可干渉光を放射する光源と、前記光源から放射された光の可干渉性を制御して、照明光として出力する干渉制御部と、前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査する検査装置本体と、を備え、前記干渉制御部は、前記光源から放射された光の進行方向を第1の方向とし、前記第1の方向に垂直な方向を第2の方向としたとき、前記光源から放射された光を波長に応じて前記第2の方向に拡張して波長分散させる分散部と、前記分散部により波長分散された光を選択的に透過させる選択部と、を有する欠陥検査装置。前記干渉制御部は、前記光源から放射された光の波長幅を制御する請求項1記載の欠陥検査装置。前記干渉制御部は、前記光源から放射された光のスペクトル純度を制御する請求項1記載の欠陥検査装置。前記分散部は、プリズムを有する請求項1~3のいずれか1つに記載の欠陥検査装置。前記選択部は、前記分散部により波長分散された光を透過させる前記第2の方向に沿った透過幅を制御する請求項1~4のいずれか1つに記載の欠陥検査装置。照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、干渉性が相対的に高く制御された前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査し、干渉性が相対的に低く制御された前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥が検出された位置を特定する欠陥検査方法。本発明の実施形態は、異常パターンの弁別性を向上した欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。実施形態によれば、光源と、干渉制御部と、検査装置本体と、を備えた欠陥検査装置が提供される。前記光源は、可干渉光を放射する。前記干渉制御部は、分散部と、選択部とを有し、前記光源から放射された光の可干渉性を制御して、照明光として出力する。前記検査装置本体は、前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査する。前記光源から放射された光の進行方向を第1の方向とし、前記第1の方向に垂直な方向を第2の方向としたとき、前記分散部は、前記光源から放射された光を波長に応じて前記第2の方向に拡張して波長分散させる。前記選択部は、前記分散部により波長分散された光を選択的に透過させる。以下、実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の形状や縦横の寸法の関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。まず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る欠陥検査装置を例示する模式図である。欠陥検査装置1は、可干渉光を放射する光源2と、光源2から放射された光IL1の可干渉性を制御する干渉制御部3と、検査装置本体4と、を備えている。欠陥検査装置1は、干渉制御部3から出力される照明光OL1を被検査体5に形成されたパターンに照射して、被検査体5の欠陥を検査する欠陥検査装置である。光源2は、例えばレーザであり、可干渉性を有する光コヒーレント光IL1を放射する。放射される光IL1の波長を短くすると、より微細な欠陥を検出することができる。また、短波長域の光源には、輝度を確保するために、コヒーレント光源を使用することができる。光源2は、可干渉性を有する光IL1を放射できればよく、基本波または高調波を放射する単一のレーザや、複数のレーザを組み合わせてもよい。例えば、紫外領域のコヒーレント光は、レーザー光を波長変換により短波長化したものを用いることができる。例えば、工業用に多用されるNd:YAGレーザの1064nmのコヒーレント光の2倍高調波を発生させることにより、532nmのコヒーレント光が得られる。またさらに、532nmのコヒーレント光の2倍高調波を発生させることにより、波長266nmのコヒーレント光が得られる。基本波のスペクトル構造としては、単一縦モードのレーザー光よりも多重縦モードのレーザー光を用いるとよい。例えば、光源2が、基本波の高調波、または複数の基本波の和周波数のコヒーレント光を発生する場合、光源2から放射される光IL1は、基本波の縦モードのそれぞれの和周波数を含む複雑なスペクトル構造を有し、波長幅が広がることがある。さらに、弱く広がったスペクトルをバックグランドとして、強い線スペクトルを含むスペクトル構造を有することがある。