"半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧して設けられる放熱器と、を有し、前記放熱器の冷媒路であって、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上の冷媒路に、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する弾性部材を設けることを特徴とする半導体モジュール。前記冷媒路は、前記弾性部材によって前記半導体素子方向に押圧される蓋部材と当該蓋部材に対向して設けられる外装部材とにより形成され、前記蓋部材の中心部の厚さは、当該蓋部材の周縁部より薄く形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記蓋部材の、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上にある部分の厚さは、0.3mm以上1mm以下であることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記冷媒路であって、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上でない箇所にさらに弾性体を設け、前記弾性体の圧接力は、前記弾性部材の圧接力より小さくすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記冷媒路に、前記弾性部材を冷媒から隔離する格納部を設けることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記冷媒路の高さは、3mm以上であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記外装部材の厚さは、3mm以上であることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記弾性部材及び前記弾性体のいずれか同士を接続する接続部を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、を備える半導体モジュールにおいて、前記電極端子に絶縁板を介して設けられる蓋部材と、当該蓋部材と対向して外装部材を設けることで冷媒路を形成し、この冷媒路に前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する弾性部材を設けて構成される放熱器を備え、前記放熱器を、前記半導体素子方向に押圧して設けるとともに、前記放熱器の外周部であって、前記電極端子を押圧する面に封止部材を介して筺体を設けることを特徴とする半導体モジュール。圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールは、半導体モジュールを構成する構成部材の熱膨張係数の違いにより、半導体モジュールに設けられる各半導体素子に所定の圧接力を作用させることが困難になるおそれがあった。そして、熱膨張の違いによる応力集中が避けられない場合、半導体モジュールを構成する構成部材の特定の界面で接触圧力が過大あるいは過小となるおそれがあった。なお、特許文献1,2には、ヒートシンクの冷媒路に弾性部材を設けることが開示されているが、どちらもヒートシンクと被冷却部品との接触を維持するためのものであり、半導体素子の電極層とこの電極層に接続される電極端子とを圧接するためのものではない。上記事情に鑑み、本発明は、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールを構成する構成部材にかかる圧接力が予め定められた範囲となるように維持することに貢献し、以て半導体モジュールの動作信頼性の向上に寄与することを目的としている。上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの一態様は、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧して設けられる放熱器と、を有し、前記放熱器の冷媒路であって、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上の冷媒路に、前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する弾性部材を設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記冷媒路を、前記弾性部材によって前記半導体素子方向に押圧される蓋部材と当該蓋部材に対向して設けられる外装部材とにより形成し、前記蓋部材の中心部の厚さを、当該蓋部材の周縁部より薄く形成することを特徴としている。