"チオフェン繰り返し単位のうちの少なくとも一部が、下記一般式1で示されるポリエーテル基a、炭素数1~15であるアルコキシ基b、炭素数2~19であるアルコキシアルキル基c並びに炭素数1~15であるアルキル基、又は該アルキル基の水素原子が前記ポリエーテル基aで置換されたアルキル基dからなる群から選ばれる少なくとも1つの基でチオフェン環の3位及び/又は4位が置換されたチオフェン繰り返し単位αである置換ポリチオフェンP並びに三酸化硫黄錯体を含有することを特徴とする導電性組成物A。[式中、OR1は炭素数2~4のオキシアルキレン基を表し、R2は炭素数1~15のアルキル基を表し、kは1~9の整数である。]前記チオフェン繰り返し単位αが、一般式2で表される繰り返し単位α1、一般式3で表される繰り返し単位α2又は一般式4で表される繰り返し単位α3である請求項1記載の導電性組成物。[式中、OR3及びOR6はそれぞれ独立にオキシエチレン基又はオキシプロピレン基を表し、R4、R7及びR8はそれぞれ独立に炭素数1~12の直鎖又は分岐のアルキル基を表し、R5は炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、n及びmはそれぞれ独立に0~5の整数である。]前記繰り返し単位α1が、一般式2におけるOR3がオキシエチレン基であり、nが0の場合にはR4が炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基であり、nが1以上の場合にはR4が炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基であるものであり、前記繰り返し単位α2が、一般式3におけるR5が炭素数1~3の直鎖又は分岐のアルキレン基であって、OR6がオキシエチレン基であり、mが0の場合にはR7が炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基であり、mが1以上の場合にはR7が炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基であるものであり、前記繰り返し単位α3が、一般式4におけるR8が炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基であるものである請求項2記載の導電性組成物。前記置換ポリチオフェンPにおける前記チオフェン繰り返し単位αの含有量が、置換ポリチオフェンP中、50~100重量である請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性組成物。前記置換ポリチオフェンP中のヘッドtoテール-ヘッドtoテール結合の百分率で定義される立体規則性が、90以上である請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性組成物。三酸化硫黄錯体が、三酸化硫黄N,N-ジメチルホルムアミド錯体、三酸化硫黄ピリジン錯体及び三酸化硫黄トリエチルアミン錯体からなる群から選択される少なくとも1種の三酸化硫黄錯体である請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性組成物。前記置換ポリチオフェンPの重量に基づく三酸化硫黄錯体の含有量が、5~300重量である請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性組成物。請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いてなる固体電解コンデンサ用電極。請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性組成物を用いてなる固体電解コンデンサ。請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性組成物を基質に塗布後、加熱処理する工程を含む導電性被膜の製造方法。本発明は、腐食性が小さく、かつ導電率の高い導電性被膜を作製可能な導電性組成物を提供することを目的とする。本発明は、チオフェン繰り返し単位のうちの少なくとも一部が、下記一般式1で示されるポリエーテル基a、炭素数1~15であるアルコキシ基b、炭素数2~19であるアルコキシアルキル基c並びに炭素数1~15であるアルキル基、又は該アルキル基の水素原子が前記ポリエーテル基aで置換されたアルキル基dからなる群から選ばれる少なくとも1つの基でチオフェン環の3位及び/又は4位が置換されたチオフェン繰り返し単位αである置換ポリチオフェンP並びに三酸化硫黄錯体を含有することを特徴とする導電性組成物Aである。