"第1の導電膜を成膜する工程と、前記第1の導電膜をパターニングすることにより、下層配線、下層配線端子、第一形成領域のアライメントマーク及び第二形成領域のアライメントマークを形成する工程と、層間平坦化膜を塗布する工程と、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマーク上層の前記層間平坦化膜を除去する工程と、第2の導電膜を成膜する工程と、前記第二形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークを同時にエッチングする工程と、保護膜を成膜する工程と、前記第一形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも前記保護膜に開口部を形成する工程とを備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。前記第二形成領域の前記層間平坦化膜を開口する工程において、前記下層配線端子の一部を開口するような開口部を設け、前記第2の導電膜のパターニング工程において、前記下層配線端子の一部を開口するような前記開口部を介して前記下層配線端子と接続する下層配線端子パターンを形成することを特徴とした請求項1に記載のタッチパネル基板の製造方法。第1の導電膜を成膜する工程と、第1の導電膜で形成される下層配線,下層配線端子,第一形成領域のアライメントマーク及び第二形成領域のアライメントマークをパターニングする工程と、前記第一形成領域の前記アライメントマークは被覆し、前記第二形成領域の前記アライメントマークを被覆しない様に層間平坦化膜を塗布する工程と第2の導電膜を成膜する工程と、前記第二形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークを同時にエッチングする工程と、保護膜を成膜する工程と、前記第一形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも前記保護膜に開口部を形成する工程とを備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。第1の導電膜で形成された下層配線と下層配線端子とアライメントマークと前記下層配線と前記下層配線端子と前記アライメントマークを覆うように形成された層間平坦化膜と前記層間平坦化膜上に第2の導電膜で形成された上層配線と上層配線端子と前記層間平坦化膜と前記上層配線と前記上層配線端子を覆い、かつ前記下層配線端子及び前記上層配線端子の少なくとも一部を開口するように形成された保護膜とを有するタッチパネルにおいて前記層間平坦化膜が除去された領域において、前記アライメントマークをマスクとして前記第1導電膜の下層絶縁膜の一部がエッチングされていることを特徴とするタッチパネル基板。第1の導電膜を成膜する工程と、第1の導電膜で形成される下層配線,下層配線端子,アライメントマークをパターニングする工程と、層間平坦化膜を塗布する工程と、第2の導電膜の成膜においてタッチパネル領域の膜厚よりアライメントマーク領域の膜厚を薄く形成する工程と、前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される上層配線と上層配線端子をパターニングする工程と、保護膜を成膜する工程と、前記アライメントマークを用いて少なくとも端子部が開口した開口部を前記保護膜に形成する工程とを備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。従来技術においては、アライメント性を向上させるために、下層のアライメントマークを直接あるいは光学的に露出させてから、上層のパターン形成を行う形態についての記載が見られる。これにより、層間平坦化膜の上層のパターン形成の際に下層のアライメントマークを用いたアライメントが可能となる。しかし、特許文献2においては、平坦化膜上に成膜する際に生じる問題についての記載は無い。また、特許文献1に記載されている形態を適用する際には、第1の導電膜と第2の導電膜とが同じエッチング液でエッチングされるような材料からなる場合、特に第1の導電膜と第2の導電膜とが同じ材料である場合に問題が生じることとなる。具体的には、層間平坦化膜を除去することにより第1の導電膜で形成されたアライメントマークを露出した後に、第2の導電膜を成膜して上層配線7等のパターン以外の膜をエッチング除去するが、その際に露出していた当該アライメントマークも除去されてしまう問題が生じる。この状況を図17を用いて説明する。図17は図16と同様にタッチパネルの断面図を示したものである。