"出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、一端が第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第2電源端子に接続されたプル型電流回路と、一端が前記第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子又は前記プル型電流回路の一方に所定の電流を供給するプッシュ型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が前記第2電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える半導体レーザー駆動回路。前記プッシュ型電流回路は、前記出力端子に前記所定の電流を供給する第1のトランジスタと、前記プル型電流回路に前記所定の電流を供給する第2のトランジスタと、を備え、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタが相補的に動作する請求項1に記載の半導体レーザー駆動回路。前記終端抵抗は、一端が前記第1のトランジスタのソース端子に接続され、他端が前記第2のトランジスタのソース端子に接続される抵抗素子と、一端が前記抵抗素子の他端に接続され、他端が前記第2電源端子に接続される容量素子と、を備える請求項1に記載の半導体レーザー駆動回路。前記終端抵抗は、第2の抵抗素子及び該第2の抵抗素子に直列接続されたスイッチで構成され前記抵抗素子に並列接続された複数の抵抗回路を有する可変抵抗を備える請求項1に記載の半導体レーザー駆動回路。前記プッシュ型電流回路に並列に接続され、前記プッシュ型電流回路が前記所定の電流を供給する供給先が切り替わってから所定時間経過後に、前記所定の電流と逆相の電流を前記プッシュ型電流回路に供給する電流源を備える請求項1に記載の半導体レーザー駆動回路。出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、一端が第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続されたプッシュ型電流回路と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第2電源端子に接続され、前記定電流源又は前記プッシュ型電流回路が供給する電流を引き抜くプル型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が前記第2電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える半導体レーザー駆動回路。半導体レーザーダイオードと、出力端子に接続された前記半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路と、を備え前記半導体レーザー駆動回路は、一端が第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第2電源端子に接続されたプル型電流回路と、一端が前記第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子又は前記プル型電流回路の一方に所定の電流を供給するプッシュ型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が前記第2電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える半導体レーザー装置。上述した特許文献1では、新たにダンピング抵抗を設けなければならず、部品点数が増加するという問題がある。また、部品点数が増加することで実装の難易度が高くなるという問題がある。また、終端抵抗を用いてインピーダンス整合をとる場合、終端電位が変動すると駆動信号のDCレベルが変動しジッターが悪化するという問題がある。本開示は、上述の点を鑑みてなされたものであり、簡単な構成でインピーダンス整合がとりつつ、終端電位の変動を抑制できる半導体レーザー駆動回路及び半導体レーザー装置を提供するものである。本開示に係る半導体レーザー駆動回路は、出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、一端が第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第2電源端子に接続されたプル型電流回路と、一端が前記第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子又は前記プル型電流回路の一方に所定の電流を供給するプッシュ型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が第2電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える。