"ドライバレーザから出力されたレーザ光をもとに極端紫外光をバースト出力する極端紫外光生成装置であって、過去にバースト出力された極端紫外光のパラメータログをもとに、バースト出力される極端紫外光の少なくとも1パルス目を含む1パルス以上の先頭側パルスエネルギーのエネルギー制御を行うエネルギー制御部を備える極端紫外光生成装置。前記過去のパラメータログは、次にバースト出力されるまでの所定時間内における極端紫外光の平均出力である請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記過去のパラメータログは、直前にバースト出力されたバースト長時間および直前のバースト出力の直前のバースト休止時間の少なくとも1つである請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記過去のパラメータログは、次にバースト出力するまでの所定時間内における極端紫外光の平均出力と、直前にバースト出力されたバースト長時間および直前のバースト出力の直前のバースト休止時間の少なくとも1つとの組合せである請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記過去のパラメータログと前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーの制御値との関係を記憶する記憶部を備え、前記エネルギー制御部は、前記記憶部から前記過去のパラメータログに対応する前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーの制御値を取得してエネルギー制御を行うとともに、該エネルギー制御によって出力されたパルスエネルギーをもとに前記記憶部に記憶されている前記過去のパラメータログと前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーの制御値との関係を更新する学習処理を行う請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記記憶部は、前記過去のパラメータログと前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーの制御値との関係を記憶するテーブルである請求項5に記載の極端紫外光生成装置。前記記憶部は、前記過去のパラメータログと前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーの制御値との関係を示す関係式を記憶し、前記エネルギー制御部は、前記関係式内のパラメータを更新する学習処理を行う請求項5に記載の極端紫外光生成装置。前記エネルギー制御部は、前記ドライバレーザのレーザパルスエネルギーを制御することによって前記1パルス以上の先頭側パルスエネルギーを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記ドライバレーザは、マスタオシレータ、プリアンプ、およびメインアンプを備え、前記エネルギー制御部は、前記プリアンプに入力されるレーザパルスエネルギーを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記ドライバレーザは、マスタオシレータ、プリアンプ、およびメインアンプを備え、前記エネルギー制御部は、前記マスタオシレータにおいて発生するレーザパルスエネルギーを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記ドライバレーザは、マスタオシレータ、プリアンプ、およびメインアンプを備えるとともに、前記マスタオシレータとプリアンプとの間に、再生増幅器を備え、前記エネルギー制御部は、前記再生増幅器のレーザパルスエネルギーを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記ドライバレーザは、マスタオシレータ、プリアンプ、およびメインアンプを備え、前記エネルギー制御部は、前記プリアンプおよび/またはメインアンプによってレーザパルスエネルギーを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記エネルギー制御部は、前記ドライバレーザの励起タイミングを制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。前記エネルギー制御部は、前記ドライバレーザの発振パルス波形を制御する請求項1に記載の極端紫外光生成装置。トリガ信号によって発振するドライバレーザから出力されたレーザ光をもとに極端紫外光をバースト出力する極端紫外光生成装置であって、過去にバースト出力された極端紫外光のパラメータログを記憶する第1の記憶装置と、バースト出力時のトリガ信号の時間間隔を計時するタイマと、前記タイマの前記計時した時間間隔と前記記憶装置の前記パラメータログをもとにEUVパルスエネルギー制御量を演算する演算装置と、前記EUVパルスエネルギー制御量にもとづいてドライバレーザのレーザエネルギーを制御するエネルギー制御装置と、を備える極端紫外光生成装置。出力されたEUVパルスエネルギー値を計測するエネルギー計測装置と、前記演算装置による演算結果を更新可能に記憶する第2の記憶装置とを備え、前記演算装置は、所望のEUVエネルギー値と、直前に計測した前記EUVエネルギー値との差に基づいて、次にバースト出力される前記EUVパルスエネルギー制御量をさらに演算する、請求項15に記載の極端紫外光生成装置。実施の形態1まず、この開示の実施の形態1による極端紫外EUV光生成装置について説明する。図1は、この開示の実施の形態1によるEUV光生成装置の構成を示す模式図である。このEUV光生成装置は、大きくはドライバレーザ1と、このドライバレーザ1からのCO2パルスレーザ光L1をもとにEUV光L2を生成するEUV光生成装置2と、ドライバレーザ1およびEUV光生成装置2を制御するEUV光源コントローラCとを備える。ドライバレーザ1は、EUV光源コントローラCの制御のもと、CO2パルスレーザ光L1を出力する。出力されたCO2パルスレーザ光L1は、HR高反射ミラーM1および軸外放物面ミラーM2によって反射され、EUV光生成装置2のウィンド15を介して、EUV光生成装置2のEUVチャンバ10内に入射する。EUV光生成装置2は、ターゲット生成器12からSnドロップレットであるターゲット13をEUVチャンバ10内のプラズマ生成サイトPLを経由するように出力する。ターゲット生成器12によるターゲット13の生成タイミングは、EUV光源コントローラCからのドロップレット制御信号S4によって制御される。ドロップレットコントローラ11は、このドロップレット制御信号S4を受けてターゲット13の生成を制御する。