"端部が傾斜面になっている凹部を上面に有する基板の前記凹部内に金属層を成膜する工程と、前記凹部内に、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部により伝送光の光路を形成する光導波路を埋設する工程と、前記傾斜面の位置に合わせて、発光部および/または受光部を有する素子を配置する工程と、を有し、前記光導波路を埋設する工程は、前記凹部内に、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層形成層を成膜し、その後、前記コア層形成層に対し、前記活性放射線を選択的に照射することにより、所望の形状に形成された前記コア部を含むコア層を有する光導波路を形成するものであることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。端部が傾斜面になっている凹部を上面に有する基板の前記凹部内に金属層を成膜する工程と、前記凹部内に、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部により伝送光の光路を形成する光導波路を埋設する工程と、前記傾斜面の位置に合わせて、発光部および/または受光部を有する素子を配置する工程と、を有し、前記光導波路を埋設する工程は、前記凹部内にクラッド層形成層を形成した後、前記クラッド層形成層上に、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層形成層を成膜し、その後、前記コア層形成層上に別のクラッド層形成層を形成し、積層体を得た後、前記積層体に対し、前記活性放射線を選択的に照射することにより、所望の形状に形成された前記コア部を含むコア層を有する光導波路を形成するものであることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。前記金属層は、前記光導波路の少なくとも一方の面に接合されている請求項1または2に記載の光導波路構造体の製造方法。前記金属層は、所定形状にパターニングされ、電気配線または電気回路を構成している請求項1ないし3のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記屈折率が変化する材料は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第1の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第2の物質であって、活性化した前記第1の物質の作用により、活性化温度が変化する第2の物質とを含むものであり、前記コア層は、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第1の物質を活性化させるとともに、前記第2の物質の活性化温度を変化させ、次いで、前記コア層形成層に対して加熱処理を施すことにより、活性化温度が変化していない前記第2の物質または活性化温度が変化した前記第2の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項1ないし4のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記コア層は、前記コア層形成層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項5に記載の光導波路構造体の製造方法。前記第1の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第2の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項5または6に記載の光導波路構造体の製造方法。前記第2の物質は、活性化した前記第1の物質の作用により活性化温度が低下するものである請求項5ないし7のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項5ないし8のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項5ないし9のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記ポリマーは、活性化した前記第1の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項5ないし10のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記第1の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項11に記載の光導波路構造体の製造方法。前記屈折率が変化する材料は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含むものであり、前記コア層は、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域を前記クラッド部とし、前記非照射領域を前記コア部として得られたものである請求項1ないし4のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記コア層形成層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項13に記載の光導波路構造体の製造方法。前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項13または14に記載の光導波路構造体の製造方法。前記酸離脱性基は、-O-構造、-Si-アリール構造および-O-Si-構造のうちの少なくとも1つを有するものである請求項15に記載の光導波路構造体の製造方法。前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項11ないし13のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記離脱性基は、-Si-ジフェニル構造および-O-Si-ジフェニル構造の少なくとも一方である請求項17に記載の光導波路構造体の製造方法。前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項13ないし16のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項19に記載の光導波路構造体の製造方法。前記コア部は、第1のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第1のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第2のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項1ないし12のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。前記第1のノルボルネン系材料と前記第2のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項21に記載の光導波路構造体の製造方法。前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも1つである請求項22に記載の光導波路構造体の製造方法。前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項22または23に記載の光導波路構造体の製造方法。前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、前記第1のノルボルネン系材料と第2のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項21に記載の光導波路構造体の製造方法。本発明の目的は、光回路のパターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部光路を有し、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体を製造可能な光導波路構造体の製造方法を提供することにある。このような目的は、下記1~25の本発明により達成される。1端部が傾斜面になっている凹部を上面に有する基板の前記凹部内に金属層を成膜する工程と、前記凹部内に、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部により伝送光の光路を形成する光導波路を埋設する工程と、前記傾斜面の位置に合わせて、発光部および/または受光部を有する素子を配置する工程と、を有し、前記光導波路を埋設する工程は、前記凹部内に、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層形成層を成膜し、その後、前記コア層形成層に対し、前記活性放射線を選択的に照射することにより、所望の形状に形成された前記コア部を含むコア層を有する光導波路を形成するものであることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。2端部が傾斜面になっている凹部を上面に有する基板の前記凹部内に金属層を成膜する工程と、前記凹部内に、互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有し、前記コア部により伝送光の光路を形成する光導波路を埋設する工程と、前記傾斜面の位置に合わせて、発光部および/または受光部を有する素子を配置する工程と、を有し、前記光導波路を埋設する工程は、前記凹部内にクラッド層形成層を形成した後、前記クラッド層形成層上に、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層形成層を成膜し、その後、前記コア層形成層上に別のクラッド層形成層を形成し、積層体を得た後、前記積層体に対し、前記活性放射線を選択的に照射することにより、所望の形状に形成された前記コア部を含むコア層を有する光導波路を形成するものであることを特徴とする光導波路構造体の製造方法。3前記金属層は、前記光導波路の少なくとも一方の面に接合されている上記1または2に記載の光導波路構造体の製造方法。4前記金属層は、所定形状にパターニングされ、電気配線または電気回路を構成している上記1ないし3のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。5前記屈折率が変化する材料は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第1の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第2の物質であって、活性化した前記第1の物質の作用により、活性化温度が変化する第2の物質とを含むものであり、前記コア層は、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第1の物質を活性化させるとともに、前記第2の物質の活性化温度を変化させ、次いで、前記コア層形成層に対して加熱処理を施すことにより、活性化温度が変化していない前記第2の物質または活性化温度が変化した前記第2の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記1ないし4のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。6前記コア層は、前記コア層形成層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである上記5に記載の光導波路構造体の製造方法。7前記第1の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第2の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである上記5または6に記載の光導波路構造体の製造方法。8前記第2の物質は、活性化した前記第1の物質の作用により活性化温度が低下するものである上記5ないし7のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。9前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである上記5ないし8のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。10前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記5ないし9のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。11前記ポリマーは、活性化した前記第1の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する上記5ないし10のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。12前記第1の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記11に記載の光導波路構造体の製造方法。13前記屈折率が変化する材料は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含むものであり、前記コア層は、前記コア層形成層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域を前記クラッド部とし、前記非照射領域を前記コア部として得られたものである上記1ないし4のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。14前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記コア層形成層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記13に記載の光導波路構造体の製造方法。15前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記13または14に記載の光導波路構造体の製造方法。16前記酸離脱性基は、-O-構造、-Si-アリール構造および-O-Si-構造のうちの少なくとも1つを有するものである上記15に記載の光導波路構造体の製造方法。17前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記11ないし13のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。18前記離脱性基は、-Si-ジフェニル構造および-O-Si-ジフェニル構造の少なくとも一方である上記17に記載の光導波路構造体の製造方法。19前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記13ないし16のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。20前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記19に記載の光導波路構造体の製造方法。