"モールド表面上の凹凸形状の凸部間隔又は凹部間隔の平均ピッチが、40nm以上250nm以下であり、平均ピッチ分布における標準偏差が、前記平均ピッチの10以上40以下であり、かつ、前記モールド表面上の平坦部面積率が、0以上50以下である、反射防止膜製造用モールド。下記の工程:1基材表面にマスク層を形成する工程;2芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2とをブロック部分として含むブロックコポリマーaを構成成分として含むレジスト層を、前記マスク層上に形成する工程;3前記レジスト層を大気雰囲気下でアニールして前記ブロックコポリマーaを相分離させて、海島構造の自己組織化パターンを形成する工程;4エッチングにより、相分離させたレジスト層中のポリメタアクリレート部分を選択的に除去する工程;5残存した芳香環含有ポリマー部分によりパターニングされたレジスト層をマスクとしてエッチングを行い、前記マスク層に前記パターニングされたレジスト層のパターンを転写する工程;6パターニングされたマスク層に対してエッチングを行い、前記基材表面に前記パターニングされたマスク層のパターンを転写する工程;及び7前記パターニングされたレジスト層及び前記パターニングされたマスク層を除去した後、パターニングされた基材表面を離型剤で処理する工程;を含む、請求項1に記載の反射防止膜製造用モールドの製造方法。前記レジスト層が、前記poly1を構成するモノマーから合成された芳香環含有ホモポリマーb、及び/又は前記poly2を構成するモノマーから合成されたポリメタアクリレートホモポリマーcをさらに含む、請求項2に記載の方法。前記poly1と前記poly2の質量比が、10:90~90:10である、請求項2又は3に記載の方法。前記ブロックコポリマーaの数平均分子量が、5.0万以上500万以下である、請求項2~4のいずれか一項に記載の方法。前記poly1の数平均分子量Mn1が、3.0万以上100万以下であり、かつ前記poly2の数平均分子量Mn2が、1.0万以上150万以下である、請求項2~5のいずれか一項に記載の方法。前記Mn1が前記Mn2より大きい場合には、前記レジスト層はホモポリマーbを含み、前記Mn1が前記Mn2より小さい場合には、前記レジスト層はホモポリマーcを含む、請求項6に記載の方法。前記レジスト層全体に対する前記ブロックコポリマーaの質量比が30質量以上90質量以下であり、前記ホモポリマーbと前記ホモポリマーcの合計の質量比が10質量以上70質量以下である、請求項2~7のいずれか一項に記載の方法。前記6工程におけるエッチングを、Arを含むエッチングガスを用いる等方性リアクティブイオンエッチングにより行う、請求項2~8のいずれか一項に記載の方法。前記poly1がポリスチレンであり、かつ前記poly2がポリメタクリル酸メチルである、請求項2~9のいずれか一項に記載の方法。前記ブロックコポリマー中の前記ポリスチレンの割合が、10質量以上95質量以下である、請求項10に記載の方法。前記基材がSiである、請求項2~11のいずれか一項に記載の方法。前記マスク層がSiO2である、請求項2~12のいずれか一項に記載の方法。請求項1に記載の反射防止膜製造用モールドを使用して製造し、降伏歪みが1以上であり、かつ引張伸度が10以上である樹脂からなり、かつ厚み平均が0.2μm~4μmである反射防止膜。前記樹脂が、パーフルオロアルキルエーテル環構造を有するアモルファスフッ素樹脂である、請求項14に記載の反射防止膜。微細凹凸構造を表面に有する反射防止膜製造用のモールドは、対象とする光の波長に応じて任意にそのピッチ、高さを設計する必要がある。しかしながら、特許文献1に記載されているモールドの製造方法では、凹凸構造のピッチが100nmのモールドしか製造できない。一方、特許文献2に記載されているモールドの製造方法では、ピッチ、高さを変えたモールドを作製することは可能だが、転写して得られた凹凸構造の規則性が高いため、干渉色が生じ、例えば反射防止膜等の用途で外観上の問題となる。微細凹凸構造によって反射防止膜が反射防止性能を発現するためには、反射防止膜表面上の平坦部の面積が小さい必要がある。しかしながら、特許文献3の微細凹凸構造は、反射防止性能の発現を目的としておらず、凹凸構造以外の平坦部の面積が大きい。そのため特許文献3に記載の微細凹凸構造は、反射防止膜製造用のモールドとして適切ではなく、また特許文献3には、平坦部の面積を小さくするための教示も示唆もされていない。ところで、近年の光学装置の精密化に伴い、使用される光学素子の形状も複雑化している。そして光学素子の形状の複雑化に伴い、複雑な形状を有する光学素子、具体的には球面形状のような直交する2軸方向において断面が曲面形状となるような光学素子に対して追従可能な反射防止膜が求められている。しかし、特許文献4に記載されている凹凸構造を有するモールドに紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を充填して硬化させた後、モールドから剥離することによって反射防止膜の薄膜を作製する場合、膜が破れて作製し難いという問題があった。また、溶融状態にある熱可塑性樹脂をモールドに充填して冷却硬化させた後、モールドから剥離することによって凹凸構造を持つ反射防止膜を作製する場合にも同様の問題があった。更に、全体の系が厚いと、球面形状の様な直交する2軸方向において断面が曲面形状となる部材に反射防止膜を貼り付けた際に、反射防止膜が形状に追従しきれず、隙間エアギャップが生じてしまい、その結果、反射防止効果が得られない場合がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、形状追従性に優れた反射防止膜及びその製造用モールド並びにその製造方法を提供することを目的とする。本発明は以下の通りである。1モールド表面上の凹凸形状の凸部間隔又は凹部間隔の平均ピッチが、40nm以上250nm以下であり、平均ピッチ分布における標準偏差が、前記平均ピッチの10以上40以下であり、かつ、前記モールド表面上の平坦部面積率が、0以上50以下である、反射防止膜製造用モールド。2下記の工程:1基材表面にマスク層を形成する工程;2芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2とをブロック部分として含むブロックコポリマーaを構成成分として含むレジスト層を、前記マスク層上に形成する工程;3前記レジスト層を大気雰囲気下でアニールして前記ブロックコポリマーaを相分離させて、海島構造の自己組織化パターンを形成する工程;4エッチングにより、相分離させたレジスト層中のポリメタアクリレート部分を選択的に除去する工程;5残存した芳香環含有ポリマー部分によりパターニングされたレジスト層をマスクとしてエッチングを行い、前記マスク層に前記パターニングされたレジスト層のパターンを転写する工程;6パターニングされたマスク層に対してエッチングを行い、前記基材表面に前記パターニングされたマスク層のパターンを転写する工程;及び7前記パターニングされたレジスト層及び前記パターニングされたマスク層を除去した後、パターニングされた基材表面を離型剤で処理する工程;を含む、1に記載の反射防止膜製造用モールドの製造方法。3前記レジスト層が、前記poly1を構成するモノマーから合成された芳香環含有ホモポリマーb、及び/又は前記poly2を構成するモノマーから合成されたポリメタアクリレートホモポリマーcをさらに含む、2に記載の方法。4前記poly1と前記poly2の質量比が、10:90~90:10である、2又は3に記載の方法。5前記ブロックコポリマーaの数平均分子量が、5.0万以上500万以下である、2~4のいずれか一項に記載の方法。6前記poly1の数平均分子量Mn1が、3.0万以上100万以下であり、かつ前記poly2の数平均分子量Mn2が、1.0万以上150万以下である、2~5のいずれか一項に記載の方法。7前記Mn1が前記Mn2より大きい場合には、前記レジスト層はホモポリマーbを含み、前記Mn1が前記Mn2より小さい場合には、前記レジスト層はホモポリマーcを含む、6に記載の方法。8前記レジスト層全体に対する前記ブロックコポリマーaの質量比が30質量以上90質量以下であり、前記ホモポリマーbと前記ホモポリマーcの合計の質量比が10質量以上70質量以下である、2~7のいずれか一項に記載の方法。9前記6工程におけるエッチングを、Arを含むエッチングガスを用いる等方性リアクティブイオンエッチングにより行う、2~8のいずれか一項に記載の方法。10前記poly1がポリスチレンであり、かつ前記poly2がポリメタクリル酸メチルである、2~9のいずれか一項に記載の方法。11前記ブロックコポリマー中の前記ポリスチレンの割合が、10質量以上95質量以下である、10に記載の方法。12前記基材がSiである、2~11のいずれか一項に記載の方法。13前記マスク層がSiO2である、2~12のいずれか一項に記載の方法。141に記載の反射防止膜製造用モールドを使用して製造した、降伏歪みが1以上であり、かつ引張伸度が10以上である樹脂からなり、かつ厚み平均が0.2μm~4μmである反射防止膜。15前記樹脂が、パーフルオロアルキルエーテル環構造を有するアモルファスフッ素樹脂である、14に記載の反射防止膜。本発明によれば、反射防止性に優れ、かつ形状追従性に優れた反射防止膜を容易に製造することが可能なモールドを提供することが可能となる。そして本願発明の反射防止膜製造用モールドによって製造された反射防止膜は形状追従性に優れるため、直交する2軸方向において断面が曲面形状となる部材、例えばレンズ貼り付けた際にも極めて隙間が生じにくい。<反射防止膜製造用モールド>本発明の反射防止膜製造用モールドは、モールド表面上の凹凸形状の凸部間隔又は凹部間隔の平均ピッチが、40nm以上250nm以下であり、平均ピッチ分布における標準偏差が、該平均ピッチの10以上40以下であり、かつ、該モールド表面上の平坦部面積率が、0以上50以下である。本発明の反射防止膜製造用モールドは、平均ピッチが、40nm以上250nm以下である。さらに、モールド表面の平均ピッチ分布における標準偏差が、該平均ピッチの10以上40以下である。ここで、平均ピッチとは、隣接する凸部間隔、又は凹部間距離の平均値である。さらに、モールド表面の平坦部面積率が、0以上50以下である。ここで平坦部面積率とは、モールドの表面積に対する平坦部の面積の割合である。平坦部とは、モールド表面における凹部と凸部以外の部分である。平均ピッチ、平均ピッチ分布における標準偏差、平坦部面積率は、画像解析ソフト、例えば、A像くん旭化成エンジニアリング株社製を用いて計算することができる。平均ピッチは、対象とする光学波長と同程度以下であると反射防止効果が高まり、好ましい。通常光学素子には150nmから2000nmの波長が使用されることから、反射防止効果を高めるには平均ピッチを250nm以下にすることが好ましい。より好ましくは150nm以下、特に好ましくは100nm以下である。また、光学素子に使用される波長と同程度という観点から、40nm以上にすることが好ましい。より好ましくは50nm以上、さらに好ましくは70nm以上、特に好ましくは75nm以上である。また、モールド表面の平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの10以上40以下とすることで、モールド表面を転写して製造する反射防止膜表面の凹凸構造の規則性を抑え、干渉色を生じにくくすることができて好ましい。より好ましくは15以上35以下、特に好ましくは20以上30以下である。また、微細凹凸構造によって反射防止膜が反射防止性能を発現するためには、反射防止膜表面上に平坦部が少ない方が好ましい。そのため、平坦部面積率が0以上50以下にすることが好ましい。より好ましくは0以上40以下、特に好ましくは0以上30以下である。平坦部面積率を0以上30以下とすることで充分な反射防止性能を発現することができる。また、モールド表面を転写して製造する反射防止膜が良好な光学特性を得る観点から、モールド表面の凸部の高さあるいは凹部の深さは、平均ピッチの0.5倍から2.0倍、特には1.0倍から2.0倍が好ましい。ここで定義する凸部の高さ、凹部の深さとは、モールド表面における凹凸構造の凹部底点と凸部頂点の高さの差を指す。モールドの材料としては十分な平坦性が確保できる材質の物が好ましく、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックス基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素等半導体基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリナフタレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン等の樹脂基板、紙、不織布等が挙げられる。