"金属基板上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜と、該絶縁性酸化膜上にスピンオンガラス膜とを有する絶縁層付金属基板。前記スピンオンガラス膜がポリシラザン、メチルシロキサン、ポリシルセスキオキサン、Si系メタロキサンポリマー、Ti系メタロキサンポリマー、シリケートの中から選ばれる少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1記載の絶縁層付金属基板。前記スピンオンガラス膜表面の10μm四方平均表面粗さが10nm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の絶縁層付金属基板。前記スピンオンガラス膜の厚さが01~10μmであることを特徴とする請求項1、2または3記載の絶縁層付金属基板。前記金属基板が、アルミニウム、鉄、ジルコニウム、チタン、マグネシウム、銅、ニオブおよびタンタルの中から選ばれる少なくとも1つの金属を含有する基板であることを特徴とする請求項1~4いずれか1項記載の絶縁層付金属基板。前記金属基板がアルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材であることを特徴とする請求項1~5いずれか1項記載の絶縁層付金属基板。前記スピンオンガラス膜中にアルカリ金属イオンを含むことを特徴とする請求項1~6いずれか1項記載の絶縁層付金属基板。前記アルカリ金属イオンがナトリウムイオンであることを特徴とする請求項1~7いずれか1項記載の絶縁層付金属基板。前記ナトリウムイオンを含む化合物が、NaF、Na3AlF6、Na2MoO4、Na2CO3、Na2O、ケイ酸ナトリウムの中から選ばれる少なくとも1つの化合物であることを特徴とする請求項1~8いずれか1項記載の絶縁層付金属基板。請求項1~9いずれか1項記載の絶縁層付金属基板上に形成されたものであることを特徴とする光電変換素子。上記のとおり、特許文献1~4に記載されている金属基板上に絶縁層を設ける方法はゾルゲル法では厚膜を塗布焼成するため膜の内部と表面で均質な絶縁膜を得ることが難しく、さらに焼成時に気泡、ピンホール等が発生するため、欠陥となり、絶縁性を確実に保持させることが難しいという問題がある。特許文献5~9に記載されているアルカリ金属イオンの供給技術は蒸着によるものであるが、光電変換半導体層を構成する元素との共蒸着の場合、微結晶膜形成においてアルカリ金属元素を同時に蒸着することで結晶欠陥を増加させると考えられ、アルカリ金属の拡散法に対して欠陥の少ない良質な半導体層を形成することが難しいという問題がある。また特許文献10や11は浸漬によりアルカリ層を設けるものであるが、浸漬の場合表面のみにアルカリ金属が存在し、その後の蒸着工程あるいはアニール工程で上方の半導体層だけでなく、下方へも拡散するためアルカリ金属の表面濃度制御が難しいという問題がある。特に、陽極酸化アルミを絶縁層として用いると、比表面積の大きな多孔質構造を有するため、細孔表面にアルカリ金属が拡散する影響が大きい。また、大気中の水分の吸着などにより、細孔表面がリーク電流のパスとなり、絶縁性が低下する問題もある。上記のように、集積型太陽電池サブモジュールを製作する場合に、絶縁層を金属基板上に絶縁性を確実に確保できるように設けることは困難であるのが実情である。加えて、光電変換半導体層に対してアルカリ金属イオンを制御性が良く、安定に拡散することができる技術はなかった。本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、金属基板を用いる場合に絶縁性を確実に確保することが可能な絶縁層付金属基板、並びにこの絶縁層付金属基板を用いた光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明の絶縁層付金属基板は、金属基板上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜と、該絶縁性酸化膜上にスピンオンガラス膜とを有することを特徴とするものである。前記スピンオンガラス膜はポリシラザン、メチルシロキサン、ポリシルセスキオキサン、Si系メタロキサンポリマー、Ti系メタロキサンポリマー、シリケートの中から選ばれる少なくとも1つからなることが好ましい。