光素子と、前記光素子を搭載した第1の基板と前記光素子を気密封止するように前記第1の基板に接合される第2の基板と、を備えた光モジュールにおいて、前記第2の基板上に光伝送路が、前記光素子と光接合するように接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項1において、前記第1の基板は、半導体であり、前記第2の基板は、ガラスまたはプラスチックであることを特徴とする光モジュール。請求項2のいずれかにおいて、前記第2の基板がガラスであり、前記第1の基板と前記第2の基板とが陽極接合されていることを特徴とする光モジュール。光素子と、前記光素子を搭載した第1の基板と、を備えた光モジュールにおいて、前記光素子を気密封止する透明樹脂を備え、前記透明樹脂上に光伝送路が、前記光素子と光接合するように接続されていることを特徴とする光モジュール。請求項4において、前記第1の基板上に搭載され、前記光素子を駆動する半導体素子を備え、前記透明樹脂は、前記光素子と前記半導体素子とを気密封止することを特徴とする光モジュール。請求項1乃至5のいずれかにおいて、前記第1の基板は、電気配線を有し、前記光素子は、前記第1の基板の電気配線に電気接続されることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至6のいずれかにおいて、前記第2の基板または前記透明樹脂に前記光伝送路がレーザ溶着により接合されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記第2の基板に前記光伝送路が接着剤により接合されていることを特徴とする光モジュール。請求項4または5において、前記透明樹脂が接着剤として機能し、前記光伝送路が接着されていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至3のいずれかにおいて、前記第2の基板と前記光伝送路の間には、樹脂が形成されていることを特徴とする光モジュール。請求項7において、前記第2の基板の屈折率は、前記光伝送路の屈折率より大きいことを特徴とする光モジュール。請求項10において、前記樹脂はレーザ光を吸収することを特徴とする光モジュール。請求項10において、前記樹脂の屈折率は、前記光伝送路の屈折率より大きいことを特徴とする光モジュール。請求項1乃至13のいずれかにおいて、前記光伝送路は、前記第2の基板または前記透明樹脂側の界面側の屈折率が、前記界面から遠い側の屈折率よりも大きいことを特徴とする光モジュール。請求項14において、前記第2の基板、前記樹脂又は前記透明樹脂が前記光伝送路に拡散することにより、前記光伝送路の屈折率が高くなっていることを特徴とする光モジュール。請求項1乃至15のいずれかに記載の光モジュールと、前記光モジュールを搭載し、電気配線と光路を有する第3の基板とを備え、前記光素子は、前記第1の基板を介して、前記第3の基板上の電気配線に電気的に接続されるとともに、前記光伝送路を介して前記第3の基板上の光路に光学的に接続されることを特徴とする光モジュールの実装構造。しかしながら、従来の技術ではコスト点で問題が生じる。例えば、特許文献1では、光素子と光伝送路の位置合わせ精度は、フリップチップボンディングの搭載精度によって決まる。そのため、光素子の搭載精度を向上させるためには、高価な高精度フリップチップボンディング装置が必要となる。また、レンズを介して光素子と光伝送路の光結合を行うことからレンズの搭載精度も要求される。このような光素子―レンズー光伝送路からなる光学系では、高い光結合効率を得るために、アクティブ調芯が用いられることが一般的である。しかしながら、アクティブ調芯はプロセスの簡略化の点からは望ましくないという課題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、簡便なプロセスかつ低コストで、高効率な光結合を実現することを目的としている。