"注入口を有するシール材を介して貼り合わされた第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持され、封止材によって前記注入口が封止された液晶装置であって、前記第1基板に、画素領域に複数の画素電極と、前記複数の画素電極を覆う第1絶縁膜とが形成され、前記第2基板に、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極を覆う第2絶縁膜とが形成されており、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、それぞれ前記画素領域と前記封止材との間において、前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分を有していることを特徴とする液晶装置。前記画素領域を囲む遮光性の見切り部を有し、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、それぞれ前記見切り部と前記封止材との間において、前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分を有していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分に段差部が形成され、前記段差部と前記封止材との間に間隔を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。前記段差部の段差が50nm以上、且つ前記液晶層の基準の厚みの5以下の大きさであることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の少なくとも一方は、前記画素領域において前記注入口に近づくほど膜厚が薄くなっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の少なくとも一方は、基板側から順に積層された窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。しかしながら、上記特許文献1の液晶を封入する技術を用いたとしても、注入口を塞ぐ封止材を硬化させるまでの間に、封止材中に含まれる、例えば硬化開始剤、溶媒成分、微量なイオン成分などの不純物が液晶層中に拡散して、注入口付近の液晶分子の配向状態を阻害し表示むらが発生するおそれがあった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の液晶装置は、注入口を有するシール材を介して貼り合わされた第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持され、封止材によって前記注入口が封止された液晶装置であって、前記第1基板に、画素領域に複数の画素電極と、前記複数の画素電極を覆う第1絶縁膜とが形成され、前記第2基板に、前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極を覆う第2絶縁膜とが形成されており、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、それぞれ前記画素領域と前記封止材との間において、前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分を有していることを特徴とする。この構成によれば、注入口を封止する封止材中に含まれる不純物が画素領域に向かって液晶中を拡散してゆくと、第1絶縁膜および第2絶縁膜の双方において画素領域よりも厚みが薄い部分との境で不純物の拡散が抑制され、画素領域に表示むらが発生し難くなる。つまり、封止材からの不純物の拡散に起因する表示むらが発生し難く、安定した表示品質を有する液晶装置を提供できる。[適用例2]上記適用例の液晶装置において、前記画素領域を囲む遮光性の見切り部を有し、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、それぞれ前記見切り部と前記封止材との間において、前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分を有しているとしてもよい。この構成によれば、第1および第2絶縁膜の厚みが薄くなった部分は見切り部よりも外側になる。仮に封止材からの不純物の拡散が当該厚みが薄くなった部分から画素領域側に侵入したとしても見切り部が存在しているので、実際の表示に及ぼす影響を防止することができる。[適用例3]上記適用例の液晶装置において、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の前記画素領域の厚みよりも厚みが薄くなった部分に段差部が形成され、前記段差部と前記封止材との間に間隔を有していることが好ましい。この構成によれば、封止材から離間して形成された段差部により、不純物の画素領域への拡散を確実に抑制することができる。[適用例4]上記適用例の液晶装置において、前記段差部の段差が50nm以上、且つ前記液晶層の基準の厚みの5以下の大きさであることが好ましい。この構成によれば、段差部で不純物の画素領域への拡散をより確実に抑制することができる。[適用例5]上記適用例の液晶装置において、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の少なくとも一方は、前記画素領域において前記注入口に近づくほど膜厚が薄くなっていることを特徴とする。封止材に含まれる不純物が拡散した部分の液晶層における電気抵抗が低下すると、液晶層に駆動電圧を与えても当該部分において必要以上に電流が流れ、これにより駆動電圧が降下する。つまり、液晶層に所定の駆動電圧を印加することができず、光漏れなどの表示不具合が生ずる。この構成によれば、第1絶縁膜および第2絶縁膜の少なくとも一方は、画素領域において注入口に近づくほど膜厚が薄くなっている。つまりは、注入口に近づくほど液晶層の厚みが基準となる厚みよりも厚くなる。したがって、仮に封止材から不純物が拡散して画素領域に至ったとしても、上記電気抵抗の低下が抑制されるので、印加電圧の降下に伴う表示不具合の発生を抑制できる。[適用例6]上記適用例の液晶装置において、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の少なくとも一方は、基板側から順に積層された窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを含むことが好ましい。この構成によれば、酸化シリコン膜は窒化シリコン膜に比べてエッチングがし易い或いはエッチングレートが早い。