"第一の基板と,前記第一の基板に形成された第一の空洞部と,前記第一の空洞部内に形成された第一の固定部と,前記第一の空洞部内に形成され,前記固定部と接続された第一の弾性変形部と,前記第一の空洞部内に形成され,前記弾性変形部と接続された第一の可動部と,前記第一の空洞部内に形成された第1固定電極と,前記可動部に形成された第1可動電極とを互いに対向させた第1容量素子を含み,前記可動部が外力によって変位することで生じる前記第1容量素子の容量変化を出力する第一の容量検出部と,前記第一の容量検出部から出力された容量変化に基づいて前記外力の物理量を求める第一の物理量算出部と接続される第一の物理量算出端子と,前記第一の空洞部内に形成された第2固定電極と,前記可動部に形成された第2可動電極とを互いに対向させた第2容量素子を含み,かつ,前記第2固定電極と前記第2可動電極の間に診断信号を印加するための診断信号印加用端子とを含み,前記診断信号印加用端子に診断信号を印加することにより,前記第2固定電極と前記第2可動電極の間に静電気力を発生させて強制振動させる強制振動生成部と,前記第一の物理量算出端子と間接的に接続され,前記強制振動生成部で発生した強制振動に基づいて,前記第一の容量検出部の異常の有無を判断する異常判定部と,前記第一の基板と同じ車両内に設置される第二の基板と,前記第二の基板に形成された第二の空洞部と,前記第二の空洞部内に形成された第二の固定部と,前記第二の空洞部内に形成され,前記第二の固定部と接続された第二の弾性変形部と,前記第二の空洞部内に形成され,前記第二の弾性変形部と接続された第二の可動部と,前記第二の空洞部内に形成された第3固定電極と,前記第二の可動部に形成された第3可動電極とを互いに対向させた第3容量素子を含み,前記第二の可動部が外力によって変位することで生じる前記第3容量素子の容量変化を出力する第二の容量検出部と,前記第二の容量検出部から出力された容量変化に基づいて前記外力の物理量を求める第2の物理量算出部と接続される第二の物理量算出端子とを備え,前記異常判定部は,前記第二の物理量算出端子より得られる値によって異常判定の結果が変更されるものであることを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記第二の物理量算出端子より出力される物理量の範囲が,前記第一の物理量算出端子より出力される物理量の範囲より広いことを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記第二の物理量算出端子より出力される物理量の周波数応答帯域が,前記第一の物理量算出端子より出力される物理量の周波数応答帯域より広いことを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記第一の容量検出部を含む第一の物理量算出機構が加速度センサで,前記第二の容量検出部を含む第二の物理量算出機構が加速度センサであることを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記第一の容量検出部を含む第一の物理量算出機構が加速度センサで,前記第二の容量検出部を含む第二の物理量算出機構が角速度センサであることを特徴とする静電容量式センサ。請求項1において,前記第一の容量検出部を含む第一の物理量算出機構と,前記第二の容量検出部を含む第二の物理量算出機構が同一の基板上に形成されていることを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記異常判定部は,前記第二の物理量算出端子より得られる値と所定の電圧とを比較するものであることを特徴とする慣性センサ。請求項7記載の慣性センサにおいて,前記異常判定部は,更に前記診断信号の振幅と所定の振幅基準値とを比較するものであることを特徴とする慣性センサ。請求項8記載の慣性センサにおいて,前記異常判定部は,前記第二の物理量算出端子より得られる値が所定の電圧以下の場合,前記診断信号の振幅と所定の振幅基準値とを比較するものであることを特徴とする慣性センサ。請求項1記載の慣性センサにおいて,前記第一の空洞部の圧力は前記第二の空洞部とは異なることを特徴とする慣性センサ。第1可動部と,前記第1可動部の変位量を前記可動部との間の容量を用いて検出する固定電極を備えた第1検出部と,診断信号を印加することにより前記第1可動部を強制振動させる強制振動手段と,前記第1検出部からの検出信号から物理量を算出する第1物理量算出部と,前記第1検出部を介して得られる前記診断信号を用いて前記物理量の異常の有無を判定する異常判定部とを備え,車両内で使用される慣性センサにおいて,前記車両と同一車両に搭載され,前記異常判定部へ接続される第2センサを更に有することを特徴とする慣性センサ。請求項11記載の慣性センサにおいて,前記第2センサの出力信号は,前記異常判定部へ入力されるものであることを特徴とする慣性センサ。請求項12記載の慣性センサにおいて,前記物理量は加速度であり,前記第2センサからの出力信号も加速度信号であることを特徴とする慣性センサ。請求項11記載の慣性センサにおいて,前記強制振動手段は,前記可動部への前記診断信号をオンオフするスイッチを備えることを特徴とする慣性センサ。上述したように,加速度センサに代表される慣性センサが故障した際にはすぐに故障を検知できることが望ましい。したがって,静電容量式センサを動作させながら故障の有無を診断できることが,直ぐに故障を検知する観点から望ましいことになる。上述した特許文献1に記載された技術によれば,検出電極の静電容量を検出するために印加する交流信号に低周波数の診断信号を重畳させることにより,加速度を検出しながらも加速度センサの故障の有無を判断することができる。しかし,センサの設置環境に特定の周波数,位相,大きさの振動雑音がある場合,加速度センサが正常であるにも関わらず故障と誤診断する,もしくは,加速度センサは異常であるにも関わらず正常だと誤診断するおそれがある。特定の周波数,位相,大きさの振動雑音とは,たとえばMEMS慣性センサの故障を検出するために印加される低周波数の診断信号によってセンサの錘が動く量と同周波数で逆位相を持つ振動であり,このような振動雑音が存在する場合,MEMS慣性センサに印加される診断信号が振動雑音によって相殺され,診断信号を印加しているのに錘の変位が所望量とは異なるものになる恐れがある。つまり,故障診断の判定時にはセンサが正常であるのにも関わらず故障していると誤診断する,もしくは,センサが異常であるのにも関わらず正常であると誤診断するおそれがある。センサ設置時には,環境振動がセンサ出力に影響を及ぼさないように防振性を持つ実装構造をとるのが通常であるが,故障診断のためにセンサに印加される低周波信号はセンサ出力に対して相対的に小さいため,防振性を持つ実装構造で外部振動を十分に除去できないためである。図17は故障診断信号の例を示す図であり,上段は正常な場合,中断は以上な場合,下段は突発的なノイズを含む場合を示す。センサが正常な場合に正常な信号が出力され,異常な場合は異常な信号が出力されれば,誤診断とはならない。しかし,例えば,下段のような場合,センサは正常であるにもかかわらず,異常との誤診断を行う恐れがある。本発明の目的は,突発的なノイズが発生するような劣悪な環境においても誤診断を抑制できる慣性センサを提供することにある。低周波重畳の故障診断機能を有する第一のセンサにおいて,同じ車両内に搭載する第二のセンサの出力値を参照し,同じ車両内に搭載する第二のセンサの出力値に応じて故障診断の内容と方式を変更する。第二のセンサを備えることにより,突発的なノイズが発生するような劣悪な環境においても誤診断を抑制できる慣性センサを提供することができる。以下,実施例により詳細に説明する。第1の実施例に係る慣性センサについて図面を参照しながら説明する。本実施例1では,第一の慣性センサとして加速度センサ,第二の慣性センサとして加速度センサを備えたMEMS慣性センサを例に挙げて説明する。図1は,半導体チップ100に形成された第一の加速度センサを構成する構造体を示す平面図である。図1に示すように,半導体チップ100には,枠部101が形成されており,この枠部101に囲まれるように空洞部102が形成されている。空洞部102の内部には,固定部103が4隅に設けられており,この固定部103には,梁弾性変形部104が接続されている。そして,梁104は,加速度センサの錘となる可動部105と接続されている。つまり,固定部103と可動部105は弾性変形可能な梁104で接続されており,可動部105は,図1のx方向に変位できるようになっている。可動部105には,可動部105と一体に形成された検出用可動電極106aが形成されており,この検出用可動電極106aと対向するように,検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cが形成されている。この検出用可動電極106aと検出用固定電極106b,あるいは,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cは,それぞれ容量素子を形成しており,外部から印加された加速度によって可動部105がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,検出用可動電極106aと検出用固定電極106b,あるいは,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cから構成される容量素子は,可動部105のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また,可動部105には,可動部105と一体に形成された診断用可動電極108aが形成されており,この診断用可動電極108aと対向するように,診断用固定電極108bおよび診断用固定電極108cが形成されている。診断用可動電極108aと診断用固定電極108b,あるいは,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cは,それぞれ容量素子を形成している。この容量素子を形成している診断用可動電極108aと診断用固定電極108b,および,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cの間に周期的な診断信号を印加すると,診断用可動電極108aと診断用固定電極108bの間,および,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cの間に静電気力が働き,診断用可動電極108aが振動するようになっている。この診断用可動電極108aがx方向に振動すると,診断用可動電極108aと一体的に形成されている可動部105も振動することになる。つまり,診断用可動電極108aと診断用固定電極108b,あるいは,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cから構成される容量素子は,可動部105をx方向に強制振動させる強制振動生成部として機能する。このように構成された加速度センサの構造体は,シリコンなどの半導体材料から構成されている。したがって,互いに梁104を介して接続されている固定部103と可動部105とは電気的に接続されており,可動部105に印加される電位は,固定部103に形成されているパッド107から供給されるように構成されている。一方,検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cにも,それぞれパッド106dおよびパッド106eが形成されており,可動部105がx方向に変位することで生じる容量変化により,検出用固定電極106bや検出用固定電極106cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。また,診断用固定電極108bおよび診断用固定電極108cにも,それぞれパッド108dおよびパッド108eが形成されており,パッド108dやパッド108eから,診断用固定電極108bや診断用固定電極108cに診断信号を印加できるようになっている。図2は,図1のA-A’線で切断した断面図である。図2に示すように,半導体チップ100は,支持基板層110上に絶縁酸化膜層111が形成され,この絶縁酸化膜層111上に形成されたシリコン活性層112を有している。つまり,本実施例1で,第一の加速度センサを構成する半導体チップ100はSOI基板から構成されている。そして,図2に示されている枠部101,固定部103,可動部105と一体的に形成された検出用可動電極106a,検出用固定電極106b,および,検出用固定電極106cと,図2に示されていない梁104,診断用可動電極108a,診断用固定電極108b,および,診断用固定電極108cは,SOI基板のシリコン活性層を加工して形成されている。例えば,図2において,枠部101と固定部103は絶縁酸化膜層111上に形成されており固定されていることがわかる。一方,例えば,可動部105と一体的に形成された検出用可動電極106aもシリコン活性層から形成されているが,可動部105の下層に形成されている絶縁酸化膜層111は除去されている。同様に,図2に示されていない梁104の下層に形成されている絶縁酸化膜層も除去されている。したがって,可動部105は,空洞部の中に配置され,かつ,梁104によって支持されていることになる。このことから,可動部105は支持基板110に対して完全に固定されてはおらず,変位可能に形成されている。図3は,半導体チップ200に形成された第二の加速度センサを構成する構造体を示す平面図である。図3に示すように,半導体チップ200には,枠部201が形成されており,この枠部201に囲まれるように空洞部202が形成されている。空洞部202の内部には,固定部203が4隅に設けられており,この固定部203には,梁弾性変形部204が接続されている。そして,梁204は,加速度センサの錘となる可動部205と接続されている。つまり,固定部203と可動部205は弾性変形可能な梁204で接続されており,可動部205は,図3のx方向に変位できるようになっている。可動部205には,可動部205と一体に形成された検出用可動電極206aが形成されており,この検出用可動電極206aと対向するように,検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cが形成されている。この検出用可動電極206aと検出用固定電極206b,あるいは,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cは,それぞれ容量素子を形成しており,外部から印加された加速度によって可動部205がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,検出用可動電極206aと検出用固定電極206b,あるいは,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cから構成される容量素子は,可動部205のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。このように構成された加速度センサの構造体は,シリコンなどの半導体材料から構成されている。したがって,互いに梁204を介して接続されている固定部203と可動部205とは電気的に接続されており,可動部205に印加される電位は,固定部203に形成されているパッド207から供給されるように構成されている。一方,検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cにも,それぞれパッド206dおよびパッド206eが形成されており,可動部205がx方向に変位することで生じる容量変化により,検出用固定電極206bや検出用固定電極206cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。図4は,図3のB-B線で切断した断面図である。