基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、前記第1処理工程の後に、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後に、前記基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備したことを特徴とする堆積物除去方法。請求項1記載の堆積物除去方法であって、前記堆積物が、シリコン酸化物と有機物を含むことを特徴とする堆積物除去方法。請求項2記載の堆積物除去方法であって、前記堆積物中の有機物が、前記パターンを形成する際のエッチングで炭素を含むガスを用いることによって形成されたことを特徴とする堆積物除去方法。請求項1~3いずれか1項記載の堆積物除去方法であって、前記第1処理工程及び前記第2処理工程におけるフッ化水素ガスを含む雰囲気は、フッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気であることを特徴とする堆積物除去方法。請求項4記載の堆積物除去方法であって、前記第1処理工程、前記第2処理工程のうちの少なくとも一方は、処理チャンバー内で実施し、前記アルコールガスの分圧を第1の分圧とする第1の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第1の分圧より低い第2の分圧とする第2の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理によって行うことを特徴とする堆積物除去方法。請求項5記載の堆積物除去方法であって、前記第1の分圧が、前記混合ガスの作用によって前記堆積物を除去可能な分圧であることを特徴とする堆積物除去方法。請求項1~6いずれか1項記載の堆積物除去方法であって、前記第1処理工程の前に、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマによる前処理工程を行うことを特徴とする堆積物除去方法。請求項は1~7いずれか1項記載の堆積物除去方法であって、前記パターンが、構造物として二酸化ケイ素を含むことを特徴とする堆積物除去方法。上述したとおり、従来においては、パターンに堆積した堆積物を除去する際に、堆積物とパターン中の構造物の二酸化シリコンとの選択比が低く、パターン中の構造物の二酸化シリコンがダメージを受けるという問題があった。さらに、エッチング処理後の放置時間q-timeが長くなると、堆積物の吸湿状態に依存して水分の影響が出てしまうため、更に選択比が悪くなるという問題があった。また、本発明者等が詳査したところ、シリコンやその前後の膜種をエッチングする際に、エッチングガスにカーボンを含むガスを使用すると、堆積物が有機物を含んでいる場合があり、この場合、シリコン酸化物例えば、SiO2ゃSiOBrの堆積物を除去する方法では、堆積物を除去しきれないという問題が発生することが判明した。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供しようとするものである。本発明の堆積物除去方法の一態様は、基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、前記第1処理工程の後に、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後に、前記基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備したことを特徴とする。本発明によれば、堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態の堆積物除去方法における酸素プラズマ処理工程に使用するプラズマ処理装置100の構成例を模式的に示す縦断面図である。同図に示すようにこのプラズマ処理装置100は、内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバー101を具備している。この処理チャンバー101内には、半導体ウエハ基板Wを載置するためのステージ102が設けられている。ステージ102は、図示しない温度制御機構を具備しており、ステージ102上に載置された半導体ウエハWの温度を所定温度に維持できるようになっている。処理チャンバー101は、例えばクォーツ等から構成されており、その天井部には、クォーツ製の窓103が形成されている。そして、この窓103の外側には、図示しない高周波電源に接続されたRFコイル104が設けられている。窓103の部分には、酸素ガスを含む所定の処理ガス例えば、O2ガス単ガスを処理チャンバー101内に導入するためのガス導入部105が設けられている。そして、RFコイル104に供給された高周波の作用によって、ガス導入部105から導入された処理ガスのプラズマPを発生させるようになっている。