半導体素子と、前記半導体素子から離れて配置されたリードと、前記半導体素子が有する第1の領域に一端が接合され、前記リードに他端が接合されたワイヤーと、を備え、前記ワイヤーの一端と他端との間の最も高い位置であるワイヤートップは、前記ワイヤーの一端の直上の位置であることを特徴とする半導体装置。前記ワイヤートップの前記第1の領域の表面からの高さは、前記ワイヤーの直径の2から3倍の大きさであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ワイヤーは、前記第1の領域に接合された圧着ボールと、前記圧着ボール上に形成されたボールネックとを有し、前記ワイヤーの一部が前記ボールネックに押しつけられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。半導体素子が有する第1の領域にワイヤーの一端を接合する工程と、前記第1の領域に一端が接合された前記ワイヤーを、前記半導体素子から離れて配置されたリードまで繰り出す工程と、前記ワイヤーの他端を前記リードに接合する工程と、を含み、前記ワイヤーを繰り出す工程では、前記ワイヤーの一端と他端との間の位置であって、前記ワイヤーの他端が前記リードに接合された時点で最も高い位置となるワイヤートップが、前記ワイヤーの一端の直上の位置となるように、前記第1の領域と前記リードとの位置関係に基づいてワイヤーの繰り出し方向と繰り出し量を制御することを特徴とするワイヤーボンディング方法。前記第1の領域に前記ワイヤーの一端を接合する工程は、前記ワイヤーの一端の側に形成されたボールを前記第1の領域に接合させて圧着ボールとボールネックとを形成し、前記ボールネックに前記ワイヤーを押しつける工程であることを特徴とする請求項4に記載のワイヤーボンディング方法。特許文献1に開示された方法では、ワイヤートップ91cは、ワイヤー91の一端91aと他端91bとの間にあり、ワイヤー91の高さh3を70μmに抑えることができた。しかしながら、特許文献1に開示された方法では、ワイヤー91の高さh3を70μmよりもさらに低くすることは難しく、70μmを下回るような超低ループ化を実現することは困難であった。一方で、携帯端末等の電子機器においては、より一層の薄型化、小型化が進みつつあり、これらの機器に搭載される半導体装置にも更なる薄型化例えば、ワイヤーの高さが70μmを下回るような薄型デバイスの実現が求められていた。そこで、この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くできるようにした半導体装置及びワイヤーボンディング方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子から離れて配置されたリードと、前記半導体素子が有する第1の領域に一端が接合され、前記リードに他端が接合されたワイヤーと、を備え、前記ワイヤーの一端と他端との間の最も高い位置であるワイヤートップは、前記ワイヤーの一端の直上の位置であることを特徴とする。このような構成であれば、第1の領域に対するワイヤーの接合強度即ち、プル強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くすることができ、ワイヤーの低ループ化をさらに進展させることができる。即ち、従来技術に対して超低ループ化を実現することができる。これにより、半導体素子とワイヤーとを封止する封止樹脂パッケージの厚みを小さくすることができるので、半導体装置の更なる薄型化が可能となる。なお、本発明の半導体装置としては、例えば、後述する半導体チップ1が該当する。第1の領域としては、例えば、後述するパッド電極2が該当する。また、上記の半導体装置において、前記ワイヤートップの前記第1の領域の表面からの高さは、前記ワイヤーの直径の2から3倍の大きさであることを特徴としてもよい。このような構成であれば、ワイヤー径が細くなるほどワイヤーの高さを低くすることができる。また、上記の半導体装置において、前記ワイヤーは、前記第1の領域に接合された圧着ボールと、前記圧着ボール上に形成されたボールネックとを有し、前記ワイヤーの一部が前記ボールネックに押しつけられていることを特徴としてもよい。このような構成であれば、ワイヤーの接合強度を高く維持することができる。本発明の別の態様に係るワイヤーボンディング方法は、半導体素子が有する第1の領域にワイヤーの一端を接合する工程と、前記第1の領域に一端が接合された前記ワイヤーを、前記半導体素子から離れて配置されたリードまで繰り出す工程と、前記ワイヤーの他端を前記リードに接合する工程と、を含み、前記ワイヤーを繰り出す工程では、前記ワイヤーの一端と他端との間の位置であって、前記ワイヤーの他端が前記リードに接合された時点で最も高い位置となるワイヤートップが、前記ワイヤーの一端の直上の位置となるように、前記第1の領域と前記リードとの位置関係に基づいて前記ワイヤーの繰り出し方向と繰り出し量を制御することを特徴とする。このような方法であれば、ワイヤーの接合強度を維持しつつ、ワイヤーの高さをさらに低くすることができる。なお、本発明では、例えば、後述の第1リバースの角度θ、屈曲部12の形成位置L、ワイヤーの繰り出し量Mを、前記ワイヤーの繰り出し方向と繰り出し量を制御するための制御パラメータとすることができる。