"1画素ごとに濃度を調整可能な画像形成装置において、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を前記注目画素の濃度に応じて増加させ、前記濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて前記注目画素の濃度を減少させるコントローラーと、前記コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部と、を備えることを特徴とする画像形成装置。前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ前記注目画素の濃度を減少させることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。前記コントローラーは、前記濃度が高い隣接画素の濃度と前記注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させ、前記濃度が高い隣接画素の濃度と前記注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させないことを特徴とする請求項2記載の画像形成装置。1画素ごとに主走査方向における濃度を調整可能な画像形成装置において、主走査方向において注目画素の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて前記注目画素のドットに連続させるコントローラーと、前記コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部と、を備えることを特徴とする画像形成装置。前記コントローラーは、最大濃度と前記濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、前記濃度が高い隣接画素の濃度を前記最大濃度とすることを特徴とする請求項4記載の画像形成装置。前記コントローラーは、前記注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の方向へ寄せて前記注目画素のドットを前記画像形成部に形成させることを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の画像形成装置。前記画像形成部は、各画素について前記コントローラーにより指定された濃度に対応する期間だけ光を出射する光源と、前記光源からの光を主走査方向に走査する走査部と、前記走査部からの光で静電潜像を形成する感光体と、前記静電潜像をトナー現像する現像ユニットとを有することを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載の画像形成装置。しかしながら、上述の処理では、濃度が高い画素のドットが注目画素の方向に寄っていない場合には、孤立ドットが生じてしまうため、エッジの強調効果が低くなってしまう。例えば図8に示すように、注目画素の左側主走査方向における後側に隣接する画素以下、左画素というの濃度Lが10であり、注目画素の右側主走査方向における前側に隣接する画素以下、右画素というの濃度Rが7である場合、注目画素のドットは、注目画素の領域内において、左画素へ寄せて形成されるが、左画素のドットが、注目画素へ寄っていないため、注目画素のドットが孤立ドットになってしまう。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、孤立ドットの発生を抑制し、良好なエッジ強調効果を実現する画像形成装置を得ることを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明では以下のようにした。本発明に係る画像形成装置は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させるコントローラーと、コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部とを備える。これにより、孤立ドットとなり得る注目画素のドットが隣接画素のドットに吸収されるため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置に加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ注目画素の濃度を減少させる。また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、注目画素のドットを画像形成部に形成させ、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、注目画素のドットを画像形成部に形成させない。本発明に係る画像形成装置は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させるコントローラーと、コントローラーにより指定された濃度で各画素のドットを形成する画像形成部とを備える。