"オプトエレクトロニクス半導体部品1であって、-1個または複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ2と、-前記半導体チップ2のうちの少なくとも1個の下流に配置されている少なくとも1つの散乱体34であって、放射に対して透過性のマトリックス材料3と、前記マトリックス材料3に埋め込まれており粒子材料からなる散乱粒子4と、を備えている、前記散乱体34と、を備えており、温度が変化する場合、前記マトリックス材料3の屈折率と前記粒子材料の屈折率との差が変化し、300Kの温度において、前記マトリックス材料3の屈折率と前記粒子材料の屈折率との前記差が、最大で0.15である、オプトエレクトロニクス半導体部品1。300Kの温度において、前記粒子材料が前記マトリックス材料よりも低い屈折率を有する、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、温度が上昇するにつれて、前記マトリックス材料3の屈折率が減少する、請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、温度が上昇するにつれて、前記粒子材料4の屈折率が増大する、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。300K~375Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、温度が上昇するにつれて、前記マトリックス材料3の屈折率と前記粒子材料の屈折率との前記差が減少する、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。375K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲内の少なくとも1つの温度において、動作時に前記半導体チップ2において生成される放射に対する、前記散乱粒子4の平均散乱断面積が、300Kの温度における前記散乱粒子4の平均散乱断面積の最大で25である、請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。前記マトリックス材料3の屈折率と前記粒子材料の屈折率との前記差が、300Kの温度において少なくとも0.02である、もしくは、400Kの温度において最大で0.01である、またはその両方である、請求項1から請求項6のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。前記マトリックス材料3が、次の材料、すなわち、シリコーン、エポキシド、ポリウレタン、アクリレート、ポリカーボネート、のうちの1種類を含んでいる、または1種類である、またはこれらの材料の少なくとも2種類の混合物を含んでいる、または混合物である、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、前記粒子材料が透明である、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。前記粒子材料が、次の材料、すなわち、酸化ケイ素、金属フッ化物、のうちの1種類を含んでいる、または1種類である、またはこれらの材料の少なくとも2種類の混合物を含んでいる、または混合物である、請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。前記散乱粒子4の平均直径が、0.15μm~20μmの範囲内両端値を含むである、請求項1から請求項10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。前記散乱体34における前記散乱粒子4の重量比が、10~50の範囲内両端値を含むである、請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。-前記マトリックス材料3が、シリコーン、またはシリコーンおよびエポキシドのハイブリッド材料であり、-前記粒子材料が、ガラス、BaF2、LiF、またはMgF2であり、-前記散乱体34における前記散乱粒子4の重量比が、20~40の範囲内両端値を含むであり、-前記散乱粒子4の平均直径が、0.2μm~5μmの範囲内両端値を含むであり、-前記散乱体34が、最大で500μmの厚さを有する薄層、または凸レンズであり、-前記半導体部品1が、互いに異なるスペクトル領域において発光する少なくとも2個の半導体チップ2を備えており、-前記半導体チップ2の少なくとも一方の下流に散乱体34が配置されていない、または、前記半導体チップ2の少なくとも2個の下流に、温度に依存する異なる散乱挙動を有する散乱体34が配置されており、-前記マトリックス材料3の前記屈折率が、300Kの温度を起点として、少なくとも375Kの温度までの間に前記粒子材料の前記屈折率に一致し、-前記半導体チップ2の少なくとも一方が、AlInGaNまたはAlInGaPをベースとしている、請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品1。オプトエレクトロニクス半導体部品1における散乱体34であって、-放射に対して透過性のマトリックス材料3と、-粒子材料からなる散乱粒子4と、を備えており、-前記散乱粒子4が前記マトリックス材料3の中に埋め込まれており、-温度が変化する場合、前記マトリックス材料3の屈折率が、前記粒子材料の屈折率とは異なる挙動をとり、-300Kの温度において、前記マトリックス材料3の屈折率と前記粒子材料の屈折率との差が、最大で0.15である、散乱体34。