"イントリンジックな直接検出器として有機半導体を備えた、電離放射線の検出器。請求項1に記載の検出器において、前記電離放射線が、X線、ガンマ線、中性子、荷電粒子特に、アルファ線、電子、陽電子からなる群から選択される、検出器。請求項1または2に記載の検出器において、信号処理回路が、複数の電極によって前記イントリンジックな直接検出器に接続される、検出器。請求項3に記載の検出器において、前記電極のうちの少なくとも1つが有機電極である、検出器。請求項4に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、導電性ポリマ混合物、導電性ポリマ、ドープされた半導体ポリマおよび/もしくはドープされた半導体分子、カーボンナノチューブ、フラーレンおよび/もしくはフラーレン誘導体、グラファイト、グラフェンおよび/もしくはグラフェン誘導体、ならびに有機導電電荷移動塩類からなる群から選択される材料を備えた、検出器。請求項5に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、PEDOT:PSS、ポリアニリン、ポリパラフェニレン-ビニレンのドープ誘導体、ポリ3-ヘキシルチオフェンのドープ誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、グラフェンおよびグラフェン酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。請求項4から6のいずれか一項に記載の検出器において、前記少なくとも1つの有機電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。請求項3に記載の検出器において、前記少なくとも1つの電極が、金属および/または半金属および/または無機材料を含む極薄の層である、検出器。請求項8に記載の検出器において、前記少なくとも1つの極薄の電極が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、ドープされたシリコン、インジウムすず酸化物、フッ素すず酸化物、アルミニウム-亜鉛酸化物およびチタン-インジウム酸化物からなる群から選択される材料を備えた、検出器。請求項8または9に記載の検出器において、前記少なくとも1つの金属および/または半金属および/または無機の電極が、平層の形態またはパターンの形態である、検出器。請求項1から10のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が可撓性を有する、検出器。請求項1から11のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が光学的に透明である、検出器。請求項1から12のいずれか一項に記載の検出器において、前記有機半導体が、オルト二置換ベンゼン、メタ二置換ベンゼン、パラ二置換ベンゼン、縮合芳香族炭化水素類、アゾベンゼン類、共役非環状分子、ホウ素含有分子、リン含有分子、シリコン含有分子およびゲルマニウム含有分子からなる群から選択される、検出器。請求項13に記載の検出において、前記有機半導体が、4-ヒドロキシシアノベンゼン、1,8-ナフタレンジイミド、2,4-ジニトロナフタレン-1-オル、9,10-アントラセンジカルボン酸、3,4-ジヒドロキシ-9,10-ジオキソ-2-アントラセンスルホン酸ナトリウム塩、アゾベンゼン、2-4-ジメチルアミノフェニルアゾ安息香酸、β-カロチン、ベンゾ[b]チエニ-2イルボロン酸、および二カリウムトリス1,2-ベンゼンジオラト-0,0’ゲルマニウム塩からなる群から選択される、検出器。請求項1から14のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機単結晶である、検出器。請求項15に記載の検出器において、前記有機単結晶が4-ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。請求項15または16に記載の検出器において、前記結晶上に複数の電極が配置され、前記結晶は、さらされる電離放射線に対する二次元または三次元の異方性応答の検出を可能にする幾何学的なレイアウトを有する、検出器。請求項17に記載の検出器において、前記有機単結晶が1,8-ナフタレンジイミドからなる、検出器。請求項1から14のいずれか一項に記載の検出器において、前記イントリンジックな直接検出器が有機多結晶である、検出器。請求項19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、4-ヒドロキシシアノベンゼンからなる、検出器。請求項19に記載の検出器において、前記有機多結晶が、1,8-ナフタレンジイミドからなる、検出器。請求項1から21のいずれか一項に記載の検出器において、同一または異なる複数の有機半導体が、単一の基板上に集積化される、検出器。請求項1から22のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、a.有機半導体の溶液を基板上に載置する工程と、b.前記溶液を蒸発させる工程と、c.結果として生じる有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。請求項1から23のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、a.有機半導体の溶液をパターン基板上に載置する工程と、b.前記溶液を蒸発する工程とを備えた、製造方法。請求項23または24に記載の製造方法において、前記工程aにおける前記溶液の載置は、インクジェット印刷法、ドロップキャスティング法、スプレー塗布法、パッド印刷法、エレクトロスプレー法、ドクターブレード法およびディップコーティング法からなる群から選択される方法で行われる、製造方法。請求項1から25のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、b.前記溶液を蒸発させる工程と、c.結果として生じる有機半導体を基板上に載置する工程と、d.