前記スピンオンガラス膜表面の10μm四方平均表面粗さは10nm以下であることが好ましい。前記スピンオンガラス膜の厚さは01~10μmであることが好ましい。前記金属基板は、アルミニウム、鉄、ジルコニウム、チタン、マグネシウム、銅、ニオブおよびタンタルの中から選ばれる少なくとも1つの金属を含有する基板であることが好ましい。前記金属基板は、アルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材であることが好ましい。前記スピンオンガラス膜中にはアルカリ金属イオンを含むことが好ましい。前記アルカリ金属イオンはナトリウムイオンであることが好ましい。前記ナトリウムイオンを含む化合物が、NaF、Na3AlF6、Na2MoO4、Na2CO3、Na2O、ケイ酸ナトリウムの中から選ばれる少なくとも1つの化合物であることが好ましい。本発明の光電変換素子は上記の絶縁層付金属基板上に形成されたものであることを特徴とするものである。本発明の絶縁層付金属基板は、金属基板上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜と、この絶縁性酸化膜上にスピンオンガラス膜とを有するので、陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜の形成の際に生じる凹凸や欠陥を、スピンオンガラス膜によって欠陥補償した上で、平滑化することができるので、絶縁性を確実に確保することが可能である。特に、スピンオンガラス膜は従来のゾルゲル法による絶縁膜に比べて薄膜であるため、焼成時に均質な膜となり、高品質の絶縁膜を得ることができる。本発明の絶縁層付金属基板を基板として用いた光電変換素子は、絶縁層付金属基板上に形成される半導体層、光電変換半導体層の接合部の微結晶グレインの凹凸をも平滑化することができるため、接合部の不均一に起因するリーク電流を抑制でき、変換効率をより向上させることが可能である。また、本発明の絶縁層付金属基板はスピンオンガラス膜によって絶縁性酸化膜の形成の際に生じる多孔質層が被覆されているため、半導体層、光電変換層の材料を、前駆体の液相塗布、あるいは半導体CIGSなどの光電変換材料微粒子の塗布などにより形成する場合においても、多孔質層内部に前駆体あるいは化合物微粒子が入らないので、絶縁性低下が抑制されるほか、材料のロスを低減できることから、低コストで半導体素子、光電変換素子の作製が可能である。さらに、多孔質構造を有する陽極酸化皮膜の細孔を閉塞させるため、見かけの比表面積が大幅に減少する。この結果、細孔内部への吸着水分などによる電流リークが低減し、絶縁性を向上させることができる。これによって、半導体素子、光電変換素子を集積化させた場合にも、ロスが少なく、低消費電力、高変換効率の素子を作製することが可能である。また、他の効果として、CIGS太陽電池用基板として用いた場合、上部にアルカリ金属供給層を設けて蒸着またはアニールを実施しても、細孔表面へのアルカリ金属の拡散を抑制することができ、アルカリ金属の表面濃度制御を容易なものとすることができる。さらに、スピンオンガラス膜中にアルカリ金属イオンを含む場合には、光電変換半導体層に対してアルカリ金属イオンを拡散供給することができ、光電変換効率の高い光電変換素子とすることができる。以下、本発明の絶縁層付金属基板について光電変換素子を例にとって説明する。図1は、本発明の光電変換素子の一実施の形態を示す概略断面図である。なお、視認しやすくするため、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。光電変換素子1は、図1に示すように、金属基板10上に、陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜20と、スピンオンガラス膜30と、下部電極40と、光吸収により正孔電子対を発生する光電変換半導体層50と、バッファ層60と、透光性導電層透明電極70と、上部電極グリッド電極80とが順次積層された構成となっている。金属基板10としては、陽極酸化により金属基板表面上に生成する金属酸化膜が絶縁体となる材料を利用することができる。