書込みビット線に結合された第1のNVMワンタイム書込み素子と、前記第1のNVMワンタイム書込み素子をグランドに結合する第1の書込みアクセストランジスタであり、前記第1の書込みアクセストランジスタのゲートが書込みワード線に結合されている、第1の書込みアクセストランジスタと、前記第1のNVMワンタイム書込み素子を読取りビット線に結合する第1の読取りアクセストランジスタであり、前記第1の読取りアクセストランジスタのゲートが読取りワード線に結合されている、第1の読取りアクセストランジスタとを含む不揮発性メモリビットセル。前記NVMワンタイム書込み素子がヒューズ、アンチヒューズ、および磁気トンネル接合のうちの少なくとも1つである、請求項1に記載のビットセル。前記書込みビット線に結合された第2のNVMワンタイム書込み素子と、前記第2のNVMワンタイム書込み素子を前記グランドに結合する第2の書込みアクセストランジスタであり、前記第2の書込みアクセストランジスタのゲートが奇数書込みワード線に結合されている、第2の書込みアクセストランジスタと、前記第2のNVMワンタイム書込み素子を奇数読取りビット線に結合する第2の読取りアクセストランジスタであり、前記第2の読取りアクセストランジスタのゲートが奇数読取りワード線に結合されている、第2の読取りアクセストランジスタとをさらに含み、前記第1のNVMワンタイム書込み素子が偶数読取りビット線に結合され、前記第1の読取りアクセストランジスタの前記ゲートが偶数読取りワード線に結合される請求項1に記載のビットセル。前記読取りビット線が低容量線であり、前記書込みビット線が低抵抗線である、請求項1に記載のビットセル。前記ビットセルが非正方形のダイ面積を占める、請求項1に記載のビットセル。前記ビットセルがメモリアレイに組み込まれる、請求項1に記載のビットセル。前記メモリアレイが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項6に記載のビットセル。不揮発性メモリワンタイム書込み素子から読み取る方法であって、前記NVMワンタイム書込み素子に結合された書込みビット線をゼロにバイアスするステップと、前記NVMワンタイム書込み素子を読取りビット線に結合する読取りアクセストランジスタをオンにするために、高信号を読取りワード線に印加するステップと、前記NVMワンタイム書込み素子の状態を決定するために、前記NVMワンタイム書込み素子を通る電流を感知するステップとを含む方法。前記書込みビット線をバイアスするステップが、カラムキーパーによって実行される、請求項8に記載の方法。前記NVMワンタイム書込み素子に結合された書込みアクセストランジスタの書込みワード線に低信号を入力するステップをさらに含む請求項8に記載の方法。前記NVMワンタイム書込み素子を通る前記感知された電流を異なるNVMワンタイム書込み素子を通る第2の感知された電流と比較するステップをさらに含む請求項8に記載の方法。携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに、前記NVMワンタイム書込み素子を組み込むステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。不揮発性メモリワンタイム書込み素子に書き込む方法であって、前記NVMワンタイム書込み素子に結合されたビット線に書込み電圧を印加するステップと、前記NVMワンタイム書込み素子に電流を流すようにする書込みアクセストランジスタをオンにするために、高信号を書込みワード線に印加するステップとを含む方法。読取りビット線を分離するステップと、読取りアクセストランジスタをオフにするために、低信号を読取りワード線に印加するステップとをさらに含む請求項13に記載の方法。携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに、前記NVMワンタイム書込み素子を組み込むステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。装置であって、不揮発性メモリワンタイム書込み素子と、前記NVMワンタイム書込み素子に結合された前記NVMワンタイム書込み素子に書き込むための手段と、NVMワンタイム書込み素子をグランドに結合する書込みトランジスタであり、前記書込みトランジスタのゲートが書込みワード線に結合されている、書込みトランジスタと、前記NVMワンタイム書込み素子から読み取るための手段と、前記NVMワンタイム書込み素子を前記読取り手段に結合する読取りトランジスタであり、前記読取りトランジスタのゲートが読取りワード線に結合されている、読取りトランジスタとを含む装置。前記NVMワンタイム書込み素子がヒューズ、アンチヒューズ、eFUSE、および磁気トンネル接合のうちの少なくとも1つである、請求項16に記載の装置。前記読取り手段が低容量であり、前記書込み手段が低抵抗である、請求項16に記載の装置。前記NVMワンタイム書込み素子がメモリアレイに組み込まれる、請求項16に記載の装置。前記メモリアレイが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムユニット、ポータブルデータユニット、および固定ロケーションデータユニットのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項19に記載の装置。