"一次巻き線と二次巻き線と三次巻き線とを有するトランスと、前記一次巻き線の両端に接続された共振コンデンサと、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とをそれぞれ有するノーマリオン型の一対のスイッチング素子であって、一方のスイッチング素子の前記第1の主端子は他方のスイッチング素子の前記第1の主端子に接続され、前記一方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の他端に接続され、前記一方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の他端に接続されて、前記三次巻き線に誘起される電圧に応じて交互にオフする一対のスイッチング素子と、前記一次巻き線の中点と、前記一方のスイッチング素子の前記第1の主端子と前記他方のスイッチング素子の前記第1の主端子と、の間に、直流の電源電圧を供給するインダクタと、前記二次巻き線に誘起される電圧を整流する整流素子と、を備えたことを特徴とするスイッチング電源。前記一対のスイッチング素子の少なくとも一方の前記制御端子は、結合コンデンサを介して前記三次巻き線に接続されていることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源。前記一対のスイッチング素子のそれぞれの前記制御端子にアノードが接続され前記第1の主端子にカソードが接続された一対のダイオードをさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチング電源。前記一対のスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体素子であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載のスイッチング電源。請求項1~4のいずれか1つに記載のスイッチング電源と、前記スイッチング電源の負荷回路として接続された照明負荷と、を備えたことを特徴とする照明装置。しかし、電流プッシュプル型のDC-DCコンバータにおいては、一対のスイッチング素子が同時にオフしないように制御する必要があり、自励発振させる場合は複雑な制御が必要になる。本発明の実施形態は、簡易な構成で自励発振する電流プッシュプル型のスイッチング電源及び照明装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態によれば、トランスと、共振コンデンサと、一対のスイッチング素子と、インダクタと、整流素子とを備えたスイッチング電源が提供される。前記トランスは、一次巻き線と二次巻き線と三次巻き線とを有する。前記共振コンデンサは、前記一次巻き線の両端に接続される。前記一対のスイッチング素子は、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とをそれぞれ有するノーマリオン型の素子である。一方のスイッチング素子の前記第1の主端子は他方のスイッチング素子の前記第1の主端子に接続される。前記一方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の他端に接続される。前記一方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の他端に接続される。前記一対のスイッチング素子は、前記三次巻き線に誘起される電圧に応じて交互にオフする。前記インダクタは、前記一次巻き線の中点と、前記一方のスイッチング素子の前記第1の主端子と前記他方のスイッチング素子の前記第1の主端子と、の間に、直流の電源電圧を供給する。前記整流素子は、前記二次巻き線に誘起される電圧を整流する。本発明の実施形態によれば、簡易な構成で自励発振する電流プッシュプル型のスイッチング電源及び照明装置を提供することができる。第1の実施形態第1の実施形態のスイッチング電源は、一次巻き線と二次巻き線と三次巻き線とを有するトランスと、前記一次巻き線の両端に接続された共振コンデンサと、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とをそれぞれ有するノーマリオン型の一対のスイッチング素子であって、一方のスイッチング素子の前記第1の主端子は他方のスイッチング素子の前記第1の主端子に接続され、前記一方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記第2の主端子は前記一次巻き線の他端に接続され、前記一方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の一端に接続され、前記他方のスイッチング素子の前記制御端子は前記三次巻き線の他端に接続されて、前記三次巻き線に誘起される電圧に応じて交互にオフする一対のスイッチング素子と、前記一次巻き線の中点と、前記一方のスイッチング素子の前記第1の主端子と前記他方のスイッチング素子の前記第1の主端子と、の間に、直流の電源電圧を供給するインダクタと、前記二次巻き線に誘起される電圧を整流する整流素子と、を持つ。