支持基体上に順次積層された一以上の第一導電型窒化物半導体層、窒化物半導体の発光層、一以上の第二導電型窒化物半導体層、および前記発光層からの光を75以上透過する結晶化されたMgx1Zn1-x1O0<x1<1の透光性導電膜を含むことを特徴とする窒化物半導体紫外発光素子。前記透光性導電膜が、c軸配向した多結晶のMgx1Zn1-x1Oを含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記透光性導電膜が、単結晶のMgx1Zn1-x1Oからなることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記単結晶Mgx1Zn1-x1Oの透光性導電膜が前記第二導電型窒化物半導体層と格子整合していることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記透光性導電膜が、ノンドープであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記透光性導電膜は、Al、GaおよびInの少なくとも一種の元素が不純物として添加されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記第一導電型がp型であり、前記第二導電型がn型であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記第一導電型と前記第二導電型の窒化物半導体層が、それぞれp型Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦x2y2≦1およびn型Alx3Ga1-x3-y3Iny3N0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦x3y3≦1からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記発光層からの発光波長が215nm以上365nm以下であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記発光層がAlx4Ga1-x4-y4Iny4N0<x4≦1、0<x4y4≦1、0≦y4<1を含むことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。前記支持基体と前記第一導電型窒化物半導体層とが、前記発光層からの発光波長の光を75以上反射する高反射膜を介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の窒化物半導体紫外発光素子。本発明の目的は、上述のような窒化物半導体紫外発光素子における課題を解決し、発光強度の改善された窒化物半導体紫外発光素子を提供することにある。本発明による窒化物半導体紫外発光素子は、支持基体上に順次積層された一以上の第一導電型窒化物半導体層、窒化物半導体の発光層、一以上の第二導電型窒化物半導体層、および前記発光層からの光を75以上透過する結晶化されたMgx1Zn1-x1O0<x1<1からなる透光性導電膜を含むことを特徴としている。なお、透光性導電膜は、c軸配向した多結晶のMgx1Zn1-x1Oを含むことが好ましく、単結晶のMgx1Zn1-x1Oからなることがより好ましく、その単結晶Mgx1Zn1-x1O透光性導電膜が第二導電型窒化物半導体層と格子整合していることがさらに好ましい。透光性導電膜は、ノンドープであってもよく、Al、GaおよびInの少なくとも一種の元素が不純物として添加されていてもよい。第一導電型と第二導電型の窒化物半導体層はそれぞれp型とn型であり得て、それぞれp型Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、0≦x2y2≦1およびn型Alx3Ga1-x3-y3Iny3N0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦x3y3≦1からなることが好ましい。発光層は215nm以上365nm以下の発光波長を有することが好ましく、Alx4Ga1-x4-y4Iny4N0<x4≦1、0<x4y4≦1、0≦y4<1を含むことが好ましい。また、支持基体と第一導電型窒化物半導体層とが、発光層からの発光波長の光を75以上反射する高反射膜を介して互いに電気的に接続されていることが好ましい。本発明の窒化物半導体紫外発光素子においては、発光波長に対して透光性の結晶化されたMgZnOを透光性導電膜として用いているので、その透光性導電膜による紫外光吸収が抑制されて、素子の光出力を増大させることが可能となる。