"塩素ガス,炭化水素ガス,および塩化炭化水素ガスのいずれか1つを有するクリーニングガスをプラズマ化するステップと,前記プラズマ化されたクリーニングガスを加熱された成膜装置の内部に供給するステップと,を具備することを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。前記クリーニングガスが,メタン,エタン,プロパン,エチレン,アセチレンの少なくとも何れかを含む前記炭化水素ガス,またはCH3Cl,CH2Cl2,CHCl3の少なくとも何れかを含む前記塩化炭化水素ガスを有することを特徴とする請求項1記載の成膜装置のクリーニング方法。前記クリーニングガスが,水素ガスを有することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置のクリーニング方法。前記成膜装置の内部が,50Pa以上,300Pa以下の前記クリーニングガスで満たされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置のクリーニング方法。前記成膜装置の内部が200°C以上,400°C以下に加熱されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の成膜装置のクリーニング方法。GaN,InN,AlNの少なくともいずれかを含む付着物が前記成膜装置の内部に配置され,この付着物が前記前記プラズマ化されたクリーニングガスによりエッチングされることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置のクリーニング方法。前記成膜装置がリアクタを有するMOCVD装置であり,前記付着物が前記リアクタの内部に配置される,ことを特徴とする請求項6記載の成膜装置のクリーニング方法。前記プラズマ化されたクリーニングガスを供給するステップの前に,プラズマ化された水素ガスを前記成膜装置の内部に供給するステップ,をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜装置のクリーニング方法。前記クリーニングガスが,塩素ガスを有し,前記プラズマ化されたクリーニングガスを供給するステップの後に,プラズマ化された炭化水素ガスを前記成膜装置の内部に供給するステップ,をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の成膜装置のクリーニング方法。ここで,MOCVD装置から部材を外してクリーニングする場合,MOCVD装置の開閉,部材の取り外し取り付け,MOCVD装置内真空引きパージ,に時間を要する。この結果,MOCVD装置のスループットの低下を招く。また,加熱してクリーニングする場合,水冷の部材例えば,ガス導入シャワーヘッド等は,高温とするのが困難である。このため,MOCVD装置のクリーニング効率が悪く,残査が残る可能性があるクリーニング不良。本実施形態は,成膜装置内の効率的なクリーニングを可能とする成膜装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。実施形態の成膜装置のクリーニング方法は,塩素ガス,炭化水素ガス,および塩化炭化水素ガスのいずれか1つを有するクリーニングガスをプラズマ化するステップと,前記プラズマ化されたクリーニングガスを加熱された成膜装置の内部に供給するステップと,を具備する。以下,図面を参照して,実施形態を詳細に説明する。第1の実施形態図1は,第1の実施形態に係る成膜装置としてのMOCVD装置10の概略構成図である。このMOCVD装置10は縦型MOCVD装置であり,リアクタ11,サセプタ12,ガス供給部13,加熱部14,クリーニングガス供給部15,プラズマ生成部16,供給管17を有する。リアクタ11は,MOCVDで基板Wに膜を形成させるための,反応室である。なお,リアクタ11内は,成膜に先立って,排気装置例えば,ターボ分子ポンプにより,高真空に保持される。