直流から交流又は交流から直流に電力変換する電力変換回路であって、2個直列接続された直流電源と、前記直流電源と並列接続されるそれぞれダイオードを逆並列接続した第1及び第2の半導体スイッチを直列接続した半導体スイッチ直列回路と、前記半導体スイッチ直列回路の直列接続点と前記直流電源の直列接続点との間に接続される双方向性の半導体スイッチと、で構成した電力変換回路において、前記半導体スイッチ又はダイオードが故障又は破壊した場合に、前記半導体スイッチ又はダイオードの主電流が流れる各相アームの正極側又は負極側、又は前記双方向性の半導体スイッチの一方の端子側に、電気的に開放する開放手段を設けたことを特徴とする3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記故障又は破壊した半導体チップによって流れる電源短絡電流検知手段からの信号により、作動することを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、故障又は破壊した半導体スイッチ又はダイオードの過熱現象を利用して作動することを特徴とする請求項1に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップ直下に接続される導電体を、前記半導体チップから電気的に絶縁して設置することにより実現することを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記導電体を電気的に絶縁するために、前記導電体に接続されたアクチュエータを用いて、前記導電体を物理的に移動させることにより実現することを特徴とする請求項4に記載の3レベル電力変換回路システム。前記アクチュエータとして、電磁力を利用した機器又は形状記憶合金を利用することを特徴とする請求項5に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップから直流電源部又は交流出力部に配線する導体に設けることを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、半導体チップと直流電源部もしくは交流出力部を配線する導体を少なくとも2分割にし、2分割された第1と第2の導体間に第3の導電体を設け、前記第3の導電体を前記第3の導電体に接続されたアクチュエータを用いて物理的に移動させ、第1と第2の導体を絶縁することを特徴とする請求項7に記載の3レベル電力変換回路システム。前記アクチュエータとして、機械的ばね、磁石、電磁石、又は形状記憶合金を利用することを特徴とする請求項8に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップと他回路へ配線する電極とを、電気的に導通させるために用いられる機械的な加圧手段を取り除き、その排除によって前記半導体チップと前記電極とを電気的に絶縁することを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換回路システム。前記機械的な加圧手段は、板ばねとすることを特徴とする請求項10に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップと直流電源部もしくは交流出力部を配線する導体を少なくとも2分割し、2分割された第1と第2の導体間を、電気的に導通させるために用いられる機械的な加圧手段を取り除き、その排除によって前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に絶縁することを特徴とする請求項2に記載の3レベル電力変換回路システム。前記機械的な加圧手段は板ばねとすることを特徴とする請求項12に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップの直下に充填された物質が、前記半導体チップの過熱によって、変形、融解又は昇華することにより実現することを特徴とする請求項3に記載の3レベル電力変換回路システム。前記半導体チップの過熱によって変形、融解又は昇華する物質として、形状記憶合金、低融点の金属又は導電性接着剤を利用することを特徴とする請求項14に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップから外部へ配線される導体が、前記半導体チップの過熱によって金属の熱物性値の変化に伴い変形する現象を利用することを特徴とする請求項3に記載の3レベル電力変換回路システム。前記開放手段は、前記半導体チップから外部へ配線される導体の一部が、前記半導体チップの過熱によって、変形、融解又は昇華することで実現することを特徴とする請求項3に記載の3レベル電力変換回路システム。前記半導体チップの過熱によって変形、融解又は昇華する物質として、形状記憶合金、低融点の金属又は導電性接着剤を利用することを特徴とする請求項17に記載の3レベル電力変換回路システム。上述のように、従来技術において、特定のスイッチ素子が破壊した場合においても、インバータ運転を続行させるためには、破壊した半導体スイッチのアームを主回路側から電気的に開放する必要がある。