"a内部空間を有する反応チャンバと、b前記チャンバの内部空間と連通するガス注入口マニホールドであって、前記内部空間内に保持されている基板上に堆積物を形成するようにプロセスガスを通すガス注入口マニホールドと、c流路及び1つ又は複数のポートを有する排気マニホールドを含む排気システムであって、前記流路が、前記1つ又は複数のポートを通じて前記チャンバの内部空間と連通している、排気システムと、d前記チャンバ内に取付けられる1つ又は複数の清掃部材であって、i1つ又は複数の清掃部材を前記1つ又は複数のポートから離している運転位置と、ii1つ又は複数の清掃部材を前記1つ又は複数のポートに係合させている清掃位置との間で移動可能に構成された1つ又は複数の清掃部材とを備えている化学蒸着反応器。前記チャンバが、前記基板の挿入及び取り外し用の入口ポートと、シャッタとを有しており、前記シャッタが、前記チャンバに取付けられると共に、i前記シャッタを前記入口ポートから離している開放位置と、ii前記シャッタにより前記入口ポートを封鎖している閉鎖位置との間で移動可能に構成され、前記1つ又は複数の清掃部材が、前記シャッタと共に移動するように前記シャッタに取付けられている、請求項1に記載の反応器。前記清掃部材は、i前記シャッタが前記閉鎖位置に位置しているときには前記運転位置に位置し、ii前記シャッタが前記開放位置に位置しているときには前記清掃位置に位置するように構成されている、請求項2に記載の反応器。前記排気マニホールドがリング形状を画定し、前記1つ又は複数のポートが複数の円形開口を含んでいる、請求項2に記載の反応器。前記1つ又は複数の清掃部材が、前記シャッタに取付けられた複数のプランジャとなっている、請求項4に記載の反応器。前記プランジャのそれぞれが円錐形状の先端部を有している、請求項5に記載の反応器。前記円錐形状の先端部のそれぞれが前記チャンバの中心軸に対して角度を成しており、該角度が、前記複数の円形開口のそれぞれにおける面取りされた内縁部によって画定される角度に略等しくなっている、請求項6に記載の反応器。前記排気マニホールドが複数のバッフルを含む迷路形状部を備え、前記1つ又は複数のポートが単一の円筒形開口となっている、請求項2に記載の反応器。前記1つ又は複数の清掃部材が前記シャッタの下側部分となっている、請求項8に記載の反応器。前記シャッタの下側部分が面取りされた内縁部を有している、請求項9に記載の反応器。前記シャッタの下側部分の面取りされた内縁部が、前記反応器の中心軸に対して角度を成し、該角度が、前記排気マニホールドの開口の面取りされた内縁部によって画定される角度に略等しくなっている、請求項10に記載の反応器。上方向及び下方向に延びる軸の回りにて回転するように構成され、かつ前記チャンバ内に取付けられたスピンドルをさらに備え、該スピンドルの上端部が、複数のウェハーを保持するように構成されるウェハーキャリアに取り外し可能に係合する構成となっている、請求項1に記載の反応器。前記スピンドルを前記軸の回りにて回転させるように構成される電動機をさらに備えている、請求項12に記載の反応器。前記ウェハーキャリアを加熱するように構成されるヒーターをさらに備える、請求項12に記載の反応器。a内部空間を画定すると共に、ウェハーキャリアの挿入及び取り外し用の入口ポートを含む反応チャンバを準備するステップと、b1つ又は複数のウェハーの頂面を前記ウェハーキャリアの頂面にて露出させるように、前記1つ又は複数のウェハーを前記ウェハーキャリア上で保持するステップと、c1つ又は複数のプロセスガスを前記ウェハーの露出した頂面に供給するステップと、d前記プロセスガスの一部を、排気システムを通じて除去するステップであって、前記排気システムが排気マニホールドを含み、該排気マニホールドが流路及び1つ又は複数のポートを有し、該流路が前記1つ又は複数のポートを通じて前記チャンバの内部空間と連通している、除去するステップと、e前記チャンバ内に取付けられた1つ又は複数の清掃部材を下方に移動させるステップと、f前記排気マニホールドを清掃するように前記清掃部材のそれぞれの少なくとも一部を前記排気マニホールド内に挿入するステップとを含むウェハー処理の方法。g前記チャンバに取付けられたシャッタを、i該シャッタを前記入口ポートから離している開放位置から、ii該シャッタによって前記入口ポートを封鎖する閉鎖位置まで移動させるステップをさらに含む請求項15に記載の方法。前記1つ又は複数の清掃部材が、前記シャッタと共に移動するように前記シャッタに直接連結されている、請求項16に記載の方法。