被処理体が収納される内部空間を有する反応室と、前記反応室内に配置され、前記内部空間を前記被処理体が配置される第1の空間と前記第1の空間以外の第2の空間とに仕切る仕切部と、前記仕切部に設けられ、前記第1の空間に向けてガスを放出するガス放出部と、前記ガス放出部に前記反応室外から第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記第1の空間又は前記第2の空間に前記反応室外から前記第1のガスと異なる第2のガスを導入する第2のガス導入部と、前記第2の空間内部又は前記第2の空間側外部に配置され、前記内部空間に高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生源と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記第1のガス導入部は、前記仕切部内部に設けられたガス流路を有しており、該ガス流路と前記ガス放出部とが連通していることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記ガス流路は、前記仕切部の仕切面方向に沿って該仕切部内部に形成されたガス室で構成されていることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。前記第2のガス導入部は、前記第2の空間に第2のガスを導入するように設けられており、前記仕切部に前記第1の空間と前記第2の空間とが連通する連通部を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記仕切部は、誘電体で構成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記ガス放出部は、前記仕切部の仕切面方向に亘って複数が分散配置されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。仕切部によって内部空間が第1の空間と第2の空間とに仕切られた反応室を用いて、前記第1の空間に被処理体を配置し、前記仕切部を通して前記第1の空間に第1のガスを導入するとともに、前記第1の空間又は前記第2の空間に、前記第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、前記第2の空間に高周波放電を生じさせて前記第1のガスと前記第2のガスとに異なる放電エネルギーを与えて前記第1のガスと前記第2のガスとをプラズマ化し、プラズマ化によって生成された前記第1のガスのラジカルと前記第2のガスのラジカルとによって前記被処理体の処理を行うことを特徴とする被処理体のプラズマ処理方法。前記第1のガスは、前記仕切部の仕切面方向に亘って前記第1の空間にシャワー状に放出されることを特徴とする請求項7記載の被処理体のプラズマ処理方法。ところで、欠陥密度の低い高品質な微結晶シリコン薄膜を成膜するためには、水素ラジカルとシリルSiH3ラジカルとが必要であるといわれている。しかしながら、一般的に、シランSiH4と水素H2とが同時に存在するような空間では、プラズマエネルギーを上げると、水素の解離が進行し、水素ラジカルの生成量が増加するが、同時にシランの解離も進行する。このため、成膜種であるSiH3ラジカルの生成量が相対的に減少する。逆に、シランの解離を抑制するためにプラズマエネルギーを下げると、水素の解離する割合も減少し、その結果として水素ラジカルの生成量が減少する。このように、水素ラジカルの生成量とSiH3ラジカルの生成量とを同時に増加することは、相反する両立困難なことであると知られている。また、上記のような従来のプラズマ処理装置では、処理対象物が大面積の基板であっても、シリコン薄膜等の薄膜を均一な膜厚で形成することが望まれている。その一方で、従来のICP-CVD装置では、該装置に特有のアンテナ近傍における高密度プラズマによってシランの解離が過度に進行する。シランの過度の解離により、従来のICP-CVD装置では、SiH3ラジカルの生成がうまくできず、SiH3ラジカルの生成量よりもSiラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルの生成量が増加する。これらSiH3ラジカル以外のラジカルはシランと2次反応又は3次反応をすることにより、ダイマー、トリマー等が生成され、結果として膜の欠陥密度が増加し、膜質が低下するという問題が生じる。上記のような理由により、従来のプラズマ処理装置では、膜質を向上するためにSiH3ラジカルの生成量と水素ラジカルの生成量の両方を増加させることは困難である。