"以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:a上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面及び前記下面のうちの一方から他方に向かって形成された第1貫通孔と、前記上面及び前記下面のうちの前記一方から前記他方に向かって形成された第2貫通孔と、前記上面に形成され、かつ、平面視において前記第1貫通孔と前記第2貫通孔との間に設けられた複数の上面側デバイス領域と、前記複数の上面側デバイス領域のそれぞれに形成された複数のボンディングリードと、前記下面に形成され、かつ、平面視において前記第1貫通孔と前記第2貫通孔との間に設けられた複数の下面側デバイス領域と、前記複数の下面側デバイス領域のそれぞれに形成された複数のランドと、を備えた配線基板を準備する工程;b前記複数の上面側デバイス領域に複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程;c前記複数の半導体チップ、前記複数の上面側デバイス領域、前記第1貫通孔、及び前記第2貫通孔を一括して封止する上面側封止部と、前記上面側封止部と前記第1貫通孔を介して一体に形成され、かつ、前記下面において前記複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ、前記第1貫通孔を封止する第1下面側封止部と、前記上面側封止部と前記第2貫通孔を介して一体に形成され、かつ、前記下面において前記複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ、前記第2貫通孔を封止する第2下面側封止部と、を形成する工程;d前記c工程の後、前記上面側封止部、前記第1下面側封止部、及び前記第2下面側封止部が形成された前記配線基板を、ガイドレールを用いて別の処理部に搬送する工程。請求項1において、前記上面側封止部は、前記複数の半導体チップ、前記複数の上面側デバイス領域及び前記第2貫通孔を一括して封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第1貫通孔を封止する第1周辺封止部と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記上面側封止部は、前記複数の半導体チップ及び前記複数の上面側デバイス領域を一括して封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第1貫通孔を封止する第1周辺封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第2貫通孔を封止する第2周辺封止部とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2において、前記本体封止部と前記第1周辺封止部との間には凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3において、前記本体封止部と前記第1周辺封止部との間、及び前記本体封止部と前記第2周辺封止部との間にはそれぞれ凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5において、前記第1周辺封止部と前記第2周辺封止部は、互いに分離していることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記配線基板は平面形状が長方形からなり、前記第1下面側封止部及び前記第2下面側封止部は、前記配線基板の長辺のみに沿って形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記配線基板は平面形状が長方形からなり、前記c工程で成型金型においてクランプした際、前記配線基板の第1長辺に沿って複数のゲートが配置され、かつ前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔は、前記第1長辺及び前記第1長辺に対向する第2長辺に沿って配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔のそれぞれは、複数個設けられており、前記配線基板の辺に沿って設けられたゲートパターンが延在する延長線上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記d工程は、前記上面側封止部にマーキングを行うマーク工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記d工程の後、前記配線基板の前記複数のランドに半田ボールを設けるボール付け工程と、個々の前記半導体装置に個片化を行うダイシング工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記c工程で、前記配線基板の下面側に配置された成形金型のゲートから樹脂を注入して前記第1下面側封止部、前記上面側封止部及び前記第2下面側封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記c工程の後、前記上面側封止部、前記第1下面側封止部及び前記第2下面側封止部が形成された前記配線基板を、支持部を有するラックの前記支持部上に載置して前記ラックに収納し、その後、前記ラックの前記支持部と前記ガイドレールとを連結して前記ガイドレールの案内で前記配線基板を前記別の処理部に搬送することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項10において、前記マーク工程では、前記ガイドレールによって前記配線基板の両端を支持した状態で前記配線基板上の前記上面側封止部にマーキングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。樹脂封止型の半導体装置のうち、基材配線基板の片面上面、チップ搭載面にのみ封止体が形成される半導体装置は、反り易い。この反りの原因は、封止体を構成する材料部材の線膨張係数が、基材を構成する材料部材と異なるためである。この基材の反りの問題は、配線基板に設けられた複数のデバイス領域を一括して樹脂で封止する一括モールド方式を適用した場合に、特に顕著とされている。また、封止体が形成された基材組み立て体が反っていると、この基材を、封止体を形成する工程モールド工程から次の工程に搬送する際、例えばガイドレールを用いて搬送することが困難となる。