"厚さW、少数キャリア拡散定数D、バルクライフタイムτbが下記の式1を満たすような半導体基板を用い、マイクロ波光導電減衰法を用いて、前記半導体基板の表面で反射されたマイクロ波の反射強度の減衰から一次モードライフタイムτ1を測定し、前記厚さW、前記少数キャリア拡散定数Dおよび前記一次モードライフタイムτ1を代入して、前記半導体基板の表面再結合速度Sおよび前記バルクライフタイムτbを変数とする下記の式2で示される曲線を求め、前記式2で示される曲線において、前記バルクライフタイムτbが無限大における前記表面再結合速度Sの極限値から近似的な表面再結合速度Sを求める、半導体基板の解析方法。前記半導体基板の厚さWが50μm以上1.5mm以下である、請求項1に記載の半導体基板の解析方法。前記半導体基板のバルクライフタイムτbが100μsec以上である、請求項1または請求項2に記載の半導体基板の解析方法。前記半導体基板としてシリコン基板を用いる、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体基板の解析方法。前記マイクロ波光導電減衰法による測定の前に、前記半導体基板に表面処理としてフッ化水素酸による処理を行う、請求項4に記載の半導体基板の解析方法。前記表面処理後の半導体基板の表面再結合速度Sが100cm/sec以上100000cm/sec以下である、請求項5に記載の半導体基板の解析方法。例えば、非特許文献1に開示される表面再結合速度Sとバルクライフタイムτbの分離評価方法においては、厚さのみが異なり他の条件が同一の半導体基板を複数枚準備する必要があり、準備が煩雑になるという問題があった。また、特許文献2に示される、一次モードライフタイムτ1における表面再結合速度Sの寄与を十分に小さくして半導体基板の結晶状態を評価する方法、所謂S-loweringと呼ばれる方法では、表面再結合速度Sを評価することを前提としていない。このように、μ-PCD法を用いて半導体基板の表面再結合速度Sを簡便に求め、それにより半導体基板の表面の状態を解析することは不可能であった。このような問題に鑑みて、μ-PCD法を用いて簡便に半導体基板の表面の状態を解析する方法を提供することを目的の一とする。特に、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の表面再結合速度Sを近似的に求める方法を提供することを目的の一とする。開示する発明では、薄い厚さの半導体基板を用いることで、μ-PCD法で測定される一次モードライフタイムτ1における半導体基板の表面の寄与を、半導体基板のバルクの寄与より十分大きくする。これにより、μ-PCD法を用いて求められる、表面再結合速度Sとバルクライフタイムτbを変数とするS-τb曲線において、バルクライフタイムτbを無限大として近似的な表面再結合速度Sを求めることができる。具体的には以下のような方法を用いて半導体基板の解析を行う。開示する発明の一態様は、厚さW、少数キャリア拡散定数D、バルクライフタイムτbが下記の式1を満たすような半導体基板を用いる。それから、マイクロ波光導電減衰法を用いて、半導体基板の表面で反射されたマイクロ波の反射強度の減衰から一次モードライフタイムτ1を測定し、厚さW、少数キャリア拡散定数Dおよび一次モードライフタイムτ1を代入して、半導体基板の表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbを変数とする下記の式2で示される曲線を求める。そして、式2で示される曲線において、バルクライフタイムτbが無限大における表面再結合速度Sの極限値から近似的な表面再結合速度Sを求めることによって、半導体基板の解析を行う。上記において、半導体基板の厚さWが50μm以上1.5mm以下であることが好ましい。また、半導体基板のバルクライフタイムτbが100μsec以上であることが好ましい。また、半導体基板としてシリコン基板を用いることが好ましい。また、マイクロ波光導電減衰法による測定の前に、半導体基板に表面処理としてフッ化水素酸による処理を行うことが好ましい。また、表面処理後の半導体基板の表面再結合速度Sが100cm/sec以上100000cm/sec以下であることが好ましい。開示する発明では、μ-PCD法を用いて簡便に半導体基板の表面の状態を解析する方法を提供することができる。