"1フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含む現像液で現像する工程を有するネガ型のレジストパターンを形成する方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]酸発生体を含有することを特徴とするネガ型のレジストパターン形成方法。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式基又はこれらを組み合わせた基である。但し、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、上記R3、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、極性基で置換されている。また、上記R3及びR4は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。上記式iにおけるR3、R4、R5、並びにR3及びR4が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に形成される2価の脂環式基のうち少なくとも1つの基が、炭素数7以上15以下の多環の脂環式基を含む請求項1に記載のネガ型のレジストパターン形成方法。上記式iにおけるR5が、下記式2で表される請求項2に記載のネガ型のレジストパターン形成方法。式2中、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式基である。Xは、極性基である。aは、0~3の整数である。bは、0~4の整数である。cは、1~15の整数である。但し、上記R6、R7、R8、R9及びXが、それぞれ複数の場合、複数のR6、R7、R8、R9及びXは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式iにおけるR3及びR4が、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共にシクロペンタンジイル基又はシクロヘキサンジイル基を形成している請求項1、請求項2又は請求項3に記載のネガ型のレジストパターン形成方法。上記極性基が、水酸基である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のネガ型のレジストパターン形成方法。[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]酸発生体を含有し、有機溶媒を含む現像液での現像によりネガ型のレジストパターンを形成するフォトレジスト組成物。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式基又はこれらを組み合わせた基である。但し、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、上記R3、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、極性基で置換されている。また、上記R3及びR4は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、良好なレジストパターン形状を形成できると共に、解像性及び焦点深度についての特性を向上させることができ、加えて、感度及びMEEFについての特性も満足することができるネガ型のレジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物を提供することにある。上記課題を解決するためになされた発明は、1フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含む現像液で現像する工程を有するネガ型のレジストパターンを形成する方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[A]重合体ともいう、及び[B]酸発生体を含有するネガ型のレジストパターン形成方法である。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式基又はこれらを組み合わせた基である。但し、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、上記R3、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、極性基で置換されている。また、上記R3及びR4は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。本発明のネガ型のレジストパターン形成方法によれば、[A]重合体が、極性基を含む酸解離性基を有する上記特定の構造単位を有することで、この構造単位に含まれる酸解離性基の極性基の極性により、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解を抑制し、エッチング耐性を高めて良好なレジストパターンを形成することができる。上記式iにおけるR3、R4、R5、並びにR3及びR4が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に形成される2価の脂環式基のうち少なくとも1つの基は、炭素数7以上15以下の多環の脂環式基を含むことが好ましい。このように、上記特定の基のうち少なくとも1つの基が、炭素数7以上15以下の多環の脂環式基を含むことで、樹脂の有機現像液に対する溶解性を向上させることが可能となる。この溶解性の向上により溶解コントラスト解像性を高めることができ、その結果、MEEFを向上させることができる。上記式iにおけるR5は、下記式2で表される基であることが好ましい。式2中、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式基である。Xは、極性基である。aは、0~3の整数である。bは、0~4の整数である。cは、1~15の整数である。但し、上記R6、R7、R8、R9及びXが、それぞれ複数の場合、複数のR6、R7、R8、R9及びXは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。このように、上記R5が上記特定の基であることで、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解をより抑制することができる。上記式iにおけるR3及びR4が、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共にシクロペンタンジイル基又はシクロヘキサンジイル基を形成することが好ましい。このように、シクロペンタンジイル基又はシクロヘキサンジイル基が形成されることで、R2で表される基の酸解離性が向上し、解像性を向上させることができる。上記極性基は、水酸基であることが好ましい。このように、極性基として水酸基を導入することで、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解をよりいっそう抑制することができる。本発明のフォトレジスト組成物は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]酸発生体を含有し、有機溶媒を含む現像液での現像によりネガ型のレジストパターンを形成するフォトレジスト組成物である。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式基又はこれらを組み合わせた基である。但し、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、上記R3、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、極性基で置換されている。