"プロキシミティ露光およびインプリント転写を行えるリソグラフィ装置であって、表面にレジストが形成された基板が載置されるステージと、原版としてのフォトマスクまたはテンプレートを保持するための保持手段と、前記ステージに載置された前記基板と前記保持手段により保持された前記原版との間の距離を制御する距離制御手段と、前記原版が前記フォトマスクの場合、前記レジストはフォトレジストであり、前記フォトレジストと前記フォトマスクとが非接触の状態となるように、前記距離制御手段により前記距離がゼロより大の一定値に制御された状態で、前記基板と前記フォトマスクとの間に純水を充填する液体充填手段と、前記原版が前記フォトマスクの場合、前記液体充填手段により前記基板と前記フォトマスクとの間が前記純水により充填された状態で、前記フォトマスクを介して前記基板上の前記レジストを光で露光するための光源とを具備してなり、前記原版がテンプレートの場合、前記レジストは光インプリント用のレジストであり、前記光インプリント用のレジストと前記テンプレートとが接触の状態となるように、前記距離制御手段は前記距離を制御し、前記光源は、光照射により前記光インプリント用のレジストの硬化を行うための光源を兼ねることを特徴とするリソグラフィ装置。プロキシミティ露光を行えるリソグラフィ装置であって、表面に感光性樹脂が形成された基板が載置されるステージと、原版を保持するための保持手段と、前記ステージに載置された前記基板と前記保持手段により保持された前記原版との間の距離を制御する距離制御手段と、前記感光性樹脂層と前記原版とが非接触の状態となるように、前記距離制御手段により前記距離がゼロより大の一定値に制御された状態で、前記基板と前記原版との間に屈折率が1より大きい液体を充填する液体充填手段と、前記液体充填手段により前記基板と前記原版との間が前記液体により充填された状態で、前記原版を介して前記基板上の前記感光性樹脂膜を光で露光するための光源とを具備してなることを特徴とするリソグラフィ装置。前記原版は、フォトマスクであることを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記原版は周期パターンを具備し、前記液体の屈折率をn、前記光源の波長をλ、前記一定値をzとした場合、z≧λ/n2を満たすことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。さらに、インプリント転写を行えることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記距離制御機構は、前記基板上のインプリント用のレジストと前記テンプレートとが接触の状態となるように、前記距離を制御することを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記インプリント用のレジストは、光インプリント用のレジストであり、前記光源は、光照射により前記光インプリント用のレジストの硬化を行うための光源を兼ねることを特徴とする請求項5または6に記載のリソグラフィ装置。前記液体は、純水であることを特徴する請求項2ないし7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。本発明の目的は、プロキシミティ露光の解像度を高めることができるリソグラフィ装置を提供することにある。実施形態のリソグラフィ装置は、プロキシミティ露光を行えるリソグラフィ装置であって、表面に感光性樹脂が形成された基板が載置されるステージと、原版を保持するための保持手段とを具備する。実施形態のリソグラフィ装置は、さらに、前記ステージに載置された前記基板と前記保持手段により保持された前記原版との間の距離を制御する距離制御手段と、前記感光性樹脂層と前記原版とが非接触の状態となるように、前記距離制御手段により前記距離がゼロより大の一定値に制御された状態で、前記基板と前記原版との間に屈折率が1より大きい液体を充填する液体充填手段とを具備する。そして、実施形態のリソグラフィ装置は、前記液体充填手段により前記基板と前記原版との間が前記液体により充填された状態で、前記原版を介して前記基板上の前記感光性樹脂膜を光で露光するための光源を具備する。以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す概略構成図である。