基板材料に石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を副成分とし、さらにマンガンMn、銅Cu、コバルトCo、クロムCr、鉄Fe、銀Ag、ニッケルNi、硫黄S、セレンSe、金Au、ネオジムNdの酸化物を少なくとも1種含む材料で形成される、着色基板であることを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記基板上に、多層反射層、吸収層を順次積層することを特徴とする反射型マスクブランク。請求項1または2のマスクブランクに、パターンを形成したことを特徴とする反射型マスク。本発明は上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域からEUVおよびDUVの反射を除去した反射型マスクを提供することにある。請求項1に記載の発明は、反射型マスクブランクにおいて、基板材料に石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2を副成分とし、さらにマンガンMn、銅Cu、コバルトCo、クロムCr、鉄Fe、銀Ag、ニッケルNi、硫黄S、セレンSe、金Au、ネオジムNdの酸化金属を含む材料で形成されることを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の反射型マスクブランクであって、前記基板上に、多層反射層、吸収層を順次積層することを特徴とする反射型マスクブランクである。請求項3に記載の発明は、請求項1または2のマスクブランクに、パターンを形成したことを特徴とする反射型マスクである。本発明によれば、紫外線の一種であるEUVおよびDUVの反射を除去低減する手段として、半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域の吸収層、保護層および多層反射膜の一部を選択的に除去し枠状の領域を形成し、基板に紫外線を反射しないもしくは吸収する領域を形成し、さらに、基板自体が紫外線を反射しない、若しくは吸収する材料を使用することで、アウトオブバンドを低減することが可能となる。このような構成の反射型マスクフォトマスクとすることで、半導体等の配線パターン寸法への影響をより低減することが可能となる。また、配線パターン寸法が安定することで、半導体等の製造歩留まりを改善することも可能となる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。本願発明が効果を奏する反射型マスクの構成の一例としては下記の物が挙げられる。基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、を順番に形成され、さらに該基板の多層反射膜とは反対面上に導電膜を形成された反射型マスクブランクが上げられる。また、波長5から15nmの光を露光光とするリソグラフィで用いられる上記構成の反射型マスクブランクである。前記基板は石英SiO2を主成分とし酸化チタンTiO2、副成分として炭素Cを含む材料で形成され、前記多層反射膜は前記基板上にモリブデンMoを材料とする層と珪素Siを材料とする層とが重ねられた層が複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、前記保護膜は前記多層反射膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造であり、ルテニウムRuまたはシリコンSiのいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がルテニウムRuの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成される。前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、単層構造もしくは積層構造となっており、タンタルTa及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成され、積層構造の場合はその最上層がタンタルTaの酸化物、窒化物、酸窒化物や珪素Siの酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成される。該基板の多層反射膜とは反対面上に形成された裏面導電膜は、単層構造もしくは積層構造となっており、クロムCrまたはタンタルTaのいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物で形成され、積層構造の場合はその該基板側の層はクロムCrまたはタンタルTaのいずれかの金属もしくはその酸化物、窒化物、酸窒化物、または酸化珪素SiOxのいずれかを含む材料で形成される反射型マスクブランクである。また、このような構成の反射型マスクブランクに、所望のパターンを形成することで反射型マスクを作製することができる。従来反射型マスクで利用されている基板としては、石英SiO2を主とした高純度石英や低熱膨張ガラスが利用されてきた。これらの基板は、DUVから近赤外線領域の光を透過するため裏面導電性膜で反射し、アウトオブバンドとなっていた。本願では、石英SiO2の他に、酸化チタンTiO2を含み、さらに、マンガンMn、銅Cu、コバルトCo、クロムCr、鉄Fe、銀Ag、ニッケルNi、硫黄S、セレンSe、金Au、ネオジムNdの酸化金属から少なくとも1種類を含む基板を使用する。本願では、上記のような構成とすることで、肉眼で基板ガラスが着色されていることが確認できるような基板としたり、肉眼では着色が認められずとも、光学的に不透明である基板とすることが可能となる。肉眼で着色が認められるということは、光学的に不透明である波長選択性を有することは理解されるであろう。ガラス自体に特定波長の吸収性を備えさせた事例としてはJIS-R-3208規格の熱線吸収板ガラスが挙げられる。このような基板としては、旭ガラス社のサンユーロ製品名などがある。このような基板は、熱線に加えてEUVやDUV光を吸収する、もしくは反射しにくいため、アウトオブバンドの問題を低減することが可能となる。また、このような反射率が高くならないようにするための具体的な組成比重量比としては、SiO2を84~96、TiO2を3~15含み、残りを上記のMn、Cu、Co、Cr、Fe、Ag、Ni、S、Se、Au、Ndの酸化物から少なくとも1種を含む構成とすればよい。特にTiO2がこの範囲から外れると、アウトオブバンド低減効果および、低熱膨張率の効果が薄れるため、好ましくない。なお、本発明では、特に断りがない限り、は重量とする。