"基板および封止薄膜を有し、機械的振動を行う梁構造体の可動部および前記可動部に近接して位置する電極が前記基板と前記封止薄膜との間に設けられ、前記可動部と前記電極は前記基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域を有し、前記基板と前記封止薄膜との間に、前記電極によって隔てられる第1のキャビティおよび第2のキャビティが形成されており、前記第1のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部側に位置し、前記第2のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部とは反対側に位置し、前記第1のキャビティの前記電極と接する側壁Aの内側表面が、前記第2のキャビティの前記電極と接する側壁Bの内側表面よりも、前記基板表面と平行な方向において内側に位置する、MEMS素子。前記第1のキャビティの側壁の内側表面は、前記封止薄膜に機械的な圧力が加わったとき、電極と可動部間のギャップが保持されるように、前記封止薄膜に機械的な圧力が加わったときに前記電極に生じる機械応力を考慮して決められた位置に配置されている、請求項1に記載のMEMS素子。前記電極に基板表面に垂直な方向な力が加わったときに、前記電極の前記可動部と対向する領域において基板表面に垂直な方向に最も変位する位置を基準位置Oとし、前記側壁Aの位置A1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をA1とし、前記側壁Bの位置B1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をB1としたときに、B1/A1≧1.0である、請求項1に記載のMEMS素子。前記電極に基板表面に垂直な方向な力が加わったときに、前記電極の前記可動部と対向する領域において基板表面に垂直な方向に最も変位する位置を基準位置Oとし、前記側壁Aの位置A1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をA1とし、前記側壁Bの位置B1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をB1としたときに、B1/A1≧1.5である、請求項1に記載のMEMS素子。前記電極に基板表面に垂直な方向な力が加わったときに、前記電極の前記可動部と対向する領域において基板表面に垂直な方向に最も変位する位置を基準位置Oとし、前記側壁Aの位置A1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をA1とし、前記側壁Bの位置B1と基準位置Oとの、前記基板表面と平行であって、かつ前記可動部を構成する梁と垂直な方向における、距離をB1としたときに、B1/A1≦3.2である、請求項1に記載のMEMS素子。前記第1のキャビティの側壁全体の内側表面が、前記第2のキャビティの側壁全体の内側表面よりも、前記基板表面と平行な方向において内側に位置する、請求項1に記載のMEMS素子。前記第1のキャビティは、第1の犠牲層を除去して形成したものであり、前記第2のキャビティは、第2の犠牲層を除去して形成したものである、請求項1に記載のMEMS素子。同一エッチングプロセスにおいて、前記第2の犠牲層が最初に除去され、それから前記第1の犠牲層が除去されて、前記第2のキャビティおよび第1のキャビティが形成されている、請求項7に記載のMEMS素子。前記第1の犠牲層と前記第2の犠牲層が互いに異なる材料で形成され、前記第2の犠牲層のエッチングレートが前記第1の犠牲層のエッチングレートよりも大きくなるように各犠牲層の材料が選択され、同一エッチングプロセスにおいて、前記第1の犠牲層が最初に除去され、それから前記第2の犠牲層が除去されて、前記第1のキャビティおよび第2のキャビティが形成されている、請求項7に記載のMEMS素子。前記封止薄膜の外側が樹脂でモールドされている、請求項1~9のいずれか1項に記載のMEMS素子。基板および封止薄膜を有し、機械的振動を行う可動部および前記可動部に近接して位置する電極が前記基板と前記封止薄膜との間に設けられ、前記可動部と前記電極は前記基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域を有し、前記基板と前記封止薄膜との間に、前記電極によって隔てられる第1のキャビティおよび第2のキャビティが形成されており、前記第1のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部側に位置し、前記第2のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部とは反対側に位置し、前記第1のキャビティの前記電極と接する側壁Aの内側表面が、前記第2のキャビティの前記電極と接する側壁Bの内側表面よりも、前記基板表面と平行な方向において内側に位置する、MEMS素子を製造する方法であって、前記第1のキャビティを第1の犠牲層の除去により形成すること、および前記第2のキャビティを第2の犠牲層の除去により形成することを含む、MEMS素子の製造方法。