基板上に配線膜または反射膜に用いられるAl合金膜を有し、前記Al合金膜は、Taおよび/またはTi:0.01~0.5原子と、希土類元素:0.05~2.0原子と、を含有することを特徴とするAl合金膜。前記希土類元素が、Nd、La、およびGdよりなる群から選択される少なくとも1種の元素である請求項1に記載のAl合金膜。前記Al合金膜を1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後、前記Al合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、Al合金膜表面全面積に対するAl合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである請求項1または2に記載のAl合金膜。基板上に、請求項1または2に記載のAl合金膜と、透明導電膜と、を有する配線構造において、基板側から、前記Al合金膜および前記透明導電膜がこの順序で形成されているか、または前記透明導電膜および前記Al合金膜がこの順序で形成されているものである配線構造。前記Al合金膜と前記透明導電膜とは、直接接続されているものである請求項4に記載の配線構造。基板側から順に、前記Al合金膜上の一部に、直接または高融点金属膜を介して、前記透明導電膜が形成されたAl-透明導電膜の積層試料について、1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後における、透明導電膜が形成されていないAl合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、前記透明導電膜が形成されていないAl合金膜表面全面積に対する、前記Al合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである請求項5に記載の配線構造。基板側から順に、前記透明導電膜上に、直接若しくは高融点金属膜を介して、前記Al合金膜が形成されているか;または、前記透明導電膜上に、前記Al合金膜、および前記Al合金膜上の一部に高融点金属膜が順次形成された透明導電膜-Alの積層試料について、1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後における前記Al合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、前記Al合金膜表面全面積に対する、前記Al合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである請求項5に記載の配線構造。基板側から順に、前記Al合金膜上に直接、透明導電膜が形成されたAl-透明導電膜の積層試料について、60°Cで、相対湿度が90の湿潤環境に500時間暴露した後に透明導電膜中のピンホールを介して形成されるピンホール腐食密度が、1000倍光学顕微鏡観察視野内に、40個/mm2以下である請求項5に記載の配線構造。前記透明導電膜が、ITOまたはIZOである請求項4~8のいずれかに記載の配線構造。前記透明導電膜の膜厚は20~120nmである請求項4~9のいずれかに記載の配線構造。請求項4~10のいずれかに記載の配線構造を備えた薄膜トランジスタ。請求項4~10のいずれかに記載の配線構造を備えた反射膜。請求項4~10のいずれかに記載の配線構造を備えた有機EL用反射アノード電極。請求項1~3のいずれかに記載のAl合金膜を備えたタッチパネルセンサー。請求項11に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。請求項12に記載の反射膜を備えた表示装置。請求項13に記載の有機EL用反射アノード電極を備えた表示装置。請求項14に記載のタッチパネルセンサーを備えた表示装置。表示装置用の配線膜若しくは反射膜、またはタッチパネルセンサー用の配線膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットであって、Taおよび/またはTi:0.01~0.5原子と、希土類元素:0.05~2.0原子含と、を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。前記希土類元素が、Nd、La、およびGdよりなる群から選択される少なくとも1種の元素である請求項19に記載のスパッタリングターゲット。上述したように、表示装置では種々の腐食現象が生じるが、これらの腐食現象は、表示装置の種類などにかかわらず発生する。具体的には、例えば、液晶表示装置、有機EL装置、タッチパネルセンサーなどの表示装置に用いられる配線膜電極を含む、反射膜、反射アノード電極などにおいても同様に見られる。そこで、これらの腐食を有効に防止できる技術、特に、薄膜トランジスタ用配線膜などに用いられるAl合金膜の腐食例えば、塩化ナトリウム溶液の浸漬下にて露出したAl合金表面の腐食や、TFTにおけるITO膜の被覆に起因したピンホール腐食を有効に防止できる技術の提供が切望されている。本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けなくても、例えば塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるAl合金表面の腐食やピンホール腐食黒点などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れた技術を提供することにある。