Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子を主たる原料として充填して反応させて下記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体を合成するための反応容器と、前記反応容器中に充填した原料の上方に固定して設けた、通気性を有する無機繊維層であって、前記多結晶体を合成する間、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層の通気性を失わすことができる無機繊維層と、前記反応容器を加熱する加熱手段と、前記反応容器の加熱温度および加熱時間を制御する制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とするMg2Si1-xSnx多結晶体の製造装置。Mg2Si1-xSnx式1[式1中のxは0~1である]前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とする請求項1記載の製造装置。前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の製造装置。前記反応容器が原料の上に原料全体を覆うよう離型層を設けた反応容器であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の製造方法。請求項1記載の製造装置を用いて、下記工程1~8にしたがって、下記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体を大気中で製造することを特徴とするMg2Si1-xSnx多結晶体の製造方法。1Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子を含む原料であって、Mg:SiあるいはSnの元素比が2α:1となるように調製した主たる原料を準備する工程。2工程1で調製した原料を、反応容器中に充填する工程。3工程2で反応容器中に充填した原料の上方に固定して設けた通気性を有する無機繊維層であって、前記多結晶体を合成するまでの間に、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層の通気性を失わすことができる無機繊維層を形成する工程。4工程3で前記無機繊維層を形成した反応容器全体を加熱して、Mgの融点650°C近傍まで短時間で上昇して前記原料の上面から前記無機繊維層の上面に至る間のスペースに存在する空気の大部分を素早く系外に排出する工程。5工程4で空気の大部分を素早く系外に排出した後も前記反応容器全体を前記無機繊維層の最高使用温度以下まで短時間で加熱する過程で、前記無機繊維層の通気性を失わしめる工程。6工程5で、前記無機繊維層の通気性を失わしめた後も、加熱を続行して前記反応容器全体を前記無機繊維層の最高使用温度以下に維持して、短時間でMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si1-xSnx多結晶体融液を生成せしめる工程。7工程6で生成したMg2Si1-xSnx多結晶体融液を短時間で冷却してMg2Si1-xSnx多結晶体を析出せしめる工程。8工程6で析出したMg2Si1-xSnx多結晶体を前記反応容器から取り出す工程。Mg2Si1-xSnx式1[式1中のxは0~1である]前記反応容器が、酸素不透過性を有し、大気中でのMgとSiあるいはSnとの前記化学反応温度に耐える耐熱性を有するとともに、製品であるMg2Si1-xSnx多結晶体に不純物を供給しない特性を有する反応容器であることを特徴とする請求項5記載の製造方法。前記工程2から前記工程8においてMg2Si1-xSnx多結晶体の析出するまで15分~4時間であることを特徴とする請求項5あるいは請求項6記載の製造方法。撹拌しつつMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si1-xSnx多結晶体融液を生成せしめることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれかに記載の製造方法。前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とする請求項5から請求項8のいずれかに記載の製造方法。前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とする請求項5から請求項9のいずれかに記載の製造方法。工程2において、工程1で調製した原料を、反応容器中に充填した後、前記原料の上に原料全体を覆うよう離型層を配設することを特徴とする請求項5から請求項10のいずれかに記載の製造方法。本発明の第1の目的は、Mg2Si1-xSnx結晶のみから構成されてなる多結晶体であって、必要に応じてドーパントを所定量添加して焼成することにより、約300~600°Cの中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料などとして有効利用できる安価なMg2Si1-xSnx多結晶体を製造するための製造装置を提供することである。本発明の第2の目的は、そのようなMg2Si1-xSnx多結晶体を、高価な真空装置、不活性ガス導入装置、封止装置などを使用せず、短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法を提供することである。上記課題を解消するための本発明の請求項1記載の発明は、Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子を主たる原料として充填して反応させて下記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体を合成するための反応容器と、前記反応容器中に充填した原料の上方に固定して設けた、通気性を有する無機繊維層であって、前記多結晶体を合成する間、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層の通気性を失わすことができる無機繊維層と、前記反応容器を加熱する加熱手段と、前記反応容器の加熱温度および加熱時間を制御する制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とするMg2Si1-xSnx多結晶体の製造装置である。