"複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること;酸性エッチング液で前記透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および前記パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備することを含み、前記パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、方法。前記エッチングされた領域が非導電性である、請求項1に記載の方法。前記エッチングされた領域が第1の抵抗率を有し、前記エッチングされていない領域が第2の抵抗率を有し、前記第1の抵抗率は前記第2の抵抗率よりも高い、請求項1に記載の方法。前記エッチングされた領域が第1の透過率および第1のヘイズを有し、前記エッチングされていない領域が第2の透過率および第2のヘイズ抵抗率を有し、前記エッチングされた領域は前記エッチングされていない領域よりも導電性が低く、前記第2の抵抗率に対する前記第1の抵抗率の比率は少なくとも1000であり;前記第1の透過率は前記第2の透過率と差が5未満である、請求項3に記載の方法。前記第1のヘイズは前記第2のヘイズと差が0.5未満である、請求項4に記載の方法。前記透明導体が、前記相互結合された金属ナノワイヤを包埋するバインダーをさらに含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記酸性エッチング液が5,000~150,000cPの範囲の粘度を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記酸性エッチング液が極性溶媒、1種類以上の酸および耐酸性ポリマーを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。前記酸がHCl、HNO3、HOACまたはH3PO4である、請求項8に記載の方法。前記酸性エッチング液がHClとHNO3とを含む、請求項8に記載の方法。前記酸性エッチング液が、金属ハロゲン化物をさらに含む、請求項8~10のいずれか1項に記載の方法。前記金属ハロゲン化物がFeCl3またはCuCl2である、請求項11に記載の方法。前記耐酸性ポリマーがポリアミドまたはポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸である、請求項8~12のいずれか1項に記載の方法。前記耐酸性ポリマーが酸性エッチング液の総重量の少なくとも約5である、請求項13に記載の方法。前記パターン形成された透明導体をアニーリングすることをさらに含む、請求項1~14のいずれか1項に記載の方法。前記パターン形成された透明導体をアルカリ性溶液で洗浄することをさらに含む、請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。1種類以上の酸;耐酸性ポリマー;および極性溶媒を含み、5,000~150,000cPの範囲の粘度を有する、スクリーン印刷可能なエッチング液配合物。前記酸が、HCl、HNO3、HOACおよびH3PO4からなる群より選択される、請求項17に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。HClおよびHNO3を含む、請求項18に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。金属ハロゲン化物をさらに含む、請求項17~19のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。前記金属ハロゲン化物がFeCl3またはCuCl2である、請求項20に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。前記耐酸性ポリマーがポリアミドまたはポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸である、請求項17~21のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。前記極性溶媒が水である、請求項17~22のいずれか1項に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物。簡単な概要基板上に被膜形成された導電層を含むパターン形成された透明導体を記載する。より詳しくは、該透明導体は、エッチング液配合物で導電層にスクリーン印刷することによりパターン形成され得る。したがって、一実施形態は、1複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること;2酸性エッチング液で該透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および3該パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備することを含み、該パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、透明導体にパターン形成するための方法に関する。さらなる一実施形態では、該方法は、パターン形成された透明導体をアルカリ性溶液で洗浄することをさらに含む。さらなる一実施形態では、透明導体上に直接印刷するのに適しており、パターン形成された導体に現像させることができるスクリーン印刷可能なエッチング液配合物を記載する。より詳しくは、該スクリーン印刷可能なエッチング液は11種類以上の酸;2耐酸性ポリマー;3極性溶媒を含むものであり;該スクリーン印刷可能なエッチング液配合物は、5,000~150,000cPの範囲の粘度を有する。さらなる実施形態では、スクリーン印刷可能なエッチング液は、金属ハロゲン化物をさらに含むものである。種々の実施形態において、耐酸性ポリマーはポリアミドまたはポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸である。詳細説明一部の特定の実施形態に、金属ナノワイヤの疎ネットワークを含むものであり得るナノ構造透明導体のパターン形成方法を記載する。導電性ナノ構造体本明細書で用いる場合、導電性ナノ構造体またはナノ構造体は、一般的に、少なくとも1つの寸法すなわち、幅または直径が500nm未満、より典型的には100nm未満または50nm未満である電気伝導性のナノサイズの構造体をいう。種々の実施形態において、ナノ構造体の幅または直径は、10~40nm、20~40nm、5~20nm、10~30nm、40~60nm、50~70nmの範囲である。ナノ構造体は、任意の形状または幾何構造のものであり得る。所与のナノ構造体の幾何構造を規定するための方法の例は、そのアスペクト比によるものであり、これは、ナノ構造体の長さと幅または直径との比をいう。一部の特定の実施形態では、ナノ構造体は等方性の形状であるすなわち、アスペクト比=1。典型的な等方性または実質的に等方性のナノ構造体としてはナノ粒子が挙げられる。好ましい実施形態では、ナノ構造体は異方性の形状であるすなわち、アスペクト比≠1。異方性のナノ構造体は、典型的には、その長さに沿って長手方向軸を有する。例示的な異方性ナノ構造体としては、ナノワイヤ少なくとも10、より典型的には少なくとも50のアスペクト比を有する固形のナノ構造体、ナノロッド10未満のアスペクト比を有する固形のナノ構造体およびナノチューブ中空ナノ構造体が挙げられる。縦方向に異方性のナノ構造体例えば、ナノワイヤは、長さが500nmより長い、または1μmより長い、または10μmより長い。種々の実施形態において、ナノ構造体の長さは5~30μmの範囲、または15~50μm、25~75μm、30~60μm、40~80μm、もしくは50~100μmの範囲である。ナノ構造体は、任意の導電性材料のものであり得る。より典型的には、ナノ構造体は、金属系材料、例えば、元素金属例えば、遷移金属または金属化合物例えば、金属酸化物で形成されたものである。また、金属系材料は、2種類以上の型の金属を含むバイメタル材料または金属合金であってもよい。好適な金属としては、限定されないが、銀、金、銅、ニッケル、金めっき銀、白金およびパラジウムが挙げられる。本開示では主にナノワイヤ例えば、銀ナノワイヤについて記載しているが、上記の定義の範囲内の任意のナノ構造体が等しく使用され得ることに注意されたい。好適なナノワイヤは、典型的には10~100,000の範囲のアスペクト比を有するものである。大きいアスペクト比ほど、より効率的な導電性ネットワークが形成可能となるとともに、高い透明性のための低ワイヤ総合密度が許容され得るため、透明導体層を得るのに好都合であり得る。換言すると、大きいアスペクト比を有する導電性ナノワイヤを使用した場合、導電性ネットワークが得られるナノワイヤ密度は、導電性ネットワークが実質的に透明となるのに充分に低くなり得る。導電性ナノワイヤとしては、大きい例えば、10より大きいアスペクト比を有する金属ナノワイヤおよび他の導電性粒子が挙げられる。非金属系ナノワイヤの例としては、限定されないが、カーボンナノチューブCNT、金属酸化物ナノワイヤ、導電性ポリマー繊維などが挙げられる。本明細書で用いる場合、金属ナノワイヤは、元素金属、金属合金または金属化合物金属酸化物を含むを含むものである金属系ワイヤをいう。金属ナノワイヤの少なくとも1つの断面寸法は500nm未満、200nm未満、より好ましくは100nm未満である。上記のように、金属ナノワイヤは、10より大きい、好ましくは50より大きい、より好ましくは100より大きいアスペクト比長さ:直径を有するものである。好適な金属ナノワイヤは、いずれの金属例えば、限定されないが、銀、金、銅、ニッケル、および金めっき銀を主体としたものであってもよい。金属ナノワイヤは、当該技術分野において既知の方法によって調製され得る。特に、銀ナノワイヤは、ポリオール例えば、エチレングリコールおよびポリビニルピロリドンの存在下での銀塩例えば、硝酸銀の液相還元により合成され得る。均一なサイズの銀ナノワイヤの大規模生産は、例えば、Xia,Y.ら,Chem.Mater.2002,14,4736-4745、およびXia,Y.ら,Nanoletters200337,955-960に記載の方法に従って調製され得る。導電層および基板一実例として、図1に、基板14上に被膜形成された導電層12を備える透明導体10を示す。導電層12は複数の金属ナノワイヤ16を備えている。金属ナノワイヤ16は導電性ネットワークを形成している。図2は、導電層12’が基板14上に形成された透明導体10’の別の例を示す。導電層12’は、マトリックス18内に包埋された複数の金属ナノワイヤ16を含む。マトリックスは、特定の状況ではバインダーとも称され、これは、金属ナノワイヤが分散または包埋される固相材料をいう。ナノワイヤの一部分がマトリックス材料から突出し、導電性ネットワークに到達可能になっていてもよい。マトリックスは金属ナノワイヤのホストであり、導電層の物理的形態をもたらす。マトリックスは、金属ナノワイヤを腐食および磨耗などの有害な環境因子から保護する。特に、マトリックスにより、環境中の腐食性要素例えば、湿気、微量の酸、酸素、イオウなどの透過性が有意に低下する。また、マトリックスは、導電層に対して有利な物理的および機械的特性をもたらす。