特にシリコンを用いると高い精度でのモールド表面の平坦性を確保することができ、又、モールド表面上の凹凸が作製しやすい為、好ましい。また、モールドが後述する凹凸構造層乾燥時の温度ムラにより割れる恐れがあることを考慮して、モールドの熱膨張係数は小さいほど好ましい。特に、0°C~300°Cにおける線膨張係数が50×10-7m/°C以下であることが好ましい。モールド面の凹凸構造は前述した凹凸構造層の凹凸構造と対応した形状を設けておけばよい。<反射防止膜製造用モールドの製造方法>本発明の反射防止膜製造用モールドの製造方法は、下記工程を有する方法である:1基材表面にマスク層を形成する工程;2芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2とをブロック部分として含むブロックコポリマーaを構成成分として含むレジスト層を、該マスク層上に形成する工程;3該レジスト層を大気雰囲気下でアニールして該ブロックコポリマーを相分離させて、海島構造の自己組織化パターンを形成する工程;4エッチングにより、相分離させたレジスト層中のポリメタアクリレート部分を選択的に除去する工程;5残存した芳香環含有ポリマー部分によりパターニングされたレジスト層をマスクとしてエッチングを行い、該マスク層に該パターニングされたレジスト層のパターンを転写する工程;6パターニングされたマスク層に対してエッチングを行い、該基材表面に該パターニングされたマスク層のパターンを転写する工程;7該パターニングされたレジスト層及び該パターニングされたマスク層を除去した後、パターニングされた基材表面を離型剤で処理する工程。以下、上記の各工程について詳細に説明する。[1工程]まず、モールド表面となる基材表面にマスク層を形成する。マスク層の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、熱酸化法、高周波プラズマCVD法、マイクロプラズマCVD法、ECR法、熱CVD法、LPCVD法など公知公用の様々な方法から適宜選択することができる。[2工程]次に、マスク層上にレジスト層を形成する。マスク層上にレジスト層を形成させる方法としては、以下に詳細に述べるレジスト層形成用溶液を、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、インクジェット法で塗布する方法、スクリーン印刷機、グラビア印刷機、オフセット印刷機等で印刷する方法が挙げられ、膜厚の均一性という観点から、スピンコート法が好ましい。レジスト層の形成後、得られた塗布膜を、風乾、オーブン、ホットプレート等により加熱乾燥又は真空乾燥させて溶剤を揮発させることができる。溶剤を揮発させた後の膜厚は、平均ピッチの制御の観点から、1μm以下が好ましく、より好ましくは10nm以上500nm以下であり、更に好ましくは30nm以上300nm以下である。なお、膜厚の測定法としては、膜に傷を付け、端子を表面に接触させてその段差を測る接触法や、エリプソメトリーを用いる非接触法で求めることができる。塗布膜を基材ごと加熱する方法としては、大別してホットプレートのように基材の下側から直接伝熱させる方法と、オーブンのように高温の気体を対流させる方法を挙げることができる。[3工程]レジストを大気雰囲気下で加熱し、レジスト層中のブロックコポリマーを相分離させることにより、2つのポリマー相から構成される海島構造の自己組織化パターンを形成することができる。レジスト層を構成するパターン形成用樹脂組成物は、芳香環含有ポリマー相とポリメタアクリレート相とに自発的に相分離を起こし、自己組織化パターンを形成する。ここで自己組織化パターンとは、自発的に組織化して形成されるパターンのことを指す。レジスト層をアニールする工程は、130°C以上280°C以下の温度範囲でホットプレート上で加熱する場合、1分以上1時間以下が好ましい。オーブン内で加熱する場合は、1時間以上100時間以下が好ましい。ホットプレートのように、基材の下側から直接伝熱させる場合の方が、より短時間で海島構造の自己組織化パターンを得ることができる。加熱は酸素と不活性気体の混合物雰囲気中で行うことが好ましく、130°C以上280°C以下の温度範囲で加熱することで焼成物の流動性を確保でき、熱分解を抑制することができ、自己組織化パターンを形成することができる。本発明では、好ましくはこのように海島構造のパターンを制御することによって、平坦部を小さくする。[4工程]レジスト層中の芳香環含有ポリマー相は、ポリメタアクリレート相より耐エッチング性が高い。そのため、エッチング、例えばリアクティブイオンエッチングにより、レジスト層中に形成された海島構造の自己組織化パターンからポリメタアクリレート相を選択的に除去することができる。なお、4工程と5工程とは、同時に又は続けて実行することが出来る。リアクティブイオンエッチングを経て残存した芳香環含有ポリマー相は、次の工程である5工程において、マスク層のマスクとなる。そのため、リアクティブイオンエッチングを経て残存する芳香環含有ポリマー相の膜厚は、厚い方が好ましい。芳香環含有ポリマー相の残存膜厚を厚くするためには、リアクティブイオンエッチングによるエッチング選択比ポリメタアクリレートのエッチング速度/芳香環含有ポリマーのエッチング速度が、1以上あることが好ましい。さらに、エッチング選択比が2以上あるとより好ましく、4以上であれば、5工程におけるマスク層のマスクとして充分な芳香環含有ポリマー部分の残存膜厚とすることができるため、さらに好ましい。リアクティブイオンエッチングは、対象物の水平方向よりも垂直方向のエッチング速度が大きくなる異方性エッチングで行う。使用可能なエッチング装置としては、反応性イオンエッチング装置、イオンビームエッチング装置などの異方性エッチングが可能なものであって、最小で20W程度のバイアス電場を発生できるものであれば好適に用いることができる。[5工程]4工程において、エッチングを経て残存した耐エッチング性の高い芳香環含有ポリマー相をマスクとして、マスク層をエッチングし、マスク層に海島構造の自己組織化パターンを転写することができる。マスク層は、レジスト層の下に設けられ、4工程におけるエッチングを経て残存した海島構造の自己組織化パターンが転写される層である。また、マスク層は、次の工程である6工程において、基材のマスクとなる。マスク層のエッチングは、芳香環含有ポリマーの相がエッチングされて消失する前に完了する必要がある。そのため、エッチング選択比マスク層のエッチング速度/芳香環含有ポリマーのエッチング速度が、0.1以上あることが好ましく、2以上あるとより好ましい。エッチング選択比が4以上であれば、4工程において残存した芳香環含有ポリマーの相の残存膜厚が薄くても、マスク層に海島構造の自己組織化パターンを転写できるため、さらに好ましい。[6工程]5工程において海島構造の自己組織化パターンが転写されたマスク層をマスクとして、基材をエッチング、例えばリアクティブイオンエッチングによって、基材表面に海島構造の自己組織化パターンを転写することができる。基材のエッチングは、5工程において海島構造の自己組織化パターンが転写されたマスク層が、エッチングされて消失する前に完了させる必要がある。そのため、エッチング選択比基材のエッチング速度/マスク層のエッチング速度が、0.1以上あることが好ましく、2以上あるとより好ましい。エッチング選択比が4以上であれば、アスペクト比が高い凹凸構造を基材表面に形成することができるため、さらに好ましい。[7工程]基材表面を離型剤で処理する方法としては、離型剤をスピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、インクジェット法で塗布する方法が挙げられる。[基材]本発明の方法で用いられる基材の材料としては、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックス基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素等半導体基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリナフタレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン等の樹脂基板、紙、不織布等が挙げられる。これらの材料の中でもモールドの作製が簡便である点から、シリコンが好ましい。基材表面は、本発明の方法の工程を経てモールド表面となる。[マスク層]本発明の方法で用いられるマスク層の材料としては酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜のような絶縁膜、又はドーピングされたポリシリコン、金属のような導電膜が挙げられる。シリコンを基材として選択した場合、マスク層は、シリコンとエッチング選択比が大きく取れる酸化シリコンが好ましく、酸化シリコンをマスク層として形成させる方法としては、簡便で良質な膜が得られる熱酸化法が好ましい。[レジスト層]本発明の方法で用いられるレジスト層は、ブロックコポリマーa、芳香環含有ホモポリマーb、ポリメタアクリレートホモポリマーcを含む樹脂組成物である。前記レジスト層全体に対する、ブロックコポリマーaの質量比は、10質量以上100質量以下であり、好ましくは30質量以上90質量以下であり、より好ましくは40質量以上80質量以下である。レジスト層を構成する樹脂組成物全体に対する、ホモポリマーbとホモポリマーcとの合計の質量比は、0.0質量~90質量の範囲が挙げられ、より好ましくは、0.0質量~80質量であり、さらに好ましくは10質量~70質量である。[レジスト層-ブロックコポリマーa]ブロックコポリマーaは、芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2をブロック部分として含むブロックコポリマーである。ブロックコポリマーa全体に対する、芳香環含有ポリマー部分とポリメタアクリレート部分の合計の比率としては、50モル以上100モル以下が挙げられ、より好ましくは、60モル以上100モル以下であり、さらに好ましくは70モル以上100モル以下である。芳香環含有ポリマー部分poly1と、ポリメタアクリレート部分poly2との質量比としては、10:90から90:10の範囲が挙げられ、好ましくは20:80から85:15、より好ましくは30:70から80:20である。この範囲は、各部分の分子量や、用いるホモポリマーの量等によって変動しうる。ブロックコポリマーa中の芳香環含有ポリマー部分poly1の割合としては、10質量以上95質量以下が挙げられ、好ましくは20質量以上90質量以下が挙げられ、より好ましくは30質量以上85質量以下である。本発明で用いるブロックコポリマーaを構成するブロックの必須成分の一つである芳香環含有ポリマーpoly1は、芳香環又はピリジン環のような複素芳香環を側鎖として有するビニルモノマーの単独重合体又はこれらのモノマー及び/若しくは他のモノマーとの共重合体である。芳香環含有ポリマーpoly1の例として、ポリスチレン以下、PSとも記す、ポリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリt-ブチルスチレン、ポリメトキシスチレン、ポリN,N-ジメチルアミノスチレン、ポリクロロスチレン、ポリブロモスチレン、ポリトリフルオロメチルスチレン、ポリトリメチルシリルスチレン、ポリジビニルベンゼン、ポリシアノスチレン、ポリα-メチルスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルビフェニル、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリイソプロペニルナフタレン、ポリビニルピリジン等を挙げることができる。ここで最も好ましく用いられる芳香環含有ポリマーpoly1は、原料モノマーの入手性、合成の容易性の観点からポリスチレンである。本発明で用いるブロックコポリマーaを構成するブロックのもう一つの必須成分であるポリメタアクリレートpoly2とは、下記のアクリレートモノマー及びメタクリレートモノマーからなる群から選ばれる少なくとも1種の単独重合体又はこれらのモノマー及び/若しくは他のモノマーとの共重合体である。ここで用いることができるアクリレートモノマー及びメタクリレートモノマーからなる群としては、例えばメタクリル酸メチル以下、MMAとも記す、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n-プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸t-ブチル、メタクリル酸n-ヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸t-ブチル、アクリル酸n-ヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル等を挙げることができる。