"投影システムと基板の対向面、前記基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、前記液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解する及び/又は前記液浸液内の泡が前記液浸空間内に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、前記流体ハンドリング構造が下面を有する流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、前記下面内に位置する、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、前記下面内に形成された抽出開口の半径方向内側にある、請求項1又は2に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、少なくとも部分的に液体供給開口の半径方向内側にある、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、少なくとも部分的に液体供給開口の半径方向外側にある、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、少なくとも対向面と前記下面との間の運動の好ましい相対方向に関連付けられる、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、平面視で前記流体ハンドリング構造の前記下面の少なくとも1つの隅にある、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、平面視で少なくとも前記下面の隅間にある、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、前記液浸空間を取り囲む、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、850kHzを超える周波数で動作する、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、複数のトランスデューサ要素を備え、前記要素の少なくとも2つが、異なる周波数で動作する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。前記トランスデューサが、前記下面に開いた液体供給開口に通じる流体ラインに隣接する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の流体ハンドリング構造。請求項1乃至12のいずれかに一項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。投影システムと基板の対向面、前記基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、前記液浸液内の泡を制御して、泡が前記投影システムから投影ビームの光路に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、前記トランスデューサが、下面内に形成された抽出開口の半径方向内側にある流体ハンドリング構造の前記下面内に位置する流体ハンドリング構造。流体ハンドリング構造によって閉じ込められた液浸液を通って投影システムと基板との間の空間へ至る光路に沿ってパターン付放射ビームを前記基板上に投影するステップと、音波を用いて前記液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解し、及び/又は前記液浸液内の泡が前記光路に侵入することを防止するステップと、を含むデバイス製造方法。0006液浸リソグラフィの分野では、液浸液内に存在する泡が結像エラー又は欠陥の原因になる場合がある。0007露光中に泡が投影ビームの光路に進入するのを防止はできなくても低減することで欠陥を緩和することが望ましい。0008ある実施形態では、投影システムと基板の対向面、基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解するトランスデューサを備え、下面を有する流体ハンドリング構造が提供される。0009ある実施形態では、投影システムと基板の対向面、基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、液浸液内の泡が液浸空間内に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、下面を有する流体ハンドリング構造が提供される。0010ある実施形態では、投影システムと基板の対向面、基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造が提供される。該流体ハンドリング構造は、液浸液内の泡を制御して、泡が投影システムから投影ビームの光路に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、トランスデューサは、下面内に形成された抽出開口の半径方向内側にある流体ハンドリング構造の下面内に位置する。0011ある実施形態では、流体ハンドリング構造によって閉じ込められた液浸液を通って投影システムと基板との間の空間へ至る光路に沿ってパターン付放射ビームを基板上に投影するステップと、音波を用いて液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解し、及び/又は液浸液内の泡が光路に侵入することを防止するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。