"対象物を格納する試料室と、当該試料室内を真空排気する真空ポンプとを備えた走査電子顕微鏡において、前記真空ポンプにより真空排気された試料室内にガスを導入するガス導入管と、前記試料室内の対象物に一次電子線を照射し、発生する二次電子あるいは反射電子が前記ガスで増幅されることにより生成されるイオン電流を検出する電子光学鏡筒と、前記対象物を吸着する探針と、当該探針を前記試料室内で移動させる探針可動機構とを備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、静電吸着力を発生させる電圧を前記探針に印加する電源ユニットを備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記ガス導入管が、当該ガス導入管内を流れるガスの流量を調節するバルブを備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、静電吸着力を発生させる電圧を前記探針に印加する電源ユニットと、前記ガス導入管内を流れるガスの流量を調節するバルブと、前記電源ユニットから前記探針に印加する電圧と前記バルブを自動調節する制御手段を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項2に記載の走査電子顕微鏡において、前記電源ユニットは、前記探針に印加する電圧の極性が切り替え可能であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記探針可動機構は複数の探針が取り付け可能であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記対象物が載置される試料台と、当該試料台を前記試料室内で移動させるステージとを備え、更に、前記探針可動機構と前記ステージは、当該探針可動機構とステージの干渉を防止する干渉防止機構を各々備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御手段は、前記試料室内の真空度と当該真空度において前記探針に対して印加すべき電圧値とが記載されたテーブルを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項8に記載の走査電子顕微鏡において、前記制御部がSEM操作用PC16と接続され、SEM操作用PC16からGUI操作により、自動制御が可能なことを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、前記探針可動機構側に設置された干渉防止機構は、前記探針可動機構上に、当該探針可動機構上を移動するように設置された部材であることを特徴とする走査電子顕微鏡。請求項10に記載の走査電子顕微鏡において、前記探針可動機構側に設置された干渉防止機構は、バネと、当該バネを前記干渉防止機構に対して固定する支持部材とを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。プロービングシステムを用いる目的は、上述のように対象物を吸着させることや、あるいは探針に対象物を吸着させた状態での観察など様々であるが、対象物の位置を何らかの方法で検出して探針に吸着させる工程が必要な点で共通する。対象物の位置検出にSEMを用いる場合、被観察試料を高真空内に配置する必要があり、従って試料を真空試料室内に配置する必要がある。試料室内の真空度は、観察試料室の大きさと排気系真空ポンプの性能により決定されるが、一般的なSEMでは、観察試料室の真空度は104Pa程度である。ここで、対象物の特性あるいは希少性などの理由により、探針への吸着を大気汚染を極力排除して行いたい場合がある。試料室内の残留ガスをほぼ完全に排除しようとすれば、試料室内の真空度を非常に高くする必要がある。例えば、宇宙空間の真空度はおおよそ108~1011Pa程度であり、通常のSEM用観察試料室で使用される真空度を遥かに上回っている。試料室内の到達真空度は排気系の性能と試料室の容積で決まる。ところが、プローブシステムを試料室内に導入するためには、試料室はある程度の大きさが必要であり、試料室内の残留ガスをほぼ完全に排除しようとすれば、極めて高性能かつ高価な排気手段あるいは排気システムが必要となる。大気汚染を排除した状態での対象物の吸着を安価な排気系を用いて実現するためには、試料室内を窒素やアルゴンガスといった不活性ガスで置換しておけば良い。ところが、2次電子を検出して画像化する通常のSEMでは、2次電子検出器であるシンチレータの先端部に高電圧を印加するため放電の危険性がある。