"順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置であって、基板に加熱処理を行う少なくとも1つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも1つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶し、前記基板を前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項1記載の基板処理装置において、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理装置。順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置であって、基板に加熱処理を行う少なくとも1つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも1つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送させて当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶した後、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。請求項3記載の基板処理装置において、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理装置。請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記加熱処理部は、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする基板処理装置。順次投入される基板を少なくとも1つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法であって、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。請求項6記載の基板処理方法において、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理方法。順次投入される基板を少なくとも1つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法であって、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送して当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。請求項8記載の基板処理方法において、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理方法。請求項6から請求項9のいずれかに記載の基板処理方法において、前記加熱工程では、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする基板処理方法。しかしながら、オーバーベークが許されない加熱ユニットの処理時間を最も長くするようにすると、装置全体としてのスループットの向上を抑制することとなる。また、処理フローにおいてその加熱ユニットよりも下流側にてトラブルが発生した場合には、当該加熱ユニットでの基板の滞留は避けられず、オーバーベークを完全に防止することは困難となる。一方、オーバーベークが許されない加熱ユニットに1対1で対応して専用の冷却機構を設けるようにすれば、処理フローにおいて当該加熱ユニットよりも下流側にてトラブルが発生したような場合であっても、専用冷却機構を用いて加熱処理後の基板を冷却することによりオーバーベークを防止することはできる。しかし、そのような専用冷却機構を設けるために装置のサイズが大型化するとともに、装置の製造コストも増大するという問題が生じる。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置において、基板に加熱処理を行う少なくとも1つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも1つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶し、前記基板を前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする。また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置において、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。また、請求項3の発明は、順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置において、基板に加熱処理を行う少なくとも1つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも1つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送させて当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶した後、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備えることを特徴とする。