"下記式1Aで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A、及び、下記式1Bで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第1のシリコーン樹脂成分と、下記式51Aで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂A、及び、下記式51Bで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第2のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、前記第1のシリコーン樹脂Aにおける下記式a1より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、前記第1のシリコーン樹脂Bにおける下記式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、前記第2のシリコーン樹脂Aにおける下記式a51より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、前記第2のシリコーン樹脂Bにおける下記式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル以上、70モル以下である、光半導体装置用封止剤。前記式1A中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。前記式1B中、a、b、c及びdは、a/abcd=0~0.40、b/abcd=0.40~0.99、c/abcd=0~0.50及びd/abcd=0.01~0.40を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R11は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。前記式51A中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.20~0.80を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。前記式51B中、p、q、r及びsは、p/pqrs=0.05~0.50、q/pqrs=0.05~0.50、r/pqrs=0.20~0.80及びs/pqrs=0.01~0.40を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R57~60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R61は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。アリール基の含有比率モル=前記第1のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a1アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={前記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量前記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b1アリール基の含有比率モル=前記第2のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第2のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a51アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={前記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量前記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/前記第2のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b51前記第1のシリコーン樹脂B及び前記第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも一方を含む、請求項1に記載の光半導体装置用封止剤。前記第1のシリコーン樹脂成分が、前記第1のシリコーン樹脂Aであり、前記第1のシリコーン樹脂Aが、下記式1A-1で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-1を含み、前記第1のシリコーン樹脂A-1における下記式a1-1より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下である、請求項1に記載の光半導体装置用封止剤。前記式1A-1中、a及びbは、a/ab=0.05~0.50及びb/ab=0.50~0.95を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、前記式1B中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、アリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含む。アリール基の含有比率モル=前記第1のシリコーン樹脂A-1の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂A-1の数平均分子量×100式a1-1前記第1のシリコーン樹脂Aが、前記第1のシリコーン樹脂A-1を含み、かつ、下記式1A-2で表され、前記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含まないか又は含み、前記第1のシリコーン樹脂A-2が含まれる場合に、前記第1のシリコーン樹脂A-2における下記式a1-2より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、前記第1のシリコーン樹脂A-1と前記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、前記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が50重量を超え、100重量以下である、請求項3に記載の光半導体装置用封止剤。前記式1A-2中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、R4~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。アリール基の含有比率モル=前記第1のシリコーン樹脂A-2の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂A-2の数平均分子量×100式a1-2前記第1のシリコーン樹脂Aが、前記第1のシリコーン樹脂A-1を含み、かつ、下記式1A-2で表され、前記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含み、前記第1のシリコーン樹脂A-2における下記式a1-2より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下である、請求項3又は4に記載の光半導体装置用封止剤。前記式1A-2中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、R4~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。アリール基の含有比率モル=前記第1のシリコーン樹脂A-2の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂A-2の数平均分子量×100式a1-2前記第1のシリコーン樹脂Aが、前記第1のシリコーン樹脂A-1と前記第1のシリコーン樹脂A-2との双方を含み、前記第1のシリコーン樹脂A-2の100重量部に対して、前記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が5重量部以上、100重量部以下である、請求項4又は5に記載の光半導体装置用封止剤前記第2のシリコーン樹脂成分が、前記第2のシリコーン樹脂Aである、請求項1~6のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記式51A中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記第1のシリコーン樹脂A及び前記第2のシリコーン樹脂Bはそれぞれ、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、前記第1のシリコーン樹脂A及び前記第2のシリコーン樹脂Bの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が30モル以上である、請求項1~8のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記第2のシリコーン樹脂A及び前記第2のシリコーン樹脂Bはそれぞれ、下記式51-aで表される構造単位を含み、前記第2のシリコーン樹脂A及び前記第2のシリコーン樹脂Bの全シロキサン構造単位100モル中、下記式51-aで表される構造単位の割合が5モル以上である、請求項1~9のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。酸化珪素粒子をさらに含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記酸化珪素粒子が、有機珪素化合物により表面処理されている、請求項11に記載の光半導体装置用封止剤。前記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種である、請求項12に記載の光半導体装置用封止剤。前記第1のシリコーン樹脂A及び前記第1のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの各粘度が500mPas以上、20000mPas以下であり、前記第2のシリコーン樹脂A及び前記第2のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの各粘度が500mPas以上、5000mPas以下である、請求項1~13のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。E型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度が1000mPas以上、10000mPas以下である、請求項1~14のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。パラレルプレート型レオメーターを用いて25°Cから昇温速度20°C/分で加熱したときに、25°Cから硬化温度までの温度領域における剪断速度1s-1での最低粘度が200mPas以上である、請求項1~15のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。E型粘度計を用いて測定された25°Cにおける1rpmでの粘度のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度に対する比が1.2以上、2.5以下である、請求項1~16のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。蛍光体をさらに含む、請求項1~17のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項1~18のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。特許文献1に記載のような従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。また、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。特許文献2に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、二酸化珪素粒子などの無機酸化物粒子の分散性が低いことがある。このため、封止剤に蛍光体が添加された場合に、又は封止剤が蛍光体を含む場合に、蛍光体の比重が大きいことなどから、蛍光体が沈降することがある。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさが低いことがある。また、蛍光体が沈降した光半導体装置用封止剤を用いて、光半導体装置を作製すると、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色が異なることがある。また、蛍光体の沈降を防止するために封止剤の粘度を上げた従来の光半導体装置用封止剤では、粘度が高すぎて、ディスペンス性が低いという問題もある。また、特許文献3に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきをさらに一層抑制できる封止剤が強く求められている。また、特許文献3に記載の封止剤では、機械的強度及び接着性がかなり低いことがある。このため、熱サイクルを繰り返し受けると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。さらに、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置では、耐湿性が低いことがある。すなわち、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合には、発光時の明るさが徐々に低下するという問題がある。本発明は、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。本発明の限定的な目的は、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつディスペンス性が良好であり、更に複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさが高く、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきが生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の更に限定的な目的は、表面のべたつきを抑制できる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の他の限定的な目的は、耐湿信頼性が高い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の広い局面によれば、下記式1Aで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A、及び、下記式1Bで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第1のシリコーン樹脂成分と、下記式51Aで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂A、及び、下記式51Bで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第2のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第1のシリコーン樹脂Aにおける下記式a1より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、上記第1のシリコーン樹脂Bにおける下記式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、上記第2のシリコーン樹脂Aにおける下記式a51より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、上記第2のシリコーン樹脂Bにおける下記式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル以上、70モル以下である、光半導体装置用封止剤が提供される。上記式1A中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式1B中、a、b、c及びdは、a/abcd=0~0.40、b/abcd=0.40~0.99、c/abcd=0~0.50及びd/abcd=0.01~0.40を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R11は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。