担体i、金属粒子ii及び該金属粒子間に置かれたシェルiiiを含む触媒であって、シェルiiiが酸化ケイ素を含む触媒。シェルiiiが、シェルiiiの総質量に対して0.1~10質量のZr、Ce、Ti、Al、Nb、La、In、Zn、Sn、Mg、Ca、Li、Na及び/又はKを含む請求項1に記載の触媒。シェルiiiの層厚が0.5nm~2000nmの範囲である請求項1又は2に記載の触媒。シェルiiiが、0.5nm~40nmの範囲の径を持つ細孔を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の触媒。シェルiiiが金属粒子iiを封入する請求項1~4のいずれか一項に記載の触媒。前記触媒が、担体i、金属粒子ii及びシェルiiiの総質量に対して0.1~35質量のSiO2を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の触媒。金属粒子iiが担体i上に置かれてこれに接触しており、シェルiiiが担体iと金属粒子iiを共に封入している請求項1~6のいずれか一項に記載の触媒。金属粒子iiが、金、銀、白金、ロジウム、パラジウム、銅、ニッケル、鉄、ルテニウム、オスミウム、クロム、バナジウム、マンガン、モリブデン、コバルト、亜鉛、及びこれらの混合物及び/又は合金を含む請求項1~7のいずれか一項に記載の触媒。金属粒子iiの径が0.1nm~200nmの範囲である請求項1~8のいずれか一項に記載の触媒。前記触媒が、担体i、金属粒子ii及びシェルiiiの総質量に対して0.1~20質量の金属粒子を含む請求項1~9のいずれか一項に記載の触媒。担体iが、Al、Ce、Zr、Ti及び/又はSiの少なくとも一種の酸化物を基礎とする請求項1~10のいずれか一項に記載の触媒。担体iの径が0.5~5000nmの範囲である請求項1~11のいずれか一項に記載の触媒。担体iのDIN-ISO9277で測定したBET表面積が5m2/gより大きい請求項1~12のいずれか一項に記載の触媒。担体i、金属粒子ii及び酸化ケイ素系のシェルiiiを含む触媒の製造方法であって、a金属粒子を、任意に安定化された金属塩溶液の還元により製造し、次いでb金属粒子iiを封入するシェルiiiを、金属粒子iiの存在下で水溶性の加水分解性Si化合物の反応で製造し、次いでe金属粒子iiとシェルiiiを含む分散液に担体iを投入し、次いでf担体i、金属粒子ii及びシェルiiiを含む分散液から溶媒を除去する、方法。担体i、金属粒子ii及び酸化ケイ素系のシェルiiiを含む触媒の製造方法であって、h金属粒子iiを含む担体iを分散させ、次いでiこの分散液に水溶性の加水分解性Si化合物を添加し、次いでj担体i、金属粒子ii及びシェルiiiを含む触媒から溶媒を除去する、方法。本発明の目的は、高温に曝されても活性低下が少ない触媒とその製造方法を見出すことである。本目的は、以下の本発明で達成される。したがって、本発明の触媒は、担体と金属粒子とを含み、これらの金属粒子はシェルにより相互に分離されている。ある好ましい実施様態においては、このシェルiiiが金属粒子iiを完全に覆うことができる。この実施様態では、金属粒子iiは通常、担体iと直接接触しているのではなく、シェルiiiを介して担体iに結合している。特に、金属粒子iiが先ずシェルiiiで封入し、次いでこの封入金属粒子iiを担体iに施す場合に、この実施様態が考慮されることとなる。なお、封入の定義には、シェルが金属粒子に部分的に接触している場合と完全に接触している場合の両方が含まれるものとする。もう一つの好ましい実施様態においては、金属粒子iiが担体i上に置かれてこれに接触しており、金属性粒子iiと担体iとをシェルiiiが共に封入している。まず担体i上で金属粒子iiを製造あるいは固定し、次いでこの金属粒子iiをもつ担体iをシェルiiiで封入する場合にこの実施様態が得られる。本発明によれば、このシェルiiiは酸化ケイ素系のものであり、好ましくはSiOx式中、xは2以下である、より好ましくはSiO2系のものである。酸化セリウムや酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、他の金属酸化物などの他の酸化物系のシェルと較べて、酸化ケイ素系シェルは、形状が明確なシェルの合成がかなり容易であるストーバー法、制御された水ガラスの加水分解といる利点をもっている。このため、酸化ケイ素、好ましくはSiOx式中、xは2以下である、より好ましくはSiO2シェルの層厚を正確に1~2nmに設定することが可能となる。また、特に水ガラスの使用は、有機金属性Zr、CeまたはAl成分より、出発原料の価格の点でまた有機溶媒使用作業を避けることができるという点の両方で、大きな経済的優位性を持っている。また、酸化ケイ素は、上記の層圧の無機酸化ケイ素層が触媒活性を阻害しないという長所をもっている。本発明によれば、このシェルiiiが、シェルiiiの総質量に対して0.1~20質量のZr、Ce、Ti、Al、Nb、La、In、Zn、Sn、Mg、Ca、Li、Na及び/又はKを含むことができる。このシェルiiiの層厚は、好ましくは0.5nm~2000nmの範囲であり、より好ましくは0.5nm~200nm、特に好ましくは0.5nm~50nm、さらに好ましくは0.5nm~10nm、最も好ましくは0.5nm~5nmの範囲である。また、シェルiii中に、担体i、金属粒子ii及びシェルiiiの総質量に対して好ましくは0.1質量~35質量の、特に好ましくは1質量~20質量、最も好ましくは5質量~20質量のSiO2を含む触媒が好ましい。このシェルiiiは、細孔を持つことが好ましく、径が0.5nm~40nmの範囲の細孔、特に好ましくは1nm~20nmの範囲の細孔をもつことが好ましい。これらの細孔は、細孔を通してガスが金属粒子iiに接近できるように形成されることが好ましい。本発明の触媒は、活性元素としての金属粒子iiを含んでいる。元素状態で触媒活性を示す全ての金属が適当である。金、銀、白金、ロジウム、パラジウム、銅、ニッケル、鉄、ルテニウム、オスミウム、クロム、バナジウム、マンガン、モリブデン、コバルト、亜鉛、またこれらの混合物及び/又は合金が好ましい。