特に、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の表面再結合速度Sを近似的に求める方法を提供することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。なお、本明細書等における第1、第2などの序数は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。実施の形態本実施の形態では、μ-PCD法を用いて近似的な表面再結合速度Sを求める半導体基板の解析方法について、図1乃至図5を用いて説明する。まず、本実施の形態で示す解析方法で用いる、μ-PCD法で半導体基板のキャリアのライフタイムを測定する原理について図1Aおよび図1Bを用いて説明する。まず、図1Aに示すように、半導体基板100にレーザ光102と照射μ波104を照射する。レーザ光102の照射により半導体基板100中において、電子図1中の黒丸と正孔図1中の白丸の過剰キャリアが生成される。過剰キャリアが生成され、半導体基板100中のキャリア密度が増加すると、半導体基板100の導電率も増加する。また、照射μ波104は半導体基板100の表面で反射され、反射μ波106aはμ波検出器108により検波される。このとき反射μ波106aの反射強度は、半導体基板100の導電率、すなわちキャリア密度とほぼ線形の関係があるので、レーザ照射により半導体基板100に過剰キャリアが生成されるにつれてμ波検出器108で検波される反射μ波106aの強度は強くなる。次に、図1Bに示すように、半導体基板100に対するレーザ光102の照射を止める。レーザ光102の照射を止めると、半導体基板100中における電子と正孔の過剰キャリアの生成も止まる。逆にレーザ光102により生成された過剰キャリアが、半導体基板100中の結晶欠陥などにおいて再結合し始めるので、半導体基板100中のキャリア密度は減少する。キャリア密度の減少に伴い、半導体基板100の導電率も減少するので、μ波検出器108で検波される反射μ波106bの強度も減衰する。よって、検波される反射μ波106bの減衰から半導体基板100のキャリア密度の減少量を得ることができ、キャリア密度の減少に要する時間からキャリアのライフタイムが得られる。しかし、このようにμ-PCD法を用いることで測定されるキャリアのライフタイムは、半導体基板100の表面の寄与と、半導体基板100のバルクの寄与とが混ざったものとなっている。そこで、以下にμ-PCD法で測定されるキャリアのライフタイムの理論解析の手法について示す。以下においては、レーザ光102により低水準注入された過剰少数キャリアのライフタイムに注目して定式化を行う。ここで、本実施の形態においては、半導体基板100をp型とし、少数キャリアを電子として考える。また、半導体基板100は、厚さW、少数キャリア拡散定数D、バルクライフタイムτb、表面再結合速度Sを有する。ここで、バルクライフタイムτbは、半導体基板100のバルクにおける過剰少数キャリアのライフタイムである。また、表面再結合速度Sは、半導体基板100の表面における過剰少数キャリアの再結合速度である。なお、表面再結合速度Sは、半導体基板100のレーザ光102の照射面以下、半導体基板100の表面とも呼ぶ。とその反対側の面以下、半導体基板100の裏面とも呼ぶ。で同じとする。レーザ光102により注入された過剰少数キャリア密度Δnx,tは連続の方程式に従うので、式3のように表される。ここで、過剰少数キャリア密度Δnx,tは、半導体基板100の表面からの距離x、時間tを変数とする。半導体基板100の表面からの距離xは半導体基板100表面に垂直にx軸をとった座標であり、x=0は半導体基板100の表面であり、x=Wは半導体基板100の裏面である。式3の右辺の第1項は拡散電流を、第2項は再結合を意味する。なお、連続の方程式においては、通常ドリフトの寄与を表す項があるが、上記のように低水準注入された過剰少数キャリアは拡散の寄与が支配的で、ドリフトの寄与を無視することができる。これにより、式3は線形となる。式3の形からΔnx,tは、変数分離が可能であり、時間部分Ft、空間部分φxを用いて式4のように表すことができる。式3に式4を代入すると、式5が得られる。ここで、式5に現れる定数constを便宜上、-K2Dと表す。式5の時間部分Ftおよび空間部分φx一般解は、それぞれ式6および式7のようになる。ここで、式6中のτは、上記μ-PCD法で測定される過剰少数キャリアのライフタイムに対応しており、以下の式8で表される。