基板上において複数の列をなし且つ各列における数量が互いに等しくなるように配列された複数の開口部を有するバンクと、前記複数の開口部の各々の内側に設けられた有機半導体層と、を含み、前記有機半導体層は、複数の有機半導体素子と、有機半導体素子として機能しない少なくとも1つのダミー素子とを構成していることを特徴とする有機半導体装置。前記複数の開口部のうち同一列に属するものの形状および大きさは、互いに同一であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体装置。前記複数の開口部は、互いに同一の形状および大きさを有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体装置。前記ダミー素子は、電力供給配線が非接続であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の有機半導体装置。前記有機半導体素子に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子を更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の有機半導体装置。基板上において複数の列をなし且つ各列における数量が互いに等しくなるように配列された複数の開口部を有するバンクを形成する工程と、前記複数の開口部の各々の内側に液状の有機半導体材料を供給する工程と、前記有機半導体材料を乾燥させて前記複数の開口部の各々の内側に有機半導体層を形成する工程と、を含み、前記有機半導体層は、複数の有機半導体素子と、有機半導体素子として機能しない少なくとも1つのダミー素子とを構成していることを特徴とする有機半導体装置の製造方法。前記有機半導体素子を供給する工程において、前記有機半導体材料を吐出するノズルヘッドが、前記複数の開口部が並ぶ第1方向に沿って順次移動して前記第1方向と交差する第2方向において互いに隣接する複数の開口部内に同時に前記有機半導体材料を供給することを特徴とする請求項6に記載の製造方法。前記複数の開口部は、互いに同一の形状および大きさを有することを特徴とする請求項6または7に記載の製造方法。図1aは、有機EL表示パネルを構成するピクセル100の構成を示す平面図、図1bは図1aにおける1b-1b線に沿った断面図である。尚、図1aおよび図1bにおいて、有機半導体材料を供給するためのノズルヘッド200が示されている。ピクセル100は、基板110上に設けられた複数の開口部を有するバンク111と、バンク111の開口部内に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子以下において、有機EL素子と称するOLEDおよび複数の有機トランジスタTr1~Tr5と、を含んでいる。有機トランジスタTr1~Tr5は、バンク111の各開口部内に液状の有機半導体材料を供給することにより形成される。有機半導体材料の供給は、インクジェット塗布装置のノズルヘッド200を基板110の上方に配置して、吐出口201aおよび201bから有機半導体材料の液滴を吐出することで行われる。ノズルヘッド200は、例えば、図1aにおいて矢印で示される有機トランジスタの配列方向に沿って走査され、バンク111の各開口部内に有機半導体材料が供給される。ノズルヘッド200は、図1a中左右方向において互いに隣り合う2つの開口部間の間隔に対応する離間距離をおいて配置された吐出口201aおよび201bを有しており、有機半導体材料は、これらの吐出口201aおよび201bから同時に吐出される。ここで、図1aに示す例では、有機トランジスタTr1およびTr5は比較的サイズが大きく、有機トランジスタTr2、Tr3、Tr4は比較的サイズが小さい。有機トランジスタのサイズは、例えば動作電流の大きさに応じて定められる。また、ピクセル100内において第1列目と第2列目とで、有機トランジスタの数が異なっている。すなわち、第1列目に2つの有機トランジスタTr1、Tr2が配置され、第2列目に3つの有機トランジスタTr3、Tr4、Tr5が配置されている。このような場合、ノズルヘッド200の吐出口201aおよび201bから吐出させる有機半導体材料の量や吐出タイミングを別々に制御する必要があり、ノズルヘッドにおける吐出制御が複雑になる。