"加工対象物にレーザ光を出射するレーザ光源であって、前記レーザ光を発生させる発生部と、前記レーザ光の出力を調整する調整部と、を備え、前記発生部と前記加工対象物との間に配設された該調整部は、前記加工対象物上での前記レーザ光の出力密度を低減することを特徴とするレーザ光源。前記調整部は、前記発生部から出射される前記レーザ光の光路に設置されたNA変換部を含み、該NA変換部は、前記レーザ光の出力に応じて、前記レーザ光のNAを変換することを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記発生部は、少なくとも2つの反射要素を含む共振器と、該共振器内に配設されたレーザ媒質と、該レーザ媒質を励起させる励起要素と、を含み該励起要素は、前記レーザ媒質を励起するためのエネルギを変調し、利得スイッチ方式でパルス発振を引き起こすことを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。前記発生部が発生させた前記レーザ光の波長を変換する波長変換部を更に備え、前記発生部は、前記レーザ媒質が添加されたダブルクラッドファイバを含み、前記波長変換部は、前記ダブルクラッドファイバ内で発生した前記レーザ光を短波長化することを特徴とする請求項3に記載のレーザ光源。前記発生部が発生させた前記レーザ光の波長を変換する波長変換部を更に備え、前記発生部は、前記レーザ光として、基本波光を発生し、前記波長変換部は、前記基本波光を異なる波長の変換光に変換し、前記波長変換部に入射する前記基本波光の出力が、第1出力から該第1出力よりも高い第2出力に増加すると、前記調整部は、前記波長変換部の波長変換効率を低減させることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。前記調整部は、前記波長変換部の温度を計測する測温部と、前記波長変換部の温度を調整する第1調温部と、前記変換光の出力を低減させる低減要素を含み、前記波長変換部の前記温度が、該温度に対して定められた閾値を超えるならば、前記低減要素は、前記基本波光の出力の増加に伴って前記変換光の出力を低減することを特徴とする請求項5に記載のレーザ光源。前記低減要素は、前記波長変換部の温度が第1温度域に存するとき前記基本波光の前記出力の増加に伴って前記変換光の前記出力が増大し、且つ、前記波長変換部の温度が前記第1温度域とは異なる第2温度域に存するとき前記基本波光の前記出力の増加に伴って前記変換光の前記出力が減少する出力特性を前記波長変換部に与え、前記第1調温部は、前記第1温度域と前記第2温度域との間の温度に、前記波長変換部の温度を設定することを特徴とする請求項6に記載のレーザ光源。前記NA変換部は、前記発生部から出射するレーザ光により熱レンズ効果を発現することを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。前記NA変換部の温度を調節する第2調温部を更に備え、前記NA変換部は、LiTaO3、LiNbO3を主とする非線形光学結晶であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源。請求項1乃至9のいずれか1項に記載のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の照射位置を前記加工対象物の加工面上で走査させる走査光学系と、前記加工対象物が設置され、前記加工対象物を移動させるステージと、を備え、前記レーザ光源は、パルス発振することを特徴とするレーザ加工機。請求項1乃至9のいずれか1項に記載のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する平滑化要素と、前記垂直な面内の光強度分布を変化させる空間変調素子と、前記空間変調素子にて前記光強度分布を変化させられた前記レーザ光を前記加工対象物に導く光学系と、を備え、前記レーザ光源は、パルス発振することを特徴とするレーザ加工機。請求項2に記載のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する平滑化要素と、前記垂直な面内の光強度分布を変化させる空間変調素子と、前記空間変調素子にて前記光強度分布を変化させられた前記レーザ光を前記加工対象物に導く光学系と、アパーチャが形成されたアパーチャ要素と、を更に備え、前記レーザ光源は、パルス発振し、前記アパーチャ要素は、前記レーザ光源と前記平滑化要素との間に配設されることを特徴とするレーザ加工機。前記加工対象物は、シリコンであり、前記レーザ光は、波長520nm以上560nm以下の可視光であり、前記調整部は、前記加工対象物の加工面上における前記レーザ光の出力密度を8.0×107W/cm2以下に調整することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のレーザ加工機。前記レーザ光の出力が最大値から該最大値の1割まで低下するまでの立下り時間は、80ns以上であることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のレーザ加工機。レーザ光を用いて加工対象物を加工するレーザ加工機であって、少なくとも2つの反射面を含む共振器と、誘導放出によってレーザ発振するレーザ結晶と、前記共振器内に配設された前記加工対象物を前記共振器に対して相対的に変位させる変位機構と、を備えることを特徴とするレーザ加工機。前記レーザ光がブリュースター角で前記加工対象物に入射するように前記加工対象物は前記レーザ光の光路に対して斜めに配置されることを特徴とする請求項15に記載のレーザ加工機。以下、一実施形態に従うレーザ光源及びレーザ加工機が、図面を用いて説明される。図面中、同一、同様の作用或いは同様の動作をなす構成要素には、同様の符号が付されている。冗長な説明を避けるために、必要に応じて、重複する説明は省略される。一連の実施形態の原理の理解を助けるために、図面に示される構成要素は、模式的に示されている。したがって、図面に示される構成要素の形状も模式的であり、以下に説明される実施形態の原理を何ら限定するものではない。第1実施形態図1は、第1実施形態に従うレーザ加工機の概略図である。図1を用いて、レーザ加工機が説明される。図1に示されるレーザ加工機100は、レーザ光源110と、スキャンミラー130と、ステージ150と、を備える。ステージ150上には、加工対象物POが載置される。レーザ光源110は、スキャンミラー130に向けてレーザ光LBを照射する。スキャンミラー130は、ステージ150上の加工対象物POに向けてレーザ光LBを反射する。かくして、レーザ光源110からのレーザ光LBは加工対象物POに照射される。図1には、3次元直交座標系を規定するX軸、Y軸及びZ軸が示されている。ステージ150は、Y軸に沿って移動する。この結果、加工対象物POは、Y軸に沿って移動し、レーザ光LBのY軸方向の照射位置が決定される。また、スキャンミラー130の回転角度に応じて、レーザ光LBのX軸方向の照射位置が決定される。したがって、スキャンミラー130の回転に応じて、レーザ光LBは、加工対象物POの上面でX軸方向に走査される。かくして、加工対象物POの上面USの所望の位置にレーザ光LBが照射されることとなる。本実施形態において、加工対象物POの上面USは、加工面として例示される。また、スキャンミラー130は、走査光学系として例示される。レーザ光源110は、LD電源111と、ポンプ用LD励起用の半導体レーザ装置112と、ファイバグレーティング113,114と、ダブルクラッドファイバ115と、NA変換器120と、を備える。ダブルクラッドファイバ115は、例えば、10mの長さのダブルクラッド偏波保持ファイバであってもよい。ダブルクラッド偏波保持ファイバは、例えば、希土類としてYbがドープされたコア部分を含んでもよい。本実施形態において、コア部分にドープされたYbは、レーザ媒質として例示される。代替的に、レーザ光を発生させるために適切なレーザ活性物質がレーザ媒質として用いられてもよい。LD電源111は、ポンプ用LD112へ電力を供給する。この結果、ポンプ用LD112は、ポンプ光を出射する。ポンプ光は、その後、ファイバグレーティング113を介して、ダブルクラッドファイバ115へ入射する。ダブルクラッドファイバ115へ入射したポンプ光は、ダブルクラッドファイバ115のコア部分にドープされたレーザ活性物質を励起する。ダブルクラッドファイバ115の両端部に接続されたファイバグレーティング113、114は、ダブルクラッドファイバ115内のレーザ活性媒質の励起に起因して発生した光を反射し、共振器を構成する。ダブルクラッドファイバ115内で発生した光が、ファイバグレーティング113、114によって構成された共振器内を往復する結果、誘導放出により、レーザ光LB以下、基本波光FBと称するを発生する。本実施形態において、LD電源111、ポンプ用LD112、ファイバグレーティング113,114及びダブルクラッドファイバ115は、レーザ光LBを発生させる発生部として例示される。また、ファイバグレーティング113、114は、少なくとも2つの反射要素として例示される。更に、LD電源111及びポンプ用LD112は、レーザ媒質を励起させる励起要素として例示される。上述の如く、本実施形態において、レーザ活性物質としてYbが用いられる。この結果、1050nmから1170nmまでの波長を有する基本波光FBが任意に発振される。このような波長域のレーザ光LBは、加工用途や波長変換用途といった様々な用途に利用可能である。代替的に、レーザ活性物質として、Er、Pr、Nd、TmやHoといった希土類やこれらが混合された添加物が用いられてもよい。Er、Pr、Nd、TmやHoといった希土類やこれらの混合物が、ダブルクラッドファイバのコア部分にドープされても、適切な基本波光が発生される。尚、ドープされるレーザ活性物質の種類に応じて、発生する基本波光の発振波長が変化する。したがって、所望の発振波長に応じて、ドープされるレーザ活性物質の種類が選択されてもよい。本実施形態において、ポンプ用LD112として、3つのシングルエミッターレーザダイオードが用いられる。3つのシングルエミッターレーザダイオードそれぞれは、例えば、8Wの最大出力を有する。3つのシングルエミッターレーザダイオードそれぞれから、波長975nmの波長のポンプ光が発振される。本実施形態において、ファイバグレーティング113として、ダブルクラッド偏波保持ファイバが用いられる。ダブルクラッド偏波保持ファイバは、ゲルマニウムが添加されたコア部分を含む。この結果、紫外光に対する感度が向上する。また、ダブルクラッド偏波保持ファイバは、中心波長1064nm、反射スペクトルの半値幅1nm及び反射率98という特性を有する。本実施形態において、ファイバグレーティング114として、一般的なシングルモード偏波保持ファイバコア径:9μm、クラッド外径:125μmが用いられる。シングルモード偏波保持ファイバのコア部分には、ファイバグレーティング113と同様に、ゲルマニウムが添加される。シングルモード偏波保持ファイバは、中心波長1064nm、反射スペクトルの半値幅0.05nm及び反射率10~15という特性を有する。上述のレーザ共振器によって発生された基本波光FBは、中心波長1064nmのシングルモードガウシアンビームのレーザ光LBとなる。本実施形態において、LD電源111は、ポンプ用LD112に印加される電流をパルス変調する。この結果、上述のレーザ共振器は、基本波光FBのパルスを繰り返し発生することができる。本実施形態において、ポンプ用LD112に印加される電流は、レーザ媒質を励起するためのエネルギとして例示される。図2は、ポンプ光の強度、ダブルクラッドファイバ115の内部エネルギ及び基本波光FBの強度の間の関係を概略的に示すグラフである。図2に示される一連のグラフは、利得スイッチによるパルス発生の原理を表す。図1及び図2を用いて、レーザ光源110のパルス発信の方法が説明される。