p型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、前記p型結晶層が、3-5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む半導体基板。前記p型結晶層が、前記半導体基板が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合にコンタクト層として機能するp型GaAs層である請求項1に記載の半導体基板。前記p型GaAs層が、1×1019cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む請求項2に記載の半導体基板。前記半導体基板が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合にp型ミラー層として機能するp型積層結晶層を有し、前記p型積層結晶層が、p型AlmGa1-mAs0<m≦1からなる第1結晶層と、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>nからなる第2結晶層とを含む積層結晶層であり、前記第1結晶層が、前記p型結晶層である請求項1に記載の半導体基板。前記第2結晶層に含まれる水素原子の濃度が、前記第1結晶層に含まれる水素原子の濃度より低い請求項4に記載の半導体基板。前記第1結晶層が、p型AlmGa1-mAs層0.50≦m≦1.0である請求項4または5に記載の半導体基板。前記第1結晶層が、6×1017cm-3以上、2.5×1018cm-3以下の濃度の水素原子を含む請求項4から6の何れか一項に記載の半導体基板。前記第1結晶層が、7×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下の濃度の酸素原子を含む請求項4から7のいずれか一項に記載の半導体基板。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造方法であって、前記方法は、3族原料ガスと5族原料ガスとを用いたMOCVD法によりp型結晶層を成長する段階を有し、前記3族原料ガスが、3族原子に少なくとも1つのアルキル基が結合した3族原子のアルキル化物を含み、前記5族原料ガスが、5族原子の水素化物を含み、前記p型結晶層を成長する段階において、前記3族原料ガスのモル供給量に対する前記5族原料ガスのモル供給量の比V/III比を0.7以上30以下に制御する半導体基板の製造方法。前記p型結晶層を成長する段階において、前記3族原料ガスおよび前記5族原料ガスに、炭素化合物を添加する請求項9に記載の半導体基板の製造方法。前記炭素化合物が、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される請求項10に記載の半導体基板の製造方法。請求項9から11の何れか一項に記載の半導体基板の製造方法であって、前記p型結晶層を成長する段階において、p型AlmGa1-mAs0<m≦1からなる第1結晶層を成長させ、前記方法は、前記3族原料ガスおよび前記5族原料ガスを用いたMOCVD法により、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>nからなる第2結晶層を成長する段階をさらに有し、前記第1結晶層および前記第2結晶層を複数回繰り返して成長させることにより、p型積層結晶層を形成し、前記第2結晶層を成長する段階において、前記3族原料ガスおよび前記5族原料ガスに、p型不純物原子を含有する化合物を添加する半導体基板の製造方法。前記p型不純物原子を含有する化合物が、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される請求項12に記載の半導体基板の製造方法。前記方法は、3族原料ガスと5族原料ガスとを用いてn型結晶層またはi型結晶層を成長する段階を更に有し、前記p型結晶層を成長する段階における前記V/III比が、前記n型結晶層または前記i型結晶層を成長する段階におけるいずれの前記V/III比よりも小さい請求項9から13のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。コンタクト層として機能するp型結晶層、または、p型ミラー層の少なくとも一部として機能するp型結晶層を有し、前記p型結晶層が、3-5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む垂直共振器面発光レーザ。垂直共振器面発光レーザVCSELの層構成に適合した半導体基板の製造において、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法が用いられる。MOCVD法によりGaAs層、AlGaAs層、InGaAs層、InGaAsP層等の3-5族化合物半導体結晶層を成長させる場合、3族原料ガスとしてAl、Ga、In等3族原子の有機化合物が用いられる。また、5族原料ガスとしてAs、P等5族原子の水素化合物が用いられる。