また、第1列目と第2列目とで有機トランジスタの数が異なると、一方の吐出口において有機半導体材料の吐出を一時的に停止させることが必要となる。すなわち、図1aに示す例においては、ノズルヘッド200は、有機トランジスタTr5の形成位置の上方に位置決めされた後、吐出口201aから有機半導体材料を吐出して、有機トランジスタTr5に対応するバンク開口部に有機半導体層を供給する一方、他方の吐出口201bからの有機半導体材料の供給を停止させる必要がある。ノズルヘッドにおけるこのような動作は、吐出制御が複雑になるだけでなく、吐出口のいずれかにおいて有機半導体材料の吐出停止期間が生じる故、ノズルヘッド内部における有機半導体材料の状態が変化して、ノズルヘッドに目詰まりが生じる等してその後に吐出を再開するときに有機半導体材料が適切に吐出されないといった不具合が起りやすくなる。本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、インクジェット法によって有機半導体層を形成する場合において、有機半導体材料の吐出制御の簡略化を図ることができる有機半導体装置および有機半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の有機半導体装置は、基板上において複数の列をなし且つ各列における数量が互いに等しくなるように配列された複数の開口部を有するバンクと、前記複数の開口部の各々の内側に設けられた有機半導体層と、を含み、前記有機半導体層は、複数の有機半導体素子と、有機半導体素子として機能しない少なくとも1つのダミー素子とを構成していることを特徴としている。本発明の有機半導体装置の製造方法は、基板上において複数の列をなし且つ各列における数量が互いに等しくなるように配列された複数の開口部を有するバンクを形成する工程と、前記複数の開口部の各々の内側に液状の有機半導体材料を供給する工程と、前記有機半導体材料を乾燥させて前記複数の開口部の各々の内側に有機半導体層を形成する工程と、を含み、前記有機半導体層は、複数の有機半導体素子と、有機半導体素子として機能しない少なくとも1つのダミー素子とを構成していることを特徴としている。以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ説明する。尚、各図において実質的に同一または等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。図2aは、本発明の実施例に係る有機半導体装置の一種である有機EL表示パネルを構成するピクセル1の模式的な構成を示す平面図、図2bは、図2aにおける2b-2b線に沿った断面図である。有機EL表示パネルは、マトリックス状に配列された複数のピクセルにより構成される。ピクセル1は、基板30上に設けられた複数の開口部21a~21f、22を有するバンク20と、バンク20の開口部21a~21e内に形成された有機トランジスタTr1~Tr5と、バンク20の開口部21f内に設けられたダミー素子D1と、バンク20の開口部22内に設けられた有機EL素子OLEDと、を含んでいる。基板30は、ガラスやプラスチック等からなる光透過性を有する板材またはフィルム材により構成されている。バンク20は、有機トランジスタTr1~Tr5、ダミー素子D1および有機EL素子OLEDを隔てる隔壁である。バンク20は、駆動回路形成領域10内に形成された開口部21a~21fおよび発光領域11内に形成された開口部22を有している。有機トランジスタTr1~Tr5は開口部21a~21e内に設けられ、ダミー素子D1は開口部21f内に設けられ、有機EL素子OLEDは開口部22内に設けられている。駆動回路形成領域10内には、ピクセル1内において必要とされる有機トランジスタの数量にかかわらず、バンクの開口部が、複数の列をなし且つ各列におけるバンクの開口部の数量が互いに等しくなるように配列される。図2aに示す例では、バンク20の開口部21a~21fは、駆動回路形成領域10内において2つの列をなして配列され、各列における開口部の数量がそれぞれ3つとなるように配列されている。すなわち、開口部21a、21b、21cは第1列目に配置され、開口部21d、21e、21fは第2列目に配置されている。尚、以下において、開口部21a、21b、21cが並ぶ方向または開口部21d、21e、21fが並ぶ方向を第1方向と称することとし、第1方向と直交する方向を第2方向と称することとする。