異なる第1と第2の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、第1と第2の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記第1と第2の周縁長を有するワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、前記第1の周縁長が第2の周縁長を超え、前記第1の周縁寸法が第2の周縁寸法よりも大きいことを特徴とするワークピース処理方法。前記ワークピースが円形であり、前記コイルの各々が、処理される円形ワークピースの中心点と位置合わせされた中心点を有する複数の円形で同軸の巻線を含むことを特徴とする請求項1に記載のワークピース処理方法。前記各々のコイルの円形の巻線のうちの1つが、コイルの周縁寸法を規定するエッジを有することを特徴とする請求項2に記載のワークピース処理方法。前記コイルの各々が、処理中に高周波励起電源に接続される一対の内側励起端子を含むことを特徴とする請求項3に記載のワークピース処理方法。前記コイルの各々が、コイルの中心点に関して非対称の少なくとも1回の巻線を含むことを特徴とする請求項4に記載のワークピース処理方法。第1と第2のワークピースがそれぞれ300mmと200mmの直径を有し、300mmと200mmの直径用の複数のコイルが、300mmよりも大きい外径を有する円の円周上にある外側エッジを備えた外側巻線を有することを特徴とする請求項5に記載のワークピース処理方法。300mm直径のワークピース用のコイルの円が約400mmの直径を有し、200mm直径のワークピース用のコイルの円が約330mmの直径を有することを特徴とする請求項6に記載のワークピース処理方法。300mm直径と200mm直径のワークピースの両方のためのコイルの巻線数が4回であることを特徴とする請求項7に記載のワークピース処理方法。200mm直径のワークピースのためのコイルが2番目に大きい直径の巻線を有し、それが非対称であることを特徴とする請求項8に記載のワークピース処理方法。300mm直径のワークピースのためのコイルが、コイルの他のいかなる巻線よりも中心点に近い非対称巻線を含むことを特徴とする請求項8に記載のワークピース処理方法。従来技術の真空プラズマプロセッサよりも優れたプラズマ密度均一性をワークピース上で達成するように円形のワークピースを処理する真空プラズマプロセッサであって、前記従来技術のプロセッサが、4回の同心の直列接続された円形巻線、および高周波励起電源に接続される中央に配置された2つの励起端子を有する平板状の高周波励起コイルを含み、励起されるとワークピース上で直径方向に非対称のプラズマ密度分布を生じさせ、それによって、ワークピースの第1の側のワークピースの実質的な円弧長に沿ったプラズマ密度が、ワークピースの第2の側のワークピースの実質的な円弧長に沿ったプラズマ密度と異なり、第1と第2の側の円弧長が互いに直径方向で対向するようになし、前記より優れた密度均一性を達成するためのプロセッサが、ワークピースをプラズマで処理するための真空チェンバと、前記ワークピースのためのチェンバ内のホルダと、前記チェンバ内のガスをプラズマへと励起するための平板状のコイルと、前記コイルを励起するために接続された高周波電源とを含み、前記コイルがa共通の中心点を有する複数の円形で同軸で同心の巻線と、b高周波電源によって駆動されるように接続された中央の励起端子と、ci同じ条件下で動作する前記先行技術のプラズマプロセッサのプラズマよりも少ない直径方向に非対称に分布する密度、およびii同じ条件下で動作する前記先行技術のプラズマプロセッサよりも優れたワークピース上のプラズマ密度均一性を有するプラズマを供給するために、他の巻線と異なる形状を有する少なくとも1回のさらなる巻線とを含むことを特徴とする真空プラズマプロセッサ。前記少なくとも1回のさらなる巻線が、中心点に近いアーチ形の部分が前記従来技術のプロセッサより高いプラズマ密度を有するワークピースの部分に位置合わせされ、中心点から遠いアーチ形の部分が前記従来技術のプロセッサより低いプラズマ密度を有するワークピースの部分に位置合わせされるように、中心点から異なる間隔を有する複数のアーチ形の部分を含むことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。