本開示に係る半導体レーザー駆動回路は、出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、一端が第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記第1電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続されたプッシュ型電流回路と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第2電源端子に接続され、前記定電流源又は前記プッシュ型電流回路が供給する電流を引き抜くプル型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が第2電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える。本開示に係る半導体レーザー装置は、上述した半導体レーザー駆動回路と、半導体レーザーダイオードとを有する。本開示によれば、簡単な構成でインピーダンス整合をとりつつ、終端電位の変動を抑制することができる。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体レーザー装置1を示す図である。半導体レーザー装置1は、半導体レーザーダイオード121を有する半導体レーザー回路120、及び半導体レーザー回路120を駆動する半導体レーザー駆動回路100を備えている。本実施形態では、半導体レーザー駆動回路100及び半導体レーザー回路120は、それぞれ別の半導体ICに搭載されているものとする。なお、半導体レーザー駆動回路100及び半導体レーザー回路120は、同じ半導体ICに搭載されていてもよい。半導体レーザー装置1は、半導体レーザー駆動回路100と半導体レーザー回路120とを接続する伝送線路111を備えている。伝送線路111は、プリント基板110上に形成される。伝送線路111の特性インピーダンスは50Ohmであるとする。図2aは、半導体レーザーダイオード121の等価回路を示す図である。図2aに示すように、半導体レーザーダイオード121は、ダイオード素子122と、ダイオード素子122に直列接続された微分抵抗Rsと、ダイオード素子122及び微分抵抗Rsに並列接続された内部抵抗Rp及び内部容量Cpで表現される。具体的には、微分抵抗Rsの一端は、ダイオード素子122の一端に接続される。内部抵抗Rpは、一端が微分抵抗Rsの他端に接続され、他端がダイオード素子122の他端に接続される。内部容量Cpは、一端が微分抵抗Rsの他端に接続され、他端がダイオード素子122の他端に接続される。図2bは、半導体レーザーダイオード121のI-V特性を示す図である。半導体レーザーダイオード121に流れる電流が発振閾値Ith以上となる領域では、I-V特性は、傾きがおよそRsの直線となり、オームの法則に従う。傾きRsが上述した微分抵抗Rsの抵抗値となる。図3は、半導体レーザー駆動回路100を示す図である。半導体レーザー駆動回路100は、一端が第1電源電位図3ではVccに接続され、他端が出力端子105に接続されたプッシュ型電流回路101と、一端が出力端子105に接続され、他端が第2電源端子図3ではGNDに接続されたプル型電流回路102と、一端が第1電源電位に接続され、他端が出力端子105に接続された定電流源103と、一端が出力端子105に接続され、他端が第2電源端子に接続された終端抵抗104を備える。定電流源103は、出力端子105に電流信号を供給する。プッシュ型電流回路101は、図示しない上位レイヤから入力される制御信号に応じて、出力端子105又はプル型電流回路102のいずれか一方に所定の電流信号を供給する。図4を用いて、半導体レーザー駆動回路100の詳細を説明する。プッシュ型電流回路101は、第1の電流源10、第1導電型トランジスタM11,M12、及び高耐圧第1導電型トランジスタM13,M14を有している。なお、本実施形態では、第1導電型トランジスタをPMOSトランジスタとして説明する。第1の電流源10は、一端がVccに接続されており、一定の電流ImをPMOSトランジスタM11,M12に供給する。PMOSトランジスタM11は、ソース端子が第1の電流源10の他端に、ドレイン端子が高耐圧PMOSトランジスタM13のソース端子に接続される。