"上部基板上に形成されたアノード電極と蛍光体を含む上板、真空空間ギャップを挟んで前記の上板と対向して下部基板上に形成された複数の薄膜パターンを含む下板、および前記の上板と、前記下板との間に配置され、前記真空空間ギャップを維持するスペーサを含む電界放出表示装置において、前記下板は、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれか1つ以上の金属を含み基板上に形成されるカソード電極と、チタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSi、シリコン化合物のいずれか、またはその混合物を含み前記カソード電極上に形成される拡散バリア層と、ニッケルNiと鉄Feの内いずれか1つで前記拡散バリア層上に形成され、粒状化されたグレーンを含むシード金属層と、前記シード金属層のグレーンの上で単結晶に成長されたカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブを覆うように、前記カソード電極、前記拡散バリア層、及び前記シード金属層が形成された基板上に形成されるゲート絶縁層と、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれかの1つ以上の金属を含み前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極を含み、前記ゲート電極内のゲートホールを介して前記カーボンナノチューブの上部が露出されることを特徴とする電界放出表示装置。前記拡散バリア層が前記シリコンSiと前記シリコン化合物のいずれか1つで前記カソード電極と前記ゲート電極との間に形成されると、前記シード金属層は、ニッケルシリサイドを含むことを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記拡散バリア層と、前記シード金属層が積層されたパターンは、前記ゲートホールの下にのみ形成されることを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記拡散バリア層と、前記シード金属層が積層されたパターンは、前記ゲートホールとその周辺領域を含む画素領域に形成されることを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記カソード電極の厚さは1000Å~4000Åの間の厚さであり、前記拡散バリア層の厚さは400Å~4000Åの間の厚さであり、前記シード金属層の厚さは50Å~400Åの間の厚さであり、前記カーボンナノチューブの高さは2μm~20μmの間の高さであり、前記ゲート絶縁層の厚さは0.2μm~20μmの間の厚さであり、前記ゲート電極の厚さは1000Å~4000Åの間の厚さであり、前記カーボンナノチューブを覆われた前記ゲート絶縁層により前記カーボンナノチューブが密集しているカーボンナノチューブ束の部分の誘電率と、前記カーボンナノチューブの束の周りでカーボンナノチューブがない部分の誘電率が2~8程度で、実質的に同一のことを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記ゲートホールの下で、前記ゲート絶縁層の上部が前記ゲート絶縁層の厚さの1/2以下の深さで除去され、前記カーボンナノチューブの最上部は、前記ゲート絶縁層の最も厚い部分の表面以下に位置することを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記カーボンナノチューブは、円錐状の構造と円筒状の構造のいずれかの構造で、前記シード金属層上で垂直に立てられたことを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記スペーサは、ガラスとセラミックのいずれか1つを主成分とし、マトリックスの形に配置された開口孔を含み、前記スペーサの開口孔のそれぞれのピッチは、前記下板にマトリックスの形で配置された画素または副画素のピッチと実質的に同一のことを特徴とする、請求項1記載の電界放出表示装置。前記上部基板、前記下部基板と、前記スペーサは、同じ材料と同じ厚さを有することを特徴とする、請求項8記載の電界放出表示装置。前記スペーサは、前記開口孔を区画するための隔壁と、前記隔壁に所定の深さに形成され、排気路を形成する排気溝を含むことを特徴とする、請求項8記載の電界放出表示装置。上部基板上に形成されたアノード電極と蛍光体を含む上板、真空空間ギャップを挟んで前記の上板と対向して下部基板上に形成された複数の薄膜パターンを含む下板、及び前記の上板と、前記の下板との間に配置され、前記真空空間ギャップを維持するスペーサを含む電界放出表示装置の製造方法において、前記下板の製造方法は、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金の1つ以上の金属を含むカソード電極を基板上に形成し、前記カソード電極をパターニングするステップと、チタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSi、シリコン化合物のいずれか1つ、またはその混合物を含む拡散バリア層を前記カソード電極上に形成し、ニッケルNiと鉄Feのいずれか1つを含むシード金属層を前記拡散バリア層上に形成するステップと、前記の拡散バリア層と、前記シード金属層をパターニングするステップと、前記カソード電極、前記拡散バリア層と、前記シード金属層を含む前記基板をDCPECVD装備のチャンバー内に投入し前記基板の温度を350°C~600°Cの温度に加熱し、前記チャンバ内にプラズマエネルギーを2W/cm3~40W/cm3レベルに印加して、前記シード金属層に粒状化されたグレーンを形成するステップと、前記基板の温度を350°C~600°Cの温度に維持し、前記チャンバ内にプラズマエネルギーを2W/cm3~40W/cm3レベルに維持した状態で炭化水素を含むCNT合成原料ガスと、アンモニアNH3、4塩化炭素CCl4、4フッ化炭素CF4、及び3フッ化窒素NF3の内の少なくともいずれか1つを含むドライエッチング反応ガスを前記チャンバ内に供給して前記シード金属層のグレーンの上にカーボンナノチューブを単結晶構造へと成長させるステップと、前記カソード電極、前記拡散バリア層、及び前記シード金属層が形成された基板上に有機絶縁物質と無機絶縁物質のいずれか1つを含むゲート絶縁層を形成し、前記カーボンナノチューブを前記ゲート絶縁層で埋設するステップと、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれか1つ以上の金属を含むゲート電極を前記ゲート絶縁層上に形成し、前記ゲート電極をパターニングして前記カーボンナノチューブの最上部が露出されるゲートホールを形成するステップを含むことを特徴とする電界放出表示装置の製造方法。