また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る基板処理装置において、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記加熱処理部は、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする。また、請求項6の発明は、順次投入される基板を少なくとも1つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法において、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備えることを特徴とする。また、請求項7の発明は、請求項6の発明に係る基板処理方法において、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。また、請求項8の発明は、順次投入される基板を少なくとも1つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法において、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送して当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記1つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備えることを特徴とする。また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る基板処理方法において、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。また、請求項10の発明は、請求項6から請求項9のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記加熱工程では、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする。請求項1から請求項5の発明によれば、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め予約済冷却処理部として記憶し、その基板をいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、その基板を加熱処理部から予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるため、加熱処理後の基板を直ちに予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を開始することができ、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる。また、請求項6から請求項10の発明によれば、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め予約済冷却処理部として記憶し、その基板をいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行い、その基板を加熱処理部から予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行うため、加熱処理後の基板を直ちに予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を開始することができ、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。まず、本発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置1の斜視図である。また、図2は、基板処理装置1における処理ユニットの配置構成を示す図である。なお、図1および図2にはそれらの方向関係を明確にするためZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。この基板処理装置1は、別途設置されている露光装置ステッパにて露光処理が終了した半導体ウェハー等の基板に対して現像処理を行う装置である。基板処理装置1にて処理対象となる基板には化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布形成されており、そのレジスト膜に露光装置にてエキシマレーザを用いたパターン露光が行われた後の基板Wが基板処理装置1に投入される。なお、本発明に係る基板処理装置1の処理対象となる基板Wは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。本実施形態の基板処理装置1は、インデクサ10、基板搬送部20、第1処理部群30および第2処理処理部群40を備える。平面視長尺形状の基板搬送部20は、その長手方向をY軸方向に沿わすように配置されている。基板搬送部20を挟み込むようにして装置正面側X側に第1処理部群30が設けられ、背面側-X側に第2処理部群40が設けられている。また、基板搬送部20の長手方向に沿った一端側-Y側にはインデクサ10が接続されている。