したがって、より高信頼および高性能の不揮発性メモリビットセルが必要である。一実施形態によれば、不揮発性メモリのビットセルは、書込みビット線に結合された第1のNVMワンタイム書込み素子を含む。ビットセルは、第1のNVMワンタイム書込み素子をグランドに結合する第1の書込みアクセストランジスタも含む。第1の書込みアクセストランジスタのゲートは、書込みワード線に結合される。ビットセルは、第1のNVMワンタイム書込み素子を読取りビット線に結合する第1の読取りアクセストランジスタも含む。第1の読取りアクセストランジスタのゲートは、読取りワード線に結合される。別の実施形態によれば、不揮発性メモリワンタイム書込み素子から読み取る方法は、NVMワンタイム書込み素子に結合された書込みビット線をゼロにバイアスするステップを含む。方法は、NVMワンタイム書込み素子を読取りビット線に結合する読取りアクセストランジスタをオンにするために、高信号を読取りワード線に印加するステップも含む。方法は、NVMワンタイム書込み素子の状態を決定するために、NVMワンタイム書込み素子を通る電流を感知するステップをさらに含む。さらなる実施形態によれば、不揮発性メモリワンタイム書込み素子に書き込む方法は、NVMワンタイム書込み素子に結合された書込みビット線に書込み電圧を印加するステップを含む。方法は、NVMワンタイム書込み素子に電流を流すようにする書込みアクセストランジスタをオンにするために、高信号を書込みワード線に印加するステップも含む。さらに別の実施形態によれば、装置は、不揮発性メモリワンタイム書込み素子を含む。装置は、NVMワンタイム書込み素子に結合されたNVMワンタイム書込み素子に書き込むための手段も含む。装置は、NVMワンタイム書込み素子をグランドに結合する書込みトランジスタをさらに含む。書込みトランジスタのゲートは、書込みワード線に結合される。装置は、NVMワンタイム書込み素子から読み取るための手段も含む。装置は、NVMワンタイム書込み素子を読取り手段に結合する読取りトランジスタをさらに含む。読取りトランジスタのゲートは、読取りワード線に結合される。上記は、以下の詳細な説明がより理解され得るように、本開示の特徴および技術的な利点を、かなり大まかに概説したものである。本開示のさらなる特徴および利点は、以下で説明される。本開示と同じ目的を実行するための他の構造を修正または設計するための基礎として、本開示が容易に利用され得ることが、当業者には理解されよう。また、そのような等価の構成は、添付の特許請求の範囲で述べられるような本開示の教示から逸脱しないことが、当業者には認識されよう。機構と動作の方法との両方に関する、本開示の特性であると考えられる新規の特徴は、添付の図面とともに考慮されることで、さらなる目的および利点とともに、以下の説明からより理解されるだろう。しかしながら、図面の各々は例示および説明のみを目的に与えられ、本開示の範囲を定めることを目的とはしないことを、明確に理解されたい。本開示のより完全な理解のために、ここで、添付の図面と併せて以下の説明を参照する。読取りおよび書込み動作のための別々の物理的ビット線を有する不揮発性メモリビットセルは、単一のビット線NVMビットセルと比較して向上した読取りおよび書込み性能を提供する。NVMビットセルにおけるビット線の各々は、読取りまたは書込み動作のために設計される。したがって、読取り動作の間に低ビット線容量が提供され、書込み動作の間に低抵抗が提供される。図3は、一実施形態による例示的な不揮発性メモリビットセルを示す回路図である。NVMビットセル300は、書込みビット線322に結合されたメモリ要素302を含む。メモリ要素302は、たとえば、ヒューズ、アンチヒューズ、eFUSE、または磁気トンネル接合でもよい。一実施形態によれば、メモリ要素302は、ワンタイム書込みデバイスであり、ビットセルごとに多くとも1回書き込まれる。書込みアクセストランジスタ306は、メモリ要素302およびグランドに結合される。書込みアクセストランジスタ306のゲートは、書込みワード線316に結合される。読取りアクセストランジスタ304は、メモリ要素302および読取りビット線324に結合される。読取りアクセストランジスタ304のゲートは、読取りワード線314に結合される。一実施形態によれば、読取りビット線324は、高性能の読取り動作のために設計された低容量ビット線である。一実施形態によれば、書込みビット線322は、高電流書込み動作のために設計された低抵抗ビット線である。書込みビット線322の抵抗は、金属層を書込みビット線322に追加することによって低減され得る。書込み動作は、読取りビット線324を分離し、読取りワード線314に低信号を入力することによって、メモリ要素302において実行され得る。書込み電圧は、書込みビット線322に印加され、高信号は書込みワード線316に印加される。一実施形態によれば、書込み電圧は18ボルトであり、高信号は10ボルトである。書込みアクセストランジスタ306は、電流が、メモリ要素302を通って、書込みビット線322から、書込みアクセストランジスタ306に結合されたグランドに流れることができるようにするためにオンになる。