"励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、前記固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、前記固体レーザ素子にあって、前記半導体レーザから励起用レーザ光が入力される面に設けられ基本波長のレーザ光と前記波長変換素子で変換され出力されたレーザ光とを反射する第1の反射部材と前記波長変換素子で変換され出力されたレーザ光を透過してかつ基本波長の赤外レーザ光を反射する第2の反射部材と、前記基本波長を有するレーザ光路内で、前記第1の反射部材と前記第2の反射部材との間にレーザ光位相差発生手段と、を備え、前記レーザ光位相差発生手段は、前記基本波長の赤外レーザ光に位相差を設け、その偏光方向を回転させることを特徴とするレーザ光源装置。前記レーザ光位相差発生手段は、複屈折性を有する材料であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。前記レーザ光位相差発生手段は、薄膜であり、その厚さが前記基本波長の赤外レーザ光の位相をπ/2ずらす厚みであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。前記薄膜は、前記波長変換素子の一方の端面もしくは前記第2の反射部材の前記固体レーザ側に設けたことを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源装置。前記レーザ光位相差発生手段は、その一面が球形であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源装置。前記半導体レーザと、前記固体レーザ素子と、前記波長変換素子と、前記第1の反射部材と、前記第2の反射部材とが、ひとつの基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のレーザ光源装置。しかしながら、セラミックレーザを用いた緑色レーザ光源装置においては固体レーザ素子としてセラミックを用いているためにYVO4レーザのように出力するレーザ光の偏向方向を揃わせることができない。すなわち、セラミックレーザの出力光パワーはおよそ全量の50を占める利用できない偏向方向の出力光パワーを有しており、緑色レーザ光源装置として有効に使われていないという課題がある。本発明は、このような従来の技術の問題点を解消すべく案出されたものであり、半導体レーザで励起された固体レーザ素子の光出力が緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができるレーザ光源装置を提供することにある。上記課題を解決するために本発明のレーザ光源装置は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、固体レーザ素子にあって、半導体レーザから励起用レーザ光が入力される面に設けられ基本波長のレーザ光と波長変換素子で変換され出力されたレーザ光とを反射する第1の反射部材と波長変換素子で変換され出力されたレーザ光を透過してかつ基本波長の赤外レーザ光を反射する第2の反射部材と、基本波長を有するレーザ光路内で、第1の反射部材と第2の反射部材との間にレーザ光位相差発生手段とを備え、レーザ光位相差発生手段は、基本波長の赤外レーザ光に位相差を設け、その偏光方向を回転させることを特徴とする。本発明によれば、レーザ光位相差発生手段をレーザ光路内に取り付けることで、安価で温度特性の良好なセラミックレーザのレーザ光は緑色レーザ光へ容易に変換されることができる。すなわち、基本波長1064nmのセラミックレーザ光の一部は波長変換素子で波長変換できない偏光方向を持つが、この光はレーザ光位相差発生手段ですべて波長532nmの緑色レーザ光へ容易に変換される。したがって、半導体レーザで励起されたセラミックレーザの光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる。請求項1に記載の発明は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザと、半導体レーザから出力される励起用レーザ光により基本波長の赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子と、固体レーザ素子から出力されたレーザ光の波長を1/2に変換する波長変換素子と、固体レーザ素子にあって、半導体レーザから励起用レーザ光が入力される面に設けられ基本波長のレーザ光と波長変換素子で変換され出力されたレーザ光とを反射する第1の反射部材と波長変換素子で変換され出力されたレーザ光を透過してかつ基本波長の赤外レーザ光を反射する第2の反射部材と、基本波長を有するレーザ光路内で、第1の反射部材と第2の反射部材との間にレーザ光位相差発生手段とを備え、レーザ光位相差発生手段は、基本波長の赤外レーザ光に位相差を設け、その偏光方向を回転させることを特徴とするレーザ光源装置であって、レーザ光位相差発生手段をレーザ光路内に取り付けることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザで励起された固体レーザ素子の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができるレーザ光源装置を提供することができる。請求項2に記載の発明は、レーザ光位相差発生手段は、複屈折性を有する材料であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置であって、複屈折の特性を生かしレーザ光の位相差を容易に作り出すことができるとともに、スパッタ法などで成膜し容易に薄膜を形成することができ、レーザ光位相差発生手段を薄膜で構成することでレーザ光源装置の小型化させることができる。