"主表面を有する金属酸化物活性層と、主表面を有するゲート誘電体層と、前記金属酸化物活性層とゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と低トラップ密度のインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層に平行でありかつ前記金属酸化物活性層と接触する第1主表面を有する、低トラップ密度材料層と、から構成されることを特徴とする金属酸化物半導体装置。前記金属酸化物活性層は、バンドギャップを有し、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層の前記バンドギャップよりも遥かに大きいバンドギャップを有し、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物層の前記バンドギャップに近いバンドギャップを有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrOSrTiO3、SrNbO3、ジルコン酸チタン酸鉛PZT、バリウムチタン酸ストロンチウムBSTのうちの1つ、および、前記材料または前記金属酸素結合の1つを越えるものを含む混合酸化物であることを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムIII、BAlq3:ビス2-メチル-8-キノリンオラート-4-フェニルフェノラトアルミニウム、Bepq2:ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリネトベリリウム、PBD:2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾル、TAZ:3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾル、Bphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGIポリメチルグルタルイミド、BCBビス-ベンゾシクロブテン、SU-8、およびPMMAポリメタクリル酸メチルを含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層の前記主表面に平行でありかつ前記主表面と接触する第2主表面を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記金属酸化物活性層は反対側の主表面を有し、かつ、前記装置は、前記前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面に平行でありかつ前記反対側の主表面に接触する主表面を有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれていることを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、5nmから50nmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項1記載の金属酸化物半導体装置。主表面を有する金属酸化物活性層であって、前記金属酸化物活性層はバンドギャップを有する、金属酸化物活性層と、主表面を有するゲート誘電体層であって、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップより遥かに大きいバンドギャップを有する、ゲート誘電体層と、前記金属酸化物活性層と前記ゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物層に平行でありかつ前記金属酸化物層と接触する第1主表面を有し、前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層に平行でありかつ前記ゲート誘電体層と接触する第2主表面を有し、および、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップに近いバンドギャップを有する、低トラップ密度材料層と、から構成されることを特徴とする金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、チタン酸バリウムストロンチウムBST、および、上記の材料または上記の金属-酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を含むことを特徴とする上記請求項10記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムIII、BAlq3:ビス2-メチル-8-キノリンオラート-4-フェニルフェノラトアルミニウム、Bepq2:ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリネトベリリウム、PBD:2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾル、TAZ:3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾル、Bphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGIポリメチルグルタルイミド、BCBビス-ベンゾシクロブテン、SU-8、およびPMMAポリメタクリル酸メチルを含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、5nmから50nmの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。