金属を含む基底層と、接着層と、非強磁性材質で製造されるはんだづけ可能層と、酸化保護層とを含み、前記接着層がパラジウムを含み及び前記接着層の層厚さが01~50μmであり、前記接着層の材質が前記はんだづけ可能層の材質と異なる、セラミック用金属被覆。前記はんだづけ可能層が銅で製造され及び又は前記はんだづけ可能層の層厚さが2~15μmの間であることを特徴とする、請求項1記載の金属被覆。追加層が前記はんだづけ可能層と前記酸化保護層との間に配置されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属被覆。前記追加層がパラジウムで製造され及び又は前記追加層の層厚さが05~30μmの間であることを特徴とする、請求項3記載の金属被覆。前記接着層がパラジウムで製造され及び層厚さが03~13μmの間であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の金属被覆。前記基底層が少なくとも1100°Cの融点を有する金属を含むことを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の金属被覆。前記基底層がタングステンモリブデンで製造され及び又は前記基底層の層厚さが5~20μmであることを特徴とする、請求項6記載の金属被覆。前記酸化保護層が金で製造され及び又は前記酸化保護層の層厚さが03~15μmであることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の金属被覆。前記基底層が前記セラミック上に直接配置され、及び又は前記接着層が前記基底層上に直接配置され、及び又は前記はんだづけ可能層が前記接着層上に直接配置されることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の金属被覆。前記追加層又は前記酸化保護層が前記はんだづけ可能層上に直接配置されることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の金属被覆。請求項1~10のいずれか一項に記載の金属被覆を含む、セラミック。前記セラミックがHTCCセラミックであることを特徴とする、請求項11記載のセラミック。底部とカバー部分とを有し、前記底部及び又はカバー部分が、請求項11又は12に記載のセラミックを含む、構成要素を受け入れるための空洞筐体。前記構成要素がSAW素子であることを特徴とする、請求項13記載の空洞筐体。ダイボンドプロセス及び若しくはワイヤボンドプロセスを介するか、又はフリップチップボンディングを介して構成要素26を取り付けるための、請求項11又は12に記載のセラミックの使用。発明の目的本発明の目的は、金属被覆と筐体技術とを開示することであり、その技術は、一方で、信頼性高く密閉可能で、例えば、SAWフィルタチップを取り付けるのに適する低コストマイクロ空洞を提供し、及び、他方で、強磁場で使用される場合、望ましくない干渉を引き起こす可能性のある強磁性特性を示さない低コストマイクロ空洞を提供する。発明の説明本目的は、特許請求の範囲の請求項1の特徴を有する本発明に従って解決される。有利な効果のある本発明の実施形態とその変形を従属請求項に記載する。セラミック材質用の本発明に係る金属被覆は、金属含有基底層と、接着層と、はんだづけ可能層と、及び酸化保護層とを有し、前記接着層はパラジウムを含み及び層厚さが01~5μmの間であり、さらにまた、前記はんだづけ可能層が非強磁性材質で製造される。本発明において提案される層システムは、基底層、パラジウム接着層、はんだづけ可能層であって安定的はんだ接続及びワイヤボンド接続を保証する十分な厚さのもの、オプションの追加層、ならびに非酸化貴金属保護層を有する。その層システムは、はんだ特性及びワイヤボンド特性に関して安定的挙動を有する非磁性特性の利点と、米国特許第7253029号に記載されるシステムと比較して有意にコストが削減されることとを組み合わせる。オプションの追加層は、銅と金との間の拡散障壁に関する所望の効果を満足させる。オプションの追加的拡散障壁を有するパラジウム系金属被覆を、セラミックカバーと組み合わせて使用することにより、密閉且つ完全非磁性筐体が実現可能である。そのことは、従来の標準的組立及び製造プロセスに適する。好ましくは、前記基底層を、1500~1700°Cの温度で、HTCCセラミックと伴に焼成する。焼結された基底層の好ましい厚さは、約5~20μmである。