前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程とを備えた、製造方法。請求項1から26のいずれか一項に記載の検出器の製造方法であって、a.有機半導体をその溶液から成長させる工程と、b.前記溶液を蒸発させる工程と、c.前記有機半導体をパターン基板上に載置する工程とを備えた、製造方法。請求項23から27のいずれか一項に記載の製造方法において、前記溶液に用いられる前記溶媒が、非環状エーテル類、環状エーテル類、非環状脂肪族炭化水素類、環状脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、非環状アルコール類、環状アルコール類、非環状ケトン類、環状ケトン類、カルボン酸、無水物、ニトリル類、ハロゲン化溶媒、および水からなる群から選択される、製造方法。請求項28に記載の製造方法において、前記溶媒が、エチルエーテル、メチルエチルエーテル、イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、石油エーテル、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、トルエン、エチルベンゼン、エタノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロブタノール、アセトン、シクロヘキサノン、酢酸、ギ酸、無水酢酸、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレンおよび水からなる群から選択される、製造方法。請求項28または29に記載の製造方法において、2つ以上の溶媒の混合物が用いられる、製造方法。請求項30に記載の製造方法において、前記混合物が、エチルエーテル:石油エーテル、エチルエーテル:トルエン、およびエチルエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンからなる群から選択される、製造方法。請求項23~31のいずれか一項に記載の製造方法において、前記溶液を蒸発させる前記工程において、温度および/または圧力が制御される、製造方法。請求項23または27に記載の製造方法において、前記有機半導体が既に存在する電極に対応して載置されるのを可能にする化学的または物理的な処理が、前記パターン基板に対して予め施される、製造方法。請求項33に記載の方法において、前記処理が、真空、ガス、真空下での紫外線処理、ガス存在下での紫外線処理、機械的摩耗、研磨、酸による化学的エッチング、塩基による化学的エッチング、および自己組織化単分子層の堆積からなる群から選択される、製造方法。電離放射線のイントリンジックな直接検出器を製造するのに有機半導体を使用する方法。請求項1から22のいずれか一項に記載の検出器が設けられた機器または装置。請求項36に記載の機器または装置であって、放射線装置である機器または装置。請求項36または37に記載の機器または装置であって、医学分野、特に歯科医学および医学用画像処理;民間分野、特に空港および国境のセキュリティチェック;分析技術、殺菌装置および工業品質管理において用いられる、機器または装置。図1において、パネルa印aは、本発明の範囲に含まれない、有機半導体を基礎とする単純な直接検出器の作動を示し、パネルb印bは、本発明の範囲に含まれる、有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器の作動を示し、パネルaおよびbがいかに異なるかを示す。パネルaによれば、電離放射線が金属電極に衝突し、これらの間で相互作用が起きると、二次電子が発せられる。二次電子の一部は、前記有機半導体と相互作用する。電荷担体は前記有機半導体中で発生し、対電極に集められ、このようにして生成された電流は電気回路において測定される。パネルbによれば、前記電離放射線は前記有機半導体に衝突し、これらの間で相互作用が起きると、電荷担体が発生し、対電極に集められ、このようにして生成された電流は電気回路において測定される。本発明による前記検出器が電離放射線のイントリンジックな直接検出器であることを証明するために、特定の実験を行った。図2および3に示すように、前記半導体有機材料を使用する、本発明による第1の検出器を作製した。図2のaは、検出デバイスAを示す。前記検出デバイスAは、前記有機材料と、金属電極として作用する金属パッドCと、前記検出器を測定回路図示せずに接続する金属導線Bとから構成される。図2のbは、aと同一のアセンブリを示す。ただし、前記金属パッドCは入射電離放射線図では、例としてX線ビームを示すから遮蔽される。図3a~3cを参照して、ここでは4HCB単結晶から作製されるイントリンジックな直接検出器の例示的実施形態が示される。これら図から、金属電極パッドがX線に直接さらされた場合は、有機結晶がなくとも電気信号を出力可能であることが認められる。ただし、これらの信号は、有機結晶によって得られる信号よりもいずれにしても小さい。前記金属接点パッドが遮蔽されると、この効果はほぼ完全になくなる。この知見は、電離放射線にさらされる金属電極パッドを有する、有機半導体を基礎とする最新技術の直接検出器が、単純な直接検出器であり、本発明において開示されるイントリンジックな直接検出器ではないという発明者の知見を確証する。詳細は実施例7に示され、これは本発明の1つの例示的実施形態に対するものであるが、本実施例で提示された結果は、本願明細書において開示される本発明の全範囲にまで正当に適用される。同様に、図4には、X線放射にさらされる、4HCB単結晶で構成された検出器の例示的実施形態が示されている。金属パッドが電離放射線に直接さらされた場合、電離放射線と前記金属パッドとの相互作用によって、前記検出器の応答がいくらかドープされていることを本発明は証明する。本発明による、有機半導体で構成されるイントリンジックな直接検出器の有機電極を使用して得られた応答は、保護された金属パッドを使用する検出器の応答と同等である。その理由は、電離放射線との相互作用の際に、有機電極が金属/半金属の電極よりも極めて少ない量の二次電子を発するからである。これは、本発明による前記検出器のイントリンジックな応答を示す。この考察は、実施例7にてよって詳細に説明される。