0031図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0032照明システムILは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0033支持構造MTはパターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造MTは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0034本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0035パターニングデバイスMAは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0036本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0037本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0038リソグラフィ装置は、それらの少なくとも1つ又はすべてが基板を保持することができる2つデュアルステージ以上のテーブル及び/又は2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプであってもよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0039図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源SOとリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源SOはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源SOが水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0040イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源SOと同様、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータILは着脱式であり、別に提供されてもよい例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって。0041放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0042図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00431.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00442.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームBに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cのスキャン方向における高さが決まる。00453.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0046上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0047投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも2つの一般的カテゴリに分類される。これらは、浴タイプ構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴タイプ構成では、実質的に基板の全体とオプションとして基板テーブルの一部が液体の浴内に浸漬される。いわゆる局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリでは、液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面より小さく、液体で充填される領域は、基板がその領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止している。本発明のある実施形態が指向する別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、実質的に基板の上面全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。図2~図5の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、液体供給デバイスには封止フィーチャが存在しないか、活性化されていないか、通常のものより効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。図2~図5には、4つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。0048提案されている構成の1つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する。これを配置構成するために提案されている1つの方法が、PCT特許出願公開WO99/49504号に開示されている。図2及び図3に示されているように、液体が少なくとも1つの入口によって基板上に、望ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって除去される。つまり、基板が-X方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素のX側にて供給され、-X側にて取り上げられる。図2は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。基板Wの上の矢印は液体のフローの方向を示し、基板Wの下の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図2の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図3に図示され、ここでは両側に出口を持つ4組の入口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイス内の矢印は、液体のフローの方向を示す。0049局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図4に示されている。液体が、投影システムPSのいずれかの側にある2つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口によって供給され、投影システムPSの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムPSと基板Wの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Wの動作方向によって決定することができる他の組合せの入口及び出口は動作しない。