この出力されたターゲット13のうち、EUV光の生成に寄与しない残りターゲットは、ターゲット生成器12に対向配置されたターゲット回収筒14に回収される。また、EUV光生成装置2は、EUV光検出器16を備える。このEUV光検出器16は、プラズマ生成サイトPLで発光したEUV光のエネルギーを検出し、EUVパルスエネルギー検出信号S2をEUV光源コントローラCに出力する。一方、ドライバレーザ1からEUVチャンバ10内に入力されたCO2パルスレーザ光L1は、EUV集光ミラーM3の中央部に設けられた貫通孔を介してプラズマ生成サイトPLに集光される。このプラズマ生成サイトPLにおいて、ターゲット13にCO2パルスレーザ光L1が照射されるとプラズマが発生する。このプラズマからは、波長13.5nmのEUV光L2が高い効率で発生する。この発生したEUV光L2は、EUV集光ミラーM3で集光され、中間集光点IFに集光される。さらに、EUV光L2は、中間集光点IFから広がりながら、露光装置100に入射する。EUV光源コントローラCは、露光装置100側からのトリガ信号S1をもとに、少なくともターゲット13の生成タイミングとドライバレーザ1からのCO2パルスレーザ光L1の生成タイミングとを同期制御してプラズマ生成サイトPLにおけるEUV光L2の発生を制御する。EUV光源コントローラCは、少なくとも、バースト発光時における先頭側パルスエネルギーが安定して所望値となるようにバースト先頭制御処理を行う。EUV光源コントローラCは、エネルギー制御処理部20、パルス履歴部21、タイマ22、および制御量記憶部23を備える。パルス履歴部21は、現在までの所定時間Tw内のEUVパルスエネルギー値をパルス発生時刻とともに保存する。このEUVパルスエネルギーの履歴処理は、露光装置100からのトリガ信号S1によってEUVパルス発生の時刻を特定するとともに、EUV光検出器16からのEUVパルスエネルギー検出信号S2によってEUVパルスエネルギー値を特定する。なお、EUVパルスエネルギー検出信号S2は、EUV光検出器16からの検出信号ではなく、露光装置100側における図示しないEUV光検出器からのEUVパルスエネルギー検出信号でもよい。あるいは、EUVパルスエネルギー検出信号S2として、露光装置100側およびEUV光検出器16の双方のEUVパルスエネルギー検出信号を用いるようにしてもよい。タイマ22は、所定の時間、たとえば後述するトリガ待ち時間Tを計時する。制御量記憶部23は、現在までの所定時間Tw内で発生したパラメータログとして、現在までの所定時間Tw内で発生したパルスエネルギーの平均値に対応した先頭側パルスエネルギーの制御量を更新可能に記憶する。エネルギー制御処理部20は、フィードバック制御を行うが、特にパルス履歴部21が保存するパラメータログをもとに先頭側パルスエネルギーの制御量を学習して更新する。エネルギー制御処理部20は、この更新された先頭側パルスエネルギーの制御量を用いて先頭側パルスエネルギーの出力を安定化するバースト先頭制御処理を行う。ここで、理想的なバースト発光パターンについて説明する。図2は、バースト発光B11→B12→B13→B14→B15が生じ、現時点から制御対象となる対象バースト発光Bを行うタイムチャートを示している。この場合、バースト発光B12,B13,B14,B15は、上述した現在までの所定時間Tw内に発生している。また、バースト長時間TBは、対象バースト発光Bの直前のバースト発光B15の期間である。また、バースト休止時間Trは、対象バースト発光Bの直前の発光休止時間である。図2は、EUVパルスエネルギーEpが各バースト発光毎に均一である、理想的なバースト発光を示している。図3は、バースト発光に対してフィードバック制御を行わないときのEUVパルスエネルギーの変化を示している。このバースト発光では、便宜上、31個の連続のEUVパルスP1~P31が発生している。ここで、エネルギー制御処理部20によるバースト先頭制御処理の対象となるEUVパルスは、学習制御領域E1内のEUVパルスである。具体的に、バースト先頭制御処理の対象となるEUVパルスは、先頭からm個までのEUVパルス、すなわちEUVパルスP1~P7までの7個のEUVパルスである。また、フィードバック領域E2内のEUVパルスは、m1個から最後のmk個までのk個のEUVパルス、具体的にEUVパルスP8~P31までの24個のEUVパルスである。このフィードバック制御は、バースト発光中の直前のEUVパルスのEUVパルスエネルギーをもとに、次に連続するEUVパルスのEUVパルスエネルギーを制御するものである。ところで、EUV光生成装置は、半導体ウェハなどの被照射物に対して露光を行う露光装置の光源として用いられ、ステップアンドスキャン方式で発光動作を繰り返す。すなわち、EUV光生成装置は、スキャン露光時には所定の運転周波数で連続パルス発光、すなわち、バースト発光し、ステップ移動時にはパルス発光を停止する、という運転パターンを繰り返す。この運転パターンを繰り返すため、EUV光生成装置のドライバレーザ1は、バースト発光を行うための一定時間の連続パルス発振とパルス発振停止とを繰り返すバースト発振動作を行う。ここで、バースト発光時に各EUVパルスエネルギーをフィードバック制御しない場合、図3に示すように各EUVパルスエネルギーの値が一定ではないバースト発光パターンとなる。すなわち、従来のEUV光生成装置では、バースト発光時に各EUVパルスエネルギーを検出し、あるいは所定期間内の平均EUVパルスエネルギーを検出し、発光すべき各EUVパルスエネルギーをフィードバック制御していた。しかしながら、図3に示すように、バースト発光の先頭側パルスエネルギー、特に先頭パルスエネルギーは大きな値となり、フィードバック制御では制御しきれない範囲となる場合が多い。つまり、図2に示すような、バースト発光期間における各EUVパルスエネルギーの値が均一となる理想的なバースト発光を行うことが困難であった。この原因は、バースト発光間にバースト休止期間が設けられ、バースト発光期間とバースト休止期間との間で、EUV光生成装置の熱的な条件が変化するためである。このため、たとえフィードバック制御を行っても、先頭側パルスエネルギーを設定されたパルスエネルギー値に安定制御することが困難であった。さらに、バースト発光期間やバースト休止期間が変化し、さらには各バースト発光期間で各EUVパルスエネルギーの所望値が変化する場合には、一層、先頭側パルスエネルギーの安定制御が困難であった。なお、先頭側パルスエネルギーの安定化制御に関しては、EUV光生成装置の内うちのドライバレーザによるバースト発振を安定化させたとしても、EUVパルスエネルギーを安定制御することはできない。つまり、EUV光生成装置の熱的な条件変化は、たとえばミラーなどの光学素子の熱的な変化であり、この光学素子は、EUV光の出力に対しても用いられているからである。この実施の形態では、バースト発光時の先頭側パルスエネルギーを所望値に安定制御するために、エネルギー制御処理部20がバースト先頭制御処理を行うように構成されている。