本発明は、上記のような従来の課題を解決するためになされたもので、互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供することを目的としている。すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理体が収納される内部空間を有する反応室と、前記反応室内に配置され、前記内部空間を前記被処理体が配置される第1の空間と前記第1の空間以外の第2の空間とに仕切る仕切部と、前記仕切部に設けられ、前記第1の空間に向けてガスを放出するガス放出部と、前記ガス放出部に前記反応室外から第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記第1の空間又は前記第2の空間に前記反応室外から前記第1のガスと異なる第2のガスを導入する第2のガス導入部と、前記第2の空間内部又は前記第2の空間側外部に配置され、前記内部空間に高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生源と、を備えることを特徴とする。また、本発明の被処理体のプラズマ処理方法は、仕切部によって内部空間が第1の空間と第2の空間とに仕切られた反応室を用いて、前記第1の空間に被処理体を配置し、前記仕切部を通して前記第1の空間に第1のガスを導入するとともに、前記第1の空間又は前記第2の空間に、前記第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、前記第2の空間に高周波放電を生じさせて前記第1のガスと前記第2のガスとに異なる放電エネルギーを与えて前記第1のガスと前記第2のガスとをプラズマ化し、プラズマ化によって生成された前記第1のガスのラジカルと前記第2のガスのラジカルとによって前記被処理体の処理を行うことを特徴とする。上記本発明によれば、第1のガスは、反応室の内部空間を第1の空間と第2の空間とに仕切る仕切部のガス放出部を通して第1の空間に導入される。一方、第2のガスは、第1の空間又は第2の空間に導入される。このようなガス導入において、プラズマ発生源は第2の空間内部又は第2の空間側外部に配置されているため、プラズマ発生源による高周波放電により、第1のガスと第2のガスとは、プラズマ発生源からの遠近に応じて互いに異なる放電エネルギーが与えられてプラズマ化される。このように第1のガスと第2のガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができるため、第1のガスと第2のガスとをガス種に応じて適切にプラズマ化することができる。したがって、上記本発明によれば、プラズマ化により第1のガスから生成されるラジカル等の反応種と、プラズマ化により第2のガスから生成されるラジカル等の反応種とをそれぞれ薄膜の成膜に好適な生成量で生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。まず、第2のガスを第1の空間に導入する構成の場合には、仕切部のガス放出部を通して第1の空間に導入される第1のガスと比較して、第1の空間における第2のガスがより低いエネルギーでプラズマ化される。こうして、比較的高いエネルギーでプラズマ化された第1のガスと、比較的低いエネルギーでプラズマ化された第2のガスとにより、第1の空間において被処理体上に薄膜が成膜される。他方、第2のガスを第2の空間に導入する構成の場合には、仕切部のガス放出部を通して第1の空間に導入される第1のガスと比較して、第2の空間における第2のガスがより高いエネルギーでプラズマ化される。なお、この場合、第2の空間における第2のガスが第1の空間に導入される必要がある。このためには、第1の空間と第2の空間とが連通する連通部を反応室内に設ければよい。例えば、連通部は、連通孔等として仕切部に設けることができる。第2の空間においてプラズマ化された第2のガスは、連通部を介して第1の空間に導入される。こうして、比較的高いエネルギーでプラズマ化された第2のガスと、比較的低いエネルギーでプラズマ化された第1のガスとにより、第1の空間において被処理体上に薄膜が成膜される。例えば、微結晶シリコン薄膜を成膜する際には、上記第1のガスと第2のガスとを導入する構成に応じて、第1のガスと第2のガスとを以下のように選択して成膜を行うことができる。まず、第2のガスを第1の空間に導入する構成の場合には、第1のガスとして水素含有ガスを選択し、第2のガスとしてシラン系ガスを選択することができる。水素含有ガスとしては、水素の単一ガス、又は、水素ガスと希ガス、ホスフィンガス及びジボランガスのうちの1種以上とを含む混合ガスが挙げられる。