発熱素子を実装するための放熱性配線基板において、セラミック基材と、該セラミック基材上に形成され、前記発熱素子を受けるための金属配線パターン層とを具備し、前記セラミック基材内に該セラミック基材の熱伝導性より高い熱伝導性を有する部材を設けたことを特徴とする放熱性配線基板。前記部材は前記発熱素子に対応して設けられたロッドである請求項1に記載の放熱性配線基板。前記ロッドのサイズは前記発熱素子の発熱密度に応じて変化した請求項2に記載の放熱性配線基板。前記ロッドの本数は前記発熱素子の発熱密度に応じて変化した請求項2に記載の放熱性配線基板。前記ロッドは前記セラミック基材に囲まれ、電気的に絶縁された導電性ロッドである請求項2に記載の放熱性配線基板。前記部材は前記発熱素子に対応して設けられた板状のペレットである請求項1に記載の放熱性配線基板。前記ペレットの厚さは前記発熱素子の発熱密度に応じて変化した請求項6に記載の放熱性配線基板。前記ペレットは前記セラミック基材に囲まれ、電気的に絶縁された導電性ペレットである請求項6に記載の放熱性配線基板。さらに、前記セラミック基材の前記金属配線パターン層の反対側の面に接着された金属基材を具備する請求項1に記載の放熱性配線基板。しかしながら、図16に示す上述の第3の従来の放熱性配線基板においては、小面積化されたセラミック基材1’の大きくなった熱抵抗は全体の熱抵抗に直列成分として作用するので、やはり無視できず、放熱性配線基板全体の熱抵抗は依然として大きく、この結果、放熱性能の向上が不十分であるという課題があった。また、熱抵抗が大きいために、実装された発熱素子の最高温度が大きくなり、この結果、発熱素子の寿命の短縮化及び性能の低下を招くという課題もあった。さらに、発熱素子が複数個実装されている場合には、実装された発熱素子間の温度差が大きくなるので、発熱素子間の寿命差、性能差が大きくなり、また、発熱素子がLED素子、LD素子等の発光素子の場合には、発光時の光の色むら、明るさのむらが生じるという課題もあった。上述の課題を解決するために、本発明に係る放熱性配線基板は、発熱素子を実装するための放熱性配線基板において、セラミック基材と、セラミック基材上に形成され、発熱素子を受けるための金属配線パターン層とを具備し、セラミック基材内にセラミック基材の熱伝導性より高い熱伝導性を有する部材を設けたものである。セラミック基材は金属基材に接着され得る。これにより、セラミック基材の熱抵抗が小さくなり、従って、放熱性配線基板全体の熱抵抗が小さくなる。また、発熱素子の発熱温度の最高温度が小さくなる。さらに、発熱素子の発熱温度が均熱化する。また、上述のセラミック基材の熱伝導性より高い熱伝導性を有する部材は発熱素子に対応して設けられたロッドである。ロッドのサイズ及び/または本数は発熱素子の発熱密度に応じて変化したものである。ロッドはセラミック基材に囲まれ、電気的に絶縁された導電性ロッドまたはセラミック基材を貫通して設けられた非導電性ロッドである。さらに、上述のセラミック基材の熱伝導性より高い熱伝導性を有する部材は発熱素子に対応して設けられた平坦状のペレットである。ペレットの厚さは発熱素子の発熱密度に応じて変化したものである。ペレットはセラミック基材に囲まれ、電気的に絶縁された導電性ペレットまたはセラミック基材を貫通して設けられた非導電性ペレットである。本発明によれば、放熱性配線基板全体の熱抵抗が小さくなるので、放熱性能を向上できる。また、実装された発熱素子の発熱温度の最高温度が小さくなるので、発熱素子の長寿命化及び性能の低下の抑制を達成できる。さらに、発熱素子が複数個実装されている場合には、発熱素子の発熱温度の均熱化により発熱素子間の寿命差、性能差を小さくできる。また、発熱素子がLED素子、LD素子等の発光素子の場合には、発光時の光の色むら、明るさのむらを小さくすることができる。図1は本発明に係る放熱性配線基板の第1の実施の形態を示し、Aは上面図、BはAのB-B線断面図である。図1においては、図16のセラミック基材1’内に、セラミック基材1’より高い熱伝導性を有するたとえば銅等よりなる導電性ロッド1aを埋め込む。この場合、導電性ロッド1aは各LEDチップ3の直下に位置し、LEDチップ3と同等サイズの四角柱、円柱等の柱状構造をなしている。図2は図1の放熱性配線基板の具体例を示す断面部分図である。