第1主面と、前記第1主面の反対側の第2主面と、を有するステージであって、前記第1主面から前記第2主面に貫通した開口を有し、前記開口を覆って前記第1主面側にウェーハが載置されるステージと、前記第1主面側に設けられ、前記ステージに載置されたウェーハの表面に第1の測定光を照射する第1光源と、前記ウェーハの表面で反射された前記第1の測定光を検出する第1受光器と、前記第2主面側から前記開口を介して前記ウェーハの裏面に第2の測定光を照射する第2光源と、前記ウェーハの裏面で反射された前記第2の測定光を検出する第2受光器と、を備えたことを特徴とする投影露光装置。前記第1受光器の信号に基づいて第1の位置情報を取得し、前記第2受光器の信号に基づいて第2の位置情報を取得し、前記第1の位置情報および前記第2の位置情報に基づいて、前記ウェーハの表面に塗布されたレジストを露光する前記ステージの露光位置を決定する制御部をさらに備えたことを特徴とする投影露光装置。第1主面と、前記第1主面の反対側の第2主面と、を有するステージであって、前記第1主面から前記第2主面に貫通した開口を覆って前記第1主面側にウェーハが載置されたステージを、前記第1主面に垂直な方向に上昇または下降、もしくはその両方の動きを行わせるステップと、前記第1主面側に設けられた第1光源から前記ステージに載置されたウェーハの表面に第1の測定光を照射し、前記ウェーハの表面で反射された前記第1の測定光を検出した第1受光器が出力する前記ステージの動きに応じた信号に基づいて、第1の位置情報を得るステップと、前記第2主面側に設けられた第2光源から前記開口を介して前記ウェーハの裏面に第2の測定光を照射し、前記ウェーハの裏面で反射された前記第2の測定光を検出した第2受光器が出力する前記ステージの動きに応じた信号に基づいて、第2の位置情報を得るステップと、前記第1の位置情報および前記第2の位置情報に基づいて、前記ウェーハの表面に塗布されたレジストを露光する前記ステージの露光位置を決めるステップと、を備えたことを特徴とする投影露光方法。前記第1の位置情報、前記第2の位置情報および前記ウェーハの厚さに基づいて、前記露光位置を決めることを特徴とする請求項3記載の投影露光方法。前記第1の位置情報および前記第2の位置情報に基づいて前記ウェーハの反り量を算出し、前記反り量に基づいて前記ステージの前記露光位置を決めることを特徴とする請求項3または4に記載の投影露光方法。実施形態は、露光位置を正確に決めることが可能な投影露光装置および投影露光方法を提供する。実施形態に係る投影露光装置は、第1主面と、前記第1主面の反対側の第2主面と、を有するステージであって、前記第1主面から前記第2主面に貫通した開口を有し、前記開口を覆って前記第1主面側にウェーハが載置される前記ステージと、前記第1主面側に設けられ、前記ウェーハの表面に第1の測定光を照射する第1光源と、前記ウェーハの表面で反射された前記第1の測定光を検出する第1受光器と、前記第2主面側から前記開口を介して前記ウェーハの裏面に第2の測定光を照射する第2光源と、前記ウェーハの裏面で反射された前記第2の測定光を検出する第2受光器と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る投影露光装置100を示す模式図である。投影露光装置100は、被処理ウェーハを載置するウェーハステージ10と、露光光学系20と、ウェーハステージ10を制御する制御部30と、を備える。ウェーハステージ10は、第1主面10aと、第1主面の反対の側の第2主面10bと、を有し、第1主面10aの側から第2主面10bの側に貫通した開口10cを有する。被処理ウェーハ13は、開口10cを覆って第1主面10a側に載置される。露光光学系20は、ウェーハステージ10の第1主面10aの側の上方に配置され、露光光源3と、コンデンサレンズ5と、投影レンズ9と、を含む。コンデンサレンズ5と投影レンズ9との間には、露光パターンが形成されたレチクル7が配置される。投影露光装置100は、被処理ウェーハ13の露光光学系20の側の表面13aに露光パターンを投影し、ウェーハ13の表面13aに塗布されたフォトレジストを露光する。このため、例えば、ウェーハ13の表面13aが露光光学系20の焦点に位置するように、ウェーハステージ10の高さを制御する。