"a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、第1発光領域、第2発光領域、及び、第1発光領域と第2発光領域に挟まれた可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第2電極は、第1発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、第2発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第2部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第3部分から構成されており、第2電極の第1部分と第3部分とは、第1の分離溝によって分離されており、第2電極の第2部分と第3部分とは、第2の分離溝によって分離されており、第2発光領域側の端面からレーザ光が出射される半導体レーザ素子であって、第2電極の第1部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW1ave、第2電極の第2部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW2aveとしたとき、1<W2ave/W1aveを満足する半導体レーザ素子。1<W2ave/W1ave≦4.5を満足する請求項1に記載の半導体レーザ素子。第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI1、第2電極の第2部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5を満足するように、W2ave/W1aveの値が決定される請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ素子。K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5を満足する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。但し、g=[2{xK1-xL0}-Lsa1K]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]K≡W2ave/W1aveであり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1Lsa:可飽和吸収領域の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域の吸収係数である。可飽和吸収領域の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1を満足する請求項4に記載の半導体レーザ素子。第2電極の第3部分に印加する電圧の値は、-2ボルト以下である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、第1発光領域、第2発光領域、及び、第1発光領域と第2発光領域に挟まれた可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第2電極は、第1発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、第2発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第2部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第3部分から構成されており、第2電極の第1部分と第3部分とは、第1の分離溝によって分離されており、第2電極の第2部分と第3部分とは、第2の分離溝によって分離されており、第2発光領域側の端面からレーザ光が出射される半導体レーザ素子であって、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から半導体レーザ素子の中心までの距離をDC、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離をDsaとしたとき、Dsa/DC<1を満足する半導体レーザ素子。0.4≦Dsa/DC<1を満足する請求項7に記載の半導体レーザ素子。第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI1、第2電極の第2部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5を満足するように、Dsa/DCの値が決定される請求項7又は請求項8に記載の半導体レーザ素子。K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5を満足する請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。但し、g=[2L0-Lsa]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]であり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1/2Lsa:可飽和吸収領域の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域の吸収係数である。可飽和吸収領域の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1を満足する請求項10に記載の半導体レーザ素子。第2電極の第3部分に印加する電圧の値は、-2ボルト以下である請求項7乃至請求項11のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。ところで、多電極型のGaN系半導体レーザ素子においてパルス動作をさせるためには、可飽和吸収領域に逆バイアスを印加しながら第1発光領域及び第2発光領域にキャリアを注入する。ここで、上述した半導体レーザ素子にあっては、第2発光領域側の端面における光反射率r2よりも、第1発光領域側の端面における光反射率r1の方が高い値を有する。従って、第1発光領域の方が、第2発光領域に比べて、光強度が高い。それ故、直線ストライプ構造で、第3部分の領域をレーザ素子の中心に配置する場合、第2電極の第1部分と対向した第3部分の領域、あるいは、第1発光領域に対向した可飽和吸収領域の領域に損傷が発生し、長期信頼性に問題が生じ易いことが、本発明者らの検討の結果、判明した。上記の特許公開公報には、このような第2電極の逆バイアス印加部分あるいは可飽和吸収領域に損傷が発生することに関しては、何ら言及されていない。従って、本発明の目的は、第2電極の第2部分に対向した第2電極の第3部分の領域、あるいは、第1発光領域に対向した可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有する多電極型のGaN系半導体レーザ素子を提供することにある。上記の目的を達成するための本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体レーザ素子は、a第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層と、GaN系化合物半導体から成り、第1発光領域、第2発光領域、及び、第1発光領域と第2発光領域に挟まれた可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層と、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層上に形成された第2電極、並びに、c第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第2電極は、第1発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分、第2発光領域を経由して第1電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第2部分、及び、可飽和吸収領域に電界を加えるための第3部分から構成されており、第2電極の第1部分と第3部分とは、第1の分離溝によって分離されており、第2電極の第2部分と第3部分とは、第2の分離溝によって分離されており、第2発光領域側の端面からレーザ光が出射される半導体レーザ素子である。尚、このような半導体レーザ素子の構成、構造を、本発明の半導体レーザ素子におけるレーザ構造と呼ぶ場合がある。そして、本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW1ave、第2電極の第2部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW2aveとしたとき、1<W2ave/W1ave好ましくは、1<W2ave/W1ave≦4.5を満足する。また、本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から半導体レーザ素子の中心までの距離をDC、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離をDsaとしたとき、Dsa/DC<1好ましくは、0.4≦Dsa/DC<1を満足する。本発明者らの検討の結果、第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域以下、第3部分の第1領域と呼ぶ場合がある、あるいは、第1発光領域と可飽和吸収領域の境界領域以下、可飽和吸収領域の第1領域と呼ぶ場合があるに、屡々、損傷の発生が認められた。