導電性を有する基材、或いは、表面に導電性を有する層を形成した基材上に、p型あるいはn型の導電性を有する半導体からなる第1の成膜層と、前記第1の成膜層よりも低い導電性を有する半導体からなる第2の成膜層とを順次成膜し、前記第2の成膜層上に前記第1の成膜層とは異なる極性の半導体からなる第1の拡散層を形成し、少なくとも3層からなる積層体を形成すること、を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記積層体は、n型の導電性を有する第1の半導体層、真性に近い低い導電性を有する第2の半導体層、p型の導電性を有する第1の拡散層の順で構成され、pin接合型を形成する、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記積層体は、p型の導電性を有する第1の半導体層、真性に近い低い導電性を有する第2の半導体層、n型の導電性を有する第1の拡散層の順で構成され、pin接合型を形成する、請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1の成膜層および前記第2の成膜層は、スパッタリング法で形成される、請求項1~3の何れか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1の拡散層は、プラズマドーピング法により不純物を導入する工程と、不純物活性化熱処理工程により形成する工程とで形成される、請求項1~4の何れか一項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記不純物活性化熱処理工程は、大気圧プラズマ、フラッシュランプアニール、レーザーアニールの何れかで行う、請求項5記載の薄膜太陽電池の製造方法。p型あるいはn型の導電性を有する半導体からなる第1の成膜層と、前記第1の成膜層よりも低い導電性を有する半導体からなる第2の成膜層とを有し、前記第2の成膜層上に前記第1の成膜層とは異なる極性の半導体からなる第1の拡散層を形成し、少なくとも3層からなる積層体からなること、を特徴とする薄膜太陽電池。前記積層体は、n型の導電性を有する第1の半導体層と、真性に近い低い導電性を有する第2の半導体層と、p型の導電性を有する第1の拡散層とで構成され、pin接合がなされる、請求項7記載の薄膜太陽電池。前記積層体は、p型の導電性を有する第1の半導体層と、真性に近い低い導電性を有する第2の半導体層と、n型の導電性を有する第1の拡散層とで構成され、pin接合がなされる、請求項7記載の薄膜太陽電池。第1の半導体層、第2の半導体層および第1の拡散層は、それぞれシリコンからなり、体積分率で70以上が結晶相の状態である、請求項7~9の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。前記結晶相は多結晶からなり、少なくとも粒径が1nmから200nmの範囲の粒径が層中に混在している、請求項10記載の薄膜太陽電池。前記第1の拡散層は、接合深さが100nm以下である、請求項7~11の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。前記第1の半導体層におけるp型の導電性は、Alアルミニウム、Bホウ素の不純物が導入されることによって生じ、n型の導電性は、Pリン、N窒素、Asヒ素の不純物が導入されることによって生じている、請求項7~12の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。前記第1の拡散層は、その表面の不純物密度が1×1021~3×1022atom/cm2である、請求項7~13の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。前記第1の拡散層は、膜厚方向に対する不純物密度が傾斜して分布しており、前記第2の成膜層との界面近傍よりも表面近傍の方が、不純物密度が高い、請求項7~14の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。前記第1の成膜層は、膜厚方向に対する不純物密度のバラつきが、不純物密度の平均値より±20以下である、請求項7~15の何れか一項に記載の薄膜太陽電池。しかしながら、上記従来の構成では、次に述べる2つの理由により、変換効率が低いという課題が発生していた。理由の1つ目は、各々の半導体層がアモルファス相であるため、キャリア拡散長が短く、キャリア再結合が発生しやすいこと。2つ目は、積層構造を為すため、各々の半導体層間に接合界面が複数存在し、接合界面でキャリア再結合が発生しやすいことである。