好ましくは、前記蓋部材の、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上にある部分の厚さを、0.3mm以上1mm以下とすると、半導体素子の積層部の熱膨張に応じて、蓋部材を弾性変形させることができる。また、前記外装部材の厚さを3mm以上とすることで、半導体モジュールの剛性を確保してもよい。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記冷媒路であって、前記半導体素子の電極面の垂直方向延長上でない箇所に、さらに弾性体を設け、前記弾性体の圧接力が、前記弾性部材の圧接力より小さいことを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記冷媒路に、前記弾性部材を冷媒から隔離する格納部を設けることを特徴としている。また、上記の半導体モジュールにおいて、前記冷媒路の高さを、3mm以上とすることで、半導体モジュールの温度変化に対して弾性力の変化が小さい弾性部材を冷媒路に設けることもできる。また、前記弾性部材及び前記弾性体のいずれか同士を接続する接続部を設けてもよい。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、半導体素子と、前記半導体素子の電極層と電気的に接続される電極端子と、を備える半導体モジュールにおいて、前記電極端子に絶縁板を介して設けられる蓋部材と、当該蓋部材と対向して外装部材を設けることで冷媒路を形成し、この冷媒路に前記電極端子を前記半導体素子方向に押圧する弾性部材を設けて構成される放熱器を備え、前記放熱器を、前記半導体素子方向に押圧して設けるとともに、前記放熱器の外周部であって、前記電極端子を押圧する面に封止部材を介して筺体を設けることを特徴としている。以上の発明によれば、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールの温度によらず、半導体モジュールを構成する構成部材にかかる圧接力が予め定められた範囲となるように維持することに貢献することができる。本発明の実施形態に係る半導体モジュールについて、図を参照して詳細に説明する。実施形態1図1aは、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1の要部断面図である。本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、半導体素子2a,2b、AC電極端子3、DC電極端子4,5、放熱器6を備える。半導体素子2a,2bは、AC電極端子3の下面に応力緩衝板7コンタクト電極を介して設けられ、AC電極端子3と半導体素子2a,2bのP側電極層或いは、N側電極層が電気的に接続される。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び底面とするが、上下方向は、本発明をなんら限定するものではない後述の実施形態2,3も同様である。また、図示省略するが、応力緩衝板7と接触する半導体素子2a,2bの接触面には、電極層例えば、アルミニウム等が蒸着等の方法で膜状に形成されている。半導体素子2aのAC電極端子3が設けられる面の反対の面には、応力緩衝板7を介してDC電極端子4-極が設けられ、DC電極端子4と半導体素子2aのN側電極層或いは、P側電極層が電気的に接続される。また、半導体素子2bのAC電極端子3が設けられる面の反対の面には、応力緩衝板7を介してDC電極端子5極が設けられ、DC電極端子5と半導体素子2bのP側電極層或いは、N側電極層が電気的に接続される。AC電極端子3及びDC電極端子4若しくは、DC電極端子5は、周知の電極材料銅やアルミニウム等を用いる。図示省略しているが、AC電極端子3及びDC電極端子4若しくは、DC電極端子5間には、半導体素子2aまたは、半導体素子2bの位置決めを行うホルダが形成され、半導体素子2aまたは、半導体素子2bの水平方向の位置決め及び固定が行われる。放熱器6は、AC電極端子3の半導体素子2a,2bが接続される面の反対側の面に絶縁板13を介して設けられる。また、放熱器6は、DC電極端子4の半導体素子2aが接続される面の反対側の面及びDC電極端子5の半導体素子2bが接続される面の反対側の面に、絶縁板13を介して設けられる。つまり、放熱器6,6は、半導体素子2a若しくは、半導体素子2bを上下方向から冷却するように一対設けられる。