"基体と、下記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層とを有する積層構造体。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Z1は独立に2価の基を表し、各Yは独立に下記式2-1、2-2又は2-3で表される基である。各Aは独立に1価又は2価以上のアニオンを表し、Aの少なくとも1個が2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。-NR1R2R32-1-PR1R2R32-2-SR1R22-3式2-1、2-2及び2-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。前記正孔注入及び/又は正孔輸送層が架橋構造を有する請求項1記載の積層構造体。請求項1又は2記載の積層構造体を有する電子デバイス。下記式3で表される構造単位を有する芳香族化合物。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Zは独立に置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、各Yは独立に下記式2-1、2-2又は2-3で表される基である。各Aは独立に1価又は2価以上のアニオンを表し、Aの少なくとも1個が2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。-NR1R2R32-1-PR1R2R32-2-SR1R22-3式2-1、2-2及び2-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。下記式4で表される請求項4記載の芳香族化合物。式中、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。下記式5で表される構造単位を有する芳香族化合物である請求項4記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、但し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよく、Zは置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。Aは1価又は2価以上のアニオンを表し、Aが2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。下記式6で表される請求項6記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3は、前記と同じ意味を表し、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。下記式7で表される構造単位を有する芳香族化合物。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Zは独立に置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、各X3は独立に脱離基である。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。下記式8で表される請求項8記載の芳香族化合物。式中、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。下記式9で表される構造単位を有する芳香族化合物である請求項8記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、但し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよく、Zは置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、X3は脱離基を表す。下記式10で表される請求項10記載の芳香族化合物。式中、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3は前記と同じ意味を表し、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。式7で表される構造単位を有する請求項8記載の芳香族化合物を、下記式11-1で表される窒素化合物、下記式11-2で表されるリン化合物、下記式11-3で表される硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせと反応させることにより、該芳香族化合物をそのオニウム塩に変換することを含む式3で表される構造単位を有する請求項4記載の芳香族化合物の製造方法。NR1R2R311-1PR1R2R311-2SR1R211-3式11-1、11-2及び11-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。式7で表される構造単位を有する請求項8記載の芳香族化合物が式8で表される請求項9記載の芳香族化合物であり、式3で表される構造単位を有する請求項4記載の芳香族化合物が式4で表される請求項5記載の芳香族化合物である請求項12記載の製造方法。式7で表される構造単位を有する請求項8記載の芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、前記窒素化合物、前記リン化合物、前記硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせを反応させる請求項12記載の製造方法。式9で表される構造単位を有する請求項10記載の芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、上記式11-1で表される窒素化合物を反応させることにより、式5で表される構造単位を有する請求項6記載の芳香族化合物を製造する請求項14記載の製造方法。式9で表される構造単位を有する請求項10記載の芳香族化合物が式10で表される請求項11記載の芳香族化合物であり、式5で表される構造単位を有する請求項6記載の芳香族化合物が式6で表される請求項7記載の芳香族化合物である請求項15記載の製造方法。そこで、本発明の目的は、積層構造体、電子デバイス用材料、特に正孔輸送及び/又は正孔注入材料として同じ電圧でより高い電流密度を確保できる新規な芳香族化合物、その製造方法、正孔注入及び/又は正孔輸送材料並びに電子デバイスを提供することにある。本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下の<1>又は<2>記載の積層構造体を提供する。<1>基体と、下記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層とを有する積層構造体。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Z1は独立に2価の基を表し、各Yは独立に下記式2-1、2-2又は2-3で表される基である。各Aは独立に1価又は2価以上のアニオンを表し、Aの少なくとも1個が2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。-NR1R2R32-1-PR1R2R32-2-SR1R22-3式2-1、2-2及び2-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。<2>前記正孔注入及び/又は正孔輸送層が架橋構造を有する上記<1>記載の積層構造体。また本発明は以下の<3>記載の電子デバイスを提供する。<3>上記<1>又は<2>記載の積層構造体を有する電子デバイス。また本発明は以下の<4>又は<5>記載の芳香族化合物、即ち、カチオン中心を有する基の少なくとも1種を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。<4>下記式3で表される構造単位を有する芳香族化合物。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Zは独立に置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、各Yは独立に下記式2-1、2-2又は2-3で表される基である。各Aは独立に1価又は2価以上のアニオンを表し、Aの少なくとも1個が2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。-NR1R2R32-1-PR1R2R32-2-SR1R22-3式2-1、2-2及び2-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。<5>下記式4で表される上記<4>記載の芳香族化合物。式中、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。また本発明は以下の<6>又は<7>記載の芳香族化合物、即ち、第1級~第4級のアンモニウムイオンの少なくとも1種を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。<6>下記式5で表される構造単位を有する芳香族化合物である上記<4>記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、但し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよく、Zは置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。Aは1価又は2価以上のアニオンを表し、Aが2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。<7>下記式6で表される上記<6>記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3は、前記と同じ意味を表し、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。また本発明は以下の<8>又は<9>記載の芳香族化合物、即ち、脱離基を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。<8>下記式7で表される構造単位を有する芳香族化合物。式中、Ar4は置換基を有していてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換基を有していてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換基を有していてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Zは独立に置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、各X3は独立に脱離基である。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。<9>下記式8で表される上記<8>記載の芳香族化合物。式中、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。また本発明は以下の<10>又は<11>記載の芳香族化合物、即ち、脱離基を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。<10>下記式9で表される構造単位を有する芳香族化合物である上記<8>記載の芳香族化合物。式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい2価の芳香族基を表し、但し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよく、Zは置換基を有していてもよい2価の炭化水素基を表し、X3は脱離基を表す。<11>下記式10で表される上記<10>記載の芳香族化合物。式中、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3は前記と同じ意味を表し、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。更に、本発明は以下の<12>、<13>又は<14>記載の、芳香族化合物の製造方法を提供する。<12>上記<8>記載の式7で表される構造単位を有する芳香族化合物を、下記式11-1で表される窒素化合物、下記式11-2で表されるリン化合物、下記式11-3で表される硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせと反応させることにより、該芳香族化合物をそのオニウム塩に変換することを含む上記<4>記載の式3で表される構造単位を有する芳香族化合物の製造方法。NR1R2R311-1PR1R2R311-2SR1R211-3式11-1、11-2及び11-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。<13>式7で表される構造単位を有する上記<8>記載の芳香族化合物が式8で表される上記<9>記載の芳香族化合物であり、式3で表される構造単位を有する上記<5>記載の芳香族化合物が式4で表される上記<5>記載の芳香族化合物である上記<12>記載の製造方法。<14>式7で表される構造単位を有する上記<8>記載の芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、前記窒素化合物、前記リン化合物、前記硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせを反応させる上記<12>記載の製造方法。更に、本発明は以下の<15>又は<16>記載の、芳香族化合物の製造方法を提供する。<15>式9で表される構造単位を有する上記<10>記載の芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、上記式11-1で表される窒素化合物を反応させることにより、式5で表される構造単位を有する上記<6>記載の芳香族化合物を製造する上記<14>記載の製造方法。