上記課題を達成した本発明のAl合金膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるAl合金膜であって、Taおよび/またはTi:0.01~0.5原子と、希土類元素:0.05~2.0原子と、を含有するところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記希土類元素は、Nd、La、およびGdよりなる群から選択される少なくとも一種である。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜を1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後、前記Al合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、Al合金膜表面全面積に対するAl合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである。また、上記課題を達成した本発明の配線構造は、基板上に、上記Al合金膜と、透明導電膜と、を有する配線構造において、基板側から、前記Al合金膜および前記透明導電膜がこの順序で形成されているか、または前記透明導電膜および前記Al合金膜がこの順序で形成されているものである。本発明の好ましい実施形態において、前記Al合金膜と前記透明導電膜とは、直接接続されているものである。本発明の好ましい実施形態において、基板側から順に、前記Al合金膜上の一部に、直接または高融点金属膜を介して、前記透明導電膜が形成されたAl-透明導電膜の積層試料について、1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後における、透明導電膜が形成されていないAl合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、前記透明導電膜が形成されていないAl合金膜表面全面積に対する、前記Al合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである。本発明の好ましい実施形態において、基板側から順に、前記透明導電膜上に、直接若しくは高融点金属膜を介して、前記Al合金膜が形成されているか;または、前記透明導電膜上に、前記Al合金膜、および前記Al合金膜上の一部に高融点金属膜が順次形成された透明導電膜-Alの積層試料について、1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬した後における前記Al合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、前記Al合金膜表面全面積に対する、前記Al合金膜表面の腐食面積は10以下に抑制されたものである。本発明の好ましい実施形態において、基板側から順に、前記Al合金膜上に直接、透明導電膜が形成されたAl-透明導電膜の積層試料について、60°Cで、相対湿度が90の湿潤環境に500時間暴露した後に透明導電膜中のピンホールを介して形成されるピンホール腐食密度が、1000倍光学顕微鏡観察視野内に、40個/mm2以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記透明導電膜はITOまたはIZOである。本発明の好ましい実施形態において、前記透明導電膜の膜厚は20~120nmである。本発明には、上記配線構造を備えた薄膜トランジスタ、反射膜、有機EL用反射アノード電極も包含される。本発明には、上記のAl合金膜を備えたタッチパネルセンサーも包含される。本発明には、上記薄膜トランジスタ、上記反射膜、上記有機EL用反射アノード電極、または上記タッチパネルセンサーを備えた表示装置も包含される。また、上記課題を達成した本発明のスパッタリングターゲットは、表示装置用の配線膜若しくは反射膜、またはタッチパネルセンサー用の配線膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットであって、Taおよび/またはTi:0.01~0.5原子と、希土類元素:0.05~2.0原子と、を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であるところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、上記希土類元素は、Nd、La、およびGdよりなる群から選択される少なくとも一種である。本発明によれば、従来の様に腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けなくても腐食の発生がなく耐食性に優れており、しかも耐熱性にも優れた高性能のAl合金膜、および当該Al合金膜を備えた配線構造、薄膜トランジスタ、反射膜、有機EL用反射アノード電極、タッチパネルセンサー、表示装置を、低コストで製造することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、上記Al合金膜の製造に好ましく用いられる。