半導体基板と、半導体基板上に順に積層された下クラッド層、活性層、及び上クラッド層と、前記上クラッド層に設けられたリッジと、前記リッジの両側に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた回折格子と、前記リッジの上面に接続された電極とを備え、前記回折格子の上方に電極が延在していることを特徴とするリッジ型半導体レーザ素子。前記回折格子は、端面に向かって広がる方向に傾斜していることを特徴とする請求項1に記載のリッジ型半導体レーザ素子。半導体基板と、半導体基板上に順に積層された下クラッド層、活性層、及び上クラッド層と、前記上クラッド層に設けられたリッジと、前記リッジの両側に設けられた凹部と、前端面の近傍において前記凹部の底面に、前記リッジのストライプに対して垂直又は斜めに設けられた溝と、前記リッジの上面に接続された電極とを備え、前記溝内に電極が延在していることを特徴とするリッジ型半導体レーザ素子。吸収壁を設ければ、迷光を抑制することができる。しかし、迷光を吸収した分だけ、レーザの発光強度が低下するという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができるリッジ型半導体レーザ素子を得るものである。本発明に係るリッジ型半導体レーザ素子は、半導体基板と、半導体基板上に順に積層された下クラッド層、活性層、及び上クラッド層と、前記上クラッド層に設けられたリッジと、前記リッジの両側に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた回折格子と、前記リッジの上面に接続された電極とを備え、前記回折格子の上方に電極が延在していることを特徴とする。本発明により、迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができる。本発明の実施の形態に係るリッジ型半導体レーザ素子について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1に係るリッジ型半導体レーザ素子を示す断面図である。半導体基板1上に下クラッド層2、活性層3、及び上クラッド層4が順に積層されている。例えば、半導体基板1はn型GaAs層、下クラッド層2はn型AlGaInP層、上クラッド層4はp型AlGaInP層、活性層3はAlGaInP層である。上クラッド層4にリッジ5が設けられ、リッジ5の両側に凹部6が設けられている。凹部6の底面に回折格子7が設けられている。図2は、本発明の実施の形態1に係るリッジ型半導体レーザ素子の回折格子を示す上面図である。回折格子7は、リッジ5に対して平行になっている。リッジ5の側面及び凹部6内は絶縁膜8で覆われている。リッジ5の上面において絶縁膜8に開口が形成されている。この開口を介してリッジ5の上面にp電極9が接続されている。半導体基板1の下面にn電極10が接続されている。p電極9は回折格子7の上方に延在している。続いて本実施の形態の効果について説明する。本実施の形態では、リッジ5の両側の凹部6の底面に回折格子7が設けられている。この回折格子7によりEL光が垂直方向に繰り返し反射され、リッジ5に集まる。これにより、リッジ5以外からの漏れ光迷光を抑制することができる。また、p電極9が回折格子7の上方に延在しているため、EL光がp電極9で反射して回折格子7に戻る。従って、迷光を吸収して抑制する従来技術に比べて、レーザの発光強度を向上させることができる。図3は、本発明の実施の形態1に係るリッジ型半導体レーザ素子の変形例1を示す断面図である。回折格子7上に半導体層11が設けられ、その上に絶縁膜8とp電極9が順に設けられている。この場合でも、EL光がp電極9で反射して回折格子7に戻るので、発光強度を向上させることができる。図4は、本発明の実施の形態1に係るリッジ型半導体レーザ素子の変形例2を示す断面図である。上クラッド層4aに回折格子7が設けられ、その上に半導体層11が設けられている。半導体層11上に上クラッド層4bが設けられている。上クラッド層4bにリッジ5が設けられ、リッジ5の両側に凹部6が設けられている。回折格子7は凹部6の底面に配置され、その上に絶縁膜8とp電極9が順に設けられている。この場合でも、EL光がp電極9で反射して回折格子7に戻るので、発光強度を向上させることができる。図5は、本発明の実施の形態1に係るリッジ型半導体レーザ素子の変形例3を示す断面図である。凹部6内が中空になっている。この場合、EL光が凹部6内の空気との界面又はp電極9で反射して回折格子7に戻るので、発光強度を向上させることができる。なお、本実施の形態では、回折格子7を半導体レーザ素子の共振器方向の全域に設けているが、共振器方向の一部のみに回折格子7を設けてもEL光をリッジ5に集めることができる。但し、反射効率は低下する。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2に係るリッジ型半導体レーザ素子の回折格子を示す上面図である。回折格子7は、前端面12と後端面13に向かってそれぞれ広がる方向に傾斜している。この回折格子7によりEL光を反射することで、前端面12と後端面13においてEL光をリッジ5に集光させることができる。図7は、本発明の実施の形態2に係るリッジ型半導体レーザ素子の回折格子の変形例1を示す上面図である。前端面12の近傍のみに回折格子7を設けている。これにより、前端面12においてEL光をリッジ5に集光させることができる。図8は、本発明の実施の形態2に係るリッジ型半導体レーザ素子の回折格子の変形例2を示す上面図である。回折格子7が三日月形に湾曲している。これにより、回折格子7がストレートの場合よりもEL光の集光性が向上する。図9は、本発明の実施の形態2に係るリッジ型半導体レーザ素子の回折格子の変形例3を示す上面図である。回折格子7は、前端面12と後端面13の近傍ではリッジ5に対して傾斜し、共振器中央部ではリッジ5に対して平行になっている。端面近傍の回折格子7はEL光をリッジ5に集光させる。共振器中央部では、EL光は回折格子7により垂直方向に繰り返し反射され、リッジ5に集まる。実施の形態3.図10は、本発明の実施の形態3に係るリッジ型半導体レーザ素子を示す上面図である。図11は、図10のA-A ́に沿った断面図である。図12は、図10のB-B ́に沿った断面図である。図13は、図10のC-C ́に沿った断面図である。リッジ5の両側に凹部6が設けられている。前端面12の近傍において凹部6の底面に、リッジ5のストライプに対して垂直に溝14が設けられている。リッジ5の上面にp電極9が接続されている。溝14内にp電極9が延在している。続いて本実施の形態の効果について説明する。前端面12の近傍において凹部6の底面に溝14を設けているため、リッジ5以外からの漏れ光迷光を抑制することができる。また、本実施の形態では、溝14内にp電極9が延在している。この溝14内のp電極9によりEL光が反射するので、迷光の遮断効果が向上し、迷光を利用した発光強度も向上することができる。また、前端面12までp電極9を形成することで、発振効率を向上させることができる。図14は、本発明の実施の形態3に係るリッジ型半導体レーザ素子の変形例を示す上面図である。リッジ5のストライプに対して斜めに溝14が設けられている。この場合でも上記の効果を得ることができる。なお、上記実施の形態では、リッジ半導体レーザ素子について記述したが、埋め込みリッジ半導体レーザ素子や電流狭型の半導体レーザ素子でも同様の効果がある。