"樹脂製の外装体と、第1中継リードと、第1半導体チップが搭載された第1ダイパット部と、前記外装体から端部が突出した第1外部接続リードとを有する第1リードフレームと、第2中継リードと、第2半導体チップが搭載された第2ダイパット部と、前記外装体から端部が突出した第2外部接続リードとを有する第2リードフレームと、を有し、前記第1ダイパット部と前記第2ダイパット部、または、前記第1外部接続リードと前記第2中継リードとが互いに接合部で接続され、前記第1中継リードとの接合部から延びる前記第2中継リードの端部と、前記第2ダイパット部の吊りリードの端部との少なくとも一方が、前記外装体の内部に位置する、半導体装置。前記第1中継リードと前記第1半導体チップおよび前記第1外部接続リードの間が電気接続され、前記第2中継リードと前記第2半導体チップおよび前記第2外部接続リードの間が電気接続された、請求項1に記載の半導体装置。前記第1リードフレームと前記第2リードフレームが積層された、請求項1または請求項2記載の半導体装置。前記第1半導体チップの少なくとも一部と前記第2半導体チップの少なくとも一部とは、平面視で互いに重なるように配置された、請求項1~請求項3のいずれかに記載の半導体装置。前記第1リードフレームの前記第1中継リードと、前記第2リードフレームの前記第2中継リードとが、カシメ接合によって接合された、請求項1~請求項4のいずれかに記載の半導体装置。前記第1リードフレームの前記第1中継リードと、前記第2リードフレームの前記第2中継リードとが、面接合によって接合された、請求項1~請求項4のいずれかに記載の半導体装置。前記外装体の表面から一部が露出した放熱板に、前記第1リードフレームの前記第1中継リードと前記第1ダイパット部が結合された、請求項1~請求項6のいずれかに記載の半導体装置。第1中継リード及び第1半導体チップが搭載された第1ダイパット部及び第1外部接続リードを有する第1リードフレームと、第2中継リード及び第2半導体チップが搭載された第2ダイパット部及び第2外部接続リードを有する第2リードフレームとを準備し、前記第1ダイパット部と前記第2ダイパット部、または、前記第1中継リードと前記第2中継リードを接合した後、前記第1中継リードとの接合部から延びる前記第2リードフレームの前記第2中継リード、または前記第2ダイパット部の吊りリードを、樹脂製の外装体による封止予定位置の半導体パッケージ内部位置で切断し、切断された前記第2リードフレームの端部または切断された吊りリードの端部を金型の内部に配置した状態で、樹脂封止によって前記外装体を形成する、半導体装置の製造方法。前記第1半導体チップの少なくとも一部と前記第2半導体チップの少なくとも一部とは、平面視で互いに重なるように配置された、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記第1リードフレームの前記第1中継リードと、前記第2リードフレームの前記第2中継リードとを、カシメ接合によって接合した、請求項8または請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第1リードフレームの前記第1中継リードと、前記第2リードフレームの前記第2中継リードとを、面接合によって接合した、請求項8または請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第2中継リードまたは前記吊りリードを切断した後に、前記第1リードフレームの前記第1中継リードと前記第1ダイパット部とを放熱板に結合する、請求項8~請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記第1ダイパット部と前記第2ダイパット部、または、前記第1中継リードと前記第2中継リードを接合する前に、前記第1リードフレームの前記第1中継リードと前記第1ダイパット部とを放熱板に結合する、請求項8~請求項12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来の樹脂封止型半導体装置において、パワー素子は、大電流の高周波スイッチング動作を行うために、大きな電磁波ノイズが発生しやすい。この電磁波ノイズが制御素子に影響すると、半導体装置が誤動作することがある。