"原料ガスを利用して膜を形成するための成膜炉と、前記成膜炉内のガスを前記成膜炉から排気するための排気流路であって、一端にフランジ部が設けられた複数のフランジ配管をフランジ接続して構成される前記排気流路と、前記排気流路における前記フランジ接続の部分を覆う中空体と、を備え、前記中空体内は、不活性ガスで満たされており、前記中空体内の前記不活性ガスの圧力は、大気圧以上である、成膜装置。前記中空体には、前記不活性ガスを前記中空体内に供給するためのガス供給口と、前記中空体内から前記不活性ガスを排気するためのガス排気口とが形成されている、請求項1記載の成膜装置。前記不活性ガスは、前記中空体内に大気圧以上で封入されているか、又は、前記中空体内で大気圧以上となるように前記中空体を連続的に通過する、請求項1又は2記載の成膜装置。前記中空体内の前記不活性ガスの圧力を計測する圧力計を更に備える、請求項1~3の何れか一項記載の成膜装置。前記圧力計に電気的に接続されており、前記圧力計の計測結果が所定の閾値より低下したときに、警報を発する警報機を更に備える、請求項4記載の成膜装置。前記圧力計に電気的に接続されており、前記圧力計の計測結果が所定の閾値より低下したときに、前記圧力計の計測結果が前記所定の閾値値以上になるように前記中空体内の前記不活性ガスの量を調整するガス量調整部を更に備える、請求項4又は5記載の成膜装置。前記原料ガスがシランガスである、請求項1~6の何れか一項記載の成膜装置。前記成膜炉は、SiC膜をCVDによってエピタキシャル成長させるためのエピタキシャル成長炉である、請求項1~7の何れか一項記載の成膜装置。しかしながら、複数のフランジ配管の接続部分であるフランジ接続部では、溶接接続に比べてリークが発生しやすい。排気部が稼働している場合、フランジ配管内は負圧に保たれる。そのため、リークが発生すれば、大気がフランジ配管内に吸入される。大気中には、酸素や水分が含まれるので、原料ガスにシランガスといった発火性のガスを使用している場合には、酸素がフランジ配管内に入り込むと発火の危険性がある。また、原料ガスに発火の危険のないガスを使用していたとしてもフランジ配管内に大気が入り込むと化学反応によってダストを更に発生させる原因にもなる。そこで、本発明は、排気部が有するフランジ配管内に大気が入り込むことを防止可能な成膜装置を提供することを目的とする。本発明の一側面に係る成膜装置は、原料ガスを利用して膜を形成するための成膜炉と、成膜炉内のガスを成膜炉から排気するための排気流路であって、一端にフランジ部が設けられた複数のフランジ配管をフランジ接続して構成される排気流路と、排気流路におけるフランジ接続の部分を覆う中空体と、を備える。上記中空体内は、不活性ガスで満たされており、中空体内の不活性ガスの圧力は、大気圧以上である。この構成の成膜装置では、排気流路が、大気圧以上の圧力の不活性ガスで満たされた中空体で覆われているので、フランジ接続の部分にリークが発生しても、フランジ配管内に大気が入り込むことが防止できる。一実施形態において、中空体には、不活性ガスを中空体内に供給するためのガス供給口と、中空体内から不活性ガスを排気するためのガス排気口とが形成され得る。この場合、ガス供給口から不活性ガスを供給し、ガス排気口から不活性ガスを排出することを繰り返すことによって、中空体内から大気をより確実に排除して中空体内が不活性スで満たされ得る。一実施形態において、不活性ガスは、中空体内に大気圧以上で封入されていればよい。或いは、一実施形態において、不活性ガスは、中空体内で大気圧以上となるように中空体を連続的に通過してもよい。中空体内に不活性ガスが封入する場合、中空体内の不活性ガスの圧力の調整が容易である。また、不活性ガスが中空体内で大気圧以上となるように中空体を連続的に通過する場合、中空体内のガスは排気されながら、連続的に流れ込んでくる不活性ガスで満たされる。そのため、仮に、中空体内に大気が入り込んでも、その大気はすぐ排出され、フランジ接続の部分からフランジ配管内に大気が入り込むことが更に、防止され得る。