前記シャッタを移動させるステップgが、前記清掃部材を、i前記シャッタが前記閉鎖位置に位置しているときには運転位置まで、ii前記シャッタが前記開放位置に位置しているときには清掃位置まで移動させることを含む、請求項17に記載の方法。g前記ウェハーキャリアを前記チャンバ内に取付けられたスピンドルの上端部と取り外し可能に係合させるステップをさらに含み、前記スピンドルが上方向及び下方向に延びる中心軸に対して実質的に平行に配向されている、請求項15に記載の方法。h前記スピンドル及び前記ウェハーキャリアを前記中心軸の回りにて回転させるステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。前記排気マニホールドがリング形状を画定し、前記1つ又は複数のポートが複数の円形開口を含む、請求項15に記載の方法。前記1つ又は複数の清掃部材が、前記シャッタに取付けられている複数のプランジャとなっている、請求項21に記載の方法。前記プランジャのそれぞれが円錐形状の先端部を有している、請求項22に記載の方法。前記円錐形状のそれぞれの先端部が前記反応器の中心軸に対して角度を成し、該角度が、前記複数の円形開口のそれぞれにおける面取りされた内縁部によって画定される角度に略等しくなっている、請求項23に記載の方法。前記排気マニホールドが複数のバッフルを含む迷路形状部を備え、前記1つ又は複数のポートが単一の円筒形開口となっている、請求項15に記載の方法。前記1つ又は複数の清掃部材が前記シャッタの下側部分となっている、請求項25に記載の方法。前記シャッタの下側部分が面取りされた内縁部を有している、請求項26に記載の方法。前記シャッタの下側部分の面取りされた内縁部が、前記反応器の中心軸に対して角度を成し、該角度が、前記排気マニホールドの開口の面取りされた内縁部によって画定される角度に略等しくなっている、請求項27に記載の方法。前記ウェハーキャリアからの伝熱によって前記ウェハーを少なくとも部分的に加熱するステップをさらに含む請求項15に記載の方法。図1~図3を参照すると、本発明の一実施形態に係る化学蒸着反応器10の形態の化学蒸着装置が反応チャンバ12を備え、反応チャンバ12の一端部にガス注入口マニホールド14が配置されている。ガス注入口マニホールド14を有するチャンバ12の端部は、本明細書においてチャンバ12の頂top端部と称される。チャンバのこのような端部は必ずしもではないが、通常、標準の重力基準系におけるチャンバの頂部topに配置されている。従って、本明細書において用いられる下方向は、ガス注入口マニホールド14から離れる方向を指し、その一方で上方向は、チャンバ内にてガス注入口マニホールド14に向かう方向を指す。これらの方向は、重力による上方向及び下方向と一致するか否かには関係ないものとする。同様に、部材の頂面及び底面は、本明細書において、チャンバ12及びマニホールド14の基準系を参照して説明される。チャンバ12は、このチャンバの頂端部における頂部フランジ22と、このチャンバの底端部におけるベースプレート24との間に延びる円筒形壁20を有している。壁20、フランジ22、及びベースプレート24は、これらの間に、ガス注入口マニホールド14から放出されるガスを収容可能とする気密封止された内部空間26を画定している。チャンバ12は円筒形として示されているが、他の実施形態は、例えば、錐面若しくは他の回転面、正方形、六角形、八角形、又は任意の他の適切な形状を有する別の形状を有するチャンバを含むことができる。ガス注入口マニホールド14は、金属有機化合物及び第V族金属源等のキャリアガス及び反応性ガス等のプロセスガスであって、ウェハー処理プロセスにて用いられるプロセスガスの供給源に接続されている。典型的な化学蒸着プロセスでは、キャリアガスは、窒素、水素、又は窒素及び水素の混合体とすることができ、その結果、ウェハーキャリアの頂面におけるプロセスガスを、反応性ガス成分の幾らかの量を有する窒素及び/又は水素から主に構成することができる。ガス注入口マニホールド14は、種々のガスを受け入れて、プロセスガスの流れを略下方向に向けるように配置されている。ガス注入口マニホールド14はまた、動作中に部材の温度を所望の温度に維持するよう、ガス分配部材を通じて液体を循環させるように配置される冷却系図示されないに接続することもできる。チャンバ12の壁を冷却するために同様の冷却機構arrangement図示されないを設けることができる。チャンバ12にはまた、アンティチャンバantechamber32につながる入口開口部30と、入口開口部30を開閉するシャッタ34とが設けられている。