放熱器6は、絶縁板13と接する蓋部材8と、この蓋部材8と対向して設けられるヒートシンク9と、蓋部材8とヒートシンク9との間に設けられるばね10とから構成される。ヒートシンク9の蓋部材8と対向する面の外周部であって、蓋部材8と接触する面には、封止溝9aが形成されており、この封止溝9aにOリング等を介在させて蓋部材8を設けることで、蓋部材8とヒートシンク9との間が封止される。そして、蓋部材8とヒートシンク9とを封止して設けた時、蓋部材8とヒートシンク9との間に冷媒路12が形成されるように、蓋部材8は断面コ字状に形成される。つまり、蓋部材8は、冷媒路12を形成するために、蓋部材8のヒートシンク9と対向する面の外周部蓋部材外周部8aが、蓋部材8の半導体素子2a,2b近傍部分蓋部材中心部8bと比較して肉厚に形成されている。この時、蓋部材外周部8aの厚さを3mm以上とすると、後述のケース14との接触部での封止を確実に行うことができる。一方、蓋部材中心部8bの厚さを薄くすると例えば、0.3~1.0mm、放熱器6と半導体素子2a,2b間の熱抵抗が軽減されるとともに、蓋部材8が弾性変形することで、半導体モジュール1を構成する構成部材応力緩衝板7や半導体素子2a,2b等とケース14との熱膨張量の違いにより発生する熱応力を緩和することができる。なお、ヒートシンク9の厚さを3mm以上とすることで、ヒートシンク9に剛性を持たせることができる。冷媒路12の高さ厚さは、特に限定されるものではないが、冷媒路12の圧力損失が許容範囲以下10000Pa以下となるように設定する。具体的には、冷媒路12の高さを、3mm以上とすることで、冷媒路12の圧力損失を許容範囲以下とすることができる。冷媒路12の高さを3mm以上とした場合、冷媒路12に設けられるばね10として、例えば、3mm以上の自然長を有する、圧縮ばねや皿ばねを用いることができる。図1bに示すように、蓋部材外周部8aには、冷媒入口8c及び、冷媒出口8dが形成され、この冷媒入口8cから冷媒が冷媒路12に供給される。冷媒路12を流通する冷媒は、気体例えば、空気、液体例えば、水等半導体モジュール1を冷却するために用いられる冷媒が適宜選択して用いられる。また、ヒートシンク9若しくは、蓋部材8の冷媒路12側の面には、放熱器6と冷媒との熱交換を促進するためにフィン11が設けられる。冷媒路12にフィン11突起形状のフィン11を周期的に配置することで、半導体モジュール1の放熱性をさらに高めることができる。ばね10は、放熱器6の冷媒路12中であって、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上に設けられる。なお、冷媒路12中であって、他の半導体素子2b~2dの電極面の垂直方向延長上にもばね10が設けられており、これら半導体素子2b~2dの電極面の垂直方向延長上に設けられたばね10の作用効果も、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上に設けられたばね10と同様である。よって、以後、実施形態の説明では、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上に設けられたばね10について詳細に説明し、繰り返しを避けるため他の半導体素子2b~2dに設けられたばね10については詳細な説明を省略する実施形態2,3も同様である。図1aに示すように、AC電極端子3に絶縁板13を介して設けられた放熱器6の冷媒路12には、ばね10が設けられ、このばね10の圧縮力により、AC電極端子3や応力緩衝板7が半導体素子2a方向に圧接される。なお、DC電極端子4,5に絶縁板13を介して設けられる放熱器6も同様に、放熱器6の冷媒路12であって、半導体素子2aまたは、半導体素子2bの電極面の垂直方向延長上にばね10が設けられ、DC電極端子4を半導体素子2aまたは、DC電極端子5を半導体素子2b方向に押圧する。ばね10の大きさは、予め設定された圧縮力を半導体モジュール1を構成する構成部材に作用させることができる大きさを適宜選択して用いる。また、ばね10の配置形態は、実施形態に限定されるものではなく、半導体素子2aの大きさがばね10の直径と比較して十分に大きい場合、一つの半導体素子2aに対して、複数のばね10を並列に配置する形態としてもよい。また、半導体素子2aの大きさがばね10の直径と比較して十分に小さい場合、複数の半導体素子例えば、半導体素子2aと半導体素子2bの中間にばねを設け、一つのばね10で複数の半導体素子2a,2bを押圧する構成としてもよい。また、これら冷媒路12に設けられたばね10同士例えば、ばね10の端部同士を接続する接続部を設けると、複数のばね10の相対的な位置関係が固定されるので、冷媒路12内におけるばね10の移動を防止することができる。