主面同士を対向させて配置された第1基板および第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と、互いに交差するように前記第2基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線および複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられている複数の薄膜トランジスタと、前記画素内に設けられた補助容量線と、前記補助容量線を覆うように設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ、前記画素内に位置し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆うように前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられて前記画素内に位置した、透明材料からなる導電膜と、前記導電膜を覆うように設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に第1方向に沿って配列して設けられ、前記ドレイン配線および前記導電膜に電気的に接続されて、前記画素内に少なくとも1つ設けられた、透明材料からなる信号電極と、前記第3絶縁膜上に前記信号電極の前記第1方向における両側に位置して設けられた、透明材料からなる共通電極とを備え、前記信号電極は、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在して設けられており、前記導電膜、前記補助容量線および前記ドレイン配線は、前記信号電極の形成領域内で、互いに重なって前記第2方向における前記信号電極の一端から他端にかけて延在していることを特徴とする液晶表示装置。前記第2絶縁膜と前記第3絶縁膜との間に、前記導電膜と同一の材料からなるシールド電極が設けられており、前記シールド電極は、平面視して、前記信号電極と前記ソース配線との間に少なくとも一部が位置している請求項1に記載の液晶表示装置。前記第2絶縁膜と前記導電膜との間に、前記補助容量線および前記ドレイン配線を覆うように遮光膜が設けられている請求項1または2に記載の液晶表示置。前記遮光膜は、前記第2絶縁膜と前記シールド電極との間にも設けられている請求項3に記載の液晶表示装置。近年、液晶表示装置はタッチパネルなどと組み合わせて使用される場合が多く、ユーザーがタッチパネルを押圧することで、液晶表示装置の表示領域に外部応力が加わる頻度が高くなっている。横電界方式の液晶表示装置では、白表示の際に押圧されると、この押圧によって、押圧領域に位置する液晶分子の配向が変化リバースツイストドメインと呼ばれるし、液晶分子の配向がそのまま戻らなくなる場合がある。この場合、このリバースツイストドメインの領域と他の領域とでは透過率が異なってしまい、リバースツイストドメインの領域が斑として見えてしまい、表示品位が低下するという問題がある。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第1基板および第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層と、互いに交差するように前記第2基板の前記主面上に設けられた複数のゲート配線および複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられている複数の薄膜トランジスタと、前記画素内に設けられた補助容量線と、前記補助容量線を覆うように設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ、前記画素内に位置し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたドレイン配線と、前記ドレイン配線を覆うように前記第1絶縁膜上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられて前記画素内に位置した、透明材料からなる導電膜と、前記導電膜を覆うように設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に第1方向に沿って配列して設けられ、前記ドレイン配線および前記導電膜に電気的に接続されて、前記画素内に少なくとも1つ設けられた、透明材料からなる信号電極と、前記第3絶縁膜上に前記信号電極の前記第1方向における両側に位置して設けられた、透明材料からなる共通電極とを備え、前記信号電極は、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在して設けられており、前記導電膜、前記補助容量線および前記ドレイン配線は、前記信号電極の形成領域内で、互いに重なって前記第2方向における前記信号電極の一端から他端にかけて延在していることを特徴とする。本発明の液晶表示装置によれば、導電膜、補助容量線およびドレイン配線が、信号電極の形成領域内で、互いに重なって第2方向における信号電極の一端から他端にかけて延在しているので、外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、信号電極の形成領域内で形成できる容量が大きくなり、信号電極の形成領域外に位置する補助容量線の形成面積を小さくできるので、画素の開口率を向上させることができる。[第1の実施形態]本発明の第1の実施形態における液晶表示装置1について、図1~図5を参照しながら説明する。液晶表示装置1は、複数の画素Pからなる表示領域EDを有する液晶パネル2と、液晶パネル2の表示領域EDに向けて光を出射する光源装置3と、液晶パネル2上に配置される第1偏光板4と、液晶パネル2と光源装置3との間に配置される第2偏光板5とを備えている。