"エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、前記酸無水物が下記一般式1で表されるコハク酸無水物誘導体を含む半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。[式1中、Rは炭素数3以上のアルケニル基を表す。]前記硬化促進剤がテトラアルキルホスホニウム塩又はテトラアリールホスホニウム塩である、請求項1に記載の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。フィルム状に形成されている、請求項1又は2に記載の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。さらに無機フィラを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を半導体チップ又は基板に供給する第一工程と、半導体チップと基板とを位置合わせした後、半導体チップと基板とをフリップチップ接続するとともに、半導体チップと基板との間の空隙を前記半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物によって封止充てんする第二工程と、を備える半導体装置の製造方法。基板と、該基板と電気的に接続された半導体チップと、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物の硬化物からなり基板と半導体チップとの間の空隙を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置。しかし、引用文献2等に記載のフラックス成分を含む熱硬化性樹脂を封止樹脂として先供給方式に適用した場合には、はんだ接合を行う際の高温接続条件に封止樹脂がさらされるために、フラックス成分由来の気体が発生する。このフラックス成分由来の気体が封止樹脂中でボイドとなるために、信頼性が低下するという課題がある。上記事情に鑑み本発明は、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる、先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式1で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供する。[式1中、Rは炭素数3以上のアルケニル基を表す。]かかる半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物によれば、高い耐湿信頼性と、高温接続条件におけるボイドの発生を充分に抑えることができ、さらに、所定のコハク酸無水物誘導体を用いることで、他のフラックス剤を添加しなくても良好なフラックス性能を得ることができる。上記硬化促進剤は、保存安定性をより向上させることができる点、及び、硬化物中の塩素イオンなどのイオン性不純物を低減して良好な耐湿信頼性を向上させることができる点から、テトラアルキルホスホニウム塩又はテトラアリールホスホニウム塩であることが好ましい。上記半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物は、取り扱い性を向上させることができる点から、フィルム状に形成されていることが好ましい。上記半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物は、低熱膨張化を図るために無機フィラを含むことが好ましい。本発明はまた、上記半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を半導体チップ又は基板に供給する第一工程と、半導体チップと基板とを位置合わせした後、半導体チップと基板とをフリップチップ接続するとともに、半導体チップと基板との間の空隙を半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物によって封止充てんする第二工程とを備える半導体装置の製造方法を提供する。かかる半導体装置の製造方法によれば、本発明の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いているので、高い耐湿信頼性を有し、高温接続条件におけるボイドの発生を充分に抑え、良好なはんだ接続を有する半導体装置を製造することができる。本発明はさらに、基板と、該基板と電気的に接続された半導体チップと、上記半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物の硬化物からなり基板と半導体チップとの間の空隙を封止する封止樹脂とを備える半導体装置を提供する。かかる半導体装置によれば、本発明の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いているので、高い耐湿信頼性を有し、高温接続条件におけるボイドの発生を充分に抑え、良好なはんだ接続を有する。本発明によれば、耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、且つフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。