また、上記R3及びR4は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体が上記特定の構造単位を有することで、この構造単位に含まれる酸解離性基が有する極性基の極性により、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解を抑制することができ、良好なレジストパターンを形成することができる。以上説明したように、本発明のネガ型のレジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物によれば、有機溶媒によるレジスト膜の過度な溶解を抑制し、エッチング耐性を高めて良好なレジストパターン形状を形成できると共に、解像性及び焦点深度についての特性を向上させることができ、加えて、感度及びMEEFについての特性も満足することができる。従って、当該ネガ型のレジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物は、レジストパターンの更なる微細化が進む半導体デバイスの製造プロセスに好適に使用することができる。<ネガ型のレジストパターン形成方法>本発明のネガ型のレジストパターン形成方法は、1フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含む現像液で現像する工程を有するネガ型のレジストパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]上記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]酸発生体を含有することを特徴とする。以下、各工程について詳述する。[工程1]本工程では、本発明に用いられる組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば、特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば、回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。当該組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、当該組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト膜上に設けることもできる。さらに、レジスト膜からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト膜上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[工程2]本工程では、工程1で形成したレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンのマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば、所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤は、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザー光波長193nmやKrFエキシマレーザー光波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光がより好ましい。露光量等の露光条件は、当該組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のネガ型のレジストパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。また、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、当該組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C~200°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。[工程3]本工程は、工程2の露光後に有機溶媒を含む現像液で現像することによりネガ型のレジストパターンを形成する。現像液として用いられる有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、アニソール等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えば、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えば、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えば、n-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらのうち、酢酸n-ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、メチルエチルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、アニソールが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。現像液中の有機溶媒の含有量は、好ましくは80質量以上、より好ましくは90質量以上、特に好ましくは99質量以上である。現像液が有機溶媒を80質量以上含有することにより、良好な現像特性を得ることができ、よりリソグラフィー特性に優れたパターンを形成することができる。なお、有機溶媒以外の成分としては、水、シリコンオイル等が挙げられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。当該パターン形成では、工程3の現像後にレジスト膜をリンス液により洗浄することが好ましい。また、リンス工程におけるリンス液としても有機溶媒を使用することができ、発生したスカムを効率よく洗浄することができる。リンス液としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が好ましい。これらのうちアルコール系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、炭素数6~8の1価のアルコール系溶媒がより好ましい。炭素数6~8の1価のアルコールとしては直鎖状、分岐状又は環状の1価のアルコールが挙げられ、例えば、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのうち、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、4-メチル-2-ペンタノールが好ましい。上記リンス液の各成分は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、さらにより好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。なお、リンス液には後述する界面活性剤を添加できる。洗浄処理の方法としては、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。<フォトレジスト組成物>本発明に用いられるフォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有する。