"溶融シリコンからのシリコンインゴットの凝固に使用するるつぼであって、その内面が少なくとも部分的に、ポリシラザンの熱分解によって得られる材料から形成される少なくとも1つのレイヤーで被覆され、前記レイヤーが1Paより大きく500MPa以下であるせん断強度を有し、また接触していないタイルの隣接する層の積層体の形態であることを特徴とするるつぼ。前記積層体を構成している各タイル層の厚さが0.2~50μm、特には1~50μm、例えば0.5~20μm、例えば1~5μmであることを特徴とする、請求項1に記載のるつぼ。前記積層体の厚さが10~500μm、特には20~500μm、例えば30~400μm、好ましくは50~200μmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載のるつぼ。前記積層体が2~100層のタイルを備え、前記層が重ねられ且つ隣接していることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載のるつぼ。前記レイヤーが300MPa以下、例えば200MPa以下、例えば100MPa以下、例えば5MPa以下のせん断強度を有することを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のるつぼ。前記レイヤーを形成する前記材料が、炭化ケイ素SiC、窒化ケイ素Si3N4及び/又はシリコンオキシカルボニトリドをベースとすることを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載のるつぼ。前記タイルが、炭化ケイ素SiC、窒化ケイ素Si3N4、SiCとSi3N4との混合物又は更にはシリコンオキシカルボニトリドSiCNOから形成されることを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載のるつぼ。前記レイヤーを構成している層の全てを形成している前記タイルが1種類の同じ材料から形成されることを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載のるつぼ。前記レイヤーを構成している層の全てを形成している前記タイルが2種類の異なる材料から形成されることを特徴とする、請求項1~7のいずれかに記載のるつぼ。前記タイルの横方向の間隔が0.1μm~20μm、特には5μm未満、好ましくは1μm未満であることを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載のるつぼ。その内面上に少なくとも部分的に、その内面とポリシラザンの熱分解で得られる材料から形成される前記レイヤーとの間に置かれる中間隔離層も備えることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のるつぼ。前記中間隔離層が、前記隔離層を交互に構成している少なくとも2種類の異なる材料から形成されることを特徴とする、請求項11に記載のるつぼ。前記材料の一方の第1のタイプは大部分が又は全てがシリカSiO2から形成され、もう一方の材料の大部分が又は全てが炭化ケイ素SiCから形成されることを特徴とする、請求項12に記載のるつぼ。緻密質セラミック基体、例えば炭化ケイ素SiC、窒化ケイ素Si3N4若しくはシリカSiO2又は多孔質基体、例えば黒鉛から構成されることを特徴とする、請求項1~13のいずれかに記載のるつぼ。請求項1~14のいずれかに記載のるつぼを作製する方法であって、i前記るつぼの内面を少なくとも1種のポリシラザンを含む溶液と接触させ、ii前記ポリシラザンを縮合架橋し、iii制御雰囲気及び制御温度下で熱分解し、任意で、iv酸化アニーリングすることによってa第1のタイル層を形成し、続いてステップi~iii及び任意のivを繰り返すことによってbステップaで形成された層に隣接させて少なくとも1つの新しいタイル層を形成することを通じて前記レイヤーを形成することを少なくとも含み、ステップiiiの熱分解を少なくとも1000°Cである温度で実現された温度ホールドで少なくとも1時間にわたって行うことを特徴とする方法。ステップa又はbの一方を反応性雰囲気下で行い、前記反応性雰囲気が前記ポリシラザン由来の材料に対して反応性であり、例えば窒素下又は空気中で行われ、もう一方のステップは不活性雰囲気、例えばアルゴン下で行われることを特徴とする、請求項15に記載の方法。