本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、1<W2ave/W1aveを満足し、本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、Dsa/DC<1を満足しているので、可飽和吸収領域の第1領域の光強度が過剰に高くなるといった現象の発生を抑制することができ、可飽和吸収領域の第1領域に損傷が発生し難くなるし、第3部分の第1領域に電界が集中し難くなり、第2電極の第3部分に損傷が発生し難くなる。以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体レーザ素子、全般に関する説明2.実施例1本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子3.実施例2本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子、その他[本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体レーザ素子、全般に関する説明]上記の好ましい形態を含む本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域第3部分の第1領域に対応する可飽和吸収領域の部分より具体的には、第1発光領域と可飽和吸収領域の境界領域である可飽和吸収領域の第1領域における光強度をI1、第2電極の第2部分と対向する第3部分の領域以下、第3部分の第2領域と呼ぶ場合があるに対応する可飽和吸収領域の部分より具体的には、第2発光領域と可飽和吸収領域の境界領域であり、以下、可飽和吸収領域の第2領域と呼ぶ場合があるにおける光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5好ましくは、I1/I2=1.0を満足するように、W2ave/W1aveの値が決定される形態とすることができる。尚、I1/I2の範囲は、種々の試験に基づき決定した。以下の説明においても同様である。以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5好ましくは、K1/K2=1.0を満足する構成とすることができる。そして、この場合、可飽和吸収領域の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1好ましくは、500cm1≦α≦4000cm1を満足することが望ましい。尚、K1/K2の範囲は、種々の試験に基づき決定した。以下の説明においても同様である。但し、g=[2{xK1-xL0}-Lsa1K]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]K≡W2ave/W1aveであり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1Lsa:可飽和吸収領域の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域の吸収係数である。上記の好ましい形態を含む本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域第3部分の第1領域に対応する可飽和吸収領域の部分可飽和吸収領域の第1領域における光強度をI1、第2電極の第2部分と対向する第3部分の領域第3部分の第2領域に対応する可飽和吸収領域の部分可飽和吸収領域の第2領域における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5好ましくは、I1/I2=1.0を満足するように、Dsa/DCの値が決定される形態とすることができる。以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子にあっては、K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5好ましくは、K1/K2=1.0を満足する構成とすることができる。そして、この場合、可飽和吸収領域の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1好ましくは、500cm1≦α≦4000cm1を満足することが望ましい。但し、g=[2L0-Lsa]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]であり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1/2Lsa:可飽和吸収領域の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域の吸収係数である。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体レーザ素子において、第2電極の第3部分に印加する電圧逆バイアス電圧Vsaの値は、-2ボルト以下云い換えれば、Vsaは負の値であり、且つ、|Vsa|≧2ボルトである形態とすることが好ましい。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第1の態様及び第2の態様に係る半導体レーザ素子以下、これらを総称して、単に、本発明の半導体レーザ素子と呼ぶ場合があるにおいて、第2電極の第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分との間の電気抵抗値は、第2電極と第1電極との間の電気抵抗値の1×10倍以上、好ましくは1×102倍以上、より好ましくは1×103倍以上であることが望ましい。あるいは又、第2電極の第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分との間の電気抵抗値は、1×102Ω以上、好ましくは1×103Ω以上、より好ましくは1×104Ω以上であることが望ましい。このような半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分との間の電気抵抗値は、第2電極と第1電極との間の電気抵抗値の1×10倍以上であり、あるいは又、1×102Ω以上である。従って、第2電極の第1部分から第3部分、第2電極の第2部分から第3部分への漏れ電流の流れを確実に抑制することができる。即ち、可飽和吸収領域キャリア非注入領域へ印加する逆バイアス電圧Vsaを高くすることができるため、時間幅の短い光パルスを有するシングルモードのモード同期動作を実現できる。そして、第2電極の第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分との間のこのような高い電気抵抗値を、第2電極を第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分とに第1の分離溝、第2の分離溝によって分離するだけで達成することができる。また、本発明の半導体レーザ素子において、限定するものではないが、第3化合物半導体層は、井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有し、井戸層の厚さは、1nm以上、10nm以下、好ましくは、1nm以上、8nm以下であり、障壁層の不純物ドーピング濃度は、2×1018cm3以上、1×1020cm3以下、好ましくは、1×1019cm3以上、1×1020cm3以下である形態とすることができる。このように、第3化合物半導体層を構成する井戸層の厚さを1nm以上、10nm以下と規定し、更には、第3化合物半導体層を構成する障壁層の不純物ドーピング濃度を2×1018cm3以上、1×1020cm3以下と規定することで、即ち、井戸層の厚さを薄くし、しかも、第3化合物半導体層のキャリアの増加を図ることで、ピエゾ分極の影響を低減させることができ、時間幅が短く、サブパルス成分の少ない単峰化された光パルスを発生させ得るレーザ光源を得ることができる。また、出来るだけ低い逆バイアス電圧でモード同期駆動を達成することが可能となるし、外部信号電気信号及び光信号と同期が取れた光パルス列を発生させることが可能となる。障壁層にドーピングされた不純物はシリコンSiである構成することができるが、これに限定するものではなく、その他、酸素Oとすることもできる。あるいは又、本発明の半導体レーザ素子において、第2電極を第1部分と第3部分、第2電極の第2部分と第3部分とに分離する第1の分離溝、第2の分離溝の幅は、2μm以上、半導体レーザ素子における共振器長以下、単に共振器長と呼ぶの40以下、好ましくは10μm以上、共振器長の20以下であることが望ましい。共振器長として、0.6mmを例示することができるが、これに限定するものではない。本発明の半導体レーザ素子においては、第2発光領域側の端面便宜上、光出射端面と呼ぶからレーザ光が出射される。本発明の半導体レーザ素子は、リッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造、SeparateConfinementHeterostructureを有する半導体レーザ素子である形態とすることができる。あるいは又、斜めリッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造を有する半導体レーザ素子である形態とすることができる。そして、本発明の半導体レーザ素子にあっては、第2電極の第1部分及び第2部分から第1発光領域及び第2発光領域を経由して第1電極に直流電流を流して順バイアス状態とし、第1電極と第2電極の第3部分との間に電圧逆バイアス電圧Vsaを印加することによって可飽和吸収領域に電界を加えることで、セルフパルセーション動作及びモード同期動作させることができる。本発明の半導体レーザ素子において、第2電極は、パラジウムPd単層、ニッケルNi単層、白金Pt単層、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/白金層の積層構造、又は、パラジウム層が第2化合物半導体層に接するパラジウム層/ニッケル層の積層構造から成る形態とすることができる。