本発明者らは、耐食性に優れたAl合金膜、具体的には、例えば塩化ナトリウム溶液浸漬下でのAl合金膜表面の腐食が抑制され、また湿潤環境下でも透明導電膜でのピンホールを介した腐食黒点が抑制され、しかも耐熱性にも優れたAl合金膜を実現すべく鋭意研究を行った。その結果、Taおよび/またはTiと、希土類元素とを所定量含むAl合金膜を用いれば、塩化ナトリウム溶液浸漬下でのAl合金表面の腐食を抑制でき、且つ、ピンホールの形成も効果的に防止できてピンホール腐食密度の低減が図れると同時に、ヒロック発生も抑制できることを見出し、本発明を完成した。このように本発明は、耐食性[詳細には、耐塩化ナトリウム溶液腐食性および耐ITOピンホール腐食性ITOピンホール腐食密度低減効果]に優れると共に、ヒロック防止耐熱性に優れたAl合金膜として、Taおよび/またはTiと、希土類元素とを、それぞれ所定量含むAl合金膜を用いたところに特徴がある。このうちTaおよび/またはTiは、特に耐食性向上に寄与する元素であり、後記する実施例に示すように、耐塩化ナトリウム溶液腐食性向上作用、およびITOピンホール腐食密度低減作用に優れている。本発明では、TaおよびTiを、単独で、または併用して用いることができる。上記作用を有効に発揮させるためには、その含有量単独で含むときは単独の量であり、両方を含むときは両方の合計量であるを0.01原子以上とする。上記含有量は、多ければ多いほどより優れた効果を発揮するため、好ましくは0.1原子以上であり、より好ましくは0.15原子以上である。ただし、上記含有量が過剰になると、耐食性向上作用が飽和する一方で、配線の電気抵抗が上昇することから、その上限を0.5原子とする。より好ましい上限は0.3原子である。また希土類元素は、特にヒロック生成防止に有効な元素である。本発明に用いられる希土類元素は、ランタノイド元素周期表において、原子番号57のLaから原子番号71のLuまでの15元素に、ScスカンジウムとYイットリウムとを加えた元素群であり、これらを単独で、または2種以上を併用することができる。好ましい希土類元素はNd、La、Gdであり、これらは単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。上記作用を有効に発揮させるためには、希土類元素の含有量希土類元素を単独で含むときは単独の量であり、2種以上を含むときはそれらの合計量であるを0.05原子以上とする。希土類元素の含有量が多い程、より優れた効果を発揮するため、希土類元素の好ましい含有量は0.1原子以上であり、より好ましくは0.15原子以上であり、更に好ましくは0.25原子以上であり、更により好ましくは0.28原子以上である。但し、希土類元素の含有量が多すぎても上記作用が飽和する一方で、配線の電気抵抗が上昇することから、上記含有量の上限を2.0原子とする。より好ましい上限は1.0原子であり、更に好ましい上限は0.6原子である。本発明に用いられるAl合金膜は、上記成分を含有し、残部はAlおよび不可避不純物である。ここで上記不可避不純物としては、例えばFe、Si、Bなどが例示される。不可避不純物の合計量は特に限定されないが、おおむね0.5原子以下、含有してもよく、各不可避不純物元素は、Bは0.012原子以下;Fe、Siはそれぞれ0.12原子以下含有していてもよい。また、上記Al合金膜は、上述した本発明の作用を有効に発揮させることを前提にして、他の特性を付与する目的で上記以外の他の元素を含有してもよい。本発明には、上記Al合金膜と、透明導電膜とを有する配線構造も含まれる。詳細には本発明の配線構造には、基板側から、上記Al合金膜および上記透明導電膜がこの順序で形成されているもの、上記透明導電膜および上記Al合金膜がこの順序で形成されているものの両方が含まれる。なお、本発明は、Al合金膜の組成を特定したところに最大の特徴があり、Al合金膜以外の要件透明導電膜、後記するバリアメタル膜、これら以外のTFT基板や表示装置を構成する他の要件は特に限定されず、これらの分野で通常用いられるものを本発明でも採用することができる。例えば上記透明導電膜としては、代表的にITO膜またはIZO膜が挙げられる。上記透明導電膜の膜厚は20~120nmであることが好ましい。上記膜厚が20nm未満の場合、断線や電気抵抗上昇などの問題があり、一方、上記膜厚が120nmを超えると、透過率の低下などの問題がある。上記透明導電膜のより好ましい膜厚は40~100nmである。なお、上記Al合金膜の膜厚は、おおむね100~800nmであることが好ましい。本発明の配線構造において、上記Al合金膜と透明導電膜とは、直接接続されていても良いし、公知のバリアメタル膜を含んでいてもよい。上記バリアメタル膜の種類組成は、表示装置において通常採用されるものであれば特に限定されず、本発明の作用を損なわない範囲で、適宜適切なものを選択して用いることができる。例えばバリアメタル膜としては、TiやMoなどの高融点金属や、当該高融点金属を含む合金からなる金属配線膜を用いることができる。また、上記バリアメタル膜の配置も特に限定されず、例えばAl合金膜と透明導電膜の間に介在させても良いし、Al合金膜の上に設置しても良い。本発明のAl合金膜、および当該Al合金膜を備えた配線構造は、耐腐食性に非常に優れたものである。