金属基板上に絶縁層を介して配線パターンが設けられ前記配線パターンの一端側に読み取り書き込み用のヘッド部が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部を有するフレキシャであって、前記絶縁層が、前記端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、前記金属基板が、前記端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離し電気的に独立した独立基板部を備えた、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1記載のフレキシャであって、前記独立基板部は、少なくとも前記端子部裏側の全体を覆う平面形状である、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1又は2記載のフレキシャであって、前記独立基板部は、前記端子部よりも大きい平面形状である、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~3の何れかに記載のフレキシャであって、前記独立基板部は、平面形状が矩形形状、X字形状、又は円形形状の何れかである、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~4の何れかに記載のフレキシャであって、前記独立基板部に貫通形成された孔部を備えた、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~5の何れかに記載のフレキシャであって、前記独立基板部と前記他の部分との間は、少なくとも70μmの間隔を有して離反している、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~6の何れかに記載のフレキシャであって、前記独立基板部上で少なくとも前記絶縁層に貫通形成された貫通孔と、前記貫通孔を介して前記独立基板部と前記端子部とを導通接続する接続部と、を備えたことを特徴とするフレキシャ。請求項7記載のフレキシャであって、前記貫通孔は、前記絶縁層及び前記端子部に貫通形成され、前記接続部は、前記貫通孔内に充填された導電性部材からなる、ことを特徴とするフレキシャ。請求項7記載のフレキシャであって、前記接続部は、前記端子部から前記貫通孔内に一体に延設される、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~9の何れかに記載のフレキシャであって、前記配線パターンは、複数本のパターン部を備え、前記端子部は、各パターン部に対して設けられ、前記独立基板部は、前記各パターン部の端子部に対応して設けられた、ことを特徴とするフレキシャ。請求項1~10の何れかに記載のフレキシャを備えたヘッドサスペンションであって、ベースプレート及び該ベースプレートに支持されるロードビームを備え、前記フレキシャが前記ロードビームに支持された、ことを特徴とするヘッドサスペンション。解決しようとする問題点は、端子部の強度を向上すると電気特性の劣化を確実に抑制することができなかった点である。本発明は、端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制するために、金属基板上に絶縁層を介して配線パターンが設けられ前記配線パターンの一端側に読み取り書き込み用のヘッド部が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部を有するフレキシャであって、前記絶縁層が、前記端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、前記金属基板が、前記端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離して電気的に独立した独立基板部を備えたことを最も主な特徴とする。本発明によれば、端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続する絶縁層及び端子部裏側の独立基板部により、端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制することができる。端子部の強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制するという目的を、絶縁層が、端子部裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、金属基板が、端子部裏側の部分を他の部分に対して切り離されて電気的に独立した独立基板部を備えることによって実現した。