本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、pin接合型薄膜層で構成した太陽電池において、変換効率を従来例に比べて1.85倍以上にすることを目的とした成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明においては、導電性を有する基材、あるいは表面に導電性を有する層を形成した基材上に、p型あるいはn型の導電性を有する半導体からなる第1の成膜層と、第1の成膜層よりも低い導電性を有する半導体からなる第2の成膜層を成膜し、第2の成膜層上に第1の成膜層とは異なる極性を有する半導体からなる第1の拡散層を形成し、少なくとも3層からなる積層体を形成する。本構成によって、pin接合型薄膜層で構成した太陽電池において、変換効率を従来例に比べて1.85倍以上を実現できる、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法を提供することができる。以上のように、本発明の成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法によれば、従来例に比べてセル変換効率で1.85倍以上に向上することが可能な、pin接合型薄膜層で構成した薄膜太陽電池および製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1、図2および図3は、実施の形態1による、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法の模式図である。本構造はサブストレート型構造をなしている。1.太陽電池の構成:図1は、厚さ約400から1000μmの耐熱性のガラス基板201上に、スパッタリング法により下地金属としてのW膜202タングステン膜を約100から2000nmの厚さで成膜する。次いで、Bボロンをドープしたスパッタリングターゲットを用いて、W膜202上にスパッタリング法により、アモルファス相からなる、第1の成膜層としてのp型Si成膜層203を厚さ約1から100nmの範囲で形成する。更に、p型およびn型不純物密度の低いスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、p型Si成膜層203上に、アモルファス相からなる第2の成膜層である、i型Si成膜層204を厚さ約1000nmから10000nmの範囲で形成し、続いて、AsH3アルシンガスを用いて、プラズマドーピング法によりi型Si成膜層204上にAs注入領域205を形成する。そしてガラス基板201上の積層体206aに対して、H2ガスを含有したArおよびN2ガス雰囲気中で、トーチ式大気圧プラズマ法によりAs注入領域205の表面をプラズマ処理することで、図2の模式図に示すような積層体206bを形成した。図2における積層体206bが、図1における積層体206aと異なる点は、p型Si成膜層203が結晶化してp型Si成膜層203aとなり、i型Si成膜層204が結晶化してi型Si成膜層204aとなり、As注入領域205中のAsをi型Si成膜層204a中に、深さ方向に約1から100nmの範囲の拡散をさせ、かつSi相中で活性化されたn型Si拡散層207が形成されている点である。そして、ガラス基板201上の積層体206bに対して、H2Oガスを用いた高圧水蒸気法により、高圧下でH2O雰囲気処理を実施した図示せず。さらに、積層体206b上にスパッタリング法により、第1の表面電極としてのITO膜を厚さ約100から2000nmで形成し、次いで、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜上にAgペーストをパターニングしつつ塗布し、所定の温度でAgペースト中の有機物を乾燥させ、第2の表面電極としてのAg電極210を形成して、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池を作製した。この状態でソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。2.太陽電池の製造方法:次に、本発明実施の形態の太陽電池の製造方法を図3を用いて説明する。なお、ここでは実施の形態1の太陽電池の製造方法について述べる。耐熱性のガラス基板201を第1の真空チャンバー図示せずに投入し、スパッタリング法にてガラス基板201上に下地金属としてのW膜202を約100から2000nmの厚さで成膜する。そして、W膜202を成膜した基板を、減圧状態を保持したまま第2の真空チャンバー図示せずに移載し、ArおよびH2雰囲気ガスを投入しつつ0.01から2Paの範囲に調圧し、約1.5から32W/cm2のRF電力を投入する。この状態で、約1×1018から5×1021atom/cm2のp型ターゲットを用いたスパッタリング法にて、W膜202上に厚さ約1から100nmのp型Si成膜層203を成膜し、次いで、減圧状態を保持したまま第3の真空チャンバー図示せずに移載し、ArおよびH2雰囲気ガスを投入しつつ0.01から2Paの範囲に調圧し、約1.5から32W/cm2のRF電力を投入する。この状態で、約1×1012から5×1015atom/cm2のp型ターゲットを用いたスパッタリング法にて厚さ約100nmから5000nmのi型Si成膜層204を形成した。