"式Iで示される化合物。式I中、複数のn1はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn1の合計は1以上である。Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基であり、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合するRの個数n1とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。式II中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。は結合手を示す。式III中、X3は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。は結合手を示す。前記式Iのpが1である請求項1記載の化合物。前記式Iのpが1であり、複数のmの全てが1であり、複数のn10の全てが0である請求項1記載の化合物。分子量が600~10000である請求項1~3のいずれか記載の化合物。アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する請求項1~4のいずれか記載の化合物。式IVで示される化合物と、式Vで示される化合物、式VIで示される化合物及び式VIIで示される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを反応させる工程を有する、式Iで示される化合物の製造方法。式IV中、複数のn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn2の合計は1以上である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合する水酸基の個数n2とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。式V中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。W1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はp-トルエンスルホニルオキシ基を示す。式VI中、W2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式VII中、X4は、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式I中、複数のn1はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn1の合計は1以上である。Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基であり、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。なお、同一ベンゼン環に結合するRの個数n1とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。n10、A、m及びpは前記と同義である。式II中、は結合手を示し、その他の符号はいずれも前記と同義である。式III中、は結合手を示し、その他の符号はいずれも前記と同義である。請求項1~5のいずれか記載の化合物と、光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。請求項1~5のいずれか記載の化合物二種以上と、光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。式IVで示される化合物をさらに含有する請求項7又は8記載のレジスト組成物。式IV中、複数のn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であるが、複数のn2の合計は1以上である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合する水酸基の個数n2とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する線状ポリマー重量平均分子量:3,000以上を、さらに含有する請求項7~9のいずれか記載のレジスト組成物。式Xで示される化合物と、式Vで示される化合物、式VIで示される化合物及び式VIIで示される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを反応させる工程を有する、式IXで示される化合物の製造方法。式X中、3つのn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、3つのn2の合計は1以上である。式V中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。W1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はp-トルエンスルホニルオキシ基を示す。式VI中、W2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式VII中、X4は、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式IX中、n2は前記と同義であり、Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基を表し、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。式II中、q、X1、X2、Z1及びYは、前記と同義である。は結合手を示す。式III中、X3及びZ2は、前記と同義である。は結合手を示す。式Xで示される化合物。式X中、3つのn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、3つのn2の合計は1以上である。本発明は、レジスト組成物などの感光性材料に有用な新規のアヌレン誘導体新規アヌレン誘導体及びその製造方法、並びに、この新規アヌレン誘導体を含有するレジスト組成物を提供する。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで示される化合物。式I中、複数のn1はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn1の合計は1以上である。Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基であり、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合するRの個数n1とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。式II中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。は結合手を示す。式III中、X3は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。は結合手を示す。2前記式Iのpが1である、前記1記載の化合物。3前記式Iのpが1であり、複数のmの全てが1であり、複数のn10の全てが0である、前記1記載の化合物。4分子量が600~10000である、前記1~3のいずれか記載の化合物。5アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する、前記1~4のいずれか記載の化合物。6式IVで示される化合物と、式Vで示される化合物、式VIで示される化合物及び式VIIで示される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを反応させる工程を有する、式Iで示される化合物の製造方法。式IV中、複数のn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn2の合計は1以上である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合する水酸基の個数n2とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。式V中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。W1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はp-トルエンスルホニルオキシ基を示す。式VI中、W2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式VII中、X4は、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式I中、複数のn1はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、複数のn1の合計は1以上である。Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基であり、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。なお、同一ベンゼン環に結合するRの個数n1とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。n10、A、m及びpは前記と同義である。式II中、は結合手を示し、その他の符号はいずれも前記と同義である。式III中、は結合手を示し、その他の符号はいずれも前記と同義である。7前記1~5のいずれか記載の化合物と、光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。8前記1~5のいずれか記載の化合物二種以上と、光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。9式IVで示される化合物をさらに含有する、前記7又は8記載のレジスト組成物。式IV中、複数のn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であるが、複数のn2の合計は1以上である。複数のn10はそれぞれ独立に、0~4の整数である。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基であり、Aが複数ある場合、複数のAは互いに同一でも異なっていてもよい。なお、同一ベンゼン環に結合する水酸基の個数n2とAの個数n10との合計n1n10は4以下である。複数のmはそれぞれ独立に、1~3の整数である。pは1~4の整数である。10アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する線状ポリマー重量平均分子量:3,000以上を、さらに含有する、前記7~9のいずれか記載のレジスト組成物。11式Xで示される化合物と、式Vで示される化合物、式VIで示される化合物及び式VIIで示される化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種とを反応させる工程を有する、式IXで示される化合物の製造方法。式X中、3つのn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、3つのn2の合計は1以上である。式V中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、複数のX1は互いに同一でも異なっていてもよく、複数のX2は互いに同一でも異なっていてもよい。