第1の側面を有し、炭化珪素からなる第1の単結晶板と、前記第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる第2の単結晶板と、前記第1および第2の側面の間で前記第1および第2の側面を互いにつなぐ接合部とを備え、前記接合部の少なくとも一部は、炭化珪素から作られた1μm以下の最大長さを有する粒子から作られている、炭化珪素基板。前記接合部の前記少なくとも一部は、前記接合部のうち30体積以上を占める、請求項1に記載の炭化珪素基板。前記接合部は、融点1600°C以上の材料から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を含む、請求項1に記載の炭化珪素基板。第1の側面を有し、炭化珪素からなる第1の単結晶板と、前記第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる第2の単結晶板と、前記第1および第2の側面の間で前記第1および第2の側面を互いにつなぐ接合部とを備え、前記接合部の断面視において、炭化珪素から作られた1μm以下の最大長さを有する粒子によって占められる領域の面積の、前記接合部の断面視の全面積に対する割合が2以上である、炭化珪素基板。前記接合部は断面視において、炭化珪素から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を含む、請求項4に記載の炭化珪素基板。前記第1および第2の単結晶板の各々を支持する支持部をさらに備える、請求項1~5のいずれか1項に記載の炭化珪素基板。前記支持部は炭化珪素から作られている、請求項6に記載の炭化珪素基板。第1の裏面と第1の側面とを有する第1の単結晶板と、第2の裏面と第2の側面とを有する第2の単結晶板と、第1および第2の裏面の各々に接合された支持部とを含む複合基板を準備する工程を備え、前記第1および第2の側面が互いに対向することによって、前記第1および第2の側面の間に、開口を有する隙間が形成されており、さらに前記隙間の前記開口から、ポリカルボシランおよびその誘導体の少なくともいずれかを含有する流動体を注入することによって、前記第1および第2の側面の間をつなぐ流動体部を形成する工程と、前記流動体部を熱処理によって固化することで、前記隙間の少なくとも一部を埋める接合部を形成する工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。前記接合部を形成する工程において、前記熱処理は800°C以上2000°C以下の温度で行われる、請求項8に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記流動体部を形成する工程は、前記流動体に、融点1600°C以上の材料から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を混ぜる工程を含む、請求項8または9に記載の炭化珪素基板の製造方法。前記支持部は炭化珪素から作られている、請求項8~10のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。しかし上記従来の方法では、隙間の開口を塞いでいる部分に大きな応力が生じ、その結果、基板が大きく反ってしまうことがあった。反りが過剰に大きい基板を用いて半導体装置を製造すると、それに起因して歩留まりが低下することがあり得る。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供することである。本発明の一の局面に従う炭化珪素基板は第1および第2の単結晶板および接合部を有する。第1の単結晶板は、第1の側面を有し、炭化珪素からなる。第2の単結晶板は、第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部は、第1および第2の側面の間で第1および第2の側面を互いにつないでいる。接合部の少なくとも一部は、炭化珪素から作られた1μm以下の最大長さを有する粒子から作られている。上記一の局面に従う炭化珪素基板によれば、接合部を形成している炭化珪素の粒径が小さいことによって、接合部中に多くの粒界が形成される。これにより接合部中の応力が緩和されることで、基板の反りを抑えることができる。よって、この基板を用いて半導体装置を製造する際に、基板の反りに起因した歩留まりの低下が抑制される。上記一の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部の、上記少なくとも一部は、接合部のうち30体積以上を占めている。上記一の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部は、融点1600°C以上の材料から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を含む。本発明の他の局面に従う炭化珪素基板は第1および第2の単結晶板および接合部を有する。