前記金属酸化物活性層は、反対側の主表面を有し、前記装置は、さらに、前記金属酸化物活性層の反対側の主表面に平行でありかつ前記金属酸化物活性層の反対側の主表面と接触する主表面を有し、前記金属酸化物活性層の前記反対側の主表面と低トラップ密度のインタフェースを形成することを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれることを特徴とする請求項10記載の金属酸化物半導体装置。主表面を有する金属酸化物活性層であって、前記金属酸化物活性層は、バンドギャップを有する、金属酸化物活性層と、主表面を有するゲート誘電体層であって、前記ゲート誘電体層は、前記金属酸化物活性層のバンドギャップより遥かに大きいバンドギャップを有する、ゲート誘電体層と、前記金属酸化物活性層と前記ゲート誘電体層との間に位置する低トラップ密度材料層であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層とインタフェースを形成するために、前記金属酸化物層に平行でありかつ前記金属酸化物層と接触する第1主表面を有し、前記低トラップ密度材料層は、前記ゲート誘電体層とインタフェースを形成するために、前記ゲート誘電体層に平行でありかつ前記ゲート誘電体層と接触する第2主表面を有し、および、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と比較して低い移動度を有する、低トラップ密度材料層とから構成され、前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、および前記低トラップ密度材料層は、すべて、上部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに含まれることを特徴とする金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、チタン酸バリウムストロンチウムBST、および、上記の材料または上記の金属-酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を含むことを特徴とする上記請求項17記載の金属酸化物半導体装置。前記低トラップ密度材料層は、Alq3:トリス8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムIII、BAlq3:ビス2-メチル-8-キノリンオラート-4-フェニルフェノラトアルミニウム、Bepq2:ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリネトベリリウム、PBD:2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾル、TAZ:3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾル、Bphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGIポリメチルグルタルイミド、BCBビス-ベンゾシクロブテン、SU-8、およびPMMAポリメタクリル酸メチルを含む有機物質のグループのうちの1つを含むことを特徴とする請求項17記載の金属酸化物半導体装置。金属酸化物半導体装置を製作する方法において、主表面を有する金属酸化物活性層を堆積する段階と、前記金属酸化物活性層の前記主表面上に低トラップ密度材料層を堆積する段階であって、前記低トラップ密度材料層は、前記金属酸化物活性層と低トラップ密度のインタフェースを形成するために、前記金属酸化物活性層に平行でありかつ前記金属酸化物活性層と接触する第1主表面を有する、段階と、前記低トラップ密度材料層の上にゲート誘電体層を堆積する段階と、から構成され、前記堆積する段階のシーケンスおよび層の配置は、前記金属酸化物活性層、前記ゲート誘電体層、前記低トラップ密度材料層を、上部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、上部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置、下部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置、および下部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置のうちの1つに形成することを特徴とする方法。前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、TiO、Ta2O5、NbO、V2O5、ScO2、Y2O3、ZrO2、HfO2、La2O5、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、チタン酸バリウムストロンチウムBST、および、上記の材料または上記の金属-酸素結合のうちの1つを越えるものを含む混合酸化物を堆積する段階を含むことを特徴とする上記請求項20記載の方法。