具体的には、アルミニウムAl、鉄Fe、ジルコニウムZr、チタンTi、マグネシウムMg、銅Cu、ニオブNbおよびタンタルTaの中から選ばれる少なくとも1つの金属を含有する基板、あるいは上記金属の合金が好ましい。とりわけ、アルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材が陽極酸化の形成が簡易であること、耐久性が高いという観点からより好ましい。両面をアルミニウム板で挟んだ一体化したクラッド材の場合、アルミニウムと酸化膜Al2O3との熱膨張係数差に起因した基板の反り、及びこれによる膜剥がれ等を抑制することができるため、より好ましい。基板は、必要に応じて洗浄処理研磨平滑化処理等、例えば付着している圧延油を除く脱脂工程、アルミニウム板の表面のスマットを溶解するデスマット処理工程、アルミニウム板の表面を粗面化する粗面化処理工程が施されたものを用いることが好ましい。陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜20以下、陽極酸化膜20ともいうは、陽極酸化により複数の細孔を有する絶縁性酸化膜が形成されたものであり、これによって高い絶縁性が確保される。陽極酸化は基板10を陽極とし陰極と共に電解質に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することで実施することができる。陰極としてはカーボンやアルミニウム等が使用される。陽極酸化条件は使用する電解質の種類にもよるが、例えば、電解質濃度0.1~2mol/L、液温5~80°C、電流密度0.005~0.60A/cm2、電圧1~200V、電解時間3~500分の範囲にあれば適当である。電解質としては特に制限されず、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、マロン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、およびアミドスルホン酸等の酸を、1種又は2種以上含む酸性電解液が好ましく用いられる。かかる電解質を用いる場合、電解質濃度0.2~1mol/L、液温10~80°C、電流密度0.05~0.30A/cm2、および電圧30~150Vが好ましい。基材10および陽極酸化膜20の厚みは特に制限されない。基板10の機械的強度および薄型軽量化等を考慮すれば、陽極酸化前の基材10の厚みは例えば0.05~0.6mmが好ましく、0.1~0.3mmがより好ましい。基板の絶縁性、機械的強度、および薄型軽量化を考慮すれば、陽極酸化膜20の厚みは例えば0.1~100μmが好ましい。スピンオンガラスSOGは薄膜のガラス膜であり、半導体の配線上に形成された層間絶縁膜の段差緩和や配線間の溝埋め込みに用いられ、液体の塗布という特徴を活かして、陽極酸化膜20の形成の際に生じる細孔を塞いだり、凹凸や欠陥を埋めて欠陥補償することが可能となる。スピンオンガラス膜30はポリシラザン、メチルシロキサン、ポリシルセスキオキサン、Si系メタロキサンポリマー、Ti系メタロキサンポリマー、シリケートケイ酸塩の中から選ばれる少なくとも1つ以下、スピンオンガラス膜材料ともいうからなることが好ましく、上記のものが複数混合されていてもよい。より具体的には、5~50質量のスピンオンガラス膜材料に、30~70質量のブタノール、エタノール、トルエン、ベンゼン、キシレン等の溶媒を添加したものであることが好ましい。スピンオンガラス膜に含まれるアルカリ金属イオンは、ナトリウムイオンであることが好ましい。ナトリウムイオンを含む化合物としては、NaF、Na3AlF6、Na2MoO4、Na2CO3、Na2O、ケイ酸ナトリウムの中から選ばれる少なくとも1つの化合物であることが好ましい。これらの化合物は吸湿性が少なく、また毒性や腐食性も低いため安定に使用することができる。また、特許文献10に記載されているNa2MoO4モリブデン酸ナトリウムは高い結晶性が起因して作製した膜が剥離しやすいという問題が懸念されるが、上記の化合物は剥離の問題も起こらない。上記ナトリウムイオンを含む化合物の添加量は、スピンオンガラス膜全材料に対して1~10質量の範囲であることが好ましい。1質量未満の場合には、光電変換半導体層に対してナトリウムイオンを拡散する効果が期待できないか、効果が薄い。