前記るつぼの内面上に中間隔離層を形成する事前ステップを含むことを特徴とする、請求項15及び16のいずれかに記載の方法。少なくとも1種のポリシラザンを含む前記溶液が溶媒、例えば非プロトン性の無水溶媒及び重合開始剤、例えば有機過酸化物タイプも含むことを特徴とする、請求項15~17のいずれかに記載の方法。少なくとも1種のポリシラザンを含む前記溶液が、炭化ケイ素粉末及び/又は窒化ケイ素粉末及び/又はシリコン粉末も含むことを特徴とする、請求項15~18のいずれかに記載の方法。前記溶液が、5~90体積、特には10~70体積、例えば10~50体積、例えば20~50体積のポリシラザンを含むことを特徴とする、請求項15~19のいずれかに記載の方法。前記非プロトン性無水溶媒が、トルエン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド及びジブチルエーテルから選択されることを特徴とする、請求項18~20のいずれかに記載の方法。シリコンの方向性凝固のため、請求項1~14のいずれかで定義、記載されるようなるつぼの使用。これらの図面から明らかになるが、るつぼ1は、その内面2が、ポリシラザンの熱分解で得られる材料から形成されるレイヤー3で被覆されている。このレイヤー3は接触していないタイル4の積層体の形態であり、それによってその上面が、図2に描かれているひび割れた外見となる。より正確には、この積層体は隣接するタイル4a及び4bの幾つかの層を備え、各層は接触も重なりもしないタイルから形成されている。この積層体の破壊は、レイヤー3中のタイル4間を結合している材料5内でのせん断によって起きる。以下の実施例は、様々なタイプのるつぼを使用して作り出される。コーティング工程の様々なステップの間、処理対象のるつぼを、クレードル及びトングの助けを借りて以下に記載の様々な溶液に浸漬させる。実施例1使用するるつぼはCARBONELORRAINE社の黒鉛2020PT登録商標製のるつぼであり、外径50mm、内径30mm及び高さ50mmを有し、使用前に事前にアセトンで清浄にし、シリコンの溶融中はシリカ製カバーで蓋をする。本発明に従って処理するるつぼの表面を、加えて、上で引用したBillらの文献J.oftheEuropeanCeramicSoc.,vol.16,1996:1115に記載のプロトコルに従って、まず厚さ約6μmを有するSiCの隔離緻密質連続層で被覆する。これによって、るつぼの黒鉛に、深さ約50μmまで溶浸する。本発明の多層レイヤー又は本発明の接触していないタイルの積層体を、以下のプロトコルに従ってこのるつぼ上に形成した。各タイル層を、トルエン中の30体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液からディップコーティングで形成する。この溶液は、重合開始剤として0.1質量のジクミルペルオキシドLuperoxDCも含む。これを行うために、るつぼをこの溶液に5分間の3回のディップコーティングサイクルに従って浸漬させる。各ディップコーティングサイクルには200°Cでの2時間にわたる重合アニーリング、次に2時間にわたる1400°Cでの熱分解全て窒素下、次に2時間にわたる1000°Cでの空気中での酸化アニーリングが続く。これによって厚さ180~200μmを有する接触していないタイルの積層体が得られ、この積層体は、13~28μmの可変の厚さのタイル層から構成される。このようにして形成された本発明のるつぼを以下のようにして試験する。次に、70gの固形シリコンを手作業で極めて慎重に得られたるつぼ内に置き、次に以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、静的アルゴン雰囲気を導入しながら1時間にわたってホールドし、次に温度を150°C/時間の率で1500°Cまで上昇させ、この温度で4時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cまで低下させ、次にこの温度で1時間にわたって維持する。次に、周囲温度にまで自由に冷却させる。冷却後、このようにして形成されたシリコンインゴットが、コーティング内の凝集破壊により本発明のるつぼから外れる。るつぼに使用したコーティングの純度は、シリコンインゴットにも見られる。99.6より高い、あるいは99.996さえも超える純度のシリコンが得られる。純度は、GDMSグロー放電質量分析法で評価した。