"化合物半導体膜の成膜用塗布剤であって、前記化合物半導体膜のすべての構成金属元素を含む少なくとも1種の金属単体及び/又は金属化合物Aと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む成膜用塗布剤。下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iからなる化合物半導体膜の成膜用である請求項1に記載の成膜用塗布剤。LMX2ここで、Lは少なくとも1種のIB族元素、Mは少なくとも1種のIIIB族、Xは少なくとも1種のVIB族を各々示す。i下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iiからなる化合物半導体膜の成膜用である請求項2に記載の成膜用塗布剤。L1M1X12ここで、L1はCu,Ag,及びAuからなる群より選ばれた少なくとも1種のIB族元素、M1はAl,Ga,及びInからなる群より選ばれた少なくとも1種のIIIB族、X1はS,Se,及びTeからなる群より選ばれた少なくとも1種のVIB族を各々示す。ii下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iiiからなる化合物半導体膜の成膜用である請求項3に記載の成膜用塗布剤。L2M2X22ここで、L2はCuを含む少なくとも1種のIB族元素、M2はGa及び/又はInを含む少なくとも1種のIIIB族、X2はSeを含む少なくとも1種のVIB族を各々示す。iiiCuIn,GaSe2膜の成膜用である請求項4に記載の成膜用塗布剤。少なくとも1種の金属単体及び/又は金属化合物Aが、ハロゲン化銅とハロゲン化インジウムとハロゲン化ガリウムとセレンとを含む請求項5に記載の成膜用塗布剤。Cd,Zn,Pb,Ag,Sb,及びBiからなる群より選ばれた少なくとも1種と、S,Se,及びTeからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むカルコゲニドからなる化合物半導体膜の成膜用である請求項1に記載の成膜用塗布剤。Zn,Ga,In,及びCdからなる群より選ばれた少なくとも1種と、P及びAsからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含む化合物半導体膜の成膜用である請求項1に記載の成膜用塗布剤。少なくとも1種のアミン溶媒Bが、少なくとも1種の炭素数1~5のアミンである請求項1~8のいずれかに記載の成膜用塗布剤。請求項2~6のいずれかに記載の成膜用塗布剤の製造方法であって、少なくとも1種のIB族元素Lを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物ALと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IB-Sを調製する工程1-1と、少なくとも1種のIIIB族元素Mを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AMと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IIIB-Sを調製する工程1-2と、少なくとも1種のVIB族元素Xを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AXと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液VIB-Sを調製する工程1-3と、溶液IB-S、溶液IIIB-S、及び溶液VIB-Sを混合する工程1-4とを有する成膜用塗布剤の製造方法。工程1-1~1-3はそれぞれ、各工程で用いる少なくとも1種の金属単体又は金属化合物と少なくとも1種のアミン溶媒Bとを配合し、得られた液を電磁波照射下で加熱して前記溶液を得る工程である請求項10に記載の成膜用塗布剤の製造方法。工程1-1~1-3の加熱温度は70~250°Cの範囲内である請求項11に記載の成膜用塗布剤の製造方法。工程1-1~1-3において、少なくとも1種のアミン溶媒Bが、少なくとも1種の炭素数1~5のアミンである請求項10~12のいずれかに記載の成膜用塗布剤の製造方法。工程1-3はSe元素単体AX-Seと少なくとも1種の炭素数1~5のアミン溶媒Bとを含む溶液VIB-Seを調製する工程である請求項11又は12に記載の成膜用塗布剤の製造方法。