尚、下層金属層をパラジウムから構成し、上層金属層をニッケルから構成する場合、上層金属層の厚さを、0.1μm以上、好ましくは0.2μm以上とすることが望ましい。あるいは又、第2電極を、パラジウムPd単層から成る構成とすることが好ましく、この場合、厚さを、20nm以上、好ましくは50nm以上とすることが望ましい。あるいは又、第2電極を、パラジウムPd単層、ニッケルNi単層、白金Pt単層、又は、下層金属層が第2化合物半導体層に接する下層金属層と上層金属層の積層構造但し、下層金属層は、パラジウム、ニッケル及び白金から成る群から選択された1種類の金属から構成され、上層金属層は、後述する工程Dにおいて第2電極に第1の分離溝、第2の分離溝を形成する際のエッチングレートが、下層金属層のエッチングレートと同じ、あるいは同程度、あるいは、下層金属層のエッチングレートよりも高い金属から構成されているから成る構成とすることが好ましい。また、後述する工程Dにおいて第2電極に第1の分離溝、第2の分離溝を形成する際のエッチング液を、王水、硝酸、硫酸、塩酸、又は、これらの酸の内の少なくとも2種類の混合液具体的には、硝酸と硫酸の混合液、硫酸と塩酸の混合液とすることが望ましい。本発明の半導体レーザ素子において、第1発光領域側の端面側から、第2電極には、第1部分順バイアス印加部分/第3部分逆バイアス印加部分/第2部分順バイアス印加部分が配列されているが、このような構成に限定するものではなく、順バイアス印加部分/逆バイアス印加部分/順バイアス印加部分/逆バイアス印加部分/順バイアス印加部分が配列された構成、順バイアス印加部分/逆バイアス印加部分/順バイアス印加部分/逆バイアス印加部分/順バイアス印加部分/逆バイアス印加部分/順バイアス印加部分が配列された構成等、即ち、N個の発光領域[キャリア注入領域、利得領域]とN-1個の可飽和吸収領域[キャリア非注入領域]とが設けられ、発光領域が可飽和吸収領域を挟んで配置されている状態とすることもできる。そして、これらの場合、少なくとも、第1発光領域側の端面側に最も近い逆バイアス印加部分が、0.2≦I1/I2≦4.5を満足していればよい。本発明の半導体レーザ素子は、製造すべき半導体レーザ素子の構成、構造にも依るが、例えば、以下の方法で製造することができる。即ち、A基体上に、第1導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層、GaN系化合物半導体から成る第1発光領域、第2発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層、並びに、第1導電型と異なる第2導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体を形成した後、B第2化合物半導体層上に第2電極を形成し、次いで、C第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造を形成した後、D第1の分離溝、第2の分離溝を第2電極に形成するためのレジスト層を形成し、次いで、レジスト層をウエットエッチング用マスクとして、第2電極に第1の分離溝、第2の分離溝をウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極を、第1部分と第3部分、及び、第2部分と第3部分に、第1の分離溝及び第2の分離溝によって分離する、各工程を具備した製造方法に基づき製造することができる。そして、このような製造方法を採用することで、即ち、第2電極をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造を形成するので、即ち、パターニングされた第2電極をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジストライプ構造を形成するので、第2電極とリッジストライプ構造との間に合わせずれが生じることがない。また、第2電極に第1の分離溝、第2の分離溝をウエットエッチング法にて形成することが好ましい。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層に光学的、電気的特性の劣化が生じることを抑制することができる。それ故、発光特性に劣化が生じることを、確実に防止することができる。尚、製造すべき半導体レーザ素子の構成、構造にも依るが、工程Cにあっては、第2化合物半導体層を厚さ方向に一部分、エッチングしてもよいし、第2化合物半導体層を厚さ方向に全部、エッチングしてもよいし、第2化合物半導体層及び第3化合物半導体層を厚さ方向にエッチングしてもよいし、第2化合物半導体層及び第3化合物半導体層、更には、第1化合物半導体層を厚さ方向に一部分、エッチングしてもよい。更には、前記工程Dにおいて、第2電極に第1の分離溝、第2の分離溝を形成する際の、第2電極のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。ER0/ER1がこのような関係を満足することで、積層構造体をエッチングすること無くあるいは、エッチングされても僅かである、第2電極を確実にエッチングすることができる。また、本発明の半導体レーザ素子において、積層構造体は、具体的には、AlGaInN系化合物半導体から成る構成とすることができる。ここで、AlGaInN系化合物半導体として、より具体的には、GaN、AlGaN、GaInN、AlGaInNを挙げることができる。更には、これらの化合物半導体に、所望に応じて、ホウ素B原子やタリウムTl原子、ヒ素As原子、リンP原子、アンチモンSb原子が含まれていてもよい。また、発光領域利得領域及び可飽和吸収領域を構成する第3化合物半導体層活性層は、量子井戸構造を有することが望ましい。具体的には、単一量子井戸構造[QW構造]を有していてもよいし、多重量子井戸構造[MQW構造]を有していてもよい。量子井戸構造を有する第3化合物半導体層活性層は、井戸層及び障壁層が、少なくとも1層、積層された構造を有するが、井戸層を構成する化合物半導体,障壁層を構成する化合物半導体の組合せとして、InyGaN,GaN、InyGaN,InzGaN[但し、y>z]、InyGaN,AlGaNを例示することができる。更には、本発明の半導体レーザ素子において、第2化合物半導体層は、p型GaN層及びp型AlGaN層が交互に積層された超格子構造を有し;超格子構造の厚さは0.7μm以下である構造とすることができる。このような超格子構造の構造を採用することで、クラッド層として必要な高屈折率を維持しながら、半導体レーザ素子の直列抵抗成分を下げることができ、半導体レーザ素子の低動作電圧化につながる。尚、超格子構造の厚さの下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができるし、超格子構造を構成するp型GaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、超格子構造を構成するp型AlGaN層の厚さとして1nm乃至5nmを例示することができるし、p型GaN層及びp型AlGaN層の層数合計として、60層乃至300層を例示することができる。また、第3化合物半導体層から第2電極までの距離は1μm以下、好ましくは、0.6μm以下である構成とすることができる。このように第3化合物半導体層から第2電極までの距離を規定することで、抵抗の高いp型の第2化合物半導体層の厚さを薄くし、半導体レーザ素子の動作電圧の低減化を達成することができる。尚、第3化合物半導体層から第2電極までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、0.3μmを挙げることができる。また、第2化合物半導体層には、Mgが、1×1019cm3以上、ドーピングされており;第3化合物半導体層からの波長405nmの光に対する第2化合物半導体層の吸収係数は、少なくとも50cm1である構成とすることができる。このMgの原子濃度は、2×1019cm3の値で最大の正孔濃度を示すという材料物性に由来しており、最大の正孔濃度、即ち、この第2化合物半導体層の比抵抗が最小になるように設計された結果である。第2化合物半導体層の吸収係数は、半導体レーザ素子の抵抗を出来るだけ下げるという観点で規定されているものであり、その結果、第3化合物半導体層の光の吸収係数が、50cm1となるのが一般的である。しかし、この吸収係数を上げるために、Mgドープ量を故意に2×1019cm3以上の濃度に設定することも可能である。この場合には、実用的な正孔濃度が得られる上での上限のMgドープ量は、例えば8×1019cm3である。また、第2化合物半導体層は、第3化合物半導体層側から、ノンドープ化合物半導体層、及び、p型化合物半導体層を有しており;第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離は、1.2×107m以下である構成とすることができる。このように第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離を規定することで、内部量子効率が低下しない範囲で、内部損失を抑制することができ、これにより、レーザ発振が開始される閾値電流密度を低減させることができる。尚、第3化合物半導体層からp型化合物半導体層までの距離の下限値として、限定するものではないが、例えば、5×108mを挙げることができる。また、リッジストライプ構造の両側面には、SiO2/Si積層構造から成る積層絶縁膜が形成されており;リッジストライプ構造の有効屈折率と積層絶縁膜の有効屈折率との差は、5×103乃至1×102である構成とすることができる。このような積層絶縁膜を用いることで、100ミリワットを超える高出力動作であっても、単一基本横モードを維持することができる。