"酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、薄膜領域と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域とを有する酸化物半導体膜を形成する工程と、前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射し、前記薄膜領域と前記厚膜領域の抵抗率を膜厚に応じて変化させる工程と、前記薄膜領域をチャネル領域とし、前記厚膜領域を低抵抗領域として前記半導体デバイスを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか1つの元素を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイスの製造方法。前記エネルギービームは、パルス光であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイスの製造方法。前記パルス光は、エキシマレーザであることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイスの製造方法。前記パルス光は、フラッシュランプであることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイス。前記エネルギービームは、CWレーザであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイスの製造方法。前記エネルギービームは、プラズマジェットであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイスの製造方法。前記エキシマレーザの1パルス当たりのエネルギー密度が1~3000mJ/cm2であることを特徴とする請求項4に記載の半導体デバイスの製造方法。前記エキシマレーザのパルス幅が1~1000nsecであることを特徴とする請求項4又は8に記載の半導体デバイスの製造方法。前記フラッシュランプの1パルス当たりのエネルギー密度が0.01~500J/cm2であることを特徴とする請求項9に記載の半導体デバイスの製造方法。前記フラッシュランプのパルス幅が0.001~100msecであることを特徴とする請求項5又は10に記載の半導体デバイスの製造方法。前記フラッシュランプの波長が200~1500nmの範囲のいずれかの波長を含むことを特徴とする請求項5、10又は11のいずれか一項に記載の半導体デバイスの製造方法。酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスであって、前記酸化物半導体は、薄膜領域と、該薄膜領域よりも厚い膜厚を有する厚膜領域とを有し、前記薄膜領域はチャネル領域として構成され、前記厚膜領域は該チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域として構成されたことを特徴とする半導体デバイス。前記チャネル領域及び前記低抵抗領域は、エネルギービームの照射により膜厚に応じて抵抗率が変更されて形成されたことを特徴とする請求項13に記載の半導体デバイス。前記酸化物半導体は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか1つの元素を含むことを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体デバイス。前記薄膜領域及び前記厚膜領域の膜厚は、1~3000nmの範囲であることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか一項に記載の半導体デバイス。しかしながら、上述の特許文献1に記載の技術においては、酸化物半導体膜にエキシマレーザ等のパルス光を照射することにより良質な酸化物半導体のチャネル領域を形成することが可能であるが、チャネル領域とソースドレイン領域の抵抗率が同程度になってしまう。このような酸化物半導体を用いてTFTを作製し、動作させる場合、ゲート電極に電圧を印加することによりチャネル領域に生じるチャネルの抵抗率が小さくなっても、ソースドレイン領域の抵抗率及びソースドレイン電極とソースドレイン領域とのコンタクト抵抗が高い状態であるため、オン電流が小さいという問題があった。かかる課題を解決するため、特許文献1に記載されているように、ソースドレイン領域に選択的にエキシマレーザ等のパルス光を照射し、ソースドレイン領域を更に低抵抗率化することは可能である。しかしながら、チャネル領域の改質のパルス照射工程を含めると、エキシマレーザ等のパルス光照射を2度以上実施する必要があることから、パルス光照射工程が増えてしまい、歩留り、再現性が低下するという問題を生じる。更に、ソースドレイン領域に選択的にエキシマレーザ等のパルス光を照射するには、特許文献1に記載されているように、チャネル領域にパルス光が照射されないようにチャネル領域上部に遮光する膜を設ける必要があり、工程数が増えるという問題を生じる。また、特許文献1に記載されているように、ゲート電極を遮光膜として併用すれば工程数が増えることはないが、ゲートを上方に配置する必要があり、デバイス構造がトップゲート構造に限られる等、デバイス設計の自由度が小さくなるという問題を生じる。そこで、本発明は、上記のような課題を解決すべく、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソースドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造方法は、酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、薄膜領域と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域とを有する酸化物半導体膜を形成する工程と、前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射し、前記薄膜領域と前記厚膜領域の抵抗率を膜厚に応じて変化させる工程と、前記薄膜領域をチャネル領域とし、前記厚膜領域を低抵抗領域として前記半導体デバイスを形成する工程と、を有することを特徴とする。