"フォトダイオードと、第1のトランジスタと、複数の第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、前記フォトダイオードのアノードは、前記第1のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極、前記複数の第2のトランジスタのゲート電極、並びに前記第3のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極と電気的に接続され、前記フォトダイオードのカソード、前記複数の第2のトランジスタのドレイン電極、及び前記第3のトランジスタのソース電極は、第1の端子に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース電極、及び前記複数の第2のトランジスタのソース電極は、第2の端子に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1において、前記第1の端子は高電源電位と接地電位を選択する回路に電気的に接続され、前記第2の端子は低電源電位を供給する配線に電気的に接続されることを特徴とする光電変換装置。請求項1または2において、前記第1乃至第3のトランジスタはnチャネル型であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第3のトランジスタは酸化物半導体を含んで形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第3のトランジスタのゲート幅は、前記第1のトランジスタのゲート幅よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第3のトランジスタのゲート長は、前記第1のトランジスタのゲート長よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。フォトダイオードのアノードが第1のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極、複数の第2のトランジスタのゲート電極、並びに第3のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極と電気的に接続され、前記フォトダイオードのカソード、前記複数の第2のトランジスタのドレイン電極、及び前記第3のトランジスタのソース電極が第1の端子に電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース電極、及び前記複数の第2のトランジスタのソース電極が第2の端子に電気的に接続された光電変換装置において、第1の端子を高電源電位、第2の端子を低電源電位として前記フォトダイオードを逆バイアス状態とし、前記フォトダイオードから前記第1のトランジスタに供給された電流によって生成されたゲート電位を前記複数の第2トランジスタのゲート電極に供給し、前記第1及び複数の第2のトランジスタから信号を出力した後、前記第1の端子を接地電位とし、前記第1及び複数の第2のトランジスタのゲート容量に蓄積している電荷の一部を前記第3のトランジスタを経路として第1の端子側に排出させることを特徴とする光電変換装置の動作方法。上記フォトICの増幅回路には、カレントミラー回路が用いられており、一導電型のトランジスタのみで形成する事ができるなど回路構成が容易である一方、複数のトランジスタのゲートが並列に接続される構成を有するため、オフ時にそのゲート容量に蓄積された電荷の放電時間が長いことが問題となっている。オフ時にゲート容量に蓄積された電荷の放電時間が長いと、残留している電荷の影響で異常値が出力されてしまうことがある。特に、高照度から低照度に変化したときに異常値が出力されやすい。上記問題を鑑み、本発明の一態様は、上記問題を解決する光電変換装置及びその動作方法を提供することを目的とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、カレントミラー回路と、フォトダイオードと、該フォトダイオードと並列接続するダイオード接続トランジスタとを有する光電変換装置であり、カレントミラー回路のゲート容量に蓄積された電荷を該ダイオード接続トランジスタを介して急速に排出させることを特徴とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、フォトダイオードと、第1のトランジスタと、複数の第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、フォトダイオードのアノードは、第1のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極、複数の第2のトランジスタのゲート電極、並びに第3のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極と電気的に接続され、フォトダイオードのカソード、複数の第2のトランジスタのドレイン電極、及び第3のトランジスタのソース電極は第1の端子に電気的に接続され、第1のトランジスタのソース電極、及び複数の第2のトランジスタのソース電極は第2の端子に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置である。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。第1の端子は高電源電位と接地電位を切り替えて供給できる配線に電気的に接続され、第2の端子は低電源電位を供給する配線に電気的に接続される。光電変換装置をオフ状態としたときに第1の端子を接地電位とすることで、回路を構成する各トランジスタのゲート容量に蓄積された電荷をフォトダイオード及び第3のトランジスタを介して排出することができる。上記回路構成において、第1乃至第3のトランジスタはnチャネル型とすることで動作することができる。ただし、一部または全てのトランジスタをpチャネル型とした回路を構成することもできる。第3のトランジスタは、酸化物半導体を含んで形成されていることが好ましい。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流は極めて小さく、フォトダイオードの暗電流よりも小さいため、上記回路のようにフォトダイオードと並列接続された場合においても、広ダイナミックレンジで動作させることができる。第3のトランジスタのゲート幅は、上記第1のトランジスタのゲート幅よりも大きいことが好ましく、第3のトランジスタのゲート長は、上記第1のトランジスタのゲート長よりも小さいことが好ましい。