板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、LD基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、上記固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するLDアレイと、同一面上に2種類の厚さの接合層が形成されたサブマウント基板と、を備え、上記平面導波路型固体レーザ素子は上記固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、上記2種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合され、上記LDアレイは発光層側の面において、上記2種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合されたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。上記2種類の厚さの接合層は、それぞれ金属のめっき層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。上記他方の種類の厚さの接合層は、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状の接合層から形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。上記2種類の厚さの接合層の厚さの差は、上記平面導波路型固体レーザ素子の上記接合層に接合される面から上記平面導波路の導波路中心高さと、上記LDアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差と、誤差が所定の誤差以下の寸法であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。しかしながら、特許文献2のように固体レーザ素子に平面型導波路を用い、かつ結合レンズを備えない場合、十分な結合効率を得ようとするとLD素子の発光点と固体レーザ素子の導波路位置とを高精度に位置決めする必要がある。特許文献2においては、LD素子と固体レーザ素子とを別々のサブマウントやヒートシンクに設置したサブモジュールとしてあらかじめ構成している。それらサブモジュール同士を位置決め調整した上で接着等の方法によって接合固定する必要があるため、部品点数および組立工数が増大するという問題点があった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、平面型導波路を備えた固体レーザ素子を用いて構成した半導体レーザ励起固体レーザにおいて、サブモジュール構造をとることなく、LD素子と固体レーザ素子の間の位置決めが容易かつ高い結合効率を得ることが可能な半導体レーザ励起固体レーザモジュールを提供することを目的とする。この発明の半導体レーザ励起固体レーザは、板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、LD基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するLDアレイと、同一面上に2種類の厚さの接合層が形成されたサブマウント基板と、を備え、固体レーザ素子は固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、2種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合され、LDアレイは発光層側の面において、2種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合するようにした。LDアレイと平面導波路型固体レーザ素子をサブマウント基板に実装した時点でLDアレイの発光点位置と平面導波路型固体レーザ素子の導波路中心が一致することから、単純な構成で、LDアレイと平面導波路型固体レーザ素子の間の高さを位置調整すること無く、高効率の半導体レーザ励起固体レーザが得られる。実施の形態1.図1は本実施の形態1に係る半導体レーザ励起固体レーザモジュール100の側面断面図、図2は上面図である。半導体レーザ励起固体レーザモジュール100は、LDアレイ1、平面導波路型固体レーザ素子101、サブマウント102、ヒートシンク4から構成されている。ヒートシンク4はCu、Fe、CuWなど高熱伝導の金属材料で構成されている。サブマウント102は、AlNもしくはSiCなどの高熱伝導絶縁材料により構成されたサブマウント基板5と、このサブマウント基板5の上下面に配置され、Cu、Ni、Auなどの高導電性かつ高熱伝導性を有する金属材料で構成された接合層6a、6b、ならびに、同じくCu、Ni、Auなどの高熱伝導金属材料で構成されたストライプ状接合層7から構成されている。このサブマウント102は、ヒートシンク4上に半田付け等の方法により実装固定されている。LDアレイ1は、厚さおよそ100μm程度のGaAsなどの材料のLD基板上に、厚さ1μm程度のn型クラッド層、厚さ0.01μm程度の発光活性層、厚さ1μm程度のp型クラッド層、厚さ2~3μm程度の電極が形成された構造となっている。