光電変換素子を備える複数の画素セルがアレイ状に配置され、色配列に従って、各色光の信号レベルを前記画素セルごとに分担して検出する画素アレイと、前記光電変換素子へ進行する光から赤外光を除去する赤外光除去部と、を有し、前記赤外光除去部は、前記画素セルごとに対応させて設けられ、前記画素セルが検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されていることを特徴とする固体撮像装置。前記画素セルごとに対応させて設けられ、前記光電変換素子へ進行する光のうち、前記画素セルが検出対象とする色光を選択的に透過させるカラーフィルタを有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記赤外光除去部は、前記カラーフィルタと一体に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記画素セルごとに対応させて設けられ、前記光電変換素子へ進行する光を集光するマイクロレンズを有し、前記赤外光除去部は、前記マイクロレンズと前記光電変換素子との間の光路中に配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。前記赤外光除去部は、無機材料を使用して形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。光電変換素子を備える複数の画素セルがアレイ状に配置された画素アレイと、前記光電変換素子へ進行する光から赤外光を除去する赤外光除去部と、を有し、前記複数の画素セルは、可視光である各色光の信号レベルを分担して検出する可視光用画素セルと、赤外光を検出する赤外光用画素セルと、を含み、前記赤外光除去部は、前記可視光用画素セルごとに対応させて設けられ、前記可視光用画素セルが検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されていることを特徴とする固体撮像装置。光電変換素子を備える複数の画素セルがアレイ状に配置された画素アレイと、前記光電変換素子へ進行する光から赤外光を除去する赤外光除去部と、を有し、前記複数の画素セルは、可視光である各色光の信号レベルを分担して検出する可視光用画素セルと、紫外光を検出する紫外光用画素セルと、を含み、前記赤外光除去部は、前記可視光用画素セルごとに対応させて設けられ、前記可視光用画素セルが検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されていることを特徴とする固体撮像装置。被写体像を撮像する固体撮像装置を有し、前記固体撮像装置は、光電変換素子を備える複数の画素セルがアレイ状に配置され、色配列に従って、各色光の信号レベルを前記画素セルごとに分担して検出する画素アレイと、前記光電変換素子へ進行する光から赤外光を除去する赤外光除去部と、を有し、前記赤外光除去部は、前記画素セルごとに対応させて設けられ、前記画素セルが検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されていることを特徴とするカメラモジュール。本発明の一つの実施形態は、色再現性の低下を抑制可能とする固体撮像装置及びカメラモジュールを提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、固体撮像装置は、画素アレイと、赤外光除去部と、を有する。画素アレイは、複数の画素セルがアレイ状に配置されている。画素セルは、光電変換素子を備える。画素アレイは、色配列に従って、各色光の信号レベルを画素セルごとに分担して検出する。赤外光除去部は、光電変換素子へ進行する光から赤外光を除去する。赤外光除去部は、画素セルごとに対応させて設けられている。赤外光除去部は、画素セルが検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されている。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置及びカメラモジュールを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態にかかる固体撮像装置であるイメージセンサの概略構成を示す模式図である。図2は、図1に示すイメージセンサを備えるカメラモジュールの概略構成を示すブロック図である。図3は、図2に示すカメラモジュールを備える電子機器であるデジタルカメラの構成を示すブロック図である。デジタルカメラ1は、カメラモジュール2、記憶部3及び表示部4を有する。カメラモジュール2は、被写体像を撮像する。記憶部3は、カメラモジュール2により撮影された画像を格納する。表示部4は、カメラモジュール2により撮影された画像を表示する。表示部4は、例えば、液晶ディスプレイである。カメラモジュール2は、被写体像の撮像により、記憶部3及び表示部4へ画像信号を出力する。