なお、本明細書においては、EUV光が一定時間の連続パルス出力とパルス出力停止とを繰り返すことをバースト出力と定義する。つぎに、エネルギー制御処理部20によるバースト先頭制御処理を含むエネルギー制御処理について説明する。図4は、EUV光源コントローラCによるエネルギー制御処理を含む全体フローチャートである。図5は、図4に示したエネルギー制御処理手順を示すフローチャートである。図6は、図5に示したバースト先頭制御処理手順を示すフローチャートである。図7は、図5に示したフィードバック制御処理手順を示すフローチャートである。図8は、連続したバースト発光時における信号変化を示すタイムチャートである。図9は、図8に示した2つのバースト発光間における信号変化を時間的に拡大したタイムチャートである。まず、EUV光源コントローラCは、図4に示すように、初期設定を行うステップS101。この初期設定には、トリガ待ち時間Tの初期値をバースト開始閾値Tthよりも大きくしておく設定と、バースト先頭制御処理で用いる制御量の初期値の設定とを含む。その後、エネルギー制御処理部20は、バースト発光時の各パルスエネルギーを所望値に安定させるエネルギー制御処理を行うステップS102。その後、EUV光源コントローラCは、レーザ発振を停止する処理を行うか否かを判断するステップS103。レーザ発振を停止する場合ステップS103,Yesには、本処理を終了し、レーザ発振を停止しない場合ステップS103,Noには、ステップS102に移行し、エネルギー制御処理を続行する。ステップS102によるエネルギー制御処理は、図5に示すように、まず、エネルギー制御処理部20が、露光装置100からのトリガ信号S1を検出したか否かを判断するステップS111。エネルギー制御処理部20は、トリガ信号S1を検出するとステップS111,Yes、トリガ待ち時間Tがバースト開始閾値Tth以上か否かを判断するステップS112。このトリガ待ち時間Tは、図9に示すように、トリガ信号S1間の時間であり、初期設定で設定された値またはタイマ22が計時する時間である。バースト開始閾値Tthは、予め設定される値であり、たとえば20msである。このバースト開始閾値Tthは、図9に示すように、バースト発光期間におけるEUVパルス間隔Tpよりも大きい時間である。トリガ待ち時間Tがバースト開始閾値Tth以上の場合ステップS112,Yesには、エネルギー制御処理部20は、変数である、バースト先頭からのバーストパルス数Pbを、Pb=1に設定するステップS113。その後、ステップS116でのバースト先頭制御処理に移行する。一方、トリガ待ち時間Tがバースト開始閾値Tthより大きくない場合ステップS112,Noには、バーストパルス数PbをPb1にインクリメントするステップS114。さらに、バーストパルス数Pbが、予め設定されたバースト先頭制御パルス数m以下であるか否かを判断するステップS115。このバースト先頭制御パルス数mは、バースト先頭制御処理対象のパルス数である。バーストパルス数Pbが、バースト先頭制御パルス数m以下である場合ステップS115,Yesには、ステップS116に移行してバースト先頭制御処理を行う。一方、バーストパルス数Pbが、バースト先頭制御パルス数m以下ではない場合ステップS115,Noには、ステップS117に移行してフィードバック制御処理を行う。そして、ステップS116でのバースト先頭制御処理またはステップS117でのフィードバック制御処理を行った後、ステップS102にリターンする。ステップS116によるバースト先頭制御処理は、まず、図6に示すように、制御量読出処理を行うステップS201。この制御量は、学習制御領域E1内におけるゲートパルス数Pbに対応する順番のEUVパルスエネルギー制御量であり、エネルギー制御処理部20によって、制御量記憶部23に更新可能に設定されている。本実施の形態では、この制御量は直前の所定期間Tw内のEUVパルスエネルギーの平均出力と、バーストパルス数Pbの値とによって決定される関係テーブルとして保持されている。そして、ステップS201では、この関係テーブルを参照し、現時点tm0における平均出力に対応するEUVパルスエネルギーの制御量を読み出す制御量読出処理を行う。この制御量読出処理は、図10に示すように、パルス履歴部21の履歴内容をもとに求められた、直前の所定時間Tw内のパルス数カウント値分EUVパルス数分のEUVパルスエネルギーEを加算し、所定時間Twで除算した平均出力Wを算出するステップS301。この平均出力Wは、パラメータログであり、次式1によって、算出される。W=ΣE/Tw...1なお、現時点tm0までに所定時間Twとならない場合、現時点tm0までのパルス数カウント値分のEUVパルスエネルギーを加算し、現時点tm0までの時間で除算した平均出力を平均出力Wとして算出することが好ましい。しかし、式1に従ってそのまま平均出力Wを算出してもよい。その後、算出された平均出力Wとバーストパルス数Pbの値とをもとに、制御量記憶部23から対応する制御量を読み出しステップS302、ステップS201にリターンする。たとえば、制御量記憶部23に記憶されている関係テーブルには、初期状態では、図10内の関係テーブルTaに示すように、バースト発光の先頭からm番目までの各EUVパルス毎に、n段階に分割された平均出力Wの範囲に対して、予め設定された制御量がそれぞれマトリックス状に記憶されている。たとえば、先頭のEUVパルスバーストパルス数Pb=1に対して、平均出力Wの値がW1~W2の範囲内である場合、制御量Cが読み出される。図6に戻って、エネルギー制御処理部20は、読み出した制御量を指示するEUVパルスエネルギー制御信号S3をドライバレーザ1に出力し、CO2パルスレーザ光L1を発振させてEUVパルス光を発光させるステップS202。その後、エネルギー制御処理部20は、EUVパルスエネルギー検出信号S2をもとに、発光したEUVパルスエネルギーを検出しステップS203、この検出したEUVパルスエネルギーをもとに、パルス履歴部21の履歴を更新するステップS204。そして、このパルス履歴部21の更新履歴をもとに、制御量記憶部23内の関係テーブルTaを更新する制御量更新処理を行うステップS205。この制御量更新処理は、図11に示すように、まず、エネルギー制御処理部20は、ステップS203で検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS311。その後、この差ΔEの誤差をなくすために、次式2に示すように最適な制御量Cnewを算出するステップS312。Cnewの算出は式2に拠ってもよい。Cnew=CΔEdC/dEGain...2そして、エネルギー制御処理部20は、この算出した制御量Cnewを、制御量記憶部23内の対応する制御量Cとして更新しステップS313、ステップS205にリターンする。