ジェット衝突熱交換器であって、入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口とを含んでおり、前記入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能であり、前記ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでおり、前記複数のターゲット層マイクロチャネルは前記衝突領域から半径方向に延びており、前記冷却剤流体ジェットが前記衝突領域で前記ターゲット層に衝突し、前記冷却剤流体は、前記ターゲット層の周囲に向かって前記複数のターゲット層マイクロチャネルを貫流し、前記第2層は複数の第2層マイクロチャネルを含んでおり、前記移行チャネルは、前記ターゲット層と前記第2層との間に位置していて、前記第2層を前記ターゲット層に流体カップリングしており、前記冷却剤流体は、前記移行チャネルと前記複数の第2層マイクロチャネルとを貫流し、前記流体出口は、前記第2層に流体カップリングされており、前記冷却剤流体は前記複数の第2層マイクロチャネルから前記流体出口を貫流する、ジェット衝突熱交換器。前記流体出口は前記入口噴射口と同心的である、請求項1に記載のジェット衝突熱交換器。前記入口噴射口は実質的に円筒形であり、前記第2層と一体である、請求項1に記載のジェット衝突熱交換器。さらに、前記第2層にカップリングされた流体出口板を含んでおり、前記流体出口は前記流体出口板内に配置されている、請求項1に記載のジェット衝突熱交換器。前記移行チャネルは、前記ジェット衝突熱交換器の周囲で、前記ターゲット層と前記第2層との間に配置されており、前記複数のターゲット層マイクロチャネル、及び前記複数の第2層マイクロチャネルに対して垂直である、請求項1に記載のジェット衝突熱交換器。ジェット衝突熱交換器であって、入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口板とを含んでおり、前記入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能であり、前記ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでおり、前記複数のターゲット層マイクロチャネルは前記衝突領域から半径方向に延びており、前記冷却剤流体ジェットが前記衝突領域で前記ターゲット層に衝突し、前記冷却剤流体は、前記ターゲット層の周囲に向かって前記複数のターゲット層マイクロチャネルを貫流し、前記第2層は複数の第2層マイクロチャネルを含んでおり、前記入口噴射口が前記第2層と一体であり、前記移行チャネルは、前記ジェット衝突熱交換器の周囲で、前記ターゲット層と前記第2層との間に配置されており、前記移行チャネルは、前記複数のターゲット層マイクロチャネル、及び前記複数の第2層マイクロチャネルに対して垂直であり、前記移行チャネルは、前記第2層を前記ターゲット層に流体カップリングしており、前記冷却剤流体は、前記移行チャネルと前記複数の第2層マイクロチャネルとを貫流し、前記流体出口板は前記第2層にカップリングされていて、前記流体出口板は、前記第2層に流体カップリングされた、前記入口ジェットと同心的な流体出口を含んでおり、前記冷却剤流体は前記複数の第2層マイクロチャネルから前記流体出口を貫流する、ジェット衝突熱交換器。前記ターゲット層は、1つ又は2つ以上の湾曲壁を有する複数のターゲット層構成物を含んでおり、前記複数のターゲット層マイクロチャネルは、前記複数のターゲット層構成物の間に配置されており、前記第2層は、1つ又は2つ以上の湾曲壁を有する複数の第2層構成物を含んでおり、前記複数の第2層マイクロチャネルは、前記複数の第2層構成物の間に配置されている、請求項1または請求項6に記載のジェット衝突熱交換器。前記複数のターゲット層マイクロチャネルによって画定されたターゲット層マイクロチャネルパターンが、前記複数の第2層マイクロチャネルによって画定された第2層マイクロチャネルパターンとは異なる、請求項1または請求項6に記載のジェット衝突熱交換器。