"式Iで表される構成単位、及び、式IIで表わされる構成単位を有する高分子化合物。III式I及び式II中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアルキルチオ基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアリールオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。複数個あるRは、同一でも相異なってもよい。Yは、2価の基を表す。Yで表される2価の基が、式Y-1で表わされる基、式Y-2で表わされる基、式Y-3で表わされる基又は式Y-4で表わされる基である請求項1に記載の高分子化合物。式Y-1~Y-4中、Rは、前述と同じ意味を表わす。ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000以上である請求項1又は2に記載の高分子化合物。請求項1~3のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む薄膜。請求項1~3のいずれか一項に記載の高分子化合物と電子受容性化合物とを含む組成物。電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である請求項5に記載の組成物。請求項5又は6に記載の組成物を含む薄膜。請求項4又は7に記載の薄膜を用いた電子素子。しかしながら、前記高分子化合物を含む有機層を有する光電変換素子は、開放端電圧が必ずしも十分ではない。本発明は、光電変換素子に含まれる有機層に用いた場合に、開放端電圧が大きくなる高分子化合物を提供することを目的とする。即ち、本発明は第一に、式Iで表される構成単位、及び、式IIで表わされる構成単位を有する高分子化合物を提供する。III式I及び式II中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアルキルチオ基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアリールオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。複数個あるRは、同一でも相異なってもよい。Yは、2価の基を表す。本発明は第二に、Yで表される2価の基が、式Y-1で表わされる基、式Y-2で表わされる基、式Y-3で表わされる基又は式Y-4で表わされる基である前記高分子化合物を提供する。式Y-1~Y-4中、Rは、前述と同じ意味を表わす。本発明は第三に、ポリスチレン換算の重量平均分子量が3000以上である前記高分子化合物を提供する。本発明は第四に、前記高分子化合物を含む薄膜を提供する。本発明は第五に、前記高分子化合物と電子受容性化合物とを含む組成物を提供する。本発明は第六に、電子受容性化合物が、フラーレン誘導体である前記組成物を提供する。本発明は第七に、前記組成物を含む薄膜を提供する。本発明は第八に、前記薄膜を用いた電子素子を提供する。本発明の高分子化合物を含む有機層を有する光電変換素子は、開放端電圧が大きいため、本発明は極めて有用である。以下、本発明を詳細に説明する。本発明の高分子化合物は、式Iで表される構成単位、及び、式IIで表わされる構成単位を有する。III式I及び式II中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアルキルチオ基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアリールオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。複数個あるRは、同一でも相異なってもよい。Rで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。Rで表されるアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。アルキル基の炭素数は、通常1~30である。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル墓、ペンチル基、イソペンチル基、2-メチルブチル基、1-メチルブチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基及びエイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びアダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。Rで表されるアルコキシ基のアルキル部分は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の炭素数は、通常1~20であり、置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基及び2-メトキシエチルオキシ基が挙げられる。Rで表されるアルキルチオ基のアルキル部分は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素数は、通常1~20であり、置換基としては、ハロゲン原子が挙げられる。置換基を有していてもよいアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。Rで表されるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子1個を除いた基を意味し、その炭素数は通常6~60である。アリール基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリール基の具体例としては、フェニル基、C1~C12アルコキシフェニル基C1~C12アルコキシは、炭素数1~12のアルコキシであることを示す。C1~C12アルコキシは、好ましくはC1~C8アルコキシであり、より好ましくはC1~C6アルコキシである。C1~C8アルコキシは、炭素数1~8のアルコキシであることを示し、C1~C6アルコキシは、炭素数1~6のアルコキシであることを示す。C1~C12アルコキシ、C1~C8アルコキシ及びC1~C6アルコキシの具体例としては、上記アルコキシ基で説明し例示したものが挙げられる。以下も同様である。、C1~C12アルキルフェニル基C1~C12アルキルは、炭素数1~12のアルキルであることを示す。C1~C12アルキルは、好ましくはC1~C8アルキルであり、より好ましくはC1~C6アルキルである。C1~C8アルキルは、炭素数1~8のアルキルであることを示し、C1~C6アルキルは、炭素数1~6のアルキルであることを示す。C1~C12アルキル、C1~C8アルキル及びC1~C6アルキルの具体例としては、上記アルキル基で説明し例示したものが挙げられる。以下も同様である。、1-ナフチル基、2-ナフチル基及びペンタフルオロフェニル基が挙げられる。Rで表されるアリールオキシ基は、その炭素数が通常6~60であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、C1~C12アルコキシフェノキシ基、C1~C12アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。Rで表されるアリールチオ基は、その炭素数が通常6~60であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、C1~C12アルコキシフェニルチオ基、C1~C12アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基、2-ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。Rで表されるアリールアルキル基は、その炭素数が通常7~60であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルキル基の具体例としては、フェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキル基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキル基、1-ナフチル-C1~C12アルキル基及び2-ナフチル-C1~C12アルキル基が挙げられる。Rで表されるアリールアルコキシ基は、その炭素数が通常7~60であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルコキシ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルコキシ基、1-ナフチル-C1~C12アルコキシ基及び2-ナフチル-C1~C12アルコキシ基が挙げられる。