"グロープラグへと電力を供給するための電源装置、及び、前記グロープラグ間に配置される通電用FETと、前記電源装置、及び、前記通電用FET間に直列接続された逆接保護用FETとを備え、前記通電用FETのゲートに入力される通電信号に基づいて、前記グロープラグへの通電非通電が切り替えられるグロープラグの通電制御装置であって、前記逆接保護用FETには、前記通電用FETに形成される寄生ダイオードに対して逆向きで、前記電源装置から前記グロープラグへと通電可能な寄生ダイオードが形成されるとともに、前記通電用FETがオン状態で故障したことを検知する故障検知部と、前記逆接保護用FETのオンオフを切替可能な切替部と、前記電源装置及び前記通電用FET間の通電経路に介在され、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱により前記電源装置及び前記通電用FET間の電気的接続を切断する保護部とを備え、前記故障検知部により前記通電用FETの故障が検知された際に、前記切替部により前記逆接保護用FETをオンからオフに切替え、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことで、前記逆接保護用FETを発熱させることを特徴とするグロープラグの通電制御装置。前記保護部は、前記電源装置及び前記通電用FET間に直列接続され、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱により溶断するヒューズであることを特徴とする請求項1に記載のグロープラグの通電制御装置。前記保護部は、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱で溶融可能な半田により、前記電源装置及び前記通電用FET間に直列接続された導電性の導通部と、前記電源装置及び前記通電用FET間の通電経路から離間する側に向けて、前記導通部に付勢する付勢部とを備えることを特徴とする請求項1に記載のグロープラグの通電制御装置。しかしながら、通電用FETにオン故障が生じたといっても、その故障状態は種々異なる。具体的には、通電用FETがオン故障によって内部で導通状態となった際、その内部抵抗値は故障したFETごとに異なり、大きめの抵抗成分を有して導通状態オン故障となったり、逆に小さめの抵抗成分を有して導通状態となったりする。従って、故障状態によって通電用FETの発熱態様にバラツキ内部抵抗が異なってオン故障が生じてしまい、ひいては通電用FETにオン故障が生じてから通電が遮断される導通部材が跳ね上げられるまでの時間にバラツキが生じてしまうおそれがある。すなわち、上記特許文献2に記載の技術では、通電を遮断する機能を安定的に動作させることができない通電遮断機能の動作を予測できないおそれがある。本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、その目的は、通電用FETのオン故障時に通電用FETへの通電を遮断する機能を安定的に動作させることができるグロープラグの通電制御装置を提供することにある。以下、上記目的を解決するのに適した各構成につき、項分けして説明する。なお、必要に応じて対応する構成に特有の作用効果を付記する。構成1.本構成のグロープラグの通電制御装置は、グロープラグへと電力を供給するための電源装置、及び、前記グロープラグ間に配置される通電用FETと、前記電源装置、及び、前記通電用FET間に直列接続された逆接保護用FETとを備え、前記通電用FETのゲートに入力される通電信号に基づいて、前記グロープラグへの通電非通電が切り替えられるグロープラグの通電制御装置であって、前記逆接保護用FETには、前記通電用FETに形成される寄生ダイオードに対して逆向きで、前記電源装置から前記グロープラグへと通電可能な寄生ダイオードが形成されるとともに、前記通電用FETがオン状態で故障したことを検知する故障検知部と、前記逆接保護用FETのオンオフを切替可能な切替部と、前記電源装置及び前記通電用FET間の通電経路に介在され、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱により前記電源装置及び前記通電用FET間の電気的接続を切断する保護部とを備え、前記故障検知部により前記通電用FETの故障が検知された際に、前記切替部により前記逆接保護用FETをオンからオフに切替え、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことで、前記逆接保護用FETを発熱させることを特徴とする。