検出領域における光を検出するための受光装置であって、ホトデテクターと、該ホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、該受光手段を検出領域に渡り移送せしめる移動手段と、該受光手段の移動位置を検出する位置検出手段と、を具備している、ことを特徴とする受光装置。上記特許文献1に記載された高さ計測装置は、被加工物に照射された光の反射光の波長を検出するためにラインイメージセンサーが用いられている。しかるに、ラインイメージセンサーは高価であり、計測装置全体のコストアップの要因となっている。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ラインイメージセンサーと同等の機能を有する比較的安価な受光装置を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、検出領域における光を検出するための受光装置であって、ホトデテクターと、該ホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、該受光手段を検出領域に渡り移動せしめる移動手段と、該受光手段の移動位置を検出する位置検出手段と、を具備している、ことを特徴とする受光装置が提供される。本発明による受光装置は、ラインイメージセンサーと比較して安価なホトデテクターおよびホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、受光手段を検出領域に渡り移動せしめる移動手段と、受光手段の移動位置を検出する位置検出手段とからなっているので、比較的安価に構成することができる。以下、本発明に従って構成された受光装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明に従って構成された受光装置を装備した高さ計測装置のブロック構成図が示されている。図1に示す高さ計測装置1は、白色光を発光する白色光源2と、該白色光源2が発光した光が有する各波長を回折する回折手段3と、該回折手段3によって回折された光の中央部を遮蔽して光を環状に形成するマスク手段4と、該マスク手段4によって形成された環状の光の像をリレーするリレーレンズ5と、該リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光して例えばレーザー加工装置のチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する対物レンズ6と、上記マスク手段4とリレーレンズ5との間に配設され被加工物に照射された白色光の反射光を分光するビームスプリッター7を具備している。上記白色光源2は、白色灯や発光ダイオードLED等を用いることができる。上記回折手段3は、第1の色収差レンズ31と、該第1の色収差レンズ31と光軸上に所定の間隔を置いて配設された第2の色収差レンズ32とによって構成されている。回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31および第2の色収差レンズ32は、それぞれグラディウムレンズ等の色収差を有するレンズからなり、光の波長によって屈折率が異なる。回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31は、光軸上に上記白色光源2から入光する白色光の各波長に対する焦点を形成する。回折手段3を構成する第2の色収差レンズ32は、第1の色収差レンズ31によって各波長に対する焦点を通過し拡がった光を略平行波長によって拡がり角が異なるな光束に形成する。このように第1の色収差レンズ31と第2の色収差レンズ32とによって構成された回折手段3は、白色光源2が発光した白色光の波長を光軸側から外側に向けて順次短くなるように回折する。上記マスク手段4は、図1および図2に示すようにガラス板等の透明坂41からなり、その表面中央部に光を遮蔽する円形の遮蔽マスク411が形成されている。なお、光を遮蔽する円形の遮蔽マスク411は、例えば、800nmより長い波長の光を遮蔽する大きさに設定されている。このように構成されたマスク手段4は、円形の遮蔽マスク411が回折手段3を通過する光の光軸上に配設される。従って、回折手段3を通過した光は、800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光がマスク手段4を通過することにより環状の光に形成される。上記リレーレンズ5は、上述したようにマスク手段4によって形成された環状の光の像を対物レンズ6までリレーする。上記対物レンズ6は、該リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光してチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する。この対物レンズ6によって集光される環状の光は、図3に示すように800nmより長い波長の光が上述したように円形の遮蔽マスク411によって遮断されているので、800nm以下の波長の光が集光される。この800nm以下の波長の光は、回折手段3によって波長の短い光が外側に回折されているので光軸に近い長い波長の光の集光距離が短く、光軸から遠い短い波長の光の集光距離が長くなる。なお、上記マスク手段4とリレーレンズ5および対物レンズ6の位置関係は、図1に示すようにマスク手段4からリレーレンズ5までの距離を、リレーレンズ5から対物レンズ6までの距離を、リレーレンズ5の焦点距離をとすると、=の関係を満たす位置に設定される。上記ビームスプリッター7は、上記マスク手段4を通過した環状の光を実線で示すようにリレーレンズ5に向けて透過せしめるとともに、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wで反射した反射光を破線で示すように90度の角度で反射し分光せしめる。