Mg2Si1-xSnx式1[式1中のxは0~1である]本発明の請求項2記載の発明は、請求項1記載の製造装置において、前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とする。本発明の請求項3記載の発明は、請求項1あるいは請求項2記載の製造装置において、前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とする。本発明の請求項4記載の発明は、請求項1から請求項3記載の製造装置において、前記反応容器が原料の上に原料全体を覆うよう離型層を設けた反応容器であることを特徴とする。本発明の請求項5記載の発明は、請求項1記載の製造装置を用いて、下記工程1~8にしたがって、下記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体を大気中で製造することを特徴とするMg2Si1-xSnx多結晶体の製造方法である。1Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子を含む原料であって、Mg:SiあるいはSnの元素比が2α:1となるように調製した主たる原料を準備する工程、2工程1で調製した原料を、反応容器中に充填する工程。3工程2で反応容器中に充填した原料の上方に固定して設けた通気性を有する無機繊維層であって、前記多結晶体を合成するまでの間に、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層の通気性を失わすことができる無機繊維層を形成する工程。4工程3で前記無機繊維層を形成した反応容器全体を加熱して、Mgの融点650°C近傍まで短時間で上昇して前記原料の上面から前記無機繊維層の上面に至る間のスペースに存在する空気の大部分を素早く系外に排出する工程。5工程4で空気の大部分を素早く系外に排出した後も前記反応容器全体を前記無機繊維層の最高使用温度以下まで短時間で加熱する過程で、前記無機繊維層の通気性を失わしめる工程。6工程5で、前記無機繊維層の通気性を失わしめた後も、加熱を続行して前記反応容器全体を前記無機繊維層の最高使用温度以下に維持して、短時間でMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si1-xSnx多結晶体融液を生成せしめる工程。7工程6で生成したMg2Si1-xSnx多結晶体融液を短時間で冷却してMg2Si1-xSnx多結晶体を析出せしめる工程。8工程7で析出したMg2Si1-xSnx多結晶体を前記反応容器から取り出す工程。Mg2Si1-xSnx式1[式1中のxは0~1である]本発明の請求項6記載の発明は、請求項5記載の製造方法において、前記反応容器が、酸素不透過性を有し、大気中でのMgとSiあるいはSnとの前記化学反応温度に耐える耐熱性を有するとともに、製品であるMg2Si1-xSnx多結晶体に不純物を供給しない特性を有する反応容器であることを特徴とする。本発明の請求項7記載の発明は、請求項5あるいは請求項6記載の製造方法において、前記工程2から前記工程8においてMg2Si1-xSnx多結晶体の析出するまで15分~4時間であることを特徴とする。本発明の請求項8記載の発明は、請求項5から請求項7のいずれかに記載の製造方法において、撹拌しつつMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si1-xSnx多結晶体融液を生成せしめることを特徴とする。本発明の請求項9記載の発明は、請求項5から請求項8のいずれかに記載の製造方法において、前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とする。本発明の請求項10記載の発明は、請求項5から請求項9のいずれかに記載の製造方法において、前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とする。本発明の請求項11記載の発明は、請求項5から請求項10のいずれかに記載の製造方法において、工程2において、工程1で調製した原料を、反応容器中に充填した後、前記原料の上に原料全体を覆うよう離型層を配設することを特徴とする。本発明の請求項1記載のMg2Si1-xSnx多結晶体の製造装置は、高価な真空装置、不活性ガス導入装置、封止装置などを使用せず、短時間でしかも安全にMg2Si1-xSnx多結晶体を容易に製造でき、必要に応じてドーパントを所定量添加して焼成することにより、高い性能指数および長寿命が期待できる安価な熱電変換材料などとして有効利用できるという顕著な効果を奏する。前記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体は、具体的には、Mg2Si1-xSnx3元混晶多結晶体、Mg2Si多結晶体あるいはMg2多結晶体を示す。本発明の請求項2記載の発明は、請求項1記載の製造装置において、前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とするものであり、配設したMg粒子が融解し酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層が前記反応容器の内壁面により強固に固定されるとともに、前記無機繊維層と前記反応容器の内壁面の間隙からMg蒸気が漏洩しなくなるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項3記載の発明は、請求項1あるいは請求項2記載の製造装置において、前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とするものであり、離型層を設けたので、前記反応容器からMg2Si1-xSnx多結晶体容易に取り出すことができるