"第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液を用いて形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20以上、100以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol以上、30vol以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板。第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液から生成したフィルムで形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20以上、100以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol以上、30vol以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板。前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減りさせた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載の多層配線板。前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の多層配線板。前記積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の高さh2が、前記積層熱プレス後の前記絶縁層の厚さt3に対して、h2≧t3であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の多層配線板。前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt以上、30wt以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の多層配線板。本発明は、微細化、高密度化及び薄型多層化が対応可能で、かつ、層間絶縁性も良好で、層間微細導電性バンプによる接続信頼性の高い配線板を供給可能で、かつ製造歩留りが高く、製造コストの低い多層配線板用の部材、及び多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。本発明1は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液を用いて形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20以上、100以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol以上、30vol以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板である。本発明2は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成された短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなり、前記絶縁層が絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液から生成したフィルムで形成した層であり、前記絶縁性フィラーの平均粒径が、積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の平均高さの20以上、100以下であり、前記絶縁性樹脂配合液中の前記絶縁性フィラーの混合比が1vol以上、30vol以下であり、前記絶縁性樹脂配合液の材料がオリゴフェニレンエーテル樹脂を含むことを特徴とする多層配線板である。本発明3は、前記絶縁層が、絶縁性フィラーを含む絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させて膜減りさせた後、硬化させて形成した層であることを特徴とする前記発明1又は前記発明2の多層配線板である。本発明4は、前記絶縁性フィラーが、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料であることを特徴とする前記発明1乃至前記発明3の多層配線板である。本発明5は、前記積層熱プレス後の前記導電性バンプ群の高さh2が、前記積層熱プレス後の前記絶縁層の厚さt3に対して、h2≧t3であることを特徴とする前記発明1乃至前記発明4の多層配線板である。本発明6は、前記導電性バンプ群を構成する樹脂組成物が、熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt以上、30wt以下の混合比で添加した材料からなることを特徴とする前記発明1乃至前記発明5の多層配線板である。本発明によれば、1.B2itと比較し、導電性バンプ貫挿プロセスではなく、機械的圧力が部材に加わらないので、絶縁層を薄くでき、導電性バンプの高さを低くできる。また、導電性バンプのアスペクト比が小さくてもビアを形成できる。これにより、導電性バンプのサイズを小さくできる。その結果、外径が30~50μmの導電性バンプを有する高密度多層配線板の製造が可能になる。将来、導電性バンプ密度が100万個/m2になった時にも対応可能である。導電性バンプのアスペクト比を高くする必要がないので、特殊な導電ペーストを用いなくても、或いは、導電性バンプ形成のためのペースト塗布工程を多数回繰り返さなくても導電性バンプの形成が可能である。そのため、材料コストや製造コストの低減が可能である。導電性バンプ、配線、絶縁性被膜の損傷による不良率が低減する。良好な層間接続を形成するのに必要な導電性バンプのアスペクト比が小さくても製造条件のマージンが広いので、製造歩留まりが向上する。2.ALIVHと比較し、レーザー穴開け技術を用いていないので、穴部分の形状的不均一性を排除できる。レーザー穴開け法による形状的不均一性は、製造工程において、穴部分とビア導電剤との密着不良による配線板内への液体又は湿気の浸透を引き起こし、さまざまな欠陥の原因の一つとなる。それに対し、本発明の製造方法によれば、導電性バンプと絶縁性被膜の界面は、導電性バンプの周囲に低粘度の流動性樹脂を塗布して形成されるので、ビアに相当する導電性バンプと絶縁性被膜の密着性、配線板の信頼性は極めて高い。複数のビアを一括して作製する方式であるため、ビアの数が増えても製造コストは増えない。3.スルーホールメッキ方式と比較し、ビアの空間利用効率が高く微細化に適している。層間接続穴を導電性部材で埋めた構造であるため、放熱効果が高く、高速CPUなど発熱量の多いデバイスの実装に好適である。凹みができないので、ビア上にも配線や他のビアを形成可能で、かつ、表層ビア上には部品を実装することも可能であり、実装密度向上に効果がある。4.絶縁性樹脂組成物をカーテンコート法により塗布する方式と異なり、本発明の多層配線板に係る製造方法は、比較的低濃度の樹脂配合液の塗布により形成した被膜の膜厚を減少させて導電性バンプの頭出しを行う方式であるため、導電性バンプ先端部に絶縁性樹脂が残らない。そのため、確実な層間接続の形成、ビア抵抗の低減が可能である。5.導電性バンプの上断面形状を中心角が180°以下のゆるやかな円弧としてもビアの形成が可能で、頭頂部の面積の小さい従来法で用いられている導電性バンプと異なりビアの断面積が大きい。また、ビアと配線の接触部における絶縁性物質の残留量を少なくすることができるので、ビアと配線の接触面積を大きくとれ、ビア抵抗の低減が可能である。6.絶縁性未硬化被膜を備えた配線板部材を積層して多層配線板を製造するので、絶縁性被膜と導電性パターンとの密着強度が高くなり、配線が剥離しにくくなる。隣接する絶縁性被膜との密着強度が高くなり、強固な多層配線板の製造が可能になる。絶縁性被膜に柔軟性があり、下地に凹凸があっても被膜性が良く、表面が平坦になる。導電性バンプと接触する配線との密着強度が高くなり、ビア抵抗の低減が可能である。7.厚膜プロセスと導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせることにより、高密度多層配線板の製造コスト低減が可能である。8.実装密度の高い多層配線板を提供することができ、電子機器の小型軽量化、多機能化に寄与する。9.比誘電率、誘電損失の低い絶縁性材料により絶縁被膜を形成するので、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。10.低温の熱処理でも導電性の高い配線材料を用いて配線や導電性バンプを形成するので、配線膜厚を薄く、配線幅を細くしても、電気信号伝搬特性に優れた実装配線板を作製できる。11.本発明の多層配線板に係る製造方法は、一括積層により多層配線板を製造できるので、順次積層により多層配線板を製造する方法と比較して、製造工程数が少なく製造コストの低減が可能であり、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高い。12.絶縁性被膜材料に絶縁性フィラーを分散することによりコア基板のそりに起因するショートやオープンなどの配線接続不良率を低減でき、製造歩留りの向上に効果がある。以下、本発明の最良形態について説明する。多層配線板部材、多層配線板、複合多層配線板多層配線板の製造においては、多層配線板を構成する部品である多層配線板部材配線板用の部材、又は、単に、配線板部材を形成してから、複数の係る多層配線板部材を積層し、加熱下でプレスして多層配線板を形成する。特に、本発明の技術により製造した導電性バンプ密度の高い多層配線板部材による表面回路層と導電性バンプ密度の低いコア基板を積層した多層配線板を複合多層配線板と呼ぶ。あるいは、コア基板を含む複合多層配線板を、単に、多層配線板と呼ぶ場合もある。コア基板は物理的剛性を担うと同時にそれほど微細ではない電源配線や接地配線などの回路を形成し、表面回路層は微細配線を形成する。表面回路層を構成する多層配線板部材の製造には本発明の技術を用いることにより、製造コストの低い厚膜プロセスと微細加工が可能な導電性薄膜のエッチングプロセスを組み合わせて実装密度の高い複合多層配線板を形成できる。一括積層、順次積層、コアコア積層配線を備えた多層配線板部材を形成してから、複数の多層配線板部材を一度に積層熱プレスして多層配線板を製造する方法、又は、複数の多層配線板部材とコア基板を一度に積層熱プレスして複合多層配線板を製造する方法を、一括積層と呼ぶ。