遠赤外線を集光して検出する遠赤外線検出装置であって、前記遠赤外線を集光する集光手段と、前記集光手段における前記遠赤外線の入射面側に設けられた曲面と、前記集光手段における前記遠赤外線の出射面側に設けられた全反射防止面と、を含むことを特徴とする遠赤外線検出装置。前記全反射防止面は、前記集光手段の縦断面視において、前記出射面側から前記入射面側に向かって凹面構造を有することを特徴とする請求項1記載の遠赤外線検出装置。前記全反射防止面は、前記集光手段の縦断面視において、前記遠赤外線の入射方向と直交する面を一辺とする略三角形状の斜面構造を有することを特徴とする請求項1記載の遠赤外線検出装置。前記全反射防止面は、前記遠赤外線の入射方向に対して尖頭形状を有する微細突起構造を有することを特徴とする請求項1記載の遠赤外線検出装置。遠赤外線を集光する集光手段と、前記集光された遠赤外線を検出する検出手段とを含む遠赤外線検出装置であって、前記集光手段は、前記遠赤外線が入射する方向と直交する第1の方向に曲率を有し、前記入射する遠赤外線を屈折させ、前記入射する方向と直交する第2の方向から入射する遠赤外線を屈折させないシリンドリカルレンズと、前記第2の方向に曲率を有し、前記入射する方向に凸部を有する凸レンズが前記第2の方向に複数設けられた凸レンズ群と、から成る複合レンズを含み、前記検出手段は、前記シリンドリカルレンズにより集光される遠赤外線と、前記凸レンズ群により集光される遠赤外線とを検出する複数のセンサ素子と、を含むことを特徴とする遠赤外線検出装置。前記センサ素子は、前記遠赤外線が集光されることにより生成されるエネルギーが密状態の領域と、前記エネルギーが疎状態の領域とを有することを特徴とする請求項5記載の遠赤外線検出装置。前記センサ素子は、前記密状態の領域に対してより大なる体積で形成され、前記疎状態の領域に対してより小なる体積で形成されることを特徴とする請求項6記載の遠赤外線検出装置。前記凸レンズの数量と前記センサ素子の体積とは反比例関係にあることを特徴とする請求項7記載の遠赤外線検出装置。前記凸レンズ群が設けられている面は、前記第2の方向に曲率を有する曲面であることを特徴とする請求項5記載の遠赤外線検出装置。しかしながら、今までの遠赤外線検出装置は、集光効率を大きくすることと、サイズの小型化を図ることは、互いに相反するものであった。また、シリンドリカルレンズを採用した場合、ライン状に複数配置したセンサであっても、集光できるのは一方向のみで、センサ感度を上げるためには個々の画素を大きくする必要がある。そのため、画素面積の増加に伴う画素体積の増加により、一定の熱量に対する画素の温度上昇度合は小さくなるため、センサ感度が鈍ってしまうという課題があった。さらに、集光方向と垂直方向に対する物体の動きを検知することが困難であるという問題もあった。図12aは、従来における遠赤外線検出装置の断面構造において、全反射によって集光量が制限されることを説明する図である。基板120上において、遠赤外線を検知する遠赤外線検知センサ122上には、熱を検知して信号を出力する検知部124が支持層125を介して設けられている。検知部124は、熱の保持力を高めるために空洞構造126を有する。検知部124に対して遠赤外線光が照射されると、検知部124は信号を出力する。出力される信号には、電圧、電流、抵抗値の出力変化や、光信号の出力変化等を用いることができる。遠赤外線の検出原理には、上述した焦電現象、熱起電力、抵抗値変化等を用いることができる。この遠赤外線検知センサ122にスペーサ127を介して集光素子128が設けられている。赤外線検知センサ122と集光素子128との間の間隔129は、減圧封止により熱の拡散を防ぐような構造となっている。このとき、集光素子128の遠赤外線検知センサ122とは反対側の面には曲面130が形成されており、これにより遠赤外線光の集光効果が齎される。曲面130が形成されている集光素子128は、遠赤外線に対して透明な材料を用いる必要があり、代表的な材料としては、シリコンやゲルマニウム等である。勿論、有機材料やカルコゲナイドガラス、硫化亜鉛ZnS等を用いても良い。この曲面130により形成される集光レンズの焦点距離を、遠赤外線検知センサ面122までの距離とすることで、遠赤外線光を集光することができる。図12aでは、平行光が入射されたときに曲面130で光が屈折されて遠赤外線検知部124に集光される様子を示している。光の集光量は曲面130で受ける遠赤外線光によって左右される。つまり、曲面130の面積が大きければ、より多くの遠赤外線光を集光することができ、より多くの遠赤外線光が集光されると、遠赤外線検知部124での検出感度を上げることができる。そのため、曲面の面積は大きくする必要がある。一方で、焦点距離が短ければ、曲面130と遠赤外線検知部124との距離を短くすることができるので、遠赤外線検出装置の小型化が可能になる。ところが、このような構成では、曲面の面積を大きくしながら焦点距離を短くすることを同時に満足することは困難である。その理由は、全反射によって集光量が制限されるからである。すなわち、曲面130に入射する光線151を考えたときに、この光線と集光素子128の曲面130と反対側の面123とのなす角θには全反射による制限があるからである。図のように光線152であれば、面123による全反射によって界面123で光線152が反射してしまう。