請求項1~9のいずれかに記載の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有する製造方法により製造された化合物半導体膜。請求項1~9のいずれかに記載の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有する化合物半導体膜の製造方法。請求項2~6のいずれかに記載の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有する製造方法により製造された化合物半導体膜からなる光吸収層と、一対の電極とを備えた光電変換素子。請求項17に記載の光電変換素子を備えた太陽電池。非特許文献1では4の変換効率が得られている。しかしながら、非特許文献1に記載の方法では、チオウレアの熱分解に伴って膜中にボイドが生成されやすい。非特許文献1では焼成温度が250°Cと低いため、得られる膜は結晶性が低く、ボイドを有する構造となりやすく、変換効率の向上が難しい。非特許文献2では12.2の変換効率が得られている。しかしながら、非特許文献2に記載の方法は、爆発性を有する毒性化合物であるヒドラジンを用いる必要がある。また、非特許文献2に記載の方法は、カルコゲニドCuSe,InSeとカルコゲンS,Seとの反応時間が長く、2~3日などの長時間の反応を要する。これらの理由から、非特許文献2に記載の方法は、実用的な方法ではない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明はまた、実用的な反応時間で毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明はまた、前駆体を用いた液相法により低コストに製造され、結晶性が良く緻密な膜構造を有するカルコパイライト系等の化合物半導体膜とその製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の化合物半導体膜の成膜用塗布剤は、前記化合物半導体膜のすべての構成金属元素を含む少なくとも1種の金属単体及び/又は金属化合物Aと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含むものである。本発明の化合物半導体膜の成膜用塗布剤は、下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iからなる化合物半導体膜の成膜用塗布剤に好ましく適用できる。LMX2ここで、Lは少なくとも1種のIB族元素、Mは少なくとも1種のIIIB族、Xは少なくとも1種のVIB族を各々示す。i少なくとも1種のアミン溶媒Bが、少なくとも1種の炭素数1~5のアミンであることが好ましい。本発明の上記のカルコパイライト系化合物半導体膜用の成膜用塗布剤の製造方法は、少なくとも1種のIB族元素Lを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物ALと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IB-Sを調製する工程1-1と、少なくとも1種のIIIB族元素Mを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AMと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IIIB-Sを調製する工程1-2と、少なくとも1種のVIB族元素Xを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AXと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液VIB-Sを調製する工程1-3と、溶液IB-S、溶液IIIB-S、及び溶液VIB-Sを混合する工程1-4とを有するものである。工程1-1~1-3はそれぞれ、各工程で用いる少なくとも1種の金属単体又は金属化合物と少なくとも1種のアミン溶媒Bとを配合し、得られた液を電磁波照射下で加熱して前記溶液を得る工程であることが好ましい。本発明の化合物半導体膜は、上記の本発明の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有する製造方法により製造されたものである。