液晶パネル2では、第1基板21と第2基板22とが対向配置され、第1基板21と第2基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第1基板21と第2基板22とを接合するシール材24が設けられている。第1基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第1主面21aと、第1主面21aとは反対側に位置する第2主面21bとを有している。第1基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。第1基板21の第2主面21b上には、カラーフィルタ211が設けられている。カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ211は、第1基板21の第2主面21b上に位置しており、各画素Pごとに設けられている。各カラーフィルタ211は、赤、緑および青のいずれかの色を有している。また、カラーフィルタ211は上記の色に限られず、例えば、黄色、白などの色のカラーフィルタ211を配置してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染料あるいは顔料を添加した樹脂が挙げられる。第2基板22は、第1基板21の第2主面21bに対向する第1主面22aと、第1主面22aの反対側に位置する第2主面22bとを有している。第2基板22は第1基板21と同様の材料で形成できる。第2基板22の第1主面22a上には、複数のゲート配線221および補助容量線222が設けられており、複数のゲート配線221および補助容量線222を覆うようにゲート絶縁膜223が設けられている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224およびドレイン配線Dが設けられている。また、ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224およびドレイン配線Dを覆うように層間絶縁膜225が設けられている。また、この層間絶縁膜225上には、導電膜Gが設けられているとともに、ゲート配線221およびソース配線224の形成領域に対応して遮光膜BMが設けられている。また、遮光膜BM上にはシールド電極Sが設けられている。また、層間絶縁膜225上には、平坦化膜226が設けられており、この平坦化膜226上には共通電極227および信号電極228が設けられている。ゲート配線221は、駆動IC図示せずから供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図3に示すように、ゲート配線221は、第2基板22の第1主面22a上にX方向に延在している。また、複数のゲート配線221はY方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、材料を第2基板22の第1主面22a上に膜として形成する。この膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、この膜を薬液でエッチングして、膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。補助容量線222は第2基板22の第1主面22aに設けられている。補助容量線222はゲート配線221と同一平面上に位置している。図3に示すように、補助容量線222はX方向に延在しているとともに、画素P内においてY方向に延在している。また、Y方向に延在している補助容量線222は、ゲート絶縁膜223を介してドレイン配線Dに対向している。補助容量線222は、ゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、この実施形態では、補助容量線222におけるY方向に延在する部分が直線状であるが、この部分を屈曲させてもよい。ゲート絶縁膜223はゲート配線221および補助容量線222を覆うように第1主面22a上に設けられている。ゲート絶縁膜223は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第2基板22の第1主面22a上に形成できる。ソース配線224は、駆動ICから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極228に印加する機能を有する。図3に示すように、複数のソース配線224はY方向に延在している。また、複数のソース配線224は、ゲート絶縁膜223上にX方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。なお、この実施形態では、ソース配線224を直線状に形成しているが、屈曲させてもよい。薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコンもしくはポリシリコンなどの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線224に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極は、ドレイン配線DおよびコンタクトホールCを介して信号電極228に接続されている。薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極228への画像信号の書き込みもしくは非書き込みが制御される。ドレイン配線Dはゲート絶縁膜223上に形成されている。ドレイン配線Dは薄膜トランジスタTFTのドレイン電極に接続され、コンタクトホールCを介して信号電極228と接続されている。ドレイン配線Dは信号電極228の形成領域内に位置している。また、ドレイン配線Dは、Y方向での信号電極228の一端側から他端側にかけて延在している。