図6および実施例9の例示的実施形態に示すように、本発明による前記検出器は、有利な異方性特性を示す。本発明によって提供される前記検出器の他の有利な特性は、その応答線形性である。図7の例示的実施形態に示すように、前記線形性応答は、遮蔽された金属パッドを有しても示される。平面軸および垂直軸の間の応答の異方性も示される。さらなる詳細は、実施例8において示される。同一の線形性および異方性応答が図8に示され、実施例11により詳細に示されているように、有機パッドを有しても示される。図3、4および5、8および9を組み合わせることで、本発明において開示される前記検出器が電離放射線のイントリンジックな直接検出器であることを証明する。図9は、金属および有機パッドについて、時間が経過しても再現可能な応答を示すことを証拠する。オン/オフ動作の繰り返しサイクルが行われた後に、ヒステリシスが本発明の前記検出器の性能に影響を与えることはない。これは、本発明の前記検出器が、1ヵ月作動した後にさえ、また過酷な作動条件においても、信頼性が高いことを示す。詳細は、実施例12において示される。本発明の前記検出器の信頼性は、アルファ粒子図10、実施例13を用いた別の例示的実施形態においても示される。図11および実施例14に示すように、前記検出器は、例えば、X線とアルファ粒子の両方にさらされた後のように高放射線条件においてさえも信頼性が高い。さらなる利点は極めて低い暗電流であり、これは図12において証明される。図に対する参照は全て、例示的実施形態および非限定の実施例に対するものであると理解されたい。当業者であれば、本願明細書に記載されている特性は、本発明の、有機半導体から作製される、電離放射線の前記イントリンジックな直接検出器の全てに対して包括化されることが容易に理解できる。本発明によれば、前記有機半導体は、複数の異なる実現可能な化学基を含んでもよい。化学基の例としては、オルト-、メタ-、またはパラ-二置換ベンゼン例えば4-ヒドロキシシアノベンゼンなどからなる基、縮合芳香族炭化水素類1,8-ナフタレンジイミド、2,4-ジニトロナフタレン-1-オル、9,10-アントラセンジカルボン酸、または3,4-ジヒドロキシ-9,10-ジオキソ-2-アントラセンスルホン酸ナトリウム塩別名アリザリンレッドSなど、アゾベンゼン類アゾベンゼン、2-4-ジメチルアミノフェニルアゾ安息香酸別名メチルレッドなど、共役分子例えばβ-カロチンなどがある。前記化学基は、包括化すると、溶媒中または溶媒の組合せ中において溶解可能であり、溶媒/溶媒の混合物が蒸発するか、または自然な固結結晶化もしくはフィルム形成などにより、一体化して固体状態を呈する任意の分子材料またはポリマ共役材料単結晶もしくは多結晶、ポリマフィルム、自己組織化単分子膜などである。使用可能な有機半導体の完全なリストは、OrganicElectronicMaterialsConjugatedPolymersandLowMolecularWeightOrganicSolids、SpringerSeriesinMaterialsScience、FarchioniR、GrossoG編著第41巻、2001、SpringerVerlagBerlinにて参照可能である。これらの基が選択されたのは、全く異なる分子構造および充填配置packingarrangementsを有するためである。これによって、本明細書に記載されている特性が、多くの異なる、有機半導体の基にいかに共通であるかが、強調され評価される。本発明の好ましい実施形態において、前記イントリンジックな直接検出器は、有機単結晶または有機多結晶から作製される。本発明の好ましい実施形態において、前記検出器は、4-ヒドロキシシアノベンゼンまたは1,8-ナフタレンジイミドからなる、半導体単結晶または半導体多結晶から作製される。本発明の実施形態において、前記検出器は、平層の形態または任意の手段で画定されるパターンの形態で、極薄の厚さ約1μm未満の金属または半金属から作製される少なくとも1つの電極を備えてもよい。また、前記電極の構成材料としては、複数の他の異なる無機材料例えばドープされた無機半導体、セラミック系導体、導電酸化物などが考えられるが、これら構成材料は、入射電離放射線との相互作用が確認できる程度に要する厚さよりも小さい厚さを有する1μm以下の厚さを有することが条件である。当業者であれば、層の正確な厚さは、電離放射線に対する材料の吸収係数に依存し、容易に算出可能であることが分かるであろう例えばhttpwwwnistgovpmldataxcomindexcfmを参照。電気接点を電極の形態にするのに適した任意の金属または半金属が使用可能である。当業者であれば、前記特定の目的のための適切な金属を選ぶことができる。メンデレーエフの周期表によると、アルカリ金属は、Li、Na、K、Cs、Rb、FrIA族である。アルカリ土類金属は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、RaIIA族である。中間innerの遷移金属ランタニドおよびアクチニドは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、LrIIIA族、ランタニドおよびアクチニドである。遷移金属は、Ti、Zr、HfIVA族、V、Nb、TaVA族、Cr、Mo、WVIA族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、PtVIIIA族、Cu、Ag、AuIB族、Cd、HgIIB族である。金属は、Al、Ga、In、TIIIIB族、Sn、PbIVB族である。半金属、メタロイドは、Si、Ge、As、Sb、Te、Poである。前記極薄の電極に対して好適な金属または半金属は、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、鉄Fe、チタンTi、ニッケルNi、ドープされたシリコンSiからなる群から選択されてもよい。上記リストの元素を用いた、伝導性化合物、半伝導性化合物、および合金は、例えばインジウムすず酸化物、フッ素すず酸化物などのように、一旦それらが電極材料として適切であることが分かれば、本発明の趣旨に含まれる。本発明のさらなる実施形態では、前記検出器は、少なくとも1つの有機電極を備える。