コバルト-白金CoPt、コバルト-クロム-白金CoCrPtまたはコバルト-クロム-白金-ホウ素CoCrPtB系合金および酸化物の組み合わせから本質的になり、酸化物の組み合わせは、4から8原子の量の範囲のシリカ酸化物SiO2および0.8から5原子以下の量の範囲の酸化クロムCr2O3を含むスパッタターゲット。酸化物の組み合わせが二酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、酸化イットリウムY2O3および酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物をさらに含む、請求項1に記載のスパッタターゲット。酸化物の組み合わせがCu、CuOおよびこれらの組み合わせから選択される物質をさらに含む、請求項1に記載のスパッタターゲット。請求項1から3のいずれかに記載のスパッタターゲットを基板にスパッタすることにより形成されるハードディスクの記録材。引用された参考文献は記録層の前述の材料が記録機能を提供することを開示しているが、それでもなお、下記のようないくつかの欠点がある。1.酸化物を含有する複合ターゲットは、スパッタリングプロセスの間に成分の酸化物の一部から酸素原子が弾き出される場合がある。酸素原子が真空装置によってスパッタ室から容易に排出される間に、酸素原子の欠如のために、記録媒体に堆積する酸化物が非化学量論になる。したがって、非化学量論的酸化物は、磁気粒子の分離を十分に達成することができない。2.上記の欠点を解決するためには、スパッタリングプロセスの間に化学量論的酸化物を獲得し、スパッタリングプロセスの間に酸素をガスに補充することが必要である。しかしながら、ガスの流量を正確に制御することは困難であり、またスパッタターゲットの面にとって有害となりやすい。ハードディスクの従来の記録材の前述の問題を解決するために、必要とする酸素は、ガスに添加される代わりにスパッタターゲットに直接添加される。酸素を供給する一般的な酸化物はCr2O3およびCoOである。したがって、本発明は、多重酸化物から本質的になるスパッタターゲットが、高品位および高記録密度を有する記録層を形成するために使用されるスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材への適用を提供する。本発明は、コバルト-白金CoPt、コバルト-クロム-白金CoCrPtまたはコバルト-クロム-白金-ホウ素CoCrPtB系材料および酸化物の組み合わせから本質的になるスパッタターゲットを提供する。酸化物組成物は、4から8原子の量のシリカ酸化物SiO2および0.8から5原子の量の酸化クロムCr2O3を含む。酸化物の組み合わせを含むスパッタターゲットは、好ましくは、二酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、酸化イットリウムY2O3および酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物を含む。酸化物の組み合わせを含有するスパッタターゲットは、好ましくは、Cu、CuOおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を含む。本発明は、スパッタにより前記スパッタターゲットから形成されるハードディスクの記録材を提供する。磁気記録媒体すなわちハードディスク用の記録材は、イオンビームスパッタリング、電子スパッタリング堆積などを包含するが、これらに限定されない公知のスパッタリング法によって形成することができる。本発明の好ましい実施形態は、基板ガラスまたはアルミニウムなどのに従来の垂直磁気記録媒体におけるような堆積層を与えるステップ、および層の上面に10mTorrアルゴンArガスの気圧で本発明によるスパッタターゲットをスパッタするステップによって製造され、本発明によるハードディスクの記録材を形成する。本発明は、コバルト-白金CoPt、コバルト-クロム-白金CoCrPtまたはコバルト-クロム-白金-ホウ素CoCrPtB系合金および酸化物の組み合わせから本質的になるハードディスクの記録材を提供し、ここで、酸化物の組み合わせは、4から8原子の量のシリカ酸化物SiO2および0.8から5原子の量の酸化クロムCr2O3を含む。