一方で、10質量より多く添加しても半導体層の微結晶中の結晶欠陥を増やすこととなり望ましくない。スピンオンガラス膜30は、上記のスピンオンガラス膜材料とアルカリ金属イオン源を溶媒に分散した塗布液を塗布した後、100~150°Cで空気中でベークし、N2等の不活性ガス雰囲気中、300~500°Cで30~60分焼成して作製することができる。この焼成によって、スピンオンガラス膜は緻密化してシリコン酸化膜となる。スピンオンガラス膜の膜厚は0.1~10μmの範囲が好ましく、さらには0.5~5.0μmが好適である。10μumよりも厚膜の場合、膜の表面と内部において均質な膜を得ることが難しく、焼成時に内部でシリコン酸化膜への転換が不十分あるいは溶媒が抜けにくく、気泡が残るという問題がある。一方で、0.1μmよりも薄い場合には、陽極酸化膜20の形成の際に生じる凹凸や欠陥を埋めて欠陥補償することが困難となる。なお、塗布液を基板上に塗布する方法としては特に限定はなく、例えば、ドクターブレード法、ワイヤーバー法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法等の手法を用いることができる。図2~図4は基板、陽極酸化膜およびスピンオンガラス膜の部分拡大図である。これらの図に示すように、陽極酸化膜20は多孔質構造を有するが、スピンオンガラス膜30は、図2に示すように陽極酸化膜20の多孔質構造の内部に貫入せずに陽極酸化膜20の表面のみを覆っていてもよいし、図3に示すように陽極酸化膜20の多孔質構造の内部に貫入した複合構造をとっていてもよい。また、図4に示すようにスピンオンガラス膜30は陽極酸化膜20の多孔質構造の細孔表面近傍のみに貫入し、細孔底部付近までは貫入していなくてもよい。スピンオンガラス膜30がいずれの構造をとるかは、陽極酸化膜表面に塗布した溶液が、細孔内部に浸入できるかどうかで決まる。一般に、液体の細孔への浸透は、LucasWashburnの式で示されるように、細孔径、表面張力、溶液の粘度などによって決まる。例えば、陽極酸化アルミは比較的親水性が高いため、粘度が比較的低い水溶液を塗布液に使った場合は、塗布後、直ちに細孔底部まで溶液が浸透すると考えられる。すなわち、高粘度の場合には図2、中程度の粘度の場合には図4、低粘度の場合には図4となる。図3の態様の構造とするためには、塗布液の粘度は、20mPas以下が好ましく、10mPas以下が特に好ましい。スピンオンガラス膜30はその表面の10μm四方平均表面粗さRaが10nm以下であることが好ましい。ここで、スピンオンガラス膜表面の10μm四方平均表面粗さが10nm以下とは、スピンオンガラス膜表面の全ての部分の表面粗さが10nm以下であることを意味する。10nmよりも大きい場合には、陽極酸化膜20の形成の際に生じる凹凸や欠陥が補填できないため、絶縁性を確実に確保することが困難である。この平坦性は、SEMによる観察、原子間力顕微鏡による測定など、種々の手法で評価できるが、本発明においては、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:セイコーインスツルメンツ製、探針:SIDF20、測定周波数1Hzを用い、測定領域10μm四方の範囲における平均表面粗さを用いて平坦性を評価したものである。下部電極裏面電極40の成分としては特に制限されず、Mo,Cr,W,およびこれらの組合わせが好ましく、Mo等が特に好ましい。下部電極裏面電極40の膜厚は制限されず、200~1000nm程度が好ましい。光電変換半導体層50は化合物半導体系光電変換半導体層であり、主成分主成分とは20質量以上の成分を意味としては特に制限されず、高光電変換効率が得られることから、カルコゲン化合物半導体、カルコパイライト構造の化合物半導体、欠陥スタナイト型構造の化合物半導体を好適に用いることができる。カルコゲン化合物S、Se、Teを含む化合物としては、II-VI化合物:ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTeなど、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaS,Se2など、I-III3-VI5族化合物:Culn3Se5、CuGa3Se5、Culn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。