このLDアレイ1は、後述の板状の固体レーザ媒質3の固体レーザの光軸に直交する端面の幅方向にアレイ状に複数の発光点を有している。また、LDアレイ1は、LD基板とは反対側の面、すなわち発光層側の面においていわゆるジャンクションダウンでサブマウント102の接合層6aに半田付け等の方法により電気機械的に接合されている。平面導波路型固体レーザ素子101は、ネオジム等の希土類元素が添加されたYVO4、YAG等の材料から構成された板状の固体レーザ媒質3、固体レーザ媒質3の屈折率と異なる材料から構成され、板状の固体レーザ媒質3の上下両面に配置されたクラッド15a、b、固体レーザ媒質3およびクラッド15a、15bを保持する固体レーザ基板2から構成されている。上下両面にクラッド15a、15bが配置された固体レーザ媒質3は平面導波路を形成する。平面導波路型固体レーザ素子101のLD側端面にはLDからの励起レーザ光の波長を透過し、固体レーザ媒質3より誘導放出される固体レーザ光の波長を反射する反射コーティング14aが、また出力側端面には固体レーザ光を部分反射する反射コーティング14bが施されている。平面導波路型固体レーザ素子101は、固体レーザ媒質3が下向きとなるようにサブマウント102のストライプ状接合層7上に半田付け等の方法により機械的に接合されている。なお、サブマウント102の、LDアレイ1が配置される接合層6aと、平面導波路型固体レーザ素子101が配置されるストライプ状接合層7は、これら2つの接合層の間に厚みの差Δtが設けられている。ここで、LDアレイ1はジャンクションダウンで配置されていることから、LDアレイ1の底面から発光層までの高さは下式で表される。発光層高さhLD=電極厚さhmetalp型クラッド厚さhpcradまた、平面導波路型固体レーザ素子101は、固体レーザ媒質3が下向きとなるように配置されていることから、平面導波路型固体レーザ素子101の底面から導波路中心12までの高さは下記で表される。導波路中心高さhcenter=固体レーザ媒質厚さhcore/2クラッド厚さhcradサブマウント102上の接合層6aとストライプ状接合層7との厚みの差Δtは下式となるように製作されている。Δt=導波路中心高さhcenter-発光層高さhLD上記のように、電極厚さhmetalは2~3μm、p型クラッド層厚さhpcradは1μm程度であり、固体レーザ媒質3の厚みは、典型的には40μm程度であるので、Δtは20μm程度となる。接合層6aとストライプ状接合層7との間に、この程度の差を持たせるのは、それぞれの接合層をめっきにより形成する場合、めっき時間などで十分調整できる差である。また、LDアレイ1がサブマウント102の接合層6a上に、平面導波路型固体レーザ素子101がサブマウント102のストライプ状接合層7上に半田付けなどで接合されるが、その半田層の厚さは数μmであり、それぞれの半田層の厚さをほぼ同一とすることは容易にできる。次に、図1~図2を用いて動作を説明する。LDアレイ1を発振発光させると、励起レーザ光11は縦横方向に一定の広がり角をもって進行し、平面導波路型固体レーザ素子101の固体レーザ媒質3に入射される。入射された励起レーザ光11はクラッド15a、15bで全反射する成分が導波路の厚み方向のモードを制御して平面導波路内に結合して進行しながら固体レーザ媒質3に吸収される。また、吸収されたエネルギーの一部は熱に変換される。固体レーザ媒質3の内部の発熱はストライプ状接合層7を通じて排熱される。ここで、ストライプ状接合層7は、図2に示すように、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状接合層により構成されている。固体レーザ媒質3表面のクラッド15aがストライプ状接合層7に接触している部分は冷却経路が短く、接触していない部分は冷却経路が長い。このため、固体レーザ媒質3には、ストライプ状接合層7に接触していない部分に対応する中心部が相対的に高い温度となる温度分布が生じる。この温度分布により材料の屈折率にも分布が生じる、いわゆる熱レンズ効果により、固体レーザ媒質内のストライプ状接合層7で接合した部分に、それぞれ集光レンズを配置したのと同等の効果が得られる。また、固体レーザ媒質3は吸収した励起光により励起されて誘導放出を生じ、反射コーティング14a、14bを共振器とし、垂直横モードは導波路により制御され、水平横モードは熱レンズ効果により制御されることでレーザ発振する。ここで、LDアレイ1の発光点位置と固体レーザ媒質3の縦方向位置がずれていると、レーザ光が十分に導波路に結合されず効率の低下を招く。しかしながら本実施の形態1による半導体レーザ励起固体レーザモジュールでは、ストライプ状接合層7と接合層6aの厚さの差をΔtとすることで、あらかじめLDアレイ発光点が導波路の中心と一致するように配置されるため、LDアレイ1の発光点と平面導波路型固体レーザ素子101との高さ位置調整を行うことなく励起光を高効率に導波路に結合できる。次に、サブマウント基板5をヒートシンク4に、LDアレイ1、平面導波路型固体レーザ素子101をサブマウント102に半田付けにより機械的に固定する際の工程について説明する。この際、半田を溶融させるための加熱冷却過程が生じる。半田をAuSnとした場合について記載する。AuSn半田を溶融させるための加熱過程において、ヒートシンク4、サブマウント102、LDアレイ1ならびに平面導波路型固体レーザ素子101は、温度が上昇するにつれ、前記の各材料の線膨張係数に応じた熱膨張を生じる。