酸化物の組み合わせは、好ましくは、二酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、酸化イットリウムY2O3および酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物をさらに包含する。酸化物の組み合わせは、好ましくは、Cu、CuOおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される物質をさらに包含する。酸化物の組み合わせの量は、好ましくは、全材料に対して体積百分率で25から31体積の範囲である。本発明はスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材への適用を提供する。その改善は次を含む。1.スパッタターゲットの中核原料は複合酸化物を含み、ここで、CoOまたはCr2O3はスパッタリングプロセスにおいて酸素の枯渇に対して酸素を提供するための酸素供給剤として働く。さらに、前記スパッタターゲットから形成された磁気記録層は、記録媒体の面積記録密度を改善するために磁気記録媒体ハードディスクに広く使用することができる。2.酸化物の組み合わせのCoOまたはCr2O3が、磁気粒子と酸化物粒界層との間のCr-OまたはCo-Oの結合形態として存在する場合、各磁気粒子を、酸化物によって、より完全に一様に取り囲むことができる。さらに、CrOの反強磁性の性質は、各磁気粒子内の磁気的減結合を有効に達成し、それによって、薄膜のシグナル対ノイズ比SNRおよび保磁度Hcを効率的に改善する。好ましい実施形態の以下の記載において、その一部分を形成する添付図面が参照されるが、これは本発明が実施することができる特定の実施形態の例証として示されるものである。本発明の範囲から離れずに、他の実施形態が利用され変更され得ることは理解されるはずである。本発明およびその効果の技術的特徴に関してよりよく理解するために、また本明細書の開示による実施のために、好ましい実施形態、詳細および図を以下にさらに示す。本発明は、ハードディスクの記録層中の磁気粒子の相互作用を有効に抑制するための多重酸化物を含むスパッタターゲットの中核原料を提供し、ここで、多重酸化物は1第1の酸化物としてのSiO2、2第2の酸化物としてTiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、HfO2およびCuOから選択される物質、および3第3の酸化物としてのCr2O3またはCoOを含む。本発明の主な技術的特徴は第3の酸化物にあり、下記の特徴を有する。1スパッタリングプロセスで追加の酸素をガスに添加する必要がなく、スパッタリングプロセスにおいて第1の酸化物および第2の酸化物を化学量論にし得る酸素供給剤であること、2磁気粒子と酸化物粒界層との間でCr-OまたはCo-Oの結合形態で存在し、濡れ性を改善し、酸化物粒界層によって磁気粒子をより完全に一様に包囲すること、3磁気粒子と酸化物粒界層との間にCr-OまたはCo-Oの結合形態が存在するので、Cr-Oの反強磁性の性質により磁気粒子と酸化物粒界層との間の磁気的減結合を達成するのに効果的であること。第1の酸化物に、SiO2がガラス形成剤として使用され、これは、平滑な表面を有する緊密な粒界層を形成することができる。第2の酸化物には、高融解温度を有する酸化物が使用され、これは薄膜形成中に最初の核を形成し、スパッタリングプロセスの間に磁気粒子を改良することができる。第3の酸化物には、第1および第2の酸化物のギブス自由エネルギーより高いそれを有する酸化物が使用され、前記第3の酸化物の金属元素はCoおよびPtより酸化されやすい。本発明はコバルト-白金CoPt、コバルト-クロム-白金CoCrPtまたはコバルト-クロム-白金-ホウ素CoCrPtB系合金および酸化物の組み合わせから本質的になるスパッタターゲットを提供する。酸化物の組み合わせはシリカ酸化物SiO2および酸化クロムCr2O3を包含し、ここで、シリカ酸化物の量は4から8原子の範囲であり、酸化クロムの量は0.8から5の範囲である。スパッタターゲットの酸化物の組み合わせは、二酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、酸化イットリウムY2O3および酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物をさらに包含する。