3族原料ガス供給量に対する5族原料ガス供給量のモル比V/III比を大きくすると、表面が平坦な結晶層を得ることができるので、一般にV/III比を大きくして結晶層を成長させる。しかし、V/III比が大きいと、未反応のまま排気される5族原料ガスが多くなるので、原料ガスのロスが大きくなることがある。また、V/III比に応じて3-5族化合物半導体にp型不純物がドーピングされることがあるので、p型不純物量を適正に制御する必要がある。本発明の目的は、垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減することにある。また、本発明の目的は、垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるp型半導体層の不純物濃度を容易に制御することにある。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、p型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、p型結晶層が、3-5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。p型結晶層として、半導体基板が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合にコンタクト層として機能するp型GaAs層が挙げられる。p型GaAs層が、1×1019cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含んでもよい。半導体基板が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合にp型ミラー層の少なくとも一部として機能するp型積層結晶層を有してもよく、p型積層結晶層として、p型AlmGa1-mAs0<m≦1からなる第1結晶層と、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>nからなる第2結晶層とを含む積層結晶層が挙げられ、第1結晶層が、p型結晶層であってもよい。第1結晶層として、p型AlmGa1-mAs層0.50≦m≦1.0が挙げられる。第1結晶層が、6×1017cm-3以上、2.5×1018cm-3以下の濃度の水素原子を含んでもよい。第2結晶層に含まれる水素原子の濃度が、第1結晶層に含まれる水素原子の濃度より低くてもよい。第1結晶層が、7×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下の濃度の酸素原子を含んでもよい。本発明の第2の態様においては、垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造方法であって、3族原料ガスと5族原料ガスとを用いたMOCVD法によりp型結晶層を成長する段階を有し、3族原料ガスが、3族原子に少なくとも1つのアルキル基が結合した3族原子のアルキル化物を含み、5族原料ガスが、5族原子の水素化物を含み、p型結晶層を成長する段階において、3族原料ガスのモル供給量に対する5族原料ガスのモル供給量の比V/III比を0.7以上30以下に制御する半導体基板の製造方法を提供する。p型結晶層を成長する段階において、3族原料ガスおよび5族原料ガスに、炭素化合物を添加してもよい。炭素化合物として、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される化合物が挙げられる。p型結晶層を成長する段階において、p型AlmGa1-mAs0<m≦1からなる第1結晶層を成長させ、当該方法は、3族原料ガスおよび5族原料ガスを用いたMOCVD法により、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>nからなる第2結晶層を成長する段階をさらに有し、第1結晶層および第2結晶層を複数回繰り返して成長させることによりp型積層結晶層を形成し、第2結晶層を成長する段階において、3族原料ガスおよび5族原料ガスに、p型不純物原子を含有する化合物を添加してもよい。p型不純物原子を含有する化合物として、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される化合物が挙げられる。当該方法は、3族原料ガスと5族原料ガスとを用いてn型結晶層またはi型結晶層を成長する段階を更に有し、p型結晶層を成長する段階におけるV/III比が、n型結晶層またはi型結晶層を成長する段階におけるいずれのV/III比よりも小さくてよい。本発明の第3の態様においては、コンタクト層として機能するp型結晶層、または、p型ミラー層の少なくとも一部として機能するp型結晶層を有し、p型結晶層が、3-5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む垂直共振器面発光レーザを提供する。図1は、半導体基板100の断面例を示す。