独立基板部は、少なくとも端子部裏側の全体を覆う平面形状とし、好ましくは端子部よりも大きい平面形状とする。また、独立基板部と他の部分との間は、少なくとも70μmの間隔を有して離反させる。[ヘッドサスペンションの概略構成]図1は、本発明実施例1のヘッドサスペンションの一例の概略構成を示す平面図である。図1のように、ヘッドサスペンション1は、ロードビーム3と、ベースプレート5と、フレキシャ7とを備えている。ロードビーム3は、読み取り書き込み用のヘッド部としてのスライダ9に負荷荷重を与えるもので、剛体部11とばね部13とを備えている。剛体部11は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば100μm程度に設定されている。ばね部13は、剛体部11とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステンレス鋼圧延板からなり、剛体部11よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。ばね部13の板厚は、例えば、t=40μm程度に設定されている。このばね部13は、その一端部が剛体部11の後端部に、ベースプレート5の先端部にレーザ溶接等によって固着されている。ベースプレート5は、ロードビーム3のばね部13を介して剛体部11を支持し、キャリッジのアームに取り付けられて軸回りに回転駆動される。フレキシャ7は、ロードビーム3に沿って延設されてレーザ溶接等によって取り付けられている。フレキシャ7の先端側にはスライダ9が支持され、基端側はベースプレート5を超えて延設されたテール部15となっている。テール部15の端部は、後述する端子部27a~27gを備えた端子形成部17となっている。この端子部27a~27gがハードディスクドライブの基板側端子部図示せずに導電性接着剤やはんだ等によって接続され、スライダ9と基板との間の接続を確保する。[フレキシャの具体構成]図2は、図1のフレキシャの端子形成部を示す拡大平面図、図3は、図1のフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図、図4は、図2のIV-IV線矢視に係る断面図である。フレキシャ7は、図2~図4のように、金属基板19上に絶縁層21を介して配線パターン23が形成されている。金属基板19は、例えば、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板SST等の導電性薄板で形成されている。金属基板19の積層方向での厚みは、12~20μm程度に設定されている。絶縁層21は、例えば、可撓性絶縁樹脂であるポリイミドで形成されている。絶縁層21の積層方向での厚みは、5~15μm程度に設定されているに形成されている。配線パターン23は、例えば、銅等の導電性金属からなり、積層方向での厚みが8~15μm程度に設定されている。なお、配線パターン23は、図示しないポリイミド等の樹脂からなるカバー絶縁層によって被覆されている。この配線パターン23は、信号伝送用の読み取り用配線及び書き込み用配線並びにスライダ9の微少調整用のヒータ配線やセンサ配線等として機能するものであり、複数のパターン部25a~25gからなっている。各パターン部は、フレキシャ7の先端側から基端側にかけて延設されている。パターン部25a~25gの先端側はスライダ9に接続され、基端側にはフレキシャ7の端子形成部17上に位置するパッド型の外部接続用の端子部27a~27gが各別に設けられている。従って、配線パターン23は、一端側に読み取り書き込み用のスライダ9が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部27a~27gを有する構成となっている。端子部27a~27gは、配線パターン23のパターン部25a~25gに対して幅広の矩形板状に形成されている。これらの端子部27a~27gは、フレキシャ7の延設方向に対する交差方向に沿って配置され、隣接間に所定の間隔を有して平行に配置されている。端子部27a~27gの表側は、カバー絶縁層が剥離されて外部に露出している。この端子部27a~27gの表側には、ハードディスクドライブの基板側の端子部が導電性接着剤等の導電性部材を介して導通接続される。端子部27a~27gの裏側は、絶縁層21及び独立基板部29a~29gによって支持されている。