"めっき膜と、表面、前記表面に形成されたボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記表面が前記めっき膜と対向するように、バンプ電極を介して前記めっき膜上に配置された半導体チップと、を含み、前記めっき膜の上面の粗さの最大高さRyは、0μmより大きく、20μm以下の範囲であることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記めっき膜の前記上面の粗さの算術平均粗さRaは、0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲であることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記めっき膜は、基材の上面に対して水平方向に成長した金属粒子を含むことを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記めっき膜は、ニッケル膜、および前記ニッケル膜上に形成した銀膜または金膜により構成されることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記めっき膜と前記バンプ電極との接合部を封止する封止体を含むことを特徴とする半導体装置。以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:a上面、めっき法により前記上面に形成されためっき膜、前記上面とは反対側の下面を有する基材を準備する工程;b前記a工程の後、表面、前記表面に形成されたボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記半導体チップの前記表面が前記めっき膜と対向するように、バンプ電極を介して前記めっき膜上に配置する工程;ここで、前記めっき膜は、添加剤を加えためっき液を用いためっき法により形成され、半光沢状である。請求項6記載の半導体装置の製造方法において、前記b工程の後、c前記半導体チップと前記めっき膜との間に樹脂を供給し、前記めっき膜と前記バンプ電極との接合部を封止する工程;をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6記載の半導体装置の製造方法において、前記めっき膜の上面の粗さの最大高さRyは、0μmより大きく、20μm以下の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6記載の半導体装置の製造方法において、前記めっき膜の上面の粗さの算術平均粗さRaは、0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項6記載の半導体装置の製造方法において、前記添加剤は、硫黄および炭素であることを特徴とする半導体装置の製造方法。電子機器の小型化および薄型化に伴い、電子機器に搭載される半導体装置半導体パッケージにおいても小型化および薄型化が要求されている。半導体装置の小型化および薄型化を実現するためには、例えば前記特許文献1または前記特許文献2に記載されているように、外部端子となるリード端子、金属板、導電パターンをめっき法により形成し、さらに、このリードと半導体チップの表面に形成されたボンディングパッド電極パッド、表面電極とをバンプ電極バンプ、金属バンプ、突起状電極を介して電気的に接続することにより、リードの上面上に半導体チップを搭載フリップチップボンディングした構造が有効とされている。しかしながら、本願発明者らが検討したところ、このような構造の半導体装置については、以下に説明する種々の技術的課題が存在する。すなわち、リードの上面からバンプ電極が剥がれる接合不良が発生することが明らかとなった。この接合不良は、めっき法により形成されるリードの上面が粗いことに起因すると考えられた。そこで、使用するめっき液に添加剤を加えることにより、リードの上面を平坦化する検討を行った。これにより、リードとバンプ電極との接合強度は向上したが、一方で、形成されるリードが脆くなるため、単にめっき液に添加剤を加えてリードの上面を平坦化するだけでは、バンプ電極の接合不良を改善することは困難であった。本発明の目的は、バンプ電極の接合不良を改善することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、複数のリードと、複数のリードの上面上に配置された半導体チップとを含む半導体装置であって、半導体チップは複数のボンディングパッドが形成された表面と、この表面とは反対側の裏面とを有し、半導体チップの表面に形成された複数のボンディングパッドと複数のリードとをそれぞれバンプ電極を介して接続し、各リードの上面の粗さの最大高さを0μmより大きく、20μm以下の範囲とする。