"第1の端部及び第2の端部を有する炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された充填層とを有することを特徴とする放熱材料。請求項1記載の放熱材料において、前記複数の線状構造体の前記第1の端部は、前記第1のダイヤモンドライクカーボン層により接続されていることを特徴とする放熱材料。請求項1又は2記載の放熱材料において、前記複数の線状構造体の前記第2の端部を被覆する第2のダイヤモンドライクカーボン層を更に有することを特徴とする放熱材料。請求項3記載の放熱材料において、前記複数の線状構造体の前記第2の端部は、前記第2のダイヤモンドライクカーボン層により接続されていることを特徴とする放熱材料。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放熱材料において、前記複数の線状構造体の側面を被覆する被膜を更に有することを特徴とする放熱材料。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の放熱材料において、前記充填層は、熱可塑性樹脂により形成されていることを特徴とする放熱材料。発熱体と、放熱体と、前記発熱体と放熱体との間に配置され、第1の端部及び第2の端部を有する炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された充填層とを含む放熱材料とを有することを特徴とする電子機器。請求項7記載の電子機器において、前記複数の線状構造体の前記第1の端部は、前記第1のダイヤモンドライクカーボン層により接続されていることを特徴とする電子機器。請求項7又は8記載の電子機器において、前記放熱材料は、前記複数の線状構造体の前記第2の端部を被覆する第2のダイヤモンドライクカーボン層を更に有することを特徴とする電子機器。請求項9記載の電子機器において、前記複数の線状構造体の前記第2の端部は、前記第2のダイヤモンドライクカーボン層により接続されていることを特徴とする電子機器。請求項7乃至10のいずれか1項に記載の電子機器において、前記第1のダイヤモンドライクカーボン層で被覆された前記複数の線状構造体の前記第1の端部は、前記発熱体側に配置されていることを特徴とする電子機器。請求項7乃至11のいずれか1項に記載の電子機器において、前記放熱材料は、前記複数の線状構造体の側面を被覆する被膜を更に有することを特徴とする電子機器。基板上に、第1の端部及び第2の端部を有し、前記基板側に第2の端部が位置する炭素元素の複数の線状構造体を形成する工程と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層を形成する工程と、前記複数の線状構造体間に充填層を形成する工程と、前記充填層を形成後、前記第1の基板を除去する工程とを有することを特徴とする放熱材料の製造方法。請求項13記載の放熱材料の製造方法において前記第1の基板を除去する工程の後、前記複数の線状構造体の前記第2の端部を被覆する第2のダイヤモンドライクカーボン層を形成する工程を更に有することを特徴とする放熱材料の製造方法。請求項13又は14記載の放熱材料の製造方法において、前記複数の線状構造体を形成する工程の後、前記充填層を形成する工程の前に、前記複数の線状構造体の側面を被覆する被膜を形成する工程を更に有することを特徴とする放熱材料の製造方法。請求項15記載の放熱材料の製造方法において、前記被膜は、原子層堆積法により形成することを特徴とする放熱材料の製造方法。請求項13乃至16のいずれか1項に記載の放熱材料の製造方法において、前記充填層を形成する工程では、前記複数の線状構造体の前記第1の端部側から熱可塑性樹脂を浸透させることにより、前記熱可塑性樹脂の前記充填層を形成することを特徴とする放熱材料の製造方法。発熱体と放熱体との間に、炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の端部を被覆するダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを含む放熱材料を配置する工程と、前記発熱体と前記放熱体との間に圧力を加えながら熱処理を行い、前記熱可塑性樹脂を融解する工程と、冷却して前記熱可塑性樹脂を固化し、前記発熱体と前記放熱体とを前記放熱材料を介して接着する工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。請求項18記載の電子機器の製造方法において、前記放熱材料を配置する工程では、前記ダイヤモンドライクカーボン層で被覆された前記複数の線状構造体の前記端部が前記発熱体側に配置されるように、前記放熱材料を発熱体と放熱体との間に配置することを特徴とする電子機器の製造方法。請求項18又は19記載の電子機器の製造方法において、前記放熱材料は、前記複数の線状構造体の側面を被覆する被膜を更に有することを特徴とする電子機器の製造方法。しかしながら、カーボンナノチューブを用いた従来の熱伝導シートでは、カーボンナノチューブの有する高い熱伝導度を充分に生かすことができなかった。本発明の目的は、発熱体からの熱を高効率で放熱しうる放熱材料及びその製造方法並びにこのような放熱材料を用いた信頼性の高い電子機器及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、第1の端部及び第2の端部を有する炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された充填層とを有する放熱材料が提供される。また、実施形態の他の観点によれば、発熱体と、放熱体と、前記発熱体と放熱体との間に配置され、第1の端部及び第2の端部を有する炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された充填層とを含む放熱材料とを有する電子機器が提供される。また、実施形態の更に他の観点によれば、基板上に、第1の端部及び第2の端部を有し、前記基板側に第2の端部が位置する炭素元素の複数の線状構造体を形成する工程と、前記複数の線状構造体の前記第1の端部を被覆する第1のダイヤモンドライクカーボン層を形成する工程と、前記複数の線状構造体間に充填層を形成する工程と、前記充填層を形成後、前記第1の基板を除去する工程とを有する放熱材料の製造方法が提供される。