上述したように本発明のAl合金膜は、表示装置など種々の装置に用いられ得るが、当該装置においてAl合金膜がどのような状態で配置されていようとすなわち、例えばAl合金膜が単層で存在しているか;Al合金膜上の一部に直接、透明導電膜が接続されているか;Al合金膜上の一部に、高融点金属膜を介して透明導電膜が接続されているか;透明導電膜上に直接、Al合金膜のみが形成されているか;透明導電膜上に、高融点金属を介してAl合金膜が形成されているか;透明導電膜上に、Al合金膜、およびAl合金膜上の一部に高融点金属膜が順次形成されているか、などといったAl合金膜の存在形態にかかわらず、良好な耐食性が発揮されるものである。具体的には、耐塩化ナトリウム溶液腐食性を評価する腐食試験として、1の塩化ナトリウム水溶液に25°Cで2時間浸漬する腐食試験を行って腐食試験後のAl合金膜の表面を1000倍の光学顕微鏡で観察したとき、Al合金膜全面積に対するAl合金膜の腐食面積は10以下に抑制される。これは、Al合金膜単層の試料を用いたときの指標であるが、Al合金膜上の一部に直接、透明導電膜が形成されたAl下-透明導電膜上の積層試料を用いたときの指標ともなり得るし、また、Al合金膜上の一部に、高融点金属膜を介して透明導電膜が形成されたAl下-高融点金属膜膜中間-透明導電膜上の積層試料を用いたときの指標ともなり得るものである積層試料の作製方法の詳細は、後述する実施例を参照。このような積層試料では、透明導電膜が形成されていないAl合金膜表面に腐食現象が生じるが、本発明によれば、透明導電膜が形成されていないAl合金膜の腐食面積は、Al合金膜全面積に対して10以下に抑制される。あるいは、上記積層試料において、Al合金膜と透明導電膜の積層順序が逆転した積層試料として、透明導電膜上に直接、Al合金膜のみが形成された透明導電膜下-Al上の積層試料を用いたときの指標ともなり得るし、また、透明導電膜上に高融点金属膜およびAl合金膜が順次形成された透明導電膜下-高融点金属膜膜中間-Al上の積層試料を用いたときの指標ともなり得るし、また、透明導電膜上にAl合金膜、Al合金膜の一部に高融点金属膜が順次形成された透明導電膜下-Al中間-高融点金属膜膜上の積層試料を用いたときの指標ともなり得るものであり積層試料の作製方法の詳細は、後述する実施例を参照、最表面または高融点金属下に存在するAl合金膜の腐食面積は、Al合金膜全面積に対して10以下に抑制される。いずれの態様であっても、上記Al合金膜の腐食面積は、出来るだけ少ない方が良く、より好ましくは8以下であり、更に好ましくは5以下である。また、耐ITOピンホール腐食性ITOピンホール腐食密度低減効果を評価する腐食試験として、Al合金膜上に直接、透明導電膜が積層されたAl下-透明導電膜上の積層試料を用い、60°Cで相対湿度RHが90の湿潤環境に500時間曝露する腐食試験を行ったとき、腐食試験後のピンホール腐食密度は、1000倍光学顕微鏡観察視野内任意10視野に40個/mm2以下に抑制される任意の10視野の平均値。なお、上記腐食試験を選択した理由は、透明導電膜に形成されているピンホールの密度、及びピンホールサイズ直径をそのまま観察することは困難であることを考慮したものであり、透明導電膜に形成されたピンホールを介して電極配線膜下地Al膜をピンホール腐食させて可視化することによって、その密度、及びサイズをTEM観察することとした。ピンホール腐食密度は、より好ましくは20個/mm2以下、更に好ましくは10個/mm2以下である。なお、ピンホール腐食はタブ部TAB部に適用される基板においても生じるものであることから、本発明のTFT基板は、表示装置のタブ部に適用される場合にも、同様の効果を発揮するものである。本発明では、基本的に下記a~dの工程を順次行なうことによって、透明導電膜代表例としてITO膜とAl合金膜の電極配線膜を直接接触させた配線構造とすることができる。各工程における条件は、特に言及がない限り、通常行なわれる条件に従えばよい。また、これらの工程に付随して行なわれる処理についても通常の条件に従えばよい。a上記組成のAl合金膜を基材表面にスパッタリング法等で形成する工程、bAl合金膜上に、窒化シリコンSiN膜等の絶縁層を模擬した熱処理を行なう工程、c透明導電膜例えばITO膜を形成する工程、d透明導電膜例えばITO膜を結晶化するための熱処理を行なう工程。このうち上記cについて、一層優れた耐透明導電膜ピンホール腐食性を確保するためには、ITO膜の膜厚を厚くすることが好ましく、そのためには、上記のとおりITO膜をスパッタリング法によって形成すると共に、ITO膜形成時の成膜パワー、基板温度などを高めて行なうことが好ましい。スパッタリングターゲットを用いてITO膜を成膜すると、ITO膜は断面から見ると縞状に成長するが、成膜時のスパッタリング条件を適切に制御することによってITO膜の膜厚が増加するようになるからである。具体的には、好ましい成膜パワーは、約200W/4インチ以上より好ましくは300W/4インチ以上であり、好ましい成膜時の基板温度は50°C以上、より好ましくは100°C以上、更に好ましくは150°C以上である。これらの上限は特に限定されないが、ITO膜の結晶化を考慮すると、好ましい成膜時の基板温度の上限は200°Cである。上記dについて、ITO膜結晶化のための好ましい熱処理条件は、例えば窒素雰囲気下にて200~250°C、10分以上である。