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。バンプ電極の接合不良を改善することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウエハと言うときは、SiSilicon単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、SOISiliconOnInsulatorウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1≪半導体装置について≫本実施の形態1における半導体装置について、図1~図5を用いて説明する。図1は半導体装置の封止体を透かした要部平面図、図2は図1に示すA-A′線に沿った半導体装置の要部断面図、図3は図1に示すB-B′線に沿った半導体装置の要部断面図、図4はバンプ電極の部位を拡大して示す要部断面図、図5は半導体装置の下面を示す要部平面図である。半導体装置1は、めっき法により形成された複数のリード端子、金属板、導電パターン2と、半導体チップ3と、複数のリード2と半導体チップ3の表面主面に形成された複数のボンディングパッド電極パッド、表面電極4とをそれぞれ電気的に接続する複数のバンプ電極バンプ、金属バンプ、突起状電極5と、から構成されている。複数のリード2は、上面表面、およびこの上面とは反対側の下面裏面、実装面を有している。複数のリード2は、めっき法により形成堆積されためっき膜金属粒子の集合体であり、具体的には、金Au膜上にニッケルNi膜が堆積され、さらに、このニッケル膜上に銀Ag膜が堆積されている。金膜の厚さは、例えば0.03μm、ニッケル膜の厚さは、例えば60μm、銀膜の厚さは、例えば3μmである。従って、複数のバンプ電極5がそれぞれ接合接続される複数のリード2のそれぞれの上面には銀膜が形成されていることから、複数のリード2と複数のバンプ5とのそれぞれの接合部には、合金接合によって金-銀合金膜が形成される。なお、銀膜に代えて、ニッケル膜上に金膜を形成してもよい。この場合は、複数のリード2と複数のバンプ5とのそれぞれの接合部には、機械接合によって金膜が形成される。半導体チップ3は、表面、およびこの表面とは反対側の裏面を有している。半導体チップ3の表面側には、例えば複数の半導体素子と、絶縁層と配線層とをそれぞれ複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜6と、から構成される集積回路が形成されている。また、半導体チップ3は、その表面に複数のボンディングパッド4、および複数のボンディングパッド4に形成接合、接続された複数のバンプ電極5を有している。複数のボンディングパッド4は、集積回路に形成された多層配線図示は省略のうちの最上層の配線例えばアルミニウムAlからなり、集積回路を保護するための表面保護膜6に形成された開口部により露出している。複数のバンプ電極5は、例えば金からなり、表面保護膜6に形成された開口部において複数のボンディングパッド4とそれぞれ接合している。半導体チップ3は、その表面と複数のリード2の上面とが対向し、複数のリード2と複数のバンプ電極5とがそれぞれ接合することにより、複数のリード2の上面上に配置搭載されている。さらに、複数のリード2のそれぞれの一部上面および側面、半導体チップ3、および複数のバンプ電極5は樹脂封止体封止体7によって封止されている。従って、複数のリード2と複数のバンプ電極5とのそれぞれの接合部は樹脂封止体7によって封止されている。しかし、樹脂封止体7の下面裏面からは複数のリード2のそれぞれの他部下面、裏面、実装面が露出した構造となっている。なお、半導体チップ3の表面に形成された表面保護膜6と複数のリード2との間は、所定の間隔図4に示す隙間量が維持されており、この間にも樹脂封止体7が形成されている。前述したように、複数のバンプ電極5は、複数のリード2の上面にそれぞれ接合されているが、複数のリード2のそれぞれの上面は平坦な面最大高さRy=0ではなく、最大高さRyが0μmよりも大きく、20μm以下の範囲0μm<最大高さRy≦20μmの粗さを有した面である。さらに、複数のリード2のそれぞれの上面の算術平均粗さRaは0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲0μm<算術平均粗さRa≦0.7μmである。