一実施形態の成膜装置は、中空体内の不活性ガスの圧力を計測する圧力計を更に備えてもよい。フランジ接続の部分にリークが生じると、中空体内の圧力に変動が生じる。よって、圧力計の計測結果によって、フランジ接続の部分のリークの有無を検知し得る。圧力計を備える成膜装置の一実施形態では、圧力計に電気的に接続されており、圧力計の計測結果が所定の閾値から低下したときに、警報を発する警報機を更に備えてもよい。この場合、フランジ接続の部分のリークが生じた際、圧力計の測定結果が所定の閾値以上になるように警報機を設定しておけば、警報が、フランジ接続の部分のリークが生じていることを示す。そのため、警報によって、フランジ接続の部分のリークの有無が知られ得る。圧力計を備える成膜装置の一実施形態では、圧力計に電気的に接続されており、圧力計の計測結果が所定の閾値から低下したとき、圧力計の計測結果が所定の閾値以上になるように中空体内の不活性ガスの量を調整するガス量調整部を更に備えてもよい。この場合、フランジ接続の部分のリークが生じた際、ガス量調整部によって、自動的に中空体内の不活性ガスの量が調整される。その結果、中空体内の不活性ガスの圧力を大気圧以上に自動的に維持し得る。一実施形態において、上記原料ガスはシランガスであり得る。また、一実施形態において、成膜炉は、SiC膜をCVDによってエピタキシャル成長させるためのエピタキシャル成長炉であり得る。原料ガスにシランガスを利用している場合、未反応のシランガスが排気流路を介して成膜炉内から排気される。発火性のシランガスが酸素と混じると、発火する危険があるが、不活性ガスで満たされた中空体を備えた成膜装置では、フランジ配管内に酸素が入ることが防止される。その結果、上記原料ガスとしてシランガスを利用してしても、安全に膜を形成することが可能である。SiC膜をエピタキシャル成長させる場合、原料ガスとして少なくともシランガスが利用される。その結果、前述したように、SiC膜を安全に形成することが可能である。本発明によれば、排気部が有するフランジ配管内に大気が入り込むことが防止できる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。図1は、一実施形態に係る成膜装置の構成を概略的に示す概略構成図である。成膜装置1は、成膜炉10と、成膜炉10に供給される原料ガスの原料ガス源21,22と、原料ガス源21,22からの原料ガスを成膜炉10内に導入する原料ガス供給管31,32と、成膜炉10に供給される希釈ガスの希釈ガス源23と、希釈ガス源23からの希釈ガスを成膜炉10内に供給する希釈ガス供給管33と、成膜炉10内のガスを排気する排気部40とを備える。原料ガス源21,22は、例えば、原料ガスボンベであり、希釈ガス源23は、例えば、希釈ガスボンベである。成膜炉10は、成膜室11内の基板支持台12に載置された基板P上に、原料ガス源21,22から原料ガス供給管31,32を介して供給される原料ガスを利用して基板P上に膜Mを形成する。基板Pの一例は半導体基板である。半導体基板の例は、Si基板及びSiC基板を含む。成膜炉10は、原料ガスを利用して膜Mを形成する構成であれば特に限定されない。そのため、成膜炉10は、例えば、基板Pを加熱する加熱機構例えば、高周波誘導加熱装置等を備え得るが、成膜炉10の構成の詳細な説明は省略する。原料ガス源21,22の数は、膜Mを形成するための原料ガスの種類数に対応しており、原料ガス源の数は、1つでも3つ以上でもよい。一実施形態において、成膜炉10は、Si基板又はSiC基板上にSiC膜を、CVDChemicalVaporDeposition化学気相成長を利用してエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉である。この場合、成膜装置1は、基板P上にSiC膜を形成するためのCVD装置である。成膜装置1がSiC膜を形成する場合、原料ガス源21から供給される原料ガスの一例は、シランSiH4ガスであり、原料ガス源22から供給される原料ガスの一例はプロパンガスである。