有効画素が設けられた有効画素部と、遮光画素が設けられた遮光画素部と、クランプ電圧が重畳された基準電圧との比較結果に基づいて、前記有効画素から読み出された信号成分をAD変換するADC回路と、所定のクランプ電圧が与えられた時に前記遮光画素から読み出された黒レベルのAD変換値と前記クランプ電圧との関係を外挿することにより、前記遮光画素から読み出された黒レベルの目標値に対するクランプ電圧を算出するADクランプ回路とを備えることを特徴とする固体撮像装置。前記ADクランプ回路は、前記遮光画素から読み出された黒レベルのAD変換値と前記クランプ電圧との関係を1次関数で与えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記ADクランプ回路は、前記所定のクランプ電圧として2点以上のクランプ電圧を与えることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記基準電圧は、クランプ電圧発生期間とランプ波発生期間とに時分割で切り替えられることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記ADC回路は、前記ランプ波発生期間において、前記信号成分のレベルが前記ランプ波のレベルに一致するまでのクロックのカウント結果に基づいて、前記信号成分をAD変換することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。本発明の一つの実施形態の目的は、黒レベルを目標値に一致させるクランプ電圧を迅速に算出することが可能な固体撮像装置を提供することである。実施形態の固体撮像装置によれば、有効画素部と、遮光画素部と、カラムADC回路と、ADクランプ回路が設けられている。有効画素部は、有効画素が設けられている。遮光画素部は、遮光画素が設けられている。ADC回路は、クランプ電圧が重畳された基準電圧との比較結果に基づいて、前記有効画素から読み出された信号成分をAD変換する。ADクランプ回路は、所定のクランプ電圧が与えられた時に前記遮光画素から読み出された黒レベルのAD変換値と前記クランプ電圧との関係を外挿することにより、前記遮光画素から読み出された黒レベルの目標値に対するクランプ電圧を算出する。以下、実施形態に係る固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1実施形態図1は、一実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、この固体撮像装置には、画像信号S1を出力するCMOSセンサ101、ADクランプ回路102、OBクランプ回路103、ゲイン調整回路104、色分離回路105および自動レベル制御回路106が設けられている。なお、例えば、CMOSセンサ101のフィルタ配列としてベイヤ配列を用いることができ、画像信号S1としてはRAW画像信号を挙げることができる。CMOSセンサ101には、撮像時の黒レベル基準を設定するためのOB画素および光電変換に基づいて画像信号S1を出力する有効画素が設けられている。そして、CMOSセンサ101は、クランプ電圧が重畳された基準電圧との比較結果に基づいて、有効画素から読み出された信号成分をAD変換することができる。なお、基準電圧は、クランプ電圧発生期間とランプ波発生期間とに時分割で切り替えることができる。ADクランプ回路102は、CMOSセンサ101のOB画素から読み出された黒レベルが目標値に一致するように制御パラメータPCを設定することができる。なお、制御パラメータPCはOB画素から読み出される黒レベルを調整することができる。ここで、ADクランプ回路102は、所定のクランプ電圧が与えられた時にOB画素から読み出された黒レベルのAD変換値とクランプ電圧との関係を外挿することにより、OB画素から読み出された黒レベルの目標値に対するクランプ電圧を算出することができる。また、OB画素から読み出された黒レベルのAD変換値とクランプ電圧との関係を1次関数で与えることができる。OBクランプ回路103は、CMOSセンサ101のOB画素から読み出された黒レベルに基づいて、有効画素から読み出された画像信号をクランプすることができる。ゲイン調整回路104は、OBクランプ回路103から出力された画像信号S3のホワイトバランスやゲインを調整することができる。なお、ホワイトバランスやゲインを調整するパラメータは、コマンド設定値またはデジタルゲインGDを用いることができる。色分離回路105は、ゲイン調整回路104から出力された画像信号S4を色分離信号S5に変換することができる。なお、色分離信号S5としては、RGB信号またはYUV信号を挙げることができる。この時、色分離回路105は、画像信号S4から輝度信号S6を抽出することができる。自動レベル制御回路106は、画面の輝度調節を行うことができる。この時、自動レベル制御回路106は、輝度信号S6に基づいて画面の明るさを判断し、デジタルゲインGDおよびアナログゲインGAを調整することができる。そして、CMOSセンサ101において被写体からの入射光が光電変換される。そして、CMOSセンサ101にて生成された画像信号S1がOBクランプ回路103に出力される。また、CMOSセンサ101のOB画素から読み出されたOB信号S2がADクランプ回路102に出力される。