インデクサ10は、装置外から受け取った未処理基板露光済み基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出する機能を有する。インデクサ10は、複数のキャリアC本実施形態では4個を並べて載置する載置台11と、各キャリアCから未処理の基板Wを取り出すとともに、各キャリアCに処理済みの基板Wを収納するインデクサロボット12と、を備えている。各キャリアCは、複数枚の基板Wを多段に収納する棚構造を有している。なお、本実施形態のキャリアCは収納基板Wを外気に曝すOCであるが、キャリアCの形態はこれに限定されるものではなく、基板Wを密閉空間に収納するFOUPやSMIFポッドであっても良い。インデクサロボット12は、4個のキャリアCの配列方向X軸方向に沿って水平移動可能であるとともに昇降Z軸方向移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。インデクサロボット12は、基板Wを水平姿勢基板Wの法線が鉛直方向に向く姿勢にて保持する保持アーム12aを搭載している。保持アーム12aは前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム12aは、X軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボット12は、保持アーム12aを個別に各キャリアCにアクセスさせて未処理の基板Wの取り出しおよび処理済みの基板Wの収納を行うとともに、保持アーム12aを基板搬送部20との基板受渡位置Pに移動させて搬送ロボット22との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。基板搬送部20は、Y軸方向に沿って延びる搬送路21に搬送ロボット22を配置している。搬送ロボット22は、搬送路21の長手方向Y軸方向に沿って水平移動可能であるとともに昇降Z軸方向移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台22bを備えている。可動台22bには、基板Wを水平姿勢で保持する2つの搬送アーム22a,22aが上下2段に近接されて搭載されている。搬送アーム22a,22aは、可動台22bに内蔵された駆動機構によって相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、搬送アーム22a,22aのそれぞれは、Y軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボット22は、2個の搬送アーム22a,22aをそれぞれ個別に第1処理部群30の処理ユニット、第2処理部群40の処理ユニットおよびインデクサ10との基板受渡位置Pにアクセスさせて、それらとの間で基板Wの授受を行うことができる。そして、搬送ロボット22が第1処理部群30または第2処理部群40のいずれかの処理ユニットから取り出した基板Wを保持して他の処理ユニットに搬送することにより、処理ユニット間での基板Wの循環搬送が実行される。第1処理部群30は、3つの現像処理ユニットSD1,SD2,SD3を搬送路21に接するようにY軸方向に沿って並設して構成されている。現像処理ユニットSD1,SD2,SD3のそれぞれは、基板Wを水平姿勢で吸着保持して水平面内にて回転させるスピンチャック、このスピンチャック上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル、スピンチャックを回転駆動させるスピンモータおよびスピンチャック上に保持された基板Wの周囲を囲繞するカップ等を備えている。3つの現像処理ユニットSD1,SD2,SD3は、同一処理工程における同一条件の処理を行う並行処理部であり、その並行処理数は3である。一方、第2処理部群40は、Y軸方向に沿って3つの熱処理ユニットを並設したユニット層を4段積層して構成されている。すなわち、第2処理部群40は、合計12個の熱処理ユニットを備える。なお、図2においては、図示の便宜上Z方向の積層をX方向に配列して平面的に示している。下から順に第1段のユニット層には、加熱された基板Wを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Wを当該所定の温度に維持する3個の冷却ユニットCP1,CP2,CP3が設けられている。第2段のユニット層には、同様に3個の冷却ユニットCP4,CP5,CP6が設けられている。これら冷却ユニットCP1~CP6は、筐体内に基板Wを載置して冷却するクーリングプレートを備えている。なお、冷却ユニットCP1~CP3は、露光後ベーク処理後の基板Wを冷却する。また、冷却ユニットCP4~CP6は、現像処理後に加熱された基板Wを冷却する。下から順に第3段のユニット層には、基板Wを所定の温度にまで加熱する3個の加熱ユニットHP1,HP2,HP3が設けられている。そして、最上段のユニット層には、基板Wを所定の温度にまで加熱して露光後ベーク処理を行う3個の加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3が設けられている。3個の加熱ユニットHP1,HP2,HP3および3個の加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3は、筐体内に基板Wを載置して加熱するホットプレートを備えている。