開口部21a~21fは、互いに同一形状および同一サイズで形成されている。また、開口部21a~21fは、それぞれ、第2方向において隣接する他の開口部と端部が揃うように整列している。尚、本実施例では、駆動回路形成領域10におけるバンクの開口部の数量を6つとしているが、特に限定されるものではない。有機トランジスタTr1~Tr5は、所謂アクティブマトリックス方式で有機EL素子OLEDを駆動する駆動回路を構成しており、有機EL素子OLEDに駆動電流を供給する駆動トランジスタ、駆動トランジスタをオンオフするスイッチングトランジスタ、またはこれらのトランジスタの動作を補正する補正トランジスタのいずれかとして機能する。有機トランジスタTr1~Tr5は、所謂ボトムコンタクト構造を有し、基板30上に形成されたゲート電極31と、ゲート電極31を覆いゲート絶縁膜として機能する絶縁膜32と、絶縁膜32上に形成されたドレイン電極33-1およびソース電極33-2と、バンク20の開口部内においてドレイン電極33-1、ソース電極33-2およびゲート絶縁膜32と接する有機半導体層34と、により構成される。有機半導体層34の表面は、絶縁体からなるオーバコート層35で覆われている。有機トランジスタTr1~Tr5は、その機能にかかわらず、互いに同一形状且つ同一サイズの有機半導体層により構成される。ダミー素子D1は、バンク20の開口部21f内に設けられた有機半導体層34により構成される。ダミー素子D1は、有機トランジスタTr1~Tr5が有するゲート電極31、ドレイン電極33-1およびソース電極33-2を有していない。すなわち、ダミー素子D1は、有機トランジスタTr1~Tr5のいずれにも電気的に接続されておらず、電力供給経路は遮断されており、能動素子である有機トランジスタとして機能しないようになっている。また、ダミー素子D1は、有機トランジスタTr1~Tr5と同一形状且つ同一サイズの有機半導体層34を有する。ダミー素子D1は、駆動回路形成領域10内において、バンク20の開口部の数量が有機トランジスタの数よりも多い場合に、有機トランジスタを形成しない開口部内に設けられる。すなわち、バンク20の開口部は、ピクセル1内において必要とされる有機トランジスタの数量にかかわらず、各列において開口部の数量が互いに等しくなるように形成されることから、ピクセル1内における開口部の総数は、有機トランジスタの数量よりも多くなる場合がある。本実施例においては、合計6つの開口部20a~20fに対して有機トランジスタの数量は5つである。この場合、有機トランジスタを形成しない開口部20fにダミー素子D1が設けられる。尚、本実施例ではダミー素子D1の数量を1つとしているが、これに限定されるものではない。また、本実施例では、ダミー素子D1を開口部20f内に配置することとしたが、ダミー素子D1の配置は任意に選択することが可能である。有機EL素子OLEDは、発光領域11内に設けられたバンク20の開口部22内において陽極40、有機機能層41、陰極42を積層することにより形成される。陽極40は、駆動トランジスタとして機能する有機トランジスタのドレイン電極33-1に接続される。有機機能層41は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層からなる積層構造を有している。本実施例に係る有機EL表示パネルは、所謂ボトムエミッション型であり、発光層から発せられた光は、基板30側から取り出される。次に、上記した構成を有する有機EL表示パネルの製造方法について説明する。図3a~cおよび図4a~cは、本実施例に係る有機EL表示パネルの製造工程におけるプロセスステップ毎の断面図である。はじめに、ガラスやプラスチック等の光透過性板材またはフィルム材からなる基板30を用意する。基板30上に各素子を形成する前に純水や界面活性剤等を含む洗浄液で洗浄し、基板30の表面に付着した油脂等を除去する。次に、スパッタ法などにより基板30上に厚さ約100nmのCr膜を形成する。続いて、Cr膜上に公知のフォトリソグラフィ技術によってレジストマスクを形成し、このレジストマスクを介してCr膜をウェットエッチングしてCr膜のパターニングを行う。これにより、有機トランジスタTr1~Tr5のゲート電極31が形成される。