上記構成1によれば、逆接保護用FETが設けられるため、電源装置が逆接続されてしまった場合におけるグロープラグへの連続通電を防止することができる。また、上記構成1によれば、故障検知部により通電用FETのオン故障が検知された際には、逆接保護用FETをオフとし、逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことで、逆接保護用FETを発熱させる。そして、この逆接保護用FETの発熱により、保護部において電源装置及び通電用FET間の電気的接続が切断され、通電用FETへの通電が遮断される。すなわち、上記構成1によれば、故障状態によって発熱状態にバラツキの生じ得る通電用FETではなく、発熱状態にバラツキの小さい、寄生ダイオードに電流を流すことによる逆接保護用FETの発熱に基づいて、通電用FETへの通電が遮断される。ここで、寄生ダイオードにおける電圧降下は、typ.値で例えば0.8V程度と安定しており、これにより発熱する逆接保護用FETの発熱温度にも予測が立つ。従って、通電用FETへの通電を遮断する機能を安定的に設計、製造側の想定通りに動作させることができる。その結果、オン故障の発生から通電を遮断するまでの時間の調節等、通電遮断機能に関する細かな設定を行うことが可能となり、通電制御装置の発火等の最悪の事態を回避できる。尚、通電用FETへの通電を遮断する保護部としては、例えば、後述する構成2,3を採用することができる。構成2.本構成のグロープラグの通電制御装置は、上記構成1において、前記保護部は、前記電源装置及び前記通電用FET間に直列接続され、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱により溶断するヒューズであることを特徴とする。上記構成2によれば、通電用FETへの通電を遮断する機能を容易に実現することができ、また、装置の小型化や製造コストの低減を図ることができる。尚、逆接保護用FETの熱をヒューズに対して効率よく伝導可能とすべく、逆接保護用FETにヒューズを直接接触させたり、逆接保護用FETとヒューズとを高熱伝導性の部材を介して間接的に接触させたりしてもよい。尚、前記高熱伝導性の部材は、逆接保護用FETの発熱を考慮して、ある程度の耐熱性を有するものが好ましい。構成3.本構成のグロープラグの通電制御装置は、上記構成1において、前記保護部は、前記逆接保護用FETの寄生ダイオードに電流を流すことによる前記逆接保護用FETの発熱で溶融可能な半田により、前記電源装置及び前記通電用FET間に直列接続された導電性の導通部と、前記電源装置及び前記通電用FET間の通電経路から離間する側に向けて、前記導通部に付勢する付勢部とを備えることを特徴とする。上記構成3によれば、上記構成1と同様の作用効果が奏される。また、通電用FETへの通電を遮断する機能を容易に実現することができる。以下に、実施形態について図面を参照しつつ説明する。第1実施形態通電制御装置としてのグロー制御装置GCU31は、グロープラグ1の通電を制御し、自動車のディーゼルエンジン以下、エンジンと称すENの始動補助及び駆動安定性の向上等のために用いられるものである。まず、GCU31の説明に先立って、GCU31によって制御されるグロープラグ1の概略構成を説明する。図1aは、グロープラグ1の一部破断正面図であり、図1bは、グロープラグ1先端部の部分拡大断面図である。尚、図1a,bにおいては、図の下側をグロープラグ1の先端側、上側を後端側として説明する。図1aに示すように、グロープラグ1は、ハウジング2、中軸3、セラミックヒータ4、外筒5、端子ピン6等を備えている。ハウジング2は、所定の金属材料例えば、S45C等の鉄系素材によって形成されるとともに、軸線CL1方向に沿って延びる軸孔7を有している。