これにより、良質な酸化物半導体のチャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン領域にも適用可能な、抵抗率がチャネル領域の抵抗率よりも低い低抵抗領域を形成する工程とを、エネルギービームを遮るなどして選択的にエネルギービームを照射することなく、1つの工程で厚膜領域を選択的に低抵抗率化でき、高い再現性及び歩留で良好な電気特性を有する半導体デバイスを製造することができる。また、前記酸化物半導体膜は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか1つの元素を含んでよい。また、前記エネルギービームは、パルス光であってもよい。また、前記パルス光は、エキシマレーザであってもよい。また、前記パルス光は、フラッシュランプであってもよい。また、前記エネルギービームは、CWレーザであってもよい。また、前記エネルギービームは、プラズマジェットであってもよい。また、前記エキシマレーザの1パルス当たりのエネルギー密度が1~3000mJ/cm2であってもよい。また、前記エキシマレーザのパルス幅が1~1000nsecであってもよい。また、前記フラッシュランプの1パルス当たりのエネルギー密度が0.01~500J/cm2であってもよい。また、前記フラッシュランプのパルス幅が0.001~100msecであってもよい。また、前記フラッシュランプの波長が200~1500nmの範囲のいずれかの波長を含んでもよい。本発明の他の態様に係る半導体デバイスは、酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスであって、前記酸化物半導体は、薄膜領域と、該薄膜領域よりも厚い膜厚を有する厚膜領域とを有し、前記薄膜領域はチャネル領域として構成され、前記厚膜領域は該チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域として構成されたことを特徴とする。これにより、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域を形成することができ、オン電流及びキャリア移動度が高く、信頼性が良く、スイッチング時のオンオフ間のヒステリシス性が小さい良好な電気特性を実現することができる。また、前記チャネル領域及び前記低抵抗領域は、エネルギービームの照射により膜厚に応じて抵抗率が変更されて形成されてよい。また、前記酸化物半導体は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか1つの元素を含んでよい。また、前記薄膜領域及び前記厚膜領域の膜厚は、1~3000nmの範囲であってよい。本発明によれば、良好な電気的特性の半導体デバイスを実現することができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法を、図1A~図1E、図2及び図3を参照して説明する。図1A~図1Eは、本発明の第1の実施形態に係る半導体デバイスTFTトップゲートトップコンタクト構造の一連の製造方法を示した工程図である。図1Aは、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の酸化物半導体膜形成工程の一例を示した図である。酸化物半導体膜形成工程においては、基板10上に酸化物半導体膜20を成膜する。基板10は、用途に応じて種々の基板10が用いられてよいが、例えば、ガラス基板や樹脂基板等の絶縁性基板が用いられてよい。酸化物半導体膜20は、半導体デバイスのチャネル材料となり得る材料であれば、用途に応じて種々の酸化物半導体材料からなる膜を形成してよい。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくともいずれか1つの元素を含む酸化物半導体膜20を形成するようにしてよい。また、酸化物半導体膜20の形成方法は、種々の成膜方法を用いてよいが、例えば、スパッタ法を用いてもよい。第1の実施形態においては、酸化物半導体膜20として、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物半導体膜20である酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnO以下、IGZOと表記する。を、スパッタ法によって成膜した例を挙げて説明する。IGZO膜は非晶質である。例えば、スパッタターゲットとして、IGZOの焼結体を用いる。IGZOターゲットの組成比は、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素の組成比が1:1:1:4であってもよい。なお、第1の実施形態において、酸化物半導体膜20としては、スパッタターゲットがインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素の組成比が1:1:1:4である酸化物半導体膜について例示するが、本発明ではこれに限定されるものではない。また、この酸化物半導体膜20については、上述したように、インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物半導体膜について例示したが、これに限定するものではなく、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、ゲルマニウム、ボロン、マンガン、チタン、モリブデンのうち少なくても何れか1元素を含む酸化物半導体膜を用いるようにしてもよい。また、第1の実施形態では、酸化物半導体膜20に非晶質のIGZO膜を用いたが、ZnO膜等の多結晶酸化物半導体膜を用いてもよい。また、第1の実施形態では、酸化物半導体膜20のIGZO膜をスパッタ法によって成膜した例を挙げて説明するが、パルスレーザー蒸着法、電子ビーム蒸着法、塗布成膜法など他の成膜法を用いてもよい。酸化物半導体膜20の厚さは、酸化物半導体膜20の種類と、製造する半導体デバイスの用途に応じて、種々の厚さとしてよいが、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法においては、50nmの厚さで成膜した例を挙げて説明する。このように、酸化物半導体膜形成工程においては、所定の厚さを有する酸化物半導体膜20が、絶縁性基板10の表面に形成される。