"ゲート抵抗Aを通した主ゲート電流の注入および注入をオフすることによって半導体スイッチング素子をオンオフ制御する半導体スイッチング素子のゲート制御回路において、前記半導体スイッチング素子のゲート端子にゲート抵抗Aを通した主ゲート電流とは独立して、前記半導体スイッチング素子のコレクタエミッタ間電圧Vceがしきい値を超えたときにゲート抵抗Bを通して該半導体スイッチング素子のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入し、前記電圧Vceがしきい値を下回ったときに前記ゲート抵抗Bを通した前記電圧補償ゲート電流の注入をオフする電圧補償ゲート制御回路を備えたことを特徴とする半導体スイッチング素子のゲート制御回路。前記ゲート抵抗Aの抵抗値に対して前記ゲート抵抗Bの抵抗値を小さくし、該ゲート抵抗Aを通した主ゲート電流の注入量に対して該ゲート抵抗Bを通した電圧補償ゲート電流の注入量を大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体スイッチング素子のゲート制御回路。前記電圧補償ゲート電流を注入した後に該電圧補償ゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分を半導体スイッチング素子のゲート端子から引き抜く注入電荷引き抜き回路を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体スイッチング素子のゲート制御回路。非特許文献1で提案する図7のアクティブゲート制御回路では、IGBTの電圧Vceとリファレンス電圧しきい値の差電圧に比例した電流をIGBTのゲートに注入する電流制御により、電圧Vceの上昇を防止する。このアクティブゲート制御回路は、電圧Vceとリファレンス電圧しきい値の差電圧に比例した電荷をIGBTのゲート端子に注入し続ける自動電圧制御になるため、IGBTには能動領域非飽和領域での動作状態が発生し、この状態が比較的長い時間続くことでIGBT自体の電力損失の増大と発熱という問題が生じる。特許文献1で提案する図8のゲート制御回路では、直列接続される複数の半導体素子にそれらのターンオフタイミングの差で電圧Vceにアンバランスが発生した場合、過電圧が印加された半導体素子例えばIGBT1のインタフェース回路IFの制御出力を切り替えてIGBT1を再オンさせることにより、IGBT1の過電圧を抑制して素子破壊を防止する。しかし、IGBT1を再オンしたときに掛かる電圧Vceが下がると、その降下分だけ直列接続した他方の半導体スイッチング素子例えばIGBT2の電圧Vceが上昇してしまう。この電圧上昇に対して、IGBT2のゲート制御回路が過電圧を防止しようとして再オンし、その素子に掛かる電圧Vceが下がると、過電圧を防止した最初のIGBT1に電圧Vceの再度上昇する。このような電圧Vce上昇と再度のオン制御の繰り返しは、図9に示すように、IGBT1とIGBT2が交互にオン動作して電圧Vceがしきい値レベルで上下するという共振現象を呈し、この共振発生はスイッチ回路の不安定なスイッチング動作およびIGBTのスイッチング損失による発熱の問題がある。本発明の目的は、スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制のためのゲート制御を確実、容易にし、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易にした半導体スイッチング素子のゲート制御回路を提供することにある。本発明は、前記の課題を解決するため、半導体スイッチング素子をオン、オフ制御する主ゲート電流と、半導体スイッチング素子のコレクタエミッタ間の電圧Vceをしきい値に抑制する電圧補償ゲート電流を、半導体スイッチング素子のゲート端子に独立して注入し、さらに主ゲート電流を注入するゲート抵抗Aの抵抗値に対して電圧補償ゲート電流を注入するゲート抵抗Bの抵抗値を小さくし、さらにまた半導体スイッチング素子のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入した後に該電圧補償ゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分を半導体スイッチング素子のゲート端子から引き抜くようにしたもので、以下の構成を特徴とする。