フッ素樹脂と、該フッ素樹脂の比誘電率の20倍以下になる比誘電率で、且つ上記フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接である誘電体セラミックスとを含んでいることを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。請求項1において、上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなると共に、体積比率が全体の50以下になることを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。請求項1又は2において、上記誘電体セラミックスは、誘電正接が上記フッ素樹脂の誘電正接の1/10以下になることを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。請求項1~3の何れか1つにおいて、上記誘電体セラミックスは、比誘電率が上記フッ素樹脂の比誘電率の10倍以下になることを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。請求項1~4の何れか1つに記載されたフィルム17を備えていることを特徴とするフィルムコンデンサ。ところで、従来のフッ素系樹脂を材料とする誘電性フィルムは、その比誘電率が高い一方で誘電正接tanδも大きくなる。しかしながら、上述した無機粒子を誘電性フィルムに添加しても、比誘電率は増加するものの、誘電正接tanδの低減は十分ではない。つまり、フィルムコンデンサ用のフィルムの高誘電率化と、誘電正接tanδの低減化を両立することができないという問題があった。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接tanδの低減化を両立させることを目的とする。第1の発明は、フッ素樹脂と、該フッ素樹脂の比誘電率の20倍以下となる比誘電率で、且つ上記フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接である誘電体セラミックスとを含んでいる。上記第1の発明では、フィルムの材料としてフッ素樹脂と誘電体セラミックスとが含まれている。誘電体セラミックスは、フッ素樹脂の比誘電率の20倍以下となる比誘電率を有すると共に、フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接を有している。ここで、フィルムに含まれる誘電体セラミックスの比誘電率が高ければ、フィルムの比誘電率も高くなる。一方で、フィルムに電界が印加される場合、フィルムに含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、該誘電体セラミックスの比誘電率の逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率がフッ素樹脂に対して高ければ、フッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルムの誘電正接は低減されにくくなる。本発明では、誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の20倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。第2の発明は、上記第1の発明において、上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなると共に、体積比率が全体の50以下になるものである。上記第2の発明では、誘電体セラミックスは、単一の粒子で構成されている。そして、フィルムには、体積比率が全体の50以下になる誘電体セラミックスが含まれている。こうすることで、フィルム中の誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルムの機械的強度の低下を抑制できる。第3の発明は、上記第1又は第2の発明において、上記誘電体セラミックスは、誘電正接が、上記フッ素樹脂の誘電正接の1/10以下になる。上記第3の発明では、誘電体セラミックスの誘電正接をフッ素樹脂の誘電正接の1/10以下にする。こうすることで、フィルムの誘電正接の低減量を大きくすることができる。第4の発明は、上記第1~第3の発明の何れか1つにおいて、上記誘電体セラミックスは、比誘電率が、上記フッ素樹脂の比誘電率の10倍以下になる。上記第4の発明では、誘電体セラミックスの比誘電率をフッ素樹脂の比誘電率の10倍以下の大きさにする。誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の10倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなるため、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。第5の発明に係るフィルムコンデンサは、上記第1~第4の発明の何れか1つに記載されたフィルム17を備えている。上記第5の発明では、比誘電率が高く、且つ誘電正接の低いフィルム17を用いてフィルムコンデンサが構成されている。上記第1の発明によれば、フッ素樹脂の比誘電率の20倍以下となる比誘電率の誘電体セラミックスを含んでいるため、フィルムの比誘電率を高めつつ、誘電正接を低下させ易くすることができる。ここで、フィルムに含まれる誘電体セラミックスの比誘電率が高ければ、フィルムの比誘電率も高くすることができる。