"ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1を設け、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とを封止し、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201を配置することなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201を配置し、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aを被取り付け部材200に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bを被取り付け部材200に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1を形成すると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1を形成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1を形成すると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2を形成し、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabと鋭角をなす直線状の第1溝部1h1を、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1切り欠き部1d1との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第2溝部1h2を、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第2切り欠き部1e1との間に形成し、中心面CPabに垂直な直線状の第3溝部1h3を、第1境界部分BPac上であって、第1溝部1h1と第2溝部1h2との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第4溝部1h4を、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第3切り欠き部1f1との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第5溝部1h5を、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4切り欠き部1g1との間に形成し、中心面CPabに垂直な直線状の第6溝部1h3を、第2境界部分BPbc上であって、第4溝部1h4と第5溝部1h5との間に形成し、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1と第1張り出し部1d2と第2張り出し部1e2と第3張り出し部1f2と第4張り出し部1g2と第1溝部1h1と第2溝部1h2と第3溝部1h3と第4溝部1h4と第5溝部1h5と第6溝部1h6とを樹脂部5によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100。樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dを、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成し、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aを、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2を、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h1および第2溝部1h2との間に配置し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eを、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bを、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2を、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4溝部1h4および第5溝部1h5との間に配置したことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100。ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1を設け、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とを封止し、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201を配置することなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201を配置し、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aを被取り付け部材200に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bを被取り付け部材200に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1を形成すると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1を形成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1を形成すると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2を形成し、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7を中心とする概略円弧形状の第1溝部1h7を、第1境界部分BPacに接するように第1ねじ止め部1aの上面1a1に形成し、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7を中心とする概略円弧形状の第2溝部1h8を、第2境界部分BPbcに接するように第2ねじ止め部1bの上面1b1に形成し、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1と第1張り出し部1d2と第2張り出し部1e2と第3張り出し部1f2と第4張り出し部1g2と第1溝部1h7と第2溝部1h8とを樹脂部5によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100。樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dを、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成し、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aを、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2を、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h7との間に配置し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eを、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bを、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2を、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第2溝部1h8との間に配置したことを特徴とする請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100。ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4を、搭載部1cの第1の側の側面1c4よりも第1の側に突出させ、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5を、搭載部1cの第2の側の側面1c5よりも第2の側に突出させたことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100。ところで、被取り付け部材の表面上面の構成によっては、ベース板の下面の全体と被取り付け部材の表面上面の全体との間にグリスが配置される場合のみならず、パワー半導体素子からの熱の主要な伝熱経路であるベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面上面との間のみにグリスが配置され、パワー半導体素子からの熱の主要な伝熱経路ではないベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面上面との間にグリスが配置されない場合もある。ベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面上面との間にグリスが配置されない場合には、ねじ止めが行われる前の段階で、ベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面上面との間のグリスの厚さに相当する隙間が、ベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面上面との間に存在することになる。更に、ねじ止めのやり方によっては、ベース板の下面と被取り付け部材の表面上面との間のグリスが均一に押し潰されるように、一方のねじ止め部の仮ねじ止めおよび他方のねじ止め部の仮ねじ止めが行われた後に、一方のねじ止め部の本ねじ止めが行われ、次いで、他方のねじ止め部の本ねじ止めが行われる場合がある。一方、例えばねじ止め工程のスループットを向上させるために、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定されつまり、一方のねじ止め部の本ねじ止めが行われ、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定されるつまり、他方のねじ止め部の本ねじ止めが行われる場合もある。仮に、特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールのベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面上面との間のみにグリスが配置され、かつ、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される場合には、ベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定された段階で、グリスの断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。そのため、次いで、ベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される時に、ベース板の他方のねじ止め部と搭載部との境界部分の近傍に大きい応力がかかり、ベース板が変形して詳細には、曲がってしまうおそれがある。詳細には、ベース板の他方のねじ止め部と搭載部との境界部分の近傍におけるベース板の変形曲がりに伴い、その境界部分の近傍で、樹脂部が割れてしまったり、ベース板、パワー半導体素子、外部端子などを接合する例えば半田などの接合材が剥離してしまったりするおそれがある。また、特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールのように、樹脂材料の成形によって樹脂部が形成される従来の一般的な樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、樹脂部とベース板との密着性を向上させる機能、および、外部からモジュールの内部に水分が浸入するのを抑制するために、ベース板の上面あるいは側面の沿面距離を増加させる機能外部に露出しているベース板と樹脂部との境界線から例えばパワー半導体素子等までのベース板の上面あるいは側面の表面に沿った距離を増加せる機能を有する凹部および凸部がベース板の上面および側面に形成される。詳細には、一般的に、ベース板の上面に対して上述した機能を有する凹部が形成され、ベース板の側面に対して上述した機能を有する凹部および/または凸部が形成される。ところで、ベース板の上面および側面に凹部および凸部を形成するやり方によっては、上述したベース板の変形曲がりに抗する強度が大幅に低下してしまうおそれがある。特に、ベース板の上面に凹部を形成するやり方詳細には、ベース板の上面に凹部を配置するやり方によっては、上述したベース板の変形曲がりに抗する強度が大幅に低下してしまうおそれがある。前記問題点に鑑み、本発明は、樹脂部とベース板との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板の変形を抑制することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。詳細には、本発明は、樹脂部とベース板との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板の搭載部と被取り付け部材との間のみにグリスが配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される場合であっても、ベース板の変形を抑制することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。