第1の導電型の第1の半導体層102と、ドーピングされた第2の導電型の第2の半導体層104とを有する、半導体ダイオードであって、前記第2の半導体層は、前記第1の半導体層に接続された垂直方向のスルーコンタクト領域106を有し、前記スルーコンタクト領域106が前記第1の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域106において前記ドーピングが改質されていることを特徴とする、半導体ダイオード。前記第1の導電型はn型ドーピングに相当し、前記第2の導電型はp型ドーピングに相当する、請求項1記載の半導体ダイオード。前記第1の半導体層102は、前記スルーコンタクト領域106と第1のコンタクト108とを介して、電気的にコンタクトされており、前記第2の半導体層104は第2のコンタクト110によって電気的にコンタクトされている、請求項1または2記載の半導体ダイオード。前記スルーコンタクト領域106は、前記第2の半導体層104中のドーピングを局所的に損傷させることによって形成されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体ダイオード。前記スルーコンタクト領域106は、前記第2の半導体層104の側面に沿って配置されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の半導体ダイオード。前記半導体ダイオードはオプトエレクトロニクスダイオードとして構成されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の半導体ダイオード。前記半導体ダイオードは薄膜半導体素子として構成されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の半導体ダイオード。半導体ダイオードの製造方法において、第1の導電型の第1の半導体層を設けるステップと、第2の導電型の第2の半導体層を設けるステップと、前記第2の半導体層に前記第1の半導体層のコンタクト用のスルーコンタクト領域が形成されるように、該第2の半導体層のドーピングを局所的に改質させるステップとを有することを特徴とする、製造方法。前記第2の半導体層のドーピングを改質させるために、該ドーピングを損傷させる、請求項8記載の製造方法。前記ドーピングの損傷は、イオン打ち込み法と、イオン衝撃法と、前記第2の半導体層に欠陥を導入する手法と、前記第2の半導体層に水素を導入することによる電気的パッシベーション手法とのうちいずれか1つの手法、またはいずれかの複数の手法の組み合わせによって、前記ドーピングを損傷させる、請求項9記載の製造方法。