カルコパイライト型構造および欠陥スタナイト型構造の化合物半導体としては、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaSSe2など、I-III3VI5族化合物:CuIn3Se5、CuGa3Se5、CuIn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。ただし、上の記載において、In,Ga、S,Seは、それぞれ、In1xGax、S1ySeyただし、x=0~1、y=0~1を示す。光電変換半導体層の成膜方法としては特に制限されない。例えば、Cu,In,Ga,Sを含むCIGS系の光電変換半導体層の成膜では、セレン化法や多元蒸着法等の方法を用いて成膜することができる。光電変換半導体層50の膜厚は特に制限されず、1.0~3.0μmが好ましく、1.5~2.0μmが特に好ましい。バッファ層60は特に制限されないが、CdS、ZnS,ZnS,O及び/又はZnS,O,OH、SnS,SnS,O及び/又はSnS,O,OH、InS,InS,O及び/又はInS,O,OH等の、Cd,Zn,Sn,Inからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む金属硫化物を含むことが好ましい。バッファ層40の膜厚は、10nm~2μmが好ましく、15~200nmがより好ましい。透光性導電層透明電極70は、光を取り込むと共に、下部電極40と対になって、光電変換層50で生成された電流が流れる電極として機能する層である。透光性導電層70の組成としては特に制限されず、ZnO:Al等のn-ZnO等が好ましい。透光性導電層70の膜厚は特に制限されず、50nm~2μmが好ましい。上部電極グリッド電極80としては特に制限されず、Al等が挙げられる。上部電極80膜厚は特に制限されず、0.1~3μmが好ましい。本発明の光電変換素子は、太陽電池等に好ましく使用することができる。光電変換素子1に対して必要に応じて、カバーガラス、保護フィルム等を取り付けて、太陽電池とすることができる。以下、本発明の光電変換素子を実施例によりさらに詳細に説明する。スピンオンガラス膜の形成による平坦化と耐電圧アルミニウム基板厚さ300μmを16°Cの0.5Mシュウ酸水溶液で直流電源を用いて、電圧40Vの条件で陽極酸化させ、10μm厚のアルミニウム酸化膜を形成した。この上に、ラサ工業製VRL-1H-5KTi,Si系メタロキサンポリマーを用い、スピンコーターで500rpm-1500rpmで塗布し、空気中、ホットプレート上で150°C5分ベーキングし、加熱装置に入れてN2雰囲気で400°C60分キュアを行ってスピンオンガラス膜を積層した。なお、キュア後のスピンオンガラス膜の厚さは1.0μmであった。スピンオンガラス膜を形成後、SEMによる表面観察を行い、アルミニウム酸化膜の細孔、小凹部、圧延筋等がスピンオンガラス膜により埋まり、平坦化されていることを確認した。このスピンオンガラス膜を形成した5cm□のサンプルを2枚、形成しないサンプルアルミニウム酸化膜のみが形成されたものを2枚準備し、それぞれに3.6mmφの金電極を真空マスク蒸着により形成し、耐電圧を測定した。電極数は各12及び30とした。その結果をヒストグラムにしたものを図5に示す。なお、図5の耐電圧はスピンオンガラス膜の有無において頻度の差がない耐電圧をVpとした相対値で示している。測定値を集計したところ、スピンオンガラス膜を積層することにより耐電圧は平均して6上昇し、標準偏差はスピンオンガラス膜を積層していないものに対して60の改善が見られた。また、図5から、スピンオンガラス膜を積層することによって、耐電圧が低いものが全体的に無くなっていることから、高品質な絶縁層を有する金属基板が作製できていることが看取される。実施例1アルミニウム基板厚さ300μmをシュウ酸水溶液で上記と同様の条件で陽極酸化させ、18μm厚のアルミニウム酸化膜を形成した。この上に、ラサ工業製VRL-1H-5KTi,Si系メタロキサンポリマーにNa2CO3水溶液をメタロキサンポリマーに対してナトリウム濃度が5質量になるように混合して攪拌させたものを、スピンコーターで上記と同様の条件で塗布、ベーク、キュアを行ってスピンオンガラス膜を形成した。