基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有する反射型マスクブランクにおいて、前記反射型マスクブランクスを用いて製造される反射型マスクに形成する転写回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面を構成する複数層の材料の中間層で形成した複合層を備える遮光枠を有し、当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質と同等であることを特徴とする反射型マスクブランク。前記基板の裏面に導電膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。前記複合層は、複数の前記中間層を含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスクブランク。前記多層反射層には、該多層反射層の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が、前記遮光枠を形成した領域に対応する部分を含めて存在することを特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランク。前記多層反射層には、該多層反射層の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が存在し、該界面のうち前記遮光枠を形成した領域に対応する部分には、前記界面に代えて、前記最上層とその隣接層との材料による中間層が存在することを特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランク。前記吸収層とその隣接層との間には、前記遮光枠を形成した領域に対応する部分を含めて界面が存在することを特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランク。前記吸収層とその隣接層との間には界面が存在し、該吸収層とその隣接層との界面のうち前記遮光枠を形成した領域に対応する部分には、前記吸収層とその隣接層との界面に代えて、前記吸収層とその隣接層との材料による中間層が存在することを特徴とする請求項3に記載の反射型マスクブランク。基板表面に多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層より上部に吸収層を形成する工程と、を少なくとも含む反射型マスクブランクの製造方法において、前記基板裏面から少なくとも前記多層反射層に対してレーザ照射、又はイオン注入を行う工程を具備することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。前記レーザ照射、又はイオン注入を行う工程の後に、前記基板の裏面に導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項8に記載の反射型マスクブランクの製造方法。しかしながら、反射型マスクの製造工程において、吸収層から多層反射層に達する溝を形成することや、回路パターン領域の吸収層の膜厚よりも厚い膜を形成することで遮光枠を形成する場合、遮光枠の形成にリソグラフィによるパターニング工程が新たに発生し、反射型マスクを製造する工程が複雑となるため、歩留まりの悪化が懸念される。そこで、本発明は、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。本発明の反射型マスクブランクは、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層と、を有する反射型マスクブランクにおいて、前記反射型マスクブランクスを用いて製造される反射型マスクに形成する転写回路パターン領域の外側に形成され、且つ多層反射層の各界面を構成する複数層の材料の中間層で形成した複合層を備える遮光枠を有し、当該遮光枠に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質が、前記転写回路パターン領域に対応する領域に位置する前記吸収層の光学的性質と同等であることを特徴とするものである。また、本発明の反射型マスクブランクは、前記基板の裏面に導電膜が形成されていることを特徴とし、また、前記複合層は、複数の前記中間層を含んでいることを特徴とするものである。また、本発明の反射型マスクブランクには、前記多層反射層には、該多層反射層の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が、前記遮光枠を形成した領域に対応する部分を含めて存在しても良い。また、本発明の反射型マスクブランクには、前記多層反射層には、該多層反射層の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が存在し、該界面のうち前記遮光枠を形成した領域に対応する部分には、前記界面に代えて、前記最上層とその隣接層との材料による中間層が存在していても良い。また、本発明の反射型マスクブランクには、前記吸収層とその隣接層との間には、前記遮光枠を形成した領域に対応する部分を含めて界面が存在して良い。また、本発明の反射型マスクブランクには、前記吸収層とその隣接層との間には界面が存在し、該吸収層とその隣接層との界面のうち前記遮光枠を形成した領域に対応する部分には、前記吸収層とその隣接層との界面に代えて、前記吸収層とその隣接層との材料による中間層が存在していても良い。