前記カーボンナノチューブを単結晶構造に成長させるステップは、前記CNTの合成原料ガスと前記ドライエッチング反応ガスを所定の時間間隔で交互に前記チャンバ内に供給するステップを含むことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記カーボンナノチューブを単結晶構造に成長させるステップは、前記CNTの合成原料ガスと前記ドライエッチング反応ガスを同時に供給するステップを含むことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記ゲート絶縁層を形成した後、前記カーボンナノチューブの最上部の前記ゲート絶縁層の最も厚い部分の表面の以下に位置するように前記ゲート絶縁層の上に突出したカーボンナノチューブをエッチングするステップと、前記カーボンナノチューブを完全に覆うように1000Å~10μm程度の厚さに第2ゲート絶縁層を前記ゲート絶縁層上に追加コーティングするステップと、前記ゲート電極と前記ゲートホールをマスクにして前記ゲートホールの下に位置する前記ゲート絶縁層の上部の一部を、前記ゲート絶縁層の厚さの1/2以下の深さで除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記カソード電極の厚さ歯1000Å~4000Åの間の厚さであり、前記拡散バリア層の厚さは400Å~4000Åの間の厚さであり、前記シード金属層の厚さは50Å~400Åの間の厚さであり、前記カーボンナノチューブの高さは2μm~20μmの間の高さであり、前記絶縁層の厚さは0.2μm~20μmの間の厚さであり、前記ゲート電極の厚さは1000Å~4000Åの間の厚さであり、前記カーボンナノチューブを覆われた前記ゲート絶縁層により前記カーボンナノチューブが密集しているカーボンナノチューブ束の部分の誘電率と、前記カーボンナノチューブの束の周りでカーボンナノチューブがない部分の誘電率が2~8程度で、実質的に同一のことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記拡散バリア層と、前記シード金属層をパターニングするステップは、前記シード金属層上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を実施してフォトレジストパターンを前記シード金属層上に形成し、前記拡散バリア層と前記シード金属層をパターニングするステップを含むことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記カーボンナノチューブを単結晶構造に成長させるステップは、前記フォトレジストパターンが残留した状態で、前記シード金属層上にカーボンナノチューブを単結晶構造に成長させるステップを含むことを特徴とする、請求項16記載の電界放出表示装置の製造方法。前記スペーサは、ガラスとセラミックのいずれか1つを主成分とし、マトリックスの形に配置された開口孔を含み、前記スペーサの開口孔のそれぞれのピッチは、前記下板にマトリックスの形で配置された画素または副画素のピッチと実質的に同一のことを特徴とする、請求項11記載の電界放出表示装置の製造方法。前記上部基板、前記下部基板と、前記スペーサは、同じ材料と同じ厚さを有することを特徴とする、請求項18記載の電界放出表示装置の製造方法。前記スペーサは、前記開口孔を区画するための隔壁と、前記隔壁に所定の深さに形成され、排気路を形成する排気溝を含むことを特徴とする、請求項18記載の電界放出表示装置の製造方法。このような問題点を解決するため、本発明は、低温で単結晶構造のカーボンナノチューブを安定的に垂直成長させることができ、カーボンナノチューブから電子が放出するようにするしきい値電圧を低下することができる構造の電界放出表示装置とその製造方法を提供する。本発明の電界放出表示装置は、上部基板上に形成されたアノード電極と蛍光体を含む上板、真空空間ギャップを挟んで前記の上板と対向して下部基板上に形成された複数の薄膜パターンを含む下板と前記上板と、前記下板との間に配置され、前記真空空間ギャップを維持するスペーサを含む。前記下板は、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれか1つ以上の金属を含む基板上に形成されるカソード電極、チタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSi、シリコン化合物のいずれか1つ、またはその混合物を含む前記カソード電極上に形成される拡散バリアBarrier層と、ニッケルNiと鉄Feのうちいずれか1つで前記拡散バリア層上に形成され、粒状化されたグレーンを含むシード金属層と、前記シード金属層のグレーンの上で単結晶に成長されたカーボンナノチューブと前記カーボンナノチューブを覆うように、前記カソード電極、前記拡散バリア層、及び前記シード金属層が形成された基板上に形成されるゲート絶縁層と、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれかの1つ以上の金属を含む前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極を含む。前記ゲートホールを介して前記カーボンナノチューブの上部が露出される。前記下板の製造方法は、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれか1つ以上の金属を含むカソード電極を基板上に形成し、前記カソード電極をパターニングするステップと、チタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSi、シリコン化合物のいずれか1つ、またはその混合物を含む拡散バリア層を前記カソード電極上に形成し、ニッケルNiと鉄Feのいずれか1つを含むシード金属層を前記拡散バリア層上に形成するステップと、前記拡散バリア層と、前記シード金属層をパターニングするステップと、前記カソード電極、前記拡散バリア層と、前記シード金属層を含む、前記基板をDCPECVD装備のチャンバー内に投入して前記基板の温度を350°C~600°Cの温度に加熱し、前記チャンバ内にプラズマエネルギーを2W/cm3~40W/cm3レベルに印加して、前記シード金属層に粒状化されたグレーンを形成するステップと、前記基板の温度を350°C~600°Cの温度に保持し、前記チャンバ内にプラズマエネルギーを2W/cm3~40W/cm3レベルに維持した状態で炭化水素を含むCNT合成原料ガスと、アンモニアNH3、4塩化炭素CCl4、4フッ化炭素CF4、及び3フッ化窒素NF3の内の少なくともいずれか1つを含むドライエッチング反応ガスを前記チャンバ内に供給して前記シード金属層のグレーンの上にカーボンナノチューブを単結晶構造に成長させるステップと、前記カソード電極、前記拡散バリア層、及び前記シード金属層が形成された基板上に有機絶縁物質と無機絶縁物質のいずれか1つを含むゲート絶縁層を形成し、前記カーボンナノチューブを前記ゲート絶縁層に埋め込むステップと、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCrまたはこれらの合金のいずれかの1つ以上の金属を含むゲート電極を前記ゲート絶縁層上に形成し、前記ゲート電極をパターニングして前記カーボンナノチューブの最上部が露出されるゲートホールを形成するステップを含む。本発明の電界放出表示装置とその製造方法は、材料の無駄を最小限に抑え、親環境的なスペーサーの製造工程を実現することができる。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。明細書全体にかけて同一の参照番号は実質的に同一の構成要素を意味する。以下の説明で、本発明に関する公知の機能や構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不必要に不明確なことができると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本発明は、TFTLCD生産ラインでも適用しているPECVD装備を改造したCPECVDを利用して、カーボンナノチューブCNTを垂直成長させることができる。一方、既存のRFPECVD工程でカーボンナノチューブCNTを成長させると、チャンバー内の電界の極性が周期的に反転される。