上記式51A中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.20~0.80を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式51B中、p、q、r及びsは、p/pqrs=0.05~0.50、q/pqrs=0.05~0.50、r/pqrs=0.20~0.80及びs/pqrs=0.01~0.40を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R57~60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R61は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a1アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={上記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量上記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b1アリール基の含有比率モル=上記第2のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第2のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a51アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={上記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量上記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/上記第2のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b51本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂B及び上記第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも一方が含まれている。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂成分が、上記第1のシリコーン樹脂Aであり、上記第1のシリコーン樹脂Aが、下記式1A-1で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-1を含み、上記第1のシリコーン樹脂A-1における下記式a1-1より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下である。上記式1A-1中、a及びbは、a/ab=0.05~0.50及びb/ab=0.50~0.95を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1B中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、アリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含む。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂A-1の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂A-1の数平均分子量×100式a1-1本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂Aが、上記第1のシリコーン樹脂A-1を含み、かつ、下記式1A-2で表され、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含まないか又は含み、上記第1のシリコーン樹脂A-2が含まれる場合に、上記第1のシリコーン樹脂A-2における下記式a1-2より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下であり、上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が50重量を超え、100重量以下である。上記式1A-2中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、R4~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂A-2の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂A-2の数平均分子量×100式a1-2本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂Aが、上記第1のシリコーン樹脂A-1を含み、かつ、上述した式1A-2で表され、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含み、上記第1のシリコーン樹脂A-2における上述した式a1-2より求められるアリール基の含有比率が30モル以上、70モル以下である。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂Aが、上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との双方を含み、上記第1のシリコーン樹脂A-2の100重量部に対して、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が5重量部以上、100重量部以下である。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第2のシリコーン樹脂成分は、上記第2のシリコーン樹脂Aである。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記式51A中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含む。本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂Bはそれぞれ、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第1のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂Bの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が30モル以上である。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第2のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂Bはそれぞれ、下記式51-aで表される構造単位を含み、上記第2のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂Bの全シロキサン構造単位100モル中、下記式51-aで表される構造単位の割合が5モル以上である。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、酸化珪素粒子がさらに含まれている。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されている。本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種である。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂A及び上記第1のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの各粘度が500mPas以上、20000mPas以下であり、上記第2のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの各粘度が500mPas以上、5000mPas以下である。本発明に係る光半導体装置用封止剤では、E型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度が1000mPas以上、10000mPas以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤では、パラレルプレート型レオメーターを用いて25°Cから昇温速度20°C/分で加熱したときに、25°Cから硬化温度までの温度領域における剪断速度1s-1での最低粘度が200mPas以上であることが好ましい本発明に係る光半導体装置用封止剤では、E型粘度計を用いて測定された25°Cにおける1rpmでの粘度のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度に対する比が1.2以上、2.5以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、蛍光体がさらに含まれている。本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式1A又は式1Bで表され、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A又は第1のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第1のシリコーン樹脂成分と、式51A又は式51Bで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂A又は第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種の第2のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第1,第2のシリコーン樹脂A,Bにおけるアリール基の含有比率又はアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が特定の範囲内であるので、ガスバリア性に優れている。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤により、発光ダイオード等の光半導体素子を封止した際に、硬化した封止剤にクラックが生じ難く、かつ硬化した封止剤はハウジング材等から剥離し難い。以下、本発明の詳細を説明する。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記の構成Xを備える。構成X:本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第1のシリコーン樹脂成分と、第2のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第1のシリコーン樹脂成分は、式1Aで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A、及び、式1Bで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種である。上記第1のシリコーン樹脂成分は、上記第1のシリコーン樹脂Aのみであってもよく、上記第1のシリコーン樹脂Bのみであってもよく、上記第1のシリコーン樹脂Aと上記第1のシリコーン樹脂Bとの双方であってもよい。上記第2のシリコーン樹脂成分は、式51Aで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂A、及び、式51Bで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種である。上記第2のシリコーン樹脂成分は、上記第2のシリコーン樹脂Aのみであってもよく、上記第2のシリコーン樹脂Bのみであってもよく、上記第2のシリコーン樹脂Aと上記第2のシリコーン樹脂Bとの双方であってもよい。上記第1のシリコーン樹脂Aにおける式a1より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。上記第1のシリコーン樹脂Bにおける式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は30モル以上、70モル以下である。上記第2のシリコーン樹脂Aにおける式a51より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。上記第2のシリコーン樹脂Bにおける式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は30モル以上、70モル以下である。上記構成Xの採用により、ガスバリア性に優れており、クラック及び剥離が生じ難い封止剤を得ることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Xに加えて、下記の構成Yをさらに備えることが好ましい。構成Y:本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第1のシリコーン樹脂成分と、上記第2のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とに加えて、有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂A後述する第1のシリコーン樹脂A-1,A-2が含まれ得る及び上記第1のシリコーン樹脂Bはそれぞれ1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第1のシリコーン樹脂A及び上記第1のシリコーン樹脂Bの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が30モル以上であり、さらに、上記第1のシリコーン樹脂A及び上記第1のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度が500mPas以上、20000mPas以下であり、上記第2のシリコーン樹脂A及び上記第2のシリコーン樹脂BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度が500mPas以上、5000mPas以下であるか、又は、光半導体装置用封止剤のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度η1が1000mPas以上、10000mPas以下であり、かつ、光半導体装置用封止剤のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける1rpmでの粘度η2のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度η3に対する比η2/η3が1.2以上、2.5以下であることが好ましい。上記構成Yの採用により、封止剤において、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつ封止剤のディスペンス性塗布性を良好にすることができる。さらに、封止剤を用いて複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさを高くすることができ、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきを生じ難くすることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Xに加えて、下記の構成Zを備えることが好ましい。構成Z:本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式1A-1で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-1と、上記第2のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。すなわち、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第1のシリコーン樹脂A-1を必須成分として含むことが好ましい。この場合に、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式1A-2で表され、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含まないか又は含み、該第1のシリコーン樹脂A-2を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。上記第1のシリコーン樹脂A-1及び上記第1のシリコーン樹脂A-2は、上記第1のシリコーン樹脂Aに含まれる樹脂である。上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第2のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Zの採用により、特に式1A-1中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位が、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、アリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことによって、封止剤の表面のべたつきを充分に抑制できる。このことは、本願発明者らによって見出された。さらに、上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第2のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Zの採用により、特に第1のシリコーン樹脂A-1の使用により、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を高めることができる。このため、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合に、発光時の明るさが徐々に低下し難くなる。上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が50重量を超え、100重量以下である場合には、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を効果的に高めることができる。さらに、上記第1のシリコーン樹脂Aと上記第1のシリコーン樹脂Bと上記第2のシリコーン樹脂とヒドロシリル化反応用触媒とを含む組成の採用により、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Xに加えて、下記の他の構成を備えることが好ましい。他の構成:ガスバリア性により一層優れており、クラック及び剥離がより一層生じ難い封止剤を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第1のシリコーン樹脂B及び上記第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも一方を含むことが好ましい。