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項4記載の発明は、請求項1から請求項3記載の製造装置において、前記反応容器が原料の上に原料全体を覆うよう離型層を設けた反応容器であることを特徴とするものであり、原料と無機繊維層との間に離型層を設けたので、原料が溶融し原料の体積が減少した際にも無機繊維層から離れて追随して移動して、原料を保護するというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項5記載の発明は、請求項1記載の製造装置を用いて、前記工程1~8にしたがって、大気中で製造することを特徴とするMg2Si1-xSnx多結晶体の製造方法であり、高価な真空装置、不活性ガス導入装置、封止装置などを使用せず、短時間でしかも安全にMg2Si1-xSnx多結晶体を容易に製造できるという顕著な効果を奏する。本発明の請求項6記載の発明は、請求項5記載の製造方法において、前記反応容器が、酸素不透過性を有し、大気中でのMgとSiあるいはSnとの前記化学反応温度に耐える耐熱性を有するとともに、製品であるMg2Si1-xSnx多結晶体に不純物を供給しない特性を有する反応容器であることを特徴とするものであり、Mg2Si1-xSnx多結晶体を、より確実に安全に容易に製造できるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項6記載の発明は、請求項5あるいは請求項6記載の製造方法において、前記工程2から前記工程8においてMg2Si1-xSnx多結晶体の析出するまで15分~4時間であることを特徴とするものであり、Mg2Si1-xSnx多結晶体を、より確実に短時間で製造できるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項8記載の発明は、請求項5から請求項7のいずれかに記載の製造方法において、撹拌しつつMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si1-xSnx多結晶体融液を生成せしめることを特徴とするものであり、Mg2Si1-xSnx多結晶体を、より確実に短時間で製造できるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項9記載の発明は、請求項5から請求項8のいずれかに記載の製造方法において、前記無機繊維層が、上部無機繊維層と下部無機繊維層とからなり、上部無機繊維層と下部無機繊維層との間であって、両者が前記反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子を配設した無機繊維層であることを特徴とするものであり、配設したMg粒子が融解し酸素と化学反応して、生成する生成物によって前記無機繊維層が前記反応容器の内壁面により強固に固定されるとともに、前記無機繊維層と前記反応容器の内壁面の間隙からMg蒸気が漏洩しなくなるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項10記載の発明は、請求項5から請求項9のいずれかに記載の製造方法において、前記反応容器が少なくとも原料と接触する内壁面に離型層を設けた反応容器であることを特徴とするものであり、離型層を設けたので、前記反応容器からMg2Si1-xSnx多結晶体容易に取り出すことができるというさらなる顕著な効果を奏する。本発明の請求項11記載の発明は、請求項5から請求項10のいずれかに記載の製造方法において、工程2において、工程1で調製した原料を、反応容器中に充填した後、前記原料の上に原料全体を覆うよう離型層を配設することを特徴とするものであり、原料と無機繊維層との間に離型層を設けたので、原料が溶融し原料の体積が減少した際にも無機繊維層から離れて追随して移動して、原料を保護するというさらなる顕著な効果を奏する。次に本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明のMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体の製造装置を説明するための説明図である。図1中の1は本発明の製造装置を示す。そして、2は、Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子などの主たる原料を示す。3はこの原料2を所定量充填して反応させてMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を合成するための反応容器を示す。6は反応容器3の上方に固定して設けた通気性を有する無機繊維層を示す。図1には図示しないが反応容器3中に充填した原料2の上面を覆ってカーボンシート、BNシート、カーボンコート、カーボンプレートなどの耐熱性を有する離型層14を配設することができる。図1には図示しないが反応容器3中の前記原料2の上方に所定の大きさのスペース5を設けることができる。無機繊維層6は、Mg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を合成するまでの間、後述するように気化したMgが酸素と化学反応して、生成する図1には図示しない生成物7が無機繊維間に析出することによって通気性が失われるように構成されている。8は、前記反応容器3を加熱するためのヒータなどの加熱手段、9は前記反応容器3の加熱温度および加熱時間などを制御する制御手段を備えている。10は反応容器3の上方に設けた大気に通じる開口部である。図2は、本発明の製造装置1を用いて、大気中でMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を製造する本発明の製造方法の一例を説明するための説明図である。図2のaは、Mg粒子とSi粒子あるいはMg粒子とSn粒子の混合物、またはMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子の主たる原料2をMg:SiあるいはSnの元素比が2α:1となるように調製して所定量充填した反応容器3を示す。