なお、ガイドレール方式は、配線基板の両側の端部をレールで支持した状態で配線基板を案内しながら搬送する方式であるが、配線基板が反っていると配線基板が移動しない、あるいは移動し難くなるといった搬送不良が発生する。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、封止体が形成された基板組み立て体の反りを抑制することができる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、上面及び下面のうちの一方から他方に向かって形成された第1貫通孔及び第2貫通孔と、第1貫通孔と第2貫通孔との間に設けられた複数の上面側デバイス領域と、第1貫通孔と第2貫通孔との間に設けられた複数の下面側デバイス領域とを備えた配線基板を準備する。さらに、複数の半導体チップ、複数の上面側デバイス領域、第1貫通孔及び第2貫通孔を一括して封止する上面側封止部と、上面側封止部と第1貫通孔を介して一体に形成され、かつ複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ第1貫通孔を封止する第1下面側封止部と、上面側封止部と第2貫通孔を介して一体に形成され、かつ複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ第2貫通孔を封止する第2下面側封止部とを形成する。さらに、上面側封止部、第1下面側封止部及び第2下面側封止部が形成された配線基板を、ガイドレールを用いて別の処理部に搬送することを特徴とする。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。封止体が形成された基板組み立て体の反りを抑制することができる。以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数など個数、数値、量、範囲などを含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。また、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、以下の実施の形態において、構成要素等について、Aからなる、Aよりなる、Aを有する、Aを含むと言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1図1は本発明の実施の形態1の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図2は図1に示す半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図、図3は図1に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図4は図3のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。まず、本実施の形態1の半導体装置について説明する。図1~図4に示す本実施の形態1の半導体装置は、基材である配線基板2の上面2aに搭載された半導体チップ1が封止体4によって樹脂封止され、かつ半導体チップ1が配線基板2のボンディングリード2cとワイヤ7を介して電気的に接続されて成る半導体パッケージであり、本実施の形態1では、前記半導体装置の一例として、配線基板2の下面2bに複数の外部接続用端子である半田ボール5が、図2に示すように外周部に設けられたBGABallGridArray9を取り上げて説明する。ただし、半田ボール5は、例えば、グリッド状格子状等に配置されていてもよい。なお、本実施の形態1のBGA9は、図5に示すような多数個取り基板10を用いて一括モールド方式により樹脂封止され、かつ樹脂封止後に個片化されて組み立てられた半導体パッケージである。BGA9の詳細構成について説明すると、上面表面、チップ搭載面2a、上面2aに形成された複数の接続用端子であるボンディングリード2c、上面2aとは反対側の下面裏面、実装面2b、及び下面2bに形成された複数のランド2dを有する配線基板BGA基板もしくはパッケージ基板等ともいう2と、表面1a及び表面1aに形成された複数の電極パッドであるボンディングパッド1cを有し、かつ配線基板2の上面2aに搭載された半導体チップ1と、配線基板2の複数のボンディングリード2cと半導体チップ1の複数のボンディングパッド1cとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ7と、配線基板2の複数のランド2dにそれぞれ設けられた複数の外部接続用端子である半田ボール5とを有している。すなわち、BGA9は、図3及び図4に示すように、半導体チップ1が配線基板2上に搭載されているとともに配線基板2とワイヤ接続され、さらに半導体チップ1と複数のワイヤ7が樹脂製の封止体4によって封止された基板タイプの半導体パッケージである。なお、半導体チップ1は、図4に示すように、表面1aとこの表面1aとは反対側の裏面1bを有しており、この裏面1bが配線基板2の上面2aと対向するように配置され、樹脂ペースト材等のダイボンド材6によって配線基板2の上面2aに固着されている。ここで、半導体チップ1は、例えば、シリコンによって形成され、さらにワイヤ7は、例えば、金線である。また、封止体4を形成する封止用の樹脂3は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。外部接続用端子は、Sn-Pb系半田やPbフリー半田等の半田材を用いた半田ボール5である。また、配線基板2は、例えば、ガラスエポキシ樹脂等のコア材に対して複数の配線層及び絶縁層が形成されて成る樹脂基板であり、上面2aに露出する複数のボンディングリード2c、及び下面2bに露出する複数のランド2d以外の領域は、絶縁膜であるソルダレジスト膜によって覆われている。なお、複数のボンディングリード2cや複数のランド2dを含む配線層は、例えば、銅合金から成る。このように半導体チップ1のボンディングパッド1cからBGA9の外部接続用端子である半田ボール5までが、ワイヤ7、ボンディングリード2c、ビア図示せず及びランド2d等を介して電気的に接続されている。次に、本実施の形態1のBGA半導体装置9の製造方法について説明する。図5は図1に示す半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の構造の一例を示す平面図、図6は図5に示す配線基板の裏面側の構造の一例を示す裏面図である。