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第1のシリコーン樹脂A-1と、上記第1のシリコーン樹脂A-2と、上記第2のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。この場合には、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。第1のシリコーン樹脂本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第1のシリコーン樹脂成分は、下記式1Aで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A、及び、下記式1Bで表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種である。上記第1のシリコーン樹脂A,Bは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第2のシリコーン樹脂成分とは異なる。上記第1のシリコーン樹脂A,Bにおいて、アルケニル基は珪素原子に直接結合していることが好ましく、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。下記式1Bで表される第1のシリコーン樹脂Bは、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第1のシリコーン樹脂A,Bはそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式1A中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。なお、上記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式1B中、a、b、c及びdは、a/abcd=0~0.40、b/abcd=0.40~0.99、c/abcd=0~0.50及びd/abcd=0.01~0.40を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R11は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。なお、上記式1B中、R4R5SiO2/2で表される構造単位、R6SiO3/2で表される構造単位、R7R8R9R10Si2R11O2/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記第1のシリコーン樹脂Aは、下記式1A-1で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-1を含むことが好ましい。この場合に、上記第1のシリコーン樹脂成分が、上記第1のシリコーン樹脂Aを含み、また上記第1のシリコーン樹脂Aであることが好ましい。上記式1A-1中、a及びbは、a/ab=0.05~0.50及びb/ab=0.50~0.95を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1A-1中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、アリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含む。上記式1A-1中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。なお、上記式1A-1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。また、上記第1のシリコーン樹脂Aは、上記第1のシリコーン樹脂A-1を含み、かつ下記式1A-2で表され、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂A-2を含まないか、又は含むことが好ましい。また、上記第1のシリコーン樹脂Aは、上記第1のシリコーン樹脂A-2を含むことが好ましい。上記式1A-2中、a、b及びcは、a/abc=0~0.50、b/abc=0.40~1.0及びc/abc=0~0.50を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、R4~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。なお、上記式1A-2中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1Bは平均組成式を示す。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1Bにおける炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式1A、上記式1A-2及び上記式1B中のR1~R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1A-1中のR1~R5は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1B中のR7~R10は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1B中、R4R5SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R6SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分、R7R8R9R10Si2R11O2/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。なお、一般に、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1Bの各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第1のシリコーン樹脂A,Bを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1Bの各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式51A及び51Bの各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1B中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1B中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び上記式1Bにおける炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。上記式1Bにおける炭素数1~8の2価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。上記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂Aにおける下記式a1より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a1上記式1A-1で表される第1のシリコーン樹脂A-1における下記式a1-1より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂A-1の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂A-1の数平均分子量×100式a1-1上記式1A-2で表される第1のシリコーン樹脂A-2における下記式a1-2より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂A-2の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂A-2の数平均分子量×100式a1-2上記式a1、上記式a1-1及び上記式a1-2により求められる上記第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2のアリール基の含有比率が30モル未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が70モルを超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は35モル以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、65モル以下であることが好ましい。上記式1Bで表される第1のシリコーン樹脂Bにおける下記式b1より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={上記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量上記第1のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b1上記式b1により求められる上記第1のシリコーン樹脂Bのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が70モルを超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は35モル以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、65モル以下であることが好ましい。なお、上記式1Bで表されるシリコーン樹脂がフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,Bはそれぞれ、オルガノポリシロキサンであることが好ましい。第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,Bは、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,Bの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は30モル以上であることが好ましい。ジフェニルシロキサン構造単位の割合が30モル以上であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、更に複数の光半導体装置から取り出される光の明るさが高くなる。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは40モル以上、好ましくは60モル以下である。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合が上記上限以下であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、半導体装置から取り出される光の明るさがより高くなる。この効果は、第1のシリコーン樹脂A,A-1A-2を用いた場合と、第1のシリコーン樹脂Bを用いた場合とで、同様に発揮される。また、上記第1のシリコーン樹脂成分が上記第1のシリコーン樹脂Aであり、上記第1のシリコーン樹脂Aは、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第1のシリコーン樹脂Aの全シロキサン構造単位100モル中、1つの珪素原子に2つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が30モル以上であることが好ましい。上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式1-b1で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式1-b1で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、上記式1-b1で表される構造単位を含むことが好ましい。R4R5SiO2/2で表される構造単位は、上記式1-b1で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式1-b1で表される構造単位と上記式1-b1で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。上記第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度は500mPas以上、20000mPas以下であることが好ましい。第1のシリコーン樹脂Aの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。上記式1A-1中、R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、アリール基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式1A-1中、R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、下記式1-aで表される構造単位を含むことが好ましい。R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、下記式1-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式1-aで表される構造単位と下記式1-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。なお、下記式1-aで表される構造単位において、末端の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-a中、R1はアルケニル基を表し、R2及びR3はそれぞれアルケニル基、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。R2及びR3はそれぞれフェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表すことが好ましい。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式中の全構造単位100モル中、R1R2R3SiO1/2で表される構造単位であって、R1がアルケニル基を表し、R2及びR3がアルケニル基、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位上記式1-aで表される構造単位の割合は、好ましくは5モル以上、好ましくは50モル以下、より好ましくは45モル以下、更に好ましくは40モル以下である。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式1B中、R7R8R9R10Si2R11O2/2の構造単位は、下記式1b-1で表される構造単位であることが好ましい。下記式1b-1で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、フェニレン基の用語には、炭素数1~8の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。なお、下記式1b-1で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1b-1中、Raは、水素原子又は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式1b-1中のベンゼン環に結合している3つの基の結合部位は特に限定されない。上記式1B中、R7R8R9R10Si2R11O2/2の構造単位は、下記式1b-2で表される構造単位であることが好ましい。下記式1b-2で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式1b-2中のベンゼン環に結合しているRaの結合部位は特に限定されない。上記式1b-2中、Raは、水素原子又は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式1B中、R7R8R9R10Si2R11O2/2の構造単位は、下記式1b-3で表される構造単位であることがより好ましい。下記式1b-3で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。上記式1b-3中、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1Bで表される第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,Bにおいて、R4R5SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式1-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R4R5SiXO1/2式1-2R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R4R5SiO2/2で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有するR4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。上記式1-2及び1-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-b、1-2及び1-2-b中のR4及びR5は、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中のR4及びR5と同様の基である。