられている。ディスペンサ支持体53は、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構でガイドされている。そして、ディスペンサ支持体53は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、X軸方向とZ軸方向とにおいて、支柱35XYθステージ基台23に対して移動位置決め自在になっている。なお、ディスペンサ支持体53が、X軸方向とZ軸方向とに加えて、Y軸方向で移動自在になっていたり、所定の軸まわりで回動自在になっていてもよい。ディスペンサ支持体53には、ディスペンサ55が設けられている。ディスペンサ55は、制御装置17の制御の下、硬化前の接着剤たとえば紫外線硬化樹脂を所定量吐出することができるようになっている。また、ディスペンサ支持体53には、LED発光ダイオード57等の接着剤硬化促進体が設けられている。ディスペンサ55から吐出される接着剤が硬化前の紫外線硬化樹脂である場合には、LED57から紫外線が出射されるようになっている。なお、接着剤として瞬間接着剤や熱硬化性樹脂等を使用する場合には、LED57は不要である。また、接着剤として熱硬化性樹脂を使用する場合、この接着剤として使用する熱硬化性樹脂は、基板Wに設けられている転写パターンM1が転写される熱硬化性樹脂Dよりも低い温度で硬化するものとする。そして、たとえば、位置決め装置3のヒータ59で硬化するようになっているものとするヒータ59では、成形材料Dである熱硬化性樹脂は硬化しないようになっている。さらに、型Mに対する基板Wの位置決めをする前は、位置決め装置3のヒータ59で、接着剤として使用する熱硬化性樹脂が硬化しないようにしておく。なお、成形材料Dと接着剤位置決め装置3で型Mと基板Wとをお互いに接着する接着剤との種類が異なっていてもよい。たとえば、成形材料Dの種類にかかわらず、接着剤として紫外線硬化樹脂を採用してもよい。転写装置5は、位置決め装置3とは別体で構成されており、位置決め装置3から離れて存在している。そして、転写装置5では、位置決め装置3で位置決めされてお互いが接着されて一体化した型Mと基板W型基板接着体MWとを受け取り、型Mと基板Wとを押圧して型Mと基板Wとに挟み込み荷重をかけて成形材料Dを硬化し、転写をするように構成されている。転写装置5は、図3で示すように、型基板接着体MWを保持する型基板保持体たとえばバキュームチャック61と、型Mと基板Wとを押圧するための押圧手段押圧部;押圧機構63と、成形材料Dを硬化するための成形材料硬化手段成形材料硬化部:成形材料硬化装置65とを備えて構成されている。バキュームチャック61は、テーブル67の上側でテーブル67に一体的に設けられている。テーブル67は、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構を介してベース体69の上側でベース体69に支持されている。また、テーブル67は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、X軸方向でベース体69に対して移動位置決め自在になっている。バキュームチャック61の平面状の上面に、真空吸着によって、型基板接着体MWが一体的に設置されるようになっている。バキュームチャック61に型基板接着体MWが設置されている状態では、型基板接着体MWの基板Wの面下面;成形材料Dや型Mとは反対側の面が、バキュームチャック61の上面に面接触していると共に、型基板接着体MWの縦方向がX軸方向と一致しており、バキュームチャック61の上面の中央部に型基板接着体MWが存在している。押圧手段63は、円柱状もしくは円筒状のローラ71を備えて構成されている。ローラ71は、ベース体69に一体的に設けられたローラ用支柱73に支持されている。ローラ71の回転中心軸C1は、Y軸方向に延びている。ローラ用支柱73は、図4bで示すように、一対で設けられている。一方のローラ用支柱73は、Y軸方向の一端部側でテーブル67やバキュームチャック61から離れて、ベース体69から立設してベース体69に一体的に設けられている。他方のローラ用支柱73は、Y軸方向の他端部側でテーブル67やバキュームチャック61から離れて、ベース体69から立設してベース体69に一体的に設けられている。ローラ71は、一対のローラ支持体75に支持されている。