図4に示すように,半導体チップ200は,支持基板層210上に絶縁酸化膜層211が形成され,この絶縁酸化膜層211上に形成されたシリコン活性層212を有している。つまり,本実施例1で,第二の加速度センサを構成する半導体チップ200はSOI基板から構成されている。そして,図4に示されている枠部201,固定部203,可動部205と一体的に形成された検出用可動電極206a,および,検出用固定電極206bと,図4に示されていない梁204は,SOI基板のシリコン活性層を加工して形成されている。したがって,可動部205は,空洞部の中に配置され,かつ,梁204によって支持されていることになる。このことから,可動部205は支持基板層210に対して完全に固定されてはおらず,変位可能に形成されている。本実施例1における第一,および第二の加速度センサは,例えば,SOI基板をフォトリソグラフィ技術とDRIEを用いて加工することで形成する。もちろん,本実施例1では,SOI基板を使用して加速度センサを製造する例を説明しているだけであって,本実施例1における概念は,ガラスシリコンガラスの接合技術などを使用して,シリコン基板の表面と裏面の両方を加工することで加速度センサMEMS構造体を形成するバルクMEMSプロセス場合にも適用することができる。さらに,予めトランジスタなどの信号処理回路が形成されているシリコン基板の表面に薄膜を堆積し,堆積した薄膜をパターニングすることを繰り返すことで加速度センサMEMS構造体を形成する表面MEMSプロセス場合にも適用することができる。本実施例1における第一の加速度センサMEMS構造体を形成した半導体チップ100,および第二の加速度センサMEMS構造体を形成した半導体チップ200,は上記のように構成されており,以下に,この半導体チップ100,および半導体チップ200を実装する構成例について説明する。本実施例1では,加速度センサMEMS構造体と,この加速度センサからの出力信号を信号処理するLSIとを別々の半導体チップに形成する例について説明するが,これに限らず,加速度センサを構成するMEMS構造体と,信号処理回路を構成するトランジスタとを同一の半導体チップに形成する場合にも適用することができる。また,第一の加速度センサと第二の加速度センサを同一の半導体チップに形成してもよく,更に,それらセンサからの出力信号を処理する信号処理回路を構成する素子を含めて同一の半導体チップに形成してもよい。図5は,本実施例1に係る慣性センサにおける第一の加速度センサの実装構成例を示す断面図である。図5に示すように,凹部を有する外枠体300の底部には,接着剤301を介して半導体チップ302が搭載されている。外枠体300は,例えば,セラミックから構成されている。半導体チップ302には,通常の半導体製造技術により,トランジスタや受動素子からなる集積回路が形成されている。この半導体チップ302に形成されている集積回路は,加速度センサMEMS構造体からの出力信号を信号処理する機能を有しており,最終的に加速度信号を出力する回路である。この半導体チップ302上には,接着剤303を介して半導体チップ100が搭載されている。この半導体チップ100は,図1や図2で説明した第一の加速度センサを構成するMEMS構造体が形成されている半導体チップである。この半導体チップ100に形成されているパッドと,半導体チップ302に形成されているパッド304aは,例えば,ワイヤ305aで接続されている。さらに,半導体チップ302に形成されているパッド304bは,外枠体300に形成されている端子304cとワイヤ305bで接続され,外枠体の外部につながる端子306へと電気的に接続されている。そして,外枠体300内に積層して配置された半導体チップ100と半導体チップ302は,外枠体300の上部をリッド307で封止することにより密閉される。図6は,本実施例1に係る慣性センサにおける第二の加速度センサの実装構成例を示す断面図である。図6に示すように,凹部を有する外枠体400の底部には,接着剤401を介して半導体チップ402が搭載されている。外枠体400は,例えば,セラミックから構成されている。半導体チップ402には,通常の半導体製造技術により,トランジスタや受動素子からなる集積回路が形成されている。この半導体チップ402に形成されている集積回路は,加速度センサMEMS構造体からの出力信号を信号処理する機能を有しており,最終的に加速度信号を出力する回路である。この半導体チップ402上には,接着剤403を介して半導体チップ200が搭載されている。この半導体チップ200は,図3や図4で説明した第二の加速度センサを構成するMEMS構造体が形成されている半導体チップである。この半導体チップ200に形成されているパッドと,半導体チップ402に形成されているパッド404aは,例えば,ワイヤ405aで接続されている。さらに,半導体チップ402に形成されているパッド404bは,外枠体400に形成されている端子404cとワイヤ405bで接続され,外枠体の外部につながる端子406へと電気的に接続されている。そして,外枠体400内に積層して配置された半導体チップ200と半導体チップ402は,外枠体400の上部をリッド407で封止することにより密閉される。このようにして,本実施例1における第一,および第二の加速度センサが実装構成されている。図5示す加速度センサによれば,半導体チップ100で検出した信号を半導体チップ302に入力することができる。その後,半導体チップ302に入力された信号は,半導体チップ302内に形成されている集積回路で信号処理され,最終的に加速度に対応した加速度信号が出力される。半導体チップ302から出力された加速度信号は,ワイヤ305bを介して外枠体300に形成された端子306に出力され,外部へと取り出すことが可能になっている。また,図6示す加速度センサによれば,半導体チップ200で検出した信号を半導体チップ402に入力することができる。その後,半導体チップ402に入力された信号は,半導体チップ402内に形成されている集積回路で信号処理され,最終的に加速度に対応した加速度信号が出力される。半導体チップ402から出力された加速度信号は,ワイヤ405bを介して外枠体400に形成された端子406に出力され,外部へと取り出すことが可能になっている。なお,本実施例1では,外枠体としてセラミックパッケージを使用した例について説明しているが,これに限らず,例えば,ガラス陽極接合を使用したウェハレベルパッケージによる実装形態にも適用することができる。以上のように形成した第一の加速度センサと第二の加速度センサの,加速度に対する機械的応答の違いについて説明する。図1に示すように,本実施例1における第一の加速度センサは,x方向に変位することができる可動部105を空洞部の中に配置し,かつ,梁104によって枠部101に支持されている。可動部105の質量をm1kg,支持梁104のx方向剛性定数をk1N/mとしたとき,本実施例1における第一の加速度センサは式1に示す機械的な固有振動数fn1Hzを持ち,加速度αm/s2が印加した際の可動体の変位量x1mは,式2で表される。一方,図3に示すように,本実施例1における第二の加速度センサは,x方向に変位することができる可動部205を空洞部の中に配置し,かつ,梁204によって枠部201に支持されている。可動部205の質量をm2kg,支持梁204のx方向剛性定数をk2N/mとしたとき,本実施例1における第二の加速度センサは式3に示す機械的な固有振動数fn2Hzを持ち,加速度αm/s2が印加した際の可動体の変位量x2mは,式4で表される。本実施例1においては,第一の加速度センサの可動部105の質量m1が第二の加速度センサの可動部205の質量m2と等しく,かつ,第一の加速度センサの支持梁104のx方向剛性定数k1が第二の加速度センサの支持梁204のx方向剛性定数k2よりも小さくなるように形成する。この場合,式13より,であるから,fn2>fn1となり,第一の加速度センサの機械的な固有振動数は第二の加速度センサの機械的な固有振動数よりも小さくなる。よって,第一の加速度センサと第二の加速度センサに同じ加速度αm/s2が印加した際,式245よりの可動体の変位量x1mとx2mは,と表せる。ここでfn2>fn1より,同じ加速度αm/s2が印加した際の第一の加速度センサの変位量x1は第二の加速度センサの変位量x2よりも大きくなる。ところで,第一の加速度センサの可動部105には,可動部105と一体に形成された検出用可動電極106aが形成されており,この検出用可動電極106aと対向するように,検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cが形成されている。この検出用可動電極106aと検出用固定電極106b,あるいは,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cは,それぞれ容量素子を形成しており,外部から印加された加速度によって可動部105がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,検出用可動電極106aと検出用固定電極106b,あるいは,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cから構成される容量素子は,可動部105のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。第二の加速度センサについても同様に,可動部205と一体に形成された検出用可動電極206aが形成されており,この検出用可動電極206aと対向するように,検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cが形成されている。検出用可動電極206aと検出用固定電極206b,あるいは,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cから構成される容量素子は,可動部205のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。よって,この第一の加速度センサにおける検出用可動電極106aと,検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cとの対向距離が,第二の加速度センサにおける検出用可動電極206aと,検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cとの対向距離と等しく形成した場合,式6より同じ加速度αm/s2が印加した際の第一の加速度センサの変位量x1は第二の加速度センサの変位量x2よりも大きくなるため,第一の加速度センサの検出電極における容量変化は第二の加速度センサの検出電極における容量変化よりも大きくなる。つまり,同じ加速度を印加された場合でも,加速度センサの機械的な剛性や可動体質量が異なれば,検出電極に流入あるいは流出する電荷量が異なるということである。図5に示される半導体チップ信号処理回路302や,図6に示される半導体チップ信号処理回路402で取り扱える容量変化量の範囲は信号処理回路ごとに決まっているため,検出電極に流入あるいは流出する電荷量が信号処理回路で扱える容量変化量の範囲を超えてしまった場合,最終的に出力される加速度信号は,加速度センサに印加された加速度とは異なる値を示し,誤出力となる。このように,加速度センサで計測可能な加速度範囲は,信号処理回路で扱える容量変化量の範囲,もしくは,加速度センサの可動体質量や支持梁の検出軸方向の剛性定数で決まる機械的な固有振動数で決まっている。センサシステムとして誤出力せずに取り扱える加速度の大きさの範囲を感度範囲と呼び,相対的に大きな加速度を印加してもセンサが誤出力しない容量変化量の範囲,もしくは,機械的な固有振動数を持つ加速度センサを感度範囲が広い加速度センサと呼ぶ。図5に示される半導体チップ信号処理回路302や,図6に示される半導体チップ信号処理回路402で取り扱える容量変化量の範囲を同じに設定する場合,本実施例1においては,式6より同じ加速度αm/s2が印加した際の第一の加速度センサの検出電極における容量変化は第二の加速度センサの検出電極における容量変化よりも大きくなるため,第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,感度範囲が広い加速度センサであると言える。また,本実施例1における第一の加速度センサの機械的固有振動数をfn1Hz,機械的減衰定数をζ1としたとき,機械的なカットオフ周波数fc1Hzとの関係は式7で表される。同様に,本実施例1における第二の加速度センサの機械的固有振動数をfn2Hz,機械的減衰定数をζ2としたとき,機械的なカットオフ周波数fc2Hzとの関係は式8で表される。減衰定数ζは物体が機械的に運動するときのエネルギー散逸の起こりやすさを表す定数であり,物体が運動する周辺環境の流体種類,流体圧力,運動する物体の大きさや構造,運動する物体を構成する物質などによって決まる定数である。同じ大きさや構造をもつMEMS構造体を同じ圧力の中で動作させるときには,ζも近しい値になると考えられるため,本実施例1ではζ1≒ζ2と近似すると,式578より,となり,第二の加速度センサの機械的カットオフ周波数fc2は第一の加速度センサの機械的カットオフ周波数fc1より大きいことがわかる。第一の加速度センサと第二の加速度センサの機械的な周波数応答をグラフに示すと,例えば図7のように表せる。これは,センサに印加される加速度の変動周波数を徐々に大きくしていく場合に,第一の加速度センサではfc1HzまでMEMSが機械的に動作して変位することを意味し,第二の加速度センサではfc2HzまでMEMSが機械的に動作し変位することを意味する。つまり,センサに印加される加速度の変動周波数を徐々に大きくしていく場合に,第一の加速度センサではfc1Hzまで検出電極における容量変化が起こるがfc1Hz以上の周波数で印加された加速度に対してはセンサが機械的に変位しないため容量変化が起こらないことを意味する。よってfc1Hz以上の周波数で印加された加速度に対して,第一の加速度センサから最終的に出力される加速度信号は印加された加速度とは異なる値を示し,誤出力となる。また,センサに印加される加速度の変動周波数を徐々に大きくしていく場合に,第二の加速度センサではfc2Hzまで検出電極における容量変化が起こるがfc2Hz以上の周波数で印加された加速度に対してはセンサが機械的に変位しないため容量変化が起こらないことを意味する。よってfc2Hz以上の周波数で印加された加速度に対して,第二の加速度センサから最終的に出力される加速度信号は印加された加速度とは異なる値を示し,誤出力となる。センサシステムとして誤出力せずに取り扱える加速度の周波数の範囲を応答帯域と呼び,相対的に大きな周波数の加速度を印加してもセンサが誤出力しない応答帯域を持つ加速度センサを応答帯域が広い加速度センサと呼ぶ。図5に示される半導体チップ信号処理回路302や,図6に示される半導体チップ信号処理回路402で取り扱える容量変化の周波数範囲を同じに設定する場合,本実施例1においては,式8より第二の加速度センサのカットオフ周波数fc2Hzは第一の加速度センサのカットオフ周波数fc1Hzよりも大きくなるため,第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,応答帯域が広い加速度センサであると言える。続いて,本実施例1における加速度センサの基本的な動作原理について説明する。図1に示すように,本実施例1における第一の加速度センサは,x方向に変位することができる可動部105を有している。例えば,この可動部105はx方向に加速度が印加されると,x方向に変位する。可動部105には検出用可動電極106aが形成されており,この検出用可動電極106aと相対するように検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cが形成されている。この場合,可動部105が変位すると,これに伴って検出用可動電極106aが変位する。一方,検出用固定電極106bおよび検出用固定電極106cは固定されたまま変位しない。