金属粒子iiとしてPt、Pd、Ru、Rh、Ir、Os、Au、Ag、Cu、Ni、Co及び/又はFeを含む触媒が好ましく、Pt、Pd、Rh及び/又はRuを含む触媒がより好ましく、Pt及び/又はPdを含むものが特に好ましい。金属粒子iiの直径は、好ましくは0.1nm~200nmの範囲であり、好ましくは0.5nm~200nm、より好ましくは1nm~20nm、特に好ましくは1nm~10nmの範囲である。また、担体i、金属粒子ii及びシェルiiiの総質量に対して0.01~20質量の、特に好ましくは0.1~4質量の金属粒子を含む触媒が好ましい。金属粒子iiは結晶質であっても非晶質であってもよい。これは高解像度の電子顕微鏡またはX線回折で決定可能である。複数の金属を使用する場合では、金属粒子iiが合金を含むことができるが、いろいろな金属の非金属性ナノ粒子が並んでいてもよい。担体iとしては、一般的には既知の担体を使用でき、例えば、サソール社から商品名TM100/150、SBa150、シラロックス1.5、SBa70で販売されているものを使用できる。担体iは、好ましくは少なくとも一種のAl、Ce、Zr、Ti及び/又はSi酸化物系のものであり特に好ましくは酸化アルミニウム系、特にα-またはγ-酸化アルミニウム系のものである。担体iの一次粒子の直径は、好ましくは0.5~5000nmの範囲であり、より好ましくは5nm~500nm、特に好ましくは5~300nm、極めて好ましくは10~50nmの範囲である。この一次粒子は凝集物を形成することがあり、この凝集物は数ミクロンの大きさとなることもある。この担体iのBET表面積は、好ましくは5m2/gより大きく、好ましくは50m2/g~300m2/gの範囲、より好ましくは75m2/g~150m2/g、最も好ましくは100m2/g~150m2/gの範囲である。なお、このBET表面積は、DIN-ISO9277によりガス吸収で求められる。この高いBET表面積のため細孔中のナノサイズの貴金属粒子が凝集から保護されるが、COや他のガスなどの反応性ガスの接近はできるようになっている。本発明はまた、本発明の生成物の化学反応触媒としての利用を提供する。この化学反応は、好ましくは、水素化、脱水素、水和、脱水、異性化、ニトリル水素化、芳香化、脱炭酸、酸化、エポキシ化、アミノ化、H2O2合成、カーボネート製造、ディーコンプロセスでのCl2製造、水添脱硫、塩化水素処理、メタセシス、アルキル化、アシル化、アンモ酸化、フィッシャートロプシュ合成、メタノール改質、排ガス触媒SCR、還元、特に酸化窒素の還元、カルボニル化、C-Cカップッリング反応、C-Oカップッリング反応、C-Bカップッリング反応、C-Nカップッリング反応、ヒドロホルミル化または転位である。本発明の触媒は、特にCOのCO2への変換、または炭化水素のCO2への酸化やNOのNOxへの酸化に適している。しかしながら、このようにして製造された金属ナノ粒子は、原理的には上述の金属で触媒可能であることが知られている他の反応にも、例えば既知の水素化反応や脱水素反応にも使用できる。これらの触媒は、無機シェルで覆われた金属粒子と既存の担体材料SBa-150とを混合し、他の工程でこの薄膜を成形体に塗布して使用することができる。このモノリス成形体は、例えばコージェライトまたは金属を含むことができる。なお、個々の薄膜成分の組成や担体の形状と材料は、従来どおりの方法で触媒の使用目的に合わせることができる。本発明の触媒の製造は、以下の工程を含んでいてもよい。安定剤の存在下で金属前駆体の溶媒中への溶解、または既存の金属塩溶液への安定剤の単なる添加、この金属前駆体の還元及びナノ粒子の形成、必要なら溶媒の置換、無機シェルの形成、担体の添加、必要なら、このようにして製造した触媒活性分散液のもう一つの成形体モノリスへの施し、熱処理、または必要なら焼成。本発明はまた、担体iと金属粒子iiと好ましくは金属粒子間に置かれた、好ましくは酸化ケイ素系、好ましくはSiOx式中、xは2以下である系、より好ましくはSiO2系の多孔性シェルiiiを含む触媒の製造方法であって、a金属粒子を、必要なら安定化された金属塩溶液の還元により製造し、次いでb該金属粒子iiを封入するシェルiiiを、水溶性で加水分解性のSi化合物好ましくは水ガラスM2SiO3xH2O、式中、M=Li、Na、Cs及び/又はK、x=4、5または6、テトラエチルオルソシリケート及び/又はテトラメチルオルソシリケート[特に好ましくはテトラエチルオルソシリケート及び/又はテトラメチルオルソシリケート]と必要なら少量の有機金属性Ce、Al、Zn、Zr、La、In、TiまたはIr化合物とを、好ましくは9~10.5の範囲のアルカリ性pHで、あるいは2~2.5の範囲の酸性pHで、金属粒子iiの存在下で反応させて製造され、次いで必要ならc酸化ケイ素、好ましくはSiOx式中、xは2以下である、より好ましくはSiO2で封入された金属粒子iiから溶媒を除去し、好ましくは総質量に対して含水率が25質量未満となるまで該粒子を乾燥させ、次いで必要ならdこの乾燥したシェルiiiで囲まれた金属粒子iiを溶媒に、好ましくは水に分散させて、この分散液が、分散液の総質量に対して1~20質量の範囲の固体含量をもつようにし、次いでeこの分散液に担体iを添加し、次いで必要ならfこの分散液から溶媒を除去し、好ましくは担体iと金属粒子iiとシェルiiiを含む触媒を製造し、この好ましくは支持された金属粒子iiが、好ましくはシェルiiiで覆われており、このようにして得られた触媒が、好ましくは次いで、g好ましくは100°C~950°Cの範囲の温度で、好ましくは5~300分間の範囲の時間、好ましくは0.5~10K/分の範囲の加熱速度で、好ましくは0.5K/分~2K/分の加熱速度で焼成される方法を提供する。なお、用語次いでは、いずれの場合も次の加工工程が前工程より後で実施されることと意味する。これは前述の加工工程の直後であってもよいが、本発明に必須でない加工工程、例えば溶媒の変更などが、これらの間に入ってもよい。囲まれたは、このシェルが、金属粒子iiをガスに接近させることのできる細孔を有していることを意味する。以下、個々の工程を詳述する。工程a通常この金属塩溶液の製造のために、金属塩以下、前駆体とも呼ぶを、好ましくは既存の安定剤、例えばこの目的で知られているポリマーとともに、適当な溶媒中で、例えば水中で攪拌する。