"反応部位としての1又は複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、反応部位としての複数のアミノ基を有する芳香族アミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分と、ドーパントとを含み、導電性高分子を形成するための組成物であって、芳香族反応成分が前記芳香族アミンであるとき、芳香族カルボニル化合物が複数のカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物であり、芳香族反応成分が前記芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物が、少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物であり、かつ芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をT、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素位の数をUとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物が、下記式T≧2及び/又はU≧3ただし、T=2であるとき、U≧2であるを満たす組成物。ドーパントのドープにより導電性が向上した高分子を形成するための組成物であって、反応部位としての1又は複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、反応部位としての複数のアミノ基を有する芳香族アミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含み、芳香族反応成分が前記芳香族アミンであるとき、芳香族カルボニル化合物が複数のカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物であり、芳香族反応成分が前記芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物が、少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物であり、かつ芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をT、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素位の数をUとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物が、下記式T≧2及び/又はU≧3ただし、T=2であるとき、U≧2であるを満たす組成物。芳香族カルボニル化合物が、下記式I式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数であり、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数である。で表される化合物である請求項1又は2記載の組成物。芳香族カルボニル化合物が、前記式Iにおいて、a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が2又は3であり、pが1である化合物、a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2である化合物、a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物、又はa4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物である請求項3記載の組成物。芳香族アミンが、下記式II式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、k3×pは2以上の整数である。で表される化合物である請求項1~4のいずれかに記載の組成物。芳香族アミンが、前記式IIにおいて、b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、nが0であり、k3が2又は3であり、pが1である化合物、b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物、b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物、又はb4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物である請求項5記載の組成物。芳香族複素環化合物が、下記式IIIa又はIIIb式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じで表される化合物である請求項1~6のいずれかに記載の組成物。芳香族複素環化合物が、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含む請求項1~7のいずれかに記載の組成物。芳香族カルボニル化合物及び芳香族反応成分のうち、少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する化合物を含んでおり、芳香族反応成分が芳香族複素環化合物であるとき、1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物及び/又は1分子中に3以上のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物を含む組成物である請求項1~8のいずれかに記載の組成物。1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族アルデヒド化合物と、1分子中に反応部位としてのアミノ基2~4個を有する芳香族アミンとを含み、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族アミンのうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する成分である組成物、又は1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族アルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾のα-炭素位2~8個を1分子中に有する芳香族複素環化合物とを含む組成物である請求項1~9のいずれかに記載の組成物。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物と酸触媒とを含む請求項1~10のいずれかに記載の組成物。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物と酸発生剤とを含む請求項1~11のいずれかに記載の組成物。ドーパントが電子受容性ドーパントである請求項1~12のいずれかに記載の組成物。ドーパントが、複数のスルホ基又はその塩を有するポリアニオンである請求項1~13のいずれかに記載の組成物。反応部位としての1又は複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、反応部位としての複数のアミノ基を有する芳香族アミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含み、芳香族反応成分が前記芳香族アミンであるとき、芳香族カルボニル化合物が複数のカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物であり、芳香族反応成分が前記芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物が、少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である組成物により生成した高分子と、この高分子にドープされたドーパントとを含む導電性高分子。薄膜状である請求項15記載の導電性高分子。請求項1~14のいずれかに記載の組成物を熱処理することにより得られる導電性高分子。実質的に全体がπ共役系から成る三次元網目構造を有し、有機溶媒に不溶又は難溶である請求項15~17のいずれかに記載の導電性高分子。炭素-窒素二重結合、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、炭素-炭素単結合、及び炭素-炭素二重結合から選択された少なくとも一種の単位を介して、芳香族カルボニル化合物由来の芳香環単位と芳香族反応成分由来の芳香環単位とが連結した構造を有する請求項15~18のいずれかに記載の導電性高分子。請求項15~19のいずれかに記載の導電性高分子で形成された導電膜又は導電路を含む電子デバイス。従って、本発明の目的は、高分子型であるにも拘わらず高い導電性キャリア移動度の高分子と、この導電性高分子の導電膜又は導電路を含むデバイス、並びに前記導電性高分子を形成するのに有用な組成物又はコーティング組成物を提供することにある。本発明の他の目的は、三次元架橋構造を有し、導電性及び耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性に優れ、長期間に亘り高い性能を維持できる導電性高分子と、このような導電性高分子の導電膜又は導電路を含むデバイス、並びに前記導電性高分子を形成するのに有用な架橋性組成物又はコーティング組成物を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、水溶性又は水分散性ドーパントを用いたとしても、耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性に優れ、長期間に亘り高い導電性を維持できる導電性高分子と、このような導電性高分子の導電膜又は導電路を含むデバイス、並びに前記導電性高分子を形成するのに有用な架橋性組成物又はコーティング組成物を提供することにある。本発明の別の目的は、コーティングなどの簡便な方法により導電性高分子膜の成膜が容易な組成物コーティング組成物、この組成物で形成された導電性高分子、及びこの導電性高分子の導電膜又は導電路を含むデバイスを提供することにある。本発明のさらに別の目的は、導電パターンを簡便かつ精度よく形成できる組成物コーティング組成物、この組成物で形成された導電パターン所定のパターンに形成された導電性高分子膜、及びこの導電性高分子膜又は導電路を含むデバイスを提供することにある。本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、a芳香族カルボニル化合物と、芳香族アミン及び特定の芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分と、ドーパントとを含む組成物を用いると、透明性が高く、高分子型であるにも拘わらず導電性の高い高分子が生成すること、特に、b少なくとも1つの前記成分として、3官能性以上の成分を用い、三次元的架橋構造を有する高分子を形成すると、キャリア移動度を高め、導電性を向上できるとともに、耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性を向上できることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、導電性高分子を形成するための本発明の組成物は、反応部位としての1又は複数のカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、反応部位としての複数のアミノ基カルボニル基との反応性基を有する芳香族アミン及び複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分と、ドーパントとを含む。この組成物において、芳香族反応成分が前記芳香族アミンであるとき、芳香族カルボニル化合物が複数のカルボニル基を有する芳香族ポリカルボニル化合物であり、芳香族反応成分が前記芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物が、少なくとも1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である。本発明は、ドーパントを含まない点を除き、前記組成物と同様の組成物ドーパントのドープにより導電性が向上した高分子を形成するための組成物も包含する。この組成物で形成された高分子にドーパントをドープすることにより導電性が向上した高分子を形成できる。芳香族カルボニル化合物は、下記式Iで表される化合物であってもよい。式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数であり、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数である前記式Iで表される芳香族カルボニル化合物は、下記化合物a1~a4であってもよい。a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が2又は3であり、pが1である化合物;a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2である化合物;a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、R1がカルボニル基含有基であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物;a4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、R1がカルボニル基含有基であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物。芳香族アミンは、下記式IIで表される化合物であってもよい。式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、R3がアミノ基であるとき、k3×pは2以上の整数、水素原子、メルカプト基又はヒドロキシル基であるとき、k3×pは2以上の整数である。前記式IIで表される芳香族アミンは、下記化合物b1~b4であってもよい。b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環、又は縮合二乃至七環式窒素原子含有芳香族複素環であり、nが0であり、k3が2以上の整数例えば、2又は3であり、pが1である化合物;b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、nが0であり、k3が1以上の整数例えば、1又は2であり、pが2である化合物;b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1以上の整数例えば、1又は2であり、pが2~4である化合物;b4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2以上の整数例えば、2~4であり、pが1である化合物。前記芳香族複素環化合物は、単環式化合物、縮合環式化合物、及び環集合化合物から選択された少なくとも一種であってもよく、芳香族複素環化合物は、複素環のヘテロ原子として、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及びテルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5~8員芳香族複素環を含んでいてもよい。