21前記コア部は、第1のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第1のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第2のノルボルネン系材料を主材料として構成されている上記1ないし12のいずれかに記載の光導波路構造体の製造方法。22前記第1のノルボルネン系材料と前記第2のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記21に記載の光導波路構造体の製造方法。23前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも1つである上記22に記載の光導波路構造体の製造方法。24前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記22または23に記載の光導波路構造体の製造方法。25前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、前記第1のノルボルネン系材料と第2のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記21に記載の光導波路構造体の製造方法。本発明によれば、活性放射線活性エネルギー光線、電子線、X線等の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、光回路の光路を構成するコア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。また、コア層を所望の材料で構成した場合には、光導波路に応力が作用したり変形が生じたりした場合、特に、繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部とクラッド部との層間剥離や、コア部内にマイクロクラックが発生すること等の欠陥が生じ難く、その結果、光導波路の光伝送性能が維持され、耐久性に優れる。さらに、コア部をノルボルネン系樹脂環状オレフィン系樹脂を主とする樹脂組成物で構成した場合には、前記変形に対し特に強く欠陥が生じ難いという効果が高い他、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、しかも、耐熱性に優れ、その結果、より高性能で耐久性に優れる光導波路が得られる。また、傾斜面に成膜された金属層からなる光路変換部を有するので、伝送光の光路を所望の方向へ屈曲させることができ、そのため、光路の設計の自由度が広がり、特に短い光路長で光回路を形成することができ、光回路の高集積化に寄与する。また、光導波路構造体が素子発光素子または受光素子を有するので、光導波路と光学的に接続することにより、素子の発光部から発せられた光を光導波路により他所へ導くことあるいは他所からの光を光導波路により素子の受光部へ導くことができ、小型で集積された光回路を形成することができ、また当該光回路の作動の信頼性も高い。また、金属層が電気配線または電気回路を構成している場合には、例えば前記素子への配線を容易に行うことができ、素子の種類端子の設置箇所等に係わらずそれに適した配線が可能となり、汎用性に富む。しかも、このような配線回路のパターンは、設計の自由度例えば、端子の設置箇所の選択の自由度が広い。このような本発明の光導波路構造体の製造方法は、光回路光導波路および導光部のパターンや電気回路導体層および導体部のパターンの設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富んだ光導波路構造体が得られる。そのため、得られた光導波路構造体は、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。また、電気回路、光回路共に、形成が容易で、種々の形状のものを寸法精度良く形成することができる。特に、光回路については、凹部のような本来形成しにくい箇所でも形成することができ、また、露光パターンの選択により、どのような形状や配置の光路コア部でも形成することができ、しかも、細い光路でもシャープに形成することができるので、回路の集積化に寄与し、デバイスの小型化が図れる。以下、本発明の光導波路構造体の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。図1および図2は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の製造方法の実施形態を示す断面図、図3は、図1中のA-A線断面図である。以下これらの図を参照しつつ、光導波路構造体の構成例について説明する。なお、以下の説明では、図1および図2中の上側を上または上方とし、下側を下または下方とする。また、図1および図2は、層の厚さ方向各図の上下方向が誇張して描かれている。<第1実施形態:図1>図1に示すように、本発明の光導波路構造体の製造方法により得られる光導波路構造体1は、光導波路基板14と素子搭載基板16とを有している。本実施形態では、光導波路基板14上に複数2つの素子搭載基板16が搭載されている。以下、光導波路基板14と素子搭載基板16の構成について順次説明する。光導波路基板14は、基板2と、光導波路9と、光導波路9の光路を屈曲させる光路変換部96反射面961と、基板2の上面に形成された金属層導体層5とを有している。基板2の上面には、複数の凸部21が形成されている。凸部21同士の間には、凹部22が形成されている。凸部21と凹部22とは隣接している。凸部21の外周の少なくとも一部には、傾斜面23が形成されている。傾斜面23の傾斜角度は、後述する光導波路9の光路コア部94に対しほぼ45°傾斜した角度である。この傾斜面23には、光導波路9の伝送光18を反射してほぼ直角に屈曲させる反射面961が形成される。この反射面961については、後に詳述する。基板2の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド、ポリベンザオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等の各種樹脂材料や、シリコン、ガリウムヒ素、インジウムリン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム等の半導体材料等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。また、基板2は、例えばガラス繊維、樹脂繊維等の繊維基材織布、不織布、織物、編物等に前述したような樹脂材料を含浸させたものプリプレグ等であってもよい。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたものをガラスエポキシ基板と言うが、このようなものを基板2として用いることができる。このような繊維基材を含む基板2は、比較的薄くても高強度で、また、熱膨張率も低いため、基板2に光導波路9や導体層金属層を接合した場合に特に有利である。また、基板2は、複数の層の積層体であってもよい。例えば、それぞれ組成種類が異なる樹脂材料からなる第1の層と第2の層とを積層したもの、前記繊維基材に樹脂材料を含浸させた層シート材と、樹脂材料からなる層とを積層したものが挙げられる。なお、積層体における層構成は、これに限定されないことは言うまでもない。基板2の厚さは、特に限定されないが、通常、10μm~1.2mm程度が好ましく、50~600μm程度がより好ましい。基板2は、硬質リジッドのものでも、可撓性フレキシブルを有するものでもよいが、硬質のものが好ましい。基板2の上面には、金属層導体層5が形成されている。この金属層5は、凸部21の上面頂面、傾斜面23および凹部22の上面底面に沿って形成されている。金属層導体層5は、所定の形状にパターンニングされて、所望の電気配線または電気回路を構成している。金属層5の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金、金、金系合金、タングステン、タングステン系合金、半田等の各種金属材料が挙げられる。金属層5の厚さは、特に限定されないが、通常、2~200μm程度が好ましく、3~120μm程度がより好ましく、5~70μm程度がさらに好ましい。金属層5は、例えば、金属箔の接合接着、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。金属層5へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。基板2が半導体材料で構成されており、金属層5の構成材料として半導体材料に拡散し易い金属、例えば銅を用いる含む場合には、半導体材料基板2を半導体材料で構成した場合との接合部は、例えばチタニアやタンタルなどで構成されたバリア層図示せずを介して形成することが好ましい。また、金属層5の構成材料として、半導体材料と密着性の悪い金属、例えばタングステンを用いる場合は、半導体材料基板2を半導体材料で構成した場合との接合部は、密着力を向上させることができる密着層図示せずを介して形成することが好ましい。なお、本発明において、金属層電気配線または電気回路5の形成位置は特に限定されず、例えば、凸部21の上面頂面、傾斜面23、凹部22の上面底面のうちのいずれか1箇所または2箇所に形成されているものでもよい。また、基板2を貫通する導体ポストビア内に導電材料が充填されたものが形成され、該導体ポストに金属層5が導通するような構成としてもよい。基板2の凹部22内において、金属層5の上面には、光導波路9が接合されている。光導波路9は、図1中下側からクラッド層91、コア層93およびクラッド層92をこの順に積層してなるものであり、コア層93には、所定パターンのコア部94とクラッド部95とが形成されている図3参照。コア部94は、クラッド部95に比べて屈折率が高く、また、クラッド層91、92に対しても屈折率が高い。クラッド層91および92は、それぞれ、コア部94の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部94は、その外周の全周をクラッド部に囲まれた伝送光18の光路として機能する。コア層93の構成材料としては、活性放射線活性エネルギー光線、電子線またはX線等の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系ポリマー、ノルボルネン系ポリマー樹脂等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む主材料とするものが特に好ましい。このような材料で構成されたコア層93は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93と隣接する層クラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路9の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路9が得られる。また、コア層93の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率2種以上の場合は合計は、コア層93の構成材料全体に対し、0.5~40重量程度が好ましく、3~30重量程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部94を伝送する光伝送光18の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。コア層93の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物ワニス等を塗布し硬化固化させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化固化させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。以上のようにして得られたコア層93に対し、マスクを用いて活性放射線を選択的に照射し、所望の形状のコア部94をパターニングする。露光に用いる活性放射線としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光等の活性エネルギー光線や電子線、X線等が挙げられる。電子線は、例えば50~2000KGy程度の照射量で照射することができる。コア層93において、活性放射線が照射された部位は、その屈折率が変化しコア層93の材料により、屈折率が増大する場合と減少する場合とがある、活性放射線が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層93の活性放射線が照射された部位がクラッド部954となり、照射されなかった部位がコア部94となる。また、この逆の場合もある。クラッド部95の屈折率は、クラッド層91、92の屈折率とほぼ等しい。また、コア層93に対し活性放射線を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部94を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部94とクラッド部95との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。形成されるコア部94のパターン形状としては、特に限定されず、直線状、湾曲部を有する形状、異形、光路の分岐部、合流部または交差部を有する形状、集光部幅等が減少している部分または光拡散部幅等が増大している部分、あるいはこれらのうちの2以上を組み合わせた形状等、いかなるものでもよい。活性放射線の照射パターンの設定により、いかなる形状のコア部94をも容易に形成することができる点が、本発明の特徴である。光導波路9の各部の構成材料およびコア部94の形成方法等については、後に詳述する。光導波路基板14の凸部21の頂部上面には、素子搭載基板16が接合されている。この素子搭載基板16は、基板3と、基板3に搭載された発光素子10、受光素子11および電子回路素子電子回路部12とで構成されている。基板3は、前記基板2と同様のものを用いることができる。この場合、基板3は、伝送光18に対する透光性を有するもの透明基板が好ましい。より詳しくは、基板3は、伝送光18の透過率が80以上、好ましくは90以上、より好ましくは95以上のものであるのが好ましい。なお、基板3全体がこのような透光性を有するものに限らず、基板3の伝送光18が透過する部分のみこのような透光性を有していればよい。基板3の上面には、発光素子10と、受光素子11と、電子回路素子電子回路部12とが搭載されている。発光素子10は、その下面側に発光部101を有し、上面側に図示しない一対の端子を有している。両端子間に通電がなされると、発光部101が発光し、伝送光18が出射される。受光素子11は、その下面側に発光部111を有し、上面側に図示しない一対の端子を有している。受光部111が伝送光18を受光すると、光電変換され、両端子間に電位差が生じ、電気信号が出力される。なお、発光素子10における発光部は、1つの発光点で構成されているものの他、発光点が複数個集合したものでもよい。発光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点が列状例えば発光点が1×4個、1×12個または行列状例えば発光点がn×m個:n、mは2以上の整数に配置されたものや、複数の発光点がランダム不規則に配置されたもの等が挙げられる。