式中、OR1は炭素数2~4のオキシアルキレン基を表し、R2は炭素数1~15のアルキル基を表し、kは1~9の整数である。本発明の導電性組成物は、腐食性が小さいことから腐食が起こりやすい金属等へのコーティングができるとともに、その導電被膜が高導電性であるため、各種導電機能材料への応用が期待できる。本発明の導電性組成物Aは、チオフェン繰り返し単位のうちの少なくとも一部が、上記ポリエーテル基a、上記アルコキシ基b、上記アルコキシアルキル基c又は上記アルキル基dで、チオフェン環の3位及び/又は4位が置換されたチオフェン繰り返し単位α本明細書中、チオフェン繰り返し単位αともいう。である置換ポリチオフェンP及びドーパントとしての三酸化硫黄錯体を含有する。上記ポリエーテル基aとしては、上記一般式1で示され、炭素数2~4のオキシアルキレン基からなる繰り返し単位を有し、その繰り返し単位数が1~9であり、片末端が炭素数1~15のアルコキシ基であるポリエーテル基である。炭素数2~4のオキシアルキレン基としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基及びオキシブチレン等が挙げられる。末端の炭素数1~15のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-、iso-、sec-又はtert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基及びペンタデシルオキシ基等が挙げられる。上記アルコキシ基bとしては、前記ポリエーテル基aで例示したものと同様の炭素数1~15のアルコキシ基が挙げられる。上記アルコキシアルキル基cとしては、炭素数1~15のアルコキシ基で置換された炭素数1~4のアルキル基が挙げられる。炭素数1~15のアルコキシ基としては、前記ポリエーテル基aにおいて例示したものと同様のものが挙げられ、炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-又はiso-プロピル基及びn-、sec-、iso-又はtert-ブチル基等が挙げられる。チオフェン繰り返し単位αが有するアルキル基dとしては、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基、例えば、メチル基、n-又はiso-プロピル基、n-、iso-、sec-又はtert-ブチル基、n-又はiso-ペンチル基、シクロペンチル基、n-又はiso-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-又はiso-ヘプチル基、n-又はiso-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-又はiso-ノニル基、n-又はiso-デシル基、n-又はiso-ウンデシル基、n-又はiso-ドデシル基、n-又はiso-トリデシル基、n-又はiso-テトラデシル基及びn-又はiso-ペンタデシル基が挙げられる。アルキル基dとしては、上記アルキル基の水素原子が前記ポリエーテル基aで置換されたアルキル基であってもよい。本発明における置換ポリチオフェンPが有するチオフェン繰り返し単位αとして、導電性の観点から好ましいのは、下記一般式2で表される繰り返し単位α1、下記一般式3で表される繰り返し単位α2又は下記一般式4で表される繰り返し単位α3である。上記一般式2におけるOR3及び一般式3におけるOR6は、それぞれ独立に、オキシエチレン基又はオキシプロピレン基を表し、導電性の観点から好ましいのはオキシエチレン基である。上記一般式2~4におけるR4、R7及びR8は、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖又は分岐のアルキル基例えば、メチル基、n-又はiso-プロピル基、n-、iso-、sec-又はtert-ブチル基、n-又はiso-ペンチル基、シクロペンチル基、n-又はiso-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-又はiso-ヘプチル基、n-又はiso-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-又はiso-ノニル基、n-又はiso-デシル基、n-又はiso-ウンデシル基及びn-又はiso-ドデシル基を表す。