また、本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、基板表面に多層反射層を形成する工程と、前記多層反射層より上部に吸収層を形成する工程と、を少なくとも含む反射型マスクブランクの製造方法において、前記基板裏面から少なくとも前記多層反射層に対してレーザ照射、又はイオン注入を行う工程を具備することを特徴とする。また、本発明のフォトマスクブランク製造方法は、前記レーザ照射、又はイオン注入を行う工程の後に、前記基板の裏面に導電膜を形成する工程を具備することを特徴とする。本発明は、多層反射層から発生する反射光の強度を抑制し、更に吸収層の光学的性質の変化を抑制する反射型マスクブランクとすることで、遮光性の高い遮光枠を形成された反射型マスクの製造における歩留まりを向上できるという効果を奏する。また、反射型マスク上からレーザ照射もしくはイオン注入して遮光枠を形成する場合、多層反射層以外によるレーザ光もしくはイオンの損失があるため、この損失分を考慮したパワーでレーザ光もしくはイオンを照射しなくてはならない。また多層反射層以外の膜にはレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージが生じ、吸収層の露光光源波長の吸収率が低下してしまうことが懸念される。しかし、本発明の一態様では、基板の裏側からレーザ光もしくはイオンを少なくとも多層反射層に照射することで、転写回路パターン領域を除く領域における多層反射層の反射率を低下させる。そのため、多層反射層以外の膜による損失分を考慮してレーザ光もしくはイオンのパワーを設定する必要をなくすことができる。また、吸収層へのレーザ光もしくはイオンの照射によるダメージを抑制し、吸収層の光学的性質の変化を防ぐことができる。以下、本発明に係る第1及至第4実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、特に断る場合を除き同じ説明を繰り返さないものとする。まず、本発明の第1乃至第4の実施形態に係る反射型マスクブランクの製造工程で使用する、遮光枠を有さない反射型マスクブランクの構造を説明する。図1a、及び図1bは第1及び第2実施形態に係る、遮光領域の一例として遮光枠を設ける反射型マスクブランク100、及び反射型マスクブランク101の断面を示している。また、図1c、及び図1dは第3及び第4実施形態に係る、遮光領域の一例として遮光枠を設ける反射型マスクブランク200、及び反射型マスクブランク201の断面を示している。即ち、第1及び第2実施形態では、図1aの反射型マスクブランク100を用いてもよいし、図1bの反射型マスクブランク101を用いてもよく、第3及び第4実施形態では、図1cの反射型マスクブランク200を用いてもよいし、図1dの反射型マスクブランク201を用いてもよい。なお、本発明の反射型マスクブランクに設ける遮光領域は、枠状のもの遮光枠に限らず、半導体基板へのパターン転写の際に複数回露光されるのを避けたい部分の形状等に応じて、適宜の形状とすることができる。図1aに示す反射型マスクブランク100は、基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されている。図1bに示す反射型マスクブランク101は基板11の表面に、多層反射層21、吸収層51が順次形成されていると共に、基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。つまり、図1bの反射型マスクブランク101は、図1aの反射型マスクブランク100の基板11の裏面に導電膜71が形成されている。図1cの反射型マスクブランク200は基板11の表面に多層反射層22、緩衝層41、吸収層51、低反射層61が順次形成されている。図1dの反射型マスクブランク201は、図1cの反射型マスクブランク200の基板11の裏面に導電膜71が形成された構造となっている。基板11としては、例えば、低熱膨張ガラスを用いることができる。低熱膨張ガラスは、より熱膨張率の高い超熱膨張ガラスを含む。また、基板11としては、石英ガラスや、石英ガラスに他の元素や化合物を追加したものや、EUV極端紫外線の透過性を有する石英セラミックも使用できる。また、レーザーを照射した場合にこれを透過させる物という観点から、基板11として、カルコゲナイトガラス、ゲルマニウム、フッ化カルシウム蛍石、フッ化バリウム、硫化亜鉛を用いることもできる。図1a及び図1bの多層反射層21は、13.5nm近傍のEUVに対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデンMoとシリコンSiが交互に50ペア積層した積層膜で、さらに最上層はルテニウムRuで構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。図1c及び図1dの多層反射層22は、13.5nm近傍のEUVに対して60程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40ペア積層した積層膜で、最上層はSi層で構成されている。図1a及び図1bの吸収層51の転写回路パターン領域5には、後述する手順で各実施形態の遮光枠が形成された後に、半導体基板に転写するパターンが従来公知の工程によって形成される。