"金属、及び合金から選択された1種又は2種以上からなる、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と、金属微粒子P1と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの金属微粒子P2からなり、その配合割合P1/P2が80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である金属微粒子Pと、有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーBからなる有機分散媒Dとを含み、金属微粒子Pと有機分散媒Dとの配合割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量であることを特徴とする導電性ペースト。前記金属微粒子P1が、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項1に記載の導電性ペースト。前記有機分散媒Dにおける有機溶媒Sと有機バインダーBの配合割合S/Bが80~100質量/20~0質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性ペースト。前記有機分散媒Dが水を含有しており、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機溶媒Sが、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる有機溶媒S15~95体積、並びにアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2、である、ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の導電性ペースト。前記有機溶媒S1が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール、トレイトール、エリトリトール、ペンタエリスリトール、ペンチトール、ヘキシトール及びイミノジエタノールの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項5に記載の導電性ペースト。前記有機溶媒SAが、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミドの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項5に記載の導電性ペースト。前記有機バインダーBがセルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の導電性ペースト。前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド66、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール、の中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする請求項8に記載の導電性ペースト。前記導電性ペーストを加熱処理して金属多孔質体を形成する際に、有機溶媒Sと有機バインダーBが蒸発又は熱分解する、ことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の導電性ペースト。請求項1から10のいずれかに記載の導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材であって、該金属多孔質体が平均粒子径1~10μmの金属微粒子P2に由来する粒子間に、平均粒子径1~150nmの金属微粒子P1に由来する粒子がその表面で部分的に結合した状態で存在していて、これらの金属微粒子間に空孔が分散している、ことを特徴とする導電接続部材。前記導電接続部材が半導体素子間を接合するための導電性バンプである、ことを特徴とする請求項11に記載の導電接続部材。前記導電接続部材が半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部である、ことを特徴とする請求項11に記載の導電接続部材。前記加熱処理が両電極端子間、又は電極端子と基板間を0.5~15MPaで加圧した状態で行われる、ことを特徴とする請求項11から13のいずれかに記載の導電接続部材。前記導電性ペーストの加熱処理温度が150~350°Cである、ことを特徴とする請求項11から14に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。前記導電性ペーストの加熱処理温度が250~300°Cである、ことを特徴とする請求項11から14に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。前記金属多孔質体の空隙率が5~35である、ことを特徴とする請求項11から16に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。上記特許文献1に開示のミクロンサイズ1μm以上1000μm未満のサイズをいう、以下同じ。の金属粒子を焼結して得られる金属多孔質体はナノサイズナノサイズとは1μm未満のサイズをいう、以下同じ。の金属多孔質体と比較して耐熱応力が低いので熱サイクル特性が相対的に十分でないという問題点がある。すなわち、上記特許文献1に具体的に開示されている多孔質体はミクロンサイズの金属粒子の結合体の間にミクロンサイズの空孔が存在する構造である。金属材料中のクラック亀裂の伝播の理論によれば、クラックを空孔ととらえ、空孔サイズが十分に小さいとき大きい応力が働いても空孔クラックが拡大しないことが知られている日本材料学会編、疲労設計便覧、1995年1月20日、養賢堂発行、148~195頁参照。