"支持基板と、前記支持基板上の反射層と、前記反射層上に配置され、前記反射層と同一の物質を含む酸化層と、前記酸化層上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、前記光吸収層上のバッファ層と、前記バッファ層上のウィンドウ層とを含むことを特徴とする太陽電池。前記反射層は、タンタルTa、タングステンW、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニオジウム、ジルコニア、チタンTi、または、ベリリウムBeの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記反射層は、10nm乃至5000nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記酸化層は、前記反射層の厚さの5乃至80の範囲の厚さを有することを特徴とする請求項3に記載の太陽電池。前記支持基板は、Fe、Ni、または、Crの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記裏面電極層は、金属物質を含み、複数の層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。金属を含む支持基板の上に反射層を形成するステップと、前記反射層の上部を酸化させて酸化層を形成するステップと、前記酸化層の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層の上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップとを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記酸化層は、前記反射層の上に、PEOplasmaelectrolyteoxidization、または、電着ED:electrodepositionの方法を用いて形成されることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記反射層は、タンタルTa、タングステンW、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニオジウム、ジルコニア、チタンTi、または、ベリリウムBeの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項7に記載の太陽電池の製造方法。前記酸化層は、前記反射層の厚さの5乃至80の範囲で形成されることを特徴とする請求項7に記載の太陽電池の製造方法。開示の実施形態は、向上した光電変換効率を有する太陽電池及びその製造方法を提供するものである。本発明による太陽電池は、支持基板と、前記支持基板上の反射層と、前記反射層上に配置され、前記反射層と同一の物質を含む酸化層と、前記酸化層上の裏面電極層と、前記裏面電極層上の光吸収層と、前記光吸収層上のバッファ層と、及び前記バッファ層上のウィンドウ層とを含む。本発明による太陽電池の製造方法は、金属を含む支持基板上に反射層を形成するステップと、前記反射層の上部を酸化して酸化層を形成するステップと、前記酸化層上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層上にウィンドウ層を形成するステップとを含む。本発明によると、支持基板上に反射層を形成し、前記反射層の上面を酸化して、酸化層を形成する。これにより、信頼性が向上し、向上した光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。本発明を説明するに当たって、各支持基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態による太陽電池の断面図である。図1を参照すると、実施形態による太陽電池は、支持基板100と、前記支持基板100上の反射層200と、前記反射層200上の酸化層250と、前記酸化層250上の裏面電極層300後面電極層と、前記裏面電極層300上の光吸収層400と、前記光吸収層400上のバッファ層500と、前記バッファ層500上のウィンドウ層600とを含む。前記支持基板100は、プレート状を有し、前記反射層200と、酸化層250と、裏面電極層300と、光吸収層400と、バッファ層500と、ウィンドウ層600とを支持する。前記支持基板100は、絶縁体であるか、前記支持基板100は、透明であるか、また、前記支持基板100は、リジッドであるか、フレキシブルである。前記支持基板100は、金属を含んで形成される。より詳しくは、前記支持基板100は、Fe、Ni、Crなどの物質を含んで形成され得る。前記支持基板100は、透明であるか、リジッドであるか、フレキシブルである。前記支持基板100が金属を含んで形成される場合、ガラスを含む支持基板に比べて、生産コストが節減されて、経済性の点で有利であるか、フレキシブルであって、可搬性の点で有利である。しかし、金属を含む支持基板100を形成する場合、前記支持基板100に含まれた金属イオンが上部層に拡散されることがあり、これにより、太陽電池の電気的特性が悪化するなどの問題点が発生し得る。したがって、酸化層250を形成することにより、支持基板100に含まれたイオンが上部に拡散することを防止することができる。すなわち、前記酸化層250は、拡散防止層として働くことができる。また、光吸収層400を通って支持基板100に入射する光が、前記反射層200により、前記光吸収層400に再反射することがあるので、光電変換効率を向上させることができる。このような反射層としては、シリコンオキサイド、または、アルミニウムなどの物質、又は、異種接合層が使用され得る。前記反射層200として、Ti/SiOxなどの異種接合層が使用される場合、Tiを蒸着した後、SiOxなどの物質を蒸着するので、工程が増加して、生産性の面で改善の余地がある。本発明の実施形態では、支持基板100上に反射層200を形成し、前記反射層200を酸化させて酸化層250を形成するので、工程の便宜性が増大する。前記反射層200は、酸化膜を形成することのできる物質を使用し、例えば、タンタルTa、タングステンW、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ネオジウム、ジルコニア、ベリリウムBe、チタンTiなどの物質を使用することができる。前記反射層200は、光吸収層400を通って支持基板100の方向に入射する光を、光吸収層400へ反射して、太陽電池の光電変換効率を増加させる。前記反射層200の厚さが10nm以下であると、前記光吸収層400を通った光の反射効率が減少し、5000nm以上であると、素子の小型化を具現しにくいので、このような点を考えて、10nm乃至5000nmの厚さで形成するのが望ましい。前記酸化処理により、前記反射層200の厚さは、初期厚さに比べて減少する。また、前記酸化処理後の反射層200及び酸化層250の厚さを合わせた値は、前記酸化処理前の反射層200の厚さよりも大きい値を有することがある。前記酸化層250は、前記支持基板100に含まれるイオンの、高温での経路を長くし、また、共有結合及びイオン結合をなしている酸化層250の特性上、前記支持基板100に含まれるイオンが、裏面電極層300以上の上部に拡散することを防止することができる。前記酸化処理により形成される酸化層250の厚さが、前記反射層200の初期厚さの5以下に形成されると、前記支持基板100に含まれるイオンが、裏面電極層300以上の上部に拡散することを防止する効果が不十分であり、前記反射層200の初期厚さの80以上に形成されると、前記反射層200の反射効果が減少することがあるので、これを考えて、前記酸化層250の厚さは、前記反射層200の初期厚さの5乃至80の範囲で形成することが望ましい。