ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップと、設計された前記原本レイアウトで最外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップと、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値等を獲得するステップと、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップとを含む半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記ターゲットパターンで、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等に対する光近接補正OPCを行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記均一性分布値のうち何れか1つは、前記ターゲットパターンが1DDimensionパターンの場合、3nmより大きくないことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記均一性分布値のうち何れか1つは、前記ターゲットパターンが2DDimensionパターンの場合、5nmより大きくないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記最外郭パターンに対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが1Dパターンの場合、前記最外郭パターンのスペースの大きさと線幅の大きさのうち、少なくとも何れか1つの大きさを調節することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記最外郭パターンに対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合、前記最外郭パターンのX方向スペースの大きさ又はY方向スペースの大きさを調節することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記ターゲットパターンで、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等は、セルと同じサイズで形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記最外郭パターンに対するサイズの調節は、前記原本レイアウトのシミュレーションコントゥアを基準に20~70の範囲で調節することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップと、設計された前記原本レイアウトで複数個の外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップと、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値等を獲得するステップと、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される前記外郭パターン等のサイズをターゲット外郭パターンサイズに決定するステップとを含む半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記ターゲットパターンで、前記複数個の外郭パターンの内側にあるパターン等に対する光近接補正OPCを行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記均一性分布値のうち何れか1つは、前記ターゲットパターンが1Dパターンの場合、3nmより大きくないことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記均一性分布値のうち何れか1つは、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合、5nmより大きくないことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記複数個の外郭パターンに対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが1Dパターンの場合、前記複数個の外郭パターンのスペースの大きさと線幅の大きさのうち、少なくとも何れか1つの大きさを調節することを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記複数個の外郭パターンに対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合、前記複数個の外郭パターンのX方向スペースの大きさ又はY方向スペースの大きさを調節することを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記ターゲットパターンで、前記複数個の外郭パターンの内側にあるパターン等はセルと同じサイズで形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記外郭パターン等に対するサイズの調節は、前記原本レイアウトのシミュレーションコントゥアを基準に20~70の範囲で調節することを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップと、設計された前記原本レイアウトで、最外郭パターンを含む少なくとも1つの外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対し前記外郭パターンの内側にあるパターン等の均一性分布値を獲得するステップと、獲得された前記均一性分布値のうち何れかに対応される外郭パターンのサイズをターゲット外郭パターンサイズに決定するステップとを含む半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記均一性分布値を獲得するステップは、前記原本レイアウトで、前記少なくとも1つの外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップと、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値を獲得するステップとを含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記外郭パターン等に対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが1Dパターンの場合、前記少なくとも1つの外郭パターンのスペースの大きさと線幅の大きさのうち、少なくとも何れか1つの大きさを調節することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。前記外郭パターン等に対するサイズの調節は、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合、前記少なくとも1つの外郭パターンのX方向スペースの大きさ又はY方向スペースの大きさを調節することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子のパターン均一度の調節方法。本発明は、ウェハ上にパターニングされるターゲットパターンのうち最外郭パターンのサイズを調節することにより、ウェハ上の線幅均一度をより改良し、工程マージンDOFマージンを向上させることのできる新しい方法を提供しようとする。本発明の一実施形態に係るパターン均一度の調節方法は、ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップと、設計された前記原本レイアウトで最外郭パターンのサイズを調節すれば、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップと、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値3σ等を獲得するステップと、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップとを含む。このように本発明は、最外郭パターンのサイズを調節しその内側にあるパターン等のパターン均一度を調節することにより、ウェハ上のパターン等に対するCDCriticalDimension均一度をより容易に効果的に改良することができ、工程マージンを向上させることができる。