実施例2使用したるつぼは、実施例1に記載したるつぼと同じである。しかしながら、本発明に従って処理するるつぼの表面をまず、厚さ約45μmを有するSiCの隔離緻密質連続層で被覆し、Israelらの文献J.oftheEuropeanCeramicSoc.,vol31,2011,2167-2174に記載のプロトコルに従って反応性溶浸により得られる約4μmのSiO2の隔離層で覆う。本発明の接触していないタイルの積層体を、実施例1に記載のプロトコルに従ってSiO2中間層の表面上に形成した。実施例1に記載のプロトコルに従ってこのようにして形成し、試験した本発明のるつぼは、99.996を超える純度を有するシリコンインゴットを形成可能であると判明している。実施例3使用するるつぼはMondiaQuartz社のガラス質シリカ製のるつぼであり、外径50mm、内径30mm及び高さ50mmを有する。使用前に事前にアセトンで清浄にする。本発明の接触していないタイルの積層体を、実施例1に記載のプロトコルに従って形成した。実施例1に記載のプロトコルに従ってこのようにして形成、試験した本発明のるつぼは、極めて純粋なシリコンインゴットの形成に適していることも判明している。実施例4使用するるつぼはCARBONELORRAINE社の黒鉛2020PT登録商標製のるつぼであり、外径50mm、内径30mm及び高さ50mmを有し、使用前に事前にアセトンで清浄にし、低真空下、50°Cで30分間にわたって脱ガスする。その表面をまず、上で引用したBillらの文献J.oftheEuropeanCeramicSoc.,vol.16,1996:1115に記載のプロトコルに従って、厚さ約14μmを有するSiCの隔離緻密質連続層で被覆する。これによって、るつぼの黒鉛に、深さ約450μmまで溶浸する。本発明の薄層の積層体を、以下のプロトコルに従ってこのるつぼ上に形成した。本発明のレイヤーを、トルエン中の30体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液から形成する。この溶液は、重合開始剤として0.1質量のジクミルペルオキシドLuperoxDCも含む。より具体的には、るつぼをクレードル及びトングの助けを借りてこの溶液に浸漬させ、次に浴からゆっくりと取り出し、余分な液体を重力で取り除く。ディップコーティングに続いて、アルゴン下での1時間にわたる150°Cでの重合ステップ、次にアルゴン下での2時間にわたる1000°Cでの熱分解を行う。この一連のステップディップコーティング/アルゴン下での重合/熱分解を8回繰り返し、次に、このようにして被覆されたるつぼを空気中での酸化アニーリングに1000°Cで2時間にわたって供する。これによって厚さ60~95μmを有するレイヤーが得られ、このレイヤーは層の積み重ねから構成され、各層は3~12μmの可変の厚さのタイルから形成される。このようにして形成された本発明のるつぼを、以下のようにして試験する。次に、70gの電子製品品質のシリコンを手作業で極めて慎重に得られたるつぼ内に置く。次に、このシリコンを以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、静的アルゴン雰囲気を導入しながら1時間にわたってホールドし、次に温度を150°C/時間の率で1500°Cまで上昇させ、この温度で4時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cまで低下させる。次に、周囲温度にまで自由に冷却させる。冷却後、このようにして形成されたシリコンインゴットは、るつぼの円周部分に少し衝撃を与えた後、主にコーティング内の凝集破壊により本発明のるつぼから外れる。実施例5使用するるつぼはMondiaQuartz社のガラス質シリカ製のるつぼであり、外径50mm、内径45mm及び高さ50mmを有する。使用前に事前にアセトンで清浄にする。本発明の薄層の積層体を、無水ジブチルエーテルSigmaAldrich中の50体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液から、このるつぼ上に形成した。より具体的には、るつぼをクレードル及びトングの助けを借りてこの溶液に浸漬させ、次に浴からゆっくりと取り出し、余分な液体を重力で取り除く。ディップコーティングに続いて、アルゴン下での2時間にわたる200°Cでの重合ステップ、次にアルゴン下での2時間にわたる1000°Cでの熱分解を行う。