"半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる第1工程と、前記ウエハの裏面を研削して、前記ウエハを所定の厚さにする第2工程と、前記ウエハの周縁部を前記支持基板の一部に達するまで研磨して、前記周縁部を除去する第3工程と、を含む半導体装置の製造方法。前記第3工程は、前記ウエハと前記支持基板との径方向の隣接領域を研磨して、前記支持基板上に溝を形成しつつ前記周縁部を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第3工程は、前記溝として、断面視U字状の溝を形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記第3工程は、加圧パッドによって前記隣接領域に研磨テープを接触させ加圧することで前記断面視U字状の溝を形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。表面側に半導体素子が形成されウエハを貼り合わされた支持基板を回転可能に保持する基板保持機構と、前記基板保持機構に保持され前記支持基板上に貼り合わされた前記ウエハの周縁部に研磨テープを加圧パッドによって接触させ加圧することによって、前記支持基板の一部に達するまで研磨して、前記ウエハの周縁部を除去する研磨ヘッド機構と、を備える半導体装置の製造装置。本発明が解決しようとする課題は、支持基板に貼り合わせたウエハの歩留まりを上げることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、第1工程、第2工程および第3工程を含む。前記第1工程は、半導体素子が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせる。前記第2工程は、前記ウエハの裏面を研削して、前記ウエハを所定の厚さにする。前記第3工程は、前記ウエハの周縁部を前記支持基板の一部に達するまで研磨して、前記周縁部を除去する。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の製造方法および製造装置を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によって本発明が限定されるものではない。また、以下では、半導体装置の製造方法を単に製造方法と、半導体装置の製造装置を単に製造装置と、それぞれ記載する。図1を参照して、実施形態にかかる製造方法を説明する。図1は、実施形態にかかる製造方法を説明するための図である。まず、デバイス領域に半導体素子を形成したウエハを準備する。ここで半導体素子を形成するウエハとして、例えば、シリコンウエハや化合物半導体ウエハなどが用いられるが、これに限られない。つづいて、デバイス領域が形成されたウエハの表面を支持基板に貼り合わせ、ウエハの裏面側を目の粗い砥石などを用いて研削し、図1のaに示すように、ウエハを所定の厚さまで薄膜化させる。その後、CMPChemicalMechanicalPolishing;化学機械研磨によって、ウエハの裏面を滑らかに仕上げる。つづいて、ウエハのエッジトリミングを行う。具体的には、図1のbに示すように、ウエハの周縁部を支持基板の一部に達するまで研磨して、支持基板上に溝を形成しつつウエハの周縁部を除去する。かかるエッジトリミングによって、ウエハの裏面側を研削する際に、ウエハの周縁部が剥がれたり、欠けたりした場合であっても、メタル汚染を回避し、後工程における成膜品質の劣化を抑制することができる。そのため、支持基板に貼り合わせたウエハの歩留まりを上げることができる。しかも、支持基板上の研削領域が少ないため、後工程への影響を回避することもできる。なお、図1のcに示すように、ウエハ周縁部を含む支持基板の外周部表面全域に亘って研削するようにしてもよいが、この場合、ウエハの裏面と支持基板の表面との間に大きな段差が生じることになる。一方、図1のbに示す例では、ウエハの周縁部を除去する際に、ウエハと支持基板との径方向の隣接領域を研磨し、支持基板の外周部表面の一部を研削するようにしている。そのため、後工程に支障が生じることを抑制することができ、製造コストやスループットへの影響を回避することができる。以下、実施形態にかかる製造方法の一例についてさらに具体的に説明する。以下においては、半導体装置の一例として、裏面照射型の固体撮像素子について説明する。なお、実施形態にかかる製造方法によって製造可能な半導体装置は、裏面照射型の固体撮像素子に限定されるものではない。