"キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、a前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、NNは2以上の整数重化した積層体と、前記積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層して、NNは2以上の整数重化した積層体と、を含み、前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、b各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、cキャリアから払い出された基板を、塗布膜用の単位ブロックの受け渡し部に受け渡す受け渡し機構と、d基板の搬送を制御するための制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。前記塗布膜用の単位ブロックは、基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を含み、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの少なくとも一方に設けられ、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれについても各々N個用いてN重化されて積層されていることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。前記受け渡し機構は、前段処理用の各単位ブロックにて処理された基板を後段処理用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すように制御されることを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。前記前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックごとにインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロック用の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、前段処理用の単位ブロックにて処理された基板を、インターフェイスブロック側に設けられた前記受け渡し部を介して後段処理用の単位ブロックに受け渡すために、インターフェイスブロックに設けられた受け渡し機構と、を備えたことを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。レジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の各単位ブロックに設けられ、前段処理用の各単位ブロックには、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールが設けられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。レジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の各単位ブロックに設けられ、前段処理用の各単位ブロックには、レジスト膜が形成された基板を検査するための露光前検査モジュールが設けられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、この検査モジュールで検査を受けるまでに基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、を備え、前記制御部は、現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて現像処理用の単位ブロックにおける当該基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードを備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。前記制御部は、前記現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、塗布膜用の単位ブロックにおける当該基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードを備えたことを特徴とする請求項7記載の塗布、現像装置。現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、この検査モジュールで検査を受けるまでに基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、を備え、前記制御部は、前記現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、当該基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように制御信号を出力するモードを備えたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。前記制御部は、前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、当該基板が処理された塗布膜用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の塗布膜用の単位ブロックに搬送するように制御信号を出力するモードを備えたことを特徴とする請求項9に記載の塗布、現像装置。現像液の粘度は、下層側の反射防止膜を形成するための薬液及びレジスト液並びに上層側の反射防止膜を形成するための薬液のいずれの粘度よりも小さく、現像処理用の単位ブロックは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの上方側に位置していることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。前記制御部は、通常の基板の処理が行われているときに、メンテナンスを行うためのメンテナンスモードへ移行する切り替え信号を出力することができるように構成され、この切り替え信号により、N重化された単位ブロックの中でメンテナンスの対象となる単位ブロックへの基板の搬入が止められ、当該N重化された単位ブロックのうち他の単位ブロックへの基板の搬入が行われるように制御信号が出力されることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。本発明はこのような事情の下になされたものであり、処理ブロックの設置面積を抑えると共に、単位ブロックに異常が発生したりメンテナンスを行うときに、塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができる技術を提供することにある。本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、a前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、NNは2以上の整数重化した積層体と、前記積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層して、NNは2以上の整数重化した積層体と、を含み、前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、b各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、cキャリアから払い出された基板を、塗布膜用の単位ブロックの受け渡し部に受け渡す受け渡し機構と、d基板の搬送を制御するための制御部と、を備えたことを特徴とする。処理ブロックの一例としては、基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を含み、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの少なくとも一方に設けられ、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれについても各々N個用いてN重化されて積層されている構成を挙げることができる。本発明によれば、レジスト膜を含む塗布膜を形成するための単位ブロックとして、塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを用い、この単位ブロックを互に上下に積層して、NNは2以上の整数重化している。そしてこれら単位ブロック群に更に、上下にN重化された現像処理用の単位ブロックを積層している。このため、処理ブロックの奥行き寸法をほどよい大きさに設定しながら設置面積を小さくできる。