前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、Alq3:トリス8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムIII、BAlq3:ビス2-メチル-8-キノリンオラート-4-フェニルフェノラトアルミニウム、Bepq2:ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリネトベリリウム、PBD:2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾル、TAZ:3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾル、Bphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、PMGIポリメチルグルタルイミド、BCBビス-ベンゾシクロブテン、SU-8、およびPMMAポリメタクリル酸メチルを含む有機物質のグループのうちの1つを堆積する段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、5nmから50nmの範囲の厚さを有する層を堆積する段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。前記低トラップ密度材料層を堆積する段階は、PVD物理蒸着、CVD化学蒸着、ALD原子層堆積の1つを使用する段階、飽和溶液からの縮合によってフィルムを形成する段階、あるいは、キャスティング、スピンコーティング、スロットコーティング、スクリーン印刷、転写印刷、インクジェット印刷、およびスタンピングの1つによって処理されたゾルゲル溶液またはそれに対応する有機金属化合前駆体溶液からフィルムを形成する段階、および、それに続くアニーリングまたは加水分解、を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。この記述の全体にわたって、薄膜トランジスタ一般にはTFTが例として用いられるが、他の薄膜装置もTFTの定義に含まれると理解されたい。μが移動度である場合、TFTの性能係数は、μV/L2によって定義されるが、ここで、Vは電圧、Lはゲート長である。主な問題は、金属酸化物半導体材料が近年進歩したことによって部分的に改善され、そこでは、80cm2/V秒と同じくらいの高い移動度が実証されている。金属酸化物半導体のユニークな特徴の1つは、キャリヤ移動度がフィルムの粒子サイズにそれほど依存しないこと、すなわち、高い移動度のアモルファス金属酸化物が可能であることである。使用される材料、および装置のサイズ例えば、層の厚さ、ゲートの長さなどのために、下部および上部overlying材料を有する金属酸化物の界面における相互作用は、もはや無視できない。MetalOxideTFTwithImprovedCarrierMobility改善されたキャリヤ移動度を有する金属酸化物TFTと題する米国特許2010年10月12日に特許された特許番号第7,812,346号。参照としてここに組込まれる。に詳細に説明されているように、界面における相互作用の制御は、2つの方法、すなわち、1下部構造との相互作用、および2上部構造との相互作用、のいずれか、または両方により実施することができる。一般に、相互作用は、金属酸化物中の酸素と反応し、酸素含有量、したがってキャリヤ密度を有益に変更することを目的とする。一般に、様々な上部および下部インタフェースを形成するために、あるいは、界面における相互作用を制御するための金属酸化物活性層を供給するために、材料のタイプを選択することは、最終的な装置の特性を決定するための1つの方法である。使用可能な金属酸化物の例としては、In2O3Eg間接=2.9eV,Eg直接=3.7eV,ZnOEg=3.3eV,SnOEg=3.4eV,CuOEg=2.2eV,CdOEg=2.3eV,InZnO,InSiO,InTiO,InTaO,InAlO,ZnAlO,ZnSiO,ZnTiO,ZnTaO,InGaZnO,InAlZnO,InSiZnO,InTiZnO,InTaZnO、および、上記の材料または金属-酸素結合からなる混合酸化物を含む。ゲート誘電材料の例としては、Al2O3,SiO2,SiN、およびこれらと同様の材料、あるいは、これらの組合せである。TFTの動作にとって重要な少なくとも2つの特性には、ゲート漏れ電流、および、ターンオンまたはスレッショルド電圧が含まれる。ゲート漏れ電流は、ゲート誘電体の厚さを増加させることにより減少させることができる。しかしながら、ゲート誘電体の厚さを増加させることによってゲート電圧が増加するので、それは望ましくない。したがって、ターンオン電圧を増加させることなくゲート漏れ電流を減少させるための好適な方法は、金属酸化物半導体または活性層と、ゲート誘電体との間のバンドギャップ内に大きな差図6中にdで示されるを提供することである。さらに、TFTのスレッショルド電圧が一定のままであること、すなわち、スレッショルド電圧が時間および/または複数の動作に連れて変化しないことが望ましい。図1には、TFT10の一実施例の単純化された層の図が示される。TFT10は、基板またはパッシベーション層12を含むが、それはプラスチックのような可撓性材料、または他の適切な材料である。必要であれば、基板またはパッシベーション層12は、オプションで、バッファもし示すとすれば、基板22の一部であると考えられるを含んでもよい。ソース13およびドレイン14は、周知の方法を用いて、基板またはパッシベーション層12の上部表面内または上部表面上以下、一般的に上部表面上と称する。に、スペースを空けた位置に形成される。金属酸化物フィルム16は、ソース13およびドレイン14の両方およびそれらの間のスペースの上に、部分的に重なるような関係で形成される。金属酸化物フィルム16は、ソース/ドレインの要素間でキャリヤを導く活性層であることが理解されるであろう。一般に、金属酸化物層16の厚さは、100nmより薄く、好ましくは50nmより薄い。薄いゲート誘電層17は、金属酸化物フィルム16の上に重なるような関係で形成され、そして、ゲートスタック18は、ソース13とドレイン14との間のスペースの上に重なるような関係で、ゲート誘電層17上に配置される。