"圧電基板上に弾性表面波フィルタを2組形成された共振型フィルタをパッケージに実装した弾性表面波デバイスであって、1組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極を前記パッケージの第1のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、2組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極を前記パッケージの第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、前記第1のグランド電極パッドと前記第2のグランド電極パッドは、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に引き出された形状としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。各組の弾性表面波フィルタは、入力IDTと、出力IDTと、反射器を備え、1組目の入力IDTと2組目の入力IDTを接続する入力電極と、前記1組目の出力IDTと前記2組目の出力IDTを接続する出力電極とが形成され、前記入力電極をパッケージの入力電極パッドに接続し、前記出力電極を前記パッケージの出力電極パッドに接続し、前記入力電極のパターンを、圧電基板の中央から外側に引き出された形状とし、前記出力電極のパターンを、前記圧電基板の中央から外側に引き出された形状としたことを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。入力IDTと出力IDTを分離するシールド電極が圧電基板中央に形成され、当該シールド電極が第1又は第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続されることを特徴とする請求項2記載の弾性表面波デバイス。第1のグランド電極パッドは、パッケージの四隅の一つに設けられ、第2のグランド電極パッドは、前記第1のグランド電極パッドとは対角に位置する前記パッケージの四隅に設けられ、入力電極パッドは、前記パッケージの一辺の中央部分に設けられ、出力電極パッドは、前記一辺に対向する辺の中央部分に設けられていることを特徴とする請求項2又は3記載の弾性表面波デバイス。しかしながら、従来の共振合成型フィルタ等の弾性表面波デバイスでは、図5に示したワイヤー接続を行っているため、4つのグランド電極パッドにグランドワイヤーで接続するため、グランド電極パッドの1層目と下層の共通グランド電極の2層目との間で発生するインダクタンス成分が大きくなり、共振合成型フィルタとしての帯域外減衰が劣化するという問題点があった。[従来の帯域外特性:図6]従来の帯域外特性について図6を参照しながら説明する。図6は、従来の帯域外特性を表す図である。図6では、横軸が周波数Freq[MHz]で、縦軸が損失Loss[dB]である。図6に示すように、周波数f0430MHzから2~3目盛離れた減衰が37~43dBとなっており、減衰が大きくなっておらず、改善の余地がある。本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、帯域外特性を改善できる弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。上記従来例の問題点を解決するための本発明は、圧電基板上に弾性表面波フィルタを2組形成された共振型フィルタをパッケージに実装した弾性表面波デバイスであって、1組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第1のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、2組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、第1のグランド電極パッドと第2のグランド電極パッドが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に引き出された形状としたことを特徴とする。本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、各組の弾性表面波フィルタが、入力IDTと、出力IDTと、反射器を備え、1組目の入力IDTと2組目の入力IDTを接続する入力電極と、1組目の出力IDTと2組目の出力IDTを接続する出力電極とが形成され、入力電極をパッケージの入力電極パッドに接続し、出力電極をパッケージの出力電極パッドに接続し、入力電極のパターンを、圧電基板の中央から外側に引き出された形状とし、出力電極のパターンを、圧電基板の中央から外側に引き出された形状としたことを特徴とする。本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、入力IDTと出力IDTを分離するシールド電極が圧電基板中央に形成され、当該シールド電極が第1又は第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続されることを特徴とする。本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、第1のグランド電極パッドが、パッケージの四隅の一つに設けられ、第2のグランド電極パッドが、第1のグランド電極パッドとは対角に位置するパッケージの四隅に設けられ、入力電極パッドが、パッケージの一辺の中央部分に設けられ、出力電極パッドが、一辺に対向する辺の中央部分に設けられていることを特徴とする。本発明によれば、1組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第1のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、2組目の弾性表面波フィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、第1のグランド電極パッドと第2のグランド電極パッドが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッド側に引き出された形状とした弾性表面波デバイスとしているので、帯域外特性を改善できる効果がある。本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。[実施の形態の概要]本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスは、SAWフィルタを2組備えた共振型フィルタを備え、1組目のSAWフィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第1のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、2組目のSAWフィルタに形成される複数のグランド電極をパッケージの第2のグランド電極パッドにワイヤーで接続し、第1、第2のグランド電極パッドが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、更に各組のグランド電極を接続するグランド電極パッドに近づけるよう引き出した電極パターンとなっているものであり、各組のグランド電極が一つのグランド電極パッドに集約して接続されるため、帯域外減衰の劣化を防止でき、帯域外特性を改善できるものである。