したがって、エッチングによる膜厚の調整がし易いので、第1絶縁膜および第2絶縁膜の表面を選択的に且つ容易にエッチングすることができる。言い換えれば、膜厚が厚い部分と薄い部分との境に段差部を形成し易い。[適用例7]本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、封止材に含まれる不純物の拡散に起因する表示むらが発生し難く、安定した表示品質を有する電子機器を提供できる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。なお、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターThinFilmTransistor;TFTを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の液晶装置について、図1および図2を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、同図bは同図aのH-H’線で切った概略断面図、図2は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図1aおよびbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10および対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10および対向基板20は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられている。本発明における第1基板としての素子基板10は第2基板としての対向基板20よりも一回り大きい。両基板は、額縁状に配置されたシール材40を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶がシール材40に設けられた注入口108から注入され、液晶層50を構成している。注入口108は封止材109によって封止されている。シール材40は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ系樹脂などの接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。封止材109は、例えば紫外線硬化性のアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂を用いることができる。額縁状に配置されたシール材40の内側には、同じく額縁状に遮光膜21が設けられている。遮光膜21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜21の内側が画素領域Eとなっている。つまり、遮光膜21は本発明における見切り部として機能するものであり、以降、見切り部21と呼ぶこともある。画素領域Eには、マトリックス状に画素Pが複数配置されている。画素領域Eに配置された複数の画素Pのすべてが表示に寄与するとしてもよいし、表示に寄与する有効な複数の画素Pを取り囲むダミー画素を含むとしてもよい。なお、図1では図示省略したが、画素領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光部が素子基板10と対向基板20とのうち少なくとも一方に設けられている。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と交差し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40の内側に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部のシール材40の内側には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と交差し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた光透過性を有する画素電極15およびスイッチング素子としての薄膜トランジスターTFT;ThinFilmTransistor、以下、TFTとも称する30と、信号配線と、これらを覆う第1絶縁膜17と、が形成されている。また、TFT30における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。対向基板20の液晶層50側の表面には、遮光膜21と、これを覆うように成膜された層間絶縁膜22と、少なくとも画素領域Eに亘って層間絶縁膜22を覆うように設けられた対向電極23と、対向電極23を覆う第2絶縁膜24とが設けられている。見切り部21は、図1aに示すように平面的にデータ線駆動回路101や走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。層間絶縁膜22は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部21を覆うように設けられている。層間絶縁膜22は後述する対向電極23の液晶層50に面する側の表面が平坦となるように、平坦化層としても機能している。このような層間絶縁膜22の形成方法としては、例えばプラズマCVD法などを用いて成膜する方法が挙げられる。対向電極23は、例えばITOなどの透明導電膜からなり、層間絶縁膜22を覆うと共に、図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線に電気的に接続している。素子基板10における複数の画素電極15を覆う第1絶縁膜17や、対向基板20における対向電極23を覆う第2絶縁膜24は、液晶層50中に導電性の異物が混入したとしても、画素電極15と対向電極23とが当該異物によって電気的に短絡することを防ぐものである。図1bでは、図示を省略したが、少なくとも画素領域Eに対応する第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の液晶層50に面する側には、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を所定の方向に配向させる配向膜がそれぞれ形成されている。これらの配向膜は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、SiOx酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向処理が施されたものが挙げられる。