"Aエポキシ樹脂、Bアミン系硬化剤、Cフィラー、Dコアシェルゴム、および、E反応性希釈剤よりなり、前記E反応性希釈剤が、1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物からなり、前記Bアミン系硬化剤の含有量が、前記Aエポキシ樹脂および前記E反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、0.5~1.5当量であることを特徴とする半導体樹脂封止材。前記Dコアシェルゴムのコア部分の構成材料がシリコーンゴムまたはブタジエンゴムのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体樹脂封止材。前記E反応性希釈剤がポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体樹脂封止材。前記Dコアシェルゴムの含有量が、前記Aエポキシ樹脂100質量部に対して、3~55質量部であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の半導体樹脂封止材。前記E反応性希釈剤の含有量が、前記Aエポキシ樹脂100質量部に対して、1~30質量部であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体樹脂封止材。前記Dフィラーの含有量が、半導体樹脂封止材の全成分の合計100質量部に対して、30~80質量部であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の半導体樹脂封止材。請求項1~6のいずれかに記載の半導体樹脂封止材を用いて封止部位を封止してなる電子部品。本発明は上記した従来技術の問題点を解決するため、アンダーフィルとして使用した際に、注入性に優れ、フィレットクラックの発生および進展、ならびに、ボイドの発生が抑制された半導体樹脂封止材を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明は、Aエポキシ樹脂、Bアミン系硬化剤、Cフィラー、Dコアシェルゴム、および、E反応性希釈剤よりなり、前記E反応性希釈剤が、1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物からなり、前記Bアミン系硬化剤の含有量が、前記Aエポキシ樹脂および前記E反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、0.5~1.5当量であることを特徴とする半導体樹脂封止材を提供する。本発明の半導体樹脂封止材において、前記Dコアシェルゴムのコア部分の構成材料がシリコーンゴムまたはブタジエンゴムのいずれかであることが好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、前記E反応性希釈剤がポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルであることが好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、前記Dコアシェルゴムの含有量が、前記Aエポキシ樹脂100質量部に対して、3~55質量部であることが好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、前記E反応性希釈剤の含有量が、前記Aエポキシ樹脂100質量部に対して、1~30質量部であることが好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、前記Dフィラーの含有量が、半導体樹脂封止材の全成分の合計100質量部に対して、30~80質量部であることが好ましい。また、本発明は、本発明の半導体樹脂封止材を用いて封止部位を封止してなる電子部品を提供する。本発明の半導体樹脂封止材は、常温25°Cでの粘度が300Pas以下と低く、アンダーフィルとして使用した際に注入性が良好である。本発明の半導体樹脂封止材は、D成分、すなわち、コアシェルゴムの含有による低弾性率化によって、アンダーフィルとして使用した際に、フィレット部に生じる応力が低減され、フィレットクラックの発生を抑制することができる。また、フィレットクラックが発生した場合には、D成分として含有させたコアシェルゴムが応力緩和剤として作用し、フィレットクラックの進展を抑制する。また、本発明の半導体樹脂封止材は、E成分として含有させた1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物からなる反応性希釈剤の作用により、硬化後のアンダーフィルの強靱性が向上し、フィレットクラックが発生した場合であっても、その進展を抑制することができる。また、本発明の半導体樹脂封止材は、アンダーフィルとして使用した際に、密着性が良好であり、吸湿リフロー試験時に剥離が生じることがなく、信頼性が高い。以下、本発明について詳細に説明する。本発明の半導体樹脂封止材は、以下に示すA~E成分を必須成分として含有する。A成分:エポキシ樹脂A成分のエポキシ樹脂は、本発明の半導体樹脂封止材の主剤をなす成分である。