"室温で固体であって、高分子鎖に非結合の可動なカチオンに、第15族元素を含むオニウムカチオンが含まれていることを特徴とする高分子固体電解質。少なくとも一対の電極と、前記電極間に配設され室温で固体性状の高分子固体電解質とを具備する高分子トランスデューサであって、前記高分子固体電解質を構成する高分子鎖に非結合で前記高分子固体電解質内を可動なカチオンに第15族元素を含むオニウムカチオンが含まれていることを特徴とする高分子トランスデューサ。前記電極には、導電性物質とバインダーとが含まれ、前記バインダーの少なくとも1成分が、前記カチオンを含有する高分子固体電解質であることを特徴とする請求項2に記載の高分子トランスデューサ。前記高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式1式1中、R1~R3の各々は独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~8の直鎖状或いは分岐鎖状であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-が重合体を形成する高分子主鎖と直接又はR4を介して連結されている。R4は炭素数1~10であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよく、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されていてもよい炭素数2~50のポリアルキレングリコール基を表す。で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項2に記載の高分子トランスデューサ。前記高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式2式2中、R1は水素原子、炭素数1~8の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-はR5を介して芳香環と連結されており、R5は、炭素数1~10のアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、置換基を有していてもよいポリアルキレングリコール基又は直接結合を表し、R6は水素又は炭素数1~3のアルキル基又はアルコキシ基を表し、nは1~3の数、mは1~4の数であって、mnが5であることを満たす数である。で示される単位を含む重合体ブロックAと、実質的にイオン基を有しておらず、25°Cにおいてゴム状である重合体ブロックBとを有するブロック共重合体であることを特徴とする請求項2に記載の高分子トランスデューサ。前記重合体ブロックAが、スチレン及び又はα-メチルスチレンのベンゼン環の4位にイオン基が直接結合しイオン基を形成するアニオンがスルホン酸アニオンである繰返し単位を含み、前記重合体ブロックBが、炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい1,3-ブタジエン単位及び/又はイソプレン単位からなる請求項5に記載の高分子トランスデューサ。カチオンXが、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンであることを特徴とする請求項4に記載の高分子トランスデューサ。スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロックaと、炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい13-ブタジエン単位及びイソプレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロックbとを有するブロック共重合体cに対し、前記スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一部のベンゼン環をスルホン化した後、前記ベンゼン環に結合しているスルホン酸基のカチオンのプロトンを、トルエンスルホン酸よりも酸解離定数の大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種を作用させることによって、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンに変換することを特徴とする高分子固体電解質の製造方法。スルホン酸基を有するポリマーをバインダーとする電極と、スルホン酸基を有するポリマーで形成した電解質層とを積層した積層体を、アンモニア、アミン、スルホン酸よりも酸解離定数の大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含む溶液に浸漬する工程を有することを特徴とする高分子トランスデューサの製造方法。前述した高分子固体電解質は、液状であるイオン液体を高分子に保持させて固体電解質としたものであるため、液漏れの危険性や液の漏出による性能の変化が発生するおそれがある。また、かかる高分子固体電解質を用いた高分子トランスデューサでは、更に応答性等の向上が望まれている。そこで、本発明は、軽量かつ柔軟で、水のない環境においても安定的に機能し、且つ可撓性にも優れている高分子固体電解質、それを用いた高分子トランスデューサ及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。本発明者等は、前記目的を達成すべく検討を重ねた結果、可動イオンがアニオンのみであり、且つ室温で固体性状を示す物質のみにより構成されている高分子固体電解質を、一対の電極の間に配設した高分子トランスデューサによれば、その性能、とりわけ変形センサとしての性能に優れることを見出し、本発明に到達した。前記目的を達成するためになされた、請求の範囲の請求項1に記載された高分子固体電解質は室温で固体であって、高分子鎖に非結合の可動なカチオンに、第15族元素を含むオニウムカチオンが含まれていることを特徴とする。同じく、前記目的を達成するためになされた、請求項2に記載された高分子トランスデューサは、少なくとも一対の電極と、前記電極間に配設され室温で固体性状の高分子固体電解質とを具備する高分子トランスデューサであって、前記高分子固体電解質を構成する高分子鎖に非結合で前記高分子固体電解質内を可動なカチオンに第15族元素を含むオニウムカチオンが含まれていることを特徴とする。請求項3に記載された高分子トランスデューサは、請求項2に記載されたものであって、前記電極には、導電性物質とバインダーとが含まれ、前記バインダーの少なくとも1成分が、前記カチオンを含有する高分子固体電解質であることを特徴とする。請求項4に記載された高分子トランスデューサは、請求項2に記載されたものであって、前記高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式1式1中、R1~R3の各々は独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~8の直鎖状或いは分岐鎖状であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-が重合体を形成する高分子主鎖と直接又はR4を介して連結されている。