請求項1から請求項13のいずれかに記載の半導体部品1を動作させる方法であって、温度が上昇するにつれて散乱断面積が減少するように、温度に依存する前記散乱体34の散乱挙動が設定され、前記半導体部品1の放射の強さが、最大で5の許容差で温度に関係なく一定であるように、温度に依存する前記半導体チップ2の効率の減少が、補正される、方法。本発明の目的は、ほぼ安定的なスペクトル放射特性を示すオプトエレクトロニクス半導体部品を開示することである。さらに、本発明の目的は、このような半導体部品の散乱体を開示することである。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、1個または複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えている。これらの半導体チップは、特に、III-V族半導体材料をベースとする半導体チップである。これらの半導体チップは、一例として、窒化物化合物半導体材料例えばAlnIn1-nGamNまたはAlnIn1-nGamPいずれも0≦n≦1、0≦m≦1、nm≦1をベースとしている。この場合、これらの材料は、1種類または複数種類のドーパントおよび追加の構成成分を含んでいることができる。しかしながら、説明を簡潔にする目的で、結晶格子の本質的な構成成分すなわちAl、Ga、In、NまたはPのみを示しており、これらの構成成分は、その一部分を少量のさらなる物質によって置き換える、またはさらなる物質によって補う、またはその両方を行うことができる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、半導体部品の動作時に、可視放射例えば、青色、緑色、黄色、赤色のうちの少なくとも1つのスペクトル領域における放射を生成するように設計されていることが好ましい。放射の生成は、少なくとも1つの量子井戸構造もしくは少なくとも1つのpn接合またはその両方を備えた少なくとも1つの活性ゾーンにおいて行われることが好ましい。本半導体部品のすべての半導体チップは、構造的に同一とすることができる。これに代えて、本半導体部品は、複数の異なるタイプの半導体チップ、特に、異なる半導体材料をベースとしており、好ましくは異なるスペクトル領域において発光するように設計されている半導体チップを備えていることが可能である。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、発光ダイオード略してLEDである。言い換えれば、本半導体部品は、インコヒーレントな放射を放出する。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、少なくとも1つの散乱体を備えている。散乱体は、放射に対して透過性である、好ましくは透明なマトリックス材料を含んでおり、マトリックス材料に散乱粒子が埋め込まれている。散乱粒子は粒子材料からなる。粒子材料は、マトリックス材料とは異なる。散乱体の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、半導体チップによって放出される放射のスペクトルを変化させるようには設計されていない。特に、散乱体は、半導体チップによって放出される放射の波長を部分的または完全に変換するように設計された変換手段あるいはフィルタ手段を備えていない。したがって、散乱体は、半導体チップによって放出される放射の散乱もしくは反射またはその両方のみを行うようにあるいは実質的に散乱反射のみを行うように設計されており、放射を吸収したりスペクトルを変換するようには設計されていない。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、半導体チップのうちの少なくとも1個の下流に配置されている。本半導体部品が、構造的に同一の複数の半導体チップを備えている場合、これらの半導体チップの下流に共通の散乱体を配置する、または特に、半導体チップそれぞれの下流に、専用の散乱体を配置する。本半導体部品が、構造的に同一ではない互いに異なる複数の半導体チップを備えている場合、これらの半導体チップの一部のみの下流に散乱体を配置することが可能である。下流に配置されるとは、特に、主放射方向に沿って半導体チップの後ろに散乱体が続いていることを意味する。散乱体は、半導体チップに直接取り付けることができる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、温度が変化する場合、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差が変化する。言い換えれば、温度に依存するマトリックス材料の屈折率のプロファイルは、温度に依存する粒子材料の屈折率のプロファイルと異なる。一例として、マトリックス材料および粒子材料のいずれも、関連する温度範囲内において、温度に対する屈折率をほぼ直線によって表すことができる。この場合、温度に依存するマトリックス材料の屈折率を表す直線と、温度に依存する粒子材料の屈折率を表す直線は、互いに異なる傾きを有することができる。傾きは、同じ符号または異なる符号を有することができる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、温度300Kにおける、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、最大で0.15、好ましくは最大で0.10、特に、最大で0.07、または最大で0.05である。すなわち、室温においては、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、比較的小さい。しかしながら、屈折率の差が0に等しくないように、屈折率は互いに異なることが好ましい。