図4の断面図では、矢印は入口への、また出口からの液体のフローの方向を示す。0050欧州特許出願公開EP1420300号及び米国特許出願公開US2004-0136494号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する2つのテーブルを有する。第1の位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第2の位置にあるテーブルで、露光を実行する。ある構成では、装置は1つのテーブルのみを有するか、又は1つのテーブルのみが基板を支持することができる2つのテーブルを有する。0051PCT特許出願公開WO2005/064405号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成を開示している。このようなシステムでは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。WO2005/064405号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を供給する。その液体は、基板の残りの部分の上に漏れる又は流れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ1つの方法が、米国特許出願公開US2006/0119809号に記載されている。すべての位置で基板を覆い、液浸液を自身と基板及び/又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。0052提案されている別の構成は、液体供給システムに流体ハンドリング構造を提供する構成である。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在していてもよい。そのような構成を図5に示す。流体ハンドリング構造は、投影システムに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向には相対的に多少動くことができる。流体ハンドリング構造と基板表面との間には封止が形成される。ある実施形態では、流体ハンドリング構造と基板表面との間には封止が形成され、封止はガスシールなどの非接触封止でよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。別の実施形態では、流体ハンドリング構造は、非ガスシールである封止を有するので液体閉じ込め構造と呼んでもよい。0053図5は、投影システムPSの最終要素と基板テーブルWT又は基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材又は液体閉じ込め構造を形成する本体12を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造又はデバイスを概略的に示す。以下の説明で、基板Wの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルWTの表面も意味することに留意されたい。液体ハンドリング構造は、投影システムPSに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向通常、光軸方向には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、本体12と基板Wの表面との間には封止が形成され、封止は、ガスシール又は流体シールなどの非接触封止でよい。0054流体ハンドリング構造は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間11内に閉じ込められるように、基板Wへのガスシール16などの非接触封止を投影システムPSのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間11は、投影システムPSの最終要素の下に位置しそれを取り囲む本体12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムPSの下の空間11、及び液体入口13によって本体12内に流し込まれる。液体は、液体出口13によって除去することができる。本体12は、投影システムPSの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、本体12は、上端で、投影システムPS又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。内周は任意の形状であってよく、例えば、内周は投影システムの最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。0055液体は、使用時に、本体12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められる。ガスシール16は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、N2又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール16内のガスは、入口15を介して本体12と基板Wとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口14を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口15上の過圧、出口14上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。本体12と基板Wとの間の液体上のガスの力で、液体は空間11内に封じ込められる。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間11内に封じ込める効果がある。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。0056図5の例は、液体が任意の一時点で基板Wの上面の局所領域にのみ提供されるいわゆる局所領域構成である。例えば、米国特許出願公開US2006-0038968号に開示された単相抽出器又は2相抽出器を使用する流体ハンドリング構造を含むその他の構成も可能である。