適当な前駆体は、相当する金属、例えば金属粒子iiに対して上述した元素、好ましくはPt、Pd、Rh及び/又はRu、特に好ましくはPt及び/又はPdの硝酸塩やアセチル酢酸塩、策酸塩、アミン、水酸化物、酸、硫酸塩、スルフイド、シアン化物、イソシアネート、チオイソシアネート、ハロゲン化物、次亜塩素酸塩、リン酸塩、テトラアンミン錯体、酸化物または他の可溶性の化合物である。これら相当する金属の硝酸塩またはテトラアンミン錯体の使用が好ましく、特にPt、Pd、Rh及び/又はRuの硝酸塩またはテトラアンミン錯体が好ましく、Pt及び/又はPdの硝酸塩またはテトラアンミン錯体の使用が特に好ましい。溶液中にすでに存在する金属塩成分から出発するのが極めて好ましいが、これらの金属前駆体の溶液に限定されるものではない。適当な溶媒は、水およびアルコールなどの有機極性溶媒である。前駆体を使用溶媒に溶解させる必要があるため、前駆体に応じてこの溶媒を選択することが好ましい。溶媒として水を使うことが好ましい。適当な安定剤は、金属に配位可能な官能基を一個以上もつポリマーである。官能基は、例えば、カルボキシレート、カルボン酸、グルコン酸、アミン、イミン、ピロール、ピロリドン、ピロリジン、イミダゾール、カプロラクタム、エステル、ウレタン、これらの誘導体である。したがって、適当なポリマーは、例えばWO2009/115506に記載のようなポリエチレンイミンやポリビニルアミンである。この合成方法でPVP-K30を使用することが特に好ましい。安定剤の濃度は、活性金属成分の質量に対して0.1~50質量の範囲であってよく、好ましくは1~10質量である。次いで金属塩と安定剤を含むこの水性混合物に還元剤が添加される。この金属への還元は、金属イオン及び/又は錯体を元素状に変換可能ないずれの還元剤を用いて行ってもよい。適当な還元剤は、アルコール、ケトン、カルボン酸、ヒドラジン、アゾ化合物例えば、AIBN、カルボン酸無水物、アルケン、ジエン、単糖または多糖類、水素、ボロハイドライド、または当業界の熟練者には既知の他の還元剤である。ガス状化合物例えばN2やCO2を発生する水溶性還元剤の使用が好ましい。ヒドラジン、アルコール、アルデヒド例えば、ホルムアルデヒド、グリコールまたはカルボン酸例えば、クエン酸の使用が好ましい。必要ならpHが調整される。アルカリ性のpHが特に好ましい。工程b金属粒子iiはSiOxxは2以下である系の無機シェルで被覆されている。この工程は、好ましくはアルコール系媒体中で行われる。即ち、もし溶媒として水が第一の工程aで使用された場合には、例えば遠心器で金属粒子iiを分離しアルコール系溶媒中に分散することが好ましい。アルコール系溶媒としてはエタノールが好ましい。次いで、一般的には既知のストーバー法で、即ち例えばエタノール性溶液をアンモニア水で処理し、テトラエチルオルソシリケートを添加して粒子を被覆することが好ましい。工程d担体材料の濃度は用途により変動する。通常、焼成後に金属負荷量が1~4質量の範囲となるような量で担体材料が添加される。この担体は、ウルトラタラックス、タラックス、超音波浴または他の当業界の熟練者には既知の撹拌装置で分散可能である。ウルトラタラックスが好ましい。得られたスラリーは、直接モノリスの塗装に使用できるが、通常モノリスと混合する前に、このスラリーはさらに粉砕され、通常酸性pHにされる。下の実施例では、この懸濁液を乾燥し焼結しタブレット化して、この形でCOからCO2を形成する反応の粉末測定に利用した。あるいは、先ず担体iに金属粒子iiを塗布し、その後に担体iと金属粒子iiをSiOxxは2以下である系のシェルiiiで封入して本発明の触媒を製造することができる。この製造工程は、以下の工程を含んでいてもよい:担体の金属前駆体での含浸、必要なら、大気下でまたは窒素下での金属前駆体を有する担体の焼成必要なら、好ましくは金属前駆体を有する担体の溶媒中での分散と金属塩成分の金属への還元、このようにして製造した担体の溶媒中での分散、シェル形成のための反応条件温度やpH、反応時間の設定、シェル材の前駆体の添加、必要なら、得られた分散物の成形体モノリスへの塗布、焼成。下に、個々の工程を詳述する:先ず担体を活性金属前駆体で含浸することができる。この含浸工程は、当業界の熟練者に既知の方法で実施する。上記の溶媒中で本明細書中で上述した化合物が活性金属前駆体として適当である。必要なら、金属前駆体で含浸された担体を大気下でまたは窒素下で焼成して、直径が0.1nm~200nmの範囲、好ましくは0.5nm~20nmの範囲、特に好ましくは0.5nm~10nmの範囲の金属粒子を形成してもよい。焼成温度は、好ましくは100~700°Cの範囲であり、より好ましくは300~650°C、特に好ましくは400°C~550°Cの範囲である。次いで活性金属前駆体で含浸された担体を分散媒体中に分散できる。この活性金属成分は、塩として存在しても、すでにでき上がった金属粒子として存在していてもよい。この溶媒は好ましくは水または有機極性溶媒であり、好ましくは誘電率がε≧10C2/Jmのものであり、特に好ましくはメタノール、エタノールまたはグリコールである。この担体材料の極めて好ましい分散媒体は水である。固体含量は、分散媒体に対して0.1~20質量の担体であるが、0.5~10質量の範囲の固体含量がこの製造方法に好ましい。この担体を分散媒体に分散する際、担体粒子が相互によく分離されており沈降していないことを確認することが望ましい。これによりシェル材が担体表面よく接近できるようになる。ウルトラタラックスかタラックス、超音波浴を用いて、あるいは他の撹拌装置または十分な剪断エネルギーを加えて担体粒子を均一に分散媒体中に分散することのできる他の当業界の熟練者には既知の装置を用いて、この担体を分散媒体中に分散することができる。次いでシェルiii製造のための反応条件が設定される。このために、担体と分散媒体からなる分散液を、好ましくは60~95°Cの範囲の温度に、特に好ましくは80°Cの温度にし、7~11の範囲のpHとする。7~10のpHが特に好ましく、8~10のpHがより好ましい80°Cで測定、温度補正なし。pHは水酸化ナトリウムの希薄溶液を用いて調整することが好ましい。次の工程で、貴金属をすでに含んでいる担体被覆用シェル材の前駆体を添加できる。