半導体基板100は、ベース基板102、バッファ層104、n型積層結晶層106、i型積層結晶層108、p型AlGaAs層110、p型積層結晶層112およびp型GaAs層114を有する。ベース基板102は、その上に形成されるエピタキシャル成長層を支持する支持基板である。ベース基板102としてn型GaAs基板が挙げられる。ベース基板102にn型GaAs基板を用いる場合、n型GaAs基板の100面または100面と適当なオフ角を有する面にエピタキシャル成長層が形成される。オフ角は、たとえば2°~10°の範囲、好ましくは5°が挙げられる。n型GaAs基板にドーピングされる不純物原子としてSi、Se、Sが挙げられる。n型GaAs基板のキャリア濃度は、1×1017cm-3~1×1019cm-3の範囲、好ましくは1×1018cm-3~4×1018cm-3の範囲が挙げられる。ベース基板102は、サファイア基板、シリコンカーバイド基板、酸化亜鉛基板、または、表面がシリコンである基板であってもよい。ここで、表面がシリコンとは、少なくとも基板の表面の一部がシリコンで構成されることを意味する。たとえばSiウェハのように基板全体がシリコンで構成されていてもよく、SOIsilicon-on-insulator基板のように絶縁層の上にシリコン層を有する構造であってもよい。あるいはサファイア基板、ガラス基板、シリコンカーバイド基板、酸化亜鉛基板、GaAs基板等シリコン以外の材料からなる基板上にシリコン層が形成されたものでもよい。エピタキシャル成長層と接するベース基板102の材料が半導体である場合には、当該半導体材料にn型不純物がドーピングされていることが好ましい。ベース基板102の全部または一部がn型の伝導型を有することにより、ベース基板102に電極を接続できる。例えば半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合、ベース基板102にレーザのカソード側電極を接続できる。バッファ層104は、ベース基板102の上にエピタキシャル成長により形成されたn型3-5族化合物半導体結晶層である。バッファ層104は、ベース基板102中の欠陥に応じて、n型積層結晶層106、i型積層結晶層108などにも欠陥が形成されることを抑制する。バッファ層104としてn型GaAs層が挙げられる。バッファ層104にn型GaAs層を用いる場合、n型GaAs層の厚さは、10nm~1000nmの範囲内であることが好ましい。n型GaAs層にドーピングされる不純物原子として、Si、Se、Sが挙げられる。n型GaAs層のキャリア濃度は、1×1018cm-3~5×1018cm-3の範囲内であることが好ましい。n型積層結晶層106は、バッファ層104の上にエピタキシャル成長により形成された、複数のn型3-5族化合物半導体結晶層からなる積層結晶層である。n型積層結晶層106は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、共振器の一方のミラーであるn型ミラー層として機能する。n型積層結晶層106は、例えば分布ブラッグ反射器DBRである。n型積層結晶層106は、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層した積層構造を複数含んでもよい。高屈折率層と低屈折率層を複数繰り返して配置することで、所定の波長の光の反射率を高くできる。n型積層結晶層106に含まれる低屈折率層として、n型AlqGa1-qAs0<q≦1層が挙げられる。半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合、当該低屈折率層に用いるn型AlqGa1-qAs0<q≦1層の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。n型AlqGa1-qAs0<q≦1層のAl組成qは、0.8~1.0の範囲内であることが適切である。n型AlqGa1-qAs0<q≦1層にドーピングされる不純物原子として、Si、Se、Sが挙げられる。n型AlqGa1-qAs0<q≦1層のキャリア濃度は、1×1018cm-3~3×1018cm-3の範囲内であることが好ましい。n型積層結晶層106に含まれる高屈折率層として、n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層が挙げられる。n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層のAl組成rをn型AlqGa1-qAs0<q≦1層のAl組成qより小さくすることで、n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層の屈折率をn型AlqGa1-qAs0<q≦1層の屈折率より大きくできる。半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、当該高屈折率層に用いるn型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層のAl組成rは、0.0~0.2の範囲内ただしn型AlqGa1-qAs0<q≦1層のAl組成qより小さいであることが適切である。