裏側の絶縁層21は、端子部27a~27gの裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続している。従って、端子部27a~27gを支持する絶縁層21は、その支持強度に影響する範囲内にフライングリード型のような開口や孔を有しておらず、端子部27a~27gを確実に支持することができる。なお、本実施例では、絶縁層21がフレキシャ7の端子形成部17の略全域にわたって開口や孔の無い連続した板状に形成されている。独立基板部29a~29gは、図3及び図4のように、金属基板19の端子部27a~27gの裏側に位置する部分からなる。従って、各独立基板部は、各端子部に対応して設けられている。独立基板部29a~29gは、他の部分である隣接間及び金属基板19の本体部31との間に溝部33が設けられている。溝部33は、金属基板19がエッチング等によって部分的に除去されて形成され絶縁層21を露出させている。溝部33の幅は、少なくとも70μm程度に設定されている。従って、独立基板部29a~29gと他の部分との間は、少なくとも70μmの間隔を有して離反している。これにより、独立基板部29a~29gは、隣接間及び金属基板19の本体部31に対して切り離されて電気的に独立している。なお、独立基板部29a~29gを隣接間及び金属基板19の本体部31対して電気的に独立するには、溝部33が70μm程度あればよい。また、溝部33は、例えば絶縁部材によって埋めてもよい。独立基板部29a~29gは、それぞれ端子部27a~27gよりも大きい平面矩形の板状に形成され、絶縁層21を介して端子部27a~27gの裏側及びその周辺を囲む部分を支持している。従って、端子部27a~27gは、その裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層21及び独立基板部29a~29gに支持されており、強度を向上することができる。加えて、独立基板部29a~29gは、隣接間及び金属基板19の本体部31に対して電気的に独立しているため、対応する端子部27a~27gとの間でのキャパシタンス成分の発生や増大が抑制される。従って、フレキシャ7は、端子部27a~27gでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができる。[実験結果]本発明の実施例1及び比較例1~3に係るフレキシャの配線パターンに対し、TDR時間領域反射率測定によるインピーダンスの測定及びSDD21差動伝送特性の測定を行った。比較例の構成図5a~cは、比較例に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である。比較例1~3に係るフレキシャ7a~7cは、図5a~cのように、端子形成部17a~17c上に実施例1と同様のパッド型の端子部27a~27g図示せずを有すると共に端子形成部17a~17cの略全域で絶縁層21及び金属基板19a~19cがフライングリード型のような開口や孔の無い連続する板状となっている。また、比較例2及び3のフレキシャ7b及び7cは、端子部27a~27gに対応して、金属基板19b及び19cに貫通孔35ba~35bg及び35ca~35cgを各別に備えている。インピーダンス図6a~cは、実施例1に係るフレキシャの配線パターンに対するインピーダンスの測定結果を比較例と共に示すグラフであり、aは、読み取り用、bは、書き込み用、cは、センサ用である。図7は、図6の端子部での測定結果のインピーダンスを示す図表である。なお、図6の縦軸は、インピーダンスΩであり、横軸は、時間nsecナノ秒である。また、図6のインピーダンスは、左端領域R1が端子部を、中央領域R2がテール部からロードビームのばね部に対応する部分までを、右端領域R3がばね部に対応する部分からスライダまでをそれぞれ示している。図7のReadは読み取り用、Writeは書き込み用、Sensorはセンサ用の測定結果を示している。図6a~c及び図7から明らかなように、比較例1~3のフレキシャ7a~7cでは、端子部27a~27gにおいてインピーダンスの落ち込みが見られる。これに対し、実施例1のフレキシャ7では、そのようなインピーダンスの落ち込みが無くテール部15側へ遷移している。なお、図6b及び図7のように、書き込み用では、比較例1及び2のフレキシャ7a及び7bにおいて端子部27a~27gでのインピーダンスの部分的な落ち込みが少なく、比較例3のフレキシャ7cにおいて端子部27a~27gでのインピーダンスが部分的に増加している。これに対し、本実施例のフレキシャ7においては、そのような部分的な落ち込みや増加等のインピーダンスの乱れが全く見られず円滑に遷移している。