ここで、最大高さRyとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の山頂線と谷底線との間隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値をμmで表したものをいう。また、算術平均粗さRaとは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜き取り部分の平均線の方向にX軸を、縦倍率の方向にY軸を取り、粗さ曲線をy=fxで表したときに下記式によって求められる値をμmで表したものである。このように、本実施の形態1による半導体装置1では、複数のリード2の上面の粗さ最大高さRyおよび算術平均粗さRaを所定の範囲に設定している。その効果および作用については後述するが、これにより、複数のリード2と複数のバンプ電極5とのそれぞれの接合部における接合強度を上げることができる。≪半導体装置の製造方法について≫次に、本実施の形態1による4ピンの外部端子を有する半導体装置の製造方法を図6~図27を用いて工程順に説明する。図6は半導体装置の製造方法を説明する工程図、図7および図8は半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体ウエハの要部平面図、図9aおよびbはそれぞれ半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部平面図および要部断面図、図10は1個のリードを拡大して示すリードの要部断面図、図11は複数のリードを有する基材の製造方法を説明する工程図、図12~図18は複数のリードを有する基材の製造方法を説明する製造工程中における基材の要部断面図、図19はニッケル粒子の成長方向とニッケルめっき液に含まれる添加剤の量との関係を説明する模式図、図20aおよびbはそれぞれ半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部平面図および要部断面図、図21はリードとバンプ電極との接合強度と、リードの上面の粗さの最大高さRyとの関係を示すグラフ図、図22はリードとバンプ電極との接合強度と、リードの上面の粗さの算術平均粗さRaとの関係を示すグラフ図、図23aおよびbはそれぞれ粗い上面を有するリードとバンプ電極との接合を説明する接合部の模式図および比較的平坦な上面を有するリードとバンプ電極との接合を説明する接合部の模式図、図24~図27aおよびbはそれぞれ半導体装置の製造方法を説明する製造工程中における半導体装置の要部平面図および要部断面図である。ここでは、4ピンの外部端子を有する半導体装置の製造方法について説明するが、これに限定されるものではなく、例えば6ピンまたは9ピンの外部端子を有する半導体装置の製造方法にも適用することができる。P101:スタッドバンプボンディングstudbumpbondingまず、図7に示すように、半導体ウエハ10を準備する。半導体ウエハ10は単結晶シリコンからなり、その直径は、例えば200mmまたは300mm、その厚さは、例えば0.7mm以上製造工程への投入時の値である。半導体ウエハ10は、表面主面、表面にマトリックス状に区画形成された複数のチップ領域CA、複数のチップ領域CAの間に形成されたスクライブ領域ダイシングラインDL、および表面とは反対側の裏面を有している。半導体ウエハ10の表面の各チップ領域CAには、これに限定されないが、複数の半導体素子と、絶縁層と配線層とをそれぞれ複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜とから構成される集積回路が形成されている。上記絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。上記配線層は、例えばアルミニウムAl、タングステンW、または銅Cuなどの金属膜で形成されている。上記表面保護膜例えば前述の図2~図4に符号6で示す表面保護膜は、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の無機絶縁膜および有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。