すなわち、ローラ71の軸C1の延伸方向の一端部がベアリング図示せずを介して一方のローラ支持体75に支持されており、ローラ71の軸C1の延伸方向の他端部がベアリング図示せずを介して他方のローラ支持体75に支持されている。一方のローラ支持体75は、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構を介して一方のローラ用支柱73に支持されている。また、一方のローラ支持体75は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Z軸方向で一方のローラ用支柱73に対して移動位置決め自在になっている。他方のローラ支持体75も、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構を介して他方のローラ用支柱73に支持されている。また、他方のローラ支持体75は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Z軸方向で、一方のローラ支持体75と同期して、他のローラ用支柱73に対し移動位置決め自在になっている。これにより、ローラ71の回転中心軸C1が常に水平になっているY軸方向に延伸している状態で、ローラ71が上下方向で移動するようになっている。一対のローラ支持体75で支持されているローラ71は、バキュームチャック61の上方でバキュームチャック61から離れている。そして、一対のローラ支持体75が上方向に移動することにより、バキュームチャック61に設置されている型基板接着体MWの上方で型基板接着体MWからローラ71が離れるようになっており、一対のローラ支持体75が下方向に移動することにより、バキュームチャック61に設置されている型基板接着体MWの上方で型基板接着体MWに接触し、型基板接着体MWをバキュームチャック61と協働してローラ71が適宜の押圧力で押圧挟圧するようになっている。ローラ71が型基板接着体MWを押圧している状態では、ローラ71の母線が、型基板接着体MWの型Mに線接触している。そして、テーブル67を移動することで、テーブル67の移動速度に同期してローラ71が回転しローラ71の周速度とテーブル67の移動速度とがお互いに一致するようにしてローラ71が回転し、型基板接着体MWのX軸方向の一端部から他端部に向かって図3の右から左に向かって、成形材料D型基板接着体MWの押圧がさなれるようになっている。ローラ71の長さY軸方向の寸法は、図4bで示すように、たとえば、型Mや基板Wの寸法よりも小さくなっている。また、Y軸方向では、型基板接着体MWの中心とローラ71の中心とがお互いに一致している。これにより、Y軸方向では、型基板接着体MWの内側にローラが位置している。なお、ローラ71の長さY軸方向の寸法が、成形材料設置部位W1や転写パターン形成部位M2よりも小さくなっていてもよいし、成形材料設置部位W1や転写パターン形成部位M2とほぼ等しくてもよいし、成形材料設置部位W1や転写パターン形成部位M2よりも大きくなっていてもよい。また、成形材料硬化手段65は、ローラ71で押圧されている成形材料Dの部位を硬化するようになっている。したがって、型基板接着体MWテーブル67がローラ71に対して移動することにより、X軸方向の一端部から他端部に向かって、成形材料Dが硬化するようになっている。テーブル67には、一対の支柱77が設けられている。一方の支柱77は、X軸方向の一端部側でバキュームチャック61ヒータ79、断熱体81、冷却装置83から離れて、テーブル67の上面から立設してテーブル67に一体的に設けられている。他方の支柱77は、X軸方向の他端部側でバキュームチャック61ヒータ79、断熱体81、冷却装置83から離れて、テーブル67の上面から立設してテーブル67に一体的に設けられている。一方の支柱77には、リフトピン支持体85が設けられている。リフトピン支持体85は、図示しないベアリング等のガイド手段ガイド部;ガイド機構でガイドされている。また、リフトピン支持体85は、制御装置17の制御の下、図示しないサーボモータ等のアクチュエータを適宜駆動することで、Z軸方向で、支柱77テーブル67に対して移動位置決め自在になっている。他方の支柱77にも、リフトピン支持体85が同様に設けられており、一方の支柱77のリフトピン支持体85と同期して移動するようになっている。