"基板の上に形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、前記第2の半導体層の上に前記ゲート電極を挟んで対向するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層の上における前記ゲート電極と前記ソース電極との間及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に形成され、複数の金属膜が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜と、前記ゲート電極及び複数の前記金属膜の上方に配置された第1のミラーと、前記基板の下に形成された第2のミラーとを備えていることを特徴とするテラヘルツ波素子。前記第1のミラーと前記第2のミラーとの間隔が、光学半波長の整数倍であることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波素子。前記第1のミラーは、格子状に配置された複数のミラー部を有し、前記ミラー部は、金属膜であることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波素子。前記第2の半導体層及び前記第1の半導体層を貫通して前記基板中に到達し、且つ、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との界面に形成される2次元電子チャネル層を囲むように形成された側壁膜をさらに備え、前記側壁膜は、金属膜であることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波素子。前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との界面に形成される2次元電子チャネル層を囲むように、前記第2の半導体層及び前記第1の半導体層を貫通して前記基板中に到達する側壁孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波素子。しかしながら、従来のテラヘルツ波素子では、以下に示す問題がある。従来のテラヘルツ波素子は、図4に示すように、2重回折格子型ゲート電極404、言い換えれば、電極G1及び電極G2が周期的に配置された周期構造グレーティング,Gratingを有している。テラヘルツ波とグレーティングの偏波との関係を考慮すると、周期構造グレーティングの長手方向と直交する偏波のテラヘルツ波が発生する。発生したテラヘルツ波は、周期構造グレーティングに反射されることなく、ほぼ全透過され、外部に出射される。このため、テラヘルツ波のスペクトル幅は広帯域化され、単色性が悪いという問題がある。前記に鑑み、本発明の目的は、テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射することである。前記の目的を達成するため、本発明に係るテラヘルツ波素子は、基板の上に形成された第1の半導体層と、第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、第2の半導体層の上にゲート電極を挟んで対向するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、第2の半導体層の上におけるゲート電極とソース電極との間及びゲート電極とドレイン電極との間に形成され、複数の金属膜が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜と、ゲート電極及び複数の金属膜の上方に配置された第1のミラーと、基板の下に形成された第2のミラーとを備えている。本発明に係るテラヘルツ波素子によると、ソース電極とゲート電極との間及びゲート電極とドレイン電極との間に、複数の金属膜が周期的に配置されている。言い換えれば、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極の各々と金属膜との間、並びに互いに隣り合う金属膜同士の間に、底面に第2の半導体層を露出させる開口部が周期的に配置されている。これにより、テラヘルツ波を効率良く出射させることができる。従って、高効率なテラヘルツ波素子を実現できる。さらに、ゲート電極及び周期金属膜の上方に、第1のミラーを配置する一方、基板の下に第2のミラーを形成する。これにより、対向する第1のミラー及び第2のミラーを有する共振器構造を形成することができる。