"円盤状のセラミックプレートと、前記セラミックプレートの内部に形成された熱電対収納スペースと、前記熱電対収納スペースに収納され、互いに材料組成の異なる第1及び第2素線の先端同士が接合されて測温部を形成している熱電対と、を備えたサセプター。前記セラミックプレートは、一対のセラミックディスクを接合したものであり、前記熱電対収納スペースは、前記一対のセラミックディスクの一方の接合面に形成された水平溝であるか又は両方の接合面に形成された水平溝同士を合わせたものである、請求項1に記載のサセプター。前記第1及び第2素線は、前記一対のセラミックディスクの接合温度以上の耐熱性を有している、請求項2に記載のサセプター。前記熱電対は、前記測温部が前記セラミックプレートの外周側に配置されている、請求項1~3のいずれか1項に記載のサセプター。前記熱電対は、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面の近くに配置されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のサセプター。前記熱電対は、前記測温部が前記ウエハ載置面の近くに配置されるよう屈曲している、請求項5に記載のサセプター。前記測温部は、前記セラミックプレートにばね力をもって接する形状に形成されている、請求項1~6のいずれか1項に記載のサセプター。前記熱電対は、前記セラミックプレートの中に放射線状に複数埋設されている、請求項1~7のいずれか1項に記載のサセプター。前記熱電対は、前記第1及び第2素線が前記測温部を除き互いに離間した状態で素線のまま前記熱電対収納スペースに収納されている、請求項1~8のいずれか1項に記載の記載のサセプター。前記熱電対は、前記第1及び第2素線が前記測温部を除き互いに離間した状態で保護管に被覆されたものである、請求項1~8のいずれか1項に記載のサセプター。前記熱電対は、シース熱電対である、請求項10に記載のサセプター。前記セラミックプレートに取り付けられた中空のシャフトと、該シャフトのうち前記セラミックプレートと反対側に取り付けられた支持部材とを備え、前記シャフトの内部は不活性ガスでパージされている、請求項1~11のいずれか1項に記載のサセプター。請求項1~11のいずれかに記載のサセプターを製造する方法であって、a一方又は両方に前記熱電対を配置するための水平溝が形成された一対のセラミックディスクを用意する工程と、b前記水平溝に前記熱電対を配置した状態で前記一対のセラミックディスクを接合することにより、前記水平溝が前記熱電対収納スペースになった前記セラミックプレートを得る工程と、を含むサセプターの製法。しかしながら、外周側に熱電対用の穴を設けてその穴に熱電対を配置する場合、次のような問題がある。すなわち、通常、セラミックプレートのうちウエハ載置面とは反対側の面には中空のシャフトが取り付けられ、そのシャフトの内部に熱電対や給電線などが配置される。このため、セラミックプレートの外周側に開けた穴に熱電対を配置する場合、シャフトの径を大きくする必要があるが、そうすると、例えば、ウエハ載置面上のウエハを上下させるリフターピンをセットできないおそれがある。リフターピンは、シャフトの外側においてセラミックプレートの外周側に設けた貫通穴に挿通されるものであるが、シャフトの径が大きくなりすぎると、セラミックプレートのうちシャフトの外側の領域が狭くなりすぎてリフターピンを設置するスペースがなくなるからである。この点を考慮すると、セパレータプレートに熱電対を埋めてしまうことが考えられるが、その場合には製造時や使用時に熱電対に過度の圧力がかかり、耐久性を損ねることがある。本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供することを主目的とする。本発明は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。本発明のサセプターは、円盤状のセラミックプレートと、前記セラミックプレートの内部に形成された熱電対収納スペースと、前記熱電対収納スペースに収納され、互いに材料組成の異なる第1及び第2素線の先端同士が接合されて測温部を形成している熱電対と、を備えたものである。このサセプターでは、熱電対はセラミックプレートの内部に形成された熱電対収納スペースに収納されているため、熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫することがない。また、熱電対収納スペースを形成せずにセラミックプレートに熱電対を埋設した場合に比べて、製造時や使用時に熱電対に過度の圧力がかかることがない。本発明のサセプターにおいて、前記セラミックプレートは、一対のセラミックディスクを接合したものであり、前記熱電対収納スペースは、前記一対のセラミックディスクの一方の接合面に形成された水平溝であるか又は両方の接合面に形成された水平溝同士を合わせたものとしてもよい。こうすれば、セラミックプレートの内部に熱電対収納スペースを容易に作製することができる。この場合、前記第1及び第2素線は、前記一対のセラミックディスクの接合温度以上の耐熱性を有していることが好ましい。こうすれば、セラミックディスクを接合する際の熱によって第1及び第2素線が断線するおそれがない。なお、水平溝と熱電対とのクリアランス深さ方向の隙間は、ゼロだと接合界面が剥離又は熱電対が断線するおそれがあることから、ゼロより大きいことが好ましい。また、クリアランスは、測温精度が低下したりウエハ載置面の均熱性が低下したりすることのない大きさに設定するのが好ましく、水平溝が熱電対よりもわずかに大きい程度のクリアランスにすることが好ましい。ここで、W-Re合金は、高融点金属3000°C以上であり、各種のセラミック例えばAlN,Al2O3,MgOなどの接合温度以上の耐熱性を有するため、熱電対の素線の材質として有用である。W-Re熱電対としては、例えば、所定割合0重量を含むのレニウムを含むタングステンからなる第1素線と、前記所定割合とは異なる割合でレニウムを含むタングステンからなる第2素線と、各素線の先端を接合して形成された測温部とを備えたものが挙げられる。また、Pt-Rh合金も、良好な耐熱性を有するため、熱電対の素線の材質として有用である。Pt-Rh合金を利用した熱電対としては、B熱電対、R熱電対、S熱電対が知られている。例えば、B熱電対を使用する場合、接合温度が1450°C以下であることが好ましい。例えば、AlN又はAl2O3の焼結体粉を骨材としてCaO,Al2O3を混ぜた融材により接合する場合には、1200~1450°Cで接合可能なため、Pt-Rh合金を使用することができる。Pt-Rh熱電対としては、例えば、所定割合0重量を含むのロジウムを含む白金からなる第1素線と、前記所定割合とは異なる割合でロジウムを含む白金からなる第2素線と、各素線の先端を接合して形成された測温部とを備えたものが挙げられる。更に、一対のセラミックディスクをAlロウ接合する場合には、その接合温度は400~500°Cのため、熱電対の素線の材質として500°C以上の耐熱性を有する合金を使用することができる。本発明のサセプターにおいて、前記熱電対は、前記測温部が前記セラミックプレートの外周側に配置されていてもよい。こうすれば、外周側の温度を測定するのに適したサセプターを提供することができる。本発明のサセプターにおいて、前記熱電対は、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面の近くに配置されていてもよい。こうすれば、熱電対はウエハ載置面から離れているため、熱電対がウエハ載置面の均熱性へ及ぼす影響を小さくすることができる。この場合、前記熱電対は、前記測温部が前記ウエハ載置面の近くに配置されるよう屈曲していてもよい。こうすれば、熱電対によって測定された温度はウエハ載置面の温度とほとんど一致する。本発明のサセプターにおいて、前記測温部は、前記セラミックプレートにばね力をもって接する形状に形成されていてもよい。こうすれば、測温部はセラミックプレートに絶えず接触した状態になるため、セラミックプレートの測温精度が高まる。本発明のサセプターにおいて、前記熱電対は、前記セラミックプレートの中に放射線状に複数埋設されていてもよい。こうすれば、セラミックプレートの外周側の複数点を測温できるため、半導体製造プロセスでウエハの温度分布を調べることができる。本発明のサセプターにおいて、前記熱電対は、前記第1及び第2素線が前記測温部を除き互いに離間した状態で素線のまま前記熱電対収納スペースに収納されていてもよい。この場合、熱電対収納スペースは、例えば、第1素線を収納する第1素線収納部と、第2素線を収納する第2素線収納部と、測温部を収納する測温部収納部とを備え、第1素線収納部と第2素線収納部とは測温部収納部で繋がりそれ以外の部分で分離するように形成されていてもよい。