ダミー素子D1の形成位置には、ゲート電極は形成されていない図3a。次に、基板30上にゲート絶縁膜として機能するとともに、図示されていないゲート電極を含む下部電極配線と後の工程にて形成されるドレイン電極およびソース電極を含む上部電極配線とを絶縁する絶縁膜32を形成する。絶縁膜32の材料として例えばポリシラザンを用いることができる。ポリシラザンは、有機溶剤に可溶な無機ポリマーであり、有機溶媒溶液を塗布液として用いることができる。ポリシラザンをスピンコート法により基板30上に成膜した後、熱処理によってポリシラザンを高純度シリカアモルファスSiO2に転化させる。これにより、基板30上にゲート電極31を覆う絶縁膜32が形成される図3b。次に、スパッタ法などにより絶縁膜32上にCr厚さ5nmおよびAu厚さ100nmを順次堆積して導体膜を形成する。続いて、この導体膜をレジストマスク図示せずを介してウェットエッチングすることにより導体膜にパターニングを施す。これにより、ドレイン電極33-1およびソース電極33-2が形成される。ドレイン電極33-1およびソース電極33-2は、ゲート電極31上においてチャネル部33aを有し、チャネル部33aにおいて絶縁膜32が露出している。ダミー素子D1の形成位置には、ドレイン電極33-1およびソース電極33-2は形成されていない。次に、スパッタ法などによりIZO登録商標IndiumZincOxideまたはITOIndiumTinOxide等の光透過性を有する金属酸化物導電体を絶縁膜32上に堆積させ、エッチングによってこれをパターニングして有機EL素子OLEDの陽極40を形成する。陽極40は、絶縁膜32上において有機EL素子OLEDの駆動トランジスタとして機能する有機トランジスタのドレイン電極33-1に接続される図3c。次に、有機トランジスタTr1~Tr5、ダミー素子D1および有機EL素子OLEDの各素子間を隔てるバンク20を形成する。上記各工程を経た基板30上に、スピンコート法により厚さ約1μmのフッ素化フォトポリマー膜を成膜する。その後、公知のフォトリソグラフィ技術によってフッ素化フォトポリマー膜に開口部を形成する。駆動回路形成領域10には、ピクセル内において必要とされる有機トランジスタの数量よりも多くの開口部が複数の列をなし且つ各列における開口部の数量が互いに等しくなるように形成される。本実施例においては、図2aに示すように、有機トランジスタTr1~Tr3に対応する開口部21a~21cが第1列目に配列され、有機トランジスタTr4、Tr5に対応する開口部21d、21eが第2列目に配列される。第1列目と第2列目の開口部の数量が等しくなるように、第2列目に開口部21fが追加的に設けられる。これにより、第1列目と第2列目の開口部の数量がともに3つとなる。追加的に設けられた開口部21f内には後の工程において、能動素子である有機トランジスタとして機能しないダミー素子D1が形成される。開口部21a~21fは、互いに同一形状且つ同一サイズで形成されることが好ましい。また、第2方向において隣接する2つの開口部は、開口部の終端位置が互いに揃うように配置されることが好ましい。有機トランジスタを形成するための開口部21a~21eの底部にはドレイン電極33-1およびソース電極33-2と、チャネル部33aにおいて露出している絶縁膜32とが延在している。一方、開口部22は、発光領域11内において有機EL素子OLEDの形成位置に設けられる。開口部22の底部には有機EL素子OLEDの陽極41が延在している図4a。次に、インクジェット法によりバンク20の開口部21a~21f内に例えばテトラベンゾポルフィリン誘導体tetrabenzoporphyrinを安息香酸エチル溶媒に溶かしてインク化した有機半導体材料を塗布した後、これを焼成して開口部21a~21f内に有機半導体層34を形成する。ここで、図5は、インクジェット塗布装置のノズルヘッド200の動作を示す平面図である。ノズルヘッド200は、有機半導体材料の液滴をピコリットルplのオーダで吐出する吐出口201a、201bを有している。吐出口201a、201bは、第2方向において互いに隣り合うバンク開口部間の間隔に対応する離間距離をおいてノズルヘッド200の長手方向に沿って配置されている。ノズルヘッド200は、その長手方向が、第2方向に向けられて、吐出口201aおよび201bが、それぞれ、互いに隣り合う開口部21aおよび21dの直上に位置するように位置決めされる。