A成分のエポキシ樹脂は、常温で液状であることが好ましいが、常温で固体のものであっても、他の液状のエポキシ樹脂又は希釈剤により希釈し、液状を示すようにして用いることができる。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、エーテル系又はポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、アミノフェノール型エポキシ樹脂、シリコーンエポキシコポリマー樹脂等が例示される。特に、液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂の平均分子量が約400以下のもの;p-グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールAジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールA型エポキシ樹脂;ビスフェノールF型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約570以下のもの;ビニル3,4-シクロヘキセンジオキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルカルボン酸3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、アジピン酸ビス3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル、2-3,4-エポキシシクロヘキシル5,1-スピロ3,4-エポキシシクロヘキシル-m-ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂;3,3’,5,5’-テトラメチル-4,4’-ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂;ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、3-メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂;ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル-p-アミノフェノール、テトラグリシジル-m-キシリレンジアミン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂;ならびに1,3-ジグリシジル-5-メチル-5-エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂;ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。また、1,3-ビス3-グリシドキシプロピル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂も使用することができる。さらに、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物;トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等も例示される。常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用することも可能であり、そのようなエポキシ樹脂として、高分子量のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂等が例示される。これらは、常温で液体であるエポキシ樹脂と組み合わせて、流動性を調節して使用することができる。常温で固体ないし超高粘性であるエポキシ樹脂を用いる場合、低粘度のエポキシ樹脂、例えば、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物;トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等と組み合わせることが好ましい。希釈剤を用いる場合、非反応性希釈剤及び反応性希釈剤のいずれをも使用することができるが、反応性希釈剤が好ましい。本明細書において、反応性希釈剤は、1個のエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物をいうこととし、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリル等のアルケニル基;又はアクリロイル、メタクリロイル等の不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このような反応性希釈剤としては、n-ブチルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p-s-ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α-ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物;アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、1-ビニル-3,4-エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物等が例示される。