R4は炭素数1~10であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよく、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されていてもよい炭素数2~50のポリアルキレングリコール基を表す。で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする。請求項5に記載された高分子トランスデューサは、請求項2に記載されたものであって、前記高分子固体電解質に含まれている重合体が、下記化学式2式2中、R1は水素原子、炭素数1~8の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-はR5を介して芳香環と連結されており、R5は、炭素数1~10のアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、置換基を有していてもよいポリアルキレングリコール基又は直接結合を表し、R6は水素又は炭素数1~3のアルキル基又はアルコキシ基を表し、nは1~3の数、mは1~4の数であって、mnが5であることを満たす数である。で示される単位を含む重合体ブロックAと、実質的にイオン基を有しておらず、25°Cにおいてゴム状である重合体ブロックBとを有するブロック共重合体であることを特徴とする。請求項6に記載された高分子トランスデューサは、請求項5に記載されたものであって、前記重合体ブロックAが、スチレン及び又はα-メチルスチレンのベンゼン環の4位にイオン基が直接結合しイオン基を形成するアニオンがスルホン酸アニオンである繰返し単位を含み、前記重合体ブロックBが、炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい1,3-ブタジエン単位及び/又はイソプレン単位からなるものである。請求項7に記載された高分子トランスデューサは、請求項4に記載されたものであって、カチオンXが、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンであることを特徴とする。請求項8に記載された高分子固体電解質の製造方法は、スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロックaと、炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい13-ブタジエン単位及びイソプレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロックbとを有するブロック共重合体cに対し、前記スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一部のベンゼン環をスルホン化した後、前記ベンゼン環に結合しているスルホン酸基のカチオンのプロトンを、トルエンスルホン酸よりも酸解離定数の大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種を作用させることによって、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンに変換することを特徴とする。請求項9に記載された高分子トランスデューサの製造方法は、スルホン酸基を有するポリマーをバインダーとする電極と、スルホン酸基を有するポリマーで形成した電解質層とを積層した積層体を、アンモニア、アミン、スルホン酸よりも酸解離定数の大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種を含む溶液に浸漬する工程を有することを特徴とする。本発明に係る高分子固体電解質は、高分子トランスデューサに有用であって、軽量かつ柔軟で、水のない環境においても安定的に機能し、且つ可撓性にも優れている。更に、かかる高分子固体電解質は、室温で固体性状を示す物質のみにより構成されているため、液漏れの危険性や液の漏出をなくすことができる。この様な、高分子固体電解質を用いた本発明に係る高分子トランスデューサは、耐衝撃性に優れ、変形センサとして使用した場合には、大きな電圧信号が得られる。しかも、その高分子固体電解質からの液漏れの危険性や液の漏出による性能の変化を回避できる。以下、本発明を実施するための形態を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。本発明に係る高分子トランスデューサに用いられている高分子固体電解質は、室温23°Cで固体性状の高分子固体電解質であって、この高分子固体電解質のカチオンは、その高分子鎖に結合されておらず高分子固体電解質内を可動する可動イオンのみである。かかるカチオンは、第15族元素を含むオニウムカチオンである。第15族元素としては窒素又はリンが好ましく、窒素がより好ましい。この高分子固体電解質では、その高分子主鎖に結合されているアニオンに、オニウムカチオンがカウンターカチオンとして存在している。この様に、オニウムカチオンは、高分子固体電解質を形成する高分子主鎖に結合しておらず、高分子固体電解質内を拡散できる。また、かかる高分子固体電解質は使用温度で固体であることが好ましい。使用温度とは通常、-30~80°Cの範囲である。かかる高分子固体電解質としては、下記化学式1式1中、R1~R3の各々は独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~8の直鎖状或いは分岐鎖状であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-が重合体を形成する高分子主鎖と直接又はR4を介して連結されている。R4は炭素数1~10であり、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換していてもよいアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、又は、置換基を有していてもよく、その水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されていてもよい炭素数2~50のポリアルキレングリコール基を表す。で示される繰り返し単位を含む重合体が高分子固体電解質に含まれていることが好ましい。ここで、これらの有していてもよい置換基とは、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基、メチルエトキシ基、エチルエトキシ基などのアルコキシ基等が挙げられる。かかる化学式1で示される高分子固体電解質での可動イオンであるカチオンXとしては、イミダゾリウムカチオン、1-メチルイミダゾリウムカチオン、1,3-ジメチルイミダゾリウムカチオン、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムカチオン、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムカチオン、3-ブチル-1-メチルイミダゾリウムカチオン、3-ヘキシル-1-メチルイミダゾリウムカチオン、3-オクチル-1-メチルイミダゾリウムカチオンなどのイミダゾリウムカチオン類;ピリジニウムカチオン、N-メチルピリジニウムカチオン、N-エチルピリジニウムカチオン、N-ブチルピリジニウムカチオンなどのピリジニウムカチオン類;アンモニウムカチオン、メチルアンモニウムカチオン、ジメチルアンモニウムカチオン、トリメチルアンモニウムカチオン、テトラメチルアンモニウムカチオン、エチルアンモニウムカチオン、ジエチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、ブチルアンモニウムカチオン、ジブチルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオン、メチルトリブチルアンモニウムカチオンなどのアンモニウムカチオン類を挙げることができる。