半導体素子が搭載された半導体パッケージ基板と、中央部に前記半導体素子を収めかつ前記半導体素子と接着された接着面を持つ凹部と前記凹部の外周部に前記半導体パッケージ基板と接着された接着面を持つつば部とを有するリッドとを備え、前記半導体素子を前記半導体パッケージ基板と前記リッドとで覆う半導体装置であって、前記つば部の接着面から前記凹部の接着面までの深さd1μmと、前記つば部が接着された前記半導体パッケージ基板の接着面から前記凹部と接着された前記半導体素子の接着面までの高さに前記半導体素子と前記凹部の間に充填された接着剤の厚さを加えた長さd2μmとの関係が、25μm≦d2-d1≦300μmである半導体装置。前記半導体パッケージ基板と前記リッドのつば部とを接着する接着剤の弾性率が、1MPa以上3GPa以下である請求項1記載の半導体装置。前記リッドは金属板を絞り加工して前記凹部と前記つば部とを形成したことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記リッドのつば部の先端を折り曲げ、つば部にフィンを形成したことを特長とする請求項3記載の半導体装置前記リッドは金属板であって、前記半導体素子を接着する接着面を備える凹部は、前記金属板の中央部をくり貫いて形成し、前記金属板の外周部が前記半導体パッケージ基板と接着された前記つば部となることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記半導体パッケージと前記つば部とを接着する接着剤がシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記リッドは放熱板であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記半導体パッケージと前記つば部とを接着する接着剤の弾性率は、0°Cから125°Cまでの温度範囲内で1MPa以上3GPa以下である請求項2記載の半導体装置。上述したような従来の半導体装置では、リッドの凹部55bの深さと凹部55bに収める半導体素子51のバンプ52を含めた厚さとの関係を考慮した設計はされていなかった。すなわち、リッド55の凹部55bに半導体素子51やバンプ52が収まるように設計されるのみであった。しかしながら実際には、リッドの加工精度のバラツキによりリッドの凹部55bの深さが半導体素子51のバンプ52を含めた厚さ以上に深くなったリッド55が製造され、このようなリッド55を半導体素子51の搭載された半導体パッケージ基板53に搭載すると、リッド55の外周部つば部55aが半導体パッケージ基板53に先に接触してしまい、リッド55と半導体素子51との間に隙間が生じる事態を発生させる。このような場合はその間に接着剤56aを塗布しても十分圧着されない。リッド55と半導体素子51の接着強度を低下させるのみならず、半導体素子51から発生する熱を接着剤56aを介して十分にリッド55へ放熱することができなくなり半導体素子51の故障破壊の原因にもなってしまうという問題がある。特にリッド55と半導体素子51の接着不良は目視等による選別が困難なため、出荷後の使用環境によっては半導体素子51が正常に動作せず市場不良となる可能性がある。一方、リッド55の凹部55bの深さを浅くすれば、リッド55のつば部55aと半導体パッケージ基板53との隙間が広くなり半導体装置の組立工程でリッド55と半導体パッケージ基板53との隙間に接着剤56bが充填しきれず接着が行えなくなるという問題がある。なお、本発明に関する従来技術である特開2001-210761号公報や特開2000-150695号公報では、いずれもリッドと半導体パッケージ基板との接着部分における間隔隙間の厚さの記述はない。本願で開示される発明は、上記課題を解決するために、以下の構成とされる。本発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された半導体パッケージ基板と、中央部に前記半導体素子を収めかつ前記半導体素子と接着された接着面を持つ凹部と前記凹部の外周部に前記半導体パッケージ基板と接着された接着面を持つつば部とを有するリッドとを備え、前記半導体素子を前記半導体パッケージ基板と前記リッドとで覆う半導体装置であって、前記つば部の接着面から前記凹部の接着面までの深さd1μmと、前記つば部が接着された前記半導体パッケージ基板の接着面から前記凹部と接着された前記半導体素子の接着面までの高さに前記半導体素子と前記凹部の間に充填された接着剤の厚さを加えた長さd2μmとの関係が、25μm≦d2-d1≦300μmである。