ジェット衝突熱交換器と、基層と、パワーエレクトロニクスデバイスとを含むパワーエレクトロニクスモジュールであって、前記ジェット衝突熱交換器は入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口とを含んでおり、前記入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能であり、前記ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでおり、前記複数のターゲット層マイクロチャネルは前記衝突領域から半径方向に延びており、前記冷却剤流体ジェットが前記衝突領域で前記ターゲット層に衝突し、前記冷却剤流体は、前記ターゲット層の周囲に向かって前記複数のターゲット層マイクロチャネルを貫流し、前記第2層は複数の第2層マイクロチャネルを含んでおり、前記移行チャネルは、前記ターゲット層と前記第2層との間に位置していて、前記第2層を前記ターゲット層に流体カップリングしており、前記冷却剤流体は、前記移行チャネルと前記複数の第2層マイクロチャネルとを貫流し、前記流体出口は、前記第2層に流体カップリングされていて、前記入口噴射口と同心的であり、前記冷却剤流体は前記複数の第2層マイクロチャネルから前記流体出口を貫流し、前記基層は、前記ターゲット層の裏側にカップリングされており、前記パワーエレクトロニクスデバイスは前記基層にカップリングされており、前記パワーエレクトロニクスデバイスによって生じた熱は、少なくとも前記基層及び前記ターゲット層を通る前記ジェット衝突熱交換器内部の冷却剤流体に伝達される、パワーエレクトロニクスモジュール。さらに、付加的なジェット衝突熱交換器を含み、前記ジェット衝突熱交換器は、前記パワーエレクトロニクスデバイスの第1の側にカップリングされており、前記付加的なジェット衝突熱交換器は、前記パワーエレクトロニクスデバイスの第2の側にカップリングされている、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。前記入口噴射口は実質的に円筒形であり、前記第2層と一体である、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。さらに、前記第2層にカップリングされた流体出口板を含んでおり、前記流体出口は前記流体出口板内に配置されている、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。前記移行チャネルは、前記ジェット衝突熱交換器の周囲で、前記ターゲット層と前記第2層との間に配置されており、前記複数のターゲット層マイクロチャネル、及び前記複数の第2層マイクロチャネルに対して垂直である、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。前記ターゲット層は、1つ又は2つ以上の湾曲壁を有する複数のターゲット層構成物を含んでおり、前記複数のターゲット層マイクロチャネルは、前記複数のターゲット層構成物の間に配置されており、前記第2層は、1つ又は2つ以上の湾曲壁を有する複数の第2層構成物を含んでおり、前記複数の第2層マイクロチャネルは、前記複数の第2層構成物の間に配置されている、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。前記複数のターゲット層マイクロチャネルによって画定されたターゲット層マイクロチャネルパターンが、前記複数の第2層マイクロチャネルによって画定された第2層マイクロチャネルパターンとは異なる、請求項9に記載のパワーエレクトロニクスモジュール。従って、熱発生デバイスを冷却するための、これに代わるジェット衝突熱交換器及び方法が必要である。一実施形態の場合、ジェット衝突熱交換器が入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネル流路と、流体出口とを含んでいる。入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能である。ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでいる。ターゲット層マイクロチャネルは衝突領域から半径方向に延びている。冷却剤流体ジェットは衝突領域でターゲット層に衝突し、ターゲット層の周囲に向かって、半径方向に延びるターゲット層マイクロチャネルを貫流する。第2層は、半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルを含んでいる。移行チャネルは、第2層をターゲット層に流体カップリングするように、ターゲット層と第2層との間に位置しており、冷却剤流体は、移行チャネルと半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルとを貫流する。