図1Bは、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の薄膜厚膜領域形成工程の一例を示した図である。薄膜厚膜領域形成工程においては、酸化物半導体膜20に、膜厚の異なる薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成する。薄膜領域21及び厚膜領域22、23は、両者の厚さが異なるように形成されれば、種々の形成方法を用いてよいが、例えば、酸化物半導体膜20の薄膜領域21となる部分を所定深さエッチングすることにより形成してもよい。この場合には、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いて、薄膜領域21をエッチングにより加工形成する。ここで、例えば、薄膜領域の厚さを20nm、厚膜領域の厚さを50nmとするように形成してよい。なお、第1の実施形態では、IGZOを酸化物半導体膜20として成膜した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成したが、これに限定するものではない。例えば、IGZO膜を30nm成膜した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて厚膜領域のみにパターンを形成し、更にIGZO膜を20nm成膜することにより、薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成してもよい。図1Cは、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程の一例を示した図である。エネルギービーム照射工程においては、エネルギービームを酸化物半導体膜20であるIGZO膜に照射する。エネルギービームは、基板10を加熱することなく、酸化物半導体膜20のみを選択的に加熱するために照射する。エネルギービームは、酸化物半導体膜20にエネルギーを付与し、酸化物半導体膜20を加熱することができれば、種々のエネルギービームを用いることができるが、例えば、パルス光であってもよい。パルス光を用いるのは、基板10に損傷等のダメージを与えないように、間欠的にエネルギーを付与する趣旨である。図2は、IGZO膜とSi膜に150mJ/cm2のエネルギー密度のレーザを照射した場合の最高温度の計算値を示した図であり、上述の非特許文献1から引用している。図2において、横軸は膜厚、縦軸は各膜の最高温度を示している。図2に示すように、IGZO膜とSi膜は異なる特性を示しているが、IGZO膜の特性に着目すると、膜厚が10nm~60nmの間では、最高温度が大きく変化していることが分かる。つまり、膜厚が異なると、同じエネルギーのレーザを照射しても、IGZO膜が到達する最高温度が、膜厚に応じて異なることを示している。第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法においては、IGZO膜からなる酸化物半導体膜20の薄膜領域21を20nm、厚膜領域22、23を50nmに設定しているので、図2に示す特性から、20nmの厚さの薄膜領域21と、50nmの厚さの厚膜領域22、23では、最高温度が異なった状態となることが分かる。図3は、20nmと50nmの膜厚のIGZO膜のキャリア密度のレーザエネルギー密度依存性を示した図であり、やはり上述の非特許文献1から引用している。図3に示すように、例えば、図2と同様の150mJ/cm2のレーザエネルギー密度のレーザ光をIGZO膜に照射した場合、20nmの膜厚のIGZO膜では、キャリア密度が約1016cm-3であり、50nmの膜厚のIGZO膜では、キャリア密度が1019cm-3以上であることが分かる。ここで、キャリア密度が高いということは、抵抗率が低いということを意味している。また、20nmの膜厚のIGZO膜が示す約1016cm-3は、チャネル領域として用いられるのに適した半導体領域である。一方、50nmの膜厚のIGZO膜のキャリア密度1019cm-3は、半導体領域の中でも、導体に近い低抵抗領域である。つまり、IGZO膜の厚さを異ならせて、同じエネルギー密度のエネルギービームを照射すると、薄い膜厚の領域はチャネル領域に適したレベルの抵抗率に変化させ、厚い膜厚の領域は導体レベルに近い低抵抗率に変化させることができる。つまり、図1Cに示したように、IGZO膜の酸化物半導体膜20に薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成し、同じエネルギー密度のエネルギービームを全体に照射すると、薄膜領域21を半導体レベルのチャネル領域に適した低効率に改質させるとともに、厚膜領域22、23を導体レベルに近く、ソース領域やドレイン領域に適した低抵抗率領域に改質することができる。このように、本実施形態に係る半導体デバイスの製造方法においては、酸化物半導体膜20に薄膜領域21と厚膜領域22、23の双方を形成し、両者に同時に同じエネルギー密度のパルス光を照射することにより、薄膜領域21をチャネル領域、厚膜領域22、23を低抵抗領域に改質する。なお、パルス光は、レーザ光等の種々の光が用いられてよいが、例えば、エキシマレーザが用いられてもよい。第1の実施形態では、IGZO膜が吸収することができる波長308nmのXeClエキシマレーザを、図1Cに示すように、IGZO膜からなる酸化物半導体膜20に向かって照射する。ここで、例えば、パルス光の照射面積は400μm短軸×150mm長軸であり、短軸方向に200μm間隔でスキャン照射する。ここで、スキャン照射は、パルス光が短軸方向に移動してもよいし、基板10を支持しているステージが移動し、相対的にパルス光が酸化物半導体膜20上を移動してもよい。かかるスキャン照射により、任意の照射領域に対して、2度のパルス光照射が実施されたことになる。第1の実施形態で用いるパルス光の照射時間については、パルス幅時間あたりの照射強度において最大値の少なくとも2分の1の強度を保持している時間を20nsecとする。なお、パルス幅については例示であり、20nsecに限定されることはない。このパルス幅は、酸化物半導体膜20が周囲の温度以上になるパルス幅以上であり、且つ厚膜領域22、23の抵抗率が薄膜領域21の抵抗率より低くなるようなパルス幅であればよい。また、パルス幅は、基板10から酸化物半導体膜20が剥離する、基板10が収縮する、基板10が曲がる、等の基板損傷が発生しないパルス幅以下であればよい。