シリコンまたは窒化シリコンでできた少なくとも1つの線形光導波路21を備える光部品2、4、5、8であって、前記光導波路のいわゆる能動集積部分210の周囲の全部または一部が、前記光導波路の前記能動部分210のどちらの側にも延在するいわゆる能動領域220において、前記能動部分210のどちらの側にも配置された少なくとも2つの電極231、232と電気的に相互作用する1つまたは複数の実質的に半導電性のナノチューブの群22で囲まれており、よって、-前記電極間で印加される一方の電気信号229と、-前記光導波路の前記能動部分において前記光導波路の残りの部分へ向けて発せられ、または変更される他方の光信号219との間に電気-光学結合を誘導する部品。前記光導波路が前記導波路の能動部分に光信号増幅構造を備えることを特徴とする請求項1に記載の部品。前記電気信号229が、前記能動部分210の周りに、前記光導波路21のどちらの側にも位置する少なくとも2つの電極231、232によって、前記電極間に、前記光導波路21の縦軸A21を実質的に横切る電界または電流を発生させるように印加されることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の部品。前記電極431、432、531、532、731、732が、前記群42、52、72の前記ナノチューブ内で、前記電極に印加される電圧または電気信号229の関数として前記光導波路21の前記能動部分210を循環する光束219の変調を実行するカー効果および/またはシュタルク効果および/または電界吸収を引き起こす電界を生じさせることにより、電気接続なしで前記ナノチューブと相互作用することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の部品2、4、5、7、903。前記光導波路21の前記能動部分210および前記能動領域620の全部または一部を含むいわゆる配向領域において、前記ナノチューブ群62の前記ナノチューブ621、821が主として同じ方向A62に配向されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の部品2、6、8、901、902。前記配向領域内の前記ナノチューブ621、821のほとんどがそれぞれ前記2つの電極631および632に接続されており、よって、前記電極への電圧または電気信号226の印加が、前記接続されたナノチューブ621、821において、エレクトロルミネセンスの現象により、前記光導波路21の前記能動部分210の全部または一部を含む光学モード69、89内で光束の放射を引き起こす電荷キャリアの注入を生じさせ、前記電極に印加される前記信号229または電圧から前記光導波路21において光束219を生じさせ、よって前記光導波路のための光源を作り出すことを特徴とする請求項5に記載の部品2、6、8、901。前記ナノチューブ群22、62、72、82内で印加され、または検出される前記電気信号229が両極性信号であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の部品。前記ナノチューブ群2、42、52、62、72が複数のナノチューブを備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の部品2、4、5、6、7。同じナノチューブ群92内のナノチューブで完全にまたは部分的に被覆された複数の光導波路911、912、913を備え、前記光導波路が相互に独立してそれぞれ少なくとも2つの電極と相互作用し、前記電極が複数の独立の能動領域を定め、よって、それぞれ請求項1~8のいずれか一項それぞれ請求項7、8、9に記載の、相互に機能的に独立しているが、前記同じナノチューブ群92を使用する複数の部品901、902、903を作り出すことを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の部品90。電子回路と集積光回路との両方に組み込まれており、前記集積電子光回路が前記電気-光学部品を介して相互にやりとりすることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の部品2、4、6、7、8、90、991。少なくとも1つの請求項1~10のいずれか一項に記載の電気-光学部品それぞれ901、902、903および991を介して相互にやりとりする少なくとも1つの光回路91と、少なくとも1つの電子回路99h、99とを備え、前記電気-光学部品が前記光回路91と前記電子回路99h、99との両方に組み込まれている集積電子光回路900。