流体出口は、冷却剤流体が半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルから流体出口を貫流するように、第2層に流体カップリングされている。別の実施形態の場合、パワーエレクトロニクスモジュールがジェット衝突熱交換器と、基層と、パワーエレクトロニクスデバイスとを含んでいる。ジェット衝突熱交換器が入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口とを含んでいる。入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能である。ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでいる。ターゲット層マイクロチャネルは衝突領域から半径方向に延びている。冷却剤流体ジェットは衝突領域でターゲット層に衝突し、ターゲット層の周囲に向かって、半径方向に延びるターゲット層マイクロチャネルを貫流する。第2層は、半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルを含んでいる。移行チャネルは、第2層をターゲット層に流体カップリングするように、ターゲット層と第2層との間に位置しており、冷却剤流体は、移行チャネルと半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルとを貫流する。流体出口は、冷却剤流体が半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルから流体出口を貫流するように、第2層に流体カップリングされている。基層は、ターゲット層の裏側にカップリングされており、パワーエレクトロニクスデバイスは基層にカップリングされている。パワーエレクトロニクスデバイスによって生じた熱は、少なくとも基層及びターゲット層を通るジェット衝突熱交換器内部の冷却剤流体に伝達される。さらに別の実施形態の場合、ジェット衝突熱交換器が入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口を有する流体出口板とを含んでいる。入口噴射口は、冷却剤流体ジェットを生成するように作業可能である。ターゲット層は、衝突領域と複数のターゲット層マイクロチャネルとを含んでおり、ターゲット層マイクロチャネルは衝突領域から半径方向に延びている。冷却剤流体ジェットは衝突領域でターゲット層に衝突し、冷却剤流体はターゲット層の周囲に向かって、半径方向に延びるターゲット層マイクロチャネルを貫流する。第2層は、半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルを含んでおり、入口噴射口が第2層と一体である。移行チャネルは、ジェット衝突熱交換器の周囲で、ターゲット層と第2層との間に配置されており、そしてターゲット層マイクロチャネル及び第2層マイクロチャネルに対して垂直である。移行チャネルは、冷却剤流体が移行チャネルと半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルとを貫流するように、第2層をターゲット層に流体カップリングしている。流体出口板は第2層にカップリングされていて、流体出口は該入口噴射口と同心的である。流体出口は、冷却剤流体が半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネルから流体出口を貫流するように、第2層に流体カップリングされている。本明細書中に記載された実施形態によって提供されたこれらの特徴及びさらなる特徴は、図面とともに下記詳細な説明に照らしてより十分に理解することができる。図面に示した実施形態は本質的に一例に過ぎず、特許請求の範囲によって定義されるものを限定しようとするものではない。例示した実施形態の下記詳細な説明は、図面とともに読むと理解することができる。同様の構造は同じ符号で示されている。図1はジェット衝突熱交換器の一実施形態を全体的に示している。ジェット衝突熱交換器は概ね、入口噴射口と、ターゲット層と、第2層と、移行チャネルと、流体出口とを含んでいる。ターゲット層は衝突領域を有しており、この衝突領域は、入口噴射口並びに複数のターゲット層マイクロチャネルを介して、冷却剤流体ジェットを受容するように形成されている。