上記課題を解決するために、本発明は特許請求の範囲に記載のとおり、光結合構造として封止構造と光伝送路を溶着している点に特徴がある。具体的には、光素子と、光素子を搭載した第1の基板と、光素子を気密封止するように第1の基板上に設けられる第2の基板または透明樹脂と、を備えた光モジュールにおいて、第2の基板または透明樹脂上であり光素子からの光が透過する箇所に光伝送路が接続することにより光結合を実現するものである。本発明によれば、低コストかつ簡便なプロセスにより製造できる光モジュールを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明をする。なお、実質同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。まず、本発明の第一の実施形態について、図1から図4を用いて説明する。図1は、第一の実施形態における光結合構成を説明する図面である。図2は、第一の実施形態における光結合プロセスを説明する断面図面である。図3は、封止基板第2の基板と光伝送路の溶着を説明する図面である。図4は、第一の実施形態における光結合構成を適用した光モジュールを説明する図面である。なお、図4bにおいて、基板の上面と下面は同一断面ではなく展開断面図であることは、当事者が容易に読み取れるものである。これは以下の実施形態でも同様である。まず、図1を用いて第一の実施形態における光結合構成を説明する。第一の実施形態は、第1のウェハ基板2wと第2のウェハ基板3wによりウェハレベルパッケージングWaferLevelPackaging:WLPされた光モジュール6を用いることを想定した実施形態である。第1の基板2は、半導体装置の基板として最も用いられるSiウェハ熱膨張係数:3.3ppmKである。第2の基板3は、ガラス材料を用いることができるが、本実施例では、光学デバイスへの適用を想定し、透光性を持つアモルファスガラス材料熱膨張係数:3.3~8.0ppmKを用いる。一般に、Siウェハとの接合を考えた場合、第2の基板3のガラス材料としてはホウ酸系ガラスが用いられる。これは、ホウ酸系ガラスの熱膨張係数がSiのそれと近いため、熱膨張係数差による基板の反りが問題となることがないためである。しかしながら、屈折率、透過率等の光学性質を重視した場合、第2の基板3は、光学性質に優れるアモルファスガラス材料を用いることが望ましい。WLP化された光モジュール6の内部には、光素子1として面発光レーザVerticalCavitySurfaceEmittingLaser:VCSELと光素子1を駆動する駆動素子であるLSI1aとしてドライバICが内蔵されている。光素子1より出力された光信号は、第2の基板3を透過して光モジュール6より出射することとなり、光モジュール6は送信光モジュールとして機能する。なお、光素子1は面入射型フォトダイオードでもかまわず、その場合はLSI1aとしてTIATranceImpedanceAmplifierが用いられ、光モジュール6は受信光モジュールとして機能することとなる。本実施形態では、第2の基板3上の上記光素子1からの光信号が透過する箇所に光伝送路7として、プラスチックオプティカルファイバPlasticOpticalFiber:POFが溶着されている。これにより、光素子1から出射された光信号はPOFのコア層に導かれ、POF中を伝播することとなる。なお、第1の基板2は、Siに限られる必要はなく、InP、GaAs、SiC、SiGe、GaN等の他の半導体ウェハでもかまわない。さらに、第1の基板2は、半導体材料に限らず、ガラス材料、セラミック材料、金属材料等のほかの材質であってもかまわないことはいうまでもない。また、第2の基板3も同様にガラス材料に限らず、光素子1から出射または光素子1に入射する波長の光を透過するものであれば、半導体材料等のほかの材質であってもかまわない。また、光伝送路7もPOFに限らず、有機光導波路であってもかまわない。次に、図2を用いて第一の実施形態の具体的な光結合プロセスを説明する。