したがって,x方向に加速度が印加されて可動部105が変位すると,検出用可動電極106aと検出用固定電極106b,あるいは,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cからなる容量素子の電極間距離が変化する。容量素子の電極間距離が変化するということは,容量素子の電気容量静電容量が変化することを意味している。このように,x方向に加速度が印加されると,x方向に可動部105が変位し,その結果,容量素子の静電容量が変化する。この容量変化は,電圧変換部で電圧信号に変換され,変換された電気信号に基づいて加速度信号が加速度センサから出力される。このことから,加速度センサに印加された加速度は,容量素子の容量変化として検出され,検出された容量変化は電圧信号に変換されて最終的に加速度信号が加速度センサから出力されることがわかる。第二のセンサについても同様に,図3に示すように,本実施例1における第二の加速度センサは,x方向に変位することができる可動部205を有している。例えば,この可動部205はx方向に加速度が印加されると,x方向に変位する。可動部205には検出用可動電極206aが形成されており,この検出用可動電極206aと相対するように検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cが形成されている。この場合,可動部205が変位すると,これに伴って検出用可動電極206aが変位する。一方,検出用固定電極206bおよび検出用固定電極206cは固定されたまま変位しない。したがって,x方向に加速度が印加されて可動部205が変位すると,検出用可動電極206aと検出用固定電極206b,あるいは,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cからなる容量素子の電極間距離が変化する。容量素子の電極間距離が変化するということは,容量素子の電気容量静電容量が変化することを意味している。このように,x方向に加速度が印加されると,x方向に可動部205が変位し,その結果,容量素子の静電容量が変化する。この容量変化は,電圧変換部で電圧信号に変換され,変換された電気信号に基づいて加速度信号が加速度センサから出力される。このことから,加速度センサに印加された加速度は,容量素子の容量変化として検出され,検出された容量変化は電圧信号に変換されて最終的に加速度信号が加速度センサから出力されることがわかる。図8は,本実施例1に係る慣性センサである加速度センサの構成を示す図である。図8に示すように,本実施例1における第一の加速度センサ500は,半導体チップ100と半導体チップ302とを有しており,半導体チップ100にMEMS構造体が形成され,半導体チップ302に信号処理回路が形成されている。まず,図8には,半導体チップ100に形成されているMEMS構造体の可動部105が図示されており,この可動部105と変調信号生成部501との間に容量検出部である容量素子C1が形成されている。この容量素子C1は,検出用可動電極106aと検出用固定電極106bから形成されている。また,可動部105と変調信号生成部501の間に容量素子C2が形成されている。この容量素子C2は,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cから構成されている。続いて,半導体チップ302に形成されている信号処理回路の構成について説明する。図8において,半導体チップ302には,変調信号搬送波を生成する変調信号生成部501が形成されている。この変調信号生成部501は,例えば,数百kHzの変調信号を生成できるように構成されている。変調信号生成部501で生成された変調信号にはバイアス電圧が印加されて検出用固定電極106bに印加されるように構成されている。また,変調信号生成部501で生成された変調信号の位相を180度変換した信号にバイアス電圧が印加されて検出用固定電極106cに印加されるように構成されている。これにより,可動部105は,数百kHzの変調信号によって振動することになる。次に,半導体チップ302には物理量算出部502が形成されている。この物理量算出部502には,容量電圧変換部1C-V変換部1,A/D変換部1,第1同期検波部1a,ローパスフィルタLPF1を有している。容量電圧変換部1は,容量素子C1の容量変化を電圧信号に変換するオペアンプより構成されている。続いて,A/D変換部1は,容量電圧変換部1から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するように構成されており,第1同期検波部1aは,搬送波によって高周波信号に変換された信号から元の低い周波数の信号を復元するように構成されている。また,ローパスフィルタLPF1は,高い周波数の信号を減衰させ,低い周波数の信号を通過させるように構成されており,ローパスフィルタLPF1を通過した信号から加速度信号520を算出するように構成されている。本実施例1における第一の加速度センサは上記のように構成されており,次に,加速度を検出する動作について説明する。まず,変調信号生成部501で生成した数百kHz搬送波周波数の変調信号を検出用固定電極106bに,変調信号生成部501で生成された変調信号の位相を180度変換した信号を検出用固定電極106cに印加する。すると,可動部105は,搬送波周波数数百kHzで振動する。この振動はとても速いので,この振動による容量素子C1および容量素子C2の容量変化はないものとみなせる。この状態で,外部から加速度が印加されると,可動部105が変位する。例えば,可動部105が図8の上側に変位する場合,容量素子C1では,検出用可動電極106aと検出用固定電極106bの間の距離が狭くなるので,容量素子C1の容量が大きくなる。一方,容量素子C2では,検出用可動電極106aと検出用固定電極106cの間の距離が大きくなるので,容量素子C2の容量が小さくなる。この容量素子C1の容量変化と,容量素子C2の容量変化は,外部から印加された加速度に対応する外力応答周波数DC~数十Hzの変化となる。ただし,今の場合,可動部105には,変調信号が印加されているので,外力応答周波数DC~数十Hzの容量変化は,搬送波周波数数百kHzに重畳される。その後,この容量素子C1での容量変化と変調信号の振幅に基づき,容量電圧変換部1にて容量変化を電圧に変換した電圧信号が出力される。この容量電圧変換部1から出力される電圧信号アナログ信号は,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳されたものとなる。次に,容量電圧変換部1から出力された電圧信号搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳された電圧信号は,A/D変換部1に入力され,A/D変換部1でデジタル信号に変換される。そして,デジタル信号に変換された電圧信号は,第1同期検波部1aに入力する。第1同期検波部1aでは,変調信号の周波数と位相を使用して同期検波を実施する。すなわち,第1同期検波部1aでは,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳された電圧信号デジタル信号から,外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が復元される。その後,復元された電圧信号をローパスフィルタLPF1に入力して,必要とする信号以外の高周波成分を減衰させる。そして,ローパスフィルタLPF1から出力された電圧信号DC~数十Hzに基づいて,加速度信号520を算出して出力する。以上のようにして,本実施例1における加速度センサにより加速度を検出することができる。このとき,上述したように,加速度センサの可動部105を数百kHzの搬送波で振動させることにより,加速度によるDC~数十Hzの静電容量変化を高周波信号に重畳し,この高周波信号に対して信号処理を施しているので,1/fノイズの影響を抑制してS/N比を向上させることができ,加速度信号の検出精度を向上させることができる。図8に示すように,本実施例1における第二の加速度センサ510は,半導体チップ200と半導体チップ402とを有しており,半導体チップ200にMEMS構造体が形成され,半導体チップ402に信号処理回路が形成されている。図8には,半導体チップ200に形成されているMEMS構造体の可動部205が図示されており,この可動部205と変調信号生成部511との間に容量検出部である容量素子C5が形成されている。この容量素子C5は,検出用可動電極206aと検出用固定電極206bから形成されている。また,可動部205と変調信号生成部511の間に容量素子C6が形成されている。この容量素子C6は,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cから構成されている。続いて,半導体チップ402に形成されている信号処理回路の構成について説明する。図8において,半導体チップ402には,変調信号搬送波を生成する変調信号生成部511が形成されている。この変調信号生成部511は,例えば,数百kHzの変調信号を生成できるように構成されている。変調信号生成部511で生成された変調信号にはバイアス電圧が印加されて検出用固定電極206bに印加されるように構成されている。また,変調信号生成部511で生成された変調信号の位相を180度変換した信号にバイアス電圧が印加されて検出用固定電極206cに印加されるように構成されている。これにより,可動部205は,数百kHzの変調信号によって振動することになる。次に,半導体チップ402には物理量算出部512が形成されている。この物理量算出部512には,容量電圧変換部2C-V変換部2,A/D変換部2,同期検波部2,ローパスフィルタLPF2を有している。容量電圧変換部2は,容量素子C5の容量変化を電圧信号に変換するオペアンプより構成されている。続いて,A/D変換部2は,容量電圧変換部2から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するように構成されており,第1同期検波部2は,搬送波によって高周波信号に変換された信号から元の低い周波数の信号を復元するように構成されている。また,ローパスフィルタLPF2は,高い周波数の信号を減衰させ,低い周波数の信号を通過させるように構成されており,ローパスフィルタLPF2を通過した信号から加速度信号を算出するように構成されている。本実施例1における第二の加速度センサは上記のように構成されており,次に,加速度を検出する動作について説明する。まず,変調信号生成部511で生成した数百kHz搬送波周波数の変調信号を検出用固定電極206bに,変調信号生成部511で生成された変調信号の位相を180度変換した信号を検出用固定電極206cに印加する。すると,可動部205は,搬送波周波数数百kHzで振動する。この振動はとても速いので,この振動による容量素子C5および容量素子C6の容量変化はないものとみなせる。この状態で,外部から加速度が印加されると,可動部205が変位する。例えば,可動部205が図8の上側に変位する場合,容量素子C5では,検出用可動電極206aと検出用固定電極206bの間の距離が狭くなるので,容量素子C5の容量が大きくなる。一方,容量素子C6では,検出用可動電極206aと検出用固定電極206cの間の距離が大きくなるので,容量素子C6の容量が小さくなる。この容量素子C5の容量変化と,容量素子C6の容量変化は,外部から印加された加速度に対応する外力応答周波数DC~数kHzの変化となる。ただし,今の場合,可動部205には,変調信号が印加されているので,外力応答周波数DC~数kHzの容量変化は,搬送波周波数数百kHzに重畳される。その後,この容量素子C5での容量変化と変調信号の振幅に基づき,容量電圧変換部2にて容量変化を電圧に変換した電圧信号が出力される。この容量電圧変換部2から出力される電圧信号アナログ信号は,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳されたものとなる。次に,容量電圧変換部2から出力された電圧信号搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳された電圧信号は,A/D変換部2に入力され,A/D変換部2でデジタル信号に変換される。そして,デジタル信号に変換された電圧信号は,同期検波部2に入力する。同期検波部2では,変調信号の周波数と位相を使用して同期検波を実施する。すなわち,同期検波部2では,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳された電圧信号デジタル信号から,外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が復元される。その後,復元された電圧信号をローパスフィルタLPF2に入力して,必要とする信号以外の高周波成分を減衰させる。そして,ローパスフィルタLPF2から出力された電圧信号DC~数kHzに基づいて,加速度信号を算出して出力する。以上のようにして,本実施例1における加速度センサにより加速度を検出することができる。上述した第一の加速度センサは,例えば,車の横滑りやスピンを抑制して安全な走行を支援する姿勢制御システムにキーデバイスとして使用される。この姿勢制御システムでは,加速度センサからの出力を元にエンジンの出力やブレーキの制動力を制御することで車の横滑りやスピンを抑制している。このことから,加速度センサの故障は事故に繋がる可能性が高く,加速度センサの故障時にはすぐに知らせる必要がある。そこで,加速度センサを動作させながら故障の有無を診断できることが,直ぐに故障を検知する観点から望ましいことになる。したがって,加速度センサには,動作させながら故障の有無を診断する機能が備わっているものがある。本実施例1における加速度センサは,動作させながら故障の有無を診断することができる加速度センサであり,以下に,加速度を検出しながら加速度センサの故障の有無を判断する常時診断機能を有する第一の加速度センサの構成について説明する。図8において,半導体チップ100に形成されているMEMS構造体の可動部105が図示されており,この可動部105と診断信号生成部503との間に強制振動生成部である容量素子C3,および容量素子C4が形成されている。この容量素子C3は,診断用可動電極108aと診断用固定電極108bから形成されている。容量素子C4は,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cから構成されている。なお,診断信号生成部503自体は公知である。続いて,半導体チップ302には,診断信号を生成する診断信号生成部503と異常判定部504が形成されている。この診断信号生成部503は,例えば,数百Hzの診断信号を生成できるように構成されている。この診断信号は,例えば,矩形波,正弦波,三角波などから構成されている。診断信号生成部503で生成された診断信号にはバイアス電圧が印加されて容量素子C3および容量素子C4に印加されるように構成されている。また,異常判定部504は,半導体チップ302に形成されている物理量算出部502を介して可動部105と接続されている。このように構成されている加速度センサにおいて,診断信号生成部503で生成した診断信号は,互いに逆相である2つの信号として,それぞれ,診断用固定電極108bと診断用固定電極108cに印加される。これにより,診断用可動電極108aと診断用固定電極108bの間と,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cとの間に静電力が働き,可動部105を強制振動させることができる。可動部105が強制振動すれば,可動部105が変位し,容量検出部を構成する容量素子C1と容量素子C2とに容量変化が生じる。この容量素子C1と容量素子C2に生じた容量変化は,容量電圧変換部1で電圧信号に変換され,電圧変換部で変換された電圧信号は,A/D変換部1と第1同期検波部1aを経由することにより,元の診断信号に復元される。