シャッタ34は、ドアがチャンバ12の内部空間26をアンティチャンバ32から分離する閉鎖位置であって、図1にて実線で示される閉鎖位置、すなわち、上位置と、図1の34’にて破線で示される開放位置、すなわち、下位置との間で移動可能となっている。シャッタ34は、リンク機構35図2に示されるを用いてシャッタ34に結合された制御及び作動機構41図2に概略的に示されるによって移動可能とすることができる。制御及び作動機構41は、シャッタ34を、図1に示される閉鎖位置と、符号34’として示される開放位置との間で移動させることができる。制御及び作動機構は、リンク機構35及びシャッタ34を移動させることができる任意の種類のアクチュエータ、例えば、機械的アクチュエータ、電気機械的アクチュエータ、油圧式アクチュエータ、又は空気圧式アクチュエータを含むことができる。図2にて見てとることができるように、シャッタ34は、ガス注入口マニホールド14に面する上面36と、排気マニホールド72に面する下縁部37とを画定している。シャッタ34は、例えば米国特許第7,276,124号において開示されているように構成することができ、この米国特許の開示は引用することにより本発明書の一部を成すものとする。シャッタ34は円筒形として示されているが、他の実施形態は、例えば、正方形、六角形、八角形、又は任意の他の適切な形状を有する別の形状を含んだシャッタを備えることができる。再び図1を参照すると、スピンドル40は、該スピンドル40の中心軸42が上方向及び下方向に延びるようにチャンバ内に配置されている。スピンドルは、ベアリング及びシール図示されないを組み込む従来の回転型パススルー装置passthroughdevice44によってチャンバに取付けられており、その結果、スピンドルは、スピンドル40とチャンバ12のベースプレート24との間における封止を維持しながら中心軸42回りにて回転することができる。スピンドル40は、その頂端部にて、すなわち、ガス注入口マニホールド14に最も近いスピンドルの端部にて接続金具46を有している。接続金具46は、ウェハーキャリア50に取り外し可能に係合するように構成されている。ここで開示されている特定の実施形態では、接続金具46は、スピンドル40の頂端部に向かってテーパ状に形成されると共に平坦な頂面にて終端するように形成される略円錐台形の部材となっている。スピンドル40は、中心軸42回りにスピンドルを回転させるように配置される電動機等の回転駆動機構48に接続されている。スピンドル40にはまた、ガス通路内で概してスピンドルの軸方向に延びる内部の冷却材流路を設けることができる。内部冷却材流路を冷却剤供給源に接続することができ、その結果、流体冷却剤を冷却剤供給源によって、冷却剤流路を通じて冷却剤供給源に戻るように循環させることができる。ウェハーキャリア50は、中心軸54を有する実質的に円形ディスクの形態である本体52を含む。図1及び図3に示される動作位置では、ウェハーキャリア本体52の中心軸54は、スピンドルの軸42と一致している。本体52を、単体として又は複数の部品の複合体として形成することができる。例えば、米国特許出願公開第2009/0155028号にて開示されているように、ウェハーキャリア本体は、本体62の中心軸54を包囲する小さな領域を画定するハブと、ディスク状本体の残りの部分を画定するより大きな部分とを含むことができる。上記米国特許出願公開の開示は引用することにより本発明書の一部を成すものとする。ウェハーキャリア本体52を、CVDプロセスを損なわず、かつこのプロセスにおいて晒されるencountered温度に耐えることができる材料から形成することができる。例えば、ディスクのうちのより大きい部分を、グラファイト、炭化ケイ素、又は他の耐火材料等の材料から大部分を又は全体的に形成することができる。本体52は、互いに対して略平行にかつディスクの中心軸54に対して略垂直に延びている略平面的な頂面及び底面を有している。本体52はまた、本体の頂面から本体52内に下方に延びている複数の略円形のウェハー保持ポケット56も有しており、各ポケットはウェハー58を保持するように構成されている。一例では、ウェハーキャリア本体52は、その直径を約500mm~約1000mmとすることができる。サファイヤ、炭化ケイ素、又は他の結晶基板から形成されるディスク状ウェハー等のようなウェハー58の形態の基板が、ウェハーキャリア50の各ポケット56内に配置されている。通常、各ウェハー58は、その主表面の寸法に比べて小さい厚みを有している。例えば、直径が約2インチ50mmの円形ウェハー58は、厚さを約430μm以下とすることができる。各ウェハー58は、その頂面を上に向けた状態で配置されており、その結果、この頂面はウェハーキャリア50の頂部において露出することとなる。