"受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、前記受光素子を流れる電流を少なくとも流す自己バイアス抵抗と、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記自己バイアス抵抗を流れる電流の一部を前記受光素子を介さずに流すバイパス回路と、前記受光素子を流れる電流量を示す信号を出力する受光電流検出部と、前記バイパス回路を流れる電流量を示す信号を出力するバイパス電流検出部と、を含むことを特徴とする光受信モジュール。前記受光素子はアバランシェフォトダイオードである、ことを特徴とする請求項1に記載の光受信モジュール。前記受光電流検出部が出力する信号と、前記バイパス電流検出部が出力する信号とに基づいて前記受光素子が受光した光の強さを演算し出力する演算部、をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の光受信モジュール。前記演算部は、前記受光素子を流れる電流の量の2次式と前記バイパス回路を流れる電流の量の1次式との和からなる多項式を用いて前記受光素子が受光した光の強さを演算し出力する、ことを特徴とする請求項3に記載の光受信モジュール。前記受光素子を流れる電流の量と光の強さとの関係を示す第1のルックアップテーブル、および、前記バイパス回路を流れる電流の量と光の強さとの関係を示す第2のルックアップテーブルを含む記憶部をさらに含み、前記演算部は、前記受光電流検出部が出力する信号と前記第1のルックアップテーブルとに基づいて第1の光の強さを取得し、前記バイパス電流検出部が出力した信号と前記第2のルックアップテーブルとに基づいて第2の光の強さを取得し、前記第1の光の強さと前記第2の光の強さの和を前記受光素子が受光した光の強さとして出力する、ことを特徴とする請求項3に記載の光受信モジュール。前記受光素子を流れる電流の量を計測する電流モニタ部と、前記電流モニタ部が計測した電流の量が、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超えることを示す場合に、前記バイパス回路に電流を流させる過電流検出部と、をさらに含むことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光受信モジュール。前記自己バイアス抵抗の前記受光素子と反対側の一端には、第1の電位を供給する第1電位供給源からの電位が供給され、前記受光素子と前記自己バイアス抵抗の間に前記バイパス回路の一端が接続され、前記バイパス回路の他端には前記第1の電位と異なる電位を供給する第2電位供給源からの電位が供給され、前記バイパス回路は前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記一端と前記他端との間に電流を流す、ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光受信モジュール。前記電流モニタ部と、前記受光素子と、前記自己バイアス抵抗とは直列に接続される、ことを特徴とする請求項7に記載の光受信モジュール。前記電流モニタ部は前記受光素子と前記自己バイアス抵抗との間に設けられ、前記バイパス回路の前記一端は、前記自己バイアス抵抗の前記受光素子側の一端に接続される、ことを特徴とする請求項8に記載の光受信モジュール。受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、一端が定電圧源に接続される自己バイアス抵抗と、前記受光素子の一端と前記自己バイアス抵抗との間に設けられ電流量を計測する電流モニタ部と、電流量を検出するバイパス電流検出部と、一端が前記自己バイアス抵抗の他端に接続され、他端が前記バイパス電流検出部を介して接地配線に接続されるバイパススイッチと、前記受光素子の他端に接続され電流量を検出する受光電流検出部と、前記電流モニタ部が計測した電流量に基づいて前記バイパススイッチを制御する過電流検出部と、を含むことを特徴とする光受信モジュール。受光素子に入力される光の強度は、その受光素子を流れる電流を測定することにより求められる。しかし特許文献1に示す回路では、電流がバイパスされる場合には、受光素子を流れる電流を測定しても入力された光の強度を求めることができなかった。本発明は上記課題を鑑みてなされたものであって、その目的は、受光素子を過電流から保護するために電流がバイパスされるような場合であっても、受光素子が受光した光の強度を計測することのできる光受信モジュールを提供することである。本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。1受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、前記受光素子を流れる電流を少なくとも流す自己バイアス抵抗と、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記自己バイアス抵抗を流れる電流の一部を前記受光素子を介さずに流すバイパス回路と、前記受光素子を流れる電流量を示す信号を出力する受光電流検出部と、前記バイパス回路を流れる電流量を示す信号を出力するバイパス電流検出部と、を含むことを特徴とする光受信モジュール。