n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層にドーピングされる不純物原子として、Si、Se、Sが挙げられる。n型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層のキャリア濃度は、1×1018cm-3~3×1018m-3の範囲内であることが好ましい。n型AlqGa1-qAs0<q≦1層とn型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層との間に、AlsGa1-sAsのAl組成sを当該層の厚さ方向に連続的に変えたn型AlsGa1-sAs0≦s≦1層を配置してもよい。n型AlqGa1-qAs層とAlsGa1-sAs層との界面において、Al組成sはAl組成qと略等しくてよい。n型AlrGa1-rAs層とAlsGa1-sAs層との界面において、Al組成sはAl組成rと略等しくてよい。Al組成sを連続的に変えることで、n型AlqGa1-qAs0<q≦1層およびn型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層の間の電気抵抗を低減できる。n型AlqGa1-qAs0<q≦1層およびn型AlrGa1-rAs0≦r<1、q>r層の繰り返し回数は、30~60が好ましい。i型積層結晶層108は、n型積層結晶層106の上にエピタキシャル成長により形成された、複数のi型3-5族化合物半導体結晶層からなる積層結晶層である。i型積層結晶層108は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、活性層として機能する。i型積層結晶層108は、2つのi型AlGaAs層120がi型GaAs/AlGaAs層122を挟んで構成した積層結晶層を含む。i型AlGaAs層120は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、クラッド層として機能する。半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、i型AlGaAs層120の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。i型AlGaAs層120のAl組成は、0.1~0.9の範囲内であることが適切である。厚さ方向のAl組成を連続的に変化させることによって、i型AlGaAs層120のバンドギャップエネルギが厚さ方向に連続的に変化する。i型GaAs/AlGaAs層122は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、発光層として機能する。i型GaAs/AlGaAs層122は、GaAs層およびAlGaAs層が交互に複数配置された量子井戸構造MQWを含む。量子井戸構造MQWは、GaAs/AlGaAs構造に代えて、InGaAs/GaAs構造、InGaAs/AlGaAs構造、GaAs/GaAsP構造、InGaAs/GaAsP構造、GaInNAs/GaAs構造であってもよい。半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、量子井戸構造MQWに含まれるGaAs層の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。量子井戸構造MQWに含まれるAlGaAs層の厚さは、5nm~12nmの範囲内であることが好ましい。当該AlGaAs層のAl組成は、0.1~0.4の範囲内であることが適切である。GaAs層およびAlGaAs層の積層構造の繰り返し数は、2~6の範囲内であることが適切である。p型AlGaAs層110は、i型積層結晶層108の上にエピタキシャル成長により形成される。p型AlGaAs層110は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に一部が酸化され、酸化狭窄層として機能する。p型AlGaAs層110の厚さは、20nm~40nmの範囲内であることが好ましい。p型AlGaAs層110のAl組成は、0.95~1.0の範囲内であることが適切である。p型AlGaAs層110にドーピングされる不純物原子として、C炭素、Znが挙げられる。p型AlGaAs層110のキャリア濃度は、1×1018cm-3~3×1018cm-3の範囲内であることが好ましい。p型積層結晶層112は、p型AlGaAs層110の上にエピタキシャル成長により形成された、複数のp型3-5族化合物半導体結晶層からなる積層結晶層である。p型積層結晶層112は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、共振器の他方のミラーであるp型ミラー層として機能する。p型積層結晶層112は、例えば分布ブラッグ反射器DBRである。p型積層結晶層112は、低屈折率層である第1結晶層130と高屈折率層である第2結晶層132とを積層した積層結晶層を含む。