本発明の半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物以下、単にエポキシ樹脂組成物ともいう。は、エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物としてコハク酸無水物誘導体を用いることを特徴とする。上記エポキシ樹脂としては、2官能以上であれば特に限定されず、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ジフェニルスルフィド骨格含有エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型多官能エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有多官能エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格含有多官能エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、その他各種多官能エポキシ樹脂などを用いることができる。これらの中でも、低粘度化、低吸水率、高耐熱性の観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有多官能エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格含有多官能エポキシ樹脂などを用いることが望ましい。また、これらのエポキシ樹脂の性状としては25°Cで液状でも固形でも構わないが、固形のエポキシ樹脂では、例えばはんだを加熱溶融させて接続する場合、その融点又は軟化点がはんだの融点よりも低いものを用いることが望ましい。また、これらのエポキシ樹脂は単独又は2種以上を混合して用いてもよい。上記酸無水物は下記一般式1で表されるコハク酸無水物誘導体である。一般式1中において、Rは炭素数3以上のアルケニル基を示す。例えば、Rとして、式2のようなアリル基、式3のようなオクテニル基、式4、式5のようなドデセニル基以下、本願においては炭素数が12であるアルケニル基はドデセニル基と呼ぶ、式6のようなヘキサデセニル基、式7のようなオクタデセニル基が挙げられる。なお、式1のRのアルケニル基における炭素数の上限は特に限定されないが、例えば20以下とすることができる。これらは、単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。また、室温において、固形でも液状でも構わないが、エポキシ樹脂組成物作製時の作業性を向上させるために、液状であることが望ましい。酸無水物の配合量としては、エポキシ樹脂との当量比エポキシ基の数と酸無水物から発生するカルボキシル基の数の比:エポキシ基の数/カルボキシル基の数が0.5~1.5となるように配合することが好ましく、より好ましくは0.7~1.2である。当量比が0.5より小さい場合、カルボキシル基が過剰に残存し、吸水率が上昇したり、耐湿信頼性が低下するおそれがあり、当量比が1.5より大きい場合、硬化が十分進行しないおそれがある。硬化促進剤としては、イミダゾール類や4級ホスホニウム塩を用いることができるが、硬化物中の塩素イオンなどのイオン性不純物を低減して良好な耐湿信頼性を実現できる4級ホスホニウム塩を用いることが望ましい。イミダゾール類としては、例えば、2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PHZ、2MA-OK、2PZ-OKなどや、これらのイミダゾール類をエポキシ樹脂と付加させた化合物が挙げられる。また、これら硬化促進剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは可使時間が延長されるために好ましい。これらは単独又は2種以上を混合して使用することもできる。4級ホスホニウム塩としては、テトラメチルホスホニウム塩、テトラエチルホスホニウム塩、テトラブチルホスホニウム塩のようなテトラアルキルホスホニウム塩やテトラフェニルホスホニウム塩のようなテトラアリールホスホニウム塩、トリアリールホスフィン類やトリアルキルホスフィン類と1,4-ベンゾキノンの付加体などを用いることができる。例えば、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラn-ブチルホスホニウムブロマイド、テトラ4-メチルフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラn-ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、n-ヘキサドデシルトリn-ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラn-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ4-フルオロフェニルボレート、テトラn-ブチルホスホニウムベンゾトリアゾレート、テトラn-ブチルホスホニウムジエチルホスホトジチオエート、トリフェニルホスフィンと1,4-ベンゾキノンの付加体、トリ4-メチルフェニルホスフィンと1,4-ベンゾキノンの付加体、トリn-ブチルホスフィンと1,4-ベンゾキノンの付加体、トリシクロヘキシルホスフィンと1,4-ベンゾキノンの付加体などが挙げられる。