第1の単結晶板は、第1の側面を有し、炭化珪素からなる。第2の単結晶板は、第1の側面と対向する第2の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部は、第1および第2の側面の間で第1および第2の側面を互いにつないでいる。接合部の断面視において、炭化珪素から作られた1μm以下の最大長さを有する粒子によって占められる領域の面積の、接合部の断面視の全面積に対する割合が2以上である。上記他の局面に従う炭化珪素基板によれば、接合部を形成している炭化珪素の粒径が小さいことによって、接合部中に多くの粒界が形成される。これにより接合部中の応力が緩和されることで、基板の反りを抑えることができる。よって、この基板を用いて半導体装置を製造する際に、基板の反りに起因した歩留まりの低下が抑制される。上記他の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部は断面視において、炭化珪素から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を含む。上記炭化珪素基板は好ましくは、第1および第2の単結晶板の各々を支持する支持部をさらに有する。上記炭化珪素基板は好ましくは、支持部は炭化珪素から作られている。本発明の炭化珪素基板の製造方法は、次の工程を有する。第1の裏面と第1の側面とを有する第1の単結晶板と、第2の裏面と第2の側面とを有する第2の単結晶板と、第1および第2の裏面の各々に接合された支持部とを含む複合基板が準備される。第1および第2の側面が互いに対向することによって、第1および第2の側面の間に、開口を有する隙間が形成されている。隙間の開口から、ポリカルボシランおよびその誘導体の少なくともいずれかを含有する流動体を注入することによって、第1および第2の側面の間をつなぐ流動体部が形成される。流動体部を熱処理によって固化することで、隙間の少なくとも一部を埋める接合部が形成される。上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、接合部を形成する工程において、熱処理は800°C以上2000°C以下の温度で行われる。上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、流動体部を形成する工程は、流動体に、融点1600°C以上の材料から作られた1μm超の最大長さを有する粒子を混ぜる工程を含む。上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、支持部は炭化珪素から作られている。なお本明細書において長さとは、ある方向における寸法のことをいう。またこの長さを最大とする特定の方向における長さを最大長さという。上記のように本発明によれば、半導体装置を製造する際の基板の反りに起因した歩留まりの低下を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、-バーを数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。実施の形態1図1および図2を参照して、本実施の形態の炭化珪素基板80aは、支持部30と、支持部30によって支持された被支持部10aと、接合部BDaとを有する。被支持部10aは、炭化珪素からなる単結晶板11~19を有する。単結晶板11~19の各々は、裏面および表面を有する。たとえば単結晶板11第1の単結晶板は裏面B1第1の裏面および表面F1第1の表面を有し、単結晶板12第2の単結晶板は裏面B2第2の裏面および表面F2第2の表面を有する。支持部30は、単結晶板11~19の各々の裏面に接合されている。さらに図3を参照して、単結晶板11~19の各々は側面を有する。たとえば、単結晶板11は側面S1第1の側面を有し、単結晶板12は、側面S1と対向する側面S2第2の側面を有する。互いに対向する側面の間には隙間VDが存在する。接合部BDaは、互いに対向する側面の間でこれら側面を互いにつないでいる。たとえば、側面S1およびS2の間で側面S1およびS2が互いにつながれている。隙間VDの表面側図2および図3における上側は、接合部BDaによって閉塞されている。接合部BDaは、たとえば、表面F1およびF2の間に位置する部分を含み、これにより表面F1およびF2が滑らかにつながっている。接合部BDaは実質的に炭化珪素から作られている。ただし製造工程上の理由で接合部BDa中に水素原子がある程度残留していてもよい。接合部BDaは微細粒部FGを含む。微細粒部FGは1μm以下の粒径を有する炭化珪素からなる。より具体的には、微細粒部FGは、炭化珪素から作られた、最大長さが1μm以下の粒子からなる。好ましくは、接合部BDaの体積のうち微細粒部FGの体積が2以上を占めている。より好ましくは、接合部BDaのうち微細粒部FGが30体積以上を占めている。さらに好ましくは接合部BDaの実質的に全体が微細粒部FGからなる。