回路基板の一方の面に接続された複数の接続部を備える電子部品を加熱する加熱工程と、前記電子部品を冷却する冷却工程とを繰り返し行う加熱冷却試験方法であって、前記加熱工程および前記冷却工程は、前記回路基板の他方の面に当該回路基板より熱伝導率の高い均熱材を配置して行う、加熱冷却試験方法。前記加熱工程において、前記電子部品の表面にレーザを照射することにより前記電子部品を加熱する請求項1記載の加熱冷却試験方法。前記均熱材は、前記レーザが照射される位置に対応する部分のみに配置される請求項2記載の加熱冷却試験方法。前記均熱材は、前記レーザが照射される位置とは異なる位置に対応する部分のみに配置され、前記加熱工程において、さらに、前記均熱材を加熱する請求項2記載の加熱冷却試験方法。前記冷却工程において、前記均熱材に固体冷媒を接触させて前記電子部品を冷却する請求項1~4のいずれか1項に記載の加熱冷却試験方法。前記均熱材の材料は、アルミニウム、銅およびグラファイトのいずれか1つである請求項1~5のいずれか1項に記載の加熱冷却試験方法。回路基板の一方の面に接続された複数の接続部を備える電子部品を加熱する加熱部と、前記電子部品を冷却する冷却部とを備え、前記加熱部は、前記回路基板の他方の面に前記回路基板より熱伝導率の高い均熱材が配置された状態で、前記電子部品を加熱する加熱冷却試験装置。前記加熱部は、前記電子部品の表面に照射させるレーザを出力するレーザ発振器を有する請求項7記載の加熱冷却試験装置。前記均熱材は、前記レーザが照射される位置に対応する部分のみに配置される請求項8記載の加熱冷却試験装置。さらに、前記均熱材を加熱する補助加熱装置を備え、前記均熱材は、前記レーザが照射される位置とは異なる位置に対応する部分のみに配置される請求項8記載の加熱冷却試験装置。前記冷却部は、前記均熱材に接触される固体冷媒である請求項7~10のいずれか1項に記載の加熱冷却試験装置。前記均熱材の材料は、アルミニウム、銅およびグラファイトのいずれか1つである請求項7~11のいずれか1項に記載の加熱冷却試験装置。しかしながら、従来の加熱冷却試験装置1000の構成では、モールド樹脂を構成要素とするBGAなどの電子部品を加熱する場合、複数のはんだ接続部に対して、加熱位置から各はんだ接続部までの熱伝導距離が異なるので、加熱位置直下のはんだ接続部と加熱位置周辺のはんだ接続部との間に温度差が発生し、繰り返し温度サイクル試験において加熱位置直下のはんだ接続部に過大な負荷を与えるという問題がある。本発明は、このような問題を解決するものであり、温度による負荷を均一に与えることができる加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る加熱冷却試験方法は、回路基板の一方の面に接続された複数の接続部を備える電子部品を加熱する加熱工程と、前記電子部品を冷却する冷却工程とを繰り返し行う加熱冷却試験方法であって、前記加熱工程および前記冷却工程は、前記回路基板の他方の面に当該回路基板より熱伝導率の高い均熱材を配置して行うものである。このように、電子部品が接合される回路基板の裏面に均熱材を配置して加熱試験を行うことにより、電子部品と回路基板との間の複数の接続部において、各接続部における温度差を小さくすることができる。従って、熱が電子部品から接続部に移動するという自己発熱と同様の現象を起こすことができるとともに、各接続部における温度負荷を均一にすることができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験方法において、前記加熱工程において、前記電子部品の表面にレーザを照射することにより前記電子部品を加熱するように構成しても構わない。さらに、本発明に係る加熱冷却試験方法において、前記均熱材は、前記レーザが照射される位置に対応する部分のみに配置されるように構成することができる。これにより、複数の接続部のうち高温となる接続部の温度を低下させることができるので、接続部同士の温度差をさらに小さくすることができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験方法において、前記均熱材は、前記レーザが照射される位置とは異なる位置に対応する部分のみに配置され、前記加熱工程において、さらに、前記均熱材を加熱するように構成することもできる。これにより、複数の接続部のうち低温となる接続部の温度を上昇させることができるので、接続部同士の温度差を小さくすることができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験方法において、前記冷却工程において、前記均熱材に固体冷媒を接触させて前記電子部品を冷却するように構成することができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験方法において、前記均熱材の材料は、アルミニウム、銅およびグラファイトのいずれか1つであるとすることが好ましい。