太陽電池の製造方法において、基板を提供する段階;前記基板上に背面電極を形成する段階;前記背面電極上に光吸収膜用前駆体膜を形成する段階;前記光吸収膜用前駆体膜に対する結晶化工程を進行して光吸収膜を形成する段階;前記光吸収膜上にバッファー膜を形成する段階;前記バッファー膜上にウィンドウ膜を形成し、該ウィンドウ膜上に反射防止膜を形成する段階;および前記反射防止膜をパターニングし、該パターニングされた領域にグリッド電極を形成する段階を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記前駆体膜に対する結晶化段階は、電子ビーム照射工程によって進められることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記基板は、ガラスからなることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記光吸収前駆体膜は、Cu2ZnSnS4からなることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記Cu2ZnSnS4前駆体膜は、各構成成分の多層構造または構成要素の化合物からなる単一層構造を有することを特徴とする請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記光吸収膜用前駆体膜は、CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe2またはCuInGaS2からなることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記CuInSe2前駆体膜、前記CuInS2前駆体膜、前記CuInGaSe2前駆体膜または前記CuInGaS2前駆体膜は、各構成成分の多層構造または構成要素の化合物からなる単一層構造を有することを特徴とする請求項6に記載の太陽電池の製造方法。本発明は、製造過程で基板の変形を防止し、光吸収膜の構成成分の中の硫黄またはセレンの揮発を抑制できる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明による太陽電池の製造方法は、基板を提供する段階;基板上に背面電極を形成する段階;背面電極上に光吸収膜用前駆体膜を形成する段階;光吸収膜用前駆体膜に対する結晶化工程を進行して光吸収膜を形成する段階;光吸収膜上にバッファー膜を形成する段階;バッファー膜上にウィンドウ膜を形成し、ウィンドウ膜上に反射防止膜を形成する段階;および反射防止膜を一部パターニングし、パターニングされた領域にグリッド電極を形成する段階を含む。ここで、光吸収膜用前駆体膜は、Cu2ZnSnS4、CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe2、及びCuInGaS2のうちのいずれか一つからなる。特にCu2ZnSnS4前駆体膜、CuInSe2前駆体膜、CuInS2前駆体膜、CuInGaSe2前駆体膜、またはCuInGaS2前駆体膜は、各構成成分の多層構造または構成要素の化合物からなる単一層構造を有することができる。好ましくは、前駆体膜に対する結晶化段階は、電子ビーム照射工程によって行われる。以上のような本発明による太陽電池の製造方法は、電子ビーム蒸着方法を通した光吸収膜形成段階で基板の変形および光吸収膜の構成成分の中、セレンまたは硫黄の揮発を抑制できる効果がある。以下、本発明による太陽電池の製造方法について詳しく説明する。図1はCu-Zn-Sn-SCu2ZnSnS4;以下CZTS太陽電池、CuInSe2またはCuInS2以下CIS太陽電池、および、CuInGaSe2またはCuInGaS2以下CIGS太陽電池の構造を概略的に示す図である。CZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池は、同一の構造を有する。つまり、CZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池それぞれは、基板10上に背面電極20、光吸収膜30、バッファー膜40、ウィンドウ膜50、及び、反射防止膜60が順次に形成された構造を有し、反射防止膜60のパターニング領域に形成されたグリッド電極70を含む。以下、太陽電池の各構成部材について具体的に説明する。基板10基板10はガラスからなることができ、ガラス以外にアルミナのようなセラミック、ステンレススチール、銅テープCutapeのような金属材料、そしてポリマー等からなることができる。ガラス基板の材料として、低価のソーダ石炭ガラスsodalimeglassが用いることができる。