サセプタ12は,リアクタ11内に配置され,基板Wを載置し,保持する基板保持部である。ガス供給部13は,例えば,リアクタ11内に設置されたシャワーヘッドであり,リアクタ11内にMOCVD原料ガスGr例えば,窒素ガスベースのトリメチルガリウムGaCH33およびアンモニアNH3を供給する。加熱部14は,リアクタ11内の基板Wを加熱する。加熱部14は,サセプタ12の裏面から基板Wを例えば,約1000°Cまで加熱する。リアクタ11内にMOCVD原料ガスGrが供給され,基板Wが加熱されることで,基板Wに,半導体例えば,GaN,InN,AlN等の窒化物半導体の膜が形成される。このとき,MOCVD装置10内例えば,リアクタ11の内壁に膜の構成材料からなる付着物M実質的には膜の集積が形成される。付着物Mは,半導体材料例えば,GaN,InN,AlN等の窒化物半導体材料から構成される。また,加熱部14は,MOCVD装置10のクリーニング時に,MOCVD装置10内リアクタ11内を加熱し,クリーニングを促進する。MOCVD装置10内リアクタ11内を加熱することで,MOCVD装置10内の付着物Mを速やかに除去できるクリーニングレートRcの向上。なお,加熱部14とは別個に,クリーニング用の加熱部を別途有しても良い。クリーニングガス供給部15は,プラズマ生成部16にクリーニングガスGcを供給する。クリーニングガスGcは,次のガス1~3のいずれか1つを含む。1塩素Cl2ガス2炭化水素ガスメタンCH4,エタンC2H6,プロパンC3H8,エチレンC2H4,アセチレンC2H2の少なくとも1種類のガス3塩化炭化水素ガス塩素原子を含む炭化水素系ガス,例えば,CH3Cl,CH2Cl2,CHCl3の中の少なくとも1種類のガスガス2として,メタンガスCH4,エタンガスC2H6が望ましい。プロパン,エチレン,アセチレンは,プラズマ化したときに後述のメチレンラジカルCH2が発生し易く,クリーニングレートRcを大きくし難い。ガス2として,メタンガスCH4がより望ましい。メタンガスは,プラズマ化したときにメチレンラジカルCH2が発生し難く,クリーニングレートRcを大きくし易い。ガス3として,CH3Cl,CHCl3が望ましい。CH3Cl,CHCl3はそれぞれ,CH3ラジカル,Clラジカルを選択的に生成できる。後述のように,ガス1~3を共存させて用いるのは,MOCVD装置10のクリーニングに必ずしも好ましくない。このため,ガス1~3中,クリーニングガスGcとして選択されたガスG1に対する,他のガスG2ガス1~3の混入割合V2/V1は,1/5以下であることが好ましい。V1:選択されたガスの圧力V2:他のガスの圧力プラズマ生成部16は,クリーニングガスGcに電磁波例えば,2.45GHzマイクロ波等を照射する電磁波照射装置であり,クリーニングガスGcをプラズマ化する。プラズマ生成部16は,クリーニングガスGcを保持する空間クリーニングガス保持室を有し,この空間内のクリーニングガスGcに電磁波等を照射する。即ち,クリーニングガス保持室内のクリーニングガスGcがプラズマ化され,クリーニングガスGcのイオンと電子に分離されるプラズマ化クリーニングガスGpの生成。また,プラズマ生成部16は電極を有し,電極に供給した高周波電力等によりクリーニングガスGcをプラズマ化してもよい。このとき,プラズマPL自体イオン,電子に加えて,クリーニングガスGcのラジカル例えば,塩素ラジカルCl,炭化水素ラジカル,塩化炭化水素ラジカルが生成される。ラジカルは,不対電子を有する原子または原子団であり,他の原子,分子との反応性が高い。後述のように,このラジカルにより,MOCVD装置10が効率的にクリーニングされる。供給管17は,筒状の部材一例として,内径34mmであり,プラズマ生成部16で生成されたプラズマ化クリーニングガスGpプラズマおよびラジカルをリアクタ11内に供給する。供給管17の先端が,リアクタ11に接続される。供給管17は,絶縁体例えば,石英,ポリテトラフルオロエチレンテフロン,セラミックで構成できる。