"複数の導電性の円筒状部材を用い、前記複数の円筒状部材の内壁側に、前記複数の円筒状部材を、互いに略同軸上に配置するリング状部材を取り付けた状態で、前記複数の円筒状部材を装着した基体ホルダを反応容器の内部に設置し、前記反応容器の内部を排気した状態で、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入し、前記原料ガスに高周波電力を印加して励起させ、前記複数の円筒状部材上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記リング状部材の外周面には、周方向に複数の凸部を有し、前記複数の凸部を前記円筒状部材の内壁面にくい込ませて取り付けることを特徴とする堆積膜形成方法。前記複数の円筒状部材の内壁側には、インローが設けられ、前記複数の凸部のそれぞれを、2つの前記インローにくい込ませる請求項1に記載の堆積膜形成方法。従来、上記のような方策により、堆積膜形成方法の向上が図られてきた。その結果、ある程度の、特性の均一化および画像欠陥の低減が成された。しかし近年、例えば、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真感光体においても従来以上の特性の均一性と画像特性の向上が求められるようになった。前述のように、基体と補助基体との同軸性を高めることで、特に周方向の均一性の向上が図れる。リング状部材を用いて、さらに同軸性を高めるためには、リング状部材の外周と、リング状部材が装着される基体および補助基体キャップの内周との寸法を同一にすることが望ましい。しかし、両者の寸法が同一に近づくに従い、リング状部材を装着する際に、リング状部材と、基体および補助基体との間で摺擦が生じる。摺擦が生じると、塵埃が生じ、基体の堆積膜形成面に塵埃が付着する確率が高くなる。その結果、付着した塵埃を核として、堆積膜の異常成長が発生し、画像特性の低下が発生する場合がある。また、円筒状基体を真空反応容器の内部に搬入して保持させる必要があるため、基体ホルダに円筒状基体および補助基体を挿入し、装着することが行われている。この場合、基体ホルダと、円筒状基体および補助基体の内面との間隔は、比較的狭くなるため、リング状部材としても、比較的小型で簡易な形状の物を使用する必要がある。本発明は、簡易に、特性の均一性と画像特性を同時に向上させる方法を提供する。上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成方法は、複数の導電性の円筒状部材を用い、前記複数の円筒状部材の内壁側に、前記複数の円筒状部材を、互いに略同軸上に配置するリング状部材を取り付けた状態で、前記複数の円筒状部材を装着した基体ホルダを反応容器の内部に設置し、前記反応容器の内部を排気した状態で、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入し、前記原料ガスに高周波電力を印加して励起させ、前記複数の円筒状部材上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記リング状部材の外周面には、周方向に複数の凸部を有し、前記複数の凸部を前記円筒状部材の内壁面にくい込ませて取り付けることを特徴とする。本発明によれば、リング状部材を円筒状部材に、くい込ませて接触させて位置決めを行うことで高い同軸性を維持することが可能となり、堆積膜形成工程中に生じる振動に対しても塵埃の発生を抑制することが出来る。また、これら作用を簡単な方法で実現し、特性の均一性と画像特性を同時に向上させることが可能となる。本発明の堆積膜形成方法では、複数の導電性の円筒状部材の内壁側に、これら円筒状部材を互いに略同軸上に配置するリング状部材を取り付けた状態で、複数の円筒状部材を装着した基体ホルダを反応容器の内部に設置する。そして、反応容器の内部を排気した状態で、反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスを導入し、原料ガスに高周波電力を印加して励起させ、複数の円筒状部材上に堆積膜を形成する。リング状部材の外周面には、周方向に複数の凸部を有する。複数の凸部を円筒状部材の内壁面にくい込ませて取り付ける。以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、a-Si電子写真感光体を製造するための堆積膜形成方法に用いるリング状部材の一構成例を示す模式図である。図1において、夫々上から順番に、上面図、矢印Aから見た模式図、矢印B部及び矢印C部の拡大模式図を示す。リング状部材100は、例えばステンレスからなる円筒状の本体101と、本体101の外周面の上に設けられた凸部102とからなっている。凸部102は、リング状部材100の外周面の上に、周方向で3箇所の位置に、等間隔で設けられている。凸部102は、各周方向の位置において、軸方向の中心に設けられている。