反応器10は、ウェハーキャリア50をアンティチャンバ32からチャンバ12内へ移すことと、動作条件にてウェハーキャリア50をスピンドル40と係合させることとが可能であるローディング機構図示されないであって、かつウェハーキャリア50をスピンドル40からアンティチャンバ32内へ移すことも可能であるローディング機構図示されないをさらに備えることができる。加熱素子60が、チャンバ12内に取付けられており、接続金具46の下方のスピンドル40を包囲している。加熱素子60は、主に放射伝熱によって熱をウェハーキャリア50の底面に伝達することができる。ウェハーキャリア50の底面に加えられた熱は、ウェハーキャリア50の本体52を通ってウェハーキャリアの頂面に向かって上方に流れることが可能となっている。熱は、各ウェハー58の底面まで上方に進み、かつウェハー58を通ってウェハーの頂面に向かって上方に通過することができる。熱を、ウェハーキャリア50の頂面及びウェハー58の頂面からプロセスチャンバ12のより冷たい部材まで、例えば、プロセスチャンバ12の壁20及びガス注入口マニホールド14まで放射することができる。熱はまた、ウェハーキャリア50の頂面及びウェハー58の頂面から、これら頂面を横切るpassingoverプロセスガスまで伝達することができる。チャンバ12はまた、加熱素子60を収容するチャンバのエリア内にプロセスガスが侵入することを低減する外側ライナ28を含んでいる。例示的な一実施形態例では、熱シールド図示されないを加熱素子60の下方に設けて、例えば、ウェハーキャリア50に対して平行に配置して、熱を加熱素子60から、チャンバ12の底端部におけるベースプレート24に向かって下方に配向するのではなくウェハーキャリア50に向かって上方に配向することを助けることができる。チャンバ12にはまた、使用済みガスをチャンバの内部空間26から除去するように構成された排気システム70が設けられている。排気システム70は、チャンバ12の底部に又は底部付近に排気マニホールド72を含んでいる。排気マニホールド72は、ベースプレート24を通って下方に延びると共に反応チャンバ12から使用済みガスを運び出すように構成された排気導管74に結合されている。図1に示されるように、排気マニホールド72は、スピンドル40の頂部の下方でかつウェハーキャリア50の下方でチャンバ12の周縁部に延びている。排気マニホールド72は流路又はチャネル78を画定している。チャネル78は円筒形又はリング状として示されているが、他の実施形態は、例えば、正方形、六角形、八角形又は任意の他の適切な形状を有する別の形状を含むチャネル78を備えることができる。排気マニホールド72は、チャンバ12の内部空間26からマニホールド72の頂面77を通ってチャネル78内に延びている、円形の開口の形態の複数のポート76を含んでいる。チャネル78は、直径方向に対向した位置にて2つの排気ポート79に結合されている。各排気ポート79は、チャネル78と排気導管74との間で延びている。導管74は、ポンプ75又は他の真空源にさらに接続されている。ポート76は、例えば、約0.5インチ~約0.75インチの比較的小さな直径を有するものである。ポート76は、チャンバ12の内部空間26と排気マニホールド72のチャネル78との間における流量制限をもたらす低い流体コンダクタンス部材を提供する。従って、排気マニホールド72は、チャンバ12の内部空間26と排気ポート79との間に圧力バリアを提供し、その結果、チャンバ12の内側における反応物質の流量均一性の増加をもたらすこととなる。チャネル78内の流れ抵抗が小さいため、全てのポート76を通る流量は実質的に等しくなる。これによって、チャンバ12の周縁部のチャネル78内に向かう排ガスの実質的に均一な流量がもたらされることとなる。特定の例では、排気マニホールド72は略10個のポート76を含むことができ、各ポート76は各隣接ポート76から略36度離れて位置している。他の実施形態では、排気マニホールド任意の個数のポートを含むことができ、各ポートは各隣接ポートから任意の距離離れて位置している。例えば、排気マニホールド72の頂面の周囲に等しい距離でそれぞれ離間する6個、8個、12個、16個、20個、24個、又は32個のポートを設けることができる。ここで開示されるように、排気マニホールド72は円形のポート76を含んでいる。他の実施形態では、排気マニホールド内の開口は、例えば、楕円形、放物形、正方形、長方形、三角形、六角形、八角形、三日月形、又はS字型を含む任意の形状を画定することができる。