投影光学系を介して所定の投影倍率でパターン像を基板へ投影し、第1線幅を有する第1パターンを前記基板に露光する露光方法であって、前記第1線幅を前記投影倍率の大きさで割った値よりも大きい第2線幅を有する第2パターンが形成されたマスクを、前記投影光学系に対して設定することと、前記第1線幅と前記第2線幅とに基づいて、前記投影光学系により前記第2パターンの像を前記第1線幅で露光するための露光条件を求めることと、前記投影光学系に対して設定された前記マスクの前記第2パターンの像を、前記第1線幅と前記第2線幅とに基づいて求められた前記露光条件で、前記投影光学系を介して前記基板に露光することと、を含むことを特徴とする露光方法。前記露光条件は、前記基板に対する露光量に関する条件を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。前記露光条件は、焦点位置に関する情報を含み、予め記憶された基準焦点位置における露光量とマスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅との関係を用いて前記露光量を決定し、前記焦点位置を前記基準焦点位置に設定して前記第2パターンの像を露光することを特徴とする請求項2に記載の露光方法。前記関係は、複数の焦点位置で算出された結果を含み、前記関係に基づいて、マスクのパターンの線幅及び露光量が同一で、焦点位置が異なる条件で、基板に形成されるパターンの線幅を比較し、基板に形成されるパターンの線幅が最も大きい焦点位置を基準焦点位置とすることを特徴とする請求項3に記載の露光方法。前記関係は、前記基準焦点位置から一定距離離れた焦点位置について算出された露光量とマスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅との関係を含み、前記マスクは、前記露光条件と前記第1線幅と前記第2線幅とが、前記関係において、前記基準焦点位置で露光される基板のパターンの線幅と前記基準焦点位置から一定距離離れた焦点位置で露光される基板のパターンの線幅との差である線幅誤差が閾値以下となる条件を満たすことを特徴とする請求項3または4に記載の露光方法。前記関係は、線幅が異なる複数のパターンを含む評価用チャートが形成された評価用マスクを作成し、前記評価用マスクを用いて、露光量を変化させて複数の評価用チャートを基板に露光して現像することで評価用基板を作成し、前記評価用基板に形成された露光量が異なる複数の評価用チャートの各パターンの線幅を計測し、前記計測した各パターンの線幅に、対応するマスクの各パターンの線幅と露光量とを対応付けることで算出されることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載の露光方法。前記関係は、前記基板に形成されるパターンの側壁角度をさらに含み、前記マスクは、前記露露光条件と前記第1線幅と前記第2線幅とが、前記関係において、前記側壁角度が閾値以上の角度となる条件を満たすことを特徴とする請求項5に記載の露光方法。前記評価用基板は、前記基板の評価対象の評価用チャートが露光された領域の外周に評価対象ではない評価用チャートが露光されていることを特徴とする請求項6または7に記載の露光方法。前記評価用基板は、前記基板の評価対象の評価用チャートがマトリックス配置で露光されていることを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載の露光方法。前記関係は、線幅が異なる複数のパターンのマスクについて、数値解析で基板上の光強度分布を算出し、算出した光強度分布と対象線幅との交点の光強度をスライスレベルとし、前記スライスレベルを前記露光量とし、前記対象線幅を前記基板に形成されるパターンの線幅とすることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載の露光方法。前記関係は、前記スライスレベルにおけるNILSをさらに含み、前記マスクは、前記露光条件と前記第1線幅と前記第2線幅とが、前記関係において、前記NILSが閾値以上となる条件を満たすことを特徴とする請求項10に記載の露光方法。前記投影光学ユニットは、複数の光学ユニットで構成され、複数の前記光学ユニットに対して前記マスク及び前記基板を相対移動させつつ、前記マスクのパターンを前記基板へ露光することを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の露光方法。前記基板は、外径が500mmより大きいことを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の露光方法。基板上にデバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項1から13のいずれか一項に記載の露光方法を用いて前記基板にパターンを露光することと、前記パターンが露光された前記基板を現像することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。上記のような露光装置では、露光処理にかかる時間を短くすることでスループットを向上させ、液晶パネル等のデバイスの生産性を向上させることが要望されている。本発明の態様は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、露光処理にかかる時間を短くすることができる露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様にかかる露光方法は、投影光学系を介して所定の投影倍率でパターン像を基板へ投影し、第1線幅を有する第1パターンを前記基板に露光する露光方法であって、前記第1線幅を前記投影倍率の大きさで割った値よりも大きい第2線幅を有する第2パターンが形成されたマスクを、前記投影光学系に対して設定することと、前記第1線幅と前記第2線幅とに基づいて、前記投影光学系により前記第2パターンの像を前記第1線幅で露光するための露光条件を求めることと、前記投影光学系に対して設定された前記マスクの前記第2パターンの像を、前記第1線幅と前記第2線幅とに基づいて求められた前記露光条件で、前記投影光学系を介して前記基板に露光することと、を含むことを特徴とする。本発明の第2の態様に従えば、基板上にデバイスを製造するデバイス製造方法であって、本発明の第1の態様に従う露光方法を用いて前記基板にパターンを露光することと、前記パターンが露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の態様によれば、露光方法及びデバイス製造方法における露光処理にかかる時間を短くすることができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。以下の実施形態では、露光装置をマスクと基板を移動させつつ露光するスキャナ型走査型の露光装置として説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。一例として、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。まず、図1及び図2を用いて、本実施形態の露光装置100の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置の一例を概略的に示す斜視図である。図1において、露光装置100は、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置を計測する干渉計システム3と、マスクMを露光光照明光で照明する照明システムISと、露光光で照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影システムPSと、露光装置100全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターン以下、適宜パターンと略称する。が形成されたものであって、レチクルを含む。基板Pは、感光性の基板であって、例えばガラスプレートなどの基材と、その基材上に形成された感光膜塗布された感光材とを含む。本実施形態において、基板Pは、大型のガラスプレートを含み、その基板Pの外径例えば、一辺のサイズまたは対角長は、例えば500mm以上である。本実施形態においては、基板Pの基材として、一辺が約3000mmの矩形のガラスプレートを用いる。投影システムPSは、複数の投影光学系を有する。照明システムISは、複数の投影光学系に対応する複数の照明モジュールを有する。本実施形態の露光装置100は、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期して移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する。