第1結晶層130と第2結晶層132を積層した積層構造を複数回繰り返して配置することで所定の波長の光の反射率を高くできる。本明細書において、第1結晶層130は、例えばp型AlmGa1-mAs0<m≦1で表される3-5族化合物半導体からなる。第1結晶層130が本発明のp型結晶層に相当する場合、第1結晶層130は、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む。一方で、第2結晶層132は、例えばp型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>nで表される3-5族化合物半導体からなる。第2結晶層132は、p型不純物原子として炭素原子および水素原子のそれぞれを含んでよく、含まなくともよい。半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合、第1結晶層130に用いられるp型AlmGa1-mAs0<m≦1層の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。p型AlmGa1-mAs0<m≦1層のAl組成mは、0.8~1.0の範囲内であることが適切である。p型AlmGa1-mAs0<m≦1層にドーピングされる不純物原子として、C、Znが挙げられる。p型AlmGa1-mAs0<m≦1層のキャリア濃度は、1×1018cm-3~4×1018cm-3の範囲内であることが好ましい。第2結晶層132としてのp型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層のAl組成nをp型AlmGa1-mAs0<m≦1層のAl組成mより小さくすることで、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層の屈折率をp型AlmGa1-mAs0<m≦1層の屈折率より大きくできる。第2結晶層132にp型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層を用いる場合、p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層の厚さは、レーザに要求される発光波長帯に応じて設計される。p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層のAl組成nは、0.0~0.2の範囲内ただしp型AlmGa1-mAs0<m≦1層のAl組成mより小さいであることが適切である。p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層にドーピングされる不純物原子として、C、Znが挙げられる。p型AlnGa1-nAs0≦n<1、m>n層のキャリア濃度は、1×1018cm-3~4×1018cm-3の範囲内であることが好ましい。第1結晶層130は、本発明におけるp型結晶層の一例である。すなわち、第1結晶層130は、垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板100に含まれる3-5族化合物半導体結晶層であり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む。また、第1結晶層130は、第2結晶層132に含まれる水素原子より多くの水素原子を含む。後に説明するように、第1結晶層130は、3族原料ガスのモル供給量に対する5族原料ガスのモル供給量の比V/III比が0.7以上30以下と小さい条件でエピタキシャル成長させる。3族原料ガスとしてアルキル基を有する有機金属ガスを用いれば、第1結晶層130には多くの炭素が不純物としてドーピングされ、アルキル基由来の炭素とともに水素も同時に導入される。その結果、第1結晶層130には多くの水素原子を含むようになる。上記した方法により第1結晶層130を形成した場合、第1結晶層130は、6×1017cm-3以上、2.5×1018cm-3以下の濃度の水素原子を含むようになる。また、第1結晶層130は低屈折率に形成する必要からp型AlmGa1-mAs層0.50≦m≦1.0として形成され、このようなAl組成が高い結晶層を形成する場合には第1結晶層130は酸素原子を含むようになる。すなわち、第1結晶層130は、7×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下の濃度の酸素原子を含む。第1結晶層130と第2結晶層132との間に、AlsGa1-sAsのAl組成sを連続的に変えたp型AlsGa1-sAs0≦s≦1層を配置してもよい。Al組成sを連続的に変えることで、第1結晶層130と第2結晶層132の間の電気抵抗を低減できる。第1結晶層130および第2結晶層132の繰り返し回数は、10~30が好ましい。p型GaAs層114は、p型積層結晶層112の上にエピタキシャル成長により形成されたp型3-5族化合物半導体結晶層である。p型GaAs層114は、他のp型半導体層を含んでもよい。