このような構成とすることで、回路を構成する各トランジスタのゲート容量に蓄積された電荷を速く排出することができる。本明細書で開示する本発明の他の一態様は、フォトダイオードのアノードが第1のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極、複数の第2のトランジスタのゲート電極、並びに第3のトランジスタのドレイン電極及びゲート電極と電気的に接続され、フォトダイオードのカソード、複数の第2のトランジスタのドレイン電極、及び第3のトランジスタのソース電極が第1の端子に電気的に接続され、第1のトランジスタのソース電極、及び複数の第2のトランジスタのソース電極が第2の端子に電気的に接続された光電変換装置において、第1の端子を高電源電位、第2の端子を低電源電位としてフォトダイオードを逆バイアス状態とし、フォトダイオードから第1のトランジスタに供給された電流によって生成されたゲート電位を複数の第2トランジスタのゲート電極に供給し、第1及び複数の第2のトランジスタから信号を出力した後、第1の端子を接地電位とし、第1及び複数の第2のトランジスタのゲート容量に蓄積している電荷の一部を第3のトランジスタを経路として第1の端子側に排出させることを特徴とする光電変換装置の動作方法である。本発明の一態様により、カレントミラー回路のゲート容量に蓄積している電荷の放電時間を短くすることができる。また、応答特性が改善されることによって異常値の出力が低減された光電変換装置を提供することができる。以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。本実施の形態では、本発明の一態様における光電変換装置の構成及びその動作について説明する。図1は、本発明の一態様における光電変換装置の回路図である。光電変換装置100は、入力側トランジスタである第1のトランジスタ110、出力側トランジスタである第2のトランジスタ120で構成されるカレントミラー回路を有しており、ゲート容量の蓄積電荷のリークパスとなるトランジスタである第3のトランジスタ130、フォトダイオード150、高電位側端子170、低電位側端子180を含んで構成される。なお、トランジスタは全てnチャネル型である。高電位側端子170には、フォトダイオード150のカソード側、第3のトランジスタ130のソース電極、第2のトランジスタ120のドレイン電極が接続され、低電位側端子180には、第1のトランジスタ110のソース電極、第2のトランジスタ120のソース電極が接続される。また、フォトダイオード150のアノード側には、第1のトランジスタ110のドレイン電極及びゲート電極、第2のトランジスタ120のゲート電極、第3のトランジスタ130のドレイン電極及びゲート電極が接続される。ここで、第2のトランジスタ120の段数は、所望の出力が得られるように1つ以上で構成され、実施者が自由に決定することができる。図1は一例として第2のトランジスタ120が複数段で接続されている構成を示している。フォトダイオード150には、単結晶シリコンで形成されるpn型フォトダイオードや多結晶シリコンやアモルファスシリコンで形成されるpin型フォトダイオードなどを用いることができる。本実施の形態の光電変換装置100を光センサとして用いる場合には、目的の波長に対応したフォトダイオードを選べばよい。例えば、可視光線の波長領域を検出するにはアモルファスシリコンで形成されたフォトダイオードを用いることが好ましく、赤外線を含む波長領域を検出するには単結晶シリコンまたは多結晶シリコンで形成されたフォトダイオードを用いることが好ましい。第1のトランジスタ110、第2のトランジスタ120、及び第3のトランジスタ130はシリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、In-Ga-Zn-O系金属酸化物などがある。例えば、単結晶シリコンウェハや、ガラス基板などの絶縁表面を有する基板上の多結晶シリコンまたは酸化物半導体を用いて該トランジスタを作製すれば良い。用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウムInあるいは亜鉛Znを含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウムGaを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズSnを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウムHfを有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウムAlを有することが好ましい。また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタンLa、セリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、テルビウムTb、ジスプロシウムDy、ホルミウムHo、エルビウムEr、ツリウムTm、イッテルビウムYb、ルテチウムLuのいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物IGZOとも表記する、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。In-Ga-Zn系の酸化物半導体材料は、無電界時の抵抗が十分に高くオフ電流を十分に小さくすることが可能であり、かつ、電界効果移動度が高い特徴を有している。また、In-Sn-Zn系酸化物半導体材料を用いたトランジスタは、In-Ga-Zn系の酸化物半導体材料を用いたトランジスタよりも電界効果移動度を三倍以上にすることができ、かつ、しきい値電圧を正にしやすい特徴を有している。これらの半導体材料は、本発明の一態様における半導体装置を構成するトランジスタに用いることのできる好適な材料の一つである。なお、ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。また、酸化物半導体として、InMO3ZnOmm>0、且つ、mは整数でないで表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In3SnO5ZnOnn>0、且つ、nは整数で表記される材料を用いてもよい。