図2は、実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャート、図3は実施形態にかかる半導体装置の製造方法で用いるウエハの外観模式図、図4および図5は実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示す断面模式図である。なお、図4および図5の断面模式図は、図3に示すA-A部分断面図に対応する。まず、図3に示すように、表面側のデバイス領域11に半導体素子などが形成されたウエハ10を用意する。デバイス領域11の形成は、例えば、ウエハ10のデバイス形成領域上に光電変換素子や読み出しトランジスタなどの半導体素子を形成し、その上層に配線層を形成することによって行われる。かかるデバイス領域11は、半導体装置毎に形成される。なお、ウエハ10として、例えば、シリコンウエハなどが用いられる。つづいて、図4のaに示すように、デバイス領域11を形成したウエハ10の外周部12表面を研削する図2のステップS10。かかる研削は、後述のステップS12における薄膜化後のウエハ10の厚みよりも深い位置まで、ウエハ10の外周部12表面を目の粗い砥石などを用いて研磨することによって行われる。なお、研削面は、粗く削られているため、CMPによって、ウエハ10の外周部12表面を滑らかに仕上げる。つづいて、支持基板20を用意する。かかる支持基板20として、例えば、シリコンウエハを用いることができる。そして、図4のbに示すように、デバイス領域11が形成されたウエハ10の表面を支持基板20の表面に貼り合わせる図2のステップS11。例えば、ウエハ10の表面や支持基板20の表面にシリコン酸化膜を形成し、かかるシリコン酸化膜によってウエハ10の表面を支持基板20の表面に貼り合わせる。なお、シリコン酸化膜に代えて、例えば、熱可塑性樹脂、SOGなどを用いてウエハ10の表面を支持基板20の表面に貼り合わせるようにしてもよい。つづいて、図4のcに示すように、ウエハ10の裏面側を目の粗い砥石などを用いて研削していき、図4のdに示すように、ウエハ10を所定の厚さ例えば、数μm程度まで研削してウエハ10を薄膜化させる。かかる状態において、研削面は、粗く削られているため、CMPによって、ウエハ10の裏面を滑らかに仕上げる図2に示すステップS12。つづいて、図5に示すように、ウエハ10の周縁部13を支持基板20の一部に達するまで研磨して、溝24を形成しつつウエハ10の周縁部13を除去する図2に示すステップS13。かかる工程によって形成される溝24は、周縁部13を除去して形成したウエハ10の新たな周縁部13aに沿って周方向に連続する断面視円弧状の溝である。このように、図5に示す周縁部13の除去方法では、溝24を形成しつつウエハ10の周縁部13を除去する。そのため、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の歩留まりを上げることができる。すなわち、ウエハ10の裏面研削図2に示すステップS12参照を行ったことによって、ウエハ10の周縁部が剥がれたり、欠けたりした場合であっても、かかる状態の周縁部13を除去することができる。したがって、例えば、配線層が剥がれたり脱落したりしてメタル汚染が発生したり、欠損によって後工程の成膜処理において成膜品質が劣化したりすることを防止することができる。また、図5に示すように、ウエハ10の周縁部13を除去する際に、周縁部13を含むウエハ10と支持基板20との径方向の隣接領域23を研磨するため、周縁部13の除去が確実に行われると共に、支持基板20の外周部22表面の一部が研削される。そのため、除去するウエハ10部分を低減できる。また、図5に示すように、ウエハ10の新たな周縁部13aにテーパーが形成され、支持基板20上に形成される溝24が断面視U字状の溝となるため、周縁部13aから支持基板20にかけて緩やかな傾斜となる。そのため、後工程における成膜処理において、成膜性を向上させることが可能となる。しかも、溝24が緩やかな傾斜であるため、ウエハ10の裏面と支持基板20の表面との間の段差が小さく、支持基板20の表面側の保持や支持基板20への保護テープの貼り合わせを容易に行うことができる。ここで、ウエハ10の周縁部13を除去するために用いる製造装置の構成について説明する。図6は、実施形態にかかる製造装置100の構成を示す図、図7は研磨ヘッド機構の構成を示す図である。図6に示すように、実施形態にかかる製造装置100は、基板保持機構101と、研磨ヘッド機構102と、純水供給ノズル103とを備える。なお、以下においては、便宜上、表面にウエハ10を貼り合わせた支持基板20を被処理基板110と呼ぶ場合がある。