ここで開示されるように、各ポート76は、反応チャンバの中心軸から半径方向に、頂面77の幅の略4分の3を水平方向に横切って延びている。他の実施形態では、各ポートは、頂面の幅の略半分、3分の2、5分の4、又は10分の9を含むような排気マニホールドの頂面における幅の任意の部分を横切って延びることができる。排気マニホールド72のポート76等の低流体コンダクタンス部材がチャンバ12内に含まれていなかった場合、2つの直径方向に対向した排気ポート79の位置は、圧力勾配をチャンバ12の外周で引き起こし、従って、ウェハーキャリア50を横切る不均一なガス流量をもたらす可能性があり、このガス流量は、結果として得られる半導体ウェハー58の特性における所望でないバラツキを引き起こす可能性がある。流量制限を提供するために排気マニホールド72を使用することは、反応器10の動作中にポート76内外にinandaround形成される固体粒子例えば反応物質の生産物の寄生成長をもたらす可能性がある。そのような固体粒子は、ポート76のうちの幾つか又は全ての大きさを小さくするか又はポート76のうちの幾つか又は全てを完全に封鎖する場合があり、これによって種々のポート76間の不均一な流量を引き起こす可能性があり、これはガス流量における所望ではないバラツキをもたらし、その結果、反応器10によって形成されるウェハー58の特性に影響を及ぼす場合がある。ポート76のうちの1つ又は複数の部分封鎖もまた、ウェハー58の不均一な成長速度を引き起こす可能性がある。反応器10は、プランジャ80の形態の複数の清掃部材をさらに含み、各プランジャは、プランジャ80が排気マニホールド72に対してシャッタ34と共に上下に並進移動するように、シャッタ34から、すなわち、シャッタの下縁部37における位置又は下縁部37付近の位置から下方向に延びている。各プランジャ80は、それぞれのポート76から固体粒子を清掃するように構成されている。プランジャ80が排気マニホールド72の頂面77に対して上下に並進移動されるときに各プランジャ80がそれぞれのポート76の内縁部から固体粒子を掻き取ることができるように、各プランジャ80は、それぞれのポート76と略等しいか又はそれぞれのポート76よりも僅かに小さい直径を画定することができる。図2に最もよく示されているように、各プランジャ80は、シャッタ34に対してその外面38において取付けられており、各プランジャ80は、内方及び下方に屈曲されるシャフト81と、プランジャの下端部における円錐形の先端部82の形態の接触部材とを含む。円錐形の先端部82を有することによって、シャッタ34が下方に移動すると複数のプランジャがそれぞれのポート76に対して自己配置selflocate可能となり、その結果、円錐形の先端部82がそれぞれのポート76と正確に位置合わせされていない場合、円錐形の先端部82と頂面77との間の接触によって、プランジャ80が、それぞれのポート76内へ下方摺動することができるまでシャッタ34を僅かに水平方向に移動可能にする。プランジャシャフト81は望ましくは、そのような自己センタリングを可能にするように水平方向にて十分な可撓性を有している。ここで開示されるように、各清掃部材80は円形のプロファイルを有すると共に円錐形に形成された先端部82を含む。他の実施形態では、各清掃部材の接触部材は、例えば楕円形、放物形、正方形、長方形、三角形、六角形、八角形、三日月形、又はS字型を含む任意の形状を画定することができる。ここで開示されるように、円錐形の先端部82は各清掃部材80の下端部に位置している。他の実施形態では、各清掃部材の接触部材は清掃部材の下端部に位置する必要はない。一例では、各清掃部材は、同じ直径及び断面プロファイルを有するシャフト及び先端部を有することができ、その結果、シャフトのいずれの部分も清掃部材としての機能を果たすことができる。別の例では、各清掃部材は、その上端部及び下端部間に位置する接触部材であって、半径方向に延びるディスクの形態の接触部材を有することができる。そのような例では、清掃部材の下端部が、ディスク状の接触部材がポートに接触するまでポート内へと下方に移動させられて、その結果、ポートの固体粒子を掻き取ることができる。各先端部82及びそれぞれのポート76の相対直径に応じて、各プランジャ80をそれぞれのポート76内に完全に挿入してもよいし例えば、先端部の直径はポートの直径よりも小さいか又はポートの直径と等しい、各プランジャ80をそれぞれのポート76内に部分的に挿入してもよい例えば、先端部の直径はポートの直径よりも大きい。先端部82の直径がそれぞれのポート76の直径よりも大きい実施形態では、先端部82の周縁部が排気マニホールド72の頂面77に接触するまで先端部82を開口内へと下降させることができる。