本発明のサセプターにおいて、前記熱電対は、前記第1及び第2素線が前記測温部を除き互いに離間した状態で保護管に被覆されたものでもよい。この場合、熱電対収納スペースは、保護管で被覆された熱電対を収納可能な一本の空洞であればよい。このように保護管で被覆された熱電対を使用すれば、第1及び第2素線は過度の圧力を一層受けにくくなる。また、周囲で発生するノイズ例えばヒータ線に交流電流を流したときに発生するノイズ等を遮断しやすいため、ノイズによる測温精度の低下を防止することもできる。ここで、熱電対は、シース熱電対であることが好ましい。シース熱電対は、金属保護管に絶縁材を充填し、その絶縁材の中に第1及び第2素線を互いに接触しないように挿通した構造のものである。測温部は、絶縁材から露出していてもよいし、絶縁材の中に埋め込まれていてもよい。本発明のサセプターは、前記セラミックプレートに取り付けられた中空のシャフトと、該シャフトのうち前記セラミックプレートと反対側に取り付けられた支持部材とを備え、前記シャフトの内部は不活性ガスでパージされていてもよい。こうすれば、熱電対に接続された導線がシャフト内で露出していたとしても、シャフト内は不活性ガスでパージされているため、酸化を防止することができる。例えば、熱電対に接続される導線にWやW-Re合金が使用されている場合、WやW-Re合金は酸化雰囲気で劣化しやすいため、シャフト内を不活性ガスでパージするのが好ましい。一方、熱電対に接続される導線にPtやPt-Rh合金が使用されている場合、PtやPt-Rh合金は酸化雰囲気でも劣化しにくいため、シャフト内を不活性ガスでパージしなくても構わないもちろん不活性ガスでパージしてもよい。本発明のサセプターの製法は、a一方又は両方に前記熱電対を配置するための水平溝が形成された一対のセラミックディスクを用意する工程と、b前記水平溝に前記熱電対を配置した状態で前記一対のセラミックディスクを接合することにより、前記水平溝が前記熱電対収納スペースになった前記セラミックプレートを得る工程と、を含むものである。このサセプターの製法によれば、一対のセラミックディスクを接合する際、熱電対は水平溝に配置されているため、過度の圧力が加わることがなく、第1及び第2素線が断線するのを防止することができる。なお、上述した各種のサセプターを製造するのに必要な手順を、このサセプターの製法の工程a又はbに加えたり、あるいは、新たな工程としてこのサセプターの製法に加えたりしてもよい。本発明の好適な実施形態を以下に図面を参照しながら説明する。図1はサセプター10の縦断面図である。なお、説明中、上下左右を用いることがあるが、これは相対的な位置関係を表すのに用いているだけであるから、例えば上を下に、左を右に置き換えても構わない。サセプター10は、半導体等を製造する装置の部品として用いられるものであり、例えば静電チャックやセラミックヒーターなどが挙げられる。このサセプター10は、表面がウエハ載置面Sである円盤状のセラミックプレート20と、このセラミックプレート20のウエハ載置面Sとは反対側の面裏面に接合された中空状のシャフト40とを備えている。セラミックプレート20は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。このセラミックプレート20は、一対のセラミックディスク22,24を接合したものである。厚さは、上方のセラミックディスク22に比べて下方のセラミックディスク24の方が薄い。上方のセラミックディスク22には、内周側抵抗発熱体26と外周側抵抗発熱体28とが埋設されている。両発熱体26,28は、例えばタングステンや炭化タングステンを主成分とするコイルで構成されている。内周側抵抗発熱体26は、セラミックプレート20の中央付近に配設された一端26aから、一筆書きの要領でセラミックプレート20の中心を含む小円領域Z1のほぼ全域に配線されたあと他端26bに至るように形成されている。外周側抵抗発熱体28は、セラミックプレート20の中央付近に配設された一端28aから、一筆書きの要領で小円領域Z1よりも外周側の環状領域Z2のほぼ全域に配線されたあと他端28bに至るように形成されている。両発熱体26,28の配線パターンの具体例は、ここでは図示しないが、例えば特許文献1の図1のパターンなどが挙げられる。このセラミックプレート20の内部には、セラミックプレート20の中央側から外周面の手前に至るように半径方向に沿って熱電対収納スペース30が形成され、その熱電対収納スペース30に熱電対50の一部が収納されている。