"下記一般式1:式1中、R1は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、R2~R9はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐状あるいは環状の炭化水素基であり、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHに置き換わってC-OHとなっていてもよく、R2~R9を構成する水素原子の一部または全てがフッ素原子に置換されていてもよい。また、R2~R9の一部または全部が結合して、環状構造を形成してもよく、nおよびmは、それぞれ独立して0~5の整数である。で表される繰り返し単位と、酸分解性基を有する繰り返し単位とを含有することを特徴とする重合体。1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基を有する繰り返し単位または密着性基を有する繰り返し単位をさらに含有することを特徴とする請求項1に記載の重合体。下記一般式2または下記一般式3:式2および式3中、R10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。Aは、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-である。ここで、R16は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種以上を含有してもよい。Bは、それぞれ独立に、単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状のアルキレン基あるいはフェニレン基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種を含有してもよく、Zは、それぞれ独立に、SO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~R13は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または炭素数3~30の分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示し、R11~R13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。R14およびR15は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す、あるいはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。で表される塩を有する繰り返し単位をさらに含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の重合体。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。さらに酸発生剤、塩基性化合物および有機溶剤のうち少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項4に記載のレジスト材料。有機溶剤に炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いたことを特徴とする請求項5に記載のレジスト材料。請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する第1の工程と、当該基板を加熱処理してレジスト膜を形成し、露光機を用いて波長300nm以下の紫外光および極紫外光でフォトマスクを介しレジスト膜を露光する第2の工程と、レジスト膜の露光部位を現像液に溶解させて現像し、基板上にパターン形成する第3の工程からなることを特徴とするパターン形成方法。ウェハーと投影レンズの間に水を挿入し、露光機を用いて、波長193nmのArFエキシマレーザを用いて紫外光を照射する液浸リソグラフィ法を採用したこと特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。基板上に形成された第1のレジストパターン上に第2のレジストパターンを形成するダブルパターニングによるパターン形成方法であって、請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。波長13.5nmの紫外光を用いるEUVリソグラフィ法であって、請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。本発明は、フォトリソグラフィにおいて微細なパターン形成を可能とするレジスト樹脂に用いる、ウェハー等、基板との密着性が良好な新規重合体を提供することを課題とする。特に、リソグラフィにおける波長300nm以下の紫外光での露光において、例えば、露光装置の光源にKrFエキシマレーザまたはArFエキシマレーザを用いるリソグラフィ、ArFエキシマレーザによる液浸リソグラフィ、ArFエキシマレーザを用いてのダブルパターンニング法およびEUVリソグラフィによるパターン微細加工に適する化学増幅レジスト材料として有用である、ウェハー等、基板との密着性が良好な新規重合体、それを含むレジスト材料、ならびにそのレジスト材料を用いるパターン形成方法を提供することを課題とする。また、本発明は、露光前に水に対する適度な撥水性とアルコール系溶剤に対する溶解性を有し、露光後には現像液に対する速やかな溶解性を示し、ドライ露光のみならず液浸露光においても、焦点深度が深く合焦の制御を行いやすく、マスクエラーファクタマスク上のパターンと、転写された基板上のパターンとの寸法差異、ラインエッジラフネスレジストのエッジが直線から凹凸にずれる現象が少なく、高い解像度のパターン形成が可能であり、さらに、炭素数5~20のアルコール系溶剤等の従来のレジスト材料を溶解しない溶剤で溶液化できるため、ダブルパターニング法にも適用できる化学増幅レジスト材料として、有用な密着性をもつ新規な重合体、およびそれを含むレジスト材料、ならびにそのレジスト材料を用いるパターン形成方法を提供することを課題とする。本発明者らは上記課題を鑑み、鋭意検討を行った。レジスト材料に用いる重合体中に、繰り返し単位として、カルボニル基を含有させると、即ち、重合体を構成する繰り返し単位にケトン構造を有すると、以前から使用されているラクトンと同様、そのカルボニル基の極性により、レジストとし塗膜とした際に、ウェハー等、基板との優れた密着性を有するだけでなく、レジストとして用いると、水に対してバランスの取れた撥水性と親水性を示すようになり、アルコール系溶媒に対しても充分な溶解性を示し、最終的に良好なレジストパターンを形成し得ることを見出した。さらに、カルボニル基の両α位に必要に応じた置換基を、重合体の構造中に簡便に導入できることも考慮すると、ケトン構造を有する繰り返し単位を含有する重合体が、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する重合性に比べ、レジスト材料として有用であることが判った。即ち、本発明は、密着性を得るためのカルボニル基を有する繰り返し単位と、リソグラフィにおけるレジスト材料としての現像性能を得るために、紫外線等の高エネルギー光を照射することにより分解して酸を与える、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する重合体であり、およびそれを含むレジスト材料、ならびにそのレジスト材料を用いるパターン形成方法に関するものである。本発明を、以下、発明[1]~発明[10]に示す。[発明1]下記一般式1:式1中、R1は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、R2~R9は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐状または環状の炭化水素基であり、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHに置き換わってC-OHとなっていてもよく、R2~R9を構成する水素原子の一部または全てがフッ素原子に置換されていてもよい。また、R2~R9の一部または全部が結合して、環状構造を形成してもよく、nおよびmは炭素数であり、それぞれ独立して0~5の整数である。で表される繰り返し単位と、酸分解性基を有する繰り返し単位とを含有することを特徴とする重合体。[発明2]1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル[-CCF32OH]基以下、HFIP基と呼ぶことがあるを有する繰り返し単位または密着性基を有する繰り返し単位をさらに含有することを特徴とする発明1または発明2の重合体。密着性を得るためのカルボニル基を有する繰り返し単位のみを有する重合体は、特許文献1~4に開示される。塩を有する繰り返し単位を含有する重合体は特許文献5に開示される。しかしながら、以下の重合体の様に、密着性を得るためのカルボニル基を有する繰り返し単位と、塩を有する繰り返し単位を併せ持つ重合体は知られていない。また、本発明の重合体において、一般式1で表される繰り返し単位とともに含有させる塩を有する繰り返し単位としては、以下の一般式2または一般式3が挙げられる。[発明3]下記一般式2または下記一般式3:式2および式3中、R10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。Aは、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-である。ここで、前記-C=O-NR16-におけるR16は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状の炭化水素基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種を含有してもよい。Bは、それぞれ独立に、単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状のアルキレン基あるいはフェニレン基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種以上を含有してもよい。Zは、それぞれ独立にSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~R13はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基であり、R11~R13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。R14およびR15は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または炭素数3~30の分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す、あるいはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。で表される塩を有する繰り返し単位をさらに含有することを特徴とする発明1または発明2の重合体。尚、本発明において、原子数とは二価以上の原子の数で、原子としては炭素、酸素、窒素、硫黄、リン、セレン等が挙げられる。[発明4]発明1乃至発明3のいずれかの重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。