さらに、ハウジング2の外周には、エンジンENへの取付用のねじ部8と、トルクレンチ等の工具を係合させるための断面六角形状の工具係合部9とが形成されている。また、ハウジング2の軸孔7には、金属製で丸棒状をなす前記中軸3が収容されている。さらに、当該中軸3の先端部は、金属材料例えば、SUS等の鉄系素材によって形成された円筒状の接続部材10の後端部に圧入されるとともに、接続部材10の先端部には、セラミックヒータ4の後端部が圧入されている。これにより、中軸3とセラミックヒータ4とは接続部材10を介して機械的かつ電気的に接続されている。さらに、中軸3の後端部には、通電用のケーブルを接続するための金属製の端子ピン6が加締め固定されている。併せて、前記外筒5は、所定の金属材料によって筒状に形成されており、ハウジング2の先端部に接合されている。外筒5は、セラミックヒータ4の軸線CL1方向に沿った中間部分を保持しており、セラミックヒータ4の先端部は外筒5の先端から露出した状態となっている。加えて、図1bに示すように、セラミックヒータ4は、軸線CL1方向に延びる丸棒状の基体21と、その内部に埋設され、長細いU字状をなす発熱素子22とを備えている。基体21は、絶縁性セラミック例えば、窒化珪素やアルミナ等によって構成され、一方で、発熱素子22は、セラミック材料を主成分とし、導電性材料例えば、モリブデンやタングステンの珪化物、窒化物或いは炭化物などを含む導電性セラミックにより構成されている。また、発熱素子22は、セラミックヒータ4の先端部に配置される発熱部23と、当該発熱部23から後端側に延びる一対の棒状のリード部24,25とを備えている。そして、一方のリード部24の後端寄り位置には、セラミックヒータ4の外周面に露出するようにして電極取出部26が外周方向に突設されており、電極取出部26は、接続部材10の内周面に接触している。また、他方のリード部25の後端寄りの位置にも、セラミックヒータ4の外周面に露出するようにして電極取出部27が外周方向に突設されており、電極取出部27は、外筒5の内周面に対して接触している。次に、本発明の特徴であるGCU31について説明する。図2は、グロープラグ1への通電制御を行うGCU31等の概略構成を示すブロック図である。尚、図2では、グロープラグ1を1つのみ示しているが、実際にはエンジンENの各気筒のそれぞれにグロープラグ1が設けられており、所定の電圧例えば、12Vを出力する電源装置VAから各グロープラグ1に対して分岐点DPを介して電力が供給される。また、各グロープラグ1に対応して後述する通電用FET51がそれぞれ設けられている。GCU31は、電源装置VAから供給される電力によって動作するものであり、自動車の電子制御装置ECU91と、所定の通信手段例えば、CAN等を介して接続されている。また、GCU31は、逆接保護用FET電界効果トランジスタ41と、通電用FET51と、制御部本実施形態では、ASIC61と、切替部71と、保護部としてのヒューズ81とを備えている。逆接保護用FET41は、電源装置VAが逆極性で接続された際における通電用FET51の過熱故障を防止するためのものである。逆接保護用FET41は、電源装置VAとグロープラグ1との間を電気的に接続する通電経路に介在されており、具体的には、そのドレインが通電用FET51に接続され、そのソースが電源装置VAに接続されている。すなわち、逆接保護用FET41は、そのソース、ドレインが通電用FET51のソース、ドレインと逆向きとなるように配置されている。また、本実施形態において、逆接保護用FET41は、NチャンネルMOSFETにより構成されており、電源装置VAから各グロープラグ1へと供給される電力の分岐点DPと、電源装置VAとの間に1つだけ設けられている。尚、本実施形態における逆接保護用FET41は、オン抵抗が非常に小さいもの例えば、数mΩである。加えて、逆接保護用FET41には、当該逆接保護用FET41のソース-ドレイン間と並列に寄生ダイオード411が形成されており、寄生ダイオード411は、電源装置VAからグロープラグ1へと電流の流れる向きと順方向となっている。