図2に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて交差する信号線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、走査線3aに対して平行する容量線3bとを有する。走査線3aとデータ線6aとにより区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、蓄積容量16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された対向電極23との間で一定期間保持される。保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と対向電極23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量16が接続されている。蓄積容量16は、TFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。詳しくは後述するが、本実施形態では、蓄積容量16を構成する一対の透光性電極のうちの一方が容量線3bとして機能している。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6aが接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6aに供給するサンプリング回路、データ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は透過型であって、画素Pが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が配置されて用いられる。次に、図3及び図4を参照して液晶装置100の構造についてさらに詳しく説明する。図3aは注入口付近の構成を示す拡大平面図、同図bは同図aのA-A’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図4aは画素領域に対するシール材および封止材の配置を示す概略平面図、同図bは同図aのB-B’線で切った液晶装置における絶縁膜の構造を示す概略断面図である。なお、図3bおよび図4bの断面図では、配向膜の図示を省略している。図3aに示すように、シール材40は、平面的に対向基板20の端部と見切り部21との間に配置され、且つ開口した部分の一方の端が対向基板20の端部からややはみ出るように配置されて注入口108が形成されている。注入口108は、開口した部分の幅が対向基板20の端部側よりも見切り部21側の方が広くなるように形成されている。例えば開口の幅を一定とするようにシール材40を配置して一対の基板を貼り合わせると、注入口角部においてより多くのシール材40が潰れて注入口角部の幅が広くなり、結果的に外側よりも内側が窄まった開口となって、液晶の注入が阻害される。上記のように開口部分の内側の幅が外側よりも広くなるようにシール材40を配置することで液晶の注入や封止材109の充填がし易い注入口形状とすることができる。封止材109は、注入口108の内縁に密着しつつ内部に侵入して、見切り部21との間に所定の間隔を有するように配置される。このような封止方法としては、例えば、対向基板20の表面を素子基板10に向けてやや加圧した状態で、注入口108を塞ぐように対向基板20の端部に所定量の封止材109を塗布する。その後、対向基板20の加圧を解除すると、一対の基板間の間隔が元に戻ることで液晶が内部に引き込まれ、同時に注入口108部分で液晶と接していた封止材109も注入口108の内部に引き込まれる。注入口108がほぼ封止材109により充填され、見切り部21との間で所定の間隔が保たれた状態で、紫外線を照射して封止材109を硬化させる。封止材109の材料にも寄るが、一般的な紫外線硬化型の材料は硬化時に若干の体積収縮が起きる。したがって、封止材109をどの程度注入口108内部に侵入させるかは、上記体積収縮を加味して封止条件が設定される。図3bに示すように、本実施形態の液晶装置100は、前述したように素子基板10と対向基板20とにより液晶層50を挟持した構造となっている。素子基板10の液晶層50側には複数の画素電極15を覆う第1絶縁膜17が形成されている。同様に、対向基板20の液晶層50側には対向電極23を覆う第2絶縁膜24が形成されている。第1絶縁膜17および第2絶縁膜24は、画素領域Eと注入口108に充填された封止材109との間において、画素領域Eの厚みよりも厚みが薄い部分を有している。具体的には、素子基板10側の第1絶縁膜17は、画素領域Eの厚みよりも厚みが薄い部分としての凹部17cを有している。凹部17cは、注入口108よりも外側に位置する封止材109が平面的に含まれる位置まで厚みが薄い部分が続いており、その後、画素領域Eと同じ厚みとなるように形成されている。対向基板20側の第2絶縁膜24は、画素領域Eの厚みよりも厚みが薄い部分としての凹部24cを有している。凹部24cは、注入口108における対向基板20の端部まで厚みが薄い部分が続くように形成されている。また、第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の厚みが画素領域Eよりも薄くなった部分には段差部17d,24dが形成されている。当該段差部17d,24dは見切り部21よりも封止材109寄りに形成されている。言い換えれば、凹部17cと凹部24cの一方の端部が見切り部21と充填された封止材109との間に位置するように、凹部17c,24cが形成されている。平面的には、図3aに示すように、素子基板10側の凹部17cは、見切り部21よりも外側であって、注入口108と封止材109とが収まる領域に設けられている。対向基板20側の凹部24cは、見切り部21よりも外側であって、対向基板20と平面的に重なった注入口108と封止材109とが収まる領域に設けられている。より具体的な例を挙げると、見切り部21と対向基板20の端部までの距離をおよそ2mm2000μmとする。シール材40はほぼ見切り部21と対向基板20の端部までの間の中間的な位置に配置されており、一対の基板が接着された後のシール材40の線幅はおよそ1mmである。また、注入口108の見切り部21側の開口幅をおよそ400μmとし、対向基板20の端部側の開口幅をおよそ300μmとする。凹部17cは平面視で四角形であって、対向基板20の辺部に沿った方向の長さL1はおよそ700μm~800μmである。これに直交する方向の長さL2はおよそ2.5mm2500μmである。見切り部21との間の隙間L4はおよそ100μmである。凹部24cも平面視で四角形であって、対向基板20の辺部に沿った方向の長さL1はおよそ700μm~800μmである。