下記式1で表されるMg2Si1-xSnx多結晶体を製造する場合は、Mg粒子とSi粒子の外にSn粒子をx0~1の範囲で配合して原料とする。Mg2Si1-xSnx式1[式1中のxは0~1である]図2のbは、反応容器3中に充填した原料2の上方に通気性を有する無機繊維層6を固定して設けた状態を説明する説明図である。後述するように通気性を有する無機繊維層6は、前記多結晶体を合成するまでの間、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物7によって通気性が失わされる。図2のcは、無機繊維層6を形成した反応容器3全体を制御手段9からの信号により作動された加熱手段8により加熱して、Mgの融点650°C近傍まで短時間で上昇させて、原料2上面から無機繊維層6の上面に至る間のスペースに存在する空気の大部分を矢印方向に素早く系外に排出する状況を説明する説明図である。反応容器3の大きさ、無機繊維の種類、無機繊維層6の密度や厚さなどによっても異なるが、通常、Mgの融点650°C近傍まで上昇させる時間は、15分以上が好ましく、30分以上がより好ましい。15分未満では前記空気の大部分を素早く系外に排出できない恐れがある。加熱して大部分の前記空気を系外に排出することにより、原料のMg粒子などの微粉同士が衝突するなどして静電気を帯び爆発する危険性を無くすことができる上、前記空気を系外に排出することにより、後述するようにさらなる加熱によって気化したMgが発生しても爆発の危険性をなくしたり、あるいは爆発の危険性を減少したりできる。図2のdは、空気の大部分を素早く系外に排出した後も反応容器3全体を制御手段9からの信号により作動された加熱手段8により無機繊維層6の最高使用温度以下まで短時間で加熱する過程で、前記αに対応する量のMgを気化させ、気化させたMgが無機繊維層6の繊維表面を濡らし付着し、原料2の上面から無機繊維層6の上面に至る間に残存する残留酸素や無機繊維の酸素と化学反応して、そして、繊維表面にMgO、Mg-Si-Oの生成物7からなる酸化膜が形成されて、外部の酸素を遮断し、無機繊維層6の通気性を失わしめる工程を説明する説明図である。反応容器3の大きさ、無機繊維の種類、無機繊維層6の密度や厚さなどによっても異なるが、通常、最高使用温度以下まで加熱する時間とは、5分以上が好ましく、10分以上がより好ましい。5分未満では無機繊維層6の通気性を失わしめることができない恐れがある。無機繊維層6の通気性が失われる前であっても、反応容器3全体を加熱し続けるので反応容器3内部が減圧になることがないので、原料2の上面から無機繊維層6の外部表面に至る空間に、系外から外部の低温の空気が侵入する恐れがなくなる。そして、最終的に生成する生成物7によって無機繊維層6の通気性を失わしめることにより、系外から新たな空気が侵入しなくなるので、気化したMgが発生しても系内には酸素がないので、系内で爆発の危険性がなく、また気化したMgが系外にでないので、系外で爆発の危険性が確実になくなる。そして、図2のdに示したように、無機繊維層6の通気性を失わしめた後も、加熱を続行して反応容器3全体を無機繊維層の最高使用温度以下に維持して、短時間でMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si融液あるいはMg2Sn融液11を生成せしめる。反応容器3の大きさ、反応温度などによっても異なるが、通常、化学反応させる際の時間とは、5分以上が好ましく、15分以上がより好ましい。5分未満ではMgとSiあるいはSnとの化学反応が終了しない恐れがある。図2のeは、生成したMg2Si融液あるいはMg2Sn融液を短時間で冷却してMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体12を析出せしめる工程を説明する説明図である。反応容器3の大きさ、冷却速度などによっても異なるが、通常、前記冷却における時間とは、10~300分が好ましく、15~30分がより好ましい。10分未満では冷却速度が大きく反応容器3のるつぼが割れる恐れがある。反応容器3の材質や大きさなどによっては前記冷却時間として300分かけても反応容器3のるつぼが割れてしまう場合には、自然冷却で、前記冷却時間として300分を超えて約24時間かけて冷却する場合もある。図2のfは、反応容器3中に析出したMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体12を前記反応容器3から取り出した状況を説明する説明図である。本発明において、前記工程2から前記工程8においてMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体の析出するまでの時間は、前記工程4の時間工程5の時間工程6の時間工程7の時間の合計時間であり、反応容器3の大きさ、反応量、反応温度、無機繊維の種類、無機繊維層6の密度や厚さ、冷却速度などによっても異なるが、通常、反応容器3が小さく反応量が小さく、無機繊維層6の密度や厚さも小さい場合は、15分程度、反応容器3が大きく反応量が大きく、無機繊維層6の密度や厚さも大きい場合は~4時間である。適切な条件を選択することによって、未反応の原料を残すことなく、また副反応などを生じさせることなくMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を、より確実に短時間で製造できる。図5は、前記工程4の時間、工程5の時間、工程6の時間、工程7の時間分と温度°Cとの関係の例を説明するための説明図である。1は工程4の時間Mgの融点650°C近傍まで上昇させる時間、2は工程5の時間前記無機繊維層の最高使用温度以下まで加熱する時間、3は工程6の時間化学反応させる時間、4は工程7の時間冷却時間を示す。図3は、本発明の製造装置1を用いて、大気中でMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を製造する本発明の製造方法の他の例を説明するための説明図である。図3のaは、図2のaと同様にして原料2を所定量充填した反応容器3を示す。