前記有機電極は、平層の形態または任意の手段で画定されるパターン形態で、導電性ポリマ混合物、導電性ポリマ、ドープされた半導体ポリマおよび/もしくはドープされた半導体分子、カーボンナノチューブ、フラーレンおよび/もしくはその誘導体、グラファイト、グラフェンおよび/もしくはその誘導体例えば酸化グラフェン、有機導電電荷移動塩類を含んでもよい。有機電極に好適な材料の例としては、PEDOT:PSS、ポリアニリン、ポリパラフェニレン-ビニレンのドープ誘導体、ポリ3-ヘキシルチオフェンのドープ誘導体、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、グラフェン、グラフェン酸化物が挙げられる。本発明の別の実施形態において、前記検出器は、複数の異なる有機半導体を備えてもよく、これら複数の有機半導体は、互いに同一の材料からなるものでも、異なる材料からなるものであってもよく、単一の基板上に集積される。本発明のさらに別の構成によれば、有機半導体を基礎とする、電離放射線のイントリンジックな直接検出器を製造する方法が提供される。基板上での有機半導体の成長には、多くの異なる周知の方法が採用可能である。本発明による第1の方法は、以下の工程を含む:a.有機半導体の溶液を基板上に載置させる工程、b.前記溶液を蒸発させる工程、およびc.得られた前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程。本発明による第2の方法は、以下の工程を含む:a.有機半導体の溶液をパターン基板上に載置させる工程、およびb.前記溶液を蒸発させる工程。種々の実施形態を考慮して、工程aにおける溶液の前記載置は、インクジェット印刷法、ドロップキャスティング法、スプレー塗布法、パッド印刷法、電子スプレー法、ドクターブレード法、およびディップコーティング法からなる群から選択される方法によって行われる。本発明による第3の方法は、以下の工程を含む:a.有機半導体をその溶液から成長させる工程、b.前記溶液を蒸発させる工程、c.前記有機半導体を基板上に載置させる工程、およびd.前記有機半導体に電極および/または電気回路を設ける工程。本発明による第4の方法は、以下の工程を含む:a.有機半導体をその溶液から成長させる工程、b.前記溶液を蒸発させる工程、c.前記有機半導体をパターン基板上に載置すする工程。ここで、単結晶monosinglecrystalまたは多結晶以下、これらを単に結晶と称するの成長のための方法を記載する。しかし、本発明は結晶の使用に限定されず、ポリマ、単層もしくは複層、または、好都合な場合には、ここでの半導体有機材料の定義に従って半導体性があるならば、有機材料を備えた種々の固体相の集まりを使用できる。本発明の例示的実施形態として、溶液成長の有機単結晶および有機多結晶のための方法が提供される。しかし、本発明はこの実施形態に限定されるわけではない。なぜなら、ここでの教示は本発明の全範囲にまで容易に広げることができるからである。一般に、本発明の前記方法は、結晶化される有機化合物を適切な量の、溶媒または混合溶媒に溶解する工程を含む。得られた溶液は、不要な粒子を除去するために随意に濾過された後、容器に注入される。前記溶媒の蒸発は、有機半導性結晶の形成を可能にするように、所望の蒸発速度でサーモスタットにより温度制御された環境において実行される。前記溶媒または混合溶媒の蒸発速度は、システムの温度および圧力を調整することによって、または蒸発気体の抜け穴の直径を調整することによって制御される。これらの調整は、前記結晶構造すなわち結晶のパターンの規則正しい形成を保証しやすい前記蒸発速度を維持するために行われ、これにより、欠陥のない結晶を得る。また、蒸発速度を抑制する閉容器や壁面を用いず、基板上に直接溶液を堆積することによって、蒸発速度が最大化されてもよい。この場合、前記有機半導体から作製される、単結晶、多結晶、フィルム、繊維またはその他の構造体が形成される。別の実施形態では、前記有機半導体は、適切な基板上に溶液成長可能である。例えば、最終的なデバイスの動作を保証するのに適した電気導体パターンが設けられた基板が、容器の底面に供給される。このパターンは、極薄の金属層によって、または有機導体によって構成されてもよい。前記方法は、導電性電極でパターンが形成されていてもよい基板に前記溶液を載置させる工程または、換言すると、印刷する工程を含んでもよい。これを行う手段は、送達溶液の位置および量が正確になるように基板上に溶液を送達することが可能な任意の技術である。その例として、インクジェット印刷法、スプレー塗布法、ドロップキャスティング法、パッド印刷法、ディップコーティング法、およびドクターブレード法などが挙げられる。これらの技術は、HandbookofPrintMediaTechnologiesandProductionMethods、HelmutKipphan編著、SpringerVerlagBerlinHeidelberg2001に十分に記載されている。前記溶媒は、エーテル類例えば、エチルエーテル、メチルエチルエーテル、およびイソプロピルエチルエーテルなどの非環状エーテル、または、例えば、テトラヒドロフランおよび1,4-ジオキサンなどの環状エーテル、炭化水素類石油エーテルおよびヘプタンなどの非環状脂肪族化合物、シクロヘキサンおよびシクロペンタンなどの環状脂肪族化合物、ならびに、トルエンおよびエチルベンゼンなどの芳香族化合物、アルコール類エタノールおよびイソプロパノールなどの非環状アルコール、シクロペンタノールおよびシクロブタノールなどの環状アルコール、ケトン類アセトンなどの非環状ケトン、またはシクロヘキサノンなどの環状ケトン、カルボン酸類酢酸およびギ酸など、無水物無水酢酸など、ニトリル類アセトニトリルなど、ハロゲン化溶媒クロロホルムおよびトリクロロエチレンなど、ならびに水からなる群から選択されてもよい。使用可能な溶媒の全リストは、HandbookoforganicsolventpropertiesIanMSmallwood編著、1996、Arnoldに含まれる。上記の列挙されたおよび/または考察された溶媒のうちの2つ以上のいかなる組合せも、使用可能である。前記溶媒/混合溶媒は、溶液載置のために使用する器材の部品や部分を損傷しないように選択される。