"交流電力又は直流電力をスイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチングで所定の電力に変換して出力する電力変換部4を備えた電力変換装置であって、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzの実装状態におけるオン抵抗Ronの個体差、又はグループ単位の偏差に基づいて、上記電力変換部4の出力電圧vuvvvwを制御する制御部5を備えたことを特徴とする電力変換装置。請求項1の電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ユニポーラディバイスで構成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1又は請求項2の電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ディスクリート部品であることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項3の何れかの電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ワイドバンドギャップ半導体で構成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項4の何れかの電力変換装置において、上記オン抵抗Ronは、製造時、試運転時、及び通常運転の開始時の何れかにおいて測定した値であることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項4の何れかの電力変換装置において、上記制御部5は、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度を示す温度情報と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中に得た上記温度情報に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項4の何れかの電力変換装置において、上記電力変換部4は、直流が入力され、上記制御部5は、上記直流の電圧と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中に測定した上記直流の電圧に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項4の何れかの電力変換装置において、上記制御部5は、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチング周波数と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中の上記スイッチング周波数に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする電力変換装置。請求項1から請求項8の何れかの電力変換装置において、上記電力変換部4の出力は、モータ7に接続され、上記制御部5は、上記モータ7の電流又は電圧の推定値の取得に上記オン抵抗Ronを用い、当該推定値に基づいて上記モータ7の磁極位置を推定することを特徴とする電力変換装置。しかしながら、スイッチング素子のオン電圧降下には個体差があるので、上記特許文献の装置では、常に適切なオン電圧補償ができるとは限らない。特に、インバータ回路を構成するトランジスタやダイオードをディスクリート部品とした場合には、IPMIntelligentPowerModuleでインバータ回路を構成した場合と比べ、上記個体差の影響がより顕著になる。本発明は上記の問題に着目してなされたものであり、入力された電力をスイッチングして所定の電力に変換する電力変換装置において、スイッチング素子がオン電圧降下の個体差を有していても、オン電圧補償を精度よく行えるようにすることを目的としている。上記の課題を解決するため、第1の発明は、交流電力又は直流電力をスイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチングで所定の電力に変換して出力する電力変換部4を備えた電力変換装置であって、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzの実装状態におけるオン抵抗Ronの個体差、又はグループ単位の偏差に基づいて、上記電力変換部4の出力電圧vuvvvwを制御する制御部5を備えたことを特徴とする。