微細粒部FGの粒径は、たとえば数百nm程度である。微細粒部FGは多結晶構造を有する部分を含む。言い換えると、微細粒部FGに含まれる粒子のうち少なくとも一部の粒子の各々は単結晶構造を有する。また微細粒部FGはアモルファス構造を有する部分を含んでもよい。好ましくは、炭化珪素基板80aの厚さT図2に対する炭化珪素基板80aの平面視図1における最大長さD図1の割合は50以上500以下である。また好ましくは、最大長さDは100mm以上である。支持部30は、1800°C以上の温度に耐えることができる材料からなることが好ましく、たとえば、炭化珪素、炭素、または高融点金属からなる。高融点金属としては、たとえば、モリブデン、タンタル、タングステン、ニオビウム、イリジウム、ルテニウム、またはジルコニウムからなる。なお支持部30の材料として、上記のうち炭化珪素が用いられると、支持部30の物性を単結晶板11~19に、より近づけることができる。なお本実施の形態においては炭化珪素基板80aに支持部30が設けられているが、支持部30が省略された構成が用いられてもよい。この構成は、たとえば、炭化珪素基板80a図2の支持部30を研磨によって除去することにより得られる。また図1においては炭化珪素基板80aの平面視における形状として正方形状が示されているが、この形状は正方形状に限定されるものではなく、たとえば円形形状であってもよい。この形状が円形形状である場合、最大長さD図1は円形形状の直径である。次に本実施の炭化珪素基板80aの製造方法について説明する。なお以下において説明を簡略化するために単結晶板11~19のうち単結晶板11および12に関してのみ言及する場合があるが、単結晶板13~19も単結晶板11および12と同様に扱われる。図4および図5を参照して、複合基板80Pが準備される。複合基板80Pは、支持部30と、単結晶板群10とを有する。単結晶板群10は、単結晶板11および12を含む。単結晶板11の裏面B1と、単結晶板12の裏面B2との各々は、支持部30に接合されている。単結晶板11の側面S1と単結晶板12の側面S2との間には隙間GPが形成されている。隙間GPは、単結晶板11の表面F1と単結晶板12の表面F2との間に開口CRを有する。次に、ポリカルボシランまたはその誘導体を含有する流動体が準備される。好ましくはこの流動体はポリカルボシランを含有する。溶液の溶剤としては、たとえばキシレンが用いられ得る。流動体として、たとえば、スターファイアシステムズ社製で型番RD-478を有するプリカーサーポリマーを用いることができる。なお流動体は溶液に限定されず、たとえばゲル、ゾル、またはスラリーであってもよい。ここでポリカルボシランの誘導体とは、ポリカルボシランの原子および官能基の少なくともいずれかが置換された構造を有する高分子をいう。このような置換は、たとえば、ポリカルボシランの製造過程において意図せずして混入した不純物に起因して生じ得る。次にこの流動体が、隙間GPの開口CRを塞ぐように注入される。具体的には、流動体の塗布が行われる。この注入は、常温またはそれに近い温度において行い得る。なお流動体が隙間GP内により注入されるように、流動体が隙間GPに向かって押し付けられてもよい。また流動体が隙間GP内により注入されるように、塗布後に複合基板80Pの雰囲気が減圧されてもよい。図6を参照して、これにより、側面S1およびS2をつなぐように、流動体からなる流動体部PRaが形成される。この結果、隙間GP図5は、流動体部PRaによって閉塞された隙間VDとなる。次に流動体部PRaの熱処理が行われる。熱処理に用いられる雰囲気は、酸化反応を防ぐために低い酸素分圧を有することが好ましく、たとえば不活性雰囲気または真空雰囲気である。雰囲気圧力は、大気圧またはそれ以下が好ましい。熱処理の温度は、好ましくは800°C以上であり、たとえば1000°C程度である。流動体部PRa中に含まれる水素をより十分に除去することが望まれる場合は、熱処理温度は1300°C以上が好ましい。流動体部PRaのより十分な結晶化が望まれる場合は、熱処理温度は1600°C以上が好ましい。また熱処理温度は、炭化珪素の昇華を抑えるために、2000°C以下とされ、好ましくは1800°C以下とされる。熱処理時間は、たとえば30分程度である。この熱処理により流動体部PRaが接合部BDa図3へと変化することで、炭化珪素基板80a図3が得られる。本実施の形態によれば、図2に示すように、単結晶板11および12が支持部30を介して1つの炭化珪素基板80aとして一体化される。炭化珪素基板80aは、トランジスタなどの半導体装置が形成される基板面として、単結晶板のそれぞれが有する表面F1およびF2の両方を含む。すなわち炭化珪素基板80aは、単結晶板11および12のいずれかが単体で用いられる場合に比して、より大きな基板面を有する。たとえば、炭化珪素基板80aの平面視図1における最大長さDが100mm以上とされる。これにより、炭化珪素基板80aを用いて半導体装置を効率よく製造することができる。