ここで最も好ましく用いられるポリメタアクリレートpoly2としては、原料モノマーの入手性、合成の容易性の観点からメタクリル酸メチルの単独重合体ポリメタクリル酸メチル以下PMMAとも記すである。本発明で用いるブロックコポリマーaは、上記芳香環含有ポリマーpoly1の片末端又は両末端と上記ポリメタアクリレートpoly2の片末端又は両末端が結合した、ジブロック、トリブロック又はそれ以上のマルチブロックコポリマーである。これらのブロックコポリマーの中でも、芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2の片末端同士が結合したジブロックコポリマーが合成の容易性の観点から、好ましい。より好ましくは、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートのジブロックコポリマーである。なお、ブロックコポリマーa中には、上記芳香環含有ポリマー部分poly1及びポリメタアクリレート部分poly2以外に、50モルを超えない割合でその他のポリマー成分のブロックを含むこともできる。その他のポリマー成分の具体例としては、例えばポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリテトラメチレングリコール等を挙げることができる。ブロックコポリマーaは、リビングアニオン重合やリビングラジカル重合、又は反応性末端基を有するポリマー同士のカップリング等により合成することができる。例えばりピングアニオン重合では、ブチルリチウムのようなアニオン種を開始剤として、まず芳香環含有ポリマーを合成する。次いで、芳香環含有ポリマーの末端を開始剤として、メタアクリレートモノマーを重合することで芳香環含有ポリマーとポリメタアクリレートのブロックコポリマーを合成することができる。このとき、開始剤の添加量を下げることで得られるポリマーの分子量を上げることができ、水や空気等の系内の不純物を取り除くことでポリマーの分子量を設計値通りに制御できる。またポリメタアクリレート部分poly2を重合する際は、系の温度を0°C以下に下げることで副反応を抑えることができる。リビングラジカル重合では、まずメタアクリレートモノマーの二重結合に臭素等のハロゲン化合物を付加させ、末端をハロゲン化し、銅錯体を触媒としてハロゲン化したポリメタアクリレートを合成する。次いで、ハロゲン化したポリメタアクリレートの末端ハロゲンを利用して芳香環含有ポリマーpoly1を合成することで芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2のブロックコポリマーaが得られる。まず、リビングアニオン重合で芳香環含有ポリマーpoly1を合成し、その末端をハロゲン化した後、メタアクリレートモノマーを銅触媒存在下で反応させ、芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2のブロックコポリマーaを合成することもできる。反応性末端基を有するポリマー同士のカップリングとは、例えば末端にアミノ基を有する芳香環含有ポリマーpoly1と、末端に無水マレイン酸を有するポリメタアクリレートpoly2を反応させてブロックコポリマーaを得る方法である。本発明で用いることのできるブロックコポリマーaの数平均分子量は、前記平均ピッチが40nm以上250nm以下の海島構造を得るという観点から、5.0万以上が好ましく、10万以上がより好ましい。一方、合成時の分子量制御性、及び組成物としたときの粘度抑制の観点から、500万以下が好ましく、200万以下がより好ましい。ブロックコポリマーの数平均分子量が大きくなるほど前記平均ピッチは大きくなる傾向にある。芳香環含有ポリマー部分poly1の数平均分子量は、海島構造の自己組織化パターンを形成させるという観点から、3.0万以上が好ましく、5.0万以上がより好ましい。一方、合成の容易さという観点から、100万以下が好ましく、50万以下がより好ましい。ポリメタアクリレート部分poly2の数平均分子量は、海島構造の自己組織化パターンを形成させるという観点から、1.0万以上が好ましく、2.0万以上がより好ましい。一方、合成の容易さという観点から、150万以下が好ましく、100万以下がより好ましい。本発明の一実施態様において、ブロックポリマーa中で、芳香環含有ポリマーpoly1の分子量が、ポリメタアクリレートpoly2の分子量より大きい場合には、芳香環含有ホモポリマーbをレジスト組成物に添加する。また、芳香環含有ポリマーpoly1の分子量が、ポリメタアクリレートpoly2の分子量より小さい場合には、ポリメタアクリレートホモポリマーcをレジスト組成物に添加する。たとえば、ブロックポリマーaがレジスト組成物全体に対して30~100質量存在し、かつpoly1の分子量が3.0万~60万で、poly2の分子量が1.0万~10万であって、ブロックポリマーa中で、芳香環含有ポリマーpoly1の分子量が、ポリメタアクリレートpoly2の分子量より大きい場合には、ホモポリマーbをレジスト組成物全体に対して0.0~70質量添加することができる。より好ましくは、ブロックポリマーaがレジスト組成物全体に対して40~100質量存在し、かつpoly1の分子量が5.0万~50万で、poly2の分子量が2.0万~9.0万であって、ブロックポリマーa中で、芳香環含有ポリマーpoly1の分子量が、ポリメタアクリレートpoly2の分子量より大きいの場合には、ホモポリマーbをレジスト組成物全体に対して0.0~60質量添加することができる。ブロックポリマーaがレジスト組成物全体に対して20~60質量存在し、かつpoly1の分子量が20万~60万で、poly2の分子量が60万~100万の場合には、ホモポリマーcをレジスト組成物全体に対して40~80質量添加することができる。より好ましくは、ブロックポリマーaがレジスト組成物全体に対して30~50質量存在し、かつpoly1の分子量が30万~50万で、poly2の分子量が70万~90万の場合には、ホモポリマーcをレジスト組成物全体に対して50~70質量添加することができる。これら構成成分の分子量や、添加量を調整することによって、所望の海島構造を形成することができ、平坦部の少ないモールドを得ることができる。ブロックコポリマーaの数平均分子量以下、Mnとも記すは以下の方法により求める。まず、以下の1芳香環含有ポリマー部分poly1の数平均分子量の測定方法により測定を行い、次いで、以下の2ポリメタアクリレート部分poly2の数平均分子量の測定方法により測定を行う。そして、ブロックコポリマーaが、芳香環含有ポリマー部分とポリメタアクリレート部分poly2のみから成る場合、数平均分子量は、以上の芳香環含有ポリマー部分poly1と、ポリメタアクリレート部分poly2の数平均分子量の和となる。ブロックコポリマーaが、芳香環含有ポリマーpoly1とポリメタアクリレートpoly2以外のその他ポリマー部分を含む場合は、2に続いて3その他のポリマー部分の数平均分子量の測定方法により測定を行う。そして、数平均分子量は、芳香環含有ポリマー部分poly1と、ポリメタアクリレート部分poly2と、その他のポリマー部分の数平均分子量の和となる。1芳香環含有ポリマー部分poly1の数平均分子量の測定方法リビングアニオン重合によりブロックコポリマーaを合成する場合、主にまず芳香環含有モノマーpoly1を重合し、その末端からアクリルモノマーを重合させる。この反応過程の中で、芳香環含有モノマーの重合が終わった時点でその一部を取り出し、反応を停止させれば、ブロックコポリマー中の芳香環含有ポリマー部分poly1のみを得ることができる。あるいは、合成後のブロックコポリマーについて、ブロックコポリマーは溶解させず、芳香族ホモポリマーpoly1のみを溶解する溶媒を用いて、ソックスレー抽出を行うことでブロックコポリマー中の芳香環含有ポリマー部分poly1のみを得ることができる。PS-PMMAブロックコポリマーの場合はシクロヘキサン等が溶媒となる。このようにして抽出された芳香族ホモポリマーについてまずゲルパーミエーションクロマトグラフィー以下、GPCとも記すを用いて溶出時間分布を測定する。次に分子量の異なる数種類の標準ポリスチレンの溶出時間を測定し、溶出時間を分子量に換算する。この結果から、分子量Miの分子の数Niを求め、下式:Mn=ΣMiNi/ΣNiから数平均分子量Mnを求めることができる。なお、測定装置及び条件の例としては以下の通りである。装置:東ソー株製HLC-8020溶離液:テトラヒドロフラン40°Cカラム:東ソー株製商標名TSKgelG5000HHR/G4000HHR/G3000HHR/G2500HHR直列流速:1.0ml/min分子量較正用標準物質:東ソー株製TSKstandardポリスチレン12サンプル2ポリメタアクリレート部分の数平均分子量の測定方法ブロックコポリマーを重クロロホルム等の重水素化溶媒に溶解させ、1HNMRスペクトルを測定する。そのとき芳香環含有ポリマー由来のプロトン数と、ポリメタアクリレート由来のプロトンの数を比較することで、ブロックコポリマー中の芳香環含有ポリマー部分とポリメタアクリレート部分のモル比が求められる。従って、先にGPCにより求めた芳香環含有ポリマー部分の数平均分子量から、ポリメタアクリレート部分の数平均分子量を求めることができる。3その他のポリマー部分の数平均分子量の測定方法ブロックコポリマーを重クロロホルム等の重水素化溶媒に溶解させ、1HNMRスペクトルを測定する。そのとき芳香環含有ポリマー由来のプロトン数と、その他のポリマー部分由来のプロトンの数を比較することで、ブロックコポリマー中の芳香環含有ポリマー部分とその他のポリマー部分のモル比が求められる。従って、先にGPCにより求めた芳香環含有ポリマーの数平均分子量から、その他のポリマー部分の数平均分子量を求めることができる。[レジスト層-芳香環含有ホモポリマーb]該芳香環含有ホモポリマーbは、前記poly1を構成するモノマーを含有する芳香環含有ホモポリマーである。芳香環含有ホモポリマーbの重量平均分子量Mwは、島部分の輪郭が明確な海島構造を得るという観点から、1,500以上が好ましく、2,000以上がより好ましい。一方、島の形状が円に近い海島構造を得るという観点から、8,000以下が好ましく、5,000以下がより好ましい。このような芳香環含有ホモポリマーbはラジカル重合又はアニオン重合によって合成することができる。ラジカル重合の場合、開始剤の量や溶媒の量、重合温度を、アニオン重合の場合は系内の水や空気等の系内の不純物量と開始剤量を制御することにより、分子量を本発明の好ましい範囲に制御することができる。芳香環含有ホモポリマーbの重量平均分子量Mwの測定方法は、以下の方法により求めることができる。まず、GPCを用いて芳香環含有ホモポリマーbの溶出時間分布を測定する。次に分子量の異なる数種類の標準ポリスチレンの溶出時間を測定し、溶出時間を分子量に換算する。この結果から、分子量Miの分子の数Niを求め、次式:Mw=ΣMi2Ni/ΣMiNiから重量平均分子量Mwを求めることができる。[レジスト層-ポリメタアクリレートホモポリマーc]該ポリメタアクリレートホモポリマーcは、前記poly2を構成するモノマーを含有するポリメタアクリレートホモポリマーである。なお、本明細書中、メタアクリレートとは、アクリレート及び/又はメタクリレートを意味する。ポリメタアクリレートホモポリマーcの重量平均分子量は、島部分の輪郭の明確な海島構造を得るという観点で、1,500以上が好ましく、2,000以上がより好ましい。一方、ブロックコポリマー中のポリメタアクリレート部分からの相分離を抑制するという観点から8,000以下が好ましく、5,000以下がより好ましい。このようなポリメタアクリレートホモポリマーcはラジカル重合又はアニオン重合によって合成することができ、特に末端に脂肪族基を有するものは、脂肪族化合物を重合開始剤として用いることで合成できる。ラジカル重合の場合、開始剤の量や溶媒の量、重合温度を、アニオン重合の場合は系内の水や空気等の系内の不純物量と開始剤量を制御することにより、分子量を本発明の好ましい範囲に制御することができる。ポリメタアクリレートホモポリマーcの重量平均分子量Mwの測定方法は、以下の方法により求めることができる。まず、GPCを用いてポリメタアクリレートホモポリマーcの溶出時間分布を測定する。次に分子量の異なる数種類の標準ポリメタクリル酸メチルの溶出時間を測定し、溶出時間を分子量に換算する。この結果から、分子量Miの分子の数Niを求め、下式:Mw=ΣMi2Ni/ΣMiNiから重量平均分子量Mwを求めることができる。[レジスト層-樹脂組成物]レジスト層を構成する樹脂組成物は、溶剤に溶解させて、レジスト層形成用溶液とすることができる。