MOCVD装置10のクリーニング手順MOCVD装置10で,例えば,数10回,成膜がなされると,成膜の安定性,再現性の確保のために,MOCVD装置10リアクタ11の内部がクリーニングされる。図2は,MOCVD装置10のクリーニング手順の一例を表すフロー図である。1クリーニングガスGcのプラズマ化ステップS11クリーニングガス供給部15からプラズマ生成部16にクリーニングガスGcが供給される。これに先だって,処理した基板WをMOCVD装置10リアクタ11から取り出され,MOCVD原料ガスGrが排気ガスGoとして排気される。ここで,プラズマ生成部16に供給されたクリーニングガスGcは,供給管17を経由してリアクタ11内に導入される。供給管17,リアクタ11内をクリーニングガスGcで満たして,プラズマ生成部16からリアクタ11へのプラズマ化クリーニングガスGpの供給を可能とするためである。このとき,図示しない圧力調整手段でリアクタ11内が圧力計の所定の圧力50Pa以上,300Pa以下,一例として,133.3Paに保持される。なお,クリーニングガスGcの圧力範囲を設定する理由は後述する実施例1参照。プラズマ生成部16からクリーニングガスGcにマイクロ波を照射して,クリーニングガスGcをプラズマ化するプラズマ化クリーニングガスGpの生成。即ち,クリーニングガスGcの分子がイオンと電子に分離する。このとき,クリーニングガスGcのラジカルも生成される。2MOCVD装置10へのプラズマ化クリーニングガスGpの供給ステップS12プラズマ生成部16内クリーニングガス保持室内で生成されたプラズマ化クリーニングガスGpプラズマ化されたクリーニングガスGc,ラジカルを含むが供給管17からMOCVD装置10内リアクタ11内に供給される。このとき,MOCVD装置10内リアクタ11内は,加熱部14により,所定の温度例えば,200°C以上,400°C以下,一例として,300°Cに加熱される付着物Mの加熱。3プラズマ化クリーニングガスGpの付着物Mとの反応除去ステップS13プラズマ化クリーニングガスGpプラズマ化されたクリーニングガスGc,ラジカルを含むが,加熱された付着物Mと反応し,付着物Mをガス化する例えば,付着物Mを構成するGaNがGaCl3またはGaCH33に変化する。ガス化された付着物例えば,GaCl3またはGaCH33は,MOCVD装置10の排気系図示せずから排気ガスGoとして排気される。この結果,MOCVD装置10内リアクタ11内の付着物Mが除去される。本実施形態では,プラズマ化クリーニングガスGpラジカルを含むを用いることで,リアクタ11内の付着物Mが速やかにクリーニングされる。後述のように,クリーニングガスGcをプラズマ化しない場合,クリーニングガスGcと付着物Mの反応に高温例えば,650°C以上の温度が必要となる。これに対して,クリーニングガスGcをプラズマ化することで,例えば,Cl2ガスでは約250°C,CH4ガスでは約300°Cの温度でのクリーニングが可能となる後述の実施例1,2参照。クリーニングに高温が必要だと,昇温できない部材,すなわち水等で冷却される部材やアルミ製等の耐熱性の低い部材ではクリーニングは困難となる。冷却される部材では加熱し難い。また,耐熱性の低い部材は,高温では腐食するおそれがある。これに対して,400°C以下程度の比較的低温でクリーニング可能であれば,冷却される部材や耐熱性の低い部材でもクリーニングが容易となる。これは,プラズマ化の有無による,ラジカルの生成の容易性によるものである。次の式1は,塩素ガスからの熱エネルギーによる塩素ラジカルの生成を表すCl2ガスの熱分解。また,式2,3はそれぞれ,塩素ガス,メタンガスからのプラズマPL中の電子エネルギーによる塩素ラジカルCl,メチルラジカルCH3の生成を表す。Cl2熱エネルギー→2Cl...式1Cl2電子エネルギープラズマ→2Cl...式2CH4電子エネルギープラズマ→CH3H...式3ガスの熱分解の効率は,温度に大きく依存し,ガスの熱分解の効率を大きくするには,例えば,650°C以上の高温が必要となる後述の実施例1,2参照。