次いで、減圧状態を保持したまま第4の真空チャンバー図示せずに移載し、He、ArおよびAsH3ガスを導入しつつ、0.1から100Paの範囲に調圧し、約0.1から3W/cm2のRF電力を投入し、プラズマドーピング法により、i型Si成膜層204上にAs注入領域205を形成し、ガラス基板201上に積層体206aを形成した。更に、積層体206aを大気圧下に取り出し、約100から500°Cのヒーター上に載置した状態で、大気圧下にてAr、N2およびH2ガス雰囲気にて、約5~50kWの電力を投入したDCトーチ式のプラズマ発生装置図示せずにて大気圧プラズマを生成し、積層体206aの表面にプラズマ処理を施して、結晶化かつ不純物の活性化をして積層体206bを形成した。そして、ガラス基板201上の積層体206bに対して、高圧チャンバーに移載し、H2Oガスを導入し、約1.25から10気圧の範囲に調圧し、さらに約150から500°Cの範囲で加熱することで、高圧水蒸気法により、H2O雰囲気処理を実施した。続いて、ガラス基板201上の積層体206bを第5の真空チャンバー図示せずに移載し、Arガス雰囲気にて約0.1から10Paの範囲に調圧しつつ、約0.2から20W/cm2のRF電力を投入し、スパッタリング法により、厚さ約100から2000nmのITO膜を形成した。次いで、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜上にAgペーストをパターニングしつつ塗布し、約50から250°Cの範囲でAgペースト中の有機物を乾燥させ、高さ約1から50μmで幅100から1500μmのAg電極210を形成した。この状態で、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。以上のような、製造方法にて作製した太陽電池は、従来例よりも1.85倍高い変換効率を確認できた。実施の形態2図4、図5および図3は、実施の形態2による、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法の模式図である。本構造はスーパーストレート型構造をなしている。なお、図4および図5において、図1および図2と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。1.太陽電池の構成:図4および図5において、図1および図2と異なる点は、下地金属としてITO膜を用い、第1の表面電極としてW膜209を用いている点である。上記の構成にて、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池を作製した。次いで、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。2.太陽電池の製造方法:実施の形態2の太陽電池の製造方法に関して、図3を用いて説明する。なお、実施の形態1と異なる点は、下地金属としてITO膜を用い、第1の表面電極としてW膜209を用いている点であり、ガラス基板201上に、下地金属としてITO膜を厚さ約100から2000nmで成膜し、また、第1の表面電極としてW膜209を厚さ約100から2000nmで成膜した。次いで、W膜209上に実施の形態1と同様に、Ag電極210を形成し、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。以上のような、製造方法にて作製した太陽電池は、従来例よりも1.93倍高い変換効率を確認できた。実施の形態3図6、図7および図3は、実施の形態3による、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法の模式図である。本構造はサブストレート型構造を為している。なお、図6および図7において、図1および図2と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。1.太陽電池の構成:図6において、厚さ約400から1000μmの耐熱性のガラス基板201上に、スパッタリング法により下地金属としてのW膜202タングステン膜を約100から2000nmの厚さで成膜した。次いで、Pリンをドープしたスパッタリングターゲットを用いて、W膜202上にスパッタリング法により、アモルファス相からなる、第1の成膜層としてのn型Si成膜層211を厚さ約1から100nmの範囲で形成した。続いて、p型およびn型不純物密度の低いスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法によりn型Si成膜層211上に、アモルファス相からなる、第2の成膜層であるi型Si成膜層204を厚さ約1000nmから10000nmの範囲で形成した。更に、B2H6ジボランガスを用いて、プラズマドーピング法によりi型Si成膜層204上にB注入領域212を形成し、そのガラス基板201上の積層体206eに対して、H2ガスを含有したArおよびN2ガス雰囲気中で、トーチ式大気圧プラズマ法によりB注入領域212の表面をプラズマ処理することで、図7の模式図に示すような積層体206fを形成した。