投影システムPSは、7つの投影光学系PL1~PL7を有し、照明システムISは、7つの照明モジュールIL1~IL7を有する。なお、投影光学系及び照明モジュールの数は7つに限定されない。以下の説明において、投影光学系PL1~PL7のそれぞれを適宜、第1~第7投影光学系PL1~PL7、と称し、照明モジュールIL1~IL7のそれぞれを適宜、第1~第7照明モジュールIL1~IL7、と称する。照明システムISは、異なる7つの照明領域IR1~IR7のそれぞれに露光光を照射可能である。照明領域IR1~IR7は、第1~第7照明モジュールIL1~IL7から射出される露光光が照射される照射領域に相当する。以下の説明において、照明領域IR1~IR7を適宜、第1~第7照明領域IR1~IR7、と称する。照明システムISは、第1~第7照明領域IR1~IR7のそれぞれを露光光で照明する。照明システムISは、第1~第7照明領域IR1~IR7内をそれぞれ均一な照度分布の露光光で照明する。本実施形態においては、照明システムISから射出される露光光として、水銀ランプ5から射出される輝線g線、h線、i線等を用いる。本実施形態において、照明システムISは、水銀ランプ5から射出された光を反射する楕円鏡6と、楕円鏡6からの光の少なくとも一部を反射するダイクロイックミラー7と、ダイクロイックミラー7からの光が入射するコリメートレンズ及び集光レンズを含むリレー光学系8と、リレー光学系8からの光を分岐して、第1~第7照明モジュールIL1~IL7のそれぞれに供給するライトガイドユニット9とを備えている。第1~第7照明モジュールIL1~IL7のそれぞれは、ライトガイドユニット9からの光が供給されるコリメートレンズ、コリメートレンズからの光が供給されるフライアイインテグレータ、及びフライアイインテグレータからの光が供給されるコンデンサレンズを備えている。第1~第7照明モジュールIL1~IL7それぞれのコンデンサレンズから射出された露光光は、第1~第7照明領域IR1~IR7に照射される。第1~第7照明モジュールIL1~IL7のそれぞれは、第1~第7照明領域IR1~IR7を均一な照度分布の露光光で照明する。これにより、照明システムISは、第1~第7照明領域IR1~IR7内に位置するマスクMの部分的な領域を均一な照度分布の露光光で照明する。マスクステージ1は、マスクMを保持可能なマスク保持部10を有し、マスクMを保持した状態で、第1~第7照明領域IR1~IR7に対して移動可能である。本実施形態において、マスク保持部10は、マスクMの下面パターン形成面とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。マスクステージ1は、例えばリニアモータなどを含む駆動システムの駆動力によって移動可能である。本実施形態において、マスクステージ1は、駆動システムにより、マスクMを保持したマスク保持部10を、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。投影システムPSは、異なる7つの投影領域PR1~PR7に露光光を照射可能である。投影領域PR1~PR7は、第1~第7投影光学系PL1~PL7から射出される露光光が照射される照射領域に相当する。以下の説明において、投影領域PR1~PR7を適宜、第1~第7投影領域PR1~PR7、と称する。投影システムPSは、第1~第7投影領域PR1~PR7のそれぞれに、第1~第7照明領域IR1~IR7内に位置するマスクMのパターンの像を投影する。投影システムPSは、第1~第7投影領域PR1~PR7に配置された基板Pの一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態では、投影システムPSは、パターンの像を等倍で投影する。第1~第7投影光学系PL1~PL7のそれぞれは、例えば特開2001-215718号公報に開示されているような、シフト調整機構、スケーリング調整機構、及び像面調整機構などを含む結像特性調整装置を有する。制御装置4は、第1~第7投影光学系PL1~PL7のそれぞれが有する結像特性調整装置を制御して、第1~第7投影領域PR1~PR7それぞれの位置及び大きさなどを調整することができる。基板ステージ2は、基板Pを保持可能な基板保持部11を有し、基板Pを保持した状態で、第1~第7投影領域PR1~PR7に対して移動可能である。本実施形態において、基板保持部11は、基板Pの表面露光面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板ステージ2は、例えばリニアモータなどを含む駆動システムの駆動力によって移動可能である。本実施形態において、基板ステージ2は、駆動システムの作動により、基板Pを保持した基板保持部11を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1マスクMの位置を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット3Aと、XY平面内における基板ステージ2基板Pの位置を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット3Bとを有する。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置4は、干渉計システム3の計測結果に基づいて、マスクステージ1マスクM及び基板ステージ2基板Pの位置制御を実行する。基板Pの露光時、制御装置4は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、XY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向同期移動方向をX軸方向とし、マスクMの走査方向同期移動方向もX軸方向とする。制御装置4は、基板Pを第1~第7投影領域PR1~PR7に対してX軸方向に移動するとともに、その基板PのX軸方向への移動と同期して、照明システムISの第1~第7照明領域IR1~IR7に対してマスクMをX軸方向に移動しつつ、照明システムISによりマスクMを露光光で照明し、投影システムPSを介して、マスクMからの露光光を基板Pに照射する。これにより、第1~第7投影光学系PL1~PL7の第1~第7投影領域PR1~PR7に照射されたマスクMからの露光光で基板Pが露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。図2は、第1~第7投影領域PR1~PR7と、基板Pとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Pの表面を含む平面内の位置関係を示している。図2に示すように、本実施形態において、第1~第7投影領域PR1~PR7のそれぞれは、XY平面内において台形である。本実施形態において、第1、第3、第5、第7投影光学系PL1、PL3、PL5、PL7による第1、第3、第5、第7投影領域PR1、PR3、PR5、PR7が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。また、第2、第4、第6投影光学系PL2、PL4、PL6による第2、第4、第6投影領域PR2、PR4、PR6が、Y軸方向にほぼ等間隔で配置されている。第1、第3、第5、第7投影領域PR1、PR3、PR5、PR7は、第2、第4、第6投影領域PR2、PR4、PR6に対して、-X側に配置されている。また、Y軸方向に関して、第1、第3、第5、第7投影領域PR1、PR3、PR5、PR7の間に、第2、第4、第6投影領域PR2、PR4、PR6が配置される。第1~第7投影領域PR1~PR7のそれぞれは、基板PにおけるX軸方向走査方向の積算露光量が等しくなるように配置されている。具体的には、第1~第7投影領域PR1~PR7のそれぞれは、XY平面内において投影領域の形状が台形形状であり、X軸に対して傾斜するエッジを含む三角形状の端部領域が、隣り合う投影領域例えば、第1投影領域PR1に対する第2投影領域PR2の三角形状の端部領域と、Y軸方向に関して重複するように配置されている。これにより、X軸方向に関する投影領域の寸法の和が、同じになるように設けられている。図3は、本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示すブロック図である。露光装置100は、露光量調整機構20と、焦点位置調整機構22と、記憶部30と、制御装置4と、を有し、制御装置4は、露光量調整機構20、焦点位置調整機構22及び記憶部30と接続されている。露光量調整機構20は、基板Pを露光する露光量DOSEを調整する機構である。