つまり、h1=h2である。凸部102は、上部のテーパー面103、下部のテーパー面104と、平面105を有している。全ての凸部102は、同一の形状である。図中、凸部102の長さをl0、幅をw0、高さをh0で表している。破線で示す106は、3箇所の凸部102の外接円を示し、外接円106の直径をd0で示している。d0は後述する円筒状部材の内壁面の内径より大きく設定されている。以上のように構成された、リング状部材100を用いて行われる、電子写真感光体の製造方法の一例について説明する。図2Aa~c及び図2Bd~gは、a-Si電子写真感光体を製造するための堆積膜形成方法に用いるリング状部材を円筒状部材に取り付ける一構成例を示す模式図である。リング状部材としては、図1に示すリング状部材100と同一形状、同一材質のリング状部材100とリング状部材200を使用している。円筒状部材としては、下補助基体107、円筒状基体108、上補助基体112を使用している。これら円筒状部材はいずれも、例えばアルミニウムから成る。円筒状基体108の内壁面の端面には、インロー109、インロー111が設けられている。インロー109、インロー111は、電子写真感光体にフランジを取り付ける際にフランジを嵌める部分となる。下補助基体107の内壁面の端面には、インロー110が設けられており、円筒状基体108のインロー109、インロー111と同一の形状をしている。上補助基体112の内壁面の端面には、インロー113が設けられており、円筒状基体108のインロー109、インロー111と同一の形状をしている。まず、図2Aaに示すように、リング状部材100を、下補助基体107の上方に移動させる。次に、図2Abに示すように、リング状部材100を、下補助基体107に取り付ける。取り付け方は、リング状部材100を下補助基体107の内面に挿入する。すると、凸部102のテーパー面104が、インロー110の入り口部分で引っ掛る。この時の、凸部102近傍の拡大模式図を、図2Ab右側の破線円内に示す。次に、図2Acに示すように、リング状部材100の上方に円筒状基体108を移動させる。そして、円筒状基体108をリング状部材100に被せる様にする。すると、凸部102のテーパー面103が、インロー109の入り口部分で引っ掛る。この時の、凸部102近傍の拡大模式図を、図2Ac右側の破線円内に示す。このように、リング状部材100を、円筒状基体108および下補助基体107の内壁側の所定の位置に設置した後、円筒状基体108に下方向の力を加える。すると、凸部102が、インロー109、インロー110の内壁面にくい込んでいく。さらに、円筒状基体108の端面と下補助基体107の端面が密着するまで力を加えていく。その状態を、図2Bdに示す。また、凸部102近傍の拡大模式図を、図2Bd右側の破線円内に示す。円内で、凸部102において、平面部105、テーパー面103、テーパー面104の一部を破線で表している。この部分は、インロー109、インロー110にくい込んでいる状態を示している。また、円内に示されているLは、くい込んでいる領域を示している。凸部102は、2つのインローインロー109とインロー110にくい込む。次に、図2Beに示すように、第2のリング状部材200を、円筒状基体108の上方側の端部に取り付ける。取り付け方は、前述のように、第2のリング状部材200を円筒状基体108の内面に挿入する。すると、第2のリング状部材200の凸部102のテーパー面104が、円筒状基体108の上方側のインロー111の入り口部分で引っ掛る。次に、図2Bfに示すように、第2のリング状部材200の上方に上補助基体112を移動させる。そして、上補助基体112を第2のリング状部材200に被せる様にする。すると、凸部102のテーパー面103が、上補助基体112のインロー113の入り口部分で引っ掛る。このように、第2のリング状部材200を、円筒状基体108および上補助基体112の内壁側の所定の位置に設置した後、上補助基体112に下方向の力を加える。すると、凸部102が、インロー111、インロー113の内壁面にくい込んでいく。さらに、円筒状基体108の端面と上補助基体112の端面が密着するまで力を加え、第2のリング状部材200の凸部102が円筒状基体108の上方側のインロー111、上補助基体112のインロー113にくい込むようにする。凸部102は、2つのインローインロー111とインロー112にくい込む。そして、上述のように、第2のリング状部材200が設置された状態で、下補助基体107、円筒状基体108、上補助基体112を、基体ホルダ114に取り付ける。その状態を、図2Bgに示す。本発明において、リング状部材100,200の材質は、円筒状部材下補助基体107、上補助基体112、円筒状基体108の内壁面にくい込ませることが可能であれば、特に制限は無い。円筒状部材と同じ材質でも良いが、円筒状部材より高硬度の方が、くい込み易く好ましい。