"式aaで表される構造単位及び式abで表される構造単位を有する樹脂Xと、酸発生剤Bとを含有するレジスト組成物。[式aa中、Aaa1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1の整数を表す。A10、A11及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Raa1は、水素原子又はメチル基を表す。Raa2は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。][式ab中、Aab1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-2で表される基を表す。式a-2中、tは0又は1の整数を表す。A30、A31及びA32は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X30及びX31は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。は-O-CO-O-CH2-Rab2との結合手である。Rab1は、水素原子又はメチル基を表す。Rab2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]前記式aaのAaa1が、炭素数1~6のアルカンジイル基である請求項1記載のレジスト組成物。前記式aaのAaa1が、メチレン基である請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記式abのAab1が、炭素数1~6のアルカンジイル基である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。前記式abのAab1が、エチレン基である請求項1~4のいずれか記載のレジスト組成物。前記式abのRab2が、式ab-1で表される基又は式ab-2で表される基である請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。前記Bが、式B1で表される酸発生剤である請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]前記式B1のYが、置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である請求項7記載のレジスト組成物。さらに、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂Aを含有する請求項1~8のいずれか記載のレジスト組成物。さらに溶剤を含む請求項1~9のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項1~10のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記レジスト組成物を用いて得られるレジストパターンは、CD均一性CDUが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式aaで表される構造単位及び式abで表される構造単位を有する樹脂Xと、酸発生剤Bとを含有するレジスト組成物。[式aa中、Aaa1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1の整数を表す。A10、A11及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Raa1は、水素原子又はメチル基を表す。Raa2は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。][式ab中、Aab1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-2で表される基を表す。式a-2中、tは0又は1の整数を表す。A30、A31及びA32は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X30及びX31は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。は-O-CO-O-CH2-Rab2との結合手である。Rab1は、水素原子又はメチル基を表す。Rab2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]2前記式aaのAaa1が、炭素数1~6のアルカンジイル基である1記載のレジスト組成物。3前記式aaのAaa1が、メチレン基である1又は2記載のレジスト組成物。4前記式abのAab1が、炭素数1~6のアルカンジイル基である1~3のいずれか記載のレジスト組成物。5前記式abのAab1が、エチレン基である1~4のいずれか記載のレジスト組成物。6前記式abのRab2が、式ab-1で表される基又は式ab-2で表される基である1~5のいずれか記載のレジスト組成物。7前記Bが、式B1で表される酸発生剤である1~6のいずれか記載のレジスト組成物。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]8前記式B1のYが、置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基である7記載のレジスト組成物。9さらに、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂Aを含有する1~8のいずれか記載のレジスト組成物。10さらに溶剤を含む1~9のいずれか記載のレジスト組成物。111上記1~10のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明のレジスト組成物によれば、優れたCD均一性CDUのレジストパターンを製造することができる。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、は結合手を表す。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさったものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基及びプロパン-2,2-ジイル基、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-22で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキサノイル基C6、ヘプタノイル基C7、オクタノイル基C8、デカノイル基C10及びドデカノイル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントリル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。<レジスト組成物>本発明のレジスト組成物以下本レジスト組成物という場合がある。は、少なくとも、樹脂X及び酸発生剤Bを含有する。また、樹脂Xとは異なる樹脂を含有することがある。さらに必要に応じて、溶剤及び/又はクエンチャーと呼ばれる塩基化合物などの添加剤を含むことがある。<樹脂X>樹脂Xは、式aaで表される構造単位以下、場合により構造単位aaという場合があると、式abで表される構造単位以下、場合により構造単位abという場合があるとを有する。<構造単位aa>[式aa中、Aaa1は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1の整数を表す。A10、A11及びA12は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Raa1は、水素原子又はメチル基を表す。Raa2は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]式aaにおいて、Aaa1のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;1-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、1-メチルブタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルコキシ基等が挙げられる。式a-1で表される基以下、場合により基a-1というは、X10及びX11のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を含む部分構造を有していてもよい。A10、A11及びA12の2価の脂肪族炭化水素基としては、2価の鎖式脂肪族炭化水素基が挙げられる。A10、A11及びA12における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルコキシ基などが挙げられる。酸素原子を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。カルボニル基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。カルボニルオキシ基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。オキシカルボニル基を有する基a-1としては、以下の基が挙げられる。なかでも、式aaにおけるAaa1は、炭素数1~6のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。Raa2の脂肪族炭化水素基は部分的に、炭素-炭素不飽和結合を有していてもよいが、飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。好ましい脂肪族炭化水素基としては、アルキル基該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。Raa2の置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基及びアルコキシカルボニル基などが挙げられる。Raa2が、置換基を有する脂肪族炭化水素基である場合、置換基にある炭素原子を含めて、その合計炭素数は18以下であることが好ましい。なお、アルコキシカルボニル基は、アルコキシ基とカルボニル基との組み合わせである。該置換基の中でもフッ素原子が好ましい。特に、Raa2は、フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基が好ましい。フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、1,1,1-トリフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,1,2,2-ペンタフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,1,2,2,3,3-ペプタフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、1,1,1,2,2,3,34,4-ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基などが挙げられる。なかでも、好ましくは、フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基としては、トリペルフルオロメチル基、1,1,1-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,1,2,2-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1,1,2,2,3,3,4,4-ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基などであり、より好ましくは、炭素数が1~6のペルフルオロアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数1~3のペルフルオロアルキル基である。また、Raa2の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。この場合、酸素原子又はカルボニル基に置き換えられるメチレン基の個数は最大2個であることが適している。構造単位aaとしては、以下の構造単位が挙げられる。式aa-1~式aa-14のいずれかで表される構造単位aaにおいて、以下に示す部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも構造単位aaの好適な具体例として挙げることができる。構造単位aaは、式aa’で表される化合物以下、場合により化合物aa’というから誘導される。化合物aa’は、例えば、以下の反応式で表わされる方法などにより製造することができる。式aas-1で表される化合物と式aas-2で表される化合物とは、溶媒中、触媒の存在下で反応させることが好ましい。溶媒としては、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム及びヨウ化カリウムなどが上げられる。式aas-1で表される化合物としては、典型的には、市場から容易に入手できるもの市販品が好ましい。かかる市販品は、メタクリル酸などである。式aas-2で表される化合物は、例えば、式aas-3で表される化合物と式aas-4で表される化合物とを反応させることにより製造することができる。この反応は、溶媒中、塩基触媒の存在下で実施される。この反応で用いる溶媒としては、テトラヒドロフランなどが挙げられる。塩基触媒としては、ピリジンなどが挙げられる。式aas-3で表される化合物としては、例えば、クロロアセチルクロリドなどが挙げられる。この化合物は市場から容易に入手できる。式aas-4で表される化合物としては、所望のRaa2の種類に応じて適当なアルコールを用いることができる。例えば、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ-1-ブタノールなどのアルコールが挙げられる。この化合物は市場から容易に入手できる。<構造単位ab>[式ab中、Aab1は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基又は式a-2で表される基を表す。式a-2中、tは0又は1の整数を表す。A30、A31及びA32は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基を表す。X30及びX31は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。は-O-CO-O-CH2-Rab2との結合手である。Rab1は、水素原子又はメチル基を表す。Rab2は、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。]式abにおいて、アルカンジイル基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルコキシ基などが適している。A30、A31及びA32の脂肪族炭化水素基としては、A10、A11及びA12の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。A30、A31及びA32における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数1~6のアルコキシ基などが挙げられる。式a-2で表される基以下、場合により基a-2というは、X30及びX31のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を含む部分構造を有していてもよい。基a-2としては、基a-1として例示したものと同様のものが例示される。中でも、構造単位abのAab1は、炭素数1~6のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1~4のアルカンジイル基がより好ましく、エチレン基がさらに好ましい。Rab2は、炭素数6~14の芳香族炭化水素基が好ましく、中でも、基a1-1又は基a1-2が好ましく、基a1-1がより好ましい。構造単位abとしては、以下の構造単位が挙げられる。また、式ab-1~式ab-8のいずれかで表される構造単位abにおいて、上述した部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも構造単位abの具体例として挙げることができる。構造単位abは、式ab’で表される化合物以下、場合により化合物aa’というから誘導される。化合物ab’は、例えば、以下に示すような反応により製造することができる。式abs-1で表される化合物と式abs-2で表される化合物とは、溶媒中、塩基性触媒の存在下で反応させることが好ましい。溶媒としては、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。塩基性触媒としては、ピリジンなどが挙げられる。式abs-1で表される化合物としては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられ、この化合物は市場から容易に入手できる。式abs-2で表される化合物としては、クロロギ酸フルオレニルメチルなどが挙げられ、この化合物は市場から容易に入手できる。樹脂Xにおいて、構造単位aaと構造単位abとは、各々一種ずつ有していてもよいし、一方が複数種であり、他方が一種であってもよいし、構造単位aa及び構造単位abがともに複数種であってもよい。これらのうち、樹脂Xを容易に製造できる点では、構造単位aaと構造単位abとは、各々一種ずつ有しているものが好ましい。構造単位aa及び構造単位abの組み合わせとしては、例えば、以下の表1に示される。なお、表1では式aa-1で表される構造単位aaなどを、その式番号に応じて、aa-1と表記し、同様に式ab-1で表される構造単位abなどを、その式番号に応じて、ab-1と表記する。また、例えばaa-1/aa-3の表記は、構造単位aaとして、式aa-1で表される構造単位と、式aa-3で表される構造単位とをともに有することを意味する。樹脂Xの全構造単位100モルに対する構造単位aa及び構造単位abの合計含有割合は1~100モルの範囲が好ましく、5~100モルの範囲がより好ましく、10~100モルの範囲がさらに好ましく、50~100モルの範囲がとりわけ好ましい。樹脂Xの全構造単位100モルに対する構造単位aaの含有割合は、5~95モルの範囲が好ましく、10~90モルの範囲がより好ましく、40~90モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xの全構造単位100モルに対する構造単位abの含有割合は、5~95モルの範囲が好ましく、10~90モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましく、10~40モルの範囲がとりわけ好ましい。このような含有割合で構造単位aa及び構造単位abを有する樹脂Xは、樹脂X製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物aa’及び化合物ab’の使用モル量を調節すればよい。また、樹脂Xは、構造単位aa及び構造単位ab以外の構造単位を有していてもよい。このような構造単位としては、例えば、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位及び後述する酸不安定基を有する構造単位の1以上が挙げられ、なかでも後述する酸安定モノマーa4に由来する構造単位、特に、酸安定モノマーa4に由来する構造単位が好ましい。この場合のこれら構造単位の含有割合は、それぞれ、上述した構造単位aa及び構造単位abの合計含有割合及び各々の含有割合を満たす範囲で、適宜調整することができる。<樹脂A>本発明のレジスト組成物では、上述した樹脂Xに含まれる構造単位にかかわらず、酸発生剤との相乗効果を得るために、レジスト組成物中に、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂Aを含有させることが好ましい。このような樹脂は、酸不安定基を有する構造単位以下、場合によって構造単位a1というを有している。酸不安定基とは、酸の接触により脱離し得る保護基により保護されている親水性基を意味する。このような親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。このように、レジスト組成物が、少なくともアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する樹脂を含有し、このようなレジスト組成物を用いることにより、優れたCD均一性を有するレジストパターンを製造することができる。なお、樹脂Xが同様の特性を有する場合においても、同様に優れたCD均一性を有するレジストパターンを製造することができる。<酸不安定基>親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する有機残基の原子が第三級炭素原子である基すなわち第三アルコールのエステルが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1というである。