また、本発明の窒化物半導体紫外発光素子においては、高いキャリア移動度を有する結晶化されたMgZnOを透光性導電膜として用いているので、電流がその透光性導電膜内で拡散して発光層内へ均一に注入されるので、発光層の均一発光および光出力の増大が可能となる。以下において、本発明の一実施形態による窒化物半導体紫外発光素子の作製について説明する。複数の窒化物半導体層のエピタキシャル成長本発明の一実施形態による窒化物半導体紫外発光素子の作製においては、周知のMOCVD有機金属化学気相堆積法やMBE分子線エピタキシ法などの結晶成長技術を適宜に用いることによって、サファイア基板上に複数の窒化物半導体層がエピタキシャル結晶成長させられ得る。結晶成長のための基板としては、サファイア以外に、SiC、GaN、AlNなどの基板を用いることもできる。より具体的な例としては、MOCVD装置内へサファイア基板のウエハを導入した後に、図1に示されているように、サファイア基板101の一主面上に厚さ5~500nm例えば15nmのAlNバッファ層102、厚さ0.1~4μm例えば0.5μmのAlN層103、厚さ0.05~0.5μm例えば0.06μmのAl0.45Ga0.55N下地層104、Al0.22Ga0.78N/AlN超格子層からなる基板剥離層105、厚さ0.5~4μm例えば2μmのn型Al0.45Ga0.55Nコンタクト層106、AlGaN/AlGaNからなる発光層107、厚さ5~300nm例えば15nmのp型Al0.85Ga0.15Nブロック層108、厚さ50~1000nm例えば150nmのp型Al0.45Ga0.55N層109、および厚さ20~500nm例えば50nmのp型GaNコンタクト層110が順に積層される。p型層活性化熱処理MOCVD装置内での結晶成長が終了すれば、積層された窒化物半導体層を含むウエハがMOCVD装置から取り出され、p型層を活性化するための熱処理が行われる。すなわち、ウエハが熱処理装置内に導入され、650~1000°C例えば900°Cの高温で1~10分間例えば5分間だけ熱処理される。熱処理の雰囲気としては、例えば、窒素雰囲気、または窒素と0.1~100例えば3の酸素を含む窒素/酸素混合雰囲気もしくは純酸素雰囲気を利用することができる。この熱処理によって、p型層の活性化が促進されて、そのp型層が低抵抗化される。この低抵抗化は、p型層中に不純物として添加されたマグネシウムに結合していた水素が熱処理の効果によって離脱し、マグネシウムがアクセプタとして活性化されることによる。ミラー電極の形成p型層の活性化熱処理が終了すれば、図2に示されているように、コンタクト電極および反射電極の形成が行われる。より具体的には、熱処理されたウエハが真空蒸着装置内へ導入され、p型GaNコンタクト層110上に、Pd薄膜のコンタクト電極層201が形成される。このとき、Pd電極層による光吸収を抑制するために、その透過率は75以上であることが必要であり、95以上であることが好ましい。このために、Pd電極層201の厚さは、0.5~15nm例えば2.5nmであることが望ましい。Pdコンタクト電極層201上には、発光層107からの光を反射するミラー電極層202が形成される。このミラー電極層の反射率は、発光層からの発光波長の光に対して75以上であることが好ましく、90以上であることがより好ましい。そして、発光層からp型層側に伝播してきた紫外光はミラー電極層202によってサファイア基板側に反射され、これによって発光素子からの光取り出し効率が改善され得る。ミラー電極層202の材料としては、AlやAgなどの金属厚膜が望ましい。例えば、蒸着装置内において、Pdコンタクト電極層201の堆積に引き続いて、Alミラー電極層202を堆積することができる。このAlミラー電極層は100~1000nm例えば500nmの厚さを有することが好ましいが、発光層107からの光に対して75以上の反射率を有していてミラーとして機能できればこの限りではない。金属ミラー電極層202が薄すぎる場合には光が透過してしまうので、ミラーとして十分機能し得ない。また、金属ミラー電極層202は、紫外光を反射するミラーとして機能すると同時に、後で導電性接着剤203を介して導電性支持基体204に対して接合され、p側電極の一部としても機能する。支持基体への電極層の接合図2に示されているように、Alミラー電極層202は、例えばCu-W銅-タングステンの支持基体204上に接合される。このとき、Alミラー電極層202と支持基体204とは、例えばAg粒子を含む導電性ポリイミド樹脂のような接着層203で接合され得る。