また、ドレイン配線Dは補助容量線222と重なり、この重なり領域は信号電極228の形成領域内に位置している。この重なり領域は信号電極228のY方向での一端側から他端側にかけて延在している。ドレイン配線Dは導電性を有する材料によって形成され、ソース配線224と同様の材料で形成してもよい。層間絶縁膜225はソース配線224およびドレイン配線Dを覆うようにゲート絶縁膜223上に設けられている。層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。遮光膜BMは光を遮光する機能を有する。遮光膜BMは、層間絶縁膜225上に設けられているとともに、ゲート配線221、補助容量線222のX方向に延在する部分、ソース配線224および共通電極227の一部に重なるように位置している。なお、図3において、遮光膜BMの形成領域は破線の斜線で示されている領域である図6、図7および図9についても同様。遮光膜BMはゲート配線221、ソース配線224および補助容量線222のX方向に延在する部分を覆うように第2基板22側に形成されているので、遮光膜BMが第1基板21側に形成されている場合に比べて、ゲート配線221、補助容量線222およびソース配線224を精度よく遮光することができる。なお、本実施形態では、遮光膜BMが第2基板22側に形成されているが、第1基板21側に形成してもよい。遮光膜BMの材料は、例えば、遮光性の高い色例えば黒色の染料あるいは顔料が添加された樹脂などが挙げられる。導電膜Gは層間絶縁膜225上に設けられている。また、導電膜Gは信号電極228の形成領域内に位置している。導電膜GはY方向における信号電極228の一端から他端にかけて延在している。また、導電膜Gは、補助容量線222のY方向に延在する部分およびドレイン配線Dに重なっている。また、導電膜GはコンタクトホールCを介して信号電極228と電気的に接続されている。なお、この実施形態では、導電膜Gは直線状に形成されているが、屈曲させてもよい。導電膜Gの材料としては、導電性を有する透明材料によって形成され、例えばITO、IZO、ATO、AZO、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。シールド電極Sは、ソース配線224に印加される電圧から生じる電界を遮蔽する機能を有する。シールド電極Sは遮光膜BM上に設けられている。また、シールド電極Sの一部は遮光膜BMの傾斜部に位置しており、平面視してソース配線224と信号電極228との間に位置している。また、シールド電極Sの一部は、遮光膜BMの平坦部に位置しており、平面視してソース配線224に重なるように位置している。シールド電極Sは補助容量線222、共通電極227およびグランド電位のいずれかに接続できる。また、シールド電極Sは、その表面積を確保できればフローティングであってもよい。なお、本実施形態では、シールド電極Sをソース配線224と信号電極228との間に設けているが、これに加えて、シールド電極Sをゲート配線221と信号電極228との間に設けてもよい。すなわち、ゲート配線221上に位置する遮光膜上にシールド電極Sを形成し、そのシールド電極Sの一部を平面視してゲート配線221と信号電極228との間に設けてもよい。シールド電極Sの材料は、導電性を有する透明材料によって形成され、例えばITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ATOAntimonyTinOxide、AZOAlDopedZincOxide、酸化錫、酸化亜鉛等によって形成される。また、シールド電極Sと導電膜Gとを同じ材料で形成すると、同一の成膜工程およびパターニング工程によってシールド電極Sおよび導電膜Gを同時に形成できるので、液晶表示装置の製造工程を簡略化できる。平坦化膜226は、第2基板22の第1主面22a上を平坦化させる機能を有する。平坦化膜226は、有機材料によって形成され、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂もしくはポリイミド系樹脂などが挙げられる。なお、平坦化膜226の膜厚は例えば1μm~5μmの範囲で設定されている。なお、寄生容量を低減させる観点では、平坦化膜226の膜厚を大きくするのが好ましい。共通電極227は、駆動ICから印加された電圧によって信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極227は平坦化膜226上に設けられている。共通電極227は、導電性を有する透明材料によって形成され、例えばITO、IZO、ATO、AZO、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。信号電極228は、駆動ICから印加された電圧によって共通電極227との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極228は平坦化膜226上に設けられており、X方向に沿って配列している。また、X方向における信号電極228の両側には共通電極227が位置している。すなわち、信号電極228と共通電極227とはX方向に交互に配置している。なお、この実施形態では、信号電極228を直線状に形成しているが屈曲させてもよい。信号電極228は共通電極227と同様の材料で形成してもよい。また、信号電極228の幅は例えば2μm~5μmの範囲に設定されている。信号電極228と共通電極227との間隔は例えば5μm~20μmの範囲に設定されている。なお、液晶表示装置1では、一画素P内において、一の信号電極228が位置し、その信号電極228のX方向の両側に共通電極227が位置しているが、この構成には限られない。すなわち、一画素P内において、複数の信号電極228を形成し、各信号電極228のX方向の両側に共通電極227を形成して画素Pの分割数をさらに増加させてもよい。