窓103の下方には、プラズマの遮蔽とガスの分散を行うためのガス拡散板106が設けられており、このガス拡散板106を介してプラズマ中のラジカルが分散した状態でステージ102上の半導体ウエハWに供給されるようになっている。なお、基板にプラズマを作用させる場合、直接基板とプラズマとを接触させてもよく、また本実施形態のように、リモートプラズマによる処理、すなわち、直接基板とプラズマとを接触させるのではなく、基板とは離間した部位で発生させたプラズマ中から引き出されたラジカルを基板に作用させてもよい。また、処理チャンバー101の底部には、排気管107が設けられている。この排気管107は、図示しない真空ポンプ等に接続されており、処理チャンバー101内を所定の圧力に排気できるようになっている。図2は、本発明の一実施形態の堆積物除去方法における半導体ウエハ基板Wを、フッ化水素HFガスを含む雰囲気に晒す工程第1処理工程及び第2処理工程に使用するガス処理装置200の構成例を模式的に示す縦断面図である。同図に示すようにこのガス処理装置200は、内部を気密に閉塞可能とされた処理チャンバー201を具備している。この処理チャンバー201内には、半導体ウエハ基板Wを載置するためのステージ202が設けられている。ステージ202は、図示しない温度制御機構を具備しており、ステージ202上に載置された半導体ウエハWの温度を所定温度に維持できるようになっている。処理チャンバー201の上部には、処理チャンバー201内に所定の処理ガス本実施形態ではフッ化水素ガスとメタノールガスとの混合ガスを導入するためのガス導入部203が設けられている。また、ガス導入部203が処理チャンバー201内に開口する開口部204の下方には、多数の透孔205が形成されたガス拡散板206が設けられており、このガス拡散板206の透孔205から、均一に分散された状態で処理ガスが半導体ウエハWの表面に供給されるように構成されている。また、処理チャンバー201の底部には、排気管207が設けられている。この排気管207は、図示しない真空ポンプ等に接続されており、処理チャンバー201内を所定の圧力に排気できるようになっている。上記構成のプラズマ処理装置100及びガス処理装置200を用いて本実施形態では、次のようにして堆積物除去処理を行う。図3のフローチャートに示すように、前工程においてエッチング処理が行われステップ301、所定のパターンが形成された半導体ウエハには、パターンの側壁部分にエッチング処理に伴う堆積物所謂デポ物が堆積する。例えば、STIシャロートレンチアイソレーションプロセスを実施すると、パターンの側壁部分にシリコン酸化物例えば、SiO2ゃSiOBrの堆積物が堆積する。そこで、本実施形態における堆積物除去処理によって、パターンの側壁部分に堆積した堆積物を除去する。図4は、このようなエッチング処理が行われた半導体ウエハの断面構成の一例を拡大して示すものである。図4に示すように、シリコン基板3上には、ゲート酸化膜2及びフローティングポリシリコン膜1等からなり所定形状にパターニングされた複数のパターンが形成されており、これらのパターン側方には、トレンチSTI4が形成されている。そして、パターンの側壁部及びトレンチSTI4内には、堆積物6が付着している。上記のエッチング処理ステップ301は、例えば、以下に示すようなエッチングガスを用いて実施する。エッチングガス:HBr/NF3/CO/O2エッチングガス:HBr/CF4/CO/O2上記のように、エッチングガスとして、炭素を含むエッチングガスを用いた場合、堆積物が有機物を含む場合がある。そして、このように堆積物が有機物を含む場合、フッ化水素ガス、又は、フッ化水素ガスとアルコールガスとの混合ガスを用いた堆積物除去処理では、堆積物の除去を十分に行うことができず、パターンの側壁部に、堆積物が残った状態となる場合が多い。そこで、本実施形態では、図3のフローチャートに示すように、半導体ウエハWを、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理ステップ303を行った後、酸素プラズマ処理ステップ304を行い、その後、半導体ウエハWを、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理ステップ305を行う。また、本実施形態では、上記した第1処理ステップ303に先立って、エッチング処理の後、酸素プラズマによる前処理を行うステップ302。この酸素プラズマによる前処理は、図1に示したプラズマ処理装置100等によって実施することができる。この酸素プラズマによる前処理は、エッチング処理後の放置時間q-timeの長短に係わらず、パターン及び堆積物の吸湿状態を一定にする脱水するために行うものである。これにより、後に行う処理工程において、吸湿状態の差異による影響を排除することによってパターンの側壁に堆積した堆積物であるシリコン酸化物例えば、SiO2ゃSiOBrを除去することができ、かつ、反応が過剰になってパターン構造物であるゲート酸化膜等のSiO2層がダメージを受けること等を抑制することができる。