共振器構造によってテラヘルツ波特に、第1のミラー又は第2のミラーの鏡面に向かって放射されたテラヘルツ波を光学的に閉じ込めることができ、共振モードによって決定される周波数を持つテラヘルツ波が増強される。従って、テラヘルツ波素子から出射されるテラヘルツ波のスペクトル幅を狭帯域化し、単色性を良くすることができる。以上のように、本発明に係るテラヘルツ波素子は、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射することができる。本発明に係るテラヘルツ波素子において、第1のミラーと第2のミラーとの間隔が、光学半波長の整数倍であることが好ましい。第1のミラーと第2のミラーとの間隔Lを、光学半波長λ/2の整数倍にするL=nλ/2,但しnは1以上の整数、λは光学波長ことにより、第1のミラーと第2のミラーとの間、即ち、共振器構造内に、テラヘルツ波の定在波を発生させることができ、共振器構造内に存在し得るテラヘルツ波の波長が限定される。従って、テラヘルツ波素子から出射されるテラヘルツ波の単色性をより良くすることができる。本発明に係るテラヘルツ波素子において、第1のミラーは、格子状に配置された複数のミラー部を有し、ミラー部は、金属膜であることが好ましい。このように金属膜である複数のミラー部を格子状に配置することにより、第1のミラーの反射率を自在に制御することができ、より高効率なテラヘルツ波素子を実現できる。本発明に係るテラヘルツ波素子において、第2の半導体層及び第1の半導体層を貫通して基板中に到達し、且つ、第1の半導体層と第2の半導体層との界面に形成される2次元電子チャネル層を囲むように形成された側壁膜をさらに備え、側壁膜は、金属膜であることが好ましい。このようにすると、2次元電子チャネル層を囲む側壁膜を形成することができる。これにより、テラヘルツ波素子の側面に向かって放射されたテラヘルツ波を閉じ込める閉じ込め構造を形成することができ、より高効率なテラヘルツ波素子を実現できる。本発明に係るテラヘルツ波素子において、第1の半導体層と第2の半導体層との界面に形成される2次元電子チャネル層を囲むように、第2の半導体層及び第1の半導体層を貫通して基板中に到達する側壁孔が形成されていることが好ましい。このようにすると、2次元電子チャネル層を囲む側壁孔を配置することができる。これにより、テラヘルツ波素子の側面に向かって放射されたテラヘルツ波を閉じ込める閉じ込め構造を形成することができ、より高効率なテラヘルツ波素子を実現できる。本発明に係るテラヘルツ波素子によると、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射することができる。以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態は、本発明の単なる例示形態に過ぎず、本発明は、これらに限定されるものではない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の変形又は変更が可能であり、該変形例及び該変更例も本発明の範囲内に含まれる。図面において、各構成要素は、図示に適した寸法比率で図示されており、図示した寸法比率は、実際の寸法比率とは異なる場合がある。一実施形態以下に、本発明の一実施形態に係るテラヘルツ波素子について、図1及びを参照しながら説明する。図1及びは、本実施形態に係るテラヘルツ波素子の構造を示す図であり、図1は平面図であり、図1は図1に示すIbIb線における断面図である。なお、図1において、樹脂膜110の図示を省略している。本実施形態に係るテラヘルツ波素子100は、電界効果トランジスタを備え、チャネル電子のプラズモン共鳴を利用して、テラヘルツ波を発生又は検出することができる。電界効果トランジスタは、バッファ層102と電子供給層104との界面に形成される2次元電子チャネル層103、ゲート絶縁膜105、ゲート電極106、ソース電極107及びドレイン電極108を有している。図1に示すように、高抵抗な基板101の上には、バッファ層102及び電子供給層104が順次形成されている。例えば、基板101はサファイア基板であり、バッファ層102はGaNからなり、電子供給層104はAl040Ga060Nからなる。バッファ層102と電子供給層104との界面には、2次元電子チャネル層103が形成されている。2次元電子チャネル層103は、次のようにして形成される。例えばエピタキシャル成長により、バッファ層102及び電子供給層104を順次形成すると、バッファ層102と電子供給層110との界面に、自発分極又はピエゾ分極によって高濃度の二次元電子ガス2DEGが発生する。