その結果、既存のRFPECVD工程でカーボンナノチューブCNTを成長させるとカーボンナノチューブCNTが垂直にまっすぐに成長されず、らせん状またはツイスト形で成長し、しきい値電圧が高くなり、電子放出効率が落ちる。本発明は、図1のようなDCPECVDの装備を利用して、600°C以下の温度からのガラスの基板、プラスチック製の基板、金属製の基板のの内、いずれか1つ基板上にのカーボンナノチューブCNTを垂直成長させる。DCPECVD装備は、DC電界をチャンバ内に印加するための陽極PEと陰極NE、基板の温度を高めるためのヒータHT、反応ガスを注入するための反応ガス供給部などを含む。基板SUBSLは、陰極板NEに置かれる。DCPECVD装備は、ヒーターHTに電流を供給し、350°C~600°C程度で基板SUBSLを加熱して、このような熱エネルギーの雰囲気でチャンバーCH内に直流DC電界を印加してプラズマエネルギーを発生する。DCPECVD装備は、基板SUBSLを加熱して基板SUBSL上に形成されたシード金属を結晶化した後、炭化水素系のCNT合成原料ガスと、多結晶非晶質炭素残渣をドライエッチングするためのドライエッチング反応ガスを交互に供給するか、そのガスを同時にチャンバCH内に供給し、単結晶構造のカーボンナノチューブCNTを基板SUBSLから垂直に成長させる。このようなカーボンナノチューブの合成方法を図2~図4Cを結びつけて詳細に説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係るカーボンナノチューブの合成の方法をステップ的に示すフローチャートである。図2、及び図4A~図4Cを参照すると、本発明は、図4Cに示すように基板SUBSL上にカソード金属を蒸着した後、そのカソードの金属をパターニングしてカソード電極CEを基板SUBSL上に形成した後、拡散バリア物質とシード金属を順次形成した後、その拡散バリア物質とシード金属を一括パターニングして拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを形成する。S1~S3拡散バリア物質とシード金属が一括パターニングされるため、図2でS2とS3ステップは、実質的に同時に行われる。基板SUBSLは、大面積で製造することが容易で、低コストで製作することができるガラス基板、プラスチック基板、金属基板のいずれか1つを選択することができる。カソード金属はモリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金のいずれか1つの金属を含み、約1000Å~4000Åの間の厚さで基板SUBSL上に形成される。シード金属は、ニッケルNi、鉄Fe、またはそれらの合金のいずれか1つ以上の金属を含み、50Å~400Åの間の厚さで拡散バリア物質上に形成される。拡散バリア物質は、カソード金属とシード金属の間に形成されシード金属が拡散されない金属、例えば、チタンTi、タングステンW、タンタルTaのいずれか1つ以上の金属またはそれらの合金、またはシリコンSiやシリコン化合物を含み、約400Å~4000Åの間の厚さでカソード金属上に形成される。拡散バリア物質としてシリコンやその化合物を使用すると、拡散バリア物質の厚さは約400Å~2000Å程度が適当である。一方、シード金属が拡散バリア物質なしでカソードの金属と直接接触すると、シード金属の原子がカソード金属に拡散して、カーボンナノチューブCNTの成長工程時間が長くなり、シード金属がほとんど残らないようになることができる。本発明の製造方法は、600°C以下の温度でカーボンナノチューブCNTを基板SUBSL上に成長させるために、所定の温度に基板を加熱してカソード金属を結晶化した後、C2H2、C4H4、CxHyなどのような炭化水素系のCNT合成原料ガスをチャンバー内に供給してシード金属層SEED上に単結晶構造のカーボンナノチューブ束を垂直に成長させるS4カーボンナノチューブの束は、複数のカーボンナノチューブCNTが密集している部分を意味する。後述するように、カーボンナノチューブの束には、ゲート絶縁層が埋め立てられ、従来の技術に比べて誘電率の値が上昇して電子放出が可能なしきい値電圧を低下することができる。本発明は、600°C以下の温度でカーボンナノチューブCNTを基板SUBSL上に成長させるために、単結晶構造のカーボンナノチューブ蒸着時に発生する多結晶または非晶質炭素残渣をアンモニアNH3、4塩化炭素CCl4、4フッ化炭素CF4、及び3フッ化窒素NF3の内の少なくともいずれか1つを含むドライエッチング反応ガスをCNTの合成原料ガスと交互に供給して多結晶非晶質炭素残渣を除去する。S5~S7S4ステップは、シード金属層SEEDの粒状化granulation工程である。S4ステップは、ヒーターHTに電流を供給し、基板温度を350°C~600°Cのレベルに維持した状態でDC電界をチャンバーCH内に印加してチャンバーCH内にプラズマエネルギーを2W/cm3~40W/cm3レべルに印加する。S4ステップでCNTの合成原料ガスは、チャンバCH内に供給されない。S4ステップで、シード金属層SEEDには、再結晶化の過程で図4Bに示すように、カーボンナノチューブは単結晶に成長することができるグレーンGrain、GRが形成される。グレーンGRは、結晶粒界Grainboundaryを挟んで互いに近接する。グレーンGRの表面は、炭素原子とよく結合することができる分子構造を有するようになる。S5のステップでは、DCPECVD装備にCNT合成原料ガスが供給される。プラズマエネルギーによって分解されたCNT合成原料ガスの炭素原子は、シード金属層SEEDのグレーンGR上に蒸着される。その結果、S5のステップでシード金属層SEEDのグレーンGR上で単結晶構造のカーボンナノチューブCNTが垂直に成長される。これと同時に、希望しないが、工程上で必然的にシード金属層SEED上に炭素原子がシード金属層SEEDの原子と不整合を起こして多結晶Polycrystallineまたは非晶質Amorphousカーボン残渣がシード金属層SEED上に蒸着される。このような多結晶非晶質炭素残渣は、600°C以下の低温で単結晶カーボンナノチューブCNTの成長を阻害する要素として作用する。本発明は、CNT合成原料ガスとドライエッチング反応ガスをDCPECVD装備に所定の時間差を置いて交互に供給して炭素原子の蒸着工程とドライエッチング工程を交互に実施する。S5及びS6、例えば、炭素原子の蒸着工程とドライエッチング工程は、約10秒程度の間隔で交互に行うことができる。S4~S7のステップでの基板温度は350°C~600°Cのレベルに維持されチャンバーCH内のプラズマエネルギーは2W/cm3~40W/cm3レベルに維持される。プラズマエネルギーが40Wcm3より高いとアークArc放電が起きるようになり、プラズマエネルギーが2Wcm3よりも低い場合は、CNT合成原料ガス中の炭素原子がうまく分解されず、CNT合成原料ガスの凝集で生成されたパーティクルparticleが基板上に残留することができる。S6ステップのドライエッチング工程では、シード金属層SEEDのグレーンGR上に蒸着された単結晶カーボンナノチューブCNTに比べて、原子間の結合力が弱い多結晶非晶質炭素残渣がドライエッチング反応ガスのによってさらに容易に分解され、外部に排気されて単結晶カーボンナノチューブは、シード金属層SEEDで残留される。S5とS6ステップは、図4Cに示すように単結晶に成長されるカーボンナノチューブの高さが所望する目標値に到達するまで繰り返される。S5~S7単結晶カーボンナノチューブが目標値ほど成長すると、後工程で移行される。