Rで表されるアリールアルキルチオ基は、その炭素数が通常7~60であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルチオ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルチオ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基及び2-ナフチル-C1~C12アルキルチオ基が挙げられる。Rで表されるアシル基は、カルボン酸中の水酸基を除いた基を意味し、その炭素数が通常2~20である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、トリフルオロアセチル基等の炭素数2~20のハロゲンで置換されていてもよいアルキルカルボニル基、ベンゾイル基、ペンタフルオロベンゾイル基等のハロゲンで置換されていてもよいフェニルカルボニル基が挙げられる。Rで表されるアシルオキシ基は、カルボン酸中の水素原子を除いた基を意味し、その炭素数が通常2~20である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。Rで表されるアミド基は、アミドから窒素原子に結合した水素原子1個を除いた基を意味し、その炭素数が通常1~20である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。Rで表されるイミド基とは、イミド-CO-NH-CO-から窒素原子に結合した水素原子1個を除いた基を意味し、具体例としては、スクシンイミド基、フタルイミド基が挙げられる。Rで表される置換アミノ基とは、アミノ基の水素原子の1個又は2個が置換されたものであり、置換基は、例えば、置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基である。置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の具体例と同じである。置換アミノ基の炭素数が通常1~40である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1~C12アルコキルオキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニルアミノ基、1-ナフチルアミノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、C1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルコキシフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、ジC1~C12アルキルフェニル-C1~C12アルキルアミノ基、1-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基及び2-ナフチル-C1~C12アルキルアミノ基が挙げられる。Rで表される置換シリル基とは、シリル基の水素原子の1個、2個又は3個が置換されたもの、一般に、シリル基の3水素原子全てが置換されたものであり、置換基は、例えば、置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基である。置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の具体例と同じである。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。Rで表される置換シリルオキシ基とは、上記の置換シリル基に酸素原子が結合した基である。置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、tert-ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ-p-キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、tert-ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。Rで表される置換シリルチオ基とは、上記の置換シリル基に硫黄原子が結合した基である。置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、tert-ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ-p-キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、tert-ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。Rで表される置換シリルアミノ基とは、アミノ基の水素原子の1個又は2個が置換シリル基で置換されたものであり、該置換シリル基は上記の通りである。置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリイソプロピルシリルアミノ基、tert-ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ-p-キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、tert-ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジトリメチルシリルアミノ基、ジトリエチルシリルアミノ基、ジトリプロピルシリルアミノ基、ジトリイソプロピルシリルアミノ基、ジtert-ブチルジメチルシリルアミノ基、ジトリフェニルシリルアミノ基、ジトリ-p-キシリルシリルアミノ基、ジトリベンジルシリルアミノ基、ジジフェニルメチルシリルアミノ基、ジtert-ブチルジフェニルシリルアミノ基及びジジメチルフェニルシリルアミノ基が挙げられる。Rで表される複素環基は、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、βカルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の複素環式化合物から水素原子を1個除いた基が挙げられる。複素環基としては、芳香族複素環基が好ましい。Rで表される複素環オキシ基としては、上記の複素環基に酸素原子が結合した式A-1で表される基が挙げられる。Rで表される複素環チオ基としては、上記の複素環基に硫黄原子が結合した式A-2で表される基が挙げられる。A-1A-2式A-1及び式A-2中、Ar1は複素環基を表す。複素環オキシ基は、その炭素数が通常2~60である。複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、C1~C12アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、C1~C12アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基及びチアジアゾールオキシ基が挙げられる。複素環チオ基は、その炭素数が通常2~60である。複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、C1~C12アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、C1~C12アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基及びチアジアゾールメルカプト基が挙げられる。Rで表されるアリールアルケニル基は、通常、その炭素数8~20であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。Rで表されるアリールアルキニル基は、通常、その炭素数8~20であり、アリール部分が置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。式I中、Rは、置換されていてもよい炭素数6以上のアルキル基、置換されていてもよい炭素数6以上のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素数6以上のアルキルチオ基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアリールオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、炭素数6以上のアシル基及び炭素数6以上のアシルオキシ基が好ましく、置換されていてもよい炭素数6以上のアルキル基、置換されていてもよい炭素数6以上のアルコキシ基、置換されていてもよいアリール基及び置換されていてもよいアリールオキシ基がより好ましく、置換されていてもよい炭素数6以上のアルキル基が特に好ましい。