図2のセクションaは、ポンプ用LD112から出射されるポンプ光の強度の時間変化を表す概略的なグラフである。本実施形態において、ポンプ用LD112は、ステップ状に強度変調されたポンプ光を出射する。図2のセクションbは、ポンプ光の強度変化に伴うダブルクラッドファイバ115のコア部分の内部エネルギの時間変化を表す概略的なグラフである。Ybレーザ活性物質が添加されたダブルクラッドファイバ115のコア部分の内部エネルギは、ステップ状に強度変化したポンプ光の入射時から時間とともに増大する。ダブルクラッドファイバ115のコア部分のレーザ活性物質が発振状態でないならば、内部エネルギはレーザ発振閾値を超え、過飽和状態となる。図2のセクションcは、出力されるレーザ光LBの強度変化を表す概略的なグラフである。ダブルクラッドファイバ115内の内部エネルギが過飽和状態であるとき、レーザ発振が始まると、ダブルクラッドファイバ115内で蓄積されたエネルギは、一度に放出される。この結果、図2のセクションcに示されるように、出力されるレーザ光LBのパルスが発生する。尚、図2に関連して説明されたポンプ光は、ポンプ用LD112から出射された波長975nmのレーザ光である。また、基本波光FBは、ファイバグレーティング113,114で構成された共振器で発振する中心波長1064nmのレーザ光LBである。図1を再度用いて、レーザ光源110から出射されたレーザ光LBによるレーザマーキングの方法が説明される。上述の如く、レーザ光源110は、レーザ光LBをスキャンミラー130に向けて出射する。スキャンミラー130は、レーザ光LBを加工対象物POに向けて反射する。この結果、レーザ光LBは、加工対象物POに照射される。スキャンミラー130は、回転し、レーザ光LBの反射方向をX軸に沿って変化させる。本実施形態において、加工対象物POとして、半導体ウェハが例示される。上述の如く、加工対象物POは、ステージ150上に載置される。ステージ150は、加工対象物POをY軸方向に移動させる。この結果、レーザ光LBの照射位置は、X軸方向だけでなく、Y軸方向にも変化する。かくして、所望のレーザ光LBの照射位置が、スキャンミラー130及びステージ150によって設定される。レーザ光LBの所望の照射位置の設定がなされ、且つ、レーザ光源110がパルス発振すると、加工対象物POの上面USに任意のパターンのマーキングがなされる。レーザ光源110は、ファイバグレーティング114から出射された基本波光FBの波長を変換する波長変換モジュール140を更に備える。この場合、加工対象物POとして例示される半導体ウェハが、シリコンc-Siウェハといった可視光に対する吸収率が高い材料であっても、少ない電力消費で、適切なマーキング加工がなされる。本実施形態において、波長変換モジュール140は、波長変換部として例示される。レーザ光源110は、波長変換モジュール140とNA変換器120との間に配設された集光レンズ160を更に備える。波長変換モジュール140は、基本波光FBを、基本波光FBよりも短い波長のレーザ光LBに変換する。この結果、集光レンズ160によるレーザ光LBの集光特性が向上する。かくして、一層微細なマーキング加工が達成される。以下の説明において、波長変換モジュール140によって、波長変換がなされたレーザ光LBは、変換光CBと称される。波長変換モジュール140は、より好ましくは、基本波光FBを、基本波光FBの第2高調波光変換光CB:中心波長532nmの緑色レーザ光に変換する。この結果、レーザ加工機100は、より少ない電力消費で、マーキング加工を行うことができる。波長変換モジュール140として、疑似位相整合波長変換素子が用いられてもよい。疑似位相整合波長変換素子は、例えば、Mgが添加されたLiNbO3MgLNに約7μmの周期の分極反転構造が設けられることによって形成される。このような疑似位相整合波長変換素子を用いた波長変換モジュール140は、基本波光FBを第2高調波光変換光CBに適切に変換することができる。図3は、NA変換部として用いられるNA変換器120の効果を概略的に示すグラフである。図1及び図3を用いて、NA変換器120が説明される。上述の如く、ファイバグレーティング114から出射された基本波光FBは、波長変換モジュール140によって、変換光CBに変換される。その後、集光レンズ160は、NA変換器120に変換光CBを集光する。集光レンズ160と加工対象物POの上面USに変換光CBを反射するスキャンミラー130との間に配設されたNA変換器120は、加工対象物POの上面USにおける変換光CBの出力を低減させるように、パルス出力に応じて、レーザ光LB変換光CBのNAレーザ光の拡がり角を変化させる。本実施形態において、NA変換器120は、レーザ光LBの出力密度を調整する調整部として例示される。レーザ光LBの光路上に配設されたNA変換器120は、例えば、NA変換器120を透過するレーザ光LBの出力に応じてレンズ効果集束効果が変化する結晶を含む。レンズ効果の変化によって、パルス出力が大きいほど、加工対象物POの上面USにおけるビーム径が大きくなる。この結果、加工対象物PO上でのレーザ光LBの出力が適切に低減される。図3は、レーザ光のパルス出力とレーザ光が照射された照射領域での温度上昇量との関係を示す。図3のグラフの実線で示されるデータは、NA変換器が存在しないときの温度上昇を表す。図3のグラフの点線で表されるデータは、レーザ光がNA変換器を介して照射領域に照射されたときの温度上昇量を表す。レーザ光がNA変換器を透過することなしに照射領域に照射されるならば、照射領域上でのビーム径は、パルス出力の変動にかかわらず略一定である。したがって、図3の実線データで示される如く、パルス出力の増大に伴い、レーザ光が照射される照射領域の中心温度の上昇量は増大する。NA変換器が、パルス出力の1/2乗に比例して、照射領域上のビーム径が変化するように設計されるならば、図3の点線データで示される如く、パルス出力の変動に拘わらず、レーザ光が照射される照射領域の温度上昇量最大温度上昇量は略一定となる。本実施形態のレーザ光源110のNA変換器120が図3の点線データで表される特性を有するならば、パルス出力の変動に伴う加工対象物POの上面USにおける温度上昇量の変動が緩和される。NA変換器120として、熱レンズ効果を有する結晶が例示される。NA変換器120として用いられる結晶は、入射したレーザ光LBの一部を吸収する。この結果、結晶内のレーザ光LBの光路に不均一な温度分布が生ずる。また、不均一な温度分布に応じた屈折率分布が得られる。屈折率の温度変化率が正の結晶がNA変換器120として用いられるならば、レーザ光LBは集束される。屈折率の温度変化率が負の結晶がNA変換器120として用いられるならば、レーザ光LBは発散される。したがって、パルス出力に応じて、加工対象物POの上面USでのビーム径が変化することとなる。代替的に、光強度に応じて屈折率が変化するカー効果やポッケルス効果を発現する結晶が、NA変換器120として用いられてもよい。パルス出力に応じて、自己集束或いは自己発散の効果が変化するので、加工対象物POの上面USでのビーム径が変化する。熱レンズ効果、カー効果及びポッケルス効果によるレンズ効果集束発散効果は、以下に示される因子によって調整される。1NA変換器120の材料特性熱レンズ効果の場合は、吸収率、屈折率の温度変化率及び熱伝導率といった材料特性:カー効果及びポッケルス効果の場合は、非線形光学定数2レーザ光LBのパルス出力3相互作用長レーザ光LBが透過する距離4レーザ光LBのビーム径これらの因子に加えて、加工対象物PO加工対象物POの材料によって、アブレーションが引き起こされる閾値となる光強度パルス出力が異なる、加工形状及びレーザ加工機100の光学的な構成例えば、レーザ光源110から加工対象物POまでの距離に合わせて、レーザ加工機100は、適切に設計される。集光レンズ160の焦点距離及び位置は、例えば、NA変換器120を通過したレーザ光LBのパルス出力が想定される変動幅想定されるばらつきの中で最低の時に、レーザ光LBの焦点が加工対象物POの上面USに最も近づき、パルス出力の変動幅想定されるばらつきが大きくなるにつれて、レーザ光LBの焦点が加工対象物POの上面USより上方に遠ざかるように設定されてもよい。上述の如く、NA変換器120は、パルス出力が大きくなるほど、第2高調波光変換光CBを発散するように設計される。NA変換器120は、好ましくは、上述の集光レンズ160と同様に、レーザ光LBのパルス出力が想定される変動幅の中で最低の時に、レーザ光LBの焦点が加工対象物POの上面USに最も近づくように設計される。この場合、NA変換器120は、好ましくは、上述の集光レンズ160と異なり、レーザ光LBのパルス出力が想定される変動幅の中で最低の時に、パルス出力の変動幅想定されるばらつきが大きくなるにつれて、レーザ光LBの焦点が加工対象物POの上面USより下方に移動するように設計される。かくして、小型且つ安価な光学的構成を用いて、加工対象物POの上面USにおけるアブレーションが適切に抑制される。上述の光学的構成は、パルス出力の変動に起因する加工対象物POの上面USにおける光強度の変動を適切に抑制する。かくして、加工対象物POの上面USでのアブレーションは、ほとんど生じなくなる。熱レンズ効果を生ずる結晶は、安価なレーザ加工機100に組み込まれるNA変換器120として好適に利用可能である。このようなNA変換器120は、レーザ光源110内で発生されたレーザ光LBの一部を吸収し、レーザ光LBの吸収量に応じてレンズパワー集束発散効果が変化する熱レンズ効果を発現する。熱レンズ効果を利用して、NA変換器120は、NAを変化させることができる。かくして、上述の如く、NA変換器120は、パルス出力の増大に伴って、加工対象物POの上面USでのビーム径が大きくなるように設計される。したがって、パルス出力が変動しても、加工対象物POの上面USにおける光強度即ち、温度上昇量の変化は生じにくくなる。熱レンズ効果を利用したNA変換器120が組み込まれるならば、レーザ光源110は、比較的安価に製造される。また、レーザ光源110は、上述のアブレーションに対する抑制効果を適切に発揮することができる。熱レンズ効果を利用したNA変換器120が用いられるならば、NA変換器120に用いられる結晶の屈折率の温度変化率dn/dTは、好ましくは、10-6以上である。また、NA変換器120は、好ましくは、結晶内のレーザ光LBの光路が3μm以上となるように設計される。この結果、より少ないレーザ光LBの吸収で、NAが変化する。したがって、NA変換器120の内部での発熱が抑制され、レーザ光源110の安定した動作が得られることとなる。図4Aは、レーザ光源110から出射されるレーザ光LBのパルス出力波形を概略的に示すグラフである。図4Bは、図4Aに示されるパルス出力波形を有するレーザ光LBのビーム径の時間変化を概略的に示すグラフである。図1、図4A及び図4Bを用いて、レーザ光LBのパルス出力波形及びレーザ光LBのビーム径の時間変化が説明される。レーザ光LBが、パルス幅が1fs以下の短パルスであり、且つ、パルスの周波数が低い例えば、約1Hzであるならば、ポッケルス効果やカー効果を発現する非線形光学結晶がNA変換器120として用いられることが好ましい。パルス幅との用語は、1パルスごとのレーザ出力波形の半値全幅を意味する。図4Aにおいて、パルス幅は、Ysで示されている。非線形光学結晶から得られる非線形光学現象によって、図4Bに示される如く、1パルス内でもパルス波形に応じてビーム径が時間的に変化される。この結果、ピークの光強度を押さえ、アブレーションを抑制するために必要なビーム径の変化が低減される。このことは、マーキング形状を一定に保つ即ち、均一化することに寄与する。カー効果を発現する非線形光学結晶は、NA変換器120として、特に好適である。カー効果を発現する非線形光学結晶がNA変換器120として用いられるならば、比較的小さなパワーのレーザ加工機100であっても、アブレーションの抑制に必要な程度のNA変化が得られることとなる。