A成分としてのエポキシ樹脂は、単独でも、2種以上併用してもよい。エポキシ樹脂自体が、常温で液状であることが好ましい。中でも好ましくは、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂、液状アミノフェノール型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂である。さらに好ましくは液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂、p-アミノフェノール型液状エポキシ樹脂、1,3-ビス3-グリシドキシプロピルテトラメチルジシロキサンである。B成分:アミン系硬化剤本発明の半導体樹脂封止材では、エポキシ樹脂の硬化剤として、アミン系硬化剤を使用する。その理由は、種類も多く、半導体素子のパッシベーション膜例えば、ポリイミドなどとの密着性に優れるため、アンダーフィルとして使用した際に吸湿リフロー性試験時の剥離を防止できるからである。アミン系硬化剤としては、特に限定されず、公知のアミン系硬化剤の幅広く選択することができる。具体例としては、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタミン、m-キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、2-メチルペンタメチレンジアミンなどの脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス4-アミノシクロヘキシルメタン、ノルボルネンジアミン、1,2-ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ポリアミン、N-アミノエチルピペラジン、1,4-ビス2-アミノ-2-メチルプロピルピペラジンなどのピペラジン型のポリアミン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン、ビスメチルチオトルエンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、m-フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジエチルトルエンジアミン、トリメチレンビス4-アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド-ジ-p-アミノベンゾエートなどの芳香族ポリアミン類が挙げられる。また、市販品として、T-12商品名、三洋化成工業製アミン当量116が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いても、2種以上の硬化剤を配合して用いても良い。これらの中でも、ジメチルチオトルエンジアミン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン、ビスメチルチオトルエンジアミン等の変性芳香族アミンが硬化性、保存安定性に優れることから好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、B成分としてのアミン系硬化剤の含有量は、A成分としてのエポキシ樹脂およびE成分としての反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、0.5~1.5当量である。上記範囲外であると、アンダーフィルとして使用した際に、硬化性の低下、密着性の低下、ガラス転移点の低下などの問題が起きることがある。C成分:フィラー本発明の半導体樹脂封止材において、C成分としてのフィラーは、半導体樹脂封止材の熱膨張係数を調整することにより、アンダーフィルとして使用した際に耐サーマルサイクル性を向上させる。また、アンダーフィルとして使用した際の耐熱性、耐湿性の向上にも寄与する。本発明の半導体樹脂封止材において、C成分としてのフィラーの含有量は、半導体樹脂封止材の全成分の合計100質量部に対して、30~80質量部であることが、上述したフィラーの含有による効果を発揮するうえで好ましい。30質量部未満だと、耐サーマルサイクル性、耐熱性、耐湿性の向上といったフィラーを含有することによる効果が十分発揮されないおそれがある。一方、80質量部超だと、半導体樹脂封止材の粘度が上昇して、アンダーフィルとして使用した際に注入性が悪化するおそれがある。C成分としてのフィラーは、アンダーフィルとして用いられる半導体樹脂封止材に添加されるものから広く選択することができる。具体的には、シリカ、アクリルビーズ、ガラスビーズ、ウレタンビーズ等が挙げられる。これらの中でも、シリカがコストや半導体樹脂封止材の他の成分との相溶性の理由から好ましい。これらは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。C成分としてのフィラーの形状は、特に限定されず、不定形、球状、りん片等のいずれの形態であってもよい。また、C成分としてのフィラーは、必要に応じて、表面処理を施されたものであってもよい。