まず、図2aで第1のウェハ基板2wの電極パターン21上に光素子1およびLSI1aを搭載する。電極パターン21上には予め、接合部材としてAuSn蒸着はんだが形成されている。接合部材として蒸着はんだ等のはんだ材料を用いる場合、電極パターン21上にははんだ濡れ性を確保するために金属メタライズが形成されている。この金属メタライズの構成は、Ni2~5μmとAu005μmをめっきした積層構造となっている。一般にはんだ材料により接合を行う場合、接合後にはんだ材とAuの界面に金属間化合物が形成される。この金属間化合物は硬く応力緩衝効果が弱いため、衝撃等に対する接合の信頼性を低下させる。また、Auが残存するとその後の高温放置により金属間化合物がさらに成長し、はんだ中にカーケンダルボイドが発生し、信頼性および気密性が低下することが懸念される。そのため、Auめっき厚さは極力薄くすることが好適である。本実施例では、Auめっき厚さは005μmとしている。なお、図面が煩雑となるため、LSI1a、蒸着はんだおよび金属メタライズは図2中には図示していない。次に図2bで、第1のウェハ基板2wと第2のウェハ基板3wのウェハ合わせを行った後、第1のウェハ基板2wと第2のウェハ基板3wを陽極接合により接合し、光素子1およびLSI1aを気密封止する。このように、ウェハ状態で気密封止を行うことにより、実装コストの低減および光素子1の特性確保、信頼性向上を図ることができる。ここで陽極接合について詳細に説明する。陽極接合とは、一般的にはSiウェハにガラス基板を重ね合わせ、Siウェハの下面とガラス基板の上面に電極を押し当て、全体を400°C程度に加熱しながら、Si側を陽極、ガラス側を陰極として電圧を印加して接合する技術である。加熱することで、ガラスに含まれるNaなどのアルカリ成分が拡散しやすい状況になる。ここで、陽極のSiと陰極のガラス側に電圧を印加することで、これらアルカリ成分がイオン化して拡散する。Naの陽イオンは、ガラス基板の上面側、即ち、陰極側に引き寄せられ、Siウェハとの接合界面近傍では、陽イオン欠乏層が形成されると言われている。元々このような領域は、電荷的には中性であったが、電圧による陽イオンの強制的な拡散によりプラスの電荷が減少しており、相対的にマイナスに帯電していると考えられる。この帯電は、Siウェハとの間に更に強力な静電引力を発生させ、これがSiウェハとガラス基板を強固に密着させる。同時に、Siとガラスの界面では、ガラス中に含まれる酸素がSiを酸化することで強固な接合が形成される。陽極接合を封止に適用することの利点は、ガラスを直接、Si基板に接合するので余分なコストが発生しないため、低コストな気密封止が可能なことである。なお、本実施形態では第1のウェハ基板2wとしてSiを用いていることから、第1のウェハ基板2wと第2のウェハ基板3wの接合手段として、陽極接合を用いたがこれに捉われる必要はなく、はんだ材、接着剤等により接合を行ってもかまわない。次に図2dで、ダイシングブレード4でウェハダイシングによりウェハレベルパッケージングされた光モジュール6に個片化する。光モジュール6の裏面には、電気的な導通をとるために、図2eのようにはんだバンプ5として、Sn3Ag05Cuのはんだバンプを形成する。これにより、個片化された光モジュール6はチップとして扱うことが可能となる。はんだバンプ5が形成された光モジュール6は、例えば、電気配線が形成された有機基板にはんだバンプ5を介して接合されることとなる。次に、図2fで光伝送路7と第2の基板3に接合する。本実施形態では、光伝送路7として、プラスティックファイバPOFを用いている。光伝送路7と第2の基板3の接合は、図3に示すように第2の基板3上の光素子1からの光信号が透過する箇所に位置合わせを行ったのち、レーザ光によってPOFのクラッド層71と第2の基板3のガラス材を溶着することにより、光伝送路7を第2の基板3に固定する。本実施形態では光伝送路7としてPOFを用いているが、このメリットは一般にPOFのコア層72はφ125μmとシングルモードファイバのそれに比べ大きいため、要求されるPOFの位置合わせ精度が緩和される点とレーザ溶着による固定が容易な点から、調芯工程が簡便化することが可能であるためである。