上記式1A、上記式1A-2及び式1Bで表される第1のシリコーン樹脂A,A-2,Bにおいて、R6SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式1-3又は1-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R6SiX2O1/2式1-3R6SiXO2/2式1-4R6SiO3/2で表される構造単位は、下記式1-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-3-c又は1-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R6SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-c、1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中のR6は、上記式1A、上記式1A-2及び式1B中のR6と同様の基である。上記式1Bで表される第1のシリコーン樹脂Bにおいて、R7R8R9R10Si2R11O2/2で表される構造単位は、下記式1-5で表される構造、すなわち、R7R8R9R10Si2R11O2/2の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R7R8R9R10Si2R11XO1/2式1-5R7R8R9R10Si2R11O2/2で表される構造単位は、下記式1-dで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-5-dで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R7、R8、R9、R10及びR11で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R7R8R9R10Si2R11O2/2で表される構造単位に含まれる。上記式1-5及び1-5-d中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-d、1-5及び1-5-d中のR7~R11は、上記式1B中のR7~R11と同様の基である。上記式1-b~1-d、式1-2~1-5、並びに式1-2-b、1-3-c、1-4-c、及び1-5-dにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式1A及び上記式1A-2中、a/abcの下限は0、上限は0.50である。a/abcが上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式1A及び上記式1A-2中、a/abcの好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。なお、aが0であり、a/abcが0である場合、上記式1A及び上記式1A-2中、R1R2R3SiO1/2の構造単位は存在しない。上記式1A及び上記式1A-2中、b/abcの下限は0.40、上限は1.0である。b/abcが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。babcが上記上限を満たし、R4R5SiO2/2の構造単位が存在することで、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式1A及び上記式1A-2中、b/abcの好ましい下限は0.50である。上記式1A及び上記式1A-2中、c/abcの下限は0、上限は0.50である。c/abcが上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式1A及び上記式1A-2中、c/abcの好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40、更に好ましい上限は0.35である。なお、cが0であり、c/abcが0である場合、上記式1A及び上記式1A-2中、R6SiO3/2の構造単位は存在しない。上記式1A-2中、c/abcが0である場合には、上記第1のシリコーン樹脂A-2として、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式1A-2中、c/abcが0である場合には、上記式1A-2中のR1、R2及びR3がアルケニル基ではなく、R4及びR5の内の少なくとも1個がアルケニル基であることが好ましい。上記式1A-2中、c/abcは、0.01以上であってもよい。上記式1A中のc/abcは、0であることが好ましい。すなわち、上記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂Aは、下記式1Aaで表される第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性塗布性を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式1Aa中、a及びbは、a/ab=0~0.50及びb/ab=0.50~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式1Aa中のa/abの好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。b/abの好ましい下限は、0.55、より好ましい下限は0.60である。上記式1A-2中のc/abcは0であることが好ましい。すなわち、上記式1A-2で表される第1のシリコーン樹脂A-2は、下記式1A-2aで表される第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式1A-2a中、a及びbは、a/ab=0~0.50及びb/ab=0.50~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、R4~R5は少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、この第1のシリコーン樹脂として、上記第1のシリコーン樹脂A-1に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式1A-2a中のR1、R2及びR3がアルケニル基ではなく、R4及びR5の内の少なくとも1個がアルケニル基であることが好ましい。上記式1A-2a中のa/abの好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。b/abの好ましい下限は0.55、より好ましい下限は0.60である。上記式1A-1中、a/abの下限は0.05、上限は0.50である。a/abが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物の表面のべたつきを抑制できる。a/abが上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式1A-1中、a/abの好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式1A-1中、a/abの更に好ましい上限は0.30である。上記式1A-1中、b/abの下限は0.50、上限は0.95である。b/abが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式1A-1中、b/abのより好ましい下限は0.70である。上記式1B中、a/abcdの下限は0、上限は0.40である。a/abcdが上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。なお、aが0であり、a/abcdが0である場合、上記式1B中、R1R2R3SiO1/2の構造単位は存在しない。上記式1B中、b/abcdの下限は0.40、上限は0.99である。b/abcdが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。b/abcdが上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式1B中、c/abcdの下限は0、上限は0.50である。c/abcdが上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。なお、cが0であり、c/abcdが0である場合、上記式1B中、R6SiO3/2の構造単位は存在しない。上記式1B中、d/abcdの下限は0.01、上限は0.40である。d/abcdが上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式1B中、d/abcdの好ましい下限は0.03、より好ましい下限は0.05、好ましい上限は0.35、より好ましい上限は0.30である。上記式1B中のc/abcdは、0であることが好ましい。すなわち、上記式1Bで表される第2のシリコーン樹脂Bは、下記式1Bbで表される第2のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性塗布性を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式1Ba中、a、b及びdは、a/abd=0~0.40、b/abd=0.40~0.99、及びd/abd=0.01~0.40を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のR1~R5は、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R7~R10はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R11は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。上記第1のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,Bについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中のR1R2R3SiO1/2aで表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中のR4R5SiO2/2b及び1-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式1A、上記式1A-2及び式1B中のR6SiO3/2c、並びに1-3及び1-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れ、上記式1B中のR7R8R9R10Si2R11O2/2d及び1-5に相当するピークは0~-5ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式1A、上記式1A-1、上記式1A-2及び式1B中の各構造単位の比率を見分けることができる。上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量は、5重量以上、100重量以下であることが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量は、50重量を超え、100重量以下であることが特に好ましい。上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が50重量を超えると、封止剤の耐湿信頼性がかなり高くなる。上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量中、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量は、99.9重量以下であってもよい。上記第1のシリコーン樹脂A-2の100重量部に対して、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量は5重量部以上、100000重量部以下であることが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂A-2の100重量部に対して、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量は5重量部以上、100重量部以下であることが特に好ましい。第1のシリコーン樹脂A-1の含有量が5重量部以上、100重量部以下であると、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記第1のシリコーン樹脂A-2の100重量部に対して、上記第1のシリコーン樹脂A-1の含有量のより好ましい下限は10重量部、より好ましい上限は80重量部である。第2のシリコーン樹脂本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第2のシリコーン樹脂成分は、下記式51Aで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂A、及び、下記式51Bで表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第2のシリコーン樹脂Bの内の少なくとも1種である。上記第2のシリコーン樹脂A,Bにおいて、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。下記式51Bで表されるシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第2のシリコーン樹脂A,Bは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式51A中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.20~0.80を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。なお、上記式51A中、R54R55SiO2/2で表される構造単位及びR56SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式51B中、p、q、r及びsは、p/pqrs=0.05~0.50、q/pqrs=0.05~0.50、r/pqrs=0.20~0.80及びs/pqrs=0.01~0.40を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも1個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のR51~R56は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R57~60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表し、R61は、炭素数1~8の2価の炭化水素基を表す。なお、上記式51B中、R54R55SiO2/2で表される構造単位、R56SiO3/2で表される構造単位、R57R58R59R60Si2R61O2/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式51A及び式51Bは平均組成式を示す。上記式51A及び式51Bにおける炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式51A及び式51B中のR51~R56は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式51B中のR57~R60は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式51A及び51B中、R54R55SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R56SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分、R57R58R59R60Si2R61O2/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。上記式51A及び式51Bにおける炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基が挙げられる。上記式51Bにおける炭素数1~8の2価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。上記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂Aにおける下記式a51より求められるアリール基の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基の含有比率モル=上記第2のシリコーン樹脂Aの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第2のシリコーン樹脂Aの数平均分子量×100式a51上記式a51より求められる上記第2のシリコーン樹脂Aのアリール基の含有比率が30モル未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が70モルを超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は35モル以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、65モル以下であることが好ましい。上記式51Bで表される第2のシリコーン樹脂Bにおける下記式b51より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は30モル以上、70モル以下である。