この復元された診断信号は,異常判定部504に入力して処理されて異常の有無が判断される。このようにして,本実施例1における第一の加速度センサによれば,加速度センサの異常の有無が判断される。さらに,数百Hzの診断信号を可動部105に印加して強制振動しながら,外部から加速度DC~数十Hzが印加された場合,容量検出部である容量素子C1と容量素子C2には,強制振動による容量変化数百Hzと,加速度による容量変化DC~数十Hzとが加わる。この数百Hzの容量変化とDC~数十Hzの容量変化が変調信号数百kHzに重畳されることになる。その後,容量電圧変換部1で上述した容量変化が電圧信号に変換される。この電圧信号には,数百Hzの電圧信号とDC~数十Hzの電圧信号が変調信号数百kHzに重畳された電圧信号となっている。その後,A/D変換部1と,第1同期検波部1aを経由すると,数百Hzの診断信号と,DC~数十Hzの電圧信号に復元される。そして,物理量算出部502では,ローパスフィルタLPF1によって,数百Hzの診断信号を減衰させて,DC~数十Hzの電圧信号を抽出し,この電圧信号に基づいて加速度信号を算出する。一方,異常判定部504では,数百Hzの診断信号に基づいて処理を実施し異常を判断する。以上のようにして,本実施例1における加速度センサによれば,加速度を検出しながら,加速度センサの異常の有無を判断することができる。ここで,本実施例における加速度センサの特徴は,第一の加速度センサの異常の異常判定部504に第二の加速度センサの出力信号522が接続されていることである。この理由について説明する。車の横滑りやスピンを抑制するために利用される慣性センサは,走行車両に設置される。慣性センサの設置される車両内には,走行路面の凹凸や障害物を乗り越えた際に生じる振動や,車の動力源であるエンジンにより発生する振動,また,エンジンやブレーキを制御するための配管やバルブ開閉によって生じる振動が多数存在している。これらの振動や衝撃は,常に一定の大きさや周波数の振動源ではなく,また時間的にも変動するものである。特に,物体同士の衝撃により発生する振動は,時間領域での振動継続時間が短いが,周波数領域においては全ての周波数の加速度振動を含むため,発生する振動の大きさや周波数の特定が困難である。また,介護医療など分野で用いられる移動型ロボットの自己状態を認識するための内界センサとして利用される慣性センサは,移動型ロボット内部に設置される。移動型ロボットは人との接触を繰り返すことで生じる振動や,移動の際に床面の凹凸や障害物を乗り越えた際に生じる振動や,壁面にぶつかった際に生じる振動などが多数存在している。これらの振動や衝撃は,常に一定の大きさや周波数の振動源ではなく,また時間的にも変動するものである。特に,物体同士の衝撃により発生する振動は,時間領域での振動継続時間が短いが,周波数領域においては全ての周波数の加速度振動を含むため,発生する振動の大きさや周波数の特定が困難である。つまり,加速度を検出しながら,加速度センサの異常の有無を判断することができる本実施例1における加速度センサの設置される環境では,どのような大きさや周波数,どのような継続時間を持つか予測できない振動が生じているのである。これは本来,センサが計測したい加速度信号とは異なり,雑音振動である。もしも,センサが設置された環境での雑音振動が,診断信号生成部503で生成した診断信号によって可動部105を強制振動させている振動と同じ周波数で逆位相の場合,可動部105の強制振動はセンサが設置された環境での雑音振動によって相殺され,所望の強制振動振幅が得られないことになる。つまり,センサに異常はないのにセンサが異常を来たしていると異常判定部504が判断することになり,誤診断結果をセンサが出力することになる。センサが設置された環境での雑音振動は,常に一定の大きさや周波数の振動源ではなく,また時間的にも変動するものであるから,誤診断は確率的に発生するものと見なすことができる。そこで,複数回以上の診断判定を実施したうえで統計的にセンサ異常の有無を判断する方法もありうるが,この場合,診断の判定を複数回実施してから判定結果を出力することになるため,実際にセンサが故障した時間から,センサの異常判定結果を出力するまでに時間がかかることになる。したがって,複数回以上の診断判定を実施したうえで統計的にセンサの異常の有無を判断する方法は,加速度センサの故障の有無を直ぐに検知する観点からは,望ましくない。これに対し,本実施例1における第一の加速度センサのように,センサ異常の異常判定部504に第二の加速度センサの出力信号522をセンサユニットの外部制御回路,もしくは外部導線を経由して接続すると,第一の加速度センサで加速度信号を検出しながら,センサが設置された環境での雑音振動の有無を検知することができるため,異常判定部504でセンサを誤診断する可能性の有無を常に検知することができる。センサが設置された環境での雑音振動によって異常判定部504でセンサを誤診断する可能性がある場合は,異常判定部504での判定方法を変更すれば,振動雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制した高信頼の加速度センサを提供することができる。特に,本実施例では第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,応答帯域が広い加速度センサであり,また,第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,感度範囲が広い加速度センサであるため,第二の加速度センサによってセンサが設置された環境での雑音振動を検出すると,より広い周波数帯域やより広い加速度範囲の振動雑音を検出できる。よって,雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制し,さらに高信頼の加速度センサを提供することができる。続いて,図8に示す異常判定部504の詳細な構成について説明する。図8において,異常判定部504は,バンドパスフィルタBPF1a,第2同期検波部1b,バンドパスフィルタBPF1b,比較判断部を有している。バンドパスフィルタBPF1aは,第1同期検波部1aから出力される数百Hzの電圧信号以外の信号を雑音と見なして除去するように構成されている。第2同期検波部1bは,物理量算出部502の第1同期検波部1aから出力される数百Hzの診断信号とDC~数十Hzの電圧信号を含む信号から数百Hzの診断信号を抽出するように構成されている。具体的に,数百Hzの診断信号をcoswtとすると,第2同期検波部1bでは,数百Hzの診断信号coswtとDC~数十Hzの電圧信号を含む信号にcoswtを乗算するように構成されている。すると,数百Hzの診断信号は,coswt×coswt=1/2cos2wtcos0となる。つまり,数百Hzの診断信号は,診断信号の2倍の周波数cos2wt第2検波周波数の信号の信号と,DC信号cos0第1検波周波数の信号に変換される。一方,DC~数十Hzの電圧信号には,coswtが乗算されて数百Hz帯の信号となる。このように第2同期検波部1bは,数百Hzの診断信号を検波して2倍の周波数の信号とDC信号に変換するように構成されている。なお,符号523は診断信号を示す。次に,バンドパスフィルタBPF1bは,DC信号cos0とcoswtの信号を減衰させて,cos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号を通過させるように構成されている。このバンドパスフィルタBPF1bにより,数百Hzの診断信号を変換したcos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号を抽出することができる。比較判断部は,バンドパスフィルタBPF1bを通過したcos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号の振幅と,振幅基準値とを比較するように構成されている。比較判断部の比較結果に基づいて,加速度センサの異常の有無を判定信号521として出力するように構成されている。本実施例1における加速度センサは上記のように構成されており,加速度を検出しながら異常の有無を診断する動作について,説明する。図8において,診断信号生成部503で生成した診断信号は,互いに逆相である2つの信号として,それぞれ,診断用固定電極108bと診断用固定電極108cに印加される。これにより,診断用可動電極108aと診断用固定電極108bの間と,診断用可動電極108aと診断用固定電極108cとの間に静電力が働き,可動部105を強制振動させることができる。可動部105が強制振動すれば,可動部105が変位することになる。可動部105が変位すると,容量検出部を構成する容量素子C1と容量素子C2とに容量変化が生じる。この状態で,外部から加速度DC~数十Hzが印加された場合,容量検出部である容量素子C1と容量素子C2には,強制振動による容量変化数百Hzと,加速度による容量変化DC~数十Hzとが加わる。この数百Hzの容量変化とDC~数十Hzの容量変化が変調信号数百kHzに重畳されることになる。その後,容量電圧変換部1で上述した容量変化が電圧信号に変換される。この電圧信号には,数百Hzの電圧信号とDC~数十Hzの電圧信号が変調信号数百kHzに重畳された電圧信号となっている。その後,A/D変換部1と,第1同期検波部1aを経由すると,数百Hzの診断信号と,DC~数十Hzの電圧信号に復元される。そして,物理量算出部502では,ローパスフィルタLPF1によって,数百Hzの診断信号を減衰させて,DC~数十Hzの電圧信号を抽出し,この電圧信号に基づいて加速度信号を算出する。一方,第1同期検波部1aから出力された数百Hzの診断信号とDC~数十Hzの電圧信号を含む信号は,バンドパスフィルタBPF1aによって第1同期検波部1aから出力される数百Hzの電圧信号以外の信号を除去した後に,第2同期検波部1bに入力される。この第2同期検波部1bにおいて,数百Hzの診断信号は,診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号と,DC信号cos0に変換される。一方,DC~数十Hzの電圧信号には,coswtが乗算されて数百Hz帯の信号となる。続いて,第2同期検波部1bから出力された信号は,バンドパスフィルタBPF1bに入力され,DC信号cos0の信号とDC~数十Hzの電圧信号にcoswtが乗算された数百Hz帯の信号が減衰され,診断信号に対応した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号が通過する。その後,比較判断部では,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅と,振幅基準値とを比較し,加速度センサの異常の有無を判断する。このようにして,本実施例1における加速度センサによれば,加速度を検出しながら,加速度センサの異常の有無を判断することができる。したがって,本実施例1における加速度センサによれば,直ぐに故障を検知することができる。具体的に,比較判断部の異常の有無は例えば,以下のように判断することができる。比較判断部に,例えば,所定の振幅基準値を設定し,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅と比較する。例えば,診断信号生成部503で生成した診断信号が可動部105に印加されているにもかかわらず,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅がほぼ0である場合は,可動部105が固着しているとして故障と判断できる。一方,梁104が破損するなどで可動部105の固有振動数が低下し,印加された加速度に対して可動部105が過剰に変位する感度スケール異常の場合は,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅が振幅基準値よりも大きくなるため,異常と判断することができる。また,本実施例における加速度センサでは,図8に示すように,スイッチSW1によって診断信号生成部503で生成した診断信号をオン/オフすることができる。これにより,以下に示す効果が得られる。例えば,本実施例1における加速度センサを設置している環境が,診断信号生成部503で生成した診断信号と同じ周波数帯の振動外乱を有している場合が想定される。この場合,スイッチSW1を設けていない場合には,可動部105の強制振動が診断信号によるものであるのか,あるいは,振動外乱によるものであるのか判断がつかず誤診断する可能性がある。これに対し,本実施例1における加速度センサではスイッチSW1を設けている。このため,このスイッチSW1を周期的にオン/オフし,サンプルホールドなどの方法により平均化や,スイッチSW1のオン時の出力バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅とスイッチSW1のオフ時の出力バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅の差分値を使用して故障を判断するなどの統計的なデータ処理を実施することで,背景の振動外乱の影響を排除することができる。つまり,診断信号生成部503で生成した診断信号と同じ周波数帯の振動外乱によって可動部105が振動している場合は,スイッチSW1のオン/オフにかかわらず,バンドパスフィルタBPF1bから所定の出力信号が出力される。一方,診断信号生成部503で生成する診断信号を可動部105に印加する場合,スイッチSW1をオンにすると,バンドパスフィルタBPF1bから所定の出力信号が出力されるが,スイッチSW1をオフにすると,バンドパスフィルタBPF1bからの出力は0となる。したがって,例えば,スイッチSW1のオン時の出力とスイッチSW1のオフ時の出力の差分値をとれば,可動部105の強制振動が診断信号によるものであるのか,あるいは,振動外乱によるものであるのかを区別することができる。これにより,診断信号と同じ周波数帯の振動外乱が存在する場合でも,誤診断の可能性を抑制することができる。さらに,本実施例における加速度センサでは,図8に示すように,第一の加速度センサの異常の異常判定部504に第二の加速度センサの出力信号522がセンサユニットの外部制御回路,もしくは外部導線を経由して接続されている。よって,第一の加速度センサで加速度信号を検出しながら,センサが設置された環境での雑音振動の有無を検知することができるため,診断信号と同じ周波数帯の振動外乱が診断一周期以下の時間だけ存在する場合に生じる異常判定部504でセンサを誤診断する可能性の有無を,常に検知することができる。センサが設置された環境での雑音振動によって異常判定部504でセンサを誤診断する可能性がある場合は,異常判定部504での判定方法を変更すれば,振動雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制した高信頼の加速度センサを提供することができる。具体的には,図9に示すように比較判断部の判定方法を定める。第二の加速センサの出力信号522があらかじめ定めた電圧値以上の場合は,センサが設置された環境での雑音振動が存在するということであり,つまり比較判断部は誤診断を行う可能性が高いということであるから,判定信号521に異常判定信号を出力せずに,再比較判断を行う工程へ戻る。第二の加速センサの出力信号522があらかじめ定めた電圧値より小さい場合は,通常の比較判断処理を行い,センサ異常の有無を判定する。尚,本実施例1では第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,応答帯域が広い加速度センサであり,また,第一の加速度センサより第二の加速度センサの方が,感度範囲が広い加速度センサであるため,第二の加速度センサによってセンサが設置された環境での雑音振動を検出すると,より広い周波数帯域やより広い加速度範囲の振動雑音を検出できる。