但し、寄生ダイオード411に電流が流れる際の電圧降下は、逆接保護用FET41のオン抵抗に電流が流れる際の電圧降下よりも非常に大きい。従って、電源装置VAからグロープラグ1へと電流が流れている状態において、逆接保護用FET41がオフとされない限り、寄生ダイオード411には電流はほとんど流れないようになっている。通電用FET51は、各グロープラグ1に対してそれぞれ設けられており、ドレインが逆接保護用FET41のドレインに接続され、ソースがグロープラグ1に接続されている。本実施形態では、通電用FET51として、NチャンネルMOSFETが用いられており、通電用FET51は、そのオン抵抗が非常に小さい例えば、数mΩものとされている。また、通電用FET51には、当該通電用FET51のソース-ドレイン間と並列に寄生ダイオード511が形成されており、当該寄生ダイオード511は、電源装置VAからグロープラグ1へと電流の流れる向きと逆方向となっている。制御部61は、電源装置VAからグロープラグ1に対する通電を制御するものであり、通電用FET51のゲートに対してグロープラグ1への通電非通電を切り替えるための信号を出力する通電信号出力部62と、電圧の昇圧機能を備えるチャージポンプ回路CP回路63と、故障検知部64とを備えたASICである。尚、この制御部61にはGCU31内にて動作用の電力が電源装置VAから供給されている。通電信号出力部62は、ECU91によって制御されており、電源装置VAからグロープラグ1へと通電するタイミングを表す矩形状の通電信号PWM信号を通電用FET51のゲートに対して入力する。具体的には、電源装置VAからグロープラグ1へと通電させる場合、High信号を通電用FET51に対して出力する。一方で、電源装置VAからグロープラグ1への通電を停止させる場合には、Low信号を通電用FET51に出力する。尚、通電信号出力部62はチャージポンプ回路63と接続されており、通電信号出力部62から出力される通電信号は、チャージポンプ回路63により昇圧されたものとなっている。チャージポンプ回路63は、所定のトランジスタ651やダイオード652,653等を有するドライブ回路65を介して逆接保護用FET41のゲートに接続されており、所定の高電圧例えば、電源装置VAの出力電圧10Vを逆接保護用FET41のゲートへと出力する。尚、チャージポンプ回路63は、エンジンキー図示せずがオンとされているときに動作し、エンジンキーがオンのときには、故障検知部64により通電用FET51の故障が検知された場合を除いて、チャージポンプ回路63及びドライブ回路65により逆接保護用FET41はオンとされる。一方で、エンジンキーがオフ状態のときは、チャージポンプ回路63からの出力はオフとされており、その結果、逆接保護用FET41はオフとされている。このように、チャージポンプ回路63制御部61は、エンジンキーのオンと連動して起動するので、電源装置VAが逆極性で接続されたときは、エンジンキーがオフ状態であるときと同様に、逆接保護用FET41はオフとされる。従って、電源装置VAが逆極性で接続されたとき、逆電流の流れる方向に対して通電用FET51の寄生ダイオード511は順方向となっているが、逆接保護用FET41はオフであり、かつ、その寄生ダイオード411は逆電流の流れる向きに対して逆方向となっている。その結果、通電用FET51の寄生ダイオード511に電流が流れてしまうことが防止され、ひいては通電用FET51の過熱故障が防止されるようになっている。故障検知部64は、制御部61に入力される各通電用FET51の両端電圧に基づいて、通電用FET51がオン状態で故障していないか否かを判定し、その判定結果をECU91に対して出力する。具体的には、故障検知部64は、通電用FET51がオフとされるタイミングであるときに、通電用FET51の両端電圧が比較的大きいときつまり、オフタイミングであるにも関わらず通電されているときには、通電用FET51がオン状態のまま故障しているオン故障と判定し、故障信号をECU91に送る。尚、ECU91は、通常時には、制御部61に対して通電許可信号を出力しているが、故障信号を受信したときには、通電許可信号の出力を停止する。切替部71は、スイッチング部72と、信号検出部73とを備えている。