"1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする配線基板。1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする配線基板。1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする配線基板。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の全てのランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする半導体装置。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする半導体装置。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする半導体装置。平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の配線基板。前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることを特徴とする請求項4から9のいずれか1項に記載の半導体装置。基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向が前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点において幅の大きい方から小さい方に向かって一義的に決定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向に対して前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点がテーパの形状となることを特徴とする半導体装置の製造方法。ところが、上述の従来技術においては、基板と半導体素子の基材との間の熱膨張係数の差により接合精度及び品質が劣化する虞がある。このため、半導体素子への微細な配線の接続が困難であり、また、接続信頼性も低いという問題点がある。このため、この従来技術により、配線密度の高い大規模なチップ間接続を実現することは困難であった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、微細な配線の接続が可能であり、複数の半導体素子間を高密度で接続することができ、接続信頼性が高い配線基板、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本願第1発明に係る配線基板は、1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする。また、本願第2発明に係る配線基板は、1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。更に、本願第3発明に係る配線基板は、1又は複数個の絶縁層と、1又は複数個の配線層と、前記絶縁層に形成された1又は複数個のビアとを備えた配線基板において、前記配線基板の両面に外部接続端子を有し、前記外部接続端子が形成されるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。本願第4発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする。また、本願第5発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層及び前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の全てのランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする。更に、本願第6発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドと、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続点が、配線基板の片側方向に偏在していることを特徴とする。更にまた、本願第7発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、半導体素子の搭載位置の近傍の少なくとも一部のランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。更にまた、本願第8発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板と接続した辺と、配線基板の片側方向に沿って前記辺とは異なる位置の屈曲した点とから設けられた凸形状であることを特徴とする。