なお、冷媒路12内におけるばね10の移動を防止するために、ばね10を蓋部材8若しくは、ヒートシンク9に固定してもよい。半導体モジュール1の上下に配置された放熱器6,6の対向する面の外周部向かい合う蓋部材8,8の面の外周部には、Oリングを介してケース14が設けられる。そして、放熱器6,6及びケース14にボルト15が挿通され、ナット16で放熱器6,6間が締め付けられる。このようにして、放熱器6とケース14との封止及び蓋部材8とヒートシンク9との封止が行われ、蓋部材8及びばね10によって、AC電極端子3若しくは、DC電極端子4,5や絶縁板13に所定例えば、1~10MPaの圧接力が加えられる。なお、放熱器6,6間を締め付ける手段は、ボルト15とナット16に限定されるものではなく、例えば、ナット16と放熱器6との間にばね等の弾性部材を設け、放熱器6,6間を付勢する等適宜周知の締結方法を用いればよい。上記構成からなる本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1によれば、半導体素子2a,2bを冷却する放熱器6,6の冷媒路12であって、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上に、半導体モジュール1を構成する各構成部材を圧接するばね10を設けることで、半導体素子2aに所定の圧接力を加えることができる。つまり、冷媒路12にばね10を設けることにより、半導体モジュール1及び半導体素子2a~2dの温度にかかわらずばね10の温度を略一定とすることができるので、ばね10による圧縮力を一定に維持することができる。また、冷媒路12の高さを3mm以上とすることで、ばね10として、半導体モジュール1の設計誤差後述する例では、数十μm程度に比べ十分大きく例えば、数百μm以上変位させて半導体素子2a等に所定の圧力1~10MPaで圧接するために必要な弾性力を得る、ばね定数の比較的小さいばね例えば、圧縮ばねや皿ばね等を用いることができる。例えば、半導体モジュール1を構成する半導体素子2a,2bや応力緩衝板7の厚みの公差がそれぞれ最大10μmである場合、全体半導体素子2aと応力緩衝板7,7では最大30μmの誤差が想定される。そこで、ばね定数が小さいばね10を用いると、上記の誤差の影響による圧縮力の変化を低減することができる誤差による影響を受けない。その結果、半導体モジュール1を構成する構成部材の誤差により生じる圧接力の変化を低減することができる。また、冷媒路12を形成する蓋部材8の蓋部材中央部8bの厚さを0.3~1.0mmとすることで、蓋部材中央部8bが弾性変形し、半導体モジュール1を構成する各構成部材AC電極端子3や半導体素子2a、応力緩衝板7等とケース14との熱膨張量の違いによる応力を低減することができる。つまり、半導体モジュール1を構成する各構成部材特に半導体素子2aの温度とケース14の温度の違いにより、半導体モジュール1の動作時に、各構成部材とケース14とでは、半導体モジュール1の厚み方向つまり、各構成部材の積層方向の熱膨張量が異なる場合がある。その場合、各構成部材とケース14間に位置する蓋部材8に応力がかかる。本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、蓋部材中央部8bが弾性変形することで、この応力を低減し、ケース14の端部や蓋部材8に局所的な応力がかかることを防止することができる。さらに、蓋部材中央部8bの厚さを薄くすることで、半導体素子2a,2bと冷媒路12を流通する冷媒との間の熱抵抗を減少させることができる。また、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、半導体モジュール1の外周部において、ボルト15及びナット16等の機械的な締結手段を用いて半導体素子2a,2bに所定の圧接力を作用させるとともに、蓋部材8とヒートシンク9、及び蓋部材9とケース14との間にそれぞれOリング等の封止部材を設けて半導体モジュール1の封止を行っている。これら封止部材や締結手段は、放熱器6近傍に設けられるので、封止部材や締結手段が高温に曝されることなく、さらに、半導体モジュール1の動作時に、熱容量の大きい冷媒により冷却されるため時間的な温度変化が小さくなる。その結果、封止部材や締結手段の信頼性が向上するので、半導体モジュール1の動作信頼性が向上する。また、機械的な部材で半導体モジュールを構成する各構成部材例えば、半導体素子2aに適切な圧接力を作用させることができるので、各構成部材間にはんだや樹脂等の接合剤を用いることなく構成部材に適切な圧接力を作用させることができる。