"基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように受光素子を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を共に受光するよう構成されていることを特徴とする光変調器。請求項1に記載の光変調器において、該出力導波路と該受光素子との間には低屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されていることを特徴とする光変調器。請求項2に記載の光変調器において、該低屈折率構造を挟む2つの該高屈折率構造の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする光変調器。請求項1に記載の光変調器において、該基板の該放射光の伝搬している位置に溝又は反射部材を配置し、該放射光を該受光素子に導くことを特徴とする光変調器。請求項2に記載の光変調器において、該出力導波路を挟む2つの溝又は反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする光変調器。請求項1乃至5のいずれかに記載の光変調器において、該受光素子の配置位置を調整することで、前記2つの放射光の受光量の比を調整することを特徴とする光変調器。請求項1乃至6のいずれかに記載の光変調器において、該基板には、該放射光を導波する放射光用導波路が形成されていることを特徴とする光変調器。請求項1乃至7のいずれかに記載の光変調器において、該基板の厚みは20μm以下であることを特徴とする光変調器。本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供することである。上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように受光素子を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を共に受光するよう構成されていることを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光変調器において、該出力導波路と該受光素子との間には低屈折率構造が形成され、該基板の該放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されていることを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項2に記載の光変調器において、該低屈折率構造を挟む2つの該高屈折率構造の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項1に記載の光変調器において、該基板の該放射光の伝搬している位置に溝又は反射部材を配置し、該放射光を該受光素子に導くことを特徴とする。請求項5に係る発明は、請求項2に記載の光変調器において、該出力導波路を挟む2つの溝又は反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であることを特徴とする。請求項6に係る発明は、請求項1乃至5のいずれかに記載の光変調器において、該受光素子の配置位置を調整することで、前記2つの放射光の受光量の比を調整することを特徴とする。請求項7に係る発明は、請求項1乃至6のいずれかに記載の光変調器において、該基板には、該放射光を導波する放射光用導波路が形成されていることを特徴とする。請求項8に係る発明は、請求項1乃至7のいずれかに記載の光変調器において、該基板の厚みは20μm以下であることを特徴とする。請求項1に係る発明により、基板と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路を跨ぐように受光素子を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光を共に受光するよう構成されているため、1つの受光素子により2つの放射光を同時に受光することができる。しかも、2つの放射光は光変調器の出力光に対して逆相でそれぞれ正負にずれた特性を持っており、同時受光によりそれぞれの光強度が加算され出力特性が補償される。つまり、該受光素子が出力する電気信号の変化が、該出力導波路に導波される出射光の強度変化と逆相状態となるため、光変調器の出力光出射光と逆相状態となるモニタ光モニタ出力を容易に得ることができる。請求項2に係る発明により、出力導波路と受光素子との間には低屈折率構造が形成され、基板の放射光の伝搬している部分と該受光素子との間には高屈折率構造が形成されているため、出力導波路を伝搬する光波を受光するのを抑制しながら、放射光を効率良く受光することが可能となる。請求項3に係る発明により、低屈折率構造を挟む2つの高屈折率構造の間隔は、出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であるため、出力導波路を伝搬する光波が、高屈折率構造を介して受光素子に入射することを抑制することが可能となる。請求項4に係る発明により、基板の放射光の伝搬している位置に溝又は反射部材を配置し、該放射光を受光素子に導くように構成されているため、放射光を効率良く受光素子に入射させることが可能となる。請求項5に係る発明により、出力導波路を挟む2つの溝又は反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上であるため、出力導波路を伝搬する光波が、該溝や該反射部材を介して受光素子に入射することを抑制することが可能となる。請求項6に係る発明により、受光素子の配置位置を調整することで、2つの放射光の受光量の比を調整することにより、極めて簡便に当該受光量比を調整することが可能となる。