第2の実施形態第2の実施形態のスイッチング電源は、第1の実施形態のスイッチング電源において、前記一対のスイッチング素子の少なくとも一方の前記制御端子は、結合コンデンサを介して前記三次巻き線に接続されていることを特徴とする。第3の実施形態第3の実施形態のスイッチング電源は、第1または第2の実施形態のスイッチング電源において、前記一対のスイッチング素子のそれぞれの前記制御端子にアノードが接続され前記第1の主端子にカソードが接続された一対のダイオードをさらに備えたことを特徴とする。第4の実施形態第4の実施形態のスイッチング電源は、第1~第3の実施形態のいずれか1つに記載のスイッチング電源において、前記一対のスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体素子であることを特徴とする。第5の実施形態第5の実施形態の照明装置は、第1~第4の実施形態のいずれか1つに記載のスイッチング電源と、前記スイッチング電源の負荷回路として接続された照明負荷と、を持つ。以下、実施例について図面を参照して詳細に説明する。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、実施例に係るスイッチング電源を含む照明装置を例示する回路図である。図1に表したように、照明装置1は、入力される直流の電源電圧VINを直流電圧VOUTに降圧するスイッチング電源2と、スイッチング電源2の負荷回路となる照明負荷3を備えている。照明負荷3は、例えばLEDで構成された照明光源20を有し、スイッチング電源2から直流電圧VOUTを供給されて点灯する。スイッチング電源2は、トランス4と、トランス4と共振回路を構成する共振コンデンサ8と、トランス4に電源電圧VINを供給するインダクタ9と、トランス4に流れる電流を制御する一対のスイッチング素子10、11と、トランス4に誘起された交流電圧を直流電圧に整流する整流素子16、17とを備えている。トランス4は、一次巻き線5と、二次巻き線6と、三次巻き線7とを有している。一時巻き線5には、センタータップ中点5cが設けられ、二時巻き線6には、センタータップ中点6cが設けられている。共振コンデンサ8は、一次巻き線5の両端に接続され、トランス4と共振回路を構成し、ほぼ一次巻き線5のインダクタンスと共振コンデンサ8のキャパシタンスで規定される共振周波数で共振する。インダクタ9は、高電位電源端子21と一次巻き線5の中点5cとの間に接続され、一次巻き線5に直流の電源電圧VINを供給する。なお、インダクタ9のインダクタンスは、一次巻き線5のインダクタンスよりも十分大きく設定されており、上記の共振周波数に影響を与えない。一対のスイッチング素子10、11は、一次巻き線5の両端の間に直列に接続される。すなわち、スイッチング素子10の第1の端子としてのソースとスイッチング素子11の第1の端子としてのソースとは互いに接続され、さらに低電位電源端子22に接続される。スイッチング素子10の第2の端子としてのドレインは、一次巻き線5の一端に接続され、スイッチング素子11の第2の端子としてのドレインは、一次巻き線5の他端に接続される。スイッチング素子10の制御端子としてのゲートは、結合コンデンサ14を介して三次巻き線7の一端に接続され、スイッチング素子11の制御端子としてのゲートは、三次巻き線7の他端に接続される。一対のスイッチング素子10、11の各ゲートには、三次巻き線7の両端に誘起された電圧が供給される。なお、一対のスイッチング素子10、11は、ノーマリオン型の素子であり、例えば電界効果トランジスタFETであり、例えば高電子移動度トランジスタHighElectronMobilityTransistor:HEMTである。ダイオード12は、スイッチング素子10のゲートと低電位電源端子22との間に接続され、スイッチング素子10のゲートを三次巻き線7に生じるサージ電圧から保護する。