例えば、水素希ガス、水素ホスフィン、水素ホスフィン希ガス、水素ジボラン、水素ジボラン希ガス等が示される。シラン系ガスとしては、シランガス、ジシランガス等が挙げられる。他方、第2のガスを第2の空間に導入する構成の場合には、第1のガスとしてシラン系ガスを選択し、第2のガスとして水素含有ガスを選択することができる。水素含有ガス及びシラン系ガスとしては上記と同様のガスが挙げられる。上記いずれの場合においても、水素含有ガスは、シラン系ガスが導入される空間と比較してプラズマ発生源に近接する空間又はプラズマ発生源が配置される空間に導入される。このため、水素含有ガスは比較的高いエネルギーでプラズマ化されて、水素ラジカルが十分な生成量で生成される。他方、シラン系ガスは、水素含有ガスが導入される空間と比較してプラズマ発生源から離間した空間に導入される。このため、シラン系ガスは、比較的低いエネルギーでプラズマ化される。これにより、成膜種となるSiH3ラジカルへのシラン系ガスの分解が促進されるとともに、SiH3ラジカルの分解が抑制されてSiラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルの生成が抑制される。この結果、SiH3ラジカルが十分な生成量で生成される。なお、水素含有ガスを第2の空間に導入する構成の場合には、第2の空間において生成した水素ラジカルは第2の空間から第1の空間に連通部を介して導入される。以上のように、本発明によれば、微結晶シリコン薄膜を成膜する場合には、水素含有ガスとシラン系ガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができ、水素ラジカルとSiH3ラジカルとをそれぞれ十分な生成量で生成することができる。これにより、被処理体上に欠陥密度の低い高品質の微結晶シリコン薄膜を成膜することができる。但し、本発明としては、上記処理内容に限定されるものではない。なお、第1のガス導入部は、仕切部内部に設けられたガス流路を有するように構成してもよく、該ガス流路と前記ガス放出部とが連通しているようにすることができる。また、このガス流路は、仕切部の仕切面方向に沿って仕切部内部に形成されたガス室で構成されていてもよい。この場合、第1のガスは、ガス流路を経た後、ガス放出部から第1の空間に向けて放出される。このようなガス流路を仕切部に設けることにより、ガス流路内で第1のガスを第2のガスから隔離しつつプラズマ化することができる。また、ガス放出部は、前記仕切部の仕切面方向に亘って複数が分散配置されていてもよい。分散配置された複数のガス放出部は、仕切面の仕切方向に亘って第1のガスを第1の空間にシャワー状に放出することができる。このように第1のガスをシャワー状に放出することにより、被処理体の中心部から周縁部に亘って、より均一な膜厚及び膜質を有する薄膜を成膜することができる。また、仕切部は、誘電体で構成されていることが望ましい。仕切部は、誘電体で構成されていることにより、プラズマ発生源により発生した電磁波を透過することができる。これにより、第2の空間のみならず、第1の空間にまでも、プラズマ発生源により高周波放電を発生させてプラズマを発生させることができる。すなわち、本発明によれば、反応室の内部空間を第1の空間と第2の空間とに仕切る仕切部のガス放出部を通して第1の空間に第1のガスを導入するとともに、第1の空間又は第2の空間に、第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、第2の空間内部又は第2の空間側外部に配置されたプラズマ発生源による高周波放電により第1のガスと第2のガスとをプラズマ化するので、互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。実施形態1以下、本発明の一実施形態を図1及び図2に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施形態のプラズマ処理装置を示す概略図である。図2は、図1に示すプラズマ処理装置におけるガス放出板及び仕切板を示す部分拡大図である。本実施形態のプラズマ処理装置は、本発明の反応室に相当する真空槽1を有している。真空槽1は、周側壁1a1及び底板1a2により構成される真空槽下部本体1aと、周側壁1b1及び天板1b2により構成される真空槽上部本体1bとを有し、両者を上下に重ねて密閉している。周側壁1a1及び底板1a2は一体に構成され、周側壁1b1及び天板1b2とは別体で構成されている。