ダブルパターニング方法であって、スペーサパターンをフォトレジストパターンのエッジの周囲に配置することと、前記フォトレジストパターンを剥離し、前記スペーサパターンを残すことと、トリムマスクを前記スペーサパターンの一部分の上に配置することと、前記トリムマスクによって覆われない前記スペーサパターンの一部分をエッチング除去することと、前記トリムマスクを除去することであって、前記スペーサパターンの第1残存部分が複数のコアワードラインを画定することと、パッドマスクおよび前記スペーサパターンの第2残存部分が前記複数のコアワードラインの両側に選択ゲートワードラインを画定するように、パッドマスクを配置することと、前記パッドマスクならびに前記スペーサパターンの前記第1および第2残存部分を用いて少なくとも1つのパターン転写層をエッチングし、前記選択ゲートワードラインおよび前記複数のコアワードラインをポリシリコン層にエッチング形成することと、を含む、ダブルパターニング方法。前記少なくとも1つのパターン転写層は、ハードマスク層の上の窒酸化シリコン層を含む、請求項1に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、前記フォトレジストパターンから転写されたアモルファスカーボンパターンの周囲に配置される、請求項1に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、酸化物およびアモルファスカーボン層のうちの1つから形成される、請求項1に記載のダブルパターニング方法。前記パッドマスクは、パッドをさらに画定する、請求項1に記載のダブルパターニング方法。前記選択ゲートワードラインの各々と前記複数のコアワードラインとの間の距離は、等しく、かつターゲット間隔に応じて設定される、請求項1に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンの厚さは32nmである、請求項1に記載のダブルパターニング方法。ダブルパターニング方法であって、スペーサパターンをフォトレジストパターンのエッジの周囲に配置することと、前記フォトレジストパターンを剥離し、前記スペーサパターンを残すことと、スピンオンカーボンSOC層を前記スペーサパターンの上に配置することと、前記SOC層が残ってSOCパターンを形成するように、前記スペーサパターンをエッチング除去することと、トリムマスクを前記SOCパターンの一部分の上に配置することと、前記トリムマスクによって覆われない前記SOCパターンの部分をエッチング除去することと、前記トリムマスクを除去することであって、前記SOCパターンの第1残存部分が複数のコアワードラインを画定し、前記SOCパターンの第2残存部分が該複数のワードラインの両側に選択ゲートワードラインを画定し、前記SOGパターンの該第1残存部分は該選択ゲートワードラインの各々と該複数のコアワードラインとの間にダミーワードラインも画定することと、前記SOCパターンの前記第1および第2残存部分を用いて少なくとも1つのパターン転写層をエッチングし、前記選択ゲートワードライン、前記ダミーライン、および前記複数のコアワードラインをポリシリコン層にエッチング形成することと、を含む、ダブルパターニング方法。前記少なくとも1つのパターン転写層は、ハードマスク層の上の窒酸化シリコン層を含む、請求項8に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、前記フォトレジストパターンから転写されたアモルファスカーボンパターンの周囲に配置される、請求項8に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、酸化物およびアモルファスカーボン層のうちの1つから形成される、請求項8に記載のダブルパターニング方法。各選択ゲートワードラインと前記ダミーワードラインとの間の距離は、等しく、かつターゲット間隔に応じて設定される、請求項8に記載のダブルパターニング方法。選択ゲートワードラインとダミーワードラインとの間の距離は、スペーサパターンの厚さの2倍に等しい、請求項12に記載のダブルパターニング方法。選択ゲートワードラインとダミーワードラインとの間の距離は、スペーサパターンの厚さの2倍以下である、請求項12に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンの厚さは32nmである、請求項8に記載のダブルパターニング方法。