本発明の半導体装置は、リッド5のつば部5aの接着面からリッド5の凹部5bの接着面までの深さd1μmと、つば部5aが接着された半導体パッケージ基板3の接着面3aからリッド5の凹部5bと接着された半導体素子1の接着面までの高さに半導体素子1と凹部5bの間に充填された接着剤6aの厚さを加えた長さd2μmとの関係が、25μm≦d2-d1≦300μmであるため、リッド5を半導体素子1を搭載した半導体パッケージ基板3に接着する場合に、リッド5の凹部5bと半導体素子1は接着剤6aに密着する。このため、半導体素子1とリッド5を確実に接着することが出来る。また、リッドのつば部と半導体パッケージ基板との隙間が300μm以上開かない構造であるため、半導体装置の組立工程でリッドと半導体パッケージ基板との隙間に接着剤が充填しきれず接着が行えなくなることもない。本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の半導体装置の第1の実施例である。ここでは、本発明の半導体装置はFCBGAFlip-ChipBallGridArrayとして説明する。図1に示すように、本発明の半導体装置9は、半田バンプ2がアレイ状に配置された半導体素子1と、半導体パッケージ基板3と、半導体素子1の放熱や保護のために半導体素子1を覆うように半導体素子1と半導体パッケージ基板3の両方に接着されたリッド5から構成されている。半導体パッケージ基板3には、半導体素子1の半田バンプ2に物理的電気的に接続されるパッドと、信号や電源グランドといった配線層と、プリント基板に接続されるパッド等いずれも図示せずが構成されている。半導体素子1は、Siシリコン等の半導体ペレットの表面にトランジスタや抵抗、容量素子等を形成し回路を構成したものである。半導体素子1の回路構成面にアレイ状に形成されたパッド図示せず上に、印刷半田ペーストやマイクロ半田ボール搭載により半田バンプ2が配置される。その後FCFlip-Chipマウント工法を用いて半導体素子1と半導体パッケージ基板3が接続される。このとき、半導体素子1に配置された半田バンプ2と半導体パッケージ基板3のパッド図示せずとが位置ずれしないように半導体素子1を半導体パッケージ基板3に搭載し、リフローされる。こうして半導体素子1と半導体パッケージ基板が半田によって物理的電気的に接続される。なお、半導体素子1の回路構成面に形成されたパッドは、入出力信号パッドや電源パッド、グランドパッドなどである。半田バンプ2は通常共晶半田、高温半田、又はSn-Ag系の鉛フリー半田等が用いられる。リッド5は、リッド5の中心部に半導体素子1を収めるための凹部5bと、リッド5の外周部つば部5aに半導体パッケージ基板3との接着面とが形成されている。このようにリッド5は、リッド5で半導体素子1を覆うことができるよう、凹部5bに半導体素子1を収めることが出来るようハット型に加工されている。リッド5は好ましくは厚さ0.5mm以上1.0mm以下の金属板が用いられ、この金属板を用いて薄い金属板を絞り加工等を施してつば部5aや凹部5bを構成する。なお、一般にリッド5に用いられる金属板は銅Cuである。Cuと同程度の物性を持つ金属板において本発明を適用することも可能である。またリッド5に使われる金属板は銅板にNiメッキを施した金属板でもよい。ここで、リッド5は、リッド5のつば部5aの接着面からリッド5の凹部5bの接着面までの深さd1μmと、つば部5aが接着された半導体パッケージ基板3の接着面からリッド5の凹部5bに接着された半導体素子1の接着面までの高さに半導体素子1と前記凹部5bの間に充填された接着剤6aの厚さを加えた長さd2μmとの関係が、25μm≦d2-d1≦300μm式1であるように加工される。