少なくとも1つの超伝導コイル12と、前記少なくとも1つのコイルと並列に電気結合されたクエンチ保護回路14であって、該回路は、前記少なくとも1つのコイルと熱結合された少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリ16と、前記少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと直列に電気接続されている、ゼロ抵抗の超伝導状態と、クエンチヒータアセンブリを通って流れる電流を減少させるような通常抵抗をもつ定常状態と、を有する少なくとも1つの超伝導電流制限器18と、を備えているクエンチ保護回路14と、を備える超伝導マグネット10。前記クエンチ保護回路はさらに、前記クエンチヒータアセンブリと直列に電気接続させた少なくとも1つの電圧ブロッカーを備える、請求項1に記載のマグネット。前記クエンチ保護回路はさらに、前記超伝導電流制限器と熱結合させている、超伝導電流制限器を超伝導状態から定常状態まで変化させるように構成された制限器ヒータを備える、請求項1に記載のマグネット。前記クエンチ保護回路はさらに、制限器ヒータと該制限器ヒータと直列に電気接続させた電圧ブロッカーとを備えた制限器加熱枝を備える、請求項3に記載のマグネット。前記制限器加熱枝は、直列接続のクエンチヒータアセンブリ及び超伝導電流制限器と並列に電気結合されている、請求項4に記載のマグネット。前記制限器ヒータは、クエンチヒータ及び超伝導電流制限器と直列に電気接続されている、請求項3に記載のマグネット。前記クエンチヒータアセンブリは、並列にも直列にも接続し得る複数のクエンチヒータを備える、請求項3に記載のマグネット。熱シールドと、前記熱シールド内の少なくとも1つの超伝導コイルと、前記熱シールドを囲繞する真空容器と、前記少なくとも1つの超伝導コイルに対して並列に電気結合させたクエンチ保護回路であって、該回路は、前記少なくとも1つの超伝導コイルと熱結合させた少なくとも1つのクエンチヒータと、前記少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと直列に接続されている、ゼロ抵抗の超伝導状態と有限抵抗の定常状態とを有する少なくとも1つの超伝導電流制限器と、を備えているクエンチ保護回路と、を備える超伝導マグネットシステム。前記クエンチ保護回路はさらに、クエンチヒータと直列に電気接続させた少なくとも1つの電圧ブロッカーを備える、請求項8に記載のシステム。前記超伝導電流制限器は熱シールドの内部に配置されている、請求項8に記載のシステム。従来のクエンチ保護装置の1つは、1組の電気式クエンチヒータを含む。クエンチが起きると、ヒータの温度が急激に上昇すると共に、このヒータによって超伝導コイルのより大きな面積に熱が伝達される。クエンチ保護装置はさらに、ヒータを通って流れる電流を制限しヒータを過熱から保護するために、ヒータと直列に接続された電流制限器を含む。正温度係数抵抗器などの従来の電流制限器は、真空容器の外部に配置させるのが通常である。したがって、真空容器を通過して延びる電気ワイヤが存在しており、このため追加的なコストが必要であり、また真空信頼度を不都合に低下させる可能性がある。クエンチ保護回路をより簡便にした別の超伝導マグネットがあることが望ましい。本明細書に開示した実施形態に従った超伝導マグネットを提供する。本超伝導マグネットは、少なくとも1つの超伝導コイルと、該少なくとも1つのコイルと並列に電気結合されたクエンチ保護回路と、を含む。この回路は、少なくとも1つのコイルと熱結合された少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと、該少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと直列に電気接続させた少なくとも1つの超伝導電流制限器と、を含む。この超伝導電流制限器は、ゼロ抵抗の超伝導状態と、クエンチヒータアセンブリを通って流れる電流を減少させるための通常の抵抗をもつ定常状態と、を有する。