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。W1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はp-トルエンスルホニルオキシ基を示す。式VI中、W2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式VII中、X4は、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。式IX中、n2は前記と同義であり、Rは、式IIで示される基、式IIIで示される基又は水酸基を表し、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、式IIで示される基又は式IIIで示される基である。式II中、q、X1、X2、Z1及びYは、前記と同義である。は結合手を示す。式III中、X3及びZ2は、前記と同義である。は結合手を示す。12式Xで示される化合物。式X中、3つのn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、3つのn2の合計は1以上である。本発明によれば、レジスト組成物などに有用な新規アヌレン誘導体、その製造方法及び該新規アヌレン誘導体を含有するレジスト組成物が提供される。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。また、は結合てを表す。以下の置換基の例示において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。本明細書において、炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基をいう。該脂肪族炭化水素基はさらに鎖式及び脂環式に分類される。本明細書でいう脂肪族炭化水素基とは、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わさった脂肪族炭化水素基を含む。鎖式の脂肪族炭化水素基鎖式炭化水素基のうち1価のものは、典型的にはアルキル基である。当該アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられ、これらは直鎖でも分岐していてもよい。この鎖式炭化水素基は特に限定しない限り、ここに例示したアルキル基の一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、このような炭素炭素二重結合などを有さない、飽和の鎖式炭化水素基、特に飽和のアルキル基が好ましい。2価の鎖式炭化水素基は、典型的には、ここに示したアルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が該当する。脂環式の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基のうち1価のものは、典型的には、脂環式炭化水素から水素原子1個を取り去った基である。当該脂環式炭化水素基には、炭素炭素不飽和結合1個程度を含む不飽和脂環式炭化水素基でもよく、このような炭素炭素不飽和結合を含まない飽和の脂環式炭化水素基でもよいが、本明細書でいう脂環式炭化水素基は飽和であると好ましい。また、脂環式炭化水素基は単環式のものであっても、多環式のものであってもよい。ここでは、水素原子を取り去る前の脂環式炭化水素を例示することにより、脂環式炭化水素基を例示することにする。単環式の脂環式炭化水素は典型的にはシクロアルカンであり、その具体例を示すと、式KA-1で表されるシクロプロパンC3、式KA-2で表されるシクロブタンC4、式KA-3で表されるシクロペンタンC5、式KA-4で表されるシクロヘキサンC6、式KA-5で表されるシクロヘプタンC7、式KA-6で表されるシクロオクタンC8、及び、式KA-7で表されるシクロドデカンC12などが挙げられる。多環式の脂環式炭化水素は例えば、式KA-8で示されるノルボルネンC7、式KA-9で示されるアダマンタンC10、式KA-10で示される脂環式炭化水素C10、式KA-11で示される脂環式炭化水素C14、式KA-12で示される脂環式炭化水素C17、式KA-13で示される脂環式炭化水素C10、式KA-14で示される脂環式炭化水素C11、式KA-15で示される脂環式炭化水素C15、式KA-16で示される脂環式炭化水素C12、式KA-17で示される脂環式炭化水素C14、式KA-18で示される脂環式炭化水素C15、及び、式KA-19で示される脂環式炭化水素C17などが挙げられる。なお、ここに示した脂環式炭化水素を式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素ということがある。2価の脂環式炭化水素基とは、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が該当する。本明細書において、芳香族炭化水素基のうち、1価の芳香族炭化水素基は典型的には、アリール基である。具体的にいえば、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などである。2価の芳香族炭化水素基は、ここに示す1価の芳香族炭化水素基からさらに水素原子を1個取り去った基が該当する。脂肪族炭化水素基は置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ここで当該置換基の代表例を挙げておく。置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。ハロゲン原子は特に限定のない限り、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子である。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などであり、これらアルコキシ基は直鎖でも分岐していてもよい。アシル基の具体例は、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したものに加え、ベンゾイル基C7などのようにアリール基とカルボニル基とが結合したものを含む。これらアシル基のうち、アルキル基とカルボニル基とが結合したものの該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。アリール基の具体例は、上述の芳香族炭化水素基のアリール基として例示したものと同じであり、アリールオキシ基の具体例は、当該アリール基と酸素原子とが結合したものである。アラルキル基の具体例は、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などである。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。<式Iで示される化合物、及びその製造方法>まず本発明は、新規アヌレン誘導体として、前記式Iで示される化合物以下、場合により化合物Iという。を提供する。この化合物Iについて、具体例を示しつつ説明する。化合物Iにおいて、アヌレン環を含む化合物母核化合物、すなわち、化合物IからA及びRを取り去った母核化合物を例示すると、以下の式AR-1~式AR-16で示されるものが挙げられる。上述した式AR-1~式AR-16のいずれかの母核化合物に含まれる水素原子のうち少なくとも1つが、前記式IIで示される基以下、場合により基IIという。又は前記式IIIで示される基以下、場合により基IIIという。に置換されている化合物が、化合物Iに該当する。また、式AR-1~式AR-16のいずれかの母核化合物に含まれる水素原子が前記Aに置換されていることもある。以下、A及びRについて具体例を示して説明する。Aは、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシ基である。化合物Iに複数のAがある場合は、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。Aのハロゲン原子は、すでに例示したもののいずれかであってもよい。これらの中でも、フッ素原子及び塩素原子が好ましく、フッ素原子がさらに好ましい。Aのアルキル基は、炭素数1~6の範囲ですでに例示したものを含む。これらの中でも、Aのアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びブチル基が好ましい。Aのアルコキシ基としては、、炭素数1~6の範囲ですでに例示したものを含む。これらの中でも、Aのアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基及びブトキシ基が好ましい。以上、化合物Iにおいて、任意に有していてもよい置換基であるAの具体例について説明したが、化合物Iとしては、Aを有しない化合物I、すなわち、式Iに示す複数のn10の全てが0である化合物Iが好ましい。続いて、Rについて説明する。上述のとおり、Rは、水酸基、基II又は基IIIであるが、少なくも1つのRは、基II又は基IIIである。なお、以下の説明において、これら基II及び基IIIを総称して、基Iということがある。基IIは前記式IIで示される。X1及びX2のアルキル基の具体例は、Aのアルキル基として例示したものと同じであるる。中でも、X1及びX2のアルキル基としては、好ましくはメチル基である。qは、好ましくは、1又は2である。Z1のアルキル基の具体例も、Aのアルキル基として例示したものと同じであるが、Z1のアルキル基としては、メチル基、エチル基及びイソプロピル基が好ましい。Z1のシクロアルキル基としては、炭素数6以下の範囲ですでに例示したもののうち、単環式のシクロアルキル基が該当する。具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基及びシクロデシル基などが挙げられる。これらの中でも、Z1のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。Yにおける炭素数3~20の飽和脂肪族環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、シクロウンデカン環、シクロドデカン環、シクロトリデカン環、シクロテトラデカン環、シクロペンタデカン環、シクロヘキサデカン環、シクロヘプタデカン環、シクロオクタデカン環、シクロノナデカン環、シクロエイコサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ジアマンタン環、ジメタノデカリン環及びテトラデカヒドロトリメタノアントラセン環などが挙げられる。これらの中でも、Yにおける飽和脂肪族環としては、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、アダマンタン環、ジアマンタン環及びジメタノデカリン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。基IIとしては、例えば以下のものが挙げられる。X3のアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数が4以下である範囲において同じものを含むが、X3におけるアルキル基としては、好ましくはメチル基及びエチル基である。Z2の炭化水素基とは、炭素数20以下の範囲で、すでに例示した脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよく、炭素数20以下の範囲であれば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を組み合わせた炭化水素基脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を組み合わせた炭化水素基は、アラルキル基も含む。であってもよい。