p型GaAs層114は、半導体基板100が垂直共振器面発光レーザに用いられた場合に、コンタクト層として機能する。p型GaAs層114の厚さは、10nm~30nmの範囲内であることが好ましい。p型GaAs層114にドーピングされる不純物原子として、C、Znが挙げられる。p型GaAs層114のキャリア濃度は、4×1019cm-3~1×1020cm-3の範囲内であることが好ましい。p型GaAs層114は、本発明におけるp型結晶層の一例である。すなわち、第1結晶層130は、垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板100に含まれる3-5族化合物半導体結晶層であり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×1017cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含む。後に説明するように、p型GaAs層114は、3族原料ガスのモル供給量に対する5族原料ガスのモル供給量の比V/III比が0.7以上30以下と小さい条件でエピタキシャル成長させる。3族原料ガスとしてアルキル基を有する有機金属ガスを用いれば、p型GaAs層114には多くの炭素が不純物としてドーピングされ、アルキル基由来の炭素とともに水素も同時に導入される。その結果、p型GaAs層114には、1×1019cm-3以上、6×1019cm-3以下の濃度の水素原子を含むようになる。半導体基板100の製造方法は、以下のとおりである。ベース基板102を用意し、ベース基板102上にバッファ層104、n型積層結晶層106、i型積層結晶層108、p型AlGaAs層110、p型積層結晶層112およびp型GaAs層114を順次エピタキシャル成長により形成する。エピタキシャル成長にはMOCVD法を用いる。MOCVD法に用いる3族原料ガスは、3族原子に少なくとも1つのアルキル基が結合した3族原子のアルキル化物を含む。3族原料ガスとして、TMGトリメチルガリウム、TMAトリメチルアルミニウム、TMIトリメチルインジウムが挙げられる。5族原料ガスは、5族原子の水素化物を含む。5族原料ガスとして、AsH3アルシン、PH3ホスフィンが挙げられる。n型不純物ガスとしてSi2H6ジシランが挙げられ、p型不純物ガスとしてCBrCl3、ジエチル亜鉛DEZnが挙げられる。エピタキシャル成長温度は、400°C~800°Cの範囲内で制御する。これら原料ガスの供給量を制御することで各結晶層の組成を制御でき、不純物ガスの供給量を制御することで不純物ドーピング量を制御できる。また、3族原料ガスのモル供給量に対する5族原料ガスのモル供給量の比V/III比を制御することでエピタキシャル成長層への炭素原子のドーピング量を制御できる。V/III比を小さくすることで高価な5族原料ガスが節約できるので、製造コストが低減できる。特に、p型結晶層をエピタキシャル成長させる段階においてV/III比を小さくすれば、p型結晶層内で、3族原料ガス由来の炭素原子がp型不純物として機能するので、製造コストを低減するとともにp型結晶層の抵抗値を下げることができる。よってp型結晶層を成長する段階において、V/III比を0.7以上30以下に制御する。また、p型結晶層を成長する段階におけるV/III比を、それぞれのn型3-5族化合物半導体結晶層を成長する段階におけるいずれのV/III比より小さくしてもよい。また、p型結晶層を成長する段階におけるV/III比を、それぞれのi型3-5族化合物半導体結晶層を成長する段階におけるいずれのV/III比より小さくしてもよい。p型結晶層として、p型GaAs層114または第1結晶層130が挙げられる。特に、第1結晶層130を成長する段階では、V/III比を小さくした条件でエピタキシャル成長する意義は大きい。第1結晶層130は第2結晶層132よりAl組成を大きくする必要性があるが、Al組成を大きくするエピタキシャル条件では不純物ガスによるp型不純物のドーピング量の制御が難しくなる。しかしV/III比を小さくしてエピタキシャル成長すれば、アルキル基由来の炭素原子が第1結晶層130にドーピングされ、当該炭素原子がp型不純物として作用するので、V/III比を制御することによりp型不純物のドーピング量を容易に制御することができる。なお、p型GaAs層114または第1結晶層130を成長する段階において、3族原料ガスおよび5族原料ガスに、炭素化合物を不純物ガスとして添加してもよい。炭素化合物として、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される化合物が挙げられる。より具体的にはCBrCl3が挙げられる。このような炭素化合物を不純物ガスとして添加することにより、p型GaAs層114または第1結晶層130の抵抗値を小さくすることができる。3族原料ガスおよび5族原料ガスに、炭素化合物を添加する方法は、特に限定されない。3族原料ガスおよび5族原料ガスの供給に加え、さらに炭素化合物を反応炉内に供給してもよいし、最初から炭素化合物が添加された3族または5族の原料ガスを、反応炉内に供給してもよい。