記憶部3は、ユーザの操作等に応じて、表示部4へ画像信号を出力する。表示部4は、カメラモジュール2あるいは記憶部3から入力される画像信号に応じて、画像を表示する。カメラモジュール2は、レンズユニット11、イメージセンサ12、アナログデジタル変換器analogtodigitalconverter;ADC13及びデジタルシグナルプロセッサdigitalsignalprocessor;DSP14を有する。レンズユニット11は、被写体からの光を取り込み、イメージセンサ12にて被写体像を結像させる。イメージセンサ12は、レンズユニット11により取り込まれた光を信号電荷に変換し、被写体像を撮像する。イメージセンサ12は、アレイ状に配置された複数の画素セル21を有する。図1は、一つの画素セル21と、その画素セル21に積層されている要素とを断面構成として示している。画素セル21は、光電変換素子23と検出部図示省略とを備える。光電変換素子23は、半導体基板22の表面に形成された不純物拡散領域の一部により構成されている。光電変換素子23は、入射光量に応じた電荷を発生させる。検出部は、光電変換素子23からの信号電荷を電圧に変換する。画素アレイは、例えばベイヤー配列に従って、各色光の信号レベルを画素セル21ごとに分担して検出する。画素セル21の上には、配線部24、カラーフィルタ25、IRカットフィルタ26及びマイクロレンズ27が、保護層28を介して積層されている。配線部24は、画素セル21からの電荷の転送や、遮光に使用される。カラーフィルタ25及びIRカットフィルタ26は、マイクロレンズ27及び光電変換素子23の間の光路中に配置されている。カラーフィルタ25は、画素セル21ごとに対応させて設けられている。カラーフィルタ25は、光電変換素子23へ進行する光のうち、画素セル21が検出対象とする色光を選択的に透過させる。R光を検出する画素セル21に対応させて設けられたカラーフィルタ25は、R光を透過させ、G光及びB光を遮蔽する。G光を検出する画素セル21に対応させて設けられたカラーフィルタ25は、G光を透過させ、R光及びB光を遮蔽する。B光を検出する画素セル21に対応させて設けられたカラーフィルタ25は、B光を透過させ、R光及びG光を遮蔽する。IRカットフィルタ26は、画素セル21ごとに対応させて設けられている。IRカットフィルタ26は、光電変換素子23へ進行する光から赤外光を除去する。マイクロレンズ27は、画素セル21ごとに対応させて設けられている。マイクロレンズ27は、光電変換素子23へ進行する光を集光する。イメージセンサ12は、R赤、G緑、B青の信号値をベイヤー配列に対応する順序で取り込むことにより、アナログ画像信号を生成する。ADC13は、イメージセンサ12からの画像信号をアナログ方式からデジタル方式へ変換する。DSP14は、ADC13からのデジタル画像信号に対して種々の画像処理を施す。カメラモジュール2は、イメージセンサ12内のマイクロレンズ27と光電変換素子23との間の光路中にIRカットフィルタ26を配置することで、例えばレンズユニット11にIRカットフィルタ26を設ける場合に比べて、レンズユニット11を簡易な構成にできる。なお、IRカットフィルタ26は、イメージセンサ12内のうち、マイクロレンズ27に対してレンズユニット11側に配置しても良い。図4は、DSPの構成を示すブロック図である。DSP14は、デモザイク部31、自動露出autoexposure;AE部32、自動ホワイトバランスautowhitebalance;AWB部33、カラーマトリクス部34、ガンマ補正部35及びYUV変換部36を有する。デモザイク部31は、ベイヤー配列の順序で伝達されてくるデジタル画像信号の補間処理デモザイク処理により、RGBの信号感度信号を生成する。AE部32は、RGBの感度信号のAE調整を実施する。AWB部33は、RGBの感度信号のAWB調整を実施する。カラーマトリクス部34は、RGBの感度信号に対して、色再現性を得るためのカラーマトリクス演算処理色再現性処理を実施する。ガンマ補正部35は、RGBの感度信号に対して、画像の階調を補正するためのガンマ補正を実施する。YUV変換部36は、RGBの感度信号から輝度Y信号及び色差UV信号を生成することにより、画像信号をRGB形式からYUV形式例えば、YUV422などへ変換する。IRカットフィルタ26は、例えば、互いに屈折率が異なる層を周期的に積層させたフォトニックカラーフィルタとする。IRカットフィルタ26は、例えば、積層構造のうちの少なくとも一つの層の厚さを色光ごとに異ならせることで、画素セル21が検出対象とする色光に応じて、選択的に透過させる波長に差が設けられている。IRカットフィルタ26は、無機材料、例えば、SiO2やTiO2を積層させて構成されている。IRカットフィルタ26は、例えば、スパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法により製造する。