それぞれのポート76に向かう先端部82のそのような部分的貫通は、ポート76内に堆積された固体粒子の幾らか又は全てを効果的に除去することができる。図2に示されるように、各ポート76は面取りされた縁部を有することができる。各ポート76の面取りされた縁部の角度は、幾つかの実施形態では、角度は、それぞれの先端部82の角度に略一致することができる例えば、各ポートの面取りされた縁部の角度及び各先端部の円錐形の角度は略45度とすることができるが任意の角度とすることができる。それぞれの先端部82の直径がポートの直径よりも大きい実施形態では、ポートの面取りされた縁部と円錐形の先端部との間における嵌合表面は、ポートと先端部との間でより大きな表面積の接触を可能にし、従って、ポート76から大量の固体粒子を取り除くことができる。動作時、本発明の実施形態によるプロセスでは、シャッタ34を開放位置34’まで下降させること、その結果、複数のプランジャ80をそれぞれのポート76内へと下げることによって、入口開口部30が開放され、従って、反応器の前回の動作サイクル中にポートに堆積した可能性のある固体粒子が除去されることとなる。次いで、ウェハー58をその上に積んだウェハーキャリア50を、アンティチャンバ32からチャンバ12内に積み、図1及び図3に示される動作位置に配置する。この条件では、ウェハー58の頂面は、ガス注入口マニホールド14に向かって上を向くこととなる。シャッタ34を図1に実線で示される閉鎖位置まで上昇させること、その結果、プランジャ80をポート76から抜き取ることによって、入口開口部30を閉鎖する。加熱素子60を作動し、回転駆動機48は、スピンドル40、すなわち、ウェハーキャリア50を中心軸42の周りで回転させるように動作する。通常、スピンドル40を約50回転~約1500回転/分の回転速度で回転させる。プロセスガス供給ユニット図示されないを作動して、ガス注入口マニホールド14を通してガスを供給する。これらのガスは、ウェハーキャリア50に向かって下方へ移動し、ウェハーキャリア50の頂面及びウェハー58の頂面を横切って移動し、ウェハーキャリアの周縁部を下方に移動し、排気システム70へと移動するように通過するこれにより、ポート76内に堆積している固体粒子をもたらす可能性がある。従って、ウェハーキャリア50の頂面及びウェハー58の頂面は、種々のプロセスガス供給ユニットによって供給される種々のガスの混合体を含むプロセスガスに晒される。最も典型的には、頂面におけるプロセスガスは、キャリアガス供給ユニット図示されないによって供給されるキャリアガスから主に構成される。このプロセスは、ウェハー58の所望の処理が完了するまで続く。プロセスが完了すると、シャッタ34を位置34’まで下げること、その結果、複数のプランジャ80をそれぞれのポート76内に下降させることによって、入口開口部30が開放され、従って、反応器における完了したばかりの動作サイクル中にてポート76内に堆積した可能性がある固体粒子が除去されることとなる。入口開口部30が開放すると、ウェハーキャリア50を、スピンドル40から取り外すことができ、次の動作サイクルのために新たなウェハーキャリア50と交換することができる。上述の構造及び方法は、通常の動作サイクル中における排気システム70の流量制限ポート76の効果的な清掃を提供する。これは、ポート76を清掃するためにシステムを分解する必要性を回避するか又は最小限に抑えるものである。他の実施形態図示されないでは、プランジャはシャッタとは無関係に排気マニホールドに対して上下に移動することができる。例えば、プランジャを、シャッタと排気マニホールドとの間に位置しているブラケット例えば、円筒形ブラケットに取付けることができる。ブラケットを、図2に示されるリンク機構35と同様のリンク機構を用いて反応チャンバに結合されている制御及び作動機構によって上下に移動させることができる。一方では、上記で論じられているように清掃部材を移動させるためにシャッタ自体を使用することは、反応器の設計及び動作を大幅に簡略化することとなる。プランジャがシャッタとは無関係に排気マニホールドに対して上下に移動することができる実施形態では、プランジャを各動作サイクルに続けて排気マニホールドの開口内に移動させることは必要でない。そのような実施形態では、プランジャを、例えば、2回、3回、4回、5回、8回、10回、15回、又は20回の動作サイクルを含むような任意の回数のサイクル後に、開口を清掃するために下方に移動させることができる。