例えば、粒子表面に酸化皮膜を形成させたものや、エポキシ系、アクリル系等のカップリング剤により表面処理したものであってもよい。C成分としてのフィラーの平均粒径粒状でない場合は、その平均最大径は、特に限定されないが、0.05~50μmであることが、半導体樹脂封止材中にフィラーを均一に分散させるうえで好ましく、また、半導体封止材をアンダーフィルとして使用した際の注入性に優れる等の理由から好ましい。0.05μm未満だと、半導体樹脂封止材の粘度が上昇して、アンダーフィルとして使用した際に注入性が悪化するおそれがある。50μm超だと、半導体樹脂封止材中にフィラーを均一に分散させることが困難になるおそれがある。C成分としてのフィラーの平均粒径は、0.1~30μmであることがより好ましい。D成分:コアシェルゴム本発明の半導体樹脂封止材において、D成分としてのコアシェルゴムは、アンダーフィルとして使用した際のフィレットクラックの発生および進展を抑制する目的で含有させる。具体的には、D成分、すなわち、コアシェルゴムの含有による低弾性率化によって、アンダーフィルとして使用した際に、フィレット部に生じる応力が低減され、フィレットクラックの発生を抑制することができる。また、フィレットクラックが発生した場合には、D成分として含有させたコアシェルゴムが応力緩和剤として作用し、フィレットクラックの進展を抑制する。本明細書において、コアシェルゴムとは、互いに異なる組成のコア層と、それを覆う1以上のシェル層と、で構成される多層構造のゴム材料を指す。コアシェルゴムとして、後述するように、コア層を柔軟性に優れた材料で構成し、シェル層を半導体樹脂封止材の他の成分に対する親和性、特に、A成分としてのエポキシ樹脂に対する親和性に優れた材料で構成することにより、ゴム成分の配合による低弾性率化を達成しつつ、半導体樹脂封止材における分散性が良好となる。コア層の構成材料としては、柔軟性に優れた材料が用いられる。具体的には、シリコーン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、シリコーン/アクリル系複合系エラストマーなどが挙げられる。一方、シェル層の構成材料としては、半導体樹脂封止材の他の成分に対する親和性、特に、A成分としてのエポキシ樹脂に対する親和性、に優れた材料が用いられる。具体的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、アクリル樹脂が、半導体樹脂封止材の他の成分に対する親和性、特に、A成分としてのエポキシ樹脂に対する親和性の観点から好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、D成分のコアシェルゴムは、平均粒径が10μm以下であることが、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用する際の注入性が優れること、および、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用した際のフィレットクラックの発生および進展を抑制する効果に優れることから好ましい。D成分のコアシェルゴムは、平均粒径が5μm以下であることがより好ましい。本発明の半導体樹脂封止材において、D成分としてのコアシェルゴムの含有量がA成分としてのエポキシ樹脂100質量部に対して、3~55質量部であることが好ましい。3質量部未満だと、フィレットクラックの発生および進展を抑制できないおそれがある。一方、55質量部超だと、半導体樹脂封止材の常温での粘度が上昇し、アンダーフィルとして使用する際に、注入性が悪化するおそれがある。D成分としてのコアシェルゴムの含有量は、A成分としてのエポキシ樹脂100質量部に対して、5~50質量部であることがより好ましい。E成分:反応性希釈剤本発明の半導体樹脂封止材において、E成分としての反応性希釈剤は、半導体樹脂封止材の粘度を下げる目的で含有させる。[背景技術]の欄で述べたように、反応性希釈剤は分子内にエポキシ基を持つことにより、硬化剤と反応して硬化物の一部となるものであり、各種のモノエポキシ化合物や多価アルコールのグリシジルエーテル化合物が、反応性希釈剤として従来使用されていたが、これら硬化剤との反応に寄与する官能基エポキシ基、グリシジル基が1分子中に1つのみの化合物を反応性希釈剤として使用した場合、硬化時に三次元的な架橋を形成することができないため、樹脂硬化物のガラス転移温度Tgや強靱性が著しく低下する問題があった。本発明の半導体樹脂封止材では、E成分の反応性希釈剤として、1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物からなるものを用いることで、硬化時に三次元的に架橋を形成する。これにより、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして用いた際に、硬化時におけるガラス転移温度Tgや強靱性の低下が抑制される。E反応性希釈剤として用いる1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物としては、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル以下、PPGEと略す。