そして、OBクランプ回路103において、OB画素から読み出された黒レベルに基づいて画像信号S1がクランプされることで画像信号S3が生成され、ゲイン調整回路104に出力される。そして、ゲイン調整回路104において、自動レベル制御回路106から出力されたデジタルゲインGDに基づいて画像信号S3のゲインが調整されることで画像信号S4が生成され、色分離回路105に出力される。そして、色分離回路105において、画像信号S4が色分離信号S5に変換されるとともに、画像信号S4から輝度信号S6が抽出され自動レベル制御回路106に出力される。そして、自動レベル制御回路106において、輝度信号S6に基づいてデジタルゲインGDおよびアナログゲインGAが調整され、デジタルゲインGDはゲイン調整回路104に出力されるとともに、アナログゲインGAはADクランプ回路102に出力される。そして、ADクランプ回路102において、クランプ電圧発生期間では、所定のクランプ電圧が与えられるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。そして、その時にCMOSセンサ101のOB画素から読み出された黒レベルのAD変換値がOB信号S2としてADクランプ回路102に出力される。そして、ADクランプ回路102において、その時の黒レベルのAD変換値とクランプ電圧との関係が外挿されることにより、OB画素から読み出された黒レベルの目標値に対するクランプ電圧が算出される。そして、黒レベルの目標値に対するクランプ電圧が与えられるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。また、ADクランプ回路102において、ランプ波発生期間では、アナログゲインGAに応じてランプ波の傾きが制御されるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。そして、CMOSセンサ101において、有効画素から読み出された信号成分のレベルがランプ波のレベルに一致するまでのクロックのカウント結果に基づいて、信号成分がAD変換される。これにより、ADクランプ回路102は、所定のクランプ電圧が与えられた時の黒レベルのAD変換値を少なくとも2回だけ取得することにより、黒レベルの目標値に対するクランプ電圧を算出することができる。このため、OB画素から読み出された黒レベルが目標値に収束するまで画素信号のAD変換時のクランプ電圧をフィードバック制御する必要がなくなり、黒レベルが目標値に収束するまでの時間のばらつきを低減することが可能となることから、フレームレートで規定される時間内に黒レベルを目標値に収束させることができる。図2は、図1のCMOSセンサの概略構成を示すブロック図である。図2において、CMOSセンサ101には、画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部1が設けられている。ここで、画素アレイ部1には、画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された有効画素部1aが設けられ、有効画素部1aの周囲には遮光画素部1bが設けられている。有効画素部1aには有効画素が設けられ、遮光画素部1bには遮光画素OB画素が設けられている。また、CMOSセンサ101には、画素アレイ部1を垂直方向に走査する垂直シフトレジスタ2、基準電圧Vrefとの比較結果に基づいて、画素アレイ部1から読み出された信号成分をCDSにてデジタル化するカラムADC回路3、画素アレイ部1を水平方向に走査する水平シフトレジスタ4、制御パラメータPCに基づいて基準電圧Vrefを発生する基準電圧発生部5が設けられている。なお、制御パラメータPCは、基準電圧Vrefのクランプレベルや傾きを設定することができる。また、基準電圧Vrefはランプ波を用いることができる。また、基準電圧Vrefにはクランプ電圧を重畳させることができる。そして、垂直シフトレジスタ2にて画素アレイ部1の画素が垂直方向に走査されることにより、画素アレイ部1の画素から信号が読み出され、カラムADC回路3に送られる。そして、カラムADC回路3において、画素アレイ部1から読み出された信号成分がCDSにてデジタル化され、水平シフトレジスタ4にて水平方向に走査されることにより、画像信号S1が出力される。ここで、カラムADC回路3には、ランプ波発生期間にカウンタクロックCKが入力される。そして、有効画素部1aから読み出された信号成分のレベルがランプ波のレベルに一致するまでのカウンタクロックCKのカウント結果に基づいて、信号成分がAD変換される。また、ADクランプ回路102は、カラムADC回路3によるAD変換時に基準電圧VrefのクランプレベルにてOB画素の暗電流が相殺されるように制御パラメータPCを設定することができる。図3は、図1のADクランプ回路の概略構成を示すブロック図である。図3において、ADクランプ回路102には、画素平均値算出部11、遮光画素平均値保持レジスタ12、13、クランプ電圧制御値演算部14、タイミング信号発生部15およびA/D変換制御部16が設けられている。そして、タイミング信号発生部15にてクランプ電圧発生期間に切り替えられると、A/D変換制御部16において、第1のクランプ電圧が与えられるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。