なお、加熱ユニットHP1~HP3は、現像処理後の基板Wに加熱処理を行う。これら3個の冷却ユニットCP1~CP3、3個の冷却ユニットCP4~CP6、3個の加熱ユニットPEB1~PEB3および3個の加熱ユニットHP1~HP3のそれぞれも並行処理部であり、各並行処理部の並行処理数はいずれも3である。また、基板処理装置1には、上記の種々の動作機構および処理ユニットを制御する制御部9が設けられている。図3は、制御部9の構成を示すブロック図である。制御部9のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部9は、各種演算処理を行うCPU91、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM92、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM93および制御用プログラムやデータなどを記憶しておく磁気ディスク94をバスライン99に接続して構成されている。また、バスライン99には、基板処理装置1に設けられた上記の搬送ロボット22、加熱ユニットPEB1~PEB3,HP1~HP3、冷却ユニットCP1~CP6および現像処理ユニットSD1~SD3等が電気的に接続されている。制御部9のCPU91は、磁気ディスク94に格納された制御用プログラムを実行することにより、これらの各動作機構および処理ユニットを制御して基板処理装置1における熱処理および現像処理を行わせる。さらに、バスライン99には、コンソール10aが電気的に接続されている。コンソール10aは、インデクサ10の側壁面に設けられており図1参照、各種情報の表示およびコマンドやパラメータの入力を受け付けるタッチパネル等を備える。なお、図2においては、インデクサ10内部に制御部9を示しているが、制御部9の物理的は設置箇所はインデクサ10内部に限定されるものではなく、基板処理装置1内の任意の箇所とすることができる。次に、上記の構成を有する基板処理装置1における処理動作について説明する。図4は、基板処理装置1における処理動作の手順を示すフローチャートである。同図には、ロットに含まれる1枚の基板Wについての処理手順を示している。同図に示す処理手順は、処理フローを示すフローレシピに従って制御部9が基板処理装置1の各動作機構および処理ユニットを制御することによって進行される。本実施形態のフローレシピに示された処理フローは、露光処理が終了して投入された基板Wに対して露光後ベーク処理を行った後に冷却し、その基板Wに現像処理を行ってから加熱および冷却を行うというものである。また、図5は、基板Wの搬送経路を示すタイミングチャートである。同図および以下の説明において、ロットの最初の基板を基板W1とし、2番目の基板を基板W2とし、3番目の基板を基板W3とし、以降同様にして順番に符号を付している。なお、特段に投入の順番を問題としないときには単に基板Wと総称する。まず、基板処理装置1の外部から露光処理が終了した基板WがキャリアCに収納された状態でAGV等によってインデクサ10に搬入され、載置台11に載置される。露光処理が行われる前に基板Wの表面には化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布形成されており、そのレジスト膜にエキシマレーザを用いたパターン露光処理が行われ、レジスト膜のうち露光された部分には光化学反応によって酸が生成している。次に、インデクサ10から冷却ユニットCP1,CP2,CP3のいずれかに基板Wを搬送するステップS1。具体的には、インデクサロボット12が所定のキャリアCから基板Wを取り出し、基板受渡位置Pにてその基板Wを搬送ロボット22に渡す。そして、搬送ロボット22が受け取った基板Wを冷却ユニットCP1,CP2,CP3のいずれかに搬送する。基板Wは冷却ユニットCP1~CP3のうちポートが開放されている空きフラグが立っているユニットに搬送されるが、通常はシリアル番号の小さい順から選択されて搬送される。例えば、ロットの最初の基板W1は冷却ユニットCP1に搬送され、2番目の基板W2は冷却ユニットCP2に搬送される。ここで、冷却ユニットCP1~CP3は、本来基板Wに対して冷却処理を行うユニットであるが、ステップS1の段階では冷却処理は行われない。基板Wは搬送ロボット22によって冷却ユニットCP1~CP3のいずれかに搬入され、クーリングプレートに対して昇降するリフトピンに渡された後、直ちに搬送ロボット22によって搬出される。また、基板Wが冷却ユニットCP1~CP3のいずれかに搬入された時点で、その冷却ユニットを当該基板Wについて後述の露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約し、予約済冷却ユニットとして制御部9の記憶部RAM93または磁気ディスク94に記憶するステップS2。例えば、最初の基板W1が冷却ユニットCP1に搬入された時点で、冷却ユニットCP1が基板W1についての露光後ベーク処理後の予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部9の記憶部に格納される。同様に、2番目の基板W2が冷却ユニットCP2に搬入された時点で、冷却ユニットCP2が基板W2についての予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部9の記憶部に格納される。