図3のb-1は、反応容器3中に充填した原料2の上方に通気性を有する下部無機繊維層6-1を固定して設けた状態を説明する説明図である。図3のb-2は、下部無機繊維層6-1の上の反応容器の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子13を配設した後、その上に上部無機繊維層6-2を固定して設けて無機繊維層6を固定して設けた状態を説明する説明図である。下部無機繊維層6-1と上部無機繊維層6-2とは同一無機繊維であっても、互いに異なる無機繊維であってもよい。後述するように通気性を有する無機繊維層6は、前記多結晶体を合成するまでの間、気化したMgが酸素と化学反応して、生成する生成物7によって通気性が失わされる。図3のcは、図2のcと同様にして、無機繊維層6を形成した反応容器3全体を制御手段9からの信号により作動された加熱手段8により加熱して、Mgの融点650°C近傍まで短時間で上昇させて、原料2上面から無機繊維層6の上面に至る間のスペースに存在する空気の大部分を矢印方向に素早く系外に排出する状況を説明する説明図である。図3のdは、図2のdと同様にして、空気の大部分を素早く系外に排出した後も反応容器3全体を制御手段9からの信号により作動された加熱手段8により無機繊維層6の最高使用温度以下まで短時間で加熱する過程で、前記αに対応する量のMgを気化させ、気化させたMgが無機繊維層6の繊維表面を濡らし付着し、原料2の上面から無機繊維層6の上面に至る間に残存する残留酸素や無機繊維の酸素と化学反応して、そして、繊維表面にMgO、Mg-Si-Oの生成物7からなる酸化膜が形成されて、外部の酸素を遮断し、無機繊維層6の通気性を失わしめる工程を説明する説明図である。配設したMg粒子は融解し酸素と化学反応して、生成する酸化Mgなどの生成物15によって無機繊維層6が反応容器3の内壁面により強固に固定されるとともに、無機繊維層6と反応容器3の内壁面の間隙からMg蒸気が漏洩しなくなる。そして、図3のdに示したように、無機繊維層6の通気性を失わしめた後も、加熱を続行して反応容器3全体を無機繊維層6の最高使用温度以下に維持して、短時間でMgとSiあるいはSnを化学反応させて、Mg2Si融液あるいはMg2Sn融液11を生成せしめる。図3のeは、図2のdと同様に生成したMg2Si融液あるいはMg2Sn融液を短時間で冷却してMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体12を析出せしめる工程を説明する説明図である。図3のfは、図2のfと同様に反応容器3中に析出したMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体12を前記反応容器3から取り出した状況を説明する説明図である。図4は、本発明の製造装置1を用いて、大気中でMg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体を製造する本発明の製造方法の他の例を説明するための説明図である。図4のa-1は、反応容器3が少なくとも原料2と接触する内壁面にカーボンシート、BNシート、カーボンコート、カーボンプレートなどからなる耐熱性を有する離型層14を設けた反応容器3を説明する説明図である。図4のa-2は、離型層14を設けた反応容器3に図2のaと同様にして原料2を所定量充填し、そして充填した原料2の上にカーボンシート、BNシート、カーボンコート、カーボンプレートなどからなる耐熱性を有する離型層14を設けた反応容器3を説明する説明図である。図4のb~fは、図2のb~fと同様にして行なうので説明を省略する。少なくとも反応容器3が原料2と接触する内壁面にカーボンシート、BNシート、カーボンコートなどからなる耐熱性を有する離型層14を設けたので、反応容器3を割るなどせずに、反応容器3からMg2Si1-xSnx多結晶体を容易に取り出すことができる。反応容器3に充填した原料2の上面を覆って配設されたカーボンシート、BNシートカーボンコート、カーボンプレートなどからなる耐熱性を有する離型層14は、原料2が溶融し原料2の体積が減少した際にも追随して、生成した融液の上面を覆い、そしてこの離型層14は前記化学反応の反応条件に耐える耐熱性、機械特性を有し、蒸発したMg不透過性を有する物であれば使用することができる。本発明で用いる前記離型層14としてカーボンシート、BNシート、カーボンコート、カーボンプレートなどを例示したが、これらに限定されるものではない。本発明で使用する原料のSiは、半導体用高純度シリコン原料、LSI用高純度シリコン原料、太陽電池高純度シリコン原料、高純度金属シリコンなどを粉砕加工した平均粒径が約2~3mmのチャンク状の粒子や平均粒径が約5μm程度の粉末を挙げることができる。本発明で使用する原料のMgとしては、高純度に精製した純度99.9以上の平均粒径が約2~3mmのチャンク状の粒子を好ましく使用できる。通常は原料のMg粒子とSi粒子あるいはSn粒子は元素比が2:1となるように混合する。本発明において用いるMgSi合金粒子あるいはMgSn合金粒子とは、MgSi合金あるいはMgSn合金などの粒子、あるいはMgSi焼結体あるいはMgSn焼結体などの粒子である。これらを原料とする場合も、通常は原料のMgとSiあるいはSnは元素比が2:1となるように混合する。以下、Mg粒子とSiあるいはSn粒子を用いる場合について説明する。本発明において、Mg粒子をMg2SiあるいはMg2Snの化学量値2:1よりαだけ多くするのは、前記のようにαに対応するMgを気化させ、気化させたMgが無機繊維層6の無機繊維表面を濡らし付着し、原料2の上面から無機繊維層6の上面に至る間に残存する酸素や無機繊維の酸素と化学反応して、生成する生成物7MgO、Mg-Si-Oの酸化膜が無機繊維面に形成されることによって無機繊維間の間隙を完全に埋めて無機繊維層6の通気性を失わしめるためである。αの値は、無機繊維層6の材質、繊維の太さ、厚さ、繊維の密度、繊維間の空隙率、温度や時間などの反応条件などによって異なるが、通常、αは0.1~1モル、好ましくは0.2~0.5モルである。