ある実施形態では、単相抽出器又は2相抽出器は、多孔質の材料で覆われた入口を備えていてもよい。単相抽出器の実施形態では、多孔質の材料は、単液体相液体抽出を可能にするために、ガスから液体を分離するために使用される。多孔質の材料の下流側にあるチャンバはわずかに圧力がかかった状態に保たれ、液体で充填されている。チャンバ内の加圧は、多孔質の材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲ガスがチャンバ内に引き込まれない程度の大きさである。しかし、多孔質の表面が液体に接触すると、フローを制限するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入できる。多孔質の材料は、例えば5~300μm、望ましくは5~50μmの範囲の直径の多数の小さい孔を有する。ある実施形態では、多孔質の材料は、少なくともわずかに親液性例えば、親水性であり、すなわち、水などの液浸液に対して90°未満の接触角を有する。0057例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、米国特許出願US2009-0279062号に開示された2相抽出によって液体メニスカスが出口開口に固定されたガス抵抗構成などの多数のその他のタイプの液体供給システムも可能である。本発明は、任意の特定のタイプの液体供給システムに限定されない。本発明は、投影システムの最終要素と基板との間の液体が例えば使用を最適化する際に閉じ込められる閉じ込め液浸システムと併用する場合に有利である。しかし、本発明は、その他の任意のタイプの液体供給システムとも併用することができる。0058投影システムと対向面基板、テーブル例えば、基板を支持する、又はその両方との間の液浸空間内にある液浸液内にいくつかの方法で泡が形成されることがある。液滴が流体ハンドリング構造と対向面との間のメニスカスに衝突して液浸空間内に泡を混入させることがある。泡は、液体供給開口を通して液体と共に導入されることがある。泡は、液浸システム内に存在する溶解ガスから発生することがある。例えば、そのような泡が液浸液に閉じ込められるか又は基板の対向面の一部に接触している時に泡が投影ビームに干渉すると、基板の欠陥が増大することがある。投影ビームによって基板上に形成される画像が影響され、例えば、歪むことがあるため、結果として得られる半導通コンポーネントに欠陥が生じる場合がある。0059時折、泡が基板に付着することがある。基板と投影システムとの相対速度は最大1m/s以上であるため、泡の運搬速度は予測値を超えることがある。0060液滴の衝突のリスクと影響を低減し、液体が供給される時の液体内部の泡の量を低減し、溶解ガスの濃度を低減することで液浸液の組成物を調整するために様々な手段が講じられている。しかし、露光中に泡が投影ビームに干渉するリスクをさらに低減することが望ましい。0061例えば、音波放出によって、超音波を用いて液体内に浮遊する泡を操作することで液体内のガス泡を制御することができる参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、T.G.Leighton、A.J.Walton及びM.J.W.Pickworth、Eur.J.Physics11、47-551990を参照。そのような音波放出によって、投影ビームが泡を溶解させることで移動する空間内の液浸液に泡が侵入することを防止できる。ある実施形態では、音波放出を用いて光路への泡の通過を阻止することができる。0062本明細書に記載するように、例えば、空間内への泡の通過は液浸液供給路沿い、又は流体抽出構造と対向面投影システムPSに対向するテーブル、基板、又はその両方との間である。一般に、本明細書では、流体ハンドリング構造12と対向面との間の通路に言及する。そのような言及は、投影システムPSと対向面、例えば、投影システムPSと流体ハンドリング構造12の表面との間の空間11に泡が侵入できるその他の通路を含む。0063泡が流体ハンドリング構造12と対向面との間の液浸液に侵入すると、泡は、流体ハンドリング構造12の下から抜けて液浸空間11の残りの部分に侵入するまである時間だけ液浸液内を移動する。泡から発生するガスは液浸液に溶解し、直径が低減する。したがって、特定の直径の泡は、投影ビームの光路内の液体に達する前に完全に溶解する。ある実施形態では、4マイクロメートル未満<4μmの泡は、例えば、メニスカスでの泡の形成と実際の露光フィールドとの間で光路に達する前に完全に溶解する。ある範囲、例えば1~13マイクロメートルの直径の泡の寿命が計算されて最小泡径が立証されている。計算は、様々な液体接触角、例えば、水に対して4度、45度及び90度の液体接触角を有する表面について実行されている。計算では600mm/sのスキャン速度を考慮し、泡が光路に達する前に、例えば、0.01秒未満の移動時間内に、望ましくは0.0075秒未満の移動時間内に溶解するという前提に立っている。0064封じ込められた液浸液の共振周波数での音波放出例えば、音響エネルギーを用いて泡が別の泡と合体するポイントまで泡を駆動することができる。例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許US4,398,925号を参照されたい。小さい泡は除去するのが難しく、抽出場所で泡が合体した場合など、大きい泡は除去しやすいことがあるため、泡の合体は望ましい。0065例えば、4マイクロメートルを超える小さい泡など、いくつかの小さい泡は集塊によって制御するのが困難である。小さい泡を集塊する代わりに、適当な周波数の音波を放出することでそのような小型の泡を除去できる。一実施形態では、泡を溶解させるための周波数は、泡の共振周波数と同じか又はそれに近くてもよい。音波放出によって泡は振動し、各々の泡の周囲に急激な液体流が生成される。泡内のガスは、時には急速に液体に溶解する。振動は、大きい泡を液体に溶解しやすい小さい泡に分解する際に有用である。0066液浸液内に存在する泡が光路などの液浸空間11内の液体に到達する前に泡を溶解させることが望ましい。図6に示す構成は、流体ハンドリング構造12の断面である。流体ハンドリング構造12の下面40には、光路OPからの距離が増えるにつれて、流体ハンドリング構造12の下に液浸液を供給する供給開口42と、液浸液例えば、液体の2相流内のを除去する抽出開口50と、ガス使用時にガスナイフを形成することができるを供給するガス開口60とを含むいくつかのフィーチャが存在する。