後述のnが1以上の場合、R4として導電性の観点から好ましいのは、炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基、更に好ましいのは、炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基である。nが0の場合、R4として導電性の観点から好ましいのは、炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基、更に好ましいのは、炭素数6~12の直鎖又は分岐のアルキル基である。後述のmが1以上の場合、R7として導電性の観点から好ましいのは、炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基、更に好ましいのは、炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基である。mが0の場合、R7として導電性の観点から好ましいのは、炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基、更に好ましいのは、炭素数6~12の直鎖又は分岐のアルキル基である。R8として溶剤溶解性及び導電性の観点から好ましいのは、炭素数3~12の直鎖又は分岐のアルキル基、更に好ましいのは、炭素数6~12の直鎖又は分岐のアルキル基である。上記一般式3におけるR5は炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、1,2-又は1,3-プロピレン基及び1,2-、1,3-、2,3-又は1,4-ブチレン基を表し、溶剤溶解性及び導電性の観点から好ましいのは、炭素数1~3の直鎖又は分岐のアルキレン基、更に好ましいのは、メチレン基又はエチレン基である。上記一般式2又は3におけるn及びmは、それぞれ独立に、0~5の整数である。nは、溶剤溶解性及び導電性の観点から、1~5であることが好ましく、更に好ましくは、2~5である。mは、溶剤溶解性及び導電性の観点から、0~4であることが好ましく、更に好ましくは、mは0~3である。本発明における置換ポリチオフェンPは上記チオフェン繰り返し単位αのみからなっていてもよいし、置換されていないチオフェン繰り返し単位を含んでいてもよい。置換ポリチオフェンPにおける上記チオフェン繰り返し単位αの含有量は、溶剤溶解性の観点から、置換ポリチオフェンPの重量に基づいて、好ましくは50~100重量、更に好ましくは60~100重量、特に好ましくは70~100重量である。本発明における置換ポリチオフェンPは、それぞれの繰り返し単位に相当するモノマーのアニオン重合や酸化重合等、公知の方法で合成することができる。上記チオフェン繰り返し単位αに相当するモノマーとしては、チオフェン環の3位及び/又は4位が上記ポリエーテル基a、上記アルコキシ基b、上記アルコキシアルキル基c又は上記アルキル基dで置換され、2位と5位がハロゲン原子で置換されたチオフェン等が挙げられる。置換されていないチオフェン繰り返し単位に相当するモノマーとしては、チオフェンが挙げられる。導電性組成物A中の置換ポリチオフェンPの含有量は、溶解性の観点から導電性組成物Aの重量に基づいて、0.1~20重量が好ましく、更に好ましくは1.0~6.0重量である。置換ポリチオフェンPの含有量が多すぎる場合、凝集物が生じ、塗工性が悪化するため好ましくない。また、置換ポリチオフェンPの含有量が少なすぎる場合、均一な導電被膜の形成が困難になるため好ましくない。本発明における置換ポリチオフェンPの立体規則性Regioregularity:RRは、通常50以上、導電性の観点から好ましくは80以上、更に好ましくは90以上である。本発明における立体規則性RRの定義を以下に説明する。置換ポリチオフェンPの結合の種類は下記の一般化学式に示すように、HT-HT結合B1、TT-HT結合B2、HT-HH結合B3、TT-HH結合B4の4種類ある。尚ここで、HTはヘッドtoテール、TTはテールtoテール、HHはヘッドtoヘッドの略称である。上記4つの結合形式の化学式中のRは、それぞれ独立に上記ポリエーテル基a、上記アルコキシ基b、上記アルコキシアルキル基c又は上記アルキル基dを表す。本発明における置換ポリチオフェンPの立体規則性RRは、置換ポリチオフェンP中のHT-HT結合B1の割合で定義され、下記数式1により算出される。