金属基板と、前記金属基板上に配置される半導体素子と、前記金属基板上に一端が配置され、前記半導体素子と電気的に接続される可撓性回路基板であって、前記金属基板の縁部を越えて前記金属基板の外側に延在する可撓性回路基板と、前記金属基板の外周縁部のうちの、少なくとも、前記可撓性回路基板が越えて延在する前記金属基板の縁部に配置され、該縁部では前記可撓性回路基板上に設けられる樹脂壁部と、前記樹脂壁部よりも内側で前記金属基板を覆うように設けられる樹脂封止部とを含むことを特徴とする、半導体装置。前記樹脂壁部は、前記金属基板の外周縁部に全周に亘って設けられる、請求項1に記載の半導体装置。前記樹脂封止部は、前記樹脂壁部により囲まれる前記金属基板の領域全体を覆うように設けられる、請求項2に記載の半導体装置。前記可撓性回路基板は、前記金属基板上で前記半導体素子とボンディングワイヤにより接続され、前記樹脂壁部の高さは、前記金属基板上で前記ボンディングワイヤの高さよりも高く、前記樹脂封止部は、前記ボンディングワイヤを覆うように設けられる、請求項1~3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置。金属基板上に半導体素子を配置するステップと、可撓性回路基板の一端が前記金属基板の縁部を越えて前記金属基板の外側に延在する態様で前記金属基板上に前記可撓性回路基板の他端を取り付けると共に、前記可撓性回路基板を前記半導体素子に電気的に接続するステップと、前記可撓性回路基板が取り付けられた前記金属基板の外周縁部に全周に亘って樹脂壁部を形成するステップと、前記樹脂壁部により囲まれる前記金属基板の領域全体を覆うように樹脂封止部を形成するステップとを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。しかしながら、上記の特許文献1に記載の技術のように、制御端子を介して電子部品を外部と電気的に接続する構成では、基板より外側に制御端子が配置されるので、半導体装置のサイズが大きくなるという問題点がある。この点、基板上に可撓性回路基板を直接取り付けることで、基板上の半導体素子と外部との電気的接続を実現する構成では、半導体装置のサイズを小さくできる点で有利である。しかしながら、かかる構成では、基板上を樹脂で封止する際に、樹脂が可撓性回路基板を伝って基板よりも外側にはみ出す虞がある。そこで、本発明は、樹脂が可撓性回路基板を伝って基板よりも外側にはみ出すことを適切に防止することができる半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一局面によれば、金属基板と、前記金属基板上に配置される半導体素子と、前記金属基板上に一端が配置され、前記半導体素子と電気的に接続される可撓性回路基板であって、前記金属基板の縁部を越えて前記金属基板の外側に延在する可撓性回路基板と、前記金属基板の外周縁部のうちの、少なくとも、前記可撓性回路基板が越えて延在する前記金属基板の縁部に配置され、該縁部では前記可撓性回路基板上に設けられる樹脂壁部と、前記樹脂壁部よりも内側で前記金属基板を覆うように設けられる樹脂封止部とを含むことを特徴とする、半導体装置が提供される。本発明によれば、樹脂が可撓性回路基板を伝って基板よりも外側にはみ出すことを適切に防止することができる半導体装置及びその製造方法が得られる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。図1は、本発明の一実施例による半導体装置1の要部を示す斜視図である。図2は、半導体装置1の主要断面図である。尚、図1においては、都合上、図2に示されている半導体装置1の絶縁層30、ヒートシンク40、樹脂壁部70及び樹脂封止部72についての図示が省略されている。尚、半導体装置1の上下方向は、半導体装置1の搭載状態に応じて上下方向が異なるが、以下では、便宜上、半導体装置1のヒートスプレッダ20に対して半導体チップ10側を上方とする。また、用語の定義として、外側及び内側とは、ヒートスプレッダ20の上面に垂直な面直視でヒートスプレッダ20の中心を基準とする。即ち、外側とは、面直視でヒートスプレッダ20の中心から離れる側を指し、内側とは、面直視でヒートスプレッダ20の中心の向かう側を指す。尚、ヒートスプレッダ20の中心は凡そであればよく、厳密に決定されるべき性質のものでない。半導体装置1は、例えば、ハイブリッド車又は電気自動車で使用されるモータ駆動用のインバータを構成するものであってよい。半導体装置1は、図1及び図2に示すように、半導体チップ10と、ヒートスプレッダ20と、絶縁層30と、ヒートシンク40と、FPCflexibleprintedcircuit90と、樹脂壁部70と、樹脂封止部72とを含む。半導体チップ10は、パワー半導体素子を含む。半導体チップ10は、ヒートスプレッダ20上に半田50により接合される。図示の例では、半導体チップ10は、1つのヒートスプレッダ20に対して2つ設けられ、それぞれ、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorと、FWDFreeWheelingDiodeである。