前記少なくとも1回のさらなる巻線が第1と第2の前記アーチ形の部分を含み、第1と第2の部分が異なる半径および複数の円形同軸巻線の中心点と同じ共通中心を有する円の扇形部であることを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。3回の複数の円形同軸巻線と1つの少なくとも1回のさらなる巻線があり、前記少なくとも1回のさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する複数巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する巻線が互いに直接的につながることを特徴とする請求項13に記載の真空プラズマプロセッサ。前記少なくとも1回のさらなる巻線が、空間的には隣接して電気的には離れた前記少なくとも1回のさらなる巻線の第1と第2の端部間で連続であり、該第1と第2の端部のそれぞれが、前記少なくとも1回のさらなる巻線の内側と外側それぞれにおいて第1と第2の隣接巻線に接続されることを特徴とする請求項12に記載の真空プラズマプロセッサ。前記少なくとも1回のさらなる巻線が、前記先行技術のプロセッサによる処理中に実質的により低いプラズマ密度を有するワークピースの側に向かって共通中心から移動した中心を有する円の形状を有することを特徴とする請求項15に記載の真空プラズマプロセッサ。複数の円形同軸巻線を有する前記コイルが、4回の巻線しか持たず、3回の巻線が複数の円形同軸巻線であり、複数の円形同軸巻線を含む前記コイルの1回の巻線だけが前記少なくとも1回のさらなる巻線であり、前記少なくとも1回のさらなる巻線が最大半径と2番目に小さい半径を有する複数の円形同軸巻線の間にあり、励起端子が最小半径を有する巻線上にあり、中心点から次第に離れて行く巻線が互いに直接的につながり、最大半径と最小半径を有する巻線が互いに直接的につながることを特徴とする請求項15に記載の真空プラズマプロセッサ。前記少なくとも1回のさらなる巻線が、コイルの中心点と一致する中心を有する円の扇形部である第1の部分と、第1の部分の第1の端部から直線状に延びる第2の部分と、第1の部分の第2の端部から直線状に延びる第3の部分とを含むことを特徴とする請求項11に記載の真空プラズマプロセッサ。前記第1の部分が、第3と第4の端部をそれぞれ有する第1と第2の区画に分割され、第3と第4の端部が高周波電源に接続されることを特徴とする請求項18に記載の真空プラズマプロセッサ。複数の円形同軸コイルを含む前記コイルが、第1と第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線を含み、第1の前記少なくとも1回のさらなる巻線が、第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線よりもコイルの中心点の近くにあり、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線が請求項18に規定された形状を有し、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線の円の扇形部がアーチ形に整列され、両方の前記少なくとも1回のさらなる巻線の直線部分が互いに平行に延び、第1と第2の前記少なくとも1回のさらなる巻線がコイルの中心点に最も近いコイル巻線であることを特徴とする請求項19に記載の真空プラズマプロセッサ。したがって本発明の目的は、円形のワークピースへの高度に均一なプラズマ束すなわちプラズマ密度を達成するために新型で改善された真空プラズマプロセッサおよび高周波プラズマ励起コイルを提供することにある。本発明の付加的な目的は、円形のワークピースへのプラズマ密度のさらに優れた均一性を達成するために、新型で改善された幾何学形状を有するコイルによって励起される高周波プラズマを有する新型で改善された真空プラズマプロセッサを提供することにある。本発明のさらなる目的は、1シグマの標準偏差で1.4よりも小さい不均一性でウェハをエッチングすることのできる新型で改善された真空プラズマプロセッサとコイルを提供することにある。本発明のまた別の目的は、小さい形体を有して0.18ミクロンよりも小さい集積回路の製造に使用するのに特に適するよう構成された新型で改善された高周波励起コイルを有する新型で改善された真空プラズマプロセッサを提供することにある。