"薄膜トランジスタが形成された透明基板と、前記薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体を材料とする半導体層と、透明導電材料で前記透明基板に形成され、前記半導体層の上方に位置する電極と、前記透明導電材料よりも高い導電率を有し且つ遮光性を有する材料で前記電極上に形成され、前記半導体層を覆う遮光導体と、を備えることを特徴とする表示パネル。請求項1に記載の表示パネルにおいて、前記薄膜トランジスタは前記透明基板の画素に設けられるトランジスタであり、前記電極は共通電極である、ことを特徴とする表示パネル。請求項2に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板には前記薄膜トランジスタに接続されるゲート電極線が形成され、前記遮光導体は前記ゲート電極線に沿って伸びている、ことを特徴とする表示パネル。請求項3に記載の表示パネルにおいて、前記半導体層の全体は、前記遮光導体と前記ゲート電極線とに重なる領域に位置している、ことを特徴とする表示パネル。請求項2に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板には画素電極が形成され、前記遮光導体と前記共通電極は前記画素電極よりも低い層に形成されている、ことを特徴とする表示パネル。請求項2に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板には光配向により形成された配向膜が形成され、前記遮光導体は前記配向膜よりも低い層に形成されている、ことを特徴とする表示パネル。請求項1に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板の表示領域には電極線が形成され、前記薄膜トランジスタは、前記表示領域の外側の領域である周縁領域に形成され、且つ前記電極線の端部に接続されるトランジスタであり、前記遮光導体と前記遮光導体が形成された前記電極は、前記周縁領域に形成された前記薄膜トランジスタの前記半導体層を覆っている、ことを特徴とする表示パネル。請求項7に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板の前記表示領域には共通電極が形成され、前記遮光導体が形成された前記電極は、前記透明基板の前記周縁領域に形成され、前記共通電極に接続している、ことを特徴とする表示パネル。請求項8に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板の前記表示領域の画素に設けられる第1薄膜トランジスタと、前記第1薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体で形成された半導体層と、前記共通電極上に形成され、前記第1薄膜トランジスタの前記半導体層を覆う第1遮光導体と、前記透明電極の周縁領域に形成される前記薄膜トランジスタとして機能する第2薄膜トランジスタと、前記第2薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を覆う前記遮光導体として機能し、且つ前記第1遮光導体と接続される第2遮光導体と、を備えることを特徴とする表示パネル。請求項9に記載の表示パネルにおいて、前記第1遮光導体は前記電極線の延伸方向に伸びており、前記第2遮光導体は前記電極線の延伸方向に直交する方向に広がっている、ことを特徴とする表示パネル。請求項7に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板の周縁領域には、前記半導体層よりも低い層に形成された第1ゲート電極線と、前記透明基板の厚さ方向において前記第1ゲート電極線と対向し、前記遮光導体が形成された前記電極として機能する第2ゲート電極線とが形成されている、ことを特徴とする表示パネル。請求項11に記載の表示パネルにおいて、前記透明基板の前記表示領域の画素に設けられる第1薄膜トランジスタと、前記第1薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体で形成された半導体層と、前記透明基板の前記表示領域に形成された電極と、前記表示領域の前記電極上に形成され、前記第1薄膜トランジスタの前記半導体層を覆う第1遮光導体と、前記透明電極の周縁領域に形成される前記薄膜トランジスタとして機能する第2薄膜トランジスタと、前記第2のゲート電極線上に形成され、前記第2薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を覆う第2遮光導体と、を備えることを特徴とする表示パネル。