スパッタターゲットの酸化物の組み合わせは、Cu、CuOおよびこれらの組み合わせから選択される物質をさらに包含する。本発明はスパッタターゲットをスパッタリングすることにより形成される高品位および高面積記録密度を有するハードディスク用記録材を提供する。磁気記録媒体すなわちハードディスク用の記録材は、イオンビームスパッタリング、電子スパッタリング堆積などを包含するが、これらに限定されない従来のスパッタリング法のいずれかによって形成される。本発明の好ましい実施形態は、基板ガラスまたはアルミニウムなどのに従来の垂直磁気記録媒体におけるような堆積層を与えるステップおよび層の上面に10mTorrアルゴンArガスの気圧で本発明によるスパッタターゲットをスパッタするステップによって得られ、本発明によるハードディスクの記録材を形成する。本発明は、コバルト-白金CoPt、コバルト-クロム-白金CoCrPtまたはコバルト-クロム-白金-ホウ素CoCrPtB系合金および酸化物の組み合わせから本質的になるハードディスクの記録材を提供し、ここで酸化物の組み合わせは、4から8原子の量のシリカ酸化物SiO2および0.8から5原子の量の酸化クロムCr2O3を含む。ハードディスクの記録材の酸化物の組み合わせは、二酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5、酸化ニオブNb2O5、酸化ジルコニウムZrO2、酸化イットリウムY2O3および酸化ハフニウムHfO2からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物をさらに包含する。ハードディスクの記録材の酸化物の組み合わせは、Cu、CuOおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される物質をさらに包含する。ハードディスクの記録材の酸化物の組み合わせの量は、全材料に対して体積百分率で25から31体積の範囲である。CoCrPt-xSiO2-y第2の酸化物-zCr2O3で構成されるスパッタターゲットAおよびCoCrPt-xSiO2-y第2の酸化物-zZrO2で構成されるスパッタターゲットBをそれぞれ調製した。ただし、x、yおよびzは対応する酸化物の原子を表し、zは0.8から5原子0.8≦z≦5の範囲であり、xyは6から11原子6≦xy≦11の範囲であった。多重層を有する基板は、垂直磁気記録媒体の製造のための従来法におけるように、基板に順番に層を積層することにより調製した。10mTorrのアルゴンArガス圧力で本発明によるスパッタターゲットを用いてスパッタすることにより、続けてCoCrPtB層をその上にスパッタすることにより記録層を形成した。次いで、その保磁度Hcおよび核形成磁場Hnを振動試料型磁力計VSMで測定し、そのシグナル対ノイズ比SNRはGuzik試験システムによって測定した。スパッタターゲットAおよびBを比較する表2を参照すると、Cr2O3を含むスパッタターゲットは、Cr2O3を含まないそれより、優れたSNRおよびHcを有していた。特に、2原子を超える量のCr2O3を含有するスパッタターゲットについては、そのSNRおよびHcは明らかに改善された。要約すると、実験結果は、ハードディスクで使用されるターゲットにCr2O3を包含させるとSNRおよびHcを有効に高めることを示した。さらに、ハードディスクの好ましい実施形態において、そのCoCrPt層はホウ素Bをさらに包含した。本発明は、Cr2O3の量が0.8原子を超える磁気記録材料へ適用される酸化物の種類および量を明確にかつ簡潔に特徴づけた。本発明の技術的特徴は、第1の酸化物および第2の酸化物に加えてスパッタリングプロセスの間に酸素を供給するための第3の酸化物を使用し、磁気粒子に対して酸化物の接着を高めてCr-Oの反強磁性の性質による磁気粒子間のカップリング効果を弱めて磁気粒子の分離を十分に達成することである。磁気記録媒体/ハードディスクの記録層に適用される磁気記録材料を形成する本発明によるスパッタターゲットの使用によって、磁気記録媒体の面積記録密度は大幅に増加させることができる。たとえ本発明の多数の特徴および利点が、本発明の構成および機能の詳細とともに前述の記載において示されたとしても、本開示は単なる例示であり、添付の特許請求の範囲が表される用語の広範囲の全体的な意味によって示される十分な程度に、詳細に、特に本発明の原理内の部分の形状、寸法および配置に関して、変更することができる。