信号電荷を生成する複数の受光部を有する固体撮像装置であって、前記信号電荷を転送する転送部と、前記転送部から転送される前記信号電荷を蓄積する浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層の信号電荷を電圧に変換する出力部と、前記転送部と前記出力部とに接する分離領域とを備え、前記分離領域は、第1導電型不純物を含む第1分離領域と、前記第1分離領域よりも高濃度の第1導電型不純物を含む第2分離領域とを有し、前記第1分離領域は、前記浮遊拡散層に隣接する固体撮像装置。前記出力部は、ドライブトランジスタと負荷トランジスタとを含むソースフォロワ回路であり、前記固体撮像装置は、前記浮遊拡散層と前記ドライブトランジスタのゲートとを接続する配線を有し、前記第1分離領域は、前記浮遊拡散層と前記ドライブトランジスタのゲート下のチャネル領域とに隣接し、前記ドライブトランジスタのゲート下のチャネル領域の片側または両側に形成される請求項1に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、前記浮遊拡散層の信号電荷をリセットするリセットトランジスタを有し、前記第1分離領域は、前記リセットトランジスタのゲート下のチャネル領域の片側または両側に形成される請求項1に記載の固体撮像装置。前記請求項1から3の何れか1項に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。単位信号電荷量当りの出力端子VOUTでの出力値は変換効率と呼ばれ、この値を大きくすることが固体撮像装置の感度特性を向上させるために重要となる。この変換効率を大きくするためには、フローティングディフュージョン部ソース領域2aの容量を小さくする必要がある。そのための一手段として、フローティングディフュージョン部ソース領域2aおよびそれに接続した部位を微細に加工形成することが有効である。例えば、フローティングディフュージョン部ソース領域2aを小さく形成して、これと第1段目ドライブトランジスタTd1の間の距離を短縮するなどが考えられる。しかし、このような微細化を従来技術の構造に対して行なっても、変換効率があまり向上しないという問題点がある。その理由は、微細化のために、フローティングディフュージョン部ソース領域2aと分離領域64をより近接させることが必要となってくるが、フローティングディフュージョン部ソース領域2aに形成される高濃度のN型不純物拡散層と分離領域64に形成される高濃度のP型不純物拡散層が互いに近接することにより、これらの間で形成されるPN接合容量の影響が大きくなるからである。この接合容量を小さくするために、N型不純物拡散層あるいはP型不純物拡散層の不純物濃度を小さくすることが考えられる。しかし、フローティングディフュージョン部2aとソース配線8を良好に電気的に接続するためには高濃度のN型不純物拡散層が必要であり、この濃度を小さくすることは困難である。また、本固体撮像装置の各部の電気的分離を確保するためには高濃度のP型不純物拡散層が必要であり、この濃度を小さくすることもまた困難である。すなわち、フローティングディフュージョン部ソース領域2aを小さく形成して、フローティングディフュージョン部2aとドライブトランジスタTd1の間の距離を短縮させて変換効率を向上させようとしても、フローティングディフュージョン部ソース領域2aと分離領域64との間に形成されるPN接合容量の影響が大きくなり、変換効率があまり向上しないという問題点があった。前記課題を鑑み、本発明はフローティングディフュージョン部を小さく形成して、フローティングディフュージョン部と分離領域の間の距離を短縮させても、前記PN接合容量の影響を抑えて、変換効率を向上させる固体撮像装置およびカメラを提供する。上記課題を解決するため本発明の一形態における固体撮像装置は、信号電荷を生成する複数の受光部を有する固体撮像装置であって、前記信号電荷を転送する転送部と、前記転送部から転送される前記信号電荷を蓄積する浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層の信号電荷を電圧に変換する出力部と、前記転送部と前記出力部とに接する分離領域とを備え、前記分離領域は、第1導電型不純物を含む第1分離領域と、前記第1分離領域よりも高濃度の第1導電型不純物を含む第2分離領域とを有し、前記第1分離領域は、前記浮遊拡散層に隣接する。この構成によれば、前記浮遊拡散層と第1分離領域とにより形成されるPN接合容量において、第1分離領域の不純物濃度が第2分離領域より低いため、前記PN接合容量を小さく抑えることができる。その結果、出力回路において信号電荷を電圧に変換する変換効率を向上させることができる。ここで、前記出力部は、ドライブトランジスタと負荷トランジスタとを含むソースフォロワ回路であり、前記固体撮像装置は、前記浮遊拡散層と前記ドライブトランジスタのゲートとを接続する配線を有し、前記第1分離領域は、前記浮遊拡散層と前記ドライブトランジスタのゲート下のチャネル領域とに隣接し、前記ドライブトランジスタのゲート下のチャネル領域の片側または両側に形成されるようにしてもよい。この構成によれば、ドライバトランジスタのナローチャネル効果を緩和することができ、ドライバトランジスタのゲート変調度を向上させることができる。