たとえば、パラメータログとしての平均出力Wの値がW1~W2で、先頭のEUVパルスである場合バーストパルス数Pb=1、関係テーブルTa内の制御量Cは、制御量Cnewに更新される。図6に戻って、エネルギー制御処理部20は、タイマ22が計時するトリガ待ち時間TをT=0にリセットしステップS206、ステップS116にリターンする。このバースト先頭制御処理では、図8に示すように、学習制御領域E1内の各EUVパルスに対して、直前の所定時間Tw内におけるEUVパルスエネルギーのパラメータログである平均出力Wをもとに、この平均出力Wに対応する最適なEUVパルスエネルギーの制御量を選択してEUVパルスを発光させる。さらに、バースト先頭制御処理では、エネルギー制御処理部20が、今回発光したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEをなくすような最適制御量を算出して更新し、同じ範囲の平均出力Wのときに発光すべきEUVパルスが所望のEUVパルスエネルギーEtとなるように学習している。つぎに、ステップS117におけるフィードバック制御処理について説明する。図7に示すように、エネルギー制御処理部20は、まず、直前のEUVパルスエネルギーで算出した制御量を制御量記憶部23内から読み出すステップS211。その後、エネルギー制御処理部20は、読み出した制御量を指示するEUVパルスエネルギー制御信号S3をドライバレーザ1に出力し、CO2パルスレーザ光L1を発振させてEUVパルス光を発光させるステップS212。その後、エネルギー制御処理部20は、EUVパルスエネルギー検出信号S2をもとに、発光したEUVパルスエネルギーを検出しステップS213、この検出したEUVパルスエネルギーをもとに、制御量を計算しステップS214、制御量記憶部23内に保存する。その後、エネルギー制御処理部20は、タイマ22が計時するトリガ待ち時間TをT=0にリセットしステップS215、ステップS117にリターンする。このフィードバック制御処理は、上述したように、直前のEUVパルスエネルギーと予め設定されたEUVパルスエネルギーとの差がなくなるように、次のEUVパルスエネルギーの出力を制御するものである。具体的には、図8に示すように、フィードバック制御領域E2内のEUVパルスに対する処理である。なお、このパルス履歴部21に保持される履歴内容は、図8eに示すように、各EUVパルスエネルギー検出信号S2の時間履歴となる。なお、パルス履歴部21に保持される履歴内容は、現在の時点tm0から所定時間Tw前までの時間履歴であればよく、それ以前の履歴内容は逐次削除するようにしてもよい。また、ステップS301で算出した平均出力Wは、時間平均であったが、所定時間Twは予め決まっているため、所定時間Twで除算せずに、この所定時間Tw内の各EUVパルスエネルギーの積算値でもよい。また、各EUVパルスエネルギーの平均値であってもよい。さらに、EUVパルスの数をパラメータログとしてもよい。この実施の形態1では、エネルギー制御処理部が、先にバースト発光したEUV光の直前のバースト発光のパラメータログをもとに、次にバースト発光するEUV光の少なくとも1番目を含む1以上の先頭側パルスエネルギーのエネルギー制御を行うようにしているので、バースト発光時の先頭側パルスエネルギーを所望値に安定制御することができる。実施の形態2また、バースト先頭制御パルス数mを1としてもよい。これは、バースト先頭のEUVパルスは、パラメータログによって所望のEUVパルスエネルギーの値よりも大きく変動するからである。図12は、この場合における制御量記憶部23内に記憶される関係テーブルTbの内容を示している。この関係テーブルTbは、バースト先頭のEUVパルスに対してのみ、平均出力Wの範囲に対応した制御量が記憶され、更新される。したがって、バースト先頭から2番目以降のEUVパルスに対しては、すべてステップS117のフィードバック制御処理がなされる。実施の形態3上述した実施の形態1では、制御量記憶部23に記憶されている関係テーブルを用いて制御量を読み出し、更新するようにしていたが、この実施の形態3では、平均出力Wに対応する制御量を示す関係式を用いて、制御量を読み出し、制御量を更新することによってバースト先頭制御処理を行うよう構成されている。図13は、実施の形態3によるバースト先頭制御処理における制御量読出処理手順を示すフローチャートである。また、図14は、実施の形態3によるバースト先頭制御処理における制御量更新処理手順を示すフローチャートである。図13に示した制御量読出処理では、ステップS301と同様にパラメータログとして平均出力Wを算出するステップS401。その後、得られた平均出力Wを、次式3に示す平均出力Wを変数とする制御量Cの関係式に当てはめて制御量Cを算出してステップS402、ステップS201にリターンする。C=dC/dWA/expB×WD...3なお、A,Bは定数であり、Dは、オフセット量である。なお、この制御量Cの関係式は、学習制御領域E1内の先頭からのEUVパルス毎に設定される。すなわち、バースト先頭制御パルス数mに対応する分、設定される。また、図14に示した制御量更新処理では、ステップS311と同様に、検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS411。その後、この差ΔEをなくすための最適オフセット量Dnewを次式4によって算出するステップS412。Dnew=DΔEdC/dEGain...4その後、現在の関係式のオフセット量Dを、算出した最適オフセット量Dnewに更新しステップS413、ステップS205にリターンする。実施の形態4また、上述した実施の形態1では、所定時間Tw内の平均出力Wをパラメータログとして制御量を読み出し、制御量を更新することによってバースト先頭制御処理を行うようにしているが、この実施の形態4では、図8に示した直前のバースト長時間TBをパラメータログとして制御量を読み出し、制御量を更新するようにしている。すなわち、この実施の形態4では、次の対象バースト発光を行う際、対象バースト発光に影響を及ぼす直前のバースト発光に対するバースト長時間TBをパラメータログとしている。図15は、実施の形態4によるバースト先頭制御処理における制御量読出処理手順を示すフローチャートである。図16は、実施の形態4によるバースト先頭制御処理における制御量更新処理手順を示すフローチャートである。図15に示した制御量読出処理では、まず、パルス履歴部21内の履歴内容から、直前のバースト長時間TBを取得するステップS501。その後、この得られたバースト長時間TBの値をもとに、制御量記憶部23に記憶されている関係テーブルTcから、対応する制御量を読み出してステップS502、ステップS201にリターンする。ここで、関係テーブルTcでは、たとえばバースト先頭パルスに対し、バースト長時間TBの複数のn個の範囲0~T1,T1~T2,...,Tn1~Tn毎に、制御量C1,C2,...,Cn1,Cnが設定されている。