置換されていてもよい炭素数6以上のアルキル基としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、トリアコンチル基、テトラコンチル基及びペンタコンチル基などの直鎖状のアルキル基、1,1,3,3-テトラメチルブチル基、1-メチルヘプチル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、1-プロピルペンチル基、2-ヘキシルデシル基、2-ヘプチルウンデシル基、2-オクチルドデシル基、3,7,11-トリメチルドデシル基、3,7,11,15-テトラメチルヘキサデシル基及び3,5,5-トリメチルへキシル基などの分岐状のアルキル基が挙げられる。炭素数6以上のアルキル基は、該基を有する高分子化合物の溶解性等を考慮して適宜選択されるが、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、1-プロピルペンチル基及び2-ヘキシルデシル基が好ましく、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基及び2-ヘキシルデシル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ヘキサデシル基、2-エチルヘキシル基及び3,7-ジメチルオクチル基が特に好ましい。アリール基は、該基を有する高分子化合物の溶解性等を考慮して適宜選択されるが、アルキル基が置換したフェニル基が好ましい。アルキル基の置換位置は、パラ位が好ましい。パラ位にアルキル基が置換したフェニル基として、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ウンデシルフェニル基、ドデシルフェニル基、トリデシルフェニル基、テトラデシルフェニル基、ペンタデシルフェニル基、ヘキサデシルフェニル基、2-エチルヘキシルフェニル基、3,7-ジメチルオクチルフェニル基、1-プロピルペンチルフェニル基及び2-ヘキシルデシルフェニル基が好ましく、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ドデシルフェニル基、ペンタデシルフェニル基、ヘキサデシルフェニル基、2-エチルヘキシルフェニル基、3,7-ジメチルオクチルフェニル基及び2-ヘキシルデシルフェニル基がより好ましく、ドデシルフェニル基、ペンタデシルフェニル基、2-エチルヘキシルフェニル基及び3,7-ジメチルオクチルフェニル基が特に好ましい。式II中、Yで表される2価の基は、Yで表される2価の基が、式Y-1で表わされる基、式Y-2で表わされる基、式Y-3で表わされる基及び式Y-4で表わされる基が好ましい。式Y-1~Y-4中、Rは、前述と同じ意味を表わす。式Y-1~式Y-4で表される基の中でも、本発明の高分子化合物を含む光電変換素子の光電変換効率を高める観点からは、式Y-1で表される基、式Y-2で表される基及び式Y-3で表される基が好ましく、式Y-1で表される基及び式Y-3で表される基がより好ましく、式Y-1で表される基が特に好ましい。式IIで表される構成単位としては、例えば、式501~式507で表される構成単位が挙げられる。式501~507中、Rは、前述と同じ意味を表す。式501~式507で表される構成単位の中でも、本発明の高分子化合物を含む光電変換素子の開放端電圧を高める観点からは、式501で表される構成単位、式503で表される構成単位、式504で表される構成単位、式506で表される構成単位及び式507で表される構成単位が好ましく、式501で表される構成単位、式503で表される構成単位及び式504で表される構成単位がより好ましく、式501で表される構成単位及び式503で表される構成単位が特に好ましい。本発明の高分子化合物は、式Iで表される構成単位のほかに、式Iで表される構成単位及び式IIで表される構成単位とは異なる構成単位他の構成単位を有していることが好ましい。本発明の高分子化合物が該他の構成単位を有する場合、式Iで表される構成単位と該他の構成単位、及び、式IIで表される構成単位と該他の構成単位とが、共役を形成することが好ましい。本発明における共役とは、不飽和結合が単結合を間に1個はさんで存在し、相互作用を示すことを指す。ここで不飽和結合とは二重結合や三重結合を指す。前記他の構成単位としては、式IIIで表される構成単位が挙げられる。III式中、Ar2は、置換基を有していてもよいアリーレン基又は2価の複素環基を表す。ただし、Ar2は、式Iで表される構成単位及び式IIで表される構成単位とは異なる。アリーレン基とは、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子2個を除いた基を意味し、その炭素数は通常6~60であり、好ましくは6~20である。アリーレン基には、ベンゼン環を含む基、縮合環を含む基、ベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる2個以上の環が直接結合した構造を含む基、ベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる2個以上の環がビニレン等の基を介して結合した構造を含む基が含まれる。アリーレン基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子及びアルコキシ基例えば、炭素数1~20が挙げられる。2価の複素環基とは、置換基を有していてもよいフラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、βカルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の複素環式化合物から水素原子を2個除いた基が挙げられる。2価の複素環基としては、2価の芳香族複素環基が好ましい。前記他の構成単位は、本発明の高分子化合物を含む光電変換素子の開放端電圧を高める観点からは、式Cy-1で表される構成単位、式Cy-2で表される構成単位、式Cy-3で表される構成単位、式Cy-4で表される構成単位及び式Cy-5で表される構成単位が好ましい。式Cy-1~Cy-5中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルコキシ基、置換されていてもよいアルキルチオ基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアリールオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアリールアルキル基、置換されていてもよいアリールアルコキシ基、置換されていてもよいアリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、置換されていてもよいアリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。R1とR2とは、連結して環状構造を形成してもよい。環Cyは、同一又は相異なり、芳香環を表す。環Cyが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Zは、2価の基を表す。Rは、前述と同じ意味を表す。環Cyで表される芳香環は、単環でも多環でもよい。単環の芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、ピリミジン環、ピリダジン環及びトリアジン環が挙げられる。多環の芳香環としては、前記単環の芳香環に任意の環が縮合した芳香環が挙げられる。単環の芳香環に縮合する環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピロリン環、ピロリジン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、イミダゾール環、イミダゾリン環、イミダゾリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、プラゾリジン環、フラザン環、トリアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、テトラゾール環、ピラン環、ピリジン環,ピペリジン環、チオピラン環、リダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペラジン環、モルホリン環、トリアジン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、イソインドール環、インドリジン環、インドリン環、イソインドリン環、クロメン環、クロマン環、イソクロマン環、ベンゾピラン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、インダゾール環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、キナゾリジン環、シンノリン環、フタラジン環、プリン環、プテリジン環、カルバゾール環、キサンテン環、フェナントリジン環、アクリジン環、βカルボリン環、ペリミジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環及びフェナジン環が挙げられる。