この接着層203に含まれる樹脂は、発光層107から発せられる215~365nmの波長の紫外光によって分解や変質を生じないことが望まれ、適宜に最適な樹脂を選択することが必要である。サファイア基板の剥離Alミラー電極層202が導電性接着層203によってCu-W支持基体204へ接合された後において、サファイア基板101の剥離が行われる。このサファイア基板の剥離は、レーザリフトオフ法を用いて行うことができる。例えば、図3中の矢印で示されているように、波長266nmのレーザ光がサファイア基板側からウエハ内へ照射される。このレーザ光は、Al0.22Ga0.78N/AlN超格子層105内で吸収される。なぜならば、超格子層105に含まれるAl0.22Ga0.78N層が波長266nm付近に吸収機能を有するからである。超格子層105で吸収されたレーザ光のエネルギが熱エネルギに変換されてその超格子層が熱で分解され、これによってサファイア基板101からAlGaN層104までの部分と、n型AlGaNコンタクト層106からCu-W支持基体204までの部分とに分離され得る。ここで、サファイア基板101の剥離の際に、照射されるレーザ光の波長に比べて発光層107の発光波長が長い場合、すなわち活性層107において照射レーザ光の吸収が生じる場合には、その活性層にダメージを与える可能性がある。したがって、照射レーザ光のほとんどが超格子層105で吸収されるように、照射レーザ光の波長と強度を慎重に調整することが必要である。なお、サファイア基板101の剥離には、基板剥離層105をAlNで形成して、波長193nmの照射レーザ光を用いてもよい。これ以外に、基板剥離層105とそのエネルギギャップに相当するエネルギを持つ波長のレーザ光とをセットで用いることもできる。n側透光性導電膜の形成上述のようなサファイア基板の剥離によって、図4に示されているような積層構造を有するウエハが得られる。レーザの照射によってサファイア基板が剥離された分離面には、レーザ照射によって分解したAlGaN/AlN超格子層105に起因する残留物が付着している。したがって、塩酸などの酸によるウェットエッチングで分離面を清浄化した後に、さらにドライエッチングを行って、n型AlGaNコンタクト層106の清浄な表面を露出させることが望ましい。例えば、ウエハを塩酸溶液に3分間浸漬した後に、そのウエハをRIE反応性イオンエッチング装置に導入して厚さ0.5μm程度だけドライエッチングすればよい。このドライエッチング後に、フォトリソグラフィを利用して、n型AlGaNコンタクト層106の表面にテクスチャ構造形成のためのレジストパターンが形成される。こうして形成されるテクスチャ構造の一例が、図5の模式的斜視図に示されている。図5に示されたテクスチャ構造に含まれる円錐台状の凸部の各々は、例えば直径250μmの底面、直径225μmの上面および0.25μmの高さを有し、図6の模式的平面図に示されているように一辺350μmの正三角形の頂点に円錐台の中心が来るように周期的に配置され得る。このようなテクスチャ構造は必ずしも形成されることを要しないが、テクスチャ構造の形成によって、n型AlGaNコンタクト層106からの光取り出し効率を向上させることができる。また、テクスチャ構造以外でも、光取り出し効率向上のために、モスアイ構造などの他の低反射率構造をn型AlGaNコンタクト層106の表面に形成してもよい。n型AlGaNコンタクト層106の表面のテクスチャ加工後には、ECR電子サイクロトロン共鳴スパッタ装置を用いて、図7に示されているような透光性電極層301の堆積が行なわれる。具体的には、テクスチャ構造が形成されたウエハをECRスパッタ装置内に導入し、酸素プラズマ中でn型AlGaNコンタクト層106の表面酸化処理を行い、引き続いてその酸化処理された表面上に酸素プラズマ中でMgZnOの透光性導電膜301が堆積される。スパッタ装置中では、あらかじめMgとZnの組成比が調整されたMgZn合金ターゲットまたは組成比の調整されたMgZnOターゲットのいずれを用いてもよい。しかし、いずれの場合においても、MgZnO膜中に酸素欠乏が生じないように、スパッタリング中の成膜室内の圧力を制御することが必要である。MgとZnの組成比に関連して、MgxZn1-xOのバンドギャップエネルギEは、次式1によって表すことができる。E=3.281-x7.80x-3.47x1-x式1したがって、発光層107から放出される光に対してMgZnO導電膜301が透光性であるためには、発光層から放出される光のエネルギに対して透光性となるバンドギャップエネルギEを満たすMg組成比xを選択することが必要である。