上記ビームスプリッター7によって分光された反射光は、光軸を通る波長の反射光を通過させる光分別手段8、回折格子9を介して受光装置10に至る。光分別手段8は、第1の集光レンズ81とマスク82および第2の集光レンズ83とからなっている。第1の集光レンズ81はアクロマテックレンズ等の色収差のないレンズからなり、ビームスプリッター7によって分光された反射光を集光せしめる。マスク82は、第1の集光レンズ81の集光点位置に配設され第1の集光レンズ81によって集光された反射光が通過するピンホール821を備えている。なお、ピンホール821は、直径が10~100μmでよい。第2の集光レンズ83はアクロマテックレンズ等の色収差のないレンズからなり、マスク82のピンホール821を通過した反射光を集光する。回折格子9は、第2の集光レンズ83によって集光された反射光を回折光に変換し、波長毎に分光する。この回折格子9によって変換された回折光は、受光装置10に向けて照射される。受光装置10について、図1および図4を参照して説明する。図1および図4に示す受光装置10は、受光手段11と、該受光手段11を検出領域に渡り移送せしめる移動手段12と、受光手段11の移動位置を検出する位置検出手段13を具備している。受光手段11は、移動基台111と、該移動基台111上に配設されたホトデテクター収容ケース112と、該ホトデテクター収容ケース112内に配設されたホトデテクター113と、該ホトデテクター113に入光する光を規制する開孔114aを有するマスク114とからなっている。受光手段11を検出領域に渡り移送せしめる移動手段12は、静止基台121と、該静止基台121上に上記回折格子9によって回折された回折光の分光方向に沿って配設された一対の案内レール122、122と、一対の案内レール122と122の間に平行に配設された雄ネジロッド123と、該雄ネジロッド123を回転駆動するためのパルスモータ124等の駆動源を含んでいる。この移動手段12を構成する一対の案内レール122、122上に上記受光手段11の移動基台111が案内レール122、122に沿って移動可能に支持される。即ち、移動基台111の下面には上記一対の案内レール122、122と嵌合する一対の被案内溝111a、111aが設けられており、この一対の被案内溝111a、111aを一対の案内レール122、122に嵌合することにより、移動基台111は案内レール122、122に沿って移動可能に支持される。上記雄ネジロッド123は、その一端が上記静止基台121に固定された軸受ブロック125に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ124の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド123は、移動基台111の中央部下面に突出して設けられた雌ネジブロック111bに形成された貫通雌ネジ穴111cに螺合されている。従って、パルスモータ124によって雄ネジロッド123を正転および逆転駆動することにより、受光手段11が配設された移動基台111は案内レール122、122に沿って移動せしめられる。上記受光手段11の移動位置を検出する位置検出手段13は、上記静止基台121に一対の案内レール122、122に沿って配設されたリニアスケール131と、上記移動基台111に配設され移動基台111とともにリニアスケール131に沿って移動する読み取りヘッド132とからなっている。この位置検出手段13の読み取りヘッド132は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を制御手段20に送る。そして制御手段20は、入力したパルス信号をカウントすることにより、基準位置からのパルス数に対応して設定された回折光の波長を求める。なお、上記移動手段12の駆動源としてパルスモータ124を用いた場合には、パルスモータ124に駆動信号を出力する制御手段20の駆動パルスをカウントすることにより、受光手段11の移動位置を検出することもできる。上述した高さ計測装置1の作用について説明する。上記白色光源2が発光した白色光は、図1において実線で示すように回折手段3を構成する第1の色収差レンズ31に入光する。第1の色収差レンズ31は、光軸上に白色光源2から入光した白色光の各波長に対する焦点を形成する。このようにして光軸上に各波長に対応した焦点が形成された光は第2の色収差レンズ32に入光し、第2の色収差レンズ32は第1の色収差レンズ31によって各波長に対する焦点を通過し拡がった光を略平行波長によって拡がり角が異なるな光束に形成する。このように第1の色収差レンズ31と第2の色収差レンズ32とによって構成された回折手段3は、白色光源2が発光した白色光の波長を光軸側内側から外側に向けて順次短くなるように回折する。このようにして回折手段3によって回折された白色光は、マスク手段4によって例えば800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光が環状の光に形成される。上述したようにマスク手段4によって例えば800nmより長い波長の光が円形の遮蔽マスク411によって遮断され、800nm以下の波長の光が環状に形成された光はビームスプリッター7を透過してリレーレンズ5に入光し、リレーレンズ5は環状の光の像を対物レンズ6までリレーする。対物レンズ6は、リレーレンズ5によって伝達された環状の光を集光してチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wに照射する。この対物レンズ6によって集光される環状の光は、図3に示すように800nmより長い波長の光が上述したように円形の遮蔽マスク411によって遮断されているので、800nm以下の波長の光が集光される。