"ヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも1つ有する複素環を有するポリマー、架橋性化合物、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤及び有機溶剤を含む、感光性レジスト下層膜形成組成物。前記光酸発生剤の含有量は、前記ポリマーの含有量に対し0.5質量乃至25質量である、請求項1に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。前記光ラジカル重合開始剤の含有量は、前記ポリマーの含有量に対し0.3質量乃至45質量である、請求項1又は請求項2に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。前記光ラジカル重合開始剤は、2-ヒドロキシ-1-{4-4-2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル-ベンジル-フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルホスフィンオキサイド又は2,2’-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オンである、請求項3に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは、下記式1:式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Xは直接結合、-C=O-O-基又は-C=O-NH-基を表し、R2は直接結合又は炭素原子数1乃至3のアルキレン基を表し、Arはヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも1つ有する複素環を表す。で表される少なくとも1種の構造単位を有する、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。前記ポリマーは酸により脱保護が可能な置換基を有する構造単位をさらに有する共重合体である、請求項5に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。さらに塩基性化合物を含む請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の感光性レジスト下層膜形成組成物。本発明の課題は、光酸発生剤の添加量を増やすことなく、上記の問題を解決することである。露光後にレジストを現像する際に共に現像されるレジスト下層膜を形成するため、添加剤として架橋剤、光酸発生剤に加え、光ラジカル重合開始剤を含有する感光性レジスト下層膜形成組成物を提供するものである。この光ラジカル重合開始剤は、未反応の光酸発生剤から効率よく酸を発生させることができるため、該光酸発生剤の添加量を増やす必要がない。本発明の第1態様は、ヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも1つ有する複素環を有するポリマー、架橋性化合物、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤及び有機溶剤を含む、感光性レジスト下層膜形成組成物である。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成方法は、半導体基板上に当該組成物を塗布しベークしてレジスト下層膜を形成し、前記レジスト下層膜上にレジスト溶液を塗布しベークしてレジストを形成し、前記レジスト下層膜と前記レジストで被覆された半導体基板を露光し、必要に応じて露光後ベークPostExposureBakeを行った後、前記レジストと前記レジスト下層膜を現像する工程を有する。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物を用いることによって、1形成されるレジスト下層膜はアルカリ現像液への優れた溶解性を有するため、上層のレジストと共に現像除去することができる、2現像後の残渣生成が抑制され、形成されるパターンの断面形状を所望の形状概略矩形状とすることができる、3形成されるレジスト下層膜はドライエッチングを行うことなく除去可能であるため、イオン注入工程など、ドライエッチングによる基板表面の損傷に敏感な工程を含む半導体素子の製造に適用できる。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV極端紫外線等リソグラフィー工程で使われる光に対する吸収性を示す部位である、ヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも1つ有する複素環を有する。ここで、前記芳香環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。前記複素環としては、例えばトリアジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、カルバゾール環が挙げられる。上記ポリマーは、例えば下記式1で表される少なくとも1種の構造単位を有する。式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Xは直接結合、-C=O-O-基又は-C=O-NH-基を表し、R2は直接結合又は炭素原子数1乃至3のアルキレン基を表し、Arはヒドロキシ基若しくはカルボキシル基を置換基として有してもよい芳香環又は窒素原子を少なくとも1つ有する複素環を表す。上記式1で表される構造単位の具体例を下記式1-1乃至式1-20に示す。本発明の組成物に含まれるポリマーは、例えば下記式1-1乃至式1-20から選択した2種以上の構造単位を有する共重合体とすることができ、上記式1で表される構造単位と該式1で表されない構造単位とを有する共重合体とすることもできる。上記式1においてXが-C=O-O-基及び-C=O-NH-基から選択される連結基を表す場合、該連結基の炭素原子が前記ポリマーの主鎖と結合し、該Xが直接結合を表す場合、R2で表されるアルキレン基が前記ポリマーの主鎖と結合する。前記R2が直接結合を表す場合、前記Xで表される連結基がArで表される芳香環又は複素環と結合する。前記X及び前記R2が直接結合を表す場合、前記Arで表される芳香環又は複素環が前記ポリマーの主鎖と結合する。上記式1-19及び式1-20で表される構造単位は、酸により脱保護が可能な置換基を有する構造単位でもある。酸により脱保護が可能な置換基としては、例えば2-ナフチルプロパン-2-イル基、エチルアダマンチル基、エチルシクロヘキシル基、イソプロピルアダマンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基が挙げられる。