よって,雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制し,さらに高信頼の加速度センサを提供することができる。以上述べたように,本実施例によれば,第二のセンサを備えることにより誤診断を抑制できる慣性センサを提供することができる。また,第二のセンサの感度範囲を広くすることにより,より広い周波数帯域やより広い加速度範囲の振動雑音を検出できる。第2の実施例におけるMEMS慣性センサ静電容量式センサについて図面を参照しながら説明する。本実施例では,第一の慣性センサが加速度センサ,第二の慣性センサが角速度センサであるようなMEMS慣性センサを例に挙げて説明する。図10は,半導体チップ700に形成された第一の慣性センサである加速度センサを構成する構造体を示す平面図である。図10に示すように,半導体チップ700には,枠部701が形成されており,この枠部701に囲まれるように空洞部702が形成されている。空洞部702の内部には,固定部703が設けられており,この固定部703には,梁弾性変形部704が接続されている。そして,梁704は,加速度センサの錘となる可動部705と接続されている。つまり,固定部703と可動部705は弾性変形可能な梁704で接続されており,可動部705は,図10のx方向に変位できるようになっている。可動部705には,可動部705と一体に形成された検出用可動電極706aが形成されており,この検出用可動電極706aと対向するように,検出用固定電極706bおよび検出用固定電極706cが形成されている。この検出用可動電極706aと検出用固定電極706b,あるいは,検出用可動電極706aと検出用固定電極706cは,それぞれ容量素子を形成しており,外部から印加された加速度によって可動部705がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,検出用可動電極706aと検出用固定電極706b,あるいは,検出用可動電極706aと検出用固定電極706cから構成される容量素子は,可動部705のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また,可動部705には,可動部705と一体に形成された診断用可動電極708aが形成されており,この診断用可動電極708aと対向するように,診断用固定電極708bおよび診断用固定電極708cが形成されている。診断用可動電極708aと診断用固定電極708b,あるいは,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cは,それぞれ容量素子を形成している。この容量素子を形成している診断用可動電極708aと診断用固定電極708b,および,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cの間に周期的な診断信号を印加すると,診断用可動電極708aと診断用固定電極708bの間,および,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cの間に静電気力が働き,診断用可動電極708aが振動するようになっている。この診断用可動電極708aがx方向に振動すると,診断用可動電極708aと一体的に形成されている可動部705も振動することになる。つまり,診断用可動電極708aと診断用固定電極708b,あるいは,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cから構成される容量素子は,可動部705をx方向に強制振動させる強制振動生成部として機能する。このように構成された加速度センサの構造体は,シリコンなどの半導体材料から構成されている。したがって,互いに梁704を介して接続されている固定部703と可動部705とは電気的に接続されており,可動部705に印加される電位は,固定部703に形成されている貫通電極707から供給されるように構成されている。一方,検出用固定電極706bおよび検出用固定電極706cにも,それぞれ貫通電極706dおよび貫通電極706eが形成されており,可動部705がx方向に変位することで生じる容量変化により,検出用固定電極706bや検出用固定電極706cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。また,診断用固定電極708bおよび診断用固定電極708cにも,それぞれ貫通電極708dおよび貫通電極708eが形成されており,貫通電極708dや貫通電極708eから,診断用固定電極708bや診断用固定電極708cに診断信号を印加できるようになっている。同時に,図10に示すように,半導体チップ700には第二の慣性センサである角速度センサも形成されている。以下に,まず角速度センサの構成を説明する。第一の慣性センサである加速度センサの枠部701と共通の枠部に囲まれるように空洞部722が形成され,その空洞部722の内部には,固定部723が設けられており,この固定部723には,梁弾性変形部724が接続されている。そして,梁724は,角速度センサの錘となる2つの励振素子である可動部725,726と接続されている。つまり,2つの励振素子である可動部725,726と固定部723は弾性変形可能な梁724で接続されており,励振素子である可動部725,726は,図10のx方向にそれぞれ変位できるようになっている。また,励振素子である可動部725,726は互いの振動エネルギーを共有する音叉振動系をなすため,リンク梁727で接続されている。励振素子である可動部725,726には,可動部725と一体に形成された駆動用可動電極728aが形成されており,この駆動用可動電極728aと対向するように,駆動用固定電極728bおよび駆動用固定電極728cが形成されている。互いに対抗することで容量素子を形成している駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bの間にVcomVbVdで表される周期的な駆動信号を印加し,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間にVcomVb-Vdで表される周期的な駆動信号を印加し,励振素子である可動部725,726には共通の貫通電極731を介してVcomを印加することで,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b,および,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間に静電気力が働き,駆動用可動電極728aが振動するようになっている。この駆動用可動電極728aがx方向に振動すると,駆動用可動電極728aと一体的に形成されている励振素子である可動部725,726が逆相振動することになる。つまり,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b,あるいは,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cから構成される容量素子は,励振素子である可動部725,726をx方向に逆相に強制振動させる強制振動生成部として機能する。また,励振素子である可動部725,726には,可動部725,726と一体に形成された駆動振幅モニタ用可動電極729aが形成されており,この駆動振幅モニタ用可動電極729aと対向するように,駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび駆動振幅モニタ用固定電極729cが形成されている。この駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729b,あるいは,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cは,それぞれ容量素子を形成しており,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b,および,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間に働く静電気力によって励振素子である可動部725,726がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729b,あるいは,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cから構成される容量素子は,励振素子である可動部725,726のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。また,励振素子である可動部725,726を接続するリンク梁727には,リンク梁727と一体に形成された加速度モニタ用可動電極730aが形成されており,この加速度モニタ用可動電極730aと対向するように,加速度モニタ用固定電極730bおよび加速度モニタ用固定電極730cが形成されている。この加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730b,あるいは,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730cは,それぞれ容量素子を形成しており,外部から印加された加速度によって可動部725,726およびリンク梁727がx方向に変位すると,上述した容量素子の容量が変化するようになっている。つまり,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730b,あるいは,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730cから構成される容量素子は,可動部725,726およびリンク梁727のx方向の変位を容量変化として検出する容量検出部として機能する。このように半導体チップ700の上に一体化形成された加速度センサ,および,角速度センサの構造体は,シリコンなどの半導体材料から構成されている。したがって,加速度センサ構造については,互いに梁704を介して接続されている固定部703と可動部705とは電気的に接続されており,可動部705に印加される電位は,固定部703に形成されておりシリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極707から供給されるように構成されている。一方,検出用固定電極706bおよび検出用固定電極706cにも,それぞれ貫通電極706dおよび貫通電極706eが形成されており,可動部705がx方向に変位することで生じる容量変化により,検出用固定電極706bや検出用固定電極706cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。同様に,角速度センサ構造についても,互いに梁724を介して接続されている固定部723と励振素子である可動部725,726とは電気的に接続されており,可動部725,726に印加される電位は,固定部723に形成されておりシリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極731から供給されるように構成されている。また,駆動用固定電極728bにも,シリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極728dが形成されており,容量素子を形成している駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bの間にVcomVbVdで表される周期的な駆動信号を印加できるように構成されている。また,駆動用固定電極728cにも,シリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極728eが形成されており,容量素子を形成している駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間にVcomVb-Vdで表される周期的な駆動信号を印加できるように構成されている。また,駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび駆動振幅モニタ用固定電極729cにも,それぞれシリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極729dおよび貫通電極729eが形成されており,励振素子である可動部725,726がx方向に変位することで生じる容量変化により,駆動振幅モニタ用固定電極729bや駆動振幅モニタ用固定電極729cに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。また,加速度モニタ用固定電極730bにも,シリコンなどの半導体材料の裏面配線と接続されている貫通電極730dが形成されており,可動部725,726およびリンク梁727のx方向に変位することで生じる容量変化により,加速度モニタ用固定電極730bに電荷が流入あるいは流出できるように構成されている。図11は,図10のC-C’線で切断した断面図である。図11に示すように,半導体チップ700は,支持基板層710上に絶縁酸化膜層711が形成され,この絶縁酸化膜層711上に形成されたシリコン活性層712を有している。つまり,本実施例2で,第一の慣性センサである加速度センサを構成する半導体チップ700はSOI基板から構成されている。そして,図11に示されている枠部701,固定部703,可動部705と一体的に形成された検出用可動電極706a,検出用固定電極706b,および,検出用固定電極706cと,図11に示されていない梁704,診断用可動電極708a,診断用固定電極708b,および,診断用固定電極708cは,SOI基板のシリコン活性層を加工して形成されている。例えば,図11において,枠部701と固定部703は絶縁酸化膜層711上に形成されており固定されていることがわかる。一方,例えば,可動部705と一体的に形成された検出用可動電極706aもシリコン活性層から形成されているが,可動部705の下層に形成されている絶縁酸化膜層711は除去されている。同様に,図11に示されていない梁704の下層に形成されている絶縁酸化膜層も除去されている。したがって,可動部705は,空洞部の中に配置され,かつ,梁704によって支持されていることになる。このことから,可動部705は支持基板層710に対して完全に固定されてはおらず,変位可能に形成されている。また,固定部703に形成された貫通電極707は,支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712を貫通するように構成され,支持基板層710の裏側に形成されたパッド715と接続されている。支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712と,貫通電極材料713との間には,互いを電気的に絶縁するための絶縁材料714が形成されており,かつ,SOI基板を構成するシリコン活性層712は導電性の材料であるため,固定部703に接続されている可動体705の電位は,貫通電極707を介して接続されているパッド715と同電位となる。尚,図10には示されているが図11に示されていない全ての貫通電極706d,706e,708d,708eは,貫通電極707と同様に支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712を貫通するように構成され,支持基板層710の裏側に形成された互いに電気的に絶縁されたパッドに接続している。図12は,図10のD-D’線で切断した断面図である。尚,本実施例2で,第二の慣性センサである角速度センサを構成する半導体チップ700は,図11に示した第一の慣性センサである加速度センサの構成されるSOISiliconOnInsulator基板と一体化したSOI基板から構成されている。