また、半導体ウエハ10の表面の各チップ領域CAには、上記複数の半導体素子と電気的に接続された複数のボンディングパッド電極パッド、表面電極、例えば前述の図4に示す複数のボンディングパッド4が配置され、これら複数のボンディングパッドは、上記多層配線層のうちの最上層の配線からなり、上記表面保護膜にそれぞれのボンディングパッドに対応して形成された開口部により露出している。次に、半導体ウエハ10の裏面を、研削材を用いて研削することにより、半導体ウエハ10の厚さを所定の厚さまで薄くする。その厚さは、例えば0.13mm程度である。P102:ウエハダイシングwaferdicing工程次に、図8に示すように、予めダイシングテープを貼り付けた環状のフレーム11を用意しておき、このダイシングテープの上面に、その回路形成面を上面にして半導体ウエハ10を貼着する。次に、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃ダイシングブレード12を用いて、半導体ウエハ10をスクライブ領域DLに沿って縦、横に切断する。半導体ウエハ10は半導体チップ3に個片化されるが、個片化された後も半導体チップ3はダイシングテープを介してフレーム11に固定されているため、整列した状態を維持している。次に、ダイシングテープの下面側から紫外線を照射して、接着層の接着力を低下させることにより、各半導体チップ3がダイシングテープから剥がれやすくする。P103:フリップチップボンディングflipchipbonding工程P103-1:基材準備工程次に、図9に示すように、基材金属板、ステンレス基板、母基板13を準備する。基材13は、例えばステンレスSUS403または銅などの導電性部材から成り、1つの半導体チップ3が搭載される領域チップ搭載領域DIAがマトリックス状に区画形成された多数個取り基板である。図9では、4つのチップ搭載領域DIAが形成された基材13を例示している。基材13の厚さは、例えば0.15mm程度である。基材13の上面表面のチップ搭載領域DIAにはそれぞれ外部端子である4個のリード端子、金属板、導電パターン2が形成されている。図10に示すように、リード2は、例えば電解めっき法により金Au膜2A、ニッケルNi膜2B、および銀Ag膜2Cまたは金膜を下から順次形成した積層膜により構成され、ニッケル膜2Bがひさし状に張り出した迫り出し部を有するマッシュルーム形状を有している。リード2の上面表面は、基材13の上面よりも高い位置にあるが、電解めっき法により形成するリード2は、導電性基板金属板をパターニングすることで形成されたリードフレームの一部から成るリードの厚さの約半分以下の厚さで形成することができる。また、リード2の形状をマッシュルーム形状とすることにより、後の製造工程であるレジンモールド工程P104において、リード2のアンカー効果が期待できる。リード2を構成する金膜2Aの厚さは、例えば0.03μm、ニッケル膜2Bの厚さは、例えば60μm、銀膜2Cまたは金膜の厚さは、例えば3μmである。次に、リード2の形状について詳細に説明する。まず、図11~図18を用いて複数のリード2が形成された基材13の製造方法について説明する。図11は複数のリードを有する基材の製造方法を説明する工程図、図12~図18は複数のリードを有する基材の製造方法を説明する製造工程中における基材の要部断面図である。P103-11:レジスト貼り付け工程~露光工程図12に示すように、基材13の上面にレジスト膜50を塗布した後、このレジスト膜50に、所定のパターンが形成されたフィルムマスク51を介して紫外線を露光する。同様に、基材13の上面と反対側の下面裏面にレジスト膜52を塗布した後、このレジスト膜52に、所定のパターンが形成されたフィルムマスク53を介して紫外線を露光する。P103-12:現像工程図13に示すように、フィルムマスク51,53を除去した後に現像処理を施して、基材13の上面に塗布されたレジスト膜50および基材13の下面に塗布されたレジスト膜52をそれぞれパターニングする。これにより、基材13の上面に塗布されたレジスト膜50に複数のリード2を形成するための複数のリード用の穴54を形成し、基材13の下面に塗布されたレジスト膜52に複数のガイド用の穴55を形成する。P103-13:金めっき工程図14に示すように、基材13の下面に形成されたレジスト膜52の表面を保護フィルム56で覆った後、電解めっき法により基材13の上面に形成された複数のリード用の穴54の底部にそれぞれ金膜2Aを形成堆積する。金膜2Aの厚さは、例えば0.03μmである。P103-14:ニッケルめっき工程図15に示すように、さらに、電解めっき法により基材13の上面に形成された複数のリード用の穴54の内部に、金膜2Aに接続してニッケル膜2Bをそれぞれ形成堆積する。