請求項1に記載の表示パネルを含む表示装置。ところで、液晶表示パネルの透明基板には、透明導電材料からなる電極が形成されている。電極はその抵抗が小さいことが望ましい。例えば、良好な画質を実現するために、共通電極の抵抗が低く、共通電極の電位が液晶表示パネルの全域で均一であることが望まれる。本発明の目的は、酸化物半導体に光が当ることを抑えることができ、且つ、透明導電材料からなる電極の抵抗を下げることのできる表示パネル及び表示装置を提供することにある。1本発明に係る表示パネルは、薄膜トランジスタが形成された透明基板と、前記薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体を材料とする半導体層と、透明導電材料で前記透明基板に形成され、前記半導体層の上方に位置する電極と、前記透明導電材料よりも高い導電率を有し且つ遮光性を有する材料で前記電極上に形成され、前記半導体層を覆う遮光導体と、を備える。また、本発明に係る表示装置は前記表示パネルを含む。本発明によれば、遮光導体によって、酸化物半導体に光が当ることを抑えることができ、且つ、透明導電材料からなる電極の抵抗を下げることができる。2本発明の一態様では、前記薄膜トランジスタは前記透明基板の画素に設けられるトランジスタであり、前記電極は共通電極である。この態様によれば、共通電極の電位が不均一となることを抑えることができる。3前記透明基板には前記薄膜トランジスタに接続されるゲート電極線が形成され、前記遮光導体は前記ゲート電極線に沿って伸びてもよい。この構造によれば、ゲート電極線の延伸方向において共通電極の電位が不均一となることを抑えることができる。また、遮光導体を形成することによって画素の開口率が低下することを、抑えることができる。4さらに、前記半導体層の全体は、前記遮光導体と前記ゲート電極線とに重なる領域に位置してもよい。この構造によれば、半導体層に光があたることを、より効果的に抑えることができる。5さらに、前記透明基板には画素電極が形成され、前記遮光導体と前記共通電極は前記画素電極よりも低い層に形成されてもよい。この構造によれば、遮光導体と共通電極が画素電極よりも高い層に形成される構造に比べて、遮光導体と半導体層との距離を小さくできる。その結果、半導体層に光があたることを、より効果的に抑えることができる。6さらに、前記透明基板には光配向により形成された配向膜が形成され、前記遮光導体は前記配向膜よりも低い層に形成されてもよい。この構造によれば、配向膜を形成する工程で利用される光が半導体層にあたることを抑えることができる。7本発明の他の態様では、前記透明基板の表示領域には電極線が形成され、前記薄膜トランジスタは、前記表示領域の外側の領域である周縁領域に形成され、前記電極線の端部に接続されるトランジスタであってもよい。そして、前記遮光導体と前記遮光導体が形成された前記電極は、前記周縁領域に形成された前記薄膜トランジスタの前記半導体層を覆ってもよい。この態様によれば、透明基板の周縁領域に形成される回路を構成する薄膜トランジスタの半導体層に、光があたることを抑えることができる。8この態様では、前記透明基板の前記表示領域には共通電極が形成されてもよい。そして、前記遮光導体が形成された前記電極は、前記透明基板の前記周縁領域に形成され、前記共通電極に接続してもよい。この構造によれば、透明基板の周縁領域に形成された薄膜トランジスタの駆動により形成される不要電界を、周縁領域に形成された電極で遮ることができる。その結果、例えば液晶表示パネルにおいては、不要電界が画素領域の液晶層の動きに影響するのを抑えることができる。9さらに、前記表示パネルは、前記透明基板の前記表示領域の画素に設けられる第1薄膜トランジスタと、前記第1薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体で形成された半導体層と、前記共通電極上に形成され、前記第1薄膜トランジスタの前記半導体層を覆う第1遮光導体と、前記透明電極の周縁領域に形成される前記薄膜トランジスタとして機能する第2薄膜トランジスタと、前記第2薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を覆う前記遮光導体として機能し、且つ前記第1遮光導体と接続される第2遮光導体と、を含んでもよい。