基底層とから酸化物及び汚染物質を好ましくは化学的に除去した後の上記構造との間の高品質な層接着を生み出す接着層は、好ましい厚さが01~5μmで、特に有利な実施態様では厚さ03~13μmで、さらにより好ましい実施態様では厚さ05~10μmで、そして、さらにずっと好ましい厚さは08μmで堆積される。前記層を、好ましくは、無電流式堆積とガルバニ式堆積とを組み合わせることにより堆積する。安定的な層接着のための許容できる層厚さは、無電流式堆積単独では得ることができない。Sn系軟質はんだプロセス中での合金形成に対する安定的基材としての前記はんだづけ可能層は、好ましくは、ガルバニ式で堆積されて、2~15μmの厚さを有する。安定性とプロセス時間との特に有利な妥協が、4~8μmで、さらにより好ましくは5~7μmの場合に達成される。05~3μmの厚さ、より好ましくは1~2μmの厚さを有し、上記のように堆積される追加層は、好ましくは、ガルバニ式で堆積される。そこでは、厚さ1μmの層により、良好な安定性向上効果と、堆積時間の削減及び貴金属の管理可能原価とが組み合わされる。最終的な酸化保護層が酸化に対する保護のために設けられ、好ましくは、その厚さは03~15μmであるべきである。それは、エンドユーザーによる応用プロセス中での過剰冷却濃縮の結果としての潜在的なはんだ脆弱性を防止するためである。特に好ましい値は、05~10μmの間である。好ましくは、追加層を、はんだづけ可能層と酸化保護層との間に配置する。追加層は、好ましくは、パラジウムからなる。好ましくは、追加層の層厚さは、05~3μmの間である。好ましくは、接着層は、全体がパラジウムから製造される。好ましくは、接着層の層厚さは、05~15μmの間である。好ましくは、基底層には、融点が少なくとも1100°Cの金属を含む。好ましくは、基底層は、タングステン及び又はモリブデンから製造される。好ましくは、基底層の層厚さは、5~20μmの間である。好ましくは、酸化保護層は、貴金属から製造される。好ましくは、酸化保護層は、金から製造される。好ましくは、酸化保護層の層厚さは、03~15μmの間である。好ましくは、基底層は、セラミック上に直接配置される。好ましくは、接着層は、基底層上に直接配置される。好ましくは、追加層は、はんだづけ可能層上に直接配置され、そして、酸化保護層が前記追加層上に直接配置される。代わりに、前記酸化保護層は、はんだづけ可能層上に直接配置もする。本発明に係るセラミックは、前述した特徴の少なくとも一つを有する金属被覆を有する。好ましくは、前記セラミックはHTCCセラミックである。HTCCセラミックスは、LTCCセラミックスと比較すると、コストと力学的安定性とに関して利点がある。したがって、より電気的ロスが少なく且つ受動素子を内蔵するLTCCセラミックスの性能の利点が必要とされない場合、HTCCセラミックスを標準的筐体としてしばしば使用する。構成要素を受け入れるための、本発明に係る空洞筐体は、底部とカバー部分とを有する。そこでは、前記底部及び又はカバー部分は、前述した特徴の少なくとも一つを有する金属被覆を有するセラミックを含む。好ましくは、前記構成要素は、電気的、力学的、及び又は光学的構成要素であり、特に好ましくは、SAW素子、さらにより好ましくは、SAWフィルタである。本発明に係る空洞筐体は磁性材質を含まないので、磁場を変化させないために有利に構成される。そのような筐体技術を、好ましくは医療技術中で適用する。なぜなら、測定されて画像を形成する磁場は、回路に必要とされる磁性特性により影響されるべきではないからだ。好ましくは、本発明に係る金属被覆を有する本発明に係るセラミックを、組立プロセス及び接続プロセスに使用することができる。本発明に係る金属被覆は、ワイヤボンディング用に特によく適している。ワイヤボンディングの間、特にアルミニウムウエッジワイヤボンディングの間に、金属間接続が、ボンドワイヤとその表面下にある金属被覆との間に形成される。金酸化保護層は比較的に薄くて柔らかいので、この金属間接続を、アルミニウムと金の下に配置される層システムとの間に主に形成する。特に、アルミニウムワイヤボンドと安定的な溶接接続を達成するために、ボンドパッドは十分平面でなければならない。焼成されたタングステン金属被覆は一般的に数μmの比較的高い凹凸を有するので、安定的なワイヤボンド接続を得るために、平坦化が勧められる。平坦化に関して優れた特性、及びしたがって2~15μmの一般的に要求される層厚さ用の経済的なプロセスと組み合わせる安定的ワイヤボンド接続用の基材として優れた特性を、銅は有する一方で、同等な厚さを有する純粋なパラジウム金属被覆は、高いプロセスコストのため不利であり、そして、得られるワイヤボンド接続の安定性及び信頼性に関しても不利である。