また、MgZnO膜が透光性導電膜として機能するためには、高い電子移動度を有することが必要であり、一般的には100cm2/Vs程度の移動度を有することが必要である。スパッタリング法で形成されたMgZnO膜は非晶質状であるので、その電子移動度は単結晶などの場合と比較して著しく低い。ECRスパッタリング法で形成された非晶質MgZnO膜中の移動度は、10cm2/Vs以下であった。このような移動度を有するMgZnO膜は、導電膜として使用するためには不十分である。したがって、スパッタリングで堆積された非晶質MgZnO膜の結晶化を行って、MgZnO膜の電子移動度を改善することが必要である。また、MgZnO膜の移動度を改善するためには、n型の不純物として機能するAl、Ga、Inなどの元素を1020/cm2程度だけスパッタリングターゲットにあらかじめドーピングしておくことも効果的である。なお、本願明細書において、結晶化されたMgZnOとはX線回折測定においてMgZnOからの回折ピークがランダムに複数観測される状態を意味し、c軸配向MgZnO膜とは窒化物半導体層のC面と平行にMgZnO膜のC面の回折ピークが観測される状態を意味し、そして単結晶MgZnO膜とは窒化物半導体層のC面と平行にMgZnO膜のC面の回折ピークが観測されかつ非対称測定において6つの対称結晶面からの回折ピークがそれぞれ独立して測定され得る状態を意味する。なお、非晶質MgZnOとは、MgZnOからの回折ピークが観測されない状態、または明確な回折ピークが観測されなくてピークが非常にブロードな状態を意味する。スパッタリングで堆積された非晶質MgZnO膜は、その結晶化のために熱処理される。具体的には、非晶質MgZnO膜301が堆積されたウエハが熱処理装置に導入され、例えば30酸素と70窒素との混合気体雰囲気中において450°Cで15分間熱処理される。この熱処理によって非晶質MgZnO層が結晶化し、結晶粒が配列してc軸配向性を有し得る。この結果、結晶化されたMgZnO層中で、特にc軸方向の電子移動度が飛躍的に向上する。したがって、発光素子構造を縦型すなわちc軸方向に通電させる構造にした場合に、素子特性が飛躍的に改善することとなる。MgZnO膜がc軸配向していることは、MgZnO結晶のc軸に垂直な0002面などの結晶面に関してX線回折測定を行うことによって確認することが可能である。なお、上述のような熱処理後のMgZnO膜の電子移動度を測定したところ、不純物をドープしていない場合に95cm2/Vsであって、Gaをドープした場合に125cm2/Vsであった。ところで、MgZnO膜は、スパッタリング法以外に、PLDパルスレーザ堆積法、CVD化学気相堆積法、MOCVD法、MBE法などの方法でも形成することが可能である。すなわち、PLD法を用いた場合でも、熱処理を行えば、良好な多結晶のc軸配向したMgZnO膜を形成することが可能である。また、MBE法やMOCVD法を用いた場合は、単結晶MgZnO膜を形成することが可能となる。単結晶MgZnO膜では、非晶質やc軸配向のMgZnO膜と比較して、より高い電子移動度を達成することが可能であって、透光性導電膜301の特性を飛躍的に向上させることができる。さらに、MBE法やMOCVD法を用いた場合、MgZnO膜301の組成比を厳密に制御することによって、下地層であるn型AlGaN層106と格子整合させることも可能であり、この場合には結晶欠陥に起因する光吸収も低減されて飛躍的に透過率が高くなり、透光性導電膜の特性として必要な高い移動度と高い透過率が同時に達成され得る。しかしながら、MgO結晶は岩塩構造であってZnO結晶はウルツ鉱構造であるので、MgZnO中のMg組成比を増大させるにしたがって相分離が発生し、MgZnO層の結晶性が著しく悪化する。したがって、単結晶ZnMgO層を形成する場合においては、Mgの組成比は0.75以下にすることが望ましい。なお、式1においてx=0.75として計算した場合には、バンドギャップエネルギEが6.02eVとなり、このエネルギギャップに対応するエネルギを持つ光の波長は206nmとなる。したがって、Mg組成比が0.75以下であっても、発光層107からの発光波長215~365nmの範囲にわたって透光性のZnMgO層を形成することが可能である。n側パッド電極の形成n側パッド電極形成用のレジストパターンがフォトリソグラフィを利用して形成された後に、ウエハを蒸着装置内へ導入して、Ti/Al/Ti/Auの積層からなるn側パッド電極層が蒸着される。