例えば、基板に対する接着性がもたらされ得る。さらに、金属酸化物膜とは異なり、金属ナノワイヤが包埋されたポリマー系または有機系のマトリックスは、頑強で可撓性である。本明細書においてより詳細に論考しているように、可撓性マトリックスにより、透明導体を低コストで高処理量のプロセスで製作することが可能となる。さらに、適切なマトリックス材料を選択することにより、導電層の光学的特性を調整することができる。例えば、反射損失および不要なまぶしさが、望ましい屈折率、組成および厚みのマトリックスを使用することにより有効に低減し得る。典型的には、マトリックスは光学的にクリアな材料である。材料の光透過率が可視領域400nm~700nmにおいて少なくとも80である場合、該材料を光学的にクリアまたは光学的に透明とみなす。特に別の記載のない限り、本明細書に記載の透明導体内のすべての層例えば、基板およびナノワイヤネットワーク層が、好ましくは光学的にクリアである。マトリックスの光学的クリア度は、典型的には、多くの要素、例えば限定されないが、屈折率RI、厚み、厚み全体におけるRIの一貫性、表面界面を含む反射、ならびにヘイズ表面粗さおよび/または包埋された粒子によって引き起こされる散乱損失によって決定される。一部の特定の実施形態では、マトリックスは約10nm~5μmの厚み、約20nm~1μmの厚み、または約50nm~200nmの厚みである。他の実施形態では、マトリックスは、約1.3~2.5、または約1.35~1.8の屈折率を有するものである。一部の特定の実施形態では、マトリックスはポリマーであり、これはポリマーマトリックスとも称される。光学的にクリアなポリマーは当該技術分野において知られている。好適なポリマーマトリックスの例としては、限定されないが、ポリアクリル系、例えば、ポリメタクリレート例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレートならびにポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール、ポリエステル例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート、高度の芳香族性を有するポリマー、例えば、フェノール系またはクレゾール-ホルムアルデヒドNovolac登録商標、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、ならびにポリフェニルエーテル、ポリウレタンPU、エポキシ、ポリオレフィン例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、および環状オレフィン、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンコポリマーABS、セルロース系、シリコーンならびに他のケイ素含有ポリマー例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン、ポリ塩化ビニルPVC、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム例えば、EPR、SBR、EPDM、ならびにフルオロポリマー例えば、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンTFEまたはポリヘキサフルオロプロピレン、フルオロ-オレフィンと炭化水素オレフィンとのコポリマー例えば、Lumiflon登録商標、アモルファスフルオロカーボンポリマーまたはコポリマー例えば、旭硝子株製のCYTOP登録商標、またはDuPont製のTeflon登録商標AF、ならびにセルロース系材料、例えば、カルボキシメチルセルロースCMC、2-ヒドロキシエチルセルロースHEC、ヒドロキシプロピルメチルセルロースHPMC、メチルセルロースMCが挙げられる。他の実施形態では、本明細書に記載のポリマーマトリックスは、部分重合ポリマーまたは部分硬化ポリマーを含むものである。完全重合マトリックスまたは完全硬化マトリックスと比べると、部分硬化マトリックスは、低い架橋度および/または重合度ならびに低い分子量を有する。したがって、部分重合マトリックスは、特定の条件下でエッチングされ得、パターン形成は、慣用的なフォトリソグラフィを用いることで可能である。適切な重合条件下では、部分硬化マトリックスをさらに硬化してもよく、それにより、さらなる架橋および重合が行なわれ、部分硬化マトリックスよりも分子量の高いマトリックスが得られる。部分硬化マトリックスをエッチングした後、さらに硬化工程を行ない、パターン形成され、完全に硬化した透明導体膜を得てもよい。好適な部分硬化ポリマーの例としては、限定されないが、部分硬化アクリレート、シリコーン-エポキシ、シロキサン、ノボラック、エポキシ、ウレタン、シルセスキオキサンまたはポリイミドが挙げられる。当業者には、重合度が、部分重合マトリックスおよび/またはナノワイヤが溶解し得るエッチング条件液に影響を及ぼすことがあり得ることが認識されよう。典型的には、重合度が高いほど、マトリックスにエッチングするのが困難である。好ましくは、部分硬化マトリックスは、内部のナノワイヤを保護するのに許容され得る度合の物理的完全性を有するものである。これは、エンドユーザーが、独自のパターン形成を行ない、続いて硬化させて最終の透明導体膜を得る場合があり得るため望ましい。さらなる実施形態では、マトリックスは無機材料である。例えば、シリカ、ムライト、アルミナ、SiC、MgO-Al2O3-SiO2、Al2O3-SiO2、MgO-Al2O3-SiO2-Li2Oまたはその混合物を主体とするゾル-ゲルマトリックスが使用され得る。一部の特定の実施形態では、マトリックス自体が導電性である。例えば、マトリックスは導電性ポリマーであり得る。導電性ポリマーは当該技術分野においてよく知られており、限定されないが、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、ポリアニリン、ポリチオフェン、およびポリジアセチレンが挙げられる。導電層または導電性膜は、透明導体の導電性媒体を提供する金属ナノワイヤのネットワーク層をいう。マトリックスを存在させる場合、金属ナノワイヤのネットワーク層とマトリックスとの組合せも導電層と称する。導電性は、ある金属ナノワイヤから別の金属ナノワイヤに浸透する電荷によって得られるため、電気的浸透閾値に達して導電性となるのに充分な金属ナノワイヤが導電層内に存在していなければならない。導電層の導電性は、その抵抗率場合によってはシート抵抗とも称され、当該技術分野において既知の方法によって測定され得るに反比例する。同様に、マトリックスを存在させる場合、マトリックスには、導電性となるのに充分な金属ナノワイヤが充填されていなければならない。本明細書で用いる場合、閾値装入レベルは、導電層の挿入後の重量基準での金属ナノワイヤの割合をいい、このとき、導電層は、約106オーム/平方またはΩ/□以下の表面抵抗率または面内抵抗率を有する。より典型的には、表面抵抗率は、105Ω/□以下、104Ω/□以下、1,000Ω/□以下、500Ω/□以下、または100Ω/□以下である。閾値装入レベルは、金属ナノワイヤのアスペクト比、整列度、密集度および抵抗率などの要素に依存する。当業者には理解されようが、マトリックスの機械的および光学的特性は、内部の粒子あればが高装入であることによって改変されるか損なわれる可能性が高い。好都合には、大きいアスペクト比の金属ナノワイヤで、銀ナノワイヤでは好ましくは約0.05μg/cm2~約10μg/cm2、より好ましくは約0.1μg/cm2~約5μg/cm2、より好ましくは約0.8μg/cm2~約3μg/cm2の閾値表面装入レベルで、マトリックス全体に導電性ネットワークの形成が可能である。このような装入レベルではマトリックスの機械的または光学的特性は影響されない。このような値は、ナノワイヤの寸法および空間的分散に大きく依存する。好都合には、電気伝導性または表面抵抗率および光学的透明性が調整可能な透明導体は、金属ナノワイヤの装入レベルを調整することにより得られ得る。一部の特定の実施形態では、複数のナノサイズ導電性粒子をオーバーコート内に組み込むことによりオーバーコートの表面導電性を確立してもよい。図3に示すように、ナノワイヤ系導電層10を基板14上に成膜させる。導電層10は、浸透閾値に達して面内導電性が確立されたナノワイヤ16を含むものである。オーバーコート17は導電層10上に形成される。複数の導電性粒子17aがオーバーコート17内に包埋されている。好都合には、オーバーコート内のナノサイズ導電性粒子の装入レベルは、表面導電性を示すための浸透閾値に達している必要はない。導電層は通電媒体のままであり、このとき、ナノワイヤは電気的浸透レベルに達している。オーバーコート内の導電性粒子は、オーバーコートの厚みを通して下層のナノワイヤと接触している結果、表面導電性をもたらす。したがって、一実施形態では、基板;該基板上に形成された導電層該導電層は第1の複数の金属系ナノワイヤを含み、第1の複数の金属系ナノワイヤは電気的浸透レベルに達している;および該導電層上に形成されたオーバーコート該オーバーコートには第2の複数の導電性粒子が組み込まれており、第2の複数の導電性粒子は電気的浸透レベルより下であるを備える多層構造体を提供する。本明細書で用いる場合、ナノサイズ導電性粒子は、500nm以下、より典型的には200nm以下である少なくとも1つの寸法を有する導電性粒子をいう。好適な導電性粒子の例としては、限定されないが、ITO、ZnO、ドープZnO、金属系ナノワイヤ例えば、本明細書に記載のもの、金属系ナノチューブ、カーボンナノチューブCNTなどが挙げられる。基板または最適な基板は、上面に導電層が被膜形成または積層される材料をいう。基板は剛性であっても可撓性であってもよい。基板はクリアであっても不透明であってもよい。用語最適な基板は、典型的には、積層プロセス本明細書において論考するとの関連において使用する。好適な剛性基板としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アクリル系などが挙げられる。好適な可撓性基板としては、限定されないが、ポリエステル例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート、ポリオレフィン例えば、直鎖、分岐状および環状のポリオレフィン、ポリビニル例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリレートなど、セルロースエステル基材例えば、三酢酸セルロース、酢酸セルロース、ポリスルホンポリエーテルスルホンなど、ポリイミド、シリコーンならびに他の慣用的なポリマー膜が挙げられる。好適な基板のさらなる例は、例えば、米国特許第6,975,067号に記載されている。典型的には、導電層の光学的透明度またはクリア度は、光透過率およびヘイズなどのパラメータによって定量的に規定され得る。光透過率lighttransmissionまたはlighttransmissivityは、媒体中を透過した入射光の割合をいう。種々の実施形態において、導電層の光透過率は少なくとも80であり、98くらい高くてもよい。導電層が基板上に成膜または積層された透明導体では、構造体全体の光透過率がわずかに減弱することがあり得る。接着層、反射防止層、防眩層などの性能向上層が、さらに透明導体の全体的な光透過率の低減の一因となることがあり得る。