この構成では、出力電圧vuvvvwの誤差が同じであっても、構成されるスイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン抵抗Ronの個体差、或いはオン抵抗Ronのグループ単位の偏差によって、出力電圧vuvvvwに対する制御が異なる。また、第2の発明は、第1の発明の電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ユニポーラディバイスで構成されていることを特徴とする。この構成では、ユニポーラディバイスで構成された電力変換部4において、上記の制御が行われる。また、例えば電力変換部4において同期整流を行えば、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzには還流ダイオードを設ける必要がない。そのため、制御部5ではスイッチング素子SuSvSwSxSySzのみのオン電圧降下特性を考慮すればよく、制御部5における制御が容易になる。また、第3の発明は、第1又は第2の発明の電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ディスクリート部品であることを特徴とする。この構成では、ディスクリート部品で構成された電力変換部4において、上記の制御が行われる。また、第4の発明は、第1から第3の発明の何れかの電力変換装置において、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ワイドバンドギャップ半導体で構成されていることを特徴とする。この構成では、ワイドバンドギャップ半導体で構成された電力変換部4において、上記の制御が行われる。また、第5の発明は、第1から第4の発明の何れかの電力変換装置において、上記オン抵抗Ronは、製造時、試運転時、及び通常運転の開始時の何れかにおいて測定した値であることを特徴とする。この構成では、製造時、試運転時、及び通常運転の開始時の何れかにおけるオン抵抗Ronに基づいて、オン電圧補償が行われる。また、第6の発明は、第1から第4の発明の何れかの電力変換装置において、上記制御部5は、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度を示す温度情報と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中に得た上記温度情報に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする。この構成では、上記温度情報を参酌することで、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度に応じたオン電圧補償が行われる。また、第7の発明は、第1から第4の発明の何れかの電力変換装置において、上記電力変換部4は、直流が入力され、上記制御部5は、上記直流の電圧と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中に測定した上記直流の電圧に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする。この構成では、スイッチング素子SuSvSwSxSySzへの印加電圧に応じたオン電圧補償が行われる。また、第8の発明は、第1から第4の発明の何れかの電力変換装置において、上記制御部5は、上記スイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチング周波数と上記オン抵抗Ronとの関係を上記スイッチング素子SuSvSwSxSySz毎に示したテーブル又は関数を格納し、運転中の上記スイッチング周波数に応じて、上記テーブル又は関数から上記オン抵抗Ronを求めることを特徴とする。この構成では、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチング周波数に応じたオン電圧補償が行われる。また、第9の発明は、第1から第8の発明の何れかの電力変換装置において、上記電力変換部4の出力は、モータ7に接続され、上記制御部5は、上記モータ7の電流又は電圧の推定値の取得に上記オン抵抗Ronを用い、当該推定値に基づいて上記モータ7の磁極位置を推定することを特徴とする。この構成では、電力変換部4の出力電圧vuvvvwが精度よく制御されるので、モータ7の電流又は電圧を精度よく推定できる。第1の発明によれば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの実装状態におけるオン抵抗Ronの個体差に応じ、上記電力変換部4の出力電圧vuvvvwを制御するので、スイッチング素子が個体差を有していても、オン電圧補償を精度よく行うことが可能になる。