また、本発明に係る加熱冷却試験装置は、回路基板の一方の面に接続された複数の接続部を備える電子部品を加熱する加熱部と、前記電子部品を冷却する冷却部とを備え、前記加熱部は、前記回路基板の他方の面に前記回路基板より熱伝導率の高い均熱材が配置された状態で、前記電子部品を加熱するものである。このように、電子部品が接合される回路基板の裏面に均熱材を配置した状態で加熱試験を行うことができるので、電子部品と回路基板との間の複数の接続部において、各接続部における温度差を小さくすることができる。従って、熱が電子部品から接続部に移動するという自己発熱と同様の現象を起こすことができるとともに、各接続部における温度負荷を均一にすることができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験装置において、前記加熱部は、前記電子部品の表面に照射させるレーザを出力するレーザ発振器を有するように構成しても構わない。さらに、本発明に係る加熱冷却試験装置において、前記均熱材は、前記レーザが照射される位置に対応する部分のみに配置されるように構成することができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験装置において、前記均熱材を加熱する補助加熱装置を備え、前記均熱材は、前記レーザが照射される位置とは異なる位置に対応する部分のみに配置されるように構成することもできる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験装置において、前記冷却部は、前記均熱材に接触される固体冷媒であるように構成することができる。さらに、本発明に係る加熱冷却試験装置において、前記均熱材の材料は、アルミニウム、銅およびグラファイトのいずれか1つであるとすることが好ましい。本発明に係る加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置によれば、自己発熱と同様の熱伝導現象を起こすことで実際の破壊現象を引き起こすような熱過程の温度サイクルを与えることができるだけでなく、温度による負荷が均一な信頼性試験を行うことができる。以下、本発明の実施の形態に係る加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置について、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。実施の形態1まず、本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験装置100の概略構成について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験方法の実施に使用する加熱冷却試験装置の概略構成を示す図である。図1に示すように、本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験装置100は、電子部品200を回路基板300に実装した後における電子部品200と回路基板300との接続信頼性試験を行うための装置であり、回路基板300に接続された電子部品200を加熱する加熱部110と、電子部品200を冷却する冷却部120とを備える。加熱冷却試験装置100は、電子部品200に対して加熱と冷却との温度サイクルを繰り返して実施することで、接続信頼性試験を行う。加熱部110は、電子部品200を加熱する機能を有し、本実施の形態では、電子部品200を加熱するためのレーザビームLBを出力するレーザ発振器111と、レーザ発振器から出射したレーザビームLBを所定のビーム形状に成形するビーム成形部112と、レーザビームLBを偏向させて電子部品200にレーザビームLBを照射させるガルバノミラー113とを備える。ビーム成形部112およびガルバノミラー113はレーザビームLBの光軸上に設置されている。なお、ビーム成形部112は、レンズ等の光学系によって構成されている。冷却部120は、電子部品200を冷却する機能を有し、電子部品200が接続された回路基板300の下方において回路基板300と対向して配置される。本実施の形態における冷却部120は、固体冷媒であるペルチェ素子によって構成されている。また、加熱冷却試験装置100は、回路基板300を保持する保持部不図示を備えており、加熱冷却試験装置100内において、一方の面表面に電子部品200が接続実装された回路基板300は、この保持部によって保持されている。図1に示すように、電子部品200には複数の接続部210が設けられており、電子部品200の複数の接続部210と回路基板300の配線パターン等とが電気的に接続されている。本実施の形態において、電子部品200はモールド樹脂からなるBGAであり、複数の接続部210の各接続部はボールはんだからなるはんだ接合部である。そして、本実施の形態では、回路基板300の他方の面裏面には、均熱材400が配置されている。均熱材400は、回路基板300より熱伝導率の高い材料からなり、回路基板300の裏面に接触して配置されている。