コンピュータ実行可能命令が記憶されたコンピュータ読取可能媒体であって、該コンピュータ実行可能命令は、スペーサパターンをフォトレジストパターンのエッジの周囲に配置する命令と、前記フォトレジストパターンを剥離し、前記スペーサパターンを残す命令と、トリムマスクを前記スペーサパターンの一部分の上に配置する命令と、前記トリムマスクによって覆われない前記スペーサパターンの部分をエッチング除去する命令と、前記トリムマスクを除去する命令であって、前記スペーサパターンの第1残存部分が複数のコアワードラインを画定する、命令と、パッドマスクおよび前記スペーサパターンの第2残存部分が前記複数のコアワードラインの両側に選択ゲートワードラインを画定するように、パッドマスクを配置する命令と、前記パッドマスクならびに前記スペーサパターンの前記第1および第2残存部分を用いて少なくとも1つのパターン転写層をエッチングし、前記選択ゲートワードラインおよび前記複数のコアワードラインをポリシリコン層にエッチング形成する命令と、を含む、コンピュータ読取可能媒体。前記少なくとも1つのパターン転写層は、ハードマスク層の上の窒酸化シリコン層を含む、請求項16に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、前記フォトレジストパターンから転写されたアモルファスカーボンパターンの周囲に配置される、請求項16に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンは、酸化物およびアモルファスカーボン層のうちの1つから形成される、請求項16に記載のダブルパターニング方法。前記パッドマスクは、パッドをさらに画定する、請求項16に記載のダブルパターニング方法。前記選択ゲートワードラインの各々と前記複数のコアワードラインとの間の距離は、等しく、かつターゲット間隔に応じて設定される、請求項16に記載のダブルパターニング方法。前記スペーサパターンの厚さは32nmである、請求項16に記載のダブルパターニング方法。詳細な説明018添付の図面に例示されている本発明の好適な実施形態について、以下、詳細に説明する。以下、本発明を好適な実施形態に関連して説明するが、これらの実施形態は、本発明を限定することを意図したものではないことを理解されたい。逆に、本発明は、添付の請求の範囲によって定義される本発明の精神および範囲に含まれ得る変更、改良および同等物を包含することを意図している。さらに、以下の本発明の実施形態の詳細な説明では、本発明の完全な理解を提供するために、具体的な詳細を数多く記載する。しかし、本発明は、それらの具体的な詳細がなくとも実現できることが当業者には認められよう。その他の場合、公知の方法、手順、構成部品および回路については、本発明の実施形態の態様を不必要に不明瞭にしないように、詳細な説明を省略した。本発明の実施形態を示す図面は、半概略的であり、一定の縮尺通りではなく、特に、寸法の一部は図面において明確な提示のために誇張して図示されている。同様に、記載を容易にするために図面における図は概ね同様の向きを示すが、図面における表現は大部分について任意である。一般に、本発明はいずれの向きにおいても動作することができる。表記および用語019以下の詳細な説明のいくつかの部分は、コンピュータメモリ内のデータビットに対する動作の手順、工程、論理ブロック、処理、および他の記号的な表現という観点で表現されている。これらの説明および表現は、当業者によって用いられて、その作用の実質を他業者に最も有効に伝えるための手段である。ここには手順、コンピュータ実行工程、論理ブロック、プロセス等があり、これらは一般に、所望の結果をもたらす首尾一貫した工程または命令シーケンスであると考えられる。これらの工程は、物理量の物理的な操作を必要とするものである。通常、必須ではないが、これらの量は、コンピュータシステムにおいて記憶、転送、結合、比較、および他の方法で操作することができる電気的または磁気的な信号の形態を取る。主に一般的な使用という理由で、これらの信号をビット、値、要素、シンボル、文字、用語、数字等と称することが便利である場合があることがわかっている。020しかし、これらの用語および同様の用語の全ては適切な物理量と関連付けられ、単にこれらの量に適用される便利な標記にすぎないことに留意するべきである。