請求項1に記載の発明によれば、ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1を設け、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とを封止し、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201を配置することなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201を配置し、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aを被取り付け部材200に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bを被取り付け部材200に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1を形成すると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1を形成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1を形成すると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2を形成し、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabと鋭角をなす直線状の第1溝部1h1を、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1切り欠き部1d1との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第2溝部1h2を、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第2切り欠き部1e1との間に形成し、中心面CPabに垂直な直線状の第3溝部1h3を、第1境界部分BPac上であって、第1溝部1h1と第2溝部1h2との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第4溝部1h4を、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第3切り欠き部1f1との間に形成し、中心面CPabと鋭角をなす直線状の第5溝部1h5を、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4切り欠き部1g1との間に形成し、中心面CPabに垂直な直線状の第6溝部1h3を、第2境界部分BPbc上であって、第4溝部1h4と第5溝部1h5との間に形成し、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1と第1張り出し部1d2と第2張り出し部1e2と第3張り出し部1f2と第4張り出し部1g2と第1溝部1h1と第2溝部1h2と第3溝部1h3と第4溝部1h4と第5溝部1h5と第6溝部1h6とを樹脂部5によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項2に記載の発明によれば、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dを、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成し、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aを、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2を、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h1および第2溝部1h2との間に配置し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eを、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bを、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2を、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4溝部1h4および第5溝部1h5との間に配置したことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項3に記載の発明によれば、ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1を設け、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とを封止し、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201を配置することなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201を配置し、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aを被取り付け部材200に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bを被取り付け部材200に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1を形成すると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1を形成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1を形成すると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2を形成し、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2を形成し、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2を形成し、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7を中心とする概略円弧形状の第1溝部1h7を、第1境界部分BPacに接するように第1ねじ止め部1aの上面1a1に形成し、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7を中心とする概略円弧形状の第2溝部1h8を、第2境界部分BPbcに接するように第2ねじ止め部1bの上面1b1に形成し、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1と第1張り出し部1d2と第2張り出し部1e2と第3張り出し部1f2と第4張り出し部1g2と第1溝部1h7と第2溝部1h8とを樹脂部5によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項4に記載の発明によれば、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dを、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成し、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aを、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2を、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h7との間に配置し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eを、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成し、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bを、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定し、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2を、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第2溝部1h8との間に配置したことを特徴とする請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項5に記載の発明によれば、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4を、搭載部1cの第1の側の側面1c4よりも第1の側に突出させ、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5を、搭載部1cの第2の側の側面1c5よりも第2の側に突出させたことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が提供される。請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1が設けられている。また、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとが搭載されている。また、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とが封止されている。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201が配置されることなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201が配置されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aおよび第2ねじ止め部1bのねじ止めが行われる前の段階で、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200のとの間のグリスの厚さT1cに相当する隙間SP1a,SP1bが、ベース板1の第1ねじ止め部1aと被取り付け部材200との間およびベース板1の第2ねじ止め部1bと被取り付け部材200との間に存在する。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される。その結果、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定された段階で、グリス201の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。従って、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、次いで、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの近傍に大きい応力がかかる。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に第2境界部分BPbcの近傍にかかる応力に伴うベース板1の変形曲がりを抑制するために、後述するような対策が施されている。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂材料の成形によって樹脂部5が形成されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。詳細には、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1が形成されると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1が形成されている。また、ベース板1の第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1が形成されると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1が形成されている。更に、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1とが樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1切り欠き部1d1、第2切り欠き部1e1、第3切り欠き部1f1および第4切り欠き部1g1が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性、並びに、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができる。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2が形成されている。また、第1張り出し部1d2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1張り出し部1d2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2が形成されている。更に、第2張り出し部1e2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2張り出し部1e2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2が形成されている。また、第3張り出し部1f2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第3張り出し部1f2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第3張り出し部1f2を形成するために、第2ねじ止め部1bの上面1b1の第1部分1b1aが潰されるのみならず、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bも潰されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、第2境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、第2部分1b1bが潰されていない場合よりも低減することができる。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2が形成されている。更に、第4張り出し部1g2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第4張り出し部1g2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第4張り出し部1g2を形成するために、第2ねじ止め部1bの上面1b1の第3部分1b1cが潰されるのみならず、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dも潰されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、第2境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、第4部分1b1dが潰されていない場合よりも低減することができる。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabと鋭角θ1をなす直線状の第1溝部1h1が、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1切り欠き部1d1との間に形成されている。また、中心面CPabと鋭角θ2をなす直線状の第2溝部1h2が、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第2切り欠き部1e1との間に形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の第3溝部1h3が、第1境界部分BPac上であって、第1溝部1h1と第2溝部1h2との間に形成されている。また、第1溝部1h1と第2溝部1h2と第3溝部1h3とが樹脂部5によって覆われている。つまり、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1溝部1h1、第2溝部1h2および第3溝部1h3が、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1境界部分BPac上およびその近傍に形成されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1溝部1h1、第2溝部1h2および第3溝部1h3が形成されていない場合よりも、樹脂部5とベース板1の第1ねじ止め部1aの上面1a1との密着性を向上させることができる。