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率モル={上記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量上記第2のシリコーン樹脂Bの1分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量/上記第2のシリコーン樹脂Bの数平均分子量}×100式b51上記式b51より求められる上記第2のシリコーン樹脂Bのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が30モル未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が70モルを超えると、剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は35モル以上であることが好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、65モル以下であることが好ましい。なお、上記式51Bで表される第2のシリコーン樹脂Bがフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第2のシリコーン樹脂A,Bは、下記式51-aで表される構造単位を含むことが好ましい。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す。R52及びR53はそれぞれフェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表すことが好ましい。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式51A及び式51B中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位はそれぞれ、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53がフェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式51A及び式51B中、R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、上記式51-aで表される構造単位を含むことが好ましい。R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、上記式51-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式51-aで表される構造単位と上記式51-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。上記第2のシリコーン樹脂A,Bはそれぞれ、オルガノシロキサンであることが好ましい。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第2のシリコーン樹脂A,Bの全シロキサン構造単位100モル中、上記式51-aで表される構造単位の割合は、好ましくは5モル以上、より好ましくは10モル以上、好ましくは50モル以下、より好ましくは45モル以下である。上記式51A及び式51B中の全構造単位100モル中、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が水素原子、フェニル基又は炭素数1~8の炭化水素基を表す構造単位上記式51-aで表される構造単位の割合は、好ましくは5モル以上、より好ましくは10モル以上、好ましくは50モル以下、より好ましくは45モル以下である。上記第2のシリコーン樹脂A,BのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度は500mPas以上、5000mPas以下であることが好ましい。上記第2のシリコーン樹脂A,Bの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式51B中、R57R58R59R60Si2R61O2/2の構造単位は、下記式51b-1で表される構造単位であることが好ましい。下記式51b-1で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。上記式51b-1中、Rbは、水素原子又は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R57~R60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式51b-1中のベンゼン環に結合している3つの基の結合部位は特に限定されない。上記式51B中、R57R58R59R60Si2R61O2/2の構造単位は、下記式51b-2で表される構造単位であることが好ましい。下記式51b-2で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式51b-2中のベンゼン環に結合しているRbの結合部位は特に限定されない。上記式51b-2中、Rbは、水素原子又は炭素数1~8の炭化水素基を表し、R57~R60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式51B中、R57R58R59R60Si2R61O2/2の構造単位は、下記式51b-3で表される構造単位であることがより好ましい。下記式51b-3で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。上記式51b-3中、R57~R60はそれぞれ、炭素数1~8の炭化水素基を表す。上記式51A又は式51Bで表される第2のシリコーン樹脂において、R54R55SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式51-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R54R55SiXO1/2式51-2R54R55SiO2/2で表される構造単位は、下記式51-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R54R55SiO2/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-2及び51-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-b、51-2及び51-2-b中のR54及びR55は、上記式51A又は式51B中のR54及びR55と同様の基である。上記式51A又は式51Bで表される第1のシリコーン樹脂において、R56SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式51-3又は51-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R56SiX2O1/2式51-3R56SiXO2/2式51-4R56SiO3/2で表される構造単位は、下記式51-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-3-c又は51-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R56SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-c、51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中のR56は、上記式51A及び51B中のR56と同様の基である。上記式51Bで表される第2のシリコーン樹脂Bにおいて、R57R58R59R60Si2R61O2/2で表される構造単位は、下記式51-5で表される構造、すなわち、R57R58R59R60Si2R61O2/2の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R57R58R59R60Si2XR61O1/2式51-5R57R58R59R60Si2R61O2/2で表される構造単位は、下記式51-dで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-5-dで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R57、R58、R59、R60及びR61で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R57R58R59R60Si2R61O2/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-5及び51-5-d中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-d、51-5及び51-5-d中のR57~R61は、上記式51B中のR57~R61と同様の基である。上記式51-b~51-d、式51-2~51-5、並びに式51-2-b、51-3-c、51-4-c、及び51-5-dにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式51A中、p/pqrの下限は0.05、上限は0.50である。p/pqrが上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式51A中、中、p/pqrの好ましい下限は0.10、より好ましい上限は0.45である。上記式51A中、q/pqrの下限は0.05、上限は0.50である。q/pqrが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。q/pqrが上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式51A中、q/pqrの好ましい下限は0.10、より好ましい上限は0.45である。上記式51A中、r/pqrの下限は0.20、上限は0.80である。r/pqrが上記下限を満たすと、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。r/pqrが上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式51B中、p/pqrsの下限は0.05、上限は0.50である。p/pqrsが上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式51B中、q/pqrsの下限は0.05、上限は0.50である。q/pqrsが上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。q/pqrsが上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式51B中、r/pqrsの下限は0.20、上限は0.80である。r/pqrsが上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式51B中、s/pqrsの下限は0.01、上限は0.40である。s/pqrsが上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式51B中、s/pqrsの好ましい下限は0.03、より好ましい下限は0.05、好ましい上限は0.35、より好ましい上限は0.30である。上記第2のシリコーン樹脂A,Bについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式51A及び式51B中のR51R52R53SiO1/2pで表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式51A及び式51B中のR54R55SiO2/2q及び51-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式51A及び式51B中のR56SiO3/2r、並びに51-3及び51-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れ、上記式51B中のR57R58R59R60Si2R61O2/2s及び51-5に相当するピークは0~-5ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式51A及び式51B中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式51A及び式51B中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式51A及び式51B中の各構造単位の比率を見分けることができる。上記第1のシリコーン樹脂成分100重量部に対して、上記第2のシリコーン樹脂成分の含有量は10重量部以上、400重量部以下であることが好ましい。第1,第2のシリコーン樹脂成分の含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤を得ることができる。ガスバリア性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第1のシリコーン樹脂成分100重量部に対して、上記第2のシリコーン樹脂成分の含有量のより好ましい下限は30重量部、更に好ましい下限は50重量部、より好ましい上限は300重量部、更に好ましい上限は200重量部である。上記第1のシリコーン樹脂成分100重量部とは、封止剤が上記第1のシリコーン樹脂Aを含みかつ上記第1のシリコーン樹脂Bを含まない場合には、第1のシリコーン樹脂A100重量部を示し、封止剤が上記第1のシリコーン樹脂Aを含まずかつ上記第1のシリコーン樹脂Bを含む場合には、第1のシリコーン樹脂B100重量部を示し、封止剤が上記第1のシリコーン樹脂Aと上記第1のシリコーン樹脂Bとの双方を含む場合には、第1のシリコーン樹脂Aと第1のシリコーン樹脂Bとの合計100重量部を示す。上記第2のシリコーン樹脂成分100重量部とは、封止剤が上記第2のシリコーン樹脂Aを含みかつ上記第2のシリコーン樹脂Bを含まない場合には、第2のシリコーン樹脂A100重量部を示し、封止剤が上記第2のシリコーン樹脂Aを含まずかつ上記第2のシリコーン樹脂Bを含む場合には、第2のシリコーン樹脂B100重量部を示し、封止剤が上記第2のシリコーン樹脂Aと上記第2のシリコーン樹脂Bとの双方を含む場合には、第2のシリコーン樹脂Aと第2のシリコーン樹脂Bとの合計100重量部を示す。上記第1のシリコーン樹脂A100重量部とは、上記第1のシリコーン樹脂Aが上記第1のシリコーン樹脂A-1を含みかつ上記第1のシリコーン樹脂A-2を含まない場合には、第1のシリコーン樹脂A-1の100重量部を示し、上記第1のシリコーン樹脂Aが上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との双方を含む場合には、上記第1のシリコーン樹脂A-1と上記第1のシリコーン樹脂A-2との合計100重量部を示す。第1,第2のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法上記第1,第2のシリコーン樹脂のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は0.5モル、より好ましい下限は1モル、好ましい上限は10モル、より好ましい上限は5モルである。アルコキシ基の含有量が上記好ましい範囲内であると、封止剤の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、第1,第2のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記アルコキシ基の含有量は、第1,第2のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。上記第1,第2のシリコーン樹脂成分はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第1,第2のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第1,第2のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。上記第1,第2のシリコーン樹脂の数平均分子量Mnの好ましい下限は500、より好ましい下限は800、更に好ましい下限は1000、好ましい上限は50000、より好ましい上限は15000である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。上記数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量Mnは、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mmを2本、測定温度:40°C、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いて測定された値を意味する。上記第1,第2のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。上記第1,第2のシリコーン樹脂にフェニル基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記第1,第2のシリコーン樹脂にR7R8R9R10Si2R11O2/2、R57R58R59R60Si2R61O2/2を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、1,4-ビスジメチルメトキシシリルベンゼン、1,4-ビスジエチルメトキシシリルベンゼン、1,4-ビスエトキシエチルメチルシリルベンゼン、1,6-ビスジメチルメトキシシリルヘキサン、1,6-ビスジエチルメトキシシリルヘキサン及び1,6-ビスエトキシエチルメチルシリルヘキサン等が挙げられる。上記第1のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第2のシリコーン樹脂に珪素原子に直接結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第1,第2のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム-t-ブトキシド、カリウム-t-ブトキシド及びセシウム-t-ブトキシドが挙げられる。