また、これに直交する方向の長さL3はおよそ1.9mmである。つまり、凹部17cは対向基板20の端部から外側におよそ600μmはみ出るように形成されている。第1絶縁膜17と第2絶縁膜24の厚みが薄くなった凹部17cと凹部24cとの間に注入口108が形成され、封止材109によって封止されている。したがって、段差部17d,24dと封止材109との距離L5は、500μmとなっている。つまり、段差部17d,24dと封止材109とは離れた位置に形成されている。なお、凹部17c,24cの平面形状は四角形に限定されるものではない。また、第1絶縁膜17は、素子基板10の画素電極15を覆うように基板面側から順に積層された窒化シリコン膜17aと酸化シリコン膜17bとからなる。同様に、第2絶縁膜24は、対向基板20の対向電極23を覆うように基板面側から順に積層された窒化シリコン膜24aと酸化シリコン膜24bとからなる。第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の画素領域Eにおける厚みは例えばおよそ100nm~200nmである。また、窒化シリコン膜17a,24aの厚みはおよそ50nm~150nmである。つまり、酸化シリコン膜17b,24bの厚みはおよそ50nmである。凹部17cおよび凹部24cは、窒化シリコン膜17a,24aよりも容易にエッチングが可能あるいはエッチングレートが早い酸化シリコン膜17b,24bの部分を選択的にエッチングすることによって形成されている。したがって、第1絶縁膜17と第2絶縁膜24とにおける段差部17d,24dの段差はおよそ50nmである。段差部17d,24dは、封止材109に含まれる不純物が拡散して画素領域Eに到達しないように、当該不純物の拡散を抑制する目的で第1絶縁膜17および第2絶縁膜24に形成されている。当該不純物としては、紫外線硬化開始剤や溶媒成分などの未硬化物、金属などのイオン成分が挙げられる。したがって、段差部17d,24dの段差は、少なくとも50nm以上とすることが好ましい。酸化シリコン膜17b,24bをエッチングする方法としては、非エッチング部分をレジスト膜で覆い、レジスト膜で覆われていない部分を、例えばフッ酸を含む水溶液を用いてエッチングする湿式法、フッ素系のエッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング法が挙げられる。特に、段差部17d,24dを切り立った状態で形成するには、エッチング方向を制御し易いドライエッチング法が好ましい。次に、注入口108付近以外の画素領域Eにおける第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の構造について、図4aおよびbを参照して説明する。図4aに示すように、第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚を注入口108封止材109から遠ざかるほど厚くする、言い換えれば、注入口108封止材109に近づくほど薄くする。図4aでは、このような膜厚の変化を注入口108の中央部を中心とした同心且つ円弧状の等高線として示した。なお、等高線は、同心であれば必ずしも平面視で円弧状である必要はなく、多角形としてもよい。具体的には、図4bに示すように、例えば、第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の双方において、注入口108封止材109から遠ざかるほど段階的断面が階段状に膜厚を厚くする。液晶装置100の画素領域Eのほぼ中央における光学設計上の液晶層50の厚みセルギャップとも言うをd0とし、画素領域Eにおける注入口108近傍の液晶層50の厚みをd1とし、画素領域Eにおける注入口108から最も遠い部分の液晶層50の厚みをd2とする。厚みd1および厚みd2が厚みd0に対して10以内の範囲に収まるように第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の膜厚を段階的に変化させる。封止材109から不純物が液晶層50に拡散すると、拡散した部分の液晶層50における電気抵抗が低下するおそれがある。電気抵抗が低下すると液晶層50に駆動電圧を印加しても、電気抵抗の低下した部分で必要以上に電流が流れ、流れた電流分に相当する電圧損失が生じて、例えば光漏れなどが生じ、所望の表示状態が得られなくなる。本実施形態のように液晶層50の厚みを段階的に変化させることによって、たとえ封止材109から不純物が画素領域Eに拡散しても、不純物が拡散し易い部分つまり注入口108近傍の液晶層50の厚みは他の部分よりも厚いので、当該部分における電気抵抗の低下による表示への影響を小さくすることができる。第1絶縁膜17や第2絶縁膜24の膜厚を段階的に変化させる方法としては、エッチングがし易い酸化シリコン膜17b,24bの膜厚を段階的に変化させる方法が挙げられる。より具体的には、図4aに示した等高線に対応させて、レジスト膜で覆う非エッチング領域を段階的に少なくしてエッチングを繰り返す方法が挙げられる。エッチングを考慮した所定の膜厚で第1絶縁膜17および第2絶縁膜24を形成した後に、第1絶縁膜17の段差部17dと第2絶縁膜24の段差部24dの段差が少なくとも50nm以上となり、注入口108から遠ざかるほど膜厚が厚くなるようにエッチングを施せばよい。なお、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されたシール材40が配置される部分の第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の厚みは一定であることが好ましいことは言うまでもない。したがって、注入口108が形成される凹部17c,24cにおける第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の厚みと、注入口108以外のシール材40が配置される部分の第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の厚みとの差、つまり段差部17d,24dの段差は50nm以上、且つ光学特性のばらつきを考慮すると、液晶層50の基準の厚みd0に対して5以下が望ましい。例えば、d0が3μmならば、150nm以下とする。また、前述したように、少なくとも画素領域Eに対応する部分の第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚を段階的に変化させればよいので、例えば、画素領域Eにおける第2絶縁膜24の厚みを一定として、第1絶縁膜17の膜厚を段階的に変化させてもよい。