請求項3に記載の発明は、レーザ光位相差発生手段は、薄膜であり、その厚さが基本波長の赤外レーザ光の位相をπ/2ずらす厚みであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置であって、スパッタ法などで成膜し容易に薄膜を形成することができ、その膜厚を赤外レーザの位相をずらす厚さにすることでレーザ光の偏光の回転をレーザ光の数少ない往復回数で達成させることができる。請求項4に記載の発明は、薄膜は、波長変換素子の一方の端面もしくは第2の反射部材の固体レーザ素子側に設けたことを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源装置であって、レーザ光位相差発生手段である薄膜を取り付けた別部材を準備する必要がなく、レーザ光源装置として必要な構成部材を利用することでレーザ光源装置のコストの低減および小型化を達成させることができる。請求項5に記載の発明は、レーザ光位相差発生手段は、その一面が球形であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源装置であって、レーザ光源装置として必要な構成部材の一つである凹面ミラーを、凹面ミラーと同じ曲率を持つようにレーザ光位相差発生手段の一方の面を球形とすることで凹面ミラーの機能をレーザ光位相差発生手段に併せ持たせてレーザ光源装置のコストの低減および小型化を達成させることができる。請求項6に記載の発明は、半導体レーザと、固体レーザ素子と、波長変換素子と、第1の反射部材と、第2の反射部材とが、一つの基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のレーザ光源装置であって、レーザ光位相差発生手段をレーザ光路内に取り付けることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザで励起された固体レーザ素子の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる安価で小型のレーザ光源装置を提供することができる。以下、本発明のレーザ光源装置について図面を用いて説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的に良好な条件の限定が記載されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する記載がない限り、これらの条件に限られるものではない。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1を、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態1における画像表示装置の概略構成図である。この画像表示装置1は、所要の画像をスクリーンに投影表示するものであり、緑色レーザ光を出力する緑色レーザ光源装置2と、赤色レーザ光を出力する赤色レーザ光源装置3と、青色レーザ光を出力する青色レーザ光源装置4と、映像信号に応じて各レーザ光源装置2~4からのレーザ光の変調を行う液晶反射型の空間光変調器5と、各レーザ光源装置2~4からのレーザ光を反射させて空間光変調器5に照射させるとともに空間光変調器5から出射された変調レーザ光を透過させる偏光ビームスプリッタ6と、各レーザ光源装置2~4から出射されるレーザ光を偏光ビームスプリッタ6に導くリレー光学系7と、偏光ビームスプリッタ6を透過した変調レーザ光をスクリーンに投射する投射光学系8とを備えている。この画像表示装置1は、いわゆるフィールドシーケンシャル方式でカラー画像を表示するものであり、各レーザ光源装置2~4から各色のレーザ光が時分割で順次出力され、各色のレーザ光による画像が視覚の残像効果によってカラー画像として認識される。リレー光学系7は、各レーザ光源装置2~4から出射される各色のレーザ光を平行ビームに変換するコリメータレンズ11~13と、コリメータレンズ11~13を通過した各色のレーザ光を所要の方向に導く第1および第2のダイクロイックミラー14,15と、ダイクロイックミラー14,15により導かれたレーザ光を拡散させる拡散板16と、拡散板16を通過したレーザ光を収束レーザに変換するフィールドレンズ17とを備えている。投射光学系8からスクリーンSに向けてレーザ光が出射される側を前側とすると、青色レーザ光源装置4から青色レーザ光が後方に向けて出射され、この青色レーザ光の光軸に対して緑色レーザ光の光軸および赤色レーザ光の光軸が互いに直交するように、緑色レーザ光源装置2および赤色レーザ光源装置3から緑色レーザ光および赤色レーザ光が出射され、この青色レーザ光、赤色レーザ光、および緑色レーザ光が、2つのダイクロイックミラー14,15で同一の光路に導かれる。すなわち、青色レーザ光と緑色レーザ光が第1のダイクロイックミラー14で同一の光路に導かれ、青色レーザ光および緑色レーザ光と赤色レーザ光が第2のダイクロイックミラー15で同一の光路に導かれる。第1および第2のダイクロイックミラー14,15は、表面に所定の波長のレーザ光を透過および反射させるための膜が形成されたものであり、第1のダイクロイックミラー14は、青色レーザ光を透過するとともに緑色レーザ光を反射させる。第2のダイクロイックミラー15は、赤色レーザ光を透過するとともに青色レーザ光および緑色レーザ光を反射させる。これらの各光学部材は、筐体21に支持されている。この筐体21は、各レーザ光源装置2~4で発生した熱を放熱する放熱体として機能し、アルミニウムや銅などの熱伝導性の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、側方に向けて突出した状態で筐体21に形成された取付部22に取り付けられている。