更にまた、本願第9発明に係る半導体装置は、平板状の配線基板と、前記配線基板の一方の面に設けられた第1の半導体素子と、前記一方の面および前記第1の半導体素子の側面を被覆する封止樹脂と、前記配線基板の他方の面に設けられた第2の半導体素子と、を有し、前記配線基板は、配線層と、前記配線層を支持する支持層と、前記配線層および前記支持層を貫通する貫通電極と、を備え、前記配線基板を介して前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置において、外部接続端子を設けるランド部のうち、鉛直上方より見た際に、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置されたランドにおいて、前記ランドと同一平面上に形成された配線基板との接続部が、配線基板の片側方向にのみテーパ形状を有することを特徴とする。なお、本発明に係る配線基板は、前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることが好ましい。また、本発明に係る半導体装置は、前記支持層が有機樹脂による絶縁層であることが好ましい。本願第10発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向が前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点において幅の大きい方から小さい方に向かって一義的に決定されていることを特徴とする。また、本願第11発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上にランドと配線層とを含む配線基板を形成する工程と、前記配線基板の一方の面に半導体素子を接続する工程と、前記半導体素子をモールド樹脂によって封止する工程と、前記半導体素子を含む前記モールド樹脂部分及び前記配線基板を基板上から剥離する工程と、前記配線基板のもう一方の面に半導体素子を接続する工程と、個片化する工程と、外部端子を設ける工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記剥離する工程において、剥離方向に対して前記配線基板の前記ランドと前記配線層の配線との接続点がテーパの形状となることを特徴とする。本発明の配線基板及び半導体装置によれば、複数の半導体素子を接続する配線長が短い半導体装置を提供でき、高速な動作が可能となる。また、製造プロセス中に応力が集中する部分の強度が高いため、配線断線及び配線クラックの無い高歩留まりを実現できる。更に、外見上は観察されない配線の微細なクラック及び応力内在が無いため、半導体装置単体での温度サイクル中での信頼性が高いと同時に、プリント基板へ搭載したときの二次実装信頼性も高くなる。以下、本発明の実施の形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は本実施形態の配線基板606、及びその配線基板を用いた半導体装置700の断面構造を示した図である。配線基板606にはBGAボール504が接続されているが、特定部位のBGAボール図1には図示せずが接続されるBGAランド301への導体配線501の接続構造又はBGAランドの形状に特徴がある。先ず、本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法について、図2乃至図5を参照して説明する。図2乃至図5は本実施形態の配線基板及び半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図2aに示すように、シリコン基板100上に、剥離層200と最終的に第2LSI接続パッド201と第2BGAランド401となる配線層を形成する。次に、図2bに示すように、その配線層上に絶縁樹脂601を形成し、必要な部位に導体ビア502と導体スルーホール503を形成する。次に、図2cに示すように、導体ビア及び導体スルーホールを埋設するように導体配線501を形成する。続いて、図3aに示すように、第1LSI側接続パッド101と接続パッド103を第1LSI側接続バンプ101によって接続して、第1LSI104を搭載する。アンダーフィル樹脂105を注入した後、図3bに示すように、モールド樹脂106にて封止する。そして、図3cに示すように、モールドウエハ部605をある一方向604にシリコン基板から剥離する。この剥離の様子を図4に示す。図4aは、シリコン基板100上の配線層に第1LSI104が複数個接続された様子を示すものである。モールドウエハ部605を剥離方向604からの機械的な力によってシリコン基板100から分離する。ここで、シリコン基板100を除去する工程においては、シリコン基板100と剥離層200との界面、又は剥離層200と配線層201,401との界面の接着強度が弱くなるような材料を予め選択しておき、機械的な力を加えてシリコン基板100を剥離する。また、剥離層200として、特定の溶液に溶ける材料、又は溶液の浸透によって配線層201,401若しくはシリコン基板100との密着性が極端に低下するような材料を選択することによって、剥離層200の側面から溶液を浸透させ、シリコン基板100を剥離することも可能である。更に、剥離層200として熱分解する材料を用いれば、シリコン基板100を除去する工程において、熱分解温度以上に加熱することにより、配線層201,401とシリコン基板100とを剥離することができる。