凸部102の形成方法は、特に制限は無く、本体101と一体形成しても良いし、本体101とは別に形成した後に本体101にネジ止め、溶接等で取り付けても良い。凸部102の材質に関しては、特に制限はなく、本体101と同一でも良いし、また本体とは別の材質でも良い。また、導電性材料でも、非導電性材料でも良いが、円筒状基体108と上補助基体107および下補助基体112の電気的な導通性の安定性の面で、導電性材料が好ましい。凸部102は、円筒状基体108のインロー109および下補助基体107のインロー110とでは、周方向の同一位置でくい込むことが必要となる。また、同様に、円筒状基体108のインロー111および上補助基体112のインロー113とでは、周方向の同一位置でくい込むことが必要となる。凸部102の形状としては、上記のようにくい込むことが可能であれば、特に制限は無く、図1の断面図に示したように、四角形の隅をテーパー形状としても良いし、四角形の隅をR形状としても良い。凸部102の周方向における取り付け位置は、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112とを互いに略同軸上に安定して配置することができれば、特に制限は無いが、上面図において、3箇所以上が好ましい。2箇所の場合、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112との高い同軸性を安定して得られない場合がある。一方、3箇所の場合、凸部102の周方向における3箇所の取り付け位置は、上面図において、3つの凸部102を頂点とする三角形の全ての内角を90deg未満とすることで、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112との高い同軸性が安定して達成できる。よって、凸部102は周方向で3箇所以上とする方が、好ましい。円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112との高い同軸性が安定して達成できるとは円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112とを互いに略同軸上に安定して配置することができることを意味する。本発明において、凸部102の外接円106の直径d0は、円筒状部材の内壁面の内径図2Acにおいて、インロー部の内径となり、図中d1で示す。以上であれば、特に制限はない。しかし、直径d0を大きくし過ぎると、円筒状部材を変形させる、あるいは、くい込ますことが困難となる場合がある。よって、凸部102がくい込む円筒状部材の内壁面の内径に対して、001mm以上04mm以下が好ましい。さらに、凸部102をくい込ます領域図2Bd中のLとしては、特に制限は無いが、領域を長くするとくい込ますことが困難となる場合があるので、02mm以上3.0mm以下が好ましい。さらに、凸部102をくい込ます、円筒状部材の内壁面の位置は、特に制限は無いが、図2Bdに示すように、各円筒状部材の端部近傍でくい込ます方が好ましい。こうすることで、各円筒状部材の端部が密着する時に、くい込ますことが可能となり、くい込ます時に発生する場合のある塵挨が、円筒状部材の外周面に付着するのを大幅に低減することが可能となる。本発明においては、前述のように、円筒状部材に力を加えることで、リング状部材100,200を、円筒状部材の内壁面にくい込ませても良い。また、リング状部材100,200に力を加えることで、くい込ませても良い。例えば、図2Abのように、リング状部材100を下補助基体107の内面に挿入する。すると、凸部102のテーパー面104が、インロー110の入り口部分で引っ掛る。このとき、リング状部材100に力を加えて、下補助基体107にリング状部材100の凸部102をくい込ませても良い。さらに、基体ホルダ114を用いて、くい込ませても良い。基体ホルダ114を用いる方法に関して、図3a~cを用いて、説明する。図3において、上補助基体115は、円筒状基体108のインロー110と同一内径のインロー116を有している。上補助基体115の上部には、貫通穴117が、同心円上に等間隔で4箇所設けられている。基体ホルダ118は、上部にネジ穴119が、貫通穴117と同一円周上に等間隔で形成されている。まず、下補助基体107のインロー110にリング状部材100を設置する。この時は、前述のように、凸部102のテーパー面104が、下補助基体107のインロー110の入り口部分で引っ掛る。そして、この状態のまま、円筒状基体108をリング状部材100に被せる様に設置する。同様に、第2のリング状部材200を円筒状基体108のインロー111に設置し、さらにその上から、上補助基体115をセットする。この時の状態を図3aに示す。リング状部材100のテーパー部103、104にインロー109、インロー110の入り口が引っ掛る。また、第2のリング状部材200のテーパー部103、104にインロー116、インロー111の入り口が引っ掛る。