このように、本実施例では、独立基板部29a~29gが隣接間及び金属基板19の本体部31に対して電気的に独立していることから、端子部27a~27gでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができることが確認できた。SDD21図8a~cは、実施例1に係るフレキシャの配線パターンに対するSDD21の測定結果を比較例と共に示すグラフであり、aは、読み取り用、bは、書き込み用、cは、センサ用である。図9は、図8の-3dBでの周波数の測定結果を示す図表である。なお、図8の縦軸は、SDD21dBであり、横軸は、周波数GHzである。また、図9のReadは読み取り用、Writeは書き込み用、Sensorはセンサ用の測定結果を示している。図8a~c及び図9から明らかなように、実施例1のフレキシャ7では、SDD21が-3dBでの周波数が、書き込み用、読み取り用、センサ用の何れにおいても比較例1~3のフレキシャ7a~7cに対する最大値をとり、帯域幅を拡大することができた。このように、本実施例では、独立基板部29a~29gが隣接間及び金属基板19の本体部31に対して電気的に独立していることで、インピーダンスの乱れ抑制に加えて、帯域幅を拡大できることも確認できた。[実施例1の効果]本実施例のフレキシャ7では、金属基板19上に絶縁層21を介して配線パターン23が設けられ配線パターン23の一端側に読み取り書き込み用のスライダ9が接続されると共に他端側に外部接続用の端子部27a~27gを有するフレキシャ7であって、絶縁層21が、端子部27a~27g裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続し、金属基板19が、端子部27a~27g裏側の部分を他の部分に対して切り離し電気的に独立した独立基板部29a~29gを備えている。従って、本実施例のフレキシャ7では、端子部27a~27g裏側からその周辺を囲む部分にかけて連続する絶縁層21及び端子部27a~27g裏側の独立基板部29a~29gにより、端子部27a~27gの強度を向上しながら電気特性の劣化を確実に抑制することができる。すなわち、フレキシャ7は、端子部27a~27gの裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層21に支持されると共に少なくとも端子部27a~27gの裏側が絶縁層21を介して独立基板部29a~29gに支持されているので、端子部27a~27gの裏側の強度を向上することができる。この結果、本実施例では、端子部27a~27gの裏側から治具による基板側の端子部に対する接合操作を行わせて確実に接合することができる。加えて、本実施例の端子部27a~27gは、裏側及び周辺を囲む部分が絶縁層21に支持されており、フレキシャ7に対する支持強度を向上することができる。このため、本実施例の端子部27a~27gは、より確実に基板側の端子部に接合を行わせることができると共に接合後の信頼性をも向上することができる。さらに、本実施例のフレキシャ7では、独立基板部29a~29gが、他の部分である隣接間及び金属基板19の本体部31に対して電気的に独立しているため、対応する端子部27a~27gとの間でのキャパシタンス成分の発生や増大を抑制することができる。従って、本実施例のフレキシャ7では、端子部27a~27gでのインピーダンスの部分的な落ち込み等の乱れを抑制することができ、電気特性の劣化を確実に抑制することができる。独立基板部29a~29gは、少なくとも端子部27a~27g裏側の全体を覆う平面形状、本実施例においては端子部27a~27gよりも大きい平面矩形の板状である。このため、本実施例のフレキシャ7では、端子部27a~27gの裏側及び周辺を囲む部分を絶縁層21及び独立基板部29a~29gによって支持することができ、端子部27a~27gの裏側の強度及びフレキシャ7に対する支持強度を確実に向上することができる。本実施例では、配線パターン23が、読み取り、書き込み、及びセンサ用の複数本のパターン部25a~25gを備え、端子部27a~27gが、各パターン部に対して設けられ、独立基板部29a~29gが、各パターン部の端子部に対応して設けられている。従って、本実施例では、読み取り、書き込み、及びセンサ用の全パターン部25a~25gに対する端子部27a~27gでのインピーダンスの乱れを抑制することができ、接続及び信号伝送の信頼性の高いフレキシャ7を実現することができる。ただし、書き込み用に対しては、インピーダンスの乱れ自体が少ないので、独立基板部としなくてもよい。