受光素子11における受光部111についても同様である。発光素子10および受光素子11は、それらの発光部101および受光部111がそれぞれ基板3の上面に接合されるようにして基板2上に搭載されている。なお、発光部101および受光部111は、それぞれ、図1の紙面の垂直方向に沿って複数個配置されていてもよい。電子回路素子12は、例えば半導体素子半導体チップで構成されている。電子回路素子12の機能は特に限定されないが、一例として、発光素子10を駆動するための回路を構成するものや、受光素子11の出力信号を処理例えば増幅する機能を有するもの、これらの双方を有するものが挙げられる。この電子回路素子12は、その上面側に、複数の端子図示せずを有しており、そのうちの所定の端子は、ワイヤ4により発光素子10の端子および受光素子11の端子と結線されている。なお、このような端子間の電気的接続は、ワイヤ4を用いなくてもよい。例えば、発光素子10、受光素子11および電子回路素子12を一体化し、内部の回路で導通する構成としたり、導体層5と同様の導体層配線を形成し、該導体層で導通したりする構成が可能である。また、発光素子10、受光素子11および電子回路素子12が有する端子のうちの少なくとも1つの端子は、基板2上に形成された金属層配線5の所定部位と導通していてもよい。また、発光素子10、受光素子11および電子回路素子12は、それぞれ別の素子で構成する場合に限らず、これらのうちの少なくとも2つを連結または一体化1つのチップした構成であってもよい。光導波路形成基板14は、コア部94の光路伝送光18の進行方向を屈曲させる光路変換部96を有している。本実施形態では、光路変換部96は、複数形成されている。各光路変換部96は、平面視で図1中上方から見たとき、発光部101または受光部111の位置と重なる位置に設けられている。これにより、伝送光18を効率良く確実に屈曲させることができる。各光路変換部96は、伝送光18の少なくとも一部を反射する反射面ミラー961で構成されている。反射面961は、それぞれ、発光部101および受光部111の真下の位置に設けられている。本実施形態では、反射面961は、傾斜面23上に形成された金属層導体層5の表面に形成されている。反射面961を構成する金属層は、電気配線または電気回路を構成する導体層5と一体的に形成されている兼用されているかまたは導体層5に連続して形成されている。これにより、構成が簡素化され、製造が容易であるという利点がある。反射面961は、光導波路9の光路、すなわちコア部94の長手方向に対しほぼ45°傾斜しており、伝送光18の大半例えば90以上を反射する機能を有している。なお、反射面961は、電気回路を構成する金属層導体層5と併用されるものに限らず、反射面961専用のものでもよい。このようなものとしては、例えば多層光学薄膜や金属薄膜例えばアルミ蒸着膜のような反射膜あるいは反射増加膜が挙げられる。本実施形態の光導波路構造体1では、素子搭載基板16において電子回路素子12の作動により発光素子10の端子間へ通電がなされると、発光部101が点灯し、図1中下方へ向かって発せられた伝送光18は、基板3およびクラッド層92を順次透過し、光導波路9の図1中左端にある反射面961で反射されて90°屈曲し、光導波路9のコア部94に入り、クラッド部クラッド層91、92および側方図1中前後のクラッド部95との界面で反射を繰り返しながら、コア部94内をその長手方向図1中右方向に沿って進む。コア部94内を進んだ伝送光18は、光導波路9の図1中右端にある反射面961で反射されて90°屈曲し、上方へ向かい、クラッド層92および基板3を順次透過し、隣接する素子搭載基板16の受光素子11の受光部111で受光される。これにより、受光素子11の端子から電気信号が出力され、該電気信号が電子回路素子12により信号処理される。<第2実施形態:図2>図2には、本発明の光導波路構造体の製造方法により得られる光導波路構造体1の第2実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体1について説明するが、前記第1実施形態と同様の事項構成、作動等についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。本実施形態の光導波路構造体1は、素子搭載基板16の構成が前記第1実施形態と異なり、その他は第1実施形態と同様である。すなわち、素子搭載基板16は、例えばシリコン、ガリウムヒ素、インジウムリン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウムのような半導体材料で構成される半導体基板ICチップ6を有している。半導体基板6には、その下面側に前記と同様の発光部101と受光部111とが設置埋設されている。また、半導体基板6には、集積回路が形成されており、そのうちの一部が、発光部101を発光するための回路および受光部111の出力信号を処理例えば増幅する機能を有する回路を有する電子回路部7を構成している。また、半導体基板6の下面には、複数の端子図示せずが形成されている。これらの端子には、電源に接続される端子と、グラウンドに接続される端子とが含まれている。これらの端子は、基板2の凸部21の上面に形成された導体層配線5の所定部位とそれぞれ電気的に接続され、導体層5を介して電力の供給を受けたり信号の授受を行ったりすることができる。また、図2では、複数の独立した半導体基板6が示されているが、隣接する半導体基板6同士が連結または一体化されていてもよい。この場合には、1つの半導体基板6が複数の凸部21上にまたがって接合されているものとなる。また、このような半導体基板では、1つの電子回路部7に対し、複数の発光部101および受光部111が存在し、1つの電子回路部7で各発光部101および受光部111を制御信号処理する構成とすることができる。また、図示されていないが、半導体基板6やその他の基板透明基板等を厚さ方向に2または3層以上重ねて配置することもできる。この場合には、各基板間で、厚さ方向に伝送光や電気信号の授受を行うような構成とすることができる。本実施形態の光導波路構造体1では、素子搭載基板16において電子回路部7の作動により発光部101が点灯し、発光部101より図1中下方へ向かって発せられた伝送光18は、クラッド層92を透過し、光導波路9の図1中左端にある反射面961で反射されて90°屈曲し、光導波路9のコア部94に入り、クラッド部クラッド層91、92および側方図2中前後のクラッド部95との界面で反射を繰り返しながら、コア部94内をその長手方向図2中右方向に沿って進む。コア部94内を進んだ伝送光18は、光導波路9の図2中右端にある反射面961で反射されて90°屈曲し、上方へ向かい、クラッド層92を透過し、隣接する素子搭載基板16の受光部111で受光される。これにより、受光部111から電気信号が出力され、該電気信号が電子回路部7にて信号処理される。以上、第1および第2実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、第1および第2実施形態がそれぞれ備える構成を組み合わせたものでもよい。次に、前記各実施形態における、光導波路9の製造方法および各部の構成材料等について説明するが、特にコア部94の形成方法について詳細に説明する。<第1の製造方法>まず、光導波路9の第1の製造方法について説明する。図4-A~図4-Eは、それぞれ、光導波路の第1の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。[1A]まず、支持基板951上に、層コア層形成層910を形成する図4-A参照。層910は、コア層形成用材料ワニス900を塗布し硬化固化させる方法により形成される。具体的には、層910は、支持基板951上にコア層形成用材料900を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板951を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発脱溶媒することにより形成する。層910を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。支持基板951には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレートPETフィルム等が用いられる。コア層形成用材料900は、ポリマー915と、添加剤920本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含むとで構成される光誘発熱現像性材料PITDMを含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー915中において、モノマーの反応が生じる材料である。そして、得られた層910中では、ポリマーマトリックス915は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤920は、ポリマー915内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層910中には、添加剤920が実質的に一様かつ任意に分散されている。このような層910の平均厚さは、形成すべきコア層93の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、10~100μm程度であるのがより好ましく、15~65μm程度であるのがさらに好ましい。ポリマー915には、透明性が十分に高く無色透明であり、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応重合反応や架橋反応可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。ここで、相溶性を有するとは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料900中や層910中においてポリマー915と相分離を起こさないことを言う。このようなポリマー915としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせてポリマーアロイ、ポリマーブレンド混合物、共重合体など用いることができる。これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂ノルボルネン系ポリマーを主とするものが好ましい。ポリマー915としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層93を得ることができる。また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層93を得ることができる。ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するものホモポリマー、2つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するものコポリマーのいずれであってもよい。このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、1ノルボルネン型モノマーを付加共重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加共重合体、2ノルボルネン型モノマーとエチレンやα-オレフィン類との付加共重合体、3ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、4ノルボルネン型モノマーの開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加した樹脂、5ノルボルネン型モノマーとエチレンやα-オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加した樹脂、6ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合ROMP、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化1構造式Bで表される少なくとも1個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加共重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー後述する化3で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマーを用いることにより好適に合成される。なお、比較的高い屈折率を有するポリマー915を得るためには、分子構造中に、芳香族環芳香族基、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー915が合成重合される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー915を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造エーテル基を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー915が合成重合される。比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基アリールアルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路9に高いフレキシビリティ可撓性を付与することができる。アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。ここで、光導波路9は、例えば、600~1550nm程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用されるが、ヘキシルアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域特に、850nm付近の波長領域の光に対する透過率が優れることから好ましい。このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本実施形態のコア層形成用材料900は、添加剤920として、モノマー、助触媒第1の物質および触媒前駆体第2の物質を含んでいる。モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層910において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。ここで、この反応物としては、モノマーがポリマーマトリックス915中で重合して形成されたポリマー重合体、ポリマー915同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー915に重合してポリマー915から分岐した分岐構造ブランチポリマーや側鎖ペンダントグループのうちの少なくとも1つが挙げられる。ここで、層910において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー915と、このポリマー915に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー915と、このポリマー915に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。