このニッケル膜2Bは、複数のリード用の穴54の内部のみでなく、レジスト膜51の表面にも拡がって形成されるので、オーバーハング庇のようにはみ出した部位を有するマッシュルーム形状に形成される。ニッケル膜2Bの厚さは、例えば60μmである。P103-15:銀または金めっき工程図16に示すように、さらに、電解めっき法により基材13の上面に形成された複数のニッケル膜2Bの表面に、ニッケル膜2Bに接続して銀膜2Cまたは金膜をそれぞれ形成堆積する。銀膜2Cまたは金膜の厚さは、例えば3μmである。なお、本実施の形態1では、金膜2A、ニッケル膜2B、および銀膜2Cまたは金膜を電解めっき法により形成することについて説明したが、無電解めっき法により形成してもよい。ただし、これらめっき膜の形成速度堆積速度を考慮した場合には、電解めっき法を用いることが好ましい。P103-16:フレームエッチング工程図17に示すように、基材13の下面に形成されたレジスト膜52の表面を覆う保護フィルム56を除去した後、レジスト膜52をマスクとして基材13をエッチングする。これにより、レジスト膜52に形成されたガイド用の穴55に対応して基材13の外枠57を形成する。P103-17:除去工程図18に示すように、レジスト膜50,52を除去し、余分な基材13の一部を除去することにより、複数のリード2を有する基材13が略完成する。ところで、前述したニッケルめっき工程P103-14においては、その表面の粗さが所定の範囲の粗さ0μm<最大高さRy≦20μm、0μm<算術平均粗さRa≦0.7μmとなるように、ニッケル膜2Bは形成される。具体的には、ニッケルめっき液に微量の添加剤例えば硫黄Sおよび炭素Cを入れることによって、ニッケル粒子の成長方向を基材13の上面に対して垂直な方向から、水平な方向へ変化させる。ニッケル粒子の成長方向とニッケルめっき液に含まれる添加剤の量との関係を図19に示す模式図を用いて説明する。添加剤を含まないニッケルめっき液を用いた場合は、ニッケル粒子は基材13の上面に対して垂直方向縦方向に粒状に成長し、この縦粒状ニッケル58が重なってニッケル膜を形成する。縦粒状ニッケル58の大きさは均一ではないため、形成されるニッケル膜の表面は徐々に粗くなり、突起状となる。ニッケル膜の表面が粗いことから、ニッケル膜は無光沢状光沢度は、例えば0.1~0.3程度となる。添加剤を含まないことから安価にニッケル膜を形成することができる。しかし、後のダイボンディング工程P103-2において、このニッケル膜からなるリード2とバンプ電極バンプ、金属バンプ、突起状電極5とを接合すると、リード2の上面からバンプ電極5が剥がれる接合不良が発生しやすい。そのため、この縦粒状ニッケル58からなるニッケル膜は、リード2を構成するニッケル膜2Bに適用することは難しい。添加剤を含むニッケルめっき液を用いた場合は、ニッケル粒子は基材13の上面に対して水平方向横方向に粒状に成長し、この横粒状ニッケル59が主に重なってニッケル膜を形成する一部に縦粒状ニッケルまたは横層状ニッケルを含む場合もある。横粒状ニッケル59の大きさは均一ではないが、形成されるニッケル膜の表面は、添加剤を含まないニッケルめっき液により形成された縦粒状ニッケル58からなるニッケル膜の表面よりも平坦になる。ニッケル膜の表面が比較的平坦になったことにより、ニッケル膜は半光沢状光沢度は、例えば0.3~0.5程度となる。さらに添加剤を多く含むニッケル積を用いた場合は、ニッケル粒子は基材13の上面に対して水平方向横方向に層状に成長し、この横層状ニッケル60が重なってニッケル膜を形成する。横層状ニッケル60は層を成して成長するので、形成されるニッケル膜の表面は平坦になる。ニッケル膜の表面が平坦になったことにより、ニッケル膜は光沢状光沢度は、例えば0.5~0.7程度となる。しかし、この横層状ニッケル60からなるニッケル膜は、高温本実施の形態1では、例えば300°Cであるが、高温状態に晒される時間が長ければ、約250°Cでも考慮すべき温度となるにおいて脆くなるため、リード2を構成するニッケル膜2Bに適用することは難しい。従って、リード2を構成するニッケル膜2Bは、その表面が粗い無光沢めっきではなく、また、その表面が平坦な光沢めっきではなく、無光沢めっきと光沢めっきとの間の半光沢めっきのニッケル膜により構成する。そのニッケル膜2Bの表面の粗さは、前述したように、最大高さRyが0μmよりも大きく、20μm以下の範囲で、かつ、算術平均粗さRaは0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲である。