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1溝部1h1、第2溝部1h2および第3溝部1h3が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1の第1ねじ止め部1aの上面1a1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、直線状の第1溝部1h1が、中心面CPabに垂直に形成されるのではなく、中心面CPabと鋭角θ1をなすように形成されている。また、直線状の第2溝部1h2が、中心面CPabに垂直に形成されるのではなく、中心面CPabと鋭角θ2をなすように形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の第3溝部1h3が、第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、第1溝部1h1と第2溝部1h2との間に形成されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3’が第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第1境界部分BPacにおけるベース板1の断面積を大きくすることができ、それにより、第1境界部分BPacにおけるベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3’が第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第1境界部分BPac上に溝部が形成されることに伴うベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。更に、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、中心面CPabと鋭角θ4をなす直線状の第4溝部1h4が、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第3切り欠き部1f1との間に形成されている。また、中心面CPabと鋭角θ5をなす直線状の第5溝部1h5が、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4切り欠き部1g1との間に形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の第6溝部1h3が、第2境界部分BPbc上であって、第4溝部1h4と第5溝部1h5との間に形成されている。また、第4溝部1h4と第5溝部1h5と第6溝部1h6とが樹脂部5によって覆われている。つまり、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第4溝部1h4、第5溝部1h5および第6溝部1h6が、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2境界部分BPbc上およびその近傍に形成されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第4溝部1h4、第5溝部1h5および第6溝部1h6が形成されていない場合よりも、樹脂部5とベース板1の第2ねじ止め部1bの上面1b1との密着性を向上させることができる。また、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第4溝部1h4、第5溝部1h5および第6溝部1h6が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1の第2ねじ止め部1bの上面1b1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、直線状の第4溝部1h4が、中心面CPabに垂直に形成されるのではなく、中心面CPabと鋭角θ4をなすように形成されている。また、直線状の第5溝部1h5が、中心面CPabに垂直に形成されるのではなく、中心面CPabと鋭角θ5をなすように形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の第6溝部1h6が、第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、第4溝部1h4と第5溝部1h5との間に形成されている。そのため、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6’が第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第2境界部分BPbcにおけるベース板1の断面積を大きくすることができ、それにより、第2境界部分BPbcにおけるベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6’が第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第2境界部分BPbc上に溝部が形成されることに伴うベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。すなわち、請求項1に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、樹脂部5とベース板1との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合であっても、ベース板1の変形を抑制することができる。請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dが、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成されている。また、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aが、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定されている。更に、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2が、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h1および第2溝部1h2との間に配置されている。また、請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eが、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成されている。更に、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bが、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定されている。また、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2が、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第4溝部1h4および第5溝部1h5との間に配置されている。そのため、請求項2に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aが、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2が、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7を隔てて樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの凹状面部分5d3の反対側に配置され、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bが、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2が、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7を隔てて樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの凹状面部分5e3の反対側に配置されている特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部5の第1の側の側面5bと第2の側の側面5cとの間隔W5を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール100全体を小型化することができる。請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ねじ穴1a7を有する第1ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する第2ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備する概略矩形形状の金属製ベース板1が設けられている。また、ベース板1の搭載部1cに少なくともパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとが搭載されている。また、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部分とが封止されている。更に、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1が取り付けられる被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と第1ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と第2ねじ止め部1bとの間にグリス201が配置されることなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201が配置されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aおよび第2ねじ止め部1bのねじ止めが行われる前の段階で、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200のとの間のグリスの厚さT1cに相当する隙間SP1a,SP1bが、ベース板1の第1ねじ止め部1aと被取り付け部材200との間およびベース板1の第2ねじ止め部1bと被取り付け部材200との間に存在する。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される。その結果、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定された段階で、グリス201の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。従って、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、次いで、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に、ベース板1の第2ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である第2境界部分BPbcの近傍に大きい応力がかかる。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に第2境界部分BPbcの近傍にかかる応力に伴うベース板1の変形曲がりを抑制するために、後述するような対策が施されている。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂材料の成形によって樹脂部5が形成されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。詳細には、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第1ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である第1境界部分BPacの第1の側の端部に概略半円形状の第1切り欠き部1d1が形成されると共に、第1境界部分BPacの第1の側とは反対側の第2の側の端部に概略半円形状の第2切り欠き部1e1が形成されている。また、ベース板1の第2境界部分BPbcの第1の側の端部に概略半円形状の第3切り欠き部1f1が形成されると共に、第2境界部分BPbcの第2の側の端部に概略半円形状の第4切り欠き部1g1が形成されている。更に、第1切り欠き部1d1と第2切り欠き部1e1と第3切り欠き部1f1と第4切り欠き部1g1とが樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1切り欠き部1d1、第2切り欠き部1e1、第3切り欠き部1f1および第4切り欠き部1g1が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性、並びに、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができる。更に、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1a1aと、その第1部分1a1aおよび第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4に隣接する第2部分1a1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第1切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1c1aとを潰すことにより、第1切り欠き部1d1および第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4から第1の側に突出する第1張り出し部1d2が形成されている。また、第1張り出し部1d2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1張り出し部1d2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4および搭載部1cの第1の側の側面1c4に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1a1cと、その第3部分1a1cおよび第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5に隣接する第4部分1a1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第2切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の第2部分1c1bとを潰すことにより、第2切り欠き部1e1および第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5から第2の側に突出する第2張り出し部1e2が形成されている。