これらの中でも、Z2の炭化水素基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、アダマンチル基、アダマンタンメチル基、アダマンタンエチル基、フェニル基及びベンジル基が好ましい。基IIIとしては、例えば以下のものが挙げられる。本発明は、化合物Iの製造方法も提供する。化合物Iは、前記式IVで示される化合物以下、場合により化合物IVという。と、前記式Vで示される化合物以下、場合により化合物Vという。、式VIで示される化合物以下、場合により化合物VIという。及び式VIIで示される化合物以下、場合により化合物VIIという。からなる群より選ばれる少なくとも一種とを反応させる工程を有する製造方法により得られる。化合物IVは例えば、水酸基を有するジハロベンゼン当該ジハロベンゼンにある2つのハロゲン原子は、互いにオルト位又はメタ位に結合している。を必要に応じて、水酸基を保護した後、当該ジハロベンゼンにあるハロゲン原子の1つを、エチニル基に変換させて、エチニルハロベンゼンとし、かかるエチニルハロベンゼン同士をカップリングさせて環化するといった製造方法により製造される。また、水酸基を保護した場合には、保護基の種類に応じた適正な脱保護反応を実施することができる。かかる化合物IVの製造方法は、好適な化合物IVであるpが1のもの、すなわち、前記式Xで示される化合物以下、場合により化合物Xという。について、後述するとともに、本願の実施例で詳述することにする。次に、化合物IVと、化合物V、化合物VI及び化合物VIIからなる群より選ばれる化合物との反応による、化合物Iの製造方法について説明する。化合物Vは以下の式Vで示される。式V中、qは1~4の整数である。X1及びX2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を示す。qが2以上である場合、q個のX1はそれぞれ独立であり、q個のX2はそれぞれ独立である。Z1は、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~12のシクロアルキル基を示す。Yは炭素数3~20の飽和脂肪族環を示す。W1は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はp-トルエンスルホニルオキシ基を示す。化合物Vの具体例は、上述の式R-1~式R-142で示した基IIの結合手及び該結合手に結合している酸素原子を、W1に置き換えた化合物を挙げることができる。これらの中でも、式R-1~R-13、R17~R-29、~R35、R-47~R-62、R-71~R-73、R-77~R-79、R-83~R-98、R-99~R-104、R-115~R-126のいずれかで示した基IIの結合手をW1に置き換えた化合物が好ましい。なお、ここに示した化合物Vは例えば、特開2004-26798号公報に記載された方法により製造することができる。W1は上述したものの中でも、塩素原子及び臭素原子が好ましい。化合物VIは以下の式VIで示される。式VI中、W2は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。化合物VIの具体例は、上述の式R-200~式R-254で示した基IIIの結合手及び該結合手に結合している酸素原子を、W2に置き換えた化合物を挙げることができる。これらの中でも、式R-200~R-214、R-225~R-229、R-233~R-234、R-237~R-240、R-248~R-249、R-251~R-254のいずれかで示した基IIIの結合手をW2に置き換えた化合物が好ましい。なお、ここに示した化合物VIは、市場から容易に入手できる。W2は上述したものの中でも、塩素原子または臭素原子が好ましい。化合物VIIは以下の式VIIで示される。式VII中、X4は、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基を示す。Z2は炭素数1~20の炭化水素基を示す。化合物VIIの具体例としては、上述の基の結合手及び該結合手に結合している酸素原子を、メチリデン基CH2=に置き換えた化合物、例えば、式R-215~R224、R230~R231、R241~R244、R250のいずれかで示される基IIIの結合手及び該結合手に結合している酸素原子を、メチリデン基CH2=に置き換えた化合物などが挙げられ、これらの中でも、R-214~R-217、R230、R-241~R-243、R-250のいずれかで示される基IIIの結合手及び該結合手に結合している酸素原子を、メチリデン基CH2=に置き換えた化合物が好ましい。ここに例示する化合物VIIは例えば、市場から入手できるものを適宜、化合物Iの製造に用いることができる。続いて、化合物Iを製造する際の製造条件に関し説明する。まず、前記製造方法の中で、化合物IV及び化合物Vの反応以下、場合により反応1という。について述べる。通常、この反応1は、当該反応1に不活性な溶媒不活性溶媒中で行われる。該不活性溶媒としては、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどが挙げられる。反応1の反応温度は、-30~200°Cの範囲から、好ましくは0~150°Cの範囲から選ばれ、用いる化合物IV及び化合物Vの種類に応じて適正な反応温度を調節できる。反応1は塩基の存在下で行うことが好ましい。当該塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド及びカリウム-tert-ブトキシドなどの有機塩基、水素化ナトリウム、炭酸カリウム及び水酸化ナトリウムのような無機塩基、又はこれらの混合物が用いられる。不活性溶媒中、塩基の存在下で反応1を行った場合、その反応時間は0.5~100時間の範囲から選ばれる。また、反応途中の反応液を所定時間おきにサンプリングし、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供することにより、反応1の進行の度合いや、化合物IV及び/又は化合物Vの消失の度合いを分析して、反応時間を調節することもできる。反応1における化合物IVと化合物Vとの使用量比は、該化合物IVに含まれる水酸基の個数によって調節される。すなわち、化合物IVに含まれる水酸基1当量に対して、化合物Vの使用量は0.1~2当量の範囲から選ばれ、0.2~1当量の範囲であるとさらに好ましい。塩基を用いる場合、化合物V1当量に対する当該塩基の使用量は、1~6当量倍であると好ましく、1~3当量倍であるとさらに好ましい。また、反応1には、ヨウ化カリウムなどの触媒や、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を用いることもできる。かかる反応1により、化合物IVに含まれる水酸基が、化合物Vとの置換反応により基IIに転換して、化合物Iが製造される。当該化合物IVに複数個の水酸基が含まれている場合、複数個の水酸基が基IIへ転換した率転換率に応じて複数種の化合物Iが得られることがある。後述するレジスト組成物に、化合物Iを用いる際には、この複数種の化合物Iを混合物のまま使用することができる。反応1の終了後、得られた化合物Iは、通常の後処理操作によって取り出すことができる。また、取り出した化合物Iを、クロマトグラフィー、再沈殿又は再結晶といった精製操作、或いはこれらを組み合わせた精製操作によって精製することもできる。複数個の水酸基を含む化合物IVを用い、複数種の化合物Iが得られた場合、ここに示す精製操作により、複数種の化合物Iから単一種の化合物Iを単離することもできるが、上述のとおり、レジスト組成物には複数種の化合物Iを含有することもできるので、単一種の化合物Iを単離することなく複数種の化合物Iの混合物を得てもよい。次に、前記製造方法の中で、化合物IV及び化合物VIの反応以下、場合により反応2という。について述べる。通常、この反応2は、当該反応2に不活性な溶媒不活性溶媒中で行われる。該不活性溶媒としては、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどが挙げられる。反応2の反応温度は、-30~200°Cの範囲から、好ましくは0~150°Cの範囲から選ばれ、用いる化合物IV及び化合物VIの種類に応じて適正な反応温度を調節できる。反応2は塩基の存在下で行うことが好ましい。当該塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド及びカリウム-tert-ブトキシドなどの有機塩基、水素化ナトリウム、炭酸カリウム及び水酸化ナトリウムのような無機塩基、又はこれらの混合物が用いられる。不活性溶媒中、塩基の存在下で反応2を行った場合、その反応時間は0.5~100時間の範囲から選ばれる。また、反応途中の反応液を所定時間おきにサンプリングし、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供することにより、反応2の進行の度合いや、化合物IV及び/又は化合物VIの消失の度合いを分析して、反応時間を調節することもできる。反応2における化合物IVと化合物VIとの使用量比は、該化合物IVに含まれる水酸基の個数によって調節される。すなわち、化合物IVに含まれる水酸基1当量に対して、化合物VIの使用量は0.1~2当量の範囲から選ばれ、0.2~1当量の範囲であるとさらに好ましい。塩基を用いる場合、化合物VI1当量に対する当該塩基の使用量は、1~6当量倍であると好ましく、1~3当量倍であるとさらに好ましい。また、反応2には、ヨウ化カリウムなどの触媒や、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を合わせて用いることもできる。かかる反応2により、化合物IVに含まれる水酸基が、化合物VIとの置換反応により基IIIX3は水素原子であるに転換して、化合物Iが製造される。当該化合物IVに複数個の水酸基が含まれている場合、複数個の水酸基が基IIIX3は水素原子であるへ転換した率転換率に応じて複数種の化合物Iが製造されることがある。後述するレジスト組成物に、化合物Iを用いる際には、この複数種の化合物Iを混合物のまま使用することができる。反応2の終了後、得られた化合物Iは、通常の後処理操作によって取り出すことができる。また、取り出した化合物Iを、クロマトグラフィー、再沈殿又は再結晶といった精製操作、或いはこれらを組み合わせた精製操作によって精製することもできる。複数個の水酸基を含む化合物IVを用い、複数種の化合物Iが得られた場合、ここに示す精製操作により、複数種の化合物Iから単一種の化合物Iを単離することもできるが、上述のとおり、レジスト組成物には複数種の化合物Iを含有することもできるので、単一種の化合物Iを単離することなく複数種の化合物Iの混合物を得てもよい。続いて、前記製造方法の中で、化合物IV及び化合物VIIの反応以下、場合により反応3という。について述べる。通常、この反応3は、当該反応3に不活性な溶媒不活性溶媒中で行われる。該不活性溶媒としては、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどが挙げられる。反応3の反応温度は、-30~200°Cの範囲から、好ましくは0~100°Cの範囲から選ばれ、用いる化合物IV及び化合物VIIの種類に応じて適正な反応温度を調節できる。反応3は酸触媒の存在下で行うことが好ましい。当該酸触媒としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸などの有機酸、硫酸水素カリウム、硫酸水素ナトリウムのような無機酸、又はこれらの混合物が用いられる。不活性溶媒中、酸触媒の存在下で反応3を行った場合、その反応時間は0.5~100時間の範囲から選ばれる。また、反応途中の反応液を所定時間おきにサンプリングし、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供することにより、反応3の進行の度合いや、化合物IV及び/又は化合物VIIの消失の度合いを分析して、反応時間を調節することもできる。