さらに、芳香族複素環化合物は、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含んでいてもよい。なお、複素環のヘテロ原子としての窒素原子は、イミノ基NH基を形成してもよい。芳香族複素環化合物は、下記式IIIa又はで表される化合物であってもよい。式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ本発明の組成物は、芳香族カルボニル化合物及び芳香族反応成分芳香族アミン及び/又は芳香族複素環化合物のうち、少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する化合物を含んでいる。この組成物において、芳香族反応成分が芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物が複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である組成物であってもよい。より具体的には、1前記芳香族カルボニル化合物と芳香族アミンとを含み、芳香族カルボニル化合物及び芳香族アミンのうち少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する組成物であってもよい。例えば、1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族アルデヒド化合物と、1分子中に反応部位としてのアミノ基2~4個を有する芳香族アミンとを含み、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族アミンのうち少なくとも一方の成分が、3以上の反応部位を有する組成物であってもよい。また、2本発明の組成物は、反応部位としてのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位ホルミル基との反応部位としての複数の未修飾のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物とを含む組成物であってもよい。この組成物は、2a1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物及び/又は2b1分子中に3以上のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物を含んでいてもよい。すなわち、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応において、一つのホルミル基は、2官能性反応性基として機能するため、2つの反応部位として計算でき、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をT、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素位の数をUとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物は、下記式を満たしてもよい。T≧2及び/又はU≧3ただし、T=2であるとき、U≧2である例えば、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有する化合物である組成物であってもよい。また、1分子中に反応部位としてのホルミル基2~4個を有する芳香族アルデヒド化合物と、複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾のα-炭素位2~8個を1分子中に有する芳香族複素環化合物とを含む組成物であってもよい。さらに、前記組成物は、3前記1と前記2とを組み合わせた組成物、すなわち、芳香族カルボニル化合物と、芳香族アミンと、芳香族アルデヒド化合物と、芳香族複素環化合物とを含み、これらの成分のうち少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位[ホルミル基アルデヒド基、アミノ基及び/又は未修飾のα-炭素位]を有する組成物であってもよい。なお、この組成物において、芳香族カルボニル化合物は芳香族アルデヒド化合物であってもよい。芳香族カルボニル化合物と芳香族反応成分との割合は、反応部位の当量比換算で、前者/後者=70/30~30/70程度、好ましくは60/40~40/60程度、より好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを含む組成物において、一つのホルミル基は、芳香族複素環化合物の遊離のα-炭素位に対して二官能性反応部位を形成する。そのため、このような組成物では、1つのホルミル基は二官能性反応部位を形成し、1つの未修飾のα-炭素位は単官能性反応部位を形成するものとして、上記割合を計算できる。芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物を含む組成物は酸触媒を含んでいてもよく、酸発生剤光酸発生剤などを含んでいてもよい。酸触媒及び酸触媒としての酸発生剤の含有量は、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物の総量1重量部に対して、0.001~1重量部程度であってもよい。ドーパントは、電子受容性ドーパント例えば、複数のスルホ基又はスルホニル基又はその塩を有するポリアニオンなどであってもよく、電子供与性ドーパント例えば、アルカリ金属などであってもよい。ドーパントの使用量は、芳香族カルボニル化合物及び芳香族反応成分の総量1重量部に対して、0.001~50重量部程度であってもよい。本発明の組成物は、さらに有機溶媒を含んでいてもよい。本発明は、前記組成物により生成した高分子と、この高分子にドープされたドーパントとを含む導電性高分子も包含する。この導電性高分子は、組成物を熱処理することにより得ることができる。なお、ドーパントを含まない組成物を用いる場合、当該組成物により高分子を生成させ、この高分子にドーパントをドープすることにより導電性高分子を得ることができる。導電性高分子は薄膜状であってもよい。導電性高分子は、実質的に全体がπ共役系から成る三次元網目構造を有していてもよく、有機溶媒に不溶又は難溶であってもよい。さらに、導電性高分子は、炭素-窒素二重結合、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、炭素-炭素単結合、及び炭素-炭素二重結合から選択された少なくとも一種の単位を介して、芳香族カルボニル化合物由来の芳香環単位と芳香族反応成分由来の芳香環単位とが連結した構造を有していてもよい。さらに、本発明は前記導電性高分子で形成された導電膜又は導電路を含む電子デバイスも含む。なお、本明細書中、π電子共役系とは、非共役電子対を有する原子例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子も含む共役系を意味する。また、本明細書中、用語芳香族カルボニル化合物及び芳香族アミンにおいて、ポリとは、それぞれカルボニル基及びアミノ基カルボニル基との反応性基が2以上であることを意味する。さらに、本明細書中、芳香族性環とは、芳香環のみならず、複数の芳香環ピロール環などがπ共役系例えば、-N=、-C=を形成して、例えば、数珠状などの形態で、ポルフィリン誘導体、フタロシアニンなどのポルフィン環のように、互いに環状に結合した環状芳香環も含む意味で用いる。本発明の組成物は、芳香族カルボニル化合物と芳香族反応成分芳香族アミン及び/又は芳香族複素環化合物との反応により生成した高分子にドーパントがドープされた導電性高分子を形成でき、透明性が高く、高分子型であるにも拘わらず導電性の高い導電性高分子を得ることができる。また、反応により実質的に全体がπ共役系で繋がった3次元網目構造架橋構造も形成できるため、キャリア移動度を高め、導電性を大きく向上できるとともに、耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性を向上でき、長期間に亘り高い性能を維持できる。さらに、架橋構造を形成することにより、水溶性又は水分散性ドーパントを用いたとしても、耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性に優れ、長期間に亘り高い導電性を維持できるとともに、熱などに対する耐久性に優れた導電性高分子を形成でき、デバイスの寿命の低下を防止できる。さらに、架橋構造を有する導電性高分子は耐溶剤性に優れるため、導電性高分子膜に有機溶媒を含むコーティング液を直接塗布して積層構造のデバイスを得ることも可能となる。さらに、本発明の組成物は、コーティングなどの簡便な方法により容易に成膜でき、芳香族複素環化合物を含む組成物は、芳香族アミンを含む組成物に比べて、塗布液の安定性が高く、作業性に優れている。さらに、光酸発生剤を含む組成物は、導電パターンを簡便かつ精度よく形成できる。[組成物又はコーティング組成物]本発明の組成物は、反応部位としてのカルボニル基を有する芳香族カルボニル化合物と、芳香族アミン及び芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの芳香族反応成分とを含んでおり、芳香族アミンは反応部位としてのアミノ基を有し、芳香族複素環化合物は複素環のヘテロ原子に隣接し、かつ反応部位としての未修飾又は未置換のα-炭素位を有する。また、芳香族反応成分が芳香族複素環化合物であるとき、芳香族カルボニル化合物として芳香族アルデヒド化合物が使用される。すなわち、本発明は、1芳香族カルボニル化合物と芳香族アミンとを含む態様、2芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを含む態様、及び3芳香族アルデヒド化合物と、芳香族アミンと、芳香族複素環化合物とを含む態様を包含する。このような態様1~3の組成物は、ポリアセチレンなどの不透明な導電性高分子ではなく、透明性の高い導電性高分子を形成するために適している。このような組成物において、反応成分は、π電子共役系結合を生成可能な2以上例えば2~8、好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4程度の官能基反応部位を有している。特に、架橋性又は三次元架橋構造を形成する組成物は、少なくとも一つの反応成分が3以上例えば3~8、好ましくは3~6、さらに好ましくは3~4程度の官能基反応部位を有している。このような組成物は、三次元的に全体に亘り電気的に導通可能な重合体を形成できる。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応において、一つのホルミル基は、2つの反応部位として計算できる。本発明の前記態様1の組成物は、反応の容易さなどの点から、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、又はチアゾール環を生成する組合せ、すなわち、複数のカルボニル基を含有するπ電子共役系化合物芳香族カルボニル化合物などと複数のアミノ基を含有するπ電子共役系化合物芳香族アミンなどとの組合せで構成されている。また、これらの化合物のうち、少なくとも一方の化合物は、官能基として、分子中に複数、特に3以上の反応部位[アミノ基又はカルボニル基カルボニル基含有基、アミノ基と反応する反応性カルボニル基]を有する。本発明の前記態様2の組成物は、炭素-炭素一重結合-C-C-、炭素-炭素二重結合-C=C-を生成する組合せ、すなわち、1又は複数のホルミル基を含有するπ電子共役系化合物芳香族アルデヒド化合物と複数の反応部位を含有するπ電子共役系複素環化合物芳香族複素環化合物との組合せで構成されている。この組成物では、架橋構造を形成するため、2a1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物及び/又は2b1分子中に3以上のα-炭素位を有する芳香族複素環化合物を含んでいてもよい。芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち、少なくとも1つの成分は、1分子中に3以上の反応部位ホルミル基アルデヒド基又は未修飾のα-炭素位を有していてもよい。芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物を含む組成物は、安定性が高く、低温での熱処理により重合体を形成できる。本発明の前記態様3の組成物は、前記態様1と態様2とを組み合わせた組成物に相当する。この組成物において、芳香族カルボニル化合物は芳香族アルデヒド化合物であってもよい。態様3の組成物では、芳香族カルボニル化合物、芳香族アミン、および芳香族複素環化合物から選択された少なくとも1つの成分が、1分子中に3以上の反応部位[ホルミル基アルデヒド基、アミノ基及び/又は未修飾のα-炭素位]を有していると、架橋構造を容易に形成できる。芳香族カルボニル化合物芳香族カルボニル化合物としては、1又は複数のカルボニル基カルボニル基含有基を有する芳香族化合物である限り、特に限定されず、通常、下記式Iで表される化合物が使用できる。式中、A1は芳香族性環、Lはリンカー、R1はカルボニル基含有基、R2aは非反応性基を示し、nは0又は1、k1は1又は2以上の整数、k2は0又は1以上の整数であり、pは1以上の整数である。前記式Iにおいて、A1で表される芳香族性環以下、単に芳香環という場合があるは、芳香環であってもよく、芳香環の環集合体であってもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素環[例えば、単環式芳香族炭化水素環ベンゼン環など、縮合多環式芳香族炭化水素環インデン環、ナフタレン環などの縮合二環式炭化水素環;アセナフチレン環、フルオレン環、フェナレン環、アントラセン環、フェナントレン環などの縮合三環式炭化水素環;ピレン環、ナフタセン環などの縮合四環式炭化水素環;ペンタセン環、ピセン環などの縮合五環式炭化水素環;ヘキサフェン環、ヘキサセン環などの縮合六環式炭化水素環;コロネン環などの縮合七環式炭化水素環など]、芳香族複素環[例えば、単環式複素環チオフェン環などの硫黄原子を含む5員複素環;ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環などの窒素原子を含む5員複素環;フラン環などの酸素原子を含む5員複素環;オキサゾール環、オキサジアゾール環などの窒素原子及び酸素原子を含む5員複素環;チアゾール環、チアジアゾール環などの窒素原子及び硫黄原子を含む5員複素環など、多環式複素環キノリン環などの縮合二環式複素環;キサンテン環、カルバゾール環、アクリジン環、フェナントリジン環、フェナジン環、フェノチアジン環、フェノキサジン環などの縮合三環式複素環;ポルフィリン;フタロシアニンなど]、又はこれらの誘導体アントラキノンなどの炭化水素環式ケトン、ピラゾロンなどの複素環式ケトンなどなどが例示できる。環集合体を構成する芳香環は、前記例示の芳香環単独で構成してもよく、二種以上組み合わせて構成してもよい。