"電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ発生方式を用いて、中和プレートを備えた中性粒子ビーム発生源から、窒素N原子と不活性元素を含む中性粒子ビームを放出するステップと、前記中性粒子ビームが前記基板に届く直前または直後に、III族固体元素を放出するステップを含み、前記中性粒子ビームと前記III族固体元素が、前記基板上に窒化物半導体単結晶薄膜によって蒸着されることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法によって形成される窒化物半導体単結晶薄膜に、ドープを目的とする固体元素を前駆体噴射ガスがない状態で直接提供するよう放出するステップを、前記III族固体元素の放出ステップと同時に含む請求項1に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。窒素原子と不活性元素を含む中性粒子ビームを放出すると同時に、III族固体元素を放出し、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にドープすることを目的とする固体元素、または同時に放出することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記不活性元素は、Ar、He、Ne、Kr、Xeのうち一つか、もしくは二つ以上の元素を混合したものである請求項2または3に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記III族固体元素は、Al、Ga、Inのうち一つか、もしくは二つ以上の元素を混合したものである請求項4に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記基板の温度を200~800°Cに維持する請求項5に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記中性粒子ビームの運動エネルギーを2~100eVとする請求項6に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記III族固体元素の放出ステップは、出射と停止を周期的に反復するモジュレーションモードにて動作する請求項7に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。出射時間τonと停止時間τoffの比率は、ただし、ΓIIIは、III族固体元素のフラックスatoms/cm2s、Γnは、中性粒子ビームフラックス、γは中性粒子ビームにおける窒素原子の比率、τonは出射時間、τoffは停止時間である請求項8に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記III族固体元素の放出とドープすることを目的とする固体元素の放出は、出射及び停止を同期化することで、周期的に反復する請求項9に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。前記III族固体元素の放出とドープすることを目的とする固体元素の放出は、出射及び停止を互いにずれさせることで、周期的に反復する請求項9に記載の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法。窒素Nと不活性元素を中性粒子ビームによって発生させ、基板の上に出射する中性粒子ビーム発生装置と、前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置と、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にドーピング元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するためのドーピング用固体元素発生装置とを備えることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜形成装置。発光素子の製造方法において、有機金属気相成長法MOCVDを用いてn型元素をドープすることで、n型半導体層を形成するステップと、中性粒子ビームを用いて活性層を形成するステップと、中性粒子ビームを用いてp型元素をドープすることで、p型半導体層を形成するステップを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。