第2の発明によれば、例えば、電力変換部4において同期整流を行えば、制御部5における制御が容易になり、オン電圧補償を容易、且つ精度よく行うことが可能になる。また、第3の発明によれば、オン抵抗Ronのばらつきが大きくなりがちなディスクリート部品を用いた電力変換装置において、オン電圧補償を精度よく行うことが可能になる。また、第5の発明によれば、製造時、試運転時、及び通常運転の開始時の何れかにおける、個々のスイッチング素子SuSvSwSxSySzの状態を反映したオン電圧補償を行うことが可能になる。また、第6の発明によれば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度に応じたオン電圧補償が行われるので、オン抵抗Ronが温度の影響を受けやすいスイッチング素子を用いる場合にも、オン電圧補償を精度よく行うことが可能になる。例えば、ユニポーラディバイスのオン抵抗Ronは、温度の影響を受けやすい傾向にあるので、スイッチング素子SuSvSwSxSySzとしてユニポーラディバイスを用いる場合に、特に有用である。また、第7の発明によれば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzへの印加電圧に応じたオン電圧補償が行われるので、オン抵抗Ronが印加電圧の影響を受けやすいスイッチング素子を用いる場合にも、オン電圧補償を精度よく行うことが可能になる。例えば、ワイドバンドギャップ半導体例えばGaNで構成されたスイッチング素子のオン抵抗Ronは、印加された直流電圧の影響を受けやすい傾向にあるので、スイッチング素子SuSvSwSxSySzとしてワイドバンドギャップ半導体を用いる場合に、特に有用である。また、第8の発明によれば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチング周波数に応じたオン電圧補償が行われるので、オン抵抗Ronがスイッチング周波数の影響を受けやすいスイッチング素子を用いる場合にも、オン電圧補償を精度よく行うことが可能になる。例えば、ワイドバンドギャップ半導体例えばGaNで構成されたスイッチング素子のオン抵抗Ronは、スイッチング周波数の影響を受けやすい傾向にあるので、スイッチング素子SuSvSwSxSySzとしてワイドバンドギャップ半導体を用いる場合に、特に有用である。また、第9の発明によれば、モータ7の電流又は電圧を精度よく推定できるので、モータ7の磁極位置をより正確に推定することが可能になる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。《発明の実施形態1》図1は、発明の実施形態1に係る電力変換装置1の構成を示すブロック図である。同図に示すように電力変換装置1は、コンバータ回路2、直流リンク部3、インバータ回路4、及び制御部5を備え、単相の交流電源6から供給された交流電力を所定の周波数の電力に変換して、モータ7に供給するようになっている。なお、本実施形態のモータ7は、三相交流モータであり、空気調和機の冷媒回路に設けられた圧縮機を駆動するためのものである。コンバータ回路2コンバータ回路2は、リアクトルLを介して交流電源6に接続され、交流電源6が出力した交流を直流に全波整流する。この例では、コンバータ回路2は、複数本実施形態では4つのダイオードD1~D4がブリッジ状に結線されたダイオードブリッジ回路である。これらのダイオードD1~D4は、交流電源6の交流電圧を全波整流して、直流電圧に変換する。直流リンク部3直流リンク部3は、コンデンサ3aを備えている。コンデンサ3aは、コンバータ回路2の出力ノード間に接続され、該コンデンサ3aの両端に生じた直流電圧直流リンク電圧Vdcがインバータ回路4の入力ノードに接続されている。コンデンサ3aは、コンバータ回路2の出力を平滑化する電解コンデンサで構成されている。インバータ回路4インバータ回路4は、入力ノードが直流リンク部3のコンデンサ3aに並列に接続され、直流リンク部3の出力をスイッチングして三相交流に変換し、接続されたモータ7に供給するようになっている。インバータ回路4は、本発明の電力変換部の一例である。本実施形態のインバータ回路4は、複数のスイッチング素子がブリッジ結線されて構成されている。このインバータ回路4は、三相交流をモータ7に出力するので、6個のスイッチング素子SuSvSwSxSySzを備えている。詳しくは、インバータ回路4は、2つのスイッチング素子を互いに直列接続した3つのスイッチングレグを備えている。