図12aでは、領域162は全反射よりも大きな角度で入射することにより、遠赤外線検知センサ面122まで到達する光線の範囲を示し、領域161は全反射よりも小さい角度で入射することにより、界面123で全反射され遠赤外線センサ面122に到達できない光線の範囲を模式的に示したものである。全反射角は界面123前後における材料の屈折率差により決定される。遠赤外線に対して透明な材料の候補としてはシリコンやゲルマニウムが想定され、その遠赤外線に対する屈折率は3.5又は4.0程度である。スペーサ127で挟まれた部分の媒質は減圧された空気なので、屈折は1.0としてよい。これらから全反射角を求めると、シリコンに対しては73.4度、ゲルマニウムに対しては75.5度であり、シリコンやゲルマニウムと空気との間は、屈折率差が大きいために、遠赤外線検知センサ面122への到達する範囲の角度はとても小さな値となってしまうことが分かる。すなわち、θが上記角度よりも小さい値の角度で入射した光は全反射してしまい、検知部124まで到達しないこととなる。このことは、曲面130の面積を大きくしても、検出部124に集光できる光量は全反射角によって決定されることを意味する。集光される光量を大きくするためには、図12bのように曲面130によって屈折される最大の角度を全反射角よりも大きくするように焦点距離を長くする必要が出てくる。図12bは、従来における遠赤外線検出装置において、と同じ面積を持つ曲面130によって集光される遠赤外光が全反射角の影響を受けない角度まで焦点距離を伸ばしたときを想定した場合を説明する図である。図12aとbとを比較することからも明らかなように、遠赤外線検出装置のサイズは格段に大きくなってしまうことがわかる。以上のことから、集光量を大きくしながら焦点距離を短く保つことは極めて困難であることがわかる。すなわち、集光効率を大きくすることと、サイズの小型化とを両立することは非常に難しいという課題があった。特許文献1には、小型で低コスト化が可能な熱型赤外線検出装置を提供することを目的とし、パッケージング機能を有するウェハ上に赤外線用レンズを形成する構成が開示されている。しかしながら、上記したように、赤外線センサは、集光効率を大きくするために集光レンズとセンサ面との間の間隔を広く取る必要があり、遠赤外線検出装置のサイズの小型化を図ることができないという問題は依然として解消されていない。特許文献2には、遠赤外線検出装置の小型化及び低コスト化を目的として、シリコンウェハを用いて形成された熱型赤外線検出素子と、その赤外線検出部を囲む形で封着されたパッケージとを備えた赤外線検出装置が開示されている。このパッケージは、シリコンウェハを用いて形成され、熱型赤外線検出素子に赤外線検出部と電気的に接続される貫通孔配線が形成され、半導体レンズ部が一体に形成されている。特許文献2に開示された遠赤外線検出装置はレンズ一体型であり、シリンドリカルレンズを用いて、複数の画素で高度な検知と認識処理を同時に実現している。しかしながら、複数の画素をライン状に配置した遠赤外線センサであって、センサ感度を向上させると共に、画素が配置されている方向と垂直方向の変化をも検知することは実現されていない。そこで本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、集光効率を保ちながら小型の遠赤外線検出装置を提供すること、及び複数の画素をライン状に配置した遠赤外線センサであって、センサ感度を向上させると共に、画素が配置されている方向と垂直方向の変化をも検出可能とする遠赤外線検出装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1に記載の本発明における遠赤外線検出装置は、遠赤外線を集光して検出する遠赤外線検出装置であって、前記遠赤外線を集光する集光手段と、前記集光手段における前記遠赤外線の入射面側に設けられた曲面と、前記集光手段における前記遠赤外線の出射面側に設けられた全反射防止面と、を含むことを特徴とする。また、上記課題を解決するため、請求項5に記載の本発明における遠赤外線検出装置は、遠赤外線を集光する集光手段と、前記集光された遠赤外線を検出する検出手段とを含む遠赤外線検出装置であって、前記集光手段は、前記遠赤外線が入射する方向と直交する第1の方向に曲率を有し、前記入射する遠赤外線を屈折させ、前記入射する方向と直交する第2の方向から入射する遠赤外線を屈折させないシリンドリカルレンズと、前記第2の方向に曲率を有し、前記入射する方向に凸部を有する凸レンズが前記第2の方向に複数設けられた凸レンズ群と、から成る複合レンズを含み、前記検出手段は、前記シリンドリカルレンズにより集光される遠赤外線と、前記凸レンズ群により集光される遠赤外線とを検出する複数のセンサ素子と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、集光効率を向上させると同時に、小型の遠赤外線検出装置を提供することができる。また、本発明によれば、センサ感度が向上すると共に、画素が配置されている方向と垂直方向の変化をも検出可能な複数の画素をライン状に配置した遠赤外線検出装置を提供することができる。次に、本発明を実施するための形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、各図中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化乃至省略する。本発明は、具体的には、遠赤外線を集光するレンズと、遠赤外線を検知するセンサとから形成される遠赤外線検出装置に際して、以下の特徴を有する。