以上で注意深く見たように、本発明のカーボンナノチューブの合成方法は、S4ステップのシード金属粒状化工程と、S6ステップの多結晶非晶質炭素残渣を除去するためのドライエッチング工程を実施することにより、600°C以下の温度で単結晶構造のカーボンナノチューブを垂直成長させることができる。図3は、本発明の第2実施形態に係るカーボンナノチューブの合成方法をステップ的に示すフローチャートである。本発明の第2実施形態に係るカーボンナノチューブの合成方法でS1~S4ステップは、前述した第1実施形態と実質的に同じなので、それに対する詳細な説明を省略する。本発明の第2実施形態に係るカーボンナノチューブの合成方法は、S4ステップの後にS21のステップでCNT合成原料ガスとドライエッチング反応ガスをDCPECVD装備のチャンバーCH内に同時に投入する。S4~S22ステップでの基板温度は350°C~600°Cのレベルに維持されてチャンバーCH内のプラズマのエネルギーは2W/cm3~40W/cm3レベルに維持される。S21ステップでは、CNT合成原料ガスはプラズマエネルギーによって分解され、炭素原子がシード金属層SEEDのグレーンGR上で蒸着されグレーンGRで単結晶カーボンナノチューブが垂直成長と同時に、シード金属層SEED上に堆積された多結晶非晶質分不純物がドライエッチング反応ガスと反応して分解され、外部に排気される。図4Cに示すように単結晶で成長されるカーボンナノチューブの高さが所望の目標値に到達するまで、S21ステップの工程が持続される。S21とS22単結晶カーボンナノチューブが目標値ほど成長すると、後工程に移行される。本発明の第2実施形態に係るカーボンナノチューブの合成方法は、S21とS22ステップのように単結晶カーボンナノチューブの成長と多結晶非晶質炭素残渣の除去が同時に処理されるため、前述した第1実施形態に比べて、工程時間を短縮させることができる。第1及び第2実施形態のそれぞれの拡散バリア層BARとして、シリコンやシリコン化合物を使用し、シード金属層SEEDとしてニッケル層を形成し、S4ステップを行うと、ニッケルとその下部のシリコンが反応して図4Cのようにシード金属層SEEDにニッケルシリサイドNickelsilicide、NSIが形成される。ニッケルシリサイドNSIの層のグレーンGRは、単結晶カーボンナノチューブのシードとして作用する。ニッケルシリサイドNSI上で単結晶カーボンナノチューブが成長すると、その単結晶カーボンナノチューブCNTは、図5のように円錐状の構造でシード金属層SEED上に垂直に成長される。このように単結晶カーボンナノチューブCNTが円錐状の構造に成長すると比較的低い電圧でも電子が放出できるので円筒状カーボンナノチューブに比べて電子放出効率がさらに高く、電子を放出させるためのしきい値電圧が低くなる。拡散バリア層BARとしてシリコン膜外に、チタンTi、タングステンW、タンタルTaを使用すると、単結晶構造のカーボンナノチューブCNTが図6のように円筒状の構造に成長される。したがって、電子放出効率としきい値電圧を考慮する時、拡散バリア層BARとして、シリコンやシリコン化合物がさらに好ましい。一方、拡散バリア層BARとして、チタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンやシリコン化合物のいずれを適用してもシード金属がカソード金属に拡散する現状を防止することができるため、拡散バリア層BARは、シリコンやシリコン化合物に限定されないことに注意しなければならない。カーボンナノチューブCNTの成長後の後工程図2のS8、図3のS23を含む電界放出表示装置の下板の製造方法について説明する。本発明の電界放出表示装置の下板の構造は、前述したカーボンナノチューブの合成方法で形成されたカーボンナノチューブを含む、様々な構造で実現することができる。図7は、本発明の実施形態に係る電界放出表示装置の下板の電極構造の一部を示す平面図である。図8は、図7の線I-Iに沿って切り取りした下板の断面構造を示す断面図である。図7及び図8を参照すると、本発明の電界放出表示装置は、真空状態の電子放出領域ESPを挟んで対向する上板と下板を含む。上板と下板は、電子放出領域を挟んでシーラントSealantで気密封止する。電子放出領域ESPの真空度は約10-5~10-7torrであり得る。画素領域PIXには、複数のゲートホールGHALLが存在し、そのゲートホールのそれぞれに複数のカーボンナノチューブCNTを含むカーボンナノチューブ束が形成されている。したがって、本発明は、画素領域内で一部カーボンナノチューブに問題があっても画素不良がほとんど発生しないため、歩留まりを向上させることができ、駆動の信頼性を向上させることができる。上板は、上部基板SUBSUに形成されたアノード電極AE、アノード電極を覆う蛍光体PHOSを含む。アノード電極は、約4kV~12kV程度の量の電圧が印加される。上板の構造とその製造方法は、従来の電界放出表示装置と実質的に同じなので、それに対する詳細な説明を省略する。以下では、下板構造とその製造方法について説明する。下板は、下部基板SUBSLに積層されたカソード電極CE、拡散バリア層BAR、シード金属層SEED、カーボンナノチューブCNT、ゲート絶縁層GI、ゲート電極GEなどを含む。上部基板SUBSUと下部基板SUBSLの各々は、大面積で製造することが容易であり、低コストで製作することができるガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、金属基板のいずれか1つで実現することができる。カソード電極CEとそのカソード電極CEを接続するカソードバスラインのCBLは、下部基板SUBSL上に形成され、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金の中から1つ以上の金属を含む。シード金属層SEEDは、ニッケルNi、鉄Feのいずれか1つを含む。拡散バリア層Barriermetal、BARは、カソード電極CEとシード金属層SEEDとの間に形成されてシード金属が拡散されない金属、例えば、チタンTi、タングステンW、タンタルTaいずれか1つ以上の金属、またはシリコンSiやシリコン化合物を含む。ゲート電極GEは、絶縁膜GI上に形成される。ゲート電極とそのゲート電極を接続するゲートバスラインGBLは、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金のいずれかの1つ以上の金属を含み、ゲートホールGHALLが形成されるように、部分的にエッチングされる。カソードバスラインのCBLとゲートバスラインGBLは直交する。カーボンナノチューブCNTは、前述したカーボンナノチューブの合成方法を介してシード金属層SEEDのグレーンGR上に垂直に成長されている。このカーボンナノチューブCNTは、実質的に単結晶構造を有し、シード金属層SEED上で垂直に立てられる。カーボンナノチューブCNTは、アノード電圧とカソード電圧の電圧差Vgcがしきい値電圧Vth以上の場合、電子を放出する。ゲート絶縁層GIは、スピンコーティングまたは化学的気相蒸着が可能な無機絶縁物質または有機絶縁物質を含む。ゲート絶縁層G1は、カソード電極CEとゲート電極GEとの間に形成され、その電極CE、GEを絶縁させ、また、カーボンナノチューブCNTの最上部の下の部分を覆い、電子を放出させるためのしきい値電圧Vthを低下する。ゲート絶縁層GIの上に露出されたカーボンナノチューブCNTの最上部は、ゲート絶縁層GIの形成後、ドライエッチングDryEtchingまたはエシンAshingなどの方法により、その高さがゲート絶縁層GIの最も厚い部分で、ゲート絶縁層GIの表面と同じか、それ以下になるように切断される。ゲート絶縁層GIは、ゲート電極GEが形成された後にゲート電極GEが除去されたゲートホールGHALL内で、その上面が所定の深さにエッチングされる。