また各単位ブロックをN重化していることから、一つの単位ブロックについて異常が発生したり、メンテナンスを行っているときでも他の単位ブロックを使用することができ、可動効率の低下を抑えることができる。本発明に係る塗布、現像装置1について説明する。図1は、本発明の塗布、現像装置1をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図2は同概略斜視図、図3は同概略側面図である。この塗布、現像装置1は、基板であるウエハWが例えば25枚密閉収納されたキャリアCを搬入出するためのキャリアブロックS1と、ウエハWに対して、処理を行うための処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックS3には、液浸露光を行う露光装置S4が接続されている。前記キャリアブロックS1には、前記キャリアCを載置する載置台11と、この載置台11から見て前方の壁面に設けられる開閉部12と、開閉部12を介してキャリアCからウエハWを取り出すための受け渡しアーム13とが設けられている。受け渡しアーム13は、上下方向に5つのウエハ保持部14を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアCの配列方向に移動自在に構成されている。後述の制御部はキャリアCのウエハWに番号を割り当て、受け渡しアーム5は番号の小さいものから5枚ずつ順にウエハWを処理ブロックS2の受け渡しモジュールBU1へ一括で受け渡す。なお、ウエハWを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハWに対して加熱、液処理、ガス供給または周縁露光などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハWに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。キャリアブロックS1には、処理ブロックS2が接続されており、この処理ブロックS2は、ウエハWに液処理を行う第1~第6のブロックB1~B6が下から順に積層されて構成されている。処理ブロックS2の概略縦断側面図である図4も参照しながら説明を続ける。前段処理用の単位ブロックである第1の単位ブロックB1及び第2の単位ブロックB2は同様に構成されており、ウエハWに反射防止膜の形成及びレジスト膜の形成を行う。後段処理用の単位ブロックである第3の単位ブロックB3及び第4の単位ブロックB4は同様に構成されており、液浸露光用の保護膜の形成及びウエハWの裏面側洗浄を行う。現像処理用の単位ブロックである第5の単位ブロックB5及び第6の単位ブロックB6は同様に構成されており、液浸露光後のウエハWに現像処理を行う。このようにウエハWに同じ処理を行う単位ブロックが、二層ずつ設けられている。また、便宜上、第1~第4の単位ブロックB1~B4を塗布ブロック、第5~第6の単位ブロックB5~B6を現像ブロックと呼ぶ。これら単位ブロックB1~B6は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームAと、前記メインアームAが移動する搬送領域R1と、を備えており、各単位ブロックBでは、これらの配置レイアウトが同様に構成されている。各単位ブロックBでは、メインアームAにより互いに独立してウエハWが搬送され、処理が行われる。前記搬送領域R1は、キャリアブロックS1からインターフェイスブロックS3へと伸びる直線搬送路である。図1では第1の単位ブロックB1について示しており、以下、代表してこの第1の単位ブロックB1について説明する。この第1の単位ブロックB1の中央には、前記搬送領域R1が形成されている。この搬送領域R1をキャリアブロックS1からインターフェイスブロックS3側へ見た左右には液処理ユニット21、棚ユニットU1~U6が夫々配置されている。液処理ユニット21には、反射防止膜形成モジュールBCT1、BCT2と、レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2とが設けられており、キャリアブロックS1側からインターフェイスブロックS3側に向かってBCT1,BCT2、COT1、COT2が、この順に配列されている。反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTはスピンチャック22を備えており、スピンチャック22は、ウエハWの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中23は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ23は、スピンチャック22の周囲を囲み、薬液の飛散を抑える。ウエハWを処理するときには、当該処理カップ23内にウエハWが収容され、ウエハWの裏面中央部はスピンチャック22に保持される。また、反射防止膜形成モジュールBCT1,BCT2には、これらのモジュールで共用されるノズル24が設けられている。図中25は、ノズル24を支持するアームであり、図中26は駆動機構である。駆動機構26は、アーム25を介してノズル24を各処理カップ23の配列方向に移動させると共にアーム25を介してノズル24を昇降させる。駆動機構26により、ノズル24は反射防止膜形成モジュールBCT1の処理カップ23上と反射防止膜形成モジュールBCT2の処理カップ23上との間を移動し、各スピンチャック22に受け渡されたウエハWの中心に反射防止膜形成用の薬液を吐出する。供給された薬液は、前記スピンチャック22により鉛直軸回りに回転するウエハWの遠心力により、ウエハWの周縁へと展伸し、反射防止膜が成膜される。また、図示は省略しているが、反射防止膜形成モジュールBCT1,BCT2は、ウエハWの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2は、反射防止膜形成モジュールBCT1,BCT2と同様に構成されている。つまり、レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2は各々ウエハWを処理するための処理カップ23及びスピンチャック22を備えており、各処理カップ23及びスピンチャック22に対してノズル24が共有されている。ただし、前記ノズル24からは反射防止膜形成用の薬液の代わりにレジストが供給される。なお、ここでは1つの液処理モジュールごとに各処理カップ23が設けられ、2つの液処理モジュールが1つのノズル24を共有しているものとして説明しているが、1つの液処理モジュールが、1つのノズル24と2つの処理カップ23とを備え、ノズル24が2つの処理カップ23に共有されていると見ることもできる。棚ユニットU1~U6は、キャリアブロックS1側からインターフェイスブロックS3側に向けて順に配列されている。各棚ユニットU1~U5は、ウエハWの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば2段に積層されて構成されている。加熱モジュールはウエハWを加熱する熱板と、加熱後にウエハWを冷却する冷却プレートとを備えている。従って単位ブロックB1は10基の加熱モジュールを備えており、各加熱モジュールはHP100~HP109とする。棚ユニットU6は、レジスト塗布後のウエハWに対して周縁露光を行う周縁露光モジュールWEE1、WEE2が積層されて構成されている。前記搬送領域R1には、前記メインアームA1が設けられている。このメインアームA1は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、処理ブロックS2の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックB1の全てのモジュール間でウエハWの受け渡しを行うことができる。他の単位ブロックについて説明する。第2の単位ブロックB2は、既述の第1の単位ブロックB1と同様に構成されており、反射防止膜形成モジュールBCT3、BCT4及びレジスト膜形成モジュールCOT3、COT4が設けられている。また、各棚ユニットU1~U5を構成する加熱モジュールとして、HP200~209の10基が設けられている。棚ユニットU6を構成する周縁露光モジュールとして、WEE3、WEE4の2基が設けられている。第3の単位ブロックB3は、第1の単位ブロックB1と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールBCT1、BCT2の代わりに液浸露光用の保護膜形成モジュールTCT1、TCT2を備えている。また、レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2の代わりに裏面洗浄モジュールBST1、BST2を備えている。保護膜形成モジュールTCT1、TCT2は、ウエハWに撥水性の保護膜を形成するための薬液を供給することを除いて、反射防止膜形成モジュールBCTと同様の構成である。