Y2O3を主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、Al2O3またはY2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなることを特徴とする多結晶セラミックス接合体。前記接合層を構成する複合酸化物は、Y2O3、Al2O3およびSiO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物であり、前記複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を5~400質量部、SiO2を40~1000質量部含むことを特徴とする請求項1に記載の多結晶セラミックス接合体。前記接合層を構成する複合酸化物は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物であり、前記複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を5~400質量部、SiO2を40~1000質量部、ZrO2を0.001~1000質量部含むことを特徴とする請求項1に記載の多結晶セラミックス接合体。前記第2の多結晶セラミックス基材は、Al2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の多結晶セラミックス接合体。前記第2の多結晶セラミックス基材は、従属相としてZrO2を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の多結晶セラミックス接合体。前記接合層は、厚さが5~500μmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の多結晶セラミックス接合体。前記第1の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率と、前記第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率との差の絶対値が、前記第1または第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率の大きい方の値に対して10以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の多結晶セラミックス接合体。Y2O3を主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、Al2O3またはY2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とを、接着剤を介して接着し、熱処理して接合する多結晶セラミックス接合体の製造方法であって、前記接着剤は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む接着剤であることを特徴とする多結晶セラミックス接合体の製造方法。しかし、有機系接着剤や金属ろうを用いて接合した多結晶セラミックス接合体は、半導体や液晶の製造装置中で使用したときに、接着剤に起因するダストやコンタミネーション、脱ガス等が発生して、製造装置中のウェーハ等を汚染するという課題があった。これに対し、ナノ粉末を用いて接合した多結晶セラミックス接合体は、半導体や液晶の製造装置中で使用しても不純物等は低レベルに抑えられる。しかし、ナノ粉末を用いて接合した多結晶セラミックス接合体は、接合強度が低いために破損しやすいという課題があった。また、異なる材質を直接接合した多結晶セラミックス接合体は、材質間の熱膨張差等により、剥がれが発生しやすいという課題があった。なお、多結晶セラミックス接合体の接合強度を高くするためには、より高温で焼成して接合する方法も考えられる。しかし、より高温で焼成すると、多結晶セラミックス基材に変形クリープが発生易いという課題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の多結晶セラミックス接合体およびその製造方法は、Y2O3を主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、Al2O3またはY2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とを接合する接合層を、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる3種類以上の酸化物を含む複合酸化物とすると、高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体が得られることを見出して完成されたものである。本発明の多結晶セラミックス接合体は、上記問題点を解決するものであり、Y2O3を主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、Al2O3またはY2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなることを特徴とする。また、本発明の多結晶セラミックス接合体の製造方法は、上記問題点を解決するものであり、Y2O3を主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、Al2O3またはY2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とを、接着剤を介して接着し、熱処理して接合する多結晶セラミックス接合体の製造方法であって、前記接着剤は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む接着剤であることを特徴とする。本発明の多結晶セラミックス接合体およびその製造方法によれば、高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法が得られる。[多結晶セラミックス接合体]本発明の多結晶セラミックス接合体は、第1の多結晶セラミックス基材と、第2の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された接合体である。第1の多結晶セラミックス基材本発明で用いられる第1の多結晶セラミックス基材は、接合層を介して第2の多結晶セラミックス基材と接合される多結晶セラミックス基材である。第1の多結晶セラミックス基材は、Y2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材である。ここで、第1の多結晶セラミックス基材がY2O3を主体相として含むとは、第1の多結晶セラミックス基材中のY2O3結晶相の質量比率が最も大きいことを意味する。第1の多結晶セラミックス基材は、従属相として、さらに、たとえばAl2O3、ZrO2およびSiO2等の結晶相、またはY、Al、ZrおよびSiから選ばれる元素を2種以上含む酸化物からなる結晶相もしくは非晶質相を含んでいてもよい。第1の多結晶セラミックス基材は、Y2O3結晶相の質量比率が、通常70~100質量、好ましくは90~100質量、さらに好ましくは95~100質量である。第1の多結晶セラミックス基材において、Y2O3結晶相の質量比率が上記範囲内にあると、耐プラズマ性が高いため好ましい。第2の多結晶セラミックス基材本発明で用いられる第2の多結晶セラミックス基材は、接合層を介して第1の多結晶セラミックス基材と接合される多結晶セラミックス基材である。