この電磁波ノイズによる誤動作が発生すると、半導体装置の信頼性が低下する。半導体装置において、パワー素子と制御素子の距離が小さくなると、このような誤動作の発生が増加することが懸念される。また、その端面が外気に露出したリードが存在する場合は、その端面から半導体装置内部への水分などの侵入により、信頼性が低下することがある。本発明は、前述の従来の課題を解決し、従来よりも信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、樹脂製の外装体と、第1中継リードと、第1半導体チップが搭載された第1ダイパット部と、前記外装体から端部が突出した第1外部接続リードとを有する第1リードフレームと、第2中継リードと、第2半導体チップが搭載された第2ダイパット部と、前記外装体から端部が突出した第2外部接続リードとを有する第2リードフレームと、を有し、前記第1ダイパット部と前記第2ダイパット部、または、前記第1外部接続リードと前記第2中継リードとが互いに接合部で接続され、前記第1中継リードとの接合部から延びる前記第2中継リードの端部と、前記第2ダイパット部の吊りリードの端部との少なくとも一方が、前記外装体の内部に位置することを特徴とする。また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、第1中継リード及び第1半導体チップが搭載された第1ダイパット部及び第1外部接続リードを有する第1リードフレームと、第2中継リード及び第2半導体チップが搭載された第2ダイパット部及び第2外部接続リードを有する第2リードフレームとを準備し、前記第1ダイパット部と前記第2ダイパット部、または、前記第1中継リードと前記第2中継リードを接合した後、前記第1中継リードとの接合部から延びる前記第2リードフレームの前記第2中継リード、または前記第2ダイパット部の吊りリードを、樹脂製の外装体による封止予定位置の半導体パッケージ内部位置で切断し、切断された前記第2リードフレームの端部または切断された吊りリードの端部を金型の内部に配置した状態で、樹脂封止によって前記外装体を形成することを特徴とする。本発明の構成によると、信頼性の高い半導体装置を実現できる。実施の形態1図1,図2,図3は、本実施の形態1の樹脂封止型の半導体装置を示す図である。図1は、本発明の実施の形態1にかかる樹脂封止型の半導体装置の内部の平面図である。図2は、図1におけるA-A断面図を示し、図3は図1におけるB-B断面図を示している。この樹脂封止型の半導体装置は、第1半導体チップの一例であるパワー素子T1と、パワー素子T1が固定されている第1リードフレーム1と、第2半導体チップの一例である制御素子T2と、制御素子T2が固定されている第2リードフレーム2と、放熱板3とを、有している。そして、この樹脂封止型の半導体装置は、パワー素子T1と第1リードフレーム1と制御素子T2と第2リードフレーム2と放熱板3とを、樹脂製の外装体4によって樹脂封止して構成された半導体パッケージである。この半導体装置の外装体4の一方の長辺4aからは、第1リードフレーム1の複数の第1外部接続リード1a1,1a2,1a3,1a4が、外装体4の外部に引き出されている。また、半導体装置の外装体4のもう一方の長辺4bからは、第2リードフレーム2の複数の第2外部接続リード2a1,2a2,2a3,2a4,2a5,2a6が、外装体4の外部に引き出されている。外装体4は、例えばエポキシ等の熱硬化型樹脂からなる。この外装体4は、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2との一体化と、パワー素子T1と制御素子T2の保護のためのものである。なお、図1などでは、説明を容易にするために、第1外部接続リードが4本で第2外部接続リードが6本の例を示しているが、本発明が適用可能な半導体装置における外部接続リードの本数は、これに限定されない。また、パワー素子T1および制御素子T2は、1つの半導体装置に複数個存在する場合もある。なお、外装体4の材質としては、エポキシ等の熱硬化型樹脂以外に、シリコン系などの熱可塑性樹脂を用いることも可能である。第1リードフレーム1は、例えば銅Cuなどの高い導電性の材料で構成される。