さらに、3番目の基板W3が冷却ユニットCP3に搬入された時点で、冷却ユニットCP3が基板W3についての予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部9の記憶部に格納される。図6は、制御部9に記憶された予約情報の一例を示す図である。順次投入される基板Wのそれぞれについて冷却ユニットCP1,CP2,CP3のいずれかが予約されて対応付けられている。例えば、最初の基板W1については冷却ユニットCP1が対応付けられて記憶されており、2番目の基板W2については冷却ユニットCP2が対応付けられて記憶されている。このように、ステップS1での冷却ユニットCP1~CP3への搬送は、基板Wに冷却処理を行うためのものではなく、露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットを予約するための動作である。予約が行われた時点で、その予約済冷却ユニットのポートが予約中に変更される予約済みフラグが立てられる。例えば、冷却ユニットCP1が基板W1についての予約済冷却ユニットとして予約された時点で、冷却ユニットCP1のポートが予約中に変更される。図5において、実線にて示すのは実際の基板Wの搬送経路であり、点線にて示すのは予約中の冷却ユニットである。次に、冷却ユニットCP1,CP2,CP3のいずれかに搬入された基板Wを搬送ロボット22が当該冷却ユニットから加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3のいずれかに搬送するステップS3。このときには、空いている加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3のうちシリアル番号の小さいものが順に選択され、その加熱ユニットに基板Wが搬送される。例えば、本実施形態では、最初の基板W1が冷却ユニットCP1から加熱ユニットPEB1に搬送され、2番目の基板W2が冷却ユニットCP2から加熱ユニットPEB2に搬送される。加熱ユニットPEB1~PEB3では、基板Wの露光後ベーク処理が所定時間行われるステップS4。露光後ベーク処理は、露光時の光化学反応によって化学増幅型レジストの膜中に生じた生成物を触媒としてレジスト樹脂の架橋等の連鎖反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理である。レジスト膜中の連鎖反応は、露光後のレジスト膜が所定温度以上に昇温することによって進行し、レジスト膜が当該所定温度未満にまで降温すると停止する。レジスト膜中における連鎖反応の進行の程度は、現像処理後のパターン線幅に影響を与えるため、順次投入される基板間の線幅均一性を維持するためには所定時間の露光後ベーク処理が終了した基板Wを速やかに反応温度未満にまで冷却することが要求される。すなわち、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットPEB1~PEB3におけるオーバーベークは許されない。本実施形態においては、所定時間の露光後ベーク処理が終了した後、搬送ロボット22が基板Wを加熱ユニットPEB1~PEB3からステップS2にて予約した冷却ユニットに搬送するステップS5。このときには、露光後ベーク処理が終了した時点で他に空いている冷却ユニットが存在していたとしても、必ずその基板Wについて予約した予約済冷却ユニットに基板Wを搬送する。例えば、最初の基板W1の加熱ユニットPEB1における露光後ベーク処理が終了した時点では、冷却ユニットCP1~CP3の全てが物理的には空いているが、基板W1はステップS2にて予約した冷却ユニットCP1に必ず搬送する。同様に、露光後ベーク処理が終了した基板W2,W3はそれぞれステップS2で予約した冷却ユニットCP2,CP3に必ず搬送する。具体的には、制御部9が記憶部内に格納されている予約情報図6を参照し、露光後ベーク処理が終了した基板Wを当該基板Wに対応付けられている予約済冷却ユニットに搬送するように搬送ロボット22を制御する。ここで、図5に示すように、基板W1の露光後ベーク処理が終了した時点においては、冷却ユニットCP1の他に冷却ユニットCP2,CP3も空いてはいるものの、これら冷却ユニットCP2,CP3のポートは予約中である。ポートが予約中の冷却ユニットに対する他の基板の搬送は禁止されている。このため、露光後ベーク処理が終了した基板W1が後続の基板W2,W3について予約されている冷却ユニットCP2,CP3に搬送されることは確実に防止される。逆に、ポートが予約中の冷却ユニットCP1に対する基板W1以外の基板搬送も禁止されているため、加熱ユニットPEB1にて基板W1に露光後ベーク処理が行われている間、後続の基板W2,W3やインデクサ10からの基板W4が、基板W1について予約されている冷却ユニットCP1に搬入されることも防止される。従って、基板W1の露光後ベーク処理が終了した時点において、基板W1について予約されている冷却ユニットCP1が他の基板Wによって占有または予約されていることはあり得ず、露光後ベーク処理後の基板W1を直ちに予約済冷却ユニットに搬送することができる。ステップS5での冷却ユニットCP1~CP3への搬送は、露光後ベーク処理後の基板Wに冷却処理を行うためのものである。すなわち、ステップS5にて冷却ユニットCP1~CP3に搬送された基板Wには、当該冷却ユニットにて冷却処理が行われるステップS6。