上部量子井戸と、前記上部量子井戸からバリア層で分離されている下部量子井戸と、前記上部量子井戸に隣接させて設けられたゲート電極とを備えるマイクロエレクトロニクスデバイス。前記上部量子井戸および前記下部量子井戸の少なくとも一方は、インジウムガリウムヒ素を含む、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記バリア層は、インジウムアルミニウムヒ素を含む、請求項1または2に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記上部量子井戸に連結されている上部量子井戸コンタクトと、前記下部量子井戸に連結されている下部量子井戸コンタクトとをさらに備える、請求項1から3のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記下部量子井戸コンタクトは、前記上部量子井戸を通過するよう延び、前記上部量子井戸から電気的に絶縁されている、請求項4に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記上部量子井戸および前記下部量子井戸の少なくとも一方は、n型ドープされている、請求項1から5のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記上部量子井戸および前記下部量子井戸の少なくとも一方は、p型ドープされている、請求項1から5のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。前記ゲート電極は、前記上部量子井戸の電流密度を変調する、請求項1から7のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。マイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法であって、下部量子井戸を形成する段階と、前記下部量子井戸に隣接させてバリア層を形成する段階と、前記バリア層に隣接させて上部量子井戸を形成する段階と、前記上部量子井戸に隣接させてゲート電極を形成する段階とを備える、製造方法。前記下部量子井戸を形成する段階は、インジウムガリウムヒ素の下部量子井戸を形成する段階を有する、請求項9に記載の製造方法。前記上部量子井戸を形成する段階は、インジウムガリウムヒ素の上部量子井戸を形成する段階を有する、請求項9または10に記載の製造方法。前記バリア層を形成する段階は、インジウムアルミニウムヒ素のバリア層を形成する段階を有する、請求項9から11のいずれか一項に記載の製造方法。前記上部量子井戸に連結されている上部量子井戸コンタクトを形成して、前記下部量子井戸に連結されている下部量子井戸コンタクトを形成する段階をさらに備える、請求項9から12のいずれか一項に記載の製造方法。前記下部量子井戸コンタクトを形成する段階は、前記上部量子井戸を通過する開口を形成する段階と、前記開口の側壁に誘電材料を堆積させる段階と、前記バリア層内を通過するよう延びる前記開口を形成して、前記下部量子井戸の一部を露呈させる段階と、前記開口に導電材料を堆積させる段階とを有する、請求項13に記載の製造方法。前記上部量子井戸および前記下部量子井戸の少なくとも一方をドープする段階をさらに備える、請求項9から14のいずれか一項に記載の製造方法。前記上部量子井戸および前記ゲート電極の間に上部バリア層を形成する段階をさらに備える、請求項9から15のいずれか一項に記載の製造方法。マイクロエレクトロニクス基板を提供する段階と、前記マイクロエレクトロニクス基板の上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の上に底部バリア層を形成する段階とをさらに備え、前記下部量子井戸を形成する段階は、前記下部量子井戸を前記底部バリア層の上に形成する段階を有する、請求項9から16のいずれか一項に記載の製造方法。集積回路デバイスと、メインメモリとを備え、前記集積回路デバイスおよび前記メインメモリの少なくとも一方は、上部量子井戸と、前記上部量子井戸からバリア層で分離されている下部量子井戸と、前記上部量子井戸に隣接させて設けられたゲート電極とを備えるマイクロエレクトロニクスデバイスを含む、システム。前記上部量子井戸および前記下部量子井戸の少なくとも一方は、インジウムガリウムヒ素を含む、請求項18に記載のシステム。前記バリア層は、インジウムアルミニウムヒ素を含む、請求項18または19に記載のシステム。以下の詳細な記載では、請求されている主題を実施することができる特定の実施形態を例示した添付図面を参照する。これら実施形態は、十分詳細に記載することで、当業者が主題を実施することができるよう記載される。様々な異なる実施形態が必ずしも相互排他的ではない点を理解されたい。