ターゲット層マイクロチャネルは、衝突領域からターゲット層の周囲へ冷却剤流体を最適に辿らせる。移行チャネルはターゲット層を第2層に流体カップリングしている。冷却剤流体は移行チャネルを通って、そして複数の第2層マイクロチャネル内に流入する。第2層マイクロチャネルは、冷却剤流体を流体出口に向かって最適に導く。次いで、流体出口で、冷却剤流体はジェット衝突熱交換器から出る。ジェット衝突熱交換器の2つの層は、冷却剤流体が、熱発生デバイスによって加熱された表面全体にわたって2つの方向で移動するマルチパス熱交換器を可能にする。冷却剤流体がより大きい表面積と接触し、移行チャネルで流体混合させられるので、マルチパス構成物は冷却の増強を可能にする。実施形態は、衝突ジェット構造の構成物とチャネルに基づく構造の構成物とを組み合わせることにより、片面又は両面冷却のための多層熱交換器構造を形成する。ジェット衝突熱交換器、パワーエレクトロニクスモジュール及びこれらの動作の種々の実施形態を、より詳細にここに説明する。図1及び2をここで参照すると、模範的なジェット衝突熱交換器100、及びジェット衝突熱交換器100を利用したパワーエレクトロニクスモジュール170がそれぞれ示されている。図1は、ジェット衝突熱交換器100の一実施形態の分解図であり、図2は、ジェット衝突熱交換器100を含むパワーエレクトロニクスモジュール170の断面図である。本明細書中に使用されるパワーエレクトロニクスモジュールという用語は大まかに言えば、1つ又は2つ以上の熱発生デバイス140例えばパワーエレクトロニクスデバイスがカップリングされたジェット衝突熱交換器を意味する。図1に示されたジェット衝突熱交換器100は概ね、入口噴射口117と、ターゲット層112と、第2層114と、流体出口126とを含んでいる。下でより詳細に説明するように、冷却剤流体をジェット衝突熱交換器100内に導入することにより、パワーエレクトロニクスデバイスの動作温度を低下させることができる。一実施形態の場合、入口噴射口117は、第2層114内に円筒体として一体的に形成されていてよい。入口噴射口117は種々様々な形態を成していてよく、図1に示された形態に限定されるのでないことは言うまでもない。別の実施形態では、入口噴射口117は第2層114とは別個の構成部分であってもよい。例えば、入口噴射口117は、第2の層114の開口内に嵌め込まれたノズルとして形成されてよい。入口噴射口117は、熱発生デバイス140図2参照によって発生する熱エネルギーの伝達を助けるために、熱伝導性材料から形成されてよい。入口噴射口117内に、矢印150によって示すように冷却剤流体を導入することができる。冷却剤流体ライン図示せずを例えば流体継ぎ手を介して入口噴射口117に流体カップリングすることができる。冷却剤流体ラインは、冷却剤流体源図示せず、例えば自動車のラジエータ又はその他の類似の冷却剤流体リザーバに接続されていてよい。冷却剤流体は、熱交換用途に使用される任意のタイプの流体、例えばラジエータ流体及び水であってよい。ターゲット層112は、衝突領域134と、ターゲット層壁113と、半径方向に延びる複数のターゲット層マイクロチャネル120とを含んでいる。衝突領域134は、冷却剤流体が衝突するターゲット層部分である。衝突領域134に衝突後、冷却剤流体は矢印151によって示されているように、ターゲット層マイクロチャネル120を通って外向きに、ターゲット層壁113に向かって流れる。ターゲット層壁113は、ターゲット層112内部に冷却剤流体を維持する。図3Aを参照すると、ターゲット層冷却剤流体流のパターン160が示されている。ターゲット層冷却剤は、ターゲット層112の中心から周囲に流れる。図1に示されているように、半径方向に延びるターゲット層マイクロチャネル120は、種々異なる形状及びサイズの複数のターゲット層構成物130によって画定されている。ターゲット層構成物130は湾曲壁を有しており、圧力降下を低減し、熱伝達を増強し、そしてターゲット層112の周囲に向かって冷却剤流体を導くように幾何学的に最適化されている。本明細書中に使用される最適化という用語は、構成物の幾何学的形態及び結果として形成されるマイクロチャネルが、流体流を増強し、圧力降下を低減し、そして冷却剤流体への熱伝達を増大させるように構成されていることを意味する。換言すれば、マイクロチャネルは単純に直線的なチャネルではなく、マイクロチャネルを画定する構成物は湾曲壁を有しており、サイズ及び形状は種々様々である。