また、半導体基板100の表面x=0と、半導体基板100の裏面x=Wにおいて表面再結合速度はSとなるので、これを境界条件とすると、以下の式9および式10が導かれる。式9で表される境界条件を式7に課すことにより、式11が導かれ、αをKで表すことができる。ここで式11中のSMは表面再結合速度Sを少数キャリア拡散定数Dで割ったものである。さらに、式10で表される境界条件を式7に課すことにより、式12が導かれる。ここで、式12は式6および式7の特性方程式となっており、式12中のKはその固有値となる。よって、Kは無限個の解を有する。ここで、縦軸に式12の左辺と右辺をとり、横軸にKW/π[rad/π]をとったグラフを図3に示す。図3において、実線は式12の左辺を、点線は式12の右辺を表しており、実践と点線の交点に対応するKの値が式12の固有値となる。このようにKは離散的な無限個の解を有しており、Kの値が小さい方から順番にK→Kii=1,2,3,...と添え字を持たせると、式8より、過剰少数キャリアのライフタイムτもτ→τii=1,2,3,...と離散的な無限個の解を有する。特にτiのうちτ1は最も長いライフタイムとなり、一次モードライフタイムτ1と呼ぶ。また、K→Ki、τ→τiとすることで、式6および式7より、Ft→Fiti=1,2,3,...、φx→φixi=1,2,3,...、という固有モードが与えられる。任意の過剰少数キャリア密度Δnx,tはこれらの固有モードの線形結合で展開することができ、これをxについて半導体基板100の厚さWの範囲で積分することにより、過剰少数キャリア密度の減衰曲線が得られる。過剰少数キャリア密度の減衰曲線は、十分時間発展させると一次の固有モードの成分のみが残る。よって、過剰少数キャリアのライフタイムτは一次モードライフタイムτ1とみなすことができる。これにより、上記μ-PCD法により測定されるキャリアのライフタイムも、一次モードライフタイムτ1とみなすことができる。よって本明細書中で、μ-PCD法により測定されるキャリアのライフタイムを一次モードライフタイムτ1と呼ぶ。ここで、一次モードライフタイムτ1を式8に用いて得られる式13と、K1を式12に用いて得られる式14を以下に示す。式13より、μ-PCD法で測定される一次モードライフタイムτ1は、式13の右辺第1項に半導体基板100のバルクによる寄与バルクライフタイムτbの寄与と、式13の右辺第2項に半導体基板100の表面による寄与表面再結合速度Sの寄与と、を有することが分かる。さらに式13と式14からK1を消去すると、表面再結合速度Sを半導体基板100の厚さW、一次モードライフタイムτ1、およびバルクライフタイムτbで表した式15が得られる。μ-PCD法で測定された一次モードライフタイムτ1を、式15に代入することで、表面再結合速度Sをバルクライフタイムτbと既知の定数で表すことができる。つまり、表面再結合速度Sを縦軸に、バルクライフタイムτbを横軸にとるS-τb曲線が得られる。上述の非特許文献1においては、厚さのみが異なる2枚の半導体基板を用い、それぞれにおいて、一次モードライフタイムτ1を測定し、式15の二元連立方程式を解くことにより、表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbを求めている。しかしこの表面再結合速度Sとバルクライフタイムτb分離評価方法では、厚さのみが異なり他の条件が同一の半導体基板を複数枚準備する必要があり、準備が煩雑になるという問題があった。また、特許文献2においては、半導体基板にケミカルパッシべーション処理を行って表面再結合速度Sを小さくして、式13における表面の寄与を十分に小さくしてτ1≒τbとし、μ-PCD法により測定される一次モードライフタイムτ1を半導体基板のキャリアライフタイムに近似している。このようなS-loweringと呼ばれる方法では、表面再結合速度Sを評価することは原理的にできない。このように、μ-PCD法を用いて半導体基板の表面再結合速度Sを簡便に求め、それにより半導体基板の結晶状態を解析することは困難であった。このような問題に鑑みて本実施の形態においては、式13に示す一次モードライフタイムτ1における表面の寄与表面再結合速度Sの寄与をバルクの寄与バルクライフタイムτbの寄与より十分大きくすることにより、近似的な表面再結合速度Sを簡便に求める。つまり、式16を満たすような半導体基板において、近似的な表面再結合速度Sを簡便に求める。