具体的にはパルス幅は、1~1000nsecであることが好ましい。但し、好ましいパルス幅の値は、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光によって適宜設定すればよい。また、好ましいパルス幅は、基板10の熱伝導率、照射光に対する吸収率等によっても大きく変化することから、用いる基板10に応じて適宜設計すればよい。パルス光の照射強度は、170mJ/cm2とする。なお、この照射強度の値は例示であり、170mJ/cm2に限定されることはない。照射強度については、酸化物半導体膜20が周囲の温度以上になる照射強度以上であり、且つ厚膜領域22、23の抵抗率が薄膜領域21の抵抗率より低くなればよい。また、照射強度は、基板10から酸化物半導体膜20が剥離する、基板が収縮する、基板が曲がる、等の基板損傷が発生しないパルス幅以下であればよい。具体的には照射強度は、1~3000mJ/cm2であることが好ましい。但し、好ましい照射強度の値は、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光に応じて適宜設定すればよい。好ましい照射面積、照射回数については、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光によって適宜設定すればよい。また、好ましい照射面積、照射回数は、基板10の熱伝導率、照射光に対する吸収率等によっても大きく変化することから、用いる基板10に応じて適宜設計すればよい。照射するパルス光は、XeClエキシマレーザに限ることはなく、KrFレーザ、ArFレーザ、XeFレーザといった他のエキシマレーザでも、Arレーザ、KrFレーザなどの気体レーザでも、YAGレーザなどの固体レーザでもよい。或いは、200nm~1500nmの波長域のいずれかの波長を含むようなXeフラッシュランプを用いてもよい。また、CWレーザ等の連続光を用いて、実質的なパルス光を実現してもよい。連続光を用いる場合では、基板10に連続光を照射する時間を制御することによって、パルス光と同じ効果をもたらすことが可能である。具体的には、連続光を照射しながら、基板10を移動させることで、酸化物半導体膜20に連続光が照射される時間を制御することができ、基板損傷を抑制しながら、パルス光照射と同様な効果をもたらすことができる。更に、パルス光の代わりにプラズマジェットを用いてもよい。プラズマジェットを用いる場合でも、基板10にプラズマジェットを照射する時間を制御することによって、パルス光照射と同等の効果をもたらすことが可能である。具体的には、プラズマジェットを照射しながら、基板10を移動させることで、酸化物半導体膜20にプラズマジェットが照射される時間を制御することができ、基板損傷を抑制しながら、パルス光照射と同様な効果をもたらすことができる。パルス光の照射条件を制御することにより、酸化物半導体膜20の温度上昇で発生した熱を、基板10に伝えることを抑制することができる。従って、基板10には、ガラス基板又は樹脂基板を用いることができる。図1Dは、第1の実施形態に係る半導体デバイスの半導体領域が形成された状態の一例を示した図である。図1Dに示すように、第1の実施形態に係る半導体デバイスは、改質領域21aと、低抵抗領域22a、23aを有する。つまり、パルス光のエキシマレーザが照射されたIGZO膜において、図1Dに示すように、薄膜領域21は温度上昇により改質されて改質領域21aとなり、また、厚膜領域22、23は改質領域21aの抵抗率よりも低い抵抗率の低抵抗領域22a、23aとなる。厚膜領域22、23の抵抗率が薄膜領域21の抵抗率より低くなるのは、厚膜領域22、23のパルス光のエキシマレーザ照射による温度上昇が、薄膜領域21のパルス光のエキシマレーザ照射による温度上昇より高いことから、厚膜領域22、23の方が温度上昇起因の酸素欠損がより多く生じ、キャリア密度がより上昇するためである。ここで、厚膜領域22、23のパルス光のエキシマレーザ照射による温度上昇の方が高いのは、厚膜領域22、23の熱容量が薄膜領域21の熱容量より大きいことから、基板10方向への熱伝導による温度低下が薄膜領域21より遅いためである。つまり、厚膜領域22、23の方が、薄膜領域21よりも体積が大きいため、同じ量のエネルギーを吸収した場合に、厚膜領域22、23の方が、薄膜領域21よりも熱を多く貯蓄することができるからである。ここで、第1の実施形態で示すパルス光の照射条件によって形成した膜厚20nmのIGZO膜と膜厚50nmのIGZO膜の抵抗率を測定すると、それぞれ180Ωcm、0.1Ωcmであり、膜厚50nmのIGZO膜の抵抗率の方が低いことが明らかである。なお、第1の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法では、IGZO膜の薄膜領域21、厚膜領域22、23をそれぞれ20nm、50nmとしたが、これらは例示であり、これらに限定されることはない。厚膜領域22、23の抵抗率が、薄膜領域21の抵抗率より低くなるように厚膜領域22、23と薄膜領域21の膜厚を適宜設計すればよい。具体的には、薄膜領域21、厚膜領域22、23共に膜厚が1~3000nmであることが好ましい。図1Eは、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のデバイス形成工程及び完成した半導体デバイスの一例を示した図である。デバイス形成工程においては、まず、改質した酸化物半導体膜20aであるIGZO膜を所望の形状にパターニングする。続いてゲート絶縁膜30を成膜する。続いて、ゲート電極40を成膜し、パターニングする。次に、層間絶縁膜50を成膜する。続いてソース電極60及びドレイン電極61を形成する。このとき、電気信号の入出力を行うために、ゲート絶縁膜30や層間絶縁膜50の一部をエッチングし、ゲート電極40とソース電極60及びドレイン電極61の一部を開口し、開口部に配線金属材料を充填する。これにより、図1Eに示すTFTが製造され、完成する。このTFTは、改質領域21aをチャネル領域として、低抵抗領域22a、23aをソースドレイン領域として構成される。