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が結合して形成される環及び脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。-CRa1Ra2Ra3で表される基において、Ra1及びRa2が結合して形成する環としては、例えば、以下のものが挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であることが好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンタン環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、このヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基としては、好ましくは、例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2というである。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表す。Rb2及びRb3は結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。該環又は該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Rb2及びRb3が結合して形成する環は、上述したRa1及びRa2が互いに結合して形成する環の1つの炭素原子が1つの酸素原子と置き換わったものが挙げられる。式2においては、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であるものが好ましい。酸不安定基2としては、例えば、以下の基が挙げられる。構造単位a1は、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導されるものが好ましく、酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーから誘導されるものがさらに好ましい。また、構造単位a1は、好ましくは、酸不安定基1又は酸不安定基2を有するものであり、これらの酸不安定基をともに有していてもよい。より好ましくは酸不安定基1を有するものである。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の環式の脂肪族炭化水素を部分構造とするものが好ましい。このような立体的に嵩高い基の構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有するレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。環式の脂肪族炭化水素を部分構造とする酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という及び式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2というが好ましい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表す。で表される基を表す。はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n1’は0~3の整数を表す。式a1-1及び式a1-2においては、La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又はk1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又はk1が1の-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、それぞれ、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7は、それぞれ、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~8の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~6の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1’は、好ましくは0又は1である。式a1-1で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、構造単位aaの具体例と同様に、部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。構造単位a1-1の例示の中でも、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものもが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを製造する際に、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート又は2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートなどを製造用原料モノマーとして用いればよい。式a1-2で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、構造単位aaの具体例と同様に、部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mcを部分構造Acに置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mcを部分構造Acに置き換えられたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートなどをモノマーとして用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造する場合、樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量を調整すればよい。また、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Xを製造する場合には、樹脂Xの全構造単位を100モルとしたとき、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。このような範囲とするためには、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーの使用量と、化合物aa’及び化合物ab’の合計使用量との割合を調整すればよい。樹脂には、構造単位a1-1及び構造単位a1-2のようなメタアクリル系モノマーから誘導される構造単位以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位が含まれていてもよい。他の構造単位を誘導するモノマーとしては、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3というが挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は基-COORa13ここで、Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいを表す。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、脂肪族炭化水素基及び環を構成する水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。式a1-3においては、Ra13は、好ましくは、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基である。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は、脂環式炭化水素が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環がより好ましい。モノマーa1-3としては、例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。このように立体的に嵩高い構造単位を有する樹脂Aを含有するレジスト組成物により、レジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、樹脂Aを含有するレジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。良好な解像度でレジストパターンを製造でき、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという観点から、樹脂Aが、モノマーa1-3に由来する構造単位を有する場合、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、その含有割合は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、モノマーa1-3に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーとしては、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という場合がある。が挙げられる。式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33はそれぞれ独立である。Ra34及びRa35は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は置換基を有していていもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基である。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基及びトリヨードメチル基などのハロアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Xa2の脂肪族炭化水素基としては、好ましくは、鎖式脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくはアルキル基である。Ya3の炭化水素基としては、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。