そして、たとえば、得られたバースト長時間TBがT1~T2内である場合、制御量C2が読み出される。また、図16に示した制御量更新処理では、ステップS311と同様に、検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS511。その後、この差ΔEをなくすために、この差ΔEを用いて最適制御量Cを式2によって算出するステップS512。その後、対応する制御量Cを、算出した最適制御量Cnewに更新しステップS513、ステップS205にリターンする。たとえば、制御量C2に対応する最適制御量Cnewが算出された場合、この制御量C2を最適制御量Cnewに更新するための上書き処理を行う。実施の形態5また、上述した実施の形態1では、所定時間Tw内の平均出力Wをパラメータログとして制御量を読み出し、制御量を更新することによってバースト先頭制御処理を行うようにしていた。この実施の形態5では、図8に示した直前のバースト休止時間Trをパラメータログとして制御量を読み出し、制御量を更新するようにしている。すなわち、この実施の形態5では、次の対象バースト発光を行う際、対象バースト発光に影響を及ぼす直前のバースト発光終了からの発光休止時間であるバースト休止時間Trをパラメータログとしている。図17は、実施の形態5によるバースト先頭制御処理における制御量読出処理手順を示すフローチャートである。また、図18は、実施の形態5によるバースト先頭制御処理における制御量更新処理手順を示すフローチャートである。図17に示した制御量読出処理では、まず、パルス履歴部21内の履歴内容から、直前のバースト休止時間Trを取得するステップS601。その後、この得られたバースト休止時間Trの値をもとに、制御量記憶部23に記憶されている関係テーブルTdから、対応する制御量を読み出してステップS602、ステップS201にリターンする。ここで、関係テーブルTdでは、たとえばバースト先頭パルスに対し、バースト休止時間Trの複数のn個の範囲0~Tr1,Tr1~Tr2,...,Trn1~Trn毎に、制御量C1,C2,...,Cn1,Cnが設定されている。そして、たとえば、得られたバースト休止時間TrがTr1~Tr2内である場合、制御量C2が読み出される。また、図18に示した制御量更新処理では、ステップS311と同様に、検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS611。その後、この差ΔEをなくすために、この差ΔEを用いて最適制御量Cnewを式2によって算出するステップS612。その後、対応する制御量Cを、算出した最適制御量Cnewに更新しステップS613、ステップS205にリターンする。たとえば、制御量C2に対応する最適制御量Cnewが算出された場合、この制御量C2を最適制御量Cnewに更新するための上書き処理を行う。実施の形態6また、上述した実施の形態4では、直前のバースト長時間TBをパラメータログとして関係テーブルTcから制御量を読み出し、制御量を更新するようにしていた。この実施の形態6では、この関係テーブルTcに替えて、実施の形態3と同様に、直前のバースト長時間TBに対応する制御量を示す関係式を用いて、制御量を読み出し、制御量を更新するようにしている。図19は、実施の形態6によるバースト先頭制御処理における制御量読出処理手順を示すフローチャートである。図20は、実施の形態6によるバースト先頭制御処理における制御量更新処理手順を示すフローチャートである。図19に示した制御量読出処理では、まず、パルス履歴部21内の履歴内容から、直前のバースト長時間TBを取得するステップS701。その後、制御量記憶部23に記憶されている次式5に示すバースト長時間TBに対する制御量の関係を示す関係式に、得られたバースト長時間TBを入力して、対応する制御量を算出しステップS702、ステップS201にリターンする。C=dC/dTA/expB×TBD...5なお、A、Bは定数であり、Dは、オフセット量である。この制御量Cの関係式は、学習制御領域E1内の先頭からのEUVパルス毎に設定される。すなわち、バースト先頭制御パルス数mに対応する分、設定される。また、図20に示した制御量更新処理では、ステップS311と同様に、検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS711。その後、この差ΔEをなくすための最適オフセット量Dnewを式4によって算出するステップS712。その後、現在の関係式のオフセット量Dを、算出した最適オフセット量Dnewに更新しステップS713、ステップS205にリターンする。なお、この実施の形態6では、バースト長時間TBをパラメータログとして関係式をもとに制御量を求めるようにしていたが、バースト長時間TBに替えてバースト休止時間Trをパラメータログとする関係式をもとに制御量を求めるようにしてもよい。実施の形態7この実施の形態7では、所定時間Tw内の平均出力Wおよびバースト長時間TBをパラメータログとし、この平均出力Wとバースト長時間TBとのマトリックスによって設定される制御量の関係テーブルTeから制御量を読み出し、制御量を更新することによってバースト先頭制御処理を行うようにしている。なお、バースト先頭制御パルス数mが複数の場合、複数の関係テーブルを用いることになる。図21は、実施の形態7によるバースト先頭制御処理における制御量読出処理手順を示すフローチャートである。図22は、実施の形態7によるバースト先頭制御処理における制御量更新処理手順を示すフローチャートである。図21に示した制御量読出処理では、まず、パルス履歴部21内の履歴内容から、平均出力Wおよび直前のバースト長時間TBを取得するステップS801。その後、この得られた平均出力Wおよびバースト長時間TBの値をもとに、制御量記憶部23に記憶されている関係テーブルTeから、対応する制御量を読み出してステップS802、ステップS201にリターンする。また、図22に示した制御量更新処理では、検出したEUVパルスエネルギーEsと所望のEUVパルスエネルギーEtとの差ΔEを算出するステップS811。その後、この差ΔEをなくすために、この差ΔEを用いて最適制御量Cnewを式2によって算出するステップS812。その後、対応する制御量Cを、算出した最適制御量Cnewに更新しステップS813、ステップS205にリターンする。たとえば、平均出力Wの値がW1~W2の範囲内であってバースト長時間TBの値がT1~T2の範囲内であるときに設定されている制御量Cの値がCである場合に、この制御量Cに対応する最適制御量Cnewが算出された場合、この制御量Cを最適制御量Cnewに更新するための上書き処理を行う。なお、関係テーブルに替えて関係式を用いて制御量を演算する場合、この関係式は、平均出力Wとバースト長時間TBとを変数として制御量Cが決定される関数となる。