本発明の化合物半導体膜の製造方法は、上記の本発明の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有するものである。本発明の光電変換素子は、上記の本発明のカルコパイライト系化合物半導体膜からなる光吸収層と一対の電極とを備えたものである。本発明の太陽電池は、上記の本発明の光電変換素子を備えたものである。本発明によれば、毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することができる。本発明によれば、実用的な反応時間で毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することができる。本発明によれば、前駆体を用いた液相法により低コストに製造され、結晶性が良く緻密な膜構造を有するカルコパイライト系等の化合物半導体膜とその製造方法を提供することができる。以下、本発明について詳細に説明する。成膜用塗布剤本発明の化合物半導体膜の成膜用塗布剤は、前記化合物半導体膜のすべての構成金属元素を含む少なくとも1種の金属単体及び/又は金属化合物Aと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含むものである。本発明の化合物半導体膜の成膜用塗布剤は、下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iからなる化合物半導体膜の成膜用塗布剤に好ましく適用できる化合物半導体膜は不可避不純物を含むことができる。。LMX2ここで、Lは少なくとも1種のIB族元素、Mは少なくとも1種のIIIB族、Xは少なくとも1種のVIB族を各々示す。i高い光電変換効率が得られることから、成膜される化合物半導体膜は、下記一般式で表される少なくとも1種のカルコパイライト系化合物半導体iiからなることが好ましく、下記一般式で表される少なくとも1種の化合物半導体iiiからなることがより好ましい。L1M1X12ここで、L1はCu,Ag,及びAuからなる群より選ばれた少なくとも1種のIB族元素、M1はAl,Ga,及びInからなる群より選ばれた少なくとも1種のIIIB族、X1はS,Se,及びTeからなる群より選ばれた少なくとも1種のVIB族を各々示す。iiL2M2X22ここで、L2はCuを含む少なくとも1種のIB族元素、M2はGa及び/又はInを含む少なくとも1種のIIIB族、X2はSeを含む少なくとも1種のVIB族を各々示す。iii化合物半導体iiiとしては、CuInSe2CIS、及びCuIn,GaSe2CIGS等が挙げられる。これらCIGS系はバンドギャップが整合しており、かつ光吸収係数が高く、薄膜で高光電変換効率を得ることができる。<成分A>金属単体及び/又は金属化合物Aは、成膜する化合物半導体膜の組成に応じて、選定される。金属化合物としては、ハロゲン化金属塩等の各種金属塩が挙げられる。ΙB族金属塩及びΙΙΙB族金属塩は、金属カチオンとアミン溶媒Bとが錯体を形成してアミン溶媒Bに可溶化する。VΙB族金属塩は、アミン溶媒Bと反応して有機VΙB族化合物となって、アミン類に可溶化する。ここで、金属塩は金属単体又は金属塩を意味している。例えば、CIGS用であれば、金属単体及び/又は金属化合物Aとして、ハロゲン化銅とハロゲン化インジウムとハロゲン化ガリウムとセレンとを用いることができる。<成分B>本発明で用いるアミン溶媒Bは、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した1種又は2種以上の化合物である。用いるアミン溶媒Bとしては特に制限されず、下記化学式1及び化学式2で表されるものが挙げられる。化学式1R1R2R3N式中、R1~R3はそれぞれ、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基直鎖の一部に不飽和結合を有していてもよい。、又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。R1~R3のうち複数が、窒素原子と結合した炭素原子を共有して一体的に置換基を形成していてもよいし、環を形成していてもよい。焼成時における有機物の分解によるボイドの発生が抑制され、炭素残存量の少ない膜、好ましくは炭素残存量の検出限界以下の膜が得られることから、用いるアミン溶媒は炭素数が少ない方が好ましい。具体的には、アミン溶媒としては炭素数18以下が好ましい。