Zで表される2価の基としては、例えば、式b-1で表される基、式b-2で表される基、式b-3で表される基、式b-4で表される基及び式b-5で表される基が挙げられる。式b-1~b-5中、Rは前述と同じ意味を表す。R1とR2とが連結して形成する環状構造の具体例としては、式D-1で表される構造、式D-2で表される構造、式D-3で表される構造、式D-4で表される構造及び式D-5で表される構造が挙げられる。式D-1、式D-4及び式D-5中、Rは、前述と同じ意味を表す。式Cy-1~式Cy-5で表される構成単位としては、例えば、式C-1~C-32で表される構成単位が挙げられる。式C-1~C-32中、Rは、前述と同じ意味を表す。本発明における高分子化合物とは、重量平均分子量が1,000以上の化合物を意味する。本発明の高分子化合物は、重量平均分子量が3,000~10,000,000の高分子化合物が好ましい。重量平均分子量が3,000より低いと素子作製時の膜形成に欠陥が生じることがあり、10,000,000より大きいと溶媒への溶解性や素子作製時の塗布性が低下することがある。本発明の高分子化合物の重量平均分子量は、4,000~5,000,000がより好ましく、5,000~1,000,000が特に好ましい。本発明における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCを用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出したポリスチレン換算の重量平均分子量のことを指す。本発明の高分子化合物は、素子に用いられる場合、素子作製の容易性から、溶媒への溶解度が高いことが望ましい。具体的には、本発明の高分子化合物が、該高分子化合物を0.01重量以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することが好ましく、0.1重量以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがより好ましく、0.2重量以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがさらに好ましい。本発明の高分子化合物の製造方法としては、特に制限されるものではないが、高分子化合物の合成の容易さからは、Suzukiカップリング反応やStilleカップリング反応を用いる方法が好ましい。Suzukiカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式100:Q100-E1-Q200100式中、E1は、式IIで表される構成単位を表す。Q100及びQ200は、それぞれ独立に、ジヒドロキシボリル基-BOH2又はホウ酸エステル残基を表す。で表される1種類以上の化合物と、式200:T1-E2-T2200式中、E2は、式Iで表される構成単位を表す。T1及びT2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。で表される1種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。E1として好ましくは、式501~式507で表される構成単位である。式100で表される化合物と式200で表される化合物とを反応させる場合、反応に用いる式200で表わされる1種類以上の化合物のモル数の合計が、式100で表わされる1種類以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式200で表わされる1種類以上の化合物のモル数の合計を1モルとすると、式100で表わされる1種類以上の化合物のモル数の合計が0.6~0.99モルであることが好ましく、0.7~0.95モルであることがさらに好ましい。ホウ酸エステル残基は、ホウ酸ジエステルから水酸基を除去した基を意味し、その具体例としては、下記式で表される基が挙げられる。式中、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。式200中、T1及びT2で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子及びヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。Suzukiカップリング反応を行う具体的な方法としては、任意の溶媒中において、触媒としてパラジウム触媒を用い、塩基の存在下で反応させる方法が挙げられる。Suzukiカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Pd0触媒、PdII触媒等が挙げられ、具体的には、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]、パラジウムアセテート類、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、パラジウムアセテート、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム等が挙げられるが、反応重合操作の容易さ及び反応重合速度の観点からは、パラジウム錯体は、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、パラジウムアセテート及びトリスジベンジリデンアセトンジパラジウムが好ましい。パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式100で表される化合物1モルに対して、通常、0.0001モル~0.5モルであり、好ましくは0.0003モル~0.1モルである。Suzukiカップリング反応にパラジウムアセテート類を用いる場合は、トリフェニルホスフィン、トリo-トリルホスフィン、トリo-メトキシフェニルホスフィン等のリン化合物を配位子として添加することが好ましい。リン化合物を配位子として添加する場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒1モルに対して、通常、0.5モル~100モルであり、好ましくは0.9モル~20モルであり、さらに好ましくは1モル~10モルである。Suzukiカップリング反応に使用する塩基としては、例えば、無機塩基、有機塩基及び無機塩が挙げられる。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム及びリン酸カリウムが挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン及びトリブチルアミンが挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウムが挙げられる。塩基の添加量は、式100で表される化合物1モルに対して、通常、0.5モル~100モルであり、好ましくは0.9モル~20モルであり、さらに好ましくは1モル~10モルである。Suzukiカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン及び塩化メチレン等が例示される。本発明の高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン及びテトラヒドロフランが好ましい。また、塩基を含む水溶液を反応液に加え、水相と有機相の2相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、塩基を含む水溶液を反応液に加えて反応させる。なお、2相系で反応させる場合は、必要に応じて、第4級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。Suzukiカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、40~160°C程度である。高分子化合物の高分子量化の観点からは、60~120°Cが好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間~200時間程度である。0.5時間~30時間程度が効率的で好ましい。Suzukiカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、パラジウム触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器反応系内の気体を窒素ガスで十分置換して脱気した後、この重合容器に、式100で表される化合物、式200で表される化合物、パラジウム錯体例えば、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムIIを仕込み、さらに、重合容器内の気体を窒素ガスで十分置換して脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、還流温度で8時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。Stilleカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式300:Q300-E3-Q400300式中、E3は、式IIで表される構成単位を表す。Q300及びQ400は、それぞれ独立に、置換スタンニル基を表す。で表される1種類以上の化合物と、前記式200で表される1種類以上の化合物とを、パラジウム触媒の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。E3として好ましくは式501~式507で表される構成単位である。置換スタンニル基としては、SnR1003で表される基等が挙げられる。ここでR100は1価の有機基を表す。1価の有機基としては、例えば、置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基が挙げられる。R100で表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の定義及び具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。置換スタンニル基としては、SnMe3で表される基、SnEt3で表される基、SnBu3及びSnPh3で表される基が好ましく、SnMe3で表される基、SnEt3で表される基及びSnBu3で表される基がより好ましい。上記好ましい例において、Meはメチル基を、Etはエチル基を、Buはブチル基を、Phはフェニル基を表す。式200中、T1及びT2で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子及びヨウ素原子が好ましい。Stilleカップリング反応の具体的な方法は、触媒の存在下、任意の溶媒中で反応する方法が挙げられる。Stilleカップリング反応に使用する触媒としては、例えば、パラジウム触媒が挙げられる。パラジウム触媒としては、例えば、Pd0触媒及びPdII触媒が挙げられる。具体的には、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]、パラジウムアセテート類、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム、パラジウムアセテート、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム及びビスジベンジリデンアセトンパラジウムが挙げられ、反応重合操作の容易さ及び反応重合速度の観点からは、パラジウム[テトラキストリフェニルホスフィン]及びトリスジベンジリデンアセトンジパラジウムが好ましい。Stilleカップリング反応に使用するパラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式300で表される化合物1モルに対して、通常、0.0001モル~0.5モル、好ましくは0.0003モル~0.2モルである。Stilleカップリング反応において、必要に応じて配位子や助触媒を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリo-トリルホスフィン、トリo-メトキシフェニルホスフィン、トリス2-フリルホスフィン等のリン化合物、及び、トリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。助触媒としては、例えば、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅及び2-テノイル酸銅が挙げられる。配位子又は助触媒を用いる場合、配位子又は助触媒の添加量は、パラジウム触媒1モルに対して、通常、0.5モル~100モルであり、好ましくは0.9モル~20モル、さらに好ましくは1モル~10モルである。Stilleカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N、N-ジメチルアセトアミド、トルエン、ジメトキシエタン及びテトラヒドロフランが挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン及びテトラヒドロフランが好ましい。Stilleカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、50~160°C程度である。高分子化合物の高分子量化の観点からは、60~120°Cが好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。前記反応を行う時間反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、0.1時間~200時間程度である。1時間~30時間程度が効率的で好ましい。Stilleカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Pd触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器反応系内の気体を窒素ガスで十分置換して脱気した後、この重合容器に、式300で表される化合物、式200で表される化合物及びパラジウム触媒を仕込み、さらに、重合容器内の気体を窒素ガスで十分置換して脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した溶媒例えば、トルエンを加えた後、必要に応じて配位子や助触媒を加え、その後、加熱し、昇温し、例えば、還流温度で8時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは1×103~1×108である。ポリスチレン換算の数平均分子量が1×103以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。一方、108以下である場合には、溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子の作製に用いたときに得られる素子の特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基又は複素環基と結合している構造であってもよい。本発明の高分子化合物は、光吸収末端波長が長波長であることが好ましい。光吸収末端波長は以下の方法で求めることができる。測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計JASCO-V670を用いる。JASCO-V670を用いる場合、測定可能な波長範囲が200~1500nmであるため、該波長範囲で測定を行う。まず、測定に用いる基板の吸収スペクトルを測定する。基板としては、石英基板、ガラス基板等を用いる。次いで、その基板の上に本発明の高分子化合物を含む溶液若しくは本発明の高分子化合物を含む溶融体から本発明の高分子化合物を含む薄膜を形成する。溶液からの製膜では、製膜後乾燥を行う。その後、薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルを得る。薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルと基板の吸収スペクトルとの差を、薄膜の吸収スペクトルとして得る。該薄膜の吸収スペクトルは、縦軸が本発明の高分子化合物の吸光度を、横軸が波長を示す。最も大きい吸収ピークの吸光度が0.5~2程度になるよう、薄膜の膜厚を調整することが望ましい。吸収ピークの中で一番長波長の吸収ピークの吸光度を100とし、その50の吸光度を含む横軸波長軸に平行な直線と該吸収ピークとの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点を第1の点とする。その25の吸光度を含む波長軸に平行な直線と該吸収ピークとの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点を第2の点とする。