また、図7は図1の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング時とワイヤボンディング時の構造の一例を示す斜視図、図8は図1の半導体装置の組み立てにおけるモールド時とモールドベーク時とマーク時の構造の一例を示す斜視図、図9は図1の半導体装置の組み立てにおけるボール搭載時と個片切断時と梱包出荷時の構造の一例を示す斜視図である。さらに、図10は図1の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。まず、図5に示すような平面形状が長方形からなる上面表面、チップ搭載面10aと、図6に示すような同じく平面形状が長方形からなり、かつ上面10aとは反対側の下面裏面、実装面10bとを備えた多数個取り基板配線基板10を準備する。また、多数個取り基板10には、上面10a及び下面10bのうちの一方から他方に向かって形成された上面10aと下面10bとの間に形成された細長いスリット貫通孔10eと、上面10a及び下面10bのうちの一方から他方に向かって形成された上面10aと下面10bとの間に形成された同じく細長いスリット貫通孔10fとが形成されている。なお、本実施の形態1では、図5及び図6に示すように、貫通孔10eと貫通孔10fは、長方形の多数個取り基板10の対向する長辺にそれぞれ沿って2つずつ形成されている。ただし、貫通孔10e,10fは、多数個取り基板10の対向する長辺にそれぞれ沿って形成されるとともに樹脂3が通ることが可能な貫通した孔であり、さらに基板の強度を著しく低下させない形状であれば、スリット状に限定されるものではなく、例えば、複数の長孔や複数の円形の孔等であってもよい。また、多数個取り基板10の上面10a側には、図5に示すように、平面視において貫通孔10eと貫通孔10fとの間にマトリクス配置で設けられた複数の上面側デバイス領域であるデバイス領域10cと、複数のデバイス領域10cのそれぞれに形成された図3に示す複数のボンディングリード電極パッド2cとが形成されている。さらに、後述する図11に示す樹脂封止用の成形金型14のゲート側に対応した多数個取り基板10の長辺のみに沿って複数のゲートパターン10gが形成されている。つまり、貫通孔10eと貫通孔10fのそれぞれは、多数個取り基板10の長辺に沿って設けられたゲートパターン10gが延在する延長線上に配置されている。なお、ゲートパターン10gは、例えば、メッキから成るものであり、樹脂封止後のゲートレジン19図13参照の剥離性を向上させるものである。このように貫通孔10eと貫通孔10fのそれぞれが、多数個取り基板10の長辺に沿って設けられたゲートパターン10gが延在する延長線上に配置されていることで、樹脂注入時の樹脂3がその流れに沿って貫通孔10eや貫通孔10fに入り易くなるため、樹脂3を多数個取り基板10の下面10b側に回り込み易くすることができる。一方、多数個取り基板10の下面10b側には、図6に示すように、平面視において貫通孔10eと貫通孔10fとの間にマトリクス配置で設けられた複数の下面側デバイス領域であるデバイス領域10dと、複数のデバイス領域10dのそれぞれに形成された複数のランド電極パッド2dとが形成されている。本実施の形態1では、複数のランド2dが、各デバイス領域10dに格子状グリッド状に配置されている場合を例に取り上げて説明するが、複数のランド2dの数や配置形態は特に限定されるものではない図6では便宜上、複数のランド2dが格子状に配置されている場合を図示しているが、ランド2dの配列は特に限定されるものではなく、半導体装置の品種等に応じて図2に示すような周辺配置であってもよい。なお、多数個取り基板10の複数のデバイス領域10c,10dの1つが、組み立て後のBGA9の配線基板2に対応しており、したがって、多数個取り基板10も、例えば、ガラスエポキシ樹脂等のコア材に対して複数の配線層及び絶縁層が形成されて成る樹脂基板である。また、図5及び図6に示すように、多数個取り基板10の対向する長辺の周縁部には、位置決め用またはガイド用の孔部10hが複数個形成されている。以上のような多数個取り基板10を準備した後、図7のステップS1に示すダイボンディングを行う。ここでは、図10に示すように、多数個取り基板10の上面10aの複数のデバイス領域上面側デバイス領域10cに、裏面1bが多数個取り基板10の上面10aと対向するように複数の半導体チップ1をそれぞれ搭載する。ここで、半導体チップ1は、図3及び図4に示すように、表面1a、表面1aに形成された複数のボンディングパッド1c、表面1aとは反対側の裏面1bを有している。なお、ダイボンディング工程では、図7のステップS1に示すように、まず、ヒートステージ8上に多数個取り基板10を載置し、その後、コレット11によって半導体チップ1を保持例えば、真空吸着保持等して搬送し、図5に示す各デバイス領域10cに載置する。コレット11によって半導体チップ1を基板上に移載する際には、予め、多数個取り基板10の各デバイス領域10cに、図4に示すダイボンド材6例えば、樹脂ペースト材等を塗布しておく。ダイボンディング完了後、図7のステップS2に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、多数個取り基板10に搭載された図3に示す半導体チップ1のボンディングパッド1cと多数個取り基板10配線基板2のボンディングリード2cとをワイヤ7を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング工程では、図7に示すように、まず、ヒートステージ12上に多数個取り基板10を載置し、キャピラリ等のボンディングツール13を用いて半導体チップ1と多数個取り基板10とをワイヤ7によって電気的に接続する。ワイヤボンディング完了後、図8のステップS3に示すモールドを行う。図11は図1の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図、図12は図1の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図、図13は図12のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図14は図12のB-B線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。また、図15は図1の半導体装置の組み立てのモールドベーク工程における組み立て体のラック収納状態の一例を示す部分断面図、図16は図15のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図17は図1の半導体装置の組み立てのマーク工程におけるレーザ照射状態の一例を示す断面図である。モールド工程では、まず、図11に示すような樹脂封止用の成形金型14を準備する。