周側壁1b1及び天板1b2とは、密着固定されているものの、互いに分離できるようにしても良い。例えば、周速壁1b1を高さの異なるものに変更することで、真空槽1の高さを容易に変更できる。また、周側壁1b1の内径は、周側壁1a1の内径よりも大きくなっており、両者を重ねた際には、周側壁1a1の上端部の一部が段部として真空槽1内に露出する。また、周側壁1b1の壁厚は周側壁1a1の壁厚よりも小さくなっており、周側壁1b1と周側壁1a1の外径は一致している。真空槽下部本体1aの内部中央には、ステージ3が設置されている。ステージ3上には、プラズマ処理を行うべき被処理体4が載置されて保持されるようになっている。被処理体4は、例えば、半導体基板、ガラス基板等の基板である。ステージ3には、図示しない加熱用ヒーターが埋設されている。真空槽上部本体1bの天板1b2中央には、高周波放電により真空槽1内にプラズマを発生させるプラズマ発生部5が下向きに設けられている。プラズマ発生部5は、マッチング回路等を備えたプラズマ発生部本体5aと、真空槽1内に高周波放電を発生させてプラズマを発生させるプラズマ発生アンテナ5bとを有している。プラズマ発生部本体5aは、真空槽上部本体1bの天板1b2中央に嵌装されている。プラズマ発生アンテナ5bは、プラズマ発生部本体5aの真空槽1内側に接続され、真空槽1内の上部に配置されている。プラズマ発生部5は、本発明のプラズマ発生源に相当する。また、プラズマ発生部本体5aの真空槽1外側には、高周波電源6が接続されている。高周波電源6の出力周波数は、例えば13.56MHzである。真空槽1内のステージ3とプラズマ発生アンテナ5bとの間には、ステージ3に載置された被処理体4に対向するように、偏平箱状の仕切部7が設けられている。仕切部7は、後述するようにガスをシャワー状に放出する機能を有している。仕切部7は、真空槽上部本体1bの周側壁1b1内側で、真空槽下部本体1aの周側壁1a1の上部段部に跨って真空槽下部本体1aの上部開口部を覆うように配置されている。真空槽1の内部空間8は、仕切部7により、被処理体4が配置されるステージ3側の第1の空間8aと、プラズマ発生アンテナ5b側の第2の空間8bとに仕切られている。仕切部7は、第1のガスが導入されるガス室7aと、ガス室7aの第1の空間8a側に間隔を置いて多段に設けられた複数の仕切板7cと、ステージ3に載置された被処理体4に対向するガス放出板7bとを有している。仕切部7の各部は、誘電体で構成されており、プラズマ発生アンテナ5bにより発生した電磁波を透過することができるようになっている。ガス室7aの側壁には、第1のガスが流れるガス流路9が設けられている。ガス流路9は、一端がガス室7aに開口し、他端が仕切部7の側壁下端面に開口している。真空槽下部本体1aの周側壁1a1には、第1のガスが流通するガス流路10が設けられている。ガス流路10は、前記ガス流路9と連通する位置で周側壁1a1上に一端が開口している。ガス流路10の他端は、周側壁1a1の外周面に開口している。ガス流路10の周側壁1a1の外周面に開口する開口部には、第1のガスが導入される第1のガス導入口11が設けられている。第1のガス導入口11に導入される第1のガスは、ガス流路10及びガス流路9を介して、ガス室7a内に導入される。ガス室7a下方に設けられた複数の仕切板7cは、上下に貫通する複数の通気孔7c1が形成されている。複数の通気孔7c1は、仕切板7cの板面方向に亘って分散配置されている。通気孔7c1は、仕切板7cの板面に沿った断面において、例えば好適には直径1mmの円形の断面形状を有している。なお、図1には、2枚の仕切板7cが設けられている場合を示しているが、3枚以上の仕切板7cが設けられていてもよい。また、仕切板7cは、1枚であってもよいし、設けられていなくてもよい。仕切板7cの下方側に距離を隔てて設けられたガス放出板7bは、上下に貫通する複数のガス放出孔7b1が形成されている。各ガス放出孔7b1は、放出板7bと仕切板7cとの間隙および仕切板7の通気孔7c1を通してガス室7a内に連通している。複数のガス放出孔7b1は、ガス放出板7bの板面方向に亘って分散配置されている。ガス放出孔7b1は、ガス放出板7bの板面に沿った断面において、例えば好適には直径1mmの円形の断面形状を有している。ガス放出孔7b1は、本発明のガス放出部に相当する。図2は、ガス放出板7b及び仕切板7cの板面に垂直な方向における断面を拡大して示している。図示するように、ガス放出板7bの複数のガス放出孔7b1及び各仕切板7cの複数の通気孔7c1は、板面に垂直な方向の断面において互い違いに配列されている。第1のガス導入口11、ガス流路10、ガス流路9、及びガス室7aは、本発明の第1のガス導入部を構成する。