円筒形基材に複数のリング状ターゲットを嵌めることによって構成される長尺の円筒形スパッタリングターゲットにおいて、厚さ10mm以下にしたリング状ターゲットを円筒形基材に複数連続して嵌め、その両端をねじにより締め付けて全一体に組み付けたことを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。請求項1において、リング状ターゲットの外径、内径および厚さの誤差を0.05mm以下としたことを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。請求項1もしくは請求項2において、円筒形基材に連続して嵌めたリング状ターゲットの両端をばねを介してねじで締め付けたことを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。請求項1、請求項2もしくは請求項3のリング状ターゲットをプレス加工で作製することを特徴とする円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。しかし、上記技術によると、円筒形基材に嵌めた複数のターゲットの隣り合うターゲットの間に外径の違いによる段差があると、その部分にスパッタが集中してターゲットを傷つける危険性があるため、専用の治具やInやIn合金等による接合材ボンディング材やはんだを用いて外周面が一致するようにターゲットを円筒形基材に接合して固定する必要があり、製造工程が複雑であった。また、リング状のターゲットがスパッタリングによって熱膨張して割れるのを防ぐためにターゲット同士の間に隙間を設ける必要があり、そのためには、ターゲットを円筒形基材に1個ずつボンディングしなければならず、その都度ボンディング材の注入および隙間を形成しながらのターゲットのはめ込みを行うために多大な製造工程が要求されるという問題がある。そこで本発明は、厚さ10mm以下としたリング状ターゲットを作製することによって精度を向上させ、そのリング状ターゲットを円筒形基材の外周に連続して複数嵌めた後、両側からねじによって連続するリング状ターゲットを押さえ付けて固定することにより接合固定した。すなわち、複数のリング状ターゲットを隙間なく連続させ、かつ、接合材を使用することなくねじによって円筒形基材に固定した長尺円筒形スパッタリングターゲットである。図1は本発明の長尺円筒形スパッタリングターゲットの構成例を示す断面図であり、図において、溶解法等によってリング状ターゲットを作製し、それらリング状ターゲットを少なくとも両側にねじ切りを施した円筒形基材に複数個連続してはめる。さらに、金属製のねじ3を円筒形基材の両側からねじ込んで連続しているリング状ターゲットを締め付けることにより全一体に連続固定した。上記リング状ターゲットは、熱伝導率が悪い材料ではターゲットにワレが発生してしまうため、熱伝導率のよいAg、Ag合金、Au、Au合金といった材料を用いる。さらに、外径および内径の寸法にかかわらず、厚さを10mm以下とし、かつその外径、内径および厚さの誤差を0.05mm以下の精度とする。なお、上記において、厚さを10mm以下とした理由は、熱処理を行うことによる結晶粒の微細化が可能となるためにスパッタリングによる成膜が安定するためでる。また、誤差を0.05mm以下とした理由は、リング状ターゲットを組み付けて構成した円筒形スパッタリングターゲットでスパッタを集中させるような段差を形成させないためである。また、円筒形基材2と金属製のねじ3は、適当な熱伝導性、電気伝導性、強度を備えているものであればどのような金属でもよく、例えば、CuやTiの単体製、Cu、Ti、Al、Mo、Au、Ag、Mg等を含む非鉄合金製、ステンレススチールSUS製等である。以上の本発明によると、リング状ターゲットを円筒形基材に接合固定する製造工程が簡略化され、容易に製造することができることになる。さらに、個々のリング状ターゲットの精度がよいために、連続したリング状ターゲットの接続部外周面の段差が少なく、スパッタリングの集中を抑制した長尺円筒形スパッタリングターゲットとなる。また、リング状ターゲットの組み付けにIn等による接合材を使用しないために、円筒形基材とリング状ターゲットを分離した際に、ターゲットにその接合材の付着がなくターゲット材の精製が容易となる。さらに、一般的に金属ターゲットの結晶粒径が小さければスパッタリングによる成膜が安定するとされているが、本発明のリング状ターゲットの厚みを10mm以下としたために溶解後の鋳造組織が繊維組織に変わるのに十分な塑性加工を加えられ、さらに、熱処理を行うことによる結晶粒の微細化が可能となるためにスパッタリングによる成膜が安定する効果がある。本発明の実施例を説明する。純度99.99質量以上のAuを使用し、外径130mm、内径110mm、厚さ10mmでその外径、内径および厚さの誤差を0.05mm以下にしてリング状ターゲット1を溶解法によって20個作製した。また、外径110mm、内径100mm、高さ400mmのCu製の円筒形基材2を用意し、その両側にねじ切りを施した。得られたCu製の円筒形基材に上記リング状ターゲットを連続させて嵌め、個々のリング状ターゲットの外周面が一致するようにして連続したリング状ターゲット1の側端からCu製の外径120mmのねじ3で締め付け、図2、図3に示すAuの円筒形スパッタリングターゲットを作製した。図3に示されるAuの円筒形スパッタリングターゲットを高周波マグネトロン装置に挿入し、Ar分圧0.5Pa、出力10kWの条件でスパッタリングを行ったところ、Auの円筒形スパッタリングターゲットにワレは発生しなかった。純度99.99質量以上のAgを使用し、それ以外の条件を上記実施例1と同様にして図3に示すようなAgの円筒形スパッタリングターゲットを作製した。このAgの円筒形スパッタリングターゲットを実施例1と同じ条件で高周波マグネトロン装置を使用し、スパッタリングを行ったところ、Agの円筒形スパッタリングターゲットにワレは発生しなかった。純度99.99質量以上のAgを使用し、溶解法によって幅200mm、厚さ1mm、長さ60000mmの帯材を作製し、プレス加工によって外径130mm、内径110mm、厚さ1mmでその外径、内径および厚さの誤差を0.05mm以下にしたリング状ターゲット1を100個作製した。作製したリング状ターゲットを、外径110mm、内径100mm、高さ400mmのCu製の円筒形基材2に連続させて嵌め、個々のリング状ターゲットの外周面が一致するようにして連続したリング状ターゲット1の側端からCu製の外径120mmのねじ3で締め付け、図4に示すAgの円筒形スパッタリングターゲットを作製した。図4に示されるAgの円筒形スパッタリングターゲットを高周波マグネトロン装置に挿入し、Ar分圧0.5Pa、出力10kWの条件でスパッタリングを行ったところ、Agの円筒形スパッタリングターゲットにワレは発生しなかった。純度99.99質量以上のAgを使用し、外径130mm、内径110mm、厚さ10mmでその外径、内径および厚さの誤差を0.05mm以下にしてリング状ターゲット1を溶解法によって20個作製した。また、外径110mm、内径100mm、高さ400mmのCu製の円筒形基材2を用意し、その両側にねじ切りを施した。得られたCu製の円筒形基材に上記リング状ターゲット1を連続させて嵌め、個々のリング状ターゲットの外周面が一致するようにして連続したリング状ターゲットの側端からSUS304製の外径120mmの皿ばね4を挿入し、側端からCu製の外径120mmのねじ3で締め付け、図5に示すAgの円筒形スパッタリングターゲットを作製した。図5に示されるAgの円筒形スパッタリングターゲットを高周波マグネトロン装置に挿入し、Ar分圧0.5Pa、出力10kWの条件でスパッタリングを行ったところ、Agの円筒形スパッタリングターゲットにワレは発生しなかった。