図2は、光源から放射される可干渉性を有する光コヒーレント光のスペクトルを例示する特性図である。図2においては、1064nmのレーザ光を波長変換により266nmに短波長化して発生させたコヒーレント光IL1のスペクトル構造を棒グラフで模式的に表している。主なスペクトル構造は、波長266nmを中心にした波長幅0.1pm内にあるが、基本波の縦モードの和周波数のスペクトルが発生し、また基本波のスペクトル構造を反映して、全体のスペクトルは、100pmに広がっている。このようなコヒーレント光IL1を照明光として用いると、純度の高いスペクトルをもつ光学系に比べて、検査のための取得画像のMTFModulationTransferFunctionが低下することがある。一方で、純度の高いスペクトル構造を有し、波長幅の狭い照明光は、可干渉性が高く、スペックルノイズが出現して、画像の質を落とし、欠陥検出の妨げになることがある。干渉制御部3は、光源2から放射されたコヒーレント光IL1を波長に応じて分散させる分散部6と、分散部6により波長分散された光IL2を選択的に透過させる選択部7と、を有している。干渉制御部3は、光源2から放射されたコヒーレント光IL1の可干渉性を制御する。なお、光源2から放射されたコヒーレント光IL1のビーム形状は、円形に限らず、楕円形でもよい。分散部6は、例えばビームエキスパンダであり、二つのプリズム8、9を有する。光源2から放射される光IL1の進行方向を第1の方向とし、第1の方向に垂直な方向を第2の方向としたとき、分散部6は、光源2から放射された光IL1を、波長に応じて第2の方向に波長分散させる。例えば、光源2が楕円形のビーム形状の光を放射する場合は、ビーム形状の短軸方向を第2の方向とすることができる。図1においては、第1の方向と逆方向の軸をZ軸とし、第2の方向の軸をX軸とし、Z軸とX軸とに垂直な軸をY軸としている。以下の説明においては、方向を示すために適宜、X軸、Y軸及びZ軸を用いる。光源2から放射されたコヒーレント光IL1は、二つのプリズム8、9に導入され、ビーム経が第2の方向、すなわちX軸と並行な方向に拡大されて、コヒーレント光IL1とほぼ平行に出射される。なお、ほぼ並行とは、分散の影響で、出射角度が入射角度とわずかに異なることがあるからである。図3は、分散部における波長分散の原理を説明する断面図である。図3に表したように、分散部6aは、二つの直角プリズム8a、9aから構成される。また、分散部6aには、図2に表した中心波長266nmの光IL1が入射される。すなわち、図3の光路は、波長266nmの光路である。光源2から放射された光IL1は、一般的に直線偏光出力であり、最初の直角プリズム8aに入射点Aにおいて、ブリュースター角に等しい入射各θ1で入射すると、屈折角θ2で屈折する。また、直角プリズム8aからの出射光IL3が出射面に対して垂直に出射するように直角プリズム8aを作成すると、この直角プリズム8aの頂角はθ2となる。最初の直角プリズム8aからの出射光IL3は、二つ目の直角プリズム9aに入射点Bにおいて、入射各θ3で入射し、屈折角θ4で屈折する。ここで、二つの直角プリズム8a、9aは、同じ屈折率を有する材料を用いた同じ形状とすることができる。このとき、θ1=θ3、θ2=θ4である。したがって、二つめの直角プリズム9aからの出射光IL2の光路は、入射光IL1の光路に対して平行である。出射高さhは、入射点A、Bとの機械的距離Lに対して一意的に定まり、h=L×sinθ1-θ2で表される。屈折角θ2は、屈折の法則に基づく、波長の関数である。したがって、負の分散を持つ材料を直角プリズム8a、9aに用いると、波長の短い成分が上側-X方向に出射し、波長の短い成分は下側X方向に出射する。また、石英などの正の分散の材料を用いると、長波長側が上-X方向、短波長側が下側X方向になる。直角プリズム8a、9aの材料を、例えばフッ化カルシウムCaF2とする。CaF2は、波長266nmでは負の分散を持ち、上記のとおり、波長が短くなるほど、光路を示す部分の上部方向-X方向を通過し、出射高さhが低くなる。図4は、可干渉性の制御原理を説明する特性図である。図4においては、スペクトル構造が図2に表したスペクトル構造を持つコヒーレント光IL1が、分散部6に入射された場合における、分散部6から出射される波長分散された光IL2の波長λに対する出射高さhの依存性を表している。このように、分散部6は、光源2から放射されたコヒーレント光IL1を、第2の方向X方向または-X方向に沿って波長分散する。