対象物の吸着方式として静電吸着を採用する場合、探針に電圧を印加するため、同様に放電の危険性が生じる。本発明の目的は、ターボ分子ポンプやイオンポンプ、あるいはロータリーポンプなどといった通常入手できる排気系を採用した電子顕微鏡において、対象物の観察または吸着を安全に実行できる装置を実現することを目的とする。本発明では、上記の課題を解決するため、対象物を配置する試料室内を所定のガスで置換する手段を設け、また低真空雰囲気中で試料像を取得するためにイオン電流検出や吸収電流検出による画像化システムを採用する。対象物を吸着するための方式としては、静電吸着であってもせん断応力を用いる方式のいずれであってもよい。これにより、通常入手できる排気系を採用したSEMで対象物を観察することが可能となる。また、対象物が希少な場合や脆弱な場合など、吸着方式としてはソフトな吸着が可能な静電吸着方式が好ましい。本発明によれば、静電吸着方式を採用した場合であっても、対象物を安全に吸着できる走査電子顕微鏡が実現可能となる。本発明により、低真空下においても放電の危険を生じずに対象物を観察あるいは吸着可能な走査電子顕微鏡が安価に実現できる。以下、本発明に係る走査電子顕微鏡の実施の形態について、図面に基づいて説明する。図1に本実施例の走査電子顕微鏡の全体構成図を示す。本実施例のSEMは大まかには、観察あるいは吸着の対象物となる試料が格納される試料室1,当該試料室1の上部に載置され、上記試料に一次電子ビームを照射する電子光学鏡筒2,ガス増幅されたイオン電流を検出して画像信号に変換する検出系,試料室1の内部を真空排気する排気系,試料室1の内部に置換ガスを供給するガス供給系,装置全体の動作を制御する制御系などにより構成される。試料室1の内部には、対象物を載置する試料ホルダ4,試料ホルダ4を移動させるステージ5,対象物に吸着させる探針を支持するプローバユニット7が設けられる。本実施例のSEMの試料ホルダは試料載置面が導電性材料により構成されており、後述するイオン電流を検出する機能を備えている。プローバユニット7はプローバベース10上に設けられており、プローバベース10上を一軸方向に移動できるように構成されている。プローバユニット7とプローバベース10とによりプローバ機構系14が構成される。ステージ5とプローバベース10の互いに対向する面には干渉防止機構6が設けられているが、詳細は後述する。観察試料室1にはまた、赤外線カメラ9が備えられており、赤外線カメラ用液晶モニタ12とケーブルで繋がれている。赤外線カメラ9の取得画像は、試料室内での探針と対象物との接触状態を確認するために用いられる。電子光学鏡筒2には、電子銃,集束レンズ,対物レンズあるいは走査偏向器といった1次電子線の照射制御手段が設けられており、試料ホルダ4上の対象物に対し所望の走査条件で1次電子線を走査する。電子光学鏡筒2の対象物側端部には、1次電子線照射で発生する2次電子が周囲のガス分子と衝突することにより生成されるイオンを試料台方向にドリフトさせるための電界を発生するためのESED電極3が設けられる。試料台方向にドリフトしたイオンは試料ホルダ4により捕集され、イオン電流として検出される。また、電子光学鏡筒2内にはオリフィス42が設けられており、これにより電子光学鏡筒2と試料室1の間で差動排気が実現される。検出系は、イオン電流検出機能を備えた試料ホルダ4,当該試料ホルダ4からの検出電流を増幅する第1アンプ8,可動型BSE後方散乱電子検出器37,当該可動型BSE検出器37の検出電流を増幅する第2アンプ38などにより構成される。第1アンプ8または第2アンプ38の出力信号はモニタ13に表示される。排気系は、試料室1内を真空排気する第1ターボ分子ポンプ39,電子光学鏡筒2内を真空排気する第2ターボ分子ポンプ41,第1ターボ分子ポンプ39および第2ターボ分子ポンプ4に接続され、両者のバックポンプの役割をする第1ロータリーポンプ40,試料室1内を粗排気する第2ロータリーポンプ44,第1ターボ分子ポンプ39と試料室1間の排気経路を開閉する第1バルブ43,第2ロータリーポンプ44と試料室1間の排気経路を開閉する第2バルブ45などにより構成される。ガス供給系としては、試料室1に置換ガスを供給するガス供給用配管36が設けられている。ガス供給用配管36は、所望の置換ガスのガス源図示せずに接続される。また、ガス供給用配管36には試料室1に供給されるガスの流量を制御するためのニードルバルブ11が設けられており、コントローラ31により制御される。