この場合、例えばナノサイズの空孔を持つバンプは、ミクロンサイズの空孔を持つバンプよりおよそ100倍程度の耐応力性があると推測される。上記特許文献2に開示の焼結体からなるバンプを適用する場合には、上記のような問題はないが、バンプに弾性を持たせたために、実装の際に横方向の変形のおそれがあり、バンプ間隔ピッチを損ねることがある。上記特許文献3、及び特許文献4に開示のナノサイズからなる金属微粒子を焼結する際には、焼結温度近辺まで固体粉末が残存し分散媒から発生するガスの取り込みによる粗大ボイドの形成、膨れやクラックを形成し易いという問題点がある。半導体素子とインターポーザとの接続構造部であるダイボンド部における接着性が低いと機械的ストレス外部応力、内部応力や物理応力熱ストレスによって、半導体素子の裏面またはインターポーザ接続端子と導電性ダイボンド部との接着界面が、部分剥離したり完全剥離したりすることがある。優れた熱サイクル特性を有する導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材は、ナノサイズの金属微粒子を含有する導電性ペーストを焼成して、該微粒子の表面が結合すると共にナノサイズの空孔が形成されている多孔質体とすることが好ましいが、導電性ペーストにおいて、金属微粒子が偏在していたり、加熱処理する際に有機分散剤が蒸発又は熱分解して生じた気泡が成長して、多孔質体内部に粗大ボイドやクラックを形成すると、機械的強度や熱サイクル特性が著しく低下する。本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、導電性ペースト中に平均一次粒子径が1~150nmの導電性金属微粒子中に、該微粒子と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの導電性金属微粒子を一定割合配合させ、かつ有機分散媒として還元性を有する有機溶媒を使用することにより、空孔空隙の偏在が少なく、粗大ボイドやクラックが存在しない、接合強度に優れた導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が得られることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、以下の1~17に記載する発明を要旨とする。1金属、及び合金から選択された1種又は2種以上からなる、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と、金属微粒子P1と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの金属微粒子P2からなり、その配合割合P1/P2が80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である金属微粒子Pと、有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーBからなる有機分散媒Dとを含み、金属微粒子Pと有機分散媒Dとの配合割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする導電性ペースト以下、第1の態様ということがある。2前記金属微粒子Pが、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする前記1に記載の導電性ペースト。3前記有機分散媒Dにおける有機溶媒Sと有機バインダーBの配合割合S/Bが80~100質量/20~0質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする前記1又は2に記載の導電性ペースト。4前記有機分散媒Dが水を含有しており、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量である、ことを特徴とする前記1から3のいずれかに記載の導電性ペースト。5前記有機溶媒Sが、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる有機溶媒S15~95体積、並びにアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2、であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の導電性ペースト。6前記有機溶媒S1が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2-プロパンジオール、1,3-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、グリセロール、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール、トレイトール、エリトリトール、ペンタエリスリトール、ペンチトール、ヘキシトール及びイミノジエタノールの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする前記5に記載の導電性ペースト。7前記有機溶媒SAが、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミドの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする、前記5に記載の導電性ペースト。8前記有機バインダーBがセルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする前記1から7のいずれかに記載の導電性ペースト。9前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド66、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール、の中から選択される1種又は2種以上である、ことを特徴とする前記8に記載の導電性ペースト。