なお、式13および式16において、バルクの寄与はτb-1という項で存在するので、バルクライフタイムτbが十分に長い品質の半導体基板を用いることにより、一次モードライフタイムτ1におけるバルクの寄与を小さくすることができる。ここで、式15において、一次モードライフタイムτ1における表面の寄与がバルクの寄与より十分大きい場合のS-τb曲線110を図4に示す。図4に示すグラフは、縦軸に表面再結合速度Sを、横軸にバルクライフタイムτbをとる。式15において、バルクライフタイムτbはτb-1という項で存在するので、バルクライフタイムτbが十分に大きい場合、τb-1の項は0に収束する。よって、図4に示すS-τb曲線110は、バルクライフタイムτbが十分に大きくなると、表面再結合速度Sが飽和する。図4中の点線はS-τb曲線110における飽和した表面再結合速度Sの値に対応する。このようなS-τb曲線で表される式15において、バルクライフタイムτb→∞における表面再結合速度Sの極限値より近似的な表面再結合速度Sを求めることができる。以下、μ-PCD法を用いて近似的な表面再結合速度Sを求める半導体基板の解析方法について、図2に示すフロー図を用いて具体的に説明する。図2のフロー図は、μ-PCD法を用いて近似的な表面再結合速度Sを求める方法をステップ1乃至ステップ5の5段階に分けて示している。本実施の形態で示す半導体基板の解析方法は、半導体基板の準備ステップ1、半導体基板の表面処理ステップ2、μ-PCD法による半導体基板の一次モードライフタイムτ1の測定ステップ3、表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbを変数とするS-τb曲線の導出ステップ4、S-τb曲線でバルクライフタイムτb→∞の表面再結合速度Sの極限値を近似的な表面再結合速度Sとして算出ステップ5、の5段階に分けて行われる。まず、図2のフロー図のステップ1:半導体基板の準備について説明する。本実施の形態に示す解析方法に用いる半導体基板は、厚さW、少数キャリア拡散定数D、バルクライフタイムτbとする。なお、上記の定式化においては、半導体基板100をp型としたが、本実施の形態に用いられる半導体基板はこれに限られることなく、n型のものを用いてもよい。当該半導体基板は、式16に示すように、一次モードライフタイムτ1において、半導体基板のバルクの寄与が十分に小さく、半導体基板の表面の寄与が十分に大きいことが望ましい。よって、式16からK1を取り除き、半導体基板のパラメータである、厚さW、少数キャリア拡散定数D、バルクライフタイムτbでこの条件を表現することにする。ここで、式13において、右辺第2項の分子と分母にW2を掛けた式17を示す。ここで、図3を見ると、式12の左辺はKW/π=0、KW/π=1で漸近するので、0<K1<πW-1となる。よって、式17中のK1Wは、0<K1W<πとなる。よって式17中のK1Wの範囲は限られる。これにより、本実施の形態に示す解析方法に用いる半導体基板は、少なくとも以下の式18を満たせばよいということができる。なお、本実施の形態に示す解析方法に用いる半導体基板は、以下の式19を満たすことが好ましく、以下の式20を満たすことがより好ましい。このような条件を有する半導体基板は、半導体基板の厚さWを、少なくとも1.5mm以下とすればよく、例えば、10μm以上1.5mm以下とすることが好ましく、100μm以上800μm以下とするのがより好ましい。特に式17の右辺第2項に示されるように、一次モードライフタイムτ1に対する半導体基板の表面の寄与は、半導体基板の厚さWに反比例して大きくなる。よって極力薄い半導体基板を用いることが好ましい。また、このような条件を有する半導体基板のバルクライフタイムは、少なくとも100μsec以上、例えば、500μsec以上が好ましく、10000μsec以上がより好ましい。また、本実施の形態に示す解析方法に用いることができる半導体基板としては、シリコン基板が好ましいが、これに限られず、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウム砒素などからなる半導体基板を用いることもできる。このような半導体基板を用いることにより、一次モードライフタイムτ1において、半導体基板のバルクの寄与を十分に小さく、半導体基板の表面の寄与を十分に大きくすることができるので、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の表面再結合速度Sを近似的に求めることができる。次に、図2のフロー図のステップ2:半導体基板の表面処理について説明する。