この構造によれば、表示領域に形成される第1薄膜トランジスタの半導体層に光があたることを抑え、且つ、透明基板の周縁領域に形成された第2薄膜トランジスタの半導体層に光があたることをも抑えることができる。10さらに、前記第1遮光導体は前記電極線の延伸方向に伸び、前記第2遮光導体は前記電極線の延伸方向に直交する方向に広がってもよい。この構造によれば、電極線の延伸方向とそれに直交する方向の双方において共通電極の電位が不均一となることを抑えることができる。117の態様では、さらに、前記透明基板の周縁領域には、前記半導体層よりも低い層に形成された第1ゲート電極線と、前記透明基板の厚さ方向において前記第1ゲート電極線と対向し、前記遮光導体が形成された前記電極として機能する第2ゲート電極線とが形成されてもよい。この構造によれば、透明基板の周縁領域に形成された薄膜トランジスタの性能を向上できる。12前記表示パネルは、さらに、前記透明基板の前記表示領域の画素に設けられる第1薄膜トランジスタと、前記第1薄膜トランジスタのチャネル部を構成する、酸化物半導体で形成された半導体層と、前記透明基板の前記表示領域に形成された電極と、前記表示領域の前記電極上に形成され、前記第1薄膜トランジスタの前記半導体層を覆う第1遮光導体と、前記透明電極の周縁領域に形成される前記薄膜トランジスタとして機能する第2薄膜トランジスタと、前記第2のゲート電極線上に形成され、前記第2薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を覆う第2遮光導体と、を含んでもよい。この構造によれば、表示領域に形成される第1薄膜トランジスタの半導体層に光があたることを抑え、且つ、透明基板の周縁領域に形成された第2薄膜トランジスタの半導体層に光があたることをも抑えることができる。以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施形態に係る液晶表示装置100の概略図である。図1に示すように、液晶表示装置100は、液晶表示パネル1と、液晶表示パネル1の背面に光を当てるバックライト装置102とを有している。また、液晶表示装置100は、コントローラ103と、ゲートドライバ回路104と、ソースドライバ回路105とを有している。コントローラ103には外部装置から映像信号が入力される。コントローラ103は映像信号からタイミング制御信号を生成し、ゲートドライバ回路104に出力する。ゲートドライバ回路104は、タイミング制御信号に従って、後述するゲート電極線11にゲート電圧を加える。また、コントローラ103は、液晶表示パネル1の各画素の階調値を表す信号を映像信号から生成し、当該信号をソースドライバ回路105に出力する。ソースドライバ回路105は入力された信号に従って後述するソース電極線12に階調値に応じた画素電圧を加える。第1の実施形態図2は第1の実施形態に係る液晶表示パネル1を構成する第1透明基板10の平面図である。図3及び図4は、それぞれ、図2に示すIII-III線、IV-IV線を切断面とする液晶表示パネル1の断面図である。図2には画素が形成された表示領域と、第1透明基板10の周縁領域表示領域の外側の領域とが示されている。図2では、周縁領域に形成され、ゲートドライバ回路104具体的にはシフトレジスタ回路を構成する薄膜トランジスタ3が示されている。図3及び図4に示すように、液晶表示パネル1は互いに対向する第1透明基板10と第2透明基板40とを有している。透明基板10,40は例えばガラス基板や、プラスチック基板である。第1透明基板10と第2透明基板40との間には液晶層4が形成されている。図3に示すように、第2透明基板40にはカラーフィルタ41が形成されている。カラーフィルタ41は各画素に設けられている。隣接する2つのカラーフィルタ41はブラックマトリクス42で区画されている。図1及び図2に示すように、第1透明基板10の表示領域には複数のゲート電極線11と複数のソース電極線12とが形成されている。ソース電極線12とゲート電極線11は互いに直交する方向に伸び、格子状となっている。