更に、第2張り出し部1e2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2張り出し部1e2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第1ねじ止め部1aの第2の側の側面1a5および搭載部1cの第2の側の側面1c5に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。更に、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第1部分1b1aと、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bと、搭載部1cの上面1c1のうち、第3切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1c1cとを潰すことにより、第3切り欠き部1f1および第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4から第1の側に突出する第3張り出し部1f2が形成されている。また、第3張り出し部1f2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第3張り出し部1f2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4および搭載部1cの第1の側の側面1c4に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第3張り出し部1f2を形成するために、第2ねじ止め部1bの上面1b1の第1部分1b1aが潰されるのみならず、その第1部分1b1aおよび第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に隣接する第2部分1b1bも潰されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、第2境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、第2部分1b1bが潰されていない場合よりも低減することができる。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第3部分1b1cと、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dと、搭載部1cの上面1c1のうち、第4切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の第4部分1c1dとを潰すことにより、第4切り欠き部1g1および第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5から第2の側に突出する第4張り出し部1g2が形成されている。更に、第4張り出し部1g2が樹脂部5によって覆われている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第4張り出し部1g2が形成されていない場合よりも、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5と樹脂部5との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1の下面1Dと樹脂部5の下面5fとの境界線からベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5および搭載部1cの第2の側の側面1c5に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第4張り出し部1g2を形成するために、第2ねじ止め部1bの上面1b1の第3部分1b1cが潰されるのみならず、その第3部分1b1cおよび第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に隣接する第4部分1b1dも潰されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、第2境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、第4部分1b1dが潰されていない場合よりも低減することができる。更に、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7を中心とする概略円弧形状の第1溝部1h7が、第1境界部分BPacに接するように第1ねじ止め部1aの上面1a1に形成されている。また、第1溝部1h7が樹脂部5によって覆われている。つまり、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第1溝部1h7が、第1ねじ止め部1aの上面1a1のうち、第1境界部分BPac上およびその近傍に形成されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1溝部1h7が形成されていない場合よりも、樹脂部5とベース板1の第1ねじ止め部1aの上面1a1との密着性を向上させることができる。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第1溝部1h7が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1の第1ねじ止め部1aの上面1a1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3’が第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の第1溝部1h7が、第1境界部分BPacに接するように形成されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3’が第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第1境界部分BPacにおけるベース板1の断面積を大きくすることができ、それにより、第1境界部分BPacにおけるベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3’が第1境界部分BPacの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第1境界部分BPac上に溝部が形成されることに伴うベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。更に、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7を中心とする概略円弧形状の第2溝部1h8が、第2境界部分BPbcに接するように第2ねじ止め部1bの上面1b1に形成されている。また、第2溝部1h8が樹脂部5によって覆われている。つまり、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、第2溝部1h8が、第2ねじ止め部1bの上面1b1のうち、第2境界部分BPbc上およびその近傍に形成されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2溝部1h8が形成されていない場合よりも、樹脂部5とベース板1の第2ねじ止め部1bの上面1b1との密着性を向上させることができる。また、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、第2溝部1h8が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1の第2ねじ止め部1bの上面1b1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5とベース板1との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6’が第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の第2溝部1h8が、第2境界部分BPbcに接するように形成されている。そのため、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6’が第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第2境界部分BPbcにおけるベース板1の断面積を大きくすることができ、それにより、第2境界部分BPbcにおけるベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6’が第2境界部分BPbcの第1の側の端部と第2の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第2境界部分BPbc上に溝部が形成されることに伴うベース板1の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。すなわち、請求項3に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、樹脂部5とベース板1との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合であっても、ベース板1の変形を抑制することができる。請求項4に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dが、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その両側の平面部分5d1,5d2とによって構成されている。また、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aが、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の概略2倍の値に設定されている。更に、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2が、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7と第1溝部1h7との間に配置されている。また、請求項4に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eが、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その両側の平面部分5e1,5e2とによって構成されている。更に、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bが、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の概略2倍の値に設定されている。また、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2が、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7と第2溝部1h8との間に配置されている。そのため、請求項4に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の第1ねじ止め部1aの第1の側の側面1a4と第2の側の側面1a5との間隔W1aが、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの平面部分5d1,5d2が、第1ねじ止め部1aのねじ穴1a7を隔てて樹脂部5の第1ねじ止め部1aの側の側面5dの凹状面部分5d3の反対側に配置され、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4と第2の側の側面1b5との間隔W1bが、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの平面部分5e1,5e2が、第2ねじ止め部1bのねじ穴1b7を隔てて樹脂部5の第2ねじ止め部1bの側の側面5eの凹状面部分5e3の反対側に配置されている特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部5の第1の側の側面5bと第2の側の側面5cとの間隔W5を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール100全体を小型化することができる。本発明者等の鋭意研究により、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合には、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に密着している樹脂部5、および、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれが高くなることが見い出された。更に、本発明者等の鋭意研究により、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4を搭載部1cの第1の側の側面1c4よりも第1の側に突出させると共に、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5を搭載部1cの第2の側の側面1c5よりも第2の側に突出させることにより、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に密着している樹脂部5、および、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを低減できることが見い出された。この点に鑑み、請求項5に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4が、搭載部1cの第1の側の側面1c4よりも第1の側に突出せしめられている。更に、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5が、搭載部1cの第2の側の側面1c5よりも第2の側に突出せしめられている。そのため、請求項5に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第1ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の第2ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合に、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第1の側の側面1b4に密着している樹脂部5、および、ベース板1の第2ねじ止め部1bの第2の側の側面1b5に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを低減することができる。以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100を示した図である。詳細には、図1Aは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の平面図、図1Bは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の正面図、図1Cは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の左側面図、図1Dは第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の右側面図、図1Eは図1AのA-A線に沿った断面図である。