無機材料を使用することで、画素セル21ごとに波長特性に差を持たせたIRカットフィルタ26を形成することができる。図5は、カラーフィルタ及びIRカットフィルタの分光特性を説明する図である。図5中、縦軸は分光透過率、横軸は波長とする。説明中の波長はいずれも例として示すものであって、適宜変更可能であるものとする。B光用のカラーフィルタ25の分光透過率は、450nm付近で最大となり、450nm付近から長波長となるに従い徐々に低下していくものの、図中破線で示すように570nm付近からは若干の上昇が見られる。G光用のカラーフィルタ25の分光透過率は、540nm付近で最大となり、540nm付近から長波長となるに従い徐々に低下していくものの、図中破線で示すように640nm付近からは若干の上昇が見られる。R光用のカラーフィルタ25の分光透過率は、630nm付近で最大となり、630nm付近から長波長となるに従い徐々に低下していくものの、図中破線で示すように660nm付近からは若干の上昇が見られる。イメージセンサ12は、各カラーフィルタ25で除去しきれない光が不要吸収成分となって、本来の検出対象とする色光とともに画素セル21に取り込まれることで、色再現性の悪化を生じさせることとなる。B光を検出対象とする画素セル21に対応させるIRカットフィルタ26は、570nm付近よりも長波長側の光を遮蔽するように波長特性が設定されている。かかるIRカットフィルタ26をB光用のカラーフィルタ25に組み合わせることで、570nm付近より長波長側についても、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。G光を検出対象とする画素セル21に対応させるIRカットフィルタ26は、640nm付近よりも長波長側の光を遮蔽するように波長特性が設定されている。かかるIRカットフィルタ26をG光用のカラーフィルタ25に組み合わせることで、640nm付近より長波長側についても、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。R光を検出対象とする画素セル21に対応させるIRカットフィルタ26は、660nm付近よりも長波長側の光を遮蔽するように波長特性が設定されている。かかるIRカットフィルタ26をR光用のカラーフィルタ25に組み合わせることで、660nm付近より長波長側についても、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。このように、IRカットフィルタ26は、対応する画素セル21が検出対象とする色光に応じて選択波長が設定されている。選択波長に差が設けられたIRカットフィルタ26を適用することで、イメージセンサ12は、イメージセンサ12全体に対して波長特性が一様とされた従来のフィルタを使用する場合に比べて、画素セル21における不要吸収成分を効果的に除去することが可能となる。これにより、イメージセンサ12は、色再現性の悪化を抑制させることができる。カメラモジュール2は、不要吸収成分を低減可能とすることで、カラーマトリクス部34でのカラーマトリクス演算の係数を小さくすることができる。カメラモジュール2は、カラーマトリクス演算の係数を小さくすることでゲインを小さくでき、ノイズが低減された画像を得ることが可能となる。IRカットフィルタ26は、全ての色光について互いに選択波長を異ならせるものに限られない。少なくとも、一つの色光に対応するIRカットフィルタ26が、他の色光に対応するIRカットフィルタ26とは選択波長に差が設けられたものであれば良いものとする。例えば、G光を検出対象とする画素セル21上のIRカットフィルタ26と、B光を検出対象とする画素セル21上のIRカットフィルタ26とは、透過波長領域の上限を共通波長、例えば620nm付近などとしても良い。また、R光を検出対象とする画素セル21は、本来的に、他の色光を検出対象とする場合に比べて不要吸収成分を少なくできることから、IRカットフィルタ26の透過波長領域の上限を例えば可視領域より長波長側としても良い。第2の実施形態図6は、第2の実施形態にかかる固体撮像装置であるイメージセンサの概略構成を示す模式図である。第1の実施形態と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。イメージセンサ40は、アレイ状に配置された複数の画素セル21を有する。図6は、一つの画素セル21と、その画素セル21に積層されている要素とを断面構成として示している。イメージセンサ40は、マイクロレンズ27と光電変換素子23との間の光路中に配置されたフォトニックカラーフィルタ41を有する。フォトニックカラーフィルタ41は、画素セル21ごとに対応させて設けられている。フォトニックカラーフィルタ41は、光電変換素子23へ進行する光のうち、画素セル21が検出対象とする色光を選択的に透過させるとともに、赤外光を除去する。