第2の多結晶セラミックス基材は、Al2O3またはY2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材である。ここで、第2の多結晶セラミックス基材がAl2O3またはY2O3を主体相として含むとは、第2の多結晶セラミックス基材中のAl2O3結晶相またはY2O3結晶相の質量比率が最も大きいことを意味する。以下、第2の多結晶セラミックス基材について、Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材と、Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とに分けて説明する。<Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材>Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とは、第2の多結晶セラミックス基材中のAl2O3結晶相の質量比率が最も大きい多結晶セラミックス基材である。Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材は、従属相として、さらに、たとえばY2O3、ZrO2およびSiO2等の結晶相、またはY、Al、ZrおよびSiから選ばれる元素を2種以上含む酸化物からなる結晶相もしくは非晶質相を含んでいてもよい。たとえば、Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材には、従属相としてZrO2結晶相を含むものと、ZrO2結晶相を含まないものとがある。以下、Al2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材について、従属相としてZrO2結晶相を含む第2の多結晶セラミックス基材と、ZrO2結晶相を含まない第2の多結晶セラミックス基材とに分けて説明する。[Al2O3を主体相として含み従属相としてZrO2を含む第2の多結晶セラミックス基材]Al2O3を主体相として含み従属相としてZrO2を含む第2の多結晶セラミックス基材とは、第2の多結晶セラミックス基材中のAl2O3結晶相の質量比率が最も大きく、かつZrO2結晶相を含む多結晶セラミックス基材である。Al2O3を主体相として含み従属相としてZrO2を含む第2の多結晶セラミックス基材は、Al2O3結晶相の質量比率が、通常50~99質量、好ましくは70~99質量、さらに好ましくは85~99質量である。また、Al2O3を主体相として含み従属相としてZrO2を含む第2の多結晶セラミックス基材は、ZrO2結晶相の質量比率が、通常1~50質量、好ましくは1~30質量、さらに好ましくは1~15質量である。Al2O3を主体相として含み従属相としてZrO2結晶相を含む第2の多結晶セラミックス基材において、Al2O3結晶相およびZrO2結晶相の質量比率が上記範囲内にあると、第1の多結晶セラミックス基材との熱膨張率の差が小さいため好ましい。[Al2O3を主体相として含みZrO2を含まない第2の多結晶セラミックス基材]Al2O3を主体相として含みZrO2を含まない第2の多結晶セラミックス基材とは、第2の多結晶セラミックス基材中のAl2O3結晶相の質量比率が最も大きく、かつZrO2を実質的に含まない多結晶セラミックス基材である。Al2O3を主体相として含みZrO2を含まない第2の多結晶セラミックス基材は、Al2O3結晶相の質量比率が、通常90質量以上、好ましくは95~100質量、さらに好ましくは99~100質量である。Al2O3を主体相として含みZrO2を含まない第2の多結晶セラミックス基材において、Al2O3結晶相の質量比率が上記範囲内にあると、接合材との密着性が高く、基材の強度も高いため好ましい。<Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材>Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とは、第2の多結晶セラミックス基材中のY2O3結晶相の質量比率が最も大きい多結晶セラミックス基材である。Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材は、従属相として、さらに、たとえばAl2O3、ZrO2およびSiO2等の結晶相、またはY、Al、ZrおよびSiから選ばれる元素を2種以上含む酸化物からなる結晶相もしくは非晶質相を含んでいてもよい。Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材は、Y2O3結晶相の質量比率が、通常90~100質量、好ましくは95~100質量、さらに好ましくは99~100質量である。Y2O3を主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材において、Y2O3結晶相の質量比率が上記範囲内にあると、接合材との密着性親和性が高いため好ましい。なお、第2の多結晶セラミックス基材がY2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材である場合、この第2の多結晶セラミックス基材と第1の多結晶セラミックス基材とは、Y2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材である点で一致する。このため、Y2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材同士を接合層を介して接合した多結晶セラミックス接合体においては、いずれの多結晶セラミックス基材を、第1の多結晶セラミックス基材または第2の多結晶セラミックス基材と決定するかが問題となる。この場合は、Y2O3を主体相として含む多結晶セラミックス基材のいずれか一方を適宜第1の多結晶セラミックス基材と決定し、他方の多結晶セラミックス基材を第2の多結晶セラミックス基材と決定すればよい。第1の多結晶セラミックス基材と第2の多結晶セラミックス基材との平均熱膨張率の差第1の多結晶セラミックス基材と第2の多結晶セラミックス基材とは、第1の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率と、第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率との差が小さいと、多結晶セラミックス接合体が接合層で破断し難いため好ましい。具体的には、第1の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率と第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率との差の絶対値が、第1または第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率の大きい方の値に対して、通常10以下、好ましくは5以下、さらに好ましくは2以下である。第1の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率と第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率との差の絶対値が上記範囲内にあると、多結晶セラミックス基材同士の熱膨張差による内部応力が小さいため、接合の際に接合層で破断し難くなる。一方、第1の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率と第2の多結晶セラミックス基材の20~900°Cの平均熱膨張率との差の絶対値が10を越えると、多結晶セラミックス基材同士の熱膨張差による内部応力が大きいため、接合の際に接合層で破断し易くなる。