そのためには、各スイッチ素子と直列にヒューズを接続する方式特許第3926618号公報など参照があるが、ヒューズは物理的に大きく、高価であり、またヒューズを接続したことによって配線長が延びるため、配線インダクタンス値が大きくなることでスイッチング時のサージ電圧が高くなり、結果的に高耐圧のスイッチ素子が必要となるという課題が発生する。従って、本発明の課題は、小型、低価格で、故障したスイッチ素子のアームを確実に電気的に開放する方式を提供することである。上述の課題を解決するために、第1の発明においては、直流から交流又は交流から直流に電力変換する電力変換回路であって、2個直列接続された直流電源と、前記直流電源と並列接続されるそれぞれダイオードを逆並列接続した第1及び第2の半導体スイッチを直列接続した半導体スイッチ直列回路と、前記半導体スイッチ直列回路の直列接続点と前記直流電源の直列接続点との間に接続される双方向性の半導体スイッチと、で構成した電力変換回路において、前記半導体スイッチ又はダイオードが故障又は破壊した場合に、前記半導体スイッチ又はダイオードの主電流が流れる各相アームの正極側又は負極側、又は前記双方向性の半導体スイッチの一方の端子側に、電気的に開放する開放手段を設ける。第2の発明においては、第1の発明における開放手段は、前記故障又は破壊した半導体チップによって流れる電源短絡電流検知手段からの信号により、作動する。第3の発明においては、第1の発明における開放手段は、故障又は破壊した半導体スイッチ又はダイオードの過熱現象を利用して作動する。第4の発明においては、第2の発明における開放手段は、前記半導体チップ直下に接続される導電体を、前記半導体チップから電気的に絶縁して設置することにより実現する。第5の発明においては、第4の発明における開放手段は、前記導電体を電気的に絶縁するために、前記導電体に接続されたアクチュエータを用いて、前記導電体を物理的に移動させることにより実現する。第6の発明においては、第5の発明におけるアクチュエータとして、電磁力を利用した機器又は形状記憶合金を利用する。第7の発明においては、第2の発明における開放手段は、前記半導体チップから直流電源部又は交流出力部に配線する導体に設ける。第8の発明においては、第7の発明における開放手段は、半導体チップと直流電源部もしくは交流出力部を配線する導体を少なくとも2分割にし、2分割された第1と第2の導体間に第3の導電体を設け、前記第3の導電体を前記第3の導電体に接続されたアクチュエータを用いて物理的に移動させ、第1と第2の導体を絶縁する。第9の発明においては、第8の発明におけるアクチュエータとして、機械的ばね、磁石、電磁石、又は形状記憶合金を利用する。第10の発明においては、第2の発明における開放手段は、前記半導体チップと他回路へ配線する電極とを、電気的に導通させるために用いられる機械的な加圧手段を取り除き、その排除によって前記半導体チップと前記電極とを電気的に絶縁する。第11の発明においては、第10の発明における機械的な加圧手段は、板ばねとする。第12の発明においては、第2の発明における開放手段は、前記半導体チップと直流電源部もしくは交流出力部を配線する導体を少なくとも2分割し、2分割された第1と第2の導体間を、電気的に導通させるために用いられる機械的な加圧手段を取り除き、その排除によって前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に絶縁する。第13の発明においては、第12の発明における機械的な加圧手段は板ばねとする。第14の発明においては、第3の発明における開放手段は、前記半導体チップの直下に充填された物質が、前記半導体チップの過熱によって、変形、融解又は昇華することにより実現する。第15の発明においては、第14の発明における半導体チップの過熱によって変形、融解又は昇華する物質として、形状記憶合金、低融点の金属又は導電性接着剤を利用する。第16の発明においては、第3の発明における開放手段は、前記半導体チップから外部へ配線される導体が、前記半導体チップの過熱によって金属の熱物性値の変化に伴い変形する現象を利用する。第17の発明においては、第3の発明における開放手段は、前記半導体チップから外部へ配線される導体の一部が、前記半導体チップの過熱によって、変形、融解又は昇華することで実現する。第18の発明においては、第17の発明における半導体チップの過熱によって変形、融解又は昇華する物質として、形状記憶合金、低融点の金属又は導電性接着剤を利用する。本発明では、3レベル電力変換回路の半導体素子故障時の運転を続行するため、半導体スイッチ又はダイオードの主電流が流れる各相アームの正極側又は負極側に、電気的に開放する開放手段を設け、故障素子を直流電源から切離すようにする。この開放手段は、電源短絡電流の検出による能動的な作用、過熱による物性的変化を利用した作用に基づいた構造的な手法である。この結果、装置が小型、低価格で、半導体素子故障時の運転の続行が可能となる。本発明の要点は、3レベル電力変換回路の半導体素子故障時の運転を続行するため、半導体スイッチ又はダイオードの主電流が流れる各相アームの正極側又は負極側、又は双方向性の半導体スイッチの一方の端子側に、電気的に開放絶縁する開放手段を設け、故障素子を直流電源から切離すようにする。この開放手段は、電源短絡電流の検出による能動的な作用、過熱による物性的変化を利用した作用に基づいた手法である。