さらなる変形形態では、プランジャ80をシャッタ34に取付けてもよいが、シャッタ34と制御及び作動機構41とは、シャッタ34の通常の開放位置では、プランジャ80がポート76の上に留まるように構成されている。シャッタ34の通常の開放位置を越えてプランジャ80がポート76内に係合される特別なポート清掃位置まで下方に移動するように、シャッタ34を制御及び作動機構41を構成することができる。清掃位置への移動を、必要に応じて、サイクル毎に又は断続的に用いることができる。図4に示されるシャッタ134を、図1~図3に示されるシャッタ34の代わりに用いることができる。シャッタ134は、下縁部137付近で下方に延びているプランジャ180がシャッタ134に対して、その外面138にではなくて内面139に取付けられていることを除いてシャッタ34と同じである。プランジャ180は、内面139に沿って真っ直ぐ下に延びるシャフト181を含み、このシャフト181は、円錐形の先端部182の形態で示されている接触部材で終端している。図1、図2、及び図4に示されるように、プランジャ80及び180は、それぞれのポートと接触するようにシャッタ34及び134から下方に延びている。しかしながら、他の実施形態では、シャッタの下縁部をプランジャとして機能するように成形することができ、そのため、プランジャは単一の構成要素としてシャッタの下縁部の形状に一体化される。例えば、シャッタの下縁部は、それぞれのポートに向かって下方に延びているプランジャ状の突出部を含むことができ、その結果、シャッタがポートから固体粒子を清掃するように下方に移動すると、各プランジャ状の突出部の一部又は全てをそれぞれのポート内に挿入することができ、従って、それぞれのポートから固体粒子が掻き取られることとなる。ここで、図5A及び図5Bを参照すると、本発明の別の実施形態による化学蒸着反応器210が、図1に示される反応チャンバ12等の反応チャンバ内でのウェハー処理プロセスにおいて用いられるシャッタ234を含んでいる。図5A開放したシャッタ位置及び図5B閉鎖したシャッタ位置に示されるシャッタ234は、シャッタ234がその縁部から下方に延びているプランジャを含まず、かつ排気システムが複数の円形ポートを有するマニホールドではなく単一のリング状ポートを有する迷路形状部ラビリンスを含むことを除いて図1~図3に示されるシャッタ34と同様になっている。反応器210は、図1及び図3に示される入口開口部30等の入口開口部を開閉するシャッタ234を含んでいる。シャッタ234は、ガス注入口マニホールド図示されないに面する上面236と、排気用迷路形状部272に面する下縁部237とを画定している。排気用迷路形状部272は、その迷路形状部272の頂面277を通って、ボルト284によって共に結合されている複数のバッフル阻流板、baffles283を有するチャネル278例えば、リング状チャネル内に延びている単一のポート276例えば、リング状ポートを含んでいる。チャネル278は、チャンバの内部空間から使用済みガスを除去するように構成される排気導管274及び排気ポートに結合されている。排気用迷路形状部272及び含まれるバッフル283は、反応チャンバの内部空間と排気導管274との間での流量制限をもたらす低流体コンダクタンス部材を提供するように構成される。排気用迷路形状部272及び含まれるバッフル283は、チャンバの内部空間と排気導管274との間に圧力バリアを提供し、従って、チャンバの内側での反応物質の流量均一性の増加をもたらすことができる。図1~図4に示されるようにシャッタに結合されている個々のプランジャを有するのではなく、シャッタ234の下縁部237は、排気用迷路形状部272に対して移動可能であり、排気用迷路形状部272の単一のポート276に接触して単一のポートから固体粒子を取り除くか、清掃するか、又は掻き取るように構成されている。シャッタ234の下縁部237は、例えば、ウェハーキャリアの挿入又は取り外しのために反応チャンバを開放するようにシャッタ234を下降させるとシャッタ234の一部を単一のポート276内に挿入することができ、その結果、固体粒子をその単一のポートから掻き取ることができるように構成されている。下縁部237は、ポート276の幅に対して略等しいか又は僅かにより小さい反応チャンバの中心軸に対して垂直の方向に幅を画定することができる。そのような実施形態では、下縁部237は、シャッタ234を迷路形状部272の頂面277に対して上下に並進移動させるときに、ポート276の内側に部分的に嵌合することができ、また、ポート276の内縁部から固体粒子を掻き取ることができる。