以下の考察から明らかであるように、特に明記しない限り、本発明全体を通して、処理する半導体パッケージングアセンブリまたはマニュファクチャリングプロセスを指すまたはアクセスするまたは実行するまたは記憶するまたはレンダリングする等の用語を用いた考察は、コンピュータシステムまたは同様の電子コンピューティングデバイスの行為およびプロセスを指し、それらのシステムまたはデバイスは、コンピュータシステムのレジスタおよびメモリならびに他のコンピュータ読み取り可能媒体内の物理電子量として表現されたデータを操作し、コンピュータシステムメモリまたはレジスタあるいは他のそのような情報記憶、伝送、または表示デバイス内の物理量として同様に表現された他のデータに変換するものであることが認められよう。いくつかの実施形態においてあるコンポーネントが示される場合、同一の参照番号の使用によって、そのコンポーネントが最初の実施形態において例示したものと同一のコンポーネントであることを表す。021本発明は、整合型選択ゲートワードラインを備える半導体デバイスの製造に固有の増加しつつある課題に対する解決策を提供する。本開示のさまざまな実施形態は、コアセルワードラインから選択された距離だけ離れた自己整合型選択ゲートをもたらすポジ型およびネガ型ダブルパターニング手法を提供する。022図4Aa~図4Gbは、複数のコアセルワードライン間の一対の自己整合型選択ゲートワードラインを製造するポジ型ダブルパターニングの工程を示している。図4Aaは、複数のパターン転写層の上のフォトレジスト層のトップダウンレイアウトである。線A-A’が図4Abに示されている。図4Aaおよび図4Abに示すように、フォトレジスト層402が複数のパターン転写層404、406に重なり、パターン転写層404、406はターゲット層408に重なる。一実施形態において、複数のパターン転写層は、窒酸化シリコン層404およびハードマスク406を含む。一実施形態において、ターゲット層408はポリオキシド層である。023図4Aaにさらに示すように、選択ゲートワードラインを画定するために用いられるフォトレジストの寸法は、選択ゲートチャネル長ターゲットに応じて調整される。図4Aaに示すように、フォトレジストの一部分を用いて選択ゲートワードラインを画定し、フォトレジストの他の部分を用いて複数のコアセルワードラインを画定する。024図4Baは、複数のパターン転写層の上のフォトレジスト層のトップダウンレイアウトを示している。線A-A’が図4Bbに示されている。図4Baおよび図4Bbに示すように、スペーサ410をフォトレジスト層402のエッジの周囲に配置する。以下に詳細に述べるとおり、スペーサ410を用いてコアセルワードラインおよび選択ゲートワードラインを画定することになる。一実施形態において、スペーサ410の厚さは、32nmである。025図4Caは、複数のパターン転写層の上のスペーサパターンのトップダウンレイアウトを示している。線A-A’が図4Cbに示されている。図4Caおよび図Cbに示すように、フォトレジスト層402が除去されている。フォトレジスト402が除去されると、図4Caおよび図4Cbに示すスペーサ410は、スペーサパターン410である。上述のとおり、例示的な実施形態において、各スペーサ410の厚さは、32nmである。026図4Daは、スペーサパターンの一部分に重なるトリムマスクのトップダウンレイアウトを示している。線A-A’が図4Dbに示されている。図4Daおよび図4Dbに示すように、トリムマスク412がスペーサパターン410の一部分の上に配置されている。図4Daに示すように、スペーサパターン410の一部分はトリムマスク412の下に位置しないため、露光される。027図4Eaは、トリムマスク412の除去後のスペーサパターン410のトップダウンレイアウトを示している。また、図4Eaは、スペーサパターン410の一部分の除去を示している。線A-A’が図4Ebに示されている。図4Eaおよび図4Ebに示すように、スペーサパターン410のトリムマスク412の下に位置しない部分がエッチング除去されている。スペーサパターン410の露光部分をエッチングした後、トリムマスク412を除去する。以下に詳細に述べるとおり、スペーサパターン410の残存部分を用いてコアセルワードラインおよび選択ゲートワードラインを画定することになる。028図4Faは、パッドマスク414が追加されたスペーサパターン410のトップダウンレイアウトを示している。