ウェーハステージ10の第1主面10aの側には、第1光源21と第1受光器23とを含む光学測定系が設けられる。第1光源21は、ウェーハ13の表面に第1の測定光を照射し、第1受光器23は、ウェーハ13の表面13aで反射された第1の測定光を検出する。第1光源21と第1受光器23は、露光の障害とならないように、第1主面10aに対して平行な平面視においてウェーハ13の外側に設けられる。さらに、第2主面10bの側に、第2光源25と、第2受光器27と、を含む光学測定系が配置される。第2光源25は、ウェーハステージ10に設けられた開口10cを介してウェーハ13の裏面13bに第2の測定光を照射する。第2受光器27は、ウェーハ13の裏面13bで反射された第2の測定光を検出する。第1光源21および第2光源25には、例えば、He‐Neレーザを用い、第1受光器23および第2受光器27には、例えば、シリコンフォトダイオードを用いることができる。ウェーハステージ10は、制御部30により制御される駆動装置15により、上昇および下降する。そして、ウェーハステージの上昇および下降にともなって変化するウェーハ13の表面13aおよび裏面13bの位置に対応した信号が、第1受光器23および第2受光器27から出力される。制御部30は、第1受光器23が出力する信号に基づいて、第1の位置情報であるウェーハ13の表面13aの位置情報を取得し、第2受光器27が出力する信号に基づいて、第2の位置情報であるウェーハ13の裏面13bの位置情報を取得する。そして、制御部30は、ウェーハ13の表面13aおよび裏面13bの位置情報に基づいて、例えば、ウェーハ13の表面13aの位置を特定する。投影露光装置100では、レチクル7に形成された露光パターンを1つの転写単位として、ウェーハ13の面内における位置を変えながらフォトレジストを露光する。そして、複数回の露光ショットを行うことにより、ウェーハ13の表面13aに塗布されたフォトレジストの全面に露光パターンを転写する。この際、ショット毎に、ウェーハ13の表面13aの位置を測定し、ウェーハステージ10を露光位置に移動する。したがって、露光精度を向上させるには、ウェーハ13の表面13aの位置を正確に測定することが望ましい。実施形態に係る投影露光装置100は、ウェーハステージ10の第1主面10aの側、および、第2主面10bの側に、それぞれ被処理ウェーハ13の表面13aおよび裏面13bの位置情報を取得する光学系測定を備える。これにより、ウェーハ13の表面13aの位置を正確に特定することが可能となり露光精度を向上させる。次に、図2を参照して、投影露光装置100の露光シーケンスを説明する。図2は、投影露光装置100の露光過程を示すフロー図である。まず、ウェーハ13が載置されたウェーハステージ10を、第1主面10aに垂直な方向に上昇または下降、もしくはその両方の動きを行わせるS01。そして、第1光源21からウェーハ13の表面13aに第1の測定光を照射し、表面13aで反射された第1の測定光を第1受光器23で検出する。同時に、第2光源25から開口10cを介してウェーハ13の裏面13bに第2の測定光を照射し、裏面13bで反射された第2の測定光を第2受光器27で検出する。次に、制御部30は、第1受光器23が出力するウェーハステージ10の動きに応じた信号に基づいて、ウェーハ13の表面13aの位置情報を得る。さらに、第2受光器27が出力するウェーハステージの動きに応じた信号に基づいて、ウェーハ13の裏面13bの位置情報を得る。例えば、第1光源から放射される第1の測定光の全てが第1受光器23の受光面に入射した時に、第1受光器の信号出力は最大となり、ウェーハ13の表面の位置が移動し第1受光器の受光面に入射する第1の測定光の割合が減少するにつれて、第1受光器の信号出力は低下する。したがって、第1受光器23の信号出力が最大となるウェーハステージ10の位置を検知することにより、ウェーハ13の表面13aと、ウェーハステージ10と、の相対的な位置関係を把握することができる。同様に、第2受光器27の信号出力が最大となるウェーハステージの位置を検知することにより、ウェーハ13の裏面13bと、ウェーハステージ10と、の相対的な位置関係を把握することができるS02。次に、制御部30は、ステップ2S02で取得した位置情報の精度を検証する。