こうしてパッド電極層が形成された後に、ウエハが蒸着装置から取り出されて、パッド電極層のリフトオフ処理を行って、n側パッド電極302が形成される。マウントn側パッド電極302の形成が終われば、ウエハはダイシングによって適切なサイズ例えば1mm×1mmの複数のチップに分割される。チップ分割によって得られた各紫外LEDチップはステムにマウントされ、n側パッド電極などに配線が行われ、そして紫外線透過樹脂などで封止されて紫外LED素子となる。実施例1図1に示すように、サファイア基板101の一主面上に、厚さ15nmのAlNバッファ層102、厚さ0.5μmのAlN層103、厚さ0.06μmのAl0.44Ga0.56N下地層104、Al0.22Ga0.78N/AlN超格子からなる基板剥離層105、厚さ2μmのn型Al0.45Ga0.55Nコンタクト層106、AlGaN/AlGaNからなる発光層107、厚さ15nmのp型Al0.85Ga0.15Nブロック層108、厚さ150nmのp型Al0.45Ga0.55N層109、および厚さ50nmのp型GaNコンタクト層110を順に積層した。MOCVD装置内での結晶成長の終了後、積層された窒化物半導体層を含むウエハがMOCVD装置から取り出され、p型層を活性化するための熱処理が行われた。具体的には、ウエハが熱処理装置内に導入され、900°Cの高温で5分間だけ熱処理された。熱処理の雰囲気は、3の酸素が混合された窒素/酸素混合気体であった。ウエハのp型活性化熱処理の終了後には、p側反射電極の形成が行われた。すなわち、ウエハが蒸着装置内へ導入され、図2に示されているように、p型GaNコンタクト層110上にPd薄膜のコンタクト電極層201が形成された。このとき、Pd電極層201による光吸収を抑制するためにその透過率が75以上であることが必要であり、このためにPd電極層の厚は2.5nmに設定された。そして、Pd薄膜コンタクト電極層201上には、発光層107からの光を反射する厚さ500nmのAlのミラー電極層202が形成された。このミラー電極層は、発光層からの発光波長の光に対して75以上の反射率を有し、発光層からp層側に放射された紫外光はこのミラー電極層によってn側透光性電極層側に反射され、発光素子からの光取り出し効率の向上に寄与する。このようなミラー電極202は、接着層203を用いて支持基体204に接合された。本実施例1においては、245nm~275nmの紫外光に対して耐性のあるAg粒子含有導電性ポリイミド樹脂が接着層203として用いられた。支持基体204としては、導電性を有しかつ熱伝導率の高いCu-W板が用いられた。Alミラー電極層とCu-W板とにAg粒子含有導電性ポリイミド樹脂が塗布された後に450°Cで硬化され、これによってウエハとCu-W板が接合された。なお、接着剤として、ポリイミドの代りに、エポキシなどを含む導電性樹脂を用いてもよい。支持基体204が接合されたウエハにおいて、サファイア基板101の剥離が行われた。この基板剥離は、レーザリフトオフ法を用いて行われた。図3に示されているように、波長266nmのレーザ光がサファイア基板101側からウエハ内へ照射された。この照射レーザ光は、Al0.22Ga0.78N/AlN超格子層105で吸収される。これは、Al0.22Ga0.78Nが波長266nm付近において吸収機能を有するからである。超格子層105で吸収されたレーザ光のエネルギが熱エネルギに変換されて超格子層が熱分解され、これによってサファイア基板101からAlGaN層104までの部分と、n型AlGaNコンタクト層106からCu-W支持基体204までの部分とに分離された。図4に示されているように、レーザ照射によって基板を除去した剥離面には、レーザ照射によって分解したAlGaN/AlN超格子層105に起因する残留物が付着しているので、その剥離面の清浄化が行われた。具体的には、塩酸と水が1:1の割合で混合された溶液中にウエハが3分間浸漬された。その後、水洗と乾燥を行った後に、n型AlGaNコンタクト層106の表面層が厚さ0.50μm程度だけドライエッチングによって除去された。これは、n型AlGaNコンタクト層106の清浄な表面を露出させるためである。また、ドライエッチングに用いる塩素ガスの影響によってn型AlGaNコンタクト層106の表面が改質され、その上に形成されるMgZnO透光性電極とのオーミック接合が容易に形成され得るようになるからである。本実施例1においては、n型AlGaNコンタクト層106のドライエッチングは、RIE装置内で反応性ガスとしてCl2を用いて約5分間で厚さ0.50μm程度の表面層が除去された。なお、ドライエッチングに関しては、RIE装置以外にICP誘導結合プラズマ装置などを用いることも可能である。