上述の第一の方法活性成分のみがシェル材で囲まれるとは異なり、担体全体がこの方法で封入される。前駆体として、水溶性の加水分解性Si化合物、例えばテトラメチルオルソシリケートTMOS、テトラエチルオルソシリケートTEOS及び/又は水ガラスM2SiO3xH2O、式中、M=Li、Na、Cs及び/又はK、x=4、5または6を使用することが好ましく、安価な水ガラスの使用が特に好ましい。この前駆体は、長時間かけて一定速度で添加することが好ましい。Si化合物の添加の間は、系のpHが7~11の範囲にあることが好ましく、7.5~9.5がより好ましく、8~10が特に好ましい。シェル材の濃度は被覆される触媒により変動し、0.1~80質量の範囲で変動する。例として自動車触媒をあげると、担体と活性金属の総量に対するシェル材の濃度は、1~40の範囲が好ましく、5~30質量がさらに好ましい。必要ならNaNO3などの電解質を添加できる。次いでこの反応混合物をよく攪拌する。水ガラスを用いる場合では、不均一触媒の周りにSiOxxは2以下であるシェルを形成するための必要な反応時間は、通常1~10時間である。この反応時間が経過した後で、洗浄で、好ましくは水での洗浄で過剰の塩を除き、乾燥させ、例えば好ましくは層厚が<1mmのブルーバンドフィルターを通して濾過して乾燥させる。次いで、含水率が20より小さくなるまでこの触媒を乾燥し、好ましくは60°Cの対流乾燥オーブン中で乾燥する。次いでこの分散液を、例えばモノリスに塗布する。モノリスへの触媒の塗布と続く焼成は一般的には既知であり、多くの文書に開示されている。可能なモノリスは、例えば金属/コージェライトからなる材料である。相当する成形体は、例えばコーニングとNGKから入手可能である。触媒の多孔性は焼成条件と反応の実施方法で調整可能であり、それぞれの用途TWC、DOCに合わせられる。したがって、必要なら短時間の粉砕と酸性pHpH:約3への調整後に、この触媒がモノリスの被覆成分としての薄膜スラリーの製造のためにさらに加工される。この予め熱処理した粉末が、必要なら薄膜製造の前に焼成され、通常540°Cの温度まで加熱速度が0.5-2K/分で2時間かけて540°Cまで加熱され、次いで冷却される。しかしながら下の実施例では、試料を直ちに乾燥焼成して、COとHCとNOの酸化の触媒活性を試験した。したがって本発明はまた、担体iと金属粒子iiとiii好ましくは金属粒子間に置かれた、好ましくは酸化ケイ素系、好ましくはSiOx式中、xは2以下である系、より好ましくはSiO2系の多孔性シェルとからなる本発明の触媒の製造方法であって、h金属粒子iiを含む担体iを分散させ、次いでi水溶性の加水分解性Si化合物、好ましくはテトラメチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケート及び/又は水ガラスM2SiO3xH2O、式中、M=Li、Na、Cs及び/又はK、x=4、5または6を、好ましくは60°C~95°Cの範囲の温度で、好ましくは7~10の範囲のpHで、より好ましくは8~10の範囲のpHで添加し、次いでj担体iと金属粒子iiとシェルiiiを含む触媒を、特に好ましくは触媒が濾別された後、好ましくはブロードバンドフィルターにより濾別された後で、乾燥させ、特に好ましくは含水率が総質量に対して25質量未満となるまで乾燥させ、次いでこのようにして得られた触媒が、好ましくは、k好ましくは100°C~950°Cの範囲の温度で、好ましくは5~300分間の範囲の時間、好ましくは0.5~10K/分の範囲の、より好ましくは0.5~8K/分の範囲の加熱時間で焼成される方法を提供する。実施例活性金属の周りに無機保護シェルを有する粉末試料の製造を以下に述べる。触媒が、ディーゼル酸化触媒用のモデル触媒となるように担体材料と前駆体と活性金属負荷量を選択して、ディーゼル酸化触媒を例としての高温下での改善された安定性を検討した。COからCO2への酸化反応をモデル反応に選択した。ディーゼル排気をまねた供給ガス組成物を触媒測定に使用した。新鮮な水熱養生後の触媒上で消光L/O温度50のCOがCO2に変換される温度を測定した。養生後の触媒のL/O温度は、自動車触媒の長期間安定性の尺度である。合成例実施例1:活性金属成分のSiOxxは2以下であるでの直接被覆0.96gのPtNO32を30mlの水に溶解し、2.56gのポリビニルピロリドンK30フルカ社製、CAS9003-99-8、Pt前駆体:PVPの質量比:0.375を安定剤として添加した。溶液が透明となるまでこの混合物を攪拌した。次いで、1.9gの36.5強度のホルムアルデヒド溶液シグマアルドリッチ社、CAS50-00-0と0.6gの30強度のNaOH溶液リーデルデヘーン社、CAS1310-73-2を還元剤として添加した。この混合物を10分間攪拌し、次いで還元の結果無煙炭色となった溶液を試験室遠心器ヘティヒユニバーサル2s中で10分間3000rpm遠心分離させた。上澄液を傾けて除き、ゲル状残渣を70mlのエタノールに再分散させた。3.5mlの25強度のアンモニア水を添加し、この分散液を超音波に30分間かけた。次いで5.5mlのテトラエチルオルソシリケートを添加し、この系を23°C室温で24時間攪拌し、無機のSiOxxは2以下であるシェル前駆体架橋Si-Oオリゴマーの形を形成させた。次いで活性金属成分の担体として25gのSBa-150γ-Al2O3、サソール社製を添加し、混合物をウルトラタラックスを用いて5分間均一化させた。この混合物をさらに1時間攪拌した。減圧下で揮発性成分を除き、粉末を焼成した加熱速度0.5°C/分で350°Cの温度まで;次いで350°Cで5分間;次いで加熱速度が2°C/分で540°Cの温度まで;次いで540°Cで1時間;50標準l/hの窒素。この結果、22.2gの1.4質量のPtを含むコア-シェル触媒を得た。透過型電子微視鏡TEMでの分析の結果、層厚が2~27nmの範囲のSiOxxは2以下であるシェルで覆われたナノサイズのPt粒子であることが判明した。一次粒子径が12nmである、共通のシェルで囲まれた相互によく分離されたPt粒子が確認された。実施例2:活性金属成分のSiOxxは2以下であるでの直接被覆Pt前駆体:PVP比を0.6として、実施例1と同様に試験を行った。