たとえば、ここで1つの実施形態との関連で記載される具体的な特徴、構造、または特性は、請求される主題の範囲および精神を逸脱しなければ他の実施形態でも実施可能である。本明細書における一実施形態1つの実施形態といった表現は、その実施形態との関連で記載される特定の特徴、構造、または特性が、本発明に含まれる少なくとも1つの実装例に含まれることを意味している。したがって、一実施形態1つの実施形態といった表現は、必ずしも同一の実施形態を示してはいない。加えて、各開示実施形態内の個々のエレメントの位置または配置は、請求された主題の精神および範囲から逸脱せずに変更することができる。したがい、以下の詳細な記載は限定的にとらえられるべきではなく、主題の範囲は、適切に解釈された添付請求項とともに、添付請求項に与えられた均等物の全範囲によってのみ定義される。図面では、同様の参照番号が、図面間にわたり同一または同様のエレメントまたは機能を参照しており、ここに記載したエレメントは必ずしも実際の縮尺では描かれておらず、個々のエレメントを拡大または縮小表示することで、本記載の文脈でのエレメントのよりよい理解を促している。本記載の様々な実施形態では、負性微分抵抗素子が、量子井戸を利用して形成されてよく、これら素子は、マイクロエレクトロニクスデバイスで利用される。負性微分抵抗素子とは、回路に入る電圧の増加により、同じ回路の電流が減少するような一部の電子回路の特性のことであり、この特性は、電子回路の動作範囲の少なくとも一部にみられる。本記載の負性微分抵抗素子の実施形態は、高性能を達成するべく高ピークの駆動電流を達成して、電力損失およびノイズを低減するべく高ピークトゥーバレー電流比率を達成することができることは、当業者も理解しているところである。したがって本記載の実施形態は、論理および/またはメモリ集積回路で利用されてよい。図1は、本記載の一実施形態における層構造100の断面概略図である。層構造100は、マイクロエレクトロニクス基板102適切なシリコン含有材料を含んでよい。バッファ層104は、マイクロエレクトロニクス基板102上に形成されてよい。本記載の一実施形態では、バッファ層104は、ガリウムヒ素GaAsから形成されてよい。核層不図示が、マイクロエレクトロニクス基板102の上に、バッファ層104が形成される前に形成されてよく、バッファ層104は、複数の層を含んでよい。バッファ層104はさらに、転位を滑らせて、マイクロエレクトロニクス基板102と、バッファ層104の上に形成される底部バリア層との間の格子欠陥を制御するために、グレーデッドされてもよい。バッファ層104の形成後に、底部バッファ層106がバッファ層104の上に形成されてよい。一実施形態では、底部バッファ層106は、底部バリア層106に形成される量子井戸の材料よりバンドギャップの大きい材料から形成されてよい。一実施形態では、底部バリア層106が、インジウムアルミニウムヒ素InxAl1-xAsを含んでよい。別の実施形態では、底部バリア層106をグレーデッドバリア層としてもよい。具体的な一実施形態では、底部バリア層106が、インジウムアルミニウムヒ素InxAl1-xAs0≦x≦0.52であってよいグレーディングとするを含んでよい。したがい、底部バリア層106とバッファ層104との間の界面の組成は、アルミニウムヒ素AlAsから始まってよく、In0.52Al0.48Asの他の境界で終わっていてもよい。別の実施形態では、底部バリア層106が、インジウムアルミニウムヒ素InxAl1-xAsグレーディングは、アルミニウムヒ素AlAsからIn0.52Al0.48As等の、インジウムアルミニウムヒ素の組成物に達するまで、線形に増加するよう、形成中にインジウムの供給量を変化させて線形のものとしてよい。また別の実施形態では、この底部バッファ層106の物理的中間点におけるインジウムの濃度が半分より大きいまたは小さくなるようになるよう、インジウムを非線形の増加率で提供してもよく、底部バリア層106が、非線形のグレーディングを持つようなインジウムアルミニウムヒ素InxAl1-xAsを含んでもよい。底部バッファ層106を形成することで、転位は、相対的に斜めの面relativelydiagonalplanesに沿って滑ることができる当業者はこのことを理解している。底部バリア層106を形成した後で、その上に下部量子井戸108を形成してよい。一実施形態では、下部量子井戸108は、底部バリア層106よりも小さなバンドギャップを有する材料から形成されてよい。一実施形態では、下部量子井戸108は、インジウムガリウムヒ素から形成されてよい。具体的な実施形態では、下部量子井戸108が、インジウムガリウムヒ素InxGa1-xAsであってよく、ここでxが約0.53と0.8との間に等しくてよい。一実施形態では、下部量子井戸108は、効率性を高めるためにドープされる。