また、バースト先頭制御パルス数mが複数の場合、複数の関係式を用いる。また、バースト長時間TBに替えてバースト休止時間Trを用いてもよいし、バースト休止時間Trをさらに加えた3次元マトリックスの関係テーブル、または平均出力W、バースト長時間TB、およびバースト休止時間Trの3つの変数によって決定される関係式によって制御量Cを決定する関数を用いてもよい。これらの実施の形態1~7では、直前の所定時間Tw内のEUVパルスエネルギーの平均出力W、直前のバースト長時間TB、および直前のバースト休止時間Trのうちの1つまたはそれらの2以上の組合せによって決定される1以上の先頭側EUVパルスの制御量Cを読み出し、さらには更新して、次に発光する1以上の先頭側EUVパルスエネルギーを学習制御するバースト先頭制御処理を行うようにしている。このため、先頭側EUVパルスエネルギーが所望のEUVパルスエネルギーから乖離した値とならず、安定したバースト発光を行うことができる。なお、上述した実施の形態1~7では、トリガ信号S1がバースト発光内の各パルス単位毎に指示されるものであった。これに対して、図23および図24に示すように、露光装置100側からのトリガ信号S1に替えて、各バースト単位毎に指示するトリガ信号S1‘を用いてもよい。この場合、エネルギー制御処理部20は、トリガ信号S1’の立ち上がりタイミングをもとに、EUVパルスエネルギー制御信号S3を生成するように構成される。EUVパルスエネルギー制御信号S3のバースト内の繰返し周波数は、予めEUV光源コントローラCに保持されていてもよいし、露光装置100によって指定されてもよい。生成されたEUVパルスエネルギー制御信号S3はドライバレーザ1に入力されるとともに、パルス履歴部21およびタイマ22に入力される。パルス履歴部21は、このEUVパルスエネルギー制御信号S3をトリガ信号S1と同様に扱うことによってEUVパルスエネルギーの履歴を保存する。また、タイマ22は、このEUVパルスエネルギー制御信号S3をトリガ信号S1と同様に扱うことによって計時処理を行う。すなわち、各バースト発光期間を示すトリガ信号S1‘であっても、エネルギー制御処理部20が2発目以降のトリガ信号S1または1発目以降のトリガ信号S1に対応するEUVパルスエネルギー制御信号S3を生成することによって、上述した実施の形態1~7と同様な処理を行うことができる。変形例1この変形例1では、上述した実施の形態1~7のEUV光源コントローラCによって制御されるドライバレーザ1の詳細な制御構成について説明する。図25に示すように、このドライバレーザ1は、プリアンプPAおよびメインアンプMAの増幅波長領域の縦モードパルスレーザ光を発振する半導体レーザなどのマスタオシレータMOを備える発振装置25、発振装置25から出力されたパルスレーザ光を順次増幅するプリアンプPA、およびメインアンプMAを備える。また、ドライバレーザ1は、ドライバレーザコントローラC1を備える。ドライバレーザコントローラC1は、EUV光源コントローラCから出力されたトリガ信号S1およびEUVパルスエネルギー制御信号S3をもとに、発振装置25によるCO2パルスレーザ光L1の発振を制御するトリガ信号S11およびレーザパルスエネルギー制御信号S13を発振装置25に出力する。プリアンプPAは、スラブレーザ増幅器でもよい。発振装置25から出力されたレーザ光は、プリアンプPAの入力ウィンドに入射する。プリアンプPAは、入射したレーザ光を、増幅領域でミラーM31、M32を介してマルチパス増幅し、増幅されたレーザ光を出力ウィンドからHR高反射ミラーM11に向けて出力する。このように、シングル縦モードパルスレーザ光は、プリアンプPAの増幅媒体の増幅領域空間内を通過して、効率よく増幅出力される。プリアンプPAから出力された増幅パルスレーザ光は、HR高反射ミラーM11、M12で反射されてリレー光学系R2に入射する。リレー光学系R2は、CO2レーザ光の増幅媒体である混合ガスが充填されたメインアンプMAの増幅領域空間を増幅パルスレーザ光が満たして入射できるように、増幅パルスレーザ光のビーム幅または径を広げる。これによって、増幅パルスレーザ光は、メインアンプMAの増幅媒体の増幅領域空間内を通過して、効率よくさらに増幅出力される。その後、メインアンプMAから出力された増幅パルスレーザ光は、リレー光学系R3によってコリメート化される。コリメート化されたレーザ光は、HRミラーM1および軸外放物面ミラーM2によって高反射され、EUV光生成装置2のEUVチャンバ10内にウィンド15を介して入射する。ここで、HRミラーM1と軸外放物面ミラーM2との間には、CO2パルスレーザ光L1の出力を検出するための部分反射ミラーまたはビームスプリッタによって構成される光学素子M21が設けられる。光学素子M21によって反射されたレーザ光は、集光レンズR21によって集光されたのち、レーザ光検出器24によってCO2パルスレーザ光L1の出力が検出される。このレーザ光検出器24によって検出されたCO2パルスレーザ光L1のパルスエネルギーは、EUV光源コントローラCおよびドライバレーザ1に対してレーザパルスエネルギー検出信号S5として入力される。そして、ドライバレーザコントローラC1は、トリガ信号S11およびレーザパルスエネルギー制御信号S13を発振装置25に出力して、プリアンプPAに入力されるパルスレーザ光のエネルギー制御を行う。この際、ドライバレーザコントローラC1は、入力されるレーザパルスエネルギー検出信号S5を用いて制御する。なお、最終的にEUV光生成装置2から出力されるEUVパルスエネルギーの制御は、上位のEUV光源コントローラCによって行われる。すなわち、この変形例1では、プリアンプPAに入力されるパルスレーザ光の発振タイミング、発振波長、発振波形を制御するようにしている。マスタオシレータMOは、たとえば、図26に示すように、一対の共振器ミラー31、32間に、共振器ミラー31側から順次、ポッケルスセル34、ポーラライザ35、CO2増幅媒体33が配置される。なお、CO2増幅媒体33は、レーザ電源37からの一定周波数の電圧印加によって一定の励起状態にされる。電圧が印加されない状態のポッケルスセル34およびポーラライザ35はたとえばこれら光学素子に対するP偏光を仮定した場合、P偏光の光を透過させる。このため、マスタオシレータMOは、共振器ミラー31、32とCO2増幅媒体33によってP偏光のCO2レーザ光を発振する。ポッケルスセル制御電源36は、トリガ信号S11およびレーザパルスエネルギー制御信号S13をもとに、所定のタイミングで所定の波形を形成するための発振制御信号S30をポッケルスセルに出力する。電圧が印加されたポッケルスセル34は一定以上の電圧が印加されている時間だけ入射するレーザ光の偏光を回転させる。まず、発振制御信号S30によってポッケルスセル34は電圧が印加されない状態にある。