光信号929によって相互にやりとりするために、少なくとも1つの請求項1~13のいずれか一項に記載の光-光部品または電気-光学部品それぞれ901、902、903、991をそれぞれ備え、使用する複数の電子組立品それぞれ99h、99を備えることを特徴とする請求項11に記載の回路900。請求項1~12のいずれか一項に記載の電気-光学部品または回路を作成するための方法であって、少なくとも1つの光導波路21と1つまたは複数のナノチューブ621との間に結合を作り出すために、少なくとも、-少なくとも1つの光導波路21の部分210、310を被覆し、前記光導波路の部分のどちらの側にも位置する少なくとも2つの電極431、432、631、632、331、332と電気的に相互作用する1つまたは複数のナノチューブ421、621の群を形成する少なくとも1つの領域42、62、322を作成する操作、または少なくとも1つの光導波路の部分310のどちらの側にも位置する少なくとも2つの電極331、332と電気的に相互作用する1つまたは複数のナノチューブの群を形成する少なくとも1つの領域321によって完全に、または部分的に被覆された前記光導波路の部分を作成する操作、または-前記2つの操作の組み合わせ321、322を含むことを特徴とする方法。前記作成する操作が、-シリコンまたは窒化シリコンでできた少なくとも1つの光導波路21、210をエッチングし、または堆積形成させるステップと、-前記光導波路21の少なくとも1つのいわゆる能動部分210の周囲の全部または一部を囲む1つまたは複数の半導体型ナノチューブ421、621~621n、821の群を形成する領域42、62、82を堆積させるステップと、-前記光導波路の前記能動部分210をどちらの側でも囲み、前記能動部分210を囲む前記ナノチューブ421、621~621n、821と電気的に相互作用する49、69ように配置された電極431、432、631、632をエッチングし、または堆積させるステップとを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。ナノチューブ621~621n、821を堆積させるステップと前記電極631、632を作成するステップとの間に、-前記ナノチューブ群62を、前記群内の同じ複数のナノチューブ621~621nを切断するように配置されている、前記光導波路の前記能動部分210のどちらの側にも分配された2つの切断領域6310、6320としてエッチングし、または切断するステップも含み、前記電極を作成する前記ステップが、前記電極631、632を前記ナノチューブ群内の同じ複数のナノチューブ621~621nの両端部ex1、ex2に電気的に接続するように、前記切断領域6310、6320内で前記電極を堆積させ、または成長させるステップを含むことを特徴とする請求項13または請求項14のいずれか一項に記載の方法。前記作成する操作が、-一方ではシリコンまたは窒化シリコンでできた少なくとも1つの光導波路21を、他方では前記光導波路のいわゆる能動部分210をどちらの側でも囲む電極531、532をエッチングし、または堆積させるステップと、-前記光導波路の少なくとも前記能動部分210の周囲の全部または一部を被覆し、前記電極と電気的に相互作用するように配置された半導体型ナノチューブの群52を堆積させるステップとを含むことを特徴とする請求項13に記載の電気-光学部品を作成するための方法。ナノチューブ群42に前記光導波路21の下部を被覆させるように能動部分210のレベルにおいて実行される、基板を、または前記光導波路の下に位置する層200をアンダーエッチングするステップも含むことを特徴とする請求項13~16のいずれか一項に記載の方法。ナノチューブ群を形成する少なくとも1つのモノブロック領域92を作成するステップを含み、続いて、機能的に独立しており、同じナノチューブ群92内で作成される、請求項4~12のいずれか一項に記載の複数の部品901、902、903を作成する1つまたは複数の操作が行われることを特徴とする請求項16~17のいずれか一項に記載の方法。光結合または電気-光学結合の光波長を、前記結合の前記ナノチューブ421、621、821のワインディングインデックスn、mの選択により制御するステップを含むことを特徴とする請求項13~18のいずれか一項に記載の方法。同じ集積回路9内において、一方で少なくとも1つの電子回路99h、99を作成するステップと、他方で少なくとも1つの光回路91を作成するステップとを含み、前記電子回路と前記光回路との両方に組み込まれた請求項13~19のいずれか一項に記載の少なくとも1つの電気-光学部品901、902、903、991を作成する少なくとも1つのステップも含むことを特徴とする、光電子ハイブリッド集積回路を作成するための方法。