種々の実施形態において、透明導体の光透過率Tは、少なくとも50、少なくとも60、少なくとも70、または少なくとも80であり得、少なくとも91~92、または少なくとも95くらい高くてもよい。ヘイズHは光拡散の指標である。これは、透過時に入射光から分かれて散乱した光の量の割合をいう。主として媒体の性質である光透過率とは異なり、ヘイズは、多くの場合、作製時の懸念であり、典型的には媒体の表面粗さおよび包埋された粒子または組成の不均一性によってもたらされる。典型的には、導電性膜のヘイズはナノ構造体の直径に大きく影響され得る。ナノ構造体の直径が大きいほど例えば、ナノワイヤが厚いほど、典型的にはヘイズが高い。種々の実施形態において、透明導体のヘイズは10以下、8以下、または5以下であり、2以下、1以下、0.5以下、または0.25以下くらい低くてもよい。ナノワイヤの成膜および透明導体の製作一部の特定の実施形態では、したがって、複数の金属ナノワイヤを基板上に成膜すること該金属ナノワイヤは流動体中に分散している;および該流動体を乾固させることにより該基板上に金属ナノワイヤネットワーク層を形成することを含む、透明導体の製作方法を本明細書において記載する。金属ナノワイヤは上記のようにして調製され得る。金属ナノワイヤを、典型的には液体中に分散させて成膜を促進する。本明細書で用いる場合、成膜と被膜形成は互換的に用いていることを理解されたい。金属ナノワイヤが安定な分散体また金属ナノワイヤ分散体とも称するを形成し得る任意の非腐食性液体が使用され得る。好ましくは、金属ナノワイヤを、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素または芳香族溶媒ベンゼン、トルエン、キシレンなど中に分散させる。より好ましくは、該液体は、200°C以下、150°C以下、または100°C以下の沸点を有する揮発性のものである。また、金属ナノワイヤ分散体に、粘度、腐食、接着性およびナノワイヤの分散を制御するための添加剤およびバインダーを含有させてもよい。好適な添加剤およびバインダーの例としては、限定されないが、カルボキシメチルセルロースCMC、2-ヒドロキシエチルセルロースHEC、ヒドロキシプロピルメチルセルロースHPMC、メチルセルロースMC、ポリビニルアルコールPVA、トリプロピレングリコールTPG、およびキサンタンガムXG、ならびに界面活性剤エトキシラート、アルコキシラート、エチレンオキシドおよびプロピレンオキシドならびにそのコポリマー、スルホネート、スルフェート、ジスルホン酸塩、スルホスクシネート、リン酸エステル、ならびにフルオロ界面活性剤例えば、DuPont製のZonyl登録商標などが挙げられる。一例において、ナノワイヤ分散体、またはインクは、重量基準で、0.0025~0.1の界面活性剤例えば、好ましい範囲はZonyl登録商標FSO-100で0.0025~0.05である、0.02~4の粘度調整剤例えば、好ましい範囲はHPMCで0.02~0.5、94.5~99.0の溶媒および0.05~1.4の金属ナノワイヤを含むものである。好適な界面活性剤の代表例としては、Zonyl登録商標FSN、Zonyl登録商標FSO、Zonyl登録商標FSH、Tritonx100、x114、x45、Dynol604、607、n-ドデシルb-D-マルトシドおよびNovekが挙げられる。好適な粘度調整剤の例としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロースHPMC、メチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、およびヒドロキシエチルセルロースが挙げられる。好適な溶媒の例としては、水およびイソプロパノールが挙げられる。該分散体中のナノワイヤ濃度により、ナノワイヤネットワーク層の厚み、導電性表面導電性を含む、光学的透明性および機械的特性などのパラメータが影響または決定され得る。溶媒の割合は、分散体において所望のナノワイヤ濃度が得られるように調整され得る。しかしながら、好ましい実施形態では、その他の成分の相対比率は同じであり得る。特に、粘度調整剤に対する界面活性剤の比は、好ましくは約80~約0.01の範囲であり;金属ナノワイヤに対する粘度調整剤の比は、好ましくは約5~約0.000625の範囲であり;界面活性剤に対する金属ナノワイヤの比は、好ましくは約560~約5の範囲である。分散体の成分比は、基板および使用される適用方法に応じて変更され得る。成膜のためのナノワイヤ分散体の好ましい粘度範囲は約1~100cPである。成膜後、液体をエバポレーションによって除去する。エバポレーションは加熱例えば、焼成によって加速され得る。得られるナノワイヤネットワーク層は、電気伝導性にするための後処理が必要とされる場合があり得る。この後処理は、後述するような熱、プラズマ、コロナ放電、UV-オゾンまたは圧力への曝露を伴うプロセス工程であり得る。一部の特定の実施形態では、したがって、複数の金属ナノワイヤを基板上に成膜すること該金属ナノワイヤは流動体中に分散している;該流動体を乾固させることにより該基板上に金属ナノワイヤネットワーク層を形成すること、該金属ナノワイヤネットワーク層上にマトリックス材料を被膜形成すること、および該マトリックス材料を硬化させてマトリックスを形成することを含む、透明導体の製作方法を本明細書において記載する。マトリックス材料は、硬化して本明細書において定義するマトリックスとなり得る材料または材料混合物をいう。硬化するまたは硬化は、モノマーまたは部分ポリマー150個より少ないモノマーが、固形のポリマーマトリックスが形成されるように重合および/または架橋するプロセスをいう。好適な重合条件は、当該技術分野においてよく知られており、例として、モノマーを加熱すること、モノマーに可視または紫外UV光、電子ビームなどを照射することが挙げられる。また、溶媒の除去によって同時に引き起こされるポリマー/溶媒系の固化も硬化の意味に含む。硬化度は、モノマーの初期濃度および架橋剤の量を選択することにより制御され得る。これは、さらに、例えば重合させる時間および重合を行なう温度などの硬化パラメータを調整することにより操作することができる。一部の特定の実施形態では、部分硬化マトリックスは、硬化プロセスを停止させるためにクエンチされ得る。硬化度または重合度は、例えば、硬化中のポリマーの分子量または反応性化学種を示す波長での吸光度によってモニタリングすることができる。したがって、一部の特定の実施形態では、マトリックス材料はポリマーを含むものであり、該ポリマーは、完全硬化したものであっても部分硬化したものであってもよい。光学的にクリアなポリマーは当該技術分野において知られている。好適なポリマーマトリックスの例としては、限定されないが、ポリアクリレートまたはアクリレート、例えば、ポリメタクリレート、ポリアクリレートおよびポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール、ポリエステル例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート、高度の芳香族性を有するポリマー、例えば、フェノール系またはクレゾール-ホルムアルデヒドNovolac登録商標、ポリスチレン、ポリビニルトルエン、ポリビニルキシレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリフェニレン、ならびにポリフェニルエーテル、ポリウレタンPU、エポキシ、シリコーン-エポキシ、ポリオレフィン例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、および環状オレフィン、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンコポリマーABS、セルロース系、シリコーンならびに他のケイ素含有ポリマー例えば、ポリシルセスキオキサンおよびポリシラン、シリコーン-シロキサン、ポリ塩化ビニルPVC、ポリアセテート、ポリノルボルネン、合成ゴム例えば、EPR、SBR、EPDM、ならびにフルオロポリマー例えば、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンTFEまたはポリヘキサフルオロプロピレン、フルオロ-オレフィンと炭化水素オレフィンとのコポリマー例えば、Lumiflon登録商標、ならびにアモルファスフルオロカーボンポリマーまたはコポリマー例えば、旭硝子株製のCYTOP登録商標、またはDuPont製のTeflon登録商標AFが挙げられる。他の実施形態では、マトリックス材料はプレポリマーを含むものである。プレポリマーは、重合および/または架橋して本明細書に記載するポリマーマトリックスを形成し得るモノマー混合物またはオリゴマー混合物または部分ポリマーをいう。望ましいポリマーマトリックスに鑑みて好適なモノマーまたは部分ポリマーを選択することは、当業者の知識の範囲内である。好ましい実施形態において、プレポリマーは光硬化性である、すなわち、プレポリマーは、放射線照射に曝露すると重合および/または架橋する。より詳細に記載するように、光硬化性プレポリマーを主体するマトリックスは、選択領域内で放射線照射に曝露することによってパターン形成され得る。他の実施形態では、プレポリマーは熱硬化性であり、これは、熱源への選択的曝露によってパターン形成され得る。典型的には、マトリックス材料は液状物である。マトリックス材料は、任意選択で溶媒を含むものであってもよい。マトリックス材料が有効に溶媒和または分散し得る任意の非腐食性溶媒が使用され得る。好適な溶媒の例としては、水、アルコール、ケトン、テトラヒドロフラン、炭化水素例えば、シクロヘキサンまたは芳香族溶媒ベンゼン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。より好ましくは、溶媒は、200°C以下、150°C以下、または100°C以下の沸点を有する揮発性のものである。一部の特定の実施形態では、マトリックス材料に、架橋剤、重合開始剤、安定剤例えば、酸化防止剤、ならびにより長い製品寿命のためにはUV安定剤、およびより長い貯蔵寿命のためには重合防止剤など、界面活性剤などを含めてもよい。他の実施形態では、マトリックス材料に、さらに腐食防止剤を含めてもよい。本明細書に記載のように、透明導体は、例えば、シート被覆、ウェブ被覆、印刷、および積層によって製作され得る。導電性ナノ構造体からの透明導体の製作は、例えば、米国特許出願第11/871,767号これは、引用によりその全体が本明細書に組み込まれるに開示されている。パターン形成導電層は、エッチングすることでパターン形成され得る。マスクされていない領域の導電層部分を溶解および除去するため、導電層の組成に応じて種々のエッチング液etchingsolutionまたはetchantが使用され得る。エッチング液は、パターン形成させる透明導体に任意の既知の方法で、例えば、所定のパターン形成マスクを用いて、またはエッチング液を所定のパターンでスクリーン印刷することで適用され得る。一実施形態において、硝酸HNO3を含む酸エッチング液が使用され得る。典型的には、硝酸を0.01~40で存在させ、より典型的には、硝酸を0.01~10で存在させる。酸エッチング液は、微量例えば、約1~100ppmの過マンガン酸カリウムKMnO4をさらに含むものであってもよい。