これにより、孤立ドットとなり得る注目画素に隣接する画素のドット幅が増加されて注目画素のドットに連続するため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置に加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、最大濃度と濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とする。また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、コントローラーは、注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の方向へ寄せて注目画素のドットを画像形成部に形成させる。また、本発明に係る画像形成装置は、上記の画像形成装置のいずれかに加え、次のようにしてもよい。この場合、画像形成部は、各画素についてコントローラーにより指定された濃度に対応する期間だけ光を出射する光源と、光源からの光を主走査方向に走査する走査部と、走査部からの光で静電潜像を形成する感光体と、静電潜像をトナー現像する現像ユニットとを有する。本発明によれば、画像形成装置において、孤立ドットの発生を抑制し、良好なエッジ強調効果を実現することができる。以下、図に基づいて本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態に係る画像形成装置の機械的な内部構成の一部を示す側面図である。画像形成装置は、プリンター、ファクシミリ装置、複写機、複合機などといった、電子写真方式の印刷機能を有する装置である。この実施の形態の画像形成装置は、タンデム方式のカラー現像装置を有する。このカラー現像装置は、感光体ドラム1a~1d、露光装置2a~2dおよび現像ユニット3a~3dを有する。感光体ドラム1a~1dは、シアン、マゼンタ、イエローおよびブラックの4色の感光体である。露光装置2a~2dは、感光体ドラム1a~1dへレーザー光を照射して静電潜像を形成する装置である。露光装置2a~2dは、レーザー光の光源であるレーザーダイオード、そのレーザー光を感光体ドラム1a~1dへ導く光学素子レンズ、ミラー、ポリゴンミラーなどを有する。さらに、感光体ドラム1a~1dの周囲には、スコロトロン等の帯電器、クリーニング装置、除電器などが配置されている。クリーニング装置は、1次転写後に、感光体ドラム1a~1d上の残留トナーを除去し、除電器は、1次転写後に、感光体ドラム1a~1dを除電する。現像ユニット3a~3dには、シアン、マゼンタ、イエローおよびブラックの4色のトナーが充填されているトナーカートリッジがそれぞれ装着され、トナーカートリッジからトナーが供給され、キャリアとともに現像剤を構成する。現像ユニット3a~3dは、そのトナーを感光体ドラム1a~1d上の静電潜像に付着させてトナー画像を形成する。感光体ドラム1a、露光装置2a、および現像ユニット3aにより、マゼンタの現像が行われ、感光体ドラム1b、露光装置2b、および現像ユニット3bにより、シアンの現像が行われ、感光体ドラム1c、露光装置2c、および現像ユニット3cにより、イエローの現像が行われ、感光体ドラム1d、露光装置2d、および現像ユニット3dにより、ブラックの現像が行われる。中間転写ベルト4は、感光体ドラム1a~1dに接触し、感光体ドラム1a~1d上のトナー画像を1次転写される環状の像担持体である。中間転写ベルト4は、駆動ローラー5に張架され、駆動ローラー5からの駆動力によって、感光体ドラム1dとの接触位置から感光体ドラム1aとの接触位置への方向へ周回していく。転写ローラー6は、搬送されてくる用紙を中間転写ベルト4に接触させ、中間転写ベルト4上のトナー画像を用紙に2次転写する。なお、トナー画像を転写された用紙は、定着器9へ搬送され、トナー画像が用紙へ定着される。ローラー7は、クリーニングブラシを有し、クリーニングブラシを中間転写ベルト4に接触させ、用紙へのトナー画像の転写後に中間転写ベルト4に残ったトナーを除去する。センサー8は、トナー濃度調整に使用されるセンサーであって、中間転写ベルト4に光線を照射し、その反射光を検出する。トナー濃度調整の際、センサー8は、中間転写ベルト4の所定の領域に光線を照射し光線の反射光測定光を検出し、その光量に応じた電気信号を出力する。図2は、図1における露光装置2a~2dの構成例を示す図である。なお、図2に示す露光装置は、感光体ドラム1a用の露光装置2aであり、感光体ドラム1b~1d用の露光装置2b~2dも同様の構成を有する。図2において、レーザーダイオード21は、レーザー光を出射する光源である。光学系22は、レーザーダイオード21からポリゴンミラー23までの間、および/またはポリゴンミラー23から感光体ドラム1aおよびPDセンサー24までの間に配置された各種レンズ群である。光学系22には、fθレンズなどが使用される。また、ポリゴンミラー23は、感光体ドラム1aの軸に対して垂直な軸を有し、その軸に垂直な断面が多角形であり、その側面がミラーとなっている素子である。ポリゴンミラー23は、その軸を中心に回転し、レーザーダイオード21から出射した光を感光体ドラム1aの軸方向主走査方向に沿って走査する。また、PDセンサー24は、主走査同期信号を生成するためにポリゴンミラー23により走査された光を受光するセンサーである。PDセンサー24は、光が入射すると、光量に応じた出力電圧を誘起する。