等が例示される。本発明の半導体樹脂封止材において、E成分としての反応性希釈剤の含有量がA成分としてのエポキシ樹脂100質量部に対して1~30質量部であることが好ましい。1質量部未満だと、半導体樹脂封止材の常温での粘度が上昇し、アンダーフィルとして使用する際に、注入性が悪化するおそれがある。また、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして用いた際に、硬化時におけるガラス転移温度Tgや強靱性が低下し、フィレットクラックの発生および進展を抑制できないおそれがある。一方、30質量部超だと、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして用いた際に、密着性に劣り、吸湿リフロー試験時に剥離が生じるおそれがある。本発明の半導体樹脂封止材は、上記A~E成分以外に、以下に述べる成分を必要に応じて含有してもよい。F成分:硬化促進剤本発明の半導体樹脂封止材は、F成分として硬化促進剤を含有してもよい。F成分としての硬化促進剤は、エポキシ樹脂の硬化促進剤であれば、特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、イミダゾール系硬化促進剤マイクロカプセル型、エポキシアダクト型を含む、第三級アミン系硬化促進剤、リン化合物系硬化促進剤等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール系硬化促進剤が、半導体樹脂封止材の他の成分との相溶性、および、半導体樹脂封止材の硬化速度という点で優れることから好ましい。イミダゾール系硬化促進剤の具体例としては、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。また、マイクロカプセル型イミダゾールやエポキシアダクト型イミダゾールと呼ばれるカプセル化イミダゾールも用いることができる。すなわち、イミダゾール化合物を尿素やイソシアネート化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤や、イミダゾール化合物をエポキシ化合物でアダクトし、さらにその表面をイソシアネート化合物でブロックすることによりカプセル化したイミダゾール系潜在性硬化剤も用いることができる。具体的には、例えば、ノバキュアHX3941HP、ノバキュアHXA3042HP、ノバキュアHXA3922HP、ノバキュアHXA3792、ノバキュアHX3748、ノバキュアHX3721、ノバキュアHX3722、ノバキュアHX3088、ノバキュアHX3741、ノバキュアHX3742、ノバキュアHX3613いずれも旭化成ケミカルズ社製、商品名等を挙げることができる。なお、ノバキュアはカプセル化イミダゾールと熱硬化性エポキシ樹脂とをある比率にて混合した製品である。F成分として硬化促進剤を含有させる場合、硬化促進剤の含有量の好適範囲は硬化促進剤の種類によって異なる。イミダゾール系硬化促進剤の場合、A成分としてのエポキシ樹脂100質量部に対して、0.05~50質量部であることがより好ましく、0.1~30質量部であることがさらに好ましい。G成分:シランカップリング剤本発明の半導体樹脂封止材は、アンダーフィルとして使用した際の密着性を向上させるために、G成分としてシランカップリング剤を含有してもよい。G成分のシランカップリング剤としては、エポキシ系、アミノ系、ビニル系、メタクリル系、アクリル系、メルカプト系等の各種シランカップリング剤を用いることができる。これらの中でも、エポキシ系シランカップリング剤が、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用した際の密着性および機械的強度を向上させる効果に優れることから好ましい。エポキシ系シランカップリング剤の具体例としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン商品名:KBM-303、信越化学株式会社製、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン商品名:KBM-402、信越化学株式会社製、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名:KBM-403、信越化学株式会社製、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、商品名:KBE-402、信越化学株式会社製、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン商品名:KBE-403、信越化学株式会社製等が挙げられる。G成分としてシランカップリング剤を含有させる場合、半導体樹脂封止材の全成分の合計質量に対して、0.01~5質量であることが好ましく、0.05~3質量であることがより好ましい。本発明の半導体樹脂封止材は、上記A~G以外の成分を必要に応じて含有してもよい。このような成分の具体例としては、消泡剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、顔料、染料、その他着色剤などを配合することができる。各配合剤の種類、配合量は常法通りである。