[発明5]さらに、酸発生剤、塩基性化合物および有機溶剤のうち少なくとも一種を含むことを特徴とする発明4のレジスト材料。[発明6]有機溶剤に炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いたことを特徴とする発明5のレジスト材料。[発明7]発明4乃至発明6のいずれかのレジスト材料を基板上に塗布する第1の工程と、当該基板を加熱処理してレジスト膜を形成し、露光機を用いて波長300nm以下の紫外光および極紫外光でフォトマスクを介しレジスト膜を露光する第2の工程と、レジスト膜の露光部位を現像液に溶解させて現像し、基板上にパターン形成する第3の工程からなることを特徴とするパターン形成方法。[発明8]ウェハーと投影レンズの間に水を挿入し、露光機を用いて、波長193nmのArFエキシマレーザを用いて紫外光を照射する液浸リソグラフィ法を採用したこと特徴とする発明7のパターン形成方法。[発明9]基板上に形成された第1のレジストパターン上に第2のレジストパターンを形成するダブルパターニングによるパターン形成方法であって、発明4乃至発明6のいずれかのレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。[発明10]波長13.5nmの紫外光を用いるEUVリソグラフィ法であって、発明4乃至発明6のいずれかのレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。本発明の重合体を用いてなるレジスト材料は、レジストとして基板に塗布した際に、ウェハ等の基板との優れた密着性を有するだけでなく、レジスト材料としての、水に対するバランスの取れた撥水性と親水性を示し、アルコール系溶媒に対しても充分な溶解性を示し、ドライ露光のみならず液浸露光においても、焦点深度が深く合焦の制御を行いやすく、マスクエラーファクタ、ラインエッジラフネスが少なく、高い解像度のパターン形成が可能である。また、炭素数5~20のアルコール系溶剤等の従来のレジスト材料を溶解しない溶剤で溶液化することが可能な化学増幅レジスト材料として有用である。これにより、特に、液浸用やダブルパターニングプロセス用のレジスト材料としても有用である。また、本発明のレジスト材料は、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザを用いたリソグラフィ、特に液浸リソグラフィおよびダブルパターニング法、極紫外光波長13.5nmを用いるEUVリソグラフィ等に適したレジスト材料として使用される。以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。本発明の重合体が含有する繰り返し単位について、順を追って説明する。1.一般式1で表される繰り返し単位[発明1]は、一般式1:式1中、R1は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、R2~R9は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状の炭化水素基であり、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHに置き換わってC-OHとなっていてもよく、R2~R9を構成する水素原子の一部または全てがフッ素原子に置換されていてもよい。また、R2~R9の一部または全部が結合して、環状構造を形成してもよく、nおよびmは炭素数であり、それぞれ独立して0~5の整数である。で表される繰り返し単位と、酸分解性基を有する繰り返し単位とを含有することを特徴とする重合体である。一般式1で表される繰り返し単位で、n、mはそれぞれが独立して0~5の整数の範囲なので4~14員環となるが、原料の入手容易さを考慮すると、5員環あるいは6員環が好ましい。一般式1の繰り返し単位において、酸素原子、カルボニル基の導入は溶剤への溶解性、ハロゲン原子の中でもフッ素原子への置換は、撥水性および透明性を調整するのに有用で、必要に応じて任意に導入される。一般式1で表される繰り返し単位において、R2~R9について例示すると、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状の炭化水素基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、sec-ペンチル基,ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、エチニル基、フェニル基、ベンジル基または4-メトキシベンジル基等が挙げられ、上記官能基の一部または全部の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。また、R2~R9について、酸素原子を含有するもの例示すると、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、sec-ブチトキシ基、tert-ブチトキシ基、n-ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基,ネオペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、エチルヘキシルオキシ基、ノルボルネルオキシ基、アダマンチルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、エチニルオキシ基、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、4-メトキシベンジルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基もしくはエトキシイソブチル基等の鎖状のエーテル、またはテトラヒドロフラニル基もしくはテトラヒドロピラニル基等の環状エーテルが挙げられる。R2~R9について、アシル基を例示すると、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基またはイソニコチノイル基等を挙げることができる。R2~R8において、カルボニル基=C=Oを有する官能基とは直鎖状、分岐状あるいは環状炭化水素基にカルボニル基が導入された官能基のことで、例示すると、アセチル基、オキソエチル基またはオキソプロピル基等が挙げられ、これら官能基に限定されず、また、上記置換基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。本明細書の重合体を構成する繰り返し単位を与える重合性単量体としては、実施例における4-oxo-CHMA、3-oxo-CHMA等が好ましく使用される。尚、以下の繰り返し単位は、一般式1で表される繰り返し単位に対し、R1~R9は同じであるが、RXを含有することが異なる。それ自体が酸分解性を有しない一般式1で表される繰り返し単位に対して、RXを含有し、RXに結合する炭素が3級炭素であることですることで酸分解性を有し、レジスト材料としての別の機能を持つ繰り返し単位である。RXは、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基であり、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。2.酸分解性基を有する繰り返し単位化学増幅ポジ型レジストを調製する場合、レジストに用いる重合体としては、現像液通常、アルカリ現像液に不溶または難溶であって、酸によって現像液に可溶となるものが使用される。このため、本発明のレジスト材料において、本発明の重合体中には酸によって開裂し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有が必須である。発明1の重合体において含有させる、一般式1で表される繰り返し単位とともに、紫外線等の高エネルギー光を照射することにより分解して酸を与えるために含有させる酸分解性基を有する繰り返し単位には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸またはポリトリフルオロメタクリル酸のカルボキシキル基の水素原子を酸分解性基に置換したものが挙げられ、3級アルキル基とその他官能基に大別される。3級アルキル基を例示すると、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、1-イソプロピルシクロペンチル基、1-プロピルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-イソプロピルシクロヘキシル基、1-プロピルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、メチルアダマンチル基、エチルアダマンチル基、イソプロピルアダマンチル基またはプロピルアダマンチル基等が挙げられる。その他の官能基としては、tert-ブトキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、メトキシメチル基、tert-ブチルチオメチル基、フェニルジメチルメトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、p-メトキシベンジルオキシメチル基、4-メトキシフェノキシメチル基、グアイアコメチル基、tert-ブチルオキシ基、シリルオキシメチル基、2-メトキシエトキシメチル基、2-トリメチルシリルエトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、1-メトキシシクロヘキシル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基、14-ジオキサン-2-イル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、1-エトキシエチル基、1-メチル-1-メトキシエチル基または1-メチル-1-ベンジルオキシエチル基等が挙げられる。さらに、上記の置換基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。3.HFIP基を有する繰り返し単位本発明の重合体にアルカリ現像性および親水性の特徴を付属させたい場合、発明2の重合体のように、HFIP基を含む繰り返し単位を導入させてもよい。繰り返し単位を形成できる重合性単量体を具体的に示すと、下記に示す化合物群を挙げることができる。これらの式中、R17は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基を表す。また、ヘキサフルオロイソプロピル基中の水酸基は、その一部または全部が保護基で保護されていてもよい。4.密着性基を有する繰り返し単位発明1の重合体において、基板との密着性が不足する場合、発明2の重合体のように、密着性基を有する繰り返し単位として、ラクトン構造を含む繰り返し単位を導入してもよい。繰り返し単位を形成できる重合性単量体を具体的に示すと、メタクリロイルオキシブチロラクトン、メタクリロイルオキシバレロラクトン、5-メタクリロイルオキシ-2、6-ノルボルナンカルボラクトン等を例示することができる。5.塩を有する繰り返し単位また、本発明の重合体には、発明3の重合体のように、さらに塩を有する繰り返し単位として、一般式2および3で表されるオニウム塩を有する繰り返し構造単位を有する繰り返し単位を加えてもよい。