10前記導電性ペーストを加熱処理して金属多孔質体を形成する際に、有機溶媒Sと有機バインダーBが蒸発又は熱分解する、ことを特徴とする前記1から9のいずれかに記載の導電性ペースト。11請求項1から10のいずれかに記載の導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材であって、該金属多孔質体が平均粒子径1~10μmの金属微粒子P2に由来する粒子間に、平均粒子径1~150nmの金属微粒子P1に由来する粒子がその表面で部分的に結合した状態で存在していて、これらの金属微粒子間に空孔が分散している、ことを特徴とする導電接続部材以下、第2の態様ということがある。12前記導電接続部材が半導体素子間を接合するための導電性バンプであることを特徴とする前記11に記載の導電接続部材。13前記導電接続部材が半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部である、ことを特徴とする前記11に記載の導電接続部材。14前記加熱処理が両電極端子間、又は電極端子と基板間を0.5~15MPaで加圧した状態で行われる、ことを特徴とする前記11から13に記載の導電接続部材。15前記導電性ペーストの加熱処理温度が150~350°Cである、ことを特徴とする前記11から14に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。16前記導電性ペーストの加熱処理温度が250~300°Cである、ことを特徴とする前記11から14に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。17前記金属多孔質体の空隙率が5~35である、ことを特徴とする前記11から16に記載の金属多孔質体からなる導電接続部材。i上記1に記載した第1の態様の導電性ペーストには、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と1~10μmの金属微粒子P2からなる2種類の粒子径の金属微粒子、及び有機溶媒Sが含有されていることにより、導電性ペーストを加熱処理焼結して金属多孔質体を得る際に、該ペースト中の金属微粒子がナノ粒子のみからなる場合と比較して、該ペースト中で金属微粒子P2がナノサイズの金属微粒子P1の自由な移動を制限して焼成時に発生する気泡が成長して粗大ボイドやクラックの発生を抑制して、金属微粒子と空孔が分散されている導電接続部材を得ることができる。該加熱処理の際に、有機溶媒Sは、金属微粒子P1と金属微粒子P2間、及び金属微粒子P1間に液状及び/又は気体状で存在して非酸化性雰囲気を形成し、これらの金属微粒子が酸化されるのを抑制して焼結を促進し、空孔が分散して形成されるのを促進する。その結果、電気的、機械的に接合するために電極端子の接合面上に、本発明の導電性ペーストを焼成して導電接続部材を形成すると接合強度を向上することができる。ii上記11に記載した第2の態様の導電接続部材は、金属微粒子Pと空孔が偏在しないで分散しており、粗大ボイドやクラックが存在しないので熱サイクル特性が向上して耐クラック性、及び接合強度に優れている。以下に、本発明について詳述する。1第1の態様である導電性ペーストについて第1の態様である導電性ペーストは、金属、及び合金から選択された1種又は2種以上からなる、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と、金属微粒子P1と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの金属微粒子P2からなり、その配合割合P1/P2が80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である金属微粒子Pと、有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーBからなる有機分散媒Dとを含み、金属微粒子Pと有機分散媒Dとの配合割合P/Dが50~85質量/50~15質量質量の合計は100質量であることを特徴とする。1金属微粒子P金属微粒子Pは、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と、金属微粒子P1と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの金属微粒子P2からなり、その配合割合P1/P2が80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である。金属微粒子Pを構成する金属微粒子P1と金属微粒子P2とは同種の金属であり、金属微粒子Pとしては導電性ペーストに含有されていて、加熱処理後導電接続部材としての機能を発揮するものであれば使用可能であるが、導電性、加熱処理焼結性、市場における入手の容易性等から、銅、金、銀、ニッケル、及びコバルトの中から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。金属微粒子P1の平均一次粒子径は、1~150nmである。該平均一次粒子径が1nm未満では、焼成により均質な粒子径と空孔を有する多孔質体を形成することが困難になるおそれがある。一方、導電性ペーストを加熱処理する際に金属微粒子P1は平均一次粒子径が1~10μmである金属微粒子P2間に存在するので、金属微粒子P1の平均一次粒子径が150nmを超えると、金属微粒子P2間に安定的に存在しづらくなり、本発明の効果を充分に発揮できなくなるおそれがある。尚、本発明において、一次粒子の平均粒径とは、二次粒子を構成する個々の金属微粒子の一次粒子の直径の意味である。該一次粒子径は、透過型電子顕微鏡TEM観察に基づいて測定することができる。