また、実施形態の更に他の観点によれば、発熱体と放熱体との間に、炭素元素の複数の線状構造体と、前記複数の線状構造体の端部を被覆するダイヤモンドライクカーボン層と、前記複数の線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを含む放熱材料を配置する工程と、前記発熱体と前記放熱体との間に圧力を加えながら熱処理を行い、前記熱可塑性樹脂を融解する工程と、冷却して前記熱可塑性樹脂を固化し、前記発熱体と前記放熱体とを前記放熱材料を介して接着する工程とを有する電子機器の製造方法が提供される。開示の放熱材料及びその製造方法によれば、炭素元素の線状構造体の端部に、線状構造体に対する結合強度の高いダイヤモンドライクカーボンの被膜を形成するので、発熱体や放熱体等の被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。これにより、熱伝導効率の高い放熱材料を実現することができる。また、この放熱材料を用いることにより、放熱効率に優れ信頼性の高い電子機器を実現することができる。[第1実施形態]第1実施形態による放熱材料及びその製造方法について図1乃至図7を用いて説明する。図1は、本実施形態による放熱材料の構造を示す概略断面図である。図2は、DLCの被膜による効果を説明する図である。図3及び図4は、本実施形態による放熱材料の製造方法を示す工程断面図である。図5乃至図7は、本実施形態による放熱材料の製造方法を示す斜視図である。はじめに、本実施形態による放熱材料の構造について図1を用いて説明する。本実施形態による放熱材料22は、図1に示すように、複数のカーボンナノチューブ14を有している。複数のカーボンナノチューブ14の一端部には、ダイヤモンドライクカーボンの被膜16が形成されている。被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙には、充填層20が充填されている。これにより、シート状の放熱材料22が形成されている。複数のカーボンナノチューブ14は、シートの膜厚方向、すなわちシートの面と交差する方向に配向し、互いに間隔を空けて配置されている。カーボンナノチューブ14は、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブのいずれでもよい。カーボンナノチューブ14の面密度は、特に限定されるものではないが、放熱性及び電気伝導性の観点からは、1×1010本/cm2以上であることが望ましい。カーボンナノチューブ14の長さは、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。本実施形態による放熱材料22を発熱源例えばICチップと放熱部品例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアルとして使用する場合、少なくとも発熱源及び放熱部品の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。被膜16は、ダイヤモンドライクカーボンDiamondLikeCarbon:以下、DLCと呼ぶにより形成されている。DLCとは、ダイヤモンドとグラファイトの中間的な結晶構造を有する炭素材料である。炭素を主成分としながらも若干の水素を含み、ダイヤモンド結合SP3結合とグラファイト結合SP2結合の両方の結合が混在している非晶質アモルファスの材料である。また、低い摩擦係数、耐凝集性、グラファイト並みの高い熱伝導性をも有している。DLCとカーボンナノチューブとは、同素体同士であり、互いに親和性がよい。また、DLCは、アモルファス構造ではあるが部分的にグラファイト構造を有しており、π電子が存在する物質である。一方、カーボンナノチューブは、グラファイトの基本構造体であるグラフェンが筒状になった構造体であり、π電子が存在する物質である。このため、カーボンナノチューブとDLCとは、sp2由来のπ-π相互作用によってより強固に結合される。このため、カーボンナノチューブ14とDLCの被膜16との間の結合は強固であり、カーボンナノチューブ14とDLCの被膜16との間の接触熱抵抗は非常に小さい。被膜14は、複数のカーボンナノチューブ12の一端部にそれぞれ独立して形成するようにしてもよいし、隣接するカーボンナノチューブ12に形成された被膜14同士が互いに接続されるようにしてもよい。被膜16を設けることにより、発熱体や放熱体等の放熱材料が接合される被着体に対する接触面積を増加することができ、接触熱抵抗を低減することができる。DLCの熱伝導度は1000[W/mK]程度とグラファイト並みに高く、被膜16を設けることによる熱抵抗の増加は極めて小さい。また、各カーボンナノチューブ14の端部に形成された被膜16同士を互いに接続するようなDLC層を形成すれば、発熱体からの熱を被膜16によって横方向に広げ、熱伝導に寄与するカーボンナノチューブ14の本数を増加することができる。また、カーボンナノチューブ14の長さにばらつきが生じ、一部のカーボンナノチューブ14が発熱体に直に接触できないような場合にも、被膜16を介した横方向の熱伝導により、当該一部のカーボンナノチューブ14をも放熱に寄与させることができる。これにより、放熱材料10の放熱効率を高めることができる。例えば、図2に示すように、ヒートスプレッダなどの放熱体30とSiチップなどの発熱体40との間に、複数のカーボンナノチューブ14を含む放熱材料22が介在している場合を想定する。また、発熱体40の発熱源42が発熱体40のある一部分に存在し、発熱体40内における横方向の熱伝導は小さいものと仮定する。カーボンナノチューブ14の端部に被膜16が形成されていない場合、発熱体40から放熱体30への放熱パス32として主に寄与するカーボンナノチューブ14は、発熱源42直下のカーボンナノチューブ14だけである図2a参照。発熱源42からの熱は、発熱源42直下のカーボンナノチューブ14を介して放熱体30に伝達され、放熱される。一方、カーボンナノチューブ14の端部に被膜16を形成した場合、発熱源42からの熱は、まず被膜16によって横方向に広げられ、その後にカーボンナノチューブ14を介して放熱体30に伝達される。このため、放熱パス32として寄与するカーボンナノチューブ14の本数が増加し、発熱体40から放熱体30への放熱効率は高くなる図2b参照。被膜16をより熱伝導度の大きいDLCにより形成すると、発熱源42からの熱を被膜16によって横方向により広げることができ、放熱パス32として寄与するカーボンナノチューブ14の本数を更に増加することができる。