"支持された電子放射チップと、取り出しアノード2と、前記放射チップと前記取り出しアノード2との間に電位差を生成可能な手段と、を備える、電界放射型電子銃4であって、前記放射チップ4は、ナノファイバ上に化学蒸着することによって形成される1つの端部コーン、および1つの導電チップ支持部を有し、前記コーンは、前記導電チップ支持部と整列して、該導電チップ支持部に結合されることを特徴とする、電子銃。前記端部コーンは、その材料が、カーボンと、化学式CxByNzによって記載され、または表される材料と、を含む材料グループから選択されるコーンであり、Cはカーボンに相当し、Bはボロンに相当し、且つNは窒素に相当することを特徴とする、請求項1に記載の電子銃。前記ナノファイバは、その材料が、カーボンと、化学式CxByNzによって記載され、または表される材料と、化学式SixOyによって記載され、または表される材料と、を含む材料グループから選択されるナノファイバであり、Cはカーボンに相当し、Bはボロンに相当し、Nは窒素に相当し、Siはシリコンに相当し、且つ、Oは酸素に相当することを特徴とする、請求項1または2に記載の電子銃。前記ナノファイバは、カーボンナノチューブであり、該カーボンナノチューブの直径は、20nmよりも小さく、好ましくは10nmよりも小さいことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の電子銃。前記導電チップ支持部は、金属チップ、特にタングステンからなる金属チップであることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の電子銃。前記チップ4は、タングステンからなる金属フィラメント6によって支持されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の電子銃。前記端部コーンは、0.5~10μmの範囲の長さを有することを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の電子銃。前記放射チップおよび前記取り出しアノードは、チャンバ内に配置され、前記チャンバにおいて、特に非蒸発性のゲッターを用いたポンプを使用して、高真空が形成されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の電子銃。電子銃および柱を備え、前記柱は、電子光学コンポーネントのような種々の部材と、前記電子銃によって放射された電子を加速させる手段とを有する、電子顕微鏡であって、前記電子銃は、請求項1~8のいずれか1項に記載の電子銃であることを特徴とする、電子顕微鏡。前記加速手段は、200kV以下の電位差を生成可能な手段を有することを特徴とする、請求項9に記載の電子顕微鏡。局部的に電子を照射する装置、特に、ナノエッチング装置またはナノリソグラフィー装置であって、1以上の、請求項1~8のいずれか1項に記載の電子銃を備えることを特徴とする、装置。支持された電子放射チップ4と、取り出しアノード2と、前記放射チップと前記取り出しアノード2との間に電位差を生成可能な手段と、を備えた、電界放射型電子銃を製造する方法であって、ナノファイバ上に化学蒸着することによって端部コーンを製造し、次いで、前記端部コーンを導電チップ支持部に整列させ、前記端部コーンを導電チップ支持部に結合することによって、1つの前記導電チップ支持部、および1つの前記端部コーンを用いて、前記放射チップ4を形成することを特徴とする、方法。ナノマニピュレータと、GISとして知られるガス導入システムとを備えた、FIB装置として知られる集束イオンビーム装置によって生成された金属イオンのビームを用いて、前記端部コーンを前記チップ支持部に結合することを特徴とする、請求項12に記載の方法。タングステンからなる導電チップ支持部と、タングステンイオンを生成するように構成されたFIB装置と、気体タングステンを導入するように構成されたGISと、を用いることを特徴とする、請求項13に記載の方法。したがって、技術的な課題は、厳しい条件の下、超高真空において、継続的に、超高電圧下で動作すると同時に、高輝度、高強度、低いエネルギー分散、および、高い空間的コヒーレンスを、安定且つ持続可能な特性とともに与えることができる、電子顕微鏡法用の電子銃を得ることである。