21において、前記受光素子はアバランシェフォトダイオードである、ことを特徴とする光受信モジュール。31または2において、前記受光電流検出部が出力する信号と、前記バイパス電流検出部が出力する信号とに基づいて前記受光素子が受光した光の強さを演算し出力する演算部、をさらに含むことを特徴とする光受信モジュール。43において、前記演算部は、前記受光素子を流れる電流の量の2次式と前記バイパス回路を流れる電流の量の1次式との和からなる多項式を用いて前記受光素子が受光した光の強さを演算し出力する、ことを特徴とする光受信モジュール。53において、前記受光素子を流れる電流の量と光の強さとの関係を示す第1のルックアップテーブル、および、前記バイパス回路を流れる電流の量と光の強さとの関係を示す第2のルックアップテーブルを含む記憶部をさらに含み、前記演算部は、前記受光電流検出部が出力する信号と前記第1のルックアップテーブルとに基づいて第1の光の強さを取得し、前記バイパス電流検出部が出力した信号と前記第2のルックアップテーブルとに基づいて第2の光の強さを取得し、前記第1の光の強さと前記第2の光の強さの和を前記受光素子が受光した光の強さとして出力する、ことを特徴とする光受信モジュール。61から5のいずれかにおいて、前記受光素子を流れる電流の量を計測する電流モニタ部と、前記電流モニタ部が計測した電流の量が、前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超えることを示す場合に、前記バイパス回路に電流を流させる過電流検出部と、をさらに含むことを特徴とする光受信モジュール。71から6のいずれかにおいて、前記自己バイアス抵抗の前記受光素子と反対側の一端には、第1の電位を供給する第1電位供給源からの電位が供給され、前記受光素子と前記自己バイアス抵抗の間に前記バイパス回路の一端が接続され、前記バイパス回路の他端には前記第1の電位と異なる電位を供給する第2電位供給源からの電位が供給され、前記バイパス回路は前記受光素子を流れる電流量が所定の値を超える場合に前記一端と前記他端との間に電流を流す、ことを特徴とする光受信モジュール。87において、前記電流モニタ部と、前記受光素子と、前記自己バイアス抵抗とは直列に接続される、ことを特徴とする光受信モジュール。98において、前記電流モニタ部は前記受光素子と前記自己バイアス抵抗との間に設けられ、前記バイパス回路の前記一端は、前記自己バイアス抵抗の前記受光素子側の一端に接続される、ことを特徴とする光受信モジュール。10受光した光の強さに応じて電流を流す受光素子と、一端が定電圧源に接続される自己バイアス抵抗と、前記受光素子の一端と前記自己バイアス抵抗との間に設けられ電流量を計測する電流モニタ部と、電流量を検出するバイパス電流検出部と、一端が前記自己バイアス抵抗の他端に接続され、他端が前記バイパス電流検出部を介して接地配線に接続されるバイパススイッチと、前記受光素子の他端に接続され電流量を検出する受光電流検出部と、前記電流モニタ部が計測した電流量に基づいて前記バイパススイッチを制御する過電流検出部と、を含むことを特徴とする光受信モジュール。本発明によれば、光受信モジュールは、受光素子を過電流から保護するために電流がバイパスされるような場合であっても、受光素子が受光した光の強度を計測することができる。以下では、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。以下では、受光素子としてアバランシェフォトダイオード以下APDを用いた光受信モジュールについて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる光受信モジュールの構成の一例を示す図である。光受信モジュールは、APDモジュール1と、自己バイアス抵抗2と、バイパス回路3と、電流モニタ部4と、過電流検出部5と、バイパス電流検出部6と、演算部7と、記憶部8と、を含む。APDモジュール1は、受光素子を含み、入力される光信号である光信号入力Slを電気信号Vppに光電変換して出力する。自己バイアス抵抗2は、定電圧源9からみて少なくともAPDモジュール1と直列に設けられており、一端は電位Voを供給する定電圧源9電位供給源が接続されるノードNvに接続し、他端は電流モニタ部4を介してAPDモジュール1が接続されるノードNapdに接続する。自己バイアス抵抗2の他端はバイパス回路3の一端にも接続する。自己バイアス抵抗2は受光素子を流れる電流を少なくとも流す。自己バイアス抵抗2を流れる電流が増えると、自己バイアス抵抗2の両端の間の電位差が増加し、受光素子に印加するバイアス電圧が減少する。これにより自己バイアス抵抗2は受光素子を流れる電流を制御する。バイパス回路3の一端は自己バイアス抵抗2のAPDモジュール側の一端に接続され、バイパス回路3の他端はバイパス電流検出部6を介して接地電位を供給する配線電位供給源に接続される。バイパス回路3はバイパススイッチを含んでおり、バイパススイッチの一端はバイパス回路3の一端に相当し、バイパススイッチの他端はバイパス回路3の他端に相当する。電流モニタ部4は、一端がAPDモジュール1に、他端が自己バイアス抵抗2に接続される。電流モニタ部4は、APDモジュール1を流れる電流量Iapdを計測し、その電流量Iapdを示す信号を出力する。