芳香環の環集合体としては、例えば、直接結合により複数の芳香環が互いに連結した環集合体[例えば、ビフェニル、ピピリジンなどの二環系集合体、ターフェニルp-ターフェニルなど、ターピリジンなどの三環系集合体、1,3,5-トリフェニルベンゼンなどの四環系集合体など]、リンカー又はユニット又は連結基を介して複数の芳香環が互いに連結した環集合体{例えば、二環系集合体[例えば、酸素原子をリンカーとする環集合体フェノキシベンゼンなどのジアリールエーテルなど、硫黄原子をリンカーとする環集合体フェニルチオベンゼンなどのジアリールチオエーテルなど、ビニレン基をリンカーとする環集合体スチルベンなどの1,2-ジアリールエテンなど、アゾ基をリンカーとする環集合体アゾベンゼンなどのアゾアレーン1,2-ジアリールジアゼンなどなど]、三環系集合体[例えば、窒素原子をリンカーとする環集合体トリフェニルアミンなどのトリアリールアミンなどなど]など}が例示できる。芳香族性環A1のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式アレーン環ベンゼン環、ナフタレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、縮合二乃至七環式窒素原子含有複素環カルバゾール環などの縮合二乃至四環式窒素原子含有複素環などが好ましく、中でもベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が好ましい。なお、pが2以上の整数である場合、各々の環A1の種類は係数pに応じて互いに同一又は異なっていてもよく、通常、同一である。Lで表されるリンカー又はユニット又は連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ホウ素原子、リン原子などのヘテロ原子;複数のヘテロ原子で構成されたリンカーアゾ基、ジスルフィド基など;エチレンに対応するリンカービニレン基など;アセチレンに対応するリンカーエチニレン基;芳香環に対応するリンカー又は2以上の多価基;これらの組合せで構成されたリンカー[例えば、下記式Iaで表される基など]が挙げられる。なお、芳香環に対応するリンカーにおいて、芳香環は環Aと同様の芳香環が例示できる。これらの芳香環のうち、単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環などの単環又は縮合二乃至四環式アレーン環など、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環オキサゾール環、オキサジアゾール環などの5員複素環など、及びポルフィリン環から選択された一種が好ましい。式中、Yは酸素原子、硫黄原子、又はアゾ基を示し、Zは芳香族性環を示し、q1、q2、及びq3は、それぞれ0又は1であり、q4は1以上の整数である。但し、q1q2q3は1以上の整数、q1q2q3×q4は2以上の整数である。なお、式中、下記化学結合は、二重結合又は三重結合であることを示す。前記式1aにおいて、環Zで表される芳香族性環としては、前記環A1と同様の芳香族性環が例示できる。環Zは、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-10アレーン環が好ましい。なお、環Zは置換基後述の非反応性基R2aなどを有していてもよい。また、q4が2以上の整数である場合、各々のZ若しくはYの種類、又はq1又はq2若しくはq3の数は、互いに同一又は異なっていてもよい。Y、Z、及びビニレン基又はエチニレン基から選択された少なくとも1種以上で構成された単位の繰り返しの数q4は、1以上であれば特に限定されず、例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~5程度であってもよい。前記単位におけるq1、q2、及びq3の合計q1q2q3は、1以上であれば特に限定されず、1~3、好ましくは1~2程度であってもよい。前記式1aにおけるq1、q2、及びq3の合計[q1q2q3×q4]は、2以上であれば特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば3~5程度であってもよい。具体的には、前記式1aで表される基としては、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合したアレーンジアゾ基[下記式Ia1など]、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合したジアリールエテンジアゾ基[下記式Ia2など]、アリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合したアリールアレーンジオキシ基[下記式Ia3など]、アレーン環に複数のエチニレン基が結合した基[下記式Ia4などのアレーンジエチニレン基など]などが挙げられる。これらのリンカーのうち、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[2価の炭化水素環基例えば、フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、2価の複素環基例えば、2,5-オキサゾール-ジイル基などのオキサゾール-ジイル基、2,5-オキサジアゾール-ジイル基などのオキサジアゾール-ジイル基など、3価の炭化水素環基例えば、1,3,5-ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、4価の複素環基5,10,15,20-ポルフィリン-テトライル基などのポルフィリン-テトライル基などなど]、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基ビフェニル-ジイル基などのビC6-24アリール-ジイル基などの両末端に酸素原子が結合した基が好ましい。係数pリンカーLの価数に対応する数は、リンカーLの種類に応じて適宜選択され、1以上[例えば、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば1~4、特に1~3程度]であってもよい。なお、n=0かつp=1とは、前記式Iの化合物において、環A1に複数のカルボニル基含有基を有する環A1であることを意味し、n=0かつp=2とは、直接結合により、2個の環A1が互いに連結した化合物であることを意味する。R1で表されるカルボニル基含有基としては、基-CH=CHm-CHOmは0以上の整数で、例えば0~10、好ましくは0~5、さらに好ましくは0~2で表されるホルミル基含有基例えば、ホルミル基アルデヒド基;2-ホルミルビニル基などのホルミルC2-4アルケニル基など;アシル基アセチル基などのC2-5アシル基などなどのケトン基含有基;カルボキシル基;低級アルコキシカルボニル基C1-2アルコキシ-カルボニル基;ハロカルボニル基クロロカルボニル基などなどが例示できる。なお、k1が2以上の整数である場合、カルボニル基含有基R1の種類は、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。カルボニル基含有基R1としては、ホルミル基、2-ホルミルビニル基などのホルミル基含有基、カルボキシル基、特に、ホルミル基が好ましい。基R1の置換数k1は、少なくとも1以上であり、かつ分子中の基R1の合計k1×pが1又は2以上特に、2以上となる整数であれば、特に限定されず、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3又は4程度であってもよい。例えば、p=1の場合、k1は1以上特に、2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に3程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k1は、1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々の芳香族性環A1のk1の数は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R1の置換位置は、特に限定されず、1つの芳香環A1に置換する複数の基R1は、通常、互いに非オルト位で置換している。基R2aで表される非反応性基とは、カルボニル基含有基、アミノ基及びヘテロ原子に隣接する未置換のα-炭素位を有する複素環化合物のいずれに対しても非反応性又は不活性であり、かつカルボニル基含有基とアミノ基との反応、及びカルボニル基含有基とヘテロ原子に隣接する未置換のα-炭素位を有する複素環化合物との反応を阻害しない基を意味する。非反応性基としては、ハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、N,N-二置換アミノ基、スルホ基又はスルホニル基、スルホナート基スルホン酸ナトリウム基など、スルフィニル基、ニトロ基などが挙げられる。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応においては、アミノ基に対して反応性のカルボキシル基は非反応性基R2aに分類できる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が例示できる。前記炭化水素基としては、アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-12アルキル基、好ましくは直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルケニル基ビニル基などのC2-6アルケニル基など、シクロアルキル基シクロへキシル基などのC5-8シクロアルキル基など、アリール基[例えば、フェニル基、アルキルフェニル基モノ又はジメチルフェニル基トリル基、2-メチルフェニル基、キシリル基などなどのC1-4アルキルフェニル基、ナフチル基などのC6-10アリール基など]、アラルキル基ベンジル基などのC6-10アリール-C1-4アルキル基などなどが例示できる。前記ハロゲン化炭化水素基としては、前記炭化水素基の水素原子がハロゲン原子フッ素、塩素、臭素などに置換された基例えば、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、テトラフルオロエチル基などのハロC1-6アルキル基フッ素化メチル基などなどが例示できる。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基好ましくはC1-6アルコキシ基などが例示でき、ハロアルコキシ基としては、クロロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トルフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状ハロC1-10アルコキシ基好ましくはハロC1-6アルコキシ基などが例示できる。前記シクロアルコキシ基としては、シクロへキシルオキシ基などのC5-8シクロアルキルオキシ基などが例示でき、前記アリールオキシ基としては、フェノキシ基などのC6-10アリールオキシ基などが例示でき、前記アラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基などのC6-10アリール-C1-4アルキルオキシ基などが例示できる。前記アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基としては、それぞれ上記アルコキシ基、ハロアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基に対応する基などが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基などが例示でき、アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、ブロピオニル基、ブチリル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル-カルボニル基などが例示でき、アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、ブロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル-カルボニルオキシ基などが例示できる。前記N,N-二置換アミノ基としては、N,N-ジアルキルアミノ基N,N-ジメチルアミノ基などのN,N-ジC1-6アルキルアミノ基、N,N-ジアシルアミノ基などが挙げられる。なお、基R2aの置換位置は特に限定されない。分子中に含まれるR2aの総数k2×pが2以上の整数である場合、各々の基R2の種類は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。係数k2は、0以上であれば特に限定されず、例えば、0~5、好ましくは0~3、さらに好ましくは0~2例えば0又は1、特に0程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk2は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。k2×pは、例えば、0~10、好ましくは0~6、さらに好ましくは0~4特に0~2程度であってもよい。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式Iで表される化合物のうち、例えば、下記化合物a1~a4が好ましい。a1環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環などの窒素原子含有複素環などであり、nが0であり、k1が1以上[特に、2~4例えば、2又は3]であり、pが1である化合物。このような化合物は、1つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物、例えば、モノホルミルアレーンベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド、アニスアルデヒド、ハロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、スルホベンズアルデビなどのベンズアルデヒド類、シンナムアルデヒドなどの置換基を有していてもよいホルミルC6-14アレーン、特にホルミルC6-10アレーンなど、モノホルミルヘテロアレーンニコチンアルデヒドなどの窒素原子、酸素原子、硫黄原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有し、かつホルミル基を有する5員又は6員ヘテロアレーンなどなどであってもよい。好ましい化合物は、1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物である。このような複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物としては、ジ乃至テトラホルミルアレーン類及びジ乃至テトラホルミルヘテロアレーン類などが例示でき、ジ乃至テトラホルミルアレーン類としては、例えば、ジホルミルベンゼンフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、ジホルミルナフタレン、ジホルミルアントラセンなどのジホルミルアレーン例えば、ジホルミルC6-20アレーンなど、1,3,5-トリホルミルベンゼンなどのトリホルミルアレーン例えば、トリホルミルC6-20アレーンなど、テトラホルミルピレンなどのテトラホルミルアレーン例えば、テトラホルミルC6-20アレーンなどなどが例示できる。