本実施の形態1の成形金型14は、一対を成すとともに相互に対向して配置される上型金型15と下型金型16を備えており、上型15には、図4に示す封止体4を形成するための主キャビティ上面用凹部15a、主キャビティ15aに樹脂3を供給するための樹脂注入口であるゲート15d、主キャビティ15aのゲート側の隣に配置された上面ゲート側キャビティ上面用凹部15b、主キャビティ15aと上面ゲート側キャビティ15bとの間に設けられた上面ゲート側突出部突出部15c、及び主キャビティ15aに繋がり、かつ主キャビティ15a内のエアを送り出すエアベント15eが形成されている。さらに、上型15には、封止用の樹脂3の流路となり、かつゲート15dに繋がるランナ15fやカル15gが形成されている。なお、ゲート15dは上面ゲート側キャビティ15bに繋がっており、ゲート15dから注入された樹脂3は上面ゲート側キャビティ15bを介して主キャビティ15aに充填される。一方、上型15と対向して配置される下型16は、主キャビティ15aと対向して配置される基板載置面16a、上面ゲート側キャビティ15bと対向し、かつ基板載置面16aのゲート側の隣に形成された下面ゲート側キャビティ下面用凹部16b、及び基板載置面16aのエアベント側の隣に形成された下面エアベント側キャビティ下面用凹部16cを有している。さらに、下型16には、硬化状タブレット状の樹脂3を収納するとともに溶融状態の樹脂3をランナ15fに向けて押し出すポット16d及びプランジャ16eが設けられ、また、樹脂充填中に多数個取り基板10を吸着支持するための吸引通路16fが形成されている。吸引通路16fは、基板載置面16aに開口しており、モールド時に多数個取り基板10を真空吸着可能な構造となっている。なお、上面ゲート側キャビティ15b、上面ゲート側突出部15c、下面ゲート側キャビティ16b及び下面エアベント側キャビティ16cは、基板載置面16a上に載置される多数個取り基板10の長手方向に沿って細長く形成されている。すなわち、下面ゲート側キャビティ16bは、基板載置面16aに載置された状態の多数個取り基板10の一列に並んだ2つ分の貫通孔10eに対応するように細長く延在した形状に形成されている。同様に、下面エアベント側キャビティ16cも、多数個取り基板10の一列に並んだ2つ分の貫通孔10fに対応するように細長く延在した形状に形成されている。さらに、上面ゲート側キャビティ15bは下面ゲート側キャビティ16bに対向する位置に同様に細長く延在した形状に形成されている。また、上面ゲート側突出部15cは、上型キャビティを、主キャビティ15aと上面ゲート側キャビティ15bとに分割するように突出して形成されている。ただし、図11に示すように金型クランプ時に、多数個取り基板10に接触しないような突出量で形成されている。つまり、金型クランプ時に、上面ゲート側突出部15cの先端と多数個取り基板10との間に所望の隙間が形成されるような突出量で上面ゲート側突出部15cは形成されており、前記隙間を介して主キャビティ15aと上面ゲート側キャビティ15bとが連通している。なお、上面ゲート側突出部15cは、金型クランプ時に、多数個取り基板10に接触するような突出量で形成されていてもよく、その場合には、主キャビティ15aと上面ゲート側キャビティ15bとが多数個取り基板10のデバイス領域10cデバイス領域10dの外側の周縁部の領域の何れかで連通していればよい。以上のような構造の成形金型14を準備し、その後、下型16の基板載置面16aに多数個取り基板10を載置する。詳細には、平面視において多数個取り基板10の複数のデバイス領域10cが主キャビティ15aの内側に位置し、かつ平面視において上面ゲート側突出部15cが複数のデバイス領域10cの外側複数のデバイス領域10cと貫通孔10eとの間に位置し、かつ平面視において貫通孔10eが下面ゲート側キャビティ16bの内側に位置し、かつ平面視において貫通孔10fが下面エアベント側キャビティ16cの内側に位置し、かつ多数個取り基板10の下面10bが下型16と対向するように、多数個取り基板10を上型15と下型16との間に配置する。その後、吸引通路16fを介して多数個取り基板10を基板載置面16aで真空吸着保持する。基板配置後、上型15と下型16をクランプ型締めする。前記クランプが行われると、多数個取り基板10の図5に示す長辺10iに沿って複数のゲート15dが配置され、かつそれぞれスリット状の貫通孔10e及び貫通孔10fは、長辺10i及びこの長辺10iに対向する長辺10jに沿って配置される。また、成形金型14のクランプにより、多数個取り基板10の上面10aの複数のデバイス領域10cが、図11に示すように上型15の主キャビティ15aによって覆われた状態となる。その後、下型16によって多数個取り基板10が、例えば170°C程度に加熱された状態で、ポット16d内で溶融された樹脂3をプランジャ16eによって押し出して、ランナ15fやゲート15dを介してキャビティ内に樹脂3を供給して樹脂充填を行う。その際、ゲート15dから樹脂3を注入すると、樹脂3は、まず、上面ゲート側キャビティ15bに入り、その後、主キャビティ15aにも入る。さらに、多数個取り基板10の貫通孔10eを通って下面ゲート側キャビティ16bにも入る。また、主キャビティ15aを移った樹脂3は、その後、下面エアベント側キャビティ16cにも入る。このようにゲート15dから注入された樹脂3は、上面ゲート側キャビティ15b、下面ゲート側キャビティ16b、主キャビティ15a、下面エアベント側キャビティ16cを順次充填するとともに、樹脂3の流れで主キャビティ15aから押し出された気泡エアは、エアベント15eに送り出される。これにより、図12~図14に示すような複数の半導体チップ1、図5の複数のデバイス領域10c、貫通孔10e及び貫通孔10fを一括して封止する上面側封止部17と、上面側封止部17と貫通孔10eを介して一体に形成され、かつ図6の下面10bにおいて複数のデバイス領域10dの外側に形成され、かつ貫通孔10eを封止するゲート側下面封止部下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部18aと、上面側封止部17と貫通孔10fを介して一体に形成され、かつ下面10bにおいて複数のデバイス領域10dの外側に形成され、かつ貫通孔10fを封止するエアベント側下面封止部下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部18bとが形成される。