前記第1のキャビティを形成することおよび前記第2のキャビティを形成することを同一エッチングプロセスにより実施し、前記エッチングプロセスにおいて、前記第2の犠牲層を最初に除去し、それから前記第1の犠牲層を除去する、請求項11に記載のMEMS素子の製造方法。前記第1の犠牲層と前記第2の犠牲層の材料を、前記第2の犠牲層のエッチングレートが前記第1の犠牲層のエッチングレートよりも大きくなるように選択することを含み、前記第1のキャビティを形成することおよび前記第2のキャビティを形成することを同一エッチングプロセスにより実施し、前記エッチングプロセスにおいて、前記第1の犠牲層を最初に除去し、それから前記第2の犠牲層を除去する、請求項11に記載のMEMS素子の製造方法。請求項1~10のいずれか1項に記載のMEMS素子を有する、MEMS発振器。請求項1~10のいずれか1項に記載のMEMS素子および請求項14に記載のMEMS発振器の少なくともいずれか一方を有する、電子機器。特許文献2に記載の薄膜プロセスによる封止技術は、圧力センサのみではなく、MEMS技術を利用した共振器、フィルタ、発振器、スイッチ素子、ジャイロスコープ、および質量検出素子等への応用も可能である。封止の目的は、振動子を真空中で可動な状態に維持することだけではない。真空を必要としない素子においては、封止外部の湿度およびゴミから隔離する目的、または樹脂トランスファーモールドによるパッケージの際の樹脂充填圧力から封止内部を保護する目的で、特許文献2に記載の技術を適用することができる。しかしながら、特許文献1に記載されているようなMEMS共振器には、特許文献2の封止技術をそのまま適用することはできない。そこで、半導体素子の分野で一般的に行われている、樹脂トランスファーモールドによる封止が、封止方法として考えられる。しかしながら、特許文献1に記載のMEMS共振器の樹脂トランスファーモールドによる封止には、次のような問題がある。具体的には、樹脂トランスファーモールド時に、外部から加わる圧力により、封止すべき構造特に、電極自体が大きく歪み、電極と梁可動部が衝突するという問題がある。MEMS共振器においては、素子インピーダンスを下げるために、電極と梁振動子との間のギャップを狭くする必要がある。特許文献1に記載されるMEMS共振器が電子機器のタイミングデバイスとして利用される場合、前記ギャップは100~200nmほどであり、樹脂トランスファーモールドの際の圧力下では、かかる狭ギャップを保持することができなくなる。その課題を回避するため、図10に示すように、電極とは別に封止構造を形成し、電極305と可動部振動子303の上下にキャビティを形成する方法がある。図10において、符号301は基板を、302、306は犠牲層を、307は封止薄膜を示す。キャビティは犠牲層302、306を一部除去することにより形成され、犠牲層302、306の残った部分がキャビティを画定する側壁を構成している。この方法によれば、封止薄膜307により封止構造を得ることができる。しかし、図10に示す構造を採用しても、この素子をさらに樹脂トランスファーモールドにより封止する場合には、次のような課題が発生することを、発明者らは新たに見出した。具体的には、図10に示す構成のMEMS共振器において、電極側のキャビティのBが可動部側のキャビティの側壁Aよりも内側にあると、樹脂トランスファーモールド時に加わる圧力が封止薄膜に伝わり、その力が更にキャビティ側壁を通って、電極に伝わる。電極に加わる力の方向は、素子の厚み方向と平行である。そのため、電極側のキャビティの側壁が可動部側のキャビティの側壁よりも内側にある、すなわち、電極側の側壁の下に空間があると、電極は、電極に下向きに加わる力により撓む。その結果、図10に示すように、電極が下向きに移動して、可動部と衝突することがある。図11は、外圧が加わったときの封止薄膜の厚み方向の歪み量を計算した結果を示すグラフである。各線は、封止薄膜の膜厚の違いを示しており、膜厚が大きいほど歪み量は小さくなる。樹脂トランスファーモールドの際には、およそ1E07Pa100気圧~1.5E07Pa150気圧程度の圧力が封止薄膜に加わる。そのため、封止薄膜の膜厚を4μmと厚くしても、150気圧下では、300nm程度歪むことになる。このように大きい歪みをもたらす外圧は、電極と可動部とを衝突させるようなものである。即ち、図10に示すMEMS共振器は、封止薄膜に加わった力がそのまま電極に伝わって、電極を撓ませる構造を有している。そのため、例えば、電極305と可動部303との間のギャップが100~300nm程度であると、図11の斜線部において、ギャップは保持されずに、電極と可動部とが衝突する。衝突を回避するためには、少なくとも6~7μm以上の膜厚の封止薄膜を用いる必要がある。しかし、現在の半導体薄膜形成技術を適用する限りにおいて、そのような厚さの膜は多数の薄膜を積層することによってのみ形成可能であり、そのことはスループットが悪くなるという別の課題を含んでいる。前記課題を解決するために、本発明は、樹脂トランスファーモールド等の際に外圧が加わったとき、電極が可動部に近づく方向に、電極に応力が加わることを防止する構造を有するMEMS素子を提供する。