上記a~dの後、表示装置の一般的な工程を経てTFT基板を製造することができる。採用すればよい。具体的には例えば、前述した特許文献1に記載の製造工程を参照することができる。本発明のAl合金膜は、スパッタリング法にてスパッタリングターゲット以下ターゲットということがあるを用いて形成することが好ましい。イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法、真空蒸着法で形成された薄膜よりも、成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成できるからである。上記スパッタリング法を用いて本発明のAl合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、本発明のAl合金膜と同じ組成、すなわち、Taおよび/またはTi:0.01~0.5原子と、希土類元素好ましくはNd、La、およびGdよりなる群から選択される少なくとも一種:0.05~2.0原子と、を含み、残部:Alおよび不可避的不純物であるAl合金スパッタリングターゲットを用いることが好ましく、これにより、所望とする組成を実質的に満足するAl合金膜が得られる。上記組成のターゲットも本発明の技術的範囲に包含される。上記ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状、円筒形などに加工したものが含まれる。上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Al合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Al合金からなるプリフォーム最終的な緻密体を得る前の中間体を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法などが挙げられる。本発明には、上記Al合金膜を備えた薄膜トランジスタTFT、反射膜、有機EL用反射アノード電極、タッチパネルセンサーも含まれる。また、本発明には、上記TFT、反射膜、有機EL用反射アノード電極、タッチパネルセンサーを備えた表示装置も含まれる。これらにおいて、本発明の特徴部分であるAl合金膜を除く他の構成要件は、本発明の作用を損なわない範囲で、当該技術分野で通常用いられるものを適宜選択して用いることができる。例えばTFT基板に用いられる半導体層としては、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンが挙げられる。TFT基板に用いられる基板も特に限定されず、ガラス基板またはシリコン基板などが挙げられる。参考のため、図1~図5に、Al合金膜を備えた表示装置などの構成を示す。このうち図1には、反射アノード電極を備えた有機EL表示装置の構成を示している。詳細には、基板1上にTFT2およびパシベーション膜3が形成され、さらにその上に平坦化層4が形成される。TFT2上にはコンタクトホール5が形成され、コンタクトホール5を介してTFT2のソースドレイン電極図示せずとAl合金膜6とが電気的に接続されている。図1中、7は酸化物導電膜、8は有機発光層、9はカソード電極である。図2は、薄膜トランジスタを備えた表示装置の構成を示しており、ソース-ドレイン電極を構成するAl合金膜の上にITO膜が形成されている。図3は、反射膜を備えた表示装置の構成を示しており、ITO膜の上にAl合金反射膜が形成されている。図4も、図3と同様、反射膜を備えた表示装置の構成を示しているが、図3とは逆に、Al合金反射膜の上にITO膜が形成されている。図5は、ITO膜の上にAl合金配線膜を備えたタッチパネルの構成を示しており、上図は、Al合金配線膜の上下にバリアメタル膜を有しており、下図は、Al合金配線膜の下にバリアメタル膜を有している。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。[実施例1]本実施例では、腐食評価用試料として、基板上にAl膜を成膜した試料単層試料と、基板上に、基板側から順にAl膜およびITO膜が順次成膜された試料Al-ITO積層試料と、基板上に、基板側から順にAl膜、高融点金属膜Mo膜またはTi膜、およびITO膜が順次成膜された試料Al-高融点金属-ITO積層試料の合計4種類の試料を用い、耐塩化ナトリウム溶液腐食性を評価した。また、Al-ITO積層試料について、耐熱性を評価した。Al膜単層試料の作製下記表1のNo.1~33に示す組成のAl膜膜厚=300nm、残部:Alおよび不可避的不純物を、DCマグネトロンスパッタ法条件は、基板=ガラスコーニング社製EagleXG、雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチ、成膜時間=100秒で成膜した。なお、上記のAl膜における各元素の含有量は、ICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法によって求めた。そして、Al膜上の絶縁膜SiN膜の成膜で受ける熱履歴を模擬して、270°Cで30分保持する熱処理を施すことによって基板上にAl膜が成膜された単層試料を得た。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また270°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。