本実施の形態に示す解析方法に用いる半導体基板は表面処理を施し、表面再結合速度Sを大きくすることが好ましく、少なくとも100cm/sec以上とすればよい。例えば、表面再結合速度Sを100cm/sec以上100000cm/sec以下とすることが好ましい。なお、半導体基板の表面処理は、ステップ3のμ-PCD法による測定でレーザ光やμ波を照射する側の面だけでなく、その反対側の面にも行い、両方の面の表面再結合速度Sをほぼ同等にしておくことが好ましい。このような表面処理としては、フッ化水素酸による処理を行うことが好ましい。フッ化水素酸の濃度は、例えば、0.1重量以上10重量以下とすることが好ましく、0.5重量以上6重量以下とすることがより好ましい。このような表面処理を行うことにより、一次モードライフタイムτ1において、半導体基板の表面の寄与を十分に大きくすることができるので、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の表面再結合速度Sを近似的に求めることができる。ただし、半導体基板の表面処理は必ずしも必要ではなく、例えば、シリコン基板に自然酸化膜を形成することで、表面再結合速度Sを100cm/sec以上100000cm/sec以下とすることもできる。次に、図2のフロー図のステップ3:μ-PCD法による半導体基板の一次モードライフタイムτ1の測定について説明する。一次モードライフタイムτ1において、バルクの寄与が十分に小さく、表面の寄与が十分に大きい半導体基板に対して、図1で示したμ-PCD法による測定を行う。このとき、半導体基板に照射するレーザ光およびμ波の波長や強度は、サンプルである半導体基板に合わせて適宜設定すればよい。ただし、上記のように半導体基板の膜厚を薄くする場合、レーザ光の波長が長いと当該半導体基板にレーザ光が吸収されなくなるので、レーザ光の波長は短くすることが好ましく、例えば、レーザ光の波長を904nmとすることができる。なお、μ-PCD法による半導体基板の一次モードライフタイムτ1の測定は、少なくとも半導体基板表面の一点で行えばよいが、より好ましくは半導体基板表面の複数箇所で行う。半導体基板表面の複数箇所で一次モードライフタイムτ1の測定を行った場合、それぞれの箇所の測定値を一次モードライフタイムτ1としてもよいし、複数の測定箇所の平均値を一次モードライフタイムτ1としてもよい。次に、図2のフロー図のステップ4:表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbを変数とするS-τb曲線の導出について説明する。既知の半導体基板の厚さW、少数キャリア拡散定数Dおよびステップ3で測定した一次モードライフタイムτ1を、上記の式15に代入する。これによって式15は、表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbを変数とする式となり、図4に示すようなS-τb曲線を導出することができる。最後に、図2のフロー図のステップ5:S-τb曲線でバルクライフタイムτb→∞の表面再結合速度Sの極限値を近似的な表面再結合速度Sとして算出について説明する。ステップ4で求めたS-τb曲線は、表面再結合速度Sとバルクライフタイムτbの組み合わせが全て描画されており、これだけでは半導体基板の表面再結合速度Sおよびバルクライフタイムτbがどの値をとるのか限定することはできない。しかし、本実施の形態に示す半導体基板の解析方法では、ステップ1およびステップ2を経て、一次モードライフタイムτ1における、半導体基板の表面の寄与をバルクの寄与より十分に大きくしている。よって、式13および式15において、τb-1→0に収束するとみなすことができる。これにより、本実施の形態に用いた半導体基板の表面再結合速度Sは、式15において、バルクライフタイムτbが∞における表面再結合速度Sの極限値から近似的に求めることができる。言い換えると、ステップ4で求めたS-τb曲線における飽和した表面再結合速度Sの値を近似的な表面再結合速度Sとみなすことができる。ステップ1やステップ2に示すように、本実施の形態に示す半導体基板の解析方法においては、非特許文献1のように厚さのみが異なり他の条件が同一の半導体基板を複数枚準備する必要はなく、μ-PCD法による測定の準備が簡便である。よって、本実施の形態に示す半導体基板の解析方法を用いることにより、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の近似的な表面再結合速度Sを簡便に求めることができる。