これにより、発熱体40から放熱体30への放熱効率を更に高くすることができる図2b参照。例えば、被膜16を銅熱伝導度:400[W/mK]程度により形成する場合と被膜16をDLC熱伝導度:1000[W/mK]程度により形成する場合とを比較すると、実効接触面積をおよそ2.5倍にすることができる。被膜16を金属材料により形成した場合、カーボンナノチューブと金属との接合は物理吸着であり、接触熱抵抗が大きい。また、金属は凝集しやすく膜になり難いため、隣接するカーボンナノチューブの端部を金属の被膜によって横方向に接続するのは困難である。かかる観点からも、被膜16をDLCにより形成することで、金属被膜を形成する場合と比較して、接触熱抵抗を低減し横方向への熱伝導性を向上することができる。なお、グラファイトは電気比抵抗が10-3Ωcm程度の導電性材料であるのに対して、DLCは電気比抵抗が109Ωcm~1014Ωcm程度の絶縁性材料である。DLCの被膜14を形成した放熱材料10は、熱は通すが電気は通さない絶縁性の放熱材料となる。また、DLCの被膜16の形成部分は低摩擦係数であるため、他の部分に比べて充填材が撥水しやすく、被膜16上の樹脂残渣を低減する効果もある。これにより、放熱材料22を発熱体や放熱体に設置する際に、これらと被膜16との間に介在する樹脂残渣を大幅に低減することができ、接触熱抵抗を向上することができる。充填層20は、カーボンナノチューブ14間に充填しうる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料や、銀ペーストなどの金属材料等を適用することができる。なかでも、充填材としては熱可塑性樹脂が好適である。熱可塑性樹脂は、温度に応じて液体と固体との間で可逆的に状態変化するものであり、室温では固体であり、加熱すると液状に変化し、冷却すると接着性を発現しつつ固体に戻るものが望ましい。充填層20を形成する熱可塑性樹脂は、本実施形態による放熱材料が用いられる電子機器の発熱温度等に応じて、熱可塑性樹脂の融解温度をもとに選択することができる。熱可塑性樹脂の融解温度の下限値は、稼働時の発熱温度の上限値よりも高いことが望ましい。稼働時に熱可塑性樹脂が融解すると、放熱材料22が変形してカーボンナノチューブ14が配向性を損なうなど、熱伝導性を低下するなどの不具合を引き起こす虞があるからである。熱可塑性樹脂の融解温度の上限値は、発熱体及び放熱体の耐熱温度の下限値よりも低いことが望ましい。放熱材料22の充填層20は、発熱体に接触させた後にリフローを行うことが望ましいが、熱可塑性樹脂の融解温度が耐熱温度より高いと、発熱体及び/又は放熱体にダメージを与えることなくリフローをすることが困難となるからである。例えば、本実施形態の電子部品をCPUなどの電子機器の放熱用途に用いる場合、CPU稼働時の発熱温度の上限がおよそ125°Cであり、CPU電子部品の耐熱温度がおよそ250°Cであることに鑑み、融解温度が125°C~250°C程度の熱可塑性樹脂が好適である。また、充填層20には、必要に応じて、添加物を分散混合してもよい。添加物としては、例えば、熱伝導性の高い物質が考えられる。充填層20部分に熱伝導性の高い添加物を分散混合することにより、充填層20部分の熱伝導率を向上することができ、放熱材料22の全体としての熱伝導率を向上することができる。熱伝導性の高い材料としては、カーボンナノチューブ、金属材料、窒化アルミニウム、シリカ、アルミナ、グラファイト、フラーレン等を適用することができる。次に、本実施形態による放熱材料の製造方法について図3乃至図7を用いて説明する。まず、カーボンナノチューブ14を成長するための土台として用いる基板10を用意する図3a。基板10には、特に限定されるものではが、例えば、シリコン基板などの半導体基板、アルミナサファイア基板、MgO基板、ガラス基板などの絶縁性基板、金属基板などを用いることができる。また、これら基板上に薄膜が形成されたものでもよい。例えば、シリコン基板上に膜厚300nm程度のシリコン酸化膜が形成されたものを用いることができる。基板10は、カーボンナノチューブ14の成長後に剥離されるものである。この目的のもと、基板10としては、カーボンナノチューブ14の成長温度において変質しないことが望ましい。また、少なくともカーボンナノチューブ14に接する面がカーボンナノチューブ14から容易に剥離できる材料によって形成されていることが望ましい。或いは、少なくともカーボンナノチューブ14に接する部分が、カーボンナノチューブ14に対して選択的にエッチングできる材料によって形成されている基板10を用いてもよい。次いで、基板10上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚2.5nmのFe鉄膜を形成し、Feの触媒金属膜12を形成する図3b。なお、触媒金属膜12は、必ずしも基板10上の全面に形成する必要はなく、例えばリフトオフ法を用いて基板10の所定の領域上に選択的に形成するようにしてもよい。触媒金属としては、Feのほか、Coコバルト、Niニッケル、Au金、Ag銀、Pt白金又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金を用いてもよい。また、触媒として、金属膜以外に、微分型静電分級器DMA:differentialmobilityanalyzer等を用い、予めサイズを制御して作製した金属微粒子を用いてもよい。この場合も、金属種については薄膜の場合と同様でよい。また、これら触媒金属の下地膜として、Moモリブデン、Tiチタン、Hfハフニウム、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Vバナジウム、TaN窒化タンタル、TiSixチタンシリサイド、Alアルミニウム、Al2O3酸化アルミニウム、TiOx酸化チタン、Taタンタル、Wタングステン、Cu銅、Au金、Pt白金、Pdパラジウム、TiN窒化チタンなどの膜又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金からなる膜を形成してもよい。例えば、Fe2.5nm/Al10nmの積層構造、Co2.6nm/TiN5nmの積層構造等を適用することができる。金属微粒子を用いる場合は、例えば、Co平均直径:3.8nm/TiN5nmなどの積層構造を適用することができる。次いで、基板10上に、例えばホットフィラメントCVD法により、触媒金属膜12を触媒として、カーボンナノチューブ14を成長する。