一実施形態では、酸エッチング液は、約1のHNO3、1のNaNO3および微量数ppmpartspermillionの過マンガン酸カリウムKMnO4を含むものである。エッチング液により金属ナノワイヤは溶解性の金属塩に転換され、これは、洗浄することによって除去され得る。例えば、銀ナノワイヤは銀塩Agに転換され得、これは、溶媒例えば、水ですすぐことによって洗い流すことができる。一部の特定の実施形態では、エッチング液は、完全硬化ポリマーまたは部分硬化ポリマーで構成されたマトリックスに影響するもの、またはマトリックスを溶解するものではない。パターン形成は、ポリマーマトリックス材料をナノワイヤ層上に、所望のパターンに従って成膜し、硬化させることにより行なわれ得る。マトリックスが硬化し完全または部分的のいずれか、許容され得る度合の硬度および物理的形態が得られたら、その後のエッチング工程時に、マトリックスによって、その内部に包埋されたナノワイヤがエッチングによる除去から保護される。保護されていない領域ここでは、マトリックス材料が重合していないか、またはマトリックスが存在していない内のナノワイヤはエッチングされ、除去され得る。したがって、一実施形態では、基板上に導電層を形成すること該導電層には、複数のナノワイヤが含まれている;該導電層上にパターンに従ってマトリックスを形成すること該パターンには、マトリックスによって保護されたナノワイヤと保護されていないナノワイヤが含まれている;および該導電層をエッチングして該保護されていないナノワイヤを溶解させることを含む、パターン形成方法を記載する。保護されていないナノワイヤは、除去されるか、または定位置に残されるかのいずれかであり得る。本明細書に記載の酸エッチング液中のKMnO4の量がエッチング力に影響し得ることがわかった。例えば、酸エッチング液中のKMnO4の量はエッチング速度に影響し得る。典型的には、KMnO4の濃度が高いほどエッチングは速くなる。したがって、酸エッチング液中のKMnO4の濃度を調整することにより、エッチング液の酸性度を変更することなくエッチング効率を調整することができる。また、酸エッチング液中のKMnO4の濃度が高いほど、マトリックス中でのエッチング液のより有効な拡散がもたらされ得、これにより、より高速またはより完全なインサイチュでのナノワイヤの溶解がもたらされることが観察された。例えば、KMnO4をエッチング液中に20ppm未満で存在させた場合、マトリックス約150nmの標準的な厚みのものにより、その内部に包埋されたナノワイヤがエッチングから保護され得る。HNO3とNaNO3の濃度を一定に維持したままKMnO4の量を約20ppmまで増大させると、エッチング液はマトリックス約150nmの厚み中に拡散し、内部に包埋されたナノワイヤを溶解させる。厚膜オーバーコート約1μmにより、酸エッチング液の拡散が有効に抑制され、ナノワイヤがエッチングから保護され得るが、該厚膜オーバーコートによって保護されていないナノワイヤ/マトリックスは、酸エッチング液例えば、20ppmのKMnO4、1のHNO3および1のNaNO3によって溶解した。したがって、一実施形態では、マトリックス中に拡散してナノワイヤを溶解させることができるエッチング液が選択され得る。このような実施形態では、マトリックス中にナノワイヤを含む導電層は、保護マスク例えば、フォトレジストを使用することによりエッチングされ得る。したがって、パターン形成は、マスクされていない領域内のナノワイヤがエッチングされる標準的なフォトリソグラフィ法に従って行なわれ得る。さらなる一実施形態では、マスクされていない領域のエッチングは、マスクされていない領域内のマトリックスを第1エッチング液を用いてエッチングすること;および該マスクされていない領域内のナノワイヤを第2エッチング液を用いてエッチングすることを含むものである。例えば、第1エッチング液例えば、過酸化水素を用いてマスクされていない領域内のマトリックスを除去すると、ナノワイヤが露出または脱保護され得る。その後、第2エッチング液本明細書において論考した酸エッチング液などを使用し、もはやマトリックスに保護されていないナノワイヤが溶解または除去され得る。したがって、他の実施形態では、マスクを用いた透明導体のパターン形成方法を記載する。マスクは、下層のナノワイヤ/マトリックス層を保護する厚膜オーバーコートとしての機能を果たす。該方法は、基板上に導電層を形成すること該導電層には、マトリックスとその内部に包埋された複数の電気伝導性のナノワイヤが含まれている;該導電層上にマスクを配置し、マスク領域と非マスク領域を画定すること;および該非マスク領域を酸エッチング液を用いてエッチングし、パターン形成された導電性領域を形成することを含む。該方法は、さらに、エッチングされた領域を除去してパターンを形成することを含んでいてもよい。エッチング効率に寄与し得る他の要素としては、限定されないが、マトリックスの硬化度が挙げられる。例えば、同じエッチング液で同じモノマーであると仮定すると、部分硬化ポリマーによって形成されたマトリックスは、完全硬化ポリマーによって形成されたマトリックスよりも容易に溶解する傾向にある。パターン形成後、部分硬化マトリックスには、マトリックスを完全に硬化させるためにさらなる硬化工程が行なわれ得る。また、より効率的なエッチングは、エッチングの前に透明導体のエッチング表面を活性化させることによっても達成され得る。かかる前処理は、液状エッチング液を透明導体のエッチング表面と接触させるウェットエッチングプロセスに特に有益である。典型的には、透明導体のエッチング表面は、ナノワイヤ/マトリックス層の上面、または一部の場合ではオーバーコート層の上面であり得る。マトリックス層とオーバーコート層により、下層のナノワイヤが腐食性要素および磨耗から保護される。しかしながら、これらの層の存在によって液状エッチング液のぬれが不充分になることがあり得る。透明導体のエッチング表面を前処理すると、表面が活性化され、そのぬれ挙動が改善され得る。その結果、液状エッチング液は、マトリックスおよび/またはオーバーコート層によって保護された金属ナノワイヤに到達可能となる。したがって、上記のパターン形成方法は、さらに、ぬれ挙動を改善するために導電層のエッチング表面を前処理することを含むものであってもよい。ぬれ挙動の変化は、水接触角の測定によって評価され得る。水接触角は、液相/気相界面が固相表面すなわち、エッチング表面と接する角度をいう。典型的には、水接触角が大きいほど固相表面の不充分なぬれと相関している。表1に示すように、処理の型に応じて、水接触角は、表面処理後に約50~80大きく低減する。表1同じ強度のエッチング液を使用すると、表面処理した透明導体のエッチング速度は、未処理の透明導体のエッチング速度と比べて有意に改善され得る。したがって、透明導体膜は、エッチング対象領域を前処理することにより効率的にパターン形成され得る。さらに、エッチング液の型および/または強度を調整することにより、実質的に均一な光学的特性または低視感度visibilityパターンを有するパターン形成透明導体膜を作出することが可能である。このような低視感度パターンを有する透明導体は、タッチスクリーンなどのディスプレイの構成要素として特に有用である。本明細書で用いる場合、実質的に光学的に均一な、光学的に均一な、または光学的均一性は、導電性が相違する少なくとも2つの領域を有するパターン形成透明導体膜の光学的特徴をいい、エッチングされていない領域の抵抗率に対するエッチングされた領域の抵抗率の比は少なくとも103、または少なくとも104、または少なくとも105、または少なくとも106であり、ここで、この2つの領域の光透過率Tの差は5未満、または4未満、または3未満、または2未満、または1未満、または0.5未満またはゼロであり;この2つの領域のヘイズ値Hの差は0.5未満、0.1未満、0.07未満、0.05未満、0.03未満、0.01未満またはゼロである。パターン形成された導電性膜のエッチングされた領域とエッチングされていない領域との光学的な差を最小限にする、または解消するこのプロセスは、低視感度パターン形成とも称される。このような状況では、ナノワイヤは、エッチングによって完全に除去され、または溶解していないが、エッチングされた領域内のナノワイヤネットワークは、エッチングされていない領域のものよりも導電性が低い状態になっていると考えられる。本明細書に記載の低視感度パターン形成とは対照的に、導電性媒体例えば、金属ナノワイヤが実質的または完全に溶解するエッチングプロセスでは、光散乱の低減のため、エッチングされた領域においてヘイズのかなりの低下がもたらされ、この場合、エッチングされた領域とエッチングされていない領域との光学的な差は、エッチングパターンがより明白に視感され得るのに充分大きくなり得る。したがって、さらなる実施形態では、導電層は、ナノワイヤを完全に崩壊させずに、または除去せずに、非導電性領域、または必ずしも非導電性でない改変された抵抗率を有する領域を作出することによりパターン形成され得る。このように、エッチングされた領域の光学的特徴すなわち、透過率およびヘイズの変化あればは比較的最小限となり得るが、導電性媒体すなわち、相互結合されたナノワイヤネットワークの抵抗率は、エッチングされた領域において所定のパターンに従って改変される。より詳しくは、この実施形態では、基板上に導電層を形成すること該導電層には、マトリックスとその内部に包埋された電気伝導性のナノワイヤのネットワークが含まれている;および内部の該電気伝導性のナノワイヤのネットワークの抵抗率を改変させる該導電層の領域を処理し、それにより、第1の抵抗率を有する処理領域と第2の抵抗率を有する未処理領域とを含むパターン形成された導電層を形成することを含む方法を提供する。処理領域は非導電性となり得るが、そうである必要はない。本明細書で用いる場合、非導電性とは少なくとも106Ω/□の表面抵抗率をいう。一部の特定の実施形態では、第2の抵抗率に対する第1の抵抗率の比率は少なくとも1000であるすなわち、エッチングされた領域はエッチングされていない領域よりも導電性が低い。他の実施形態では、第2の抵抗率に対する第1の抵抗率の比率は少なくとも104、または少なくとも105、または少なくとも106である。また、基板と、マトリックス内に包埋された電気伝導性のナノワイヤのネットワークを有するパターン形成された導電層とを含む透明導体を開示する。パターン形成された導電層には、該ネットワークが第1の抵抗率を有する透明導体の第1領域と、該ネットワークが第2の抵抗率を有する該透明導体の第2領域とが画定されている。この2つの領域間の光学的特徴すなわち、透過率およびヘイズの変化または差は比較的小さい。例えば、限定されないが、第1領域の透過率およびヘイズの差は、それぞれ第2領域のものと、それぞれ0.7未満および0.62未満異なるが、この2つの領域間の抵抗の変化は約1500Ω/□より大きい。本明細書に記載のように、光学的にクリアな導電層は、処理またはエッチングされた領域の光学的特性に影響を及ぼすことなく、本明細書に記載のパターン形成方法に従って処理またはエッチングされ得る。実施例14にさらに実例を示すように、パターン形成工程の前と後での透過率TおよびヘイズHなどの光学的特性の変化は比較的小さかったため、得られるエッチングパターンは低視感度を有するものである。