本発明の付加的な目的は、同じ形状であるが異なるサイズを有するワークピースを、同じ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数のチェンバ内で処理できるような新型で改善されたプラズマプロセッサ操作方法を提供することにある。本発明の追加の目的は、200および300mmの直径を有する円形の半導体ウェハを同じ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数のチェンバ内で処理できるような新型で改善されたプラズマプロセッサ操作方法を提供することにある。本発明の一態様によると、ワークピースホルダ上の特定の場所に設置されるように構成された、円形のワークピース用の真空プラズマプロセッサのイオン化可能なガスに高周波プラズマ励起場を供給するための、実質的に平板状のコイルは、aコイルの中心点に関して実質的に対称に配列された複数の同軸の巻線、およびbコイルの中心点に関して非対称に配列された少なくとも一回のさらなる巻線を含む。本発明はまた、そのようなコイルを有する真空プラズマプロセッサにも関する。本発明のまた別の態様は、ワークピース上で他の真空プラズマプロセッサよりもさらに優れたプラズマ密度均一性を達成するような円形ワークピースを処理するための真空プラズマプロセッサに関する。他のプロセッサは4つの同心の直列接続された円形巻線と中央に配置されて高周波励起源に接続された励起端子を含む。他のプロセッサは、励起されると、ワークピースの第1の側の実質的なワークピース円弧長に沿ったプラズマ密度が、ワークピースの第2の側の実質的なワークピース円弧長に沿ったプラズマ密度と大幅に異なるような直径方向に非対称となるワークピース上のプラズマ密度分布を引き起こす。第1と第2の側の円弧長は互いに直径方向にほぼ対向する。本プロセッサはaワークピースをプラズマで処理するための真空チェンバ、bチェンバ内のワークピース用のホルダ、cチェンバ内のガスをプラズマへと励起するための実質的に平板状のコイル、およびdコイルを励起するための高周波電源を含む。コイルはa共通の中心点を有する複数の円形で同軸同心巻線、b高周波電源で駆動されることになる接続を有する中央の励起端子、およびcプラズマ密度の直径方向の非対称性を実質的に低減し、同じ条件下で動作する他のプラズマプロセッサよりも優れたプラズマ密度均一性をワークピース上に供給するための、他の巻線と異なる幾何学形状を有する少なくとも1回のさらなる巻線を含む。少なくとも1回のさらなる巻線はa中心点に近いアーチ形の部分が他のプロセッサでより高いプラズマ密度を有するワークピース部分と位置合わせされ、かつb中心点から遠いアーチ形の部分が他のプロセッサでより低いプラズマ密度を有するワークピース部分と位置合わせされるように、中心点から異なる間隔を有する複数のアーチ形部分を含むことが好ましい。一実施形態では、少なくとも1回のさらなる巻線は第1と第2のアーチ形部分を含む。第1と第2の部分は円の扇形部であり、異なる半径および複数巻線の中心点と実質的に同じである共通の中心点を有する。本発明の実施形態のすべてにおいて、少なくとも1回のさらなる巻線は隣りの巻線への接続部を除いて閉じた形状を有することが好ましい。また別の実施形態では、少なくとも1回のさらなる巻線は、共通中心点から、他のプロセッサによる処理中には実質的により低いプラズマ密度を有するワークピースの側の方に移動した中心を有する円の形状を有する。好ましい一実施形態では、コイルは4回巻線しか持たず、そのうちの3巻線が複数巻線部であり、1巻線だけが少なくとも1回のさらなる巻線である。さらなる巻線は、最大半径と2番目に小さい半径とを有する複数巻線の間にある。励起端子は最小半径を有する巻線にある。中心点から次第に離れていく巻線は互いに直接的につながっており、最大半径と最小半径の巻線も互いに直接接続される。また別の実施形態では、少なくとも1回のさらなる巻線はaコイルの中心点と同心の中心点を有する円の扇形部である第1の部分、b第1の部分の第1の端部から実質的に直線的に延びる第2の部分、およびc第1の部分の第2の端部から実質的に直線的に延びる第3の部分を含む。第1の部分はそれぞれ高周波電源に接続された第3と第4の端部を有する第1と第2の区分に分割されることが好ましい。そのようなコイルは第1と第2のさらなる巻線を含むことが好ましい。第1のさらなる巻線は第2のさらなる巻線よりもコイルの中心点に接近している。少なくとも1回のさらなる巻線の両方は前述の形状を有する。