各スイッチングレグにおいて上アームのスイッチング素子SuSvSwと下アームのスイッチング素子SxSySzとの中点が、モータ7の各相のコイル図示は省略にそれぞれ接続されている。また、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzには、還流ダイオードDuDvDwDxDyDzが逆並列に接続されている。本実施形態では、スイッチング素子SuSvSwSxSySz、及び還流ダイオードDuDvDwDxDyDzは、ディスクリート部品によって構成し、プリント基板に搭載してある。インバータ回路4は、これらのスイッチング素子SuSvSwSxSySzのオンオフ動作によって、直流リンク部3から入力された直流リンク電圧Vdcをスイッチングして三相交流電圧に変換し、モータ7へ供給する。なお、このオンオフ動作の制御は、制御部5が行う。制御部5制御部5は、インバータ回路4の出力電圧vuvvvwが所望の電圧、及び周波数となるように、インバータ回路4の各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオンオフを制御する。詳しくは、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの実装状態この例ではプリント基板に搭載した状態におけるオン抵抗Ronの個体差に応じ、インバータ回路4の出力電圧vuvvvwを制御する。また、制御部5は、モータ7の端子電圧の推定値に基づいてモータ7の磁極位置を推定する。制御部5は、当該推定値を求める際に、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン電圧降下Vsを用いる。なお、磁極位置の推定は、モータ7の端子電圧を基にする他にも、モータ7の電流に基づいて推定する方法など、種々の方式を採用できる。この例では、制御部5は、電圧検出部51、出力電圧演算部52、オン電圧補償部53、スイッチング制御部54、及びオン電圧降下演算部55を備えている。-電圧検出部51-電圧検出部51は、直流リンク部3に取り付けられたシャント抵抗図示は省略を有し、該シャント抵抗に流れる直流リンク電流idcを検出する。電圧検出部51は、検出した電流値idcを、出力電圧演算部52とオン電圧補償部53に出力する。また、電圧検出部51は、直流リンク電圧Vdcを電圧検出器図示を省略で検出し、検出値を出力電圧演算部52とオン電圧補償部53に出力する。なお、交流電源6におけるAC電圧を電圧検出器で検出して直流リンク電圧Vdcを推定するように、電圧検出部51を構成してもよい。-出力電圧演算部52-出力電圧演算部52は、電流値idcと直流リンク電圧Vdcとを用いて、各相の電圧指令vuvvvwを生成する。なお、図1において出力電圧演算部52が出力しているVoは、各相に対する電圧指令vuvvvwを総括して表したものである以下同様。-オン電圧降下演算部55-オン電圧降下演算部55は、それぞれのスイッチング素子SuSvSwSxSySzの実装状態におけるオン抵抗Ronを求めるとともに、当該オン抵抗Ronに基づいて、インバータ回路4の出力電圧vuvvvwの誤差を求める。図2は、インバータ回路4におけるスイッチング素子SuSvSwSxSySz等の抵抗オン抵抗の関係を説明する図である。各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン抵抗は、図2ではRu~Rzがそれぞれ対応する。また、図2におけるRa,Rb,及びRcは、それぞれモータ7のコイル図示は省略の抵抗を示している。オン電圧降下演算部55では、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオンオフを適宜切り換えて、その際の直流リンク電圧Vdcと直流リンク電流idcとから、スイッチング素子SuSvSwSxSySz等のオン抵抗Ronを求める。具体的に、オン電圧降下演算部55では、まず、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzを動作させ、上下1アームずつの組み合わせ6種類について電流を流し、下式から抵抗値R10~R31を求める。具体的には、U→Y、U→Z、V→X、V→Z、W→X、W→Yの6つのパターンで電流を流す。ここで、例えばU→Yは、U相に対応の上アームからV相に対応の下アームに電流を流すこと、すなわち、スイッチング素子Suとスイッチング素子Syをオン状態とすることを表している以下同様。R10=RuRaRbRyU→YR11=RuRaRcRzU→ZR20=RvRbRaRxV→XR21=RvRbRcRzV→ZR30=RwRcRaRxW→XR31=RwRcRbRyW→Y次に、オン電圧降下演算部55は、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzを動作させ、下記の6つのパターンで電流を流して、下記の抵抗値R1~R6を求める。