図7における積層体206fが、図6における積層体206eと異なる点は、n型Si成膜層211が結晶化してn型Si成膜層211aとなり、i型Si成膜層204が結晶化してi型Si成膜層204aとなり、B注入領域212中のBをi型Si成膜層204a中に、深さ方向に約1から100nmの範囲の拡散をさせ、かつ、Si相中で活性化されたn型Si拡散層213が形成されている点である。次いで、ガラス基板201上の積層体206fに対して、H2Oガスを用いた高圧水蒸気法により、高圧下でH2O雰囲気処理を実施した図示せず。更に、積層体206f上にスパッタリング法により、第1の表面電極としてのITO膜を厚さ約100から2000nmで形成し、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜上にAgペーストをパターニングしつつ塗布し、所定の温度でAgペースト中の有機物を乾燥させ、第2の表面電極としてのAg電極210を形成して、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池を作製した。この状態で、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。2.太陽電池の製造方法:本実施の形態の太陽電池の製造方法を図3に記載する。ここでは、実施の形態3の太陽電池の製造方法について述べる。耐熱性のガラス基板201を第1の真空チャンバー図示せずに投入し、スパッタリング法にて、ガラス基板201上に下地金属としてのW膜202を約100から2000nmの厚さで成膜した。そして、W膜202を成膜した基板を、減圧状態を保持したまま第2の真空チャンバー図示せずに移載し、ArおよびH2雰囲気ガスを投入しつつ0.01から2Paの範囲に調圧し、約1.5から32W/cm2のRF電力を投入した。この状態で、約1×1017から5×1020atom/cm2のn型ターゲットを用いたスパッタリング法にて、W膜202上に厚さ約1から100nmのn型Si成膜層211を成膜した。更に、減圧状態を保持したまま第3の真空チャンバー図示せずに移載し、ArおよびH2雰囲気ガスを投入しつつ0.01から2Paの範囲に調圧し、約1.5から32W/cm2のRF電力を投入し、約1×1012から5×1015atom/cm2のn型ターゲットを用いたスパッタリング法にて厚さ約100nmから5000nmのi型Si成膜層204を形成した。そして、減圧状態を保持したまま第4の真空チャンバー図示せずに移載し、He、ArおよびAsH3ガスを導入しつつ、0.1から100Paの範囲に調圧し、約0.1から3W/cm2のRF電力を投入し、プラズマドーピング法により、i型Si成膜層204上にB注入領域212を形成し、ガラス基板201上に積層体206eを形成した。更に、積層体206eを大気圧下に取り出し、約100から500°Cのヒーター上に載置した状態で、大気圧下にてAr、N2およびH2ガス雰囲気にて約5から50kWの電力を投入したDCトーチ式のプラズマ発生装置図示せずにて大気圧プラズマを生成し、積層体206eの表面にプラズマ処理を施して、結晶化かつ不純物の活性化をして積層体206fを形成した。続けて、ガラス基板201上の積層体206fに対して、高圧チャンバーに移載し、H2Oガスを導入し、約1.25から10気圧の範囲に調圧し、さらに約150から500°Cの範囲で加熱することで、高圧水蒸気法により、H2O雰囲気処理を実施した。そして、ガラス基板201上の積層体206fを第5の真空チャンバー図示せずに移載し、Arガス雰囲気にて約0.1から10Paの範囲に調圧しつつ、約0.2から20W/cm2のRF電力を投入し、スパッタリング法により、厚さ約100から2000nmのITO膜を形成した。次いで、スクリーン印刷法を用いて、ITO膜上にAgペーストをパターニングしつつ塗布し、約50から250°Cの範囲でAgペースト中の有機物を乾燥させ、高さ約1から50μmで幅100から1500μmのAg電極210を形成した。この状態で、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。以上のような、製造方法にて作製した太陽電池は、従来例よりも2.02倍高い変換効率を確認できた。実施の形態4図8、図9および図3は、本発明実施の形態4による、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池および製造方法の模式図である。本構造はサブストレート型構造をなしている。なお、図8および図9において、図6および図7と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。1.太陽電池の構成:図8および図9において、図6および図7と異なる点は、下地金属としてITO膜を用い、第1の表面電極としてW膜209を用いている点である。