以上のような第1の実施形態によれば、良質な酸化物半導体膜20aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域が形成されていて、オン電流が高く、移動度が高く、信頼性が良く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を実現する半導体デバイス薄膜デバイスの実現を可能にする。また、良質な酸化物半導体20aのチャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン領域の抵抗率をチャネル領域の抵抗率よりも低くする工程を、一つの工程で同時に行うことができ、再現性歩留りよく良好な電気特性の薄膜デバイスの製造を行うことができる。また、遮光膜等がなくてもソースドレイン領域を選択的に低抵抗率化することが可能となる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法を、図4A~図4Eを参照して説明する。図4A~図4Eは、第2の実施形態に係るTFTトップゲートボトムコンタクト構造の一連の製造方法を示した工程図である。第2の実施形態において、第1の実施形態とほぼ同様の形状及び構成を有する同一構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。図4Aは、第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のソースドレイン電極形成工程及び酸化物半導体膜形成工程の一例を示した図である。ソースドレイン電極形成工程においては、基板10上にソース電極層62及びドレイン電極層63を成膜する。次に、酸化物半導体膜形成工程においては、ソース電極層62及びドレイン電極層63の上に、各々酸化物半導体膜25であるIGZO膜を形成する。IGZO膜は、用途に応じた厚さで形成してよいが、ここでは、30nm形成した例を挙げて説明する。第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法においては、酸化物半導体膜形成工程では、基板10の全体を覆うのではなく、ソース電極層62及びドレイン電極層63上のみを覆い、ソース電極層62とドレイン電極層63との間に挟まれた基板10が露出した領域は、酸化物半導体膜25を形成せず、そのまま基板10が露出した状態を保つようにする。これにより、基板10上に段差が形成される。なお、ソース電極層62、ドレイン電極層63及び酸化物半導体膜25は、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、図4Aに示すようなパターニングを行うようにしてよい。図4Bは、第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の薄膜厚膜領域形成工程の一例を示した図である。薄膜厚膜領域形成工程においては、酸化物半導体膜25の一種であるIGZO膜を20nm成膜する。図4Aに示した酸化物半導体膜形成工程において、酸化物半導体膜25が30nm形成されているソース電極層62及びドレイン電極層63上の領域と、基板10が露出した中央領域では、約30nmの段差があるので、IGZO膜を20nm成膜することにより、ソース電極層62及びドレイン電極層63上には厚膜領域27、28が形成され、基板10が露出した領域上には薄膜領域26が形成される。ここでは、薄膜領域の厚さは20nmとなり、厚膜領域の厚さは50nmとなる。なお、薄膜厚膜形成工程においては、種々の成膜方法を用いてIGZO膜からなる薄膜領域26及び厚膜領域27、28を形成してよいが、例えば、スパッタ法、各種蒸着法又は塗布成膜法等を用いて形成してもよい。図4Cは、第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程の一例を示した図である。エネルギービーム照射工程においては、薄膜領域26と厚膜領域27、28を有する酸化物半導体膜25の表面に、エネルギービームの一種であるパルス光を照射する。パルス光としては、例えば、波長308nmのXeClエキシマレーザを用いてもよく、図4Cに示すように、IGZO膜に向かってパルス光を照射する。なお、パルス光の条件は、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法における条件を適用してもよいし、その他の適切な条件を適用してもよい。また、XeClエキシマレーザのパルス光以外に、その他のレーザ光、フラッシュランプ、レーザ連続光、プラズマフラッシュ等の種々のエネルギービームを用いることができる。図4Dは、第2の実施形態に係る半導体デバイスの半導体領域が形成された状態の一例を示した図である。エネルギービーム照射工程において、パルス光のエキシマレーザが照射されたIGZO膜が、図4Dに示すように、薄膜領域26は温度上昇により改質されて改質領域26aとなり、また、厚膜領域27、28は薄膜領域26よりも高い温度上昇により薄膜領域26の抵抗率よりも低い抵抗率の低抵抗領域27a、28aに改質される。図4Eは,第2の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法において、デバイス形成工程の一例を示した図である。デバイス形成工程においては、改質領域26aをチャネル領域とし、低抵抗領域27aをソース領域、低抵抗領域28aをドレイン領域として構成し、具体的な半導体デバイスを形成する。これにより、第2の実施形態に係る半導体デバイスが完成する。第2の実施形態に係る半導体デバイスにおいては、トップゲートボトムコンタクト構造のTFTが完成する。具体的には、エネルギービームの照射により改質した酸化物半導体膜25a上にゲート絶縁膜31が形成され、ゲート絶縁膜31上にゲート電極40が形成され、TFTが完成する。以上のような第2の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法によれば、良質な酸化物半導体25aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域が形成されていて、オン電流が高く、移動度が高く、信頼性が良く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を実現する薄膜デバイスの実現を可能にする。また、良質な酸化物半導体25aのチャネル領域を形成する工程とソースドレイン領域の抵抗率を、チャネル領域の抵抗率よりも低くする工程を一つの工程で同時に行うことができ、再現性歩留りよく良好な電気特性の薄膜半導体デバイスの製造を可能にする。