ステップS5にて冷却ユニットCP1~CP3に基板Wが搬送されてステップS6の冷却処理が開始された時点で、その冷却ユニットのポートが使用中に変更される使用中フラグが立てられる。例えば、露光後ベーク処理後の基板W1が冷却ユニットCP1に搬送されて冷却処理が開始された時点で、冷却ユニットCP1のポートが使用中に変更される。この冷却処理によってレジスト膜が所定温度未満にまで降温し、レジスト膜中における連鎖反応が停止する。また、冷却ユニットCP1~CP3において基板Wは現像処理前に一定温度に温調されることとなる。所定時間の冷却処理が終了した後、搬送ロボット22が基板Wを冷却ユニットCP1~CP3から現像処理ユニットSD1~SD3のいずれかに搬送するステップS7。このときには、空いている現像処理ユニットSD1,SD2,SD3のうちのいずれかを選択し、その現像処理ユニットに基板Wを搬送すれば良い。例えば、本実施形態では、最初の基板W1が冷却ユニットCP1から現像処理ユニットSD1に搬送され、2番目の基板W2が冷却ユニットCP2から現像処理ユニットSD2に搬送される。冷却ユニットCP1~CP3での冷却処理が終了した時点で、その冷却ユニットのポートが開放される空きフラグが立てられる。例えば、冷却ユニットCP1における基板W1の冷却処理が終了した時点で、冷却ユニットCP1のポートが開放される。冷却ユニットCP1のポートが開放されることによって、後続の基板W4を冷却ユニットCP1に搬送し、その冷却ユニットCP1を基板W4についての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約することが可能となる図5参照。なお、ステップS7で基板W1を冷却ユニットCP1から取り出す際、2個の搬送アーム22a,22aを使って基板W1と基板W4とを入れ替える。図5中の3つの下向き矢印は、基板W1と基板W4、基板W2と基板W5、基板W3と基板W6の入れ替えタイミングをそれぞれ示している。現像処理ユニットSD1~SD3では、基板Wに現像液を供給して現像処理を進行させるステップS8。現像処理では、パターン露光時におけるレジスト膜の露光部分または非露光部分のみが現像液によって溶解される。やがて現像処理が終了した後、搬送ロボット22が基板Wを現像処理ユニットSD1~SD3から空いている加熱ユニットHP1~HP3のいずれかに搬送する。加熱ユニットHP1~HP3では、現像処理後にレジスト膜中に微量に残留している水分を完全に乾燥させるための加熱処理ハードベークが行われるステップS9。そして、所定時間の加熱処理が終了した後、搬送ロボット22が基板Wを加熱ユニットHP1~HP3から空いている冷却ユニットCP4~CP6のいずれかに搬送する。冷却ユニットCP4~CP6では、ステップS9で加熱された基板Wの冷却処理が行われるステップS10。なお、図5においては、図示の便宜上、ステップS8の現像処理工程までを示しており、ステップS9の加熱処理以降の処理については省略している。所定時間の冷却処理が終了した後、搬送ロボット22が冷却ユニットCP4~CP6から基板Wを搬出して基板受渡位置Pにてその基板Wをインデクサロボット12に渡す。そして、インデクサロボット12が受け取った基板Wを処理済み基板として所定のキャリアCに収納する。その後、所定枚数の処理済み基板Wが収納されたキャリアCが装置外部に搬出されて基板処理装置1における一連の処理が完了する。本実施形態においては、順次に投入される基板Wのそれぞれを空いているポートが開放されている冷却ユニットCP1~CP3のいずれかに搬送し、その冷却ユニットを当該基板Wについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約し、その予約情報を制御部9の記憶部に記憶している。そして、冷却ユニットCP1~CP3のいずれかを露光後ベーク処理前に事前予約した後に、基板Wをその冷却ユニットから加熱ユニットPEB1~PEB3のいずれかに搬送して露光後ベーク処理を行う。露光後ベーク処理の終了後は、基板Wをその加熱ユニットから事前予約しておいた予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を行う。予め事前予約された予約済冷却ユニットについては、物理的には空いているもののポートが予約中となっているため、予約対象の基板W以外の基板の搬入および予約が禁止される。従って、露光後ベーク処理が終了した時点において、予約済冷却ユニットは確実に空いており、露光後ベーク処理後の基板Wを直ちにその予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を開始することが可能となる。これにより、露光後ベーク処理後の基板Wのオーバーベークを確実に防止することができる。また、本実施形態において事前予約の対象となる冷却ユニットCP1~CP3は、通常の処理フローにおいても露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットである。すなわち、本実施形態では、露光後ベーク処理後の通常の冷却処理を行う冷却ユニットCP1~CP3を露光後ベーク処理前に事前予約しているのであり、これら冷却ユニットCP1~CP3は別途専用に設けた冷却機構ではない。従って、本実施形態のようにすれば、専用の冷却機構を設けて基板処理装置1のサイズを大型化することなくオーバーベークを確実に防止防止することができる。