炭化珪素半導体基板1の表面から形成されたトレンチ2を有する炭化珪素半導体装置において、前記炭化珪素半導体基板1は、0001面または000-1面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が11-20方向とされており、前記トレンチ2は、前記オフ方向との成す内角が30°となる方向、または-30°となる方向に延設されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。前記トレンチ2は、前記オフ方向との成す内角が30°となる方向に延設された第1トレンチ3と、前記オフ方向との成す内角が-30°となる方向に延設された第2トレンチ4とが交互に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。前記トレンチ2は、前記第1トレンチ3と前記第2トレンチ4とが離間していることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。前記トレンチ2は、前記第1トレンチ3と前記第2トレンチ4とが連結された波形状とされており、前記炭化珪素半導体基板1には、前記第1トレンチ3と前記第2トレンチ4とが連結された部分であるエッジ部2cの下部に電界緩和層5が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素半導体装置。前記炭化珪素半導体基板1には、前記トレンチ2の下部に電界緩和層5が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。前記電界緩和層5は、前記トレンチ2の延設方向と平行に延設されていることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置。前記電界緩和層5は、前記トレンチ2の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設されていることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置。しかしながら、上記のようなSiC半導体装置では、通常、トレンチの側壁はSiC半導体基板の表面に対して垂直とならず、トレンチは開口部の面積より底面の面積の方が小さくなるテーパ形状となる。そして、SiC半導体基板はオフ角を有しているため、トレンチにおける延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁は、互いに面方位が異なることになる。すなわち、トレンチにおけるオフ方向の上流側の側壁と0001面との成す角度と、トレンチにおけるオフ方向の下流側の側壁と0001面との成す角度とが互いに異なることになる。図8は、オフ方向との成す内角が90°となる方向図中紙面奥行き方向にトレンチが延設されたSiC半導体基板の断面図である。なお図8のSiC半導体基板は、0001面に対して4°のオフ角を有し、オフ方向が11-20方向とされている。図8に示されるように、SiC半導体基板J1の表面とトレンチJ2の側壁J2a、J2bとの成す内角テーパ角が87°であるとすると、オフ角が4°であるため、トレンチJ2におけるオフ方向の上流側の側壁J2aと0001面との成す角度は91°となる。これに対し、トレンチJ2におけるオフ方向の下流側の側壁J2bと0001面との成す角度は83°となる。すなわち、トレンチJ2におけるオフ方向の上流側の側壁J2aと0001面との成す角度と、トレンチJ2におけるオフ方向の下流側の側壁J2bと0001面との成す角度とが8°異なることになる。したがって、トレンチJ2におけるオフ方向の上流側の側壁J2aに沿って形成されるチャネル領域と、トレンチJ2におけるオフ方向の下流側の側壁J2bに沿って形成されるチャネル領域との面方位が8°異なることになり、電流のアンバランスが発生するため、SiC半導体装置が破壊される可能性があるという問題がある。なお、上記では、0001面にオフ角を有するSiC半導体基板にトレンチを形成してなるSiC半導体装置について説明したが、000-1面にオフ角を有するSiC半導体基板にトレンチを形成してなるSiC半導体装置についても、同様の問題が発生する。本発明は上記点に鑑みて、0001面または000-1面にオフ角を有し、オフ方向が11-20方向とされたSiC半導体基板にトレンチを形成してなるSiC半導体装置において、トレンチにおける延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができるSiC半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を行った。そして、トレンチの側壁をほぼ{11-20}面としつつ、対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制する方法として、オフ方向との成す内角が30°または-30°となる方向にトレンチを延設すればよいことを見出した。