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、特に、可視光を放出するように設けられている1個または複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えている。さらには、本半導体部品は、少なくとも1つの散乱体を備えており、この散乱体は、放射に対して透過性の、好ましくは透明なマトリックス材料と、マトリックス材料に埋め込まれており粒子材料からなる散乱粒子と、を備えている。散乱体は、半導体チップのうちの少なくとも1個の下流、特に、半導体チップの主放射方向に沿ってチップの下流に配置されている。温度が変化する場合、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差が変化する。マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、300Kの温度において最大で0.15である。発光ダイオードなどのオプトエレクトロニクス半導体部品は、さまざまな温度で動作する。例えば、スイッチをオンにしたとき、半導体チップの活性ゾーンは、ほぼ周囲温度例えば室温である。ウォームアップ段階ではその時間長は、特に、半導体チップおよび半導体部品の熱抵抗と、ヒートシンクへの結合状態によって決まる、活性ゾーンの温度は、一般には定常状態動作点における安定温度に達するまで、上昇する。このプロセスは、一般的にはスイッチをオンにした後、最初の10分~30分の時間において進行する。ウォームアップ段階の後、温度は、例えば約75°C~125°Cの範囲内であるが、定常状態動作点における温度は150°Cを超えることもある。オプトエレクトロニクス半導体チップに使用される材料系の場合、特に、電流が温度に関係なく一定であるとき、光束または放射束は一般に温度に依存して変化する。一般的には、動作温度が高いほど光束が減少する。例えば、InGaNをベースとする半導体チップの場合、100°Cにおける光束は、25°Cにおける光束の約85である。InGaAlPをベースとする半導体チップの場合、この効果はさらに顕著であり、なぜなら、特に、発光波長が、比較的高い目の感度の範囲外にずれるためである。したがって、InGaAlPをベースとし、黄色のスペクトル領域において発光する半導体チップの場合、100°Cにおける明るさは、25°Cにおける値の約40まで低下することがあり、赤色の波長域において発光する場合、100°Cにおける明るさは、人の目によって知覚される明るさにおいて約50低下することがある。このように光束が温度に依存することは、用途分野において問題となりうる。例えば、自動車業界におけるインジケータライトやテールライトの場合、あらかじめ決められた特定の光束を達成しなければならない。発光ダイオードがほぼ室温程度に冷えている場合、発光ダイオードが放出する光は明るすぎる。作業空間や居住空間の一般的な照明の場合には、特に、緑色を帯びた白色を放出する半導体チップと赤色の半導体チップとが組み合わされる、あるいは赤色、緑色、青色、黄色の半導体チップが互いに組み合わされる。このように異なる色を放出する半導体チップが組み合わされている場合、赤色LEDおよび黄色LED使用時の光束が温度の上昇に伴って比較的大きく減少すると、色が大きく変動することがある。一例として、相関色温度は、室温における約2400Kから、半導体チップの定常状態動作点である約100°Cにおける3000Kまで、600K変化する。したがって、スイッチをオンにしてから約10分~30分後に所望の色の光が得られるまでは、赤味を帯びた光が放出される。さらには、例えば液晶ディスプレイのバックライト装置の場合、このように温度に依存する色の変化が比較的長時間にわたって続くことは問題となりうる。放出される放射のこのような明るさの変化または分光組成の変化は、いわゆる完全変換型の発光ダイオードを使用することによって低減または回避することができる。これらの発光ダイオード特に、InGaN材料系をベースとしているの場合、半導体チップにおいて放出される放射が、異なる波長を有する放射に、変換材料によって完全に変換される。しかしながら、このような発光ダイオードは比較的高価である。さらには、明るさもしくは分光組成またはその両方を、例えば温度センサや光学センサと組み合わせて例えばパルス幅変調により電子的に駆動することで、電子的に再調整することが可能である。しかしながら、このように再調整する方法は比較的複雑であり、比較的コストもかかる。これに代えて、またはこれに加えて、開示するオプトエレクトロニクス半導体部品の場合、光束の温度挙動が散乱体によって影響を受ける。マトリックス材料の屈折率の温度挙動と粒子材料の屈折率の温度挙動とが異なる結果として、室温における屈折率の差が、定常状態動作点例えば約100°Cにおける屈折率の差と比較して異なる。屈折率の差が変化する結果として、散乱体の光散乱特性も変化する。これにより、室温においては散乱体によって大きな散乱がもたらされ、より高い温度においては散乱挙動が減少するようにすることが可能である。言い換えれば、半導体チップの効率が温度に依存することに起因する光束の減少を、散乱体によって補正することが可能である。結果として、散乱体および半導体チップを備えたシステムは、温度が変化する場合にも比較的一定である発光を達成することができる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、温度300Kにおける粒子材料の屈折率は、マトリックス材料の屈折率よりも小さい。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料の屈折率は、温度が上昇するにつれて減少する。この状況は、特に、300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲においてあてはまる。これに代えて、またはこれに加えて、粒子材料の屈折率が、この温度範囲内において、温度が上昇するにつれて増大する。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、温度が上昇するにつれて減少する。この状況は、特に、300K~375Kの範囲内両端値を含むもしくは375K~450Kの範囲内両端値を含むまたはその両方の温度範囲においてあてはまる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、少なくとも、300K~375Kの範囲内両端値を含むもしくは375K~450Kの範囲内両端値を含むまたはその両方の温度範囲において、増大する。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率は、300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、温度が上昇するにつれて最初に一致し、さらに高い温度、または上記の温度範囲の外側では、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差が再び増大する。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、375K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲における散乱粒子の平均散乱断面積averagescatteringcrosssectionは、300Kの温度における散乱粒子の平均散乱断面積の最大で50、または最大で25、または最大で10である。平均散乱断面積は、特に、粒子材料の屈折率とマトリックス材料の屈折率との差に依存する。さらには、散乱粒子の幾何学的特性、特に、散乱粒子の形状およびサイズは、散乱断面積に影響する。言い換えれば、この実施形態によると、半導体チップの定常状態動作温度の範囲すなわち例えば375K~450K両端値を含むの温度では、散乱粒子の散乱断面積が室温における散乱断面積と比較して小さいかまたは無視できる場合、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率は、ほぼ同じである。したがって、散乱粒子は、室温では散乱効果を有するのに対して、より高い、半導体チップの定常状態動作温度では、マトリックス材料の屈折率および場合によっては粒子材料の屈折率が変化することにより、散乱効果を有さない、または大きな散乱効果を有さない。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、温度300Kにおけるマトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、少なくとも0.02、または少なくとも0.025、または少なくとも0.03である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、定常状態動作温度における、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、最大で0.015、好ましくは最大で0.010、または最大で0.005である。特に、約400Kの温度、またはそれを超える半導体チップの定常状態動作温度における屈折率の差は、無視できる、または0に等しい。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料は、次の材料、すなわち、シリコーン、エポキシド、ポリウレタン、アクリレート、ポリカーボネート、のうちの少なくとも1種類を含んでいる、または少なくとも1種類からなる、またはこれらの材料の少なくとも2種類の混合物からなる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、粒子材料は、300K~450Kの範囲内両端値を含むの温度範囲において、透明である。粒子材料は、一例として、次の材料、すなわち、酸化ケイ素例えばガラス、金属フッ化物例えばフッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、のうちの1種類を含んでいる、または1種類である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱粒子の平均直径は、少なくとも0.15μm、または少なくとも0.2μm、または少なくとも1.5μm、または少なくとも2μm、または少なくとも5μmである。これに代えて、またはこれに加えて、平均直径は、最大で20μm、特に、最大で15μm、または最大で10μm、または最大で5μmである。この場合、平均直径とは、特に、Q0における直径d50である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体全体における散乱粒子の重量比は、10~50の範囲内両端値を含む、特に、20~40の範囲内両端値を含む、または25~35の範囲内両端値を含む、または15~30の範囲内両端値を含むである。これに代えて、またはこれに加えて、散乱粒子の体積比は、30未満、または25未満、または20未満である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、薄層状または円盤状に成形されている。散乱体は、一例として、半導体チップの主放射領域の上に、一定または実質的に一定の厚さで延在しており、半導体チップの側面も同様に散乱体によって覆うことができる。この層または薄層の厚さは、好ましくは最大で500μm、または最大で100μmである。