本実施形態のリソグラフィ装置は、プロキシミティ露光を行えるリソグラフィ装置であって、表面にフォトレジスト不図示が形成された基板1が載置されるステージ2と、原版3を保持するためのホルダ保持手段4と、ステージ2に載置された基板1とホルダ4により保持された原版3との間の距離を制御するための距離制御機構距離制御手段5,6,7と、上記フォトレジストと前記原版とが非接触の状態となるように、距離制御機構5,6,7により基板1と原版3との間の距離gがゼロより大の所定の小さな値プロキシミティ露光を行うために必要な値、例えば、数十μm~数百μmの範囲の値に制御された状態で、基板1と原版3との間を屈折率が1より大きい液体8で充填するために、基板1上に液体8を供給するための液体供給機構液体供給手段9と、液体供給機構9により基板1と原版3との間が液体8により充填された状態で、原版3を介して基板1を光で露光するための光源10とを具備している。基板1は、例えば、半導体基板ウエハを含む。半導体基板上にポリシリコン膜や金属膜等の導電性膜が形成されていても構わない。また、半導体基板上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜が形成されていても構わない。また、半導体基板上に導電性膜と絶縁膜とが幾層にも形成されていても構わない。原版3は、ここでは、フォトマスクとして説明する。原版3は、基板1上に形成するべきデバイスパターンやアライメントマーク等のパターンに対応するパターン原版パターンを含む。原版パターンが形成された面パターン面11が基板1と対向するように、原版3はホルダ4に保持される。ホルダ4は、連結部材5を介して支持部6に連結されている。支持部6は、駆動機構7により、上下に駆動されるようになっている。駆動機構7により支持部6が下に駆動されると、原版3は基板1に近づく。駆動機構7により支持部6が上に駆動されると、原版3は基板1から離れる。駆動機構7は上下方向に関して支持部6の位置を制御できる。すなわち、基板1と原版3との間の距離gがゼロより大の一定値に制御された状態となるように、駆動機構7は支持部6の位置を制御できる。液体8は、例えば、純水屈折率は約1.4である。純水よりも屈折率が高い液体としては、有機物質の液体、例えば、屈折率が1.64であるHIF-1商品名の液体がある。光源10は、例えば、高圧水銀ランプ光源波長365nmや、ArFエキシマレーザー光源波長193nmである。基板1と原版3との間を液体8で満たす場合、光源波長が液体8の屈折率の逆数倍になるのと同じ効果が得られる。したがって、光源10が高圧水銀ランプ、液体8が純水の場合、式1より、となる。ここで、光源10が高圧水銀ランプの場合、光源波長λは365nmであるので、g=0.1mmとすると、6μm程度であった最小の解像力が、5μm程度に改善されることになる。また、光源10がArFエキシマレーザーλ=193nm、液体8がHIF-1液屈折率1.64の場合において、g=0.1mmとすると、式1より、最小の解像力は約3.4μmとなる。したがって、本実施形態によれば、基板1と原版3との間の距離gを短くしなくても、プロキシミティ露光の解像度を高めることができるようになる。そして、距離gを短くしないで済むことにより、基板1上にゴミなどが存在しても、基板1や原版3を傷つけずに済む。本実施形態のリソグラフィ装置は、さらに、基板1上の液体8の一部を排出するための液体排出機構液体排出機構12を具備している。液体供給機構9により基板1上に供給された液体8の一部は、液体排出機構液体排出機構12により排出され、これにより、基板1上の液体8の量を略一定にできるとともに、基板1と原版3との間を新鮮な液体8で充填することが可能となる。なお、13はリソグラフィ装置の筐体を示している。図2は、本実施形態のリソグラフィ装置を用いたパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。[ステップS1]スピン塗布装置を用いて基板上にフォトレジストを形成する。スピン塗布装置は、実施形態のリソグラフィ装置とは別の装置である。スピン塗布装置以外の装置を用いてフォトレジストを形成しても構わない。[ステップS2]スピン塗布装置から実施形態のリソグラフィ装置内に基板を移動させ、図1のステージ2上に基板1を載置する。これは例えば図示しないロボットアーム等を用いて行われる。[ステップS3]駆動機構7により支持部6を下げ、ホルダ4により保持された原版3と基板1との間の距離gがゼロより大の所定の小さな値プロキシミティ露光を行うために必要な値に設定し、この状態で、液体供給機構9により基板1上に液体8を供給し、基板1と原版3との間を液体8で充填するとともに、液体排出機構12により基板1上の液体8の一部を排出する。[ステップS4]光源10により原版3を介して基板1上のフォトレジストを光で露光することにより、基板1上のフォトレジストに対して原版3のパターンマスクパターンの潜像を形成する。その結果、原版3のパターンが潜像の形でフォトレジストに転写されることになる。この場合の露光は、投影光学系を用いずに、フォトレジストと原版とが非接触の状態で行われる、プロキシミティ露光である。[ステップS5]実施形態のリソグラフィ装置から現像装置内に基板を移動させ、現像装置内で基板上のフォトレジスト不図示を現像し、レジストパターンを形成する。