つまり、各保護膜形成モジュールTCT1、TCT2は、各々ウエハWを処理するための処理カップ23及びスピンチャック22を備えており、ノズル24がこれら2つの処理カップ23及びスピンチャック22に共有されている。裏面洗浄モジュールBST1、BST2は、ウエハWの表面に薬液を供給するノズル24が設けられる代わりに、ウエハWの裏面及び周縁のベベル部に洗浄液を供給し、ウエハWの裏面を洗浄するノズルが夫々個別に設けられる。このような違いを除いては、反射防止膜形成モジュールBCTと同様の構成である。なお、裏面洗浄モジュールBSTはウエハWの裏面側のみ、または前記ベベル部のみを洗浄するように構成されていてもよい。更に裏面洗浄モジュールBST1、BST2は、洗浄液に加えてブラシ部材を用いて擦過作用によりウエハWの裏面を洗浄するようにしてもよい。また、第3の単位ブロックB3の棚ユニットU6は、周縁露光モジュールWEEの代わりに加熱モジュールにより構成されている。この棚ユニットU1~U6の加熱モジュールは、HP300~311とする。第4の単位ブロックB4は、既述の第3の単位ブロックB3と同様に構成されており、保護膜形成モジュールTCT3、TCT4及び裏面洗浄モジュールBST3、BSTT4が設けられている。第4の単位ブロックB4の棚ユニットU1~U6は、加熱モジュールHP400~411により構成されている。第5の単位ブロックB5は、単位ブロックB1と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールBCT1及びレジスト膜形成モジュールCOTの代わりに現像モジュールDEV1~DEV4を備えている。現像モジュールDEVは、ウエハWにレジストの代わりに現像液を供給する他は、レジスト膜形成モジュールCOTと同様に構成されている。また、第5の単位ブロックB5の棚ユニットU1~U6は、加熱モジュールHP500~HP511により構成されている。第6の単位ブロックB6は、単位ブロックB5と同様に構成されており、現像モジュールDEV5~DEV8が設けられている。また、第6の単位ブロックB6の棚ユニットU1~U6は、加熱モジュールHP600~HP611により構成されている。各単位ブロックの液処理ユニット21において、ウエハWに供給された薬液は、例えば塗布、現像装置の下方側に設けられた図示しない排液路に向かい排液される。反射防止膜形成モジュールBCT、レジスト膜形成モジュールCOT及び保護膜形成モジュールTCTでウエハWに供給される薬液の粘度は、現像液の粘度よりも高い。従って、この実施形態のように現像モジュールDEVを上側の単位ブロックに配置し、他の液処理モジュールを下側の単位ブロックに配置することで、各薬液を速やかに排液することができる。その結果として、各処理モジュールにおいて薬液が揮発することを防ぐことができるので、液処理ユニット21内の処理環境が変化することが防ぐことができる。搬送領域R1のキャリアブロックS1側には、図1及び図3に示すように、各単位ブロックBに跨った棚ユニットU7が設けられている。以下、棚ユニットU7の構成について説明する。棚ユニットU7は、互いに積層された複数のモジュールにより構成され、第1の単位ブロックB1のメインアームA1がアクセスできる高さ位置に、疎水化処理モジュールADH1、ADH2及び受け渡しモジュールCPL1~CPL3が設けられている。第2の単位ブロックB2のメインアームA2がアクセスできる高さ位置には、疎水化処理モジュールADH3、ADH4及び受け渡しモジュールCPL4~CPL6が設けられている。説明中、CPLと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハWを冷却する冷却ステージを備えている。BUと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハWを収容し、滞留させることができるように構成されている。また、疎水化処理モジュールADH1~ADH4は、ウエハWに処理ガスを供給し、ウエハW表面の疎水性を向上させる。それによって、液浸露光時にウエハWから各膜の剥がれを抑える。特にウエハWのベベル部周端部の疎水性を向上させることにより、各液処理モジュールで当該周端部の膜が除去されてウエハWの表面が剥き出しになった状態でも、当該表面が撥水作用を有し、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑えるように処理が行われる。また、単位ブロックB3、B4のメインアームA3、A4がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールCPL7~CPL8、CPL9~CPL10が設けられている。さらに、キャリアブロックS1の受け渡しアーム13がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールBU1及びCPL0が設けられている。受け渡しモジュールBU1は、既述の受け渡しアーム13から搬送されたウエハWを一括で受け取るために、上下方向に5つのウエハWの保持部を備えている。受け渡しモジュールCPL0は、現像処理されたウエハWをキャリアCに戻すために使用される。さらに、単位ブロックB5のメインアームA5がアクセスできる高さ位置に、受け渡しモジュールCPL12~CPL13及びBU2が設けられており、単位ブロックB6のメインアームA6がアクセスできる位置に、受け渡しモジュールCPL14~CPL15及びBU3が設けられている。棚ユニットU7には検査モジュール31が設けられている。単位ブロックB5、B6からウエハWを搬出する際に、検査モジュール31に搬入するウエハWは受け渡しモジュールBU2,BU3に搬送される。検査モジュール31に搬入しないウエハWについては、受け渡しモジュールBU2、BU3を介さずにキャリアCに戻される。このように経路が夫々設定されることによって、ウエハWは番号順に、つまりキャリアCからの搬出順にキャリアCに戻るように、搬送が制御される。また、処理ブロックB2において、棚ユニットU7の近傍には、昇降自在、進退自在な第1の受け渡し機構である受け渡しアーム30が設けられており、棚ユニットU7の各モジュール間でウエハWを搬送する。前記検査モジュール31について、より詳しく説明する。後述のように選択される検査モードに従って、検査モジュール31にはレジスト膜形成後、露光前のウエハWまたは現像処理後のウエハWが搬入される。レジスト膜形成後、露光前のウエハWについては、例えばレジスト膜の表面の異物の有無及びレジストの膜厚が検査される。現像処理後のウエハWが検査モジュール31に搬送された場合には、現像後欠陥の検査が行われる。この現像後欠陥は、現像処理起因の欠陥、現像処理及び塗布処理起因の欠陥に分類され、現像処理起因の欠陥としては、例えばパターン倒れ、線幅異常、レジスト溶解不良、現像後の泡の付着、異物の付着、レジストパターン間のブリッジ欠陥パターン間の上部におけるレジストの残留及び溶解生成物スカムの残りによるパターン欠陥スカム欠陥がある。塗布処理及び現像処理起因の欠陥としては、例えばパターン倒れ及びパターンの線幅の局所異常がある。この実施形態では、これら各欠陥の有無が検査項目として設定されている。後述の各検査モード実行時に検査モジュール31は、得られた検査データを後述の制御部51に送信する。後述の制御部51は、この検査データに基づいて、各欠陥の有無を判定する。続いて、インターフェイスブロックS3の構成について、図5も参照しながら説明する。インターフェイスブロックS3には、各単位ブロックのメインアームA1~A6がアクセスできる位置に棚ユニットU8が設けられている。棚ユニットU8は、第3の単位ブロックB3~第6の単位ブロックB6に対応する位置に受け渡しモジュールBU4を備えている。受け渡しモジュールBU4については後述する。受け渡しモジュールBU4の下方には、受け渡しモジュールTRS、CPL16~CPL18が、互いに積層されて設けられている。インターフェイスブロックS3には例えば4基の露光後洗浄モジュールPIR1~PIR4が積層されて設けられている。各露光後洗浄モジュールPIRは、レジスト膜形成モジュールCOTと同様に構成されており、ウエハW表面にレジストの代わりに保護膜除去及び洗浄用の薬液を供給する。また、インターフェイスブロックS3には、3基のインターフェイスアーム32、33、34が設けられている。インターフェイスアーム32、33、34は昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム32は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム32は露光装置S4、受け渡しモジュールTRS、CPL16~CPL18にアクセスし、これらの間でウエハWを受け渡す。インターフェイスアーム33は、受け渡しモジュールTRS、CPL16~CPL18及びBU4にアクセスし、これらのモジュール間でウエハWを受け渡す。