PMOSトランジスタM11のゲート端子には、図示しない上位レイヤから制御信号DPが入力される。PMOSトランジスタM12は、ソース端子が第1の電流源10の他端に、ドレイン端子が高耐圧PMOSトランジスタM14のソース端子に接続される。PMOSトランジスタM12のゲート端子には、図示しない上位レイヤから制御信号XDPが入力される。高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子は、後述する終端抵抗104の抵抗素子R1の一端に接続される。高耐圧PMOSトランジスタM14のドレイン端子は、抵抗素子R1の他端及び出力端子105に接続される。なお、高耐圧PMOS高耐圧トランジスタM13,M14は、PMOSトランジスタM11,M12や第1の電流源10を構成するトランジスタなど低耐圧トランジスタを保護するためのトランジスタである。高耐圧PMOS高耐圧トランジスタM13,M14のゲート端子には、これらの低耐圧トランジスタに高電圧が印可されないようにするための制御信号VCASPが入力される。PMOSトランジスタM11及びPMOSトランジスタM12は相補的に動作する。これにより、PMOSトランジスタM11及びPMOSトランジスタM12のいずれか一方に第1の電流源10から電流信号Imが供給される。各トランジスタの動作の詳細については後述する。なお、図3で示したプッシュ型電流回路101の一端は、第1の電流源10の一端に相当し、他端は高耐圧PMOSトランジスタM14のドレイン端子に相当する。また、高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子も終端抵抗104に接続している。高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子をプッシュ型電流回路101の第3の端子と称する。プル型電流回路102は、第2の電流源20、高耐圧第2導電型トランジスタM21,M22、及び第2導電型トランジスタM23,M24を有している。なお、本実施形態では、第2導電型トランジスタをNMOSトランジスタとして説明する。第2の電流源20は、一端がGNDに接地されている。第2の電流源20には、所定の電流Imが流れる。高耐圧NMOSトランジスタM21は、ドレイン端子が第3電源電位図4ではVcc’に接続され、ソース端子がNMOSトランジスタM23のドレイン端子に接続される。高耐圧NMOSトランジスタM22は、ドレイン端子が出力端子105及びプッシュ型電流回路101の他端に接続され、ソース端子がNMOSトランジスタM24のドレイン端子に接続される。なお、高耐圧NMOS高耐圧トランジスタM21,M22は、NMOSトランジスタM23,M24や第2の電流源20を構成するトランジスタなど低耐圧トランジスタを保護するためのトランジスタである。高耐圧NMOSトランジスタM21,M22のゲート端子には、これらの低耐圧トランジスタに高電圧が印可されないようにするための制御信号VCASNが入力される。NMOSトランジスタM23、M24のソース端子は、第2の電流源20の他端に接続される。NMOSトランジスタM23、M24のゲート端子には図示しない上位レイヤから制御信号DN,XDNがそれぞれ入力される。NMOSトランジスタM23,M24は相補的に動作する。これにより、NMOSトランジスタM23及びNMOSトランジスタM24のいずれか一方から第2の電流源20に電流信号Imが流れる。各トランジスタの動作の詳細については後述する。定電流源103は、第3の電流源30と高耐圧第1導電型PMOSトランジスタM3を備える。第3の電流源30の一端がVccに接続され、他端が高耐圧PMOSトランジスタM3のソース端子に接続される。第3の電流源30は、出力端子105に電流信号Icを供給する。高耐圧PMOSトランジスタM3のドレイン端子は出力端子105に接続される。高耐圧PMOSトランジスタM3は、第3の電流源30を構成するトランジスタなど低耐圧トランジスタを保護するためのトランジスタである。高耐圧PMOSトランジスタM3のゲート端子には、この低耐圧トランジスタに高電圧が印可されないようにするための制御信号VCASPが入力される。終端抵抗104は、抵抗素子R1と容量素子C1とを有する。抵抗素子R1の一端は、出力端子105に接続され、他端は高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子に接続される。容量素子C1は、一端が抵抗素子R1の他端に接続され、他端がGNDに接地される。