また、平均粒径とは、一次粒子の数平均粒径を意味する。金属微粒子P2の平均一次粒子径は、1~10μmである。金属微粒子P2の平均一次粒子径がかかる範囲であることにより、金属微粒子P1の平均一次粒子径との粒子径の差が確保できて、加熱処理する際に金属微粒子P1の自由な移動を効果的に抑制することができる。金属微粒子P中における、金属微粒子P1と金属微粒子P2との配合割合P1/P2は80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である。かかる配合割合とすることにより、導電性ペーストを加熱処理して形成される,金属多孔質体からなる導電接続部材中で、金属微粒子P2が偏在するのを抑制して、分散性を向上させることが可能になる。2有機分散媒D有機分散媒Dは、有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーBとからなる。有機分散媒Dは、導電性ペースト中で金属微粒子P1と金属微粒子P2とを分散させ、導電性ペーストの粘度の調節、及びバンプ前躯体、ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前躯体の形状を維持し、かつ加熱処理の際に液状及びガス状で還元剤としての機能を発揮する。前記有機分散媒Dにおける有機溶媒Sと有機バインダーBの配合割合S/Bが80~100質量/20~0質量質量の合計は100質量であることが好ましい。有機分散媒D中の有機バインダーBの配合割合が20質量を超えると、バンプ前躯体を加熱処理する際に有機バインダーBが熱分解して飛散する速度が遅くなり、また導電性バンプ中に残留カーボン量が増えると焼結が阻害されて、クラック、剥離等の問題が生ずる可能性があり好ましくない。有機溶媒Sの選択により、該溶剤のみで金属微粒子P1と金属微粒子P2とを分散させ、導電性ペーストの粘度を調節し、導電性バンプ前躯体、導電性ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前駆体の形状を維持できる機能を発揮できる場合には、有機分散媒Dとして有機溶媒Sのみからなる成分を使用できる。2-1有機溶媒S前記有機溶媒Sは、i常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる還元性を有する有機溶媒S1、又はii少なくとも、常圧における沸点が100°C以上で、かつ分子中に1又は2以上のヒドロキシル基を有するアルコール及び/又は多価アルコールからなる還元性を有する有機溶媒S15~95体積、並びにアミド基を有する有機溶媒SA95~5体積からなる有機溶媒S2が好ましい。有機分散媒D中に還元性を有する有機溶媒S1が含有されていると、導電性ペーストを加熱処理する際に、先ず金属微粒子表面が還元され、その後に該微粒子の表面間で焼結に基づく結合が進行すると考えられるので、有機溶媒S1が連続的に蒸発して、液体および蒸気が存在する雰囲気で還元焼成すると、焼結が促進されて良好な導電性を有する導電接続部材が形成される。従って、有機分散媒D中に有機溶媒S1が存在すると、加熱処理の際に非酸化性雰囲気が形成されて、金属微粒子P表面における還元、結合が促進される。かかる観点から、有機溶媒S2は有機溶媒S160~95体積、及びアミド基を有する有機溶媒SA40~5体積からなることがより好ましい。また、前記有機分散媒Dが水を含有しており、該水の含有量が有機溶媒Sと水Wとの割合S/Wで75~99.9質量/25~0.1質量質量の合計は100質量とすることもできる。後述する有機溶媒Sは水との親和性が良いものが多いので、水を吸収し易く、そのため予め水を添加しておくことで導電性ペーストの経時的な粘性変化が生ずるのを抑制することが可能になる。有機溶媒S2中にアミド系有機溶媒SAを上記割合含有させると、有機溶媒S1との混ざりがよく、また有機溶媒S1として沸点の高い有機溶媒を使用する際に溶媒の蒸発を促進して粒子間の焼結を進行させるため、焼成後の焼結粒子と導電性基板との密着性と接続強度の向上が期待できる。有機溶媒S1の具体例として、エチレングリコール沸点197°C、ジエチレングリコール沸点244°C、1,2-プロパンジオール沸点188°C、1,3-プロパンジオール沸点212°C、1,2-ブタンジオール沸点192°C、1,3-ブタンジオール沸点208°C、1,4-ブタンジオール沸点230°C、2-ブテン-1,4-ジオール沸点235°C、2,3-ブタンジオール、ペンタンジオール沸点239°C、ヘキサンジオール沸点250°C、オクタンジオール沸点244°C、グリセロール沸点290°C、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール沸点161°C、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、及び1,2,4-ブタントリオールの中から選択される1種又は2種以上が例示できる。また、有機溶媒S1として、トレイトール、エリトリトール沸点331°C、ペンタエリスリトール、ペンチトール、キシリトール沸点216°C、リビトール、アラビトール、ヘキシトール、マンニトール、ソルビトール、ズルシトール、グリセリンアルデヒド、ジオキシアセトン、トレオース、エリトルロース、エリトロース、アラビノース、リボース、リブロース、キシロース、キシルロース、リキソース、グルコース、フルクトース、マンノース、イドース、ソルボース、グロース、タロース、タガトース、ガラクトース、アロース、アルトロース、ラクトース、キシロース、アラビノース、イソマルトース、グルコヘプトース、ヘプトース、マルトトリオース、ラクツロース、及びトレハロース、等の糖類も使用することが可能であるが、これらの中で融点が高いものについては他の有機溶媒S1と混合して使用することができる。尚、上記多価アルコールの例示において、カッコ内は常圧における沸点を示す。