様々な実施形態では、下部量子井戸108には、pドーパントたとえばホウ素またはnドーパントたとえばリンがドープされてよい。下部量子井戸108のドープは、当技術分野で知られている任意の技術で実行されてよい。さらに、下部量子井戸108は、当業者であれば理解するように、直接ドープされてもよいし、後に形成される層1または複数を介してデルタドープされてもよい。さらに、下部量子井戸108は、変調ドープされてもよいこれも当業者が理解するところである。下部量子井戸108の上には、バリア層112が形成されてよい。一実施形態では、バリア層112は、インジウムアルミニウムヒ素たとえばInxAl1-xAsを含んでよい。バリア層112の上には、上部量子井戸114が形成されてよい。一実施形態では、上部量子井戸114が、インジウムガリウムヒ素から形成されてもよい。具体的な実施形態では、上部量子井戸114がインジウムガリウムヒ素InxGa1-xAsであってよく、ここでxが約0.53と0.8との間に等しくてよい。一実施形態では、上部量子井戸114は、効率性を高めるためにドープされる。様々な実施形態では、上部量子井戸114には、pドーパントたとえばホウ素またはnドーパントたとえばリンがドープされてよい。上部量子井戸114のドープは、当技術分野で知られている任意の技術で実行されてよい。さらに、上部量子井戸114は、当業者であれば理解するように、直接ドープされてもよいし、後に形成される層1または複数を介してデルタドープされてもよい。さらに、上部量子井戸114は、変調ドープされてもよいこれも当業者が理解するところである。一実施形態では、下部量子井戸108と上部量子井戸114とが両方とも、ドープされていなくてもよい。別の実施形態では、下部量子井戸108と上部量子井戸114とが両方とも、ドープされていてもよい。また別の実施形態では、下部量子井戸108および上部量子井戸114の片方がドープされて、他方がドープされていなくてもよい。最上部バリア層116は、上部量子井戸114の上にオプションとして形成されてよい。一実施形態では、最上部バリア層116は、インジウムアルミニウムヒ素InxAl1-xAsを含んでよい。図1に示す層構造100は、一例にすぎず、当業者であれば、様々なバッファ層、バリア層、変調ドープされたハロー層halolayers、スペーサ層等を含めても、所望の結果を達成できる場合があることを理解する。さらに、様々な材料およびシステムを、本記載から逸脱せずに利用することもできる。層構造100の様々な層は、これらに限定はされないが、化学気相成長CVD、物理気相成長PVD、原子層堆積法ALD、分子線エピタキシー法MBE、有機金属化学気相成長エピタキシーMOCVDepi、UHCVDepiultrahighvacuumCVDepitaxy、および、低温CVDエピタキシーRTCVDepiを含む当技術分野で知られたいずれかの技術によって製造されてもよい。図2に示すように、マスク118は、上部バリア層116でパターニングされてよい。マスク118は、これらに限られないがリソグラフィーを含む当技術分野で公知の任意の技術で形成されてもよい。図2の層構造100は、次に、図3に示すようにエッチングされ、マスク118が保護する各層バッファ層104、底部バリア層106、下部量子井戸108、バリア層112、上部量子井戸114、および上部バリア層116が残り、二重量子井戸積層構造120が形成される。本記載の様々な実施形態では、エッチングは、図3に示すようにバッファ層104内またはその上で停止されるよう選択されてもよく、または、底部バリア層106内またはその上で停止されるよう選択されてもよい。図4に示すように、マスク118が除去され、誘電材料122が、二重量子井戸積層構造120に隣接するよう形成されてよい。一実施形態では、誘電材料122は、二重量子井戸積層構造120の上にブランケット堆積されてよくblanketdeposited、次に、平坦化されることで、上部バリア層116の外部表面126と実質的に平面的なplanar外表面124を有するようにしてよい。誘電材料122は、これらに限定はされないが、二酸化珪素SiO2、酸窒化珪素SiOxNy、および窒化珪素Si3N4を含んでよい。誘電材料122は、当技術分野で知られている任意の技術により平坦化されてよく、これらには、ドライエッチングおよび化学的機械研磨CMPが含まれるがこれらに限定はされない。図5に示すように、ゲート電極132が、上部バリア層の外表面126に形成されてよい。ゲート電極132は、後述するように、上部量子井戸114内の電子密度を変調するために利用されてよい。一実施形態では、ゲート誘電体134が、ゲート電極132と上部バリア層116との間に形成されてよい。