また、エッチングに用いる反応性ガスに関しても、Cl2以外にBCl3、SiCl4などのようなハロゲン元素を含む反応性ガスを用いてもよい。また、エッチングの深さは、レーザリフトオフによるダメージ層が除去できれば0.50μm以上であってもそれ以下であってもよいが、MgZnO透光性電極と良好なオーミック接合を得るためにはn型AlGaNコンタクト層106内でエッチングを終了させることが必要である。本実施例1では、図5から図7に示されているようなテクスチャ構造を形成することなく、n型AlGaN層106上にMgZnO透光性電極層301が形成された。具体的には、ECRスパッタ装置にウエハを導入し、酸素プラズマ中で、n型AlGaNコンタクト層の表面の酸化処理が行なわれた。この酸化処理が行なわれるのは、n型AlGaNコンタクト層に対しては酸素原子がドナーとして働くので、MgZnO膜との間でオーミック接触が形成され易くなるからである。そして、表面酸化処理されたn型AlGaN層106上に、酸素プラズマ中でMgZnOの透光性導電膜301が形成された。本実施例1においては、あらかじめMgOの組成が55でZnOの組成が45に調整されたMgO/ZnO混合焼結体がスパッタリングのターゲットとして用いられた。これは、本実施例における、発光層からの光の波長が254nmであるので、その光のエネルギよりも広いバンドギャップを有するMgZnO膜を形成するためである。この場合に、MgZnO膜が発光層からの光を吸収することはなく、発光波長に対して透光性となるので、透光性導電膜として機能し得る。すなわち、MgxZn1-xO膜のバンドギャップエネルギは、MgとZnの組成比xに関して上述の式1で表されるので、x=0.55のときはE=4.96eVとなる。このバンドギャップエネルギは、波長250nmの光のエネルギに相当する。したがって、この場合のMgZnO膜は250nmより長い波長の紫外光を透過し、発光層から放射される254nmの紫外光に対しても透光性となる。なお、本実施例1において、MgO/ZnOターゲットには不純物のドーピングは行われず、MgZnO膜の厚さは200nmに設定された。MgZnO膜の形成が終了すれば、ウエハをECRスパッタ装置から取り出し、MgZnO膜を結晶化させるために熱処理が行われた。ウエハが熱処理装置に導入され、酸素30窒素70の混合気体雰囲気中において450°Cで15分間の熱処理が実施された。この熱処理によって、スパッタリングで形成されたMgZnO膜内のグレイン結晶粒が結合してc軸配向性を有することになった。また、この熱処理は、n型AlGaNコンタクト層106とMgZnO層301との界面におけるオーミック接合を形成する合金化反応も促進するとともに、MgZnO膜表面での酸素空孔に酸素を再結合させる効果をも有し、これによって紫外発光に対するMgZnO膜の透光性も改善されて透過率が高くなる。なお、ECRスパッタ装置で形成したZn0.55Mg0.45O膜に関して波長254nmの紫外光に対する透過率を測定したところ、熱処理前は72であったが熱処理後には86となり、透光性導電膜として機能するのに分な透過率を有していることが確認できた。このように、MgZnO膜は、熱処理によって高い透過率と高い導電性を同時に持つこととなり、良好な透光性導電膜として機能し得る。熱処理されたMgZnO膜301上には、n型パッド電極302が形成された。具体的には、フォトリソグラフィを利用してn型パッド電極形成用のレジストパターンを形成した後に、ウエハを蒸着装置内へ導入し、Ti/Al/Ti/Au多層膜のn型パッド電極層が堆積された。その後、蒸着装置からウエハを取り出して、パッド電極形成のためのリフトオフ処理が行われた。このリフトオフ処理後に、MgZnO膜とTi/Al/Ti/Au電極層との合金化を行うために、450°Cで3分間の熱処理が行われた。n型パッド電極302が形成されたウエハは、1mm×1mmサイズの複数のチップに分割された。チップ分割によって得られた紫外LEDチップは、サブマウントを介してステム上にマウントされ、n側パッド電極に配線が行なわれ、紫外線透過樹脂で封止され、こうして紫外LED素子が得られた。実施例2実施例2において作製された窒化物半導体紫外発光素子は、実施例1に比べて、図5から図7に示されているようなテクスチャ構造がn型AlGaNコンタクト層106上に形成されたことのみにおいて異なっていた。すなわち、本実施例2では、n型AlGaNコンタクト層106の表面のドライエッチング時において同時にテクスチャ構造が形成された。