具体的には、第1の領域とリードとの位置関係として、後述するパッド電極2とリード20の距離が500μmの場合を想定する。このとき、制御パラメータとして、後述の第1リバースの角度θを10~30°、屈曲部12の形成位置Lを20~50、ワイヤー11の繰り出し量Mを-10~-30μmの範囲にそれぞれ設定する。これにより、後述の図4dに示すように、圧着ボール13の直上の位置をワイヤートップ11cとすることができる。また、上記のワイヤーボンディング方法において、前記第1の領域に前記ワイヤーの一端を接合する工程は、前記ワイヤーの一端の側に形成されたボールを前記第1の領域に接合させて圧着ボールとボールネックとを形成し、前記ボールネックに前記ワイヤーを押しつける工程であることを特徴としてもよい。このような方法であれば、ワイヤーの接合強度を高く維持することができる。本発明によれば、ワイヤーの接合強度を維持しつつ、半導体装置の更なる薄型化を実現することができる。以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。1実施形態図1a~図2bは、本発明の実施形態に係るワイヤーボンディング方法を示す図である。ここでは、ワイヤーボンディング装置として、例えば、株新川製UTC1000を用いる場合について説明する。図1aでは、まず、ワイヤー11の一端11aにスパーク放電により球状のボールを形成し、このボールを半導体チップ1のパッド電極2に接合させて、圧着ボール13とボールネック15とを形成する。ワイヤー11は、例えば金Auからなる。圧着ボール13は球状のボールがキャピラリー50の先端即ち、フェイス52によって潰されて円板状になったものであり、ボールネック15はボールの一部がキャピラリー50の内部51に入り込むことによって形成されたものである。次に、図1bに示すように、キャピラリー50を上昇させてリード図示せずの反対側へ動かす。なお、リードとは、リードフレームの一部であって、ワイヤー11の他端が接合される部分のことである。続けて、キャピラリー50を下降させて、図1cに示すように、キャピラリー50の先端52であってリード側の部分52aを用いて、ボールネック15にワイヤー11を押しつけて、ボールネック15を変形させる。さらに、キャピラリー50を再度上昇させてワイヤー11を折り返す動作を行う。その後、図1dに示すように、キャピラリー50の先端52であってリードとは反対側の部分52bを用いて、再びボールネック15にワイヤー11を押しつける。つまり、ボールネック15にワイヤー11を2回押しつける。これにより、ワイヤー11の一端即ち、圧着ボール13とボールネック15とを含む部分11aを、半導体チップ1のパッド電極2に強度高く接合することができる。図1a~dに示した工程を、1stボンドという。次に、図2aに示すように、キャピラリー50の先端52からワイヤー11を繰り出しながら、キャピラリー50を半導体チップ1の上方から、半導体チップ1から離れて配置されているリード20の上方へ移動させる。そして、図2aの矢印で示すように、キャピラリー50の先端52をリード20の側へ押圧する。これにより、図2bに示すように、ワイヤー11の他端11bをリード20に接合することができる。図2a及びbに示した工程を、2ndボンドという。1stボンド及び2ndボンドを経て、ワイヤー11は、リード20の延伸方向に対して平行となるような軌跡をもつループ形状となる。以下では、一端11aがパッド電極2に接合され、他端11bがリード20に接合された状態のワイヤー11を、ワイヤーループともいう。また、この状態におけるワイヤー11の長さを、ワイヤーループ長ともいう。さらに、ワイヤーループを形成することをワイヤールーピングともいう。なお、2ndボンドにおけるボンディング条件のうち、キャピラリー50に付加する超音波powerは例えば150、加重forceは例えば70gfワイヤー径25μmの場合である。図3は、本発明の実施形態に係る半導体装置100の構成例を示す断面図である。上記のように、1stボンド及び2ndボンドを行った後は、図3に示すように、半導体チップ1、リード20及びワイヤー11を封止樹脂例えば、モールド樹脂30で封止する。これにより、半導体装置100が完成する。ところで、上記の半導体装置100において、ワイヤートップ即ち、半導体チップ1のパッド電極2上面を原点にした場合のワイヤーの最も高い位置11cは、ワイヤー11の一端11aの直上の位置である。即ち、ワイヤートップ11cは、1stボンドの位置である。これにより、ワイヤー11のプル強度を高く維持しつつ、ワイヤー11の高さを即ち、ワイヤートップ11cの高ささらに低くすることができ、ワイヤー11の低ループ化をさらに進展させることができる。例えば、図2b又は図3に示すように、ワイヤー11の高さをh4とする。ワイヤートップ11cがワイヤー11の一端11aの直上の位置である場合、上記の高さh4を、ワイヤー11の直径の2から3倍一例として、中間値である2.5倍程度の大きさにすることができる。具体的には、ワイヤー11の直径が25μmの場合、高さh4を63μm、ワイヤー11の直径が20μmの場合、高さh4を50μmの値にすることができる。