このときの加熱は、レーザ等で局所的に加熱する方法が望ましい。レーザの波長は、シリコン基板100を透過し、剥離層200を透過しない波長に設定することにより、剥離層200のみを局所的に加熱することができる。本実施の形態においては、例えば、剥離層200に低密着のポリイミド膜を使用し、剥離層200と配線層201,401との界面の接着強度を弱くして、機械的な力を加えてシリコン基板100を剥離することとする。次に、図5aに示すように、配線層を第2LSI側接続パッド201と第2BGAランド401に加工した後、第2LSI側接続パッド201と接続パッド203を第2LSI側接続バンプ202によって接続して、第2LSI204を搭載する。そして、アンダーフィル樹脂205を注入する。次に、図5bに示すように、各個片の半導体装置に分離した後に、図5cに示すように、最終外部端子であるBGAボール504を搭載して半導体装置700を完成する。このような半導体装置700では、チップサイズの大きな第1LSI104とチップサイズの小さな第2LSI204を微細な導体ビアで短距離に接続できるため、通常のワイヤボンディングと比べて半導体装置内におけるLSI間の通信速度を向上させることができる。また、搭載するLSIのサイズの自由度が高くなるが、図6に示すように、最終的な外部端子であるBGAボールの数によっては、LSIの外形がBGAボール部まで含まれるような構造となる。図6は本発明の実施形態の半導体装置700を示す平面図であり、配線基板を挟んで両側に搭載されている2つのLSI104及びLSI204と、BGAランド301を図示している。図7は図6に示した半導体装置のBGAランドを2種類に区別した結果を示した図であり、半導体素子の外周端がランド内部を横切る位置に設置された境界第2BGAランド402と、それ以外のランド401とに分類する。図8a、bは従来の技術における図7の破線で囲まれた部分701,702の拡大図である。図8には剥離方向604も記載している。従来の技術では、図8bのA部に示すように、半導体装置の中心部から外周部へと向かうように放射状にBGAランドと導体配線の接続がなされていた。このようにBGAランドと導体配線が放射状に接続されている場合、先に剥離がBGAランド側から進行するときには特に不具合が発生しないが、先に細い配線側から剥離が進行し、BGAランドが未剥離の状態で残っている状態では、BGAランド部の剥離時に応力が細い配線に集中して、配線破断及び配線クラックを生じる場合があることが、本発明者による研究の結果、明らかとなった。特に、配線から円形のランドに急激に幅が広くなった箇所ランドとの接続部に不具合が多く発生する。ここで、剥離部分は局所的にはある曲率を有する曲面となっているが、モールド樹脂の中に硬さが異なるシリコンLSIが封入されている境界の近傍境界第2BGAランド402の近傍では、より硬いシリコンの変形がモールド樹脂の変形よりも小さいために、剥離がその箇所まで進行したときに、急激な応力変化が境界部分に加わって配線破断を生じることが、詳しい分析の結果明らかとなった。シリコンLSIの存在しない領域及びシリコンLSIの境界近傍以外では、配線側からBGA側に剥離が進行しても特に配線部分に不具合を生じることなく剥離できる。ここで、近傍とは、境界第2BGAランドの外側と内側の夫々2列ずつのランドを指す。図9a、bは本実施形態における図7の破線で囲まれた部分701,702の拡大図である。この図9に示すように、本実施の形態では、図9bのB部に示すように、剥離方向が配線側からBGAランド側となる方向のシリコンLSIの境界近傍のBGAランドに対して、配線との接続部分を剥離とは反対方向に設けていることが特徴である。このような構造をとることにより、剥離時の局所的な応力集中による配線断線及び配線クラックを防止し、高歩留まりで半導体装置を作製することができる。なお、図9にはシリコンLSIの境界上のランドについてのみ、接続方向を剥離とは反対方向に設けている構造を記載しているが、本発明は、本質的に、シリコンLSIの近傍のランドのうち、少なくとも一部において接続部分が変更されていれば、効果がある。近傍全てのランドについて接続部分が変更していればなお効果が高いことはいうまでもなく、ピン数及び配線の引き回しの都合上、シリコンLSIの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、接続部分を変更していても良い。図10a、bは本発明の第2の実施の形態を示した図である。本実施の形態では、図10bのC部に示すように、剥離方向が配線側からBGAランド側となる方向のシリコンLSIの境界近傍のBGAランドの形状が、前記ランドと同一平面上に形成された配線層との接続部から配線基板の片側方向に向けて、ランド幅が徐々に大きくなりその後徐々に小さくなることを特徴とする。BGAランドと配線の接続部分は従来技術と同様に半導体装置の中心から外周に向かった放射状である。図10ではランド部分が三角形の形状となっているが、このような形状を採用することにより、先に配線部分から剥離が開始しても、円形のランドと比べて剥離中の導体の幅が急激に大きくなることはないため、剥離によって配線断線及び配線クラックは生じない。