なお、上面側封止部17は、複数の半導体チップ1、複数のデバイス領域10c及び貫通孔10fを一括して封止する本体封止部17aと、本体封止部17aと一体に形成され、かつ複数のデバイス領域10cの外側に設けられた貫通孔10eを封止する第1周辺封止部上面側周辺封止部であるゲート側周辺封止部17bとを有している。本体封止部17aは、図11の主キャビティ15aによって形成され、ゲート側周辺封止部17bは、上面ゲート側キャビティ15bによって形成される。また、図12及び図13に示すように、本体封止部17aとゲート側周辺封止部17bとの間には凹部17dが形成されている。この凹部17dは、上面ゲート側突出部15cによって形成される。なお、凹部17dの下には凹部封止部17eが形成されている。したがって、凹部封止部17eは、本体封止部17aとゲート側周辺封止部17bとの間に位置しており、その厚さは、本体封止部17aやゲート側周辺封止部17bよりも遥かに薄い。また、下面10b側には、ゲート側下面封止部18aとエアベント側下面封止部18bとが形成されており、ゲート側下面封止部18a及びエアベント側下面封止部18bは、多数個取り基板10の長辺10i,10jのみに沿って形成されており、短辺に沿っては形成されていない。つまり、多数個取り基板10の下面10b側に形成されるゲート側下面封止部18a及びエアベント側下面封止部18bは、多数個取り基板10の長手方向にだけ沿って形成される。ここで、本実施の形態1のモールドの特徴について説明する。本実施の形態1のモールド工程における樹脂充填では、ゲート15dからキャビティに注入した樹脂3を多数個取り基板10のスリット状の貫通孔10eに通して下面10b側のフローキャビティ樹脂溜まりである下面ゲート側キャビティ16bに流し込んでゲート側下面封止部18aを形成している。同様にエアベント側においても、樹脂3を多数個取り基板10のスリット状の貫通孔10fに通してフローキャビティである下面エアベント側キャビティ16cに流し込んでエアベント側下面封止部18bを形成している。したがって、多数個取り基板10に形成される貫通孔10e,10fは、樹脂3が通る程度の大きさの孔であれば、スリット状でも良いし、あるいは複数の小孔であっても良く、少なくともゲート15dの延長線上に貫通孔10e,10fが設けられていることが好ましい。貫通孔10e,10fがスリット状である場合、キャビティ内に残存するエアが抜け易くなってキャビティ内に残存し難くなってボイド対策として有効である。また、貫通孔10e,10fが複数の小孔である場合には、スリット状である場合に比較して多数個取り基板10の強度を高めることができる。以上のように多数個取り基板10に貫通孔10e,10fを形成し、かつ成形金型14の下型16に下面ゲート側キャビティ16bや下面エアベント側キャビティ16cが形成されたことで、多数個取り基板配線基板210の上面表面、チップ搭載面10a側の本体封止部17aやゲート側周辺封止部17bだけでなく、下面裏面、実装面10b側にもゲート側下面封止部18aやエアベント側下面封止部18bが形成されるため、多数個取り基板10の下面10b側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができる。これにより、多数個取り基板10の両面において発生する応力のバランスを取ることができ、本体封止部17a等の封止部が形成された多数個取り基板組み立て体10の反りを抑制低減することができる。また、成形金型14の上型15と下型16をクランプすることで形成されるキャビティ内において、ゲート15d側を流れる樹脂3の充填圧力は、エアベント15e側を流れる樹脂3の充填圧力に比べて高い大きい。そこで、上型15に形成されたキャビティ凹部において、平面視において複数のデバイス領域10cを包含する領域とこの領域の外側周縁部との間と重なる位置に上面ゲート側突出部15cを形成しておくことで、このキャビティのうちの複数のデバイス領域10cを封止する部分主キャビティ15a上面用凹部、本体封止部用凹部に樹脂3が供給される際、樹脂3の流速を低下させることができる。これにより、ゲート15d側に位置するデバイス領域10cに形成されたワイヤ7に加わる樹脂3の充填圧力を低減することができ、ワイヤ7が流れてしまう問題を抑制することができる。すなわち、ゲート15dからキャビティ内に注入された樹脂3の流速を上面ゲート側突出部15cによって一度落として、ゲート15d近傍のワイヤ7にかかる応力の低減化を図る樹脂注入圧力の均一化を図る。これにより、ワイヤ7が変形してしまう問題を抑制できるとともに、ワイヤ7が流れてしまう問題についても抑制することができる。近年、ワイヤ7の線径が細くなる傾向にあるため、ワイヤ変形やワイヤ流れが発生し易くなっており、ワイヤ変形やワイヤ流れの問題に対する対策として非常に有効である。さらに、貫通孔10eと下面ゲート側キャビティ16bが設けられたことで、ゲート15dから注入された樹脂3をすぐに下面ゲート側キャビティ16bに流し込むことができ、ゲート15dからの樹脂注入圧力を分散させて抑えることができる。これにより、ワイヤ変形やワイヤ流れの発生を抑制することができる。一方、ゲート15dから遠い位置エアベント15e側では、注入された樹脂3の流速がさらに低下するため、封止する領域デバイス領域10cが大きい場合には、エアベント15e側平面視において複数のデバイス領域10cを包含する領域とこの領域の外側周縁部との間と重なる位置における樹脂3の充填圧力が低下し、上型15のキャビティ内に残存する空気ボイドを除去することが困難となる。そこで、本実施の形態1のように、エアベント15e側には前述の上面ゲート側突出部15cのような突起を形成しないことで、エアベント15e側における樹脂3の流速の更なる低下を抑制することができ、確実に下型16に形成された凹部である下面エアベント側キャビティ16cにまで樹脂3を供給することができる。すなわち、エアベント15e側には前述の突起が設けられず、かつ貫通孔10fと下面エアベント側キャビティ16cが設けられたことで、下面エアベント側キャビティ16cまで勢いよく樹脂3を流し込むことができ、キャビティ内の空気ボイドを排出させることができる。これにより、ボイドの低減化を図ることができる。また、ゲート側下面封止部18aとエアベント側下面封止部18bは、多数個取り基板10の長辺10i,10jのみに沿って形成されており、短辺に沿っては形成されていない。これは、多数個取り基板10において短辺方向よりも長辺方向に対する反りが顕著なためである。したがって、多数個取り基板10の下面10b側において、ゲート側下面封止部18aとエアベント側下面封止部18bは環状などで繋がっていることはなく、下面10bにおいては両者が分離されている。