半導体素子の電極aと回路配線基板の導体配線cをボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤWであって、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素を合計で0.5~3.0質量含み、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Cuを5~300質量ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなることを特徴とするボールボンディング用ワイヤ。上記電極aがPd電極であることを特徴とする請求項1に記載のボールボンディング用ワイヤ。上記Pd、Auから選ばれる1種以上の元素を合計で0.7~1.5質量含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のボールボンディング用ワイヤ。上記Cuを20~300質量ppm含むことを特徴とする請求項1~3の何れか一つに記載のボールボンディング用ワイヤ。上記Pd、Auから選ばれる1種以上の元素は、Pdを必ず含むことを特徴とする請求項1~4の何れか一つに記載のボールボンディング用ワイヤ。Auボンディングワイヤは高価である。その代替材であるCuボンディングワイヤは安価ではあるが、Auボンディングワイヤに比べてFABが硬く、電極aのチップが脆弱であるとチップダメージ発生の恐れが高くなる。また、Auボンディングワイヤに比べて2nd接合性が悪く、連続ボンディング性に問題がある。表面被覆Cuボンディングワイヤは、Cuボンディングワイヤに比べて2nd接合性がよく、連続ボンディング性がよいが、FABがCuボンディングワイヤよりもさらに硬くなるため、チップダメージ発生の問題がある。また、従来、電極aにはAl-Si-Cu合金等のAl電極パッドが用いられていたが、高温信頼性、例えば150°C以上における信頼性が求められる車載などの用途ではPd電極aが検討されている。さらに脆弱なチップ5に対するダメージ低減の必要もある。このPd電極aに対し、上記表面被覆Cuボンディングワイヤは接合し難いという問題があり、Cuボンディングワイヤは、脆弱なチップ5に対してダメージを与えないような条件でボンディングしようとすると、十分な接合ができないという問題がある。さらに、従来のAgボンディングワイヤでは、ボールbを形成する際に窒素N2ガスを吹き付けて非酸化雰囲気で放電するのが一般的である。これに対し、特許文献2、3に、AgにAlもしくはMgを添加することにより、窒素ガスを吹き付けることなく大気中で放電しても形状のよいボールbが得られることが記載されている。しかし、近年、電極aが小さくなり、また、電極a同士の距離も近くなっているので、より安定した真球状のボールbを得る必要があるため、Agボンディングワイヤにおいても、一般的に窒素ガスを吹き付けて放電する方が好ましくなっている。この窒素ガスを吹き付けて放電した場合、周囲からの酸素の侵入は防ぐことができるが、ワイヤ先端が溶融した際にワイヤ表面の酸化銀から上記添加したAlもしくはMgが酸素を奪い、Al2O3もしくはMgOができる。このとき、AlもしくはMgを多量に含有していると、このAl2O3もしくはMgOがボールb表面に大量に生成してしまい、電極aとの接合の際に硬質なAl2O3もしくはMgOが電極aを損傷する問題がある。同様に、特許文献4にワイヤ強度や耐熱性を向上させるために、Ca、Sr、Y、La、Ce、Eu、Be、Ge、In、Snを添加することが記載されているが、これらの元素についても多量に添加すると、それらの元素の酸化物が電極aを損傷する問題がある。また、特許文献4にはワイヤの接合信頼性を高めるために、Pt、Pd、Cu、Ru、Os、Rh、Ir、Auを添加することが記載されているが、このような元素を多量に添加すれば、ワイヤ自体の電気抵抗が上がり、ボンディングワイヤとしての性能を損なう問題が生じる。すなわち、上述のとおり、電極aはより小さく、その距離もより近くなっているため、1st接合部を小さくすることが求められている。そのためには、ボンディングワイヤの直径を小さくする必要があるが、ワイヤの電気抵抗が高くなると、ワイヤの直径を小さくすることができなくなる問題がある。