基板保持機構101は、被処理基板110を保持するとともに、図示しないモータによって被処理基板110と垂直な軸Oを中心に回転駆動される。研磨ヘッド機構102は、軸Oを中心に回転する被処理基板110の上面側からの接触および加圧を行って、ウエハ10の周縁部13を支持基板20の一部に達するまで研磨し、ウエハ10の周縁部13を除去する。かかる研磨ヘッド機構102は、図7に示すように、研磨ヘッド120と、加圧パッド121と、テープガイド122と、研磨テープ123とを備える。研磨ヘッド120は、図示しないリニアモータを内蔵しており、かかるリニアモータの駆動によって加圧パッド121を移動させる。加圧パッド121は、研磨テープ123の研磨面を被処理基板110に対して押圧する突出部121aを有しており、かかる突出部121aは断面視半円状に形成される。なお、加圧パッド121は、研磨ヘッド120と一体であってもよい。また、必要に応じて、突出部121aの形状やサイズが異なる加圧パッド121に取り換え自在に構成してもよい。研磨テープ123は、テープガイド122および加圧パッド121の突出部121aに沿って装着され、被処理基板110を研磨する際に、例えば、矢印方向に順次供給することで、新しい研磨テープ123が被処理基板110の研磨に用いられる。ここで、研磨テープ123としては、研磨面となる研磨テープ123の片面例えば、PETフィルムに、例えば、ダイヤモンドなどの砥粒をウレタンタイプ接着剤で接着したものが用いられる。なお、研磨テープ123に接着する砥粒は、被処理基板110の種類や要求される性能に応じて選択されるが、例えば、平均粒径0.1μm~30μmのダイヤモンドを用いることができる。また、ダイヤモンドに代えて、例えば、SiC、酸化セリウム、シリカ、ジルコニア、アルミナなどを砥粒として用いるようにすることもできる。図6に戻って、製造装置100の構成の説明を続ける。純水供給ノズル103は、基板保持機構101により回転される被処理基板110の表面中央部付近に純水を滴下する。そして、被処理基板110の回転による遠心力によって、被処理基板110と研磨ヘッド機構102との接触領域に純水を供給する。なお、純水の代わりに研磨液を用いることも可能である。また、純水を被処理基板110の表面中央部付近に滴下させていたが、接触領域に直接純水を供給するようにしてもかまわない。かかる製造装置100によってウエハ10の周縁部13を除去する方法について図6、図8および図9を参照して具体的に説明する。図8および図9は、実施形態にかかる製造装置100によりウエハ10の周縁部13を除去する方法の説明図である。まず、図6に示すように、ウエハ10を表面に貼り合わせた支持基板20の裏面側を基板保持機構101で保持させ、かかる基板保持機構101により軸Oを中心として、ウエハ10をはり合わせた支持基板20を回転させる。つづいて、研磨ヘッド機構102を移動させ、図8のaに示すように、ウエハ10と支持基板20との径方向の隣接領域23上に、加圧パッド121を位置させる。そして、研磨ヘッド120に内蔵しているリニアモータによって加圧パッド121を下降させ、図8のbに示すように、研磨テープ123を隣接領域23に接触させ、加圧する。その結果、図8のcに示すように、ウエハ10の周縁部13が除去される。しかも、ウエハ10に新たに形成された周縁部13aにはテーパーが形成され、かかるテーパーに連続して支持基板20上に断面視U字状の溝24が形成される。また、新たに形成される周縁部13aのテーパーの角度αは、90°よりも小さい。そのため、ウエハ10の新たな周縁部13aから支持基板20の溝24にかけて緩やかな傾斜となり、ウエハ10の裏面と支持基板20の表面との間の段差が小さい。その結果、後工程において、支持基板20の表面側の保持や支持基板20への保護テープの貼り合わせを容易に行うことができ、また、成膜性を向上させることが可能となる。また、ウエハ10の周縁部13を含むウエハ10と支持基板20との径方向の隣接領域23を研磨することで、周縁部13aのテーパーおよび溝24の形成を、加圧パッド121を径方向X軸方向に移動させることなく行うことができる。そのため、周縁部13の除去を、例えば、図1のcに示すように行うことに比べて、周縁部13の除去時間を大幅に低減することができる。なお、突出部121aの形状やサイズが異なる加圧パッド121に取り換え自在にすることで、周縁部13aのテーパーおよび溝24を所望の形状に形成することが可能となる。例えば、径が小さな突出部121aを加圧パッド121に取り付けることによって、図9のaに示すようにテーパーの角度αが90°となるように新たな周縁部13bおよび溝24aを形成するようにしてもよい。