各画素は隣接する2つのソース電極線12と隣接する2つのゲート電極線11とによって囲まれている。ゲート電極線11には、周縁領域に形成された薄膜トランジスタ3からゲート電圧が加えられる。ゲート電圧は複数のゲート電極線11に順番に加えられる。ソース電極線12には、ソースドライバ回路105から、各画素の階調値に応じた画素電圧が加えられる。電極線11,12は、例えばCuやAlで形成される。図3に示すように、この例のゲート電極線11は第1透明基板10上に形成されている。すなわち、ゲート電極線11は、第1透明基板10に形成された積層構造における最も低い層に形成されている。ゲート電極線11はゲート絶縁膜21で覆われている。ゲート絶縁膜21は例えば窒化膜例えばSiNxである。ゲート絶縁膜21の材料は必ずしもこれに限られない。ゲート絶縁膜21上に第1保護絶縁膜22が形成され、第1保護絶縁膜22上に第2保護絶縁膜23が形成されている。第1保護絶縁膜22と第2保護絶縁膜23は、後述する半導体層14を保護するための絶縁膜である。ソース電極線12は第2保護絶縁膜23上に形成されている。図3に示すように、各画素には、画素電極15と、画素電極15に接続された薄膜トランジスタ2以下、TFTと称するとが形成されている。液晶表示パネル1はIPSIn-PlaneSwitching方式のパネルである。そのため、第1透明基板10には、画素電極15に加えて、共通電極16が形成されている。1つの共通電極16は複数の画素例えば、全画素に亘っている。画素電極15と共通電極16は透明導電材料例えば、ITOIndiumTinOxideや酸化亜鉛などで形成されている。画素電極15と共通電極16は第1透明基板10の厚さ方向において対向している。この例では、画素電極15は共通電極16よりも高い層、すなわち共通電極16よりも液晶層4に近い層に形成されている。各画素電極15にはスリットが形成さている。一方、この例の共通電極16にはそのようなスリットは形成されておらず、全域において均等な厚さを有している。図3及び図4に示すように、TFT2はチャネル部を構成する半導体層14を有している。また、TFT2は、半導体層14上に形成されるソース電極12aとドレイン電極13aとを有している。ソース電極12aはソース電極線12から伸びている。ドレイン電極13aは画素電極15に接続されている。半導体層14は酸化物半導体で形成されている。具体的には、半導体層14は透明アモルファス酸化物半導体で形成されている。透明アモルファス酸化物半導体は、例えばIn、Ga、及びZnを含む半導体例えばInGaZnO4である。図4に示すように、半導体層14は第1保護絶縁膜22上に形成され、第2保護絶縁膜23で覆われている。ソース電極12aとドレイン電極13aは、第2保護絶縁膜23に形成されたスルーホールを通して半導体層14に接している。保護絶縁膜22,23は例えば酸化膜例えば酸化シリコンである。酸化膜によれば酸化物半導体を好適に保護できる。共通電極16は、半導体層14の上方に位置する部分すなわち液晶層4と半導体層14との間に位置する部分を含み、半導体層14を覆っている。図3及び図4に示すように、共通電極16上には遮光導体17が形成されている。すなわち、遮光導体17は共通電極16の液晶層4側に形成されている。遮光導体17と共通電極16は互いに接触している。遮光導体17は、共通電極16の材料である透明導電材料よりも高い導電率を有し且つ遮光性を有する材料で、形成されている。遮光導体17の材料は、例えばCuやAl、Cr、Moなどである。遮光導体17の良好な導電率により、共通電極16の抵抗を低減できる。その結果、共通電極16の電位が不均一になることを抑えることができる。図2に示すように、遮光導体17は、ゲート電極線11に沿って伸びる線状である。そのため、ゲート電極線11の延伸方向図2においてX方向において共通電極16の電位に不均一が生じることを、防ぐことができる。また、遮光導体17はゲート電極線11の上方に位置している。すなわち、遮光導体17はゲート電極線11と重なる位置に形成されている。遮光導体17のこのレイアウトによれば、遮光導体17が画素の開口率を低下させる要因となることを、抑えることができる。この例の遮光導体17の長さはゲート電極線11の長さに対応している。換言すると、遮光導体17はゲート電極線11に相等する長さを有している。