また、上記のように基板の組成に限定するのではなく、EUV、やDUVの反射率が一定値以下具体的には、EUVの反射率が0.1以下もしくは光学濃度で3以上、DUVの反射率が0.3以下であれば、同様の効果を得ることができる。基板のEUVの反射率はEUVテクノロジー社製の反射率計、DUVの反射率は、日立ハイテクノロジーズ社製分光光度計U4100で測定することができる。本発明では説明のため、膜として記載しているが、膜を層としてもよい。先ず、本発明の第1の実施形態について図1を参照して説明する。図1は、反射型マスクブランクス10の断面図である。より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。EUV光の波長は、例えば13.5nmである。基板11の一面上に多層反射膜12、保護膜13、吸収膜14をこの順に形成する。基板11の、多層反射膜12とは反対側面には裏面導電膜15を積層して形成する。多層反射膜12、保護膜13、吸収膜14、及び裏面導電膜15は、公知のマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することができる。多層反射膜12は好ましくはイオンビームスパッタリング法で形成し、MoモリブデンとSi珪素の2つのターゲットが同一成膜装置内に用意されており、それぞれ約3nm、約4nmを交互に堆積する。保護膜13はRu合金2から3nmを堆積する。吸収膜14は2層の場合、下層はTaタンタルを主成分とするターゲットに成膜応力を所望の値を得るために窒素ガスを導入して30nmから70nm堆積をする。下層は70nm以上の堆積は半導体パターンにおける斜影効果とよばれる光学影響があることから好ましくない。膜厚は一般に波長EUV波長に対する光学濃度3以上が遮光性性能として好ましい。上層は下層と同じターゲットを用い、さらに酸素ガスを導入してTaOx酸化タンタルもしくはTaOxNy酸化窒化タンタル膜を2nmから15nm堆積する。膜厚は一般に光学式パターン検査機で採用されている光源波長波長193nm、199nm、257nmに対して所定の低反射率が達成可能な膜厚が選択される。裏面導電膜はCrクロムを主成分とするターゲットに窒素ガスを導入して窒化クロムを約10から100nm成膜する。導電性はシート抵抗値で100オーム/□以下が好ましく、この場合10nm以下はシート抵抗が100オーム/□以上となり所定の導電性が失われるため好ましく無い。次に、本発明の2の実施形態について、図2を参照して説明する。図2は、図1で示した反射型マスクブランクス10を用いた露光用反射型マスク100であって、図2aはそのマスク100の平面図、図2bはそのマスク100の断面図である。図2abに示すように、回路パターンAの領域の外側に位置して、吸収膜14、保護膜13及び多層反射膜12の一部にわたり遮光枠領域Bを形成した構造である。次に、本マスクの製造方法を図3乃至図4に示す。ここで、図3は工程のステップを示し、図4は各工程での加工状態の断面図を示す。まず、図1のブランクスを用意し、吸収膜14に回路パターンAと領域Bを形成する。つまり、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト21を吸収膜14に塗布S1し、所定の回路パターンAと遮光枠領域Bを描画するS2。レジストは信越化学社製のFEP171を3000nmスピンコート法により塗布した。描画はニューフレアテクノロジーズ社製のEBM6000電子線描画装置を行った。その後、アルカリ溶液であるTMAHなどで現像S3を行い、これにより形成したレジスト21のパターンをマスクにして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるドライエッチングS4を行い、不要なレジスト21のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないしは有機溶剤などで溶解除去S5する。その後、必要に応じて、紫外線ランプによる有機物分解や酸アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理S6と、遠心力を利用したスピン乾燥S7を行う。以上の工程により回路パターンAと遮光枠領域Bが形成される。次に、図5で遮光枠領域Bの保護膜13と多層反射膜12の部分を形成する工程を説明する。まず、上記のマスクに紫外線または電子線に反応を示すレジスト21を塗布するS8。この後、遮光枠領域Bを露光または電子線で描画するS9。前記同様、現像S10、エッチングS11、レジストの除去S12、洗浄S13、乾燥S14を行い、領域Bを完成する。エッチング工程S11では、まず、保護膜13の除去をフッ素系ガスプラズマを用い、多層反射膜12は保護膜13と同じくフッ素系ガスプラズマもしくは塩素ガス系プラズマを交互に用いる方法で行ない、遮光枠領域Bを形成する。以上の工程により、図6に示す反射型マスク100が完成する。従来の基板は遮光枠領域Bの形成だけでは基板11を一旦透過して裏面導電膜15から反射して再度戻ってくる光成分を除去しきれない。本発明では基板を染色ないしは着色することで、不必要なアウトオブバンド光が半導体基板側に導かれず、半導体基板上に塗布されたレジストの感光を避けることが可能となった。本発明は前記実施形態そのままに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、明細書に示される事項の適宜の組み合わせによって種々の発明を想定できるものである。上記のマスクブランクの製造方法で、基材を下記のように変更して計測した反射率結果を表1に示す。測定部を図7に示す。基板のEUVの反射率はEUVテクノロジー社製の反射率計、DUVの反射率は日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計U4100で測定した。図7における吸収膜部、反射部、遮光部のEUV反射率とDUV反射率は表1に示すとおりである。図8に波長13nmから14nm領域のEUV領域の反射スペクトルを示す。吸収膜部、反射部、遮光部の13.5nmの反射率はそれぞれ61.7、1.48、0であった。これより遮光部は0であり、反射が測定できないほど少ないことを確認出来た。また、図9では、DUV反射率においての190nmから760nmの遠紫外線DUV、可視BIS-近赤外線NIR領域のスペクトルを示す。吸収膜部、反射部、遮光部の199nmの反射率はそれぞれ20.4、47.6、0、257nmにおける反射率は5.9、52.7、0と遮光部の反射率は0であり、反射が測定できないほど少ないことを確認出来た。