詳細には、図1Eはベース板1の右ねじ止め部1a図1E参照のねじ穴1a7の中心軸線と左ねじ止め部1b図1E参照のねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPab図1A参照に沿った第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の断面図である。図2はねじ止めによって第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100が被取り付け部材200に取り付けられる様子を示した図である。図3は図1に示すベース板1の部品図である。詳細には、図3Aはベース板1の平面図、図3Bはベース板1の正面図、図3Cは図3AのB-B線に沿った断面図である。詳細には、図3Cは右ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と左ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabに沿ったベース板1の断面図である。図3Dはベース板1の底面図、図3Eはベース板1の後側面図である。図4は図3に示す切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1が形成された後であって、図3に示す張り出し部1d2,1e2,1f2,1g2,1c4a,1c4b,1c5a,1c5bおよび溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6が形成される前におけるベース板1を示した図である。詳細には、図4Aは図3に示す切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1が形成された後であって、図3に示す張り出し部1d2,1e2,1f2,1g2,1c4a,1c4b,1c5a,1c5bおよび溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6が形成される前におけるベース板1の平面図である。図4Bはベース板1の右ねじ止め部1aの上面1a1、左ねじ止め部1bの上面1b1および搭載部1cの上面1c1のうち、張り出し部1d2,1e2,1f2,1g2,1c4a,1c4b,1c5a,1c5b図3参照を形成するために潰される部分1a1a,1a1b,1a1c,1a1d,1b1a,1b1b,1b1c,1b1d,1c1a,1c1b,1c1c,1c1d,1c1e,1c1f,1c1g,1c1hを示した図である。図4Cは図4Bに示す部分1a1a,1a1b,1c1a,1c1eなどの拡大図、図4Dは図4Bに示す部分1a1c,1a1d,1c1b,1c1fなどの拡大図、図4Eは図4Bに示す部分1b1a,1b1b,1c1c,1c1gなどの拡大図、図4Fは図4Bに示す部分1b1c,1b1d,1c1d,1c1hなどの拡大図である。図5は図3に示す溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6を説明するための図である。図6は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部構造を説明するための図である。詳細には、図6Aは図1に示す樹脂部5が形成される前における第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の平面図、図6Bは図1に示す樹脂部5が形成される前における第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の正面図、図6Cは図1に示す樹脂部5が形成される前における第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の右側面図、図6Dは図1に示す樹脂部5が形成される前における第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の左側面図である。図7は図3に示すベース板1の右ねじ止め部1aと図1に示す樹脂部5の右側面5d図7参照との関係、図3に示すベース板1の左ねじ止め部1bと図1に示す樹脂部5の左側面5e図7参照との関係などを説明するための図である。図8は第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の等価回路図である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、ねじ穴1a7を有する右ねじ止め部1aと、ねじ穴1b7を有する左ねじ止め部1bと、それらの間に配置された搭載部1cとを具備し、例えば2mmの厚さを有する概略矩形形状の金属製ベース板1が設けられている。また、図3および図6に示すように、電極板3L1と、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子2Lと、電極板3L2と、外部端子4Lとが、ベース板1の搭載部1cに搭載されると共に、電極板3R1と、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子2Rと、電極板3R2と、外部端子4Rとが、ベース板1の搭載部1cに搭載されている。更に、ベース板1の搭載部1cと、電極板3L1と、パワー半導体素子2Lと、電極板3L2と、外部端子4Lの下側部分4L1とが、例えば半田などのような接合材によって相互に接合されると共に、ベース板1の搭載部1cと、電極板3R1と、パワー半導体素子2Rと、電極板3R2と、外部端子4Rの下側部分4R1とが、例えば半田などのような接合材によって相互に接合されている。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、電極板3L1の熱膨張係数が、ベース板1の熱膨張係数とパワー半導体素子2Lの熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板3L2の熱膨張係数が、パワー半導体素子2Lの熱膨張係数と外部端子4Lの熱膨張係数との間の値に設定されている。更に、電極板3R1の熱膨張係数が、ベース板1の熱膨張係数とパワー半導体素子2Rの熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板3R2の熱膨張係数が、パワー半導体素子2Rの熱膨張係数と外部端子4Rの熱膨張係数との間の値に設定されている。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1に示すように、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって、少なくともベース板1の一部分と、パワー半導体素子2R,2L図1E参照と、電極板3R1,3R2,3L1,3L2図6参照と、外部端子4R,4Lの一部分とが封止されている。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、ベース板1の右ねじ止め部1aの上面1a1の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の右ねじ止め部1aの上面1a1の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板1の右ねじ止め部1aの右側面1a2が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板1の右ねじ止め部1aの前側面1a4の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の右ねじ止め部1aの前側面1a4の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板1の右ねじ止め部1aの後側面1a5の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の右ねじ止め部1aの後側面1a5の残りの部分が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板1の右ねじ止め部1aの下面1a6が、外部に露出せしめられている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bの上面1b1の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の左ねじ止め部1bの上面1b1の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板1の左ねじ止め部1bの左側面1b3が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5の一部分が樹脂部5によって覆われ、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5の残りの部分が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板1の左ねじ止め部1bの下面1b6が、外部に露出せしめられている。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、ベース板1の搭載部1cの上面1c1が樹脂部5によって覆われている。また、ベース板1の搭載部1cの前側面1c4が樹脂部5によって覆われている。更に、ベース板1の搭載部1cの後側面1c5が樹脂部5によって覆われている。また、ベース板1の搭載部1cの下面1c6が、外部に露出せしめられている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図6に示すように、パワー半導体素子2R,2Lと、電極板3R1,3R2,3L1,3L2とが、樹脂部5によって覆われている。更に、外部端子4Rの下側部分4R1と、中間部分4R3の一部分とが樹脂部5によって覆われ、外部端子4Rの中間部分4R3の残りの部分と、ねじ穴4R2aを有する上側部分4R2とが、外部に露出せしめられている。また、外部端子4Lの下側部分4L1と、中間部分4L3の一部分とが樹脂部5によって覆われ、外部端子4Lの中間部分4L3の残りの部分と、ねじ穴4L2aを有する上側部分4L2とが、外部に露出せしめられている。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1Eに示すように、樹脂部5の上面5aに形成された凹部内にナット6R,6Lが挿入されている。また、図1および図6に示すように、外部端子4Rの中間部分4R3と上側部分4R2との境界部分が折り曲げられ、外部端子4Rの上側部分4R2によって、ナット6Rが覆われている。更に、外部端子4Lの中間部分4L3と上側部分4L2との境界部分が折り曲げられ、外部端子4Lの上側部分4L2によって、ナット6Lが覆われている。その結果、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図8に示すように、ベース板1によってパワー半導体素子ダイオード2R,2Lの共通のアノード端子が構成されている。また、外部端子4Rの上側部分4R2によってパワー半導体素子ダイオード2Rのカソード端子が構成され、外部端子4Lの上側部分4L2によってパワー半導体素子ダイオード2Lのカソード端子が構成されている。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、ベース板1によってパワー半導体素子ダイオード2R,2Lのアノード端子が構成され、外部端子4R,4Lの上側部分4R2,4L2によってパワー半導体素子ダイオード2R,2Lのカソード端子が構成されているが、第2の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、ベース板1によってパワー半導体素子ダイオード2R,2Lのカソード端子を構成し、外部端子4R,4Lの上側部分4R2,4L2によってパワー半導体素子ダイオード2R,2Lのアノード端子を構成することも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、パワー半導体素子2R,2Lとしてダイオードが用いられているが、第3の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、パワー半導体素子として、ダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたり、あるいは、パワー半導体素子としてダイオードとダイオード以外の任意のパワー半導体素子とを併用したりすることも可能である。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、2個のパワー半導体素子2R,2Lが設けられているが、第4の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、1個以上の任意の数のパワー半導体素子を設けることも可能である。第2から第4の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100においても、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100と同様に、大電流が流れるパワー半導体素子の一方の端子がベース板によって構成され、大電流が流れるパワー半導体素子の他方の端子が外部端子によって構成されている。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100のベース板1が被取り付け部材200に取り付けられる場合には、図2Aに示すように、被取り付け部材200とベース板1との間のうち、被取り付け部材200と右ねじ止め部1aとの間および被取り付け部材200と左ねじ止め部1bとの間にグリス201が配置されることなく、搭載部1cと被取り付け部材200との間にグリス201が配置される。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100のベース板1が被取り付け部材200に取り付けられる場合には、図2Aに示すように、ベース板1の右ねじ止め部1aおよび左ねじ止め部1bのねじ止めが行われる前の段階で、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200のとの間のグリス201の厚さT1cに相当する隙間SP1a,SP1bが、ベース板1の右ねじ止め部1aと被取り付け部材200との間およびベース板1の左ねじ止め部1bと被取り付け部材200との間に存在する。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100のベース板1が被取り付け部材200に取り付けられる場合には、図2Bに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の右ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、図2Cに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される。