このような構造単位の具体例をさらに下記式2-1乃至式2-5に示す。前記酸により脱保護可能な置換基を有する構造単位は、前記式1で表される構造単位との共重合体を構成することができる。前記ポリマーの重量平均分子量は、例えば1000乃至100000、好ましくは3000乃至30000である。このポリマーの重量平均分子量が1000より小さいと、形成される膜のレジスト溶剤に対する耐性が不十分になる場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、標準試料としてポリスチレンを用いて得られる値である。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物に含まれる架橋性化合物としては、例えば、少なくとも2つのビニルエーテル基を有する化合物を用いることができる。この少なくとも2つのビニルエーテル基を有する化合物としては、例えばビス4-ビニルオキシメチルシクロヘキシルメチルグルタレート、トリエチレングリコールジビニルエーテル、アジピン酸ジビニルエステル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、1,2,4-トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート、1,3,5-トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテート、ビス4-ビニルオキシブチルテレフタレート、ビス4-ビニルオキシブチルイソフタレート、エチレングリコールジビニルエーテル、1,4-ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,4-シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル及びシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルが挙げられる。これらの化合物は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。上記架橋性化合物の含有量は、前記ポリマーの含有量に対し例えば1質量乃至80質量、好ましくは10質量乃至75質量である。前記架橋性化合物の含有量が過少である場合及び過剰である場合には、形成される膜のレジスト溶剤に対する耐性が得られにくくなることがある。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物に含まれる光酸発生剤としては、露光に使用する光の照射によって酸を発生する化合物であれば特に制限はないが、例えば、ジアゾメタン化合物、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ニトロベンジル化合物、ベンゾイントシラート化合物、ハロゲン含有トリアジン化合物、及びシアノ基含有オキシムスルホナート化合物が挙げられる。上記オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホナート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホナート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート等のヨードニウム塩、又はトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホナート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロブチルスルホナート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロプロパンジスルホニルイミド及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のスルホニウム塩化合物が挙げられる。上記光酸発生剤の含有量は、前記ポリマー含有量に対し、例えば0.2質量乃至30質量、好ましくは0.5質量乃至25質量、さらに好ましくは0.5質量乃至20質量である。前記光酸発生剤の含有量が過剰である場合には、形成されるパターンの断面形状に好ましくない影響を与える、すなわちパターン底部がアンダーカット形状になる又はパターンが倒壊することがある。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物に含まれる光ラジカル重合開始剤としては、例えば、2-ヒドロキシ-1-{4-4-2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル-ベンジル-フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、ビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルホスフィンオキサイド、2,2’-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オンが挙げられる。前記光ラジカル重合開始剤は、ラジカル型光重合開始剤、光ラジカル開始剤などと表現されることもある。上記光ラジカル重合開始剤の含有量は、前記ポリマー含有量に対し、例えば0.1質量乃至50質量、好ましくは0.3質量乃至45質量、さらに好ましくは0.5質量乃至40質量である。前記光ラジカル重合開始剤の含有量が過少である場合には、前記光酸発生剤からの酸の発生を促進するための効果を十分に得ることができない。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物は、必要に応じて、さらに塩基性化合物を含有することができる。この塩基性化合物は、クエンチャーとも表現され、該塩基性化合物を添加することにより、レジスト下層膜の露光時の感度調整を行うことができる。したがって、塩基性化合物が、露光時に光酸発生剤により発生した酸と反応し、レジスト下層膜の感度を低下させることが可能である。また、露光部のレジスト下層膜中の光酸発生剤より生じた酸の未露光部のレジスト下層膜への拡散を抑えることができる。前記塩基性化合物としては、例えば、アミン類、水酸化アンモニウム類が挙げられる。上記アミン類としては、例えば、トリエタノールアミン、トリブタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルアミン、トリ-tert-ブチルアミン、トリノルマルオクチルアミン、トリイソプロパノールアミン、フェニルジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、及びジアザビシクロオクタン等の第3級アミン、ピリジン及び4-ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミンが挙げられる。