触媒金属膜12は、成長時の加熱によって凝集して触媒金属微粒子12aとなる。カーボンナノチューブ14は、この触媒金属微粒子12aを触媒として成長される。カーボンナノチューブ14の成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレンアルゴンの混合ガス分圧比1:9を用い、成膜室内の総ガス圧を1kPa、ホットフィラメント温度を1000°C、成長時間を20分とする。これにより、層数が3層~6層平均4層程度、直径が4nm~8nm平均6nm、長さが80μm成長レート:4μm/minの多層カーボンナノチューブを成長することができる。なお、カーボンナノチューブ14は、熱CVD法やリモートプラズマCVD法などの他の成膜方法により形成してもよい。また、成長するカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブでもよい。また、炭素原料としては、アセチレンのほか、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類などを用いてもよい。カーボンナノチューブ14の長さは、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。サーマルインターフェイスマテリアルとして使用する場合、少なくとも発熱源及び放熱部品の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。こうして、基板10上に、基板10の法線方向に配向垂直配向した複数のカーボンナノチューブ14を形成する図3c。上記の成長条件で形成したカーボンナノチューブ14では、カーボンナノチューブ14の面密度は、1×1011本/cm2程度であった。これは、基板10表面の面積のおよそ10の領域上にカーボンナノチューブ14が形成されていることに相当する。なお、基板10上に成長したカーボンナノチューブ14は、全体としては基板10の法線方向に配向成長するが、先端部では成長初期におけるランダム方向への成長過程を反映し、例えば図5に示すように、必ずしも基板10の法線方向を向いていない。次いで、例えばプラズマCVD法により、例えば膜厚100nmのDLCを堆積し、カーボンナノチューブ14の上端部にDLCの被膜16を形成する図3d。DLCの成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレンガスを用い、成膜温度を100°Cとする。なお、DLCの成長の際には、カーボンナノチューブやグラファイトの成長の際に必要とされるような触媒は不要である。DLCの成膜方法は、特に限定されるものではなく、プラズマCVD法のほか、熱CVD法、スパッタ法、レーザアブレーション法、イオンビーム法等を適用することができる。なお、CVD法により形成する場合、カーボンナノチューブ14の成長から被膜16の成膜までの一連の工程を、同一の装置内で連続して行うことも可能である。カーボンナノチューブ14の成長と被膜16の成膜とを、大気開放することなく同一の装置内で連続して行えば、カーボンナノチューブ14と被膜16との間の界面特性を向上することができる。例えば、熱CVD装置で成長温度650°C、原料ガスとしてアセチレンを用いてカーボンナノチューブ14を成長した後、同一熱CVD装置で成膜温度200°C、原料ガスとしてアセチレンを用い、DLCの被膜16を成長する。DLCの成長温度は、特に限定されるものではなく、好適には、室温から300°C程度の範囲が選択される。また、DLCの原料は、特に限定されるものではなく、固体カーボン、メタン、ベンゼン、アセチレン等を適用することができる。DLCは、複雑形状にも均一に成膜されやすい特徴を有しており、カーボンナノチューブ14の端部に均一に成膜することが可能である。被膜16は、成長初期段階では、例えば図6に示すように、各カーボンナノチューブ14の先端部分を覆うように形成される。成長膜厚が増加してくると、隣接する各カーボンナノチューブ14の先端部分に形成された被膜16が互いに接続されるようになる。これにより、被膜16は、例えば図7に示すように、複数本の各カーボンナノチューブ14の先端部分を束ねるように形成される。被膜16の成長膜厚を更に増加すると、被膜16がシートの表面に平行な2次元方向に接続され、膜状になる。被膜16の膜厚は、充填層20を形成する際の充填材の浸透性等を考慮したうえで、カーボンナノチューブ14の直径や面密度に応じて適宜設定することが望ましい。カーボンナノチューブ14間を接続する観点からは、被膜16の膜厚は、10nm~500nm程度の範囲が望ましい。なお、被膜16は、必ずしも隣接するカーボンナノチューブ14が互いに接続されるに十分な膜厚を形成する必要はないが、これには被膜16によってカーボンナノチューブ14を支持する効果がある。これにより、後工程で充填層20をカーボンナノチューブ14間に浸透させる際にカーボンナノチューブ14同士がばらばらになることを抑制することができる。また、被膜16を介した横方向への熱の伝導も可能となる。次いで、端部がDLCの被膜16でコーティングされたカーボンナノチューブ14の間隙に充填材を充填し、充填層20を形成する。充填材は、カーボンナノチューブ14の間隙に充填できるものであれば、特に限定されるものではない。また、充填層20の形成方法についても、特に限定されるものではない。ただし、熱可塑性樹脂であってさらにはフィルム状に加工されたものを用いると、種々のメリットがある。ここでは、充填層20の形成方法の一例として、フィルム状の熱可塑性樹脂を用いた場合を示す。まず、被膜16を形成したカーボンナノチューブ14上に、フィルム状に加工した熱可塑性樹脂熱可塑性樹脂フィルム18を載置する。熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂としては、例えば、以下に示すホットメルト樹脂を適用することができる。ポリアミド系ホットメルト樹脂としては、例えば、ヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239が挙げられる。また、ポリエステル系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDH598Bが挙げられる。また、ポリウレタン系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDH722Bが挙げられる。