前記溶媒は、この分野の一般知識に従って、すなわち前記有機半導体の化学性質に従って、かつ所望の最終的な固体の形態単結晶、多結晶、フィルム、繊維またはその他の構造に従って選択される。前記溶媒の選択のさらなる基準としては、その溶媒が、結晶成長のための基板として使用可能であるガラス、プラスチック箔、またはその他の物質などの材料に損傷を与えないことである。前記結晶を溶媒または混合溶媒中に生成するための前記有機材料の濃度は、好ましくは1~30mg/lであり、より好ましくは3~20mg/lである。好ましくは、前記蒸発は、制御された圧力および温度において実行されてもよい。本発明において開示される前記検出器の前記製造方法のさらなる実施形態によれば、前記有機半導体はパターン基板上で溶液成長される。これにより、適切な電気回路、または少なくとも前記電気回路との接続のための前記電気接点を、前記検出器に設ける。前記溶媒/混合溶媒の蒸発速度を低減させるために、前記基板を、例えばペルティエ素子、コールドフィンガなどの適切な手段によって冷却してもよい。前記冷却は、蒸発速度を制御する閉容器の使用と併用されてもされなくてもよい。前記基板を蓋で閉じられる容器内に配置してもよい。これにより、蒸発速度を制御できる。前記溶媒/混合溶媒の蒸発速度は、最長48時間での前記溶媒の完全な蒸発が保証されるように選択されてもよい。より好ましくは、前記蒸発速度は、最長24時間での溶媒の完全な蒸発を得るために選択されてもよい。好ましくは、前記制御圧力は環境圧力に等しい。代わりに、前記制御圧力は、環境圧力よりもわずかに小さいか、または、環境圧力よりもわずかに大きくてもよい。その他の実施形態において、前記制御された蒸発が起こる場所の圧力を制御する代わりに温度を制御してもよく、または温度の代わりに圧力を制御してもよい。前記基板が結晶によって被覆された後、前記容器から取り出される。本発明のさらなる実施形態において、既に存在する電極に対応するように前記有機半導体が結晶化されることを可能とする、化学的または物理的な処理を前記基板に対して行ってもよく、この処理を当業者ならば理解するであろう。上述した処理としては、真空下または任意の所望のガスの存在下でのプラズマ処理、真空下または任意の所望のガスの存在下での紫外線処理、機械的な摩耗または研磨、酸または塩基による化学的エッチング、および自己組織化単分子層の堆積が挙げられる。前記パターン化された基板上に直接的に結晶を成長させる代替方法は、上記溶液のうちの任意の1つの溶液の1滴を直接基板上に付着させる工程を含む。この基板は、パターン化されてもいなくてもよい。この場合、溶媒または混合溶媒の沸点は、好ましくは30°Cよりも高く、より好ましくは40°Cよりも高い。全く予想外に、上述のように従来技術の予想に反して、本発明による前記検出器は有機接点を有しても作動できる。有機電極を用いることで、製造方法がより容易でより安価となる、というさらなる効果が予見される。さらに、有機電極の使用によって、可撓性を有し、かつ/または透明である検出器が可能となる。これにより、湾曲表面もしくは不規則な表面に対応可能な検出器、シースルー検出器、またはこれらの特性の両方を有する検出器を得ることができる。さらに、透明かつ/または可撓性を有する基板が用いられてもよい。したがって、本発明による前記検出器は、可撓性を有する形態で、かつ/または光学的に透明であり得る。本発明による溶液成長された前記有機半導体は、その辺10μmから数mmまでおよびその厚さ約10μmから最大約4mmに関して寸法調整可能である。本発明の前記イントリンジックな直接検出器は、安定かつ再現可能な異方性の電子輸送特性を備える。本発明の前記イントリンジックな直接検出器は信頼性が高く再現可能な検出器であり、室温および環境的な条件ですなわち、大気圧および大気組成で、かつ自然光もしくは人工光の下で作動可能である。ただし、これらはまた、環境的に制御された条件でも例えば、制御された雰囲気において、または室温よりも高くもしくは低く制御された温度で作動可能である。本発明によれば、前記有機半導体は、異なる種類の電離放射線および粒子に対してイントリンジックな直接検出器として使用可能である。例えば、前記有機半導体は、X線およびアルファ粒子の検出のためと同時にガンマ放射線および中性子放射線のためにも使用可能である。そして、前記電離放射線のイントリンジックな直接検出を、高感度で実行できることが示された。本発明の好ましい実施形態において、前記イントリンジックな直接検出器は、4-ヒドロキシシアノベンゼン4HCBもしくは1,8ナフタレンジイミドNTIの単結晶または4HCBの多結晶を成分として含み、X線から電流への高い直接変換効率を示した。本発明の前記有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器は、環境光下、室温で、空気中において作動する。そのため、それらは、特別な作動条件を必要とせず、作動経費が削減できる。さらに、本発明の前記有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器で得られた結果は、多くのサンプルを通じて再現性が良好である。そのため、極めて信頼性が高い検出器が得られる。さらに、本発明の前記有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器は、線形性応答を示す。そのため、入力信号と出力信号の相関に関する付加的な補正作業を必要とせずに、検出放射線量についての定量的情報を提供するように簡単に用いられる。本発明の前記有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器は、特別に安価な製作コストを維持しつつ、大量生産スケールで容易に作製可能である。前記有機半導体を適切に選択することによって、特定の波長範囲の電離放射線の検出のために最適化された、異なるイントリンジックな直接検出器を得ることが可能である。電離放射線の検出器の分野の当業者であれば、上記に開示される有機半導体の範囲の中で、または独創的な創作能力を発揮せずとも別の有機半導体を選択して、この選択を容易に行うことができる。