この一連のステップディップコーティング/アルゴン下での重合/熱分解を12回繰り返し、次に、このようにして被覆したるつぼを空気中での酸化アニーリングに1000°Cで2時間にわたって供する。これによって厚さ65~110μmを有するレイヤーが得られ、このレイヤーは層の積み重ねから構成され、各層は1~10μmの可変の厚さのタイルから形成される。このようにして形成された本発明のるつぼを、以下のようにして試験する。次に、72gの電子製品品質のシリコンを手作業で極めて慎重に得られたるつぼ内に置く。次に、このシリコンを以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、静的アルゴン雰囲気を導入しながら1時間にわたってホールドし、次に温度を150°C/時間の率で1500°Cまで上昇させ、この温度で4時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cまで低下させる。次に、周囲温度にまで自由に冷却させる。冷却後、このようにして形成されたシリコンインゴットは、るつぼの円周部分に少し衝撃を与えた後、主にコーティング内の凝集破壊により本発明のるつぼから外れる。実施例6使用するるつぼはSGL-Carbon社の黒鉛R6510登録商標製のるつぼであり、外径50mm、内径40mm及び高さ50mmを有する。その表面を、化学蒸着法CVDで得られる、厚さ約70μmを有するSiCの隔離緻密質連続層で被覆する。このSiC層をまず、空気中での1200°Cでの5時間にわたるアニーリングにより酸化する。本発明の薄層の積層体を、無水ジブチルエーテルSigmaAldrich中の50体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液から、このるつぼ上に形成した。より具体的には、るつぼをクレードル及びトングの助けを借りてこの溶液に浸漬させ、次に浴からゆっくりと取り出し、余分な液体を重力で取り除く。ディップコーティングに続いて、空気中での2時間にわたる200°Cでの重合ステップ、次に空気中での2時間にわたる1000°Cでの熱分解を行う。この一連のステップディップコーティング/空気中での重合/熱分解を10回繰り返す。これによって厚さ60~90μmを有するレイヤーが得られ、このレイヤーは層の積み重ねから構成され、各層は1~10μmの可変の厚さのタイルから形成される。このようにして形成された本発明のるつぼを、以下のようにして試験する。次に、72gの電子製品品質のシリコンを手作業で極めて慎重に得られたるつぼ内に置く。次に、このシリコンを以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、静的アルゴン雰囲気を導入しながら1時間にわたってホールドし、次に温度を150°C/時間の率で1500°Cまで上昇させ、この温度で4時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cまで低下させる。次に、周囲温度にまで自由に冷却させる。冷却後、このようにして形成されたシリコンインゴットは、るつぼの円周部分に少し衝撃を与えた後、主にコーティング内の凝集破壊により本発明のるつぼから外れる。実施例7使用するるつぼはMondiaQuartz社のガラス質シリカ製のるつぼであり、外径50mm、内径45mm及び高さ50mmを有する。使用前に事前にアセトンで清浄にする。本発明の薄層の積層体を、無水ジブチルエーテルSigmaAldrich中の80体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液から、このるつぼ上に形成した。この実施形態の場合、ポリシラザン溶液をるつぼにスプレーコーティングによる噴霧で塗布する。このスプレーコーティングに続いて、空気中での30分間にわたる、ホットプレート上での500°Cでの重合ステップを行う。この一連のスプレーコーティング/500°Cでの重合を6回繰り返し、次に、このようにして被覆されたるつぼを窒素下での1000°Cでの1時間にわたる熱分解ステップに供する。この一連のステップを4回繰り返す。このようにして形成された本発明のるつぼを、以下のようにして試験する。次に、72gの電子製品品質のシリコンを手作業で極めて慎重に得られたるつぼ内に置く。