前記酸化層250の上には、裏面電極層300が形成される。前記裏面電極層300は、導電層である。前記裏面電極層300は、太陽電池のうち、前記光吸収層400で生成された電荷が移動するようにして、太陽電池の外部に電流を流すようにすることができる。前記裏面電極層300は、このような機能を果たすために、電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。また、前記裏面電極層300は、CIGS化合物の形成の際に伴う硫黄S、または、セレニウムSeの雰囲気下での熱処理時、高温安定性が維持されなければならない。このような裏面電極層300は、モリブデンMo、ニッケルNi、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuのいずれかで形成される。このうち、特に、モリブデンMoは、上述した裏面電極層300に要求される特性を全般的に満たすことができる。前記裏面電極層300は、2以上の層を含むことができる。この場合、それぞれの層は、同一の金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成される。前記裏面電極層300の上には、光吸収層400が形成される。前記光吸収層400は、p型半導体化合物を含む。より詳しくは、前記光吸収層400は、I-III-VI族係化合物を含む。例えば、前記光吸収層400は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または、銅-ガリウム-セレナイド系結晶を有することができる。前記光吸収層400のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVである。前記光吸収層400の上には、バッファ層500が形成される。本実施形態のように、CIGS化合物を光吸収層400として有する太陽電池は、p型半導体であるCIGS化合物薄膜と、n型半導体であるウィンドウ層600とがpn接合を形成する。しかし、2つの物質は、格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいため、良好な接合を形成するためには、バンドギャップが、2つの物質の中間に位置するバッファ層が必要である。前記バッファ層500を形成する物質としては、CdS、ZnSなどがあるが、太陽電池の発電効率の面で、CdSが相対的に優れている。CdS薄膜は、n型半導体であり、インジウムIn、ガリウムGa、アルミニウムAlなどをドーピングすることで、低い抵抗値を得ることができる。前記バッファ層500の上には、ウィンドウ層600が形成される。前記ウィンドウ層600は、透明であり、導電層として働くことができる。前記ウィンドウ層600は、酸化物を含む。例えば、前記ウィンドウ層600は、酸化亜鉛zincoxide、インジウムスズ酸化物indiumtinoxide;ITO、または、インジウム亜鉛酸化物indiumzincoxide;IZOなどを含むことができる。また、前記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、または、ガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、前記ウィンドウ層600は、アルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛Aldopedzincoxide;AZO、または、ガリウムがドーピングされた酸化亜鉛Gadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。以上で検討したように、本発明の実施形態によれば、反射層200により、向上した光電換効率を有する。また、酸化層250により、支持基板100に含まれたイオンが上層に拡散することを防止して、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。また、前記酸化層250は、反射層200の上部に酸化処理を施して形成されることで、工程の便宜性が増大し、生産性が向上される。図2乃至図5は、本発明の施形態による太陽電池の製造方法を示す断面図である。本実施形態の製造方法に関する説明は、前述した太陽電池に関する説明を参考する。前述した太陽電池に関する説明は、本実施形態の製造方法に関する説明に、本質的に組み合わせることができる。図2に示しているように、支持基板100の上に反射層200が形成される。前記反射層200は、スパッタリングSputtering法、または、真空蒸着VacuumEvaporation法で形成することができる。図3を参照すると、前記反射層200の上に酸化層250が形成される。前記酸化層250は、前記反射層200の上部を酸化処理して形成することができる。すなわち、前記酸化層250は、前記反射層200の酸化物として形成され得る。前記酸化処理は、PEOplasmaelectrolyteoxidization、または、電着ED:electrodepositionの方法を用いることができる。前記酸化処理により形成される前記酸化層250の厚さは、前記反射層200の厚さの5乃至80範囲で形成することができる。また、前記酸化処理後の反射層200と酸化層250との厚さを合わせた値は、酸化処理前の反射層200の厚さよりも大きい値を有することがある。図4を参照すると、前記酸化層250の上に裏面電極層300が形成される。前記裏面電極層300は、モリブデンを用いて、PVDPhysicalVaporDeposition、または、メッキの方法で形成される。ついで、前記裏面電極層300の上に光吸収層400が形成される。前記光吸収層400は、例えば、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを、同時又は別々に蒸発させながら、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層400を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化selenization工程により形成させる方法とが幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを詳述すると、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、前記裏面電極層300の上に金属プリカーサ膜が形成される。図5を参照すると、前記光吸収層400の上にバッファ層500が形成される。前記バッファ層500は、硫化カドミウムが、スパッタリング工程、または、溶液成長法chemicalbathdeposition;CBDなどにより蒸着されて形成される。ついで、前記バッファ層500の上にウィンドウ層600が形成される。前記ウィンドウ層600は、CVD工程、または、スパッタリング工程により蒸着されて形成される。このように、本発明の実施形態によると、反射層200により、向上した光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。また、酸化層250により、支持基板100に含まれたイオンが上層に拡散することを防止して、信頼性の向上した太陽電池を提供することができる。更に、前記反射層200の上に酸化処理を施すことで、工程の便宜性が増大して、生産性が向上される。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"