1ゲート抵抗Aを通した主ゲート電流の注入および注入をオフすることによって半導体スイッチング素子をオンオフ制御する半導体スイッチング素子のゲート制御回路において、前記半導体スイッチング素子のゲート端子にゲート抵抗Aを通した主ゲート電流とは独立して、前記半導体スイッチング素子のコレクタエミッタ間電圧Vceがしきい値を超えたときにゲート抵抗Bを通して該半導体スイッチング素子のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入し、前記電圧Vceがしきい値を下回ったときに前記ゲート抵抗Bを通した前記電圧補償ゲート電流の注入をオフする電圧補償ゲート制御回路を備えたことを特徴とする。2前記ゲート抵抗Aの抵抗値に対して前記ゲート抵抗Bの抵抗値を小さくし、該ゲート抵抗Aを通した主ゲート電流の注入量に対して該ゲート抵抗Bを通した電圧補償ゲート電流の注入量を大きくしたことを特徴とする。3前記電圧補償ゲート電流を注入した後に該電圧補償ゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分を半導体スイッチング素子のゲート端子から引き抜く注入電荷引き抜き回路を備えたことを特徴とする。以上のとおり、本発明によれば、ゲート抵抗Aを通した主ゲート電流の注入および注入をオフすることとは独立して、スイッチング素子のコレクタエミッタ間電圧Vceがしきい値を超えたときにゲート抵抗Bを通してスイッチング素子のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Vceがしきい値を下回ったときにゲート抵抗Bを通した電圧補償ゲート電流の注入をオフする電圧補償ゲート制御を行うため、IGBTの能動領域での動作が継続せず、スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制ゲート制御が確実、容易になり、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易になる。実施形態1図1は、本実施形態を示す半導体スイッチング素子のゲート制御回路である。IGBT1とゲートドライブ回路2は、図5の場合と同じ構成にされ、ゲート信号に従ってゲート抵抗Aを通してIGBT1のゲート端子に主ゲート電流の注入および注入をオフすることで、IGBT1をターンオンターンオフ制御するゲート制御回路を構成する。この半導体スイッチング素子のコレクタエミッタ間電圧Vceの過電圧抑制さらには他のスイッチング素子との間の電圧バランスを補償する電圧補償ゲート制御回路は、抵抗分圧回路3によってIGBT1のコレクタエミッタ間電圧Vceを検出し、この電圧Vceがしきい値を超過したか否かをコンパレータ4で監視し、電圧Vceがしきい値を超過したときのコンパレータ4のオン出力をドライバ5から補償信号Aとして出力し、この補償信号Aによって補償制御回路6の補償スイッチ素子SW1を強制的にオンさせ、補償制御回路6のゲート抵抗Bを通してIGBT1のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入する。また、電圧Vceがしきい値を下回ったときにゲート抵抗Bを通したゲート電流の注入をオフする。したがって、従来の非特許文献1によるアクティブゲート制御回路図7は検出電圧Vceとしきい値の偏差に応じた補償電流IGAによる自動電圧制御になるのに対し、本実施形態による電圧補償ゲート制御回路は、検出電圧Vceがしきい値を越えたときにIGBT1のゲート端子に電圧補償ゲート電流を注入し、しきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入を停止に切り替えるオンオフ補償信号Aを発生する。すなわち、非特許文献1では過電圧抑制にはIGBT1の動作状態が能動領域非飽和領域で動作する時間が長くなるのに対し、本実施形態では電圧Vceの過電圧抑制には電圧補償ゲート電流の注入オンとその停止オフになり、IGBT1の能動領域非飽和領域で動作が継続されず、その電力損失の増大および発熱の問題は解消される。ここで、本実施形態によるゲート制御回路は、従来の特許文献1によるゲート制御回路図8と同様に、IGBT1の過電圧発生を判別したときに補償信号AによってIGBT1にゲート電流を注入することになるが、このゲート電流の大きさが異なる。すなわち、特許文献1でのIGBTのオン制御と再オン制御は、インタフェース回路IFのオン出力への切り替えになり、同じ抵抗値のゲート抵抗Rgonを通した同量のゲート電荷注入になる。これに対し、本実施形態によるIGBT1のターンオン制御時にはゲートドライブ回路2のオン出力によってゲート抵抗Aを通したゲート電荷注入になるのに対し、IGBT1の電圧補償時にはゲート抵抗Aを通したゲート電荷の注入をオフしてゲート抵抗Bを通したゲート電荷注入になる。