請求項7に係る発明により、基板には、放射光を導波する放射光用導波路が形成されているため、放射光の伝搬光路を容易に調整することができ、受光素子との位置関係や出力導波路との位置関係をより最適に設定することが可能となる。請求項8に係る発明により、基板の厚みは20μm以下であることにより、薄板基板に閉じ込められた不要光が多い場合でも、2つの放射光を利用して精確なモニタ光を得ることできる。以下、本発明を、好適例を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の光変調器の第1の実施例を示す。図2は、図1の一点鎖線X-X’における断面図である。なお、光導波路と受光素子との配置関係を分かり易くするため、変調電極の図示を省略している。本発明は、基板1と、該基板1に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路2と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極不図示とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路20を跨ぐように受光素子3を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される2つの放射光a1,a2を共に受光するよう構成されていることを特徴とする。本発明の光変調器における受光素子は、図1又は図2に示すように、出力導波路20を跨ぐように受光素子3を配置することで、例えば、放射光用導波路21,22を伝搬する放射光を受光素子の受光部30に、矢印a1とa2のように同時に入射させる。この構成により、放射光を用いたモニタ光と出力導波路から出射される出力光との間の位相差を補償し、良好なモニタ特性を得ることができる。なお、受光素子の配置位置は、図1又は図2示したものに限らず、2つの放射光が受光できる配置であれば、任意の場所に配置することが可能である。具体的には、出力光の光強度は、図3のグラフAで表示される。グラフの横軸は、変調電極に印加されるバイアス電圧入力電圧である。2つの放射光a1,a2の光強度は、B及びCで表示される。通常、放射光の光強度は、Off光のみの場合には、出力光に対して逆相で変化し、2つの放射光の電界振幅は互いに逆の状態となる。これに、On光における変換損となる一部の光On光と同相状態が混在すると、2つの放射光a1,a2の光強度は、図3のB及びCで表示するように、互いに逆方向にズレて、位相差を生じることになる2つの放射光が受光素子に到達する際の両者の位相差が0でない状態となる。そして、放射光B及びCに相当を同時に受光すると、変換損となる一部の光の影響はキャンセルされ、モニタ出力としてグラフDを得ることができる。このように、放射光の出力特性が補正され、出力導波路20から出力される出力光に対して位相差の無いモニタ出力を得ることができる。つまり、モニタ出力Dは出力光Aと逆相状態となる。なお、各グラフの高さは規格化して示している。実際は、図2の放射光a1及びa2が受光素子に到達する際の光強度分布は同じではない。これは図3のグラフのB及びCの振幅値が異なることを意味している。このため、両者を1つの受光素子3受光部30に入射し、単純に光強度変化を加算してもグラフDの出力は得られない。本発明では、受光素子が受光する2つの放射光の光量比を調整するため、出力導波路20又は放射光用導波路21,22に対して、受光素子3の配置位置を相対的に調整することで、2つの放射光の受光量の比を調整するよう構成できる。このような調整方法は、極めて簡便であり、受光量比を容易に調整することが可能となる。基板1としては、石英、半導体など光導波路を形成できる基板であれば良く、特に、電気光学効果を有する基板である、LiNbO3,LiTaO3又はPLZTジルコン酸チタン酸鉛ランタンのいずれかの単結晶が好適に利用可能である。特に、本発明に好適な基板は、基板の厚みが20μm以下のものであり、このような薄板では、基板に閉じ込められた不要光が多いため、本発明のような、2つの放射光を同時に受光することで、より精確なモニタ信号を得ることできる。基板に形成する光導波路2は、例えば、LiNbO3基板LN基板上にチタンTiなどの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、PLC等の異なる基板に光導波路を形成し、これらの基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。変調電極は、信号電極や接地電極から構成され、基板表面に、TiAuの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設けることも可能である。なお、放射光を受光素子側に導出する領域においては、バッファ層を形成すると、放射光を効率良く導出することが難しくなるため、当該領域には形成しないことが好ましい。本発明の光変調器では、放射光を効率良く受光素子に導き、出力導波路を伝搬する出力光を導出しないようにするため、図2に示すように、出力導波路20と受光素子3との間には低屈折率構造50が形成され、基板の放射光の伝搬している部分21,22と該受光素子3との間には高屈折率構造40,41が形成されている。低屈折率構造50としては、基板1、特に、出力導波路20より屈折率が低い構造であれば良く、例えば、空気層を設けたり、低屈折率の薄板を配置したり、あるいは、透明接着剤を充填するなどで、容易に構成することが可能である。高屈折率構造40,41としては、基板1又は放射光用導波路21,22がある場合には、当該導波路より屈折率が高い材料を配置することで、形成することが可能である。