この状態では、P偏光のCO2レーザ光はポッケルスセル34を、偏光を回転されること無く透過するため、CO2レーザ光はプリアンプPA側へ出力されない。ここで、発振制御信号S30によって所定期間、ポッケルスセル34に電圧が印加されると、増幅されたCO2レーザ光は、ポッケルスセル34によってS偏光となり、このS偏光のCO2レーザ光は、ポーラライザ35によって反射されプリアンプPA側に出力される。このポッケルスセル制御電源36による所定期間の長さを調整することによってポーラライザ35からプリアンプPA側に出力されるレーザパルスエネルギーが制御されることになる。図26では、ポッケルスセル制御電源36からポッケルスセル34への電圧印加の所定期間を制御することによってレーザパルスエネルギーを制御するようにしていた。これに対して、図27に示すように、ポッケルスセル制御電源36がトリガ信号S11のみに対応して、一定期間、電圧印加する制御信号S31をポッケルスセル34に印加する一方、レーザ電源37が、レーザ電源37に入力されるパルスエネルギー制御信号S13に対応してCO2増幅媒体33による増幅状態を制御する電圧制御信号S32を出力するようにしてもよい。この結果、ポーラライザ35からプリアンプPA側に出力されるレーザパルスエネルギーを制御することが可能となる。また、図28に示すように、マスタオシレータMOとして半導体レーザを用いてもよい。この半導体レーザは、好ましくは量子カスケードレーザである。マスタオシレータMOのフロント側に、出力結合ミラー42が設けられ、リア側には、リア光学モジュール43が設けられる。出力結合ミラー42とリア光学モジュール43とは、光増幅領域をもつ半導体デバイス41を挟んで光共振器を形成している。この光共振器は、半導体レーザコントローラC2によって制御される。半導体レーザコントローラC2は、発振波長信号S41を、縦モードコントローラ44を介して縦モード制御アクチュエータ45に出力する。この縦モード制御アクチュエータ45は、光共振器から出力される光の波長制御を行う。また、半導体レーザコントローラC2は、トリガ信号S11およびレーザパルスエネルギー制御信号S13をもとに、発振パルス波形信号S42を電流制御アクチュエータ46に出力する。この電流制御アクチュエータ46は、半導体デバイス41に印加する電流波形を制御し、光共振器から出力されるパルスレーザ光のパルス波形および出力タイミングを制御する。この制御されたパルスレーザ光はプリアンプPAに出力される。パルス波形には、パルス幅、パルスピーク値が含まれ、パルス波形を制御することによって、パルスエネルギーを制御することができる。なお、出力結合ミラー42は、部分反射ミラーコートが施されたミラーである。出力結合ミラー42は、レーザ光を出力するとともに、一部のレーザ光を光共振器内に戻して共振増幅させている。リア光学モジュール43は、コリメートレンズと、光の波長を選択するリトロー配置されたグレーティングとを備える。半導体デバイス41のリア側から出力されたレーザ光は、コリメートレンズによってビーム拡大後、コリメート光としてグレーティング側に出力され、グレーティングによって波長選択されたレーザ光がコリメートレンズを介して半導体デバイス41側に戻される。これによって、所望のシングル縦モードのレーザ光を出力結合ミラー42からプリアンプPA側に出力することができる。さらに、上述した変形例1では、マスタオシレータMOを制御してレーザパルスエネルギーを制御していたが、発振装置25内であってマスタオシレータMO外で、プリアンプPAに入力されるレーザパルスエネルギーを制御するようにしてもよい。この場合、マスタオシレータMOからは一定のレーザパルスエネルギーのレーザ光が出力されることになる。たとえば、図29に示すように、図26に示したポッケルスセル34とポーラライザ35をマスタオシレータMOの外部に設ける。すなわち、フロント側の共振器ミラー31の外部でプリアンプPA側に順次、ポッケルスセル34とポーラライザ35とを設ける。ポッケルスセル制御電源36は、ポッケルスセル34に印加される電圧を制御することによって、ポッケルスセル34をシャッタとして機能させ、シャッタで開となる期間または開度を制御することによって、マスタオシレータMOから出力されるレーザパルスエネルギーを制御するようにする。また、図30に示すように、ポッケルスセル制御電源36がポッケルスセル34に一定期間、開にする電圧を印加するとともに、レーザ電源37からCO2増幅媒体33に印加される電圧を制御してマスタオシレータMOから出力されるレーザ強度を制御するようにしてもよい。変形例2上述した変形例1では、発振装置25を制御してプリアンプPAに入力されるレーザパルスエネルギーを制御するようにしていた。これに対し、この変形例2では、発振装置25とプリアンプPAとの間に再生増幅器50を設ける。ドライバレーザコントローラC1が再生増幅器50を制御することによって、プリアンプPAへのレーザパルスエネルギーを制御するようにしている。なお、再生増幅器50を用いると、半導体レーザなどから出力されるレーザ光のような光出力が小さいパルスレーザ光を、パルス波形が維持された状態で、効率よく再生増幅してプリアンプPA側に出力することができる。この再生増幅器50から出力されたパルスレーザ光を、プリアンプPAおよびメインアンプMAによって効率良くパルス増幅することができる。再生増幅器50は、発振装置25から出力されたレーザ光であるシードパルス光SAを再生増幅してプリアンプPA側に出力する。再生増幅器50は、図31に示すように、一対の共振器ミラー51、52間に、共振器ミラー51側から順次、ポッケルスセル53、ポーラライザ58、CO2レーザ増幅部EA、ポッケルスセル54、λ/4板57が配置される。そして、ポーラライザ58を介して、発振装置25から出力されるレーザ光を、シードパルス光SAとして入射させ、共振器ミラー51、52間で該シードパルス光SAを往復させて増幅し、ポーラライザ58を介して、プリアンプPA側に、増幅パルスレーザ光SBとして出力する。ここで、図32に示すタイミングチャートを参照して、再生増幅器50の動作について説明する。まず、発振装置25からのパルス光が、タイミングt0で、シードパルス光SAとしてポーラライザ58に対してたとえばS偏光で入射する。この入射光は、ポーラライザ58で反射されて再生増幅器50の共振器内に導入される。導入されたレーザ光は、CO2レーザ増幅部EAの増幅領域を通過して増幅され、電圧が印加されていない状態のポッケルスセル54を、位相変化なく透過し、λ/4板57を透過して円偏光となり、共振器ミラー52で高反射されて再びλ/4板57を透過してP偏光に変換される。さらに、このP偏光のレーザ光は、CO2レーザ増幅部EAの増幅領域を通過して増幅される。さらに、増幅されたP偏光のレーザ光は、ポーラライザ58を透過し、電圧を印加していない状態のポッケルスセル53を、位相変化なく透過し、共振器ミラー51で高反射される。