スイッチング部72は、トランジスタ等を備えており、逆接保護用FET41とチャージポンプ回路63との間に介在されている。スイッチング部72により、チャージポンプ回路63から逆接保護用FET41に対するゲート電圧のオンオフが切替可能とされている。信号検出部73には、ECU91から通電許可信号が出力されているか否かを検出し、検出結果信号をスイッチング部72に出力する。具体的には、ECU91から通電許可信号が出力されているとき通常時には、信号検出部73は、検出結果信号としてスイッチング部72をオンとする信号を出力する。つまり、通電用FET51が正常であるときには、逆接保護用FET41とチャージポンプ回路63との間が電気的に接続され、逆接保護用FET41はオンとされる。一方で、ECU91から通電許可信号が出力されていないとき故障時には、信号検出部73は、検知結果信号としてスイッチング部72をオフとする信号を出力する。つまり、通電用FET51にオン故障が生じているときには、逆接保護用FET41とチャージポンプ回路63との電気的接続が切断され、逆接保護用FET41はオフとされる。その結果、逆接保護用FET41の寄生ダイオード411に対して電流が流れることとなる。尚、エンジンキーがオンのときでグロープラグ1に通電しない場合にも、ECU91からの通電許可信号は停止されるが、この場合、通電用FET51が正常であれば、通電用FET51はオフとなっている。そのため、電源装置VA及びグロープラグ1間で電流は流れず、逆接保護用FET41が発熱することはない。ヒューズ81は、電源装置VA及び逆接保護用FET41間に直列接続されており、図3a,bに示すように、逆接保護用FET41や通電用FET51が配置された基板CBに固定されている尚、制御部61や切替部71、ハーネス等は基板CB上に設けられているが、図3a,bでは、便宜上これらの図示を省略している。また、本実施形態において、ヒューズ81は、逆接保護用FET41上に配置されており、耐熱性及び熱伝導性の双方に優れる接着剤ADを介して逆接保護用FET41に接触している。これにより、逆接保護用FET41の熱がヒューズ81に対して効率よく伝導されるようになっている。尚、ヒューズ81は、通常使用時における逆接保護用FET41や通電用FET51の発熱例えば、最高で175°C程度となるによっては溶断しない一方で、寄生ダイオード411に電流を流すことにより逆接保護用FET41を発熱させた際には、その発熱例えば、300°C程度となるによって溶断するように、その溶断設定温度が所定の温度例えば、200°C~250°Cに設定されている。次いで、上述したGCU31の動作について説明する。まず、通電用FET51が正常であるときには、スイッチング部72はオンとされており、逆接保護用FET41もオンとされている。この状態において、通電用FET51にオン故障が生じると、故障検知部64により通電用FET51のオン故障が検知されて、ECU91に故障信号が出力される。故障信号を受信したECU91は、通電許可信号の出力を停止し、その結果、スイッチング部72ひいては逆接保護用FET41がオフとされる。逆接保護用FET41がオフとされることで、逆接保護用FET41の寄生ダイオード411に電流が流れることとなり、逆接保護用FET41が発熱する。そして、逆接保護用FET41がヒューズ81の溶断設定温度を上回る高温に加熱されると、逆接保護用FET41上に配置されたヒューズ81が溶断される。その結果、電源装置VA及び通電用FET51間の電気的接続が切断され、通電用FET51への通電が停止される。以上詳述したように、本実施形態によれば、逆接保護用FET41が設けられているため、電源装置VAが逆接続されてしまった場合におけるグロープラグ1の連続通電を防止することができる。また、故障検知部64により通電用FET51のオン故障が検知された際には、逆接保護用FET41をオフとすることで、寄生ダイオード411に電流を流して逆接保護用FET41を発熱させ、この逆接保護用FET41の発熱によりヒューズ81を溶断し、ひいては通電用FET51への通電を遮断する。