これにより、μ-PCD法を用いて簡便に半導体基板の表面の状態を解析することができる。ここで、厚さWの異なる複数の半導体基板のモデルについて、各種パラメータを設定し、計算機シミュレーションで一次モードライフタイムτ1を計算し、式15から近似的な表面再結合速度Sを求めた結果について説明する。本計算では、厚さWを、350μm、700μm、3000μmとした半導体基板のモデルを用いた。本計算に用いた各半導体基板のモデルは、少数キャリアが電子であるp型半導体基板を想定しており、各モデルの厚さW以外のパラメータは、少数キャリア拡散定数D=30cm2/sec、表面再結合速度S=1000cm/sec、バルクライフタイムτb=1000μsecとした。これらのパラメータから、各半導体基板モデルの一次固有モードを求め、一次モードライフタイムτ1を算出した。各モデルについて、設定パラメータの少数キャリア拡散定数D、厚さW、および算出した一次モードライフタイムτ1を式15に代入してS-τb曲線を導出し、τb→∞における表面再結合速度Sの極限値を求めた。各半導体基板モデルより得られたS-τb曲線を図5Aに示す。ここで、図5Aは縦軸に表面再結合速度S[cm/sec]を、横軸にバルクライフタイムτb[μsec]をとっており、S-τb曲線120はW=350μmのモデル、S-τb曲線122はW=700μmのモデル、S-τb曲線124はW=3000μmのモデルにそれぞれ対応している。また表1に、各半導体基板モデルの一次モードライフタイムτ1[μsec]、およびτb→∞における近似的な表面再結合速度S[cm/sec]を示す。図5Aより、W=350μmのS-τb曲線120およびW=700μmのS-τb曲線122は、バルクライフタイムτbが1000μsec程度以上になると収束しているのが分かる。表1の近似的な表面再結合速度Sの値も、設定したパラメータであるS=1000cm/secにかなり近い値となっている。それに対して、W=3000μmのS-τb曲線124は、表面再結合速度Sがバルクライフタイムτbに対して発散してしまっていて、近似的な値を求めることができない。このように、一次モードライフタイムτ1において表面の寄与がバルクの寄与より十分大きくなるように、半導体基板の厚さWを薄くしたモデルでは、式15の表面再結合速度Sの極限値から近似的な表面再結合速度Sを精度よく求められる。それに対して、表面の寄与がバルクの寄与より十分大きくない、半導体基板の厚さWが厚いモデルでは、式15から近似的な表面再結合速度Sを求めることができない。また、ステップ5で半導体基板の近似的な表面再結合速度Sを求めた後、半導体基板の表面再結合速度SがS-τb曲線の飽和した領域上に確かに存在するか確認することもできる。これは、上記の近似的な表面再結合速度Sを求めた半導体基板と同じバルクライフタイムτbを持ち、且つ一次モードライフタイムτ1においてバルクの寄与が表面の寄与より十分大きい半導体基板を準備して上記半導体基板と同様にS-τb曲線を求めることによって行うことができる。このような確認のための半導体基板は、上記の近似的な表面再結合速度Sを求めた半導体基板を切り出したインゴットと同一のインゴットから、厚さWより厚い半導体基板を切り出し、当該半導体基板にケミカルパッシべーションなどの表面再結合速度Sが小さくなるような処理を施すことで得られる。ここで、図5Aで示した計算機シミュレーションで得られた、W=350μmおよびW=700μmのモデルの表面再結合速度SがS-τb曲線120およびS-τb曲線122の飽和した領域上に存在するか確認した。確認のための半導体基板のモデルとしては、厚さW=3000μm、表面再結合速度S=100cm/secとし、他のパラメータは同じにしたモデルを用いた。S-τb曲線120およびS-τb曲線122とともに、確認のための半導体基板のモデルのS-τb曲線126を載せて図5Bに示す。図5Bより、S-τb曲線126のとりうるバルクライフタイムτbの範囲において、S-τb曲線120およびS-τb曲線122は飽和しているのが分かる。ここで、確認のための半導体基板のモデルのバルクライフタイムτbは、W=350μmのモデル、W=700μmのモデルのバルクライフタイムτbと同じである。よって、W=350μmおよびW=700μmのモデルの表面再結合速度SがS-τb曲線120およびS-τb曲線122の飽和した領域上に確かに存在することが示された。