上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。ヒドロシリル化反応用触媒本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のシリコーン樹脂成分中のアルケニル基と、上記第2のシリコーン樹脂成分中の珪素原子に直接結合している水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金-アルケニルシロキサン錯体、白金-オレフィン錯体及び白金-カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体が好ましい。上記白金-アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金-オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6-ヘプタジエン等が挙げられる。上記白金-アルケニルシロキサン錯体及び白金-オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6-ヘプタジエンである。上記第1のシリコーン樹脂成分と上記第2のシリコーン樹脂成分とを含む封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子の重量単位で0.01~1000ppmの範囲内であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が0.01ppm以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易であり、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が1000ppm以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量のより好ましい下限は1ppm、より好ましい上限は500ppmである。酸化珪素粒子本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径の好ましい下限は5nm、より好ましい下限は8nm、好ましい上限は200nm、より好ましい上限は150nmである。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい下限を満たすと、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい上限を満たすと、25°Cにおける粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡商品名JEM-2100、日本電子社製を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。上記酸化珪素粒子のBET比表面積の好ましい下限は30m2/g、好ましい上限は400m2/gである。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が30m2/g以上であると、封止剤の25°Cにおける粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が400m2/g以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil50比表面積:50m2/g、Aerosil90比表面積:90m2/g、Aerosil130比表面積:130m2/g、Aerosil200比表面積:200m2/g、Aerosil300比表面積:300m2/g、及びAerosil380比表面積:380m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、メタアクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記メタアクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。また、酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも1種であることが好ましい。有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、R974比表面積:170m2/g、及びR964比表面積:250m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RX200比表面積:140m2/g、及びR8200比表面積:140m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RY200比表面積:120m2/g日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液もしくは水溶液として添加される。上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第1,第2のシリコーン樹脂成分等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。上記第1のシリコーン樹脂成分と上記第2のシリコーン樹脂成分との合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は、0.5重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂成分と上記第2のシリコーン樹脂成分との合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量のより好ましい下限は1重量部、より好ましい上限は35重量部である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限を満たすと、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限を満たすと、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。ところで、発光素子から発せられる光が明るくても、発光素子から発せられる光が内部から外部に効率よく出なければ、十分な明るさを得ることはできない。十分な明るさを保つためには、より多くの電流を発光素子に流す必要がある。本発明者は、アリール基又はフェニレン基を有する上記第1,第2のシリコーン樹脂成分を使用することにより、封止剤の硬化物の屈折率が高くなり、発光素子から発せられる光を効率よく取り出すことができることを見出した。これにより、低電流でも、外部に出る光を十分に明るくすることができる。しかし、アリール基又はフェニレン基を有する上記第1,第2のシリコーン樹脂成分と、蛍光体とを含む封止剤は、硬化前に高温に晒されると封止剤の粘度が急激に低下して、蛍光体が沈降しやすい。このため、硬化の際に、封止剤が高温に晒されると、発光素子の周辺に蛍光体が偏在して、光が乱反射する。この結果、発光素子から発せられる光の一部が封止剤の硬化物中で失われ、光半導体装置から取り出される光量が少なくなるという問題がある。本発明に係る光半導体装置用封止剤が、上記有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子を含む場合には、アリール基又はフェニレン基を有する上記第1,第2のシリコーン樹脂成分を含有するにもかかわらず、封止剤の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、封止剤が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、封止剤中の蛍光体の分散状態を均一に保つことができる。蛍光体本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Xに加えて上記構成Yを更に備える場合には、封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Xに加えて上記構成Yを更に備える場合には、封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、Ca、Ba、Mg10PO46Cl2:Eu、Ba、SrMgAl10O17:Eu、Sr、Ba3MgSi2O8:Eu等が挙げられる。上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、CaS:Eu、Ca、Sr2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiW2O8:Eu、Sm、Sr、Ca、Bs、Mg10PO48Cl2:Eu、Mn、Ba3MgSi2O8:Eu、Mn等が挙げられる。上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al、Ga5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:Cu、Al、BaMgAl10O17Eu、Mn、SrAl2O4:Eu等が挙げられる。上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al5O12:Ce、Y、Gd3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等が挙げられる。さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。上記蛍光体の体積平均粒径の好ましい下限は1μm、より好ましい下限は2μm、好ましい上限は30μm、より好ましい上限は25μmである。所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤が蛍光体を含む場合には、光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。カップリング剤本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記第1のシリコーン樹脂成分と上記第2のシリコーン樹脂成分との合計100重量部に対して、カップリング剤の含有量の好ましい下限は0.1重量部、好ましい上限は5重量部である。カップリング剤の含有量が0.1重量部以上であると、カップリング剤の添加効果が充分に発揮される。カップリング剤の含有量が5重量部以下であると、余剰のカップリング剤が揮発し難くなり、封止剤を硬化させたときに、高温環境下で硬化物の厚みがより一層減少し難くなる。他の成分本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。なお、上記第1のシリコーン樹脂成分と、上記第2のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第1のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、上記第2のシリコーン樹脂成分を含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。このように上記第1のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第2のシリコーン樹脂成分とを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって保存安定性を向上させることができる。上記酸化珪素粒子と上記蛍光体とはそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。光半導体装置用封止剤の詳細及び用途本発明に係る光半導体装置用封止剤は、E型粘度計を用いて測定された25°Cにおける5rpmでの粘度η1は1000mPas以上、10000mPasであることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度η1がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける1rpmでの粘度η2のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度η3に対する比η2/η3は1.2以上、2.5以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。なお、第1,第2のシリコーン樹脂A,A-1,A-2,B及び光半導体装置用封止剤における上記粘度は、E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて測定された値である。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、パラレルプレート型レオメーターを用いて25°Cから昇温速度20°C/分で加熱したときに、25°Cから硬化温度までの温度領域における剪断速度1s-1での最低粘度が200mPas以上であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度が上記範囲内である場合には、蛍光体を添加した際に、蛍光体の沈降を抑制し、光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤の上記25°Cにおける5rpmでの粘度η1が1000~10000mPasの範囲内にある場合には、光半導体装置により形成された発光素子を効率よく封止できる。上記25°Cにおける5rpmでの粘度η1の好ましい下限は1200mPas、より好ましい下限は1500mPas、好ましい上限は8000mPas、より好ましい上限は6000mPasである。上記剪断速度1s-1での最低粘度が200mPas以上であると、封止剤が加熱され、硬化する間に、蛍光体がほとんど沈降しない。このため、光半導体装置からより一層明るい光を取り出すことができる。上記剪断速度1s-1での最低粘度のより好ましい下限は300mPas、更に好ましい下限は500mPasである。上記剪断速度1s-1での最低粘度は、パラレルプレート型レオメーターDAR-2000、レオロジカ社製を用いて測定された値を意味する。本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度の好ましい下限は80°C、より好ましい下限は100°C、好ましい上限は180°C、より好ましい上限は150°Cである。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のシリコーン樹脂成分、上記第2のシリコーン樹脂成分、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、LEDなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。光半導体装置の実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。本実施形態の光半導体装置1は、ハウジング2を有する。ハウジング2内にLEDからなる光半導体素子3が実装されている。この光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子3が用いられている。内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤4が充填されている。なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等は適宜変形され得る。以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。合成例1第1のシリコーン樹脂A,A-2の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン63g、ジメチルジメトキシシラン90g、ジフェニルジメトキシシラン183g、及びビニルトリメトキシシラン133gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水114gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーAを得た。得られたポリマーAの数平均分子量Mnは1700であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーAは、下記の平均組成式A1を有していた。Me3SiO1/20.19Me2SiO2/20.24Ph2SiO2/20.26ViSiO3/20.31...式A1上記式A1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーAのフェニル基の含有比率は37モルであった。なお、合成例1及び合成例2~16で得られた各ポリマーの分子量は、10mgにテトラヒドロフラン1mLを加え、溶解するまで攪拌し、GPC測定により測定した。GPC測定では、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mm×2本、測定温度:40°C、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いた。合成例2第1のシリコーン樹脂A,A-2の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン126g、ジフェニルジメトキシシラン183g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、及び1,6-ビスジメチルメトキシシリルヘキサン79gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーBを得た。得られたポリマーBの数平均分子量Mnは4100であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーBは、下記の平均組成式B1を有していた。Me2SiO2/20.33Ph2SiO2/20.27ViMeSiO2/20.30Me4SiHexO2/20.10...