発光素子の製造装置において、有機金属気相成長法MOCVDを用いてn型元素をドープすることで、n型半導体層を形成する第1チャンバと、中性粒子ビーム発生装置を備え中性粒子ビームで活性層を形成する第2チャンバと、中性粒子ビームでp型元素をドープすることで、p型半導体層を形成する第3チャンバを備え、前記第3チャンバは、中性粒子ビーム発生装置と、前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置と、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にp型ドーピング元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するためのp型ドーピング用固体元素発生装置を備えることを特徴とする発光素子製造装置。発光素子の製造装置において、有機金属気相成長法MOCVDを用いてn型元素をドープすることで、n型半導体層を形成する第1チャンバと、中性粒子ビーム発生装置を備え中性粒子ビームで活性層とp型半導体層を形成する第2チャンバを備え、前記第2チャンバは、中性粒子ビーム発生装置と、前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置と、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にp型ドーピング元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するためのp型ドーピング用固体元素発生装置を備えることを特徴とする発光素子製造装置。そこで、本発明は、半導体発光素子を作成するにあたり、前述した問題点を解決できるよう、基板に加える高い工程温度の代わりに、適当なエネルギーを持った中性粒子ビームを用いて、これまでの工程温度よりも非常に低い低温の工程温度を維持しつつも、高品質の窒化物半導体薄膜を成長させることができる中性粒子ビームを用いた発光素子の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。また、本発明の他の目的は、高品質の窒化物半導体薄膜の作製において、より簡素化した装備と努力を注ぐことで、半導体発光素子の価格競争力を向上させることにある。また、本発明の他の目的は、半導体発光素子の作製において、発光素子を形成するそれぞれの層ごとに求められる工程の特性を考慮することで、最も効率の良い製造過程及び装置を提供することにある。本発明は、電子サイクロトロン共鳴ECR:ElectronCyclotronResonanceによるプラズマ発生方式を用いて、中和プレートを備えた中性粒子ビーム発生源から、窒素N原子と不活性元素を含む中性粒子ビームを放出するステップ、及び、前記中性粒子ビームが前記基板に届く直前、または直後にIII族固体元素を放出するステップ;を含み、前記中性粒子ビームと前記III族固体元素が、前記基板上に窒化物半導体単結晶薄膜によって蒸着されることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法によって形成されている窒化物半導体単結晶薄膜に、ドープを目的とする固体元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するよう放出するステップを、前記III族固体元素の放出ステップと同時にさらに含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、窒素N原子と不活性元素を含む中性粒子ビームを放出すると同時に、III族固体元素を放出し、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にドープすることを目的とする固体元素、または同時に放出することを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は前記の不活性元素は、Ar、He、Ne、Kr、Xeのうち一つか、もしくは二つ以上の元素を混合したことにより構成されることを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法において、前記基板の温度を200ないし800°Cに維持することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記の窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法において、前記基板の温度を600ないし700°Cに維持することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記III族固体元素の放出ステップは、出射と停止を周期的に反復するモジュレーションmodulationモードにて動作することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、出射時間τonと停止時間τoffの比率は、を満足することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。