因みに、AuボンディングワイヤとPd電極aの接合であれば、高温信頼性は得られるが、材料費が高価になるという問題がある。この発明は、以上の実状の下、半導体素子のPd電極等の電極aとの接合性がよく、かつAuボンディングワイヤより安価なボンディング用ワイヤとすることを課題とする。上記課題を達成するため、この発明は、半導体素子の電極と回路配線基板の導体配線をボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤにおいて、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素を合計で0.5~3.0質量含み、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Cuを5~300質量ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなる構成としたものである。Agを主体とするボンディングワイヤは、半導体素子の電極、特にPd電極に対し、Cuボンディングワイヤや表面被覆Cuボンディングワイヤに比べて接合性がよく、一方、Auボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得る。因みに、AgボンディングワイヤとPd電極との接合箇所の耐食性は高いが、AgボンディングワイヤとAl電極との接合箇所は耐食性が低い。Pd、Auは、耐食性及び良好な電気特性を得るために添加するが、図2hに示すように、FABを作製する時にワイヤ先端部と放電棒gとの間で放電させてワイヤ先端を溶融させる際、Agに比べて高融点なAu、PdがFAB表面に集積するため、FABボールb表面がAuもしくはPdの高濃度層になり、同図bの、次に続く1st接合時に電極aとの接合界面の信頼性向上に寄与する。このとき、このFAB表面への集積はAu、Pdの融点が関わり、Pdの融点1555°CはAuの融点1064°Cに比べて高く、Pdのほうがより高濃度化するから、接合部の信頼性をより向上させるためにはAuよりもPdのほうが好ましい。このPd、Auの添加において、Pd、Auの合計が0.5質量未満であると、接合部の信頼性が低くなるため、0.5質量以上とする。0.7質量以上とすれば、特に湿潤環境下での信頼性が確保できる。一方、3.0質量を超えた量を添加すると、一般的に用いられているAu-Pd合金ボンディングワイヤの電気抵抗固有抵抗3.0μΩcmよりも本発明に係るワイヤの電気抵抗が高くなり、直径を小さくすることが難しくなるため、3.0質量以下とする。また、より好ましい範囲を1.5質量以下とすると、一般的に用いられている4NのAuボンディングワイヤと同等以上の電気抵抗固有抵抗2.3μΩcm以下を得ることができる。Ca、Y、La、Ceは、ワイヤ強度や耐熱性を向上させるために添加するが、その1種以上の元素の合計が1質量ppm未満であると、そのワイヤの耐熱性が低くなって実用上の問題が生じるため、1質量ppm以上とする。すなわち、耐熱性が低ければ、ボールb生成の際の放電による熱影響によってボールb直上のワイヤ部分の強度が低くなり、樹脂封止時にその部分が曲がったり断線したりする不具合が生じる。一方、合計添加量が10質量ppmを超えると、添加元素がワイヤ表面の酸化銀から酸素を奪い、それらの元素の酸化物となって大量にボールb表面に生じる。この酸化物の大量析出によって、1st接合時に電極aが損傷するため、合計添加量は10質量ppm以下とする。ここで、Y、La、Ceは希土類元素であり、入手性に難があるため、Caの添加が最も好ましい。また、ワイヤの強度を上げるためにCuを5質量ppm以上添加する。Agの強度を上げるために添加する元素としては、Ni、Tiなども挙げられるが、Niは添加するための鋳造凝固の際に2相に分離することがあるため、添加が難しく、TiはAg、PdおよびAuと反応してそれぞれ脆弱な金属間化合物を作るので、好ましくない。CuについてはAg中に安定して添加できるため最適である。Cuが5質量ppm未満であると、ワイヤの強度が不足するため、ワイヤボンディング後の樹脂封止の際にワイヤフローを起こしやすくなる。さらに、より高いワイヤフロー性を得るためには20質量ppm以上のCuを添加することが好ましい。また、Cuの添加量が300質量ppmを超えると、ボールbの形状が安定して真球状にならず、異形のボールbが発生しやすくなるため、その添加量は300質量ppm以下とする。