用いられる溶剤としては、上記レジスト層を構成する樹脂組成物を溶解させることができるものであればいずれでもよく、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N一エチル-2-ピロリドン、γープチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリノン、テトラメチルウレア、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAとも記す、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル-1,3-プチレンゲリコールアセテート、1,3-プチレンゲリコールー3-モノメチルエーテル、メチル-3-メトキシプロピオネートが挙げられる。これらを単独で又は2種以上混合して溶媒として使用することができる。具体的なより好ましい例としては、N-メチルピロリドン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γープチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、PGMEAを挙げることができる。該溶液に対する該樹脂組成物の質量比は、1~30質量であることが好ましい。[相分離させたレジスト層]芳香環含有ポリマー相は、主に、ブロックコポリマーaに含まれるpoly1とホモポリマーbとから構成される。また、ポリメタアクリレート相は、主に、ブロックコポリマーaに含まれるpoly2とホモポリマーcとから構成される。レジスト層を構成する樹脂組成物全体に対する、poly1と、ホモポリマーbとの合計の質量比が10質量~60質量の時には、アニールによる相分離によって、芳香環含有ポリマー相が島で、ポリメタアクリレート相が海である海島構造の自己組織化パターンが形成される。一方、レジスト層を構成する樹脂組成物全体に対する、poly1と、ホモポリマーbとの合計の質量比が60質量~95質量の時には、相分離によって、芳香環含有ポリマー相が海で、ポリメタアクリレート相が島である海島構造の自己組織化パターンが形成される。ここで、海島構造とは、2種類のポリマーのつくる相分離構造を平面的に見た場合、多量成分の連続相海の中に少量成分の分散相島が点在する構造である。なお、本明細書中、海島構造の海はマトリクス、島はドットともいう。芳香環含有ポリマー部分は、ポリメタアクリレート部分より耐エッチング性が高い。そのため、芳香環含有ポリマー相が島の場合、海島構造の海の部分のみを選択的にエッチングすることにより、芳香環含有ポリマー相の凸型の島状の自己組織化パターンを形成することができる。一方、芳香環含有ポリマー相が海の場合、海島構造の島の部分のみを選択的にエッチングすることにより、ポリメタアクリレート相の凹型の島状の自己組織化パターンを形成することができる。そして、この芳香環含有ポリマー相の自己組織化パターンをマスクとして、マスク層をエッチングし、マスク層に自己組織化パターンを転写することができる。さらに、マスク層に転写されたパターンをマスクとして、基材をエッチングし、基材表面に自己組織化パターンを転写することで、最終的に基材表面に自己組織化パターンに基づく海島構造に由来する凹凸構造を形成することができる。本発明においては、芳香環含有ポリマーとポリメタアクリレートをブロック部分として含むブロックコポリマーを構成成分とするレジスト層を用いることによって、平均ピッチが40nm以上250nm以下で、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの10以上40以下の海島構造パターンを得ることができる。ここで、平均ピッチとは、隣接する凸部間隔、又は凹部間距離の平均値である。平均ピッチ、平均ピッチ分布における標準偏差は、画像解析ソフト、例えば、A像くん旭化成エンジニアリング株社製を用いて計算することができる。[ポリメタアクリレート相用のエッチングガス]相分離させたレジスト層に形成された海島構造の自己組織化パターンからポリメタアクリレート相を選択的に除去するためのエッチングガスとしては、例えば、Ar、SF6、F2、CF4、C4F8、C5F8、C2F6、C3F6、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F、C3F8、Cl2、CCl4、SiCl4、BCl2、BCl3、Br2、Br3、HBr、CBrF3、HCl、CH4、NH3、O2、H2、N2、CO、CO2などが挙げられる。これらのエッチングガスの内の1種以上を使用できる。これらのエッチングガスの中でも、該エッチング選択比が4以上となるガス、例えばCF4が好ましい。[マスク層]マスク層に用いられる材料としては酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜のような絶縁膜、又はドーピングされたポリシリコン、金属のような導電膜が挙げられる。シリコンを基材として選択した場合、マスク層は、シリコンとエッチング選択比が大きく取れる酸化シリコンが好ましい。[マスク層のエッチングガス]4工程を経て残存した海島構造の自己組織化パターンをマスク層に転写するためのエッチングガスとしては、例えば、Ar、SF6、F2、CF4、C4F8、C5F8、C2F6、C3F6、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F、C3F8、Cl2、CCl4、SiCl4、BCl2、BCl3、Br2、Br3、HBr、CBrF3、HCl、CH4、NH3、O2、H2、N2、CO、CO2などが挙げられる。これらのエッチングガスの内の1種以上を使用できる。これらのエッチングガスの中でも、マスク層として酸化シリコンを選択した場合、エッチング選択比酸化シリコンのエッチング速度/芳香環含有ポリマーのエッチング速度が4以上となるガス、例えばCF4が好ましい。[基材のエッチングガス]5工程を経てマスク層上に転写された海島構造の自己組織化パターンを基材に転写するための、リアクティブイオンエッチングに使用するエッチングガスとしては、例えば、Ar、SF6、F2、CF4、C4F8、C5F8、C2F6、C3F6、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F、C3F8、Cl2、CCl4、SiCl4、BCl2、BCl3、Br2、Br3、HBr、CBrF3、HCl、CH4、NH3、O2、H2、N2、CO、CO2などが挙げられ、これらのうちの1種以上を使用できる。基材としてシリコン、マスク層として酸化シリコンを選択した場合、エッチング選択比シリコンのエッチング速度/酸化シリコンのエッチング速度が4以上となるガス、例えばCl2が好ましい。また、全工程を経て製造されるモールド表面上の平坦部面積率を0以上50以下にするという観点から、6工程におけるリアクティブイオンエッチングは、対象物に対して全ての方向のエッチング速度が一様である、等方性リアクティブイオンエッチングで行う方が好ましい。エッチングガスとしてCl2を用いる際に等方性リアクティブエッチングを行う場合は、エッチングガスにArを添加した方が好ましい。[離型剤]海島構造の自己組織化パターンが形成された基材表面を離型剤によって、離型性を向上させることができる。離型剤としては、例えば、オプツールDSX、デュラサーフHD-1100、HD-2100ダイキン工業株製、ノベックEGC1720住友スリーエム株製、サイトップグレードMAGC製、OPC-800エヌアイマテリアル製等が挙げられる。<反射防止膜>本発明のモールドで製造される反射防止膜は、反射防止膜の表面に、モールド表面の凹凸構造から転写して形成された凹凸構造層を有する。さらに、反射防止膜の表面のモールドから転写して形成された凹凸構造における平均ピッチが、40nm以上250nm以下であり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの10以上40以下であり、凹凸構造における平坦部面積率が0以上50以下であることを特徴とする。一実施態様においては、反射防止膜の厚み平均が0.2μm以上4μm以下であると共に、凹凸構造層の降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上であることを特徴とする。上記モールド表面の構造を転写して反射防止膜を製造すると、モールドの凹部が反射防止膜では凸部に、モールドの凸部が反射防止膜では凹部となる。また、モールド表面の海島構造の自己組織化パターンに由来する構造を転写して反射防止膜を製造する場合には、モールドの島が凹形状の場合、反射防止膜では島が凸形状となり、モールドの島が凸形状の場合、反射防止膜では島が凹形状となる。本発明のモールドで製造される反射防止膜は、反射防止機能を微細凹凸構造によって発現させることができるため、その厚み平均が0.2μm~4μmと、従来の高屈折率材料と低屈折率材料の交互積層体である反射防止膜に比べ格段に薄い。また、特定の特性を有する素材を用いて形成されているため、形状追従性に優れる。そして球面形状の様な直交する2軸方向において断面が曲面形状となる部材に対して貼り付けた際にも隙間が極めて生じにくい。反射防止膜の厚み平均は薄ければ薄いほど形状追従性に優れるが、反射防止膜の強度や均一な膜の作り易さから、反射防止膜の厚み平均は0.5μm~2μmが好ましく、特に好ましくは0.7μm~1.5μmである。なお、厚み平均を4μm以下とすることは、収差による位置ずれを低減する観点からも好ましい。ここでいう収差による位置ずれとは、光の波長によって物質の屈折率が異なることに起因して発生するものである。凹凸構造における島の形状に関しては特に限定は無いが、島が凸形状の場合は島の高さ方向に連続的に変化する形状であると反射防止効果が高まり好ましい。また、島が凹形状の場合は島の深さ方向に連続的に変化する形状であると反射防止効果が高まり、好ましい。好ましい島の形状としては、例えば、厚み方向の断面形状が台形状、矩形状、方形状、プリズム状や三角状、半円状となる形状が考えられる。そして、好ましい凹凸構造としては、例えば、厚み方向の断面形状が台形、矩形、方形、プリズム状や三角状、半円状となる凸部若しくは凹部が連続して配置された形状や、正弦波状等の周期的な凹凸構造などが考えられる。ここで、正弦波状とは凹部と凸部の繰り返しからなる曲線部をもつことを意味する。なお、曲線部は湾曲した曲線であればよく、例えば、凸部にくびれがある形状も正弦波状に含める。これら断面形状の中でも、三角状、正弦波状の形状であると高い反射防止効果となる。更に、凸部の断面形状が、直交する二軸方向で共に台形、矩形、方形、プリズム状、三角状、半円状といった高さ方向に連続的に変化する形状であると、光の入射方向による反射防止効果の差が少なくなり、好ましい。好ましい凸部の形状としては、例えば三角錐や四角錐、六角錐といった多角錐状や円錐状、截頭多角錐状、截頭円錐状の形状などが考えられる。ここで、截頭多角錐とは多角錐の頭頂部を水平に截断した形状をいい、截頭円錐とは円錐の頭頂部を水平に截断した形状をいう。これらの多角錐状や円錐状、截頭多角錐状、截頭円錐状の形状は各面が接する部分を曲面にしても良く、また隣り合う凸形状同士のつなぎ部分を曲面にしても良い。更に、モールドから転写して形成された凹凸構造における平均ピッチが使用波長と同程度以下であると反射防止効果が高まり、好ましい。通常光学素子には150nmから2000nmの波長が使用されることから、反射防止効果を高めるにはモールドから転写して形成された凹凸構造における平均ピッチを250nm以下にすることが好ましい。より好ましくは150nm以下、特に好ましくは100nm以下である。また、光学素子に使用される波長と同程度という観点から、40nm以上にすることが好ましい。より好ましくは50nm以上、特に好ましくは70nm以上である。また、モールドから転写して形成された平均ピッチ分布における標準偏差を平均ピッチの10以上40以下とすることで、モールド表面を転写して製造する反射防止膜表面の凹凸構造の規則性を抑え、干渉色を生じにくくすることができて好ましい。より好ましくは、15以上35以下、特に好ましくは20以上30以下である。また、微細凹凸構造によって反射防止膜が反射防止性能を発現するためには、反射防止膜表面上に平坦部が少ない方が好ましい。そのため、モールドから転写して形成された海島構造の自己組織化パターンにおける平坦部面積率が0以上50以下にすることが好ましい。より好ましくは0以上40以下、特に好ましくは0以上30以上である。平坦部面積率を0以上30以下とすることで充分な反射防止性能を発現することができる。また、凸部の高さ又は凹部の深さは、モールドから転写して形成された凹凸構造における平均ピッチの0.5倍から2.0倍、特には1.0倍から2.0倍であると良好な光学特性を得ることができ、好ましい。ここで定義する凸部の高さ、凹部の深さとは、モールドから転写して形成された凹凸構造の凹部底点と凸部頂点の高さの差を指す。凸部の形状が角錐形状や円錐形状である場合、凸部の高さが使用波長の0.3倍以上であると高い反射防止効果を得ることができ、好ましい。