その結果、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100のベース板1が被取り付け部材200に取り付けられる場合には、図2Bに示すように、ベース板1の右ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定された段階で、グリス201の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。従って、次いで、図2Cに示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に、ベース板1の左ねじ止め部1bと搭載部1cとの境界である境界部分BPbcの近傍に大きい応力がかかる。そこで、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図2Cに示すようにベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に境界部分BPbcの近傍にかかる応力に伴うベース板1の変形曲がりを抑制するために、後述するような対策が施されている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、上述したように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって樹脂部5図1参照が形成されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、樹脂部5とベース板1図1および図3参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図3および図4に示すように、ベース板1の右ねじ止め部1aと搭載部1cとの境界である境界部分BPacの前側図3Aおよび図4Aの下側の端部に概略半円形状の切り欠き部1d1が形成されると共に、境界部分BPacの後側図3Aおよび図4Aの上側の端部に概略半円形状の切り欠き部1e1が形成されている。また、ベース板1の境界部分BPbcの前側図3Aおよび図4Aの下側の端部に概略半円形状の切り欠き部1f1が形成されると共に、境界部分BPbcの後側図3Aおよび図4Aの上側の端部に概略半円形状の切り欠き部1g1が形成されている。更に、図1および図3に示すように、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の前側面1a4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照と樹脂部5図1参照との密着性、ベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の後側面1a5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照と樹脂部5図1参照との密着性、ベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の前側面1b4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照と樹脂部5図1参照との密着性、並びに、ベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の後側面1b5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1a1a図4Bおよび図4C参照と、その部分1a1aおよび右ねじ止め部1aの前側面1a4に隣接する部分1a1b図4Bおよび図4C参照と、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1d1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1c1a図4Bおよび図4C参照とを潰すことにより、切り欠き部1d1および右ねじ止め部1aの前側面1a4から前側図3Aの下側に突出する張り出し部1d2図3Aおよび図3B参照が形成されている。また、図1および図3に示すように、張り出し部1d2図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1d2図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の前側面1a4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の前側面1a4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1a1c図4Bおよび図4D参照と、その部分1a1cおよび右ねじ止め部1aの後側面1a5に隣接する部分1a1d図4Bおよび図4D参照と、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1e1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1c1b図4Bおよび図4D参照とを潰すことにより、切り欠き部1e1および右ねじ止め部1aの後側面1a5から後側図3Aの上側に突出する張り出し部1e2図3Aおよび図3E参照が形成されている。更に、図1および図3に示すように、張り出し部1e2図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1e2図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の後側面1a5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の右ねじ止め部1a図3参照の後側面1a5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1b1a図4Bおよび図4E参照と、その部分1b1aおよび左ねじ止め部1bの前側面1b4に隣接する部分1b1b図4Bおよび図4E参照と、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1f1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1c1c図4Bおよび図4E参照とを潰すことにより、切り欠き部1f1および左ねじ止め部1bの前側面1b4から前側図3Aの下側に突出する張り出し部1f2図3Aおよび図3B参照が形成されている。また、図1および図3に示すように、張り出し部1f2図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1f2図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の前側面1b4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の前側面1b4図3参照および搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、張り出し部1f2図3参照を形成するために、左ねじ止め部1b図4参照の上面1b1図4参照の部分1b1a図4Bおよび図4E参照が潰されるのみならず、その部分1b1a図4Bおよび図4E参照および左ねじ止め部1b図4参照の前側面1b4図4参照に隣接する部分1b1b図4Bおよび図4E参照も潰されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、図2Cに示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4図3参照に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、部分1b1b図4Bおよび図4E参照が潰されていない場合よりも低減することができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1b1c図4Bおよび図4F参照と、その部分1b1cおよび左ねじ止め部1bの後側面1b5に隣接する部分1b1d図4Bおよび図4F参照と、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1g1に隣接する概略4分の1円弧形状の部分1c1d図4Bおよび図4F参照とを潰すことにより、切り欠き部1g1および左ねじ止め部1bの後側面1b5から後側図3Aの上側に突出する張り出し部1g2図3Aおよび図3E参照が形成されている。更に、図1および図3に示すように、張り出し部1g2図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1g2図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の後側面1b5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の左ねじ止め部1b図3参照の後側面1b5図3参照および搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。詳細には、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、張り出し部1g2図3参照を形成するために、左ねじ止め部1b図4参照の上面1b1図4参照の部分1b1c図4Bおよび図4F参照が潰されるのみならず、その部分1b1c図4Bおよび図4F参照および左ねじ止め部1b図4参照の後側面1b5図4参照に隣接する部分1b1d図4Bおよび図4F参照も潰されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、図2Cに示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対してねじ止めされる時に、境界部分BPbcの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5図3参照に密着している樹脂部5が割れてしまうおそれを、部分1b1d図4Bおよび図4F参照が潰されていない場合よりも低減することができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1d1と切り欠き部1f1との間の部分1c1e,1c1g図4B、図4Cおよび図4E参照を潰すことにより、搭載部1cの前側面1c4から前側図3Aの下側に突出する張り出し部1c4a,1c4b図3Aおよび図3B参照が形成されている。また、図1および図3に示すように、張り出し部1c4a,1c4b図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1c4a,1c4b図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の搭載部1c図3参照の前側面1c4図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図4に示すように、搭載部1cの上面1c1のうち、切り欠き部1e1と切り欠き部1g1との間の部分1c1f,1c1h図4B、図4Dおよび図4F参照を潰すことにより、搭載部1cの後側面1c5から後側図3Aの上側に突出する張り出し部1c5a,1c5b図3Aおよび図3E参照が形成されている。また、図1および図3に示すように、張り出し部1c5a,1c5b図3参照が樹脂部5図1参照によって覆われている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、張り出し部1c5a,1c5b図3参照が形成されていない場合よりも、ベース板1図3参照の搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照と樹脂部5図1参照との密着性を向上させることができ、更に、ベース板1図3参照の下面1D図3参照と樹脂部5図1参照の下面5f図1参照との境界線からベース板1図3参照の搭載部1c図3参照の後側面1c5図3参照に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、右ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と左ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabと例えば45°の鋭角θ1をなす直線状の溝部1h1が、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と切り欠き部1d1との間に形成されている。また、中心面CPabと例えば45°の鋭角θ2をなす直線状の溝部1h2が、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と切り欠き部1e1との間に形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h3が、境界部分BPac上であって、溝部1h1と溝部1h2との間に形成されている。また、図1および図5Bに示すように、溝部1h1,1h2,1h3が樹脂部5によって覆われている。つまり、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、溝部1h1,1h2,1h3が、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、境界部分BPac上およびその近傍に形成されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h1,1h2,1h3図5A参照が形成されていない場合よりも、樹脂部5図1および図5B参照とベース板1図5A参照の右ねじ止め部1a図5A参照の上面1a1図5A参照との密着性を向上させることができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h1,1h2,1h3図5B参照が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1図5B参照の右ねじ止め部1a図5B参照の上面1a1図5B参照と樹脂部5図5B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5図1および図5B参照とベース板1図5A参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1図5A参照と樹脂部5図1および図5B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部1h1,1h2,1h3図5A参照の配置のやり方によっては、ベース板1図2参照の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、直線状の溝部1h1図5A参照が、中心面CPab図5A参照に垂直に形成されるのではなく、中心面CPab図5A参照と鋭角θ1図5A参照をなすように形成されている。また、直線状の溝部1h2図5A参照が、中心面CPab図5A参照に垂直に形成されるのではなく、中心面CPab図5A参照と鋭角θ2図5A参照をなすように形成されている。