また、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分として、[C]酸拡散制御体、[A]重合体以外の重合体例えば、[D]重合体等、[E]溶媒等を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、構造単位Iを有する重合体である。また、本発明の効果を損なわない限り、[A]重合体は、構造単位I以外のその他の構造単位を有してもよい。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでもよい。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される構造単位である。[A]重合体が、上記特定の構造単位Iを有することで、この構造単位Iに含まれる酸解離性基が有する極性基の極性により、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解を抑制し、エッチング耐性を高めて良好なレジストパターンを形成することができる。上記式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、上記式iで表される酸解離性基である。なお、酸解離性基とは、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、露光により、後述する[B]酸発生体から発生した酸の作用により解離する基をいう。上記式i中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基、炭素数4~20の1価の脂環式基又はこれらを組み合わせた基である。但し、上記アルキル基及び脂環式基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、上記R3、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、極性基で置換されている。また、上記R3及びR4は、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式基を形成してもよい。上記R3、R4及びR5で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等の直鎖状のアルキル基;i-プロピル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記R3、R4及びR5で表される炭素数4~20の1価の脂環式基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環の脂環式炭化水素基;アダマンチル基、ノルボルニル基等の多環の脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記これらを組み合わせた基としては、例えば、上記炭素数1~4のアルキル基及び炭素数4~20の1価の脂環式基として例示した基を2種以上組み合わせた基等が挙げられる。上記極性基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、オキソ基、シアノ基、アルコキシ基、スルホ基、チオール基、アミノ基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、イオン性基塩等が挙げられる。上記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基等が挙げられる。上記カルボン酸エステル基としては、例えば、カルボン酸メチルエステル基、カルボン酸エチルエステル基、カルボン酸n-プロピルエステル基、カルボン酸イソプロピルエステル基、カルボン酸n-ブチルエステル基、カルボン酸sec-ブチルエステル基、カルボン酸t-ブチルエステル基、カルボン酸ペンチルエステル基、カルボン酸ヘキシルエステル基、カルボン酸ヘプチルエステル基、カルボン酸オクチルエステル基、カルボン酸ノニルエステル基、カルボン酸デシルエステル基、カルボン酸ウンデシルエステル基、カルボン酸ドデシルエステル基等が挙げられる。上記スルホン酸エステル基としては、例えば、スルホン酸メチルエステル基、スルホン酸エチルエステル基、スルホン酸n-プロピルルエステル基、スルホン酸イソプロピルエステル基、スルホン酸n-ブチルエステル基、スルホン酸sec-ブチルエステル基、スルホン酸t-ブチルエステル基、スルホン酸n-ペンチルエステル基、スルホン酸ネオペンチルエステル基、スルホン酸n-ヘキシルエステル基、スルホン酸シクロヘキシルエステル基、スルホン酸n-ヘプチルエステル基、スルホン酸n-オクチルエステル基、スルホン酸n-ノニルエステル基、スルホン酸n-デシルエステル基、スルホン酸n-ドデシルエステル基、スルホン酸n-ウンデシルエステル基、スルホン酸n-トリデシルエステル基、スルホン酸n-テトラデシルエステル基、スルホン酸n-ペンタデシルエステル基、スルホン酸n-ヘキサデシルエステル基、スルホン酸n-ヘプタデシルエステル基、スルホン酸n-オクタデシルエステル基、スルホン酸n-ノナデシルエステル基、スルホン酸n-エイコシルエステル基等が挙げられる。上記イオン性基としては、例えば、カルボキシレート基、スルホネート基、ホスホネート基等のアニオン性基、アンモニウム基等のカチオン性基が挙げられる。上記式iにおけるR3、R4、R5、並びにR3及びR4が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に形成される2価の脂環式基のうち少なくとも1つの基が、炭素数7以上15以下の多環の脂環式基を含むことが好ましい。上記特定の基のうち少なくとも1つの基が、炭素数7以上15以下の多環の脂環式基を含むことで、MEEFを向上させることができる。上記式iにおけるR5は、上記式2で表される基であることが好ましい。上記R5が、上記特定の基であることで、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解をより抑制することができる。上記式2中、R6、R7、R8及びR9は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂環式基である。Xは、極性基である。aは、0~3の整数である。bは、0~4の整数である。cは、1~15の整数である。但し、上記R6、R7、R8、R9及びXが、それぞれ複数の場合、複数のR6、R7、R8、R9及びXは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式2において、aは、0が好ましい。bは、1が好ましい。cは、1が好ましい。上記R6、R7、R8及びR9で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、上記R3、R4及びR5で例示した基等を適用することができる。また、上記Xで表される極性基としては、例えば、上記極性基として例示した基等を適用することができる。上記式iにおけるR3及びR4が、互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共にシクロペンタンジイル基又はシクロヘキサンジイル基を形成していることが好ましい。上記結合によりシクロペンタンジイル基又はシクロヘキサンジイル基が形成されることで、R2で表される基の酸解離性が向上し、酸による解離が容易になって解像性を向上させることができる。上記極性基は、水酸基であることが好ましい。極性基として水酸基を導入することで、形成されるレジストパターンの有機溶媒による過度な溶解をよりいっそう抑制することができる。上記構造単位Iとしては、例えば、下記式1-1~1-5で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R1は、式1と同義である。R3及びR4は、上記式iと同義である。