また、露光後ベーク処理後の基板Wを冷却ユニットCP1~CP3に設けられたクーリングプレートによって冷却することとなるため、現像処理前に基板Wを高い精度にて一定温度に温調することができる。上述したような露光後ベーク処理後の冷却ユニットの事前予約を確実に実行するためには、予約対象となる冷却ユニットの数を露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要がある。本実施形態においては、露光後ベーク処理を行う3個の加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3と同数の3個の冷却ユニットCP1,CP2,CP3を設けているが、4個以上の冷却ユニットを設けていても良い。また、第1処理部群30および第2処理部群40に含まれる全ての処理ユニット間の基板搬送を搬送ロボット22によって行っているため、複数の搬送要求が同じタイミングで出されることもある。このような場合、制御部9は、ステップS5の加熱ユニットPEB1~PEB3から予約済冷却ユニットへの基板搬送を最優先して搬送ロボット22に実行させる。このため、露光後ベーク処理後の基板Wを迅速に予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を開始することができ、露光後ベーク処理後の基板Wのオーバーベークを確実に防止することができる。また、露光後ベーク処理が終了してから冷却処理を開始するまでの時間を一定にすることができ、順次投入される複数の基板W間における線幅均一性のバラツキを抑制することができる。なお、ステップS5の基板搬送の次に優先度が高いのは、ステップS3の冷却ユニットCP1~CP3から加熱ユニットPEB1~PEB3への基板搬送である。ところで、基板処理装置1における基板処理のサイクル時間は、処理フローに含まれる各工程のサイクル時間各工程を実行する処理ユニットの処理時間/当該処理ユニットの並行処理数および加熱ユニットPEB1~PEB3での処理時間冷却ユニットCP1~CP3での処理時間/冷却ユニットCP1~CP3の並行処理数のうちの最も長いものとなる。サイクル時間とは、基板1枚当たりの見かけの処理時間であり、実質の処理時間に並行処理数を考慮した値である。例えば、本実施形態の例では、現像処理ユニットSD1~SD3での現像処理に約120秒を必要とするが、これらは同一処理工程における同一条件の処理を行う並行処理部であって、その並行処理数は3であるため、現像処理工程のサイクル時間は120/3=40秒となる。すなわち、1つの現像処理ユニットでは1枚の基板Wの現像処理に120秒を要するが、装置全体としては3つの現像処理ユニットSD1~SD3があるために、基板W1枚当たりの見かけの現像処理時間は40秒となるのである換言すれば、平均40秒ごとに1枚の基板Wが現像処理される。単位時間例えば、1時間=3600秒をこのサイクル時間で除した値が、単位時間当たりに装置が処理できる基板Wの枚数を示すスループットとなる。基板処理装置1のサイクル時間として加熱ユニットPEB1~PEB3での処理時間冷却ユニットCP1~CP3での処理時間/冷却ユニットCP1~CP3の並行処理数を考慮するのは、冷却ユニットCP1~CP3については実際の処理時間に加えて予約中の時間も使用中と同様に扱わなければならないためである。例えば、本実施形態の例では、加熱ユニットPEB1~PEB3における露光後ベーク処理の処理時間は約60秒であり、冷却ユニットCP1~CP3における冷却処理の処理時間も約60秒である。従って、上記の値は、6060/3=40秒となる。基板処理装置1のスループットを高めるためには、サイクル時間を短くすれば良い。サイクル時間を短くするには、各処理工程の並行処理数を増やせば良い。従来においては、オーバーベークが許されない露光後ベーク処理を実行する加熱ユニットのサイクル時間を最も長くする必要があったために、その並行処理数を安易に増やすことができなかったが、本発明によれば露光後ベーク処理後の基板Wを事前予約した冷却ユニットに直ちに搬送して迅速に冷却処理を開始することができるため、加熱ユニットPEB1~PEB3の並行処理数をも容易に増加することができる。もっとも、上述したように、予約対象となる冷却ユニットの数は露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要があるため、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの並行処理数を増加したときには、その後の冷却処理を行う冷却ユニットの並行処理数も増加する必要がある。これら露光後ベーク処理を行う加熱ユニットおよびその後の冷却処理を行う冷却ユニットの並行処理数を増加することにより、基板処理装置1のサイクル時間を短くしてスループットを高めることができる。また、各処理ユニットの待機時間処理を行っていない時間をなるべく短くして処理効率を高めるためには、各処理工程におけるサイクル時間をなるべく均一にすれば良い。本実施形態においては、加熱ユニットPEB1~PEB3での処理時間冷却ユニットCP1~CP3での処理時間/冷却ユニットCP1~CP3の並行処理数と現像処理工程のサイクル時間とがともに40秒であるため、これらの処理ユニットに無駄な待機時間がほとんど生じない。