一方、配線を備えた、又は、備えていない多層配線板部材を形成して、その上に導電性箔を貼り付け、エッチングにより配線を形成した後、次の多層配線板部材を載せて積層熱プレスを行う工程を順次繰り返すことにより、多層配線板又は複合多層配線板を製造する方法を、順次積層と呼ぶ。一括積層は、工程数を少なくでき、製造コストの低減が可能である。また、配線板部材に加わる熱履歴が少なく部材、及び、これらの部材により形成した多層配線板の信頼性が高いという利点がある。従来のB2itでは、一括積層を行うことが困難であったが、本発明の技術では一括積層による多層配線板の製造が容易に実施可能である。一方、順次積層は、配線パターンによるアライメントが不要で、導電性バンプのアライメントだけ行えばよいという利点があるが、積層する多層配線板部材ごとに、エッチングや積層熱プレスを行う必要があり、工程数増加により製造コストが高く、熱履歴が多くなるため部材の信頼性が低くなるという問題がある。コアコア積層は、コア基板とコア基板の間に1層の絶縁性被膜を配置し、導電性バンプによりコア基板間の電気的接続を行うものである。本発明に係る多層配線板の製造方法は、その実施の形態の変形例として一括積層、順次積層、及び、コアコア積層を含む。配線板用の部材の製造方法本発明の実施の形態による配線板用の部材の製造方法は、略円錐台状、又は、略円柱状等の突起状導電性バンプを層間接続部材として用いる。また、支持部材上に高密度に形成された導電性バンプ導電性バンプ群の上及び周囲に絶縁性樹脂配合液を塗布して流動性被膜を形成する。その後、絶縁性樹脂配合液の樹脂を実質的に硬化反応させない条件で溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を固化、膜減りさせて、絶縁性被膜とする。従来、導電性バンプの頭出しを行わないで多層配線板部材を積層プレスする場合は、層間の電気的接続がとれないと考えられていた。しかし、本願発明者等は、必ずしも、導電性バンプの頭出しを行わなくても、配線板を電気的に分離する絶縁性樹脂が未硬化被膜の状態で積層し、熱プレスを行うことで多層配線板や複合多層配線板を作製する場合は、層間の電気的接続が高い安定性でとれることを初めて見出した。係る方法で製造した多層配線板や複合多層配線板の電気的接続の信頼性が良好であることも確認された。また、本願発明に係る多層配線板は導電性バンプの頭出しを行う場合は、工程数は増えるものの、頭出しをしない場合と同様に、高密度実装に対応可能などの効果がある。頭出しをしない場合と比べ、配線間の導通安定性はさらに向上する。導電性バンプの頭出しを行う場合は、前記流動性被膜の溶剤の少なくとも一部を蒸発させ、前記絶縁性被膜の膜厚を減少させて、前記導電性バンプの先端部を前記絶縁性被膜上に突出させる工程が追加して行われる。導電性バンプ上に単に絶縁性樹脂配合液を薄く塗るだけでは導電性バンプの先端部に樹脂配合液が残るが、導電性バンプの高さよりも厚く樹脂配合液を塗布してから溶剤を蒸発させると、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。なお、本願明細書では、塗布後、膜厚減少前の絶縁性被膜を流動性被膜、膜厚減少後、硬化反応開始前の絶縁性被膜を絶縁性未硬化被膜と呼んで区別するものとする。B2itのような貫挿により導電性バンプの先端を絶縁性被膜上に突出させる製造方法とは異なり、絶縁性被膜を導電性バンプ周りに形成する段階で、導電性バンプ及び絶縁性被膜に対し機械的圧力が加わらない。そのため、絶縁性被膜の機械的耐久性の点で導電性バンプの高密度化に対応可能である。また、導電性バンプの底面径を小さくすることが可能である。さらに、導電性バンプのアスペクト比を小さくすることが可能で、導電性バンプ形状の設計マージンや製造条件のマージンが大きくとれるので、多層配線板の製造歩留まりが向上する。ここで、本発明の多層配線板用の部材は、溶剤に溶解した樹脂をバンプ群の周囲に流延させて十分に導電性バンプ周辺を濡らして乾燥固化させた絶縁性未硬化被膜であることに特徴があるので、導電性バンプと樹脂は緊密な密着構造で出来上がっている。一方、従来の、たとえばB2itでの絶縁性樹脂は、一般にBステージといわれる溶剤の蒸発された固体シートで、かかる固体シートを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させる方法においては無理やりの破断での穿孔であるからバンプ周辺に隙間ができたりして、本発明に比べて導電性バンプと樹脂の密着信頼性は劣るものである。絶縁性フィラーの分散先に述べた基板のそりによる層間配線接続不良の問題を解決するために、本願発明者等は、多層基板の層間絶縁膜中に絶縁性のフィラーを分散させることが極めて有効であることを見出した。本発明に係る多層配線板は、第一の導体層と第二の導体層の間に形成された導電性バンプ群と、前記導電性バンプ群周囲に形成され、導通性安定化のための絶縁性フィラーを含む絶縁層とからなることを特徴とする。さらに、絶縁性フィラーの平均粒径は、積層熱プレス後の導電性バンプ群の平均高さの20以上、100以下の範囲であることが好ましい。図8は、本発明に係る多層配線基板の断面図である。コア基板201とコア基板207が絶縁性フィラー205を分散した絶縁性樹脂層204を介して積層されている。コア基板201側の配線とコア基板207側の配線が互いに向き合う側に配置され、一部の配線領域が導電性バンプ203を介して電気的に接続されている。コア基板には、例えば、中央部で突きだした形状の大きなそりがある。そのため、コア基板周辺部では、コア基板間の距離が大きいので、基板周辺部における層間接続をとるためには、コア基板を十分に近接させなければならない。この場合、絶縁性フィラーが分散されていない場合は、図8に示すように、基板中央部の配線がショートしてしまうが、本発明に係る製造方法によれば、絶縁性樹脂層204に加圧に対する変形の少ないシリカなどの絶縁性フィラーを分散しているため、図8に示すように、基板中央部においても配線のショートが発生しにくい。以上の説明を行ったように、本発明に係る多層配線板は、短絡防止用の絶縁性フィラーを含む絶縁層を構成要素とすることを特徴とする。ここで言うところの短絡防止用とは、単に複数の導体間の短絡を防止することのみを意味するのではなく、多層配線板で層間の電気的接続に用いられる導電性バンプによる上下導通性に影響せず、短絡防止に絶縁層厚を確保する目的で用いることを意味する。薄膜プロセスと厚膜プロセス一般的に多層配線板の製造に用いられる加工技術は、薄膜プロセスと厚膜プロセスに分類される。薄膜プロセスは、膜形成技術としては、蒸着、スパッター、CVD、PVD、めっき等、パターン形成技術としては、フォトリソグラフィー、ドライエッチング等の技術を用いるもので、真空プロセスやウェットプロセスを中心とする加工技術である。配線板又はプリント配線板と呼ばれる実装配線板では、一般的に、50μm/50μmレベル以下の微細な配線/スペース幅の加工には、セミアディティブ手法などの薄膜プロセスが用いられていた。微細なパターンの加工が可能であるが、製造コストが高いという問題がある。これに対し、厚膜プロセスは、代表的にはスクリーン印刷などの印刷を中心とする加工技術で、ドライプロセスかつ大気下のプロセスである。厚膜プロセスは、薄膜プロセスに比べ製造コストを低減できるという特徴を持つ。例えば、配線幅100μm以下の配線密度の高い多層配線板を作製するには、同時に層間接続ビアである突起状の導電性バンプの底面径を100μm以下とする必要がある。しかし、従来法である絶縁性樹脂のプリプレグシートを導電性バンプにて貫挿する製造方法では、プリプレグの厚さが現状では最低でも30μm以上であり、導電性バンプにてその厚さを安定して貫挿するには、導電性バンプの高さをプリプレグの厚さの約3倍以上にする必要性があり、導電性バンプ径の微細化には導電性バンプのアスペクト比を大きくせざるを得ず、100μmφ以下の微細な導電性バンプの形成は困難を極めた。従来、ビア径及び配線幅が100μm以下の高密度配線板を実現するには、製造コストや製造設備投資額の高価な、例えば、セミアディティブ法による微細配線パターンの形成、フォトビア法による微細ビアの形成、等の薄膜プロセスを用いるのが一般的であった。有機配線板一般的に多層配線板は、基板材料によって、有機配線板と無機配線板に分類される。本発明は、絶縁性基板の材料として有機材料を用いる有機配線板を対象とするものである。絶縁層、導体層に関する用語の定義本願明細書では、絶縁層に関する用語を以下のように定義する。絶縁性樹脂を溶剤に溶解させた状態の液体を絶縁性樹脂配合液と呼ぶ。係る絶縁性樹脂配合液を部材上に塗布した後、溶剤を揮発させた膜を絶縁性未硬化被膜と呼ぶ。係る絶縁性未硬化被膜を加熱して、絶縁性未硬化被膜に含まれる樹脂を硬化反応させた膜を絶縁性被膜と呼ぶ。導体層又はコア基板に積層された状態の絶縁性被膜を絶縁層と呼ぶ。また、導体層は、金属等の導電性の高い層のことであり、例えば、導体パターン層、べた層、導体パッド層を含む用語である。本発明の実施の形態に係る多層配線板部材、及び、その製造方法多層配線板部材の製造方法の第一の具体例図1乃至は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第一の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔1を用意する図1。次に、導電性箔1の上の所定の位置に導電性バンプ2を形成する図1。導電性バンプ2の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ2の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒銀、金、銅、ハンダなどを分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー4を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ2の上及び周囲に塗布し、流動性被膜3を形成する図1。次に、流動性被膜3を乾燥して溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜5とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する図1。図1に示すように第一の具体例では、絶縁性未硬化被膜5の厚さは、導電性バンプ2の高さよりも厚くなっている。このことは、図1の段階において、導電性バンプの頭出しが必ずしも必要がないことを示すものである。