Ra34及びRa35の炭化水素基のうち、鎖式脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましく、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基などが好ましく、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基及び2-メチル-6-エチルフェニルなどが好ましい。Xa2における置換基は、好ましくは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基からなる群より選ばれる基であり、より好ましくはヒドロキシ基である。Ya3における置換基は、好ましくは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基であり、より好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、以下のモノマーが挙げられる。ここに示すモノマーa1-4において、以下に示す部分構造V’を部分構造P’に置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーとして、メタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5という場合があるが挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L1~L3は、オキシ基、チオキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs1’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5においては、R31は、好ましくは、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子及びメチル基である。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることが好ましい。s1は、1が好ましい。s1’は、0~2が好ましい。Z1は、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここでは、R31がメチル基である具体例を示すが、メチル基を水素原子に置き換えたものも、モノマーa1-5の具体例である。上記モノマーにおいて、R31に相当するメチル基が水素原子に置き換わったモノマーも、モノマーa1-5の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するモノマーを用いてもよい。このようなモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aがその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、好ましくは10~95モルの範囲であり、より好ましくは15~90モルであり、さらに好ましくは20~85モルである。樹脂Xがその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、好ましくは10~95モルの範囲であり、より好ましくは15~90モルであり、さらに好ましくは20~85モルである。樹脂Aにおいて、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1をモノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。この範囲とすることにより、樹脂Aを含むレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。なお、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定める場合には、構造単位aa及び構造単位abを酸安定構造単位に含めて含有割合を算出するとよい。<酸安定構造単位>本発明のレジスト組成物では、用いる樹脂Aにおいて、構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位という。を有していると好ましい。酸安定構造単位は、構造単位a1の含有割合を基準にして、その含有割合を定めることが適している。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位a2の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a2という及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、酸安定構造単位a3というを有する樹脂Aは、このような樹脂Aを含有するレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなり、良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、樹脂Aを含有するレジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を1種又は2種以上選択することができる。例えば、レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線又はEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-1で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-1という場合があるが挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1においては、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、構造単位aaの具体例と同様に、部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mcを部分構造Acに置き換わえたものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がさらに好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルなどを、樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲が好ましく、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、1~90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-0で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-0という場合があるが挙げられる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。式a2-0においては、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0を与えるモノマーとして、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーの具体例である。このような酸安定モノマーを用いて、樹脂Aを製造する場合は、この酸安定モノマーにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。保護基としては、例えば、酸又は塩基で脱離する保護基などが好ましい。酸又は塩基で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸又は塩基との接触により脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により、脱保護することが好ましい。保護基としては、例えば、アセチル基、ベンゾイル基等が好ましい。塩基としては、例えば、4-ジメチルアミノビリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。上述の酸安定モノマーa2-0としては、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。これらを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という場合がある。[式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立して、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表すを表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21はそれぞれ独立である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立して、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、それぞれ独立であり、r1が2以上の場合、複数のRa23は、それぞれ独立である。p1は、0~5の整数を表す。q1は、0~3の整数を表す。r1は、0~3の整数を表す。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6のいずれかで表される酸安定構造単位a3-3において、構造単位aaの例示と同様に、部分構造Mcを部分構造Acに置き換えたものも、各々酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲が好ましく、10~65モルの範囲がより好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3それぞれの含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~60モルの範囲が好ましく、10~55モルの範囲がより好ましく、20~50モルの範囲がさらに好ましく、20~45モルの範囲が一層好ましい。樹脂Xが、酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、1~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>樹脂Aは、他の酸安定構造単位を誘導するモノマー以下、酸安定モノマーa4という場合があるに由来する構造単位を有していてもよい。