すなわち、ゲート側下面封止部18aを形成するための下面ゲート側キャビティ16bは、エアベント側下面封止部18bを形成するための下面エアベント側キャビティ16cと直接繋がっていない。そのため、主キャビティ上面用凹部15a内に樹脂が完全に充填される前に、エアベント側に位置する下面エアベント側キャビティ16c内に樹脂が先に供給されることはないため、供給された樹脂がエアベント側からゲート側に向かって逆流しない。これにより、形成される封止部内にボイド空気が残存し難くなる。これにより、先に下面ゲート側キャビティ16bに流れ込んだ樹脂3が下面10b側から上面10a側に逆流することを防止でき、ボイドの逆流を防止することができる。以上のようにモールドが完了すると、図8のステップS3に示すように、多数個取り基板10上に、上面側封止部17と一体でゲートレジン19、カルレジン20及びランナレジン21等も形成される。モールド完了後、図8のステップS4に示すモールドベークを行う。すなわち、モールドによって上面側封止部17である本体封止部17aやゲート側周辺封止部17b、さらにゲート側下面封止部18aやエアベント側下面封止部18bが形成された多数個取り基板組み立て体10を、複数の支持部22aを有するラック22の支持部22a上に載置してラック22に収納し、この状態でベーク処理を行う。なお、ラック22は箱型であり、複数の多数個取り基板10を垂直方向に略等間隔で収納可能なように左右の内壁に略等間隔に支持部22aが設けられており、図15及び図16に示すように多数個取り基板10の図5に示す長辺10i,10j側幅方向の両端を支持部22aによって支持する構造となっている。つまり、本実施の形態1のラック22では、多数個取り基板10の取り出し収納を、多数個取り基板10をスライドさせるだけで容易に行うことができるようにガイドレール式を採用している。これにより、例えば、ラック22に多数個取り基板10を収納する前後の処理工程がガイドレール式の搬送形態であっても、多数個取り基板10のガイドレール25への移し替えが基板をスライドさせるだけであるため、多数個取り基板10のラック22への収納及び取り出しを容易に行うことができる。モールドベーク終了後、図8のステップS5に示すマークを行う。本実施の形態1では、モールドベーク終了後、多数個取り基板組み立て体10をガイドレール25を用いてマーク工程のマーク処理部別の処理部または他の処理部24に搬送し、このマーク処理部24で多数個取り基板10上の上面側封止部17にマーキングを行う。詳細には、ラック22の開口部にガイドレール25を連結し、ラック22の支持部22aとガイドレール25の高さを合わせて多数個取り基板10をスライドさせてラック22から搬出し、そのままガイドレール25に搬入して、その後、ガイドレール25の案内で多数個取り基板10をマーク工程のマーク処理部別の処理部24に搬送し、多数個取り基板10上の上面側封止部17の本体封止部17aにマーキングを行う。その際、1枚多数個取り基板10を搬出するごとにラック22を上下動させて支持部22aとガイドレール25の高さ位置を合わせ直し、ラック22から順次、1枚ずつ多数個取り基板10をガイドレール25上に搬出する。ここで、本実施の形態1において、多数個取り基板組み立て体10を搬送する際に、ガイドレール方式を採用する理由について説明する。まず、ガイドレール方式を用いた搬送方法の効果について説明する。ガイドレール方式では、前述のようにラック22から多数個取り基板配線基板10を取り出すことが容易である。すなわち、ガイドレール25に連結可能な支持部22aを備えたラック22ガイド付きラックを用いることで、ガイドレール25にラック22を連結してそのまま多数個取り基板10をスライドさせるだけで取り出すことが可能であり、したがって、ガイドレール25に多数個取り基板10を移し易い。また、吸着搬送方式に比較して多数個取り基板10の位置合わせが容易である。すなわち、ガイドレール方式の場合、多数個取り基板10の両端部を支持しているため、吸着搬送方式に比較して多数個取り基板10の位置決めを行い易い。例えば、ガイドレール方式の基板の位置決め方法の一例として、多数個取り基板10の両端部の位置決め孔に位置決めピンを挿入して位置決めを行う方法があるが、その際、ガイドレール25に位置決めピンを設けておくことで、ガイドレール25上をスライドさせて位置決め孔に位置決めピンを挿入することになり、容易に多数個取り基板10の位置決めを行うことができる。しかしながら、吸着搬送方式の場合には、位置決めピンに対して多数個取り基板10を上方から下降させて基板の位置決め孔に位置決めピンを挿入しなければならず、基板の位置決め孔に位置決めピンを挿入すること自体が困難である。さらに、ガイドレール方式は、多数個取り基板10の両端部のみをガイドレール25によって支持する支持方式であり、基板の中央部付近はガイドレール25で塞がれることなく開口して露出しているため、マーク工程等において、ガイドレール25で支持されたそのままの状態でレーザーマークを行うことができる。すなわち、ラック22から多数個取り基板10を取り出した後、ガイドレール25の案内でマーク工程のマーク処理部24まで多数個取り基板10を搬送し、そのままガイドレール25によって支持された状態ですぐにマーキングを行うことができ、効率良くマーキングを行える。また、ガイドレール方式の場合、封止部が形成された比較的重い多数個取り基板10等であっても搬送することが可能であり、耐荷重性が高い。しかしながら、吸着搬送方式では、基板が重くなると落下して搬送不良を引き起こすことがある。ここで、基板搬送におけるガイドレール方式以外の搬送方式について説明する。多数個取り基板10等の基板を次別の工程に搬送する手段としては、例えば、吸着ノズルにより基板を吸着した状態で搬送する方式吸着搬送方式、アームによって基板の周縁部を保持した状態で搬送する方式アーム搬送方式、さらには、ベルトコンベアによって基板を搬送する方式ベルトコンベア方式等もある。しかしながら、何れの方式も、一度、ラック22から基板を取り出さなくてはならないため、製造工程を簡略化することが困難である。また、吸着搬送方式に関しては、基板に反りが生じている場合、反った基板ここでは、封止部の表面に吸着ノズルを接触させて、真空吸着によって基板を保持することになるが、この吸着ノズルと基板ここでは、封止体の表面との間に隙間が生じないように、吸着ノズルを基板に押し付けなければならない。しかしながら、この荷重が強すぎると、基板にクラックが発生するため、吸着搬送方式では反った基板の搬送はさらに困難である。したがって、本実施の形態1で採用するガイドレール方式は、ラック22からの多数個取り基板10の取り出しと移し替えが容易であり、さらに位置合わせの容易性や耐荷重性の高さ等を考慮すると、基板搬送における信頼性の高さ基板の耐クラック性も含めて、基板搬送において非常に多くの効果が得られ、必然性が高いと言える。