抵抗素子R1及び容量素子C1でスナバ型終端抵抗を構成しており、抵抗素子R1及び容量素子C1の特性インピーダンスは、半導体レーザー駆動回路100及び伝送線路111のインピーダンスが整合する値に決定される。終端抵抗104の抵抗成分は半導体レーザーダイオード121の抵抗成分と等しくなるように決定される。具体的には、抵抗素子R1の抵抗値が、半導体レーザーダイオード121の微分抵抗Rsの抵抗値と等しくR1=Rsとなるようにする。次に、図5,図6を用いて半導体レーザー駆動回路100の動作を説明する。本実施形態では、半導体レーザー装置1がデータ1を表すHigh信号又はデータ0を表すLow信号のいずれかの信号を送信する2値の送信器として動作する場合について説明する。まず、半導体レーザー装置1がデータ1を表すHigh信号を半導体レーザー回路120から出力する場合について説明する。この場合、半導体レーザー駆動回路100には、図示しない上位レイヤから、PMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオフし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオンするよう制御信号が入力される。図5に、PMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオフし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオンした場合の電流信号の流れを示す。PMOSトランジスタM11がオフ、PMOSトランジスタM12がオンされているため、第1の電流源10によって供給される電流信号Imは、PMOSトランジスタM12及び高耐圧PMOSトランジスタM14を経由して、高耐圧PMOSトランジスタM14のドレイン端子と抵抗素子R1の一端とが接続される接点Cに流れる。NMOSトランジスタM24がオフされているため、接点Cに流れこんだ電流信号Imは、出力端子105に流れる。出力端子105には、定電流源103の第3の電流源30から電流信号Icが供給されている。従って、出力端子105から半導体レーザー回路120には電流信号ImIcが供給される。半導体レーザー回路120は、電流信号ImIcに応じたHigh信号を出力する。また、NMOSトランジスタM23がオンされ、NMOSトランジスタM24がオフされているため、プル型電流回路102の第2の電流源20は、NMOSトランジスタM23に電流信号Imを供給するよう動作する。ここで、半導体レーザー回路120の両端の電位差を考える。半導体レーザー回路120の両端の電位差は、図5に示すように電流に依存しない電圧V0と、微分抵抗Rsの両端にかかる電位差で決定される。微分抵抗Rsには電流信号ImIcが流れるため、微分抵抗Rsの両端の電位差は、ImIc×Rsとなる。従って、半導体レーザー回路120の両端の電位差は、ImIc×RsV0となる。図5の出力端子105に接続されるノードAの電位、及び抵抗素子R1及び容量素子C1の間のノードBの電位は、半導体レーザー回路120の両端の電位差と等しく、ImIc×RsV0となる。次に、半導体レーザー装置1がデータ0を表すLow信号を半導体レーザー回路120から出力する場合について説明する。この場合、半導体レーザー駆動回路100には、図示しないレイヤからPMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオンし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオフするよう制御信号が入力される。図6に、PMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオンし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオフした場合の電流信号の流れを示す。PMOSトランジスタM11がオン、PMOSトランジスタM12がオフされているため、第1の電流源10によって供給される電流信号Imは、PMOSトランジスタM11、抵抗素子R1を経由して接点Cに流れる。NMOSトランジスタM24がオンされているため、接点Cに流れこんだ電流信号Imは、NMOSトランジスタM22を経由して第2の電流源20に流れる。出力端子105には、定電流源103の第3の電流源30から電流信号Icが供給されている。従って、出力端子105から半導体レーザー回路120には電流信号Icが供給される。半導体レーザー回路120は、電流信号Icに応じたLow信号を出力する。ここで、半導体レーザー回路120の両端の電位差を考える。半導体レーザー回路120には電流信号Icが供給されるため、半導体レーザー回路120の両端の電位差は、Ic×RsV0となる。