第1リードフレーム1は、外装体4から端部が突出した複数の第1外部接続リード1a1,1a2,1a3,1a4と、複数の第1中継リード1bと、パワー素子T1が搭載された第1ダイパット部1cを有している。第2リードフレーム2は、例えば銅Cu、42アロイ42Alloyなどの高い導電性の材料で構成される。第2リードフレーム2は、外装体4から端部が突出した複数の第2外部接続リード2a1,2a2,2a3,2a4,2a5,2a6と、複数の第2中継リード2bと、パワー素子T1を制御する制御素子T2が搭載された第2ダイパット部2cを有している。放熱板3は、例えば銅CuやアルミニウムAlなどの高い熱伝導性の金属で構成される。放熱板3は、その下面を外装体4から半導体パッケージ外部に露出させた状態で封止されている。第1リードフレーム1の第1ダイパット部1cと第1中継リード1bは、絶縁シート5を介して放熱板3の上面に固定されている。絶縁シート5は、例えば、熱伝導性の電気絶縁材料で構成され、電気絶縁層を複数層の接着層で挟んだ3層構造を有している。パワー素子T1は、例えば、IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタやパワーMOSFET金属酸化膜型電界効果トランジスタで構成される。パワー素子T1は、ろう材6で第1ダイパッド部1cの上面に固定されている。図1に示すように、パワー素子T1のボンディングパッド図示せずと第1外部接続リード1a2,1a4とは、ワイヤ7により電気接続されている。また、第1外部接続リード1a1とパワー素子T1のボンディングパッド図示せずの間は、ワイヤ8aにより電気接続されている。第1中継リード1bとパワー素子T1のボンディングパッド図示せずの間は、金属部材のワイヤ8bにより電気接続されている。ワイヤ7,8a,8bは、例えば、アルミニウムAlなどの金属部材で構成されたアルミニウムAlワイヤである。なお、ワイヤ7,8a,8bとしては、アルミニウムワイヤの代わりに、アルミニウムAlリボンや銅Cuクリップを用いてもよい。アルミニウムリボンや銅クリップは、アルミニウムワイヤに比べて断面積が大きく配線抵抗値が小さくなるため、半導体装置のパワー損失を低減できる。制御素子T2は、パワー素子T1を制御する素子であり、例えば、駆動回路、過電流防止回路等が内蔵されている。制御素子T2は、第2ダイパッド部2cに、接合部9により固着されている。接合部9としては、例えば、銀Agペーストを用いる。制御素子T2のボンディングパッド図示せずと第2中継リード2bは、ワイヤ10により接続されている。ワイヤ10は、例えば、金Auなどの金属部材で構成される。ここで、制御素子T2を搭載した第2ダイパッド部2cは、図2と図3に示したように、パワー素子T1の上方にパワー素子T1の上面と略平行に配置されている。第2ダイパッド部2cは、パワー素子T1のワイヤ7の少なくとも一部を覆っている。その結果、パワー素子T1の上面に対する鉛直方向において、パワー素子T1の出力信号線であるワイヤ7と制御素子T2との間に第2ダイパッド部2cが配置される。そのため、この実施の形態1の構造では、ワイヤ7で生じて制御素子T2へと伝播する電磁波ノイズの一部を、第2ダイパッド部2cで遮断することができる。その結果として、この実施の形態1の半導体装置では、制御素子T2の誤動作の可能性を軽減することができる。なお、第2ダイパッド部2cの少なくとも一部、好ましくは第2ダイパッド部2cの下面にニッケルNi等の磁性材料によるメッキ層を形成してもよい。これにより、パワー素子T1から発生する電磁波ノイズをメッキ層で吸収することができるので、より一層、制御素子T2の誤動作の可能性を軽減できる。この実施の形態1において、第1リードフレーム1の第1中継リード1bと第2リードフレーム2の第2中継リード2bとは、カシメにより接合されて電気的に接続している。この実施の形態1では、第2リードフレーム2が第1リードフレーム1の少なくとも一部を覆うように配置されているので、パワー素子T1から発生する電磁波ノイズを、制御素子T2の下面に設置した第2リードフレーム2により遮蔽することができる。その結果、制御素子T2に到達する電磁波ノイズ量は減少する。よって、制御素子T2の誤動作の可能性を軽減し、その動作に対する信頼性を高めることができる。