図12に示されている枠部701,固定部723,梁724,励振素子である可動部725,726,リンク梁と一体的に形成された加速度モニタ用可動電極730a,加速度モニタ用固定電極730b,および図12に示されていないリンク梁727,駆動用可動電極728a,駆動用固定電極728bおよび728c,駆動振幅モニタ用可動電極729a,駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび729cは,SOI基板のシリコン活性層を加工して形成されている。したがって,励振素子である可動部725,726は,空洞部の中に配置され,かつ,梁724によって支持されていることになる。このことから,可動部725,726は支持基板層710に対して完全に固定されてはおらず,変位可能に形成されている。また,固定部723に形成された貫通電極731は,支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712を貫通するように構成され,支持基板層710の裏側に形成されたパッド716と接続されている。支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712と,貫通電極材料713との間には,互いを電気的に絶縁するための絶縁材料714が形成されており,かつ,SOI基板を構成するシリコン活性層712は導電性の材料であるため,固定部723に接続されている励振素子である可動部725,726やリンク梁727の電位は,貫通電極731を介して接続されているパッド716と同電位となる。尚,図10には示されているが図12に示されていない全ての貫通電極728d,728e,729d,729e,730d,730eは,貫通電極731と同様に支持基板層710上と絶縁酸化膜層711とシリコン活性層712を貫通するように構成され,支持基板層710の裏側に形成された互いに電気的に絶縁されたパッドに接続している。本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサ,および第二の慣性センサである角速度センサは,例えば,SOI基板をフォトリソグラフィ技術とDRIEDeepReactiveIonEtchingを用いて加工することで形成する場合を想定している。もちろん,本実施例2では,SOI基板を使用して加速度センサ,および角速度センサを製造する例を説明しているだけであって,本実施例2における概念は,ガラスシリコンガラスの接合技術などを使用して,シリコン基板の表面と裏面の両方を加工することで加速度センサMEMS構造体を形成するバルクMEMSプロセス場合にも適用することができる。さらに,予めトランジスタなどの信号処理回路が形成されているシリコン基板の表面に薄膜を堆積し,堆積した薄膜をパターニングすることを繰り返すことで加速度センサMEMS構造体を形成する表面MEMSプロセス場合にも適用することができる。本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサMEMS構造体,および第二の慣性センサである角速度センサMEMS構造体を形成した半導体チップ700は上記のように構成されており,以下に,この半導体チップ700を実装する構成例について説明する。本実施例2では,加速度センサMEMS構造体および角速度センサMEMS構造体と,この加速度センサおよび角速度センサからの出力信号を信号処理するLSIとを別々の半導体チップに形成する例について説明するが,これに限らず,加速度センサおよび角速度センサを構成するMEMS構造体と,信号処理回路を構成するトランジスタとを同一の半導体チップに形成する場合にも適用することができる。図13は,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサ,および第二の慣性センサである角速度センサの実装構成例を示す断面図である。図13に示すように,凹部を有する外枠体800の底部には,接着剤801を介して半導体チップ802が搭載されている。外枠体800は,例えば,セラミックから構成されている。半導体チップ802には,通常の半導体製造技術により,トランジスタや受動素子からなる集積回路が形成されている。この半導体チップ802に形成されている集積回路は,加速度センサおよび角速度センサMEMS構造体からの出力信号を信号処理する機能を有しており,最終的に加速度信号および角速度信号を出力する回路である。この半導体チップ802上には,接着剤803を介し,キャップ809で半導体チップ700に形成された加速度センサ,および角速度センサを覆い,外部の雰囲気から密閉保護したMEMSチップ810が搭載されている。キャップ809は,たとえば,ガラス基板から形成されており,SOI基板から形成される半導体チップ700と陽極接合によって接合されている。キャップ809は,加速度センサ,および角速度センサを構成するMEMS構造体の可動部分が動作できるように空間を備えたものである。また,キャップ809に形成された溝もしくは突起によって,キャップ809と半導体チップ700によって形成される加速度センサを構成するMEMS構造体が設置される空間と,キャップ809と半導体チップ700によって形成される角速度センサを構成するMEMS構造体が設置される空間は,分離されている。つまり,加速度センサを構成するMEMS構造体が設置される空間と,角速度センサを構成するMEMS構造体が設置される空間とは,異なる圧力となる。また,MEMS構造体の動作する空間の経時的な圧力変化を抑制する目的で,キャップ809と半導体チップ700によって形成されるMEMS構造体が設置される空間内には,ガス吸収剤もしくはガス発生剤を設置しても良い。この半導体チップ700は,図10で説明した第一の慣性センサである加速度センサ,および第二の慣性センサである角速度センサを構成するMEMS構造体が形成されている半導体チップである。この半導体チップ700に形成されているパッドと,半導体チップ802に形成されているパッド804は,例えば,ワイヤ805aで接続されている。さらに,半導体チップ802に形成されているパッド804は,外枠体800に形成されている端子806とワイヤ805bで接続され,外枠体の外部につながる端子807へと電気的に接続されている。そして,外枠体800内に積層して配置された半導体チップ700と半導体チップ802は,外枠体800の上部をリッド808で封止することにより密閉される。このようにして,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサ,および第二の慣性センサである角速度センサが実装構成されている。図13示す加速度センサおよび角速度センサを備えた慣性センサによれば,半導体チップ700で検出した信号を半導体チップ802に入力することができる。その後,半導体チップ802に入力された信号は,半導体チップ802内に形成されている集積回路で信号処理され,最終的に加速度に対応した加速度信号および角速度信号が出力される。半導体チップ802から出力された加速度信号は,ワイヤ805a,およびワイヤ805bを介して外枠体800に形成された端子807に出力され,外部へと取り出すことが可能になっている。続いて,本実施例2における加速度センサと角速度センサの基本的な動作原理について説明する。図10に示すように,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサは,x方向に変位することができる可動部705を有している。例えば,この可動部705はx方向に加速度が印加されると,x方向に変位する。可動部705が変位すると,検出用可動電極706aと検出用固定電極706b,あるいは,検出用可動電極706aと検出用固定電極706cからなる容量素子の電極間距離が変化し,その結果,容量素子の静電容量が変化する。この容量変化は,電圧変換部で電圧信号に変換され,変換された電気信号に基づいて加速度信号が加速度センサから出力される。また,図10に示すように,本実施例2における第二の慣性センサである角速度センサは,x方向に変位することができる励振素子である可動部725,726と,可動部725,726を接続するリンク梁727を有している。励振素子である可動部725,726は,駆動用電極対728aと728b,および駆動用電極対728aと728cを有している。互いに対抗することで容量素子を形成している駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bの間にVcomVbVdで表される周期的な駆動信号を印加し,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間にVcomVb-Vdで表される周期的な駆動信号を印加し,励振素子である可動部725,726には共通の貫通電極731を介してVcomを印加することで,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728b,および,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cの間に静電気力が働き,駆動用可動電極728aが周期的に振動する。つまり,駆動用可動電極728aと一体的に形成された励振素子である可動部725,726も互いに逆相に周期的に振動する。尚,励振素子である可動部725,726と一体的に形成された駆動振幅モニタ用可動電極729aと,この駆動振幅モニタ用可動電極729aと対向するように形成された駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび駆動振幅モニタ用固定電極729cとによって形成された容量素子の変化量を検出することで,励振素子である可動部725,726の周期的振動の振幅と角振動数を検出することができる。これによって,角速度センサの動作中は,可動部725,726の周期的な振動は常に一定の振幅を保つように半導体チップ802の演算回路内で制御されている。また,角速度センサの動作中は,可動部725,726の周期的な振動は常に一定の角振動数を保つように半導体チップ802の演算回路内で制御されている。尚,半導体チップ700に対して印加されるz軸を回転軸とした角速度の大きさをΩdeg/s,励振素子である可動部725,726の質量をmkg,可動部の周期的な振動の角周波数をωxrad/s,可動部の周期的な振動の振幅をXmとすると,時刻tsにおける半導体チップ700に形成された角速度センサに働くコリオリ力Fcは,以下に示す式10で表される。角速度センサでは式10に従って発生するコリオリ力Fcを演算によって算出しているため,励振素子の質量mは変化しないことを考慮すると,周期的な振動の角周波数ωxと,振動振幅Xが大きいほうが,同じ角速度Ωが印加された場合に得られるコリオリ力Fcが大きくなる。よって,励振素子の強制振動の角周波数は高く,なおかつ強制振動の振幅を大きく設定することが望ましいため,この強制振動の角周波数は励振素子の共振現象を利用し,Q値機械品質係数を利用した共振振幅を利用する場合が多い。但し,励振素子の固有振動数を高く設定すると変位x方向の剛性定数も高くなるため,所望の振幅を得るために駆動用電極対に印加する駆動電圧が高くなる。よって,エネルギー消費と,大きなコリオリ力Fcを得るという2つの観点を考慮し,励振素子の共振現象を利用した強制振動の周波数角周波数に2πを乗算したものは3kHzから20kHzに設定する場合が多い。つまり,角速度センサの励振素子の固有振動数は3kHzから20kHzに設定される場合が多いということである。実施例2における第一の慣性センサである加速度センサと第二の慣性センサである角速度センサの機械的な周波数応答をグラフに示すと,例えば図14のように表せる。これは,センサに印加される加速度の変動周波数を徐々に大きくしていく場合に,第一のセンサではfc1HzまでMEMSが機械的に動作して変位することを意味し,第二のセンサではfc2HzまでMEMSが機械的に動作し変位することを意味する。つまり,本実施例2においては,第一の慣性センサである加速度センサより第二の慣性センサである角速度センサの方が,応答帯域が広い加速度センサであると言える。図15は,本実施例1における加速度センサの構成を示す図である。図15に示すように,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサと第二の慣性センサである角速度センサは,半導体チップ700と半導体チップ802とを有しており,半導体チップ700にMEMS構造体が形成され,半導体チップ802に信号処理回路が形成されている。まず,第一の慣性センサである加速度センサの信号処理回路の構成と動作について説明する。図15には,半導体チップ700に形成されている加速度センサのMEMS構造体の可動部705が図示されており,この可動部705と変調信号生成部901との間に容量検出部である容量素子C1が形成されている。この容量素子C1は,検出用可動電極706aと検出用固定電極706bから形成されている。また,可動部705と変調信号生成部の間に容量素子C2が形成されている。この容量素子C2は,検出用可動電極706aと検出用固定電極706cから構成されている。続いて,半導体チップ802に形成されている信号処理回路の構成について説明する。図15において,半導体チップ802には,変調信号搬送波を生成する変調信号生成部901が形成されている。この変調信号生成部901は,例えば,数百kHzの変調信号を生成できるように構成されている。変調信号生成部901で生成された変調信号にはバイアス電圧が印加されて検出用固定電極706bに印加されるように構成されている。また,変調信号生成部901で生成された変調信号の位相を180度変換した信号にバイアス電圧が印加されて検出用固定電極706cに印加されるように構成されている。これにより,可動部705は,数百kHzの変調信号によって振動することになる。次に,半導体チップ802には物理量算出部902が形成されている。この物理量算出部902には,容量電圧変換部1C-V変換部1,A/D変換部1,第1同期検波部1a,ローパスフィルタLPF1を有している。容量電圧変換部1は,容量素子C1の容量変化を電圧信号に変換するオペアンプより構成されている。続いて,A/D変換部1は,容量電圧変換部1から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するように構成されており,第1同期検波部1aは,搬送波によって高周波信号に変換された信号から元の低い周波数の信号を復元するように構成されている。また,ローパスフィルタLPF1は,高い周波数の信号を減衰させ,低い周波数の信号を通過させるように構成されており,ローパスフィルタLPF1を通過した信号から加速度信号を算出するように構成されている。次に,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサで,加速度を検出する動作について説明する。まず,変調信号生成部901で生成した数百kHz搬送波周波数の変調信号を検出用固定電極706bに,変調信号生成部901で生成された変調信号の位相を180度変換した信号を検出用固定電極706cに印加する。すると,可動部705は,搬送波周波数数百kHzで振動する。この振動はとても速いので,この振動による容量素子C1および容量素子C2の容量変化はないものとみなせる。この状態で,外部から加速度が印加されると,可動部705が変位する。例えば,可動部705が図15の上側に変位する場合,容量素子C1では,検出用可動電極706aと検出用固定電極706bの間の距離が狭くなるので,容量素子C1の容量が大きくなる。一方,容量素子C2では,検出用可動電極706aと検出用固定電極706cの間の距離が大きくなるので,容量素子C2の容量が小さくなる。この容量素子C1の容量変化と,容量素子C2の容量変化は,外部から印加された加速度に対応する外力応答周波数DC~数十Hzの変化となる。ただし,今の場合,可動部705には,変調信号が印加されているので,外力応答周波数DC~数十Hzの容量変化は,搬送波周波数数百kHzに重畳される。