前記有機溶媒S1については、ヒドロキシル基を2つ以上有しており、該ヒドロキシル基が結合している炭素基部分が-CHOH-構造の多価アルコールが後述する還元機能を発揮し易い点からより好ましい。尚、上記多価アルコールの例示において、カッコ内は常圧における沸点を示す。有機溶媒SAの具体例として、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、及びアセトアミド等が挙げられる。2-2有機バインダーB有機バインダーBは、導電性ペースト中で金属微粒子Pの凝集の抑制、導電性ペーストの粘度の調節、及び導電性バンプ前躯体、導電性ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前駆体の形状を維持する機能を発揮する。このような機能を有する有機バインダーBとしては、セルロース樹脂系バインダー、アセテート樹脂系バインダー、アクリル樹脂系バインダー、ウレタン樹脂系バインダー、ポリビニルピロリドン樹脂系バインダー、ポリアミド樹脂系バインダー、ブチラール樹脂系バインダー、及びテルペン系バインダーの中から選択される1種又は2種以上が好ましい。有機バインダーRの具体例として、前記セルロース樹脂系バインダーがアセチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチルセルロース、及びニトロセルロース;アセテート樹脂系バインダーがメチルグリコールアセテート、エチルグリコールアセテート、ブチルグリコールアセテート、エチルジグリコールアセテート、及びブチルジグリコールアセテート;アクリル樹脂系バインダーがメチルメタクリレート、エチルメタクリレート、及びブチルメタクリレート;ウレタン樹脂系バインダーが2,4-トリレンジイソシアネート、及びp-フェニレンジイソシアネート;ポリビニルピロリドン樹脂系バインダーがポリビニルピロリドン、及びN-ビニルピロリドン;ポリアミド樹脂系バインダーがポリアミド6、ポリアミド66、及びポリアミド11;ブチラール樹脂系バインダーがポリビニルブチラール;テルペン系バインダーがピネン、シネオール、リモネン、及びテルピネオール等が挙げられる。3導電性ペースト導電性ペーストは、金属微粒子Pと有機分散媒Dを含み、金属微粒子Pが有機分散媒D中に均一に分散されたペースト状のものであり、金属微粒子Pが50~85質量と、有機分散媒Dが50~15質量質量の合計は100質量の割合で含有されている。金属微粒子Pの割合が前記85質量を超えるとペーストが高粘度となり、加熱処理において金属微粒子P表面間の結合不足が生じて導電性が低下するおそれがある。一方、金属微粒子Pの割合が前記50質量未満では、ペーストの粘度が低下して半導体素子の電極端子又は回路基板の電極端子の接合面に塗布された導電接続部材前駆体の形状維持が困難となるおそれがあり、また、加熱処理の際に金属多孔質体が収縮するという不具合が生ずるおそれがある。かかる観点から前記金属微粒子Pと有機分散媒Dとの割合P/Dは55~80質量/45~20質量質量の合計は100質量が好ましい。本発明においては、導電性ペーストを加熱処理すると、ある温度に達すると有機溶媒Sの蒸発、又は有機溶媒Sの蒸発と有機バインダーBの熱分解が進行して、金属微粒子Pの表面同士が接触した後に、互いに結合焼結する原理を利用するものである。本発明の導電性ペーストには、本発明の効果を損なわない範囲において、前記した成分に必要に応じて消泡剤、分散剤、可塑剤、界面活性剤、増粘剤等、また他の金属粒子等を加えることができる。導電性ペーストを製造するに際し、前記金属微粒子Pに有機分散媒Dを添加してせん断応力を付加することにより、混練し、導電性ペーストを調製することができる。せん断応力を付加する方法としては、例えば、ニーダー、三本ロール等の混練装置、密閉系で混練可能なライカイ器等を用いることができる。混練の際、銅粉の酸化が過度に進行しないようにすることが好ましい。2第2の態様である導電接続部材について第2の態様の導電接続部材は、前記第1の態様に記載された導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材であって、該金属多孔質体が平均粒子径1~10μmの金属微粒子P2に由来する粒子間に、平均粒子径1~150nmの金属微粒子P1に由来する粒子がその表面で部分的に結合した状態で存在していて、これらの金属微粒子間に空孔が分散していることを特徴とする。1導電接続部材の作製導電接続部材としては半導体素子間を接合するための導電性バンプ、半導体素子と導電性基板間を接合するための導電性ダイボンド部等が挙げられるがこれらに限定されない。導電性バンプは、導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子の接合面に載せ塗布、印刷等も含まれる、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置した後、加熱処理、又は加圧下に加熱処理により焼結して形成される。前記接続する他方の電極端子にはワイヤボンディングを行う場合の金ワイヤ等のワイヤも含まれる。尚、前記導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置する際に位置合わせを行うことが望ましい。導電性ダイボンド部は、通常、導電性ペーストを電子部品における回路基板の接合面に載せ塗布、印刷等も含まれる、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子の接合面を配置した後、加熱処理、又は加圧下に加熱処理により焼結して形成される。前記加圧下の加熱処理は、両電極端子間、又は電極端子と基板間の加圧により導電接続部材前躯体と両電極端子接合面、又は電極端子と導電性基板間との接合を確実にするか、または導電接続部材前躯体に適切な変形を生じさせて電極端子接合面との確実な接合を行うことができるとともに、導電接続部材前躯体と電極端子接合面との接合面積が大きくなり、接合信頼性を一層向上することができる。