例えば、制御部30にウェーハ13の厚さの情報が予め入力されているとすれば、制御部30は、第1受光器23から取得したウェーハ13の表面13aの位置情報と、第2受光器27から取得した裏面13bの位置情報と、ウェーハ13の厚さの情報と、に基づいて、ウェーハ13の表面13aの位置を特定することができる。例えば、ウェーハ13の表面13aの高さと裏面13bの高さの差が、ウェーハ13の厚さに一致すれば、第1の受光器23および第2の受光器27から取得した位置情報が正しいものとして、表面13aの位置を特定する。一方、表面13aの高さと裏面13bの高さの差が、ウェーハ13の厚さに一致しなければ、第1の受光器23および第2の受光器27から取得した位置情報を補正する。ウェーハ13の表面13aの高さと裏面13bの高さの差が、ウェーハ13の厚さに一致するか否かの判定には、例えば、閾値を用いることができる。すなわち、ウェーハ13の表面13aの高さと裏面13bの高さの差から算出されるウェーハ厚と、入力されたウェーハ13の厚さとの違いが、ある閾値を越えたときに不一致と判定し、その閾値以内であれば一致と判定する。例えば、投影パターンの許容できる収差に基づいて閾値を設定することができる。算出されたウェーハ厚が、入力されたウェーハ13の厚さと一致しない場合、例えば、裏面13bの高さを基準として、入力されたウェーハ13の厚さを加えた高さを表面13aの位置として特定しても良い。次に、ウェーハ13の表面13aおよび裏面13bの位置情報に基づいて、ウェーハ13の表面13aに塗布されたレジストを露光するウェーハステージ10の露光位置を決めるS03。例えば、制御部30は、特定したウェーハ13の表面13aの位置と、予め検出した露光光学系20の焦点とウェーハステージ10との相対位置と、に基づいて、表面13aの高さが露光光学系20の焦点位置に一致するように、ウェーハステージ10の露光位置を決定する。続いて、制御部30は、駆動装置15を制御してウェーハステージ10を露光位置に移動させるS04。そして、図示しないシャッター機構を稼動させてウェーハ13の表面13aに塗布されたフォトレジストを露光するS05。次に、露光した位置が、ウェーハ13の面内における最後のショット位置であるか否かを判断し、最後のショット位置であれば、ウェーハ13の露光を終了する。一方、露光すべき領域が残っていれば、次のショット露光位置に移動し、S01~S05のステップを繰り返す。上記の通り、実施形態に係る投影露光装置100では、ウェーハステージ10の第1主面10aの側、および、第2主面10bの側に、それぞれ配置された光学測定系により被処理ウェーハ13の表面13aおよび裏面13bの位置情報を取得し、その位置情報の精度を検証することができる。これにより、光学測定系の測定光に対して透明なワイドギャップウェーハや絶縁性ウェーハを露光する場合にも、露光位置を正確に決定することが可能となり、露光品質を向上させることができる。例えば、窒化物半導体を材料とする半導体素子には、可視光に対して透明なサファイア基板が用いられる。サファイア基板の表面に塗布されたフォトレジストを露光する際には、表面に形成されたパターンの段差や、窒化物半導体層とサファイア基板との界面における測定光の反射のために露光位置の誤認が生じ易い。このため、実施形態に係る投影露光装置100を用いることにより露光位置の誤認を防ぎ、微細パターンの露光が可能となる。また、透明ウェーハに限らず、第1主面10aの側に配置された光学測定系を用いてウェーハ13の表面13aの位置を正確に決定できない場合に、第2主面10bの側の光学測定系を用いて裏面13bの位置を測定し、それに基づいてウェーハステージ10の露光位置を決定することも可能である。第2の実施形態図3は、第2の実施形態に係る露光装置のウェーハステージ40を模式的に示す。図3aは、ウェーハステージ40のIVa-IVa断面を示す模式図であり、図3bは、第2主面40bの側からの平面視を示している。図3aに示すように、ウェーハステージ40には、第1主面40aの側から第2主面40bの側へ貫通した複数の開口40cが設けられる。そして、被処理ウェーハ13は、複数の開口40cを覆って。第1主面40aの側に載置される。複数の開口40cは、図3bに示すように、ウェーハ13が載置される部分に均等に設けられる。図4は、ウェーハステージ40のフォーカシング機構を模式的に示す断面図である。