0.1モル未満ではMg不足となりSiが残留して高純度Mg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体が得られない恐れがあり、逆に1モルを超えるとMgが残留して高純度Mg2Si多結晶体あるいはMg2Sn多結晶体が得られない恐れがある。本発明で使用する無機繊維は、好ましくはSiO2を必須成分として含む無機繊維であればよく、具体的には、例えば、バルクファイバ-FXL最高使用温度1260°C、バルクファイバ-FXL-Z最高使用温度1450°C、バルクファイバ-FMX[商品名:東芝モノフラックス株式会社製]最高使用温度1600°C、イソウ-ル1600[商品名:イソライト工業株式会社製]最高使用温度1600°C、Kaowool最高使用温度1093°C、KaowoolRT最高使用温度1093°C、Cerabianket最高使用温度1177°C、Cerachem最高使用温度1315°C、Cerachrome商品名:ThermalCeramics社製最高使用温度1371°Cなどを挙げることができる。本発明においては、これら無機繊維の1種あるいは2種以上組み合わせた中から適切なものを選択して使用する。本発明で使用する反応容器は、前記化学反応の反応条件に耐える耐熱性、機械特性を有する物であればよく、特に限定されないが、酸素不透過性を有し、大気中でのMgとSiあるいはSnとの化学反応温度に耐える耐熱性を有するとともに、製品であるMg2Si1-xSnx多結晶体に不純物を供給しない特性を有する例えば、アルミナ、BN、緻密処理したグラファイトなどの材料で作成された内面を有する反応容器が好ましく使用できる。BNで作成された内面を有する反応容器は製品の離型性に優れるので好ましい。本発明で使用する反応容器3の加熱手段8は、特に限定されるものではなく、公知の電気炉やガス燃焼炉などの加熱手段を使用し、公知の加熱方法を用いることができる。反応容器3の加熱パターンも特に限定されるものではない。しかし、適切な加熱パターン加熱時間および加熱温度などが実験や経験などにより決まった場合は、それを制御手段9に入力して記憶させて、制御手段9からの信号により作動された加熱手段8により加熱することが好ましい。圧力は大気圧でよく、加熱温度は合成物によって異なるが、加熱温度の例としては、Mg2Snの場合には770.5°CMg2Snの融点~850°C、Mg2Siの場合には1085°CMg2Siの融点~1107°CMgの沸点を挙げることができるが、加熱温度の上限値は前記無機繊維層の最高使用温度以下であればよい。例えばこれらの加熱温度で前記のように合計で約15分~4時間程度熱処理することで合金化できる。Mgの融点650°C以上に加熱してMgを溶融するとSiあるいはSnがその中に溶け込み反応が開始する。しかし1107°CMgの沸点を超えると急激にMgが蒸気になり飛散する恐れがあるので注意して合成する必要がある。得られたMg2Si融液あるいはMg2Sn融液の冷却は、特に限定されるものではなく、公知の冷却装置を使用し、公知の冷却方法を用いることができる。あまり急激な冷却を行うと、反応容器が割れることがあるのでので注意を要する。Mg2SiあるいはMg2Snを合成後、冷却して多結晶Mg2Siあるいは多結晶Mg2Snを得る。冷却は自然冷却でも強制冷却でもこれらの組み合わせでもよい。撹拌しつつMgとSiあるいはSnを化学反応させると、Mg2Si1-xSnx多結晶体を、より均一に短時間で製造できるので、好ましい。撹拌は、特に限定されるものではなく、公知の撹拌装置を使用し、公知の撹拌方法を用いることができる。Mg2Si1-xSnx多結晶体を熱電変換材料として利用する場合は、合成工程で得られたMg2Si1-xSnx多結晶体を粉砕し、得られた粉末に、適宜のドーパントを所定量添加した後、加圧圧縮焼結法により減圧雰囲気で焼結圧力5~60MPa、焼結温度600~1000°Cで焼結することにより高い物理的強度を有し、かつ安定して高い熱電変換性能を発揮でき、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高い熱電変換材料を得ることができる。粉砕は、細かくて、よく揃った粒度を有し、狭い粒度分布を有する粒子とすることが好ましい。細かくて、よく揃った粒度を有し、狭い粒度分布を有する粒子を次の加圧圧縮焼結法により焼結すると、粒子同士がその表面の少なくとも1部が融着してよく焼結できるので、良好に焼結でき、理論密度の約70からほぼ理論密度の焼結体を得ることができる。粉砕したMg2SiあるいはMg2Snの粒度は、具体的には、例えば、篩75μmパスで65μmオンとか、篩30μmパスで20μmオンとか、あるいは平均粒径0.1~0.2μmなどの例を挙げることができ、使用目的などに合わせて適宜選定することが好ましい。70からほぼ理論密度の焼結体を得ることができ、熱電変換材料を製造できるので好ましい。ドーパントの具体例としては、例えば、2価のMgサイトにドープするB、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、n型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できる。他の具体例としては、例えば、4価のSiサイトにドープするP、Biなどの5価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、n型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できる。他の具体例としては、例えば、2価のMgサイトにドープするAg、Cu、Auなどの1価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、p型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できる。他の具体例としては、例えば、4価のSiサイトにドープするB、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、p型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できる。