0067抽出開口50は、流体ハンドリング構造12の下面と対向面との間にメニスカス90を固定するように働く。ある実施形態では、抽出開口50は、単相流体流内の液浸液を抽出する。開口50は、単相内の抽出を容易にする多孔質部材を有していてもよい。0068泡110の共振周波数の音波を放出できるトランスデューサ100を流体ハンドリング構造12上に配置して、泡110が空間11に、不所望に光路に侵入する前に泡110と相互作用させることができる。トランスデューサ100を用いて、泡は流体ハンドリング構造12の下から抜ける前に泡を液浸液に溶解させることができる。0069トランスデューサ100は、音波エミッタ100の形態であってもよい。トランスデューサは、流体ハンドリング構造12の下面40上に位置していてもよい。ある実施形態では、トランスデューサ100は、抽出開口50の半径方向内側に位置していてもよい。ある実施形態では、図6に示すように、トランスデューサ100は、抽出開口50と供給開口42との間に位置していてもよい。0070ある実施形態では、トランスデューサ100は、下面40の供給開口42の半径方向内側にあってもよい。ある実施形態では、トランスデューサ100は、下面40の液浸空間11の半径方向外側の部分、例えば、下面40の半径方向内側の縁部41の半径方向外側の部分であってもよい。そのような構成を図7に示す。そのような構成では、トランスデューサ100は、抽出開口50と供給開口42との間にあってもよい。しかし、供給開口42を通して泡110が供給されることがある。そのような泡は、供給開口42の半径方向外側ではなく供給開口42の半径方向内側にトランスデューサ100を通過する。したがって、図7に示す場所にトランスデューサ100を配置する方が供給開口42の半径方向外側にのみトランスデューサ100を配置するよりも望ましい。半径方向内側に移動するすべての泡110は、トランスデューサ100を通過しなければならない。特定の運用設定では、トランスデューサ100を両方の場所に配置することが望ましい。本明細書に記載するように、トランスデューサ100は、上記2つの場所の一方にのみトランスデューサ100を配置する場合よりもメニスカス90から光路OPへ移動する泡110に影響を与える時間が長い。0071トランスデューサ100は、液浸空間11の周辺、例えば、周縁近くにあってもよい。したがって、いかなる方向から接近する泡110もトランスデューサ100からの音波の放出によって制御することができる。ある実施形態では、トランスデューサ100は、平面視で円形、四角形又は直線形である。図8及び図9を参照されたい。0072泡110の場所又は液浸空間11への接近方向は、流体ハンドリング構造12及び/又は流体ハンドリング構造12と対向面との選択された相対運動の設計によって決定される。対向面と流体ハンドリング構造12との特定の相対運動では、泡110が対向面と流体ハンドリング構造12の下面40との間から液浸空間11へ放出されるリスクが増大することがある。トランスデューサ100からの音波放出によって泡110が光軸OPに侵入することが防止できるように、トランスデューサ100を下面40上のある場所に配置してもよい。そのような場所をスキャン又はステップ方向などの相対運動の好ましい方向に位置合わせしてもよい。そのような方向を平面視で流体ハンドリング構造12の隅120に位置合わせしてもよい図8を参照。0073例えばスキャン方向に垂直の方向のトランスデューサ100の寸法長さ成分は、投影ビームBが露光中に通過する結像スリット130に少なくとも対応していてもよい。そのような寸法によって液体内に存在する泡が投影ビームBの光路OPを通過できる液浸液に侵入することを少なくとも確実に防止できる。好ましい移動方向に関連付けられた2つの隅図示の上部及び下部の隅のみを備えた構成を示す図10と、4つの隅120に関連付けられたトランスデューサ100を示す図11とを参照されたい。0074ある実施形態では、トランスデューサ100は、例えば隅120に対応する相対移動の好ましい方向に中間点の付近の領域に位置する。そのようなトランスデューサ100によって、例えば、スキャン運動の間、又はスキャン運動とステップ運動との間の回転運動中に液浸液に侵入する可能性がある泡110を阻止することができる。図12を参照されたい。0075図13に示すように、トランスデューサ100は、供給開口42に至る流体ライン43内にあってもよい。この位置で、液体が流体ハンドリング構造12と対向面との間のギャップ内に導入される前にガスを液体から除去することができる。液体が空間11に到達する前にガスを液体から除去することができる。0076上記の構成を用いて、泡110は投影ビームBの光路OPに侵入する前に溶解させることができる。流体ハンドリング構造12の下のメニスカス90から光路OPの方へ誘導される液体内の泡110が光路OPに確実に到達しないようにするために、泡に対してある時間だけ音波放出を実行しなければならない。時間は、泡110が流体ハンドリング構造12の下を液浸空間11まで移動するのにかかる時間の長さに対応していてもよい。時間は、流体ハンドリング構造12と対向面との相対速度であるスキャン速度に依存する臨界長に関連していてもよい。臨界長は、泡110が溶解するのに特定のスキャン速度で必要な移動距離であってもよい。臨界長は、泡110が溶解する時間に比例していてもよい。泡110が溶解する時間は、臨界長とスキャン速度の積であってもよい。0077所与の臨界長とスキャン速度に関して、上記時間は、音波放出の強度を変えることで変化する。特定の臨界スキャン速度について強度を変えることで、特定の直径の泡110が溶解するのに要する時間は低減する。したがって、強度を高めることで、トランスデューサ100が特定の直径の泡110を溶解させる動作は低減し、相対運動の長さは低減し、又はその両方の結果となる。0078トランスデューサ100は、露光中に動作可能である。露光中、コーティングされた基板Wが基板テーブルWTの基板支持体上にあってもよい。基板W上の1つ又は複数のコーティングは、音波放出に感応する。感受性は、周波数によって変化することがある。したがって、不所望の影響又は基板コーティングの損傷を回避又は低減するために、音波放出は、基板W上のコーティングが感受性がゼロであるか、又は低減した特定の周波数より上で実行される。