シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が0.5mΩcm以上10.0mΩcm以下であり、リンまたはヒ素がドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を3μm/分以上15μm/分以下として、抵抗率が0.5Ωcm以上2000Ωcm以下である前記エピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記エピタキシャル成長を行う際の成長温度を、1000°C以上とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記エピタキシャル層の成長速度を、5μm/分以上15μm/分以下とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。エピタキシャル成長中における、前記シリコン単結晶基板からエピタキシャル層へのオートドープ量と、前記エピタキシャル層の成長速度との相関関係を予め求め、該相関から前記エピタキシャル層の成長速度を決定することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。そこで、本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、エピタキシャル成長中におけるシリコン単結晶基板からエピタキシャル層へのオートドープ量を抑制し、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が0.5mΩcm以上10.0mΩcm以下であり、リンまたはヒ素がドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を3μm/分以上15μm/分以下として、抵抗率が0.5Ωcm以上2000Ωcm以下である前記エピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このようなシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であれば、赤リンをドープした基板やヒ素をドープした基板など非常に低抵抗であり、オートドープの影響を大きく受けやすい基板を用いた場合であっても、その影響を最小限に抑えることができ、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを製造することができる。さらに、エピタキシャル層の成長速度を3μm/分以上の高速度としているため、生産性及び歩留まりの向上を図ることができる。また、成長速度を15μm/分以下とすることで、エピタキシャル成長を阻害するHClガスがシリコン原料ガスと水素ガスの反応により発生することを抑制でき、安定したエピタキシャル成長ができる。また、このようにシリコン単結晶基板の抵抗率が0.5mΩcm以上10.0mΩcm以下であり、その上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率が0.5Ωcm以上2000Ωcm以下であるようなエピタキシャルウェーハであれば、特にオートドープによる影響を受けやすいため、本発明の製造方法が好適である。またこのとき、前記エピタキシャル成長を行う際の成長温度を、1000°C以上とすることが好ましい。このような成長温度であれば、シリコン単結晶基板上の自然酸化膜を確実に除去することができ、シリコン単結晶基板上に膜厚分布のより良好なエピタキシャルウェーハを得ることができる。またこのとき、前記エピタキシャル層の成長速度を、5μm/分以上15μm/分以下とすることが好ましい。このような成長速度であれば、より効果的にオートドープを抑制することができ、抵抗分布及び膜厚分布のより良好なエピタキシャルウェーハを安定して得ることができる。またこのとき、エピタキシャル成長中における、前記シリコン単結晶基板からエピタキシャル層へのオートドープ量と、前記エピタキシャル層の成長速度との相関関係を予め求め、該相関から前記エピタキシャル層の成長速度を決定することができる。このようにすれば、エピタキシャルウェーハの中央部及びエッジ部の抵抗分布及び膜厚分布を、より効率良く均一にできる成長速度でエピタキシャル成長を行うことができるため、必要以上にシリコン原料ガスやキャリアガスを流入させたり、炉内温度を上げ過ぎてしまったりすることを防止でき、抵抗分布及び膜厚分布のより良好なエピタキシャルウェーハを確実に製造しつつ、さらにコストダウンすることができる。以上説明したように、本発明によれば、エピタキシャル成長中のオートドープを効果的に抑制することができ、これによって抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャルウェーハを製造することができる。また、エピタキシャル層の成長速度を高速度としてエピタキシャル成長を行うため、生産性及び歩留まりを向上させることができる。以下、図4のフローチャートを参照して、本発明の実施形態であるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図4は、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一例のフローチャートを示した図である。ここでは、エピタキシャル層の成長温度を変化させずにシリコン原料ガスを増加させて高速成長させる場合について述べるが、もちろんシリコン原料ガスの量は変化させずに成長温度を上げて成長させても良いし、シリコン原料ガスを増加させた上でさらに成長温度を上げても良い。先ず、気相成長装置の反応容器内に備えられたサセプタ上に搬送装置を用いて、抵抗率が0.5mΩcm以上10.0mΩcm以下で、リンがドープされたシリコン単結晶基板を載置する仕込み工程。このとき、シリコン単結晶基板は赤リンをドープしたCZ結晶より製造されたものが好適である。また、リンの代わりにヒ素をドープしても良い。