第1の点と第2の点とを結ぶ直線と基準線の交点を光吸収末端波長と定義する。ここで、基準線とは、最も長波長の吸収ピークにおいて、該吸収ピークの吸光度を100とし、その10の吸光度を含む波長軸に平行な直線と該吸収ピークの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点の波長を基準として、基準となる波長より100nm長波長である吸収スペクトル上の第3の点と、基準となる波長より150nm長波長である吸収スペクトル上と第4の点を結んだ直線をいう。本発明の高分子化合物は、高い電子及び/又はホール輸送性を発揮し得ることから、該高分子化合物を含む有機薄膜を素子に用いた場合、電極から注入された電子やホール、或いは、光吸収によって発生した電荷を輸送することができる。これらの特性を活かして光電変換素子、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子等の種々の素子に好適に用いることができる。以下、これらの素子について個々に説明する。<光電変換素子>本発明の高分子化合物を含有する光電変換素子は、一対の電極間に、本発明の高分子化合物を含む1層以上の活性層を有する。本発明の高分子化合物を含有する光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、p型の有機半導体とn型の有機半導体との有機組成物から形成される活性層を有する。本発明の高分子化合物は、p型の有機半導体として用いることが好ましい。本発明の高分子化合物を用いて製造される光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極即ち、基板から遠い方の電極が透明又は半透明であることが好ましい。本発明の高分子化合物を有する光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、本発明の高分子化合物を含む第1の活性層と、該第1の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第2の活性層を含む光電変換素子である。透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等からなる導電性材料、NESA、金、白金、銀、銅が用いられ、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びこれらの金属のうち2つ以上の金属の合金、又は、これらの金属のうち1種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる1種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金及びカルシウム-アルミニウム合金が挙げられる。光電変換効率を向上させるための手段として活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、PEDOTポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェンなどが挙げられる。<活性層>活性層は、本発明の高分子化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。活性層のホール輸送性を高めるため、電子供与性化合物及び/又は電子受容性化合物として、本発明の高分子化合物以外の化合物を活性層中に混合して用いることもできる。なお、電子供与性化合物、電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。電子供与性化合物としては、本発明の高分子化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。電子受容性化合物としては、本発明の高分子化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンバソクプロイン等のフェナントロリン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。フラーレン、フラーレン誘導体としてはC60、C70、C76、C78、C84及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を表す。フラーレン誘導体としては、例えば、式IVで表される化合物、式Vで表される化合物、式VIで表される化合物、式VIIで表される化合物が挙げられる。IVVVIVII式IV~VII中、Raは、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい芳香族複素環基又はエステル構造を有する基である。複数個あるRaは、同一であっても相異なってもよい。Rbは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。複数個あるRbは、同一であっても相異なってもよい。Ra及びRbで表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の定義及び具体例は、Rで表される置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアリール基の定義及び具体例と同じである。Raで表される芳香族複素環基としては、前述のRで表される複素環基のうち、芳香族性を有する基が挙げられる。芳香族複素環基は、通常、炭素数が3~60であり、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。Raで表されるエステル構造を有する基は、例えば、式VIIIで表される基が挙げられる。VIII式中、u1は、1~6の整数を表す、u2は、0~6の整数を表す、Rcは、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよい芳香族複素環基を表す。Rcで表される置換されていてもよアルキル基、置換されていてもよアリール基及び芳香族複素環基の定義及び具体例は、Raで表される置換されていてもよアルキル基、置換されていてもよアリール基及び芳香族複素環基の定義及び具体例と同じである。C60フラーレンの誘導体の具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。C70フラーレンの誘導体の具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。また、フラーレン誘導体の例としては、6,6フェニル-C61酪酸メチルエステルC60PCBM、66PhenylC61butyricacidmethylester、6,6フェニル-C71酪酸メチルエステルC70PCBM、66PhenylC71butyricacidmethylester、6,6フェニル-C85酪酸メチルエステルC84PCBM、66PhenylC85butyricacidmethylester、6,6チエニル-C61酪酸メチルエステル66ThienylC61butyricacidmethylesterが挙げられる。活性層中に本発明の高分子化合物とフラーレン誘導体とが含まれる場合、フラーレン誘導体の量は、本発明の高分子化合物100重量部に対して、10~1000重量部であることが好ましく、20~500重量部であることがより好ましい。活性層の厚さは、通常、1nm~100μmが好ましく、より好ましくは2nm~1000nmであり、さらに好ましくは5nm~500nmであり、より好ましくは20nm~200nmである。前記活性層の製造方法は、如何なる方法で製造してもよく、例えば、高分子化合物を含む溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。<光電変換素子の製造方法>光電変換素子の好ましい製造方法は、第1の電極と第2の電極とを有し、該第1の電極と該第2の電極との間に活性層を有する素子の製造方法であって、該第1の電極上に本発明の高分子化合物と溶媒とを含む溶液を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第2の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明の高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン等の炭化水素溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル溶媒が挙げられる。本発明の高分子化合物は、通常、前記溶媒に0.1重量以上溶解させることができる。溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法、スピンコート法が好ましい。成膜性の観点からは、25°Cにおける溶媒の表面張力が15mN/mより大きいことが好ましく、15mN/mより大きく100mN/mよりも小さいことがより好ましく、25mN/mより大きく60mN/mよりも小さいことがさらに好ましい。<有機薄膜トランジスタ>本発明の高分子化合物は、有機薄膜トランジスタにも用いることができる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層活性層と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられ、有機半導体層が上述した有機薄膜によって構成されるものである。このような有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型、静電誘導型等が挙げられる。電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層活性層、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層活性層に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本発明の高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層活性層、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層中に設けられたゲート電極が、有機半導体層に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいても、有機半導体層が、本発明の高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。<有機エレクトロルミネッセンス素子>本発明の高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子有機EL素子に用いることもできる。有機EL素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に発光層を有する。有機EL素子は、発光層の他にも、正孔輸送層、電子輸送層を含んでいてもよい。該発光層、正孔輸送層、電子輸送層のいずれかの層中に本発明の高分子化合物が含まれる。発光層中には、本発明の高分子化合物の他にも、電荷輸送材料電子輸送材料と正孔輸送材料の総称を意味するを含んでいてもよい。有機EL素子としては、陽極と発光層と陰極とを有する素子、さらに陰極と発光層の間に、該発光層に隣接して電子輸送材料を含有する電子輸送層を有する陽極と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子、さらに陽極と発光層の間に、該発光層に隣接して正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有する陽極と正孔輸送層と発光層と陰極とを有する素子、陽極と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と陰極とを有する素子等が挙げられる。<素子の用途>本発明の高分子化合物を用いた光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。上述の有機薄膜トランジスタは、例えば電気泳動ディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ等の画素の制御や、画面輝度の均一性や画面書き換え速度を制御のために用いられる画素駆動素子等として用いることができる。<太陽電池モジュール>有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の高分子化合物を用いて製造される有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテートEVA等様々な種類のプラスチック材料をフィルム又は充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、SolarEnergyMaterialsandSolarCells48p383391記載のSCAFとよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。NMR測定NMR測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、NMR装置Varian社製、INOVA300を用いて行った。数平均分子量および重量平均分子量の測定数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC島津製作所製、商品名:LC-10Avpによりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する高分子化合物は、約0.5重量の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに30μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流速で流した。カラムは、TSKgelSuperHM-H東ソー製2本とTSKgelSuperH2000東ソー製1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器島津製作所製、商品名:RID-10Aを用いた。合成例1化合物1の合成四つ口フラスコに、テトラデシルトリフェニルホスホニウムブロミドを4.107.60mmol及びテトラヒドロフランを35mL入れ、-78°Cまで冷却した。その後、1.65mol/Lのn-ブチルリチウムのジエチルエーテル溶液を4.61mL7.60mmolを入れ、30分間攪拌した。その後、国際公開第2009/69687号の実施例α-1に記載された方法で合成した化合物α-E3.5g6.90mmolを35mLのテトラヒドロフランに溶解させ、得られた溶液を反応液に滴下し、1時間かけて室温まで昇温した。反応液に水を10mL入れた後、酢酸エチルを用いて有機層の抽出を行い、有機層を分離した。展開溶媒にヘキサンを用いたカラムクロマトグラフィーにより、有機層中の目的物を分離し、化合物1を4.53g得た。合成例2化合物2の合成四つ口フラスコに、テトラデシルブロミドを3.65g13.18mmol及びテトラヒドロフランを80mL入れ、30分間アルゴンバブリングを行った。系中を-10°Cまで冷却した後、1.0mol/Lの水素化アルミニウムリチウムのテトラヒドロフラン溶液を13.2mL入れ、5分攪拌を行った。その後、化合物1を4.53g6.59mmol入れて攪拌を行い、1時間かけて室温まで昇温した。反応液に水を10mL入れた後、酢酸エチルを用いて有機層の抽出を行い、有機層を分離した。展開溶媒にヘキサン及びクロロホルムを用いたカラムクロマトグラフィーにより、有機層中の目的物を分離し、化合物2を含む混合物を6.40g得た。1HNMR0876116512602105合成例3化合物3の合成四つ口フラスコに、合成例2で得られた化合物2を含む混合物を6.40g、クロロホルムを40mL及びトリフルオロ酢酸を20mL入れ、50°Cで10時間攪拌した。反応液に水を50mL入れた後、酢酸エチルを用いて有機層の抽出を行い、有機層を分離した。展開溶媒にヘキサン及びクロロホルムを用いたカラムクロマトグラフィーにより、有機層中から目的物を分離し、化合物3を1.75g得た。1HNMR0874124221078706合成例4化合物4の合成四つ口フラスコに、化合物3を859mg1.50mmol、テトラヒドロフランを20mL及びジメチルホルムアミドを10mL加え、室温25°Cで30分間アルゴンバブリングを行った。その後、N-ブロモスクシンイミドを587mg加え、室温で攪拌を行った。2時間後に、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、さらに酢酸エチルを加えて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサン及びクロロホルムを用いたカラムクロマトグラフィーにより、有機層中の目的物を分離し、化合物4を784mg得た。1HNMR087312452106実施例1重合体Aの合成四つ口フラスコに、化合物4を219.2mg0.300mmol及びテトラヒドロフランを21mL加え、室温25°Cで30分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリスジベンジリデンアセトンパラジウムを2.75mg0.003mmol、[トリターシャリーブチルホスホニウム]テトラフルオロボレートを3.48mg0.012mmol及び2mol/Lのリン酸カリウム水溶液を1.5g3.0mmol加えた。