上記化学式1で表される炭素数18以下のアミン溶媒としては、CnH2n1NH2n=1~18、及びこれらの直鎖の一部に不飽和結合が導入されたもの例えばオレイルアミン等などの1級アミン;CnH2n12NHn=1~18、かつ、総炭素数が1~18、及びこれらの直鎖の一部に不飽和結合が導入されたものなどの2級アミン;CnH2n13Nn=1~18、かつ、総炭素数が1~18、及びこれらの直鎖の一部に不飽和結合が導入されたものなどの3級アミンが挙げられる。1~3級アミン以外の上記化学式1で表される炭素数18以下のアミン溶媒としては、ピペリジンC5H11N、及びピリジンC5H5N等が挙げられる。上記例示の中でも炭素数は少ない方が好ましく、炭素数5以下のアミンが特に好ましく、低級アミンがより好ましい。低級アミンは、炭素数5以下の1~3級アミンである。化学式2NR1R2R3NR4nR5式中、R1~R5はそれぞれ水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基直鎖の一部に不飽和結合を有していてもよい。、置換基を有していてもよいアリール基を表す。R1とR4あるいはR2とR5は、窒素原子と結合した炭素原子を共有して一体的に置換基を形成していてもよいし、環を形成していてもよい。nは1以上の整数を表す。化学式1で説明したように、焼成時における有機物の分解によるボイドの発生が抑制され、炭素残存量の少ない膜、好ましくは炭素残存量の検出限界以下の膜が得られることから、用いるアミン溶媒は炭素数が少ない方が好ましく、炭素数18以下がより好ましい。上記化学式2で表される炭素数18以下のアミン溶媒としては、エチレンジアミンNH2CH2CH2NH2、ポリエチレンアミン、及び1,4-ジアザビシクロ2.2.2オクタンC6H12N2、DABCO等が挙げられる。上記例示の中でも炭素数は少ない方が好ましく、炭素数5以下のアミンが特に好ましい。<任意成分>本発明の成膜用塗布剤は、本発明の効果を損なわない範囲において、pH調整剤、あるいは分散剤等の上記必須成分以外の任意成分を含んでいてもよい。本発明の成膜用塗布剤は、カルコパイライト系化合物半導体膜以外の任意の化合物半導体膜の成膜用塗布剤に適用可能である。本発明の成膜用塗布剤は例えば、Cd,Zn,Pb,Ag,Sb,及びBiからなる群より選ばれた少なくとも1種と、S,Se,及びTeからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むカルコゲニドからなる化合物半導体膜の成膜用塗布剤に適用可能である。具体的には、Cd,Zn,Pb,Ag,Sb,及びBiからなる群より選ばれた少なくとも1種の硫化物、Pbのセレン化物、Cdのテルル化物等が挙げられる。本発明の成膜用塗布剤は例えば、Zn,Ga,In,及びCdからなる群より選ばれた少なくとも1種と、P及びAsからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含む化合物半導体膜の成膜用塗布剤に適用可能である。具体的には、Zn,Ga,In,及びCdからなる群より選ばれた少なくとも1種のリン化物、及びGaの砒素化物等が挙げられる。成膜用塗布剤の製造方法本発明の上記のカルコパイライト系化合物半導体膜用の成膜用塗布剤の製造方法は、少なくとも1種のIB族元素Lを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物ALと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IB-Sを調製する工程1-1と、少なくとも1種のIIIB族元素Mを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AMと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液IIIB-Sを調製する工程1-2と、少なくとも1種のVIB族元素Xを含む少なくとも1種の金属単体又は金属化合物AXと、アンモニアの水素原子を炭化水素基で1つ以上置換した少なくとも1種のアミン溶媒Bとを含む溶液VIB-Sを調製する工程1-3と、溶液IB-S、溶液IIIB-S、及び溶液VIB-Sを混合する工程1-4とを有するものである。工程1-1~1-3はそれぞれ、各工程で用いる少なくとも1種の金属単体又は金属化合物と少なくとも1種のアミン溶媒Bとを配合し、得られた液を電磁波照射下で加熱して上記溶液を得る工程であることが好ましい。