多層配線板部材の製造方法の第二の具体例図2乃至は、本発明の多層配線板部材の製造方法の実施の形態に係る第二の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔11を用意する図2。次に、導電性箔11の上の所定の位置に導電性バンプ12を形成する図2。導電性バンプ12の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ12の材料となる導電性ペーストとしては、例えば、液状樹脂の中に金属粒銀、金、銅、ハンダなどを分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー14を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ2の上及び周囲に塗布し、流動性被膜13を形成する図2。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜13に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜15とし、多層配線板の部品となる配線板部材を完成する図2。この時、流動性被膜13の膜厚が減少し、導電性バンプ12の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。多層配線板部材の製造方法の第三の具体例図3乃至は、本発明の多層配線板の製造方法の実施の形態に係る第三の具体例を示す工程順断面図である。まず、銅箔などの導電性箔21を用意する図3。次に、導電性箔21の上の所定の位置に導電性バンプ22を形成する図3。導電性バンプ22の形状は、略円錐台状、又は、略円柱状など、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。導電性バンプは、例えば、導電性ペーストのスクリーン印刷により形成する。導電性バンプ22の材料となる導電性ペーストとしては、例えば液状樹脂の中に金属粒銀、金、銅、ハンダなどを分散させ、必要に応じ、揮発性の溶剤を混合させたものを用いる。導電性バンプは、所定の形状、所定の高さになるように、1回のスクリーン印刷で必要な高さが得られない場合には、複数回、必要に応じマスクの形状を変化させて繰り返し印刷を行ってもよい。次に、絶縁性フィラー24を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ22の上及び周囲に塗布し、流動性被膜23を形成する図3。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜23に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜25とする図3。この時、流動性被膜23の膜厚が減少し、導電性バンプ22の先端部が露出するように、絶縁性樹脂配合液に含まれる揮発成分の量や、加熱条件を調整する。膜厚減少工程における加熱により、絶縁性未硬化被膜23の流動性が変化し、絶縁性被膜25が形成される。絶縁性被膜25は、硬化反応が開始するが、完全硬化には至らない程度に加熱条件を調整するのが好ましい。これにより、絶縁性被膜を積層した時の密着性を劣化させずに、裏面に導電性パターンを形成する時の配線板の取り扱いが容易になる。次に、膜厚の減少した絶縁性被膜34と導電性バンプ22の上に、導電性バンプ22の先端部を陥没可能な有機樹脂フィルム、例えば、クレラップ、パイレン、ナイロン、PET、PPT、又は、PIからなる保護膜26をラミネートにより形成する図3。保護膜25は、後工程である裏面における導電性パターンの印刷時に導電性バンプ22を変形や損傷から保護する目的で形成する。次に、絶縁性被膜25の裏面の導電性箔21上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成する。次に、ウェットエッチングによりレジストパターンをマスクにして導電性箔21をエッチングし、レジストパターンを除去し、配線27を形成し、保護膜25を剥離する図3。次に、絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ22の上及び周囲に塗布し、流動性被膜28を形成する図3。次に、例えば、乾燥炉で加熱し、流動性被膜28に含まれる揮発成分を所定量蒸発させ、その膜厚を減少させ、絶縁性未硬化被膜29とし、配線板部材を完成する図3。絶縁性被膜29が未硬化被膜であるので、絶縁性被膜29に接して積層する部材との密着性が改善される。製造方法、材料等に関する詳細説明以下、本発明の実施の形態に係る多層配線板部材を構成する導電性バンプ、絶縁性被膜、配線に関する好適な製造方法、材料等について詳細に説明する。製造方法導電性バンプの形成1.導電性ペーストの調整工程導電性ペーストは、溶媒に樹脂組成物と導電性粒子を溶解又は分散させて調整したものを用いる。2.導電性ペーストの印刷乾燥固化工程導電性バンプは、例えば、スクリーン印刷法を用いて、所定のマスクを用い、導電性ペーストを配線板上あるいは支持基板上に印刷して形成する。所定の高さ及びアスペクト比の導電性バンプを形成するためには、必要に応じ異なるマスクを用いて、数回に分けて印刷を繰り返してもよい。絶縁性被膜の形成1.絶縁性樹脂配合液の調製工程熱硬化性樹脂組成物を、溶媒に溶解又は分散させて絶縁性樹脂配合液を調整する。溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、ケトン系溶媒、芳香族系溶媒が挙げられる。例えば、前者としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、後者としては、トルエン、キシレンが挙げられる。同時に、絶縁性フィラーを溶媒中に分散させる。絶縁性フィラーは溶媒中に均一に分散させるのが好ましい。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁性樹脂組成物に対し、10vol以上とするのが好ましい。溶媒の使用量については、溶媒の蒸発により導電性バンプの頭出しを適切に行うために、絶縁性樹脂配合液中の揮発成分の含有量が適正な範囲となるように調整するのが好ましい。例えば、NV不揮発性樹脂成分の含有量が10重量~80重量の範囲となるように樹脂を溶媒で希釈するのが好ましい。また、絶縁性樹脂配合液の粘度は、100~600mPaSの範囲とするのが好ましい。粘度が小さすぎると、樹脂配合液の塗布時に流れ出しが発生し、塗布できないという問題がある。粘度が大きすぎると、塗布表面の平坦性が悪くなるという問題がある。本発明に係る多層配線板の絶縁性被膜の製造に用いるエポキシ樹脂及びオリゴフェニレンエーテル樹脂は、いずれも常温では固体で、100°C程度までの温度では熱軟化性を示す樹脂である。粉末又はフィルム状で固体の材料を溶媒に溶解又は分散して、必要に応じ加熱して樹脂配合液液体にする。樹脂配合液を基板に塗布した後、乾燥し常温に戻すと被膜固体に変化する。本発明に係る多層配線板の製造には、特に、乾燥固化温度が60°C以上、160°C以下で完結できるような溶剤と樹脂の組み合わせを用いるのが好ましい。2.絶縁性樹脂配合液のコーティング工程得られた絶縁性樹脂配合液を、導電性バンプを有する支持体の上にコーティングし、絶縁性被膜を形成する。コーティング方法は特に限定されないが、例えば、ドクターブレード法、カーテンコート法、マイクログラビア法、スロットダイ法を用いるのが好ましい。また、コーティング工程における絶縁性被膜の厚さは、導電性バンプの高さよりも厚くコーティングするのが好ましい。導電性バンプの高さよりも厚くコーティングしてから、導電性バンプの高さより薄くなるまで絶縁性被膜を膜減りさせると、均一性、再現性よく導電性バンプの頭出しができる。3.溶媒蒸発工程溶媒蒸発工程は本発明に係る多層配線板部材を製造する上で必ずしも行う必要はないが、溶媒蒸発を行わない場合に比べ、より高い配線接続安定性を得ることが可能である。具体的には、コーティングした絶縁性被膜を、加熱、又は、自然乾燥させることにより、絶縁性被膜中の揮発成分を蒸発させ、膜厚を減少させる。溶剤の種類、乾燥機の排気風速、風量などによって所定の温度に対する処理時間は適宜調整する必要があるが、例えば、80~120°C、1~30分程度に設定する。積層熱プレス一括積層の場合は、複数の配線板部材と必要に応じコア基板を位置合わせして積層した後、加熱下でプレスし、多層配線板を形成する。一方、順次積層の場合は、コア基板に対し、複数の配線板部材を一枚ごとに積層して熱プレスを行う。加熱条件は、多層配線板を構成する熱硬化性樹脂が耐熱温度以下で、かつ、完全硬化するように設定するのが好ましい。加熱プレスの条件は適宜設定することができる。絶縁性樹脂の硬化反応開始温度以下、かつ、熱溶融粘度が下がる温度以上とするのが好ましい。また、絶縁性フィラーが導電性バンプの上に存在した場合でも、積層熱プレスの工程で導電性バンプにクラックが生じず、電気的接続を十分確保できる条件とすることが好ましい。例えば、温度170~210°C、実圧力5~15kgfcm2とすることができる。未硬化フィルムの最低溶融粘度を比較的高くすることができるため、加熱プレスにおいて樹脂流れがなく、硬化前後の厚みをほぼ一定にすることができ、かつ硬化後の厚みの均一性を良好にすることができる。材料導電性バンプ材料導電性ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、AgCuAuNiのいずれか、又は、それらの少なくとも2種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。また、導電性バンプを構成する樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を10wt以上、30wt以下の混合比で添加した材料を用いるのが好ましい。多層配線基板の積層熱プレス工程において導電性バンプにおけるクラック発生を抑制する効果がある。絶縁性被膜材料近年の高度情報化社会では、情報の高速大容量伝送に向けて、電子機器の動作周波数の高速化が年々進んでいる。電子機器に搭載される多層配線板においても、配線板を構成する絶縁性被膜の材料として比誘電率や誘電損失の低い材料の使用が求められている。さらに、電子機器の小型化、薄型化に伴い、配線板の薄型化が求められている。そのため絶縁性被膜の材料は、高い再現性で薄い絶縁性被膜の形成が可能な材料であることが好ましい。また、製造コスト低減のため、厚膜プロセスを用いる場合でも薄膜化が可能な材料の使用が好ましい。