別の実施形態に従った超伝導マグネットシステムは、熱シールドと、熱シールド内の少なくとも1つの超伝導コイルと、熱シールドを囲繞する真空容器と、該少なくとも1つの超伝導コイルと並列に電気結合させたクエンチ保護回路と、を含む。この回路は、少なくとも1つの超伝導コイルと熱結合させた少なくとも1つのクエンチヒータと、該少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと直列に接続させた少なくとも1つの超伝導電流制限器と、を含む。この少なくとも電流制限器は、ゼロ抵抗の超伝導状態と有限抵抗の定常状態とを含む。さらに別の実施形態によるクエンチング超伝導コイルのための方法は、クエンチ保護回路を少なくとも1つの超伝導コイルと並列に結合させるステップを含む。このクエンチ保護回路は、少なくとも1つのクエンチヒータアセンブリと少なくとも1つの超伝導電流制限器とを備える。少なくとも1つの超伝導コイルの両端の上昇するクエンチ電圧によってクエンチ事象がトリガされる。本方法はさらに、該クエンチ事象が生じるとクエンチヒータにパワー供給しかつヒータ領域にある少なくとも1つの超伝導コイルを定常化するステップと、超伝導電流制限器を超伝導状態から定常状態に切替えクエンチ保護回路のヒータ枝の抵抗を上昇させてクエンチヒータアセンブリの電流をその最大受容可能電流未満に制限するステップと、を含む。本発明に関するこれらの特徴、態様及び利点、並びにその他の特徴、態様及び利点については、同じ参照符号が図面全体を通じて同じ部分を表している添付の図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことによってより理解が深まるであろう。本開示の実施形態は、クエンチ保護回路を有する超伝導マグネットに関する。このクエンチ保護回路は一例では、超伝導コイルと熱接続した電気クエンチヒータアセンブリと、クエンチの間にクエンチヒータアセンブリを通って流れる電流を制限するためにクエンチヒータアセンブリと直列に電気接続させた超伝導電流制限器と、を備える。次いでこれらクエンチヒータアセンブリ及び超伝導電流制限器は少なくとも1つの超伝導コイルと並列に接続させている。超伝導コイルに対するクエンチ事象が発生すると、超伝導コイルの両端の上昇するクエンチ電圧がクエンチヒータアセンブリにパワー供給し、これが次いでクエンチヒータ領域にある超伝導コイルの温度を上昇させてこれを定常化し、これによりエネルギーを分散させて超伝導マグネットに対する損傷を防止する。本明細書で使用する場合に定常化するnormalizeとは、超伝導体の臨界温度を超えるコイル温度のためにコイルの超伝導体が超伝導状態から抵抗性状態すなわち定常状態に変わることを意味する。ある種の実施形態では、その超伝導電流制限器は超伝導材料を含むと共に、超伝導マグネットの通常動作時にその超伝導状態に維持されている。クエンチヒータアセンブリがクエンチヒータ領域にある超伝導コイルを定常化した後かつヒータ電流がその臨界電流まで増加する前に、超伝導電流制限器がその定常状態に切替えられると共に、超伝導電流制限器の抵抗が急速に上昇してヒータ電流を減少させる。本明細書の以下で使用する臨界電流とは、過電流または過熱によりクエンチヒータが損傷を受ける可能性がある最大ヒータ電流を意味する。一実施形態ではその超伝導電流制限器は、超伝導コイルを囲繞する真空容器及び熱シールドの内部に配置させる。ある種の実施形態ではその超伝導マグネットは、例えば磁気共鳴撮像MRIシステム、発電機及び電気モータただし、これらに限らないで使用することが可能である。本明細書で使用している技術用語や科学用語は、特に別の規定を述べていない場合、本発明の属する技術分野の当業者により一般に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書で使用する場合第1の、第2のその他の用語は、順序、数量または重要性を示すものではなく、むしろある要素を別の要素と区別するために使用したものである。さらにaやanの語も数量の制限を示すものではなくむしろ対象の項目が少なくとも1つ存在することを示したものであると共に、前部、後部、底部及び/または上部などの用語は特に、別の指摘がない場合単に記述の便宜上使用したものであり、ある任意の位置や空間的向きを限定するものではない。