この取付部22は、リレー光学系7の収容スペースの前方と側方にそれぞれ位置する前壁部23と側壁部24とが交わる角部から側壁部24に直交する向きに突出した状態で設けられている。赤色レーザ光源装置3は、ホルダ25に保持された状態で側壁部24の外面側に取り付けられている。青色レーザ光源装置4は、ホルダ26に保持された状態で前壁部23の外面側に取り付けられている。赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、いわゆるCANパッケージで構成され、レーザ光を出力するレーザチップが、ステムに支持された状態で缶状の外装部の中心軸上に光軸が位置するように配置されたものであり、外装部の開口に設けられたガラス窓からレーザ光が出射される。この赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、ホルダ25,26に開設された取付孔27,28に圧入するなどしてホルダ25,26に対して固定される。青色レーザ光源装置4および赤色レーザ光源装置3のレーザチップの発熱は、ホルダ25,26を介して筐体21に伝達されて放熱され、各ホルダ25,26は、アルミニウムや銅などの熱伝導率の高い材料で形成されている。緑色レーザ光源装置2は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、半導体レーザ31から出力された励起用レーザ光を集光する集光レンズでFACFast-AxisCollimatorレンズ32およびロッドレンズ33と、励起用レーザ光により励起されて基本レーザ光赤外レーザ光を出力する固体レーザ素子34と、基本レーザ光の波長を変換して半波長レーザ光緑色レーザ光を出力する波長変換素子35と、固体レーザ素子34とともに共振器を構成する凹面ミラー36と、励起用レーザ光および基本波長レーザ光の漏洩を阻止するガラスカバー37と、各部を支持する基台38と、各部を覆うカバー体39とを備えている。この緑色レーザ光源装置2は、基台38を筐体21の取付部22に取り付けて固定され、緑色レーザ光源装置2と筐体21の側壁部24との間に所要の幅例えば0.5mm以下の間隙が形成される。これにより、緑色レーザ光源装置2の熱が赤色レーザ光源装置3に伝わりにくくなり、赤色レーザ光源装置3の昇温を抑制して、温度特性の悪い赤色レーザ光源装置3を安定的に動作させることができる。また、赤色レーザ光源装置3の所要の光軸調整代例えば0.3mm程度を確保するため、緑色レーザ光源装置2と赤色レーザ光源装置3との間に所要の幅例えば0.3mm以上の間隙が設けられている。図2は、本発明の実施の形態1の緑色レーザ光源装置2におけるレーザ光の状況を示す模式図である。半導体レーザ31のレーザチップ41は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。FACレンズ32は、レーザ光のファースト軸光軸方向に対して直交して且つ図の紙面に沿う方向の拡がりを低減する。ロッドレンズ33は、レーザ光のスロー軸図の紙面に対して直交する方向の拡がりを低減する。固体レーザ素子34は、いわゆるセラミック製造法を用いて作られた多結晶であり、ロッドレンズ33を通過した波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光を出力する。この固体レーザ素子34は、光の直線透過性の高いイツトリウムアルミニウムガーネットを使用したものである。このイツトリウムアルミニウムガーネットは基本結晶構造が立方構造を有しているので複屈折がなく結晶界面での光散乱がないという特徴を持つので前述したように光の直線透過性の高い多結晶焼結物として用いられる。また、固体レーザ素子34のセラミックレーザは安価なレーザとして知られている。固体レーザ素子34のロッドレンズ33に対向する面には、波長808nmの励起用レーザ光に対する反射防止の機能と、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射の機能とを備える第1の反射部材として機能する膜42が形成されている。また、固体レーザ素子34の波長変換素子35に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止の機能を備える膜43が形成されている。波長変換素子35は、いわゆるSHGSecondHarmonicsGeneration素子であり、固体レーザ素子34から出力される波長1064nmの基本波長レーザ光赤外レーザ光の縦方向の偏光を持つ光のみの波長を変換して波長532nmの縦方向の偏光を持つ半波長レーザ光緑色レーザ光を生成する。波長変換素子35の固体レーザ素子34に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止の機能と、波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能とを備える膜44が形成されている。また、波長変換素子35の凹面ミラー36に対向する面には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を備える膜45が形成されている。さらに、膜45の表面には、基本波長である1064nmの縦方向の偏光と横方向の偏光の光学距離の差がλ/4となり、その位相差がπ/2になるいわゆるλ/4膜50が形成されているこの膜の機能の詳細については後述する。なお、膜45とλ/4膜50とは層順が入れ替わっても良い。すなわち、波長変換素子35の凹面ミラー36に対向する面に最初λ/4膜50を形成し、次に膜45を形成する構成でも良い。