なお、屈折率が高いまたは低いとは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。そして、モノマーの反応反応物の生成により、層910において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部95となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部94となる。このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸メタクリル酸系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層93光導波路9が得られる。ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化2構造式Aで示されるノルボルネン骨格を少なくとも1つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化3構造式Cで表される化合物が挙げられる。[式中、aは、単結合または二重結合を表し、R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、mは、0~5の整数を表す。ただし、aが二重結合の場合、R1およびR2のいずれか一方、R3およびR4のいずれか一方は存在しない。]無置換の炭化水素基ハイドロカルビル基としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数1~10C1~C10のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数2~10C2~C10のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数2~10C2~C10のアルキニル基、炭素数4~12C4~C12のシクロアルキル基、炭素数4~12C4~C12のシクロアルケニル基、炭素数6~12C6~C12のアリール基、炭素数7~24C7~C24のアラルキル基アリールアルキル基等が挙げられ、その他、R1およびR2、R3およびR4が、それぞれ炭素数1~10C1~C10のアルキリデニル基であってもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、1-ブチニル基および2-ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニルanthracenyl基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。アラルキルaralkyl基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチルフェネチル:phenethyl基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。また、アルキリデニルalkylidenyl基の具体例としては、メチリデニルmethylidenyl基およびエチリデニルethylidenyl基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビルhalohydrocarbyl基、パーハロハイドロカルビルperhalohydrocarbyl基であるか、パーハロカルビルperhalocarbyl基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも1種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。このうち、パーハロゲン化された炭化水素基パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数1~10のもの以外に、炭素数11~20のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式:-CZX2Z1で表される基を選択することができる。ここで、Xは、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Zは、1~20の整数を表す。また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数1~5C1~C5のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基アラアルキル基等が挙げられる。また、官能置換基としては、例えば、-CH2n-CHCF22-O-SiMe3、-CH2n-CHCF32-O-CH2-O-CH3、-CH2n-CHCF32-O-CO-O-CCH33、-CH2n-CCF32-OH、-CH2n-CO-NH2、-CH2n-CO-Cl、-CH2n-CO-O-R5、-CH2n-O-R5、-CH2n-O-CO-R5、-CH2n-CO-R5、-CH2n-O-CO-OR5、-CH2n-SiR53、-CH2n-SiOR53、-CH2n-O-SiR53および-CH2n-CO-OR6等が挙げられる。ここで、前記各式において、それぞれ、nは、0~10の整数を示し、R5は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数1~20C1~C20アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20C1~C20のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数2~10C2~C10のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数2~10C2~C10のアルキニル基、炭素数5~12C5~C12のシクロアルキル基、炭素数6~14C6~C14のアリール基、炭素数6~14C6~C14のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数7~24C7~C24のアラルキル基を表す。なお、R5で示される炭化水素基は、R1~R4で示されるものと同一の炭化水素基を示す。R1~R4で示すように、R5で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。例えば、R5が炭素数1~20C1~C20のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、R5は、一般式:-CZX2Z1で表される。ここで、zおよびXは、それぞれ、上記の定義と同じであり、Xの少なくとも1つは、ハロゲン原子例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子である。ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのXがハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、-C7F15、-C11F23が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。また、R6としては、例えば、-CCH33、-SiCH33、-CHR7-O-CH2CH3、-CHR7OCCH33および下記化4の環状基等が挙げられる。ここで、R7は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数1~5C1~C5のアルキル基を表す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル、ペンチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。なお、上記化4で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。R6の具体例としては、例えば、1-メチル-1-シクロヘキシル基、イソボルニルisobornyl基、2-メチル-2-イソボルニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、テトラヒドロフラニルtetrahydrofuranyl基、テトラヒドロピラノイルtetrahydropyranoyl基、3-オクソシクロヘキサノイル3-oxocyclohexanonyl基、メバロンラクトニルmevaloniclactonyl基、1-エトキシエチル基、1-t-ブトキシエチル基等が挙げられる。また、他のR6としては、例えば、下記化5で表されるジシクロプロピルメチル基Dcpm、ジメチルシクロプロピルメチル基Dmcp等が挙げられる。また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー架橋剤を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層93光導波路9の形成プロセスに要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層93の耐熱性を向上させることができる。このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化2構造式Aで表されるノルボルネン系部位ノルボルネン系二重結合を含む化合物である。架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系fusedmulticyclicringsystemsの化合物と、連結多環環系linkedmulticyclicringsystemsの化合物とがある。連続多環環系の化合物連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、下記化6で表される化合物が挙げられる。[式中、Yは、メチレン-CH2-基を表し、mは、0~5の整数を表わす。ただし、mが0である場合、Yは、単結合である。]なお、簡略化のため、ノルボルナジエンnorbornadieneは、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化7で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。一方、連結多環環系の化合物連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、下記化8で表される化合物が挙げられる。[式中、aは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、mは、それぞれ独立して、0~5の整数を表し、R9は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、nは、0または1である。]ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を2つ有する基のことを言う。二価の炭化水素基ハイドロカルビル基の具体例としては、一般式:-CdH2d-で表されるアルキレン基dは、好ましくは1~10の整数を表す。と、二価の芳香族基アリール基とが挙げられる。二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数1~10C1~C10のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。また、二価のエーテル基は、-R10-O-R10-で表される基である。ここで、R10は、それぞれ独立して、R9と同じものを表す。この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化9、化10、化11、化12、化13で表される化合物の他、化14、化15で表されるフッ素含有化合物フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマーが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。この化10で表される化合物は、ジメチルビス[ビシクロ[2.2.1]へプト-2-エン-5-メトキシ]シランであり、またの命名では、ジメチルビスノルボルネンメトキシシランSiXと略される。と呼ばれる。[式中、nは、0~4の整数を表す。][式中、mおよびnは、それぞれ、1~4の整数を表す。]各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビスノルボルネンメトキシシランSiXが好ましい。SiXは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および/またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部95とすることができる。また、コア部94とクラッド部95との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層93光導波路9の特性光伝送性能の向上を図ることができる。なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。触媒前駆体第2の物質は、前記のモノマーの反応重合反応、架橋反応等を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒第1の物質の作用により、活性化温度が変化する物質である。この触媒前駆体プロカタリスト:procatalystとしては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化上昇または低下するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層93光導波路9を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路9の特性光伝送性能が低下するのを防止することができる。このような触媒前駆体としては、下記式IaおよびIbで表わされる化合物の少なくとも一方を含む主とするものが好適に用いられる。[式Ia、Ib中、それぞれ、ER3は、第15族の中性電子ドナー配位子を表し、Eは、周期律表の第15族から選択される元素を表し、Rは、水素原子またはその同位体の1つまたは炭化水素基を含む部位を表し、Qは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ib中、LBは、ルイス塩基を表し、WCAは、弱配位アニオンを表し、aは、1~3の整数を表し、bは、0~2の整数を表し、aとbとの合計は、1~3であり、pおよびrは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。]式Iaに従う典型的な触媒前駆体としては、PdOAc2Pi-Pr32、PdOAc2PCy32、PdO2CCMe32PCy32、PdOAc2PCp32、PdO2CCF32PCy32、PdO2CC6H53PCy32が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Cpは、シクロペンチルcyclopentyl基を表し、Cyは、シクロヘキシル基を表す。