このため、隙間120、121がある状態となる。次に、リング状部材100、第2のリング状部材200がこのように設置された状態で、下補助基体107、円筒状基体108、上補助基体115を、基体ホルダ118に取り付ける。この時の状態を図3bに示す。次に、貫通穴117とネジ穴119の位置をあわせる。そしてネジ122を上補助基体115の上部から貫通穴117に通し、ネジ穴119を用いて、ネジ122を締め込んでいく。これにより、上補助基体115が下方に押しつけられることで、リング状部材100、第2のリング状部材200が、各々のインローにくい込むこととなる。各円筒状部材の端部が密着するまで、ネジ122を締め込んでいき、その時の状態を図3cに示す。このように、基体ホルダ118とネジ122を用いて、各円筒状部材を下方に押しつけておくことで、加熱等で、円筒状部材の温度が変化し、その結果、熱膨張で円筒状部材の形状が変化した場合でも、各円筒状部材間の位置を安定に保つことが可能となり、好ましい。このようにして、リング状部材100、第2のリング状部材200と、下補助基体107、上補助基体112または115が取り付けられた、円筒状基体108に、例えば図4に示すa-Si電子写真感光体を作製する装置を用いて、堆積膜を形成する。例えば、図5に示すa-Si堆積膜501を形成することにより、a-Si電子写真感光体が作製できる。図5は、a-Si電子写真感光体の好適な層構成の一例を示した模式的構成図である。a-Si電子写真感光体は、円筒状基体108の外周面上に堆積膜501が設けられており、堆積膜501は、円筒状基体側から順に、下部阻止層502、感光層503、表面層504から構成されている。図4は、本発明のa-Si電子写真感光体を作製するために供される装置の一例であり、13.56MHzの高周波電源を用いたRFプラズマCVD法による堆積膜形成装置400を模式的に示した断面図である。反応容器401は、円筒状のカソード電極402、上下の絶縁碍子403、底壁404、上部フランジ405、蓋406からなる。反応容器401には排気管421、排気バルブ423を介して真空ポンプユニット420が接続され、反応容器401の内部を減圧可能としている。他に、反応容器401の下部には、受台408を回転可能にするモータ409、真空計412が取り付けられている。円筒状基体108は、下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200と共に、基体ホルダ114に装着された状態で、反応容器401の内部の受台408の上に載置される。さらに、反応容器401の内部には、基体ホルダ114を内部から加熱するヒータ407、および原料ガス導入管413が設置されている。原料ガス導入管413は、円筒状基体108を取り囲むように複数本配設され、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔不図示が設けられている。更に、原料ガス導入管413は、ガス供給系に接続されている。そのガス供給系には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ不図示を内在させたミキシング装置426が設けられている。またガス供給系には、原料ガス供給管414を介して原料ガス導入管413に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス流入バルブ415が設けられている。また、カソード電極402はマッチングボックス416を介して高周波電源417に接続されている。堆積膜形成装置400が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット420が、排気配管421を介して、底壁404の排気部422に接続されている。排気配管421には、排気メインバルブ423が設けられている。真空ポンプユニット420には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。上記の円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200を用い、堆積膜形成装置400を用いて、a-Si電子写真感光体を作製する一例を以下に示す。まず、反応容器401の蓋406を開ける。次に、円筒状基体108、下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200が装着された基体ホルダ114を受台408の上に載置して蓋406を閉める。次に、排気バルブ423を開いて反応容器401の内部を排気する。そして、真空計412の読みが例えば、1Pa以下になった時点で原料ガス導入バルブ415を開け、加熱用の不活性ガス例えば、Arガスを原料ガス導入管413より反応容器401の内部に導入する。