実際には、ニッケル膜2Bの表面には電解めっき法により銀膜2Cまたは金膜が形成されて、金膜2A、ニッケル膜2B、および銀膜2Cまたは金膜からなるリード2が形成される。しかし、銀膜2Cまたは金膜の厚さは、例えば3μmであるので、リード2の上面銀膜2Cまたは金膜の表面には、ニッケル膜2Bの表面の状態を反映した粗さおよび半光沢が現れる。P103-2:ダイボンディング工程次に、半導体チップ3をダイシングテープから引き剥がしてピックアップした後、その表裏を反転させる。続いて、図20に示すように、半導体チップ3の裏面をコレット14によって吸着、保持した後、半導体チップ3は、基材13の上面の所定のチップ搭載領域に搬送される。コレット14は、例えば長方形の外形を有し、その材質は、例えば超硬合金で構成されている。次に、半導体チップ3の表面主面に形成された複数のバンプ電極5と基材13の上面に形成された複数のリード2とを対向させて、熱、荷重、および超音波などを加えることにより、複数のリード2と複数のバンプ電極5とをそれぞれ接合する。すなわち、バンプ電極5を水平方向リード2の上面と平行な面方向に移動振幅させ、リード2の上面にバンプ電極5を擦りつけることにより、リード2とバンプ電極5とを接合する。この接合の際の熱の温度は、例えば100~250°C代表的には200°C、コレット14の荷重は、例えば150~800g代表的には400g、超音波の出力は、例えば0.72Aである。リード2とバンプ電極5との接合強度は、前述の熱の温度、コレット14の荷重、および超音波の出力などのボンディング条件に依存するが、リード2の上面の粗さにも依存する。図21に、1バンプ電極当たりのリードとバンプ電極との接合強度と、リードの上面の粗さの最大高さRyとの関係を示す。なお、各パラメータは、半導体チップ3の表面に形成された表面保護膜6とリード2の上面との距離としている前述の図4に示す隙間量。図21に示すように、接合強度は最大高さRyが増加するに従い、何れのパラメータも徐々に強度が低下することが分かった。さらに、本願発明者の検討によれば、例えば隙間量が30μmの場合は、強度が約40gを下回ったバンプにおいて、リードとの接合不良が特に発生しやすいことが分かった隙間量が12μmの場合は、強度が約100gを下回ったとき。すなわち、リードの上面の粗さの最大高さRyが20μmを越えると接合強度に著しい低下が見られ、リードとバンプ電極との接合不良が多く発生する。なお、最大高さRyが20μmを越えるリードは、主に無光沢状である。図22に、1バンプ電極当たりのリードとバンプ電極との接合強度と、リードの上面の粗さの算術平均粗さRaとの関係を示す。なお、各パラメータは、半導体チップ3の表面に形成された表面保護膜6とリード2の上面との距離としている前述の図4に示す隙間量。図22に示すように、接合強度は算術平均粗さRaが増加するに従い、何れのパラメータも徐々に強度が低下することが分かった。さらに、本願発明者らの検討によれば、例えば隙間量が30μmの場合は、強度が約40gを下回ったバンプにおいて、リードとの接合不良が特に発生しやすいことが分かった隙間量が12μmの場合は、強度が約100gを下回ったとき。すなわち、リードの上面の粗さの算術平均粗さRaが0.7μmを越えると接合強度に著しい低下が見られ、リードとバンプ電極との接合不良が多く発生する。なお、算術平均粗さRaが0.7μmを越えるリードは、主に無光沢状である。図21および図22に示した現象について、図23aおよびbを用いて以下に説明する。図23aに示すように、粗い上面を有するリード2最大高さRy>20μm、算術平均粗さRa>0.7μmとバンプ電極5とを接合させた場合は、リード2の上面の突起にバンプ電極5が引っかかり、超音波によるバンプ電極5の水平方向の動きが妨げられる。このため、超音波がリード2とバンプ電極5との接合部に伝わらず、その結果、リード2とバンプ電極5との接合強度が低下する。なお、バンプ電極5は、半導体チップ3の表面に形成されたボンディングパッドに予め接合されているため、ボンディングパッドとバンプ電極5との接合部はリード2とバンプ電極5との接合部に比べて、接合不良は生じ難い。一方、図23bに示すように、比較的平坦な上面を有するリード20μm<最大高さRy≦20μm、0μm<算術平均粗さRa≦0.7μmとバンプ電極5とを接合させた場合は、リード2の上面の突起は小さく、超音波によるバンプ電極5の水平方向の動きは妨げられにくい。このため、超音波がリード2とバンプ電極5との接合部に伝わり、その結果、リード2とバンプ電極5との接合強度が強くなる。