本発明者は、各溶液を調製する際に電磁波照射と加熱とを実施することで、反応時間を短縮して、金属単体又は金属化合物Aがアミン溶媒Bに良好に可溶化した溶液が得られることを見出している。後記実施例1では、わずか10分間で良好に可溶化した溶液が得られている。工程1-1~1-3は、電磁波照射が可能な合成装置を用いて実施することができる。工程1-1~1-3の加熱温度は特に制限なく、用いる金属単体及び/又は金属化合物Aによって異なり、工程毎に適切な温度は異なる。工程1-1~1-3の加熱温度は、70~250°Cの範囲内であることが好ましい。電磁波照射条件は特に制限なく、後記実施例1では2.45GHzで400Wの条件として、金属単体及び/又は金属化合物Aがアミン溶媒Bに良好に可溶化した溶液が得られている。例えば、CIGS用であれば、金属単体及び/又は金属化合物Aとして、ハロゲン化銅とハロゲン化インジウムとハロゲン化ガリウムとセレンとを用いることができることを述べた。この場合、ハロゲン化銅、ハロゲン化インジウム、及びハロゲン化ガリウムについては、加熱温度は70~250°Cが好ましく、セレンについては、加熱温度は210~250°Cが好ましい。カルコパイライト系化合物半導体膜の成膜用塗布剤の溶媒として、アミン溶媒Bを用いることは、過去に報告がなく新規である。特にセレン及びその化合物は溶媒への可溶化が難しく、可溶化自体ほとんど報告がない。背景技術の項で挙げた非特許文献1はセレン及びその化合物を用いておらず、ヒドラジンを用いた非特許文献2がある程度である。背景技術の項で挙げた非特許文献3では、エチレンジアミンを用いたCIS及びCIGSナノ粒子の合成が報告されているが、オートクレーブを用いた高温高圧条件での反応ソルボサーマル法である。非特許文献3に示されるように、従来は、セレン及びその化合物はアミン溶媒への可溶化が難しく、オートクレーブ等を用いた高温高圧条件が必須というのが当業者の常識であった。そのため、アミン溶媒をカルコパイライト系化合物半導体膜等の成膜に適用することは難しいと考えられていた。実際、非特許文献3には液相成膜への適用について言及されていない。上記したように、ナノ粒子の合成でエチレンジアミンを用いた例は一応報告されているが、その他のアミン溶媒を用いたセレン及びその化合物の可溶化の例は報告されていない。特に炭素数1~5の低級アミンは沸点が低いため、セレン及びその化合物の可溶化剤として用いられた報告はない。本発明者は、炭素数1~5の低級アミンを用いてはじめてセレン及びその化合物の可溶化に成功している。上記のように、本発明者は、種々の溶媒に対して実験を繰り返した結果、アミン溶媒B、好ましくは炭素数1~5のアミン、特に好ましくは炭素数1~5の低級アミンを用いることで、セレン及びその化合物が可溶化することを見出している。さらに、その際、加熱と共に電磁波照射を行うことで、非特許文献3のような高温高圧条件とすることなく、実用的な条件で可溶化できることを見出している。本発明者はまた、アミン溶媒B、好ましくは炭素数1~5のアミン、特に好ましくは炭素数1~5の低級アミンを用いた塗布剤を用いることで、焼成工程において良好な結晶成長が起こると共に、有機物の分解によるボイドの発生が少なく、残留炭素量が低減され、結晶性が良く緻密な膜が得られることを見出している。従来、電磁波を用いて溶媒中で化学反応を行うことができること自体は知られている例えば背景技術の項に挙げた特許文献1等。しかしながら、沸点が低いアミンにセレンあるいはその化合物を溶解させた例は報告されていない。以上説明したように、本発明によれば、毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することができる。本発明によれば、実用的な反応時間で毒性の高い化合物を用いることなく、結晶性が良く緻密な膜構造を得ることが可能な、前駆体を用いたカルコパイライト系等の化合物半導体膜の成膜用塗布剤とその製造方法を提供することができる。化合物半導体膜とその製造方法本発明の化合物半導体膜は、上記の本発明の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有する製造方法により製造されたものである。本発明の化合物半導体膜の製造方法は、上記の本発明の成膜用塗布剤を用意する工程1と、基板上に、前記成膜用塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程2と、前記塗布膜を焼成する工程3とを順次有するものである。