また、ベンジルアミン及びノルマルブチルアミン等の第1級アミン、ジエチルアミン及びジノルマルブチルアミン等の第2級アミンもアミン類として挙げられる。これらのアミン類は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。上記水酸化アンモニウム類としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリエチルアンモニウム、水酸化セチルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリエチルアンモニウム等の水酸化四級アンモニウムが挙げられる。上記塩基性化合物の含有量は、前記ポリマーの含有量に対し、例えば0.2質量乃至30質量、好ましくは0.5質量乃至20質量である。前記塩基性化合物の含有量が過剰である場合には、形成される膜の感度が低下する場合がある。前記含有量が過少である場合には、形成されるパターンの断面形状に好ましくない影響を与える、すなわちパターン底部がアンダーカット形状になる又はパターンが倒壊することがある。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物は、任意成分として、基板に対する塗布性を向上させるために界面活性剤を含有することができる。前記界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ登録商標EF301、同EF303、同EF352三菱マテリアル電子化成株製、メガファック登録商標F171、同F173、同R30DIC株製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム株製、アサヒガード登録商標AG710、サーフロン登録商標S-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製を挙げることができる。これらの界面活性剤は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。上記界面活性剤が使用される場合、該界面活性剤の含有量は、前記ポリマーの含有量に対し、例えば、0.01質量乃至5質量、好ましくは0.1質量乃至3質量である。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物は、上記各成分を適当な有機溶剤に溶解させることによって調製でき、均一な溶液状態で用いられる。このような有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、及びN-メチルピロリドン等を用いることができる。これらの有機溶剤は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。調製した感光性レジスト下層膜形成組成物は、孔径が例えば0.2μm程度のフィルターなどを用いてろ過した後、使用することが好ましい。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物は、室温で長期間の貯蔵安定性にも優れる。以下、本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物の使用について説明する。基板例えば、酸化珪素膜で被覆されたシリコンウエハ等の半導体基板、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜で被覆されたシリコンウエハ等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む、ITO膜が形成されたガラス基板等の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物を塗布し、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることによりレジスト下層膜が形成される。ベーク条件としては、ベーク温度100°C乃至220°C、ベーク時間0.3分乃至10分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度120°C乃至210°C、ベーク時間0.5分乃至5分間である。形成されるレジスト下層膜の膜厚としては、例えば0.001μm乃至1μm、好ましくは0.002μm乃至0.5μm、より好ましくは0.002μm乃至0.1μmである。ベーク時の温度が、上記範囲より低い場合には架橋が不十分となり、上層に形成されるレジストとインターミキシングを起こすことがある。一方、ベーク時の温度が上記範囲より高い場合は、現像性の低下を起こすことがある。次いで前記レジスト下層膜の上に、レジストを形成する。レジストの形成は一般的な方法、すなわち、フォトレジスト溶液のレジスト下層膜上への塗布及びベークによって行なうことができる。前記レジストの形成に使用するフォトレジスト溶液としては、露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はなく、ポジ型フォトレジストが使用できる。ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジストがある。例えば、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ社製,商品名:APEX-E、住友化学株製,商品名:PAR710、及び信越化学工業株製,商品名:R430等が挙げられる。レジストパターンを形成する際、所定のパターンを形成するためのマスクレチクルを通して露光が行なわれる。露光には、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV極端紫外線等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱PostExposureBakeが行なわれる。露光後加熱の条件としては、加熱温度80°C乃至150°C、加熱時間0.3分乃至10分間の中から適宜、選択される。その後、アルカリ現像液で現像する工程を経て、レジストパターンが形成される。本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物から形成されたレジスト下層膜は、アルカリ現像液に可溶であるため、露光を行った後、アルカリ現像液でレジスト及びレジスト下層膜両層の一括現像が可能である。