例えば、In:Ga:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3あるいはIn:Ga:Zn=2:2:1=2/5:2/5:1/5の原子数比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1=1/3:1/3:1/3、In:Sn:Zn=2:1:3=1/3:1/6:1/2あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5=1/4:1/8:5/8の原子数比のIn-Sn-Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性移動度、しきい値、ばらつき等に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間結合距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。例えば、In-Sn-Zn系酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら、In-Ga-Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低減することにより移動度を上げることができる。なお、例えば、In、Ga、Znの原子数比がIn:Ga:Zn=a:b:cabc=1である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:CABC=1の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、a―A2b―B2c―C2≦r2を満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の酸化物でも同様である。酸化物半導体は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファスでもよい。アモルファス状態の酸化物半導体は、比較的容易に平坦な表面を得ることができるため、これを用いてトランジスタを作製した際の界面散乱を低減でき、比較的容易に、比較的高い移動度を得ることができる。また、結晶性を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低減することができ、表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく、具体的には、平均面粗さRaが1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下の表面上に形成するとよい。なお、Raは、JISB0601で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値と表現でき、以下の式にて定義される。なお、上記において、S0は、測定面座標x1,y1x1,y2x2,y1x2,y2で表される4点によって囲まれる長方形の領域の面積を指し、Z0は測定面の平均高さを指す。Raは原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeにて評価可能である。酸化物半導体層144をスパッタ法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いる。また、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の酸化物ターゲットを用いてもよい。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1mol数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。また、In-Sn-Zn系酸化物は、ITZOと呼ぶことができ、用いるターゲットの組成比は、In:Sn:Znが原子数比で、1:2:2、2:1:3、1:1:1、または20:45:35などとなる酸化物ターゲットを用いる。ここで酸化物半導体が結晶性を有する場合として、c軸配向し、かつab面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ab面においてはa軸またはb軸の向きが異なるc軸を中心に回転した結晶CAAC:CAxisAlignedCrystalともいう。を含む酸化物について説明する。CAACを含む酸化物とは、広義に、非単結晶であって、そのab面に垂直な方向から見て、三角形、六角形、正三角形または正六角形の原子配列を有し、かつc軸方向に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む酸化物をいう。CAACは単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、CAACは結晶化した部分結晶部分を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判別できないこともある。CAACに酸素が含まれる場合、酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、CAACを構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向例えば、CAACを支持する基板面、CAACの表面などに垂直な方向に揃っていてもよい。または、CAACを構成する個々の結晶部分のab面の法線は一定の方向例えば、CAACを支持する基板面、CAACの表面などに垂直な方向を向いていてもよい。CAACは、その組成などに応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であったりする。また、その組成などに応じて、可視光に対して透明であったり不透明であったりする。このようなCAACの例として、膜状に形成され、膜表面または支持する基板面に垂直な方向から観察すると三角形または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子または金属原子および酸素原子または窒素原子の層状配列が認められる結晶を挙げることもできる。CAACに含まれる結晶構造の一例について図11乃至図13を用いて詳細に説明する。なお、特に断りがない限り、図11乃至図13は上方向をc軸方向とし、c軸方向と直交する面をab面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ab面を境にした場合の上半分、下半分をいう。また、図11において、丸で囲まれたOは4配位のOを示し、二重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。図11Aに、1個の6配位のInと、Inに近接の6個の4配位の酸素原子以下4配位のOと、を有する構造を示す。