反応3における化合物IVと化合物VIIとの使用量比は、該化合物IVに含まれる水酸基の個数によって調整される。すなわち、化合物IVに含まれる水酸基1当量に対して、化合物VIIの使用量は0.1~2当量の範囲から選ばれ、0.2~1当量の範囲であるとさらに好ましい。酸触媒を用いる場合、化合物VI1当量に対する当該酸触媒の使用量は、0.0001~0.5当量倍であると好ましく、0.001~0.2当量倍であるとさらに好ましい。かかる反応3により、化合物IVに含まれる水酸基が、化合物VIIとの置換反応により基IIIX3は水素原子ではないに転換して、化合物Iが製造される。当該化合物IVに複数個の水酸基が含まれている場合、複数個の水酸基が基IIIX3は水素原子ではないへ転換した率転換率に応じて複数種の化合物Iが製造されることがある。後述するレジスト組成物に、化合物Iを用いる際には、この複数種の化合物Iを混合物のまま使用することができる。反応3の終了後、得られた化合物Iは、通常の後処理操作によって取り出すことができる。また、取り出した化合物Iを、クロマトグラフィー、再沈殿又は再結晶といった精製操作、或いはこれらを組み合わせた精製操作によって精製することもできる。複数個の水酸基を含む化合物IVを用い、複数種の化合物Iが得られた場合、ここに示す精製操作により、複数種の化合物Iから単一種の化合物Iを単離することもできるが、上述のとおり、レジスト組成物には複数種の化合物Iを含有することができるので、単一種の化合物Iを単離することなく複数種の化合物Iの混合物を得てもよい。また、反応1、反応2及び反応3のいずれにおいても、化合物Iの製造用原料である化合物IVが未反応のまま、残存することがある。かかる未反応の化合物IVを精製などの後処理操作により、除去することもできるが、本発明のレジスト組成物には、化合物IVを含有していてもよい。すなわち、未反応の化合物IVと化合物Iとの混合物をレジスト組成物を用いれば、化合物Iの製造反応1、反応2又は反応3後、精製操作がより簡便になる点では好ましい実施態様である。上述の反応1、反応2又は反応3、或いはこれらの反応を組み合わせた反応により、化合物Iは製造される。ここで、化合物Iの好適例n10が全て0である例を前記母核化合物と、基II及び/又は基IIIとの組み合わせで例示すると、以下の表1及び表2に示す化合物Iが挙げられる。なお、表1及び表2では、基II及び基IIIを基Iと総称する。表1及び表2に示す化合物Iの具体例の中でも、その分子量が600~10000の化合物Iが好ましく、分子量700~10000の化合物Iがより好ましく、分子量700~6000の化合物Iがさらに好ましい。分子量がこの範囲の化合物Iであると、当該化合物Iを含有するレジスト組成物によりレジストパターンを製造したとき、解像度及びラフネスのバランスが良好なレジストパターンを製造できるという利点がある。このような化合物Iの中でも、化合物INo.で表して、I-1、I-2、I-15、I-19、I-23、I-32、I-48及びI-50で示されるものが好ましく、さらには分子量が前記の範囲である化合物Iがより好ましい。化合物Iの分子量が小さいほど、解像度及びラフネスが良好なレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を得ることができる。また、後述するレジスト組成物に用いるうえで、化合物Iは、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、かつ酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有するものが好ましい。このような特性を有する化合物Iは、当該化合物Iに含まれるRのうち、水酸基の量と、基Iの量とのバランスを適性に調節することで得ることができる。例えば、化合物Iに含まれる水酸基の量が多すぎると、酸の作用を受けずとも、アルカリ水溶液に可溶となり易い傾向がある。基Iの量が少なすぎる化合物Iでは、酸の作用に受けたとしても、アルカリ水溶液に不溶又は難溶のままになり易い傾向がある。式Iにおいてn10が全て0である化合物I、すなわち置換基Aを有さない化合物Iが好ましいことをすでに説明したが、式Iにおけるmが全て0であり、pが1である化合物Iがさらに好ましい。このような化合物Iは、以下の式X式X中、3つのn2はそれぞれ独立に、0~4の整数であり、3つのn2の合計は1以上である。で示される化合物以下、場合により化合物Xという。と、化合物V、化合物VI及び化合物VIIからなる群より選ばれる化合物とを反応させることにより得られるものである。かかる反応によれば、以下の式IXで示される化合物が得られる。式IX中、n2は前記と同義であり、Rは、基II、基III又は水酸基を表し、Rが複数ある場合、複数のRは互いに同一でも異なっていてもよい。ただし、少なくとも1つのRは、基II又は基IIIである。好適な化合物Iが得られる原料として、化合物Xは極めて有用かつ新規な化合物であり、本発明はこの化合物Xも提供する。化合物Xの中でも、1つのベンゼン環には少なくも1つの水酸基を有していると、すなわち分子内に3つ以上の水酸基を有する化合物Xが好ましい。ここで、化合物Xのうち、同一ベンゼン環に1つ又は2つの水酸基が結合しているものについて、その製造方法を説明する。この化合物Xは、以下に反応式n20は1又は2である。で示す一連の製造方法で得ることができる。ここでジヨードヒドロキシベンゼンとして、市場から入手できるものとして、4,5-ジヨード-1,2-ジヒドロキシベンゼンなどがある。この4,5-ジヨード-1,2-ジヒドロキシベンゼンを用いる化合物Xの製造の詳細は、本願の実施例で詳述することにする。以上、レジスト組成物に有用な新規アヌレン誘導体である化合物Iについて具体例を挙げて説明したが、ここで、当該レジスト組成物における化合物I以外の成分に関して説明する。<レジスト組成物>本発明の化合物Iを含有するレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、電子線露光又はEUV露光による半導体微細加工として好適である。当該化合物I以外の成分としては、露光により酸を発生する酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという。、溶剤以下、場合により溶剤Dという。及び添加剤などがある。<酸発生剤B>レジスト組成物に係る技術分野で、酸発生剤は通常、非イオン系とイオン系とに分類される。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、非イオン系酸発生剤及びイオン系酸発生剤のいずれでもよく、これらの組み合わせであってもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩などが代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオンなどがある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜使用できる。例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。本レジスト組成物に含有される酸発生剤Bは、以下の式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤B1という。が好ましい。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基の具体例は、すでに例示したアルキル基のうち、炭素数1~6のアルキル基において、該アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置き換わったものが該当する。本レジスト組成物に含有される酸発生剤B1としては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子の酸発生剤B1が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1がさらに好ましい。Lb1の脂肪族炭化水素基の具体例は、すでに例示したアルカンジイル基、及び、上述の式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基などである。Lb1の脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1、式b1-2、式b1-3、式b1-4、式b1-5及び式b1-6式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。なお、は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は、飽和の脂肪族炭化水素基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表し、この脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、これらの脂肪族炭化水素基は脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。本レジスト組成物に用いる酸発生剤Bとしては、これらの中でも、式b1-1で表される2価の基をLb1として有する酸発生剤B1が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基を、Lb1として有する酸発生剤B1がより好ましい。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。ここで、好ましい式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基の具体例を挙げる。なお、の定義はすでに説明したとおりである。式b1-1で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基、アラルキル基及びアシル基の具体例はすでに説明したとおりである。上述のとおり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。この脂肪族炭化水素基のうち、Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基が特に好ましい。Yの脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、この置換基は例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。ここでいう芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基及びカルボニル基からなる群より選ばれる基2価の基に置き換わっていてもよい。脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基式aaにおけるT1と同義である。及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1、式Y2、式Y3、式Y4及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、これらのうち、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基が、さらに好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基が特に好ましい。もちろん、これらの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、置換基に置換されていてもよい。置換基を有する脂環式炭化水素基の具体例は例えば、以下のものである。