ここで、ΓIIIは、III族固体元素のフラックスatoms/cm2s、Γnは、中性粒子ビームフラックス、γは中性粒子ビームにおける窒素原子の比率、τonは出射時間、τoffは停止時間である。また、本発明は、前記窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法において、前記中性粒子ビームの運動エネルギーを2ないし100eVとすることを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法において、前記中性粒子ビームの運動エネルギーを10ないし30eVとすることを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法において、前記中性粒子ビームの発生及び中性粒子ビームの運動エネルギーの付与のために、中性粒子ビーム発生源に印加する電位Vは、を満足することを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。前記数式において、Enは、中性粒子ビームのエネルギー、Vpは、プラズマ電位、qは、プラズマ荷電粒子の電荷量、γEは、プラズマ荷電粒子が中和プレートに衝突した後、中性粒子に変換して出てくる際に保たれるエネルギー効率を表し、中和プレートの物質及び入射角度に応じて、0.3ないしは0.9の値である。また、本発明は、中性粒子ビームの運動エネルギーEnから、衝突を通してGa原子が得るエネルギーEGaは、であることを特徴とする窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。ここでのMGaは、Ga原子の質量、Mnは中性粒子ビーム元素の質量を意味し、θは衝突直前中性粒子ビーム元素の進行方向となす衝突後のGa原子の進行方向との角度である。また、本発明は、前記III族固体元素の放出とドープすることを目的とする固体元素の放出は、出射及び停止を同期化することで、周期的に反復することを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、前記III族固体元素の放出とドープすることを目的とする固体元素の放出は、出射及び停止を互いにずれさせることで、周期的に反復することを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜の形成方法を提供することができる。また、本発明は、窒素Nと不活性元素を中性粒子ビームによって発生させ、基板の上に出射する中性粒子ビーム発生装置;前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置;及び、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にドーピング元素を提供するためのドーピング用固体元素発生装置;を含むことを特徴とする、窒化物半導体単結晶薄膜形成装置を提供することができる。また、本発明は、発光素子の製造方法において、有機金属気相成長法MOCVDを用いてn型元素をドープすることで、n型半導体層を形成するステップ;中性粒子ビームを用いて活性層を形成するステップ;及び、中性粒子ビームを用いてp型元素をドープすることで、p型半導体層を形成するステップを含む発光素子の製造方法を提供することができる。また、本発明は、発光素子の製造装置において、有機金属気相成長法MOCVDを用いてn型元素をドープすることで、n型半導体層を形成する第1チャンバと、中性粒子ビーム発生装置を備え中性粒子ビームで活性層を形成する第2チャンバ;及び、中性粒子ビームでp型元素をドープすることで、p型半導体層を形成する第3チャンバを含み、前記第3チャンバは、中性粒子ビーム発生装置と、前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置と、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にp型ドーピング元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するためのp型ドーピング用固体元素発生装置を含むことを特徴とする、発光素子製造装置を提供することができる。また、本発明は、発光素子製造装置において、有機金属気相成長法MOCVDを用いて、n型元素をドープすることで、n型半導体層を形成する第1チャンバと、中性粒子ビーム発生装置を備え中性粒子ビームで活性層とp型半導体層を形成する第2チャンバを含み、前記第2チャンバは、中性粒子ビーム発生装置と、前記中性粒子ビーム発生装置の動作とともに、III族固体元素を基板上に噴射する固体元素発生装置と、形成される窒化物半導体単結晶薄膜にp型ドーピング元素を前駆体噴射ガスがない状態で、直接提供するためのp型ドーピング用固体元素発生装置を含むことを特徴とする、発光素子製造装置を提供することができる。