均熱材400の材料としては、金属などの熱伝導率が高いものを用いることが好ましく、例えばアルミニウムを用いることができる。また、均熱材400の形状は、平板状のものを用いることができ、本実施の形態では、図1に示すように、電子部品200における全ての接続部210を覆うような形状となっている。また、加熱冷却試験装置100は、更に、昇降機130、第1の温度測定器141、第2の温度測定器142および制御部150を備える。昇降機130は、鉛直方向に可動するアーム131を備えており、アーム131を駆動させることによって、冷却部120を回路基板300の方向鉛直方向に昇降させることができる。第1の温度測定器141は、電子部品200の表面に接続されており、電子部品300の保障温度を超えないことを監視するために、電子部品200の表面温度を測定する。本実施の形態では、BGAのパッケージの表面温度が測定される。第2の温度測定器142は、電子部品200の接続部210に接続されており、加熱工程および冷却工程において温度プロファイルを制御するために、接続部210の表面温度を測定する。本実施の形態では、ボールはんだの表面温度が測定される。第1の温度測定器141および第2の温度測定器142としては、測定対象に熱電対を接触させる接触式温度測定器または熱放射光を利用した非接触式温度測定器などを用いることができる。制御部150は、加熱冷却試験装置100における各構成の制御する機能を有し、レーザ発振器111の出力制御機能、ビーム成形部112のビーム形状制御機能、冷却部120の温度制御機能、昇降機130の昇降制御機能および温度サイクル制御機能などを有する。例えば、制御部150は、電子部品200の加熱時において、レーザ発振器111を動作させてレーザビームLBを出射させる一方、冷却部120が動作しないように制御する。この場合、昇降機130は降下状態となるように制御され、冷却部120と均熱材400とは離間している。また、制御部150は、電子部品200の加熱時において、第2の温度測定器142からの温度情報に基づいて、レーザ発振器111を制御してレーザビームLBの出力を調整したり、ビーム成形部112を制御してビーム形状を調整したりもする。一方、電子部品200の冷却時において、制御部150は、レーザ発振器111の出力を停止させ、冷却部120を動作させるとともに昇降機130を上昇させて冷却部120を均熱材400に接触させる。本実施の形態において、冷却部120はペルチェ素子であるので、ペルチェ素子の電流を制御することによって冷却機能を制御することができる。次に、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100を用いた加熱冷却試験方法について説明する。本実施の形態における加熱冷却試験方法は、回路基板300に実装された電子部品200を加熱する加熱工程と、電子部品200を冷却する冷却工程との温度サイクルを繰り返して行うものであり、電子部品200が実装された回路基板300の裏面に回路基板300より熱伝導率の高い均熱材400を配置した状態で加熱工程および冷却工程を行う。まず、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法における加熱工程加熱時について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験装置における加熱時の状態を示す図である。図2に示すように、まず、加熱する前に、一方の面に電子部品200が接続部210を介して実装されるとともに、他方の面に均熱材400が設けられた回路基板300を準備し、この回路基板300を保持部不図示によって保持させて加熱冷却試験装置100内にセットする。具体的に、電子部品200は、一片が30mm角のBGAからなる半導体パッケージであり、接続部210は、数十個のはんだボールからなるはんだ接合部である。また、均熱材400は、一片が70mm角のアルミニウムからなる平板であり、板厚を1.6mmとしている。次に、加熱部110によって電子部品200を加熱する。本実施の形態では、電子部品200にレーザビームを照射させることによって加熱する。具体的には、レーザ発振器111から発振されたレーザビームLBは、ビーム成形部112によって所定のビーム形状に成形される。次に、成形されたレーザビームLBは、ガルバノミラー113で偏向されて、電子部品200の表面に照射される。これにより、電子部品200が加熱されて、熱伝導により電子部品200の温度が上昇する。また、加熱によって生じる電子部品200の熱は、接続部210を介して回路基板300へと伝導する。このとき、加熱時において、第1の温度測定器141によって電子部品200の表面温度を継続して測定するとともに、第2の温度測定器142によって接続部210の温度を継続して測定する。測定された温度は、測定と同時に刻々制御部150に出力される。