また、図4Faは、コアセルワードラインに対するパッド416の配置を示している。線A-A’が図4Fbに示されている。図4Faおよび図4Fbに示すように、パッドマスク414を配置し、スペーサパターン410の一部分に重なって選択ゲートワードラインを画定する。さらに、パッドマスクの他の部分を用いて各コアセルワードラインと関連付けられたパッド416を画定する。すなわち、以下に示すように、パッドマスク414およびスペーサパターン410の一部分が選択ゲートワードラインを画定する。029図4Gaは、選択ゲートワードラインおよび複数のコアセルワードラインを画定するためのエッチパターンのトップダウンレイアウトを示している。また、図4Gaは、選択ゲートワードラインの幅が選択ゲートチャネル長ターゲット要件に応じて調整され得ることを示している。さらに、図4Gaは、選択ゲートワードラインとダミーワードラインとの間の間隔が、選択ゲート-コアセルワードライン間隔ターゲット要件に応じて調整され得ることを示している。線A-A’が図4Gbに示されている。図4Gbに示すように、パッドマスク414とスペーサパターン410の一部分とを用いて選択ゲートワードライン416を画定する。図4Gbにさらに示すように、スペーサパターン410の一部分を用いてコアセルワードライン418を画定する。スペーサパターン410およびパッドマスク414は、自己整合型選択ゲートワードライン416およびパッドを有するコアセルワードライン418を画定する。というのは、パターン転写層404、406をエッチングして、ターゲット層408にエッチング形成されることになる選択ゲートワードライン416およびパッドを有するコアセルワードライン418を画定する。一実施形態において、ワードラインを形成するターゲット層408は、ポリオキシドである。一実施形態において、他の層は、ターゲット層408の下に存在する。追加の層は、酸化窒化酸化ONO層と基板層とを含む。他の実施形態は、他の層を含み得る。030図4Gaおよび図4Gbに示すように、ポジ型ダブルパターニングの最終結果は、複数のコアセルワードラインの両側に適切に位置決めされた一対の自己整合型選択ゲートワードラインである。選択ゲートワードラインおよびコアセルワードラインを同時に形成することによって、コアセルワードラインに対する選択ゲートワードラインの横方向位置決めを改善することができ、選択ゲート/コアセルワードラインの干渉を防ぎ、コアセルワードラインに対する選択ゲートの偶発的な重なりを防ぐことができる。最終結果によって製造効率が改善され、品質管理が改善される。031図5Aa~図5Hは、複数のコアセルワードライン間に一対の自己整合型選択ゲートワードラインを製造するネガ型ダブルパターニングの工程を示している。図5Aa~図5Cbは、図4Aa~図4Abと同様である。図5Aaは、複数のパターン転写層の上のフォトレジスト層のトップダウンレイアウトである。図5Aaの線A-A’が図5Abに示されている。図5Aaおよび図5Abに示すように、フォトレジスト層502が複数のパターン転写層504、506に重なり、パターン転写層504、506はターゲット層508に重なる。一実施形態において、複数のパターン転写層は、窒酸化シリコン層504およびハードマスク506を含む。一実施形態において、ターゲット層508はポリオキシド層である。032図5Aaにさらに示すように、選択ゲートワードラインを画定するために用いられるフォトレジストの寸法は、選択ゲートチャネル長ターゲットに応じて調整される。図5Aaに示すように、フォトレジストの一部分を用いて選択ゲートワードラインを画定し、フォトレジストの他の部分を用いて複数のコアセルワードラインを画定する。033図5Baは、複数のパターン転写層の上のフォトレジスト層のトップダウンレイアウトを示している。線A-A’が図5Bbに示されている。図5Baおよび図5Bbに示すように、スペーサ510をフォトレジスト層502のエッジの周囲に配置する。以下に詳細に述べるとおり、スペーサ510を用いてワードラインおよび選択ゲートワードラインを画定することになる。一実施形態において、スペーサ510の厚さは、32nmである。034図5Caは、複数のパターン転写層の上のスペーサパターンのトップダウンレイアウトを示している。線A-A’が図5Cbに示されている。図5Caおよび図5Cbに示すように、フォトレジスト層502が除去されている。