その結果、接合剤や封止材の使用をできるだけ抑えつつ、同時に信頼性がある半導体モジュール1を構成することができる。つまり、接合剤や封止材の使用することなく、構成部材に適切な圧接力を作用させることができれば、高温耐性材料を使用するといった材料面での制約を解消するとともに、接合剤や封止材の劣化等、信頼性を毀損する要因が低減されるので、高温対応が可能で、かつ信頼性の高い半導体モジュールを構築することができる。また、接合剤や封止材の使用を低減することで、従来材料より高コストな高温耐性の材料の使用を抑制でき、半導体モジュールの製造コストが抑制される。次に、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1の蓋部材8と冷媒水との界面部分図1aのB-B部分での温度分布及び熱伝達係数の解析を行った。この解析結果に基づいて、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1のさらなる作用について説明する。なお、解析は、境界条件半導体素子2a,2bでの発熱、冷却水流量、冷媒種類、冷媒温度を一定とし、解析ソフトANSYSを用いて流体と構造を連成したシミュレーションを行った。図2aに示すように、冷媒路12にばね10を設けることで、ばね10周辺部の蓋部材8の温度が局所的に低下した。さらに、図2bに示すように、ばね10周辺部の熱伝達係数が局所的に増大した。これは、冷媒路12にばね10を設けることで、冷媒路12を流通する冷媒がばね10に衝突して冷媒の安定流層流が乱され、ばね10周辺で冷媒内の熱交換及び冷媒と蓋部材8との熱交換が促進されたためであると考えられる。本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、半導体素子2aの真上、真下に位置する冷媒路12にばね10が設けられている。つまり、ばね10が設けられる位置は、半導体素子2aで発生した熱が過渡的にも定常的にも最初に伝達する箇所であるので、ばね10近傍の放熱性を高めることは、半導体素子2aの温度と、半導体素子2aと冷媒との熱抵抗を下げることに極めて効果的である。また、冷媒路12内にばね10を配置することで、冷媒路12内に形成されていたフィン11の数を低減することができるので、半導体モジュール1の製造コストを低減することができる。実施形態2図3aは、本発明の実施形態2に係る半導体モジュール17の要部断面図である。本発明の実施形態2に係る半導体モジュール17は、上記実施形態1に係る半導体モジュール1において、さらに放熱器6の冷媒路12にばね10の押圧方向と平行に蓋部材8を押圧するばね18を設けたものである。よって、実施形態の説明では、実施形態1に係る半導体モジュール1と異なる箇所のみ詳細に説明し、その他の構成については、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様であるので、同じ符号を付し詳細な説明を省略する。図3aに示すように、本発明の実施形態2に係る半導体モジュール17は、半導体素子2a,2b、AC電極端子3、DC電極端子4,5、放熱器6を備える。図3bに示すように、半導体モジュール17は、放熱器6の冷媒路12であって、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上以外の場所に、ばね18が設けられる。つまり、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上にばね10が設けられるとともに、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上以外の場所にもばね18が設けられる。ばね18は、ばね10と比較して、ばね定数の小さいものを用いる。つまり、ばね10はAC電極端子3または、DC電極端子4を半導体素子2a方向に押圧する弾性力を作用させるために設けられるものであるのに対して、ばね18は、機械的作用よりも冷媒の流れを乱すことで放熱性を高める作用を担う。さらに、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上以外の場所にばねを設けることで、蓋部材8bの変形が防止される。つまり、冷媒路12にばね10,18を設けることで、冷媒がばね10,18に衝突して冷媒の安定流が乱され、ばね10,18周辺で冷媒内の熱交換及び冷媒と蓋部材8との熱交換が促進されるとともに、ばね18の圧縮力の作用により蓋部材8の変形を防止することができる。以上のように、実施形態2に係る半導体モジュール17によれば、実施形態1に係る半導体モジュール1の効果に加えて、積層部半導体素子2aや応力緩衝板7等からなる積層部以外の場所での蓋部材8の変形を防止するとともに、半導体モジュール17の放熱性を向上させることができる。