この800nm以下の波長の光は、光軸に近い長い波長の光程集光距離が短く、光軸から遠い短い波長の光程集光距離が長い。従って、被加工物Wに照射された白色光は被加工物Wの上面で反射するが、このうち被加工物Wの上面に集光点が合致した波長の光が最も小さい直径で反射する。被加工物Wの上面で反射した集光点が合致した波長の反射光は、破線で示すように対物レンズ6およびリレーレンズ5を通り、ビームスプリッター7によって分光され、光分別手段8を構成する第1の集光レンズ81に入光する。第1の集光レンズ81に入光した反射光は、集光されマスク82のピンホール821を通過し、更に第2の集光レンズ83によって再度集光されて回折格子9に至る。なお、被加工物Wの上面に集光点が合致しない波長の反射光は直径が大きいため、第1の集光レンズ81によって集光されてもマスク82によって遮断されピンホール821を通過する量はほんの僅かとなる。回折格子9に到達した反射光は、波長に対応した回折光に変換され受光装置10に照射する。図1に示す実施形態においては、500nmの波長は破線で示すように受光装置10を構成するマスク114の開孔114aが実線で示す位置受光装置10におけるリニアスケール131の500nmに対応して設定された位置に照射される。また、300nmの波長は1点鎖線で示すように受光装置10を構成するマスク114の開孔114aが1点鎖線で示す位置受光装置10におけるリニアスケール131の300nmに対応して設定された位置に照射される。そして、700nmの波長は2点鎖線で示すように受光装置10を構成するマスク114の開孔114aが2点鎖線で示す位置受光装置10におけるリニアスケール131の700nmに対応して設定された位置に照射される。受光装置10は、マスク114の開孔114aを通してホトデテクター113が受光した時点における受光手段11の移動位置を位置検出手段13によって検出し、検出信号を後述する制御手段に送る。即ち、位置検出手段13は、リニアスケール131上を移動する読み取りヘッド132から制御手段20にパルス信号を出力する。制御手段20は、位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られてくる基準位置からホトデテクター113が受光した時点における受光手段11の移動位置までのパルス数に基づいて上記反射光の波長を求める。そして、制御手段20は、反射光の波長に基いて対物レンズ6から照射される光の波長に対する焦点距離を求めることにより、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置を求める。制御手段20は、図5に示すように対物レンズ6によって集光される光の波長と焦点距離との関係を設定した制御マップを格納するメモリを備えている。そして、制御手段20は、メモリに格納された図5に示す制御マップを参照して上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られるパルス数に基づいて求められる上記反射光の波長に対応した焦点距離を求める。従って、対物レンズ6から焦点距離に対応する位置がチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置となる。例えば、図5に示す制御マップにおいては上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が500nmである場合に対物レンズ6の焦点距離例えば、29.4mmであり、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.4mm下方位置となる。図示の実施形態においては、白色光の300nm~700nmまでの波長においては例えば100nm毎の集光点の間隔が5μmとなっており、上記読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が400nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.395mm下方位置となり、上記受光装置10を構成する位置検出手段13の読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が300nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.390mm下方位置となる。一方、上記読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が600nmである場合にはチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.405mm下方位置となり、上記読み取りヘッド132から送られたパルス信号に基づいて求められた上記反射光の波長が700nmである場合には、チャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置は対物レンズ6から29.410mm下方位置となる。このように、図示の実施形態における高さ計測装置1においては、対物レンズ6によって集光される白色光の各波長の集光点は一次直線的に変化するので、対物レンズ6からチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面までの距離、即ちチャックテーブルC/Tに保持された被加工物Wの上面の高さ位置を正確に計測することができる。上述した高さ計測装置1に装備される受光装置10は、ラインイメージセンサーと比較して安価なホトデテクター113およびホトデテクター113に入光する光を規制する開孔114aを有するマスク114を備えた受光手段11と、該受光手段11を検出領域に渡り移送せしめる移動手段12と、受光手段11の移動位置を検出する位置検出手段13とからなっているので、比較的安価に構成することができる。