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、レンズ状に成形されている。一例として、散乱体は、凸レンズの形を有する。したがって、散乱体は、球状または楕円体状に具体化することができる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、マトリックス材料の屈折率は、300Kの温度を起点として、少なくとも375Kの温度までの間に粒子材料の屈折率に一致する。言い換えれば、マトリックス材料の屈折率は、粒子材料の屈折率よりも大きく変化する。一例として、粒子材料の屈折率はほぼ一定のままであり、概略的には、マトリックス材料の屈折率のみが変化する。一例として、温度に依存する粒子材料の屈折率の変化は、同じ温度範囲におけるマトリックス材料の屈折率の変化の、1/10以下、または1/50以下である。この場合、該当する温度範囲は、特に、300K~375Kの範囲内両端値を含むもしくは375K~450Kの範囲内両端値を含むまたはその両方である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、半導体部品の光束は、特に、300K~375Kの範囲内両端値を含むもしくは375K~450Kの範囲内両端値を含むまたはその両方において、一定または実質的に一定である。一例として、300Kにおける半導体部品の光束を基準としたとき、示した温度範囲における光束の変化量は、最大で25、または最大で15、または最大で5である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、スイッチをオンにして短時間の後に、例えば、室温においてスイッチをオンにしてから少なくとも1分以内、または少なくとも5分以内に、散乱効果を有する。言い換えれば、観察者から散乱体は不透明に見え、したがって、散乱体の下に位置する構造具体的には例えば半導体チップの電流拡散構造は、ぼやけて見える。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、特に、半導体部品の意図される使用状態において、透明である。散乱体は観察者から不透明には見えない。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、散乱体は、スイッチをオンにしてから比較的長時間の後例えば、10分後または30分後、または定常状態動作温度に達した後には、もはや散乱効果を有さない。言い換えれば、観察者からは散乱体が透明に見える。さらには、オプトエレクトロニクス半導体部品の散乱体を開示する。一例として、上記の複数の実施形態のうちの少なくとも1つに記載した半導体部品は、このような散乱体を備えている。したがって、散乱体の特徴は、オプトエレクトロニクス半導体部品にもあてはまり、逆も同様である。散乱体の少なくとも一実施形態においては、散乱体は、放射に対して透過性のマトリックス材料を含んでいる。マトリックス材料の中に、粒子材料からなる散乱粒子が埋め込まれている。温度が変化する場合、マトリックス材料の屈折率は、粒子材料の屈折率とは異なる挙動をとる。300Kの温度において、マトリックス材料の屈折率と粒子材料の屈折率との差は、最大で0.15である。さらには、オプトエレクトロニクス半導体部品、特に、上に提示した複数の例示的な実施形態の少なくとも1つによる半導体部品を動作させる方法を開示する。したがって、散乱体の特徴およびオプトエレクトロニクス半導体部品の特徴は、この方法にもあてはまり、逆も同様である。本方法の少なくとも一実施形態においては、半導体を以下のように動作させる。すなわち、温度が上昇するにつれて散乱断面積が減少するように、温度に依存する散乱体の散乱挙動が設定され、半導体部品の放射の強さが、最大で5の許容差で温度に関係なく一定であるように、温度に依存する半導体チップの効率の減少が補正される。以下では、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品および本発明の散乱体について、例示的な実施形態に基づいて図面を参照しながらさらに詳しく説明する。この場合、個々の図面において、同じ参照記号は同じ要素を示している。しかしながら、互いの大きさの関係は正しい縮尺ではなく、理解を助ける目的で、個々の要素を誇張した大きさで描いてある。図1は、オプトエレクトロニクス半導体部品1の例示的な実施形態を示している。キャリア5の上にオプトエレクトロニクス半導体チップ2が取り付けられている。散乱体34は、キャリア5とは反対側の半導体チップ2の主放射領域20に位置している。散乱体34はマトリックス材料3を含んでおり、マトリックス材料3は、半導体チップ2によって放出される放射に対して透明であり、中に散乱粒子4が埋め込まれている。散乱体34は、薄層状に成形されており、例えば、主放射領域20の上に接着剤によって接合されている、または直接印刷されている。マトリックス材料3は、例えば、シリコーン、またはシリコーンおよびエポキシドのハイブリッド材料であり、特に、フェニル化シリコーンを含んでいる。室温におけるマトリックス材料3の屈折率は、例えば約1.49である。散乱粒子4は、例えば、約0.5μmの平均直径および室温における屈折率1.46を有するガラスビーズである。散乱体34における散乱粒子4の重量比は、約30である。半導体チップ2は、特に、InGaAlPをベースとしており、連続動作時の定常状態動作温度が例えば約100°Cである。すなわち、約25°Cの室温に対して、温度差は75°Cである。この温度範囲におけるシリコーンの屈折率の変化は、約-4×10-4K-1である。したがって、シリコーンの屈折率は、温度が上昇するにつれて減少する。散乱粒子4の屈折率の変化は、約0.1×10-5K-1~1×10-5K-1であり、マトリックス材料3の屈折率の変化との比較において小さく、ほぼ一定であるとみなすことができる。