また、式Ibで表される触媒前駆体としては、pおよびrが、それぞれ1および2の整数から選択される化合物が好ましい。このような式Ibに従う典型的な触媒前駆体としては、PdOAc2PCy32が挙げられる。ここで、Cyは、シクロヘキシル基を表し、Acは、アセチル基を表す。これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等することができる。また、活性化温度が低下した状態活性潜在状態において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも10~80°C程度好ましくは、10~50°C程度低くなるものが好ましい。これにより、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。かかる触媒前駆体としては、PdOAc2Pi-Pr32およびPdOAc2PCy32のうちの少なくとも一方を含む主とするものが好適である。なお、以下では、PdOAc2Pi-Pr32をPd545と、また、PdOAc2PCy32をPd785と略すことがある。助触媒第1の物質は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体プロカタリストの活性化温度モノマーに反応を生じさせる温度を変化させ得る物質である。この助触媒コカタリスト:cocatalystとしては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化反応または分解して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオンWCAとを発生する化合物光開始剤を含む主とするものが好適に用いられる。弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸イオンFABA-、ヘキサフルオロアンチモン酸イオンSbF6-等が挙げられる。この助触媒光酸発生剤または光塩基発生剤としては、例えば、下記化17で表されるテトラキスペンタフルオロフェニルホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキスペンタフルオロフェニルガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのRhodiaUSA社から入手可能なRHODORSIL登録商標、以下同様である。PHOTOINITIATOR2074CAS番号第178233-72-2番、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能なTAG-372Rジメチル2-2-ナフチル-2-オキソエチルスルフォニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート:CAS番号第193957-54-9番、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能なMPI-103CAS番号第87709-41-9番、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能なTAG-371CAS番号第193957-53-8番、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能なTTBPS-TPFPBトリス4-tert-ブチルフェニルスルフォニウムテトラキスペンタペンタフルオロフェニルボレート、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能なNAI-105CAS番号第85342-62-7番等が挙げられる。なお、助触媒第1の物質として、RHODORSILPHOTOINITIATOR2074を用いる場合、後述する活性放射線化学線としては、紫外線UV光が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯高圧水銀ランプが好適に用いられる。これにより、層910に対して、300nm未満の十分なエネルギーの紫外線活性放射線を供給することができ、RHODORSILPHOTOINITIATOR2074を効率よく分解して、上記のカチオンおよびWCAを発生させることができる。また、コア層形成用材料ワニス900中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化反応または分解に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、9,10-ジブトキシアントラセンCAS番号第76275-14-4番のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類fluoranthenes、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン-9-オン類thioxanthen-9-ones等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。増感剤の具体例としては、2-イソプロピル-9H-チオキサンテン-9-オン、4-イソプロピル-9H-チオキサンテン-9-オン、1-クロロ-4-プロポキシチオキサントン、フェノチアジンphenothiazineまたはこれらの混合物が挙げられる。なお、9,10-ジブトキシアントラセンDBAは、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。コア層形成用材料900中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、0.01重量以上であるのが好ましく、0.5重量以上であるのがより好ましく、1重量以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、5重量以下であるのが好ましい。さらに、コア層形成用材料900中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー915の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層93光導波路9の特性の向上を図ることができる。この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのCibaSpecialtyChemicals社から入手可能なCiba登録商標、以下同様である。IRGANOX登録商標、以下同様である。1076およびCibaIRGAFOS登録商標、以下同様である。168が好適に用いられる。また、他の酸化防止剤としては、例えば、CibaIrganox登録商標、以下同様である。129、CibaIrganox1330、CibaIrganox1010、CibaCyanox登録商標、以下同様である。1790、CibaIrganox登録商標3114、CibaIrganox3125等を用いることもできる。なお、このような酸化防止剤は、例えば、層910が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。コア層形成用材料ワニス900の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2-ジメトキシエタンDME、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフランTHF、テトラヒドロピランTHP、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテルジグリム、ジエチレングリコールエチルエーテルカルビトール等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N,N-ジメチルアセトアミドDMA等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシドDMSO、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。さて、支持基板951上に形成された液状被膜中から溶媒を除去脱溶媒する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付けブローなどによる強制乾燥等の方法が挙げられる。以上のようにして、支持基板951上には、コア層形成用材料900のフィルム状の固化物または硬化物である層910が形成される。このとき、層PITDMの乾燥フィルム910は、第1の屈折率RIを有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散分布するポリマー915およびモノマーの作用による。[2A]次に、開口窓9351が形成されたマスクマスキング935を用意し、このマスク935を介して、層910に対して活性放射線930を照射する図4-B参照。以下では、モノマーとして、ポリマー915より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線930の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。したがって、ここで示す例では、マスク935には、形成すべきクラッド部95のパターンと等価な開口窓9351が形成される。この開口9351は、照射する活性放射線930が透過する透過部を形成するものである。マスク935は、予め形成別途形成されたもの例えばプレート状のものでも、層910上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。マスク935として好ましいものの例としては、石英ガラスやPET基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法蒸着、スパッタリング等により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。また、図4-Bにおいては、形成すべきクラッド部95のパターンと等価な開口窓9351は、活性放射線930の未照射領域940のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやPET基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線930の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓透過部となる。用いる活性放射線930は、助触媒に対して、光化学的な反応変化を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やX線等を用いることもできる。これらの中でも、活性放射線930は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長200~450nmの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。また、活性放射線930の照射量は、0.1~9J/cm2程度であるのが好ましく、0.2~6J/cm2程度であるのがより好ましく、0.2~3J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。前記マスク935の構成材料としては、照射する活性放射線930により適宜選定される。具体的には、マスク935の構成材料としては、活性放射線930を遮光し得る材料とされる。このような特性を有するものであれば、マスク935の材料自体は、公知のいずれのものも使用することができる。マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒第1の物質:コカタリストは、活性放射線930の作用により反応結合または分解して、カチオンプロトンまたは他の陽イオンと、弱配位アニオンWCAとを遊離発生する。そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体第2の物質:プロカタリストの分子構造に変化分解を生じさせ、これを活性潜在状態潜在的活性状態に変化させる。ここで、活性潜在状態または潜在的活性状態の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域925内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。したがって、活性放射線930照射後においても、例えば-40°C程度で、層910を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線930照射後の層910を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層93を得ることができ、利便性が高い。なお、活性放射線930として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク935の使用を省略してもよい。[3A]次に、層910に対して加熱処理第1の加熱処理を施す。これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して活性状態となって、モノマーの反応重合反応や架橋反応が生じる。そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散モノマーディフュージョンして照射領域925に集まってくる。その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物重合体、架橋構造や分岐構造が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加共重合体が生成する。一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差第2の屈折率<第3の屈折率が生じて、コア部94未照射領域940とクラッド部95照射領域925とが形成される図4-C参照。この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、30~80°C程度であるのが好ましく、40~60°C程度であるのがより好ましい。また、加熱時間は、照射領域925内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、0.1~2時間程度であるのが好ましく、0.1~1時間程度であるのがより好ましい。ここで、コア部94は、その横断面形状が、図示のように、正方形または矩形長方形のような四角形に形成されるが、その幅および高さは、それぞれ、好ましくは1~200μm程度、より好ましくは5~100μm程度、さらに好ましくは10~60μm程度とされる。[4A]次に、層910に対して第2の加熱処理を施す。これにより、未照射領域940および/または照射領域925に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる活性状態とすることにより、各領域925、940に残存するモノマーを反応させる。