なお、本実施形態では第2の基板3への光伝送路7の固定方法としてレーザ溶着を用いたが、これに囚われる必要はなく、光伝送路7が第2の基板3に固定される方法であれば接着等の方法でもかまわない。次に、本実施形態における光結合構造の光配線への適用形態を図4を用いて説明する。本実施形態では、WLP化された光モジュール6を従来の電子機器における半導体素子のように、光電気混載基板9上に搭載している。光電気混載基板上には、電気信号を伝送する電気配線91と光信号を伝送する光配線92が形成されている。光モジュール6と光電気混載基板9は例えは、Pbフリーはんだにより接続することにより、光モジュール6と光電気混載基板9の電気的導通を確保している、なお、この光モジュール6と光電気混載基板9の接合材は、はんだに限らず、電気的導通を確保できるものであれば例えば、導電性接着剤等でもかまわない。光電気混載基板9上に搭載された光モジュール6には、図2eに示した工程のようにレーザ溶着によりPOFが溶着される。同様に第2の基板3とレーザ溶着された側と反対側のPOF先端は、光電気混載基板9上の光配線92にレーザ溶着により固定されている。光電気混載基板9上の電気配線91から伝送された電気信号は、第1の基板内に形成された貫通ビア22を介して、LSI1aに伝送される。LSI1aは、伝送された電気信号に対応した信号を発生し、光素子1を駆動し光信号に変換される。変換された光信号は、第2の基板3を介して光伝送路7のコア層72に導かれる。さらに導かれた光信号はコア層72中を伝播し、光電気混載基板9上の光配線92中に光信号が伝送されることとなる。以上、本実施形態で説明した光結合構造によれば、WLP化した光モジュール6をチップとして扱うことが可能となり従来の電子機器における半導体素子の取り扱いと同様に光モジュール6を扱うことが可能となる。また、光伝送路7として、コア径の大きなPOFを用いることにより、要求される位置合わせ精度が緩和される点とレーザ溶着による固定が容易な点から、調芯工程が簡便化することが可能となる。本発明の第二の実施形態について、図5を用いて説明する。本実施形態は、第一の実施形態において第2の基板3と光伝送路7の接合方法を変更したもので、他の構造、プロセスは第一の実施形態と同様である。本実施形態では、第2の基板3の光伝送路7が接合される箇所に予め、レーザ溶着に利用されるレーザ光の波長を吸収するレーザ光吸収樹脂10を供給している。これによりレーザ溶着の際、照射されるレーザ光はレーザ光吸収樹脂10に吸収され、レーザ光吸収樹脂が発熱することとなる。この発熱により、レーザ溶着部の温度が上昇することとなり、第2の基板3と光伝送路7の接合強度の向上が期待できる。第2の基板3上に供給されるレーザ光吸収樹脂10は、ごく薄く供給されることが望ましい。これは、第2の基板3と光伝送路7の間にレーザ光吸収樹脂が存在すると第2の基板3より出射される光信号が、レーザ光吸収樹脂10により吸収、散乱されることにより、結果として光伝送路7に伝播される光信号強度が低下するおそれがあるためである。本実施例では、スピンコートによるレーザ光吸収樹脂10を第2の基板3に供給することにより供給厚さを10μm以下としている。また、レーザ光吸収樹脂10の屈折率は第2の基板3もしくは光伝送路7のコア層72の屈折率とほぼ同等であることが望ましい。レーザ光吸収樹脂10は、第2の基板3と光伝送路7の間に存在するため、レーザ光吸収樹脂10の両界面で屈折率差が存在すると、界面において屈折率差に起因するフレネル反射損が生じるためである。このフレネル反射損を低減させるため、本実施形態ではレーザ光吸収樹脂10の屈折率は第2の基板3のガラスの屈折率とほぼ同等の屈折率の樹脂としている。以上、本実施形態で説明した光結合構造によればレーザ溶着部の温度が上昇を伴うこととなり、第2の基板3と光伝送路7の接合強度の向上を図ることができる。