制御系は、プローバユニット7に供給するプローバ駆動電流を供給するためのプローバユニット用電源15,ニードルバルブ11およびプローバユニット用電源15を制御するコントローラ31,装置の動作条件を設定する操作用PC16などにより構成される。コントローラ31は、プロセッサ,メモリおよび前記プロセッサあるいは制御用PCからのデジタル制御信号をニードルバルブ11およびプローバユニット用電源15制御用のアナログ信号に変換するデジタル-アナログ変換器DACを含んで構成される。図示されていないが、操作用PC16はマウスなどのポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段を備えており、モニタ13上に表示されるGUIを介して装置の動作条件を設定することが可能である。コントローラ31とプローバユニット用電源15,ニードルバルブ11および操作用PC16はケーブルで接続されており、操作用PC16から信号がコントローラ31へと送られて、プローバユニット用電源15,ニードルバルブ11が制御される。図2には、本実施例のSEMにおける対象物の静電吸着までの一連の動作フローチャートを示す。なお以下の説明では、対象物として適当な母材上に乗っている微粒子を例として説明するが、対象物がこれに限られないことはいうまでもない。Step1では、プローバ機構を低真空SEMの試料室へ取り付ける。取り付けにあたっては、まず探針をプローバユニット7に取り付け、更にプローバユニット7をプローバベース10に取り付ける。同時に、試料室1に赤外線カメラ9を取り付ける。赤外線カメラ9の取り付け位置は、試料室1の1次電子線の照射位置が赤外画像のおおむね視野中心となる位置に設けられている。これにより、事前準備が終了する。Step2では、観察試料の試料室内への導入と試料室1内の真空引きを行う。真空計による測定で試料室内が104Pa程度になると観察が可能となり、この時点でニードルバブル11を開き、ガス供給用配管36を介してガス例えば窒素を試料室内に導入する。ニードルバブル11はコントローラ31により制御されており、試料室1内の真空度100~1000Pa範囲内の値が設定値になるように微調整される。到達真空度の設定値は、モニタ13上に表示されるGUIと操作用PC16とにより設定可能である。設定真空度に到達すると、試料ホルダ4が試料室内に導入される。試料ホルダ4の初期位置としては、ホルダの中央部が電子光学鏡筒2の直下に位置するようステージ5を移動させる。試料ホルダ4は、大気汚染を防ぐため、ホルダ4上を専用の蓋で覆い、ホルダ4内部をガスで満たしておき、試料室内に導入後に蓋を外す。このような試料ホルダの導入方法を採用すれば、試料室導入前の試料ホルダ4自身の大気汚染を防ぐことが可能である。Step3ではプローバユニット7に取り付けられた探針の大まかな位置調整をXYZの3方向について行う。この移動は手動で行うが、モータをつけて自動化することも可能である。調整は、装置使用者が赤外線カメラ9の映像を見ながら、XY面内の位置調整は、装置使用者が探針が赤外線カメラ9の取得画像の視野内に入るように操作用PC16を操作することにより行う。赤外線カメラ9の映像は赤外線カメラ用モニタ12に表示される。試料ホルダ4とプローバユニット7が近づいたら、プローバユニット7の探針と試料ホルダ4の表面がなるべく近づくように、ステージ5の高さを調整する。Z方向の微調整はモニタ13に表示されるSEM画像にて行うため、Step3で行われる高さ調整は大まかな調整とする。探針が試料ホルダ4に当って損傷しないようにするためである。この場合、探針と試料ホルダ4が干渉して、探針が損傷することを防ぐため、プローバユニット4のZ方向の移動量と、試料面との距離高さとは計算されており、コントローラ31はStep3で実行するプローバ機構の最大移動量を、探針と試料とが接触しない量に制限する。Step4では、探針のSEM画像中心への位置調整を行う。Step3で実行する赤外線画像を用いたプローバの位置合わせでは、大まかな位置合わせしか行っていないため、複数本の探針の先端はSEM画像上では視野中心に位置していないためである。プローバはμm精度で移動させることが可能なので、中心に合わせこむのに困難は生じない。この作業は装置使用者がマニュアル操作で行うがコントローラ31による自動実行も可能である。赤外線カメラ9の映像で、プローバユニット7と試料ホルダ4が近づいたのが確認できたら、電子線を試料に照射して、SEM画像をモニタ13に映す。この際、試料室1は低真空となっているため、高電圧を印加する通常の2次電子検出器は放電のため使用できない。