また、安定性の更なる向上や高分子固体電解質の溶剤溶解性を高める観点から、2位の炭素上の水素原子が有機基に置換されているイミダゾリウムカチオンであることが好ましく例示でき、2位がメチル基、エチル基等で置換したイミダゾリウムカチオンを好ましい例として挙げることができる。なかでも、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンが好適である。これらは単独で用いても、2種類以上を併用してもよい。ところで、一般的に用いられる金属カチオンを具備する高分子固体電解質を用いた高分子トランスデューサでは、ある程度は機能するが、例えばセンサとして使用したときの信号強度などの点では、上述したオニウムカチオンを用いたほうが優れた性能を示す傾向にある。更に、可動イオンとしてのカチオンXに対するアニオンY-は、高分子固体電解質の高分子主鎖に結合されている。かかるアニオンY-としては、カルボン酸アニオン、スルホン酸アニオン、ホスホン酸アニオンなどを挙げることができる。イオンの解離度を高める観点からより強い酸の共役アニオンであることが好ましく、スルホン酸アニオン、ホスホン酸アニオンが好ましく、特に高分子への導入容易性の観点も含めるとスルホン酸アニオンが好ましい。この様に、化学式1で示される高分子固体電解質中では、カチオンXのみが可動イオンである。一方、イオン液体を高分子に保持した固体電解質では、カチオンとアニオンとの両方が拡散してイオン伝導する。後述するように、化学式1で示される高分子固体電解質を用いた高分子トランスデューサは、イオン液体を高分子に保持した固体電解質を用いた高分子トランスデューサに比較して、優れた性能を示す。かかるアニオンY-が結合している高分子鎖については、特に制限はなく、ビニル系高分子、縮合系高分子、生体高分子、天然高分子などのいずれであってもよい。ビニル系高分子の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン-1、ポリイソブチレンなどのポリオレフィン類、ポリスチレン、ポリαメチルスチレンなどのポリスチレン類、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリ2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ2-ヒドロキシエチルアクリレートなどのポリメタアクリレート類、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリフッ化ビニリデンなどのハロゲン含有ポリマー類、ポリ1,3-ブタジエン、ポリイソプレン、ポリ1,3-シクロヘキサジエン等のポリ共役ジエン類又はその水素添加物などを挙げることができる。また、縮合系高分子の例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリεカプロラクトンなどのポリエステル類、ナイロン6、ナイロン6,12、ナイロン6T、ナイロン9Tなどのポリアミド類、ポリウレタン類、ポリシロキサン類等を挙げることができる。これらのうちでも、取扱い性や入手容易性の観点からポリスチレン類、ポリメタアクリレート類であることが好ましく、カチオン基の導入容易性の観点からポリスチレン類であることがより好ましい。アニオンY-と高分子鎖は、直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。但し、カチオンXの運動性が高いほど、高分子固体電解質のイオン伝導率が良好であることが予測され、連結基R4を介していることが好ましい。連結基R4の種類に特に制限はないが、導入の容易性の観点からは、アルキレン基、アリーレン基、ポリアルキレングリコール基などを挙げることが出来る。これらの基は置換基を有していてもよい。また、連結基R4が長くなったり、大きくなったりした場合には、全体のイオン基濃度を低下させるため、結果として、カチオンXの運動性の向上による効果を打ち消してしまうと考えられる。この観点から、連結基R4が置換基を有していてもよいアルキレン基である場合には、炭素数が1~10であることが好ましい。また、連結基R4が置換基を有していてもよいアリーレン基である場合には、炭素数6~14であることが好ましい。更に、連結基R4が置換基を有していてもよいポリアルキレングリコール基である場合には、炭素数2~50であることが好ましい。前述した化学式1で表される高分子固体電解質のうちで、イオン基導入の容易性や高分子固体電解質の柔軟性、可撓性の観点からは、下記化学式2式2中、R1は水素原子、炭素数1~8の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又は炭素数6~14のアリール基を表し、カチオンXに対するアニオンY-はR5を介して芳香環と連結されており、R5は、炭素数1~10のアルキレン基、1~3個の置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリーレン基、置換基を有していてもよいポリアルキレングリコール基又は直接結合を表し、R6は水素又は炭素数1~3のアルキル基又はアルコキシ基を表し、nは1~3の数、mは1~4の数であって、mnが5であることを満たす数である。で示される繰り返し単位を含む重合体ブロックAと、実質的にイオン基を有しておらず、25°Cにおいてゴム状である重合体ブロックBとを含むブロック共重合体が高分子固体電解質に含まれていることが好ましい。尚、化学式2中のn,mは整数であってもよい。ここで、重合体ブロックAとしては、入手容易性、製造容易性の観点から、R1は水素原子又はメチル基であり、R5は直接結合が好ましく、nは1~2の数であることが好ましい。また、R6は水素原子であることが好ましい。かかる重合体ブロックAの好ましい具体例としては、ポリスチレン及び/又はポリα-メチルスチレンの4位にスルホン酸アニオンが結合しており、対カチオンが1,3-二置換イミダゾリウムカチオン、1,2,3-三置換イミダゾリウムカチオンから選ばれる一種又は複数種のカチオンである重合体ブロックを挙げることができる。また、重合体ブロックBとしては、25°Cにおいてゴム状である限り制限はないが、好ましい例としては、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリブタジエン-r-イソプレン、ポリスチレン-r-ブタジエン、ポリスチレン-r-イソプレン、ポリアクリロニトリル-r-ブタジエンなどのポリ共役ジエン類、これらのポリ共役ジエン類に含まれる炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されている水添ポリ共役ジエン類、ポリn-ブチルアクリレート、ポリ2-エチルヘキシルアクリレート、ポリ2-エチルヘキシルメタクリレートなどのポリメタアクリレート類、ポリイソブチレン、ポリシロキサン類などを挙げることができる。