式B1上記式B1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Hexはヘキシレン基を示す。得られたポリマーBのフェニル基の含有比率は33モルであった。合成例3第1のシリコーン樹脂A,A-2の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン60g、ジフェニルジメトキシシラン317g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、及び1,6-ビスジメチルメトキシシリルヘキサン79gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーCを得た。得られたポリマーCの数平均分子量Mnは3600であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーCは、下記の平均組成式C1を有していた。Me2SiO2/20.16Ph2SiO2/20.44ViMeSiO2/20.30Me4SiHexO2/20.10...式C1上記式C1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Hexはヘキシレン基を示す。得られたポリマーCの全シロキサン構造単位100モル中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は44モルであった。得られたポリマーCのフェニル基の含有比率は46モルであった。合成例4第1のシリコーン樹脂Bの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン60g、ジフェニルジメトキシシラン317g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、及び1,4-ビスジメチルメトキシシリルベンゼン76gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーDを得た。得られたポリマーDの数平均分子量Mnは3400であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーDは、下記の平均組成式D1を有していた。Me2SiO2/20.16Ph2SiO2/20.44ViMeSiO2/20.30Me4SiPheO2/20.10...式D1上記式D1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Pheはフェニレン基を示す。得られたポリマーDの全シロキサン構造単位100モル中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は44モルであった。得られたポリマーDのフェニル基の含有比率は52モルであった。合成例5第2のシリコーン樹脂Aの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン108g、及びフェニルトリメトキシシラン208gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水101gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーEを得た。得られたポリマーEの数平均分子量Mnは1000であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーEは、下記の平均組成式E1を有していた。Me3SiO1/20.09HMe2SiO1/20.23Me2SiO2/20.27PhSiO3/20.41...式E1上記式E1中、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーEのフェニル基の含有比率は33モルであった。合成例6第2のシリコーン樹脂Aの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン16g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン36g、ジフェニルジメトキシシラン183g、フェニルトリメトキシシラン149g、及びビニルトリメトキシシラン45gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水104gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーFを得た。得られたポリマーFの数平均分子量Mnは1000であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーFは、下記の平均組成式F1を有していた。Me3SiO1/20.05HMe2SiO1/20.23Me2SiO2/20.09Ph2SiO2/20.26PhSiO3/20.27ViSiO3/20.10...式F1上記式F1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーFの全シロキサン構造単位100モル中、上記式51-aで表される構造単位に相当する構造単位の割合は23モルであった。得られたポリマーFのフェニル基の含有比率は51モルであった。合成例7第2のシリコーン樹脂Aの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、ジフェニルジメトキシシラン110g、フェニルトリメトキシシラン268g、及びビニルトリメトキシシラン45gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水116gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーGを得た。得られたポリマーGの数平均分子量Mnは1100であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーGは、下記の平均組成式G1を有していた。Me3SiO1/20.09HMe2SiO1/20.19Ph2SiO2/20.16PhSiO3/20.46ViSiO3/20.10...式G1上記式G1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーGの全シロキサン構造単位100モル中、上記式51-aで表される構造単位に相当する構造単位の割合は19モルであった。得られたポリマーGのフェニル基の含有比率は51モルであった。合成例8第2のシリコーン樹脂Bの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、ジフェニルジメトキシシラン183g、フェニルトリメトキシシラン149g、ビニルトリメトキシシラン45g、及び1,4-ビスジメチルメトキシシリルベンゼン76gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水105gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーHを得た。得られたポリマーHの数平均分子量Mnは1100であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーHは、下記の平均組成式H1を有していた。Me3SiO1/20.09HMe2SiO1/20.19Ph2SiO2/20.26PhSiO3/20.26ViSiO3/20.10Me4SiPheO2/20.10...式H1上記式H1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Pheはフェニレン基を示す。得られたポリマーHの全シロキサン構造単位100モル中、上記式51-aで表される構造単位に相当する構造単位の割合は19モルであった。得られたポリマーHのフェニル基の含有比率は51モルであった。合成例9[比較例用]第1のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン94g、ジメチルジメトキシシラン99g、ジフェニルジメトキシシラン92g、及びビニルトリメトキシシラン133gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーIを得た。得られたポリマーIの数平均分子量Mnは1800であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーIは、下記の平均組成式I1を有していた。Me3SiO1/20.29Me2SiO2/20.27Ph2SiO2/20.13ViSiO3/20.31...式I1上記式I1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーIのフェニル基の含有比率は21モルであった。合成例10[比較例用]第2のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン180g、ジフェニルジメトキシシラン73g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、及び1,4-ビスジメチルメトキシシリルベンゼン76gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーJを得た。得られたポリマーJの数平均分子量Mnは3400であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーJは、下記の平均組成式J1を有していた。Me2SiO2/20.49Ph2SiO2/20.10ViMeSiO2/20.31Me4SiPheO2/20.10...式J1上記式J1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Pheはフェニレン基を示す。得られたポリマーJのフェニル基の含有比率は22モルであった。合成例11[比較例用]第2のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3-ヘキサメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン140g、ジフェニルジメトキシシラン59g、フェニルトリメトキシシラン48g、及びビニルトリメトキシシラン45gを入れ50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水92gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーKを得た。得られたポリマーKの数平均分子量Mnは600であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーKは、下記の平均組成式K1を有していた。Me3SiO1/20.09HMe2SiO1/20.24Me2SiO2/20.38Ph2SiO2/20.08PhSiO3/20.10ViSiO3/20.10...式K1上記式K1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーKのフェニル基の含有比率は23モルであった。合成例12第1のシリコーン樹脂A,A-2の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン96g、ジフェニルジメトキシシラン318g、及びビニルメチルジメトキシシシラン119gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーLを得た。得られたポリマーLの数平均分子量Mnは5300であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーLは、下記の平均組成式L1を有していた。Me2SiO2/20.25Ph2SiO2/20.45ViMeSiO2/20.30...式L1上記式L1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーLの全シロキサン構造単位100モル中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は45モルであった。得られたポリマーLのフェニル基の含有比率は52モルであった。合成例13第1のシリコーン樹脂A,A-1の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、メチルフェニルジメトキシシラン383g、及びビニルメチルジメトキシシシラン119gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーMを得た。得られたポリマーMの数平均分子量Mnは5300であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーMは、下記の平均組成式M1を有していた。MePhSiO2/20.7ViMeSiO2/20.30...式M1上記式M1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーMのフェニル基の含有比率は45モルであった。合成例14第1のシリコーン樹脂A,A-1の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン98g、ジメチルジメトキシシラン180g及びジフェニルジメトキシシラン183gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水95gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーNを得た。得られたポリマーNの数平均分子量Mnは1200であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーNは、下記の平均組成式N1を有していた。ViMe2SiO1/20.23Me2SiO2/20.48Ph2SiO2/20.29...式N1上記式N1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーNのフェニル基の含有比率は39モルであった。合成例15第1のシリコーン樹脂A,A-1の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン98g、ジメチルジメトキシシラン90g及びジフェニルジメトキシシラン367gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水95gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーOを得た。得られたポリマーOの数平均分子量Mnは1300であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーOは、下記の平均組成式O1を有していた。ViMe2SiO1/20.22Me2SiO2/20.23Ph2SiO2/20.55...式O1上記式O1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーOのフェニル基の含有比率は58モルであった。合成例16第1のシリコーン樹脂A,A-1の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン59g、ジメチルジメトキシシラン126g及びジフェニルジメトキシシラン367gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水100gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーPを得た。得られたポリマーPの数平均分子量Mnは2700であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーPは、下記の平均組成式P1を有していた。ViMe2SiO1/20.12Me2SiO2/20.32Ph2SiO2/20.56...式P1上記式P1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーPのフェニル基の含有比率は59モルであった。実施例1ポリマーA10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例2ポリマーB10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例3ポリマーC10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例4ポリマーC10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例5ポリマーC10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILR8200、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積140m2/g、日本アエロジル社製2gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例6ポリマーC10g、ポリマーF10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例7ポリマーC10g、ポリマーG10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例8ポリマーC10g、ポリマーH10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例9ポリマーD10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例10ポリマーD10g、ポリマーF10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例11ポリマーD10g、ポリマーG10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例12ポリマーD10g、ポリマーH10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例13ポリマーC10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子R974、ジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積170m2/g、日本アエロジル社製1.0gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例1ポリマーI10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例2ポリマーJ10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例3ポリマーA10g、ポリマーK10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例1~13及び比較例1~3の評価光半導体装置の作製銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記のガス腐食試験及び熱衝撃試験を実施した。