即ち、本発明は、基板および封止薄膜を有し、機械的振動を行う可動部および前記可動部に近接して位置する電極が前記基板と前記封止薄膜との間に設けられ、前記可動部と前記電極は前記基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域を有し、前記基板と前記封止薄膜との間に、前記電極によって隔てられる第1のキャビティおよび第2のキャビティが形成されており、前記第1のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部側に位置し、前記第2のキャビティは、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部とは反対側に位置し、前記第1のキャビティの前記電極と接する側壁Aの内側表面が、前記第2のキャビティの前記電極と接する側壁Bの内側表面よりも、前記基板表面と平行な方向において内側に位置する、MEMS素子を提供する。本発明のMEMS素子は、電極を隔てて区分けされる2つのキャビティ第1のキャビティおよび第2のキャビティを有し、前記第1のキャビティの前記電極と接する側壁Aの内側表面が、前記第2のキャビティの前記電極と接する側壁Bの内側表面よりも、前記基板表面と平行な方向において内側に位置し、第1のキャビティが、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部とは反対側に位置し、第2のキャビティが、前記可動部と前記電極が重なる領域にある前記電極から見て、前記基板表面に垂直な方向において前記可動部とは反対側に位置することを特徴とする。この特徴により、封止薄膜に機械的な圧力が加えられた場合でも、電極に、可動部に近づく方向の応力を生じさせることを防止できる。その結果、電極と可動部の衝突が回避され、電極と可動部との間のギャップが保持される。また、本発明のMEMS素子においては、封止薄膜を厚くして外圧が加わったときの歪み量を小さくする必要がないため、封止薄膜を、例えば、2μm以下の小さい膜厚を有するものとすることができる。そのように小さい膜厚の封止薄膜の使用は、MEMS素子の製造時間の削減に寄与する。本発明はまた、前記構造を有する本発明のMEMS素子の製造方法を提供する。本発明の製造方法は、前記第1のキャビティを第1の犠牲層の除去により形成すること、および前記第2のキャビティを第2の犠牲層の除去により形成することを含む。2つの犠牲層の除去は、同一エッチングプロセス内で、第2の犠牲層を最初に除去し、次に第1の犠牲層を除去するように実施してよく、あるいは、同一のエッチングプロセス内で、第1の犠牲層を最初に除去し、次に第2の犠牲層を除去するようにして実施してよい。第1の犠牲層を最初に除去する場合には、第1の犠牲層と第2の犠牲層の材料を、第2の犠牲層のエッチングレートが第1の犠牲層のエッチングレートよりも大きくなるように選択して、第2のキャビティの電極と接する側壁の内側表面が、第1のキャビティの電極と接する側壁の内側表面よりも、基板表面と平行な方向において外側に位置することを確保する必要がある。本発明のMEMS素子は、好ましくは、封止薄膜の外側を樹脂でモールドした形態で提供される。樹脂モールドにより、堅固な封止構造が実現される。前述のように、本発明のMEMS素子は、樹脂モールド時に加わる圧力による電極と可動部の衝突を回避する構造となっているので、樹脂モールドによる封止に適している。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係るMEMS素子の構造例を示した断面図である。図示したMEMS素子においては、基板1上に、2層から成る第1の犠牲層2、4が形成され、図1において下側の第1の犠牲層2の上に梁構造体である可動部3が形成され、上側の第1の犠牲層4の上に電極5が形成されている。可動部3と電極5は基板1の表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに異なる領域を有して即ち、図示した形態においては、可動部3の主表面と電極5の主表面とが、基板表面と平行となるように互いに対向して、振動子を構成する。可動部3は、紙面に対して垂直な方向に延びる梁が振動することができ、かつその端部が固定された構造を有する。可動部3と電極5は微小ギャップにより静電容量を構成し、電極5に電圧を印加することにより発生する静電力によって、可動部3を、撓み、拡がり、または捻りなどのモードで励振する。ここで、基板表面に垂直な方向は、基板ひいては素子の厚み方向ともいえる。したがって、基板表面に垂直な方向は、半導体薄膜形成技術において膜が積層される方向であるともいえる。図示した形態において、電極5と可動部3とが重なっている領域にある電極5から見て、基板1の厚み方向において、可動部3の側に位置するキャビティが第1のキャビティとなる。したがって、図示した形態において、電極5から見て下側方向に位置するキャビティ、即ち、符号9で示される空間が第1のキャビティとなる。ここで、第1のキャビティ9は、基板1と第1の犠牲層2、4と電極5により包囲されることによって形成される。