また、この実施の形態1では、図1と図2に示すように、第1外部接続リード1a1と第2中継リード2bが、カシメカシメ部1dによって互いに連結して接合される。また、この実施の形態1では、図1と図3に示すように、第1ダイパッド部1cと第2ダイパット部2cの突出部2gが、カシメカシメ部1gによって互いに連結して接合され、接続されている。連結して接合された部位カシメの場合は、カシメ部1dまたはカシメ部1gが、接合部である。さらに、詳しくは後述するが、第1外部接続リード1a1とカシメによって一端が接続された第2中継リード2bの端部2d、ならびに第2ダイパット部2cの吊りリード2eの端面については、外装体4の封止樹脂の注入前に切断されており、外装体4の樹脂の内部に埋没している。すなわち、この実施の形態1の半導体装置では、第2中継リード2bおよび吊りリード2eの端部端面が、外装体4の外部に露出していない。続いて、本実施の形態1の半導体装置の製造工程について、図4~図13を用いて説明する。なお、図5~図11は、製造工程の各ステップにおける図1のA-A断面図である。図4は、本実施の形態1の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。図4において、まず、ステップS1において、第1工程として、第1リードフレーム1及び第2リードフレーム2を準備した後、図5に示すホルダー11,12間に配置する。続いて、ステップS2において、第2工程として、第1リードフレーム1及び第2リードフレーム2を、ホルダー11,12で固定する。続いて、ステップS3において、第3工程として、第1リードフレーム1及び第2リードフレーム2を、カシメピン13A,13Bでかしめて、カシメ接合する。続いて、ステップS4において、第4工程として、第2リードフレーム2の第2中継リード2bと吊りリード2eを切断ピン15Aとダイ15Bで挟むことにより、第2中継リード2bと吊りリード2eを、かしめて切断する。続いて、ステップS5において、第5工程として、第4工程後の第1リードフレーム1及び第2リードフレーム2を、ホルダー11,12間から下金型16、上金型17間に移動させ、これら金型間に配置する。続いて、ステップS6において、第6工程として、第1リードフレーム1及び第二リードフレーム2を、下金型16と上金型17間で封止樹脂により封止することで、外装体4を形成する。その後、金型間から取り出して、この実施の形態1の半導体装置を得る。図5は、図4の第1工程における半導体装置の状態を示している。図5に示すように、先ず、ホルダー11とホルダー12の間において、ホルダー11上に絶縁シート5を仮接着した放熱板3を載置する。そして、第1リードフレーム1の第1ダイパッド部1cの下面および第1中継リード1bの下面が絶縁シート5に接するように、第1リードフレーム1を放熱板3の上に載置する。ここで、ホルダー11には、カシメピン13B、押圧ピン14B、ダイ15Bが設けられている。また、ホルダー12には、カシメピン13Bに対応してカシメピン13Aが設けられ、押圧ピン14Bに対応して押圧ピン14Aが設けられ、ダイ15Bに対応して切断ピン15Aが設けられている。なお、第1中継リード1bの先端部には、曲げ加工によって上面に突出した凸部1d1が形成されている。凸部1d1の表面には、金属メッキ層が形成されている。この金属メッキ層は、例えばニッケルNiや金Auなど、接触抵抗の小さい金属で構成される。その後、第2リードフレーム2の第2中継リード2bの貫通孔2fを第1中継リード1bの凸部1d1に位置合わせする。具体的には、貫通孔2fを凸部1d1に位置合わせした後、第2リードフレーム2を破線で示すように第1リードフレーム1の上に載置する。つまり、第1中継リード1bの凸部1d1が第2中継リード2bの貫通孔2fに挿入されるように載置する。ここでは、貫通孔2fの内壁および上面周縁部には、金属メッキ層が形成されている。この金属メッキ層は、例えばニッケルNiや金Auなど、接触抵抗の小さい金属で構成される。ここで、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2の構成について、図14~図16を用いて説明する。第1リードフレーム1の具体例を図14に示す。2点鎖線で示す外装体4の位置が、封止予定位置である。