露光量調整機構20は、基板Pを露光する露光光の強度ひいては照度を調整する機構と、基板Pに露光光を照射する照射時間を調整する機構と、を含む。露光量調整機構20は、照明システムISからマスクMに照射される照明光の強度を調整することで、基板Pを露光する露光光の強度を調整する。具体的には、露光量調整機構20は、光源である水銀ランプ5から出力される光の強度を調整したり、水銀ランプ5から出力された光を案内するリレー光学系8にフィルター等を設け、当該絞りで通過する光の強度を調整したりすることで、基板Pを露光する露光光の強度を調整する。また、露光量調整機構20は、基板Pが照明領域を通過する時間を調整することで、露光時間ひいては露光量を調整することができる。具体的には、露光量調整機構20は、マスクステージ1及び基板ステージ2の移動速度を制御することで、露光時間を調整することができる。焦点位置調整機構22は、第1~第7投影光学系PL1~PL7によって投影されるマスクMのパターン像の基板Pに対する焦点位置を調整する機構である。焦点位置調整機構22は、マスクステージ1及び基板ステージ2をZ方向に移動させたりすることで、基板Pに対する焦点位置を調整することができる。また、上記の結像特性調整装置が備える像面調整機構によって、基板Pに対する焦点位置を調整することができる。記憶部30は、ROMReadOnlyMemory等の記憶装置とRAMRandomAccessMemory等の一時記憶装置とで構成される。記憶部30は、制御装置4で各種処理を実行する際に使用するプログラムを記憶している。また、記憶部30は、制御装置4で算出された各種情報を一時的に記憶する。記憶部30は、制御装置4に内臓させてもよい。制御装置4は、露光装置100の各部の動作を制御する。制御装置4は、基板PにマスクMのパターンを露光する露光処理に関する各種動作を制御する。次に、図4を用いて、露光装置100で基板にパターンを露光する露光方法について説明する。図4は、本実施形態に係る露光方法の一例を示すフロー図である。露光装置100は、ステップS1として、マスクステージ1にマスクMが設定される。ここで、マスクMは、パターンの線幅が、ターゲット線幅よりも大きく形成されている。ターゲット線幅とは、基板Pに形成すべきパターンの線幅目標線幅である。制御装置4は、ステップS1でマスクステージ1にマスクMが設定されたら、ステップS2として、露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係以下では、適宜第1関係と称する。に関する情報を読み出す。第1関係に関する情報は、記憶部30に記憶されている。第1関係は、所定の線幅のパターンが形成されたマスクを用いて所定の露光条件で露光を行った場合に基板に形成される基板のパターンの線幅について、各露光条件、各線幅によって対応付けられた関係である。第1関係の導出方法については後述する。また、露光条件は、少なくとも露光量DOSEを含む条件である。なお露光量は、露光光の強度と当該露光光が基板Pに照射された時間とに基づいて算出することができる。また、露光光が基板Pに照射された時間は、投影領域PR1~PR7のX方向の長さと基板ステージ2の移動速度とに基づいて算出することができる。なお、制御装置4は、ステップS2をステップS1よりも前に行うようにしてもよい。制御装置4は、ステップS2で第1関係に関する情報を読み出したら、ステップS3としてターゲット線幅及びマスクのパターンの線幅に関する情報を取得する。制御装置4は、マスクステージ1に設定されたマスクMのパターンの線幅でターゲット線幅のパターンを基板に露光できる露光条件を、ステップS2で読み出した第1関係に関する情報から算出する。制御装置4は、ターゲット線幅に関する情報を種々の方法で取得することができる。制御装置4は、例えば、オペレータによりインターフェースを介して入力された値をマスクMのパターンの線幅として取得してもよいし、マスクステージ1に設定されたマスクMのパターンの線幅をカメラやセンサで検出した結果を取得してもよい。なお、制御装置4は、マスクMのパターンの線幅に関する情報やターゲット線幅に関する情報をステップS1、S2が行われる前に取得するようにしてもよい。制御装置4は、ステップS3でターゲット線幅及びマスクのパターンの線幅を取得したら、ステップS4として、第1関係に関する情報とターゲット線幅及びマスクのパターンの線幅に関する情報とに基づいて、露光量を含む露光条件を決定する。つまり、制御装置4は、ステップS2で読み出した情報と、ステップS3で取得した情報とに基づいて、マスクステージ1に設定されているマスクのパターンの線幅でターゲット線幅のパターンを基板に形成するための露光条件を決定する。制御装置4は、ステップS4で露光条件を決定したら、ステップS5として、決定した露光条件に基づいて露光処理を行う。露光前の基板Pが露光装置100に搬入され、基板ステージ2に保持された後、制御装置4は、基板Pの露光を開始する。基板Pの露光は、基板Pを第1~第7投影領域PR1~PR7に対して走査方向X軸方向に移動させるとともに、マスクMを第1~第7照明領域IR1~IR7に対して走査方向X軸方向に移動させながら実行される。露光装置100により、ステップS4で決定した露光条件で基板PにマスクMのパターンを露光することで、ターゲット線幅のパターンが露光される。露光後の基板Pは、基板ステージ2からアンロードされた後、コータデベロッパ装置に搬送され、現像される。これにより、基板Pに感光膜のパターン露光パターン層が形成される。その後、エッチング処理など、所定のプロセス処理が実行されることによって、基板Pにパターンデバイスパターンが形成される。露光装置100は、以上のように露光を行うことで、ターゲット線幅第1線幅よりもパターンの線幅第2線幅が広いマスク、つまり、ターゲット線幅を投影倍率の大きさで割った値よりも大きいパターンの線幅を有する第2パターンが形成されたマスクを用いて、基板にターゲット線幅のパターン第1パターンを露光することができる。露光装置100は、パターンの線幅をターゲット線幅よりも大きく作成したマスクを用いて露光を行うことで、露光量を少なくすることができる。これにより、例えば、露光時の照度を同じにしつつ、露光時間を短くすることができるため、露光処理にかかる時間を短くしてスループットを向上させ、デバイスの生産効率を高くすることができる。ここで、露光装置100で使用されるマスクMは、実測や解析により設計に必要な情報が取得され、取得された必要な情報に基づいて設計され、当該決定に基づいてマスク製造装置で製造される。例えば、マスクMは、上述のステップS2で読み出される第1関係を用い、ターゲット線幅及び露光条件、さらに必要に応じた制約条件でマスクのパターンの線幅が決定される。以下、図5から図18を用いて、上述した露光方法に用いる露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係第1関係の導出方法及びマスクの製造方法の一例について説明する。本実施形態では、評価用マスクを作成して、評価用マスクを用いて種々の露光条件で基板Pにパターンを形成する。その後、基板Pに形成されたパターンを計測し、その計測結果に基づいて、露光条件と、基板のパターンの線幅と、マスクのパターンの線幅との関係第1関係を算出する。その後、この算出した関係とターゲット線幅と許容条件とに基づいて、マスクのパターンの線幅を決定し、当該決定した値に基づいてマスクのパターン形状を決定し、この決定したパターン形状を有するマスクを作成する。露光装置100は、このようにして作成されたマスクを用いて、ステップS4によって決定される露光条件で基板にパターンを露光することで、ターゲット線幅のパターンを基板に露光する。まず、図5から図13を用いて、評価用マスクを作成して、評価用マスクを用いて種々の露光条件で基板Pにパターンを形成する方法と、基板Pに形成されたパターンを計測し、露光条件と、基板のパターンの線幅と、マスクのパターンの線幅との関係第1関係を導出する方法と、について説明する。図5は、本実施形態に係るマスクの製造方法の一例を示すフロー図である。なお、図5から図13に示す各種処理は、露光装置100に加え、検出装置、解析装置、マスク作成装置で実行される。本実施形態は、ステップS10として、評価用マスクを作成する。評価用マスクは、マスク作成装置で作成される。マスク作成装置は、例えば電子線描画装置であり、板状部材にパターンを描画することで評価用マスクを作成する。マスク製造装置は、評価用マスク以外にも上述した露光に用いるマスクMも作成することができる。図6は、評価チャートを作成する評価用マスクの一例を示す図である。図6に示す評価用マスク50は、大きさが異なる10個の開口H1からH10で構成される評価チャートが形成されたマスクである。10個の開口H1からH10は、開口H1からH10となるに従って線幅開口の場合は開口径が一定距離例えば0.1μmずつ小さくなる開口である。