オニウム塩の部位は酸発生剤として機能し、露光ないしは加熱によりスルホン酸を発生する作用を有し、特に、後述する感放射線性樹脂組成物における感放射線性酸発生剤として使用することができる。式2および式3中、R10は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Aは、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-を表す。R16は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状の炭化水素基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種を含有してもよい。Bは、それぞれ独立に、単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状のアルキレン基あるいはフェニレン基であり、一部またはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種を含有してもよく、Zは、それぞれ独立にSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~R13は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または炭素数3~30の分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基であり、R11~R13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。R14およびR15は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す、あるいはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環状構造を形成していてもよい。上記一般式2および一般式3におけるアニオンは、具体的には下記のものを例示することができる。R10は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Xは酸素原子あるいはNR16である。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状または環状の炭化水素基であり、一部あるいはすべての水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種を含有してもよい。本発明のオニウム塩は発生する酸の構造すなわちアニオン側を限定するものであるが、カチオン側は特に限定しない。一般式2または3において、R11~R15の非置換の炭素数1~30の直鎖状、炭素数3~30の分岐状の1価の炭化水素基、または炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、i-ヘキシル基、n-オクチル基、i-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4-t-ブチルシクロヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネン骨格を有する基、ノルボルナン骨格を有する基、イソボルニル骨格を有する基、トリシクロデカン骨格を有する基、テトラシクロドデカン骨格を有する基、またはアダマンタン骨格を有する基等を挙げることができる。前記炭化水素基の置換基としては、例えば、炭素数6~30のアリール基、炭素数2~30の直鎖状、炭素数3~30の分岐状もしくは環状のアルケニル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、またはケイ素原子等のヘテロ原子を含む原子数1~30の基を挙げることができる。なお、これらの置換基はさらに任意の置換基、例えば前記した置換基を1種以上有することもできる。前記置換基で置換された炭素数1~30の直鎖状、炭素数3~30の分岐状または環状の1価の炭化水素基としては、例えば、ベンジル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、フェノキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、アセチルメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、トリクロロメチル基、2-フルオロプロピル基、トリフルオロアセチルメチル基、トリクロロアセチルメチル基、ペンタフルオロベンゾイルメチル基、アミノメチル基、シクロヘキシルアミノメチル基、ジフェニルホスフィノメチル基、トリメチルシリルメチル基、2-フェニルエチル基、3-フェニルプロピル基または2-アミノエチル基を挙げることができる。また、R11~R15の非置換の炭素数6~30のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、または-フェナントリル基を挙げることができる。また、R11~R15の非置換の原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピロリル基、チアントレニル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、または3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基を挙げることができる。前記アリール基および1価のヘテロ環状有機基の置換基としては、炭素数1~30の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、またはケイ素原子等のヘテロ原子を含む原子数1~30の基等を挙げることができる。なお、これらの置換基はさらに任意の置換基、例えば前記した置換基を1種以上有してもよい。前記置換基で置換された炭素数6~30のアリール基としては、例えば、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、p-フルオロフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、またはp-ヨードフェニル基を挙げることができる。前記置換基で置換された原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基としては、例えば、2-ブロモフリル基、3-メトキシチエニル基、3-ブロモテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、または4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。Mで表される1価のオニウムカチオン部位は、例えばAdvancesinPolymerScienceVol62p.1-481984に記載されている一般的な方法に準じて製造することができる。好ましい1価のオニウムカチオンとしては、例えば、下記式3-1~3-64で表されるスルホニウムカチオン、下記式4-1~4-39で表されるヨードニウムカチオンを挙げることができる。これらの1価のオニウムカチオンのうち、前記式3-1、式3-2、式3-6、式3-8、式3-13、式3-19、式3-25、式3-27、式3-29、式3-51または式3-54で表されるスルホニウムカチオン;前記式4-1または式4-11で表されるヨードニウムカチオン等が好ましく、前記式3-1で表されるトリフェニルスルホニウムカチオンが特に好ましい。6.他の繰り返し単位次いで、本発明の重合体に他の繰り返し単位を与える単量体について説明する。単量体を具体的に例示すると、無水マレイン酸、アクリル酸エステル類、含フッ素アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、含フッ素メタクリル酸エステル類、スチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物、ビニルエーテル類、含フッ素ビニルエーテル類、アリルエーテル類、含フッ素アリルエーテル類、オレフィン類、含フッ素オレフィン類、ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物、二酸化硫黄、ビニルシラン類、ビニルスルホン酸またはビニルスルホン酸エステルが挙げられる。一種類だけでなく、必要に応じて一種類以上の単量体を使用することができる。アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルとしては、エステル側鎖について特に制限なく使用できるが、公知の化合物を例示するならば、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、n-プロピルアクリレート、n-プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、n-ブチルアクリレート、n-ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、n-ヘキシルアクリレート、n-ヘキシルメタクリレート、n-オクチルアクリレート、n-オクチルメタクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、3-オキソシクロヘキシルアクリレート、3-オキソシクロヘキシルメタクリレート、アダマンチルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、ヒドロキシアダマンチルアクリレート、ヒドロキシアダマンチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリシクロデカニルメタクリレート等のアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステル、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレングリコール基を含有したアクリレートまたはメタクリレート、さらにアクリルアミド、メタクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド等の不飽和アミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アルコキシシラン含有のビニルシランやアクリル酸またはメタクリル酸エステル、さらにα位にシアノ基を含有した上記アクリレート類化合物や、類似化合物としてマレイン酸、フマル酸または無水マレイン酸を使用可能である。含フッ素アクリル酸エステル、含フッ素メタクリル酸エステルとしては、フッ素原子もしくはフッ素原子を有する基がアクリルのα位に含有した単量体、またはエステル部位にフッ素原子を含有した置換基からなるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルであって、α位とエステル部ともにフッ素を含有した含フッ素化合物も好適である。さらにα位にシアノ基が導入されていてもよい。例えば、α位に含フッ素アルキル基が導入された単量体としては、上述した非フッ素系のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルのα位にトリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ノナフルオロ-n-ブチル基等が付与された単量体が採用される。