熱電対50は、セラミックプレート20の外周付近の温度を測定するものであり、互いに材料組成の異なる第1及び第2素線51,52と、第1及び第2素線51,52の先端を接合した測温部50aと、第1及び第2素線51,52を被覆する高純度アルミナ又はMoからなる水平及び垂直保護管53,54と、を備えている。すなわち、熱電対50は保護管付き熱電対である。各素線51,52は、一対のセラミックディスク22,24を接合するときの接合温度以上の耐熱性を有している。また、各保護管53,54は、パイプ状のものであり、内部空間に各素線51,52が互いに非接触な状態で挿通されている。熱電対50としては、ここでは、第1及び第2素線51,52がWやW-Re合金のものを使用した。WやW-Re合金は、高融点金属3000°C以上であり、各種のセラミック例えばAlN,Al2O3,MgOなどの接合温度以上の耐熱性を有するため、各素線51,52の材質として有用である。例えば、特開平8-73280号公報によれば、AlN製の一対のセラミックディスクを固相接合する場合の接合温度は1850~2000°Cであり、Si3N4製のセラミックディスクとAlN製のセラミックディスクとを固相接合する場合の接合温度は1800~1900°Cであり、Si3N4製の一対のセラミックディスクを固相接合する場合の接合温度は1800~1950°Cであると記載されているが、WやW-Re合金であればいずれの接合温度であっても耐熱性を有する。W-Re熱電対としては、Wからなる第1素線51とReを26含むWからなる第2素線52との組み合わせW-W/26Re、Reを5含むWからなる第1素線51とReを26含むWからなる第2素線52との組み合わせW/5Re-W/26Re、Reを3含むWからなる第1素線51とReを25含むWからなる第2素線52との組み合わせW/3Re-W/25Reなどがある。なお、は重量を表す。線径は、例えば直径φ0.08~0.5mmである。下方のセラミックディスク24の上面には、水平溝24aが半径方向に一本形成されている。この水平溝24aのディスク外周側の端部は、上方のセラミックディスク22に掘られた垂直穴22aに繋がっており、水平溝24aのディスク中央側の端部は、下方のセラミックディスク24を上下方向に貫通する貫通穴24bに繋がっている。また、水平溝24aは、一対のセラミックディスク22,24が接合されることにより熱電対収納スペース30となる。熱電対50は、水平保護管53の部分が水平溝24aに収容され、測温部50aが垂直穴22aに収容されている。また、第1及び第2素線51,52は、水平溝24aのディスク中央側の端部から垂直に立ち下がるようにして貫通穴24bを通過している。この第1及び第2素線51,52のうち、貫通穴24bより下方の部分を第1及び第2導線61,62と称する。第1及び第2導線61,62は、シャフト40の内部では垂直保護管54を挿通しており、支持台46を気密に通過して外部に達している。なお、水平溝24aは、セラミックプレート20のうちウエハ載置面Sとは反対側の近い面に位置している。また、水平溝24a、貫通穴24b及び垂直穴22aは熱電対50を過不足なく収納できる大きさ、つまり熱電対50と略同じ大きさ熱電対50よりもわずかに大きい程度に形成されている。水平溝24aの断面形状は、特に限定されるものではなく、例えばU字状、V字状、四角形状などが挙げられる。また、水平溝24aと熱電対50とのクリアランス深さ方向の隙間は、ゼロだと接合界面が剥離するおそれがあることから、ゼロより大きいことが好ましい。クリアランスは、測温精度が低下したりウエハ載置面の均熱性が低下したりすることのない大きさに設定するのが好ましく、水平溝24aが熱電対50よりもわずかに大きい程度のクリアランスにすることが好ましい。シャフト40は、一端がセラミックプレート20に接合され、他端が支持台46にOリングを介して気密に接続されている。シャフト40の内部には、内周側抵抗発熱体26の一端26a及び他端26bのそれぞれに接続される給電棒図示せずや外周側抵抗発熱体28の一端28a及び他端28bのそれぞれに接続される給電棒図示せずが配置されている。また、シャフト40の内部には、セラミックプレート20の中央付近の温度を測定する内周側熱電対図示せずが配置されるほか、前出の第1及び第2導線61,62が垂直保護管54に被覆された状態で配置されている。