直径が17nmで明確に分離された、10nm厚のSiOxxは2以下であるシェルで覆われた粒子が観察された。このように被覆された試料を750°Cで6時間加熱しても、このPt粒子はほんのわずかにしか大きくならなかった17nmから822nmへ。実施例3:活性金属成分のSiOxxは2以下であるでの直接被覆実施例1の方法を繰り返した。ただし、全ての出発量を2倍とし、担体は8gを使用した。焼成の結果、7.1gの2.2質量のPtを含むコア-シェル触媒を得た。実施例4:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆白金で含浸されたAl2O3担体を製造するために、0.96gのPtNO32を30mlの水に溶解し、2.56gのポリビニルピロリドンK30フルカ社製、CAS9003-99-8、Pt前駆体:PVP質量比:0.375を安定剤として添加した。溶液が透明となるまでこの混合物を攪拌した。次いでSBa-15030質量強度の50:50水-ジエチレングリコール中の分散液としてを、溶液中に存在するPtでSBa150を完全に負荷させると担体のPt負荷量が2となるような量で添加した。次いで、この分散液を100°Cで1時間加熱して、PtIIをPt0に還元させた。淡黄色PtIIから褐色Pt0への特徴的な色変化で、還元がうまく進んでいることが判明した。反応の終了後、混合物を濾過し、固体を室温減圧下で24時間乾燥し、次いで焼成した加熱速度0.5°C/分で350°Cの温度まで;次いで350°Cで5分間;次いで加熱速度が2°C/分で540°Cの温度まで;次いで540°Cで1時間;50標準l/hの窒素。この2質量のPtが含浸されたナノ粒子Ptナノ粒子の一次粒子径:13nmの5gを、ガラス-テフロン攪拌器を備えた2lの四つ口フラスコ中に入れられた995gの脱イオン水中に投入した。この混合物を撹拌下300rpmで80°Cに加熱した。固体含量が約28で、密度20°Cが1.25g/cm3で、pHが10.8である市販の水ガラス溶液の25gを、4時間かけて添加した。同時に、5強度の硝酸を用いてpHを7.5~9.5の範囲内で一定に維持し、温度を80°Cで一定に維持した。この混合物をさらに30分間攪拌した。次いでこの懸濁液を吸引濾過し、洗浄して塩類を除き、対流乾燥オーブン中60°Cで乾燥させた。この結果、0.5~1nm厚のSiOxxは2以下である層を持つ、SiOxxは2以下であるで被覆された触媒を得た。実施例5:担体と活性金属との全体のSiOxxは2以下であるでの被覆白金が含浸されたナノ粒子の製造のために、4.03gのPtアセチルアセトネートPtAcAc2、ABCR社製を29.72gのジエチレングリコールDEGに加え、一夜磁気攪拌して、黄色の懸濁液を得た。100gのSBa150担体を1Lのフラスコに入れ、N2で一夜、流速が100l/hでパージした乾燥までの全工程でN2を使用した。次いで150.3gのDEGを加え、混合物を機械的に攪拌300rpmしながら30°Cまで加熱した。0.217gのPVP-K30を加え、混合物の温度をさらに80°Cまで上げた。SBa-150/DEG/PVP混合物の温度が80°Cに達した後、PtAcAc2/DEG懸濁液をゆっくりガラス漏斗から添加したPtAcAc2/DEG懸濁液ビーカーの洗浄に21.4gのDEGを用いた。この混合物を80°CでN2下でさらに2時間攪拌し、次いで減圧下125°Cで24時間乾燥させた。次いで、このようにして乾燥された触媒を、540°Cの回転式キルン中で、大気下で20l/h回転速度が7min-1で焼成した0.5°C/分で350°Cまで、次いで2°C/分で540°Cまで。このようにして得られた触媒の、元素分析によるPt負荷量は2質量であった。次いで、このようにして得た触媒を高解像度の伝送電子顕微鏡HRTEMを用いて評価した。この触媒がAl2O3担体とPtナノ粒子からなることが判明した。このAl2O3担体の一次粒子径は5~75nmであり、Ptナノ粒子の大きさは3~10nmであった。このようにして得た触媒のBET表面積は、窒素吸着測定の結果、130m2/gであった。シェル材を製造するために、15gのPt/Al2O3触媒と2985gの脱イオン水を、超音波浴に入れられたフラスコ中に投入し、超音波攪拌と機械攪拌下で80°Cまで加熱した。懸濁液のpHは、5質量のNaOH溶液で8.8に調整したpH:80°Cで測定。次いで、この懸濁液に5質量の水ガラス溶液をゆっくりと加え、SiO2負荷量を10質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとした。この過程で、5質量のHNO3溶液を用いて、pHを8.8で一定とした。所望量のK2SiO3を添加後、この懸濁液を80°Cでさらに30分間攪拌し、次いで室温まで冷却した。最後に生成物を濾過し、注意深く脱イオン水で洗浄し、60°Cで乾燥させた。この10質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒をHRTEMで評価した結果、Ptナノ粒子の大きさの分布が非被覆触媒と同じであり、SiOxxは2以下であるシェルの厚みが0.5~5nmであることが判明した。また、このようにして得た10質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積は123m2/gであった。実施例6:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例5と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液の量を、SiO2負荷量が20質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるまで増加させたことのみである。この20質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさの分布は3~10nmで同一であった。このSiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~5nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は110m2/gであった。