半導体樹脂封止材の調製本発明の半導体樹脂封止材は、上記のA~E成分、ならびに、場合により、上記F~G成分、および、消泡剤、イオントラップ剤、界面活性剤、表面改質剤、顔料、染料、その他着色剤等の任意成分を混合し、攪拌して調製される。混合攪拌には、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の混合機を用いることができるが、勿論、これに限定されない。A成分としてのエポキシ樹脂が固形の場合には、加熱などにより液状化ないし流動化し混合することが好ましい。各成分を同時に混合しても、一部成分を先に混合し、残り成分を後から混合するなど、適宜変更しても差支えない。以下、本発明の半導体樹脂封止材の特性について述べる。本発明の半導体樹脂封止材は、常温25°Cでの粘度が250Pas以下と低く、アンダーフィルとして使用した際に注入性が良好である。本発明の半導体樹脂封止材は、常温25°Cでの粘度が200Pas以下であることが好ましく、100Pas以下であることがより好ましい。本発明の半導体樹脂封止材は、D成分、すなわち、コアシェルゴムの含有による低弾性率化によって、アンダーフィルとして使用した際に、フィレット部に生じる応力が低減され、フィレットクラックの発生を抑制することができる。なお、本発明の半導体樹脂封止材は、後述する実施例に記載の手順で測定した硬化後の曲げ弾性率が15GPa以下であることが好ましい。また、フィレットクラックが発生した場合には、D成分として含有させたコアシェルゴムが応力緩和剤として作用し、フィレットクラックの進展を抑制する。また、本発明の半導体樹脂封止材は、E成分として含有させた1分子中に2以上のグリシジル基を含む化合物からなる反応性希釈剤の作用により、硬化後のアンダーフィルの強靱性が向上し、フィレットクラックが発生した場合であっても、その進展を抑制することができる。また、本発明の半導体樹脂封止材は、アンダーフィルとして使用した際に、密着性が良好であり、吸湿リフロー試験時に剥離が生じることがなく、信頼性が高い。また、本発明の半導体樹脂封止材は、ガラス転移温度Tgが、55°C以上であり、半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用した際にフリップチップ型半導体装置のバンプ電極の補強性に優れている。本発明の半導体樹脂封止材は、ガラス転移温度Tgが60°C以上であることが好ましい。これらの特性により、本発明の半導体樹脂封止材は、アンダーフィルとして用いるのに好適である。また、本発明の半導体樹脂封止材は、接着剤等の用途にも用いることができる。次に本発明の半導体樹脂封止材の使用方法を、アンダーフィルとしての使用を挙げて説明する。本発明の半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用する場合、以下の手順で基板と半導体素子との間のギャップに本発明の半導体樹脂封止材を充填する。基板をたとえば70~130°Cに加熱しながら、半導体素子の一端に本発明の半導体樹脂封止材を塗布すると、毛細管現象によって、基板と半導体素子との間のギャップに本発明の半導体樹脂封止材が充填される。この際、本発明の半導体樹脂封止材の充填に要する時間を短くするため、基板を傾斜させたり、該ギャップ内外に圧力差を生じさせてもよい。該ギャップに本発明の半導体樹脂封止材を充填させた後、該基板を所定温度で所定時間、具体的には、80~200°Cで0.2~6時間加熱して、半導体樹脂封止材を加熱硬化させることによって、該ギャップを封止する。本発明の電子部品は、本発明の半導体樹脂封止材をアンダーフィルとして使用し、上記の手順で封止部位、すなわち、基板と半導体素子との間のギャップを封止したものである。ここで封止を行う電子部品としては、半導体素子が挙げられ、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオードおよびコンデンサ等で特に限定されるものではない。以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1~17、比較例1~5下記表に示す配合割合となるように、ロールミルを用いて原料を混練して実施例1~17、比較例1~5の半導体樹脂封止材を調製した。なお、表中の各組成に関する数値は質量部を表している。なお、表中の記号は、それぞれ以下を表わす。Aエポキシ樹脂エポキシ樹脂A1:ビスフェノールF型エポキシ樹脂、製品名YDF8170、東都化成株式会社製エポキシ樹脂A2:ナフタレンエポキシ樹脂、製品名HP4032D、DIC株式会社製エポキシ樹脂A3:アミノフェノール型エポキシ樹脂、製品名JER630、ジャパンエポキシレジン株式会社製Bアミン系硬化剤アミン系硬化剤B1:4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン、製品名カヤハードA-A、日本化薬株式会社製アミン系硬化剤B2:ジエチルトリエンジアミン、製品名エタキュア100、ALBEMARLECo.,Ltd.