図1を参照すると、本発明の一実施形態による超伝導マグネット10マグネット10は、少なくとも1つの超伝導コイル12コイル12と、コイル12と並列に電気結合させたクエンチ保護回路14と、を備える。図示した実施形態では少なくとも1つの超伝導コイル12は直列に電気接続した一群の超伝導コイル12を備える。図1に示した実施形態ではクエンチ保護回路14は、直列または並列に電気接続した幾つかのクエンチヒータを備えた電気クエンチヒータアセンブリ16クエンチヒータ16と、クエンチヒータアセンブリ16と直列接続させた超伝導電流制限器18と、を備えた主加熱枝25を備える。ある種の実施形態ではそのクエンチヒータアセンブリ16は、コイル12のうちの1つまたは幾つかと熱結合させている。一実施形態ではそのクエンチヒータアセンブリ16は、クエンチヒータアセンブリ16とコイル12の間に形成される熱抵抗を非常に小さくするように、エポキシ樹脂、サーマルグリースなどの接着材料によってコイル12に接着することが可能である。別の実施形態ではそのクエンチヒータアセンブリ16は、例えばクランプ留めによってコイル12に機械的に取り付けることが可能である。本明細書で使用する場合に、熱結合させたという表現は、熱伝導が可能となるような近接した配置を意味している。ある種の実施形態ではそのクエンチ保護回路14はさらに、マグネットのランプramp中及びマグネット通常動作中においてクエンチ保護回路14内の不用な電流を減少または排除するために、コイル12の電圧がしきい電圧V0に到達する前に電流がクエンチヒータ16を通って流れるのを阻止するための電圧ブロッカー20を備える。ある種の実施形態では、そのしきい電圧V0はランプ電圧及びマグネット通常動作時におけるコイル12両端の最大電圧より大きく、また電圧ブロッカー20はクエンチ保護回路14内を流れる不用な電流やその他の電圧ノイズを低減または排除する。図示した実施形態では、電圧ブロッカー20がクエンチヒータ16及び超伝導電流制限器18と直列に接続されている。ある種の実施形態ではその電圧ブロッカー20は、ツェナーダイオードや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETなどのバックツーバックに直列接続した1対の構成要素を含むことが可能である。ツェナーダイオードの逆方向降伏電圧は、マグネットの通常動作時の最大電圧より高く、それでいてマグネットクエンチ中にクエンチヒータアセンブリ16が作用できるように十分に低くなるように選択または制御される。マグネット10の通常動作においてコイル12は、超伝導状態で動作すると共にゼロ抵抗で電流を流している。マグネット10の通常動作時は、コイル12両端の電圧がゼロであり、かつクエンチヒータアセンブリ16を通って全く電流が流れていない。超伝導電流制限器18もまた、その中を流れる電流が全く存在しないその超伝導状態にある。コイル12のうちの1つまたは幾つかにクエンチが発生すると、コイル12両端のクエンチ電圧Vqが上昇する。この状態においてクエンチ電圧Vqは電圧ブロッカー20のしきい電圧V0を超えており、またクエンチヒータアセンブリ16及び超伝導電流制限器18を通ってヒータ電流ihが流れる。クエンチヒータアセンブリ16が加熱されると共に、コイル12上の1つまたは複数のヒータ領域に熱が伝えられてコイル12の当初のクエンチ箇所を保護する。コイル12が定常化された後かつヒータ電流ihがクエンチヒータアセンブリ16の臨界電流に到達する前に、ヒータ22のジュール熱によって超伝導電流制限器18がその定常状態に切替えられると共に超伝導電流制限器18の抵抗が急速に上昇してヒータ電流を低下させる。したがってクエンチヒータ16が過電流から保護される。図2は、コイル12のうちの1つまたは幾つかに対して生じたクエンチに関連付けされた時間期間に関する数本の例示的な曲線を表している。曲線C1はコイル12両端のクエンチ電圧Vqを表しており、曲線C2はクエンチの発生後の超伝導電流制限器18の抵抗を表しており、また曲線C3及びC4はそれぞれ超伝導電流制限器がある場合と無い場合のヒータ電流を表している。