ジ乃至テトラホルミルヘテロアレーン類としては、例えば、2,6-ジホルミルピリジン、2,4-ジホルミルピリジン、9-2-エチルヘキシルカルバゾール-3,6-ジカルバルデヒドなどの置換基C1-12アルキル基などのアルキル基などを有していてもよい複素環式ジアルデヒド5又は6員複素環式ジアルデヒド又は5又は6員複素環とベンゼン環との縮合複素環式ジアルデヒドなど、2,4,6-トリホルミルピリジンなどの複素環式トリアルデヒドなどが例示できる。a2環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環であり、nが0であり、k1が1又は2であり、pが2以上の整数例えば、2~10である化合物環集合化合物。この環集合化合物では、nが0であり、pが3以上であるとき、両末端の環A1を除き、中間の環A1ではk1が0R1が置換していないである場合が多い。このような化合物としては、2~10好ましくは2~5、さらに好ましくは2~4、特に2又は3程度の複数のアレーン環が結合した環集合化合物、例えば、2,2’-ジホルミルビフェニル、4,4’-ジホルミルビフェニルなどのジホルミルビアリールジホルミルビC6-12アリールなど、4,4-ジホルミルターフェニルなどのジホルミルターアリールジホルミルターC6-12アリールなどの複数のC6-12アレーン環が直接結合し、両末端のアレーン環にホルミル基を有するアレーン集合体;2,2’-ビチオフェン-5,5’-ジカルバルデヒドなどのジホルミルビチオフェン、2,2’:5’,2-ターチオフェン-5,5-ジカルバルデヒドなどのジホルミルターチオフェンなどの複数の5員又は6員ヘテロアレーン環が直接結合し、両末端のヘテロアレーン環にホルミル基を有するヘテロアレーン集合体が例示できる。a3環A1が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環など、又は単環又は縮合二乃至七環式芳香族複素環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基などのC6-24アリーレン基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基などのC6-24アレーン-トリイル基など、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]であり、nが1であり、k1が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、ビス2-ホルミルフェニルエーテルなどのビスホルミルアリールエーテルビスホルミルC6-12アリールエーテルなど;4,4’-ジホルミルスチルベンなどの1,2-ジホルミルアリールエテン1,2-ビスホルミルC6-12アリールエテンなど;トリス4-ホルミルフェニルアミンなどのトリホルミルアリールアミントリスホルミルC6-12アリールアミンなど;1,3,5-トリス4-ホルミルフェニルベンゼンなどのトリホルミルアリールアレーントリスホルミルC6-12アリールC6-12アレーンなど、5,10,15,20-テトラキス4-ホルミルフェニルポルフィリンなどのテトラホルミルアリールポルフィリンテトラキスホルミルC6-12アリールポルフィリンなどなどが例示できる。a4環A1がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k1が2~4であり、pが1である化合物[例えば、2,9,16,23-テトラホルミルフタロシアニン、3,10,17,24-テトラホルミルフタロシアニンなど]。これらの芳香族アルデヒド化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族アルデヒド化合物としては、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有するのが好ましい。上記化合物a1~a4において、複数のホルミル基を有する化合物としては、例えば、表1~3に示す化合物が好ましい。芳香族アミン芳香族アミンは、複数のアミノ基第1級アミノ基を有する芳香族化合物である限り、特に限定されず、通常、下記式IIで表される化合物であってもよい。式中、A2は芳香族性環、R2bは非反応性基、R3は、水素原子、アミノ基、メルカプト基又はヒドロキシル基を示し、k2は0又は1以上の整数、k3は1以上の整数を示し、L、n、及びpは前記に同じ。但し、R3がアミノ基であるとき、k3×pは2以上の整数、水素原子、メルカプト基又はヒドロキシル基であるとき、k3×pは2以上の整数である。なお、前記式IIにおいて、k3が1以上の整数であるとは、互いにオルト位で接するアミノ基-NH2とR3との一対の基が、環A2に1以上置換していることを示す。また、R3がアミノ基であるとき、k3×pが2以上の整数であるとは、R3が、水素原子、メルカプト基又はヒドロキシル基であるとき、分子中に含まれるアミノ基-NH2とR3との一対の基の総数が2以上であることを示す。前記式IIにおいて、芳香族性環A2は、前記環A1と同様の芳香族性環が例示できる。これらの芳香族性環のうち、単環又は縮合2乃至20環式芳香環例えば、縮合2乃至10環式芳香環が好ましい。特に、単環又は縮合二乃至七環式炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環などの単環又は縮合二乃至四環式炭化水素環、縮合二乃至七環式窒素含有複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの縮合二乃至四環式窒素含有複素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環例えば、C6-14アレーン環、特にC6-10アレーン環が特に好ましい。リンカーLも前記式Iと同様のリンカーが例示できる。非反応性基R2bは、カルボニル基含有基とアミノ基との反応に対して非反応性又は不活性の基を意味し、前記非反応性基R2aから選択できる。互いにオルト位で接するアミノ基-NH2とR3との一対の基の置換数k3は、1以上であり、かつ分子中に含まれるアミノ基-NH2の総数k3×pが2以上となる整数であれば、特に限定されない。k3×pは、2以上の整数例えば、2~8、好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4、特に2である場合が多い。例えば、R3が、水素原子、メルカプト基又はヒドロキシル基であり、p=1であるとき、k3は2以上であればよく、例えば、2~10、好ましくは2~8、さらに好ましくは2~6例えば2~4、特に2程度であってもよい。R3がアミノ基であり、p=1であるとき、k3は2以上であればよく、例えば、2~5、好ましくは2~4、さらに好ましくは2~3特に2程度であってもよい。pが2以上の整数である場合、k3は1以上であればよく、例えば、1~10、好ましくは1~5、さらに好ましくは1~3例えば1~2、特に1程度であってもよい。なお、pが2以上の整数である場合、各々のk3は互いに異なっていてもよく、通常、同一である。基R3は、k3×pが2以上の整数である場合、互いに異なっていてもよく、通常、同一である。アミノ基-NH2と基R3は、オルト位の位置関係で環A2に置換している。アミノ基-NH2の置換位置は特に限定されず、1つの芳香環A2に置換する複数のアミノ基-NH2は、互いに非オルト位で置換しているのが好ましい。これらの化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。前記式IIで表される化合物のうち、例えば、下記化合物b1~b4が好ましい。なお、非反応性基R2bは、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基などであってもよく、k2は0又は1であってもよい。b1環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピレン環、アントラキノン環、コロネン環など、又は縮合二乃至七環式芳香族複素環カルバゾール環、フェナントリジン環などの窒素原子含有複素環などであり、nが0であり、k3が2~4例えば、2又は3であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、ジアミノナフタレン、ジアミノフルオレン、ジアミノピレン、2,5-ジアミノ-1,4-ベンゼンジチオール、ジアミノカルバゾール、ジアミノアントラキノン、ジアミノ-6-フェニルフェナントリジンなどの置換基を有していてもよいジ乃至トリアミノアレーンジ乃至トリアミノC6-20アレーンなどなどが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、C6-10アリール基、C1-10アルコキシ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、カルボニル基などが例示できる。b2環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環などであり、nが0であり、k3が1又は2であり、pが2である化合物。このような化合物としては、例えば、2,2’-ビストリフルオロメチルベンジジン、3,3’-ジアミノベンジジン、3,5’-ジヒドロキシベンジジン、3,5’-ジメルカプトベンジジンなどの置換基を有していてもよいベンジジン類;3,3’-ジメチルナフチジンなどの置換基を有していてもよいナフチジン類などが例示でき、上記置換基としては、C1-10アルキル基、ハロC1-10アルキル基、C1-10アルコキシ基、ハロC1-10アルコキシ基、C1-10アルキルチオ基、ハロC1-10アルキルチオ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基などが例示できる。b3環A2が単環又は縮合二乃至七環式芳香族炭化水素環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環であり、リンカーLが窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ジスルフィド基、ビニレン基、2~4価の芳香族炭化水素環又は複素環基[例えば、アリーレン基フェニレン基、9,9-フルオレン-ジイル基など、アレーン-トリイル基ベンゼン-トリイル基など、オキサゾール-ジイル基、オキサジアゾール-ジイル基、ポルフィリン-テトライル基などのアレーン環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-24アレーン環、酸素原子及び窒素原子を含有する複素環例えば、5員複素環などの単環式複素環、及びポルフィリン環から選択された一種の芳香環に対応する2~4価基]、アリーレン基の両末端にアゾ基が結合した基、ビニレン基の両末端にアリーレン基を介してアゾ基が結合した基、又はアリールアレーン-ジイル基の両末端に酸素原子が結合した基であり、nが1であり、k3が1又は2であり、pが2~4である化合物。このような化合物としては、例えば、トリス4-アミノフェニルアミンなどのトリアミノアリールアミン[トリアミノC6-10アリールアミンなど];ビス2-アミノフェニルスルフィドなどのビスアミノアリールスルフィド[ビスアミノC6-10アリールスルフィドなど];ジ2-アミノフェニルジスルフィドなどのジアミノアリールジスルフィド[ジアミノC6-10アリールジスルフィドなど];4,4’-ジアミノスチルベンなどの1,2-ジアミノアリールエテン[ジアミノC6-10アリールエテンなど];4,4’-ジアミノビフェニルなどのジアミノビアリール[ジアミノビC6-10アリールなど];4,4-ジアミノ-p-ターフェニルなどのジアミノターアリール[ジアミノターC6-10アリールなど];9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレンなどの9,9-ビスアミノアリールフルオレン[9,9-ビスアミノC6-10アリールフルオレンなど];2,5-ビス4-アミノフェニル-1,3,4-オキサジアゾールなどのジアミノアリールオキサジアゾール[ジアミノC6-10アリールオキサジアゾールなど];1,3-ビス3,5-ジアミノ-フェニルアゾベンゼンなどのビスモノ乃至ジアミノアリールアゾアレーン[ビスモノ乃至ジアミノC6-10アリールアゾC6-10アレーンなど];4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾ-スチルベン、4,4’-ビス4-アミノ-1-ナフチルアゾスチルベン-2,2’-ジスルホン酸などの置換基C1-10アルキル基、ヒドロキシル基、C1-10アルコキシ基、メルカプト基、C1-10アルキルチオ基、スルホニル基、スルフィニル基などを有していてもよいビスアミノアリールアゾスチルベン[ビスアミノC6-10アリールアゾスチルベンなど];4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニルなどのビスアミノアリールオキシビアリール[ビスアミノC6-10アリールオキシビC6-10アリールなど];5,10,15,20-テトラキス4-アミノフェニルポルフィリンなどのテトラアミノアリールポルフィリン[テトラアミノC6-10アリールポルフィリンなど]などが例示できる。b4環A2がポルフィリン又はフタロシアニン環であり、nが0であり、k3が2~4であり、pが1である化合物。このような化合物としては、例えば、2,9,16,23-テトラアミノフタロシアニン、3,10,17,24-テトラアミノフタロシアニンなどが例示できる。これらの芳香族アミンは単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族アミンは、1分子中に複数例えば、2~4個、好ましくは2~3個の反応部位アミノ基を有するのが好ましい。このような芳香族アミンは、通常、1分子中に複数例えば、2~4個、特に3~4個の反応部位ホルミル基などを有する芳香族カルボニル化合物特に、芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。特に、前記式IIで表される化合物のうち、取扱性の点から、毒性の少ない又は毒性のない化合物例えば、表4~11に示す化合物などが好ましい。なお、これらの化合物のうち、基R3が水素原子である化合物は、芳香族カルボニル化合物との反応において、アミノ基-NH2がカルボニル基含有基と反応して、炭素-窒素二重結合-C=N-、アミド結合-NHCO-を生成する。一方、基R3がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である化合物環生成型アミンは、芳香族カルボニル化合物特に、芳香族アルデヒド化合物との反応において、隣接するアミノ基-NH2及び基R3とカルボニル基含有基とが反応に関与して、環を形成する場合が多い。例えば、基R3が、iアミノ基であるとイミダゾール環を形成し、iiヒドロキシル基であるとオキサゾール環を形成し、iiiメルカプト基であるとチアゾール環を形成する。芳香族カルボニル化合物と芳香族アミンとの割合は、カルボニル基とアミノ基[詳細には、カルボニル基との反応性基例えば、前記式IIにおいて、基R3がアミノ基、ヒドロキシル基、又はメルカプト基である場合、アミノ基NH2及び基R3を一つの反応性基とみなす]との当量比換算反応部位の当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。芳香族複素環化合物芳香族複素環化合物は、芳香族アルデヒド化合物との複数の反応部位複素環のヘテロ原子に隣接するα-炭素部位を有していればよく、芳香族複素環化合物は、単環式化合物、縮合環式化合物、環集合化合物のいずれであってもよい。