希釈ガスは、原料ガスの種類などによって適宜選択すればよい。希釈ガスの一例は、水素ガスである。排気部40は、真空ポンプといった排気ポンプ41と、成膜炉10から排気されたガスである排気ガスを洗浄処理する排気ガス処理装置42と、成膜炉10と排気ポンプ41とを繋ぐ排気流路431と、排気ポンプ41と排気ガス処理装置42とを繋ぐ排気流路432と、排気ガス処理装置42で洗浄された排気ガスを排出する排出路44と、を含む排気ポンプ41は、成膜炉10内のガスを、排気流路431を介して排気する。排気ガス処理装置42は、排気ポンプ41で成膜炉10から吸引された排気ガスを、排気流路432を介して排気ポンプ41から更に吸引する。排気ガス処理装置42は、排気ガスを洗浄して排出路44から成膜装置1外部に排出する。一実施形態において、排気部40は、図1に例示するように、成膜時に発生したダスト、及び、成膜に寄与しなかった原料ガスなどにより発生したダスト等、成膜炉10からの排気ガスに含まれるダストを取り除くダストトラップといったダスト除去部52を備えていてもよい。ダスト除去部52は、例えば、排気ポンプ41より上流側の排気流路431に設けられ得る。ダスト除去部52は、例えば、排気流路431の一部を冷却してダストをトラップする。なお、図1では、ダスト除去部52を模式的に示している。図2は、排気部の一部の拡大図である。以下では、説明の便宜のため、排気流路431と排気流路432とを、排気流路43iiは1又は2とも称する。排気流路431,432の構成要素及び排気流路431,432に対応して設けられる成膜装置1の構成要素についても同様の表記を採用する。図2では、排気流路43iの一部の断面構成を模式的に示している。排気流路43iは、管状の配管部431aiの一端にフランジ部431biが形成されたフランジ配管431iと、管状の配管部432aiの一端にフランジ部432biが形成されたフランジ配管432iとを有する。フランジ配管431iとフランジ配管432iとは、フランジ部431biとフランジ部432biとが例えば螺子433iによって固定されることによってフランジ接続される。この際、2つのフランジ部431biとフランジ部432biとは、Oリングを介して接続されていてもよい。また、フランジ部431biとフランジ部432biとが例えばクイックカップリングによって固定されていても良い。排気部40は、排気流路43iのフランジ接続の部分以下、フランジ接続部43aiを覆うガス充填部45iと、ガス充填部45i内に不活性ガスを供給する不活性ガスボンベといった不活性ガス源46図1参照と、ガス充填部45iと不活性ガス源46とを接続する不活性ガス供給管47i図1参照とを更に備える。不活性ガス源46からガス充填部45iに供給される不活性ガスの例は、ヘリウムHeガス及びアルゴンArガスといった希ガス並びに窒素N2ガスを含む。ガス充填部45iは、箱状の中空体である。ガス充填部45iは、フランジ接続部43aiに脱着可能に構成されている。ガス充填部45iの壁部には、ガス供給口45ai及びガス排気口45biが形成されている。ガス供給口45aiには、不活性ガス供給管47iが接続されている。ガス排気口45biには、ガス排気管48iが接続されている。図1に示すように、不活性ガス供給管47i及びガス排気管48iには、バルブ471i及びバルブ481iが設けられている。バルブ471iの開閉量が調整されることによって、ガス充填部45i内への不活性ガス供給量が制御され得る。バルブ481iの開閉量が調整されることによって、ガス充填部45iからのガス排出量が調整され得る。そのため、バルブ471i,481iの開閉量をそれぞれ調整することによって、ガス充填部45iの圧力が制御され得る。バルブ471i,481iを閉じることによって、不活性ガスは、ガス充填部45i内に封入される。ガス充填部45i内に封入される不活性ガスの圧力は大気圧以上である。