さらなる巻線両方の円の扇形部はアーチ形に整列される。さらなる巻線両方の直線部分は実質的に互いに平行に延びる。第1と第2のさらなる巻線はコイルの中心点に最も近いコイル巻線である。本発明のさらなる態様は、同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で、異なる第1と第2の周縁長を有しかつ幾何学的に類似した形状を有するワークピースを処理する方法に関する。本方法は第1と第2の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルをチェンバもしくは複数チェンバ内のイオン化可能なガスに結合させるステップを含み、その間で第1と第2の周縁長のワークピースは、真空下にあってガスを処理プラズマへと励起するために高周波エネルギーがコイルに供給されるチェンバもしくは複数チェンバ内でそれぞれ処理される。第1の周縁長さは第2の周縁長を超えるものであり、第1の周縁寸法は第2の周縁寸法よりも大きい。ワークピースは円形であってコイルの各々は円形のワークピースの中心点と位置合わせされた中心点を有する複数の実質的に円形で同軸の巻線を含み、かつコイルの各々がコイルの中心点に関して非対称である少なくとも1回の巻線を含むことが好ましい。本発明の上述のおよびさらなる目的、特徴および利点は以下のいくつかの特定の実施形態の詳細説明を考慮し、特に添付の図面と関連付けると明らかになるであろう。図1のプロセッサで図2のコイルの代わりに使用される図4と5のコイルは、図2のコイルと極めて類似した構造であり、図4と5のコイルは13インチの外径を有し、中心点50、実質的に半円形の巻線区画40と42、ほぼ円形の巻線44、およびほぼ円形の巻線48を含む。区画40、42、44と48の各々は区画40と42が中心点に最も近くなり、巻線44が区画40と42の半径よりも大きい半径となり、巻線48がコイルの他のどの部分よりも中心点50から遠くなるようにして中心点50の半径上に位置する。励起端子52と54はそれぞれ区画40と42の第1の端部にあり、それに対して区画40と42の第2の端部60と62は、区画40と42およびコイルの巻線と同じ材料であることが好ましく、通常はその材料が銅である半径方向かつ円周方向に延びる金属の支柱64と82によって巻線48と44の端点66と81もしくは端子にそれぞれ接続される。図2と4のコイルの間の主な違いは、図4のコイルがアーチ形の区画184、185と186を有する非対称巻線182を含むことである。区画184と185は中心点50から同じ半径上にあるが、それに対して区画186は区画184と185よりも中心点50に近い半径上にある。言い換えると、区画184と185は中心点50から第1の半径によって規定される円弧に沿って位置し、それに対して区画186は中心点50から第2の半径によって規定される円弧に沿って位置し、第2の半径は第1の半径よりも小さい。好ましい実施形態では、区画184と185の外側エッジは点50から5.5インチ12.38cmの半径上にあり、それに対して区画186の外側エッジは点50から4.5インチ11.25cmの半径上にある。区画40と42および巻線44と48の半径は図2のコイルのそれらと同じである。区画40と42の外側エッジは中心点50から2インチ5.08cmの半径上にあり、それに対して巻線44と48の外側エッジはそれぞれ中心点50から3.5インチ8.75cmと6.5インチ16.25cmの半径上にある。区画40、42、184、185と186、ならびに巻線44と48は、それらの底面が図1のプロセッサの誘電窓19の上面から一様な間隔となるかまたは接するかのいずれかとなるように実質的に同一平面であり、それによって図4と5のコイルのすべての区画からプロセッサ内で窓の直下にある領域への容量性結合は実質的に同じとなる。区画186の対向する端部190は、半径方向かつ円周方向に延びる金属の支柱88と90によって区画184と185の端部192と194にそれぞれ接続される。区画184、185と186はそれぞれ約60°、160°と130°のアーチ形状の広がりを有する。図1のチェンバで処理されるウェハは、ウェハの切り欠きが中心点50と交差する垂線から時計回り方向に約10°のオフセットを有し、区画42と44の端部の励起端子52と54から等距離となるように図4と5のコイルに関して位置決めされる。