このように、各領域925、940に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部94およびクラッド部95の安定化を図ることができる。この第2の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、70~100°C程度であるのが好ましく、80~90°C程度であるのがより好ましい。また、加熱時間は、0.5~2時間程度であるのが好ましく、0.5~1時間程度であるのがより好ましい。[5A]次に、層910に対して第3の加熱処理を施す。これにより、得られるコア層93に生じる内部応力の低減や、コア部94およびクラッド部95の更なる安定化を図ることができる。この第3の加熱処理における加熱温度は、第2の加熱処理における加熱温度より20°C以上高く設定するのが好ましく、具体的には、90~180°C程度であるのが好ましく、120~160°C程度であるのがより好ましい。また、加熱時間は、0.5~2時間程度であるのが好ましく、0.5~1時間程度であるのがより好ましい。以上の工程を経て、コア層93が得られる。なお、例えば、第2の加熱処理や第3の加熱処理を施す前の状態で、コア部94とクラッド部95との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程[5A]や前記工程[4A]を省略してもよい。[6A]次に、支持基板952上に、クラッド層9192を形成する図4-D参照。クラッド層9192の形成方法としては、クラッド材を含むワニスクラッド層形成用材料を塗布し硬化固化させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化固化させる方法等、いかなる方法でもよい。クラッド層9192を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。支持基板952には、支持基板951と同様のものを用いることができる。クラッド層9192の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせてポリマーアロイ、ポリマーブレンド混合物、共重合体、複合体積層体など用いることができる。これらのうち、特に耐熱性に優れるという点で、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、またはそれらを含むもの主とするものを用いるのが好ましく、特に、ノルボルネン系樹脂ノルボルネン系ポリマーを主とするものが好ましい。ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるため、これをクラッド層9192の構成材料として使用する光導波路9では、光導波路9に導体層を形成する際、導体層を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層9192が軟化して、変形するのを防止することができる。また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層9192を得ることができる。また、ノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。さらに、クラッド層9192の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、繰り返し湾曲変形した場合でも、クラッド層91、92とコア層93との層間剥離が生じ難く、クラッド層91、93の内部にマイクロクラックが発生することも防止される。しかも、コア層93の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層93との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層9192とコア層93との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、光導波路9の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路9が得られる。このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、1ノルボルネン型モノマーを付加共重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加共重合体、2ノルボルネン型モノマーとエチレンやα-オレフィン類との付加共重合体、3ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、4ノルボルネン型モノマーの開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加した樹脂、5ノルボルネン型モノマーとエチレンやα-オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加した樹脂、6ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該共重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合ROMP、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、付加共重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。特に、ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、クラッド層9192において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの重合性基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、重合性基の種類、架橋剤の種類、コア層93に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層93に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。その結果、クラッド層9192自体の強度や、クラッド層9192とコア層93との密着性の更なる向上を図ることができる。このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、メタアクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも1種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、2種以上含むものを用いれば、架橋密度をさらに向上させることができ、前記効果がより顕著となる。一方、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基は、疎水性が極めて高いため、クラッド層9192の吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。また、アリール基は、脂溶性親油性に優れ、前述したようなコア層93に用いられるポリマーとの親和性が高いため、クラッド層9192とコア層93との間での層間剥離をより確実に防止することができ、より耐久性に優れた光導波路9が得られる。さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、クラッド層91、92光導波路9に高いフレキシビリティ可撓性を付与することができる。また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域特に、850nm付近の波長領域の光に対する透過率が優れることからも好ましい。なお、クラッド層9192に用いるノルボルネン系ポリマーは、比較的屈折率の低いものが好適であるのに対して、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むと、一般に屈折率が高くなる傾向を示すが、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、屈折率の上昇を防止することもできる。このようなことから、クラッド層9192に用いるノルボルネン系ポリマーとしては、下記化18~21や、化25で表されるものが好適である。[式中、Rは、炭素数1~10のアルキル基を表し、aは、0~3の整数を表し、bは、1~3の整数を表し、p/qが20以下である。]なお、化18で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Rが炭素数4~10のアルキル基であり、aおよびbがそれぞれ1である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。[式中、Rは、炭素数1~10のアルキル基を表し、R1は、水素原子またはメチル基を表し、aは、0~3の整数を表し、p/qが20以下である。]なお、化19で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Rが炭素数4~10のアルキル基であり、aが1である化合物、例えば、ブチルボルネンとアクリル酸2-5-ノルボルネニルメチルとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとアクリル酸2-5-ノルボルネニルメチルとのコポリマー、デシルノルボルネンとアクリル酸2-5-ノルボルネニルメチルとのコポリマー等が好ましい。[式中、Rは、炭素数1~10のアルキル基を表し、Xは、それぞれ独立して、炭素数1~3のアルキル基を表し、aは、0~3の整数を表し、p/qが20以下である。]なお、化20で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Rが炭素数4~10のアルキル基であり、aが1または2、Xがメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。[式中、Rは、炭素数1~10のアルキル基を表し、A1およびA2は、それぞれ独立して、下記化22~24で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。また、p/qrが20以下である。][式中、aは、0~3の整数を表し、bは、1~3の整数を表す。][式中、R1は、水素原子またはメチル基を表し、aは、0~3の整数を表す。][式中、Xは、それぞれ独立して、炭素数1~3のアルキル基を表し、aは、0~3の整数を表す。]なお、化21で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸2-5-ノルボルネニルメチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸2-5-ノルボルネニルメチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。[式中、Rは、炭素数1~10のアルキル基を表し、R2は、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Arは、アリール基を表し、X1は、酸素原子またはメチレン基を表し、X2は、炭素原子またはシリコン原子を表し、aは、0~3の整数を表し、cは、1~3の整数を表し、p/qが20以下である。]なお、化25で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Rが炭素数4~10のアルキル基であり、X1が酸素原子、X2がシリコン原子、Arがフェニル基、R2がメチル基、aが1、cが2である化合物、例えば、ブチルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー等や、Rが炭素数4~10のアルキル基であり、X1がメチレン基、X2が炭素原子、Arがフェニル基、R2が水素原子、aが0、cが1である化合物、例えば、ブチルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。また、p/qまたはp/qrは、20以下であればよいが、15以下であるのが好ましく、0.1~10程度がより好ましい。これにより、複数種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。以上のようなノルボルネン系ポリマーは、前述した特性に加えて、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層9192を構成することにより、光導波路9の光伝送性能をより向上させることができる。なお、ノルボルネン系ポリマーが、メタアクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、メタアクリル基同士は、加熱により比較的容易に架橋重合させることができるが、クラッド層形成用材料中に、ラジカル発生剤を混合することにより、メタアクリル基同士の架橋反応を促進することができる。ラジカル発生剤としては、例えば、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1,1-ビスt-ブチルペロキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン等が好適に用いられる。また、ノルボルネン系ポリマーが、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、これらの重合性基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質光酸発生剤または光塩基発生剤を混合しておき、この物質の作用により、エポキシ基やアルコキシシリル基を架橋させればよい。一方、エポキシ基同士、メタアクリル基同士やアルコキシシリル基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として、各重合性基に対応する重合性基を少なくとも1つを有する化合物を混合するようにすればよい。エポキシ基を有する架橋剤としては、例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシランγ-GPS、シリコーンエポキシ樹脂等が好適に用いられる。メタアクリル基を有する架橋剤としては、例えば、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラントリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジメタノールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等が好適に用いられる。アルコキシシリル基を有する架橋剤としては、例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシランのようなシランカップリング剤等が好適に用いられる。これらの重合性基同士の架橋反応は、本工程[6A]の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程[7A]において光導波路9を得た後に行うようにしてもよい。また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加混合するようにしてもよい。