<16>式9で表される構造単位を有する上記<10>記載の芳香族化合物が式10で表される上記<11>記載の芳香族化合物であり、式5で表される構造単位を有する上記<6>記載の芳香族化合物が式6で表される上記<7>記載の芳香族化合物である上記<15>記載の製造方法。本発明の芳香族化合物は、電子デバイスに応用でき、とりわけ正孔注入及び/又は正孔輸送材料として好適に利用でき、同じ電圧でより高い電流密度を確保できる。以下、本発明について、説明する。まず本明細書において汎用される用語について説明する。用語について特に限定されていなければ、以下の定義を用いる。本明細書において、置換基を有していてもよいとは、その直後に記載された化合物又は基を構成する水素原子が無置換の場合および水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の双方を含み、置換基によって置換されている場合には、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、ニトロ基、炭素原子数1~30のヒドロカルビル基、炭素原子数1~30のヒドロカルビルオキシ基等の置換基によって置換されていることを意味し、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数1~18のヒドロカルビル基、炭素原子数1~18のヒドロカルビルオキシ基で置換されていることが好ましく、炭素原子数1~12のヒドロカルビル基、炭素原子数1~12のヒドロカルビルオキシ基で置換されていることがより好ましく、炭素原子数1~10のヒドロカルビル基、炭素原子数1~10のヒドロカルビルオキシ基で置換されていることがさらに好ましく、炭素原子数1~6のヒドロカルビル基、炭素原子数1~6のヒドロカルビルオキシ基で置換されていることが特に好ましい。ヒドロカルビル基およびヒドロカルビルオキシ基等の置換基はそれぞれ、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。なお、本明細書においては、置換基を有していてもよいとの表現に代わりに、置換されていてもよい又は置換基を有し又は有しないと言い換えてもよい。上記のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子であり、より好ましくは、フッ素原子、塩素原子である。上記のヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。上記のヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、ノルボルニル基、アンモニウムエチル基、ベンジル基、α,α―ジメチルベンジル基、1-フェネチル基、2-フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、2,2-ジフェニルビニル基、1,2,2-トリフェニルビニル基、2-フェニル-2-プロペニル基、フェニル基、2-トリル基、4-トリル基、4-トリフルオロメチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-シアノフェニル基、2-ビフェニリル基、3-ビフェニリル基、4-ビフェニリル基、ターフェニリル基、3,5-ジフェニルフェニル基、3,4-ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、4-2,2-ジフェニルビニルフェニル基、4-1,2,2-トリフェニルビニルフェニル基、フルオレニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アントリル基、2-アントリル基、9-フェナントリル基、1-ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、コロニル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ベンジル基、α,α―ジメチルベンジル基、1-フェネチル基、2-フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、2,2-ジフェニルビニル基、1,2,2-トリフェニルビニル基、2-フェニル-2-プロペニル基、フェニル基、2-トリル基、4-トリル基、4-トリフルオロメチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-シアノフェニル基、2-ビフェニリル基、3-ビフェニリル基、4-ビフェニリル基、ターフェニリル基、3,5-ジフェニルフェニル基、3,4-ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、4-2,2-ジフェニルビニルフェニル基、4-1,2,2-トリフェニルビニルフェニル基、フルオレニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アントリル基、2-アントリル基、9-フェナントリル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ベンジル基、フェニル基であり、さらに好ましくはメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基である。上記のヒドロカルビルオキシ基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。上記のヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、1-プロパノキシ基、2-プロパノキシ基、1-ブトキシ基、2-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、1-アダマンチルオキシ基、2-アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アンモニウムエチトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、ααジメチルベンジロキシ基、2-フェネチルオキシ基、1-フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルコキシフェノキシ基、アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、1-プロパノキシ基、2-プロパノキシ基、1-ブトキシ基、2-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、1-プロパノキシ基、2-プロパノキシ基、1-ブトキシ基、2-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基である。本明細書において、Phはフェニル基を表し、ImはN-イミダゾリル基を表す。本明細書において、正孔注入及び/又は正孔輸送材料とは、正孔注入性及び正孔輸送性のいずれか一方又は両方を有する材料をいう。また、本明細書において、正孔注入及び/又は正孔輸送層とは、正孔注入性及び正孔輸送性のいずれか一方又は両方を有する層をいう。以下、本発明を実施するための一実施形態について説明する。本発明は、基体と、下記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層とを有する積層構造体を提供する。式中、Ar4は置換されていてもよいi2価の芳香族基を表し、Ar5は置換されていてもよいj2価の芳香族基を表し、Ar6は置換されていてもよいk1価の芳香族基を表し、但し、Ar4、Ar5及びAr6の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。各Z1は独立に2価の基を表し、各Yは独立に下記式2-1、2-2又は2-3で表される基である。各Aは独立に1価又は2価以上のアニオンを表し、Aの少なくとも1個が2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表し、但し、ijkは1以上の整数である。Ar4及びAr5としては、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等の単環性芳香族基;ナフタレン-1,3-ジイル基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-1,6-ジイル基、ナフタレン-1,7-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、ナフタレン-2,7-ジイル基等の縮合環系芳香族基;ピリジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2,6-ジイル基、キノキサリン-2,6-ジイル基、チオフェン-2,5-ジイル基等のヘテロ芳香族基等を挙げることができる。これらのなかでも、単環性芳香族基及び縮合環系芳香族基が好ましく、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基及びナフタレン-2,7-ジイル基からなる群から選ばれるものがより好ましく、1,3-フェニレン基又は1,4-フェニレン基がさらに好ましく、1,4-フェニレン基が特に好ましい。これらの基は置換基を有していてもよい。Ar6としては、フェニル基、フェニレン基例えば、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等の単環性芳香族基;ナフタレン-1-イル基、ナフタレン-2-イル基、ナフタレンジイル基例えば、ナフタレン-1,3-ジイル基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-1,6-ジイル基、ナフタレン-1,7-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、ナフタレン-2,7-ジイル基等の縮合環系芳香族基;ピリジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2-イル基、キノキサリン-2-イル基、チオフェン-2-イル基等のヘテロ芳香族基等を挙げることができる。これらのなかでも、単環性芳香族基及び縮合環系芳香族基が好ましく、フェニレン基及びナフタレンジイル基からなる群から選ばれるものがより好ましく、フェニレン基がさらに好ましい。これらの基は置換基を有していてもよい。Z1は2価の基を表す。該2価の基としては、置換されていてもよい2価の炭化水素基が好ましく用いられる。中でも、置換されていてもよい炭素原子数1~50の2価の炭化水素基が好ましく、置換されていてもよい炭素原子数2~40の2価の炭化水素基がより好ましく、溶媒溶解性を確保しやすく素子及びデバイスへの加工性が向上する点から、置換されていてもよい炭素原子数6~30の2価の炭化水素基が更に好ましい。-YAで表される部分の導入効果が大きくなりやすいため、Z1の炭素原子数は50以下であることが好ましい。前記2価の炭化水素基の中では、溶媒溶解性を確保しやすく素子及びデバイスへの加工性が向上しやすい点から、アルキレン基が好ましい。アルキレン基としては直鎖のものが好ましい。Yは、下記式2-1、2-2又は2-3で表される基であり、カチオン中心を有する1価の基に属する。-NR1R2R32-1-PR1R2R32-2-SR1R22-3式2-1、2-2及び2-3の各々において、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換されていてもよい1価の炭化水素基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。R1、R2及びR3はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換されていてもよい1価の炭化水素基ヒドロカルビル基を表し、但し、R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよい。該ヒドロカルビル基がアルキル基である場合、炭素原子数1~20であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-イコシル基等の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基が例示できる。また、該ヒドロカルビル基がアリール基である場合は、炭素原子数6~20であることが好ましく、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等が挙げられる。R1、R2及びR3の少なくとも2個が互いに結合して形成する環は、炭素環若しくは複素環又はその組み合わせであり、該複素環は、Zに結合した窒素原子、リン原子又は硫黄原子のみを含んでもよいし、該窒素原子、リン原子又は硫黄原子以外に窒素原子、酸素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。Aは1価又は2価以上のアニオンを表し、但し、2価以上のアニオンである場合、上記構造単位はさらに他のカチオンを有していてもよい。具体的には、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートイオン、テトラN-イミダゾリルボレートイオン、これらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物等が挙げられる。好ましくはフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラN-イミダゾリルボレートイオンである。他のカチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなどのアルカリ金属イオンが挙げられる。また、式1で表される一構造単位中の2価以上のアニオンAが、式1で表される他の構造単位中のN、P、Sなどのカチオンと結合することで電荷が打ち消しあっていてもよい。i、j及びkはそれぞれ独立に0以上の整数を表す。但し、ijkは1以上の整数であり、好ましくは1~6の整数であり、より好ましくは1~3の整数であり、さらに好ましくは1である。