図1において示されている第1の犠牲層2、4は、エッチングにより除去されなかった部分であり、この部分は、第1のキャビティ9の側面基板表面と垂直な方向の面を画定する側壁を構成している。図1において示される側壁は、図において可動部3を構成する梁の両側、即ち、梁が延びる方向と平行な方向に延びる梁の両側縁の側に位置する、電極5と接する側壁図1においてAで示されるである。図示するように、犠牲層が2以上の層から成り、かつ各層の内側表面が異なる位置にあるときには、電極と近接している側、即ち、電極と接している側の犠牲層の内側表面の位置図1においてaで示す位置が、第2のキャビティの側壁Bの内側表面との関係で、決定されるものとなる。電極5の上には、第2の犠牲層6が形成され、更にその上には、封止薄膜7が形成される。前述のとおり、第1のキャビティは、電極5から見て可動部3側、即ち、下側方向に位置するキャビティであるから、第2のキャビティは、電極5から見て、可動部3とは反対の側、即ち、上側に位置するキャビティである。したがって、図示した形態において、符号10で示される空間が第2のキャビティとなる。ここで、第2のキャビティ10は、電極5と第2の犠牲層6と封止薄膜7により包囲されることによって形成される。図1において示されている第2の犠牲層6は、エッチングにより除去されなかった部分であり、この部分は、第2のキャビティ10の側面を画定する側壁を構成している。図1において示される側壁は、可動部3を構成する梁が延びる方向から見て両側に位置する、電極5と接する側壁図1においてBで示されるである。第2の犠牲層が2以上の層から成り、かつ各層の内側表面が異なる位置にあるときには、電極と近接している側、即ち、電極と接している側の層の内側表面の位置図1においてbで示す位置が、第1のキャビティの側壁Aの内側表面の位置を決定するうえで考慮されるものとなる。封止薄膜7には、貫通口8が形成される。この貫通口8は、犠牲層を除去してキャビティを形成するために、エッチングホールとして所望の位置に形成される。また、電極5にも、第1の犠牲層2、4を除去するための貫通口12が形成される。第1の犠牲層2、4と第2の犠牲層6は、同じ、もしくは同種の材料で形成してよい。エッチングは、貫通口8からエッチングガス等を導入して、第2の犠牲層6を除去し、さらにエッチングガス等を貫通口12を経由させて、第1の犠牲層4、第1の犠牲層2を除去する方法で実施してよい。即ち、第2の犠牲層6、第1の犠牲層4、および第1の犠牲層2をこの順に除去してよい。その場合、例えば、第1の犠牲層4がエッチングされる際、第2の犠牲層6も同時に浸食されるため、第1のキャビティ9よりも第2のキャビティ10の方が基板表面と平行な方向水平方向に大きい寸法を有する。すなわち、第1のキャビティ9を画定する側壁Aの内側表面aは第2のキャビティ10を画定する側壁Bの内側表面bよりも、基板表面と平行な方向水平方向において、内側に位置する。貫通口8および貫通口12の形状および数は、それらがエッチングホールとして所望のように機能する限りにおいて、特に限定されない。例えば、貫通口8として、上面から見たときに略円形を有するものを、複数個、封止薄膜7に設けてよい。また、貫通口12として、上面から見たときに略円形または略矩形を有するものを、1個、または可動部3の梁が延びる方向と平行な方向に沿って複数個設けてよい。あるいは、貫通口12として、上面から見たときにスリット状の開口部を、可動部3の梁が延びる方向と平行な方向に、電極5全体に亘って設けてよい。その場合、電極5は、スリット状の貫通口12を境界として、2つに分離した構成を有し、2つの部分はいずれも、第2の犠牲層6と第1の犠牲層2、4との間で固定された片持ち梁となる。図2aは、図1に示すMEMS素子の封止薄膜7の表面および素子の側面を樹脂11でモールドした形態を示す。樹脂11のトランスファーモールドを実施するときに封止薄膜7に加わる圧力は、図2bに示すように第2のキャビティの側壁Bに加えられ、側壁Bは電極5との接点において電極5を押し込む。しかし、電極5の下には第1の犠牲層4、第1の犠牲層2、基板1が積層構造として存在し、かつ固定されているため、押し込まれた電極5は、その表面側のみが歪む。その結果、電極5と側壁Bとの接点箇所付近において、接点に向かう方向に応力が発生し、電極5の中空箇所固定されていない部分においては、図2cに示すように、表面側が接点方向に引っ張られる。更に、電極5と側壁Bとの接点の下側が第1のキャビティの側壁A第1の犠牲層4に固定されているために、電極5の中空箇所には上向き可動部3から遠ざかる方向の応力が生じることになる。かかる応力の発生により、電極5と可動部3との衝突が回避され、ギャップが保持される。第1のキャビティの側壁Aの内側表面aを、どの程度、第2のキャビティ側壁Bの内側表面bよりも内側に位置させるかは、素子の寸法および形状、電極および可動部の位置、形状および寸法、ならびに封止薄膜に圧力が加わったときに電極に生じる機械応力等に応じて、適宜決定されることが好ましい。以下に、第1のキャビティの側壁Aの内側表面aを、どの程度、第2のキャビティ側壁Bの内側表面bよりも内側に位置させるかについて、シミュレーション結果を用いて説明する。