ターゲット層構成物130の幾何学的形態を選択することにより、冷却剤流体は、ターゲット層マイクロチャネル120内でより効率的に流れることができる。湾曲壁はまた、冷却流体がターゲット層112と接触する表面積を多くし、これにより、ターゲット層112から冷却剤流体への熱伝達を増大させる。ターゲット層構成物130、及び結果としてこれらの構成物130間に位置するターゲット層マイクロチャネル120の幾何学的形態は、例えばコンピュータシミュレーションによって割り出すことができる。ターゲット層マイクロチャネル120のために利用される幾何学的形態は、例えば流れ抵抗、冷却剤流体のタイプ、及びパワーエレクトロニクスデバイスの所望の最大動作温度のようなパラメータに依存することができる。ターゲット層112は、ターゲット層112から冷却剤流体への熱エネルギーの伝達を可能にする熱伝導性材料から形成されていてよい。模範的な材料の一例としては、銅、アルミニウム、熱的に強化された複合材料、及びポリマー複合材料が挙げられる。ターゲット層112及び相応の構成部分は、モールディング法、機械加工法、又は所望の形状及び形態を達成するための同様の方法によって形成されてよい。ターゲット層112には第2層114がカップリングされている。この第2層114は、ジェット衝突熱交換器100内部の冷却剤流体の第2パスを可能にする。第2層114は、ターゲット層壁113と第2層壁115との界面で、適宜のカップリング方法によってターゲット層112にカップリングされていてよい。例えば、第2層114は、薄い金属合金を使用して2つの構造間をろう付けすることにより、ターゲット層112に熱カップリングされていてよい。はんだ付けを利用してもよい。拡散接合を用いて第2層114とターゲット層112とをカップリングしてもよい。第2層114とターゲット層112とをカップリングするために選ばれる方法は、2つの層がシーリングされ、冷却剤流体がジェット衝突熱交換器100内部に残ることを保証するべきである。シーラント及び/又はオーバーモールディングを利用することもできる。図2を参照すると、第2層114とターゲット層112との間に移行チャネル122が配置されている。移行チャネル122はジェット衝突熱交換器100の周囲に配置されており、第2層114の底面123と第2層壁115との間の1つ又は2つ以上のギャップによって形成されていてよい。このギャップは、矢印152によって示されているように、冷却剤流体がターゲット層112から第2層114に流れるのを可能にする。移行チャネル122内部の冷却剤流体の流れは、ターゲット層112内の冷却剤流体の流れに対して垂直である。冷却剤流体は移行チャネル122を貫流し、そして第2層114内を流れるのに伴って、ターゲット層マイクロチャネル120内部の流動方向から180度旋回する。図1に示すように、第2層114は、半径方向に延びる複数の第2層マイクロチャネル124を含む。第2層マイクロチャネルは、複数の第2層構成物132によって画定されている。冷却剤流体は、第2層114の周囲第2層壁115から、第2層マイクロチャネル124を通って、第2層114の中心に向かって流れる。ターゲット層マイクロチャネル120及びターゲット層構成物130に関して上述したように、第2層マイクロチャネル124及び第2構成物132は、種々異なる幾何学的な形状及びサイズを有している。第2層構成物132は湾曲壁を有しており、圧力降下を低減し、熱伝達を増強し、矢印153によって示されているように、第2層114の中心に向かって冷却剤流体を効率的に導くように、幾何学的に最適化される。第2層構成物132の幾何学的形態を操作することにより、冷却剤流体は第2層マイクロチャネル124内部でより効率的に流れることができる。ターゲット層構成物に関して上述したように、第2層構成物132の湾曲壁はまた、冷却流体が第2層114と接触する表面積を多くし、これにより、第2層114から冷却剤流体への熱伝達を増大させる。第2層構成物132、及び結果としてこれらの構成物132間に位置する第2層マイクロチャネル124の幾何学的形態は、例えばコンピュータシミュレーションによって割り出すこともできる。第2層マイクロチャネル124のために利用される幾何学的形態は、例えば流れ抵抗、冷却剤流体のタイプ、及びパワーエレクトロニクスデバイスの所望の最大動作温度のようなパラメータに依存することができる。図3Bは、第2層の冷却剤流体の流れパターン162を示している。