その後,この容量素子C1での容量変化と変調信号の振幅に基づき,容量電圧変換部1にて容量変化を電圧に変換した電圧信号が出力される。この容量電圧変換部1から出力される電圧信号アナログ信号は,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳されたものとなる。次に,容量電圧変換部1から出力された電圧信号搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳された電圧信号は,A/D変換部1に入力され,A/D変換部1でデジタル信号に変換される。そして,デジタル信号に変換された電圧信号は,第1同期検波部1aに入力する。第1同期検波部1aでは,変調信号の周波数と位相を使用して同期検波を実施する。すなわち,第1同期検波部1aでは,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が重畳された電圧信号デジタル信号から,外力応答周波数DC~数十Hzの電圧信号が復元される。その後,復元された電圧信号をローパスフィルタLPF1に入力して,必要とする信号以外の高周波成分を減衰させる。そして,ローパスフィルタLPF1から出力された電圧信号DC~数十Hzに基づいて,加速度信号906を算出して出力する。以上のようにして,本実施例1における加速度センサにより加速度を検出することができる。次に,実施例2において第二の慣性センサである角速度センサの信号処理回路の構成と動作について,本実施例に関連する箇所のみを抜粋して説明する。図15には,半導体チップ700に形成されている角速度センサのMEMS構造体の可動部725と726が図示されている。可動部725と駆動信号生成部910との間に駆動部である容量素子C6が形成されている。この容量素子C6は,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bから形成されている。可動部725と駆動信号生成部910の間に容量素子C7が形成されている。この容量素子C7は,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cから構成されている。また,可動部726と駆動信号生成部910との間に駆動部である容量素子C6’が形成されている。この容量素子C6’は,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728bから形成されている。可動部726と駆動信号生成部910の間に容量素子C7’が形成されている。この容量素子C7’は,駆動用可動電極728aと駆動用固定電極728cから構成されている。また,可動部725と演算部912との間に容量検出部である容量素子C8が形成されている。この容量素子C8は,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729bから形成されている。可動部725と演算部の間に容量素子C9が形成されている。この容量素子C9は,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cから構成されている。また,可動部726と演算部912との間に容量検出部である容量素子C8’が形成されている。この容量素子C8’は,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729bから形成されている。可動部726と演算部の間に容量素子C9’が形成されている。この容量素子C9’は,駆動振幅モニタ用可動電極729aと駆動振幅モニタ用固定電極729cから構成されている。また,可動部725と可動部726を接続するリンク梁727と物理量算出部913との間に容量検出部である容量素子C10が形成されている。この容量素子C10は,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730bから構成されている。また,リンク梁727と物理量算出部913の間に容量素子C11が形成されている。この容量素子C11は,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730cから構成されている。続いて,半導体チップ802に形成されている信号処理回路の構成について説明する。図15において,半導体チップ802には,駆動信号を生成する駆動信号生成部910が形成されている。この駆動信号生成部910は,例えば,数十kHzの駆動信号を生成できるように構成されている。駆動信号生成部910で生成された駆動信号にはバイアス電圧が印加されて駆動用固定電極728cに印加されるように構成されている。また,駆動信号生成部910で生成された駆動信号の位相を180度変換した信号にバイアス電圧が印加されて駆動用固定電極728bに印加されるように構成されている。これにより,励振素子である可動部725,726は,数十kHzの駆動信号によって逆相に振動することになる。次に,半導体チップ802には,変調信号搬送波を生成する変調信号生成部911が形成されている。この変調信号生成部911は,例えば,数百kHzの変調信号を生成できるように構成されている。変調信号生成部911で生成された変調信号にはバイアス電圧が印加されて励振素子である可動部725,726,リンク梁727に印加されるように構成されている。これにより,可動部725,726,リンク梁727は,数百kHzの変調信号によって振動することになる。次に,半導体チップ802には演算部912が形成されている。この演算部912は駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび729cに接続され,励振素子である可動部725,726の強制振動振幅に対応する容量変化を検出するように構成されている。この演算部912では,駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび729cより得られる可動部726の強制振動振幅に対応する容量変化を元に,可動部725,726の周期的な振動の振幅を常に一定に保つよう制御している。また,この演算部912では,駆動振幅モニタ用固定電極729bおよび729cより得られる可動部726の強制振動振幅に対応する容量変化を元に,可動部725,726の周期的な振動の角振動数を常に一定に保つように制御している。符号914は角速度信号である。また,半導体チップ802には物理量算出部913が形成されている。この物理量算出部913は加速度モニタ用固定電極730bおよび730cに接続され,励振素子である可動部725,726が外部から加速度を印加されてx方向に変位したときの加速度に対応して生じる容量変化を検出するように構成されている。この物理量算出部913には,容量電圧変換部2C-V変換部2,A/D変換部2,同期検波部2を有している。容量電圧変換部2は,容量素子C10とC11の容量変化を電圧信号に変換するオペアンプより構成されている。続いて,A/D変換部2は,容量電圧変換部2から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するように構成されており,同期検波部2は,搬送波によって高周波信号に変換された信号から元の低い周波数の信号を復元するように構成されている。次に,実施例2における第二の慣性センサである角速度センサによって,加速度を検出する動作について説明する。まず,変調信号生成部911で生成した数百kHz搬送波周波数の変調信号を励振素子である可動部725,726,およびリンク梁727に印加する。すると,励振素子である可動部725,726,およびリンク梁727は,搬送波周波数数百kHzで振動する。この状態で,外部から半導体チップ700に加速度が印加されると,可動部励振素子である可動部725,726,およびリンク梁727が,一体となって変位する。このとき,例えば,可動部725,726,およびリンク梁727が図15の左側に変位する場合,容量素子C10では,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730bの間の距離が狭くなるので,容量素子C10の容量が大きくなる。一方,容量素子C11では,加速度モニタ用可動電極730aと加速度モニタ用固定電極730cの間の距離が大きくなるので,容量素子C11の容量が小さくなる。この容量素子C10の容量変化と,容量素子C11の容量変化は,外部から印加された加速度に対応する変化となり,搬送波周波数数百kHzに重畳される。その後,この容量素子C10と容量素子C11での容量変化と変調信号の振幅に基づき,容量電圧変換部2にて容量変化を電圧に変換した電圧信号が出力される。この容量電圧変換部2から出力される電圧信号アナログ信号は,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳されたものとなる。次に,容量電圧変換部2から出力された電圧信号搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳された電圧信号は,A/D変換部2に入力され,A/D変換部2でデジタル信号に変換される。そして,デジタル信号に変換された電圧信号は,同期検波部2に入力する。同期検波部2では,変調信号の周波数と位相を使用して同期検波を実施する。すなわち,同期検波部2では,搬送波周波数数百kHzに外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が重畳された電圧信号デジタル信号から,外力応答周波数DC~数kHzの電圧信号が復元される。その後,復元された電圧信号に基づいて,加速度信号915を算出して,第一の慣性センサである加速度センサの比較判断部に接続する。上述した第一の慣性センサである加速度センサは,例えば,車の横滑りやスピンを抑制して安全な走行を支援する姿勢制御システムにキーデバイスとして使用される。この姿勢制御システムでは,加速度センサからの出力を元にエンジンの出力やブレーキの制動力を制御することで車の横滑りやスピンを抑制している。このことから,加速度センサの故障は事故に繋がる可能性が高く,加速度センサの故障時にはすぐに知らせる必要がある。そこで,加速度センサを動作させながら故障の有無を診断できることが,直ぐに故障を検知する観点から望ましいことになる。したがって,加速度センサには,動作させながら故障の有無を診断する機能が備わっているものがある。本実施例2における加速度センサは,動作させながら故障の有無を診断することができる加速度センサであり,以下に,加速度を検出しながら加速度センサの故障の有無を判断する常時診断機能を有する第一の慣性センサである加速度センサの構成について説明する。図15において,半導体チップ700に形成されている第一の慣性センサである加速度センサのMEMS構造体の可動部705が図示されており,この可動部705と診断信号生成部903との間に強制振動生成部である容量素子C3,および容量素子C4が形成されている。この容量素子C3は,診断用可動電極708aと診断用固定電極708bから形成されている。容量素子C4は,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cから構成されている。なお,診断信号生成部自体は公知である。続いて,半導体チップ802には,診断信号を生成する診断信号生成部903と異常判定部904が形成されている。この診断信号生成部903は,例えば,数百Hzの診断信号を生成できるように構成されている。この診断信号は,例えば,矩形波,正弦波,三角波などから構成されている。診断信号生成部903で生成された診断信号にはバイアス電圧が印加されて容量素子C3および容量素子C4に印加されるように構成されている。また,異常判定部904は,半導体チップ802に形成されている物理量算出部902を介して可動体705と接続されている。このように構成されている加速度センサにおいて,診断信号生成部903で生成した診断信号は,互いに逆相である2つの信号として,それぞれ,診断用固定電極708bと診断用固定電極708cに印加される。これにより,診断用可動電極708aと診断用固定電極708bの間と,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cとの間に静電力が働き,可動部705を強制振動させることができる。可動部705が強制振動すれば,可動部705が変位し,容量検出部を構成する容量素子C1と容量素子C2とに容量変化が生じる。この容量素子C1と容量素子C2に生じた容量変化は,容量電圧変換部1で電圧信号に変換され,電圧変換部で変換された電圧信号は,A/D変換部1と第1同期検波部1aを経由することにより,元の診断信号に復元される。この復元された診断信号は,異常判定部904に入力して処理されて異常の有無が判断される。このようにして,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサによれば,加速度センサの異常の有無が判断される。さらに,数百Hzの診断信号を可動部705に印加して強制振動しながら,外部から加速度DC~数十Hzが印加された場合,容量検出部である容量素子C1と容量素子C2には,強制振動による容量変化数百Hzと,加速度による容量変化DC~数十Hzとが加わる。この数百Hzの容量変化とDC~数十Hzの容量変化が変調信号数百kHzに重畳されることになる。その後,容量電圧変換部1で上述した容量変化が電圧信号に変換される。この電圧信号には,数百Hzの電圧信号とDC~数十Hzの電圧信号が変調信号数百kHzに重畳された電圧信号となっている。その後,A/D変換部1と,第1同期検波部1aを経由すると,数百Hzの診断信号と,DC~数十Hzの電圧信号に復元される。そして,物理量算出部902では,ローパスフィルタLPF1によって,数百Hzの診断信号を減衰させて,DC~数十Hzの電圧信号を抽出し,この電圧信号に基づいて加速度信号を算出する。一方,異常判定部904では,数百Hzの診断信号に基づいて処理を実施し異常を判断する。以上のようにして,本実施例2における加速度センサによれば,加速度を検出しながら,加速度センサの異常の有無を判断することができる。ここで,本実施例2における加速度センサの特徴は,第一の慣性センサである加速度センサの異常の異常判定部904に第二の慣性センサである角速度センサの出力信号915が接続されていることである。詳細な説明は本実施例1に述べた通りであるが,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサのように,センサ異常の異常判定部904に第二の慣性センサである角速度センサの出力信号915を半導体チップ802内部の信号線を経由して接続すると,第一の慣性センサである加速度センサで加速度信号を検出しながら,センサが設置された環境での雑音振動の有無を検知することができるため,異常判定部904でセンサを誤診断する可能性の有無を常に検知することができる。そして,センサが設置された環境での雑音振動によって異常判定部904でセンサを誤診断する可能性がある場合は,異常判定部904での判定方法を変更すれば,振動雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制した高信頼の加速度センサを提供することができる。特に,本実施例2では第一の慣性センサである加速度センサより第二の慣性センサである角速度センサの方が応答帯域が広い加速度センサであるため,第二の慣性センサである角速度センサによってセンサが設置された環境での雑音振動を検出すると,より広い周波数帯域の振動雑音を検出できる。よって,雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制し,さらに高信頼の加速度センサを提供することができる。続いて,図15に示す異常判定部904の詳細な構成について説明する。図15において,異常判定部904は,バンドパスフィルタBPF1a,第2同期検波部1b,バンドパスフィルタBPF1b,比較判断部を有している。