1a1~1a5が、図1~図3に示した第1外部接続リード1a1~1a4に相当する。図1~図3では、第1中継リード1bが、第2リードフレーム2の引き出し側=外装体4の長辺4bの側に近接して配置されていたが、図7に示した具体例では、第1中継リード1b1~1b9が第1外部接続リード1a1~1a5と同じ側に配置されている。この実施の形態1の半導体装置では、図14に示すように、特に、半導体装置となったときに沿面絶縁距離が必要となる第1外部接続リード1a4と第1外部接続リード1a5の間に、第1中継リード1b4~1b9が集中的に配置されている。図14に示した第1リードフレーム1と組み合わせて使用される第2リードフレーム2の具体例を、図15に示す。この第2リードフレーム2では、第1中継リード1b4~1b9に対応した位置に、第2中継リード2b4~2b9が形成されている。この図14に示した第1リードフレーム1と、図15に示した第2リードフレーム2の結合状態を、図16に示す。第1リードフレーム1と第2リードフレーム2は、以上説明したように構成されている。図6は、図4の第2工程における半導体装置の状態を示している。図6に示すように、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2とが位置合わせされた状態でホルダー12を下降させ、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2とを、ホルダー11,12で挟み込んで保持し、位置を固定する。図7は、図4の第3工程における半導体装置の状態を示している。図7に示すように、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2の位置をホルダー11,12で挟持して保持した状態で、押圧ピン14Aとカシメピン13Aを下降させる。ここで、この実施の形態1では、押圧ピン14Aの下降速度をカシメピン13Aの下降速度より速くしている。これは、本実施の形態1では、カシメピン13Aが凸部1d1をかしめる前に、押圧ピン14Aにより第1リードフレーム1の位置を押圧して固定するためである。そして、押圧ピン14Aにより第1リードフレーム1が固定された状態で、第1中継リード1bの凸部1d1をカシメピン13Aによって押し潰してカシメ部1dを形成し、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2を接合する。ここで、図示は省略するが、第1ダイパッド部1cに形成された凸部1g1についても、同様に押し潰す。このとき、押圧ピン14Aによって第1ダイパット部1cが、放熱板3の側に押圧されている。押圧ピン14Aの押圧によって絶縁シート5が変形することで、第1ダイパッド部1cの厚みのバラツキを吸収できる。図8は、図4の第4工程における半導体装置の状態を示している。図8に示すように、前述の第3工程において、形成されたカシメ部1dによって第1中継リード1bと一端が接続された第2中継リード2b、ならびに、第2ダイパット部2cの吊りリード2eを、切断ピン15Aとダイ15Bによって挟み込んで切断する。このとき、第2中継リード2bは、カシメ部1dとホルダー11,12間で保持されているため、切断ピン15Aとダイ15Bによって切断可能である。また、同様に、吊りリード2eは、カシメ部1gとホルダー11,12間で保持されているため、切断ピン15Aとダイ15Bによって切断可能である。ここで、切断が完了した半導体装置の状態を、ホルダー11,12を省略して図9に示す。図9に示すように、切断ピン15Aとダイ15Bによって切断される第2リードフレーム2の位置は、外装体4によって樹脂封止される半導体パッケージ予定位置図9中に二点鎖線で示す位置の内側、すなわち、半導体パッケージ内部に位置している。図14と図15に示した具体的な第1リードフレーム1と第2リードフレーム2の場合では、第2中継リード2b4~2b9の吊りリードを、切断ピン15Aとダイ15Bによって切断する。第1の中継リード1b1~1b9の吊りリードも、同時に、同様の切断ピン15Aとダイ15Bによって切断する。図10は、図4の第5工程における半導体装置の状態を示している。