かかる不可視invisibleパターン形成または低視感度パターン形成方法では、導電層は、外観は光学的に均一なままであるが、未処理のまたはエッチングされていない領域は所定のパターンに従って導電性であり、処理またはエッチングされた領域は、非導電性となっているか、または異なる低下した導電性を有する。本実施形態において、ナノワイヤネットワークの抵抗率の改変は、限定されないが、ナノワイヤ間の結合部の電気伝導性を破壊もしくは劣化させること、またはナノワイヤ自体を非導電性にすることにより行なわれ得る。一実施形態において、電気伝導性のナノワイヤネットワークの処理は、電気伝導性のナノワイヤを非導電性ナノワイヤまたはより高い抵抗率を有するワイヤに化学的に変換することを含む。かかる化学的変換としては、例えば、酸化、硫化、または下層のナノワイヤの導電性材料を電気絶縁性材料に転換する任意の他のプロセスが挙げられ得る。例えば、元素金属または金属合金例えば、銀で形成された導電性ナノワイヤは、該金属を電気絶縁性で不溶性の金属塩例えば、塩化銀に転換させると非導電性となり得る。この例では、元素の銀がまず酸化され、銀イオンAgに転換され得る。酸化は、アニオン例えば、Cl-の存在下でさらに推進されて完了され得、該アニオンと正電荷を有する銀イオンにより不溶性の塩AgClが形成され得る。金属イオンを不溶性の金属塩として容易に沈殿させるアニオンの他の例としては、例えば、臭化物イオン、ヨウ化物イオンおよび硫酸イオンが挙げられる。好適な酸化剤の例としては、限定されないが、過酸化物例えば、過酸化水素、過硫酸塩例えば、過硫酸アンモニウム、ペルオキソ化合物例えば、ナトリウムまたはカリウムのペルオキソ二硫酸塩、ハロゲンまたはハロゲン系の酸化性の塩例えば、塩素または次亜塩素酸塩、酸化性の金属塩例えば、パラジウム、マンガン、コバルト、銅または銀塩、有機系酸化剤例えば、7,7’,8,8’-テトラシアノキノジメタンTCNQ、および気体の酸化剤例えば、空気、酸素、オゾンなどが挙げられる。種々の実施形態において、酸化剤の濃度、該薬剤の型および該薬剤への曝露時間により、導電層の化学的変換の程度が決定され得る。強力なおよび/またはより濃縮された酸化剤によってナノワイヤおよびマトリックス層の溶解を引き起こすことが可能である。一部の特定の実施形態では、下層のナノワイヤ材料を導電性から低導電性または非導電性に変換させることに加えて、または該変換の代わりに、ナノワイヤを物理的に損なわせることも可能である。例えば、ナノワイヤを破断させるか、または短くさせ得、それにより、その相互結合レベルが低減する。その結果、一つには電気絶縁性材料の形成のため、および一つにはナノワイヤ間の相互結合の破壊のため、処理領域の全体抵抗率が未処理領域と比べて増大する。ナノワイヤのかかる物理的構造の変化は微視的レベルでのみ起こり得、したがって、導電層の巨視的外観例えば、光学的特性は影響され得ないことに注意されたい。したがって、本明細書に記載の導電層は、本明細書に定義したような光学的に均一な導電性パターンが形成されるように処理され得る。一実施形態では、基板上のパターン形成された光学的に均一な導電性膜;基板上の導電性膜該導電性膜には、複数の相互結合されたナノ構造体が含まれているを記載し、ここで、該導電性膜上のパターンには1第1の抵抗率、第1の透過率および第1のヘイズを有するエッチングされていない領域と2第2の抵抗率、第2の透過率および第2のヘイズを有するエッチングされた領域が画定されており;エッチングされた領域はエッチングされていない領域よりも導電性が低く、第2の抵抗率に対する第1の抵抗率の比率は少なくとも1000であり;第1の透過率Tは第2の透過率Tと差が5未満であり;第1のヘイズHは第2のヘイズHと差が0.5未満である。他の種々の実施形態において、第2の抵抗率に対する第1の抵抗率の比率は少なくとも104、または少なくとも105、または少なくとも106である。一部の特定の他の実施形態では、第1の透過率Tは第2の透過率Tと、差が4未満、または3未満、または2未満、または1未満、または0.5未満、またはゼロである。さらなる実施形態では、第1のヘイズHは第2のヘイズHと、差が0.1未満、0.07未満、0.05未満、0.03未満、0.01未満、またはゼロである。エッチング液は、金属ナノ構造体例えば、銀ナノワイヤ内に小さな切込みが作出されて少なくとも一部のナノ構造体が崩壊して短いセグメントとなるように選択される。この小さな切込みにより、ナノ構造体の導電性が減弱し、エッチングされた領域内の導電性膜が非導電性または低導電性となるが、エッチングされた領域の光学的特性Tおよび/またはHは、エッチングされていない領域のものと比べて有意に改変されない。好適なエッチング液は、例えば、金属塩化物塩塩化銅IICuCl2または塩化鉄IIIFeCl3などの水溶液であり得る。エッチング液は、さらに、強酸塩化水素または硝酸などを含むものであってもよい。エッチング液成分のそれぞれの濃度が調整され得る。典型的には、金属塩および/または強酸の濃度が高いほど高いエッチング速度がもたらされる。一部の特定の実施形態では、エッチング液溶液はw/wで約12~24のCuCl2と約1.4~6.8のHClを含むものであり、エッチング液溶液の残部は水である。他の実施形態では、エッチング液溶液はw/wで約30のFeCl3と約4のHClを含むものである。エッチングの程度は、エッチングされた領域の抵抗率によって決定され得る。エッチングされる領域は、一般的に、エッチングされない領域よりも低導電性である。例えば、エッチングされた領域の抵抗率は、エッチングされていない領域の抵抗率の少なくとも2倍、少なくとも5倍、少なくとも10倍、少なくとも100倍、少なくとも1000倍、少なくとも104倍、少なくとも105倍または少なくとも106倍であり得る。エッチングの程度は、エッチング時間および/またはエッチング液の強度すなわち、濃度を制御することによって種々に制御され得る。また、エッチングを行なう温度もエッチングの速度および程度に影響することがあり得る。典型的には、エッチングの温度が高いほど高いエッチング速度がもたらされる。種々の実施形態において、エッチングは約20°C~60°Cで行なわれる。別の実施形態において、低視感度パターン形成プロセスは、最初に部分エッチングする工程、およびその後に加熱する工程を含むものである。より詳しくは、該プロセスは、導電性膜をパターンに従ってエッチングし、1第1の中間抵抗率を有するエッチングされていない領域と、2第2の中間抵抗率を有するエッチングされた領域とを得ることここで、第2の中間抵抗率に対する第1の中間抵抗率の第1の比は1000未満である;および該導電性膜を、エッチングされた領域が第1の最終抵抗率を有し、エッチングされていない領域が第2の最終抵抗率を有するように加熱することここで、第2の最終抵抗率に対する第1の最終抵抗率の第2の比は少なくとも1000であり、該エッチングされた領域と該エッチングされていない領域は光学的に均一であるを含むものである。一部の特定の実施形態では、部分エッチング工程後の中間抵抗率の第1の比は5未満または2未満であるが、加熱工程後の最終抵抗率の第2の比は少なくとも104、または少なくとも105Ω/□、または少なくとも106である。したがって、加熱工程と組み合わせる場合、最初のエッチング工程では、後続の加熱工程でエッチングプロセスが完了し得る程度まで部分エッチングするだけでよい。完全に非導電性になる例えば、少なくとも106Ω/□の抵抗率を有するまでエッチングする完全エッチングと比較すると、部分エッチングでは、中間抵抗率が最終抵抗率よりも低いことによって反映されるように、ナノ構造体に引き起こされる損傷が少ない。その結果、部分エッチングされた領域とエッチングされていない領域間の抵抗率の第1の比は、完全エッチングで得られたであろうものすなわち、第2の比よりもかなり小さい。そうはいうものの、ナノ構造体を、部分エッチングにより、後続の加熱プロセスによって完全に切断され得、エッチングされた領域とエッチングされていない領域間に第1の比よりも大きい抵抗率の第2の比がもたらされるのに充分に損傷させる。この加熱プロセスによるエッチングは、おそらく、ナノ構造体が、部分エッチング工程により寸法が小さくなるすなわち、薄くなるにつれて溶融挙動に対する感度が増大するためである。例えば、CuCl2溶液でのエッチングでは、ナノワイヤの直径がワイヤの長さに沿って非常に小さい領域に減少し、こうして損傷したナノワイヤは、特に、加熱プロセスによるエッチングによって完全に崩壊し易くなる。部分エッチングされた領域が加熱工程によって低導電性または非導電性となることは、加熱工程が一般的に膜の導電性に対して逆の効果を有するため、予期されないことである。本明細書に記載のように、加熱工程は、所与の試験片の膜の導電性を増大させるための後処理工程として使用され得る。他方において、部分エッチング膜では、部分エッチングによって作出した損傷により、溶融挙動に対するナノ構造体の感度が予想外に変化し、これにより、ナノ構造体が崩壊し易くなり、膜の導電性の減少がもたらされる。好都合には、加熱プロセスによるエッチングによって調製されたパターン形成導電性膜のエッチングされた領域とエッチングされていない領域は、光学的に均一であり、低視感度パターンがもたらされる。部分エッチングによって、ナノ構造体が完全エッチングよりは少ない程度まで薄くなり、それによりヘイズの変化が少なくなると考えられる。さらに、さらなる加熱工程によって、このプロセスはより強固となる。例えば、何らかの理由で最初のエッチング工程が予想より有効性が低い場合、後続の加熱工程により、導電性膜のエッチングされた領域を低導電性または非導電性にするプロセスを完結させることができる。任意選択で、不可視パターンまたは低視感度パターンを形成する前に、エッチング表面のぬれ挙動を改善して表面エネルギーを変化させることにより、前処理工程を行なってもよい。論考したように、酸素プラズマおよびUVオゾンが好適な前処理の例である。スクリーン印刷本明細書に開示した任意のエッチング液配合物を適用する一つの方法は、スクリーン印刷によるものである。当業者には理解されるように、スクリーン印刷は、被膜形成溶液またはインクを基板に適用する方法であり、基板には、メッシュまたはスクリーンが使用され、ステンシルを保持しており、ステンシルは、一般的に、インクがスクリーン中を通って基板まで送られることを阻止する1つ以上の造形部featureを含むものである。インクは、ローラー、スキージまたはスクリーンの表面を横断する他のかかるデバイスによってスクリーン中を推し進められ、それによって、インクが、ステンシルのインク阻止造形部に対応する領域を除き基板上に分布する。種々の実施形態では、インクのように、エッチング液配合物が、エッチング対象の基板例えば、透明導体上にスクリーン印刷され得る。したがって、一実施形態では、1複数の相互結合された金属ナノワイヤを含む透明導体を準備すること、2酸性エッチング液で該透明導体に、パターンに従ってスクリーン印刷すること;および3該パターンに従ってエッチングすることによりパターン形成された透明導体を準備することを含み、該パターンには、エッチングされる領域とエッチングされない領域が画定されている、方法を提供する。さらなる実施形態では、酸性エッチング液は、本明細書に記載のスクリーン印刷可能なエッチング液配合物である。他の実施形態では、透明導体は、相互結合された金属ナノワイヤを包埋するバインダーをさらに含むものである。一部の特定の実施形態では、エッチングされた領域は、金属ナノワイヤに対する構造的損傷のため、もはや導電性ではない。