本発明の第三の実施形態について、図6を用いて説明する。本実施形態も、第一の実施形態において第2の基板3と光伝送路7の接合方法を変更したもので、他の構造、プロセスは第一の実施形態と同様である。本実施形態では、第2の基板3の光伝送路7が接合される箇所に予め、透明樹脂11を供給している。透明樹脂11の屈折率は光伝送路7のコア層72の屈折率より大きな樹脂を用いている。レーザ溶着の際、照射されるレーザ光により第2の基板3のガラス、光伝送路7が溶融するが、このとき透明樹脂11が光伝送路7中に拡散する。これにより光伝送路7には透明樹脂11の拡散層12が形成される。拡散層12には、第2の基板3との界面側の屈折率が界面から遠い側の屈折率よりも大きくなるような屈折率分布が生じる。このような屈折率分布が光伝送路7のコア層72に存在する場合、拡散層12ではGrinGradedIndexレンズと同様の効果が発生する。換言すると第2の基板3より出射される光信号が、拡散層12において収束されることとなり、結果として光伝送路7中を伝播する光信号強度が向上することが期待できる。なお、本実施形態でもスピンコートにより透明樹脂11を第2の基板3に供給することにより供給厚さを10μm以下としているが、透明樹脂11の供給方法はスピンコートに限らず、拡散層12を形成可能な分量を供給できればこの限りではない。以上、本実施形態で説明した光結合構造によれば光伝送路7中に屈折率分布を生じさせ、Grinレンズ効果を伴うこととなり、光伝送路7中を伝播する光信号強度が向上を図ることができる。本発明の第四の実施形態について、図7を用いて説明する。本実施形態も、第一の実施形態において第2の基板3と光伝送路7の接合方法を変更したもので、他の構造、プロセスは第一の実施形態と同様である。本実施形態では、第2の基板3のガラス材として、ガラス材の屈折率が光伝送路7のコア層72の屈折率より大きいものを用いている。これにより、実施例3と同様にレーザ溶着の際、照射されるレーザ光により第2の基板3のガラス材、光伝送路7が溶融するが、このときが第2の基板3のガラス材が光伝送路7中に拡散する。これにより光伝送路7には第2の基板3のガラス材の拡散層12が形成される。結果として、実施例3と同様に拡散層12には、第2の基板3との界面側の屈折率が大きくなるような屈折率分布が生じ、Grinレンズ効果が発生する。以上、本実施形態でも光伝送路7中に屈折率分布を生じさせ、Grinレンズ効果を伴うこととなり、光伝送路7中を伝播する光信号強度が向上を図ることができる。本発明の第五の実施形態について、図8から図10を用いて説明する。図8は、第五の実施形態における光結合構成を説明する図面である。図9は、第五の実施形態における光結合プロセスを説明する断面図面である。図10は、第五の実施形態における光結合構成を適用した光モジュールを説明する図面である。まず、図8を用いて第五の実施形態における光結合構成を説明する。第五の実施形態は、第1のウェハ基板2、光素子1、LSI1a、光伝送路7、はんだバンプ5を備えている点が、第一の実施形態と実施形態と同様であり、その構造、プロセスの詳細な説明は省略する。第五の実施形態では、第2のウェハ基板を備えず、光素子1の周囲に透明樹脂13を備えている点が第一の実施形態と異なる。透明樹脂13は、光素子1を覆うとともに、光伝送路7に接続されてる。光素子1から出射された光信号は、透明樹脂13を介して光伝送路13のコア層に導かれ、その中を伝播することとなる。次に、図9を用いて第五の実施形態の具体的な光結合プロセスを説明する。まずは、第一の実施形態と同様のプロセスに、図9aに示すように、第1のウェハ2上に光素子1とLSIを配置し、下にはんだバンプ2を配置する。第一の実施形態と異なり、本実施例では第2のウェハを備えておらず、第2のウェハを第1のウェハ2の接合するプロセスがない点は異なっている。次に、図9bで光伝送路7と光素子1を接合する。本実施形態では、光伝送路7として、プラスティックファイバPOFを用いている。まずは、光素子1の上に透明樹脂13を塗布し、硬化させる。