一方、フィルムに電界が印加された場合、フィルムに含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、その誘電体セラミックスの比誘電率の逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率がベースとなるフッ素樹脂の比誘電率に対して著しく高ければ、ベースとなるフッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が小さくなり、フィルムの誘電正接が低減され難くなる。本発明では、誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の20倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接の低減化を両立させることができる。上記第2の発明によれば、誘電体セラミックスの体積比率が全体の50以下になるようにしたため、フィルムにおける誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルムの機械強度の低下を抑えることができる。上記第3の発明によれば、誘電体セラミックスの誘電正接をフッ素樹脂の誘電正接の1/10以下にしたため、フィルムの誘電正接の低減量を増加させることができる。上記第4の発明によれば、フッ素樹脂の比誘電率の10倍以下となる比誘電率の誘電体セラミックスを含んでいるため、フィルムの比誘電率を高めつつ、誘電正接を低下させ易くすることができる。つまり、誘電体セラミックスの比誘電率が、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率の10倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接の低減化を両立させることができる。以下、本発明の実施形態1を図面に基づいて詳細に説明する。発明の実施形態1図1に本実施形態1に係るフィルムコンデンサ10を示す。このフィルムコンデンサ10は、コンデンサケース11内にコンデンサ素子13を収容し、このコンデンサ素子13の周りに封止樹脂12が充填されて構成されている。フィルムコンデンサ10は、例えばインバータ回路とコンバータ回路との間の平滑コンデンサ等として用いられている。上記コンデンサケース11は矩形状の箱体に形成されている。コンデンサケース11の内部にはコンデンサ素子13が収容されると共に、コンデンサ素子13の周りを覆うように封止樹脂12が充填されている。上記封止樹脂12は、エポキシ基を有する熱硬化性のエポキシ樹脂と硬化部材とからなる封止部材である。封止樹脂12は、空気に含まれる水分の通過を阻止するという機能を有している。つまり、コンデンサ素子13の周りを封止樹脂12で覆うことによってコンデンサケース11の外部空気に含まれる水分等によってコンデンサ素子13が吸湿するのを防止している。尚、封止樹脂12は、エポキシ樹脂と、硬化部材とを組み合わせることでコンデンサケース11内で硬化させている。上記コンデンサ素子13は、図2および図3に示すように、絶縁性を有する帯状のフィルム17の両面に金属膜18を蒸着させて形成した金属化フィルム16を上下2枚重ねにして、この一対の金属化フィルム1616を円筒体状に捲回巻回ともいう。すると共に、捲回した一対の金属化フィルム1616の幅方向の両端にメタリコン1919が接続されて形成されている。このとき、2枚の金属化フィルム1616は、互いを左右方向に1mm程度、ずらした状態で重ねられている。上記各フィルム17は、その幅が約30mmに形成され、且つ厚みが約6μm程度に形成されたフィルムである。各フィルム17の両側の表面には、アルミニウムAlなどの金属膜18が蒸着形成されている。この金属膜18は50Å~400Å程度の膜厚に形成されている。尚、上記フィルム17の厚さは、例示であり、フィルム17の厚みは3~10μm程度に形成してもよい。また、フィルム17に蒸着形成される金属膜18はアルミニウムAlに限られず、亜鉛Znなどの金属をその材料として用いてもよい。上記フィルム17は、ベースとなるフッ素系の樹脂フッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム17は、その比誘電率εrが26に構成され、その誘電正接tanδが0.015に構成されている。このフィルム17は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が59:41となるように構成されている。尚、誘電特性は、LCRメーターによって測定した以下、同じ。上記フッ素樹脂は、その材料がフッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEの共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、図4および図5に示すように、その比誘電率εrが10に構成され、その誘電正接tanδが0.03に構成されている。尚、ベースとなるフッ素樹脂はこれに限られず、図4に示すように、例えばポリフッ化ビニリデンPVDFなどのフッ素系の樹脂であればよい。上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、図5に示すように、その比誘電率εrが120に構成され、その誘電正接tanδが0.004に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率εrは、フッ素樹脂の比誘電率εrの20倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率εrの10倍以下となればよい。