複素環化合物の複素環は、5~8員環、好ましくは5~7員環、さらに好ましくは5又は6員環である。複素環は、通常、芳香族5員環を含む場合が多い。さらに、複素環は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有している。複素環のヘテロ原子が窒素原子であるとき、窒素原子はイミノ基を形成してもよい。これらの複素環化合物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。芳香族複素環化合物は、下記式IIIa又はIIIbで表される化合物であってもよい。式中、環Het、Het1~Het2は、それぞれ、芳香族複素環を示し、X、X1~X2は、それぞれ、ヘテロ原子を示し、R2c、R2d~R2eは非反応性基を示し、r、r1~r2は0~3の整数を示し、p1は1以上の整数を示し、L、n及びpは前記に同じ複素環のヘテロ原子X、X1~X2としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子などが例示でき、ヘテロ原子Xが窒素原子であるとき、Xはイミノ基NH基を形成してもよく、複素環化合物の複素環は、単一のヘテロ原子を含んでいてもよく、同一又は異なる種類の複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。複素環のヘテロ原子は、通常、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、特に硫黄原子である場合が多い。芳香族複素環Het、Het1~Het2は、1分子中に前記複数のα-炭素部位を有する化合物であればよく、代表的な単環式複素環としては、例えば、1又は2のヘテロ原子を有する5員複素環、1~3例えば、1又は2のヘテロ原子を有する6員複素環などが例示できる。また、代表的な縮合環式複素環としては、例えば、同種又は異種の複素環が縮合した縮合複素環、ベンゼン環と複素環とが縮合した縮合複素環などが例示できる。複素環化合物は、通常、複素環のヘテロ原子として、硫黄原子、酸素原子、窒素原子から選択された少なくとも1つのヘテロ原子を有する5員芳香族複素環を含んでいる。非反応性基R2c、R2d~R2eとしては、前記非反応性基R2と同様の非反応性基に加えて、ヒドロキシアルキル基例えば、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、4-ヒドロキシブチル基などのヒドロキシC1-10アルキル基など、シアノアルキル基例えば、シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基などのシアノC1-10アルキル基など、カルボキシアルキル基例えば、カルボキシメチル基、2-カルボキシエチル基などのカルボキシ-C1-6アルキル基、ジカルボキシメチル基、2,2-ジカルボキシエチル基などのジカルボキシC1-6アルキル基など、アルコキシカルボニルアルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル-C1-6アルキル基など、スルホアルキル基例えば、2-スルホエチル基、3-スルホプロピル基、4-スルホブチル基などのスルホC1-10アルキル基、特に、スルホC1-6アルキル基など、カルボキシル基、スルホ基、ホスホ基、ジヒドロキシボリル基-BOH2、複素環基ピリジル基、オキソラン-イル基などの窒素原子、硫黄原子、酸素原子から選択されたヘテロ原子を有する5又は6員複素環基などなどが例示できる。非反応性基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基、シクロヘキシル基などのC5-10シクロアルキル基、フェニル基などのC6-10アリール基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基、直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ-カルボニル基、ヒドロキシC1-4アルキル基、シアノC1-4アルキル基、カルボキシC1-4アルキル基、スルホC1-4アルキル基、ジヒドロキシボリル基-BOH2などである場合が多い。r、r1~r2は、0~3の整数を示し、通常、0~2例えば、0又は1である。リンカーLとしては、前記と同様のリンカー、例えば、エチレンに対応するリンカービニレン基など、アリーレン基例えば、フェニレン基などなどが例示できる。リンカーLは、ビニレン基である場合が多い。リンカーLの係数nは0又は1である。係数p及びp1は1以上の整数を示し、係数pは、前記非反応性置換基R2cの有無や種類などに応じて、例えば、1~4好ましくは1~3、さらに好ましくは1又は2であってもよい。係数p1は、前記非反応性置換基R2d~R2eの有無や種類などに応じて、例えば、1~1000、好ましくは1~500例えば、2~250、さらに好ましくは1~200例えば、2~150程度であってもよい。より具体的には、低沸点の複素環化合物例えば、式IIIaで表される単環式複素環化合物、特に単環式5員複素環化合物は成膜性が低下し、室温例えば、20~25°Cで液体の複素環化合物は、成膜後の熱処理により形成された架橋塗膜の性能が低下しやすい。そのため、フランなどの低沸点の化合物又は単環式複素環化合物は、前記非反応性置換基R2cを導入して沸点を高めるのが好ましく、複素環化合物は、室温で固体であり、かつ溶媒に対して溶解性の高い複素環化合物であるのが好ましい。このような観点から、複素環化合物例えば、式IIIaにおいて、rが0及びnが0である単環式複素環化合物の沸点は、50°C以上例えば、75~350°C、好ましくは100~300°C、さらに好ましくは120~250°Cであるのが好ましい。また、式IIIaにおいて、rが0である化合物又はrが1であっても非反応性置換基R2Cが置換していても溶媒に対する溶解性の劣る化合物例えば、炭素数の少ない非反応性置換基R2C、例えば、ハロゲン原子、アリール基などが置換した化合物では、係数pは、例えば、2~4程度であってもよい。また、rが1であるとき、非反応性置換基R2Cは、溶媒に対する溶解性を改善するための置換基例えば、アルキル基ヘキシル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルキル基など、アルコキシ基直鎖状又は分岐鎖状C1-10アルコキシ基など、スルホアルキル基、ジヒドロキシボリル基などを有していてもよい。また、式IIIbにおいて、r1及びr2が0である化合物又はr1及びr2が1であっても、溶媒に対する溶解性の劣る化合物例えば、炭素数の少ない非反応性置換基R2d~R2e、例えば、ハロゲン原子、アリール基などが置換した化合物では、係数p1は、例えば、1~10、好ましくは1~6、さらに好ましくは2~4程度であってもよい。また、r1及びr2が1であり、かつ溶媒に対する溶解性を改善するための置換基R2d~R2e例えば、前記R2Cと同様の置換基を有する複素環化合物では、係数p1は、例えば、上記のように、1~1000程度の範囲から選択できる。なお、係数p1が大きくなると、緩やかな三次元架橋構造となりやすく、有機溶媒に対する耐性も低下しやすい。このような観点から、係数p1は、通常、1~10、好ましくは1~8、さらに好ましくは1~6例えば、2~5程度である。前記芳香族複素環化合物としては、例えば、下記化合物c1~c3が例示できる。c1式IIIaにおいて、環Hetが5員複素環を含む単環式又は縮合環式芳香族複素環であり、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子この窒素原子はイミノ基NH基を形成してもよいであり、rが0~2の整数非反応性基R2Cが未置換又は置換であり、nが0でありリンカーLがなく、pが1である化合物。このような化合物のうち、未置換の単環式化合物としては、例えば、5員複素環化合物チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾールなど、6員複素環化合物トリアジン、ピリジン、ピラジン、ピリミジンなどなどが例示でき、縮合環式化合物としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン、ナフチリジンなどの同種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、チエノ[2,3-b]フランなどの異種の複素環5員又は6員複素環が縮合した化合物、イソベンゾフラン、イソインドール、イソキノリン、フタラジンなどのベンゼン環と複素環とが縮合した化合物などが例示できる。非反応性基R2Cを有する単環式化合物のうち、チオフェン誘導体としては、例えば、3-ハロチオフェン3-クロロチオフェン、3-ブロモチオフェンなど、3,4-ジハロチオフェン3,4-ジクロロチオフェン、3,4-ジブロモチオフェンなど、3-アルキルチオフェン3-メチルチオフェン、3-エチルチオフェン、3-プロピルチオフェン、3-ブチルチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、3-オクチルチオフェン、3-2-エチルヘキシルチオフェン、3-デシルチオフェンなどの3-C1-12アルキルチオフェンなど、3,4-ジアルキルチオフェン3,4-ジメチルチオフェン、3,4-ジエチルチオフェン、3,4-ジブチルチオフェンなどの3,4-ジC1-10アルキルチオフェンなど、3-ヒドロキシチオフェン、3-アルコキシチオフェン3-メトキシチオフェン、3-エトキシチオフェン、3-ブトキシチオフェン、3-ヘキシルオキシチオフェン、3-ヘプチルオキシチオフェン、3-オクチルオキシチオフェン、3-デシルオキシチオフェンなどの3-C1-12アルコキシチオフェンなど、3-アリールチオフェン3-フェニルチオフェンなど、3-カルボキシチオフェン、3-アルコキシカルボニルチオフェン3-メトキシカルボニルチオフェン、3-エトキシカルボニルチオフェンなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルチオフェンなど、3-シアノチオフェン、3-シアノアルキルチオフェンチオフェン-3-アセトニトリルなどの3-シアノC1-6アルキルチオフェン、3-ヒドロキシアルキルチオフェン3-ヒドロキシメチルチオフェン、3-2-ヒドロキシエチルチオフェンなどの3-ヒドロキシC1-6アルキルチオフェン、3-チオフェンマロン酸、3-チエニルボロン酸、3-スルホアルキルチオフェン3-スルホエチルチオフェンなど、2-3-チエニル-1,3-ジオキソランなどが例示できる。縮合環式チオフェン誘導体としては、例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノチオフェン、ハロジチエノチオフェン3,5-ジブロモジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなど、アルキルジチエノチオフェン3,5-ジC1-10アルキルジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなど、アルキレンジオキシチオフェン3,4-エチレンジオキシチオフェンなどなどが例示できる。フラン誘導体としては、例えば、ハロフラン3-クロロフラン、3-ブロモフランなど、3-アルキルフラン3-メチルフランなどの3-C1-10アルキルフランなど、3-ヒドロキシアルキルフラン3-フランメタノールなどの3-ヒドロキシ-C1-6アルキルフランなど、3-フリルボロン酸などが例示できる。ピロール誘導体としては、例えば、3-アルキルピロール3-メチルピロール、3-エチルピロール、3-n-プロピルピロール、3-ブチルピロール、3-オクチルピロール、3-デシルピロール、3-ドデシルピロールなどの3-C1-10アルキルピロールなど、3,4-ジアルキルピロール3,4-ジメチルピロール、3,4-ジブチルピロールなどの3,4-ジC1-10アルキルピロールなど、N-アルキルピロールN-メチルピロールなどのN-C1-10アルキルピロールなど、3-カルボキシピロール、3-アルコキシカルボニルピロール3-エトキシカルボニルピロールなどの3-C1-6アルコキシ-カルボニルピロールなど、3-ヒドロキシピロール、3-アルコキシピロール3-メトキシピロール、3-エトキシピロール、3-ブトキシピロールなどの3-C1-6アルコキシピロールなどなどが例示できる。c2式IIIaにおいて、環Hetは5員芳香族複素環を示し、Xが、硫黄原子、酸素原子、窒素原子であり、rは0~2の整数非反応性基R2Cが未置換又は置換を示し、nが1であり、リンカーLが、ビニレン基である化合物。このような化合物としては、例えば、1,2-ジ2-チエニルエチレン、フリル、フロインなどが例示できる。c3式IIIbにおいて、環Het1~Het2が、独立して、5員又は6員芳香族複素環であり、X1~X2が、独立して、硫黄原子、酸素原子、窒素原子であり、R2d~R2eが独立して非反応性基であり、r1~r2が0~3の整数非反応性基R2d~R2eが未置換又は置換であり、pが1以上の整数である環集合化合物。5員又は6員芳香族複素環としては、前記芳香族複素環Hetの項で例示の単環式複素環例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環などが例示できる。好ましい芳香族複素環は、チオフェン環、フラン環、ピロール環、特にチオフェン環である。式IIIbで表される環集合化合物の溶解性を高めるためには、アルキル基例えば、直鎖状又は分岐鎖状C4-10アルキル基などなどの非反応性基R2d~R2eを有しているのが好ましい。r1~r2はそれぞれ0~3の範囲から選択でき、通常、0~2、特に0又は1である場合が多い。なお、式IIIbで表される環集合化合物が溶解性を高める非反応性基R2d~R2eを有している場合には、p1は、前記のように、広い範囲p=1~1000となる範囲から選択でき、p1は、通常、1~250、好ましくは1~100例えば、1~75、さらに好ましくは1~50例えば、1~10程度の範囲から選択できる。なお、r1~r2がそれぞれ0である場合、p1は、通常、1~3、好ましくは1~2程度例えば、1又は2である。このような化合物としては、5員又は6員複素環の環集合化合物、例えば、ビフラン、ビチオフェン2,2’-ビチオフェンなど、ターチオフェン2,2’:5’,2-ターチオフェンなど、クウォーターチオフェン2,2’:5’,2:5,2’-クウォーターチオフェンなど、ビピリジン2,2’-ビピリジンなど、クウォーターピリジン、3,4’-ジアルキル-2,2’-ビチオフェン3,4’-ジヘキシル-2,2’-ビチオフェンなどの3,4’-ジC4-10アルキル-2,2’-ビチオフェン、ポリ3-アルキル-チオフェンX1~X2が硫黄原子、芳香族複素環Het1~Het3が2,5-チオフェン-ジイル基であり、R2d~R2eが3-位又は4-位のC4-10アルキル基、スルホC1-6アルキル基であり、r1~r2はそれぞれ1であり、p1が1~25程度のポリチオフェン化合物、ビピロール、ターピロール、クフォーターピロール、ポリピロール、2,5-ジ2-チエニル-1H-ピロール、2-3-チエニルピリジンなど;X1~X2が硫黄原子、芳香族複素環Het1~Het3が同種又は異種の複素環がチオフェン環に縮合した縮合複素環であり、r1及びr2がそれぞれ0又は1であり、R2d~R2eが3-位又は4-位のC4-10アルキル基、スルホC1-6アルキル基などであってもよく、p1が1~25程度のポリ縮合チオフェン化合物例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンなどのポリアルキレンジオキシチオフェンなどが例示できる。