立体規則性RR=B1×100/B1B2B3B41ただし、B1:HT-HT結合の個数、B2:TT-HT結合の個数、B3:HT-HH結合の個数、B4:TT-HH結合の個数を表す。具体的には、これらの結合が有するプロトンは、核磁気共鳴法1H-NMRでそれぞれ特有のケミカルシフトδを示すので、4種類の結合に該当するケミカルシフトにおけるピークの積分値から算出することができる。一般式3で表される繰り返し単位α3を有するポリチオフェン誘導体の場合、具体的には、HT-HT結合B1:δ=6.98、TT-HT結合B2:δ=7.00、HT-HH結合B3:δ=7.02、TT-HH結合B4:δ=7.05を示す。よってB1、B2、B3、B4特有のケミカルシフトにおけるピークの積分値S1、S2、S3、S4を計算し、その積分値の和に対するB1特有のケミカルシフトにおけるピークの積分値S1の割合から立体規則性RRを下記数式2を用いて算出する。立体規則性RR=S1×100/S1S2S3S42なお、上記1H-NMRの測定は、測定機器:AVANCEIII400型デジタルNMR[ブルカ-バイオスピン製]を用いて、測定溶媒:重クロロホルム、測定温度:27°C、の条件で行った。導電性高分子である置換ポリチオフェンPは、ドーパントとしての三酸化硫黄錯体に対して電子を供与して、ドーパントとともに電荷移動錯体を形成する。この電荷移動錯体が電子のキャリヤとして導電性を発現するため、三酸化硫黄錯体の濃度は高い方がよいが、過剰だと導電性が低下する。従って、三酸化硫黄錯体の使用量は、置換ポリチオフェンPに対して5~300重量が好ましく、更に好ましくは10~150重量である。三酸化硫黄錯体は、三酸化硫黄と、エーテル、アミド、アミン及びスルフィドなどのルイス塩基との錯体である。エーテル三酸化硫黄錯体としては三酸化硫黄ジオキサン錯体、三酸化硫黄ジオキソラン錯体、三酸化硫黄ジメチルエーテル錯体、三酸化硫黄エチルメチルエーテル錯体、三酸化硫黄ジエチルエーテル錯体等、アミド三酸化硫黄錯体としては、三酸化硫黄N,N-ジメチルホルムアミド錯体等、アミン三酸化硫黄錯体としては、三酸化硫黄ピリジン錯体、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体、三酸化硫黄トリメチルアミン錯体、三酸化硫黄N-エチルジイソプロピルアミン錯体等、スルフィド三酸化硫黄錯体としては、三酸化硫黄ジメチルスルフィド錯体、三酸化硫黄エチルメチルスルフィド錯体、三酸化硫黄ジエチルスルフィド錯体等が挙げられる。これらの中で、導電性の観点からアミド三酸化硫黄錯体及びアミン三酸化硫黄錯体が好ましく、アミド三酸化硫黄錯体の中では三酸化硫黄N,N-ジメチルホルムアミド錯体、アミン三酸化硫黄錯体の中では三酸化硫黄ピリジン錯体が更に好ましい。本発明の導電性組成物Aはドーパントとして三酸化硫黄錯体を含有し、本発明の効果を損なわない範囲で更にその他のドーパント及び有機溶剤を含有することができる。他のドーパントとしては、例えば、無機酸硫酸及び硝酸等、ハロゲンイオン類ヨウ素、臭素及び塩素等、ハロゲン化物イオン類テトラフロロホウ素及び過塩素酸等、キノン化合物[クロラニル酸、p-クロラニル、p-ベンゾキノン、p-キノンジオキシム、ジクロロジシアノキノンDDQ、p-ナフトキノン、アントラキノン、クロロアントラキノン及びp-トルキノン等、アルキル置換有機スルホン酸イオン類メタンスルホン酸及びドデシルスルホン酸等、環状スルホン酸イオン類カンファースルホン酸イオン等、アルキル置換又は無置換のベンゼンモノ又はジスルホン酸イオン類ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸及びベンゼンジスルホン酸等、スルホン酸基を1~4個有するナフタレンスルホン酸のアルキル置換イオン類又は無置換イオン類2-ナフタレンスルホン酸及び1,7-ナフタレンジスルホン酸等、アントラセンスルホン酸イオン、アントラキノンスルホン酸イオン、アルキル置換又は無置換のビフェニルスルホン酸イオン類アルキルビフェニルスルホン酸及びビフェニルジスルホン酸等及び置換又は無置換の芳香族高分子スルホン酸イオン類ポリスチレンスルホン酸及びナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合体等が挙げられる。他のドーパントの使用量は、置換ポリチオフェンPに対して0~1100重量が好ましく、更に好ましくは10~600重量である。本発明の導電性組成物Aは、上述のとおり、更に有機溶剤を含有してもよい。