このλ/4膜50は波長変換素子35あるいは膜45の表面に複屈折特性を有するニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムあるいはZTOZincTinOxideなどをスパッタ法などで成膜し、基本波長である1064nmの1/4の位相差を形成する厚みの薄膜を形成することで作られる。なお、λ/4膜50の厚みは形成する材料に依存する。すなわち、位相差を付けやすい複屈折性の大きな材料の場合にはその膜厚を厚くする必要がなく、位相差を付け難い複屈折性の小さな材料の場合にはその膜厚を十分厚くする必要がある。本実施の形態1においては、λ/4膜50の材料はニオブ酸リチウムで、その膜厚はおよそ1.9μmであり、縦方向と横方向の偏光の光路長差が266nmとなり、λ/4膜50はλ/4層として働く。凹面ミラー36は、波長変換素子35に対向する側に凹面を有し、この凹面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射の機能と、波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能とを備える第2の反射部材として機能する膜46が形成されている。これにより、固体レーザ素子34の膜42と凹面ミラー36の膜46との間で、波長1064nmの基本波長レーザ光が共振して増幅される。なお、この凹面ミラー36の曲率Rは、共振器の共振モード安定条件を満たすことや共振器内で必要なビーム径を形成することから求められ、共振器内の波長やビーム径および共振器間隔などより計算され、本実施の形態1ではこの曲率Rは20mmに設定している。波長変換素子35では、固体レーザ素子34から入射した波長1064nmの基本波長レーザ光の一部が波長532nmの半波長レーザ光に変換され、変換されずに波長変換素子35を通過した波長1064nmの基本波長レーザ光は、凹面ミラー36で反射されて波長変換素子35に再度入射し、波長532nmの半波長レーザ光に変換される。この波長532nmの半波長レーザ光は、波長変換素子35の膜44で反射されて波長変換素子35から出力される。ここで、固体レーザ素子34から波長変換素子35に入力して波長変換素子35で波長変換されて波長変換素子35から出力されるレーザ光のビームB1と、凹面ミラー36で一旦反射されて波長変換素子35に入力して膜44で反射されて波長変換素子35から出力されるレーザ光のビームB2とが互いに重なり合う状態では、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光とが干渉を起こして出力が低下する。そこでここでは、波長変換素子35を光軸方向に対して傾斜させて、入力面35aおよび出力面35bでの屈折作用により、レーザ光のビームB1、B2が互いに重なり合わないようにして、波長532nmの半波長レーザ光と波長1064nmの基本波長レーザ光との干渉を防ぐようにしており、これにより出力低下を避けることができる。なお、図1に示したガラスカバー37には、波長808nmの励起用レーザ光および波長1064nmの基本波長レーザ光が外部に漏洩することを防止するため、これらのレーザ光を透過しない膜が形成されている。図3は、本発明の実施の形態1における緑色レーザ光源装置2の斜視図である。図3に示すように、半導体レーザ31、FACレンズ32、ロッドレンズ33、固体レーザ素子34、波長変換素子35、および凹面ミラー36は、基台38に一体的に支持されている。基台38の底面51は光軸方向に対して平行となる。なおここでは、基台38の底面51に対して直交する方向を高さ方向とし、この高さ方向および光軸方向に対して直交する方向を幅方向とする。また、基台38の底面51に近接する側を下、底面51と相反する側を上として説明するが、これは実際の装置の上下方向と必ずしも一致するものではない。半導体レーザ31は、レーザ光を出力するレーザチップ41をマウント部材52に実装したものである。レーザチップ41は、光軸方向に長い帯板状をなし、光出力面をFACレンズ32側に向けた状態で、板状をなすマウント部材52の一面の幅方向の略中心位置に固着されている。この半導体レーザ31は、取付部材53を介して基台38に固定される。この取付部材53は、銅あるいはアルミ等の熱伝導性の高い金属で形成されており、これによりレーザチップ41の発熱が基台38に伝達されて放熱することができる。FACレンズ32およびロッドレンズ33は、集光レンズホルダ54に保持される。この集光レンズホルダ54は、基台38に一体的に形成された支持部55に支持される。集光レンズホルダ54は、光軸方向に移動可能に支持部55に連結されており、これにより集光レンズホルダ54、すなわちFACレンズ32およびロッドレンズ33の位置が、光軸方向に調整される。FACレンズ32およびロッドレンズ33は位置調整作業の前に集光レンズホルダ54に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、集光レンズホルダ54と支持部55とが接着剤で互いに固定される。固体レーザ素子34は、基台38に一体的に形成された固体レーザ素子支持部56に支持される。波長変換素子35は、波長変換素子ホルダ58に保持される。この波長変換素子ホルダ58は、波長変換素子35の幅方向の位置および光軸方向に対する傾斜角度を調整することができるように、基台38に対して、幅方向に移動可能に、且つ光軸方向に対して略直交する軸周りに回動可能に設けられている。波長変換素子35は位置調整作業の前に波長変換素子ホルダ58に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、波長変換素子ホルダ58と基台38とが接着剤で互いに固定される。