誘電体セラミックスの具体的な例示としては、Bi2O3-2TiO2εr=104~110、TiO2εr=90~110、CaTiO3-La2O3-TiO2εr=100~150、CaTiO3εr=150~160、BaTiO3-Nd2TiO7-Bi2O3-TiO2εr=90~110、CaTiO3-La2O3-Bi2O3-TiO2εr=145~210、BaTiO3-Nd2O3-TiO2εr=38~87、BaO-Sm2O3-5TiO2εr=77、BaO-PbO-Nd2O3-TiO2εr=90、BaO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2εr=81、BaO-R2O3-TiO2εr=125などが好ましい。尚、これらの誘電体セラミックスは、例示であって、これに限定されるものではない。また、フィルム中のフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率を変更した場合の比誘電率εrと誘電正接tanδを図6および図7に示す。図6に示すように、フィルム中の誘電体セラミックスの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率εrは高くなる一方、図7に示すように、誘電正接tanδが低くなる。上記メタリコン19は上記金属膜18と外部に延びる電極である銅線20との間を電気的に接続するものである。このメタリコン1919は、捲回した金属化フィルム1616の端部に亜鉛Zn等の金属を溶融噴射することで形成されている。各金属化フィルム16は、その幅方向の両端が吹き付けられたメタリコン1919の内部に埋没することでメタリコン1919によって固定支持されている。上記銅線20は、φ1.0mmの軟銅線に構成されている。銅線20はコンデンサケース11の外部まで延びてインバータ回路等とフィルムコンデンサ10とを接続する接続端子となるものである。銅線20は、その基端が半田付けによってメタリコン1919に対して取り付けられる一方、その先端部が封止樹脂12から外方に突出して基板21に接続されている。-フィルムコンデンサ10の製造方法-上記フィルムコンデンサ10の製造方法について説明する。フィルムコンデンサ10の製造では、まず、溶解工程が行われる。溶解工程では、フッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEとの共重合体からなるフッ素樹脂を溶媒に溶解し、この溶媒に誘電体セラミックスを添加する。次に、塗工工程が行われる。塗工工程では、フッ素樹脂および誘電体セラミックスを溶媒に溶解したものをPET基材フィルムに塗工する。そして、その後に乾燥工程が行われる。乾燥工程では、塗工したPET基材フィルムを乾燥し、溶媒を揮発させる。次に、蒸着工程が行われる。蒸着工程では、真空蒸着機で塗工したPET基材フィルム上にアルミニウムを蒸着して金属膜18を形成する。次に、PET基材フィルムからフィルム原反を剥離する剥離工程が行われる。その後、スリット工程が行われる。スリット工程では、フィルム原反をカットすることで金属化フィルム16が完成する。その後、捲回工程が行われる。捲回工程では、金属化フィルム16を2枚重ねにし、互いを左右にずらした状態で捲回機にかけて捲回する。次に、メタリコン工程が行われる。メタリコン工程では、捲回した金属化フィルム16の両端に亜鉛Zn等の金属を溶融噴射溶射してメタリコン1919を形成する。その後、リード付け工程が行われる。リード付け工程では、メタリコン1919に端子である銅線2020を半田付けしてコンデンサ素子13を形成する。次に、コンデンサ素子13の乾燥工程が行われ、その後に封止工程が行われる。封止工程では、乾燥されたコンデンサ素子13の外周面に絶縁カバー図示なしを捲き付けた後、これらをコンデンサケース11内に収容する。そして、コンデンサケース11に封止樹脂12を流し込み、100°Cの温度環境下で約2時間加熱し、封止樹脂12を硬化させてコンデンサ素子13をコンデンサケース11内に封止する。こうすることで、銅線20を除くコンデンサ素子13が封止されてフィルムコンデンサ10が完成する。このように十分に乾燥されたコンデンサ素子13を樹脂封止することでコンデンサ素子13に水分が侵入するのが抑制されるため、フィルムコンデンサ10の絶縁抵抗を維持することができる。-比較例1-上記実施形態1に対する比較例1について説明する。本比較例1に係るフィルムは、ベースとなるフッ素系の樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルムは、図5に示すように、その比誘電率εrが30に構成され、その誘電正接tanδが0.028に構成されている。このフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が75:25となるように構成されている。上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEの共重合体で構成されている。このベースとなるフッ素樹脂は、その比誘電率εrが10に構成され、その誘電正接tanδが0.03に構成されている。上記誘電体セラミックスは、チタン酸バリウムカルシウムで構成されている。チタン酸バリウムカルシウムは、その比誘電率εrが2500に構成され、その誘電正接tanδが0.01に構成されている。また、このフィルム中のフッ素樹脂とチタン酸バリウムカルシウムとの体積比率を変更した場合の比誘電率εrと誘電正接tanδを図6および図7に示す。図6に示すように、フィルム中のチタン酸バリウムカルシウムの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率εrは著しく高くなる一方、誘電体セラミックスには電界が印加され難いため、誘電正接tanδは、低減され難い。