次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、反応容器内の温度を、エピタキシャル層を気相成長させるための成長温度まで昇温する昇温工程。この成長温度は、基板表面の自然酸化膜を水素で確実に除去できる1000°C以上に設定する。次いで、反応容器内を成長温度に保持したままで、水素ガスとともにシリコン原料ガスおよびドーパントガスをそれぞれ所定流量で供給し、成長速度を3μm/分以上15μm/分以下、より好ましくは5μm/分以上15μm/分以下、さらに好ましくは6μm/分以上15μm/分以下で、所定膜厚となるまで抵抗率が0.5Ωcm以上2000Ωcm以下となるエピタキシャル層を成長させるエピ成長工程。通常の成長速度から高速成長にする場合、成長温度によって異なるが、シリコン原料ガスを通常に比べ、1.5倍~4.0倍に増加させる。本発明においては、1000°C以上の高温であっても、3μm/分以上15μm/分以下の成長速度でエピタキシャル層を高速成長させるため、基板にドープされているドーパントのオートドープ量を抑制し、抵抗分布及び膜厚分布の良好なエピタキシャル層を安定して成長させることができる。また、ここで基板からエピタキシャル層へのオートドープ量と、エピタキシャル層の成長速度との相関関係を予め求めておいて、該相関を基に成長速度を決定しても良い。例えば、抵抗率が2.0mΩcmであって、リンがドープされたシリコン単結晶基板上に、成長温度を1100°Cとして、シリコン原料ガスであるトリクロロシランガスの流量を変化させることによって、成長速度を1~9μm/分の間で変化させてエピタキシャル層を積層した。このときに得られたエピタキシャルウェーハのオートドープ量をそれぞれ測定した結果、オートドープ量と成長速度との間に図1に示すような相関が得られた。この相関を基に成長速度を決定する場合、例えば3μm/分以上とすれば、2μm/分以下の通常の成長速度でエピタキシャル成長を行った場合と比べ、オートドープ量が抑制されることがわかる。また5μm/分以上とすれば、より効果的にオートドープ量が抑制され、さらに6μm/分以上とすれば、オートドープがほとんど生じず、エピタキシャルウェーハのエッジ部と中心部とでは抵抗率にほとんど差が無くなり、抵抗分布及び膜厚分布がほぼ均一化されることがわかる。次いで、反応容器内の温度を下降させて取り出し温度までエピタキシャルウェーハを冷却する冷却工程。この冷却工程では、800°Cから400°C程度の間で、水素雰囲気から窒素雰囲気へと切り換えられる。そして、窒素雰囲気のままで取り出し温度に至ったら、気相成長装置からエピタキシャルウェーハを取り出す取り出し工程。次いで、取り出したエピタキシャルウェーハに対し、適宜RCA洗浄等の洗浄を行う洗浄工程。この洗浄工程における洗浄法は、典型的なRCA洗浄の他、薬液の濃度や種類を通常行われる範囲で変更したものを用いることもできる。そして、パーティクルカウンタにより、エピタキシャルウェーハ表面に生成するパーティクル状の異物の有無を確認しパーティクルカウンタ計測、その後製品となるエピタキシャルウェーハを選別する選別。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1抵抗率が1.0mΩcmであって、リンがドープされた直径200mmのシリコン単結晶基板上に、抵抗率1.5Ωcm、膜厚1μmのエピタキシャル層を、成長温度1100°C、成長速度を6μm/分として高速成長させ、エピタキシャルウェーハを製造した。その後、製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率を径方向に測定した。このときの結果を図2に示す。実施例2抵抗率が2.0mΩcmであって、ヒ素がドープされた直径200mmのシリコン単結晶基板上に、抵抗率2.0Ωcm、膜厚1μmのエピタキシャル層を、成長温度1100°C、成長速度を6μm/分として高速成長させ、エピタキシャルウェーハを製造した。その後、製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率を径方向に測定した。このときの結果を図3に示す。比較例1成長速度を2μm/分とすること以外は実施例1と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その後、製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率を径方向に測定した。このときの結果を図2に合わせて示す。比較例2成長速度を2μm/分とすること以外は実施例2と同様にエピタキシャルウェーハを製造し、その後、製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率を径方向に測定した。このときの結果を図3に合わせて示す。比較例1及び比較例2に示した条件でエピタキシャル成長を行った場合、1000°C以上の高温状態で、低抵抗基板上に高抵抗のエピタキシャル層を2μm/分の通常の成長速度で形成するため、基板にドープされているリンまたはヒ素が拡散し、オートドープの影響を受けやすい。このため、比較例1及び比較例2では、製造されたエピタキシャルウェーハのエッジ部の抵抗率が極端に下がってしまっている。しかし、本発明の製造方法を用いた実施例1及び実施例2では、6μm/分の成長速度でエピタキシャル層を高速成長させているため、発生するオートドープ量を抑制することができる。このため、製造されたエピタキシャルウェーハのエッジ部と中心部とで抵抗率がほぼ均一化されているのがわかる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明でエピタキシャル層を気相成長させる気相成長装置は限定されず、縦型パンケーキ型、バレル型シリンダ型、枚葉式等の各種気相成長装置に適用可能である。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。