また、AuSn半田を固化するための冷却過程においては、温度が低下するにつれ前記各部品は熱収縮を生じる。LDアレイ1ならびに平面導波路型固体レーザ素子101とサブマウント102はAuSn半田の融点である280°Cに達した時点で機械的に接合されるが、融点から室温までの冷却過程において、サブマウント102とLDアレイ1ならびに平面導波路型固体レーザ素子101の熱収縮量に違いがあると、LDアレイ1内ならびに平面導波路型固体レーザ素子101内に応力が負荷される。また、前記熱収縮量の違いが大きければ大きいほど負荷される応力も大きくなり、平面導波路型固体レーザの駆動寿命が低下する。LDアレイ1の材料がGaAs、固体レーザ媒質3ならびに固体レーザ基板2の材料がYVO4とすると、それぞれの線膨張係数は66×106mmmm、17×106mmmmである。これに対して、サブマウント基板5の材料をSiCとすると、SiCの線膨張係数は37×106mmmmであり、前記LDアレイ1ならびに固体レーザ媒質3ならびに固体レーザ基板2と十分近いことから、LDアレイ1ならびに平面導波路型固体レーザ素子101の半田付け時および半導体レーザ励起固体レーザモジュール100の駆動時に温度上昇が生じた場合おいてもLDアレイ1ならびに平面導波路型固体レーザ素子101に発生する応力を十分小さくすることができる。また、サブマウント基板材料には、他の低膨張絶縁材料であるAlNやSiを用いても良い。次に、サブマウント基板5上に接合層6a、6b、7の形成方法の一例として、それぞれの接合層を金属のめっきにより形成する方法について図3を用いて説明する。まず、サブマウント基板5に接合層6a、6bに対応するレジスト層21aを形成し図3a、めっきの時間を調整して厚さt1のめっきを施す図3b。次にレジスト層21aを剥離し図3c、新たにストライプ状接合層7に対応するレジスト層21bを形成する図3d。この際、レジスト層21bは既に形成した接合層6a、6bを被覆するようにも形成する。次に、めっきの時間を調整して厚さt2のめっきを施し図3e、その後レジスト層21bを剥離する図3fことで、厚さt1の接合層6aおよび6bと、厚さt2のストライプ状接合層7が形成される。ここでt1-t2=Δtとなるようにすることで、LDアレイ1の発光部と固体レーザ媒質3の入射中心部とが位置合わせでき、位置調整無く効率の高い半導体レーザ励起固体レーザルが得られる。なお、この厚みの差Δtの誤差は、固体レーザ媒質の厚みが例えば40μmの場合、10μm程度あっても励起の効率はそれほど低下しない。この程度以下の誤差でめっきの厚みを調整するのは容易である。なお、許容される誤差は、例えば、固体レーザ媒質3の厚みや、LDアレイ1が発生するレーザ光の発散角、固体レーザ媒質3の端面とLDアレイ1の発光点との距離、などにより異なるが、例えば励起効率が最大効率から10、より好ましくは5低下する値で決定される。すなわち、個々の平面導波路型の半導体レーザ励起固体レーザにおいて効率の低下の割合を考慮して、個々に所定の誤差が決定される。以上のように、2種類の厚さの接合層の厚さの差は、平面導波路型固体レーザ素子の接合層に接合される面から平面導波路の導波路中心高さと、LDアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差と、誤差が所定の誤差以下の寸法となるよう設定すればよい。なお、接合層6a、6bやストライプ状接合層7は、異なる複数の金属のめっき層を順次形成した、積層構造のめっき層であっても良い。また、これらの接合層は、めっきではなく、厚さがΔtだけ異なる金属薄板をサブマウント基板5上に接合して、接合層6aとストライプ状接合層7とを形成しても良い。以上のように、本発明の実施の形態1の半導体レーザ励起固体レーザによれば、LDアレイ1および平面導波路型固体レーザ素子101を、共通のサブマウント基板5上に、それぞれ接合層6aおよびストライプ状接合層7を介して接合する構造とし、接合層6aとストライプ状接合層7の厚みにΔtの差を設けたので、単純な構造で、LDアレイ1の発光部と固体レーザ媒質3の入射中心部とが位置調整無く位置が合うため、高効率の半導体レーザ励起固体レーザを得ることができる。実施の形態2.図4は本実施の形態2に係る半導体レーザ励起固体レーザモジュール100の側面断面図、図5は上面図である。図4、図5において、図1、図2と同一符号は、同一または相当する部分を示す。本実施の形態2においては、平面導波路型固体レーザ素子101をサブマウント基板5にマウントするための接合層を、図5の上面図で示すように、接合層6aと同様な、連続した接合層70としている。実施の形態1においては、ストライプ状接合層7にマウントして水平横モードを制御する方式の半導体レーザ励起固体レーザの場合を説明した。しかし本発明は、LDアレイからの励起光を、例えばマイクロレンズアレイによって平面導波路型固体レーザ素子101に結合して水平横モードを制御する方式など、他の方式の半導体レーザ励起固体レーザに適用しても、実施の形態1と同様の効果を奏する。すなわち、本実施の形態2においても、実施の形態1と同様、接合層70と接合層6aの厚みの差をΔtとすることで、LDアレイ1の発光部と固体レーザ媒質3の入射中心部とが位置調整無く位置合わせでき、効率の高い半導体レーザ励起固体レーザが得られる。