一方、そのエステル部位にフッ素を含有する単量体としては、エステル部位としてパーフルオロアルキル基もしくはフルオロアルキル基であるフッ素アルキル、また、エステル部位に環状構造とフッ素原子が共存する単位であって、その環状構造が例えばフッ素原子、トリフルオロメチル基もしくはヘキサフルオロイソプロピル水酸基等で置換された含フッ素ベンゼン環、含フッ素シクロペンタン環、含フッ素シクロヘキサン環または含フッ素シクロヘプタン環等を有する単位を有するアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルである。また、エステル部位が含フッ素のt-ブチルエステル基であるアクリル酸またはメタクリル酸のエステルも使用可能である。これらの含フッ素の官能基は、α位の含フッ素アルキル基と併用した単量体を用いることも可能である。そのような単位のうち特に代表的なものを単量体の形で例示するならば、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルアクリレート、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルアクリレート、1,1-ジヒドロヘプタフルオロ-n-ブチルアクリレート、1,1,5-トリヒドロオクタフルオロ-n-ペンチルアクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロトリデカフルオロ-n-オクチルアクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロヘプタデカフルオロ-n-デシルアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルメタクリレート、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルメタクリレート、1,1-ジヒドロヘプタフルオロ-n-ブチルメタクリレート、1,1,5-トリヒドロオクタフルオロ-n-ペンチルメタクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロトリデカフルオロ-n-オクチルメタクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロヘプタデカフルオロ-n-デシルメタクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イルアクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イル2-トリフルオロメチルアクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イルメタクリレート、1,4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシルアクリレート、1、4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシルメタクリレートまたは1,4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシル2-トリフルオロメチルアクリレートが挙げられる。スチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物としては、スチレン、フッ素化スチレン、またはヒドロキシスチレン等が使用できる。より具体的には、ペンタフルオロスチレン、トリフルオロメチルスチレン、ビストリフルオロメチルスチレン等のフッ素原子もしくはトリフルオロメチル基で芳香環の水素を置換したスチレン、ヘキサフルオロイソプロピル水酸基、またはその水酸基を保護した官能基で芳香環の水素を置換したスチレンが使用できる。また、α位にハロゲン、アルキル基、含フッ素アルキル基が結合した上記スチレン、パーフルオロビニル基含有のスチレン等も使用できる。ビニルエーテル、含フッ素ビニルエーテル、アリルエーテル、含フッ素アリルエーテルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヒドロキシエチル基またはヒドロキシブチル基等のヒドロキシル基を含有してもよいアルキルビニルエーテルあるいはアルキルアリルエーテル等が使用できる。また、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、芳香環やその環状構造内に水素やカルボニル結合を有した環状型ビニル、アリルエーテル、上記官能基の水素の一部もしくは全部がフッ素原子で置換された含フッ素ビニルエーテルまたは含フッ素アリルエーテルも使用できる。尚、ビニルエステル、ビニルシラン、オレフィン、含フッ素オレフィン、ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物、または、その他の重合性不飽和結合を含有した化合物も本発明で特に制限なく使用することが可能である。オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、イソブテン、シクロペンテンまたはシクロヘキセンが、含フッ素オレフィンとしては、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンまたはヘキサフルオロイソブテンが例示できる。ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物は、一核または複数の核構造を有するノルボルネン単量体である。この際、ノルボルネン単量体としては、不飽和化合物とシクロペンタジエン、シクロヘキサジエンを反応させたものを挙げることができる。例えば、含フッ素オレフィン、アリルアルコール、含フッ素アリルアルコール、ホモアリルアルコール、含フッ素ホモアリルアルコール、アクリル酸、α-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、含フッ素アクリル酸エステルまたは含フッ素メタクリル酸エステル、2-ベンゾイルオキシペンタフルオロプロパン、2-メトキシエトキシメチルオキシペンタフルオロプロペン、2-テトラヒドロキシピラニルオキシペンタフルオロプロペン、2-ベンゾイルオキシトリフルオロエチレンまたは2-メトキメチルオキシトリフルオロエチレン等の不飽和化合物と、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンとのDiels-Alder付加反応で生成するノルボルネン化合物であって、3-5-ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-プロパノールが例示できる。7.本発明の重合体およびその合成方法次いで、本発明の重合体およびその合成方法について説明する。本発明の重合体は、複数の単量体からなる繰り返し単位で構成されていてもよく、その割合は特に制限なく設定されるが、例えば以下に示す範囲は好ましく採用される。本発明の重合体において、一般式1で表される繰り返し単位を1mol以上、100mol以下、より好ましくは5mol以上、90mol以下の範囲で含有し、酸分解性基を有する繰り返し単位を1mol以上、100mol以下、好ましくは5mol以上、80mol以下、より好ましくは10mol以上、60mol以下の範囲で含有することができる。酸分解性基を有する繰り返し単位が1molよりも小さい場合には、露光によるアルカリ現像液に対する溶解性の変化が小さすぎてパターニングの際のコントラストが期待できない。この際、酸分解性を有する繰り返し単位として一般的な単量体を用いてもよいし、本発明の一般式1で表される単量体を酸不安定性の単量体に誘導したものを用いてもよい。あるいは、重合後に酸不安定基を付けたものであってもよい。また、HFIP基を有する繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位、塩を有する繰り替えし単位、または、その他官能基を有する繰り返し単位は、残部に含有することができる。この際、重合体を構成する各々の繰り返し単位を併せた全モル数に対して、密着性を有する繰り返し単位の含有は、5mol以上、90mol以下であることが好ましい。5molより少ないと、基板との密着性を挙げる効果がなく、レジストとして、用いた際の現像液溶解性において、90molより、多く加えると現像液に解けづらくなる。塩を有する繰り返し単位は、感放射線性樹脂組成物における感放射線性酸発生剤として有用であり、その含有は0.01mol以上、95mol以下である。0.01molより少ないと、放射線レジストとしてコントラストを向上させる効果がなく、95molより、多く加える必要はない。本発明の重合体の合成方法としては、一般的に使用される方法であれば特に制限されないが、ラジカル重合、イオン重合等が好ましく、場合により、配位アニオン重合、リビングアニオン重合、カチオン重合、開環メタセシス重合、ビニレン重合等を使用することも可能である。ラジカル重合は、ラジカル重合開始剤あるいはラジカル開始源の存在下で、塊状重合、溶液重合、懸濁重合または乳化重合等の公知の合成方法により、回分式、半連続式または連続式のいずれかの操作で行えばよい。ラジカル重合開始剤としては特に限定されるものではないが、例としてアゾ系化合物、過酸化物系化合物、レドックス系化合物が挙げられ、とくにアゾビスイソブチロニトリル、t-ブチルパーオキシピバレート、ジ-t-ブチルパーオキシド、i-ブチリルパーオキシド、ラウロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキシド、ジシンナミルパーオキシド、ジ-n-プロピルパーオキシジカーボネート、t-ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、過酸化ベンゾイル、過酸化水素または過硫酸アンモニウム等が好ましい。重合反応に用いる反応容器は特に限定されない。また、重合反応においては、重合溶媒を用いてもよい。重合溶媒としては、ラジカル重合を阻害しないものが好ましく、代表的なものとしては、酢酸エチル、酢酸n-ブチル等のエステル系、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、トルエン、シクロヘキサン等の炭化水素系、メタノール、イソプロピルアルコールまたはエチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤等がある。また、水、エーテル系、環状エーテル系、フロン系または芳香族系等の種々の溶媒を使用することも可能である。これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合しても使用できる。また、メルカプタンのような分子量調整剤を併用してもよい。共重反応の反応温度はラジカル重合開始剤あるいはラジカル重合開始源により適宜変更され、通常は20°C以上、200°C以下が好ましく、特に30°C以上、140°C以下の範囲が好ましい。一方、開環メタセシス重合は、共触媒存在下、IV、V、VI、VII属の遷移金属触媒を用いればよく、溶媒存在下、公知の方法を用いればよい。重合反応に用いる重合触媒としては特に限定されるものではないが、例としてTi系、V系、Mo系、W系触媒が挙げられ、特に、塩化チタンIV、塩化バナジウムIV、バナジウムトリスアセチルアセトナート、バナジウムビスアセチルアセトナートジクロリド、塩化モリブデンVIまたは塩化タングステンVI等が好ましい。