また炭化珪素基板80aの製造工程において、複合基板80P図5の表面F1およびF2の間に存在していた開口CRが、接合部BDa図2によって塞がれる。これにより表面F1およびF2は互いに滑らかにつながった面となる。よって炭化珪素基板80aを用いた半導体装置の製造工程においては、表面F1およびF2の間に、歩留り低下の原因となる異物が溜まりにくい。よって炭化珪素基板80aを用いることで、半導体装置を高い歩留りで製造することができる。また接合部BDaの粒径が小さいことによって、接合部BDa中に多くの粒界が形成される。これにより接合部BDa中の応力が緩和されることで、炭化珪素基板80aの反りの発生を抑えることができる。また単結晶板11および12の各々に接合された支持部30が設けられることにより、単結晶板11および12が接合部BDaのみによって結合されている場合に比して、単結晶板11および12をより強固に結合することができる。また炭化珪素基板80aの厚さT図2に対する炭化珪素基板80aの平面視図1における最大長さD図1の割合が50以上とされる場合、炭化珪素基板80aの平面視における大きさを十分に確保することができる。たとえばD/Tがたとえば50である場合、T=2mmでD=100mmの炭化珪素基板が得られる。またこの割合が500以下であることによって、炭化珪素基板80aの反りをより抑制することができる。なお上記においては隙間VD図3が残存する場合について説明したが、図7に示すように、接合部BDaによって隙間VD図3がすべて埋められてもよい。このためには、図6に示す工程に代わって、図8に示すように、流動体部PRaが隙間VDをすべて埋めるように注入されればよい。実施の形態2図9を参照して、本実施の形態の炭化珪素基板80bは、接合部BDa図3の代わりに接合部BDbを有する。接合部BDbは、微細粒部FGおよび粗粒部GRを有する。粗粒部GRは、1μmを超える粒径を有する。より具体的には、粗粒部GRは、最大長さが1μm超の粒子からなる。上記粒径は、たとえば数μm程度である。好ましくは粗粒部GRは炭化珪素からなる。ただし粗粒部GRの材料は炭化珪素に限定されず、半導体製造装置の製造において炭化珪素基板が置かれる最高温度、すなわち通常1600°C程度で、安定的に固体である材料であれば用いることができる。言い換えれば、粗粒部GRは、融点1600°C以上の材料から作られていればよい。たとえば、窒化ホウ素BN、窒化シリコンSiN、炭化タングステンWC、炭化タンタルTaC、または高融点金属を用いることができる。接合部BDbのうち、微細粒部FGは、2体積以上を占め、好ましくは30体積以上を占めている。たとえば、接合部BDbは、50体積の微細粒部FGと50体積の粗粒部GRとからなる。図10を参照して、炭化珪素基板80bの製造においては、実施の形態1の流動体部PRa図6の代わりに流動体部PRbが形成される。流動体部PRbは液体部LQおよび粗粒部GRを有する。流動体部PRbは、液体部LQに対応する液体中に、粗粒部GRに対応する粗粒が分散された混ぜられた流動体を用いることによって形成することができる。この流動体部PRbに対して実施の形態1と同様の熱処理が行われることで、炭化珪素基板80bが得られる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態によれば、流動体部PRb図10は熱処理においてほとんど体積変化を生じない粗粒部GRを含む。これにより熱処理時の流動体部PRbから接合部BDbへの変化における体積減少を抑制することができる。これにより、隙間VDを閉塞するのに十分な接合部BDbをより確実に形成することができる。なお上記においては隙間VD図9が残存する場合について説明したが、図11に示すように、接合部BDbによって隙間VDがすべて埋められてもよい。このためには、図10に示す工程に代わって、図12に示すように、流動体部PRbが隙間VDをすべて埋めるように注入されればよい。次に接合部BDb図11の微細構造について、より詳しく説明する。図13に示すように、厚さ方向に平行な接合部BDbの断面視において、1μm以下の最大長さLFを有する部分主に微細粒部FGに対応する部分によって占められる領域の面積の、接合部BDbの断面視の全面積に対する割合が2以上である。なお図13においては、断面視において1μm超の最大長さLGを有する部分が粗粒部GRによって構成されている、粗粒部GRが実施の形態1のように設けられない場合、断面視において1μm超の最大長さLGを有する部分が観察されなくてもよい。好ましくは、接合部BDbの任意の断面視において、1μm以下の最大長さLFを有する部分によって占められる領域の面積の、接合部BDbの断面視の全面積に対する割合が2以上である。これに対して比較例の接合部BDz図14は、単結晶板11および12の間における昇華再結晶法によって形成されており、断面視において、1μm超典型的には10μm超の最大長さLZを有する巨大粒部GZに実質的に占められている。最大長さLZは、厚さ方向図中、縦方向におおよそ沿っている。