図13は、モールド圧として100気圧が封止薄膜7に加わったときの、第2のキャビティの側壁Bの位置に対する、電極5および封止薄膜7の厚み方向の最大変位をシミュレーションした結果である。図12は、電極5および封止薄膜7の厚み方向の最大変位をシミュレーションするときの変数となるA1およびB1、ならびに電極5と可動部3との間の距離C1および電極5と封止薄膜7との間の距離D1を説明する断面図であり、図1に示す断面図の一部に相当する。図12において、Oで示す位置は、電極5の基準位置である。ここで電極の基準位置とは、トランスファーモールドの実施に際して封止薄膜に圧力モールド圧力が加わり、それにより電極に厚み方向の力が加わって電極が変位する場合において、可動部と対向する領域において電極の厚み方向における変位が最大となる箇所をいう。したがって、図1に示すMEMS素子のように、開口部12が、スリット状の開口部であり、分離された片持ち梁電極のうち長い方の先端位置と可動部の側縁とが一致する場合には、基準位置Oは、長い方の先端即ち、開口部12との境界となる。開口部12が円形であって、電極5が開口部を境に2つに分かれておらず、且つ第2のキャビティの側壁Bが可動部3に対して左右対称の位置にある場合には、可動部3の中心と対向する位置が基準位置Oと決定されることとなる。即ち、当該断面図において、開口部を境に電極が2つの片持ち梁に分離されていると仮定して、長い方の片持ち梁の先端を基準位置Oとする。A1は、基板表面と平行な方向であり、かつ可動部3の梁が延びる方向と垂直な方向における、基準位置Oから第1のキャビティの側壁Aまで距離であり、B1は、基板表面と平行な方向であり、かつ可動部3の梁が延びる方向と垂直な方向における、基準位置Oから第2のキャビティの側壁Bまでの距離である。第1のキャビティの側壁Aが、可動部3の梁が延びる方向に対して平行でない場合例えば、側壁Aを上から見たときに、側壁Aが湾曲している場合場合には、側壁Aの形状および開口部12の位置に応じて基準位置Oが決定され、それに応じてA1厚み方向における電極の変位が最も大きくなる位置における、当該位置と側壁Aとの間の所定方向おける距離が決定される。B1についても同様である。C1は、基板表面に垂直な方向における、電極5と可動部3との間の最短距離であり、D1は、基板表面に垂直な方向における、電極5と封止薄膜7との間の最短距離である。シミュレーションは、B1/A1を変化させたときの、電極5の基板表面に垂直な方向即ち、厚み方向の最大変位をE1、封止薄膜7の基板表面に垂直な方向即ち、厚み方向の変位をF1として、E1/C1およびF1/D1を計算により求めて実施した。図12において、横軸をB1/A1とし、縦軸左軸をE1/C1、縦軸右軸をF1/D1としている。実線左軸は第1、第2のキャビティの側壁の位置関係を変化させたときの電極5の厚み方向の最大変位を表し、破線右軸は、第1、第2のキャビティの側壁の位置関係を変化させたときの封止薄膜7の厚み方向の最大変位を表している。ここで、E1/C1左軸が正の領域にあると、電極5は可動部3から遠ざかることを意味し、E1/C1が負の領域にあると、電極5は可動部3に近づくことを意味する。したがって、E1/C1=-1.0は、電極5および可動部3が接触することを表している。また、同様に、F1/D1右軸が正の領域にあると、封止薄膜7が電極5から遠ざかり、F1/D1が負の領域にあると、封止薄膜7が電極5に近づくことを意味する。したがって、F1/D1=-1.0は、封止薄膜7および電極5が接触することを表している。B1/A1横軸が1.0ある、即ち、A1=B1であるとき、第1のキャビティの側壁Aの位置と第2のキャビティの側壁Bの位置が一致することとなる。したがって、B1/A1>1.0は、第1のキャビティの側壁Aが第2のキャビティの側壁Bよりも内側にあることを、また、B1/A1<1.0は、第1のキャビティの側壁Aが第2のキャビティの側壁Bよりも外側に位置することを表している。図12のシミュレーションの結果、B1/A1が1.0よりも大きい領域において、E1/C1実線は0以上の正の値となることが確認された。すなわち、第1のキャビティの側壁Aを、第2のキャビティの側壁Bよりも内側とすることで、電極5と可動部3との間のギャップを維持することができ、または電極5を可動部3から遠ざけることができる。ただし、貫通口エッチングホールのマスク位置精度およびエッチングのばらつきを考慮すると、側壁Bの内側表面bの位置は、側壁Aの内側表面aの位置よりも、0.1μm以上外側にあることが好ましい。また、E1/C1は、B1/A1が1.1付近であるときに、ピークを示し、B1/A1≧1.5でほぼ0に近づく。これは、図2のbcで示したように、電極5と側壁Bの接点付近において電極5の表面が歪み、電極5の基準位置Oにおいて、電極5が可動部3から遠ざかる方向に応力が加わる効果が、B1/A1=1.0とB1/A1=1.5との間で大きくなることを表している。また、図12は、B1/A1が1.5以上であると、電極5の基準位置Oに加わる応力が小さくなり、電極5は殆ど厚み方向に変位しないことを表している。即ち、B1/A1が1.5以上であると、モールド圧力が封止薄膜7に加わっても、電極5と可動部3の距離がモールド圧力が封止薄膜7に加わらないときのそれから殆ど変化しないといえる。