<工程1>工程1において、成膜用塗布剤の複数の構成成分を配合して、成膜用塗布剤を調製することができる。カルコパイライト系化合物半導体膜用の塗布剤の製造方法については、上記したので、ここでの説明は省略する。<工程2>工程2は、基板上に工程1で用意した塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程である。塗布剤の塗布法としては特に制限されず、スプレーコーティング法、キャスト法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、アプリケータやブロックコーターで塗工する塗工法、凹版印刷法、凸版印刷法、平版印刷法、グラビア印刷法、及びフレキソ印刷法等の各種塗布法が挙げられる。<工程3>工程3は工程2で得られた塗布膜を焼成する工程3である。この工程では、化合物半導体が合成されて結晶核が生成された後、結晶粒成長が起こる。焼成温度は、塗布剤の組成等により、特に制限されない。焼成温度は塗布剤の組成により特に制限されず、カルコパイライト系であれば、400~800°Cの範囲内が好ましく、より好ましくは450~650°Cの範囲内である。焼成雰囲気は特に制限されず、カルコパイライト系であれば、カルコパイライト化合物の酸化を抑制するという観点で、窒素及びアルゴン等の不活性ガス、水素あるいは水素と不活性ガスとの混合ガス、あるいはI-III-VI族カルコパイライト化合物と同種のVI族元素ガスを用いることが好ましい。焼成工程3は加熱温度を変えて複数段階で実施してもよい。ここで言う複数段階の焼成工程には、本焼成前の仮焼成工程、及び本焼成後のアニール工程も含むものとする。以上のようにして、本発明の化合物半導体膜が製造される。本発明の化合物半導体膜は、全体の組成が均一でもよいし、厚み方向に組成分布を有しても構わない。例えば、塗布剤の組成を変えて、工程1~工程3を繰り返すことで、厚み方向に組成分布を有する化合物半導体膜が得られる。I-III-VI族カルコパイライト系化合物においては、III族元素によって、バンドギャップを制御できることが知られている。例えば、CuInSe2のバンドギャップは約1.0eVであり、CuGaSe2のバンドギャップは約1.65eVである。III族元素としてInとGaの双方を用いたCIGS等の混晶系では、InとGaの複合比を変えることでバンドギャップを変えることができる。しかしながら、InとGaの複合比が異なる界面はバンドの不整合による再結合が行われ、キャリアの失活につながり好ましくない。このため、CIGS膜の場合、厚み方向のIn/InGa=x±0.10<x<1に収めることが好ましい。本発明の化合物半導体膜は前駆体を用いた液相法で製造されたものであるので、真空成膜を必要とする気相法に比較して低コストである。本発明の化合物半導体膜は上記の本発明の塗布剤を用いて製造されたものであるので、結晶性が良く緻密な膜構造を有するものとなる。結晶性が良く緻密な膜構造を有する本発明のカルコパイライト系化合物半導体膜は、光電変換素子の光吸収層として用いた場合に高効率な素子が得られることが期待される。光電変換素子次に図面を参照して、上記の本発明のカルコパイライト系化合物半導体膜を光吸収層光電変換層として備えた光電変換素子の一実施形態について説明する。図1は断面図であり、視認しやすくするため、各層の縮尺等は実際のものは適宜異ならせてある。本実施形態の光電変換素子10は、基板11上に、裏面電極層12、光吸収層p型半導体層13、バッファ層n型半導体層14、透光性高抵抗層15、透光性電極層16とが順次積層されたものである。透光性高抵抗層15は必要に応じて設けられる層であり、必須なものではない。光電変換素子1においては必要に応じて、裏面電極層12及び透光性電極層16上に取出し電極17、18を設けられる。光電変換素子10では、p型半導体とn型半導体との界面に光が照射されたときに電子及びホールが生成することで、光から電気への変換が起きる。基板11の種類は限定されるものはなくガラス基板が一般的に使用される。また、光電変換素子10にフレキシブル性を付与することを目的として、PETポリエチレンテレフタレートやポリイミド等の樹脂フィルム、アルミやステンレス等の金属箔等のフレキシブル基板を用いてもよい。アルミやステンレス等の金属箔を用いる場合には、基板表面に絶縁膜が必要である。