導電性組成物Aを基質に塗布後、必要に応じて加熱処理を行うことにより有機溶剤を除去して導電被膜を作製することができる。有機溶剤としては、沈殿物のない均一溶液を得るために、置換ポリチオフェンPに対する良溶剤と、ドーパントに対する良溶剤を混合して用いることが好ましい。置換ポリチオフェンPに対する良溶剤としては、炭素数1~10の塩素系、アミド系、エーテル系、芳香族炭化水素系、アルコール系、ケトン系及び硫黄系溶剤等が挙げられ、好ましいものは、クロロホルム、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン以下、THFと略記、1,3-ジオキソラン、トルエン、メタノール、アセトン、メチルエチルケトン、γ-ブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド及びこれらの混合物等が挙げられる。置換ポリチオフェンPに対する良溶剤と置換ポリチオフェンPとを混合した溶液中の上記良溶剤の含有量は、溶液中、0~99重量が好ましく、さらに好ましくは50~98重量である。ドーパントに対する良溶剤としては、メタノール、エタノール、2-プロパノール、エチレングリコール、N-メチルピロリドン、THF、γ-ブチロラクトン及びシクロペンタノン等が挙げられる。これらのうち、溶解安定性の観点から好ましいのは、メタノール、エタノール、2-プロパノール及びγ-ブチロラクトンである。ドーパントに対する良溶剤とドーパントとを混合した溶液中の上記良溶剤の含有量は、溶液中、0~99重量が好ましく、さらに好ましくは、50~98重量である。置換ポリチオフェンPとドーパントを混合する際に均一溶液を得るためには、置換ポリチオフェンPの溶剤溶液とドーパントの溶剤溶液をそれぞれ調製してから混合することが好ましい。本発明の導電性組成物Aを用いて導電被膜を製造する際には、これらの溶剤を除去する必要がある。沸点の低い溶剤の場合は、常温での自然乾燥、循風乾燥による加熱乾燥で溶剤を除去するが、沸点の高い溶剤の場合は、減圧乾燥機による加熱乾燥が好ましい。本発明の導電性組成物Aは、特に固体電解コンデンサ用電極に好適である。固体電解コンデンサでは、アルミニウム等の酸化皮膜をエッチングすることで多孔性皮膜とし、この表面に導電性高分子層を形成して電極陰極としたコンデンサが使用されているが、導電性高分子の前駆体モノマーを含む分散液を塗布する方法やドデシルベンゼンスルホン酸をドーパントとして用いて導電性高分子のポリピロールを溶剤に溶解させたものを塗布する方法等の従来の方法では、コンデンサの生産効率が非常に悪く、また、コンデンサの容量を効率よく高めることができず、更にドーパントが酸であり電極の腐食による耐電圧の低下やリーク電流の増大という問題がある。これに対し、本発明の導電性組成物Aは、有機溶剤に完全に溶解しており、かつ、導電性も高いため、簡便な工程で導電性高分子を多孔体皮膜に含浸させ、効率的にコンデンサ容量を高めることができると共に、ドーパントが酸ではないため、腐食の恐れがない。本発明の導電性組成物Aを基質に塗布後、加熱処理を行うことにより、耐電圧が高くリーク電流が少ない固体電解コンデンサ用電極を得ることができる。基質への導電性組成物Aの塗布方法としては、スピンコート法、ドロップキャスト法、ディップコート法及び基質を導電性組成物Aに含浸する方法等が挙げられる。また、基質としては、プラスチック、ガラス、金属、ゴム、セラミックス及び紙等が挙げられる。導電性の観点から、基質表面に形成される導電性組成物Aを乾燥して得られる膜の厚さは0.05~100μmであることが好ましく、更に好ましくは、0.1~50μmである。被膜が0.05μmより薄いと十分な導電性が得られない場合がある。また、100μmを超えると形成時にひび割れや剥離が生じやすくなる等の問題が生じることがある。本発明の導電性組成物Aを用いて高導電性の導電被膜を得るためには、加熱処理温度は100~190°Cであることが好ましく、更に好ましくは110~170°Cである。100°Cより低い温度の場合、十分な強度及び導電性が得られない場合がある。また、190°Cより高い温度の場合、導電性が悪化する可能性がある。加熱時間は、加熱温度、導電性組成物A中の置換ポリチオフェンPの濃度に応じて適宜選択されるが、通常は0.5~8時間であり、好ましくは1~4時間である。加熱時間が短すぎると、上記の導電性組成物Aから得られる導電被膜の導電性が十分ではない場合がある。