例えば、ホウ素含有分子、リン含有分子、シリコン含有分子、およびゲルマニウム含有分子など有機金属系分子が用いられてもよい。前記有機半導体を成長させるのに用いられる有機金属分子のリストとして、より完全なただし全て網羅されているわけではないリストが、OrganometallicChemistryandCatalysisDidierAstruc編著SpringerVerlagBerlinHeidelberg2007に含まれており、その全内容は、その全体を参照して本明細書に導入される。複数の異なる有機半導体を単一の基板上に搭載するかまたは基板上で成長させてもよい。これにより、単一デバイス内で、電離放射線の種々のエネルギーまたは種々の電離放射線に対して感度を有する検出器が可能となる。これにより、本発明の前記有機半導体を基礎とするイントリンジックな直接検出器は、単一のデバイス上で同時に複数の種類の放射線の検出が可能である。複数の種類の放射線としては、例えばアルファ放射線およびX線放射線、ならびにアルファ放射線および中性子放射線などが挙げられる。本発明の知見は、医学的な検査のため、空港におけるセキュリティチェックのため、放射能汚染もしくは放射能漏れの検出のために用いられる、X線検出器もしくは包括的には放射線装置放射線検査機器もしくは放射線装置としても意図されるの製造、または製品品質を点検する産業設備において用いられる制御装置の製造において、有利に適用される。本発明は、例えば、飲料のための殺菌装置および医療装置などの放射線装置の製造、またはX線断層撮影および結晶学などにおける科学的機器の製造においても、有利に適用される。有機半導体から成長した単結晶において発見された、検出応答の異方性によって、放射線が入射方向を識別できるイントリンジックな直接検出器の製造が可能である。この点に関し、本発明の特定の好ましい実施形態は、検出器を提供し、前記検出器は、前記有機半導体が4-ヒドロキシシアノベンゼン4HCB単結晶であり、複数の電極が前記結晶上に配置され、前記結晶がさらされる電離放射線に対して、二次元または三次元の異方性応答の検出を可能にする、幾何学的レイアウトを有する。前記幾何学的レイアウトは、当業者によって決定可能である。<好ましい実施形態の説明>好ましい実施形態において、前記有機半導体は単結晶である。別の好ましい実施形態において、前記有機半導体は多結晶である。好ましい第1の実施形態において、4-ヒドロキシシアノベンゼン4HCBが前記有機半導体として用いられる。この材料を用いた場合、好適な溶媒はエチルエーテルであり、別の好適な溶媒はトルエンであり、さらに好適な混合溶媒は9:1v/vのエチルエーテル:石油エーテル60°Cであり、またさらに好適な混合溶媒の組成として例えば、9.5:0.5のエチルエーテル:トルエンが用いられてもよく、別の好適な組成は、0.5:0.45:0.05v/vのエチルエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンである。なお、ここに定義される異なる溶媒間の比率は例示に過ぎず、当業者であれば認識するように、選択された成長条件温度、圧力および選択された有機半導体に応じて変更されてもよい。当業者であれば理解するように、得られる結晶の幾何学的な特徴長さ、幅、厚さに応じて、その他の溶媒またはその他の混合溶媒が用いられても良い。4HCBの例示的実施形態において、サーモスタットで温度制御された環境の温度は、好ましくは25°C未満であり、より好ましくは10°C未満である。当業者であれば、本発明のイントリンジックな直接検出器の製造に用いられるその他の有機半導体の条件を、前記有機半導体の物理化学的な周知の特性を考慮に入れることによって、決定可能である。これら周知の特性は、例えば、前記適切な溶媒中における可溶性または不溶性、および前記成長温度および成長圧力で用いられる前記溶媒または混合溶媒の蒸発速度などである。以下の実施例が本発明をさらに例示する。<電気的測定>ここで報告される全ての電気的測定は、空気中、室温および環境光の下で、KeithleySourceMeters2400およびElectrometers6175Aを用いて行われた。4HCB上のオーム接点は、銀を成分とするエポキシEpo-TekE415Gを用いて、またはPDMSスタンプ印刷法によるPEDOT:PSSで作成された。<X線およびアルファ粒子の照射>全ての測定は、室温で開放環境において行われた。我々は、24~170mGy/sの間で安定したX線線量率を誘起するために、5mA~35mAの間の電流で35kVにおいて作動される、Mo陽極を有するX線管を使用した。X線に関しては、吸収横断面が分かっている4HCB単結晶の空気中での線量率がD=17015mGy/s35mAにおいてに変換される。したがって、600μmの厚さの典型的な結晶内で、衝突する光子の約5が当該結晶に吸収されると推定できる。アルファ粒子照射は、0.4μGy/sの平均線量を送達する、241Am源5.4MeVを用いて行なわれた。<実施例1:パターン基板上において溶液成長した4HCB単結晶の調製>調製において、約40mgの4HCBを、約10mlのエチルエーテルに溶解した。得られた溶液を、濾過し、導電トレースを有するパターン基板が底に配置されたビーカに注入する。その後、前記ビーカを適切な蓋で閉じて、前記閉蓋されたビーカを、6°Cにサーモスタットで調温した部屋に置く。48時間後に前記溶媒は完全に蒸発し、前記基板は4HCBの結晶によって被覆される。前記ビーカをサーモスタットで調温した部屋から取り出し、前記4HCB結晶によって被覆された前記基板をビーカから取り出す。前記基板に予め画定された導電性パターンにより既に電気的に接続されている、得られた結晶を、有効なデバイスを形成するために用いる。<実施例2:溶液成長した4HCB単結晶の調製>さらなる調製において、約40mgの4HCBを、10mlのエチルエーテル/トルエンの9.5:0.5v/v混合溶媒に溶解する。得られた溶液を、実施例1において開示したように処理する。<実施例3:溶液成長した4HCB単結晶の調製>さらなる調製において、約40mgの4HCBを、10mlのエーテル:テトラヒドロフラン:トルエンの0.5:0.45:0.05v/v混合溶媒に溶解する。得られた溶液を、その後、実施例1において開示したように処理する。