本発明によれば、発光素子製造中、窒化物半導体の単結晶薄膜形成において、必要なエネルギーを中性粒子ビームの運動エネルギーと基板の温度による熱エネルギー量子のバランスによって提供するため、基板の温度をかなり下げることができる。したがって、従来の技術に比べ、基板そのものの熱変形を防止することができ、LED素子作製に必要な多層薄膜においてドープされる不純物層間境界を越えて拡散する問題を解消することができるため、高効率及び高品質のLED素子を作製することができる。また、本発明によれば、窒化物半導体単結晶薄膜の形成を、中性粒子ビームによって最初から単結晶状態で作製するため、多結晶薄膜を作製した後単結晶化する方法及びそれに伴う製造装置に比べ、より簡便な方法及び装置を提供するため、半導体発光素子の価格競争力を向上させるができる。また、本発明によれば、発光素子のp型半導体層のドーピング効率を高めつつも、p型不純物が他の層に拡散することで、発光素子の品質を低下させる問題点を防止することができる。以下、添付図面を参照することで、本発明に基づく望ましい実施例を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に基づき、発光素子の窒化物半導体単結晶薄膜の形成過程を説明するための構想図である。工程チャンバ7内に基板5を基板搭載台6の上の装着し、工程チャンバ7の上方に中性粒子ビーム発生源1を設置する図6参照。前記中性粒子ビーム発生源は、電子サイクロトロン共鳴ECR:ElectronCyclotronResonanceによるプラズマ発生方式を用い、中和プレートを備えた中性粒子ビーム発生源であり、磁石構造物を用いて構成し、前記中性粒子ビーム発生源1は、本発明者によって発明され出願された特許文献2に詳細に記載されたものを採択するため、その構成に関する記載は省略するものの、前記公報記載内容は、本発明の内容に編入される。前記中性粒子ビーム発生源1は、基板5の上に蒸着を試みる窒化物半導体単結晶薄膜を形成するのに必要な反応物の一つである窒素Nと、反応物には該当しないが反応物の化学反応ないしは単結晶の形成に必要なエネルギーを供給する役割を果たす不活性元素を中性粒子ビームによって生成し、必要な運動エネルギーを与えて出射する。本実施例において用いる不活性元素はアルゴンArであり、窒素とアルゴンを中性粒子ビームによって生成し、基板5の上に射出する。また、使用する不活性元素はアルゴンArを含め、He、Ne、Kr、Xe等の等の不活性元素をそれぞれ用いるか、これらのうち二つ以上の元素を適切に混合して用いることも可能である。工程チャンバ7の上端には、また固体元素発生源3をと装着し、前記固体元素発生源3はIII族固体元素、例えばAl、Ga、Inの固体元素を蒸着セルeffusioncellに入れて加熱することで蒸気を作り出し、工程チャンバ7内に噴射する。蒸気中性粒子ビームの出射とIII族固体元素の蒸気噴射は、ほとんど同時に連続的に行われるよう動作を制御するものの、固定元素発生源3は、中性粒子ビーム発生源1とは異なり、出射と停止を周期的に反復するモジュレーションmodulationモードにて動作することができる。出射時間におけるIII族固体元素の単位面積あたりの数は、一周期出射時間停止時間における中性粒子ビーム内の窒素原子数と同じであるか多くなければならない。すなわち、したがって、出射と停止時間の比率は、次のように定めることができる。ここでのΓIIIは、III族固体元素のフラックスatoms/cm2s、Γnは、中性粒子ビームフラックス、γは中性粒子ビームにおける窒素原子の比率、τonは出射時間、τoffは停止時間である。例えば、Gaの場合を蒸着セルeffusioncellで1,200°Cで蒸気化する場合、0.1Torrの蒸気圧が生じ、これは約3×1019atoms/cm2sのフラックスに相当する。このうち、基板に到達するフラックスは約ΓIII5×1015atoms/cm2sであり、中性粒子ビームのフラックスがΓn=6×1015atoms/cm2s、γ=0.5とすると、窒素フラックスは3×1015atoms/cm2sとなって、τoff/τon≧1.6となり、10秒間Gaを出射すると、最低16秒以上は停止状態を維持することになる方法で動作することができる。前記固定元素の発生方法は、発着セルeffusioncellによる蒸気化のほか、固体元素ターゲットに電子ビーム、イオンビーム、レーザービームを照射することで固体元素を得る方法もある。また、スパッタリング法によって得ることもできる。