上記の構成にて、成膜層と拡散層からなる薄膜太陽電池を作製した。そして、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。2.太陽電池の製造方法:実施の形態4の太陽電池の製造方法に関して、図3を用いて説明する。なお、実施の形態3と異なる点は、下地金属としてITO膜を用い、第1の表面電極としてW膜209を用いている点である。まず、ガラス基板201上に、下地金属としてITO膜を厚さ約100から2000nmで成膜し、第1の表面電極としてW膜209を厚さ約100から2000nmで成膜した。次いで、W膜209上に実施の形態1と同様に、Ag電極210を形成し、ソーラーシミュレーターを用いて、100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、太陽電池の特性を測定した。以上のような、製造方法にて作製した太陽電池は、従来例よりも1.94倍高い変換効率を確認できた。以上のように、本実施の形態が従来例よりも変換効率が向上した理由について、発明者らの推察を以下に述べる。1つ目に、従来例は各々の半導体層がアモルファス相であるのに対し、本実施の形態では、粒径が数nmから約800nm程度の結晶粒が混在した多結晶相であるため、キャリア拡散長が大きく、キャリア再結合が発生しがたいことが考えられる。結晶粒の一例として、実施の形態1で作製したSi半導体層をTEM観察した明視野像を図11に示す。図11において、221aおよび221bは、結晶粒径が約400から800nmの結晶粒を示し、222aは粒径が数nmから約10nmの微結晶粒の集合体であることを暗視野像等から確認できている。また、このようなTEM画像より、図1に模式的に示したような各層間の界面208aおよび界面208bが、従来例に比べて、明確に観察できなくなったことが確認できた。2つ目に、従来例は、CVD法にて成膜したアモルファス相を、その相状態のまま太陽電池として適用しているが、本実施の形態では、恐らく液相に近い相状態を経たうえで、積層体が一度結晶化していることから、従来例に見られるような、各々のSi半導体層間の界面が明確に存在しなくなり、結晶欠陥の多い層間界面でのキャリア再結合が抑制されたことが考えられる。なお、本実施の形態における積層体に対し、ラマン分光分析法により結晶化率470cm1の面積比に対する、520および500cm1の面積比より算出を算出した結果、スパッタリング法による成膜直後の積層体では結晶化率が0のアモルファス相であり、大気圧プラズマ法による処理で結晶化させた後の積層体では結晶化率が80以上であることも確認できている。なお、本実施の形態における積層体に対し、その一例として、実施の形態1におけるSIMS分析により、深さ方向のプロファイルを測定した結果を図12に示す。ここで、223аはBの密度を、223bはAsの密度を示す。この結果のように、積層体の第1の拡散層の表面TでのAsひ素の数密度は約1×1021atom/cm2以上であり、層厚方向に深くなるにつれて、Asの数密度が傾斜的に減少し、第2の成膜層と第1の拡散層の界面近傍と見られる領域で表面Tの密度より1桁から2桁程度にAsの数密度が低下していることを確認できている。一方で、第1の成膜層において、下地金属との界面Bから第2の成膜層にかけての層厚方向のBボロンの数密度は、平均値1×1019atom/cm2±20の範囲であることを、各実施の形態において確認できている。なお、本実施の形態では、第1成膜層および第2成膜層の形成にスパッタリング法を用いたが、蒸着法およびCVD法を用いても本実施の形態と近い効果が得られると考えられるが、スパッタリング法のように層中に内在する結晶欠陥が多いと、その後の結晶化工程でより低温で結晶化しやすいことが、本件の事前検討で分かっている。また、成膜速度および設備コストといった生産性の観点を鑑みると、スパッタリング法がより好ましい。なお、本実施の形態では、積層体の結晶化および層中の不純物活性化を目的として、積層体を大気圧プラズマ法により熱処理しているが、フラッシュランプアニール、レーザーアニール等の他の急速加熱工法を用いても本実施の形態と近い効果が得られると考えられる。但し、フラッシュランプアニールは所望の赤外線を積層体全面へ同時照射することから、層中に熱が篭りやすく、結晶化率の均一性が悪化しやすい、あるいは基板からの膜剥がれが発生しやすいといった課題がある。また、レーザーアニールは、大気圧プラズマの照射面先が約20から50mm2であるのに対し、照射面積が数十μm2と桁違いに小さく、熱処理速度に課題があるため、大気圧プラズマ法による熱処理が、より好ましい。なお、本実施の形態では、プラズマドーピング法にAsH3アルシンガスおよびB2H6ジボランのみ適用したが、p型不純物の導入源として、例えばBF3およびBCl3、またn型不純物の導入源として、例えばPH3、POCl3、およびPF5を適用しても、本実施の形態と同等の効果が得られると考えられる。