すなわち、本発明は、レンズ曲面が形成されている面とは反対側に全反射防止構造を有する集光素子を設けることにより、レンズ面積を大きくしながら遠赤外線センサとレンズ面との間の距離を短くすることが可能であることが特徴であり、さらに、レンズ面に無反射構造を形成することによって、界面での反射による損失も低減することが可能であることが特徴になっている。また、本発明は、遠赤外線を集光するレンズ基板と、一方向に複数の遠赤外線センサ画素が配置されたセンサ基板とが一体となった一体型遠赤外線検出装置に際して、以下の特徴を有する。すなわち、一定方向の曲率を有するシリンドリカルレンズと、その方向とは垂直方向に複数の凸レンズ群とを設けた複合レンズと、センサ画素の幅を変化させた遠赤外線センサ素子画素とを密着させることにより、高感度で2次元の動き検知が可能となることが特徴になっている。上記2つの特徴について、以下図面を用いて具体的に解説する。図1は、本発明の第一の実施形態に係る遠赤外線検出装置の縦断面構造を示す図である。遠赤外線検出装置は、遠赤外線検知センサ1と、スペーサ部2と、集光素子3とからなる。遠赤外線検知センサ1は、基板4上に遠赤外線検知部5が支持層6を介して設けてある。遠赤外線検知部5は、熱の保持力を高めるために空洞構造7を有する。遠赤外線検知部5に遠赤外線が照射されると、信号が出力される構成となっており、これにより遠赤外線が検出される。遠赤外線検知センサ1と集光素子3との間にはスペーサ8を介して遠赤外線検知部5を減圧封止することにより、空気の対流による雑音発生を防いでいる。集光素子3には曲面11が形成されていて、遠赤外線を集光するレンズの役割を果たす。この曲面11の曲率を調整することにより、焦点距離が遠赤外線検知部5までの距離となるように設定されるので、遠赤外線が曲面11に当たると、遠赤外線検知部5で集光され、感度を保つことができる。曲面11が形成されている集光素子3は、遠赤外線に対して透明な材料を用いる必要があり、代表的な材料としては、シリコンやゲルマニウム等である。これらの材料は屈折率がとても大きいために、上述したように全反射による影響により装置全体の小型化が困難である。そこで、曲面11の反対側の面には全反射を抑制する全反射防止構造12が設けられている。図1では、全反射防止構造12として曲面11へ向けた凹面構造を用いている例を示している。曲面11の反対側の面を、このような曲率を有する面12とすることにより、曲面11で集光される光線のうち最小の入射角度を有する光線21は、全反射角よりも大きい入射角度で全反射防止構造12に入射するため、全反射を起こすことなく遠赤外線検知部5へ出力されるようになり、曲面11に入射した遠赤外線の大部分の光線を遠赤外線検知部5に集光させることができるようになる。これにより、焦点距離を大幅に長くすることなく、光量を大きく採ることが可能となる。集光素子3を構成する材料がシリコンであれば、このような凹面構造全反射防止構造12は電子デバイス製作技術を用いることにより製作することが可能である。例えばリソグラフィーとドライエッチングを用いることにより製作することが可能である。レジストの厚みを調整しながらリソグラフィーを行い、中央が薄く端に向かうに連れて厚みが増すようなマスクを形成し、ドライエッチングによってマスク形状を転写することで製作することができる。次に、上述した全反射防止構造について詳細に説明する。図2は、本発明の第一の実施形態に係る遠赤外線検出装置の全反射防止構造の例を示す図である。具体的には、遠赤外線検出装置において、光集光素子の遠赤外線光が出力される部分を拡大したものである。すなわち、集光素子51と、それぞれの角度で界面59に入射する光線52から58を示している。界面59には図2のように断面が三角形状である全反射防止構造60を設けてある。この三角形状の斜辺の角度は、それぞれの光線と直交するように設定してある。このような構成とすることにより、入射してくる光線に対して全反射角以上の入射角を保持することができるので、短い焦点距離を保ちながら大きな光量を得ることができるようになる。例えば、全反射防止構造60の材料をシリコンとしたとき、垂直入射に対して全反射せずに光線が透過していくのは±17度である。そこで若干余裕を持たせて±15度の光線を透過するとして、三角形の形状の斜辺を15度ずつ増加させて配置すると、全反射以上の角度で入射する光線に対しても、全反射をせずに遠赤外線検知部5図1に到達させることができる。次に、上記した全反射防止構造60を有する遠赤外線検出装置について説明する。図3aは、本発明の第一の実施形態に係る遠赤外線検出装置の全反射防止構造の縦断面を示す図であり、図3bは、本発明の実施形態に係る遠赤外線検出装置の微細突起構造を示した図である。集光素子3図1、51図2を形成する材料は比較的高い屈折率を持つために、界面で強い反射が起こる。屈折率3.5のシリコンを想定したときに、垂直入射であっても界面での反射率が30程度あるために反射率を低減させる処置をする必要がある。図3aにおいて、曲面81には多層膜による無反射コートが有効であり、無反射コートすることで反射率を低くすることが可能である。ところが、全反射防止構造82には無反射コートが適用できない場合がある。例えば、図1に示したような凹面構造であると、その曲率半径が小さい場合には、無反射コートを作成することは困難になるし、図2に示したような微細三角形構造であれば、十分な効果を期待することができない。そこで、この全反射防止構造82の部分に、図3bに示したような微細突起構造83を形成することにより、無反射コートと同様な効果を持たせることが可能となる。