しかしながら、エッチング処理後の放置時間q-timeが短い場合は、この酸素プラズマによる前処理は、省略してもよい。プラズマ処理装置100における酸素プラズマによる前処理は、例えば以下のように実施する。すなわち、酸素プラズマによる前処理では、予め所定温度に設定されたステージ102上に半導体ウエハWが載置され、図示しない静電チャック等によって吸着されることによって半導体ウエハWが所定温度に加熱された状態となる。この状態でガス導入部105から酸素ガスを含む所定の処理ガスが導入されるとともに、排気管107から排気が行われ、処理チャンバー101内が所定圧力の処理ガス雰囲気とされる。そして、RFコイル104に高周波電力が印加されることによって、酸素ガスの誘導結合プラズマが生起される。このプラズマ中のイオンは、ガス拡散板106によって遮蔽され、電荷を有しない酸素ラジカルが分散した状態でステージ102上の半導体ウエハWに供給され、酸素ラジカルの作用による処理が行われる。この酸素プラズマによる前処理では、処理ガスとして酸素を含むガス例えば、酸素ガスの単ガス若しくは酸素ガスと窒素ガスの混合ガス等を使用し、半導体ウエハWの加熱温度ステージ温度は例えば200°C~300°C程度に設定される。また、圧力は、例えば66.5Pa0.5Torr~266Pa2Torr程度とされる。上記の酸素プラズマによる前処理の後、堆積物除去処理における第1処理ステップ303を実施する。この第1処理は、半導体ウエハ基板Wを、フッ化水素ガスを含む雰囲気本実施形態では、フッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒すことによって行い、図2に示したガス処理装置200等によって実施することができる。ガス処理装置200における第1処理は、例えば、以下のように実施される。すなわち、予め所定温度に設定されたステージ202上に半導体ウエハWが載置されることによって半導体ウエハWが所定温度に維持された状態となる。この状態でガス導入部203から所定の処理ガス本実施形態ではフッ化水素ガスメタノールガスが導入されるとともに、排気管207から排気が行われ、処理チャンバー201内が所定圧力の処理ガス雰囲気とされる。本実施形態において、第1処理ステップ303は、図3のフローチャートに示すように、アルコールガスメタノールガスの分圧を第1の分圧とする第1の期間ステップ311と、処理チャンバー内を排気しアルコールガスメタノールガスの分圧を第1の分圧より低い第2の分圧とする第2の期間ステップ312とを、複数サイクル繰り返すステップ313。このようにアルコールガスメタノールガスの分圧を変動させる方法としては、例えば、以下のような方法を用いることができる。すなわち、ガスの供給を変化させ、例えば、第1の期間では所定流量の混合ガスを供給し、第2の期間では混合ガスの供給を停止し所定流量の窒素ガス等を供給する方法、また、第1の期間では所定流量の混合ガスを供給しつつ自動圧力制御装置APCで処理チャンバー内を所定圧力に維持し、第2の期間では自動圧力制御装置APCの設定圧力を低く又は全開として真空ポンプで全引きし、圧力を低くする方法、等である。本実施形態では、図5のグラフに示すように、後者の方法を用いて第1の期間と第2の期間とを設定する。この時、半導体ウエハWの温度は、例えば数十度例えば30°C以下の低温とすることが好ましい。また、第1の期間における圧力は、例えば665Pa5Torr~1330Pa10Torr程度が好ましく、処理ガスは、フッ化水素ガスアルコールガス本実施形態ではメタノールCH3OHガスの混合ガスを使用する。このようなサイクル処理において、第1の期間は、混合ガスの作用によって堆積物が除去され得るアルコールガスメタノールガスの分圧に設定する。また、第2の期間は、アルコールガスメタノールガスの分圧を低下させ、堆積物が除去されずに第1の期間中に堆積物と混合ガスとの反応によって生成された物質H2O等を排気して処理チャンバー201外に排出する期間とする。このような第1の期間及び第2の期間は、夫々5秒から20秒程度とし、このサイクルを複数回繰り返して行う。そして、上記のサイクル処理を所定回数繰り返すことによって第1処理ステップ303を実施した後、酸素プラズマ処理ステップ304を行う。この酸素プラズマ処理ステップ304は、図1に示したプラズマ処理装置100等によって実施することができる。プラズマ処理装置100における酸素プラズマ処理は、例えば以下のように実施する。すなわち、予め所定温度に設定されたステージ102上に半導体ウエハWが載置され、図示しない静電チャック等によって吸着されることによって半導体ウエハWが所定温度に加熱された状態となる。この状態でガス導入部105から酸素ガスを含む所定の処理ガスが導入されるとともに、排気管107から排気が行われ、処理チャンバー101内が所定圧力の処理ガス雰囲気とされる。そして、RFコイル104に高周波電力が印加されることによって、酸素ガスの誘導結合プラズマが生起される。