スピンオンガラス膜を形成後、SEMによる破断面観察、および原子間力顕微鏡による表面性評価を行い、アルミニウム酸化膜の細孔、小凹部、圧延筋等がスピンオンガラス膜により埋まり、平坦化されていることを確認した。形成したスピンオンガラス膜上にMo電極厚さ0.8μmを3cm×3cmのサイズでDCスパッタにより形成した。このMo電極上にCIGS太陽電池を成膜した。なお、本実施例では、蒸着源として高純度銅とインジウム純度99.9999、高純度Ga純度99.999、高純度Se純度99.999の粒状原材料を用いた。基板温度モニターとして、クロメル-アルメル熱電対を用いた。主真空チャンバーを106Torr1.3×103Paまで真空排気した後、各蒸発源からの蒸着レートを制御して、最高基板温度530°Cの製膜条件で、膜厚約1.8μmのCIGS薄膜を製膜した。続いてバッファ層として、CdS薄膜を90nm程度溶液成長法で堆積し、その上に、透明導電膜のZnO:A1膜をDCスパッタ法により厚さ0.6μmで形成した。最後に上部電極として、Alグリッド電極を蒸着法で形成し太陽電池セルを作製した。実施例2上記スピンオンガラス膜の形成による平坦化と耐電圧で作製したスピンオンガラス膜が形成された基板を用いて、実施例1と同様にして太陽電池セルを作製した。実施例3アルミニウム/SUS430基板厚さ30μmのアルミニウムと、厚さ100umのSUS430のクラッド材を80°Cの1Mマロン酸水溶液で直流電源を用いて、電圧80Vの条件で陽極酸化させ、10μm厚のアルミニウム酸化膜を形成した。この上に、下記表1に示す組成の塗布液を、スピンコーターを用いて塗布し、空気中、電気炉で200°C30分、熱処理を行ってスピンオンガラス膜を積層した。なお、熱処理後のスピンオンガラス膜の厚さは1.9μmであった。スピンオンガラス膜を形成後、SEMによる破断面観察、および原子間力顕微鏡による表面性評価を行い、アルミニウム酸化膜の細孔、小凹部、圧延筋等がスピンオンガラス膜により埋まり、平坦化されていることを確認した。スピンオンガラス膜が形成された基板を用いて、実施例1と同様にして太陽電池セルを作製した。実施例4-A~Dアルミニウム/SUS430基板厚さ30μmのアルミニウムと、厚さ100umのSUS430のクラッド材を80°Cの1Mマロン酸水溶液で直流電源を用いて、電圧80Vの条件で陽極酸化させ、10μm厚のアルミニウム酸化膜を形成し、基板を得た。ケイ酸ナトリウム昭和化学製、3号ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム日産化学製、商品名:リチウムシリケート45、水をそれぞれ下記表2に示す質量比で混合し、塗布液を調液した。基板上に、塗布液を、ディップコーターを用いて塗布し、空気中、電気炉で熱処理を行ってスピンオンガラス膜を積層した。ディップコーターの引き上げ速度を0.03m/sから2.4m/sで調整し、膜厚を制御した。スピンオンガラス膜を形成後、SEMによる破断面観察、および原子間力顕微鏡による表面性評価を行い、アルミニウム酸化膜の細孔、小凹部、圧延筋等がスピンオンガラス膜により埋まり、平坦化されていることを確認した。スピンオンガラス膜が形成された基板を用いて、実施例1と同様にして太陽電池セルを作製した。比較例1アルミニウム基板厚さ300μmをマロン酸水溶液で上記と同様の条件で陽極酸化させ、10μm厚のアルミニウム酸化膜を形成した。この上に、スパッタリング法によりシリカを0.2μm成膜した。シリカ膜を形成後、SEMによる破断面観察、および原子間力顕微鏡による表面性評価を行った。アルミニウム酸化膜の細孔がシリカ膜により閉塞させられているものの、細孔の位置に対応して規則的な凹部が存在する上、圧延筋等も元の形状を残していた。この形状は図7からも明らかである。この凹凸のため、10μm四方平均表面粗さが10nmを超えており、平滑性は低い。スパッタ成膜シリカ膜が形成された基板を用いて、実施例1と同様にして太陽電池セルを作製した。比較例2上記スピンオンガラス膜の形成による平坦化と耐電圧で作製したアルミニウム酸化膜のみが形成された基板を用いて、実施例1と同様にして太陽電池セルを作製した。