インターフェイスアーム34は、受け渡しモジュールBU4及び露光後洗浄モジュールPIR1~PIR4にアクセスし、これらのモジュール間でウエハWを受け渡す。インターフェイスアーム32~34は、第2の受け渡し機構を構成する。受け渡しモジュールBU4について図6を参照しながら説明する。受け渡しモジュールBU4は、周方向に配置された支柱41を備えている。一の支柱41と他の支柱41との間にワイヤ42が張られており、ワイヤ42、42が互いに交差して組をなしている。このワイヤ42,42の組が互いに異なる高さ位置に多数設けられており、ワイヤ42,42の交差部分上には、例えば円形の支持部43が設けられている。ウエハWは、支持部43上に水平に支持される。図6では支持部43は5つのみ示しているが、各階層にウエハWを受け渡せるように上方に向けて多数設けられている。支柱41間にはインターフェイスアーム33、34及びメインアームA3~A6が進入できるようになっており、進入した各アームは、昇降動作により支持部43との間でウエハWを受け渡す。受け渡しモジュールBU1~BU3についても、例えばBU4と同様に構成される。続いて、塗布、現像装置1に設けられた制御部51について図7を参照しながら説明する。図中52はバスであり、バス52には、各種の演算を行うCPU53が接続される。さらにバス52には、処理プログラム54、搬送プログラム55及び判定プログラム56を格納したプログラム格納部57が接続されている。処理プログラム54は、塗布、現像装置1の各部に制御信号を出力し、各ウエハWに対して薬液や洗浄液の供給、加熱などの処理を行う。搬送プログラム55は、選択した検査モード及び判定プログラム56の判定結果に従って、各単位ブロックB1~B6のメインアームA1~A6、受け渡しアーム30及びインターフェイスアーム32~34に制御信号を出力し、ウエハWの搬送を制御する。判定プログラム56は、例えば検査モジュール31から送信された検査データに基づいて、ウエハWの処理の異常の有無を判定する。バス52にはメモリ61が接続されており、このメモリ61は、各ウエハWの搬送スケジュール及び検査モジュール31による検査結果が記憶される。図8には、メモリ61に含まれる搬送スケジュール記憶領域63に格納されるデータの一例を示している。この図のデータは、検査モジュール31による検査で、ウエハWに異常がないとされる通常時の搬送スケジュールである。搬送スケジュール記憶領域63には、ウエハWのIDと、当該ウエハWの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられて搬送スケジュールとして記憶されている。即ち搬送スケジュールは、ウエハの搬送された経路のデータである。例えば図中のウエハA1は、反射防止膜形成モジュールBCT1、加熱モジュールHP100、レジスト膜形成モジュールCOT1、加熱モジュールHP101、周縁露光モジュールWEE1、保護膜形成モジュールTCT1、加熱モジュールHP300、裏面洗浄モジュールBST1、加熱モジュール500、現像モジュールDEV1及び加熱モジュール501に、この順に搬送される。また、この例では、ウエハWは第1の単位ブロックB1→第3の単位ブロックB3→第5の単位ブロックB5の順で搬送されるか、あるいは第2の単位ブロックB2→第4の単位ブロックB4→第6の単位ブロックB6の順で搬送されるように設定される。そして、あるウエハWが第1の単位ブロックB1に搬送されると、次のウエハWは第2の単位ブロックB2に搬送され、更に次のウエハWは第1の単位ブロックB1に搬送される。このように、続けてキャリアCから払い出されるウエハWが、交互に異なる単位ブロックBに振り分けられる。続いて、メモリ61に含まれる検査結果記憶領域60について、図9を参照して説明する。この検査結果記憶領域60は、各ウエハについて既述の検査項目毎に異常の有無が記憶される領域である。また、異常が有るウエハWについては、後述のように当該ウエハWを処理したモジュール及び処理した単位ブロックが記憶される。また、検査結果記憶領域60には、検査項目毎に設定された搬送停止基準が記憶されている。この搬送停止基準は、異常が検出されたウエハWを処理した単位ブロックBまたは処理モジュールへ、後続のウエハWの搬送を停止するための基準である。上記の検査モジュール31で検査される各検査項目について、異常が発生する頻度が、この搬送停止基準に該当した場合に前記搬送の停止が起きる。例として図9に示す、パターン倒れについて設定された搬送停止基準について説明する。後述の単位ブロックBごとに搬送を停止させるモードが選択されている場合、検査したウエハWにパターン倒れが初めて検出されると、その後、当該ウエハWが通った単位ブロックBと同じ単位ブロックBを通って検査された5枚のウエハWのうち2枚以上のウエハWにパターン倒れが検出されたら、当該単位ブロックBへ後続のウエハWの搬送を停止する。また、処理モジュールごとに搬送を停止させるモードが選択されている場合は、検査したウエハWにパターン倒れが初めて検出されると、前記ウエハWが通った処理モジュールと同じ処理モジュールを通って検査された5枚のウエハWのうち2枚以上のウエハWにパターン倒れが検出されたら、当該処理モジュールへの搬送を停止する。なお、前記5枚のウエハWのうち、パターン倒れが検出されたウエハWが1枚または0枚であれば、この5枚のウエハWを検査後に、パターン倒れが再度検出されたときから改めて、5枚ウエハWが検査される間に2枚以上のウエハWにパターン倒れが検出された場合に単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送が停止される。図9のレジスト溶解不良、現像後の泡についてもパターン倒れと略同様の搬送停止基準が設定されているが、これらの検査項目についてはパターン倒れの場合と異なり、一旦欠陥が検出された後に検査されるウエハW5枚のうち1枚のウエハWに同じ欠陥が検出されたら、上記の単位ブロックBへの搬送が停止される。また、図9のスカム欠陥については、検出後速やかに当該ウエハWを処理した単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送の停止処理が行われる。このような搬送停止基準が、既述の検査項目毎に設定されている。これによって、ウエハWに偶発的に欠陥が生じた場合に、単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送停止が起きることが抑えられる。図7に戻って説明を続ける。バス52には設定部64が接続されている。設定部64は、例えばキーボードやマウス、タッチパネルなどにより構成され、検査モジュール31で行う検査を設定することができるようになっている。設定できる検査としては、現像処理後検査C1及びレジスト膜形成後検査C2があり、いずれかをユーザが選択する。現像処理後検査C1では、第5または第6の単位ブロックB5、B6で現像処理を受けたウエハWが、検査モジュール31に搬送されて検査される。レジスト膜形成後検査C2では、第1または第2の単位ブロックB1、B2でレジスト膜が形成されたウエハWが、検査モジュール31に搬送されて検査される。現像処理後検査C1を選択した場合は、単位ブロックB毎に搬送を停止するモードD1、処理モジュール毎に搬送を停止するモードD3のうち、いずれかをユーザがさらに選択するようになっている。また、レジスト膜形成後検査C2を選択した場合は、単位ブロックB毎に搬送を停止するモードD2、処理モジュール毎に搬送を停止するモードD4のうち、いずれかをユーザがさらに選択するようになっている。さらに、ユーザは、例えば設定部64からウエハWのIDを指定して検査対象となるウエハWを決定することができる。また、バス52には例えばディスプレイなどにより構成される表示部65が接続されている。表示部65には、例えば搬送スケジュールや各ウエハについて検査項目毎の検査結果が表示される。モードD1続いて、図10を参照しながら、塗布、現像装置1でのウエハWの搬送経路について説明する。ここでは、予め現像処理後検査C1が選択され、さらに単位ブロック毎にウエハWの搬送を停止するモードD1が選択されているものとする。先ず、キャリアCからウエハWが受け渡しアーム14により受け渡しモジュールBU1に搬送される。受け渡しモジュールBU1から第1の単位ブロックB1に搬送される場合は、図10aに示すようにウエハWは、受け渡しアーム30により疎水化処理モジュールADH1、ADH2に搬送されて疎水化処理を受け、受け渡しモジュールCPL1に搬送される。受け渡しモジュールCPL1に搬送され、メインアームA1が、当該ウエハWを反射防止膜形成モジュールBCT1、BCT2→加熱モジュールHP100~109→受け渡しモジュールCPL2→レジスト膜形成モジュールCOT1、COT2→加熱モジュールHP100~109→周縁露光モジュールWEE3、WEE4→受け渡しモジュールCPL3の順で搬送し、ウエハWに反射防止膜、レジスト膜が順に形成される。