前記アルカリ現像液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液等のアルカリ性水溶液を挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、現像温度5°C乃至50°C、現像時間10秒乃至300秒から適宜選択される。本発明のレジスト下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜は、フォトレジストの現像に汎用されている2.38質量の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、室温で容易に現像を行なうことができる。以下、本発明の感光性レジスト下層膜形成組成物の具体例を、下記実施例を用いて説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。下記合成例で得られたポリマーの重量平均分子量の測定に用いた装置等を示す。装置:東ソー株製HLC-8220GPCGPCカラム:Shodex登録商標KF-803L、同KF-802、同KF-801カラム温度:40°C流量:0.2mL/分溶離液:THF<合成例1>N-メタクリルアミド東京化成工業株製20g、4-ビニル安息香酸東京化成工業株製11.148g、9-アントラセンメチルメタクリレート大阪有機化学工業株製17.327g、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル和光純薬工業株製4.8gをメタノール124.4gに溶解した。70°Cに加温したメタノール90gに10時間かけて滴下し、温度を70°Cに保ったまま12時間反応させた。得られた反応混合物を酢酸エチルに投入して、ポリマーを沈殿させた。得られた粉末状ポリマーを減圧下乾燥させることで、下記式8-1で表される構造単位を有するポリマーを42.5g得た。GPCによる重量平均分子量の測定結果はポリスチレン換算で約12000であった。得られた該ポリマーを、以下aと略称する。<実施例1乃至実施例8>下記表1に示す、ポリマーA、架橋性化合物B、光酸発生剤C、光ラジカル重合開始剤D、溶剤E及び任意成分である塩基性化合物Fを用い、溶液を作製した。その後、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、感光性レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。<比較例1及び比較例2>下記表1に示すポリマーA、架橋性化合物B、光酸発生剤C、溶剤E及び塩基性化合物Fを用い、溶液を作製した。その後、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、感光性レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。各実施例及び比較例で使用した架橋性化合物Bは、下記式8-2で表される1,3,5-トリス4-ビニルオキシブチルトリメリテートである。この化合物を以下、bと略称する。実施例1乃至実施例6及び比較例1で使用した光酸発生剤Cは、下記式8-3で表されるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナートみどり化学株製、製品名TPS-105である。この化合物を以下、c-1と略称する。実施例7、実施例8及び比較例2で使用した光酸発生剤Cは、下記式8-4で表されるトリフェニルスルホニウムパーフルオロプロパンジスルホニルイミドDaychemLaboratories社製、製品名CGITPSN3である。この化合物を以下、c-2と略称する。実施例1、実施例2、実施例7及び実施例8で使用した光ラジカル重合開始剤Dは、下記式8-5で表される2-ヒドロキシ-1-{4-4-2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル-ベンジル-フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オンBASF社製、製品名IRGACURE登録商標127である。この化合物を以下、d-1と略称する。実施例3及び実施例4で使用した光ラジカル重合開始剤Dは、下記式8-6で表されるビス2,4,6-トリメチルベンゾイル-フェニルホスフィンオキサイドBASF社製、製品名IRGACURE登録商標819である。この化合物を以下、d-2と略称する。実施例5及び実施例6で使用した光ラジカル重合開始剤Dは、下記式8-7で表される2,2’-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オンBASF社製、製品名IRGACURE登録商標651である。この化合物をd-3と略称する。各実施例及び比較例で使用した有機溶剤Eは、プロピレングリコールモノメチルエーテルe-1及びシクロヘキサノンe-2からなる混合物である。各実施例及び比較例で使用した塩基性化合物Fは、下記式8-8で表される2,2’,2-ニトリロトリエタノール関東化学株製である。2,2’,2-ニトリロトリエタノールの別称はトリエタノールアミンである。この化合物をf-1と略称する。露光後の現像液への溶解性試験実施例1乃至実施例8並びに比較例1及び比較例2にて調製した感光性レジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いて半導体基板シリコンウエハ上に塗布した後、ホットプレートを用いて、140°Cで1分間ベークし、レジスト下層膜膜厚0.05μmを形成した。この得られたレジスト下層膜を再度110°Cで1分間ベークした後、株ニコン製スキャナーS-205C波長248nm、NA:0.75、σ:0.85Conventional照明を用い、所定の露光量にて露光20,40mJ/cm2を実施した露光面積は8mm×8mm。次にホットプレートを用いて、110°Cで1分間、露光後加熱PostExposureBakeを実施した。冷却後、現像液として2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて60秒間現像した。露光前の初期膜厚α及び現像後の最終膜厚βを大日本スクリーン製造株製の膜厚測定装置RE-3100にて測定し、下記式から現像液溶解率を算出し、光ラジカル重合開始剤Dを添加することによる効果を確認した。現像液溶解率={α-β/α}×100表2及び表3に示すように、光ラジカル重合開始剤Dを添加した実施例1乃至実施例6は光ラジカル重合開始剤Dを添加していない比較例1よりも現像液溶解率が大きく、同様に光ラジカル開始剤Dを添加した実施例7乃至実施例8は光ラジカル開始剤Dを添加していない比較例2よりも現像液溶解率が大きくなる結果が得られた。すなわち光ラジカル開始剤Dの添加により同一露光量における感光性レジスト下層膜形成組成物の現像液への溶解性を向上させることが可能であることを示唆している。"