誘電体を挟んで1対の電極が設けられており、両電極間に高周波高電圧を印加することで無声放電や沿面放電を発生させるとともに、この放電領域に酸素を含む原料ガスを供給することでオゾンを生成するものであって、この誘電体を冷却しつつ原料ガスとして純度99.9以上の高純度酸素を大気圧よりも低い圧力負圧で供給することでオゾン生成することを特徴とするオゾンガス生成方法。前記放電領域におけるガス温度を-10°C以下、望ましくは、-30°C以下に冷却してでオゾン生成を行うことを特徴とする請求項1に記載のオゾンガス生成方法。ガスの出入り口を有する密閉容器に誘電体の内部または外表面に平面上の誘電電極を形成し、内表面に線状の放電電極を形成した沿面放電素子を組み込んだオゾン発生器において、該誘導電極と該放電電極間に高周波高電圧を印加することで誘電体内表面に沿面放電を発生させ、ガス入口から純度99.9以上の高純度酸素を供給し、出口側のオゾン供給排気ラインに減圧ポンプを置いて、オゾン発生器内のガス圧力を大気圧よりも低く保ちながらオゾンを発生させることを特徴とするオゾン供給装置。前記沿面放電素子の内表面に形成された放電電極全体を覆うように、アルミナセラミックまたはガラスの薄膜保護層を形成することを特徴とする請求項3に記載のオゾンガス供給装置。前記沿面放電素子の誘電体を-10°C以下、望ましくは、-30°C以下に保持するような冷却機構を設けることを特徴とする請求項3から4に記載のオゾンガス供給装置。前記冷却機構としてヒートポンプ回路を用いたことを特徴とする請求項3から5に記載のオゾンガス供給装置。供給する純度99.9以上の高純度酸素を予め冷却の上、前記ガス入口に供給することを特徴とする請求項請求項3から6に記載のオゾンガス供給装置前記オゾンガス発生装置の出口にオゾンガス貯留槽が接続され、その下流にオゾン処理槽、減圧ポンプが順次接続されていることを特徴とする請求項3から7に記載のオゾン供給装置。前記オゾンガス貯留槽またはその前後の配管に吸光式オゾン濃度計を組み込んだことを特徴とする請求項3から8に記載のオゾン供給装置。前記吸光式オゾン濃度計の光源として可視光LEDを用いることを特徴とする請求項3から9に記載のオゾン供給装置。本発明の目的は、半導体製造装置などの99.9以上の高純度酸素を用いる場合に発生するオゾンゼロ現象を回避し、従来の無声放電や沿面放電型オゾン発生器の構造や材質を変えることなく、簡単な方法で高濃度オゾンの安定的な供給を可能たらしめるオゾン生成方法ならびにオゾン供給装置を提供することにある。本発明によるオゾン生成方法は、誘電体を挟んで1対の電極が設けられており、両電極間に高周波高電圧を印加することで無声放電や沿面放電を発生させるとともに、この放電領域に酸素を含む原料ガスを供給することでオゾンを生成するものであって、原料ガスとして純度99.9以上の高純度酸素を大気圧よりも低い圧力負圧で供給することでオゾン生成する。この時、放電領域におけるガス温度を-10°C以下、望ましくは、-30°C以下に冷却してでオゾン生成を行うよい。半導体製造装置などにオゾンを供給する場合、通常、半導体製造装置は減圧状態真空になっており、オゾン発生器との間に流量をコントロールする手段、例えば、マスフローコントローラや流量調整バルブなどを置いてオゾンを供給している。この場合、従来オゾン発生器は、無声放電、沿面放電などの誘電体バリアを用いる放電では大気圧よりも高い圧力で放電しオゾンを生成しているが、本発明では半導体製造装置の減圧手段真空ポンプをそのまま利用し、オゾン発生器のガス圧力を大気圧より低い圧力に維持するように高純度酸素を供給する。また、本発明によるオゾン供給装置では、ガスの出入り口を有する密閉容器に誘電体の内部または外表面に平面上の誘電電極を形成し、内表面に線状の放電電極を形成した沿面放電素子を組み込んだオゾン発生器において、該誘導電極と該放電電極間に高周波高電圧を印加することで誘電体内表面に沿面放電を発生させ、ガス入口から純度99.9以上の高純度酸素を供給し、出口側のオゾン供給ラインに減圧ポンプを置いて、オゾン発生器内のガス圧力を大気圧よりも低く保ちながらオゾンを発生させる。