図6aは、オフ方向との成す内角が90°となる方向にトレンチを延設したときのSiC半導体基板の拡大平面図、図6bは図6aのA-A断面図である。図7aはオフ方向と成す内角が30°となる方向にトレンチを延設したときのSiC半導体基板の拡大平面図、図7bは図7aのB-B断面図である。なお、図6および図7では、便宜的に、SiC半導体基板の表面に対して垂直であるトレンチを記してある。また、SiC半導体基板は、0001面に対して4°のオフ角を有し、オフ方向が11-20方向とされている。図6に示されるように、SiC半導体基板1に、オフ方向との成す内角が90°となる方向にトレンチ2を形成したときのトレンチ幅延設方向と垂直方向の長さをLとし、0001面におけるトレンチ2の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点A、オフ方向の下流側の点を点Bとし、点Aと点BとのSiC半導体基板1の厚さ方向以下、単に厚さ方向というのずれをhとする。すると、tan4°=h/Lと示される。この場合、図7に示されるように、SiC半導体基板1に、オフ方向との成す内角が30°となる方向に幅がLであるトレンチ2を延設した場合、0001面における延設方向と垂直方向となる直線とトレンチ2の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点C、オフ方向の下流側の点を点Dとすると、点Cと点Dとの厚さ方向のずれは以下のようになる。すなわち、図7aに示されるように、延設方向と垂直方向に延び、SiC半導体基板1の表面と平行となる線分を線分EFとし、この線分EFとトレンチ2の側壁と交差する点のうち、オフ方向の上流側の点を点G、オフ方向の下流側の点を点Hとし、点Hを通りオフ方向と平行な線分と、当該点Hを通る線分と垂直となる点Gを通る線分との交点を点Iとすると、点G、H、Iで形成される三角形は、角度Hが60°、角度Iが90°の直角三角形となる。また、線分GHの長さはトレンチ2の幅のLである。したがって、線分HIの長さはL/2となる。このため、図7aおよびbに示されるように、点Dは点Hが厚さ方向にずれた点であるため、点Cと点Dはオフ方向と平行な方向にL/2だけずれていることになる。そして、上記のように、点Aと点Bとはオフ方向にLだけずれたときに厚さ方向のずれがhとなるため、点Cと点Dとの厚さ方向のずれはh/2となる。したがって、tanx°=h/2Lと示され、tan4°=h/Lであるため、x°=2°となる。すなわち、オフ方向との成す内角が30°となる方向にトレンチ2を延設した場合には、2°のオフ角を有するSiC半導体基板1に対して、オフ方向と垂直方向となる方向にトレンチ2を形成したことと同じとなる。このため、例えば、SiC半導体基板1の表面とトレンチ2の側壁との成す内角テーパ角が87°である場合には、トレンチ2におけるオフ方向の上流側の側壁と0001面との成す内角が89°となると共に、トレンチ2におけるオフ方向の下流側の側壁と0001面との成す内角が85°となる。つまり、延設方向に延びる対向する側壁の面方位のずれを4°とすることができ、面方位が互いに異なることを抑制することができる。なお、上記では、0001面にオフ角を有するSiC半導体基板にトレンチを形成する場合について説明したが、000-1面にオフ角を有するSiC半導体基板にトレンチを形成する場合も同様である。したがって、請求項1に記載の発明では、SiC半導体基板1の表面から形成されたトレンチ2を有するSiC半導体装置において、SiC半導体基板1は、0001面または000-1面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が11-20方向とされており、トレンチ2は、オフ方向との成す内角が30°となる方向、または-30°となる方向に延設されていることを特徴としている。このようなSiC半導体装置では、トレンチ2における延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制しつつ、これらの側壁をそれぞれほぼ11-20面とすることができる。例えば、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載の発明において、トレンチ2を、オフ方向との成す内角が30°となる方向に延設された第1トレンチ3と、オフ方向との成す内角が-30°となる方向に延設された第2トレンチ4とを交互に形成して構成することができる。このようなSiC半導体装置では、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。また、請求項3に記載の発明のように、請求項2に記載の発明において、トレンチ2を第1トレンチ3と第2トレンチ4とが離間したものとすることができる。このようなSiC半導体装置では、第1トレンチ3と第2トレンチ4とが離間しており、第1トレンチ3と第2トレンチ4とを連結させたときに形成されるエッジ部2cが存在しないため、電界が集中することを抑制することができる。