また、第2化合物半導体層は、第3化合物半導体層側から、例えば、ノンドープGaInN層p側光ガイド層、ノンドープAlGaN層p側クラッド層、MgドープAlGaN層電子障壁層、GaN層Mgドープ/AlGaN層の超格子構造超格子クラッド層、及び、MgドープGaN層p側コンタクト層が積層されて成る構造とすることができる。第3化合物半導体層における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは、2.4eV以上であることが望ましい。また、第3化合物半導体層活性層から出射されるレーザ光の波長は、360nm乃至500nm、好ましくは400nm乃至410nmであることが望ましい。ここで、以上に説明した各種の構成を、適宜、組み合わせることができることは云うまでもない。本発明の半導体レーザ素子にあっては、半導体レーザ素子を構成する各種のGaN系化合物半導体層を基板に順次形成するが、ここで、基板として、サファイア基板の他にも、GaAs基板、GaN基板、SiC基板、アルミナ基板、ZnS基板、ZnO基板、AlN基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、InP基板、Si基板、これらの基板の表面主面に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。主に、GaN系化合物半導体層を基板に形成する場合、GaN基板が欠陥密度の少なさから好まれるが、GaN基板は成長面によって、極性/無極性/半極性と特性が変わることが知られている。また、半導体レーザ素子を構成する各種のGaN系化合物半導体層の形成方法として、有機金属化学的気相成長法MOCVD法,MOVPE法や分子線エピタキシー法MBE法、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等を挙げることができる。ここで、MOCVD法における有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウムTMGガスやトリエチルガリウムTEGガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。また、n型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、n型不純物n型ドーパントとしてケイ素Siを添加すればよいし、p型の導電型を有するGaN系化合物半導体層の形成においては、例えば、p型不純物p型ドーパントとしてマグネシウムMgを添加すればよい。また、GaN系化合物半導体層の構成原子としてアルミニウムAlあるいはインジウムInが含まれる場合、Al源としてトリメチルアルミニウムTMAガスを用いればよいし、In源としてトリメチルインジウムTMIガスを用いればよい。更には、Si源としてモノシランガスSiH4ガスを用いればよいし、Mg源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いればよい。尚、n型不純物n型ドーパントとして、Si以外に、Ge、Se、Sn、C、Te、S、O、Pd、Poを挙げることができるし、p型不純物p型ドーパントとして、Mg以外に、Zn、Cd、Be、Ca、Ba、C、Hg、Srを挙げることができる。第1導電型をn型とするとき、n型の導電型を有する第1化合物半導体層に電気的に接続された第1電極は、金Au、銀Ag、パラジウムPd、Alアルミニウム、Tiチタン、タングステンW、Cu銅、Zn亜鉛、錫Sn及びインジウムInから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、例えば、Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Auを例示することができる。第1電極は第1化合物半導体層に電気的に接続されているが、第1電極が第1化合物半導体層上に形成された形態、第1電極が導電材料層や導電性の基板を介して第1化合物半導体層に接続された形態が包含される。第1電極や第2電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のPVD法にて成膜することができる。第1電極や第2電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Tiチタン、アルミニウムAl、Pt白金、Au金、Niニッケルから成る群から選択された少なくとも1種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ti/Pt/Auの多層構成、Ti/Auの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。本発明の半導体レーザ素子においては、前述したとおり、第1電極と第2電極の第3部分との間に逆バイアス電圧Vsaを印加するが、第2電極の第3部分には、第2電極の第1部分及び第2部分に印加するパルス電流あるいはパルス電圧と同期したパルス電流あるいはパルス電圧を印加してもよいし、直流バイアスを印加してもよい。また、第2電極から第1発光領域及び第2発光領域を経由して第1電極に電流を流し、且つ、第2電極から第1発光領域及び第2発光領域を経由して第1電極に外部電気信号を重畳させる形態とすることができる。そして、これによって、レーザ光と外部電気信号との間の同期を取ることができる。あるいは又、積層構造体の一端面から光信号を入射させる形態とすることができる。そして、これによっても、レーザ光と光信号との間の同期を取ることができる。また、第2化合物半導体層において、第3化合物半導体層と電子障壁層との間には、ノンドープ化合物半導体層例えば、ノンドープGaInN層、あるいは、ノンドープAlGaN層を形成してもよい。更には、第3化合物半導体層とノンドープ化合物半導体層との間に、光ガイド層としてのノンドープGaInN層を形成してもよい。第2化合物半導体層の最上層を、MgドープGaN層p側コンタクト層が占めている構造とすることもできる。本発明の半導体レーザ素子を、例えば、光ディスクシステム、通信分野、光情報分野、光電子集積回路、非線形光学現象を応用した分野、光スイッチ、レーザ計測分野や種々の分析分野、超高速分光分野、多光子励起分光分野、質量分析分野、多光子吸収を利用した顕微分光の分野、化学反応の量子制御、ナノ3次元加工分野、多光子吸収を応用した種々の加工分野、医療分野、バイオイメージング分野といった分野に適用することができる。実施例1は、本発明の第1の態様に係る半導体レーザ素子に関する。実施例1における半導体レーザ素子の共振器の延びる方向に沿った模式的な端面図XZ平面にて切断したときの模式的な端面図を図3に示し、共振器の延びる方向と直角方向に沿った模式的な断面図YZ平面にて切断したときの模式的な断面図を図4に示す。尚、図3は、図4の矢印I-Iに沿った模式的な端面図であり、図4は、図3の矢印II-IIに沿った模式的な断面図である。また、実施例1の半導体レーザ素子の模式的な平面図を図1のA、B、図2のA、Bに示す。実施例1あるいは後述する実施例2の半導体レーザ素子以下、これらの半導体レーザ素子を総称して、実施例1等の半導体レーザ素子10と呼ぶ場合があるは、多電極型半導体レーザ素子から成り、本発明の半導体レーザ素子におけるレーザ構造を有する。即ち、実施例1等の半導体レーザ素子10は、a第1導電型各実施例においては、具体的には、n型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30と、GaN系化合物半導体から成り、第1発光領域利得領域41A、第2発光領域利得領域41B、及び、第1発光領域41Aと第2発光領域41Bに挟まれた可飽和吸収領域42を構成する第3化合物半導体層活性層40と、第1導電型と異なる第2導電型各実施例においては、具体的には、p型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50、とが、順次、積層されて成る積層構造体、b第2化合物半導体層50上に形成された第2電極62、並びに、c第1化合物半導体層30に電気的に接続された第1電極61、を備えており、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第2電極62は、第1発光領域41Aを経由して第1電極61に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分62A、第2発光領域41Bを経由して第1電極61に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第2部分62B、及び、可飽和吸収領域42に電界を加えるための第3部分62Cから構成されており、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62Cとは、第1の分離溝63Aによって分離されており、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとは、第2の分離溝63Bによって分離されており、第2発光領域側の端面からレーザ光が出射される半導体レーザ素子である。積層構造体はリッジストライプ構造56を有する。具体的には、実施例1等の半導体レーザ素子10は、リッジストライプ型の分離閉じ込めヘテロ構造SCH構造を有する半導体レーザ素子である。より具体的には、この半導体レーザ素子10は、ブルーレイ光ディスクシステム用に開発されたインデックスガイド型のAlGaInNから成るGaN系半導体レーザ素子である。そして、第1化合物半導体層30、第3化合物半導体層40、及び、第2化合物半導体層50は、具体的には、AlGaInN系化合物半導体から成り、より具体的には、実施例1等の半導体レーザ素子10にあっては、以下の表1に示す層構成を有する。ここで、表1において、下方に記載した化合物半導体層ほど、n型GaN基板21に近い層である。第3化合物半導体層40における井戸層を構成する化合物半導体のバンドギャップは3.06eVである。