更に、中心面CPab図5A参照に垂直な直線状の溝部1h3図5A参照が、境界部分BPac図5A参照の前側図5Aの下側の端部と後側図5Aの上側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、溝部1h1図5A参照と溝部1h2図5A参照との間に形成されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図5C参照に垂直な直線状の溝部1h3’図5C参照が境界部分BPac図5C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図5Cに示す場合よりも、境界部分BPac図5A参照におけるベース板1図5A参照の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分BPac図5A参照におけるベース板1図5A参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図5C参照に垂直な直線状の溝部1h3’図5C参照が境界部分BPac図5C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図5Cに示す場合よりも、境界部分BPac図5A参照上に溝部1h3図5A参照が形成されることに伴うベース板1図5A参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、中心面CPabと例えば45°の鋭角θ4をなす直線状の溝部1h4が、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と切り欠き部1f1との間に形成されている。また、中心面CPabと例えば45°の鋭角θ5をなす直線状の溝部1h5が、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と切り欠き部1g1との間に形成されている。更に、中心面CPabに垂直な直線状の溝部1h6が、境界部分BPbc上であって、溝部1h4と溝部1h5との間に形成されている。また、図1および図5Bに示すように、溝部1h4,1h5,1h6が樹脂部5によって覆われている。つまり、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、溝部1h4,1h5,1h6が、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、境界部分BPbc上およびその近傍に形成されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h4,1h5,1h6図5A参照が形成されていない場合よりも、樹脂部5図1および図5B参照とベース板1図5A参照の左ねじ止め部1b図5A参照の上面1b1図5A参照との密着性を向上させることができる。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h4,1h5,1h6図5B参照が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1図5B参照の左ねじ止め部1b図5B参照の上面1b1図5B参照と樹脂部5図5B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5図1および図5B参照とベース板1図5A参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1図5A参照と樹脂部5図1および図5B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部1h4,1h5,1h6図5A参照の配置のやり方によっては、ベース板1図2参照の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、直線状の溝部1h4図5A参照が、中心面CPab図5A参照に垂直に形成されるのではなく、中心面CPab図5A参照と鋭角θ4図5A参照をなすように形成されている。また、直線状の溝部1h5図5A参照が、中心面CPab図5A参照に垂直に形成されるのではなく、中心面CPab図5A参照と鋭角θ5図5A参照をなすように形成されている。更に、中心面CPab図5A参照に垂直な直線状の溝部1h6図5A参照が、境界部分BPbc図5A参照の前側図5Aの下側の端部と後側図5Aの上側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、溝部1h4図5A参照と溝部1h5図5A参照との間に形成されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図5C参照に垂直な直線状の溝部1h6’図5C参照が境界部分BPbc図5C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図5Cに示す場合よりも、境界部分BPbc図5A参照におけるベース板1図5A参照の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分BPbc図2C参照におけるベース板1図2C参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図5C参照に垂直な直線状の溝部1h6’図5C参照が境界部分BPbc図5C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図5Cに示す場合よりも、境界部分BPbc図5A参照上に溝部1h6図5A参照が形成されることに伴うベース板1図2C参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。すなわち、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、樹脂部5図1参照とベース板1図1参照との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板1図2参照の搭載部1c図2参照と被取り付け部材200図2参照との間のみにグリス201図2参照が配置され、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1図2参照の右ねじ止め部1a図2参照が被取り付け部材200図2参照に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1図2参照の左ねじ止め部1b図2参照が被取り付け部材200図2参照に対して固定される図2に示す場合であっても、ベース板1図2参照の変形を抑制することができる。図3および図4に示す例では、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1図4参照が形成された後に、溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6図3参照が形成されているが、他の例では、代わりに、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1図4参照を形成する前に溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6図3参照を形成したり、あるいは、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1図4参照を形成すると同時に溝部1h1,1h2,1h3,1h4,1h5,1h6図3参照を形成したりすることも可能である。また、図1および図6に示す例では、一体化せしめられている外部端子4R,4L図6参照が樹脂部5の成形時に用いられ、樹脂部5の成形後に外部端子4R図1参照と外部端子4L図1参照とが互いに分離されているが、他の例では、予め互いに分離されている外部端子4Rと外部端子4Lとを、樹脂部5の成形時に用いることも可能である。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図7Aに示すように、樹脂部5の右側面5dが、概略円筒面形状の凹状面部分5d3と、その前後の平面部分5d1,5d2とによって構成されている。また、ベース板1の右ねじ止め部1aの前側面1a4と後側面1a5との間隔W1a図7A参照が、樹脂部5の右側面5dの概略円筒面形状の凹状面部分5d3の半径R5d3図7A参照の概略2倍の値に設定されている。更に、樹脂部5の右側面5dの平面部分5d1がベース板1の右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と溝部1h1との間に配置され、樹脂部5の右側面5dの平面部分5d2がベース板1の右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と溝部1h2との間に配置されている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図1および図7Aに示すように、樹脂部5の左側面5eが、概略円筒面形状の凹状面部分5e3と、その前後の平面部分5e1,5e2とによって構成されている。更に、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4と後側面1b5との間隔W1b図7A参照が、樹脂部5の左側面5eの概略円筒面形状の凹状面部分5e3の半径R5e3図7A参照の概略2倍の値に設定されている。また、樹脂部5の左側面5eの平面部分5e1がベース板1の左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と溝部1h4との間に配置され、樹脂部5の左側面5eの平面部分5e2がベース板1の左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と溝部1h5との間に配置されている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1図7B参照の右ねじ止め部1a図7B参照の前側面1a4図7B参照と後側面1a5図7B参照との間隔W1a図7B参照が、樹脂部5図7B参照の右側面5d図7B参照の概略円筒面形状の凹状面部分5d3図7B参照の半径R5d3図7B参照の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5図7B参照の右側面5d図7B参照の平面部分5d1,5d2図7B参照が、ベース板1図7B参照の右ねじ止め部1a図7B参照のねじ穴1a7図7B参照よりも右側に配置され、ベース板1図7B参照の左ねじ止め部1b図7B参照の前側面1b4図7B参照と後側面1b5図7B参照との間隔W1b図7B参照が、樹脂部5図7B参照の左側面5e図7B参照の概略円筒面形状の凹状面部分5e3図7B参照の半径R5e3図7B参照の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5図7B参照の左側面5e図7B参照の平面部分5e1,5e2図7B参照が、ベース板1図7B参照の左ねじ止め部1b図7B参照のねじ穴1b7図7B参照よりも左側に配置されている特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部5図7A参照の前側面5b図7A参照と後側面5c図7A参照との間隔W5図7A参照を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール100の全体を小型化することができる。本発明者等の鋭意研究により、図2Aに示すように、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置され、次いで、図2Bに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の右ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、図2Cに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合には、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4図7A参照に密着している樹脂部5図7A参照、および、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5図7A参照に密着している樹脂部5図7A参照が割れてしまうおそれが高くなることが見い出された。更に、本発明者等の鋭意研究により、図3Aに示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4を例えば0.5mmほど搭載部1cの前側面1c4よりも前側図3Aの下側に突出させると共に、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5を例えば0.5mmほど搭載部1cの後側面1c5よりも後側図3Aの上側に突出させることにより、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4に密着している樹脂部5図1および図7A参照、および、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5に密着している樹脂部5図1および図7A参照が割れてしまうおそれを低減できることが見い出された。この点に鑑み、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図3Aに示すように、ベース板1の左ねじ止め部1bの前側面1b4が、例えば0.5mmほど搭載部1cの前側面1c4よりも前側図3Aの下側に突出せしめられている。更に、ベース板1の左ねじ止め部1bの後側面1b5が、例えば0.5mmほど搭載部1cの後側面1c5よりも後側図3Aの上側に突出せしめられている。そのため、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、図2Aに示すように、ベース板1の搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置され、次いで、図2Bに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の右ねじ止め部1aが被取り付け部材200に対して固定され、次いで、図2Cに示すように、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される場合に、ベース板1図7A参照の左ねじ止め部1b図7A参照の前側面1b4図7A参照に密着している樹脂部5図7A参照、および、ベース板1図7A参照の左ねじ止め部1b図7A参照の後側面1b5図7A参照に密着している樹脂部5図7A参照が割れてしまうおそれを低減することができる。同様に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図3Aに示すように、ベース板1の右ねじ止め部1aの前側面1a4が、例えば0.5mmほど搭載部1cの前側面1c4よりも前側図3Aの下側に突出せしめられている。更に、ベース板1の右ねじ止め部1aの後側面1a5が、例えば0.5mmほど搭載部1cの後側面1c5よりも後側図3Aの上側に突出せしめられている。以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第5の実施形態について説明する。第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100は、後述する点を除き、上述した第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100とほぼ同様に構成されている。従って、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、後述する点を除き、上述した第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100とほぼ同様の効果を奏することができる。