この微細突起構造83は、光の進行方向に対して徐々に占有面積が増減していくような構造を有する。遠赤外線波長よりも小さい突起構造の集合体である。このような構造を採用することにより、徐々に屈折率が変化するため反射が起こりにくくなる。また、無反射コートすることが困難な全反射防止構造82での反射低減を実現することができる。この微細突起構造83は、遠赤外線波長以下の構造で形成される。遠赤外線の波長は10μm程度であるので、10μm以下で形成すれば良い。このような構造は様々な方法で製作することが可能であるが、例えばリソグラフィーとドライエッチングで形成することが可能である。さらに曲面等へ形成しても大きく特性が変化しないこともこのような構造の特徴である。以上詳細に説明してきたように、レンズ集光素子を形成している曲面の面積が大きければ、その部分に入射した遠赤外線は集光されるので、より多くの光量を確保することができる。しかし、遠赤外線を透過する材料の屈折率は非常に高いため、曲率を形成して屈折角度を大きくすると、全反射により出力界面で反射され、遠赤外光が出力されなくなってしまう。そのため、大きな集光角度を得ようとすると、焦点距離を長くし遠赤外線検知センサ面への入射角度を小さくする必要があり、小型化と光量増大とを両立させた遠赤外線検出装置の開発は困難であった。そこで本発明による全反射防止構造を採用することにより、全反射による入射角度制限を緩和することができ、より多くの遠赤外線を遠赤外線検知センサ面に集光することができ、さらに遠赤外線検出装置そのものの小型化も同時に実現可能となる。次に、本発明の第二の実施形態について説明する。図4は、本発明の第二の実施形態に係る遠赤外線検出装置の外観を示す斜視図である。図4において、遠赤外線検出装置遠赤外線センサ100は、遠赤外線センサ基板101の上にレンズ基板102が搭載されており、これらは密着して一体化されている。レンズ基板102には、最上部に、一方向に曲率をもつシリンドリカルレンズ立てた円柱の軸に平行な面で切り取り、表面が円筒の側面の一部であるレンズで、軸方向y軸方向:第2の方向では断面x軸方向に曲率を持つので屈折力を有さないが、軸方向と垂直な方向x軸方向:第1の方向では断面y軸方向に曲率を持たないので屈折力を有するレンズと、シリンドリカルレンズの軸方向y軸方向に複数設けられた凸レンズ凸レンズ群とが融合された複合レンズ103が形成されている。この遠赤外線センサ100は、生体等の熱源から放射される8μmから12μmの遠赤外線を検出することができ、人体検知に利用される。1mm程度のレンズ基板102と遠赤外線センサ基板101を密着させたセンサであるので、非常に小型である。遠赤外線センサ100のサイズとしては、横x方向が2mm程度、縦y方向が1mm程度、高さz方向:遠赤外線が入射する方向が1.5mm程度である。そのため、ノートパソコンに搭載したり、パソコン用モニタの側面部に組み込んだりすることが十分に可能なサイズであり、人体を検出することによりパソコンの電源管理に応用することができる。このセンサは、通常の小型カメラと比較しても、同等以上に小型であり、カメラで課題となる待機電力を殆ど消費しないことから、電源管理には適切な素子となる。次に、レンズ基板102について詳細に説明する。図5は、本発明の第二の実施形態に係る遠赤外線検出装置を、a上面x-y座標から見た平面図、baをX1-X2方向x-z座標から見た断面図、caをY1-Y2方向y-z座標から見た断面図である。図5aにおいて、レンズ基板102上に複合レンズ103が形成されている。ここで、複合レンズとは、ある方向に対してはシリンドリカルレンズとして機能する凸レンズを有し、その方向と垂直な方向にも複数の凸レンズからなるレンズ群を有するレンズのことをいう。図5にxyz座標系を設定し、直線X1-X2を含むxy平面での断面図を図5bとし、直線Y1-Y2を含むyz平面での断面図を図5cとして、以下詳細に本発明の遠赤外線センサ100の構造を説明する。なお、図5b、cでは、主要な部分だけを表記し、電子回路等の本発明と直接関係しない部分の記載は省略する。図5bに示すように、x-z平面での断面図では、複合レンズ103はx方向に曲率を有するシリンドリカルレンズ201のみが表現される。このシリンドリカルレンズ201は、球面又は非球面の曲率を有する凸形状からなり、x方向に広がっている遠赤外線205を遠赤外線センサ素子画素203に集光する。このようなレンズは、一般的には球面形状とすると収差が生じるので非球面形状とするのが好ましく、フレネルレンズにより形成されていても良い。ここでは、単純な例として球面形状の凸レンズを用いて説明する。また、レンズ基板102のレンズが形成されている面とは反対の面には、空洞202が形成されており、後述する遠赤外線検出センサ素子画素203とレンズ基板102の接触が避けられるような構造となっている。また、凸レンズの反対側の面に凹レンズを形成し、2面のレンズとすることで集光効率を向上させると同時に、その凹レンズによって生じるスペースを空洞202として利用することも可能である。遠赤外線センサ基板101上に、遠赤外線センサ素子画素203が設けられている。ここで、遠赤外線センサ基板101として半導体技術によって形成されたサーモパイル構造、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor回路構造、ダイオード回路構造等の遠赤外線センサ素子画素を用いる。