少なくとも2層以上の金属及び金属合金層を有する光記録媒体を最初に記録可能な状態にするためにレーザビームを照射して当該光記録媒体の初期結晶化を行なう初期化装置であって、前記レーザビームのビームスポットをその長手方向の記録トラック方向に対する角度θが0<θ≦90度をなすように配置し、かつ、光記録膜面上において、ビームスポットの幅ピークパワーの半値幅xm]とビームスポットの長手方向の記録トラック方向に対する角度θ[度]と照射される光記録媒体の移動速度をvm/s]とを1×10-5<x<3×10-6v×sinθの関係で設定することを特徴とする光記録媒体の初期化装置。少なくとも2層以上の金属及び金属合金層を有する光記録媒体であって、請求項1に記載の初期化装置にて初期結晶化された光記録媒体。しかしながら、ビームスポットの短径半値幅は2~10μmが好ましいとされていて、ビームスポットの通過時間が長すぎるとその場所の温度が必要以上に上昇し記録膜の変形を生じてくるという問題点があった。また短径と長径の比は1:3から1:10の範囲が好ましいとされ、すなわち長径は100μm程度が上限であった。また、多数回照射のため、ディスク全体の初期化に1分以上の時間を要し、ディスクの量産に障害となっていた。そこで、本発明の目的は、従来技術の前記問題点を解決し、ビームスポットが大きなビームを用いて生産性良く大面積に結晶化を行なうことが可能な新規の情報記録媒体の初期化方法及び装置を提供することにある。上記の目的を達成するために、本発明の光記録媒体の初期化装置は、すくなくとも、2層以上の金属及び金属合金層を有する光記録媒体を最初に記録可能な状態にするためにレーザビームを照射して当該光記録媒体の初期結晶化を行なう初期化装置であって、前記レーザビームのビームスポットをその長手方向の記録トラック方向に対する角度θが0<θ≦90度をなすように配置し、かつ、光記録膜面上において、ビームスポットの幅ピークパワーの半値幅xm]とビームスポットの長手方向の記録トラック方向に対する角度θ[度]と照射される光記録媒体の移動速度をvm/s]とを1×10-5<x<3×10-6v×sinθの関係で設定する。上記の構成によれば、長円形で従来よりも幅の広いレーザビームを用いても光記録媒体の移動速度と関係付けることによって、記録膜の変形を生じる事なく良好な初期化を生産性良く行なうことが可能となる。以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態図1は、本実施の形態の、光記録媒体の構造断面図を示す。光記録媒体は、樹脂基板1、Al反射膜2、窒化Si誘電体膜3、合金記録膜4、窒化Si誘電体膜5で構成される。上記のように構成された光記録媒体は、次のように作成される。樹脂基板1は、厚さ約6μmのPETペットフィルムである。まず、樹脂基板1上に、蒸着法によって厚さ約100nmのAl反射膜2を形成する。次ぎに、マグネトロンスパッタ法によって厚さ約20nmの窒化Si誘電体膜3を形成する。次ぎに、GeBiTeからなる合金記録膜4を厚さ約10nm形成する。最後に、厚さ20nmの窒化Si誘電体膜5を形成する。上記のように作成した光記録媒体の初期化方法について、図2を用いて説明する。図2は、光記録媒体の合金記録膜4の面を、長円形のビームスポット6で初期化する様子を示す。本実施の形態では、波長810nmの高出力半導体レーザー最大出力100Wから出射されたビーム図示しないを各種光学レンズ図示しないを用いて、ビームスポット6の短径半値幅xを11.5μm、長径半値幅120μmに成形し、前記光記録媒体の合金記録膜4の面に図2に示すように照射する。この時、ビームスポット6の長径方向が記録トラック7方向に対してほぼ直交90度するように配置した。以下、光記録媒体の移動速度、ビームスポット6の短径、長円形のビームスポット6の記録トラック7方向に対する角度θのような条件を変更することで、合金記録膜4の変化を調べた。図3は、光記録媒体の移動速度とビーム幅xとの関係を示す。まず、光記録媒体の移動速度を変えてビーム照射を行った。図3に示すように、ビームスポット6の短径半値幅xが11.5μmでは、3m/sより遅い移動速度では照射時間が長くなり記録膜の変形が生じた。次ぎに、θを90度で固定しビームスポット6の短径を変化させて同様に照射を行った。また同様に、θを0~90度に変化させて評価を行った結果、ビームスポット6の記録トラック7方向成分x/sinθと光記録媒体の移動速度に強い相関が得られた。図4及び図5は、それぞれθが60度、45度の場合における記録媒体の移動速度とビーム幅との関係を示す。いずれの場合にも、ビームスポット6の記録トラック7方向成分x/sinθと光記録媒体の移動速度に強い相関が見られることがわかる。以上の結果から、x/v×sinθ<3×10-6の範囲で初期化を行うことにより、ビームスポット6の短径が大きくても、記録膜の変形を生じることなく結晶化が行えることが判明した。短径を大きく設計できることにより長径も大きく成形することが可能となり、半導体レーザの出力が許す限り大きなビームスポットにすることが可能となり、生産性が向上した。なお、本実施の形態では、樹脂基板1は、厚さ約6μmのPETペットフィルムで説明したが、厚さの制限はなく、PENフィルム、PA、PC等でもよい。なお、本実施の形態では、誘電体は窒化Si誘電体膜の例で説明したが、これに限らず材料は問わない。なお、本実施の形態では、反射膜はAl反射膜の例で説明したが、これに限らず材料は問わない。なお、本実施の形態では、光記録媒体は5層構成として説明したが、書き換え型の光記録媒体であれば界面層や保護膜が構成されていても同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では810nmの半導体レーザを使用したが、これに限らずこれに限らず400nm~900nmの半導体レーザを用いて良好な結晶化が得られ、更にレーザは、半導体レーザに限らずガスレーザ等の他の構造のレーザを用いることができ、同様の効果を得ることができる。なお、光記録媒体の上面のビームスポットは、従来と同様、長手方向が記録トラック方向に対して平行以外の角度をなすように、ビームスポットの長手方向の記録トラック方向に対する角度θが0<θ≦90度をなすように配置される。特に角度θをほぼ90度とすることにより、多くの領域の初期化が可能となり、初期化時間が短縮される。