すでに説明したとおり、Yの脂環式炭化水素基は、式Y1及び式Y2で示したようにアダマンタン環を有する基であると好ましく、これらが置換基を有する場合、その置換基はヒドロキシ基が好ましい。すなわち、置換基を有する脂環式炭化水素基としては、ヒドロキシアダマンチル基がYとして特に好ましい。スルホン酸アニオンの好適例を具体的に示すと、式b1-1-1、式b1-1-2、式b1-1-3、式b1-1-4、式b1-1-5、式b1-1-6、式b1-1-7、式b1-1-8及び式b1-1-9以下、式b1-1-1~式b1-1-1-9のように表記する。で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。この式b1-1-1~式b1-1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基が特に好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。以下、好ましいスルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基であり、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基である具体例を挙げる。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9のいずれかで表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1、式b2-2、式b2-3及び式b2-4式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4、Rb5及びRb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9、Rb10及びRb11Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10との組み合わせ、及び/又は、Rb11とRb12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂肪族環又は、該脂肪族環を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっている環である。Rb13、Rb14、Rb15、Rb16、Rb17及びRb18Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なっていてもよい。Rb12のアルキルカルボニルオキシ基としては、すでに例示したアシル基と酸素原子とが結合したものである。Rb9~Rb12のアルキル基の好適例は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基などである。Rb9~Rb11の脂環式炭化水素基の好適例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基及びイソボルニル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基の好適例は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。Rb12の芳香族炭化水素基とアルキル基が結合したものは、典型的にはアラルキル基である。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。例示した有機カチオンの中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1という。がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、水酸基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。この脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であると好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましく、さらには置換基として、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19は同一でも異なっていてもよく、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。ここで、好適な有機カチオンであるカチオンb2-1-1の具体例を示す。また、有機カチオンとしては、式b2-3で表される有機カチオンのうち、以下の有機カチオンも好適なものとして挙げることができる。酸発生剤B1を、それを構成するスルホン酸アニオン及び有機カチオンの各々について説明したが、該酸発生剤B1は該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組合せである。該スルホン酸アニオンと該有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。該スルホン酸アニオン及び該有機カチオンの組み合わせを表3に示す。なお、表3において、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表すことにする。さらに好ましい酸発生剤B1を具体的に示す。このような酸発生剤B1は、以下の式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-4、式B1-5、式B1-6、式B1-7、式B1-8、式B1-9、式B1-10、式B1-11、式B1-12、式B1-13、式B1-14、式B1-15、式B1-16及び式B1-17のいずれかで表されるものである。中でも、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-7、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるものがより好ましい。また、すでに述べたように、Yが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基が好ましいので、この点では、式B1-2、式B1-3、B1-6、式B1-7及び式B1-11のいずれかで表されるものがより好ましい。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、化合物I及び酸発生剤B[好ましくは、酸発生剤B1]の他に、好ましくは、化合物I、化合物IVより好ましくは、化合物Xの他に、塩基性化合物Cを含有していてもよい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び、塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、前記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一でも異なっていてもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n43は0~8の整数を表し、n43が2以上のとき、複数のRc9は同一でも異なっていてもよい。][式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc15は同一でも異なっていてもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc20は同一でも異なっていてもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。以上、塩基性化合物Cの具体例を示したが、本レジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂Aの種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<線状ポリマー>本レジスト組成物には、化合物Iなどの他に、特定の線状ポリマーを含有していてもよい。ここでいう線状ポリマーとは、例えば、ビニル系モノマーやメタアクリル系モノマーを付加重合することで製造されたポリマーのような、架橋構造を有しないポリマーをいう。かかる線状ポリマーは、環状化合物である化合物Iとは明確に区別される。かかる線状ポリマーは、好適な化合物Iと同様に、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる特性を有する線状ポリマー以下、場合により樹脂Aという。が好ましい。以下、この樹脂Aについて説明する。樹脂Aは上述の特性を有することにより、好適な化合物Iと同様に、酸発生剤Bとの相互作用によりレジストパターンを製造できる。なお、好適な化合物I及び樹脂Aが有する特性において、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されている基以下、場合により酸不安定基という。を分子内に有する。該樹脂Aは、酸と接触すると当該保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。酸不安定基の親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。酸不安定基を有する樹脂Aは、構造単位a以外の酸不安定基を有する構造単位以下、場合により構造単位a1という。を有するものであると好ましい。まず、構造単位a1が有する好適な酸不安定基について具体例を挙げる。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の-O-と結合する該有機残基の原子が3級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1という。である。式1中、Ra1、Ra2及びRa3Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。Ra1及びRa2が結合して形成される環、及び該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Ra1~Ra3の脂肪族炭化水素基は、典型的には、アルキル基又は脂環式炭化水素基である。このアルキル基の具体例は、炭素数が1~8の範囲において、すでに例示したものを含む。脂環式炭化水素基の具体例も、炭素数が8以下の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環は、その炭素数が好ましくは3~12の範囲である。酸不安定基1としては、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であると好ましい。、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンタン環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、或いは、Rb2及びRb3が結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成する。該炭化水素基がメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、Rb2及びRb3が結合して形成される環を構成するメチレン基も、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。Rb1、Rb2及びRb3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、その具体例も炭素数の上限が20以下である範囲において、すでに例示したものを含むが、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であると好ましい。