ここでは、シリコン基板上に半導体プロセスによってダイオード回路構造を形成することを想定して説明する。半導体プロセス技術によって形成されたダイオード回路と赤外線吸収層とを同時に形成しておき、その赤外線吸収層に赤外線が照射されると、赤外線が熱に変換され、遠赤外線センサ素子画素203の温度が上昇する。この温度変化によってダイオードの電気特性が変化し、それらを電気信号として読み取ることにより、赤外線を検出することができる。さらに、これらの遠赤外線センサ素子画素203は、熱的な絶縁を保つために、空洞204によって、遠赤外線センサ基板101から分離された中空構造となっている。図5bでは表記されていないが、細い架橋をもって遠赤外線センサ基板101と接続され、電気的な導通と共に遠赤外線センサ素子画素203を支持している。遠赤外線センサ基板101とレンズ基板102とは接着され、機密性が保たれた一体構造である。レンズ基板102側の空洞部202と、遠赤外線センサ基板101側の空洞部分204は内部の気体が10Pa以下に減圧されており、気体の対流による感度低下を防ぐようにしている。感度を保持するためには1Pa程度とする必要があり、経時変化によって変化しないようにゲッター内部の残留ガスや放出ガスを吸収し、内部の圧力を高め保持する金属材料を挿入しておいても良い。本発明の実施形態に係る遠赤外線検出装置遠赤外線センサ100では、高度な検出能力を実現するために、図5のx方向に対して複数の遠赤外線センサ素子画素203が配列されている。ここでは、一例として8個の遠赤外線センサ素子画素が配置されている。図5bの破線で示す遠赤外線205が、シリンドリカルレンズ201に対して略垂直方向から入射したときは、遠赤外線は略中央に集光され、中央にある遠赤外線センサ素子画素203にエネルギーが集中するため、その部分の温度が上昇し電気信号として出力される。一方、遠赤外光線206のように垂直方向から傾いて遠赤外線光が入射したときは、シリンドリカルレンズ201による集光位置が異なるため、中央にある遠赤外線センサ素子画素203からずれた位置にある遠赤外線センサ素子画素203から信号が出力される。このように、遠赤外線光が入射してくる方向が異なると出力される電気信号が異なることから、どの方向からの遠赤外線を検出しているのかが分かり、その検出された信号を解析することにより、熱源生体の動きを検知したり、熱源生体から遠赤外線検出装置遠赤外線センサ100までの距離を推定したりすることが可能となる。遠赤外線センサ素子画素203が8個であると、シリンドリカルレンズ201が捉えることができる有効角度を8分割した範囲での検出が可能である。つまり、シリンドリカルレンズ201の画角が40度であると想定すれば、8個の遠赤外線センサ素子画素203には5度の分解能を持たせることができ、適切な信号処理により、熱源生体の位置や物体までの距離、熱源生体の動きを検知することができる。次に、直線Y1-Y2での断面図である図5cを参照して説明する。複合レンズ103には、y軸方向に対して複数の凸形状を有するレンズ群207が形成されている。図5cにおいては、5つの凸レンズからなるレンズ群207を想定している。図5cの破線で示す遠赤外線208が入射したとき、遠赤外線208はレンズ群207によりy軸方向に集光され、遠赤外線センサ素子画素203にはエネルギーの疎密状態が分布する状態となり、局所的な集光スポットが形成される。この集光スポットと対応させて遠赤外線センサ素子画素203の形状を調整している。このような調整を行うことにより、高感度な検出能力を得ることができる。すなわち、エネルギーが密状態の領域に対しては、遠赤外線検出素子画素203の体積をより大きくし、エネルギーが疎状態の領域に対しては、遠赤外線検出素子画素203の体積をより小さくしているのである。次に、本発明の実施形態に係る遠赤外線検出装置遠赤外線センサの遠赤外線センサ素子画素について詳細に説明する。図6は、本発明の第二の実施形態に係る遠赤外線検出装置の遠赤外線センサ素子画素の構成を、a上面x-y座標から見た模式図、baをX1-X2x-z座標方向から見た断面図である。なお、ここでは、x軸方向へライン状に配置された8個の遠赤外線センサ素子画素301から308を例にとって説明する。この遠赤外センサ素子画素は、y軸方向の位置によってy軸方向のセンサの幅が異なるように設計してある。これは、複合レンズ103図4のy軸方向に曲率を有する5つの凸レンズからなるレンズ群207によって集光された遠赤外線のスポット分布に合せてセンサの幅形状を変化させている。そのため、遠赤外線センサ素子画素203は、5箇所の幅広部分311と4箇所の幅狭部分312とから形成されている。幅広部分311は、シリンドリカルレンズ201上に形成された凸レンズからなるレンズ群207によって集光された光スポットが形成される位置に合せて形成されている。すなわち、光スポットが形成される部分にはセンサの幅広部分311が存在し、それ以外の部分の材料は取り除いた構成としている。これにより、遠赤外線センサ素子画素203自身の体積を減少させることができ、高感度な検出能力を実現することができるようになる。幅狭部分312の幅は極力小さいことが望ましい、あまり小さくすると熱抵抗が大きくなるため、反応スピードが遅くなってしまう。そこで、幅狭部分312は熱抵抗を考慮した幅とし、さらに幅広部分311の左右端に交互に寄せて配置することにより、集光スポットによる影響を軽減することとしている。