前記所定の深さは、ゲート絶縁層GIの最も厚い部分に比べて20~60の深さに設定される。したがって、ゲート絶縁層GIのエッチング工程により形成されたゲートホールGHALL内でカーボンナノチューブCNTの上部が露出される。カーボンナノチューブCNTの上部下の部分は、ゲート絶縁層GIによって覆われているので露出しない。このようにゲート絶縁層GIにカーボンナノチューブCNTの一部を埋め立てた場合、カーボンナノチューブCNTの電子放出のしきい値電圧を低下することができる。これは、ゲート絶縁層GIがカーボンナノチューブCNTを覆えば、カーボンナノチューブ束が形成された部分で誘電率が高くなり、カーボンナノチューブCNTに印加される電界強度を高めることができるからである。カーボンナノチューブCNTを覆われたゲート絶縁層GIによりカーボンナノチューブ束が形成された部分とそうでない部分の誘電率が実質的に同じになる。これを詳しくすると、ゲート絶縁層GIは、ゲートホールGHALL内に埋め込まれてカーボンナノチューブ束の部分の平均誘電率をカーボンナノチューブの束の周りでカーボンナノチューブがない部分の平均誘電率と実質的に同じにする。例えば、ゲート絶縁層GIは、誘電率が2~8程度の有無機絶縁物質として選択することができる。この場合には、ゲート絶縁層GIによりカーボンナノチューブ束が形成された部分の誘電率と、カーボンナノチューブ束がない部分の誘電率は2~8程度で、実質的に同じになる。ゲートホールGHALL内にゲート絶縁層GIが埋め立てされると、上板と下板との間に印加される電界強度がカーボンナノチューブ束が形成された部分とそうでない部分で均一になるので、電子放出のためのしきい値電圧が低くなる。このようにしきい値電圧が低くなると、電子を引き出すための別の電極が必要ない。したがって、本発明のゲート電極GEは、電子引き出し電極ではなく、負の電圧が印加されて電子ビームを集束focusするフォーカス電極の役割をする。本発明で、電子はカソード電極とアノード電極間の電界で放出されて加速される。従来の技術では、ゲート絶縁層GIがゲートホールGHALLに形成されていなかった。この場合には、カーボンナノチューブ束が形成された部分の誘電率真空の誘電率がカーボンナノチューブ束がない部分の誘電率ゲート絶縁層の誘電率より低くなってカーボンナノチューブ束が形成された部分の電界強度が低くなる。これにより、従来技術では、カーボンナノチューブの束の周りで誘電率が高いため、電界がカーボンナノチューブ束の周辺に集中する電界の歪みが現れる。したがって、従来技術では、カーボンナノチューブの束とその周辺の誘電率差により、電子放出のためのしきい値電圧が高く、その結果、ゲート電極に正電圧を印加してカソード電極とゲート電極の間の電界で電子を電子放出源から引き出した後、カソード電極とアノード電極の間に印加される電界で電子をアノード電極の方向に加速させた。前述したように、本発明の電界放出表示装置は、ゲート電極GEに負電圧を印加し、アノード電極AE方向に向かう電子ビームを集束することができるので、別々のフォーカス電極を必要としない。本発明の電界放出表示装置は、カソード電極CEに印加されるビデオデータのデータ電圧に応じて電子放出量を制御して、入力画像の階調を表現することができる。本発明の電界放出表示装置の敷居値電圧Vthは3V/μm以下であり、5V/μm程度の電界で飽和放出の条件に達する。アノード電極AEとカソード電極CEとの間の間隔を0.5mm~2mmに設定し、アノード電極AEに4~12kV程度の直流正電圧アノード電圧を印加すると、カーボンナノチューブCNTに印加される電界は、電子放出飽和領域に到達するようになり蛍光体PHOSは、最大の明るさで発光する。ゲート電極GEには、電子ビームの集束のための0V以下の負電圧例えば-50V~0Vの間の直流電圧が印加される。カソード電極CEには、入力画像データの階調値に応じて電圧が変化するビデオデータ電圧またはカソード電圧が印加される。したがって、本発明の電界放出表示装置は、カソード電圧の制御により、カーボンナノチューブCNTに印加される電界を制御し、その結果、蛍光体PHOSの明るさを調節して、入力画像の階調を表現することができる。図9A~図9Fは、図8に示した電界放出表示装置の下板の製造方法をステップ的に示す断面図である。本発明は、図9Aに示すように、下部基板SUBSL上にスパッタリングなどの蒸着工程を利用して、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金のいずれか1つ以上のカソード金属を1000A~4000Aの間の厚さで蒸着する。続いて、本発明は、カソードの金属の上にフォトレジストPhotoresist、PRを塗布し、第1フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第1フォトリソグラフィ工程photolithographyを実施し、カソード電極CEとカソードバスラインCBLをパターニングする。カソード金属が1000Aより低い厚さで蒸着すると、カソード金属の抵抗が大きくなり、エッチング工程で断線することができる。一方、カソードの金属が4000Aより厚く蒸着されると蒸着時間が過度に消費されて工程時間を長くして、基板のストレスstressを高めることができる。次に、本発明は、スパッタリングなどのような蒸着工程を用いてチタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSiまたはシリコン化合物の1つ以上の拡散バリア物質を400A~4000Aの間の肉厚で蒸着した後、連続でシード金属であるニッケルNiや鉄Feを50A~400Aの間の厚さで蒸着する。拡散バリア物質が400Aより低い厚さで蒸着されると工程の間にカソード金属内に拡散してシード金属の拡散バリア層として機能することができない。反面、拡散防止金属が4000Aより厚く蒸着されると、拡散バリア層の平坦度が悪くなり、工程時間が過度に長くなる。シード金属が50Aより低い厚さで蒸着されると工程の中にシード金属が拡散バリア層とカソード金属内に拡散して、カーボンナノチューブCNTが安定して成長することができず、シード金属が400Aより厚く蒸着されるとカーボンナノチューブCNTが所望の設計値の直径に成長することができない。次に、本発明は、フォトレジストPR塗布、第2フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第2フォトリソグラフィ工程を介して拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを一括パターニングして、図9Bに示すように画素領域PIXで拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを定義する。拡散バリア層BARとシード金属層SEEDが積層されたパターンは、後工程で形成されるゲートホールGHALLとその周辺領域を含む画素領域PIXに形成される。次に、本発明は、前述したカーボンナノチューブの合成方法を用いて単結晶カーボンナノチューブCNTの高さが2μm~20μmの間の高さになるまで、シード金属層SEEDのグレーンGR上の単結晶カーボンナノチューブCNTを垂直成長させる。次に、本発明は、ゲート絶縁層GIを形成するために単結晶カーボンナノチューブCNTを覆うように下部基板SUBSL上に絶縁物質を所定の厚さでコーティングする。絶縁物質のコーティング方法は、スピンコーティングまたは化学的気相成長法などで酸化シリコン、窒化シリコン、アクリルなどの無機または有機絶縁物を含む絶縁物質を0.2μm~10μmの間の厚さでコーティングすることができる。