これらの中でも、不純物イオンや保存安定性の観点から、テトラn-ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、n-ヘキサドデシルトリn-ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラn-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ4-フルオロフェニルボレートなどが好適である。これらは単独又は2種以上を混合して使用することもできる。これら硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂と酸無水物の総量100質量部に対して、0.01~10質量部が望ましく、より好ましくは0.1~5質量部である。配合量が0.01質量部より少ないと硬化性が低下して接続信頼性が低下するおそれがあり、10質量部より多いと保存安定性が低下するおそれがある。上記エポキシ樹脂組成物は、室温においてペースト状であってもフィルム状であってもよいが、取り扱い性の観点からフィルム状に形成されていることが好ましい。フィルム状とするために、上記エポキシ樹脂組成物は熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、アクリルゴム等が挙げられ、その中でも耐熱性及びフィルム形成性に優れるフェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、アクリルゴム等が望ましく、耐加水分解性の観点からフェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂がより好ましい。重量平均分子量としては5000より大きいことが望ましいが、より望ましくは10000以上であり、さらに望ましくは20000以上であり、5000以下の場合にはフィルム形成能が低下する場合がある。また、溶剤への溶解性の観点から100000以下であることが好ましい。なお、重量平均分子量はGPCGelPermeationChromatographyを用いて、ポリスチレン換算で測定した値である。また、これらの熱可塑性樹脂は単独又は2種以上の混合体や共重合体として使用することもできる。これら熱可塑性樹脂の配合量としては、エポキシ樹脂と酸無水物の総量100質量部に対して、5~200質量部であることが好ましく、より好ましいのは、低熱膨張化の観点から15~175質量部であり、さらに好ましいのは、硬化物の強靭化の観点から25~150質量部である。5質量部より少ないと、フィルム形成性が低下し、取り扱いが困難になるおそれがあり、200質量部を超えると耐熱性や信頼性が低下するおそれがある。さらに、上記エポキシ樹脂組成物は粘度調整や硬化物の物性制御のためにフィラを含んでいてもよい。フィラとしては有機フィラ、無機フィラのいずれでも構わないが、低熱膨張化を図るために無機フィラを含んでいることが好ましい。無機フィラとしては、例えば、ガラス、二酸化ケイ素シリカ、酸化アルミニウムアルミナ、酸化チタンチタニア、酸化マグネシウムマグネシア、カーボンブラック、マイカ、硫酸バリウムなどが挙げられる。これらは単独又は2種以上を混合して使用してもよい。また、2種類以上の金属酸化物を含む複合酸化物2種類以上の金属酸化物が単に混合されてなるものではなく、金属酸化物同士が化学的に結合して分離不能な状態となっているものであってもよく、例えば、二酸化ケイ素と酸化チタン、二酸化ケイ素と酸化アルミニウム、酸化ホウ素と酸化アルミニウム、二酸化ケイ素と酸化アルミニウムと酸化マグネシウムなどからなる複合酸化物が挙げられる。フィラの形状は破砕状、針状、リン片状、球状と特に限定されないが、分散性や粘度制御の観点から、球状のものを用いることが好ましい。また、フィラのサイズは、フリップチップ接続した際の半導体チップと基板の間の空隙よりも平均粒径が小さいものであればよいが、充てん密度や粘度制御の観点から、平均粒径0.01μm以上10μm以下のものが好ましく、0.01μm以上5μm以下のものがより好ましく、0.01μm以上3μm以下のものが特に好ましい。さらに、粘度や硬化物の物性を調整するために、粒径の異なるものを2種以上組み合わせて用いてもよい。本発明におけるフィラの配合量は、エポキシ樹脂と酸無水物の総量100質量部に対して、15質量部以上200質量部以下とすることが望ましく、低吸水率化の観点から50質量部以上175質量部以下とすることがより望ましく、低熱膨張化の観点から75質量部以上150質量部以下であることが特に好ましい。この配合量が200質量部より多いと、樹脂組成物の粘度が高くなり、接続信頼性が低下するおそれがある。また、この配合量が15質量部より少ないと、フィルム状の場合、表面タックが増大して取り扱い性が低下するおそれがある。さらに、上記エポキシ樹脂組成物には、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、酸化防止剤、レベリング剤、イオントラップ剤などの添加剤を配合してもよい。