また、凸部の形状が四角錐形状の場合、高さが使用波長の0.5倍以上、円錐形状の場合、高さが使用波長の0.45倍以上、円錐が水平方向に重なり合った形状の場合は0.65倍以上であると、特に高い反射防止効果を得ることができ、好ましい。凸部の高さは高いほど好ましいが、1μm以下でも十分な反射防止効果が得られる。凹凸構造は反射防止膜、凹凸構造層共に片面側のみだけでなく、両面側に設けても良い。両面側に設けた場合、片面側のみに凹凸構造を設けた場合よりも反射防止効果を高めることができる為、両面側に凹凸構造を設けることが好ましい。また、後述する粘着剤層、接着剤層と接する面側に凹凸構造を設けた場合、アンカー効果により粘着剤層、接着剤層との接着性が上がり、好ましい。反射防止膜と、反射防止膜の裏面に設けられた反射防止膜に対し剥離可能な剥離体とから、反射防止構造体を形成することが可能である。この場合、凹凸構造層と剥離体が接していることが好ましい。このような反射防止構造体は、使用前の反射防止膜を容易に取り扱う観点から好適である。また、剥離体の凹凸構造層に対向する表面が略球面形状を有すると、剥離体から容易に剥離することが可能となるため好ましい。また、反射防止膜と、反射防止膜の裏面に設けられた粘着剤層又は接着剤層とから、反射防止構造体を形成することが可能である。この場合、凹凸構造層と粘着剤層又は接着剤層が接していることが好ましい。このような反射防止構造体は、使用前の反射防止膜を容易に取り扱う観点から好適である。[反射防止膜-製法]以下、反射防止膜の作製方法について説明する。反射防止膜の作製方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上である樹脂組成物を有機溶媒に溶解させてなるポリマー溶液を調製する。調製したポリマー溶液を、凹凸構造を表面に有するモールド表面に塗布した後、乾燥させて剥離し、厚み平均が0.2μm以上4μm以下である反射防止膜を得る方法が挙げられる。凹凸構造層は、次の3工程によって作製することができる。1降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上である樹脂組成物を有機溶媒に溶解させてなるポリマー溶液を調製する。2ポリマー溶液を凹凸構造を表面に有するモールドに所定の膜厚になるように塗布する。3塗布したポリマー溶液を乾燥させ、モールドから剥離する。前記ポリマー溶液の前記モールドへの塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート法、ナイフコート法、キャスト法等が挙げられるが、膜厚の均一性や異物の管理、薄膜化の点から、スピンコート法が特に好ましい。以下、スピンコート法による製膜方法について説明する。凹凸構造層は、前述した膜材を有機溶媒に溶解させたポリマー溶液を使用して作製する。溶媒に関しては周囲温度での揮発が極めて少なく、且つ、沸点が高すぎないものが好ましい。以上を考慮して溶媒は沸点が100~200°Cのものであることが望ましい。このような溶媒としては、例えば脂肪族炭化水素系化合物、芳香族系化合物、塩素系炭化水素などのハロゲン化系炭化水素、エステル系化合物、またはケトン系化合物などが挙げられる。中でも、シクロオレフィン系樹脂に対しては脂環式炭化水素などの飽和脂肪族炭化水素系化合物、芳香族系化合物、ハロゲン化炭化水素等の有機溶媒が好適に使用でき、セルロース誘導体に関しては塩素系炭化水素、ケトン、エステル、アルコキシアルコール、ベンゼン、アルコールなどの単一又は混合有機溶媒に可溶である。これらの有機溶媒の例としては、塩素系炭化水素やエステル系化合物、ケトン系化合物等の有機溶媒が挙げられる。塩素系炭化水素としては、塩化メチレン、塩化エチレン、塩化プロピレン等が好適に使用され、ケトン系化合物有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が好適に使用される。エステル系化合物有機溶媒としては、酢酸エステル類酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等、乳酸エステル類乳酸エチル、乳酸ブチル等が好適に使用される。そのほかとしてはベンゼン、エタノール、メタノール、セルソルブアセテート、カルビトールなども単一または混合溶媒として利用できる。ポリマー溶液の濃度は1~10質量とすると、乾燥時の凹凸構造層の厚みばらつきが少なくなり好ましい。より好ましくは3~8質量である。凹凸構造層中の光透過率を大きくし、かつ凹凸構造層中の異物を少なくするためにも、ポリマー溶液の吸光度は0.05以下のものが好ましい。凹凸構造層の厚みと均一性厚みばらつきは主にポリマー溶液の液温、周囲温度湿度、成膜基板の回転数によって決定される。薄膜化と均一性の観点から、ポリマー溶液の液温は周囲温度10~30°Cと同程度にすることが好ましく、前記モールドの温度も周囲温度と同程度にすることが好ましい。液温、周囲温度、該モールドの温度が同程度であると厚みばらつきを抑えることができ、好ましい。湿度は30~60が好ましい。ポリマー溶液を成膜基板上に適量滴下させた後、毎分50~5000回転の回転数で成膜基板を回転させ成膜する。膜の均一性の観点から、回転数は毎分50~500回転の速さで行うことが好ましく、より好ましくは毎分75~400回転であり、更に好ましくは毎分100~300回転である。また、回転時間は30秒以上120秒以下とすることが好ましく、より好ましくは30秒以上60秒以下である。凹凸構造層の膜厚は、0.2μm~4μm程度が好適であり、凹凸構造層の強度や均一な膜の作り易さから、0.5μm~2μmが好ましい。特に好ましくは0.7μm~1.5μmである。成膜後、熱したホットプレート上にモールドを置いて乾燥させて、溶媒を揮発させる。膜の均一性の観点から、乾燥は低温乾燥と高温乾燥の二段階で行うことが好ましく、70°C~90°Cで4分~6分程度乾燥させた後、160°C~200°Cで4分~6分程度乾燥させることが好ましい。膜の乾燥後、モールドから膜を剥離する。凹凸構造層を該モールドから剥離する際は、その離型性が重要となる。スピンコート法による成膜がしやすく、かつ成膜後に剥離しやすくするためには、凹凸構造層の膜材と基板の接触角を最適にする必要がある。基板の接触角をコントロールする方法としてシランカップリングが知られている。無機材料からなる基板をカップリングするためには、エーテル結合を末端に持つシランを基板表面に接触させて反応させる。また他方の末端基は、膜材料と親和性の低い基とすることで離型性が向上する。フッ素は離型剤としての効果が高く、高い離型性を実現させるためには、他方の末端基は特にフッ素末端とすることが望ましい。モールドからの剥離の際に、膜に応力がかかるので、厚みが0.2μm~4μmといった薄膜の凹凸構造層の膜破れを抑えてモールドから膜を剥離するためには、凹凸構造層の降伏歪みを1以上、引張伸度を10以上とする必要がある。そのため、降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上である樹脂組成物を使用する必要がある。降伏歪みと引張伸度が大きければ大きいほど、モールドから膜を剥離する際の膜破れが生じにくくなり、より大面積での凹凸構造層及び反射防止膜を作製することができ、好ましい。降伏歪みに関しては2以上がより好ましく、更に好ましくは4以上、特に好ましくは5以上である。引張伸度に関しては50以上がより好ましく、更に好ましくは100以上、特に好ましくは160以上である。降伏歪み、引張伸度共に上限は特に限定は無いが、降伏歪みは1以上30以下、引張伸度は10以上500以下であれば十分に膜破れを抑制することが出来る。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上であると、部材に対し引っ張りながら展張することが可能となる為、より追従性に優れる。降伏歪みに関しては2以上がより好ましく、更に好ましくは4以上、特に好ましくは5以上である。引張伸度に関しては50以上がより好ましく、更に好ましくは100以上、特に好ましくは160以上である。降伏歪み、引張伸度共に上限に限定は無いが、降伏歪みは1以上30以下、引張伸度は10以上500以下であれば十分な形状追従性が得られる。[反射防止膜-材料]反射防止膜は可視光及び紫外光に対する反射防止効果を念頭において設計される場合が多い。そのため樹脂組成物に含まれる樹脂は、可視光領域及び紫外領域において光透過率の高いものであることが好ましい。このような樹脂としては具体的にはポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、架橋ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、セルロース誘導体ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート等、あるいはこれら2種以上の混合物、シクロオレフィン樹脂ノルボルネンの重合体又は共重合体水素添加したものを含むであり、例えばアペル登録商標三井化学社製、トパス登録商標ポリプラスチックス株式会社製、ゼオネックス登録商標又はゼオノア登録商標日本ゼオン社製、アートン登録商標JSR社製等、フッ素系樹脂テトラフルオロエチレン-ビニリデンフルオライド-ヘキサフルオロプロピレンの3元コポリマー、パーフルオロアルキルエーテル環構造を有するフッ素系樹脂であるデュポン社製のテフロンAF登録商標、旭硝子社製のサイトップ商品名、アウジモント社製のアルゴフロン商品名等等の非晶性熱可塑性樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂などの結晶性熱可塑性樹脂等が考えられる。上記樹脂の中でも、降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上の樹脂を樹脂組成物の主成分として使用することが好ましい。主成分とは、50重量以上であることを意味する。降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上である樹脂の中でも特にパーフルオロアルキルエーテル環構造を有するフッ素系樹脂やシクロオレフィン樹脂、セルロース誘導体特にセルロースアセテートプロピオネートが好ましいは後述する凹凸構造を有する成膜基板との離型性が良く、また、伸縮性に優れるため、より薄い凹凸構造層の作製が可能となる。特にパーフルオロアルキルエーテル環構造を有するフッ素系樹脂が好ましい。樹脂組成物中に含まれる降伏歪みが1以上であり、且つ、引張伸度が10以上の樹脂成分の量は、好ましくは80以上、より好ましくは90以上、特に好ましくは95以上である。又、樹脂組成物には使用目的に応じて紫外線吸収剤、光安定剤、光安定剤の効果を向上させるための酸化防止剤等を配合しても良い。[反射防止膜-使用方法]本発明の反射防止膜は、その製法上、凹凸構造層を支持する基材層を必須としない為、凹凸構造層裏面に直接粘着剤層や接着剤層を設けることが可能となる。そして、凹凸構造層裏面に直接粘着剤層や接着剤層を設けることで非常に薄い反射防止構造体となる。粘着剤、接着剤は光学材料用途で好適に使用されている粘着剤、接着剤を使用することが好ましい。粘着剤としては、具体的にはウレタン系粘着剤、アクリル系粘着剤等が好ましく、接着剤としては、具体的にはアクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤、UV硬化型接着剤等が好ましい。粘着剤、接着剤の厚みは実用的な粘着、接着強度を保つことが出来、また被着体の形状変形を抑制出来る範囲で薄ければ薄いほど好ましい。また、凹凸構造層裏面に粘着剤層や接着剤層を設けずに凹凸構造層の裏面に直接凹凸構造層に対し剥離可能な剥離体を設けることも可能となる。剥離体に特に制限は無く、例えばガラス基板やフィルム基材、光学素子等が考えられる。剥離体は平面形状のみならず球面形状であってもよい。反射防止膜は通常、反射防止膜の裏面に反射防止膜に対し剥離可能な剥離体が設けられた状態、又は、反射防止膜の裏面に粘着材層が設けられ、更に粘着材層の反射防止膜を有する面とは反対側の面に、粘着材層に対し剥離可能な剥離体が設けられた状態で保管され、そして使用時に剥離体から剥離されて使用される。本願発明の反射防止膜は、その厚み平均が0.2μm以上4μm以下と非常に薄く、剛性が小さい。そのため、保管方法としては、反射防止膜と、反射防止膜の裏面に設けられた反射防止膜に対し剥離可能で、且つ、直交する2軸方向において断面が曲面形状となる剥離体と、を含む積層体にして反射防止膜を保管する方法が好ましい。また、反射防止膜と、反射防止膜の裏面に設けられた粘着材層と、粘着材層の反射防止膜を有する面とは反対側の面に設けられた、粘着材層に対し剥離可能で、且つ、直交する2軸方向において断面が曲面形状となる剥離体と、を含む積層体にして保管する方法が好ましい。直交する2軸方向において断面が曲面形状となる剥離体であると、平面形状や1軸方向においてのみ断面が曲面形状となる形状例えばロール形状の剥離体に比べ、剥離体から反射防止膜又は粘着材層付き反射防止膜を剥がす際に角部から引き剥がしやすくなり、取り扱い性が格段に向上する。