その絶縁物質は、硬化工程を経て硬化される図9C。次に、本発明は、カソード電極CEとゲート電極GEがカーボンナノチューブCNTを介して短絡shortcircuitされていないように図9DのようにO2プラズマ、ドライエッチングDryEtchingまたはエシンAshing工程を利用して第1ゲート絶縁層GI1上に突出した単結晶カーボンナノチューブCNTを完全に除去する。本発明は、単結晶カーボンナノチューブの全体が絶縁層により覆われるように図9Eに示すように、第1ゲート絶縁層GI1上にスピンコーティング、または化学的気相蒸着法で酸化シリコン、窒化シリコン、アクリルなどの無機または有機絶縁物を含む絶縁物質を1000A~10μm程度の厚さに加えコーティングして、第2ゲート絶縁層GI2を追加で形成することができる。第2ゲート絶縁層GI2を追加で形成する工程は省略することもできる。後述する他の実施形態でも、第2ゲート絶縁層GI2を追加で形成する工程を含むことができる。次に、本発明は、スパッタリングなどの蒸着工程を利用して、モリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金のいずれか1つ以上のゲート金属を1000A~4000A蒸着してゲート絶縁層GI1、GI12上にゲート電極GEを形成する。次に、本発明は、ゲートホールGHALLが形成される位置にゲート電極GEを除去するために、フォトレジストPR塗布、第3フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第3フォトリソグラフィ工程を介してゲート金属をパターニングしてゲート電極GEとゲートホールGHALLを形成する。その結果、頭9Fに示すようにゲート電極GEを貫通するゲートホールGHALLを介してゲート絶縁層GI1が露出される。最後に、本発明は、頭9Fに示すようにゲート金属パターンをマスクにしてゲートホールGHALLを介して露出されたゲート絶縁層GI1の上部を0.1μm以上5μm以下の深さにエッチングして、ゲートホールGHALLそれぞれでカーボンナノチューブCNTの上部を露出させる。ゲート絶縁層GI1が図9Dで0.2μm程度の厚さのとき、ゲートホールGHALL内でゲート絶縁層GI1の上部は0.1μm以下の深さにエッチングされる。ゲート絶縁層GI1が図9Dで10μm程度の厚さのとき、ゲートホールGHALL内でゲート絶縁層GI1の上部には、5μm以下の深さにエッチングされる。したがって、ゲートホールGHALLの下でゲート絶縁層GI1の上部がゲート絶縁層GI1の厚さの1/2以下の深さで除去される。ゲートホールGHALLのゲート絶縁層GI1があまりにも深くエッチングされるとしきい値電圧が高くなる。以上で注意深く見るように、本発明の第1実施形態に係る電界放出表示装置の製造方法は、3回のフォトリソグラフィー工程だけで電界放出表示装置の下板またはカソード板を完成することができる。図9Bと図9Cの工程では、カーボンナノチューブCNTは、フォトレジスト層がシード金属層SEED上に残留した状態で成長することができる。この方法を図10A~図10Cを結びつけて詳細に説明すると次のとおりである。図10A~図10Cは、図8に示した電界放出表示装置の下板の製造方法で、フォトレジスト層がシード金属層上に残留した状態でカーボンナノチューブを成長させる方法をステップ的に示す断面図である。下部基板SUBSL上に蒸着されたカソード金属が、第1フォトリソグラフィ工程によりパターニングされた後、図10Aに示すようにカソード電極CE上に拡散バリア物質が400A~4000Aの間の厚さで蒸着され、その拡散バリア物質上にシード金属が50A~400Aの間の厚さで蒸着される。次に、本発明は、図10Bに示すように、フォトレジストをシード金属層SEED上に塗布した後、第2フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第2フォトリソグラフィ工程を介してフォトレジストパターンPRを形成し、そのフォトレジストパターンPR下の拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを除外した残りの部分をエッチングして画素領域PIX内で拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを定義する。ここで、第2フォトマスク形状により拡散バリア層BARとシード金属層SEEDのパターンは、画素領域PIX内で、単一のパターンで形成される。次に、本発明は、図10Cに示すように、フォトレジストパターンPRがシード金属層SEED上に覆われた状態で、図2~図4Cを結びつけて、前述したカーボンナノチューブの合成方法を用いて単結晶カーボンナノチューブのCNTの高さが2μm~20μmの間の高さになるまで、シード金属層SEEDのグレーンGR上に単結晶カーボンナノチューブCNTを垂直成長させる。カーボンナノチューブCNTの成長工程以降の工程は、図9D~図9Fの工程と実質的に同じなので、それに対する詳細な説明を省略する。図10A~図10Cに示すように、フォトレジストパターンPRがシード金属層SEED上に覆われた状態でDCPECVD工程を適用すると、DCPECVD工程の工程温度でフォトレジストPRパターンが燃やされてフォトレジストPRの炭素成分がカーボンナノチューブCNTの成長の触媒として作用し、単結晶カーボンナノチューブCNTの成長温度をさらに低下し成長速度を速くすることができる。350°C~600°Cの温度で、フォトレジストPRの炭素以外の他物質は分解され、DCPECVDのチャンバの外部に排気される。図9A~図10Cのような電界放出表示装置の下板の製造方法は、拡散バリア層BARとシード金属層SEEDをゲートホール単位でパターニングせずに画素領域PIX単位でパターニングする。その結果、カーボンナノチューブCNTが画素領域内の全面に成長され、ゲートホールGHALLをカーボンナノチューブ束とアラインalignする必要がない。図11は、本発明の第2実施形態に係る電界放出表示装置の下板の断面構造を示す断面図である。図11を参照すると、本発明の第2実施形態に係る電界放出表示装置は、ゲートホールGHALLのみ拡散バリア層BARとシード金属層SEEDが残留するように拡散バリア層BARとシード金属層SEEDがパターニングされる。これ以外の他の特徴は、前述した第1実施形態と実質的に同じなので、それに対する詳細な説明を省略する。図12A~図12Fは、図11に示した電界放出表示装置の下板の製造方法をステップ的に示す断面図である。本発明の第2実施形態に係る電界放出表示装置とその製造方法は、拡散バリア層BARとシード金属層SEEDのパターニング工程で第2フォトマスクの形状が第1実施形態と異なるだけ前述した実施形態と実質的に同一である。図12Aのように、本発明は、下部基板SUBSL上にモリブデンMo、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、またはそれらの合金のいずれか1つ以上のカソード金属を1000A~4000Aの間の厚さで蒸着し、第1フォトリソグラフィ工程を介してカソード電極CEとカソードバスラインCBLをパターニングする。次に、本発明は、図12B及び図12Cに示すようにチタンTi、タングステンW、タンタルTa、シリコンSiまたはシリコン化合物の一つ以上の拡散バリア物質を400A~4000Aの間の厚さに蒸着した後、連続にニッケルNiや鉄Feなどのシード金属を50A~400Aの間の厚さで蒸着する。次に、本発明は、フォトレジストPR塗布、第2フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第2フォトリソグラフィ工程を介して拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを一括パターニングする。