電流モニタ部4は、電流をモニタするICなどにより構成される。過電流検出部5は、電流モニタ部4から信号を取得し、電流モニタ部4が計測した電流量Iapdが所定の値を超過したことを検出すると、バイパス回路3に含まれるバイパススイッチをオンし、バイパス回路3に電流を流させる。ここで、バイパス回路3が電流を流す場合、自己バイアス抵抗2には受光素子APDモジュール1を流れる電流とバイパス回路を流れる電流とを併せた電流が流れる。見方を換えれば、バイパス回路3は、自己バイアス抵抗2を流れる電流の一部過電流に相当を受光素子を介さずに流している。バイパス電流検出部6は、バイパス回路3を流れる電流の電流量Ibを検出し、その電流量Ibを示す信号を出力する。演算部7は、電気信号Vppと、バイパス電流検出部6がモニタした電流量Ibを示す信号とに基づいて、受光素子が受光した光の強さを演算し出力する。記憶部8は、演算部7での計算に用いるパラメータなどを記憶する。図2は、APDモジュール1の構成の一例を示す図である。APDモジュール1は、受光素子であるAPD11と、受光電流検出部12とを含む。APD11の一端は電流モニタ部4が接続されるノードNapdに接続される。APD11の他端は受光電流検出部12に接続される。APD11は、ノードNapdに印加される電位により生じるバイアス電圧と受光した光の強さとに応じて電流量Iapdの電流を流す。受光電流検出部12は、図2の例ではトランスインピーダンスアンプからなる。受光電流検出部12は、APD11を流れる電流に対して電流-電圧変換を行い、その電圧を、電流量Iapdを示す電気信号Vppとして出力する。なお、上述の例では上述の計算に用いる電流量Iapdを測定する受光電流検出部12は必ずしもAPDモジュール1内になくてもよい。この光受信モジュールの動作と入力光の光強度Pinの計算について以下で説明する。電流モニタ部4が計測した電流量Iapdが所定の値より小さい、つまり、光信号入力Slの光強度が小さく過電流が発生していない場合には、バイパス回路3に含まれるバイパススイッチはオフであり、バイパス電流は流れない。一方、光信号入力Slの光強度が増加し電流モニタ部4が計測した電流量Iapdが所定の値を超えると、過電流検出部5にて過電流が検出され、バイパス回路3は過電流に相当する電流量Ibの電流を流す。すると、受光素子を流れる電流量Iapdのみでは光信号入力Slの光強度は計算できなくなる。図3は、受光素子を流れる電流の電流量Iapdから計算した光強度Pmおよびバイパス回路3を流れる電流の電流量Ibと、光信号入力Slの光強度Pinとの関係の一例を示す図である。本実施形態に示す構成ではバイパス回路3が電流を流すと、実際の光強度Pinが大きくなっても電流量Iapdがほぼ一定になるため、仮に電流量Iapdを用いて光強度Pmを計算すると、バイパス回路3がオンオフされるバイパス動作点Psより強い光が入力されても光強度Pmは増加せずほぼ一定となる。一方、バイパス電流の電流量Ibはバイパス動作点Psから発生し、そこから光が強くなるにつれ大きくなる。演算部7はこのバイパス電流の電流量Ibを利用して光信号入力Slの光強度Pinを求める。演算部7は、受光電流検出部12が出力する電流量Iapdを示す信号と、バイパス電流検出部6が検出する電流量Ibを示す信号とに基づいて、光信号入力Slの光強度Pinを求める。図4は、光信号入力Slの光強度Pinと、受光素子を流れる電流の電流量Iapdおよびバイパス回路3を流れる電流の電流量Ibとの関係の一例を示す図である。バイパス動作点Psより光が弱い場合は電流量Iapdの2次式で光強度Pinが近似でき、バイパス動作点Psより光が強い場合は電流量Ibの1次式で光強度Pinが近似できる。これらから、電流量Iapdの2次式と電流量Ibの1次式との和からなる以下の多項式で光強度Pinを近似的に求めることができる。ここで、A,B,C,D,Eは、記憶部8に記憶されるパラメータである。また、これらのパラメータは、光受信モジュールの製造時に実験的に決めることができる。ここで、AからCはバイパス動作点Psより光が弱い状態の測定結果で決定し、DおよびEはバイパス動作点Psより光が強い状態の測定結果で決定するとよい。このような演算を行うことで、過電流状態においても光強度を計測することができる。なお、電流と光強度Pinとの関係式は上述の式には限られず、他の適切な式を関係式として作成してもよい。また、上述のような近似式を用いる代わりに、ルックアップテーブルを用いてよい。この場合は、記憶部8に電流量Iapdと光の強さとの関係を示す第1のルックアップテーブルと、電流量Ibと光の強さとの関係を示す第2のルックアップテーブルと、を記憶させる。演算部7は、受光電流検出部12が出力し電流量Iapdを示す信号と第1のルックアップテーブルとに基づいて、電流量Iapdによる光の強さを取得し、バイパス電流検出部6が出力し電流量Ibを示す信号と第2のルックアップテーブルとに基づいて電流量Ibによる光の強さを取得する。さらに演算部7は、電流量Iapdによる光の強さと電流量Ibによる光の強さとの和を演算し、光強度Pinとして出力する。このように、バイパス回路3を流れる電流もモニタリングすることにより、過大光入力状態においても光信号入力Slの光強度Pinをより正確に求めることができる。"