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせてもよい。配合量については、各添加剤の効果が発現するように調整すればよい。上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤をプラネタリーミキサー、らいかい機、ビーズミルなどを用いて攪拌混合して使用することができる。また、フィラを配合する場合、3本ロールを用いて混練し、フィラを樹脂組成物中に分散させることができる。上記エポキシ樹脂組成物は、例えば以下に示す方法により室温25°Cでフィルム状フィルム状樹脂組成物とすることができる。熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、酸無水物、フラックス剤、硬化促進剤、フィラ及びその他添加剤をトルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、N-メチルピロリドンなどの有機溶媒中でプラネタリーミキサーやビーズミルを用いて混合することによってワニスを調製する。そのワニスを、ナイフコーターやロールコーターを用いて、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート樹脂などのフィルム基材上に塗布した後、有機溶媒を乾燥除去することによってフィルム状樹脂組成物が得られる。次に、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて製造される半導体装置について説明する。図1は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図1に示される半導体装置10は、回路基板7と、半導体チップ5と、回路基板7と半導体チップ5との間に配置された封止樹脂6とを備える。封止樹脂6は、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物からなり回路基板7と半導体チップ5との間の空隙を封止している。回路基板7は、インターポーザー等の基板と、この基板の一方の面上に設けられた配線4とを備える。回路基板7の配線4と半導体チップ5とは、複数のバンプ3導電性突起によって電気的に接続されている。また、回路基板7は、配線4が設けられた面と反対側の面に電極パッド2と、電極パッド2上に設けられたはんだボール1とを有しており、他の回路部材との接続が可能となっている。半導体チップ5としては、特に限定はなく、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体等、各種半導体を用いることができる。回路基板7としては、通常の回路基板でもよく、また、半導体チップでもよい。回路基板の場合、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミックなどの絶縁基板表面に形成された銅などの金属層の不要な個所をエッチング除去して配線パターンが形成されたもの、絶縁基板表面に銅めっきなどによって配線パターンを形成したもの、絶縁基板表面に導電性物質を印刷して配線パターンを形成したものなどを用いることができる。配線パターンの表面には、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、インジウム、金、ニッケル、銀、銅、パラジウムなどからなる金属層が形成されていてもよく、この金属層は単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。バンプ3の材質としては、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、インジウム、金、銀、銅などからなるものが用いられ、単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、これらの金属が積層された構造をなすように形成されていてもよい。特に広く用いられているものとしては、はんだバンプ、銅バンプ、銅ピラーの先端にはんだが形成されたバンプ、金バンプなどが挙げられる。バンプは半導体チップに形成されていてもよいし、基板に形成されていてもよいし、半導体チップと基板の両方に形成されていてもよい。本発明に係る半導体装置としては、図1に示す半導体パッケージのように、インターポーザーと呼ばれる基板上に半導体チップが搭載され、樹脂封止されたものが挙げられ、具体的には、CSPチップサイズパッケージやBGAボールグリッドアレイなどが挙げられる。また、別の半導体パッケージとしては、半導体チップの電極部を半導体チップ表面上で再配線することによって、インターポーザーを用いないで基板に搭載可能としたものが挙げられ、具体的には、ウエハーレベルパッケージと呼ばれるものが挙げられる。半導体パッケージを搭載する基板としては、通常の回路基板が挙げられ、この基板は、インターポーザーに対してマザーボードと呼ばれるものを指す。次に、本発明における半導体装置の製造方法について、はんだバンプが形成された半導体チップを用いた一例に基づいて以下に示す。