ここで、評価用マスク50は、設計する対象の線幅であるターゲット線幅と同じ線幅からターゲット線幅の倍の線幅までの範囲で、線幅が一定距離ずつ変化する複数の開口を形成することが好ましい。評価用マスク50は、開口H1からH10のそれぞれの近傍に開口H1からH10の線幅を示す案内表示52が形成されている。また、評価用マスク50は、開口H1からH10が形成されている領域以外の領域は、光を遮蔽する領域、例えばクロムCrが配置された領域となる。本実施形態は、ステップS10で評価用マスクを作成したら、ステップS12として、複数の露光条件でプレートに評価チャートを露光する。具体的には、露光条件として露光量と焦点位置とを変化させて、基板Pに複数の評価チャートを露光する。図7は、評価チャートを露光した基板の一例を示す図である。基板Pは、複数の評価チャート60が形成されている。1つの評価チャート60は、評価用マスク50を用いて所定の露光条件で露光されることで形成される。したがって、評価チャート60は、評価用マスク50の開口H1からH10に対応するパターンが形成されている。基板Pに形成された評価チャート60は、それぞれ露光量と焦点位置とが異なる条件となる。図7に示す基板Pは、露光量と焦点位置のそれぞれを段階的に変化させ、図7中縦方向に露光量が同じで、焦点位置が異なる条件で評価チャート60を形成し、図7中横方向に焦点位置が同じで、露光量が異なる条件で評価チャート60を形成した。つまり、本実施形態は、露光装置100で、複数の評価チャート60が、縦方向と横方向にそれぞれ一定間隔で列状、いわゆるマトリックス状の配置で形成されている。また、本実施形態は、各位置の評価チャート60の露光時の露光条件を検出装置で検出する。検出装置は、各種値を検出するセンサや、制御装置4での制御条件を取得する取得部を備え、基板Pを露光した露光条件を検出する。ここで、露光条件としては、露光量DOSE、焦点位置等がある。ここで、図8は、評価チャートを露光した基板の他の例を示す図である。本実施形態の露光装置100は、図8の基板Paに示すように、評価対象の評価チャート60を形成した領域61の周囲、具体的には領域61の外側に評価対象としないダミーの評価チャート62を露光することが好ましい。本実施形態の露光装置100は、図8に示すように、領域61の周囲に評価対象としないダミーの評価チャート62を形成することで、領域61の端部にある評価チャート60の周囲に形成される評価チャート60、62の配置を、領域61の内側にある評価チャート60の周囲に形成される評価チャート60の配置と同じ配置とすることができる。これにより、基板P上における領域61に形成された各評価チャート60の周囲の条件を均一化することができる。また、本実施形態の露光装置100は、図7及び図8に示すように、基板P、Paに等間隔の列状の配置で複数の評価チャート60を形成することが好ましい。これにより、評価チャート60の周囲に配置される他の評価チャートの配置が、いずれの位置の評価チャート60も同じになる。これにより、基板P、Paに形成される評価チャート60の周囲の条件を均一化することができる。本実施形態は、ステップS12で基板Pにチャートを露光したら、ステップS14としてプレートを現像し、ステップS16として基板Pを観察用の大きさに切断する。本実施形態は、露光した基板Pを現像装置で現像した後、切断装置で所定の大きさに切断する。なお、観察用の大きさとは、計測装置で計測可能な大きさである。本実施形態は、基板Pが計測装置で計測可能な大きさである場合、ステップS16の処理を実行しなくてもよい。つまり、基板Pは、切断しなくてもよい。本実施形態は、ステップS16で基板を観察用に切断したら、ステップS18として、基板の各評価チャートを計測する。本実施形態は、計測装置で基板Pの評価チャート60に形成された各パターンの線幅本実施形態ではパターンの底部におけるCDCriticalDimension及び側壁角度sidewallAngleを計測する。計測装置としては、SEM走査型電子顕微鏡、ScanningElectronMicroscope等の各種顕微鏡を用いることができる。本実施形態は、ステップS18で、基板の各評価チャートを計測したら、ステップS20として、露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅とを算出する。本実施形態は、検出装置が検出した結果を解析装置で解析し、露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係第1関係を導出する。解析装置としては、種々の演算装置を用いることができる。解析装置として制御装置4を用いてもよい。本実施形態は、ステップS20で関係を算出したら、ステップS22として、各露光量についてベストフォーカスの露光条件を算出する。図9は、ベストフォーカスの評価チャートの位置の一例を示す図である。図10は、焦点位置とパターンの線幅との関係の一例を示す図である。本実施形態は、図9示すように、基板Pに形成した評価チャートから露光量毎にベストフォーカスの評価チャート60aを特定する。解析装置は、同一の露光量で焦点位置が異なる評価チャートを抽出し、抽出した評価チャートのパターンのうち、評価用マスクの同一の開口で基板Pに形成されたパターンの線幅の計測結果を抽出する。解析装置は、図10に示すように、焦点位置の変化と基板Pに形成されたパターンの線幅との変化との関係を算出し、基板Pに形成されたパターンの線幅が最大となる位置をベストフォーカスの焦点位置として検出する。図10は、縦軸を基板に形成されるパターンの線幅[μm]とし、横軸を焦点位置[μm]としている。なお、図10では、F9の位置を基準位置原点、基準焦点位置とし、露光量がD2の評価チャート60のパターンの線幅を抽出している。解析装置は、焦点位置の変化と基板Pに形成されたパターンの線幅との変化との関係を線形近似等で近似して、近似におけるベストフォーカスの位置を検出し、当該近似におけるベストフォーカスの位置に最も近い焦点位置をベストフォーカスの位置とする。図10に示す例では、焦点位置F10をベストフォーカスの位置とする。本実施形態は、算出した露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係第1関係と、各露光量についてベストフォーカスの露光条件と、を記憶部30に記憶させる。本実施形態は、記憶部30に記憶させた上記情報と、ターゲット線幅と、に基づいてマスクのパターンの線幅を決定する。以下、図11から図16を用いて、マスクのパターンの線幅の決定方法の一例を説明する。なお、図11から図16に示す処理は、解析装置を用いて演算処理を行うことで実行することができる。図11は、本実施形態に係るマスクの製造方法の一例を示すフロー図である。解析装置は、ステップS30として、露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係第1関係を読み出し、ステップS32として、ターゲット線幅を決定する。解析装置は、記憶部30に記憶されている関係を読み出す。その後、解析装置は、オペレータによって入力された情報や記憶部30に記憶された情報に基づいて、基板Pに露光するパターンの情報を検出し、当該パターンの情報からターゲット線幅を決定する。解析装置は、ステップS30とステップS32の処理の順番を逆にしてもよい。解析装置は、ステップS32でターゲット線幅を決定したら、ステップS34として、ベストフォーカスの焦点位置以下ベストフォーカス位置ともいう。において基板のパターンの線幅がターゲット線幅と一致するマスクのパターンの線幅を抽出する。つまり、解析装置は、ベストフォーカス位置で形成されたチャートのパターンの線幅がターゲット線幅となるマスクの線幅を露光量毎に抽出する。図12は、露光量とパターンの線幅との関係の一例を示す図である。各路光量のベストフォーカス位置において、マスクの線幅が同じ開口で形成されるパターンの線幅を比較すると、図12に示すように、露光量DOSEが多くなるほど線幅が大きくなる。図12は、縦軸を基板に形成されるパターンの線幅[μm]とし、横軸をDOSE露光量[mJ/cm2]としている。図12に示す線分70は、露光量と基板のパターンの線幅との関係の検出値を近似した線分である。本実施形態では、ベストフォーカス位置において露光量がD6となる条件が、評価チャート60がターゲット線幅と同じ線幅のパターンを基板に形成する露光条件である。図13は、マスクパターンサイズと基板のパターンの線幅との関係の一例を示す図である。図13は、縦軸を基板に形成されるパターンの線幅[μm]とし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。