バンドパスフィルタBPF1aは,第1同期検波部1aから出力される数百Hzの電圧信号以外の信号を雑音と見なして除去するように構成されている。第2同期検波部1bは,物理量算出部902の第1同期検波部1aから出力される数百Hzの診断信号とDC~数十Hzの電圧信号を含む信号から数百Hzの診断信号を抽出するように構成されている。具体的に,数百Hzの診断信号をcoswtとすると,第2同期検波部1bでは,数百Hzの診断信号coswtとDC~数十Hzの電圧信号を含む信号にcoswtを乗算するように構成されている。すると,数百Hzの診断信号は,coswt×coswt=1/2cos2wtcos0となる。つまり,数百Hzの診断信号は,診断信号の2倍の周波数cos2wt第2検波周波数の信号の信号と,DC信号cos0第1検波周波数の信号に変換される。一方,DC~数十Hzの電圧信号には,coswtが乗算されて数百Hz帯の信号となる。このように第2同期検波部1bは,数百Hzの診断信号を検波して2倍の周波数の信号とDC信号に変換するように構成されている。次に,バンドパスフィルタBPF1bは,DC信号cos0とcoswtの信号を減衰させて,cos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号を通過させるように構成されている。このバンドパスフィルタBPF1bにより,数百Hzの診断信号を変換したcos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号を抽出することができる。比較判断部は,バンドパスフィルタBPF1bを通過したcos2wtの信号診断信号の2倍の周波数の信号の振幅と,振幅基準値とを比較するように構成されている。比較判断部の比較結果に基づいて,加速度センサの異常の有無を判定信号として出力するように構成されている。本実施例2における診断機能を有する加速度センサは上記のように構成されており,以下では加速度を検出しながら異常の有無を診断する動作について,説明する。図15において,診断信号生成部903で生成した診断信号は,互いに逆相である2つの信号として,それぞれ,診断用固定電極708bと診断用固定電極708cに印加される。これにより,診断用可動電極708aと診断用固定電極708bの間と,診断用可動電極708aと診断用固定電極708cとの間に静電力が働き,可動部705を強制振動させることができる。可動部705が強制振動すれば,可動部705が変位することになる。可動部705が変位すると,容量検出部を構成する容量素子C1と容量素子C2とに容量変化が生じる。この状態で,外部から加速度DC~数十Hzが印加された場合,容量検出部である容量素子C1と容量素子C2には,強制振動による容量変化数百Hzと,加速度による容量変化DC~数十Hzとが加わる。この数百Hzの容量変化とDC~数十Hzの容量変化が変調信号数百kHzに重畳されることになる。その後,容量電圧変換部1で上述した容量変化が電圧信号に変換される。この電圧信号には,数百Hzの電圧信号とDC~数十Hzの電圧信号が変調信号数百kHzに重畳された電圧信号となっている。その後,A/D変換部1と,第1同期検波部1aを経由すると,数百Hzの診断信号と,DC~数十Hzの電圧信号に復元される。そして,物理量算出部902では,ローパスフィルタLPF1によって,数百Hzの診断信号を減衰させて,DC~数十Hzの電圧信号を抽出し,この電圧信号に基づいて加速度信号を算出する。一方,第1同期検波部1aから出力された数百Hzの診断信号とDC~数十Hzの電圧信号を含む信号は,バンドパスフィルタBPF1aによって第1同期検波部1aから出力される数百Hzの電圧信号以外の信号を除去した後に,第2同期検波部1bに入力される。この第2同期検波部1bにおいて,数百Hzの診断信号は,診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号と,DC信号cos0に変換される。一方,DC~数十Hzの電圧信号には,coswtが乗算されて数百Hz帯の信号となる。続いて,第2同期検波部1bから出力された信号は,バンドパスフィルタBPF1bに入力され,DC信号cos0の信号とDC~数十Hzの電圧信号にcoswtが乗算された数百Hz帯の信号が減衰され,診断信号に対応した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号が通過する。その後,比較判断部では,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅と,振幅基準値とを比較し,加速度センサの異常の有無を判断する。このようにして,本実施例2における加速度センサによれば,加速度を検出しながら,加速度センサの異常の有無を判断することができる。したがって,本実施例2における加速度センサによれば,直ぐに故障を検知することができる。具体的に,比較判断部の異常の有無は例えば,以下のように判断することができる。比較判断部に,例えば,所定の振幅基準値を設定し,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号905の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅と比較する。例えば,診断信号生成部903で生成した診断信号が可動体705に印加されているにもかかわらず,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅がほぼ0である場合は,可動部705が固着しているとして故障と判断できる。一方,梁704が破損するなどで可動体705の固有振動数が低下し,印加された加速度に対して可動部705が過剰に変位する感度スケール異常の場合は,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅が振幅基準値よりも大きくなるため,異常と判断することができる。また,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサでは,図15に示すように,スイッチSW1によって診断信号生成部903で生成した診断信号をオン/オフすることができる。これにより,以下に示す効果が得られる。例えば,本実施例2における加速度センサを設置している環境が,診断信号生成部903で生成した診断信号と同じ周波数帯の振動外乱を有している場合が想定される。この場合,スイッチSW1を設けていない場合には,可動体705の強制振動が診断信号によるものであるのか,あるいは,振動外乱によるものであるのか判断がつかず誤診断する可能性がある。これに対し,本実施例2における加速度センサではスイッチSW1を設けている。このため,このスイッチSW1を周期的にオン/オフし,サンプルホールドなどの方法により平均化や,スイッチSW1のオン時の出力バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅とスイッチSW1のオフ時の出力バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅の差分値を使用して故障を判断するなどの統計的なデータ処理を実施することで,背景の振動外乱の影響を排除することができる。つまり,診断信号生成部903で生成した診断信号と同じ周波数帯の振動外乱によって可動体705が振動している場合は,スイッチSW1のオン/オフにかかわらず,バンドパスフィルタBPF1bから所定の出力信号が出力される。一方,診断信号生成部903で生成する診断信号を可動体705に印加する場合,スイッチSW1をオンにすると,バンドパスフィルタBPF1bから所定の出力信号が出力されるが,スイッチSW1をオフにすると,バンドパスフィルタBPF1bからの出力は0となる。したがって,例えば,スイッチSW1のオン時の出力とスイッチSW1のオフ時の出力の差分値をとれば,可動体705の強制振動が診断信号によるものであるのか,あるいは,振動外乱によるものであるのかを区別することができる。これにより,診断信号と同じ周波数帯の振動外乱が存在する場合でも,誤診断の可能性を抑制することができる。さらに,本実施例2における第一の慣性センサである加速度センサでは,図15に示すように,第一の慣性センサである加速度センサの異常の異常判定部904に第二の慣性センサである角速度センサの出力信号915が,半導体チップ802内部の信号線を経由して接続されている。よって,第一の慣性センサである加速度センサで加速度信号を検出しながら,センサが設置された環境での雑音振動の有無を検知することができるため,診断信号と同じ周波数帯の振動外乱が診断一周期以下の時間だけ存在する場合に生じる異常判定部904でセンサを誤診断する可能性の有無を,常に検知することができる。センサが設置された環境での雑音振動によって異常判定部904でセンサを誤診断する可能性がある場合は,異常判定部904での判定方法を変更すれば,振動雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制した高信頼の加速度センサを提供することができる。具体的には,図16に示すように比較判断部の判定方法を定める。第二の慣性センサである角加速センサの出力信号915があらかじめ定めた電圧値以上の場合は,センサが設置された環境での雑音振動が存在するということであり,つまり比較判断部は誤診断を行う可能性が高いということであるから,通常の比較判断処理ではなく,以下に説明する固着判断処理を行う。固着判断処理では,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号905の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅があらかじめ設定した所定の振幅基準値以下である場合は,センサが設置された環境での雑音振動が存在するのにも関わらず可動体705の変位量が小さく固着不良を起こしていると判定し,判定信号907に異常判定信号を出力する。一方,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号905の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅があらかじめ設定した所定の振幅基準値以上である場合は,判定信号907に異常判定信号を出力せずに,再比較判断を行う工程へ戻る。第二の慣性センサであ角加速センサの出力信号915があらかじめ定めた電圧値以下の場合は,センサが設置された環境での雑音振動は存在しないということであるから,バンドパスフィルタBPF1bを通過した診断信号905の2倍の周波数cos2wtの信号の振幅に対して通常の比較判断処理を行い,センサ異常の有無を判定する。尚,本実施例2の加速度センサでは,第一の慣性センサである加速度センサより第二の慣性センサである角速度センサの方が応答帯域が広い加速度センサであるため,第二の慣性センサである角速度センサによってセンサが設置された環境での雑音振動を検出すると,より広い周波数帯域の振動雑音を検出できる。よって,雑音環境下で加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制し,さらに高信頼の加速度センサを提供することができる。また,本実施例2の加速度センサでは,第一の慣性センサである加速度センサと第二の慣性センサである角速度センサが同一のSOI基板上に形成されているため,第一の慣性センサである加速度センサの設置環境における雑音振動を,第二の慣性センサである角速度センサで検出する精度が高い。よって,雑音環境下で第一の慣性センサである加速度センサで加速度を検出しながら診断を行なう場合であっても,誤診断を抑制し,さらに高信頼のセンサを提供することができる。また,本実施例2の加速度センサでは,第一の慣性センサである加速度センサと第二の慣性センサである角速度センサの物理量を算出するための信号処理回路が形成された半導体チップが,第一の慣性センサである加速度センサと第二の慣性センサである角速度センサで同一のものを利用している。よって,第一の慣性センサである加速度センサが,加速度を検出しながら加速度センサの異常の有無を判断するときに参照するセンサ設置環境での雑音振動は,センサユニットの外側にある制御回路を経由せずに,信号処理回路が形成された半導体チップ内部を経由して,第一の慣性センサである加速度センサの診断用比較判断部に入力される。つまり,センサユニット外部の制御回路に負荷をかけることなく加速度を検出しながら診断を行ない,かつ,誤診断を抑制した高信頼の加速度センサを提供することができる。また,本実施例2の加速度センサでは,第一の慣性センサとして図10のチップX方向を検出軸とする加速度センサによって自己診断機能の説明をしたが,第一の慣性センサとして図10のチップY方向を検出軸とする加速度センサを設置しても,自己診断機能を実現することが可能である。以上述べたように,本実施例によれば,第二のセンサを備えることにより誤診断を抑制できる慣性センサを提供することができる。また,第二のセンサの感度範囲を広くすることにより,より広い周波数帯域やより広い加速度範囲の振動雑音を検出できる。また,2つのセンサが同一の半導体チップ内に形成されているため,外部制御回路への負荷をなくすことができる。以上,本願発明を詳細に説明したが,以下に主な発明の形態を列挙する。1第一の基板と,前記第一の基板に形成された第一の空洞部と,前記第一の空洞部内に形成された第一の固定部と,前記第一の空洞部内に形成され,前記固定部と接続された第一の弾性変形部と,前記第一の空洞部内に形成され,前記弾性変形部と接続された第一の可動部と,前記第一の空洞部内に形成された第1固定電極と,前記可動部に形成された第1可動電極とを互いに対向させた第1容量素子を含み,前記可動部が外力によって変位することで生じる前記第1容量素子の容量変化を出力する第一の容量検出部と,前記第一の容量検出部から出力された容量変化に基づいて前記外力の物理量を求める第一の物理量算出部と接続される第一の物理量算出端子と,前記第一の空洞部内に形成された第2固定電極と,前記可動部に形成された第2可動電極とを互いに対向させた第2容量素子を含み,かつ,前記第2固定電極と前記第2可動電極の間に診断信号を印加するための診断信号印加用端子とを含み,前記診断信号印加用端子に診断信号を印加することにより,前記第2固定電極と前記第2可動電極の間に静電気力を発生させて強制振動させる強制振動生成部と,前記第一の物理量算出端子と間接的に接続され,前記強制振動生成部で発生した強制振動に基づいて,前記第一の容量検出部の異常の有無を判断する異常判定部と,前記第一の基板と同じ車両内に設置された第二の基板と,前記第二の基板に形成された第二の空洞部と,前記第二の空洞部内に形成された第二の固定部と,前記第二の空洞部内に形成され,前記第二の固定部と接続された第二の弾性変形部と,前記第二の空洞部内に形成され,前記第二の弾性変形部と接続された第二の可動部と,前記第二の空洞部内に形成された第3固定電極と,前記第二の可動部に形成された第3可動電極とを互いに対向させた第3容量素子を含み,前記第二の可動部が外力によって変位することで生じる前記第3容量素子の容量変化を出力する第二の容量検出部と,前記第二の容量検出部から出力された容量変化に基づいて前記外力の物理量を求める第2の物理量算出部と接続される第二の物理量算出端子とを備え,前記異常判定部は,前記第二の物理量算出端子より得られる値によって異常判定の結果が変更されるものであることを特徴とする慣性センサ。2第1可動部と,前記第1可動部の変位量を前記可動部との間の容量を用いて検出する固定電極を備えた第1検出部と,診断信号を印加することにより前記第1可動部を強制振動させる強制振動手段と,前記第1検出部からの検出信号から物理量を算出する第1物理量算出部と,前記第1検出部を介して得られる前記診断信号を用いて前記物理量の異常の有無を判定する異常判定部とを備え,車両内で使用される慣性センサにおいて,前記車両と同一車両に搭載され,前記異常判定部へ接続される第2センサを更に有することを特徴とする慣性センサ。"