"多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値に基づいて、多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から不良品または良品を選別する検査方法であり、1枚の多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値と、その多結晶シリコンウエハがスライス加工時に隣接していた多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値とを相対比較し、前記一連の多結晶シリコンウエハ群の各多結晶シリコンウエハが有する各物性値の傾向に基づいて、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別することを特徴とする多結晶シリコンウエハの検査方法。前記多結晶シリコンウエハの検査方法が、次の工程:1前記多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から、スライス面において、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値としての基準結晶粒径以下の結晶粒の最大集合領域を有する多結晶シリコンウエハを確認する工程、2前記最大集合領域を基準領域とし、その基準領域を有する多結晶シリコンウエハを基準ウエハとし、その基準ウエハを不良品として選別する工程、3前記基準ウエハに隣接する多結晶シリコンウエハ中の前記基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が所定許容数以上存在する場合にその多結晶シリコンウエハを不良品として選別し、存在しない場合にその多結晶シリコンウエハを良品として選別して検査を終了する工程、および4工程3において多結晶シリコンウエハを不良品として選別した場合、その多結晶シリコンウエハに隣接する未検査の多結晶シリコンウエハについて、不良品が選別されなくなるまで工程3を繰り返す工程を含む請求項1に記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。前記基準結晶粒径が、5mm以下である請求項2に記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。前記基準結晶粒径が、2mm以下である請求項3に記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。前記基準領域が、100mm2以上である請求項2~4のいずれか1つに記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。前記所定許容数が、1である請求項2~5のいずれか1つに記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。前記多結晶シリコンウエハが太陽電池用であり、前記不良品が太陽電池を作製したときに暗時逆方向漏れ電流不良となる多結晶シリコンウエハである請求項1~6のいずれか1つに記載の多結晶シリコンウエハの検査方法。請求項1~7のいずれか1つに記載の多結晶シリコンウエハの検査方法により良品と選別された多結晶シリコンウエハ。請求項8に記載の多結晶シリコンウエハを用いて製造された多結晶シリコン太陽電池。本発明者らは、多結晶シリコンウエハおよびそれを用いて製造した太陽電池の様々な評価を行った結果、窒素ドープN型SiCフィラメントが、Id不良の大きな部分を占めていることを見出した。ウエハの比抵抗によるId不良も連続して発生する可能性があるが、それは単にキャスト法によるシリコンインゴット製造時のシリコン原料に起因するものであり、原料の調整で対応可能である。このように多結晶シリコン太陽電池のさらなる低コスト化のためには、SiCフィラメントによるId不良を回避する必要がある。しかしながら、上記の非特許文献1には、その対応策が示されていない。通常の多結晶シリコンウエハの検査方法では、ウエハの外観を検査して、面内に異物が存在しないか、基準値を超える段差がないか、結晶粒径が細かくないか、などをみる。最近では赤外線を用いた透過型の検査装置も採用され始めている。赤外線ではウエハ内部も検査できるため、例えば検査装置に設けられたカメラの分解能以上のサイズであれば、表面からは確認できない、バルク内部に存在する異物などを確認できる。しかしながら、基本的には従来の外観検査と同様に、1枚1枚のウエハに対して各項目が合格しているか否かを検査する必要がある。そこで、本発明は、多結晶シリコンウエハの不良品、特に太陽電池のId不良の原因となるSiCフィラメントが結晶粒界に存在する不良品のみを効率的に選別するための多結晶シリコンウエハの検査方法およびそれにより得られた多結晶シリコンウエハの用途を提供することを課題とする。本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、上記のような従来からの多結晶シリコンウエハの検査方法における問題点を特定することに成功し、多結晶シリコンウエハの不良品、特にSiCフィラメントが結晶粒界に存在する不良品のみを効率的に選別する検査方法を見出し、本発明に至った。