ここでd2-d1は、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3との接着面との隙間の厚さでもあり、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3との接着面3aとの隙間に充填される接着剤6bの厚さでもある。リッド5の凹部5bと半導体素子1とを接着する接着剤6aの厚さは隙間の厚さd2-d1に比べて十分小さいので、リッド5と半導体素子1を十分に密着させることが可能である。半導体素子1とリッド5の凹部5bの接着面とを接着する接着剤6aは通常シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が用いられる。特にリッド5を放熱板として用いる場合は銀ペーストなどの熱伝導性の高いものを用いることも可能である。また、接着剤6bは接着剤6aと同じものを用いてもよい。次に図2~図4を用いて、本発明の半導体装置の製造過程を説明する。まず、図2ならびに先に記したように、半田バンプ2を半導体素子1のパッド図示せず上に搭載し、半田バンプ2を搭載した半導体素子1を半導体パッケージ基板3上のパッド図示せずに位置ずれしないように乗せる。このあとリフローを行って、半導体素子1と半導体パッケージ基板3とを半田バンプ2を介して物理的電気的に接続する。ここでバンプクラックやLow-K膜剥離の防止を目的として半田バンプ2を完全に覆うよう充填樹脂材4を施す。次に図3に示すように、半導体素子1が固定された半導体パッケージ基板3にリッド5を搭載する。リッド5は上述のように予め加工が施されている。ここではまず半導体素子1のリッド接着面と半導体パッケージ基板3の外周部の接着面3aにそれぞれ接着剤6aと接着剤6bを塗布する。半導体素子1のリッド接着面は、半田バンプ2が配置される面の反対の面である。半導体素子1のリッド接着面に塗布される接着剤6aはリッド5の凹部5bの接着面とを接着する。また、半導体パッケージ基板3の外周部の接着面3aに塗布される接着剤6bは、半導体パッケージ基板3の接着面3aとリッド5のつば部5aとを接着する。ここで半導体パッケージ基板3の接着面3aとリッド5のつば部5aとの接着に関しては、必要に応じて半導体パッケージ基板3の接着面3aは外周部全体、あるいはコーナー部分のみ塗布する。そして半導体素子1のリッド接着面にリッド5を垂直に押し付けるように装着する。この際、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aとの間には、式1で記された隙間が出来るよう前記リッド5は成形されている。また、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aとの隙間に接着剤6bが充填されるよう塗布量を調節する。このようにして図1に示される半導体装置9が製造される。図4に本発明の半導体装置が実際のプリント板等に実装された状態を示す。半導体パッケージ基板3の半導体素子1搭載面の反対側にアウターボール7を搭載し、このアウタ-ボール7を介してプリント板8と半導体パッケージ3とを物理的電気的に接続する。このようにして、本発明の半導体装置はプリント板8に実装される。上述のような構造をもつ本発明の半導体装置においては、後述するようにリッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3との接着面に塗布される低弾性率の接着剤6bによる応力緩和の効果を得るためには少なくとも25μm以上の隙間を確保しなければならない。このことから、d2-d1の最小値は25μm以上確保しなければならない。一方、隙間の厚さd2-d1は、半導体装置の組立工程でリッド5と半導体パッケージ基板3との隙間に接着剤6bが充填でき接着が行える範囲であればよい。しかしながら、むやみに間隔d2-d1を広く取りすぎれば、塗布幅を増やすか、樹脂ポストを形成する、あるいは型を取るための金型を起こさなければならず、半導体パッケージの大型化や生産コスト増の要因となる。場合によっては、半導体装置の組立工程でリッドと半導体パッケージ基板との隙間に接着剤が充填しきれず接着が行えなくなる。一般に用いられる樹脂系の接着剤は、滴下したときに底面の幅に対し高さはおおよそ底面の幅の1/3になることが知られている。