次に、サセプター10の製造例について説明する。なお、便宜上、ここでは、内周側抵抗発熱体26や外周側抵抗発熱体28については説明を省略する。図2は、サセプター10の製造工程図である。まず、一対のセラミックディスク22,24を用意する。そして、下方のセラミックディスク24の上面に水平溝24aを形成すると共に、その水平溝24aのうちディスク中央側の端部から上下方向に貫通穴24bを形成する。また、上方のセラミックディスク22の下面に、垂直穴22aを形成する。このときの様子を図2aに示す。この垂直穴22aは、一対のセラミックディスク22,24を重ね合わせたときに、水平溝24aのうちディスク外周側の端部と繋がるように形成する。続いて、熱電対50を用意する。この熱電対50のうち、水平保護管53を水平溝24aに収容する。また、垂直保護管54が貫通穴24bから垂直下向きとなるように第1及び第2素線51,52を曲げる。更に、測温部50aが水平溝24aのディスク外周側の端部から上を向くように第1及び第2素線51,52を曲げる。このときの様子を図2bに示す。続いて、一対のセラミックディスク22,24を固相接合することにより、セラミックプレート20を得る。固相接合は、各セラミックディスク22,24の接合面を中心線平均粗さRa0.2μm以下、平面度0.2μm以下となるように加工し、両接合面の少なくとも一方の上に接合助剤の溶液を塗布し、両接合面を当接した状態で熱処理する。接合助剤としては、例えばイットリウム化合物硝酸イットリウム、塩化イットリウム、硫酸イットリウム、酢酸イットリウムなどやイッテルビウム化合物硝酸イッテルビウム、塩化イッテルビウム、硫酸イッテルビウム、酢酸イッテルビウムなどが挙げられる。また、熱処理の温度は、セラミックの種類によって異なるが、例えば1850~1950°Cの範囲で設定したり、1800~1900°Cの範囲で設定する。固相接合の詳細は、特開平8-73280号公報特に要約、実験A1~A3、B1~B3、C1~C3を参照。この場合、熱電対50は、接合温度以上の耐熱性を有する必要があることを考慮すると、W-Re熱電対を用いることが好ましい。続いて、セラミックプレート20の中央にシャフト40を接合し、最後にシャフト40の下端をOリングを介して支持台46に取り付ける。なお、熱電対50は、気密状態を保つように支持台46を上下方向に貫通するように組み付ける。以上説明した本実施形態のサセプター10によれば、熱電対50はセラミックプレート20の内部に形成された熱電対収納スペース30に収納されているため、熱電対50がサセプター10の周囲のスペースを圧迫することがない。また、このような熱電対収納スペース30を形成せずにセラミックプレート20に熱電対50を埋設した場合に比べて、製造時や使用時に熱電対50に過度の圧力がかかることがない。特に、熱電対50は、水平保護管53で被覆されているため、過度の圧力を一層受けにくい上、周囲で発生するノイズ例えば抵抗発熱体で発生するノイズ等による測温精度の低下も防止できる。また、セラミックプレート20は、一対のセラミックディスク22,24を接合したものであり、水平溝24aは、セラミックディスク24の接合面に形成されたものであるため、セラミックプレート20の内部に熱電対収納スペース30を容易に作製することができる。第1及び第2素線51,52は、セラミックディスク22,24の接合温度以上の耐熱性を有するため、接合時に断線するおそれがない。更に、測温部50aがセラミックプレート20の外周側に配置されているため、セラミックプレート20の外周側の温度を容易に測定することができる。更にまた、熱電対50のうち熱電対収納スペース30に配置されている部分はウエハ載置面Sから離れているため、熱電対50がウエハ載置面Sの均熱性へ及ぼす影響を小さくすることができる。加えて、測温部50aは、ウエハ載置面Sの近くに配置されるよう屈曲されているため、測定された温度はウエハ載置面Sの温度とほとんど一致する。そしてまた、熱電対収納スペース30は熱電対50を過不足なく収納できる大きさ、つまり熱電対50よりもわずかに大きい程度であるため、熱電対50と水平溝24aとの間に生じるクリアランスを小さくすることができる。したがって、ウエハ載置面Sの均熱性を損ねることがない。そして更に、一対のセラミックディスク22,24を接合する際、熱電対50は水平溝24aに配置されているため、過度の圧力が加わることがなく、第1及び第2素線51,52が断線するのを防止することができる。なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。例えば、上述した実施形態において、図3に示すように、支持台46に上下方向の貫通孔を設け、その貫通孔にガスパージ用のノズル47を気密に挿入し、シャフト40の内部を不活性ガスでパージしてもよい。こうすれば、熱電対50の第1及び第2導線61,62がシャフト40の内部で露出していたとしても、シャフト40の内部を不活性ガスでパージしているため、酸化を防止することができる。例えば、第1及び第2導線61,62がW又はW-Re合金の場合には、酸化雰囲気で劣化しやすいため、シャフト40の内部を不活性ガスでパージするのが好ましい。また、不活性ガスでパージする前は、熱電対収納スペース30は大気であるが、不活性ガスでパージすることで熱電対収納スペース30も不活性ガスで満たされるので、熱電対50のうち熱電対収納スペース30に収納されている部分も酸化が防止される。一方、第1及び第2導線61,62がPt又はPt-Rh合金の場合には、酸化雰囲気でも劣化しにくいため、シャフト40の内部を不活性ガスでパージすることは必ずしも必要ではない。なお、支持台46には、ノズル47と共に図示しないガス抜き孔が形成され、このガス抜き孔を開放するとシャフト40の内部ガスが放出され、閉鎖するとシャフト40の内部は密閉される。ノズル47を介して不活性ガスをパージする場合には、こうしたガス抜き孔の開閉を調整しながら行う。上述した実施形態において、図4に示すように、第1及び第2素線51,52のうち測温部50aの手前の部分をばね力をもつようにツイスト状又はジグザグ状に形成して、測温部50aがそのばね力でセラミックプレート20に接するようにしてもよい。こうすれば、測温部50aはセラミックプレート20に絶えず接触した状態になるため、セラミックプレート20の測温精度が高まる。上述した実施形態では、第1及び第2素線51,52の先端を接合した測温部50aとを備え水平及び垂直保護管53,54で被覆した熱電対50が1つだけ埋設されたセラミックプレート20を使用したが、図5に示すように、熱電対50が放射線状に複数埋設されたセラミックプレート120を使用してもよい。こうすれば、セラミックプレート120の外周側の複数点図5では6点を測温できるため、半導体製造プロセスでウエハの温度分布を調べることができる。上述した実施形態では、熱電対50として、内部が空洞のパイプを用いたが、パイプの内部が絶縁材で充填されたものを用いてもよいし、円柱状で各素線51,52が通過する細長い通過孔を有するものを用いてもよい。上述した実施形態では、熱電対50として、第1及び第2素線51,52が部分的に水平及び垂直保護管53,54で被覆されたものを例示したが、図6に示すサセプター110のように、シース熱電対150を用いてもよい。シース熱電対150は、図7に断面を示すように、金属保護管153に絶縁材154を充填し、その絶縁材154の中に第1及び第2素線151,152を互いに接触しないように挿通したものである。ここでは、上方のセラミックディスク22には垂直穴22aを設けず、下方のセラミックディスク24に水平溝24a及び貫通穴24bを設けた。そして、シース熱電対150を水平溝24a及び貫通穴24bに配置した。但し、図1のように、垂直穴22aを設け、シース熱電対150の先端付近を上向きに屈曲して測温部150aをウエハ載置面Sの近くに配置してもよい。さて、シース熱電対150は、通常、金属保護管153がSUS製、絶縁材154がMgOであるが、ここでは耐熱性を考慮して、金属保護管153をMo又はTa製、絶縁材154をBN又はHfO2とした。また、W-Re熱電対を採用した。セラミックプレート20中に抵抗発熱体や高周波電極が埋設されている場合、素線のままの状態では抵抗発熱体や高周波電極からのノイズの影響を受けて熱電対の起電力が不安定になることがあるが、シース熱電対150であれば各素線151,152をノイズから保護することができるため、起電力が不安定になりにくい。上述した実施形態の熱電対50や図6のシース熱電対150としては、W-Re熱電対を用いたが、PtやPt-Rh合金も良好な耐熱性を有するため、第1及び第2素線としてPtやPt-Rh合金を利用したPt-Rh熱電対を用いてもよい。Pt-Rh熱電対としては、B熱電対極:Pt/30Rh,-極:Pt/6Rh、R熱電対極:Pt/13Rh,-極:Pt、S熱電対極:Pt/10Rh,-極:Ptが知られている。