ここでは、金属原子が1個に対して、近接の酸素原子のみ示した構造を小グループと呼ぶ。図11Aの構造は、八面体構造をとるが、簡単のため平面構造で示している。なお、図11Aの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがある。図11Aに示す小グループは電荷が0である。図11Bに、1個の5配位のGaと、Gaに近接の3個の3配位の酸素原子以下3配位のOと、Gaに近接の2個の4配位のOと、を有する構造を示す。3配位のOは、いずれもab面に存在する。図11Bの上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4配位のOがある。また、Inも5配位をとるため、図11Bに示す構造をとりうる。図11Bに示す小グループは電荷が0である。図11Cに、1個の4配位のZnと、Znに近接の4個の4配位のOと、を有する構造を示す。図11Cの上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがある。または、図11Cの上半分に3個の4配位のOがあり、下半分に1個の4配位のOがあってもよい。図11Cに示す小グループは電荷が0である。図11Dに、1個の6配位のSnと、Snに近接の6個の4配位のOと、を有する構造を示す。図11Dの上半分には3個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがある。図11Dに示す小グループは電荷が1となる。図11Eに、2個のZnを含む小グループを示す。図11Eの上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には1個の4配位のOがある。図11Eに示す小グループは電荷が-1となる。ここでは、複数の小グループの集合体を中グループと呼び、複数の中グループの集合体を大グループユニットセルともいう。と呼ぶ。ここで、これらの小グループ同士が結合する規則について説明する。図11Aに示す6配位のInの上半分の3個のOは、下方向にそれぞれ3個の近接Inを有し、下半分の3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Inを有する。図11Bに示す5配位のGaの上半分の1個のOは、下方向に1個の近接Gaを有し、下半分の1個のOは、上方向に1個の近接Gaを有する。図11Cに示す4配位のZnの上半分の1個のOは、下方向に1個の近接Znを有し、下半分の3個のOは、上方向にそれぞれ3個の近接Znを有する。このように、金属原子の上方向に近接する4配位のOの数と、そのOの下方向にある近接金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下方向に近接する4配位のOの数と、そのOの上方向にある近接金属原子の数は等しい。小グループ同士の結合に寄与するOは4配位なので、Oの下方向にある近接金属原子の数と、Oの上方向にある近接金属原子の数の和は4になる。したがって金属原子の上方向にある4配位のOの数と、別の金属原子の下方向にある4配位のOの数との和が4個のとき、金属原子を有する二種の小グループ同士は結合することができる。例えば、6配位の金属原子InまたはSnが下半分の4配位のOを介して結合する場合、4配位のOが3個であるため、5配位の金属原子GaまたはIn、または4配位の金属原子Znのいずれかと結合することになる。これらの配位数を有する金属原子は、c軸方向において、4配位のOを介して結合する。また、このほかにも、層構造の合計の電荷が0となるように複数の小グループが結合して中グループを構成する。図12Aに、In-Sn-Zn-O系の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図12Bに、3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図12Cは、図12Bの層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示す。図12Aにおいては、簡単のため、3配位のOは省略し、4配位のOは個数のみ示し、例えば、Snの上半分および下半分にはそれぞれ3個ずつ4配位のOがあることを丸枠の3として示している。同様に、図12Aにおいて、Inの上半分および下半分にはそれぞれ1個ずつ4配位のOがあり、丸枠の1として示している。また、同様に、図12Aにおいて、下半分には1個の4配位のOがあり、上半分には3個の4配位のOがあるZnと、上半分には1個の4配位のOがあり、下半分には3個の4配位のOがあるZnとを示している。図12Aにおいて、In-Sn-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnが、4配位のOが1個ずつ上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に3個の4配位のOがあるZnと結合し、そのZnの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合し、そのInが、上半分に1個の4配位のOがあるZn2個からなる小グループと結合し、この小グループの下半分の1個の4配位のOを介して4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるSnと結合している構成である。この中グループが複数結合して大グループを構成する。ここで、3配位のOおよび4配位のOの場合、結合1本当たりの電荷はそれぞれ-0.667、-0.5と考えることができる。例えば、In6配位または5配位、Zn4配位、Sn5配位または6配位の電荷は、それぞれ3、2、4である。従って、Snを含む小グループは電荷が1となる。そのため、Snを含む層構造を形成するためには、電荷1を打ち消す電荷-1が必要となる。電荷-1をとる構造として、図11Eに示すように、2個のZnを含む小グループが挙げられる。例えば、Snを含む小グループが1個に対し、2個のZnを含む小グループが1個あれば、電荷が打ち消されるため、層構造の合計の電荷を0とすることができる。具体的には、図12Bに示した大グループが繰り返されることで、In-Sn-Zn-O系の結晶In2SnZn3O8を得ることができる。なお、得られるIn-Sn-Zn-O系の層構造は、In2SnZn2O7ZnOmmは0または自然数。とする組成式で表すことができる。また、このほかにも、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物や、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物IGZOとも表記する。