これらの中で、式1-1で表される構造単位が好ましい。[A]重合体における全構造単位に対する構造単位Iの含有割合としては、1モル以上80モル以下が好ましく、5モル以上50モル以下がより好ましい。構造単位Iの含有割合を、上記特定範囲とすることで、効果的にレジスト膜の有機溶媒による過度な溶解を抑制することができる。[その他の構造単位][A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲でその他の構造単位を有していてもよい。その他の構造単位としては、例えば、下記式3-1~3-4等で表されるような酸解離性基を有する構造単位、下記式3-5及び3-6等で表されるような極性基を有する構造単位、下記式3-7~3-9等で表されるようなラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位等が挙げられる。上記式中、R10は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における全構造単位に対する上記酸解離性基を有する構造単位の含有割合としては、5~90モルが好ましく、10~70モルがより好ましい。上記特定範囲とすることで、効果的に酸解離性を高め、より良好な解像性を得ることができる。[A]重合体における全構造単位に対する上記極性基を有する構造単位の含有割合としては、5~50モルが好ましく、5~30モルがより好ましい。[A]重合体における全構造単位に対する上記ラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する構造単位の含有割合としては、10~90モルが好ましく、30~70モルがより好ましい。上記特定範囲とすることで効果的に密着性を向上させることができる。[A]重合体における全構造単位に対するその他の構造単位の含有割合としては、95モル以下であることが好ましい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば、所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ系ラジカル重合開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル重合開始剤等が挙げられる。この中で、AIBN及びジメチル2,2’-アゾビスイソブチレートが好ましい。これらのラジカル重合開始剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記重合に使用される溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法によるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~30,000がより好ましく、1,000~20,000が特に好ましい。[A]重合体のMwが1,000未満ではレジスト膜が過度に溶解してエッチング耐性が低下する場合があり、Mwが50,000を超えるとレジスト膜の現像性が低下する場合がある。[A]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ酸を発生させる。その結果、[A]重合体が、有機溶媒を含むネガ型現像液に難溶となる。当該組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤と称することがあるでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、[B]酸発生剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[B]酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物等が挙げられる。オニウム塩化合物としては、例えば、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンチルカルボニルオキシ-ヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム4-アダマンチルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム2-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム4-アダマンチルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。スルホンイミド化合物としては、例えば、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらの中で、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、下記式で表されるスルホニウム塩が特に好ましい。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の含有量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部以上30質量部以下であり、0.5質量部以上15質量部以下が好ましい。[B]酸発生剤の含有量が0.1質量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方20質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、良好なレジストパターン形状を得られ難くなる傾向がある。<その他の任意成分>当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体に加え、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分として、[C]酸拡散制御体、[A]重合体以外の重合体例えば、[D]重合体等、[E]溶媒等を含有してもよい。<[C]酸拡散制御体>[C]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られるフォトレジスト組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御体の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態以下、適宜[C]酸拡散制御剤と称することがあるでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、[C]酸拡散制御剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[C]酸拡散制御剤としては、例えば、アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。上記アミン化合物としては、例えば、モノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。上記アミド基含有化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物;N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等のN-t-アミロキシカルボニル基含有アミノ化合物;ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。上記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。上記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基は、露光部においては酸を発生して[A]重合体の現像液に対する不溶性を高め、結果として現像後の露光部表面のラフネスを抑制する。