参考のため、Al膜の代わりにMo表1のNo.34およびMo-10.0原子Nb合金膜表1のNo.35、残部:不可避的不純物を用い、上記と同様にして試料を作製した。基板側から順に、Al-ITO積層試料、またはAl-高融点金属-ITO積層試料の作製ここでは、アの積層試料:Al膜上の一部にITO膜が直接形成されたAl下-ITO上の積層試料、またはイの積層試料:Al膜上の一部に高融点金属を介してITO膜が形成されたAl下-高融点金属中間-ITO上の積層試料を作製した。本実施例では、高融点金属としてMoまたはTiを用いた。まず、アのAl下-ITO上の積層試料の作製方法について説明する。上記のようにして作製された単層試料を用い、当該Al膜の表面に、10μm幅のITO膜を10μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、ITO膜膜厚200nmを下記条件で形成した。即ち、4インチのITOターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン99.2、酸素0.8の混合ガス、圧力=0.8mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=150W/4インチ、成膜時間=33秒でITO膜の成膜を行った。成膜後、感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上のITO膜をリフトオフにて除去することで、10μm幅のITO膜を10μm間隔で形成した。その後、不活性雰囲気下N2雰囲気にて250°Cで15分間保持し、ITO膜を結晶化させることによって基板上にAl膜下およびITO膜上が順次成膜された上記アの積層試料を得た。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また250°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。一方、上記イのAl下-高融点金属中間-ITO上の積層試料は、前述したアの積層試料の作製方法において、Al膜を形成した後、当該Al膜の表面に、12μm幅のMo膜またはTi膜を8μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチによりMo膜膜厚50nmまたはTi膜膜厚50nmを成膜した後、成膜した後、感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上のMo膜またはTi膜をリフトオフにて除去することで、12μm幅のMo膜またはTi膜を8μm間隔で形成した。その後、上記アと同様にしてITO膜膜厚200nmを成膜したこと以外は、上記アと同様にして、上記イの積層試料を作製した。参考のため、Al膜の代わりにMo表1のNo.34およびMo-10.0原子Nb合金膜表1のNo.35、残部:不可避的不純物を用い、上記と同様にしてアまたはイの積層試料を作製した。このようにして得られた各試料について、下記方法によって塩化ナトリウム溶液腐食性試験を行うと共に、以下の方法によって耐熱性を評価した。<塩化ナトリウム水溶液浸漬試験>各試料について、1の塩化ナトリウム水溶液25°Cに2時間浸漬する試験を行い、浸漬試験後の各試料の表面単層試料ではAl膜の表面であり、積層試料ではITO膜が形成されていないAl膜の表面であるを、光学顕微鏡にて倍率1000倍で3視野観察観察範囲:8600μm2程度した。耐塩化ナトリウム溶液腐食性の判断は、腐食による変色がAl膜表面の全面積のうち10未満であるものを○、10以上で発生したものを×として評価した。これらの結果を表1に記載した。<耐熱性試験>上記の積層試料について、ITO膜の結晶化熱処理後のAl膜表面に形成されたヒロックの密度を測定した。詳細には、光学顕微鏡で、ITO膜が形成されていないAl膜表面を観察観察箇所:任意の3箇所、視野:120×160μmし、直径0.1μm以上のヒロックの個数をカウントした直径とはヒロックの最も長いところを計ったもの。そして、ヒロック密度が1×109個未満のものを○、1×109個以上のものを×と評価した。これらの結果を表1耐熱性に併記した。表1のNo.1~28は、本発明の要件を満足するAl合金膜を用いた例であり、耐塩化ナトリウム溶液腐食性に優れており、耐熱性も良好であった。これに対し、No.29および30は、本発明で規定するTaおよび/またはTiを含有しない例であり、所定量の希土類元素を含有しているため耐熱性に優れているものの、塩化ナトリウムによる腐食が見られ、良好な耐塩化ナトリウム溶液腐食性を確保することができなかった。一方、No.31および32は、希土類元素を含有しない例であり、所定量のTa/Tiを含有しているために塩化ナトリウムによる腐食の発生がなく良好な耐塩化ナトリウム溶液腐食性を有しているものの、耐熱性が低下した。またNo.33は、合金元素を添加しない純Al膜を用いた例であり、塩化ナトリウムによる腐食が発生し、且つ、耐熱性も低下した。No.34は、Moを用いた例であり、耐熱性は良好であったが、塩化ナトリウムによる腐食が発生した。