、In-Al-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物や、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物や、In-Ga系酸化物などを用いた場合も同様である。例えば、図13Aに、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループのモデル図を示す。図13Aにおいて、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、上から順に4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInが、4配位のOが1個上半分にあるZnと結合し、そのZnの下半分の3個の4配位のOを介して、4配位のOが1個ずつ上半分および下半分にあるGaと結合し、そのGaの下半分の1個の4配位のOを介して、4配位のOが3個ずつ上半分および下半分にあるInと結合している構成である。この中グループが複数結合して大グループを構成する。図13Bに3つの中グループで構成される大グループを示す。なお、図13Cは、図13Bの層構造をc軸方向から観察した場合の原子配列を示している。ここで、In6配位または5配位、Zn4配位、Ga5配位の電荷は、それぞれ3、2、3であるため、In、ZnおよびGaのいずれかを含む小グループは、電荷が0となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合計の電荷は常に0となる。また、In-Ga-Zn-O系の層構造を構成する中グループは、図13Aに示した中グループに限定されず、In、Ga、Znの配列が異なる中グループを組み合わせた大グループも取りうる。第1のトランジスタ110、第2のトランジスタ120、及び第3のトランジスタ130に酸化物半導体を用いる構成としては、シリコン半導体で形成したトランジスタとの複合であってもよい。例えば、第1のトランジスタ110のみ、第3のトランジスタ130のみ、または第1のトランジスタ110と第3のトランジスタ130を酸化物半導体で作製し、その他のトランジスタをシリコン半導体で形成したトランジスタとする構成などがある。もちろん、全てのトランジスタを酸化物半導体で形成したトランジスタで構成しても良い。酸化物半導体を用いたトランジスタは、極めてオフ電流が小さい電気特性を有する。酸化物半導体は、水素などの不純物が十分に除去されることにより、または、十分な酸素が供給されることにより、高純度化されたものであることが望ましい。具体的には、例えば、酸化物半導体の水素濃度は5×1019atoms/cm3以下、望ましくは5×1018atoms/cm3以下、より望ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。なお、上述の酸化物半導体中の水素濃度は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectrometryで測定されるものである。このように、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体では、水素等のドナーに起因するキャリア密度が1×1012/cm3未満、望ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45×1010/cm3未満となる。また、例えば、室温25°Cでのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は100zA1zAゼプトアンペアは1×10-21A以下、望ましくは10zA以下となる。このように、i型化真性化または実質的にi型化された酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタを得ることができる。従って、入力側のトランジスタである第1のトランジスタ110に極めてオフ電流の低い酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることで、低照度時のフォトダイオードの出力を正確に増幅することができ、ダイナミックレンジを拡大することができる。なお、第3のトランジスタ130に酸化物半導体を用いたトランジスタを適用する場合の効果は後述する。図1の回路構成におけるフォトダイオード150、第1のトランジスタ110、及び第3のトランジスタ130について、その接続形態の一例を図10の断面図に示す。例示したフォトダイオード150は、ガラス基板1000側からp層、i層及びn層を積層したpin型であり、p層側がアノード、n層側がカソードとなる。また、該トランジスタは、酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極である金属層、ゲート絶縁膜、ゲート電極である金属層を含んで構成される。フォトダイオード150のアノードには、第1のトランジスタ110のドレイン電極及びゲート電極が接続された接続電極1100、並びに、第3のトランジスタ130のドレイン電極及びゲート電極が接続された接続電極1200が接する。また、フォトダイオード150のカソードには、第3のトランジスタ130のソース電極に接続された裏面電極1300が接する。このような接続形態で、図1の回路構成の光電変換装置を作製することができる。なお、図10では、酸化物半導体を用いたトップゲート型のトランジスタを例示したが、ボトムゲート型であっても良い。また、シリコン半導体材料を用いたトランジスタであっても良い。図2は、従来の光電変換装置の一例を示す回路図であり、本発明の一態様である図1の光電変換装置100の構成から第3のトランジスタ130を省いた構成となっている。この従来の光電変換装置200の動作の一例と、その問題点を説明する。まず、光電変換装置200をオフ状態からオン状態にする場合は、高電位側端子270を高電位例えば、電源電位、低電位側端子280を低電位例えば、接地電位とする。この状態でフォトダイオード250に光が照射されると第1のトランジスタ210に電流が流れる。このとき、カレントミラー回路の動作に従って、第1のトランジスタ210のゲート電極及び第2のトランジスタ220のゲート電極には、第1のトランジスタ210に流れる電流に対応するゲート電圧が生じる。このゲート電圧に従って第2のトランジスタ220が流す電流と、フォトダイオード250から第1のトランジスタ210に流れる電流が合成され、光電変換装置200の出力電流となる。この出力電流の大小を判別することで、光電変換装置200を光センサ等に利用することができる。