反応容器401の内部が所望の圧力になるように加熱用の不活性ガスのガス流量および真空ポンプユニット420の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体108をヒータ407により加熱し、円筒状基体108の温度を例えば20°C~350°Cの所定の温度に制御する。円筒状基体108が所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスの導入を徐々に止めて、堆積膜形成用の所定の原料ガスを原料ガス供給装置からミキシング装置426により混合した後に反応容器401の内部に徐々に導入する。原料ガスとしては、例えばSiH4、Si2H6、CH4、C2H6、NO等の材料ガスと、B2H6、PH3等のドーピングガス、H2、He、Ar等の希釈ガスを用いる。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器401の内部が例えば0.1Paから数100Paの圧力を維持するよう真空計412を見ながら真空ポンプユニット420の排気速度を調整する。以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、堆積膜の形成を行う。反応容器401の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源417を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極402に印加し高周波グロー放電を励起させる。このときマッチングボックス416を高周波の反射電力が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値が所定の値となるように調整する。この放電エネルギーによって反応容器401の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体108の上に所定の堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モータ409を運転し、円筒状基体108を所定の速度、例えば1rpmで回転させる。所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ415を閉じて、反応容器401への原料ガスの流入を止め、反応容器401の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のa-Si電子写真感光体が形成できる。a-Si堆積膜を形成した後、反応容器401の蓋406を開け、a-Si堆積膜が形成された円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200が装着された基体ホルダ114を反応容器401から取り出す。このようにして、a-Si電子写真感光体が完成する。以上の様に、本発明によれば、円筒状基体108、下補助基体107および上補助基体112の内壁面に、リング状部材100,200の凸部102をくい込ますことで、機械的に位置決めを行い、高い同軸性を維持することが可能となる。さらに堆積膜形成工程中に生じる振動に対しても、塵埃の発生を抑制し、高い同軸性を維持可能となる。一方、本発明の場合は、凸部の軸方向の長さが短いので、小面積の摺擦だけでくい込ますことが可能であるし、さらに端部同士が密着する直前に摺擦しながらくいこむために、例え発塵しても端部間の隙間が狭いために、外周面に付着するのを大幅に低減できる。さらに、くい込ますことにより、小さな凸部でも、上記の効果が得られるので、基体ホルダを用いる場合のような、狭い空間部でも、容易に使用可能となる以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。<実施例1>図4に示す堆積膜形成装置400を用いて、アルミニウムよりなる直径84mm、長さ381mm、肉厚3mmの円筒状基体108の表面に、表1に示す条件で、堆積膜を形成してa-Si電子写真感光体の作製を行った。本実施例において、円筒状基体108は、内壁面の内径が78mm、インロー109、インロー111は、深さが13mmで、内径が797mmとした。本実施例では、図2A及び図2Bに示したように、基体ホルダ114に円筒状基体108、下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200を設置したものを用いた。下補助基体107、上補助基体112のインロー110、インロー113は、円筒状基体108のインロー109、インロー111と同一形状とした。リング状部材100,200の本体101、凸部102は、ステンレス製で、本体101と凸部102は、一体で形成されている。本体101の内径は772mm、外径78.9mm、高さ258mmとした。凸部102は、長さl0は2.0mm、幅w0は2.0mm、高さh0は0.42mm、テーパー面103、テーパー面104は、0.3mmの面取りで形成した。