開口部を有し、炭化珪素単結晶の原料が配置される坩堝本体と、前記坩堝本体の開口部を塞ぐ蓋体とを備えた坩堝と、前記坩堝本体の側部の外側に位置し、前記坩堝を誘導加熱する加熱コイルとを有する炭化珪素単結晶の製造装置であって、前記開口部と対向する前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率よりも大きい炭化珪素単結晶の製造装置。前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率の2倍以上10倍以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。開口部を有し、炭化珪素単結晶の原料が配置される坩堝本体と、前記坩堝本体の開口部を塞ぐ蓋体とを備えた坩堝と、前記坩堝本体の側部の外側に位置し、前記坩堝を誘導加熱する加熱コイルとを有し、前記開口部と対向する前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率よりも大きい炭化珪素単結晶の製造装置を用い、炭化珪素からなる種結晶及び前記原料を前記坩堝に配置する工程と、前記原料を加熱し、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備えた炭化珪素単結晶の製造方法。前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率の2倍以上10倍以下である請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。高品質の炭化珪素単結晶を製造するための方法のひとつに、炭化珪素単結晶の成長速度を遅くしたまま、炭化珪素単結晶を成長させる方法がある。成長速度を遅くすることにより、成長中の炭化珪素単結晶に生じる応力が低くなる。その結果、炭化珪素単結晶に欠陥が発生しにくくなり、高品質の炭化珪素単結晶を製造できる。成長速度を遅くするためには、坩堝の底部側の温度と坩堝の蓋体側の温度とを近づけて、坩堝内部の温度勾配を小さくすればよい。これにより、炭化珪素単結晶の成長面と原料との温度差が小さくなり、成長速度が遅くなる。しかしながら、炭化珪素単結晶が成長する温度には、上限があるため、温度差を小さくした場合、原料が昇華しにくくなる。その結果、原料が残り、充分な大きさの炭化珪素単結晶が製造できないという問題が生じていた。そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、坩堝内部の温度勾配を小さくしても、原料を残さず昇華させることが可能な炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。本発明の特徴は、開口部を有し、炭化珪素単結晶の原料原料20が配置される坩堝本体坩堝本体30と、前記坩堝本体の開口部を塞ぐ蓋体坩堝蓋体40とを備えた坩堝坩堝50と、前記坩堝本体の側部側部30bの外側に位置し、前記坩堝を誘導加熱する加熱コイル加熱コイル80とを有する炭化珪素単結晶の製造装置装置1であって、前記開口部と対向する前記坩堝本体の底部底部30aの電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率よりも大きいことを要旨とする。本発明の特徴によれば、開口部と対向する坩堝本体の底部の電気伝導率は、坩堝本体の側部の電気伝導率よりも大きい。このため、坩堝の底部は、坩堝の側部に比べて電流量が増加する。これにより、坩堝の底部の発熱量は増大し、坩堝の底部に向かうにつれ、原料の加熱温度が上昇する。従って、坩堝内部の温度勾配を小さくしても、原料が昇華するにつれ、種結晶に対向する原料の表面の温度を上昇させることができる。このため、原料を残さず昇華させることができ、その結果、充分な大きさの炭化珪素単結晶を製造することができる。また、本発明の別の特徴は、開口部を有し、炭化珪素単結晶の原料が配置される坩堝本体と、前記坩堝本体の開口部を塞ぐ蓋体とを備えた坩堝と、前記坩堝本体の側部の外側に位置し、前記坩堝を誘導加熱する加熱コイルとを有し、前記開口部と対向する前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率よりも大きい炭化珪素単結晶の製造装置を用い、炭化珪素からなる種結晶及び前記原料を前記坩堝に配置する工程配置工程S1と、前記原料を加熱し、前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程成長工程S2とを備えたことを要旨とする。また、前記坩堝本体の底部の電気伝導率は、前記坩堝本体の側部の電気伝導率の2倍以上10倍以下であっても良い。本発明によれば、坩堝内部の温度勾配を小さくしても、原料を残さず昇華させることが可能な炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供することができる。本発明に係る炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。具体的には、1炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成、2炭化珪素単結晶の製造方法、3作用効果、4その他実施形態、について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号を付している。