No.35は、Moに耐食性元素のNbを添加したMo-10.0原子Nbを用いた例であり、単層試料では塩化ナトリウムによる腐食を抑制できたものの、積層試料では腐食が発生し、表示装置用に使用するには不充分であることが分かる。なお、積層試料の耐熱性は良好であった。[実施例2]本実施例では、前述した実施例1で用いた表1のNo.1~33に示すAl膜を用いて、ウの積層試料:基板上に、基板側から順にITO膜下およびAl膜上が順次成膜された積層試料ITO-Alの積層試料、エの積層試料:基板上に、基板側から順にITO膜下、高融点金属膜中間、Mo膜またはTi膜、およびAl膜上が順次成膜された積層試料ITO-高融点金属-Alの積層試料、オの積層試料:基板上に、基板側から順にITO膜下、Al膜中間、および高融点金属膜上、Mo膜またはTi膜が順次成膜された積層試料ITO-Al-高融点金属の積層試料を作製して、前述した実施例1と同様にして耐塩化ナトリウム溶液腐食性を評価した。詳細には、ITO膜膜厚200nmを下記条件で形成した。即ち、4インチのITOターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタ法基板=ガラスコーニング社製EagleXG、雰囲気ガス=アルゴン99.2、酸素0.8の混合ガス、圧力=0.8mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=150W/4インチ、成膜時間=33秒でITO膜の成膜を行った。その後、不活性雰囲気下N2雰囲気にて250°Cで15分間保持し、ITO膜を結晶化させた。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また250°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。次いで、上記ウの積層試料を作製するに当たっては、ITO膜の表面に、下記表2に示す組成のAl膜10μm幅を10μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、下記表2に示す組成のAl膜膜厚300nmを、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチ、成膜時間=117秒で成膜を行った。なお、上記のAl膜における各元素の含有量は、ICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法によって求めた。そして、Al膜上の絶縁膜SiN膜の成膜で受ける熱履歴を模擬して、270°Cで30分保持する熱処理を施すことによって基板上にITO膜およびAl合金膜またはMo合金膜が成膜されたITO下-Al上の上記ウの積層試料を得た。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また270°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。また、上記エの積層試料を作製するに当たっては、ITO膜の上に高融点金属膜MoまたはTiを形成した後、Al膜を積層させたITO下-高融点金属中間-Al上の積層試料を作製するために、ITO膜の表面に、高融点金属膜MoまたはTi12μm幅を8μm間隔で成膜するため、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、高融点金属膜MoまたはTi膜厚50nmを、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチで成膜を行った後、感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上の高融点金属膜MoまたはTiをリフトオフにて除去することで、12μm幅の高融点金属膜MoまたはTiを8μm間隔で形成した。引き続き、高融点金属膜MoまたはTiの表面に、下記表2に示す組成のAl膜10μm幅を10μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、下記表2に示す組成のAl膜膜厚300nmを、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチ、成膜時間=117秒で成膜を行った。感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上の下記表2に示す組成のAl膜をリフトオフにて除去することで、10μm幅の下記表2に示す組成のAl膜を10μm間隔で形成し、上記エの積層試料を得た。また、上記オの積層試料を作製するに当たっては、ITO膜の上にAl膜を形成した後に、高融点金属膜MoまたはTiを積層させたITO下-Al中間-高融点金属上の積層試料を作製するために、ITO膜の表面に、下記表2に示す組成のAl膜12μm幅を8μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、下記表2に示す組成のAl膜膜厚300nmを、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチで成膜を行った後、感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上の下記表2に示す組成のAl膜をリフトオフにて除去することで、12μm幅の下記表2に示す組成のAl膜を8μm間隔で形成した。