さらに、環集合化合物は、複素環の間に、アリールメチレン基又はアリールビニレン基が介在する化合物であってもよい。このような代表的な化合物は、例えば、下記式IIIb1又はIIIb2で表すことができる。式中、A3は芳香族性環を示し、p2及びp3はそれぞれ1以上の整数を示し、Het、X、R2c、rは前記に同じ芳香族性環A3としては、前記と同様の芳香族性環ベンゼン環、ナフタレン環などのC6-10アレーン環などが例示できる。Hetは前記と同様の芳香族複素環チオフェン環などの5員芳香族複素環など、Xは前記と同様のヘテロ原子硫黄原子など、R2cは前記と同様の非反応性基ヘキシル基などのC1-10アルキル基など、rは前記と同様の0~3の整数例えば、0又は1であり、係数p2は1以上の整数、例えば、1~10例えば、1~8、好ましくは1~5例えば、2~4、さらに好ましくは1~4例えば、2~3程度の整数を示す。係数p3は1以上の整数、例えば、1~10、好ましくは1~7例えば、1~5、さらに好ましくは1~4例えば、1~3程度の整数を示す。式IIIb1で表される化合物は、前記と同様の芳香族複素環化合物と芳香族モノアルデヒド化合物前記ベンズアルデヒド類などのアリールモノアルデヒド類、ヘテロアリールモノアルデヒド類などとの反応により、上記α-炭素部位において、炭素-炭素単結合-C-C-を生成させることにより得ることができ、式IIIb2で表される化合物は、式IIIb1で表される化合物を脱水素反応に供して炭素-炭素二重結合-C=C-を生成させることにより得ることができる。なお、式IIIb1で表される化合物としては、例えば、ビス2-チエニルベンジリデン、α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリデンなどが例示でき、式IIIb2で表される化合物としては、例えば、ビス2-チエニルベンジリジン、α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリジンなどが例示できる。これらの芳香族複素環化合物は単独で又は組み合わせて使用できる。芳香族複素環化合物は、複素環のヘテロ原子に隣接して、1分子中に2~8個例えば、2~6個、好ましくは2~5個、さらに好ましくは2~4、例えば、2又は3個の反応部位未修飾又は未置換のα-炭素位を有するのが好ましい。このような芳香族複素環化合物は、1分子中に少なくとも1つ、通常、複数例えば、2~4個、特に3~4個のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族複素環化合物は、例えば、下記表12~表16に示すことができる。芳香族複素環化合物において、複素環のヘテロ原子に隣接するα-炭素部位未修飾又は未置換のα-炭素位は、通常、単環式5員複素環では2,5-位、単環式6員複素環では2,6-位に位置する。また、5員複素環が縮合した複素環化合物例えば、チエノ[3,2-b]チオフェン、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェンなどでは、α-炭素部位は2-位及び/又は5-位に位置し、6員複素環が縮合した複素環化合物では、α-炭素部位は2-位及び/又は6-位に位置している。なお、1分子中に2つのα-炭素部位を有する複素環化合物は、1分子中に複数例えば、3以上のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と組み合わせて使用される。芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応において、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基は二官能性反応性基として機能する。すなわち、1つのホルミル基が二官能性反応部位を形成又は作用若しくは機能し、1つの未修飾のα-炭素位が単官能性反応部位を形成又は作用若しくは機能する。そのため、線状高分子を形成するためには、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物として、それぞれ、2つの反応部位を有する成分が使用でき、三次元的に架橋構造を形成するためには、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち、少なくとも一方の成分が、1分子中に3以上の反応部位を有するのが好ましい。三次元的に架橋構造を形成するための架橋性組成物は、a1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物及び/又はb1分子中に3以上のα-炭素部位を有する芳香族複素環化合物を含み、c1分子中に複数のホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物と1分子中に複数2以上のα-炭素部位を有する芳香族複素環化合物とを含んでいてもよい。より具体的には、芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数をT、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素部位の数をUとしたとき、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち、少なくとも一方の成分が、下記式を満たす。式T≧2及び/又はU≧3ただし、T=2であるとき、U≧2である芳香族アルデヒド化合物1分子中のホルミル基の数Tは、2以上好ましくは2~6、さらに好ましくは2~4であってもよく、芳香族複素環化合物1分子中のα-炭素部位の数Uは、3以上好ましくは3~8、さらに好ましくは3~6であってもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物のうち、少なくとも一方の成分が上記式を満足すればよく、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の数Uが2である場合、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基の数Tが複数例えば、2~4程度であればよく、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の数Uが3以上である場合、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基の数Tは1以上例えば、1~4、特に2~4程度であってもよい。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との割合は、反応部位の当量比換算で、例えば、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。なお、反応部位の当量比に関し、1つのホルミル基は2つの反応部位を有するものとして計算される。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との割合は、芳香族アルデヒド化合物のホルミル基1当量に対して、芳香族複素環化合物のα-炭素部位の割合は、0.5~5当量程度の範囲から選択でき、通常、0.75~4当量、好ましくは1~3当量、さらに好ましくは1.5~2.5当量例えば、1.7~2.3当量程度であってもよい。芳香族アミン及び芳香族複素環化合物芳香族アルデヒド化合物は、芳香族アミン及び芳香族複素環化合物の双方の芳香族反応成分と組み合わせて用いてもよい。芳香族アミンと芳香族複素環化合物との割合は、反応部位の当量比換算で、前者/後者=70/30~30/70、好ましくは60/40~40/60、さらに好ましくは55/45~45/55程度であってもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族反応成分の割合は、前記芳香族アルデヒド化合物と芳香族アミン又は芳香族複素環化合物との割合と同様である。ドーパントドーパントは、電子供与性ドーパント例えば、アルカリ金属ナトリウム、カリウムなど、アルカリ土類金属カルシウム、マグネシウムなど、第4級アンモニウム塩テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウムなどなど、電子受容性ドーパント例えば、ハロゲン類、有機シアノ化合物、フルバレン化合物、プロトン酸、ルイス酸、有機金属化合物などであってもよい。好ましいドーパントは、電子受容性ドーパント、例えば、プロトン酸無機酸、有機酸、ポリアニオンなどである。なお、芳香族カルボニル化合物や芳香族複素環化合物が、ドーパントとして機能する化合物、例えば、スルホ基、ジヒドロキシボルニル基-BOH2などの酸性基を含む化合物プロトン酸として機能する化合物である場合、これらの化合物は自己ドーピング可能である。そのため、芳香族カルボニル化合物や芳香族複素環化合物が、ドーパントとして機能する化合物である場合、ドーパントは必ずしも必要ではない。ハロゲン類としては、例えば、塩素Cl2、臭素Br2、ヨウ素I2、塩化ヨウ素ICl、臭化ヨウ素IBr、フッ化ヨウ素IFなどが挙げられる。有機シアノ化合物としては、例えば、テトラシアノエチレン、テトラシアノベンゼン、テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラシアノアザナフタレンなどが例示でき、フルバレン化合物としては、例えば、テトラチアフルバレン、ビスエチレンジオキシテトラチアフルバレンなどが例示できる。ルイス酸としては、例えば、塩化アルミニウムAlCl3、塩化錫SnCl2、塩化亜鉛ZnCl2、塩化チタンTiCl4、フッ化ホウ素BF5、フッ化リンPF5、フッ化ヒ素AsF5、フッ化アンチモンSbF5、塩化ホウ素BCl5、ホウ素エーテル錯塩などが挙げられる。プロトン酸としては、無機酸例えば、塩酸、臭化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸、過塩素酸、フッ酸など、有機酸が挙げられる。有機酸としては、有機カルボン酸、有機スルホン酸が挙げられる。有機カルボン酸としては、少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物脂肪族、脂環族、芳香族、複素環式カルボン酸、例えば、有機モノカルボン酸アルカンカルボン酸、例えば、ギ酸やC1-6アルカン-カルボン酸酢酸、プロピオン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ニトロ酢酸などなど;アレーンカルボン酸、例えば、安息香酸などのC6-12アレーン-カルボン酸など、有機多価カルボン酸アルカンポリカルボン酸、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのC2-6アルカン-ジカルボン酸など;アルケンポリカルボン酸、例えば、マレイン酸、フマル酸などのC2-6アルケン-ジカルボン酸など;アレーンポリカルボン酸、例えば、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、ピロメリット酸などのC6-12アレーン-ジ乃至テトラカルボン酸など、ヒドロキシカルボン酸ヒドロキシアルカンカルボン酸、例えば、グリコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸などのヒドロキシC1-6アルカン-カルボン酸など;ヒドロキシアレーンカルボン酸、例えば、ヒドロキシ安息香酸などのヒドロキシC6-12アレーン-カルボン酸などなどが挙げられる。有機スルホン酸としては、少なくとも1つのスルホ基-SO3Hを有する化合物脂肪族、脂環族、芳香族、複素環式スルホン酸、例えば、アルカンスルホン酸メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、1-プロパンスルホン酸、1-ブタンスルホン酸、1-ヘキサンスルホン酸などのC1-6アルカンスルホン酸、ハロアルカンスルホン酸トリフルオロメタンスルホン酸などのハロC1-6アルカンスルホン酸、アレーンスルホン酸ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸p-トルエンスルホン酸など、ナフタレンスルホン酸、スチレンスルホン酸などのC6-12アレーンスルホン酸などが例示できる。ポリアニオンとしては、スルホン酸エステル基-O-SO3H、スルホ基-SO3H、スルフィノ基-SO2H又はカルボキシル基-COOH若しくはそれらの塩ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、カルシウム、マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、アンモニア、アミン塩などを有する高分子オリゴマーを含むが例示でき、アニオン性基は、スルホ基又はカルボキシル基又はその塩である場合が多い。ポリアニオンを形成する単量体としては、スルホ基を有する重合性単量体、例えば、アルケンスルホン酸ビニルスルホン酸などのC2-10アルケンスルホン酸、イソプレンスルホン酸などのC4-10アルカジエンスルホン酸など、スルホアルキルメタアクリレートスルホエチルメタクリレート、4-スルホブチルメタクリレートなどのスルホC2-6アルキルメタアクリレートなど、ビニルアレーンスルホン酸スチレンスルホン酸などのビニルC6-12アレーンスルホン酸、N-スルホアルキルアクリルアミドN-スルホエチルアクリルアミドなどのN-スルホC2-6アルキルアクリルアミドなどなどが例示できる。これらの単量体は、単独重合体又は二種以上組み合わせて共重合体を形成してもよい。また、前記単量体は、共重合性単量体例えば、メタアクリル酸、メタアクリル酸アルキルエステル、メタアクリルアミドなどのメタアクリル系単量体、スチレンなどの芳香族ビニル単量体などとの共重合体を形成してもよい。代表的なポリアニオンは、例えば、ポリビニルスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ4-スルホブチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸などが例示でき、これらの共重合体も使用できる。これらのポリアニオンは単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。ポリアニオンはオリゴマー又は高分子であってもよく、ポリアニオンの数平均分子量は、例えば、500~100000、好ましくは1000~50000、さらに好ましくは2500~25000程度であってもよい。ドーパントの使用量は、芳香族カルボニル化合物及び芳香族反応成分芳香族アミン及び/又は芳香族複素環化合物の総量1重量部に対して、例えば、0.001~50重量部例えば、0.005~30重量部、好ましくは0.01~20重量部例えば、0.01~15重量部、さらに好ましくは0.1~10重量部例えば、0.1~5重量部程度であってもよい。なお、本発明では、ドーパントが親水性例えば、水溶性又は水分散性ドーパントであっても、高分子鎖内に取り込まれるため、導電性及び耐性耐水性、耐溶剤性などが高い。特に、三次元的架橋構造を有する高分子では、水溶性又は水分散性ドーパントであっても、導電性及び耐性耐水性、耐溶剤性、耐熱性、耐久性などを大きく改善でき、長期間に亘り高い導電性を維持できる。酸触媒芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを含む組成物は、酸触媒を含むのが好ましい。