する。また、遮光膜等がなくてもソースドレイン領域を選択的に低抵抗率化することが可能となり、種々の形態の半導体デバイスを構成することができる。第3の実施形態以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法を、図5A~図5Dを参照して説明する。なお、第3の実施形態において、第1の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法と同様の形状及び構成を有する同一の構成要素には、第1の実施形態と同一の参照番号を付し、その説明を省略する。この図5A~図5Dは、第3の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の一例を示した図であり、TFTボトムゲートトップコンタクト構造の一連の製造方法を示した工程図である。図5Aは、第3の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のゲート電極形成工程から薄膜厚膜形成工程までをまとめて省略して示した図である。ゲート電極形成工程においては、基板10上に成膜とパターニングによりゲート電極41を形成する。ゲート電極形成工程の後には、ゲート絶縁膜形成工程を行う。ゲート絶縁膜形成工程においては、ゲート電極41上にゲート絶縁膜32を形成する。ゲート絶縁膜形成工程の後には、酸化物半導体膜形成工程を行う。酸化物半導体膜形成工程においては、ゲート絶縁膜32上の全体に、所定厚さの酸化物半導体膜20を形成する。なお、酸化物半導体膜20には、第1の実施形態で説明したように、チャネル材料となり得る種々の酸化物半導体材料が用いられてよいが、ここでは、酸化物半導体膜20にIGZO膜を用いた例を挙げて説明する。酸化物半導体膜20は、例えば、厚さ50nmで形成されてもよい。酸化物半導体膜形成工程の後には、薄膜厚膜形成工程を行う。薄膜厚膜形成工程においては、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、図5Aに示すように、IGZO膜に薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成する。ここで、例えば、エッチング深さを30nmとし、薄膜領域21の厚さを20nm、厚膜領域22、23の厚さを50nmとする。これにより、ゲート絶縁膜32上に、厚さが異なる薄膜領域21と厚膜領域22、23を有する酸化物半導体膜20が形成される。図5Bは、第3の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程の一例を示した図である。エネルギービーム照射工程においては、例えば、波長308nmのXeClエキシマレーザのパルス光を、図5Bに示すように、IGZO膜に向かって照射する。なお、エネルギービームの種類や条件は、第1の実施形態において説明した内容を適用することができる。図5Cは、第3の実施形態に係る半導体デバイスの半導体領域が形成された状態の一例を示した図である。パルス光のエキシマレーザが照射されたIGZO膜において、図5Cに示すように、薄膜領域21は温度上昇により改質されて改質領域21aとなり、また、厚膜領域22、23は薄膜領域21よりも高い温度上昇により薄膜領域21の抵抗率よりも低い抵抗率を有する低抵抗領域22a、23aになる。図5Dは、第3の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のデバイス形成工程及び完成した半導体デバイスの一例を示した図である。デバイス形成工程においては、まず、改質した酸化物半導体20aの上に層間絶縁膜51を成膜する。続いて、ソース電極64及びドレイン電極65を形成する。このとき、電気信号の入出力を行うために、ゲート絶縁膜32や層間絶縁膜51の一部をエッチングし、ゲート電極41とソース電極64及びドレイン電極65の一部を開口し、開口に配線金属材料を充填する。これにより、図5Dに示すTFTが製造される。このTFTは、改質領域21aがチャネル領域として、低抵抗領域22a、23aがソースドレイン領域として構成される。以上のような第3の実施形態によれば、良質な酸化物半導体20aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域が形成されていて、オン電流が高く、移動度が高く、信頼性が良く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を有する薄膜デバイスを実現することができる。また、良質な酸化物半導体20aのチャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン領域の抵抗率をチャネル領域の抵抗率よりも低くする工程を一つの工程で同時に行うことができ、再現性歩留りよく良好な電気特性の薄膜デバイスの製造を可能にする。また、遮光膜等がなくても、ソースドレイン領域を選択的に低抵抗率化することができる。また、ボトムゲート構造であってもパルス光照射工程数を増加させることなく、良質な酸化物半導体20aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域を形成することができる。第4の実施形態以下、本発明の第4の実施形態を、図6A~図6Dを参照して説明する。図6A~図6Dは、第4の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の一例を示した図であり、TFTボトムゲートボトムコンタクト構造の一連の製造方法を示した工程図である。図6Aは、第4の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のゲート電極形成工程から酸化物半導体膜形成工程までをまとめて省略して示した図である。なお、第4の実施形態において、第1及び第2の実施形態に係る半導体デバイスと同様の形状及び構成を有する構成要素については、第1及び第2の実施形態と同一の参照符号を付し、その説明を省略する。まず、ゲート電極形成工程においては、基板10上に成膜とパターニングによりゲート電極41を形成する。続いて、ゲート絶縁膜形成工程においては、ゲート電極41上にゲート絶縁膜32を成膜して形成する。