このことは、B1/A1≧1.5であると、モールド圧力の適用の有無に拘わらず、電極5-封止薄膜7のギャップがほぼ一定に保持されることを意味する。よって、B1/A1を1.5以上とすることが好ましい。これは、モールド圧力が加わっている間の電極-封止薄膜間のギャップの値と、当該ギャップの設計値との差を小さくできる、又は無くすことができるためである。破線で示されたF1/D1は、B1/A1がいずれの値であっても、0よりも小さい負の領域にある。このことは、第1のキャビティの側壁Aを第2のキャビティの側壁Bに対してどのように配置しても、モールド圧の適用により、封止薄膜7が変位することを示している。また、図12によれば、B1/A1が大きくなるにつれて、封止薄膜7が電極5に近づく方向に歪む量が大きくなることがわかる。さらに、図12は、B1/A1が3.2付近の値をとると、F1/D1が-1.0となる、即ち、封止薄膜7と電極5が接触することを示している。封止薄膜7と電極5が接触すると、共振器動作を確保できなくなるため、B1/A1を3.2以下にすることが好ましい。また、第1のキャビティの寸法の大小に拘わらず、第2のキャビティ10の寸法が大きいと、樹脂トランスファーモールド時に、封止薄膜7が撓んで、電極5および/または可動部3と接触することがある。したがって、電極5ないし可動部3と封止薄膜7とのギャップ、封止薄膜7のヤング率および膜厚を考慮して、100~150気圧程度の圧力が加わったときに、封止薄膜7が電極5および/または可動部3に接触しない程度に、第2のキャビティの寸法、ひいては側壁Bの内側表面の位置を決めることが好ましい。例えば、封止薄膜7を、10μm以下の膜厚を有するSiGeで構成し、電極5と封止薄膜7とのギャップが1μmである場合において、第2のキャビティ10の幅基板1の表面をx-y座標面とし、かつ可動部3の梁が延びる方向と平行な方向をy方向としたときに、x方向の寸法が200μm程度であると、モールド圧力100~150気圧下で、封止薄膜7が、電極5および/または可動部3と接触する。したがって、そのような構成のMEMS素子においては、第2のキャビティの幅が200μm未満となるように、側壁Bの内側表面の位置を決めることが好ましい。図1に示すMEMS素子において、第1のキャビティ9を画定する側壁Aは、段差を有する2つの層で形成されている。これは後述するように、例えば、SOI基板を用い、かつエッチングストップを設けることなく、製造することにより生じる。図1に示すMEMS素子の変形例において、2つの第1の犠牲層の内側表面は同じ位置にあってよく、あるいは下側の第1犠牲層2の内側表面が上側の第1犠牲層4の内側表面よりも、基板表面と平行な方向において外側に位置していてよい。本発明のMEMS素子においては、前述のとおり、第1のキャビティを画定する側壁のうち、電極と接する側壁の内側表面が、第2のキャビティの電極と接する側壁の内側表面よりも、基板表面と平行な方向において内側に位置することを要する。なお、図1に示すMEMS素子において、第1および第2のキャビティの電極と接する側壁AおよびBは、可動部3の梁の両側に位置し、例えば、図1に示すキャビティが上から見たときに略矩形である場合には、梁が延びる方向と平行な方向に沿って位置する。したがって、それ以外の側壁、例えば、図1に示すMEMS素子において、キャビティが上から見たときに略矩形である場合に、図1において示されていない、可動部3の梁が延びる方向に対して垂直な方向図において左右方向と略平行な方向に沿って位置する、第1のキャビティの側壁は、可動部3の梁が延びる方向に対して垂直な方向に沿って位置する第2のキャビティの側壁の内側表面よりも外側にあってよく、あるいは内側にあってよい。尤も、後述するプロセスを用いて本発明のMEMS素子を製造する場合には、一般に、第1のキャビティの側壁全体の内側表面が、第2のキャビティの側壁全体の内側表面よりも内側に位置することとなる。図3は図1のMEMS素子を製造方法の一例を示すプロセスフロー図である。まず、図3aに示すように、シリコン基板31と、BOX層埋め込み酸化シリコン膜32図1の2に対応と、単結晶シリコン層33図1の3に対応からなるSOI基板を用意する。このSOI基板において、フォトリソ工程とエッチング工程を実施し、単結晶シリコン層33をパターニングする。次に、図3bに示すように、酸化シリコン膜34図1の4に対応を成膜する。次に、図3cに示すように、導電層35図1の5に対応として、例えば、PtもしくはAlなどの金属材料、または多孔質シリコンなどを成膜し、所望のパターンを有する導電層35が得られるように、フォトリソ工程とエッチング工程によりパターニングする。更に、図3dに示すように、導電層35の上に、酸化シリコン膜36図1の6に対応と、封止薄膜を形成する材料の膜37図1の7に対応を順次成膜する。ここで、膜37を形成する材料は、例えば、多孔質シリコン、Pt、Al、およびAl2O3など、犠牲層除去工程において耐性を有する材料から選択される。最後に、図3eに示すように、フォトリソ工程とエッチング工程により、膜37に貫通口38図1の8に対応を開け、当該貫通口からエッチングガスまたはエッチャントを導入して、酸化シリコン膜36、酸化シリコン膜34、BOX層32の所望の領域を順に除去する。