凹面ミラー36は、基台38に一体的に形成された凹面ミラー支持部61に支持される。これにより、半導体レーザ31から出力されたレーザ光の光軸とFACレンズ32およびロッドレンズ33や固体レーザ素子34および波長変換素子35との光軸調整が容易にでき、高出力の緑色レーザ光を出力することができる。図4は、本発明の実施の形態1における波長変換素子の斜視図である。図5は、本発明の実施の形態1における波長変換素子の製造工程を示す模式図である。図4に示すように、波長変換素子35は、略直方体状をなし、強誘電体結晶に分極反転領域71と非分極反転領域72とが交互に形成された、周期的な分極反転構造を備えたものであり、分極反転周期方向分極反転領域71の配列方向に基本波長レーザ光を入射させる。これにより、擬似位相整合による入射光の第2次高調波発生で2倍の周波数、すなわち1/2の波長のレーザ光を得ることができる。強誘電体結晶には、例えばLNニオブ酸リチウムにMgOを添加したものが用いられる。周期的な分極反転構造を形成するには、周期電極73と対向電極74を用いて、単分極した強誘電体結晶に分極方向と逆方向の電界を印加する。これにより周期電極73に対応する部分の分極方向が反転し、分極反転領域71が周期電極73から対向電極74に向けて楔形状に形成される。実際には、図5に示すプロセスで波長変換素子35が製作される。まず、強誘電体結晶からなるウエハー75に電極薄膜を積層し、ついでフォトリソグラフィおよびエッチングにより周期電極と対向電極の電極パターンを形成する。次に、電極パターンが形成されたウエハー75から基板76を切り出し、さらに適当な大きさに切断する。これにより得られた短冊状のスタック77に対して、電極を用いて電圧を印加する分極反転処理を実施して、スタック77に分極反転構造を形成する。また、波長変換素子35の入力面35aおよび出力面35bとなるスタック77の端面78,79を光学研磨する。そして、スタック77から一つの波長変換素子35となるチップを切り出す。このように比較的大きな寸法であるスタック77の段階で光学研磨を行うため、スタック77を確実に位置決めして光学研磨を行うことができ、これにより入力面35aおよび出力面35bの平面度および平行度を高精度に確保することができる。また、このようにして製作された波長変換素子35では、入力面35aおよび出力面35bのみ、精密な研磨により高い精度で平面度および平行度が確保されているが、頂面35eおよび底面35fはスタック77から切り出す際の切断面であり、また、側面35c,35dはウエハー75の表裏両面となり、製造誤差が残ったままである。このため、側面35c,35dと頂面35eおよび底面35fに関しては、入力面35aおよび出力面35bに対する直角度や、互いに相対するもの同士の平行度は確保されていない。図4に示したように、分極反転領域71は、深さ方向に沿って厚さが次第に小さくなる楔形状をなし、入射するレーザ光に対して、分極反転領域71の深さ方向に波長変換素子35を移動させることで、レーザ光の光路上に位置する分極反転領域71と非分極反転領域72との割合が変化し、これに応じて波長変換効率が変化する。そこで、波長変換効率が最大となる、すなわちレーザ光の出力が最大となるように、レーザ光の光軸に対する波長変換素子35の位置が調整される。次に、図6および図7を用いてλ/4膜50の機能について詳細に説明をする。図6は、本発明の実施の形態1におけるλ/4膜が取り付いていない場合のレーザ光の状況を説明する模式図である。図7は、本発明の実施の形態1におけるλ/4膜が波長変換素子の出力側に取り付けられた場合のレーザ光の状況を説明する模式図である。まず、図6を用いてλ/4膜50が取り付いていない場合のレーザ光の状況を説明する。半導体レーザ31は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。この励起用レーザ光の偏光方向は半導体レーザなので縦成分図6の上下を示す矢印方向の一方向のみであるSTEP1。この波長808nmの励起用レーザ光は、FACレンズ32とロッドレンズ33を経由してセラミックレーザである固体レーザ素子34に入力するSTEP2。励起用レーザ光が固体レーザ素子34に入力されると、波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光を出力する。この波長1064nmの基本波長レーザ光は固体レーザ素子34がセラミックからできているので、この基本波長レーザ光の偏光方向は縦方向の成分および横方向の成分の両方を含んでいるSTEP3。次に、この固体レーザ素子34から出力された波長1064nmの基本波長レーザ光は波長変換素子35に入力されると、その基本波長レーザ光の縦方向の成分のみが波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光緑色に波長変換され出力される。一方、基本波長レーザ光の横方向の成分は波長変換されずに、そのまま波長1064nmの基本波長レーザ光の横方向の成分として波長変換素子35を通過するSTEP4。そして、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光と横方向の成分を有する波長1064nmの基本波長レーザ光は凹面ミラー36に到達すると、前述した膜46の機能により縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は透過し、緑色レーザ光源装置2より照射される。一方、横方向の成分を有する波長1064nmの基本波長レーザ光は膜46で反射され、波長変換素子35そして固体レーザ素子34側に戻っていくSTEP5。