この目的のために、本発明は、支持された電子放射チップと、取り出しアノードと、放射チップと取り出しアノードとの間に電位差を生成可能な手段とを備える電界放射型電子銃を提供する。本発明によれば、放射チップは、ナノファイバ上に化学蒸着することによって形成される1つの端部コーン、および1つの導電チップ支持部例えば、金属製チップを有し、コーンは、導電チップ支持部と整列して、該導電チップ支持部に結合される。原理的には、このような構造によって、電子ビームの優れた空間的コヒーレンスを得ることが可能となる。チップの端部の寸法は、従来技術に係る銃の放射チップの端部に比べて、実質的に大幅に小さくすることができる。本発明の電子銃において、端部コーンは、その材料が、カーボンと、化学式CxByNzによって記載され、または表される材料と、を含む材料グループから選択されるコーンである場合、使用される端部コーンによって、良好な性能を得ることが可能となる。ここで、Cはカーボンに相当し、Bはボロンに相当し、且つNは窒素に相当する。ナノファイバに関して、例えば、ナノファイバは、その材料が、カーボンと、化学式CxByNzによって記載され、または表される材料と、化学式SixOyによって記載され、または表される材料と、を含む材料グループから選択されるナノファイバである。ここで、Cはカーボンに相当し、Bはボロンに相当し、Nは窒素に相当し、Siはシリコンに相当し、且つ、Oは酸素に相当する。しかしながら、材料が化学蒸着プロセスと両立可能である場合、異なる材料から製造されたナノファイバを有するように、提供されてもよい。良好な製造を得るために、ナノファイバは、有利には、カーボンナノチューブであり、該カーボンナノチューブの直径は、20nmよりも小さく、好ましくは10nmよりも小さいnm=10-9m。ここで、チューブの直径は、放射チップの端部または先端ここでは、カーボンまたは他の材料のコーンの端部の直径に相当する。本発明に係る電子銃においては、導電ポイント支持部は、タングステンからなる。何故ならば、タングステンとカーボンとの間に良好な結合を形成することができるからである。また、チップ用の支持部を、例えばタングステンからなる金属フィラメントとしてもよい。支持部は、2つのマイクロ電極または他の支持装置によって構成されてもよい。本発明に係る電子銃に用いられる端部コーンは、例えば、0.5~10μm1μm=10-6mの範囲の長さを有する。上記したように、電界放射型または冷陰極型電子銃は、超高真空を生成することを要する。ここで、チャンバ内で真空を形成するために、例えばNEGNon-EvaporableGetter:非蒸発性ゲッターポンプを用いることが有利である。上記チャンバにおいて、放射チップと取り出しアノードが設置される。また、本発明は、透過型の電子顕微鏡に関する。この電子顕微鏡は、電子銃および柱を備え、柱は、電子光学コンポーネントのような種々の部材と、電子銃によって放射された電子を加速させる手段とを有する。ここで、この電子銃は、上記した電子銃である。また、本発明は、上記した電子銃を備えた、他の如何なる装置に関し、特に、局部的に電子を照射する装置、特に、このような銃、または、該銃を有するナノエッチング装置もしくはナノリソグラフィー装置を備えた、走査型電子顕微鏡またはエッチング装置に関する。本発明に係る顕微鏡用の加速手段は、200kV以上の電位差を生成可能な手段を有する。当然ながら、より低い電位差も想定され得る。本発明の詳細および利点は、添付した図面を参照して説明された以下の記載によって、より明確となるであろう。本発明は、電子顕微鏡に関し、特に、透過型または走査型の電子顕微鏡に関する。この分野において、本発明は、斬新な電子銃を提供するものであって、このような電子銃を用いる電子顕微鏡のために、非常に有利な性能を得ることを可能とする。このため、本発明は、例えば、分光法、ホログラフィー、および暗視野ホログラフィーの分野におけるアプリケーションを包含する。また、本発明は、ナノエッチングの分野に関する。本発明に係る電子銃は、FEGFieldEmissionGun:電解放射銃タイプのものである。このような銃においては、電子は、フィラメントとアノードとの間に存在する電界の取り出し力によって、金属フィラメント例えば、タングステンから取り出される。ここでは、電界放射の原理が用いられ、これはトンネル効果とも呼ばれる。電子の取り出しは、真空下で行われる。