また、半導体素子と導電接続部材前躯体間を加圧型ヒートツ-ル等を用いて加圧下で焼成すると、接合部での焼結性が向上してより良好な接合部が得られる。前記両電極端子間、又は電極端子と基板間の加圧は、0.5~15MPaが好ましい。該加圧が0.5MPa以上の加圧で接合面の大きなボイド形成の抑制効果が向上し、一方、15MPaを超えると導電性金属微粒子P1間の空隙が減少して、空隙率が低下するおそれがある。該導電性ペーストは第1の態様に記載したものを使用することができる。すなわち、該導電性ペーストには、金属、及び合金から選択された1種又は2種以上からなる、平均一次粒子径が1~150nmの金属微粒子P1と、金属微粒子P1と同種金属で平均一次粒子径が1~10μmの金属微粒子P2からなり、その配合割合P1/P2が80~95質量/20~5質量質量の合計は100質量である金属微粒子P50~85質量と、有機溶媒S、又は有機溶媒Sと有機バインダーBからなる有機分散媒D50~15質量質量の合計は100質量とからなる導電性ペーストを使用することができる。上記金属微粒子P1、金属微粒子P2、有機溶媒S、及び有機バインダーBの成分については、第1の態様に記載した通りである。又、有機分散媒Dが有機溶媒S80~100質量と、有機バインダーB20~0質量からなることが好ましいことも第1の態様に記載した通りである。導電性ペーストを半導体素子の電極端子等の上に載せて導電性バンプ前躯体、導電性ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前躯体を形成する手段としては、例えば公知のスクリーン印刷、後述するレジスト等により、電極端子の接続部に開口部を形成して該開口部に導電性ペーストを載せるために塗布する方法等が挙げられる。スクリーン印刷を使用する場合には、半導体素子の電極端子等の上に版膜レジストが設けられたスクリーン版を配置して、その上に導電性ペーストを載せてスキージで該ペーストを摺動すると、導電性ペーストはレジストのない部分のスクリーンを通過して、電極端子等の上に転移して、導電性バンプ前躯体、導電性ダイボンド部前躯体等の導電接続部材前躯体が形成される。導電性ペーストを充填するための開口部形成方法としては、露光現像工程を経て感光性樹脂層にパターンを形成するフォトリソグラフィー方法、レーザー光、電子線、イオンビーム等の高エネルギー線を素子上に設けた絶縁樹脂層に照射して、加熱による溶融もしくは樹脂の分子結合を切断するアブレーションにより該樹脂層に開口部を形成する方法がある。これらの中で、実用性の点からフォトリソグラフィー法、又はレーザー光を用いたアブレーションによる開口部形成方法が好ましい。加熱処理焼結後に、半導体素子上の電極端子と、回路基板の電極端子とが電気的接続を確保できるように接触させるための位置合わせは、例えば、半導体素子上の電極端子と、テープリール等で搬送されてきた導電性基板の接続電極端子部とを光学装置等を用いて行うことができる。半導体素子の電極端子上等の上に形成され、対となる端子電極と接している状態のバンプ前駆体、ダイボンド部前駆体等の導電接続部材前駆体は、好ましくは150~350°C、より好ましくは250~300°Cの温度で加熱処理焼結して導電接続部材を形成することにより、半導体素子の電極端子等と相対する端子電極等を該導電接続部材を介して電気的、機械的に接合する。前記加熱処理に要する時間は、使用する金属微粒子P1の種類、有機分散媒Dの種類にもよるが、5~30分間程度が望ましい。金属微粒子P1として平均一次粒子径が1~150nmの微粒子を使用するので、加熱により有機分散媒Dが除去されれば、その表面のエネルギーによってバルク状態の金属の融点より低温で金属微粒子表面間での結合焼結が進み、金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材が形成される。2導電接続部材第2の態様の導電接続部材は、前述の通り、第1の態様に記載の導電性ペーストを電子部品における半導体素子もしくは回路基板の電極端子又は導電性基板の接合面に載せた後、該導電性ペースト上に更に接続する他方の電極端子又は導電性基板の接合面を配置して加熱処理により焼結して形成された金属多孔質体からなる導電接続部材であって、該金属多孔質体が平均粒子径1~10μmの金属微粒子P2に由来する粒子間に、平均粒子径1~150nmの金属微粒子P1に由来する粒子がその表面で部分的に結合した状態で存在していて、これらの金属微粒子間に空孔が分散していることを特徴とする。上記加熱処理により得られる導電接続部材は、めっき法で得られる導電性バンプ等と対比すると金属微粒子P1に変形や応力が緩和された状態で金属微粒子P1同士が表面で接触して、結合焼結されることで、適度な弾力性と柔らかさを有し、かつ、良好な導電性が得られる。このようにして得られる金属多孔質体からなる導電性バンプ、導電性ダイボンド部等の導電接続部材は、空隙率が5~35体積であり、かつ空孔が偏在していないので機械的及び電気的接合性に優れ、熱サイクル特性が向上して耐クラック性に優れている。尚、導電性バンプ形状物または導電性ダイボンド部の空隙率は、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、観察倍率1000~10000倍の電子顕微鏡写真を撮り、その断面像を解析することにより求めることができる。本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1~3、及び比較例1~5において、評価用導電性バンプサンプルを作製し、実施例4~6、及び比較例6~10において、評価用導電性ダイボンド部サンプルを作成し、それぞれ評価を行った。本実施例、比較例における評価試験用のサンプルの作製法を以下に記載する。尚、導電性バンプと導電性ダイボンド部の評価方法等については後述する。