これらのうちでも、ゴムとしての性質や重合体ブロックAへのイオン基導入の際の副反応を抑制する観点から、炭素-炭素二重結合の全てが水素添加された水添ポリブタジエン、水添ポリイソプレン、水添ポリブタジエン-r-イソプレンまたはポリイソブチレンであることが好ましい。ブロック共重合体のブロックシーケンスに特に制限はないが、A-B型のジブロックポリマー、A-B-A、B-A-Bのトリブロックポリマー、A-B-A-Bのテトラブロックポリマー、A-B-A-B-A、B-A-B-A-Bのペンタブロックポリマー、A-Bn-X、B-An-X型のスターポリマーなどを挙げることができる。これらのうちでも製造の容易性や高分子固体電解質の力学的なタフネスの観点から、A-B-A型のトリブロックコポリマー、A-B-A-B-A型のペンタブロックコポリマーであることが好ましく、A-B-A型のトリブロックコポリマーであることがより好ましい。ブロック共重合体の数平均分子量は、1万~100万であるのが好ましい。重合体ブロックA及びBの各合計の質量比は、1:9~9:1であるのが好ましい。また、ブロック共重合体は、必要に応じて重合体ブロックA及び重合体ブロックBとは別の重合体ブロックを有していてもよい。この重合体ブロックは1つであっても複数であってもよく、複数である場合には同じ化学構造を有するものであってもよいし、異なる化学構造を有するものであってもよい。このような重合体ブロックを構成する重合体の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン-1、ポリ4-メチル-1-ペンテン等のポリオレフィン類、ポリp-メチルスチレン、ポリp-エチルスチレン、ポリp-アダマンチルスチレン、ポリp-t-ブチルスチレン等のp位に置換基を有するポリスチレン類、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリ2-ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ2-ヒドロキシエチルアクリレートなどのポリメタアクリレート類、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリフッ化ビニリデンなどのハロゲン含有ポリマー類、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリε-カプロラクトンなどのポリエステル類、ナイロン-6、ナイロン-6,12、ナイロン-6T、ナイロン-9Tなどのポリアミド類、ポリウレタン類、ポリシロキサン類等を挙げることができる。かかる別の重合体ブロックには、所定の機能を担わせることができる。例えば、別の重合体ブロックに、形状安定性を補強する作用を期待する場合には、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4-メチル-1-ペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ナイロン-6、ナイロン-6,12、ナイロン6T、ナイロン-9T等の結晶性ポリマーや、ポリp-メチルスチレン、ポリp-アダマンチルスチレン、ポリp-t-ブチルスチレン等の高いガラス転移温度を有するポリマーからなる重合体ブロックを用いることが好ましい。尚、かかる別の重合体ブロックには、重合体ブロックAとは異なる機能を期待するため、実質上、イオン基が含まれていないことが一般的である。上述のようなブロック共重合体のより具体的な例としては、スチレン及び/又はα-メチルスチレンのベンゼン環の4位に、スルホン酸アニオン基が直接結合しており、対カチオンが1,3-二置換イミダゾリウムカチオン、1,2,3-三置換イミダゾリウムカチオンから選ばれる一種又は複数種のカチオンである重合体ブロックAと、1,3-ブタジエン単位及び/又はイソプレン単位からなり炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されている重合体ブロックBとからなり、ブロックシーケンスがA-B-Aであるトリブロック共重合体を挙げることができる。次に、本発明を構成する高分子固体電解質の製造方法は、スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一方からなる重合体ブロックaと、炭素-炭素二重結合の一部又は全部が水素添加されていてもよい13-ブタジエン単位及びイソプレン単位の少なくとも一方からなる重合体を含む重合体ブロックbとを有するブロック共重合体cに対し、前記スチレン単位及びαメチルスチレン単位の少なくとも一部のベンゼン環をスルホン化した後、前記ベンゼン環に結合しているスルホン酸基のカチオンのプロトンを、トルエンスルホン酸よりも酸解離定数の大きな酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれる少なくとも1種を作用させることによって、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオンから選ばれるオニウムカチオンに変換する方法によることができる。かかる方法では、前駆体として、一般的にリビングアニオン重合法で製造されるスチレン系熱可塑性エラストマーを用いる。このスチレン系熱可塑性エラストマーとしては、例えばポリスチレン-b-ポリ1,3-ブタジエン-b-ポリスチレンSBS、及びこれの水素添加物SEBS、ポリスチレン-b-ポリイソプレン-b-ポリスチレンSIS、及びこれの水素添加物S、ポリスチレン-b-ポリ1,3-ブタジエン-r-イソプレン-ポリスチレンの水素添加物SEEPSを好適に用いることができる。これらは市場にて容易に入手することができる。また、リビングカチオン重合法で製造されるポリスチレン-b-ポリイソブチレン-b-ポリスチレンSiBuSも用いることができる。これも市場にて容易に入手することができる。尚、これらは実験室やベンチスケールレベルでも容易に得ることができる。ここでより具体的な例として、ポリα-メチルスチレンとポリ共役アルカジエンのブロック共重合体の水素添加物の製造について説明する。製造の方法としては以下のような方法が挙げられる。1テトラヒドロフラン溶媒中でジアニオン型重合開始剤を用いて共役アルカジエン化合物を重合した後に、-78°Cの温度条件下においてα-メチルスチレンを重合させトリブロック共重合体を得る方法[マクロモレキュールズMacromolecules1969年第2巻第5号p.453-458]。2α-メチルスチレンをアニオン重合開始剤を用いてバルク重合を行った後に、共役アルカジエン化合物を重合させ、その後テトラクロロシラン等のカップリング剤によりカップリング反応を行いスター型ブロック共重合体を得る方法[カウチェ.グミ,クンスタスト.Kautsch.GummiKunstst.1984年第37巻第5号p.377-399;ポリマーブレティンPolymerBulletin1984年第12巻p.71-77]。3非極性溶媒中、有機リチウム化合物を開始剤として用い、0.1~10質量の濃度の極性化合物の存在下、-30~30°Cの温度にて、5~50質量の濃度のα-メチルスチレンを重合させ、得られるリビングポリマーに共役アルカジエン化合物を重合させた後、カップリング剤を添加してトリブロック共重合体を得る方法。これらのうちでも、工業的経済性の観点から、特に3の方法が好ましい方法として採用される。