上記フレキシャ7を有するヘッドサスペンション1は、ベースプレート5及び該ベースプレート5に支持されるロードビーム3を備え、フレキシャ7がロードビーム3に支持されている。従って、本実施例では、フレキシャ7の端子部27a~27gでのインピーダンスの乱れを抑制することが可能な信頼性の高いヘッドサスペンション1を実現することができる。[変形例]本実施例では、図10~図13のように、独立基板部の形状を変更することも可能である。図10~図13は、変形例1~4に係るフレキシャの端子形成部を示す拡大背面図である。なお、変形例においては、上記実施例1と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にA~Dを付して重複した説明を省略する。図10の変形例1は、独立基板部29Aa~29Agを端子部27a~27gと同一の平面矩形の板状に形成したものである。これに応じて、独立基板部29Aa~29Agは、隣接間及び金属基板19の本体部31との間の溝33Aが実施例1に対して大きくなっている。図11の変形例2は、独立基板部29Ba~29Bgの平面形状をX字状にしたものである。独立基板部29Ba~29Bgは、その中央部が端子部27a~27gの裏側を覆う平面形状になっており、端子部27a~27gの四隅に対応する部分から脚部37a~37dが放射方向に延びている。かかる平面形状に応じて、独立基板部29Ba~29Bgも、隣接間及び金属基板19の本体部31との間の溝33Bが実施例1に対して大きくなっている。図12の変形例3は、独立基板部29Ca~29Cgの平面形状を円形形状にしたものである。独立基板部29Ca~29Cgは、端子部27a~27gの幅方向両側に対して突出しながら中央部が端子部27a~27gの裏側中央部を覆う平面形状となっている。なお、端子部27a~27gの長手方向の両側は、独立基板部29Ca~29Cgの外縁から突出する。かかる平面形状に応じて、独立基板部29Ca~29Cgも、隣接間及び金属基板19の本体部31との間の溝33Cが実施例1に対して大きくなっている。図13の変形例4は、独立基板部29Da~29Dgの平面形状を実施例1と同一にすると共に独立基板部29Da~29Dgに貫通形成された複数の孔部39を設けたものである。各孔部39からは、絶縁層21を外部に露出させている。上記の変形例1~4の何れにおいても、上記実施例1と同様の作用効果を奏することができる。加えて、変形例4では、複数の孔部39によって絶縁層21を外部に露出させ、放熱性を向上することができる。なお、変形例1~3のように、独立基板部の平面形状に応じて溝33A~33Cを大きく設定することができるが、その最大サイズ独立基板部の最小サイズは基板側の端子部への接合用の設備や治具によって決まる。[端子部周辺の構造]図14は、本発明の実施例2に係るフレキシャの端子部周辺を示す断面図である。なお、本実施例では、上記実施例1と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にEを付して重複した説明を省略する。本実施例のフレキシャ7Eは、図14のように、独立基板部29Eを端子部27Eと導通接続したものである。なお、独立基板部29Eは、独立基板部29Ea~29Egの何れかであり、対応する端子部27Ea~27Egの何れかである端子部27Eに導通接続される。従って、本実施例では、独立基板部29Ea~29Egの何れか及び端子部27Ea~27Egの何れかについて、独立基板部29E及び端子部27Eを用いて説明する。独立基板部29上では、絶縁層21E及び端子部27Eに貫通形成された貫通孔41を備えている。貫通孔41は、端子部27E上で開口すると共に端子部27Eの裏側において独立基板部29Eに閉塞されている。この貫通孔41内には、導電性接着剤や銀ペースト等の導電性部材が充填されてなる接続部43が設けられている。接続部43は、独立基板部29Eの表面に固着すると共に貫通孔41内で端子部27Eに固着している。この接続部43は、貫通孔41を介して端子部27Eの表面上に突出している。端子部27Eの表面に対しては、接続部43がドーム形状となっており、その縁部が貫通孔41の開口から放射方向に突出して固着している。従って、独立基板部29Eは、接続部43により貫通孔41を介して対応する端子部27Eに導通接続されている。なお、本実施例の独立基板部29Eとしては、上記実施例1及び図10~図13の変形例の何れかを用いればよい。[端子部周辺の製造]図15a~cは、図14の端子部周辺の製造工程を示す断面図である。本実施例のフレキシャ7の端子部27E周辺を製造する際は、図15aのように、予め半製品金属基板47上に半製品絶縁層49及び半製品端子部51を形成しておく。