図17において、ガラス等の基板1上に、第1の導電膜からなるパターンとして下層配線2、下層配線端子3、アライメントマーク4が形成されて、さらにその上層に層間平坦化膜6が形成されている。層間平坦化膜6は一部が除去されることにより、たとえばアライメントマーク4が露出されている。そして、層間平坦化膜6と、露出したアライメントマーク4とを覆うようにして、第2の導電膜10が成膜されている。ここで、図17においては、アライメントマーク4の凹凸を反映した表面形状を検出することが可能なので、当該表面形状を基にアライメントすることによりレジスト11のパターニングがなされている。この状態において、レジスト11に覆われていない第2の導電膜10をエッチング除去する際に、第1の導電膜もエッチングされてしまう状況が生じうる。この場合、第1の導電膜からなるアライメントマーク4を基にして第2の導電膜をパターニング形成することができるものの、第2の導電膜よりも上層の膜をパターニングする際には第1の導電膜からなるアライメントマーク4は消失していることになる。したがって、第2の導電膜よりも上層の膜をパターニングする際のアライメントマークとしては、第2の導電膜からなるアライメントマークを用いざるをえないこととなる。そのため、第2の導電層より上層に形成される構造物のパターンは第2の導電層で形成されたアライメントマークを元にパターニングを行う為、第1の導電層で形成されたパターンとのアライメント精度が劣化するという問題があった。本発明は、第2の導電層のパターンと第1の導電層とのアライメント精度を有しつつ、第2の導電層よりも上層に形成される構造物のパターンと第1の導電層とのアライメント精度も向上させることを目的とする。第1の導電膜を成膜する工程と、前記第1の導電膜をパターニングすることにより、下層配線、下層配線端子、第一形成領域のアライメントマーク及び第二形成領域のアライメントマークを形成する工程と、層間平坦化膜を塗布する工程と、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマーク上層の前記層間平坦化膜を除去する工程と第2の導電膜を成膜する工程と、前記第二形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークを同時にエッチングする工程と、保護膜を成膜する工程と、前記第一形成領域の前記アライメントマークを用いて前記保護膜に開口部を形成する工程とを備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。第2の導電層のパターンと第1の導電層とのアライメント精度を有しつつ、第2の導電層の上層に形成された構造物のパターンと第1の導電層のパターンとのアライメント精度を向上させることが出来る。実施の形態1タッチパネルを例にとって、本実施の形態1について説明する。図1に、ガラス等の基板1上に配列されたパターン概略を示す。ガラス基板には1つ以上のタッチパネル100と、タッチパネルの形成に用いるアライメントマークを配置する領域101が設けられている。図2、図3に、タッチパネルの平面図と断面図を各々示す。タッチパネル100は第1の導電膜で形成された下層配線2及び下層配線端子3と、第1の導電膜上に形成された層間平坦化膜6と、層間平坦化膜6上に形成された第2の導電膜で形成された上層配線7と上層配線端子8と、第2の導電膜上に形成された保護膜9にて構成されている。下層配線端子3は第1導電膜上の層間平坦化膜6及び保護膜9を除去したコンタクトホールである開口部CH1を介して、また、上層配線端子8は第2の導電膜上の保護膜9を除去したコンタクトホールである開口部CH2を介して、それぞれ外部回路との電気的接続を形成する。図4にアライメントマーク領域の平面図を示す。また、図4においてB-Bで示した箇所の断面図を図5に示す。図5a~dは断面図の一例を各々示したものである。図4においてアライメントマーク領域101は、アライメントマーク第一形成領域102とアライメントマーク第二形成領域103とを有している。ここで、図5aから、アライメントマーク第二形成領域103は開口部CH3内に形成されている。図5aに示すアライメントマーク第一形成領域102においては、第1の導電膜で形成されたアライメントパターン4と、その上層に少なくとも層間平坦化膜6が形成されている。また、図5aに示すアライメントマーク第二形成領域103は、層間平坦化膜6に設けられた開口部CH3内に設けられており、開口部CH3内には保護膜9が形成されている。図17で説明したように層間平坦化膜6の開口内においては製造工程の途中までは第1の導電膜で形成されたアライメントパターン4が形成されている。しかし、図5aに示すようにタッチパネル100が完成した時点ではアライメントパターン4は消失している。