この二次元電子ガスの周縁部を、例えばイオン注入により、選択的に高抵抗化不活性化する。これにより、図1及びに示すような2次元電子チャネル層103が形成される。即ち、電界効果トランジスタ領域に、2次元電子チャネル層103が形成される。電界効果トランジスタ領域とは、電界効果トランジスタとして機能する領域をいう。電子供給層104の上には、ゲート絶縁膜105を介して、ゲート電極106が形成されている。電子供給層104の上には、ゲート電極106を挟んで対向するように、ソース電極107及びドレイン電極108が形成されている。ゲート電極106とソース電極107との間隔とゲート電極106とドレイン電極108との間隔とは、例えば、互いに同一である。ゲート電極106、ソース電極107及びドレイン電極108は、それぞれ、図1に示すように、第1の方向図1の紙面の縦方向に沿って延びている。ゲート電極106は、例えばチタンTi膜、アルミニウムAl膜及びTi膜が順次積層された積層構造Ti/Al/Tiを有している。ソース電極107及びドレイン電極108は、それぞれ、Ti膜、Al膜及びTi膜が順次積層された積層構造Ti/Al/Tiを有している。ソース電極107及びドレイン電極108は、次のようにして形成される。例えばスパッタリングにより、電子供給層104の上に、Ti膜、Al膜及びTi膜を順次形成した後、熱処理により、電子供給層104とTi膜との界面に、オーミック接合を形成する。これにより、電子供給層104とソース電極107及びドレイン電極108とをオーミック接触させる。電子供給層104の上におけるゲート電極106とソース電極107との間には、ゲート絶縁膜105を介して、複数例えば4つの金属膜109が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜109Aが形成されている。電子供給層104の上におけるゲート電極106とドレイン電極108との間には、ゲート絶縁膜105を介して、複数例えば4つの金属膜109が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜109Bが形成されている。複数例えば8つの金属膜109は、それぞれ、図1に示すように、第1の方向図1の紙面の縦方向、即ち、ゲート電極106、ソース電極107及びドレイン電極108のそれぞれが延びる方向に沿って延びている。ゲート絶縁膜105の上には、ゲート電極106及び複数の金属膜109を覆うように、樹脂膜110が形成されている。樹脂膜110の上には、上面ミラー111が形成されている。基板101の下には、下面ミラー112が形成されている。上面ミラー111は、図1に示すように、格子状例えば4×4に配置された複数のミラー部111xを有している。ミラー部111xは、例えば金Au、銀Ag、アルミニウムAl又は白金Pt等の金属からなる金属膜であることが好ましい。金属膜である複数のミラー部111xを格子状に配置することにより、上面ミラー111の反射率を自在に制御することができる。下面ミラー112は、例えばAu、Ag、Al、Pt等の金属からなる金属膜であることが好ましい。これにより、下面ミラー112を、高反射率のミラーとして機能させることができる。上面ミラー111と下面ミラー112との間隔Lは、光学半波長の整数倍であるL=nλ/2,但し、nは1以上の整数、λは光学波長であることが好ましい。光学波長は、例えば、放射されるテラヘルツ波の波長に応じて設定される。基板101は、テラヘルツ波の吸収係数が小さい基板であることが好ましい。テラヘルツ波の吸収係数が小さい基板として、例えば、シリコン基板が挙げられる。テラヘルツ波の吸収係数が小さい基板101を用いることにより、放射されたテラヘルツ波を減衰させることなく、テラヘルツ波素子100から出射させることができる。さらに、テラヘルツ波を基板101側から出射させることも可能である。以下に、本実施形態に係るテラヘルツ波素子100の基本的な動作について説明する。ソース電極107とドレイン電極108との間に電圧を印加すると、2次元電子チャネル層103を介して電流が流れる。2次元電子チャネル層103に電流が流れると、プラズマ波が電流に重畳するように誘起される。ゲート電極106の両側面でのプラズマ波の反射により、プラズマ波の不安定性が生じ、テラヘルツ帯のプラズモン共鳴が誘起される。このプラズマ波は、2次元電子チャネル層103中を伝搬する縦波であり、プラズマ波自体は、外部に放射されない非放射場である。