図13は、ベストフォーカス位置における、マスクのパターンの線幅マスクパターンサイズと、当該マスクのパターンの線幅で基板に形成されるパターンの線幅との関係とを、露光量がD6以下となる各露光量について検出した結果を示している。解析装置は、図13に示すように、ステップS30で読み出した関係を用い、ベストフォーカス位置におけるマスクパターンサイズと基板に露光されるパターンの線幅との関係を露光量毎に算出する。さらに、解析装置は、マスクパターンサイズと基板に露光されるパターンの線幅との関係に基づいて、基板に露光されるパターンの線幅がターゲット線幅となるマスクパターンサイズつまりマスクのパターンの線幅を、露光量毎に算出する。図13では、露光量がD6の場合、マスクパターンサイズがAとなる。露光量がD5の場合、マスクパターンサイズがBとなる。露光量がD4の場合、マスクパターンサイズがCとなる。露光量がD3の場合、マスクパターンサイズがDとなる。露光量がD2の場合、マスクパターンサイズがEとなる。露光量がD1の場合、マスクパターンサイズがGとなる。露光量とマスクパターンサイズとの関係は、図13に示すように、露光量が小さくなるほど、マスクパターンサイズは大きくなる。図14は、マスクパターンサイズと露光量との関係の一例を示す図である。図14は、縦軸をDOSE露光量[mJ/cm2]とし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。基板に形成されるパターンの線幅が同じ場合、露光量とマスクパターンサイズとの関係は、図14に示すように反比例に近い関係に近似することができる。解析装置は、図14に示すような関係を算出することで、各露光量でターゲット線幅のパターンを露光することができるマスクのパターンの線幅マスクパターンサイズを抽出することができる。解析装置は、ステップS34で、ベストフォーカス位置においてターゲット線幅のパターンを形成できるマスクの線幅を抽出したら、ステップS36として、ベストフォーカス位置から一定距離離れた位置デフォーカス位置におけるパターンの線幅を抽出する。図15は、ベストフォーカスの評価チャートの位置と一定距離デフォーカスした評価チャートの位置との一例を示す図である。解析装置は、図15に示すように、ベストフォーカス位置の評価チャート60aから焦点距離が一定距離離れた位置であるデフォーカス位置の評価チャート60bのパターンの線幅を抽出する。さらに、解析装置は、上述したベストフォーカス位置の場合と露光条件、つまりマスクのパターンの線幅と露光量とが同一で、焦点位置がデフォーカス位置となった場合に基板に形成されるパターンの線幅を検出する。解析装置は、露光量毎に、焦点位置がデフォーカス位置となった場合に基板に形成されるパターンの線幅を検出する。解析装置は、ステップS36でデフォーカス位置における基板のパターンの線幅を抽出したら、ステップS38として、ベストフォーカス位置とデフォーカス位置との線幅誤差を検出する。解析装置は、ベストフォーカス位置で形成される基板のパターンの線幅に対するデフォーカス位置で形成される基板のパターンの線幅の差を線幅誤差として検出する。なお、ベストフォーカス位置の線幅は、ターゲット線幅となる。したがって、線幅誤差は、ターゲット線幅に対するデフォーカス位置で形成される基板のパターンの線幅の差となる。つまりデフォーカス時の線幅誤差となる。解析装置は、露光条件毎、つまりステップS34、36で抽出した対象のマスクの線幅と露光量DOSE量の組み合わせ毎に、線幅誤差を検出する。解析装置は、ステップS38で線幅誤差を検出したら、ステップS40として、線幅誤差の許容値から選択可能な露光条件を抽出する。図16は、マスクパターンサイズと線幅誤差との関係の一例を示す図である。図16は、縦軸をデフォーカス時の線幅誤差[]とし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。解析装置は、図16に示すように、各露光条件、本実施形態ではマスクパターンサイズ毎にデフォーカス時の線幅誤差を算出し、許容値以下の線幅誤差となる露光条件を検出する。本実施形態は、露光条件、つまりマスクパターンサイズを、A、B、C、Dとした場合に線幅誤差が許容値以下となる。なお、図16に示すマスクパターンサイズA、B、C、Dは、露光条件の露光量がそれぞれ異なる。解析装置は、ステップS40で選択可能な露光条件を抽出したら、ステップS42として、マスクのパターンの線幅を決定する。ここで、解析装置は、マスクのパターンの線幅がターゲット線幅よりも大きくなる値とする。例えば、線幅誤差が許容値を満たしかつ露光量が最も小さい露光条件を抽出する場合、マスクパターンサイズをDとする。なおこのとき露光時の露光量は、D3となる。解析装置は、ステップS42でマスクのパターンの線幅を決定したら、本処理を終了する。本実施形態は、解析装置でマスクのパターンの線幅を決定したら、決定した線幅で作成するマスクを設計し、設計したマスクをマスク作成装置で作成する。本実施形態は、上述したように作成したマスクを露光装置100のマスクステージ1に設置し、露光時の露光量を当該マスクのパターンの線幅でターゲット線幅のパターンを形成できる露光量とする。本実施形態は、設置したマスクを用い、設定した露光量で上述した露光方法で基板にパターンを露光する。本実施形態は、上記方法でマスクを作成し、作成したマスクと設定した露光条件例えば露光量で基板に露光を行うことで、基板にターゲット線幅のパターンを露光することができる。本実施形態は、ターゲット線幅のパターンを形成するマスクとして、種々の線幅のマスクを作成することができる。これにより、マスクの設計自由度をより高くすることができ、マスクを作成しやすくすることができる。本実施形態は、マスクの線幅を種々の線幅とした場合でも、それぞれのマスクで基板にターゲット線幅のパターンを形成できる露光量で露光することで、基板にターゲット線幅のパターンを露光することができる。本実施形態は、マスクのパターンの線幅をターゲット線幅よりも大きくすること、つまり、ターゲット線幅を前記投影倍率の大きさで割った値よりも大きいパターンの線幅が形成されたマスクとすることで、より少ない露光量でターゲット線幅のパターンを形成することができるマスクを作成することができる。本実施形態は、本実施形態のように、ベストフォーカス位置から一定距離離れたデフォーカス位置での線幅誤差が許容値となるマスクのパターンの線幅とすることで、実際の露光時に焦点位置と基板との位置にずれが生じた場合でも許容誤差の範囲の線幅のパターンを形成することができる。これにより、本実施形態は、露光量を少なくしつつ、線幅誤差の少ないパターンを基板に形成することができるマスクを作成することができる。本実施形態は、線幅誤差が許容値以下となる範囲でマスクのパターンの線幅を最も大きくすることで、露光量をより少なくすることができるため、線幅誤差を小さくしつつ生産効率をより向上させることができる。なお、ベストフォーカス位置とデフォーカス位置との距離は、本実施形態で露光を行う際に生じる誤差の距離とすることが好ましい。これにより、露光時に想定した誤差が生じた場合でも、線幅が許容値内の誤差で収まるパターンを露光することが可能となる。本実施形態は、上述したように、焦点位置を種々の位置に変化させて評価パターンを検出し、ベストフォーカス位置を特定することで、効率よく露光を実行することができる。このため、本実施形態は、本実施形態のように種々の焦点位置で評価パターンを作成しベストフォーカス位置を検出することが好ましいが、これに限定されない。本実施形態は、ベストフォーカス位置を特定する処理を行わず、予め設定されている焦点位置で評価パターンを作成するようにしてもよい。例えば、設計値で設定されている位置を基準位置基準焦点位置ともいう。としてもよい。この場合、設計値で設定されている位置から所定位置移動した位置がデフォーカス位置となる。このように、基準位置と基準位置から所定位置移動した位置をデフォーカス位置として処理を行えばよい。図16に示す処理では、線幅誤差が許容値以下となる範囲でマスクのパターンの線幅を決定したが、マスクのパターンの線幅の決定方法はこれに限定されない。以下、図17及び図18を用いてマスクのパターンの線幅の決定方法の他の例について説明する。図17は、本実施形態に係るマスクの製造方法の一例を示すフロー図である。解析装置は、ステップS50として、露光条件と基板のパターンの線幅とマスクのパターンの線幅との関係第1関係を読み出し、ステップS52として、ターゲット線幅を決定する。解析装置は、ステップS52でターゲット線幅を決定したら、ステップS54として、ベストフォーカス位置において基板のパターンの線幅がターゲット線幅と一致するマスクのパターンの線幅を抽出する。ステップS50、S52、S54の処理は、ステップS30、S32、S34の処理と同様である。