したがって、TFT10は、上部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置である。図2には、TFT20の他の実施例における単純化された層の図が示される。TFT20は、基板またはパッシベーション層22を含むが、それはプラスチックのような可撓性材料、または他の適切な材料である。必要であれば、基板またはパッシベーション層22は、オプションで、バッファもし示すとすれば、基板22の一部であると考えられるを含んでもよい。金属酸化物フィルム26は、基板またはパッシベーション層22の上に堆積され、そして、ソース23およびドレイン24は、金属酸化物フィルム26の上部表面上でスペースを空けた配置を形成するように、金属酸化物フィルム26の上部表面上に部分的に重なるような関係で形成される。薄いゲート誘電層27は、ゲート23とドレイン24との間のスペース内の金属酸化物フィルム26、および、そのスペースに隣接するゲート23およびドレイン24の部分の上に重なるような関係で形成される。ゲートスタック28は、ソース23とドレイン24との間のスペースの上に重なるような関係で、ゲート誘電層27上に配置される。したがって、TFT20は、上部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置である。図3には、TFT30の他の実施例における単純化された層の図が示される。TFT30は、基板またはパッシベーションの層32を含むが、それはプラスチックのような可撓性材料、または他の適切な材料である。ゲートスタック38は、任意の適切かつ確立された方法によって、基板またはパッシベーション層32内に形成される。薄いゲート誘電層37は、ゲートスタック38、および、基板またはパッシベーション層32の周囲領域上に重なるような関係に形成される。ソース33およびドレイン34は、いずれかの周知方法を用いて、ゲート誘電層37の上部表面中または上部表面上以下、一般に上部表面上と称する。に、スペースを空けた位置に形成される。金属酸化物フィルム36は、ソース33およびドレイン34の両方、およびその間のスペース上に、部分的な重なるような関係で形成される。さらに上部の、または第2のパッシベーション層39は、本発明に従って、金属酸化物フィルム36上に形成される。したがって、TFT30は、下部ゲート下部ソース/ドレイン型の装置である。図4には、TFT40の他の実施例における単純化された層の図が示される。TFT40は、基板またはパッシベーション層42を含むが、それはプラスチックのような可撓性材料または他の適切な材料である。ゲートスタック48は、任意の適切かつ確立された方法によって、基板またはパッシベーション層42内に形成される。薄いゲート誘電層47は、ゲートスタック48、および、基板またはパッシベーション層42の周辺領域上に重なるような関係に形成される。金属酸化物フィルム46は、ゲートスタック48および上記周辺領域上に重なるような関係に、ゲート誘電層47上に形成される。ソース43およびドレイン44は、金属酸化物フィルム46の上部表面と部分的に重なるような関係に形成され、その結果、ゲートスタック48の上方にある当該上部表面上において、ソース43とドレイン44との間にスペースが画定される。さらに上部の、または第2のパッシベーション層49は、本発明に従って、金属酸化物フィルム46の露出した部分、および、ソース43およびドレイン44の周囲部分上に形成される。したがって、TFT40は、下部ゲート上部ソース/ドレイン型の装置である。図1~図4に示されたTFTの4つの実施例は、選択可能な異なる配置の例である。各実施例において、半導体装置は、一般に、上部主表面およびより下部主表面の厚さが100nm未満の金属酸化物活性層を有し、また、上部主表面および下部主表面は、下に重なるインタフェースおよび上に重なるインタフェースを形成するために隣接する係合内に材料を有する。TFTの好適な実施例では、金属酸化物活性層はアモルファス材料であり、加工処理の全体にわたって無定形のままである。各実施例または配置において、金属酸化物活性層内の層間相互作用をコントロールするために、組立中に様々な選択および手順を用いることができる。一般に、組立方法は、金属酸化物活性層用の金属酸化物を選択することにより、また、ゲート誘電材料用の特定の誘電体を選択することにより、特性および層間相互作用を制御することを含む。特に図5には、TFTの典型的なポジティブスレッショルド電圧シフトのグラフが示される。TFTの第1または最初のターンオンまたは動作のためのスレッショルド電圧は、単線50によって表わされる。次の動作において、比較的長期間ポジティブバイアス下で動作した後、スレッショルド電圧は、一般に連続線52によって示されるように右にシフトするポジティブバイアスシフト。グラフから解るように、最初のシフトは比較的大きく、それに続くシフトは比較的小さくなる傾向があるが、多くの動作のためにさらに生じるかもしれない。スレッショルド電圧のシフトまたは変化は、一般にTFTの不安定性と呼ばれ、非常に望ましくないものである。さらに図6には、上に重なる、または隣接するゲート誘電体56を有する金属酸化物半導体54のバンドギャップを表わす図が示される。線58は、金属酸化物半導体54とゲート誘電体56との間のインタフェースを表わす。小さい線または凹凸60は、材料内の凹凸のためにインタフェース58において形成されたトラップを表わすために含まれる。一般に、インタフェースにおいて形成された深いバンドギャップトラップは、最も厄介なものであり、安定性の問題として明示するのに最も適当なものである。