図1c及び図1dの緩衝層41は、吸収層51のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層22の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロムCrの窒素化合物CrNで構成されている。図1a~図1dの吸収層51は、13.5nm近傍のEUVに対して吸収率の高いタンタルTaの窒素化合物TaNで構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物TaBNやタンタルシリコンTaSiでも良い。図1c及び図1dの低反射層61は、190nm~260nmの紫外光に対して反射防止機能を有し、Taの酸化窒化物TaONで構成される。他の材料としてタンタルホウ素酸化物TaBOやタンタルシリコン酸化物TaSiOでも良い。図1b及び図1dの導電膜71は、CrNで構成されている。図1c及び図1dの吸収層51及び低反射層61の転写回路パターン領域6には、後述する手順で各実施形態の遮光枠が形成された後に、半導体基板に転写するパターンが従来公知の工程によって形成される。第1実施形態以下、第1実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法について説明する。まず、図1aに示す遮光枠を有さない反射型マスクブランク100を用意する。次に、反射型マスクブランク100の基板11の裏面より、転写回路パターン領域5の外側となる部分にパルスレーザを照射し、多層反射層21のMo層とSi層の間に少なくともそれら2層の構成材料であるMoとSiを含む中間層が形成された複合層31を形成する。この複合層31は、界面のない中間層であることから光の反射率が抑制され、遮光枠1として機能する。このようにして、図2aに示すように、転写回路パターン領域5の外側となる部分に遮光枠1が形成された作製途中の反射型マスクブランク110を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、多層反射層21におけるRu層とSi層の界面や一部のMo層とSi層の界面は残すことができる。遮光枠1が形成された作製途中の反射型マスクブランク110の基板11の裏面に、スパッタリングにより導電膜71を形成することで図2bに示す、遮光枠1が形成された反射型マスクブランク120を得る。反射型マスクブランク120に13.5nm近傍のEUVを照射した場合、遮光枠1において吸収層51で吸収されなかったEUVは、Ru層とSi層の界面などで反射するが、反射光は再度吸収層51を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠1を形成することができる。なお、予め導電膜71が形成された図1bの遮光枠を有さない反射型マスクブランク101を用いて遮光枠1が形成された反射型マスクブランク120を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜71によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠1を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜71を形成する工程は省かれる。また、基板11の厚さが十分に小さい場合などは、レーザ照射の代わりにイオン注入を行うことで、複合層31を形成することも可能である。このようにして得た反射型マスクブランク120は、遮光枠1とする複合層31を形成する際にパルスレーザが吸収層51を透過しないので、吸収層51における損失分を考慮してパルスレーザのパワーを設定する必要をなくすことができる。また、パルスレーザの透過により吸収層51にダメージが生じることがなく、光学的性質が変化しないので、遮光枠1に対応する部分の吸収層51と、遮光枠1の周辺に対応する部分の吸収層51とで、光学的性質が異なってしまうのを避けることができる。第2実施形態以下、第2実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法について説明する。第2実施形態については、図1aに示す遮光枠を有さない反射型マスクブランクを得る工程までは、第1実施形態と同じである。次に、反射型マスクブランク100の基板11の裏面より、転写回路パターン領域5の外側となる部分にパルスレーザを照射し、多層反射層21におけるMo層とSi層の間には少なくともそれら2層の構成材料であるMoとSiを含む中間層が、Ru層とSi層の間には少なくともそれら2層の構成材料であるRuとSiを含む中間層が夫々形成された複合層32を形成する。この複合層32は、界面のない中間層であることから光の反射率が抑制され、遮光枠2として機能する。このようにして、図2cに示すように、転写回路パターン領域5の外側となる部分に遮光枠2が形成された作製途中の反射型マスクブランク130を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、多層反射層21の最上層であるRu層と吸収層51の界面は残すことが出来る。遮光枠2が形成された作製途中の反射型マスクブランク130の基板11の裏面に、スパッタリングにより導電膜71を形成することで図2dに示す、遮光枠2が形成された反射型マスクブランク140を得る。反射型マスクブランク140に13.5nm近傍のEUVを照射した場合、遮光枠2において吸収層51で吸収されなかったEUVは、吸収層51と多層反射層21の最上層であるRu層との界面で一部反射するが、反射光は再度吸収層51を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠2を形成することができる。