1エポキシ樹脂組成物を供給する第一工程エポキシ樹脂組成物がペースト状の場合は、ディスペンサーを用いて所定の位置に塗布する。フィルム状の場合は加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネートなどによって貼り付ける。エポキシ樹脂組成物の供給量は、半導体チップの大きさ、バンプ高さなどによって規定され、半導体チップと基板の間の空隙を隙間なく充てん可能で、かつフリップチップ接続時に半導体チップの側壁を樹脂が伝わって接続装置に付着しないような量に適宜設定される。また、フィルム状の場合、フィルム状樹脂組成物は半導体チップに貼り付けられてもよく、半導体ウエハにフィルム状樹脂組成物を貼り付けた後、ダイシングして、半導体チップに個片化することによって、フィルム状樹脂組成物を貼り付けた半導体チップを作製することができる。2半導体チップと基板をフリップチップ接続する第二工程半導体チップと基板をフリップチップボンダーなどの接続装置を用いて位置合わせした後、半導体チップと基板をはんだバンプの融点以上の温度で加熱しながら押し付けて、半導体チップと基板を接続するとともに、溶融したフィルム状樹脂組成物によって半導体チップと基板の間の空隙を封止充てんする。この際、本発明のエポキシ樹脂組成物中に含まれるコハク酸無水物誘導体が開環して発生するカルボン酸によって、はんだバンプ表面の酸化膜が還元除去されるために、はんだバンプの溶融が容易に起こり、金属接合による接続部が形成される。また、半導体チップと基板を位置合わせして、はんだバンプが溶融しない温度で加熱しながら押し付けることによって、半導体チップのバンプと基板電極の間の樹脂を排除して半導体チップと基板間の空隙を封止充てんした後、再度はんだの融点以上の温度に加熱してはんだバンプを溶融させて半導体チップと基板を接続してもよい。再度はんだの融点以上の温度に加熱する際には、フリップチップボンダーを用いてもよいし、リフロー炉で加熱処理を行ってもよい。さらに、接続信頼性を高めるために、前記半導体装置を加熱オーブンなどで加熱処理し、エポキシ樹脂組成物の硬化をさらに進行させてもよい。以下、実施例及び比較例によって本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらによって限定されるものではない。表1及び表2に示す組成に基づいて、各材料をメチルエチルケトン溶媒中に樹脂組成物濃度が50~70になるように溶解混合してワニスを作製した。このワニスをφ1mmのジルコニアボールとともにビーズミルで600rpmの条件で30分間混合した後、ジルコニアボールをろ別した。得られたワニスをセパレータフィルムPETフィルム上にナイフコーターを用いて塗布した後、70°Cのオーブンで10分間乾燥させることによって、厚さ25~30μmのフィルム状樹脂組成物を作製した。なお、表1及び表2中の数値の単位は、エポキシと酸無水物の当量比以外は全て質量部である。原材料フェノキシ樹脂1:ε-カプロラクトン変性フェノキシ樹脂PKCP80InchemCorporation製、製品名、分子量47000フェノキシ樹脂2:ビスフェノールA/F共重合型フェノキシ樹脂ZX1356-2新日鐵化学株式会社製、製品名、分子量62000エポキシ樹脂:トリスフェノールメタン型多官能エポキシ樹脂EP1032H60三菱化学株式会社製、製品名酸無水物1:3-ドデセニルコハク酸無水物DDSA新日本理化株式会社製、製品名酸無水物2:メチル-3,6エンドメチレン-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸無水メチルハイミック酸MHAC-P日立化成工業株式会社製、製品名酸無水物3:3-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸と4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸の混合物HN-5500日立化成工業株式会社製、製品名酸無水物4:3,4-ジメチル-6-2-メチル-1-プロペニル-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物YH306三菱化学株式会社製、製品名酸無水物5:3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物BTDAダイセル化学工業株式会社製、製品名フラックス剤:アジピン酸シグマアルドリッチ製、製品名、融点152°C硬化促進剤1:テトラn-ブチルホスホニウムテトラフェニルボレートPX-4PB日本化学工業株式会社製、製品名硬化促進剤2:テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートTPPK北興化学工業株式会社製、製品名フィラ:球状シリカSE2050アドマテックス株式会社製、製品名カップリング剤:γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランSH6040東レダウコーニングシリコーン株式会社製、製品名半導体チップと基板の接続銅ピラー先端に鉛フリーはんだ層Sn-3.5Ag:融点221°Cを有する構造のバンプが形成された半導体チップとして、日立超LSIシステムズ製JTEGPHASE1180サイズ7.3mm×7.3mm、バンプピッチ80μm、バンプ数328、厚み0.55mm、商品名、基板としてプリフラックス処理によって防錆皮膜を形成した銅配線パターンを表面に有するガラスエポキシ基板を準備した。