次に、ソースドレイン電極形成工程においては、ソース電極層62及びドレイン電極層63を成膜する。次に、酸化物半導体膜形成工程においては、酸化物半導体膜25であるIGZO膜を、ソース電極層62及びドレイン電極層63上に30nm形成する。このとき、ソース電極層62とドレイン電極層63との間にあるゲート絶縁膜32が露出した領域には、酸化物半導体膜25は形成しないようにする。なお、ソース電極層62、ドレイン電極層63及び酸化物半導体膜25は、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、図6Aに示すようにパターニングして形成する。図6Bは、第4の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の薄膜厚膜領域形成工程の一例を示した図である。薄膜厚膜領域形成工程においては、酸化物半導体膜25であるIGZO膜を20nm成膜する。図6Aにおいて、ゲート絶縁膜32が露出した領域と、酸化物半導体膜25が形成された領域は、約30nmの段差が存在するので、この上に酸化物半導体膜25を20nm成膜することにより、薄膜領域26と厚膜領域27、28が形成される。薄膜領域26の厚さは20nm、厚膜領域27、28の厚さは50nmとなる。図6Cは、第4の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程の一例を示した図である。エネルギービーム照射工程においては、例えば、波長308nmのXeClエキシマレーザのパルス光を、図6Cに示すように、IGZO膜に向かって照射する。エネルギービームを用途に応じて種々変更してよい点は、実施形態1に係る半導体デバイスの製造方法と同様である。図6Dは、第4の実施形態に係る半導体デバイスが完成した状態を示した図である。図6Cに示したエネルギービーム照射工程でパルス光のエキシマレーザが照射されたIGZO膜において、図6Dに示すように、薄膜領域26は温度上昇により改質されて改質領域26aとなり、また、厚膜領域27、28は薄膜領域26よりも高い温度上昇により薄膜領域26の抵抗率よりも低い抵抗率の低抵抗領域27a、28aを有する酸化物半導体膜25aに変化している。これにより、第4の実施形態に係る半導体デバイスとして、図6Dに示すTFTが製造される。このTFTは、改質領域26aをチャネル領域として、低抵抗領域27a、28aをソースドレイン領域として構成される。以上のように、第4の実施形態に係る半導体デバイスによれば、良質な酸化物半導体25aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域が形成されていて、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を実現する薄膜半導体デバイスの実現が可能となる。また、良質な酸化物半導体25aのチャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン領域の抵抗率をチャネル領域の抵抗率よりも低くする工程を一つの工程で同時に行うことができ、再現性歩留りよく良好な電気特性の薄膜半導体デバイスの製造を可能にする。また、遮光膜等がなくても、ソースドレイン領域を選択的に低抵抗率化することができる。また、ボトムゲート構造であってもパルス光照射工程数を増やすことなく、良質な酸化物半導体25aのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域を形成することが可能となる。第5の実施形態以下、本発明の第5の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法を、図7A~図7Dを参照して説明する。図7A~図7Dは、第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の一例を示した図であり、TFTトップゲートトップコンタクト構造の一連の製造方法を示した工程図である。なお、第5の実施形態において、第1の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法と同様の形状、構成を有する同一の構成要素には、実施形態1と同一の参照符号を付し、その説明を省略するものとする。図7Aは、第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法の薄膜厚膜形成工程の一例を示した図である。まず、薄膜厚膜形成工程においては、基板10上に酸化物半導体膜20を50nm成膜する。ここで、酸化物半導体膜50は、IGZO膜である例を挙げて説明するが、第1の実施形態で説明したように、用途に応じて種々の酸化物半導体50を用いることができる。酸化物半導体膜50として、IGZO膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて、酸化物半導体膜50から薄膜領域21となる部分をエッチング除去し、薄膜領域21と厚膜領域22、23を形成する。なお、第1の実施形態においては、理解の容易のため、酸化物半導体膜形成工程と、薄膜厚膜領域形成工程を分けて示していたが、本実施形態においては、酸化物半導体膜形成工程の図示は省略している。図7Bは、第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程の一例を示した図である。第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法においては、パルス光をIGZO膜に照射する点では、第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法と同様であるが、パルス光にXeキセノンフラッシュランプを用いる点で、実施形態1と異なっている。Xeキセノンフラッシュランプは、紫外線領域から赤外線領域まで連続したスペクトルを示すが、例えば、200~1500nmの波長を含むフラッシュランプを用いることにより、IGZO膜が吸収することができる。このように、第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のエネルギービーム照射工程においては、フラッシュランプをIGZO膜に向かって照射する。