各リフトピン支持体85のそれぞれには、リフトピン87が一体的に設けられている。また、X軸方向におけるバキュームチャック61上面の両端部には、凹部89が設けられている。そして、リフトピン支持体85が下降端に位置しているときには、各リフトピン87のそれぞれが、各凹部89のそれぞれに入り込むようになっている。リフトピン87が、凹部89に入り込んでいる状態で、型基板接着体MWをバキュームチャック61に設置することができるようになっている。また、バキュームチャック61による真空吸着を止めて、各リフトピン87リフトピン支持体85を上昇させると、各リフトピン87の先端部とのこの近傍の部位とが、型基板接着体MWの下面X軸方向における両端部の下面に接触し、各リフトピン87で型基板接着体MWを持ち上げて、型基板接着体MWをバキュームチャック61から容易に離すことができるようになっている。なお、図3では、リフトピン87が右側の1つ左側に1つしか描かれていないが、型基板接着体MWを安定して持ち上げるために、リフトピン87は、少なくとも3つ以上の複数設けられているものとする。たとえば、図3の右側のリフトピン87は1つであり、Y軸方向図3の紙面に直交する方向で型基板接着体MWの中央部に設けられている。また、図3の左側のリフトピン87は2つであり、一方のリフトピン87が、Y軸方向で型基板接着体MWの一方の端部側図3の紙面の奥側に設けられており、他方のリフトピン87が、Y軸方向で型基板接着体MWの他方の端部側図3の紙面の手前側に設けられている。ここで、成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合の転写について詳しく説明する。成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合の転写では、まず、図6aで示すように、基板Wの上面に硬化前の熱硬化性樹脂Dが薄膜状に設けられており、型Mが、基板W熱硬化性樹脂Dの上面から離れている状態から、型Mを下降する。続いて、型Mで熱硬化性樹脂Dを押圧し、加熱することで熱硬化性樹脂Dを硬化させる図6b参照。続いて、型Mを上昇して、基板Wと熱硬化性樹脂Dとから分離する図6c参照。これにより、熱硬化性樹脂Dに微細な凹凸微細な多数の凹部D1が形成される。図6での押圧では、ローラが描かれていないが、実際にはローラを用いて押圧をしているものとする。なお、転写装置5において、図6で示すように、ローラなしで押圧をするようになっていてもよい。続いて、転写システム1とは別の装置で、微細な凹凸D1の残膜をO2アッシング等のアッシングで除去し図6d参照、硬化している熱硬化性樹脂Dをマスキング部材にしてエッチング等により、基板Wに微細な凹部を形成し図6e参照、硬化している熱硬化性樹脂Dを除去すれば、図6fで示すように、基板Wに微細な凹凸が形成される。熱硬化性樹脂Dは、200°C~250°C程度の間の所定の温度たとえば250°Cで硬化するものであり、型Mは、たとえばニッケル等の金属で構成されており、基板Wはたとえば、ガラスで構成されている。成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合、位置決め装置3は、位置決め装置3に設置されている基板熱硬化性樹脂Dが設けられている基板Wと型Mとを加熱する加熱手段加熱部;加熱装置91ヒータ59を備えている。位置決め装置の加熱手段91は、基板設置体29とバキュームチャック41とに設けられているものとする。すなわち、たとえば、加熱手段91が、基板設置体29の上面の近傍とバキュームチャック41の下面の近傍とに内蔵されているものとする。この場合、基板設置体29のカメラ45用の貫通孔49が耐熱ガラスで塞がれていて、ヒータ59が発する熱でカメラ45が悪影響を受けないようになっていることが望ましい。さらに、基板設置体29の下面の近傍や下面に冷却装置を設け、また、カメラ45のまわりに冷却装置を設けて、熱でカメラ45が悪影響を受けないようになっていてもよい。さらに、成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合、位置決め装置3は、加熱手段91を用いて熱硬化性樹脂Dが硬化する温度よりも低い温度たとえば、僅かに低い温度まで、基板W熱硬化性樹脂Dが設けられている基板Wと型Mとを加熱する。