実施例1等における半導体レーザ素子10は、n型GaN基板21の0001面上に設けられており、第3化合物半導体層40は量子井戸構造を有する。n型GaN基板21の0001面は、C面とも呼ばれ、極性を有する結晶面である。[表1]第2化合物半導体層50p型GaNコンタクト層Mgドープ55p型GaNMgドープ/AlGaN超格子クラッド層54p型AlGaN電子障壁層Mgドープ53ノンドープAlGaNクラッド層52ノンドープGaInN光ガイド層51第3化合物半導体層40GaInN量子井戸活性層井戸層:Ga092In008N/障壁層:Ga098In002N第1化合物半導体層30n型GaNクラッド層32n型AlGaNクラッド層31但し、井戸層2層10.5nmノンドープ障壁層3層14nmノンドープまた、p型GaNコンタクト層55及びp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の一部は、RIE法にて除去されており、リッジストライプ構造56が形成されている。リッジストライプ構造56の両側にはSiO2/Siから成る積層絶縁膜57が形成されている。尚、SiO2層が下層であり、Si層が上層である。ここで、リッジストライプ構造56の有効屈折率と積層絶縁膜57の有効屈折率との差は、5×103乃至1×102、具体的には、7×103である。そして、リッジストライプ構造56の頂面に相当するp型GaNコンタクト層55上には、第2電極p側オーミック電極62が形成されている。一方、n型GaN基板21の裏面には、Ti/Pt/Auから成る第1電極n側オーミック電極61が形成されている。実施例1等の半導体レーザ素子10にあっては、第3化合物半導体層40及びその近傍から発生した光密度分布に、Mgドープした化合物半導体層である、p型AlGaN電子障壁層53、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層54及びp型GaNコンタクト層55が出来るだけ重ならないようにすることで、内部量子効率が低下しない範囲で、内部損失を抑制している。そして、これにより、レーザ発振が開始される閾値電流密度を低減させている。具体的には、第3化合物半導体層40からp型AlGaN電子障壁層53までの距離dを0.10μm、リッジストライプ構造56の高さを0.30μm、第2電極62と第3化合物半導体層40との間に位置する第2化合物半導体層50の厚さを0.50μm、第2電極62の下方に位置するp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の部分の厚さを0.40μmとした。実施例1等における半導体レーザ素子10において、第2電極62は、第1発光領域利得領域41A及び第2発光領域利得領域41Bを経由して第1電極61に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第1部分62A及び第2部分62Bと、可飽和吸収領域42に電界を加えるための第3部分62C可飽和吸収領域42に逆バイアス電圧Vsaを加えるための第3部分62Cとに、第1の分離溝63A及び第2の分離溝63Bによって分離されている。ここで、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値分離抵抗値と呼ぶ場合があるは、第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の1×10倍以上、具体的には1.5×103倍である。また、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値分離抵抗値は、1×102Ω以上、具体的には、1.5×104Ωである。実施例1等における半導体レーザ素子10においては、第2発光領域側の端面光出射端面からレーザ光が出射される。この第2発光領域側の端面には、例えば、反射率r20.5以下、好ましくは反射率0.3以下の無反射コート層ARあるいは低反射コート層が形成されている。一方、第1発光領域側の端面半導体レーザ素子10における光出射端面と対向する端面であり、便宜上、光反射端面と呼ぶには、反射率r185以上、好ましくは反射率95以上の高反射コート層HRが形成されている。尚、これらの無反射コート層ARや低反射コート層、高反射コート層HRの図示は省略している。無反射コート層あるいは低反射コート層として、酸化チタン層、酸化タンタル層、酸化ジルコニア層、酸化シリコン層及び酸化アルミニウム層から成る群から選択された少なくとも2種類の層の積層構造を挙げることができる。ところで、上述したとおり、第2化合物半導体層50上に、1×102Ω以上の分離抵抗値を有する2電極62を形成することが望ましい。GaN系半導体レーザ素子の場合、従来のGaAs系半導体レーザ素子とは異なり、p型導電型を有する化合物半導体における移動度が小さいために、p型導電型を有する第2化合物半導体層50をイオン注入等によって高抵抗化することなく、その上に形成される第2電極62を第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bで分離することで、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値を第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の10倍以上とし、あるいは又、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値を1×102Ω以上とすることが可能となる。そして、実施例1の半導体レーザ素子10にあっては、第2電極62の第1部分62Aにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW1ave、第2電極62の第2部分62Bにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をW2aveとしたとき、1<W2ave/W1ave≡K好ましくは、1<W2ave/W1ave≦4.5を満足する。尚、1<W2ave/W1ave≦4.5の規定は、種々の試験、シミュレーションを行って得られた結果である。更には、実施例1の半導体レーザ素子10にあっては、第2電極62の第1部分62Aと対向する第3部分62Cの領域第3部分の第1領域に対応する可飽和吸収領域42の部分可飽和吸収領域の第1領域P1における光強度をI1、第2電極62の第2部分62Bと対向する第3部分62Cの領域第3部分の第2領域に対応する可飽和吸収領域42の部分可飽和吸収領域の第2領域P2における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5好ましくは、I1/I2=1.0を満足するように、K≡W2ave/W1aveの値が決定されている。より具体的には、実施例1にあっては、W1ave=5.0μmW2ave=7.5μmK=1.50とした。尚、Kの値については、後に詳しく説明する。ここで、図1のAに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第2電極62の第1部分62Aの平面形状は幅一定の帯状の形状であり、第2部分62Bの平面形状も幅一定の帯状の形状であり、第3部分62Cの平面形状も幅一定の帯状の形状である。第2部分62Bに相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しく、第1部分62Aに相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅よりも広い。一方、図1のBに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第2電極62の第1部分62Aの平面形状は幅一定の帯状の形状であり、第3部分62Cの平面形状も幅一定の帯状の形状であるが、第2部分62Bの平面形状はテーパー形状であり、光出射端面側の幅が最も広く、第3部分62Cに向かって狭くなっており、第3部分62Cと対向する部分の幅が最も狭い。第1部分62Aに相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しく、第2部分62Bの第3部分62Cと対向する部分に相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しい。また、図2のAに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第2電極62の第2部分62Bの平面形状は幅一定の帯状の形状であり、第3部分62Cの平面形状も幅一定の帯状の形状であるが、第1部分62Aの平面形状はテーパー形状であり、光反射端面側の幅が最も狭く、第3部分62Cに向かって広くなっており、第3部分62Cと対向する部分の幅が最も広い。第2部分62Bに相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しく、第1部分62Aの第3部分62Cと対向する部分に相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しい。更には、図2のBに模式的な平面図を示す半導体レーザ素子10では、第3部分62Cの平面形状は幅一定の帯状の形状であるが、第2部分62Bの平面形状はテーパー形状であり、光出射端面側の幅が最も広く、第3部分62Cに向かって狭くなっており、第3部分62Cと対向する部分の幅が最も狭い。また、第1部分62Aも平面形状はテーパー形状であり、光反射端面側の幅が最も広く、第3部分62Cに向かって狭くなっており、第3部分62Cと対向する部分の幅が最も狭い。第1部分62Aの第3部分62Cと対向する部分に相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しく、第2部分62Bの第3部分62Cと対向する部分に相当するリッジストライプ構造の幅は、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅と等しい。