これに対して,プラズマPL中には,高速の電子高エネルギーの電子が存在し,効率的にラジカルCl,CH3が生成される。この結果,プラズマ化の有無により,次の式4,5で示されるような,付着物M例えば,GaNとラジカルとの反応において,速度クリーニングレートRcの大小が生じる。ラジカルの量の大小により,付着物Mのクリーニングエッチング反応の速度が異なる。GaN3Cl→GaCl3↑1/2N2↑...式4GaN3CH3→GaCH33↑1/2N2↑...式5以上のように,プラズマ生成部16で生成されたプラズマ化クリーニングガスGpをリアクタ11内に導入することリモートプラズマアシストにより,クリーニングの温度が低減し,MOCVD装置10内部のクリーニングが容易となる。第2の実施形態第2の実施形態を説明する。図3は,第2の実施形態に係るMOCVD装置10のクリーニング手順の一例を表すフロー図である。なお,MOCVD装置10は,第1の実施形態と同一のものを利用できる。1水素ガスのプラズマ化ステップS21クリーニングガス供給部15からプラズマ生成部16に水素ガスが供給される。これに先だって,処理した基板WをMOCVD装置10リアクタ21から取り出し,MOCVD原料ガスGrが排気される。なお,プラズマ生成部16とは別個のプラズマ生成部を用いて,水素ガスをプラズマ化しても良い。ここで,プラズマ生成部16に供給された水素ガスは,供給管17を経由してリアクタ11内に導入される。供給管17,リアクタ11内を水素ガスで満たして,プラズマ生成部16からリアクタ11へのプラズマ化水素ガスの供給を可能とするためである。このとき,図示しない圧力調整手段でリアクタ11内が所定の圧力50Pa以上,300Pa以下,一例として,133.3Paに保持される。プラズマ生成部16から水素ガスにマイクロ波を照射して,水素ガスをプラズマ化する。即ち,水素ガスの分子がイオンと電子に分離する。このとき,水素ガスのラジカルHも生成される。2MOCVD装置10へのプラズマ化水素ガスの供給ステップS22プラズマ生成部16内クリーニングガス保持室内で生成されたプラズマ化クリーニングガスGpプラズマ化されたクリーニングガスGc,ラジカルを含むが供給管17からMOCVD装置10内リアクタ11内に供給される。このとき,MOCVD装置10内リアクタ11内は,加熱部14により,所定の温度例えば,200°C以上,400°C以下,一例として,300°Cに加熱される付着物Mの加熱。なお,クリーニングガスGcの圧力範囲を設定する理由は後述する実施例1参照。3プラズマ化水素ガスによる付着物Mの還元ステップS23プラズマ化水素ガスGpプラズマ化された水素ガス,ラジカルを含むが,加熱された付着物Mと反応し,付着物Mを還元する。即ち,例えば,付着物Mが酸化されている場合,付着物Mに結合した酸素が水素ラジカルと反応して除去される。酸素が水素と反応して水蒸気となり,MOCVD装置10の排気系図示せずから排気される。酸化した付着物は結合エネルギーが大きく,クリーニングガスGc,あるいはプラズマ化クリーニングガスGpと反応しにくいが,付着物Mを還元することで,付着物MがクリーニングガスGcと反応し易くなる。4クリーニングガスGcのプラズマ化ステップS115MOCVD装置10へのプラズマ化クリーニングガスGpの供給ステップS126プラズマ化クリーニングガスGpの付着物Mとの反応除去ステップS13付着物Mの還元の後,第1の実施形態と同様に,クリーニングガスGcのプラズマ化,MOCVD装置10内へのプラズマ化クリーニングガスGpの供給,付着物Mとの反応除去がなされる。本実施形態では,クリーニングガスGcでの処理に先立って,プラズマ化水素ガスでの処理が行われる。プラズマ化水素ガスでの付着物Mの還元後に,クリーニングガスGcによるクリーニングが行われるので,クリーニングの効率が向上する。なお,この詳細は,実施例4で後述する。第3の実施形態第3の実施形態を説明する。