図2において、放熱性配線基板の仕様は次の通りである。セラミック基材1’は熱伝導率170WmKの窒化アルミニウムAlNよりなり、導電性ロッド1aは銅Cuよりなる。セラミック基材1’の厚さは1mm、導電性ロッド1aの高さは08mm、導電性ロッド1aの上下のセラミック基材1’の厚さは01mmとし、これにより、セラミック基材1’の絶縁性を確保し、金属配線パターン層2と金属基材4との電気的短絡を防止する。金属配線パターン層2は厚さ02mmの銅よりなり、パッドをも有し、これらのパッドからLEDチップ3へ電流が供給される。LEDチップ3の数は90個であり、1個当りの発熱量は169Wチップであり、従って、総発熱量は152Wである。また、上述の導電性ロッド1aの数も90個である。金属基材4は熱伝導率222WmKのアルミニウムよりなる。金属基材4にセラミック基材1’を実装するための接着層図示せずは熱伝導率3WmKのエポキシ樹脂よりなる。基板雰囲気温度はヒートシンク図示せずを基板裏面に付けた状態で90°Cである。尚、熱抵抗は、LEDチップ3の最高温度と放熱性配線基板の最低温度との差°CをLEDチップ3の総発熱量Wで除した値であり、熱の伝播しにくさを示す指標である。図3は図2の放熱性配線基板を動作させた場合の放熱性配線基板上のLEDチップ3の温度分布を示す。すなわち、図3のAに示すごとく、LEDチップ3の発熱温度は最高178°Cから最低163°Cの範囲となった。また、放熱性配線基板の最低温度は120°Cであった。従って、熱抵抗は、178°C120°C/152038°CWとなる。尚、図3のBは導電性ロッド1aを含まない比較例としての図16の放熱性配線基板を同一条件で動作させた場合のLEDチップ3上の温度分布を示す。この場合、LEDチップ3の発熱温度は最高180°Cから最低163°Cの範囲となった。また、放熱性配線基板の最低温度は121°Cとなった。従って、熱抵抗は、180°C121°C/152039°CWとなる。このように、図1に示す放熱性配線基板においては、LEDチップ3の最高温度が導電性ロッドを含まない場合に比較して低下するので、熱抵抗も小さくなり、この結果、放熱性能を向上できる。また、LEDチップ3の発熱温度の最高温度が小さくなるので、LEDチップ3の長寿命化及び性能の低下の抑制を達成できる。さらに、LEDチップ3が複数個実装されている場合には、LEDチップ3の発熱温度の均熱化によりLEDチップ3間の寿命差、性能差を小さくできる。また、図1に示すごとく、発熱素子がLEDチップあるいはLD素子の場合には、発光時の光の色むら、明るさのむらを小さくできる。次に、図1の放熱性配線基板の製造方法を図4を参照して説明する。始めに、図4のAに示すセラミック基材片形成工程において、セラミック基材1’の半分のセラミック基材片1’pに導電性ロッド1aの半分を収容するための孔1ahを形成する。次に、図4のBに示す導電性ロッド片挿入工程において、セラミック基材片1’pに導電性ロッド1aの半分の導電性ロッド片1apを挿入する。このようなセラミック基材片1’pを2枚形成する。次に、図4のCに示すセラミック基材片貼合せ工程において、2枚のセラミック基材片1’pを、それぞれ、導電性ロッド片1apが露出している面を内側にして貼合せる。これによりセラミック基材1’を完成する。次に、図4のDに示す金属配線パターン層形成工程において、銅等よりなる金属配線パターン層2をめっき法、エッチング法等を用いてセラミック基材1’上に形成する。次に、図4のEに示すセラミック基材接着工程において、金属配線パターン層2が形成されたセラミック基材1’を金属基材4にエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の接着層図示せずによって接着する。最後に、LEDチップ実装工程において、LEDチップ3を金属配線パターン層2上に半田、共晶、導電性ペースト等によって実装して図1に示すLEDチップ3が実装された放熱性配線基板が完成する。図3のAに示すように、LEDチップ3の発熱温度の最高178°Cと最低163°Cとの温度差ΔT15°Cは、従来ΔT17°Cに比較して小さくなるも、まだ、ΔT15°Cである。尚、この最高178°Cは放熱性配線基板の中心部に配置されたLEDチップ3によるものであり、最低163°Cは放熱性配線基板の周辺部に配置されたLEDチップ3によるものである。