このワイヤWの線径はボンディングワイヤとして使用し得れば任意であるが、例えば、10~50.8μmとする。50.8μm以下とすると溶融ボールbをより小さくでき、10μm未満であると、ボンディング前にオペレータがワイヤWをキャピラリー10aに通すのが困難になり、作業性が悪くなるうえに、空気圧によりワイヤに十分な張力をかけることができなくなり、ループ制御が困難になる恐れがある。この発明は、以上のようにAgを主体としたので、Auボンディングワイヤに比べれば、安価なものとし得て、かつ、Pd、Au、Ca、Y、La、Ce及びCuの適量の添加によって、適度な強度のワイヤとなって良好なFAB及びPd電極等との接合性が良いものとすることができる。純度が99.99質量以上4Nの高純度Agを用いて、表1に示す化学成分のAg合金を鋳造し、8mmφのワイヤロッドを作成した。そのワイヤロッドを伸線加工し最終線径を30μmのAg合金線とし、窒素雰囲気中400~600°Cで連続焼鈍して伸び5~10、所定の引張強度になるように調製した。化学成分の定量はICP-OESにより行った。そのボンディング用ワイヤWとして、実施例1~20、比較例1~15を得た。この各実施例及び各比較例に対し、下記の試験を行った。評価項目得られた各ボンディング用ワイヤWについて、自動ワイヤボンダで、図2に示すボールボンディングを行った。すなわち、放電棒gによるアーク放電によりワイヤW先端にFABボールbを作製し、それをチップ5上のNi/Pd/Au電極aに接合し、ワイヤ他端をリード端子導体配線cに接合した。なお、FAB作製時にはワイヤW先端部に窒素N2ガスを流しながらアーク放電を行った。リード端子cにはAg被覆42Ni-Fe合金を使用した。そのボンディングにおける、FAB外観析出物の有無、耐熱性、HAST、1st接合部のチップ損傷、電気抵抗、樹脂封止時のワイヤフロー、FAB形状の安定性及び総合評価を表2に示す。それらの評価方法等は以下の通りである。評価方法FAB外観析出物の有無FAB径/ワイヤ径の比率が1.9~2.1のボールbを30本作製し、走査型電子顕微鏡SEMで観察した。図3aのように表面に析出物の生成がみられないもの図4a参照をA、図3bのように表面に析出物が生成したボールbが1本でも見られたもの図4b参照、t:析出物をDとした。耐熱性ワイヤ長:5mmのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、X線非破壊観察装置にて1st接合部直上のワイヤの状態を観察した。観察は50本行い、1st接合部直上のワイヤ部分が曲がったり、破断したりせずにすべてが良好な形状であるものをA、1本でも1st接合部直上のワイヤ部分に曲がりや破断というような異常がある場合は実用上の問題があると考えてDとした。HASTによる信頼性評価ボンディング試料を130°C/85RHRelativeHumidityの試験槽中に1000時間装入し、1000時間経過後のシェア強度Hを初期のシェア強度Hで除した割合RH×100を用いて評価した。Rが80以上ならA、60以上80未満ではB、60未満ではDとした。ボンディング後、1st接合部直下のチップ損傷の評価1st接合部および電極膜を王水で溶解し、チップ5のクラックを光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡SEMで観察した。100個の1st接合部を観察して3μm未満の微小なピットが1個もしくはまったく見られない場合はA、3μm以上のクラックが2個以上認められた場合をDとした。電気抵抗4端子法を用いて室温での電気抵抗を測定した。固有抵抗が2.3μΩcm未満であれば十分な導電性を有すると考えられるのでA、固有抵抗が2.3μΩcm以上30μΩcm未満であればB、固有抵抗が30μΩcm以上であればDとした。樹脂封止時のワイヤフローの評価ワイヤ長:5mmのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、X線非破壊観察装置にて最大ワイヤフロー量を測定した。測定は20本行い、その平均値をワイヤ長5mmで除した割合をワイヤフロー率とした。このワイヤフロー率が5未満ならA、5以上7未満ではB、7以上では実用上の問題があると考えて評価をDとした。