前記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物における構造単位の合計を100モルとしたとき、前記式1で表される構造単位の割合が1モル以上100モル以下の範囲であることが好ましく、1モル以上99モル以下の範囲であることがより好ましく、5モル以上90モル以下の範囲であることがさらに好ましく、10モル以上80モル以下の範囲であることが一層好ましく、20モル以上70モル以下の範囲であることが特に好ましい。該芳香族化合物は単独重合体であるよりも共重合体であることが好ましい。上記式1の具体例として、以下の構造単位1a~1c、1f、1g及び1i~1zが示される。なお式中、mは1~50の整数を表す。その中でもmは2~40の整数であることが好ましく、2~30の整数であることがより好ましく、6~30であることが更に好ましい。さらに上記式1の具体例として、以下の構造単位1a2~1k2及び1m2~1r2が示される。mは前記と同じ意味である。さらに上記式1の具体例として、以下の構造単位1a3~1m3及び1o3~1q3が示される。なおmは前記と同じ意味である。さらに上記式1の具体例として、以下の構造単位1a4~1q4が示される。mは前記と同じ意味である。これらの1a~1c、1f、1g、1i~1z、1a2~1k2、1m2~1r2、1a3~1m3、1o3~1q3、及び1a4~1q4のうち、極性が高くて高極性溶媒にも溶解しやすい点、及び熱による分解が起こりにくい点から、1a~1c、1f、1g、1i~1zが好ましい。これらの1a~1c、1f、1g、1i~1zのうちでも、1a、1b、1c、1l、1k、1m、1n、1p、1q、1r、1s、1t、1v、1y、1zが好ましく、1a、1c、1l、1p、1q、1r、1t、1y、1zがより好ましく、1a、1c、1r、1t、1yがさらに好ましい。また、前記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物には、繰り返し単位として上記式1で表される構造単位の他に、以下の式12で表される構造単位を含んでいてもよい。式中、Ar7は、2価の芳香族基を表し、該芳香族基における水素原子の一部又は全部は、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1~20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数6~20のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数6~20のアリールオキシ基及び置換基を有していてもよい炭素原子数2~20のアシル基から選ばれる基で置換されていてもよい。式12において、Ar7としては、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等の2価の単環性芳香族基;ナフタレン-1,3-ジイル基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-1,6-ジイル基、ナフタレン-1,7-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、ナフタレン-2,7-ジイル基等の2価の縮合環系芳香族基;ピリジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2,6-ジイル基、キノキサリン-2,6-ジイル基、チオフェン-2,5-ジイル基等の2価のヘテロ芳香族基等を挙げることができる。式12としては、上述した2価の芳香族基からなる構造単位に加えて、以下の式6a~6wで表される構造単位が挙げられる。このような構造単位を含むことにより、前記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物の有する正孔注入性がさらに向上しうる。これらのうち、6a、6b、6c、6f、6n、6o、6t、6u、6v、6wが好ましく、6a、6b、6c、6o、6tがより好ましい。本発明で用いる芳香族化合物を含む正孔注入材料及び/又は正孔輸送材料の利用形態としては、1正孔注入層のみに用いる形態、2正孔注入層と正孔輸送層の両方に用いる形態、及び3正孔輸送層のみに用いる形態、の3種が好ましく挙げられる。これらのうち、正孔注入層と正孔輸送層の両方に用いる形態が、正極から発光材料への正孔移動がスムーズに行われるため、好ましい。また、正孔注入層と正孔輸送層とを同一の組成とし、1種の材料から同時に作製すれば、正孔注入層と正孔輸送層との界面での抵抗が少なくなる点、及び塗布層が一つ減ることによりプロセスの負荷が軽くなる点から、好ましい。本発明で用いる芳香族化合物を含む正孔注入材料及び/又は正孔輸送材料の利用形態としてはさらに、陰極から注入された電子をブロックする機能を有する層としての利用形態も挙げられる。<積層構造体>次に、本発明の積層構造体について説明する。本発明の積層構造体は、基体と、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層とを有する。基体としては、例えば、後述の基板が挙げられる。<電子デバイス>本発明の積層構造体を用いる電子デバイスについて説明する。該電子デバイスとしては、例えば、有機トランジスタ、太陽電池などの光電変換素子、電界発光素子等が挙げられる。<有機トランジスタ>前記有機トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及び絶縁されたゲート電極層を有するものである。この有機トランジスタは、基板、少なくとも1層の有機層を更に有していてもよい。該有機層の少なくとも1層は、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層である。その際、本発明の積層構造体を用いることができる。<光電変換素子>前記光電変換素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた少なくとも1層の有機層とを有するものであって、該有機層の少なくとも1層が電荷分離層であり、該有機層の少なくとも1層が式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層であるものである。この光電変換素子は、基板、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等を更に有していてもよい。その際、本発明の積層構造体を用いることができる。<電界発光素子>本発明の積層構造体を用いる電界発光素子は、例えば、陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に位置する発光層、及び前記発光層と前記陽極との間に位置し、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層を有する。本発明の電界発光素子は、基板を有することができ、かかる基板の面上に前記陰極、陽極、発光層及び式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層、並びに任意の構成要素を設けた構成とすることができる。本発明の積層構造体を用いる電界発光素子の一態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、その上層に発光層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、発光層が積層され、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、その上層に発光層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に発光層が積層され、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。さらに他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、その上層に発光層が積層され、その上層に式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。また、これらの態様において、さらに、保護層、バッファー層、反射層等の他の機能を有する層を設けてもよい。なお、本発明の積層構造体を用いる電界発光素子の構成については、下記にて別途詳述する。該電界発光素子はさらに封止膜、或いは、封止基板が覆い被せられ、該電界発光素子が外気と遮断された発光装置が形成される。式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層は、公知の高分子又は低分子の電荷輸送材料、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素;金属;合金;金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物;及びこれらの混合物等と混合されていてもよい。電荷輸送材料としては、以下の正孔輸送層又は電子輸送層に用いられるものを用いてもよく、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物としては、以下の陽極又は陰極に用いられるものを用いてもよい。さらに、発光素子としての発光機能を損なわない範囲で、発光又は電荷輸送機能を有していない有機材料又は金属ハロゲン化物、金属水酸化物、金属炭酸塩等の金属塩、及びこれらの混合物等の無機材料が混合されていてもよい。金属塩としては、仕事関数が35eV以下の金属の金属塩であることが好ましく、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の金属塩であることがより好ましい。本発明の積層構造体を用いる電界発光素子は基板側から採光する所謂ボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光する所謂トップエミッションタイプ、両面採光型のいずれのタイプの電界発光素子であってもよい。式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層を形成する方法としては、例えば、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。このような溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、アルコール、エーテル、エステル、ニトリル化合物、ニトロ化合物、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、チオール、スルフィド、スルホキシド、チオケトン、アミド、カルボン酸等の水を除く溶媒のうち、溶解度パラメーターが9.3以上の溶媒が好ましい。該溶媒の例各括弧内の値は、各溶媒の溶解度パラメーターの値を表す。溶剤ハンドブック講談社サイエンティフィック、1976年P.39に記載の表2.17のσ値から引用。としては、メタノール12.9、エタノール11.2、2-プロパノール11.5、1-ブタノール10.7、tert-ブチルアルコール10.5、アセトニトリル11.8、1,2-エタンジオール14.7、NNジメチルホルムアミド11.5、ジメチルスルホキシド12.8、酢酸12.4、ニトロベンゼン11.1、ニトロメタン11.0、1,2-ジクロロエタン9.7、ジクロロメタン9.6、クロロベンゼン9.6、ブロモベンゼン9.9、ジオキサン9.8、炭酸プロピレン13.3、ピリジン10.4、二硫化炭素10.0、及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。ここで、2種の溶媒溶媒1及び溶媒2とするを混合してなる混合溶媒について説明すると、該混合溶媒の溶解度パラメーターは、δmδ1×φ1δ2×φ2により求めることとするδ1は溶媒1の溶解度パラメーター、φ1は溶媒1の体積分率、δ2は溶媒2の溶解度パラメーター、φ2は溶媒2の体積分率である。これらの溶媒の中では、防災安全の観点からは、引火点の高い溶媒が好ましく用いられる。また成膜に用いる溶媒が上記文献に値が掲載されていない場合は、以下の計算によって算出することも出来る。即ち、密度は文献値を用い、その密度に合わせて溶媒分子180個からなるモデルを作成し、力場compassを用いて分子動力学法でNVTアンサンブルにて計算する。十分時間を掛けてエネルギーが平衡状態に達したところで、サンプリングを行い、系の凝集エネルギー密度を計算する統計量。溶解度パラメータは凝集エネルギー密度の平方根として求めることができる。この方法で溶解度パラメータを求めた、以下の溶媒も好ましく用いることが出来る。ジエチレングリコール14.6、N,N-ジメチルアセトアミド11.1、N-メチルピロリジノン11.5である。なおこれらの溶解度パラメーターの単位はcal/cm31/2である。溶液を用いる成膜方法としては、溶液を用いるスピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法等のコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法及びノズルコート法が好ましい。式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、ピンホールが発生しない厚さが必要である。素子の駆動電圧を低くする観点からは、該厚さは、1nm~1μmであることが好ましく、2nm~500nmであることがより好ましく、2nm~200nmであることがさらに好ましい。発光層を保護する観点からは、該厚さは、5nm~1μmであることが好ましい。本発明の積層構造体を用いる電界発光素子は、陰極及び陽極を有し、陰極と陽極間に発光層を有するが、さらに構成要素を備えることができる。例えば、陽極と発光層との間には式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層を有することができる。この場合第1の電極は陽極となり、第2の電極は陰極となる。ここで、陽極は、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層に正孔を供給する電極であり、陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給する電極である。