これにより、凸部102部の外接円の直径d0は79.94mmとした。凸部102の相対的な位置関係は、上面図において、3つの凸部103の頂点で形成される三角形の内角が3箇所とも60degとなるよう、等間隔で周方向に配置した。また、3箇所とも、軸方向は、本体101の中央部に設置した。そして、図2Aa~c及び図2Bd~gを用いて、説明したように、円筒状基体108と下補助基体107に、リング状部材100を設置した。また円筒状基体108と上補助基体112に第2のリング状部材200を設置した。そして、前述のように、基体ホルダ114に、円筒状基体108、下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200をセットし、堆積膜形成装置400に、円筒状基体108を搬入し、a-Si電子写真感光体を作製した。作製した後、基体ホルダ114と共に、円筒状基体108、下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200を取り出した。作製されたa-Si電子写真感光体に関して、軸方向帯電ムラ周方向帯電ムラ白ポチの評価を以下のように実施した。軸方向帯電ムラ周方向帯電ムラの評価a-Si電子写真感光体のVd周方向ムラの評価には、複写機キヤノン製複写機iRC6880Nを表面電位測定用に改造したものを用いた。表面電位を測定する際には、現像器を取り外し、現像器の代わりにa-Si電子写真感光体の軸方向の所定の位置の表面電位を測定できる電位プローブTREK社製Model344を装着した。プロセススピードを265mm/sec、前露光波長660nmのLEDの光量を4lxsとし、主帯電器の電流値を1000μAの条件にして電子写真感光体を帯電した。この時、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定する。そして、電子写真感光体の中央部位置を0位置とし、両側夫々4cm間隔で8点±4cm,±8cm,±12cm,±16cmの合計9点の電位を測定した。各位置では、周方向36点の電位を測定した。つまり、全体で9x36=324点の電位を測定した。軸方向帯電ムラ軸方向の各9点において、暗部表面電位として、得られた周方向36点の電位の平均値を求めた。得られた各位置の暗部表面電位の最大値と最小値の電位差を軸方向帯電ムラとする。周方向帯電ムラ軸方向の各9点において、得られた周方向36点の電位の最大値と最小値の電位差を求めた。9点のうちで、その差が最も大きい値を周方向帯電ムラとする。白ポチの評価上記のようにa-Si電子写真感光体を10本作製した。そして作製したa-Si電子写真感光体をキヤノン株製複写機iRC6880Nに設置し、A3サイズの全面を黒く塗りつぶした原稿を複写して得られた画像を観察し、感光体1周分当たりの直径0.10mm以上の白ポチ画像欠陥の部分の個数を数えた。得られた10本分の個数の平均値を求めた。得られた結果を表2に示す。いずれの評価も比較例1で得られた結果を100としたときの、相対評価で行った。<比較例1>本比較例では、図6に示すリング状部材600を用いて、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112を設置した。図6a~fは、a-Si電子写真感光体を製造するための堆積膜形成方法に用いるリング状部材600を円筒状部材に取り付ける説明図である。リング状部材600は、ステンレス製で、内径が77.2mm、外径が78.5mmで、高さは25.8mmの円筒状形状である。まず、図6aに示すように、リング状部材600を、下補助基体107の上方に移動させる。次に、図6bに示すように、リング状部材600を、下補助基体107に取り付ける。取り付け方は、リング状部材600を下補助基体107の内面に挿入する。すると、リング状部材600の端部が、インロー110の奥に突き当たる。次に、図6cに示すように、リング状部材600の上方に円筒状基体108を移動させる。そして、円筒状基体108をリング状部材600に被せる様にする。すると、円筒状基体108と下補助基体107の端部が、密着した状態となる。次に、図6dに示すように、別のリング状部材600を、円筒状基体108の上方側の端部に取り付ける。取り付け方は、前述のように、リング状部材600を円筒状基体108の内面に挿入する。すると、リング状部材600の端部が、インロー111の奥に突き当たる。次に、図6eに示すように、リング状部材600の上方に上補助基体112を移動させる。そして、上補助基体112をリング状部材600に被せる様にする。すると、円筒状基体108と上補助基体112の端部が、密着した状態となる。そして、上述のように、リング状部材600が設置された状態で、下補助基体107、円筒状基体108、上補助基体112を、基体ホルダ114に取り付ける。