巨大粒部GZは典型的には最小長さにおいても10μm超の長さを有する。このように接合部BDzの粒径が大きいので、接合部BDz中の粒界は少なく、このため、粒界による応力緩和の作用が十分には得られない。実施の形態3本実施の形態においては、実施の形態1で用いられる複合基板80P図4、図5の製造方法について、特に支持部30が炭化珪素からなる場合について詳しく説明する。なお以下において説明を簡略化するために単結晶板11~19図4、図5のうち単結晶板11および12に関してのみ言及する場合があるが、単結晶板13~19も単結晶板11および12と同様に扱われる。図15を参照して、単結晶構造を有する単結晶板11および12が準備される。この工程は、たとえば、六方晶系における0001面で成長した炭化珪素インゴットをスライスすることによって行われる。好ましくは、裏面B1およびB2のラフネスがRaとして100μm以下である。また単結晶板11および12の各々の表面の結晶面は、好ましくは、0001面または03-38面とされ、より好ましくは000-1面または03-3-8面とされる。次に処理室内において加熱体81上に、裏面B1およびB2の各々が一の方向図15における上方向に露出するように単結晶板11および12が配置される。すなわち単結晶板11および12が、平面視において並ぶように配置される。好ましくは、上記の配置は、裏面B1およびB2の各々が同一平面上に位置するか、または表面F1およびF2の各々が同一平面上に位置するように行なわれる。次に裏面B1およびB2を互いにつなぐ支持部30図5が、以下のように形成される。まず一の方向図15における上方向に露出する裏面B1およびB2の各々と、裏面B1およびB2に対して一の方向図15における上方向に配置された固体原料20の表面SSとが、間隔D1を空けて対向させられる。好ましくは、間隔D1の平均値は1μm以上1cm以下とされる。固体原料20は炭化珪素からなり、好ましくは一塊の炭化珪素の固形物であり、具体的には、たとえばSiCウエハである。固体原料20のSiCの結晶構造は特に限定されない。また好ましくは、固体原料20の表面SSのラフネスはRaとして1mm以下である。なお間隔D1図15をより確実に設けるために、間隔D1に対応する高さを有するスペーサ83図18が用いられてもよい。この方法は、間隔D1の平均値が100μm程度以上の場合に特に有効である。次に加熱体81によって単結晶板11および12が所定の基板温度まで加熱される。また加熱体82によって固体原料20が所定の原料温度まで加熱される。固体原料20が原料温度まで加熱されることによって、固体原料の表面SSにおいてSiCが昇華することで、昇華物、すなわち気体が発生する。この気体は、一の方向図15における上方向から、裏面B1およびB2の各々の上に供給される。好ましくは基板温度は原料温度よりも低くされ、より好ましくは両温度の差は1°C以上100°C以下とされる。また好ましくは、基板温度は1800°以上2500°C以下である。図16を参照して、上記のように供給された気体は、裏面B1およびB2の各々の上で、固化させられることで再結晶化される。これにより裏面B1およびB2を互いにつなぐ支持部30pが形成される。また固体原料20図15は、消耗して小さくなることで固体原料20pになる。主に図17を参照して、さらに昇華が進むことで、固体原料20p図16が消失する。これにより裏面B1およびB2を互いにつなぐ、支持部30が形成される。好ましくは、支持部30が形成される際、処理室内の雰囲気は不活性ガスとされる。不活性ガスとしては、たとえば、He、Arなどの希ガス、窒素ガス、または希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。この混合ガスが用いられる場合、窒素ガスの割合は、たとえば60である。また処理室内の圧力は、好ましくは50kPa以下とされ、より好ましくは10kPa以下とされる。また好ましくは、支持部30は単結晶構造を有する。より好ましくは、裏面B1の結晶面に対して裏面B1上の支持部30の結晶面の傾きは10°以内であり、また裏面B2の結晶面に対して裏面B2上の支持部30の結晶面の傾きは10°以内である。これらの角度関係は、裏面B1およびB2の各々に対して支持部30がエピタキシャル成長することによって容易に実現される。なお単結晶板11、12の結晶構造は六方晶系であることが好ましく、4H-SiCまたは6H-SiCであることがより好ましい。また、単結晶板11、12と支持部30とは、同一の結晶構造を有するSiC単結晶からなっていることが好ましい。また好ましくは、単結晶板11および12の各々の濃度と、支持部30の不純物濃度とは互いに異なる。より好ましくは、単結晶板11および12の各々の不純物濃度よりも、支持部30の不純物濃度の方が高い。なお単結晶板11、12の不純物濃度は、たとえば5×1016cm3以上5×1019cm3以下である。また支持部30の不純物濃度は、たとえば5×1016cm3以上5×1021cm3以下である。