これらの例では、上下何れか一方の1アームと他方の2アームの組み合わせに電流が流れるように、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzを動作させている。R1=RuRaRbRy//RcRzU→Y,ZR2=RvRbRaRx//RcRzV→X,ZR4=RwRcRaRx//RbRyW→X,YR3=RcRzRuRa//RvRbU,V→ZR5=RbRyRuRa//RwRcU,W→YR6=RaRxRvRb//RwRcV,W→X但し、上式において//は抵抗の並列接続を表している。また、上式の凡例で、例えばU→Y,Zは、U相に対応した上アーム、V相に対応の下アーム、及びW相に対応の下アームに電流を流すこと、すなわち、スイッチング素子Su、スイッチング素子Sy、及びスイッチング素子Szをオン状態とすることを表している以下同様。上記の12種類の式を用いると、Ru,Rv,Rw,Rx,Ry,Rz,Ra,Rb,及びRcを算出できる。このように、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzの抵抗値Ru~Rzが求まると、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン電圧降下Vsを算出できる。-オン電圧降下オン抵抗の算出タイミング-例えば、温度によるオン抵抗Ronの変化が比較的小さいスイッチング素子SuSvSwSxSySzを使用する場合、温度変化の小さい環境で電力変換装置1を使用する場合、電源電圧の変動が小さい場合、或いはスイッチング素子SuSvSwSxSySzのスイッチング周波数が固定される環境などでは、電力変換装置1の運転中は、オン抵抗Ronの変動が比較的小さいと考えられる。そこで、本実施形態では、製造時、試運転時、毎回運転開始時の何れかにオン抵抗Ronを計測して、電力変換装置1の運転期間中、一律にその値を使用する。オン電圧降下演算部55は、上記のようにして算出したオン電圧降下Vsを、オン電圧補償部53に出力する。-オン電圧補償部53-オン電圧補償部53は、オン電圧降下演算部55が求めたオン電圧降下Vsと電流idcとを用いて、電圧指令Voを補正する。また、オン電圧補償部53は、電圧指令Voを補正した値Vo±Vsをスイッチング制御部54に出力する。精度の良いオン電圧補償を容易に行うためには、スイッチング素子SuSvSwSxSySz、及び還流ダイオードDuDvDwDxDyDzのオン電圧降下Vsを正確に推定する必要がある。ところが、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン電圧降下Vsには、個体差がある。本実施形態では、オン電圧補償部53は、個々のスイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン電圧降下Vsに応じて、電圧指令Voを補正する。より詳しくは、オン電圧補償部53は、以下のようにして補正した電圧指令vuvvvwを生成する。なお、以下の説明において、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン電圧降下Vsを区別する場合には、例えばVsVs...のように、符号Vsの後にスイッチング素子を識別する符合uvw等を付すことにする。同様に、還流ダイオードDuDvDwDxDyDzについても、それぞれのオン電圧降下Vfを区別する場合には、例えばVfVf...のように、符号Vfの後に素子を識別する符合を付すことにする。図3は、インバータ回路4のU相に対応したアームを抜き出したものである。図3では、コンデンサ3a直流電源とみなせると、互いに直列に接続されたスイッチング素子SuSxと、これらのスイッチング素子SuSxにそれぞれ逆並列接続した還流ダイオードDuDxとを示している。また、図4は、オン電圧補償時の動作を説明するタイミングチャートである。例えば、出力電圧演算部52から、図4に示すような電圧指令vuがオン電圧補償部53に入力されると、オン電圧補償部53では、スイッチング素子SuSxに対して電圧指令vuに応じたオン信号GuGxゲート駆動信号を出力する。ゲート駆動信号Guをスイッチング素子Suに入力して該スイッチング素子Suをオンさせると、例えば図3の回路で出力電流iuが負荷側へ流れる場合この場合をiu>0とするには、スイッチング素子Suに電流が流れる。