構造単位a1は、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマーから誘導されるものが好ましく、酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーから誘導されるものがさらに好ましい。当該構造単位a1は好ましくは、酸不安定基1又は酸不安定基2を有するものであり、これらの酸不安定基をともに有していてもよい。より好ましくは酸不安定基1を有する構造単位a1である。酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、炭素数5~20の脂肪族環を部分構造とする酸不安定基1が好ましい。このような立体的に嵩高い基の構造単位a1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。脂肪族環を部分構造とする酸不安定基1を有する構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1という。及び式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2という。が好ましい。式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。式a1-2中、La2は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は前記と同義である。で表される基を表す。Ra5は、水素原子又はメチル基を表す。Ra7は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。n1は0~10の整数を表す。La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基のうち、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、この炭素数の上限以下の範囲で、すでに例示したものと同じものを含む。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基はそれぞれ独立に、好ましくは炭素数8以下のアルキル基又は炭素数8以下の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6以下のアルキル基又は炭素数6以下の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。構造単位a1-1の具体例は以下のとおりである。式a1-1-1~式a1-1-26のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、以下に示す部分構造Mを、以下に示す部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。以上の構造単位a1-1の具体例の中では、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1、並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、該樹脂Aを製造する際に、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート又は2-イソプロピル-2-アダマンチルメタアクリレートなどを製造用原料[モノマーa1]として用いればよい。一方、構造単位a1-2の具体例は以下のとおりである。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。以上の具体例の中では、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位、あるいは、これらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造Aに置き換えられたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、2-メチル-2-シクロヘキシルメタアクリレートなどをモノマーとして用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造する場合、樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲が一層好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の合計含有割合を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1の使用量を調整すればよい。また、構造単位a1としては、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。に由来する構造単位も挙げることができる。式a1-4中、Ra32は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上の場合、複数のRa33は同一でも異なっていてもよい。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基及び炭素数2~4のアシルオキシ基からなる群より選ばれる基に置換されていてもよい。ここに示す置換基の具体例は、炭素数が各々の範囲において、すでに例示したものを含む。Xa2の脂肪族炭化水素基は、鎖式炭化水素基であると好ましく、アルカンジイル基であるとさらに好ましい。なお、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRd-で表される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rdは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~18の炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。これらの炭化水素基は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基を有していてもよい。式a1-4のRa32、Ra33、Ra34、Ra35及びXa2の具体例を挙げる。Ra32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基のうち、アルキル基の具体例としては、炭素数1~6の範囲において、すでに例示したものを含む。ハロゲン原子を有するアルキル基、すなわちハロアルキル基とは、アルキル基を構成する水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子に置換されたものである。具体的にハロアルキル基を挙げると、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などである。Ra32及びRa33のハロゲン原子、アルコキシ基及びアシル基の具体例は、すでに例示したものを含む。Ra34及びRa35の炭化水素基は、鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。その具体例は、各々の炭素数の範囲において、すでに例示したものを含む。Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。モノマーa1-4の具体例は以下のとおりである。ここに示すモノマーa1-4の具体例において、以下に示す部分構造V’を、以下に示す部分構造P’に置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位>以上、樹脂Aが有する好適な構造単位a1について説明したが、樹脂Aとしては、構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位という。を有していると好ましい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるとよい。構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、構造単位a1がアダマンタン環を有する構造単位、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。なお、樹脂Aに酸安定構造単位を導入する場合に、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるときには、構造単位aを酸安定構造単位に含めて含有割合を算出する。次に、酸安定構造単位のうち、好ましいものを説明する。酸安定構造単位は、水酸基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ここで、水酸基を有する酸安定構造単位を酸安定構造単位a2といい、ラクトン環を有する酸安定構造単位を酸安定構造単位a3という。酸安定構造単位として好適な、酸安定構造単位a2及び酸安定構造単位a3に関して具体例を挙げつつ説明する。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、当該樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定構造単位a2を選択することができる。すなわち、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nmを露光源とする露光、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。このように、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、樹脂Aが有する酸安定構造単位a2は、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a21種のみを有していてもよく、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a22種以上を有していてもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適な酸安定構造単位a2と、それ以外の酸安定構造単位a2とを組み合わせて有していてもよい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2-1は、以下の式a2-1で表されるものである。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。例示した酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1又は式a2-1-2で表される酸安定構造単位a2-1、並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mが部分構造Aに置き換わったものが好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルオキシカルボニルメチルなどを、該樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2は、以下の式a2-0で表されるもの以下、酸安定構造単位a2-0という。も挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。Ra30のハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基及びハロゲン原子の具体例は、式a1-4のRa32で例示したものと同じである。