なお、ランドの形状は、ランド幅が急激に変化しなければ良く、三角形に限定されない。但し、最終的な外部端子であるBGAの高さをそろえるために、他の円形ランドと面積がほぼ等しいことが望ましい。また、図10にはシリコンLSIの境界上のランドについてのみ、異なる形状を有する構造を記載しているが、本発明は、本質的に、シリコンLSIの近傍のランドのうち、少なくとも一部においてランド形状が変更されていれば効果がある。近傍全てのランドについて接続部分が変更していれば、なお効果が高いことはいうまでもなく、シリコンLSIの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、接続部分を変更していても良い。本第2の実施形態の構造は、第1の実施形態と比較して、配線をBGAの反対側に引き回す必要がないために、より微細なランドピッチに対応できるという効果がある。図11a、bは本発明の第3の実施形態を示した図である。本実施形態では、剥離方向が配線側からBGAランド側となる方向のシリコンLSIの境界近傍のBGAランドにのみ、配線部分との接続部にテーパ形状を有することと特徴とする。図12は図11bのD部の拡大図である。このような形状を採用することにより、先に配線部分から剥離が開始しても、円形のランドと比べて剥離中の導体の幅が急激に大きくなることはないため、剥離によって配線断線や配線クラックは生じない。なお、テーパの形状は、配線幅が急激に変化しなければ良く、図11に示した構造に限定されない。また、図11にはシリコンLSIの境界上のランドについてのみ、テーパを有する構造を記載しているが、本発明は本質的に、シリコンLSIの近傍のランドのうち、少なくとも一部においてテーパを有していれば効果がある。近傍全てのランドについてテーパ形状を有していればなお効果が高いことはいうまでもなく、シリコンLSIの境界上のランドの一部、又は全部についてのみ、テーパ形状を有していても良い。本第3の実施形態の構造は、第1及び第2の実施形態と比較して、配線をBGAの反対側へ引き回す必要がなく、微細なランドピッチに対応できる効果と、ランド形状を円形とし、テーパのみを付与するだけであるため、最終的なBGA端子の形状がほぼそろうために、良好な二次実装信頼性を得ることができるという効果がある。なお、本発明の配線基板及び半導体装置は、そのランド形状及びランドへの配線の接続形状に特徴があり、特に基材となるシリコン基板から剥離するプロセスにおいて重要な役割を果たす。従って、本発明における剥離プロセスはその方向を一定方向に限定することが極めて重要であり、第1から第3の実施形態に示した本発明の特徴的な構造が、常に剥離方向の下流側となるような製造方法を採用することが必要である。ここで、上述の実施の形態においては、基材としてシリコン基板の例を述べたが、本発明はシリコン基板に限定されることはなく、基材としては、配線層及び絶縁層が形成される工程において適度な剛性を有していればよい。例えば、GaAs等の他の半導体ウエハ材料及びサファイア、並びにCu等の金属板、石英、ガラス、セラミック並びにプリント板を使用することができる。特に、シリコン基板を使用した場合、LSIを搭載する際に基材とLSIの熱膨張係数が等しいため、搭載精度を更に高くすることができるという効果がある。また、上述の各実施の形態においては、半導体装置を構成するLSIが2個の例を述べたが、本発明は2個のLSIに限定されることはなく、配線基板の片側又は両側に2個以上のLSIを搭載しても良い。そのとき、2個以上のLSIが縦方向に積層されていても良く、横方向に平面的に搭載されていても良い。いずれの場合も、外部接続端子を設けるランド部のうち、LSIの搭載位置の近傍のランドにおいて上述の実施の形態に示したような工夫がなされていれば、同様の効果を得ることができる。特に、チップサイズの大きなメモリチップを多層に積層した場合、信号処理を行うロジックチップが大容量のメモリに高速アクセスできるため、半導体装置としての性能を大きく向上させることができる。また、上述の各実施の形態においては、配線基板として配線層の層数が2層の例を述べたが、本発明の効果は2層配線に限定されないことはいうまでもない。また、上述の各実施の形態においては、配線基板の所望の位置に薄膜キャパシタが設けられていてもよい。薄膜キャパシタを構成する誘電体材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化珪素、窒化珪素、若しくはそれらの複合物、又は、BSTBaxSr1-xTiO3、PZTPbZrxTi1-xO3又はPLZTPb1-yLayZrxTi1-xO3等のペロブスカイト系材料0≦x≦1、0<y<1、又はSrBi2Ta2O9等のBi系層状化合物であることが好ましい。また、薄膜キャパシタを構成する誘電体材料として、無機材料及び磁性材料を混合した有機材料等を使用してもよい。更には、薄膜キャパシタの代わりに、個別部品であるチップコンデンサ、チップ抵抗及びチップインダクタ等が内蔵されていてもよい。"