再度図2を見ると、コイル12のうちの1つまたは幾つかにクエンチが発生すると、コイル12両端の上昇するクエンチ電圧は曲線C1に示したようにして増加する。この上昇するクエンチ電圧によってクエンチヒータアセンブリ16がパワー供給される。超伝導電流制限器18が無いとヒータ電流は、図2の曲線C4に示したようにクエンチ電圧と共に増加する。ヒータ電流が臨界時点t0においてクエンチヒータアセンブリ16の電流限界ilimitを超えた場合、クエンチヒータアセンブリ16が過電流や過大温度により損傷するか、さもなければ動作や寿命が劣化するというリスクを生じることになる。超伝導電流制限器18をクエンチヒータアセンブリ16と直列に電気結合させると、そのヒータ電流曲線は曲線C3に示すようになる。超伝導電流制限器18はクエンチ事象の開始時点で実質的にゼロ抵抗を有しており、ヒータ電流が臨界時点t0において電流限界ilimitに到達する前の安全なしきい値時点t1で超伝導電流制限器18はその定常状態に切替えられる。安全なしきい値時点t1における対応するヒータ電流が安全しきい値電流i1である。超伝導電流制限器18が時点t1において定常状態に切替わると、その抵抗は急速に増大すると共に、ヒータ電流は急速に減少する。したがってクエンチヒータ16は過電流から保護される。図1に戻ると、図示した実施形態ではクエンチ保護回路14は、超伝導電流制限器18と熱結合させた制限器ヒータ22を備える。クエンチヒータ16により超伝導コイル12が定常化されたときでかつヒータ電流ihが電流限界に到達する前に、超伝導電流制限器18が超伝導状態から定常状態に切替わるように制限器ヒータ22によって超伝導電流制限器18を加熱している。図1に示した実施形態ではクエンチ保護回路14は、クエンチヒータアセンブリ16、超伝導制限器18及び電圧ブロッカー20を含む主加熱枝25に対して並列に電気結合させた制限器加熱枝24を含む。別の実施形態ではその制限器加熱枝24は、クエンチヒータアセンブリ16と並列に電気結合させることが可能である。制限器加熱枝24は、制限器ヒータ22と制限器ダイオードブロッカー26と抵抗器28とを直列に電気接続させて備える。ある種の実施形態ではその制限器ダイオードブロッカー26は、バックツーバックで直列接続したツェナーダイオードまたは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETとすることが可能であると共に、制限器しきい電圧V1を有する。図示した実施形態では制限器加熱枝24は、制限器ヒータ22の中を流れる制限器電流ilを調整するために制限器ヒータ22及び制限器電圧ブロッカー26に対して直列接続とした抵抗器28を備える。一実施形態ではその制限器電圧ブロッカー26の制限器しきい電圧V1は、クエンチ電圧ブロッカー20のクエンチしきい電圧V0より大きい。コイル12のクエンチ事象の間に、コイル12両端のクエンチ電圧Vqは電圧ブロッカー20のクエンチしきい電圧V0に到達すると共に、ヒータ電流ihがクエンチヒータアセンブリ16内を流れる。クエンチヒータアセンブリ16は熱せられると共にコイル12上のヒータ領域に熱を伝達し始める。コイル12両端のクエンチ電圧Vqが制限器電圧ブロッカー26の制限器しきい電圧V1を超えると、制限器ヒータ22内に制限器電流i1が流れて超伝導電流制限器18を加熱する。したがって超伝導電流制限器18は、クエンチヒータアセンブリ16によりコイル12が定常化された後かつヒータ電流ihが臨界電流i0に到達する前に超伝導状態から定常状態に切替わる。ある種の実施形態では、クエンチヒータ18によりコイル12が定常化された後に超伝導電流制限器18が確実に定常状態に切替わることを保証するためにクエンチヒータアセンブリ16の熱分析が実施される。マグネット10の一例では、クエンチ事象中にコイル12を定常化するためにクエンチヒータアセンブリ16により発生させる最小の熱Qをシミュレーションまたは実験結果によって決定することが可能である。図3を参照すると、コイル12を定常化するためにクエンチヒータシステム16により発生させる最小の熱Qhは、次式に従って計算することが可能である。