触媒量としては、使用モノマーに対して0.001mol以上、10mol以下、好ましくは、0.01mol以上、1mol以下の範囲である。前記重合触媒の共触媒としては、アルキルアルミニウム、アルキルスズ等が挙げられ、特に、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ-2-メチルブチルアルミニウム、トリ-3-メチルブチルアルミニウム、トリ-2-メチルペンチルアルミニウム、トリ-3-メチルペンチルアルミニウム、トリ-4-メチルペンチルアルミニウム、トリ-2-メチルヘキシルアルミニウム、トリ-3-メチルヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム等のトリアルキルアルアルミニウム類、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムハライド類、メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジアイオダイド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジクロライド等のモノアルキルアルミニウムハライド類、メチルアルミニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセスキクロライド、イソブチルアルミニウムセスキクロライド等のアルキルアルミニウムセスキクロライド類等のアルミニウム系、テトラ-n-ブチルスズ、テトラフェニルスズまたはトリフェニルクロロスズ等が例示できる。共触媒量は、遷移金属触媒に対してモル比で、100当量以下、好ましくは30当量以下である。また、重合溶媒としては重合反応を阻害しなければよく、代表的なものとして、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンまたはジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系、ヘキサン、ヘプタンまたはシクロヘキサン等の炭化水素系、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、または1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素等が例示できる。また、これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合しても使用できる。反応温度は、通常は-70°C以上、200°C以下が好ましく、特に-30°C以上、60°C以下の範囲が好ましい。ビニレン重合は、共触媒存在下、鉄、ニッケル、ロジウム、パラジウムもしくは白金等のVIII属の遷移金属触媒、またはジルコニウム、チタン、バナジウム、クロム、モリブデンもしくはタングステン等のIVBからVIB属の金属触媒を用いればよく、溶媒存在下、公知の方法を用いればよい。ビニレン重合の重合触媒としては特に限定されるものではないが、例として特に、鉄IIクロライド、鉄IIIクロライド、鉄IIブロマイド、鉄IIIブロマイド、鉄IIアセテート、鉄IIIアセチルアセトナート、フェロセン、ニッケロセン、ニッケルIIアセテート、ニッケルブロマイド、ニッケルクロライド、ジクロロヘキシルニッケルアセテート、ニッケルラクテート、ニッケルオキサイド、ニッケルテトラフルオロボレート、ビスアリルニッケル、ビスシクロペンタジエニルニッケル、ニッケルIIヘキサフルオロアセチルアセトナートテトラハイドレート、ニッケルIIトリフルオロアセチルアセトナートジハイドレート、ニッケルIIアセチルアセトナートテトラハイドレート、塩化ロジウムIII、ロジウムトリストリフェニルホスフィントリクロライド、パラジウムIIビストリフルオロアセテート、パラジウムIIビスアセチルアセトナート、パラジウムII2-エチルヘキサノエート、パラジウムIIブロマイド、パラジウムIIクロライド、パラジウムIIアイオダイド、パラジウムIIオキサイド、モノアセトニトリルトリストリフェニルホスフィンパラジウムIIテトラフルオロボレート、テトラキスアセトニトリルパラジウムIIテトラフルオロボレート、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムII、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウムII、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムビスアセトニトリルジクロライド、パラジウムビスジメチルスルホキサイドジクロライド、もしくはプラチニウムビストリエチルホスフィンハイドロブロマイド等のVIII属の遷移金属類、または塩化バナジウムIV、バナジウムトリスアセチルアセトナート、バナジウムビスアセチルアセトナートジクロリド、トリメトキシペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムIV、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド、もしくはビスシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド等のIVBからVIB属の遷移金属類が好ましい。触媒量としては、使用モノマー単量体に対して0.001mol以上、10mol以下、好ましくは0.01mol以上、1mol以下の範囲である。前記重合触媒の共触媒としては、アルキルアルミノキサン、アルキルアルミニウム等が挙げられ、特に、メチルアルミノキサンMAO、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ-2-メチルブチルアルミニウム、トリ-3-メチルブチルアルミニウム、トリ-2-メチルペンチルアルミニウム、トリ-3-メチルペンチルアルミニウム、トリ-4-メチルペンチルアルミニウム、トリ-2-メチルヘキシルアルミニウム、トリ-3-メチルヘキシルアルミニウム、もしくはトリオクチルアルミニウム等のトリアルキルアルアルミニウム類、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムクロライド、もしくはジイソブチルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムハライド類、メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジアイオダイド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニウムジクロライド、もしくはイソブチルアルミニウムジクロライド等のモノアルキルアルミニウムハライド類、またはメチルアルミニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセスキクロライド、もしくはイソブチルアルミニウムセスキクロライド等のアルキルアルミニウムセスキクロライド類等が例示できる。共触媒量は、メチルアルミノキサンの場合、Al換算で50当量以上、500当量以下、その他アルキルアルミニウムの場合、遷移金属触媒に対してモル比で、100当量以下、好ましくは30当量以下である。また、ビニレン重合の重合溶媒としては重合反応を阻害しなければよく、代表的なものとして、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、もしくはジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系、ヘキサン、ヘプタン、ノナン、デカン、もしくはシクロヘキサン等の炭化水素系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等のケトン系、酢酸エチル、もしくは酢酸ブチル等のエステル系、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ノナノール、オクタノール、1-オクタノール、2-オクタノール、3-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノール、もしくはエチレングリコール等のアルコール系、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、もしくは1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系、またはジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジグリム、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPEGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルPEGME、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチルELジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、もしくはN-シクロヘキシルピロリドン等が例示できる。また、これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合しても使用できる。反応温度は、通常は-70°C以上、200°C以下が好ましく、特に-40°C以上、80°C以下の範囲が好ましい。このようにして得られる本発明の重合体の溶液または分散液から、媒質である有機溶媒または水を除去する方法としては、公知の方法のいずれも利用できるが、例を挙げれば再沈殿ろ過または減圧下での加熱留出等の方法がある。本発明の重合体の数平均分子量としては、通常、1,000以上、100,000以下、好ましくは3,000以上、50,000以下の範囲が適切である。8.本発明のレジスト材料について次いで、本発明のレジスト材料について説明する。本発明は、発明1~3のいずれかの重合体を含有することを特徴とする発明4のレジスト材料である。さらに、本発明は、発明4のレジスト材料に、酸発生剤、塩基性化合物および有機溶剤のうち少なくとも一種を含むことを特徴とする発明5のレジスト材料である。本発明の重合体は、特に光増感ポジ型レジスト材料として好適に用いられ、本発明は、発明1~3の重合体を含有するレジスト材料、とりわけポジ型レジスト材料を提供する。この際、レジスト材料としては、Aベース樹脂として上記重合体、B光酸発生剤、C塩基性化合物およびD溶剤を含有するものが望ましい。また、必要によりE界面活性剤を含有してもよい。B~C各々について説明する。8.1B光酸発生剤光酸発生剤は紫外光または極紫外光を照射することで、酸を発生する機能を有する感光剤であり、本発明のレジスト材料に用いる光酸発生剤には、特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられるものの中から、溶剤に可溶化するものであれば、任意のものを選択して使用することができる。このような酸発生剤の例としては、ヨードニウムスルホネート、スルホニウムスルホネート等のオニウムスルホネート、スルホン酸エステル、N-イミドスルホネート、N-オキシムスルホネート、o-ニトロベンジルスルホネート、またはピロガロール等のトリスメタンスルホネートを挙げることができる。