このように、アライメントマーク第二形成領域103においては第1の導電膜で形成されたアライメントパターン4は最終的に残存しないが、層間平坦化膜6の開口の方法によってはその痕跡を残すこともあり、図5b~図5dにその一例を示す。図5bの様に第1の導電膜で形成したアライメントマーク4のパターンに沿ってガラス基板1がエッチングされる場合もあるが、この場合には第1の導電膜はエッチングされておりアライメントマーク4としては機能しない状態となっている。なお、図5a、図5bにおいて保護膜9はアライメントマーク領域101において残存した状態を示したが、図5cの様に保護膜9が除去されて、アライメントマーク第一形成領域102の第1の導電膜で形成したアライメントマーク4上には層間平坦化膜6のみが残存する構造でもよい。さらには図5dの様に保護膜9及び層間平坦化膜6が除去されて、アライメントマーク第一形成領域102において第1の導電膜で形成したアライメントマーク4が露出する構造でもよい。保護膜9が除去された構造において、保護膜のエッチング時に保護膜9と層間平坦化膜6の選択比が十分大きくかつ下層端子の開口部CH1において予め層間平坦化膜6の開口がなされている場合は図5cとなり、選択比が小さい場合または下層端子3の開口部CH1は層間平坦化膜6と保護膜9の開口処理を同時に行い形成した場合は図5dの断面形状となる。なお図5c、図5dにおいてはガラス基板1に第1導電膜で形成したアライメントパターンの跡5が残る場合について示したが、エッチング条件によって図5aの様に残らない場合もある。また、アライメントマーク4として四角パターンを並べた形状を示したが、他のパターン例えば井桁いげたパターン等を用いてもよい。次に、本実施の形態1における製造方法について説明する。ガラス等の基板1上に第1の導電膜、例えばAl系合金をスパッタ法にて成膜する。次に写真製版処理で下層配線2、下層配線端子3及びアライメントマーク4等を形成するためのレジストパターンを形成する。次に、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混液を用いて、レジストに覆われずに露出している第1の導電膜をエッチングする。次に、レジスト剥離液にて残存するレジストを除去する。このようにして、下層配線2、下層配線端子3、アライメントマーク4が形成される。この状態を図6a、図6bに示す。ここで、図6aは、図2のA-Aで示されるように配線端子3、8を含むパネル100の工程断面図である。また、図6bは図4のB-Bで示されたアライメントマーク領域101の工程断面図である。図6aにおいて、第1の導電膜を用いた下層配線2と下層配線端子3がパネル内に形成されている。また、図6bにおいて、アライメントマーク領域101においてはアライメントマーク第一形成領域102とアライメントマーク第二形成領域103に第1の導電膜を用いたアライメントマーク4が形成されている。なお、第1の導電膜としてAl系合金を挙げたが、配線抵抗を低減できるAl系合金の積層膜、Cu等の低抵抗金属の積層膜でもよい。第1の導電膜のパターンを形成した後に、層間平坦化膜6として、例えば有機SiO2系材料を塗布し焼成する。次に写真製版処理により、アライメントマーク形成領域103にて開口して層間平坦化膜6を露出するレジストパターン11を形成する。本工程の写真製版処理では、アライメントマーク第一形成領域102とアライメントマーク第二形成領域103のどちらのアライメントマーク4を用いても同じ精度で重ね合わせが可能である。次にドライエッチ法を用いてレジストパターン11の開口部分で露出する層間平坦化膜6をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いて残存するレジストを除去する。この状態を図7a、図7bに示す。ここで、図7aは、図2のA-Aで示された箇所の工程断面図であり、図7bは図4のB-Bで示された箇所の工程断面図である。図7aにおいて、パネル内では下層配線2及び下層配線端子3上には層間平坦化膜6が形成されている。一方、図7bにおいて、アライメントマーク第一形成領域102では第1の導電膜で形成したアライメントマーク4上を層間平坦化膜6が覆っているが、アライメントマーク第二形成領域103においては層間平坦化膜6に開口部CH3が形成され、第1の導電膜で形成されたアライメントマーク4は露出している。ここで、図示しないが、たとえば層間平坦化膜6と基板1の材料であるガラスとのエッチング選択比が低かったり、オーバーエッチング時間が長かったりするドライエッチング条件の場合には、アライメントマーク4で覆われていないガラス基板表面がエッチングされることがある。そのような場合には、アライメントマーク第二形成領域103は、図5b~図5dに示したような構造となる。