そして、CMOSセンサ101において、第1のクランプ電圧が与えられた時に遮光画素部1bから読み出された黒レベルがAD変換されることでOB信号S2が生成され、画素平均値算出部11に入力される。そして、画素平均値算出部11において、その時のOB信号S2が1水平ラインごとに平均化されることで、HOB画素平均値S11が算出され、遮光画素平均値保持レジスタ12に保持される。また、A/D変換制御部16において、第2のクランプ電圧が与えられるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。そして、CMOSセンサ101において、第2のクランプ電圧が与えられた時に遮光画素部1bから読み出された黒レベルがAD変換されることでOB信号S2が生成され、画素平均値算出部11に入力される。そして、画素平均値算出部11において、その時のOB信号S2が1水平ラインごとに平均化されることで、HOB画素平均値S11が算出され、遮光画素平均値保持レジスタ13に保持される。そして、クランプ電圧制御値演算部14において、第1のクランプ電圧が与えられた時のHOB画素平均値S11と、第2のクランプ電圧が与えられた時のHOB画素平均値S11とに基づいて、クランプ電圧とHOB画素平均値S11との関係が補間されることにより、黒レベルの目標値Cbに対するクランプ電圧制御値S12が算出され、A/D変換制御部16に出力される。そして、A/D変換制御部16において、クランプ電圧制御値S12に基づいて、黒レベルの目標値Cbに対するクランプ電圧が与えられるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。一方、タイミング信号発生部15にてランプ波発生期間に切り替えられると、アナログゲインGAに応じてランプ波の傾きが制御されるように制御パラメータPCが設定され、CMOSセンサ101に出力される。図4は、図1のカラムADC回路による画素信号のAD変換動作を示すタイミングチャートである。図4において、基準電圧Vrefは、クランプ電圧発生期間T1とランプ波発生期間T2とに時分割で切り替えられる。そして、クランプ電圧発生期間T1では、基準電圧Vrefはクランプ電圧Vcに保たれる。ランプ波発生期間T2では、基準電圧Vrefとしてランプ波が与えられ、カウンタクロックCKが入力される。なお、この時のランプ波の傾きはdV/dt=aで与えることができる。そして、有効画素部1aから読み出された画像信号S1の画素電圧がVoで与えられるものとすると、AD変換される信号成分VpはVo-Vcで与えられる。そして、有効画素部1aから読み出された画素電圧Voのレベルがランプ波のレベルに一致するまでカウンタクロックCKがカウントされ、その時のカウント値Cが信号成分Vp=Vo-VcのAD変換値として出力される。なお、カウンタクロックCKの周期をTとすると、その時のカウント値CはVo-Vc/aTで与えることができる。図5は、図1の固体撮像装置のクランプ電圧の算出方法の一例を示す図である。なお、この例では、クランプ電圧Vcとして、0とV1の2点を与えた時のカウント値C0、C1を取得し、その時のクランプ電圧Vcを補間することにより、黒レベルの目標値Cbに対するクランプ電圧Vbを算出する方法について示した。具体的には、ランプ波電圧の単位時間当たりの電圧変化量をaとし、AD変換対象の画素電圧をVoとすると、ランプ波電圧が発生してからAD変換対象の画素電圧Voに一致するまでの時間tは、at=Voの関係から以下の1式で与えられる。t=Vo/a1時間tを計測するカウンタが周期Tで1カウントする場合、1式から、カウント値Cは以下の2式で与えられる。C=t/T=Vo/aT2ここで、ランプ波を発生させる前に予めクランプ電圧Vcを加減算するものとする。この時、AD変換対象の信号電圧Vpは、画素電圧Voからクランプ電圧Vcを差し引いた電圧Vo-Vcとなる。このため、この信号電圧VpをA/D変換したカウント値Cは、以下の3式で与えられ、クランプ電圧Vcの一次関数で表される。C=Vo/aT=Vo-Vc/aT=-1/aTVc1/aTVo3ここで、画素電圧Voのうち入射光による信号電圧をVi、画素暗電圧や回路のオフセット電圧分をVnとすると、画素電圧Voは以下の4式で与えられる。Vo=ViVn4遮光画素では、Vi=0なので、4式からVo=Vnとなる。従って、3式からカウント値Cは、以下の5式で与えられる。C=-1/aTVc1/aTVn5以下、5式中の変数について、以下のように置く。α=-1/aTβ=1/aTVnここで、クランプ電圧Vcの値として、0とVc1の2通りの値を与えるものとする。Vc=0の場合のカウント値C0は、5式から以下の6式で与えられる。Co=β6Vc=V1の場合のカウント値C1は、5式からC1=αV1βとなり、以下の7式で与えられる。α=C1-Co/V17ここで、遮光画素のA/D変換値を黒レベルの目標値Cbにするためのクランプ電圧Vbは、5式、6式および7式から、Cb=C1-Co/VcVbCoが成り立ち、以下の8式で与えられる。Vb=V1Cb-Co/C1-Co8従って、8式に基づいて2通りのクランプ電圧によるA/D変換値の演算を行うことで、フィードバック系を用いることなく、所望の黒レベルデータ出力を与えるクランプ電圧を決定することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。