[本フィルタ:図1]本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイス本デバイスの共振合成型フィルタの電極パターンについて図1を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る共振合成型フィルタの電極パターンの概略を示す図である。本発明の実施の形態に係る共振合成型フィルタ本フィルタは、図1に示すように、圧電基板上に、入力IDT1と、出力IDT2と、その外側に反射器3を有する共振型フィルタであり、2組を並列接続している。そして、2組内で一方の入力IDT1の一端にはグランドに接続するためのグランド電極7aのパターンが接続し、当該一方の出力IDT2の一端にはグランドに接続するためのグランド電極7bのパターンが接続し、2組内で他方の入力IDT1の一端にはグランドに接続するためのグランド電極8bのパターンが接続し、当該他方の出力IDT2の一端にはグランドに接続するためのグランド電極8aのパターンが接続している。特に、グランド電極7aのパターンは、入力IDT1の櫛歯が延びる方向とは垂直方向で反射器3に向けて外側図1では左側に引き出されて形成されている。また、グランド電極7bのパターンもグランド電極7aのパターンと同じ方向図1では左側に引き出されている。更に、グランド電極8aのパターンは、入力IDT2の櫛歯が延びる方向とは垂直方向で反射器3に向けて外側図1では右側に引き出されて形成されている。また、グランド電極8bのパターンもグランド電極8aのパターンと同じ方向図1では右側に引き出されている。1組目の入力IDT1と2組目の入力IDT1とを接続する入力電極5aのパターンは、外側図1では左側に向けて引き出されている。1組目の出力IDT2と2組目の出力IDT2とを接続する出力電極5bのパターンは、外側図1では右側に向けて引き出されている。また、入力IDT1と出力IDT2とを電気的に分離してシールドするシールド電極9のパターンが形成されている。[本実施の形態のパッケージ実装:図2]本実施の形態の共振合成型フィルタをパッケージに実装した構成について図2を参照しながら説明する。図2は、本実施の形態の共振合成型フィルタをパッケージに実装した弾性表面波デバイスの概略図である。本実施の形態の弾性表面波デバイスは、図2に示すように、基板10上に、入力電極5a、出力電極5b、グランド電極7a,7b,8a,8b、シールド電極9が形成され、その上に、入力IDT、出力IDT、反射器のフィルタパターン15a,15bが形成されている。そして、パッケージの四隅にはグランド電極パッド30a,30b,30c,30dが形成されると共に、グランド電極パッド30aとグランド電極パッド30bとの間に出力電極パッド20aが、グランド電極パッド30cとグランド電極パッド30dとの間に入力電極パッド20bが形成されている。そして、グランド電極パッド30a,30b,30c,30dは、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続している。そして、グランド電極7aとグランド電極パッド30aがグランドワイヤー12aで接続され、グランド電極7bとグランド電極パッド30aがグランドワイヤー12bで接続され、グランド電極8aとグランド電極パッド30cがグランドワイヤー12cで接続され、グランド電極8bとグランド電極パッド30cがグランドワイヤー12dで接続され、シールド電極9とグランド電極パッド30cがグランドワイヤー13で接続されている。また、入力電極5aと入力電極パッド20bが入力ワイヤー11bで接続され、出力電極5bと出力電極パッド20aが出力ワイヤー11aで接続されている。つまり、グランド電極7a,7bは、グランドワイヤー12a,12bによりグランド電極パッド30aに接続し、グランド電極パッド30bには接続していない。また、グランド電極8a,8b及びシールド電極9は、グランドワイヤー12c,12d,13によりグランド電極パッド30cに接続し、グランド電極パッド30dには接続していない。従って、2箇所のグランド電極パッド30a,30cに集中してグランドワイヤーを接続している。[基板上の配線パターン:図3]次に、図2の圧電基板10に形成された電極パターンを具体的に図3を参照しながら説明する。図3は、圧電基板上の配線パターンの概略図である。尚、図3において、点線で囲んだ部分に、2組の入力IDT、出力IDT、反射器のフィルタパターン15a,15bが配置される。図3に示すように、グランド電極7aとグランド電極8aは、近い基板短辺に向けて引き出されたパターンを形成し、入力電極5aと出力電極5bも、近い基板短辺に向けて引き出されたパターンを形成している。シールド電極9は、グランド電極7bとグランド電極8bに接続されていない。尚、シールド電極9、グランド電極7b、グランド電極8bは、グランドワイヤー13,12b,12dでグランド電極パッド30c,30aに接続するため、各々接続されていてもよい。また、グランド電極7bは、グランド電極7a側に引き出されたパターンを形成している。また、グランド電極8bも、グランド電極8a側に引き出されたパターンを形成している。以上の電極パターンの形状にすることにより、入力ワイヤー11b及び出力ワイヤー11aと、グランドワイヤー12a~12d,13とを分けることができると共に、2箇所のグランド電極パッド30c,30aにグランドワイヤーを集中して接続でき、グランド電極パッドの1層目と下層の共通グランド電極の2層目との間に発生するインダクタンス成分を小さくできるため、共振型合成フィルタにおける帯域外減衰の劣化を防止でき、帯域外特性を向上できるものである。[実施の形態の帯域外特性:図4]本実施の形態の帯域外特性について図4を参照しながら説明する。図4は、本実施の形態の帯域外特性を表す図である。図4では、横軸が周波数Freq[MHz]で、縦軸が損失Loss[dB]である。図4に示すように、周波数f0430MHzから2~3目盛離れた減衰が50~54dBとなっており、減衰が大きくなって、改善されていることが分かる。[実施の形態の効果]本デバイスによれば、SAWフィルタを2組備えた共振型フィルタを備え、1組目のSAWフィルタに形成される複数のグランド電極7a,7bをパッケージ40の第1のグランド電極パッド30aにワイヤー12a,12bで接続し、2組目のSAWフィルタに形成される複数のグランド電極8a,8bをパッケージ40の第2のグランド電極パッド30cにワイヤー12c,12dで接続し、第1、第2のグランド電極パッド30a,30cが、スルーホールで導通して下層の共通グランド電極に接続し、更に各組のグランド電極のパターンを、接続するグランド電極パッドに近づけるよう引き出した形状としたものであり、各組のグランド電極が一つのグランド電極パッドに集約して接続されるため、帯域外減衰の劣化を防止でき、帯域外特性を向上できる効果がある。"