よって、半導体モジュール17の動作信頼性が向上する。さらに、ばね18が実施形態1に係る半導体モジュール1のフィン11として機能するので、ヒートシンク9若しくは、蓋部材8にフィン11を形成する製造コストや製造の手間を削減することができる。また、各半導体素子に対する位置関係が同じようになるように、ばね18を各半導体素子近傍に多数配置することにより、各半導体素子近傍にて冷媒の流れが乱され、冷媒の流れの下流側にても、冷媒の温度が一定の値まで下がり、冷媒と固体蓋部材8やばね18等間の熱交換率熱伝達係数も向上するため、半導体素子の温度を冷媒流路の上流側、下流側にかかわらず均一に低下させることができる。つまり、半導体素子間の温度のばらつきを軽減することができる。実施形態3図4は、本発明の実施形態3に係る半導体モジュール19の要部断面図である。半導体モジュール19は、上記実施形態1に係る半導体モジュール1において、さらにばね10を格納する格納部20を蓋部材8に設け、この格納部20にAC電極端子3若しくは、DC電極端子4,5や応力緩衝板7等を半導体素子2a,2b方向に押圧するばね10を設けたものである。よって、実施形態の説明では、実施形態1に係る半導体モジュール1と異なる箇所のみ詳細に説明し、その他の構成については、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様であるので、同じ符号を付し詳細な説明を省略する。図4に示すように、本発明の実施形態3に係る半導体モジュール19は、半導体素子2a,2b、AC電極端子3、DC電極端子4,5、放熱器6を備える。放熱器6を構成する蓋部材8のばね10が設けられる場所には、ばね10の外周を囲むように円筒状の格納部20隔壁が設けられる。この格納部20にばね10を設けることで、ばね10が冷媒路12を流通する冷媒から隔離される。また、放熱器6のヒートシンク9であって、格納部20の端部が接する場所には、Oリング等の封止部材が設けられる封止溝9bが形成される。そして、この封止溝9bにOリングを設けヒートシンク9と蓋部材8とを圧接することで、Oリングによって、ヒートシンク9と格納部20との間が封止される。つまり、冷媒路12中であって、半導体素子2aの電極面の垂直方向延長上に設けられるばね10は、格納部20により冷媒から隔離されているので、冷媒によるばね10の腐食が防止される。冷媒路12を流通する冷媒は、格納部20に衝突することで、安定流が乱されるので、実施形態1に係る半導体モジュール1と同様に、格納部20を冷媒路12に設けることで半導体モジュール19の放熱性が向上する。以上のように、実施形態3に係る半導体モジュール19によれば、実施形態1に係る半導体モジュール1の効果に加えて、ばね10が冷媒から隔離されているので、冷媒によるばね10の腐食を防止し、ばね10の圧縮力を略一定とすることができる。よって、実施形態3に係る半導体モジュール19では、冷媒として、油や工業用水等、不純物を多く含み腐食性がある冷媒を用いた場合においても、半導体モジュール19の長期安定性が向上する。以上、本発明に係る半導体モジュールにおいて、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲で多彩な変形及び修正が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が本発明に係る半導体モジュールに属することは当然のことである。例えば、本発明に係る半導体モジュールは、半導体素子と電極端子とを圧接により電気的に接続する半導体モジュールにおいて、電極端子を半導体素子方向に押圧する弾性部材を半導体素子を冷却する放熱器の冷媒路に設けることを特徴とするものであるので、半導体素子の種類や、半導体素子や電極端子の配置形態は適宜半導体モジュールの用途に応じて適宜変更が可能である。例えば、半導体モジュールをインバータとして用いる場合には、スイッチング素子とダイオードが並列に複数組み込まれたインバータ回路が形成される。一方、半導体モジュールをコンバータとして用いる場合には、整流素子ダイオードのみでコンバータ回路が構成される。また、放熱器に形成される冷媒路の形成方法は、実施形態に限定されるものではなく、ヒートシンクを断面コ字状に形成する等、放熱器に冷媒路が形成されるものであればどのような形態で形成しても本発明の効果を得ることができる。また、冷媒路に形成される格納部は、蓋部に固定する形態の他に、ヒートシンクに固定する形態であってもよい。さらに、蓋部及びヒートシンクそれぞれに封止部材を介して格納部を設けることで、ばねを冷媒から隔離してもよい。"