以上の工程を実施することにより、図1の構造は実現される。この製造方法によれば、膜36、34および層32が同じまたは同種の材料から成る場合でも、1つのエッチングプロセスによって、格別な制御を要することなく、第1のキャビティおよび第2のキャビティを、第1のキャビティの側壁全体の内側表面が、基板表面と平行な方向において、第2のキャビティの側壁全体の内側表面よりも内側に位置するように形成することができる。図1および図3には記載していないが、貫通口838からエッチングガス等を導入して、所望量の第1の犠牲層232、434および第2の犠牲層636を除去した後、封止薄膜737の表面を薄膜等で覆って、貫通口に蓋をし、第1のキャビティ9と第2のキャビティ10を密閉してもよい。MEMS素子を半導体プロセスを用いて製造する場合には、同一の構造を様々な手法を用いて得ることができる。したがって、本発明のMEMS素子の製造方法は、図3に示すフローに限られないことに留意すべきである。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態に係るMEMS素子の構造例を示した断面図である。図1に示すMEMS素子は、板状の電極と板状の可動部が基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域を有し、かつ両者の主表面が互いに平行である構造である。これに対し、図4に示すMEMS素子は、三角断面構造即ち、三角柱状の梁を有する可動部3を備え、三角形の可動部3の斜面に、電極5の側面が平行に対向する構造を有する。このMEMS素子においても、可動部3と電極5は、基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域可動部3の斜面と、これと平行である電極5の側面を有する。図4に示すMEMS素子において、電極5から見て可動部3の側は下側である電極5を下側に押すと可動部3と接触する。よって、第1のキャビティ9および第2のキャビティ10は電極5から見て、それぞれ下側および上側に位置する空間である。図1のMEMS素子と同様に、第1のキャビティの側壁Aの内側表面aは、第2のキャビティの側壁Bの内側表面bよりも、基板表面と平行な方向において、内側に位置している。この側壁構造によって得られる効果は、図1を参照して説明したとおりである。図4に示すMEMS素子においては、第1のキャビティ9を画定する側壁Aは、1層の犠牲層で構成されている。これは、SOI基板を用いて、単結晶シリコンから成る可動部3を形成した後に、BOX層表面に電極となる層を形成する方法で、MEMS素子を作製することによる。その他の要素については、先に第1の実施形態に関連して説明したとおりであるから、ここではその説明を省略する。図4に示すMEMS素子においては、可動部3を中心として、電極5が図の左右可動部3の梁が延びる方向と垂直な方向であって、かつ厚み方向と垂直な方向において対称に形成されている。よって、実施の形態1に関連して、図12および図13を参照して説明したA1およびB1を決定する際の電極5の基準位置は、図4に示すように、電極5の上側先端を通る位置となる。以上において、可動部の形状が異なる2種類のMEMS素子を説明した。本発明は、基板表面に垂直な方向において微小ギャップを介して電極と可動部とが互いに重なる領域を備える構造において、同様に適用できる。第3の実施形態図5は、本発明の第3の実施形態に係るMEMS素子の構造例を示した断面図である。図示したMEMS素子においては、基板1上に、第2の犠牲層12が形成され、第2の犠牲層12の上に電極5が形成され、電極5の上方に可動部3が設けられ、第1の犠牲層13,16が電極5の上に形成されている。図示した形態においては、第1の犠牲層16の上に封止薄膜7が設けられている。電極5と可動部3は微小ギャップを介して基板1の表面と垂直な方向において互いに重なる領域を有して即ち、図示した形態において、電極5の主表面と可動部3の主表面とが基板表面と平行となるように互いに対向して、振動子を構成する。可動部3と電極5は微小ギャップにより静電容量を構成し、電極5に電圧を印加することにより発生する静電力によって、可動部3を、撓み、拡がり、または捻りなどのモードで励振する。図5において、電極5から見て可動部3の側は、電極5の上側である。したがって、図示した形態において、電極5から見て上側に位置するキャビティ、即ち、符号20で示される空間が第1のキャビティ20である。ここで、第1のキャビティ20は、電極5と第1の犠牲層13、16と封止薄膜7とにより包囲されることによって形成される。図4において示されている第1の犠牲層13,16は、エッチングにより除去されなかった部分である。第1の実施形態に関連して説明したように、第1のキャビティ20を画定する側壁のうち、電極5と接している第1の犠牲層13から成る側壁Aの内側表面図5においてaで示す位置の位置が、後述する第2のキャビティの側壁Bの内側表面bの位置との関係で決定される。図5において、電極5から見て下側に位置するキャビティ、即ち、符号19で示される空間が第2のキャビティである。ここで第2のキャビティ19は、基板1と第2の犠牲層12と電極5とにより包囲されることによって形成される。