なお、芳香族複素環化合物が、スルホ基、ジヒドロキシボリル基-BOH2などの酸性基を含む場合、酸触媒は必ずしも必要ではない。また、ドーパントが酸性基スルホ基などを有する化合物である場合にも、酸触媒は必ずしも必要ではない。酸触媒は、プロトン酸、ルイス酸のいずれであってもよい。プロトン酸としては、例えば、前記ドーパントの項で例示のプロトン酸と同様の化合物、例えば、無機酸塩酸、硫酸、リン酸など及び有機酸酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機カルボン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、スチレンスルホン酸などのスルホン酸などが例示できる。また、ルイス酸としても、例えば、前記ドーパントの項で例示のルイス酸と同様の化合物、例えば、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛、塩化チタン、フッ化ホウ素、フッ化ホウ素エーテル錯塩などが例示できる。これらの酸触媒は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。さらに、酸触媒は酸発生剤であってもよい。酸発生剤としては、熱により酸を発生する熱酸発生剤[例えば、スルホン酸系熱酸発生剤例えば、アレーンスルホン酸エステル例えば、ベンゾイントシラート、ニトロベンジルトシラートなどなどのスルホン酸エステル、カルボン酸系熱酸発生剤例えば、脂肪酸例えば、クエン酸、酢酸、マレイン酸など又はその塩、芳香族カルボン酸例えば、安息香酸、フタル酸など又はその塩など、リン酸系熱酸発生剤例えば、リン酸、有機リン酸エステルなどなど]、光酸発生剤などが挙げられる。酸発生剤は単独で又は2種以上組み合わせてもよい。好ましい酸発生剤は、光酸発生剤である。光酸発生剤を用いると、露光により硬化させ、現像非露光部を洗浄することにより所定のパターンの導電膜又は導電路を形成できる。特に、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを反応させて三次元架橋構造を形成することもでき、耐久性の高い導電膜又は導電路を精度よく形成できる。光酸発生剤は、熱によっても酸を発生する酸発生剤であってもよいが、代表的には、活性光線例えば、可視光線、紫外線、電子線、X線などの照射により酸を発生する酸発生剤である。代表的な活性光線としては、可視光線、紫外線などが挙げられる。代表的な光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、オニウム塩例えば、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩、フェノール類、スルホン酸又はそのエステル、カルボン酸又はそのエステルなどが例示できる。なお、オニウム塩の対イオンとしては、例えば、ボレート例えば、BF4-、BC6F54-など、ホスフェート例えば、PF6-など、スルホネート例えば、CF3SO3-など、アンチモネート例えば、SbF6-などなどのアニオンが挙げられる。具体的な光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物例えば、ナフトキノンジアジド化合物など、スルホニウム塩[例えば、アルキルスルホニウム塩例えば、トリアルキルスルホニウム塩など、アリールスルホニウム塩例えば、ジアリールスルホニウム塩、トリアリールスルホニウム塩など]、ホスホニウム塩[例えば、アリールホスホニウム塩例えば、トリアリールホスホニウム塩などなど]、ジアゾニウム塩例えば、アリールジアゾニウム塩、ヨードニウム塩[例えば、アリールヨードニウム塩例えば、ジアリールヨードニウム塩など]、セレニウム塩[例えば、アリールセレニウム塩例えば、トリアリールセレニウム塩など]、フェノール類例えば、フェノール、レゾルシノール、ピロガロール、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレンなど、スルホン酸例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルカンスルホン酸;ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などのアレーンスルホン酸;カンファースルホン酸など又はそのエステル例えば、アレーンスルホン酸エステルなどが挙げられる。光酸発生剤は、単独で又は2種以上組み合わせてもよい。酸触媒の使用量は、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物の総量1重量部に対して、例えば、0.001~1重量部例えば、0.01~1重量部程度の範囲から選択でき、通常、0.005~0.3重量部、好ましくは0.01~0.2重量部、さらに好ましくは0.02~0.1重量部程度であってもよい。溶媒本発明の組成物は、さらに溶媒又は溶剤を含んでいてもよい。溶媒としては、芳香族カルボニル化合物と芳香族アミン及び/又は芳香族複素環化合物とを可溶であるとともに、反応を阻害しない限り、特に限定されず、例えば、水、アルコール類エタノール、イソプロパノールなど、炭化水素類例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼンなど、ケトン類アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなど、エステル類酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなど、エーテル類例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどの鎖状エーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの環状エーテル類、アミド類例えば、ホルムアミド;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルホルムアミド;N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミドなどのN-モノ又はジC1-4アルキルアセトアミドなど、ニトリル類例えば、アセトニトリル、プロピオニトリルなど、スルホキシド類例えば、ジメチルスルホキシドなど、ピロリドン類例えば、2-ピロリドン、3-ピロリドン、N-メチル-2-ピロリドン、N-メチル-3-ピロリドンなど、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類[セロソルブ類例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのC1-4アルキルセロソルブ類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノC1-4アルキルエーテル類などなど]、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテル類[カルビトール類例えば、メチルカルビトール、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトールなどのC1-4アルキルカルビトール類など、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノC1-4アルキルエーテル類などなど]、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類などであってもよい。これらの溶媒は、単独で又は混合溶媒として使用できる。本発明の組成物は、有機溶媒溶液であってもよく、水性組成物水溶液、水分散液であってもよい。溶媒の割合は、芳香族カルボニル化合物と芳香族反応成分との合計1重量部に対して、0.1~200重量部例えば、1~100重量部、好ましくは1~50重量部程度の範囲から選択できる。本発明の組成物は、慣用の方法、例えば、芳香族カルボニル化合物と芳香族反応成分とを混合することにより調製できる。特に、溶媒溶剤を含む組成物コーティング組成物は、芳香族カルボニル化合物と芳香族反応成分とを溶媒溶剤に溶解し、必要に応じてろ過して調製してもよい。[導電性高分子]本発明の導電性高分子又は導電性高分子膜の化学構造は、特に限定されず、π電子共役系結合[例えば、炭素-窒素二重結合-C=N-、炭素-炭素一重結合-C-C-、炭素-炭素二重結合-C=C-、炭素-炭素三重結合-C≡C-、アミド結合-NHCO-、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環など]を介して、芳香族カルボニル化合物由来の単位芳香族性環と芳香族反応成分由来の単位芳香族性環とが連結した構造を有している。より具体的には、芳香族カルボニル化合物と芳香族アミンとを含む組成物で形成される導電性高分子の前記π電子共役系単位としては、炭素-窒素二重結合-C=N-、イミダゾール環、オキサゾール環、及びチアゾール環から選択された少なくとも一種の単位が好ましい。このような導電性高分子は、通常、下記式IV1又はIV2で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含む。式中、A5、A6、A7は芳香族性環又は環集合体を示し、Xは窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を示す。A5で表される芳香族性環芳香族カルボニル化合物に由来する芳香族性環、及びA6及びA7で表される芳香族性環芳香族アミンに由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環が例示できる。好ましい環A5は前記環A1と同様の芳香環であり、好ましい環A6又は環A7は前記環A2と同様の芳香環である。なお、式IV1又はIV2では、便宜上、環A5と、環A6及び/又は環A7とからそれぞれ外方向に延びた1つの結合手を示しているが、三次元架橋構造を有する導電性高分子では、環A5及び環A6又は環A7から選択された少なくとも1つの環からは、複数の結合手が延びている。芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物とを含む組成物では、通常、下記式IV3又はIV4で表される単位繰り返し単位又は架橋単位を含む導電性高分子が得られる。好ましい繰り返し単位は、少なくとも式IV4で表される単位を含む。なお、この例では、1分子中に3つのホルミル基を有する芳香族アルデヒド化合物を用いた架橋単位を模式的に示している。式中、p4は1以上の整数を示し、A5、Het、X、R2C、r、p2は前記に同じ係数p4は高分子の重合度架橋度も含むに対応しており、芳香族性環A5芳香族カルボニル化合物に由来する芳香族性環としては、前記環Aと同様の芳香族性環前記環A1と同様の芳香環が例示でき、Hetで表される芳香族複素環としては、前記複素環Hetと同様の芳香族複素環Xが硫黄原子、酸素原子又は窒素原子である5員環を含む単環式、縮合環式又は環集合複素環などが例示できる。なお、前記IIIb1で表される化合物とIIIb2で表される化合物との関係と同様に、式IV3で表される化合物を脱水素反応に供することにより式IV4で表される化合物を得ることができる。また、カルボニル基含有基とアミノ基との反応熱重合、ホルミル基と複素環化合物のα-炭素部位との反応は容易に進行するため、本発明の導電性高分子は、線状に連結された高分子線状高分子、又は三次元網目構造で連結された1つの高分子であると推定できる。三次元網目構造架橋構造の導電性高分子のように、導電性高分子が1つの高分子で構成されていると、分子間の電子移動ホッピングが実質的に発生せず、極めて電子移動度が高いと考えられる。なお、三次元網目構造を有しているか否かは、有機溶媒に対する溶解性により判別でき、三次元網目構造を有する導電性高分子は、有機溶媒に不溶又は難溶である。この三次元網目構造などの高分子の構造の詳細は定かではないが、グラファイト様構造であってもよく、熱に伴うモノマー単位の分子振動などによるπ電子共役系の広がり方の変化により、迅速でかつ安定した電子移動が可能であると考えられる。導電性高分子の厚みは、用途に応じて選択でき、例えば、1nm~100μm程度であってもよい。薄膜状に形成する場合、導電性高分子膜の厚みは、例えば、1~10000nm例えば、1~5000nm、好ましくは30~1000nm、さらに好ましくは50~500nm程度であってもよい。導電性高分子は、前記組成物の反応成分を重合することにより製造することができる。薄膜状の導電性高分子は、基材ガラス板、シリコンウエハー、耐熱プラスチックフィルムなどに前記組成物を積層又は塗布する工程と、必要により溶媒を除去し、この組成物を熱処理して重合する工程とを経て製造してもよい。なお、必要に応じて、基材から導電性高分子を剥離してもよい。前記組成物を積層又は塗布する方法としては、例えば、化学的気相法CVD法などなどの蒸着方法、塗布方法などが挙げられる。通常、塗布方法が採用される。塗布方法としては、慣用の塗布方法、例えば、エアーナイフコート法、ロールコート法、グラビアコート法、ブレードコート法、ディップコート法、スプレー法、スピンコート法、インクジェット印刷法などが例示できる。塗布した後、通常、乾燥して塗膜から溶媒が除去される。重合工程は、不活性ガス窒素など雰囲気下で行ってもよい。また、熱処理温度は、例えば、50~500°C例えば、150~500°C、好ましくは100~400°C例えば、200~400°C、さらに好ましくは150~300°Cや250~350°C程度であってもよい。また、熱処理時間は、例えば、0.1~2.5時間、好ましくは0.2~2.0時間、さらに好ましくは0.3~1.5時間程度であってもよい。なお、導電性高分子は所定のパターンに形成してもよい。例えば、酸発生剤を含む組成物を基材又は基板に塗布し、必要により乾燥し、所定のパターンでエネルギー線を照射し、熱処理し、現像し、所定のパターンの導電性高分子特に、薄膜状導電性高分子を形成してもよい。この方法でエネルギー線としてレーザー光などを使用する場合、エネルギー線の照射と熱処理とを同時に行うことができるため、必ずしも熱処理工程は必要ではない。好ましい方法では、光酸発生剤を含む組成物を基材に塗布し、必要により乾燥及び50~150°C程度でプリベークし、所定のマスクパターンを通してパターン露光した後、熱処理ポストエクスポージャーベークPEBし、現像し、所定のパターンの導電性高分子膜を形成してもよい。所定のパターンに導電性高分子膜を形成する場合、活性エネルギー線は、熱線、活性光線のいずれであってもよく、双方であってもよい。通常、熱酸発生剤では、少なくとも熱線が付与され、光酸発生剤では、少なくとも活性光線が照射される。熱線による加熱温度は、前記熱処理温度と同様である。活性光線活性エネルギー光線としては、放射線、紫外線、可視光線などが利用でき、通常、紫外線であってもよい。光源としては、例えば、紫外線の場合は、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、レーザー光源などを用いることができる。なお、照射光量照射エネルギーは、例えば、1~10000mJ/cm2、好ましくは5~5000mJ/cm2、さらに好ましくは10~1000mJ/cm2程度であってもよい。照射時間は、特に限定されず、例えば、0.1秒以上例えば、0.5秒~10分、好ましくは1秒以上例えば、2秒~5分程度であってもよい。