そして、高反射されたレーザ光は、再びポッケルスセル53を、位相変化なくP偏光の状態で透過し、ポーラライザ58を透過し、再び、CO2レーザ増幅部EAの増幅領域を通過することによって増幅される。その後、タイミングt1でポッケルスセル54に電圧が印加され、レーザ光は、ポッケルスセル54を通過することによってλ/4位相変化し、円偏光となる。この円偏光のレーザ光は、λ/4板57を透過することによってS偏光に変換される。そして、共振器ミラー52によって反射されたS偏光のレーザ光は、再びλ/4板57を透過することによって円偏光に変換される。さらに、電圧が印加された状態のポッケルスセル54を透過することによってP偏光に変換される。その後、P偏光のレーザ光は、CO2レーザ増幅部EAの増幅領域を通過することによって増幅され、ポーラライザ58を透過して、電圧を印加していないポッケルスセル53をそのまま透過し、P偏光の状態で共振器ミラー51で反射され、再び、電圧が印加されていない状態のポッケルスセル53を透過し、P偏光の状態で、ポーラライザ58をそのまま透過する。このポッケルスセル54に電圧が印加された状態で、レーザ光は、共振器ミラー51、52間を往復し、増幅される。その後、この増幅された増幅パルス光SBを外部出力するタイミングt2で、ポッケルスセル53に電圧が印加され、P偏光のレーザ光は、電圧が印加されたポッケルスセル53を透過することによって、λ/4位相がずれて円偏光に変換される。さらにこの円偏光のレーザ光は、共振器ミラー51で反射され、再び電圧が印加された状態のポッケルスセル53を透過することによってS偏光に変換される。このS偏光のレーザ光は、ポーラライザ58で高反射され、外部のプリアンプPA側に増幅パルス光SBとして出力される。ここで、再生増幅器50のポッケルスセル53、54は、それぞれポッケルスセル制御電源55、56によって電圧印加のオンオフが行われる。再生増幅器コントローラC3は、レーザパルスエネルギー制御信号S13をもとに、各ポッケルスセル制御電源55、56を上述したように制御する。すなわち、ポッケルスセル54に電圧を印加している期間の増減によって、増幅パルス光SBのレーザパルスエネルギーを制御することができる。なお、トリガ信号S11は、半導体レーザコントローラC2に入力され、シードパルス光SAの発振タイミングの制御がなされる。変形例3上述した変形例1では、発振装置25を制御していた。また変形例2では、再生増幅器50を制御して、レーザパルスエネルギー制御を行っていた。これに対し、この変形例3では、プリアンプPAおよびメインアンプMAの少なくともいすれか一方を制御してレーザパルスエネルギー制御を行うようにしている。すなわち、図33に示すように、ドライバレーザコントローラC1は、プリアンプPAのレーザ電源であるプリアンプ電源61およびメインアンプMAのレーザ電源であるメインアンプ電源62を制御するアンプ電源コントローラ60に対してレーザパルスエネルギー制御信号S14を出力する。アンプ電源コントローラ60は、レーザパルスエネルギー制御信号S14をもとに、プリアンプPAおよびメインアンプMAの励起強度を制御してレーザパルスエネルギー制御を行うようにしている。なお、変形例1、2は、変形例3に比して、ドライバレーザ1に対するレーザパルスエネルギー制御のダイナミックレンジが広くなり、バースト運転時に、ドライバレーザ1のレーザパルスエネルギー値を大きく変化させることができるので、好ましい。また、変形例1、2は、ドライバレーザ1の繰返し周波数が約50~100kHz以上であっても、高速なエネルギー制御が可能となり、安定してEUV光を発生させることができるので好ましい。また、図34に示すように、メインのCO2パルスレーザ光L1をターゲット13に照射する前に、プリパルスレーザ光をターゲット13に照射するためのプリパルスレーザ101を用いる場合、このプリパルスレーザ101に対するレーザパルスエネルギー制御を行ってEUVパルスエネルギー制御を行ってもよい。このプリパルスレーザ光を用いると、メインのCO2パルスレーザ光L1のターゲット13への照射時におけるプラズマ化がより効率的に行われ、EUVパルス光を効率よく発光させることができる。プリパルスレーザ光は、軸外放物面ミラーM102を介してターゲット13に集光照射される。軸外放物面ミラーM102の上流側には、部分反射ミラーまたはビームスプリッタによって構成される光学素子M121が設けられる。この光学素子M121および集光レンズR121を介して、プリパルスレーザ光はプリパルスレーザ光検出器121に入射し、プリパルスレーザ光検出器121は、プリパルスレーザ光のパルスエネルギーを検出し、プリパルスレーザパルスエネルギー検出信号S6をプリパルスレーザ101およびEUV光源コントローラCに出力する。EUV光源コントローラCは、制御信号S60をプリパルスレーザ101に出力してレーザパルスエネルギーを制御する。なお、プリパルスレーザ101のみのレーザパルスエネルギー制御を行ってもよい。あるいは、プリパルスレーザ101およびドライバレーザ1の双方のレーザパルスエネルギー制御を行ってもよい。なお、上述した各実施の形態および変形例は、適宜組合せが可能である。1ドライバレーザ2EUV光生成装置10EUVチャンバ11ドロップレットコントローラ12ターゲット生成器13ターゲット14ターゲット回収筒15ウィンド16EUV光検出器20エネルギー制御処理部21パルス履歴部22タイマ23制御量記憶部24レーザ光検出器25発振装置31,32,51,52共振器ミラー33CO2増幅媒体34,53,54ポッケルスセル35,58ポーラライザ36,55,56ポッケルスセル制御電源37レーザ電源41半導体デバイス42出力結合ミラー43リア光学モジュール44縦モードコントローラ45縦モード制御アクチュエータ46電流制御アクチュエータ50再生増幅器57λ/4板60アンプ電源コントローラ61プリアンプ電源62メインアンプ電源100露光装置CEUV光源コントローラC1ドライバレーザコントローラC2半導体レーザコントローラC3再生増幅器コントローラPAプリアンプMAメインアンプMOマスタオシレータEACO2レーザ増幅部S1,S11トリガ信号S2EUVパルスエネルギー検出信号S3EUVパルスエネルギー制御信号S4ドロップレット制御信号S5レーザパルスエネルギー検出信号S13,S14レーザパルスエネルギー制御信号S30,S30,S31発振制御信号S31制御信号S42発振パルス波形信号M1,M11,M12HRミラーM2軸外放物面ミラーM3EUV集光ミラーM21,M121光学素子M31,M32ミラーR2,R3リレー光学系PLプラズマ生成サイトIF中間集光点L1CO2パルスレーザ光L2EUV光Tバースト長時間Trバースト休止時間Tw所定時間B対象バースト発光B11~B15バースト発光SAシードパルス光SB増幅パルス光"