発光層とは、電界を印加した際に、陽極側に隣接する層より正孔を受け取り、陰極側に隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷を電界の力で移動させる機能、及び電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する層をいう。電子注入層及び電子輸送層とは、陰極から電子を受け取る機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔をブロックする機能、及び発光層へ電子を供給する機能のいずれかを有する層をいう。正孔注入層及び正孔輸送層とは、陽極から正孔を受け取る機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、及び陰極から注入された電子をブロックする機能のいずれかを有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶことがある。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶことがある。即ち、本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は下記の層構成aを有することができ、又は、層構成aから、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の1層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成aにおいて、本発明の芳香族化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、及び電子輸送層からなる群から選ばれる1つ以上の層として用いることができる。a陽極-正孔注入層--発光層-電子輸送層-電子注入層-陰極ここで、符号-は各層が隣接して積層されていることを示す。は、正孔輸送層のみからなる層を示す。電子輸送層は、電子輸送層のみからなる層を示す。以下の層構成の説明においても同様である。さらに、本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は、1つの積層構造中に2層の発光層を有することができる。この場合、該電界発光素子は下記の層構成bを有することができ、又は、層構成bから、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び電極の1層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成bにおいて、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。b陽極-正孔注入層--発光層-電子輸送層-電子注入層-電極-正孔注入層--発光層-電子輸送層-電子注入層-陰極さらに、本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は、1つの積層構造中に3層以上の発光層を有することができる。この場合、電界発光素子は下記の層構成cを有することができ、又は、層構成cから、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び電極の1層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成cにおいて、本発明の芳香族化合物を含む層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。c陽極-正孔注入層--発光層-電子輸送層-電子注入層-単位Q-単位Q--陰極ここで、単位Qは、電極-正孔注入層--発光層-電子輸送層-電子注入層という層構成を示す。本発明において、電荷注入層電子注入層、正孔注入層を設けた電界発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた電界発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた電界発光素子が挙げられる。この電界発光素子の層構成としては、以下のd~mの構成が挙げられる。d陽極-電荷注入層-発光層-陰極e陽極-電荷注入層-発光層-電荷注入層-陰極f陽極-電荷注入層-正孔輸送層-発光層-陰極g陽極-正孔輸送層-発光層-電荷注入層-陰極h陽極-電荷注入層-正孔輸送層-発光層-電荷注入層-陰極i陽極-電荷注入層-発光層-電子輸送層-陰極j陽極-電荷注入層-発光層-電子輸送層-電荷注入層-陰極k陽極-電荷注入層-正孔輸送層-発光層-電子輸送層-陰極l陽極-正孔輸送層-発光層-電子輸送層-電荷注入層-陰極m陽極-電荷注入層-正孔輸送層-発光層-電子輸送層-電荷注入層-陰極上記電界発光素子は、さらに電極との密着性向上及び電極からの電荷即ち正孔又は電子の注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層即ち正孔輸送層又は電子輸送層又は発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番及び数、並びに各層の厚さについては、発光効率及び素子寿命を勘案して用いることができる。次に、本発明の積層構造体を用いた電界発光素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より詳しく説明する。-基板-上記電界発光素子を構成する基板は、電極を形成し、有機層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層した基板が用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。本発明の電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さRaがRa<10nmを満たすことが好ましい。Raは、日本工業規格JISのJIS-B0601-2001に基づいて、JIS-B0651からJIS-B0656及びJIS-B0671-1等を参考に計測できる。-陽極-上記電界発光素子を構成する陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が40eV以上であることが好ましい。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることができる。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、及び、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。前記陽極は、これら材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が40eV以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。陽極の作製方法としては、公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、溶液を用いる成膜による方法高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい等が挙げられる。陽極の厚さは、通常10nm~10μmであり、好ましくは50nm~500nmである。また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さRaはRa<10nmを満たすこと好ましく、Ra<5nmを満たすことがより好ましい。さらに、該陽極は上記方法にて作製された後に、UVオゾン、シランカップリング剤、2356テトラフルオロ7788テトラシアノキノジメタン等の電子受容性化合物を含む溶液等で表面処理を施されることがある。表面処理によって該陽極に接する層との電気的接続が改善される。上記電界発光素子において陽極を光反射電極として用いる場合には、かかる陽極が、高光反射性金属からなる光反射層と40eV以上の仕事関数を有する材料を含む高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造が好ましい。このような陽極の構成としては、iAg-MoO3iiAgPdCu合金-ITO及び/又はIZOiiiAlNd合金-ITO及び/又はIZOivMoCr合金-ITO及び/又はIZOvAgPdCu合金-ITO及び/又はIZO-MoO3が例示される。十分な光反射率を得る為に、Al、Ag、Al合金、Ag合金、Cr合金等の高光反射性金属層の厚さは50nm以上であることが好ましく、80nm以上であることがより好ましい。ITO、IZO、MoO3等の高仕事関数材料層の厚さは通常、5nm~500nmの範囲である。-正孔注入層-本発明の積層構造体を用いる電界発光素子において、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物以外の正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾール誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらを含む重合体;酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物;ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー;ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホン酸、ポリピロール等の有機導電性材料及びこれらを含む重合体;アモルファスカーボン;テトラシアノキノジメタン誘導体例えば、2356テトラフルオロ7788テトラシアノキノジメタン、14ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物;オクタデシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が好適に使用できる。前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔輸送層で用いることができる材料として例示する材料も正孔注入層で用いることができる。正孔注入層の成膜方法としては、以下の方法が挙げられる。即ち、溶液を用いる成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含有する溶液を用いて成膜する方法の説明中で例示した溶媒が挙げられる。正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層等の有機化合物層を形成する場合、特に、両方の層を塗布法によって形成する場合には、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作製できなくなることがある。この場合には、下層を溶媒不溶化する方法を用いることができる。溶媒不溶化する方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法等が挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常100°C~300°Cであり、時間は通常1分~1時間である。また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、たとえば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法等がある。正孔注入層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔注入層の厚さは、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは10nm~100nmである。-正孔輸送層-本発明の電界発光素子において、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物以外の正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾール誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの構造を含む重合体;アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー;ポリピロール等の有機導電性材料が挙げられる。前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔輸送層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔注入層で用いることができる材料として例示する材料も正孔輸送層で用いることができる。前記正孔輸送層を構成する材料としては、特開昭6370257号公報、特開昭63175860号公報、特開平2135359号公報、特開平2135361号公報、特開平2209988号公報、特開平337992号公報、特開平3152184号公報、特開平5263073号公報、特開平61972号公報、WO200552027、特開2006295203号公報等に開示される化合物も有用であるが、これらの中でも、繰り返し単位として2価の芳香族アミン残基を含む重合体が、好適に用いられる。正孔輸送層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。正孔輸送層に続いて、発光層等の有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層及びインターレイヤーの厚さは、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~100nmである。-発光層-上記電界発光素子において、発光層が高分子化合物を含む場合、該高分子化合物としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。また、前記高分子化合物を含む発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、910-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有してもよい。