<実施例4:溶液成長した4HCBの多結晶の調製>さらなる調製において、室温および環境圧力下で、エーテル10ml中の4HCB40mgの溶液を、マイクロピペットによって、導電トレースのパターンが形成された基板上に載置した。前記基板に予め画定された導電性パターンに既に電気的に接続されている、得られた多結晶を、有効なデバイスを形成するために用いる。<実施例5:溶液成長したNTI単結晶の調製>NTIの結晶の作成のために、購入したままの状態の20mgのNTI粉末Aldrichを30mlのCHCI3に溶解した。前記溶液を250mLのビーカに入れて、前記ビーカを適切な蓋で被覆し、48時間フードの下側に置いた。その間に前記溶媒は完全に蒸発した。その後、へらを用いて針状の前記結晶を前記ビーカの底から取り出した。<実施例6:予め精製された結晶からの、溶液成長した4HCBの自立単結晶の調製>典型的な調製により、予め精製されたAFraleoniMorgeraら、JCrystalGrowth201031234664HCB結晶30mgを、250mlのビーカ中において10mlのエチルエーテル高純度に溶解した。前記ビーカはアルミニウム箔で被覆され、6°Cの、通気孔が形成された冷蔵庫に入れられ、低速度での溶媒の蒸発を行い、前記蒸発は48時間以内に完了した。このように得られた単結晶は、へらを用いて慎重に前記ビーカの底から取り出され、回収された。<実施例7:有機半導体のイントリンジック性および応答の線形性の評価>図2に示される前記セットアップで搭載された4HCB単結晶を基礎とする検出器の応答を測定した。前記デバイスが遮蔽されていない金属電極図2のaのセットアップを備える場合、応答はより大きく図3a、約8.5nAに達した。さらに、遮蔽された金属電極図2のbのセットアップを有するデバイスと、有機導電性電極を有するデバイスとの応答はほぼ同程度であり、最大で7nA図3b遮蔽された金属、3c有機導電性電極に達した。これらの知見は、試験されたバイアスのそれぞれで確認された。そして、3つの測定された応答の間の比較は、遮蔽されていない金属電極を有するデバイスの電流が常に、遮蔽された金属電極または有機電極を有するデバイスの電流より少なくとも20大きいことを明白に示す。したがって、デバイス応答に金属電極または金属基板なぜなら、金属基板に載置された4HCB結晶と、遮蔽されていない金属電極と接触し石英基板に載置された結晶とにおいて同程度の電流が観察されているためが強く作用していることが指摘される。図4は、前記有機半導体検出デバイスAを有しないが、図2のように構成したデバイスのX線照射の下での電気応答ΔIION-IOFFを示す。前記応答は、X線ビームを直接受けるように配置された、またはX線ビームから遮蔽された、Cu導線および三次元3DWチッププローブに接続された電極について報告された。金属接点を空気中でいかなる程度直接的にX線ビームにさらすことが電気信号の出力を誘導するかが、図2のaの検出デバイスAを石英で置換しても、明白である。石英は完全な電気絶縁体であることが公知な材料であるため、図赤で塗りつぶされた正方形■のカーブおよび中抜きの赤い三角形△のカーブから明らかなように、石英はX線照射下のデバイスによって検出される電流の源ではあり得ない。そのため、電流は他の起源から発生する。これに対して、石英スライドを常に前記検出デバイスAとして使用するが、図2のbすなわち、電極/3DチップをX線から遮蔽するの前記セットアップを使用した場合、電流はほとんど記録されない。これは、前の実験において検出された電流が前記金属電極にX線を照射したために生じたことを明白に示す。そして、金属電極へのX線の照射は、金属に対してX線が有する光電効果から生じる二次光電子を経て、空気の電離を発生させる可能性がある。この効果は前記電極Bが3DタングステンWチップによって構成されると顕著であり、前記金属導線が単純な2次元銅Cu電極によって構成されるとあまり顕著ではないが、それでも明らかである。この理由は、2D電極に対して、3Dチップの方がより大きい表面がX線にさらされるためである。興味深いことに、前記金属電極が遮蔽されないときの電流約1~2nAは、遮蔽されない金属電極図3aを有する完結したデバイスすなわち、有機半導体4HCB単結晶を用いるデバイスで検出される電流と、遮蔽された金属電極または有機電極それぞれ図3bおよび3cを有する完結したデバイスで検出される電流との違いとほぼ等しい。上記実験から、前記有機半導体4HCB結晶の応答がイントリンジックであることが明白である。また、前記有機半導体に適用される、電離放射線によって照射される金属電極が、最終的なデバイスの応答に強く寄与することが明白である。この寄与度は、電極の種類と幾何学配置geometry/形状shapeに依存する。これは、金属接点を用いる、有機半導体を基礎とする直接検出器の検出応答に多大な不確実性を引き起こす。ただし、前記金属接点が電離放射線に直接さらされる事を回避するように、前記金属接点が正確に配置されるか、または入射放射線との相互作用が確認できないほど、前記金属接点が極薄であるほぼ1μm未満場合には該当しない。<実施例8:石英基板上に4HCB結晶および金属電極が作成された、電離放射線の検出器の応答>4HCB単結晶を石英基板に載置し、これらを、X線ビーム図2のbにおけるようにからシールドされるように適切に遮蔽される金属電極と接触させ、35kVのX線線量を照射した。これらの条件において、2つの平面軸a、bに沿って測定したバルク電流IOFFはほぼ同じであった。そのため、以下の記載において我々は、軸a、bを区別することなく垂直軸および平面軸のみとして参照する。図7において、X線誘導電流変動ΔΙ=ION-IOFF図7a,7bおよび正規化されたX線誘導光電流ΔΙ/IOFF図7c、7dが、4HCB結晶の平面軸および垂直軸に対して、それぞれ低~高線量率および種々のバイアスにおいて報告される。正規化されたX線誘導光電流は、前記結晶の異方性応答を表わす。図7および8は、金属電極または有機電極を有するデバイスについて、平面方向および垂直方向に沿って、種々の電圧に対して24mGy/sから170mGy/sの範囲の線量率での光電流ΔΙ=ION-IOFFを示す。