一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されクエンチャーとして機能し、露光部から拡散する酸を捕捉する。すなわち、未露光部のみにおいてクエンチャーとして機能するため、脱保護反応のコントラストが向上し、結果として解像度をより向上させることができる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば、下記式5-1で表されるスルホニウム塩化合物、下記式5-2で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。上記式5-1及び式5-2中、Ra1~Ra5はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は-SO2-RXである。RXは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基である。Z-は、OH-、Ra6-COO-、RY-SO2-N-―Ra6、Ra6-SO3-、又は下記式5’で示されるアニオンである。Ra6は、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアルカリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。RYは、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基である。但し、上記アルキル基及びシクロアルキル基が有する水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい。Z-がRa6-SO3-の場合、SO3-が結合する炭素原子にフッ素原子が結合する場合はない。上記式5’中、Ra7は、炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基である。但し、上記アルキル基及びアルコキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい。uは、0~2の整数である。上記Ra1~Ra5で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i―ブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Ra1~Ra5で表されるアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記Ra1~Ra5で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記RXで表されるアルキル基及びアルコキシ基としては、例えば、上記Ra1~Ra5で例示したそれぞれの基等を適用することができる。上記RXで表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記RXで表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。上記Ra1~Ra5としては、水素原子及び-SO2-RXが好ましい。また、上記RXとしては、シクロアルキル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。上記Ra6で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i―ブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Ra6で表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記Ra6で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。上記Ra6で表されるアルカリール基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基が有してもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ラクトン基、アルキルカルボニル基等が挙げられる。上記RYで表されるアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、上記Ra6で例示したそれぞれの基等を適用することができる。上記光崩壊性塩基としては、例えば、下記式で表される化合物等を挙げられる。[C]酸拡散制御剤としては、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、並びに上記式5-1-2及び5-1-5で表される化合物が好ましい。[C]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、1質量部以上10質量部以下が好ましい。上記含有量が10質量部を超えると、感度が低下する傾向にある。<[D]重合体>[D]重合体は、当該フォトレジスト組成物が含有してもよいその他の任意成分としてのフッ素原子含有重合体但し、[A]重合体を除く。である。当該フォトレジスト組成物が、[D]重合体を含有することで、レジスト膜を形成する際に、フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表層に偏在化する傾向があるため、液浸露光時において、レジスト膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸媒体への溶出を抑制することができる。また、このフッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角を高くすることができ、その結果、水滴を残さず、高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該フォトレジスト組成物がフッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト膜を形成することができる。[D]重合体としては、フッ素原子を含有する重合体である限り、特に限定されないが、通常、フッ素原子を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成することができる。フッ素原子を構造中に含む単量体としては、主鎖にフッ素原子を含むもの、側鎖にフッ素原子を含むもの、主鎖と側鎖とにフッ素原子を含むものが挙げられる。主鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、α-フルオロアクリレート化合物、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-フルオロアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-フルオロアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、ノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸あるいはメタクリル酸とフルオロアルキルアルコールやその誘導体とから形成されるエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えば、α-フルオロアクリル酸、β-フルオロアクリル酸、α,β-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-ジトリフルオロメチルアクリル酸等とフルオロアルキルアルコールやその誘導体とから形成されるエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導基で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換し、かつ側鎖がフルオロアルキル基やその誘導基であるもの等が挙げられる。