尚、レーザ光源110から加工面加工対象物POの上面USまでの距離が10cm以上であるならば、ポッケルス効果を発現する結晶は、レーザ光の指向性に対して比較的高い保持性を有するので、ポッケルス効果を発現する結晶がNA変換器120として用いられることが好ましい。図5は、NA変換部として2つのNA変換器を有するレーザ光源を備えるレーザ加工機の概略図である。図1及び図5を用いて、2つのNA変換器を有するレーザ光源を備えるレーザ加工機が説明される。図5に示されるレーザ加工機100Aは、図1に関連して説明されたレーザ加工機100と同様のスキャンミラー130及びステージ150に加えて、レーザ光源110Aを備える。レーザ光源110Aは、図1に関連して説明されたLD電源111、ポンプ用LD112、ファイバグレーティング113,114、ダブルクラッドファイバ115、波長変換モジュール140及び集光レンズ160に加えて、熱レンズ効果を発現する第1NA変換器121及びポッケルス効果又はカー効果を発現する第2NA変換器122を備える。第1NA変換器121及び第2NA変換器122は、NA変換部として用いられる。例えば、熱レンズ効果を利用する第1NA変換器121及びポッケルス効果を利用する第2NA変換器122が併用されるならば、ポッケルス効果を利用する第2NA変換器122は、より小型且つ安価に製造される。加えて、熱レンズ効果のみ利用するNA変換器よりも、アブレーションに対する高い抑制効果が得られる。図5に示されるレーザ加工機100Aにおいて、第1NA変換器121及び第2NA変換器122は、調整部として例示される。尚、図1に関連して説明されたNA変換器120が熱レンズ効果及びポッケルス効果又はカー効果の両方を発現してもよい。この結果、レーザ光源110に用いられる光学部品の数が低減される。かくして、レーザ光源110は、小型且つ安価に製造される。図6は、NA変換機能を有する波長変換モジュールを備えるレーザ加工機の概略図である。図1及び図6を用いて、NA変換機能を有する波長変換モジュールを備えるレーザ加工機が説明される。図6に示されるレーザ加工機100Bは、図1に関連して説明されたレーザ加工機100と同様のスキャンミラー130及びステージ150に加えて、レーザ光源110Bを備える。レーザ光源110Bは、図1に関連して説明されたLD電源111、ポンプ用LD112、ファイバグレーティング113,114、ダブルクラッドファイバ115及び集光レンズ160に加えて、NA変換機能を有する波長変換モジュール141を備える。集光レンズ160は、基本波光FBを波長変換モジュール141に集光する。NA変換部として用いられる波長変換モジュール141は、集光レンズ160によって集光された基本波光FBを変換光CBに変換する。この場合、波長変換モジュール141にNA変換特性と波長変換特性とを有する材料が必要とされ、且つ、光学的な構成の設計自由度が狭くなる反面、レーザ光源110Bに用いられる光学部品の数が更に低減される。したがって、レーザ光源110Bは、一層小型化される。NA変換機能を有する波長変換モジュール141は、調整部として例示される。図6に示される如く、レーザ光源110Bは、好ましくは、波長変換モジュール141へ紫外線を照射する紫外光源142を更に備える。この結果、NA変換機能を有する波長変換モジュール141は、NA変換効果集束や発散の効果:レンズパワーに対する調整機能を発揮する。例えば、波長変換モジュール141は、LiNbO3を主体とする非線形光学結晶からなる波長変換素子を含む。紫外光源142が生成した紫外光は、波長変換素子に照射される。この結果、波長変換素子は、NA変換及び波長変換を行う。波長変換素子として用いられるLiNbO3を主体とする非線形光学結晶は、紫外光から赤外光領域の光に対して、熱レンズ効果を発現するので、NA変換機能を有する波長変換モジュール141は、安価に形成される。照射される紫外光の強度が高くなるほど、LiNbO3を主体とする非線形光学結晶の熱レンズ効果は高くなるので、NA変換効果は大きくなる。即ち、NA変換効果は、レーザ光のパルス出力及び紫外光の強度の両方に依存する。加工対象物POの材料に応じて、加工に必要とされる光強度及びアブレーションが発生する閾値となる光強度は異なる。レーザ光LBのパルス出力以外にNA変換効果を調節するための機能紫外光源142を備えるレーザ光源110Bは、加工対象物POの材質に応じて、加工対象物POの上面USにおける最適なビーム径の設定できるようにNA効果を調節することができる。本発明者は、380nm以下の波長の紫外光がLiNbO3に照射されるならば、より大きな熱レンズ効果が得られることを明らかにしている。したがって、紫外光源142から照射される紫外光は、380nm以下の波長の光を含むことが好ましい。この結果、より低出力の紫外光で必要とされるNA変換効果が蹴られる。かくして、低コスト化及び省電力化が達成される。図7は、NA変換効果に対する調節機能を有するレーザ加工機の概略図である。図1及び図7を用いて、NA変換効果に対する調節機能を有する波長変換モジュールを備えるレーザ加工機が説明される。図7に示されるレーザ加工機100Cは、図1に関連して説明されたレーザ加工機100と同様のスキャンミラー130及びステージ150に加えて、レーザ光源110Cを備える。レーザ光源110Cは、図1に関連して説明されたLD電源111、ポンプ用LD112、ファイバグレーティング113,114、ダブルクラッドファイバ115、波長変換モジュール140及びNA変換器120に加えて、NA変換器120内のレーザ光LBのビーム径を調整するための調整部161を備える。調整部161として、例えば、可変焦点レンズが用いられてもよい。ポッケルス効果、カー効果及び/又は熱レンズ効果を利用するNA変換器120は、NA変換器120内部のレーザ光LBのビーム径に応じて、NA変換効果が調整される。レーザ加工機100Cは、例えば、使用者によって操作される制御盤162を備えてもよい。制御盤162は、例えば、加工対象物POの材質及び加工対象物POの材質に適したNA変換効果を関連づけるデータベースを格納する。使用者は、制御盤162に加工対象物POの材質を入力すると、制御盤162は、LD電源111及び調整部161を、入力された材質に合わせて制御する。この結果、適切なNA変換の下で、加工対象物POが加工される。図1を再度用いて、レーザ光源110に用いられる光学素子の配列が説明される。図1に示されるレーザ光源110は、NA変換器120の前に集光レンズ160を備える。波長変換モジュール140が波長変換した変換光CBの光路に沿って、集光レンズ160、NA変換器120及びスキャンミラー130が順に配列される。しかしながら、これらの光学素子の配列は、図1に示される配列以外の配列であってもよい。集光レンズ160に代えて、他の集光光学系が用いられてもよい。図1に示される集光レンズ160及びNA変換器120は、スキャンミラー130と波長変換モジュール140との間に配設されるので、集光レンズ160及びNA変換器120は、比較的小型に形成されてもよい。この結果、レーザ加工機100も小型化される。NA変換器と加工対象物との間に集光レンズが設置されるならば、集光レンズとNA変換器との間の光学距離は、集光レンズの焦点距離よりも長いことが好ましい。この結果、より簡単な光学系のレーザ加工機が形成される。図8は、NA変換器120の温度を調整する調温機能を有するレーザ加工機の概略図である。図1及び図8を用いて、調温機能を有するレーザ加工機が説明される。図8に示されるレーザ加工機100Dは、図1に関連して説明されたレーザ加工機100と同様のスキャンミラー130及びステージ150に加えて、レーザ光源110Dを備える。レーザ光源110Dは、図1に関連して説明されたLD電源111、ポンプ用LD112、ファイバグレーティング113,114、ダブルクラッドファイバ115、波長変換モジュール140、集光レンズ160及びLiTaO3やLiNbO3を用いて形成されたNA変換器120に加えて、NA変換器120の温度を調整する調温要素123を備える。調温要素123として、例えば、ヒータやペルチエ素子が用いられる。本実施形態において、調温要素123は、第2調温部として例示される。NA変換器120に用いられる結晶例えば、LiTaO3やLiNbO3の屈折率の温度変化係数は、結晶の温度に応じて変化する。したがって、結晶の温度変化は、NA変換効果の変化に帰結する。NA変換器120が熱レンズ効果を利用するならば、レーザ加工機100Dの如く、調温要素123が用いられることが好ましい。この結果、安定したNA変換効果が得られる。かくして、アブレーションが安定的に抑制される。第2実施形態図9は、第2実施形態のレーザ加工機の概略図である。図9を用いて、第2実施形態のレーザ加工機が説明される。図9に示されるレーザ加工機200は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ加工機100と同様のスキャンミラー130及びステージ150に加えて、レーザ光源210を備える。レーザ光源210は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源110と同様のLD電源111、ポンプ用LD励起用レーザ光源112、ファイバグレーティング113,114、ダブルクラッドファイバ115及び集光レンズ160に加えて、波長変換モジュール240を備える。波長変換モジュール240は、第1実施形態と同様にファイバグレーティング114から出射された基本波光FB中心波長1064nmの出力が大きくなるほど、波長変換効率を低減させる。この結果、加工対象物POの上面USでの光強度の変動が抑制される。第1実施形態と異なる点は、基本波光FBを第2高調波である変換光CBに変換する波長変換モジュール240である。図10Aは、従来の波長変換モジュールの概略図である。図10Bは、本実施形態のレーザ光源210に用いられる波長変換モジュール240の概略図である。図9乃至図10Bを用いて、従来の波長変換モジュール及び本実施形態のレーザ光源210に用いられる波長変換モジュール240が対比される。従来の波長変換モジュール940は、非線形光学結晶からなる波長変換素子241と、ペルチエ素子242と、波長変換素子241とペルチエ素子242との間に配設されたサーミスタ943と、を備える。一方、本実施形態のレーザ光源210に用いられる波長変換モジュール240は、従来の波長変換モジュール940の波長変換素子241及びペルチエ素子242に加えて、波長変換素子241とペルチエ素子242との間に配設された断熱材244を更に備える。また、波長変換モジュール240は、断熱材244とペルチエ素子242との間に配設されたサーミスタ243を更に備える。波長変換素子241は、ファイバグレーティング114からのレーザ光LB基本波光FBの波長を変換する。本実施形態において、波長変換素子241は、波長変換部として例示される。波長変換素子241は、第1実施形態に関連して説明された波長変換モジュール140と同様に、MgがドープされたLiNbO3からなる疑似位相整合波長変換素子であってもよい。波長変換素子241には、約7μmの周期で分極方向が180度入れ替わる周期的な分極反転構造が形成される。代替的に、波長変換素子241は、副屈折位相整合波長変換素子であってもよい。図10Aに示される従来の波長変換モジュール940の波長変換素子241に入射する基本波光FBの出力が増大すると、より顕著な非線形光学現象が生ずる。この結果、波長変換効率第2高調波光変換光CBの出力÷基本波光FBの出力も増大する。波長変換効率が低い約数ならば、基本波光FBの出力に対して、波長変換効率は比例する。したがって、第2高調波光変換光CBの出力は、基本波光FBの出力の2乗に比例する。従来の波長変換モジュール940がレーザ光源に組み込まれるならば、基本波光FBの出力が変動すると、第2高調波光変換光CBの出力は、基本波光FBよりも大きく変動することとなる。