一実施形態において、排気部40は、図1に示すように、圧力計49iと、圧力計49iに電気的に接続された警報機50iと、圧力計49iに電気的に接続されたガス量調整部51とを備える。圧力計49iは、ガス充填部45i内のガス圧を計測する。フランジ接続部43aiにリークが生じると、圧力計49iの値が変化するので、圧力計49iは、フランジ接続部43aiでのリークの有無を検知する検知機として機能する。例えば、ガス充填部45i内に不活性ガスが封入されている場合、フランジ接続部43aiにリークが生じると、ガス充填部45i内のガス圧が低下する。よって、ガス圧の計測誤差と当初設定したガス充填部45i内の不活性ガスの圧力を考慮した所定の閾値より、ガス充填部45i内のガス圧が低下した場合に、圧力計49iの計測結果は、リークが生じていることを示す。圧力計49iは、計測した圧力計測結果を電気信号として警報機50i及びガス量調整部51に入力する。警報機50iは、圧力計49iの計測結果が、所定の閾値から低下したときに警報を発する。上記所定の閾値は、前述したように、ガス圧の計測誤差などを考慮して、フランジ接続部43aiにおけるリークを検知できるように設定されていればよい。ガス量調整部51は、圧力計49iの計測結果が上記所定の閾値から低下したとき、換言すれば、所定の閾値未満になったときに、バルブ471i,481iを調整してガス充填部45i内の圧力を所定の閾値以上になるように、ガス充填部45iへのガス供給量及びガス充填部45iからのガス排出量の少なくも一方を制御する。一実施形態では、バルブ471i,481iに、電気的に開閉を制御可能なバルブ例えば、電磁バルブを使用し、ガス量調整部51は、バルブ471i及びバルブ481iの少なくとも一方を調整することによって、ガス充填部45iのガス量を調整する。ガス量調整部51は、いわゆるコンピュータ装置とすることができる。ガス量調整部51は、圧力計491及び圧力計492のそれぞれの計測結果に応じて、ガス充填部451及びガス充填部452内の不活性ガスの圧力をそれぞれ別々に調整し得る。成膜装置1の成膜炉10において基板P上に膜Mを成膜する際には、排気部40の排気ポンプ41を駆動して、成膜炉10内を減圧する。成膜炉10内の圧力の一例は0.1気圧約76Torr,約10kPaである。このような減圧状態において、原料ガス源21,22及び希釈ガス源23からの原料ガス及び希釈ガスを成膜炉10内に供給し、基板P上に膜Mを成膜する。膜Mの形成過程において、排気部40は、排気ポンプ41を動作することによって、成膜炉10内のガスを排気して成膜炉10内の圧力を所定の値例えば、0.1気圧に保つ。排気部40によって、成膜炉10内のガスを排気することによって、成膜炉10内の未反応の原料ガスなどを含むガスを排気し、成膜炉10内を膜形成に適した環境に保つ。排気部40は、排気ガスに含まれる有害成分を除害して、成膜装置1外部に排気する。成膜炉10から排気されるガスである排気ガスには、膜形成に関与しなかった未反応の原料ガス及びその未反応ガスに基づく反応生成物を含むダストが含まれる。一実施形態として例示したように、ダスト除去部52を備えた形態においても、通常、成膜装置1では大量のダストが発生するため、ダスト除去部52のみで全てのダストを除くことは困難である。その結果、排ガス処理装置42に至る排気流路43i内にはダストが溜まる。このように、成膜装置1において、成膜炉10の排気系統では、排気ガスの排気流路43i内に上述したダストがたまりやすい。このダストの清掃のため、図1及び図2に示したように、排気流路43iには、フランジ配管431i,432iを使用している。排気ポンプ41を利用して成膜炉10内のガスを排気している場合、排気流路43i内は負圧になっていることから、仮に、ガス充填部45iでフランジ接続部43aiを覆っていない場合、フランジ接続部43aiにリークが生じると、排気流路43i内に酸素や水分が入り込む。原料ガスなどにシランガスといった発火性のガスを利用していると、このように排気流路43i内に酸素が入り込んだ場合、発火する可能性もあり危険である。