第1のガス導入口11には、第1のガス供給管12を介して、第1のガスを供給する第1のガス供給源13が接続されている。また、第1のガス導入口11に対向する側の真空槽下部本体1aの周側壁1a1には、第2のガスが流れるガス流路14が設けられている。ガス流路14は、周側壁1a1外周面上部及び周側壁1a1内周面上部に開口している。ガス流路14の周側壁1a1の外周面上部に開口した開口部には、第2のガスが導入される第2のガス導入口15が設けられている。第2のガス導入口15に導入される第2のガスは、ガス流路14を介して真空槽1内の第1の空間8aに導入される。第2のガス導入口15及びガス流路14は、本発明の第2のガス導入部に相当する。第2のガス導入口15には、第2のガス供給管16を介して、第2のガスを供給する第2のガス供給源17が接続されている。また、真空槽下部本体1aの周側壁1a1及びガス室7aの側壁には、真空槽1内の第1の空間8aと第2の空間8bとを連通するガス排気路18が設けられている。ガス排気路18により、真空排気系2により真空槽1内を真空排気した際に第1の空間8aと第2の空間8bとを互いに同じ真空度の真空状態とすることが可能になっている。次に、上記図1に示すプラズマ処理装置の動作について説明する。まず、ステージ3上に被処理体4を載置して保持する。次いで、真空排気系2により真空槽1内を真空排気し、真空槽1内を所定の真空度の真空状態とする。第1の空間8aと第2の空間8bとは、これらを連通するガス排気路18により、互いに同じ真空度の真空状態となる。真空槽1内が所定の真空度となった後、ステージ3に埋設された加熱用ヒーターにより、ステージ3上の被処理体4を所定の温度に加熱する。なお、真空排気系2では、以後、真空槽1内が所定の真空度に維持されるように真空排気を継続する。次いで、第1のガス供給源13から、第1のガス供給管12を通して第1のガスを第1のガス導入口11に導入する。第1のガス導入口11に導入された第1のガスは、ガス流路10及びガス流路9を通して、仕切部7のガス室7a内に導入される。ガス室7a内に導入された第1のガスは、仕切板7cの複数の通気孔7c1を通過した後、ガス放出板7bの複数のガス放出孔7b1から第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。なお、複数の通気孔7c1及び複数のガス放出孔7b1は前記のように互い違いに配列されているため、これらを通過する第1のガスが分散されて均一化される。また、上記第1のガスの導入と並行して、第2のガス供給源17から、第2のガス供給管16を通して第2のガスを第2のガス導入口15に導入する。第2のガス導入口15に導入された第2のガスは、ガス流路14を通して真空槽1内の第1の空間8aに導入される。上記のように第1のガスと第2のガスとを真空槽1内に導入しつつ、プラズマ発生アンテナ5bに、プラズマ発生部本体5aのマッチング回路等を介して、高周波電源6により高周波電圧を印加する。真空槽1内では、高周波電圧が印加されたプラズマ発生アンテナ5bにより、第2の空間8b側から第1の空間8a側に向けて高周波放電が発生する。第1の空間8aと第2の空間8bとを仕切る仕切部7が誘電体で構成されているため、第2の空間8bのみならず、第1の空間8aにまでも高周波放電が発生する。ガス室7a内では、上記プラズマ発生アンテナ5bにより発生した高周波放電により、放電エネルギーが与えられて第1のガスがプラズマ化される。ガス室7aは、第1の空間8aよりもプラズマ発生アンテナ5bに近接して設けられている。このため、ガス室7a内の第1のガスは、以下に述べる第1の空間8a内の第2のガスよりも高いエネルギーでプラズマ化される。特に第1のガスは、ガス室7a内で移動、滞留しつつ第1の空間8aに放出されるため、この際に効果的に放電エネルギーを受けて効果的にプラズマ化される。また、第1の空間8a内では、上記プラズマ発生アンテナ5bにより発生した高周波放電により、放電エネルギーが与えられて第2のガスがプラズマ化される。第1の空間8aは、ガス室7aよりもプラズマ発生アンテナ5bから離間して存在している。このため、第1の空間8a内の第2のガスは、ガス室7a内の第1のガスよりも低いエネルギーでプラズマ化される。ガス室7a内においてプラズマ化された第1のガスは、仕切板7cの複数の通気孔7c1、ガス放出板7bの複数のガス放出孔7b1を通して第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。