この酸安定モノマーa4に由来する構造単位は、樹脂Xに含まれることが好ましい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸及び式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-3というなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は基-COORa27ここで、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く例えば、Ra27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26が結合して-CO-O-CO-を形成する。ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール及び5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、式a4-1で表されるモノマー、式a4-2で表されるモノマー、式a4-3で表されるモノマーに由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、40モル以下の範囲が好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有するもの以下、酸安定モノマーa4-4という場合がある。が挙げられる。式a4-4中、La7は、酸素原子又は-T-CH2k2-CO-O-をk2は1~7の整数を表す。Tは酸素原子又はNHである。表し、はカルボニル基との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W10は、置換基を有していてもよいスルトン環基を表す。]スルトン環基に含まれるスルトン環としては、脂環式炭化水素に含まれる隣り合うメチレン基のうち、一方が酸素原子、他方がスルホニル基に置き換わったもの、すなわち環骨格中に-O-SO2-を有する環であり、下記に示すものなどが挙げられる。スルトン環基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、結合手に置き換わったものであり、式a4-4においてはLa7との結合手が該当する。スルトン環基に置換されていてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基からなる群より選ばれる。酸安定モノマーa4-4としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-4の具体例において、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、40モル以下の範囲が好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、酸安定モノマーa4-5という場合があるであってもよい。このような酸安定モノマーa4-5の中でも、単環式又は多環式の炭化水素を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、20モル以下の範囲が好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。さらに、その他の酸安定モノマーa4としては、以下の式3で表される基を有するモノマーが挙げられる以下、場合により酸安定モノマーa4-6という。式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。式3では、R10のフッ化アルキル基は、炭素数が1~4であることが好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、パーフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa4-6としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-6の具体例において、酸安定モノマーa4-4の例示と同様に、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-6の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa4は、以下の式4で表される基を有するものであってもよい。式4中、R11は、置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A3は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示すアルカンジイル鎖-CH2m10-を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、当該アルカンジイル鎖に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。R11における芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などが好ましい。R11としては、以下の基が挙げられる。R12における炭化水素が含んでいてもよいヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などが挙げられる。また、連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。A3としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-7で表されるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-7というが挙げられる。式a4-7中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA3は、前記と同義である。酸安定モノマーa4-7としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-7の具体例において、酸安定モノマーa4-4の具体例と同様に、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-7の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-8で示されるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-8というであってもよい。式a4-8中、W2は、炭素数3~36の環式脂肪族炭化水素を表す。A4は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A3のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。式a4-8において、W2は、炭素数は5~18の範囲が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。具体的には、上述した式KA-1~式KA-19で示した脂環式炭化水素の形式で示した脂肪族環を挙げることができる。すなわち、式a4-8においてで示される部分構造は、式KA-1~式KA-22の脂環式炭化水素を構成する水素原子の1個がA4との結合手に、脂環式炭化水素の環原子に含まれる炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15又は-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。W2としては、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルナン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A4の脂肪族炭化水素基における置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が好ましい。A4としては、例えば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であることが適している。このような脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。A4における脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、式aaの基a-1で例示したものを含む。なかでも、A4は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表す。で表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14~R16におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R14及びR16のハロアルキル基のうち、好ましくはトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、より好ましくは、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基である。酸安定モノマーa4-8としては、例えば、以下に示すものである。なお、R14~R16及びA4は、前記と同義である。これらの中でも、以下のものが好ましい。酸安定モノマーa4-8としては、以下のものが好ましい。ここに示した酸安定モノマーa4-8の具体例において、酸安定モノマーa4-4の具体例と同様に、部分構造Mc’を部分構造Ac’に置き換えたものも、酸安定モノマーa4-8の具体例として挙げられる。酸安定モノマーa4-8は、例えば、式a4-8-aで表される化合物と、式a4-8-bで表される化合物とを反応させることにより製造することができる。式a4-8-aで表される化合物は、例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。式a4-8-bで表される化合物としては、例えば、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a4-8-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a4-8-a及び式a4-8-b中、W2、A4、R14、R15及びR16は、前記と同義である。]