本発明の多層配線板の製造における絶縁性部材の材料としては、比誘電率及び誘電正接の低い熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、オリゴフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテル樹脂、メラミン樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂の硬化後の比誘電率は、5GHzにおいて2.0~3.0の範囲であり、誘電正接が5GHzにおいて0.001~0.005の範囲のいずれかを満たす材料を用いるのが好ましい。<エポキシ樹脂>また、上記熱硬化性樹脂組成物としては、国際公開第2005/100435号に記載されたエポキシ樹脂組成物も好適に使用できる。具体的には、1つ以上のヒドロキシ基と2つ以上のエポキシ基とを有する重量平均分子量1,500~70,000の直鎖状エポキシ樹脂Aと、フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラックBとを含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記変性フェノールノボラックBの含有量が、上記直鎖状エポキシ樹脂A100重量部に対して30~200重量部であるエポキシ樹脂組成物が、誘電特性例えば、低誘電率、低誘電正接に優れる点から好適に挙げられる。直鎖状エポキシ樹脂Aの重量平均分子量は、1,500~70,000のである。直鎖状エポキシ樹脂Aの数平均分子量は、好ましくは3,700~74,000、より好ましくは5,500~26,000である。直鎖状エポキシ樹脂Aのエポキシ当量は、5000g/eq以上が好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法GPCにより、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。直鎖状エポキシ樹脂Aとしては、重量平均分子量/数平均分子量が2~3の範囲のものが特に好ましい。直鎖状エポキシ樹脂Aとしては、具体的には、例えば、下記式1で示される化合物が好ましく、下記式2で示される化合物がより好ましい。上記式中、XおよびYは、それぞれ、単結合、炭素数1~7の炭化水素基、-O-、-S-、-SO2-、-CO-または下記式で示される基である。XおよびYが複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。ここで、上記式中R2は、炭素数1~10の炭化水素基またはハロゲン原子であり、R2が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。R3は、水素原子、炭素数1~10の炭化水素基またはハロゲン原子である。qは、0~5の整数である。上記式1~2中、R1およびR4は、それぞれ、炭素数1~10の炭化水素基またはハロゲン原子である。R1およびR4が複数ある場合は、それぞれ、同一であっても、異なっていてもよい。pおよびsは、それぞれ、0~4の整数であり、同一であっても、異なっていてもよい。上記式1中、nは、平均値を表し、25~500である。上記式2中、tは、平均値を表し、10~250である。直鎖状エポキシ樹脂Aは、上記式1において、pが0である、式1′で示される化合物であるのがより好ましい。上記式中、Xおよびnはそれぞれ上記式1中のXおよびnと同義である。上述した直鎖状エポキシ樹脂Aは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも一部を脂肪酸エステル化した変性フェノールノボラックBとしては、例えば、下記式3で表される変性フェノールノボラックが好適に挙げられる。上記式3中、R5は、炭素数1~5のアルキル基を表し、好ましくはメチル基であり、複数のR5は、同一であっても異なっていてもよい。R6は、炭素数1~5のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のR6は、同一であっても異なっていてもよい。R7は、炭素数1~5のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、複数のR7は、同一であっても異なっていてもよい。gは、0~3の整数を表し、複数のgは、同一であっても異なっていてもよい。hは、0~3の整数を表し、複数のhは、同一であっても異なっていてもよい。n:mは、1:1~1.2:1であり、約1:1であることが好ましい。nとmの合計としては、例えば2~4とすることができる。上記式3におけるn、mは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。変性フェノールノボラックBとしては、好ましくは、下記式3′で表される変性フェノールノボラックが挙げられる。上記式3′中、R5、nおよびmは、それぞれ、上記式3のR5、nおよびmと同様である。特に好ましくは、上記式3′においてR5がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。これらの変性フェノールノボラックは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記B成分の含有量は、上記A成分100重量部に対して30~200重量部であるのが好ましい。B成分の含有量がこの範囲であると、誘電特性、フィルム形成性、硬化反応性に優れる。上記B成分の含有量は、上記A成分100重量部に対して、50~180重量部であるのがより好ましい。上記エポキシ樹脂組成物は、更に、Cイソシアネート化合物を含有するのが好ましい態様の1つである。エポキシ樹脂中にヒドロキシ基がある場合は、そのヒドロキシ基や、エポキシ樹脂が開環した際に生成するヒドロキシ基と、イソシアネート化合物中のイソシアネート基が反応して、ウレタン結合を形成し、硬化後のポリマーの架橋密度を上げ、分子の運動性を更に低下させるとともに、極性の大きいヒドロキシ基が減少するため、一層の比誘電率の低下、誘電正接の低下が可能になる。更に、エポキシ樹脂は分子間力が大きく、フィルム化する場合に均一な成膜が困難であり、かつフィルム化してもフィルム強度が弱く、フィルム形成時にクラックが入り易い傾向があるが、イソシアネート化合物を配合することによりこれらの欠点を除くことができる。上記イソシアネート化合物としては、2個以上のイソシアネート基を有する化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、水素化キシリレンジイソシアネート、リシンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリイソシアネートフェニルトリホスファート等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましい。また、上記イソシアネート化合物には、イソシアネート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアネート化合物の3量体を含むプレポリマーが挙げられる。上記イソシアネート化合物は、特に、上述した直鎖状エポキシ樹脂Aとの組み合わせで使用することが好ましい。エポキシ樹脂の開環反応に伴う生成したヒドロキシ基とイソシアネート基との反応に加えて、直鎖状エポキシ樹脂A中にはヒドロキシ基が存在するため、このヒドロキシ基とイソシアネート基とが反応できるため、より大きな効果が得られる。上記C成分の含有量は、上記A成分100重量部に対して100~400重量部であるのが好ましく、300~350重量部であるのがより好ましい。C成分の含有量がこの範囲であると、硬化する際に発泡が抑えられ均一なフィルムになりやすく、また、硬化後にクラックが生じにくく、誘電特性例えば、低誘電率、低誘電正接にも優れる。上記エポキシ樹脂組成物は、更に、Dジビニルベンゼンを含有するのが好ましい態様の1つである。ジビニルベンゼンを含有すると、架橋成分の溶融温度の低温化、成型時の流動性の向上、硬化温度の低温化、相溶性の向上に優れる。上記D成分の含有量は、上記A成分100重量部に対して、40~180重量部であるのが好ましい。上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として硬化促進剤を含有してもよい。硬化促進剤としては、エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として公知のものを使用することができ、例えば、2-メチルイミダゾ-ル、2-エチル-4-メチルイミダゾール等の複素環化合物イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物類、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノール、ベンジルジメチルアミン等の第三級アミン類、1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセンやその塩等のBBU類、アミン類、イミダゾ-ル類をエポキシ、尿素、酸等でアダクトさせたアダクト型促進剤類等が挙げられる。硬化促進剤の含有量は、上記A成分100重量部に対して、1~10重量部であるのが好ましい。上記エポキシ樹脂組成物は、任意の成分として重合開始剤を含有してもよい。重合開始剤としては、公知の重合開始剤を使用することができ、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル、t-ブチルパーオキシベンゾエート、1,1,3,3-テトラメチルブチルペルオキシ-2-エチルヘキサノアート等が挙げられる。重合開始剤の含有量は、上記A成分100重量部に対して、1~10重量部であるのが好ましい。上記エポキシ樹脂組成物は、必要に応じて、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、分散助剤等の添加剤を含有してもよい。また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、弾性率の向上、膨張係数の低下、ガラス転移温度Tg値の変更等を目的として、必要に応じて、A成分以外のエポキシ樹脂を含有してもよい。