例えば、基本波光FBの出力が10低下すると、第2高調波光変換光CBの出力は、19低下する。また、基本波光FBの出力が20増加すると、第2高調波光変換光CBの出力は、44増加する。したがって、従来の波長変換モジュール940が組み込まれたレーザ光源は、アブレーションを引き起こしやすい。この結果、ドットの形状深さも安定しにくくなる。一方、本実施形態の波長変換モジュール240は、基本波光FBの出力が増えるほど波長変換効率が低下するように設計される。図11Aは、従来の波長変換モジュール940の変換光CBの出力特性を示す概略的なグラフである。図11Bは、本実施形態の波長変換モジュール240の変換光CBの出力特性を示す概略的なグラフである。図10A乃至図11Bを用いて、波長変換モジュール940,240の出力特性が説明される。図11A及び図11Bにおいて、実線で示されるデータは、基本波光FBの出力がI1であるときの第2高調波光変換光CBの出力変動を示す。破線で示されるデータは、基本波光FBの出力がI2I1>I2であるときの第2高調波光変換光CBの出力変動を示す。図11A及び図11Bに示される如く、基本波光FBの出力が一定であっても、第2高調波光変換光CBの出力はサーミスタ943,243によって測定される温度以下、サーミスタ温度と称されるに応じて変動する。基本波光FBの出力がI1からIBに増大すると、従来の波長変換モジュール940からの第2高調波光変換光CBの出力は、図11Aに示される如く、全てのサーミスタ温度において増加する。一方、図11Bに示される如く、本実施形態の波長変換モジュール240の断熱材244は、基本波光FBの出力がI1のときに第2高調波光変換光CBの出力がピークとなる温度と、基本波光FBの出力がI2のときに第2高調波光変換光CBの出力がピークとなる温度と、を相違させる。この結果、基本波光FBの出力がI1のときの波長変換モジュール240の第2高調波光変換光CBの出力特性を表すグラフの間で交点CSが規定される。図11Bには、交点CSにおける波長変換素子241の温度はTで示される。図11Bに示される如く、断熱材244は、波長変換素子241の温度がT未満の第1温度域であるとき、基本波光FBの出力の増加にともなって第2高調波光変換光CBの出力が増大し、且つ、波長変換素子241の温度がTより大きな第2温度域であるとき第2高調波光変換光CBの出力が減少する出力特性を波長変換素子241に与える。波長変換素子241に入射する基本波光FBの一部や第2高調波光変換光CBの一部は、基本波光FB及び第2高調波光変換光CBが伝搬する波長変換素子241の伝搬路において吸収される。この結果、波長変換素子241は発熱する。断熱材244は、波長変換素子241と波長変換素子241の温度を測定するサーミスタ243との間での熱抵抗を調整する。この結果、サーミスタ243と伝搬路との間での温度差が調整される。この結果、基本波光FBの出力がI1のときに第2高調波光変換光CBの出力がピークとなる温度及び基本波光FBの出力がI2のときに第2高調波光変換光CBの出力がピークとなる温度が相違することとなる。かくして、第2温度域において、断熱材244は、基本波光FBの出力の増大にともなって、第2高調波光変換光CBの出力即ち、波長変換効率を低減させることができる。本実施形態において、断熱材244は、低減要素として例示される。また、交点CSにおける温度Tは、波長変換部の温度に対して定められた閾値として例示される。また、サーミスタ243は、測温部として例示される。図11Bに示される出力特性を有する波長変換モジュール240は、基本波光FBの出力の変動よりも、第2高調波光変換光CBの出力の変動を小さくすることができる。ペルチエ素子242は、サーミスタ243の温度に基づき、交点CSにおける温度T即ち、波長変換素子241に入射する基本波光FBの出力の増大に伴って第2高調波光変換光CBの出力が増大する第1温度域と波長変換素子241に入射する基本波光FBの出力の増大に伴って第2高調波光変換光CBの出力が減少する第2温度域との間の境界温度となるように波長変換素子241の温度を調整する。本実施形態において、ペルチエ素子242は、第1調温部として例示される。本実施形態において、ペルチエ素子242は、基本波光FBの出力の増大に伴って第2高調波光変換光CBの出力が増大する第1温度域と、基本波光FBの出力の増大に伴って第2高調波光変換光CBの出力が減少する第2温度域との間に波長変換素子241の温度が設定されるように制御される。また、断熱材244の熱抵抗は、少なくとも特定のサーミスタ温度において、基本波光FBの出力の増大にともなって、波長変換効率が低下するように設計される。基本波光FBの伝搬路とサーミスタ243との間の熱抵抗が適切に設定されるので、基本波光FBの出力の変動に起因する第2高調波光変換光CBの出力変動が抑制される。この結果、アブレーションが発生しにくくなる。上述の如く、断熱材244の熱抵抗は、特定のサーミスタ温度において、基本波光FBの出力が増大するほど、第2高調波光変換光CBの出力が低下するように設計される。基本波光FBの伝搬路とサーミスタ243との間の熱抵抗が適切に設定されるので、基本波光FBの出力が変動しても、第2高調波光変換光CBの出力は、略一定になる。したがって、アブレーションが発生しにくくなるだけでなく、マーキングドットの視認性のばらつきも低減する。本実施形態のレーザ加工機200は、ビーム径の変動を伴うことなく、アブレーションを抑制することができる。したがって、ドットサイズに求められる精度が高い加工がなされる場合に、第1実施形態よりも好適である。尚、第1実施形態の原理にしたがうレーザ加工機は、波長変換素子を必須の構成としないので、より広い技術範囲に適用可能である。好ましくは、第2実施形態の原理にしたがうレーザ加工機は、加工対象物の加工面と基本波光を発生させる発生部との間にNA変換部NA変換器を備えてもよい。この結果、第1実施形態の原理及び第2実施形態の原理から得られる両方の効果によって、アブレーションが一層発生しにくくなる。第2実施形態の原理にしたがうレーザ光源210は、第2高調波光変換光CBの出力を安定化させるので、レーザディスプレイやレーザアニールといった様々な装置の光源として用いられてもよい。第3実施形態図12は、第3実施形態のレーザ加工機の概略図である。図1及び図12を用いて、第3実施形態のレーザ加工機が説明される。第3実施形態のレーザ加工機300は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源110に加えて、空間変調素子330を備える。レーザ光源110から出射されるレーザ光LBは、空間変調素子330を通じて、加工対象物POの上面US加工面に照射される。この結果、加工対象物POの上面USには、高速にレーザマーキングがなされる。レーザ加工機300は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源110に加えて、アパーチャが形成されたアパーチャ板310と、アパーチャ板310を通過したレーザ光LBのエネルギ分布を平滑化するビームホモジナイザ320と、を備える。本実施形態において、ビームホモジナイザ320は、レーザ光源110から出射されるレーザ光LBの伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化するので、平滑化要素として例示される。また、レーザ光源110とビームホモジナイザ320との間に配設されたアパーチャ板310は、アパーチャ要素として例示される。第1実施形態に関連して説明された如く、レーザ光源110は、NA変換器120を備えるので、パルス出力の大きさに応じて、出射されるレーザ光LBのNAを変えることができる。したがって、パルス出力が大きいほど、アパーチャ板310におけるレーザ光LBのビーム径は大きくなる。この結果、アパーチャ板310を通じて、ビームホモジナイザ320に入射するレーザ光LBの出力変動は、レーザ光源110から照射されるレーザ光LBの出力変動よりも小さくなる。空間変調素子330は、加工パターンに合わせて、レーザ光LBの透過を許容する透過領域及びレーザ光LBの透過を許容しない非透過領域のパターンが形成されるように駆動される。ビームホモジナイザ320を通過したレーザ光LBは、空間変調素子330に入射する。空間変調素子330は、レーザ光LBの伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を、透過領域及び非透過領域の形成によって変化させる。空間変調素子330は、液晶マスクやDMDミラーといった光学素子であってもよい。加工パターンが一定であるならば、空間変調素子330は金型であってもよい。レーザ加工機300は、空間変調素子330によって光強度分布を変化させられたレーザ光LBを加工対象物PO例えば、半導体ウェハの上面USに集光する集光レンズ340を更に備える。本実施形態において、集光レンズ340は、レーザ光LBを加工対象物POに導く光学系として例示される。本実施形態の原理によれば、1パルスのレーザ光LBが、加工対象物POの複数箇所に照射される。したがって、本実施形態のレーザ加工機300は、第1実施形態に関連して説明されたレーザ加工機100よりも高速にレーザマーキング加工を行うことができる。尚、第1実施形態に関連して説明されたレーザ加工機100は、本実施形態のレーザ加工機300よりもレーザ光源110に要求される出力が小さいので、レーザ加工機100に組み込まれるレーザ光源110は、より小型のものであってもよい。本実施形態の原理に従い、レーザ加工機300にレーザ光源110とアパーチャ板310とが組み込まれるので、アブレーションは、一層発生しにくくなる。第4実施形態図13は、第4実施形態のレーザ加工機の概略図である。図9及び図13を用いて、第4実施形態のレーザ加工機が説明される。第4実施形態のレーザ加工機400は、第2実施形態に関連して説明されたレーザ光源210に加えて、空間変調素子330を備える。レーザ光源210から出射されるレーザ光LBは、空間変調素子330を通じて、加工対象物POの上面US加工面に照射される。この結果、加工対象物POの上面USには、高速にレーザマーキングがなされる。レーザ加工機400は、第2実施形態に関連して説明されたレーザ光源210に加えて、レーザ光源210が出射したレーザ光LBのエネルギ分布を平滑化するビームホモジナイザ320を備える。本実施形態において、ビームホモジナイザ320は、レーザ光源210から出射されるレーザ光LBの伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化するので、平滑化要素として例示される。空間変調素子330は、加工パターンに合わせて、レーザ光LBの透過を許容する透過領域及びレーザ光LBの透過を許容しない非透過領域のパターンが形成されるように駆動される。ビームホモジナイザ320を通過したレーザ光LBは、空間変調素子330に入射する。空間変調素子330は、レーザ光LBの伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を、透過領域及び非透過領域の形成によって変化させる。空間変調素子330は、液晶マスクやDMDミラーといった光学素子であってもよい。加工パターンが一定であるならば、空間変調素子330は金型であってもよい。レーザ加工機400は、空間変調素子330によって光強度分布を変化させられたレーザ光LBを加工対象物PO例えば、半導体ウェハの上面USに集光する集光レンズ340を更に備える。本実施形態において、集光レンズ340は、レーザ光LBを加工対象物POに導く光学系として例示される。本実施形態の原理によれば、1パルスのレーザ光LBが、加工対象物POの複数箇所に照射される。したがって、本実施形態のレーザ加工機400は、第2実施形態に関連して説明されたレーザ加工機200よりも高速にレーザマーキング加工を行うことができる。