また、該発光層は、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリスイリジウム等の燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。また、上記の電界発光素子が有する発光層は、非共役高分子化合物と前記有機色素や前記金属錯体等の発光性有機化合物との組成物から構成されてもよい。非共役高分子化合物としては、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリN-ビニルカルバゾール、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。前記の非共役高分子化合物は側鎖にカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物、及び有機シラン誘導体からなる群から選ばれる1つ以上の誘導体若しくは化合物の構造を有していてもよい。発光層が低分子化合物を含む場合、該低分子化合物としては、ルブレン、ペリレン、910-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、カルバゾール、キナクリドン等の低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系等の色素類、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、フタロシアニン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体等が挙げられる。発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、該金属錯体としては、トリスイリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体等が挙げられる。発光層に用いられる高分子化合物としては、WO9709394、WO9827136、WO9954385、WO0022027、WO0119834、GB2340304A、GB2348316、US573636、US5741921、US5777070、EP0707020、特開平9111233号公報、特開平10324870号公報、特開200080167号公報、特開2001123156号公報、特開2004168999号公報、特開2007162009号公報、有機EL素子の開発と構成材料シーエムシー出版、2006年発行等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の共重合体が例示される。また、低分子化合物としては、特開昭57-51781号公報、有機薄膜仕事関数データ集第2版シーエムシー出版、2006年発行、有機EL素子の開発と構成材料シーエムシー出版、2006年発行等に記載されている化合物が例示される。前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、前記材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。発光層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。発光層に続いて、電子輸送層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。発光層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、発光層の厚さは、通常、5nm~1μmであり、好ましくは10nm~500nmであり、さらに好ましくは30nm~200nmである。-電子輸送層-上記電界発光素子において、式1で表される構造単位を有する芳香族化合物以外の電子輸送層及び正孔ブロック層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、並びに8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子輸送層は、前記材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層で用いることができる材料として例示する材料も電子輸送層で用いることができる。電子輸送層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。電子輸送層に続いて、電子注入層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。電子輸送層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の厚さは、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~100nmである。-電子注入層-上記電界発光素子において、電子注入層を構成する材料としては、公知の化合物が使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体等が挙げられる。前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子注入層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子輸送層で用いることができる材料として例示する材料も電子注入層で用いることができる。電子注入層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液を用いる成膜に用いる溶媒としては、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。電子注入層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、ピンホールが発生しない厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子注入層の厚さは、通常、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~100nmである。-陰極-本発明の電界発光素子において、陰極は、単一の材料又は複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。陰極が単層構造である場合、陰極の材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属及びこれらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物が挙げられる。多層構造である場合、第1陰極層とカバー陰極層の2層構造、又は第1陰極層、第2陰極層及びカバー陰極層の3層構造が好ましい。ここで、第1陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は2層構造の場合は第1陰極層を、3層構造の場合は第1陰極層と第2陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第1陰極層の材料の仕事関数が35eV以下であることが好ましい。また、仕事関数が35eV以下の金属の酸化物、フッ化物、炭酸塩、複合酸化物等も第1陰極層材料として好適に用いられる。カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物等が好適に用いられる。第1陰極層材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、前記金属を1種類以上含む合金、前記金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される1つ以上の材料等が挙げられる。アルカリ金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウムが挙げられる。アルカリ金属又はアルカリ土類金属を1種類以上含む合金の例としては、LiAl合金、MgAg合金、AlBa合金、MgBa合金、BaAg合金、CaBiPbSn合金が挙げられる。また、第1陰極層材料として例示した材料と電子注入層を構成する材料として例示した材料との組成物も第1陰極層に使用できる。第2陰極層の材料としては、第1陰極層の材料と同様の材料が例示される。カバー陰極層の材料の例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属及びこれらを含む合金、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物、導電性金属酸化物のナノ粒子、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素が挙げられる。陰極が多層構造である場合の例としては、MgAl、CaAl、BaAl、NaFAl、KFAl、RbFAl、CsFAl、Na2CO3Al、K2CO3Al、Cs2CO3Al等の第1陰極層とカバー陰極層の2層構造、LiFCaAl、NaFCaAl、KFCaAl、RbFCaAl、CsFCaAl、BaAlAg、KFAlAg、KFCaAg、K2CO3CaAg等の第1陰極層、第2陰極層及びカバー陰極層の3層構造が挙げられる。ここで、符号は各層が隣接していることを示す。なお、第2陰極層の材料が第1陰極層の材料に対して還元作用を有することが好ましい。ここで、材料間の還元作用の有無及び程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギーΔrH°から見積もることができる。即ち、第2陰極層を構成する材料による、第1陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正である組み合わせの場合、第2陰極層の材料が第1陰極層の材料に対して還元作用を有すると言える。結合解離エネルギーは、例えば電気化学便覧第5版丸善、2000年発行、熱力学データベースMALT科学技術社、1992年発行で参照できる。陰極の作製方法としては公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、溶液を用いる成膜による方法高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよいが例示される。金属、金属酸化物、フッ化物、炭酸塩を用いる場合は真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物及び金属複合酸化物並びに酸化インジウムスズITO等の導電性金属酸化物を用いる場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング法が多用される。金属、金属酸化物、フッ化物、炭酸塩、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物、導電性金属酸化物を2種以上併用して成膜する場合には、共蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が用いられる。金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物ナノ粒子の場合には、溶液を用いる成膜による方法が多用される。特に、低分子有機化合物と金属又は金属酸化物、フッ化物、炭酸塩との組成物を成膜する場合には共蒸着法が適する。陰極の厚さは用いる材料、層構造によって最適値が異なり、駆動電圧、発光効率、素子寿命が適度な値となるように選択すればよいが、通常、第1陰極層の厚さは0.5nm~20nmであり、カバー陰極層の厚さは10nm~1μmである。例えば、第1陰極層にBa又はCa、カバー陰極層にAlを用いる場合、Ba又はCaの厚さは2nm~10nm、Alの厚さは10nm~500nmであることが好ましく、第1陰極層にNaF又はKF、カバー陰極層にAlを用いる場合、NaF又はKFの厚さは1nm~8nm、Alの厚さは10nm~500nmであることが好ましい。上記の電界発光素子において陰極を光透過性電極として用いる場合には、カバー陰極層の可視光透過率が40以上であることが好ましく、50以上であることがより好ましい。この可視光透過率は、カバー陰極層材料として酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化モリブデン等の透明導電性金属酸化物を用いるか、或いは、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛等の低抵抗金属及びこれらを含む合金を用いたカバー陰極層の厚さを30nm以下にすることで達成される。また、陰極側からの光透過率を向上させることを目的として、陰極のカバー陰極層上に反射防止層を設けることもできる。反射防止層に用いられる材料としては、屈折率が1.8~3.0であることが好ましく、この屈折率を満たす材料としては、例えば、ZnS、ZnSe、WO3が挙げられる。反射防止層の厚さは材料の組み合わせによって異なるが、通常10nm~150nmである。-絶縁層-上記電界発光素子が任意に有しうる厚さ5nm以下の絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷注入改善、隣接層との混合防止等の機能を有する層である。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料ポリメチルメタクリレート等等が挙げられる。厚さ5nm以下の絶縁層を設けた電界発光素子としては、陰極に隣接して厚さ5nm以下の絶縁層を設けた素子、陽極に隣接して厚さ5nm以下の絶縁層を設けた素子が挙げられる。-その他の構成要素-前記装置は、さらに、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有することができる。また、さらに、カラーフィルター、蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路及び配線等の、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有することができる。