そのため、共通電極16の電位が不均一となることを、より効果的に抑えることができる。上述したように、遮光導体17の材料は遮光性を有している。遮光導体17は半導体層14の上方に位置し、当該半導体層14を覆っている。すなわち、遮光導体17は半導体層14と重なる位置に形成されている。その結果、半導体層14に光があたることを遮光導体17によって抑えることができる。第1透明基板10は、その最上層、すなわち液晶層4に接する層に配向膜27を有している。この例の配向膜27は光配向によって形成されている。すなわち、配向膜27を構成する分子は光具体的には紫外線によって配向されている。遮光導体17と共通電極16は配向膜27よりも低い層、すなわち配向膜27よりも半導体層14及び第1透明基板10に近い層に形成されている。そのため、紫外線により配向膜27を形成する製造工程において、紫外線が半導体層14にあたることを抑えることができる。すなわち、第1保護絶縁膜22上に半導体層14及び後述する半導体層34を形成する。その後、半導体層14,34上に第2保護絶縁膜23を形成し、第2保護絶縁膜23上にソース電極線12、ドレイン電極13a、後述するソース電極線32、及びドレイン電極線33を形成する。その後、後述する絶縁膜24、共通電極16、遮光導体17、絶縁膜25、画素電極15を、この順番で形成する。最後に、画素電極15上に配向膜27を形成し、紫外線により配向膜27の分子を配向する。その際、紫外線が半導体層14にあたることが、遮光導体17によって抑えられる。図2及び図3に示すように、半導体層14はゲート電極線11の上方に位置している。すなわち、半導体層14はゲート電極線11よりも液晶層4に近い層に形成され、且つ、ゲート電極線11と重なる位置に位置している。ゲート電極線11も遮光性を有する材料例えば、上述したCuやAlで形成されている。そのため、ゲート電極線11も、半導体層14に光があたることを防ぐ。図4に示すように、遮光導体17とゲート電極線11の双方は半導体層14よりも大きな幅を有している。そして、半導体層14の全体が、遮光導体17とゲート電極線11とに重なる領域に位置している。これにより、半導体層14に光があたることを、より確実に防ぐことができる。図2及び図4に示すように、この例の遮光導体17の幅はゲート電極線11の幅に対応している。換言すると、遮光導体17の幅はゲート電極線11の幅に相等している。そのため、ゲート電極線11の幅により規定される開口率を低減することなく、半導体層14に光があたることを効果的に抑えることができる。なお、遮光導体17の幅はゲート電極線11よりも大きくてもよい。この構造によれば、外光や、配向膜27の形成に利用される紫外線が半導体層14にあたることを、より効果的に抑えることができる。この構造は、図3に示すように遮光導体17と半導体層14との距離がゲート電極線11と半導体層14との距離よりも大きい構造に、特に有効である。また、外光や紫外線がゲート電極線11に反射して半導体層14に向かうことを、より効果的に抑えることができる。反対に、ゲート電極線11の幅が遮光導体17の幅よりも大きくてもよい。この構造によれば、バックライト装置102からの光が半導体層14に当ることを、より効果的に抑えることができる。また、バックライト装置102からの光が遮光導体17に反射して半導体層14に向かうことを、より効果的に抑えることができる。図3及び図4に示すように、遮光導体17と共通電極16は画素電極15よりも低い層に形成されている。すなわち、遮光導体17と共通電極16は画素電極15に比して半導体層14及び第1透明基板10に近い層に形成されている。このような構造では、遮光導体17と共通電極16が画素電極15よりも高い層に形成される構造に比して、遮光導体17と半導体層14との距離が小さくなる。その結果、外光や配向膜27の形成に利用される紫外線が半導体層14に光があたることを、より効果的に抑えることができる。この例では、図3に示すように、第2保護絶縁膜23上に絶縁膜24が形成されている。共通電極16は絶縁膜24上に形成されている。共通電極16と遮光導体17は絶縁膜25で覆われている。絶縁膜24,25は例えば窒化膜例えば窒化シリコンである。画素電極15は絶縁膜25上に形成され、配向膜27で覆われている。絶縁膜24,25にはスルーホールh1が形成されている。