実施例7:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例5と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液の量を、SiO2負荷量が30質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるまで増加させたことのみである。この30質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は3~10nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~10nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は、90m2/gであった。実施例8:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例5と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液の量を、SiO2負荷量が60質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるまで増加させたことのみである。この20質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は3~10nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~15nmであった。試料の特定部分では、最大で100nmの大きさの分離SiOxxは2以下である粒子が観察された。このようにして製造された60質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は50m2/gであった。実施例9:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆白金が含浸されたナノ粒子を製造するために、5.102kgのSBa-150を秤量して混合機の容器に入れた。321gのH2PtCl66H2Oを担体の初期湿潤浸体積にまで希釈し、混合しながらSBa-150担体に滴下した。H2PtCl66H2Oの添加後、含浸粉末をさらに5分間混合し、次いで容器中で2時間密閉して液体をなじませた。この後、試料を先ず110°Cで4時間乾燥し、次いで450°Cのマッフル炉中で、大気下で傾斜、1時間内焼成した。このようにして製造した触媒の元素分析によるPt負荷量は3質量であった。HRTEMでの測定の結果、このAl2O3担体の一次粒子径は5~75nmであり、Ptナノ粒子の大きさは1~6nmであった。SiOxxは2以下であるシェルの合成を実施例5と同様にして行った。違いは、SiO2負荷量が15質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるような量で水ガラス溶液を加えたことのみである。15質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は0.5~5nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は122m2/gであった。実施例10:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例9と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液の量を、SiO2負荷量が20質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるまで増加させたことのみである。この20質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~5nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は120m2/gであった。実施例11:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例9と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液を、SiO2負荷量が25質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなる量で添加したことである。この25質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~8nmであった。このようにして製造された25質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は101m2/gであった。実施例12:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例9と同様にして試験を行った。第一の違いは、SBa150に代えて異なる担体であるシラロックス1.5市販生成物、サソール社製を用いたことである。Pt含量は、実施例9と同じ3質量であった。HRTEM測定での結果、この担体の一次粒子径は5~50nmであり、Ptナノ粒子の大きさは1~6nmであった。このようにして製造した触媒のBET表面積の測定結果は94m2/gであった。実施例9からの第二の違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液を、SiO2負荷量が20質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなるような量で添加したことである。この5質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~2nmであった。このようにして製造された5質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は94m2/gであった。