表面と裏面にそれぞれ電極をもつ略矩形状の半導体チップをリードフレーム上に複数個配列して搭載し、前記電極が並列に接続されてそれぞれ取り出される形態を具備する半導体モジュールであって、前記半導体チップをマウントする部品搭載領域は、外周に沿って前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を形成することで形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に余剰半田を流出させるに十分な開口部が設けられていることを特徴とする半導体モジュール。前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される前記低半田濡れ性領域の4つの角部に前記開口部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される前記低半田濡れ性領域の4つの辺部に前記開口部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。表面と裏面にそれぞれ電極をもつ略矩形状の半導体チップをリードフレーム上に複数個配列して搭載し、前記電極が並列に接続されてそれぞれ取り出される形態を具備する半導体モジュールであって、前記半導体チップをマウントする部品搭載領域は、外周に沿って前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を形成することで形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に、前記半導体チップを取り囲む内周に対し、余剰半田が流出できる凹部が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される前記低半田濡れ性領域の4つの角部に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体モジュール。前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される前記低半田濡れ性領域の4つの辺部に前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体モジュール。本発明は、半導体チップを半田付けする際の半導体チップの高精度な位置決めを実現しつつ、実装の際における余剰半田による半田ボールの発生を防止するとともに、複数の半導体チップにおける高さばらつきの少ない実装を可能とする半導体モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体モジュールは、表面と裏面にそれぞれ電極をもつ略矩形状の半導体チップをリードフレーム上に複数個配列して搭載し、前記電極が並列に接続されてそれぞれ取り出される形態を具備する半導体モジュールであって、前記半導体チップをマウントする部品搭載領域は、外周に沿って前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を形成することで形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に余剰半田を流出させるに十分な開口部が設けられていることを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される低半田濡れ性領域の4つの角部に前記開口部がそれぞれ設けられていることを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される低半田濡れ性領域の4つの辺部に前記開口部がそれぞれ設けられていることを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、表面と裏面にそれぞれ電極をもつ略矩形状の半導体チップをリードフレーム上に複数個配列して搭載し、前記電極が並列に接続されてそれぞれ取り出される形態を具備する半導体モジュールであって、前記半導体チップをマウントする部品搭載領域は、外周に沿って前記部品搭載領域と比べ半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を形成することで形成され、前記低半田濡れ性領域の少なくとも一部に、前記半導体チップを取り囲む内周に対し、余剰半田が流出できる凹部が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される低半田濡れ性領域の4つの角部に前記凹部が形成されていることを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記部品搭載領域は前記半導体チップの裏面電極の面積とほぼ同等の略矩形状に形成され、前記部品搭載領域の外周に沿って形成される低半田濡れ性領域の4つの辺部に前記凹部が形成されていることを特徴とする。本発明は、以上のように構成されているので、半導体チップを半田付けする際において、半導体チップの平坦度が高く高精度な位置決めを実現しつつ、かつ実装の際における余剰半田による半田ボールの発生を防止することができる。次に、本発明の実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。なお、ここで示す実施形態は一例であって、本発明はここに示す実施形態に限定される趣旨ではない。実施形態1図3は、本発明の半導体モジュール1の半導体チップ16実装前の構成を示す斜視図である。また図4は、この半導体モジュール1の半導体チップ16実装後の構成を示す斜視図である。この半導体モジュール1においては、リードフレーム20の上に6個の半導体チップ16が2×3の配置で搭載される。このリードフレーム20は、大きな平板状であり、導電性及び熱伝導率の高い銅または銅合金で構成される。また、その表面は半田付けが可能となるべく表面処理が施されている。半導体チップ16は6個用いられているが、全て同一の仕様であるとし、それぞれが2つの電極アノード電極、カソード電極を持つ。