かくして、本発明によれば、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値に基づいて、多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から不良品または良品を選別する検査方法であり、1枚の多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値と、その多結晶シリコンウエハがスライス加工時に隣接していた多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値とを相対比較し、前記一連の多結晶シリコンウエハ群の各多結晶シリコンウエハが有する各物性値の傾向に基づいて、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別することを特徴とする多結晶シリコンウエハの検査方法が提供される。また、本発明によれば、上記の多結晶シリコンウエハの検査方法により良品として選別された多結晶シリコンウエハおよびその多結晶シリコンウエハを用いて製造された多結晶シリコン太陽電池が提供される。本発明によれば、多結晶シリコンウエハの不良品、特に太陽電池のId不良の原因となるSiCフィラメントが結晶粒界に存在する不良品のみを効率的に選別するための多結晶シリコンウエハの検査方法およびそれにより得られた多結晶シリコンウエハの用途を提供することができる。すなわち、本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法は、一般的にキャスト法や電磁キャスト法などにより製造された多結晶シリコンインゴットを加工して得られた多結晶シリコンウエハの検査方法として好適であり、本発明によれば、Id不良発生率の低い多結晶シリコンウエハを効率的に選別することができ、ウエハの不良率が低下することで、低価格の多結晶シリコン太陽電池および太陽電池モジュールを市場に供給することができ、それらのさらなる普及に貢献できる。また、多結晶シリコンウエハの検査方法は、次の工程:1前記多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から、スライス面において、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値としての基準結晶粒径以下の結晶粒の最大集合領域を有する多結晶シリコンウエハを確認する工程、2前記最大集合領域を基準領域とし、その基準領域を有する多結晶シリコンウエハを基準ウエハとし、その基準ウエハを不良品として選別する工程、3前記基準ウエハに隣接する多結晶シリコンウエハ中の前記基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が所定許容数以上存在する場合にその多結晶シリコンウエハを不良品として選別し、存在しない場合にその多結晶シリコンウエハを良品として選別して検査を終了する工程、および4工程3において多結晶シリコンウエハを不良品として選別した場合、その多結晶シリコンウエハに隣接する未検査の多結晶シリコンウエハについて、不良品が選別されなくなるまで工程3を繰り返す工程を含む場合に、上記の効果がさらに発揮される。また、多結晶シリコンウエハの検査方法は、基準結晶粒径が5mm以下、特に2mm以下である場合に、さらに基準領域が100mm2以上である場合に、さらにまた所定許容数が1である場合に、上記の効果がさらに発揮される。さらに、多結晶シリコンウエハの検査方法は、多結晶シリコンウエハが太陽電池用であり、かつ不良品が太陽電池を作製したときに暗時逆方向漏れ電流不良となる多結晶シリコンウエハである場合に、好適に実施でき、上記の効果がさらに発揮される。なお、上記結晶粒径を評価するにあたり、多結晶シリコンウエハ表面によく見られるΣ3粒界はここでは粒界とみなさないこととする。なぜならΣ3粒界は、結晶成長中の積層欠陥あるいは結晶成長後のストレスにより導入された粒界であり、組成的過冷却によって生じる結晶粒界とは明らかに起源が異なるものだからである。ここで、Σ3粒界とは、その粒界の両側の結晶が111面に関して鏡面対称となっている粒界を意味し、ウエハでは直線状の特徴的な粒界として確認でき、複数のΣ3粒界が密集して平行に入ることもある。本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法は、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値に基づいて、多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から不良品または良品を選別する検査方法であり、1枚の多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値と、その多結晶シリコンウエハがスライス加工時に隣接していた多結晶シリコンウエハが有する前記基準物性値に対応する物性値とを相対比較し、前記一連の多結晶シリコンウエハ群の各多結晶シリコンウエハが有する各物性値の傾向に基づいて、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別することを特徴とする。