次に、光電変換装置200をオン状態からオフ状態、すなわちリセット状態にする場合は、高電位側端子270をフローティングオープンまたは接地電位とする。このとき、第1のトランジスタ210のゲート容量及び第2のトランジスタ220のゲート容量に蓄積されていた電荷、すなわち、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、第1のトランジスタ210を介する低電位側端子280へのパス、またはフォトダイオード250を介する高電位側端子270へのパスを通して排出される。高電位側端子270をフローティングとした場合、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、フォトダイオード側には排出されず、第1のトランジスタ210を介して低電位側端子に排出される。このとき、カレントミラー回路のゲート電位の低下とともに電荷の排出量も低下することから、カレントミラー回路のゲート電位が十分低下するまでには長時間を要してしまう。また、高電位側端子270を接地電位とした場合、フォトダイオード250が順方向バイアスとなるため、上記第1のトランジスタ210を介したパスに加え、フォトダイオード250を介したパスを通してもカレントミラー回路のゲート蓄積電荷は排出されるようになる。しかしながら、フォトダイオード250は順方向電圧以下になるとほとんど電荷を排出することができなくなるため、上記同様にカレントミラー回路のゲート電位が十分に低下するまでには長時間を要してしまう。このように、カレントミラー回路のゲート電位を低下させる時間が長時間となると、一時的に本来の信号よりも高い信号が出力されてしまうなどの出力異常が生じてしまう。例えば、光電変換装置200がオンオフ動作を繰り返して動作しているときに、高照度環境から低照度環境に変化した場合、カレントミラー回路のゲート電位が照度に追随できず、低照度環境では本来の信号よりも高い信号が一時的に出力されることがある。このような問題を顧み、本発明の一態様では、急速にカレントミラー回路のゲート電位を低いレベルに低下させることが可能な光電変換装置を提供するものである。なお、フォトダイオード250のアノード側に接地線と接続される回路例えばスイッチングトランジスタなどなどを設ければ、容易にカレントミラー回路のゲート電位を急速に低下させることができるが、従来構造が2端子であるのに対して3端子となり、動作も複雑となってしまう。本発明の一態様では、従来構造と同じ2端子でありながら、急速にカレントミラー回路のゲート電位を低下させることができる。次に、図1に示す本発明の一態様における光電変換装置100の動作について説明する。光電変換装置100では、フォトダイオード150に対して並列にダイオード接続された第3のトランジスタ130が設けられている。第3のトランジスタ130は、第1のトランジスタ110及び第2のトランジスタ120で構成されるカレントミラー回路のゲート蓄積電荷を高電位側端子170に排出するためのリークパスを実現するものである。まず、光電変換装置100をオフ状態からオン状態にする場合は、高電位側端子170を高電位例えば、電源電位、低電位側端子180を低電位例えば、接地電位とする。この動作以降、光電変換装置100から出力電流を得る方法は、上述の従来構造の光電変換装置200の動作方法と同様である。このとき、第3のトランジスタ130はオフ状態であるが、オフ電流がフォトダイオード150の暗電流よりも高い場合は、低照度の検出が困難となりダイナミックレンジが低下しまう。従って、第3のトランジスタ130には、オフ電流の極めて小さい酸化物半導体で形成したトランジスタを用いることが好ましい。次に、光電変換装置100をオン状態からオフ状態、すなわちリセット状態にする場合は、高電位側端子170を接地電位とする。このとき、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、第1のトランジスタ110を介する低電位側端子180へのパス、フォトダイオード150を介する高電位側端子170へのパス、及び第3のトランジスタ130を介する高電位側端子170へのパスを通して排出される。第1のトランジスタ110を介するパス、フォトダイオード150を介するパスによるカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出動作は、上述の従来の光電変換装置200と同様であるが、光電変換装置100では、フォトダイオード150のアノード側に第3のトランジスタ130のドレイン電極とゲート電極が接続されており、高電位側端子170にソース電極が接続されているため、高電位側端子170が接地電位となれば、第3のトランジスタ130を介したパスにおいてもカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができる。なお、第3のトランジスタ130は、光電変換装置100のオン動作には関与しないため、ゲート長及びゲート幅を自由に設定することができる。例えば、第1のトランジスタ110と比べて、ゲート長が短く、ゲート幅が広いトランジスタなどを第3のトランジスタ130に用いれば、第1のトランジスタ110よりも急速にカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができる。また、図1では、ダイオード接続された一つのトランジスタを第3のトランジスタ130としているが、複数のトランジスタが並列にダイオード接続された構成であっても良い。なお、光電変換装置100において、第3のトランジスタ130を介してカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行う動作は、オフ動作として高電位側端子170を接地電位としたときに作用するものである。オフ動作として高電位側端子170をフローティングとした場合は、第3のトランジスタ130はオンしないため、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷をリセットさせる時間は従来の光電変換装置200と同等となってしまう。以上のように、第3のトランジスタ130を有する光電変換装置100の回路構成を用いることにより、急速にカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができ、応答特性が改善されることによって異常値の出力が低減された光電変換装置を提供することができる。なお、図1に示す光電変換装置100の構成は、本発明の一態様における光電変換装置の構成の一例であり、図3乃至5に示す回路構成であってもよい。