そして、この加熱後に加熱後の温度をほぼ維持したまま型Mに対する基板Wの位置決めをし、型Mと基板Wとをお互いに接着するように構成されている。また、成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合、搬送装置13は、加熱手段加熱部;加熱装置によって加熱後の温度をほぼ維持したまま、型基板接着体MWを、位置決め装置3から転写装置5に搬送するようになっている。搬送装置13の加熱手段加熱部;加熱装置は、たとえば、搬送装置13の基板保持部図示せずに設置されたヒータで構成されているものとする。なお、搬送装置13に加熱手段が設けられていることが望ましいが、搬送時間が短く、搬送することによっては、型基板接着体MWの温度がほとんど下がらないのであれば、搬送装置13に加熱手段を設けなくてもよい。また、成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合、転写装置5には、加熱手段加熱部;加熱装置;たとえばヒータ80が設けられている。そして、ヒータ80によって、お互いが接着された基板Wと型Mと転写装置5に設置されている型基板接着体MWを加熱し、熱硬化性樹脂Dを硬化するようになっている。転写装置5のヒータ79は、矩形な平面状に形成されており、バキュームチャック61の下側でバキュームチャック61に接触してバキュームチャック61に一体的に設けられている。ヒータ79の下側には、矩形な平板状の断熱体81が接触してヒータ79に一体的に設けられている。断熱体81の下側には、矩形な平板状の冷却装置たとえば水冷の冷却装置83が接触して断熱体81一体的に設けられている。冷却装置83の下面は、テーブル67の上面に接触して、冷却装置83が、テーブル67に一体的に設けられている。すなわち、テーブル67の上面には、冷却装置83と断熱体81とヒータ79とバキュームチャック61とがこの順に重ねられて一体的に設けられている。バキュームチャック61は、熱伝導性の良い金属等の材料で構成されており、位置決め装置3の基板設置体29よりも厚く剛性が高くなっている。また、重ねられているバキュームチャック61とヒータ79と断熱体81と冷却装置83とテーブル67の剛性も、ローラ71による押圧力によってもほとんど変形しないようになっているごく僅かに変形したとしても、熱硬化性樹脂Dに転写によって形成される微細な凹凸D1の精度に悪影響を与えないようになっている。ローラ71の内部には、転写装置5の加熱手段加熱部;加熱装置を構成するヒータ80が設けられている。そして、ローラ71のヒータ80による加熱で熱硬化性樹脂Dが硬化するようになっている。なお、バキュームチャック61のヒータ79は、熱硬化性樹脂Dが硬化する温度よりも僅かに低い温度になっているものとする。ところで、ヒータ79とバキュームチャック61とを一体化した構成であってもよい。すなわち、バキュームチャック61に発熱体を埋め込んだ構成であってもよい。この場合、発熱体は、できるだけバキュームチャック61の上面側に存在していることが望ましい。この場合において、バキュームチャック61の上面ヒータ79で加熱される面;矩形な平面状に形成されている面を、複数のエリアに分割し、各エリア毎に温度の値を変えることができる各エリアそれぞれが独立して温度を変えることができるようになっていてもよい。上記エリアの形態は、細長い矩形状になっている。そして、各エリアは、これらの長手方向がY軸方向になり幅方向がX軸方向になるようにして、X軸方向に並んで形成されているものとする。そして、転写装置5による転写をする場合、ローラ71と協働して型基板接着体MWを挟んでいる部位型基板接着体MWの型Mと接しているローラ71の真下に存在している直線状の部位とこの近傍の部位のエリアの温度が、制御装置17の制御の下、熱硬化性樹脂Dを硬化させることができる温度まで上昇するようになっていてもよい。この場合、ローラ71のヒータ80を削除した構成であってもよい。なお、他のエリアの温度は、熱硬化性樹脂Dが硬化する温度よりも僅かに低い温度になっているものとする。そして、ローラ71で押圧される前の熱硬化性樹脂Dは硬化しないようになっているものとする。上記説明では、ローラ71と協働して型基板接着体MWを挟んでいる部位のエリアの温度のみを、熱硬化性樹脂Dを硬化させることができる温度まで上昇させることとしているが、すでにローラ71で押圧された部位のエリアの温度を、熱硬化性樹脂Dを硬化させることができる温度まで上昇させたままにしてもよい。