次に、このシリコンを以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、静的アルゴン雰囲気を導入しながら1時間にわたってホールドし、次に温度を150°C/時間の率で1500°Cまで上昇させ、この温度で4時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cまで低下させる。次に、周囲温度にまで自由に冷却させる。冷却後、このようにして形成されたシリコンインゴットは、るつぼの円周部分に少し衝撃を与えた後、主にコーティング内の凝集破壊により本発明のるつぼから外れる。実施例8本発明の処理を施したるつぼと標準的なるつぼとの比較使用するるつぼはMondiaQuartz社のガラス質シリカ製のるつぼであり、外径145mm、内径140mm及び高さ150mmを有する。使用前に事前にアセトン及びエタノールで清浄にする。対照用のるつぼの内面全体を、水とPVAとの混合物に懸濁させた窒化ケイ素粉末SNE10、UBEから成る標準的な非付着性コーティングで被覆する。この懸濁液は、るつぼの内面上に、4つの連続層として噴霧により塗布される。層間で5分間の空気乾燥を行い、次に900°Cで2時間にわたって空気中でその基体上の正しい位置で酸化させる。この一連のステップ4層に噴霧/乾燥/酸化を2回繰り返す。本発明のるつぼの垂直方向の壁のその内面を、上記と同じコーティングで被覆する。他方で、本発明のるつぼの底部を形成している内面を、無水ジブチルエーテルSigmaAldrich中の50体積のポリシラザンCLARIANT社製のCerasetPSZ20登録商標を含有する溶液から形成される本発明の薄層の積層体でコーティングする。より具体的には、1mlの溶液をるつぼの底部に堆積させる。次に、るつぼを、レイヤーが完全に広がるようにターンテーブル上で回転させ、余分な液体を重力で取り除くむきだしの垂直方向の壁に沿って流す。スピンコーティングに続いて、空気中での200°Cでの2時間にわたる重合ステップ、次に空気中での1000°Cでの2時間にわたる熱分解を行う。この一連のステップ堆積/回転/重合/熱分解を30回繰り返す。次に、このようにしてコーティングされたるつぼの底部を、るつぼを空気中で2時間にわたって1000°Cに曝露することによる酸化アニーリングに供する。このようにしてるつぼの底部に得られるのは厚さ50~120μmを有するレイヤーであり、このレイヤーは層の積み重ねから構成され、各層は1~10μmの可変の厚さのタイルから形成される。このようにして形成されたるつぼを、以下のようにして試験する。次に、2.3kgの電子製品品質のシリコンを手作業で極めて慎重に得られた各るつぼ内に置く。次に、このシリコンを以下のサイクルに従って溶融させる。温度を200°C/時間の率で1000°Cまで低真空下で上昇させ、アルゴン雰囲気を流量0.5l/分で循環させながら導入し、次に温度を150°C/時間の率で1550°Cまで上昇させ、この温度で5時間にわたって維持し、最後に50°C/時間の率で1200°Cにまで低下させる。次に、冷却を200°C/時間の率で周囲温度まで行う。冷却後、対照用のるつぼで形成されたシリコンインゴットはるつぼから自然に外れる。本発明のるつぼで形成されたインゴットすなわち、底部は本発明に従ったものであるは、るつぼの円周部分に少し衝撃を与えた後、主にコーティング内の凝集破壊によりるつぼから外れる。このようにして得られたインゴットを厚さ20mmを有する垂直方向ウェハに切断し、これらのウェハ中の少数キャリアの寿命分析を行う。この測定の原理は以下の通りである。表面へのパルスレーザー励起深さ1mmまでは、特定の時間寿命が過ぎると再結合する電子正孔対を半導体材料内で作り出すことを可能にし、寿命は、るつぼの材料に由来する不純物の量に大きく左右される。インゴットのウェハにおける寿命のマッピングを、これらの電荷キャリアの発生によって引き起こされる光伝導性の低下の測定により行う。またこの測定をSemilab社のWT200マシンで行う。これらの分析により、本発明のるつぼの領域と接触したシリコン本発明であると称されるインゴットの底部は、標準と称されるコーティングと接触したシリコン対照と称されるインゴットの底部よりはるかに良好な寿命、従って純度を有することが判明している。汚染された領域の厚さは、対照と称されるインゴットにおいては約6mmと推定され、本発明と称されるインゴットでは2~3mmである。"