ここで、例えば、パルス光の照射面積は50mm×50mmとし、照射領域に対し、1回パルス光を照射する。第5の実施形態で用いるパルス光の照射時間については、例えば、パルス幅を1msecとしてもよい。尚、パルス幅については例示であり、1msecに限定されることはない。このパルス幅については、酸化物半導体膜20が周囲の温度以上になるパルス幅以上であり、且つ厚膜領域の抵抗率が薄膜領域の抵抗率より低くなるパルス幅に設定すればよい。また、パルス光のパルス幅については、基板10から酸化物半導体膜20が剥離する、基板10が収縮する、基板10が曲がる、等の基板損傷が発生しないパルス幅以下であればよい。具体的には、パルス幅0.001~100msecであることが好ましい。但し、好ましいパルス幅の値は、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光によって適宜設定すればよい。また、好ましいパルス幅は、基板10の熱伝導率、照射光に対する吸収率等によっても大きく変化することから、用いる基板10によって適宜設計すればよい。フラッシュランプのパルス光の照射強度は、例えば、10J/cm2としてもよい。なお、この照射強度の値は例示であり、10J/cm2に限定されるものではない。照射強度については、酸化物半導体膜20が周囲の温度以上になる照射強度以上であり、且つ厚膜領域22、23の抵抗率が薄膜領域21の抵抗率より低くなる照射強度であればよい。また、照射強度については、基板10から酸化物半導体膜20が剥離する、基板10が収縮する、基板10が曲がる、等の基板損傷が発生しないパルス幅以下であればよい。具体的には、照射強度0.01~500J/cm2であることが好ましい。但し、好ましい照射強度の値は、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光によって適宜設定すればよい。好ましい照射面積、照射回数についても、酸化物半導体膜20の元素構成、成膜方法、膜質、照射光に対する吸収率、薄膜領域21及び厚膜領域22、23の厚さによって大きく変化することから、用いる酸化物半導体膜20やパルス光によって適宜設定すればよい。また、好ましい照射面積、照射回数は、基板10の熱伝導率、照射光に対する吸収率等によっても大きく変化することから、用いる基板10も考慮して適宜設計すればよい。パルス光の照射条件を制御することにより、酸化物半導体膜20の上昇した熱を基板10に伝えることを抑制することができる。従って、基板10には、ガラス基板又は樹脂基板を用いることができる。図7Cは、第5の実施形態に係る半導体デバイスの半導体領域が完成した状態を示した図である。パルス光のフラッシュランプが照射されたIGZO膜において、図7Cに示すように、薄膜領域21は温度上昇により改質されて改質領域21bに変化し、また、厚膜領域22、23は薄膜領域21の抵抗率よりも低い抵抗率の低抵抗領域22b、23bに変化する。つまり、酸化物半導体膜20は、改質領域21bと低抵抗領域22b、23bを有する酸化物半導体膜20bに変化する。ここで、厚膜領域22、23の抵抗率が薄膜領域21の抵抗率より低くなるのは、厚膜領域22、23のパルス光のフラッシュランプ照射による温度上昇が、薄膜領域21のパルス光のフラッシュランプ照射による温度上昇より高いことから、厚膜領域22、23の方が温度上昇起因の酸素欠損がより多く生じ、キャリア密度がより上昇するためである。また、厚膜領域22、23のパルス光のフラッシュランプ照射による温度上昇の方が高いのは、厚膜領域22、23の熱容量が薄膜領域21の熱容量より大きいことから、基板10方向への熱伝導による温度低下が薄膜領域21より遅いためである。これらの点は、レーザ光をパルス光として用いた第1の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法と同様であり、パルス光の種類が変わっても、同様の現象を利用して改質領域21bと低抵抗領域22b、23bを形成することができることが分かる。なお、第5の実施形態では、IGZO膜の薄膜領域21、厚膜領域22、23をそれぞれ20nm、50nmとしたが、これらは例示であり、これらに限定されるものではない。厚膜領域22、23の抵抗率が、薄膜領域21の抵抗率より低くなるように厚膜領域22、23と薄膜領域21の膜厚を適宜設計すればよい。具体的には、薄膜領域21、厚膜領域22、23共に膜厚が1~3000nmであることが好ましい。図7Dは、第5の実施形態に係る半導体デバイスの製造方法のデバイス形成工程及び完成した半導体デバイスの一例を示した図である。デバイス形成工程においては、半導体デバイスの形成に必要な工程を行う。デバイス形成工程においては、まず、IGZO膜を所望の形状にパターニングする。続いてゲート絶縁膜30を成膜する。続いて、ゲート電極40を成膜し、パターニングする。デバイス形成工程において、次に、層間絶縁膜50を成膜する。続いてソース電極60及びドレイン電極61を形成する。このとき、電気信号の入出力を行うために、ゲート絶縁膜30や層間絶縁膜50の一部をエッチングし、ゲート電極40とソース電極60及びドレイン電極61の一部を開口する。そして、開口部に配線金属材料を充填する。これにより、図7Dに示すようなTFTが製造される。このTFTは、改質領域21bをチャネル領域とし、低抵抗領域22b、23bをソースドレイン領域として構成される。以上のような第5の実施形態に係る半導体デバイス及びその製造方法によれば、良質な酸化物半導体20bのチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率のソースドレイン領域が形成されていて、オン電流が高く、キャリア移動度が高く、信頼性が良く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を有する薄膜半導体デバイスの実現を可能にすることができる。また、良質な酸化物半導体20bのチャネル領域を形成する工程と、ソースドレイン領域の抵抗率をチャネル領域の抵抗率よりも低くする工程とを一つの工程で同時に行うことができ、再現性歩留りよく良好な電気特性の薄膜デバイスの製造を可能にする。また、遮光膜等がなくてもソースドレイン領域を選択的に低抵抗率化することができ、種々の形態の半導体デバイスを構成することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。"