取り出し電圧は、一般的には、2000V~7000Vすなわち、2kV~7kVの間に設定される。本発明は、好ましくは、冷陰極電界放射銃に用いられる。この場合、フィラメントは加熱されず、電子の放射は、純粋な電界放射となる。ここで、本発明は、タングステンフィラメントの放射チップを修正することによって、冷陰極の電界放射銃FEGとして知られる構造を用いることを、提供する。一方、従来技術に係る電子銃の放射チップは、一般的に、タングステンから製造される。本稿では、本発明の好ましい実施形態において、カーボンオンナノチューブcarbon-on-nanotubeのコーンを用いることを提供する。放射チップの端部は、理想的には、1つの原子から形成される。しかしながら、そのようなチップを製造する方法は知られていない。公知のタングステンチップは、一般的には、50~100nm1nm=10-9mのオーダーの寸法を有する先端すなわち、チップにおける、最も末端の領域を有する。本発明に関しては、その先端がナノメートルのオーダーの直径を有するような、電子放射用のコーンの使用を提供する。カーボンナノファイバによって支持されているカーボンコーンを製造するために、化学蒸着技術Time-of-flight:飛行時間型とも呼ばれるを用いることは、既に知られている。しかしながら、炭素系以外のナノファイバの特徴を有してもよい。これらは、例えば、シリコン系であってもよい。また、ボロンCxBy系によってドープされたナノファイバも提供されてもよいし、または、他の可能性として、窒素CxNy系によってドープされたカーボン系ナノファイバ、もしくは、より一般的には、CxByNz系に属するナノファイバが提供されてもよい。コーンに関しても同様に、コーンは、上記したようにカーボンから構成されてもよいが、これに限らず、ボロンCxBy系によってドープされたカーボンコーンであってよいし、または、他の可能性として、窒素CxNy系によってドープされたカーボン系コーン、もしくは、より一般的には、CxByNz系に属するコーンであってもよい。カーボンコーンの合成は、当業者に公知である。これは、以下のように要約される。このようなコーンの製造の原理は、ナノファイバを堆積用の基材として用いること、および、化学蒸着プロセスを用いることに在る。ナノファイバは、フィラメントまたはナノチューブであり、その直径は、ナノメートルのオーダーである。化学蒸着プロセスは、筒状のピストン型オートクレーブを用いる。このオートクレーブは、非常に広範なクラッキング堆積領域cracking-depositzoneを堆積させるものである。Allouche、Monthioux、およびJacobsenによるカーボンナノチューブに対する熱分解カーボンの化学蒸着Carbon41,2897-2912という文献には、ナノファイバにおける、このようなコーンの形態論と、このようなコーンの合成プロセスについて、記載されている。本稿では、新しいタイプの電子顕微鏡用の電子銃を提供するために、このようなコーンを用いることを、提供する。図3に示すように、この銃の概略構造は、冷陰極FEGである。この銃は、特に、取り出しアノード2を備え、取り出しアノード2は、正電位を有している。この正電位によって、電子は、チップ4から、純粋な電界放射により取り出される。図3に示すように、チップ4エミッタ先端とも呼ばれるは、V字状のフィラメント6の端部に設置されている。フィラメント6は、抑制器8の内部に配置される。このような抑制器の設置は、必須ではなく、抑制器の省略によって、本発明の範囲から逸脱することはない。上記したように、ナノファイバ上に支持されたコーンを使用することが、電子エミッタ先端として提供される。このようなコーンは、ミクロサイズのベースを備えるので、容易に操作され得る。したがって、コーンのベースを、冷陰極FEGにて従来使用されているタングステンフィラメントの端部に配置することによって、コーンは、位置決めされ、固定される。このようなコーンの端部または、先端は、コーンを保持するナノチューブに相当する直径を有する。したがって、本稿では、先端のサイズは、ナノメートルのオーダーであって、例えば、0.2nm~10nmの間である。よって、本稿におけるチップは、従来技術に係るタングステンよりも、遥かに小さい。コーンの先端は、依然として存在し、且つコーンの端部から突出する場合、コーンを支持するナノチューブの先端であってもよい。