なお、ゲート電極106の両側面とは、ゲート電極106のゲート長方向の両側面、言い換えれば、ゲート電極106におけるソース電極107と対向する側面及びゲート電極106におけるドレイン電極108と対向する側面をいう。本実施形態に係るテラヘルツ波素子100では、図1及びに示すように、ゲート電極106とソース電極107との間に、周期構造を有する周期金属膜109Aが形成され、且つ、ゲート電極106とドレイン電極108との間に、周期構造を有する周期金属膜109Bが形成されている。これにより、非放射場であるテラヘルツ帯のプラズマ波を、空間を伝搬することが可能な電磁波と結合し、放射場であるテラヘルツ帯の電磁波テラヘルツ波に変換して放射することができる。プラズモン共鳴の周波数frは、ゲート長をLg、ゲート補正係数をβ、プラズマ波の速度をs、2次元電子チャネル層103における電子の有効質量をm、スイング電圧をVs=Vgs-Vthとすると、下記に示す数式1で表される。上記に示す数式1から判るように、プラズモン共鳴の周波数frは、ゲート長Lgによって決定される。よって、ゲート電極106のゲート長Lgは、テラヘルツ帯に、プラズモン共鳴の周波数frを有するように設定される。言い換えれば、ゲート電極106のゲート長Lgは、テラヘルツ帯で、プラズモン共鳴が発生するように設定される。周期金属膜109A,109Bの周期Λは、下記の数式2で表される。但し、sはプラズマ波の速度、fは電磁波の周波数、mは次数である。複数の金属膜109が配置される周期Λが、上記に示す数式2を満たすことにより、所望の周波数fを持つ電磁波を放射させることが可能となる。具体的には例えば、周期金属膜109A,109Bの周期Λを1μm、プラズマ波の速度sを1×106m/s、次数mを1とすると、周波数fは1THzとなる。よって、周期金属膜109A,109Bの周期Λを1μm以下にすることで、1THz以上の電磁波、即ち、テラヘルツ波を放射させることが可能となる。なお、本実施形態では、1次モード基本モード,次数m=1とし、1THzのテラヘルツ波を放射する例を示したが、高次モード次数m=2以上の自然数としてもよい。この場合、周期金属膜109A,109Bの周期Λを1μm、プラズマ波の速度sを1×106m/sとすると、周波数fは2THzとなり、2THzのテラヘルツ波を放射することができる。しかしながら、高次モードの場合、基本モードの場合に比べて、テラヘルツ帯のプラズマ波と電磁波との結合効率が低いため、テラヘルツ波の放射効率が低くなる。なお、ゲート電極106の電圧を変化させることにより、二次元電子ガスの密度を変化させて、プラズマ波の速度sを制御して、テラヘルツ波の周波数fを制御することができる。本実施形態に係るテラヘルツ波素子100によると、ソース電極107とゲート電極106との間及びゲート電極106とドレイン電極108との間に、複数の金属膜109が周期的に配置されている。言い換えれば、ソース電極107、ゲート電極106及びドレイン電極108の各々と金属膜109との間、並びに互いに隣り合う金属膜109同士の間に、底面に電子供給層104を露出させる開口部が周期的に配置されている。これにより、テラヘルツ波を効率良く出射させることができる。従って、高効率なテラヘルツ波素子100を実現できる。さらに、ゲート電極106及び周期金属膜109A,109Bの上方に、上面ミラー111を配置する一方、基板101の下に下面ミラー112を形成する。これにより、対向する上面ミラー111及び下面ミラー112を有する共振器構造を形成することができる。共振器構造によってテラヘルツ波特に、上面ミラー111又は下面ミラー112の鏡面に向かって放射されたテラヘルツ波を光学的に閉じ込めることができ、共振モードによって決定される周波数を持つテラヘルツ波が増強される。従って、テラヘルツ波素子100から出射されるテラヘルツ波のスペクトル幅を狭帯域化し、単色性を良くすることができる。さらに、上面ミラー111と下面ミラー112との間隔Lを、光学半波長の整数倍にするL=nλ/2,但しnは1以上の整数、λは光学波長。これにより、上面ミラー111と下面ミラー112との間、即ち、共振器構造内に、テラヘルツ波の定在波を発生させることができ、共振器構造内に存在し得るテラヘルツ波の波長が限定される。従って、テラヘルツ波素子100から出射されるテラヘルツ波の単色性をより良くすることができる。以上説明したように、本実施形態に係るテラヘルツ波素子100は、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射することができる。