このパターニング工程で拡散バリア層BARとシード金属層SEEDは、ゲートホールGHALLでのみ残留し、他の残りの部分が除去される。したがって、拡散バリア層BARとシード金属層SEEDが積層されたパターンは、後工程で形成されるゲートホールGHALLそれぞれの下にのみ形成される。次に、本発明は、図12D及び図12Eに示すように、第1ゲート絶縁層GI1を形成し、前述したカーボンナノチューブの合成方法を用いて図12Fのように単結晶カーボンナノチューブCNTをシード金属層SEEDのグレーンGR上に垂直に成長させる。カーボンナノチューブCNTは、ゲートホールGHALL内でのみ成長する。最後に、本発明は、第3フォトリソグラフィ工程を用いてゲート金属をパターニングしてゲートホールGHALLを含むゲート電極GEを形成する工程を含む。図12A~図12Fの工程は3回のフォトリソグラフィー工程だけで電界放出表示装置の下板を完成することができる。図12B及び図12Cの工程で、カーボンナノチューブCNTは、フォトレジスト層がシード金属層SEED上に残留した状態で成長することができる。この方法を図13A~図13Cを結びつけて詳細に説明すると次のとおりである。図13A~図13Cは、図11に示した電界放出表示装置の下板の製造方法でフォトレジスト層がシード金属層SEED上に残留した状態でカーボンナノチューブを成長させる方法をステップ的に示す断面図である。残留したフォトレジストPRは、カーボンナノチューブのCNTsの成長を促進する触媒の役割をすることができる。下部基板SUBSL上に蒸着されたカソード金属が第1フォトリソグラフィ工程によりパターニングされた後図13Aのようにカソード電極CE上に拡散バリア物質が400A~4000Aの間の厚さで蒸着され、その拡散バリア物質上にシード金属が50A~400Aの間の厚さで蒸着される。続いて、本発明は、図13Bに示すように、フォトレジストをシード金属層SEED上に塗布した後、第2フォトマスク整列、露光、現像、エッチングの一連の過程を含む第2フォトリソグラフィ工程でフォトレジストパターンを形成し、そのフォトレジストパターンの下の拡散バリア層BARとシード金属層SEEDを除外した残りの拡散バリア層とシード金属層を一括エッチングして画素領域内に拡散バリア層BARとシード金属層SEEDをパターニングする。ここで、第2フォトマスク形状により拡散バリア層BARとシード金属層SEEDのパターンは、後工程で形成されるゲートホールの位置でだけ残留する。したがって、拡散バリア層とシード金属層は、画素領域内で複数に分かれる。次に、本発明は、図13Cに示すように、フォトレジストパターンPRがシード金属層SEED上に覆われた状態で、前述したカーボンナノチューブの合成方法を用いて単結晶カーボンナノチューブCNTの高さが2μm~20μmの間の高さになるまで、シード金属層SEEDのグレーンGR上に単結晶カーボンナノチューブCNTを垂直成長させる。カーボンナノチューブCNTは、シード金属層SEEDのパターンにしたかって後工程で形成されるゲートホールGHALL内でのみ成長する。カーボンナノチューブCNTの成長工程以降の工程は、図12D~図12Fの工程と実質的に同じであるので、それに対する詳細な説明を省略する。図14及び図15は、図3のようなカーボンナノチューブの合成方法の実験結果として円錐状の構造に成長した単結晶カーボンナノチューブを示す走査型電子顕微鏡ScaningElectronMicroscope、SEM画像である。図16は、図15の画像の一部を拡大した画像です。この実験で使用される基板は、TFTLCD用基板として広く使用されている三星コーニン社のガラス基板で選ばれた。この実験で、基板上にはカソード電極CE、シリコンSiを含む拡散バリア層BAR、ニッケルNiを含むシード金属層SEED、ゲート絶縁膜GIなどの構造上のフォトレジストPRを残留させた状態で炭化水素C4H4と乾式反応ガスNH3をDCPECVDのチャンバーに同時に供給した。この実験で、基板温度は550°Cに維持され、DCプラズマエネルギーは約4W/cm3に設定された。この工程の時間は約10分であった。この実験結果から明らかに分かるように、本発明は、600°C以下の低温で不純物なしで円錐状構造の単結晶カーボンナノチューブを比較的迅速に所望の高さに成長させることができた。前述した本発明の電界放出表示装置の製造方法は、TFTLCD生産ラインの装備を利用して、電界放出表示装置の下板を製造することができるため、追加の装備の投資なしにTFTLCD生産ラインを介して電界放出表示装置を生産することができる。以上説明したように、本発明は、単結晶カーボンナノチューブCNTの妨害要素として作用する多結晶非晶質炭素を除去しながら、カーボンナノチューブの成長工程を進行するため、600°C以下の低温でも安定的に単結晶カーボンナノチューブCNTを成長させることができる。本発明は、カーボンナノチューブを絶縁層に埋設してしきい値電圧を低下することができ、低電圧で電子を放出することができ、ゲート電極に負電圧を印加して、別のフォーカス電極なしで電子を集束することができる。さらに、図14及び図15に示すように単結晶構造のカーボンナノチューブCNTが上に行くほど尖る円錐状コーンCone形で成長するため、電子放出効率が高くなり、しきい値電圧がさらに低くなることができる。本発明の電界放出表示装置の製造方法は、TFTLCD生産ラインの装備を利用し、3つのフォト工程だけで電界放出表示装置の下板を製造することができるため、装備の投資コストと下板の製造コストを大幅に低下することができ、電界放出表示装置の量産性を高め、大量生産を可能にする。スペーサーは、上板と下板との間に真空空間ギャップGapで形成された電子放出領域ESPを一定に維持する構造体として、電界放出表示装置FEDの性能と寿命に大きな影響を及ぼす。スペーサー物質は、表示パネルの内部真空圧と表示パネルの外部大気圧の間の圧力差に耐えることができる程度の機械的強度を有さなければならないし、また、アノード電圧に耐えることができる絶縁耐力を有さなければならない。また、スペーサーは、表示パネルの画素から有効開口面を侵さない精密な構造で製作されるべきで、電子線の歪みを誘発しないように、適切な体積抵抗を有さなければならない。以下で、本発明のスペーサーを詳細に説明することにする。図16及び図17において、上板は、上部基板SUBSUに形成されたアノード電極AE、アノード電極AEを覆う蛍光体PHOSR、PHOSG、PHOSB、とブラックマトリクスBM等を含む。下板は、下部基板SUBSLに形成されたカソード電極CE、電子放出源などを含む。下板構造とその製造方法は、前述した実施形態と実質的に同じなので、それに対する詳細な説明を省略する。スペーサーSPは、ガラス基板や、セラミック基板に基づいて製作され上板と下板との間の真空空間ギャップを維持する。スペーサーSPは、下板の画素領域PIXを露出させる開口孔10がマトリックス形態に配置されるメッシュ状にパターニングされる。このようなスペーサーSPは、ガラスフリットFRを介して上部基板SUBSUと下部基板SUBSLに接合することができる。表示パネルの画素アレイでは、スペーサーSPの隔壁上面はブラックマトリックスBMと重畳され、スペーサーSPの隔壁の下面は、金属製のバスラインBUSと重畳される。金属バスラインBUSは、図7のようなカソードバスラインCBLとゲートバスラインGBLを含む。本発明は、フォトリソグラフィ工程と、非等方性エッチング工程を用いてガラス基板やセラミック基板をメッシュmesh状に加工してスペーサーSPを製作する。