このため、フィルム中のチタン酸バリウムカルシウムが増加しても、図7に示すように、誘電正接tanδは高くなる。すなわち、本比較例1の構成では、フィルムの高誘電率化と、誘電正接tanδの低減化の両立ができない。-比較例2-上記実施形態1に対する比較例2について説明する。本比較例2に係るフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルムは、図5に示すように、その比誘電率εrが25に構成され、その誘電正接tanδが0.024に構成されている。このフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が75:25となるように構成されている。上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEの共重合体で構成されている。このベースとなるフッ素樹脂は、その比誘電率εrが10に構成され、その誘電正接tanδが0.03に構成されている。上記誘電体セラミックスは、チタン酸ストロンチウムで構成されている。チタン酸ストロンチウムは、その比誘電率εrが260に構成され、その誘電正接tanδが0.003に構成されている。また、このフィルム中のフッ素樹脂とチタン酸ストロンチウムとの体積比率を変更した場合の比誘電率εrと誘電正接tanδを図6および図7に示す。図6に示すように、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率εrは高くなる一方、誘電体セラミックスには電界が印加され難いため、誘電正接tanδの低減幅は小さくなる。このため、フィルムの誘電正接tanδを十分に低減するためには、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率を全体の50以上にする必要がある。ところが、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率が全体の50を超えると、フィルムの機械的強度が低下してしまう。すなわち、本比較例2の構成では、フィルムの高誘電率化と、誘電正接tanδの低減化の両立ができない。-実施形態1の効果-上記実施形態1によれば、フッ素樹脂の比誘電率の20倍以下となる比誘電率εrの誘電体セラミックスを含めたため、フィルム17の比誘電率εrを高めつつ、誘電正接tanδを低下させ易くすることができる。ここで、フィルム17に含まれる誘電体セラミックスの比誘電率εrが高ければ、フィルム17の比誘電率εrも高くなる一方で、フィルム17に電界が印加される場合、フィルム17に含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、その比誘電率εrの逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率εrがフッ素樹脂の比誘電率に対して著しく高ければ、フッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルム17における誘電体セラミックスの影響が小さくなり、フィルム17の誘電正接tanδは低減されにくくなる。本実施形態では、誘電体セラミックスの比誘電率εrが、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率εrの20倍以下の大きさであるため、フィルム17に電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルム17における誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルム17の誘電正接tanδの低減量が大きくなる。これにより、フィルム17の比誘電率εrを高めることができると共に、その誘電正接tanδの低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム17において、高誘電率化と誘電正接tanδの低減化を両立させることができる。また、誘電体セラミックスの体積比率がフィルム17全体の50以下になるようにしたため、フィルム17における誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルム17の機械的強度の低下を抑えることができる。また、誘電体セラミックスの誘電正接tanδをフッ素樹脂の誘電正接tanδの1/10以下にしたため、フィルム17の誘電正接tanδの低減量を増加させることができる。また、フッ素樹脂の比誘電率εrの10倍以下となる比誘電率εrの誘電体セラミックスとしたため、フィルム17の誘電正接tanδを低下させ易くすることができる。つまり、誘電体セラミックスの比誘電率εrが、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率εrの10倍以下の大きさであるため、フィルム17に電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルム17における誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルム17の誘電正接tanδの低減量が大きくなる。これにより、フィルム17の比誘電率εrを高めることができると共に、その誘電正接tanδの低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム17において、高誘電率化と誘電正接tanδの低減化を両立させることができる。