[実施例1]平均一次粒子径が60nmの銀微粒子と、平均一次粒子径が5μmの銀微粒子を95:5質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてエチレングリコールを銀微粒子濃度60質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを、導電性基板DBC基板DirectBondingCopper基板にスクリーン印刷により、導電性バンプ前駆体サイズ:50μmφ、厚み:150μmを4箇所1辺が4mmの正方形の頂点に対応する位置塗布した。該前駆体上に対になるようにスタッド50μmφ、厚み:150μmに金スパッタされたSiチップ形状:1辺が4.5mmの直方体の金スパッタ面が該前駆体面と相対するように載せた。Siチップが搭載された導電性基板を200°Cで加熱処理して、導電性ペースト中に含有されている銀微粒子を焼結させて、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて後述する接合強度試験測定の平均値N=10等の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[実施例2]水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、同様の無電解還元により調製された平均一次粒子径が7μmの銅微粒子を90:10質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が80質量になるように添加して、実施例1と同様にして導電性ペーストを調製した。得られた導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。また、実施例2で得られた導電性バンプ断面の電子顕微鏡写真を図1に示す。図1から、平均一次粒子径が7μmの銅微粒子に由来する焼結粒子が導電性バンプ中に分散して存在し、該焼結粒子の周囲に、平均一次粒子径が120nmの銅微粒子に由来する焼結粒子が存在していて、粗大ボイドやクラックが存在していないことが観察される。[実施例3]実施例2で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、平均一次粒子径が7μmの銅微粒子を90:10質量比で混合し、有機溶媒としてグリセロール80体積とN-メチルアセトアミド20体積からなる混合溶剤を添加し、銅微粒子濃度が75質量になるように調節した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[比較例1]実施例2で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子に、還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを添加し、銅微粒子濃度が50質量になるように調節した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[比較例2]実施例2で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が10μmの銅微粒子を75:25質量比で混合し、還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを添加して、銅微粒子濃度が50質量になるように調節した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[比較例3]実施例2で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が10μmの銅微粒子を70:30質量比で混合し、還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを添加して、銅微粒子濃度が50質量になるように調節した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[比較例4]実施例2で使用したと同様の、平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が15μmの銅微粒子を95:5質量比で混合し、還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを添加して、銅微粒子濃度が50質量になるように調節した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。[比較例5]実施例2で使用したと同様の、平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が6μmの銅微粒子を95:5質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が90質量になるように調製した導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性バンプを作製した。得られた導電性バンプについて実施例1と同様の評価を行った。その評価結果を表1に示す。上記実施例1~3、比較例1~5についての、表1中の評価基準は下記の通りとした。i体積空隙率導電性バンプの体積空隙率が5~35の場合はA、35超の場合はB、5未満の場合はCとした。ii平均接合強度試験基板とSiチップが導電性バンプにより接合された接合強度試験用のSiチップ接続サンプルをダイシェア試験機で基板からSiチップを剥離させる際にかかった力を導電性バンプの接合面積で除して、単位面積当りの接合強度[N/mm2]を求めた。iii粗大ボイドの有無導電性バンプに10μm以上の粗大ボイドが観察されない場合はA、観察された場合はBとした。ivクラックの有無導電性バンプ、及びその接合面にクラックが観察されない場合はA、観察された場合はBとした。