なお、半製品絶縁層49は、例えば熱硬化性や感光性ポリイミド樹脂を半製品金属基板47の表面上に塗工しておき、これに加熱或いは紫外光の照射を行うことで形成することができる。半製品端子部51は、例えば銅等の導電性材料のメッキ等によって半製品絶縁層49上に形成することができる。次いで、図15bのように、貫通孔41及び溝部33Eの形成を行う。貫通孔41の形成は、エッチング等によって半製品端子部51及び半製品絶縁層49を部分的に除去することで行われる。同様に、溝部33Eの形成も、エッチング等によって半製品金属基板47を部分的に除去することで行われる。これにより、貫通孔41を備えた絶縁層21E及び端子部27Eと独立基板部29Eとが形成されることになる。次いで、図15cのように、貫通孔41に対する導電性部材の充填を行う。充填の際は、導電性部材が貫通孔41の開口から溢れて端子部27Eの表面上に放射状に拡がる程度に行う。こうして充填された導電性部材が硬化すると、貫通孔41Eを介して独立基板部29Eと端子部27Eとを導通接続する接続部43が形成される。[実施例2の効果]本実施例では、上記実施例1と同様の作用効果を奏することができる。加えて、本実施例では、独立基板部29E上で絶縁層21E及び端子部27Eに貫通形成された貫通孔41Eと、貫通孔41Eを介して独立基板部29Eと端子部27Eとを導通接続する接続部43とを備えている。従って、本実施例では、独立基板部29Eに静電気が帯電することを抑制できる。また、本実施例では、接続部43が貫通孔41内に充填された導電性部材からなるので、より確実に独立基板部29Eと端子部27Eとの導通接続を確保して独立基板部29Eに静電気が帯電することを抑制できる。また、本実施例では、フレキシャ7E単体で或いはフレキシャ7Eをヘッドサスペンション1に取り付けてから検査する際に、端子部27E及び独立基板部29Eの両側から電気特性測定用のプロービングを行わせることが可能となる。結果として、検査設備の自由度を向上させることができる。しかも、独立基板部29Eに対してプロービングを行わせることで、端子部27Eに対するダメージ低減をも図ることができる。[変形例]実施例2では、図16のように、接続部の構造を変更することも可能である。図16は、変形例に係るフレキシャの端子部周辺を示す断面図である。なお、変形例においては、上記実施例2と基本構成が共通しているため、対応する部分に同符号或いは同符号にFを付して重複した説明を省略する。本変形例は、接続部43Fが端子部27Fから貫通孔41F内に一体に延設されたものである。すなわち、絶縁層21Fには、独立基板部29F側に向けて漸次縮径する貫通孔41Fが貫通形成されている。この貫通孔41F内は、端子部27Fに一体に設けられた接続部43が位置している。接続部43Fは、端子部27F中央が屈曲してなり、貫通孔41F内周及び独立基板部29Fの表面に倣って固着形成されている。これにより、端子部27Fと独立基板部29Fとは、接続部43Fによって導通接続されている。なお、端子部27Fは、接続部43Fの屈曲形状によって、中央部に凹部45が区画形成されている。図17a~cは、図16の端子部周辺の製造工程を示す断面図である。本実施例のフレキシャ7の端子部27F周辺を製造する際は、図17aのように、予め半製品金属基板47F上に貫通孔41Fを有する絶縁層21Fを形成する。絶縁層21Fは、例えば感光性ポリイミド樹脂を半製品金属基板47Fの表面上に塗工しておき、これに諧調マスクを用いた露光現像を行うことで貫通孔41Fと共に形成することができる。次いで、図17bのように、端子部27Fを絶縁層21F上に形成する。端子部27Fは、例えば銅等の導電性材料のメッキ等によって形成することができる。このとき、端子部27Fには、貫通孔41内に倣って接続部43Fが形成される。次いで、図17cのように、溝部33Fの形成を行う。溝部33Fの形成は、上記実施例同様、エッチング等によって半製品金属基板47を部分的に除去することで行われる。これにより、独立基板部29Fが形成され、結果として貫通孔41Fを介して端子部27Fと独立基板部29Fとが接続部43Fによって導通接続されたフレキシャ7Fが形成されることになる。本変形例では、上記実施例2と同様の作用効果を奏することができるのに加え、配線パターン23を電気メッキによって形成する場合、その形成を独立基板部29Fから給電して行わせることができる。この結果、本実施例では、端子部27F近傍にフレキシャ7の完成品としては不要となる電気メッキ用の配線を省略することができ、電気特性を向上することができる。