A成分以外のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、上記エポキシ樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、脂肪酸エステル化されていないフェノールノボラック、クレゾールノボラック樹脂、フェノール多核体等の公知のエポキシ樹脂硬化剤を含有してもよい。フェノール多核体としては、例えば、3~5核体程度等のフェノール類が挙げられる。上記エポキシ樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。例えば、溶媒の存在下または非存在下にA、Bの各々をプロペラ撹拌機、バンバリー式ミキサー、遊星式ミキサー、加熱真空混合ニーダー等により混合できる。また、例えば、樹脂成分は所定の溶剤濃度に溶解し、それらを25~60°Cに加温された反応釜に所定量投入し、常圧混合を30分~6時間行うことができる。その後、真空下最大1Torrで更に5分~60分混合撹拌することができる。<OPE樹脂>さらに、上記熱硬化性樹脂組成物としては、オリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物も好適に使用できる。具体的には、A成分は、熱硬化性の数平均分子量1000以上3000以下の両末端に官能基をもったオリゴフェニレンエーテルであり、並びにB成分は、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されたブロック共重合体であり、かつ溶剤を配合された絶縁性樹脂配合液にて硬化反応をさせない条件で溶剤を揮発させて得られたオリゴフェニレンエーテル系樹脂配合物が挙げられる。ここで、前記絶縁性樹脂配合液にてA成分100部に対して、B成分が67部以上150部以下である。更に、前記絶縁性未硬化被膜のB成分は、ゴム及び/又はスチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-エチレン/ブタジエン-スチレン共重合体から選ばれた1以上の熱可塑性エラストマーである。上記熱硬化性樹脂組成物に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、両末端にスチレン官能基、ビニル基、グリシジル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂が、誘電特性例えば、低誘電率、低誘電正接、低吸水性、塗膜形成性等に優れる点から好ましい。上記熱硬化性樹脂組成物としては、特に、本願出願人が先に出願した特願2006-215464号明細書に記載されたオリゴフェニレンエーテル系樹脂組成物が好ましい。具体的には、例えば、数平均分子量500~5000の両末端にスチレン官能基を有する熱硬化性オリゴフェニレンエーテルA100重量部と、ビニル芳香族炭化水素モノマーに由来する繰返し単位と共役ジエンモノマーに由来する繰返し単位とを含むブロック共重合体B50~250重量部とを含有する熱硬化性樹脂組成物が、誘電特性例えば、低誘電率、低誘電正接、低弾性、塗膜形成性に優れる点から好適に挙げられる。上記熱硬化性オリゴフェニレンエーテルAとしては、例えば、特開2006-28111号公報に記載されている2,2′,3,3′,5,5′-ヘキサメチルビフェニル‐4,4′-ジオール-2,6-ジメチルフェノール重縮合物とクロロメチルスチレンとの反応生成物が挙げられる。このような熱硬化性オリゴフェニレンエーテルAは、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、OPE-2st2200三菱ガス化学社製を好適に使用することができる。熱硬化性オリゴフェニレンエーテルAの数平均分子量が5,000を超えると、揮発性溶剤に溶解し難くなる。一方、数平均分子量が500未満であると、架橋密度が高くなりすぎるため、硬化物の弾性率や可撓性に悪影響がでる。そのため、熱硬化性オリゴフェニレンエーテルAの数平均分子量は、500~5,000であり、1、000~3、000であるのが好ましい。上記ブロック共重合体Bは、ビニル芳香族炭化水素を主体とするハードセグメントブロック部と、共役ジエンを主体とするソフトセグメントブロック部とから構成されるブロック共重合体である。上記ブロック共重合体Bとしては、例えば、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-エチレン/ブタジエン-スチレンブロック共重合体等が挙げられる。ブロック共重合体Bは、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、TR2003JSR社製を好適に使用することができる。上記熱硬化性樹脂組成物におけるブロック共重合体Bの含有量は、熱硬化性オリゴフェニレンエーテルA100重量部に対して、50~250重量部であり、65~200重量部であるのが好ましく、80~150であるのがより好ましい。ブロック共重合体Bの含有量がこの範囲であると、フィルム形成能、熱硬化性オリゴフェニレンエーテルAとの相溶性に優れる。上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物に用いられる揮発性溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。揮発性溶剤の含有量は、組成物の粘度が上記の範囲になるように適宜調整すればよく特に限定されないが、樹脂成分が15~45重量となるように使用するのが好ましく、15~35重量となるように使用するのがより好ましい。組成物中の樹脂成分の割合がこの範囲であると、繊維質基材に含浸しやすくなり、気泡を少なくすることができる。このような低濃度では、従来の縦型含浸装置では、所望の樹脂付着量を得るためには大量のワニス付着量にしなければならず、そうすると垂直方向に進行する際に含浸した樹脂が垂れて不均一な縦縞になって樹脂斑のひどいものになる上に、塗布膜内部に溶剤が残って表面だけが乾燥するといった現象が起きて均一な未硬化状態にはならない。上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、難燃化剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含有していてもよい。また、上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物は、硬化触媒を含有していてもよいが、加熱のみによって硬化することができる。上記オリゴフェニレンエーテル樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の製造方法を採用できる。例えば、上述した各成分を撹拌機により十分混合して製造することができる。<ADFLEMA>絶縁性樹脂として、例えば、ADFLEMAナミックス株式会社製商品名を用いるのが好ましい。ADFLEMAは、OPE樹脂の1種であるオリゴフェニレンエーテルとスチレンブタジエン系のエラストマーからなる樹脂である。ADFLEMA製品は未硬化状態のフィルムであるが、それが熱硬化した場合の比誘電率ε20~30、誘電正接tanδ0001~0005といずれも小さく、高周波特性に優れている。また、膜厚が2~90μm程度の薄膜の形成が可能である。さらに、揮発性の溶媒を例えば70程度含んでいるので、コーティングして加熱又は乾燥することにより膜厚を例えば70減少させることができ、膜厚減少による導電性バンプの頭出し工程を含む本発明の多層配線板の製造に好適である。<絶縁性樹脂に含まれる繊維基材>本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性樹脂は、繊維基材を含まないことが好ましい。絶縁性樹脂配合液の状態で繊維基材を含まないので、配合液の粘度を低減可能であり、導電性バンプ周囲や基板表面に対する被覆性が高く、かつ膜減り工程において、導電性バンプの頭部における配合液の残渣を少なくできる。それに対し、絶縁性樹脂配合液にガラス繊維チョップなどの繊維基材を配合すると、均一な分散スラリーにすることが極めて困難である上に、仮にそれができたとしても、塗布の際に導電性バンプ頂上部への繊維チョップのブリッジが避けられず、加えて、誘電特性の劣るガラス繊維基材の導入は本発明により得られる効果とは相容れないことである。<絶縁性フィラー>本発明の多層配線板用の部材に用いる絶縁性フィラーは、高い電気的絶縁性を備え、積層熱プレスに対する変形が生じず、多層配線基板の層間絶縁を保持可能な強度を有し、溶媒に対し均一に分散する材料を用いるのが好ましい。例えば、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニアビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズの中から選択された一つ又は複数の材料を用いるのが好ましい。絶縁性フィラーは粉末又は粒子状であるのが好ましい。絶縁性フィラーの平均粒径は、導電性バンプの高さの20以上で、100以下であるのが好ましく、導電性バンプの底面径の50以下であるのが好ましい。配線材料多層配線板の配線を形成するには、導電性箔をエッチングして導電性パターンを形成してもよいし、導電ペーストを印刷して形成してもよい。導電ペーストを構成する樹脂組成物としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂は流動性があり成型が容易で、後工程で加熱して硬化させ機械的強度を持たせることができる。樹脂組成物を溶解又は分散する溶媒としては、例えば、有機溶媒を用いる。有機溶媒としては、芳香族系溶媒、例えば、トルエン、キシレン、ケトン系溶媒が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。樹脂配合液中に分散する導電性粒子としては、AgCuAuNiのいずれか、又は、それらの少なくとも2種以上が混合されたもの、或いは、それらの化合物を用いるのが好ましい。導電性ペーストは、例えば、樹脂の中に導電性粒子例えば、AgCuAuNiのいずれか或いはそれらの少なくとも2種以上が混合されたものを分散させ、さらに揮発性の溶剤を混合させたものを調整する。<熱硬化型の導電ペースト>また、配線材料として、熱硬化型の導電ペーストを用いてもよい。100~200°Cの低温の熱処理でも、十分低抵抗の配線形成が可能である。熱硬化型の導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、1~20μmの範囲とするのが好ましい。<銀微粒子を含む導電ペースト>また、導電性ペーストの材料として、特許文献3に開示された導電ペーストを用いてもよい。