実施例13:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例12と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液を、SiO2負荷量が10質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなる量で添加したことである。この10質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は0.5~53nmであった。このようにして製造された10質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は90m2/gであった。実施例14:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例12と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液を、SiO2負荷量が20質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなる量で添加したことである。この20質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~5nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は75m2/gであった。実施例15:担体と活性金属の全体のSiOxxは2以下であるでの被覆実施例12と同様にして試験を行った。違いは、SiOxxは2以下であるシェルの合成に用いた水ガラス溶液を、SiO2負荷量が30質量担体と活性金属とシェルの総質量に対してとなる量で添加したことである。この30質量のSiOxxは2以下であるで被覆したPt/SBa触媒をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさ分布は1~6nmで同一であった。SiOxxは2以下であるシェルの厚みの測定結果は、0.5~10nmであった。このようにして製造された20質量のSiOxxは2以下であるで被覆されたPt/SBa触媒のBET表面積の測定結果は63m2/gであった。参照試料触媒活性フレッシュな触媒と養生後の触媒のL/O温度を調べるために、同じ元素分布貴金属負荷量とSi量、担体材料が上の実施例に同じを持ち、SiOxxは2以下である系のシェルを持たない参照試料を作成した。比較触媒の一般的な製造方法を以下に述べる。貴金属の量は、上述の実施例に合わせた。比較触媒1と2の製造比較的多量のSBa-150を、対流乾燥オーブン中100°Cで1時間、前乾燥させた。このようにして前乾燥された担体の5gを評量して、100mlの一首丸底フラスコに入れ、ロータリーエバボレータに連結して、このフラスコ内の粉末を90rpmで、オイルバス温度が80°Cで10分間加熱した。含浸溶液として、テトラアンミン白金アセテート溶液短縮してTAAC、PtNH34CH3CO22、CAS=127733-97-5、ユミコア社を、必要な貴金属負荷量実施例と同じとなる量で添加した。この系を、水吸収率が200となるまで水で希釈した。ロータリーエバボレータ中で、800mbar、90rpm、オイルバス温度が80°Cで10分間処理して、この粉末に含浸させた。60分間かけて100mbarまで減圧し、固体を100mbar、オイルバス温度が80°C、90rpmで30分間乾燥させた。この乾燥した含浸材料を、1mmの篩を通してプレスして熔融シリカ反応器に入れ、焼成した。この熔融シリカ反応器の長さは900mmであり、内径は13mmであった。A熔融シリカフリット孔径:P2を中央で溶融させ、上記粉末をその上に乗せた。この充填された熔融シリカ反応器をチューブ炉に入れ、以下の条件で焼成した。第一段:頂上から下向きの75ml/分の空気流下で1K/分で265°Cまで加熱、1時間保持;第二段:頂上から下向きの75ml/分の窒素流下で4K/分で500°Cまで加熱、1持間保持、次いで窒素下で冷却。焼成後、コルシュ社製のタブレットプレスXP1で試料をタブレット化させた潤滑剤不使用、13mmパンチ、充填高さ:8mm、ダイ中への距離:6mm、プレス力:20kN。乳鉢と乳棒を用いてこのタブレットを粉砕し、0.5mmの篩を押し通した。10秒間かけて手で、目的の250~500μm画分を篩い分けした。比較触媒3の製造:17.5383gのテトラアンミン白金アセテート溶液略語:TAAC、PtNH34CH3CO22、CAS=127733-97-5、ユミコア社を、80gのジエチレングリコール99、シグマアルドリッチ社製、ロット番号:S46287-078DEGで希釈した。平行して、100gの担体材料SBa-150、サソール社製を評量して140gのDEGに加え、この担体をプロペラ攪拌器5分、400rpmでしばらく分散させ、金属に対して5のPVPポリビニルピロリドンK30フルカ:CAS:9003-99-8を添加した。この担体と安定剤の混合物を80°Cで10分間加熱して、PVOを完全に溶解させた。次いでこの貴金属溶液を、80°Cの温度でこの担体分散液に注射器で注入し、この系を激しく撹拌400rpmしながらこの温度で2時間維持した。次いで、溶媒をデカンテーションで除き、この湿った粉末から残留グリコールを120°Cの真空乾燥炉中で12時間かけて除き、次いでこの粉末を焼成した加熱速度が0.5K/分で300°Cまで、2K/分で540°Cまで、この温度で1時間維持;窒素雰囲気下。比較触媒4の製造:実施例5と同様にして比較触媒4を合成した。違いは、Ptの含浸と焼成の後でSiOxxは2以下であるシェルを合成しなかったことのみである。比較触媒5の製造:実施例9と同様にして比較触媒5を合成した。違いは、Ptの含浸と焼成の後でSiOxxは2以下であるシェルを合成しなかったことのみである。比較触媒6の製造:実施例12と同様にして比較触媒6を合成した。違いは、Ptの含浸と焼成の後でSiOxxは2以下であるシェルを合成しなかったことのみである。触媒試験のための触媒の成形:実施例のようにして得られた焼成Pt含有粉末を、バインダー材料として用いられる粉砕アルミナスラリーTM100/150、d90<15μmと混合した。Pt含有粉末:バインダースラリー中のアルミナの比率は、70~30質量であった。