-本発明の積層構造体を用いた電界発光素子の製造方法-本発明の積層構造体を用いた電界発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を設け、さらにその上に、陰極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。他の製造方法としては、基板上に陰極を設け、その上に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を設け、さらにその上に、陽極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。更に他の製造方法としては、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより製造することができる。また本発明は、上記積層構造体において、上記正孔注入及び/又は正孔輸送層が架橋構造を有する積層構造体を提供する。更に本発明は該積層構造体を有する電子デバイスを提供する。架橋の方法としては、以下のa及びbの方法が例としてあげられる。a上記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物に、架橋反応性を有する官能基をあらかじめ導入しておき、積層構造体の形成途中あるいは形成後に、架橋反応を進行せしめる方法。b上記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物に、架橋反応性を有する官能基を有する架橋剤をあらかじめ添加しておき、積層構造体の形成途中あるいは形成後に、架橋反応を進行せしめる方法。上記aの架橋方法に用いる、架橋性反応基を有する官能基としては、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリルアミド基、メタクリロイル基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基、ラクトン基、ラクタム基、およびベンゾシクロブテン基からなる群から少なくとも選ばれる1種選ばれる基があげられる。上記bの架橋方法に用いる、架橋反応性を有する官能基を有する架橋剤としては、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリルアミド基、メタクリロイル基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基、ラクトン基、ラクタム基、およびベンゾシクロブテン基からなる群から少なくとも選ばれる1種選ばれる基を2つ以上有する化合物があげられる。用いる架橋反応としては、熱反応、光反応、ラジカル開始剤を用いる反応などがあげられる。また本発明の、上記式1で表される構造単位を有する芳香族化合物を含む正孔注入及び/又は正孔輸送層の中で、上記架橋反応を進行せしめることにより、該正孔注入及び/又は正孔輸送層を溶媒に対して不溶化できる。これにより該正孔注入及び/又は正孔輸送層の作製に用いた溶媒と、同じ溶媒で正孔輸送層、発光層を塗布することも出来るようになり、積層構造体の製造工程を簡略化できる場合がある。また本発明は、下記式3で表される構造単位を有する芳香族化合物を提供する。式中、Ar4、Ar5、Ar6、Y、A、i、j及びkは前記のとおりであり、各Zは独立に置換されていてもよい2価の炭化水素基を表す。Zは置換されていてもよい2価の炭化水素基を表す。Zとしては、置換されていてもよい炭素原子数1~50の2価の炭化水素基ヒドロカルビレン基が好ましく、置換されていてもよい炭素原子数2~40のヒドロカルビレン基がより好ましく、溶媒溶解性を確保しやすく素子及びデバイスへの加工性が向上する点から、置換されていてもよい炭素原子数6~30のヒドロカルビレン基が更に好ましい。-YAで表される部分の導入効果が大きくなりやすいため、Zの炭素原子数は50以下であることが好ましい。前記ヒドロカルビレン基の中では、溶媒溶解性を確保しやすく素子及びデバイスへの加工性が向上しやすい点から、アルキレン基が好ましい。アルキレン基としては直鎖のものが好ましい。本発明の、前記式3で表される構造単位を有する、芳香族化合物における構造単位の合計を100モルとしたとき、前記式3で表される構造単位の割合が1モル以上100モル以下の範囲であることが好ましく、1モル以上99モル以下の範囲であることがより好ましく、5モル以上90モル以下の範囲であることがさらに好ましく、10モル以上80モル以下の範囲であることが一層好ましく、20モル以上70モル以下の範囲であることが特に好ましい。上記式3の具体例として、上記で例示した構造単位1a~1c、1f、1g、1i~1z、1a2~1h2、1a3~1h3、1k3、1a4~1i4、1k4が挙げられる。極性が高くて高極性溶媒にも溶解しやすい点、及び熱による分解が起こりにくい点から、1a~1c、1f、1g及び1i~1zが好ましい。これらの1a~1c、1f、1g及び1i~1zのうちでも、1a、1b、1c、1l、1k、1m、1n、1p、1q、1r、1s、1t、1v、1y、1zが好ましく、1a、1c、1l、1p、1q、1r、1t、1y、1zがより好ましく、1a、1c、1r、1t、1yがさらに好ましい。また本発明は下記式4で表される芳香族化合物を提供する。式中、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。nは1以上の整数を表す。X1及びX2はそれぞれ独立に水素原子又は1価の基を表す。1価の基であるX1、X2としては例えば、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基などが挙げられる。該ヒドロカルビル基がアルキル基である場合、炭素原子数1~20であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、2,2-ジメチルプロピル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-イコシル基等の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基が例示できる。また、ここに例示するアルキル基において、水素原子の一部が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、又はハロゲン原子に置換されていてもよく、その場合、当該ヒドロカルビル基の炭素原子数は20以下になるようにする。また、該ヒドロカルビル基がアリール基である場合は、炭素原子数6~20であることが好ましく、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等が挙げられる。ここに例示するアリール基において、水素原子の一部が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、その場合、当該アリール基の炭素原子数は20以下になるようにする。該ヒドロカルビルオキシ基がアルコキシ基である場合、炭素原子数1~20であることが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、iso-プロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、iso-ブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、2,2-ジメチルプロピルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、n-ウンデシルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、n-トリデシルオキシ基、n-テトラデシルオキシ基、n-ペンタデシルオキシ基、n-ヘキサデシルオキシ基、n-ヘプタデシルオキシ基、n-オクタデシルオキシ基、n-ノナデシルオキシ基、n-イコシルオキシ基等の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルコキシ基が例示できる。また、ここに例示するアルコキシ基において、水素原子の一部が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、その場合、当該アルコキシ基の炭素原子数は20以下になるようにする。また、該ヒドロカルビルオキシ基がアリールオキシ基である場合は、炭素原子数6~20であることが好ましく、フェニルオキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、3-フェナントリルオキシ基、2-アントリルオキシ基等が挙げられる。ここに例示するアリールオキシ基において、水素原子の一部が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、又はハロゲン原子に置換されていてもよく、その場合、当該ヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数は20以下になるようにする。1価の基であるX1、X2としてはさらに下記の基からなる群から選ばれる基が例示される。-F、-Cl、-Br、-I、-OH、-CN、-CO2H、-CO2R7、-SiCH33、-SiCH32CCH33、-BOR5OR6、-CO2R7、-COR7、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5、-PC6H52、-P=OC6H52、-Ar8R5、R6及びR7はそれぞれ独立に1価の基を表し、該1価の基は、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数1~20のアルキル基及び置換基を有していてもよい炭素原子数6~20のアリール基からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい。また、R5及びR6は互いに結合して環を形成していてもよい。Ar8は1価の芳香族基を表し、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、3-フェナントリル基、2-アントリル基等が挙げられる。X1、X2として特に好ましいものは水素原子及び下記の基からなる群から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。-BOR5OR6、-Ar8nは1以上の整数を表す。nとしては1以上1000000以下が好ましく、1以上500000以下がより好ましく、1以上100000以下がさらに好ましく、1以上1000以下が特に好ましい。本発明の芳香族化合物のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは100以上1000000以下であることが好ましく、500以上500000以下であることがより好ましく、1000以上200000以下であることが更に好ましい。ここでのMn値はサイズ排除クロマトグラフィーSECにより求まる。上記式4で表される芳香族化合物の具体例としては下記式2a~2c、2f、2g及び2i~2zで表される芳香族化合物が挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。さらに上記式4で表される芳香族化合物の具体例としては下記式2a2~2h2で表される芳香族化合物が挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。さらに上記式4で表される芳香族化合物の具体例としては下記式2a3~2h3で表される芳香族化合物が挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。さらに上記式4で表される芳香族化合物の具体例としては下記式2a4~2h4で表される芳香族化合物が挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。これらの2a~2c、2f、2g、2i~2z、2a2~2h2、2a3~2h3及び2a4~2h4のうち、極性が高くて高極性溶媒にも溶解しやすい点、及び熱による分解が起こりにくい点から、2a~2c、2f、2g及び2i~2zが好ましい。これらの2a~2c、2f、2g及び2i~2zのうちでも、2a、2b、2c、2l、2k、2m、2n、2p、2q、2r、2s、2t、2v、2y、2zが好ましく、2a、2c、2l、2p、2q、2r、2t、2y、2zがより好ましく、2a、2c、2r、2t、2yがさらに好ましい。本発明の一実施形態において、上記式4で表される芳香族化合物は、X6及びX7が下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j、k及びnが前記と同じ意味を表す、下記式4-1で表される芳香族化合物である。官能基群:-Cl、-Br、-I、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5上記式4-1の具体例としては、上記2a、2c、2l、2f、2g、2k、2n、2o、2p、2u、2v、2w、2a2、2g2、2h2、2a3、2f3、2g3,2h3,2a4,2b4,2g4が挙げられる。本発明の別の一実施形態において、上記式4で表される芳香族化合物は、X8及びX9が下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar4、Ar5、Ar6、A、Y、Z、i、j、k及びnが前記と同じ意味を表す、下記式4-2で表される芳香族化合物である。官能基群:-BOR5OR6式中、R5及びR6は前記と同じ意味を表す。上記式4-2の具体例としては、上記2b、2l、2y、2z、2e2,2f2、2d3,2e3、2e4,2g4が挙げられる。さらに本発明は、上記式4-1及び/又は上記式4-2で表される芳香族化合物を用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行い、上記式3で表される構造単位の数及び/又は上記式4中の前記nを増加せしめる製造方法を提供する。以下、好適な方法に関し説明する。