PDセンサー24は、光が走査される線上の所定の位置に配置され、光のスポットがその位置を通過するタイミングを検出する。また、ドライバー回路31は、レーザーダイオード21を駆動する回路である。ドライバー回路31は、画像形成のための駆動信号に基づき、レーザーダイオード21を制御してレーザー光を出射させる。また、検出回路32は、PDセンサー24の出力波形において、PDセンサー24上を光が走査されることにより形成されるパルスを電気的に検出する回路である。また、コントローラー33は、画像処理部34から供給される画像データに基づいてドライバー回路31に駆動信号を出力し、画像データに基づく静電潜像を感光体ドラム1a上に形成させる。この画像データでは、各画素の濃度が指定されている。この実施の形態1では、濃度は0から15までの16段階のいずれかの値で指定される。コントローラー33は、主走査方向における各画素についてのレーザーダイオード21の点灯期間を、この駆動信号で制御する。そして、レーザーダイオード21、光学系22、ポリゴンミラー23、感光体ドラム1aおよび現像ユニット3aにより、コントローラー33により指定された濃度で各画素のドットが形成される。この実施の形態1では、コントローラー33は、注目画素についてのレーザーダイオード21の点灯期間を移動させることで、注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の方向へ寄せて注目画素のドットを形成させる。また、この実施の形態1では、コントローラー33は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させる。特に、実施の形態1では、コントローラー33は、上述の濃度が高い隣接画素の濃度増加分だけ注目画素の濃度を減少させる。また、実施の形態1では、コントローラー33は、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度より大きい場合には、注目画素のドットを形成させ、濃度が高い隣接画素の濃度と注目画素の濃度との和が最大濃度以下である場合には、注目画素の濃度がゼロとし、注目画素のドットを形成させない。また、画像処理部34は、ラスタライズなどにより生成されたビットマップ画像データに対してスクリーン処理などを実行し、処理後の画像データをコントローラー33に供給する。次に、実施の形態1に係る画像形成装置の動作について説明する。コントローラー33は、画像データに基づいて、PDセンサー24および検出回路32により検出されるパルスのタイミングに同期して、レーザーダイオード21を点灯消灯させることで各ラインの静電潜像を感光体ドラム1a~1d上に形成する。このとき、コントローラー33は、画像データにより指定される画素濃度に基づいて、隣接画素の濃度に応じた濃度調整を各画素について行う。具体的には、コントローラー33は、以下のようにして各画素の濃度を決定する。図3は、実施の形態1におけるコントローラー33の動作を説明するフローチャートである。まず、コントローラー33は、1ライン分の画素濃度の記憶領域を確保し、画像データにより指定される画素濃度を各画素の初期値とするステップS1。次に、コントローラー33は、1ラインの先頭画素を注目画素としステップS2、注目画素に対して孤立ドット回避処理を行うステップS3。孤立ドット回避処理では、注目画素、その右画素、およびその左画素の濃度が適宜更新される。コントローラー33は、孤立ドット回避処理を行った画素が1ラインの最後の画素であるか否かを判定しステップS4、孤立ドット回避処理を行った画素が1ラインの最後の画素でなければ、次の画素を注目画素としステップS5、注目画素に対して孤立ドット回避処理を行うステップS3。一方、孤立ドット回避処理を行った画素が1ラインの最後の画素である場合には、コントローラー33は、1ライン分の孤立ドット回避処理を完了する。コントローラー33は、孤立ドット回避処理後の1ライン分のデータから1ライン分の駆動信号を生成する。ここで、ステップS3における孤立ドット回避処理について説明する。図4は、実施の形態1における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。なお、以下、孤立ドット回避処理前の注目画素の濃度をCi、孤立ドット回避処理前の左画素の濃度をLi、孤立ドット回避処理前の右画素の濃度をRiとし、注目画素処理後の注目画素の濃度をCo、注目画素処理後の左画素の濃度をLo、注目画素処理後の右画素の濃度をRoとし、最大濃度をMaxとする。孤立ドット回避処理において、コントローラー33は、現時点での注目画素の濃度Ci、左画素の濃度Li、および右画素の濃度Riを特定し、注目画素の濃度Ciが左右両側の画素濃度Li,Riより高いか否かを判定するステップS11。注目画素の濃度Ciが左右両側の画素濃度Li,Riより高い場合、コントローラー33は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ci,Li,Riを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Co,Lo,RoとするステップS12。一方、注目画素の濃度Ciが左画素の濃度Li以下か右画素の濃度Ri以下である場合、コントローラー33は、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高いか否かを判定するステップS13。