解析装置は、ステップS54で、ベストフォーカス位置においてターゲット線幅のパターンを形成できるマスクの線幅を抽出したら、ステップS56として、各露光条件における側壁角度を検出する。つまり、ステップS54で抽出したベストフォーカス位置においてターゲット線幅のパターンを形成できるマスクの線幅の各露光条件で作成されるパターンの側壁角度を検出する。なお、パターンの側壁角度は、ステップS50で読み出した関係に対応付けられたデータを記憶部30から読み出すことができる。つまり、側壁角度は、ステップS50で読み出した関係の計測時に併せて計測することで、取得することができる。なお、このステップ56における露光条件にはフォーカスに関する条件、すなわち焦点位置のベストフォーカス位置からのずれ量に関する条件も含まれる。解析装置は、ステップS56で側壁角度を検出したら、ステップS58として、側壁角度の許容値から選択可能な露光条件を抽出する。図18は、マスクパターンサイズと側壁角度との関係の一例を示す図である。図18は、縦軸を側壁角度[deg]とし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。解析装置は、図18に示すように、各露光条件、本実施形態ではマスクパターンサイズ毎に基板に形成されるパターンの側壁角度を算出し、許容値以上の側壁角度となる露光条件を検出する。本実施形態は、露光条件、つまりマスクパターンサイズを、A、B、Cとした場合に側壁角度が許容値以上となる。なお、図18に示すマスクパターンサイズA、B、Cは、露光条件の露光量がそれぞれ異なる。解析装置は、ステップS58で選択可能な露光条件を抽出したら、ステップS60として、マスクのパターンの線幅を決定する。例えば、側壁角度が許容値を満たしかつ露光量が最も小さい露光条件を抽出する場合、マスクパターンサイズをCとする。なおこのとき露光時の露光量は、D4となる。解析装置は、ステップS60でマスクのパターンの線幅を決定したら、本処理を終了する。図17及び図18に示すように、側壁角度が許容値以上となるマスクのパターンの線幅とすることで、側壁角度が許容値以上のパターンを基板に形成することができる。これにより、傾斜角度が大きい先鋭なパターンを基板に形成することができるマスクを作成することができる。また、側壁角度が許容値以上となる範囲でマスクのパターンの線幅を最も大きくすることで露光量をより少なくすることができるため、好適なパターンを作成でき、かつ、生産効率をより向上させることができる。ここで、マスクのパターンの線幅は、線幅誤差と傾斜角度の両方が許容値を満たすように、マスクのパターンの線幅を決定することが好ましい。これにより、線幅誤差を小さくしつつ、傾斜角度を大きくすることができる。また、本実施形態は、評価用マスクに種々の線幅のパターンを形成し、露光条件とマスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅との関係を算出しておくことで、種々の値のターゲット線幅において条件を満たすマスクの線幅を算出することができる。次に、図19から図28を用いて、他の実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。他の実施形態は、上述の本実施形態の装置構成と同様であるので説明を省略する。上述した本実施形態では、基板Pに実際に露光した評価チャートを計測して、マスクのパターンの線幅を決定したが、他の実施形態で説明するように、露光条件とマスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅とをシミュレーションにより検出し、シミュレーションで検出した関係に基づいてマスクのパターンの線幅を決定してもよい。他の実施形態は、解析装置で各種演算処理を実行することでシミュレーション解析を実行し、露光条件とマスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅との関係第1関係を算出することができる。図19は、他の実施形態に係るマスクの製造方法の他の例を示すフロー図である。解析装置は、ステップS70として、条件を設定する。設定する条件としては、投影光学系のN/A、倍率、波長、照明条件、収差、デフォーカス量、マスクのパターンの形状、マスクパターンサイズマスクのパターン線幅等、基板に照射される光の像を算出するために必要な条件である。投影光学系のN/A、倍率、波長、照明条件、収差等は、露光装置100の各種値を用いる。投影光学系のN/A、倍率、波長、照明条件、収差等は、設計値または実測値を用いる。また、デフォーカス量は、基準位置からのデフォーカス量である。デフォーカス量は、マスクの設計に必要な位置に設定すればよい。解析装置は、デフォーカス量を変化させることで、基板と焦点位置との相対位置が変化する。マスクパターンサイズマスクのパターン線幅も、マスクの設計に必要なサイズに設定すればよい。解析装置は、少なくともマスクパターンサイズマスクのパターンの線幅とデフォーカス量焦点位置とを変更できる。他の実施形態では、マスクのパターンの線幅を2.5μmから4.0μmの線幅で0.1μmずつ変化させた線幅を解析の対象とする。また、デフォーカス量焦点位置は、基準位置となる0μmと、基準位置から25μm離れたデフォーカス位置の2つの位置を解析の対象とする。解析装置は、ステップS70で、選択可能な複数の値のうち任意の1つの値をマスクパターンサイズマスクのパターンの線幅とデフォーカス量焦点位置との値として設定する。なお、基準位置としては、種々の位置を用いることができ、例えばベストフォーカスとなる位置や露光装置100の初期位置を基準位置とすることができる。解析装置は、ステップS70で条件を設定したら、ステップS72として空間像シミュレーションを実行する。解析装置は、ステップS70で設定した条件に基づいて空間像シミュレーションを実行することで、設定したマスクパターンサイズとデフォーカス量とを含む各種条件で基板Pに到達する光の強度分布を算出する。解析装置は、ステップS72でシミュレーションを実行したら、ステップS74として、シミュレーション結果の強度分布を保存する。つまり、解析装置は、ステップS72で算出した基板Pに到達する光の強度分布を記憶部30に保存する。この際、解析装置は、光の強度分布に加え、解析の条件を対応付けて保存する。解析装置は、ステップS74でシミュレーション結果を保存したら、ステップS76として、全ての条件でシミュレーションを終了したかを判定する。解析装置は、ステップS76でシミュレーションを終了していないNoと判定した場合、ステップS78として、マスクのパターンの線幅及び焦点位置の少なくとも一方を変更する。解析装置は、ステップS78で条件を変更したら、ステップS72として、変更した条件で空間像シミュレーションを実行し、ステップS74で光の強度分布を保存する。解析装置は、全ての条件でシミュレーションを終了するまで、ステップS72からステップS78の処理を繰り返す。解析装置は、ステップS76で全ての条件でのシミュレーションを終了したYesと判定した場合、本処理を終了する。解析装置は、図19の処理を実行することで、マスクのパターンの線幅とデフォーカス量とを種々の組み合わせとした場合の光の強度分布を算出することができる。図20は、位置と光強度との解析結果の一例を示す図である。図20は、縦軸を光強度とし、横軸を位置、つまり、基板上での位置としている。図20は、マスクのパターンの線幅が同一で、デフォーカス量が異なる2つのシミュレーション結果の光強度の分布を示している。図20に示すように、デフォーカス量が0μm基準位置の光強度の方が、デフォーカス量が25μmデフォーカス位置の光強度よりも全域で光強度が高くなる算出結果となる。ここで、解析装置は、線分80の開口で示す間隔をターゲット線幅82とした場合、基準位置の光強度分布の間隔がターゲット線幅82となる位置の光強度をスライスレベル84とする。図21は、マスクパターンサイズと光強度比との関係の一例を示す図である。他の実施形形態では、ターゲット線幅82を同一とした場合、各マスクパターンサイズの基準位置の光強度分布のスライスレベルの光強度の大小関係が図21に示す関係となる。ここで、図21は、マスクパターンサイズが2.5μmの場合のスライスレベルの光強度を1として、各マスクパターンサイズのスライスレベルの光強度を比で示している。解析装置は、シミュレーションを実行することで、図21に示すように、所定のターゲット線幅を露光する場合の各マスクパターンサイズのスライスレベルの光強度の比を算出することができる。なお、図21に示すように、マスクパターンサイズの大きさを大きくするほど、光強度比は高くなる。したがって、露光光の強度を同じとした場合、マスクパターンサイズの大きさを大きくするほど、ターゲット線幅の端部に照射される光の強度が高くなる。したがって、マスクパターンサイズの大きさを大きくするほど、短い露光時間で所定の露光量の光を照射できることがわかる。