また、実施例1の半導体レーザ素子10にあっては、K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5好ましくは、K1/K2=1.0を満足する。そして、可飽和吸収領域42の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1好ましくは、500cm1≦α≦4000cm1を満足する。具体的には、実施例1にあっては、α=1000cm1とした。但し、g=[2{xK1-xL0}-Lsa1K]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]K≡W2ave/W1aveであり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域42の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1Lsa:可飽和吸収領域42の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域42の吸収係数である。以下、K1、K2に関する説明を行う。半導体レーザ素子の劣化原因を考えるために、図5に示すモデルを用いて、半導体レーザ素子内部における各部分の位置における光強度を計算する。ここで、各部分における光強度を、以下のように定義する。尚、後述する実施例2においても同様とする。光強度ILr1第1発光領域側の端面における、第2発光領域に向かう光の光強度光強度ILr2第1発光領域41Aと可飽和吸収領域42の境界における、第2発光領域に向かう光の光強度光強度ILr3可飽和吸収領域42と第2発光領域41Bとの境界における、第2発光領域に向かう光の光強度光強度ILr4第2発光領域側の端面に衝突した光の光強度光強度ILr5第2発光領域側の端面によって反射され、第1発光領域に向かう光の光強度光強度ILr6第2発光領域41Bと可飽和吸収領域42の境界における、第1発光領域に向かう光の光強度光強度ILr7可飽和吸収領域42と第1発光領域41Aとの境界における、第1発光領域に向かう光の光強度光強度ILr8第1発光領域側の端面に衝突した光の光強度光強度ILr9第1発光領域側の端面によって反射され、再び、第2発光領域に向かう光の光強度ここで、光強度ILr1=1.00とすると、光強度ILr2、光強度ILr3、光強度ILr4、光強度ILr5、光強度ILr6、光強度ILr7、光強度ILr8、光強度ILr9は、以下のとおりに表すことができる。尚、第2発光領域41Bにおける利得を第1発光領域41Aにおける利得gのK倍K≡W2ave/W1aveとして光強度を計算する。上述したとおり、第1発光領域41Aにおける利得をg、第2発光領域41Bにおける利得をgKとすると、光は距離Dを伝播するとき、第1発光領域41AにおいてexpgD、第2発光領域41BにおいてexpgKD、可飽和吸収領域42においてexp-αDと増幅、減衰されるので、光強度は、以下のとおりとなる。ILr1=1.00ILr2=exp[gxL0-Lsa/2]ILr3=exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]ILr4=exp[gxL0-Lsa/2-αLsaKg{1-xL0-Lsa/2}]ILr5=r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsaKg{1-xL0-Lsa/2}]ILr6=r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]ILr7=r2[exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]ILr8=r2[exp[2gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]ILr9=r1r2[exp[2gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]ここで、可飽和吸収領域の第1領域P1における光強度はILr2ILr7であり、可飽和吸収領域の第2領域P2における光強度はILr3ILr6である。そして、ILr2ILr7=ILr3ILr6を満足するためには、exp[gxL0-Lsa/2]r2[exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}]=exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2Kg{1-xL0-Lsa/2}][A]となるように、各種パラメータ、具体的には、K,α,x,g,r1,r2,L0、Lsaの値を決定、調整すればよい。ここで、可飽和吸収領域の吸収係数αは、可飽和吸収領域42に印加される逆バイアス電圧Vsaによって変化し得るパラメータであり、α=0とは、化合物半導体層によって光が吸収されず、増幅もされないことを意味する。g,r1,r2,L0、Lsaの値は、屡々、半導体レーザ素子の設計仕様によって一義的に定められてしまう。それ故、上式[A]が成立するように、Kあるいはxを決定すればよい。実施例1にあっては、Kの値を規定することで、即ち、第1発光領域41Aにおける利得gと第2発光領域41Bにおける利得gKとを規定することで、また、後述する実施例2にあっては、xの値を規定することで、上式[A]あるいは後述する式[B]を成立させている。また、第1発光領域利得領域41A及び第2発光領域利得領域41Bの利得係数は、発振するときの発振条件、ILr1=ILr9より、上式のとおり、表される。ここで、L0=600μmLsa=30μmα=1000cm1r1=80r2=20x=0.5としたときの、ILr2ILr7の値曲線Aで表す及びILr3ILr6の値曲線Bで表すを図6のAに示す。図6のAにおいて、横軸はxの値であり、縦軸は光強度単位は任意である。また、K=1としたときの、第1発光領域41Aにおけるαと光強度の関係曲線Aで表す、及び、第2発光領域41Bにおけるαと光強度の関係曲線Bで表すを、図6のBに示す。図6のBにおいて、横軸はαの値であり、縦軸は光強度単位は任意である。尚、x=0.5である。図6のBから、αの値に拘わらず、第1発光領域41Aにおける光強度の値が第2発光領域41Bにおける光強度の値よりも高いことが判る。これは、第2発光領域側の端面における光反射率r2よりも、第1発光領域側の端面における光反射率r1の方が高い値を有することに起因している。Kの値をパラメータとして、図6のAに示すと同様のILr2ILr7の値及びILr3ILr6の値を、種々、得た。ここで、図6のAに示す値は、x=0.5としたときの、K=1.50=K0での光強度の値である。K=K0=1.50のとき、第1発光領域41Aにおける利得gと第2発光領域41Bにおける利得gKとは等しくなり、可飽和吸収領域の第1領域P1における光強度ILr2ILr7の値]と可飽和吸収領域の第2領域P2における光強度[ILr3ILr6の値]とは等しくなった。尚、図6のAから、例えば、x=0.3においては、ILr3ILr6/ILr2ILr7の値は5.21である。また、K<K0のとき、例えばx=0.5,K=1.0では,ILr3ILr6/ILr2ILr7=0.54となり、反対に、K>K0のとき、例えばx=0.5,K=2.0では,ILr3ILr6/ILr2ILr7=1.74となる。このように、実施例1の半導体レーザ素子10にあっては、K≡W2ave/W1aveの値を規定しているので、即ち、K≡W2ave/W1ave>1を満足しているので、可飽和吸収領域の第1領域の光強度ILr2ILr7と可飽和吸収領域の第2領域の光強度ILr3ILr6とが、略等しくなり、あるいは又、等しくなり、可飽和吸収領域の第1領域の光強度が過剰に高くなるといった現象の発生を抑制することができ、可飽和吸収領域の第1領域に損傷が発生し難くなる。また、第2電極の第3部分の第1領域に電界が集中し難くなり、即ち、第3部分の第1領域における電界と第3部分の第2領域における電界とが、略等しくなり、あるいは又、等しくなり、第2電極の第3部分に損傷が発生し難くなる。しかも、可飽和吸収領域の境界領域に電界が集中し難くなる結果、光密度の低下を図ることができ、可飽和吸収領域の境界領域に損傷が発生し難くなる。ところで、第2電極62に要求される特性は、以下のとおりである。即ち、1第2化合物半導体層50をエッチングするときのエッチング用マスクとしての機能を有すること。2第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化を生じさせることなく、第2電極62はウエットエッチング可能であること。3第2化合物半導体層50上に成膜したとき、102Ωcm2以下のコンタクト比抵抗値を示すこと。4積層構造とする場合、下層金属層を構成する材料は、仕事関数が大きく、第2化合物半導体層50に対して低いコンタクト比抵抗値を示し、しかも、ウエットエッチング可能であること。5積層構造とする場合、上層金属層を構成する材料は、リッジストライプ構造を形成する際のエッチングに対して例えば、RIE法において使用されるCl2ガスに対して耐性があり、しかも、ウエットエッチング可能であること。実施例1等における半導体レーザ素子10にあっては、第2電極62を厚さ0.1μmのPd単層から構成した。尚、p型GaN層及びp型AlGaN層が交互に積層された超格子構造を有するp型GaN/AlGaN超格子クラッド層54の厚さは0.7μm以下、具体的には、0.4μmであり、超格子構造を構成するp型GaN層の厚さは2.5nmであり、超格子構造を構成するp型AlGaN層の厚さは2.5nmであり、p型GaN層及びp型AlGaN層の層数合計は160層である。