また上記の不純物としては、たとえば窒素またはリンを用いることができる。また好ましくは、単結晶板11の0001面に対する表面F1のオフ角は50°以上65°以下であり、かつ単結晶板の0001面に対する表面F2のオフ角は50°以上65°以下である。より好ましくは、表面F1のオフ方位と単結晶板11の<1-100>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と単結晶板12の<1-100>方向とのなす角は5°以下である。さらに好ましくは、単結晶板11の<1-100>方向における03-38面に対する表面F1のオフ角は-3°以上5°以下であり、単結晶板12の<1-100>方向における03-38面に対する表面F2のオフ角は-3°以上5°以下である。なお上記において、<1-100>方向における03-38面に対する表面F1のオフ角とは、<1-100>方向および<0001>方向の張る射影面への表面F1の法線の正射影と、03-38面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<1-100>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。また<1-100>方向における03-38面に対する表面F2のオフ角についても同様である。より好ましくは、表面F1の面方位hklmにおける指数mは負である。表面F2についても同様である。すなわち表面F1およびF2の各々は、0001面よりも000-1面に近い面である。好ましくは、表面F1のオフ方位と単結晶板11の<11-20>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と単結晶板12の<11-20>方向とのなす角は5°以下である。本実施の形態によれば、裏面B1およびB2の各々の上に形成される支持部30が単結晶板11および12と同様に炭化珪素からなるので、単結晶板11および12と支持部30との間で諸物性が近くなる。よってこの諸物性の相違に起因した、複合基板80P図4、図5または炭化珪素基板80a図1、図2の反りや割れを抑制できる。また昇華法を用いることで、支持部30を高い品質で、かつ高速で形成することができる。また昇華法が特に近接昇華法であることにより、支持部30をより均一に形成することができる。また裏面B1およびB2の各々と固体原料20の表面との間隔D1図15の平均値が1cm以下とされることにより、支持部30の膜厚分布を小さくすることができる。またこの間隔D1の平均値が1μm以上とされることにより、炭化珪素が昇華する空間を十分に確保することができる。また支持部30を形成する工程において、単結晶板11および12の温度は固体原料20図15の温度よりも低くされる。これにより、昇華されたSiCを単結晶板11および12上において効率よく固化させることができる。また好ましくは、単結晶板11および12を配置する工程は、単結晶板11および12の間の最短間隔が1mm以下となるように行なわれる。これにより支持部30を、単結晶板11の裏面B1と、単結晶板12の裏面B2とをより確実につなぐように形成することができる。また好ましくは、支持部30は単結晶構造を有する。これにより、支持部30の諸物性を、同じく単結晶構造を有する単結晶板11および12の各々の諸物性に近づけることができる。より好ましくは、裏面B1の結晶面に対して裏面B1上の支持部30の結晶面の傾きは10°以内である。また裏面B2の結晶面に対して裏面B2上の支持部30の結晶面の傾きは10°以内である。これにより支持部30の異方性を、単結晶板11および12の各々の異方性に近づけることができる。また好ましくは、単結晶板11および12の各々の不純物濃度と、支持部30の不純物濃度とは互いに異なる。これにより不純物濃度の異なる2層構造を有する炭化珪素基板80a図2を得ることができる。また好ましくは、単結晶板11および12の各々の不純物濃度よりも支持部30の不純物濃度の方が高い。よって単結晶板11および12の各々の抵抗率に比して、支持部30の抵抗率を小さくすることができる。これにより、支持部30の厚さ方向に電流を流す半導体装置、すなわち縦型の半導体装置の製造に好適な炭化珪素基板80aを得ることができる。また好ましくは、単結晶板11の0001面に対する表面F1のオフ角は50°以上65°以下であり、かつ単結晶板12の0001面に対する表面F2のオフ角は50°以上65°以下である。これにより、表面F1およびF2が{0001}面である場合に比して、表面F1およびF2におけるチャネル移動度を高めることができる。より好ましくは、表面F1のオフ方位と単結晶板11の<1-100>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と単結晶板12の<1-100>方向とのなす角は5°以下である。これにより表面F1およびF2におけるチャネル移動度をより高めることができる。