本発明の経緯について説明する。本発明者らは、まず、SiCフィラメントによるId不良が発生した太陽電池を評価して、結晶粒界にSiCフィラメントが存在するウエハには、結晶粒径1mm程度以下の細かい結晶粒が多いこと、またSiCフィラメントの導電率が高いために、ウエハ面内に上記のような細かい結晶粒が1つでもあれば、SiCフィラメント部分でのリークによりId不良になることを見出した但し、Id不良判定基準が緩い場合にはこの限りではなく、その基準に対し上記細かい結晶粒数のウエハ内での許容値所定許容値を評価しておく。そこで、本発明者らは、多結晶シリコンウエハの検査工程において、例えば結晶粒径1mm以下の結晶を1つ以上有するウエハを不良ウエハとして選別し、それら以外の良品ウエハを用いて太陽電池を作製したところ、Id不良の発生率を大幅に低減させることができた。しかしながら、検査工程において選別された不良ウエハを用いて太陽電池を作製したところ、大部分のウエハではId不良が発生しなかった。このことは、上記の検査基準が適切でなく、不良でない大量の良品ウエハを不良と判定させてしまうこと、つまり太陽電池のId不良の原因となるSiCフィラメントが結晶粒界に存在する不良ウエハのみを効率的に選別できないことを意味する。すなわち、上記の検査方法では、結晶粒界にSiCフィラメントが存在するウエハには、結晶粒径1mm程度以下の細かい結晶粒が多いという事実のみから、全ウエハについて検査して、結晶粒径1mm以下の結晶を1つ以上有するウエハを不良ウエハとして選別したが、上記の結果から結晶粒径1mm以下という基準は、結晶粒界にSiCフィラメントが存在するウエハの十分条件であって、必要条件ではないことがわかる。多結晶シリコンウエハ中に結晶粒径1mm以下の細かい結晶粒が存在する原因としては、本発明において問題になるSiCフィラメントが結晶粒界に存在することに加えて、ただ単に確率的に結晶粒径の細かい結晶粒が存在すること、結晶成長中の単一結晶粒内に双相やすべりが入って発生した細かい結晶粒が存在することなどが挙げられる。上記の検査工程では、後者の2つの原因によって結晶粒径1mm以下の細かい結晶粒が存在するウエハが不良ウエハとして選別されたものと考えられる。図2a~cは、多結晶シリコンインゴット中の結晶粒の存在パターンを示す概略断面図である。各図面は、多結晶シリコンインゴットの縦方向、つまり結晶成長方向に沿った断面を示している。したがって、図中の矢印GOは一方向凝固の結晶成長方向を表し、GOに垂直な矢印SOはインゴットをウエハにスライスするスライス方向を表す。図2aは、SiCフィラメントが結晶粒界に存在するために、細かい結晶粒3が存在する多結晶シリコンインゴットの概略断面図である。細かい結晶粒3は、一方向凝固の結晶成長の際に、結晶粒界にSiCフィラメントが析出している部分で組成的過冷却状態になり、融液中でシリコンおよびSiC、SiNの結晶核が発生して形成されたものと考えられる。この組成的過冷却状態は面内で広がりをもちかつ時間的にも継続すると考えられ、融液中で発生した結晶核が結晶上に降り積もり付着することで、結晶粒径が1mm以下の領域が形成されたものと考えられる。図2bおよびcは、それぞれ単に確率的に発生した細かい結晶粒4が存在する多結晶シリコンインゴットおよび結晶成長中の単一結晶粒内に双相やすべりが多重に入って発生した細かい結晶粒5が存在する多結晶シリコンインゴットの概略断面図である。そこで、図2a~cの多結晶シリコンインゴットをそれぞれA-A’断面、B-B’断面およびC-C’断面でスライスしたウエハを比較すると、すべてのウエハには細かい結晶粒が存在する。したがって、1枚のウエハに対して外観の検査基準を設けて良品または不良品を選別する従来の検査方法では、すべてのウエハが不良品として選別される。しかしながら、本発明者らは、図2bおよびcの多結晶シリコンインゴットからスライスされたウエハを用いて太陽電池を作製してもId不良となる確率が極めて低いことを確認している。そこで、図2aのような不良ウエハウエハAと、図2bおよびcのような良品ウエハそれぞれウエハBおよびCとを効率的に選別し得る検査方法が必要になる。本発明者らは、ウエハBおよびCを含む図2bおよびcのインゴットと比較して、ウエハAを含む図2aのインゴットには、結晶粒径の細かい結晶粒が存在する領域が結晶成長方向およびスライス方向に連続して広がりをもつことを見出した。すなわち、SiCフィラメントが存在する細かい結晶粒がインゴットの特定領域に存在することから、1つのインゴットからスライスして得られるウエハを1枚ずつ検査するのではなく、特定の検査基準を設け、スライスして得られるウエハをスライスした順に並べた一連組のウエハとして検査することにより、良品または不良品を効率よく選別できることを見出した。従来の検査方法は、各ウエハを個別に特定の外観検査基準で検査選別する方法であり、スライスした順に並べた1連組のウエハを、隣り合うウエハを相対的に特定の検査基準で検査選別する本発明の検査方法は、全く新しい発想である。ここで、特定の検査基準としては、上記のような結晶粒径基準結晶粒径や結晶粒径の細かい結晶粒が存在する領域基準領域が挙げられ、これらは一例であって、ウエハの良否を選別できる基準であれば特に限定されない。