樹脂Aが、酸安定モノマーa4-8に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが、酸安定モノマーa4-8に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Xの全構造単位100モルに対して、90モル以下の範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Xが酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、式3で表される基を有する酸安定モノマーa4-6及び/又は式4で表される基を有する酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位が好ましく、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位がより好ましい。<樹脂の製造>樹脂Xは、化合物aa’と化合物ab’と、必要に応じて他の構造単位を誘導するモノマーとを共重合させたものであり、化合物aa’と化合物ab’とを共重合したもの、化合物aa’と、化合物ab’と、酸安定モノマーa4とを共重合したものが好ましく、化合物aa’と化合物ab’とを重合したもの、化合物aa’と、化合物ab’と、酸安定モノマーa4-6及び/又は酸安定モノマーa4-7とを共重合したものがより好ましい。なお、構造単位aa及び構造単位abは、酸安定構造単位とみなすことができる。樹脂Aは、構造単位a1を誘導するモノマー[好ましくは、構造単位a1-1又は構造単位a1-2を誘導するモノマー]を、より好ましくは酸安定構造単位を誘導するモノマーと共重合させたものであり、さらに好ましくは構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーと、酸安定構造単位a2及び/又は酸安定構造単位a3を誘導するモノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、構造単位a1として、アダマンチル基を有する構造単位a1-1及びシクロへキシル基を有する構造単位a1-2のうち、少なくとも1種を有することが好ましく、アダマンチル基を有する構造単位a1-1を有することがさらに好ましい。酸安定構造単位a2としては、ヒドロキシアダマンチル基を有する構造単位a2-1を用いることが好ましい。酸安定構造単位a3としては、γ-ブチロラクトン環を有する酸安定構造単位a3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を有することが好ましい。樹脂X及び樹脂Aは、上述したようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供することにより製造することができる。樹脂Xの重量平均分子量は、8,000以上80,000以下が好ましく、10,000以上60,000以下がより好ましく、10,000以上40,000以下がさらに好ましく、10,000以上20,000以下がとりわけ好ましい。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であると好ましく、3,000以上30,000以下がより好ましく、3,500以上10,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。<レジスト組成物>本レジスト組成物は、樹脂Xを含有することにより、優れたCD均一性のレジストパターンを製造できるという効果を発現する。樹脂X自体は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるという特性を有さない場合は、すでに説明したとおり、樹脂Aがレジスト組成物に含有される。レジスト組成物には、これらの樹脂以外に、酸発生剤B及び溶剤Dを含有し、さらに必要に応じて、当技術分野でクエンチャーと呼ばれる塩基性化合物などの添加剤を含有していてもよい。なお、レジスト組成物から溶剤Dを取り除いたものを、レジスト組成物の固形分という。この固形分のレジスト組成物総質量に対する含有割合は、液体クロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。<酸発生剤B>酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類される。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤であっても、イオン系酸発生剤であっても、その組み合わせであってもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤としては、例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤は、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1というが好ましい。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。ペルフルオロアルキル基としては、フッ化アルキル基と同様のものが挙げられる。式B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がさらに好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の脂肪族炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。式b1-1で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば、以下のものが挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。これらの中でも、Lb1として、式b1-1で表される2価の基、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基が特に好ましい。Yにおける脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここで、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。なかでも、ヒドロキシ基が好ましい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1~式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、これらのうち、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基がさらに好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基が特に好ましい。置換基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば、以下のものが挙げられる。なお、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1~17の2価の脂肪族炭化水素基である場合、Yと結合する該2価の脂肪族炭化水素基のメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yのアルキル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基がYとして特に好ましい。スルホン酸アニオンとしては、例えば、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるものが挙げられる。これらのスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基がより好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンの具体例は、例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。スルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルトン環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、より好ましくは、以下の式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基としては、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。該アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、該脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基としては、炭素数は1~12のアルキル基であることが好ましく、炭素数は3~18の脂環式炭化水素基であることが好ましく、炭素数4~12であることがより好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環は、脂環式炭化水素又は脂環式炭化水素を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わった環である。Rb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環は、脂環式炭化水素又は脂環式炭化水素を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わった環である。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は互いに同一又は相異なり、p2が2以上であるとき、複数のRb14は互いに同一又は相異なり、s2が2以上であるとき、複数のRb15は互いに同一又は相異なり、t2が2以上であるとき、複数のRb18は互いに同一又は相異なる。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。Rb9とRb10とが結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12とが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、該脂肪族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一又は相異なる。カチオンb2-1-1としては、以下の化合物が挙げられる。式b2-3で表される有機カチオンとしては、以下の化合物が挙げられる。酸発生剤B1は、スルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは、例えば、表2に示すように、任意に組み合わせることができる。