遠赤外線センサ素子画素301から308は遠赤外線センサ基板101図1と架橋309によって接続されている。この架橋309は、熱の保持力を上げるために細い線の組み合わせで形成され、歪にも強くなるように数回の折り返し構造を有する。これら全体の熱抵抗は最適に設計され、反応スピードが用途に応じて適切な範囲に抑えられている。次に、遠赤外線センサ基板101にシリコンオンインシュレータSOI基板を用いた場合の構成について、図6bも参照して説明する。SOI基板は、シリコンSi基板と表面シリコン活性層の間に絶縁層を挿入した構造の基板であり、トランジスタの寄生容量を減らすことができるので、動作速度の向上と消費電力の削減に効果がある。遠赤外線センサ素子画素203に関わる電子回路はこの活性層上に形成される。絶縁層は酸化シリコンSiO2で形成され、この絶縁層は遠赤外線の吸収層としての役割も有する。遠赤外線が照射されることにより吸収層において遠赤外線は吸収過熱され、直上の遠赤外線センサ素子画素203の温度を上昇させ、この温度上昇分が電気信号として出力される。酸化シリコンSiO2の直下のシリコン基板の一部は、図6bで示すように、断熱効果を高めるために空洞204構造をとり、遠赤外線センサ基板101とは架橋309のみで接続されている。次に、遠赤外線センサ素子画素203のうち1画素のみを抽出し、光スポットが形成される部分の形状を、幅広部分311と幅狭部分312とを設けない単純構造とした場合と、本発明の実施形態に係る遠赤外線センサ素子画素203のように、幅広部分311と幅狭部分312とを設けた構造とした場合について説明する。図7は、本発明の第二の実施形態に係る遠赤外線検出装置の遠赤外線センサ素子画素の1画素のみを抽出したときの、ay軸方向の幅Dを一定状態とした構造と単純なシンドリカルレンズとを組み合わせた単純構造、by軸方向の幅をD/6にした構造と複合レンズとを組み合わせた構造、cy軸方向の幅をD/8にした構造と複合レンズとを組み合わせた構造、dy軸方向の幅をD/10にした構造と複合レンズとを組み合わせた構造、eaの場合とbの場合とにおける集光スポットの光強度を表すグラフである。すなわち、単純構造とは、図7aに示すようにy軸方向のセンサ幅Dが一定の遠赤外線センサ素子画素と、単純なシリンドリカルレンズとの組合せ構造をいう。シリンドリカルレンズによる集光スポット401が遠赤外線センサ素子画素203に照射されると、その集光スポット401は一定幅の遠赤外線センサ素子画素で受光され、加熱されることによる温度変化が出力信号となる。このとき、y軸方向に集光構造は存在しないが、実際には遠赤外線光はシリンドリカルレンズの開口に制限されるので、集光スポット401で示すように、y軸方向に対して縦長の集光スポットとなる。一方、本発明の実施形態に係る遠赤外線センサ素子画素203では、図7bからdに示すように、y軸方向の幅を変化させたセンサ素子画素と、複合レンズ103図1との組み合わせ構造である。複合レンズ103により、集光スポット402で示すようにy軸方向にも集光スポット強度の濃淡が発生する。集光スポット401と402に対して、遠赤外線センサ素子画素203中央での遠赤外線の強度分布を図7に示す。単純構造の遠赤外線センサ素子画素とシリンドリカルレンズとの組み合わせによる集光強度と、本発明の実施形態に係るy軸方向の幅Dを変化させた遠赤外線センサ素子画素と複合レンズとの組み合わせによる集光強度とは、y軸方向における積算量は略同一となるが、図7eに示すように、レンズ効果により強度分布のy軸位置における差を生じさせることができる。すなわち、強度エネルギーが集中していない部分の遠赤外線センサ素子画素203の体積を削減しても、殆ど積算エネルギーには変化が生じない。つまり、集光スポットの濃淡に応じたy軸方向の幅変化を遠赤外線センサ素子画素203に与えることにより、強度エネルギーが低い部分の遠赤外線センサ素子画素203の体積を削減させることができ、少ない熱量によって効率良く遠赤外線センサ素子画素203の温度を上昇させることができる。遠赤外線センサ素子画素203の削減可能な体積は、複合レンズ103でのy軸方向の集光力と凸レンズの個数によって変わってくる。光スポットの強度がガウシンアン形状ガウス分布であると仮定した場合、その光強度が1/e2を与える間隔dを集光力の指標として定義する。レンズ特性によって与えられる間隔dによって、遠赤外線センサ素子画素203の幅Dを調整したときの削減量を以下の条件で見積もる。複合レンズ103によって生じる集光スポットの個数は5個と仮定する。図7b、c、及びdはそれぞれ、d=D/6、d=D/8、d=D/10に対応した図であり、それぞれのセンサ素子画素の体積削減率は、13.3、37.5、50.0となる。このように、集光力が大きい場合、すなわち、集光されたときの集光スポットの形状が小さくなるにつれてセンサ素子画素の体積削減率は大きくなる。さらに、凸レンズの個数が多くなることによっても遠赤外線センサ素子画素の体積削減率は大きくなる。すなわち、凸レンズの個数と遠赤外線センサ素画素の体積とは反比例関係にある。また、y軸方向に一様な曲率を有するレンズ構造とすると、シリンドリカルレンズの曲率とのバランスを取る必要があり、集光効率を上げるために曲率の小さなレンズとすることが困難である。そのため、曲率の選択自由度は小さくなり、焦点距離にも制約があるため、十分な集光効率を得ることができない。一方、複合レンズのように幾つかのレンズに分割された構造とすると、曲率の制約が緩和され、短い焦点距離のレンズを採用することも可能となり、遠赤外線センサ素子画素の体積小型化が容易となる。