なお、マーク工程では、図17に示すように、ガイドレール25によって多数個取り基板10の幅方向の両端を支持した状態で多数個取り基板10上の上面側封止部17にマーキングを行う。すなわち、ガイドレール25を用いてマーク工程のマーク処理部24まで多数個取り基板組み立て体10を搬送した後、ガイドレール25で多数個取り基板10を支持したそのままの状態でマーキングを行う。前記マーキングは、例えば、ガイドレール25の上方に設置されたレーザマーカ23から多数個取り基板10に形成された上面側封止部17の本体封止部17aに向けてレーザ23aを照射して行う。本実施の形態1では多数個取り基板10の搬送にガイドレール方式を用いているため、ラック22から取り出した多数個取り基板10をガイドレール25の案内によってマーク工程のマーク処理部24まで素早く搬送することができ、さらに、そのままガイドレール25によって支持された状態でマーキングを行うことができるため、マーク処理を効率良く行うことができる。すなわち、BGA9の組み立てでは、モールドベーク後にマーク工程があり、このマーク工程においても位置合わせが必要であるが、本実施の形態1では、モールドベーク工程からマーク工程までの多数個取り基板組み立て体10の搬送にガイドレール方式を採用することで、前述のようにラック22から取り出した多数個取り基板10をガイドレール25の案内によってマーク工程まで素早く搬送できるとともに、そのままガイドレール25によって支持された状態でマーキングを行うことができる。したがって、ガイドレール25での搬送時の多数個取り基板10の搬送不良を低減できるように、多数個取り基板10の反り対策多数個取り基板10の表裏両面に封止部を設けるが非常に重要となる。マーク工程でのマーク処理終了後、図9に示すステップS6のボール搭載を行う。すなわち、ボール付け工程において、多数個取り基板10の下面10bの複数のランド2dのそれぞれに半田ボール5を設ける。例えば、複数の半田ボール5を平板等を用いて吸着してそのまま搭載するボール吸着方式によって半田ボール5を設ける。このボール付け工程においても、多数個取り基板組み立て体10の表裏両面に封止部を設けることで多数個取り基板10の反りが低減化されているため、半田ボール5を搭載する際の位置ずれを低減することができ、多数個取り基板10の全てのランド2dに対して半田ボール5を均等に配置することができる。ボール搭載後、図9に示すステップS7の個片切断を行う。すなわち、ダイシング工程のダイシングステージ26上に多数個取り基板10を載置し、ブレード27を走行させて上面側封止部17と多数個取り基板10とを一緒に切断して個々のBGA9への個片化を行う。ただし、切断は多数個取り基板10をテープに貼り付けた状態で行われ、前記テープは切断しないため、個々のBGA9にばらけることは無く、各BGA9が前記テープに貼り付けられた状態となる。なお、前記個片切断工程においても、多数個取り基板組み立て体10の表裏両面に封止部を設けることで多数個取り基板10の反りが低減化されているため、ブレード27を用いて個片化搭載する際の位置ずれを低減することができる。個片切断終了後、図9のステップS8に示す梱包出荷を行う。ここでは、切断後の多数個取り基板10テープに貼り付けられた切断後の各BGA9を梱包袋28に収納して出荷を行う。なお、本実施の形態1のガイドレール方式による基板搬送では、多数個取り基板10に反りが形成されていると、搬送不良を引き起こす可能性が高い。このことについて、図24乃至図26を用いて詳細に説明する。ここで、図24は本願発明者が比較検討した比較例の半導体装置の組み立てにおける組み立て体のラック収納状態を示す部分断面図、図25は図24のA-A線に沿って切断した構造を示す部分断面図、図26は図24のB-B線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。図24~図26に示すように、上面側封止部17が形成された多数個取り基板組み立て体50をラック22内に収納する際にも、多数個取り基板50が反っていると、ラック22の支持部22aガイドレールに多数個取り基板50が当たるもしくは擦る等して多数個取り基板50の収納取り出し時に搬送不良が発生する。特に、平面形状が長方形の多数個取り基板50では、図24に示すように、長手方向長辺に対して反りが顕著に発生し、その結果、図25に示す箇所では、多数個取り基板50の幅方向の両端がラック22の支持部22aによって支持されているものの、図26に示す箇所では、多数個取り基板50が支持部22aから浮いた状態となる。そこで、ガイドレール25の上下のレール間隔を広くすることでこの搬送不良を低減する方法も考えられるが、多数個取り基板10の反りが大きいとレール自体から多数個取り基板10が外れて落下するおそれがあるため、ガイドレール25の上下のレール間隔を広くすることは好ましくない。一方、本実施の形態では、上記のように、多数個取り基板配線基板210の上面表面、チップ搭載面10a側だけでなく、下面裏面、実装面10b側にも封止部ゲート側下面封止部18a、エアベント側下面封止部18bを形成しているため、多数個取り基板10の両面において発生する応力のバランスを取ることができ、多数個取り基板組み立て体10の反りを抑制低減することができる。これにより、ガイドレール25を用いた搬送方法を適用することができる。実施の形態2図18は本発明の実施の形態2の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図、図19は図18のA-A線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図20は本発明の実施の形態2の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図である。さらに、図21は本発明の実施の形態2の半導体装置の組み立てにおける第1変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す平面図、図22は本発明の実施の形態2の半導体装置の組み立てにおける第2変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す断面図、図23は本発明の実施の形態2の第3変形例の構造を示す断面図である。本実施の形態2は、図18及び図19に示すように、多数個取り基板10の上面側封止部17においてゲート側の凹部17dと同様に、エアベント側にも凹部封止部に形成された溝または絞り17fが形成されているものであり、したがって、本体封止部17aの外側に第2周辺封止部であるエアベント側周辺封止部17cが形成されている。