引き続き、下記表2に示す組成のAl膜の表面に、高融点金属膜Mo膜またはTi膜10μm幅を10μm間隔で成膜するために、フォトグラフィにて感光性樹脂からなるレジストによるマスクパターンを形成した。その上に、高融点金属膜Mo膜またはTi膜膜厚300nmを、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチで成膜を行った。感光性樹脂からなるマスクパターンを、アセトン溶液中で溶解すると同時に、樹脂上の高融点金属膜Mo膜またはTi膜をリフトオフにて除去することで、10μm幅の高融点金属膜Mo膜またはTi膜を10μm間隔で形成し、上記オの積層試料を得た。参考のため、Al膜の代わりにMo表2のNo.34およびMo-10.0原子Nb合金膜表2のNo.35、残部:不可避的不純物を用い、上記と同様にしてウ~オの積層試料を作製した。このようにして得られた各積層試料について、前述した実施例1と同様にして耐塩化ナトリウム溶液腐食性を評価した。これらの結果を表2に記載する。表2より、表1の積層試料を用いたときと全く同じ結果が得られた。すなわち、ITO膜の上にAl合金膜が直接形成された上記ウの積層試料、ITO膜の上に高融点金属およびAl合金膜が順次形成された上記エの積層試料、ITO膜の上にAl合金膜および高融点金属膜Mo膜またはTi膜が順次形成された上記オの積層試料のいずれにおいても、本発明のAl合金膜を用いた表1のNo.1~28では、優れた耐塩化ナトリウム溶液腐食性が得られたのに対し、本発明で規定する組成を満足しないAl合金膜を用いたNo.29~30や、Al膜合金膜の代わりにMo膜を用いたNo.34やMo合金膜を用いたNo.35では、上記耐腐食性が低下した。[実施例3]本実施例では、前述した実施例1で用いた表1のNo.1~33に示すAl膜を用い、基板上にAl膜およびITO膜が順次成膜された積層試料Al-ITOを作製して耐ITOピンホール腐食性ITOピンホール腐食密度低減効果を調べた。詳細には、下記表3に示す組成のAl膜膜厚=300nm、残部:Alおよび不可避的不純物を、DCマグネトロンスパッタ法条件は、基板=ガラスコーニング社製EagleXG、雰囲気ガス=アルゴン、圧力=2mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=260W/4インチ、成膜時間=100秒で成膜した。なお、上記のAl膜における各元素の含有量は、ICP発光分析誘導結合プラズマ発光分析法によって求めた。そして、Al膜上の絶縁膜SiN膜の成膜で受ける熱履歴を模擬して、270°Cで30分保持する熱処理を施した。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また270°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。次いで、このようにして熱処理されたAl膜の表面に、ITO膜を下記条件で形成した。即ち、4インチのITOターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタ法雰囲気ガス=アルゴン99.2、酸素0.8の混合ガス、圧力=0.8mTorr、基板温度=25°C、ターゲットサイズ=4インチ、成膜パワー=150W/4インチ、成膜時間=33秒でITO膜の成膜を行った。成膜後、不活性雰囲気下N2雰囲気にて250°Cで15分間保持し、ITO膜を結晶化させた。この際の雰囲気を不活性雰囲気N2雰囲気とし、また250°Cまでの平均昇温速度は5°C/minとした。得られた各試料について、下記方法によってピンホール腐食試験を行い、試験後のITOピンホール腐食密度を調べると共に、前述した方法によって耐熱性を評価した。<ピンホール腐食試験>各試料について、上述したような輸送保管状態を模擬して、60°C×90RHの湿潤環境に500時間曝露するピンホール腐食試験を行い、この試験後の表面を、光学顕微鏡にて倍率1000倍で観察観察範囲:8600μm2程度し、存在する黒点の数をカウントして1mm2あたりの個数を算出し任意の10視野の平均値、試験後の黒点密度ITOピンホール腐食密度を求め、表3に併記した。そして、上記黒点密度が40個/mm2以下である場合を、ITO膜のピンホール発生が抑えられて、ピンホール腐食が十分に抑制されていると評価し、上記黒点密度が40個/mm2超である場合を、ITO膜にピンホールが多く生じ、腐食試験でピンホール腐食が発生していると評価した。表3より、次のように考察することができる。表3のNo.1~28は、本発明の要件を満足するAl合金膜を用いた例であり、上記ピンホール腐食試験によるピンホール腐食の発生が十分に抑制されており、しかも耐熱性も良好であった。これに対し、No.29および30は、Taおよび/またはTiを含有しない例であり、所定量の希土類元素を含有しているため耐熱性に優れているものの、ITOピンホール腐食密度を所望レベルまで低減することができなかった。一方、No.31および32は、希土類元素を含有しない例であり、所定量のTa/Tiを含有しているためにピンホール腐食の発生は十分に抑制されているものの、耐熱性が低下した。またNo.33は、合金元素を添加しない純Al膜を用いた例であり、ピンホール腐食密度が高く、且つ、耐熱性も低下した。