特に、電流に耐えるためのキャパシティー、機械的強度、および耐熱性等に関する、カーボンナノチューブの特性によって、極高い輝度を有し、且つ、透過型電子顕微鏡の分野において、空間的および時間的コヒーレンスの技術的段階を前進させるような電子ビームを生成することが可能となる。FEGの分野にて広く知られているように、図3に示す銃は、チップ/取り出し器の組立体を備え、この組立体は、特に、チップ4と取り出しアノード2を有する。この第1ブロックは、電子を供給し、次いで、電子を集束させる。次に、加速アノード10は、第1ブロックによって供給された電子を加速する。銃は、2つのステップのプロセスに従って動作する。電子を取り出す第1ステップは、最も重要となる。何故ならば、第1ステップは、用いられるビームの特性を規定するからである。本発明は、銃のこの部分に関する。加速に係る第2ステップは、本発明に関連するものではない。取り出しに関連する動作原理は、本発明に係る銃の第1ブロックの構造が、従来技術に係る冷陰極FEG電子銃の第1ブロックと異なっていたとしても、同じ原理に従って動作する。取り出しに関して、フェルミエネルギーEFに到達するまで、チップに存在する電子は、蓄積され、チップから脱出するために、エネルギー障壁Φによって分離された真空中に入射する必要がある。本発明に係る銃においては、正の高電圧V例えば、3000Vは、電界Fのために、先端に可能な限り近い位置で、印加される。電界Fにて、先端は、可能な限り高い。このFは、電圧Vに比例する。電界の存在に起因して、より高い取り出し電圧に対してより急となる負の傾きによって、真空中の電位をモデル化することができる。このように、フェルミエネルギーにある電子は、電界の効果によって電位障壁が十分に下げられた場合に、トンネル効果によって電位障壁を通り抜けることによって、真空中に脱出する。論理的には、取り出し電圧Vが高くなる程、放射電流は高くなる。放射チップの端にて上記したようなコーン特に、カーボンコーンを用いることによって、放射領域のサイズは、大幅に減少され、これにより、取り出しアノードに印加される正電圧Vに起因する、先端における電界Fの値を増加させることができる。フィールド要因比率F/Vに相当するは、ここでは、従来技術に係る公知のチップのフィールド要因よりも遥かに大きい。本発明に係る電子銃におけるカソードを製造するために、導電性のチップ特に、タングステンは、同じ材料から製造されるV字状のフィラメントの上に、微細結合される。使用されるタングステンは、例えば、その結晶の向きが晶帯軸[310]に沿って方向付けられているものである。しかしながら、他の金属、または電気的導体が、チップを製造するために用いられてもよい。ここでは、熱電子源として用いられるフィラメントに相当するフィラメントを、用いてもよい。そして、先端が約百~数百nmのオーダーとなるチップを製造するために、タングステンチップは、炭酸の混合物を用いて細くされる。このように処理されたフィラメントと、カーボンコーンは、FIBFocusedIonBeam:集束イオンビーム装置内に配置される。FIB装置は、ナノマニピュレータと、GISGasInjectionSystem:ガス導入システムとを備える。コーンのベースは、イオンビームによって切断され、次いで、チップをタングステンフィラメントの軸に沿って配列することに特に注意しつつ、タングステンフィラメントの端部に結合される。予め切断されたコーンベースの、タングステンチップに対する位置決めは、ナノマニピュレータによって行われる。結合に関しては、イオンビームの効果と、気体タングステン導入の効果の組み合わせを利用して、行われる。次いで、タングステンチップとカーボンコーンを有するチップは、電子の取り出しが行われる位置で、電子銃の第1ブロックに配置される。次いで、真空が電子銃内に形成される。超高真空例えば、10-10Torr以下すなわち、約1.33×10-8Pa以下に相当する真空が、ここで形成される。その全表面に不純物が付着しているチップを洗浄するために、上記のポイントを浄化するステップが、600°C程に達する温度で行われる。電子の放射において不安定化をもたらす、このような不純物を除去することは、重要である。一旦、これらのステップが実行されると、本発明に係る電子銃は、電子顕微鏡特に、透過型または走査型の電子顕微鏡の柱の頂部に、設置される。