これらの光酸発生剤から光の作用で発生する酸は、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸を、部分的もしくは完全にフッ素化されたアルカンスルホン酸、またはアリールスルホン酸等であるが、部分的もしくは完全にフッ素化されたアルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤は、脱保護しにくい保護基に対しても十分な酸強度を有することから有効である。具体的には、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホナート等が挙げられる。8.2C塩基性化合物本発明のレジスト材料には、塩基性化合物を配合することができる。当該塩基性化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制する働きがあり、これにより、酸拡散距離を調整してレジストパターン形状の改善ができる。このような、塩基性化合物を例示するならば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、または脂肪族多環式アミン等があげられる。特に、第2級や第3級の脂肪族アミンが好ましく、アルキルアルコールアミンがより好ましく採用される。具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデカニルアミン、トリドデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデカニルアミン、ジドデシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デカニルアミン、ドデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジオクタノールアミン、トリオクタノールアミン、アニリン、ピリジン、ピコリン、ルチジン、ビピリジン、ピロール、ピペリジン、ピペラジン、インドール、またはヘキサメチレンテトラミンがあげられる。これらは単独でも2種以上組み合わせてもよい。また、その配合量は、好ましくは、重合体100重量部に対して0.001重量部以上、2重量部以下、より好ましくは重合体100重量部に対して0.01重量部以上、1重量部以下である。配合量が0.001重量部よりも少ないと添加剤としての効果が十分得られず、2重量部を超えると解像性および感度が低下する場合がある。8.3D溶剤本発明のレジスト材料に用いる溶剤としては、配合する各成分を溶解して均一な溶液にできればよく、従来のレジスト用溶剤の中から選択して用いることができる。また、2種類以上の溶剤を混合して用いることも可能である。具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノール、もしくはオレイルアルコール等のアルコール類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、もしくはプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME等の多価アルコールおよびその誘導体、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ジエチルエーテル、ジオキサン、アニソール、もしくはジイソプロピルエーテル等のエーテル類、フロン、代替フロン、パーフルオロ化合物、もしくはヘキサフルオロイソプロピルアルコール等のフッ素系溶剤、または塗布時の濡れ性を高める目的で、高沸点弱溶剤であるターペン系の石油ナフサ溶媒もしくはパラフィン系溶媒等が使用可能である。本発明のレジスト材料の溶媒としては、レジストの溶解性および安定性に優れることより、これらの中でも特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルEL、またはシクロヘキサノンが好ましく採用される。本発明のレジスト材料によるレジスト液に配合する溶剤の量は特に限定されないが、好ましくはレジスト液の固形分濃度が3質量以上、25質量以下、より好ましくは5質量以上、15質量以下の範囲になる様に調製することに用いられる。レジストの固形分濃度を調整することによって、形成される樹脂膜の膜厚を調整することが可能である。さらに、発明1~3の重合体は、幅広い溶剤に対する溶解性に優れており、上記のアルコール系溶剤の中でも、炭素数5~20のアルコール系溶剤に溶解することは特筆すべきことである。かかるアルコールの具体例としては、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノールまたはオレイルアルコールが挙げられる。汎用材料レジスト材料は、このような炭素原子を5以上有するアルコール系溶剤には溶解しないことを考え合わせると、本発明のレジスト材料は通常のレジストパターン形成方法において幅広い溶剤の使用選択を可能にするばかりでなく、後述するダブルパターンニング法によるパターン形成方法のレジスト材料として有用であり、ダブルパターンニング法によるパターン形成方法のレジスト材料として展開できる。8.4E界面活性剤本発明のレジスト材料においては、必要により界面活性剤を添加してもよい。かかる界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤もしくはシリコン系界面活性剤またはフッ素原子とケイ素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することができる。9.パターン形成方法次いで本発明のパターン形成方法について説明する。本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成する方法は、基板上に該レジスト材料レジスト液を塗布する工程、基板上に加熱処理してレジスト膜を成形した後、露光機を用い、フォトマスクを介して波長300nm以下の紫外光および極紫外光を含む高エネルギー線でレジスト膜を露光する工程、基板を加熱処理後にアルカリ現像液でレジスト膜溶解し、現像してレジストパターンを形成する工程から成っており、何れも公知のリソグラフィ技術を採用することができる。例えば、先ず、シリコンウェハー上にスピンコートの手法によってレジスト材料を塗布して薄膜を形成し、これをホットプレート上で60°C以上、200°C以下、10秒以上、10分間以下、好ましくは80°C以上、150°C以下、30秒以上、2分間以下、プリベークする。次いで、目的のレジストパターンを形成するためのフォトマスクを設置し、紫外光、エキシマレーザ、X線等の高エネルギー線もしくは電子線を露光量1mJ/cm2以上、200mJ/cm2以下、好ましくは10mJ/cm2以上、100mJ/cm2以下となるように照射した後、加熱処理、即ち、ホットプレート上で60°C以上、150°C以下、10秒以上、5分間以下、好ましくは80°C以上、130°C以下、30秒以上、3分間以下、ポストエクスポーザーベーク露光により生じた酸をレジスト内に拡散するため、露光後ベークすること。以下、PEBと呼ぶことがあるを行う。さらに、0.1質量以上、5質量以下、好ましくは2質量以上、3質量以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド以下、TMAHと呼ぶことがある等のアルカリ水溶液の現像液を用い、10秒以上、3分間以下、好ましくは30秒以上、2分間以下、DIP浸漬法、パドル法、スプレー法等の既存の方法で現像することによって目的のパターンが形成される。尚、上記PEBは、必要に応じて行えばよい。本発明のパターン形成方法で用いられる基板は、シリコンウェハーの他にも金属やガラスの基板を用いることが可能である。また、基板上には有機系あるいは無機系の膜が設けられていてもよい。例えば、反射防止膜、多層レジストの下層があってもよく、パターンが形成されていてもよい。尚、本発明のレジスト材料は、露光に用いる光源および波長は、特に限定されないが、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザ波長157nm、EUV、EB、X線によるリソグラフィによる微細パターニングに好適に使用でき、特に、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザおよびEUVによるリソグラフィに好適に採用される。10.液浸リソグラフィ本発明のレジストは、液浸リソグラフィのレジストとして使用できる。即ち、レジストとレンズの間を水等の空気よりも屈折率の大きい媒体で満たして露光する液浸リソグラフィにおいて、本発明のレジスト材料は、耐水性が高く、適度な撥水性を有しながら現像液親和性があることから、微細なパターン形成が可能である。液浸リソグラフィとは、リソグラフィにおいて、露光装置のレンズとレジスト膜を形成した基板の間に液体を満たして露光を行うものであり、例えば、ArFエキシマレーザを光源とし、レンズと基板の間を水で満たして露光を行うものである。ArFエキシマレーザの水に対する屈折率は1.44であり、空気の屈折率1よりも基板への露光光の入射角度が大きくなる。このことで、1以上の高い開口数が得られ、パターンの解像力が向上する。液浸リソグラフィにおいては、パターンの保護膜であるトップコートを用いる場合と用いない場合があるが、本発明のレジストは、組成と配合を調整することによって、いずれにも使用でき、KrFエキシマレーザまたはArFエキシマレーザによる液浸リソグラフィ用のレジストとしても好適に使用できる。本発明のレジストを使用する液浸リソグラフィの媒体には、水の他、フッ素系溶剤、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤または含硫黄溶剤が挙げられ、本発明のレジスト材料は広く適用できる。11.ダブルパターニング法ダブルパターニングとは、リソグラフィで目的とするパターンを得るために、マスクあるいはレチクル、2つの密集度の低いパターンに分割し露光し、重ねて露光現像し密集度の高いパターンを得る技術である。本発明のレジスト材料は、ダブルパターニング法のレジスト材料として使用することが可能である。本発明の別の態様として、ダブルパターニング法によるパターン形成方法を提示するが、パターン形成法は現在もなお多数開発中であり、以下の方法に限定されない。本発明のレジスト材料は、KrFエキシマレーザおよびArFエキシマレーザによるダブルパターニング法のレジスト材料としても好適に使用できる。尚、本発明のレジスト材料を用いたダブルパターニング法において、第1のレジスト膜とは、以下に示すパターン形成プロセスにおいて、先に形成されるレジスト膜をいい、リソグラフィによりレジスト膜に形成されたレジストパターンを第1のレジストパターンという。同様に、第2のレジスト膜とは、第1のレジストパターン上にリソグラフィにより形成された2層目のレジスト膜であり、第2のレジストパターンとはそのレジスト膜に形成されたレジストパターンを表す。また、後述する説明において、第1のレジスト膜を与えるレジスト材料を便宜上第1のレジスト材料といい、第2のレジスト膜を与えるレジスト材料を便宜上第2のレジスト材料ということもある。ダブルパターンニング法の一形態として、リソグラフィにより、シリコンウェハー上に形成した第1のレジスト膜を露光、加熱処理後に露光部を溶解させて現像してパターンを形成後、次いで、その上に第2のレジスト膜を形成し、第1のレジスト膜とは異なるパターンで第2のレジスト膜を露光し、次いで同様に現像処理する方法が挙げられる。前記操作により、従来のレジストパターンよりも微細なパターンを形成することができる。尚、第2のレジスト膜の塗布前に、第1のレジスト膜に形成したパターンの保持を目的にフリージング処理をすることもある。