これにより、プラズマ化された第1のガスとプラズマ化された第2のガスとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に薄膜が成膜される。上述のように、本実施形態においては、第1のガスと第2のガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができるため、第1のガスと第2のガスとをガス種に応じて適切にプラズマ化することができる。したがって、プラズマ化により第1のガスから生成されるラジカル等の反応種と、プラズマ化により第2のガスから生成されるラジカル等の反応種とをそれぞれ薄膜の成膜に好適な生成量で生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。具体的には、上記図1に示すプラズマ処理装置を用いて被処理体4上に微結晶シリコン薄膜を成膜する場合、例えば、第1のガスとして水素ガスを用い、第2のガスとしてSiH4ガスを用いる。ガス室7aは、第1の空間8aよりもプラズマ発生アンテナ5bに近接して設けられている。このため、ガス室7a内の水素ガスは、第1の空間8a内のSiH4ガスよりも高いエネルギーでプラズマ化される。これにより、ガス室7a内において、水素ラジカルが十分な生成量で生成される。他方、第1の空間8aは、ガス室7aよりもプラズマ発生アンテナ5bから離間して存在している。このため、第1の空間8a内のSiH4ガスは、ガス室7a内の水素ガスよりも低いエネルギーでプラズマ化される。これにより、成膜種となるSiH3ラジカルへのSiH4ガスの分解が促進されるとともに、SiH3ラジカルの分解が抑制されてSiラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルの生成が抑制される。この結果、SiH3ラジカルが十分な生成量で生成される。ガス室7a内において生成された水素ラジカルは、ガス放出板7bの複数のガス放出孔7b1から第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。これにより、水素ラジカルとSiH3ラジカルとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に微結晶シリコン薄膜が成膜される。上述のように水素ラジカルとSiH3ラジカルとをいずれも十分な生成量で生成することができるため、欠陥密度の低い高品質の微結晶シリコン薄膜を成膜することができる。本発明のプラズマ処理装置により成膜された薄膜は高品質であり、これを用いて太陽電池、薄膜トランジスタ等のデバイスを形成した場合、良好な電気的特性を得ることができる。実施形態2次に、本発明の他の実施形態を図3に基づいて説明する。図3は、本発明の他の実施形態のプラズマ処理装置を示す概略図である。なお、前記実施形態1と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略又は簡略化する。本実施形態のプラズマ処理装置は、上記図1に示すプラズマ処理装置とは構成の異なる仕切部27を有し、また、第2のガス導入口35から第2の空間8bに第2のガスを導入するものである。本実施形態のプラズマ処理装置は、上記図1に示すプラズマ処理装置と同様に、真空槽1と、真空排気系2と、ステージ3と、プラズマ発生部5と、高周波電源6とを有している。真空槽1内のステージ3とプラズマ発生アンテナ5bとの間には、ステージ3に載置された被処理体4に対向するように、板状の仕切部27が設けられている。仕切部27は、周側壁1a1の上部段部に跨り、周側壁1a1の上部開口を覆っている。真空槽1の内部空間8は、仕切部27により、被処理体4が配置されるステージ3側の第1の空間8aと、プラズマ発生アンテナ5b側の第2の空間8bとに仕切られている。仕切部27は、誘電体で構成されており、プラズマ発生アンテナ5bにより発生した電磁波を透過することができるようになっている。仕切部27の内部には、第1のガスが流通するガス流路27bが形成されている。ガス流路27bは、仕切部27の板面に沿って均等に複数本に分岐している。ガス流路27bの下面には、ガス流路27bに連通する複数のガス放出孔27cが仕切部27の板面方向に亘って分散配置されている。ガス放出孔27cは、仕切部27の板面に沿った断面において、好適には直径1mmの円形の断面形状を有している。ガス放出孔27cは、本発明のガス放出部に相当する。さらに、仕切部27には、前記ガス放出孔27cと区別されて上下面に貫通する複数の連通孔27dが仕切部27の板面方向に亘って分散配置されている。第1の空間8aと第2の空間8bとは、連通孔27dを介して連通している。