その結果、封止樹脂30の厚みをより小さくすることができる。例えば、図3に示すように、半導体チップ1の表面から封止樹脂30の表面までの厚さをDとし、ワイヤートップ11cから封止樹脂30の表面までの厚さをd1としたとき、上記の厚さDは、式1で示される。D=h4d1...1厚さd1は、封止樹脂30がワイヤー11を信頼性高く覆うための厚さのマージンであり、例えばワイヤーの直径が20μmの場合、25μm程度である。図3に示す半導体装置100では、高さh4を50μmまで小さくすることができるので、Dを例えば75μmまで小さくすることができる。このため、半導体装置の更なる薄型化が可能であり、薄型デバイスを実現することが可能となる。1.1実施例上記の実施形態では、1stボンドと2ndボンドとの間で、キャピラリー50の先端52から繰り出すワイヤー11の長さを調整することで、ゆるみのないループ形状を形成することが可能である。また、ループ形状の屈曲部12をループ長の中央部にすることで、リード20の延伸方向に対してより平行なループ形状を形成することができる。これにより、圧着ボール13の直上の位置をワイヤートップとすることが可能である。以下では、ワイヤールーピングに関して、本発明者が調整制御した各パラメータを、具体的に数値を挙げて説明する。図4a~dは、本発明の実施例に係るワイヤーループの形成条件を示す図である。図4aは、ワイヤー11の一端11aをキャピラリー50で2回押圧した後で、キャピラリー50を斜め上方であってリード20の反対側へ移動させる際の角度即ち、第1リバースの角度θを示す図である。この角度θの好適な数値範囲は、半導体チップ1の表面と垂直に交わる方向即ち、垂線の方向に対して、10~30°である。本発明者は、第1リバースの角度θを、θ=15°とした。図4bは、屈曲部12の形成位置を示す図である。第1リバースを行った後のキャピラリー50の移動の方向は、上記の垂線に平行な上方向である。キャピラリー50の移動の方向が斜めの方向から、垂線の方向に変化することにより、ワイヤー11には屈曲部12が形成される。屈曲部12の形成位置即ち、ワイヤー11の一端11aからの長さLの好適な数値範囲は、ワイヤー11の一端11aを起点にして、ループ長の20~50である。本発明者は、屈曲部12の位置Lを、L=35とした。図4cは、ワイヤー11の繰り出し量を示す図である。ワイヤー11の繰り出し量Mの好適な数値範囲は-10~-30μmである。このときパッド電極2とリード20の距離が500μmであった。本発明者は、ワイヤー11の繰り出し量Mを、M=-20μmとした。本発明者は、第1リバースの角度θ、屈曲部12の形成位置L、ワイヤーの繰り出し量Mをそれぞれ上記のように設定することで、図4dに示すように、圧着ボール13の直上の位置をワイヤートップ11cとすることができる、ということを確認した。また、その高さh4を50μmワイヤーの直径が20μmの場合にすることができる、ということを確認した。この実施例において、ワイヤー11の高さh4は、圧着ボール13の厚さとボールネック15の厚さ、及び、これらに押し当てられたワイヤー11の厚さを足した値であり、超低ループ形状を実現することができた。図5は、ワイヤー11の超低ループ形状を撮影した写真図である。ワイヤールーピングにおいて、各パラメータθ、L、Mを実施例で示した数値範囲に設定することにより、図5に示すような超低ループ形状を実現することができた。かつ低ループを維持したままプル強度が低下することがなかった。5gf1.2変形例上記の実施形態及び実施例では、屈曲部12がワイヤーループの中間の位置に形成される場合を例示した例えば、図3参照。。しかしながら、本発明において、屈曲部12の位置は、ワイヤーループの中間ではなく、この中間よりも一端11a、又は、他端11bに近い位置に形成されていてもよい。例えば、図6に示すように、屈曲部12は、ワイヤー11の一端11aに近い位置に形成されていてもよい。このような場合であっても、ワイヤートップ11cが、ワイヤー11の一端11aの直上の位置であることにより、上記の実施形態と同様の効果を奏する。2比較例図7a~dは、比較例に係るワイヤーループの形成条件を示す図である。図7aは、ワイヤー91の一端91aをキャピラリー50で2回押圧した後の、第1リバースの角度θ ́を示す図である。図7aに示すように、この比較例では、第1リバースの角度θ ́を、θ ́=25°とした。図7bは、屈曲部92の形成位置を示す図である。図7bに示すように、この比較例では、屈曲部92の形成位置L ́を、ワイヤー11の一端11aを起点にして、ループ長の30とした。即ち、L ́=30とした。図7cは、ワイヤー91の繰り出し量を示す図である。この比較例では、ワイヤー91の繰り出し量M ́を、M ́=120μmとした。このように、比較例では、θ ́=25°とし、L ́=30、M=120とした。その結果は、図7dに示す通りである。本発明の実施例とは異なり、この比較例では、ワイヤートップ91cを圧着ボール93の直上の位置とすることができなかった。また、この比較例において、ワイヤートップの高さh ́は70μmであり、実施例のh4と比べて大きい値となった。