本発明の導電性組成物Aは、含有するドーパントが酸ではないため低腐食性であり、かつ導電性に優れており、簡便な塗工のみで導電被膜を作製できるため有用である。特に、簡便な工程で導電性高分子を多孔質皮膜に含浸させて効率的にコンデンサ容量を高めることができ、耐電圧が高くリーク電流が少ない固体電解コンデンサを作製できるため有用である。以下、実施例及び比較例により本発明を更に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、部は重量部を示す。<製造例1>:ポリ[3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン]P-1の合成13-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェンの合成:N,N-ジメチルホルムアミド50部に水素化ナトリウムパラフィンに濃度60重量で分散させたもの6.0部を分散させ、そこにトリエチレングリコールモノメチルエーテル36.9部を滴下した。反応溶液は発泡し、白濁した。発泡が収まったところで、反応溶液に3-ブロモチオフェン24.5部と臭化銅I2.0部を順に加えた。反応溶液を110°Cまで加熱し、2時間反応させた。反応終了後、室温まで放冷し、1mol/Lの塩化アンモニウム水溶液50部を加え、酢酸エチル50部を使って分液ロートに移した後、水層を分離した。更に有機層を蒸留水30部で2回洗浄した後、酢酸エチルを留去し、3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン34.0部を得た。22,5-ジブロモ-3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェンの合成:上記の3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン7.4部とN-ブロモスクシンイミド10.7部をTHF40部に溶解させ、室温で2時間反応させた。酢酸エチル50部を使ってグラスフィルターで沈殿物を除去し、THFと酢酸エチルを留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムで精製することにより、2,5-ジブロモ-3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン10.5部を得た。3ポリ[3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン]の合成:上記の2,5-ジブロモ-3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン8.1部をTHF150部に溶かした後、1mol/LのメチルマグネシウムブロマイドTHF溶液21部を加え、75°Cで30分反応させた。その反応溶液に[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]-ジクロロニッケルII0.1部を加え、75°Cのまま、更に5時間反応させた。反応溶液を室温まで放冷した後、メタノール20部を加えた。溶剤を留去した後、反応混合物をソックスレー抽出器に移し、メタノール150部とヘキサン150部で順に洗浄した。最後に残留物をクロロホルム150部で抽出し、溶剤を留去してポリ[3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェン]P-13.1部を得た。前述の1H-NMRを用いた方法で算出した立体規則性は96.3であった。<製造例2>:ポリ[3-1,4,7,10,13,16,19-ヘプタオキサエイコシルチオフェン]P-2の合成製造例1の1において、トリエチレングリコールモノメチルエーテルをヘキサエチレングリコールモノメチルエーテル東京化成社製としたこと以外は製造例1と同様の実験操作を行い、立体規則性が95.1であるポリ[3-1,4,7,10,13,16,19-ヘプタオキサエイコシルチオフェン]P-22.9部を得た。尚、トリエチレングリコールモノメチルエーテルをヘキサエチレングリコールモノメチルエーテルに変更するに際して、反応成分のモル比及び非反応成分溶剤等の重量比が、製造例1における場合と同等となるように各原料の量を調整して実験操作を行った。<製造例3>:ポリ3-ヘプチルオキシチオフェンP-3の合成製造例1の1において、トリエチレングリコールモノメチルエーテルを1-ヘプタノールとしたこと以外は製造例1と同様の実験操作を行い、立体規則性が95.4であるポリ3-ヘプチルオキシチオフェンP-32.7部を得た。