図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。1炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成本実施形態に係る炭化珪素単結晶製造装置1の概略構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶製造装置1の概略断面図である。図1に示されるように、炭化珪素単結晶製造装置1以下、適宜、装置1と略すは、坩堝本体30と蓋体40とを有する坩堝50、支持棒60、石英管70、加熱コイル80、干渉防止コイル85及び封止部材200を有する。坩堝50は、坩堝本体30と蓋体40とを備える。坩堝本体30は、開口部を有する。坩堝本体30は、筒型の容器である。坩堝本体30は、底部30aと側部30bとを有する。底部30aは、坩堝本体30の底面33を構成する。底部30aは、開口部と対向する。側部30bは、坩堝本体30の側面35を構成する。側部30bの一端部は、開口部を形成し、側部30bの他端部は、底部30aと接する。具体的には、側部30bの他端部は、底面33と同一平面上において、底面33と接する。底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率よりも大きい。底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率の2倍以上10倍以下が好ましい。このような底部30aと側部30bとで電気伝導率が異なる坩堝本体30は、黒鉛材料を用いて製造することができる。坩堝本体30には、炭化珪素単結晶以下、適宜、単結晶と略すの原料20昇華用原料ともいうが配置される。具体的には、坩堝本体30の開口部から坩堝本体30の底面33に原料20が配置される。蓋体40は、坩堝本体30の開口部を塞ぐ。蓋体40は、凸部を有する。凸部が開口部に嵌合することにより、坩堝本体30の開口部を塞ぐ。本実施形態において、蓋体40の凸部及び坩堝本体30は、互いにかみ合うねじ山が形成されている。蓋体40は、坩堝本体30の底面33側に面する面41を有する。面41には、台座45が形成されている。台座45には、種結晶が配置される。従って、坩堝50の一端部すなわち、蓋体40には、種結晶100が配置され、坩堝50の一端部に対向する坩堝50の他端部すわなち、坩堝本体30の底部には、原料20が配置される。このため、種結晶100と原料20とは対向している。坩堝50は、支持棒60により石英管70の内部に固定される。加熱コイル80は、石英管70の外周に設けられる。すなわち、加熱コイル80は、坩堝本体30の側部30bの外側に位置する。加熱コイル80は、加熱コイル80a及び加熱コイル80bを有する。加熱コイル80aは、坩堝本体30の底面33側に位置する。加熱コイル80bは、蓋体40側に位置する。加熱コイル80に高周波電流を流すことにより、加熱コイル80は、坩堝50を誘導加熱する。これにより、坩堝50の内部の温度が上昇し、原料20が昇華する。原料20が再結晶しやすいように、蓋体40側の温度は、坩堝本体30の底面33側の温度に比べて、低くすることが好ましい。なお、坩堝50は、断熱材不図示に覆われている。2炭化珪素単結晶の製造方法本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。図2は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。図2に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、配置工程S1及び成長工程S2を備える。本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法では、上述した装置1を用いて炭化珪素単結晶を製造する。2.1配置工程S1配置工程S1は、炭化珪素からなる種結晶100及び原料20を坩堝50に配置する工程である。種結晶100を坩堝50の蓋体40に配置する。具体的には、接着剤を用いて、種結晶100を台座45に固定する。原料20は、坩堝本体30に配置する。具体的には、原料20坩堝本体30の開口部から坩堝本体30の底面33に配置する。これにより、種結晶100は、坩堝50の一方側に配置され、原料20は、坩堝50の他方側に配置される。種結晶100は、炭化珪素からなるものを準備する。具体的には、炭化珪素単結晶を平板状に加工したものを準備する。種結晶100には、裏面から炭化珪素が昇華することを抑える保護層を備えていても良い。原料20に含まれる炭化珪素は、どのような製造方法で製造されたものを準備しても構わない。例えば、化学気相成長法CVD法で製造された炭化珪素を用いてもよいし、珪素含有原料と炭素含有原料とから炭化珪素前駆体を生成し、生成された炭化珪素前駆体を焼成することで得られる炭化珪素を用いてもよい。原料20には、不純物が少ないものを用いることが好ましい。2.2成長工程S2成長工程S2は、原料20を加熱し、種結晶100上に炭化珪素単結晶を成長させる工程である。加熱コイル80に電流を通電して、坩堝50を加熱する。加熱された坩堝本体30が原料20を加熱する。