そして、請求項4に記載の発明のように、請求項2に記載の発明において、トレンチ2を第1トレンチ3と第2トレンチ4とが連結された波形状とし、SiC半導体基板1には、第1トレンチ3と第2トレンチ4とが連結された部分であるエッジ部2cの下部に電界緩和層5を形成することができる。このようなSiC半導体装置では、SiC半導体基板1のうちトレンチ2のエッジ部2cの下部に電界緩和層5が形成されているため、エッジ部2cに電界が集中することを抑制することができる。また請求項5に記載の発明のように、請求項1に記載の発明において、SiC半導体基板1のうちトレンチ2の下部に電界緩和層5を形成することができる。これによれば、トレンチ2の下部に電界が集中することを抑制することができる。そして、請求項6に記載の発明のように、電界緩和層5をトレンチ2の延設方向と平行に延設することができる。また、請求項7に記載の発明のように、電界緩和層5をトレンチ2の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1はSiC半導体基板の平面図であり、この図に基づいて説明する。図1に示されるように、SiC半導体基板1は、本実施形態では、0001面に4°のオフ角が設けられていると共にオフ方向が11-20方向とされている。そして、このSiC半導体基板1には、オフ方向との成す内角が30°となる方向にトレンチ2が延設されている。言い換えると、トレンチ2は、オフ方向と平行な方向に延びる直線と、トレンチ2の延設方向と平行な方向に延びる直線との内角が30°とされている。そして、トレンチ2の対向する側壁は、それぞれほぼ11-20面とされている。また、トレンチ2は、異方性エッチング等により形成されており、開口部の面積より底面の面積の方が小さくなるテーパ形状とされている。なお、オフ方向との成す内角が30°となる方向とは、オフ方向を基準として延設方向が半時計周りにあるときの方向である。また、後述のオフ方向との成す内角が-30°となる方向とは、オフ方向を基準として延設方向が時計周りにあるときの方向である。すなわち、オフ方向との成す内角が30°となる方向とは言い換えるとオフ方向との成す内角が-150°となる方向のことであり、オフ方向との成す内角が-30°となる方向とは言い換えるとオフ方向との成す内角が150°となる方向のことである。また、本明細書において、オフ方向との成す内角が30°または-30°となる方向とは、完全にオフ方向との成す内角が30°または-30°となる方向に加えて、製造誤差等の若干の誤差を含むものであり、例えば、オフ方向との成す内角が30°±5°または-30°±5°となる方向を含むものである。そして、特に限定されるものではないが、このようなSiC半導体基板1を用いて、例えば、次のようなトレンチ構造を有するSiC半導体装置が構成される。すなわち、上記SiC半導体基板1は、0001面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が11-20方向とされたN型のSiC基板上に、N-型ドリフト層、P型ベース領域、N型ソース領域が順にエピタキシャル成長させられて構成されている。そして、トレンチ2は、主表面からN型ソース領域およびP型ベース領域を貫通し、N-型ドリフト層に達するまで形成されている。トレンチ2の内壁には、N-型チャネル層が形成されている。また、N-型チャネル層およびN型ソース領域の一部を覆うように、酸化膜が形成されている。この酸化膜のうち、トレンチ2内に位置する部分の表面には、ポリシリコンまたは金属で構成されたゲート電極が形成され、このゲート電極によってトレンチ2内が埋め込まれている。また、SiC半導体基板1のうちトレンチ2が形成された場所とは異なる場所において、N型ソース領域を貫通してP型ベース領域まで達するように、コンタクト用トレンチが形成され、コンタクト用トレンチには、P型ベース領域およびN型ソース領域と電気的に接続されるソース電極が形成されている。そして、SiC半導体基板1の裏面にはドレイン電極が形成されている。なお、上記SiC半導体基板1は、N-型ドリフト層、P型ベース領域、N型ソース領域がSiC基板の表面状態を承継するため、全体として0001面にオフ角が設けられていると共にオフ方向が11-20方向となっている。以上説明したように、本実施形態のSiC半導体装置では、トレンチ2は、オフ方向との成す内角が30°となる方向に延設されている。このため、トレンチ2における延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができる。したがって、従来のSiC半導体装置と比較して、延設方向と平行な方向に延びる対向する側壁にそれぞれ形成されるチャネル領域の面方位が互いに異なることを抑制することができ、電流のアンバランスが発生することを抑制することができると共にSiC半導体装置が破壊されることを抑制することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、上記第1実施形態と比較して、トレンチ2の形状を変更したものであり、その他に関しては上記第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図2は、本実施形態におけるSiC半導体基板1の平面図である。