制御部150は、第2の温度測定器142によって検出された温度に基づいて、加熱部110を制御する。具体的には、第2の温度測定器142で測定された接続部210の温度と、制御部150に予め設定された温度プロファイルの加熱曲線とを照らし合わせて、第2の温度測定器142による検出温度が前記温度プロファイルから読み出した時々の目標温度に近付くように、制御部150はレーザ発振器111に対してレーザビームの出力状態を調整するための指示信号を出力する。また、第2の温度測定器142による検出温度が所定の最高温度に達した後は、その温度を前記温度プロファイルにおいて設定されている時間だけ維持させるように、制御部150はレーザ発振器111に対して指示信号を出力する。以上のようにして、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法における電子部品200の加熱試験工程が行われる。次に、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100を用いた加熱冷却試験方法の作用効果について説明する。上述のように電子部品200が加熱されると、樹脂モールドされたBGAからなる電子部品200においては、レーザビームLBの照射によって発生した熱は、樹脂から接続部210を介して回路基板300に伝導し、大気中空気に放熱する。このとき、回路基板300に均熱材400が設けられていない場合は、接続部210を通って回路基板300に伝導する熱は、電子部品200におけるレーザ照射位置照射直下の接続部210からレーザ照射位置の周囲の接続部210へと伝わっていく。そのため、複数の接続部210の温度については、回路基板300の熱の流れの影響により、レーザ照射位置における接続部210の温度は高くなり、レーザ照射位置の周辺における接続部210の温度は低くなる。この接続部210間の温度の違いにより、接続部210の負荷が異なり、温度が高い接続部210での負荷が大きくなる。これに対し、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100では、均熱材400が回路基板300に配置されているので、回路基板300を伝導する熱の流れを変更することができる。すなわち、均熱材400を配置した位置に対応する接続部210の温度を低下させることができるとともに熱を拡散させることができるので、複数の接続部210において、中央部と周辺部とにおける接続部210の温度差を小さくすることができる。具体的には、均熱材400を回路基板300に設けることにより、電子部品200の加熱時において、接続部210を介して電子部品200から回路基板300に伝導する熱を、均熱材400に熱伝導させることができる。これにより、接続部210のうち高温となっている接続部210の温度を低下させることができる。この結果、回路基板300の熱を拡散させて各接続部210における温度差を小さくすることができ、接続部210の温度を均一化することができる。ここで、均熱材400の有無による効果の違いを確かめる実験を行ったので、その実験結果について、図3および図4を用いて説明する。図3aは、均熱材を設けない比較例に係る加熱冷却試験装置を用いて加熱した時のはんだ接合部の測定ポイントを示す図であり、図3bは、その時のはんだ接合部の温度変化を示す図である。また、図4aは、均熱材を設けた本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験装置を用いて加熱した時のはんだ接合部の測定ポイントを示す図であり、図4bは、その時のはんだ接合部の温度変化を示す図である。なお、この実験では、上述と同様に、電子部品200としては30mm角のBGAを用い、均熱材400としては板厚が1.6mmで70mm角のアルミニウムからなる平板を用いた。但し、図3aおよび図4bは、電子部品200を4分割したときの1片4分の1の斜視図を示している。また、レーザの出力を27Wとし、レーザビームのビーム径をφ30mmとして、電子部品200の表面全体を加熱した。また、図3bおよび図4bにおいて、T1で示す温度変化曲線は、図3aおよび図4aに示される測定ポイントP1、すなわち中央部におけるはんだ接合部の温度を測定したものである。また、T2に示す温度変化曲線は、図3aおよび図4aに示される測定ポイントP2、すなわち周辺部におけるはんだ接続部の温度を測定したものである。図3bに示すように、均熱材を用いない場合は、はんだ接合部の中央部と周辺部とでは約50°Cの温度差が生じており、レーザ照射の加熱による温度負荷がはんだ接合部に対して均一ではないことが分かる。一方、図4bに示すように、均熱材を用いた場合は、はんだ接合部の中央部と周辺部との温度差を約6°Cにまで低下させることができる。これは、電子部品200に対して、均熱材400を回路基板300に設置することにより、回路基板300に伝導した熱が均熱材400へと伝導し、中央部におけるはんだ接合部の温度上昇が抑制されているからである。