特許文献3に開示された材料は、有機溶媒の存在又は非存在下に、カルボン酸の銀塩と脂肪族アミンを混合し、還元剤を添加して反応温度20~80°Cで反応させた反応物から回収した銀微粒子を含む導電ペーストである。導電ペーストに含まれる銀微粒子は、一次粒子の平均粒子径が40~350nmであり、結晶子径が20~70nmであり、かつ結晶子径に対する平均粒子径の比が1~5であることが好ましい。また、導電性ペーストに含まれる銀微粒子は、一次粒子の平均粒子径が50~80nmであり、結晶子径が20~50nmであり、かつ結晶子径に対する平均粒子径の比が1~4であることがさらに好ましい。係る導電ペースト材料は200°C以下の低温の熱処理でも十分大きな導電性を示す。有機配線板の耐熱温度以下の低温で硬化可能で、低温硬化にも関わらず比較的導体抵抗の低い約10×105Ωcm以下導電性パターンを形成できる。従って、配線の膜厚を薄く、配線幅を細くしても配線遅延の増加の抑制又は低減が可能である。粒子径が小さいので、細線をスクリーン印刷する時でも目詰まりを起こしにくい。他の導電性微粒子を含む導電ペースト、例えば、ナノ粒子を含む導電ペーストと比較して、粒子径が大きいことから膜厚1μm~10μmの配線を形成するのに好適であり、また、材料コストをより低く抑えることが可能である。特許文献3に開示された導電ペーストを用いる場合は、配線の厚さは、5μm以下とするのが好ましい。硬化度導電性バンプの硬化度製造工程の途中段階で、多層配線板部材を構成する導電性バンプと絶縁性被膜の硬化状態は、以下の組み合わせから選択可能である。1導電性バンプ:完全硬化状態、絶縁性被膜:未硬化状態2導電性バンプ:未硬化と完全硬化の間の状態、絶縁性被膜:未硬化状態ここで、未硬化と完全硬化の間の状態とは、樹脂が適切な熱処理によりある程度の硬化を進めているが、完全硬化に至らない状態のことである。従来のB2it技術では、絶縁性被膜は、硬化状態が一般にBステージと呼ばれる絶縁性フィルムを熱で軟化させて導電性バンプに貫挿させていた。導電性バンプの貫挿によりビアを形成する方法であるため、導電性バンプに所定の値以上のアスペクト比が必要とされるとともに、所定の値以上の硬度が必要であり、導電性バンプは完全硬化状態とせざるを得なかった。しかし、本発明に係る技術は、導電性バンプの貫挿を行わず、導電性バンプ上に絶縁性被膜を形成し、絶縁性被膜の膜厚を減少させて絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合を行う技術である。そのため、導電性バンプの硬度は、貫挿法で必要な程度の硬度は必要でなく、ある程度の導電性バンプの形態を保持できれば十分であり、完全硬化、又は、未硬化と完全硬化の間の状態に任意に設定することができる。また、絶縁性未硬化被膜については、本発明では、未硬化とするものであり、厳密に言えば、絶縁性未硬化被膜の少なくとも表面は未硬化とするものである。各部材の硬度は、印刷又は塗布後における、乾燥、加熱等の工程において、処理温度又は処理時間をコントロールすることにより任意の硬度に制御することが可能である。部材の材料などにより温度、時間等の最適条件は変化するが具体的材料ごとの最適条件については、予め実験などにより求めておけばよい。具体的な導電性バンプの硬度の例を以下に示す。従来の導電性バンプは、プリプレグを貫挿するために、貫挿工程温度条件は80°C~120°Cの段階にて完全硬化の状態とする必要があった。導電性パンプの硬度は、35~40が必要であった。本発明の技術により、導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合は、例えば、ガラス転移温度が110から140°Cの間の材料からなる導電性バンプを用い、その硬度を15~30とする。導電性バンプを未硬化と完全硬化の間の状態とする場合の効果は以下の通りである。1.導電性バンプと接触する配線パターンとの密着性、導電性が、導電性バンプが完全硬化である場合よりも優れている。導電性バンプが完全硬化状態でないために、積層プレス工程における所定の加熱条件で導電性バンプの塑性変形が起こりやすい。そのため、導電性バンプと導電性バンプに接触する配線部材に対する密着性が向上し、同時に接触面積が大きくなってビア抵抗の低減と電気的接続の信頼性が向上する。同時に、導電性バンプを形成する導電ペースト中のバインダー成分が圧縮され、絶縁性未硬化被膜中に押し出される。このため、導電ペースト中に分散した導電粒子と導電性バンプに接触する配線部材との結合が強固になり、導電粒子が緻密化される。その後の収縮で導電性バンプ中の導電粒子が再配列して導電性が一層向上するという効果が得られる。2.積層プレス工程において、従来よりもはるかに少ないプレス圧力で多層配線板の形成が可能となる。そのため、部材に加わる歪みが小さくなり部材の信頼性が向上する。3.本発明の製造方法は、絶縁性樹脂配合液の膜減りで絶縁性未硬化被膜を形成した後、導電性バンプと第二の導体層又はコア基板と接合するので、従来のようなプリプレグを貫挿するような力は導電性バンプには印加されない。また、膜減りの乾燥固化温度条件を、導電性バンプの硬化状態に影響を与えない範囲に設定すれば、導電性バンプの形状は、印刷直後の形状が、そのまま安定に維持される。4.導電性バンプを配線パターンと密着する場合、導電性パンプの先端部の塑性変形がなめらかに行われる。上記の導電性バンプの硬度は、微小硬度計MXT50松沢製機で、試験温度23°C、試験荷重25Kgf、荷重保持時間15秒で測定した。絶縁性被膜の硬化度本発明の多層配線板の製造方法では、途中工程において、導電性バンプ周辺に形成する絶縁性被膜が未硬化と言われる硬化前の状態となり、熱プレス工程において完全硬化又は硬化と呼ばれる状態になるように加熱条件を制御するのが好ましい。本発明の多層配線板部材における絶縁性被膜の材料として好適なエポキシ樹脂系、又は、OPE樹脂系については、具体的には、本願明細書の段落0026又は0027に記載された材料のことである。絶縁性被膜がエポキシ樹脂系の場合は、加熱条件が130~180°C、かつ10分~1時間の範囲で、絶縁性被膜は未硬化と完全硬化の中間の硬化度になる。絶縁性被膜がオリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、加熱条件が130~200°C、かつ10分~1時間の範囲で、絶縁性被膜は未硬化と完全硬化の中間の硬化度になる。この状態の絶縁性硬化被膜を、本願明細書では絶縁性未硬化被膜と呼ぶ。その条件より低温又は短時間の加熱の場合は、絶縁性被膜は未硬化状態に、その条件より高温又は長時間の加熱の場合は、絶縁性被膜はより完全硬化に近い状態になる。例えば、オリゴフェニレンエーテル樹脂系の場合は、160°Cの加熱であっても、加熱時間が5分程度であれば、硬化反応は不十分であり、絶縁性被膜は未硬化に近い状態を維持する。絶縁性被膜を未硬化被膜とする場合は、絶縁性被膜に接して形成される部材、例えば、導電性パターンのような導電性被膜、或いは、上層又は下層の絶縁性被膜との密着強度が、架橋前で分子量の低い樹脂であるために、熱流動性のある状態での相互接触になるために相手との濡れが良く、したがって接着は強くなる。そのため、配線が剥離しにくくなる、配線板が強固なものになるという効果がある上に、硬化度が低く、下地の実装部品による凹凸を隙間なく埋め込むことが可能であり、配線板表面の平坦化にも高い効果が得られる。一方、未硬化被膜は、機械的強度に劣るため、例えば、被膜上に印刷により導電性パターンを形成する場合に取り扱いが容易でなくなる場合がある。このような場合には、導電性パターンを形成する側の被膜を適切な条件で加熱し、完全硬化状態に変化させてから、さらに、その上に未硬化被膜を積層するのが好ましい。未硬化被膜と完全硬化被膜を積層することにより、密着性、平坦性を向上させ、同時に、導電性パターン加工工程における作業性の向上を図ることができる。たとえば、本発明のエポキシ系においては、用途によっては加熱流動性がありすぎるために、前段で加熱硬化を若干進めて流動粘度を上げてからプリベーキングしてから加圧積層したほうが好ましい場合がある。部材の形状、サイズパラメータサイズパラメータの定義図12乃至は、本発明の多層配線板部材に係るサイズパラメータの定義を説明する図である。図12は、導電性バンプ221上に流動性被膜222を塗布により形成した後の多層配線板部材の断面図であり、図12及びは、流動性被膜222を膜減りし、絶縁性未硬化被膜223を形成した後の多層配線板部材の断面図である。導電性バンプの頭出しは、典型的には、図12のように導電性バンプの頭が完全に露出する。しかし、最悪の場合、図12のように導電性バンプの頭の一部に絶縁性被膜が残る。ここで、t1は、流動性被膜222の厚さであり、t2は、絶縁性未硬化被膜223の厚さであり、h1は、導電性バンプ221の厚さである。また、a1は、導電性バンプの底面径底面の直径であり、θ1は、導電性バンプ71の上断面の中心角である。また、図12に示す最悪の場合において、Sb1はバンプの底面積であり、Se1は導電性バンプの頭における導電性バンプ221の露出面積である。導電性バンプの底面積に対する露出面積比は、Se1/Sb1×100で定義する。また、図示していないが、積層熱プレス後の導電性バンプの高さはh2、積層熱プレス後の絶縁層の厚さはt3であると定義する。t3は5μm以上とするのが好ましい。導電性バンプの形状導電性バンプの形状は、底部の直径よりも先端部断面の直径が小さい形状とするのが好ましい。例えば、円錐状、略円錐台状、山型とするのが好ましい。導電性バンプの上断面形状は、中心角θ1が180°以下のゆるやかな円弧であることが好ましい。ここで、導電性バンプの先端部断面とは、導電性バンプ先端を上部に配置した場合の導電性バンプの水平方向の断面であり、導電性バンプの上断面とは、導電性バンプの垂直方向の断面である。発明の多層配線板の製造方法では、導電性バンプはプリプレグを貫挿する必要がないので、先端が尖った形状にする必要はない。先端部をゆるやかな円弧にすることにより、ビアの断面積を大きくし、ビア抵抗を低減することが可能である。導電性バンプの上断面を中心角が180°を越える円弧とする場合は、導電性バンプの先端部がくぼんだ形状となって、絶縁性未硬化樹脂がくぼみ部に残ってしまう。このため、ビアの接続不良やビア抵抗の増加などの不具合を発生させる。本発明の多層配線板部材では、導電性バンプの上断面が、中心角が180°以下のゆるやかな円弧形状であるので、絶縁性未硬化樹脂が導電性バンプの先端部に残らず、ビアの確実な接続及びビア抵抗の低減に効果がある。