かかる製造方法としては、ゼロ価遷移金属錯体を触媒とするカップリング反応を単位反応とする重合が好適であり、ゼロ価遷移金属錯体と、当該ゼロ価遷移金属錯体の中心金属と配位できる二座以上の化合物以下、配位子化合物ということがあるの存在下での重合がより好適である。上記式4-1で表される芳香族化合物のみを用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行う場合には、ゼロ価遷移金属錯体として、ニッケル0錯体を用いることが好ましい。また上記式4-1で表される芳香族化合物とともに下記式13で表される芳香族化合物を用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行う場合にも、ゼロ価遷移金属錯体として、ニッケル0錯体を用いることが好ましい。Ar7、X6及びX7は前記と同じ意味を表す。ニッケル0錯体としては、例えば、ニッケル0ビスシクロオクタジエン、ニッケル0エチレンビストリフェニルホスフィン、ニッケル0テトラキストリフェニルホスフィン等のゼロ価ニッケル錯体ニッケル0錯体でもよく、ハロゲン化ニッケル例えば、フッ化ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル等、ニッケルカルボン酸塩例えば、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル等、硫酸ニッケル、炭酸ニッケル、硝酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、ジメトキシエタン塩化ニッケル等の2価ニッケル化合物を反応系中で還元、錯体化してニッケル0錯体にしたものでもよい。これらの中でも、ニッケル0ビスシクロオクタジエンを使用するか、ハロゲン化ニッケルを反応系中でニッケル0錯体にしたものが、本発明の芳香族化合物を得るうえで好適である。前記ゼロ価遷移金属錯体の使用量は、使用する芳香族化合物の種類及び得られるカップリング生成物の分子量により適宜最適化できる。脱離基-X6、-X71モルに対して、ゼロ価遷移金属錯体0.4~5モルの使用量が好適である。ゼロ価遷移金属錯体に加え、配位子化合物を共存させることは、反応中のゼロ価遷移金属錯体自身の安定性が良好になり、反応が円滑に進行するうえで特に好適である。ニッケル0錯体を触媒として使用する場合において、配位子化合物としては、2,2-ビピリジン、1,10-フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、N,N-テトラメチルエチレンジアミンが好ましく、2,2-ビピリジンが特に好ましい。このような配位子化合物を使用する場合、その使用量は、ゼロ価遷移金属錯体の中心金属ニッケルなど1モルに対して、通常0.2~2モルの範囲であり、好ましくは1~1.5モルの範囲である。ゼロ価遷移金属錯体がニッケル0錯体の場合、ニッケル0錯体としては、2価ニッケル化合物を用い重合の反応系中でニッケル0錯体にしたものを用いることもできる。この場合、ニッケルを還元し得る還元剤が必要となる。該還元剤としては亜鉛が好ましく使用され、この亜鉛は通常粉末状のものが用いられる。亜鉛を使用する場合、その使用量は、使用するモノマー1モルに対して、通常等モル以上10モル倍以下、好ましくは等モル以上5モル倍以下から選択される。亜鉛の使用量の上限は、反応後の後処理が煩雑にならないように、また経済的にも不利にならないようにして選択される。なお、2価ニッケル化合物と亜鉛とを併用するのは、該2価ニッケル化合物の使用当量が、使用するモノマーの使用当量に対して下回る場合に特に有利である。反応は、通常溶媒の存在下に実施される。溶媒としては、使用するモノマー及び生成する本発明の芳香族化合物が溶解し得る溶媒であればよい。かかる溶媒の具体例としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒;テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル溶媒;ジメチルスルホキシドDMSO、N-メチル-2-ピロリドンNMP、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N,N-ジメチルアセトアミドDMAc、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒;ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒等が挙げられる。かかる溶媒は、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。なかでも、エーテル溶媒及び非プロトン性極性溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド又はこれらから選ばれる2種以上の混合溶媒がより好ましい。溶媒の使用量は、多すぎると反応が進行し難くなる傾向にあり、少なすぎると反応液が著しく高粘度化して後処理が煩雑になるという場合があるため、反応せしめる芳香族化合物の合計重量に対して、通常1~200重量倍、好ましくは5~100重量倍とするのがよい。反応は、通常、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下で実施される。また反応温度は、通常0~250°Cであり、好ましくは30~100°Cである。反応時間は、通常0.5~48時間から選ばれるが、例えば、反応途中の反応溶液を所定時間おきにサンプリングし、生成物の分子量測定等の分析を行って、所望の生成物が得られるようにして、反応時間を決定することが好ましい。反応後の反応溶液から、生成物を取り出すには各種公知の手段を用いればよい。典型的には、生成物を溶解し難い貧溶媒を、反応溶液と混合してポリマーを析出させ、析出した生成物を濾過等により分離するといった手段を用いればよく、かかる手段は操作が簡便であるという利点がある。なお、かかる貧溶媒としては例えば、水、メタノール、エタノール、アセトニトリル等が挙げられ、水及びメタノールが好ましい。得られたポリマーの分子量や化学構造は、ゲル浸透クロマトグラフィ、高速液体クロマトグラフィ、核磁気共鳴スペクトルNMR等の通常の分析手段により求めることができる。ボロン官能基を有する芳香族化合物を用いてsp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行う場合は、塩基存在下、ゼロ価遷移金属錯体としてパラジウムを用いる、Suzukiカップリングを利用する。上記式4-1で表される芳香族化合物と上記式4-2で表される芳香族化合物を用いる場合、上記式4-1で表される芳香族化合物と下記式14で表される芳香族化合物を用いる場合、上記式4-1で表される芳香族化合物、上記式4-2で表される芳香族化合物、及び下記式14で表される芳香族化合物を用いる場合、などが例として挙げられる。式中、Ar7、R5及びR6は前記と同じ意味を表す。上記カップリング反応における反応性を有する基のうち、約50モルパーセントはボロン官能基より選ばれることが好ましい。本発明において用いるに適した有機溶媒は、モノマーを少なくとも1パーセント、より好ましくは少なくとも2パーセントの溶液濃度に溶解することのできるものを含む。好ましくは、この溶媒はC6C20即ち、炭素原子数6~20の芳香族基含有化合物であり、より好ましくはベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、アニソール、又はこれらのフッ素化体である。これらのうち、トルエンが特に好ましい。反応中の溶媒の体積は、反応混合物はポリマーである芳香族化合物の分子量の増大により粘度が増加するために、還流において有効に混合できるようでなければならない。これは通常、芳香族化合物1gに対して5~20mLであり、好ましくは芳香族化合物1gに対してトルエン約10mLである。本発明において有効な塩基の例は、アルカリ金属カーボネート及びバイカーボネートを含む。好ましくは、この塩基は水性アルカリ金属カーボネートの溶液、例えば1mol/L~2mol/Lの炭酸ナトリウムもしくはカリウムである。Pd塩又はPd錯体としてパラジウムを加えてもよい。酢酸Pdが好ましいPd塩であり、PdPh3P4が好ましいPd0錯体である。Pd塩を用いる場合、反応混合物に、Pd塩1モルに対して2~4モル当量のトリフェニルホスフィンPh3Pを加えることが有利である。または、PdII-Ph3P錯体、例えばPdCl22を用いる。ボロン官能基に対するPdの量は、好ましくはボロン官能基2モルに対して1×10-6モル~1モル、より好ましくは1×10-5モル~1×10-1モル、特に好ましくは1×10-4モル~1×10-3モルである。反応温度の好ましい上限は、水性塩基及び有機溶媒中のモノマーの溶液からなる不混和性液体混合物の沸点である。通常、反応温度を好ましくは150°C以下、より好ましくは130°C以下、特に好ましくは120°C以下に制限する。反応は、通常、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気下で実施される。反応時間は、通常0.5~48時間から選ばれるが、例えば、反応途中の反応溶液を所定時間おきにサンプリングし、生成物の分子量測定等の分析を行って、所望の生成物が得られるようにして、反応時間を決定することが好ましい。反応後の反応溶液から、生成物を取り出すには各種公知の手段を用いればよい。典型的には、生成物を溶解し難い貧溶媒を、反応溶液と混合してポリマー芳香族化合物を析出させ、析出した生成物を濾過等により分離するといった手段を用いればよく、かかる手段は操作が簡便であるという利点がある。なお、かかる貧溶媒としては例えば、水、メタノール、エタノール、アセトニトリル等が挙げられ、水及びメタノールが好ましい。得られたポリマーの分子量や化学構造は、ゲル浸透クロマトグラフィ、高速液体クロマトグラフィ、核磁気共鳴スペクトルNMR等の通常の分析手段により求めることができる。本発明は下記式7で表される構造単位を有する芳香族化合物、即ち、脱離基を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。式中、Ar4、Ar5、Ar6、Z、i、j及びkは前記のとおりであり、各X3は独立に脱離基である。脱離基であるX3の例としては、下記の官能基群から選ばれる基が挙げられる。X3が2種類以上ある場合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。-Cl、-Br、-I、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5上記式7で表される構造単位の例としては下記3a~3wが挙げられる。mは前記と同じ意味を表す。さらに上記式7で表される構造単位の具体例としては下記3a2~3h2が挙げられる。mは前記と同じ意味を表す。これらのうち、3a、3b、3c、3d、3e、3f、3g、3i、3j、3l、3n、3o、3p、3q、3r、3s、3v、3wが好ましく、3a、3c、3d、3i、3l、3n、3p、3q、3r、3s、3v、3wがより好ましく、3a、3c、3d、3i、3l、3n、3r、3s、3vがさらに好ましく、3a、3c、3d、3i、3r、3sがより一層好ましい。本発明の、前記式7で表される構造単位を有する、芳香族化合物における構造単位の合計を100モルとしたとき、前記式7で表される構造単位の割合が1モル以上100モル以下の範囲であることが好ましく、1モル以上99モル以下の範囲であることがより好ましく、5モル以上90モル以下の範囲であることがさらに好ましく、10モル以上80モル以下の範囲であることが一層好ましく、20モル以上70モル以下の範囲であることが特に好ましい。また本発明は下記式8で表される芳香族化合物、即ち、脱離基を炭化水素側鎖に有する芳香族化合物を提供する。式中、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkは、前記と同じ意味を表し、Ar4、Ar5、Ar6、X3、Z、i、j及びkのいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。n、X1及びX2は前記のとおりである。上記式8の例としては下記式4a~4zが挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。さらに上記式8の例としては下記式4a2~4h2が挙げられる。m及びnは前記と同じ意味を表す。これらのうち、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4i、4j、4l、4n、4o、4p、4q、4r、4s、4v、4w、4y、4zが好ましく、4a、4c、4d、4i、4l、4n、4p、4q、4r、4s、4v、4wがより好ましく、4a、4c、4d、4i、4l、4n、4r、4s、4vがさらに好ましく、4a、4c、4d、4i、4r、4sがより一層好ましい。本発明の一実施形態において、上記式8で表される芳香族化合物は、X6及びX7が前記と同様に下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar4、Ar5、Ar6、Z、X3、i、j、k及びnが前記と同じ意味を表す、下記式8-1で表される芳香族化合物を提供する。官能基群:-Cl、-Br、-I、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5上記式8-1の具体例としては、上記4a、4c、4d、4e、4f、4g、4h、4k、4n、4o、4p、4v、4w、4a2、4c2、4d2、4g2が挙げられる。本発明の別の一実施形態において、上記式8で表される芳香族化合物は、X8、X9が前記と同様に下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar4、Ar5、Ar6、Z、X3、i、j、k及びnが前記と同じ意味を表す、下記式8-2で表される芳香族化合物を提供する。官能基群:-BOR5OR6式中、R5及びR6は前記と同じ意味を表す。上記式8-2の具体例としては、上記4b、4h、4l、4y、4e2、4h2が挙げられる。