活性エネルギー光線を照射すると、酸発生剤から酸が発生し、発生した酸が芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との縮合反応を触媒する。特に、活性光線の照射後に加熱ポストエクスポージャーベークPEB、アフターキュア又はポストベークして上記反応を促進してもよい。加熱処理は、不活性ガス窒素など雰囲気下で行ってもよい。加熱処理の温度は、例えば、50~500°C例えば、75~400°C程度の範囲から選択でき、通常、70~300°C例えば、75~250°C、好ましくは80~200°C例えば、80~150°C、さらに好ましくは100~150°C程度であってもよい。熱処理PEB時間は、例えば、0.01~2.5時間、好ましくは0.02~2.0時間、さらに好ましくは0.03~1.5時間程度であってもよい。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応では、前記のように、式IV3で表される単位又は架橋単位が生成し、この式IV3で表される単位は、脱水素反応により、式IV4で表される単位又は架橋単位に変換できる。脱水素反応としては、例えば、水銀ランプ、キセノンランプなどの活性光線を照射する光脱水素法などを利用してもよいが、加熱脱水素法、例えば、上記熱処理温度で処理する方法を利用する場合が多い。現像は、慣用の方法で行うことができる。特に、非露光部が、比較的低分子化合物の芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物を含んでいるため、これらの成分を溶媒に容易に溶解させて現像できる。そのため、高分子量の感光性レジストを用いる方法に比べて、極めて簡単に、しかも高い精度で現像できる。現像剤としては、芳香族アルデヒド化合物及び芳香族複素環化合物を可溶な溶媒、例えば、前記有機溶媒や水性溶媒水、水と水溶性有機溶媒との混合溶媒などが使用できる。現像の後、必要により、前記重合工程と同様に熱処理ハードベークし架橋度を高めてもよい。このような工程により、所定のパターンの導電性高分子膜を高い精度で形成できる。なお、導電性高分子は、ドーパントを含む前記組成物の反応成分を反応させることにより形成できるとともに、ドーパントを含まない前記組成物の反応成分を反応させて高分子を生成させ、この高分子に慣用の方法でドーパントをドープすることにより得ることができる。ドーパントのドープは、所定の処理空間内でガス状のドーパントと高分子とを接触させる方法、浸漬などによりドーパントを含む液状又は溶液状の処理液と高分子とを接触させる方法などにより行うことができる。ドーパントと高分子との接触は、室温又は加熱下で行うことができ、常圧、減圧又は加圧下で行ってもよい。架橋構造を有する導電性高分子膜は、耐熱性、耐溶剤性、耐久性に優れている。そのため、デバイス寿命の低下を防止できるとともに、この導電性高分子膜に対して、有機溶媒を含むコーティング液を直接塗布でき、積層構造を容易に形成できる。なお、芳香族アルデヒド化合物と芳香族複素環化合物との反応では、前記のように、式IV3で表される単位又は架橋単位が生成し、この式IV3で表される単位は、脱水素反応により、式IV4で表される単位又は架橋単位に変換できる。脱水素反応としては、例えば、水銀ランプ、キセノンランプなどの活性光線を照射する光脱水素法などを利用してもよいが、加熱脱水素法、例えば、上記熱処理温度で処理する方法を利用する場合が多い。なお、前記酸触媒を含む組成物を用いると、容易に脱水素反応を行うことができる。[デバイス]本発明の組成物は、導電性塗料又は導電性コーティング剤などとしても利用できる。好ましい態様では、本発明の組成物は、電子素子や電子デバイスの電極、導電膜又は導電路を形成する材料などとして利用できる。本発明のデバイスは、前記導電性高分子で形成された部材導電部材又は要素を含んでいればよいが、導電パターンも簡便かつ精度よく形成できるため、通常、導電性要素薄膜状の導電膜や線状などの導電路などを含んでいる。電子素子や電子デバイスとしては、例えば、タッチパネル、電子ペーパー、半導体、有機又は無機エレクトロルミネッセンス、液晶ディスプレイ、太陽電池などが例示できる。以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例11組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶に1,3,5-トリホルミルベンゼン32.4mgと3,6-ジアミノカルバゾール59.2mgを入れ、シクロヘキサノン2960mgに溶解した。この溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過することにより、組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機予備膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、300°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機予備膜を得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られた予備膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4ドーピング処理導電性有機膜の作製セパラブルフラスコに上記工程2で得られた導電性有機予備膜とヨウ素10gを入れ、真空状態にした後、50°Cのウォーターバスに入れ、24時間静置し、導電性有機膜以下、BTA-DACというを得た。5導電性評価抵抗率計三菱化学株式会社製、MCP-HT450を用いて、上記工程4でドーピング処理したBTA-DAC膜の表面抵抗率を測定したところ、6.7×108Ω□であった。なお、単位Ω□は、JISK6911で定義されており、試料の単位面積あたりの抵抗を示し、シート抵抗とも呼ばれる。実施例21組成物コーティング組成物の調製1,3,5-トリホルミルベンゼン16.2mgと、トリス4-アミノフェニルアミン58.1mgと、シクロヘキサノン2930mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機予備膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、実施例1と同様の方法により、導電性有機予備膜を得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られた予備膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4ドーピング処理導電性有機膜の作製実施例1と同様の方法により、導電性有機予備膜にヨウ素をドーピングし、導電性有機膜以下、BTA-TAPAというを得た。5導電性評価実施例1と同様の方法により、BTA-TAPA膜のドーピング後の表面抵抗率を測定したところ、6.3×108Ω□であった。実施例31組成物コーティング組成物の調製1,3,5-トリホルミルベンゼン16.2mgと2,2’-ビストリフルオロメチルベンシジン48.0mgと、シクロヘキサノン2180mgとを用いる以外、実施例1と同様にして、組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機予備膜の作製上記工程1で得られた組成物を用い、窒素雰囲気下、200°Cで1時間熱処理する以外、実施例1と同様にして、導電性有機予備膜を得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られた予備膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4ドーピング処理導電性有機膜の作製p-トルエンスルホン酸一水和物をシクロヘキサノンに溶解し、1重量溶液を調整し、100ml褐色瓶に入れた。この容器に上記工程2で得られた導電性有機予備膜を入れ、常温、常圧下で24時間静置し、導電性有機膜以下、BTA-BFMEというを得た。5導電性評価抵抗率計三菱化学株式会社製、MCP-T610を用いて、上記工程4でドーピング処理したBTA-BFME膜のドーピング後の表面抵抗率を測定したところ、4.2×105Ω□であった。実施例41組成物コーティング組成物の調製1,3,5-トリホルミルベンゼン8.1mgと、2,2’-ビストリフルオロメチルベンシジン24.6mgと、テトラチアフルバレンドーパント15.7mgと、シクロヘキサノン1566mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にキャストにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機膜以下、BTA-BFME-TTFというを得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られたBTA-BFME-TTF膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4導電性評価実施例1と同様の方法により、BTA-BFME-TTF膜の表面抵抗率を測定したところ、8.0×108Ω□であった。実施例51組成物コーティング組成物の調製1,3,5-トリホルミルベンゼン14.9mgと、2,2’:5’,2-ターチオフェン3.2mgと、p-トルエンスルホン酸一水和物3.8mgと、シクロヘキサノン713mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2有機導電膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にキャスト法により薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機予備膜を得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られた予備膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元網目構造を形成していることを確認した。4ドーピング処理100ml褐色瓶に上記工程2で得られた導電性有機予備膜とヨウ素10gを入れ、常温常圧下で、24時間静置し、導電性有機膜以下BTA-3Tというを得た。5導電性評価実施例3と同様の方法により、上記工程4の処理後のBTA-3T膜の表面抵抗率を測定したところ、6.6×104Ω□であった。実施例61組成物コーティング組成物の調製1,3,5-トリホルミルベンゼン8.1mgと、3-チオフェンボロン酸9.6mgと、シクロヘキサノン879mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にキャストにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機膜以下、BTA-TbAというを得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られたBTA-TbA膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4導電性評価実施例1と同様の方法により、BTA-TbA膜のドーピング後の表面抵抗率を測定したところ、8.0×108Ω□であった。実施例71組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にポリ[α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリデン]9.8mg、1,3,5-トリホルミルベンゼン1.1mg、p-トルエンスルホン酸一水和物38.9mg、シクロヘキサノン1660mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にキャストにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機膜以下、BA-3T-BTAというを得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られたBA-3T-BTA膜はシクロヘキサノンに不溶であることから、三次元ネットワーク構造を形成していることを確認した。4導電性評価実施例3と同様の方法により、上記工程3の処理後のBA-3T-BTA膜の表面抵抗率を測定したところ、1.3×105Ω□であった。実施例81組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にポリ[α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリデン]10mg、1,3,5-トリホルミルベンゼン0.42mg、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート0.1mg、シクロヘキサノン353mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2パターンニングされた導電性有機予備膜の作製上記工程1で得られた組成物を、基材ガラス板にスピンコートし、薄膜を形成した。その後マスクパターンを通じて、紫外線UV露光した後、窒素雰囲気下、100°Cで30分熱処理した。得られた膜をシクロヘキサノンで洗浄現像し、未反応物を除去することにより、パターンニングされた導電性有機予備膜を得た。得られた導電性有機予備膜のパターンを図1に示す。3ドーピング処理導電性有機膜の作製実施例7と同様の方法により、BA-3T-BTA膜にヨウ素をドーピングし、導電性有機膜BA-3T-BTAを得た。4導電性評価実施例3と同様の方法により、上記工程3の処理後のBA-3T-BTA膜の表面抵抗率を測定したところ、3.2×105Ω□であった。実施例91組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にポリ[α-5,5-ターチオフェンジイルベンジリデン]10mg、1,3,5-トリホルミルベンゼン0.42mg、p-トルエンスルホン酸一水和物0.49mg、ポリアクリル酸ドーパント0.19mgを入れ、N,N-ジメチルホルムアミド370mに溶解させる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機膜の作製上記工程1で得られた組成物を、ガラス基板に溶液キャスト法により塗布し、薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理し、導電性有機膜BA-3T-BTAを得た。3有機溶媒に対する溶解性三次元ネットワーク構造を形成していることを確認するため、上記工程2で得られたBA-3T-BTA膜のN,N-ジメチルホルムアミドに対する溶解性を調べたところ、不溶であった。4導電性評価実施例3と同様の方法により、上記工程2で得られたBA-3T-BTA膜の表面抵抗率を測定したところ、4.3×108Ω□であった。比較例1組成物コーティング組成物の調製6mlサンプル瓶にベンズアルデヒド5.1mgと2,2’:5’,2-ターチオフェン10mg、p-トルエンスルホン酸一水和物2.6mg、シクロヘキサノン573mgとを用いる以外、実施例1と同様にして組成物コーティング組成物を調製した。2導電性有機膜の作製上記工程1で得られた組成物を用いて、ガラス基板にスピンコートにより薄膜を作製した後、窒素雰囲気下、120°Cで1時間熱処理を行うことにより、導電性有機膜以下、BA-3Tというを得た。3有機溶媒に対する溶解性上記工程2で得られたBA-3T膜はシクロヘキサノンに容易に溶解した。"