なお、層間平坦化膜6として有機SiO2系の平坦化膜を示したが、無機SiO2系でもよくさらにはアクリル系やポリイミド系等の有機膜でもよい。また、層間平坦化膜6のパターニングとしてレジストパターンを用いたドライエッチングにて形成する方法を示したが、層間平坦化膜6に感光機能を付加した材料を用いて層間平坦化膜6の塗布後に露光、現像にてパターニングする方法を用いてもよい。この場合、感光基による着色を抑制するためブリーチング露光などの追加処理をするのが好ましい。次に層間平坦化膜6上に第2の導電膜10、例えば第1の導電膜と同材料のAl系合金をスパッタ法にて成膜する。次に写真製版処理で上層配線7及び上層配線端子8等のレジストパターン11を形成する。この状態を図8に示す。ここで、図8aは、図2のA-Aで示された箇所の工程断面図であり、図8bは図4のB-Bで示された箇所の工程断面図である。図8aにおいて、パネル内では上層配線7及び上層配線端子8を形成するレジスト11がパターニングされている。一方、図8bにおいて、アライメントマーク第一形成領域102、アライメントマーク第二形成領域103ではレジストパターンは形成されておらず、開口部CH3内で露出していたアライメントマーク4上を第2の導電膜10が覆っている。本工程の写真製版処理においては、層間保護膜を開口しているアライメントマーク第二形成領域103のアライメントマーク4を用いて行う。すなわち、図8bに示されるように、第2の導電膜10はアライメントマーク4上を覆っており、アライメントマーク4の凹凸を反映した表面形状をなしている。第2の導電膜10で覆われたこの凹凸をアライメントマークとして用いることにより、上層配線7及び上層配線端子8等を形成するためのレジストパターン11を形成するのである。これにより、第2の導電膜10のパターニングは、第1の導電膜からなるアライメントマーク4を基にして行うことが可能となる。次に例えば燐酸と硝酸と酢酸の混液を用いて第2の導電膜10をエッチングする。次にレジスト剥離液にて残存するレジストを除去する。この状態を図9に示す。ここで、図9aは、図2のA-Aで示された箇所の工程断面図であり、図9bは図4のB-Bで示された箇所の工程断面図である。図9aにおいて、パネル内では上層配線7及び上層配線端子8が形成されている。一方、図9bにおいて、アライメントマーク第二形成領域103では層間平坦化膜6を開口して露出されたアライメントマーク4が第2の導電膜10のエッチングにおいて同時にエッチングされ除去されている。言い換えれば、この第1の導電膜からなるアライメントマーク4は、第2の導電膜10のパターン形成の際のアライメントマークとして用い尽くされたことになる。なお、第2の導電膜として第1の導電膜と同様に配線抵抗を低減できるAl系合金を示したが、Al系合金の積層膜、Cu等の低抵抗金属の積層膜でも良い。また、第2の導電膜と第1の導電膜とは必ずしも同じ材料でなくとも、本発明の実施の形態による効果を奏することが可能である。すなわち、第1の導電膜と第2の導電膜とのエッチング選択性が低いような関係であってもよい。たとえば、第1の導電膜がアルミで、第2の導電膜がモリブデンであって、第2の導電膜のエッチング液に燐酸と硝酸と酢酸の混液を使用してもよい。この場合、第2の導電膜であるモリブデンが溶解するだけでなく、第1の導電膜のアルミも溶解するが、本発明の実施の形態1による効果を享受することが可能である。第2の導電膜のパターンを形成した後に保護膜9として例えば有機SiO2系材料を塗布し焼成する。この状態を図10に示す。ここで、図10aは、図2のA-Aで示された箇所の工程断面図であり、図10bは図4のB-Bで示された箇所の工程断面図である。次に写真製版処理にて、下層配線端子3及び上層配線端子8部分を開口したレジストパターン図示せずを形成する。本工程の写真製版処理においては、アライメントマーク第一形成領域102の層間保護膜6に覆われているアライメントマーク4を用いて行う。先に第2の導電膜10のパターニングの際に用いたアライメントマーク第二形成領域103のアライメントマークはエッチングにより除去されてしまったが、アライメントマーク第一形成領域102のアライメントマークは残存しているので、第2導電膜10の上層のパターニングに関する本工程においても第1の導電膜のパターンを基にしたパターニングが可能となるのである。その後はレジストパターンをエッチングマスクとして、ドライエッチング法を用いて保護膜9と層間平坦化膜6をエッチングした後にレジスト剥離液により残存するレジストを除去すれば、図2~5に示す構造となる。なお、保護膜として有機SiO2系の平坦化膜を示したが、無機SiO2系、アクリル系やポリイミド系等の有機膜でもよく、さらにはCVD法を用いた無機絶縁膜や複合膜でもよい。