図4は,第3の実施形態に係るMOCVD装置10のクリーニング手順の一例を表すフロー図である。なお,MOCVD装置10は同一のものを利用できる。1クリーニングガスGc1のプラズマ化ステップS312MOCVD装置10へのプラズマ化クリーニングガスGp1の供給ステップS323プラズマ化クリーニングガスGp1の付着物Mとの反応除去ステップS334クリーニングガスGc2のプラズマ化ステップS345MOCVD装置10へのプラズマ化クリーニングガスGp2の供給ステップS356プラズマ化クリーニングガスGp2の付着物Mとの反応除去ステップS36本実施形態では,クリーニングガスG1によるクリーニングの後に,クリーニングガスG2によるクリーニングが行われる。クリーニングレートRcの大きいクリーニングガスG1例えば,塩素ガスと,クリーニングレートRcの比較的小さいクリーニングガスG2例えば,炭化水素ガスとを組み合わせることで,MOCVD装置10内の高速かつ綺麗な仕上がりのクリーニングが可能となる。クリーニングガスG1での高速なクリーニングの後に,クリーニングガスG2でMOCVD装置10内をきめ細かくクリーニングできる。実施例1以下,実施例1を説明する。実施例1は,第1の実施形態において,クリーニングガスGcとしてガス1を用いた場合に対応する。即ち,クリーニングガスGcとして,塩素Cl2ガスを用いる。具体的には,クリーニングガスGcとして,塩素Cl2ガス,および窒素N2ガスの混合ガス例えば,1:1で塩素ガス,および窒素ガスを混合するを用いる。例えば,塩素ガス100sccm,窒素ガス100sccmをクリーニングガス供給部15から供給管17を経由してリアクタ11内に導入する。このとき,リアクタ11内が50Pa以上,300Pa以下に保持される。ここでは,圧力を133.3Paとした。プラズマ生成部16に電力900Wを供給して,2.45GHzのマイクロ波をクリーニングガスGcに照射して,プラズマPLを発生させる。この結果,塩素ラジカルプラズマ化クリーニングガスGpが供給管17からリアクタ11内に供給される。このとき,リアクタ11の内部を予め300°Cに加熱しておく。この結果,リアクタ11の内部に付着した5μm厚の付着物Mが約20分でクリーニングされる。図5は,上記条件での実験で得られた,クリーニング効果部材温度依存性を表すグラフである。グラフの横軸,縦軸が温度T温度Tの逆数およびクリーニングレートRcエッチングレートを表す。グラフG10,G11がそれぞれ,クリーニングガスGc塩素ガスをプラズマ化しない場合圧力100000Pa,プラズマ化した場合圧力133.3PaでのクリーニングレートRcを表す。プラズマ化しない場合には減圧よりも常圧条件でRcが大きくなる。クリーニングレートRcが,0.1[μm/min]基準レートRs以上であることが好ましい。クリーニングレートRcが基準レートRsより小さいと,クリーニングに時間を要し,実用性に欠けることになる。図5に示すように,塩素ガスをプラズマ化しない場合では,650°C程度以上の温度で,基準レートRs以上のクリーニングレートRcが得られる。一方,塩素ガスをプラズマ化した場合では,250°C程度以上の温度で,基準レートRs以上のクリーニングレートRcが得られる。既述のように,水冷等で冷却される部材やアルミ製等の耐熱性の低い部材を考慮すると,クリーニング時の温度は400°C以下とするのが好ましい。即ち,塩素ガスをプラズマ化することで,温度が250°C~400°Cの範囲で効率的なクリーニングが可能となる。ここで,反応シミュレータChemkinを用いて,塩素ガスのラジカルによるクリーニングを解析シミュレーションした。図6は,この解析結果を表すグラフである。グラフの横軸,縦軸がそれぞれ,塩素ガスのプラズマPLの中心からの距離L,およびClラジカル濃度Cを表す。グラフG1,G5,G10,G20がそれぞれ,ガス圧塩素ガスと窒素ガスの混合ガスの圧力が,133,667,1333,2666Paでの距離Lとラジカル濃度Cの関係を表す。