フォトニックカラーフィルタ41は、カラーフィルタの機能と赤外光除去部の機能とを兼ね備え、これらを一体としたものに相当する。なお、フォトニックカラーフィルタ41は、マイクロレンズ27と一体に構成しても良い。フォトニックカラーフィルタ41は、互いに屈折率が異なる層を周期的に積層させた積層構造をなしている。フォトニックカラーフィルタ41は、積層構造のうちの少なくとも一つの層の厚さを色光ごとに異ならせることで、画素セル21が検出対象とする色光に応じて、選択的に透過させる光の波長に差が設けられている。フォトニックカラーフィルタ41は、無機材料、例えば、SiO2やTiO2を積層させて構成されている。フォトニックカラーフィルタ41は、例えば、スパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法により製造する。無機材料を使用することで、画素セル21ごとに波長特性に差を持たせたフォトニックカラーフィルタ41を形成することができる。本実施形態にかかるイメージセンサ40は、第1の実施形態と同様に、画素セル21における不要吸収成分を効果的に除去可能とすることで、色再現性の悪化を抑制させることができる。カメラモジュール2は、イメージセンサ40内のマイクロレンズ27と光電変換素子23との間の光路中にフォトニックカラーフィルタ41を配置することで、例えばレンズユニット11にIRカットフィルタを設ける場合に比べて、レンズユニット11を簡易な構成にできる。第3の実施形態図7は、第3の実施形態にかかる固体撮像装置であるイメージセンサにおける画素セルの配列を説明する図である。図8は、ベイヤー配列を説明する図である。図8に示すベイヤー配列では、2行2列の画素ブロック中の対角にR用画素及びB用画素が配置され、残りの対角に2個のG用画素が配置されている。図7に示すように、本実施形態のイメージセンサは、ベイヤー配列を構成する2行2列の画素ブロック中、2個のG用画素のうちの一つが赤外IR用画素に置き換えられた構成をなしている。本実施形態のイメージセンサは、4画素を1組として、RGBの3つの色情報の他に赤外光の情報を取得する。カメラモジュールは、赤外光の情報を利用する画像処理を可能とする。イメージセンサは、R光を検出するR用画素セルと、G光を検出するG用画素セルと、B光を検出するB用画素セルと、赤外光を検出するIR用画素セルと、を備える。R用画素セル、G用画素セル、B用画素セルは、可視光であるRGBの信号レベルを分担して検出する可視光用画素セルである。本実施形態において、可視光用画素セルは、例えば第1の実施形態の各色光用画素セルと同様に構成されている。IR用画素セルは、各色光用画素セルにおけるカラーフィルタ25及びIRカットフィルタ26図1参照に代えて、IR透過フィルタが設けられている。IR透過フィルタは、赤外光を透過させ、R、G、Bの各色光を遮蔽する。IR透過フィルタは、例えば、可視光用画素セルのIRカットフィルタ26と同様に、フォトニックカラーフィルタとする。IR透過フィルタは、無機材料、例えば、SiO2やTiO2を積層させた積層構造をなしている。IR透過フィルタを構成する各層は、赤外光を選択的に透過可能とする厚さを持たせて構成されている。IR透過フィルタは、例えば、スパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法により製造する。なお、本実施形態において、可視光用画素セルは、第2の実施形態の各色光用画素セルと同様に、フォトニックカラーフィルタ41図6参照を備える構成としても良い。図9は、各画素セルにおける分光特性を説明する図である。説明中の波長はいずれも例として示すものであって、適宜変更可能であるものとする。可視光用画素セルについては、カラーフィルタ25及びIRカットフィルタ26の組み合わせによる分光透過率特性、あるいはフォトニックカラーフィルタ41による分光透過率特性を表している。IR用画素セルについては、IR透過フィルタの分光透過率特性を表している。B用画素セルでは、第1の実施形態と同様、570nm付近から長波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、B用画素セルには、670nmから730nmのうちのいずれか例えば730nmより長波長の光を完全にカット可能とする特性を持たせる。G用画素セルでは、第1の実施形態と同様、640nm付近から長波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、G用画素セルには、B用画素セルと同様、670nmから730nmのうちのいずれか例えば730nmより長波長の光を完全にカット可能とする特性を持たせる。R用画素セルでは、第1の実施形態と同様、660nm付近から長波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、R用画素セルには、B用画素セル及びG用画素セルと同様、670nmから730nmのうちのいずれか例えば730nmより長波長の光を完全にカット可能とする特性を持たせる。