また、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂としては、例えば、松村石油株式会社製のEP-90が挙げられる。また、エチレン共重合体ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDA574Bが挙げられる。また、SBR系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6250が挙げられる。また、EVA系ホットメルト樹脂としては、例えば、住友スリーエム株式会社製の3747が挙げられる。また、ブチルゴム系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6158が挙げられる。ここでは、一例として、ヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を厚さ100μmのフィルム状に加工した熱硬化性樹脂フィルム18を用いた場合について説明する。なお、Micromelt6239は、融解温度が135°C~145°C、融解時粘度が5.5Pa.s~8.5Pa.s225°Cのホットメルト樹脂である。次いで、熱可塑性樹脂フィルム18を載置した基板10を、熱可塑性樹脂フィルム18を形成する熱可塑性樹脂の融解温度以上の温度に加熱する。上記の熱可塑性樹脂材料を用いた場合、例えば195°Cの温度で加熱する。必要に応じて、熱可塑性樹脂フィルム18上から押圧してもよい。これにより、熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂が融解し、カーボンナノチューブ14の間隙に徐々に浸透していく。熱可塑性樹脂フィルム18をカーボンナノチューブ14の間隙に浸透させる深さは、適宜選択することができる。例えば、基板10に達しない程度のところで熱可塑性樹脂フィルム18の浸透を停止すれば、カーボンナノチューブ14及び熱可塑性樹脂フィルム18を基板10から剥離するのを容易できるというメリットがある。また、充填層20からカーボンナノチューブ14の端部が露出した放熱材料22を形成することができ、放熱体又は発熱体に放熱材料22を設置する際にカーボンナノチューブ14を直に接触させることができ、接触熱抵抗を低減することができる。基板10に対する熱可塑性樹脂フィルム18の粘着性が低い場合などは、基板10に達するまで熱可塑性樹脂フィルム18を浸透させるようにしてもよい。熱可塑性樹脂フィルム18をカーボンナノチューブ14の間隙に浸透させる深さは、熱処理時間によって制御することができる。例えば、上記条件で成長した長さ80μmのカーボンナノチューブ12に対しては、195°Cで1分間の熱処理を行うことにより、熱可塑性樹脂フィルム18が基板10に達しない程度まで浸透させることができる。熱可塑性樹脂フィルム18の熱処理時間は、熱可塑性樹脂フィルム18を所望の深さまで浸透させるように、カーボンナノチューブ14の長さ、熱可塑性樹脂の融解時の粘度、熱可塑性樹脂フィルム18の膜厚等に応じて適宜設定することが望ましい。カーボンナノチューブ14間に充填する充填材の量は、熱可塑性樹脂フィルム18のシート膜厚によってコントロールすることができる。熱可塑性樹脂を予めシート状に加工しておくことにより、充填材の量のコントロールが容易となる。なお、熱可塑性樹脂の形状は、予めフィルム状に加工しておくことが好適であるが、ペレット状や棒状でも構わない。次いで、熱可塑性樹脂フィルム18を所定の位置まで浸透させた後、室温まで冷却し、熱可塑性樹脂フィルム18を固化する。こうして、熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂により形成され、カーボンナノチューブ14の間隙に充填された充填層20を形成する図4b。次いで、被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14が埋め込まれた充填層20を、基板10から剥離し、本実施形態による放熱材料を完成する図4c。このように,本実施形態によれば、カーボンナノチューブを有する放熱材料において、カーボンナノチューブの端部にDLCの被膜を設けるので、発熱体や放熱体等の被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。また、DLCの被膜によって複数のカーボンナノチューブの端部を接続することにより、横方向の熱伝導性を向上し、放熱効率を高めることができる。[第2実施形態]第2実施形態による放熱材料及びその製造方法について図8乃至図10を用いて説明する。図1乃至図7に示す第1実施形態による放熱材料及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図8は、本実施形態による放熱材料の構造を示す概略断面図である。図9及び図10は、本実施形態による放熱材料の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による放熱材料の構造について図8を用いて説明する。本実施形態による放熱材料22は、図8に示すように、複数のカーボンナノチューブ14を有している。複数のカーボンナノチューブ14の一端部には、DLCの被膜16が形成されている。複数のカーボンナノチューブ14の他端部には、DLCの被膜26が形成されている。被膜16,26が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙には、充填層20が充填されている。これにより、シート状の放熱材料22が形成されている。被膜26が形成されたカーボンナノチューブ14の他端部は、充填層20から露出している。このように、本実施形態による放熱材料22は、カーボンナノチューブ14の両端部に、それぞれ被膜16,26が設けられている。これにより、放熱材料22の両表面において、被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。次に、本実施形態による放熱材料の製造方法について図9及び図10を用いて説明する。まず、例えば図3a乃至図3dに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、基板10上に、複数のカーボンナノチューブ14と、カーボンナノチューブ14の端部を被覆するDLCの被膜16を形成する図9a。