ダイオード13は、スイッチング素子11のゲートと低電位電源端子22との間に接続され、スイッチング素子11のゲートを三次巻き線7に生じるサージ電圧から保護する。また、コンデンサ15は、高電位電源端子21と低電位電源端子22との間に接続され、高周波ノイズを除去する。整流素子16、17は、二次巻き線6の両端と高電位出力端子23との間にそれぞれ接続される。すなわち、整流素子16、17の各アノードは、二次巻き線6の両端にそれぞれ接続され、各カソードは互いに接続され、さらに高電位出力端子23に接続される。二次巻き線6の中点6cは、低電位出力端子24に接続される。整流素子16,17は、二次巻き線6に誘起された電圧を整流する。なお、整流素子16、17は、例えばダイオードである。また、平滑コンデンサ18は、整流素子16、17の各カソードと、二次巻き線6の中点6cとの間に接続される。すなわち、平滑コンデンサ18は、高電位出力端子23と低電位出力端子24との間に接続され、直流電圧VOUTを平滑化する。また、照明負荷3は、駆動回路19を介して高電位出力端子23と低電位出力端子24との間に接続された照明光源20を有している。駆動回路19は、例えば抵抗などのインピーダンス素子であり、例えば定電流素子であり、照明光源20に流れる電流を制限して、照明光源を過電流による破壊から保護する。照明光源20は、例えばLEDである。次に、スイッチング電源2の動作について説明する。電源投入時に、電源電圧VINが、高電位電源端子21と低電位電源端子22との間に供給されるとき、一対のスイッチング素子10、11はノーマリオン型の素子であるため、いずれもオンしている。その結果、高電位電源端子21、インダクタ9、一次巻き線5、スイッチング素子10、低電位電源端子22の経路と、高電位電源端子21、インダクタ9、一次巻き線5、スイッチング素子11、低電位電源端子22の経路とに電流が流れる。スイッチング素子10、11をそれぞれ流れる電流の大きさにはスイッチング素子10、11のしきい値電圧の差などによりばらつきがあり、一方の電流値が他方よりも大きくなる。例えばスイッチング素子10を流れる電流の方が、スイッチング素子11を流れる電流よりも大きいとすると、スイッチング素子10、11を流れる電流の電流差に等しい励磁電流が流れ、二次巻き線6及び三次巻き線7に電圧が誘起される。スイッチング素子10のゲートにはソースに対して正の電圧が供給され、スイッチング素子10の電流は増加する。一方、スイッチング素子11のゲートにはソースに対して負の電圧が供給され、スイッチング素子11の電流は減少する。この正帰還により、スイッチング素子11はオフになる。スイッチング素子10がオン、スイッチング素子11がオフの状態になると、高電位電源端子21、インダクタ9、一次巻き線5、スイッチング素子10、低電位電源端子22の経路に電流が流れる。また、スイッチング素子11がオフの状態のため、一次巻き線5は、共振コンデンサ8と共振する。二次巻き線6及び三次巻き線7には、共振電圧が誘起される。整流素子16は、二次巻き線6に誘起された電圧を整流し、また平滑コンデンサ18を充電する。平滑コンデンサ18の両端の電圧、すなわち高電位出力端子23と低電位出力端子24との間の直流電圧VOUTは、スイッチング電源2の出力電圧として、照明負荷3の照明光源20に供給される。なお、直流電圧VOUTが所定電圧に達するまで、照明光源20に電流は流れない。例えば、照明光源20がLEDの場合、この所定電圧は、LEDの順方向電圧であり、照明光源20に応じて定まる。そして、時間の経過とともに三次巻き線7に誘起される電圧の位相が変化し、スイッチング素子10のゲートソース間電圧が正電圧から負電圧に変化すると、スイッチング素子10はオフする。また、スイッチング素子11のゲートソース間電圧が負電圧から正電圧に変化すると、スイッチング素子11はオンする。スイッチング素子10がオフ、スイッチング素子11がオンの状態になると、高電位電源端子21、インダクタ9、一次巻き線5、スイッチング素子11、低電位電源端子22の経路で電流が流れる。そして、二次巻き線6及び三次巻き線7に誘起される共振電圧は、上記のスイッチング素子10がオンでスイッチング素子11がオフの状態と逆極性になる。その結果、二次巻き線6及び三次巻き線7には連続した共振電圧が誘起される。整流素子17は、二次巻き線6に誘起された電圧を整流し、また平滑コンデンサ18を充電する。直流電圧VOUTが照明負荷3の照明光源20に供給され、直流電圧VOUTが上記の所定電圧以上の場合、照明光源20に電流が流れ点灯する。さらに、三次巻き線7に誘起される電圧の位相が変化して、スイッチング素子10のゲートソース間電圧が負電圧から正電圧に変化すると、スイッチング素子10はオンする。