図10に示すように、図4の第4工程までの工程を経て一体化された第1リードフレーム1と第2リードフレーム2を、下金型16と上金型17によって上下から挟みこんで固定する。ここで、切断されたリードの分の隙間を塞ぐことが可能な可動機構など図示せずを下金型16及び上金型17に設けることで、隙間を小さくすることも可能である。ただし、半導体装置によって吊りリードの位置は異なる場合があるため、切断されたリードの分の隙間を塞ぐことが可能な可動機構は、複雑な機構になると考えられる。図11は、図4の第6工程封止工程の状態を示している。図11に示すように、下金型16及び上金型17に形成されたキャビティ18に対して、上金型17のゲート口17Bから、エポキシ等の封止樹脂20を注入する。このようにキャビティ18内に封止樹脂20を注入し、トランスファーモールド法により外装体4を形成する。このとき、第1リードフレーム1は、上金型17のゲート口17B側図11の紙面左側に配置された金型挿入ピン19によって下金型16に押圧されているので、ゲート口17B側において、封止樹脂20が放熱板3の下面側に漏れ出して入り込むことはない。また、ゲート口17Bの反対側図11の紙面右側は、注入される封止樹脂20により下金型16に押圧されることになるので、ゲート口17Bの反対側において、封止樹脂20が放熱板3の下面側に漏れ出して入り込むことは無い。したがって、封止後の放熱板3の下面側には、封止樹脂20が存在せず、放熱性の低下は発生しない。そして、注入された封止樹脂20の硬化が始まる前に金型挿入ピン19を上昇させてキャビティ18から引き抜き、封止樹脂20を硬化させて外装体4を形成する。この封止樹脂20の硬化時には、絶縁シート5の接着層が溶融および硬化し、絶縁シート5と第1リードフレーム1の第1ダイパッド部1cの下面及び放熱板3との接着を強固にする。最後に、キャビティ18から半導体装置を取り外すことで、図1~図3に示した樹脂封止型の半導体装置が完成する。図12は、今まで説明した第1,第2リードフレーム1,2を使用した樹脂封止型の半導体装置の底面を示している。この実施の形態1では、図7と図8などに示すように、ホルダー12に設けた切断ピン15Aをホルダー11に設けたダイ15Bに向かって降下させて、切断ピン15Aが上側から下側に第2リードフレーム2を貫通して第2リードフレーム2を切断している。このときの要部の拡大図を図17abに示す。図7と図17aに示すように、切断ピン15Aにより第2リードフレーム2を上側から下側に貫通した場合、図17bに示すように、第2中継リード2bの下面に反り返り部21が発生することがある。この反り返り部21は、プレス加工時のバリである。図17abに示すように、反り返り部21が形成されたことによって、第2中継リード2bと放熱板3との沿面距離が短くなって電界が集中し、絶縁破壊が発生する可能性が高くなる。そのため、この実施の形態1では、反り返り部21の形成により絶縁破壊が発生しないように、図17abに示すように、第2中継リード2bの端部2dに近い放熱板3の角部3Cに、R=0.1mm~0.5mm程度の曲面部を形成している。この実施の形態1では、この角部3Cに形成した曲面部により、放熱板3の角部3Cと第2中継リード2bに発生した反り返り部21との間に電界が集中しないように構成している。なお、この実施の形態1のフローでは、図5に示す第1工程にて放熱板3に第1リードフレーム1を載置して、図7に示す第3工程であるカシメ時および図8に示す第4工程であるリード切断時は、放熱板3に第1リードフレーム1が結合されている場合について説明した。しかしながら、図8に示す第4工程であるリード切断の後であると共に、図11に示す第6工程である封止樹脂の充填時に、第1リードフレーム1を放熱板3に搭載しても良い。封止樹脂の充填時に第1リードフレーム1を放熱板3に搭載することで、樹脂封止のために金型下金型16、上金型17内に存在する熱源を利用し、熱硬化による第1リードフレーム1と放熱板3との結合をより効率よく行うことができる。また、金型内に熱源を設け、この金型内の熱源を利用することで、第1リードフレーム1と放熱板3との接着のための熱源を、別途、設ける必要が無くなる。ただし、この場合は、カシメ時及びリード切断時に位置調整の基準となる放熱板3が存在しないため、第1リードフレーム1と第2リードフレーム2の位置調整が複雑になる可能性がある。