そのため、出力電圧Vu下アームのスイッチング素子Sxの被制御端子間の電圧に相当は、コンデンサ3aの電圧Vdcからスイッチング素子Suのオン電圧降下Vs分を引いたVdc-Vsuとなる。また、上アームのスイッチング素子Suをオフにすると、下アームの還流ダイオードDxに電流が流れる。そのため、出力電圧Vuは、還流ダイオードDxのオン電圧降下分に相当する-Vfxとなる。i<0の場合出力電流iが図3の回路内へ流れ込む場合には、下アームのスイッチング素子Sxをオンにすると、スイッチング素子Sxに電流が流れて、オン電圧降下が生じる。そのため、出力電圧VuはVsuとなる。また、下アームのスイッチング素子Snをオフにすると、上アームの還流ダイオードDuに電流が流れるため、出力電圧はVdcVfuとなる。すなわち、次の式12に示すように、単位時間T当たりの電圧Vuは、電圧指令vuにおける平均電圧に対して、スイッチング素子SuSxのオン電圧降下VsVs分、還流ダイオードDuDxのオン電圧降下VfVf分だけ誤差が生じる。なお、以下では説明の簡素化のため、出力電圧Vuに対するデッドタイムの影響は無視することにする。iu>0の場合VuTuTVfTVuVs...1iu<0の場合VuTuTVsTVuVs...2本実施形態のオン電圧補償部53は、各相のオン電圧降下VsVsVsVsVsVsに基づいて、各相の電圧指令vuvvvwを決定する。上記の例では、i>0の場合には、オン電圧補償部53は、スイッチング素子Suのオン電圧降下Vs分を考慮し、電圧指令vuから決まるオン信号Guの出力期間TonにVsu/Vdc×Tを足して、オン出力設定時間Tuオン電圧降下を考慮したオン信号の出力時間が次の式3となるように、電圧指令vuを補正する。この場合、スイッチング素子SuSxのオン電圧降下VsVsは、オン電圧降下演算部55が求めたものを使用する。TuTonTVsVdc...3一方、i<0の場合には、オン電圧補償部53は、出力期間TonからVsx/Vdc×Tを差し引いたオン出力設定時間Tuとなるように、電圧指令vxを補正する式4を参照。TuTonTVsVdc...4オン電圧補償部53は、上記のようにして補正した電圧指令vuをスイッチング制御部54に出力する。-スイッチング制御部54-スイッチング制御部54は、オン電圧補償部53が出力した、補正後の電圧指令vuvvvwに基づいて、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオンオフ動作を制御するゲート駆動信号GuGvGwGxGyGzを生成する。電力変換装置1の動作モータ7を運転状態にするには、上記インバータ回路4からモータ7に交流電力を供給する。モータ7が運転状態になると、該モータ7と接続された上記圧縮機が作動する。このとき、制御部5は、モータ7の回転数が目標値となるように、インバータ回路4を制御して当該インバータ回路4に所定の電圧、及び周波数の交流電力をモータ7に出力させる。この制御において、制御部5は、上記のように、電圧指令Voを補正する。この補正には、運転開始時などに計測した、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン抵抗Ronを用いる。また、インバータ回路4にてモータ7を高速、高精度に制御したり,位置センサレスで制御するためには、モータ7の端子電圧や電流の情報が必要となる。このモータ端子電圧を得る方法として、インバータ回路の制御に用いる電圧指令を用いて、上記端子電圧や電流を推定する手法が多く用いられ、本実施形態でもその方法を採用している。本実施形態では、電圧指令Voは、制御部5によって、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの個体差に応じて補正される。それゆえ、本実施形態ではモータ7を精度良く制御することができる。本実施形態における効果以上のように、本実施形態によれば、個々のスイッチング素子SuSvSwSxSySzについて、オン抵抗Ronを計測する。そのため、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの特性に個体差があっても、補償の大きさを適切に定めることができ、オン電圧補償を精度よく行える。したがって、電力変換装置1の出力を所望の電圧に精度よく制御することが可能になる。また、電圧指令を用いて、モータの端子電圧や電流を推定する方法においては、端子電圧等の推定値にはインバータ回路のデッドタイムやスイッチング素子のオン電圧降下などによる誤差が含まれる。特に本実施形態のように、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの個体差が大きくなりがちなディスクリート部品でインバータ回路4を構成すると、スイッチング素子のオン電圧降下による誤差が製品ごとにばらつく可能性がある。