さらに、ドライバトランジスタのトランスコンダクタンスgmを向上できるので、その分、ドライバトランジスタで発生するサーマルノイズを低減することができる。また、浮遊拡散層の周りでのブレイクダウン電圧を向上できるので、静電耐圧を向上させることができる。ここで、前記固体撮像装置は、前記浮遊拡散層の信号電荷をリセットするリセットトランジスタを有し、前記第1分離領域は、前記リセットトランジスタのゲート下のチャネル領域の片側または両側に形成されるようにしてもよい。この構成によれば、リセットトランジスタでのナローチャネル効果を緩和することができ、そのゲート変調度を向上させることができる。また、本発明のカメラは上記の固体撮像装置を備える。本発明は、固体撮像装置の出力部において、電荷量を電圧に変換して取り出すフローティングディフュージョン部のPN接合容量を低減できるので、変換効率を向上できる。加えて、第1段目ドライバMOSのゲート変調度を向上できることからも変換効率を向上できる。その結果、固体撮像装置の出力感度を向上させることができる。図1は、本発明の実施形態における固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。同図に示すように、固体撮像装置は、半導体基板101を備える。半導体基板101は、2次元状に配列された複数の受光部102と、受光部102の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部垂直CCD103と、受光部102の最終行に隣接するように設けられた水平転送部水平CCD104と、出力部23とを備える。受光部102は、フォトダイオードであり、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。図1中の矢印に示すように、受光部102に蓄積された電荷は、各垂直転送部103に読み出され、各垂直転送部103によって垂直方向に転送される。各垂直転送部103によって転送された電荷は、水平転送部104によって水平方向に転送され、出力部23によって増幅された後、外部に出力される。図2は、図1の破線枠a1水平転送部104の端部および出力部23の概略平面構成図である。図3は図2出力部23の等価回路図である。図2において、水平転送部104は、半導体基板101に形成されたN型の水平CCDチャネル部21と、その上部に一次元状の配置された複数の水平転送電極と、水平転送部104の端部に形成されたN型の浮遊拡散層22と、浮遊拡散層22をソース領域とするリセットトランジスタ28とが形成されている。図中のφH1~φH4は水平転送パルス信号である。VOGは水平転送部104の最終段から浮遊拡散層22へ信号電荷を転送するための一定の制御電位である。浮遊拡散層22は、水平転送部の最終段から転送される信号電荷を蓄積するN型の領域である。リセットトランジスタ28は、リセットゲート28Gに印加されるリセットパルス信号φRGによって浮遊拡散層22を電源電圧VDDにリセットする。出力部23は、浮遊拡散層22の信号電荷を電圧に変換するソースフォロワ回路である。同図では2段のソースフォロワ回路の例を示している。1段目のソースフォロワ回路は、ドライブトランジスタ261と負荷トランジスタ291とを有し、2段目のソースフォロワ回路は、ドライブトランジスタ262と負荷トランジスタ292とを有する。ドライブトランジスタ261、262のドレインには電源電圧VDDが印加される。ドライブトランジスタ261、262のソースは、負荷トランジスタ291、292のドレインに接続される。負荷トランジスタ291、292のソースは所定の電位VSSになっている。浮遊拡散層22とドライブトランジスタ261の入力ゲート26Gとはソース配線25により接続されている。ドライブトランジスタ261は、入力ゲート26Gに接続された浮遊拡散層22の信号電荷を、電圧信号としてソースから出力する。1段目のドライブトランジスタ261のソースは2段目のドライブトランジスタ262のゲートに接続されている。2段目のドライブトランジスタ262は、1段目のドライブトランジスタ261の出力信号を増幅し、ソースから出力信号VOUTとして出力する。図2において、半導体基板101には、水平転送部104と浮遊拡散層22と出力部23とに接する分離領域241および242を有している。この分離領域は、P型不純物を含む第1分離領域241と、第1分離領域241よりも高濃度のP型不純物を含む第2分離領域242とを含む少なくとも2つの領域に分けられる。第1分離領域241は、浮遊拡散層22に隣接している。詳しく説明すると、浮遊拡散層22と出力部23内の第1段目のドライブトランジスタ261との間には、これらを電気的に分離するための第1分離領域241が形成される。および、第1分離領域241を除いて他の分離領域には第2分離領域242が配置される。第1分離領域241はソース配線25、第1段目のドライブトランジスタ261の入力ゲート26Gおよびリセットゲート28Gの側端部分にも配置される。また、第1分離領域241は第1段目のドライブトランジスタ261の浮遊拡散層22とは反対側にも配置され、入力ゲート26Gのもう一方の側端部分にも配置される。