以下に、ダブルパターンニング法によるパターン形成方法について、さらに説明する。尚、各工程の塗布、熱処理、露光、現像プロセスについては、前述のパターン形成方法と同様の手法で行うことができる。先ず、第1のレジスト材料を用い、スピンコート法によりシリコンウェハーに塗布後、加熱処理をすることにより第1のレジスト膜を形成する。次いで、リソグラフィにより、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線の照射による露光、露光部を現像液に溶解して現像処理をすることにより第1のレジスト膜に第1のレジストパターンが形成される。次に、第1のレジストパターン上に、溶媒に溶解した第2のレジスト材料をスピンコート法により塗布後、加熱処理をして第2のレジスト膜を形成する。この際、前記溶剤は第1のレジストパターンを侵さないことが要求される。さらに、リソグラフィにより、上記第2のレジスト膜にフォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する。この際、第1のレジスト膜とは異なるパターンのフォトマスクを使用することにより、微細なパターン形成のための露光がなされる。その後、必要に応じて加熱処理、即ち、PEBを行い、次いで現像液で現像するプロセスを経て第2のレジストパターンが形成される。現像液としては、上記のようにTMAH等のアルカリ水溶液の現像液が好適に用いられる。上記のダブルパターニング法によるパターン形成方法においては、第1のレジスト材料、および溶剤、第2のレジスト材料および溶剤の組合せについて、最適化を図る必要がある。本発明のダブルパターニングによるパターン形成方法は、本発明の特定の繰返し単位を有する重合体を含むレジスト材料を特定の溶剤を用いて調製して第2のレジスト材料として使用することを提唱するものであるが、以下に適当な組合せについて説明する。本発明のダブルパターニング法によるパターン形成方法においては、第2のレジスト材料に用いる溶剤は第1のレジストパターンを侵さない溶剤であれば特に限定されないが、第1のレジスト組成物として、汎用のレジスト組成物を用いた場合は、炭素数5~20のアルコール系溶媒を好適に用いることができる。ここでいう汎用のレジスト組成物とは、カルボン酸基等の溶解性基をアダマンタン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素系のユニットで保護した繰返し単位を有する樹脂を用いたレジスト組成物をいう。このようなレジスト組成物として、例えば、ヒドロキシアダマンチルメタクリレートMA-HAD、エチルアダマンチルメタクリレートMA-EAD、またはγブチロラクトンメタクリレートMA-GBLよりなる共重合体を成分とするレジスト組成物が好適に用いられる。このような共重合体は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEのような多価アルコール誘導体、または酸エチルEL等のエステル類には可溶であるものの、炭素数5~20のアルコール系溶媒には不溶であり、例えば、炭素数6の4-メチル-2-ペンタノールには不溶である。一方、前述のように本発明の重合体は、幅広い溶剤に対する溶解性に優れており、4-メチル-2-ペンタノール以後、MIBCと呼ぶことがある等の炭素数5~20のアルコール系溶剤に可溶である。上記炭素数5~20のアルコール系溶剤としては、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノール、またはオレイルアルコール等が挙げられる。特にtert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、または2,3-ジメチル-2-ペンタノールが好ましい。即ち、本発明の重合体を炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いて調製したレジスト組成物は、ダブルパターンニング法の2層目に塗布するレジスト組成物上記、第2のレジスト組成物として有用である。上記ダブルパターンニング法において、基板として第1のレジスト材料を予め塗布してレジスト膜とし、リソグラフィにより、パターン形成したものを使用することも可能である。この際、その後に続くプロセスは上記の第2レジスト材料を塗布するプロセス以降の操作を行えばよく、予めレジストパターンが形成された基板上にレジスト材料を塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程を行うことにより、パターンが形成できる。この際、使用するレジスト材料としては本発明のレジスト材料を用いることができ、当該レジスト材料を調製する際の溶剤として、上記の炭素数5~20のアルコール系溶剤が好適に用いられる。尚、ここでいう予めパターンを形成してある基板とは、必ずしも現像したものである必要はなく、フリージング処理等でパターンの保持がなされていればよい。12.EUVソグラフィ本発明のレジストは、露光量が小さく、PEB温度が低くても、優れた感度を有することより、光源の出力が低いEUVリソグラフィのレジストとして好適に用いることができる。EUVソグラフィにおいては、極めて波長の短い超紫外線EUV、波長13.5nmを用いて、シリコンウエハ等の基板に微細なパターン形成する。現在用いられているArFエキシマレーザ波長、193nmに比較して微細なパターンを得ることができる。以下、実施例にて本願発明を詳細に説明する。ただし、本願発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~6で本発明の範疇に属する重合体1~6、比較例1~3で、本発明の範疇に属さない重合体7~9を合成した。[実施例1]重合体1の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを93.2g、下記4oxo-CHMAを21.2g、下記ECOMAを25.4gおよびn-ドデシルメルカプタン東京化成株式会社製、以下同じものを使用したを0.3g溶解した。当該溶液に重合開始剤として、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、和光純薬株式会社製、以下、同じものを使用した。以後、AIBNと略するを1.0g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を466gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、60°Cにて減圧乾燥を行い37.3gの白色固体重合体1を得た。重合体1は、一般式1で表される繰り返し単位に属する下記4oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記ECOMAによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=10,800、Mw/Mn=1.8[実施例2]重合体2の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを303.4g、下記4oxo-CHMAを44.5g、下記MA-EADを51.5g、下記MA35を55.7gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.3g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.8g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を606.8gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、60°Cにて減圧乾燥を行い112.26gの白色固体重合体2を得た。重合体2は一般式1で表される繰り返し単位に属する4oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としてのMAEADによる繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位としての上記MA35による繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=9,500、Mw/Mn=1.9[実施例3]重合体3の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを254.2g、下記3oxo-CHMAを35.0g、下記MA-ECPを44.6g、下記MA3-4OHを47.5gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.15g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBN製を1.1g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を508.4gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い99.1gの重合体3を白色固体として得た。重合体3は、一般式1で表される繰り返し単位に属する上記3oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MA-ECPによる繰り返し単位、および密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA3-4OHによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=14,500、Mw/Mn=1.6[実施例4]重合体4の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを225.2g、下記4oxo-CHMAを31.8g、下記MA-ECPを48.8g、下記MA-ADOHを32.0gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.35g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を450.4gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い93.5gの重合体4を白色固体として得た。重合体4は、一般式1で表される繰り返し単位に属する下記4oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MA-ECPによる繰り返し単位、および密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA-ADOHによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=12,200、Mw/Mn=2.1[実施例5]重合体5の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを239.2g、下記3oxo-CHMAを34.0g、下記MA-ECPを44.6g、下記MA-ADOHを27.9g、下記TPS-IMAを13.1gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.24g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.8g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を478.4gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い87.3gの重合体5を白色固体として得た。