同図に示すように、ウェーハステージ40の第1主面40aの側に、第1光源41a、41bと、第1受光器43a、43bを含む複数の光学測定系が設けられる。第1光源41aと第1受光器43aとを含む光学測定系と、第1光源41bと第1受光器43bとを含む光学測定系とは、それぞれウェーハ13の表面13aの異なる部分の位置を測定する。一方、第2主面40bの側にも、第2光源45と、第2受光器47と、を含む光学測定系が、各開口40cに設けられ、ウェーハ13の裏面13bのそれぞれの開口40cに露出した部分の位置を測定する。ウェーハステージ40では、ウェーハ13の表面13aおよび裏面13bにおける複数の部分の位置を測定することにより、露光位置の誤認の防止を精度良く行う。例えば、複数の部分ごとに高さを測定し、その値のバラツキに対して閾値を設定する。そして、バラツキが閾値を越えたときに、測定した高さに誤りがあると判定し補正を行う。また、ウェーハ13に反りがある場合には、その面内の複数の部分の位置情報に基づいてウェーハ13の反り量を算出し、その反り量に基づいてウェーハステージ40の露光位置をショット毎に決定することが可能となる。例えば、サファイア基板にGaN系窒化物半導体層をエピ成長した場合、両者の熱膨張係数の差に起因して、ウェーハに反りが生じる。この反りは、サファイア基板および窒化物半導体層の物性に基づいてシミュレーションすることが可能である。したがって、ウェーハ13の複数の部分の位置情報から算出される反り量と、シミュレーションされた反り量と、に基づいて、ウェーハ13の表面13aの高さを精度良く特定することが可能となる。これにより、ショット毎の露光位置を、ウェーハ13の反りに合わせて補正し、露光精度を向上させることができる。第3の実施形態図5は、第3の実施形態に係る露光装置のウェーハステージ50を模式的に示す断面図である。同図に示すように、ウェーハステージ50は、その第1主面50aの側から第2主面50bの側に貫通する開口50cを有する。そして、第1主面50aの側から開口50cを覆うサブステージ59が配置され、被処理ウェーハ13は、サブステージ59の表面59aの上に載置される。ウェーハステージ50の第1主面50aの側には、第1光源51および第1受光器53を含む光学測定系が配置される。一方、第2主面50bの側には、第2光源55a、55b、および第2受光器57を含む光学測定系が配置される。サブステージ59には、ウェーハステージ50の第2主面50bの側に配置された第2光源55が放射する第2の測定光を透過する材料、例えば、石英のような可視光を透過する材料を用いる。これにより、第2光源55から放射される第2の測定光は、ウェーハ13の裏面13bで反射され、第2受光器57で検出することができる。ウェーハステージ50においても、前述したウェーハステージ40と同じように、第2主面50bの側に複数の第2光源55aおよび55bを配置することにより、ウェーハ13の裏面13bの複数の部分について位置情報を取得することが可能となる。これにより、ウェーハ13の反りに合わせてウェーハステージ50の露光位置を補正することができる。図5に示すように、1つの第2受光器57を用いて複数の第2光源55が放射する第2の測定光を検出してもよい。例えば、第2受光器57は、第2光源55aおよび55bが放出する測定光に含まれる信号のそれぞれに同期して信号光を検出する。これにより、第2光源55aおよび55bの信号光を区別して検出し、ウェーハ13の裏面13bの異なる部分の位置情報を取得する。また、第2受光器57として、2次元光センサを用いることができる。その場合、第2受光器57において検出される測定光の位置をトレースすることにより、ウェーハ13の裏面13bにおける測定光を反射した部分の位置情報を取得することができる。以上、第1~第3の実施形態を例に説明したが、上記の例に限定されることなく、例えば、ウェーハステージに設けられる開口の数、および、第1主面および第2主面のそれぞれの側に配置する光学測定系の数は任意である。また、実施形態に係るウェーハステージを用いることにより、所謂両面位置合わせ露光が可能である。すなわち、ウェーハステージに設けられる開口を介して、第2主面側から被処理ウェーハに設けられた位置合わせマークを認識し、ウェーハの表面側における面内の露光位置を決定することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。