また、解析装置は、光強度に基づいて、基板に到達する光の強度を算出することで、各マスクパターンサイズでターゲット線幅のパターンを露光する際の露光量を算出することができる。解析装置は、算出した露光量にマスクのパターンの線幅と、基板に形成されるパターンの線幅と、を対応付けることで、露光条件とマスクのパターンの線幅と基板のパターンの線幅との関係を算出することができる。次に、図22から図24を用いて、マスクのパターンの線幅を決定する方法について説明する。図22は、他の実施形態に係るマスクの製造方法の他の例を示すフロー図である。解析装置は、ステップS80として、ターゲット線幅を決定する。解析装置は、ステップS80でターゲット線を決定したら、ステップS82として、基準位置における光強度分布を読み出し、ステップS84として、基準位置における光強度分布とターゲット線幅に基づいてスライスレベルを決定する。具体的には上述したように、光強度分布の幅がターゲット線幅と同じとなる位置をスライスレベルとする。解析装置は、ステップS84でスライスレベルを決定したら、ステップS86として、基準位置から一定距離離れたデフォーカス位置の光強度分布を読み出し、ステップS88として、デフォーカス位置の光強度分布とスライスレベルとに基づいて線幅誤差を検出する。解析装置がステップS86で読み出すデフォーカス位置の光強度分布は、ステップS82で検出した光強度分布とマスクのパターンの線幅が同じ条件で、焦点位置をデフォーカス位置とした場合の光強度分布である。他の実施形態のデフォーカス位置は、基準位置に対するデフォーカス量が25μmとなる位置である。図23は、位置と光強度との解析結果の一例を示す図である。縦軸を光強度とし、横軸を位置としている。図23は、マスクのパターンの線幅が同一で、デフォーカス量が異なる2つのシミュレーション結果の光強度の分布を示している。解析装置は、図23に示す基準位置の光強度分布とスライスレベル84との交点間の距離を、基準位置の線幅として算出する。なお、基準位置の線幅は、ターゲット線幅と同じ値である。また、解析装置は、図23に示すデフォーカス位置の光強度分布とスライスレベル84との交点間の距離をデフォーカス位置の線幅と算出する。解析装置は、図23で算出した、基準位置の線幅とデフォーカス位置の線幅との関係から、基準位置の線幅-デフォーカス位置の線幅/基準位置の線幅×100[]を線幅誤差として算出する。ここで、基準位置の線幅は、ターゲット線幅である。このため、解析装置は、デフォーカス位置の光強度分布とスライスレベルとに基づいて、デフォーカス位置の線幅を算出することで、線幅誤差を算出することができる。解析装置は、ステップS88で線幅誤差を算出したら、ステップS90として、全てのマスクのパターンの線幅で線幅誤差を検出したかを判定する。解析装置は、ステップS90で検出を終了していないNoと判定した場合、ステップS92として、マスクのパターンの線幅を変更する。解析装置は、ステップS92でマスクのパターンの線幅を変更したら、ステップS82からステップS88の処理を実行し変更したマスクのパターンの線幅とした場合の線幅誤差を算出する。解析装置は、全てのマスクのパターンの線幅でシミュレーションを終了するまで、ステップS82からステップS88の処理を繰り返す。解析装置は、ステップS90で全てのマスクのパターンの線幅での線幅誤差の検出を終了したYesと判定した場合、ステップS94として、線幅誤差の許容値から選択可能な露光条件を抽出する。図24は、マスクパターンサイズと線幅誤差との関係の一例を示す図である。図24は、縦軸をデフォーカス時の線幅誤差[]とし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。解析装置は、図24に示すように、マスクパターンサイズ毎にデフォーカス時の線幅誤差を算出し、許容値以下の線幅誤差となる露光条件マスクパターンサイズを検出する。他の実施形態は、許容値の線幅誤差を15としているため、マスクのパターンの線幅を、3.4μm以下とした場合に線幅誤差が許容値以下となる。解析装置は、ステップS94で選択可能な露光条件マスクパターンサイズを抽出したら、ステップS96として、マスクのパターンの線幅を決定する。例えば、線幅誤差が許容値を満たしかつマスクのパターンの線幅が最も大きい露光条件とする場合、マスクのパターンの線幅を3.4μmとする。なお、上述したように、マスクのパターンの線幅を大きくすることで、基板に到達する光強度を大きくできる。これにより、マスクのパターンの線幅を大きくすることで、露光時の露光量を小さくすることができる。解析装置は、ステップS96でマスクのパターンの線幅を決定したら、本処理を終了する。他の実施形態は、本実施形態の場合と同様に、決定したマスクのパターンの線幅に基づいて、マスクを作成する。他の実施形態は、作成したマスクを用いて基板にパターンを露光する。他の実施形態は、光の強度分布に基づいて、基板のパターンを形成する領域の光強度を算出し、当該光強度と露光光との関係に基づいて、露光光の強度や、露光時間を決定する。これにより、作成したマスクで好適にターゲット線幅のパターンを基板に作成することができる。他の実施形態は、シミュレーションで線幅誤差を算出し、線幅誤差が許容値以下となるマスクのパターンの線幅を決定することで、上述した本実施形態と同様に、適切なマスクを作成することができる。他の実施形態は、上述した本実施形態と同様に、マスクのパターンの線幅を、ターゲット線幅よりも大きい範囲で選択することで、露光時の露光量を少なくすることができる。他の実施形態のは、シミュレーションでターゲット線幅におけるマスクのパターン線幅と光強度との関係を算出することで、ターゲット線幅のパターンを露光する場合の、マスクのパターン線幅と、露光量とを特定することができる。上記他の実施形態は、線幅誤差が許容値以下となる範囲でマスクのパターンの線幅を決定したが、マスクのパターンの線幅の決定方法はこれに限定されない。図25から図28を用いて、マスクのパターンの線幅を決定する方法の他の例について説明する。図25は、他の実施形態に係るマスクの製造方法の他の例を示すフロー図である。解析装置は、ステップS100として、ターゲット線幅を決定する。解析装置は、ステップS100でターゲット線を決定したら、ステップS102として、基準位置における光強度分布を読み出し、ステップS104として、基準位置における光強度分布とターゲット線幅に基づいてスライスレベルを決定する。解析装置は、ステップS104でスライスレベルを決定したら、ステップS106として、基準位置から一定距離離れたデフォーカス位置の光強度分布を読み出し、ステップS108として、デフォーカス位置における光強度分布のスライスレベルでのNILSを算出する。NISLTheNormalizedImageLogSlopeとは、規格化空間対数傾斜であり、光強度lの対数勾配をパターンの線幅wで規格化しものであり、NILS=w×1/l×dl/dxとなる。解析装置がステップS106で読み出すデフォーカス位置の光強度分布は、ステップS102で検出した光強度分布とマスクのパターンの線幅が同じ条件で、焦点位置をデフォーカス位置とした場合の光強度分布である。他の実施形態のデフォーカス位置は、基準位置に対するデフォーカス量が25μmとなる位置である。図26は、位置と光強度との解析結果の一例を示す図である。縦軸を光強度とし、横軸を位置としている。図26は、マスクのパターンの線幅が同一で、デフォーカス量が異なる2つのシミュレーション結果の光強度の分布を示している。解析装置は、図26に示すデフォーカス位置の光強度分布とスライスレベル84との交点における対数勾配86を検出することでNILSと算出する。解析装置は、ステップS108でNILSを算出したら、ステップS110として、全てのマスクのパターンの線幅でNILSを検出したかを判定する。解析装置は、ステップS110で検出を終了していないNoと判定した場合、ステップS112として、マスクのパターンの線幅を変更する。解析装置は、ステップS112でマスクのパターンの線幅を変更したら、ステップS102からステップS108の処理を実行し変更したマスクのパターンの線幅とした場合のNILSを算出する。解析装置は、全てのマスクのパターンの線幅でシミュレーションを終了するまで、ステップS102からステップS108の処理を繰り返す。解析装置は、ステップS110で全てのマスクのパターンの線幅でのNILSの検出を終了したYesと判定した場合、ステップS114として、NILSの許容値から選択可能な露光条件を抽出する。図27は、マスクパターンサイズとNILSとの関係の一例を示す図である。図27は、縦軸をデフォーカス位置でのNILSとし、横軸をマスクパターンサイズマスクの開口の線幅[μm]としている。