このように、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100では、回路基板300に均熱材400を設けることによって、電子部品200の加熱時におけるはんだ接合部の温度を均一化することができる。また、図3bおよび図4bの結果は、同じ条件にてレーザ照射を行ったものであるが、図3aの比較例では均熱材を設けてないために、図3bに示すように全体的に温度が上昇している。一方、図4aの本実施形態では均熱材を設けているので熱が広がり、図4bに示すように、全体的な温度上昇は起こらなかった。なお、図3aの比較例においてレーザ照射量を下げて実験したとしても、図3bに示される割合と同じ割合によって中央部と周辺部とで温度差が生じ、図4bに示すように、中央部と周辺部との温度差は小さくならない。次に、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法における冷却工程冷却時について、図5を用いて説明する。図5は、本発明の実施の形態1に係る加熱冷却試験装置における冷却時の状態を示す図である。電子部品200を冷却する場合、制御部150によって、レーザ発振器111から発振するレーザビームLBの出力を停止させるとともに、昇降機130を駆動して冷却部120を上昇させて、冷却部120を均熱材400の底面に接触させる。このとき、冷却時においても、第1の温度測定器141によって電子部品200の表面温度を測定するとともに、第2の温度測定器142によって接続部210の温度を測定して、測定した温度を制御部150に出力する。制御部150は、それと同時に、加熱時と同様に、第2の温度測定器142によって検出された温度に基づいて、冷却部120を制御する。具体的には、第2の温度測定器142で測定された接続部210の温度と、制御部150に予め設定された温度プロファイルの冷却曲線とを照らし合わせて、第2の温度測定器142による検出温度が前記温度プロファイルから読み出した時々の目標温度に近付くように、制御部150は冷却部120を制御する。また、第2の温度測定器142による検出温度が所定の最低温度に達した後は、その温度を前記温度プロファイルにおいて設定されている時間だけ維持させるように、制御部150は冷却部120に対して指示信号を出力する。なお、本実施の形態において、冷却部120はペルチェ素子であるので、制御部150はペルチェ素子への通電を制御する。以上のようにして、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法における電子部品200の冷却試験工程が行われる。次に、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100を用いた加熱冷却試験方法において、加熱工程と冷却工程とを交互に行う温度サイクル工程における温度変化について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施の形態1に係るおける加熱冷却試験装置を用いて加熱冷却試験方法を行った時のはんだ接合部における温度変化を示す図である。なお、図6において、温度を測定する測定ポイントは図4aにおける測定ポイントと同様である。したがって、図6において、T1で示す温度変化曲線は、図4aに示される測定ポイントP1の温度を測定したものであり、T2に示す温度変化曲線は、図4aに示される測定ポイントP2、すなわち周辺部におけるはんだ接続部の温度を測定したものである。まず、電子部品200を加熱する加熱工程は上述のように行い、その後、例えば、冷却時における冷却部120ペルチェ素子の温度を-40°Cに設定すると、図6に示すように、レーザ照射を停止して約2分後には電子部品200は-40°Cに達していた。このように、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100では、回路基板300に均熱材400を設けて加熱工程を行っており、また、回路基板300に設けられた均熱材400に冷却部120を接触させて冷却工程を行っている。これにより、加熱冷却対象が電子部品200のみとすることができるので、熱容量を小さくすることができ、温度サイクルにおける加熱時間および冷却時間を短縮することができる。実際、図6に示すように、加熱や冷却に要する時間は、それぞれ従来の大型試験槽では30分程度を要していたものに比べて、約1/4に時間短縮できることがわかる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2に係る加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置について説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係る加熱冷却試験装置の要部構成回路基板近傍を示す図である。