FAB形状の安定性の評価ワイヤ径に対するFAB径の比率が小さくなると、安定性の確保が難しいことから、FAB径ワイヤ径の比率が1.9~2.1の時の真球性を評価した。接合前のボールを50本観察して、FAB形状が真球状であるか否かを判定した。真球状が95以上であればA、真球状が95未満であれば、Dとした。ここで、FABボールbの作製はN2ガスを吹き付けながら行なった。総合評価各評価において、すべてAのものをA、AとBが混在しているものをB、ひとつでもDがあるものをDとした。この表1、2において、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素の合計が10質量ppmを超えると、比較例1、3、4、6、10~12からFABの外観において析出物の生成が確認され、1st接合部のチップ損傷が発生するためにFAB外観、1st接合部のチップ損傷がともにDとなり、総合評価でもDとなっている。これらの元素を含有しない場合は、比較例5、7、14から、耐熱性評価においてDとなって総合評価でDとなっている。また、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素の合計が0.5質量未満であると、比較例2、8~10から、HAST評価においてD、3.0質量を超えると、比較例13~15から、電気抵抗の評価においてDとなって、総合評価でDとなっている。さらに、Cuの添加量が5質量ppm未満であると、比較例1~5、12、15から樹脂封止の際にワイヤフローが起こるため、その評価においてD、300質量ppmを超えると、比較例6、8、9、13、14から、FAB形状の安定性評価がDとなり、総合評価でDとなっている。これに対し、各実施例1~20は、いずれも、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素を0.5~3.0質量含み、Cuを5~300質量ppm含むことから、FAB外観、耐熱性、1st接合部のチップ損傷、及びFAB形状の安定性の各評価において、Aを得ており、総合評価においては、B以上を得て、実用上問題ない評価を得ている。また、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素の合計が0.7質量以上であれば、実施例4~20、比較例1、3、4、6、7、11、13、14、15から、HAST評価においてAとなり、高い信頼性を有することが理解できる。さらに、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素の合計が1.5質量以下であると、実施例1~7、9、11、14~16、18、19、比較例1、2、4~6、8~12から、電気抵抗評価においてAとなり、良好な電気特性を得られることが理解することができる。また、Cuが20質量ppm以上であれば、実施例1、3~8、13~16、18~20、比較例6~11、13、14から、樹脂封止時のワイヤフローの評価でAとなり、高い耐ワイヤフロー性を有することが理解できる。以上から、Ca、Y、La、Ceから選ばれる1種以上の元素を合計で1~10質量ppm含み、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素を合計で0.5~3.0質量含み、Cuを5~300質量ppm含み、それ以外がAg及び不可避不純物からなるボンディング用ワイヤにおいて、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素の合計が0.7質量以上であれば、HAST評価において高い信頼性を有するものとなり、また、Pd、Auから選ばれる1種以上の元素の合計が1.5質量以下であると、良好な電気特性を得られるものとなり、さらに、Cuが20質量ppm以上であれば、高い耐ワイヤフロー性を有するものとなることが理解でき、さらに、Pd等、Ca等及びCuの添加量が全てそれらの値のボンディングワイヤWであると、上記各評価において全てAを得て、実用性の高いものとなることが理解できる。なお、上記実施形態は、電極aがNi/Pd/Au電極であったが、Ni/Pd電極等のPd電極のみならず、半導体素子に現在使用されている、Al電極等の一部を除くAu電極等の種々の電極においても、この発明に係るボンディング用ワイヤはその作用効果を得ることができた。