さらに、この沿面放電素子の誘電体を-10°C以下、望ましくは、-30°C以下に保持するような冷却機構を設ける。本発明によるオゾン生成方法では純度99.9以上の高純度酸素を用いても、当初のオゾン発生濃度が時間と共に低下せず、半導体製造装置などのオゾンを用いた処理装置に安定した濃度の高濃度オゾンを供給することが可能となった。さらに、オゾン発生器ならびにオゾン供給装置のオゾン流通部全体を負圧下で稼働することができるため、高濃度オゾンの室内環境への漏えいも発生しない。そのため、漏えいに備えた対策、例えば室内環境オゾン濃度のモニタリング、オゾン発生器ならびにオゾン供給装置全体を排気してオゾンが室内環境に漏えいすることを防止するなどの方策が不要となり、オゾンをより安全に、かつ、勘弁に使用することができる効果もある。図1から図4に示す無声放電素子や沿面放電素子では誘電体6を挟んで1対の電極2と7、9と11、または12と13が設けられており、両電極間に高周波高電圧を印加することで無声放電や沿面放電を発生させるとともに、この放電領域4や10に酸素を含む原料ガスを供給することでオゾンを生成するものであって、この誘電体6を冷却しつつ原料ガスとして純度99.9以上の高純度酸素を大気圧よりも低い圧力負圧で高純度酸素ガス入口1からガス流路3に供給することで放電領域4や10でオゾン生成し、高濃度オゾンガス出口5より高濃度オゾンガスを取り出すオゾン発生方法である。この時、放電領域4や10は誘電体6を介して冷却されており、ここでのガス温度を-10°C以下、望ましくは-30°C以下に保つことで、オゾンゼロ現象を回避するとともに発生するオゾン濃度の低下を防止する。図5に示すように純度90以上の円筒型アルミナセラミック25の内表面26に線状の放電電極9を設け、その内部に面状の誘導電極10を設け、さらに、内表面26に10~50μmのコーティングアルミナ又はガラス27を形成した円筒型沿面放電素子22において、放電電極ターミナル23と誘導電極ターミナル21を介して図示されていない高周波高電圧電源を接続することで両電極間に高周波高電圧を印加して沿面放電を発生させる。図6に示すようにコーティング27は放電電極9、放電電極ターミナル23およびそれらの間の配線を全て覆い、金属が沿面放電の発生する沿面放電領域10に曝露しないようにすることで金属によるコンタミネーションが発生しないようにするとよい。また、さらにコーティング27は沿面放電領域全面に施すことで、沿面放電により生成される酸素原子、さらに、酸素原子と酸素分子が三体衝突することで生じるオゾン、その他のイオンや活性種、酸素分子はコーティング27のみが接触することになる。この円筒型沿面放電素子22の円筒型誘電体25に冷却機構、例えば、水冷のためのジャケットや熱接触プレートを取り付けて、円筒型誘電体25を-10°C以下、望ましくは-30°C以下に保つことで、オゾンゼロ現象を回避するとともに発生するオゾン濃度の低下を防止する。図7にはヒートポンプ回路60を用いて円筒型誘電体25を冷却する方法を記載した。すなわち、冷却を行うために、円筒型誘電体25の外表面に熱伝導シリコンなどの熱接触剤を介して銅製の円筒形に形成した熱接触プレート53を取り付ける。熱接触プレート53には冷媒液流路54が熱伝導が十分行われるように取り付けられている。この冷媒液流路54にヒートポンプ回路60の冷媒液を流し、冷媒液が沿面放電素子22で発生する熱を奪い蒸発することで熱接触プレート53がヒートポンプ回路60の蒸発器52となる。その結果、冷媒液の蒸発潜熱で円筒型誘電体25は冷却され、沿面放電領域のガスも低温に保つことができる。勿論、この冷却液流路54に冷却された水や冷却液を流して、その顕熱を利用して冷却することも可能である。冷却液は冷却温度により適当なものを選択すればよい。また、このような熱接触プレート53と冷媒液流路54を形成した熱交換器でなく、容器にそのまま沿面放電素子22を取り付け、その容器に冷却液を満たして、その冷却液を循環することで冷却してもよい。