次に、110.6mgの化合物5アルドリッチ社製0.285mmolを9mLのテトラヒドロフランに溶解させて溶液を作製した。80°Cに設定したオイルバスで反応液を加熱し、撹拌しながら化合物5を含む溶液を10分かけて滴下し、その後、30分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸を30mg0.246mmol加え、さらに1時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウムを2.5g及び純水を22.5mL加え、3時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水30mlで2回、3重量の酢酸水溶液30mLで2回、さらに水30mLで2回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、得られたポリマーをトルエンに溶解させた。トルエン溶液をアルミナ/シリカゲルカラムに通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマー濾過後、乾燥させ、重合体Aを123mg得た。GPCで測定した重合体Aのポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量が6,000であり、数平均分子量が3,500であった。重合体Aの光吸収末端波長は880nmであった。合成例5化合物102の合成フラスコ内の空気をアルゴンで置換した200mLフラスコに、化合物101を1.78g10.0mmol、2-エチルヘキシルブロミドを5.83g25.0mmol、ヨウ化カリウムを41.5mg0.25mmol、及び、水酸化カリウムを1.68g30.0mmol入れ、ジメチルスルホキシド35mLに溶解させて、室温25°Cで24時間攪拌した。反応後、水100mLを加え、ヘキサンで生成物を抽出し、ヘキサンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラムで精製を行い、化合物102を2.61g得た。参考例2化合物103の合成フラスコ内の空気をアルゴンで置換した200mLフラスコに、化合物102を1.31g3.25mmol、及び、N,N-ジメチルホルムアミドを25mL加えた。その後、フラスコを0°Cに冷却して、N-ブロモスクシンイミドを1.21g加え、12時間攪拌した。反応液中に水100mLを入れて反応を停止し、ジエチルエーテルで生成物を抽出した。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたシリカゲルカラムで精製を行い、化合物103を1.70g得た。合成例6重合体Kの合成フラスコ内の空気をアルゴンで置換した200mLフラスコに、化合物103を561mg1.00mmol、化合物5アルドリッチ社製を388.1mg1.00mmol、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド商品名Aliquat336登録商標、アルドリッチ社製を202mg加え、トルエン20mlに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで30分バブリングした。その後、酢酸パラジウムを2.25mg、トリスホスフィンを12.3mg、16.7重量の炭酸ナトリウム水溶液を6.5mL加え、100°Cで5時間攪拌を行った。その後、フェニルホウ酸を50mg加え、さらに70°Cで2時間反応させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム2gと水20mLを加え、2時間還流下で攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水20mlで2回、3重量の酢酸水溶液20mLで2回、さらに水20mLで2回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、得られたポリマーをo-ジクロロベンゼン30mLに再度溶解した。o-ジクロロベンゼン溶液をアルミナ/シリカゲルカラムに通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーを濾過後、乾燥させ、精製した高分子化合物280mgを得た。以下、この高分子化合物を重合体Kと呼称する。GPCで測定した重合体Kのポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量が30,000であり、数平均分子量が14,000であった。実施例2有機薄膜トランジスタの作製及び評価厚さ300nmの熱酸化膜を有する高濃度にドーピングされたn-型シリコン基板をアセトン中で10分間超音波洗浄した後、UVオゾン洗浄装置を用いて紫外光を20分間照射した。その後、トルエン10mlに5滴シリンジで採取して滴下の割合で希釈したβ-フェニチルトリクロロシランをスピンコートすることにより熱酸化膜表面をシラン処理した。次に重合体Aを、オルトジクロロベンゼンに溶解させ、重合体Aの濃度が0.5重量の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターで濾過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し、重合体Aの塗布膜を形成した。該塗布膜の厚みは約30nmであった。さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で170°Cにて30分熱処理することにより、重合体Aの有機半導体薄膜を形成した。更に、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に、有機半導体薄膜側から三酸化モリブデン及び金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極を作製することにより、有機薄膜トランジスタ1を製造した。有機薄膜トランジスタ1の電気特性を、半導体パラメータ4200KEITHLEY社製を用いて測定した。その結果、ドレイン電圧Vdに対するドレイン電流Idの変化曲線は、良好であり、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機薄膜トランジスタは、p型の有機薄膜トランジスタであることを確認することができた。有機薄膜トランジスタにおけるキャリアの電界効果移動度μは、有機薄膜トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Idを表す下記式aを用いて算出した。Id=W/2LμCiVg-Vt2a式中、Lは有機薄膜トランジスタのチャネル長、Wは有機薄膜トランジスタのチャネル幅、Ciはゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Vgはゲート電圧、Vtはゲート電圧のしきい値電圧を表す。その結果、キャリアの電界効果移動度キャリア移動度は1.3×10-4cm2/Vsであり、オン/オフ電流比は105であった。実施例3有機薄膜太陽電池の作製及び評価スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、UVオゾン洗浄装置を用いて紫外線を照射して表面処理を行った。次に、重合体A及びフラーレンC60PCBMフェニルC61-酪酸メチルエステルphenylC61butyricacidmethylester、フロンティアカーボン社製を、重合体Aの重量に対するC60PCBMの重量の比が3となるようにオルトジクロロベンゼンに溶解させ、インクを製造した。インクの重量に対して、重合体Aの重量とC60PCBMの重量との合計は2.0重量であった。該インクをスピンコートによりガラス基板上に塗布し、重合体Aを含む有機膜を作製した。膜厚は約100nmであった。このようにして作製した有機膜の光吸収末端波長は940nmであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ2nmで蒸着し、次いでAlを厚さ100nmで蒸着し、有機薄膜太陽電池を製造した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーターを用いて一定の光を照射し、発生する電圧を求めた。Voc開放端電圧は0.81Vであった。比較例1重合体Aにかえて重合体Kを用いた以外は、実施例3と同様の方法で有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Voc開放端電圧は0.79Vであった。"