連通孔27dは、本発明の連通部に相当する。真空槽下部本体1aの周側壁1a1には、第1のガスが流通するガス流路10が設けられている。ガス流路10は、真空槽下部本体1aの周側壁1a1外周面上部及び周側壁1a1上端面に開口している。真空槽下部本体1aの周側壁1a1上端面に開口するガス流路10の開口部は、仕切部27の端部下面に開口するガス流路27bの開口部に連通している。真空槽下部本体1aの周側壁1a1外周面上部に開口するガス流路10の開口部には、第1のガスが導入される第1のガス導入口11が設けられている。第1のガス導入口11に導入される第1のガスは、ガス流路10及びガス流路27bを通して、ガス流路27bに導入され、複数のガス放出孔27cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。第1のガス導入口11、ガス流路10、及びガス流路27bは、本発明の第1のガス導入部を構成する。第1のガス導入口11には、第1のガス供給管12を介して、第1のガスを供給する第1のガス供給源13が接続されている。また、第1のガス導入口11に対向する側の真空槽上部本体1bの周側壁1b1には、第2のガスが流通するガス流路34が設けられている。ガス流路34は、真空槽上部本体1bの周側壁1b1の外周面中央部及び周側壁1b1の内周面中央部に開口している。真空槽上部本体1bの周側壁1b1の外周面中央部に開口するガス流路34の開口部には、第2のガスが導入される第2のガス導入口35が設けられている。第2のガス導入口35に導入される第2のガスは、ガス流路34を通して真空槽1内の第2の空間8bに導入される。第2のガス導入口35及びガス流路34は、本発明の第2のガス導入部を構成する。第2のガス導入口35には、第2のガス供給管16を介して、第2のガスを供給する第2のガス供給源17が接続されている。次に、上記図3に示すプラズマ処理装置の動作について説明する。まず、ステージ3上に被処理体4を載置して保持する。次いで、真空排気系2により真空槽1内を真空排気し、真空槽1内を所定の真空度の真空状態とする。第1の空間8aと第2の空間8bとは、これらを連通する複数の連通孔27dにより、互いに同じ真空度の真空状態となる。真空槽1内が所定の真空度となった後、ステージ3に埋設された加熱用ヒーターにより、ステージ3上の被処理体4を所定の温度に加熱する。なお、真空排気系2では、以後、真空槽1内が所定の真空度に維持されるように真空排気を継続する。次いで、第1のガス供給源13から、第1のガス供給管12を通して第1のガスを第1のガス導入口11に導入する。第1のガス導入口11に導入された第1のガスは、ガス流路10を通して、仕切部27に形成されたガス流路27bに導入される。ガス流路27bに導入された第1のガスは、複数のガス放出孔27cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、上記第1のガスの導入と並行して、第2のガス供給源17から、第2のガス供給管16を通して第2のガスを第2のガス導入口35に導入する。第2のガス導入口35に導入された第2のガスは、ガス流路34を通して真空槽1内の第2の空間8bに導入される。第2の空間8bに導入された第2のガスは、仕切部27の複数の連通孔27dを通して第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。上記のように第1のガスと第2のガスとを真空槽1内に導入しつつ、プラズマ発生アンテナ5bに、プラズマ発生部本体5aのマッチング回路等を介して、高周波電源6により高周波電圧を印加する。真空槽1内では、高周波電圧が印加されたプラズマ発生アンテナ5bにより、第2の空間8b側から第1の空間8a側に向かって高周波放電が発生する。第1の空間8aと第2の空間8bとを仕切る仕切部27が誘電体で形成されているため、第2の空間8bのみならず、第1の空間8aにまでも高周波放電が発生する。第2の空間8b内では、上記プラズマ発生アンテナ5bにより発生した高周波放電により、放電エネルギーが与えられて第2のガスがプラズマ化される。第2の空間8b内には、プラズマ発生アンテナ5bが設置されている。このため、第2の空間8b内の第2のガスは、以下に述べる仕切部27内及び第1の空間8a内の第1のガスよりも高いエネルギーでプラズマ化される。また、仕切部27内、すなわちガス流路27b内及び複数の放出孔27c内では、上記プラズマ発生アンテナ5bにより発生した高周波放電により、放電エネルギーが与えられて第1のガスがプラズマ化される。