受け渡しアーム30によりウエハWは、受け渡しモジュールCPL3から、第3の単位ブロックB3の受け渡しモジュールCPL7に搬送され、メインアームA3が、当該ウエハWを、保護膜形成モジュールTCT1、TCT2→加熱モジュールHP300~311→受け渡しモジュールCPL8→裏面洗浄モジュールBST1、BST2→受け渡しモジュールBU4の順で搬送し、ウエハWに保護膜が形成され、さらに裏面洗浄が行われる。インターフェイスアーム33により、前記ウエハWは、受け渡しモジュールCPL16~CPL18→インターフェイスアーム32→露光装置S4の順で搬送され、液浸露光処理を受ける。露光処理後、ウエハWは、インターフェイスアーム32→受け渡しモジュールTRS→インターフェイスアーム33→受け渡しモジュールBU4→インターフェイスアーム34→露光後洗浄モジュールPIR1~PIR4→インターフェイスアーム34→受け渡しモジュールBU4における第5の単位ブロックB5の高さ位置の順で搬送される。続いて、前記ウエハWは、メインアームA5により、加熱モジュールHP500~511→受け渡しモジュールCPL12→現像モジュールDEV1~DEV4→加熱モジュールHP500~511→受け渡しモジュールCPL13→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールBU2→検査モジュール31の順で搬送されて検査される。検査後のウエハWは、検査モジュール31→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールBU1の順で搬送され、受け渡しアーム13からキャリアCに戻される。検査モジュール31にて検査を行わないように設定されたウエハWについては、現像モジュールDEV1~DEV4、加熱モジュールHP500~511で順次処理後、受け渡しモジュールCPL13→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールCPL0→受け渡しアーム13→キャリアCの順で搬送される。ウエハWが、バッファモジュールBU1から第2の単位ブロックB2、B4、B6に搬送される場合も上記の単位ブロックB1、B3、B5に搬送する場合と同様の処理がウエハWに行われる。図10bにこのように単位ブロックB2→B4→B6を通過する場合の搬送経路について示している。以下、簡単に搬送経路を説明すると、前記ウエハWは、受け渡しアーム30→疎水化処理モジュールADH3、ADH4→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールCPL4の順で搬送される。続いて、メインアームA2が、ウエハWを反射防止膜形成モジュールBCT3、BCT4→加熱モジュールHP200~209→受け渡しモジュールCPL5→レジスト膜形成モジュールCOT3、COT4→加熱モジュールHP200~209→周縁露光モジュールWEE3、WEE4→受け渡しモジュールCPL6に搬送する。その後、ウエハWは、受け渡しアーム30→受け渡しモジュールCPL9の順で搬送され、メインアームA4により、保護膜形成モジュールTCT3、TCT4→加熱モジュールHP400~411→受け渡しモジュールCPL10→裏面洗浄モジュールBST3、BST4→受け渡しモジュールBU4の順で搬送される。インターフェイスブロックS3では、前記ウエハWは、第1及び第3の単位ブロックBに搬送されたウエハWと同様に搬送され、露光処理及び露光後洗浄処理を受けて、さらに受け渡しモジュールBU4の第6の単位ブロックB6における高さ位置に受け渡される。その後、前記ウエハWはメインアームA6により、加熱モジュールHP600~611→受け渡しモジュールCPL14→現像モジュールDEV5~DEV8→加熱モジュールHP600~611→受け渡しモジュールCPL15→受け渡しモジュールBU3→受け渡しアーム30→検査モジュール31→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールCPL0→キャリアCの順で搬送される。検査対象ではないウエハWについては、上記の搬送経路において、現像、加熱後処理、受け渡しモジュールCPL15→受け渡しアーム30→受け渡しモジュールCPL0→受け渡しアーム13→キャリアCの順で搬送される。図11を参照しながら、制御部51により単位ブロックBへの搬送が停止される工程について説明する。上記の経路でウエハWが搬送される間、判定プログラム56は検査モジュール31から送信される検査データに基づき、既述の各検査項目について異常の有無を判定し、この判定結果が検査結果記憶領域60に記憶される。そして、異常が有ると判定すると、搬送スケジュール記憶領域63の搬送スケジュールに基づいて、異常が検出されたウエハWを処理した処理モジュール及び単位ブロックBを特定する。さらに、ウエハのIDと異常となった検査項目と、前記処理モジュール及び単位ブロックBとを対応付けて、メモリ61の検査結果記憶領域60に記憶するステップS1。続いて、判定プログラム56は、検査結果記憶領域60に記憶された過去のウエハWの検査履歴に基づいて、その検査項目に設定された既述の搬送停止基準に該当しているか否かを判定するステップS2。例えば、異常となった検査項目が、パターン倒れである場合には、既述のように同じ単位ブロックBを通過したウエハWについて、最初にパターン倒れが起きた後、5枚のウエハWに検査を行う間に2枚以上のウエハWにパターン倒れが起きているか否か判定される。搬送停止基準に該当していないと判定した場合には、引き続き単位ブロックB1~B6により処理を行う。搬送停止基準に該当していると判定した場合には、ステップS1で異常が検出されたウエハWに対して処理を行った単位ブロックB5またはB6の各処理モジュールによるウエハWの処理及びメインアームAの動作を停止させる。そして、搬送プログラム55が、単位ブロックB5、B6のうち、処理モジュール及びメインアームAの動作が停止していない方の単位ブロックを用いて、処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。そして、その搬送スケジュールに従って、ウエハWが搬送され、処理されるステップS3。図12a,bには、一例として第5の単位ブロックB5へのウエハWの搬送が停止した場合の搬送経路を示しており、この図に示すように第1~第4の単位ブロックB1~B4で処理を受けたウエハWは、すべて第6の単位ブロックB6に搬入される。この例とは逆に、第6の単位ブロックB6への搬送が停止した場合には、第1~第4の単位ブロックB1~B4で処理を受けたウエハWは、すべて第5の単位ブロックB5に搬入される。このように片方の現像ブロックのみを用いて、処理が継続される。その後、ウエハWに異常が検出されると、判定プログラム56は、ステップS1と同様に搬送スケジュール記憶領域63の搬送スケジュールに基づいて、異常が検出されたウエハWを処理した処理モジュール及び単位ブロックを特定し、ウエハのIDと異常となった検査項目と、前記処理モジュール及び単位ブロックBとを対応付けてメモリ61に記憶するステップS4。続いて、判定プログラム56は、単位ブロックB5またはB6への搬送停止後のウエハWの検査履歴を参照して、その検査項目に設定されている単位ブロックの搬送停止基準に該当しているか否かを判定するステップS5。該当していないと判定した場合には、引き続き単位ブロックB1~B4及びB5またはB6により処理を行う。搬送停止基準に該当していると判定した場合には、判定プログラム56は、異常となった検査項目が、ステップS2、S3で単位ブロックB5またはB6を停止させる際に異常と判定された検査項目と同じか否かを判定するステップS6。ステップS6で、同じ検査項目であると判定した場合、判定プログラム56は、さらにステップS1で異常と判定されたウエハWが通過した塗布ブロックと、ステップS4で異常と判定されたウエハWが通過した塗布ブロックとが一致しているか否かを判定するステップS7。ステップS7で、塗布ブロックが一致していると判定した場合は、前記検査項目の異常が、塗布ブロックでの処理に起因するものと考えられるので、当該塗布ブロックによるウエハWの処理及びメインアームAの動作を停止させる。つまり単位ブロックB1及びB3、B2及びB4のいずれか一方におけるウエハWの処理が停止する。さらに、搬送プログラム55が、単位ブロックB1~B4のうち稼働している単位ブロックを用いて処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。そして、その搬送スケジュールに従って、ウエハWが搬送され、処理が続けられるステップS8。例えば、図12のように単位ブロックB5への搬送が停止された状態から、この単位ブロックB5への搬送が停止になったときと同じ検査項目の異常が続くと、上記ステップS6~S8に従って、単位ブロックB1、B3への搬送が停止する。そして、すべてのウエハWは、図9bに示す単位ブロックB2→B4→B6の経路で順に搬送される。