B、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントドーパントは、2価のMgサイトにドープしてn型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できるほか、4価のSiサイトにドープすることでp型熱電変換材料として用いられるMg2SiあるいはMg2Snを製造できる。しかし、これら3価のドーパントドーパントが2価のMgサイトと置換するか、4価のSiあるいはSnサイトに置換するかは、合成プロセスや得られる試料の結晶性に依存している。なお、上記実施形態の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮するものではない。又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。次に実施例および比較例により本発明を詳しく説明するが、本発明の主旨を逸脱しない限りこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1Mg2Si多結晶体の合成図2aに示したように、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管に、純度4NのMg粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]3.804gと純度5NのSi粒子[チャンク材平均粒径2~3mm2.196gからなる原料混合物2を仕込み原子組成比Mg:Si=2.03:1.00、そして図2bに示したように、るつぼ3内に仕込んだ原料混合物2の上方にセラミックファイバー[商品名:バルクファイバーFXL、東芝モノフラックス株製、色:白、最高使用温度:1260°C、繊維平均径:2~4μm、繊維長さ:<80、真比重:2.73、比熱:kj/kg°C、繊維の構成相:非結晶、化学成分:Al2O348質量、SiO252質量で充填密度0.49/cm3で約2cmの厚さとなるように覆って無機繊維層6を形成した。このるつぼ3を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ1150°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて15分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に15分、冷却に約30分の合計約50分であった。冷却後取り出した結晶はMg2Si多結晶であった。冷却後Mg2Si多結晶体を取り出した後、使用したセラミックファイバーからなる無機繊維層6の重さを測定した結果、当初約1.1gであったものが、約1.6gに増加していた。気化したMgが無機繊維層6の繊維表面を濡らし付着し、原料2の上面から無機繊維層6の上面に至る間に残存する残留酸素や無機繊維の酸素と化学反応して繊維表面にMgO、Mg-Si-Oの生成物7からなる酸化膜が形成されて、外部の酸素を遮断し、無機繊維層6の通気性を失わしめたと考えられる。下記の測定条件で粉末X線回折測定の結果を図6に示す。測定条件装置:リガクRINT2000X線:CuKα140kv/30mA発散スリット:1deg.散乱スリット:1deg.受光スリット:0.3mm走査モード:連続試料回転速度:60rpmスキャンスピード:2°/min.スキャンスッテプ:0.02°走査軸:Θ-2Θ図6から未反応のSiやMgを含まないMg2Si多結晶体が合成できていることがわかった。実施例2Mg2Sn多結晶体の合成実施例1と同様にして図2aに示したように、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管に、純度4NのMg粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]1.90gと純度5NのSn粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]4.64gからなる原料混合物2を仕込み原子組成比Mg:Sn=2.03:1.00、そして図2bに示したように、るつぼ3内に仕込んだ原料混合物2の上方にセラミックファイバー[商品名:バルクファイバーFXL、東芝モノフラックス株製、色:白、最高使用温度:1260°C、繊維平均径:2~4μm、繊維長さ:<80、真比重:2.73、比熱:kj/kg°C、繊維の構成相:非結晶、化学成分:Al2O348質量、SiO252質量で充填密度0.49/cm3で約2cmの厚さとなるように覆って無機繊維層6を形成した。このるつぼ3を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ800°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて60分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に60分、冷却に約30分の合計約95分であった。冷却後取り出した結晶はMg2Sn多結晶であった。実施例1と同様にして粉末X線回折測定の結果を図7に示す。図7から未反応のSiやMgを含まないMg2Sn多結晶体が合成できていることがわかった。実施例3Mg2Si1-xSnx多結晶体の合成実施例1と同様にして図2aに示したように、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管に、純度4NのMg粒[チャンク材平均粒径2~3mm]1.90gと純度5NのSi粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]0.88gと純度5NのSn粒[チャンク材平均粒径2~3mm]0.93gとからなる原料混合物2を仕込み原子組成比Mg:Si:Sn=2.03:0.8:0.2x=0.2の仕込組成、そして図2bに示したように、るつぼ3内に仕込んだ原料混合物2の上方にセラミックファイバーで充填密度0.49/cm3で約2cmの厚さとなるように覆って無機繊維層6を形成した。