ゲート誘電体134は、これらに限られないが、酸化ハフニウム、酸化ハフニウムシリコン、酸化ランタン、酸化ランタンアルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウムシリコン、酸化タンタル、酸化チタン、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、タンタル酸鉛スカンジウムleadscandiumtantalumoxide、および、亜鉛ニオブ酸鉛等の、誘電率の高いhighk材料を含むがこれらに限られはしない、任意の適切な誘電材料であってよい。ゲート電極132および/またはゲート誘電体134は、よく知られた技術たとえば、化学気相成長CVD、物理気相成長PVD、原子層堆積法ALDで製造された後に、公知のフォトリソグラフィーおよびエッチング技術によってパターニングされることで作成可能であることは、当業者が理解するところである。図6に示すように、ゲート誘電スペーサ136が、ゲート電極132の側面138に隣接するように形成されてよい。ゲート誘電スペーサ136は、これらに限定はされないが、二酸化珪素SiO2および窒化珪素Si3N4を含む適切な誘電材料によって形成されてよい。ゲート誘電スペーサ136は、これらに限定はされないが、共形堆積法conformaldepositionの後にエッチングを行う方法を含む任意の公知の技術によって製造することができる点は、当業者も知るところである。図7に示すように、中間誘電体142が、ゲート電極132、ゲート誘電スペーサ136、上部バリア層の外表面126、および誘電材料の外表面124の上に形成されていてよい。中間誘電体142は、これに限定はされないが二酸化珪素SiO2を含む適切な誘電材料であってよい。中間誘電体142は、当業者であれば理解するように、堆積の後に平坦化を行う方法を含むがこれに限定されない任意の公知技術によって実施することができる。図8に示すように、第1の開口144が、中間誘電体142と上部バリア層116とに形成されて、上部量子井戸114の一部を露呈させてよい。第1の開口144は、これらに限定はされないがリソグラフィーエッチング、レーザドリル、イオンドリル、ウェットエッチング、ドライエッチング、またはこれらの任意の組み合わせが含まれる任意の公知技術によって形成することができる。一実施形態では、マスク不図示を中間誘電体142上でパターニングするリソグラフィーエッチング技術を利用してよい。次に、中間誘電体142と上部バリア層116とが、上部量子井戸114の材料に対して選択されるエッチャントでマスク不図示を利用してエッチングされ、エッチングが、上部量子井戸114上またはその内部で終端するようにしてよい。図9に示すように、上部量子井戸コンタクト146が、第1の開口144図8参照内に形成されてよい。上部量子井戸コンタクト146は、任意の公知技術により形成されてよい。一実施形態では、たとえば導電材料は、化学気相成長CVD、物理気相成長PVD、原子層堆積法ALDを含む当技術分野で知られたいずれかの技術によって、第1の開口144図8参照内および中間誘電体142の外表面148上に堆積されてもよい。次に、導電材料の一部を、中間誘電体の外表面148から、化学的機械研磨またはエッチングなどによって、中間誘電体の外表面148から取り除き、上部量子井戸コンタクト146を形成してよい。導電材料には、これらに限られはしないが、銅、アルミニウム、銀、チタン、金、これらの合金等が含まれてよい。図10から図13に示すように、次に、下部量子井戸コンタクトを形成してよい。図10に示すように、第2の開口152が、中間誘電体142、上部バリア層116、および上部量子井戸114に形成されてよい。第2の開口152は、これらに限定はされないがリソグラフィーエッチング、レーザドリル、イオンドリル、ウェットエッチング、ドライエッチング、これらの任意の組み合わせが含まれる任意の公知技術によって形成することができる。一実施形態では、マスク不図示を中間誘電体142上でパターニングするリソグラフィーエッチング技術を利用してよい。次に、中間誘電体142と上部バリア層116とが、上部量子井戸114の材料に対して選択されるエッチャントでマスク不図示を利用してエッチングされ、エッチングが、上部量子井戸114上またはその内部で終端するようにしてよい。次に第2のエッチャントを利用して、上部量子井戸114をエッチングしてもよい。第2のエッチャントは、バリア層112の材料に対して選択されてよく、エッチングがバリア層112上またはその内部で終端するようにしてもよい。上部量子井戸114を、後で形成される下部量子井戸コンタクトから絶縁させるために、図11に示すように、コンタクト誘電スペーサ154を第2の開口152の側壁に形成してよい。コンタクト誘電スペーサ154は、これらに限定はされないが、二酸化珪素SiO2および窒化珪素Si3N4を含む適切な誘電材料によって形成されてよい。