金属の支柱78は、区画184の支柱88から反対側の端部74を外側巻線48の内側区画40に接続されていない端部に接続し、それに対して金属の支柱72は巻線44と区画85の端部を相互に接続する。図4と5のコイルが図1のプロセッサの窓19の上部に配置された場合、ウェハ71と同じ位置で静電チャック30に装着された200mmウェハ93のエッチング速度は、図6の領域94、96、98、100、102、104および106で示したようになる。ウェハ93は、図5のウェハ93が図4と5のコイルによる励起から結果的に得られるプラズマと反応することを除いては、図3のエッチパターンは、図2に描いたコイルの高周波励起から結果的に得られたものであるが、図3のウェハ71と同じ条件下で同じチェンバでエッチングされた。同じエッチング剤を使用し、図5のウェハの位置決め用切り欠き95が図6で、コイルの中心点50と垂直方向に位置合わせされたウェハの中心点92から垂直に延びる線から時計回りに10°のオフセットを有するようにウェハは同じ位置に位置決めされた。図6に描いたウェハ93の平均エッチング速度は2486オングストローム/分であり、1シグマの標準偏差で0.8の不均一性であった。中心点92を取り囲む領域94は2467オングストローム/分もしくはそれ未満のエッチング速度を有するが、それに対して領域94を取り囲みかつ中心点92の右に広がる領域96は2467乃至2477オングストローム/分の範囲のエッチング速度を有する。領域96を取り囲みかつ約180°の円弧長にわたってウェハ93の周縁部のかなりの部分に沿って広がる領域100は、2477と2487オングストローム/分の間の範囲のエッチング速度を有する。ウェハの左上の四分円にあって約20°の円弧長にわたってウェハ周縁部に広がる領域98は、領域96と同じエッチング速度範囲を有する。2487オングストローム/分を超えるエッチング速度を有する領域102、104および106は、領域102がウェハエッジの右下四分円に概して沿って約70°で広がり、領域104がウェハ右上の四分円の約60°に沿って概して広がり、領域106がウェハエッジに沿って中心点92の左側へ約10°広がるようにウェハ93の或る周縁部分に沿った小さな扇形を占める。図4と5のコイルは、前のウェハ71にプラズマ密度を生じさせる図2のコイルのメカニズムとほぼ同じメカニズムでウェハ93上にプラズマ密度を生じさせる。ウェハ93をエッチングするウェハ71の場合よりもさらに優れたプラズマ密度均一性は、図3の非対称領域72乃至80に基づいた図4と5のコイルの形状調整によって達成される。図3と6を比較すると、図3のウェハ71において領域76、78および80に存在したエッチング速度の非対称性が、図6のウェハ93のエッチング速度に存在しないことが明らかである。図6のウェハのエッチング速度は、図3のウェハのエッチング速度よりもかなり均一であり、傾斜した、すなわち非対称の領域76、78および80に見られるような特徴を含まない。領域100は図6のエッチング速度を支配的し、ウェハの面積のほぼ50にわたって広がる。300mmの円形ウェハを処理するのに図1のチェンバが使用されるとき、図5のコイルが図7のコイル100で置き換えられる。図2および5のコイルに似た図7のコイル100は4回の巻線101乃至104を含み、それらのすべてがコイルの中心点106と同心である。内側で、分割巻線101が2つの分離した区画112と114を含み、それぞれが励起端子108と110を含み、それぞれが図1の整合ネットワーク28の出力端子とキャパシタ80に接続される。半径方向かつ円周方向に延びる支柱116、118および120は、支柱116が巻線101の区画112を巻線102の第1の端部に接続し、支柱118が巻線102の第2の端部を巻線103の第1の端部に接続し、支柱120が巻線103の第2の端部を巻線104の第1の端部に接続するように巻線101乃至104の隣り合う対を接続する。支柱122は巻線104の第2の端部を巻線101の整合ネットワーク28の出力端子に接続されていない部分112の端部に接続する。図7のコイル100は、コイル100の巻線101乃至104が、図2、4および5に描かれたコイルの巻線の幾何学形状と異なる幾何学形状を有するので、図2、4および5のコイルとは異なる。特に、巻線103と104は両方共に円形であってそれぞれ8インチ20.32cmと6.5インチ16.41cmの外側エッジ半径を有する。コイル100の巻線101と102は図2、4および5のコイルの2つの内側巻線と異なるが、その理由は巻線101と102が中心点106に関して非対称だからである。