"少なくとも1つの電子コンポーネント6,16を接触接続するための積層体1,11を作製する方法であって、第1金属層2,12と第2金属層3,13との間に絶縁層4,14を配置し、前記両金属層2,3,12,13は、少なくとも1つのコンタクト領域において互いに電気的に接触接続される金属層であり、前記絶縁層4,14において、1つの開口部を1つの前記コンタクト領域に形成するかまたは複数の開口部を複数の前記コンタクト領域に形成し、少なくとも前記第1金属層2,12において、前記コンタクト領域に少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部を形成し、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部の領域において前記2つの金属層2,3,12,13間の互いの間隔が低減されており、前記金属層2,3,12,13を前記絶縁層4,14と共に積層する、方法において、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部のサイズは、少なくとも1つの電子コンポーネント6,16を収容するのに十分であり、少なくとも1つの電子コンポーネント6,16を少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部に挿入して導電的に接続して、前記電子コンポーネント6,16が周囲を完全に取り囲まれて収容され、かつ、前記電子コンポーネント6,16の高さHについては少なくとも部分的に前記エンボスまたは前記凹部に収容されるようにする、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の断面を、殊にその面積および/またはサイズを、前記1つの電子コンポーネント6,16または複数の電子コンポーネント6,16の高さHに垂直な方向の、1つの前記電子構造部分6,16または複数の前記電子構造部分6,16の前記サイズと、有利には断面と同じかまたはやや大きく形成する、ことを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、前記方法において型抜きラミネーションを使用して、前記金属層2,3,12,13と前記絶縁層4,14とを接続すると同時に少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部を形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法において、前記第1金属層2,12の少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部を、前記絶縁層4,14に設けられている少なくとも1つの開口部に位置決めする、ことを特徴とする方法。請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法において、少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部は、前記第1金属層1,12における少なくとも1つの貫通部を含んでいるか、または少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部に少なくとも1つの貫通部を形成し、各貫通部は、前記第1金属層2,12の面を突き抜けている、ことを特徴とする方法。請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法において、前記第1金属層2,12における少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の前記形成を、前記電子コンポーネント6,16と前記第1金属層2,12との接触接続と共に1つのステップで行う、ことを特徴とする方法。請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法において、殊に前記第1金属層2,12に対する前記側壁の角度を調整して、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部からの光が1つの方向に放射されるように、有利には前記第1金属層2,12の面に対して垂直な方向に放射されるように、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部を成形し、1つの電子コンポーネント6,16として1つのLEDが使用されるかまたは複数の電子コンポーネント6,16として複数のLEDが使用される、ことを特徴とする方法。請求項7に記載の方法において、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の前記表面を反射面として形成し、有利には光学研磨したポンチによって形成する、ことを特徴とする方法。請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法において、前記第1金属層2,12の少なくとも1つの領域を切り離して、当該第1金属層2,12の少なくとも2つの領域2a,2c,12a,12bが互いに離隔されかつ電気的に絶縁されて並んで配置されるようにし、有利には少なくとも1つのボンディングワイヤ9,19により、少なくとも1つの電気構成部分6,16を少なくとも2つの領域2a,2c,12a,12bに導電的に接続して、2つの領域2a,2c,12a,12b間に電圧を印加した際に前記電気構成部分6,16を介して電流が流れるようにする、ことを特徴とする方法。例えば請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法によって作製した、電子コンポーネント6,16を接触接続させるための積層体であって、前記積層体は、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部を有する第1金属層2,12と、当該第1金属層2,12に対して実質的に平行に配置されかつ該第1金属層2,12から絶縁層4,14によって分離された第2金属層3,13とを有しており、前記金属層2,3,12,13は、前記絶縁層4,14における少なくとも1つの開口部が設けられている、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または前記少なくとも1つの凹部において導電性の接触接続ゾーンを構成しており、少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部には少なくとも1つの電子コンポーネント6,16が配置されており、当該少なくとも1つの電子コンポーネント6,16は、少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部に完全に包囲されて収容されかつ当該少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部に導電的に接続されており、前記少なくとも1つの電子コンポーネント6,16は、当該電子コンポーネント6,16の高さHについて、少なくとも部分的に前記少なくとも1つのエンボスまたは凹部に収容されている、ことを特徴とする積層体。請求項10に記載の積層体において、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の断面は、殊に当該少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の面積および/またはサイズは、有利には前記1つの電子コンポーネント6,16または前記複数の電子コンポーネント6,16の高さHに垂直な方向の断面に適合されている、ことを特徴とする積層体。請求項10または11に記載の積層体において、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の前記断面は、殊に当該少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部の面積および/またはサイズは、前記高さHに垂直な方向の、前記1つの電子コンポーネント6,16または前記複数の前記電子コンポーネント6,16のサイズと、有利には断面積と等しいかこれよりもやや大きい、ことを特徴とする積層体。請求項10から12までのいずれか1項に記載の積層体において、前記金属層2,3,12,13は、溶接、半田付け、導電性接着剤による接着または焼成により、少なくとも1つのコンタクト領域において互いに接続されている、ことを特徴とする積層体。請求項10から13のいずれか1項に記載の積層体において、少なくとも1つのエンボスおよび/または凹部は、前記第1金属層2,12に少なくとも1つの貫通部を有しており、各貫通部は、前記第1金属層2,12の前記面を突き抜けている、ことを特徴とする積層体。請求項10から14のいずれか1項に記載の積層体において、少なくとも1つの電子コンポーネント6,16は、チップ、LEDおよび/またはセンサである、ことを特徴とする積層体。請求項10から15のいずれか1項に記載の積層体において、殊に前記第1金属層2,12に対する前記側壁の角度が調整されて、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも凹部からの光が1つの方向に放射されるように、有利には第1金属層2,12の面に対して垂直な方向に放射されるように、少なくとも1つのエンボスおよび/または少なくとも1つの凹部を成形し、エンボスまたは凹部における前記1つの電子コンポーネント6,16はLEDであるか、または、前記少なくとも1つのエンボスおよび/または前記少なくとも1つの凹部における前記複数の電子コンポーネント6,16はLEDである、ことを特徴とする積層体。回路基板、センサ、LEDランプ、携帯電話コンポーネント、制御部または制御器として使用する、請求項10から16までのいずれか1項に記載の積層体の使用方法。"