尚、これらの方法において、反応させる成分を変えたり、追加したりすることによって、高分子固体電解質の前駆体として、他の重合体ブロックを有するブロック共重合体を得ることも出来る。次に、上述した方法で得られたブロック共重合体を、水素添加触媒の存在下、水素と反応させることで共役アルカジエン化合物に由来する炭素-炭素二重結合を水素添加することができる。このとき用いる溶媒としては例えば、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン等の炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒を挙げることができる。これらの有機溶媒は単独で使用しても、2種類以上を併用してもよいが、円滑な水素添加反応の進行の観点から、使用溶媒はシクロヘキサンであることが好ましい。また、水素添加触媒の例としては、ニッケル系チーグラー触媒、コバルト系チーグラー触媒などのチーグラー触媒、チタノセン触媒などのメタロセン触媒等を挙げることができる。これらの水素添加触媒は単独で使用しても、2種類以上を併用してもよいが、特段の目的が無い場合においては通常1種類を用いる。これらのうちでも工業的経済性、取扱い容易性の観点からニッケル系チーグラー触媒であることが好ましい。ニッケル系チーグラー触媒の調製方法に特に制限はないが、例えば有機酸のニッケル塩とトリアルキルアルミニウムを反応させることにより調製することができる。水素添加を行う際の温度は0~100°C、水素圧力は10~10000kPaの範囲に於いて行うことができ、さらには20~90°C、水素圧力500~3000kPaの範囲内で行うことが、円滑な水素添加反応の進行、工業的経済性から好ましい。上述した方法で、例えばポリα-メチルスチレン-b-ポリ1,3-ブタジエン-b-ポリα-メチルスチレンの水素添加物以下、mSEBmSと記載することがあるを得ることができる。次いで、このポリマーのα-メチルスチレン由来の芳香環の4位にスルホン酸基-SO3Hを導入する以下、単にスルホン化と称することがある。かかるスルホン化は周知の方法で行うことができる。例えば、mSEBmSの有機溶媒溶液や懸濁液を調製し、スルホン化剤を添加し混合する方法や、mSEBmSに直接ガス状のスルホン化剤を添加する方法等が例示される。使用されるスルホン化剤としては、硫酸、硫酸と脂肪族酸無水物との混合物例えば、アセチルサルフェート、クロロスルホン酸、クロロスルホン酸とトリメチルシリルクロライドの混合物系、三酸化硫黄、三酸化硫黄とトリエチルホスフェートとの混合物系、さらに2,4,6-トリメチルベンゼンスルホン酸に代表される芳香族有機スルホン酸等が例示される。これらは単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせてもよい。また、使用する有機溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、塩化メチレン、二塩化エチレン等のハロゲン化炭化水素等が例示できる。これらは単独で用いてもよいし、複数種を組み合わせてもよい。次いで、得られた共重合体にホスホン酸基を導入するホスホン化の方法について述べる。かかるホスホン化は、公知のホスホン化の方法を採用することができ、例えば、共重合体の有機溶媒溶液や懸濁液を調製し、無水塩化アルミニウムの存在下、該共重合体にクロロメチルエーテル等を反応させて芳香環にハロメチル基を導入後、これに三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加えて反応させ、更に加水分解反応を施してホスホン酸基を導入する方法等が挙げられる。或いは、この共重合体に三塩化リンと無水塩化アルミニウムを加えて反応させ、芳香環にホスフィン酸基を導入後、硝酸によりホスフィン酸基を酸化してホスホン酸基とする方法等が例示できる。次に、スルホン酸基が導入された重合体を前駆体とする場合を具体例として、対カチオンをオニウムカチオンへと変換する方法について述べる。スルホン酸は通常、十分に強い酸であり、イミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、アミン誘導体との間で容易に酸-塩基反応が進行する。その結果、下記化学式3~5式3~5中、Rは有機基を表すに示す構造の塩を形成する。ここで、本発明者等は、スルホン酸基に対し、酸基の酸解離定数pKaよりもpKaの大きな酸弱い酸の共役アニオンを有するイミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種の塩を作用させることによって、スルホン酸基の対カチオンを、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、アンモニウムカチオン等の第15族元素を含むオニウムカチオンに、直接かつ容易に変換できることを見出した。例えば、スルホン酸基がベンゼンスルホン酸pKa=2.1であった場合、上述した第15族元素を含むオニウムカチオンと下記のアニオンとからなる塩により処理する方法が挙げられる。このアニオンとしては、ギ酸pKa=3.77、酢酸pKa=4.76等のカルボン酸の共役アニオン、炭酸アニオン炭酸のpKa=6.35や、ヒドロキシルアニオン酸としての水の共役アニオン、水のpKa=15.7、硫化水素pKa=7.0、青酸pKa=9.4、チオシアン酸pKa=4.0等の鉱酸の共役アニオンを挙げることができる。これらのうちでも、カチオン交換の容易性や入手容易性から酢酸アニオン、炭酸アニオン、ヒドロキシルアニオンであることが好ましく、これらのアニオンを持つ塩の調製や取扱い時の安全性の観点からは酢酸アニオンであることがより好ましい。かかる塩としては、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテート、3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシドが好適である。かかる反応に用いる溶媒としては、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼンなどの炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、水などを使用することができ、これらは単独で用いても、2種類以上を併用してもよい。また反応は均一系で進行させても、不均一系で進行させてもよい。この様にして得られた高分子固体電解質には、室温で固体性状を示す物質のみで構成されている。ここで、室温とは1~30°Cの範囲であり、好ましくは23°Cである。室温で液体性状を示す物質が含まれている高分子固体電解質では、後述するように高分子トランスデューサとして用いた場合には、高分子トランスデューサの性能、例えば変形センサとして使用した場合の電圧信号の強度が低下する。また、本発明に係る高分子固体電解質は、その効果を損なわない範囲で他の樹脂、ポリマー類や以下に示す添加剤を含有していてもよい。添加剤の例としては、フェノール系安定剤、硫黄系安定剤、リン系安定剤、光安定剤、帯電防止剤、離型剤、難燃剤、発泡剤、顔料、染料、増白剤を各単独で又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂、ポリマー類としては、上述したものを用いることができる。更に、本発明に係る高分子固体電解質には、必要に応じて、その効果を損なわない範囲で無機充填剤を含有していてもよい。