ノードAの電位は、半導体レーザー回路120の両端の電位差と等しく、Ic×RsV0となる。次に、ノードBの電位を考える。抵抗素子R1には電流信号Imが流れるため、抵抗素子R1の両端の電位差はR1×Imとなる。従って、ノードBの電位は、Ic×RsV0R1×Imとなる。ここで、R1=Rsとすると、ノードBの電位は、Ic×RsV0Rs×Im=ImIc×RsV0となる。このように、終端抵抗104の抵抗素子R1の抵抗値を半導体レーザーダイオード121の微分抵抗Rsの抵抗値とほぼ等しい値とすることで、半導体レーザー装置1がHigh信号を出力する場合とLow信号を出力する場合でも、終端抵抗104の終端電位ノードBの電位を略一定に保つことができる。図7を用いて、終端電位と電流信号のDCレベルの関係について説明する。半導体レーザー装置1がデータ1を示すHigh信号を出力する場合、半導体レーザー駆動回路100は、DCレベルが高い電流信号ImIcを生成する。一方、半導体レーザー装置1がデータ0を示すLow信号を出力する場合、半導体レーザー駆動回路100は、DCレベルが低い電流信号Icを生成する。図7aは、終端電位が大きく変動した場合の電流信号のDCレベルの変化を示す図である。終端電位が大きく変動した場合、電流信号のDCレベルも大きく変動する。これにより、ジッターが悪化してしまい、半導体レーザー装置1の出力信号波形がゆがむ原因となる。図7bは、本実施形態のように、終端電位を略一定に保った場合の電流信号のDCレベルの変化を示す図である。本実施形態では、終端電位を略一定に保つことで、電流信号のDCレベルの変化を抑制することができ、ジッターを改善することができる。これにより、半導体レーザー装置1の出力信号波形のゆがみを低減することができる。以上のように、本実施形態に係る半導体レーザー装置1の半導体レーザー駆動回路100では、High信号を出力する場合にプッシュ型電流回路101が出力端子105に電流信号Imを供給し、Low信号を出力する場合にプッシュ型電流回路101がプル型電流回路102に電流信号Imを供給する。これにより、終端抵抗104の終端電位を略一定に保つことができる。このように半導体レーザー駆動回路100は、終端抵抗104という簡易な構成でインピーダンス整合をとりつつ、終端電位を略一定に保つことでDCレベルの変化を抑制し、ジッターを改善することができる。なお、終端抵抗104の抵抗素子R1が半導体レーザーダイオード121の微分抵抗Rsの抵抗値と等しい抵抗値を有すると説明したが、抵抗素子R1の抵抗値は、微分抵抗Rsと必ずしも一致している必要はなく5パーセント程度の差があってもよい。抵抗素子R1の抵抗値と微分抵抗Rsとが近い値になるほど、終端電位の変動が小さくなりDCレベルの変化を抑制しジッターを改善することができる。変形例1次に図8を用いて本実施形態に係る半導体レーザー駆動回路100の変形例1を説明する。本変形例に係る半導体レーザー駆動回路100Aは、高耐圧NMOSトランジスタM21のドレイン端子が抵抗素子R1の他端に接続されている点で半導体レーザー駆動回路100と異なる。本実施形態の半導体レーザー駆動回路100と同じ構成要素には同一符号を付し、説明を省略する。プッシュ型電流回路101Aの高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子は、GNDに接地される。また、プル型電流回路102Aの高耐圧NMOSトランジスタM21のドレイン端子は、終端抵抗104の抵抗素子R1の他端に接続される。次に、図9,図10を用いて半導体レーザー駆動回路100Aの動作を説明する。まず、半導体レーザー装置1がデータ1を表すHigh信号を半導体レーザー回路120から出力する場合について説明する。この場合、半導体レーザー駆動回路100Aには、図示しない上位レイヤから、PMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオフし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオンするよう制御信号が入力される。図9にPMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオフし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオンした場合の電流信号の流れを示す。PMOSトランジスタM11がオフ、PMOSトランジスタM12がオンされているため、第1の電流源10によって供給される電流信号Imは、PMOSトランジスタM12を経由して接点Cに流れる。