室温におけるマトリックス材料3の屈折率と散乱粒子4の屈折率との差が約0.03であることにより、散乱体34は室温において散乱効果を有する。これにより、半導体チップからの光の後方散乱が生じる。後方散乱した光は、例えば、キャリア5あるいは半導体チップ2において吸収される。したがって、室温においては、半導体チップ2において生成されて半導体部品1全体から放出される放射の取り出し効率が、意図的に低下する。定常状態動作温度の付近では、マトリックス材料3の屈折率は、散乱粒子4の屈折率に近づき、両方の屈折率が約1.46である。結果として、約100°Cの定常状態動作温度では、散乱体34は散乱効果をまったく有さない、または実質的に有さず、この温度においては取り出し効率が増大する。マトリックス材料3の屈折率が散乱粒子4に対して変化するため、取り出し効率のプロファイルが温度に依存することで、温度変化による影響が比較的小さい安定的な光束を得ることができる。図1によると、散乱粒子4はほぼ球形である。これに代えて、またはこれに加えて、散乱粒子4は、角度のついた形状例えば、平行六面体、立方体、角錐を有することができ、他の例示的な実施形態においても同様である。球状ではない散乱粒子4は、同じ平均直径を有する球状の散乱粒子4よりも大きい散乱断面積を有する。散乱断面積は、散乱粒子4の直径によって調整することもできる。したがって、散乱粒子4の平均直径は、半導体チップ2によって放出される放射の波長の範囲内、すなわち、例えば400nm~700nmの範囲内両端値を含むとすることができる。従来の散乱体と比較すると、室温における散乱粒子4の屈折率とマトリックス材料3の屈折率との差が小さい。従来の散乱体の場合、散乱粒子は、特に、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、または酸化チタンによって形成されており、このような粒子の屈折率とマトリックス材料の屈折率との差は一般的に0.3より大きい。オプションとして、薄層状の散乱体34は、さらなるポッティング体6によって囲まれている。ポッティング体6は、レンズ状の形状例えば凸レンズの形に成形されていることが好ましい。さらには、オプションとして、半導体チップ2において生成される放射の波長の一部分を変化させる変換手段7を、ポッティング体6に混合することができる。図2A以降では、散乱粒子4およびマトリックス材料3を描いておらず、散乱体34の全体のみを簡略的に示してある。図2Aおよび図2Bは、半導体部品1のさらなる例示的な実施形態を示している。図2Aによると、散乱体34は半導体チップ2の主放射領域20のみを覆っている。したがって、散乱体34は、半導体チップ2が取り付けられているキャリア5のキャリア上面50に接触していない。図2Bによると、散乱体34は、横方向において半導体チップ2と実質的に同じ寸法を有する。この場合、実質的にとは、横方向における散乱体34の寸法が、同じ方向に沿っての半導体チップ2の寸法よりも、最大で30、特に、最大で20、または最大で15大きいことを意味する。図2Bによると、散乱体34半導体チップ2よりも横方向に大きい範囲を有するが半導体チップの側面25を覆っており、側面25は、半導体チップ2の横方向の境界領域を形成している。図3Aおよび図3Bによる例示的な実施形態においては、散乱体34がボリュームポッティングvolumepottingとして形成されている。図3Aにおいては、散乱体34は球状またはレンズ状に具体化されており、散乱体34の横方向の範囲は、半導体チップ2の横方向の範囲よりも、例えば1.5倍以上、または2倍以上大きい。キャリア上面50に垂直な方向における散乱体34の高さは、例えば、半導体チップ2の平均辺長よりも大きい。図3Bによる例示的な実施形態においては、キャリア5は切欠き55を有し、この切欠き55の中に半導体チップ2が取り付けられている。切欠き55は散乱体34によって満たされている。図4は、さらなる例示的な実施形態を示している。図4によると、オプトエレクトロニクス半導体部品1は複数の半導体チップ2a,2bを備えている。一例として、半導体チップ2aは、InAlGaPをベースとしており、黄色または赤色のスペクトル領域における放射を放出する。半導体チップ2bは、特に、AlInGaNをベースとしており、青色のスペクトル領域における放射を放出する。両方の半導体チップ2a,2bは、キャリア5のオプションとしての切欠き55の中、キャリア上面50に取り付けられている。半導体チップ2aの下流、主放射領域20aには、薄層状の散乱体34が配置されている。半導体チップ2bには散乱体が存在しない。オプションとして、変換手段7例えば散乱体34と同様に層状に具体化されているが、半導体チップ2bの主放射領域20bに取り付けられている。図4による半導体部品1は、動作時、白色光を放出することができ、この場合、例えば、半導体チップ2bの緑色を帯びた白色光と半導体チップ2aの赤色光とが混ざる。半導体チップ2aの光束の温度依存性は、散乱体34によって補正することができ、したがって、半導体部品1は、スイッチをオンにした直後、定常状態動作温度に達する前においても、所望の色温度の放射を放出する。オプションとして、半導体チップ2a,2bの下流にカバープレート8が配置されている。カバープレート8は、さらなる散乱手段例えば、半導体チップ2a,2bによって放出される放射の混合を改善することができるを備えている。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本出願は、独国特許出願第102010034915.1号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"