0079基板のコーティングは音波放出に感応するが、これは25~100kHzの範囲で損傷を引き起こすことがある。半導体分野では、400kHzより大きい周波数、通常850kHzを超える周波数、例えば1MHzを用いて例えば積層時に基板Wから微粒子が除去される。なお、超音波及びメガソニック範囲の音波放出もレジストなどの基板コーティングを40kHzで15秒以内に除去できる例えば、Theuseofultrasoundenergyinphoto-resiststrippingapplications、IsmailI.Kashkoush、ElectrochemicalSocietyProceedingsVolume95-20、pp.90-93を参照。コーティング除去の効率は、例えば65~100kHzへ周波数が高くなると共に低減する。850kHzではコーティング除去は観察されないしかし、温度と音波出力が上昇してもコーティング除去が実行されることもある。したがって、適当な動作設定と投影システムPSと対向面との間の相対運動の通常の速度において、基板コーティングの損傷のリスクを低減できる。そのような動作条件下では、トランスデューサ100は850kHzより上で、望ましくは1MHzより上で動作可能である。0080ある実施形態では、例えば超音波周波数の音波エミッタを用いて、液浸液内の泡110が、例えば、光路OP、望ましくは空間11に、流体ハンドリング構造12と対向面との間のメニスカス90の方向から侵入するのを防止することができる。0081この概念の実現可能性が実験及び数値シミュレーションによって評価されてきた。好適な実験構成を図14に示す。マイクロ寸法の泡が水などの液体の浴200内にある第1の超音波トランスデューサ210によって生成される30~200μmの直径範囲が観察されているが、直径が30μm未満の泡は使用した実験構成では検出不可能であった。泡205は、例えばガラス製の透明なスライド230の下で生成され得る。泡205は、第1の超音波トランスデューサ210の上方に位置するスライド230に付着する。制御された速度で、ガラス製のスライド230は浴200内の第2のトランスデューサ220へ向かって、またその上方を移動する。第2のトランスデューサ220は、超音波圧力場を生成する。泡205の影響は、その場で高速カメラ240を用いて観察される。カメラは顕微鏡250に装着できる。泡がスライド230によって移動を阻止され、音響場で定常状態、例えば、静止状態になると、実験は成功したと考えられる。ある実施形態では、第2のトランスデューサ220とスライド230との間の距離は100~650μm、例えば、200~600μmである。0082そのような構成を用いた実験の結論に基づいて高速で移動する表面に付着した泡205は、標準の超音波トランスデューサ例えば、1.7MHzで動作するで生成される超音波圧力場によって、光路OPなどの画定された領域内に移動するのを阻止される。下記の圧力勾配の生成は、泡の通過を阻止するのに有効である。通常、約5×109Pa/mの圧力勾配振幅は、約0.5m/sのスキャン速度における約10μmの直径の泡を阻止するのに十分であるはずである。この圧力勾配を生成するのに必要な電力は、システムの形状寸法及び損失並びに使用する周波数によって変化する。動作周波数が1.7MHzの平坦な非合焦のトランスデューサの形状寸法例えば、図8又は図9に示すで、トランスデューサと対向面との距離が200μmの場合、6W/cm2を超える音響電力強度が必要である。追加的に又は代替的に、液浸空間11に到達するために泡の経路が要するトランスデューサの寸法は少なくとも3mm、又は3.5mm音響波の波長の約3倍に等しいより大きくなければならない。通常のトランスデューサ効率を60と仮定すると、必要なトランスデューサの総電力は約10W/cm2である。0083ある実施形態では、1×1010Pa/mの圧力勾配が使用される。ある実施形態では、少なくとも5W/cm2の電力強度が使用される。0084固着性泡の制御のための数値シミュレーションは、様々なステップから構成されていた。計算では、表面とトランスデューサとの距離は、200マイクロメートルであると仮定された。各表面の相対速度は、秒あたり約1mであった。0085数値シミュレーションでは、トランスデューサによって生成される音響圧力場は、音響放散を含むヘルムホルツ方程式を用いた有限要素モデリングによって計算された。ここで、pは音響圧力、ρは液体密度、κは波数減衰を含むである。詳細は音響学ハンドブック、Springer、2007年を参照されたい。0086マイクロ泡に作用する過渡音響ビヤークネス力は、関連するレイリー-プレセット方程式を解くことで計算された。ビヤークネス方程式は以下の通りである。上式で、ρは液体密度、Rは泡半径、R0は初期泡半径、σは泡の表面張力、μは液体粘度、Ptは音響圧力、P0は周囲静水圧力、Pvは蒸気圧、κはポリトロープ指数である。一次ビヤークネス力は以下の通りである。上式で、変数は上述の方程式と同じである。Pは音響圧力場である。0087結果として得られる泡速度は、追加された質量、抵抗、音響力、及びヒステリシス力を含む運動量の平衡を解決することで決定された。音響圧力及びその勾配の空間分散が反復ルーチンによって考慮された。0088図15~図18は、計算のいくつかの結果を示す。図15は、1.7MHzのトランスデューサとガラス製のスライドとの間の計算された超音波圧力場を示す。図15は、スライドが0.5m/sで水平方向にx軸に水平方向の距離を表すスキャンする間に直径が50μmの泡から見たトランスデューサとガラス製のスライドとの間の圧力勾配Pa/mをy軸に示す。図16は、スライドがトランスデューサの電力密度が36W/cm2の条件下で0.5m/sの速度でスキャンする時間x軸の関数としての直径が50μmの泡の位置y軸上のを示す。一定時間約0.01秒後、泡は移動を停止する超音波場で。これは、泡がスライドと共に移動することを阻止されるということを意味する。図17は、スキャン速度x軸の関数としての直径が50μmの泡を停止させるのに必要な音響出力y軸を示すグラフである。トランスデューサとスライドとの距離は、600μmであった図15~図17のすべてについて。×印は泡が停止させられない条件、三角形は泡が停止されられる条件を示す。0089図18は図17と同様の図であるが、トランスデューサとスライドとの200μmの距離の結果も示す。菱形は泡が停止させられない条件、円は泡が停止させられる条件を示す。図から分かるように、泡が停止させられる場合のスキャン速度は、他の全条件が同じであるとすれば、トランスデューサとスライドとの距離が縮まるほど増す。