IR用画素セルのIR透過フィルタは、730nm以上の波長を持つ光を透過させる特性を持たせる。IR透過フィルタの分光透過率は、800nm付近で最大となる。イメージセンサは、画素アレイ内にIR用画素セルを配置し、かつIR用画素セルにて検出対象とする波長の光を可視光用画素セルではカットする。イメージセンサは、可視光である各色光の情報を可視光用画素セルにより取得するとともに、IR用画素セルにより赤外光の情報を取得することができる。図10は、不足色成分の信号値の生成において、既得色成分の信号値を参照する画素の例を示す図である。デモザイク部31図4参照は、画素ごとの既得色成分の信号値の補間処理により、画素ごとの不足色成分の信号値を生成する。デモザイク部31は、IR用画素については、不足色成分であるR、G及びBの各信号値を算出する。デモザイク部31は、不足色成分の信号値の生成において、例えば、3行3列の画素ブロックに含まれる9個の画素の信号値を参照する。デモザイク部31は、例えば、次に示す各式により、IR用画素における不足色成分の各信号値を算出する。Rの信号値=R1R2/2Gの信号値=G1G2G3G4/4Bの信号値=B1B2/2なお、各式中、R1及びR2の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる2つのR用画素が検出したR成分の信号値とする。G1、G2、G3及びG4の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる4つのG用画素が検出したG成分の信号値とする。B1及びB2の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる2つのB用画素が検出したB成分の信号値とする。DSP14図4参照において、AE部32は、可視光成分を対象とするAE調整を実施する。AWB部33は、可視光成分を対象とするAWB調整を実施する。なお、デモザイク部31は、本実施形態で説明する方法によるデモザイク処理を実施する場合に限られず、いずれの方法によりデモザイク処理を実施するものであっても良い。デモザイク処理は、例えば、色再現性、信号対ノイズ比SN比及び解像度等の向上のための変更を適宜しても良い。カメラモジュールは、本実施形態のイメージセンサを適用することで、赤外光の検出のための専用のイメージセンサを別途追加すること無く、各色光の情報とともに赤外光の情報を得ることができる。カメラモジュールは、通常のベイヤー配列の場合と比較して、一部のG用画素がIR画素に置き換えられる分、検出される色情報が少なくなるのと引き換えに、赤外光の情報を使用する機能の追加が可能となる。カメラモジュールは、例えば、赤外光の輝度情報を使用することで、低照度環境下における高感度な画像撮影が可能となる。また、カメラモジュールは、本実施形態のイメージセンサを赤外光源と組み合わせて、いわゆるジェスチャー認識システムを構成するものとしても良い。ジェスチャー認識システムは、物体で反射した赤外光を検出し、物体の動きを認識可能とする。本実施形態にかかるイメージセンサは、可視光用画素セルについては、第1の実施形態と同様に不要吸収成分を効果的に除去可能とすることで、色再現性の悪化を抑制させることができる。第4の実施形態図11は、第4の実施形態にかかるカメラモジュールの斜視概略図である。カメラモジュール50は、イメージセンサ51と、4個の撮像レンズ53とを有する。各撮像レンズ53は、2行2列のレンズレットを構成する。各撮像レンズ53は、被写体から光を取り込むレンズユニットを構成する。図12は、イメージセンサの上面模式図である。イメージセンサ51は、R用画素アレイ52R、B用画素アレイ52B、G用画素アレイ52G及びIR用画素アレイ52IRを有する。なお、各画素アレイ52R、52B、52G及び52IRは、受光面のみを図示することとし、他の構成の図示を省略している。R用画素アレイ52Rは、R用画素セルがアレイ状に配置されている。B用画素アレイ52Bは、B用画素セルがアレイ状に配置されている。G用画素アレイ52Gは、G用画素セルがアレイ状に配置されている。IR用画素アレイ52IRは、IR用画素セルがアレイ状に配置されている。可視光用画素セルであるR用画素セル、G用画素セル及びB用画素セルは、第3の実施形態の各色光用画素セルと同様に構成されている。IR用画素セルは、第3の実施形態のIR用画素セルと同様に構成されている。イメージセンサ51において、R用画素アレイ52R、B用画素アレイ52B、G用画素アレイ52G及びIR用画素アレイ52IRは、2行2列のマトリクスをなしている。なお、撮像レンズ53は、R用画素アレイ52R、B用画素アレイ52B、G用画素アレイ52G及びIR用画素アレイ52IRのそれぞれに対応するように設けられている。