シャッタ234の下縁部237に隣接している面取りされた内縁部285を有することと、ポート276の面取りされた内縁部286を有することとによって、シャッタ234を下方に移動させると、シャッタ234がポート276に対して自己配置することが可能となる。そのような実施形態では、シャッタ234がポート276と正しく位置合わせされていない場合、面取りされた内縁部285及び286間の接触によって、シャッタの下縁部237が下方に摺動してポート276内に部分的に入ることができるまでシャッタ234が僅かに水平方向に移動することができる。シャッタ234の面取りされた内縁部285の角度、及びポート276の面取りされた内縁部286の角度は任意の角度とすることができるが、幾つかの実施形態では、面取りされた内縁部285の角度及び面取りされた内縁部286の角度は、互いに略一致させることができる例えば、面取りされた内縁部285の角度、及び面取りされた内縁部286の角度は、チャンバの中心軸に対して略45度とすることができる。そのような実施形態では、嵌合している面取りされた内縁部285及び286は、シャッタ234とポート276との間のより大きな表面積の接触を可能にし、従って、より多量の固体粒子をポート276から取り除くことができる。ここで開示されるように、排気用迷路形状部272は、その排気用迷路形状部272全体の周りを延びている単一のポート276を含んでいる。他の実施形態では、排気用迷路形状部は、その迷路形状部の周りを延びている弓状ポートであって、複数の離間した弓状ポートを含むことができる。例えば、排気用迷路形状部は、それぞれが略30度に広がり、またそれぞれが排気用迷路形状部の頂面から6度ずつ離されている10個の離間した弓状ポートを含むことができる。そのような実施形態では、シャッタの下縁部は10個の下方に延びるlowered部分を含むことができ、各下方に延びる部分は対応の弓状ポート内に嵌合するように構成され、その結果、シャッタが排気用迷路形状部に接触すると弓状ポートから固体粒子を清掃することができる。ここで開示されるように、ポート276は、反応チャンバの中心軸から半径方向に、頂面277の幅の略4分の1を横切って水平方向に延びる。他の実施形態では、ポートは、頂面の幅の略半分、3分の2、5分の4、又は10分の9を含む、排気マニホールドの頂面の幅の任意の部分を横切って延びることができる。図5A及び図5Bに示されるように、シャッタ234は、排気用迷路形状部との接触及び固体粒子の除去のために排気用迷路形状部272に対して上下に並進移動する。他の実施形態図示されないでは、別個の清掃部材例えば円筒形状の清掃部材がシャッタとは無関係に排気用迷路形状部に対して上下に移動することができる。例えば、シャッタと排気用迷路形状部との間に位置している円筒形ブラケットが上下に移動し、排気用迷路形状部に接触して固体粒子を取り除くことができる。ブラケットを、図2に示されるリンク機構35等のリンク機構を用いて反応チャンバに結合されている制御及び作動機構によって移動させることができる。ここで開示されるように、シャッタ234は、下縁部277及び面取りされた内縁部285の一部のみを開口276内に挿入して開口から固体粒子を取り除くことができるように、ポート276の幅よりも大きな幅を有している。他の実施形態図示されないでは、シャッタの下縁部及び面取りされた内縁部全体をポートに挿入することが可能となる例えば、シャッタの幅は開口の幅よりも小さいか又は開口の幅と等しい。ここで開示されるように、排気用迷路形状部272の内側に位置している3つのバッフル283が設けられている。他の実施形態では、所望されている反応チャンバの内側領域と排気導管との間におけるガス流量制限の程度に応じて、排気用迷路形状部の内側に位置している任意の個数のバッフルを設けることができる。本発明は、種々のウェハー処理プロセス、例えばウェハーの化学蒸着、化学エッチング等に適用することができる。本発明は特定の実施形態を参照しながら本明細書において説明されてきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び応用形態を例示するにすぎないことは理解されたい。それゆえ、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に数多くの変更を加えることができること、及び他の構成を考案することができることは理解されたい。添付の特許請求の範囲において記述される種々の従属請求項及び他の特徴は、初期の請求項において提示されるものとは異なる方法において組み合わせることができることは理解されよう。また、個々の実施形態との関連で説明された特徴は、記述される実施形態のうちの他の実施形態と共用できることも理解されよう。"