0090図19は図17及び図18と同様の図であるが、液滴直径は100μm、トランスデューサとスライドとの距離は600μmであるという点が異なる。三角形は泡が停止させられない条件、正方形は泡が停止させられる条件を示す。0091一般に、所与の速度で、トランスデューサへの入力電圧が十分に高い場合、マイクロ泡を停止させることは可能である。入力電圧が低すぎる場合、マイクロ泡は停止させられず、スライドと共に移動する。この影響は、トランスデューサとスライドとの距離によって大きく変化する。トランスデューサへの入力電圧を特定の電圧とすると、マイクロ泡を停止させるか又は偏向させるためのトランスデューサとスライドとの最適距離がある。したがって、例えば、所与の周波数と電圧で、泡は100、300及び600μmで停止させることができないが、400μmではそれが可能である。この影響は、入力電圧したがって、音響出力を高くするか又は超音波周波数を変化させることで補償できる。0092数値シミュレーションは、直径が5μmと小さい泡を停止させることができることを示している。例えば、スライドのスキャン速度が0.5m/s、トランスデューサとスライドとの距離が200μmの場合、1.7MHzで動作するトランスデューサと6W/cm2の電力密度を用いて、図16の実験を行った残りの条件から大きく外れることなく泡を停止させることができる。これは、この方法がスケーラブルであることを示している。0093超音波場によって泡が付着した基板と共に泡が移動するのを阻止でき、定常状態に維持できることを実験とシミュレーションの両方が示している。特定の実験条件下で、直径が100μmの泡が最大0.5m/sのスキャン速度まで停止させることができる。例えば、高速で動いているスライドに付着した直径が約100μmの泡は、1.7MHzで動作し、電力密度が19.5W/cm226Wの電力である、スライドから600μmの距離にあるトランスデューサによって生成された超音波圧力場によって特定領域内へ移動することを阻止される。泡は、その領域へ向かってガラス製のスライドの0.5m/sの速度で移動している。泡がトランスデューサの縁部とそれに関連付けられた音響圧力場に到達すると、泡は停止させられる。シミュレーションは定性的に実験に合致するように思われ、ある速度範囲にわたって泡がスキャン用スライドと共に移動するのを阻止できることを示す。このことから、トランスデューサの周波数及び/又は電力を動作中に変更してもよい。例えば、周波数及び/又は電力はオペレータが選択してもよい。0094一般に、実験結果及び数値計算は、平行移動速度が音波放出の周波数に大きく左右されることを示すと考えられる。最適動作範囲は、発振周波数よりもわずかに低い周波数であってもよい。これは、Reddy及びSzeri、1346J.AcoustSoc.Am.1124、2002で報告された結果と似ている。しかし、周波数が異なっても音響圧力のレベルが同じであるという条件付きである。しかし、実際には、音響圧力のレベルは周波数と共に大きく変動してもよい。音響圧力のレベルは、構成の形状寸法によって変化することがある。したがって、液浸システムでは、流体ハンドリング構造の下面と基板との好ましくは距離例えば、フライトハイトで最大出力音響圧力を得るのにふさわしい周波数を選択してもよい。選択した周波数は、約1.9MHz望ましくはフライトハイトが200μmの場合であってもよい。周波数は、次に、制御する泡サイズとの相互作用を最適化するために調整、すなわち、調節される。したがって、通常、動作周波数範囲は1~2.5MHz、望ましくは1.6~2.3MHzである。使用中に動作周波数を変更してもよい。0095泡を停止させるか又は偏向させるトランスデューサは、流体ハンドリング構造12の下面40内に位置していてもよい。トランスデューサの位置は、トランスデューサに対する対向面の運動、特にスキャン運動中に、スキャン実行前にトランスデューサがスキャン対象の対向面の区域上を相対的に通過するように選択される。すなわち、光路OP内に侵入するはずであった任意の泡の通過が阻止されるかその経路から偏向させられるようにトランスデューサが配置される。トランスデューサは、図6~図12に示すいかなる位置にあってもよい。トランスデューサは、流体ライン43に沿った泡の通過を阻止するために図13に示す位置にあってもよい。0096上記の特徴のいずれを他のいずれの特徴と組み合わせて使用してもよく、本出願で対象とする範囲はそれらの明示的に述べた組合せに限定されないことが理解されよう。0097本発明の1つ又は複数の実施形態は、以下の特徴の1つ以上を含むことができる。0098特徴1投影システムと基板の対向面、前記基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、前記液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解するトランスデューサを備え、前記流体ハンドリング構造が下面を有する流体ハンドリング構造。0099特徴2投影システムと基板の対向面、前記基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、前記液浸液内の泡が前記液浸空間内に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、前記流体ハンドリング構造が下面を有する流体ハンドリング構造。00100特徴3前記トランスデューサが、前記下面内に位置する、特徴1又は特徴2に記載の流体ハンドリング構造。00101特徴4前記トランスデューサが、前記下面内に形成された抽出開口の半径方向内側にある、特徴1~3に記載の流体ハンドリング構造。00102特徴5投影システムと基板の対向面、前記基板を支持するテーブルの対向面、又はその両方との間の空間に液浸液を閉じ込める流体ハンドリング構造であって、前記液浸液内の泡を制御して、泡が前記投影システムから投影ビームの光路に侵入するのを防止するトランスデューサを備え、前記トランスデューサが、下面内に形成された抽出開口の半径方向内側にある流体ハンドリング構造の前記下面内に位置する流体ハンドリング構造。