CIGS系等では、光吸収層の成膜時に基板側からNa等のアルカリ金属及び/又はMg等のアルカリ土類金属が供給されると、膜の結晶性が良くなり、光電変換効率が向上することが知られている。青板ガラス等のNaを含む基板を使用したり、Naを含まない上述の基板と光吸収層13との間にハロゲン化ナトリウム等のアルカリ土類金属供給層を公知の方法で形成してもよい。裏面電極層12には、光吸収層13とオーミック接触が取れるものであれば公知の材料を適用することができる。そのような材料として、金、モリブデン、ニッケル、チタン、タンタル、及びこれらの組合わせ等が挙げられ、その中でも安価で入手容易などの理由からモリブデン等が好ましく適用される。また、裏面電極層12の成膜方法としては公知の方法が適用でき、スパッタ法、加熱蒸着法、電解メッキ法、及び無電解メッキ法等が適用できる。光吸収層13は、上記の本発明のカルコパイライト系化合物半導体膜からなるp型半導体層である。光吸収層13の膜厚は厚い方が光吸収を増加できるためキャリアを多く発生することができ、好ましい。一方で、p型半導体層は抵抗成分としても働くため、発生キャリアの効率的な取出しという観点からは膜厚が薄い方が好ましい。両者を加味すると、光吸収層13の膜厚は0.5~10μmであることが好ましく、1~5μmであることがより好ましく、1.5~3μmであることがさらに好ましい。光吸収層13上に形成されるバッファ層14は、n型半導体層である。バッファ層14の材料としては、II-VI族化合物及び/又はIII-VI族化合物等が主に適用される。例えば、CdS,O、ZnS,O、InS,O、及びInSe等が公知の物質として適用される。また、これらの化合物中は水酸化物等を微量含んでいてもよい。バッファ層14は、化学浴析出法CBD法:ChemicalBathDeposition法、及びスパッタ法等で形成できる。例えば、CdSの場合、カドミウム塩例えば、ヨウ化カドミウムと硫黄含有化合物例えば、チオ尿素とを含む水溶液を硫黄が解離するpHに調整して、CdSが析出する温度で、光吸収層13が形成された基板11を浸漬することでバッファ層14を堆積することができる。バッファ層14にピンホールのような孔が存在すると、それを介して電流がリークするため好ましくない。一方、バッファ層14の膜厚が厚いときには光の透過率が低下するためキャリアの発生数の低下を招き、また直列抵抗成分の増大に繋がることから発生したキャリアが伝送する際のロスの増加に繋がる。両者を加味すると、バッファ層14の膜厚は1~300nmであることが好ましく、より好ましくは10~200nmであり、さらに好ましくは20~150nmである。上記のバッファ層14中のピンホールを介したリーク電流を抑制するために、バッファ層14上に必要に応じて高抵抗膜15を導入することができる。高抵抗膜15の材料としてはZnO等が挙げられる。ただし、高抵抗膜の膜厚が厚いときは直列抵抗成分の増大によるキャリア伝送の際のロスに繋がるため、その膜厚は100nm以下であることが好ましい。透光性電極層16の材料としては、光の透過率が高く、抵抗が低いものが適用される。このような材料としては、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、フッ素ドープ酸化スズFTO、あるいは各種金属をドープした酸化亜鉛ZnO等が好適な例として挙げられる。酸化亜鉛のドープ元素としては、ガリウム、アルミニウム、ホウ素、ケイ素、スズ、インジウム、ゲルマニウム、アンチモン、イリジウム、レニウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、及びランタノイドが挙げられ、これらの少なくとも1種以上を0.05~15モルドープすることができる。透光性電極層16の膜厚が厚いときには光の透過率が低下するためキャリアの発生数の低下を招くため好ましくない。一方、膜厚が薄いときには取出し電極18までの抵抗成分が大きくなるためキャリア伝送時のロスに繋がるため好ましくない。両者を加味すると、透光性電極層16の膜厚は10~1000nmであることが好ましく、より好ましくは100~700nmであり、さらに好ましくは200~500nmである。透光性電極層16の成膜方法は公知の技術が適用でき、例えばスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、イオン化蒸着法、レーザーアブレーション法、アークプラズマ蒸着法、熱CVD法、プラズマCVD法、MOCVD法、スプレー熱分解法、ゾルゲル法、無電解めっき法、電解めっき法、塗布焼成法、エアロゾルデポジション法、及び微粒子塗布法等が適用できる。