また、ポリイミドpolyimideのような柔軟性のある高分子材質やステンレススチール薄板なども基板10の材料に用いることができる。背面電極20基板10上に形成された背面電極20の材料としては、モリブデンMoを用いることができる。モリブデンは高い電気伝導度を有し、後述するCu-Zn-Sn-SCu2ZnSnS4光吸収膜とのオーミック接合、及び、硫黄S雰囲気下で高温安定性を有している。また、モリブデンは、後述するCuInSe2光吸収膜またはCuInS2光吸収膜とのオーミック接合、及び、セレンSeまたは硫黄S雰囲気下で高温安定性を有している。モリブデン薄膜は、電極として比抵抗が低くなければならず、また、熱膨張係数の差によって剥離現象が起こらないようにガラス基板に対する粘着性が優れていなければならない。モリブデン薄膜20は、DCスパッタリング工程によって形成されることができる。光吸収膜30背面電極20上に形成された光吸収膜30は、実際に光を吸収するp-型半導体である。CZTS太陽電池では、光吸収膜30はCu-Zn-Sn-S具体的には、Cu2ZnSnS4からなる。Cu2ZnSnS4は1.0eV以上のエネルギーバンドギャップを有しており、光吸収係数が半導体の中で最も高い。また、光学的に非常に安定であるため、このような物質からなる膜は太陽電池の光吸収膜として非常に理想的である。光吸収膜としてのCZTS薄膜は多元化合物であるため、製造工程が非常に難しい。物理的な薄膜製造方法としては蒸発法、スパッタリングセレン化があり、化学的な方法としては電気メッキなどがある。各方法においても、出発物質金属、二元化合物などの種類によって多様な製造方法が用いられる。一方、CIS太陽電池ではCuInSe2膜またはCuInS2膜が、またCIGS太陽電池ではCuInGaSe2膜またはCuInGaS2膜が、光吸収膜30の機能を遂行する。CuInSe2とCuInS2、及び、CuInGaSe2とCuInGaS2は、1.0eV以上のエネルギーバンドギャップを有し、光吸収係数が半導体の中で最も高く、また、光学的に非常に安定である。このため、このような物質からなる膜は太陽電池の光吸収膜として非常に理想的である。光吸収膜であるCIS薄膜およびCIGS薄膜は多元化合物であるため、製造工程が非常に難しい。物理的な薄膜製造方法としては蒸発法、スパッタリングセレン化があり、化学的な方法としては電気メッキなどがある。各方法においても出発物質金属、二元化合物などの種類によって多様な製造方法が用いられる。最も良い効率が得られると知られた同時蒸発法は、出発物質として4個の金属元素Cu、In、Ga、Seを使用する。バッファー膜40CZTS太陽電池では、p型半導体であるCu2ZnSnS4薄膜光吸収膜が、CIS太陽電池ではp型半導体であるCuInSe2薄膜またはCuInS2薄膜光吸収膜が、及び、CIGS太陽電池ではp型半導体であるCuInGaSe2薄膜またはCuInGaS2薄膜光吸収膜が、n型半導体としてウィンドウ膜後述するに使用される酸化亜鉛ZnO薄膜とpn接合を形成する。しかし、二つの物質は格子定数とエネルギーバンドギャップの差が大きいため、良好な接合を形成するためには、エネルギーバンドギャップが二つの物質のエネルギーバンド値の間の値を有するバッファー膜40が必要である。太陽電池のバッファー膜40の材料として硫化カドミウムCdSが望ましい。ウィンドウ膜50前述したように、ウィンドウ膜50はn型半導体であって、光吸収膜40CZTS膜、CIS膜またはCIGS膜とpn接合を形成し、太陽電池の前面透明電極としての機能を遂行する。したがって、ウィンドウ膜50は光透過率が高く、電気伝導性に優れた材料、例えば酸化亜鉛ZnOからなる。酸化亜鉛はエネルギーバンドギャップが約3.3eVであり、約80以上の高い光透過度を有する。反射防止膜60およびグリッド電極70太陽電池に入射する太陽光の反射損失を減らせば、約1程度の太陽電池の効率向上が可能である。太陽電池の効率を向上させるために、ウィンドウ膜50上には反射防止膜60が形成される。太陽光の反射を抑制する反射防止膜60の材質としては、通常、フッ化マグネシウムMgF2が使用される。グリッド電極70は太陽電池の表面での電流を収集する機能を遂行し、アルミニウムAlまたはニッケル/アルミニウムNi/Alからなる。グリッド電極70は反射防止膜60のパターニングされた領域に形成される。このような構造を有する太陽電池に太陽光が入射すると、p型半導体膜である光吸収膜30つまり、CZTS太陽電池でのCu2ZnSnS4薄膜、CIS太陽電池でのCuInSe2薄膜またはCuInS2薄膜、及び、CIGS太陽電池でのCuInGaSe2薄膜またはCuInGaS2薄膜とn型半導体膜であるウィンドウ膜50の間で電子-正孔対が生成される。