コンタクト誘電スペーサ154は、これらに限定はされないが、共形堆積法conformaldepositionの後にエッチングを行う方法を含む任意の公知の技術によって製造することができる点は、当業者も知るところである。次に、第3のエッチャントを利用して、第2の開口152をバリア層112まで延ばす。第3のエッチャントは、上部量子井戸114の材料に対して選択されてよく、エッチングが、上部量子井戸114上またはその内部で終端するようにしてよい。第3のエッチャントは第1のエッチャントと同じであってもよい。図13に示すように、下部量子井戸コンタクト158は、第2の開口152図12参照内に形成されてよい。下部量子井戸コンタクト148は、任意の公知技術によって形成されてよい。一実施形態では、たとえば導電材料は、化学気相成長CVD、物理気相成長PVD、原子層堆積法ALDを含む当技術分野で知られたいずれかの技術によって、第2の開口152図12参照内および中間誘電体の外表面142上に堆積されてもよい。次に、導電材料の一部を、中間誘電体の外表面148から、化学的機械研磨またはエッチングなどによって、中間誘電体の外表面148から取り除き、下部量子井戸コンタクト158を形成してよい。導電材料には、これらに限られはしないが、銅、アルミニウム、銀、チタン、金、これらの合金等が含まれてよい。上部量子井戸コンタクト146および下部量子井戸コンタクト158の形成で利用される様々な製造段階たとえばエッチング、堆積、およびリソグラフィーパターニングを、適切な場合には同時に実行することもできることを理解されたい。結果生成されるマイクロエレクトロニクスデバイス160図13参照は、二重量子井戸システムであり、上部量子井戸114と下部量子井戸108とが、それぞれ実質的に互いに対して平面状である。言い換えると、上部量子井戸114と下部量子井戸108とが、実質的に二次元2Dであり、上部量子井戸114と下部量子井戸108とが形成する平面は、実質的に互いに平行である。上部量子井戸114と下部量子井戸108とはそれぞれが独立したコンタクトをもちつまり、それぞれが上部量子井戸コンタクト146および下部量子井戸コンタクト158である、バリア層112で分離されるので、上部量子井戸114と下部量子井戸108とは、互いに直接電気コンタクトはしない。マイクロエレクトロニクスデバイス160の動作は、上部量子井戸114と下部量子井戸108との間の直接垂直トンネリングに基づいている。言い換えると、実質的に平行な2次元2D量子井戸の間のトンネリングに基づいている。この基礎となるデバイスの物理学は、エネルギー運動量保存によって、電子密度が上部量子井戸114と下部量子井戸108との間で整合したときにのみ、トンネリングが可能になる、というものである。ゲート電極132は、上部量子井戸114の電子密度を変調して、電子密度を、マイクロエレクトロニクスデバイス160を動作させるよう整合させるために利用してよい。したがって、ドレインバイアスまたはゲートバイアスのいずれかを利用して、上部量子井戸114および下部量子井戸108の電子密度を不均衡にすることにより、負性微分抵抗素子をマイクロエレクトロニクスデバイス160のI‐Vの特徴で達成することができることは、当業者が理解するところである。図14に示す一例では、電流ライン162で示すが、ドレイン164から上部量子井戸コンタクト146に流れてよく、上部量子井戸コンタクト146から上部量子井戸114に流れ、バリア層112から下部量子井戸108内へとトンネリングしてよく、下部量子井戸コンタクト158から、下部量子井戸コンタクト158に接続されているソース166に流れてよい。マイクロエレクトロニクスデバイス160は、性能を達成するために高いピーク駆動電流を達成してよく、低い電力損失およびノイズマージンを達成するために高いピークトゥーバレー電流比を達成してよい。これは、エネルギー運動量保存によって、上部量子井戸114と下部量子井戸108との間のトンネリング電流を急激に抑制することができるためである。従い、マイクロエレクトロニクスデバイス160は、発振器として利用したり、メモリおよび/または論理集積回路用に利用したりできる。本記載の二重量子井戸構造160を、インジウムガリウムヒ素の量子井戸およびインジウムアルミニウムヒ素のバリア層つまりInGaAs/InAlAsシステムの例で記載したが、当業者であれば、二重量子井戸構造160を、様々な量子井戸システムで作成可能であることを理解する。一実施形態では、量子井戸システムは、様々なIII-V群量子井戸システムこれらに限定はされないが、ガリウムヒ素/アルミニウムガリウムヒ素システムGaAs/AlGaAs、ガリウムヒ素/アルミニウムヒ素システムGaAs/AlAs、インジウムアンチモン/インジウムアルミニウムアンチモンシステムInSb/InAlSb、インジウムアンチモン/インジウムガリウムアンチモンシステムInSb/InGaSb等で作成可能である。