このような温度差ΔTはLEDチップ3の色むらあるいは明るさのむらの原因となり、また、LEDチップ3の寿命及び性能のむらの原因ともなるので、温度差ΔTを小さくすることが好ましい。LEDチップ3の発熱温度差ΔTを小さく、つまり、LEDチップ3の発熱温度を均一化するために、導電性ロッド1aを熱拡散方程式による温度分布に応じて配置する。たとえば、図5のAに示すごとく、導電性ロッド1aのサイズを、最も発熱温度が高い発熱中心つまり、発熱密度が高いセラミック基材1’の中心で大きく、他方、発熱中心から離れるにつれて小さくする。また、図5のBに示すごとく、導電性ロッド1aの本数を、最も発熱温度が高い発熱中心つまり、発熱密度が高いセラミック基材1’の中心で多く、つまり、高密度にし、他方、発熱中心から離れるにつれて少なく、つまり、低密度にする。さらに、図5のCに示すごとく、導電性ロッド1aのサイズを、最も発熱温度が高い発熱中心つまり、発熱密度が高いセラミック基材1’の中心で大きく、他方、発熱中心から離れるにつれて小さくすると共に、導電性ロッド1aの本数を、最も発熱温度が高い発熱中心つまり、発熱密度が高いセラミック基材1’の中心で多く、つまり、高密度にし、他方、発熱中心から離れるにつれて少なく、つまり、低密度にする。尚、図5のA、B及びCに示す放熱性配線基板も図4に示す製造方法とほぼ同様の製造方法によって製造できる。また、上述の第1の実施の形態においては、導電性ロッド1aを用いたが、図6に示すごとく、セラミック基材1’より高い熱伝導性の非導電性絶縁性ロッド1a’をセラミック基材1’を貫通させて設けることができる。この場合、たとえば、セラミック基材1’を低製造コストのアルミナAl2O3によって構成し、非導電性ロッド1a’を高製造コストの窒化アルミニウムAlNあるいはカーボンで構成する。これにより、非導電性ロッド1a’を含むセラミック基材1’全体の製造コストを低減できる。尚、非導電性ロッド1a’の場合にも、その製造方法は図4に示す製造方法とは2つのセラミック基材片を準備する点が異なるが、図5のA、B及びCに示す変更例も同様に適用できる。図7は本発明に係る放熱性配線基板の第2の実施の形態を示し、Aは上面図、BはAのB-B線断面図である。図7においては、図16のセラミック基材1’内に、セラミック基材1’より高い熱伝導性を有するたとえば銅等よりなる1つの導電性ペレット1bを埋め込む。この場合、導電性ペレット1bは各LEDチップ3の直下に位置し、LEDチップ3全体のサイズの平板状構造をなしている。図8は図7の放熱性配線基板の具体例を示す断面部分図である。図8において、放熱性配線基板の仕様は次の通りである。セラミック基材1’は熱伝導率170WmKの窒化アルミニウムAlNよりなり、導電性ペレット1bは銅Cuよりなる。セラミック基材1’の厚さは1mm、導電性ペレット1bの高さは08mm、導電性ペレット1bの上下のセラミック基材1’の厚さは01mmとし、これにより、セラミック基材1’の絶縁性を確保し、金属配線パターン層2と金属基材4との電気的短絡を防止する。金属配線パターン層2は厚さ02mmの銅よりなり、パッドをも有し、これらのパッドからLEDチップ3へ電流が供給される。LEDチップ3の数は90個であり、1個当りの発熱量は169Wチップであり、従って、総発熱量は152Wである。金属基材4は熱伝導率222WmKのアルミニウムよりなる。金属基材4にセラミック基材1’を実装するための接着層図示せずは熱伝導率3WmKのエポキシ樹脂よりなる。基板雰囲気温度はヒートシンク図示せずを基板裏面に付けた状態で90°Cである。図9は図8の放熱性配線基板を動作させた場合の放熱性配線基板上のLEDチップ3の温度分布を示す。すなわち、図9のAに示すごとく、LEDチップ3の発熱温度は最高174°Cから最低162°Cの範囲となった。また、放熱性配線基板の最低温度は121°Cとなった。従って、熱抵抗は、174°C121°C/152035°CWとなる。尚、図9のBは、図3のBと同様に、導電性ペレット1bを含まない比較例としての図16の放熱性配線基板を同一条件で動作させた場合の放熱性配線基板上のLEDチップ3の温度分布を示す。この場合、熱抵抗は、039°CWとなる。