この場合、ウエハ10の裏面と支持基板20の表面との間の段差が大きくなるものの、溝24aの径が小さい。そのため、後工程において、成膜処理における成膜性は低下するものの、支持基板20の表面側の保持や支持基板20への保護テープの貼り合わせを容易に行うことができる。また、図8に示す例では、加圧パッド121を径方向X軸方向に移動させることなく新たな周縁部13aおよび溝24を形成したが、図9のbに示すように、加圧パッド121を径方向に移動させながら、新たな周縁部13aおよび溝24を形成してもよい。これにより、新たな周縁部13aにおけるテーパーの角度αを小さくしすぎることなく、支持基板20上に形成される溝24の深さを浅くすることが可能となる。そのため、ウエハ10の新たな周縁部13aから支持基板20の溝24にかけてさらに緩やかな傾斜にすることができ、後工程に対する影響を抑制しつつも、成膜性を向上させることが可能となる。このように、実施形態にかかる製造装置100では、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の周縁部13を後工程に対する影響を抑制しつつ迅速に除去することができる。これにより、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の歩留まりをさらに上げることができる。なお、最初に目の粗い研磨テープを研磨ヘッド機構102に装着して、ウエハ10の周縁部13を除去して、新たな周縁部13a,13bおよび溝24,24aを形成し、その後、目の細かい研磨テープ123を研磨ヘッド機構102に装着し、表面仕上げを行うようにしてもよい。このようにすることで、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の歩留まりをさらに上げることができる。図2に戻って実施形態にかかる製造方法の説明をつづける。上述のように、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の周縁部13を除去した後、ウエハ10の裏面側に導通用開口や集光用開口を形成し、その他、例えば成膜処理などの処理を行う図2に示すステップS14。つづいて、支持基板20の裏面側を研削して、支持基板20を所定の厚さにする図2に示すステップS15。具体的には、ウエハ10を含む支持基板20の表面に保護テープを貼り合わせ、吸着機能を有する不図示の保持台の上面に支持基板20の表面を載置する。支持基板20の表面は、上述のように、ウエハ10の新たな周縁部13aから支持基板20の溝24にかけて緩やかな傾斜となるため、保護テープの貼り合わせが容易になる。なお、保護テープは、ウエハ10を含む支持基板20の表面を保護するための部材であり、例えば、樹脂の基材上に接着層を塗布したテープ状体である。かかる保護テープに代えて保護シートを用いるようにしてもよい。次に、保護テープを介して支持基板20の表面を保持台の上面に吸着させ、ウエハ10を含む支持基板20を保持する。そして、支持基板20の裏面側を目の粗い砥石などを用いて研削していき、支持基板20を所定の厚さ例えば、数μm程度まで薄膜化させる。かかる状態において、研削面は、粗く削られているため、CMPによって、支持基板20の裏面を滑らかに仕上げる。なお、上述のように、支持基板20の保持が容易にできるため、支持基板20の保持をより強固に吸着することができ、これにより、裏面研削を精度よく行うことができる。つづいて、パッケージ化の処理を行う図2に示すステップS16。具体的には、ウエハ10の表面に形成された各デバイス領域11をダイシングによって分割し、分割した半導体チップをリードフレーム上に固着する。そして、半導体チップとリードとをワイヤボンディングによって接続し、樹脂封止することによってパッケージ化して半導体装置を形成する。以上のように、実施形態にかかる製造装置100は、支持基板20上に貼り合わされたウエハ10の周縁部13を、支持基板20の一部に達するまで研磨して、支持基板20上に溝24を形成しつつウエハ10の周縁部13を除去する。これにより、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の歩留まりを上げることができる。また、支持基板20に貼り合わせたウエハ10の周縁部13を後工程に対する影響を抑制しつつ迅速に除去することができる。本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"