第2の犠牲層19を画定する側壁Bは、第2の犠牲層12であって、エッチングにより除去されなかった部分である。第1のキャビティの側壁Aの内側表面を、第2のキャビティの側壁Bの内側表面よりもどれだけ内側に位置させるかは、図1、図12および図13を参照して説明したように、封止薄膜7に機械的な圧力が加わったときに、電極5と可動部3とのギャップが保持されるように、封止薄膜7に機械的な圧力が加わったときに電極5に生じる機械的応力を考慮して決定されることが好ましい。封止薄膜7には、貫通口8が形成される。この貫通口8は、犠牲層を除去してキャビティを形成するため、エッチングホールとして所望の位置に形成される。図5に示す形態のMEMS素子の製造に際しては、第1の犠牲層13、16と第2の犠牲層12は、犠牲層除去の際のエッチングレートが互いに異なる材料で形成される。より具体的には、第2の犠牲層12のエッチングレートが、第1の犠牲層13、16のそれよりも大きくなるように、各犠牲層の材料が選択される。その結果、貫通口8から導入されたエッチングガスまたはエッチャントが、第1の犠牲層16を除去し、さらに開口部12を通過して、第1の犠牲層13、第2の犠牲層12を順番に除去すると、第1のキャビティ20よりも第2のキャビティ19の方が基板表面と平行な方向において大きい寸法を有する。すなわち、第1のキャビティ20を画定する側壁Aの内側表面aは、第2のキャビティ19を画定する側壁Bの内側表面bよりも基板表面と平行な方向において内側に位置される。かかる構造を有するMEMS素子を、図2aに示すように、樹脂のトランスファーモールドにより封止する場合、封止薄膜7に加わる圧力は、側壁Aを通って、下側の第1の犠牲層13と電極5との接点において電極5を押し込む。側壁Aと電極5との接点において電極5の下は空洞となっているため、電極5はそのまま押し下げられる。したがって、電極5には、可動部3とは反対側に作用する応力成分が生じ、その結果、電極5と可動部3の衝突は回避される。すなわち、図5の構成において、モールド圧力が封止薄膜7に加わったとき、封止薄膜7と電極5は一体的に厚み方向に変位して、図12の破線で示すような振る舞いをする。したがって、第1のキャビティの側壁Aの位置を第2のキャビティの側壁Bの位置よりも内側にすることで、電極5は可動部3から遠ざかる方向に変位する。図6は本発明の第3の実施形態に係るMEMS素子の別の構造例を示した断面図である。図6に示すMEMS素子は、犠牲層を除去してキャビティを形成するためのエッチングホールとして、基板1に貫通口18が形成されている点で、図5のMEMS素子とは異なる。また、この形態において、第1の犠牲層13、16と第2の犠牲層12は、同じ、もしくは同種の材料で形成されている。この形態のMEMS素子は、貫通口18から、エッチングガスまたはエッチャントを導入し、第2の犠牲層12、第1の犠牲層13、第1の犠牲層16をこの順に除去する方法で製造することができる。貫通口18からエッチングガス等を導入することにより、エッチングガス等に曝される時間が第2の犠牲層12においてより長くなる。そのため、すべての犠牲層の材料を同じにした場合でも、第2のキャビティ19が第1のキャビティ20よりも基板表面と平行な方向において大きい寸法を有する。すなわち、第1のキャビティ20を画定する側壁Aの内側表面aは、第2のキャビティ19を画定する側壁Bの内側表面bよりも、基板表面と平行な方向において内側に位置する。これにより、封止薄膜7の表面および素子の側面を樹脂でモールド封止する場合において、図5を参照して説明したメカニズムにしたがって、電極5と可動部3の衝突は回避される。図5には記載していなが、貫通口8からエッチングガス等を導入して、所望量の第1の犠牲層13、16と第2の犠牲層12を除去した後、封止薄膜7の表面を薄膜等で覆って、貫通口に蓋をし、第1のキャビティ20と第2のキャビティ19を密閉してもよい。同様に、図6には記載していなが、貫通口18からエッチングガス等を導入して、所望量の第1の犠牲層13、16と第2の犠牲層12を除去した後、基板1の表面図において下側に位置する露出表面を薄膜で覆って、貫通口に蓋をし、第1のキャビティ20と第2のキャビティ19を密閉してもよい。図5および図6においては、第1の犠牲層16の内側表面は第1の犠牲層13の内側表面よりも基板表面と平行な方向において内側に位置している。第1の犠牲層が2以上の層から成る場合において、それらの層の内側表面の位置関係は、特に限定されない。例えば、図5および図6に示すMEMS素子において、電極5と接触する第1の犠牲層13から成る側壁Aの内側表面aが、第2の犠牲層12から成る側壁Bの内側表面bよりも基板表面と平行な方向において内側に位置する限りにおいて、上側の第1の犠牲層16の内側表面は、下側の第1犠牲層13のそれよりも基板表面と平行な方向において外側に位置してよい。図5および図6においては、電極と可動部の主表面が基板表面に対して垂直であり、かつ互いに平行となっている構造を示した。図5および図6に示す形態の変形例においては、電極と可動部が基板表面に垂直な方向においてギャップを隔てて互いに重なる領域を備えた他の構造を有してよい。"