次いで、例えば図4a乃至図4bに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、カーボンナノチューブ14間に熱可塑性樹脂フィルム18を浸透させ、充填層20を形成する。この際、熱処理時間を適宜調整し、熱可塑性樹脂フィルム18が基板10まで達しないようにする図9b。例えば、ノガワケミカル株式会社製のDA3251接着剤軟化点温度155°C~165°Cをフィルム状に加工した熱可塑性樹脂フィルム18を、被膜16を形成したカーボンナノチューブ12上に載置し、150°Cのリフロー温度で5分間、熱処理する。これにより、熱可塑性樹脂フィルム18が基板10に達しない程度まで、カーボンナノチューブ14間に浸透させる。次いで、被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14が埋め込まれた充填層20を、基板10から剥離する図9c。次いで、基板10とは別の基板24上に、剥離した充填層20を、充填層20の形成面が基板24に接するように、貼り付ける図10a。次いで、基板10から剥離したカーボンナノチューブ14の他端部上に、被膜16の形成方法と同様にして、例えば膜厚100nmのDLCの被膜26を形成する図10b。この際、被膜26の成膜温度は、充填層20を形成する熱可塑性樹脂の軟化点温度よりも低い温度とすることが望ましい。熱可塑性樹脂の軟化点温度よりも高い温度で成膜を行うと、成膜時に熱可塑性樹脂が融解し、充填層20及びカーボンナノチューブ14の形状維持が困難となるからである。この点、DLCは、室温から300°C程度の比較的低温で成膜することができるため、充填層20及びカーボンナノチューブ14の形状変化を起こすことなく、被膜26を形成することができる。なお、グラファイトの場合は、通常600°C程度以上の成膜温度が必要であり、充填層20の形成後にグラファイトの被膜26を形成することは困難である。次いで、両端部に被膜16,26がそれぞれ形成されたカーボンナノチューブ14が埋め込まれた充填層20を基板24から剥離し、本実施形態による放熱材料を完成する図10c。このように,本実施形態によれば、カーボンナノチューブを有する放熱材料において、カーボンナノチューブの端部にDLCの被膜を設けるので、発熱体や放熱体等の被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。また、DLCの被膜によって複数のカーボンナノチューブの端部を接続することにより、横方向の熱伝導性を向上し、放熱効率を高めることができる。[第3実施形態]第3実施形態による放熱材料及びその製造方法について図11及び図12を用いて説明する。図1乃至図10に示す第1及び第2実施形態による放熱材料及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図11は、本実施形態による放熱材料の構造を示す概略断面図である。図12は、本実施形態による放熱材料の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による放熱材料の構造について図11を用いて説明する。本実施形態による放熱材料22は、図11に示すように、複数のカーボンナノチューブ14を有している。複数のカーボンナノチューブ14の一端部には、DLCの被膜16が形成されている。カーボンナノチューブ14及び被膜16の表面には、一様に被膜28が形成されている。被膜16,28が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙には、充填層20が充填されている。これにより、シート状の放熱材料22が形成されている。被膜28は、ALDAtomicLayerDeposition:原子層堆積法により形成された膜厚が1nm~20nm程度の薄膜であり、カーボンナノチューブ14及び被膜16の表面を一様に被覆するものである。カーボンナノチューブ14及び被膜16の表面、特にカーボンナノチューブ14の側面を被覆するように被膜28を形成することにより、カーボンナノチューブ14の縦方向の機械的強度を向上することができる。これにより、アセンブリ時の圧縮耐性を向上することができる。被膜28の材料は,特に限定されるものではないが、好適には酸化物材料や金属材料が挙げられる。具体的には、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、ハフニウム酸化物、鉄酸化物、インジウム酸化物、ランタン酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物、ルテニウム酸化物、シリコン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、イットリウム酸化物、ジルコニウム酸化物、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、銀、ランタン等が挙げられる。被膜28の膜厚は、カーボンナノチューブ14の面密度や長さに依存するが、例えばカーボンナノチューブ14の面密度が1×1010本/cm2程度の場合、20nm程度が好適である。次に、本実施形態による放熱材料の製造方法について図12を用いて説明する。まず、例えば図3a乃至図3dに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、基板10上に、複数のカーボンナノチューブ14と、カーボンナノチューブ14の端部を被覆するDLCの被膜16を形成する図12a。次いで、ALD法により、被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14の表面に、例えば膜厚20nmのアルミニウム酸化物Al2O3の被膜28を形成する図12b。例えば、ALD法により、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムTMAと水H2Oを用い、成膜温度200°C、総圧0.5MPaの条件下、200サイクル実施することで、膜厚20nmのアルミニウム酸化物を成膜する。ALD法を用いることにより、被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14の表面の全体に、均一な膜厚の被膜28を一様に形成することができる。次いで、例えば図4a乃至図4bに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、被膜16,28が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙に充填層20を形成する図12c。