また、原料ガスなどが発火性のガスで無かったとしても、大気が排気流路43i内に入り込むことで、化学反応が起こってダストが発生しやすくなる。ダストが発生すれば、排気流路43iの掃除の間隔が短くなる場合もあるし、排気ポンプ41の寿命が短くなる場合もある。これに対して、図1に示した成膜装置1のように、フランジ接続部43aiを、ガス充填部45iで覆っている構成では、フランジ接続部43aiにリークがあったとしても、ガス充填部45i内には、不活性ガスが封入されているので、排気流路43i内に大気は流入しない。その結果、原料ガスにシランガスといった発火性のガスを利用していても、発火の危険性はない。従って、成膜装置1が、例えば、Si基板又はSiC基板上に、高温環境下において、CVDを利用してSiC膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉を含むCVD装置であっても、安全にSiC膜を形成できる。特に、成膜炉10がSiC膜を形成するためのエピタキシャル成長炉である場合、ダストが発生しやすいことから、フランジ配管431i,432iが使用される傾向にある。そのため、フランジ接続部43aiにリークがあった場合でも大気の排気流路43i内への流入が防止されている排気部40の構成は、成膜装置1がSiC膜を形成するためのCVD装置である場合に、より有効である。ガス充填部45i内に封入されるガスは不活性ガスであることから、フランジ接続部43aiから排気流路43i内に入り込むガスも、不活性ガスである。その結果、原料ガスが上記発火性のガス以外であっても、そのようなガスが化学反応を起こして更に別のダストを生成しない。そのため、清掃回数の増加を低減できると共に、排気ポンプ41の寿命を長くすることが可能である。ガス充填部45i内の不活性ガスの圧力が大気圧以上であることから、ガス充填部45iがフランジ接続部43aiに取り外し可能な構造であったとしても、ガス充填部45i内に大気が入り込まない。よって、フランジ接続部43aiにリークがあったとしても、排気流路43i内への大気の流入が確実に防止され得る。更に、ガス充填部45iがガス供給口45ai及びガス排気口45biを有しているので、ガス充填部45iに不活性ガスを高純度で封入し得る。すなわち、ガス充填部45iにガス供給口45aiから不活性ガスを供給し、ガス排気口45biからガス充填部45i内の不活性ガスを含むガスを排出することを繰り返すことによって、ガス充填部45i内から不活性ガス以外のガスを除去できる。そのため、ガス充填部45iから大気を確実に除外して、ガス充填部45iを不活性ガスで満たし得る。従って、フランジ接続部43aiにリークがあったとしても、排気流路43i内への大気の流入が確実に防止され得る。ガス充填部45iに不活性ガスを封入しているので、ガス充填部45i内の不活性ガスの圧力の調整が容易である。図1に示した排気部40のように、排気部40が、圧力計49i、警報機50i、及び、ガス量調整部51を備えている形態では、フランジ接続部43aiにリークが生じると、圧力計49iの計測結果の値が低下する。圧力計49iの示す値が、所定の閾値を超えて低下すると、警報機50iが鳴る。その結果、成膜装置1の操作者が圧力計49iの計測結果を常にチェックしていなくても、フランジ接続部43aiにおけるリークの有無を素早く検知できる。更に、圧力計49iの計測結果が所定の閾値を超えて低下すると、ガス量調整部51が、バルブ471i,481iを制御して、ガス充填部45i内の圧力が所定の閾値以上になるように、不活性ガスのガス充填部45iへの供給量又はガス充填部45iからの排出量を調整する。そのため、成膜装置1の操作者が成膜装置1から離れていても、排気流路43i内に大気が入り込むことを自動的に防止できる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず,本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。