液晶表示装置1では、信号電極228と電気的に接続されている導電膜Gが信号電極228の形成領域内で信号電極228の一端から他端にかけて延在している。すなわち、信号電極228の下方に位置する導電膜Gが信号電極228の一端から他端に向けて延在しているので、信号電極228の下方に位置する導電膜Gから信号電極228の両側に位置する共通電極227に向けて電気力線が発生する。この電気力線によって、白表示の際に表示領域EDが押圧された場合であっても、信号電極228と共通電極227との間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。また、導電膜Gは透明材料で形成されているので、導電膜Gをアルミニウム、モリブデン、チタンなどの金属もしくはこれらを含む合金などの高い反射率の材料で形成した場合に比べて、導電膜Gによる外光の反射を低減できるので、表示特性の低下を抑制できる。また、液晶表示装置1では、ドレイン配線Dと補助容量線222とは、信号電極228の形成領域内で、互いに重なるようにY方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在している。すなわち、信号電極228の下方に位置するドレイン配線Dが信号電極228の一端から他端に向けて延在しているので、信号電極228の下方に位置するドレイン配線Dから信号電極228の両側に位置する共通電極227に向けて電気力線が発生する。これによって、白表示の際に表示領域EDが押圧された場合であっても、この電気力線が信号電極228と共通電極227との間の領域で液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生が抑制され、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。また、ドレイン配線Dと補助容量線222との重なり領域が信号電極228の一端から他端に向けて延在しているので、この領域においてはドレイン配線Dと補助容量線222との間で容量が形成される。これによって、画素P内において、信号電極228の形成領域外に位置する補助容量線222の形成領域を小さくできるので、画素Pの開口率を向上させることができる。液晶層23は、第1基板21と第2基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。液晶表示装置1では、同一平面上に設けられた信号電極228と共通電極227とに対して電圧を印加することで、信号電極228と共通電極227との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中23の液晶分子の方向を制御する。シール材24は、第1基板21と第2基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、平面視して表示領域EDを取り囲むようにして第1基板21と第2基板22との間に設けられている。このシール材24はエポキシ樹脂などによって形成される。光源装置3は、液晶パネル2の表示領域EDに向けて光を出射する機能を有する。光源装置3は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置3では、光源31にLEDなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。第1偏光板4は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第1偏光板4は、液晶パネル2の第1基板21の第1主面21aに対向するように配置されている。第2偏光板5は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第2偏光板5は、第2基板22の第2主面22bに対向するように配置されている。[第2の実施形態]図6は、第2の実施形態における液晶表示装置1Aの要部を示す図である。液晶表示装置1Aは、第1の実施形態における液晶表示装置1に比べて、補助容量線222のX方向に延在する部分が信号電極228の中央部に位置している点で異なる。液晶表示装置1Aでは、補助容量線222のX方向に延在する部分が信号電極228の中央部に位置しているので、補助容量線222とゲート配線221との離間を確保させることができ、液晶表示装置を製造する際に、補助容量線222とゲート配線221とが接触して導通することで不良が発生することを低減できる。[第3の実施形態]図7および図8は、第3の実施形態における液晶表示装置1Bの要部を示す図である。液晶表示装置1Bは、第1の実施形態における液晶表示装置1に比べて、層間絶縁膜225と導電膜Gとの間に、補助容量線222およびドレイン配線Dを覆うように遮光膜BMが設けられている点が異なる。すなわち、液晶表示装置1Bでは、信号電極228および導電膜Gとの下方に位置するドレイン配線Dおよび補助容量線222が遮光膜BMの形成領域内に位置しているので、遮光膜BMによって外光がドレイン配線Dおよび補助容量線222に入射反射するのを遮蔽することで画像表示の劣化を抑制でき、また、光源装置3からの光のうちドレイン配線Dの端で散乱する光を遮蔽することでコントラストの低下を抑制できる。また、遮光膜BMはドレイン配線Dおよび補助容量線222を覆うように第2基板22側に形成されているので、遮光膜BMが第1基板21側に形成されている場合に比べて、ドレイン配線Dおよび補助容量線222を精度よく遮光できる。また、図9に示すように、第3の実施形態の構成は第2の実施形態における液晶表示装置1Aにも適用できる。本発明は上記の第1~第3の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更および改良が可能である。