概して言えば、TFTが始動したターンオンされたとき、キャリヤは、最初はトラップ内に蓄積され、そして、TFTの動作中トラップされ続け、さらに、TFTがターンオフされた後でさえ、トラップ内に残存するという傾向がある。このキャリヤのトラッピングによって、図5のグラフで示されるように、最初の比較的大きなステップの後スレッショルド電圧が徐々にシフトする。さらにグラフに示されるように、トラップは、ついにはキャリヤで満たされ、動きが生じたとしても、非常に小さい。シフトの量は、深いトラップ密度と密接な関係がある。ほとんどの例では、一旦キャリヤがトラップされると、それらは、恐らくTFTの全寿命にわたる動作オフタイムを含む中トラップされ続ける。図7には、本発明に従って、TFT70の一部に関するバンドギャップの図が示される。TFT70は、図1~図4に示された実施例あるいは他のTFTの実施例または装置のいずれか1つを表わすものであると理解すべきである。TFT70は、例えば、酸化亜鉛ZnO,インジウム酸化亜鉛InZnO,インジウム亜鉛ガリウム酸化物InZnGaO,および上記のリストからの任意の金属酸化物のような、半導体アモルファス金属酸化物活性層72を含む。さらに、TFT70は、例えば、Al2O3,SiO2,SiN,およびsp3配置内の炭素-炭素結合に従った有機材料のような、ゲート誘電材料74の薄い層を含む。良好なTFT組立技術に従って、ゲート誘電材料74のバンドギャップは、ゲート漏れ電流を最小にするために、半導体金属酸化物72のバンドギャップよりはるかに大きいことに気付くであろう。ゲート金属/ゲートスタック76は、ゲート誘電材料74上に配置され、周知の方法でゲート接触を形成する。同様に、パッシベーション層80が提供され、全構造を支持するためのベースの役割を果たしてもよい。伝統的に、半導体金属酸化物チャネルまたは活性層の2つのインタフェースがあるが、その一つはゲート誘電体であり、他の一つはパッシベーション層である。ポジティブバイアス下の安定性は、半導体金属酸化物とゲート誘電体との間のインタフェースに最も関係するが、ゲート誘電体とパッシベーション層との間のインタフェースが、いくらかの小さな効果を有するかもしれない。半導体金属酸化物とゲート誘電体との間のインタフェースにおいて、低トラップ密度を作成するほうが、はるかに難しい。本発明に従って、低トラップ密度または低欠陥絶縁体材料82の非常に薄い層が、半導体金属酸化物72とゲート誘電体74との間に配置される。オプションで、第2の低トラップ密度または低欠陥絶縁体材料84が、半導体金属酸化物72とパッシベーション層80との間に配置されてもよい。欠陥がバンドギャップの深い内部でトラップ状態を生成しない一群の金属酸化物があることが知られている。このタイプの好適な金属酸化物は、酸化チタンTiO2であり、それは、半導体金属酸化物72に類似するが、わずかに大きいバンドギャップを有する図7に示されるように。低トラップ密度絶縁体の追加の例としては、TiO23.1eV、Ta2O53.4eV、NbOEg=3.7eV、V2O5Eg=3.87eV、ScO2Eg=4.0eV、Y2O35.5eV、ZrO2Eg=4.7eV、HfO2Eg=5.8eV、La2O55.5eV、MoO、CrO、SrTiO3、SrNbO3、CsTiO3、チタン酸ジルコン酸鉛PZT:leadzirconatetitanate、チタン酸バリウムストロンチウムBST:bariumstrontiumtitanate、および、上記の材料または金属-酸素結合を含む混合酸化物がある。さらに、半導体金属酸化物72に近いバンドギャップを有するが、低トラップ密度および低移動度を有する、有機/有機金属材料のグループがある。この有機材料のグループのいくつかの例としては、Alq3:トリス8-ヒドロキシキノリノラトアルミニウムIIIaluminum、BAlq3:ビス2-メチル-8-キノリンオラート-4-フェニルフェノラトアルミニウム4aluminium、Bepq2:ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリネトベリリウムBeryllium、PBD:2-4-ビフェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾル5134oxadiazole、TAZ:3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾル4phenyl5tertbutylphenyl124triazole、Bphen:4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、および、有機光放射または光起電力装置の分野のエキスパートに知られている他の電子輸送またはホールブロッキング材料、C60、C70、ナノチューブ、および他のフラーレン分子、グラフェン分子、ポリメチルグルタルイミドPMGI:polymethylglutarimide、ビス-ベンゾシクロブテンBCB:bisbenzocyclobutene、SU-8一般にエポキシベースのネガティブフォトレジストに使用される、およびポリメタクリル酸メチルPMMA:Polyがある。低トラップ密度材料すなわち、金属酸化物および有機材料はすべて、低移動度を有し、半導体チャネル材料として使用することができない。さらに、低トラップ密度材料すなわち、金属酸化物および有機材料はすべて、半導体金属酸化物72に近いバンドギャップを有し、したがって、ゲート誘電体として使用することができない。好ましくは、低欠陥層に使用される金属酸化物は、下記の方法またはそれらの組合せのうちの1つによって処理することができる。すなわち、PVD熱、電子ビーム、またはスパッタのような物理蒸着、CVD化学蒸着、ALD原子層堆積である。フィルムは、飽和溶液からゲート絶縁体表面上へ縮合によって形成することができる。