このプラズマ中のイオンは、ガス拡散板106によって遮蔽され、電荷を有しない酸素ラジカルが分散した状態でステージ102上の半導体ウエハWに供給され、酸素ラジカルの作用による処理が行われる。これによって、有機物を含む堆積物を除去することができる。この酸素プラズマ処理では、処理ガスとして酸素を含むガス例えば、酸素ガスの単ガス若しくは酸素ガスと窒素ガスの混合ガス等を使用し、半導体ウエハWの加熱温度ステージ温度は例えば200°C~300°C程度に設定される。また、圧力は、例えば66.5Pa0.5Torr~266Pa2Torr程度とされる。図3のフローチャートに示すように、上記酸素プラズマ処理ステップ304を行った後、第2処理ステップ305を実施する。この第2処理ステップ305は、半導体ウエハ基板Wを、フッ化水素ガスを含む雰囲気本実施形態では、フッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒すことによって行い、図2に示したガス処理装置200等によって実施することができる。ガス処理装置200における第2処理は、例えば、以下のように実施される。すなわち、予め所定温度に設定されたステージ202上に半導体ウエハWが載置されることによって半導体ウエハWが所定温度に維持された状態となる。この状態でガス導入部203から所定の処理ガス本実施形態ではフッ化水素ガスメタノールガスが導入されるとともに、排気管207から排気が行われ、処理チャンバー201内が所定圧力の処理ガス雰囲気とされる。本実施形態において、第2処理ステップ305は、図3のフローチャートに示すように、アルコールガスメタノールガスの分圧を第1の分圧とする第1の期間ステップ321と、処理チャンバー内を排気しアルコールガスメタノールガスの分圧を第1の分圧より低い第2の分圧とする第2の期間ステップ322とを、複数サイクル繰り返すステップ323。このようにメタノールガスの分圧を変動させる方法としては、前述した第1処理ステップ303と同様な方法を用いることができる。この第2処理ステップ305では、半導体ウエハWの温度は、例えば数十度例えば30°C以下の低温とすることが好ましい。また、第1の期間における圧力は、例えば665Pa5Torr~1330Pa10Torr程度が好ましく、処理ガスは、フッ化水素ガスアルコールガス本実施形態ではメタノールガスCH3OHガスの混合ガスを使用する。このようなサイクル処理において、第1の期間は、混合ガスの作用によって堆積物が除去され得るメタノールガスの分圧に設定する。また、第2の期間は、メタノールガスの分圧を低下させ、堆積物が除去されずに第1の期間中に堆積物と混合ガスとの反応によって生成された物質H2O等を排気して処理チャンバー201外に排出する期間とする。このような第1の期間及び第2の期間は、夫々5秒から20秒程度とし、このサイクルを複数回繰り返して行う。そして、第2処理ステップ305におけるサイクル処理ステップ321~323が所定回数に到達すると、堆積物除去処理が終了する。以上のように、本実施形態では、第1処理ステップ303を行った後、酸素プラズマ処理ステップ304を行い、その後、第2処理ステップ305を行うことによって、堆積物に有機物が含まれている場合であっても、この堆積物を除去することができる。また、本実施形態では、酸素プラズマによる前処理によってパターン及び堆積物の吸湿状態をエッチング処理後の放置時間q-timeの長短に係わらず一定にしている。ここで、酸素プラズマによる前処理を行うと、フッ化水素HF単ガスによる処理では堆積物の除去を行うことが困難になる。このため、本実施形態における第1処理及び第2処理では、フッ化水素ガスアルコールガス本実施形態ではメタノールガスの混合ガスを用いる。この場合、反応によって生じたH2O量が過剰になり、パターン構造物であるゲート酸化膜等がダメージを受けたり、逆反応によって堆積再デポが生じる場合がある。このため、第1処理及び第2処理では、サイクル処理により、堆積物の除去が行われる第1の期間と、堆積物の除去が行われず反応生成物が排気される第2の期間とを繰り返して行うことによってH2O量が過剰になることを防止する。これによって、パターンの側壁に堆積した堆積物シリコン酸化物例えば、SiO2ゃSiOBr及び有機物を除去することができ、かつ、H2Oによる触媒作用によって反応が過剰に進行し、パターン構造物であるゲート酸化膜等のSiO2層がダメージを受けることを抑制することができる。実施例として、エッチングによりパターンを形成した半導体ウエハに、酸素プラズマによる前処理を実施した後、堆積物除去を行った。酸素プラズマによる前処理は、以下の処理条件によって行った。圧力:133Pa1Torr高周波電力:1000W処理ガス:O2=2000sccmステージ温度:250°C時間:120秒次に、第1処理を以下の処理条件によって行った。圧力:931Pa7Torr10秒⇔173Pa1.3Torr10秒×3サイクル処理ガス:HF/CH3OH=2800/65sccmステージ温度:10°Cなお、上記のサイクル処理における圧力の設定は、前述したとおり、第1の期間では、APCの圧力設定を931Pa7Torrとした時間を10秒維持し、第2の期間では、処理ガスを流した状態でAPCを全開とした状態を10秒維持したものであり、実際の処理チャンバー201内の圧力の変動は、図5のグラフに示したようになる。