高屈折率の薄板を配置する際には、放射光を効率良く受光素子側に導出するため、高屈折率構造40,41と基板1との接合は、直接接合又は0.5μm以下の厚みの薄い接着剤層を介して接合することが好ましい。低屈折率構造50を挟む2つの高屈折率構造40,41の間隔wは、出力導波路20を伝搬する光波のモード径の2倍以上に設定することで、出力導波路20を伝搬する光波が、高屈折率構造40,41を介して受光素子3に入射することを抑制することが可能となる。低屈折率構造や高屈折率構造として、図4に示すように、受光素子3を構成する基板に、溝51を形成して、構成することも可能である。受光素子を構成する半導体基板は、光変調器の電気光学効果を有する基板LN基板やガラス基板基板1で光変調部分以外の基板の一部をガラス基板で置き換えることも可能であるよりも、屈折率が高いため、受光素子の基板に溝51を形成するだけで、容易に高屈折率構造と低屈折率構造を構成することができる。溝の深さとしては、0.5μm以上あることが、出力導波路を伝搬する出力光を受光素子側に導かないためにも好ましい。放射光を受光素子まで効率良く案内するためには、基板1には、放射光を導波する放射光用導波路21,22を形成することが好ましい。これにより、放射光の伝搬光路を容易に調整することができ、受光素子との位置関係や出力導波路との位置関係をより最適に設定することが可能となる。受光素子の受光部の大きさ受光径は、2つの放射光を同時に受光し、高速なモニタ信号を出力する必要があるため、100μm以下のものが好ましい。このような場合には、数百MHzから数GHz程度の高速なモニタ光の応答特性も実現することが可能である。図5に示すように、本発明の光変調器では、放射光用導波路を形成しない場合でも、適用が可能である。分岐光などの入射光L1,L2を導入する導入導波路23,24と導入導波路を合波する合波部25、そして、合波部から出力光を導出する出力導波路20から構成される、Y分岐構造を備えている。合波部25から放射光R1,R2が放射される、当該放射光を効率良く受光するには、受光素子3の受光部30を、合波部の領域Yに掛かるよう配置することが好ましい。これは、合波部で発生した放射光は、基板の深さ方向に広がるためである。合波部の形状がテーパー形状である場合には、図5のように、テーパー形状の部分を含むように受光部30を配置することが望ましい。受光部30の形状は、図1のような円形でも、図5のような角丸な四角形状であっても良く、2つの放射光を効率良く受光できる形状であれば、特に限定されない。放射光用導波路21,22を設ける場合であっても、図6に示すように、当該導波路の先端を受光部30の領域内に配置し、端部で放出される放射光を効率良く受光部30に導入するよう構成することも可能である。光導波路をTi等の熱拡散で形成する場合には、先端を丸く形成することで、基板の平面上で導波路の先端を円形とするだけでなく、基板の深さ方向でも導波路の先端を半円状に形成することが可能となる。このため、導波路の先端部で、放射光が基板の上面方向、つまり、受光部30方向に反射し易くなり、効率良く放射光を導出することができる。なお、図1のように、放射光用導波路21,22を受光部30の領域を超えて延ばすことにより、受光素子に放射光の一部を提供し、余分な放射光が基板内で迷光とならないよう、基板の外に導出したり、不図示の光吸収部材や高屈折率部材を利用して、余分な放射光を吸収したり外部に放出するよう構成することも可能である。放射光を受光素子に導く方法としては、上述した方法以外に、基板の放射光の伝搬している位置に溝又は反射部材を配置する方法がある。図7に示すように、放射光用導波路21,22に溝60,61を形成する。当然、溝等の配置位置は、放射光が伝搬している部分であれば良く、放射光用導波路に限定されない。図8は、図7の放射光用導波路21に沿った断面図を示している。図8aのように、基板1に斜め方向の溝60を設けることで、溝の壁面で放射光用導波路21を伝搬する放射光が反射し、受光部30に向かう光波a1となる。また、図8bは、溝60に反射部材である反射板62を挿入して、反射効率を高める構成を付加したものである。図8cは、溝60の形状を図8aと異なるものに変更し、溝の内面63で放射光を反射させている。さらに、図8dは、溝60の内面の一部に反射部材である反射膜64を形成することにより、同様の効果が得られる。このように、溝や反射部材を設ける場合には、基板1と受光素子3とは、接着剤のみ又はスペーサを介して接着剤で固定されている。さらに、溝又は反射部材を配置する場合であっても、出力導波路を挟む2つの溝又は反射部材の間隔は、該出力導波路を伝搬する光波のモード径の2倍以上とすることで、出力導波路を伝搬する光波が受光素子に入射することを抑制することが可能となる。さらに、図9又は図10に示すように、複数のマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路においても、放射光を効率良くモニタすることが可能である。例えば、図9は、偏波合成機能を有するネスト型の変調器の例を示す。図9では、入力光L0を2つに分け、各分岐光をネスト型の光導波路光変調器に導入し、各出力光L01,L02を偏波合成部6を使用して合成し、出力光L10を得る。この際に、各ネスト型変調部の放射光をモニタするため、受光部31,32を配置する。本発明の構成では、このような複雑な光導波路であっても、受光部を含む受光素子を配置するだけで、放射光を効率良くモニタできる。また、図9のように、複数の受光部を1つの受光素子に組み込むことで、配線等の手間を軽減し、光変調器の構成を小型化することも可能となる。図10では、光導波路2に複数のマッハツェンダー型導波路を形成するだけでなく、受光部33,34でモニタする位置を互いずらして配置し、光変調器の幅図10の上下方向の高さを狭く構成することも可能となる。"