次に、y軸方向から入射される赤外線光の入射角が異なる場合の遠赤外線センサ素子画素の動作について説明する。図8は、本発明の第二の実施形態に係る遠赤外線検出装置の、a遠赤外線検出センサと熱源との位置関係をy-z座標から見た断面図、b遠赤外線センサ素子画素に対して赤外線が入射する状態をy-z座標から見た断面図、c遠赤外線センサ素子画素のy軸方向の幅の変化の有無に対するセンサから出力される出力信号強度の変化を示すグラフである。図8aには遠赤外線検出装置遠赤外線センサ501と熱源生体502との位置関係が示されている。熱源としては人間等を想定しており、遠赤外線検出装置遠赤外線センサ501のサイズは上述のように数mm角であるため、熱源502から放射される遠赤外線は略平行に入射されると考えられる。ここでは、θ=0°で垂直入射となるように、角度θを図5aのように設定する。図8bにy軸方向の集光と遠赤外線センサ素子画素503との関係を示す。遠赤外線センサ素子画素503は、赤外線504のように垂直入射する遠赤外線に対する集光スポットに適応するように設計されている。垂直入射されたときは、遠赤外線センサ素子画素503から電気信号が出力され、傾きが生じると集光スポットが徐々にずれていき、最外部に位置する集光スポットが遠赤外線センサ素子画素503から外れることから、熱量が減少し、出力される電気信号は減少する。赤外線504の入射角度θがある特定の角度になると、遠赤外線センサ素子画素503の体積が殆どない部分に集光されるので、出力される電気信号が急激に小さくなる。さらに角度θが増していくと、隣接する遠赤外線センサ素子画素503で再び集光スポットが検出されるために、出力される電気信号が回復する。図8cに上記した出力される信号強度をグラフとして示す。遠赤外線センサ素子画素503に幅方向の変化がない場合上述した単純構造の場合の信号強度変化を破線で示す。単純構造の場合、図8cに示すように角度θに対してほぼ一定の傾きを保持しながら変化していくが、僅かな角度変化の場合、雑音成分と信号成分との分離が難しく、熱源502の位置を推定することが困難である。一方、図7bからdに示したように、遠赤外線センサ素子画素503のy軸方向のセンサ幅の変化を設けた場合、図8cの実線で示すように、出力信号強度が断続的に変化するため、この変化により、熱源502の位置検出能力が、雑音からの影響を殆ど受けることがなくなる。また、単純構造の場合と比較してy軸方向における赤外線の入射角度θの動きも検知することができるようになり、2次元空間における赤外線の入射変化も予想することが可能となる。次に、遠赤外線センサ素子画素の体積を削減する他の方法について説明する。図9は、本発明の第三の実施形態に係る遠赤外線検出装置の遠赤外線センサ素子画素に対して集光スポットが当たる部分を接続する架橋を、a複数本の狭い幅の架橋で接続した場合、b冗長な長さの架橋で接続した場合、c集光スポットが当たる部分を円形にした場合の構造を示す図である。すなわち、遠赤外線センサ素子画素の体積を削減する方法として、上述したy軸方向の幅を変化させる方法以外にも図9に示すような方法がある。図9aは、集光スポット赤外線スポットが当たる部分を接続するために、2本以上の狭い幅の架橋901、902で接続した場合の遠赤外線センサ素子画素である。この構造によって、遠赤外線センサ素子画素の構造的な強度を保持することができるようになる。図9bは、集光スポット赤外線スポットが当たる部分を接続するために、冗長な長さを有する架橋903で接続した場合の遠赤外線センサ素子画素の例である。この構造によって、遠赤外線センサ素子画素に対する外乱入射光による影響を吸収することができる。図9cは、集光スポット赤外線スポットが当たる部分を円形構造904にしたものである。この構造によれば、矩形構造と比較して集光スポット赤外線スポットとのマッチングが良いために光量を多く受けることができる。これら3種類の構造は、それぞれ用途に応じて使い分けることが可能であり、遠赤外線検知装置遠赤外線センサ100を構成する遠赤外線センサ素子画素のすべてが同じ構造である必要はなく、図9aからcに示した遠赤外線センサ素子画素を使い分けて配置することも可能である。例えば、シリンドリカルレンズの性能により、中央部と端部とに配置された遠赤外線センサ素子画素間での集光感度が異なる場合がある。シリンドリカルレンズを最適化することによって対応することも可能であるが、遠赤外線センサ素子画素の形状を変化させることにより、より柔軟に対応でき、集光感度レベルが均一な遠赤外線検知装置遠赤外線センサを構成することができる。次に、図5cに示したレンズ群207の形状を変化させたときの遠赤外線検出装置遠赤外線センサについて説明する。図10は、本発明の第四の実施形態に係る遠赤外線検出装置の構成をy-z座標から見た断面図である。基本的な構造は、図5cに示した構造と同一であるが、複合レンズ103図1がy軸方向に僅かに傾き又は曲率を有する構造である。図10では、レンズ曲面701が中央部に向かって盛り上がるような曲率を有する曲面であり、そこに凸レンズ群702が形成されている。このような構造を採用することにより、図10の破線で示した赤外線光が、凸レンズ群702によって中心部に集まることにより、集光スポットがy軸方向における中心部に集積するので、遠赤外線センサ素子画素203のy軸方向の幅間隔を狭めることができる。集光スポットのサイズが小さくなると、遠赤外線センサ素子画素の全体の長さも小さくすることができるので、さらに検出能力を上げることが可能となる。