例えば、クラッド層形成用材料中には、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層9192中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層9192の屈折率を変化させることができる。特に、モノマーとしては、架橋性モノマーを含むものを用いると、クラッド層9192において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のもののを、架橋性モノマーを介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層93に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層93に用いるポリマーとを架橋させることもできる。また、この場合、クラッド層9192中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。かかる触媒前駆体としては、例えば、[PdPCy32O2CCH3NCCH3]テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、[2-methallylPdPCy32]テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、[PdPCy32HNCCH3]テトラキスペンタフルオロフェニルボレート、[PdPiPr32OCOCH3NCCH3]テトラキスペンタフルオロフェニルボレート等が挙げられる。その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材ノルボルネン系ポリマーの酸化による劣化を防止することができる。以上のようにして、支持基板952上に、クラッド層9192が形成される。クラッド層91、92の平均厚さは、コア層93の平均厚さの0.1~1.5倍程度であるのが好ましく、0.3~1.25倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層91、92の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1~200μm程度であるのが好ましく、5~100μm程度であるのがより好ましく、10~60μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路9が不要に大型化圧膜化するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。[7A]次に、支持基板951からコア層93を剥離し、このコア層93を、クラッド層91が形成された支持基板952と、クラッド層92が形成された支持基板952とで挟持する図4-E参照。そして、図4-E中の矢印で示すように、クラッド層92が形成された支持基板952の上面側から加圧し、クラッド層91、92とコア層93とを圧着する。これにより、クラッド層91、92とコア層93とが接合、一体化される。また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層91、92やコア層93の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、80~200°C程度が好ましく、120~180°C程度がより好ましい。次いで、クラッド層91、92から、それぞれ、支持基板952を剥離、除去する。これにより、光導波路9が得られる。このような光導波路9の好ましい例では、コア層93において、コア部94が第1のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部95が第1のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第2のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層91、92が、それぞれ、第1のノルボルネン系材料コア層93のコア部94より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。そして、第1のノルボルネン系材料と前記第2のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路9では、高い光伝送性能が得られる。また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路9の光伝送性能が維持される。さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路9では、耐久性に優れたものとなる。また、光導波路9に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下劣化を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部94の変質劣化を防止することができる。また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路9を得ることができる。<第2の製造方法>次に、光導波路9の第2の製造方法について説明する。以下、第2の製造方法について説明するが、前記第1の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。第2の製造方法では、コア層形成用材料900の組成が異なり、それ以外は、前記第1の製造方法と同様である。すなわち、第2の製造方法で用いられるコア層形成用材料900は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基離脱性ぺンダントグループとを有するポリマー915とを含有している。離脱剤には、前記第1の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。第2の製造方法において用いられるポリマー915としては、前記第1の製造方法で挙げたポリマー915が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第1の製造方法で挙げたポリマー915に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。かかるポリマー915は、離脱性基の離脱切断により、その屈折率が変化上昇または低下する。離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸カチオン脱離性基、塩基アニオン脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオンプロトンの作用により離脱するもの酸基離脱性基である。酸離脱性基としては、その分子構造中に、-O-構造、-Si-アリール構造および-O-Si-構造のうちの少なくとも1つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。このうち、離脱によりポリマー915の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、-Si-ジフェニル構造および-O-Si-ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。また、ポリマー915は、前記第1の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル特にヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー915としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。以下では、ポリマー915として、離脱性基特に酸離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。[1B]前記工程[1A]と同様の工程を行う。このとき、層PITDMの乾燥フィルム910は、第1の屈折率RIを有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散分布するポリマー915の作用による。[2B]前記工程[2A]と同様の工程を行う。マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する離脱剤は、活性放射線930の作用により反応結合または分解して、カチオンプロトンまたは他の陽イオンと、弱配位アニオンWCAとを遊離発生する。そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断するフォトブリーチ。これにより、照射領域925では、未照射領域940よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域940の屈折率は、第1の屈折率が維持される。このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差第2の屈折率<第1の屈折率が生じて、コア部94未照射領域940とクラッド部95照射領域925とが形成される。なお、この場合、活性放射線930の照射量は、0.1~9J/cm2程度であるのが好ましく、0.3~6J/cm2程度であるのがより好ましく、0.6~6J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。[3B]次に、層910に対して加熱処理を施す。これにより、ポリマー915から離脱切断された離脱性基が、例えば、照射領域925から除去されたり、ポリマー915内において再配列または架橋する。さらに、このとき、クラッド部95照射領域925に残存する離脱性基の一部がさらに離脱切断すると考えられる。したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差をより大きくすることができる。この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、70~195°C程度であるのが好ましく、85~150°C程度であるのがより好ましい。また、加熱時間は、照射領域925から離脱切断された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、0.5~3時間程度であるのが好ましく、0.5~2時間程度であるのがより好ましい。なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部94とクラッド部95との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程[3B]を省略してもよい。また、必要に応じて、1回または複数回の加熱処理例えば、150~200°C×1~8時間程度の工程を追加することもできる。以上の工程を経て、コア層93が得られる。[4B]前記工程[6A]と同様の工程を行う。[5B]前記工程[7A]と同様の工程を行う。以上のようにして、光導波路9が完成する。このような光導波路9の好ましい例では、コア層93がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層91、92が、それぞれ、コア層93のコア部94より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。そして、コア部94とクラッド部95とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部94とクラッド部95とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路9では、高い光伝送性能が得られる。また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路9の光伝送性能が維持される。さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路9では、耐久性に優れたものとなる。また、光導波路9に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下劣化を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部94の変質劣化を防止することができる。また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路9を得ることができる。特に、第2の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層93を形成することができる。<第3の製造方法>次に、光導波路9の第3の製造方法について説明する。以下、第3の製造方法について説明するが、前記第1および第2の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。第3の製造方法では、コア層形成用材料900として、第1および第2の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第1または第2の製造方法と同様である。すなわち、第3の製造方法で用いられるコア層形成用材料900は、前述したような離脱性基を有するポリマー915と、モノマーと、助触媒第1の物質と、触媒前駆体第2の物質とを含有している。また、助触媒は、前記第2の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。このようなコア層形成用材料900では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層93において、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー915より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線930の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー915として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域925をクラッド部95とし、コア部94との屈折率差が極めて大きいコア層93を得ることができる。以下では、このような組み合わせのポリマー915、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。すなわち、ここで示す例では、活性放射線930の照射領域925がクラッド部95となる。[1C]前記工程[1A]と同様の工程を行う。このとき、層PITDMの乾燥フィルム910は、第1の屈折率RIを有している。この第1の屈折率は、層910中に一様に分散分布するポリマー915およびモノマーの作用による。[2C]前記工程[2A]と同様の工程を行う。マスク935を介して、活性放射線930を層910に照射すると、活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒第1の物質:コカタリストは、活性放射線930の作用により反応または分解して、カチオンプロトンまたは他の陽イオンと、弱配位アニオンWCAとを遊離発生する。そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体第2の物質:プロカタリストの分子構造に変化分解を生じさせ、これを活性潜在状態潜在的活性状態に変化させる。また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。これにより、照射領域925では、未照射領域940よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第1の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域940の屈折率は、第1の屈折率が維持される。なお、この場合、活性放射線930の照射量は、0.1~9J/cm2程度であるのが好ましく、0.2~5J/cm2程度であるのがより好ましく、0.2~4J/cm2程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。[3C]前記工程[3A]と同様の工程を行う。これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して活性状態となって、モノマーの反応重合反応や架橋反応が生じる。そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散して照射領域925に集まってくる。また、この加熱処理により、ポリマー915から離脱切断された離脱性基が、例えば、照射領域925から除去されたり、ポリマー915内において再配列または架橋する。その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物重合体、架橋構造や分岐構造が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー915から離脱切断された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第2の屈折率となる。一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差第2の屈折率<第3の屈折率が生じて、コア部94未照射領域940とクラッド部95照射領域925とが形成される。[4C]前記工程[4A]と同様の工程を行う。[5C]前記工程[5A]と同様の工程を行う。[6C]前記工程[6A]と同様の工程を行う。[7C]前記工程[7A]と同様の工程を行う。以上のようにして、光導波路9が完成する。このような光導波路9の好ましい例では、コア層93は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部94とクラッド部95とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層91、92が、それぞれ、コア層93のコア部94より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路9では、高い光伝送性能が得られる。また、このような構成により、コア部94とクラッド部95との間の高い密着性のみならず、コア層93とクラッド層91およびクラッド層92との間の高い密着性が得られ、光導波路9に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部94とクラッド部95との剥離や、コア層93とクラッド層91、92との層間剥離が生じ難く、コア部94内やクラッド部95内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路9の光伝送性能が維持される。さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路9では、耐久性に優れたものとなる。また、光導波路9に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下劣化を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部94と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部94の変質劣化を防止することができる。また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部94を有する光導波路9を得ることができる。特に、第3の製造方法によれば、コア部94とクラッド部95との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。<第4の製造方法>次に、光導波路9の第4の製造方法について説明する。図5-A~図5-Eは、それぞれ、光導波路の第4の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。以下、第4の製造方法について説明するが、前記第1~第3の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。第4の製造方法では、コア層形成用材料900やクラッド層形成用材料には、前記第1~第3の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第1の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。[1D]まず、支持基板1000上に、クラッド層形成用材料第1のワニスを前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第1の層クラッド層形成層1110を形成する図5-A参照。支持基板1000には、支持基板951と同様のものを用いることができる。第1の層1110の平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、10~100μm程度であるのがより好ましく、15~65μm程度であるのがさらに好ましい。[2D]次に、第1の層1110上に、コア層形成用材料第2のワニスを前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第2の層コア層形成層1120を形成する図5-B参照。コア層形成用材料は、第1の層1110をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第1の層1110が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。後者の場合、第1の層1110と第2の層1120とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路9において、クラッド層91とコア層93との密着性の向上を図ることができる。また、この場合、第1のワニスおよび第2のワニスは、それぞれ、粘度常温が好ましくは100~10000cP程度、より好ましくは150~5000cP程度、さらに好ましくは200~3500cP程度に調製される。これにより、第1の層1110と第2の層1120とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第1の層1110および第2の層1120の厚さが不均一となるのを防止することができる。なお、第2のワニスの粘度は、第1のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第1の層1110と第2の層1120とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。第2の層1120の平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、15~125μm程度であるのがより好ましく、25~100μm程度であるのがさらに好ましい。[3D]次に、第2の層1120上に、クラッド層形成用材料第3のワニスを前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第3の層クラッド層形成層1130を形成する図5-C参照。第3の層1130は、前記第2の層1120と同様にして形成することができる。第3の層1130の平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、10~100μm程度であるのがより好ましく、15~65μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、積層体2000が得られる。[4D]次に、積層体2000中の溶媒を除去脱溶媒する。脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付けブロー等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。この加熱の温度は、25~60°C程度であるのが好ましく、30~45°C程度であるのがより好ましい。また、加熱の時間は、15~60分程度であるのが好ましく、15~30分程度であるのがより好ましい。[5D]次に、開口窓9351が形成されたマスクマスキング935を用意し、このマスク935を介して、積層体2000に対して活性放射線930を照射する図5-D参照。マスク935を介して、活性放射線930を積層体2000に照射すると、第2の層1120の活性放射線930が照射された照射領域925内に存在する助触媒第1の物質:コカタリストは、活性放射線930の作用により反応または分解して、カチオンプロトンまたは他の陽イオンと、弱配位アニオンWCAとを遊離発生する。そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域925内に存在する触媒前駆体第2の物質:プロカタリストの分子構造に変化分解を生じさせ、これを活性潜在状態潜在的活性状態に変化させる。[6D]次に、積層体2000に対して加熱処理第1の加熱処理を施す。これにより、照射領域925内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して活性状態となって、モノマーの反応重合反応や架橋反応が生じる。そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域925内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域925と未照射領域940との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域940からモノマーが拡散して照射領域925に集まってくる。その結果、照射領域925では、モノマーやその反応物重合体、架橋構造や分岐構造が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第1の屈折率より低い第2の屈折率へと低下する。一方、未照射領域940では、当該領域から照射領域925にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー915の影響が大きく現れるようになり、第1の屈折率より高い第3の屈折率へと上昇する。このようにして、照射領域925と未照射領域940との間に屈折率差第2の屈折率<第3の屈折率が生じて、コア部94未照射領域940とクラッド部95照射領域925とが形成される図5-E参照。[7D]次に、積層体2000に対して第2の加熱処理を施す。これにより、未照射領域940および/または照射領域925に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる活性状態とすることにより、各領域925、940に残存するモノマーを反応させる。このように、各領域925、940に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部94およびクラッド部95の安定化を図ることができる。[8D]次に、積層体2000に対して第3の加熱処理を施す。これにより、得られるコア層93に生じる内部応力の低減や、コア部94およびクラッド部95の更なる安定化を図ることができる。以上の工程を経て、光導波路9が得られる。かかる方法では、第1の加熱処理の後、積層体2000内にコア部94が目視で確認することができるようになる。また、第1のワニスおよび第3のワニスとして、第2のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー915、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第1の層1110および第3の層1130と、第2の層1120の界面、および/または、かかる界面を越えて第1の層1110および第3の層1130内で生じて、クラッド層91、92とコア層93との剥離をより確実に防止することができる。また、この場合、例えば、I:第1の層1110および第3の層1130のポリマー915として、第2の層1120のポリマー915の屈折率より相対的に低い屈折率RIのものを選択したり、II:第1の層1110および第3の層1130のモノマーとして、第2の層1120のモノマーと同じものを用いるが、第1の層1110および第3の層1130における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第2の層1120のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。これにより、活性放射線930を照射しても、クラッド層91、92内に、コア層93のコア部94より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。なお、コア層形成用材料第2のワニスとして、離脱性基を有するポリマー915を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料第1のワニス、第3のワニスとしては、脱離性基を有しないポリマー915を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー915を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。これにより、第1の層1110および第3の層1130において、ポリマー915から離脱性基が離脱分解することを防止することができる。また、この場合、助触媒には、コア層93を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第2のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤PBGや熱塩基発生剤TBG等が挙げられる。なお、本発明において、光導波路構造体の基本構造、層構成、各部の形状、数、配置等は、図示のものに限定されないことは言うまでもない。また、前記各実施形態において、発光素子10と受光素子11の双方を有する例について説明したが、発光素子10および受光素子11のいずれか一方のもを有するものでもよい。もちろん、発光素子と受光素子の双方を1組または2組以上搭載するものでもよい。また、電子回路素子電子回路部は、省略されていてもよい。以上、本発明を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。"