本実施の形態1において、下層配線端子3を開口する開口部CH1は、保護膜9を成膜した後に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして保護膜9と層間平坦化膜6を一括してエッチング除去することによって形成されている。一方、コンタクトホールを開口する際に、保護膜9と層間平坦化膜6とを一括してエッチングするのではなく、保護膜9へのコンタクトホール開口工程と、層間平坦化膜6へのコンタクトホール開口工程とを別にしても良い。このような製造方法について、図11を用いて説明する。図11aは、コンタクトホールCH4が開口されている点を除くと図7aと同じである。別の言い方をすると、図7bに示すアライメントマーク形成領域101において層間平坦化膜6を除去するのと同時に、下層配線端子3上の層間平坦化膜6も除去した場合に図11aに示す構造となる。図11bは、図11aに示す構造に第2の導電膜10を形成してパターニングを行い、上層配線7、上層配線端子8に加えてCH4を覆うようにして下層配線端子パッド12をも形成した構造である。なお、図11bは層間平坦化膜6に開口したコンタクトホールCH4を介して、下層配線端子と接続する下層配線端子パッド12が形成されている点を除くと図9aと同じである。別の言い方をすると、図9aにおいて第2の導電膜10のパターン形成の際に、上層配線7、上層配線端子8に加えて、CH4を覆うようにして下層配線端子パッド12も形成すると、図11bに示す構造となる。図11cは、図11bに示す構造に保護膜9を形成した後に保護膜9に開口部CH2を設けて下層配線端子パッド12を露出したような構造である。また、開口部CH2は上層配線端子8上にも形成されている。なお、図11cでは下層配線端子パッド12上において開口部CH4と開口部CH2とが重なっているが、第1の導電膜で形成された下層配線2と開口部CH4を介して電気的接続された第2の導電膜で形成された下層配線端子パッド12上に開口部CH2が開口されていれば電気的接続関係は保たれるので、開口部CH4と開口部CH2は離れた場所に形成されていてもよい。本実施の形態1では、層間平坦化膜6、上層配線7、保護膜9の全てについて下層配線形成時のアライメントマークを元に写真製版処理が行える為、各層間のパターンの重ねずれを小さくできるので加工精度のよいタッチパネルを提供することが出来る。実施の形態2層間平坦化膜を塗布した状態のガラス基板を示した図12aと、その時のアライメントマーク領域の断面を示した図12bを用いて、本実施の形態2について説明する。なお、図12bは、図12aにおいてC-Cで示した箇所の断面図である。また、製造工程という観点では、図12bは図7bとほぼ対応する。図12aにおいて、ガラス基板1上には複数のタッチパネル100の形成領域があり、ガラス基板1の周縁部にはアライメントマーク領域101が形成されている。ガラス基板1上に層間平坦化膜が塗布されている領域が層間平坦化膜塗布領域104であり、各アライメントマーク領域101の一部を覆うような領域となっている。すなわち、各アライメントマーク領域101には層間平坦化膜6が塗布されている領域104と塗布されていない領域とがあることになる。図12bのアライメントマーク形成領域101において、層間平坦化膜6が形成されており、第1の導電膜のパターンが覆われている領域がアライメントマーク形成領域102である。図12bにおけるアライメントマーク第一形成領域102は図12aにおける層間平坦化膜塗布領域104の一部である。一方で、層間平坦化膜6が形成されておらず、第1の導電膜のアライメントマーク4が露出している領域がアライメントマーク形成領域103である。実施の形態1においては、アライメントマーク第一形成領域102とアライメントマーク第二形成領域103の位置関係は任意の配置関係をとっていたが、本実施の形態ではアライメントマーク第二形成領域103はアライメントマーク第一形成領域102よりも基板1の外側に配置されていることが、層間平坦化膜6を形成する上で望ましい配置である。また、実施の形態1においては、アライメントマーク第二形成領域103における層間平坦化膜6の開口部CH3は写真製版等の処理によって実施したが、本実施の形態においては層間平坦化膜6の塗布時の条件設定により第1の導電膜で形成したアライメントマーク4を露出させることを特徴としている。すなわち、本実施の形態においては、層間平坦化膜6を塗布し終えた時点でアライメントマーク4は既に露出していることとなる。塗布条件としては、層間平坦化膜材料を塗布するノズルのスキャン開始位置を領域103よりもガラス基板1の内側で、かつ、アライメントマーク第一形成領域102よりもガラス基板1の外側となるような領域に設定する。