ガス充填部45iに不活性ガスが封入されている形態に限定されず、ガス充填部45i内の不活性ガスの圧力が大気圧以上となるように、不活性ガスがガス供給口45aiからガス排気口45biに向けて連続的に通過する形態でもよい。このような不活性ガスのフロー状態では、バルブ471i,481iの開閉量を調整することによって、例えば、排出量が供給量より小さくなるようにすることによって、ガス充填部45i内の不活性ガスの圧力を大気圧以上とし得る。更に、ガス充填部45i内のガスは排気されながら、連続的に流れ込んでくる不活性ガスでガス充填部45i内は満たされる。そのため、仮に、ガス充填部45i内に大気が入り込んでも、その大気はすぐ排出され、ガス充填部45i内のガスを不活性ガスとし得る。このように、不活性ガスがフロー状態であっても、フランジ接続部43aiの周囲は不活性ガスで満たされるので、フランジ接続部43aiにリークが生じても、フランジ配管431i,432i内に大気が流入することはない。ガス充填部45i内への不活性ガスの供給量を調整する構成及びガス充填部45i内から排出されるガスの排出量を調整する構成は、不活性ガス供給管47i及びガス排気管48iにバルブ471i,481iを取り付けた構成に限定されない。例えば、不活性ガス供給管47i及びガス排気管48iにバルブ471i,481iを取り付ける代わりに、ガス供給口45ai及びガス排気口45biに開閉機構が設けられていてもよい。更に、ガス充填部45iは、ガス充填部45i内に不活性ガスが大気圧以上で満たされていれば、ガス供給口45ai及びガス排気口45biを備えなくてもよい。この場合、例えば、ガス充填部45iをフランジ接続部43aiに取り付ける際に、ガス充填部45i内に不活性ガスを大気圧以上で封入すればよい。ガス充填部45iは、不活性ガスが満たされ得る中空体であれば、箱状のものに限定されない。圧力計49iを備えなくてもよいが、一実施形態として説明した圧力計49iを備えた構成では、警報機50i及びガス量調整部51の少なくとも一方は備えなくてもよい。警報機50iを備えずにガス量調整部51を備える場合には、ガス量調整部51によって、ガス充填部45i内の不活性ガスの圧力が大気圧以上に維持されるので、フランジ配管431i内への大気の流入を抑制できる。ガス充填部45iに対して一つのガス量調整部51を備える一形態を例示したが、ガス充填部451,452にそれぞれガス量調整部51が設けられていてもよい。逆に、ガス量調整部51を備えずに警報機50iを備える構成では、警報機50iが鳴った時点で、排気部40の動作を停止させればよい。ガス量調整部51を備えない構成では、バルブ471i,481iは、電気的に開閉量を調整可能なバルブ例えば、電磁バルブ等ではなく、手動で開閉量が調整可能なバルブでもよい。ガス充填部45iへの不活性ガスの供給量を調整するためにバルブを利用した形態を説明したが、バルブの代わりに、不活性ガス源46が供給量調整機構を備えている場合には、ガス量調整部51は、不活性ガス源46を制御して、供給量を調整すればよい。警報機50i及びガス量調整部51を備えない場合には、圧力計49iの計測結果を、成膜装置1の操作者がモニタしておけばよい。警報機50i及びガス量調整部51を備えない場合、圧力計49iは、計測結果を電気信号で出力するようなデジタル形式のものに限らず、アナログ形式のものでもよい。上記圧力計49i、警報機50i及びガス量調整部51を備える形態では、排気部40に含まれるとして説明したが、圧力計49i、警報機50i及びガス量調整部51は、成膜装置1の構成要素であればよい。排気流路43iは、2つのフランジ配管431iがフランジ接続されている構成に限らず、3つ以上のフランジ配管がフランジ接続された構成とし得る。この場合、各フランジ接続部に不活性ガスで満たされたガス充填部で覆われていればよい。排気部40は、排気流路432を備えない形態とすることもできる。例えば、排気ポンプ41に排気ガス処理装置42の機能が付帯している場合には、排気部40は、排気流路432を備えなくてもよい。"