このような検査基準としては、例えば、少数キャリアライフタイム、比抵抗、ウェハサイズ、ウェハ厚さ、ウェハ各辺のなす角度、欠陥密度、フォトルミネッセンス発光強度、キャリア易動度などが挙げられる。1枚のウエハとその隣り合うウエハとを対比する基準結晶粒径のような特定の検査基準を特に基準物性値という。基準結晶粒径および基準領域を特定の検査基準とした本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法について具体的に説明する。本発明において検査対象とする多結晶シリコンウエハは、キャスト法や電磁キャスト法などの公知の方法により、坩堝内で溶融シリコンを一方向凝固させて大きな多結晶シリコンインゴットを得た後、バンドソーなどの公知の装置を用いて角柱状の多結晶シリコンブロックに切り出し、さらにワイヤーソーなどの公知の装置を用いて所望の厚さにスライスしウエハ化したものである。角柱状の多結晶シリコンブロックは、スライス加工時にクラックの発生を防止するなどの目的で、必要に応じて、その表面が研磨加工される。また、多結晶シリコンウエハは、スライス加工時にその表面に付着した汚れを除去するために、検査前に公知の方法により表面洗浄されるのが好ましい。多結晶シリコンウエハの厚さは、現状では、170~200μm程度が一般的であるが、傾向としてはコスト削減のため、薄型化の傾向にある。本発明の検査方法においては、1本の多結晶シリコンブロックをスライス加工した一連組の多結晶シリコンウエハは、その順序並びが重要であり、スライス加工前の多結晶シリコンブロックの順序が保持もしくは可能な限り保持されるように配列されるか、またはその順序が十分に認識されるように識別される。次いで、本発明の検査方法により、一連組の多結晶シリコンウエハを検査する。図1を用いて本発明の検査方法を説明するが、これにより本発明が限定されるものではない。ここでは所定許容数を1とした例につき説明する。図1は、本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法の一例を示す概略図である。図1a~hは、多結晶シリコンインゴットの結晶成長方向GOに垂直な方向にスライスしたウエハの概略断面図である。すなわち、ウエハaからウエハhまで多結晶シリコンインゴットの結晶成長方向に配列されている。工程1:前記多結晶シリコンブロックをスライス加工して得られた一連の多結晶シリコンウエハ群の中から、スライス面において、多結晶シリコンウエハの不良品または良品を選別するための基準物性値としての基準結晶粒径以下の結晶粒の最大集合領域を有する多結晶シリコンウエハを確認するすなわち、図1では、基準結晶粒径以下の結晶粒の最大集合領域を有する多結晶シリコンウエハはeに相当する。工程2:前記最大集合領域を基準領域とし、その基準領域を有する多結晶シリコンウエハを基準ウエハとし、その基準ウエハを不良品として選別する。すなわち、図1では、不良品として選別される基準ウエハはeに相当し、その図番2が基準領域に相当する。工程3:前記基準ウエハに隣接する多結晶シリコンウエハ中の前記基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が所定許容数ここでは1以上存在する場合にその多結晶シリコンウエハを不良品として選別し、存在しない場合にその多結晶シリコンウエハを良品として選別して検査を終了する。すなわち、図1では、隣接する未検査の多結晶シリコンウエハはdおよびfに相当し、それらは基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が所定許容数ここでは1以上存在するので不良品として選別される。工程4:工程3において多結晶シリコンウエハを不良品として選別した場合、その多結晶シリコンウエハに隣接する未検査の多結晶シリコンウエハについて、不良品が選別されなくなるまで工程3を繰り返す。すなわち、図1では、隣接する未検査の多結晶シリコンウエハはcおよびg、次いでbに相当し、それらは基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が所定許容数ここでは1以上存在するので不良品として選別される。また、図1のaおよびhは、基準領域に対応する領域内に、基準結晶粒径以下の結晶粒が存在しない所定許容数ここでは1未満ことから、それぞれ良品として選別される。ここで、図1における図番1は結晶粒であるが、基準領域外にあり、基準領域内の結晶粒との繋がりがないため、上記の検査対象からは外れ、この結晶粒を有するだけでは不良品として選別されない。図1a~hの多結晶シリコンウエハの物性と検査選別結果は表1のようにまとめられる。上記の各工程における多結晶シリコンウエハの確認および選別の手段は、特に限定されず、光学顕微鏡などの機器を用いてもよい、簡便であることから目視観察が特に好ましい。基準結晶粒径は、多結晶シリコンウエハに要求される仕様などにより設定すればよいが、例えば、多結晶シリコンウエハが太陽電池用であり、太陽電池のId不良を回避するためには、5mm以下であるのが好ましく、2mm以下であるのがより好ましく、1mm以下であるのが特に好ましい。