なお、ターゲット層マイクロチャネル120によって画定されたパターンは、第2層マイクロチャネル122によって画定されたパターンとは異なる。異なるパターンは、2つの層内部の流体流の方向が異なることから生じる。ターゲット層112内では、冷却剤流体は、中心からターゲット層112の周囲へ流れる。第2層114内では、冷却剤流体は、周囲から第2層114の中心に流れる。また、第2層構成物132はターゲット層構成物130とはサイズ及び幾何学的形態が異なる。言うまでもなく、図1に示されたものとは異なるターゲット層マイクロチャネル及び第2層マイクロチャネルを利用してもよい。第2層144も、ターゲット層112からの冷却剤流体への熱エネルギー伝達を可能にする熱伝導性材料から形成されていてよい。ターゲット層112に関して記載したように、模範的な材料の一例としては、銅、アルミニウム、熱的に強化された複合材料、及びポリマー複合材料が挙げられる。第2層114及び相応の構成部分は、モールディング法、機械加工法、又は所望の形状及び形態を達成するための同様の方法によって形成されてよい。今一度図1を参照すると、ジェット衝突熱交換器100から、加熱された冷却剤流体が流出するのを可能にするために流体出口126が設けられている。冷却剤流体は、ターゲット層112及び第2層114の熱伝達表面に対して垂直に流出してよい。図示した実施形態の場合、流体出口126は、第2層114にカップリングされた流体出口板116内部の開口として形成されている。流体出口板116は、第2層114をターゲット層112にカップリングすることに関して上述したろう付け、はんだ付け、及び拡散接合カップリング方法又は他の方法を介して、第2層114に熱カップリングされていてよい。流体出口板116は、熱伝導性材料から形成されていてもよい。流体出口126は、流体出口板116内部の円形開口として図示されてはいるが、他の形態も可能である。例えば、流体出口に流体継ぎ手装置図示が設けられていてよい。流体継ぎ手装置は、加熱された冷却剤流体を冷却剤流体リザーバ図示せずに戻す流体ライン図示せずと係合するように形成されている。冷却剤流体リザーバでは、冷却剤流体は冷却され、ジェット衝突熱交換器100及び/又は他のシステムに戻るように再循環されてよい。図1及び2に示されているように、流体出口126は、所要スペースを最小限に抑え、そしてよりコンパクトなデバイスにするために、入口噴射口117と同心的であってよい。入口噴射口117と同心的な流体出口126を使用すると、ターゲット層112及び第2層114内部の冷却剤流体の対称的な流れも可能になる。ここで図2を具体的に参照すると、パワーエレクトロニクスデバイス140とジェット衝突熱交換器100とを含むパワーエレクトロニクスモジュール170が示されている。ジェット衝突熱交換器100は、パワーエレクトロニクスデバイス140によってその動作中に発生する熱流束を除去するために使用されてよい。パワーエレクトロニクスデバイス140は、1つ又は2つ以上の半導体デバイスであってよい。このような半導体デバイスの一例としては、IGBT、RC-IGBT、MOSFET、パワーMOSFET、ダイオード、トランジスタ、及び/又はこれらの組み合わせ例えばパワーカードが挙げられる。一例としては、パワーエレクトロニクスデバイス140は例えばハイブリッド電気車両、又は電気車両における車両電気系統例えばインバータシステムに使用されてよい。このようなパワーエレクトロニクスデバイスは、車両を推進するときに顕著な熱流束を発生させることがある。言うまでもないが、本明細書中に記載されたジェット衝突熱交換器は、他の用途に利用されてもよく、車両用途に限定されるものではない。ジェット衝突熱交換器100はさらに、基層102を含んでいてよい。この基板102には、パワーエレクトロニクスデバイス140がカップリングされてよい。基層102は熱伝導性層であってよい。熱伝導性層は、パワーエレクトロニクスデバイス140によって生じた熱エネルギーを、ジェット衝突熱交換器100のターゲット層112及び第2層114に伝達するのを助ける。基層102は、直接接合されたアルミニウム基板、直接接合された銅基板、又は同様の基層を含んでよい。パワーエレクトロニクスデバイス140は、任意の適宜のカップリング方法を用いて、基層102にカップリングされてよい。一実施形態の場合、パワーエレクトロニクスデバイス140を基層102/ジェット衝突熱交換器100にカップリングするために、接合層103を使用する。