例えば、Gaを蒸着セルで蒸気化する場合、加熱温度に応じて蒸気圧が決定し、蒸気圧に応じて出射口における固体元素のフラックスが決定するため、温度を調節することで希望するフラックスを提供することができる。すなわち、出射口におけるフラックスは、である。ここでのPは蒸気圧[Pa]、Mは蒸気化を試みる元素の質量[kg]、kはプランク定数、Tは蒸着セルの加熱温度[K]である。例えば、1,007°Cにおける蒸気圧は10-3Torrであり、1,132°Cにおいては10-2Torrであるため、これに該当する出射口における固体元素のフラックスは、それぞれ約3×1017atoms/cm2sと約3×1018atoms/cm2sとなる。固体元素の蒸気は、噴射後特別な方向性を持たず、工程チャンバ7内において拡散ないしは漂流移動して、チャンバ下端の基板5上に到達し、窒素及び不活性元素を含む中性粒子ビームは、その発生源において所定の電位をプラズマに印加して中和プレートに衝突させることで中性粒子ビームを発生させ、基板5の向けて出射するため、中性粒子ビームはかなりの運動エネルギーと下方の運動量を持って基板5に到達することとなる。前記中性粒子ビームに含まれる窒素と前記III族固体元素であるGaの蒸気が基板5上において化学結合しGaN単結晶薄膜を形成することになる。この場合、基板5上における中性粒子ビームのフラックスがIII族固体元素のフラックスより小さくなると、単結晶形成に十分なエネルギーが伝達されていないため、中性粒子ビームのフラックスとIII族固体元素のフラックスが基板に到達する時点においてほぼ同じでなければ、GaNヘの化学結合及び単結晶化を期待することができず、望ましくはIII族固体元素が基板5の上に到達する直前、または直後に同量の中性粒子ビームが基板5に到達するよう、中性粒子ビームの発生源1と固体元素発生源3の動作を制御する。本実施例において、基板5の温度は200ないし800°C、望ましくは600もしくは700°Cで、既存のMOCVD法に比べ非常に低い温度で加熱する。これは、既存のMOCVD法の場合、複数の反応元素が化学結合し単結晶となるのに必要なエネルギーを、ほとんど全て基板を加熱して供給される熱エネルギーに依存していたためである。しかし、本発明の場合、基板を加熱して供給する熱エネルギーの量を減らすことで基板の温度を下げ、これについて中性粒子ビームに運動エネルギーを与え、複数の反応元素の化学結合及び単結晶の形成に必要なエネルギーを運動エネルギーの形で供給するものである。すなわち、本発明は、窒化物半導体単結晶の成長に参加するIII族固体元素が、窒素原子と簡単に窒化物半導体単結晶構造に反応できるよう、十分な運動エネルギーを持つようにすることで、低温下でも窒化物半導体単結晶薄膜の成長が容易なようにして、窒化物半導体単結晶薄膜の特性を改善することができる。上述の通り、基板5に形成されるGaN単結晶薄膜形成についての化学式は下記の通りである。NArGa-->GaNAr左項の括弧はNとArから構成された中性粒子ビームを表している。ここにおけるArの主な役割は、Ga原子への運動エネルギー及び運動量の伝達である。すなわち、Ga原子が基板に衝突した前後に、Arから運動エネルギーと運動量が伝達され、エネルギーの高いGa原子に変換され、中性粒子ビーム内のN原子と反応してGaNの結晶を形成することとなる。これは、既存のGaN層を形成した後に、中性粒子、イオン、電子またはレーザービームでアニーリングannealingする方法とは全く異なる新しい方法である。中性粒子ビームの運動エネルギーEnから衝突を通してGa原子が得るエネルギーEGaは、下記の通りである。MGaは、Ga原子の質量、Mnは中性粒子ビーム元素の質量を意味し、θは衝突直前の中性粒子ビーム元素の進行方向となす衝突後のGa原子の進行方向との角度である。この式に基づくと、Ga原子は中性粒子ビーム内のAr原子から、最大93のエネルギーを得ることができ、N原子からは最大約56のエネルギーを得ることができる。中性粒子ビームの運動エネルギーは、中性粒子ビーム発生源内において初期にプラズマを中和プレートの方に引き寄せるために印加する電位Vによって決定されうる。したがって、上述の通り、基板5を加熱することで供給する熱エネルギーに伴う基板の温度を200ないし800°Cにすることを試みる場合、印加電位を調節して中性粒子ビームの運動エネルギーを1ないし100eVで与えることができ、さらに詳細には基板の温度を600ないし700°Cにしようと試みる場合、中性粒子ビームの運動エネルギーを10いし30eVで与えることができる。また、中性粒子ビームの発生メカニズムを分析して、前記中性粒子ビームの発生及び中性粒子ビームの運動エネルギーの付与のために、中性粒子ビーム発生源に印加する電位Vは次の通りである。