接合層接合層は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなり、この複合酸化物により、第1の多結晶セラミックス基材と第2の多結晶セラミックス基材とを接合する。接合層を構成する複合酸化物は、Y2O3、Al2O3およびSiO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物、またはY2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物であると、耐プラズマ性が高いため好ましい。なお、本発明では、プラズマ処理の際に接合層を構成する複合酸化物からY、Al、SiおよびZr等の元素単体からなるコンタミネーションが発生する可能性がある。しかし、Y、Al、SiおよびZr等のコンタミネーションは、半導体製造のドライエッチングプロセスやプラズマコーティング等のプラズマ処理をあまり妨害しないため、特に問題とならない。<Y2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物>接合層を構成する複合酸化物がY2O3、Al2O3およびSiO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物である場合、Y2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を、通常5~400質量部、好ましくは50~350質量部、さらに好ましくは50~200質量部含む。また、Y2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、SiO2を、通常40~1000質量部、好ましくは100~800質量部、さらに好ましくは100~500質量部含む。接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物中のAl2O3およびSiO2の含有量が上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性および4点曲げ強度が高くなる。ここで、4点曲げ強度とは、JISR1601に準拠した4点曲げ強度を意味する。一方、接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物中のAl2O3およびSiO2の含有量が上記範囲外にあると、複合酸化物の融点が高くなりすぎるために、接合が困難になる、接合の際に多結晶セラミックス基材の変形が生じる、接合強度が低下する等の問題が生じやすくなる。接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物は、Al2O3およびSiO2の含有量がそれぞれ上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性および4点曲げ強度がより高くなるため好ましい。<Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物>接合層を構成する複合酸化物がY2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2からなるY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物である場合、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を、通常5~400質量部、好ましくは50~350質量部、さらに好ましくは50~200質量部含む。また、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、SiO2を、通常40~1000質量部、好ましくは100~800質量部、さらに好ましくは100~500質量部含む。さらに、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物は、Y2O3100質量部に対して、ZrO2を、通常0.001~1000質量部、好ましくは100~800質量部含む、さらに好ましくは200~600質量部含む。接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物中のAl2O3、SiO2およびZrO2の含有量が上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性が高くなる。一方、接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物中のAl2O3、SiO2およびZrO2の含有量が上記範囲外にあると、複合酸化物の融点が高くなりすぎるために、接合が困難になる、接合の際に多結晶セラミックス基材の変形が生じる、接合強度が低下する等の問題が生じやすくなる。接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物は、Al2O3、SiO2およびZrO2の含有量がそれぞれ上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性がより高くなるため好ましい。<接合層の厚さ>接合層は、厚さが、通常5~500μm、好ましくは25~400μm、さらに好ましくは30~250μmである。接合層の厚さが上記範囲内にあると、接合強度が高く、かつ接合層にクラックや破断が生じ難い接合層が得られる。一方、接合層の厚さが500μmを超えると、接合層にクラックや破断が生じ易くなる。また、接合層の厚さが5μm未満であると、接合強度が低くなるおそれがある。本発明の多結晶セラミックス接合体は、たとえば、半導体製造装置用または液晶製造装置用の多結晶セラミックス接合体として、使用することができる。[多結晶セラミックス接合体の製造方法]本発明の多結晶セラミックス接合体の製造方法は、第1の多結晶セラミックス基材と、第2の多結晶セラミックス基材とを、接着剤を介して接着し、熱処理して接合する方法である。本発明の多結晶セラミックス接合体の製造方法に用いられる第1の多結晶セラミックス基材および第2の多結晶セラミックス基材は、本発明の多結晶セラミックス接合体で説明したものと同じであるため、説明を省略する。接着剤本発明で用いられる接着剤は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む接着剤である。接着剤は、たとえば、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物と、水とを混合してペースト状にすることにより得られる。接着剤は、Y2O3、Al2O3、SiO2および水を含むY2O3-Al2O3-SiO2系接着剤、またはY2O3、Al2O3、SiO2、ZrO2および水を含むY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤であると、耐プラズマ性が高い接合層が得られるため好ましい。接着剤の原料として用いられるY2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2は、接着剤を第1の多結晶セラミックス基材または第2の多結晶セラミックス基材の接着面に塗布しやすいように、粉末状であることが好ましい。<Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤>接着剤がY2O3-Al2O3-SiO2系接着剤である場合、接着剤は、Y2O3、Al2O3およびSiO2を、接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2系複合酸化物と同じ質量比率で含む。すなわち、Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を、通常5~400質量部、好ましくは50~350質量部、さらに好ましくは50~200質量部含む。また、Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤は、Y2O3100質量部に対して、SiO2を、通常40~1000質量部、好ましくは100~800質量部、さらに好ましくは100~500質量部含む。Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤中のAl2O3およびSiO2の含有量が上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性および4点曲げ強度が高くなる。一方、Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤中のAl2O3およびSiO2の含有量が上記範囲外にあると、接着剤を焼成して得られる複合酸化物の融点が高くなりすぎるために、接合が困難になる、接合の際に多結晶セラミックス基材の変形が生じる、接合強度が低下する等の問題が生じやすくなる。Y2O3-Al2O3-SiO2系接着剤は、Al2O3およびSiO2の含有量がそれぞれ上記範囲内にあると、得られる多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性および4点曲げ強度がより高くなるため好ましい。<Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤>接着剤がY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤である場合、接着剤は、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2を、接合層を構成するY2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系複合酸化物と同じ質量比率で含む。すなわち、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤は、Y2O3100質量部に対して、Al2O3を、通常5~400質量部、好ましくは50~350質量部、さらに好ましくは50~200質量部含む。また、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤は、Y2O3100質量部に対して、SiO2を、通常40~1000質量部、好ましくは100~800質量部、さらに好ましくは100~500質量部含む。さらに、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤は、Y2O3100質量部に対して、ZrO2を、通常0.001~1000質量部、好ましくは100~800質量部含む、さらに好ましくは200~600質量部含む。Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤中のAl2O3、SiO2およびZrO2の含有量が上記範囲内にあると、多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性が高くなる。一方、Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤中のAl2O3、SiO2およびZrO2の含有量が上記範囲外にあると、接着剤を焼成して得られる複合酸化物の融点が高くなりすぎるために、接合が困難になる、接合の際に多結晶セラミックス基材の変形が生じる、接合強度が低下する等の問題が生じやすくなる。Y2O3-Al2O3-SiO2-ZrO2系接着剤は、Al2O3、SiO2およびZrO2の含有量がそれぞれ上記範囲内にあると、得られる多結晶セラミックス接合体の耐プラズマ性がより高くなるため好ましい。<接着剤層の厚さ>接着剤は、第1の多結晶セラミックス基材または第2の多結晶セラミックス基材の接着面に塗布される。接着剤が塗布されてなる接着剤層は、厚さが、通常5~500μm、好ましくは25~400μm、さらに好ましくは30~250μmである。接着剤層は、第1の多結晶セラミックス基材および第2の多結晶セラミックス基材とともに酸化炉等で熱処理されることにより、Y2O3、Al2O3、SiO2およびZrO2から選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなる接合層となる。熱処理の温度は、通常1400~1700°C、好ましくは1400~1600°C、さらに好ましくは1450~1550°Cである。熱処理の温度が、上記範囲内にあると、接合層の接合強度が高いため好ましい。また、熱処理の時間は、通常1~10時間、好ましくは3~6時間である。以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されて解釈されるものではない。[実施例1-1]多結晶セラミックス接合体の作製<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、イットリアY2O3のみからなる平板状のイットリア多結晶セラミックス基材を用意した基材A-1。基材A-1について、20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。20~900°Cにおける平均熱膨張率1/Kは、JISR1618に準拠して測定したものである。表1に、基材A-1の組成を示す。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、アルミナAl2O3のみからなる平板状のアルミナ多結晶セラミックス基材を用意した基材B-1。また、基材B-1について、基材A-1と同様にして、20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。表2に、基材B-1の組成を示す。<平均熱膨張率の差の比率>基材A-1の20~900°Cにおける平均熱膨張率と、基材B-1の20~900°Cにおける平均熱膨張率とから差を求め、この差を絶対値として表した。この平均熱膨張率の差の絶対値を、基材A-1の20~900°Cにおける平均熱膨張率と基材B-1の20~900°Cにおける平均熱膨張率のうちの大きい方の値で除して、平均熱膨張率の差の比率を算出した。<接着剤>接着剤として、イットリアY2O3粉末100質量部と、アルミナAl2O3粉末200質量部と、シリカSiO2粉末400質量部とを、水とともに混合して、イットリア、アルミナおよびシリカを含むペーストを作製した。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>基材A-1の表面に接着剤であるペーストを、焼成後の接合層の厚さが200μmになるように塗布し、このペーストが塗布された表面に基材B-1を載置して、基材A-1と基材B-1とが接着剤で仮接着された仮接着体を作製した。この仮接着体を、大気中、1500°Cで5時間熱処理したところ、基材A-1と基材B-1とが接合層で接合された多結晶セラミックス接合体が得られた。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、JISR1601に準じて、4点曲げ強度を測定した。