従来の顕微鏡の構造が知られており、この構造においては、現在必要となっている不良な機械的な整列を光学的に補償するために、電子銃の後に、偏向コイルが設置される。このような電子銃は、ナノエッチング装置、または、一般的には、極めて局部的に、電子ビームによって対象物を照射することを要する如何なる装置例えば、電子ナノリソグラフィー内においても、使用され得る。電子銃の内部にて真空を形成するために、ポンプ12が用いられる。好ましい実施形態によれば、このポンプは、NEGタイプのポンプ、すなわち、非蒸発性のゲッターポンプであり、このポンプにより、超高真空を形成可能となる。このタイプのポンプは、ガストラップを用いており、このガストラップは、化学吸着または吸着により作用する。このガストラップを生成するために用いられる材料は、ゲッターと呼ばれ、例えば、ジルコニアまたはチタンに基づく合金から、製造される。図4は、このような電子銃の一実施形態を示している。閉じられた空間14は、フィラメント6およびチップ4を受容する。このフィラメント6は、U字状であり、カソード16によって、保持される。カソード16は、2つのターミナル18を有する。U字状のフィラメント6の自由端は、それぞれ、ターミナル18に接続される。上記したように、フィラメント6は、円筒状のベースによって形成されたチップ4を保持し、ベースの一端は、先尖化するように機械加工される。円筒状のベースは、フィラメント6に、U字の底端にて、固定される。このチップ4は、例えば、タングステンから形成される。図4の上側の写真は、チップ4より具体的には、その円筒ベースと、フィラメントとの間の接続を示している。チップ4は、上記したコーンのためのチップ支持部である。図4の中央の写真は、チップ4の先尖化された先端を示している。チップ4の先端は、フィラメント6の反対側に配置されている。この画像では、比較的に大きなスケールで、コーンを明確に識別することができない。なお、このコーンは、写真上に示されているように3番目の写真にて、拡大されたスケールで明確に視認可能となる。ここで、先尖化された先端4は、結合によって固定されたコーンを保持している。このコーンから、電子が、上記した電子銃より放射される。電子を取り出すために、取り出しアノード2が、チャンバ14の底部の下に配置されていることを、理解されるであろう。小さな開口が形成されている上記ベースに対面するように、コーンが配置される。取り出しアノード2は、チャンバ14のベースの下に設置され、上記小さな開口を取り囲む。電子は、取り出しアノード2とカソード16との間に形成される電位差に起因して、取り出される。一旦、電子が取り出されると、チャンバ14の外部に向かい、取り出しアノード2を通過して、且つ、集束アノード20を通過する。この集束アノード20は、ここでは、ベル状である。その頂部に設けられた開口によって、電子が通過可能となる。特に、電子ビームの通路の位置において、ベル内部に真空を形成可能とするために、側壁に開口が設けられる。図1は、時間秒に対する電子ビームmAの強度を示すグラフである。このグラフは、1時間における強度の変動が、16以下となっていることを示している。図2は、放射されたビームの、良好な空間的コヒーレンス性能を示している。このグラフにおいて、本発明に係る電子銃の空間的コヒーレンスに関する性能が、タングステンフィラメントのみを備える電子銃と比較されている。図2に示されているように、空間的コヒーレンスは、従来技術に係る冷陰極FEGにて得られるものよりも、少なくとも2倍良好である。この図における曲線C1は、タングステンチップを独自に備えた従来の電子銃にて得られた曲線を示す。曲線C2は、本発明に係る、同じタイプの電子銃にて得られた曲線を示す。また、本発明に係る電子銃は、より低い輝度を得ることを可能とする。この輝度は、1.610-9Am-2Sr-1V-1、すなわち、タングステンのみのチップを用いた従来のFEGよりも、5倍大きい値である。本発明に係る電子銃における、上記した比率F/Vとして言及されるフィールド要因は、13000の値を有する。この値は、専用の試験台にて計測され、透過型電子顕微鏡のホログラフィーによって確認される。最終的には、電子銃は、200kVの高電圧下にて安定した。チップおよびコーン組立体の形状、および結合方法によって、このように得られた組立体は、堅固であり、且つ、チップの振動を制限する。