及び上式において、Qeは超伝導体温度が低い動作温度T0例えば、液体ヘリウムの4.2Kからその臨界温度Tc例えば、NbTi超伝導体では9.8Kまで上昇したときのヒータ領域にあるコイル12の超伝導体の熱エンタルピー上昇を表しており、Qoutはヒータ領域にある超伝導体から最遠の超伝導体までの熱流図3では、Qout1、Qout2及びQout3と示すであり、ihはクエンチヒータアセンブリ16を通って流れるヒータ電流であり、Rはクエンチヒータアセンブリ16の抵抗であり、tmはコイル12のうちの1つまたは幾つかにクエンチが発生した後にコイル12を定常化させるための最小時間であり、cは超伝導体の比熱であり、またmは超伝導体の質量である。したがって最小時間tm及びヒータ電流ihmは、超伝導コイル12を定常化するように、例えば図2の電流曲線C3の観察によって確定される。一実施形態ではその超伝導電流制限器18は、コイル12が定常化される最小時間tmとヒータ電流が臨界電流に到達する臨界時間t0との間のある時点で定常状態に切替えられる。別の実施形態ではその超伝導電流制限器18は、ヒータ電流ihが最小ヒータ電流ihmと電流限界ilimitの間にあるときに定常状態に切替えられる。別の実施形態ではその制限器電圧ブロッカー26の制限器しきい電圧V1は、クエンチ電圧ブロッカー20のクエンチしきい電圧V0と実質的に同じである。コイル12のうちの1つまたは幾つかにクエンチが発生すると共に、そのクエンチ電圧がV1及びV0を超えると、クエンチ電圧によってクエンチヒータアセンブリ16と制限器ヒータ22の両者を通って流れるように電流が徐々に駆動されることになる。制限器ヒータ22は、クエンチヒータアセンブリ16によりコイル12が定常化されているときでかつヒータ電流が電流限界に到達する前に超伝導電流制限器18を定常状態に切替えている。この実施形態では制限器電流は、ヒータ電流と比べて極めてゆっくりと増加する。図4を参照すると、別の実施形態によるコイル12に対するクエンチ保護を提供するためのクエンチ保護回路30を表している。この実施形態では、制限器ヒータ32が超伝導電流制限器18と熱結合されていると共に、これが電圧ブロッカー20及びクエンチヒータアセンブリ16と直列に電気接続されている。クエンチ事象の間は、クエンチ電圧がダイオードブロッカー20のしきい電圧V0を超えると共に、ヒータ電流ih2がクエンチヒータアセンブリ16と制限器ヒータ32の両方の中を流れる。ある種の実施形態では、クエンチヒータアセンブリ16がコイル12を定常化させているときでかつヒータ電流がクエンチヒータアセンブリ16の制限電流に到達する前に、制限器ヒータ32が発生させた熱が超伝導電流制限器18を定常状態に切替えている。一実施形態ではこれを、クエンチヒータアセンブリ16及び制限器ヒータ32の適正な抵抗値の選択によって達成している。図5を参照すると図1または4に示したクエンチ保護回路14、30が、少なくとも1つの超伝導コイル12と、熱シールド38及び真空容器36と、コイル12に対するクエンチ保護を提供するクエンチ保護回路14または30と、を含む超伝導マグネットシステム34システム34内で使用されている。クエンチ保護回路14または30は、図1及び4に示したような少なくとも直列接続のクエンチヒータアセンブリ16、超伝導電流制限器18及び電圧ブロッカー20を備える。ある種の実施形態ではそのクエンチ保護回路14または30は、コイル12と熱結合させた複数のクエンチヒータアセンブリ16を備える。図示した実施形態ではアセンブリ16内のクエンチヒータはそれぞれ、対応するコイル12の外表面または内表面に取り付けるか、あるいは超伝導コイル12の巻き線のうちの2つの層間に埋め込んだ熱伝導性薄膜である。コイル12のうちの1つまたは幾つかにクエンチが発生すると、クエンチヒータアセンブリ16が熱せられると共に熱がコイル12上のヒータ領域に拡散し、当該領域においてコイル12を定常化させる。コイル12の定常化された部分は抵抗を有すると共にジュール熱を発生させ、これがさらにコイル12内部に伝播して磁気エネルギーを徐々に熱エネルギーに移行させ、クエンチしたコイル内部の最大温度及び電圧が低減される。