また、ローラ71による型基板接着体MW全体の押圧が短い時間で終了するのであれば、型基板接着体MWがほとんど冷めないであろうから、バキュームチャック61のヒータ79を削除してもよい。ところで、前述したように、転写装置5における型基板接着体MWの押圧は、ローラ71を用いてなされるように構成されているのであるが、位置決め装置3で型Mと基板Wとを接着した部位接着部MW1が、転写装置5ではローラ71から離れている。接着部MW1がローラ71から離れていることにより、ローラ71による押圧力が接着部MW1にはほとんどかからないようになっている。また、ローラ71による押圧によって、接着部MW1が破壊したりすることがないようになっている。さらに、固化している接着部MW1が存在しているにもかかわらず、ローラ71による押圧力で、熱硬化性樹脂Dを十分に押圧し転写をすることができるようになっている。さらに詳しく説明すると、図4bで示すように、ローラ71の幅ローラ71の回転中心軸C1の方向の長さ寸法B1は、接着部MW1の間隔Y軸方向における間隔B2よりも小さくなっている。そして、Y軸方向では接着部MW1の間にローラ71が存在しており、一方の接着部MW1とローラ71とは、距離B3だけ間隔があいており、他一方の接着部MW1とローラ71とは、たとえば距離B3とほぼ等しい距離B4だけ間隔があいている。なお、転写パターン形成部位M2の幅B5とローラの幅B1とを比較すると、たとえば、転写パターン形成部位M2の幅B5とローラ71の幅B1とはお互いがほぼ等しくなっているか、もしくは、ローラ71の幅B1のほうが大きくなっている。さらに、Y軸方向では、転写パターン形成部位M2の中心とローラ71の中心とはお互いに一致している。これにより、ローラ71で型基板接着体MWを押圧した場合、型Mや基板Wがごく僅かに弾性変形し微細な凹凸D1の精度に悪影響を与えない程度に弾性変形し、接着部MW1の存在にかかわらず、転写のための十分な押圧力を、型基板接着体MW成形材料Dに与えることができるようになっている。また、前述したように、転写装置5での転写転写装置5による押圧は、ローラ71と型基板保持体61とで型Mと基板Wと挟み込むことでなされるのであるが、型Mと基板Wとを接着した部位MW1とこの近傍の部位とが、型基板保持体61から離れていてもよい。たとえば、図4bにおいて、ローラ71の幅B1を、接着部位MW1の間隔B2よりも大きくして、転写装置5での型基板接着体MWの押圧のとき、ローラ71が接着部位MW1に接触するようにし、型基板保持体61の幅を、接着部位MW1の間隔B2よりも小さくして、接着部位MW1がローラ71と型基板保持体61とで押圧されないようにしてもよい。さらに、ローラ71に形成されている切り欠きリング状の小径部、型基板保持体61に形成されている切り欠きたとえば、凹部89と同様な凹部、もしくは凹部89と共通の凹部の少なくともいずれかの切り欠きによって、型Mと基板Wとを接着した部位MW1とこの近傍の部位とが、ローラ71、型基板保持体61の少なくともいずれかに接触しないように構成されていてもよい。すなわち、接着部位MW1、ローラ71、型基板保持体61の少なくともいずれかから離れていて、ローラ71、型基板保持体61とで挟まれることがないように構成されていてもよい。ここで転写システム1の動作を、図5を参照しつつ説明する。まず、基板ストッカ7から取り出された基板Wに塗布装置9で熱硬化性樹脂Dを塗布等することで設けるS1。なお、熱硬化性樹脂Dの厚さは、たとえば、数μm~数十μmになっている。続いて、型Mと熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wとを位置決め装置3に設置し、ヒータ59で、型Mと熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wとを昇温するS3。この昇温によって、型Mと熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wとの温度が、熱硬化性樹脂Dが硬化する近傍の温度になる。なお、熱硬化性樹脂Dは、未硬化状態である。続いて、位置決め装置3で、型Mに対する基板W熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wの位置決めをするS5。