生成された電子はウィンドウ膜50に集まり、生成された正孔は光吸収膜30に集まることになり、光起電力photovoltageが発生する。この状態で、基板10とグリッド電極70に電気負荷を連結すれば電流が流れることになる。このような構造を有する本発明によるCZTS太陽電池、CIS太陽電池およびCIGS太陽電池の製造方法について、図1乃至図2gを通して説明する。図2aを参照すると、まず、基板10が提供される。基板10はガラス、セラミックまたは金属からなることができる。図2bに示されているように、基板10上に背面電極としてモリブデン薄膜20が形成される。好ましくは、モリブデン薄膜20はスパッタリング工程によって形成される。図2cを参照すると、モリブデン薄膜20上に光吸収膜図1の符号30を形成するための前駆体膜30aが形成される。CZTS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程ではモリブデン薄膜20上に銅Cu層、亜鉛Zn層、錫Sn層、そして硫黄S層からなる積層構造を形成することができ、または銅、亜鉛、錫、そして硫黄の化合物からなる単一層を形成することができる。一方、CIS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程では、モリブデン薄膜20上に銅Cu層、インジウムIn層、そしてセレンSe層または硫黄S層からなる積層構造を形成することができる。または、銅、インジウム、そしてセレンまたは硫黄の化合物からなる単一層を形成することができる。また、CIGS太陽電池を製造するための前駆体膜30aの形成工程では、モリブデン薄膜20上に銅Cu層、インジウムIn層、ガリウムGa層、及び、セレンSe層または硫黄S層からなる積層構造を形成することができる。または、銅、インジウム、ガリウム、そしてセレンまたは硫黄の化合物からなる単一層を形成することができる。このように、モリブデン薄膜20上に光吸収膜形成のための元素の積層構造または単一層を形成した後、スパッタリング工程または同時蒸着co-evaporation工程を進行することによって、光吸収前駆体膜30aが形成される。図2dを参照すると、光吸収前駆体膜30a上に拡散防止膜30bを形成する。拡散防止膜30bは物理気相蒸着法PVDまたは化学気相蒸着法CVDを通じて形成される。以降、光吸収前駆体膜30aの結晶化段階を進行して、光吸収膜30を形成する。前述した通り、基板10はガラスからなることができる。また、CZTS太陽電池のための光吸収前駆体膜30aの構成成分Cu-Zn-Sn-Sの一つである硫黄Sは、揮発性元素violationelementである。したがって、光吸収前駆体膜30aの結晶化のために熱処理工程を進行する場合、熱によってガラス基板10の変形が発生することができる。また、熱処理工程中に光吸収前駆体膜30aから硫黄が揮発して、光吸収前駆体膜30aを構成する構成成分の組成比が変化できる。このような問題点、つまり、熱による基板10の変形発生および硫黄の揮発を防止するために、光吸収前駆体膜30aの結晶化段階は、熱の発生を最小化することができる工程方法に進行するのが望ましい。一方、CIS太陽電池またはCIGS太陽電池のための光吸収前駆体膜30aの構成成分の一つであるセレンおよび硫黄は揮発性元素violationelementである。したがって、光吸収前駆体膜30aの結晶化のために熱処理工程を進行する場合、熱によってガラス基板10の変形が発生することができる。また、熱処理工程中に光吸収前駆体膜30aから硫黄またはセレンが揮発して、光吸収前駆体膜30aを構成する構成成分の組成比が変化される。このような熱によるガラス基板10の変形発生およびセレンまたは硫黄の揮発を防止するために、光吸収前駆体膜30aの結晶化段階は、熱の発生を最小化することができる工程方法に進行するのが望ましい。このような点を考慮して、本発明では、光吸収前駆体膜30aの結晶化段階は電子ビームelectron-beam照射工程によって進行する。高温の熱処理工程とは異なり、電子ビーム照射工程の場合、基板の変形および光吸収前駆体膜の構成元素の揮発を最小化することができる程度の熱しか発生しない。したがって、基板10の変形および光吸収前駆体膜30aの構成元素の揮発が起こらない状態で光吸収前駆体膜30aの構成元素が結晶化して光吸収膜30が形成図2e参照される。このような過程を通して、光吸収膜30は結晶性が向上した半導体膜になる。図2fを参照すると、湿式または乾式エッチング工程によって拡散防止膜30bを除去して、光吸収膜30を露出させる。拡散防止膜30bの除去のためのエッチング工程では、BOE溶液BufferedOxideEtchant-湿式エッチングまたはフッ素系ガス乾式エッチングが用いることができる。以降、露出した光吸収膜30上にバッファー膜40を形成し、バッファー膜40上にウィンドウ膜50を形成する。