その後、吐出口201aおよび201bから有機半導体材料が同時に吐出され、開口部21aおよび21d内に所定量の有機半導体材料が供給される第1ステップ。続いて、ノズルヘッド200は、図5において矢印で示されるように、第1方向に沿って移動する。ノズルヘッド200は、吐出口201aおよび201bが、それぞれ、互いに隣り合う開口部21bおよび21eの直上に位置するように位置決めされる。その後、吐出口201aおよび201bから有機半導体材料が同時に吐出され、開口部21bおよび21e内に所定量の有機半導体材料が供給される第2ステップ。続いて、ノズルヘッド200は、吐出口201aおよび201bが、それぞれ、互いに隣り合う開口部21cおよび21fの直上に位置するように位置決めされ、開口部21cおよび21f内に所定量の有機半導体材料が供給される第3ステップ。バンク20の各開口部に有機半導体材料を供給した後、有機半導体材料を焼成し、結晶化させる。これにより、バンク20の開口部21a~21f内に有機半導体層34が形成される。バンク20の開口部21a~21fは、各列における数量が等しくなるように配列されているので、ノズルヘッド200における有機半導体材料の吐出制御を簡略化することが可能となる。すなわち、各列においてバンク20の開口部の数量は等しいので、上記第1~第3ステップにおいてノズルヘッド200が位置決めされたときには、吐出口201aおよび201bの各々の直下には、常に開口部が存在することとなる。従って、吐出口201aおよび201bから常に同じタイミングで有機半導体材料を吐出させることができる。換言すれば、一方の吐出口から有機半導体材料を供給し、他方の吐出口からの有機半導体材料の供給を停止させるといった複雑な吐出制御が不要となる。また、吐出口201aと201bとを常に連動させることにより、各吐出口において吐出停止期間を最小限に抑えることができる。これにより、吐出停止期間の経過後に有機半導体材料の吐出を再開するときに、目詰まり等によってノズルヘッドから有機半導体材料が適切に吐出できないといった問題を回避することが可能となる。本実施例においては、有機トランジスタを形成するためのバンク開口部が5つであるので、追加的な開口部20fを設けることにより、バンク開口部の数量が各列において等しくなるように調整されている。駆動回路の機能上、本来的に必要とされない開口部20fは、ノズルヘッド200から供給される有機半導体材料の収容部として機能する。仮に開口部20fを設けないこととした場合には、上記のステップ3において、吐出口201aからの有機半導体材料の供給を停止させる必要が生じる故、吐出制御が複雑となり、ノズルヘッドの目詰まりが生じやすくなる。開口部20f内に形成された有機半導体層に対しては、トランジスタとしての機能を付与する必要はなく、従ってゲート電極、ドレイン電極およびソース電極等の電力供給配線が非接続となっている。つまり、開口部20f内には、有機トランジスタTr1~Tr5から分離され且つ有機トランジスタとして機能しないダミー素子D1が形成されることとなる。また、バンク20の開口部21a~21fは、互いに同一形状且つ同一サイズで形成されていることから、開口部21a~21f内に供給する有機半導体材料の量液滴のショット数を同一とすることにより、開口部21a~21f内に形成される有機半導体層34の厚さを等しくすることが可能となる。これにより、ピクセル内における有機トランジスタTr1~Tr5の特性例えば移動度を揃えることができる。仮にバンク20の開口部の形状およびサイズがピクセル内において互いに異なっている場合、有機半導体材料の供給量液滴のショット数によって有機半導体層の厚さを制御することとなるが、このような厚さ制御は通常困難であり、有機トランジスタの特性ばらつきが生じやすい。また、バンク20の開口部21a~21f内に供給する有機半導体材料の量液滴のショット数を互いに等しくすることによりノズルヘッド200における有機半導体材料の吐出制御をより簡略化することが可能となる。すなわち、この場合、ノズルヘッド200は、上記第1~第3ステップの各ステップにおいて、同一の吐出動作を繰り返せばよいこととなる。有機半導体層34を形成した後、例えばポリスチレンを安息香酸エチル溶媒に溶かした絶縁膜材料をインクジェット法などにより有機半導体層34上に成膜し、これを乾燥させる。