この違いにより、本実施形態では、IGBTのオン制御時と電圧補償時の電荷注入量をゲート抵抗A,Bの抵抗値によって個別に設計調整することができ、IGBTの回路条件スイッチング速度などに応じたターンオンゲート電流制御と電圧補償制御を同時に満足できる回路設計およびゲート電流制御ができる。また、本実施形態では、IGBTを複数直列接続した半導体スイッチ回路のゲート制御に適用して、従来の特許文献1における過電圧発生と再オン制御の繰り返しによる共振動作を起こすことなく、スイッチング素子の過電圧抑制と分担電圧のバランス制御を確実、容易にする。実際には、本実施形態では、ゲート抵抗Aの抵抗値に比べてゲート抵抗Bの抵抗値を低い値に設定するのが好ましい。この抵抗値関係とすることで、ゲート抵抗Bを通したゲート電荷注入はIGBT1に過電圧が判別されたときのみになり、ゲート抵抗Bの抵抗値をゲート抵抗Aの抵抗値よりも小さいものにすることで、電圧補償時のゲート電荷注入量を大きくし、電圧Vceがしきい値を超過した時点で速やかに複数直列接続したIGBTでバランスの取れた電圧レベルに抑制することができ、しかも1種類のゲート抵抗Aによる遅れた抑制による従来の共振動作を回避できる。ただし、ゲート抵抗Bは、その抵抗値を小さくし過ぎると、IGBT1のスイッチング速度が速くなって、サージが大きくなり、ノイズが多く発生してしまうため、これらを回避できるよう抵抗値に下限を設ける。図2は本実施形態による電圧バランス制御の各部波形図を示す。図2において、ゲート信号のオフタイミングでターンオフ制御される図1のIGBT1の電圧Vce1、およびこれに直列接続されるIGBT2の電圧Vce2は、ゲート抵抗Aの抵抗値でほぼ決まる傾斜で上昇する。ここで、電圧Vce1がしきい値を超えた時に補償信号Aが発生した場合、ゲート抵抗Bを通してIGBT1にゲート電流による電荷の注入が開始される。このときゲート抵抗Bはゲート抵抗Aに比べて小さい値に設定されており、速やかに電圧Vce1はそれまでの傾斜よりも低い傾斜に抑制されて電圧が上昇し、しきい値レベル近辺の電圧に抑制される。一方、IGBT2の電圧Vce2は、IGBT1の電圧Vce1の抑制によってそれまでの傾斜よりも高い傾斜で電圧が上昇するが、電圧Vce1がしきい値レベル近辺の電圧に早期に抑制されることで急速な電圧上昇が抑えられ、そのしきい値レベルまで上昇することは回避され、相互のIGBTのコレクタエミッタ間電圧Vce1とVce2の分担電圧がバランスする。これにより、IGBT1とIGBT2の間による共振動作を防止できる。なお、本実施形態では、IGBT1とIGBT2の直列接続で説明をしたが、複数直列接続した場合でも、同様に各々IGBTのゲート制御回路にゲート抵抗Aとゲート抵抗Bを設けて各IGBTのコレクタエミッタ間電圧Vceがしきい値電圧を超えた時にゲート抵抗Bを通した電荷の注入でゲート電流を制御することで、各々IGBTのコレクタエミッタ間電圧の分担電圧をバランスすることができる。実施形態2図3は、本実施形態を示す半導体スイッチング素子のゲート制御回路である。同図が図1と異なる部分は、直列接続した上側のIGBT1と下側のIGBT2で半導体スイッチ回路を構成する場合の共振動作を確実に防止できるよう、IGBT1の電圧Vce検出値がしきい値を下回った場合にIGBT1のゲート端子に注入した電荷量分を引き抜く注入電荷引き抜き回路7~10を追加した点にある。この注入した電荷の引き抜きには、注入量演算回路7はドライバ5で発生する補償信号Aの発生時間積算時間とゲート抵抗Bの抵抗値からゲート注入電荷量を求め、タイマー8は補償信号Aの復帰で起動して電荷注入の完了後から一定時間だけオン動作し、ドライバ9はタイマー8のオン動作期間だけ補償制御回路10の補償スイッチ素子SW2を強制的にオンさせる補償信号Bを発生し、補償制御回路10は補償信号Bのオン期間だけゲート抵抗Cを通してIGBT1のゲート電荷を引き抜く。図4は本実施形態による電圧バランス制御の各部波形図を示し、補償信号Aによる過電圧抑制と共振防止をした後、補償信号Bによる注入電荷の引き抜きを行なう。このときの引き抜き時間補償信号Bの期間はゲート抵抗BとCの抵抗値の違いに応じて決定される。本実施形態によれば、注入電荷引き抜き回路7~10により、補償信号でゲート電流を注入した電荷量とほぼ同じ電荷量分を引き抜くことで、コレクタエミッタ間電圧Vceのオーバーシュートを抑制でき、さらには、スイッチ回路の動作速度を高めることができる。また、IGBT間の共振現象を確実に防止することができる。"