波長成分ごとの出射高さhの上下のシフト量は小さく、完全に中心部のみの成分を分光するものではないが、例えば、出射高さhとして、透過幅DXに開口制限することにより、スペクトル中心から離れた成分がフィルターされ減少することがわかる。再度図1に戻ると、選択部7は、分散部6から放射される波長分散された光IL2の一部を遮蔽し、光IL2の光軸近傍の一部を透過させる。選択部7は、矢印MVで表したように第2の方向X方向または-X方向に移動可能に設けられ、光IL2を透過させる透過幅DXは、選択部7により調整できる。したがって、図4において説明したように、選択部7は、透過幅DXを変化させることにより、透過させる光の波長分散を選択してスペクトル構造を制御することができる。選択部7を透過した光は、照明光OL1として、検査装置本体4に向けて出力される。このように、干渉制御部3は、光源2から放射されたコヒーレント光IL1の可干渉性を制御して、照明光OL1として出力する。なお、図1においては、選択部7が透過幅DXを隔てて両側に、それぞれ第2の方向に沿って移動可能に設けられている。しかし、分散部6から放射される波長分散された光IL2の一部を透過させる第2の方向に沿った透過幅DXが調整可能であればよく、選択部7のいずれか1つが第2の方向に移動可能な構成としてもよい。またさらに、選択部7は、透過幅DXの片側のみに設けてもよい。例えば、選択部7として、第2の方向に移動可能なナイフエッジを用いることができる。検査装置本体4は、照明光OL1を被検査体5に形成されたパターンに照射して、被検査体5の欠陥を検査する。検査装置本体4は、照明光OL1を被検査体5に照射する照明部10、被検査体5を介して照明光OL1を受光する受光部11、受光部11を介して受光した光OL2を画像データに変換して画像処理する画像処理部12、を有する。照明部10は、可干渉性が制御された照明光OL1を被検査体5に形成されたパターンに集光して照射する。照明部10は、光学系として、1つまたは複数のレンズなどで構成することができる。また、照明光OL1のプロファイルパワー分布を均一化するホモジナイザーを有してもよい。受光部11は、被検査体5に形成されたパターンにより屈折、回折した光を受光する。受光部11は、光学系として、1つまたは複数のレンズなどで構成することができる。画像処理部12は、受光部11を介して受光した光OL2を画像データに変換する光電気変換素子、変換された画像データを画像処理するデータ処理装置、画像処理したデータを検査パターンとして表示する表示装置などで構成することができる。なお、光電変換素子は、例えばCCDであり、データ処理装置は、例えば1つまたは複数のCPUである。被検査体5は、図示しない支持台に、X軸及びY軸に沿って移動可能に置かれる。被検査体5は、例えば半導体製造で用いられるマスクであり、例えば立体的な形状で微小な凹凸があるマスク、またはレチクルである。図5は、被検査体を例示する断面図及び欠陥検査装置により得られる検査パターンを例示する平面図である。図5aは、被検査体を例示する断面図であり、図5b、cは、それぞれ可干渉性が相対的に低い場合と高い場合の検査パターンである。なお、図5b、cにおいては、欠陥検査装置1により得られる検査パターンを模式的、概念的に表している。図5aに表したように、被検査体5には、主に周期的なパターン13が形成されている。また、被検査体5に形成されたパターン13には、欠陥14がある。このようなパターンに可干渉性の光を照射して、回折光または反射光などによりパターンを検査する場合、照射する光の可干渉性が高いほど検査対象であるパターンによる散乱や回折が強調される。しかし、照射する光の可干渉性が高くなると、細かい干渉パターンスペックルが発生し易くなり、干渉ノイズスペックルノイズが増加する。パターンの形状が、一般的な微細パターンの光学分解能以上の場合、すなわち照射する光の波長よりも大きい場合は、可干渉性を低くして、干渉ノイズを小さく抑えて検査することができる。また、パターン形状が、一般的な微細パターンの光学分解能以下の場合、すなわち照射する光の波長よりも小さい場合は、可干渉性を高くしてパターンによる散乱や回折を強調することにより、パターンの欠陥を検出することができる場合がある。この場合、可干渉性を高くすると干渉ノイズが増えるため、可干渉性を調整できることが望ましい。図5bに表したように、可干渉性を低く制御した照明光OL1を照射した場合は、通常の検査装置と同様に、被検査体5に形成されたパターン13に対応する検査パターン15が得られる。パターン13の位置は特定できるものの、欠陥14を検出することはできない。