一実施形態によれば、メモリ要素302はヒューズエレメントであり、メモリ要素302を通る電流はヒューズを遮断し、結果的に、読取り動作の間、メモリ要素302において開回路となる。読取り動作は、ワード線316に低信号を入力することによって、メモリ要素302において実行され得る。書込みビット線322は、カラムキーパーによってゼロにバイアスされ、高信号は、読取りワード線314に印加される。一実施形態によれば、高信号は、10ボルトである。読取りアクセストランジスタ304は、電流を、メモリ要素302を通って書込みビット線322から読取りビット線324に伝えるためにオンになる。メモリ要素302の状態を決定するために、メモリ要素302を通る電流量が測定され得る。たとえば、メモリ要素302がヒューズであり、電流がメモリ要素302を通過しない場合、メモリ要素は0であり得る。代わりに、メモリ要素302がヒューズであり、電流がメモリ要素302を通過する場合、メモリ要素は1であり得る。一実施形態によれば、メモリ要素302を通る電流は、読取りビット線324に電圧を印加することによって感知される。読取りビット線324の電圧が著しく上昇する場合、メモリ要素302は開回路である。読取りビット線324の電圧がそれほど上昇しない場合、メモリ要素302は短絡回路である。低容量読取りビット線324をNVMビットセル300に配置することによって、図3の例示的なNVMビットセル設計は、読取り性能を向上させる。追加の読取りビット線324および読取りアクセストランジスタ304は、追加のダイ面積を占めるが、読取りアクセストランジスタ304が占めるダイ面積は書込みアクセストランジスタ306が占めるダイ面積よりもかなり小さい。したがって、図3の例示的なNVMビットセル設計300が占める全体的なダイ面積は、それほど増加しない。別の実施形態によれば、読取りビット線は、差動NVMビットセル設計に追加される。図4は、一実施形態による差動感知を有する例示的な不揮発性メモリビットセルを示す回路図である。差動NVMビットセル400は、書込みビット線430を含む。書込みビット線430は、メモリ要素402、412に結合され、それらによって共有される。メモリ要素402は、読取りアクセストランジスタ404および書込みアクセストランジスタ406に結合される。書込みアクセストランジスタ406は、メモリ要素402をグランドに結合し、偶数書込みワード線410によって制御される。読取りアクセストランジスタ404は、メモリ要素402を偶数読取りビット線444に結合し、偶数読取りワード線408によって制御される。メモリ要素412は、書込みアクセストランジスタ416および読取りアクセストランジスタ414に結合される。書込みアクセストランジスタ416は、メモリ要素412をグランドに結合し、奇数書込みワード線420によって制御される。読取りアクセストランジスタ414は、メモリ要素412を奇数読取りビット線442に結合し、奇数読取りワード線418によって制御される。差動NVMビットセルにおける読取り動作中に、メモリ要素412を通る感知された電流は、メモリ要素402を通る感知された電流と比較され得る。たとえば、演算増幅器は、偶数読取りビット線444および奇数読取りビット線442に存在する電圧を比較することができる。差動NVMビットセル400は、低抵抗を有する単一の書込みビット線430を含む。書込みビット線430と他の書込みビット線との間で共有されるリソースを低減することによって、単一の書込みビット線430の抵抗は、最小限に抑えられる、または低減され得る。読取りビット線442、444は、大きい電流書込み動作を扱うNVMビットセル400の能力に影響を及ぼすことなく、読取り動作を向上させるために、低容量を有するように設計されている。図5は、一実施形態による不揮発性メモリビットセルの例示的なアレイを示す回路図である。アレイ500は、いくつかのビットセル570を含む。たとえばビットセル570など、各ビットセルは、読取りアクセストランジスタ504および書込みアクセストランジスタ506に結合されたメモリ要素502を含む。ビットセル570のメモリ要素502は、書込みビット線WBL0に結合される。書込みアクセストランジスタ506のゲート516は、書込みワード線WWL0に結合され、読取りアクセストランジスタ504のゲート514は、読取りワード線RWL0に結合される。読取りアクセストランジスタ504は、メモリ要素502を読取りビット線RBL0に結合する。書込みアクセストランジスタ506は、メモリ要素502をソース線SL0に結合し、ソース線は、たとえばグランドに結合され得る。ビットセル570は、ビット線RBL0およびWBL0、RBL1およびWBL1、ならびにRBLnおよびWBLnに対応する列550、552、554に沿って繰り返される。アレイ500には3列のみが示されているが、追加の列が存在してもよい。また、ビットセル570は、ワード線RWL0およびWWL0、RWL1およびWWL1、RWL2およびWWL2、ならびにRWLnおよびWWLnに対応する行560、562、564、566に沿って繰り返される。アレイ500には4行のみが示されているが、追加の行が存在してもよい。