[実施例4]平均一次粒子径が60nmの銀微粒子と、平均一次粒子径が5μmの銀微粒子を95:5質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてエチレングリコールを銀微粒子濃度60質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。導電性基板DBC基板DirectBondingCopper基板上に150ミクロン厚のテープ塩化ビニールテープを貼り、金属ヘラにより導電性ペースト形状:1辺が4mmの直方体を塗布し、その上に対になるように金スパッタされたSiチップ形状:1辺が3.5mmの直方体の金スパッタ面が導電性ペースト面と相対するように載せた。次に、Siチップが搭載された導電性基板を導電性ペースト方向に2MPaの圧力で加圧しながら、導電性基板、導電性ペースト、及びSiチップ部分を200°Cで加熱処理して、導電性ペースト中に含有されている金属微粒子を焼結させて、該導電性基板とSiチップが導電性ダイボンド部により電気的、機械的に接合された接合強度試験用のSiチップ接続サンプルを作製した。該導電性ダイボンド部について後述する接合強度試験測定の平均値N=10等の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[実施例5]実施例2で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が7μmの銅微粒子を90:10質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が80質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例4に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[実施例6]実施例5で使用したと同様の、平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、平均一次粒子径が7μmの銅微粒子を90:10質量比で混合し、該混合物に有機溶媒としてグリセロール80体積とN-メチルアセトアミド20体積からなる混合溶剤を銅微粒子濃度が75質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[比較例6]実施例5で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子に、還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が50質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[比較例7]実施例5で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が10μmの銅微粒子を75:25質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が50質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[比較例8]実施例5で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が10μmの銅微粒子を70:30質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が50質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[比較例9]実施例5で使用したと同様の平均一次粒子径が120nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が15μmの銅微粒子を95:5質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が50質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部の接合強度試験を行った。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。[比較例10]実施例5で使用したと同様の平均一次粒子径が250nmの銅微粒子と、水溶液中で銅イオンからの無電解還元により調製された、平均一次粒子径が6μmの銅微粒子を95:5質量比で混合し、該混合物に還元性を有する有機溶媒としてグリセロールを銅微粒子濃度が50質量になるように添加後十分に撹拌して導電性ペーストを調製した。該導電性ペーストを使用し、加熱処理温度を300°Cとした以外は、実施例1に記載したと同様にして、導電性基板とSiチップの端子とが電気的、機械的に接合している導電性ダイボンド部を作製した。該導電性ダイボンド部について実施例4と同様の評価を行った。その評価結果を表2に示す。尚、表2中の評価基準は下記の通りとした。i体積空隙率導電性バンプの空隙率は、走査型電子顕微鏡SEMを用いて、観察倍率1000~10000倍の電子顕微鏡写真を撮り、その断面像を解析することにより求めた。導電性ダイボンド部の体積空隙率3~25はA、25超で35以下はB、35超はC、3未満はDとした。ii平均接合強度試験導電性基板とSiチップが導電性ダイボンド部により電気的、機械的に接合された接合強度試験用のSiチップ接続サンプルをダイシェア試験機で導電性基板からSiチップを剥離させる際にかかった力を導電性ダイボンド部の接合面積で除して、単位面積当りの接合強度[N/mm2]を求めた。iii粗大ボイドの有無導電性ダイボンド部に5μm以上の粗大ボイドが観察されない場合はA、観察された場合はBとした。ニクラックの有無導電性ダイボンド部、及びその接合面にクラックが観察されない場合はA、観察された場合はBとした。"