尚、第2実施形態に関連して説明されたレーザ加工機200は、本実施形態のレーザ加工機400よりもレーザ光源210に要求される出力が小さいので、レーザ加工機200に組み込まれるレーザ光源210は、より小型のものであってもよい。本実施形態の原理に従い、レーザ加工機400に照射されるレーザ光LBのパルス出力が安定したレーザ光源210が組み込まれるので、アブレーションは、一層発生しにくくなる。様々な変更形態上述の第1実施形態乃至第4実施形態に関連して、レーザ加工機の原理が説明されている。上述されたレーザ加工機の構成は、例示的なものにすぎず、上述の一連の実施形態の原理を逸脱しない範囲で、様々な変更がなされてもよい。以下に、上述の一連の実施形態の変更例が、第1実施形態に関連して説明される。以下の説明は、しかしながら、上述の第1実施形態乃至第4実施形態に共通する。したがって、以下に説明される代替的な構成並びに効果は、第2実施形態乃至第4実施形態に対しても適用される。上述の第1実施形態乃至第4実施形態において、波長変換モジュールは、基本波光を第2高調波光に変換する。代替的に、波長変換モジュールは、基本波光を第3高調波光に変換してもよい。更に代替的に、波長変換モジュールは、基本波光を別のレーザ光との和周波光に変換してもよい。波長変換モジュールによる波長変換によって生成される光基本波光と波長が異なる光:第2高調波光や第3高調波光は、波長変換光と総称される。尚、より短波長のレーザ光高次高調波光が用いられるならば、レーザ加工機は、より微細な加工を行うことができる。上述の第1実施形態乃至第4実施形態において、波長変換モジュールは、MgLNからなる波長変換素子を含む。代替的に、波長変換モジュールは、MgSLTMgが添加されたストイキオメトリック組成のタンタル酸リチウム、MgSLNMgが添加されたストイキオメトリック組成のニオブ酸リチウム、MgCLTMgが添加されたコングルエント組成のニオブ酸リチウムやKTP、LBOといった非線形光学結晶からなる波長変換素子を含んでもよい。これら様々な種類の波長変換素子を備える波長変換モジュールも、第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明された優れた効果を奏する。図14は、半導体ウェハに対する加工に関する実験結果を示すグラフである。図14を用いて、半導体ウェハに対する加工試験の結果が説明される。本発明者は、半導体ウェハの加工試験を行い、パルスレーザ光の1パルス当たりのエネルギ密度に関係なく、光強度が一定の閾値を超えることによってアブレーションが発生するという知見を得た。本発明者は、半導体ウェハとして、シリコンウェハc-Siを用いた。また、本発明者は、レーザ光として、波長520nm以上560nm以下の可視光を用いた。図14に示される如く、パルスレーザ光の出力密度が、8.0×107W/cm2以下であるならば、アブレーションの発生が抑制される。したがって、パルス出力の変動幅のなかで最大の出力時においても、加工対象物の加工面上における出力密度が8.0×107W/cm2となるようにパルス幅や加工面上でのビーム径が設定されることが好ましいことが分かる。このような設定によって、アブレーションは一層効果的に抑制される。尚、出力密度は、パルス幅内の平均出力をビーム径1/e2内の円の面積で割った値を意味する。また、エネルギ密度は1パルス当たりのエネルギをビーム径1/e2内の円の面積で割った値を意味する。図15は、マーキングの視認性に関する実験結果を示すグラフである。図4A及び図15を用いて、マーキングの視認性に関する実験結果が説明される。レーザマーキングに対して、アブレーションの防止だけでなく、マーキングに対する視認性の向上が求められる。パルス出力の変動にともないマーキングされたドットの深さが変動するので、マーキングの視認性の安定化は困難であると一般的に考えられてきた。しかしながら、本発明者は、マーキングの視認性に関する実験を通じて、パルス波形の立ち下がり時間を所定範囲内に設定することによって、パルス出力の変動があってもマーキングドットの高さの変動が低減されることを検証した。以下の説明において、パルス波形の立ち下がり時間との用語は、出力が最大となる時間から最大出力の1割になるまでの時間図4Aにおいて、Xsで示される期間を意味する。本発明者は、実験において、立ち下がり時間に対して、55ns、80ns、120nsの3つの条件を設定した。本発明者は、3つの条件の立ち下がり時間の下、パルスレーザ光中心波長532nmをシリコンウェハに照射し、マーキングドットの深さと加工面上でのエネルギ密度との間の関係を調べた。立ち下がり時間が55nsの条件の下では、図15に示される如く、エネルギ密度が6J/cm2前後に設定されたときのみ、0.5μmを超える深さのマーキングドットが形成された。しかしながら、立ち下がり時間が80nsの条件の下では、2J/cm2から8J/cm2の広いエネルギ密度の範囲で0.5μmを超えるマーキングドットが形成された。また、立ち下がり時間が120nsの条件の下でも、同様の結果が得られた。したがって、パルス出力の変動エネルギ密度の変動に起因する視認性のばらつきの抑制の観点から、立ち下がり時間が80ns以上となる設定が好適である。尚、一般的に、0.5μmを超える深さとなるように形成されたマーキングドットは、検知可能なレベルの視認性をもたらすと考えられている。視認性の観点から、エネルギ密度は、5J/cm2から7J/cm2であることが好ましい。この結果、パルス毎のエネルギ密度のばらつきに対して、更に安定した視認性のマーキングドットが形成される。図16は、マーキングドットの概略的な形状を示す。図16を用いて、マーキングドットの形状が説明される。マーキングドットの高さとの用語は、レーザ光が照射された後マーキングドットが形成された後のマーキングの中心部とレーザ光が照射される前の加工面との距離を意味する。図16は、立ち下がり時間が80ns以上且つエネルギ密度が10J/cm2以下の条件下或いは立ち下がり時間が55ns且つエネルギ密度が6J/cm2以下の条件下の下で形成されるマーキングドットの断面形状を示す。図16に示される如く、マーキングドットの中央部が隆起し、隆起部の周囲において窪みが形成されている。図16において、中心部分隆起部と加工面との間の距離は、マーキングドットの高さとして、Zμmとして表されている。図17は、マーキングドットの概略的な形状を示す。図17を用いて、マーキングドットの形状が更に説明される。図17に示されるマーキングドットの断面形状は、立ち下がり時間55ns且つ6J/cm2を超えるエネルギ密度の条件下でパルスレーザ光が照射されたときに得られた。このような条件下で得られたマーキングドットの断面形状は、図17に示される如く、中央部分が窪んでいる。図17において、中心部分窪み部と加工面との間の距離は、マーキングドットの高さとして、Zμmとして表されている。図17に示されるマーキングドットの高さは、負の状態である。中心部が窪んだマーキングドットが形成されるとき、アブレーションが発生する。この結果、マーキングドットの周囲には、塵芥が飛散している。上述の如く、波長532nmのレーザ光を用いて、シリコンウェハに加工が行われるならば、80ns以上の立ち下がり時間の設定が好ましい。この結果、パルス出力の変動に起因するマーキングの視認性のばらつきが適切に抑制される。尚、立ち下がり時間が500ns以上に設定されると、エネルギ密度が大きくなりすぎ、ドットマークの周囲に塵芥が飛散する。したがって、立ち下がり時間は、80ns以上500ns以下に設定されることが好ましい。上述のパルスの立ち下がり速度を達成するため、第1実施形態乃至第4実施形態の原理に従うレーザ光源は、Q値が低い共振器を備えることが好ましい。共振器は、数メートル以上の共振器長を有することが好ましい。また、レーザ光が出射される側に配設された反射部の反射率は、約50以下に設計されることが好ましい。第1実施形態乃至第4実施形態の原理に従うレーザ光源の光学系は小型化が可能であることが好ましい。特に、第1実施形態乃至第4実施形態の原理に従うレーザ光源は、Q値が低くとも高効率なレーザ発信が可能なファイバレーザ装置を備えることが好ましい。或いは、第1実施形態乃至第4実施形態の原理に従うレーザ光源は、共振器から発振されたレーザ光を基本波光として用い、基本波光の波長変換を行う波長変換モジュールを備えることが好ましい。上述のシリコンウェハに対して行われた実験に基づく知見は、他の物質に対しても適用可能である。したがって、立ち下がり時間冷却速度の調節の結果、他の物質に対するマーキング加工の際のアブレーションの抑制並びにマーキングの視認性の向上といった有利な効果が得られる。しかしながら、物質の種類に応じて立ち下がり時間の最適値は異なるので、レーザ加工機は、パルス発振の立ち下がり時間を自由に調整可能に形成されることが好ましい。上述の第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明されたレーザ光源110,210は、2つのファイバグレーティング113,114、レーザ活性物質が添加されたダブルクラッドファイバ115及び励起用のレーザダイオードポンプ用LD112を備えるファイバレーザ装置である。しかしながら、第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明された原理は、従来から広くレーザ加工レーザマーキングに用いられてきたQスイッチを備える固体レーザ装置Nd:YAG、Nd:YVO4やQスイッチを備えたファイバレーザ装置によっても実現されてもよい。尚、Qスイッチを用いてパルス発振するこれらのレーザ光源の場合は、立ち下がり時間の変化と同時にパルス発振の周波数パルス発振の間隔やピーク出力も変動する。この結果、立ち下がり時間の変更は、加工速度の低下、マーキングの視認性のばらつきの増大や塵芥の発生といった影響をもたらす。一方、上述の一連の実施形態に関連して説明されたレーザ光源110,210は、所謂、利得スイッチ型のレーザ発振器であるので、パルス発振の周波数やピーク出力とは独立に立ち下がり時間が調整される。したがって、レーザ光源110,210は、上述の第1実施形態乃至第4実施形態の原理を実現する上で好ましい。図18は、ポンプ光の強度、ダブルクラッドファイバ115の内部エネルギ及び基本波光FBの強度の間の関係を概略的に示すグラフである。図2及び図18を用いて、利得スイッチを利用したレーザ光源110,210を用いた立ち下がり時間の調整方法が説明される。図18のセクションaは、ポンプ用LD112から出射されるポンプ光の強度の時間変化を表す概略的なグラフである。本実施形態において、ポンプ用LD112は、ステップ状に強度変調されたポンプ光を出射する。図2のセクションaに示されるポンプ光は、パルス発振の後もポンプ用LD112から出力され続けている。この結果、パルス発振後もCW発振が続いている。一方、図18のセクションaに示されるポンプ光は、パルス発振の後に停止されている。また、図18のセクションcに示される如く、ポンプ光の出力停止の後、出力光第2高調波光の強度が低下している。図2及び図18から明らかな如く、ポンプ用LD112の駆動時間の調節を通じて、パルス発振から出力停止までの時間が自由に調整されることとなる。以上の説明から、利得スイッチを利用するレーザ光源110は、第1実施形態乃至第4実施形態の原理を実現するのに好適であることが分かる。尚、レーザ光源210も利得スイッチを利用するので、同様に、第1実施形態乃至第4実施形態の原理を実現するのに好適であることが分かる。第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明されたレーザ光源110から出射されるレーザ光は、シングルモードレーザガウシアンビームである。出射されるレーザ光がガウシアンビームであるならば、第1実施形態の場合、集光位置が加工面から外れても、集光位置が加工面に合っているときと略同様の光強度分布が得られ、同様の加工形状が得られる。しかしながら、第1実施形態乃至第4実施形態の原理は、シングルモードレーザに限定されるものではない。