これらのうち、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31のアルコキシ基の具体例は、すでに例示したものを含む。これらのうち、Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0の具体例を、該酸安定構造単位a2-0を誘導するモノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。を挙げることで例示する。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護されているモノマー保護フェノール性水酸基を有するモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては例えば、アセチル基などが好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性水酸基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護された酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位からは、脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、フェノール性水酸基が適当な保護基で保護されてなる前駆構造単位を脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。上述の酸安定モノマーa2-0の例示の中では、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。もちろん、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものである。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1中、La4は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は同一でも異なっていてもよい。式a3-2中、La5は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。q1は、0~3の整数を表す。Ra22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、同一でも異なっていてもよい。式a3-3中、La6は、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra20は、水素原子又はメチル基を表す。r1は、0~3の整数を表す。Ra23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、r1が2以上の場合、複数のRa23は、同一でも異なっていてもよい。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、式a2-1のLa3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又は、k3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。これらの酸安定構造単位a3において、構造単位a1-1の具体例と同様に、部分構造Mを部分構造Aに置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲から選ばれ、10~65モルの範囲が好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂A及びその製造方法>樹脂Aは、構造単位a1を誘導するモノマー[好ましくは、構造単位a1-1又は構造単位a1-2を誘導するモノマー]を、さらに好ましくは酸安定構造単位a3を誘導するモノマーとを共重合させたものである。樹脂Aは、このようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供することにより製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、3,000以上であればよいが、3,000以上50,000以下であるとさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。<その他の成分以下、場合によりその他の成分Fという。>本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、化合物I、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<レジスト組成物の調製方法>本レジスト組成物は、化合物I、酸発生剤B及び溶剤Eを混合することで、又は、化合物I、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Eを混合することで調製することができる。また、必要に応じてその他の成分Fを混合することもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Aなどの種類や、樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。なお、化合物Iを製造する際、複数種の化合物Iの混合物を得た場合には、上述の本レジスト組成物の調製において、化合物Iを複数種の化合物Iの混合物に置き換えればよい。以下の説明においても、化合物Iを複数種の化合物Iの混合物に読み替えることができる。また、すでに述べたように、化合物Iを製造する際、得られる化合物Iに未反応の化合物VIが混入することもある。本レジスト組成物には、複数種の化合物Iの混合物と未反応の化合物VIとを含有させることもできる。レジスト組成物において、化合物I、酸発生剤B及び溶剤D、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの好ましい含有割合について説明する。溶剤Dの含有量は、上述のとおり、化合物Iの種類などに応じて適宜調節できるが、レジスト組成物総質量に対して90質量以上であると好ましい。この溶剤Eの含有割合は、レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、該レジスト組成物を調製した後には、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。化合物I及び酸発生剤Bの含有割合は、レジスト組成物の固形分量を基準にして決定される。ここでいうレジスト組成物の固形分量とは、該レジスト組成物から溶剤Dを除去した残りの質量分をいう。化合物Iは、レジスト組成物の固形分量に対して、50~99質量であると好ましい。一方、酸発生剤Bは、該固形分量に対し、好ましくは1質量以上より好ましくは3質量以上、好ましくは50質量以下より好ましくは40質量以下である。塩基性化合物Cを用いる場合にも、レジスト組成物の固形分量を基準にして、該塩基性化合物Cの含有割合は決定される。好ましくは、レジスト組成物の固形分量に対し、塩基性化合物Cは0.01~1質量程度である。なお、その他の成分Fをレジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有割合を調節することもできる。このように、化合物I、酸発生剤B及び溶剤E、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C、樹脂A又はその他の成分Fの各々を好ましい含有割合で混合した後は、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物から溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1におけるレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成しておいたりすることもできる。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布されたレジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類などに応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、波長13nm付近の極端紫外光EUVを放射するもの、或いはX線や電子線EB等の光源等、種々のものを用いることができる。マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、化合物Iがアルカリ水溶液に可溶なものに転化する。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、化合物Iはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違することとなる。本発明のレジストパターンの製造方法としては、上述の露光光源のうち、特に極端紫外光EUVが好ましい。化合物Iを含有する本発明のレジスト組成物を、極端紫外光EUV露光によりレジストパターンを製造すると、高感度でレジストパターが製造できるという効果が発現される。工程4においては、露光部で生じうる化合物Iの反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理が行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残すことにより、当該基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。<用途>本発明の化合物Iを含有するレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV用のレジスト組成物として好適であり、特にEB用のレジスト組成物又はEUV用のレジスト組成物として好適である。次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有割合、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。LC-MS分析液体クロマトグラフィー-質量分析の測定条件は以下の通りである。LC条件:Agilent1100カラムSumipaxODSA-212溶出液:A液メタノール;B液テトラヒドロフラングラジエントB液0分10→30分100→35分100;1.0ml/分MS条件:Agilent6130LC/MSDイオン化:ESI,-NaCl添加実施例1化合物1の合成化合物1化合物Iの混合物の反応式を以下に示す。化合物A化合物B1化合物1化合物A1.6g;4.04mmol、化合物B13.92g;16.15mmol、炭酸カリウム2.51g;18.16mmol及びヨウ化カリウム0.26g;1.57mmolを、無水N,N-ジメチルホルムアミドDMF;39.5mlに懸濁し、内温50°Cで2時間保温攪拌した。冷却後、反応溶液を5シュウ酸水45.6gで希釈して、酢酸エチルにより抽出した。有機層酢酸エチル抽出液を純水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過により除去し、ろ液を減圧下に濃縮して、淡橙色の混合物である化合物1を4.5g得た。化合物Aにあった6つの水酸基のうち、で示される基IIに置換された置換数n41が3であるものなどを3置換体などという。かくして得られた混合物には、LC-MS分析の結果、3置換体、4置換体、5置換体、及び6置換体が混在していた。上述の化合物1の化学式はこれらの混合物であることを示すものである。なお、その存在比率は、3置換体/4置換体/5置換体/6置換体=7/11/39/43質量比であった。