図2に示されるように、トレンチ2は、オフ方向との成す内角が30°となる方向に延設された第1トレンチ3と、オフ方向との成す内角が-30°となる方向に延設された第2トレンチ4とが交互に形成されて構成されている。そして、第1トレンチ3と第2トレンチ4とは連結されている。すなわち、トレンチ2は、エッジ部2cを有する波形状とされている。このようなSiC半導体装置では、トレンチ2の側壁に沿って形成されるチャネル領域のうち、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。すなわち、上記第1実施形態では、トレンチ2における対向する側壁の面方位が互いに異なることを抑制することができるものの、面方位を完全に一致させることができない。つまり、上記第1実施形態では、トレンチ2におけるオフ方向の上流側の側壁に沿って形成されるチャネル領域の面方位の方が、オフ方向の下流側の側壁に沿って形成されるチャネル領域の面方位よりも11-20面に近くなり、電流密度が高くなる。これに対し、本実施形態では、第1トレンチ3と第2トレンチ4とを交互に形成しているため、11-20面に近くなる側壁が交互に形成されることになる。したがって、一方の側壁に沿って形成されるチャネル領域に電流が集中することを抑制することができる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、上記第2実施形態と比較して、トレンチ2の形状を変更したものであり、その他に関しては上記第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図3は、本実施形態におけるSiC半導体基板1の平面図である。図3に示されるように、トレンチ2は、第1トレンチ3と第2トレンチ4とが離間して形成されている。すなわち、トレンチ2は、エッジ部2cが存在しない形状とされている。このように本実施形態では、エッジ部2cが存在しないため、第2実施形態と比較して、第1トレンチ3と第2トレンチ4とが連結されている部分に電界が集中することを抑制することができる。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、上記第2実施形態と比較して、SiC半導体基板1に電界緩和層を形成したものであり、その他に関しては上記第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態におけるSiC半導体基板1の平面図である。図4に示されるように、本実施形態では、SiC半導体基板1のうち第1トレンチ3と第2トレンチ4とが連結されるエッジ部2cの下部に電界緩和層5が形成されている。具体的には、電界緩和層5は、エッジ部2cの下部を含んでオフ方向と垂直方向に延設されており、例えば、上記のように、SiC基板がN型で形成されている場合には、P型層で形成されている。このようなSiC半導体装置では、SiC半導体基板1のうちトレンチ2のエッジ部2cの下部に電界緩和層5が形成されているため、第2実施形態と比較して、第1トレンチ3と第2トレンチ4とが連結される部分であるエッジ部2cに電界が集中することを抑制することができる。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、上記第1実施形態と比較して、SiC半導体基板1に電界緩和層を形成したものであり、その他に関しては上記第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図5は、本実施形態におけるSiC半導体基板1の平面図である。図5に示されるように、本実施形態では、SiC半導体基板1のうちトレンチ2の下部に電界緩和層5が形成されている。具体的には、電界緩和層5は、トレンチ2の延設方向と平行な方向に延設されており、上記のように、SiC基板がN型で形成されている場合には、P型層で形成されている。このようなSiC半導体装置では、トレンチ2の下部に電界緩和層5が形成されているため、第1実施形態と比較して、トレンチ2の下部に電界が集中することを抑制することができる。他の実施形態上記各実施形態では、0001面にオフ角が設けられているSiC半導体基板1を用いた例について説明したが、000-1面にオフ角が設けられているSiC半導体基板1を用いることもでき、この場合も上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、上記各実施形態では、SiC半導体装置としてトレンチ構造のMOSFETを例に挙げて説明したが、もちろんトレンチ構造のJ-FETにも適用することができる。そして、上記第1実施形態では、オフ方向との成す角度が30°となる方向にトレンチ2を延設した例について説明したが、例えば、オフ方向との成す角度が-30°となる方向にトレンチ2を延設することもできる。さらに、上記第5実施形態では、電界緩和層5がトレンチ2の延設方向と平行な方向に延設されている例に説明したが、例えば、電界緩和層5がトレンチ2の延設方向と直交する方向にストライプ状に延設されていてもよい。