かかる無機充填剤の具体例としては、タルク、炭酸カルシウム、シリカ、ガラス繊維、マイカ、カオリン、酸化チタン、モンモリロナイト、アルミナ等が挙げられる。この様にして得られた高分子固体電解質は、一対の電極間に挟み込むことによって本発明に係る高分子トランスデューサを形成できる。かかる一対の電極としては、金属薄膜、金属箔、金属や金属化合物、導電性カーボン、導電性高分子等の導電性物質が分散した樹脂の成形体などを用いることができる。より好適にはこれらの導電性物質が高分子固体電解質中に分散しているものを挙げることができる。ここで用いる金属の例としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケルなどを;金属化合物の例としては酸化ルテニウムRuO2、酸化チタンTiO2、酸化スズSnO2、二酸化イリジウムIrO2、酸化タンタルTa2O5、インジウム-スズ複合酸化物ITO、硫化亜鉛ZnSなどを;導電性カーボンの例としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブSWCNT、二層カーボンナノチューブDWCNT、多層カーボンナノチューブMWCNT等のカーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維VGCFなどを;導電性高分子の例としては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの誘導体などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上を用いてもよい。取扱いの容易性や電気化学的安定性の観点からは導電性カーボンであることが好ましく、高分子トランスデューサの性能の観点からはカーボンブラック、カーボンナノチューブであることがより好ましい。また、これらの導電性物質の分散の母体マトリクスとなる物質としては高分子固体電解質であることが好ましく、特にこれまでに述べてきた高分子固体電解質であることが高分子トランスデューサの性能の観点より好ましい。かかる高分子トランスデューサには、電極層の更に外側に、その長手方向の抵抗を低減すべく、集電体を設けてもよい。集電体としては例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウムなどの金属箔や金属薄膜;金、銀、ニッケル等の金属粉またはカーボンパウダー、カーボンナノチューブ、炭素繊維等の炭素微粉とバインダー樹脂とからなる成形体;織物、紙、不織布等の布帛や高分子フィルムなどにスパッタやメッキなどの方法により金属薄膜を形成したものなどを挙げることができる。これらのうちでも可撓性の観点からは金属粉とバインダー樹脂とからなる膜状成形体、布帛や高分子フィルムなどに金属薄膜を形成したものであることが好ましい。集電体は高分子トランスデューサを構成する一対の電極のうち少なくとも一方の電極の外側高分子固体電解質が配設される側に対して反対の側に配設することができる。かかる高分子トランスデューサの形状には特に制限はなく、例えば膜状、フィルム状、シート状、板状、繊維状、円柱状、柱状、球状など種々の形が可能である。このうち、膜状、フィルム状、シート状、板状の高分子トランスデューサを製造する場合には、例えば、膜状に成形した高分子固体電解質上に、その両面にシート状の電極層を相互に絶縁が確保される状態で貼合わせ、必要に応じ集電層を塗工法等により形成させる方法;膜状に成形した高分子固体電解質の両面に電極を構成する成分を含む溶液又は分散液を塗工して相互に絶縁した電極を形成し、必要に応じて集電層を塗工法等により形成させる方法;フィルム基材上に必要に応じて集電層を形成させた後、電極を構成する成分を含む溶液又は分散液、高分子固体電解質を構成する成分を含む溶液又は分散液、電極を構成する成分を含む溶液又は分散液の順序で塗工/乾燥を行って電極層-高分子固体電解質層-電極層の積層構造を形成させた後、必要に応じて集電層を形成させ、さらに必要に応じてカバーとしてフィルム基材を貼合わせる方法;フィルム基材上に必要に応じて集電層を形成させた後、電極を構成する成分を含む溶液又は分散液、高分子固体電解質を構成する成分を含む溶液又は分散液の順序で塗工/乾燥を行って電極層-高分子固体電解質層の積層構造を形成させて出来たフィルム状前駆体同士を、高分子固体電解質層面同士を熱プレスやラミネートによって貼合わせる方法、などを挙げることができる。かかるフィルム基材としては、一般的に用いられるポリマーフィルム、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、エラストマーフィルムなどを用途に応じて適宜用いることができる。尚、このフィルム基材は高分子トランスデューサを使用する際に除去してもよいし、そのまま一体としてもよい。そのまま一体として用いる場合にはフィルム基材は保護層として作用する。前記の膜状、フィルム状、シート状又は板状の高分子トランスデューサでは、その電極層、高分子固体電解質層、必要に応じて配設される集電層、フィルム基材の各厚さは特に制限されず、高分子トランスデューサの用途等により適宜調整することができる。但し、電極層の厚さは1μm~10mmの範囲内であることが好ましく、5μm~1mmの範囲内であることがより好ましく、10~500μmの範囲内であることがさらに好ましい。また、高分子固体電解質の厚さは1μm~10mmの範囲内であることが好ましく、5μm~1mmの範囲内であることがより好ましく、10~500μmの範囲内であることがさらに好ましい。集電層を設ける場合にはその厚みは1nm~1mmの範囲内であることが好ましく、5nm~100μmの範囲内であることがより好ましく、10nm~50μmの範囲内であることがさらに好ましい。フィルム基材の厚みとしては、保護層としてそのまま使用するか否かに関わらず、製造時の取扱い容易性の観点や保護層としての強度の観点から1μm~10mmの範囲内であることが好ましく、10μm~1mmの範囲内であることが好ましく、30μm~500μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明に係る高分子トランスデューサは、空気中、水中、真空中、有機溶媒中で動作することができる。更に、使用環境に応じて、適宜封止を施してもよい。封止材としては特に制限はなく、各種樹脂などを挙げることができる。この様な本発明に係る高分子トランスデューサに外部より変位、圧力等の機械的エネルギーを加えると、相互に絶縁した電極間に電気エネルギーとして電位差電圧を発生させることができる。このため、本発明に係る高分子トランスデューサを、変動、変位又は圧力を検知する変形センサ変形センサ素子として使用することもできる。本発明の適用する高分子固体電解質、その製造方法及び高分子トランスデューサを実施例1~4に示す。また、本発明の適用外である組成物を比較例1~2に示す。材料本実施例及び比較例で使用した材料について以下に示す。1ポリスチレン-b-ポリ1,3-ブタジエン-b-ポリスチレンの水素添加物SEBS:株式会社クラレ製セプトン8007をトルエンに溶解させた後、水により3回洗浄し、次いで大過剰のアセトンに再沈殿させて精製したものを用いた。2ポリスチレン-b-ポリイソプレン-b-ポリスチレンの水素添加物S:株式会社クラレ製セプトン2002をトルエンに溶解させた後、水により3回洗浄し、次いで大過剰のアセトンに再沈殿させて精製したものを用いた。