また、凹凸構造層の裏面に反射防止膜に対し剥離可能で、且つ、直交する2軸方向において断面が曲面形状となる剥離体を直接設ける形態が好ましい。また、凹凸構造層の裏面に直接粘着材層を設け、粘着材層の凹凸構造層を有する面とは反対側の面に粘着材層に対し剥離可能で、且つ、直交する2軸方向において断面が曲面形状となる剥離体が設ける形態であると剥離体から剥がした後の反射防止膜が薄く、形状追従性に優れた反射防止膜となる為、好ましい。本発明のモールドによって製造される反射防止膜は形状追従性に優れる為、タッチパネルや液晶表示パネル、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイといった画像表示装置、プロジェクター等の投影光学系、光学レンズ等の観察光学系、カメラ等の撮像光学系、偏光ビームスプリッターや発光ダイオードの発光部先端、太陽電池パネルの表面等の光学素子に好適に使用可能である。図1は、本実施態様に係る反射防止膜の一例の部分拡大断面図である。図1において反射防止膜4は、一方の表面に前記モールド表面の前記海島構造の自己組織化パターンに由来する凹凸構造が転写して形成された凹凸構造5が形成された凹凸構造層1を備え、凹凸構造層1の他方の表面に、薄膜層2を備える。ここで、凹凸構造層1とは、表面に前記モールド表面の前記海島構造の自己組織化パターンに由来する凹凸構造が転写して形成された凹凸構造5を有し、且つ、凹凸構造5と一体形成されている層を指す。また、凹凸構造層1の一方の面にモールドから転写して形成された凹凸構造5が設けられ、他方の面にはモールドから転写して形成された凹凸構造が設けられていない場合には、モールドから転写して形成された凹凸構造が設けられていない方の面を裏面とする。一方、凹凸構造層の両面にモールドから転写して形成された凹凸構造が設けられている場合は、モールドから転写して形成された凹凸構造における前記平均ピッチが大きい方の面を裏面とする。また、モールドから転写して形成された凹凸構造における前記平均ピッチが同一の場合は任意の一面を裏面とする。前記凹凸構造5の表面には、コーティング層3を設けてもよい。コーティング層としてはハードコート層、金属薄膜層、その他の反射防止層、防湿層、帯電防止層、電磁波シールド層、近赤外線吸収層、紫外線吸収層、選択吸収フィルター層等が考えられ、コーティング層は何層に重ねても良い。上述のハードコート層としては、活性エネルギー線によって硬化する硬化性樹脂である、公知のアクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、シリコーン系ポリマーやシリカ系化合物や珪素Siの酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はその複合物、金属薄膜層等が挙げられる。金属薄膜層としてはアルミニウムAl、クロムCr、イットリウムY、ジルコニアZr、タンタルTa、チタンTi、バリウムBa、インジウムIn、錫Sn、亜鉛Zn、マグネシウムMg、カルシウムCa、セリウムCe、銅Cu、銀Ag、金Auなどの金属の酸化物、窒化物、ハロゲン化物、炭化物の単体又はそれらの複合物が挙げられる。また、その他の反射防止層としては、テトラフルオロエチレン-ビニリデンフルオライド-ヘキサフルオロプロピレンの3元コポリマー、パーフルオロアルキルエーテル環構造を有するフッ素系樹脂特に、デュポン社製のテフロンAF登録商標、旭硝子社製のサイトップ商品名、アウジモント社製のアルゴフロン商品名、ポリフルオロアクリレートが好ましい。や、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等の屈折率の低い材料から形成された反射防止層等が挙げられる。光学部材への傷つきを抑制する為にも、反射防止膜表面7を形成するコーティング層3の最表面層は、樹脂層であることが望ましく、特にデュロメーター硬さJISK7215に準拠して測定がHDA30以上HDD90以下の樹脂層であることが望ましい。また、球面形状を有する部材への追従性という観点からはコーティング層3は全層に渡って樹脂層であることが望ましく、特に、全層に渡ってデュロメーター硬さJISK7215に準拠して測定がHDA30以上HDD90以下の樹脂層であることが望ましい。コーティング層3は凹凸構造層1の凹凸構造5となるべく近い屈折率であると反射防止効果が高まり、好ましい。尚、凹凸構造層1の定義からも明らかなように、コーティング層3は凹凸構造層1に含まれない。また、凹凸構造層1の裏面に薄膜層2を積層させてもよい。薄膜層2としては上述のその他の反射防止層や金属薄膜層等を使用することが好ましい。また薄膜層2は一層でも多層でもよい。尚、凹凸構造層1の定義からも明らかなように、裏面の薄膜層2は凹凸構造層1に含まれない。図4は、収差による位置ずれを説明する模式図である。斜め方向から反射防止膜に入射した際の界面での屈折角が波長によって異なるため、反射防止膜通過後の透過光が発生する位置が波長によってずれてしまい、収差12が生じる。この収差による位置ずれが大きいと、反射防止膜透過後の光学設計が複雑になるという問題や精密な光学設計が困難になるという問題が生じ得る。反射防止膜は厚み平均が0.2μm~4μmと従来の反射防止膜に比べ格段に薄いため、収差による位置ずれが極めて小さい。図5は、本発明の実施態様に係る凹凸構造層の一例の部分拡大断面図である。凹凸構造層1の一方の面に設けられたモールドから転写して形成された凹凸構造5の凹部底点13から凹凸構造層裏面6までの距離最小15と、凹部底点13から凹凸構造層裏面6までの距離最大14との差が凹凸構造層の厚みばらつき16である。また、凹部底点13から凹凸構造層裏面6までの距離の相加平均が、厚みばらつき平均である。厚みばらつき平均は、使用する波長以下に設定することが好ましい。可視光領域での使用を想定した場合、厚みばらつき平均は100nm以下が好ましく、より好ましくは50nm以下である。また、紫外光領域での使用をも想定した場合は、厚みばらつき平均は50nm以下が好ましく、より好ましくは10nm以下である。厚みばらつき平均を100nm以下とすることは、反射防止膜として使用した際に、色むらが見えることを低減する観点から好適である。凹凸構造層1の厚みは、凹凸構造層裏面から凸部頂点までの厚みである。この凹凸構造層1の厚み11は、例えば図2に示すように、凸部の頂点を高い方から数番目例えば5番目まで抽出し、この抽出した頂点の平均高さ10から凹凸構造層裏面までの寸法とすることができる。以下、実施例に基づいて本発明を説明する。まず、ブロックコポリマーa、芳香族含有ホモポリマーb、ポリメタアクリレートホモポリマーcそれぞれの合成例を示す。ブロックコポリマーaの合成[合成例1]2Lフラスコに溶媒として脱水脱気したテトラヒドロフラン以下、THFとも記すを980g、開始剤としてn-ブチルリチウム以下、n-BuLiとも記すのヘキサン溶液約0.16mol/Lを0.72mL、モノマーとして脱水脱気したスチレンを20.8g入れて窒素雰囲気下にて-78°Cに冷却しながら30分間撹拌し、その後、第2モノマーとして脱水脱気したメタクリル酸メチル以下、MMAとも記す39.6gを加えて4時間撹拌した。その後変性アルコール日本アルコール販売株製ソルミックスAP-1を3L入れた容器に反応溶液を撹拌しながら加えて析出したポリマーを室温で一晩真空乾燥した。ポリスチレンの重合が終わり、MMAを加える前に反応溶液を3ml採取した。GPCの分析から分子量が380,000のポリスチレンと同定された。用いたGPCの装置、カラム、標準ポリスチレンは下記の通りである。装置:東ソー株製HLC-8220溶離液:クロロホルム40°Cカラム:東ソー株製商標名TSKgelSuperHZ2000、TSKgelSuperHZM-N直列流速:1、0ml/min分子量較正用標準物質:東ソー株製TSKstandardポリスチレン12サンプルまた、核磁気共鳴法NMR解析の結果からブロックコポリマーのPS部分と、PMMA部分とのモル比は1:2.12であった。用いたNMRの装置、溶媒は下記の通りである。装置:日本電子株製JNM-GSX400FT-NMR溶媒:重クロロホルムGPCの結果と併せ、主生成物であるブロックコポリマーは、PS部分のMnが380,000、PMMA部分のMnが806,000であると同定された。これをBC-1とした。[合成例2]2Lフラスコに溶媒として脱水脱気したTHFを980g、開始剤としてn-BuLiのヘキサン溶液約0.16mol/Lを0.60mL、モノマーとして脱水脱気したスチレンを20.8g入れて窒素雰囲気下にて-78°Cに冷却しながら30分間撹拌し、その後、第2モノマーとして脱水脱気したMMA5.1gを加えて2時間撹拌した。その後の操作は合成例1と同様に行い、ブロックコポリマーの合成キャラクタリゼーションを行った。その結果、ここで得られたブロックコポリマーは、PS部分のMnが400,000、PMMA部分のMnが80,000であると同定された。これをBC-2とした。[合成例3]1Lフラスコに溶媒として脱水脱気したTHFを490g、開始剤としてn-BuLiのヘキサン溶液約0.16mol/Lを1.15mL、モノマーとして脱水脱気したスチレンを20.8g入れて窒素雰囲気下にて-78°Cに冷却しながら30分間撹拌し、その後、第2モノマーとして脱水脱気したMMA5.3gを加えて2時間撹拌した。その後の操作は合成例1と同様に行い、ブロックコポリマーの合成キャラクタリゼーションを行った。その結果、ここで得られたブロックコポリマーは、PS部分のMnが150,000、PMMA部分のMnが36,000であると同定された。これをBC-3とした。[合成例4]1Lフラスコに溶媒として脱水脱気したTHFを490g、開始剤としてn-BuLiのヘキサン溶液約0.16mol/Lを2.15mL、モノマーとして脱水脱気したスチレンを20.8g入れて窒素雰囲気下にて-78°Cに冷却しながら30分間撹拌し、その後、第2モノマーとして脱水脱気したMMA6.6gを加えて2時間撹拌した。その後の操作は合成例1と同様に行い、ブロックコポリマーの合成キャラクタリゼーションを行った。その結果、ここで得られたブロックコポリマーは、PS部分のMnが76,000、PMMA部分のMnが22,000であると同定された。これをBC-4とした。芳香族含有ホモポリマーbの合成[合成例5]500mlフラスコに溶媒としてメチルエチルケトン以下MEKとも記すを180g、開始剤としてAIBN2.36g0.0144mol、モノマーとしてスチレン30.0g0.288molを入れて窒素気流下、70°Cに加熱しながら6時間撹拌しその後室温まで放冷した。質量比2:1のソルミックスAP-1と水の混合溶液2Lにこの反応混合物を撹拌しながら加え、ポリマーを析出させた。この混合溶液を1時間撹拌した後、ろ紙を用いてろ過し、固形分を80°Cで3時間真空乾燥した。分子量及び分子量分布をGPCによりブロックコポリマーの場合と同様の条件下で測定した結果、Mw重量平均分子量は3,200、分子量分布Mw/Mnは1.36であった。これをPS-1とした。ポリメタアクリレートホモポリマーcの合成[合成例6]500mlフラスコに溶媒としてMEKを60g、開始剤として2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルを13.8g0.06mol、モノマーとしてメタクリル酸メチルを20g0.20mol入れて窒素気流下、70°Cに加熱しながら5時間撹拌しその後、室温まで放冷した。ヘキサン1Lにこの反応混合物を撹拌しながら加え、ポリマーを析出させた。これを1時間撹拌した後、ろ紙を用いてろ過し、固形分を80°Cで3時間真空乾燥した。分子量及び分子量分布をGPCにより測定した結果、Mw重量平均分子量は3,800、分子量分布Mw/Mnは1.54であったなお、このときGPCはブロックコポリマーと同じ条件で測定したが、分子量較正用標準物質としてポリマーラボラトリー社製標準PMMAM-H-1010サンプルを用いた。これをPMMA-1とした。次に、本発明で合成したブロックコポリマー、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチルを組み合わせた自己組織化パターン形成材料による海島構造に由来する凹凸構造を表面に有するモールドの製造例を示す。[製造例1]上記の合成方法に従い合成したBC-1ブロックコポリマーa0.600gと、PMMA-1ポリメタアクリレートホモポリマーc0.900gとを、溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAとも記す48.5gに室温で溶解させ、レジスト層として用いる自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を1900rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、100nmであった。