別の実施形態では、量子井戸システムが、様々なII‐VI量子井戸システムこれらに限定はされないが、亜鉛セレン/セレン化亜鉛カドミウムのシステムZnSe/ZnCdSe等で作成可能である。また別の実施形態では、量子井戸システムは、シリコンとゲルマニウムとこれらに限定はされないが、ゲルマニウム/シリコンゲルマニウムシステムGe/SiGe、シリコンゲルマニウム/シリコンシステムSiGe/Si等から形成されてよい。また別の実施形態では、量子井戸システムは、当業者も理解するように、4群量子井戸システムから形成されてよく、または、任意の利用可能な一般的ヘテロ構造の、二重量子井戸システムから形成されてよい。図15は、本記載の主題を利用する電子システム200の概略図である。電子システム200は、任意の電子デバイスであってよいこれらに限定はされないが、可搬型コンピュータ、移動電話器、デジタルカメラ、デジタル音楽プレーヤ、ウェブタブレット、情報携帯端末、ページャ、インスタントメッセージングデバイス等の可搬型デバイスその他のデバイス等。電子システム200は、たとえば無線ローカルエリアネットワークWLANシステム、無線パーソナルエリアネットワークWPANシステム、および/または、セルラーネットワーク等によって、無線で情報を送信および/または受信するよう適合されていてよい。一実施形態では、電子システム200は、電子システム200の様々なコンポーネントを電子的に連結するためにシステムバス220を含んでよい。システムバス220は、様々な実施形態においては、1つのバスまたはバスの任意の組み合わせであってよい。電子システム200は、集積回路210に給電する電圧源230を含んでよい。一部の実施形態では、電圧源230は、システムバス220を介して集積回路210に給電してよい。集積回路210は、システムバス220に電気的に連結されてよく、一実施形態では任意の1つの回路または回路の任意の組み合わせを含んでよい。一実施形態では、集積回路210は、任意のタイプであってよいプロセッサ212を含んでよい。ここで利用するプロセッサ212とは、これらに限定はされないがマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィックプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、その他のプロセッサ等であってよい任意のタイプの回路のことであってよい。集積回路210内に含まれてよい他のタイプの回路として、セルラー電話、ページャ、可搬型コンピュータ、2ウェイラジオ、同様の電子システム等の無線デバイスで利用される通信回路214等のカスタム回路または特定用途向け集積回路ASICが挙げられる。一実施形態では、プロセッサ210は、オンダイメモリ216たとえばスタティックランダムアクセスメモリSRAMを含んでよい。別の実施形態では、集積回路210が、プロセッサ212のためのキャッシュメモリとして利用可能なエンベデッドオンダイメモリ216たとえばエンベデッドダイナミックランダムアクセスメモリeDRAMを含んでよい。一実施形態では、電子システム200も、特定用途に適した1以上のメモリエレメントたとえば、フラッシュメモリ等のRAMまたは不揮発性メモリの形態のメインメモリ242、1以上のハードドライブ244、およいb/または、ディスケット、コンパクトディスクCD、DVD、フラッシュメモリキー等の取り外し媒体246を処理する1以上のドライブ、公知のその他の取り外し可能媒体等を含んでもよい外部メモリ240も含む。電子システム200は、キーボード、マウス、トラックボール、ゲームコントローラ、マイクロフォン等の入力デバイス270、表示デバイス250および音声出力260等の出力デバイスI/Oを含んでよい。ここで示したように、集積回路210および/またはメインメモリ242は、本記述の少なくとも1つの負性微分抵抗素子を含んでよい。集積回路210および/またはメインメモリ242は、電子システム、コンピュータシステム等の幾つかの異なる実施形態で実装することができる。本記載の垂直トンネリングの負性微分抵抗素子の様々な実施形態およびその当技術分野で認識されている均等物は、集積回路の1以上の製造方法、および、電子アセンブリの1以上の製造方法を含んでよい。素子、材料、配置、寸法および動作の順序は、全て、ここで記載する垂直トンネリングの負性微分抵抗素子に適合するよう変更することができる。本発明の実施形態を詳述してきたが、添付請求項が定義する本発明は、上述した記載で示された特定の詳細により限定はされず、その精神または範囲を逸脱することなく多くの変形例が明らかに可能である。