光電変換素子10内で生成したキャリアを外部回路に取り出す際の接触抵抗を低減させる目的で、裏面電極層12及び透光性電極層16上に取出し電極17,18を設置してもよい。取出し電極17/18は裏面電極層12/透光性電極16とオーミック接合を取れる抵抗が低いものであれば制限はなく、例えば金、あるいはアルミニウム等をスパッタ法や蒸着法で堆積することで形成できる。本実施形態の光電変換素子10は必要に応じて、上記以外の任意の層を備えることができる。本実施形態の光電変換素子10は、上記の本発明の化合物半導体膜を光吸収層13として用いたものであるので、低コストで製造でき、光電変換効率の向上を図ることが可能なものである。光電変換素子1は、カバーガラス及び保護フィルム等を付けて、太陽電池として利用することができる。以下、本発明に係る実施例について説明する。実施例1<塗布剤の調製>5ml容器にマグネティック撹拌子を入れた後、系内をアルゴン雰囲気にした。その後、この容器内に50mg0.5mmolの塩化銅Iと3.7g5mmolのブチルアミンとを加え、電磁波照射及び加熱が可能な合成装置Biotage社製Initiatorを用い、2.45GHzで400W出力の電磁波照射下、150°Cで10分間加熱して、塩化銅Iのブチルアミン溶液を得た。同様の手法にて、111mg0.5mmolの塩化インジウムと3.7g5mmolのブチルアミンとを、電磁波照射下、100°Cで10分間加熱して、塩化インジウムのブチルアミン溶液を得た。同様の手法にて、225mg0.5mmolのヨウ化ガリウムと3.7g5mmolのブチルアミンとを、電磁波照射下、70°Cで10分間加熱して、ヨウ化ガリウムのブチルアミン溶液を得た。同様の手法にて、40mg0.5mmolのセレンと3.7g5mmolのブチルアミンとを、電磁波照射下、220°Cで10分間加熱して、セレンのブチルアミン溶液を得た。いずれも昇温速度は2~5°C/秒であった。いずれも、金属単体又は金属塩が良好に溶解したアミン溶液が得られた。アミン溶液調製の際の圧力はいずれも、2MPa、290PSであった。得られた塩化銅I、塩化インジウム、ヨウ化ガリウム、及びセレンの各ブチルアミン溶液を、それぞれブチルアミンで10倍に希釈して0.01Nの溶液に調整した。次に、0.01Nの塩化銅I、塩化インジウム、ヨウ化ガリウム、及びセレンのブチルアミン溶液を、それぞれ1.0ml、0.8ml、0.2ml、2.0ml取得して混合し、塗布剤を調製した。塗布剤の金属元素の組成比モル比は、Cu:In:Ga:Se=1.0:0.8:0.2:2.0である。<光電変換素子の製造>ソーダライムガラス基板を用意し、この上に、純度が3Nのモリブデン豊島製作所社製をターゲットとして、RFスパッタ法にて厚み500nm、2.3cm2の裏面電極層12を成膜した。次に、上記で得られた塗布剤を1.5ml取得して、これを上記裏面電極層12上にキャスト成膜して、塗布膜を形成した。この基板を加熱炉内に入れ、窒素雰囲気下、昇温速度1100°C/hで575°Cまで昇温した後、1時間保持する焼成を実施して、CIGS光吸収層13を形成した。<分析>得られたCIGS光吸収層13のXRD分析を実施した。XRDパターンを図2に示す。得られたCIGS光吸収層13は、カルコパイライト型のCIGS膜であることが確認された。エネルギー分散型X線分析にて膜組成を分析した。得られたCIGS光吸収層13の金属元素の組成比モル比は、Cu:In:Ga:Se=1.1:0.7:0.2:2.0であった。得られたCIGS光吸収層13の走査電子顕微鏡SEM観察を実施した。SEMの表面写真及び断面写真を図3A及び図3Bにそれぞれ示す。SEM観察により、結晶粒成長と緻密化が認められた。溶媒としてアミンを用いて、実施例1と同様の条件で電磁波照射及び加熱が可能な合成装置を用いてCIGS粒子を製造し、組成分析により、粒子に含まれる炭素量を測定した。用いた溶媒と粒子に含まれる炭素量は以下の通りであった。いずれのCIGS粒子も含炭素量が少なく、実施例1と同様に薄膜化及び焼成した場合には、得られる光吸収層の含炭素量は0.2質量以下になると予想される。本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、適宜変更が可能である。"