比較例図13は比較例としての樹脂封止型の半導体装置を示す。図1に示した実施の形態1の半導体装置では、第2中継リード2bの端部2dと第2ダイパット部2cの吊りリード2eとを切断してから樹脂で封止して、外装体4を形成している。それに対し、この比較例の半導体装置では、第2中継リード2bの端部と第2ダイパット部2cの吊りリード2eとを切断せずに樹脂封止して外装体4を形成した後に、外装体4の外部で全ての吊りリードを切断している。比較例は、このように、第2中継リード2bと吊りリード2eの切断のタイミングが、実施の形態1とは異なっている。そのため、図13に示すように、この比較例の半導体装置では、第2中継リード2bが、外装体4の外部に延びている。ここで、実施の形態1の半導体装置と比較例の半導体装置との比較を行う。実施の形態1の半導体装置の第2中継リード2bの端部と吊りリード2eは、外装体4となる封止樹脂20の注入前に切断されている。そのため、第2中継リード2bの端部2dと吊りリード2eが、外装体4の樹脂の内部に埋没しており、外装体4の外部に引き出されて露出していない。ここで、例えば、水分の多い劣悪な使用環境では、比較例の半導体装置では、第2中継リード2bと外装体4との界面や第2中継リード2bの端面から、半導体パッケージの内部へ水分などが侵入して、信頼性が低下することがある。それに対し、実施の形態1の半導体装置の構成では、第2中継リード2bと外装体4との界面が存在せず、第2中継リード2bの端面が半導体パッケージ内に位置している。そのため、実施の形態1の半導体装置では、半導体パッケージ内部への水分などの侵入を確実に阻止でき、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、比較例では、第1外部接続リード1a4と第1中継リード1b4との間隔が絶縁沿面距離になるため、絶縁沿面距離を長くするためには、第1外部接続リード1a4と第1中継リード1b4との間隔を大きくした形状に設計することが必要である。これに対して、実施の形態1の半導体装置では、第2中継リード2bの端部2dが外装体4の樹脂の内部に埋没していて外装体4の外部に引き出されていないため、第1外部接続リード1a4と第1外部接続リード1a5の絶縁沿面距離を確保することが容易である。さらに、実施の形態1の半導体装置では、第1外部接続リード1a4と第1外部接続リード1a5の間に第1中継リード1b4~1b9を集中的に配置することが可能である。集中的に配置することによって、その他の場所に中継リードをレイアウトして設計する場合に比べて、半導体パッケージの平面的な小型化を実現できる。実施の形態2図18~図20は実施の形態2を示す。実施の形態1では、第2リードフレーム2の第2中継リード2bなどを切断する際、図7と図8に示すように、切断ピン15Aを上側から下側に動かして第2リードフレーム2を貫通させた。だが、この実施の形態2では、第2リードフレーム2の第2中継リード2bなどを切断する際、図18と図19に示すように、切断ピン15Aを下側から上側に動かして第2リードフレーム2を貫通させている。この実施の形態2は、このように、切断ピン15Aを動かして第2リードフレーム2を切断する方向が、実施の形態1とは異なっている。この実施の形態2の場合には、図20abに示すように、実施の形態1の図17bでは第2中継リード2bの下面に発生した反り返り部21が、第2中継リード2bの上面に形成される。この場合には、放熱板3として角部3CにR=0.1mm~0.5mm程度の曲面部を形成しない場合であっても、第2中継リード2bと放熱板3との沿面距離を長くでき、絶縁破壊が発生する可能性は低い。上記の各実施の形態では、第1中継リード1bと第2中継リード2bなどをかしめることで、カシメ接合して電気接続した。だが、接合方法としては、条件を満たせば、溶接,溶着などによっても実施できる。具体的には、第1中継リード1bと第2中継リード2bなどを、超音波による面接合する方法や、加熱しながら圧接させて面接合する方法や、両者間にはんだなどの溶融材料を介在させて面接合する方法や、両者間にはんだなどの溶融材料を介在させて面接合する方法や、両者間に導電性接着剤などの樹脂材料を介在させて面接合する方法を用いることも可能である。"