表2では、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表す。さらに好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるものがより好ましく、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7及び式B1-11のいずれかで表されるものがさらに好ましい。酸発生剤Bは、酸発生剤B1とは異なる酸発生剤を含んでいてもよく、この場合は、酸発生剤Bの総量における酸発生剤B1の含有割合は、70質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましい。ただし、本発明のレジスト組成物における酸発生剤Bは、実質的に酸発生剤B1のみであることがさらに好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという>本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、上述した酸発生剤から発生する酸を捕捉する特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1及び式C1-1中、Rc1~Rc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、それぞれ独立である。][式C2~式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、それぞれ独立である。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は同一又は相異なる。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一又は相異なり、s3が2以上であるとき、複数のRc20は同一又は相異なる。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。<溶剤D>本レジスト組成物には、溶剤Dが含むことが好ましい。溶剤Dは、用いる樹脂Xなどの種類及びその量並びに酸発生剤の種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上にレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、本技術分野で広く用いられている添加剤以下、成分Fという場合があるを含んでいてもよい。成分Fとしては、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などが挙げられる。<レジスト組成物の調製>本レジスト組成物は、樹脂特に、樹脂A及び樹脂Xの組み合わせ及び酸発生剤、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C、溶剤D及び成分Fを混合することにより調製することができる。混合順序は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Xなどの種類や樹脂Xなどの溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。混合手段は、特に制限されず、攪拌混合などを用いることができる。各成分を混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。溶剤Dの含有割合は、例えば、本レジスト組成物の総質量に対して、好ましくは90質量以上、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、好ましくは99質量以下であり、より好ましくは99.9質量以下である。このような含有割合で溶剤Dを含有するレジスト組成物は、例えば、後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成することができる。樹脂樹脂A及び樹脂Xの合計含有割合は、例えば、本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。酸発生剤の含有質量は、樹脂100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。塩基性化合物Cを用いる場合、例えば、本レジスト組成物の固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有割合は、0.01~1質量程度であることが好ましい。成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、成分Fの種類に応じて、適切な含有割合を調節することができる。<レジストパターンの製造方法>本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程及び5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。このようにして、基板上に、レジスト組成物からなる塗布膜が形成される。塗布装置の条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いて形成することができる。工程2においては、乾燥は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段により或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。乾燥の条件は、レジスト組成物に含有される溶剤の種類等に応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすることが適している。このように、塗布膜から溶剤を除去することにより、基板上に組成物層が形成される。工程3は組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて組成物層を露光する。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光EUVを照射するものなど、種々のものを用いることができる。また、露光機は液浸露光機であってもよい。露光は、通常、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して行われる。マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では、組成物層に含まれる酸発生剤が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸の作用により、樹脂A又は酸不安定基を有する場合の樹脂Xにある酸不安定基が脱保護反応することにより親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂A又は酸不安定基を有する場合の樹脂Xがアルカリ水溶液に可溶となる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂A又は酸不安定基を有する場合の樹脂Xはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままである。露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。工程4においては、露光部で生じうる脱保護反応を、さらにその進行を促進するために加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークする。加熱処理は、工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段が好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層をアルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことを意味する。これにより、基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称される本技術分野で用いられるものを用いることができる。アルカリ水溶液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。基板上に形成されたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、レジスト組成物は、優れたCD均一性CDUのレジストパターンを製造できる。<用途>レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。以下、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例1式M-Fで表される化合物の合成式F-1で表される化合物13.00部、メチルイソブチルケトン65.00部及びピリジン8.69部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、0°Cまで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式F-2で表される化合物24.55部を、1時間かけて添加した。その後、温度を上げ、10°Cに到達した時点で、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物にn-ヘプタン333.73部、5塩酸水溶液32.09部及びイオン交換水100.12部を加え、23°Cで30分間攪拌した。回収された有機層に、イオン交換水100.12部を仕込み23°Cで30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し式M-Fで表される化合物30.31部を得た。MS:352.1合成例2式M-Kで表される化合物の合成式K-1で表される化合物13.00部、メチルイソブチルケトン65.00部及びピリジン8.69部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、0°Cまで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式K-2で表される化合物16.19部を、1時間かけて添加した。その後、温度を上げ、10°Cに到達した時点で、同温度で1時間攪拌した。得られた反応物にn-ヘプタン308.64部、5塩酸水溶液32.09部及びイオン交換水92.59部を加え、23°Cで30分間攪拌した。