フィルムは、キャスティング、スピンコーティング、スロットコーティング、スクリーン印刷、転写印刷、インクジェット印刷、スタンピング、および当該技術分野のエキスパートに知られている他のタイプの処理方法によって処理されたソルゲル溶液によって形成することができる。薄い低トラップ金属酸化物フィルムもまた、加水分解の手段によって、対応する有機金属前駆体から形成することができる。前駆体段階は、対応する有機金属化合前駆体溶液を準備し、基板上の目標領域上に前駆体溶液をキャスティングまたは印刷することによってフィルムを形成し、次に、加水分解およびポストベーキングにより置換プロセスConversionProcessをすることを含む。光電池内の活性層と陰極との間にTiOxフィルムを形成する例は、AdvancedMaterialVo.18,pp572-5762006に記述されている。下記は、TiO2およびCsTiO3のフィルムを作成する例である。TiO2フィルムは、容積比1:1の2-エトシキエタノールおよびエタノール内で、0.25wtのTiO2溶液から1000rpmでスピンキャストされ、その後、100~200°Cの温度で5~30分間熱アニーリングされた。CsTiO3フィルムは、TiO2およびCs2CO3の0.5および0.2wt溶液を適切な容積比で混合することにより準備された溶液からスピンコートされ、その後、100~200°Cの範囲の高温で5~50分間熱アニーリングされた。高濃度アモルファス金属酸化物フィルムもまた、加水分解およびポストベーキングによる置換プロセスに続くキャスティングまたは印刷によって、対応する有機金属化合前駆体溶液によって形成することができる。このようなプロセスを有するTiOxフィルムを形成する例は、AdvancedMaterialVol.18,pp572-5762006に記述されている。低欠陥層は、PMOD法、すなわち薄いアモルファス金属酸化物フィルムの光化学金属有機沈着法photochemicalmetalorganicdepositionによって処理することができ、そのようなプロセスによって、パターン化されたフィルムを、追加のフォトレジストおよび対応するエッチングプロセスなしで作成することが可能になる。PMODによって金属酸化物および金属フィルムを処理する例は、次の参照から見つけることができる。1.AAAveyandRHHillSolidStatePhotoChemistryofCu224CH34inThinFilmsThePhotochemicalFormationofHighQualityFilmsofCopperandCopperOxideDemonstrationofaNovelLithographicTechniqueforthePatterningofCopperJAmChemSoc11819962372.RHHillandSLBlairAnInorganicApproachtoPhotolithographyThephotolithographicDepositionofDielectricMetalOxideFilmsACSSymposiumSeries706炭素ベースのフラーレン、ナノチューブ、およびグラフェンフィルム、有機金属化合物ベースのフィルム、および、有機分子ベースのフィルムは、PVDによって、あるいは、キャスティング、スピンコーティング、スロットコーティング、スクリーン印刷、転写印刷、インクジェット印刷、スタンピングを含むしかし、これらに制限されない技術分野のエキスパートに知られている溶液プロセスの1つで形成することができる。半導体金属酸化物72とゲート誘電体との間に低トラップ密度絶縁体材料82を挟むことによって、装置70内の74の伝導キャリヤが半導体金属酸化物72に閉じ込められることが理解されるに違いない。半導体金属酸化物72と低トラップ密度絶縁体材料82との間のインタフェースにおいて、トラップ密度はほとんどない。たとえ、ゲート誘電体74と低トラップ密度絶縁体材料82との間のインタフェースに深いトラップがあるとしても、伝導キャリヤは、不安定性を引き起こすそのインタフェースに到達することができない。半導体金属酸化物72とゲート誘電体74との間に配置された低トラップ密度または低欠陥絶縁体材料82の非常に薄い層は、数ナノメータ例えば5nm~50nmと同じくらい薄くすることができる。同様に、オプションの第2の低トラップ密度または低欠陥絶縁体材料84は、材料82または上述した他の例と同じ材料であってもよく、また、用いられる組立方法に依存して、類似または異なる厚さを有してもよい。さらに、TFT70の様々な材料は、堆積される材料と関係する任意の周知の方法で堆積することができる。堆積技術のいくつかの例は、上記の特許出願において提供される。さらに、本発明に従って構築された最終装置は、組み立てられた構造制御が半導体金属酸化物活性層のインタフェース内のトラップ密度、したがって最終装置の特性および安定性をコントロールするので、斬新である。したがって、新規かつ改善された金属酸化物半導体装置が開示される。そこでは、金属酸化物チャネルのインタフェース内のトラップ密度が非常に低く、したがって、TFT装置の安定性が改善される。さらに、低減されたトラップ密度を有する金属酸化物半導体装置を組み立てるための新規かつ改善された方法が開示される。例示目的のためにここで選択された実施例に対して、当業者であれば、様々な変更および修正を容易に想起することができるであろう。そのような修正およびバリエーションは、本発明の精神から逸脱しない限り、本発明の範囲内に包含されるとみなされ、以下の請求項の公平な解釈によってのみ評価される。本発明は、当業者が理解および実施することができるような明瞭かつ簡潔な用語によって、完全に記述された。"