巻線101と巻線102のコイル部分112と114は部分126、128と130を含み、それらはそれぞれ中心点106に関して2インチ5.08cm、2インチ5.08cm、3.75インチ9.4cmの外側エッジ半径を有する円の区画である。部分126、128と130の各々は、支柱116、118、120と122が位置するコイルの側と反対側のコイル100の側で180°の円弧長を有する。図7に描いたように、コイル100は互いに直角をなす水平方向直径131と垂直方向直径133を含む。支柱116乃至120は垂直方向直径133と交差し、それに対して円形部分126、128と130の端部は水平方向直径131と交差する。分割巻線101の部分112と114はそれぞれ相対的に直線の区画132と134を含み、それらは水平方向直径131から上方に、かつ垂直方向直径133に向かっていくぶん内側に延びる。直線区画132と134は垂直方向直径133から約10°のオフセットを有する中心線を有する。区画132は、区画132の端点の先端が水平方向直径131から2.25インチ6cm移動するように水平方向直径131から上方に延び、それに対して区画134の直線部分は直径131より3.25インチ8.80cm上で終端化する。巻線102は垂直方向直径133の右側と左側で直線区画140と142を含む。区画140と142の各々は垂直方向直径133に向かって約10°の角度で内側に傾斜している。したがって、区画140と142はそれぞれ区画132と134に実質的に平行である。区画142の直線部分は水平方向直径131の約3.4インチ上にある点で終わり、それに対して区画142の直線部分は水平方向直径131の約3.5インチ上にある点で終わる。前記から、コイル100は2つの対称性の外側巻線103と104、および2つの非対称性の内側巻線101と102を含む。非対称性の関係は、コイル100が図2のコイルの示す放射方向非対称束分布の傾向を克服することを可能にし、それに対して巻線103と104のより一層大きい直径は、コイル100が300mm円形ウェハにわたって実質的に均一なプラズマ密度を発生するのを可能にする。図5のコイルから図7のコイルへとコイルを交換することに加えて、200mmウェハプロセッサから300mmウェハプロセッサへと図1のチェンバを置き換えるのに必要となるその他の有意な変更は、200mmと300mmのワークピースのための台座を形成する静電チャックのサイズを変えることである。200mmチャックは300mmウェハにとって適切ではなく、その理由は200mmウェハ用のチャックでウェハの周縁部分に加えられる静電クランプ力は300mmウェハを定位置に保持するのに不十分だからである。300mmウェハ用の静電チャックは200mmウェハに使用することができず、その理由はウェハにとって完全にチャック電極を覆うことが必須だからである。図8は図1に示したタイプのプロセッサで使用することが可能であって、対称性と非対称性の巻線を含むコイルのさらなる実施形態の概略的な上面図である。図8のコイルは、図8のコイルにおける巻線210が図4と5のコイルの巻線182と置き換わっていることを除いて、図4と5のコイルと同様の形状である。図8の巻線210は中心点50から左方向かつ上方向にシフトした中心点212を有する実質的に円形の巻線である。巻線210の半径は巻線44と48の半径の間にあり、約5-1/2インチであることが好ましい。したがって、巻線210の右側の部分216は巻線44の右側に極めて近いが、巻線48の右側から極めて遠く移動している。対照的に、巻線210の左側にある部分218は巻線48の左側に極めて近く、巻線44の左上部分から有意に間隔が開いている。巻線210の左側部分218と巻線48の左側の間の間隔は通気を十分に阻止するものであるべきである。本発明の複数の特定の実施形態を説明および例示してきたが、添付の特許請求項に規定したような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、特定して例示および説明した実施形態の詳細部で変形を為し得ることは明らかであろう。例えば、図8の円形の巻線110は、図3のプラズマ密度不均一性を低減するように配列される、巻線110の配置に類似した配置を有する楕円形の巻線または隣りの巻線への接続のための開環を除いて閉じた非対称構造を有する他の巻線で置き換えられることもあり得る。