次にホットプレートアズワン株式会社製EC-1200Nで上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを250°Cで6分間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力1.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを70秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力1.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Cl2によるプラズマエッチングを100秒間行い、シリコンウエハー表面に海島構造の自己組織化パターンを転写した。その後、海島構造の自己組織化パターンが転写されたシリコンウエハー表面に離型剤であるHD-1100ダイキン工業株製を塗布して室温で一晩静置した後、HD-ZVダイキン工業株製で余剰の離型剤をリンスし、離型処理を行った。これをモールド1とした。電界放出形走査電子顕微鏡FE-SEMS-4800株日立ハイテクノロジーズ製にて表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド1表面に形成されている様子が確認された。このモールド1表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が島、ポリメタクリル酸メチル部分が海である自己組織化パターンに由来していた。このモールド1表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが180nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの22であり、平坦部面積率が43であった。[製造例2]上記の合成方法に従い合成したBC-2ブロックコポリマーa0.250gと、PS-1芳香族含有ホモポリマーb0.250gとを、溶媒であるPGMEA24.5gに室温で溶解させ、レジスト層として用いる自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を3400rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、45nmであった。次にホットプレートアズワン株式会社製EC-1200Nで上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを220°Cで3分間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力0.5Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを55秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力3.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Ar95とCl25との混合ガスによるプラズマエッチングを350秒間行い、シリコンウエハー表面に海島構造の自己組織化パターンを転写した。その後製造例1と同様の操作で離型処理を行った。これをモールド2とした。製造例1と同様の方法で表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド2表面に形成されている様子が確認された。このモールド2表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が海、ポリメタクリル酸メチル部分が島である自己組織化パターンに由来していた。このモールド2表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが220nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの34であり、平坦部面積率が15であった。[製造例3]上記の合成方法に従い合成したBC-2ブロックコポリマーa0.320gと、PS-1芳香族含有ホモポリマーb0.080gとを、溶媒であるPGMEA19.6gに室温で溶解させ、レジスト層として用いる自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を4100rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、45nmであった。次にホットプレートアズワン株式会社製EC-1200Nで上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを220°Cで3分間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力0.5Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを55秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力3.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Ar95とCl25との混合ガスによるプラズマエッチングを150秒間行い、シリコンウエハー表面に海島構造の自己組織化パターンを転写した。その後製造例1と同様の操作で離型処理を行った。これをモールド3とした。製造例1と同様の方法で表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド3表面に形成されている様子が確認された。このモールド3表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が海、ポリメタクリル酸メチル部分が島である自己組織化パターンに由来していた。このモールド3表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが100nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの21であり、平坦部面積率が22であった。[製造例4]上記の合成方法に従い合成したBC-3ブロックコポリマーa0.500gを、溶媒であるPGMEA24.5gに室温で溶解させ、レジスト層として用いる自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を3370rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、45nmであった。次にホットプレートアズワン株式会社製EC-1200Nで上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを220°Cで3分間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力0.5Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを55秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力1.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Cl2によるプラズマエッチングを100秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力3.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Ar95とCl25との混合ガスによるプラズマエッチングを100秒間行い、シリコンウエハー表面に海島構造の自己組織化パターンを転写した。その後製造例1と同様の操作で離型処理を行った。これをモールド4とした。製造例1と同様の方法で表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド4表面に形成されている様子が確認された。このモールド4表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が海、ポリメタクリル酸メチル部分が島である自己組織化パターンに由来していた。このモールド4表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが70nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの21であり、平坦部面積率が27であった。[製造例5]上記の合成方法に従い合成したBC-4ブロックコポリマーa0.500gを、溶媒であるPGMEA24.5gに室温で溶解させ、自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を2800rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、45nmであった。次にホットプレートアズワン株式会社製EC-1200Nで上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを220°Cで3分間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力0.5Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを55秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力3.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Ar95とCl25との混合ガスによるプラズマエッチングを150秒間行い、シリコンウエハー表面に海島構造の自己組織化パターンを転写した。その後製造例1と同様の操作で離型処理を行った。これをモールド5とした。製造例1と同様の方法で表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド5表面に形成されている様子が確認された。このモールド5表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が海、ポリメタクリル酸メチル部分が島である自己組織化パターンに由来していた。このモールド5表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが73nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの29であり、平坦部面積率が31であった。[比較製造例1]上記の合成方法に従い合成したBC-4ブロックコポリマーa0.500gを、溶媒であるPGMEA24.5gに室温で溶解させ、自己組織化パターン形成材料を作製した。φ4インチで膜厚10nmの酸化シリコン膜付シリコンウエハーにこの自己組織化パターン形成材料を2800rpmで30秒間スピンコートし、110°Cで90秒間プリベークして自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させた。この膜の膜厚を、ナノメトリックスジャパン株製ナノスペックAFT3000Tを用いて測定した所、45nmであった。次にオーブンで窒素雰囲気下中において、上記の自己組織化パターン形成材料を含有する膜を形成させたウエハーを210°Cで10分間、続いて135°Cで10時間加熱し、アニールした。その後このウエハーをプラズマエッチング装置株式会社アルバック製NE-550にて圧力0.5Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、CF4によるプラズマエッチングを55秒間行った。さらにその後、上記プラズマエッチング装置にて圧力1.0Pa、アンテナ50W、バイアス50Wで、Cl2によるプラズマエッチングを100秒間行った。その後製造例1と同様の操作で離型処理を行った。これをモールド6とした。製造例1と同様の方法で表面観察を行ったところ、海島構造パターンがモールド6表面に形成されている様子が確認された。このモールド6表面の海島構造パターンは、自己組織化パターン形成材料の、ポリスチレン部分が海、ポリメタクリル酸メチル部分が島である自己組織化パターンに由来していた。このモールド6表面の海島構造パターンを画像解析ソフトA像くん旭化成エンジニアリング株製を用いて解析したところ、平均ピッチが33nmであり、平均ピッチ分布における標準偏差が平均ピッチの25であり、平坦部面積率が70であった。