さらに好ましくは、単結晶板11の<1-100>方向における03-38面に対する表面F1のオフ角は-3°以上5°以下であり、単結晶板12の<1-100>方向における03-38面に対する表面F2のオフ角は-3°以上5°以下である。これにより表面F1およびF2におけるチャネル移動度をさらに高めることができる。また好ましくは、表面F1のオフ方位と単結晶板11の<11-20>方向とのなす角は5°以下であり、かつ表面F2のオフ方位と単結晶板12の<11-20>方向とのなす角は5°以下である。これにより、表面F1およびF2が{0001}面である場合に比して、表面F1およびF2におけるチャネル移動度を高めることができる。なお上記において固体原料20としてSiCウエハを例示したが、固体原料20はこれに限定されるものではなく、たとえばSiC粉体またはSiC焼結体であってもよい。また図15においては、裏面B1およびB2の各々と、固体原料20の表面SSとの間は、全体に渡って間隔が空けられている。しかし、裏面B1およびB2と、固体原料20の表面SSとの間が一部接触しつつ、裏面B1およびB2の各々と固体原料20の表面SSとの間に間隔が空けられてもよい。この場合に相当する2つの変形例について、以下に説明する。図19を参照して、この例においては、固体原料20としてのSiCウエハの反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔D2は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔D1の平均値と同様に、間隔D2の平均値は1μm以上1cm以下とされる。図20を参照して、この例においては、単結晶板11~13の反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔D3は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔D1の平均値と同様に、間隔D3の平均値は1μm以上1cm以下とされる。なお、図19および図20の各々の方法の組み合わせによって、すなわち、固体原料20としてのSiCウエハの反りと、単結晶板11~13の反りとの両方によって、上記間隔が確保されてもよい。上述した、図19および図20の各々の方法、または両方法の組み合わせによる方法は、上記間隔の平均値が100μm以下の場合に特に有効である。実施の形態4図21を参照して、本実施の形態の半導体装置100は、縦型DiMOSFETであって、炭化珪素基板80a、バッファ層121、耐圧保持層122、p領域123、n領域124、p領域125、酸化膜126、ソース電極111、上部ソース電極127、ゲート電極110、およびドレイン電極112を有する。炭化珪素基板80aは、本実施の形態においてはn型の導電型を有し、また実施の形態1で説明したように、支持部30および単結晶板11を有する。ドレイン電極112は、単結晶板11との間に支持部30を挟むように、支持部30上に設けられている。バッファ層121は、支持部30との間に単結晶板11を挟むように、単結晶板11上に設けられている。バッファ層121は、導電型がn型であり、その厚さはたとえば0.5μmである。またバッファ層121におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3である。耐圧保持層122は、バッファ層121上に形成されており、また導電型がn型の炭化ケイ素からなる。たとえば、耐圧保持層122の厚さは10μmであり、そのn型の導電性不純物の濃度は5×1015cm3である。この耐圧保持層122の表面には、導電型がp型である複数のp領域123が互いに間隔を隔てて形成されている。p領域123の内部において、p領域123の表面層にn領域124が形成されている。また、このn領域124に隣接する位置には、p領域125が形成されている。一方のp領域123におけるn領域124上から、p領域123、2つのp領域123の間において露出する耐圧保持層122、他方のp領域123および当該他方のp領域123におけるn領域124上にまで延在するように、酸化膜126が形成されている。酸化膜126上にはゲート電極110が形成されている。また、n領域124およびp領域125上にはソース電極111が形成されている。このソース電極111上には上部ソース電極127が形成されている。酸化膜126と、半導体層としてのn領域124、p領域125、p領域123および耐圧保持層122との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値は1×1021cm3以上となっている。これにより、特に酸化膜126下のチャネル領域酸化膜126に接する部分であって、n領域124と耐圧保持層122との間のp領域123の部分の移動度を向上させることができる。次に半導体装置100の製造方法について説明する。