また、第1分離領域241は浮遊拡散層22の第1段目のドライブトランジスタ261とは反対側にも配置され、リセットゲート28Gのもう一方の側端部分にも配置される。図4は、図1の破線枠a1水平転送部104の端部および出力部23の詳細平面図である。図5は図4のA1-A2線の断面図である。図4では、出力部23のうちドライブトランジスタ261を図示している。図4および図5において、N型の半導体基板101上にP型ウェル42が形成され、P型ウェル42内に水平CCDチャネル部21、浮遊拡散層22および出力部23内のドライブトランジスタ261が配置される。そして、P型ウェル42内に、第1分離領域241となる低濃度のP型不純物拡散層、第2分離領域242となる高濃度のP型不純物拡散層が配置される。ここで、前記低濃度P型不純物拡散層である第1分離領域241の不純物濃度は高濃度P型不純物拡散層である第2分離領域242のものよりも小さい。また、P型ウェル42内に、浮遊拡散層22を形成する高濃度のN型不純物拡散層が配置される。このN型不純物拡散層は、例えばALアルミニウムで形成されるソース電極と接続される。そして、このN型不純物拡散層である浮遊拡散層22は低濃度P型不純物拡散層である第1分離領域241との間で、PN接合容量を形成する。しかし、本実施形態では、第1分離領域241の不純物濃度を小さくしているため、前記PN接合容量を小さく抑えることができる。また、第1分離領域241は、浮遊拡散層22と電気的に接続するソース配線25の下部および第1段目のドライブトランジスタ261の入力ゲート26Gの下部にも配置される。それにより、これらソース配線25および入力ゲート26Gの下部にある低濃度P型不純物拡散層である第1分離領域241が空乏化し、浮遊拡散層22の容量を小さくできる。加えて、第1分離領域241が入力ゲート26Gの両側端部分にも配置されることにより、第1段目のドライブトランジスタ261のナローチャネル効果を緩和することができ、第1段目ドライブトランジスタ261のゲート変調度を向上させることができる。これらの結果、本固体撮像装置の変換効率特性を向上させることができる。その他の効果として、第1段目ドライブトランジスタ261のゲート変調度の向上から、そのトランスコンダクタンスgmも向上することになるので、その分、第1段目ドライブトランジスタ261に起因するサーマルノイズを低減することができる。また更に、N型不純物拡散層である浮遊拡散層22と低濃度P型不純物拡散層である第1分離領域241との間の電界が緩和され、これらの間でのブレイクダウン電圧が向上し、出力部部分の静電耐圧が向上する。更にまた、第1分離領域241は、リセットゲート28Gの両側端部分にも配置されることにより、リセットゲート28Gでのナローチャネル効果を緩和することができ、そのゲート変調度を向上させることができる。その結果、本固体撮像装置のリセット特性を向上させることができる。変形例図6は、図5の変形例を示す断面図である。図5では、第1分離領域241には低濃度P型不純物拡散層が形成されるのに対し、本変形例では、低濃度P型不純物拡散層は形成されない。別の見方をすれば、第1分離領域241は、P型ウェル42と同じ不純物濃度のP型領域である。浮遊拡散層22と第1段目のドライブトランジスタ261との間でパンチスルーが発生しないようにできれば、必ずしも低濃度P型不純物拡散層である第1分離領域241を必要せず、前記P型ウェル42だけで電気的分離を達成することができる。前述したように、本実施形態によれば、固体撮像装置の出力部23において、信号電荷量を電圧に変換して取り出すための浮遊拡散層22の容量を低減できるので、変換効率を向上できる。加えて、第1段目のドライブトランジスタ261のゲート変調度を向上できることからも変換効率を向上できる。その結果、固体撮像装置の出力感度を向上させることができる。その他の効果として、第1段目のドライブトランジスタ261のトランスコンダクタンスgmも向上できるので、その分、第1段目のドライブトランジスタ261で発生するサーマルノイズを低減することができる。また、浮遊拡散層22周りでのブレイクダウン電圧を向上できるので、静電耐圧を向上させることができる。更に、リセットゲート28Gのゲート変調度を向上でき、リセット特性を向上させることができる。以上より、高感度、低ノイズかつ高信頼性の固体撮像装置を実現することができる。なお、上記実施形態における固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話機、パーソナルコンピュータ等に備えられる。また、上記実施形態では、出力部23の例として2段のソースフォロワ回路の例を説明したが、ソースフォロワ回路は1段以上であれば何段でもよい。また、上記実施形態では、CCD型固体撮像装置における水平転送部104の端部にある浮遊拡散層と、ドライブトランジスタと、リセットトランジスタとを分離する第1分離領域および第2分離領域について説明したが、MOS型固体撮像装置において浮遊拡散層と、ドライブトランジスタ増幅トランジスタと、転送トランジスタつまり信号電荷を浮遊拡散層に転送する転送部と、リセットトランジスタとを備える画素セルにおいて本発明を適用しても、同様の効果を得ることができる。以上、本発明の固体撮像装置について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。