基準結晶粒径が5mmを超えると、不良と選別された多結晶シリコンウエハの中に、結晶粒界にSiCフィラメントが存在しないものの割合が高くなる傾向にあり、本発明検査方法の効率が低下することがある。また、基準領域は、上記の基準結晶粒径と同様に、太陽電池のId不良を回避するためには、100mm2以上であるのが好ましく、200mm2以上であるのがより好ましく、400mm2以上であるのが特に好ましい。基準領域が100mm2未満では、図2b、cのような現象突発的に多数発生した領域も基準領域と判定されてしまうことがある。上記のように、本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法は、多結晶シリコンウエハが太陽電池用であり、不良品が太陽電池を作製したときに暗時逆方向漏れ電流不良となる多結晶シリコンウエハである場合に、好適である。多結晶シリコンウエハ本発明の多結晶シリコンウエハは、本発明の多結晶シリコンウエハの検査方法により良品と選別されることにより得られる。また、必要に応じて、公知の方法により多結晶シリコンウエハの表面を研磨加工してもよい。多結晶シリコン太陽電池本発明の多結晶シリコン太陽電池は、本発明の多結晶シリコンウエハを用いて製造される。多結晶シリコン太陽電池セルは、例えば、本発明の多結晶シリコンウエハを用いて、公知の太陽電池セルプロセスにより製造することができる。すなわち、公知の材料を用いて、公知の方法により、p型の不純物がドープされたシリコンウエハの場合、n型の不純物をドープしてn型層を形成してpn接合を形成し、表面電極および裏面電極を形成して多結晶シリコン太陽電池セルを得る。同様に、n型の不純物がドープされたシリコンウエハの場合、p型の不純物をドープしてp型層を形成してpn接合を形成し、表面電極および裏面電極を形成して多結晶シリコン太陽電池セルを得る。あるいは、これらシリコン同士のpn接合を利用したものの他にも、薄い絶縁層を挟んで金属を蒸着するなどしたMIS型太陽電池、例えば多結晶ウエハと反対の導電型のアモルファスなどのシリコン薄膜を成膜し、異なる構造のp型、n型シリコンヘテロ接合を利用したものなどがある。また、その複数個を電気的に接続して、多結晶シリコン太陽電池モジュールを得る。本明細書においては、太陽電池セルと太陽電池モジュールとを含む概念として、単に太陽電池と称する。したがって、例えば、多結晶シリコン太陽電池と記載されたものがあれば、それは多結晶シリコン太陽電池セルおよび多結晶シリコン太陽電池モジュールを含む意味となる。以下に試験例により本発明を具体的に説明するが、この試験例により本発明が限定されるものではない。また、基準となる数値などについても適宜状況に応じて変更することができる。試験例キャスト法により製造された多結晶シリコンインゴットを、バンドソーを用いて156mm×156mm×250mmサイズのブロック25本に加工し、さらにワイヤーソーを用いて156mm×156mm×厚さ0.18mmサイズにスライスして、多結晶シリコンウエハ約17,000枚を得、洗浄した。次いで、得られた多結晶シリコンウエハを、本発明の検査方法および従来の検査方法で良品および不良品を選別して、各検査における不良発生率を求めた。本発明の検査方法は上記の通りであり、検査における基準結晶粒径を1mm、基準領域を4cm2400mm2、所定許容数を1とした。また、従来の検査方法は、本発明の検査方法と同様に基準結晶粒径を1mmとし、この基準結晶粒径以下の結晶粒が存在するウエハを不良品として選別した。また、得られた多結晶シリコンウエハを通常の太陽電池セルプロセスに投入して太陽電池を作製し、各太陽電池の暗時逆方向漏れ電流Idを測定した。次いで、各検査において良品と選別されたウエハから太陽電池を作製した場合のId不良発生率および各検査において不良品と選別されたウエハから太陽電池を作製した場合のId不良発生率を求めた。なお、未検査の場合には、すべてのウエハが良品として選別されたものとして、すべてのウエハのId不良発生率を求めた。得られた結果を表2に示す。表2の結果から次のことがわかる。本発明の検査方法で不良品と選別されたウエハ1.4のうち、実際に作製した太陽電池のId不良発生率は96.0であり、一方、従来の検査方法で不良品と選別されたウエハ21.0のうち、実際に作製した太陽電池のId不良発生率は6.1であり、本発明の検査方法は、従来の検査方法に比べて不良品の選別精度が高い。また、本発明の検査方法で良品と選別されたウエハ98.6のうち、実際に作製した太陽電池のId不良発生率は0.3であり、一方、従来の検査方法で良品と選別されたウエハ79.0のうち、実際に作製した太陽電池のId不良発生率は0.3であり、両検査方法に差異はない。すなわち、ウエハ検査において、良品として選別されるべきところを不良品として選別される割合は、ウエハ全数に対して、本発明の検査方法では0.056であり、一方、従来の検査方法では19.7であり、本発明の検査方法は、従来の検査方法に比べて不良品の選別精度が高い。したがって、本発明の検査方法によれば、太陽電池の作製に至るまでにId不良となるウエハを、従来の検査方法に比べてより高い精度で選別することができるので、太陽電池の生産歩留りが向上し、太陽電池の低価格化、ひいては普及に貢献できる。"