しかし、図5cに表したように、可干渉性を高く制御した照明光OL1を照射した場合は、被検査体5に形成されたパターン13の特定はできなくなるが、欠陥14を検出することができる。なお、図5cにおいては、欠陥14が検出されたことを図形16により概念的に表している。すなわち、欠陥14があるパターン13の検査パターンは、欠陥のないパターン13と異なる検査パターンが得られることを表示するものであり、図形16が検査パターンとして得られることを意味しない。例えば、被検査体5が立体構造であり、その壁面上に異物が存在するような欠陥に対して、可干渉性を高く制御した照明光OL1を照射した場合は、対象物からの散乱、干渉ノイズ発生し、正常な場合と異なる画像が取得される。その結果、異物を発見し欠陥を検出することができる。このように、本実施形態においては、可干渉性が制御された照明光OL1を被検査体5aに照射するため、異常パターンの弁別性を向上することができる。次に第2の実施形態について説明する。図6は、第2の実施形態に係る欠陥検査装置を例示する模式的断面図である。図6に表したように、欠陥検査装置1aは、上記の第1の実施形態に係る欠陥検査装置1と比較して、検査装置本体4の構成が異なっている。すなわち、本実施形態においては、第1の実施形態における検査装置本体4の替わりに、検査装置本体4aが設けられている。本実施形態に係る欠陥検査装置の検査装置本体以外の構成は、図1に表した構成と同様である。欠陥検査装置1aは、干渉制御部3から出力される照明光OL1を被検査体5aに形成されたパターンに照射して、被検査体5aの欠陥を検査する欠陥検査装置である。検査装置本体4aは、第1の実施形態における検査装置本体4と比較して、照明部10、受光部11の構成、及びミラー17とハーフミラー19が追加されている点が異なる。すなわち、検査装置本体4aは、ミラー17、照明部18、ハーフミラー19、受光部20、画像処理部12を有している。ミラー17は、干渉制御部3から出力された照明光OL1を反射して、照明光OL1をハーフミラー19に入射する。照明部18は。ハーフミラー19で反射された照明光OL1を被検査体5aに照射し、被検査体5aからの反射光を集光する。受光部20は、照明部18で集光され、ハーフミラー19を透過した被検査体5aの反射光を受光する。画像処理部12は、第1の実施形態における画像処理部12と同様である。このように、欠陥検査装置1aは、被検査体5aからの反射光を受光して被検査体5aに形成されたパターンの欠陥を検査する。被検査体5aが、照明光OL1を回折、散乱できない場合などに用いることができる。本実施形態においても、干渉制御部3により光源2から放射されたコヒーレント光IL1の可干渉性を制御して、照明光OL1として被検査体5aに照射するため、異常パターンの弁別性を向上することができる。次に、第3の実施形態について説明する。図7は、第3の実施形態に係る欠陥検査方法を例示するフローチャートである。図7に表したように、欠陥検査方法においては、まず、被検査体5に照射する照明光OL1の可干渉性を相対的に高く制御するステップS1。例えば、光源2から放射されるコヒーレント光IL1の波長分散を選択して可干渉性を相対的に高く制御する。例えば、選択部7における透過幅DXを相対的に狭く制御する。照明光OL1を被検査体5に照射して、欠陥を検出するステップS2。例えば、画像処理部12からえられた検査パターンに正常な場合と異なる検査パターンが有るか検査する。欠陥が検出されない場合は終了する。また、欠陥が検出された場合は、照明光OL1の可干渉性を相対的に低く制御するステップS3。例えば、光源2から放射されるコヒーレント光IL1の波長分散を選択して可干渉性を相対的に低く制御する。例えば、選択部7における透過幅DXを相対的に広く制御する。照明光OL1を被検査体5に照射して、欠陥が検出された位置を特定するステップS4。例えば、照明光OL1の可干渉性を通常用いられる程度に低く制御することにより、被検査体5に形成されたパターンの画像データとして検査パターンが得られるため、位置を特定することができる。そして、位置を特定して欠陥検査は終了する。なお、図7においては省略しているが、照明光OL1を照射する位置を変え、被検査体5の各位置について、上記の欠陥検査を行うことができる。また、上記においては、図1の欠陥検査装置1を参照して欠陥検査方法について説明したが、図6の欠陥検査装置1aを用いても良い。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。