また、スイッチング素子11のゲートソース間電圧が正電圧から正電圧に変化すると、スイッチング素子11はオンする。これにより、上記の電源投入後の状態に戻る。以後、一対のスイッチング素子10、11のオン及びオフへの切替が自動的に繰り返される。その結果、照明光源20には電源電圧VINから生成した直流電圧VOUTが供給され、照明光源20を安定に点灯させることができる。なお、一対のスイッチング素子10、11がノーマリオン型の素子であるため、三次巻き線7に誘起される正弦波形の共振電圧により一対のスイッチング素子10、11がオンとオフとに切り替わるときに、ともにオンになる期間が生じる。その結果、電流プッシュプル型のスイッチング電源において必要とされるインダクタ9にエネルギーを蓄積する期間を確保することができる。次に、本実施例の効果について説明する。本実施例においては、ノーマリオン型の一対のスイッチング素子10、11を自励発振させているため、起動回路が不要である。起動回路に低抵抗の起動抵抗を用いた場合、損失を生じるが、本実施例においては、起動抵抗が不要であるため、損失を低減できる。また、簡易な構成でスイッチング素子が同時にオンする期間を設けて電流プッシュプル型のスイッチング電源を構成することができる。また、本実施例においては、一対のスイッチング素子10、11がノーマリオン型の素子であるため、三次巻き線7に誘起される正弦波形の共振電圧により一対のスイッチング素子10、11がオンとオフとに切り替わるときに、ともにオンになる期間が形成しやすく、その結果、電流プッシュプル型のスイッチング電源において必要とされるインダクタ9にエネルギーを蓄積する期間を確保することができる。さらに、一対のスイッチング素子10、11としてHEMTを用いた場合、高周波動作が可能となる。例えば、メガヘルツオーダーの動作が可能となる。特に、GaN系HEMTを用いた場合、より一層の高周波動作が可能でありトランスを小型化できる。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施例について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、スイッチング電源の構成は、図1に表したものに限定されない。例えば、インダクタ9は、一次巻き線5の中点5cとスイッチング素子10、11の各ソースとの間に、直流の電源電圧VINを供給できればよく、低電位電源端子22とスイッチング素子10、11の各ソースとの間に接続されていてもよい。また、例えば、三次巻き線7に中点を設けて、三次巻き線7の両端に一対のスイッチング素子10、11の各制御端子をそれぞれ接続し、三次巻き線の中点を低電位電源端子22に接続してもよい。また、スイッチング素子10、11はGaN系HEMTには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaNやダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約1.4eVのヒ化ガリウムGaAsよりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが1.5eV以上の半導体、リン化ガリウムGaP、バンドギャップ約2.3eV、窒化ガリウムGaN、バンドギャップ約3.4eV、ダイアモンドC、バンドギャップ約5.27eV、窒化アルミニウムAlN、バンドギャップ約5.9eV、炭化ケイ素SiCなどが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、寄生容量を小さくして高速動作させることが可能なため、さらにトランスの小型化が可能であり、スイッチング電源を小型化することができる。また、整流素子16、17が二次巻き線6お中点6cに接続され、全波整流する構成を例示した。しかし、二次巻き線6には中点6cを設けなくてもよく、ブリッジ整流回路としてもよい。さらにまた、照明光源20はLEDに限らず、ELやOLEDなどでもよく、照明負荷3には、複数個の照明光源20が直列又は並列に接続されていてもよい。また、前述の実施例においては、スイッチング電源の負荷として照明光源を用いる場合を例示したが、例示したスイッチング電源は、照明光源だけでなく、直流で駆動される負荷であれば用いることができる。本発明のいくつかの実施形態および実施例を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"