次いで、被膜16,28が形成されたカーボンナノチューブ14が埋め込まれた充填層20を、基板10から剥離し、本実施形態による放熱材料を完成する図12d。このように,本実施形態によれば、カーボンナノチューブを有する放熱材料において、カーボンナノチューブの端部にDLCの被膜を設けるので、発熱体や放熱体等の被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。また、DLCの被膜によって複数のカーボンナノチューブの端部を接続することにより、横方向の熱伝導性を向上し、放熱効率を高めることができる。また、カーボンナノチューブの側面を被覆する被膜を形成することにより、カーボンナノチューブの縦方向の機械的強度を向上することができる。これにより、アセンブリ時の圧縮耐性を向上することができる。[第4実施形態]第4実施形態による放熱材料及びその製造方法について図13及び図14を用いて説明する。図1乃至図12に示す第1乃至第3実施形態による放熱材料及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。図13は、本実施形態による放熱材料の構造を示す概略断面図である。図14は、本実施形態による放熱材料の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による放熱材料の構造について図13を用いて説明する。本実施形態による放熱材料22は、図13に示すように、複数のカーボンナノチューブ14を有している。複数のカーボンナノチューブ14の表面には、一様に被膜28が形成されている。被膜28が形成された複数のカーボンナノチューブ14の一端部には、DLCの被膜16が形成されている。被膜28,16が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙には、充填層20が充填されている。これにより、シート状の放熱材料22が形成されている。第3実施形態では被膜16の形成後に被膜28を形成したが、本実施形態のように被膜28を被膜16の形成前に形成するようにしてもよい。なお、被膜28の形成方法、形成材料、膜厚等は、第3実施形態の場合と同様である。カーボンナノチューブ14とDLCの被膜16との間の接触熱抵抗に重点をおく場合は第3実施形態の構造が望ましく、DLCの撥水性に重点をおく場合は本実施形態の構造が望ましい。いずれの構造を用いるかは、目的等に応じて適宜選択することができる。次に、本実施形態による放熱材料の製造方法について図14を用いて説明する。まず、例えば図3a乃至図3cに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、基板10上に、複数のカーボンナノチューブ14を形成する。次いで、ALD法により、カーボンナノチューブ14の表面に、例えば膜厚20nmのアルミニウム酸化物Al2O3の被膜28を形成する図14a。ALD法を用いることにより、カーボンナノチューブ14の表面の全体に、均一な膜厚の被膜28を一様に形成することができる。次いで、例えば図3dに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、被膜28が形成されたカーボンナノチューブの上端部に、DLCの被膜16を形成する図14b。次いで、例えば図4a乃至図4bに示す第1実施形態による放熱材料の製造方法と同様にして、被膜28,16が形成されたカーボンナノチューブ14の間隙に充填層20を形成する図14c。次いで、被膜28,16が形成されたカーボンナノチューブ14が埋め込まれた充填層20を、基板10から剥離し、本実施形態による放熱材料を完成する図14d。このように,本実施形態によれば、カーボンナノチューブを有する放熱材料において、カーボンナノチューブの端部にDLCの被膜を設けるので、発熱体や放熱体等の被着体に対する接触熱抵抗を低減することができる。また、DLCの被膜によって複数のカーボンナノチューブの端部を接続することにより、横方向の熱伝導性を向上し、放熱効率を高めることができる。また、カーボンナノチューブの側面を被覆する被膜を形成することにより、カーボンナノチューブの縦方向の機械的強度を向上することができる。これにより、アセンブリ時の圧縮耐性を向上することができる。[第5実施形態]第5実施形態による電子機器及びその製造方法について図15及び図16を用いて説明する。図15は、本実施形態による電子機器の構造を示す概略断面図である。図16は、本実施形態による電子機器の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態では、第1乃至第4実施形態による放熱材料を用いた電子機器及びその製造方法について説明する。はじめに、本実施形態による電子機器の構造について図15を用いて説明する。多層配線基板などの回路基板50上には、例えばCPUなどの半導体素子54が実装されている。半導体素子54は、はんだバンプなどの突起状電極52を介して回路基板50に電気的に接続されている。半導体素子54上には、半導体素子54を覆うように、半導体素子54からの熱を拡散するためのヒートスプレッダ56が形成されている。半導体素子54とヒートスプレッダ56との間には、第1乃至第4実施形態のいずれかに記載の放熱材料22が形成されている。図15には、一例として、第1実施形態による放熱材料22を用いた例を示している。ヒートスプレッダ56は、例えば有機シーラント58によって回路基板50に接着されている。このように、本実施形態による電子機器では、半導体素子54とヒートスプレッダ56との間、すなわち発熱部と放熱部との間に、第1乃至第4実施形態による放熱材料22が設けられている。上述のように、第1乃至第4実施形態による放熱材料22は、カーボンナノチューブ14がシートの膜厚方向に配向しており、面直方向の熱伝導度が極めて高いものである。また、カーボンナノチューブ14の一端部或いは両端部にはDLCの被膜16が形成されており、接触熱抵抗が極めて低く、放熱効率が高いものである。したがって、上記実施形態の放熱材料22を、半導体素子54とヒートスプレッダ56との間に設けることにより、半導体素子54から発せられた熱を効率よくヒートスプレッダ56に伝えることができ、半導体素子54を効果的に冷却することができる。