前記の数式において、Enは、中性粒子ビームのエネルギー、Vpは、プラズマ電位、qは、プラズマ荷電粒子の電荷量、γEは、プラズマ荷電粒子が中和プレートに衝突した後、中性粒子に変換して出てくる際に保たれるエネルギー効率を表し、中和プレートの物質及び入射角度に応じて、0.3ないしは0.9の値を持つ。また、半導体発光素子の作製には、前記の通りGaN単結晶薄膜をp-型またはn-型に作製すべく、不純物をドープする必要がある。とりわけ、既存のMOCVD法によってp-型ドープを行う場合、p-型ドーピング反応気体である前駆体Precursorとして、Cp2Mgのような水素を多量に含む分子気体を用いるため、膜形成過程において多量の水素が発生してMgと結合してしまい、Mgがドーピング元素として機能を果たすことができなくなり、ドーピング効率がが非常に低下することとなる。しかも、こうした低い効率のドーピング状況において、ドーピング密度を合わせるために過度の前駆体気体を用いるため、ドープされていないMgが多量に生じ、これらがp型GaNの特性を悪化させる。結局、既存のMOCVD法の場合は、ドーピング効率を高めるために温度を上げると、Mgの活性層への拡散が問題となり、温度を下げて多量の前駆体ガスを注入すると、ドーピング効率が低くなり、ドープされていないMgによってp型GaNの特性が低下する。しかし、中性粒子ビームと水素のない固体元素そのもののを用いると、既存の問題点を克服することができる。中性粒子ビームと固体元素を用いる不純物ドーピングのための装置が、図2に図示されている。図2では、ドーピング用固体元素発生源8が、工程チャンバ7の上端に装着されていることが分かる。前記ドーピング用固体元素発生源8においては、例えば、GaN層のドーピングに必要な元素である、例えばSiまたはMg元素をスパッタリングsputtering装置、または電子ビームelectronbeam照射装置を用いて蒸気化し、固体元素の蒸気を工程チャンバ7内に噴射する。融点が650°Cと低いMgの場合蒸着セルを用いることができるが、Siの場合は融点が1,410°Cと高く蒸着セルの代わりにスパッタリング装置または電子ビーム照射装置を用いて蒸気化した方が有利である。前記ドーピング元素であるSiは、GaN層に混入し前記GaN層をn型に形成する。また、形成されたn-型GaN層のすぐ上には、一般的には活性層であるInGaN層を形成し、その上にp型GaN層を形成することで、半導体発光素子を作製する。Mg元素の場合、p型GaN層を形成するためにドープされる。ドーピング過程もまた、中性粒子ビームの運動エネルギーを通して行われ、基板5の温度が相対的に低温である600ないし700°Cであるため、従来1,000°C以上の高温において問題となっていたドーピング元素の拡散に伴うp型の特性低下による発光特性の劣化現象を解消することができる。すなわち、従来のMOCVD法においては、基板の加熱によって生じる熱エネルギーにより、p型GaN層のドーピング元素であるMg元素が、LED発光素子の活性層であるInGaN層に形成された多重量子井戸層multi-quantumwellに拡散することで、活性層の機能を弱化させ、発光素子の発光特性が損なわれていたが、本実施例においては、中性粒子ビームによる運動エネルギーが反応エネルギーの相当量を提供して基板の温度を下げることができ、各層を形成するたびに、中性粒子ビームの運動エネルギーを適正水準に制御して、ドーピング元素が他の層に拡散しないようにすることで、発光素子の発光特性を向上させることができる。前記ドーピング過程を化学式で表すと下の通りである。n型ドーピング:NArGaSi→GaN:SiArp型ドーピング:NArGaMg→GaN:MgAr以下は、発光素子を作製する工程であり、MOCVD法と中性粒子ビームを用いたエピタキシャル工程全てを用いた実施例を説明する。図3は、本発明の一実施例に基づいた発光素子の断面図である。図3に示された発光素子は、GaN系発光ダイオードLEDの構造を例示として説明している。発光素子は基板10、バッファ層11、n型半導体層12、多重量子井戸層MQW13、p型半導体層14、透明電極層15を含む。基板10にはサファイア等の材料を用いることができ、バッファ層11は、AlN、結晶化度の低いGaN等で構成することができる。ここにおいて、活性化層である多重量子井戸層MQW13は、InGaNにて形成されうる。ここでのn型半導体層12、多重量子井戸層MQW13、p型半導体層14は、中性粒子ビームで形成されうることについては、既に詳細に説明した通りである。図4は、発光素子の作製工程において、中性粒子ビームエピタキシャル工程とMOCVD工程を比較した図面である。図4のaに示されたMOCVD工程を見れば、基板が高温にて洗浄された後、低温にてバッファ層11が形成される。その後、1,000~1,100°Cの状態にある領域Aにおいてn型半導体12が形成される。この期、700~800°Cの状態にある領域Bにおいて多重量子井戸層MQW13が形成される。