特に第1のガスは、仕切部27内でガス流路27bを移動するため、この際に効果的に放電エネルギーを受けて効果的にプラズマ化される。また、第1の空間8a内でも、上記プラズマ発生アンテナ5bにより発生した高周波放電により、放電エネルギーが与えられて第1のガスがプラズマ化される。仕切部27及び第1の空間8aは、第2の空間8bよりもプラズマ発生アンテナ5bから離間して存在している。このため、仕切部27内及び第1の空間8a内の第1のガスは、第2の空間8b内の第2のガスよりも低いエネルギーでプラズマ化される。第2の空間8b内においてプラズマ化された第2のガスは、仕切部27の複数の連通孔27dから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、仕切部27のガス流路27b内でプラズマ化された第1のガスは、複数のガス放出孔27cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、第1の空間8a内においても第1のガスがプラズマ化されている。これにより、プラズマ化された第1のガスとプラズマ化された第2のガスとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に薄膜が成膜される。上述のように、本実施形態においても、第1のガスと第2のガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができるため、第1のガスと第2のガスとをガス種に応じて適切にプラズマ化することができる。したがって、プラズマ化により第1のガスから生成されるラジカル等の反応種と、プラズマ化により第2のガスから生成されるラジカル等の反応種とをそれぞれ薄膜の成膜に好適な生成量で生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。具体的には、上記図3に示すプラズマ処理装置を用いて被処理体4上に微結晶シリコン薄膜を成膜する場合、例えば、第1のガスとしてSiH4ガスを用い、第2のガスとして水素ガスを用いる。第2の空間8b内には、プラズマ発生アンテナ5bが設置されている。このため、第2の空間8b内の水素ガスは、仕切部27内及び第1の空間8a内のSiH4ガスよりも高いエネルギーでプラズマ化される。これにより、第2の空間8b内において、水素ラジカルが十分な生成量で生成される。他方、仕切部27及び第1の空間8aは、第2の空間8bよりもプラズマ発生アンテナ5bから離間して存在している。このため、仕切部27内及び第1の空間8a内のSiH4ガスは、第2の空間8b内の水素ガスよりも低いエネルギーでプラズマ化される。これにより、成膜種となるSiH3ラジカルへのSiH4ガスの分解が促進されるとともに、SiH3ラジカルの分解が抑制されてSiラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルの生成が抑制される。この結果、SiH3ラジカルが十分な生成量で生成される。第2の空間8b内において生成された水素ラジカルは、仕切部27の複数の連通孔27dから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、仕切部27のガス流路27b内で生成されたSiH3ラジカルは、複数のガス放出孔27cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、第1の空間8a内においてもSiH3ラジカルが生成されている。これにより、水素ラジカルとSiH3ラジカルとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に薄膜が成膜される。上述のように水素ラジカルとSiH3ラジカルとをいずれも十分な生成量で生成することができるため、欠陥密度の低い高品質の微結晶シリコン薄膜を成膜することができる。なお、上記実施形態1及び2では、プラズマ発生アンテナ5bが真空槽1内に配置されている場合について説明したが、第2の空間8b側の真空槽1外にプラズマ発生アンテナ5bを配置し、真空槽1内に第2の空間8b側から第1の空間8a側に向かって高周波放電が発生するようにしてもよい。この場合には、プラズマ発生アンテナ5bにより真空槽1内に高周波放電が発生することができるように、真空槽1のプラズマ発生アンテナ5bが配置された側の部分に、誘電体よりなる窓部等を設ければよい。また、上記実施形態1及び2では、単一のプラズマ発生部5を設けた場合について説明したが、複数のプラズマ発生部5を設けてもよい。この場合、例えば、真空槽上部本体1bの天板1b2に、複数のプラズマ発生部5を並列して設ければよい。