ガス腐食試験得られた光半導体装置を、40°C及び相対湿度90RH雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が5ppm、二酸化硫黄ガスの濃度が15ppmとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、24時間後、48時間後、96時間後、168時間後及び500時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。銀めっきに変色が見られない場合を○○、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を○、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を△、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を×と判定した。熱衝撃試験得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、135°Cまで昇温し、135°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後、1000サイクル及び1500サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察した。20個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数NG数を数えた。25°Cにおける粘度の測定E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の25°Cにおける5rpmでの粘度mPasを測定した。昇温時の最低粘度の測定パラレルプレート型レオメーターDAR-2000、レオロジカ社製を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の25°Cから硬化温度までの温度領域における剪断速度1s-1での最低粘度mPasを測定した。昇温速度に関しては、25°Cから硬化温度までは20°C/分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。蛍光体入り封止剤の作製得られた各光半導体装置用封止剤10重量部に、蛍光体粉末体積平均粒径17μm、比重4.7、EY4254、インタマティックス社製0.8重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤以下、蛍光体入り封止剤と称することがあるを得た。蛍光体の沈降性得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、150°Cで2時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を○、蛍光体の沈降がある場合を△、蛍光体の沈降が著しい場合を×と評価した。明るさの評価銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を50個作製した。50個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ23°Cで60mAの電流を流して、光測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて光度を測定し、50個の平均値が5.3cd以上を○、5.3cd未満を×とした。結果を下記の表1,2に示す。実施例14ポリマーL10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例15ポリマーL10g、ポリマーE10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILR8200、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積140m2/g、日本アエロジル社製1.5gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例16ポリマーL10g、ポリマーF10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例17ポリマーL10g、ポリマーG10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例18ポリマーL10g、ポリマーH10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.8gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例19ポリマーL10g、ポリマーE10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例20ポリマーM10g、ポリマーF10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例21ポリマーM10g、ポリマーF10g、及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例6,10,14~21の評価光半導体装置の作製銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。ガス腐食試験得られた光半導体装置を、40°C及び相対湿度90RH雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が5ppm、二酸化硫黄ガスの濃度が15ppmとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、24時間後、48時間後、96時間後、168時間後及び500時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。銀めっきに変色が見られない場合を○○、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を○、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を△、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を×と判定した。熱衝撃試験得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、135°Cまで昇温し、135°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後、1000サイクル及び1500サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察した。20個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数NG数を数えた。蛍光体入り封止剤の作製実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用封止剤10重量部に、蛍光体粉末体積平均粒径17μm、比重4.7、EY4453、インタマティックス社製0.8重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤以下、蛍光体入り封止剤と称することがあるを得た。25°Cにおける粘度の測定E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて、光半導体装置用封止剤に用いた第1,第2のオルガノシロキサンの25°Cにおける5rpmでの粘度mPasを測定した。また、E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の25°Cにおける5rpm、1rpm及び10rpmでの粘度mPas、並びに蛍光体入り封止剤の25°Cにおける5rpm、1rpm及び10rpmでの粘度mPasを測定した。昇温時の最低粘度の測定パラレルプレート型レオメーターDAR-2000、レオロジカ社製を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の25°Cから硬化温度までの温度領域における剪断速度1s-1での最低粘度mPasを測定した。昇温速度に関しては、25°Cから硬化温度までは20°C/分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。また、蛍光体入り封止剤についても同様の評価を実施した。ディスペンス性銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、ディスペンサー装置SHOTMASTER―300武蔵エンジニアリング社製を用いて得られた蛍光体入り封止剤を充填した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察し、封止剤の充填量にバラツキがない場合を○、バラツキがある場合を×と判定した。蛍光体の沈降性未硬化状態での蛍光体安定性得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、23°Cで24時間放置した。その後、未硬化状態の封止剤中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を○、蛍光体の沈降がある場合を△、蛍光体の沈降が著しい場合を×と評価した。蛍光体の沈降性硬化時の蛍光体の安定性得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、100°Cで3時間、次に130°Cで3時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を○、蛍光体の沈降がある場合を△、蛍光体の沈降が著しい場合を×と評価した。明るさの評価銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、100°Cで3時間、次に130°Cで3時間加熱して硬化させ、光半導体装置を50個作製した。50個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ23°Cで60mAの電流を流して、光測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて光度を測定し、50個の平均値が5.3cd以上を○、5.3cd未満を×とした。結果を下記の表3に示す。実施例22ポリマーA9g、ポリマーN1g、ポリマーE10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例23ポリマーL9g、ポリマーN1g、ポリマーE10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例24ポリマーL9g、ポリマーN1g、ポリマーF10g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例25ポリマーL9g、ポリマーN1g、ポリマーF10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例26ポリマーL9g、ポリマーN1g、ポリマーG10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製0.4gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例27ポリマーA10g、ポリマーE10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例4ポリマーI9g、ポリマーN1g、ポリマーE10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例5ポリマーA9g、ポリマーN1gポリマーK10g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例28ポリマーN10g、ポリマーF20g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例29ポリマーN10g、ポリマーG20g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例30ポリマーO10g、ポリマーF20g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量、及び酸化珪素微粒子Aerosil200、比表面積:200m2/g、日本アエロジル社製1gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例31ポリマーO10g、ポリマーG20g、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量及び酸化珪素微粒子Aerosil200、比表面積:200m2/g、日本アエロジル社製1gを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例32ポリマーP10g、ポリマーF20g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例33ポリマーP10g、ポリマーG20g及び白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例22~33及び比較例4,5の評価光半導体装置の作製銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。ガス腐食試験得られた光半導体装置を、40°C及び相対湿度90RH雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が5ppm、二酸化硫黄ガスの濃度が15ppmとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、24時間後、48時間後、96時間後、168時間後及び500時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。銀めっきに変色が見られない場合を○○、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を○、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を△、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を×と判定した。熱衝撃試験得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、135°Cまで昇温し、135°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後、1000サイクル、1500サイクル及び2000サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察した。20個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数NG数を数えた。光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性べたつきの評価得られた光半導体装置を、23°C及び50RHの雰囲気下で24時間放置した。24時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性べたつきを、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性べたつきをほとんど感じない場合には、粘着性なしとして○と評価し、指の表面が粘着性べたつきを感じた場合には、粘着性ありとして×と評価した。耐湿信頼性試験得られた光半導体装置について、23°Cの温度下、光度測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて発光素子に20mAの電流を流した時の光度を測定した以下、初期光度と称する。次いで、発光素子に20mAの電流を流した状態で光半導体装置を110°C及び相対湿度85RH雰囲気下のチャンバー内に入れて、500時間放置した。1000時間後、23°Cの温度下、光度測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて発光素子に20mAの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が5未満の場合を○○、5以上、10未満の場合を○、10以上、20未満の場合を△、30以上の場合を×と判定した。結果を下記の表4に示す。"