したがって、本発明に係る金属被覆が、ワイヤボンデイングプロセスのための安定性とコストとに関して利点を提供するということが、明示可能である。金属はんだプラグに関しては、本発明に係る金属被覆は、スズ系はんだの湿潤特性に関連する利点を有する。好ましくは、本発明に係るセラミックを、電気部品を取り付ける軟質はんだプロセスにおいて使用する。エンドユーザーによるシステム取り付けプロセスにおけるはんだぬれ性は、完成電気部品の使用に極めて重要である。金属はんだ又はガラスはんだを用いて得られる密閉筐体のシールは、したがって、このプロセスの間に再度溶けないようにしなければならない。なぜなら、筐体カバーの配置としたがってその構成要素の密閉は、さもなくば不安定であろう。筐体シールに用いられる金属はんだ又はガラスはんだは、したがって、エンドユーザー組立プロセスにおいて従来的に使用される軟質はんだよりも高い融点を有する必要がある。さらにまた、外部はんだ接続は、十分な力学的安定性であって、その次にはんだプロセスにおける良好な湿潤特性を要求するものを一般的には保持しなければならない。そして、また、外部はんだ接続は、例えば、通常の軟質はんだである得られる合金中の過剰な金含有量により引き起こされる潜在的に脆弱な金属間相を排除もする。図面の詳細な説明図1は、本発明の好ましい実施形態に従う、本発明に係る金属被覆30を有するセラミック10を示す。この実施形態によれば、金属被覆30は、タングステン又はモリブデン基底層12、その上に堆積されるパラジウム接着層14、その上に堆積されるはんだづけ可能な銅層16、その上に堆積されるパラジウム拡散障壁18、及び金表面処理20を含む。本発明に係る層システム10は、基底層12の上に堆積するパラジウム金属被覆14を用いて、基材上に安定的な層接着を提供する。一方で、その上に堆積されるはんだづけ可能層16は、恒久的ワイヤボンド接続用の安定的基材と、軟質はんだプロセスにおける合金化に対する十分な安定性を有する層との両者を表す。拡散に対するさらなる安定化は、追加的なパラジウム中間層18をその上に堆積することにより達成可能である。その後、酸化及び老朽化に対して安定な表面を得るための、例えば、金層20を用いて前記層システムを完成させる。本発明に係る実施態様は、したがって、力学的及び電気的に安定な接続を実現するための従来的接続プロセス、フリップチップボンディング、及び、はんだづけに適している。図2は、本発明の好ましい実施形態に従う、本発明に係る空洞筐体を示す。この実施形態によると、空洞筐体28は、槽状の底部22とカバー部分24とを有する。部品22と部品24の両者は、HTCCセラミック10から形成され、そして、層12、層14、層16、層18及び層20からなる、本発明に係る金属被覆30を、その接触領域において有する。空洞筐体28を用いて、構成要素を密閉的に受け入れることができる。製造される空洞筐体28を、同様に非強磁性セラミックカバー28を用いて閉じる。そのカバーを、セラミック底部22に熱的に調和させ、製造される筐体28は、信頼性に関する有利な特性を有する。筐体底部22とカバー24との間の密閉を従来法を用いて作り出すことができる。軟質はんだづけ又はガラスフリットはんだづけが、本明細書では好まれる。図2は、蓋の解決策であって、金属軟質はんだづけを用いるものを示し、それにより、底部22とカバー24との上に堆積される本発明に係るそれぞれの金属システム30間に、金属はんだ接続32を作り出す。本発明に係る金属被覆30を使用することにより、ボンドワイヤ34を用いて筐体底部22にSAWチップ26を結合する。本発明に係る金属被覆30とのシグナル伝導接続は、プリント基板38上の配線パターン36を有する筐体28の底部側上に、はんだ接続40を介して接続され、これにより、電気的接触を生み出す。図3は、図2の代替的実施形態を示し、そこでは、本発明に係る2つの金属被覆30の間に実施される金属はんだ接続32の代わりに、セラミック表面10間に直接、ガラスフリットはんだ接続42を用いて、筐体28の密閉蓋を作り出す。参照符号のリスト10セラミック12基底層14接着層16はんだづけ可能層18追加層20酸化保護層22底部24カバー部分26構成要素28空洞筐体30金属被覆32金属はんだ34ボンドワイヤ36プリント基板配線38プリント基板40金属はんだ42ガラスフリットはんだ