すなわち、故障状態によって発熱状態にバラツキの生じ得る通電用FET51ではなく、発熱状態にバラツキの小さい、寄生ダイオード411に電流を流すことによる逆接保護用FET41の発熱に基づいて、通電用FET51への通電が遮断される。従って、通電用FET51への通電を遮断する機能を安定的に設計製造側での想定通りに動作させることができる。その結果、オン故障の発生から通電を遮断するまでの時間の調節等、通電遮断機能に関する細かな設定を行うことが可能となり、GCU31の発火等の最悪の事態を回避できる。加えて、本実施形態において、ヒューズ81は、熱伝導性に優れる接着剤ADを介して逆接保護用FET41に接触しているため、ヒューズ81に対して逆接保護用FET41の熱を効率よく伝導することができる。従って、通電用FET51にオン故障が生じた際に、ヒューズ81を速やかに溶断することができ、ひいては通電用FET51への通電を迅速に遮断することができる。ところで、発熱コイルを有するメタルグロープラグにおいては、通電用FETのオン故障に伴う連続通電により発熱コイルが比較的早く断線し、オン故障の発生から比較的早期に通電用FETへの通電が遮断されることがある。これに対して、本実施形態のような、セラミックヒータ4を有するセラミックグロープラグにおいては、グロープラグ1の断線等は生じにくく、通電用FET51に対して長期間に亘って電流が流れてしまいやすいすなわち、通電用FET51が過熱されてしまいやすい。従って、オン故障の発生時に通電用FET51への通電を迅速に遮断可能な上記GCU31は、通電用FET51への長期間の通電が懸念されるセラミックグロープラグの通電制御に用いる場合に特に有効である。第2実施形態次いで、第2実施形態について、上記第1実施形態との相違点を中心に説明する。上記第1実施形態では、保護部としてヒューズ81が用いられているが、本第2実施形態では、保護部101として、図4、及び、図5a~c尚、図5a~cでは、図3と同様に、図示の便宜上、制御部61等の図示を省略しているに示すように、導通部102と付勢部103とを備えてなる機構が用いられている。導通部102は、耐熱性に優れた導電性の金属板例えば、銅板等により形成されている。また、導通部102は、基板CB上に配置された所定の半田104により基板CBの背面に固定されることで、電源装置VA及び逆接保護用FET41間の通電経路に介在されている。尚、半田104は、通常使用時における逆接保護用FET41や通電用FET51の発熱によっては溶融しない一方で、寄生ダイオード411に電流を流すことにより逆接保護用FET41を発熱させた際には、その発熱により溶融するように構成材料や配置位置、容積等が設定されている。付勢部103は、所定のバネ部材により構成されており、一端が基板CBに形成された孔部HOを通して導通部102に接触しており、他端が基板CBの取付けられる筐体CAに固定されている。また、付勢部103は、導通部102と筐体CAとの間において長手方向に沿って圧縮された状態で設けられており、電源装置VA及び逆接保護用FET41間の通電経路から離間する側に向けて導通部102に付勢している。このような保護部101を有するGCU31において、通電用FET51にオン故障が生じると、上記第1実施形態と同様に、逆接保護用FET41がオフとされ、寄生ダイオード411に電流が流される。これにより、逆接保護用FET41が高温となるため、半田104が溶融して、導通部102が基板CBに対して非固定の状態となり、付勢部103からの付勢力により導通部102が基板CBから切り離される。その結果、電源装置VA及び通電用FET51間の電気的接続が切断され、通電用FET51への通電が停止される。以上、本第2実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の作用効果が奏される。すなわち、寄生ダイオード411に電流を流すことによる逆接保護用FET41の発熱に基づいて通電用FET51への通電が遮断されるため、通電用FET51への通電を遮断する機能を安定的に動作させることができる。尚、上記実施形態の記載内容に限定されず、例えば次のように実施してもよい。勿論、以下において例示しない他の応用例、変更例も当然可能である。