上記現像装置は実施形態のリソグラフィ装置とは別の装置である。[ステップS6]上記現像装置からエッチング装置内に基板を移動させ、上記レジストパターンをマスクにして基板をエッチングする。その結果、原版パターンに対応するデバイスパターン等が基板に形成される。例えば、上記レジストパターンの下地基板の最上層がポリシリコン膜や金属膜の場合、電極パターンや配線パターンなどが形成される。また、上記レジストパターンの下地基板の最上層が絶縁膜の場合、コンタクトホールパターンやゲート絶縁膜などが形成される。また、上記レジストパターンの下地が半導体基板の場合、素子分離溝STIなどが形成される。かくして本実施形態のリソグラフィ装置によれば、基板と原版との間を液体で充填した状態で、原版を介して基板を光で露光する構成を採用することにより、プロキシミティ露光の解像度を高めることができるようになる。なお、本実施形態では、原版がフォトマスクの場合について説明したが、タルボTalbot効果を利用したマスクを用いても構わない。図3に示すように、このタイプのマスク20は、周期パターンを含む。図3には、パターンピッチPのラインパターン21で構成されたラインアンドスペースパターンの例が示されている。マスク20に光を照射すると、マスク20からの距離がzの位置結像点の位置にはラインアンドスペースパターンに対応する光強度分布が現れる。この光強度分布は、マスク20のスペースに対応するところで光振幅が大きく、マスク20のスペースラインに対応するところで光振幅は略ゼロである。結像点の位置zに上記光強度分布を生じさせるためには、周期パターンから0次光30、ならびに、1および-1次光31が発生させることが必要となる。このため、パターンピッチPは、光源波長をλ、液体の屈折率をn、1および-1次光の回折角度をθ1とすると、p>λ/nsinθ1となる。θ1は最大で90度であるから、p>λ/n2となる。空気中では屈折率はほぼ1であるから、光源波長よりも小さいピッチのパターンの形成は不可能であるが、本実施形態のように、1より大の屈折率を有する液体で基板と原版との間を充填すれば、屈折率に逆比例して最小のピッチは小さくなる。例えば、光源10がArFエキシマレーザー光源波長193nm、液体8が屈折率1.64のHIF-1とすると、解像可能な最小ピッチは約118nmであり、ライン幅とスペース幅との比が1対1のラインアンドスペースパターンであるとすると、幅59nm=118nm/2のラインパターンを形成することが可能となる。また、結像点の位置zはマスク20に最も近い位置でタルボ周期の1/2の位置となるので、z=1/22p2/λ32式、3式からz≧λ/n2となる。4したがって、4式で表される距離だけマスクと基板とは離れている必要があるg≧z。タルボ効果を用いたマスクの距離gの下限はzであるが、上限はプロキシミティ露光を行えるのであれば特に限定はないが、例えば、上限は10zであるz≦g≦10z。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す概略構成図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。本実施形態のリソグラフィ装置が第1の実施形態のリソグラフィ装置と異なる点は、さらに、インプリント転写を行えることにある。インプリント転写を行う場合、図4に示すように、原版3はテンプレートである。テンプレート上には液状の光インプリント用のレジスト40が滴下されている。レジスト40の滴下は、例えば、実施形態のリソグラフィ装置とは別の装置インクジョット方式でレジスト40を滴下する装置で行われる。駆動機構7’は、第1の実施形態の駆動機構7の機能と、レジスト40に原版3テンプレートを接触させるための機構とを有する。光源10は、光硬化性樹脂を露光するための光源と、レジスト40を硬化するための光源とを兼ねる。プロキシミティ露光光露光は比較的大きなパターンを形成するのに適しており、インプリント転写インプリントプロセスは比較的小さなパターンを形成するのに適している。従来はそれぞれ別の装置を用いていたが、本実施形態では、プロキシミティ露光とインプリント転写とを同じ装置により行うことができるので、生産性の向上ならびに装置コストの削減化を図れるようになる。インプリント転写を行う際には、液体供給機構9および液体排出機構12は使用されない。また、第1の実施形態のリソグラフィ装置にインプリント装置としての機能を持たせるために必要な主たる変更点は駆動機構7’であるため、本実施形態のリソグラフィ装置は容易に実現でき、また、本実施形態のリソグラフィ装置による得られる効果生産性の向上、装置コストの削減も大きい。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"