このように、図7に示す放熱性配線基板においては、LEDチップ3の最高温度が導電性ペレットを含まない場合に比較して低下するので、熱抵抗も小さくなり、この結果、放熱性能を向上できる。また、LEDチップ3の発熱温度の最高温度が小さくなるので、LEDチップ3の長寿命化及び性能の低下の抑制を達成できる。さらに、LEDチップ3が複数個実装されている場合には、LEDチップ3の発熱温度の均熱化によりLEDチップ3間の寿命差、性能差を小さくできる。また、図7に示すごとく、発熱素子がLEDチップあるいはLD素子の場合には、発光時の光の色むら、明るさのむらを小さくできる。次に、図7の放熱性配線基板の製造方法を図10を参照して説明する。始めに、図10のAに示すセラミック基材片形成工程において、セラミック基材1’の半分のセラミック基材片1’pに導電性ペレット1bの半分を収容するための孔1bhを形成する。次に、図10のBに示す導電性ペレット片挿入工程において、セラミック基材片1’pに導電性ペレット1bの半分の導電性ペレット片1bpを挿入する。このようなセラミック基材片1’pを2枚形成する。次に、図10のCに示すセラミック基材片貼合せ工程において、2枚のセラミック基材片1’pを、それぞれ、導電性ペレット片1bpが露出している面を内側にして貼合せる。これによりセラミック基材1’を完成する。次に、図10のDに示す金属配線パターン層形成工程において、銅等よりなる金属配線パターン層2をめっき法、エッチング法等を用いてセラミック基材1’上に形成する。次に、図10のEに示すセラミック基材接着工程において、金属配線パターン層2が形成されたセラミック基材1’を金属基材4にエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の接着層図示せずによって接着する。最後に、LEDチップ実装工程において、LEDチップ3を金属配線パターン層2上に半田、共晶、導電性ペースト等によって実装して図7に示すLEDチップ3が実装された放熱性配線基板が完成する。図9のAに示すように、LEDチップ3の発熱温度の最高174°Cと最低162°Cとの温度差ΔT12°Cは、従来ΔT17°Cに比較して小さくなるも、まだ、ΔT15°Cである。尚、この最高174°Cは中心部のLEDチップ3によるものであり、最低164°Cは周辺部のLEDチップ3によるものである。このような温度差ΔTはLEDチップ3の色むらあるいは明るさのむらの原因となり、また、LEDチップ3の寿命及び性能のむらの原因ともなるので、温度差ΔTを小さくすることが好ましい。LEDチップ3の発熱温度差ΔTを小さく、つまり、LEDチップ3の発熱温度を均一化するために、導電性ペレット1bを熱拡散方程式による温度分布に応じて配置する。たとえば、図11に示すごとく、導電性ペレット1bの厚さを、最も発熱温度が高い発熱中心つまり、発熱密度が高いセラミック基材1’の中心で大きく、他方、発熱中心から離れるにつれて小さくする。尚、図11に示す放熱性配線基板も図10に示す製造方法とほぼ同様の製造方法によって製造できる。また、上述の第2の実施の形態においては、導電性ペレット1bを用いたが、図12に示すごとく、セラミック基材1’より高い熱伝導性の非導電性絶縁性ペレッド1b’をセラミック基材1’を貫通させて設けることができる。この場合、たとえば、セラミック基材1’を低製造コストのアルミナAl2O3によって構成し、非導電性ペレット1b’を高製造コストの窒化アルミニウムAlNあるいはカーボンで構成する。これにより、非導電性ペレット1b’を含むセラミック基材1’全体の製造コストを低減できる。また、非導電性ペレット1b’の場合にも、その製造方法は図10に示す製造方法とは2つのセラミック基材片を準備する点が異なるが、図11に示す変更例も同様に適用できる。上述の第1、第2の実施の形態はいわゆるセラミックサブマウント型放熱性配線基板に関するものであるが、本発明は図13に示すごとく非セラミックサブマウント型の大面積セラミック基材を有する放熱性配線基板にも適用できる。これにより、放熱性能がさらに向上する。この場合も、上述の製造方法、導電性ロッド及び導電性ペレットの変更例も同様に適用される。また、発熱素子としてLEDチップを用いたが、本発明はLD素子等の他の光源または他の発熱部品にも適用できる。