レーザ光の伝搬方向と垂直な面内の光強度が一定なトップフラットビームの状態のレーザ光が第1実施形態乃至第4実施形態に用いられてもよい。例えば、トップフラットビームの状態のレーザ光が図1に示される集光レンズ160に入射し、加工面付近で集光されてもよい。集光されるレーザ光がトップフラットビームに近いほど、ガウシアンビームのレーザ光と比べて、加工面におけるビーム径が小さくなる。したがって、より微細なマーキングドットが形成される。代替的に、中心部分の光強度が周囲の光強度と比べて低いドーナツビームの状態のレーザ光が集光レンズ160に入射し、加工面付近で集光されてもよい。ドーナツビーム状態のレーザ光が加工面付近で集光されると、ガウシアンビームと比べて、加工面上でのビーム径が小さくなる。この結果、加工対象物の多光子吸収特性を利用したマーキングも可能になる。かくして、更に微細なマーキングドットの形成が達成される。第1実施形態乃至第4実施形態おいて、半導体ウェハ、特に、シリコンウェハが加工対象物POとして例示されている。また、半導体ウェハ、特に、シリコンウェハに対する第1実施形態乃至第4実施形態の有利な効果が説明されている。半導体ウェハへの加工の多くは、シリコンウェハ自体を加工対象とする。しかしながら、ウェハの表面に酸化膜SiO2や窒化膜SiNが形成されていることもある。或いは、エピタキシャル成長させたウェハ、ガリウム砒素又はインジウム化合物が表面に形成されたウェハが加工対象物となることもある。第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明された原理は、これらの様々なウェハの加工にも同様に適用され、同様の優れた効果をもたらす。更には、第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明された原理は、ベアチップといった電極パッド、IC表面、様々なセラミック製品やICのリード部といった様々な加工対象物にも適用され、同様の優れた効果をもたらす。石英、KTaO3結晶、プラスチックレンズ用の材料として用いられるエビスルフィド系樹脂やウレタン系樹脂が加工対象物として用いられてもよい。上述の一連の実施形態に関連して説明された加工原理がこれらの加工対象物に用いられるならば、例えば、モスアイ構造無反射構造が形成された光学素子を製造することができる。例えば、可視光に対するモスアイ構造が形成されるならば、約300nm以下の狭いピッチで図16の断面図で表されるような隆起構造が形成されることが好ましい。また、可視光に対するモスアイ構造のためには、マーキングドットの高さは、数百nmを超えることが好ましい。マーキングドットの高さは、モスアイ構造の対象となる光の波長に依存するが、マーキングドットの高さ寸法の安定化が求められる。従来のレーザ加工機によれば、マーキングドットの高さは不安定であり、しばしばアブレーションが生ずるので、モスアイ構造の形成は、困難である。上述の如く、第1実施形態乃至第4実施形態のレーザ加工機は、アブレーションの発生を適切に抑制する。また、上述の如く、パルス波形の立ち下がり時間が調整可能であるので、マーキングドットの安定した高さが得られる。したがって、第1実施形態乃至第4実施形態のレーザ加工機は、モスアイ構造を形成するための用途に対しても、好適に用いられる。第1実施形態乃至第4実施形態のレーザ加工機は、加工位置に応じて、パルス出力を変更し、モスアイ構造を形成することもできる。したがって、位置に応じて反射率や反射する波長が異なるモスアイ構造の形成も可能になる。かくして、第1実施形態乃至第4実施形態のレーザ加工機は、レーザ光のビームプロファイル成形やLED正面といった照明素子の色斑を解消する光学部品の製造にも好適に用いられる。上述の第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明されたレーザ光源110,210は、波長532nm付近の第2高調波光を生成することができる。したがって、第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明されたレーザ光源110,210は、非結晶シリコンアモルファスシリコンの結晶化レーザアニール例えば、特許文献1参照にも用いられる。レーザ光源110,210から出射される第2高調波光の光強度は安定しているので、非結晶シリコンの結晶化に好適である。安定した光強度の結果、グレインサイズが一定且つ均一なシリコンの結晶化が達成される。したがって、第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明されたレーザ光源110,210は、結晶シリコンや微結晶シリコンの作成に好適に利用可能である。また、これらの結晶シリコンや微結晶シリコンを用いて、高効率の太陽電池が製造可能となる。非結晶シリコン、結晶シリコン及び/又は微結晶シリコンが太陽電池に用いられるならば、様々な波長の光を吸収し、電力エネルギに変換することができる。非結晶シリコンは、400nm~700nmの範囲の光を吸収し、電力エネルギに変換する。微結晶シリコンは、600nm~900nmの範囲の光を吸収し、電力エネルギに変換する。結晶シリコンは、700nm以上の範囲の光を吸収し、電力エネルギに変換する。例えば、非結晶シリコンを含む第1領域及び結晶シリコンを含む第2領域を含む太陽電池パネルが、700nm以下の波長の光が第1領域に導かれ、700nmより長い波長の光が第2領域に導かれるように形成されるならば、太陽電池パネルは、高効率で太陽光発電を行うことができる。図19は、第2実施形態に関連して説明されたレーザ加工機200を用いた太陽電池パネルの製造方法を概略的に示す。図9及び図19を用いて、太陽電池パネルの製造方法が説明される。図19に示されるレーザ加工機200のステージ150上には、図9に関連して説明された半導体ウェハに代えて、加工対象物として非結晶シリコンが載置されている。第2実施形態に関連して説明された如く、ステージ150はY軸に沿って、非結晶シリコンを移動させる。スキャンミラー130は、X軸に沿って、レーザ光の光路をスキャンする。また、レーザ光源210は、レーザ光の発振のON/OFFを繰り返す。レーザ光源210のレーザ光の発振がONされ、レーザ光が照射された非結晶シリコンの領域は、レーザアニールされ、結晶シリコン領域PO1となる。レーザ光源210のレーザ光の発振がOFFされ、レーザアニールされていない領域は、非結晶シリコン領域PO2となる。この結果、結晶シリコン領域PO1と非結晶シリコン領域PO2とを備える太陽電池パネルが作成される。図20は、第2実施形態に関連して説明されたレーザ加工機200を用いた太陽電池パネルの他の製造方法を概略的に示す。図19及び図20を用いて、太陽電池パネルの製造方法が説明される。図20に示されるレーザ加工機200のステージ150上には、加工対象物として非結晶シリコンが載置されている。第2実施形態に関連して説明された如く、ステージ150はY軸に沿って、非結晶シリコンを移動させる。スキャンミラー130は、X軸に沿って、レーザ光の光路をスキャンする。また、レーザ光源210は、レーザ光の発振のON/OFFを繰り返す。レーザ光源210のレーザ光の発振がONされ、レーザ光が照射された非結晶シリコンの領域は、レーザアニールされ、結晶シリコン領域PO1又は微結晶シリコン領域PO3となる。レーザ光源210のレーザ光の発振がOFFされ、レーザアニールされていない領域は、非結晶シリコン領域PO2となる。この結果、結晶シリコン領域PO1、微結晶シリコン領域PO3及び非結晶シリコン領域PO2を備える一層高効率な太陽電池パネルが作成される。微結晶シリコン領域PO3中のグレインサイズは、好ましくは、非結晶シリコン領域PO2に近づくにつれて大きくなるように調整される即ち、微結晶シリコン領域PO3中のグレインサイズは、結晶シリコン領域PO1に近づくにつれて小さくなるように調整される。非結晶シリコン領域PO2から結晶シリコン領域PO1に向けて、吸収される光の波長域が徐々に長くなるので、太陽電池パネルの発電効率は一層高くなる。図21は、グレインサイズが異なる微結晶シリコン領域PO3及び結晶シリコン領域PO1を作成するためのパルス発振の方法を概略的に示すグラフである。図20及び図21を用いて、レーザアニールによってグレインサイズが異なる結晶を作成する方法が説明される。シリコンをレーザアニールするために、例えば、波長532nmのパルスレーザ光が非結晶シリコンに照射される。この結果、シリコンの結晶化が開始する。シリコンが結晶化するときの温度に応じて、グレインサイズが相違する。したがって、立ち下がり速度が異なるパルスレーザ光が発振されるならば、異なるグレインサイズの結晶が作り出される。上述の第1実施形態乃至第4実施形態に関連して説明された如く、レーザ加工機には、利得スイッチを利用したパルスレーザ光源が用いられる。上述の如く、利得スイッチを利用したパルスレーザ光源は、立ち上がり速度が異なるパルスレーザ光を自由に発振することができる。図21のセクションaは、ポンプ光の強度を示す。図21のセクションbは、ポンプ光の出射に伴う内部エネルギの変動を示す。図21のセクションcは、レーザ光源から出射されるレーザ光の強度の変動を示す。図21のセクションaに示される如く、パルス発振後にポンプ光の強度が低減されるならば、出射されるレーザ光の立ち下がり速度が増大する図21のセクションc参照。この結果、結晶化時における温度が低減する。逆に、パルス発振後のポンプ光の光強度が増大されるならば図示せず、パルス発振後に発振されるレーザ光の強度が増大するので、結晶化時における温度の低下が抑制される。上述の温度調整は、パルスのピーク出力及びパルス発振の周波数とは独立して達成される。このような効果は、利得スイッチを利用したパルスレーザ光源に特有のものである。したがって、利得スイッチを利用するパルスレーザ光源は、図20に関連して説明されたような結晶状態の異なる領域非結晶シリコン領域PO2、微結晶シリコン領域PO3、結晶シリコン領域PO1を作成するのに好適である。特に、利得スイッチを利用するパルスレーザ光源は、パルス発振後のレーザ光の出力を代えて、同一の非結晶シリコン基板をレーザアニールすることができるので、高効率の太陽電池パネルの作成に有利である。上述の太陽電池パネルの作成方法において、第2実施形態に関連して説明されたレーザ加工機200及びレーザ光源210が用いられている。代替的に、第1実施形態に関連して説明されたレーザ光源110や第3実施形態に関連して説明されたレーザ光源110とアパーチャ板310との組み合わせが太陽電池パネルの作成に用いられてもよい。これらが同様に用いられても、太陽電池パネルが好適に作成される。図22は、太陽電池パネルの概略図である。図22を用いて、結晶状態の異なる複数の領域に太陽光を導光する光学的構成が説明される。太陽電池パネル500は、非結晶シリコン領域PO2、結晶シリコン領域PO1及び微結晶シリコン領域PO3を有するシリコン基板510を備える。太陽電池パネル500は、シリコン基板510上に配設された波長分離素子520を更に備える。波長分離素子520は、太陽光を分光し、非結晶シリコン領域PO2、微結晶シリコン領域PO3及び結晶シリコン領域PO1それぞれに、各領域にとって最も高い吸収率の波長の光を入射させる。波長分離素子520として、プリズムや回折光学素子が例示される。波長分離素子520として回折光学素子が用いられるならば、回折光学素子は、0次回折光を発生させないように設計されることが好ましい。この結果、太陽電池パネル500は、高い効率で発電することができる。代替的に、波長分離素子520として、ハーモニックセパレータといった波長分離用の多層膜コートを備えたミラーが用いられてもよい。太陽電池パネル500は、波長分離素子520より前に太陽光を受ける集光光学素子530を更に備えてもよい。集光光学素子530は、波長分離素子520に太陽光を集光するように設計される。