本願発明者らが検討したところ、リード2の上面に存在する突起が高くなるにつれて、その突起にバンプ電極5が引っかかり、バンプ電極5が移動し難くなることが分かった。従って、超音波によるバンプ電極5の水平方向の動きを滑らかにするためには、リード2の上面の粗さの算術平均粗さRaを小さくすることよりも、最大高さRyを低くすることがより重要であると考えられる。すなわち、リード2の上面の粗さの算術平均粗さRaよりも最大高さRyを低くすることを優先して、少なくとも最大高さRyが限界値前記図21に示す20μm以下の粗さの反光沢状の上面を有するリード2を形成することが好ましい。リード2とバンプ電極5との接合不良を改善解決する手段として、例えば熱の温度、コレット14の荷重、および超音波の出力などを上げることによって、バンプ電極5をより強くリード2の上面に接合させることも考えられる。しかし、このようにボンディング条件を変更すると、バンプ電極5が必要以上に潰れてしまう恐れがある。通常でも、接合する前のバンプ電極5の直径は70~80μmであるが、接合した後のバンプ電極5は潰れて、その直径は100~130μmとなる。なお、バンプ電極5が必要以上に潰れて、バンプ電極5の高さが所定の高さよりも低くなると、半導体チップ3の表面の表面保護膜6とリード2の上面との間隔が小さくなってしまう。そして、この間隔が小さくなると、後のレジンモールド工程P104において、半導体チップ3の表面の表面保護膜6とリード2の上面との間に封止樹脂が供給され難くなり、モールド不良が生じてしまう。また、半導体チップ3の表面の表面保護膜6とリード2の上面とが接触すると表面保護膜6が破壊することがある。そのため、ボンディング条件を安易に変更することはできない。P104:レジンモールド工程次に、図24に示すように、複数の半導体チップ3が搭載された基材13を金型成型機にセットし、温度を上げて液状化した封止樹脂を金型成型機に圧送して流し込み、基材13の上面側を封止樹脂で封入して、1つの樹脂封止体封止体7を形成する。続いて、例えば170°Cの温度で熱処理を施す。これにより、基材13の上面、複数の半導体チップ3、複数のリード2のそれぞれの一部上面および側面、および複数のバンプ電極5などが樹脂封止体7によって封止される。樹脂封止体7の厚さは、例えば0.4mmである。樹脂封止体7は、低応力化を図ることを目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー例えばシリカなどが添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂からなる。P105:基材剥離工程次に、図25に示すように、樹脂封止体7から基材13を引き剥がす。これにより、樹脂封止体7の下面裏面から複数のリード2のそれぞれの他部下面、裏面、実装面を露出させる。P106:ポストキュアベーク工程次に、樹脂封止体7に対して、例えば170~180°Cの温度で5時間程度の熱処理を施す。P107:レーザマーク工程次に、樹脂封止体7の上面に品名などを捺印する。P108:パッケージダイシング工程次に、図26に示すように、ダイシングテープ16を準備する。ダイシングテープ16の上面には、接着層が貼り付けられている。続いて、ダイシングテープ16の上面に接着層を介して、複数の半導体チップ3、複数のリード2のそれぞれの一部上面および側面、および複数のバンプ電極5を被覆した樹脂封止体7を固定する。次に、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃ダイシングブレード17を用いて、封止樹脂体7の下面側から封止樹脂体7をスクライブ領域に沿って縦、横に切断する。封止樹脂体7は半導体装置半導体パッケージ1に個片化されるが、個片化された後も半導体装置1はダイシングテープ16を介して固定されているため、整列した状態を維持している。続いて、封止樹脂体7を切断する際に発生した屑などを除去するために、半導体装置1を洗浄した後、紫外線の照射により接着層の接着力を低下させて、半導体装置1をダイシングテープ16から剥がれやすくする。次に、図27に示すように、ダイシングテープ16を除去することにより、個々の半導体装置1に分ける。半導体装置1の樹脂封止体7の下面には、複数のリード2のそれぞれの下面裏面、実装面が露出している。P109:テスト工程次に、製品規格に沿って選別し、さらに最終外観検査を経て製品半導体装置1が完成する。P110:テーピング工程次に、キャリアテープに予め形成されている窪みに製品半導体装置1を収納する。