超伝導電流制限器18によってクエンチヒータアセンブリ16が過電流から保護される。図示した実施形態では超伝導電流制限器18は真空容器36及び熱シールド38の内部に配置されている。したがって、超伝導電流制限器18をクエンチヒータアセンブリ16と電気的に結合させるために真空容器36を貫通するような追加の配線は不要である。図5に示した実施形態では電圧ブロッカー20もまた、真空容器36及び熱シールド38の内部に配置されている。別の実施形態では、電圧ブロッカー20を真空容器36の外部に配置させることがある。図示した実施形態ではシステム34は、真空容器36の内部に配置させた熱シールド38を備える。熱シールド38は、室温からの放射熱がコイル12に影響するのを防止する。図示した実施形態では本システムはさらに、熱シールド38の内部に冷媒タンク40を備える。冷媒タンク40は、コイル12を受け容れると共に液体ヘリウムなどの冷媒を貯蔵している。図示した実施形態では、コイル12が液体ヘリウム中に浸漬されていると共に、システム34の通常動作時に液体ヘリウムの低い温度に維持されている。図示した実施形態では、システム34はコイル12を支持するための複数の支持部材42を備える。図示した実施形態では、超伝導電流制限器18を液体ヘリウム中に浸漬させている。図示した実施形態では、超伝導電流制限器18は支持部材42に対して装着されている。別の実施形態ではその超伝導電流制限器18は、コイル12に装着させること、あるいは冷媒タンク40の内表面に装着させることが可能である。図示した実施形態では、電圧ブロッカー20もまた冷媒タンク40の内部に配置させている。図示した実施形態では、電圧ブロッカー20は支持部材42上に装着されている。図6を参照すると、一実施形態ではその超伝導電流制限器18は、ボビン44と、ボビン44上に巻き付けられた少なくとも1つの超伝導ワイヤ46と、を備える。一実施形態ではその少なくとも1つの超伝導ワイヤ46は、ボビン44上に2本巻きbifilarlyで巻き付けられており、また隣接する巻き線周回を通って流れる電流iは隣接する周回によって発生させた磁場が互いに相殺され、したがって超伝導電流制限器の正味のインダクタンスが実質的にゼロになるように互いに反対方向に向いている。図示した実施形態では、超伝導ワイヤ46が折り返されており、したがって折り返されたワイヤはソレノイド様にボビン44上にらせん状に巻き付けられている。ある種の実施形態ではそのボビン44は、ガラス繊維強化プラスチックFRPあるいは銅やアルミニウムなどの金属を含むと共に、システム30図5内部に超伝導電流制限器18を装着するように適応させている。ある種の実施形態ではその超伝導ワイヤ46は超伝導材料を含む、好ましくは銅-ニッケルCu-Niマトリックスによるニオブ-チタンNbTiワイヤとすることが好ましい。本発明に関して例示的な実施形態を参照しながら記載してきたが、本発明の趣旨を逸脱することなく様々な変更が可能であると共に、その要素の等価物による置換が可能であることは当業者であれば理解するであろう。さらに、多くの修正形態により、本発明の本質的趣旨を逸脱することなく具体的な状況や材料を本発明の教示に適応させることができる。したがって、本発明を実施するように企図した最適モードとして開示した特定の実施形態に本発明を限定しようという意図ではなく、本発明は添付の特許請求の範囲の域内に入るすべての実施形態を包含するように意図している。特定の任意の実施形態に従って上述した目的または利点の必ずしもすべてを達成できるわけではないことを理解すべきである。したがって例えば、必ずしも本明細書において教示または示唆されるような別の目的または利点を達成するのではなく、本明細書における教示に従った1つの利点または利点の組を達成または最適化するような方式で本明細書に記載したシステム及び技法を具現化または実施できることは当業者であれば理解されよう。さらに当業者であれば様々な実施形態からの様々な特徴が相互に置き換え可能であることを理解されよう。当業者は、記載した様々な特徴、並びに各特徴に関する別の周知の等価形態を混合しマッチングさせ、本開示の原理に従った追加的なシステム及び技法を構築することが可能である。