直流電源から、直列に接続された抵抗と第一のダイオードを介して流れる充電電流によってコンデンサを充電し、充電された前記コンデンサを、半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路の電源とするブートストラップ回路において、第2のダイオードを、前記抵抗に並列に、かつ前記第1のダイオードとは逆方向に接続することを特徴とするブートストラップ回路。請求項1に記載されたブートストラップ回路において、前記抵抗が第1導電型の半導体基板に形成された第2導電型の拡散層からなり、前記第2のダイオードが前記半導体基板と前記拡散層から形成されることを特徴とするブートストラップ回路。半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路に電源を供給するためのブートストラップ回路とを備えるインバータ装置において、前記ブートストラップ回路が、請求項1または請求項2に記載されたブートストラップ回路であることを特徴とするインバータ装置。上記一般的なブートストラップ回路において、充電電流を抑制するために挿入する抵抗は、上アーム駆動回路への電源供給に影響が出ない範囲内で、大きい抵抗値を持つ抵抗を使用することが望ましい。しかし、抵抗値が大きい場合、リカバリ電流発生時に両端に高電圧がかかり、故障に至る可能性が高くなる。そこで、本発明は、充電時の突入電流を抑制し、かつリカバリ電流による故障を防止することができる回路を実現することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明によるブートストラップ回路は、直流電源から、直列に接続された抵抗と第一のダイオードを介して流れる充電電流によってコンデンサを充電し、充電された前記コンデンサを半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路の電源とし、第2のダイオードを、前記抵抗に並列に、かつ前記第1のダイオードとは逆方向に接続する。また、前記抵抗が第1導電型N型またはP型の半導体基板に形成された第2導電型の拡散層第1導電型とは反対の導電型からなり、前記第2のダイオードが前記半導体基板と前記拡散層から形成されていても良い。本発明によれば、第1のダイオードに流れるリカバリ電流が第2のダイオードに流れるので、抵抗にかかる電圧を低減することができる。これにより、充電時の突入電流を抑制し、かつリカバリ電流による故障を防止することができる。以下、本発明の実施に好適な実施例を説明する。図1は本発明の一実施形態であるブートストラップ回路を含むインバータ装置の構成例を示す図である。インバータ装置1は、上アームスイッチング素子QT1、上アームスイッチング素子QT1に逆接続された上アーム還流ダイオードDT1、下アームスイッチング素子QB1、下アームスイッチング素子QB1に逆接続された下アーム還流ダイオードDB1、上アーム駆動回路3、下アーム駆動回路2、ブートストラップダイオードDb1、ブートストラップダイオード保護抵抗Rb、抵抗保護ダイオードDb2を含む回路で構成される。また、インバータ装置1は、GND端子GL1、内蔵ブートストラップダイオード電源入力端子BI、内蔵ブートストラップダイオード電源出力端子BO、上アーム駆動回路電源入力端子QVb、主電源入力端子VS、インバータ出力端子VM、GND端子GL2を備える集積回路である。なお、図1では、スイッチング素子を絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTとしたが、MOSFETや接合型バイポーラトランジスタなどの他の半導体スイッチング素子を用いても良い。制御電源入力端子VCCより供給される電力により下アーム駆動回路2が動作し、下アームスイッチング素子QB1がON状態になる。すると、インバータ出力端子VMはGND電位となり、内蔵ブートストラップダイオード電源入力端子BIより入力された電力が、ブートストラップダイオード保護抵抗Rb、ブートストラップダイオードDb1を通して内蔵ブートストラップダイオード電源出力端子BOに出力されるため、ブートストラップコンデンサCbの両端に電圧がかかり、ブートストラップコンデンサCbの充電が始まる。下アームスイッチング素子QB1がOFF状態になると、ブートストラップコンデンサCbに充電された電力は、上アーム駆動回路電源入力端子QVbを通して上アーム駆動回路3に入力され、上アーム駆動回路の電源となる。インバータ装置の動作は、下アームスイッチング素子QB1と上アームスイッチング素子QT1のON/OFFを1サイクルとし、この動作の繰り返しで行われる。ブートストラップコンデンサCbが充電中の時、ブートストラップダイオードDb1には充電電流Ifが流れているが、ブートストラップコンデンサCbから上アーム駆動回路に電力を供給する際、ブートストラップダイオードDb1には充電電流Ifに依存したリカバリ電流Ibが流れる。充電電流Ifを抑える目的で回路に挿入する抵抗は、リカバリ電流Ibが流れる際にその両端に高電圧がかかり故障する可能性があるため、抵抗保護用に抵抗保護ダイオードDb2を追加する。充電電流Ifが流れる際はブートストラップダイオード保護抵抗Rbを介して電流を流すことができ、充電電流Ifを抑えることができる。このとき抵抗保護ダイオードDb2は逆バイアス状態であり、電流は流れない。次にリカバリ電流Ibが流れる際には抵抗保護ダイオードDb2を順方向に電流が流れるため、抵抗に高電圧がかかることは無く故障を防止することができる。上記のように、本実施形態の回路は抵抗と並列に抵抗保護ダイオードDb2を追加しているので、充電電流Ifは抵抗にて抑制されるが、この時、抵抗保護ダイオードDb2は逆バイアスとなるため、電流を流すことはない。一方、ブートストラップダイオードDb1のリカバリ時に発生するリカバリ電流Ibは抵抗保護ダイオードDb2に流れるため、抵抗に高電圧は発生せず、故障を防止することができる。上記のように、新規に素子を回路内に追加することは、一般には集積回路の製造コストに影響する。そこで本実施形態では、以下に説明する構造を有する素子を追加する。図2は図1のブートストラップ回路に用いる抵抗及びダイオードの断面の一実施形態である。図2において点A及び点BはP型拡散層からなる抵抗を形成している。点B及び点Cは、点Bをアノードとし、点Cをカソードとするダイオードを形成している。つまり上記回路に必要な抵抗及びダイオードを容易に実装することが可能である。このように、点Aと点B間のP層をブートストラップダイオード保護抵抗Rb、またP層とN基板で形成される寄生ダイオードを抵抗保護Db2とすることで、容易に回路を実装することができる。尚、本実施例ではN型基板にP層の拡散層を用いて抵抗及びダイオードを形成したが、P型基板にN層の拡散層を用いた場合であっても同様の効果を得ることができる。