なお、この脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[D]重合体にフッ素原子を付与する構造単位は、特に限定されるものではないが、下記式6で表される構造単位IIであることが好ましい。なお、[D]重合体は、構造単位IIを2種以上含有してもよい。上記式6中、R11は水素、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Pは連結基である。R12は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含有する、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。上記式6中、Pで表される連結基としては、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。上記構造単位IIを与える好ましい単量体としては、例えば、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、2-1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。[D]重合体における全構造単位に対する構造単位IIの含有割合は、通常5モル以上、好ましくは10モル以上、更に好ましくは15モル以上である。構造単位IIの含有割合を上記特定範囲とすることで、後退接触角を大きくすることができ、レジスト膜からの酸発生剤等の溶出を効果的に抑制することができる。[D]重合体は、フッ素原子を付与する構造単位以外の他の構造単位をさらに有していてもよい。他の構造単位としては、例えば、酸解離性基を有する構造単位III等が挙げられる。なお、他の構造単位は2種以上有してもよい。上記構造単位IIIを与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロオクチルエステル等が挙げられる。これらの中で、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル及びメタアクリル酸1-エチル-1-シクロオクチルエステルが好ましい。[D]重合体における全構造単位に対する他の構造単位の含有割合は、80モル以下が好ましく、75モル以下がより好ましい。他の構造単位の含有割合が80モルを超えると、[D]重合体における上記撥油性的特徴が減退するおそれがある。[D]重合体の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部以上30質量部以下であり、1質量部以上10質量部以下が好ましい。[D]重合体の含有量を上記特定範囲とすることで、効果的に撥油性的特徴及び撥水性的特徴を発現させることができる。<[D]重合体の合成方法>[D]重合体は、例えば、各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えば[A]重合体の合成方法で挙げたものと同様の溶媒を適用することができる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[D]重合体のGPC法によるMwとしては、1,000~100,000が好ましく、1,000~50,000がより好ましく、1,000~30,000が特に好ましい。[D]重合体のMwを上記範囲とすることで、後述する[E]溶媒及び現像液への溶解性を確保することができる。MwとMnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。<[E]溶媒>当該組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記[A]重合体、[B]酸発生体、及び必要に応じて加えられる[C]酸拡散制御剤、[D]重合体等の各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが用いられる。溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。なお、[E]溶媒は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。溶媒の具体例としては、上述の工程3で列挙した有機溶媒と同様のものが挙げられる。これらのうち酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<フォトレジスト組成物の調製>当該フォトレジスト組成物は、[A]重合体、[B]酸発生体、及び必要に応じて[C]酸拡散制御体、[D]重合体、[E]溶媒等を所定の割合で混合することにより調製できる。以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、13C-NMR分析は、日本電子製JNM-ECX400を使用し、測定溶媒として重クロロホルムを使用して行った。各重合体における各構造単位の含有割合は、13C-NMRで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。また、重合体のMw及びMnは、GPCカラム東ソー製、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、カラム温度:40°C、溶出溶媒:テトラヒドロフラン和光純薬工業製、流速:1.0mL/分、試料濃度:1.0質量、試料注入量:100μL、検出器:示差屈折計、標準物質:単分散ポリスチレンの条件により測定した。<[A]重合体の合成>下記式M-1~M-10で表される単量体を用い、[A]重合体を合成した。[合成例1]M-111.9g40モル、構造単位Iを与えるM-24.1g10モル、及びM-814.1g50モルを、2-ブタノン60gに溶解し、さらに重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルAIBN0.4g単量体化合物の総量に対し2モルを投入した単量体溶液を準備した。一方で、30gの2-ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却し、600gのメタノールへ投入して、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度ろ別し、50°Cにて17時間乾燥して白色粉末の共重合体を得た。得られた共重合体のMwは11,600、Mw/Mnは1.4、収率は79であった。また、13C-NMR分析の結果、M-1に由来する構造単位:M-2に由来する構造単位:M-8に由来する構造単位の含有割合モルは、38:10:52であった。この共重合体を重合体A-1とする。[合成例2~12]各単量体の種類及び使用量、並びに重合開始剤の使用量を表1に記載の通りとした以外は、合成例1と同様に操作し、各重合体を合成した。各重合体の収率、Mw及びMw/Mnを表1に示す。なお、表1中、-で表記した欄は、その単量体を使用していないことを示している。<[D]重合体の合成>下記式M-11~M-14で表される単量体を用い、[D]重合体を合成した。[合成例13]M-1332.7g40モル及びM-1467.3g60モルを2-ブタノン100gに溶解し、得られた溶液にアゾビスイソブチロニトリルAIBN3.7gを投入して単量体溶液を準備した。