製アミン系硬化剤B3:ジメチルチオトルエンジアミン変性芳香族アミンを含む、製品名アデカEH105L、株式会社ADEKA製CフィラーフィラーC1:エポキシ表面処理シリカフィラー平均粒径2μm、製品名SE5200SEE、株式会社アドマテックス製DコアシェルゴムコアシェルゴムD1:コア:シリコーンゴムシリコーン系エラストマー、シェル:アクリル樹脂、平均粒径0.3μmコアシェルゴムD2:コア:ブタジエンゴムブタジエン系エラストマー、シェル:アクリル樹脂、平均粒径0.1μmE反応性希釈剤反応性希釈剤E1:ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルエポキシ当量:320、全塩素量:1000ppm、F硬化促進剤硬化促進剤F1:イミダゾール系硬化促進剤、製品名2P4MHZ、四国化成工業株式会社製Gシランカップリング剤シランカップリング剤G1:エポキシ系シランカップリング剤3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、KBM403、信越化学株式会社製調製した半導体樹脂封止材を評価用試料として以下の評価を実施した。粘度ブルックフィールド粘度計を用いて、液温25°C、50rpmで調製直後の評価用試料の粘度を測定した。注入性FR-4基板基板サイズ30.0mm×30.0mm×厚さ0.75mm上にガラス基板サイズ20mm×26mm×厚さ1.25mmを50μmのギャップを空けて張り合わせた試験片を、表面温度が110°Cのホットプレート上に置き、該ギャップの中に評価用試料を毛管作用により注入させ、20mmまでの到達時間を測定した。ガラス転移温度Tg評価用試料を165°Cで120min加熱硬化させ8mmφ×200mmの円柱状に成形した硬化物について、ブルカーASX製TMA4000SAを用いて、TMA法によりガラス転移温度を測定した。弾性率曲げ弾性率離型剤を塗布したガラス板とガラス板との間に評価用試料を挟み、165°C、120分で厚さ350μmのシート状試験片の大きさ;10×40mmに硬化させ、万能試験機株島津製作所製AG-Iを用いて室温での曲げ弾性率を求めた。なお、n=3で測定し、平均値を検査値とする。また、試験片の膜厚及び幅は、5点測定し、平均値を計算値に用いる。測定温度:15~30°C吸湿リフロー性株式会社日立超LSIシステムズ製JKITTypeIII基板上にPHASE2E175_LF株式会社日立超LSIシステムズ製をフリップチップ実装させた評価用基板基板サイズ52.5mm×30.0mm×厚さ0.73mm、ダイサイズ10mm×10mm×厚さ0.73mm、PIパッシベーションダイ、Sn-3Ag-0.5Cuバンプ、バンプピッチ175μmの間隙に、評価用試料を毛管作用により注入させ、165°Cのバッチ式温風乾燥機にて2時間硬化させたのち、デジタルマルチメーターにより抵抗値を測定した。次いで、リフロー炉にてMAX260°Cのリフロー処理を行い次いで60°C/60の恒温恒湿槽に40時間放置し、再度リフロー処理を3回行った後、抵抗値および超音波探傷機SATを用いて剥離の状態を観察した。剥離が全く観察されず導通不良のない場合抵抗値が硬化後に対する変化率が±10未満である場合を◎、チップ面積に対する剥離の発生している面積の割合が1未満でありかつ導通不良のない場合を○、剥離の範囲が1以上もしくは導通不良のある場合を×とし、○以上の評価のものを吸湿リフロー性が良好であるとした。フィレットクラック上記と同様に吸湿リフローを行った試験基板を、サーマルサイクル-55°C/30min.⇔125°C/30min.へ1000サイクル投入した後、フィレットクラックをマイクロスコープにて観察した。フィレットクラックの、ダイと水平方向の長さを計測し、ダイ周辺長さに対する割合が10未満の場合は◎、10以上30未満の場合を○、30以上を×とし、○以上の評価のものを吸湿リフロー性が良好であるとした。実施例1~17の半導体樹脂封止材は、25°Cにおける粘度が300Pas以下であった。また、実施例1~17の半導体樹脂封止材は、注入性評価において、評価用試料が20mmまで到達する時間が1200sec以下と短かった。特に、実施例1~4、および、6~17は800sec以下であった。また、実施例1~17の半導体樹脂封止材は、ガラス転移温度Tgが55°C以上であり、曲げ弾性率も15GPa以下であった。また、実施例1~17の半導体樹脂封止材は、吸湿リフロー性評価の結果も良好であった。特に、実施例1~8、および、10~17は、吸湿リフロー性評価の結果が特に優れていた。また、実施例1~17の半導体樹脂封止材は、フィレットクラック評価の結果も良好であった。特に、実施例2~5、および7~17はフィレットクラック評価の結果が特に優れていた。一方、D成分のコアシェルゴムを含有しない比較例1の半導体樹脂封止材、および、E成分の反応性希釈剤を含有しない比較例2,3の半導体封止材は、フィレットクラック評価の結果が劣っていた。なお、E成分の反応性希釈剤を含有せず、D成分のコアシェルゴムの含有量が高い比較例2では粘度の上昇が確認され、注入性評価の際、注入不可であった。B成分のアミン系硬化剤の含有量が、A成分のエポキシ樹脂およびE成分の反応性希釈剤に対する当量比で0.5当量未満の比較例4では半導体樹脂封止材が硬化しなかった。B成分のアミン系硬化剤の含有量が、A成分のエポキシ樹脂およびE成分の反応性希釈剤に対する当量比で1.5当量超の比較例4ではアンダーフィルとして使用した際に密着性が低下し、吸湿リフロー性評価の際に剥離を生じた。"