また、これらのガスおよび炭素化合物は、反応炉に入る前に、配管によりそれぞれ混合されてもよいし、それぞれが独立して反応炉内に入ってもよい。また、第2結晶層132を成長する段階において、3族原料ガスおよび5族原料ガスに、p型不純物原子を含有する化合物を添加することができる。p型不純物原子を含有する化合物として、CX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される化合物が挙げられる。より具体的にはCBrCl3が挙げられる。このような炭素化合物を不純物ガスとして添加することにより、第2結晶層132の抵抗値を小さくすることができる。図2は、垂直共振器面発光レーザ200の断面例を示す。垂直共振器面発光レーザ200は、ベース基板102、バッファ層104、n型ミラー層206、活性層208、酸化狭窄層210、p型ミラー層212、コンタクト層214、電極216および酸化層218を有する。活性層208は、クラッド層220および発光層222を有する。n型ミラー層206、活性層208、酸化狭窄層210、p型ミラー層212およびコンタクト層214の各々は、半導体基板100のn型積層結晶層106、i型積層結晶層108、p型AlGaAs層110、p型積層結晶層112およびp型GaAs層114の各々がメサ加工されて形成されたものである。電極216は、コンタクト層214に接してドーナツ状に形成された金属層であり、垂直共振器面発光レーザ200のアノード電極として機能する。酸化層218は、メサ加工されたp型AlGaAs層110を横方向酸化した酸化層である。活性層208は、クラッド層220および発光層222を含み、クラッド層220および発光層222の各々は、i型AlGaAs層120およびi型GaAs/AlGaAs層122の各々がメサ加工されて形成されたものである。なお、図示は省略したが、ベース基板102の上面または下面にはカソード電極が形成される。メサ加工は、n型ミラー層206の途中、たとえばn型ミラー層206の上部数層程度の深さで停止してもよい。垂直共振器面発光レーザ200の製造方法は以下の通りである。半導体基板100を製造した後、バッファ層104、n型積層結晶層106、i型積層結晶層108、p型AlGaAs層110、p型積層結晶層112およびp型GaAs層114をメサ加工する。その後、メサ加工した半導体基板100を酸化雰囲気に置き、p型AlGaAs層110を横方向酸化して酸化層218を形成する。さらに電極216となる金属層を蒸着法またはスパッタ法で形成し、フォトリソグラフィ法またはリフトオフ法により金属層をパターニングして電極216を形成する。上記した半導体基板100によれば、V/III比を0.7以上30以下に制御してp型GaAs層114または第1結晶層130をエピタキシャル成長するので、5族原料ガスを節約するとともに、p型不純物を多くドーピングしてp型GaAs層114または第1結晶層130の抵抗を低減できる。また、V/III比を0.7以上30以下に制御するとともにp型不純物ガスとしてCX4-yHyただし、Xはハロゲン原子であり、yは0以上3以下の整数である。で表される化合物を含むガスを添加することにより、p型GaAs層114、第1結晶層130あるいは第2結晶層132の抵抗値をさらに低減することができる。実施例ベース基板102上に、表1に示す結晶層をエピタキシャル成長させた。3族原料ガスとして、TMGおよびTMAを用いた。5族原料ガスとして、アルシンを用いた。n型不純物ガスとしてジシランを用いた。p型不純物ガスとして、CBrCl3を用いた。エピタキシャル成長の反応温度は、570°C~680°Cの範囲で制御した。上記のようにして形成した半導体基板にメサ加工を施し、電極を形成して垂直共振器面発光レーザを作成したところ、正常にレーザ発振が観測された。発振のしきい値電流は0.6mAであった。スロープ効率は0.79W/Aであった。比較例比較例として、ベース基板102の上に、表2に示す結晶層をエピタキシャル成長させた。p型不純物ガスとしてDEZnを用いたこと、番号2の結晶層のエピタキシャル成長におけるV/III比を31としたこと、および番号3~5結晶層のエピタキシャル成長におけるV/III比を106としたこと、の他は実施例の場合と同様である。上記のようにして形成した半導体基板に、実施例と同様にメサ加工を施し、電極を形成して垂直共振器面発光レーザを作成したところ、電流上昇に伴い急速にレーザ出力が低下する不具合が多発した。また、発振のしきい値電流は0.8mAと実施例より高く、スロープ効率は0.59W/Aと実施例より低下した。上記した実施例および比較例から、p型DBR層の高Al組成層第1結晶層130に相当する。の水素濃度が1.3×1018m-3以上である場合は、VCSEL特性が良好であることがわかった。一方、当該水素濃度が2×1017m-3未満である場合は、VCSEL特性が不良であることがわかった。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。