なお、予め導電膜71が形成された図1bの遮光枠を有さない反射型マスクブランク101を用いて遮光枠2が形成された反射型マスクブランク140を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜71によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠2を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜71を形成する工程は省かれる。また、基板11の厚さが十分に小さい場合などは、レーザ照射の代わりにイオン注入を行うことで、複合層32を形成することも可能である。このようにして得た反射型マスクブランク140は、遮光枠2とする複合層32を形成する際にパルスレーザが吸収層51を透過しないので、吸収層51における損失分を考慮してパルスレーザのパワーを設定する必要をなくすことができる。また、パルスレーザの透過により吸収層51にダメージが生じることがなく、光学的性質が変化しないので、遮光枠2に対応する部分の吸収層51と、遮光枠2の周辺に対応する部分の吸収層51とで、光学的性質が異なってしまうのを避けることができる。第3実施形態以下、第3実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法について説明する。まず、前記図1cに示す遮光枠を有さない反射型マスクブランク200を用意する。次に、反射型マスクブランク200の基板11の裏面より、転写回路パターン領域6の外側となる部分にパルスレーザを照射し、多層反射層22のMo層とSi層の間に少なくともそれら2層の構成材料であるMoとSiを含む中間層が、Ru層とSi層の間には多層反射層22の最上層であるSiと緩衝層41の間には少なくともSiとCrと窒素Nを含む中間層が夫々形成された複合層33を形成する。この複合層33は、界面のない中間層であることから光の反射率が抑制され、遮光枠3として機能する。このようにして、図3aに示すように、転写回路パターン領域6の外側となる部分に遮光枠3が形成された作製途中の反射型マスクブランク210を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、吸収層51と緩衝層41の界面は残すことができる。遮光枠3が形成された作製途中の反射型マスクブランク210の基板11の裏面に、スパッタリングにより導電膜71を形成することで図3bに示す、遮光枠3が形成された反射型マスクブランク220を得る。反射型マスクブランク220に13.5nm近傍のEUVを照射した場合、遮光枠3において吸収層51で吸収されなかったEUVは、一部吸収層51と緩衝層41の界面にて反射するが、反射光は再度吸収層51を経由するため、更に吸収される。こうして遮光性の高い遮光枠3を形成することができる。なお、予め導電膜71が形成された図1dの遮光枠を有さない反射型マスクブランク201を用いて遮光枠3が形成された反射型マスクブランク220を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜71によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠1を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜71を形成する工程は省かれる。このようにして得た反射型マスクブランク220は、遮光枠3とする複合層33を形成する際にパルスレーザが吸収層51や緩衝層41を透過しないので、これらにおける損失分を考慮してパルスレーザのパワーを設定する必要をなくすことができる。また、パルスレーザの透過により吸収層51や緩衝層41にダメージが生じることがなく、光学的性質が変化しないので、遮光枠3に対応する部分の吸収層51や緩衝層41と、遮光枠3の周辺に対応する部分の吸収層51や緩衝層41とで、光学的性質が異なってしまうのを避けることができる。第4実施形態以下、第4実施形態の反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法について説明する。第4実施形態については図1aに示す遮光枠を有さない反射型マスクブランク200を用意する工程までは、第3実施形態と同じである。作製途中の反射型マスクブランク200の基板11の裏面より、転写回路パターン領域6の外側となる部分にパルスレーザを照射し、多層反射層21のMo層とSi層の間に少なくともそれら2層の構成材料であるMoとSiを含む中間層が、多層反射層22の最上層であるSiと緩衝層41の間には少なくともSiとCrとNを含む中間層が、緩衝層41と吸収層51の間には少なくともCrとTaとNを含む中間層が夫々形成された複合層34を形成する。この複合層34は、界面のない中間層であることから光の反射率が抑制され、遮光枠4として機能する。このようにして、図3cに示すように、転写回路パターン領域6の外側となる部分に遮光枠4が形成された作製途中の反射型マスクブランク230を得る。この工程において、レーザ照射のエネルギー、および光軸を精密に調整することで、吸収層51中の一部に複合層34が形成される。