非限定的な一例として、接合層は、はんだ層、ナノ銀焼結層、又は過渡液相層を含んでよい。一実施形態の場合、パワーエレクトロニクスモジュールが両面冷却構造を含むように、上記カップリング方法によって、パワーエレクトロニクスデバイスに付加的なジェット衝突熱交換器がカップリングされてもよい。パワーエレクトロニクスデバイスの第1の側例えば頂面に第1のジェット衝突熱交換器がカップリングされてよく、そして、パワーエレクトロニクスデバイスの第2の側例えば底面に、付加的なジェット衝突熱交換器がカップリングされてよい。図2を全体的に参照しながら、ジェット衝突熱交換器100の作業についてここで説明する。パワーエレクトロニクスデバイス140によって生じる熱流束が、基層102、ターゲット層112、及び第2層114を通ってジェット衝突熱交換器100に伝達される。入口噴射口を介してジェット衝突熱交換器100内に、冷却剤流体ジェット矢印150によって示すが導入される。冷却剤流体ジェットは、衝突領域134でターゲット層112に衝突する。パワーエレクトロニクスデバイス140から熱流束が冷却剤流体に、衝突領域134で伝達される。衝撃領域134はパワーエレクトロニクスデバイス140の局所的なホットスポット上にセンタリングされて、パワーエレクトロニクスデバイス140のこの領域が冷却剤流体の衝突を受けるようになっていることが好ましい。冷却剤流体は次いで、冷却剤流体150のジェットに対して垂直である流れ方向に方向を変える。冷却剤流体は、矢印151によって示されているように、半径方向に延びるターゲット層マイクロチャネル120を通って、ターゲット層112の周囲に向かって半径方向に流れる。従って、冷却剤流体はターゲット層112の表面全体にわたって流れ、そしてターゲット層112からの熱流束を冷却剤流体に伝導的に伝達するように、種々様々なターゲット層構成物130と接触状態にある。冷却剤流体は次いでターゲット層壁113に達する。次いでターゲット層壁113で、冷却剤流体は、移行チャネル122内に強制的に送り込まれる。冷却剤流体は、ターゲット層112内の流れに対して垂直に流れるように、方向を変えて移行チャネル122内を流れる。移行チャネル122内部の冷却剤流体流は、矢印152によって示されている。移行チャネル内部では熱混合の増強が生じる。このことはさらに、対流熱伝達を増大させる。移行チャネル122に対する流入及び流出後、冷却剤流体は次いで第2層114内に強制的に送られ、この場所で冷却剤流体は、ターゲット層112内の流れ方向に対して180度を成す方向で流れる。冷却剤流体は矢印153によって示されているように、ジェット衝突熱交換器100の中心に向かって流れる。従って冷却剤流体は、第2層マイクロチャネル124を通って熱伝達表面全体にわたる第2パスを形成し、そしてパワーエレクトロニクスデバイス140からの熱流速を受容し続ける。第2層マイクロチャネル124を出た後、冷却剤流体は矢印154によって示されているように、同心的流体出口を通ってジェット衝突熱交換器100から出る。ジェット衝突熱交換器100から出た、加熱された冷却剤流体は、二次再循環ループ、例えば自動車ラジエータ内で冷却されてよい。言うまでもなく、本明細書中に記載されたマルチパスジェット衝突熱交換器及びパワーエレクトロニクスモジュールの実施形態を利用して、熱発生デバイス、例えば半導体デバイスによって生じた熱を伝導対流熱伝達により除去することができる。ジェット衝突熱交換器は、複数のターゲット層マイクロチャネルと第2層マイクロチャネルとを有していてよく、これらのマイクロチャネルを通って、冷却剤流体はマルチパス流パターンを成して循環することができる。熱発生デバイスによって生成された熱は、ターゲット層上の垂直なジェット衝突、幾何学的に最適化された構成物ターゲット層及び第2層の構成物、移行チャネルにおける流体混合、及びより大きい表面積及び拡大された熱伝達経路のための最適化されたマイクロチャネルにより、伝導対流伝達によって除去することができる。具体的な実施形態をここに例示して説明してきたが、特許請求の範囲で主張された主題の思想及び範囲を逸脱することなしに種々様々な他の変更及び改変を加え得ることは明らかである。さらに、特許請求の範囲で主張された主題の種々の態様をここに説明してきたが、これらの態様を組み合わせて利用する必要はない。従って、添付の特許請求の範囲は、特許請求の範囲で主張された主題の範囲に含まれる全てのこのような変更及び改変をも対象にするものとする。