これは、封止部の表面において、一方の側ゲート側にのみ凹部溝または絞り17dが形成されていると、封止部に生じる応力のバランスが不安定となるおそれがあり、そこで、封止部が形成された多数個取り基板組み立て体10の平坦性をより向上させることに着目した場合は、多数個取り基板10の封止部の幅方向におけるエアベント側にも凹部溝や絞り17fを形成しておくことが、基板の反りに対しても好ましいというものである。したがって、上面側封止部17は、複数の半導体チップ1及び複数のデバイス領域10cを一括して封止する本体封止部17aと、本体封止部17aと一体に形成され、かつ、複数のデバイス領域10cの外側に設けられた貫通孔10eを封止するゲート側周辺封止部第1周辺封止部17bと、本体封止部17aと一体に形成され、かつ、複数のデバイス領域10cの外側に設けられた貫通孔10fを封止するエアベント側周辺封止部第2周辺封止部17cとを有している。さらに、本体封止部17aとエアベント側周辺封止部17cとの間には凹部17fが形成されており、この凹部17fの下方には、ゲート側と同様に凹部封止部17gが形成されている。凹部封止部17gの厚さは、本体封止部17aやエアベント側周辺封止部17cよりも薄い。また、図18及び図19に示すように、ゲート側周辺封止部17bとエアベント側周辺封止部17cは、互いに分離しており、上面側において繋がってはいない。すなわち、ゲート側周辺封止部17bを形成するための上面ゲート側キャビティ15bは、エアベント側周辺封止部17cを形成するための上面エアベント側キャビティ15hと直接繋がっていなく、本体封止部17aを形成するための主キャビティ15aを介して繋がっている。このように、上面ゲート側キャビティ15bと、上面エアベント側キャビティ15hが分離していることで、主キャビティ上面用凹部15a内に樹脂が完全に充填される前に、エアベント側に位置する上面エアベント側キャビティ15h内に樹脂が先に供給されることはないため、供給された樹脂がエアベント側からゲート側に向かって逆流しない。これにより、形成される封止部内にボイド空気が残存し難くなる。なお、ゲート側下面封止部18aを形成するための下面ゲート側キャビティ16bは、エアベント側下面封止部18bを形成するための下面エアベント側キャビティ16cと直接繋がっていないことについても、同様の理由である。また、本体封止部17aとエアベント側周辺封止部17cとの間に形成される凹部17fは、図20の成形金型14に示すように上型15のキャビティのエアベント側に、ゲート側の上面ゲート側突出部第1突出部15cと同様の上面エアベント側突出部第2突出部15iが設けられ、この上面エアベント側突出部15iによって形成されたものである。したがって、本実施の形態2のモールド工程で使用する成形金型14の上型15においては、主キャビティ15aと上面エアベント側キャビティ上面用凹部15hの間に上面エアベント側突出部15iが形成されている。つまり、上型15のキャビティは、主キャビティ上面用凹部15aと、主キャビティ15aのゲート側の隣に配置された上面ゲート側キャビティ上面用凹部15bと、主キャビティ15aと上面ゲート側キャビティ15bの間に設けられた上面ゲート側突出部突出部15cと、主キャビティ15aのエアベント側の隣に配置された上面エアベント側キャビティ上面用凹部15hと、主キャビティ15aと上面エアベント側キャビティ15hの間に設けられた上面エアベント側突出部突出部15iとを有している。一方、下型16は、実施の形態1の下型16と同様であり、基板載置面16aと、基板載置面16aのゲート側の隣に配置されるとともに上面ゲート側キャビティ15bと対向する下面ゲート側キャビティ16bと、基板載置面16aのエアベント側の隣に配置されるとともに上面エアベント側キャビティ15hと対向する下面エアベント側キャビティ16cを有している。これにより、上型15と下型16をクランプした際には、平面視において上面ゲート側突出部15cが複数のデバイス領域10cの外側複数のデバイス領域10cと貫通孔10eとの間に位置し、さらに平面視において上面エアベント側突出部15iが複数のデバイス領域10cの外側複数のデバイス領域10cと貫通孔10fとの間に位置するようになっている。本実施の形態2では、以上のような成形金型14を用いて一括モールドを行うが、一括モールドの手順については実施の形態1の一括モールドと同じである。本実施の形態2のモールドによれば、多数個取り基板10上に形成された封止部に生じる応力のバランスの安定化を図ることができ、封止部が形成された多数個取り基板組み立て体10の平坦性を向上させることができる基板の反りの低減化を図ることができる。本実施の形態2によって得られるその他の効果については、実施の形態1の効果と同様であるため、その重複説明は省略する。以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前記実施の形態1,2で説明した多数個取り基板10の上面10aに形成される本体封止部17aをさらに分割構造としてもよい。すなわち、図21の第1変形例に示すように、平面形状が四角形ここでは、長方形からなる本体封止部17aの長辺方向の略中央で、2つに分断することで、封止部に生じる応力を分散低減することができ、多数個取り基板10の反りをさらに緩和させることができる。また、図22に示す第2変形例は、多数個取り基板10の下面10b側にゲートレジン19が形成された例である。すなわち、図20に示す成形金型14のゲート15dを多数個取り基板配線基板10の下面裏面、実装面10b側に配置し、基板の下面10b側から上面10a側に向かって樹脂3を供給注入してゲート側下面封止部18a、上面側封止部17及びエアベント側下面封止部18bを形成する場合を示している。これにより、樹脂充填時には、多数個取り基板10の上面10aと下面10bとの間に形成された貫通孔ビアを樹脂3が経由するため、供給される樹脂3の流速を抑えることができ、ワイヤ複数のデバイス領域のうち、特に、このゲート15dに近い位置に配置されたデバイス領域におけるワイヤが流れる傾く問題の発生を低減することができる。また、前記実施の形態1,2では、半導体装置の一例としてBGA9を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、図23の第3変形例に示すように、配線基板2のランド電極パッド2dが樹脂で覆われていないパッケージであれば、半田ボール5が搭載されていないLGALandGridArray29等であってもよい。"