この様に、リング状部材600を用いた以外は、実施例1と同様にしてa-Si電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。得られた結果を表2に示す。<比較例2>本比較例では、図6に示すリング状部材600を用いて、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112、リング状部材600を設置した。リング状部材600は、ステンレス製で、内径が77.2mm、外径が79.6mmで、高さは25.8mmの円筒状形状である。この様に、外径が異なるリング状部材600を用いた以外は、比較例1と同様にしてa-Si電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。得られた結果を表2に示す。表2から明らかなように、本発明の堆積膜形成方法によれば、電気特性の均一性と画像欠陥の低減を、簡易かつ同時に達成可能であることが判った。この理由に関しては、以下のように推測される。比較例1の場合、白ポチが、円筒状基体108の下補助基体107、上補助基体112に近い領域で、比較的顕著に存在していた。リング状部材600を、円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体112に設置する場合、インロー109、インロー110、インロー111、インロー113と、リング状部材600の外周とのクリアランスは、08mm有る。そのため、リング状部材600を設置する場合、各インローとの摺擦は少ない。しかし、このクリアランスが存在するため、円筒状基体108、および下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材600を、基体ホルダ114にセットする時、あるいは基体ホルダ114を堆積膜形成装置400内に設置する時の振動により、円筒状基体108の端面と下補助基体107、上補助基体112の端面とで摺擦が生じる場合がある。そのため、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112との境界で塵埃が発生し、その結果、白ポチが特に、円筒状基体108の下補助基体107、上補助基体112に近い領域で顕著になると推測される。一方、本発明の場合は、凸部102が、各インローの内壁面にくい込んでいるため、クリアランスは無に等しくなる。さらに、くい込んでいるため位置が固定されている。そのため、円筒状基体108と下補助基体107、上補助基体112およびリング状部材100,200を、基体ホルダ114にセットする時、あるいは基体ホルダ114を堆積膜形成装置400の中に設置する時に振動が生じても、円筒状基体108の端面と下補助基体107、上補助基体112の端面との摺擦を大幅に抑制することが可能となる。その結果、白ポチの発生が大幅に低減可能となる。さらに、比較例1の場合、振動により、円筒状基体108の端面と下補助基体107、上補助基体112の同軸性にズレが生じる場合がある。そのため、円筒状基体108の端面と下補助基体107、上補助基体112の端面との境界部で段差が生じ、周方向で段差にムラが生じる。この段差のムラにより、周方向に放電のムラが発生し、その結果、周方向の電気的特性のムラが顕著となる。一方、本発明の場合は、前述のように、凸部102が、各インローの内壁面にくい込んでいるため、位置が固定されている。そのため、円筒状基体108の端面と上補助基体107、下補助基体112との同軸性のズレが大幅に低減され、同軸性が高い精度で達成される。そのため、円筒状基体108の端面と下補助基体107、上補助基体112の端面との境界部で段差が生じることが無くなる。比較例2の場合、各インローと、リング状部材600の外周とのクリアランスは、01mmとなる。そのため、振動による同軸性のズレは、大幅に低減される。しかし、クリアランスが小さいため、各インローとリング状部材600の外周部を摺擦させずに、リング状部材600を円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体112に設置させるのが困難となる。そのため、設置時に塵埃が発生し、白ポチが顕著になる場合がある。一方、本発明の場合は、凸部の軸方向の長さが短いので、端部同士が密着する直前に摺擦しながらくいこむために、例え発塵しても端部間の隙間が狭いために、外周面に付着するのを大幅に低減できる。さらに、比較例1および比較例2の場合、軸方向の帯電ムラは、円筒状基体108の端部に近い領域で比較的顕著に存在していた。この理由に関しては、以下のように推測される。比較例1、比較例2の場合、円筒状基体108と、下補助基体107、上補助基体112との電気的導通は、端面部の接触でなされている。そして、その接触性は、自重で保たれている。円筒状基体108は、一度全体を例えば、純水による洗浄で、表面に存在する油分や有機物を除去して使用される。そのため、アルミニウム製の円筒状基体の表面には、酸化被膜が形成される。