共通電極16にはこのスルーホールh1の位置を避けるように開口が形成されている。画素電極15はこのスルーホールh1を通してドレイン電極13aの端部に接続している。第1透明基板10の周縁領域の構造について説明する。図5は図2に示すV-V線を切断面とする第1透明基板10の断面図であり、図6は図2に示すVI-VI線を切断面とする第1透明基板10の断面図である。図2に示すように、第1透明基板10の周縁領域には、ゲートドライバ回路104のシフトレジスタ回路を構成する薄膜トランジスタ以下、TFT3と称するが形成されている。また、周縁領域にはTFT3のゲートとして機能するゲート電極線31が形成されている。この例のゲート電極線31はゲート電極線11と同一方向に伸びている。ゲート電極線31はゲート絶縁膜21で覆われている図5及び図6参照。TFT3はゲート電極線11の端部に接続されている。詳細には、図2に示すように、周縁領域には、ゲート電極線11を挟んで互いに反対側に位置するドレイン電極線33とソース電極線32とが形成されている。TFT3はドレイン電極線33を通してゲート電極線11の端部に接続されている。なお、このドレイン電極線33とソース電極線32も、上述のドレイン電極13aとソース電極線12と同様に、第2保護絶縁膜23上に形成されている。図6に示すように、ドレイン電極33aは、保護絶縁膜22,23及びゲート絶縁膜21に形成されたスルーホールh2を通してゲート電極線11に接続されている。図5に示すように、TFT3はチャネル部を構成する半導体層34を有している。半導体層34はゲート電極線31の上方に位置している。すなわち、半導体層34はゲート電極線31と重なる位置に形成されている。ゲート電極線31は半導体層34よりも大きな幅を有し、半導体層34の全域がゲート電極線31と重なっている。ゲート電極線31は、ゲート電極線11と同様に、遮光性を有する材料例えばCuやAlで形成されている。そのため、ゲート電極線31は、半導体層34に光があたることを防ぐ。この例では、半導体層34は第1保護絶縁膜22上に形成され、第2保護絶縁膜23で覆われている。図5に示すように、TFT3はソース電極32aとドレイン電極33aとを有している。ソース電極32aはソース電極線32からドレイン電極線33に向かって伸びている。ドレイン電極33aはドレイン電極線33からソース電極線32に向かって伸びている。電極32a,33aは第2保護絶縁膜23上に形成され図6参照、第2保護絶縁膜23に形成されたスルーホールを通して半導体層34に接続している。図5に示すように、この例のTFT3は、互いに平行な複数のソース電極32aと、互いに平行な複数のドレイン電極33aとを有している。ソース電極32aとドレイン電極33aは、ゲート電極線31の延伸方向において交互に配置されている。この構造により、TFT3の動作性能を向上できる。例えば、TFT3の動作速度を増したり、TFT3を通して流れる電流を増すことができる。なお、TFT3は必ずしも交互に配置される複数のソース電極32aと複数のドレイン電極33aとを含んでいなくてもよい。半導体層34は、半導体層14と同様に、酸化物半導体で形成されている。すなわち、半導体層34は透明アモルファス酸化物半導体で形成されている。周縁領域には、共通電極16と同様の透明導電材料で形成される電極36が形成されている。電極36は半導体層34の上方に位置する部分半導体層34に重なる領域に位置する部分を含み、半導体層34を覆っている。この例の電極36は共通電極16と繋がっている以下、電極36を周縁共通電極と称する。そのため、TFT3を含むゲートドライバ回路104が出す不要電界を周縁共通電極36で遮ることができ、その結果、不要電界が画素領域の液晶層4の駆動に影響するのを抑えることができる。周縁共通電極36は共通電極16と同じ層に形成されている。すなわち、周縁共通電極36は絶縁膜24上に形成されている。そのため、周縁共通電極36は、共通電極16を形成する工程で共通電極16と一緒に形成され得る。図5に示すように、周縁共通電極36上には遮光導体37が形成されている以下、遮光導体37を周縁遮光導体と称する。周縁遮光導体37と周縁共通電極36は互いに接触している。周縁遮光導体37は、遮光導体17と同様に、共通電極16,36の材料である透明導電材料よりも高い導電率を有し、且つ遮光性を有する材料で形成されている。