さらに、導電性バンプの先端が尖っていないので、一括積層熱プレスを行ってもビア先端部がつぶれたり、折れたりしないので、上層の導電性部材と確実な電気的接続をとることが可能である。導電性バンプの露出絶縁性樹脂配合液を塗布し、加熱又は乾燥により膜減りを行うと、絶縁性未硬化被膜と導電性バンプの境界において、図12に示すように、導電性バンプの上面に多少の絶縁性物質が残ることがある。導電性バンプ上面において、導電性バンプが絶縁性物質の残渣などにより覆われていない割合を、導電性バンプの底面積に対する露出面積比で表すと、本発明の技術を用いる場合、導電性バンプの底面積に対する露出面積比を20以上にすることができる。ビアの断面積を実質的に大きくすることが可能で、ビア抵抗の低減に効果がある。本発明の実施の形態に係る多層配線板、及び、その製造方法以下に、配線板部材及びコア基板を用いて多層配線板を製造する方法の具体例について、図4乃至図6を用いて説明する。本発明に係る多層配線板の製造方法は、ここで説明する多層配線板基板の製造方法におけるコア基板を導電性箔や絶縁性基板、又は、多層配線板部材により置換したものである。多層配線板の製造方法の第一の具体例第一の具体例では、図4乃至を用いて順次積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、めっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。最初に、コア基板52の上面と下面にそれぞれ、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例図2により製造した多層配線板部材51と53を位置合わせして図4積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする図4。次に、多層配線板部材51、53上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン54を形成する図4。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン54をマスクにして導電性箔55をエッチングし、レジストパターン54を除去し、配線56を形成する図4。次に、多層配線板51、53及び配線56の上面に、本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第二の具体例図2により製造した多層配線板部材57と58を位置合わせして図4積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする図4。次に、多層配線板部材59、60上にフォトリソグラフィー法によりレジストパターン62を形成する図4。次に、ウェットエッチングによりレジストパターン62をマスクにして導電性箔61をエッチングし、レジストパターン62を除去し、配線63を形成し、多層配線板66を完成する。図4。図4に示す順次積層方式の複合多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図1、図3に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板として導電性バンプにより層間接続を行ったプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。多層配線板の製造方法の第二の具体例第二の具体例では、図5乃至を用いて一括積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。一般的にめっきスルーホール方式により製造したコア基板は実装密度が低いので、B2itなどの従来法により製造した基板を用いることも可能である。最初に、コア基板75の上面及び下面に本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第三の具体例図3により製造した多層配線板部材に、予め、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチングにより配線パターンを形成した多層配線板部材74、73、76、77と本発明に係る多層配線板部材の製造方法の第一の具体例図1により製造した多層配線板部材を位置合わせする図5。次に、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にする図5。次に、導電性箔71上に例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターン84を形成し図5、ウェットエッチングによりレジストパターン84をマスクにして導電性箔71をエッチングし、レジストパターン84を除去し、配線83を形成し図5、多層配線板85を完成する。図5に示す一括積層方式の多層配線板基板の製造方法において、多層配線板を図1、図2に示す製造方法を用いて作製した基板部材を用い、あるいは、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。多層配線板の製造方法の第三の具体例、第四の具体例第三の具体例、第四の具体例では、図6及びを用いてコアコア積層方式の多層配線板の製造方法を説明する。コア基板は、導電性バンプにより製造したプリント多層配線板を用いた例を示す。第三の具体例では、最初に、コア基板95の上面に導電性バンプ94を形成し、その後、絶縁性フィラー93を分散した絶縁性樹脂配合液を導電性バンプ94の上及び周囲に塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜92を形成する。次に、コア基板91を位置合わせして図6、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。第四の具体例では、最初に、コア基板100の上面に導電性バンプ99を形成する。もう一つのコア基板96の上面に、絶縁性フィラー98を分散した絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成し、係る流動性被膜を乾燥して溶剤を蒸発させ絶縁性未硬化被膜97を形成する。次に、コア基板96と導電性バンプ99を位置合わせして図6、積層熱プレスを行い、絶縁性未硬化被膜であった多層配線板部材の絶縁性被膜を硬化被膜にして、多層配線板を完成する。図6に示すコアコア積層方式の多層配線板基板の製造方法において、コア基板としてめっきスルーホール方式により製造したプリント多層配線板を用いることが可能であることは言うまでもない。上塗り工と下塗り工多層配線基板を製造する工程において、積層熱プレスの前に絶縁性樹脂層と導電性バンプの配置の仕方には、上塗り工と下塗り工がある。図7及びは、下塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。下塗り工は、導電性バンプ加工側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図7では、コア基板122に対向して、導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線板部材を位置合わせした図が示されている。図7では、コア基板126上に形成された導電性バンプと絶縁性材を備えた多層配線部材上に導電性箔124、128が配置されている。図7及びは、上塗り工を行う場合の積層前の多層配線板の断面図である。上塗り工は、導電性バンプ加工側と反対側に絶縁性配合液を塗工する工法である。図7では、導電性バンプ130、132を形成した第一のコア基板131に対向して、導体層又は第二のコア基板上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性未硬化被膜を形成する工程と、前期揮発性絶縁性を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜とする工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板を積層熱プレスする工程により、前記導電性バンプが形成された第一のコア配線板の導体層と前記絶縁性未硬化被膜が形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。図7では、第一のコア基板上に配置された第一の導体層上に絶縁性フィラーと揮発性溶剤を含む絶縁性樹脂配合液を塗布し流動性被膜を形成する工程と、前記揮発性溶剤を揮発させ、前記流動性被膜を膜減りさせて絶縁性未硬化被膜を形成する工程と、第二の導体層又は第二のコア基板上に突起状の導電性バンプ群を形成する工程と、前記第一のコア基板と前記絶縁層を積層熱プレスする工程により、前記絶縁性未硬化被膜が形成された第一のコア配線板の導体層と、前記導電性バンプが形成された導体層又は第二のコア基板の導体層の電気的接続を前記導電性バンプにて形成する多層配線板の製造方法が図に示されている。図1乃至3に示した多層配線板用の部材の製造方法、及び、図4乃至6に示した多層配線板の製造方法では、いずれも、下塗り工の場合の工程順断面図について説明したが、上塗り工を適用して多層配線板用の部材、及び、多層配線板を製造する場合でも、下塗り工を適用した場合と同様の優れた効果が得られることは言うまでもない。ビア抵抗の測定方法導電性バンプ等の技術で形成した多層配線板のビアの電気抵抗は、一般的に、デイジーチェーンと呼ばれるテストパターンを用いて測定する。図13及びは、ビア抵抗測定用のテストパターンの平面図及び断面図である。テストパターンは、第一層配線234、ビア235、第二層配線233、測定端子231、232により構成される。第一層配線234は絶縁性被膜236の下面に形成された配線であり、第二層配線233は絶縁性被膜236の上面に形成された配線である。測定端子231と測定端子232の間には、多数のビア235が第一層配線233の配線パターンと第二層配線234の配線パターンを介して直列に接続されている。ビア抵抗は、測定端子231と測定端子232に所定の電圧を印加し、テストパターンに流れる電流を測定することにより求める。具体的には、端子間の抵抗から、配線抵抗を引いて、ビアの個数で割って、一個当たりのビア抵抗を算出する。一般的に配線抵抗、ビア抵抗とも、通常の電子部品である抵抗と比較して抵抗値が極めて低いので、高精度のビア抵抗の算出には、多数のビアを直列に接続したパターンを用意して測定しなければならない。一般的には、数十個から数百個のビアを直列に並べたパターンが用いられる。