ここでは,距離Lに応じて,ラジカルが存在する空間が,プラズマ領域A1,輸送領域A2,高温領域A3に区分される。プラズマ領域A1は,プラズマPLが発生する領域例えば,マイクロ波が照射される領域である。このプラズマ領域A1で塩素ガスと電子が衝突することで,塩素ラジカルが生成される。このため,プラズマ領域A1でのラジカル濃度Cは高い。輸送領域A2は,プラズマ領域A1で生成されたラジカルが輸送される領域である。この輸送領域A2では,ラジカル同士の再結合により,ラジカルが消滅する。このため,輸送領域A2では,一般に,距離Lの増大と共に,ラジカル濃度Cが低下する傾向にある。高温領域A3は,加熱等で高温に設定された領域例えば,加熱された付着物Mである。この高温領域A3では,輸送されたラジカルが他の原子等と反応して消費される。このため,輸送領域A2から高温領域A3に入ると,ラジカル濃度Cが急激に低下する。図6に示すように,高いガス圧下,例えば,圧力2666Paの場合,プラズマ領域A1でのラジカル濃度Cは高い。しかし,輸送領域A2でのラジカル濃度Cは急激に減少する傾向にある。ラジカルによる効率的なクリーニングには,高濃度でのラジカルの輸送,即ち,輸送領域A2でのラジカル濃度Cが高いことが重要である。ラジカルが輸送過程で再結合消滅し,リアクタ11の内壁等に到達できる塩素ラジカルが少なくなる可能性がある。図6のグラフG1に示されるように,133Pa前後例えば,50Pa以上,300Pa以下の圧力が好ましいと言える。この圧力範囲は,プラズマ領域A1でのラジカルの発生,輸送領域A2でのラジカルの消滅を考慮して選択される。クリーニングガスGcの圧力が50Paより小さいと,プラズマ領域A1でのラジカル濃度Cが小さくなる。クリーニングガスGcの圧力が300Paより大きいと,輸送領域A2でのラジカルの消滅の割合が大きくなる。ここでは,塩素ラジカルの場合ガス1に対応を説明した。他のラジカル,例えば,炭化水素ラジカル,塩化炭化水素ラジカルの場合ガス2,3に対応でも,ラジカルの濃度は,同様の傾向を有する。実施例2以下,実施例2を説明する。実施例2は,第1の実施形態において,クリーニングガスGcとしてガス2を用いた場合に対応する。即ち,クリーニングガスGcとして,メタンガスCH4,エタンガスC2H6,プロパンガスC3H8,エチレンガスC2H4,アセチレンガスC2H2の少なくとも1種類の炭化水素ガスを用いる。具体的には,メタンガスCH4を100sccm,H2ガスを300sccm,クリーニングガス供給部15からプラズマ生成部16に流した。プラズマ生成部2.45GHzマイクロ波照射装置16に電力900Wを供給してプラズマPLを発生させることにより,メチルラジカルCH3を含むプラズマ化クリーニングガスGpが供給管17からリアクタ11内に供給される。このとき,リアクタ11の内部を予め300°Cに加熱しておく。この結果,リアクタ11の内部に付着した5μm厚の付着物Mが約50分でクリーニングされた。図7は,上記条件での実験で得られた,クリーニング効果部材温度依存性を表すグラフである。グラフの横軸,縦軸が温度T温度Tの逆数およびクリーニングレートRcエッチングレートを表す。グラフG21がプラズマ化した場合圧力100Paのエッチングレートを表す。一方,メタンガスをプラズマ化しない場合,エッチングは高温領域でも観測されなかったRC<10-3μm/min。図7に示すように,メタンガスをプラズマ化した場合では,300°C程度以上の温度で,基準レートRs以上のクリーニングレートRcが得られる。既述のように,クリーニング時の温度は400°C以下とするのが好ましい。即ち,メタンガス等の炭化水素をプラズマ化することで,温度が300°C~400°Cの範囲で効率的なクリーニングが可能となる。ここで,クリーニングガスGcへの水素ガスの混合は,クリーニングレートRcの確保に有効である。炭化水素ガスと水素ガスの圧力の比率として,例えば,1/101:10~1/21:2を採用できる既述の具定例では,1/31:3。