続いて、型保持体21を下降させて、型Mを熱硬化性樹脂Dに接触させて、型Mを基板W熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wに重ね合わせるS7。続いて、型Mと基板W熱硬化性樹脂Dが設けられている基板Wとを接着部位MW1のところでお互いに接着することによって、型Mに対する基板Wの位置を固定し、型Mと基板Wとを一体化するS9。続いて、お互いに接着された型と基板型基板接着体MWを搬送装置13で搬送するS11。続いて、接着がなされた場所接着部位MW1から離れた場所に位置している転写装置5で、お互いが接着されて一体化した型基板接着体MWを押圧して熱硬化性樹脂Dを硬化し、転写行うS13,S15。これにより、熱硬化性樹脂Dが硬化し、型Mに形成されている微細な転写パターンM1が成形材料Dに転写される。続いて、転写がなされた型基板接着体MWを転写装置5から搬出してS17、分離装置11に搬送する。続いて、分離装置11で、型Mを基板Wと熱硬化性樹脂Dとから離しS19、型Mが分離された基板Wと熱硬化性樹脂Dとを、転写後ストッカ15まで搬送し格納する。ここで、位置決め装置3の動作についてより詳しく説明する。まず初期状態として、型保持体21が型Mを保持しており、基板設置体29に硬化前の熱硬化性樹脂Dが設けられている基板Wが設置されており、基板Wの熱硬化性樹脂Dと型Mとが所定の僅かな距離だけ離れており、ディスペンサ55とLED57とが、基板W等から所定の距離だけ離れており、リフトピン47が下降しているものとする。上記初期状態において、ヒータ59で型Mと熱硬化性樹脂Dが設けられた基板Wとを昇温し、カメラ45で型Mのアイマークと基板Wのアイマークとを撮影するアイマークの代わりに、型Mや基板Wの端部を撮影してもよい。この撮影のときに、型Mと基板WとがZ軸方向できるだけ接近していることが望ましい。ただし、熱硬化性樹脂Dと型Mとは離れているものとする。この撮影結果に応じて、XYθステージテーブル25を適宜動かし、型Mに対する基板Wの位置決めを行う。続いて、型保持体21を下降して、型Mを基板Wの熱硬化性樹脂Dに接触させる。この接触においては、押圧力型Mが基板Wや熱硬化性樹脂Dを押す力はほとんど発生しておらず、基板Wと上面と型Mの下面とがお互いに平行になってごく僅かに離れており、基板Wと型Mとの間に熱硬化性樹脂Dが存在しており、熱硬化性樹脂Dは、型Mの微細な転写パターンM1の凹凸に隙間無く入り込んでいる。なお、型保持体21を下降して型Mが基板Wの熱硬化性樹脂Dに接触し終えた後に、カメラ45で型Mのアイマークと基板Wのアイマークとを撮影し、型Mに対する基板Wの位置決めを行ってもよい。続いて、ディスペンサ支持体53を適宜移動し、基板Wと型Mとに硬化前の紫外線硬化樹脂をつける塗る。紫外線硬化樹脂つける位置は、たとえば、図4bで示すように、型M基板Wでもよいの4つの角部の近傍の部位点状の僅かな大きさの部位MW1である。続いて、LED57から紫外線を照射することで、紫外線硬化樹脂を硬化して、型Mと基板Wとを一体化する。この状態では、熱硬化性樹脂Dは未だ硬化していない。図4bで示すように、接着部MW1が点状になっているので、転写装置5の転写後型Mの微細な転写パターンM1を熱硬化性樹脂Dに転写した後、接着部MW1の除去が容易であり、型Mを基板Wと熱硬化性樹脂Dとから離しやすくなる。続いて、型保持体21による型Mの保持を止めて型保持体21を上昇し、基板保持手段31による基板の保持を止め、リフトピン47を上昇して、基板Wを基板設置体29から離し、リフトピン47を下降する。基板設置体29から離された基板Wは、搬送装置13で転写装置5に搬送される。続いて、次の型Mと基板W硬化前の熱硬化性樹脂Dが設けられている基板Wとが、位置決め装置3に設置されて上記初期状態に戻る。次に、転写装置5の動作についてより詳しく説明する。まず初期状態として、テーブル67が他端部側図3で示している状態よりの左側に位置しており、リフトピン87が下降してバキュームチャック61の凹部89に入り込んでおり、バキュームチャック61には、型基板接着体MWが真空吸着されて設置されている。また、ヒータ79により、型基板接着体MWが、熱硬化性樹脂Dが硬化する温度よりも僅かに低い温度に保たれており、ローラ支持体75が上昇しているものとする。