00103特徴6前記トランスデューサが、少なくとも部分的に液体供給開口の半径方向内側にある、特徴1~5のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00104特徴7前記トランスデューサが、少なくとも部分的に液体供給開口の半径方向外側にある、特徴1~6のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00105特徴8前記トランスデューサが、少なくとも対向面と前記下面との間の運動の好ましい相対方向に関連付けられる、特徴1~7のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00106特徴9前記トランスデューサが、平面視で前記流体ハンドリング構造の前記下面の少なくとも1つの隅にある、特徴1~8のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00107特徴10前記トランスデューサが、平面視で少なくとも前記下面の隅間にある、特徴1~9のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00108特徴11前記トランスデューサが、前記液浸空間を取り囲む、特徴1~10のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00109特徴12前記トランスデューサが、850kHzを超える周波数で動作する、特徴1~11のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00110特徴13前記トランスデューサが、1~2.5MHzの周波数で動作する、特徴12に記載の流体ハンドリング構造。00111特徴14前記トランスデューサが、1.6~2.3MHz又は1.9MHzの周波数で動作する、特徴13に記載の流体ハンドリング構造。00112特徴15前記トランスデューサが、使用中に変更可能な周波数で動作する、特徴1~14のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00113特徴16前記トランスデューサが、複数のトランスデューサ要素を備え、前記要素の少なくとも2つが、異なる周波数で動作する、特徴1~15のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00114特徴17前記トランスデューサが、前記下面に開いた液体供給開口に通じる流体ラインに隣接する、特徴1~16のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00115特徴18前記トランスデューサが、使用時に泡が位置すると予測される表面から800μm、600μm、400μm、又は200μm以内である、特徴1~17のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00116特徴19泡が位置すると予測される前記表面が、前記対向面である、特徴18に記載の流体ハンドリング構造。00117特徴20前記トランスデューサが、音波エミッタである、特徴1~19のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。00118特徴21特徴1~20のいずれかに記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。00119特徴22流体ハンドリング構造によって閉じ込められた液浸液を通って投影システムと基板との間の空間へ至る光路に沿ってパターン付放射ビームを前記基板上に投影するステップと、音波を用いて前記液浸液内の泡内のガスの少なくとも一部を溶解し、及び/又は前記液浸液内の泡が前記光路に侵入することを防止するステップとを含むデバイス製造方法。00120本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。00121本明細書で使用する放射及びビームという用語は、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。レンズという用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。00122以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ又は複数の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することができる。001231つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも1つのコンポーネント内にある1つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。1つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも1つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する1つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び/又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、1つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。00124本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び/又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び/又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。00125本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体開口を含む1つ又は複数の流体開口、1つ又は複数の気体開口あるいは1つ又は複数の2相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口又は流体ハンドリング構造からの出口あるいは液浸空間からの出口又は流体ハンドリング構造への入口であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含むことができる。00126上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"