非等方性エッチング方法は、MEMSMicroelectromechanicalSystems工程技術に多く利用されている。ガラス基板はTFTLCDのようなフラットパネル表示パネルの基板として広く使用されている0.7mm厚さのガラス基板であり得る。この場合、本発明は、上部基板SUBSU、下部基板SUBSLとスペーサーSPを同じ材料と同じ厚さを有するガラスまたはセラミック基板で製作することができるので、基板材料を共用化することができる。セラミック基板は、アルミナAl2O3をベースとしたセラミック基板であり得る。電界放出表示装置の画素は、図18A~図18Cに示すように赤R、緑G、青Bの副画素を含むことができる。スペーサーSPは、開口孔10がマトリックス形態に配列されたメッシュ構造で製作される。スペーサーSPの開口孔10は、隔壁を挟んで区画される。スペーサーSPの隔壁は、上板のブラックマトリックスBMと下板の金属バスラインBUSと重畳される。スペーサーSPの開口孔10は、図18Aに示すように、副画素R、G、B単位で区画されることができる。また、スペーサーSPの開口孔10は、図18Bに示すようにRGB副画素を含む画素単位で区画されることができる。図18A及び図18Bで、PxとPyは、画素の水平方向および垂直方向のピッチを示す。また、スペーサーSPの開口孔10は、図18Cに示すように、複数の画素単位で区画されることができる。電界放出表示装置の製造工程は、表示パネルの内部に適正な真空度を維持するために上板と下板を接合した後、上板と下板との間に存在する内部ガスを排気する排気工程を含む。排気工程で内部のガスの排気が円滑になるようにスペーサーSPは、図19Aに示すように、両方向x及びy方向の隔壁に形成された溝12を含むことができる。溝12は、排気工程でスペーサーSPの隔壁を貫通して排気路を形成する。このような溝12は、図19Bに示すように互いに直交する2方向x及びy方向の隔壁に形成することもできる。図20及び図21は、スペーサーSPの製造方法を示す図である。図20及び図21を参照すると、本発明の実施形態に係るスペーサSPの製造方法は、基板GLS上にフォトレジストPRを塗布した後、その上にフォトマスクPhotomask、PMを整列する。S31とS32基板GLSは、ガラス基板やセラミック基板であり得る。フォトマスクPMは、スペーサーSPの開口孔10と対向する光透過部と、スペーサーSPの隔壁の部分と対向する光遮断部を含む。スペーサーSPの隔壁に排気路を形成するための排気溝12を形成する場合に、フォトマスクPMは、ハーフトーンHalftoneマスクを選択することができる。ハーフトーンマスクは、スペーサーSPの開口孔10と対向する光透過部、スペーサーSPの隔壁の部分と対向する光遮断部、及び排気溝12と対向するハーフトーン透過部を含む。続いて、スペーサーSPの製造方法は、フォトマスクPMを介してフォトレジストPRを露光した後、現像して、基板GLS上にフォトレジストパターンPRPを残留させる。S33続いて、スペーサーSPの製造方法は、非等方性エッチング方法を用いて基板GLSをエッチングする。非等方性エッチング方法で、プラズマエッチング方法のようなドライエッチング方法、または非等方性ウェットエッチング方法が適用されることができる。ドライエッチング方法で、基板GLSをエッチングすることができる反応ガスはHF6、NF3、HCl4、HNO3などがある。ウェットエッチング方法で基板GLSをエッチングすることができるエッチング液etchantは、HF溶液、BHF溶液などがある。ウェットエッチング方法は、公知の非等方性ウェットエッチング方法を適用することができ、また、本願出願人によって新たに開発された図22と図23のウェットエッチング方法を適用することができる。このようなエッチング方法で、基板GLSの厚さ方向または垂直方向のエッチング比Etchingratioは、基板GLSの表面方向または垂平方向のそれよりも高い。このため、基板GLSは、非等方性エッチング工程でフォトレジストパターンPRP以外の部分で垂直に、さらに多くエッチングされる。エッチング工程が完了すると、ストリップstrip工程でフォトレジストパターンPRPが除去される。S34S31乃至S34の工程を経て、スペーサーSPが完成するとS35、既に製作された上板と下板にガラスフリットGlassfritが塗布され、そのガラスフリット上にスペーサーSPが整列される。この状態で、ガラスフリットが焼結されると、ガラスフリットFRとスペーサーSPを介して表示パネルの上板と下板が接合される。S36スペーサーSPが上板と下板に接合されるS36工程は、真空度10-5~10-7torr程度の真空チャンバー内で行うことができる。真空チャンバーは、ガラスフリットの焼結が可能な温度である約400°C~500°Cに加熱される。本発明は、ガラスフリットが塗布された上板と下板の少なくともいずれか一つの基板上に形成されたアライメントキーAlignkeyにスペーサーSPに形成されたアライメントキーが一致するようにスペーサーSPを上板と下板に整列する。整列されたスペーサーSP、上板と下板が加熱された真空チャンバ内にロードされ固定された後、一定時間維持されるとガラスフリットが焼結されてスペーサーSPが上板と下板に強固に接合される。本発明は、上板と下板の基板と同じガラス基板やセラミック基板をスペーサーの材料として使用することにより、真空封止sealingをするためのガラスフリットの開発と選択が容易である。また、本発明は、MEMS工程技術、またはウェットエッチング技術を用いて、スペーサーを製作するため、50,000μm2以下の開口孔10を有する高精細スペーサーSPを低コストで精密に製作することができる。図22は、非等方性ウェットエッチング方法の一例を示す断面図である。このスペーサーの製造方法は、図23のようなウェットエッチング装置によって処理される。図22及び図23を参照すると、本発明の非等方性ウェットエッチング方法は、フォトレジストパターンPRPによって覆われない露出した部分開口孔部分内で基板GLSにレーザービームlaserbeamを照射したり、機械的な加工方法または、既存のフォトリソグラフィ工程とエッチング方法を用いて基板GLSを貫通する微細孔IHを形成する。微細孔IHは、図2に示されたスペーサーSPの開口孔10より小さい直径を有する。次に、本発明は、ノズルNZを微細孔IHに整列し、そのノズルNZを介して微細穴IHにエッチング液ETCを噴射する。微細孔IH内に注入されたエッチング液ETCは、その微細孔IHを介して流れ落ちて外部に排出され、微細孔IHの側壁をエッチングして、その微細孔IHのサイズを拡大する。エッチング液ETCは、隣接する複数の微細孔IHに同時に噴射される。図22と図23でノズルNZは、実際より小さいサイズで表現されている。ノズルNZを介してエッチング液が噴射される時、フォトレジストパターンPRPは、エッチング液ETCから基板GLSを保護してエッチング液ETCに露出する開口孔10の大きさと形状を定義する。エッチング工程が完了すると、ストリップ工程でフォトレジストパターンPRPが除去される。このように完成したスペーサーSPは、ガラスフリットの粉末で既に製作された上板と下板に接合される。エッチング液ETCは、図23のように微細孔IHを通過してエッチングされた基板の粒子と一緒に回収容器TNKで回収された後、フィルタFILを介して異物を除去した後、循環配管CIRを介してノズルNZに供給され、リサイクルされる。フィルタFILの内で濾された基板の粒子は捕執機COLに供給され、基板の製作にリサイクルすることができる。したがって、図23のようなエッチングシステムは、材料の無駄を最小限に抑え、親環境的なスペーサーの製造工程を実現することができる。"