この場合、IGBTは、上面にエミッタ電極を備え、下面にコレクタ電極を備える。また、FWDは、上面にアノード電極を備え、下面にカソード電極を備える。尚、半導体チップ10が含むパワー半導体素子の種類や数は、任意である。また、半導体チップ10は、IGBTに代えて、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorのような他のスイッチング素子を含んでもよい。半導体チップ10の上面には、第1接続端子12が半田50により固着接合される。図示の例では、第1接続端子12のそれぞれの脚部の下端は、それぞれ、IGBTのエミッタ電極と、FWDのアノード電極に半田50により接合される。第1接続端子12の上部は、バスバー図示せずに例えばレーザ溶接により接合されてもよい。ヒートスプレッダ20は、半導体チップ10で発生する熱を吸収し拡散する部材である。ヒートスプレッダ20は、例えば銅、アルミなどの熱拡散性の優れた金属から形成される。本例では、一例として、ヒートスプレッダ20は、銅により形成される。銅としては、伝導率が銅材の中で最も高い無酸素銅が好適である。ヒートスプレッダ20の上面には、第2接続端子14が半田等により接合される。尚、ヒートスプレッダ20には、半導体チップ10としてのIGBTのコレクタ電極及び半導体チップ10としてのFWDのカソード電極が接続されるので、第2接続端子14は、IGBTのコレクタ電極の取り出し部を構成する。第2接続端子14は、第1接続端子12と同様、バスバー図示せずに例えばレーザ溶接により接合されてもよい。絶縁層30は、樹脂接着剤や樹脂シートから構成されてよい。絶縁層30は、例えばアルミナをフィラーとした樹脂で形成されてもよい。絶縁層30は、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40の間に設けられ、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40に接合する。絶縁層30は、ヒートスプレッダ20とヒートシンク40との間の電気的な絶縁性を確保しつつ、ヒートスプレッダ20からヒートシンク40への高い熱伝導性を確保する。ヒートシンク40は、熱伝導性の良い材料から形成され、例えば、アルミなどの金属により形成される。ヒートシンク40は、図2に示すように、下面側にフィン42を備える。フィン42の数や配列態様は任意である。フィン42は、図示のようなストレートフィンであってもよいし、その他、ピンフィンの千鳥配置等で実現されてもよい。半導体装置1の実装状態では、フィン42は、冷却水や冷却空気のような冷却媒体と接触する。このようにして、半導体装置1の駆動時に生じる半導体チップ10からの熱は、ヒートスプレッダ20、絶縁層30を介して、ヒートシンク40のフィン42から冷却媒体へと伝達され、半導体装置1の冷却が実現される。FPC90は、上面ヒートスプレッダ20に接合される側とは逆側の表面に、ボンディングワイヤ80に接続される配線図示せずが形成プリントされる。FPC90は、図1及び図2に示すように、ヒートスプレッダ20上に一端が取り付けられる。FPC90は、ヒートスプレッダ20上に例えば接着剤により接合されてもよい。図示の例では、FPC90は、ヒートスプレッダ20側に、幅広の端部90aを有し、この端部90aがヒートスプレッダ20上に接合される。図示の例では、FPC90の端部90aは、ヒートスプレッダ20上における半導体チップ10に隣接する領域に接合される。また、FPC90は、図1及び図2に示すように、端部90aから他端側へと延在する部位がヒートスプレッダ20の縁部を越えてヒートスプレッダ20の外側へと延出する態様で、配置される。FPC90は、図1及び図2に示すように、ヒートスプレッダ20上でボンディングワイヤ80により半導体チップ10に接続される。図示の例では、FPC90は、ボンディングワイヤ80によりIGBT半導体チップ10の一例に電気的に接続される。FPC90は、複数個のボンディングワイヤ80で半導体チップ10に接続されてもよい。複数個のボンディングワイヤ80は、例えば、IGBTのスイッチング用の制御線ゲート信号線、エミッタ信号線や、チップ温度検出用の線、センス端子等を形成するものであってよい。ここで、図2、図3及び図4を参照しつつ、樹脂壁部70及び樹脂封止部72について説明する。図3は、図1に樹脂壁部70が図示された図である。図4は、図1に樹脂壁部70及び樹脂封止部72が図示された図である。従って、図2は、図4に示す半導体装置1の主要断面図に相当する。樹脂壁部70は、図3に示すように、ヒートスプレッダ20の周縁部の全周に亘って設けられる。従って、樹脂壁部70は、図2に示すように、FPC90がヒートスプレッダ20を越える縁部ヒートスプレッダ20におけるFPC90が上を通過する縁部においては、FPC90上に設けられる。樹脂壁部70は、ヒートスプレッダ20の周縁部の全周に沿って、樹脂材料を配置することにより形成されてよい。樹脂壁部70は、いわゆるダム材として機能する粘度の高い任意の樹脂材料により形成されてもよい。具体的には、樹脂壁部70は、施工時にヒートスプレッダ20の縁部からヒートスプレッダ20の側面へと垂れること又はFPC90におけるヒートスプレッダ20の縁部よりも外側の領域へとはみ出ることがないように形状を保持できる粘性の高い樹脂材料により形成される。