これにより、電子機器の信頼性を向上することができる。次に、本実施形態による電子機器の製造方法について、図16を用いて説明する。まず、回路基板50上に、突起状電極52を介して半導体素子54を実装する図16a。また、放熱部品であるヒートスプレッダ56に、放熱材料22を接着する図16b。放熱材料22の充填層20の材料として熱可塑性樹脂材料を用いている場合は、ヒートスプレッダ56上に放熱材料22を載置し、必要に応じて圧力を加えながら加熱冷却することにより、放熱材料22をヒートスプレッダ56に接着することができる。なお、放熱材料22をヒートスプレッダ56に接着する際には、被膜16,26の形成面がヒートスプレッダ56側とは異なる側に位置するように、放熱材料を設置することが望ましい。被膜16,26の形成面が発熱体半導体素子54側に向くように放熱材料22を載置することにより、放熱体からの熱を効率的に横方向に伝搬させることができ、放熱効率を高めることができるからである。次いで、半導体素子54を実装した回路基板50上に、ヒートスプレッダ56を固定するための有機シーラント58を塗布した後、放熱材料22を接着したヒートスプレッダ56を被せる図16c。なお、ヒートスプレッダ56に予め放熱材料22を接着せず、半導体素子54上に放熱材料22を載置した状態で、ヒートスプレッダ56を被せるようにしてもよい。次いで、ヒートスプレッダ58に荷重をかけた状態で熱処理を行い、放熱材料22の充填層20をリフローする。充填層20として例えばヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を用いた放熱材料22では、例えば荷重0.25MPaを加えた状態で、例えば195°C、10分間の熱処理を行う。この熱処理により、カーボンナノチューブシート56の充填層14を形成する熱可塑性樹脂が液状融解し、半導体素子54及びヒートスプレッダ56の表面凹凸に沿って放熱材料22が変形する。また、放熱材料22内のカーボンナノチューブ14は、充填層20による拘束がゆるみ、その端部は半導体素子54及びヒートスプレッダ56に直に接するようになる。この際、カーボンナノチューブ12はしなやかで柔軟性に富んだ材料であるため、半導体素子54及びヒートスプレッダ56が有する凹凸形状に追従して撓むことができる。これにより、半導体素子54及びヒートスプレッダ56に直に接するカーボンナノチューブ14が増加し、放熱材料22と半導体素子54及びヒートスプレッダ56との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができる。DLCの被膜16,26を形成したカーボンナノチューブ14の端部では、DLCの撥水性により、半導体素子54及びヒートスプレッダ58に対してより接触しやすくなる。このときの荷重は、放熱材料22が、半導体素子54及びヒートスプレッダ56の表面に存在する凹凸に沿って変形して十分な接触状態を形成する荷重範囲であればよい。また、熱処理の温度及び時間は、半導体素子54とヒートスプレッダ56との界面に介在する熱可塑性樹脂が融解して移動し、カーボンナノチューブ14の端部が半導体素子54及びヒートスプレッダ58に対して直に接する表面状態になる範囲を選択すればよい。また、カーボンナノチューブ14の表面に均一に被膜28を形成した放熱材料22では、カーボンナノチューブ14の機械的強度が向上されているため、荷重を加えたときの圧縮耐性が向上されている。これにより、カーボンナノチューブ14が座屈して配向性を失い熱伝導性を低下するなどの、放熱材料22の特性劣化を低減することができる。次いで、室温まで冷却し、充填層20の熱可塑性樹脂を固化するとともに、ヒートスプレッダ56を有機シーラント58によって回路基板50上に固定する。この際、熱可塑性樹脂は接着性を発現し、半導体素子54とヒートスプレッダ56との間を放熱材料22によって接着固定することができる。これにより、室温に冷却した後も、放熱材料22と半導体素子54及びヒートスプレッダ56との間の低い接触熱抵抗を維持することができる。このように、本実施形態によれば、半導体素子とヒートスプレッダとの間に、第1乃至第4実施形態による放熱材料を配置するので、これらの間の熱伝導度を大幅に向上することができる。これにより、半導体素子から発せられる熱の放熱効率を高めることができ、電子機器の信頼性を向上することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記第1、第2及び第4実施形態では、被膜16の表面が充填層20により覆われるようにしているが、被膜16の表面が充填層20から露出するようにしてもよい。これには、熱可塑性樹脂シート18を用いて充填層20を形成する場合にあっては、熱可塑性樹脂シート18の膜厚を適宜設定すればよい。他の充填材を用いる場合は、スピンコート法などを用いる場合にあっては、スピンコータの回転数や塗布液の粘度等を適宜設定することにより実現することができる。或いは、充填層20を形成後にエッチングを行い、被膜16の表面を露出するようにしてもよい。また、上記第3及び第4実施形態では、カーボンナノチューブ14の一端部にのみ被膜16を形成しているが、第2実施形態の場合と同様に、カーボンナノチューブ14の両端部に被膜16,26を設けるようにしてもよい。また、上記実施形態では、炭素元素の線状構造体の例としてカーボンナノチューブを用いた放熱材料を示したが、炭素元素の線状構造体は、カーボンナノチューブに限定されるものではない。炭素元素の線状構造体としては、カーボンナノチューブのほか、カーボンナノワイヤ、カーボンロッド、カーボンファイバが挙げられる。これら線状構造体は、サイズが異なるほかは、カーボンナノチューブと同様である。これら線状構造体を用いた放熱材料においても適用することができる。また、上記実施形態に記載した放熱材料及び電子機器の構造、構成材料、製造条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。また、カーボンナノチューブシートの使用目的も、上記実施形態に記載のものに限定されるものではない。開示のカーボンナノチューブシートは、熱伝導シートとしては、例えば、CPUの放熱シート、無線通信基地局用高出力増幅器、無線通信端末用高出力増幅器、電気自動車用高出力スイッチ、サーバー、パーソナルコンピュータなどへの適用が考えられる。また、カーボンナノチューブの高い許容電流密度特性を利用して、縦型配線シートやこれを用いた種々のアプリケーションにも適用可能である。"