なお、は重量を表す。B熱電対を使用する場合、一対のセラミックディスク22,24の接合温度を1450°C以下とする。例えば、AlN又はAl2O3の焼結体粉を骨材としてCaO,Al2O3を混ぜた融材により接合する場合には、1200~1450°Cで接合可能なため、B熱電対を使用することができる。なお、Pt-Rh熱電対は、W-Re熱電対に比べて酸化雰囲気でも劣化しにくいという利点を有する。線径については、W-Re熱電対と同様である。更に、一対のセラミックディスク22,24をAlロウ接合する場合には、その接合温度は400~500°Cのため、熱電対の素線の材質として500°C以上の耐熱性を有する合金を使用することができる。このため、Pt-Rh熱電対やW-Re熱電対のほか、種々の熱電対K,E,J熱電対などを使用することができる。上述した実施形態では、セラミックプレート20の中に両発熱体26,28を埋設したが、セラミックプレート20のうち両発熱体26,28とウエハ載置面Sとの間に、高周波電極や静電電極を埋設してもよい。上述した実施形態では、熱電対50として保護管付きのものを熱電対収納スペース30に収容したが、図8に示すサセプター210のように、保護管のない素線のままの熱電対250をセラミックプレート220の内部に設けた熱電対収納スペース230に収納してもよい。この場合、熱電対収納スペース230は、熱電対250の第1素線251を収納する第1素線収納部231と、第2素線252を収納する第2素線収納部232と、測温部250aを収納する測温部収納部233とを備え、第1素線収納部231と第2素線収納部232とは測温部収納部233で繋がりそれ以外の部分で分離するように形成されている。セラミックプレート220は、次のようにして得られる。すなわち、下方のセラミックディスク224の接合面に平面視でV字状の水平溝を形成しておき、そのセラミックディスク224と上方のセラミックディスク222とを接合することにより、水平溝が熱電対収納スペース230になったセラミックプレート220を得る。図8に示すサセプター210も、熱電対250がサセプター210の周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対250に過度の圧力がかかることのないという効果が得られる。なお、図1のように垂直穴22aを設け、熱電対250の先端付近を上向きに屈曲して測温部250aをウエハ載置面Sの近くに配置してもよい。また、図3のように、ガスパージ用のノズル47によりシャフト40の内部を不活性ガスでパージしてもよい。[実施例1]図6に示したサセプター110を以下のようにして作製した。セラミックディスク22,24としては、いずれもAlN焼結体プレート直径φ350mm×厚さ10mmを準備した。このうち、上方のセラミックディスク22は、Moコイルからなる内周側及び外周側抵抗発熱体26,28が埋設されたものを準備した。下方のセラミックディスク24の接合面に、シース熱電対150を入れるための水平溝24a及び貫通穴24bを形成した。水平溝24aは断面U字状とし、幅を1.1mm、深さを1.1mmとした。続いて、シース熱電対150として、B熱電対シース材:SUS316、絶縁材:MgO、シース径:φ1.0mmを準備し、これを下方のセラミックディスク24の水平溝24a及び貫通穴24bにセットした。このときのシース熱電対150と水平溝24aとのクリアランス深さ方向の隙間は0.1mmであった。その後、両セラミックディスク22,24をAlロウ接合TCB接合により一体化すると同時に、下方のセラミックディスク24の下面中央に中空のシャフト40を同じくAlロウ接合TCB接合により一体化し、最後に支持台46を取り付けてサセプター110を得た。得られたサセプター110の接合状態を超音波探傷装置で調べ、各素線151,152の断線の有無をテスターで調べた。その結果、表1に示すように、接合界面での剥離は見られず、各素線151,152の断線もなかった。測温精度及び均熱性を以下のようにして調べた。図9は、温度測定時のサセプター110の説明図であり、aは平面図、bは縦断面図である。図9に示すように、サセプター110の下方のセラミックディスク24の下面中央に穴24cを形成し、その穴24cに別のシース熱電対160の測温部160aをセラミックディスク24に接するまで挿入した。