コントローラー33は、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高い場合、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Maxより高いか否かを判定するステップS14。左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Maxより高い場合、コントローラー33は、処理後の左画素の濃度Loを最大濃度Maxとし、処理後の注目画素の濃度Coを左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和から最大濃度Maxを減算した値とし、右画素の濃度Riをそのまま処理後の右画素の濃度Roとして、各画素の濃度を更新するステップS15。一方、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Max以下である場合、コントローラー33は、処理後の左画素の濃度Loを左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和とし、処理後の注目画素の濃度Coをゼロとし、右画素の濃度Riをそのまま処理後の右画素の濃度Roとして、各画素の濃度を更新するステップS16。また、ステップS13において、左画素の濃度Liが右画素の濃度Ri以下である場合、コントローラー33は、右画素の濃度Riと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Maxより高いか否かを判定するステップS17。右画素の濃度Riと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Maxより高い場合、コントローラー33は、処理後の右画素の濃度Roを最大濃度Maxとし、処理後の注目画素の濃度Coを右画素の濃度Riと注目画素の濃度Ciとの和から最大濃度Maxを減算した値とし、左画素の濃度Liをそのまま処理後の左画素の濃度Loとして、各画素の濃度を更新するステップS18。一方、右画素の濃度Riと注目画素の濃度Ciとの和が最大濃度Max以下である場合、コントローラー33は、処理後の右画素の濃度Roを右画素の濃度Riと注目画素の濃度Ciとの和とし、処理後の注目画素の濃度Coをゼロとし、左画素の濃度Liをそのまま処理後の左画素の濃度Loとして、各画素の濃度を更新するステップS19。このようにして、実施の形態1の孤立ドット回避処理が行われる。ここで、実施の形態1の孤立ドット回避処理の例について説明する。図5は、実施の形態1における孤立ドット回避処理の例を示す図である。図5Aに示す場合、注目画素の濃度Ci=3が左画素および右画素の濃度Li=10,Ri=7以下でありステップS11、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高くステップS13、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和=13が最大濃度ここでは、15以下であるためステップS14、左画素の濃度Loは、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和=13とされ、注目画素の濃度Coはゼロとされ、右画素の濃度RoはそのままとされるステップS16。この場合、図5Aに示すように、左画素についてのレーザーダイオード21の点灯期間が長くなりドット幅が増加され、注目画素については濃度がゼロであるのでドットが形成されない。一方、図5Bに示す場合では、注目画素の濃度Ci=3が左画素および右画素の濃度Li=13,Ri=7以下でありステップS11、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高くステップS13、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和=16が最大濃度ここでは、15より高いためステップS14、左画素の濃度Loは、最大濃度=15とされ、注目画素の濃度Coは、左画素の濃度Liと注目画素の濃度Ciとの和=16から最大濃度=15を減算した値=1とされ、右画素の濃度RoはそのままとされるステップS15。この場合、図5Bに示すように、左画素についてのレーザーダイオード21の点灯期間が長くなりドット幅が最大値まで増加され、注目画素については左画素に寄せて、左画素のドットに連続するようにドットが形成される。以上のように、上記実施の形態1によれば、コントローラー33は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を注目画素の濃度に応じて増加させ、その濃度が高い隣接画素の濃度増加分に応じて注目画素の濃度を減少させる。これにより、孤立ドットとなり得る注目画素のドットが隣接画素のドットに吸収されるため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。実施の形態2.本発明の実施の形態2に係る画像形成装置は、実施の形態1に係る画像形成装置と同様の構成を有する。