この結果、太陽電池パネル500は、より高効率に発電することができる。太陽電池パネル500は、波長分離素子520へ入射する太陽光の入射角が一定となるように太陽電池パネル500の角度を調整する機構を更に備えることが好ましい。この結果、太陽電池パネル500は更に高効率に発電することができる。集光光学素子530として、マイクロレンズアレイが例示される。マイクロレンズと波長分離素子520との間の相対位置が調節される結果、太陽光が波長分離素子520に入射する位置並びに角度が調整されることが特に好ましい。この結果、太陽電池パネル500自体の角度が調整されなくとも、太陽電池パネル500は、高効率に発電することができる。第5実施形態図23は、第5実施形態のレーザ加工機の概略図である。図23を用いて、第5実施形態のレーザ加工機が説明される。第5実施形態のレーザ加工機600によって加工される加工対象物POは、レーザ光が発振する共振器内に配設される。加工対象物POがマーキングされる形状変形すると同時に、レーザ発振が停止する。この結果、加工対象物POに対するそれ以上の加熱が停止される。レーザ加工機600は、加工対象物POが載置されるステージ610と、ステージ610の上方に配設された励起レーザ光源620と、を備える。レーザ加工機600は、ステージ610と励起レーザ光源620との間に配設された固体レーザ結晶640を更に備える。励起レーザ光源620は、励起光PLを生成し、固体レーザ結晶640に向けて照射する。レーザ加工機600は、固体レーザ結晶640と励起レーザ光源620との間を横切る凹面ミラー650を更に備える。励起レーザ光源620からの励起光PLは、凹面ミラー650を介して、固体レーザ結晶640に入射し、固体レーザ結晶640内のエネルギを増大させる。固体レーザ結晶640内のエネルギがある閾値を超えると、誘導放出によって、凹面ミラー650とステージ610との間で共振レーザ光CLが発振する。本実施形態において、凹面ミラー650及びステージ610は、共振器として例示される。また、ステージ610の上面及び凹面ミラー650の下面は、反射面として例示される。共振レーザ光CLの一部は、加工対象物POに吸収される。この結果、加工対象物PO中の共振レーザ光CLの光路が加熱され、加工対象物POにマーキングがなされる。マーキングの結果、加工対象物POの形状が変化するので、共振条件が崩れる。この結果、共振レーザ光CLの発振が停止する。図23には、3次元直交座標系を規定するX軸、Y軸及びZ軸が示されている。ステージ610は、加工対象物POをXY平面に沿って、凹面ミラー650とステージ610とによって形成される共振器に対して相対的に移動させる。加工対象物POが所望の位置に配設されると、上述の如く、レーザ加工機600は、励起レーザ光源620は励起光PLを固体レーザ結晶640に入射させ、固体レーザ結晶640を励起させる。この結果、共振レーザ光CLによって、加工対象物POの所望の位置にマーキングが形成される。本実施形態において、ステージ610は、変位機構として例示される。本実施形態のレーザ加工機600は、レーザアニールに用いられてもよい。例えば、加工対象物POが結晶化によって、共振レーザ光CLの吸収率が高まる材質であるならば、レーザ加工機600は、共振器内のロスの増大に伴って、固体レーザ結晶内に蓄積されたエネルギが発振閾値を下回るように設計される。この結果、レーザ加工機600は、レーザアニールに応用可能となる。即ち、結晶化と同時に共振レーザ光CLの発振が停止するので、レーザ加工機600は、加工対象物POの全体を均一に結晶化することができる。本実施形態のレーザ加工機600によって加工される加工対象物PO自体がレーザ光源の共振器内に配設されるので、共振レーザ光CLは、加工対象物POに対する光路中での形状変化マーキングが生ずると同時に、発振を停止する。この結果、加工対象物POは、過度に加熱されない。したがって、アブレーションは、発生しにくくなる。加えて、共振器内において、共振レーザ光CLのパワーが増幅増大するので、小さな励起光PLのパワーを用いて、マーキングや切断といったレーザ加工が実行可能な程度の高いピークエネルギが加工対象物POに与えられる。特に、加工対象物POが、共振レーザ光CLの吸収率が低い材質であるならば、従来のレーザ加工機と比べて遙かに小さな励起光のパワーを用いて、所望の加工が達成されるので、上述の特徴は有利である。更に、高ピークのレーザ発振は、共振器内に限られるので、レーザ加工機600は、安全性にも優れることとなる。本実施形態のレーザ加工機600の励起レーザ光源620として、波長808nmのレーザ光を発振する半導体レーザ装置が例示される。また、固体レーザ結晶640として、Nd:YAGレーザ結晶が例示される。この結果、波長1064nmの共振レーザ光CLが発振される。尚、Ndの代わりにYbが固体レーザ結晶に添加されてもよい。また、YAGの代替として、YVO4といった他のレーザ結晶が固体レーザ結晶として用いられてもよい。本実施形態において、半導体励起固体レーザ光源を備えるレーザ加工機600が説明されている。しかしながら、本実施形態の原理は、共振器内の誘導放出を用いるいわゆるレーザ光源に対して、同様に適用可能である。例えば、半導体レーザ装置、ファイバレーザ装置やガスレーザ装置の共振器内に加工対象物を移動させながら挿入することができる機構が用いられるならば、本実施形態と同様の効果が得られる。尚、加工対象物が共振レーザ光に対して、低い吸収率を有するならば、本実施形態で説明された半導体レーザ又は、他の光源によって励起される固体レーザ装置やガスレーザ装置が好ましい。この結果、Q値が増大されることによって、低い消費電力で加工対象物が加工される。本実施形態で説明された半導体レーザ又は、他の光源によって励起される固体レーザ装置やガスレーザ装置が光源として用いられるならば、共振器の長さは、極力短く設計されることが好ましい。この結果、共振器内の光子寿命が短縮され、短パルスレーザが発振される。かくして、2光子吸収などを利用したレーザ加工が達成可能になる。本実施形態において、ファイバレーザ装置が用いられてもよい。安価なレーザ光源として、ファイバレーザ装置が用いられ、利得スイッチ型のパルスレーザ発振がなされても、大きなパルスエネルギが得られる。加えて、パルスの発振周波数やピーク出力とは独立に立ち下がり時間が調整されるので、上述の如く、レーザマーキングのドット深さが安定化される。図23に示される如く、本実施形態のレーザ加工機600は、共振レーザ光CLが共振する共振器内に配設された波長変換素子660を更に備えてもよい。レーザ加工機600が波長変換素子660を備えるならば、加工対象物POが波長約1μmの赤外光に対して低い吸収率を有していても、レーザ加工は好適に行われる。例えば、レーザ加工機600が、第1実施形態に関連して説明された波長変換素子と同様の構成の波長変換素子660を備えるならば、共振レーザ光CLは、波長532nmの第2高調波光に変換される。この結果、レーザ加工機600は、シリコン基板に対するマーキングやレーザアニールに適することとなる。したがって、波長変換素子を含まないレーザ加工機と比べて、レーザ加工機600は、低い消費電力で加工対象物POを加工することができる。尚、好ましくは、凹面ミラー650及びステージ610には、第2高調波光の透過を防止するための誘電体多層膜が成膜されている。この結果、レーザ加工機600は、更に小型となり、且つ、低い消費電力で加工対象物POを加工することができる。凹面ミラー650と加工対象物POとの間の光学距離は、凹面ミラー650の曲率半径より短く、或いは、凹面ミラー650の曲率半径に近似していることが好ましい。この結果、加工対象物PO又はステージ610が、例えば、傾斜したときのマーキングの位置ズレが低減され、所望の位置にマーキングされやすくなる。凹面ミラー650と加工対象物POとの間の光学距離は短く設定されることが好ましい。この結果、加工対象物POやステージ610の凹凸に起因した共振レーザ光CLの出力の不安定性が低減される。かくして、安定したレーザ加工が達成される。凹面ミラー650は、好ましくは、誘電体多層膜が形成された凹面651を含む。凹面651に成膜された誘電体多層膜は、共振レーザ光CLの透過を防止するとともに、励起光PLの反射を防止する。この結果、レーザ加工機600は、小型化されるともに、高効率でレーザ加工を行うことができる。固体レーザ結晶640は、励起光PLが入射する入射面641と、入射面641とは反対側の出射面642と、を含む。入射面641には、好ましくは、共振レーザ光CL及び励起光PLの両方の反射を防止する誘電体多層膜が成膜される。出射面642には、好ましくは、共振レーザ光CLの反射を防止する誘電体多層膜が成膜される。この結果、共振レーザ光CLの発振が安定化し、アブレーションが更に発生しにくくなる。ステージ610は、加工対象物POを支持する上面611を含む。上面611には、好ましくは、共振レーザ光CLの反射率を向上させる誘電体多層膜が成膜される。この結果、レーザ加工機600は、小型化されるとともに、高効率でレーザ加工を行うことができる。本実施形態において、共振レーザ光CLは、凹面ミラー650とステージ610との間で発振する。代替的に、加工対象物POの底面612と凹面ミラー650との間で、共振レーザ光CLが発振されてもよい。本実施形態において、レーザ加工機600は、凹面ミラー650を備える。しかしながら、凹面ミラー650に代えて、平面ミラー及び集光レンズが用いられてもよい。図24は、本実施形態の原理に従う他のレーザ加工機を示す。図23及び図24を用いて、本実施形態の原理に従う他のレーザ加工機が説明される。図24に示されるレーザ加工機600Aは、図23に関連して説明されたレーザ加工機600と同様の凹面ミラー650、励起レーザ光源620及び固体レーザ結晶640に加えて、追加的な凹面ミラー655を備える。追加的な凹面ミラー655は、凹面ミラー650の凹面651に対向する凹面656を含む。励起レーザ光源620が励起光PLを出射すると、共振レーザ光CLが凹面ミラー650,655間で発振する。図24に示されるレーザ加工機600Aの凹面ミラー650,655は、共振器として例示される。また、凹面651,656は、反射面として例示される。レーザ加工機600Aは、加工対象物POが共振レーザ光CLの光路を横切るように加工対象物POを支持する支持機構615を備える。支持機構615は、図24に示される如く、共振レーザ光CLがブリュースター角で入射するように、支持機構615は、加工対象物POを共振レーザ光CLの伝搬方向に対して傾斜させる。図24には、3次元直交座標系を規定するX軸、Y軸及びZ軸が示されている。支持機構615は、加工対象物POをXY平面に沿って、凹面ミラー650,655によって形成される共振器に対して相対的に移動させる。本実施形態において、支持機構615は、変位機構として例示される。共振レーザ光CLがブリュースター角で入射するように、支持機構615は、加工対象物POを共振レーザ光CLの伝搬方向に対して傾斜させるので、共振器のQ値が増大する。したがって、レーザ加工機600Aは、一層低い消費電力でレーザ加工を行うことができる。図23に関連して説明されたステージ610及び図24に関連して説明された支持機構615は、Z軸方向に加工対象物POを移動させてもよい。加工対象物POがZ軸方向に移動するならば、加工対象物PO内の共振レーザ光CLのビーム径が拡大或いは縮小する。レーザ加工機600,600Aがドットマーキングを行うならば、加工対象物POのZ軸方向の移動の結果、ドットサイズが適切に調整される。図25は、本実施形態の原理に従う他のレーザ加工機を示す。図23及び図25を用いて、本実施形態の原理に従う他のレーザ加工機が説明される。図25に示されるレーザ加工機600Bは、図23に関連して説明されたレーザ加工機600と同様のステージ610、励起レーザ光源620及び固体レーザ結晶640に加えて、励起レーザ光源620から励起光PLが入射される第1凹面ミラー690と、第1凹面ミラー690に隣接する第2凹面ミラー695と、を備える。