ステップS6で、現像ブロックを停止させたときに異常となった検査項目とは異なっていると判定されたり、ステップS7で、異常となった塗布ブロックが異なっていると判定された場合は、例えば稼働中の各単位ブロックへの搬送が継続され、ステップS5で搬送停止基準に該当していると判定された検査項目について、表示部65に表示されるステップS9。モードD2次に、レジスト膜形成後検査C2が行われるように設定され、さらに単位ブロック毎に搬送停止させるモードD2が選択されている場合について説明する。レジスト膜形成後検査C2実行時のウエハWの搬送経路としては、レジスト塗布処理を終え、受け渡しモジュールCPL4、CPL6に搬入されたウエハWが、受け渡しアーム30により検査モジュール31に搬入される。検査モジュール31で検査された後は受け渡しモジュールCPL7、CPL9を介して第3、第4の単位ブロックに搬入される。現像処理後のウエハWは、受け渡しモジュールCPL13、CPL15→受け渡しモジュールCPL0の順で搬送されて、キャリアCに戻される。このような違いを除けば、現像処理後検査C1実行時と同様にウエハWが搬送される。このモードD2実行時にも、現像処理後検査モード実行時と同様に検査項目ごとにウエハWの異常が検査され、ステップS1~S2の処理が実行される。そして、ステップS2で搬送停止基準に該当していないと判定された場合には処理が継続される。搬送停止基準に該当していると判定された場合には、異常が検出されたウエハWに対して処理を行った単位ブロックB1またはB2の各処理モジュールによるウエハWの処理及びメインアームAの動作を停止させる。そして、搬送プログラム55が、単位ブロックB1、B2のうち処理モジュール及びアームの動作が停止していない方の単位ブロックを用いて、処理を行うように搬送スケジュールを書き換える。図13には、一例として第2の単位ブロックB2へのウエハWの搬送が停止した場合の搬送経路を示しており、この図に示すように後続のウエハWはキャリアCから全て第1の単位ブロックB1へ搬入される。そして、第1の単位ブロックB1から第3、第4の単位ブロックB3、B4へ振り分けられる。逆に第1の単位ブロックB1への搬送が停止した場合には、後続のウエハWは全て、キャリアCから第2の単位ブロックB2に搬入される。モードD3次に、現像処理後検査C1が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードD3が選択されている場合について説明する。以降、図14を参照しながらモードD3実行時のフローについて、モードD1との差異点を中心に説明する。ウエハWに異常が検出された場合には、搬送スケジュールに基づき、単位ブロックB5,B6において、当該ウエハWを処理した処理モジュールが特定される。ウエハのIDと異常となった検査項目と、前記処理モジュールとが対応付けられてメモリ61に記憶されるステップS11。続けて、判定プログラム56は、ステップS11で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域60のデータに基づき、前記各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否かを判定するステップS12。どの処理モジュールも搬送停止基準に該当していないと判定された場合には、各処理モジュールへウエハWの搬送が継続される。搬送停止基準に該当している処理モジュールがある場合は、当該処理モジュールでのウエハWの処理が停止するステップS13。そして、このように処理が停止されたモジュールを除いて、搬送が行われるように搬送スケジュールが設定され、ウエハWの搬送及び処理が継続される。ウエハWの処理が続けられ、続いてウエハWに異常が発生すると、判定プログラム56は、ステップS11と同様に、異常となったウエハのIDと、異常となった検査項目と、現像ブロックにおいて当該ウエハWを処理した処理モジュールとを対応付けて、検査結果記憶領域60に記憶するステップS14。そして、ステップS12と同様に、判定プログラム56は、ステップS14で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域60のデータに基づき、搬送停止基準に該当しているモジュールがあるか否かを判定するステップS15。そして、搬送停止基準に該当する検査項目があると、判定プログラム56は、その検査項目がステップS13で、処理モジュールへの搬送を止めることになった検査項目と同じ検査項目であるか否かを判定するステップS16。同じ検査項目の該当ではないと判定した場合は、ステップS13以降の処理が実行され、現像ブロックにおいて、当該搬送停止基準に該当した処理モジュールへの搬送が停止される。ステップS16で、同じ検査項目と判定した場合には、判定プログラム56は、搬送スケジュールに基づいて単位ブロックB1~B4において、ステップS14で異常を検出したウエハWを処理した処理モジュールを特定する。そして、特定した処理モジュールでのウエハWの処理が停止する。さらに、このように処理が停止した処理モジュールを除いて、搬送が行われるように搬送スケジュールが設定され、ウエハWの搬送及び処理が継続されるステップS17。処理を停止した処理モジュールを除いて搬送するとは、具体的に説明すると、一の単位ブロックにおいて処理を停止したモジュールに搬送するように設定されていたウエハWは、前記単位ブロックにおいて当該モジュールと同じ処理を行う他の搬送可能なモジュールに搬送されることである。つまり、一の加熱モジュールの処理が停止すれば、ウエハWは当該加熱モジュールが設置された単位ブロックの他の加熱モジュールに搬送されて処理を受ける。また、一の液処理モジュールの処理が停止すれば、ウエハWは当該加熱モジュールが設置された単位ブロックにおいて、前記液処理モジュールと同様の処理を行う他の液処理モジュールに搬送されて処理を受ける。このように、モードD3では使用不可となったモジュールへの搬送が行われなくなることを除いて、ウエハWは図10に示したように各単位ブロックに異常が無い場合と同様の経路で搬送される。ここで、このモードD3が実行された場合に、搬送が停止になる処理モジュールについて説明を補足する。例えば、上記のステップS11でウエハWにパターン倒れが検出され、当該ウエハWが現像モジュールDEV1及び加熱モジュール500で処理を受けている場合、過去にDEV1で処理を受けたウエハWの検査結果が参照され、各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否か判定される。さらに過去に加熱モジュール500で処理を受けたウエハWの検査結果が参照され、搬送停止基準に該当しているか否か判定される。そして、DEV1及び加熱モジュール500のうち、搬送停止基準に該当していると判定された処理モジュールについては、当該処理モジュールへの搬送が停止する。このように処理モジュールごとに個別に搬送停止基準に該当するか否かが判定される。ただし、現像モジュールDEV1及びDEV2、DEV3及びDEV4、DEV5及びDEV6、DEV7及びDEV8は、夫々ノズル24を共有している。このようにノズル24を共有しているDEVのうち、一方のDEVへの搬送停止が決定されると、他方のDEVへの搬送も停止されるように決定される。従って、DEV1への搬送が停止になると、DEV2への搬送も停止になる。そして、DEV3、DEV4への搬送が停止されていなければ、単位ブロックB5に搬送されたウエハWは既述のようにこれらDEV3、DEV4で処理されて、キャリアCに戻される。また、前記加熱モジュール500が搬送停止基準に該当した場合は、他の加熱モジュール501~511に搬送される。また、反射防止膜形成モジュールBCT、レジスト膜形成モジュールCOT及び保護膜形成モジュールTCTについては、各単位ブロックに設けられる2基がノズルを共有している。従って、各単位ブロックでの処理の停止を防ぐために、ステップS17でこれらの液処理モジュールへの搬送は停止されず、代わりにステップS15で停止基準に該当したウエハWを処理したこれらの液処理モジュールと、異常になった検査項目とが対応付けられて、表示部65に表示される。モードD4次に、レジスト塗布後検査C2が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードD4が選択されている場合について、モードD3選択時との差異点を中心に説明する。モードD4実行時には、モードD2実行時と同様にウエハWの搬送が行われる。つまり、単位ブロックB1、B2で処理を終えたウエハWが検査モジュール31に搬送される。そして、ウエハWに異常が検出された場合には、モードD3と同様に当該ウエハWを処理した処理モジュールを特定し、特定した処理モジュールごとに搬送停止基準に該当しているか否かが判定され、搬送停止基準に該当した場合には当該処理モジュールへの搬送が停止される。このモードD4では、レジスト塗布後のウエハWを検査しているので、搬送が停止する処理モジュールは単位ブロックB1、B2の処理モジュールである。