遮光導体37の良好な導電率により、共通電極16,36の抵抗を低減できる。その結果、共通電極16,36の電位が不均一となることを抑えることができる。図2に示すように、周縁遮光導体37は遮光導体17に接続している。すなわち、複数の遮光導体17は周縁遮光導体37からゲート電極線11の延伸方向に伸びている。そのため、共通電極16,36の電位が不均一となることを、より効果的に抑えることができる。周縁遮光導体37は、遮光導体17と同じ層に形成されている。そのため、周縁遮光導体37は、遮光導体17を形成する工程で遮光導体17と一緒に形成され得る。上述したように、周縁遮光導体37は遮光性を有する材料で形成されている。図5及び図6に示すように、周縁遮光導体37は半導体層34の上方に位置し、当該半導体層34を覆っている。すなわち、周縁遮光導体37は半導体層34と重なる位置に位置する部分を含んでいる。そのため、半導体層34に光があたることを防ぐことができる。この例では、周縁遮光導体37は配向膜27よりも低い層に位置している。そのため、配向膜27の形成に利用される紫外線が半導体層34にあたることを防ぐことができる。この例の周縁共通電極36と周縁遮光導体37は、ゲート電極線11の延伸方向に対して直交する方向図2においてY方向、すなわちソース電極線12の延伸方向に広がっている。上述したように、表示領域に形成された遮光導体17は、ゲート電極線11の延伸方向に伸びている。すなわち、周縁共通電極36と周縁遮光導体37は、遮光導体17及びゲート電極線11の延伸方向に直交する方向に広がっている。そのため、共通電極16の電位が不均一となることを、図2に示すX方向及びY方向の双方において抑えることができる。また、周縁遮光導体37を利用することにより、ソース電極線12に沿って伸び共通電極16の抵抗を下げる電線共通電極とスルーホールを介して接続する共通電極線は、必ずしも表示領域の内側には必要とされなくなる。その結果、画素の開口率を増すことが可能となる。さらに、隣接する2つのゲート電極線31の間の部分も、周縁遮光導体37によって覆われる。そのため、半導体層34に光があたることを、より効果的に抑えることができる。また、本実施形態は、次のような構造の液晶表示パネルに対して有利である。すなわち、共通電極線が周縁領域に位置し且つ表示領域の側縁に沿って形成される。また、この共通電極線はソース電極線12の層又はゲート電極線11の層に形成される。周縁領域のTFT3は共通電極線のさらに外側に形成される。この構造では、共通電極線の幅だけTFT3が外側に位置するため、左右方向での周縁領域の幅が大きくなる。本実施形態では、共通電極16の抵抗を下げる周縁遮光導体37は共通電極16上に形成されるため、上記構造に比して、TFT3の位置を表示領域の側縁寄りに形成できる。その結果、周縁領域の幅、すなわち液晶表示パネル10の側縁と表示領域の側縁との距離を狭めることができる。この例の周縁遮光導体37の長さY方向の長さはソース電極線12の長さに対応している。換言すると、周縁遮光導体37の長さはソース電極線12の長さに相等している。また、図5に示すように、半導体層34の全域が周縁遮光導体37に重なっている。これにより、半導体層34に光があたることを、より確実に抑えることができる。図7は本発明の第2の実施形態に係る液晶表示パネルを構成する第1透明基板110の平面図である。図8は図7に示すVIII-VIII線を切断面とする第1透明基板110の断面図である。これらの図では、第1の実施形態と同一の箇所には同一符号を付している。第1透明基板110の構造は、周縁領域に形成された電極と遮光導体とに関して第1透明基板10と相違し、その他の点は第1透明基板10と同様である。すなわち、第1透明基板110の表示領域には、ゲート電極線11、ソース電極線12、TFT2、画素電極15、共通電極16、及び遮光導体17が形成されている。また、第1透明基板110の周辺領域にはTFT3が形成されている。第1透明基板110の周縁領域には、ゲート電極線136以下において第2ゲート電極線が形成されている。第2ゲート電極線136は、ゲート電極線31以下において第1ゲート電極線と称すると第1透明基板110の厚さ方向において対向し、ゲート電極線31の延伸方向に伸びている。TFT3は第1ゲート電極線31と第2ゲート電極線136との間に位置している。ゲート電極線31,136の双方にTFT3を駆動するゲート電圧が加えられる。