このうち、全ての半導体チップにおける一方の電極は、半田を介してリードフレームに接続される。全ての半導体チップにおける他方の電極は、図示しないリード配線によって、互いに接続される。尚、図4においては、半田の記載は省略されている。リードフレーム20上には、相対的に半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域19で取り囲むようにして部品搭載領域18が搭載する半導体チップ16の個数に応じて形成されている。尚、相対的に半田濡れ性の低いとは、前記リードフレーム20表面及び前記部品搭載領域18と比べて半田濡れ性の低いことを意味する。ここで、部品搭載領域18は、半導体チップ16の裏面電極の面積に対し、ほぼ等しい大きさに形成される。部品搭載領域18の周囲に形成される低半田濡れ性領域19は、部品搭載領域18の外周に沿って形成されるが、部品搭載領域18の全てを取り囲んでおらず、部分的に開口部21が設けられている。この開口部21は、余剰半田を流出させる機能を有する。低半田濡れ性領域19は、例えばリードフレーム20表面層の所定の領域にレーザーを照射し、表面を酸化することで形成することができる。図5は、第1の実施形態において、半導体チップ16実装後における1つの半導体チップ16周辺の構成を拡大した概略平面図である。平面視において略矩形状の外形を有した半導体チップ16をリードフレーム20上の部品搭載領域18に実装するようにしている。上面視から見た略矩形状の半導体チップ16の4辺の各辺に沿って、半導体チップ16を取り囲むように低半田濡れ性領域19が形成されている。当該低半田濡れ性領域19は、半導体チップ16の4つの角部においては互いに接続されていない。この低半田濡れ性領域19の互いに接続されない箇所開口部21は、依然として半田付けが可能となるべく表面処理が施されたままの状態であるから、当該開口部21より余剰半田を流出させることができるため、半導体チップ16実装時における半田ボール17の形成を防止することができる。尚、部品搭載領域18は、半導体チップ16の裏面電極の面積とほぼ等しくなるよう、即ち低半田濡れ性領域19と実装後の半導体チップ16との隙間は出来る限り生じないよう形成される。こうすることで、半導体チップ16は部品搭載領域18に塗布されるクリーム半田15の凝固時における表面張力により、指定領域に高精度に位置決めされることになる。尚、前記開口部21の開口幅は、半導体チップ16の大きさにより、適宜調整し、余剰半田が流出できる十分な幅を設けることが望ましい。実施形態2図6は、第2の実施形態として、第1の実施形態と比較し、略矩形状の外形を有した半導体チップ16に対し、低半田濡れ性領域19における開口部21の位置を変更したものである。半導体チップ16の周囲のうち、4つの角部をL字状に取り囲むように低半田濡れ性領域19が形成されるが、低半田濡れ性領域19は実装後の半導体チップ16の辺部それぞれの中心付近では互いに繋がっておらず開口部21が形成される。実装後の半導体チップ16の辺部それぞれの中心付近に形成される開口部21は、依然として半田付けが可能となるべく表面処理が施されたままの状態であり、この部分より半導体チップ16実装時における余剰半田を流出させることができ、半田ボール17の発生を防止することができる。このように、半導体チップ16の周辺に沿って形成される余剰半田流出部としての開口部21の位置、範囲等は、周辺部品等との配置により、適宜設定することができる。実施形態3図7は、第3の実施形態を示したものである。半導体チップ16の全周囲を低半田濡れ性領域19で取り囲むように部品搭載領域18が半導体チップ16の裏面電極の面積とほぼ等しくなるよう形成される。ここで、実施形態3における低半田濡れ性領域19は、略矩形状の外形を有した半導体チップ16の4つの辺部の中央付近では半導体チッップ16との隙間を出来る限り無くすようにして形成されるが、半導体チップ16の4つの角部の周囲には半田の濡れやすい一定の領域を残すように形成される。すなわち、低半田濡れ性領域19は、半導体チップ16の4つの角部においては、半田付けが可能となるべく表面処理が施された一定の領域を残すように凹部22を形成しつつ、半導体チップ16の全周を完全に囲むように形成される。この4つの角部に設けられた凹部22は、半田付けが可能となるべく表面処理が施されたままの状態であるため、余剰半田流出部として機能し、半導体チップ16実装時における半田ボール17の発生を防止できる。この余剰半田流出部は低半田濡れ性領域19に囲まれているため、半導体チップ16実装時における部品搭載領域18から流出する余剰半田は、低半田濡れ性領域19を超えて外部へ流出することはない。また、半導体チップ16の4つの辺部においては低半田濡れ性領域19が半導体チップ16との隙間を出来る限り生じないよう形成されるため、半導体チップ16は部品搭載領域18に対し、高精度に位置決めされることになる。実施形態4図8は、第4の実施形態を示したものである。第4の実施形態は、第3の実施形態と比較し、略矩形状の外形を有した半導体チップ16に対し、低半田濡れ性領域19で形成される凹部22の位置を変更したものである。低半田濡れ性領域19は、略矩形状の外形を有した半導体チップ16それぞれの角部付近では半導体チップ16との隙間を出来る限り生じないようL字状に取り囲むように低半田濡れ性領域19が形成されるが、半導体チップ16の4つの辺部の中央付近には半田付けが可能となるべく表面処理が施された一定領域を残すように凹部22が形成される。この凹部22も、第3の実施形態と同様に半田流出部として機能し、実施形態3の半導体モジュールと同様の効果を奏する。以上ように、余剰半田流出部として半導体チップ16の周囲に沿って低半田濡れ性領域19に形成される開口部21または凹部22は、半導体チップ16の4つの辺部それぞれ、または4つの角部それぞれに均等に設けることが好ましい。このように形成することで、余剰半田はそれぞれの開口部21及び凹部22へ、おおよそ均等に流出するため、実装後の半導体チップ16は、より高さばらつきの少ない実装が可能となる。