ただし、コントローラー33は、以下のように動作する。実施の形態2では、コントローラー33は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させる。特に、実施の形態2では、コントローラー33は、最大濃度と濃度が高い隣接画素の濃度との差が所定の閾値未満である場合に、濃度が高い隣接画素の濃度を最大濃度とする。次に、実施の形態2に係る画像形成装置の動作について説明する。実施の形態2に係る画像形成装置では、コントローラー33が、以下のようにして孤立ドット回避処理を行う。図6は、実施の形態2における孤立ドット回避処理について説明するフローチャートである。実施の形態2の孤立ドット回避処理では、コントローラー33は、まず、現時点での注目画素の濃度Ci、左画素の濃度Li、および右画素の濃度Riを特定し、注目画素の濃度Ciが左右両側の画素濃度Li,Riより高いか否かを判定するステップS21。注目画素の濃度Ciが左右両側の画素濃度Li,Riより高い場合、コントローラー33は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ci,Li,Riを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Co,Lo,RoとするステップS22。一方、注目画素の濃度Ciが左画素の濃度Li以下か右画素の濃度Ri以下である場合、コントローラー33は、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高いか否かを判定するステップS23。コントローラー33は、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高い場合、最大濃度から左画素の濃度Liを減算した値が所定の閾値Thより低いか否かを判定するステップS24。最大濃度から左画素の濃度Liを減算した値が所定の閾値Thより低い場合、コントローラー33は、処理後の左画素の濃度Loを最大濃度Maxとし、注目画素の濃度Ciをそのまま処理後の注目画素の濃度Coとし、右画素の濃度Riをそのまま処理後の右画素の濃度Roとして、各画素の濃度を更新するステップS25。一方、最大濃度から左画素の濃度Liを減算した値が所定の閾値Th以上である場合、コントローラー33は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ci,Li,Riを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Co,Lo,RoとするステップS26。また、ステップS23において、左画素の濃度Liが右画素の濃度Ri以下である場合、コントローラー33は、最大濃度から右画素の濃度Riを減算した値が所定の閾値Thより低いか否かを判定するステップS27。最大濃度から右画素の濃度Riを減算した値が所定の閾値Thより低い場合、コントローラー33は、処理後の右画素の濃度Roを最大濃度Maxとし、注目画素の濃度Ciをそのまま処理後の注目画素の濃度Coとし、左画素の濃度Liをそのまま処理後の左画素の濃度Loとして、各画素の濃度を更新するステップS28。一方、最大濃度から右画素の濃度Riを減算した値が所定の閾値Th以上である場合、コントローラー33は、注目画素、左画素および右画素の濃度Ci,Li,Riを、そのまま処理後の注目画素、左画素および右画素の濃度Co,Lo,RoとするステップS29。このようにして、実施の形態2の孤立ドット回避処理が行われる。ここで、実施の形態2の孤立ドット回避処理の例について説明する。図7は、実施の形態2における孤立ドット回避処理の例を示す図である。図7に示す場合、注目画素の濃度Ci=3が左画素および右画素の濃度Li=10,Ri=7以下でありステップS21、左画素の濃度Liが右画素の濃度Riより高くステップS23、最大画素ここでは15から左画素の濃度Liを減算した値=5が所定の閾値Th例えば6より低いためステップS24、左画素の濃度Loは、最大濃度=15とされ、注目画素の濃度Coはそのままとされ、右画素の濃度RoはそのままとされるステップS25。図7に示すように、左画素についてのレーザーダイオード21の点灯期間が長くなりドット幅が最大値まで増加され、注目画素については左画素に寄せて、左画素のドットに連続するようにドットが形成される。以上のように、上記実施の形態2によれば、コントローラー33は、主走査方向において注目画素の両側の隣接画素のうち、濃度が高い隣接画素の濃度を増加させて注目画素のドットに連続させる。これにより、孤立ドットとなり得る注目画素に隣接する画素のドット幅が増加されて注目画素のドットに連続するため、孤立ドットの発生が抑制され、良好なエッジ強調効果が実現される。なお、上述の各実施の形態は、本発明の好適な例であるが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。例えば、上記の実施の形態1,2において、例えば図8に示すように、注目画素に隣接する2つの画素のうちの、濃度が高い画素のドットが、注目画素寄りに形成されない場合に、注目画素について孤立ドット回避処理を行い、その濃度が高い画素のドットが、注目画素寄りに形成される場合には、注目画素について孤立ドット回避処理を行わないようにしてもよい。"