一般的に、加熱温度は、2000°Cから2500°Cである。蓋体40側の温度が、坩堝本体30の底部側の温度よりもやや低温となるように、加熱コイル80a及び加熱コイル80bを調整する。原料20の昇華温度を超えると、原料20は、昇華する。本実施形態において、底部30a及び底部30a側の側部30bは、加熱コイル80aにより加熱される。底部30aは、側部30bよりも電気伝導率が大きいため、同一の加熱コイル80aであっても、底部30aの方が、側部30bよりも多くの電流が流れる。すなわち、底部30aの発熱量は、側部30bの発熱量よりも大きくなる。このため、原料20は、底部30aに近づくほど加熱される。昇華した原料20は、種結晶100上で再結晶する。これにより炭化珪素単結晶が成長を開始する。所望の大きさの炭化珪素単結晶が得られるまで、炭化珪素単結晶を成長させる。炭化珪素単結晶の成長速度は、0.1mm/h以下となり、成長中の炭化珪素単結晶に生じる応力は、10MPa以下となるように、成長させることが好ましい。このような条件の下、成長した炭化珪素単結晶には、欠陥が発生しにくいため、高品質な炭化珪素単結晶が製造できる。3作用効果図3に示されるように、坩堝50の底部30aと蓋体40とを通る中心軸において、底部30aから蓋体40に向かう方向をZ軸とする。Z軸における温度をTZと定義する。Z軸上において、底面33の位置をZ=0とし、種結晶100と対向する原料20の表面20aの位置をZ=Zsurとし、原料20と対向する種結晶100の表面の位置をZ=Zseedとする。結晶成長を継続的に持続させるためには、昇華用原料の底部図3、図4のZ=0から昇華用原料表面Zsurを経て種結晶表面Zseedにいたるまでの温度勾配を図4に示すように一様に右肩下がりにする必要がある。すなわち、昇華用原料の底部をZ=0として図3のようにZ軸をとり、任意のZにおける温度をTZと表記すれば、結晶成長を継続的に持続させるための条件は、以下の式1を満たすものとなる。dTZ/dZ<0但し、0<Z<Zseed式1この条件を満たすことで、昇華用原料表面には、常に昇華用原料の底部側から原料が供給されるため、結晶成長を継続的に持続させることができる。もし、図5に示すような極大点を持つような温度分布の場合、極大点Zmaxよりも種結晶100側に充填された昇華用原料は、種結晶100側に拡散輸送されて結晶成長に寄与する。一方、極大点よりも底部30a側に充填された昇華用原料は、底部30a側に拡散輸送され、底部側で再結晶化する。このため、昇華用原料の表面すなわち、Zsurには、原料の供給が行われない。このため結晶成長を継続的に持続することができない。本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法によれば、底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率よりも大きい。このため、底部30aの発熱量は、側部30bの発熱量よりも大きくなる。従って、原料20は、底部30aに近づくほど加熱される。このため、図4に示されるように、坩堝50の温度分布は、上記式1を満たすものとなる。すなわち、単結晶の成長速度を遅くするために、底部30a側の温度と蓋体40側の温度とを近づけても、単結晶の成長面の温度よりも原料20の表面20a温度の方が低くなることがない。従って、上記式1を常に満たすことができ、充分な大きさの高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率の2倍以上10倍以下が好ましい。底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率の2倍以上であれば、底部30aの発熱量は、側部30bの発熱量よりも充分大きくなるため、原料20の表面の温度は、単結晶の成長面の温度よりも高く保たれる。底部30aの電気伝導率は、側部30bの電気伝導率の10倍以下であれば、底部30aが必要以上の高温に加熱されることを防ぐことができる。具体的には必要以上の高温になることで底部30aが熱によって損耗したり、黒鉛が昇華して結晶内に取り込まれたりことを防止することができる。4その他実施形態本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。具体的には、上述した実施形態では、側部30bの他端部は、底面33と同一平面上において、底部30aと接していたが、これに限られない。例えば、図6aに示されるように、坩堝50の底部30aの側面と接しても良い。また、図6bに示されるように、坩堝50の底部30aのうち、原料20と接する部分のみ電気伝導率が異なっても良い。すなわち、坩堝50の底部30aのうち、坩堝本体30の底面33を構成する部分30a1すなわち、坩堝本体30の内側部分の電気伝導率は、側部30bの電気伝導率よりも大きく、坩堝本体30の外側を構成する部分30a2は、側部30bの電気伝導率と同じであっても良い。また、図6cに示されるように、坩堝本体30の底面33を構成する部分30a1の電気伝導率は、側部30bの電気伝導率と同じであって、坩堝本体30の外側を構成する部分30a2は、側部30bの電気伝導率より大きくても良い。上述の通り、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。