3ポリα-メチルスチレン-b-ポリ13-ブタジエン-ポリα-メチルスチレンの水素添加物mSEBmS:公知の方法国際公開第02/40611号と同様の方法で、ポリα-メチルスチレン-b-ポリ1,3-ブタジエン-b-ポリα-メチルスチレン型トリブロック共重合体を合成した。得られたトリブロック共重合体の数平均分子量[ゲル浸透クロマトグラフィーGPC測定、ポリスチレン換算]は76,000であり、1H-NMR核磁気共鳴から求められた1,3-ブタジエンに由来する1,4-結合量は55、α-メチルスチレン単位の含有量は30質量であった。合成したトリブロック共重合体のシクロヘキサン溶液を調製し、十分に窒素置換を行った耐圧容器に仕込んだ後、Ni/Al系のチーグラー型水素添加触媒を用いて、水素雰囲気下80°Cで5時間の水素添加反応を行いmSEBmSを得た。得られたmSEBmSの水素添加率は1H-NMRより99.6molであった。3無水酢酸:和光純薬工業株式会社より購入してそのまま用いた。4濃硫酸:和光純薬工業株式会社より購入してそのまま用いた。5ジクロロメタン:キシダ化学株式会社より購入し、モレキュラーシーブ4Aに接触させたものを用いた。63-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテート:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。73-エチル-12-ジメチルイミダゾリウムブロマイド:関東化学株式会社より購入し、そのまま用いた。83-エチル-1-イミダゾリウムブロマイド:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。93-エチル-1-イミダゾリウムテトラフルオロボレート:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。10アニオン交換樹脂:オルガノ株式会社より購入したアンバーライトIRA400OHAGを、水で湿潤させて用いた。11テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液10w/v:東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。12テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液10w/v:東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。13テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液10w/v:東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。14テトラn-ブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液10w/v:東京化成工業株式会社より購入し、そのまま用いた。15トリn-ブチルメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液20w/v:アルドリッチ社より購入し、そのまま用いた。16アンモニア水10:和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。17イミダゾール水溶液10:和光純薬工業株式会社より購入したイミダゾールを、蒸留水に濃度が10w/vとなるように溶解させて水溶液として用いた。18導電性カーボンブラック:ライオン株式会社より購入したケッチェンブラックEC600JDを、150°Cで12時間、真空乾燥したものを用いた。190.01規定水酸化ナトリウム標準水溶液:和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。201フェノールフタレインエタノール溶液:和光純薬工業株式会社より購入し、そのまま用いた。その他の溶媒、試薬類は市販品を購入し、必要に応じて一般的な方法で精製したものを用いた。参考製造例1mSEBmSのスルホン化mSEBmS355gを撹拌機付きのガラス製反応容器中にて1時間真空乾燥し、次いで、窒素で系内を置換した後、塩化メチレン3Lを加え、35°Cにて2時間撹拌して溶解した。溶解後、塩化メチレン155mL中、0°Cにて無水酢酸34.7mLと濃硫酸77.5mLとを反応させて得られたスルホン化剤アセチルサルフェートを、5分間かけて徐々に滴下した。35°Cにて7時間撹拌後、10Lの蒸留水の中に撹拌しながら反応溶液を注ぎ、スルホン化mSEBmSを凝固析出した。析出した固形分を90°Cの蒸留水で30分間洗浄し、更に濾別した。この洗浄及び濾別の作業を洗浄水のpHに変化がなくなるまで繰返し、最後に濾集した重合体を真空乾燥してスルホン化mSEBmSを得た。得られたスルホン化mSEBmSのα-メチルスチレン単位のベンゼン環のスルホン化率は1H-NMR核磁気共鳴スペクトル測定から49.8mol、プロトン交換容量は1.08mmol/gであった。参考製造例2SEBSのスルホン化参考製造例1において、mSEBmSに代えてSEBSを用い、反応時間及び用いるスルホン化剤の量を変化させる以外は同様の操作を行ってスルホン化SEBSを得た。得られたスルホン化SEBSのスチレン単位のベンゼン環のスルホン化率は48.5mol、プロトン交換容量は1.21mmol/gであった。参考製造例33-エチル-12-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液の合成3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムブロマイド10gを蒸留水50mLに溶解させた。次いでこの溶液と大過剰のアニオン交換樹脂アンバーライトIRA400OHAGを室温で撹拌しながら24時間接触させて臭化物イオンをヒドロキシルイオンへ変換した。更に、水溶液からアニオン交換樹脂を濾過により除去し、3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液を得た。製造例1高分子固体電解質Iの製造参考製造例1で得られたスルホン化mSEBmSをテトラヒドロフランTHF/メタノール混合溶媒重量比8/2からキャストして膜状とした。10g分の膜を、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテート5.5gを水100mLに溶解させた水溶液に浸漬した。浸漬は24時間行った。更に、水溶液中から膜を回収し、5回、水で洗浄、続いてメタノールで1回洗浄した。得られた膜を一昼夜真空乾燥し、高分子固体電解質Iを得た。得られた高分子固体電解質Iの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質Iのプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3-エチル-1-メチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。製造例2高分子固体電解質II製造例1において、スルホン化mSEBmSに代えて参考製造例2で得られたスルホン化SEBSを用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質IIを得た。