以下にその構成と動作について説明する。図3に示す光電変換装置300は、入力側トランジスタである第1のトランジスタ310、出力側トランジスタである第2のトランジスタ320で構成されるカレントミラー回路を有しており、ゲート容量の蓄積電荷のリークパスとなるトランジスタである第3のトランジスタ330、フォトダイオード350、高電位側端子370、低電位側端子380を含んで構成される。第1のトランジスタ310及び第2のトランジスタ320はnチャネル型であり、第3のトランジスタ330はpチャネル型で形成される。第3のトランジスタ330を除く構成は、光電変換装置100と同じであり、第3のトランジスタ330のドレイン電極及びゲート電極が高電位側端子370に接続され、ソース電極がフォトダイオード350のアノード側に接続されている点のみが異なる。光電変換装置300をオフ状態からオン状態にする場合は、高電位側端子370を高電位例えば、電源電位、低電位側端子380を低電位例えば、接地電位とする。この状態でフォトダイオード350に光が照射されると第1のトランジスタ310に電流が流れる。このとき、第1のトランジスタ310のゲート電極及び第2のトランジスタ320のゲート電極には、第1のトランジスタ310に流れる電流に対応するゲート電圧が生じる。このゲート電圧に従って、第2のトランジスタ320が流す電流とフォトダイオード350から第1のトランジスタ310に流れる電流が合成され、光電変換装置300の出力電流となる。次に、光電変換装置300をオン状態からオフ状態にする場合は、高電位側端子370を接地電位とする。このとき、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、第1のトランジスタ310を介する低電位側端子380へのパス、フォトダイオード350を介する高電位側端子370へのパス、及び第3のトランジスタ330を介する高電位側端子370へのパスを通して排出される。光電変換装置300では、カレントミラー回路を構成する第2のトランジスタ320のゲート電極に第3のトランジスタ330のソース電極が接続されており、高電位側端子370にドレイン電極とゲート電極が接続されているため、高電位側端子370が接地電位となれば、第3のトランジスタ330を介したパスにおいてもカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができる。図4に示す光電変換装置400は、入力側トランジスタである第1のトランジスタ410、出力側トランジスタである第2のトランジスタ420で構成されるカレントミラー回路を有しており、ゲート容量の蓄積電荷のリークパスとなるトランジスタである第3のトランジスタ430、フォトダイオード450、高電位側端子470、低電位側端子480を含んで構成される。第1のトランジスタ410及び第2のトランジスタ420はpチャネル型であり、第3のトランジスタ430はnチャネル型で形成される。高電位側端子470には、第1のトランジスタ410のソース電極、第2のトランジスタ420のソース電極、第3のトランジスタ430のソース電極が接続され、低電位側端子480には、フォトダイオード450のアノード側、第2のトランジスタ420のドレイン電極が接続され、フォトダイオード450のカソード側には、第1のトランジスタ410のドレイン電極及びゲート電極、第2のトランジスタ420のゲート電極、第3のトランジスタ430のドレイン電極及びゲート電極が接続される。光電変換装置400をオフ状態からオン状態にする場合は、高電位側端子470を高電位例えば、電源電位、低電位側端子480を低電位例えば、接地電位とする。この状態でフォトダイオード450に光が照射されると第1のトランジスタ410に電流が流れる。このとき、第1のトランジスタ410のゲート電極及び第2のトランジスタ420のゲート電極には、第1のトランジスタ410に流れる電流に対応するゲート電圧が生じる。このゲート電圧に従って、第2のトランジスタ420が流す電流と第1のトランジスタ410からフォトダイオード450に流れる電流が合成され、光電変換装置400の出力電流となる。次に、光電変換装置400をオン状態からオフ状態にする場合は、高電位側端子470を接地電位とする。このとき、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、第3のトランジスタ430を介する高電位側端子470へのパスを通して排出される。光電変換装置400では、カレントミラー回路を構成する第2のトランジスタ420のゲート電極に第3のトランジスタ430のドレイン電極とゲート電極が接続されており、高電位側端子470にソース電極が接続されているため、高電位側端子470が接地電位となれば、第3のトランジスタ430を介したパスでカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができる。図5に示す光電変換装置500は、カレントミラー回路を有しており、入力側トランジスタである第1のトランジスタ510、出力側トランジスタである第2のトランジスタ520、ゲート容量の蓄積電荷のリークパスとなるトランジスタである第3のトランジスタ530、フォトダイオード550、高電位側端子570、低電位側端子580を含んで構成される。第1のトランジスタ510、第2のトランジスタ520、及び第3のトランジスタ530はpチャネル型で形成される。高電位側端子570には、第1のトランジスタ510のソース電極、第2のトランジスタ520のソース電極、第3のトランジスタ530のドレイン電極及びゲート電極が接続され、低電位側端子580には、フォトダイオード550のアノード側、第2のトランジスタ520のドレイン電極が接続され、フォトダイオード550のカソード側には、第1のトランジスタ510のドレイン電極、第2のトランジスタ520のゲート電極、第3のトランジスタ530のソース電極が接続される。光電変換装置500をオフ状態からオン状態にする場合は、高電位側端子570を高電位例えば、電源電位、低電位側端子580を低電位例えば、接地電位とする。この状態でフォトダイオード550に光が照射されると第1のトランジスタ510に電流が流れる。このとき、第1のトランジスタ510のゲート電極及び第2のトランジスタ520のゲート電極には、第1のトランジスタ510に流れる電流に対応するゲート電圧が生じる。このゲート電圧に従って、第2のトランジスタ520が流す電流と第1のトランジスタ510からフォトダイオード550に流れる電流が合成され、光電変換装置500の出力電流となる。次に、光電変換装置500をオン状態からオフ状態にする場合は、高電位側端子570を接地電位とする。