そして、横方向の成分を有する波長1064nmの基本波長レーザ光は波長変換素子35そして固体レーザ素子34をそのまま通過し、固体レーザ素子34の端部にある前述した膜42で反射し、再度固体レーザ素子34、波長変換素子35そして凹面ミラー36の方向に戻っていくSTEP6。すなわち、横方向の成分を有する波長1064nmの基本波長レーザ光は上述したステップを繰り返すことになり、緑色レーザ光源装置2の照射光として有効に使用することができない。そこで、図7を用いて本発明の実施の形態1におけるλ/4膜50が波長変換素子35の出力側に取り付けられた場合のレーザ光の状況を説明する。なお、STEPの番号は前述した図6の場合と同じ状況の場合には同じSTEP番号を付与する。半導体レーザ31は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。この励起用レーザ光の偏光方向は半導体レーザなので縦成分の一方向のみであるSTEP1。この波長808nmの励起用レーザ光は、FACレンズ32とロッドレンズ33を経由してセラミックレーザである固体レーザ素子34に入力するSTEP2。励起用レーザ光が固体レーザ素子34に入力されると、波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光を出力する。この波長1064nmの基本波長レーザ光は固体レーザ素子34がセラミックからできているので、この基本波長レーザ光の偏光方向は縦方向の成分および横方向の成分の両方を含んでいるSTEP3。次に、この固体レーザ素子34から出力された波長1064nmの基本波長レーザ光が波長変換素子35に入力されると、その基本波長レーザ光の縦方向の成分のみが波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光緑色に波長変換され出力される。一方、基本波長レーザ光の横方向の成分は波長変換されずに、そのまま波長1064nmの基本波長レーザ光の横方向の成分として波長変換素子35を通過するSTEP4。続いて、波長変換素子35から出力された各波長のレーザ光が波長変換素子35の端部にあるλ/4膜50を通過すると、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光はそのままで状態が変化せず通過する。一方、横方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は、その位相がπ/2ずれて右廻り偏光の状態円偏光の状態になる。すなわち、光軸を中心としてレーザ光の偏光方向が右廻りに回転するSTEP7。そして、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光と右廻り偏光を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は凹面ミラー36に到達すると、膜46の機能により縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は透過し、緑色レーザ光源装置2より照射される。一方、右廻り偏光を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は膜46で反射され、λ/4膜50、波長変換素子35そして固体レーザ素子34側に戻っていくSTEP8。そして、凹面ミラー36の膜46で反射された右廻り偏光を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は再度波長変換素子35の端部にあるλ/4膜50を通過すると、その位相がさらにπ/2ずれて縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光になる。λ/4膜50を2回通過するだけで縦方向の成分のみを持つ偏光を有するレーザ光に変換することができるSTEP9。続いて、λ/4膜50から出力された縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光に波長変換され出力されるSTEP10。そして、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は固体レーザ素子34の端部にある膜42で反射し、再度固体レーザ素子34、波長変換素子35そして凹面ミラー36の方向に戻っていくSTEP11。縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は固体レーザ素子34、波長変換素子35そして凹面ミラー36を経由して緑色レーザ光源装置2より照射される。すなわち、λ/4膜50をレーザ光路内の波長変換素子35の出力側に取り付けることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子34のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザ31で励起された固体レーザ素子34の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる。なお、本実施の形態1では横方向の偏光がλ/4膜50を通過すると、横偏光から右廻り偏光へそして縦偏光になるとして説明しているが、回転方向は一意的には決まらずλ/4膜50の構成では横偏光から左廻り偏光へそして縦偏光になる場合もある。どちらの偏光方向でも同じ効果が発揮できる。実施の形態2図8を用いてλ/4膜50の実施の形態2について説明をする。ここでは、実施の形態1と同一の構成、機能を備えた部材には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図8は、本発明の実施の形態2におけるλ/4膜が凹面ミラーの表面に設けられた場合のレーザ光の状況を説明する模式図である。