なお、図7において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図7に示す本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100Aが、図1に示す実施の形態1に係る加熱冷却試験装置100と異なる点は、本実施の形態では、均熱材400Aが複数の接続部210のうち温度が高くなる接続部210のみに設けられている点である。すなわち、本実施の形態では、レーザが照射される位置に対応する回路基板300の裏面の部分のみに均熱材400Aを接触させて配置している。本実施の形態では、均熱材400Aにおける回路基板300との接触面積が、電子部品200における回路基板300に対向する部分の面積に対して、40となるようにした。なお、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法については、実施の形態1と同様にして行うことができる。以上、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置および加熱冷却試験方法によれば、レーザ照射時に高温となる接続部210に対応する位置にのみ均熱材400Aが設けられている。例えは、電子部品200の中央部にレーザ照射する場合、均熱材400Aは電子部品200の中央部に対応する位置にのみ設けられる。これにより、複数の接続部210のうち高温となる中央部の接続部210の温度を低下させることができるので、接続部210における中央部と周辺部との温度差を小さくすることができ、接続部210に対する温度による負荷を均一にして加熱を行うことができる。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3に係る加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置について説明する。図8は、本発明の実施の形態3に係る加熱冷却試験装置の要部構成回路基板近傍を示す図である。なお、図8において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。図8に示す本実施の形態に係る加熱冷却試験装置100Bが、図1に示す実施の形態1に係る加熱冷却試験装置100と異なる点は、本実施の形態では、均熱材400Bが複数の接続部210のうち温度が低くなる接続部210のみに設けられている点と、加熱を補助する補助加熱装置110Bが均熱材400Bに接触させて配置されている点である。すなわち、本実施の形態では、レーザが照射される位置ではなく、そのレーザが照射される位置とは異なる位置である周辺部に対応する回路基板300の裏面の部分のみに均熱材400Bを接触させて配置している。例えば、均熱材400Bは、レーザが照射される位置を除くように、レーザが照射される位置を取り囲むように形成することができる。補助加熱装置110Bは、ヒータなどの加熱器によって構成することができ、均熱材400Bの裏面回路基板300側の面とは反対側の面に接触させて配置される。補助加熱装置110Bは、電子部品200がレーザ照射によって加熱される時に、均熱材400Bを加熱する。これにより、加熱工程において、均熱材400Bを介して、電子部品200の複数の接続部210のうちレーザが照射されていない周辺部の接続部210の温度を上昇させることができる。なお、本実施の形態に係る加熱冷却試験方法については、実施の形態1と同様にして行うことができる。以上、本実施の形態に係る加熱冷却試験装置および加熱冷却試験方法によれば、レーザ照射時に低温となる接続部210に対応する位置にのみ均熱材400Bが設けられるとともに、均熱材400Bを加熱する補助加熱装置110Bが設けられている。例えは、電子部品200の中央部にレーザ照射する場合、均熱材400Bは電子部品200の周辺部に対応する位置にのみ設けられ、補助加熱装置110Bによって均熱材400Bを加熱する。これにより、複数の接続部210のうち低温となる周辺部の接続部210の温度を上昇させることができるので、接続部210における中央部と周辺部との温度差を小さくすることができ、接続部210に対する温度による負荷を均一にして加熱を行うことができる。なお、本実施の形態において、補助加熱装置110Bとしては、図8に示すように、板状のヒータを用いているが、レーザビームを成形して均熱材400Bを補助加熱するように構成してもよい。以上、本発明に係る加熱冷却試験方法および加熱冷却試験方法について、実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施の形態では、均熱材400の材料としてアルミニウムを用いたが、これに限らない。均熱材400の材料としては、銅又はグラファイトを用いることもできる。銅又はグラファイトは、アルミニウムよりも熱伝導率が高く、アルミニウムよりもさらに面内の熱均一性を向上させることができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。