続いて、実施例1~5及び比較例1~6のフィルム状樹脂組成物を9mm×9mmに切り出し、基板上の半導体チップが搭載される領域に80°C/0.5MPa/5秒の条件で貼り付けた後、セパレータフィルムを剥離した。フリップチップボンダーFCB3パナソニックファクトリーソリューションズ製、製品名の40°Cに設定したステージ上にフィルム状樹脂組成物が貼り付けられた基板を吸着固定し、半導体チップと位置合わせした後、仮固定工程として、接続部の温度が90°Cとなるように、あらかじめフリップチップボンダーのヘッド温度を100°Cに設定し、荷重25Nで5秒間圧着を行い、半導体チップを基板上に仮固定した。次いで、接続部の温度が鉛フリーはんだの融点より低い180°Cとなるようにヘッド温度をあらかじめ210°Cに設定し、荷重25Nで10秒間圧着を行った後、加圧状態を保持したまま、接続部の温度が鉛フリーはんだの融点より高い250°Cとなるようにヘッド温度をあらかじめ290°Cに設定し、引き続き、荷重25Nで10秒間の圧着を行った。なお、接続部の温度は、K型熱電対を半導体チップと基板の間に挟んだものを別途作成して測定した。導通検査半導体チップと基盤を接続した半導体装置について、328バンプのデイジーチェーン接続が確認できたものを合格○として、デイジーチェーン接続が確認できなかったものを不合格×として評価した。ボイド評価半導体チップと基板を接続した半導体装置を超音波探傷装置日立建機製FineSATで観察し、チップ面積に対してボイドが占める面積が1以下となるものを合格○として、1を超えるものを不合格×として評価した。なお、実施例1のフィルム状樹脂組成物を用いて製造した半導体装置のボイド状況を超音波探傷装置で観察した観察像を図2に示す。この図から明らかであるように、実施例1の半導体装置において、ボイドがほとんど観察されない。接続状態評価半導体チップと基板を接続した半導体装置の接続部を断面研磨することによって露出させ、光学顕微鏡で観察した。接続部にトラッピングが見られず、はんだが配線に十分濡れているものを合格○として、それ以外のものを不合格×として評価した。なお、実施例1、並びに比較例1及び4のフィルム状樹脂組成物を用いて製造した半導体装置の接続部の断面写真をそれぞれ図3~5に示す。実施例1の接続部においては、トラッピングが観察されず、はんだが配線に充分濡れている。一方、比較例1及び4の接続部においては、一部トラッピングが見られ、はんだが配線に充分濡れていない。接着破壊モード評価実施例1~5及び比較例1~4のフィルム状樹脂組成物の耐湿信頼性を評価するために、以下の条件下で接着破壊モード評価を行った。サイズ5mm×5mm、厚さ550μmの酸化膜形成シリコンチップの酸化膜面に、5mm×5mmに切り出した実施例1~5及び比較例1~4のフィルム状エポキシ樹脂組成物を80°C0.5MPa3秒の条件で貼り付けた後、セパレータフィルムを剥離したものを準備した。次に、ソルダーレジストが表面に形成されたFR-4基板に、上記フィルム状樹脂組成物が貼り付けられたシリコンチップを、フィルム状樹脂組成物とソルダーレジストが接するように重ねた後、接続部の温度が180°Cとなるようにヘッド温度をあらかじめ210°Cに設定し、荷重13Nで10秒間圧着を行い、一旦加圧を開放した後、接続部の温度が250°Cとなるようにヘッド温度を290°Cに再設定して、荷重13Nで10秒間の圧着を行った。圧着したサンプルを175°C2時間の条件で加熱処理し、引き続き85°C、相対湿度65の恒温恒湿槽内に24時間放置した後、Dagy社製ボンドテスターDagy4000でシェア速度0.05mm/秒、シェア高さ0.05mm、測定温度260°Cの条件でシェア試験を行った。破壊モードとして、FR-4基板が破壊されたものを合格○とし、フィルム状樹脂組成物とシリコンチップ又はソルダーレジストの界面で剥離したものを不合格×とした。実施例1~5及び比較例1~4について、導通状態、ボイドの有無、接続状態及び接着破壊モードを評価した結果を表3に示す。表3の結果から、実施例1~5及び比較例1~4において、コハク酸誘導体以外の酸無水物を含む比較例1~4では、はんだが配線に十分濡れておらず、従来技術のようにアジピン酸のような固形有機酸をフラックス成分として配合する必要がある。一方、実施例1~5では、フラックス成分を含まず、かつ酸無水物がコハク酸誘導体を含み、溶融したはんだが配線に十分濡れて良好な接続状態であった。さらに、接着力評価における破壊モードは、実施例1~5において、全て基板の破壊となっており、フィルム状樹脂組成物とシリコンチップ又はソルダーレジストとの界面剥離は見られなかった。以上に説明したとおり、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いることによって、フラックス成分を配合しなくても、溶融したはんだが配線に十分濡れて、良好なはんだ接続部の形成が可能になるとともに、吸湿後の高温接着力に優れ、高い接続信頼性を実現できる。"