a上記第1実施形態において、ヒューズ81は、逆接保護用FET41上に配置されているが、ヒューズ81の配置位置は、寄生ダイオード411に電流を流すことによる逆接保護用FET41の発熱により溶断可能な位置である限り、特に限定されるものではない。また、ヒューズ81を基板CBに固定することなく、例えば、図6に示すように、筐体CAにヒューズ81を固定することとしてもよい。この場合には、ヒューズ81に対して逆接保護用FET41の熱を効率よく伝導するために、筐体CAに基板CBを取付けた状態において、逆接保護用FET41上にヒューズ81が配置されるように構成してもよい。また、ヒューズ81と逆接保護用FET41との間に良熱伝導性の熱伝導シート等を介在させてもよい。b上記第2実施形態において、導通部102は基板CB上に配置されているが、寄生ダイオード411に電流を流すことによる逆接保護用FET41の発熱により導通部102を固定する半田104が溶融可能であれば、導通部102の配設位置は特に限定されるものではない。従って、例えば、筐体CAのうちの逆接保護用FET41上に位置する部位に半田104を介して導通部102を配置してもよい。また、上記第2実施形態において、付勢部103は、基板CBに形成された孔部HOを通して導通部102に付勢するように構成されているが、付勢部103の構成はこれに限定されるものではなく、電源装置VA及び通電用FET51間の通電経路から離間する側に向けて導通部102に付勢するものであればよい。さらに、導通部102として金属板が用いられているが、例えば、導通部102としてシャント抵抗を用いてもよい。c上記実施形態において、ヒューズ81や保護部101は、電源装置VA及び逆接保護用FET41間に設けられているが、ヒューズ81や保護部101を逆接保護用FET41と分岐点DPとの間に設けることとしてもよい。d上記実施形態では、逆接保護用FET41が1つだけ設けられているが、グロープラグ1の数の増加に対応して電流容量の増加を図るべく、逆接保護用FET41を並列に複数設けることとしてもよい。この場合において、通電用FET51にオン故障が生じた際には、逆接保護用FET41が全てオフとされる。e上記実施形態において、逆接保護用FET41はNチャンネルMOSFETにより構成されているが、逆接保護用FET41をPチャンネルMOSFETにより構成することとしてもよい。また、この場合には、ドライブ回路を設けなくてもよく、図7に示すように、通常時に、逆接保護用FET41のゲートが接地され、通電用FET51にオン故障が生じたときに、逆接保護用FET41のゲートが電源装置VAと接続されるようにスイッチング部72を動作させればよい。f上記実施形態において、GCU31は、セラミックヒータ4を有するセラミックグロープラグの通電を制御するように構成されているが、GCU31による制御の対象は、これに限定されるものではない。例えば、各部材の寸法やセラミックヒータの組成等は、GCU31で制御しやすいものに適宜変更可能である。また、グロープラグとしてもセラミックグロープラグに限定されるものではない。従って、GCU31が、発熱コイルを有するメタルグロープラグの通電を制御するように構成してもよい。g上記実施形態では、GCU31及びECU91が個別に設けられているが、ECU91が、GCU31の機能を有するように構成し、ECU91の有するGCUの機能によりグロープラグ1の通電制御を行うこととしてもよい。h上記実施形態では、制御部61がASICにより構成されているが、制御部61をマイクロコンピュータマイコンにより構成することとしてもよい。また、この場合には、通電用FET51のオン故障を検知した際に、ECU91や信号検出部73を介することなく、制御部61によりスイッチング部72のオンオフを直接切替えることで、逆接保護用FET41のオンオフを切替えてもよい。尚、一般にマイコンには、チャージポンプ回路が内蔵されていない。従って、逆説保護用FET41や通電用FET51に、駆動用のチャージポンプ回路が不要のPチャンネルFETを用いてもよい。また、チャージポンプ回路を別途設けて、逆接保護用FET41や通電用FET51にNチャンネルFETを用いてもよい。"