その後、例えばキャリアテープをリールに巻き取り、防湿された袋にリールを収納し、この状態で出荷する。このように、本実施の形態1によれば、複数のリード2の上面を、最大高さRyが0μmよりも大きく、20μm以下の範囲0μm<最大高さRy≦20μmで、かつ、算術平均粗さRaが0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲0μm<算術平均粗さRa≦0.7μmの粗さを有する半光沢状とすることにより、複数のリード2と複数のバンプ電極5とのそれぞれの接合部における接合強度の向上を図り、複数のバンプ電極5の接合不良を改善することができる。実施の形態2本実施の形態2における半導体装置について、図28~図31を用いて説明する。図28は半導体装置の封止体を透かした要部平面図、図29は図28に示すC-C′線に沿った半導体装置の要部断面図、図30は図28に示すD-D′線に沿った半導体装置の要部断面図、図31は半導体装置の下面を示す要部平面図である。なお、半導体装置の外部端子となるリードの数、およびこれらのリードと接続されるバンプ電極の数などは、前述した実施の形態1と同様である。前述した実施の形態1による4ピンの外部端子を有する半導体装置1と同様に、実施の形態2による半導体装置20は、複数のリード端子、金属板、導電パターン21と、半導体チップ3と、複数のリード21と半導体チップ3の表面主面に形成された複数のボンディングパッド電極パッド、表面電極とを電気的にそれぞれ接続する複数のバンプ電極バンプ、金属バンプ、突起状電極5と、から構成されている。しかし、本実施の形態2によるリード21の構造が、前述した実施の形態1によるリード2の構造と異なる。すなわち、リード21は、金属部材本実施の形態2では、銅Cuからなる母材基材、例えばリードフレーム22と、この母材22の上面表面に、めっき法電解めっき法または無電解めっき法により形成された金Au膜、銀Ag膜、またはパラジウムPd膜からなるめっき膜23とから構成される。そして、このめっき膜23の上面表面にバンプ電極5が接合される。そして、母材22の上面に形成された各めっき膜23の上面は、前述した実施の形態1と同様に、平坦な面最大高さRy=0ではなく、最大高さRyの範囲が0μmよりも大きく、20μm以下0μm<最大高さRy≦20μmで、かつ、算術平均粗さRaの範囲が0μmよりも大きく、0.7μm以下の範囲0μm<算術平均粗さRa≦0.7μmの粗さを有した面である。また、各めっき膜23は半光沢状光沢度は、例えば0.3~0.5程度である。前述した実施の形態1では、リード2そのものがめっき膜めっき法により形成された金膜2A、ニッケル膜2B、および銀膜2Cまたは金膜により構成され、リード2のそれぞれの上面の粗さ最大高さRyおよび算術平均粗さRaを所定の範囲に設定した。本実施の形態2では、リード21は、母材22と、この母材22の上面にめっき法により形成されためっき膜23とにより構成され、めっき膜23の上面の粗さ最大高さRyおよび算術平均粗さRaを所定の範囲に設定した。このように、少なくともバンプ電極5が接合される母材22の上面バンプ電極接合領域に、所定の粗さを有するめっき膜23を形成した場合であっても、複数のリード21と複数のバンプ電極5とのそれぞれの接合部における接合強度を向上させて、複数のバンプ電極5の接合不良を改善することができる。以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施の形態1および2では、主に4ピンの外部端子を有する半導体装置について説明したが、これに限定されるものではなく、6ピンまたは9ピンの外部端子を有する半導体装置、あるいはバンプ電極の数がリードの数より多い半導体装置にも適用することができる。また、前記実施の形態1では、リード2の断面形状がひさし状に張り出した迫り出し部を有するマッシュルーム形状であることについて説明したが、これに限定されるものではなく、迫り出し部がない四角柱状、あるいは円柱状の形状であってもよい。ただし、このような形状の場合は、マッシュルーム形状に比べて、レジンモールド工程により形成される樹脂封止体封止体7の下面実装面から脱落しやすくなるため、半導体装置1の信頼性を考慮した場合は、迫り出し部をリード2の下面側よりも上面側に設けておくことが好ましい。さらに、前記実施の形態2では、リード21が樹脂封止体7の周縁部側面まで延在しているものについて説明したが、これに限定されるものではなく、前記実施の形態1と同様に、樹脂封止体7の周縁部側面まで延在していない、言い換えると、離れた位置に設けられていてもよい。"