また、第3化合物半導体層40から第2電極62までの距離は1μm以下、具体的には0.5μmである。更には、第2化合物半導体層50を構成するp型AlGaN電子障壁層53、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層54、p型GaNコンタクト層55には、Mgが、1×1019cm3以上具体的には、2×1019cm3、ドーピングされており、波長405nmの光に対する第2化合物半導体層50の吸収係数は、少なくとも50cm1、具体的には、65cm1である。また、第2化合物半導体層50は、第3化合物半導体層側から、ノンドープ化合物半導体層ノンドープGaInN光ガイド層51及びノンドープAlGaNクラッド層52、並びに、p型化合物半導体層を有しているが、第3化合物半導体層40からp型化合物半導体層具体的には、p型AlGaN電子障壁層53までの距離dは1.2×107m以下、具体的には100nmである。以下、図10のA、B、図11のA、B、図12を参照して、実施例1における半導体レーザ素子10の製造方法を説明する。尚、図10のA、B、図11のA、Bは、基板等をYZ平面にて切断したときの模式的な一部断面図であり、図12は、基板等をXZ平面にて切断したときの模式的な一部端面図である。[工程-100]先ず、基体上、具体的には、n型GaN基板21の0001面上に、周知のMOCVD法に基づき、第1導電型n型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第1化合物半導体層30、GaN系化合物半導体から成る発光領域利得領域41A,41B及び可飽和吸収領域42を構成する第3化合物半導体層活性層40、並びに、第1導電型と異なる第2導電型p型導電型を有し、GaN系化合物半導体から成る第2化合物半導体層50が、順次、積層されて成る積層構造体を形成する図10のA参照。[工程-110]その後、第2化合物半導体層50上に第2電極62を形成する。具体的には、真空蒸着法に基づきPd層64を全面に成膜した後図10のB参照、Pd層64上に、フォトリソグラフィ技術に基づきエッチング用レジスト層を形成する。そして、王水を用いて、エッチング用レジスト層に覆われていないPd層64を除去した後、エッチング用レジスト層を除去する。こうして、図11のAに示す構造を得ることができる。尚、リフトオフ法に基づき、第2化合物半導体層50上に第2電極62を形成してもよい。[工程-120]次いで、第2電極62をエッチング用マスクとして、少なくとも第2化合物半導体層50の一部分をエッチングして具体的には、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングして、リッジストライプ構造56を形成する。具体的には、Cl2ガスを用いたRIE法に基づき、第2電極62をエッチング用マスクとして用いて、第2化合物半導体層50の一部分をエッチングする。こうして、図11のBに示す構造を得ることができる。このように、パターニングされた第2電極62をエッチング用マスクとして用いてセルフアライン方式にてリッジストライプ構造56を形成するので、第2電極62とリッジストライプ構造56との間に合わせずれが生じることがない。[工程-130]その後、第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bを第2電極62に形成するためのレジスト層65を形成する図12参照。尚、参照番号66は、第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bを形成するために、レジスト層65に設けられた開口部である。次いで、レジスト層65をウエットエッチング用マスクとして、第2電極62に第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bをウエットエッチング法にて形成し、以て、第2電極62を第1部分62Aと第3部分62Cとに第1の分離溝63Aによって分離し、第2電極62を第2部分62Bと第3部分62Cとに第2の分離溝63Bによって分離する。具体的には、王水をエッチング液として用い、王水に約10秒、全体を浸漬することで、第2電極62に第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bを形成する。そして、その後、レジスト層65を除去する。こうして、図3及び図4に示す構造を得ることができる。このように、ドライエッチング法と異なり、ウエットエッチング法を採用することで、第2化合物半導体層50の光学的、電気的特性に劣化が生じることがない。それ故、半導体レーザ素子の発光特性に劣化が生じることがない。尚、ドライエッチング法を採用した場合、第2化合物半導体層50の内部損失αiが増加し、閾値電圧が上昇したり、光出力の低下を招く虞がある。ここで、第2電極62のエッチングレートをER0、積層構造体のエッチングレートをER1としたとき、ER0/ER1≒1×102である。このように、第2電極62と第2化合物半導体層50との間に高いエッチング選択比が存在するが故に、積層構造体をエッチングすること無くあるいは、エッチングされても僅かである、第2電極62を確実にエッチングすることができる。尚、ER0/ER1≧1×10、好ましくは、ER0/ER1≧1×102を満足することが望ましい。第2電極62を、厚さ20nmのパラジウムPdから成る下層金属層と、厚さ200nmのニッケルNiから成る上層金属層の積層構造としてもよい。ここで、王水によるウエットエッチングにあっては、ニッケルのエッチングレートは、パラジウムのエッチングレートの約1.25倍である。[工程-140]その後、n側電極の形成、基板の劈開等を行い、更に、パッケージ化を行うことで、半導体レーザ素子10を作製することができる。一般に、半導体層の抵抗RΩは、半導体層を構成する材料の比抵抗値ρΩm、半導体層の長さX0m、半導体層の断面積Sm2、キャリア密度ncm3、電荷量eC、移動度μm2/V秒を用いて以下のように表される。R=ρX0/S=X0/neμSp型GaN系半導体の移動度は、p型GaAs系半導体に比べて、2桁以上小さいため、電気抵抗値が高くなり易い。よって、断面積が小さいリッジストライプ構造を有する半導体レーザ素子の電気抵抗値は、上式から、大きな値となることが判る。製作した半導体レーザ素子10の第2電極62の第2部分62Aと第3部分62B、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62Cとの間の電気抵抗値を4端子法にて測定した結果、第1の分離溝63A、第2の分離溝63Bの幅が20μmのとき、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値は15kΩであった。また、製作した半導体レーザ素子10において、第2電極62の第1部分62A、第2部分62Bから第1発光領域41A及び第2発光領域41Bを経由して第1電極61に直流電流を流して順バイアス状態とし、第1電極61と第2電極62の第3部分62Cとの間に逆バイアス電圧Vsaを印加することによって可飽和吸収領域42に電界を加えることで、セルフパルセーション動作させることができた。即ち、第2電極62の第1部分62Aと第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bと第3部分62Cとの間の電気抵抗値は、第2電極62と第1電極61との間の電気抵抗値の10倍以上であり、あるいは又、1×102Ω以上である。従って、第2電極62の第1部分62Aから第3部分62C、第2電極62の第2部分62Bから第3部分62Cへの漏れ電流の流れを確実に抑制することができる結果、発光領域41A,41Bを順バイアス状態とし、しかも、可飽和吸収領域42を確実に逆バイアス状態とすることができ、確実にシングルモードのセルフパルセーション動作を生じさせることができた。具体的には、光パルスのパルス幅は15ピコ秒であり、時間平均パワー150ミリワット/秒,約150ピコジュール/パルスから見積もられたパルスピークパワーは約10ワットであった。実施例2は、本発明の第2の態様に係る半導体レーザ素子に関する。実施例2における半導体レーザ素子10の共振器の延びる方向に沿った模式的な端面図XZ平面にて切断したときの模式的な端面図を図7に示す。尚、共振器の延びる方向と直角方向に沿った模式的な断面図YZ平面にて切断したときの模式的な断面図は、図4に示したと同様である。実施例2の半導体レーザ素子10にあっては、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から半導体レーザ素子の中心までの距離をDC、半導体レーザ素子の軸線に沿った第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域42の中心までの距離をDsaとしたとき、Dsa/DC<1好ましくは、0.4≦Dsa/DC<1を満足する。尚、0.4≦Dsa/DC<1の規定は、種々の試験、シミュレーションを行って得られた結果である。実施例2の半導体レーザ素子10にあっては、第2電極62の第1部分62Aと対向する第3部分62Cの領域に対応する可飽和吸収領域42の部分における光強度をI1、第2電極62の第2部分62Bと対向する第3部分62Cの領域に対応する可飽和吸収領域42の部分における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5好ましくは、I1/I2=1.0を満足するように、Dsa/DCの値が決定されている。また、実施例2の半導体レーザ素子10にあっては、K1≡exp[gxL0-Lsa/2]r2exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]K2≡exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]としたとき、0.2≦K1/K2≦4.5好ましくは、K1/K2=1.0を満足する。