別々の書込みパスおよび読取りパスを有する不揮発性メモリビットセルによって、より良い読取り動作性能、より低い読取り動作消費電力、およびより速い読取り動作速度が可能になる。さらに、低電圧読取り動作パスを高電圧書込み動作パスと分離することによって、周辺回路の複雑さが著しく低減し、結果的に、周辺回路によって消費されるダイ面積が低減する。非正方形のビットセルジオメトリを選択することによって、抵抗を最低限に抑える、または低減することによって、NVMビットセルの性能は、さらに向上し得る。図6は、一実施形態による例示的なNVMビットセルに等価の回路を示す回路図である。抵抗602はチップレベルの寄生抵抗を表し、抵抗606はビット線抵抗を表し、抵抗612はソース寄生抵抗を表す。トランジスタ604は列選択トランジスタを表し、トランジスタ610はプログラムトランジスタを表す。メモリ要素608は、ビット線抵抗606とプログラムトランジスタ610との間に結合される。ビットセルジオメトリを選択するとき、ビットセルの高さとビットセルの幅との間にトレードオフが生じる。より高いビットセルでは、プログラムトランジスタ抵抗610はより低くなるが、ビット線抵抗606はより高くなる。より短いビットセルでは、プログラムトランジスタ抵抗610はより高くなるが、ビット線抵抗606はより低くなる。所与のビットセル幅について、ビット線抵抗606およびプログラムトランジスタ抵抗610の実効抵抗は、以下によって与えられる。ReffnRmyRds式中、nはビット線当たりの行の数、Rmは単位高さ当たりのビット線抵抗、yはビットセル高さ、Rdsはプログラムトランジスタ線形抵抗、およびfはビットセルレイアウト内部のレイアウトフィンガーの数である。図7は、一実施形態によるビットセル高さによって異なるビットセルの抵抗を示すグラフである。グラフ700は、ビットセル高さによって異なる実効抵抗を線702に示す。また、グラフ700は、ビットセル高さによって異なるビットセルサイズを線704に示す。グラフ700は、常に最小の抵抗が最小のセル高さで達成されるとは限らないことを示す。図8は、本開示の実施形態を有利に使用できる例示的なワイヤレス通信システム800を示すブロック図である。例示のために、図8は、3つの遠隔ユニット820、830および850ならびに2つの基地局840を示している。ワイヤレス通信システムがこれよりも多くの遠隔ユニットおよび基地局を有してもよいことが、認識されよう。遠隔ユニット820、830および850は、ICデバイス825A、825Cおよび825Bを含み、これらは開示済みの不揮発性メモリを含む。ICを含む任意のデバイスは、基地局、スイッチングデバイスおよびネットワーク機器を含む、本明細書で開示された不揮発性メモリビットセルも含み得ることが認識されよう。図8は、基地局840から遠隔ユニット820、830、および850への順方向リンク信号880、ならびに遠隔ユニット820、830、および850から基地局840への逆方向リンク信号890を示す。図8では、遠隔ユニット820は携帯電話として示され、遠隔ユニット830はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット850はワイヤレスローカルループシステム内の固定ロケーション遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、携帯電話、ハンドヘルドパーソナル通信システムユニット、個人情報端末のようなポータブルデータユニット、GPS対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器のような固定ロケーションデータユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取り出しを行う任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せであってよい。図8は、本開示の教示に従った遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの例示的な示されたユニットには限定されない。本開示の実施形態は、メモリデバイスを含む任意のデバイスにおいて適切に利用され得る。図9は、上記で開示した不揮発性メモリビットセルなど、半導体コンポーネントの回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために用いられる、設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション900は、オペレーティングシステムソフトウェア、支援ファイル、および、CadenceまたはOrCADのような設計用ソフトウェアを含むハードディスク901を含む。設計用ワークステーション900はまた、回路910の設計または、不揮発性メモリのような半導体コンポーネント912の設計を容易にするために、ディスプレイを含む。記憶媒体904が、回路設計910または半導体コンポーネント912を有形に記憶するために提供される。回路設計910または半導体コンポーネント912は、GDSIIまたはGERBERのようなファイルフォーマットで、記憶媒体904に記憶され得る。記憶媒体904は、CDROM、DVD、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであってよい。さらに、設計用ワークステーション900は、記憶媒体904からの入力を受け入れ、または記憶媒体904に出力を書き込むための、駆動装置903を含む。記憶媒体904に記録されるデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクのためのパターンデータ、または、電子ビームリソグラフィのような連続書込ツールのためのマスクパターンデータを、特定することができる。データはさらに、論理シミュレーションと関連付けられたタイミングダイヤグラムまたはネット回路のような、論理検証データを含み得る。記憶媒体904にデータを提供すると、半導体ウェハを設計するためのプロセスの数が減少することで、回路設計910または半導体コンポーネント912の設計が容易になる。ファームウェアおよびまたはソフトウェア実装形態の場合、これらの方法は、本明細書で説明する機能を実行するモジュールによって実装されてもよい。本明細書で説明する方法を実施する際に、命令を有形に具現化する任意の機械可読媒体を使用してもよい。たとえば、ソフトウェアコードはメモリに記憶され、プロセッサユニットにより実行されてもよい。メモリは、プロセッサユニット内に実装されてもよく、またはプロセッサユニットの外部に実装されてもよい。本明細書では、メモリという用語は、長期メモリ、短期メモリ、または他のメモリのいずれかの種類を指し、メモリのいかなる特定の種類またはメモリの数、あるいはメモリが記憶される媒体の種類に限定されない。ファームウェアおよびまたはソフトウェアで実装する場合、機能は、コンピュータ可読媒体上に1つもしくは複数の命令またはコードとして記憶されてもよい。この例には、データ構造によって符号化されたコンピュータ可読媒体、およびコンピュータプログラムによって符号化されたコンピュータ可読媒体が含まれる。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る任意の使用可能な媒体であってもよい。限定ではなく、一例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CDROMもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令またはデータ構造の形で記憶するのに使用することができ、かつコンピュータからアクセスすることのできる任意の他の媒体を備えてよく、本明細書で使用するディスクは、コンパクトディスク、レーザディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク、フレキシブルディスク、およびブルーレイディスクを含み、ディスクは通常、データを磁気的に再生し、一方、ディスクはデータをレーザによって光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含めるべきである。命令およびまたはデータは、コンピュータ可読媒体上に記憶されるだけでなく、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として提供されてもよい。たとえば、通信装置には、命令およびデータを示す信号を有するトランシーバを含めてもよい。命令およびデータは、1つまたは複数のプロセッサに特許請求の範囲において概説する機能を実施させるように構成される。特定の回路について説明したが、当業者には、本開示を実施するうえで開示された回路のすべてが必要とされるわけではないことが理解されよう。さらに、本開示に対する注目を維持するためにある公知の回路については説明していない。同様に、説明は特定の位置における論理0および論理1に言及しているが、本発明の動作に影響を与えずに論理値を切り替え、それに応じて回路の残りの部分が調整されてもよいことが当業者には理解されよう。本開示およびその利点について詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の技術から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、代用および改変を施せることを理解されたい。たとえば、上および下などの関係語が、基板または電子デバイスに関して使用される。もちろん、基板または電子デバイスが逆転した場合には、上は下に、下は上になる。さらに、横向き、上および下は、基板または電子デバイスの側面を指すことがある。さらに、本出願の範囲は、本明細書において説明したプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されるものではない。当業者には本開示から容易に理解されるように、本明細書で説明した対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行する、または実質的に同じ結果を実現する、現存するまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップを、本開示に従って利用してもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップを範囲内に含むものである。