フォトレジスト502が除去されると、図5Caおよび図5Cbに示すスペーサ510は、スペーサパターン510である。上述のとおり、例示的な実施形態において、各スペーサ510の厚さは、32nmである。図5Cbは、スペーサパターン510の一部分512が選択ゲートワードラインと第1コアセルワードラインとの間の最終空間を画定することを示している。スペーサパターン510のこの部分512は、スペーサパターンの厚さの2倍である最大厚さに限定される。035図5Dは、スピンオンカーボンSOC層514の塗布後の複数のパターン転写層の上のスペーサパターン510の断面を示している。SOC層514は、スペーサパターン510全体を覆う。一実施形態において、SOC層514はウェーハ全体を覆う。036図5Eaは、スペーサパターンが除去された後の、複数のパターン転写層の上のSOC層のトップダウンレイアウトを示している。図5Eaの線A-A’が図5Ebに示されている。図5Eaおよび図5Ebに示すように、スペーサパターン510が除去されている。スペーサパターン510が除去されると、SOC層はSOCパターン層514になる。037図5Faは、トリムマスクの配置後の、複数のパターン転写層の上のSOCパターン層のトップダウンレイアウトを示している。図5Faの線A-A’が図5Fbに示されている。図5Faおよび図5Fbに示すように、トリムマスク516をSOCパターン層514の一部分の上に配置する。図5Gaおよび図5Gbにさらに示すように、SOCパターン層514の一部分をエッチング除去する。038図5Gaは、SOCパターン層の一部分をエッチング除去した後の、複数のパターン転写層の上のSOCパターン層のトップダウンレイアウトを示している。図5Gaの線A-A’が図5Gbに示されている。図5Gaおよび図5Gbは、SOCパターン層514の一部分をエッチング除去した後にトリムマスク516を除去することを示している。図5Gaおよび図5Gbにさらに示すように、残存するSOCパターン層514が各選択ゲートワードラインと選択ゲートワードライン間の複数のコアセルワードラインとを画定する。また、図5Gaは、残存するSOCパターン層514が、ダミーワードラインと、各選択ゲートワードラインと当該の隣接ダミーラインとの間の間隔とを画定することを示している。なお、図5Gaは、ダミーワードラインに隣接する第1コアセルワードラインがエッジワードラインであることも示している。039図5Hに示すように、また、図5Gaに示すように、残存するSOC層パターン514は、選択ゲートワードラインおよび複数のコアセルワードラインを画定するためのエッチパターンである。図5Hは、SOC層パターン514からのパターンがパターン転写層504、506にどのように転写されて最終的にターゲット層508にエッチング形成されるかを示している。図5Hは、ハードマスク層506への最終パターン516のエッチングを示している。そして、この最終エッチパターン506をターゲット層508にエッチング形成する。一実施形態において、ワードラインを形成するターゲット層508は、ポリシリコンである。一実施形態において、他の層は、ターゲット層508の下に存在する。追加の層は、酸化窒化酸化ONO層と基板層とを含む。他の実施形態は、他の層を含み得る。040図5Gaおよび図4Hに示すように、ネガ型ダブルパターニングの最終結果は、複数のコアセルワードラインの両側に適切に位置決めされた自己整合型選択ゲートワードラインである。選択ゲートワードラインおよびコアセルワードラインを同時に形成することによって、コアセルワードラインに対する選択ゲートワードラインの横方向位置決めを改善することができ、選択ゲート/コアセルワードラインの干渉を防ぎ、コアセルワードラインに対する選択ゲートワードラインの偶発的な重なりを防ぐことができる。最終結果によって製造効率が改善され、品質管理が改善される。041図6は、ポジ型ダブルパターニングプロセスの工程を示すフローチャートである。プロセスは、工程602においてフォトレジストパターンのエッジの周囲にスペーサを配置することで開始する。一実施形態において、スペーサをアモルファスカーボン層のエッジの周囲に配置し、アモルファスカーボン層のパターンは、先行する工程で除去された先行フォトレジストパターンから転写されている。042工程604において、フォトレジストを剥離し、スペーサ層を残す。フォトレジストパターンが除去されると、スペーサはスペーサパターン層になる。