他の実施形態では、エッチングされた領域は導電性のままであるが、エッチングされていない領域よりも低い導電性を有する。一部の特定の実施形態では、エッチング液は、実質的に光学的に均一な外観を有するパターン形成された透明導体が得られるように選択され得る。より詳しくは、エッチングされた領域とエッチングされていない領域は、実質的に同じ光透過率およびヘイズを有する。特に、酸化体とハロゲン化物塩との組合せを含むエッチング液では、不可視または低視感度パターンが作出され得る。本出願の譲受人であるCambriosTechnologiesInc.名義のPCT/US2011/25941を参照のこと。別の実施形態において、該方法は、透明導体をアニーリングすることをさらに含む。また別の実施形態では、該方法は、パターン形成された透明導体を洗浄することをさらに含む。一般に、洗浄には、1種類以上の溶媒例えば、水ですすぐこと、1種類以上の溶媒を含む溶媒浴中に浸漬すること、または1種類以上の溶媒を加圧噴霧することが包含され得る。一実施形態において、パターン形成された透明導体を、塩基性溶液で洗浄した後、水で洗浄する。該塩基性またはアルカリ性の溶液は、pH>7を有する任意の溶液であり得る。かかる溶液としては、例えば限定されないが、アルカリ金属水酸化物水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOHなど;水酸化アンモニウムNH4OH;ならびに有機塩基、例えば、第3級および第4級アミン例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムおよびトリエチルアミンが挙げられる。実施例14に示すように、塩基洗浄すると、同じ使用期間後に抵抗がずっと低値にシフトすることによって示されるように、信頼性と安定性が向上したパターン形成された透明導体が得られ得る。エッチング液配合物本明細書に開示したエッチング液のいずれも、本開示に従ってスクリーン印刷可能なエッチング液に配合され得る。一般的には、限定されないが、本開示によるスクリーン印刷可能なエッチング液は、極性溶媒例えば、水またはアルコール、1種類以上の酸を含むものであり得、また、任意選択で1種類以上の金属ハロゲン化物例えば、金属塩化物、1種類以上の界面活性剤および1種類以上のポリマーが含まれていてもよい。エッチング液は、1種類以上の酸の存在のため酸性である。酸としては、限定されないが、硝酸HNO3、リン酸H3PO4、酢酸HOAc、および塩酸HClが挙げられ得る。金属塩化物としては、限定されないが、塩化第二鉄および塩化銅が挙げられ得る。酸性エッチング液酸1種類もしくは複数種単独または酸1種類もしくは複数種と金属ハロゲン化物との組合せのいずれかにより、金属ナノワイヤバインダーあり、またはなしは、該金属ナノワイヤが構造的に損なわれてもはや導電性でなくなるか、またはエッチングされていない金属ナノワイヤよりも低導電性となるようにエッチングされる。典型的には、エッチング液配合物は、エッチング液配合物の総重量の約10~25、または25~40、または40~65、または40~70、または45~75の酸総量1種類以上の酸を含むを含むものである。一部の特定の実施形態では、エッチング液配合物は、エッチング液配合物の0.25~1.25w/w、または0.5~2.5w/w、または0.75~3.75w/w、または0.8~4w/w、または1~5w/wの量の硝酸を含むものである。他の実施形態では、エッチング液配合物は、エッチング液配合物の0.25~1.25w/w、または0.5~2.5w/w、または0.75~3.75w/w、または0.8~4w/w、または1~5w/wの量の塩酸塩を含むものである。1種類以上の界面活性剤および/または1種類以上のポリマーなどの添加剤は、エッチングに対して化学的に寄与するものではない。しかしながら、添加剤は、エッチング液配合物のレオロジー的挙動およびエッチング品質の制御または調整において重要であり得る。例えば、1種類以上の界面活性剤添加剤をスクリーン印刷可能なエッチング液配合物に使用すると、エッチング時間が削減される、均一性が改善される、残留物が低減する、および/またはドラッグアウトdragoutが低減することがあり得る。スクリーン印刷可能なエッチング液配合物に使用され得る界面活性剤の非限定的な例としては、Novec登録商標43003MCorporation製、Capstone登録商標FS-10およびCapstone登録商標FS-50ともにDuPontCorporation製が挙げられる。1種類以上のポリマー添加剤をスクリーン印刷可能なエッチング液配合物に使用すると、エッチング液の粘度を増大させることができ、そのため、リフローが低減し、エッチングパターンが正確に複写され得る。好ましくは、使用されるポリマーは、ポリマー自体が崩壊しないように耐酸性である。スクリーン印刷可能なエッチング液配合物に使用され得るポリマーの非限定的な例としては、ポリAMPS、すなわち、ポリ2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸、ならびにポリアミド微粉末Vestosint登録商標2070およびVestosint登録商標2159で販売、EvonicDegussaCorporation製が挙げられる。種々の実施形態において、スクリーン印刷可能なエッチング液は、少なくとも5w/wの該ポリマー、または少なくとも10w/wの該ポリマー、または少なくとも15w/wの該ポリマー、または少なくとも20w/wの該ポリマーを含むものである。スクリーン印刷可能なエッチング液は、他の既知のスクリーン印刷可能な材料のものに典型的な粘度を有する。一部の特定の実施形態では、スクリーン印刷可能なエッチング液は5,000~150,000cPの範囲の粘度を有する。他の実施形態では、スクリーン印刷可能なエッチング液は50,000~100,000cPの範囲の粘度を有する。スクリーン印刷可能なエッチング液に配合され得るさらなるエッチング液としては、PCT/US2011/25941に記載されたものが挙げられる。より詳しくは、エッチング液は酸化体とハロゲン化物とを含むものである。より具体的な実施形態では、酸化体はFeCl3、CuCl2、HNO3、I2、H2O2、またはO2であり、ハロゲン化物は塩化物またはヨウ化物である。酸化体とハロゲン化物とのあらゆる組合せが本開示の範囲に含まれる。より具体的な実施形態では、エッチング液はFeCl3とHClを含むものである、またはエッチング液はCuCl2とHClを含むものである、またはエッチング液はHNO3とHClを含むものである。ポリAMPSおよびポリアミド微粉末などの耐酸性ポリマーが、粘度を調整するために該配合物に添加され得る。透明導体の構造、その電気的および光学的特性、ならびに製作方法を、以下の非限定的な実施例によって、より詳細に説明する。実施例1銀ナノワイヤの合成銀ナノワイヤを、例えば、Y.Sun,B.Gates,B.Mayers,Y.Xia,Crystallinesilvernanowiresbysoftsolutionprocessing,Nanoletters,2002,22165-168に記載されたポリオール法に従い、ポリビニルピロリドンPVPの存在下で、エチレングリコールに溶解させた硝酸銀の還元によって合成した。米国特許出願第11/766,552号CambriosTechnologiesCorporation名義に記載された改良ポリオール法では、より均一な銀ナノワイヤが、慣用的なポリオール法よりも高い収率で作製される。この出願は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。実施例2透明導体の調製AutoflexEBG5ポリエチレンテレフタレートPET膜5μm厚を基板として使用した。このPET基板は光学的にクリアな絶縁体である。このPET基板の光透過率およびヘイズを表2に示す。特に別の記載のない限り、光透過率はASTMD1003の方法論を用いて測定した。銀ナノワイヤの水性分散体をまず調製した。銀ナノワイヤは、約70nm~80nmの幅およびほぼ8μmの長さのものとした。銀ナノワイヤAgNWの濃度は、該分散体の約0.5w/vとし、光学密度は約0.5になったMolecularDevicesSpectraMaxM2プレートリーダーで測定。次いで、この分散体をPET基板上に、ナノワイヤを基板上に沈殿させることにより被膜形成させた。当業者には理解されるように、他の被膜形成手法を使用してもよい例えば、狭小チャネルによって測定されるフローflowmeteredbyanarrowchannel、ダイフロー、傾斜フローなど。さらに、流動体の粘度および剪断挙動ならびにナノワイヤ間の相互作用が、被膜形成させるナノワイヤの分布および相互結合に影響することがあり得ることが理解されよう。その後、銀ナノワイヤの被膜形成層を、水分のエバポレーションによって乾固させた。むき出しの銀ナノワイヤ膜ネットワーク層とも称するがPET基板上に形成されたAgNW/PET。光透過率およびヘイズを、BYKGardnerHaze-gardPlusを用いて測定した。表面抵抗率を、Fluke175TrueRMSMultimeterを用いて測定した。結果を表2に示す。また、ナノワイヤの相互結合および基板の面積被覆率を、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡下で観察してもよい。マトリックス材料を、ポリウレタンPUMinwaxFast-DryingPolyurethaneとメチルエチルケトンMEKとを混合して1:4v/vの粘性溶液を形成することにより調製した。マトリックス材料をむき出しの銀ナノワイヤ膜上に、スピンコーティングによって被膜形成させた。当該技術分野において既知の他の方法、例えば、ドクターブレード、メイヤーロッド、ドローダウンまたはカーテンコーティングを使用してもよい。マトリックス材料を室温で約3時間硬化させ、この間に溶媒MEKが蒸発し、マトリックス材料が硬化した。あるいはまた、硬化を炉内で、例えば、50°Cの温度で約2時間行なってもよい。こうして、PET基板上に導電層を有する透明導体AgNW/PU/PETが形成された。マトリックス中の銀ナノワイヤ導電層は約100nmの厚みであった。その光学的および電気的特性を測定した。結果を表2に示す。透明導体を、さらにテープ試験に供した。より詳しくは、3MScotch登録商標600接着テープをマトリックスの表面にしっかりと貼り、次いで、例えば剥がすことによって除去した。固定されていない銀ナノワイヤはテープとともに除去された。テープ試験後、透明導体の光学的および電気的特性を測定した。結果を表2に示す。比較の目的で、マトリックスのみの膜をPET基板上にPU/PET、上記のものと同じ条件下で形成した。PU/PETの光学的特性光透過率およびヘイズおよび電気的特性も表2に示す。表2に示されるように、PET上のマトリックスのみの膜PU/PETは、PET基板よりもわずかに高い光透過率ならびにヘイズ値を有していた。どちらも導電性でなかった。比較すると、PET上のむき出しの銀ナノワイヤ膜は高度に導電性であり、表面抵抗率は60Ω/□と記録された。PET上へのむき出しの銀ナノワイヤ膜に成膜すると光透過率は低下し、ヘイズは増大した。しかしながら、PET上のむき出しの銀ナノワイヤ膜は、光透過率が80より高く、なお光学的にクリアであるとみなされた。