本実施の形態2と先の実施の形態1との異なる点はλ/4膜50が形成される位置である。すなわち、実施の形態1で説明した成膜法で作られたλ/4膜50を凹面ミラー36上に設けたことである。以下、この異なる点について詳細に説明する。最初にλ/4膜50が形成された凹面ミラー36の表面の膜構成について簡単に説明する。まず初めに凹面ミラー36の凹面には膜46が形成される。この膜46は波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射の機能と波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能とを備える膜である。そして、その膜46の表面に本実施の形態2のλ/4膜50が形成されている。本実施の形態2のSTEP1からSTEP4まではレーザ光の状況は実施の形態1のそれらと同じである。波長変換素子35から出力された縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は凹面ミラー36上のλ/4膜50および膜46をそのままの状態で透過し、緑色レーザ光源装置2より照射される。一方、横方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光が凹面ミラー36に入力すると、まずλ/4膜50でその位相がπ/2ずれて右廻り偏光の状態になり、次に膜46で反射され、再度λ/4膜50を通過し、その位相がさらにπ/2ずれて縦方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光となる。すなわち、凹面ミラー36の表面に形成されたλ/4膜50を続けて2度通過することで横方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光が縦方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光となり、波長変換素子35そして固体レーザ素子34側に戻っていくSTEP12。続いて、凹面ミラー36から反射された縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光に波長変換され出力されるSTEP10。そして、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は固体レーザ素子34の端部にある膜42で反射し、再度固体レーザ素子34、波長変換素子35そして凹面ミラー36の方向に戻っていくSTEP11。縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は固体レーザ素子34、波長変換素子35そして凹面ミラー36を経由して緑色レーザ光源装置2より照射される。すなわち、λ/4膜50をレーザ光路内の凹面ミラー36の凹面上に取り付けることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子34のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザ31で励起された固体レーザ素子34の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる。実施の形態3図9を用いてλ/4膜50の実施の形態3について説明をする。ここでは、先の実施の形態1と同一の構成、機能を備えた部材には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図9は、本発明の実施の形態3におけるλ/4膜が波長変換素子の入力側に設けられた場合のレーザ光の状況を説明する模式図である。本実施の形態3と先の実施の形態1との異なる点はλ/4膜50が形成される位置である。すなわち、実施の形態1で説明した成膜法で作られたλ/4膜50を波長変換素子35の入力側に設けたことである。以下、この異なる点について詳細に説明する。本実施の形態3のSTEP1からSTEP3まではレーザ光の状況は実施の形態1のそれらと同じである。縦方向および横方向の成分の両方の偏光方向を含んでいる波長1064nmの基本波長レーザ光が波長変換素子35の入力側に設けられたλ/4膜50に入力されても、すべての偏光方向が位相π/2ずれて右廻り偏光の状態になるが、結局は縦方向および横方向の成分の両方の偏光方向を含んでいる波長1064nmの基本波長レーザ光となるSTEP13。次に、縦方向および横方向の成分の両方の偏光方向を含んでいる波長1064nmの基本波長レーザ光が波長変換素子35に入力されると、その基本波長レーザ光の縦方向の成分のみが波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光緑色に波長変換され出力される。一方、基本波長レーザ光の横方向の成分は波長変換されずに、そのまま波長1064nmの基本波長レーザ光の横方向の成分として波長変換素子35を通過するSTEP4。そして、縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光と横方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は凹面ミラー36に到達すると、膜46の機能により縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は透過し、緑色レーザ光源装置2より照射される。一方、横方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は膜46で反射され、波長変換素子35、λ/4膜50そして固体レーザ素子34側に戻っていくSTEP14。