典型的には、樹脂壁部70は、少なくとも樹脂封止部72を形成する樹脂材料よりも粘性が高い樹脂材料により形成される。例えば、樹脂壁部70の樹脂材料は、液状エポキシ樹脂及び硬化剤としてカチオン系重合開始剤を含有するものであってもよい。樹脂封止部72は、ヒートスプレッダ20の上面における樹脂壁部70により囲繞された領域に設けられる。樹脂封止部72は、ヒートスプレッダ20の上面における樹脂壁部70により囲繞された領域に、樹脂材料をモールドすることにより形成されてよい。樹脂材料は、封止に適した任意の材料であってよく、例えば、酸無水物系又はフェノール系硬化剤を使用した熱硬化性樹脂エポキシ樹脂等やシリコンゲル等であってよい。ここで、樹脂壁部70を備えていない比較例では、図5に示すように、樹脂封止部72’を形成する際に、比較的粘性が低い樹脂封止部72’の樹脂材料は、ヒートスプレッダ20の縁部を越えて外側へとFPC90上を伝ってしまう場合がある。この場合、図5に示すように、樹脂封止部72’で本来封止すべき要素特にFPC90の近傍に位置する要素であり、図示の例では、例えばボンディングワイヤ80が封止されない場合も生じうる。これに対して、本実施例によれば、樹脂封止部72を形成する際に、樹脂壁部70がダム枠堤防として機能するので、ヒートスプレッダ20の縁部を越えて外側へとFPC90上を伝いうる樹脂材料の流れが堰止めされる。これにより、樹脂封止部72のはみ出しを防止し、樹脂封止部72により封止すべき要素を確実に封止することができる。樹脂壁部70の高さは、好ましくは、ヒートスプレッダ20上に配置される各種要素のうち、樹脂封止部72により封止すべき最も高い要素を基準として設定される。図示の例では、樹脂封止部72により封止すべき最も高い要素は、ボンディングワイヤ80である。この場合、ヒートスプレッダ20の上面を基準として、樹脂壁部70の高さは、ボンディングワイヤ80よりも高く設定される。これにより、図2に示すように、樹脂封止部72によりボンディングワイヤ80を確実に封止することができる。尚、図2及び図4に示す例では、樹脂封止部72は、ヒートスプレッダ20上の半導体チップ10及びボンディングワイヤ80を覆うように形成される。これにより、半導体チップ10を保護すると共に、半田50によるヒートスプレッダ20と半導体チップ10との間の接合部の信頼性や、ボンディングワイヤ80とFPC90及び半導体チップ10との接合信頼性を高めることができる。尚、樹脂封止部72による半導体チップ10を覆うことにより、第1接続端子12や第2接続端子14をレーザ溶接する際のスパッタに起因して半導体チップ10に耐圧不良が生じるのを防止することができる。次に、本実施例の半導体装置1の製造方法について説明する。先ず、図1に示すように、ヒートスプレッダ20上に、半導体チップ10が接合され、半導体チップ10及びヒートスプレッダ20にそれぞれ第1接続端子12及び第2接続端子14が接合される。また、ヒートスプレッダ20上に、FPC90が接合される。次いで、FPC90と半導体チップ10とがヒートスプレッダ20上でボンディングワイヤ80により電気的に接続される。次いで、図3に示すように、ヒートスプレッダ20の周縁部の全周に亘って粘性の高い樹脂材料ダム材が塗布され、樹脂壁部70が形成される。尚、この際、ヒートスプレッダ20の周縁部の一部には、FPC90が配置されているので、その部分については、FPC90上に、粘性の高い樹脂材料が塗布され、樹脂壁部70が形成される。尚、図3に示す例では、ヒートスプレッダ20の周縁部の一部上に配置されるFPC90の端部90a上に樹脂壁部70が形成されることになる。次いで、図4に示すように、ヒートスプレッダ20の上面における樹脂壁部70により囲繞された領域に樹脂材料が注入され、樹脂封止部72が形成される。尚、以上の実施例においては、ヒートスプレッダ20が特許請求の範囲の金属基板に対応し、FPC90が特許請求の範囲の可撓性回路基板に対応している。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述では、好ましい実施例として、ヒートスプレッダ20の周縁部の全周に亘って樹脂壁部70が形成されるが、ヒートスプレッダ20の周縁部の一部であるFPC90が配置されている部分に対してのみ、又は、FPC90が配置されている部分を含むヒートスプレッダ20の周縁部の一部のみに、樹脂壁部70が形成されてもよい。この場合も、ヒートスプレッダ20の縁部を越えて外側へとFPC90上を伝いうる樹脂材料の流れが堰止めされるので、樹脂封止部72のはみ出しを防止することができる。また、上述した実施例において、FPC90におけるヒートスプレッダ20の縁部上に位置する部位図例では、ヒートスプレッダ20の縁部上に配置されるFPC90の端部90aに補強材が設けられてもよい。補強材は、例えば、FPC90と同一の材料例えばポリイミドから形成されてよい。これにより、ヒートスプレッダ20の縁部から受ける力に起因したFPC90における応力集中が低減され、FPC90上の配線を適切に保護することができる。