次に、2-ブタノン100gを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80°Cに加熱し、上記単量体溶液を滴下漏斗を用いて上記三口フラスコ内に3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間行って重合溶液を得た。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却し、800gのメタノール/水=19/1に投入して白色物質を析出させた。上澄み溶液を除去した後、メタノール/水=19/1質量比の混合溶液800gを用いて洗浄した後、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶媒置換し、重合体D-1の溶液を得た固形分換算で47.0g、収率47。この共重合体は、分子量Mwが4,000、Mw/Mnが1.35、13C-NMR分析の結果、M-13に由来する構造単位:M-14に由来する構造単位の含有比率モルは、40.2:59.8であった。[合成例14]M-1135.8g70モル及びM-1214.2g30モルをメチルエチルケトン100gに溶解し、得られた溶液にジメチル2,2’-アゾビスイソブチレートMAIB3.2gを投入して単量体溶液を準備した。次にメチルエチルケトン100gを投入した500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、上記単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間行って重合溶液を得た。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却し、メタノール/メチルエチルケトン/ヘキサン=2/1/8質量比の混合溶液825gを用いて洗浄した後、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶媒置換し、重合体D-2の溶液を得た固形分換算で38.0g、収率76.0。13C-NMR分析の結果、重合体D-2におけるM-11由来の構造単位:M-12由来の構造単位の含有比率モルは、70:30であった。また、重合体D-2のMwは7,000、Mw/Mnは、1.40であった。<フォトレジスト組成物の調製>フォトレジスト組成物の調製に用いた重合体以外の各成分について以下に示す。[B]酸発生体下記式B-1~B-5で表される化合物[C]酸拡散制御剤下記式C-1~C-3で表される化合物[E]溶媒E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1][A]成分としてA-1100質量部、[B]酸発生体としてB-111.4質量部、[C]酸拡散制御剤としてC-11.2質量部、[D]重合体としてD-13質量部並びに[E]溶媒としてE-12,185質量部、溶媒E-2935質量部、及び溶媒E-330質量部を配合してフォトレジスト組成物を調製した。[実施例2~20及び比較例1~2]配合する各成分の種類及び配合量質量部を表2に記載した通りとした以外は、実施例1と同様に操作して、各フォトレジスト組成物を調製した。<レジストパターンの形成>ARC66BREWERSCIENCE製により膜厚105nmの下層反射防止膜が形成されたシリコンウェハ基板を用い、上記下層反射防止膜上に各フォトレジスト組成物をクリーントラックACT12東京エレクトロン製を用いてスピンコートした後、ホットプレート上で80°C、60秒間PBを行い、膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。そして、ArF液浸露光装置S610C、ニコン製、開口数1.30を用い、直径216nmドット416nmピッチのパターンマスクとレジスト膜との間に液浸水を介し、上記レジスト膜に縮小投影露光を行った。次いで表3に記載した温度及び時間の条件でPEBを行い、同表に記載の現像液を用いて23°Cで30秒間現像した。次いで4-メチル-2-ペンタノールで10秒間リンス処理を行った後、乾燥してネガ型のレジストパターンを形成した。なお、表3中、現像液におけるMAKは、メチルアミルケトンメチル-n-ペンチルケトンを表している。<評価>感度、MEEF、解像性、焦点深度及びレジストパターン形状を評価し、その結果を表3に示す。[感度]縮小投影露光後のホールパターンの直径が60nmになるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。このとき、感度が30mJ/cm2未満であれば良好、30mJ/cm2以上であれば不良とした。[MEEF]上記最適露光量において、直径208nmドット416nmピッチ、直径212nmドット416nmピッチ、直径216nmドット416nmピッチ、直径220nmドット416nmピッチ、直径224nmドット416nmピッチ、及び直径228nmドット416nmピッチのパターンマスクをそれぞれ介して縮小投影露光を行い、ホールパターンを形成した。そして、マスクのドットの直径nmの1/4の値を横軸に、各マスクを用いてレジスト膜に形成されたホールの直径nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きを算出し、この算出値をMEEFとした。このときMEEFが1に近いほどマスク再現性が良好であると判断される。[解像性]縮小投影露光後のパターンのピッチサイズが104nmになるマスクパターンを用いて液浸水を介して縮小投影露光し、露光量を大きくしていった際に得られるホールの最小寸法を測定し、この測定値を解像性nmとした。このとき、解像性が45nm以下であれば良好、45nmを超えれば不良とした。[焦点深度]ARC66BREWERSCIENCE製により膜厚105nmの下層反射防止膜が形成されたシリコンウェハ基板を用い、上記下層反射防止膜上に各フォトレジスト組成物をクリーントラックACT12東京エレクトロン製を用いてスピンコートし、ホットプレート上にて80°C、60秒間PBを行って膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。そして、ArF液浸露光装置S610C、ニコン製、開口数1.30、QuadroPoleを用い、416nmピッチ及び3200nmピッチのマスクパターンと液浸水とを介して縮小投影露光を行い、上記レジスト膜に、それぞれ直径60nmホール104nmピッチ及び直径60nmホール800nmピッチのパターンを形成した。そして、形成されるホールパターンの直径が、ターゲットとなる直径の±10以内となる場合のフォーカスの振れ幅を焦点深度μmとした。このとき、それぞれの焦点深度が0.08μm以上であればフォーカス変化に対するパターニング性能の変量が小さく良好、0.08μm未満であれば不良と判断した。なお、ホールパターンの直径は、測長SEM日立ハイテクノロジーズ製、CG4000を用いてパターン上部から観察することにより測定した。[レジストパターン形状]上記最適露光量において、レジスト膜に形成された60nmのホールパターンの断面形状を高分解能電界放出形走査電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ製、S-4800を用いて観察し、レジストパターンの中間でのホール直径Lbとレジスト膜上部でのホール直径Laを測定し、この測定値をレジストパターン形状とした。このとき、レジストパターン形状が0.9≦La/Lb≦1.1であれば良好A、La/Lb<0.9又は1.1<La/Lbであれば不良Bと判断した。表3の結果から分かるように、比較例1及び2では、解像性、焦点深度及びレジストパターン形状が不良であったのに対し、本発明の実施例1~20では、これらの特性はいずれも良好であった。また、本発明の実施例1~20では、比較例1及び2に比べ、感度及びMEEFについての特性の向上も認められる。"