すなわち、サファイア基板がレーザ剥離されたウエハの剥離面の塩酸処理、水洗、および乾燥までが実施例1の場合と同様に行なわれ、その後にフォトリソグラフィを利用してテクスチャ構造形成用のフォトレジストのパターニングが行われた。レジストパターンを有するウエハがRIE装置に導入され、図5から図7に示されているようなテクスチャ構造がドライエッチングによってn型AlGaNコンタクト層106に形成された。本実施例2では、テクスチャ構造中の各凸部は、底部の直径が250μmで上部の直径が225μmの円錐台形状であって図5参照、底部と頂部との高低差は0.25μmに設定された。このような円錐台状凸部の複数が、図6に示されているように、一辺350μmの正三角形の頂点に円錐台の中心が来るように周期的に形成された。テクスチャ構造の形成後には、図7に示されているように、MgZnO透光性電極301およびTi/Al/Ti/Au多層膜からなるn型パッド電極302が、実施例1の場合と同様の方法で形成された。実施例3実施例3は、実施例1に比べて、MgZnO膜301がMBE法で堆積されたことのみにおいて異なっていた。より具体的には、n型AlGaNコンタクト層106のドライエッチングまでの工程は、実施例1の場合と同様に行われた。しかし、RIE装置から取り出されたウエハは、続いてRF高周波-MBE装置内へ導入された。ウエハを酸素プラズマ中で5分間酸化処理を行った後に、MBEセルからMgとZnを供給してMgZnO膜が成長させられた。このとき、セルからの原料供給量を調整することによって、発光層からの254nmの紫外光に対して透光性であるMg0.55Zn0.45O膜301が形成された。MgZnO膜をMBE法で形成する場合、下地であるn型AlGaNコンタクト層と格子定数が近いのでエピタキシャル成長となり、単結晶のMgZnOを成長させることが可能である。単結晶MgZnO膜は、非晶質、多結晶、およびc軸配向の多結晶のいずれと比較しても、格段に改善された電子移動度を有し、透光性導電膜としての高い電流拡散効果を有し得る。本実施例3においても、Mg0.55Zn0.45O膜の厚さは200nmに設定された。比較例1比較例1においては、一般的な横型構造を有する窒化物半導体紫外発光素子が作製された。具体的には、本比較例1においても、実施例1の場合と同じ条件で、図1に示されているようにサファイア基板101上に複数の窒化物半導体層102~110が積層された。しかし、比較例1の発光素子の作製においては、実施例1の場合のような支持基体204やMgZnO透光性導電膜301が付与されることはなかった。より具体的には、比較例1では、図1に示されているようなウエハに対してフォトリソグラフィを利用して、n型電極を形成するためにメサ部分形成用のレジストのパターニングが行われた。レジストパターンの形成されたウエハがRIE装置内に導入され、n型Al0.45Ga0.55Nコンタクト層106の途中までドライエッチングが行われ、図8に示されているようなメサ部が形成された。メサ部が形成されたウエハに再びフォトリソグラフィを適用して、p型電極形成用のレジストのパターニングが行われた。このレジストパターンが付与されたウエハがスパッタ装置内に導入され、p型コンタクト電極401用のITO層の堆積が行われた。形成されたITO層401に対しては、その透光性の向上およびオーミック接触形成のための熱処理が行なわれた。その後、Ti/Au積層膜のp型パッド電極402およびTi/Al/Ti/Au多層膜のn型パッド電極403が形成された図9参照。これらのパッド電極が付与されたウエハは、ダイシングによって、図9に示されているような1mm×1mmサイズの複数のチップに分割された。チップ分割で得られた比較例1の各紫外LEDチップは、サブマウントを介してステム上にマウントされ、各パッド電極などに配線が行われ、紫外線透過樹脂でモールドされ、こうして比較例1の紫外LED素子が得られた。評価上述の実施例1から3および比較例1の各紫外LED素子について、100mAの電流を流したときの光出力の比較が行われた。その結果、実施例1の光出力を1.0とした場合に、実施例2、実施例3および比較例1の光出力は、それぞれ1.3、1.1および0.3であった。このことから、ITOを透光性電極として用いた従来の横型LED素子に比べて、本発明による縦型LEDは、p型層側に反射金属ミラーを設けかつサファイア基板剥離後のn型層上にZnMgO透光性導電膜を形成することによって、改善された高い光出力を有し得ることが分かる。なお、上述の実施形態や実施例ではいずれの窒化物半導体層もInを含んでいないが、望まれる場合にInを含めてもよいことは言うまでもない。