次に、合成したブロックコポリマー、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチルを組み合わせた自己組織化パターン形成材料による海島構造に由来する凹凸構造を表面に有するモールドによって製造される反射防止膜について説明する。[評価方法]1反射防止膜の厚み平均μm図3に示すように、測定対象の反射防止膜を面内で面積が最大となるように長方形で切り出した後、切り出した長方形の長辺と短辺をそれぞれ5等分するように直線を引いて25等分割し、各長方形の中心点を位置決めした。当該中心点の厚みを、透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300を用いて測定した測定波長248nm。測定された25点の測定値の平均値を厚み平均とした。2厚みばらつき平均nm上述したように25等分割された試験片の各々について、AFMを用いて凹凸面の表面形状を測定した。各試験片について、凹部底点間の、凹凸構造層の層厚方向に沿った距離の平均値を算出した。さらに、25個の試験片について算出されたそれら平均値の平均値を、厚みばらつき平均とした。3原料となる樹脂組成物の降伏歪み、引張伸度JISK7113に準拠し、引張速度1mm/minの条件で測定した。測定には島津製作所製AGS-50Gを使用した。4凹凸構造層の降伏歪み、引張伸度JISK7127に準拠し、引張速度1mm/minの条件で測定した。測定には島津製作所製AGS-50Gを使用した。<実施例1>セルロースアセテートプロピオネートCAP480-20、EastmanChemicalCompany製、降伏歪み約4、引張伸度約15を乳酸エチルに溶かしたポリマー溶液を作製した。この時、ポリマー溶液中に含まれるセルロースアセテートプロピオネートの濃度は8質量であった。上記のモールド1上に作製したポリマー溶液を30cc滴下し、スピンコーター上で、回転数300rpm、回転時間30秒の条件で回転塗布した。次いでモールド1ごと80°C、180°Cのホットプレートで各5分間乾燥し、モールド1から乾燥された膜を引き剥がすことで、面積78.5cm2の凹凸構造層反射防止膜を得た。出来上がった凹凸構造層の厚み平均は1.5μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は61nmであった。出来上がった凹凸構造層の中心部分を5cm×5cmの正方形に切り出し、切り出した凹凸構造層の厚み平均と凹凸構造層の厚みばらつき平均を測定した所、凹凸構造層の厚み平均は1.5μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は53nmであった。切り出した凹凸構造層をAFMで観察したところ、高さ150nm、周期の長さが180nmの周期凹凸構造が形成されていた。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みは4、引張伸度は15であった。次に、凹凸構造層を5cm×5cm角に切り出した。切り出した正方形の任意の一辺と該一辺と直角に交わる辺をそれぞれ5等分するように直線を引いてできる25等分割された各正方形の中心を透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300で測定した。測定は波長248nmと365nmを使用した。上記25点における波長248nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は3であった。また、上記25点における波長365nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は5であった。次に、5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位は生じず、隙間無く透明球体に貼り付けることが出来た。凹凸構造層付き透明球体を肉眼で観察したところ、色むらはほとんど見えなかった。<実施例2>パーフルオロアルキルエーテル環構造を有するアモルファスフッ素樹脂を膜材として含む溶液であるサイトップCTX-809SP2旭硝子株製商品名、降伏歪み約5、引張伸度約175をパーフルオロトリブチルアミンフロリナートFC-43住友スリーエム株製商品名で希釈調整した。この時、ポリマー溶液中に含まれるパーフルオロアルキルエーテル環構造を有するアモルファスフッ素樹脂の濃度は3質量であった。上記のモールド2上に作製したポリマー溶液を30cc滴下した後、スピンコーター上で回転数300rpm、回転時間50秒の条件で回転塗布した。次いでモールド2ごと80°C、180°Cのホットプレートで各5分間乾燥させ、乾燥した膜をモールド1から引き剥がすことで、面積78.5cm2の凹凸構造層反射防止膜を得た。出来上がった凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は10nmであった。出来上がった凹凸構造層の中心部分を5cm×5cmの正方形で切り出し、切り出した凹凸構造層の厚み平均と凹凸構造層の厚みばらつき平均を測定した所、凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は5nmであった。切り出した凹凸構造層をAFMで観察したところ、高さ100nm、周期の長さが220nmの周期凹凸構造が形成されていた。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みは5、引張伸度は175であった。次に、凹凸構造層を5cm×5cm角に切り出した。切り出した正方形の任意の一辺と該一辺と直角に交わる辺をそれぞれ5等分するように直線を引いてできる25等分割された各正方形の中心を透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300で測定した。測定は波長248nmと365nmを使用した。上記25点における波長248nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は1であった。また、上記25点における波長365nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は0.5であった。次に5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位は生じず、隙間無く透明球体に貼り付けることが出来た。凹凸構造層付き透明球体を肉眼で観察したところ、色むらは全く見えなかった。<実施例3>モールドとして、モールド3を使用した以外は実施例2と同様の作製方法で凹凸構造層を作製した。出来上がった凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は10nmであった。出来上がった凹凸構造層の中心部分を5cm×5cmの正方形に切り出し、切り出した凹凸構造層の厚み平均と凹凸構造層の厚みばらつき平均を測定した所、凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は5nmであった。切り出した凹凸構造層をAFMで観察したところ、高さ100nm、周期の長さが100nmの周期凹凸構造が形成されていた。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みは5、引張伸度は175であった。次に、凹凸構造層を5cm×5cm角に切り出した。切り出した正方形の任意の一辺と該一辺と直角に交わる辺をそれぞれ5等分するように直線を引いてできる25等分割された各正方形の中心を透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300で測定した。測定は波長248nmと365nmを使用した。上記25点における波長248nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は1であった。また、上記25点における波長365nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は0.5であった。次に5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位は生じず、隙間無く透明球体に貼り付けることが出来た。凹凸構造層付き透明球体を肉眼で観察したところ、色むらは全く見えなかった。<実施例4>モールドとして、モールド4を使用した以外は実施例2と同様の作製方法で凹凸構造層を作製した。出来上がった凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は10nmであった。出来上がった凹凸構造層の中心部分を5cm×5cmの正方形に切り出し、切り出した凹凸構造層の厚み平均と凹凸構造層の厚みばらつき平均を測定した所、凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は5nmであった。切り出した凹凸構造層をAFMで観察したところ、高さ100nm、周期の長さが70nmの周期凹凸構造が形成されていた。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みは5、引張伸度は175であった。次に、凹凸構造層を5cm×5cm角に切り出した。切り出した正方形の任意の一辺と該一辺と直角に交わる辺をそれぞれ5等分するように直線を引いてできる25等分割された各正方形の中心を透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300で測定した。測定は波長248nmと365nmを使用した。上記25点における波長248nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は1であった。また、上記25点における波長365nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は0.5であった。次に5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位は生じず、隙間無く透明球体に貼り付けることが出来た。凹凸構造層付き透明球体を肉眼で観察したところ、色むらは全く見えなかった。<実施例5>モールドとして、モールド5を使用した以外は実施例2と同様の作製方法で凹凸構造層を作製した。出来上がった凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は10nmであった。出来上がった凹凸構造層の中心部分を5cm×5cmの正方形で切り出し、切り出した凹凸構造層の厚み平均と凹凸構造層の厚みばらつき平均を測定した所、凹凸構造層の厚み平均は0.7μm、凹凸構造層の厚みばらつき平均は5nmであった。切り出した凹凸構造層をAFMで観察したところ、高さ80nm、周期の長さが70nmの周期凹凸構造が形成されていた。また、作製された凹凸構造層の降伏歪みは5、引張伸度は175であった。次に、凹凸構造層を5cm×5cm角に切り出した。切り出した正方形の任意の一辺と該一辺と直角に交わる辺をそれぞれ5等分するように直線を引いてできる25等分割された各正方形の中心を透過分光膜厚計大塚電子株式会社、FE1300で測定した。測定は波長248nmと365nmを使用した。上記25点における波長248nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は1であった。また、上記25点における波長365nmでの透過率を測定したところ、最も透過率の高い点と最も透過率の低い点との差異は0.5であった。次に5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位は生じず、隙間無く透明球体に貼り付けることが出来た。凹凸構造層付き透明球体を肉眼で観察したところ、色むらは全く見えなかった。<比較例1>ポリメタクリル酸メチル三菱レイヨン株製、降伏歪み無し、引張伸度約6をトルエン溶液に溶かしたポリマー溶液を作製した。この時、ポリマー溶液中に含まれるポリメタクリル酸メチルの濃度は6質量であった。モールド1表面にシランカップリングを行った後、作製したポリマー溶液を30cc成膜基板上に滴下し、スピンコーター上で、回転数300rpm、回転時間50秒の条件で回転塗布した。次いで成膜基板ごと80°C、180°Cのホットプレートで各5分間乾燥し、成膜基板から乾燥された膜を引き剥がそうとしたところ、膜が破断してしまった。<比較例2>ポリマー溶液の成膜基板上に滴下量とスピンコーターの回転数を調節して、5cm×5cm角における凹凸構造層の厚み平均を5.0μmとした以外は実施例2と同様の作製方法で凹凸構造層を作製した。ポリマー溶液の滴下量は30cc、スピンコーターの回転数は500rpm、回転時間は30秒とした。5cm×5cm角に切り出した凹凸構造層を直径8cmの透明球体に貼り付けた所、折りたたみ部位が生じ、隙間が生じてしまった。"