なお図23~図26においては単結晶板11~19図1のうち単結晶板11の近傍における工程のみを示すが、単結晶板12~単結晶板19の各々の近傍においても、同様の工程が行なわれる。まず基板準備工程ステップS110:図22にて、炭化珪素基板80a図1および図2が準備される。炭化珪素基板80aの導電型はn型とされる。図23を参照して、エピタキシャル層形成工程ステップS120:図22により、バッファ層121および耐圧保持層122が、以下のように形成される。まず炭化珪素基板80aの表面上にバッファ層121が形成される。バッファ層121は、導電型がn型の炭化ケイ素からなり、たとえば厚さ0.5μmのエピタキシャル層である。またバッファ層121における導電型不純物の濃度は、たとえば5×1017cm3とされる。次にバッファ層121上に耐圧保持層122が形成される。具体的には、導電型がn型の炭化ケイ素からなる層が、エピタキシャル成長法によって形成される。耐圧保持層122の厚さは、たとえば10μmとされる。また耐圧保持層122におけるn型の導電性不純物の濃度は、たとえば5×1015cm3である。図24を参照して、注入工程ステップS130:図22により、p領域123と、n領域124と、p領域125とが、以下のように形成される。まず導電型がp型の不純物が耐圧保持層122の一部に選択的に注入されることで、p領域123が形成される。次に、n型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってn領域124が形成され、また導電型がp型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってp領域125が形成される。なお不純物の選択的な注入は、たとえば酸化膜からなるマスクを用いて行われる。このような注入工程の後、活性化アニール処理が行われる。たとえば、アルゴン雰囲気中、加熱温度1700°Cで30分間のアニールが行われる。図25を参照して、ゲート絶縁膜形成工程ステップS140:図22が行われる。具体的には、耐圧保持層122と、p領域123と、n領域124と、p領域125との上を覆うように、酸化膜126が形成される。この形成はドライ酸化熱酸化により行われてもよい。ドライ酸化の条件は、たとえば、加熱温度が1200°Cであり、また加熱時間が30分である。その後、窒素アニール工程ステップS150が行われる。具体的には、一酸化窒素NO雰囲気中でのアニール処理が行われる。この処理の条件は、たとえば加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が120分である。この結果、耐圧保持層122、p領域123、n領域124、およびp領域125の各々と、酸化膜126との界面近傍に、窒素原子が導入される。なおこの一酸化窒素を用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴンArガスを用いたアニール処理が行われてもよい。この処理の条件は、たとえば、加熱温度が1100°Cであり、加熱時間が60分である。図26を参照して、電極形成工程ステップS160:図22により、ソース電極111およびドレイン電極112が、以下のように形成される。まず酸化膜126上に、フォトリソグラフィ法を用いて、パターンを有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜をマスクとして用いて、酸化膜126のうちn領域124およびp領域125上に位置する部分がエッチングにより除去される。これにより酸化膜126に開口部が形成される。次に、この開口部においてn領域124およびp領域125の各々と接触するように導電体膜が形成される。次にレジスト膜を除去することにより、上記導体膜のうちレジスト膜上に位置していた部分の除去リフトオフが行われる。この導体膜は、金属膜であってもよく、たとえばニッケルNiからなる。このリフトオフの結果、ソース電極111が形成される。なお、ここでアロイ化のための熱処理が行なわれることが好ましい。たとえば、不活性ガスであるアルゴンArガスの雰囲気中、加熱温度950°Cで2分の熱処理が行なわれる。再び図21を参照して、ソース電極111上に上部ソース電極127が形成される。また、炭化珪素基板80aの裏面上にドレイン電極112が形成される。以上により、半導体装置100が得られる。なお本実施の形態における導電型が入れ替えられた構成、すなわちp型とn型とが入れ替えられた構成を用いることもできる。また半導体装置100を作製するための炭化珪素基板は、実施の形態1の炭化珪素基板80aに限定されるものではなく、たとえば、実施の形態2または3の炭化珪素基板、または各実施の形態の変形例の炭化珪素基板であってもよい。また縦型DiMOSFETを例示したが、本発明の炭化珪素基板を用いて他の半導体装置が製造されてもよく、たとえばRESURF-JFETまたはショットキーダイオードが製造されてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。