上述したように、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム17において、高誘電率化と誘電正接tanδの低減化を両立させるためのフィルム17中の誘電体セラミックスの比誘電率と体積比率との好適な範囲は、図8の破線で囲まれた範囲になる。発明の実施形態2次に、上記実施形態2について説明する。本実施形態2に係るフィルム17は、上記実施形態1に係るフィルム17とは、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が異なっている。尚、本実施形態2では、上記実施形態1と異なる部分についてのみ説明する。上記フィルム17は、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム17は、図5に示すように、その比誘電率εrが24に構成され、その誘電正接tanδが0.017に構成されている。このフィルム17は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が63:37となるように構成されている。上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEの共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、その比誘電率εrが10に構成され、その誘電正接tanδが0.03に構成されている。尚、上記フッ素樹脂の材質はこれに限られず、例えばポリフッ化ビニリデンPVDFなどのフッ素系の樹脂であればよい。上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、その比誘電率εrが120に構成され、その誘電正接tanδが0.003に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率εrは、フッ素樹脂の比誘電率εrの20倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率εrの10倍以下となればよい。本実施形態2に係る誘電セラミックスのフィルム17における体積比率は、37であり、図5に示すように、これによってフィルム17の比誘電率εrが高くなると共に、誘電正接tanδが低下する。また、本実施形態2に係るフィルム17における誘電セラミックスの体積比率は、実施形態1のフィルム17における誘電体セラミックスの体積比率よりも低い。このため、図6および図7に示すように、本実施形態2に係るフィルム17は、実施形態1に係るフィルム17よりも比誘電率εrは低くなり、誘電正接tanδは高くなる。その他の構成、作用効果は実施形態1と同様である。発明の実施形態3次に、上記実施形態3について説明する。本実施形態3に係るフィルム17は、上記実施形態2に係るフィルム17とは、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が異なっている。尚、本実施形態3では、上記実施形態2と異なる部分についてのみ説明する。上記フィルム17は、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム17は、図5に示すように、その比誘電率εrが22に構成され、その誘電正接tanδが0.019に構成されている。このフィルム17は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が67:33となるように構成されている。上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデンVDFと四フッ化エチレンTFEの共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、その比誘電率εrが10に構成され、その誘電正接tanδが0.03に構成されている。尚、上記フッ素樹脂の材質はこれに限られず、例えばポリフッ化ビニリデンPVDFなどのフッ素系の樹脂であればよい。上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、その比誘電率εrが120に構成され、その誘電正接tanδが0.003に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率εrは、フッ素樹脂の比誘電率εrの20倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率εrの10倍以下となればよい。本実施形態3に係る誘電セラミックスのフィルム17における体積比率は、33であり、図5に示すように、これによってフィルム17の比誘電率εrが高くなると共に、誘電正接tanδが低下する。また、本実施形態3に係るフィルム17における誘電セラミックスの体積比率は、上記実施形態2のフィルム17における誘電体セラミックスの体積比率よりも低い。このため、図6および図7に示すように、本実施形態3に係るフィルム17は、上記実施形態2に係るフィルム17よりも比誘電率εrは低くなり、誘電正接tanδは高くなる。その他の構成、作用効果は実施形態2と同様である。その他の実施形態本発明は、上記実施形態について、以下のような構成としてもよい。上記実施形態では、誘電体セラミックスが単一粒子で構成されていたが、本発明はこれに限られず、誘電体セラミックスが複合粒子で構成されてもよい。尚、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。