PET上のむき出しの銀ナノワイヤ膜の光学的および電気的特性は、PET基板上に形成された金属酸化物膜例えば、ITO典型的には60~400Ω/□の範囲であると同等であるか、またはより優れていた。表2にさらに示されるように、ポリウレタンマトリックス中の銀ナノワイヤを主体とする透明導体は、PET上のむき出しの銀ナノワイヤ膜とほぼ同一の光透過率、およびわずかに高いヘイズを有していた。この透明導体の抵抗率は、むき出しの銀ナノワイヤ膜と同じままであり、マトリックス材料の被膜形成により、銀ナノワイヤ膜に支障がなかったことを示す。このようにして形成された透明導体は光学的にクリアであり、PET基板上に形成される金属酸化物膜例えば、ITOと同等またはより優れた表面抵抗率を有するものであった。また、テープ試験で透明導体の抵抗率または光透過率は改変されず、ヘイズがわずかに増大したにすぎなかった。表2実施例3酸エッチング1導電性の銀ナノワイヤ層を、まずPET基板上に形成した。UV硬化性アクリレートを、ナノワイヤ層上にパターンに従って成膜させた。マトリックスを乾固させ、部分硬化させた。マトリックスは典型的には約50nm~300nmの厚みであった。表面導電性が、マトリックスによって保護された領域内で、ならびにマトリックスによって保護されていない領域内でも検出された。次いで、透明導体シートを、1のHNO3、1のNaNO3および5ppmのKMnO4を含む酸エッチング液に曝露した。1分以内に銀ナノワイヤのエッチングが、マトリックスによって保護されたエリアに隣接する領域から始まった。ナノワイヤ層の溶解と破壊は、マトリックスによって保護されていないエリアで明白であった。エッチングが2分になると、より多くの保護されていない銀ナノワイヤが溶解し、良好に画定されたパターンが出現した。4分間の終了時、保護されていない銀ナノワイヤはすべてエッチングされ、透明導体シートを水ですすぐことによって除去された。保護されたエリアは導電性のままであった。任意選択で、マトリックスで保護されたエリア内の部分硬化マトリックスを、さらに硬化させてもよい。実施例4酸エッチング210ppmのKMnO4を使用したこと以外は実施例3に記載のようにして、透明導体シートを調製し、パターン形成した。保護されていないナノワイヤは、30秒間のエッチングの間にエッチングによって除去され、約1分間のエッチング後、良好に画定されたパターンが形成された。また、マトリックスが存在しているエリアは、エッチングされなかったか、またはエッチング液による支障はなかった。実施例9と同様、保護されたエリアは、エッチング後も表面導電性のままであった。パターン形成された表面の導電性領域と非導電性領域間の界面では、ナノワイヤは実際に切断されており、このような切断されたナノワイヤの一部これは、エッチング前は、非導電性領域内に延在していたは、エッチングによって除去される。このように、切断されたワイヤの残留部分は、エッチング前のワイヤの元の長さよりも短くなっている。実施例5表面の前処理透明導体試験片に、ウェットエッチングプロセスによってパターン形成した。エッチングの前に、透明導体にパターン物理的マスクまたはフォトレジストマスクに従ってマスクし、マスクされていない領域を表面処理した。未処理の試験片と比べて、表面処理した透明導体は、ずっと高い速度でエッチングされた。物理的マスクを使用して:透明導体試験片を、まず、所望の透明性および導電性を有する基板例えば、ポリカーボネート、ガラスまたはPET上に、スピンコーティングまたは他の成膜方法によって銀ナノワイヤ膜を形成することにより調製した。続いて、銀ナノワイヤ膜に、AddisonClearWaveACYC-5619ハードコートで被膜形成したスピンコーティングによる。このハードコート材料を焼成し、完全にUV硬化させた。所望のパターンを有するマスク例えば、プラスチック膜を透明導体試験片のハードコート上に接触させて配置した。マスクには、エッチングされるマスクされていない領域が画定されていた。マスクされていない領域をO2プラズマに10分間、またはUVオゾン処理に10分間供した。マスクを除去し、試験片を100のTranseneAgEtchantTypeTFS中に10秒間浸漬した後、取り出し、脱イオン水DI中ですすぎ、風乾させた。フォトレジストマスクを使用して:物理的マスクの代わりに、フォトレジスト材料を銀ナノワイヤ膜ハードコートを有する上にスピンコーティングしてもよい。所望のパターンに従ってUV光に曝露すると、フォトレジスト材料は硬化してマスクになる。上記のプロセス後、透明導体試験片は表面処理され、エッチングされ得る。結果:示されるように、それぞれ酸素プラズマおよびUVオゾンで前処理した試験片1および2は、10秒間のエッチングの間に非導電性無限大の抵抗率となった。比較すると、未処理の試験片3は、6分間のエッチング後も導電性のままであった。試験片4は、希釈エッチング液を使用した不可視パターン形成のプロセスを示す。酸素プラズマ処理後、5のTranseneAgEtchantTypeTFSを用いたパターン形成により、実質的に均一な光学的特性を有するパターン形成された透明導体が作出された。希釈エッチング液では、透明導体膜は、ナノワイヤを完全に除去しなくても非導電性になったと考えられる。試験片1-酸素プラズマで前処理試験片2-UVオゾンで前処理試験片3-未処理試験片4-希釈エッチング液実施例6低視感度パターン形成HPMC、銀ナノワイヤおよび水の懸濁液を調製した。この懸濁液をガラス基板上にスピンコーティングし、HPMCマトリックス中に銀ナノワイヤの導電性薄膜を形成した。導電層は光学的にクリアであり、光透過率Tは約88.1およびヘイズHは約2.85であった。また、導電層は高度に表面導電性でもあり、表面抵抗率は約25Ω/□である。その後、導電性膜の一領域を酸化剤例えば、0.5の次亜塩素酸塩を含む漂白液で2分間処理した。次いで、処理した膜を水ですすぎ、窒素雰囲気中で乾燥させた。処理した膜領域では、未処理領域の光学的特性と比べて、実質的に同じ透過率89.1Tおよびヘイズ5.85Hが示された。処理領域と未処理領域は視覚的に均一であった。しかしながら、処理領域の表面抵抗率は数桁増大し、有効に絶縁性となった。さらに、銀ナノワイヤは破断されたか、または不溶性で絶縁性の銀塩塩化銀などに転換されたようであった。銀ナノワイヤ系導電性膜を、より強力で濃縮された酸化剤:30過酸化水素で処理した。処理領域では、ほぼすべてのナノワイヤおよび有機HPMCマトリックスが溶解した。処理領域と未処理領域の光学的特性は著しく異なっていた。実施例7HPMC、銀ナノワイヤおよび水の懸濁液を調製した。この懸濁液をガラス基板上にスピンコーティングし、HPMCマトリックス中に銀ナノワイヤの導電性薄膜を形成した。導電層は光学的にクリアであり、光透過率Tは約89.1、およびヘイズHは約3.02、および表面抵抗率は約45Ω/□であった。透明導体の一領域を、アセトニトリルACN0.5mg/ml含有TCNQ溶液中に異なる時間量で浸漬し、すすぎ、窒素雰囲気中で乾燥させた。以下の表3は、TCNQ溶液に曝露した透明導体領域の透明性、ヘイズおよび抵抗率が、曝露時間量に応じてどのように異なったかを示す。表3表3に示されるように、処理領域の抵抗率の変化光学的特徴の変化は比較的少ないは、処理領域の曝露時間量を変化させることによって制御され得る。実施例8また、処理領域の抵抗率の変化は、改変された抵抗率を有する領域を処理するために使用される化学薬品によっても制御され得る。透明な導電性試験片を、実施例7で上記したようにして調製した。試験片の一領域を、PdAcO2とACN1mg/mLの溶液中に種々の時間量で浸漬した。次いで、試験片をACNで2回すすぎ、窒素雰囲気中で乾燥させた。以下の表4は、試験片を該溶液にに曝露した時間量の関数としての光学的特徴透明性およびヘイズならびに抵抗率の変化を示す。表4表3と表4との比較によって示されるように、曝露領域の抵抗率の経時的な変化量は、該領域を曝露させる化学薬品に応じて異なり得る。実施例9フォトレジストでのパターン形成法0.2のHPMC、250ppmのTritonX100および銀ナノワイヤからなる銀ナノワイヤ分散体を調製した。この分散体を基板上にスピンコーティングし、180°Cで90秒間焼成した。次いで、このナノワイヤ膜にAZ-3330Fフォトレジストをスピンコーティングし、2.5μmの透明な導電性膜を作製した。次いで、この透明導体を110°Cで60秒間焼成した。フォトマスクをフォトレジスト層の一部に接触させて配置し、透明導体を光に20秒間、12mW/cm2で曝露した。次いで、導体を110°Cで60秒間焼成した。次いで、フォトレジストをAZ300MIF現像液で現像し、すすぎ、遠心脱水した。次いで、導体をTransene銀エッチング液に10秒間曝露し、すすぎ、遠心脱水した。次いで、アセトンを用いてフォトレジストを剥離した。透明導体にPolysetPCX35-39BをPGME中2.5の希釈度でオーバーコートし、次いで、180°Cで45分間硬化させた。得られたパターン形成透明導体は、5μm~10μmのライン幅を有していた。また、本明細書に開示したフォトレジスト法および他のパターン形成方法を使用しても、大きいパターンライン幅が得られた。例えば、10μm~300μmおよび10μm~50μmのライン幅が得られた。実施例10塩化銅エッチング液による低視感度パターン形成エッチング液溶液を、240gのCuCl22H2Oを180gの濃HCl37w/wおよび580gの水と混合することにより調製した。CuCl2の終濃度は約19、HClは6.8とした。銀ナノワイヤの導電性膜を、本明細書に記載の方法に従って調製した。導電性膜をエッチングすると、この2つの領域に光学的特性の差はほとんど示されないことを観察することができたが、エッチングされた領域の方が低導電性であり、約20,0O0Ω/平方の抵抗率を有していた。実施例11低視感度パターン形成-加熱によるエッチング実施例11は、部分エッチングする工程と、その後の加熱する工程とを組み合わせることによる、導電性膜における低視感度パターンの作出を示す。本明細書において論考しているように、加熱により、エッチングされた領域がさらに非導電性または低導電性となることによってエッチングが完結する。表5は、加熱工程単独で実際に膜の導電性が増大することを示す。試行AおよびBでは、導電性膜または試験片を、それぞれ5分間および30分間加熱し、そのシート抵抗率Rsは5~10パーセント低減した。表5表6は、部分エッチングされた試験片に対する加熱の効果を示す。表示した3つの試行において、試験片を、CuCl2エッチング液実施例18に記載のものを用いて、シート抵抗率がおよそ1000Ω/平方になるまで化学的にエッチングした。次いで、これらを130°Cで、5分間という長時間だけでなく1分間という短時間のいずれかで加熱した。各試行において、加熱工程は、試験片が非導電性となるのに充分であった。換言すると、最初にエッチングプロセスによって引き起こされたナノワイヤネットワークの損傷は、加熱プロセスによって完結した。表6表7は、最初の化学的エッチング工程が不充分な場合、すなわち、ナノワイヤに対する損傷が不充分な場合、その後に加熱工程を行なったとしても、試験片を非導電性にすることは困難となることを示す。試行Fでは、試験片を、抵抗が108から120Ω/平方に変化するまでエッチングした。その後の130°Cで1分間の加熱で、試験片の抵抗は変化しなかった。試行Gでは、別の試験片を、抵抗が121から198Ω/平方に変化するまでエッチングした。その後に130°Cで25分間まで加熱すると、試験片の抵抗率は継続して増大した。