遮光枠4が形成された作製途中の反射型マスクブランク230の基板11の裏面に、スパッタリングにより導電膜71を形成することで図3dに示す、遮光枠4が形成された反射型マスクブランク240を得る。反射型マスクブランク240に13.5nm近傍のEUVを照射した場合、遮光枠4において吸収層51で吸収されなかったEUVは、複合層34があるため反射しない。こうして遮光性の高い遮光枠3を形成することができる。なお、予め導電膜71が形成された図1dの遮光枠を有さない反射型マスクブランク201を用いて遮光枠4が形成された反射型マスクブランク240を得る場合、パルスレーザ照射工程において、導電膜71によるレーザ照射エネルギーの損失を考慮に入れなくてはならないため、精度良く遮光枠1を形成するのが困難となるが、前記スパッタリングにより導電膜71を形成する工程は省かれる。このようにして得た反射型マスクブランク240は、遮光枠4とする複合層34を形成する際にパルスレーザが吸収層51や緩衝層41を透過しないので、これらにおける損失分を考慮してパルスレーザのパワーを設定する必要をなくすことができる。また、パルスレーザの透過により吸収層51や緩衝層41にダメージが生じることがなく、図3dに示すように、複合層34を吸収層51の一部にまで至るように形成しても、光学的性質がほとんど変化しない。このため、遮光枠4に対応する部分の吸収層51や緩衝層41と、遮光枠4の周辺に対応する部分の吸収層51や緩衝層41とで、光学的性質が大きく異なってしまうのを避けることができる。以上に説明したように、第1乃至第4実施形態の反射型マスクブランク120、140、220、240は、基板11と、基板11の表面に形成された多層反射層21、22と、多層反射層21、22の上に形成された吸収層51とを有し、反射型マスクブランクス120、140、220、240を用いて製造される反射型マスクに形成する転写回路パターン領域5、6の外側に形成され、且つ多層反射層21、22の各界面を構成する複数層の材料の中間層で形成した複合層31、32、33、34を備える遮光枠1、2、3、4を有し、遮光枠1、2、3、4に対応する領域に位置する吸収層51の光学的性質が、転写回路パターン領域5、6に対応する領域に位置する吸収層51の光学的性質と同等であることを特徴とするものである。また、第1乃至第4実施形態の反射型マスクブランク120、140、220、240は、基板11の裏面に導電膜71が形成されていることを特徴とし、また、第3及び第4実施形態の反射型マスクブランク220、240は、複合層33、34が、複数の中間層を含んでいることを特徴とするものである。また、第1実施形態の反射型マスクブランク120のように、多層反射層21には、多層反射層21の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が、遮光枠1を形成した領域に対応する部分を含めて存在しても良い。また、第2乃至第4実施形態の反射型マスクブランク140、220、240のように、多層反射層21、22には、多層反射層21、22の最も吸収層側に位置する最上層とその隣接層との界面が存在し、この界面のうち遮光枠2、3、4を形成した領域に対応する部分には、最上層とその隣接層との界面に代えて、最上層とその隣接層との材料による中間層複合層32、33、34が存在していても良い。また、第1乃至第3実施形態の反射型マスクブランク120、140、220のように、吸収層51とその隣接層多層反射層21、緩衝層41との間には、遮光枠1、2、3を形成した領域に対応する部分を含めて界面が存在して良い。また、第4実施形態の反射型マスクブランク240のように吸収層51とその隣接層緩衝層41との間には界面が存在し、吸収層51と緩衝層41との界面のうち遮光枠4を形成した領域に対応する部分には、吸収層51と緩衝層41との界面に代えて、吸収層51と緩衝層41との材料による中間層複合層34が存在していても良い。また、第1乃至第4実施形態の反射型マスクブランク120、140、220、240を製造する方法は、基板11の表面に多層反射層21、22を形成する工程と、多層反射層21、22より上部に吸収層51を形成する工程とを少なくとも含み、さらに、基板11の裏面から少なくとも多層反射層21、22に対してレーザ照射、又はイオン注入を行う工程を具備することを特徴とする。以下、本発明の反射型マスクブランク及びその製造方法の実施例を説明する。図4に本実施例で用意した遮光枠を有さない反射型マスクブランク300を示す。反射型マスクブランク300は低熱膨張ガラス基板13の表面に、13.5nmのEUVに対して反射率が64程度となるように設計されたMoとSiの50ペアの積層及び最上層にRuをもつ多層反射層23、TaNからなる吸収層52、TaONからなる低反射層62が順次形成されている。低反射層62の膜厚は250nm近傍の紫外光に対して反射率が10以下となるように設計した。また低反射層62と吸収層52の合計膜厚は50nmとした。図4の反射型マスクブランク300の低熱膨張ガラス基板13の裏面から、線幅5mmの枠状領域に対して、パルス型レーザを照射し、遮光枠を形成した。低熱膨張ガラス基板13の裏面に、スパッタリングによりCrNを成膜し、遮光枠が形成された反射型マスクブランクを作製した。前記反射型マスクブランクを用いて13.5nmのEUVを光源とした露光を半導体基板上の同じ領域に4回行なった。露光された半導体基板上の領域において、作製した反射型マスクブランク上の遮光枠に相当する領域のみ、4重に露光されていたにもかかわらず、半導体基板上の当該領域におけるレジストの感光は確認されなかった。