そこで、2次電子像ライクな画像を得られるイオン電流画像を撮像しモニタ13に画像として映す。2次電子起因のイオン電流は試料ホルダ4で検出され、更にアンプ8で増幅された後モニタ13に表示させる。図3には、2本の探針が視野内に入った状態のSEM像の一例を示す。微粒子の吸着作業では、複数の探針を用いることが望ましく、最低でも2本の探針を用いる。例えば、図8に示すように探針19の先端部よりずれた位置に微粒子30が吸着した場合、微粒子のスムーズな運搬に支障をきたす。探針が複数本例えば2あれば、もう一方の探針18によって微粒子30を移動させることができる。従って探針の本数は複数であることが望ましい。プローバ機構系14は、ケーブルにより専用電源プローバユニット用電源15に接続されており、操作用PC16で操作可能である。操作者は、図3に示すようにSEM画像上で探針が視野中心に来るようにプローバユニット7を移動する。図3に示す2本のプローバの場合、探針の先端18と19が、SEM画面17上で互いに干渉しないように調整する。Step5では、探針の高さの微調整を実行する。この作業は微調整であるため装置使用者がマニュアル操作で行う。Step5では、探針は試料に接触させずに、SEM画像での作動距離WD内で焦点が合うように浮かせておく。Step6では、ステージを移動させて、目的微粒子を探索する。プローブユニット7側ではなくステージを移動させることにより探針は常に画像中心に維持され、図3に示すように、常にSEM画像の視野中心位置すなわち光軸中心位置にて吸着を行うことが可能となる。ここで、ステージ5を移動させる際にプローバユニット7と試料ホルダ4あるいはステージ5の干渉、すなわち衝突が問題となる。これを回避するため、通常はステージ5の最大移動量をプローバユニット7と干渉を起こさない範囲内に制限している。微粒子が最大移動量より外の位置にある場合、Step6の実行時に微粒子を発見することが難しくなる。よってステージ5とプローバユニット7の双方に干渉防止機構6図1に図示を取り付ける。図4,図5に干渉防止機構6の詳細と動作を示す。干渉防止機構6は、プローバベース10に設置されるプローバユニット側干渉防止部材21とステージ5に設置されるステージ側干渉防止部材22の2つにより構成される。プローバユニット側干渉防止部材21は、プローバベース10上を移動可能で、プローバユニット7は、プローバユニット側干渉防止部材21の上に設置される。今、図4に示す矢印の方向紙面左方向にステージ5を移動させるとき、ステージ側干渉防止部材22の先端部材23はステージ5よりも外側に出るため、ステージ5よりも先にプローバ機構14と干渉する。このとき、先端部材23はプローバユニット側干渉防止部材21と干渉し、プローバユニット側干渉防止部材21は先端部材23に押されてプローバベース10の後方紙面左方向に移動する。図5には、プローバユニット側干渉防止部材21が先端部材23に押されてプローバベース10の後方に移動した様子を示す。プローバユニット側干渉防止部材21が移動することによりプローバユニット側干渉防止部材2上に固定されているプローバユニット7も同時に移動することになり、ステージ5とプローバユニット7の干渉は避けられる。図6には、プローバユニット側干渉防止部材21の詳細を示す。プローバベース10上を移動可能なようにスライドさせるレールとなる土台スライドベース下側部材24が設置され、その上にスライドベース上側部材25が設置されている。スライドベース上側部材25はレール形状に沿った溝を備えており、当該溝とレールがはめ合わされることで、スライドベース下側部材24とスライドベース上側部材25とが組み合わされる。また図6の右側図に示すように、スライドベース上側部材25には、バネ27が巻かれた支柱28と、当該支柱28をスライドベース上側部材25に対して固定する支え棒26とを備える。先端部材23がスライドベース上側部材25に当ると、スライドベース上側部材25は24のレールをガイドとして、後方へ移動する。ステージ5が止まると先端部材23も止まり、スライドベース上側部材25は、先端部材23の押す力とバネ27の復元力のつりあいにより固定される。先端部材23の押す力と同等程度の復元力になるように、バネ定数の適切なものが、バネ27に選定される。次にステージ5が逆方向に移動すると、先端部材23はスライドベース上側部材25から離れていき、それに伴いバネ27の復元力により、スライドベース上側部材25はレール上を逆方向に移動し、元の位置に戻る。干渉防止可能な最大距離は、先端部材23の長さとスライドベース上側部材25と支え棒26間の距離によって決まる。