しかしながら、シート抵抗は、685Ω/平方より大きくならなかった。これは、加熱工程でエッチングを完結させるためには、エッチングされた領域をもたらす最初の部分エッチングで、閾値の抵抗率これは、ナノ構造体に対する損傷の程度を示すに達していることが重要であることを示す。表7表8では、2つのパターン形成試験片の光学的特性を比較している:試行Iの試験片は、化学的にCuCl2エッチング液によりエッチングして非導電性とし、試行Hの試験片は、部分エッチングした後、加熱した。試行Hでは、最初の部分エッチングによって抵抗率は105Ω/平方から602Ω/平方となり、これは、その後の加熱工程で試験片を非導電性とするのに充分であった。示されたように、最終の光学的特性は、試験片の最初の特性エッチング前とほぼ同一であった、すなわち、ヘイズHの差は約0.01であり、透過率Tの差は0.1であった。試験片は低視感度パターンを有していた。試行Iでは、試験片を完全に非導電性となるまでエッチングした。ここでは、透過率はエッチングの前と後で同じままであったが、ヘイズは、エッチング前のヘイズ値と比べて約0.07減少した。試行Iの膜では、エッチングされた領域とエッチングされていない領域とのヘイズの差が大きいことにより試行Hと比べて、エッチングされた領域は、試行Hのものより可視性となった。表8実施例12スクリーン印刷可能なエッチング液配合物を、ナノワイヤの導電性ネットワークで形成された導電性膜のエッチングにおける有効性について試験した。2インチ×2インチのナノワイヤ導電性膜の試験片を、本明細書の実施例2に記載のようにして調製した。表9に示したエッチング液配合物を調製し、図4に示す導電性膜試験片30の中心を横断するライン20状に配置した。表9の第3列に示したAlエッチング液は、50~70のリン酸、3~10の酢酸および1~5の硝酸を含むものとした。エッチング液を膜試験片上に、表9に示した焼成温度と時間で保持し、次いで、DI水を用いてすすいで除去した。エッチング液を膜に適用する前、各試験片のシート抵抗を、エッチング液を適用したラインに沿ってDelcom抵抗測定器を用いて測定した。エッチング液の除去後、この同じシート抵抗が測定された。エッチングの前と後でのこのシート抵抗の変化から、エッチング液のラインに沿って電気的絶縁が達成されたかどうかを判定した。抵抗の測定値の結果を以下の表9に示す。さらに、表9に、エッチング液のリフローが観察されたかどうかを示す。実施例1322のVestosint2070と、50~70のリン酸、3~10の酢酸および1~5の硝酸を含む78のアルミニウムエッチング液AlEtchantTypeAでTranseneCompany,Inc.により販売とを有するエッチング液を、本明細書の実施例2に記載のようにして調製した2インチ×2インチの導電性膜試験片上にスクリーン印刷した。図5に示すように、エッチング液を交差ライン40のパターンに印刷し、4つのエッチングされない正方形部50を形成した。試験片を50°Cの炉内で15分間焼成し、次いで、DI水を用いてすすいでエッチング液を試験片から除去した。エッチングの前は、該正方形部は有限な抵抗が測定可能であった。エッチング後に、該正方形部は互いに電気的に絶縁された。実施例14金属ナノワイヤの成膜のための典型的なインク組成物は、重量基準で、0.0025~0.1の界面活性剤例えば、好ましい範囲はZONYL登録商標FSO-100で0.0025~0.05である、0.02~4の粘度調整剤例えば、好ましい範囲はヒドロキシプロピルメチルセルロースHPMCで0.02~0.5である、94.5~99.0の溶媒および0.05~1.4の金属ナノワイヤを含むものである。好適な界面活性剤の代表例としては、ZONYL登録商標FSN、ZONYL登録商標FSO、ZONYL登録商標FSA、ZONYL登録商標FSH、Tritonx100、x114、x45、TERGITOL登録商標、DYNOL登録商標604、607、n-ドデシルβ-D-マルトシド、およびNOVEC登録商標が挙げられる。好適な粘度調整剤の例としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロースHPMC、メチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、およびヒドロキシエチルセルロースが挙げられる。好適な溶媒の例としては、水およびイソプロパノールが挙げられる。インク組成物は、所望のナノワイヤ濃度これは、基板上に形成される最終導電性膜の装入密度の指標であるに基づいて調製され得る。基板は、上面にナノワイヤが成膜されるいかなる材料であってもよい。基板は剛性であっても可撓性であってもよい。また、好ましくは、基板は光学的にクリアなものである、すなわち、材料の光透過率が可視領域400nm~700nmにおいて少なくとも80のものである。剛性基板の例としては、ガラス、ポリカーボネート、アクリル系などが挙げられる。特に、特殊ガラス、例えば、無アルカリガラス例えば、ホウケイ酸ガラス、低アルカリガラス、およびゼロ膨張ガラス-セラミックが使用され得る。特殊ガラスは、薄いパネルディスプレイ系例えば、液晶ディスプレイLCDに特に適している。可撓性基板の例としては、限定されないが、ポリエステル例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート、ポリオレフィン例えば、直鎖、分岐状および環状のポリオレフィン、ポリビニル例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリレートなど、セルロースエステル基材例えば、三酢酸セルロースおよび酢酸セルロース、ポリスルホンポリエーテルスルホンなど、ポリイミド、シリコーン、ならびに他の慣用的なポリマー膜が挙げられる。インク組成物は、基板上に、例えば、同時係属中の米国特許出願第11/504,822号に記載の方法に従って成膜され得る。具体的な一例として、銀ナノワイヤの水性分散体、すなわち、インク組成物を最初に調製した。インク組成物は、重量基準で、0.2の銀ナノワイヤ、0.4のHPMCおよび0.025のTritonx100を含むものとした。次いで、インクをPET上に、ロールツーロールコーティングプロセスによってスロットダイコーティングした。当業者には理解されるように、他の成膜手法を使用してもよい例えば、狭小チャネルによって測定される沈殿フロー、スピンコーティング、傾斜フロー、スリットコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、ビーズコーティング、ディップコーティングなど。また、印刷手法を使用し、インク組成物を基板上にパターンあり、またはなし直接印刷してもよい。例えば、インクジェット、フレキソ印刷およびスクリーン印刷が使用され得る。被膜形成して乾燥後、得られたナノワイヤ層をスロットダイ式ロールツーロールプロセスによって、ACW5619AddisonClearwaveSt.Charles,IL製を用いてオーバーコートした。得られた導電性膜60に図6に示すようなライン70を、実施例9のフォトレジストパターン形成方法を用いてパターン形成した。また、他のパターン形成方法を用いて本開示によるパターン形成膜を形成してもよい例えば、実施例12および13のスクリーン印刷可能なエッチング液でのパターン形成方法。本明細書に開示したスクリーン印刷可能なエッチング液を用いて膜にパターン形成する場合、エッチング液の印刷後、膜を80°Cでおよそ105秒間アニーリングすることができる。酸性エッチング液を、例えば、フォトレジスト法または上記に論考したスクリーン印刷可能なエッチング液での方法において使用した場合、パターン形成された膜を水で洗浄すると浴中で、または加圧噴霧を伴ってのいずれか、パターン形成された膜の信頼性が低下することがあり得ると判断された。特に、経時的なシート抵抗は、パターン形成したラインをKeithlyInstrumentsソースメータで測定したとき、標準的な環境または高温多湿例えば、60°Cで湿度90の環境のいずれかで増大することがあり得る。しかしながら、パターン形成された膜を、パターン形成工程後またはパターン形成およびアニーリング工程後に塩基溶液に曝露し、次いで水で洗浄した場合、パターン形成したラインのシート抵抗の増大は低下することがわかる。図7は、本開示による方法を示す流れ図80である。より詳しくは、まず、導電性膜を、本明細書に記載のスクリーン印刷法に従ってパターン形成する82。その後、任意選択のアニーリング工程84を行なってもよい。次いで、パターン形成された導電性膜を塩基性アルカリ性溶液に曝露し86、その後、水ですすぐ88。図7の方法では、パターン形成された膜は塩基性溶液に、例えば、パターン形成された膜を塩基性溶液の浴中に50°Cで2分間入れることにより曝露され得る。塩基性溶液は、塩基性pHを有する任意の溶液であり得る。かかる溶液としては、例えば限定されないが、NaOH、水酸化カリウム、有機塩基例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムおよびトリエチルアミンが挙げられる。塩基性溶液への曝露後、パターン形成された膜を、水で洗浄してもよい浴中で、または加圧噴霧もしくは別の手段を伴ってのいずれか。図8は、上記に論考したフォトレジストパターン形成方法を用いてパターン形成された膜のシート抵抗の変化を示す。標準処理は、エッチング後に水でのすすぎのみを含むものとし、NaOH処理は、パターン形成された膜をNaOH浴中で2分間すすいだ後、水でのすすぎを含むものとした。水でのすすぎは、膜を脱イオン水中で約2分間、およそ50°Cですすぐことを含むものとした。示されたように、標準処理膜のラインのシート抵抗は、製作から約580時間後、8~10増大した開始時の抵抗値は、ほぼ18,000オーム~20,000オーム。しかしながら、NaOH処理膜のラインのシート抵抗は、同じ期間で約2~4しか増大しなかった類似した開始時の抵抗から。どちらの膜も同じ普通の環境条件および光条件に曝露した。図9は、上記に論考したフォトレジストパターン形成方法を用いてパターン形成された膜のシート抵抗の変化を示す。図8に関して上記に論考した膜とは異なり、図9に関する膜を、最終の水でのすすぎ後、60°Cで90湿度の雰囲気中に置いた。図8に関する膜の場合と同様、標準処理は、エッチング後に水でのすすぎのみを含むものとし、NaOH処理は、パターン形成された膜をNaOH浴中で2分間すすいだ後、水でのすすぎを含むものとした。水でのすすぎは、膜を脱イオン水中で約2分間、およそ50°Cですすぐことを含むものとした。示されたように、標準処理膜のラインのシート抵抗は、製作から約380時間後、約120増大した開始時の抵抗値は、ほぼ18,000オーム~20,000オーム。しかしながら、NaOH処理膜のラインのシート抵抗は、同じ期間で約85しか増大しなかった類似した開始時の抵抗から。本明細書において言及した、および/または出願データシートに列挙した上記の米国特許、米国特許出願公開公報、米国特許出願、外国特許、外国特許出願および非特許刊行物はすべて、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。前述のことから、本開示の具体的な実施形態を本明細書において例示の目的で記載したが、本開示の精神および範囲を逸脱せずに種々の変形が行なわれ得ることが認識されよう。"