また従来技術の半導体装置では、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aに塗布される接着剤の塗布領域は1.5mm程度である。このような場合、塗布された接着剤樹脂の高さはおおよそ500μm程度となる。ここから十分な充填を考えれば、隙間の厚さd2-d1はおおよそ300μm程度にすることが望ましい。つまり少なくとも隙間の厚さd2-d1を300μm以下にすれば、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aの隙間に問題なく接着剤6bを充填することが可能である。本発明の半導体装置は、式1の関係を満足するようにリッド5を加工することによって、リッド5を半導体素子1を搭載した半導体パッケージ基板3に接着する場合に、リッド5の凹部5bと半導体素子1は接着剤6aに密着する。このため、半導体素子1とリッド5を確実に接着することが出来る。リッド5の加工ばらつきがある場合には、この加工ばらつきも考慮に入れて、式1を満足するようにリッド5を加工すればよい。また、リッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aとの隙間が300μmよりも開けない構造であるため、半導体装置の組立工程でリッド5と半導体パッケージ基板3との隙間に接着剤6bが充填しきれず接着が行えなくなることもない。以上のように本発明の半導体装置は必ずリッド5の凹部5bと半導体素子1が接着剤6aに密着するため、その接着は強固なものとなりこの部分のリッド剥がれを防止することが可能となる。また、本願発明の半導体装置は、リッド5と半導体パッケージ基板3との間にd2-d1の隙間の存在が目視で確認できるので、リッド5の凹部5bと半導体素子1の接着不良品を簡便に発見できる。このような接着不良品を取り除けばリッド5の凹部5bと半導体素子1の接着不良から引き起こされる半導体素子1の放熱不足を引き起こすことがない。したがって半導体素子の放熱不足による市場不良を防止することが出来る。本発明の半導体装置では、さらに好ましくは、上述の半導体装置のリッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aとの間の隙間に1MPa~3GPaの低弾性の接着剤が充填されている。図5は本発明の半導体装置9が温度変化によってリッド5と半導体パッケージ基板3との熱膨張係数の差により両者に歪が生じることを模式的に表した図である。図5よりリッド5と半導体パッケージ基板3との熱膨張係数の差により生じた歪は応力となってリッド5のつば部5aと半導体パッケージ基板3の接着面3aとの間に充填された接着剤6bにかかることがわかる。このことは接着剤6bが高弾性の接着剤である場合リッド5と半導体パッケージ基板3との接着部分に集中する応力熱応力によってこの接着部分が剥がれる危険性を示唆している。図6はシミュレーションにより求められた接着剤6bの弾性率と接着剤6bにかかる応力との関係を示す。横軸は接着剤6bの弾性率MPa、縦軸は接着剤6bにかかる応力MPaである。図6においてtはリッド5の厚さ、dはリッドのつば部と半導体パッケージ基板の隙間厚すなわちd2-d1を示す。図6には、at=0.5mm、d=100μm、bt=0.5mm、d=300μm、ct=0.5mm、d=25μm、dt=1.0mm、d=100μmでシュミレーションした結果がグラフ化されている。なお、リッドの材料はCuである。また図6のシュミレーション結果は、0°C~125°Cの範囲における、接着剤6bの弾性率と接着剤6bにかかる応力の最大値を示している。図6によると、a~dいずれの条件でも接着剤6bの弾性率が3000MPa=3GPa以上の場合、応力が急激に増加することがわかる。これは図5が示唆したリッド5と半導体パッケージ基板3との接着部分が剥がれることを避けるためには、接着剤6bに低弾性率の接着剤を使用すればよいことを示している。a~cの結果から、d=d2-d1が25μm以上300μm以下の範囲では、3GPa以下の低弾性率の接着剤の応力削減効果が顕著に現れる。またaとdからこの応力削減効果はすくなくともリッド厚が0.5mm以上1.0mm以下の範囲では変わらない。