水素ガスは,付着物Mあるいはその周囲の雰囲気を還元して,付着物Mの分解を促進する。その一方,水素ガスの混合比を大きくし過ぎると,エッチングガス不足により付着物Mの分解が阻害される。また,炭化水素ガスに水素ガスを添加することで,リアクタ11の内部での炭化水素の膜カーボン膜の形成付着,汚染を防止し,クリーニング反応式5参照を促進できる。またプラズマによりメチルラジカルCH3だけでなくメチレンラジカルCH2が生成される式6参照。メチレンラジカルは,重合反応して供給管17やリアクタ11の内部で炭化水素の膜を形成する可能性がある式7参照。水素ガスの添加により水素ラジカルが発生する式8参照。水素ラジカルは,メチレンラジカルをメチルラジカルに変換し式9参照,重合反応リアクタ11の汚染を抑制する。CH4電子エネルギープラズマ→CH22H...式6nCH2→CH2n↓...式7H2電子エネルギープラズマ→2H...式8CH2H→CH3...式9水素H2ガスを添加しない場合と比較して,炭化水素ガスに水素ガスを添加することで,クリーニングレートRcは約10倍増加したメタンガスCH4と水素H2ガスを1:3で混合したガスをクリーニングガスGcとした場合。実施例3以下,実施例3を説明する。実施例3は,第1の実施形態において,クリーニングガスGcとしてガス3を用いた場合に対応する。即ち,クリーニングガスGcとして,塩化炭化水素ガス塩素原子を含む炭化水素系ガス,例えば,CH3Cl,CH2Cl2,CHCl3の中の少なくとも1種類のガスを用いる。塩化炭化水素のラジカルを用いることで,比較的低温で,高いクリーニングレートRcを確保可能となる。実施例1に示したように,塩素ラジカルによるクリーニングには250°C程度の温度が必要である。塩素ラジカルからの生成物であるGaCl3の蒸気圧が低く,大気圧下での沸点が210°Cと比較的高いためである。図8に,GaCl3,GaCH32Cl,GaCH33の蒸気圧曲線を表す。本図に示すように,塩素基Clに対するメチル基CH3の個数が多い方が,蒸気圧が低下する傾向がある。即ち,GaCl3よりもGaCH3Cl2,GaCH32Cl,GaCH33は蒸気圧が高い。このことは,より低温下でのクリーニングの可能性を示している。しかし,Cl2ガスとCH4ガスを直接混合させると,塩素ラジカルは塩化水素となり,さらにメチレンラジカルCH2ラジカルが生成する式10,11参照。そして,メチレンラジカルの重合反応により,カーボン膜炭化水素膜が生成し,クリーニングレートRcは極端に減少する可能性がある。また,塩化水素ラジカルは塩素ラジカルと比較して,付着物Mの構成元素間の結合例えば,GaNの結合を切断する反応性が小さい。CH3Cl→CH2HCl...式10CH3Cl2→CH2HClCl...式11塩素ラジカルの減少とカーボン膜の生成とを防止するため,塩化炭化水素塩素原子を含む炭化水素系ガス,例えば,CH3Cl,CH2Cl2,CHCl3の中の少なくとも1種類のガスをクリーニングガスGcとして用いる。この結果,メチレンラジカルの生成が抑制され,低温での高いクリーニングレートRcの確保が可能となる。塩化炭化水素の内,CH3Cl,CHCl3が望ましい。CH3Clは,CH3ラジカルを選択的に生成しやすい。CHCl3は,Clラジカルを選択的に生成しやすい。実施例4以下,実施例4を説明する。実施例4は,第2の実施形態に対応する。GaNに対する塩素ラジカルを用いたクリーニングにおいては,特に,酸素または酸素原子を含む成分の混入を避けなければならない。クリーニングガスGcが酸素等を含む場合,Gaと酸素の結合エネルギーがGaと窒素や塩素との結合エネルギーよりも大きく安定なため,GaNと塩素ラジカルの反応過程では特に,表面に酸化膜が生成しやすい。その結果,クリーニングレートRcが低下する可能性がある。GaNの結晶表面は酸素への暴露に対して比較的安定である。しかし,この塩素を介した一時的分解が起こる経過を経る酸化物生成機構は,GaNを単純に酸素に曝すよりも非常に効率的に進む。