本発明に係るパターン均一度の調節方法は、前記ターゲットパターンで、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等に対する光近接補正OPCを行うステップをさらに含むことにより、さらに向上したCD均一度を確保することができる。本発明に係るパターン均一度の調節方法において、前記均一性分布値のうち何れかは、前記ターゲットパターンが1DDimensionパターンの場合は3nmより大きくないようにし、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合は5nmより大きくないようにする。本発明に係るパターン均一度の調節方法において、前記ターゲットパターンが1Dパターンの場合は、前記最外郭パターンのスペースの大きさと線幅の大きさのうち少なくとも何れか1つの大きさを調節することができ、前記ターゲットパターンが2Dパターンの場合は、前記最外郭パターンのX方向スペースの大きさ又はY方向スペースの大きさを調節することができる。このとき、調節範囲は、原本レイアウトのシミュレーションコントゥアを基準に20~70の範囲で調節することができる。本発明に係るパターン均一度の調節方法において、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等は、セルと同じサイズで形成されるようにする。本発明の他の実施形態に係るパターン均一度の調節方法は、ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップと、設計された前記原本レイアウトで複数個の外郭パターンのサイズを調節すれば、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップと、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値3σ等を獲得するステップと、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップとを含む。即ち、本発明では、最外郭パターンだけでなく、最外郭パターンを含む複数個の外郭パターンのサイズを共に調節することができる。本発明は、アシストフィーチャーを挿入するか、パターンのレイアウトに対する設計変更なく、ターゲットパターンのうち最外郭パターン、又は最外郭パターンを含む複数個の外郭パターンのサイズを調節することにより、その内側にあるパターン等のCD均一度を効果的に改良することができる。図3は、本発明の一実施形態に係るパターンの均一度の調節方法を説明するためのフローチャートである。先ず、ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップ310。このとき、原本レイアウトはマスクレイアウトであって、例えば、セル領域に形成される1DDimensionパターン例えば、ラインアンドスペースパターン又は2Dパターン例えば、孤立パターン又はホールパターンのように、均一なサイズを有し、一定の間隔に形成されるパターンのレイアウトであり得る。本実施形態では、ターゲットパターンが1Dパターンの場合を中心に説明する。原本レイアウトに対する設計が完了すると、設計された原本レイアウトで最外郭パターンのサイズ線幅の大きさ及び/又はスペースの大きさを段階的に調節しながら、それぞれの場合に対するターゲットパターンのシミュレーションコントゥアcontourを得るステップ320。このとき、ターゲットパターンで最外郭パターンを除いた残りのパターン等、即ち、最外郭パターンの内側に形成されるパターン以下、内側パターンと記す等は、セルと同じサイズを有するよう均一なサイズで形成し、最外郭パターンのサイズのみを異にしながらそれぞれのサイズ別にシミュレーションを行ってパターンに対するシミュレーションコントゥアを得る。なお、最外郭パターンのサイズ調節範囲は、原本レイアウトに対し得られたシミュレーションコントゥアを基準に20~70の範囲で調節することができる。次に、それぞれの最外郭パターンサイズ別にシミュレーションコントゥアに含まれたパターン等のサイズ線幅を測定し、それぞれの最外郭パターンサイズに対する均一性分布値3σ等を獲得するステップ330。表1は、最外郭パターン及びそれと隣接した内側パターン間のスペースサイズS1の調節に伴う内側パターン等の線幅、最大最小線幅、線幅の変化範囲及び均一性分布値3σsigma等に対するシミュレーション結果を表した表であり、図4は、表1の値等をグラフで示す図である。単位はnm表1及び図4に示す通り、最外郭パターン及びそれと隣接した内側パターン間のスペースサイズを調節するに伴い、内側パターン等のCD均一性が変化することが分かる。即ち、最外郭パターンのサイズ例えば、スペースのサイズを調節することにより、パターン等のCD均一性を調節可能なことが分かる。さらに、サイズが大きくなるほどCD均一性が改良される結果を見せながら、ある特定のサイズ例えば、160nmを超えると、CD均一性がさらに不良になっていることを見せている。即ち、パターンのCDを均一にする最外郭パターンのサイズ値3σが最小になるサイズが存在するとのことを確認することができる。図示してはいないが、ホールパターンのような2Dパターンの場合も、前述した1Dパターンラインアンドスペースパターンでのように最外郭パターンのサイズX方向のスペースサイズ、Y方向のスペースサイズを調節すれば、内側パターン等に対するCD均一性を調節することができるとのことを確認した。したがって、本発明ではステップ330が完了すると、図4に示す通り得られた最外郭パターンのサイズ別のシミュレーション結果で、最小値の3σを有するサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップ340。しかし、シミュレーションを行うとき、そのシミュレーション対象範囲最外郭パターンサイズに対するシミュレーション範囲を誤って定める場合は、たとえそのシミュレーション結果で3σ値が最小のサイズをターゲット最外郭パターンサイズに選択するとしても、向上したCD均一性を確保することができないこともある。したがって、本発明では、最小の3σ値を有するとともに、その最小の3σ値が特定値以下の場合にのみ、当該最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定する。即ち、1Dパターンの場合は、図5aに示す通り、3σ値が3nm以下でありながら最小値を有する場合、当該最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定する。なお、2Dパターンの場合は、図5bに示す通り、X方向のスペースサイズ及びY方向のスペースサイズに対する3σ値が全て5nm以下でありながら最小値を有する場合、当該最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定する。ターゲット最外郭パターンサイズが決定されると、内側パターン等に対する光近接補正OPC:OpticalProximityCorrectionを行うことにより最終的なターゲットパターンのレイアウトを完成するステップ350。このとき、OPC工程は、従来のOPC工程と同様に行われるので、これに対する説明は省略する。前述した本発明のパターンの均一度の調節方法は、フォトマスクのパターンレイアウトを形成するときに用いられ得る。前述した本発明の実施形態等は例示の目的のためのものであり、当業者であれば、特許請求の範囲の技術的思想と範囲を介し多様な修正、変更、代替及び付加が可能なはずであり、このような修正変更などは特許請求の範囲に属するものとみなすべきである。例えば、前述した実施形態では、最外郭パターンに対するスペースサイズを調節する場合に対してのみ説明したが、最外郭パターンのライン線幅又はホールの大きさを調節する場合にもパターン等のCD均一性を調節することができるのは自明である。さらに、前述した実施形態では、最外郭パターンに対するサイズを調節retargetingする場合を説明したが、必要に応じては、最外郭パターンだけでなく、内側パターン等のうち最外郭パターンに隣接した少なくとも1つのパターンのサイズを共に調節することもできる。即ち、最外郭パターンを含む複数個の外郭パターンのサイズを共に調節しながら、前述したように、それぞれの場合に対するシミュレーションコントゥアを得、そのシミュレーションコントゥアに含まれたパターン等の3σ値が前述の条件を満たす外郭パターン等のサイズをターゲット外郭パターンサイズに決定することができる。