励起レーザ光源620が励起光PLを出射すると、共振レーザ光CLは、ステージ610、第1凹面ミラー690及び第2凹面ミラー695の3面で発振する。図25に示されるレーザ加工機600Bのステージ610、第1凹面ミラー690及び第2凹面ミラー695は、共振器として例示される。第1凹面ミラー690及び第2凹面ミラー695は、好ましくは、共振レーザ光CLがステージ610上の加工対象物POに対してブリュースター角で入射するように設置される。したがって、レーザ加工機600Bは、一層低い消費電力でレーザ加工を行うことができる。図23に関連して説明されたレーザ加工機600は、好ましくは、凹面ミラー650とステージ610との間にQスイッチ図示せずを備える。図25に関連して説明されたレーザ加工機600Bは、好ましくは、第1凹面ミラー690とステージ610との間にQスイッチ図示せずを備える。この結果、レーザ加工機600,600B内に構築された共振器内での共振レーザ光CLのピークパワーが向上される。上述の一連の実施形態に関連して、レーザ加工機の原理が説明されている。上述されたレーザ加工機の構成は、例示的なものにすぎず、上述の一連の実施形態の原理を逸脱しない範囲で、様々な変更がなされてもよい。上述された実施形態は、以下の構成を主に備える。上述された実施形態の原理に従うレーザ光源及びレーザ加工機は、レーザ照射時における加工対象物の表面温度の上昇量のばらつきを低減するので、加工対象物のアブレーションが置きにくくなる。したがって、上述された実施形態の原理に従うレーザ光源及びレーザ加工機は、所望の加工を安定的に行うことができる。上述の実施形態の一局面に係る加工対象物にレーザ光を出射するレーザ光源は、前記レーザ光を発生させる発生部と、前記レーザ光の出力を調整する調整部と、を備え、前記発生部と前記加工対象物との間に配設された該調整部は、前記加工対象物上での前記レーザ光の出力密度を低減することを特徴とする。上記構成によれば、レーザ光源の発生部は、レーザ光を発生させる。発生部と加工対象物との間に配設された調整部は、加工対象物上でのレーザ光の出力密度を低減させるので、加工対象物の過度の温度上昇は生じにくくなる。したがって、アブレーションが生じにくくなる。上記構成において、前記調整部は、前記発生部から出射される前記レーザ光の光路に設置されたNA変換部を含み、該NA変換部は、前記レーザ光の出力に応じて、前記レーザ光のNAを変換することが好ましい。上記構成によれば、調整部は、発生部から出射されるレーザ光の光路に設置されたNA変換部を含む。NA変換部は、レーザ光の出力に応じて、レーザ光のNAを変換するので、加工対象物の過度の温度上昇は生じにくくなる。したがって、アブレーションが生じにくくなる。上記構成において、前記発生部は、少なくとも2つの反射要素を含む共振器と、該共振器内に配設されたレーザ媒質と、該レーザ媒質を励起させる励起要素と、を含み、該励起要素は、前記レーザ媒質を励起するためのエネルギを変調し、利得スイッチ方式でパルス発振を引き起こすことが好ましい。上記構成によれば、発生部は、少なくとも2つの反射要素を含む共振器と、共振器内に配設されたレーザ媒質と、レーザ媒質を励起させる励起要素と、を含む。励起要素は、レーザ媒質を励起するためのエネルギを変調し、利得スイッチ方式でパルス発振を引き起こすので、加工対象物に所望の加工処理が施与される。上記構成において、レーザ光源は、前記発生部が発生させた前記レーザ光の波長を変換する波長変換部を更に備え、前記発生部は、前記レーザ媒質が添加されたダブルクラッドファイバを含み、前記波長変換部は、前記ダブルクラッドファイバ内で発生した前記レーザ光を短波長化することが好ましい。上記構成によれば、波長変換部は、レーザ媒質が添加されたダブルクラッドファイバ内で発生したレーザ光を短波長化するので、所望の波長のレーザ光を用いて、加工対象物が加工される。上記構成において、レーザ光源は、前記発生部が発生させた前記レーザ光の波長を変換する波長変換部を更に備え、前記発生部は、前記レーザ光として、基本波光を発生し、前記波長変換部は、前記基本波光を異なる波長の変換光に変換し、前記波長変換部に入射する前記基本波光の出力が、第1出力から該第1出力よりも高い第2出力に増加すると、前記調整部は、前記波長変換部の波長変換効率を低減させることが好ましい。上記構成によれば、波長変換部は、発生部が発生させたレーザ光の波長を変換する。発生部は、レーザ光として、基本波光を発生する。波長変換部は、基本波光を異なる波長の変換光に変換する。波長変換部に入射する基本波光の出力が、第1出力から第1出力よりも高い第2出力に増加すると、調整部は、波長変換部の波長変換効率を低減させるので、加工対象物の過度の温度上昇は生じにくくなる。したがって、アブレーションが生じにくくなる。上記構成において、前記調整部は、前記波長変換部の温度を計測する測温部と、前記波長変換部の温度を調整する第1調温部と、前記変換光の出力を低減させる低減要素を含み、前記波長変換部の前記温度が、該温度に対して定められた閾値を超えるならば、前記低減要素は、前記基本波光の出力の増加に伴って前記変換光の出力を低減することが好ましい。上記構成によれば、調整部は、波長変換部の温度を計測する測温部と、波長変換部の温度を調整する第1調温部と、変換光の出力を低減させる低減要素を含む。波長変換部の温度が、温度に対して定められた閾値を超えるならば、低減要素は、基本波光の出力の増加に伴って変換光の出力を低減するので、加工対象物の過度の温度上昇は生じにくくなる。したがって、アブレーションが生じにくくなる。上記構成において、前記低減要素は、前記波長変換部の温度が第1温度域に存するとき前記基本波光の前記出力の増加に伴って前記変換光の前記出力が増大し、且つ、前記波長変換部の温度が前記第1温度域とは異なる第2温度域に存するとき前記基本波光の前記出力の増加に伴って前記変換光の前記出力が減少する出力特性を前記波長変換部に与え、前記第1調温部は、前記第1温度域と前記第2温度域との間の温度に、前記波長変換部の温度を設定することが好ましい。上記構成によれば、調整部が波長変換部に与える出力特性に従い、波長変換部の温度が第1温度域に存するとき、基本波光の出力の増加に伴って変換光の前記出力が増大する。また、波長変換部の温度が第1温度域とは異なる第2温度域に存するとき、基本波光の出力の増加に伴って変換光の出力が減少する。第1調温部は、第1温度域と第2温度域との間の温度に、波長変換部の温度を設定するので、基本波光の出力変動に伴う変換光の出力変動が低減される。上記構成において、前記NA変換部は、前記発生部から出射するレーザ光により熱レンズ効果を発現することが好ましい。上記構成によれば、NA変換部は、発生部から出射するレーザ光により熱レンズ効果を発現するので、加工対象物の過度の温度上昇は生じにくくなる。したがって、アブレーションが生じにくくなる。上記構成において、レーザ光源は、前記NA変換部の温度を調節する第2調温部を更に備え、前記NA変換部は、LiTaO3、LiNbO3を含む非線形光学結晶であることが好ましい。上記構成によれば、レーザ光源は、NA変換部の温度を調節する第2調温部を更に備える。NA変換部は、LiTaO3、LiNbO3を含む非線形光学結晶であるので、紫外光から赤外光領域にわたって、熱レンズ効果が得られる。かくして、レーザ光源が廉価に製造される。上述の実施形態の他の局面に係るレーザ加工機は、上述のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の照射位置を前記加工対象物の加工面上で走査させる走査光学系と、前記加工対象物が設置され、前記加工対象物を移動させるステージと、を備え、前記レーザ光源は、パルス発振することを特徴とする。上記構成によれば、走査光学系は、上述のレーザ光源から出射するレーザ光の照射位置を加工対象物の加工面上で走査させる。加工対象物が設置されたステージは、加工対象物を移動させる。レーザ光源は、パルス発振するので、アブレーションはほとんど生ずることなく、加工対象物に所望のレーザ加工が施与される。上述の実施形態の更に他の局面に係るレーザ加工機は、上述のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する平滑化要素と、前記垂直な面内の光強度分布を変化させる空間変調素子と、前記空間変調素子にて前記光強度分布を変化させられた前記レーザ光を前記加工対象物に導く光学系と、を備え、前記レーザ光源は、パルス発振することを特徴とする。上記構成によれば、平滑化要素は、上述のレーザ光源から出射するレーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する。空間変調素子は、垂直な面内の光強度分布を変化させる。光学系は、空間変調素子にて光強度分布を変化させられたレーザ光を加工対象物に導く。レーザ光源は、パルス発振するので、アブレーションはほとんど生ずることなく、加工対象物に所望のレーザ加工が施与される。上述の実施形態の更に他の局面に係るレーザ加工機は、上述のレーザ光源と、該レーザ光源から出射する前記レーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する平滑化要素と、前記垂直な面内の光強度分布を変化させる空間変調素子と、前記空間変調素子にて前記光強度分布を変化させられた前記レーザ光を前記加工対象物に導く光学系と、アパーチャが形成されたアパーチャ要素と、を更に備え、前記レーザ光源は、パルス発振し、前記アパーチャ要素は、前記レーザ光源と前記平滑化要素との間に配設されることを特徴とする。上記構成によれば、平滑化要素は、上述のレーザ光源から出射するレーザ光の伝搬方向に垂直な面内の光強度分布を平滑化する。空間変調素子は、垂直な面内の光強度分布を変化させる。光学系は、空間変調素子にて光強度分布を変化させられたレーザ光を加工対象物に導く。アパーチャが形成されたアパーチャ要素は、パルス発振するレーザ光源と平滑化要素との間に配設されるので、レーザ光の出力変動が小さくなる。上記構成において、前記加工対象物は、シリコンであり、前記レーザ光は、波長520nm以上560nm以下の可視光であり、前記調整部は、前記加工対象物の加工面上における前記レーザ光の出力密度を8.0×107W/cm2以下に調整することが好ましい。上記構成によれば、加工対象物は、シリコンである。レーザ光は、波長520nm以上560nm以下の可視光である。調整部は、加工対象物の加工面上におけるレーザ光の出力密度を8.0×107W/cm2以下に調整するので、アブレーションはほとんど生ずることなく、シリコンに対するレーザ加工が適切に行われる。上記構成において、前記レーザ光の出力が最大値から該最大値の1割まで低下するまでの立下り時間は、80ns以上であることが好ましい。上記構成によれば、レーザ光の出力が最大値から最大値の1割まで低下するまでの立下り時間は、80ns以上であるので、視認性の高いマーキングが加工面に施与される。上述の実施形態の更に他の局面に係るレーザ光を用いて加工対象物を加工するレーザ加工機は、少なくとも2つの反射面を含む共振器と、誘導放出によってレーザ発振するレーザ結晶と、前記共振器内に配設された前記加工対象物を前記共振器に対して相対的に変位させる変位機構と、を備えることを特徴とする。上記構成によれば、レーザ加工機は、誘導放出によってレーザ発振するレーザ結晶からのレーザ光を用いて加工対象物を加工する。変位機構は、共振器内に配設された加工対象物を共振器に対して相対的に変位させるので、加工対象物は安全に加工される。上記構成において、前記レーザ光がブリュースター角で前記加工対象物に入射するように、前記加工対象物は、前記レーザ光の光路に対して斜めに配置されることが好ましい。上記構成によれば、レーザ光がブリュースター角で加工対象物に入射するように、加工対象物は、レーザ光の光路に対して斜めに配置されるので、加工対象物に対する加工に消費される電力が低減される。"