以上のように本実施の形態に示す半導体基板の解析方法を用いることにより、μ-PCD法を用いて当該半導体基板の表面再結合速度Sを近似的に求めることができる。これにより、μ-PCD法を用いて簡便に半導体基板の表面の状態を解析することができる。本実施例においては、先の実施の形態に示す、μ-PCD法を用いて近似的な表面再結合速度Sを求める半導体基板の解析方法を用いて、実際に半導体基板を解析した結果について図6および図7を用いて説明する。本実施例ではサンプルとしてp型の単結晶シリコン基板を用い、基板の厚さが100μm、150μm、300μm、700μm、2000μmおよび3000μmのサンプルA乃至サンプルFを用いた。これらのサンプルA乃至サンプルFに表面処理として、5重量のフッ化水素酸による処理を行った。このようなサンプルA乃至サンプルFのμ-PCD測定を行って一次モードライフタイムτ1を測定した。μ-PCD測定は、日本セミラボ株式会社製WT-2000を用い、波長904nmのレーザと10GHzのμ波を照射して行った。μ-PCD測定により求めたサンプルA乃至サンプルFの一次モードライフタイムτ1を、先の実施の形態に示す、式15に代入してサンプルA乃至サンプルFのS-τb曲線を導出する。サンプルA乃至サンプルFのS-τb曲線を図6に示す。ここで、図6は縦軸に表面再結合速度S[cm/sec]を、横軸にバルクライフタイムτb[μsec]をとっている。また表2に、各サンプルの基板の厚さW、一次モードライフタイムτ1[μsec]、およびτb→∞における近似的な表面再結合速度S[cm/sec]を示す。なお、少数キャリア拡散定数Dは電子を想定して30cm2/secとした。図6より、サンプルA乃至サンプルDのS-τb曲線は、バルクライフタイムτbが少なくとも1000μsec程度以上になると収束しているのが分かる。表2の近似的な表面再結合速度Sの値も、サンプルAおよびサンプルDが3000cm/sec程度に、サンプルBおよびサンプルCが1500cm/sec程度の値となっており、サンプルA乃至サンプルDの表面再結合速度Sの近似値は同じ桁となっており、比較的良好な近似と言うことができる。サンプルA乃至サンプルDに対して、サンプルEおよびサンプルFのS-τb曲線は、表面再結合速度Sがバルクライフタイムτbに対して発散してしまっていて、近似的な値を求めることができない。以上により、半導体基板の厚さを、好ましくは50μm以上1.5mm以下とし、より好ましくは100μm以上800μm以下とすることにより、一次モードライフタイムτ1に対する表面の寄与をバルクの寄与より十分に大きくし、τb→∞における表面再結合速度Sの極限値より近似的な表面再結合速度Sを求めることができると推測される。また、サンプルA乃至サンプルFとは異なり、表面処理を行わず、自然酸化膜を形成したサンプルについても、μ-PCD法を用いて近似的な表面再結合速度Sを求めた。基板の厚さが150μm、300μm、2000μmおよび3000μmのサンプルG乃至サンプルJを用い、サンプルA乃至サンプルFと同様の方法でμ-PCD測定を行い、S-τb曲線を導出した。サンプルG乃至サンプルJのS-τb曲線を図7に示す。ここで、図7は縦軸に表面再結合速度S[cm/sec]を、横軸にバルクライフタイムτb[μsec]をとっている。また表3に、各サンプルの基板の厚さW、一次モードライフタイムτ1[μsec]、およびτb→∞における近似的な表面再結合速度S[cm/sec]を示す。図7より、サンプルGおよびサンプルHのS-τb曲線は、バルクライフタイムτbが少なくとも1000μsec程度以上になると収束しているのが分かる。表3の近似的な表面再結合速度Sの値も、サンプルGが32000cm/sec程度に、サンプルHが16000cm/sec程度の値となっており、双方のサンプルの表面再結合速度Sの近似値は同じ桁となっており、比較的良好な近似と言うことができる。サンプルGおよびサンプルHに対して、サンプルIおよびサンプルJのS-τb曲線は、表面再結合速度Sがバルクライフタイムτbに対して発散してしまっていて、近似的な値を求めることができない。以上により、表面処理としてフッ化水素酸による処理を行わず、半導体基板の表面に自然酸化膜が形成されている場合においても、一次モードライフタイムτ1に対する表面の寄与をバルクの寄与より十分に大きくし、τb→∞における表面再結合速度Sの極限値より近似的な表面再結合速度Sを求めることができることが示された。"