しかしながら、本実施形態では、上記のように、実際にインバータ回路4に搭載するそれぞれのスイッチング素子SuSvSwSxSySzについて、オン電圧降下演算部55でオン抵抗Ronを算出しオン電圧降下Vsを求めるので、個体差による推定値のばらつきを低減することが可能になる。《発明の実施形態2》図5は、発明の実施形態2に係る電力変換装置1の構成を示すブロック図である。同図に示すように本実施形態の電力変換装置1は、インバータ回路4が還流ダイオードDuDvDwDxDyDzを備えていない。また、インバータ回路4では、各スイッチング素子SuSvSwSxSySzは、逆導通可能な素子ユニポーラ素子である。また、これらのスイッチング素子SuSvSwSxSySzは、ワイドバンドギャップ半導体を用いて構成してある。この電力変換装置1では、制御部5の制御によって、インバータ回路4において同期整流を行わせる。電力変換装置1では、制御部5によるオン電圧補償は、実施形態1の制御部5と同様のメカニズムで行われる。すなわち、本実施形態でも、オン電圧降下演算部55によって個々のスイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン抵抗Ronを計測し、スイッチング素子SuSvSwSxSySzのオン抵抗Ronの個体差に応じ、電力変換部4の出力電圧vuvvvwを制御する。また、本実施形態で用いるユニポーラ素子は、オン抵抗Ronの値が温度の影響を受ける場合がある。このような場合には、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度に応じてオン抵抗Ronを補正するようにするとよい。本実施形態では、あらかじめオン抵抗Ronと温度の関係式或いはテーブルを生産ライン上で作成し、制御部5に当該関係式或いはテーブルを格納してある。そして、運転中はこの関係式或いはテーブルと、測定した温度とを用いて、オン抵抗Ronを計測値を補正する。上記温度の計測は、スイッチング素子SuSvSwSxSySz内に温度センサが設けられている場合はその値を用いればよい。スイッチング素子SuSvSwSxSySz内に温度センサがない場合でも、例えば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzに付けられた放熱板の温度とスイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度とには相関があるので、当該放熱板に温度センサが取り付けられている場合には、その温度センサの計測値で代用することが考えられる。つまり、スイッチング素子SuSvSwSxSySzそのものの温度に限らず、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの温度を示す温度情報であれば利用できるのである。なお、温度とオン抵抗Ronの関係式或いはテーブルは生産ライン上で作成する他に、例えば空気調和機設置後の試運転の段階で作成したり、試運転開始直前と試運転終了直前に温度とオン抵抗Ronを計測して作成したりすることができる。本実施形態における効果以上のように、実施形態2でも実施形態1と同様に、スイッチング素子SuSvSwSxSySzの特性に個体差があっても、補償の大きさを適切に定めることができ、オン電圧補償を精度よく行える。また、オン抵抗Ronを温度に応じて補正するようにしたので、オン抵抗Ronの値が温度の影響を受けるスイッチング素子SuSvSwSxSySzを採用する場合であっても、オン電圧補償を精度よく行える。このようにオン電圧補償の精度が向上すると、モータ7の磁極位置の推定の精度も向上する。《実施形態2の変形例1》スイッチング素子SuSvSwSxSySzの種類によっては、印加する直流電圧によってオン抵抗Ronが変化する場合がある。例えば、スイッチング素子SuSvSwSxSySzとして、ワイドバンドギャップ半導体例えばGaN窒化ガリウムなどを採用すると、印加する直流電圧によってオン抵抗Ronが変化する。そこで、本変形例では、あらかじめ直流リンク部3の電圧直流リンク電圧Vdcを変化させ、直流リンク電圧Vdcとオン抵抗Ronの関係式或いはテーブルを生産ライン上で作成し、制御部5に当該関係式或いはテーブルを格納してある。そして、運転中はこの関係式或いはテーブルと、測定した温度とを用いて、オン抵抗Ronの計測値を補正する。なお、印加する直流電圧を変化させるには、生産ラインに専用の電源装置を用意したり、電力変換装置1がいわゆるPAM方式PulseAmplitudeModulationの電力変換装置であれば、PAM制御を用いてインバータ回路4に入力する直流電圧を変化させたりするとよい。