これにより、開口部21a~21f内において有機半導体層34を覆う厚さ4μm程度のオーバコート層35が形成される図4b。次に、上記各工程を経た基板30上に有機EL素子OLEDを構成する有機機能層41を形成する。有機機能層41は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層からなる積層構造を有する。ホール注入層は例えば厚さ20nm程度の銅フタロシアニンCuPcにより構成され、ホール輸送層は例えば厚さ50nm程度のα-NPDNphenylbenzidineにより構成され、発光層は例えば厚さ50nm程度のAlq3aluminumにより構成され、電子注入層は例えば厚さ0.5nm程度のフッ化リチウムLiFにより構成される。有機機能層41は、例えば真空蒸着法による成膜を繰り返して、上記各層を積層することにより形成される。また、有機機能層41は、バンク20の開口部22内において陽極40を覆うように形成される。最後に、真空蒸着法などにより有機機能層41上に厚さ100nm程度のAlを堆積させて有機EL素子OLEDの陰極42を形成する。このように、バンク20の開口部22内において陽極40、有機機能層41および陰極42が積層され、有機EL素子OLEDが形成される図4c。以上の各工程を経ることにより、有機トランジスタTr1~Tr5、ダミー素子D1および有機EL素子OLEDを有する有機EL表示パネルが完成する。このように、本実施例に係る有機EL表示パネルでは、駆動回路形成領域に、必要とされる有機トランジスタの数量よりも多くの開口部が、複数の列をなし且つ各列における開口部の数量が等しくなるように設けられる。そして、有機トランジスタを形成しない開口部内には、能動素子である有機トランジスタとして機能しないダミー素子が形成される。これにより、ノズルヘッドを第1方向に沿って順次移動させ、第2方向において互いに隣接する複数の開口部に同時に有機半導体材料を供給する場合に、ノズルヘッドに設けられた複数の吐出口から常に同じタイミングで有機半導体材料を吐出させることができるので、ノズルヘッドの吐出制御を簡略化することが可能となる。また、この場合、各吐出口において吐出停止期間を最小限に抑えることができるので、ノズルヘッドにおける目詰まり等の不具合を回避することができる。また、駆動回路形成領域に設けられるバンク開口部は、互いに同一形状且つ同一サイズを有しているので、各ステップにおいて、同一のショット数で有機半導体材料の吐出を繰り返すという最も単純な吐出制御で有機半導体層の厚さを均一とすることが可能となる。尚、上記の実施例では、ノズルヘッドの長手方向を第2方向に向けて配置して、ノズルヘッドを第1方向に沿って走査することとしたが、図6に示すように、ノズルヘッド200の長手方向を第1方向に向けて、ノズルヘッド200を第2方向に沿って走査することとしてもよい。ノズルヘッド200には、その長手方向に沿って吐出口201a、201b、201cが設けられ、第1方向に沿って配列された3つの開口部に対して同時に有機半導体材料が供給される。この場合においても上記した実施例と同様の効果を得ることができる。また、上記の実施例では、駆動回路形成領域10内に設けられるバンクの開口部のサイズをすべて同一としたが、図7に示すように、各列毎にバンクの開口部のサイズを異ならせてもよい。この場合においても、ノズルヘッドにおける吐出制御を簡略化することができる。図8a~図8dは、駆動回路形成領域10内における有機トランジスタおよびダミー素子の配置のバリエーションを示す平面図である。図8a~図8dにおいて、ダミー素子はハッチングで示されている。図8aに示すように、駆動回路形成領域10内に、4つの有機トランジスタTr1~Tr4と2つのダミー素子D1、D2とを2列に配列することとしてもよい。また、図8bに示すように、駆動回路形成領域10内に、3つの有機トランジスタTr1~Tr3と3つのダミー素子D1~D3とを2列に配列することとしてもよい。また、図8cに示すように、駆動回路形成領域10内に、3つの有機トランジスタTr1~Tr3と1つのダミー素子D1とを2列に配列することとしてもよい。また、図8dに示すように、駆動回路形成領域10内に、2つの有機トランジスタTr1、Tr2と2つのダミー素子D1、D2とを2列に配列することとしてもよい。