得られた高分子固体電解質IIの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質IIのプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3-エチル-1-メチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。製造例3高分子固体電解質III製造例1において、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、参考製造例3で製造した3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシドを4.6g含むを用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質IIIを得た。得られた高分子固体電解質IIIの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質IIIのプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。製造例4高分子固体電解質IV製造例3において、スルホン化mSEBmSに代えて、スルホン化SEBSを用いる以外は同様の操作を行い高分子固体電解質IVを得た。得られた高分子固体電解質IVの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質IVのプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンである3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムカチオンに置換された高分子固体電解質であることがわかった。製造例5~9高分子固体電解質V~IX製造例1において、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液、テトラn-ブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、トリn-ブチルメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質V~IXを得た。高分子固体電解質V~IXの各々の一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム水溶液で適定したところ、高分子固体電解質V~IXのプロトン交換容量はゼロであり、スルホン酸の全てのプロトンが第15族元素を含むオニウムカチオンであるテトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラn-ブチルアンモニウムカチオン、トリn-ブチルメチルアンモニウムカチオンである高分子固体電解質であることがわかった。比較製造例1製造例1において、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテートの水溶液に代えて、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムブロマイドの水溶液を用いた以外は同様の操作を行い高分子固体電解質XIIを得た。得られた高分子固体電解質XIIの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム溶液で適定したところ、高分子固体電解質のプロトン交換容量は1.05mmol/gであり、原料のスルホン化mSEBmSと同等のプロトン交換容量を示した。このことからスルホン酸のプロトンは第15族元素を含むオニウムカチオンには置換されていないことがわかった。比較製造例2比較製造例1において、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレートの水溶液を用いる以外は同様の操作を行い高分子固体電解質XIIIを得た。得られた高分子固体電解質XIIIの一部を食塩水中に一晩浸漬し、電解質を取り除いた後の食塩水を0.01規定の水酸化ナトリウム溶液で適定したところ、高分子固体電解質のプロトン交換容量は1.04mmol/gであり、原料のスルホン化mSEBmSと同等のプロトン交換容量を示した。このことからスルホン酸のプロトンは第15族元素を含むオニウムカチオンには置換されていないことがわかった。上記の参考製造例、製造例及び比較製造例をまとめを、下記表1に示す。表1から明らかなように、本発明の高分子固体電解質の製造方法によれば、スルホン酸のプロトンを容易に第15族元素を含むオニウムカチオンに変換することができることがわかる。製造実施例1高分子トランスデューサの製造1参考製造例1で得られたスルホン化mSEBmS50gを、ジイソプロピルベンゼン1-ヘキサノール混合溶媒重量比82200gに溶解させた電解質溶液Aとする。21で作製した溶液Aにケッチェンブラック4.4gを加えて混合し、ホモジナイザーを用いて均一に混合した電極分散液B。また、市販の銀ペーストで配電線を設けたポリプロピレン製のフィルム厚み50μm上に、スクリーン印刷機を用いて電極分散液Bを塗工し、その後80°Cで乾燥した。この工程を電極の乾燥膜厚が100μmになるまで行った積層体A。得られた積層体Aに、スクリーン印刷機を用いて電解質溶液Aを塗工し、その後80°Cで乾燥したこの工程をスルホン化mSEBmSの乾燥膜厚が15μmになるまで行った積層体B。更に、得られた積層体Bを、0.2Mに調製した3-エチル1-メチルイミダゾリウムアセテート水溶液に、1時間浸漬させた。浸漬後の積層体Bは、蒸留水で充分に洗浄を行い、その後十分に乾燥を行った。この洗浄後の積層体Bは、プロトン交換容量の測定を実施したところプロトン交換容量は0mmol/lであり、電極及び電解質中に存在していたスルホン酸基のプロトンは、すべて3-エチル-1-メチルイミダゾリウムカチオンに変換されていることが確認された。次いで、洗浄乾燥を施した積層体Bの二枚を、電解質面同士が接着するように重ね合わせ、この状態で100°Cで5分間プレスをすることで高分子トランスデューサ1を得た。尚、この際、トランスデューサとしての評価を行うため、リード線を設けた。製造実施例2~4高分子トランスデューサの製造製造実施例1において、3-エチル-1-メチルイミダゾリウムアセテート水溶液に代えて、3-エチル-1,2-ジメチルイミダゾリウムヒドロキシド水溶液、テトラメチルアンモニウム水溶液を用いる以外は同様の操作を行って、高分子トランスデューサ2~3を得た。比較製造例3高分子トランスデューサの製造製造実施例1において、イオン交換の工程を行わなかった以外は同様の操作を行って、高分子トランスデューサ4を得た。比較製造例4高分子トランスデューサの製造製造実施例1において、洗浄乾燥した積層体Bを、乳酸エチルに10分間接触させた。表面に残存した乳酸エチルを拭き取った。この後、製造実施例1と同様の操作を行って、高分子トランスデューサ5を得た。実施例1~3及び比較例1~2製造実施例1~3及び比較製造例1~2で得られた高分子トランスデューサの各々のセンサ性能を下記表2に示す。表2から明らかなように、製造実施例1~4の高分子トランスデューサは、製造比較例1~2の高分子トランスデューサに比較して、センサとして使用した際に、高い信号強度を示しており、センサとして好適に用いることができる。"