すなわち、APCが全開の状態からAPCの圧力設定を931Pa7Torrとしても、実際の圧力が931Pa7Torrに到達するまで4~5秒程度かかる。また、APCの圧力設定を931Pa7Torrから全開にすると比較的短時間で圧力が173Pa1.3Torr程度で一定となる。ここで、上記のステージ温度及び処理ガスの流量の条件では、堆積物除去デポ剥離が可能となるメタノールガスの分圧となる圧力は、665Pa5Torr程度となる。したがって、この場合のサイクル処理における1/2サイクルの時間は、5~20秒程度とすることが好ましい。なお、第1の期間と第2の期間は、必ずしも同じにする必要はなく、異なるようにしてもよい。次に、酸素プラズマ処理を以下の処理条件によって行った。圧力:133Pa1Torr高周波電力:1000W処理ガス:O2=2000sccmステージ温度:250°C時間:30秒次に、第2処理を以下の処理条件によって行った。圧力:931Pa7Torr10秒⇔173Pa1.3Torr10秒×3サイクル処理ガス:HF/CH3OH=2800/65sccmステージ温度:10°C以上の堆積物除去を実施した後の半導体ウエハを電子顕微鏡SEMで拡大して観察したところ、パターンの側壁部に堆積した堆積物が除去され、かつ、パターン構造物であるゲート酸化膜等のSiO2層がダメージを受けていなかった。この実施例の半導体ウエハの電子顕微鏡SEMによる写真を図6に示す。一方、比較例として、実施例における酸素プラズマ処理ステップ304及び第2処理ステップ305を行わず、第1処理ステップ303におけるサイクル処理を6サイクル行ったところ、パターンの側壁部に堆積物が残存し、堆積物を完全に除去することができなかった。この比較例の半導体ウエハの電子顕微鏡SEMによる写真を図7に示す。図7の写真では、パターンの側壁に残存する堆積物が白く写っている。なお、上記比較例においてサイクル処理を12サイクル行った場合においても、やはり、パターンの側壁部に堆積物が残存し、堆積物を完全に除去することができなかった。次に、堆積物を除去可能となる処理の条件を調べた結果について説明する。まず、処理ガスにおけるメタノールガス添加量と堆積物の剥離力との関係を調べたところ、メタノールガスを添加しなかった場合に堆積物を除去できなかったサンプルに対して、メタノールガスを100sccm添加した場合は、堆積物を除去することができた。また、メタノールガスの添加量を200sccmに増やすと、堆積物の剥離力が増大することを確認できた。但し、この実験は、サイクル処理を行うことなく、連続的にガス処理を行ったため、パターンの構造物であるゲート酸化膜が削られてダメージが発生した。また、処理ガスの圧力と堆積物の剥離力との関係を調べるため、圧力を665Pa5Torr、1330Pa10Torr、1995Pa15Torrとして、サンプルの堆積物の除去を行った。この結果、高圧化することによって、堆積物の剥離力が増大することを確認できた。但し、この実験は、サイクル処理を行うことなく、連続的にガス処理を行ったため、パターンの構造物であるゲート酸化膜が削られてダメージが発生した。さらに、温度と堆積物の剥離力との関係を調べるため、温度を10°C、30°C、50°Cとして、サンプルの堆積物の除去を行った。この結果、低温化することによって、堆積物の剥離力が増大することを確認できた。但し、この実験は、サイクル処理を行うことなく、連続的にガス処理を行ったため、パターンの構造物であるゲート酸化膜が削られてダメージが発生した。上記の結果から、縦軸を圧力、横軸をメタノールガス流量とした図8のグラフに示すように、各処理温度毎に、堆積物の除去が進行する領域と堆積物の除去が進行しない領域とを仕切る境界線を求めることができる。そして、この境界線を跨ぐように処理条件圧力又はメタノールガス流量又はこれら双方を変更すれば、サイクル処理における堆積物の除去が行われるメタノールガスの分圧となる第1の期間と、堆積物の除去が行われないメタノールガスの分圧となる第2の期間とを設定することができる。以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上記実施形態及び実施例では、酸素プラズマによる前処理を行った場合について説明したが、この酸素プラズマによる前処理は省略することができる。また、酸素プラズマによる前処理を省略した場合、第1処理工程及び第2処理工程に使用するガスを、アルコールを含まないフッ化水素ガスの単ガスとすることができ、この場合サイクル処理とせずに圧力を一定とした処理を行うことができる。さらに、上記実施形態及び実施例では、アルコールガスとしてメタノールガスを使用した場合について説明したが、他のアルコールガス、例えばエタノールガスやイソプロピルアルコールガス等を使用してもよい。