このとき、透明樹脂13は光素子1の全体を覆い、光素子1を気密封止する。その後、光伝送路7と光素子1は上記光素子1からの光信号が透過する箇所にPOFの位置合わせを行ったのち、レーザ光によって透明樹脂13とPOFとを溶着している。本実施形態において、透明樹脂13として好適なものはUV硬化型樹脂であるが、熱硬化樹脂を用いてもよい。また、光伝送路7の固定方法としては、レーザ溶着に限らない。例えば、UV硬化型樹脂を用い、UV硬化型の透明樹脂13を塗布後硬化前に光伝送路7と光素子1の位置合わせを行い、UV光を照射して透明樹脂13を硬化させ、透明樹脂13で光伝送路7を接着固定することにより、大幅に作業時間を低減させることが可能となるためである。本実施形態でも光伝送路7としてPOFを用いているが、このメリットは一般にPOFのコア層72はφ125μmとシングルモードファイバのそれに比べ大きいため、要求されるPOFの位置合わせ精度が緩和される点と透明樹脂13との接続性が良好なためである。なお、本実施形態では光伝送路7の固定方法としてUV硬化型樹脂を用いたが、これに囚われる必要はなく、光伝送路7が固定される方法であれば熱硬化型樹脂等の他の透明樹脂でもかまわない。また、レーザ溶着により光伝送路を接続する場合には、本発明の第二の実施形態と組み合わせて、透明樹脂13と光伝送路7の間にレーザ光吸収樹脂を設けてレーザ溶着してもよい。また、第三の実施形態のように、レーザ溶着時に透明樹脂13を光伝送路7中に拡散させてもよい。また、透明樹脂13の塗布硬化や、光伝送路7の接続は、ウェハを個片化した状態で行ったが、透明樹脂13の塗布硬化や、さらには光伝送路7の接続まで、個片化前のウェハ状態で行ってもよい。次に、本実施形態における光結合構造の光配線への適用形態を図10abを用いて説明する。図10aは、本実施形態にかかる光モジュール実装構造の斜視図であり、図10bは断面図である。図4に示す第一の実施形態と共通する点は、説明を省略する。本実施形態では、個片化された光モジュール6を従来の電子機器における半導体素子のように、光電気混載基板9上に搭載している。光電気混載基板9上に搭載された光モジュール6には、図9bに示したように透明樹脂13によりPOFが溶着される。同様に光素子1と接着された側と反対側のPOF先端は、光電気混載基板9上の光配線92に固定されている。光電気混載基板9上の電気配線91から伝送された電気信号は、第1のウェハ基板内に形成された貫通ビア22を介して、LSI1aに伝送される。LSI1aは、伝送された電気信号に対応した信号を発生し、光素子1を駆動し光信号に変換される。変換された光信号は、透明樹脂13を介して光伝送路7のコア層72に導かれる。さらに導かれた光信号はコア層72中を伝播し、光電気混載基板9上の光配線92中に光信号が伝送されることとなる。以上、本実施形態で説明した光結合構造によれば、光モジュール6をチップとして扱うことが可能となり従来の電子機器における半導体素子の取り扱いと同様に光モジュール6を扱うことが可能となる。また、光伝送路7として、コア径の大きなPOFを用いることにより、要求される位置合わせ精度が緩和される点と透明樹脂による接続が容易な点から、調芯工程が簡便化することが可能となる。本発明の第六の実施形態について、図11を用いて説明する。本実施形態も、第五の実施形態と同様に透明樹脂14により光伝送路7を接合したものであり、構造、プロセスは第五の実施形態と同様である。本実施形態では、ダイシングにより光モジュール6に個片化した後、光素子1のみならずLSI1aも含む光モジュール全体を透明樹脂13で気密封止している。これにより、光モジュール6の光路への異物混入を防ぐことが可能となる。さらに、耐湿性の向上を図ることも可能となる。なお、個片化前にウェハ状態で、一塊の透明樹脂で複数の光モジュールの光素子1、LSI1aを封止し、透明樹脂ごとウェハをダイシングして個片化してもよい。以上、本実施形態では、光素子の樹脂封止することとなり、信頼性の向上も図ることが可能となる。