図9は第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100のベース板1の部品図である。詳細には、図9Aはベース板1の平面図、図9Bはベース板1の正面図、図9Cは図9AのC-C線に沿った断面図である。詳細には、図9Cは右ねじ止め部1aのねじ穴1a7の中心軸線と左ねじ止め部1bのねじ穴1b7の中心軸線とを含む中心面CPabに沿ったベース板1の断面図である。図9Dはベース板1の底面図、図9Eはベース板1の後側面図である。図10は図9に示す溝部1h7,1h8を説明するための図である。図11は第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部構造を説明するための図である。詳細には、図11Aは図10Bに示す樹脂部5が形成される前における第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の平面図、図11Bは図10Bに示す樹脂部5が形成される前における第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の正面図、図11Cは図10Bに示す樹脂部5が形成される前における第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の右側面図、図11Dは図10Bに示す樹脂部5が形成される前における第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100の他の構成部品の左側面図である。図12は図9に示すベース板1の右ねじ止め部1aと図10Bに示す樹脂部5の右側面5d図12参照との関係、図9に示すベース板1の左ねじ止め部1bと図10Bに示す樹脂部5の左側面5e図12参照との関係などを説明するための図である。第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100においても、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100と同様に、図2Cに示すようにベース板1の左ねじ止め部1bが被取り付け部材200に対して固定される時に境界部分BPbcの近傍にかかる応力に伴うベース板1の変形曲がりを抑制するために、後述するような対策が施されている。また、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100においても、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100と同様に、樹脂部5図10B参照とベース板1図9および図10B参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1と樹脂部5との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、直線状の溝部1h1,1h2,1h3が右ねじ止め部1aの上面1a1に形成され、図1および図5Bに示すように、溝部1h1,1h2,1h3が樹脂部5によって覆われているが、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、図9および図10Aに示すように、右ねじ止め部1aのねじ穴1a7を中心とする概略円弧形状の溝部1h7が、境界部分BPacに接するように右ねじ止め部1aの上面1a1に形成され、図10Bに示すように、溝部1h7が樹脂部5によって覆われている。つまり、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図9および図10Aに示すように、溝部1h7が、右ねじ止め部1aの上面1a1のうち、境界部分BPac上およびその近傍に形成されている。そのため、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h7図10A参照が形成されていない場合よりも、樹脂部5図10B参照とベース板1図10B参照の右ねじ止め部1a図10B参照の上面1a1図10B参照との密着性を向上させることができる。また、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h7図10A参照が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1図10B参照の右ねじ止め部1a図10B参照の上面1a1図10B参照と樹脂部5図10B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5図10B参照とベース板1図10A参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1図10A参照と樹脂部5図10B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1図10B参照の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h3’図10C参照が境界部分BPac図10C参照の前側図10Cの下側の端部と後側図10Cの上側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の溝部1h7図10A参照が、境界部分BPac図10A参照に接するように形成されている。そのため、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h3’図10C参照が境界部分BPac図10C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図10Cに示す場合よりも、境界部分BPac図10A参照におけるベース板1図10A参照の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分BPac図10A参照におけるベース板1図10A参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h3’図10C参照が境界部分BPac図10C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図10Cに示す場合よりも、境界部分BPac図10A参照上に溝部1h7図10A参照が形成されることに伴うベース板1図10A参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、直線状の溝部1h4,1h5,1h6が左ねじ止め部1bの上面1b1に形成され、図1および図5Bに示すように、溝部1h4,1h5,1h6が樹脂部5によって覆われているが、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、図9および図10Aに示すように、左ねじ止め部1bのねじ穴1b7を中心とする概略円弧形状の溝部1h8が、境界部分BPbcに接するように左ねじ止め部1bの上面1b1に形成され、図10Bに示すように、溝部1h8が樹脂部5によって覆われている。つまり、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図9および図10Aに示すように、溝部1h8が、左ねじ止め部1bの上面1b1のうち、境界部分BPbc上およびその近傍に形成されている。そのため、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h8図10A参照が形成されていない場合よりも、樹脂部5図10B参照とベース板1図10B参照の左ねじ止め部1b図10B参照の上面1b1図10B参照との密着性を向上させることができる。また、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、溝部1h8図10A参照が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板1図10B参照の左ねじ止め部1b図10B参照の上面1b1図10B参照と樹脂部5図10B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。一方、樹脂部5図10B参照とベース板1図10A参照との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板1図10A参照と樹脂部5図10B参照との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール100の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板1図10B参照の変形に抗する強度詳細には、ベース板1の曲げ強度が大幅に低下してしまうおそれがある。この点に鑑み、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h6’図10C参照が境界部分BPbc図10C参照の前側図10Cの下側の端部と後側図10Cの上側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の溝部1h8図10A参照が、境界部分BPbc図10A参照に接するように形成されている。そのため、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h6’図10C参照が境界部分BPbc図10C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図10Cに示す場合よりも、境界部分BPbc図10A参照におけるベース板1図10A参照の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分BPbc図2参照におけるベース板1図2参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度を向上させることができる。換言すれば、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、中心面CPab図10C参照に垂直な直線状の溝部1h6’図10C参照が境界部分BPbc図10C参照の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図10Cに示す場合よりも、境界部分BPbc図10A参照上に溝部1h8図10A参照が形成されることに伴うベース板1図2参照の変形に抗する強度ベース板1の曲げ強度の低下を抑制することができる。すなわち、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、樹脂部5図10B参照とベース板1図10B参照との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板1図2参照の搭載部1c図2参照と被取り付け部材200図2参照との間のみにグリス201図2参照が配置され、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1図2参照の右ねじ止め部1a図2参照が被取り付け部材200図2参照に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、1回のねじ止めによってベース板1図2参照の左ねじ止め部1b図2参照が被取り付け部材200図2参照に対して固定される図2に示す場合であっても、ベース板1図2および図9参照の変形を抑制することができる。図9に示す例では、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1が形成された後に、溝部1h7,1h8が形成されるが、他の例では、代わりに、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1を形成する前に溝部1h7,1h8を形成したり、あるいは、切り欠き部1d1,1e1,1f1,1g1を形成すると同時に溝部1h7,1h8を形成したりすることも可能である。更に、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図7Aに示すように、樹脂部5の右側面5dの平面部分5d1がベース板1の右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と溝部1h1との間に配置され、樹脂部5の右側面5dの平面部分5d2がベース板1の右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と溝部1h2との間に配置されているが、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、図12Aに示すように、樹脂部5の右側面5dの平面部分5d1,5d2が右ねじ止め部1aのねじ穴1a7と溝部1h7との間に配置されている。また、第1の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、図7Aに示すように、樹脂部5の左側面5eの平面部分5e1がベース板1の左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と溝部1h4との間に配置され、樹脂部5の左側面5eの平面部分5e2がベース板1の左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と溝部1h5との間に配置されているが、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100では、代わりに、図12Aに示すように、樹脂部5の左側面5eの平面部分5e1,5e2が左ねじ止め部1bのねじ穴1b7と溝部1h8との間に配置されている。そのため、第5の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール100によれば、ベース板1図12B参照の右ねじ止め部1a図12B参照の前側面1a4図12B参照と後側面1a5図12B参照との間隔W1a図12B参照が、樹脂部5図12B参照の右側面5d図12B参照の概略円筒面形状の凹状面部分5d3図12B参照の半径R5d3図12B参照の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5図12B参照の右側面5d図12B参照の平面部分5d1,5d2図12B参照が、ベース板1図12B参照の右ねじ止め部1a図12B参照のねじ穴1a7図12B参照よりも右側に配置され、ベース板1図12B参照の左ねじ止め部1b図12B参照の前側面1b4図12B参照と後側面1b5図12B参照との間隔W1b図12B参照が、樹脂部5図12B参照の左側面5e図12B参照の概略円筒面形状の凹状面部分5e3図12B参照の半径R5e3図12B参照の2倍より大きい値に設定され、樹脂部5図12B参照の左側面5e図12B参照の平面部分5e1,5e2図12B参照が、ベース板1図12B参照の左ねじ止め部1b図12B参照のねじ穴1b7図12B参照よりも左側に配置されている特許文献1の図8~図10に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部5図12A参照の前側面5b図12A参照と後側面5c図12A参照との間隔W5図12A参照を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール100の全体を小型化することができる。第6の実施形態では、上述した第1から第5の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。"