重合体5は、一般式1で表される繰り返し単位に属する下記3oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MA-ECPによる繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位としての上記MA-ADOHによる繰り返し単位、および密着性基を有する繰り返し単位としての上記TPS-IMAによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=17,800、Mw/Mn=1.9[実施例6]重合体6の合成ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを318g、下記4oxo-CHMAを37.2g、下記MA-EADを55.7g、下記MA35を53.0g、上記TPS-IMAを13.1g、およびn-ドデシルメルカプタンを0.5g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.2g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を636gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い128.8gの重合体6を白色固体として得た。重合体6は、一般式1で表される繰り返し単位に属する下記4oxo-CHMAによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MAEADによる繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA35による繰り返し単位、および塩を有する繰り返し単位としてのTPS-IMAによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。GPC測定結果:Mn=13,800、Mw/Mn=2.0[比較例1]重合体7の合成実施例3における3oxo-CHMAの替わりに、MA-GBLを用い、本発明の範疇に属さない重合体7を合成した。ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを249.8g、下記MA-GBLを35.0g、下記MA-ECPを42.4g、下記MA3-4OHを47.5gおよびn-ドデシルメルカプタン東京化成株式会社製を0.6g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.4g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を499.6gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い、104.9gの重合体7を白色固体として得た。重合体7は、MA-GBLによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MA-ECPによる繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA3-4OHによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。MA-ECPによる繰り返し単位は、一般式1で表される繰り返し単位に属さない。GPC測定結果:Mn=15,900、Mw/Mn=2.4[比較例2]重合体8の合成実施例4における4oxo-CHMAの変わりに、MA-NLを用いて本発明の範疇に属さない重合体8を合成した。ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを238g、下記MA-NLを35.3g、下記MA-ECPを47.7g、下記MA-ADOHを36.0gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.6g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.6g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を476gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い88.1gの白色固体重合体8を得た。重合体8は、MA-NLによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MA-ECPによる繰り返し単位、および密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA-ADOHによる繰り返し単位をユニットとする共重合体である。MA-NLによる繰り返し単位は、一般式1で表される繰り返し単位に属さない。GPC測定結果:Mn=14,700、Mw/Mn=1.5[比較例3]重合体9の合成実施例5における3oxo-CHMAの替わりに、MA-GBLを用い、本発明の範疇に属さない重合体9を合成した。ガラス製フラスコ中に、2-ブタノンを235.4g、以下に示すMA-GBLを36.0g、MA-ECPを42.4g、MA-ADOHを25.3g、TPS-IMAを14.0gおよびn-ドデシルメルカプタンを0.4g溶解した。当該溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を470.8gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い74.2gの白色固体重合体9を得た。重合体9は、MA-GBLによる繰り返し単位、酸分解性を有する繰り返し単位としての下記MAECPによる繰り返し単位、密着性基を有する繰り返し単位としての下記MA-ADOHによる繰り返し単位、および塩を有する繰り返し単位としての下記TPS-IMAを有する繰り返し単位をユニットとする共重合体である。MA-GBLによる繰り返し単位は、一般式1で表される繰り返し単位に属さない。GPC測定結果:Mn=18,400、Mw/Mn=2.3[重合結果]実施例1~6および比較例1~3で得られた重合体について、分子量と組成を測定した。重合体の分子量数平均分子量Mnと分子量分散Mnと重量平均分子量Mwの比、Mw/Mnは、東ソー株式会社製、高速GPC装置、品番、HLC-8320GPCにおいて、東ソー株式会社製ALPHA-MカラムとALPHA-2500カラムを1本ずつ直列に繋ぎ、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて測定した。検出器は屈折率差検出器を用いた。また、重合体の組成は1H-NMRおよび19F-NMRによって確認した。重合体の組成mol、収率および分子量を測定した結果を表1に示す。[レジスト配合]実施例1~6および比較例1~3で合成した重合体1~9を用い、それぞれ光酸発生剤PAG、塩基性化合物、溶剤を配合してレジスト溶液を調製した各々、レジスト1~9とする。配合比を表2に示した。調製したレジスト溶液は、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過した後、反射防止膜日産化学工業株式会社製、製品名、ARC29A、厚さ78nmを塗布した後、温度200°Cで60秒間焼成して乾燥したシリコンウェハー上に、スピナーを用いて、回転数1,500rpmで塗布し、次いで、ホットプレート上で100°C、90秒間乾燥した。[接触角測定]得られたシリコンウェハー上の樹脂膜は、接触角計協和界面科学株式会社製を用いて水滴の接触角を測定した。結果を表2に示した。表2に示すように、本発明に属する重合体1~6を配合してなるレジスト1~6による樹脂膜と本発明に属さない重合体7-9を配合してなるレジスト7~9による樹脂膜ともに高い接触角を有することがわかった。本発明に属する重合体1~6を配合してなるレジスト1~6による樹脂膜は、本発明に属さない重合体7-9を配合してなるレジスト7~9による樹脂膜に比較して接触角が高い。レジスト1~6による樹脂膜実施例1~6は高い撥水性を有することより、レジスト7~9による樹脂膜比較例1~3に対して、液浸露光装置による液浸リソグラフィにおいて、レジストへの水の浸入を防いでウォーターマーク欠陥現像時、リンス後の水滴残りによる欠陥の発生の抑制が期待される。[現像液溶解性試験]前述と同様に、レジストを塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、アルカリ現像液であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度2.38質量水溶液に浸漬し溶解性を試験した。樹脂の溶解は、浸漬後の膜の残存を光干渉型の膜厚計で測定することによって調べた。測定結果を表3に示した。表3に示すように、レジスト1~9は、いずれも未露光の状態ではアルカリ現像液に不溶であり、露光後は可溶となった。このことから、試験したレジスト全てが感光性樹脂としての溶解コントラストを有していることが示された。[露光解像試験]前述と同様に、レジストを塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、100°Cで60秒間プリベークを行った後、フォトマスクを介して、ArFレーザによる波長193nmの紫外光で露光した。露光後のウェハーを回転させながら純水を2分間滴下した。その後、120°Cで60秒間PEBを行い、アルカリ現像液で現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡SEMで観察し、解像性の評価を行った。レジスト1~6を用いた場合実施例1~6には、ラフネスや欠陥がなく断面が矩形のパターンが形成され、非常に良好な解像性を示した。これに対して、レジスト7~9を用いた場合比較例1~3は、ともに現像液の溶解性不良によるものと思われる頭はり形状レジストパターンの断面において、上部の線幅が株の線幅より大きいで、また、残渣による欠陥が多数あるパターンが観測された。[4-メチル-2-ペンタノールMIBCへの溶剤溶解性試験]前述と同様のレジスト配合で、レジスト材料を塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、MIBCに浸漬し、溶解性を試験した。溶解性試験の結果を表3に示した。レジスト1~6を用いた場合実施例1~6は、レジスト中に極性基であるカルボニル基を多数有するので、若干の極性を有するアルコール系溶剤であるMIBCに速やかに溶解し、各々良好な溶解性を示した。これに対して、レジスト7~9を用いた場合比較例1~3ではMIBCへの溶剤溶解性はなく、不溶であることが判った。これらの実験結果より、第1のレジスト膜にパターン形成後に第2のレジスト膜を塗布して露光処理するパターン形成方法、即ち、ダブルパターニング法において、例えば、第1のレジスト膜に汎用レジスト組成物を用いた場合、第2のレジスト膜形成用のレジスト材料として、本発明の重合体1~6を含むレジスト1~6は、MIBCに溶解しレジスト液に調製可能であることがわかった。即ち、第2のレジスト材料に用いる溶媒MIBCは、第1のレジスト膜に形成されたレジストパターンを侵さないので、第1のレジストパターンに影響を与えることなく第2のレジスト膜を形成することが可能となる。"