NMOSトランジスタM24がオフされ、NMOSトランジスタM23がオンされているため、接点Cに流れこんだ電流信号Imは、抵抗素子R1を介してNMOSトランジスタM23に流れる。このように、プル型電流回路102Aには、プッシュ型電流回路101Aから電流信号Imが供給される。出力端子105には、定電流源103の第3の電流源30から電流信号Icが供給されている。従って、出力端子105から半導体レーザー回路120には電流信号Icが供給される。半導体レーザー回路120は、電流信号Icに応じたHigh信号を出力する。ここで、半導体レーザー回路120の両端の電位差は、微分抵抗Rsに電流信号Icが流れるため、Ic×RsV0となる。ノードAの電位は、半導体レーザー回路120の両端の電位差と等しく、Ic×RsV0となる。次に、ノードBの電位を考える。抵抗素子R1には電流信号Imが流れるため、抵抗素子R1の両端の電位差はR1×Imとなる。従って、ノードBの電位は、Ic×RsV0-R1×Imとなる。次に、半導体レーザー装置1がデータ0を表すLow信号を半導体レーザー回路120から出力する場合について説明する。この場合、半導体レーザー駆動回路100Aには、図示しないレイヤからPMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオンし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオフするよう制御信号が入力される。図10に、PMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM23をオンし、PMOSトランジスタM12及びNMOSトランジスタM24をオフした場合の電流信号の流れを示す。PMOSトランジスタM11がオン、PMOSトランジスタM12がオフされているため、第1の電流源10によって供給される電流信号Imは、PMOSトランジスタM11を流れる。また、NMOSトランジスタM23がオフされ、NMOSトランジスタM24がオンされているため、第2の電流源20は、NMOSトランジスタM24を介して電流信号Imを引き抜く。PMOSトランジスタM14はオフされているため、第2の電流源20は、定電流源103が供給する電流信号Icの一部を引き抜く。従って、プル型電流回路102Aには、定電流源103から電流信号Imが供給される。出力端子105には、定電流源103の第3の電流源30が供給する電流信号Icから電流信号Imを引いた電流信号Ic-Imが供給されている。従って、出力端子105から半導体レーザー回路120には電流信号Ic-Imが供給される。半導体レーザー回路120は、電流信号Ic-Imに応じたLow信号を出力する。ここで、半導体レーザー回路120の両端の電位は、微分抵抗Rsに電流信号Ic-Imが流れるため、Im-Ic×RsV0となる。また、ノードA及びノードBの電位は、半導体レーザー回路120の両端の電位差と等しく、Im-Ic×RsV0となる。上述したように、半導体レーザー装置1がHigh信号を出力する場合の終端電位は、Ic×RsV0-R1×Imである。ここで、R1=Rsとすると、High信号を出力する場合の終端電位は、Ic×RsV0-R1×Im=Im-Ic×RsV0となり、Low信号を出力する場合の終端電位と等しくなる。以上のように、本変形例に係る半導体レーザー駆動回路100Aのように、高耐圧NMOSトランジスタM21のドレイン端子を抵抗素子R1の他端に接続しても、第1実施形態と同様の効果が得られる。第2実施形態次に、図11を用いて第2実施形態に係る半導体レーザー駆動回路200を説明する。本実施形態に係る半導体レーザー駆動回路200は、終端抵抗204が抵抗素子R1の代わりに可変抵抗40を備えている点をのぞき第1実施形態と同じである。半導体レーザー駆動回路200は、半導体レーザー駆動回路100の代わりに半導体レーザー装置1に搭載される。図11に示すように、終端抵抗204は、一端が出力端子105に接続され、他端が高耐圧PMOSトランジスタM13のドレイン端子に接続された可変抵抗40を有する。本実施形態の可変抵抗40は、複数のN個の抵抗素子R1,R2,RNと、これらN個の抵抗素子のうち抵抗素子R1を除く複数の抵抗素子R2~RNに接続された複数のスイッチSW2~SWNを有している。具体的には、抵抗素子Rk及びスイッチSWkkは2~Nの整数が直列接続されている。この直列接続された抵抗素子Rk及びスイッチSWkを抵抗回路と称する。抵抗素子R1と複数の抵抗回路とが並列接続されている。スイッチSW2~SWNのオンオフを切り替えることで可変抵抗40の抵抗値を変更することができる。半導体レーザー回路120の微分抵抗Rsの抵抗値は製造時にばらつきが生じる。