この構造によれば、TFT3の動作性能を向上できる。例えば、TFT3の動作速度を増したり、TFT3を流れる電流を増すことができる。第2ゲート電極線136は、上述の共通電極16と同様に、透明導電材料で形成されている。第2ゲート電極線136は、共通電極16と同じ層に位置している。すなわち、この例の第2ゲート電極線136は絶縁膜24上に形成されている。第2ゲート電極線136は、共通電極16を形成する工程と同じ工程において当該共通電極16と一緒に形成される。なお、ゲート電極線136は共通電極16に接続されていない。ゲート電極線136上には遮光導体137が形成されている。遮光導体137は、遮光導体37と同様に、ゲート電極線136の材料である透明導電材料よりも高い導電率を有し且つ遮光性を有する材料で形成されている。遮光導体137の良好な導電率によって第2ゲート電極線136の抵抗を下げることができる。なお、遮光導体137は、表示領域に形成された遮光導体17と同じ層に位置している。遮光導体137は、遮光導体17を形成する工程と同じ工程で当該遮光導体17と一緒に形成される。遮光導体137は遮光導体17に接続されていない。遮光導体137のサイズは第2ゲート電極線136のサイズに対応している。すなわち、遮光導体137と第2ゲート電極線136は実質的に同じ幅Y方向での幅であるを有している。また、遮光導体137は第2ゲート電極線136と実質的に同じ長さを有している。なお、遮光導体137の幅は第2ゲート電極線136の幅よりも僅かに小さくてもよい。上述したように、遮光導体137は遮光性を有する材料で形成されている。遮光導体137は半導体層34を覆っている。これにより、半導体層34に光があたることを抑えることができる。例えば、外光や、配向膜27の形成に利用される紫外線が半導体層34にあたることを抑えることができる。この例では、遮光導体137と第1ゲート電極線31の双方は半導体層34よりも大きな幅を有している。そして、半導体層34の全域が遮光導体137と第1ゲート電極線31とに重なる位置に位置している。これにより、半導体層34に光があたることを、より効果的に抑えることができる。この例の遮光導体137は、第1ゲート電極線31の幅に対応する幅を有している。換言すると、遮光導体137の幅は第1ゲート電極線31の幅に相等している。これにより、半導体層34についての遮光機能を確保できる。なお、遮光導体137は第1ゲート電極線31よりも大きな幅を有してもよい。この構造によれば、外光や、配向膜27の形成に利用される紫外線が半導体層34にあたることを、より効果的に抑えることができる。また、遮光導体137の幅は第1ゲート電極線31より小さくてもよい。以上説明したように、液晶表示パネル1の第1透明基板10,110には、TFT2,3のチャネル部を構成する、酸化物半導体を材料とする半導体層14,34と、透明導電材料で形成され、半導体層14,34の上方に位置する電極16,36,136と、透明導電材料よりも高い導電率を有し且つ遮光性を有する材料で電極16,36,136上に形成され、半導体層14,34を覆う遮光導体17,37,137と、が形成されている。この構造によれば、電極16,36,136の抵抗を下げながら、半導体層14,34に光があたることを抑えることができる。なお、本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更が可能である。例えば、第1透明基板10の周縁領域には、必ずしも遮光導体17,37,137は必ずしも形成されなくてもよい。また、周縁領域には、ソースドライバ回路105を構成するTFTの半導体層を覆う遮光導体が形成されてもよい。また、本発明はVAVirticalAlignment方式やTNTwistedNematic方式など、共通電極が第2透明基板40に形成される方式の液晶表示パネルに適用されてもよい。この場合、周縁領域にのみ遮光導体具体的には上述した遮光導体37又は遮光導体137が形成されてもよい。また、第1透明基板に形成された画素電極のそれぞれに遮光導体が形成されてもよい。また、本発明は液晶表示パネルだけでなく、有機ELパネルElectroLuminescencePanelに適用されてもよい。この場合でも、有機ELパネルに透明導電材料で形成される電極上に遮光導体を形成することで、電極の抵抗を低減できる。"