カメラモジュール50は、各画素アレイ52R、52B及び52Gにより取り込まれた各信号値により、デモザイク処理を経ずに、RGBの各色成分からなるカラー画像を合成可能とする。カメラモジュール50は、カラー画像の合成後は、第1の実施形態と同様に、カラーマトリクス演算処理、ホワイトバランス調整及びガンマ補正を実施する。また、カメラモジュール50は、IR用画素アレイ52IRにより、赤外光の情報を得ることができる。カメラモジュールは、本実施形態のイメージセンサ51を適用することで、第3の実施形態と同様、赤外光の検出のための専用のイメージセンサを別途追加すること無く、各色光の情報とともに赤外光の情報を得ることができる。本実施形態にかかるイメージセンサ51は、可視光用画素セルについては、第1の実施形態と同様に不要吸収成分を効果的に除去可能とすることで、色再現性の悪化を抑制させることができる。イメージセンサ51は、色成分ごとの画素アレイと赤外成分についての画素アレイとを設けることにより、各色成分および赤外成分の光の漏れ出しによる画素セル間でのクロストークを回避することができる。イメージセンサ51は、クロストークの抑制により、色再現性や感度を大幅に向上させることが可能となる。また、イメージセンサ51は、検出対象とする光の波長域に応じて設計が最適化された撮像レンズ53を使用可能とすることで、軸上色収差を大幅に軽減させることが可能となる。第5の実施形態図13は、第5の実施形態にかかる固体撮像装置であるイメージセンサにおける画素セルの配列を説明する図である。本実施形態のイメージセンサは、ベイヤー配列を構成する2行2列の画素ブロック中、2個のG用画素のうちの一つが紫外UV用画素に置き換えられた構成をなしている。本実施形態のイメージセンサは、4画素を1組として、RGBの3つの色情報の他に紫外光の情報を取得する。カメラモジュールは、紫外光の情報を利用する画像処理を可能とする。イメージセンサは、R光を検出するR用画素セルと、G光を検出するG用画素セルと、B光を検出するB用画素セルと、紫外光を検出するUV用画素セルと、を備える。R用画素セル、G用画素セル、B用画素セルは、可視光であるRGBの信号レベルを分担して検出する可視光用画素セルである。本実施形態において、可視光用画素セルは、例えば第1の実施形態の各色光用画素セルと同様に構成されている。UV用画素セルは、各色光用画素セルにおけるカラーフィルタ25及びIRカットフィルタ26図1参照に代えて、UV透過フィルタが設けられている。UV透過フィルタは、紫外光を透過させ、R、G、Bの各色光を遮蔽する。UV透過フィルタは、例えば、可視光用画素セルのIRカットフィルタ26と同様に、フォトニックカラーフィルタとする。UV透過フィルタは、無機材料、例えば、SiO2やTiO2を積層させた積層構造をなしている。UV透過フィルタを構成する各層は、紫外光を選択的に透過可能とする厚さを持たせて構成されている。UV透過フィルタは、例えば、スパッタリング、真空蒸着等の真空成膜法により製造する。なお、本実施形態において、可視光用画素セルは、第2の実施形態の各色光用画素セルと同様に、フォトニックカラーフィルタ41図6参照を備える構成としても良い。図14は、各画素セルにおける分光特性を説明する図である。説明中の波長はいずれも例として示すものであって、適宜変更可能であるものとする。可視光用画素セルについては、カラーフィルタ25及びIRカットフィルタ26の組み合わせによる分光透過率特性、あるいはフォトニックカラーフィルタ41による分光透過率特性を表している。UV用画素セルについては、UV透過フィルタの分光透過率特性を表している。B用画素セルでは、第1の実施形態と同様、570nm付近から長波長となるにしたがって、分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、B用画素セルでは、430nm付近から短波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。なお、図中、Bについての分光特性に続けて表した破線は、従来知られるB光用のカラーフィルタにおける分光特性の例を示すものである。G用画素セルでは、第1の実施形態と同様、640nm付近から長波長となるにしたがって、分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、G用画素セルでは、430nm付近から短波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。なお、図中、Gについての分光特性に続けて表した破線は、従来知られるG光用のカラーフィルタにおける分光特性の例を示すものである。R用画素セルでは、第1の実施形態と同様、660nm付近から長波長となるにしたがって、分光透過率を徐々に減衰させる。さらに、R用画素セルでは、510nm付近から短波長となるにしたがって、図中実線で示すように分光透過率を徐々に減衰させる。