一例として,図9,図10にサファイア基板上に作製された約2μmのGaNエピタキシャル膜を700°Cで266Paの塩素に曝した残膜の観測結果を示す。図9,図10はそれぞれ,約2000倍,10000倍の走査電子顕微鏡の像を表す。サファイア基板の貫通転位を中心として,特異的な多孔質膜が成長している。成分分析の結果,この多孔質膜は,Ga,O,Nそれぞれの組成比が,20.01,75.46,4.54atであり,ほぼ純粋な酸化ガリウムであることが示された。窒化ガリウムGaNが酸化ガリウムに変化したと考えられる。この酸化物の形成は,クリーニングガスGc中への酸素の混入や,リアクタ11の構成部材石英やステンレス等からの酸素成分の遊離が原因と考えられる,第1の実施形態実施例1から3でのクリーニングにおいて,酸素または酸素を含む種が共存しないようにすることが望ましい。しかし,このようなリアクタ11の構成部材等から遊離する酸素成分を考慮すると,クリーニング中での酸素の混入を完全に排除するのは困難である。このように,酸化物が形成されると,ガス1~3を用いたクリーニングは困難となる可能性がある。このような場合に,第2の実施形態に示したように,水素ラジカル等による還元が有効となる。即ち,クリーニングガスGcでのクリーニングの前に,水素ガスラジカルで付着物Mを還元する。実施例2に示したように,クリーニングガスGcに水素ガスを混入しても良い。このようにすることで,クリーニングガスGcをプラズマ化したときに,ガス1~3のラジカルに加えて,水素ラジカルが発生する。このようにすることで,リアクタ11に導入するガスおよびリアクタ11周囲の雰囲気中の酸素種を還元できる。また,水素ラジカルによる付着物Mの還元と,ガス1~3のラジカルによる付着物Mの分解を同時に進行させることができる。但し,還元反応と分解反応を同時に進行させる場合クリーニングガスGcに水素ガスを混入する場合,水素の分圧をある程度抑えることが好ましい。水素の圧力が高いと,水素の反応が過剰に進み,塩素ラジカルでの反応が抑制される。その結果,塩化水素によるエッチングと同等の遅い反応速度となる。実施例2で示したように,炭化水素ガス:水素ガスの圧力の比率として,例えば,1/101:10~1/21:2を採用できる一例として,1/31:3。クリーニングに先だって,水素ラジカルによる還元処理を行う場合第2の実施形態に対応には,水素ガスの圧力を抑える必要はない。また,水素ラジカルによる処理と塩素ラジカルによる処理を交互に実行することも可能である。酸化反応を抑えたクリーニングが達成できる。図11は,水素ラジカルと塩素ラジカルの共存下水素ガスと塩素ガスを含むクリ-ニングガスのプラズマラジカルで,サファイヤ基板上のGaNの膜を処理した結果を表す走査電子顕微鏡の像を表す。このように,図9,図10に示された多孔質膜酸化ガリウムが生成しない付着物Mここでは,GaNを除去可能である。その他の実施形態以上,MOCVD装置10のクリーニング方法を説明した。このクリーニング方法は,MOCVD装置10のみならず,成膜装置一般に適用できる。また,例えば,第2の,第3の実施形態を組み合わせても良い。即ち,水素ラジカルによる還元処理の後に,プラズマ化クリーニングガスGp1による処理,プラズマ化クリーニングガスGp2による処理を行うことも可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが,これらの実施形態は,例として提示したものであり,発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は,その他の様々な形態で実施されることが可能であり,発明の要旨を逸脱しない範囲で,種々の省略,置き換え,変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は,発明の範囲や要旨に含まれるとともに,特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"