酸化被膜の厚みは、洗浄条件や、洗浄後の大気中での保管時間等で変化する。そのため、前述のように円筒状部材の端面での、自重による接触のみでは、円筒状部材どうしが接触する部分での電気的導通が十分に確保出来ない場合があると考えられる。その結果、円筒状基体108の端部領域で軸ムラが顕著に生じる。本発明によれば、凸部102を、各円筒状部材の内壁面にくい込ますことで、円筒状部材の表面に存在する酸化膜を、常に除去していることになり、円筒状部材同士が接触する部分での電気的導通が十分に確保可能となる。特に、実施例2のように、基体ホルダ118、ネジ122を用いて、円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体115の端面が密着するように力を加えることで、さらに電気的導通が十分に得られると考えられる。この理由は、次のように考えられる。堆積膜を形成する場合には、円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体112,115を前記のように加熱する。その結果、熱膨張により、各円筒状部材は軸方向に伸縮を起こす。それにより、円筒状部材の端面での接触性に変化が生じる場合があると考えられる。しかし、実施例2においては、基体ホルダ118、ネジ122を用いて、円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体115の端面が密着するように力を加えているので、円筒状部材の端面での接触性が安定すると考えられる。以上の様に、本発明によれば、リング状部材100,200を円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体112,115の内壁面にくい込ますことで、機械的に位置決めを行い、高い同軸性を維持することが可能となる。さらに堆積膜形成工程中に生じる振動に対しても、塵埃の発生を抑制し、高い同軸性を維持可能となる。さらに、リング状部材100,200を円筒状基体108および下補助基体107、上補助基体112,115の内壁面にくい込ますことで、円筒状部材間の電気的導通を安定して維持可能となる。またこれらの作用を、簡単な方法で実現可能となる。その結果、簡易に、電気特性の均一性と画像欠陥の低減を同時に達成可能となる。<実施例3>図7に示す堆積膜形成装置700および基体搬送機構710を用いた以外は、実施例2と同様にa-Si電子写真感光体を作製した。図7の堆積膜形成装置700は、図4の堆積膜形成装置400の蓋406を、ゲートバルブ702に変更している。さらに、基体搬送機構710を用いている。基体搬送機構710は、反応容器701に接続するために垂直方向に移動が可能な上下機構711を有した搬送容器712を有する。搬送容器712は、下部にゲート弁713、内部に基体ホルダ118を保持する保持部714を有する上下動可能なアーム715からなっている。また、搬送容器712はレール716の上を水平方向に移動可能となっている。この基体搬送機構710によって、堆積膜形成装置700の中を真空状態に維持したまま、基体ホルダ118を、搬入、設置および搬出することができる。上記の装置を用いた高周波プラズマCVD法によるa-Si電子写真感光体の形成は、次のように実施した。円筒状基体108、下補助基体107、上補助基体115およびリング状部材100,200が設置された基体ホルダ118を保持および格納し、内部が真空排気された搬送容器712は、堆積膜形成装置700の上へ移動した。次に、搬送容器712は下降し、搬送容器712のゲート弁713が堆積膜形成装置700のゲート弁702とドッキングした。ドッキングした後、ゲート弁713とゲート弁702との間を排気装置不図示により真空排気した。搬送容器712の内部、ゲート弁713とゲート弁702との間および処理容器701の内部が略同圧となった時点で、ゲート弁713とゲート弁702を開けた。次に、搬送容器712の内部から、基体ホルダ118を保持するアーム715を下降させた。そして、基体ホルダ118を受け台408に載置した後に、保持部714が基体ホルダ118を保持しない状態にすることで、基体ホルダ118を処理容器701の中に設置した。設置した後、アーム715を上昇させ、ゲート弁713とゲート弁702を閉め、ゲート弁713とゲート弁702との間を大気圧に戻した。その後、搬送容器712を上昇させて堆積膜形成装置700と切り離し、基体ホルダ118の搬入および設置を終了した。その後は、実施例2と同様に、a-Si電子写真感光体の形成を行った。その後、処理容器701および原料ガス導入管413の中をパージ処理した。パージ処理が完了した後、基体搬送機構710を用いて、基体ホルダ118を、搬入および設置と同様の手順により、反応容器701の中から搬出した。得られた、a-Si電子写真感光体に対し、実施例2と同様の評価を実施したところ、実施例2同様、良好な結果が得られた。"