よって、テラヘルツ波素子100を、残留物質分析装置及び非破壊検査装置等のセンシング装置、イメージング装置並びに通信装置等に利用可能である。具体的には例えば、電界効果トランジスタを2次元的に並列に配置することによって、テラヘルツ波を利用したイメージング装置等の小型化及び低コスト化が可能となる。一実施形態の第1の変形例以下に、本発明の一実施形態の第1の変形例に係るテラヘルツ波素子について、図2及びを参照しながら説明する。図2及びは、本変形例に係るテラヘルツ波素子の構造を示す図であり、図2は平面図であり、図2は図2に示すIIbIIb線における断面図である。図2及びにおいて、一実施形態と同様の構成要素には、図1及びに示す符号と同一の符号を付す。従って、本変形例では、一実施形態と共通する説明を適宜省略する。なお、図2において、樹脂膜110の図示を省略している。本変形例と一実施形態との相違点は、次の点である。本変形例に係るテラヘルツ波素子200は、図2及びに示すように、一実施形態と同様の構成要素を備え、さらに、側壁膜213を備えている。側壁膜213は、図2に示すように、電子供給層104及びバッファ層102を貫通し、基板101中に到達している。側壁膜213は、図2に示すように、平面形状が環状であり、2次元電子チャネル層103を囲むように形成されている。側壁膜213は、例えば金Au、銀Ag、アルミニウムAl又は白金Pt等の金属からなる。本変形例に係るテラヘルツ波素子200によると、一実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、2次元電子チャネル層103を囲む側壁膜213を形成する。これにより、テラヘルツ波素子200の側面に向かって放射されたテラヘルツ波を閉じ込める閉じ込め構造を形成することができ、より高効率なテラヘルツ波素子200を実現できる。一実施形態の第2の変形例以下に、本発明の一実施形態の第2の変形例に係るテラヘルツ波素子について、図3及びを参照しながら説明する。図3及びは、本変形例に係るテラヘルツ波素子の構造を示す図であり、図3は平面図であり、図3は図3に示すIIIbIIIb線における断面図である。図3及びにおいて、一実施形態と同様の構成要素には、図1及びに示す符号と同一の符号を付す。従って、本変形例では、一実施形態と共通する説明を適宜省略する。なお、図3において、樹脂膜110の図示を省略している。本変形例と一実施形態との相違点は、次の点である。本変形例に係るテラヘルツ波素子300は、図3及びに示すように、一実施形態と同様の構成要素を備え、さらに、電子供給層104及びバッファ層102を貫通し基板101中に到達する側壁孔313が形成されている。側壁孔313は、図3に示すように、2次元電子チャネル層103を囲むように形成されている。本変形例に係るテラヘルツ波素子300によると、一実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、2次元電子チャネル層103を囲む側壁孔313を配置する。これにより、テラヘルツ波素子300の側面に向かって放射されたテラヘルツ波を閉じ込める閉じ込め構造を形成することができ、より高効率なテラヘルツ波素子300を実現できる。なお、一実施形態及びその第1,第2の変形例では、バッファ層102及び電子供給層104の材料が、GaN系材料である場合、具体的には、バッファ層102がGaNからなり、電子供給層104がAl040Ga060Nからなる場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、バッファ層102及び電子供給層104の材料が、InGaAs系材料又はInP系材料であってもよい。この場合も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、一実施形態及びその第1,第2の変形例では、電界効果トランジスタが、MISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorである場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、MESFETMetalSemiconductorFieldEffectTransistorであってもよい。この場合も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、一実施形態及びその第1,第2の変形例では、周期金属膜109A,109Bの周期が、1μmである場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。"