さらに、遠赤外線センサ回路のための配置空間が生まれ、信号増幅等の新たな機能の追加や、遠赤外線検出装置遠赤外線センサ自体の小型化も可能となる。次に、本発明の実施形態に係る遠赤外線検出装置遠赤外線検出センサのレンズ基板102図4の作成方法について説明する。基板の材料としては、遠赤外線に対して透明な材料であるシリコン、ゲルマニウム、ポリマー材料を用いる。ここでは、基板として用いることが比較的容易で低コストで入手することが可能なシリコンを用いた場合について説明する。シリコン基板の両面に鏡面研磨を施し、0.8mm程度の厚さに調整する。その後、まず片面に複合レンズ103図4をフォトリソグラフィーとドライエッチングにより形成する。フォトリソグラフィーにはグレースケール露光法により、複合レンズ形状を有するレジストパターンを一回の露光過程で形成する。このレジストパターンは5μm以上10μm以下の高さを持つ。その後、六フッ化硫黄SF6をベースとしたエッチングガスにより、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う。ガス圧を調整することにより、10~20という高い選択比でエッチングすることができるため、レンズの頂点から裾までの高さは100μm程度とすることができる。次に、複合レンズ103図4とは反対側に、同様にフォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術を用いて空洞構造を形成する。半導体プロセス技術を用いているので、表裏のパターンの位置ずれを数ミクロン以下に抑えることが可能である。その後、基板の表裏面に硫化亜鉛ZnS、ダイヤモンドライクカーボンDLC等の材料をベースに無反射コートを施す。これらの材料は、空気の屈折率1.0とシリコンの屈折率3.5との間の屈折率2.0程度であるために、1/4波長分を表面に形成すると、位相が調整されて、反射率が劇的に低減する。空気とシリコンとの界面では、垂直入射の場合、約30の反射率となるが、このような無反射コートをすることで3以下に抑えることができる。このレンズ基板102を予め作成しておいた遠赤外線センサ基板101図4と真空中で接合することにより、遠赤外線センサ素子画素を封止し、レンズ基板102と遠赤外線センサ基板101を一体にした基板を形成する。接合には共晶接合や常温接合等の直接基板同士を接合する方法や、接着層等を介在した接合等の方法を採用する。基板の状態のままで一体型することにより、レンズ基板102と遠赤外線センサ基板101とを高精度にアライメントすることができ、複合レンズ103によるアライメント位置ずれを要因とする不具合を低減することができる。最後に一体型された基板を個片化し、電気実装基板に実装することにより遠赤外線検出装置遠赤外線センサ100が完成する。6インチのウェハ全面に製作した場合、9000個以上の遠赤外線検出装置遠赤外線検出センサを一度に生産することができ、低コスト化が容易となる。最後に、遠赤外線検出装置遠赤外線検出センサに赤外線光を照射したときの画像について説明する。図11は、本発明の第二から第四の実施形態に係る遠赤外線検出装置のレンズ基板を製作したときのレンズの遠赤外線画像を示す図である。図11は、黒体炉から放出されるほぼ平行な遠赤外線光を、レンズの表面に照射し、画像を裏面から遠赤外線カメラで撮影したものである。x方向にシリンドリカルレンズ、y方向に5つの凸レンズ群が形成されている。図11に示すように、x方向のシリンドリカルレンズにより遠赤外光は中央部に集光され、y方向の凸レンズ群によって5つの集光スポットとして集光されている状態が分かる。この集光スポット位置に対応させてy軸方向の幅を変化させた遠赤外線センサ素子画素を配置することにより、遠赤外センサ素子画素への集光効率を保持しつつ、遠赤外線センサ素子画素の体積が削減されている分だけ、高感度な検出能力を得ることが可能になる。以上説明したように、本発明は、遠赤外線の集光用レンズとして複合レンズを採用し、この複合レンズにより、赤外線光は遠赤外線センサ素子画素上に集光されると同時に幾つかの集光スポットを形成する。この集光スポットに合せてy軸方向に幅を変化させた遠赤外線センサ素子画素を設けることにより、遠赤外線のエネルギーを保持しながら、遠赤外線センサ素子画素の体積を減少することができるのである。そして、遠赤外線センサ素子画素の体積が減少すると、熱源生体対する温度上昇率は向上するので、高感度な遠赤外線検出装置遠赤外線センサを実現することが可能となる。さらに、遠赤外線検出装置遠赤外線センサが配置されている方向と垂直な方向への熱源生体の動きに対しても、遠赤外線センサ素子画素のy軸方向の幅を変化させているため、遠赤外線センサ素子画素からの出力信号をダイナミックに変化させることができるので、その後の信号処理により熱源生体の動作を2次元的に捉えることも可能である。これにより、複数の遠赤外線センサ素子画素をライン状に配置した遠赤外線検出装置遠赤外線センサであって、遠赤外線センサ素子画素の感度を向上させ、かつ遠赤外線センサ素子画素が配置されている方向と垂直な方向の熱源生体の変化をも検出することができる遠赤外線検出装置遠赤外線センサを提供することができる。以上、本発明の好適な実施の形態により本発明を説明した。ここでは特定の具体例を示して本発明を説明したが、特許請求の範囲に定義された本発明の広範囲な趣旨及び範囲から逸脱することなく、これら具体例に様々な修正及び変更が可能である。