したがって一般的に利用される厚さ0.5mm以上1.0mm以下の金属板Cuで構成されたリッドにおいては、d=d2-d1が25μm以上300μm以下の範囲で接着剤6bの弾性率を3GPa以下にすれば接着剤6bにかかる応力が顕著に削減され、リッド剥がれを防止することが可能となる。図7は同じくシミュレーションにより求められた接着剤6bの弾性率を変えた場合の半導体パッケージ基板3の基板端の反りを示している。半導体パッケージ基板3の基板端の反りは半導体パッケージ基板3の中心からの偏移として示している。横軸は接着剤6bの弾性率MPa、縦軸は半導体パッケージ基板3の基板端の反りμmである。図7においても図6と同様、tはリッド5の厚さ、dはリッドのつば部と半導体パッケージ基板の隙間厚すなわちd2-d1を示す。図7には、at=0.5mm、d=100μm、bt=0.5mm、d=300μm、ct=0.5mm、d=25μm、dt=1.0mm、d=100μmでシュミレーションした結果がグラフ化されている。なお、リッドの材料はCuである。また図7のシュミレーション結果は、0°C~125°Cの範囲における、接着剤6bの弾性率を変えた場合の半導体パッケージ基板3の基板端の反りの最大値を示している。図7に示すようにa~dいずれの条件でも接着剤6bの弾性率が1MPaより小さい値となると反りは420μm付近で一定値となる。いずれのケースも接着剤6bの弾性率が1MPa以下になると反りはリッドを半導体パッケージ基板に接着していない場合と同等になる。すなわち、接着剤6bの弾性率が1MPaより小さい値であれば接着剤はリッドと半導体パッケージ基板とを接着する効果が見られないことを示す。a~cの結果から、d=d2-d1が25μm以上300μm以下の範囲で、またaとdからリッド厚が0.5mm以上1.0mm以下の範囲で、この特性は変わらない。したがって一般的に利用される厚さ0.5mm以上1.0mm以下の金属板Cuで構成されたリッドにおいては、d=d2-d1が25μm以上300μm以下の範囲で接着剤6bの弾性率を1MPa以上にしなければ接着剤6bがリッド5と半導体パッケージ基板3とを接着する効果が現れない。換言すれば接着剤6bの弾性率を1MPa以上にすれば、接着剤6bがリッド5と半導体パッケージ基板3とを接着する効果が現れリッド剥がれを防止することが可能となる。なお、接着剤6bの弾性率が3GPaより大きくなっても反りはもはや増加しない。以上から、リッド5と半導体パッケージ基板3それぞれの接着面間の隙間d2-d1を25μm以上300μm以下とした場合、その隙間に弾性率1Mpa以上3Gpa以下の接着剤を充填し接着することによって、接着剤6bの部分で応力熱応力を吸収することができるため、リッド剥がれを改善、防止できる。本半導体装置をプリント板等へ実装した後の半導体装置の動作によって温度変化が生じた場合でもリッド剥がれを起こしにくくすることが可能となる。また翻って、リッド5と半導体パッケージ基板3それぞれの接着面間の隙間の厚さd2-d1を25μm以上300μm以下とさえすれば、接着剤6bを弾性率1Mpa以上3Gpa以下の接着剤に置き換えなくとも、必ずリッド5の凹部5bと半導体素子1が接着剤6aに密着するため、その接着は強固なものとなりこの部分のリッド剥がれを防止することが可能となる。放熱不足の防止も可能となる。図9は本発明の半導体装置の第2の実施例である。本発明の半導体装置9bは、リッド5のつば部5aの先端を折り曲げてフィンをリッド5の外周部に作成したつば部5aの外周に形成するように加工された構造である。他は本発明の第一の実施例と同様である。リッドの剛性を強化や放熱効果を上げることが出来る。図10は本発明の半導体装置の第3の実施例である。本発明の半導体装置9cは、金属板をくりぬいてリッド5の凹部5bを形成する。他は本発明の第一の実施の形態と同様である。図9、図10に示すように、本発明の半導体装置の実施例のバリエーションを示している。このように、リッド5に凹部5bを備え、リッド5と半導体パッケージ基板3それぞれの接着面間の隙間の厚さd2-d1を25μm以上300μm以下とさえすれば、本発明の半導体装置が実現できる。リッド5と半導体パッケージ基板3それぞれの接着面間の隙間に弾性率1Mpa以上3Gpa以下の接着剤を充填すれば、さらにリッド剥がれを防止することが可能となる。