回収された有機層に、イオン交換水92.59部を仕込み23°Cで30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を4回行った。回収された有機層を濃縮し、式M-Kで表される化合物19.49部を得た。MS:264.1以下に示すモノマーM-A~モノマーM-Kを用いて、樹脂を合成した。合成例3樹脂A1の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Fを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Fが70:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.9mol及び2.7mol添加し、これらを72°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn-ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.5×104の樹脂A1共重合体を収率78で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有する。合成例4樹脂A2の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Fを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Fが80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.9mol及び2.7mol添加し、これらを72°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn-ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.5×104の樹脂A2共重合体を収率77で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有する。合成例5樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Fを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Fが90:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.9mol及び2.7mol添加し、これらを72°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn-ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.6×104の樹脂A3共重合体を収率73で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有する。合成例6樹脂A4の合成モノマーとして、モノマーM-E、モノマーM-F及びモノマーM-Gを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-F:モノマーM-Gが50:10:40となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを72°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn-ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.4×104の樹脂A4共重合体を収率86で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有する。合成例7樹脂A5の合成モノマーとして、モノマーM-H、モノマーM-I、モノマーM-D、モノマーM-J及びモノマーM-Cを用い、そのモル比モノマーM-H:モノマーM-I:モノマーM-D:モノマーM-J:モノマーM-Cが32:7:8:10:43となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×103の樹脂A5共重合体を収率63で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有する。合成例8樹脂A6の合成モノマーとして、モノマーM-B、モノマーM-C及びモノマーM-Dを用い、そのモル比モノマーM-B:モノマーM-C:モノマーM-Dが35:45:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1.0mol及び3.0mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×103の樹脂A6共重合体を収率75で得た。この樹脂A6は、以下の構造単位を有する。合成例9樹脂A7の合成モノマーとして、モノマーM-A及びモノマーM-Bを用い、そのモル比モノマーM-B:モノマーM-Dが80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.5mol及び1.5mol添加し、これらを70°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.8×104の樹脂A7共重合体を収率70で得た。この樹脂A7は、以下の構造単位を有する。合成例10樹脂A8の合成モノマーとして、モノマーM-E及びモノマーM-Kを用い、そのモル比モノマーM-E:モノマーM-Kが90:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.9mol及び2.7mol添加し、これらを72°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn-ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.9×104の樹脂A8共重合体を収率64で得た。この樹脂A8は、以下の構造単位を有する。合成例11:樹脂A9の合成モノマーとして、モノマーM-H、モノマーM-I、モノマーM-D、モノマーM-C及びモノマーM-Jを用い、そのモル比モノマーM-H:モノマーM-I:モノマーM-D:モノマーM-C:モノマーM-Jが、30:14:6:20:30の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとなるように添加した。これを73°Cで約5時間加熱することにより重合した。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒質量比メタノール:水=4:1に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過回収した。再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過回収するという操作を2回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が8.1×103である共重合体を収率65で得た。この共重合体は、モノマーM-H、モノマーM-I、モノマーM-D、モノマーM-C、モノマーM-Jに各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A9とする。実施例及び比較例<レジスト組成物の調製>表3に示す成分を、以下に示す溶剤に混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1~A9:樹脂A1~樹脂A9<酸発生剤>B1:特開2010-152341号公報の実施例に従って合成B2:WO2008/99869号の実施例及び特開2010-26478号公報の実施例に従って合成B3:特開2005-221721号公報の実施例に従って合成<塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン東京化成工業株製<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.5部<レジスト組成物層の欠陥評価>12インチのシリコン製ウェハ基板に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が0.15μmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に示す温度で60秒間プリベークPBし、ウェハ上に組成物層を形成させた。このようにして組成物層を形成したウェハに、現像機[ACT-12;東京エレクトロン株製]を用いて、60秒間、水リンスを行った。その後、欠陥検査装置[KLA-2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。その結果を表4に示す。<レジスト組成物の液浸露光評価>シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるように塗布スピンコートした。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表3のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光で、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表3のPEB欄に記載された温度で60秒間、加熱ポストエキスポジャーベーク処理した。このシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。現像後に得られたレジストパターンにおいて、ホールピッチ100nm/ホール径70nmのマスクを用いて形成したホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。<CD均一性CDU評価>実効感度において、ホール径70nmのマスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき24回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ内の、ホール径70nmのマスクで形成したパターンの平均ホール径を400箇所測定したものを母集団として標準偏差を求めた。この結果を表4に示す。実施例1~実施例11のレジスト組成物を用いて得られるレジストパターンは、優れたCD均一性のレジストパターンを形成することができた。また、欠陥の発生数も少なかった。一方、比較例1のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのCD均一性は不良であった。"