両軸について表わされた2つの注目すべき特性は、i測定したバイアスにおける、低~高X線線量率に対する結晶の線形性応答、およびiiデバイスを50Vの低いバイアス電圧で駆動できることである。S=ION-IOFF/線量率として定められ、図7aにおいて報告される、前記材料の感度は400Vで0.05nC/mGyであり、これはシリコン検出器の感度約0.14nC/mGyに比べて1/3に過ぎない。特に、結晶中の異方性輸送を、異なる接触構成を用いて測定した。具体的には、銀エポキシおよびPEDOT:PSSである。PEDOT:PSSをマイクロ接触プリント法によって載置した。金属電極で作成したデバイスと比較した場合、測定された低いバルク電流によって、前記デバイスの相対的な感度を3倍大きくすることが可能になった図7および8を参照。<実施例9:Cu基板上に4HCB有機半導体を用いて作成された電離放射線検出器>前記有機半導体4HCBに基づくX線のイントリンジックな直接検出器のレイアウトを、図6aにおいて示す。図6eは、平面軸および垂直軸に対する、正規化された光電流に関するX線照射の効果、すなわちION-IOFF/IOFFを示す。電圧の関数として測定されて記録される光電流は、X線ビームがオンのときに顕著かつ再現可能に増加する。図6fから明らかなように、X線ビームを反復してオンオフした後でも、ヒステリシスの影響の徴候がない。図6fにおいて、異なるバイアス電圧における、平面軸に沿ったオンオフ挙動が報告されている同じ挙動が、垂直軸でも観察される。100ms機器の測定限界よりも短い、極めて速い応答時間も注目に値する。図6cに4HCBの単結晶のX線照射に対する応答が示され、応答の顕著な異方性が発見された。<実施例10:金属Cu基板上にNTI結晶が作成された電離放射線検出器>前記有機半導体NTIを基礎とする、X線のイントリンジックな直接検出器のレイアウトを図6bに示す。図6cにおいて、NTI単結晶のX線照射に対する応答が示され、ヒステリシスを確認できないことが明らかである。<実施例11:有機PDMS基板上に、4HCB結晶および有機電極が作成された全有機デバイス、電離放射線検出器>図8において、X線誘導電流変動ΔΙ=ION-IOFF図8a,8bおよび、正規化されたX線誘導光電流ΔΙ/IOFF図8c、8dが、4HCB結晶の平面軸および垂直軸に対して、それぞれ低~高線量率および異なるバイアスにおいて報告される。正規化されたX線誘導光電流は、前記結晶の異方性応答を表わす。報告されたデータを、PEDOT:PSS電極を有しPDMS基板上に作成された全有機デバイスについて得た。図8において、有機電極を有し有機基板上に作製された4HCB単結晶を基礎とする別のデバイスの応答が、種々の作動バイアスについて報告される。図8のデータと比較して分かるように、前記デバイスは良好に再現可能な異方性応答を有する。4HCB結晶がなく有機電極のみにX線照射されて得られた曲線黒点は、金属接点とは異なり、有機導電性接点が、いかなる関連信号も導かないことを示す。一般に、全有機デバイス構造が、電離放射線の検出器の設計の自由度を増す。<実施例12:エージング耐性および異方性の放射線検出器>X線を受ける4HCB結晶の耐放射性を評価するために、実施例1および2に従って調整され、同等の電気輸送特性を有する10個の結晶を、2.1kGyの累積的な線量にさらした。そして、オン/オフ切替えされるX線ビーム線量率170mGy/sにおけるこれら結晶の電気応答を調べた。図9は、垂直軸図9aおよび平面軸図9bに沿って、1つの結晶を総累積線量2.1kGyにさらす前後で得られた結果を示す。ここで、垂直軸および平面軸に沿ったバルク電流IOFFはほぼ等しい。これは、接点の大きさおよび接点間の距離の違いに起因し、この違いは、垂直軸で約200μm結晶の厚さであり、平面軸で約700μmである。最も注目に値するのは、ΔΙが両方の軸に沿って低~高バイアス電圧においてほぼ線形に変化することと、ΔIが大きなバイアス電圧においてのみ平面軸に沿ってわずかに線形から逸脱することとである。これに対して、電圧が増加するにつれてΔΙは2つの軸の間で差がより顕著になり、前記結晶の異方性の挙動が確認された。この観察は、結晶の異方性の挙動を強調するものである。異方性は、1つ以上の方向に独立に作動する、すなわち、入射放射ビームの方向を検出するデバイスを開発する際の大きな利点となり得る。<実施例13:アルファ粒子の検出>本実施例では、0.4μGy/sの平均線量を供給する241Am源5.4MeV、3kBqからのアルファ粒子に対する、前述のように成長した4HCB結晶の応答を示す。図10のaは、垂直軸に沿って供給される全アルファ線量の増加に従って、電流-電圧カーブの傾斜が増加することにより、電流-電圧カーブがいかに変化するかを示す。この結果は、約4nA/mGyの感度で、前記結晶の電気応答がアルファ粒子を検出するのに用いられることができることを示す。この結果は、また、良好な線形性応答図10のbを有する実用的な累積的アルファ線線量計として4HCB結晶を使用できる可能性を十分に示す。<実施例14:高放射線用のX線検出器>高放射線量環境で使用されるX線検出器としてのデバイスの信頼性を評価するために、4HCB結晶を10mGyの累積的な線量までアルファ放射線にさらした後、オン/オフ切替えされるX線ビーム35kVおよび35mAの下で試験を行った。これらの応答図11実線が、アルファ線照射はX線検出の再現性および信頼性にほとんど影響を与えないことを示す。さらに、同一の結晶既に、アルファ粒子を照射した結晶を、2.1kGyのX線の累積的な線量をさらにさらした場合、この結晶は検出器として依然として良好に機能する点線。依然として良好に機能する構成は従来技術と比較して極めて有利である。なぜなら、この構成はいかなる放射線検出器においても一般に利点だからである。この特性は、耐放射性として定義され、この検出器が強放射線環境下で長時間作動可能であることを示す。我々がX線図4のみ照射された結晶で観察したように、仮にバルク電流が減少する場合であっても、ΔΙ=ION-IOFFは一貫して同一である。この挙動は、オン/オフ動作の繰返しサイクルについて確認されており、4HCB結晶を膨大な累積量のアルファ粒子およびX線つまり、高電離性環境にさらした後でさえも、いかに確実にX線を検出できるかを評価する。"