上記のような第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の構成を有する液晶装置100と、凹部17c,24cが形成されていない従来の液晶装置とを、例えば60°C~80°Cに加温しながら通電する高温通電試験を実施したところ、注入口108付近に表示不具合が発生する時間は、本実施形態の液晶装置100が従来の液晶装置よりも数倍長い時間であった。つまり、実用上の信頼性寿命が数倍延びることが判明している。以上に述べた上記実施形態によれば、以下の効果が得られる。1液晶装置100は、画素領域Eと注入口108に充填された封止材109との間において、素子基板10側の第1絶縁膜17と、対向基板20側の第2絶縁膜24とにそれぞれ画素領域Eよりも厚みが薄い部分すなわち凹部17c,24cが形成されている。凹部17c,24cの一方の端に形成された段差部17d,24dと充填された封止材109との間には平面的に間隔が設けられている。したがって、封止材109に含まれる不純物が画素領域Eに向かって液晶層50中を拡散しても、画素領域Eとの境界付近に形成された段差部17d,24dによって拡散が阻害抑制される。ゆえに、当該不純物の画素領域Eへの拡散に起因する表示不具合が低減された液晶装置100を提供できる。2また、対向基板20には画素領域Eを囲む遮光性の見切り部21が設けられ、第1絶縁膜17と第2絶縁膜24の段差部17d,24dは、見切り部21よりも封止材109側に位置している。したがって、当該不純物が段差部17d,24dを乗り越えたとしても見切り部21によって遮光されるので、当該不純物の拡散による表示不具合がより目立ち難くなる。3注入口108付近の第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の段差構造に加えて、画素領域Eに対応する部分では、第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚が注入口108から遠ざかるほど厚くなっている。言い換えれば、液晶層50の厚みは注入口108に近づくほど基準の厚みd0よりも厚くなっている。したがって、封止材109に含まれる不純物が拡散しても、拡散した部分の液晶層50における電気抵抗が基準の厚みd0を有する液晶層50の電気抵抗よりも低くなり難い。つまり、当該不純物の拡散に起因する表示不具合をより低減することができる。第2実施形態図5は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図5に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光Rを反射させ、緑色光Gと青色光Bとを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光Gを反射させ、青色光Bを透過させる。ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光Rは、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光Gは、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光Bは、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報映像信号に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。液晶ライトバルブ1210は、上述した第1実施形態の液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。このような投射型表示装置1000によれば、封止材109に含まれる不純物の拡散に起因する表示不具合が低減され、安定した表示品質が得られる液晶装置100を液晶ライトバルブ1210,1220,1230として用いているので、優れた表示品位が実現されている。本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置100および該液晶装置100を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1図6は変形例の絶縁膜の膜厚の変化を示す概略平面図である。図6に示すように、画素領域Eにおける第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚の段階的な変化を示す等高線想像線は、注入口108が設けられた対向基板20の辺部と平行な状態となっている。つまり、注入口108が設けられた基板辺部から遠ざかるほど膜厚が厚くなるように第1絶縁膜17および第2絶縁膜24の少なくとも一方を形成してもよい。また、段階的に膜厚を変化させる領域は、画素領域Eの全体に亘ることに限定されない。注入口108に近い側の例えば画素領域Eの1/2や1/4であってもよい。変形例2上記液晶装置100において、画素領域Eにおける第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚の変化は段階的であることに限定されず、連続的に膜厚を変化させてもよい。変形例3上記液晶装置100において、画素領域Eにおける第1絶縁膜17および第2絶縁膜24のうち少なくとも一方の膜厚が段階的に変化する構成は、必須ではない。画素領域Eと封止材109との間に形成された第1絶縁膜17の段差部17dおよび第2絶縁膜24の段差部24dにより封止材109に含まれる不純物の画素領域Eへの拡散が抑制できればよい。変形例4上記液晶装置100において、シール材40における注入口108の形状と配置は、これに限定されない。例えば、図1においてデータ線駆動回路101や複数の外部接続用端子104が設けられた素子基板10の端子部とは反対側の辺部や同じく反対側の対向基板20の角部付近に開口するように注入口108を設けてもよい。これによれば、画素回路に関連する各種配線を避けて、凹部17c,24cを形成することができる。変形例5上記第1絶縁膜17や第2絶縁膜24の構造を適用可能な液晶装置100は透過型に限定されない。例えば画素Pの画素電極15が光反射性を有する反射型の液晶装置や、画素Pが光反射領域と光透過領域とを有する半透過反射型、画素Pが半透過型の液晶装置にも適用可能である。変形例6上記液晶装置100が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUDヘッドアップディスプレイや直視型のHMDヘッドマウントディスプレイ、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。"