上記のオン抵抗Ronの補正により、オン抵抗Ronの値が印加電圧の影響を受けるスイッチング素子SuSvSwSxSySzを採用する場合であっても、オン電圧補償を精度よく行える。このようにオン電圧補償の精度が向上すると、モータ7の磁極位置の推定の精度も向上する。《実施形態2の変形例2》スイッチング素子SuSvSwSxSySzの種類によっては、電流量が時間に伴って変化するもの、言い換えれば時間によって抵抗値が変化するものがある。すなわち、これは、スイッチング周波数に応じてオン抵抗Ronの値が変わることを意味している。そこで、本変形例では、生産ライン上で、スイッチング周波数とオン抵抗Ronの関係式或いはテーブルを生産ライン上で作成し、制御部5に当該関係式或いはテーブルを格納してある。一般的に電力変換装置は、制御用マイクロコンピュータを備え、インバータ回路4のスイッチング周波数は制御用マイクロコンピュータが設定し、当該周波数でスイッチングを行う場合が多い。このような方式では、制御用マイクロコンピュータのプログラムでスイッチング周波数を変更することができる。本変形例でも、制御部5を実現するために、このような制御用マイクロコンピュータを備えており、スイッチング周波数をプログラムで変更することができる。そこで、生産ライン上でプログラムで変化させて、スイッチング周波数とオン抵抗Ronの関係式或いはテーブルを作成しておく。そして、運転中はこの関係式或いはテーブルと、そのときのスイッチング周波数例えば上記プログラムでの設定値や実測値などとを用いて、オン抵抗Ronの計測値を補正する。なお、スイッチング周波数とオン抵抗Ronの関係式或いはテーブルの作成は、生産ライン上で行う他に、空気調和機設置後の試運転の段階や、通常運転の開始前に行って、上記関係式或いはテーブルを作成するようにしてもよい。上記のオン抵抗Ronの補正により、オン抵抗Ronの値がスイッチング周波数の影響を受けるスイッチング素子SuSvSwSxSySzを採用する場合であっても、オン電圧補償を精度よく行える。このようにオン電圧補償の精度が向上すると、モータ7の磁極位置の推定の精度も向上する。《その他の実施形態》1なお、いくつかのスイッチング素子SuSvSwSxSySzを1グループ、例えば2個、或いは3個のスイッチング素子を1グループとして、グループ単位の偏差に基づいて、オン電圧補償を行うようにしてもよい。すなわち、同じグループ内のスイッチング素子SuSvSwSxSySzに対しては、オン抵抗Ronに関しては、同じ大きさのオン電圧補償を行うのである。具体的には、オン電圧降下演算部55におけるオン抵抗Ronの算出は、ひとつひとつのスイッチング素子SuSvSwSxSySzについて行っておき、オン電圧補償部53において、上記グループ単位で電圧指令Voを補正する。具体的なグループとしては、例えば、上アームのスイッチング素子SuSvSwの1グループと、下アームのスイッチング素子SxSySzの1グループとの計2グループとしたり、相単位例えばU相のスイッチング素子Suとスイッチング素子Sxを1グループでグループを構成したりすることが考えられる。また、オン抵抗Ronのグループ単位の偏差としては、例えば、そのグループを構成するスイッチング素子について計測したオン抵抗Ronの平均値を用いたり、3個分の値の中央値を用いたりすることができる。このようにグループ単位の偏差に基づいてオン電圧補償を行っても、全てのスイッチング素子SuSvSwSxSySzに対して同一値のオン抵抗Ronを用いてオン電圧補償を行う装置よりも、オン電圧補償の精度を向上できる。2また、電力変換装置1では、コンデンサ3aには、比較的小容量のコンデンサを用いることもできる。例えば、インバータ回路4のスイッチング素子後述がスイッチング動作する際にスイッチング周波数に対応して生じるリプル電圧電圧変動のみを平滑化可能な容量、すなわち、コンバータ回路2によって整流された電圧の変動電源電圧に起因する電圧変動を平滑化するような静電容量を有さない容量とすることができる。コンデンサ3aがこのように小容量の場合には、直流リンク部3が出力する直流リンク電圧Vdcは、その最大値がその最小値の2倍以上となるような大きな脈動を有する。小容量のコンデンサ3aには、例えばフィルムコンデンサを採用できる。3また、電力変換装置1へ入力する交流は、上記の例で説明した単相交流には限定されず、三相交流電源を用いてもよい。4また、いわゆるマトリクスコンバータの制御においても、本発明を適用することができる。5また、本発明は、交流を直流に変換する電力変換部例えば、いわゆるPWMコンバータなどにも適用できる。"