解析装置は、図27に示すように、マスクパターンサイズ毎にデフォーカス時のNILSを算出し、許容値以上のNILSとなる露光条件マスクパターンサイズを検出する。他の実施形態は、許容値のNILSを2.5としているため、マスクのパターンの線幅を、2.8μm以下とした場合にNILSが許容値以上となる。解析装置は、ステップS114で選択可能な露光条件マスクパターンサイズを抽出したら、ステップS116として、マスクのパターンの線幅を決定する。例えば、NILSが許容値を満たしかつマスクのパターンの線幅が最も大きい露光条件とする場合、マスクのパターンの線幅を2.8μmとする。なお、上述したように、マスクのパターンの線幅を大きくすることで、基板に到達する光強度を大きくできる。これにより、マスクのパターンの線幅を大きくすることで、露光時の露光量を小さくすることができる。解析装置は、ステップS116でマスクのパターンの線幅を決定したら、本処理を終了する。他の実施形態は、シミュレーションでNILSを算出し、NILSが許容値以上となるマスクのパターンの線幅を決定することで、上述した本実施形態と同様に、適切なマスクを作成することができる。他の実施形態は、NILSを許容値以上とすることで、側壁角度を許容値以上としたときと同様に好適な形状のパターンを露光することが可能となる。他の実施形態は、デフォーカス位置の光強度分布とスライスレベルのNILSが許容値以上となるマスクのパターンの線幅を抽出することで、露光時に露光条件の誤差が生じた場合でも、適切なパターンを基板に作成することができるマスクとすることができる。他の実施形態は、基準位置の光強度分布とスライスレベルのNILSが許容値以上となるマスクのパターンの線幅を抽出してもよい。図28は、位置と光強度との解析結果の一例を示す図である。他の実施形態は、図28に示すように、基準位置の光強度分布とスライスレベル84との交点における、光強度分布の対数勾配88を算出してNILSを算出してもよい。これにより、基準位置で露光を行う場合の位置を基準として、マスクのパターンの線幅を決定することができる。また、他の実施形態は、線幅誤差とNILSの両方に基づいて、マスクのパターンの線幅を決定してもよい。また、上記の他の実施形態は、線幅誤差、側壁角度及びNILSの少なくとも1つに基づいてマスクのパターンの線幅の許容最大幅許容上限値を設定することで、マスクのパターンの線幅を大きくした場合でも、好適なパターンを基板に形成することができる。他の実施形態は、線幅誤差、側壁角度及びNILSのいずれも用いずに、算出した露光条件例えば露光量と、マスクのパターンの線幅、基板に形成されるパターンの線幅との関係に基づいて、マスクのパターンの線幅を決定し、マスクを形成してもよい。この場合も他の実施形態は、マスクのパターンの線幅に対応した露光条件で露光することで、マスクのパターンの線幅と基板に形成されるパターンの線幅との関係が投影倍率とは異なる倍率関係となる場合でも好適にターゲット線幅のパターンを基板に形成することができる。上記の他の実施形態は、1つのターゲット線幅の場合として説明したが、複数のパターンの線幅を基板に露光する場合、つまり、マスクに複数の線幅のパターンを形成する場合も適用することができる。この場合、他の実施形態は、基板に露光する複数のパターンの線幅から代表の線幅を決定し、当該代表の線幅をターゲット線幅として、露光条件、マスクのパターンの線幅を決定する。その後、他の実施形態は、代表の線幅以外の基板に露光するパターンの線幅について、露光条件と基板に形成されるパターンとマスクのパターンの線幅との関係を用いて、決定した露光条件と対象の代表の線幅以外の基板に露光するパターンの線幅とからマスクのパターンの線幅を算出する。他の実施形態は、このようにして基板に形成する各線幅のパターンに対応するマスクのパターンの線幅を決定し、決定に基づいてマスクを作成する。他の実施形態は、作成したマスクを用いて決定した露光条件で基板に露光を行うことで、基板に設計した線幅のパターンを形成することができる。なお、代表の線幅の決定方法は特に限定されない。代表の線幅は、例えば、基板に露光する複数のパターンの線幅の中央値としてもよいし、基板に露光する複数のパターンの線幅のうち総距離が最も長い線幅の値としてもよいし、予め設定されている基準値としてもよい。また、マスクのパターンの形状は、種々の形状とすることができる。例えば、本実施形態のように円形の開口としてもよいし、矩形としてもよいし、線形状としてもよい。上記の実施形態の露光装置100の投影システムPSは、投影倍率を1として投影する場合として説明したがこれに限定されない。露光装置100は、投影システムPSの光学系を構成するレンズの配置や焦点位置を変更することで、投影倍率を任意の倍率とすることができる。露光装置100は、投影倍率を1未満とし、マスクのパターンの線幅を投影倍率分縮小して、基板Pで結像される構成、つまり、マスクのパターンの線幅が基板Pで結像されるパターンの線幅の数倍2倍、3倍の大きさとなる構成としてもよい。また、露光装置100は、投影倍率を1より大きくし、マスクのパターンの線幅を投影倍率分拡大して、基板Pで結像される構成、つまり、マスクのパターンの線幅が基板Pで結像されるパターンの線幅の数分の11/2、1/3の大きさとなる構成としてもよい。露光装置100は、投影倍率に関わらず、マスクMのパターンの線幅を、ターゲット線幅を投影倍率の大きさ絶対値で割った値よりも大きい値とすることが好ましい。これにより、露光量をより少なくすることができる。ここで、投影倍率とは、投影システムPS投影光学系PL1~PL7の投影倍率であって、投影システムPSが基板Pに対して投影するマスクMのパターン像の結像倍率に相当する。投影倍率の大きさは、マスクM上のパターンの線幅に対する基板P上のパターン像の線幅の比に相当する。図29は、本実施形態に係るデバイス製造方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態に係るデバイス製造方法は、液晶表示デバイスや半導体チップなどの半導体デバイス等のデバイスの製造に用いることができる。本実施形態に係るデバイス製造方法では、まず、デバイスの機能性能設計が行われるステップ201。次に、設計に基づいたマスクレチクルが製作されるステップ202、次に、デバイスの基材であるガラス基板等の基板が製造されるステップ203。次に、上記実施形態に係る露光方法を用いて、マスクパターンを介した露光光で基板を露光してマスクパターンを基板に転写する工程と、露光された基板感光剤を現像して、基板に転写されたパターンに対応する露光パターン層現像された感光剤の層を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工する工程とを含む基板処理加工処理が実行されるステップ204。加工された基板が、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程等の加工プロセスを含むデバイス組立て工程ステップ205及び検査ステップ206等を経ることにより、デバイスが製造される。なお、上述の基板Pとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハなどを用いることができる。なお、露光装置100としては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光で基板Pを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、露光装置100は、投影光学系を複数備え、複数の投影光学系でマスクのそれぞれの領域に露光光を照射する構成としたが、1つの投影光学系でマスクの全域に露光光を照射する構成としてもよい。また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書などに開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、本発明は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書などに開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。露光装置100の種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。上述の実施形態の露光装置100は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続などが含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度などが管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。