そして、凹面ミラー36の膜46で反射された横方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は横方向の成分のみなので再度波長変換素子35をそのまま通過するSTEP15。続いて、波長変換素子35から出力された横方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長のレーザ光が波長変換素子35の端部にあるλ/4膜50を通過すると、横方向の成分のみ持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は、その位相がπ/2ずれて右廻り偏光の状態になるSTEP16。そして、右廻り偏光を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は固体レーザ素子34をそのまま通過し、固体レーザ素子34の端部にある前述した膜42で反射し、再度固体レーザ素子34を通過し、波長変換素子35の端部にあるλ/4膜50に向かうSTEP17。そして、右廻り偏光を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光が波長変換素子35の端部にあるλ/4膜50を再通過すると、その位相がさらにπ/2ずれて縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光になるSTEP18。続いて、λ/4膜50から出力された縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は波長変換素子35によって縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光に波長変換され出力される。その波長変換された縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光は凹面ミラー36を経由して緑色レーザ光源装置2より照射されるSTEP19。すなわち、λ/4膜50をレーザ光路内の波長変換素子35の入射側に取り付けることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子34のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザ31で励起された固体レーザ素子34の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる。実施の形態4図10を用いて光位相差発生器80を備えた実施の形態4について説明をする。ここでは、先の実施の形態1と同一の構成、機能を備えた部材には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。図10は、本発明の実施の形態4における複屈折球面構造を有する光位相差発生器を設けた場合のレーザ光の状況を説明する模式図である。本実施の形態4と先の実施の形態1との異なる点はλ/4膜50図7参照の替わりに一方の面が球面である光位相差発生器80を設けたことである。以下、この異なる点について説明する。最初に光位相差発生器80の構成について簡単に説明する。光位相差発生器80は前述した複屈折性を有する材料で作られており、レーザ光路上の一方の面が球面になっている。この球面の形状は前述した凹面ミラー36図6参照の凹面の曲率を有している。光位相差発生器80の曲面をこの曲率にすると、光位相差発生器80の曲面に膜46図6参照の機能をもつ反射膜を形成させることで凹面ミラー36の役目も兼ねることとなり、凹面ミラー36を取り外すこともでき、小型化や低コスト化が達成できる。前述した各実施の形態1~3と特に異なるのは、複屈折球面構造を有する光位相差発生器80を横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光が通過するたびに徐々に位相をずらして縦方向の成分のみを持つ波長1064nmの基本波長レーザ光を作り出し、波長変換素子35で縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ変換することができるSTEP20。すなわち、横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光を膜42と膜46の間を何回も往復させ、徐々に縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ変換して、緑色レーザ光源装置2より照射される。これで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子34のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザ31で励起された固体レーザ素子34の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使われることができる。以上のように、低コストで温度特性が良好なセラミックレーザをレーザ光源装置に用い、レーザ光路内に光の偏光状態に対して異なる位相遅延量を持たせることができる薄膜あるは部材を備えることで、セラミックレーザを用いている固体レーザ素子のレーザ光中にある不必要な偏向方向である横方向の成分を持つ波長1064nmの基本波長レーザ光は縦方向の成分のみを有する波長532nmのレーザ光へ容易に変換され、半導体レーザで励起された固体レーザ素子の光出力は緑色レーザ光源装置の光出力として有効に使うことができる。また、レーザ光源装置に本発明の構成を用いることでレーザ光源装置を低コストで信頼性の高いものとして提供することができる。"