処理モジュールへの搬送は、モードD3で説明したルールに基づいて停止する。つまり、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTについては搬送停止基準に該当しても、モジュールへの搬送が継続される。この塗布、現像装置1によれば、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTを単位ブロックB1,B2に配置し、保護膜形成モジュールTCT、裏面洗浄モジュールBSTを単位ブロックB3,B4に配置しており、同様に構成された単位ブロックが上下に二重化されている。そしてこれら単位ブロックB1~B4に更に、上下に二重化された現像処理用の単位ブロックB5,B6を積層している。このため、処理ブロックS2の奥行き寸法をほどよい大きさに設定しながら設置面積を小さくできる。なお、二重化とはウエハWに夫々同様の処理が行えるように単位ブロックを構成すればよく、レイアウトやモジュール数を各単位ブロックで同一にすることに限られない。さらに、モードD1、D2実行時には、ウエハWに異常が検出された場合であっても、二重化された単位ブロックのうち、一方の単位ブロックへの搬送を停止し、他方への単位ブロックへの搬送が継続される。そして、他方の単位ブロックでウエハWの処理を継続する間に、ユーザは一方の単位ブロックについて、故障時の修理や定期点検、調整確認などのメンテナンスを行うことができる。従って、塗布、現像装置1の稼働効率の低下を抑えることができる。また、上記のように現像ブロックへの搬送停止と塗布ブロックへの搬送停止とを段階的に行うことで、搬送を停止する必要のない塗布ブロックへの搬送を止めてしまうことが抑えられるので、より確実に稼働効率の低下を抑えることができる。ただし、このように段階的に各単位ブロックへの搬送を停止させることに限られない。例えばパターン倒れ、線幅の局所異常など、塗布工程の要因が含まれる現像欠陥がウエハWに検出された場合、当該ウエハWを処理した現像ブロックと塗布ブロックへの搬送を同時に停止させても良い。この場合は、欠陥を有するウエハWが発生するリスクを低下させることができる。また、モードD1において、現像ブロックを停止させる工程をモードE1、塗布ブロックを停止させる工程をモードE2とすると、上記の例ではモードE1実行後にモードE2が自動的に実行されるが、モードE2を実行するか否かはユーザが設定部64から選択できるようになっていてもよい。また、モードD3、D4実行時には、処理モジュールごとにウエハWの搬送が停止されるので、稼働を停止する処理モジュールの数が抑えられる。従って、装置の稼働効率の低下をより抑えることができる。モードD3実行時において、現像ブロックの処理モジュールと塗布ブロックの処理モジュールとを段階的に停止させることに限られず、例えば異常となった検査項目によっては、異常と検出されたウエハWを処理した処理モジュールへの搬送をすべて停止させてもよい。また、モードD3において、現像ブロックの処理モジュールを停止させる工程をモードE3、塗布ブロックの処理モジュールを停止させる工程をモードE4とすると、上記の例ではモードE3実行後にモードE4が自動的に実行されるが、モードE4を実行するか否かはユーザが設定部64から選択できるようになっていてもよい。また、モードD3、D4実行時において、液処理モジュールBCT、COT、TCT、BST及びDEVについては各処理カップ毎にウエハWの搬送の停止を制御してもよい。つまり、これらの各処理モジュールにおいて異常が発生したウエハWを処理した方の処理カップ23へのウエハWの搬送が停止し、当該処理カップ23とノズル24を共有している処理カップ23へのウエハWの搬送は継続されてもよい。その他に、BCT、COT、TCT及びBSTについて、これらの液処理モジュールへの搬送停止が決定された場合には、これら液処理モジュールへの搬送を継続する代わりに当該液処理モジュールを含む単位ブロックへのウエハWの搬送を停止させてもよい。上記のように処理カップ23ごとにウエハWの搬送を停止させる場合、装置内でのウエハWの処理枚数を調整するために、例えば1つのBCTの処理カップ23を不使用とした場合に、同じ単位ブロックの1つのCOTの処理カップ23を不使用にするように設定することができる。同様に例えば1つのCOTの処理カップ23を不使用とした場合に同じ単位ブロックの1つのBCTも不使用に設定することができる。さらに、このようにCOT及びBCTの処理カップ23への搬送が停止された単位ブロックと同様に構成された単位ブロックでも、COTの1つの処理カップ23及びBCTの1つの処理カップ23への搬送を停止させることで、ウエハWの処理枚数を調整してもよい。また、上記の塗布、現像装置1において、インターフェイスブロックS3は図15のように構成されていてもよい。この例では、ウエハWは、インターフェイスブロックS3を介して、単位ブロックB1,B2→B3,B4へ搬送される。図5に示すインターフェイスブロックS3との差異点を説明すると、単位ブロックB1、B2に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールBU5、BU6が夫々設けられている。単位ブロックB3に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールBU7、BU8が設けられている。単位ブロックB4に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールBU9、BU10が設けられている。また、単位ブロックB5、B6に対応する高さ位置に、受け渡しモジュールTRS1、TRS2が夫々設けられている。また、受け渡しモジュールBU11が設けられている。各受け渡しモジュールは互いに積層されている。単位ブロックB1、B2で処理を終えたウエハWは、受け渡しモジュールBU5、BU6に夫々搬送され、さらにインターフェイスアーム33により、受け渡しモジュールBU7、BU8に搬送される。受け渡しモジュールBU7、BU8に搬送されたウエハWは、受け渡しアームA3、A4により単位ブロックB3、B4に夫々搬入されて、処理を受ける。単位ブロックB3、B4で処理を受けたウエハWは、受け渡しモジュールBU9、BU10に搬送され、インターフェイスアーム33により受け渡しモジュールCPL16、CPL17に搬送される。以降、ウエハWは図5の例と同様に露光装置S4→受け渡しモジュールTRSの順に搬送され、然る後、受け渡しモジュールTRS→インターフェイスアーム33→受け渡しモジュールBU11→インターフェイスアーム34→露光後洗浄モジュールPIR→インターフェイスアーム34→受け渡しモジュールTRS1、TRS2に搬送され、メインアームA5,A6により単位ブロックB5,B6に搬送される。図16には、さらに他のインターフェイスブロックS3の構成を示している。この図16のインターフェイスブロックS3では、露光前洗浄モジュールRD1~RD4が積層されて設けられている。露光前洗浄モジュールRD1~RD4は、露光前のウエハWの表面に洗浄液を供給し、当該ウエハWの表面溶出物を洗い流す。この露光前洗浄モジュールRD1~RD4が設けられることを除いて、図16のインターフェイスブロックS3は、図15のインターフェイスブロックS3と同様に構成されている。図16のインターフェイスブロックS3では、第3の単位ブロックB3または第4の単位ブロックB4で処理され、受け渡しモジュールBU9またはBU8に搬送されたウエハWは、インターフェイスアーム33により露光前洗浄モジュールRD1~RD4に搬送されて洗浄される。然る後、ウエハWは、インターフェイスアーム33→受け渡しモジュールCPL14、15→露光処理S4の順に搬送される。なお、図5のインターフェイスブロックS3にもこのような露光前洗浄モジュールRDを設けて、洗浄処理を行うことができる。また、上記の各実施形態において、単位ブロックB1、B2から単位ブロックB3、B4へのウエハWの搬送は、インターフェイスアーム33により行ってもよい。具体的に、棚ユニットU8の単位ブロックB1、B2の高さ位置に、塗布処理を終えた受け渡しモジュールを設け、当該受け渡しモジュールからインターフェイスアーム33を介して受け渡しモジュールBU4の棚ユニットU8の単位ブロックB3、B4の高さ位置にウエハWを受け渡すことで、各層間の搬送を行うことができる。また、上記実施形態において、TCT1~TCT4で保護膜を形成し、加熱モジュールHP300~311またはHP400~411で加熱したウエハWを検査モジュール31に搬送し、検査を行ってもよい。その場合は、上記の各モードと同様に、例えば異常が検出されたウエハWの搬送経路に基づいて、当該ウエハWに反射防止膜、レジスト膜及び保護膜を形成した単位ブロックへの搬送を停止させるか、前記単位ブロックに含まれる当該ウエハWを処理したモジュールへの搬送を停止させる。上記の例において、TCTは保護膜形成モジュールではなく、レジスト膜の上層に反射防止膜を形成するモジュールであってもよい。