この測温部160aは、もう一方のシース熱電対150の測温部150aと同じ高さになるようにした。また、シース熱電対160は、気密に支持台46を貫通するようにした。そして、内周側抵抗発熱体26と外周側抵抗発熱体28に電力を印加し、ウエハ載置面Sの温度分布を赤外線カメラを使用して計測し、ディスク外周側に設置した測温部150aの位置OUTにおける温度T1とディスク中央に設置した測温部160aの位置INにおける温度T3とがほぼ一定になるように印加電力を手動で調整した。そして、両者の温度がほぼ一定になってからその状態を230時間キープした後の両熱電対150,160の温度指示値を比較した。本来は、両熱電対150,160の温度指示値OUT,INの温度をフィードバックして両発熱体26,28の印加電力を調整し、所望の均熱性が得られるように制御するのであるが、ここでは、試験のためにOUT,INの温度がほぼ一定になるようにして両熱電対150,160の温度指示値を読み取った。また、ウエハ載置面Sのうち、水平溝24aの中央の直上位置での赤外線カメラの温度指示値T2と水平溝24aのない位置での赤外線カメラの温度指示値T4も読み取った。その結果を表1に示す。表1から明らかなように、シース熱電対150のOUTの温度指示値は、赤外線カメラによるサセプター110のウエハ載置面SでのOUTの温度指示値T1とコンマ数°Cしか違わず、ほとんど差がなかった。このため、シース熱電対150は温度をきわめて正確に計測できていると判断した。また、赤外線カメラの温度指示値T1~T4にほとんど差がなかった。このため、ウエハ載置面Sの均熱性は、シース熱電対150や水平溝24aが設けられているにもかかわらず、十分高いと判断した。[実施例2~5]実施例2~5では、シース熱電対150のシース径を1mmとし、水平溝24aの幅、深さを表1に示す値とした以外は、実施例1と同様にしてサセプターを作製したシース熱電対150と水平溝24aとの深さ方向のクリアランスは0.2~0.8mm。これらのサセプターの接合状態、断線の有無、各点での温度指示値の結果を表1に示す。これらのサセプターも、接合界面での剥離は見られず、各素線の断線もなかった。また、シース熱電対150のOUTの温度指示値は、赤外線カメラのOUTの温度指示値T1との差がほとんどなかったことから、正確に測温できていると判断した。特に、温度指示値の差は、深さ方向のクリアランスが0.5mm以下の実施例1~3の方が、クリアランスが0.6~0.8mmの実施例4,5に比べて一段と小さかったことから、クリアランスが0.5mm以下であれば、より正確に測温できると判断した。更に、実施例2~5のいずれも、赤外線カメラの温度指示値T1~T4にほとんど差がなかったことから、均熱性も十分高いと判断した。[実施例6~10]実施例6~10では、シース熱電対150のシース径を1.6mmとし、水平溝24aの幅、深さを表1に示す値とした以外は、実施例1と同様にしてサセプターを作製したシース熱電対150と水平溝24aとのクリアランスは0.1~0.8mm。これらのサセプターの接合状態、断線の有無、各点での温度指示値の結果を表1に示す。これらのサセプターも、接合界面での剥離は見られず、各素線の断線もなかった。また、シース熱電対150のOUTの温度指示値は、赤外線カメラのOUTの温度指示値T1との差がほとんどなかったことから、正確に測温できていると判断した。特に、温度指示値の差は、深さ方向のクリアランスが0.5mm以下の実施例6~8の方が、クリアランスが0.6~0.8mmの実施例9,10に比べて一段と小さかったことから、クリアランスが0.5mm以下であれば、より正確に測温できると判断した。更に、実施例6~10のいずれも、赤外線カメラの温度指示値T1~T4にほとんど差がなかったことから、均熱性も十分高いと判断した。なお、実施例1において、水平溝24aの深さ、幅をともに1.0mmシース熱電対150と水平溝24aとの深さ方向のクリアランスは0mmとして実施例1と同様にしてサセプターを作製したところ、各素線の断線はみられなかったが、接合状態は実施例1と比べるとわずかに接合界面の剥離している箇所があった。但し、実用上問題ないレベルであった。こうしたことから、接合状態を考慮すれば、シース熱電対150と水平溝24aとのクリアランスは0mmより大きいことが好ましく、0.1mm以上であることがより好ましいといえる。一方、測温精度を考慮すれば、クリアランスは0.2mm以下であることが好ましいといえる。"