そして、再度温度が上昇して900~1,000°Cの状態にある領域Cにおいてp型半導体層14が形成されうる。ここで注目すべき点は、p型半導体層14の形成のための領域Cにおいては、p型元素のドーピング効率がn型元素のドーピング効率に比べて非常に低いということである。さらに詳しくは、p型元素例えばMgのドーピング効率は、純粋に温度に依存するため、高温の熱エネルギーを提供しねければならないが熱エネルギーはGa原子の移動性を高め、Mgを活性化させ、置換可能性を高める。、その反面基板全体を過度の高温で加熱した場合は、p型元素であるMgがn型半導体層12や多重量子井戸層MQW13によって拡散し、発光素子全体の品質を下げるという問題点がある。結局、MOCVD工程において、p型半導体層14を形成すべく低温で処理するとp型元素のドーピング効率が低下し、前記p型元素が結晶に参加できなくなり、電気伝導度を下げるという問題点が存在することとなり、反対に高温で処理するとp型元素の拡散により、発光素子全体の品質を下げるという問題点が存在することになる。その反面、図4のbと同様に、中性粒子ビームエピタキシャル工程を用いる場合は、MOCVD工程に比べて相対的に低温にあたる600°C程度でドーピングが可能となるため、ドーピング効率を高めつつ基板の損傷を防ぎ、p型元素の拡散を防止することができるという長所がある。一方、従来のMOCVD工程の場合は、中性粒子ビームを用いたエピタキシャル工程よりは、製造装置が廉価で処理時間を短縮することができるという長所がある。したがって、本発明者らは、二つの工程方法を組み合わせ、高品質の発光素子を廉価で作製することのできるハイブリッド工程を設計した。図5は、本発明の前記ハイブリッド工程の実施例に基づく発光素子の製造方法を図示したしたフローチャートである。ステップS100、S110においては、基板を洗浄しバッファ層を形成する。本ステップの具体的な工程処理方法は、従来のGaN系LED製造に用いられた方法が採用されうる。ステップS120においては、MOCVD工程を用いてn型半導体層を形成する。ここで、n型元素としてはSiが利用されることがある。n型半導体層はp型半導体層と比べてドーピング効率が高いため、MOCVD技術を採択した場合、迅速な処理速度によって効率よくn型元素をドープすることができる。この後、ステップS130においては、中性粒子ビームエピタキシャル工程を用いて多重量子井戸層MQWを形成する。前記多重量子井戸層MQWはInGaNへと形成されることがある。ステップS140においては、p型半導体層が中性粒子ビームエピタキシャル工程によって形成される。p型半導体層のp型元素としてはMgが用いられる。ここで、p型元素はn型元素に比べてドーピング効率が大きく下回る。また、高温ではドーピング元素が他の層に拡散するおそれがある。しかし、ステップS140においては、p型半導体層を形成するにあたって、低温で処理可能な中性粒子ビームエピタキシャル工程を採択することで、ドーピング効率を向上させると同時に、発光素子の品質低下を防止することができる。ステップS150においては、p型半導体層の上に透明電極を形成する。透明電極の形成は、スパッタリング、中性粒子ビーム等の方法によって実施することができる。図5に示された本発明の実施例において、ステップS120、S130、S140は、それぞれ異なるチャンバで処理を行うことができる。例えば、被処理基板は中央のロボットにより最初にMOCVDを用いて、n型元素をドープするチャンバに基板を投入してn型半導体層を形成し、中性粒子ビームを用いて多重量子井戸層MQWを形成する他のチャンバにおいて多重量子井戸層MQWを形成し、次に中性粒子ビームを用いてp型元素をドープする異なるチャンバに基板を投入してp型半導体層を形成することができる。すなわち、MOCVD工程を実施する第1チャンバと、中性粒子ビームを用いて多重量子井戸層MQWを形成する第2チャンバ、及び中性粒子ビームを用いてp型元素をドープする第3チャンバによって、全体の工程を実施することができる図7参照。しかし、中性粒子ビームを用いる前記の二つの工程は、一つのチャンバにて順次分離実施することも可能である。ここで、中性粒子ビームを用いるチャンバにて処理される具体的な例示は、本発明の明細書において既に十分に説明した通りである。このような構成により、ドーピング効率の良いn型半導体層の形成は、工程処理の迅速なMOCVD法を採用し、ドーピング効率が相対的に落ちるp型半導体層の形成は、中性粒子ビームを用いることで、全体的な発光素子の品質と作製効率を向上させることができる。本発明は、上で説明した実施例にとどまらず、特許請求範囲に記載されたところによって定義され、本発明の分野において通常の知識を有する者が、請求範囲に記載された権利の範囲内で多様な変形と改作をできる。"