また、疎水化処理モジュールADHでの疎水化処理は、反射防止膜形成モジュールBCTで反射防止膜の形成前に行う代わりに、前記反射防止膜の形成後、レジスト塗布前に行ってもよいし、レジスト塗布後、ウエハWを単位ブロックB3、B4に搬送する前に行ってもよい。また、各単位ブロックの積層順はこの例に限られず、例えば現像処理を行う第5、第6の単位ブロックがレジスト膜の形成を行う第1及び第2の単位ブロックの下方に設けられていてもよい。また、上記の例では二重化された各単位ブロックは、各モジュールの数、レイアウトを同じように構成しているが、ウエハWに対して同様の処理を行うことができれば、このようにモジュールの数、レイアウトを同じにすることには限られない。また、この塗布、現像装置1では、既述の各モードを実行してウエハWを処理中に、任意のタイミングでメンテナンスモードへの切り替えを行うことができるようになっており、ユーザが例えば選択部64から所定の処理を行うと、装置1の各部にモードの切り替え信号が出力され、メンテナンスモードが開始される。メンテナンスの態様としては、二重化されている塗布膜用の単位ブロックの一方の単位ブロックをメンテナンスする場合が挙げられ、例えば前段処理用の単位ブロックB1、B2のうちの一方をメンテナンスする場合が挙げられる。あるいは後段処理用の単位ブロックB3、B4のうちの一方をメンテナンスする場合や、現像処理用の単位ブロックB5、B6のうちの一方をメンテナンスする場合が挙げられる。このような場合には、例えば単位ブロックB1をメンテナンスする情報を制御部に入力すると、メンテナンスの対象となっている単位ブロックB1にはウエハが搬送されないようにウエハの搬送制御が行われる。そして上述の実施形態では、ウエハの搬送経路として、図10aに示す経路と図10bに示す経路とが用意されていることから、単位ブロックB1にウエハを搬入しないということは、図10aに示す経路を使用しないということであり、このため当該経路に含まれる疎水化処理モジュールADH1、2及び単位ブロックB3及びB5には、ウエハが搬入されないことになる。このメンテナンスモードでは、ウエハWの検査結果によらず、ユーザがウエハWの搬送を停止する単位ブロックを指定し、搬送が停止されていない単位ブロックによりウエハWの処理を継続することになる。このように単位ブロックを二重化し、メンテナンスを行う単位ブロックが属する搬送経路を使用しないこととすれば、ウエハの搬送制御を含む処理が簡素化される。メンテナンスモードは、メンテナンスを行う単位ブロックが属する搬送経路への搬送を止めるという手法に限定されるものではない。例えば図10aに示す経路に含まれる一の単位ブロックである単位ブロックB1と、図10bに示す経路に含まれる一の単位ブロックである単位ブロックB4と、を同時にメンテナンスする場合には、図10bに示す経路に含まれる単位ブロックB2と、図10aに示す経路に含まれる単位ブロックB3と、を使用することが効率的である。この場合には、二重化されている単位ブロックのうち使用可能な単位ブロックを繋ぎ合わせてウエハの処理を行うことになり、この場合にもメンテナンスを行いながら稼働率の低下を抑えた装置の運転を行うことができる。更にまたメンテナンスモードにおいて、二重化された単位ブロックのうちの一つ、例えば前段処理用の単位ブロックB1がメンテナンスされている場合に、当該単位ブロックB1以外の他の単位ブロックについてはウエハを搬送するようにしてもよい。この場合、例えば後段処理用の単位ブロックB3及びB4については稼働させ、前段処理用の単位ブロックB1にて処理されたウエハを後段処理用の単位ブロックB3及びB4に振り分け、また現像処理用の単位ブロックB5、B6についても稼働させるようにしてもよい。更に本発明の他の実施形態を記載しておく。図17は、処理ブロックS2の他の例を示しており、横の列は下から順番に図4に示す各単位ブロックB1~B6に対応し、1マスは、反射防止膜形成モジュールBCT1などの1個の液処理モジュールを表わしている。従って単位ブロックB1、B2、B5及びB6については、図4に示す単位ブロックと同じ構成であり、平面でみれば例えば単位ブロックB1であれば図1のように表わされる。図17の例が図4の例と異なる点は、単位ブロックB3、B4において、裏面洗浄モジュールBST1~BST4を設けずに空き領域となっていることである。ここで図18は、既述の図10に示したウエハの経路のうち、塗布膜形成のための経路について抜粋して概略的に示した図である。図10に示した実施の形態によれば、キャリアCから取り出されたウエハは、疎水化処理モジュールADH1~ADH4のいずれかを介して塗布膜を形成するための塗布膜用の単位ブロックに搬入されるが、塗布膜用の単位ブロックは、前段処理用の単位ブロックB1B2と後段処理用の単位ブロックB3B4とに分離されている。そして前段処理用の単位ブロックB1B2にレジスト膜形成用モジュールCOT1~COT4が設けられているが、レジスト膜形成用モジュールCOT1~COT4を後段処理用の単位ブロックB3B4に配置するようにしてもよい。このようなレイアウトの一例としては、図19のレイアウトを挙げることができる。図19の縦横のマス目の意味は、図17のマス目と同様であり、この例では、レジスト膜形成用モジュールCOT1、COT2と上層膜を形成するモジュールである保護膜形成モジュールTCT1、TCT2とを後段処理用の単位ブロックB3に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールCOT3、COT4と保護膜形成モジュールTCT3、TCT4とを後段処理用の単位ブロックB4に設け、図4のレイアウトにおいてレジスト膜形成用モジュールCOT1~COT4が設けられていた単位ブロックB1、B2における領域を空き領域としている。なお、レジスト膜形成用モジュールCOT1を単位ブロックB1に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールCOT2を単位ブロックB2に設け、そしてレジスト膜形成用モジュールCOT3を単位ブロックB2に設けると共に、レジスト膜形成用モジュールCOT4を単位ブロックB4に設けるという構成であってもよい。この場合、レジスト膜形成用モジュールを、前段処理用の単位ブロックB1B2と後段処理用の単位ブロックB3B4とに分散配置した構成ということができる。また処理ブロックS2は、図20に示すように、後段処理用の単位ブロックB3、B4に、検査モジュール701~704を設けるようにしてもよい。このレイアウトは、図4のレイアウトに対し、裏面洗浄モジュールBST1~BST4の代わりに検査モジュール701~704を設けたものである。検査モジュール701~704は、保護膜形成モジュールTCT1~TCT4にてウエハWの表面に保護膜が形成された後、塗布面の塗布状態を検査するためのものである。具体的には例えば膜厚のむら、塗布膜に筋が見える状態の検出、未塗布状態の検出などが挙げられる。未塗布状態であれば、ノズル、塗布液吐出ポンプ、配管系の異常などが考えられる。検査モジュール701~704における検査において異常の判定がされた場合には、当該異常と判定されたウエハWが処理されたモジュールを停止させ、それ以外のモジュールについては使用し続けるようにしてもよいし、あるいは当該ウエハWが使用された塗布膜用の単位ブロックごと停止させ、他の単位ブロックの運転については継続するようにしてもよい。いずれの態様で使用するか検査結果で異常と判定された場合に、モジュールの停止か単位ブロックの停止のいずれを選択するかについては、例えば制御部にてモードを設定することにより実施される。以上の例では、塗布膜用の単位ブロックを構成する、前段処理用の単位ブロックと後段処理用の単位ブロックとを各々二重化して互に積層しているが、二重化に限らず三重化してもよく、より一般的な言い方をすればNNは2以上の整数重化することが要件である。また現像用のブロックについても同様に二重化に限らず三重化あるいは四重化してもよい。また塗布膜用の単位ブロックとしては、前段処理用の単位ブロックと後段処理用の単位ブロックとに分離しない構成であってもよい。図21はこのような処理ブロックS2のレイアウトを示し、この例では、反射防止膜形成用のモジュールとレジスト膜形成用のモジュールとを同じ単位ブロックに配置し、この単位ブロックを3段積み重ねて三重化している。即ち、図21に示す処理ブロックS2は、図4に示した処理ブロックS2のレイアウトにおいて、保護膜形成モジュールを設けた後段処理用の単位ブロックB3、B4を削除し、前段処理用の単位ブロックB1、B2に加えて更に同じ構成の単位ブロックを積層した構成ということができる。この場合、後段処理用の単位ブロックが存在しないので、前段処理用の単位ブロックが塗布膜用の単位ブロックとなる。更に図21の処理ブロックS2では、現像処理用の単位ブロックを3つ積層して三重化している。なお、図21において、符号の煩雑化を避けるために、各層における下から数えた段数とBの後に付した数字とを対応させ、図4と同じB1~B6の符号を用いている。"