この距離は、ステージ5の移動量が試料ホルダ4上の全域をカバー可能なように決定される。このような機構により、ステージ5の移動量は、プローバユニット7との干渉を起こさずに、試料ホルダ4の全域をカバーすることが可能となる。ステージ移動により目的の微粒子を見つけたら、探針に電圧を印加して探針を対象物に接触させるStep7。この際、目的微粒子をSEM画像の中心に移動させた後、探針に電圧を印加して探針を微粒子近傍まで移動させる。探針ではなくステージ5をZ方向に移動させて探針を接触させてもよい。ここで、探針を移動させる場合は目的微粒子側に、ステージを移動させる場合には探針側にSEM画像の焦点を合わせ、移動側が焦点深度内に入ってくるように移動させる。ここで、目的微粒子を静電吸着させる際の探針への印加電圧の極性制御について説明する。対象物を静電気力によって吸着させる場合、探針に印加する電圧と対象物が持つ電荷の極性が同じになった場合、吸着力ではなく反発力が生じるため、吸着ができない。そこで、対象物の帯電状態に合わせて探針への印加電圧の極性を制御する必要がある。そこで本実施例ではプローバユニット用電源15に極性切り替えスイッチを設けて、微粒子30の帯電状態に合わせて、印加電圧の極性を変えることを可能とした。図7に探針先端部への印加電圧制御の詳細を示す。プローバユニット用電源15から探針20に印加される電圧値はコントローラ31により制御される。一方、プローバユニット用電源15には切り替えスイッチ29が設けられており、コントローラ31からの制御信号によって探針20への印加電圧を正負に切り替えられるようになっている。正負の切換は装置使用者がマニュアル操作で行うため、本実施例のSEMではモニタ13に表示されるGUI上に探針20へ印加する電圧の極性を設定あるいは変更する操作画面が表示されるようになっている。この表示動作は操作用PC16により実行される。試料室1は、大気による微粒子の汚染を避けるためにガスで満たされている。従って、高すぎる電圧を探針20に印加すると、放電の危険が生じる。そこで本実施例のSEMでは、SEMの動作条件として想定される真空度に対して放電が起こらない印加電圧の値を予め測定し、真空度に応じた探針への印加電圧値をテーブル化してコントローラ31内のメモリに格納している。コントローラ31は、図7に示すテーブル32に従い、探針20に印加する電圧値を制御している。更に、コントローラ31はニードルバルブ11を制御することでガス供給用配管36内の流量も制御している。例えば、ガス源の圧力が突発的に変動した場合など、コントローラ31はニードルバルブ11に付随する流量計の計測値を読み取り、現在探針に印加中の電圧値で放電が起きないようにニードルバルブ11の開閉量を制御する。あるいは、コントローラ31は試料室内1内の設定真空度とテーブル32を対比し、探針20に印加する電圧を放電が起きないような値に自動調整する。このようにコントローラ31がニードルバルブ11と探針20への印加電圧を連動して制御することで、放電の危険のない安全な対象物の吸着が可能となる。Step8では吸着判定を行う。探針に目的微粒子が吸着するとSEM画像の明るさが変化するので、吸着判定はSEM画像の明るさ変化を目視確認して行う。明るさの変化が確認できなかった場合は、Step7に戻って再度Step8の動作を繰り返す。目的微粒子の吸着が確認されれば、微粒子が吸着された探針をステージ移動により所定位置まで移動させるStep9。探針を移動させると、振動等により微粒子が取れる可能性があるため、探針への電圧は印加したままステージを移動させる。探針が所定位置まで移動したら探針への電圧印加を切り、微粒子を探針より取るStep10。図9には、プローバユニット7の配置詳細を示す。図9は、図1に示すSEMの上面図であり、電子光学鏡筒2より試料室1を見た図である。プローバユニット34と35は互いに電子光学鏡筒2に対して直交するように配置され、プローバの探針が中心線と合うように調整される。この作業は、図2のStep4,5で実行される。探針20に微粒子30が静電吸着したことがSEM画面17上にて確認できたら、ステージ5を移動させて、所定の場所まで微粒子30を運ぶ。ステージ5を所定の位置まで移動させた後、プローバユニット7を試料ホルダ4の近傍まで移動させて、操作用PC16にて、探針20に印加した電圧を切る。微粒子30が所定の位置に置かれたことを確認し、探針20は試料ホルダ4から離し、作業完了となる。上記のプロセスにより、低真空SEMにて静電吸着により微粒子を探針に吸着させ、運搬することが可能となる。"