従って、終端抵抗104の抵抗素子R1を、微分抵抗Rsの抵抗値と同じ抵抗値を有するR1=Rsように設計しても、実際には同じにならない場合がある。そこで、本実施形態では、終端抵抗104の抵抗素子R1の代わりに可変抵抗40を用いることで、微分抵抗Rsの抵抗値の製造ばらつきに応じて可変抵抗40の抵抗値を決定することができるようにしている。可変抵抗40の抵抗値の決定方法は、例えば図示しない計測部が、High信号を出力する場合とLow信号を出力する場合のノードBの電位をそれぞれ計測し、差が小さくなるようにスイッチSW2~SWNを制御する方法がある。具体的には、計測部がスイッチSW2~SWNのオンオフの組み合わせを切り替えながら、半導体レーザー駆動回路200が電流信号ImIc及び電流信号Icをそれぞれ生成する。計測部は、半導体レーザー駆動回路200が電流信号ImIc及び電流信号Icを生成したときのノードBの電位をそれぞれ計測する。計測部は、この処理をノードBの電位が略一定になるスイッチSW2~SWNのオンオフの組み合わせが見つかるまで継続する。可変抵抗40の抵抗値の決定は、例えば半導体レーザー装置1の起動時や出荷時など決まったタイミングで行われるようにすればよい。以上のように、本実施形態に係る半導体レーザー駆動回路200は、第1実施形態と同様の効果が得られるとともに、終端抵抗204に可変抵抗40を用いることで、半導体レーザー回路120の微分抵抗Rsの抵抗値がばらついたとしても終端電位を略一定に保つことが可能となる。これにより、半導体レーザー駆動回路200は、半導体レーザー回路120の製造ばらつきによらず、DCレベルの変化を抑制し、ジッターを改善することができる。なお、本実施形態では、第1実施形態に示す半導体レーザー駆動回路100の抵抗素子R1の代わりに可変抵抗40を用いたが、変形例1に示す半導体レーザー駆動回路100Aの抵抗素子R1の代わりに可変抵抗40を用いてもよい。第3実施形態次に、図12を用いて第3実施形態に係る半導体レーザー駆動回路300を説明する。本実施形態に係る半導体レーザー駆動回路300は、デエンファシスde-emphasis回路305を有する点をのぞき第1実施形態と同じである。半導体レーザー駆動回路300は、半導体レーザー駆動回路100の代わりに半導体レーザー装置1に搭載される。図12に示すように、デエンファシス回路305は、第1~第3の端子を有し、第1の端子が第1電源電位図12ではVccに接続され、第2、第3の端子がプッシュ型電流回路101に接続される。デエンファシス回路305は、一端がVccに接続され、電流信号Ieを生成する電流源50と、PMOSトランジスタM51,M52とを備えている。PMOSトランジスタM51は、ソース端子が電流源50の他端に接続され、ドレイン端子がPMOSトランジスタM11のドレイン端子に接続される。PMOSトランジスタM51のゲート端子には、図示しない上位レイヤから制御信号XDPEが入力される。PMOSトランジスタM52は、ソース端子が電流源50の他端に接続され、ドレイン端子がPMOSトランジスタM12のドレイン端子に接続される。PMOSトランジスタM52のゲート端子には、図示しない上位レイヤから制御信号DPEが入力される。電流源50の一端がデエンファシス回路305の第1の端子に相当し、PMOSトランジスタM51のドレイン端子が第2の端子に相当する。またPMOSトランジスタM52のドレイン端子が第3の端子に相当する。次に、図13を用いて、本実施形態の半導体レーザー駆動回路300の動作を説明する。図13は、各制御信号DP,XDP,DN,XDN,DPE,XDPE及び半導体レーザー駆動回路300が出力する電流信号を示すタイミングチャートである。図13に示すように、半導体レーザー装置1がデータ0を表すLow信号を出力する場合、制御信号XDP,XDNは、PMOSトランジスタM12をオンし、NMOSトランジスタM24をオフするLow信号となる。制御信号DP,DNは、PMOSトランジスタM11をオフし、NMOSトランジスタM23をオンするHigh信号となる。また、制御信号DPEはLow信号であり、制御信号XDPEはHigh信号である。PMOSトランジスタM52がオンし、PMOSトランジスタM51がオフになる。これにより、高耐圧PMOSトランジスタM14には、PMOSトランジスタM52を介して電流源50が生成する電流信号Ieが入力される。なお、電流信号Ieは、電流信号Imとは逆相の信号であり、電流信号Ieの振幅は、電流信号Imの振幅に比べて小さいものとする。次に、時刻t1で半導体レーザー装置1が出力するデータを0から1に切り替えるとする。