そして、この場合、可飽和吸収領域42の吸収係数αの値は、0cm1<α≦5000cm1好ましくは、500cm1≦α≦4000cm1を満足する。具体的には、実施例2にあっても、α=1000cm1とした。但し、g=[2L0-Lsa]1ln[1/{r1r2exp-2αLsa}]であり、L0:第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離x:第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域42の中心までの距離LsaをL0で正規化した値Lsa/L0であり、0<x<1/2Lsa:可飽和吸収領域42の長さr1:第1発光領域側の端面における光反射率r2:第2発光領域側の端面における光反射率α:可飽和吸収領域42の吸収係数である。ここで、光強度ILr1=1.00とすると、光強度ILr2、光強度ILr3、光強度ILr4、光強度ILr5、光強度ILr6、光強度ILr7、光強度ILr8、光強度ILr9は、以下のとおりに表すことができる。尚、第2発光領域41Bにおける利得gと、第1発光領域41Aにおける利得gとは、実施例1と異なり、等しい。それ故、第1発光領域41A及び第2発光領域41Bにおける利得をgとすると、光は距離Dを伝播するとき、第1発光領域41A及び第2発光領域41BにおいてexpgD、可飽和吸収領域42においてexp-αDと増幅、減衰されるので、光強度は、以下のとおりとなる。ILr1=1.00ILr2=exp[gxL0-Lsa/2]ILr3=exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]ILr4=exp[gxL0-Lsa/2-αLsag{1-xL0-Lsa/2}]ILr5=r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsag{1-xL0-Lsa/2}]ILr6=r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]ILr7=r2[exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]ILr8=r2[exp[2gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]ILr9=r1r2[exp[2gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]ここで、可飽和吸収領域の第1領域P1における光強度はILr2ILr7であり、可飽和吸収領域の第2領域P2における光強度はILr3ILr6である。そして、ILr2ILr7=ILr3ILr6を満足するためには、exp[gxL0-Lsa/2]r2[exp[gxL0-Lsa/2-2αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}]=exp[gxL0-Lsa/2-αLsa]r2[exp[gxL0-Lsa/2-αLsa2g{1-xL0-Lsa/2}][B]となるように、各種パラメータ、具体的には、α,x,g,r1,r2,L0、Lsaの値を決定、調整すればよい。前述したとおり、実施例2にあっては、xの値を規定することで、式[B]を成立させている。また、第1発光領域利得領域41A、第2発光領域利得領域41Bの利得係数は、発振するときの発振条件、ILr1=ILr9より、上式のとおり、表される。ここで、第2電極62の第1部分62A、第2部分62B、第3部分62Cに相当するリッジストライプ構造の幅を1.5μmとし、L0=600μmLsa=30μmα=1000cm1r1=80r2=20とし、xの値をパラメータとしたときの、ILr2ILr7の値曲線Aで表す及びILr3ILr6の値曲線Bで表すを図8に示す。図8において、横軸はxの値であり、縦軸は光強度単位は任意である。x=0.41において、ILr2ILr7=ILr3ILr6の状態が得られた。尚、図8から、x=0.3にあっては、ILr3ILr6/ILr2ILr7の値は2.35である。このように、実施例2の半導体レーザ素子10にあっては、Dsa/DC<1を満足しているので、可飽和吸収領域の第1領域の光強度と可飽和吸収領域の第2領域の光強度とが、略等しくなり、あるいは又、等しくなり、可飽和吸収領域の第1領域の光強度が過剰に高くなるといった現象の発生を抑制することができ、可飽和吸収領域の第1領域に損傷が発生し難くなる。また、第2電極の第3部分の第1領域に電界が集中し難くなり、即ち、第3部分の第1領域における電界と第3部分の第2領域における電界とが、略等しくなり、あるいは又、等しくなり、第2電極の第3部分に損傷が発生し難くなる。しかも、可飽和吸収領域の境界領域に電界が集中し難くなる結果、光密度の低下を図ることができ、可飽和吸収領域の境界領域に損傷が発生し難くなる。以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体レーザ素子の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができる。また、実施例においては、種々の値を示したが、これらも例示であり、例えば、使用する半導体レーザ素子の仕様が変われば、変わることは当然である。実施例1にて説明した半導体レーザ素子の構成、構造と、実施例2にて説明した半導体レーザ素子の構成、構造とを組み合わせることができる。また、例えば、第2電極を、厚さ20nmのパラジウムPdから成る下層金属層と、厚さ200nmのニッケルNiから成る上層金属層の積層構造としてもよい。尚、王水によるウエットエッチングにあっては、ニッケルのエッチングレートは、パラジウムのエッチングレートの約1.25倍である。本発明の半導体レーザ素子におけるレーザ構造において、第2電極の第1部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI1、第2電極の第2部分と対向する第3部分の領域に対応する可飽和吸収領域の部分における光強度をI2としたとき、0.2≦I1/I2≦4.5を満足するように、好ましくはI1/I2=1.0を満足するように、第1発光領域側の端面から第2発光領域側の端面までの距離L0、可飽和吸収領域の長さLsa、第1発光領域側の端面における光反射率r1、第2発光領域側の端面における光反射率r2、第1発光領域及び第2発光領域における利得、可飽和吸収領域の吸収係数α、第1発光領域側の端面から可飽和吸収領域の中心までの距離LsaをL0で正規化した値x≡Lsa/L0、第2電極の第1部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅W1aveと第2電極の第2部分におけるリッジストライプ構造の部分の平均幅W2aveとの比K≡W2ave/W1aveの値、好ましくは、xの値、又は、Kの値、又は、xの値及びKの値を決定、調整してもよい。本発明の半導体レーザ素子を用いて集光型の外部共振器を構成して、モード同期動作する半導体レーザ素子組立体を、図9のAに示す。図9のAに示す集光型の外部共振器にあっては、可飽和吸収領域側に高反射コート層HRが形成された半導体レーザ素子の端面と外部鏡とで外部共振器が構成され、外部鏡から光パルスを取り出す。第2発光領域利得領域側の半導体レーザ素子の端面光出射端面には無反射コート層ARが形成されている。光学フィルターには、主にバンドパスフィルターが用いられ、レーザの発振波長の制御のために挿入される。尚、モード同期は、第1発光領域及び第2発光領域に印加する直流電流と可飽和吸収領域に印加する逆バイアス電圧Vsaとによって決定される。外部共振器長さX’によって光パルス列の繰り返し周波数fが決定され、次式で表される。ここで、cは光速であり、nは導波路の屈折率である。f=c/2nX’あるいは又、本発明の半導体レーザ素子を用いて外部共振器を構成する例の変形例を、図9のBに示す。図9のBに示すコリメート型の外部共振器にあっても、可飽和吸収領域側に高反射コート層HRが形成された半導体レーザ素子の端面と外部鏡とで外部共振器を構成し、外部鏡から光パルスを取り出す。第2発光領域利得領域側の半導体レーザ素子の端面光出射端面には無反射コート層ARが形成されている。実施例においては、半導体レーザ素子を、n型GaN基板21の極性面であるC面,{0001}面上に設けた。ところで、このような場合、第3化合物半導体層にピエゾ分極及び自発分極に起因した内部電界によるQCSE効果量子閉じ込めシュタルク効果によって、電気的に可飽和吸収が制御し難くなる場合がある。即ち、場合によっては、セルフパルセーション動作及びモード同期動作を得るために第1電極に流す直流電流の値及び可飽和吸収領域に印加する逆バイアス電圧の値を高くする必要が生じたり、メインパルスに付随したサブパルス成分が発生したり、外部信号と光パルスとの間での同期が取り難くなることがある。このような現象の発生を抑制するためには、{11-20}面であるA面、{1-100}面であるM面、{1-102}面といった無極性面上、あるいは又、{11-24}面や{11-22}面を含む{11-2n}面、{10-11}面、{10-12}面といった半極性面上に、半導体レーザ素子を設ければよい。これによって、半導体レーザ素子の第3化合物半導体層にたとえピエゾ分極及び自発分極が生じた場合であっても、第3化合物半導体層の厚さ方向にピエゾ分極が生じることは無く、第3化合物半導体層の厚さ方向とは略直角の方向にピエゾ分極が生じるので、ピエゾ分極及び自発分極に起因した悪影響を排除することができる。尚、{11-2n}面とは、ほぼC面に対して40度を成す無極性面を意味する。また、無極性面上あるいは半極性面上に半導体レーザ素子を設ける場合、実施例1にて説明したような、井戸層の厚さの制限1nm以上、10nm以下及び障壁層の不純物ドーピング濃度の制限2×1018cm3以上、1×1020cm3以下を無くすことが可能である。"