<製造例4>:ポリ{3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン}P-4の合成13-ブロモメチルチオフェンの合成:3-メチルチオフェン[東京化成工業株製]5部50.9mmol、N-ブロモスクシンイミド9.97部56.0mmol、ジベンゾイルパーオキサイド[東京化成工業株製]0.12部0.50mmolをベンゼン30部に溶解させた後、100°Cまで昇温し、4時間反応させた。反応終了後、室温まで放冷し、1Mのチオ硫酸ナトリウム水溶液30部を加え、分液ロートに移した後、水層を分離した。更に有機層を蒸留水30部で2回洗浄した後、ベンゼンを留去し、3-ブロモメチルチオフェン6.32部35.7mmolを得た。23-2,5-ジオキサヘプチルチオフェンの合成:2-エトキシエタノール3.54部39.3mmolをTHF15部に溶解させ、そこに水素化ナトリウム60パラフィン分散を加えた。上記の3-ブロモメチルチオフェン6.32部35.7mmolをTHF15部に溶かし、2時間かけて滴下した後、100°Cまで昇温し、4時間反応させた。反応終了後、室温まで放冷し、蒸留水30部を加え、分液ロートに移した後、水層を分離した。更に有機層を蒸留水30部で2回洗浄した後、THFを留去し、得られた混合物をシリカゲルカラムで精製することにより、3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン5.68部30.5mmolを得た。32,5-ジブロモ-3-2,5-ジオキサペンチルチオフェンの合成:上記の3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン5.68部30.5mmolとN-ブロモスクシンイミド11.9部67.1mmolをTHFに溶解させ、室温で2時間反応させた。酢酸エチル50部を使ってグラスフィルターで沈殿物を除去し、THFと酢酸エチルを留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムで精製することにより、2,5-ジブロモ-3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン8.11部23.6mmolを得た。4ポリ{3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン}の合成:上記の2,5-ジブロモ-3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン8.11部23.6mmolをTHF30部に溶かした後、メチルマグネシウムブロマイドTHF溶液25部を加え、75°Cで30分反応させた。その反応溶液に[1,3-ビスジフェニルホスフィノプロパン]-ジクロロニッケルII0.127部を加え、75°Cのまま、さらに、2時間反応させた。反応溶液を室温まで放冷した後、メタノール5部を加えた。反応混合物をソックスレー抽出機に移し、メタノール150部とヘキサン150部で順に洗浄した。最後に残留物をクロロホルム150部で抽出し、溶剤を留去して、立体規則性が94.6であるポリ{3-2,5-ジオキサヘプチルチオフェン}P-42.85部を得た。<製造例5>:ポリ3-ドデシルチオフェンP-5の合成製造例1の3において、2,5-ジブロモ-3-1,4,7,10-テトラオキサウンデシルチオフェンを2,5-ジブロモ-3-ドデシルチオフェンアルドリッチ社製としたこと以外は製造例1と同様の実験操作を行い、立体規則性が96.4であるポリ3-ドデシルチオフェンP-53.5部を得た。<実施例1~16>表1に記載の配合部数の製造例1~5で得られた置換ポリチオフェンP-1~P-5、表1に示した三酸化硫黄錯体及び有機溶剤を配合することにより、本発明導電性組成物A-1~A-16を得た。<比較例1>置換ポリチオフェンP-11.0部、クロラニル酸0.3部及び有機溶剤として1,3-ジオキソラン30.0部を配合することにより、比較用の導電性組成物A’-1を得た。<比較例2>ポリチオフェンの水分散体として知られている、PEDOT/PSSH.C.スタルク社製のBaytron-P;3,4―エチレンジオキシチオフェンを高分子量ポリスチレンスルホン酸水溶液中で重合してなる導電性ポリマーをそのまま比較用の導電性組成物A’-2とした。