このるつぼ3を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ1150°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて30分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に30分、冷却に約30分の合計約65分であった。冷却後取り出した結晶はMg2Si1-xSnx多結晶であった。実施例1と同様にして粉末X線回折測定の結果を図8に示す。図8から未反応のSiやMgを含まないMg2Si1-xSnx多結晶体が合成できていることがわかった。比較例1無機繊維層6を形成することなく、電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて30分加熱した以外は実施例1と同様にして成長結晶を取り出した。すなわち、図1に示したような無機繊維層6を形成することなく、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管に、純度4NのMg粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]3.804gと純度5NのSi粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]2.196gからなる原料混合物2を仕込んだ原子組成比Mg:Si=2.03:1.00。無機繊維層6を形成せずに、このるつぼ4を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ1150°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて30分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に30分、冷却に約30分の合計約65分であった。合成して冷却後取り出した結晶は茶色からグレーがかった粉末であった。粉末の色から酸化マグネシウムおよび酸化シリコンまたはこれらの化合した酸化物の粉末が合成されていると推定される。特に爆発や急激な燃焼が生じなかった。電気炉シリコニット炉加熱手段8の上部が大気開放状態であり、蒸発したMgが対流することなく酸素と反応したためと考えられる。実施例1と同様にして粉末X線回折測定の結果を図11に示す。図11からMgO、MgSiOの主要成分ピークが観察される。また僅かではあるがSiのピークが観察される。実施例4Mg2Si多結晶体の合成実施例1と同様にして、図3aに示したように、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管に、純度4NのMg粒[チャンク材平均粒径2~3mm]3.804gと純度5NのSi粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]2.196gからなる原料混合物2を仕込んだ原子組成比Mg:Si=2.03:1.0。そして図3b-1に示したように、るつぼ3内に仕込んだ原料混合物2の上方にセラミックファイバーで充填密度0.49/cm3で約1cmの厚さとなるように覆って、るつぼ3との間に隙間が無いように充填して通気性を有する下部無機繊維層6-1を形成した。そして、図3のb-2に示したように、下部無機繊維層6-1の上の反応容器3の内壁面に接触する箇所の周囲全体にMg粒子13を0.2g配設した後、その上に下部無機繊維層6-1と同じセラミックファイバーで充填密度0.49/cm3で約1cmの厚さとなるように覆って、るつぼ3との間に隙間が無いように充填して通気性を有する上部無機繊維層6-2を固定して設けた。このるつぼ3を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ1150°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて15分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に15分、冷却に約30分の合計約50分であった。冷却後取り出した結晶はMg2Si多結晶であった。試験中、無機繊維層6の固定が良好であり、試験中に無機繊維層6が持ち上げられて、移動したり、脱落することがなく、無機繊維層6とるつぼ3との隙間からMg蒸気が漏洩するなどがなかった。実施例1と同様にして粉末X線回折測定の結果を図9に示す。図9から未反応のSiやMgを含まないMg2Si多結晶体が合成できていることがわかった。実施例5Mg2Si多結晶体の合成実施例1と同様にして、図4a-1に示したように、内径12mmφ長さ11cmのアルミナ製るつぼ3アルミナタンマン管の内部に、少なくともるつぼ3が原料2と接触する内壁面に厚さ0.2mmのカーボンシートからなる耐熱性を有する離型層14を設けた後、図4のa-2に示すように、離型層14を設けた反応容器3に原料2を所定量充填し、そして充填した原料2の上に厚さ0.2mmの円形カーボンシートからなる耐熱性を有する離型層14を設けた。そして、純度4NのMg粒[チャンク材平均粒径2~3mm]3.804gと純度5NのSi粒子[チャンク材平均粒径2~3mm]2.196gからなる原料混合物2を仕込んだ原子組成比Mg:Si=2.03:1.0。そして図4bに示したように、るつぼ3内に仕込んだ原料混合物2の上方にセラミックファイバーで充填密度0.49/cm3で約2cmの厚さとなるように覆って、るつぼ3との間に隙間が無いように充填して通気性を有する無機繊維層6を形成した。このるつぼ3を、図1に示した制御手段9によりあらかじめ1150°C表示温度に加熱しておいた電気炉シリコニット炉加熱手段8に入れて15分加熱して、融解した後、電気炉加熱手段8からるつぼ3を取り出し、大気中で自然急冷約30分して、成長結晶を取り出した。成長に要した時間は、るつぼ3の準備に約5分、加熱に15分、冷却に約30分の合計約50分であった。冷却後取り出した結晶はMg2Si多結晶であった。実施例1と同様にして粉末X線回折測定の結果を図10に示す。図10から未反応のSiやMgを含まないMg2Si多結晶体が合成できていることがわかった。