評価平滑性実施例および比較例で作製した基板のスピンオンガラス膜表面を、セイコーインスツルメンツ製原子間力顕微鏡型番SPA400、探針:SIDF20、測定周波数1Hzを用いて、測定領域10μm四方の範囲における平均表面粗さを測定した。開放孔の比表面積開放孔の比表面積を、窒素吸着測定にて評価した。10cm2相当の各試料を切り出し、日本ベル製自動比表面積測定装置BELSORPminiIIにて比表面積を測定した。陽極酸化アルミ皮膜のみである比較例2では、厚さ10μmの皮膜1cm2あたり、91cm2の比表面積であった。一方、実施例1、2、3、4-A,B,C,D、比較例1では、いずれも比表面積の測定限界以下であり、測定ができなかった。これは、陽極酸化皮膜の細孔が閉塞孔になったことを示している。リーク電流密度絶縁特性測定は、電極として絶縁層上に、厚さ0.2μmのAuを直径3.5mmでマスク蒸着により設け、室温大気中雰囲気下で、Au電極に負極性電圧を200V印加した。リーク電流をAu電極面積9.6mm2で除した値を、リーク電流密度とした。このような測定を、同一の基板上に設けた9個のAu電極で行い、その平均値を、各基板のリーク電流密度とした。エネルギー変換効率実施例および比較例で作製した太陽電池セル面積0.5cm2に、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を照射して、エネルギー変換効率を測定した。上記評価結果を表3に示す。また、図6に実施例4-A、4-B、4-D、比較例1および比較例2のスピンオンガラス膜が形成された基板のSEM写真をなお、図6において比較例2以外は基板を斜めから観察したものであり、比較例2は鉛直方向から観察したものである、図7に実施例3と比較例1のスピンオンガラス膜表面の原子間力顕微鏡写真AFMを示す。図6に示すSEMによる観察により、陽極酸化膜には、皮膜の表面に垂直方向に規則的な細孔が形成され、ポーラス層を形成していることがわかる。陽極酸化皮膜を鉛直方向から観察した比較例2から、ポーラス層の細孔は、陽極酸化皮膜の表面に開放孔として存在することがわかる。一方、実施例4-A、4-B、4-D、比較例1では、皮膜表面には孔が存在せず、陽極酸化皮膜の細孔は閉塞孔となっている。また、表3より実施例のスピンオンガラス膜表面はいずれも10μm四方平均表面粗さが10nm以下であり、陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜の形成の際に生じた細孔、凹凸や欠陥を、スピンオンガラス膜によって埋めて欠陥補償することにより平滑化されていることがわかる。そして、陽極酸化皮膜のみである比較例2に対して、スピンオンガラス膜を設けた実施例では、リーク電流が1桁から3桁低下し、絶縁性の向上が確認された。窒素吸着測定の結果と合わせた考察から、陽極酸化皮膜の細孔が閉塞された効果として、大気中の水分などの吸着が抑制され、絶縁性が確実に確保されていることがいえる。実施例4-Aに示すように、スピンオンガラス膜の膜厚は0.1μmであっても平滑性が保たれていることがわかる。なお、比較例2は陽極酸化膜の細孔径に対する深さアスペクト比が大きいため、原子間力顕微鏡で表面粗さを測定することはできなかった。また、表3に示すように、本発明の絶縁層付金属基板は総じてエネルギー変換効率が高いことがわかり、実施例2と比較例2の比較からスピンオンガラス膜の有無のみでも光電変換効率が2向上しており、さらにスピンオンガラスへナトリウムを添加した実施例1では、スピンオンガラス膜の無い比較例2の倍近い光電変換効率が得られており、スピンオンガラス膜は有しているがナトリウムが添加されていない比較例1に比べて、50も光電変換効率が上昇した。この結果から、本発明におけるスピンオンガラス膜による平滑化、平坦化効果およびスピンオンガラス膜へのナトリウム添加効果により、光電変換効率が大きく改善されたことがわかる。図8は実施例4-Aと比較例1のCIGS結晶の電子顕微鏡写真である。この2つのCIGS結晶の電子顕微鏡写真から明らかなように、本発明の絶縁層付金属基板を用いることにより、CIGS結晶の粒径が大きくなっていることがわかる。粒径が大きくなることによって粒界が減少するため、キャリアが粒界によってトラップされることが減少し、エネルギー変換効率がより向上させることが可能である。"