このとき、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷は、第3のトランジスタ530を介する高電位側端子570へのパスを通して排出される。光電変換装置500では、カレントミラー回路を構成する第2のトランジスタ520のゲート電極に第3のトランジスタ530のソース電極が接続されており、高電位側端子570にドレイン電極とゲート電極が接続されているため、高電位側端子570が接地電位となれば、第3のトランジスタ530を介したパスでカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができる。以上のような回路構成であっても、図1の回路構成と同様に急速にカレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出を行うことができ、応答特性が改善されることによって異常値の出力が低減された光電変換装置を提供することができる。本実施例では、本発明の一態様である光電変換装置の構成の効果について、回路シミュレーションで検証した結果を説明する。回路シミュレーションには、SILVACO社のアナログ回路シミュレータSmartSpiceを用い、従来の光電変換装置との応答特性の違いについての比較を行った。図6及び図7に回路シミュレーションに用いた光電変換装置の回路図を示す。図6は従来の光電変換装置の回路図、図7は本発明の一態様における光電変換装置の回路図であり、それぞれ、発明を実施するための形態で示した光電変換装置100、または光電変換装置200を適用している。なお、フォトダイオードに関しては、所定の電流を出力する電流源151、251に置き換えてある。また、高電位側端子170、270には、電源とその選択回路が接続され、低電位側端子180、280には低電位電源接地電位が接続される。下記は計算に用いたパラメータである。なお、トランジスタは酸化物半導体を用いて作製したトランジスタを想定している。カレントミラー回路L/W=20μm/30μm第1のトランジスタ:1段第2のトランジスタ:10000段電界効果移動度:10cm2/Vsカットオフ電流:1E-18Aオフ電流:1E-18A第3のトランジスタゲート長:20μmゲート幅:0~3000μm電流源電流値:100nAフォトダイオード電流の1000lx相当その他電源電圧:2.2V周囲温度:Ta=25°C図8は、上記回路シミュレーションの計算結果であり、時間軸横軸に対するカレントミラー回路第1のトランジスタ及び第2のトランジスタのゲート電位の波形を示している。なお、T1は光電変換装置をオフ状態からオン状態にする時間、T2はオン状態からオフ状態にする時間を示す。また、第3のトランジスタ130、230のゲート幅を300μmとした。図8Aは、図6に示す従来の光電変換装置のカレントミラー回路のゲート電位の波形である。T1において、高電位側端子270を高電位、低電位側端子280を低電位とし、電流源251から第1のトランジスタ210に一定の電流を流すと、波形710はリセット電位800から電位810まで急峻に変化する尖塔波形となる。そして、立ち上がり時間Tr110-90を経て正常信号である電位850となる。T2において、高電位側端子270をフローティング、または低電位にすると、波形710は電位850から電位910まで急峻に変化する尖塔波形となり、立ち下がり時間Tf190-10を経て電位860となる。ここで、T1及びT2で発生する尖塔波形は、フォトダイオード及びトランジスタの容量結合による異常信号であり、Tr1及びTf1を増加させる要因ともなっている。また、Tf1後の電位860は、リセット電位800よりもΔV分だけ高い電位である。ΔVは、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷の排出に長時間を要するために生じてしまう。このように、従来の光電変換装置では、T1及びT2における尖塔波形と、それに伴うTr1及びTf1の増加、及びT2後の出力が異常であるなどの問題が回路シミュレーションの計算結果からも確認された。図8Bは、図7に示す本発明の一態様における光電変換装置のカレントミラー回路のゲート電位の波形である。T1において、高電位側端子170を高電位、低電位側端子180を低電位とし、電流源151から第1のトランジスタ110に一定の電流を流すと、波形720はリセット電位800から電位820まで変化する尖塔波形となる。そして、立ち上がり時間Tr210-90を経て正常信号となる電位850となる。T2において、高電位側端子170を低電位にすると、波形720は電位850から電位920まで変化する尖塔波形となり、立ち下がり時間Tf290-10を経てリセット電位800となる。ここで、T1及びT2で発生する尖塔波形は、従来の光電変換装置と同様にフォトダイオード及びトランジスタの容量結合によるものであるが、電流パスを有する第3のトランジスタ130がフォトダイオードと並列に接続されていることにより容量結合が緩和されて尖塔値の絶対値は、電位810から電位820へ、電位910から電位920へ低下する。従って、T1及びT2直後においても正常に近い信号値を得ることができるようになり、立ち上がり時間Tr2、立ち下がり時間Tf2は、それぞれTr1、Tf1に比べて短縮される。また、第3のトランジスタ130を介して、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷が急速に排出されることから、従来の光電変換装置のようにΔVを生じることなく、Tf2後の電位はリセット電位800となる。このように、回路シミュレーションの計算によって、本発明の一態様の光電変換装置は従来の光電変換装置と比べて、尖塔値の絶対値が低下し、立ち上がり時間と立ち下がり時間が短縮されることが確認された。また、立ち下がり時間後の異常信号出力が改善されることも確認された。次に、第3のトランジスタのゲート幅の依存性について図9を用いて説明する。図9は、図7に示す回路における立ち下がり時間Tfの第3のトランジスタ130のゲート幅の依存性を示したものある。第3のトランジスタ130が設けられていない従来の光電変換装置の回路ゲート幅0のTfを基準とし、相対値で示してある。この結果から、第3のトランジスタのゲート幅が増加するほどTfが短縮されることがわかる。なお、図示はしないが、立ち上がり時間Trも同様な傾向を示す。以上により、カレントミラー回路のゲート蓄積電荷を急速に排出し、Tf及びTrを短縮するには、電流をより多く流せるトランジスタを用いることが適していることが確認された。なお、本実施例における回路シミュレーションはゲート幅についてのみ計算を行ったが、ゲート長を短くすることでもゲート幅を広くした場合と同様の効果を得ることができる。"