このように構成した円筒型沿面放電素子22に高純度酸素ガス入口56と高濃度オゾンガス出口55を取り付けオゾン発生器57とし、高純度酸素ガス入口56には減圧弁64、高純度酸素ガス流量制御器62を介して高純度酸素ガス源65を接続する。また、高濃度オゾンガス出口55には低真空ポンプ減圧ポンプ80を具備したオゾン処理槽真空槽74が高濃度オゾンガス流量制御器72を介して接続している。オゾン処理プロセスの処理圧力に依っては高真空ポンプ78をオゾン処理槽真空槽74に取り付ける。これらの真空ポンプにより減圧真空となっているオゾン処理槽真空槽74に高濃度オゾンガス流量制御器72を介して高濃度オゾンガスが供給されるが、高濃度オゾンガス流量制御器72を介して供給されるオゾンガス量と高純度酸素ガス流量制御器62を介して供給される高純度酸素ガス量のバランスをとることで、オゾン発生器57のガス圧力は所定の減圧状態に維持される。このようにガス配管を行い、冷却機構を取り付けたオゾン発生器57に沿面放電を発生させるための高周波高圧電源図示はないを接続し、99.9以上の純度を有する高純度酸素を原料として沿面放電によってオゾンガスを生成した場合、オゾン濃度が時間の経過に拘わらず安定な高濃度で生成することができる。必要に応じて、図7に示したオゾンガス貯留槽70や吸光式オゾン濃度計73を取り付けるとオゾン濃度が正確で、かつ、安定した流量、オゾン濃度の高濃度オゾンガスをオゾン処理槽真空槽74に供給することができる。この場合、吸光式オゾン濃度計の光源として可視光LEDを用いることで安価で単純な構造の吸光式オゾン濃度計が構成できる。すなわち、可視光チャピウス吸収帯の波長の吸光係数は紫外光ハートレー吸収帯の波長に比較して吸光係数が2桁程度小さいが、150g/Nm3以上の高濃度オゾンの場合、可視光LEDの出力を調整すれば十分正確に計測することが可能となる。さらに、可視光では高濃度オゾンを分解するおそれも少なく、高濃度オゾンガスのインラインオゾン濃度計測に最適である。オゾン貯留槽70にバイパスバルブ79を接続して低真空ポンプ減圧ポンプ80にバイパス配管を行うことで、オゾン処理槽真空槽74にガスを供給することなく、オゾン発生器57のガス圧力を大気圧よりも低い圧力負圧しながら、オゾン生成を行うことが可能である。図7に示したヒートポンプ回路を取り付け、ヒートポンプの冷媒R404aを用いて、円筒型誘電体25の温度を-35°C以下に保った時のガス圧力とオゾン濃度の関係を図9に示した。なお、図9で示したオゾン発生濃度はオゾン発生器の稼働を始めてから2時間以上経過ており、純度99.9995以上の高純度酸素を用いた場合ではオゾンゼロ現象が認められるべき時間を経過した時のものである。なお、純度99.9995以上の高純度酸素を用いて大気圧以上でオゾン発生を行った場合は、さらに、オゾン発生濃度は低下していく傾向がある。図9から分かるように、-0.05MPaでは大気圧下でのオゾン発生濃度オゾンゼロ現象発生時を上回り、特に、-0.01MPa~-0.015MPaでは純度99.5以上の工業用酸素と同程度のオゾン発生濃度となっている。一方、加圧下ではオゾンゼロ現象が顕著となり、オゾン濃度の低下が著しい。また、図10は円筒型誘電体の冷却温度が変化させた場合にオゾンガス濃度に与える影響を示したものである。この図においてガス圧を大気圧以下の適当な値に保持しオゾンゼロ現象が解消した場合の純度99.9995以上の高純度酸素を用いた場合のオゾンガス濃度を純度99.5以上の工業用酸素ガス圧は大気圧以上と比較したものを図10に示す。この場合、冷却温度を-10°C以上にするとオゾンゼロ現象を解消することが難しかった。また、冷却温度を下げて-30°C以下とすると純度99.5以上の工業用酸素と同程度のオゾン発生濃度300g/Nm3を超える高濃度オゾンが得られる。すなわち、冷却温度を-10°C以下とするとオゾンゼロ現象が解消でき、さらに、-30°C以下とすると、オゾン濃度の低下がない本オゾン発生装置本来の性能を引き出すことが可能であった。。