図1に、本発明の第1の実施例を示す。図20に示す半導体チップ39と導体40、41を用いた従来構造例に対して、半導体チップ39と導体40との間に導電体43を挿入し、導電体43にはアクチュエータ44が接続される。アクチュエータ44は、制御回路12からの信号45によって動作する。信号45が出力される故障したチップのアームは、アーム短絡検知したゲート駆動回路からの信号16によって判定され出力される。短絡故障時に、信号45によって、アクチュエータ44を作動させることで、導電体43を物理的に移動同図bさせ、故障した半導体チップ39と導体40との間を電気的に絶縁する構成とすることで、故障したアームに電流が流れることを防止する。アクチュエータの作動には、ばね弾性を利用した機械的な手段や、磁石や電磁力を利用した電磁接触器、モータなどで容易に実現できる。図2に、アクチュエータとしてばね46を利用した構成を示す。素子故障時は、制御回路からの信号45により、ばねの弾性力が開放しばねを引き伸ばしている要因を切断などの手段によって開放、その復元力によって導電体43が物理的に移動同図bする構成である。図3に、本発明の第2の実施例を示す。電気的な導通状態を確保するために、導体40と41とを両側から圧力を加えて押さえるクリップ状の板ばね47を、信号45によって駆動された図示していないアクチュエータによって物理的に移動同図bさせることで、電極間に加えられていた機械的圧力が開放し、導体40と半導体チップ39とを電気的に絶縁する構成で、故障したアームに電流が流れることを防止する。図4に、本発明の第3の実施例を示す。半導体チップ39と導体40との間に挿入された導電体48に形状記憶合金を適用し、アーム短絡電流による過熱によって導体48が形状記憶動作によって変形厚さta>tbとなるし、変形することによって導体40又は41と半導体チップ39とが電気的に導通状態から絶縁状態に移行同図bする構成である。図5に、本発明の第4の実施例を示す。半導体チップ39と導体40との間に挿入された導電体49がアーム短絡電流による過熱により、融解又は昇華し同図b、導体40又は41と半導体チップ39とが電気的に絶縁される構成である。高温で融解又は昇華する物質として、低融点半導体が適用可能な絶対最大温度定格よりも若干高い温度で溶融の半田などが挙げられる。図6に、3相ブリッジインバータ回路の各相のダイオードを逆並列接続したIGBTのコレクタと直流電源の正極側Pとの間を開放する構造の概念を図6aに、各相のダイオードを逆並列接続したIGBTのエミッタと直流電源の負極側Nとの間を開放する構造の概念を図6bに、各々示す。図7に具体的な構造として実施例5を示す。配線導体を50と51に2分割し、導体50と51の間に別の導電体52を挿入した構成である。第1の実施例と同様に、信号45によって駆動される図示していないアクチュエータを作動させることで、導電体52を物理的に移動同図bさせ、導体50と導体51とが電気的に絶縁される構成である。この作動の結果、本アームに電流が流れることを防止する。尚、双方向性の半導体スイッチについても、同様の構造を一方の端子に備えることにより、故障時主回路から開放することができる。図8に、図6の概念に基づいた実施例6の構造図を示す。2分割された導体50と51の両側からクリップ状の板ばね53で加圧して電気的接続を確保する構造である。第1の実施例と同様に、信号45によって駆動される図示していないアクチュエータを作動させることで、板ばね53を物理的に移動同図bさせ、導体50と導体51とを電気的に絶縁する構成である。この作動の結果、本アームに電流が流れることを防止する。図9に実施例7の概念図を示す。半導体チップ39を両側から導体電極40、41で挟み、片方の導体を2分割し40と55、それらの電気的接続を両側から加えられた圧力により確保する構成である。アーム短絡電流による半導体チップの過熱による金属導体の熱物性値の変化線膨張率によるに伴って、半導体チップが搭載されている導体40が変形し、導体40と導体55とが電気的に絶縁される原理である。図10に図9の上面からの概略図を示す。導体40が膨張することで導体同士の接合部56が電気的に絶縁される様子同図bを示す。図11に、実施例8を示す。図9の概念に基づいた構成で、半導体チップ39から外部へ配線される導体が、半導体チップの過熱によって変形する導電材料を適用した例である。例えばチップが搭載されている導体40を形状記憶合金とし、半導体チップの過熱によって同図bまたは同図cのように変形することで、導体同士の接合部56が電気的に絶縁される。図12に、実施例9を示す。図9の概念に基づいた構成で、半導体チップ39から外部へ配線される導体が、3分割40、57、55され、半導体チップの過熱によって導体57が融解又は昇華した例図b、cである。その結果、導体40と導体55が電気的に絶縁される構成である。高温で融解または昇華する物質として低融点の半田などが挙げられる。尚、半導体スイッチ素子としてIGBTを用いた実施例を示したが、MOSFETやGTOなどでも同様に実現できる。また、本提案は主回路として3レベルのインバータを対象としたが、半導体チップが故障した際に、そのアームを主回路から電気的に分離する必要がある電力変換回路を適用したシステムのすべてに適用可能である。