この初期状態では、ローラ71が、型基板接着体MWの一端部図3では右側の端部の上方で型基板接着体MWから離れている。この初期状態で、ローラ71を下降し、型基板接着体MWを押圧し、この押圧している状態で、ローラ71が型基板接着体MWを加熱しながら、テーブル67を所定の速度で移動するテーブル67を左端から右端へ移動する。そして、熱硬化性樹脂Dを硬化して微細な転写パターンM1を熱硬化性樹脂Dに転写する。続いて、ローラ71を上昇してテーブル67を初期状態の位置まで戻し、バキュームチャック61による型基板接着体MWの真空吸着を止め、リフトピン87を上昇する。続いて、搬送装置で、型基板接着体MWを分離装置11まで搬送し、凹部89の入り込むまでリフトピン87を下降し、次の型基板接着体MWを搬送装置13で搬入しバキュームチャック61に設置することで初期状態に戻る。転写システム1によれば、位置決め装置3と転写装置5とが別体で構成されており、位置決め装置3で型Mに対する基板Wの位置決めをした後、型Mと基板Wとを接着して、転写装置5まで搬送して転写をするので、型Mに対する基板Wの正確な位置を維持した状態で転写をするすることができると共に、転写の際の押圧力を上げることができる。そして、正確な転写をすることができると共に転写に要する時間を短くすることができる。また、XYθステージテーブル25に設けられている基板設置体29を薄くしたり、XYθステージテーブル25の質量を小さくすることができるので、基板設置体29とXYθステージテーブル25との合計質量を小さくすることができ、XYθステージテーブル25と基板設置体29と基板Wとを軽快に速く移動位置決めすることができる。また、転写システム1によれば、成形材料Dとして熱硬化性樹脂を採用した場合、位置決め装置3にも加熱手段91を設けてあるので、基板Wと型Mとの温度変化による膨張係数が異なっていても、正確な転写をすることができる。また、位置決め装置3にも加熱手段91を設けてあるので、型Mと基板Wとをお互いに接着した後転写をするまでに、基板Wと型Mとの温度がほとんど変化せず、基板Wや型Mに熱応力が発生することを防止できる。また、転写システム1によれば、型Mと基板Wとを接着した部位MW1が、転写装置5ではローラ71から離れているので、接着により硬化している部位MW1が、ローラ71で押圧加圧されることがなく、したがって、ローラ71による均一な押圧力を、型基板接着体MWかけることができ、正確な転写をすることができる。なお、成形材料Dとして、熱硬化性樹脂に代えて、上述したように、紫外線硬化樹脂を採用してもよい。この場合、位置決め装置3において、紫外線硬化樹脂Dの一部を用いて、型Mと基板W転写によって微細な凹凸D1が形成される紫外線硬化樹脂Dが設けられている基板Wとをお互いに接着するようにしてあってもよい。成形材料Dとして紫外線硬化樹脂を採用している位置決め装置3では、たとえば、ディスペンサが不要になり、装置を簡素化することができる。型Mと基板W硬化前の紫外線硬化樹脂Dが設けられている基板Wとを、位置決め装置3に設置し、型Mを紫外線硬化樹脂Dに接触させたとき、型Mや基板Wの端部から僅かにはみ出た紫外線硬化樹脂DにLEDを照射し、僅かにはみ出た紫外線硬化樹脂Dを硬化し、型Mと基板Wとをお互いに接着して一体化するようになっている。なお、型Mと基板Wとをお互いに接着するために硬化する紫外線硬化樹脂D接着部MW1は、熱硬化性樹脂の場合と同様に、また、図4bで示すように、型M基板Wでもよいの4つの角部の近傍に位置している。また、型Mは、たとえば石英ガラス等の紫外線を透過する材料で構成されており、基板Wに設けられ型Mの転写パターンM1が転写される紫外線硬化樹脂Dの硬化は、紫外線を透過する材料で構成されたローラ71内もしくはローラ71の近傍に設けられている紫外線発生装置図示せずでなされるようになっている。紫外線発生装置は、ローラ71が型Mを押圧する線状の部位とこの近傍で、紫外線硬化樹脂Dに紫外線を照射するようになっている。なお、基板設置体29をガラスで構成し、基板Wをガラスで構成した場合において、上記紫外線発生装置を、基板設置体29の下側もしくは基板設置体29の内部に設けてもよい。さらに、熱硬化性樹脂の場合と同様にディスペンサを設け、このディスペンサから吐出された接着剤で、基板Wと型Mとをお互いに接着してもよい。