工程606において、トリムマスクをスペーサパターン層の一部分の上に配置する。工程608において、スペーサパターン層のトリムマスクによって覆われない部分をエッチング除去する。043工程610において、トリムマスクを除去し、スペーサパターン層の残存部分を露出させる。次に、スペーサパターン層の残存部分は、複数のコアワードラインを画定する。工程612において、パッドマスクを配置することで、コアセルワードラインの各々に対するパッドを画定する。スペーサパターン層の残存部分の上にパッドマスクを配置することで選択ゲートワードラインを画定する。044工程612において、パッドマスクおよび残存するスペーサパターンを用いて、少なくとも1つのパターン転写層をエッチングしてパターンを形成することで、ターゲット層にエッチング形成される選択ゲートワードラインおよび複数のコアセルワードラインを画定する。一実施形態において、最終ターゲット層はポリシリコン層である。別の実施形態において、少なくとも1つのパターン転写層は、スペーサパターンの下の窒酸化シリコン層と、さらに窒酸化シリコン層の下のハードマスク層とを含む。045図7は、ネガ型ダブルパターニングプロセスの工程を示すフローチャートである。プロセスは、工程702においてフォトレジストパターンのエッジの周囲にスペーサを配置することで開始する。一実施形態において、スペーサをアモルファスカーボン層のエッジの周囲に配置し、アモルファスカーボン層のパターンは、先行する工程で除去された先行フォトレジストパターンから転写されている。046工程704において、フォトレジストを剥離し、スペーサ層を残す。フォトレジストパターンが除去されると、スペーサはスペーサパターン層になる。工程706において、スピンオンカーボンSOC層をスペーサパターンの上に配置する。一実施形態において、SOC層はウェーハ全体の上に配置される。047工程708において、スペーサパターンをエッチング除去する。スペーサパターンをエッチング除去することでSOC層を残して、たった今除去されたスペーサパターン層によって画定されたSOCパターン層を形成する。工程710において、トリムマスクをSOCパターン層の一部分の上に配置する。工程712において、SOCパターン層のトリムマスクによって覆われない部分をエッチング除去する。048工程714において、トリムマスクを除去する。トリムマスクを除去して、SOCパターン層の残存部分を露出させる。SOCパターン層の残存部分は、複数のコアワードラインと、複数のワードラインの両側の選択ゲートワードラインと、各選択ゲートワードラインと複数のコアセルワードラインとの間のダミーラインとを、それらがターゲット層にエッチング形成される際に画定する。049工程716において、残存するSOCパターン層をテンプレートとして用いて、少なくとも1つのパターン転写層をエッチングして最終パターンを形成することで、選択ゲートワードラインおよび複数のコアセルワードラインを、それらがターゲット層にエッチング形成される際に画定する。一実施形態において、最終ターゲット層はポリシリコン層である。別の実施形態において、該少なくとも1つのパターンは、スペーサパターンの下の窒酸化シリコン層と、さらに窒酸化シリコン層の下のハードマスク層とを含む。050ポジ型ダブルパターニングを用いる利点には、選択ゲートワードラインとコアセルワードラインとの間の間隔の柔軟性が含まれる。さらに、単一の浸漬ツールしか必要とされない。ただし、ポジ型ダブルパターニングは、3つのマスキングおよびエッチング工程を必要とする。一方、ネガ型ダブルパターニングの利点には、2つのマスク/リソグラフィエッチング工程しか必要としない、より簡単なプロセスが含まれる。ただし、ネガ型ダブルパターニングは、選択ゲートワードラインとコアセルワードラインとの間の間隔についてポジ型ダブルパターニングと比較して低い柔軟性を招く。ネガ型ダブルパターニングにおける選択ゲートワードラインとコアセルワードラインとの間の最大可能間隔は、上述のとおり、スペーサ層の幅の2倍である。051いくつかの好適な実施形態および方法を本明細書において開示してきたが、本発明の精神および範囲から逸脱することなくそのような実施形態および方法の変形および変更を実施可能であることが、前述の開示から当業者には明らかであろう。本発明は、添付の請求の範囲ならびに適用可能な法律の規則および原理によって必要な程度にのみ限定することが意図される。