前述した通り、光吸収膜30とウィンドウ膜50とは、エネルギーバンドギャップenerghybandgapの差が大きいため、良好なp-n接合を形成しにくい。したがって、光吸収膜30とウィンドウ膜50との間に、エネルギーバンドギャップがこれら二つの物質のバンドギャップの間にある物質例えば、2.46eVのエネルギーバンドギャップを有する硫化カドミウムからなるバッファー膜40を形成するのが望ましい。硫化カドミウムバッファー膜は、化学槽蒸着chemicalbathdeposition方法を通して形成され、約500Å程度の厚さを持つのが望ましい。前記バッファー膜40によって光吸収膜30とウィンドウ膜50の間に円滑なp-n接合をなすことができる。ウィンドウ膜50はn型半導体であって、光吸収膜30とpn接合を形成し、太陽電池の前面透明電極としての機能を遂行する。したがって、ウィンドウ膜50は光透過率が高く、電気伝導性に優れた材料、例えば酸化亜鉛ZnOからなる。酸化亜鉛はエネルギーバンドギャップが約3.3eVであり、約80以上の高い光透過度を有する。図2gを参照すると、ウィンドウ膜50上に、例えば、スパッタリング工程によって反射防止膜60を形成し、反射防止膜60の一部領域をパターニングした後、パターニングされた領域に上部電極であるグリッド電極70を形成する。太陽電池に入射する太陽光の反射損失を減らす反射防止膜60の材料として、フッ化マグネシウムMgF2が用いられる。太陽電池の表面での電流を収集するグリッド電極70はアルミニウムAlまたはニッケル/アルミニウムNi/Alからなる。以下、電子ビームelectron-beam照射工程を利用した、本発明のCIGS前駆体膜のうちの一例として、CuInGaSe2前駆体膜に対する結晶化工程について具体的に説明する。図3aおよび図3bは、ガラス基板上に形成されたCuInGaSe2前駆体膜のSEM写真である。図3aは電子ビームを照射する前のCuInGaSe2前駆体膜のSEM写真であり、図3bは電子ビームを照射した後のCuInGaSe2前駆体膜のSEM写真である。ガラス基板表面上にモリブデンを利用して背面電極を形成し、モリブデン電極を含むガラス基板表面上にCuInGaSe2前駆体膜を形成した。図3aはガラス基板上に形成されたCuInGaSe2前駆体膜のSEM写真であって、CuInGaSe2前駆体膜上に多数のパーティクルparticleが存在することが分かる。このような状態で、ホール効果測定システムhalleffectmeasurementsystemを利用して、CuInGaSe2前駆体膜の抵抗およびキャリア濃度を測定した。その結果は以下のとおりである。抵抗:2×103ohm、キャリア濃度:7×1021/cm3以降、電子ビームを20秒間CuInGaSe2前駆体膜に照射した。図3bは電子ビームを照射した後、ガラス基板上に形成されたCuInGaSe2前駆体膜のSEM写真であって、CuInGaSe2前駆体膜上に存在したパーティクルが分離、除去されたことが分かる。このような状態で、ホール効果測定システムを利用して、CuInGaSe2前駆体膜の抵抗およびキャリア濃度を測定した。その結果は以下のとおりである。抵抗:1×102ohm、キャリア濃度:4×1022/cm3CuInGaSe2前駆体膜の電気的性能は抵抗に反比例し、キャリア濃度に比例するという点で電子ビームで結晶化されたCuInGaSe2前駆体膜光吸収膜は優れた電気的特性を持っていることが分かる。X線回折システムX-raydiffrationsystemを利用して、電子ビームに露出する前のCuInGaSe2前駆体膜と20秒間電子ビームに露出したCuInGaSe2前駆体膜に対する強度を測定した。図4は、電子ビームに露出しないCuInGaSe2前駆体膜の強度、および、20秒間電子ビームに露出した後のCuInGaSe2前駆体膜の強度を角度に応じて示すグラフである。電子ビームに露出しないCuInGaSe2前駆体膜は、モリブデン電極を除いた領域でピークpeak強度が現れなかったが、20秒間電子ビームに露出した後のCuInGaSe2前駆体膜ではモリブデン電極を含んで4個の領域でピーク強度が測定された。このようなグラフは、電子ビームに露出する前のCuInGaSe2前駆体膜が非晶質状態であり、20秒間電子ビームに露出した後に結晶化されたことを示す。つまり、高温の熱を使用しなくても、電子ビームを利用して非晶質状態のCuInGaSe2前駆体膜が結晶化されたことを意味する。本発明は上記実施例に限定されず、本発明の技術的要旨から逸脱しない範囲内で様々に修正および変形されて実施され得ることは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって自明である。