そして、スキャン終了位置は、スキャン開始位置に近接するガラス基板1の辺と対向する辺において、アライメントマーク第二形成領域103よりもガラス基板1の内側で、かつ、アライメントマーク第一形成領域102よりもガラス基板1の外側となるような領域に設定する。なお、スキャン開始位置とスキャン終了位置でのにじみ等の影響を受けないようにアライメントマーク第二形成領域103を配置することが望ましい。本実施の形態では、層間平坦化膜のエッチング加工等を行わなくても、第2の導電膜のレジストパターン用に第1の導電膜で形成したアライメントマークを露出させることが可能である。したがって、工程の削減が可能となる。さらに、層間平坦化膜を塗布する際のスキャン開始終了位置はレシピにて設定が可能なので、他機種のパネル配置であっても簡単に対応することが可能である。その他の製造工程については、実施の形態1と同様としてよい。実施の形態3第2の導電膜をパターニングするための写真製版版処理をした後におけるアライメントマーク形成領域の断面を示した図13aと、第2の導電膜をパターニングした状態の断面を示した図13bを用いて、本実施の形態3について説明する。なお、工程という観点では、図13aは図8bと、図13bは図9bとほぼ対応する。図13aにおいて、アライメントマーク第二形成領域103では、層間平坦化膜6の開口部CH3内に形成されている第1の導電膜からなるパターン上を覆う第2の導電膜10の上層にレジストパターン11が形成されている。図13bは、図13aに示す構造から、レジストパターンをマスクとして第2の導電膜10をエッチング除去して、さらに残存するレジストパターンを剥離除去した構造を示している。アライメントマーク第二形成領域103においては、第1の導電膜のパターンはエッチングによっても消失することなく、第2の導電膜10に覆われたまま残存している。本実施の形態においては、第2の導電膜のパターニング時にアライメントマーク第二形成領域103をレジストパターンで覆うことにより第1の導電膜で形成したアライメントマーク4が消失することを防止できる。したがって、同一のアライメントマークを用いることが出来る。すなわち、実施の形態1においては、第2の導電膜のパターニングの際には、アライメントマーク第二形成領域103のアライメントマークを用いる一方で、第2の導電膜10よりも上層のパターニングの際にはアライメントマーク第一形成領域102のアライメントマークを用いていたが、本実施の形態においては、いずれのパターニングの場合においてもアライメントマーク第二形成領域103のアライメントマークを用いることができるのである。実施の形態4実施の形態1~3においては、第1導電膜からなるアライメントマークを覆う層間平坦化膜を除去してアライメントマークを露出させる工程を有していた。本実施の形態においては、そのような工程すら削減できる点で実施の形態1~3と異なる。第2の導電膜を成膜した状態における本実施の形態4にかかるガラス基板を図14aに示す。また、ガラス基板上に形成されるタッチパネルの断面を図14bに、アライメントマーク領域の断面を図14cに示す。図14bに示すとおり、第2の導電膜10はタッチパネル100の形成領域においては膜厚d1で形成されている。その一方で、図14cに示すようにアライメントマーク領域101においては、第2の導電膜10はタッチパネル100の領域における膜厚d1より薄い膜厚d2で成膜されている。膜厚d2は露光装置のアライメント光が透過する膜厚であることが望ましく、さらにはアライメントマーク領域101において第2の導電膜は成膜されていなくてもよい。第2の導電膜10において厚みを薄くした領域においては、下層のアライメントマーク4は物理的には層間平坦化膜6によって覆われているものの光学的には露出しているともいえる。なお、スパッタ成膜にて、膜厚d1>d2とする方法として、装置への膜防着用のスパッタ防着マスクの開口形状をパネル形成領域に設定する方法や、スパッタ時のマグネットスキャンスピードをアライメントマーク領域>パネル領域に設定する方法や、スパッタ時のマグネットのスキャン領域をアライメントマーク領域までのスキャンとパネル領域までのスキャンとを組み合わせて設定する等の方法が挙げられる。以上のように防着マスクの使用やスキャン領域の調整により第2の導電膜10の膜厚に差を設ける場合には加工精度の点などから特に、アライメントマーク4は基板1の周辺に配置されるのが望ましい。本実施の形態4においては層間平坦化膜6を開口したアライメントマーク第一形成領域103を形成する必要がなく、層間平坦化膜6に覆われた状態のアライメントマーク第一形成領域102のアライメントマーク4を用いて第2の導電膜のレジストパターンを形成する。本実施の形態4では層間平坦化膜下の第1の導電膜で形成した第2の導電膜のレジストパターン用のアライメントマークを層間平坦化膜のエッチング加工処理等を行わなくても検出できるので工程の削減が可能となる。"