4点曲げ強度測定用のサンプルは、多結晶セラミックス接合体の接合層が破断面になるように作製した。表3に、基材の種類と平均熱膨張率の差の比率を示す。表4に、ペースト中の酸化物の組成、接合層の厚さ、および4点曲げ強度の測定結果を示す。なお、以下に示す実施例および比較例についても、表3に基材の種類と平均熱膨張率の差の比率を示し、表4にペースト中の酸化物の組成、接合層の厚さ、および4点曲げ強度の測定結果を示した。[実施例1-2~1-7]接着剤であるペースト中の酸化物の組成、または接合層の厚さを表4に示すように変えた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例1-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例1-8]<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、イットリアY2O3のみからなる平板状のイットリア多結晶セラミックス基材を用意した基材A-2。基材A-2について、基材A-1と同様にして20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。表1に、基材A-2の組成を示す。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、アルミナAl2O3のみからなる平板状のアルミナ多結晶セラミックス基材を用意した基材B-2。基材B-2について、基材A-1と同様にして20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。表2に、基材B-2の組成を示す。<平均熱膨張率の差の比率>基材A-2および基材B-2について、実施例1-1と同様にして、平均熱膨張率の差の比率を算出した。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>基材A-1に代えて基材A-2を用いるとともに基材B-1に代えて基材B-2を用いた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例1-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例1-11~1-16]接着剤であるペースト中の酸化物の組成、または接合層の厚さを表4に示すように変えた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例1-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例1-17]<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、イットリアY2O3のみからなる平板状のイットリア多結晶セラミックス基材を用意した基材A-3。基材A-3について、基材A-1と同様にして20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。表1に、基材A-3の組成を示す。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、アルミナAl2O3のみからなる平板状のアルミナ多結晶セラミックス基材を用意した基材B-3。基材B-3について、基材A-1と同様にして20~900°Cにおける平均熱膨張率を測定した。表2に、基材B-2の組成を示す。<平均熱膨張率の差の比率>基材A-3および基材B-3について、実施例1-1と同様にして、平均熱膨張率の差の比率を算出した。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>基材A-1に代えて基材A-3を用いるとともに基材B-1に代えて基材B-3を用いた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例1-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例2-1]多結晶セラミックス接合体の作製<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、基材A-1を用いた。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、基材B-1を用いた。<接着剤>接着剤として、イットリアY2O3粉末100質量部と、アルミナAl2O3粉末200質量部と、シリカSiO2粉末400質量部と、ジルコニアZrO2粉末300質量部とを、水とともに混合して、イットリア、アルミナ、シリカおよびジルコニアを含むペーストを作製した。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>上記接着剤を用いた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例1-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例2-2~2-9]接着剤であるペースト中の酸化物の組成、または接合層の厚さを表4に示すように変えた以外は実施例2-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例2-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例2-10]<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、基材A-2を用いた。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、基材B-2を用いた。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>基材A-1に代えて基材A-2を用いるとともに基材B-1に代えて基材B-2を用いた以外は実施例2-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例2-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例2-11~2-17]接着剤であるペースト中の酸化物の組成、または接合層の厚さを表4に示すように変えた以外は実施例2-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例2-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[実施例2-18]<第1の多結晶セラミックス基材>第1の多結晶セラミックス基材として、基材A-3を用いた。<第2の多結晶セラミックス基材>第2の多結晶セラミックス基材として、基材B-3を用いた。<第1および第2の多結晶セラミックス基材の接合>基材A-1に代えて基材A-3を用いるとともに基材B-1に代えて基材B-3を用いた以外は実施例2-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体を作製した。多結晶セラミックス接合体の評価得られた多結晶セラミックス接合体について、実施例2-1と同様にして4点曲げ強度を測定した。[比較例1および2]接着剤であるペースト中の酸化物の組成、または接合層の厚さを表4に示すように変えた以外は実施例1-1と同様にして、多結晶セラミックス接合体の作製を試みた。しかし、基材A-1と基材B-1とは、接合できなかった。