この混合物を、攪拌しながら100°Cで乾燥させ、300°Cの大気下で15分間焼成した。得られた塊を破砕し目的画分に篩い分けした。マッフル炉ヘレウスM110中で養生を行った。5.4l/分の空気を供給しながら、この触媒試料を5K/分で750°Cまで加熱し、この温度で20時間維持した。炉内温度が100°Cを越えると直ちに、HPLCポンプで0.43g/分の水を炉中に供給して10の水蒸気雰囲気を得た。次いで、試料を同じガス雰囲気下で冷却し、150°Cを下回ると水の投入を停止した。いずれの場合も触媒試験は次のように行った。活性試験触媒上の活性測定は、模擬の希薄燃焼排ガスを用いて並列に作動する16個のステンレス製固定床反応器をもつ全自動の触媒プラント中で行った。触媒は、過剰の酸素を用いる連続運転で、次の条件で試験した。温度範囲:120~300°C排ガス組成:1500ppmのCO、100ppmのNO、450ppmのC1-HCC10H22/C7H8/C3H6/CH4=4/2/2/1、13のO2、10のCO2、5のH2Oガス流量:触媒当り80l/h触媒の質量:各反応器中のPt量を一定2mgに調整した。触媒の評価に関しては、COとHCの酸化ではT50値50変換が達成される温度、消光温度と呼ばれるを用い、酸化活性の評価には250°CでのNOからNO2の収率Y-NO2を用いた。水熱養生は750°Cの温度で行った詳細については上を参照のこと。フレッシュな状態の触媒と水熱養生後の触媒のT50値とY-NO2を以下に示す。貴金属のみがSiOxxは2以下である保護層で覆われている実施例1と2の触媒の試験相当する比較触媒と比較すると、実施例1が、フレッシュな状態だけでなく、水熱養生後も低いT50COとT50HCを示すことがわかる。これにより本発明の長所が確認される。担体全体従ってまたこの上に存在する貴金属もがSiOxxは2以下であるの保護シェルで覆われている実施例4の触媒の試験このSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、比較触媒と比較して、同等のフレッシュ活性を示した。このSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、養生後にはるかに小さなT50COとT50HCで示されるように明らかに高い活性を示した。このことは、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。担体全体従ってまた、この上に存在する貴金属もがSiOxxは2以下であるの保護シェルで覆われている実施例5~8の触媒の試験触媒が最高で30質量のSiOxxは2以下であるで被覆される場合では、被覆試料は、比較触媒比較して同じフレッシュ活性を示した。SiOxxは2以下であるで被覆された試料は、養生後に、はるかに小さなT50COとT50HCにより示されるように明らかに高い活性を示した。このことは、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。触媒を60質量のSiOxxは2以下であるで被覆すると、この被覆触媒は、フレッシュ状態と養生後の両方で、少量のSiOxxは2以下であるで被覆された触媒と較べて低い活性を示した。水熱養生後の比較触媒4をHRTEMで評価したところ、Ptナノ粒子の大きさが、元の3~8nmから最大で数百ナノメーターに増加しており、非被覆試料では激しいPtの焼成が起こっていることを示した。反対に、すべてのSiOxxは2以下であるで被覆された試料実施例5~8のHRTEMによる評価では、Ptナノ粒子の大きさは15nm未満のままであった。このこともまた、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。担体全体従ってまた、この上に存在する貴金属もがSiOxxは2以下であるの保護シェルで覆われている実施例9~11の触媒の試験これらのSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、比較触媒と比較して同じフレッシュ活性を示した。これらのSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、養生後に、はるかに小さなT50COとT50HCにより示されるように明らかに高い活性を示した。このことは、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。水熱養生後の比較触媒5のHRTEMによる評価では、Ptナノ粒子の大きさが元の1~6nmから最大で数百ナノメーターまで増加し、非被覆試料では激しいPtの焼成が起こっていることを示した。反対に、すべてのSiOxxは2以下であるで被覆された試料実施例9~11のHRTEMによる評価では、Ptナノ粒子の大きさが元の1~6nmから3~12nmとほんの少し増加していることがわかった。このこともまた、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。担体全体従ってまた、この上に存在する貴金属もがSiOxxは2以下であるの保護シェルで覆われている実施例12~15の触媒の試験これらのSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、比較触媒と比較して同じフレッシュ活性を示した実施例15以外。これらのSiOxxは2以下であるで被覆された試料は、養生後に、はるかに小さなT50COとT50HCにより示されるように明らかに高い活性を示した。このことは、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。水熱養生後の比較触媒6のHRTEMによる評価では、Ptナノ粒子の大きさが元の1~6nmから最大で数百ナノメーターまで増加し、非被覆試料では激しいPtの焼成が起こっていることを示した。反対に、すべてのSiOxxは2以下であるで被覆された試料実施例12~15のHRTEMによる評価では、Ptナノ粒子の大きさが元の1~6nmから3~10nmとほんの少し増加していることがわかった。このこともまた、本発明で説明した方法により活性金属の焼成を効果的に防止できることを示す。