ところで、すでに理解されるように、位置決め装置3の加熱手段ヒータ;加熱装置91と、転写装置5のヒータ加熱手段;加熱装置79と、転写装置5のヒータ加熱手段;加熱装置80とは、制御装置17の制御の下、それぞれが、別個の設定値によって温度制御をすることができるように構成されている独立して温度制御をすることができるように構成されている。また、上記説明では、転写装置5で、成形材料Dを硬化するようになっているが、転写装置5では、成形材料Dの硬化をせず、図1で示す転写装置5と分離装置11との間に、成形材料Dを硬化するための硬化装置を別途設けてもよい。そして、この硬化装置で成形材料Dを硬化するようにしてもよい。すなわち、成形材料Dが熱硬化性樹脂である場合には、転写装置5で成形材料Dの成形ローラ71の押圧による成形のみを行い、上記硬化装置の加熱手段加熱部;加熱装置で成形材料の硬化をするようにしてもよい。この場合、転写装置5のヒータ79,80は、基板Wと型Mと熱硬化性樹脂Dとを、熱硬化性樹脂Dが硬化する温度よりも低い温度位置決め装置3と同等の温度に維持するようになっている。また、上記硬化装置の加熱手段も、制御装置17の制御の下、他の加熱手段79,80,91とが別個に温度制御をすることができるようになっているものとする。さらに、上記硬化装置の加熱手段により、成形材料Dの温度を徐々に常温まで下げて、成形されて硬化した微細な転写パターンM1が転写された成形材料Dにアニール処理を施すようにしてもよい。また、成形材料Dが紫外線硬化性樹脂である場合には、転写装置5で成形材料Dの成形ローラ71の押圧による成形のみを行い、上記硬化装置の紫外線発生装置で成形材料の硬化をするようにしてもよい。また、成形材料Dとして、熱可塑性樹脂を採用してもよい。この場合、位置決め装置3の加熱手段91を用いて、熱可塑性樹脂Dを軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、基板Wと型Mとを加熱し、この加熱後に、型Mに対する基板Wの位置決めをする。また、転写装置5の加熱手段79を用いて、熱可塑性樹脂Dを軟化して熱可塑性樹脂Dへの微細な転写パターンM1の転写をする。さらに説明すると、転写装置5では、加熱手段79を用いて熱可塑性樹脂Dを軟化させ、この軟化した熱可塑性樹脂Dをローラ71で押圧し、型Mに形成されている転写パターンM1に対して反転している微細な凹凸D1を熱可塑性樹脂Dに形成する。この後、熱可塑性樹脂Dを冷却して、熱可塑性樹脂Dを硬化させる。なお、位置決め装置3に設置され位置決め装置3の加熱手段91で加熱される前の熱可塑性樹脂Dは、たとえば、型Mや基板Wと同様に矩形な平板状に形成されており、基板Wに一体でもしくは別体で積層されているものとする。また、熱可塑性樹脂Dの冷却は、転写装置5のヒータ79,80のスイッチを切って自然冷却でなされるが、冷却装置を設け、ヒータのスイッチを切った後、上記冷却装置を用いて、熱可塑性樹脂Dを冷却してもよい。熱可塑性樹脂Dにアニール処理を施すようにしてもよい。また、熱可塑性樹脂D基板Wと型Mとの分離は、熱可塑性樹脂Dが冷却されて硬化した後に行なわれる。また、上記説明では、基板Wに設けた成形材料Dに転写をしているが、熱可塑性樹脂で構成されている基板W自体に、型Mに設けられている転写パターンM1を転写してもよい。すなわち、基板Wと成形材料Dとが一体のものであってもよい。さらに説明すると、転写システム1の位置決め装置3や転写装置5が次のように構成されていてもよい。位置決め装置3が、型Mに対する基板W熱可塑性樹脂Dの位置決めをし、この位置決め後に、型Mと基板Wとをお互いに接着するように構成されている。転写装置5が、位置決め装置3とは別体で構成されており、位置決め装置3で位置決めされてお互いが接着された型Mと基板Wとを受け取り、型Mと基板Wとを押圧して前記転写をするように構成されている。位置決め装置3は、基板Wと型Mとを加熱する加熱手段91を備えており、位置決め装置3の加熱手段91を用いて、基板Wを軟化させて成形する温度と同等もしくは低い温度まで、基板Wと型Mとを加熱し、この加熱後に、型Mに対する基板Wの位置決めをするように構成されている。転写装置5は、お互いが接着された基板Wと型Mとを加熱する加熱手段79を備えており、転写装置5の加熱手段79を用いて、基板Wを軟化し基板Wへの微細な転写パターンM1の転写をするように構成されている。"