このとき、制御信号XDP,XDNは、High信号からLow信号に切り替わる。これにより、PMOSトランジスタM12がオンし、NMOSトランジスタM24がオフする。制御信号DP,DNは、Low信号からHigh信号に切り替わり、PMOSトランジスタM11がオフし、NMOSトランジスタM23がオンする。時刻t1では、制御信号DPE,XDPEは変化しない。従って、高耐圧PMOSトランジスタM14は、時刻t1以前に電流源50から電流信号Ieが入力され、時刻t1以降は、電流信号Ieに加え第1の電流源10から電流信号Imが入力される。このように、半導体レーザー装置1の出力データが切り替わる前から高耐圧PMOSトランジスタM14に電流信号Ieを入力しておくことで、出力データが切り替わるタイミング時刻t1で高耐圧PMOSトランジスタM14に大きな振幅の電流信号を流すことができる。これにより、時刻t1での半導体レーザー駆動回路300の出力電流である電流信号の振幅を増加させることができ、電流信号にピーキングをかけることができる。時刻t1から期間td経過した時刻t2で半導体レーザー装置1は、PMOSトランジスタM51をオンし、PMOSトランジスタM52をオフする。具体的には、制御信号XDPEがLow信号となり、制御信号DPEがHigh信号となる。これにより、電流信号Ieが高耐圧PMOSトランジスタM13に入力され、高耐圧PMOSトランジスタM14には流れなくなるため、半導体レーザー駆動回路300から出力される電流信号の大きさが小さくなる。次に、時刻t3で半導体レーザー装置1が出力するデータを1から0に切り替えるとする。このとき、制御信号XDP,XDNは、Low信号からHigh信号に切り替わる。これにより、PMOSトランジスタM12がオフし、NMOSトランジスタM24がオンする。制御信号DP,DNは、High信号からLow信号に切り替わり、PMOSトランジスタM11がオンし、NMOSトランジスタM23がオフする。上述したように、時刻t2にPMOSトランジスタM51をオンし、PMOSトランジスタM52をオフすることで、半導体レーザー駆動回路300から出力される電流信号の大きさが小さくなる。時刻t3で出力データを1から0に切り替える前後の電流信号の振幅の差I2は、時刻t2前と時刻t3後の電流振幅の差I1より小さい。従って、あらかじめ時刻t2で電流信号の振幅を小さくしておくことで、時刻t3以降に所定振幅の電流信号を得るまでの過渡時間を短くすることができる。一般的に高耐圧トランジスタは、低耐圧トランジスタと比べて利得帯域幅積特性ft特性が悪く、半導体レーザー駆動回路の高速駆動の妨げになっている。そこで、本実施形態のように、デエンファシス回路305をプッシュ型電流回路101と並列に設け、プッシュ型電流回路101が電流信号Imを供給する供給先が切り替わってから、すなわち出力データが切り替わってから所定時間td経過後に、電流信号Imと逆相の電流をデエンファシス回路305がプッシュ型電流回路供給することで、半導体レーザー駆動回路300から出力される電流信号の大きさを調整することができる。これにより、半導体レーザー駆動回路300を高速駆動させることができるようになる。なお、本実施形態では、電流源50によって電流信号Ieが半導体レーザー駆動回路300を流れるため、電流信号Ieを考慮して、定電流源103が生成する電流信号Icを調整する必要がある。そこで、本実施形態では、定電流源103が生成する電流信号Icの大きさを電流信号Ieの大きさに応じて所定の量だけ小さくしている。また、本実施形態では、高耐圧PMOSトランジスタM13,M14とデエンファシス回路305を接続することで、高耐圧PMOSトランジスタM13,M14のソース端子にピーキングをかけている。これは、PMOSトランジスタの方が、NMOSトランジスタに比べ電流駆動能力が低いためである。高耐圧PMOSトランジスタM13,M14の駆動速度が、半導体レーザー駆動回路300全体の駆動速度に与える影響が大きいため、高耐圧PMOSトランジスタM13,M14のソース端子にピーキングをかけることで半導体レーザー駆動回路300全体の駆動速度を向上させることができる。ただし、高耐圧PMOSトランジスタM13,M14と同様に、高耐圧NMOSトランジスタM21,M22のソース端子にピーキングをかけることは可能である。本実施形態では、第1実施形態の半導体レーザー駆動回路100にデエンファシス回路305を設ける場合について説明したが、変形例1、第2実施形態の半導体レーザー駆動回路100A,200にも同様にデエンファシス回路305を設けてもよい。最後に、上述した各実施形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。"