以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、露光後ベーク処理前の基板Wを実際に冷却ユニットCP1~CP3のいずれかに搬送し、その冷却ユニットを当該基板Wについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして事前予約していたが、基板Wを実際に搬送することなく事前予約のみ行うようにしても良い。すなわち、ステップS1にて基板Wを実際に冷却ユニットCP1~CP3のいずれかに搬送するのは、冷却処理を行うためではなく、事前予約のためであるため、必ずしも実際に搬送する必要性は無い。このため、基板Wを実際に搬送することなく、冷却ユニットCP1~CP3のいずれかを選択して当該基板Wについての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして事前予約のみ行うようにしても良い。具体的には、ポートが開放されている冷却ユニットCP1~CP3のいずれかを制御部9が選択し、基板Wをその冷却ユニットに仮想的に搬送し、その冷却ユニットを当該基板Wについての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約すれば良い。そして、上記実施形態と同様に、予約済冷却ユニットを含む予約情報は制御部9の記憶部に格納される。その後、実際の搬送動作としてインデクサ10から加熱ユニットPEB1,PEB2,PEB3のいずれかに基板Wが搬送されて露光後ベーク処理が行われる。露光後ベーク処理が終了した後、加熱ユニットPEB1~PEB3から事前予約した冷却ユニットに当該基板Wが搬送される。以降の処理は上記実施形態と同様である。このようにしても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。集約すると、順次投入される基板Wのそれぞれについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットを予め冷却ユニットCP1~CP3から選択し、実際に基板Wをその冷却ユニットに搬送するか否かに関わらず、当該冷却ユニットを予約済冷却ユニットとして記憶すれば良い。そして、その基板Wを加熱ユニットPEB1~PEB3のいずれかに搬送して所定時間の露光後ベーク処理を行った後、当該基板Wを加熱ユニットから上記の予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を行うようにすれば良い。このようにしても、露光後ベーク処理後の基板Wを予約済冷却ユニットに直ちに搬送して迅速に冷却処理を開始することができるため、露光後ベーク処理後の基板Wのオーバーベークを確実に防止することができる。また、本発明の適用対象は、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットPEB1~PEB3とその後の冷却処理を行う冷却ユニットCP1~CP3に限定されるものでは無く、オーバーベークが問題となる他の加熱処理に適用するようにしても良い。例えば、現像処理後の加熱処理を行う加熱ユニットHP1~HP3とその後の冷却処理を行う冷却ユニットCP4~CP6とに本発明を適用し、上記実施形態と同様に冷却ユニットCP4~CP6の事前予約を行うようにしても良い。このようにすれば、ハードベーク処理後の基板Wのオーバーベークを確実に防止することができる。また、上記実施形態の基板処理装置1の構成は一例であり、異なる構成であっても良い。例えば、基板処理装置1をインターフェイスを介して露光装置ステッパと連結し、露光処理後の基板Wを直接インターフェイスから順次に投入するようにしても良い。また、基板処理装置1に搭載する露光後ベーク処理用の加熱ユニットは3個に限定されるものではなく、少なくとも1個以上であれば良い。基板処理装置1に搭載する露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットCP1~CP3も3個に限定されるものではないが、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要があるため、複数であることが好ましい。図7は、冷却ユニットが4個CP1~CP4、加熱ユニットが2個PEB1~PEB2、現像処理ユニットが2個SD1~SD2の場合の基板の搬送経路を示すタイミングチャートである。図4のフローチャートに従って、基板WにはステップS1からステップS10の処理が行われる。図5に示したタイミングチャートと同様に、基板Wはインデクサ10から予約されていない空きのある冷却ユニットCP1~CP4のいずれかに順次搬送され、当該冷却ユニットが予約される。そして、その基板Wは加熱ユニットPEB1,PEB2のいずれかに搬送されて露光後ベーク処理が行われた後、先に予約した予約済冷却ユニットに搬送されて冷却処理が行われる。図7中の2個の下向き矢印は、基板Wの入れ替えタイミングを示している。また、基板処理装置1にレジスト塗布処理を行う塗布処理ユニット並びに塗布処理後の加熱処理を行う加熱ユニットおよびその後の冷却処理を行う冷却ユニットを搭載するようにしても良い。このような装置構成においては、レジスト塗布処理によってレジスト膜が形成された基板Wに加熱処理を行ってレジスト中の溶媒成分を蒸発させる塗布後ベーク処理に本発明を適用するようにしても良い。また、本発明に係る基板処理技術によって処理対象となる基板Wは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。"