3置換体n41=3、n42=3[MNa]=1037.5C63H66O12;ExactMass=1014.464置換体n41=4、n42=2[MNa]=1243.7C76H84O14;ExactMass=1220.595置換体n41=5、n42=1[MNa]=1450.7C89H102O12;ExactMass=1426.726置換体n41=6、n42=0[MNa]=1656.8C102H120O18;ExactMass=1632.85上記に示す化合物1の化学式は、3~6置換体の混合物であることを形式的に示すものである。実施例2化合物2の合成化合物A化合物2化合物A1.0g;4.04mmol、クロロメチルメチルエーテル2.44g;30.3mmol、炭酸カリウム5.23g;37.8mmol及びヨウ化カリウム0.26g;1.57mmolを、無水N,N-ジメチルホルムアミドDMF;30mlに懸濁して、内温50°Cで2時間保温攪拌した。冷却後、純水を加え、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム抽出液を純水で洗浄した。さらに飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除去した後、ろ液を濃縮した。得られた粗生成物2.1gを、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い、ヘキサン/酢酸エチル10/1~ヘキサン/酢酸エチル1/1で溶出して、化合物20.9g;収率53.9を黄色結晶として得た。なお、この化合物2は化合物Aにある6つの水酸基のいずれもが、CH3OCH2O-という基に置換されていた。1H-NMRCDCl3:δ=3.4118H,s,5.2512H,s,7.076H,s,13C-NMRCDCl3:δ=55.921,91.472,94.422,118.792,119.555,147.241LCMS分析[MNa]=683.1C36H36O12;ExactMass=660.22実施例3化合物3の合成化合物A化合物3化合物A1.0g;4.04mmol、エチルビニルエーテル2.18g;30.3mmol、p-トルエンスルホン酸2mg、触媒量を、無水テトラヒドロフランTHF;30mlに懸濁して、内温10°C~25°Cで5時間攪拌した。反応溶液に5重曹水を加え、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム抽出液を純水で洗浄した。さらに飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除去した後、ろ液を濃縮した。得られた粗生成物2.3gを、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い、ヘキサン/酢酸エチル10/1~ヘキサン/酢酸エチル1/1で溶出して、油状の化合物31.5g;収率71.8を得た。なお、この化合物3は化合物Aにある6つの水酸基のいずれもが、C2H5OCHCH3O-という基に置換されていた。1H-NMRCDCl3:δ=1.2118H,t,1.49,3.48~3.8412H,5.406H,q,7.106H,s,LCMS分析[MNa]=851.4C48H60O12;ExactMass=828.41実施例4化合物2の合成[別法]化合物C化合物2500ml四つ口フラスコに、化合物C28.28g;81.23mmol、炭酸カリウム33.69g;0.244mol、ヨウ化銅I4.7g;24.38mmol、トリス2-フルフリルホスフィン18.88g;81.23mmol及び無水DMF270mlを窒素気流下に仕込み、これらを攪拌した。混合物を昇温し、96°C~99°Cで30時間保温した。冷却後、純水で加え、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム抽出液を飽和塩化アンモニウム水で洗浄し、さらに純水で洗浄した。さらに飽和食塩水で洗浄後、有機層クロロホルム抽出液を硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除去した後、ろ液を濃縮した。得られた粗生成物88.57gを、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い、ヘキサン/酢酸エチル10/1~ヘキサン/酢酸エチル1/1で溶出して、化合物27.1g;収率40.0を黄色結晶として得た。1H-NMRCDCl3:δ=3.4118H,s,5.2512H,s,7.076H,s,13C-NMRCDCl3:δ=55.921,91.472,94.422,118.792,119.555,147.241LCMS分析[MNa]=683.1C36H36O12;ExactMass=660.22合成例1化合物D化合物E化合物F5L四つ口フラスコに、無水DMF685mlと無水テトラヒドロフランTHF;1370mlの混合溶媒を仕込み、ここに水素化ナトリウム55;83.02g;1.898molを加えて懸濁させた。この懸濁液に、化合物D308g;0.851molを無水テトラヒドロフランTHF、785mlに溶解した溶液を、冷却下に40分間で滴下した。滴下の際には、温度を5°C~10°Cに保持した。攪拌をしながら1時間かけて、反応溶液の内温を室温28°Cに昇温した。この反応溶液に、化合物E227.2g;2.681molを20分かけて滴下した。この滴下の際には、温度を26°C~32°Cに保持した。室温でさらに17時間攪拌した。反応溶液を純水で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層酢酸エチル抽出液を純水で洗浄して、さらに飽和食塩水で洗浄後、濃縮した。得られた粗生成物をろ過し、さらにヘキサン及び酢酸エチルで洗浄した。乾燥したところ、白色結晶の化合物F274g;収率71.0が得られた。1H-NMRCDCl3:δ=3.506H,s,5.184H,s,7.582H,s合成例2化合物F化合物G化合物C3L四つ口フラスコに、化合物F171.65g;0.378mol及び無水THF1Lを加えて混合し、溶液を調製した。この溶液に、ヨウ化銅I1.45g;7.54mmol、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムII2.71g;3.78mmol及びトリエチルアミンTEA;755g;10.33molを仕込んだ。得られた混合物に、トリメチルシリルアセチレン40.97g;0.417molを、氷冷下に冷却しながら50分かけて滴下した。滴下の際には、温度を19°C~28°Cに保持した。室温28°Cのまま20時間攪拌した。反応溶液に、トリメチルシリルアセチレン3.84g;39.1mmolを追加して、室温で5時間攪拌後、さらに、トリメチルシリルアセチレン8.77g;89.3mmolを追加して、室温で17時間攪拌して、反応を終了させた。反応溶液を減圧下に濃縮して、ろ過した。ケーキを酢酸エチル1.5Lで洗浄して、この洗浄液もろ液に加えた。ろ液を1N塩酸水500ml、3回で洗浄して、さらに純水および飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過して除去し、ろ液を減圧下に濃縮して、褐色油状物質として化合物Gの粗製物171.36gを得た。2L四つ口フラスコに、化合物Gの粗製物171.36gを仕込み、メタノール1.5Lを加えて溶解した。この溶液に炭酸カリウム6.92g;50.1mmolを添加して、室温で6時間攪拌した。反応後、反応溶液を濃縮した。残渣をt-ブチルメチルエーテル1Lで希釈した後、この溶液を純水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、硫酸マグネシウムをろ過して除去した。ろ液を濃縮後、得られた残渣121.03gをシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い、ヘキサン/アセトン9/1~ヘキサン/アセトン4/1で溶出して、化合物C20.16g;全収率15.3を得た。1H-NMRCDCl3:δ=3.311H,s,3.503.516H,s,5.205.224H,s,7.311H,s,7.561H,s実施例5化合物2化合物A化合物22.69g;4.04mmolを酢酸エチル291mlに溶解した後、塩化水素/酢酸エチル溶液4M;21.23ml;84.9mmolを加えて、16°Cで24時間攪拌した。さらに塩化水素/酢酸エチル溶液4M;4.2ml;16.8mmolを加えて、16°Cで6時間攪拌した。反応溶液を濃縮して、化合物A1.68g;定量的を黄色結晶として得た。1H-NMRDMSO-d6:δ=6.606H,s合成例3樹脂P1の合成メタクリル酸2-メチル-2-アダマンチル10.54部、p-アセトキシスチレン14.60部及びメタクリル酸3-ヒドロキシ-1-アダマンチル3.55部を混合し、この混合物に、1,4-ジオキサン47.09部を加えて溶液とした。この溶液を87°C程度まで昇温した後、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却後、反応液をメタノール285.67部及びイオン交換水122.43部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。得られた重合物の全量と、4-ジメチルアミノピリジン2.93部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却後、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加え中和した後、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させた後、大量の水に注いで、重合物を沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.7×103の樹脂28.15部を得た。これを樹脂P1とする。実施例6及び7以下の表4の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<酸発生剤>酸発生剤B1B1:トリフェニルスルホニウム1-{3-4-メチルフェニルアダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート<塩基性化合物:クエンチャー>C1:トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン<式I’で表される化合物>化合物I1:東京化成工業製<溶剤>溶剤E1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル150.0部γ-ブチロラクトン5.0部[表4中、PBPEB以外の数値の単位は部である。]電子線用レジスト組成物としての評価シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、表2記載のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表1記載の温度で60秒間プリベークPBした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表2記載の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表5に示した。実効感度:100nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。実施例8以下の表6の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。なお、用いた樹脂A1は合成例3で得られたものであり、その他の化合物Iなどは、実施例6などと同じである。[表6中、PBPEB以外の数値の単位は部である。]実施例6などと同じ方法により、電子線用レジスト組成物としての評価を行い、実効感度を求めた。その結果を表7に示す。"