<比較例3>置換ポリチオフェンP-11.0部、p-トルエンスルホン酸鉄2.7部並びに有機溶剤として1,3-ジオキソラン32.3部及びメタノール8.4部を配合することにより、比較用の導電性組成物A’-3を得た。実施例1~16の導電性組成物A-1~A-16及び比較用の導電性組成物A’-1~A’-3を用いて、導電被膜を作製し導電性の評価を以下の方法で行った。結果を表1に示す。[導電被膜の作製方法]実施例1~16の導電性組成物A-1~A-16及び比較用の導電性組成物A’-1~A’-3をガラス基板上にドクターブレードを用いて3cm×7cmの長方形パターンに塗布して、室温で30分減圧乾燥した後、170°Cで60分間ホットプレートで加熱して導電被膜を得た。[導電性評価方法]得られた導電被膜の表面抵抗をJISK7194導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法に準拠して測定した。次に、導電被膜の膜厚をレーザー顕微鏡キーエンス社製VK-8700を用いて測定し、表面抵抗と膜厚から導電被膜の導電率を算出した。実施例1~16の導電性組成物A-1~A-16及び比較用の導電性組成物A’-1~A’-310mLをガラス製の容器に入れ、その溶液中にITO付ガラス基板1cm×1cm×0.1mmを浸漬させガラス容器を密閉した。保管温度25°C、保管時間:150時間の条件で保管した後に、ITO付ガラス基板を取り出し、THFで洗浄した。洗浄後のITO付ガラス基板のITO表面の腐食状態を顕微鏡株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープVHXで観察し、以下の基準で評価した。その結果を表1に示す。<腐食性評価基準>○腐食がみられない×腐食がみられる表1に示す通り、本発明の導電性組成物は腐食性がないことを示された。[コンデンサ特性の評価方法]1陽極上の誘電体膜の作製陽極金属としてのアルミニウムエッチド箔サイズ:4×3.3mmを、3重量アジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬し、定電流定電圧電源装置を用いて0.53mA/secの条件で、0Vから40Vまで上げた後、40Vの定電圧を40分間印加して化成処理し、該アルミニウムエッチド箔の表面に酸化皮膜からなる誘電体膜を形成した。これを脱イオン水の流水により10分洗浄してから105°Cで5分乾燥を行ない、陽極金属と誘電体膜とからなる陽極を作製した。得られた陽極を前記アジピン酸アンモニウム水溶液中に浸漬し、120Hzで静電容量測定し、その値である4.2μFを理論静電容量とした。2固体電解コンデンサ用電極の作製導電性組成物A-1~A-16及びA’-1~A’-3を陽極を浸漬し、引き上げた後、室温で30分減圧乾燥を行うことにより、電解質層を形成し固体電解コンデンサ用電極を作製した。3電解コンデンサの作製上記で得られた電解質層の上に、カーボンペースト[日本黒鉛株製のバニーハイトFU]を塗布、乾燥後、更に、銀ペースト[日本黒鉛株製のエブリオームME]を塗布乾燥し、陰極を形成した。銀ペーストからリード線を引き出し、端子を接続した。4測定及び評価得られた電解コンデンサの120Hzでの静電容量及び100kHzでの内部抵抗をLCRメーターで測定し、リークの有無及び耐電圧を以下の基準で評価した。<リークの評価基準>LCRメーターで測定時に、リーク電流が低下せずに静電容量、内部抵抗が測定できなかったものを×とし、リーク電流が低下して静電容量、内部抵抗が測定できたものを○とした。<耐電圧の評価基準>直流電源装置[高砂製作所製GP0650-05R]で0.2mAの低電流モードで電圧を印加、自動昇圧し、放電により電圧が急落する直前の電圧を耐電圧とした。本発明の導電性組成物を使用した固体電解コンデンサは、コンデンサとして必要な低い内部抵抗を維持したまま、理論静電容量4.2μF近くの値が得られている。これに対して比較例1の導電性組成物を使用したコンデンサでは、ドーパントが酸であるため、電極内部で腐食が発生し、リークが大きく、測定不能であった。また比較例2の固体電解コンデンサ用導電性組成物を使用したコンデンサでは、導電性高分子が分散体として溶液内に存在しているため、細孔内部で目詰まりが起こり、導電性高分子が十分に含浸できていない。そのため内部抵抗が高く、かつ、理論静電容量の1/10程度しか得られなかった。比較例3では、容量は不足し、内部抵抗も大きい。また耐電圧も実施例1~16に比べて低かった。表1に示す通り、本発明の導電性組成物は導電性が高いことが示された。"