配線抵抗については、予め、配線材料の固有抵抗あるいは配線のシート抵抗のデータがあれば、配線のサイズにより理論的に算出することが可能である。ビア数の異なる複数のパターンの測定により、ビア抵抗と配線抵抗を独立に測定することも可能である。以下、実施例及び比較例を用いて、本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。導通安定性のフィラー依存性絶縁性樹脂に分散する絶縁性フィラーが多層配線板の層間の導通安定性に与える影響を調べるために、基板上に形成した導通テスト用パターンの電気抵抗を測定した。図9は、デイジーチェーンの電気抵抗の絶縁性フィラー有無に対する依存性を示すグラフである。左のグラフが絶縁性フィラー無しの場合で右のグラフが絶縁性フィラー有りの場合のグラフである。絶縁性フィラーは、シリカD50=10μmφを使用した。積層熱プレスの印加圧力は50~500kgf/cm2とした。グラフの横軸は、デイジーチェーンの接続抵抗測定用引出し電極番号であり、これは基板中の測定位置の違いに対応するものである。グラフに示されるように、絶縁性フィラーが無い場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが大きく、導通安定性が低いことがわかる。一方、絶縁性フィラーがある場合は、基板内で層間接続抵抗のばらつきが小さく、導通安定性が高いことがわかる。絶縁性樹脂中の絶縁性フィラーの混合比を変化させて評価した結果、絶縁性フィラーの混合比は、1vol以上、50vol以下が好ましいことがわかった。さらに、1vol以上、30vol以下が好ましいことがわかった。低接続抵抗を考慮した場合は、1vol以上、20vol以下とするのがより好適であった。図10乃至は、導電性バンプの電気抵抗を縦軸に、基板内の位置を横軸にプロットしたグラフであり、図10、、のそれぞれが、絶縁性フィラーの直径が0-4μmφ、5-20μmφ、25-50μmφに対応するものである。絶縁性フィラーの添加量は、絶縁層材の10volで、積層プレス後の導電性バンプの形状は、底面平均径が100μmφで平均高さが20μmとした。図からわかるように、絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの20より小さい場合は、絶縁性フィラーが小さすぎるために、配線間ショートが発生したり、導電性バンプ上に絶縁性フィラーが残存しやすくなるといった問題が発生し、導通安定性が低くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの20以上、100以下の場合は、配線間ショートやオープンなどの問題が発生しにくくなり、導通安定性が高くなる。絶縁性フィラーの直径が、導電性バンプの高さの100より大きい場合は、絶縁性フィラーが大きすぎるために、導電性バンプと接続すべき配線との間のオープンが発生し、導通安定性が低くなる。また、図10、、のそれぞれが、絶縁性材料に対する絶縁性フィラーの添加量が、0vol及び25-30vol、1-20vol、10―15volに対応するものである。絶縁性フィラーの添加量が、0volでは基板そりの影響により導通性がばらつき、抵抗の絶対値も10Ω以上と大きい。一方、25vol以上では電気抵抗の絶対値、ばらつきとも0volの場合に比べ改善がみられる。30vol添加した場合でも、導電性バンプによる導通性が10Ω以下であり、多層配線板の使用上問題ないレベルにあることがわかる図10。一方、絶縁性フィラー量が、1-20volでは、そりはさらに改善される傾向がみられる、電気抵抗は、絶対値、ばらつきともさらに顕著な低減が見られる。絶縁性フィラー量が、10-15volでは、電気抵抗が100mΩ以下になり、ばらつきも極めて小さくなることがわかる。導通安定性の導電性バンプ高さ依存性導電性バンプで接続した2層の配線間の導通安定性の導電性バンプ形状、サイズに対する依存性を評価した。絶縁層中には、粒径がD50で約10μmφの絶縁性フィラーを分散した。絶縁層の厚さも約10μmであった。評価した試料の導電性バンプは、底面径が50μmφ、80μmφ、100μmφの3種類、高さが高いものと低いものの2種類で、全部で6種類の試料を用意した。導電性バンプ底面径が80μmφ、100μmφの試料は、導電性バンプ高さが安定して絶縁層の厚さより高かった。また、導電性バンプ底面径が50μmφの試料も、導電性バンプ高さが高いほうは、導電性バンプ高さは安定して絶縁層の厚さより高かった。しかし、導電性バンプ底面径が50μmφで、導電性バンプ高さが低いほうの試料は、導電性バンプ高さのばらつきが大きく、絶縁層の厚さに対し高さが高い導電性バンプと、高さが低い導電性バンプが混在していた。これらの試料の導通安定性を評価した結果、底面径が80μmφ、100μmφで導電性バンプ高さの高い試料、低い試料と、底面径が50μmφで導電性バンプ高さの高い試料は、良好な導通安定性が得られた。それに対し、底面径が50μmφで導電性バンプ高さの低い試料は、良好な導通安定性が得られなかった。導通安定性の導電性バンプ高さ依存性図11及びは、それぞれ、導電性バンプの膜厚高さと抵抗値の導電性バンプ中に添加する熱可塑性樹脂の添加量に対する依存性のグラフである。図11、から、熱可塑性樹脂の添加量の増加とともに、積層熱プレス後の導電性バンプの膜厚は薄くなり、横方向XY方向に広がり、抵抗値が下がって安定することがわかった。しかし配線パターンのライン/スペースを考慮すると、導電性バンプの横方向の広がりが増加し、特に例えば85°C,85,50V印加の高温高湿バイアス試験等によりXY方向で短絡するおそれがある。従って、導電性バンプ材料に対する熱可塑性樹脂の添加量は、10wt以上、30wt以下とするのが好適であることがわかった。エポキシ樹脂を用いたバンプ頭出し評価絶縁性配合液にエポキシ樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にエポキシ樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。導電性ペーストの調整導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。樹脂成分:ビフェニール型液状エポキシ樹脂:2~10重量エポキシ/フェノール:1~10重量ビフェニル型エポキシ樹脂:5重量以下添加剤:5重量以下導電性成分:Ag粉末リン片状形状の粉末重量:球状粉末重量=1:1を80重量以上配合した。溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。絶縁性樹脂配合液の調整絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。樹脂成分エポキシ樹脂:AYX695BH30ジャパンエポキシレジン株製商品名:100重量部BエピキュアDC808ジャパンエポキシレジン株製商品名:154重量部Cコロネート2507日本ポリウレタン工業株製商品名:312重量部D2E4MZイミダゾール系架橋触媒、四国化成株製商品名:9.6重量部DVB―960新日鐵化学株製商品名:98.6重量部ハーオタクO日本油脂株製商品名:9.6重量部絶縁性フィラーシリカD50=10μmφ10VOL溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。導電性バンプの形成PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm~110μm、高さが25μm~40μmとした。絶縁性樹脂配合液の塗布乾燥導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス50μm~100μm、塗布スピード1m/minとし、厚さ30μm~100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100°C、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性未硬化被膜の厚さを減少させた。試料の乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。誘電特性の測定作製したエポキシ樹脂について、誘電特性を測定した。硬化後の誘電特性は、比誘電率2.71/1GHz、2.68/5GHz誘電正接0.019/1GHz、0.0098/5GHzであった。OPE樹脂を用いた導電性バンプ頭出し評価絶縁性被膜にOPE樹脂を用いて作製した導電性バンプ頭出し評価用の試料である。試料の作製評価は、導電性バンプを形成した支持基板上にOPE樹脂を含む絶縁性樹脂配合液を塗布して乾燥した後、膜厚の変化を測定し、導電性バンプの外観を観察した。導電性ペーストの調整導電性ペーストは樹脂成分、導電性成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。樹脂成分:ビフェニール型液状エポキシ樹脂:2~10重量エポキシ/フェノール:1~10重量ビフェニル型エポキシ樹脂:5重量以下添加剤:5重量以下導電性成分:Ag粉末リン片状形状の粉末重量:球状粉末重量=1:1を80重量以上配合した。溶剤:メチルエチルケトンを加えて、粘度を調整した。絶縁性樹脂配合液の調整絶縁性樹脂配合液は樹脂成分、溶剤を以下の条件で配合して調整した。樹脂成分OPE樹脂:AOPE-2st2200三菱瓦斯化学株製商品名:5~40重量BTR2003JSR株製商品名:5~40重量溶剤:トルエン:20~90重量絶縁性フィラーシリカD50=10μmφ10VOL導電性バンプの形成PETからなる支持基板上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布し、突起状の導電性バンプを形成した。導電性バンプの形状は、底面の径が80μm~110μm、高さが16μm~40μmとした。絶縁性樹脂配合液の塗布乾燥導電性バンプを形成した支持基板上にドクターブレード法で絶縁性樹脂配合液を塗布した。塗布条件は、クリアランス20μm~100μm、塗布スピード1m/minとし、厚さ20μm~100μmの絶縁性被膜を形成した。その後、絶縁性被膜の厚さを測定してから、試料を乾燥炉に投入し、100°C、3分の乾燥により、塗膜の溶剤を蒸発させ、絶縁性被膜の厚さを減少させた。試料を乾燥後、絶縁性被膜の厚さを測定し、導電性バンプの頭出しの状態を観察した。誘電特性の測定作製したOPE樹脂について、誘電特性を測定した。硬化後の誘電特性は、比誘電率2.40/5GHz誘電正接0.0019/5GHzであった。"