なお、図中、Rについての分光特性に続けて表した破線は、従来知られるR光用のカラーフィルタにおける分光特性の例を示すものである。UV用画素セルのUV透過フィルタは、510nm以下の波長を持つ光を透過させる特性を持たせる。UV透過フィルタの分光透過率は、400nm付近で最大となる。イメージセンサは、画素アレイ内にUV用画素セルを配置し、かつUV用画素セルにて検出対象とする波長の光を可視光用画素セルではカットする。イメージセンサは、可視光である各色光の情報を可視光用画素セルにより取得するとともに、UV用画素セルにより紫外光の情報を取得することができる。図15は、不足色成分の信号値の生成において、既得色成分の信号値を参照する画素の例を示す図である。デモザイク部31図4参照は、画素ごとの既得色成分の信号値の補間処理により、画素ごとの不足色成分の信号値を生成する。デモザイク部31は、UV用画素については、不足色成分であるR、G及びBの各信号値を算出する。デモザイク部31は、不足色成分の信号値の生成において、例えば、3行3列の画素ブロックに含まれる9個の画素の信号値を参照する。デモザイク部31は、例えば、次に示す各式により、UV用画素における不足色成分の各信号値を算出する。Rの信号値=R1R2/2Gの信号値=G1G2G3G4/4Bの信号値=B1B2/2なお、各式中、R1及びR2の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる2つのR用画素が検出したR成分の信号値とする。G1、G2、G3及びG4の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる4つのG用画素が検出したG成分の信号値とする。B1及びB2の項は、それぞれ、画素ブロックに含まれる2つのB用画素が検出したB成分の信号値とする。DSP14図4参照において、AE部32は、可視光成分を対象とするAE調整を実施する。AWB部33は、可視光成分を対象とするAWB調整を実施する。なお、デモザイク部31は、本実施形態で説明する方法によるデモザイク処理を実施する場合に限られず、いずれの方法によりデモザイク処理を実施するものであっても良い。デモザイク処理は、例えば、色再現性、SN比及び解像度等の向上のための変更を適宜しても良い。カメラモジュールは、通常のベイヤー配列の場合と比較して、一部のG用画素がUV画素に置き換えられる分、検出される色情報が少なくなるのと引き換えに、紫外光の情報を使用する機能の追加が可能となる。カメラモジュールは、例えば、広い被写界深度を得るために、近接距離の被写体の撮影に紫外光の情報を利用しても良い。従来、広い被写界深度を得るために、EDoFextendeddepthfield用の固定焦点レンズを使用することがある。変調伝達関数modulationtransferfunction;MTFのピークは、長波長の成分ほど遠距離側となる。近接距離においては、RGBの各色光ではR光がMTFのピークから遠くなるため、R成分にボケが生じ易くなる。また、遠距離から無限遠においては、RGBの各色光ではB光がMTFのピークから遠くなるため、B成分にボケが生じ易くなる。さらに、EDoF固定焦点カメラは、被写界深度を広く確保していることで、オートフォーカスカメラに比べてMTFのピークが低い。EDoF固定焦点カメラは、MTFのピークが低い分、輪郭強調を比較的強めに施すこととなる。近接距離でのR成分のボケや、遠距離から無限遠でのB成分のボケは、輪郭強調によって助長されてしまい、画質を劣化させる要因となり得る。カメラモジュールは、近接撮影には紫外光の情報を使用することで、RGBの各色光についてはMTFのピークに大きな差を設ける必要を無くすことが可能となる。これにより、カメラモジュールは、広い被写界深度の確保により、バーコード読み取りや文字認識等の近接撮影と通常の撮影を可能とするとともに、画質の劣化を抑制させることが可能となる。本実施形態にかかるイメージセンサは、可視光用画素セルについては、第1の実施形態と同様に不要吸収成分を効果的に除去可能とすることで、色再現性の悪化を抑制させることができる。さらに、本実施形態にかかるイメージセンサは、第4の実施形態のイメージセンサ51図12参照と同様に、色成分ごとの画素アレイと紫外成分についての画素アレイとを設けることとしても良い。この場合も、カメラモジュールは、広い被写界深度を確保し、画質劣化を抑制させることができる。イメージセンサは、第4の実施形態と同様、クロストークの抑制により色再現性の向上、感度の向上を可能とし、かつ軸上色収差の軽減が可能となる。各実施形態にかかるイメージセンサ12、40、51を適用するカメラモジュール2、50は、デジタルカメラ1以外の電子機器、例えばカメラ付き携帯電話等であっても良い。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。