また、上記したように、高輝度は、チップのカーボンまたは、ボロンおよび/または窒素でドープされたカーボンのような、他の材料の先端によって、得られる。また、タングステンチップ上にコーンを取り付けることによって、この構造が高電流に耐えることができることから、高い強度を得ることが可能となる。放射チップの品質、およびその寸法によって、形成される電子ビームにおいて、エネルギー分散を低くすることが可能となる。ナノメートルサイズの先端によって、高い空間的コヒーレンスを得ることもできる。製造されているような、タングステンとカーボンとの間の結合は、安定した結合であり、これにより、装置の超高真空下において優れた安定性と耐久性を保証することができる。これら全ての性能特性は、以下を意味する。すなわち、本発明に係る電子銃は、電子顕微鏡法の分野、特に、例えば分光法、ホログラフィー、および暗視野ホログラフィーといった特定のアプリケーションにおける透過型電子顕微鏡法において、有利に用いることができる。さらには、以下のことも加えられ得る。特に電子顕微鏡法での使用に供される冷陰極電子源の分野において、NielsdeJonge等は、放射チップとしてカーボン特に、複数壁multi-wallナノチューブの利点を強調することにより主要な進歩を成し遂げたNdeJonge等によるNature4202002の393-395、NdeJonge等によるAPL8591607-16092004、NdeJonge、N.J.vanDrutenUltramicroscopy95200385-91、NdeJonge等によるAPL87、133118P872005、NdeJonge等によるPRL94、186807P12005、NdeJonge等によるNanoLetters3、1621-16242003、C.J.EdgecombeとNdeJongeによるJ.Vac.Sci.Technol.BB242869-8732006。残念ながら、耐電圧容量、機械的安定性、ナノチューブとフィラメントとの電気的接触等に本質的に関連する、多くの技術的課題があることから、この技術を、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、電子リソグラフィー等の市場に移転することが、妨げられているNdeJonge等によるNature4202002の393-395、NdeJonge等によるAPL8591607-16092004、NdeJonge、N.J.vanDrutenUltramicroscopy95200385-91、NdeJonge等によるAPL87、133118P872005、NdeJonge等によるPRL94、186807P12005、NdeJonge等によるNanoLetters3、1621-16242003、C.J.EdgecombeとNdeJongeによるJ.Vac.Sci.Technol.BB242869-8732006。この文脈において、本発明は、その全価値を見出した。正確には、コーン特に、カーボンコーンの使用によって、機械的スチフネスを改善しつつ、材料に関連する利点を維持することができ、且つ、高電圧に耐えうる容量、および、優れた電気接触を可能とした。これら容量と電気接触の利点は、双方とも、コーンのベースと導電フィラメントとのとの間の大規模な結合領域から由来するものである。また、優れた容量と電気接触のみならず、コーン特に、カーボンコーンの使用によって、Jongeと彼の共同研究者によって使用されたものよりも優れた品質の、FIBイオン結合を可能とした。この新しい技術を用いることによって、僅か2時間の作業で、従来の冷陰極のタングステン銃を、上記したカーボンのまたは他のソースに、十分に変換することができる。これにより、上記した輝度、コヒーレンス、および電流安定性の特性を向上させることができ、且つ、真空を変動させずに維持することができる。本発明は、上記した実施形態と、言及された変形例に限定されるものではない。本発明は、特許請求の範囲の文脈において当業者の能力内にある様々な実施形態に関するものである。したがって、例えば、タングステンフィラメントと、カーボンの放射チップとの間に、あるコンポーネントが介装された場合も、本発明の範囲から逸脱しない。特に、スピンフィルタの介装が想定され得る。このスピンフィルタの介装によって、スピン偏極した電子ビームを得ることが可能となる。"