本発明はまた、上記式8で表される化合物を用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行い、上記式7で表される構造単位の数及び/又は上記式8で表される芳香族化合物の上記nを増加させる、製造方法を提供する。この場合、先述の式3で表される構造単位を有する芳香族化合物及び/又は式4で表される芳香族化合物の製造方法を同様に適用できる。特開2009-242724号公報記載の方法などの公知の方法で、上記式8-1又は8-2中のX3を、所望のアニオンAを有するYAに交換することができる。更に本発明は、上記式7で表される構造単位を有する芳香族化合物を、下記式11-1で表される窒素化合物、下記式11-2で表されるリン化合物、下記式11-3で表される硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせと反応させることにより、該芳香族化合物をそのオニウム塩に変換することを含む、上記式3で表される構造単位を有する芳香族化合物の製造方法を提供する。NR1R2R311-1PR1R2R311-2SR1R211-3式11-1、11-2及び11-3の各々において、R1、R2及びR3は前記のとおりである。式11-1で表される窒素化合物としては、第3級アミン化合物が好ましく用いられる。該窒素化合物の具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-1-プロピルアミン、トリ-2-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-2-ブチルアミン、トリ-1-ペンチルアミン、トリ-2-ペンチルアミン、トリ-3-ペンチルアミン、トリネオペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリ-1-ヘキシルアミン、トリ-2-ヘキシルアミン、トリ-3-ヘキシルアミン、ピリジン、N-メチルイミダゾール、Nメチルピロリジン、Nメチルモルホリン等が挙げられる。式11-2で表されるリン化合物としては、第3級ホスフィン化合物が好ましく用いられる。該ホスフィン化合物の具体例としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ-1-プロピルホスフィン、トリ-2-プロピルホスフィン、トリ-n-ブチルホスフィン、トリ-2-ブチルホスフィン、トリ-1-ペンチルホスフィン、トリ-2-ペンチルホスフィン、トリ-3-ペンチルホスフィン、トリネオペンチルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリ-1-ヘキシルホスフィン、トリ-2-ヘキシルホスフィン、トリ-3-ヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ4-メチルフェニルホスフィン、トリ3-メチルフェニルホスフィン、トリ2-メチルフェニルホスフィン、トリ4-メトキシフェニルホスフィン、トリ3-メトキシフェニルホスフィン、トリ2-メトキシフェニルホスフィン等が挙げられる。式11-3で表される硫黄化合物としては、スルフィド化合物が好ましく用いられる。該スルフィド化合物の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジ-1-プロピルスルフィド、ジ-2-プロピルスルフィド、ジ-n-ブチルスルフィド、ジ-2-ブチルスルフィド、ジ-1-ペンチルスルフィド、ジ-2-ペンチルスルフィド、ジ-3-ペンチルスルフィド、ジネオペンチルスルフィド、ジシクロペンチルスルフィド、ジ-1-ヘキシルスルフィド、ジ-2-ヘキシルスルフィド、ジ-3-ヘキシルスルフィド、ジフェニルスルフィド、ジ4-メチルフェニルスルフィド、ジ3-メチルフェニルスルフィド、ジ2-メチルフェニルスルフィド、ジ4-メトキシフェニルスルフィド、ジ3-メトキシフェニルスルフィド、ジ2-メトキシフェニルスルフィド等が挙げられる。これらの式11-1、11-2及び11-3で表される化合物のうち、得られる芳香族化合物が高い極性を有し高極性溶媒にも溶解しやすい点、及び該芳香族化合物の熱による分解が起こりにくい点から、式11-1の窒素化合物を用いることが好ましい。本発明は上記式7で表される芳香族化合物が上記式8で表される芳香族化合物であり、上記式3で表される芳香族化合物が上記式4で表される芳香族化合物である、上記製造方法を提供する。本発明の製造方法においては、上記式7で表される芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、前記窒素化合物、前記リン化合物、前記硫黄化合物又はそれら化合物の2種以上の組み合わせを反応させることが好ましい。本発明は、下記式5で表される構造単位を有する芳香族化合物を提供する。式中、Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に置換されていてもよい2価の芳香族基を表し、但し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個が互いに結合して少なくとも1個の環を形成していてもよく、Z、A、R1、R2及びR3は前記のとおりである。Ar1、Ar2及びAr3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、2価の芳香族基を表し、Ar1、Ar2及びAr3の少なくとも2個は互いに結合して環を形成していてもよい。該2価の芳香族基としては、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基等の2価の単環性芳香族基;ナフタレン-1,3-ジイル基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-1,6-ジイル基、ナフタレン-1,7-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基、ナフタレン-2,7-ジイル基等の2価の縮合環系芳香族基;ピリジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2,6-ジイル基、キノキサリン-2,6-ジイル基、チオフェン-2,5-ジイル基等の2価のヘテロ芳香族基等を挙げることができる。これらのなかでも、2価の単環性芳香族基及び2価の縮合環系芳香族基が好ましく、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基、ナフタレン-1,4-ジイル基、ナフタレン-1,5-ジイル基、ナフタレン-2,6-ジイル基及びナフタレン-2,7-ジイル基からなる群から選ばれるものがより好ましく、1,3-フェニレン基又は1,4-フェニレン基がさらに好ましく、1,4-フェニレン基が特に好ましい。本発明の、前記式5で表される構造単位を有する、芳香族化合物における構造単位の合計を100モルとしたとき、前記式5で表される構造単位の割合が1モル以上100モル以下の範囲であることが好ましく、1モル以上99モル以下の範囲であることがより好ましく、5モル以上90モル以下の範囲であることがさらに好ましく、10モル以上80モル以下の範囲であることが一層好ましく、20モル以上70モル以下の範囲であることが特に好ましい。上記式5の具体例として、上記で例示した構造単位1a~1c、1f、1g及び1i~1zが挙げられる。これらのうち、1a、1b、1c、1l、1k、1m、1n、1p、1q、1r、1s、1t、1v、1y、1zが好ましく、1a、1c、1l、1p、1q、1r、1t、1y、1zがより好ましく、1a、1c、1r、1t、1yがさらに好ましい。また、本発明の芳香族化合物には、繰り返し単位として上記式5で表される構造単位の他に、上記式12で表される構造単位を含んでいてもよい。式12で表される構造単位の具体例は上記のとおりである。このような構造単位を含むことにより、本発明の芳香族化合物の有する正孔注入性がさらに向上しうる。式12で表される構造単位の好ましい例及びより好ましい例も上記のとおりである。本発明はまた、下記式6で表される芳香族化合物を提供する。式中、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3は、前記と同じ意味を表し、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2及びR3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。n、X1及びX2は前記のとおりである。上記式6で表される芳香族化合物の具体例としては、上記式2a~2c、2f、2g及び2i~2zで表される芳香族化合物が挙げられる。これらのうち、2f、2i、2j、2m、2q、2r、2s、2t、2u、2x、2zが好ましく、2i、2j、2m、2q、2r、2t、2xがより好ましい。本発明の一実施形態において、上記式6で表される芳香族化合物は、X6及びX7が下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2、R3及びnが前記と同じ意味を表す、下記式6-1で表される芳香族化合物である。官能基群:-Cl、-Br、-I、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5上記式6-1の具体例としては、上記2a、2c、2l、2f、2g、2k、2n、2o、2p、2u、2v、2wが挙げられる。本発明の別の一実施形態において、上記式6で表される芳香族化合物は、X8及びX9が下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar1、Ar2、Ar3、A、Z、R1、R2、R3及びnが前記と同じ意味を表す、下記式6-2で表される芳香族化合物である。官能基群:-BOR5OR6式中、R5及びR6は前記と同じ意味を表す。上記式6-2の具体例としては、上記2b、2l、2y、2zが挙げられる。さらに本発明は、上記式6-1及び/又は上記式6-2で表される芳香族化合物を用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行い、上記式5で表される構造単位の数及び/又は上記式6中の前記nを増加せしめる製造方法を提供する。この場合、先述の式4-1及び/又は4-2で表される芳香族化合物を用いて先述の式3で表される構造単位を有する芳香族化合物及び/又は式4で表される芳香族化合物を製造する方法と同様の方法を用いることができる。本発明は下記式9で表される構造単位を有する、芳香族化合物を提供する。式中、Ar1、Ar2、Ar3、Z及びX3は前記のとおりである。上記式9で表される構造単位の例としては、上記で例示した構造単位3a~3wが挙げられる。これらのうち、3a、3b、3c、3d、3e、3f、3g、3i、3j、3l、3n、3o、3p、3q、3r、3s、3v、3wが好ましく、3a、3c、3d、3i、3l、3n、3p、3q、3r、3s、3v、3wがより好ましく、3a、3c、3d、3i、3l、3n、3r、3s、3vがさらに好ましく、3a、3c、3d、3i、3r、3sがより一層好ましい。本発明の、前記式9で表される構造単位を有する、芳香族化合物における構造単位の合計を100モルとしたとき、前記式9で表される構造単位の割合が1モル以上100モル以下の範囲であることが好ましく、1モル以上99モル以下の範囲であることがより好ましく、5モル以上90モル以下の範囲であることがさらに好ましく、10モル以上80モル以下の範囲であることが一層好ましく、20モル以上70モル以下の範囲であることが特に好ましい。本発明はまた、下記式10で表される、芳香族化合物を提供する。式中、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3は前記と同じ意味を表し、Z、Ar1、Ar2、Ar3及びX3のいずれか1以上が複数個ある場合、各複数個中のおのおのは該複数個中のその他と互いに同一であっても異なっていてもよい。n、X1及びX2は前記のとおりである。上記式10の例としては上記式4a~4zが挙げられる。これらのうち、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4i、4j、4l、4n、4o、4p、4q、4r、4s、4v、4w、4y、4zが好ましく、4a、4c、4d、4i、4l、4n、4p、4q、4r、4s、4v、4wがより好ましく、4a、4c、4d、4i、4l、4n、4r、4s、4vがさらに好ましく、4a、4c、4d、4i、4r、4sがより一層好ましい。本発明の一実施形態において、上記式10で表される芳香族化合物は、X6及びX7が前記と同様に下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar1、Ar2、Ar3、Z、X3及びnが前記と同じ意味を表す、下記式10-1で表される芳香族化合物を提供する。官能基群:-Cl、-Br、-I、-O-SO2-CH3、-O-SO2-CF3、-O-SO2-p-C6H4-CH3、-O-SO2-C6H5上記式10-1の具体例としては、上記4a、4c、4d、4e、4g、4h、4k、4n、4o、4p、4v、4wが挙げられる。本発明の別の一実施形態において、上記式10で表される芳香族化合物は、X8及びX9が前記と同様に下記の官能基群から選ばれる官能基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ar1、Ar2、Ar3、Z、X3及びnが前記と同じ意味を表す、下記式10-2で表される芳香族化合物を提供する。官能基群:-BOR5OR6式中、R5及びR6は前記と同じ意味を表す。上記式10-2の具体例としては、上記4b、4h、4l、4yが挙げられる。本発明はまた、上記式9で表される芳香族化合物中のX3で表される脱離基に、上記式11-1で表される窒素化合物を反応させることにより、該芳香族化合物をアンモニウム塩に変換することを含む、上記式5で表される構造単位を有する芳香族化合物の製造方法を提供する。式11-1で表される窒素化合物としては、第3級アミン化合物が好ましく用いられる。該窒素化合物の具体例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-1-プロピルアミン、トリ-2-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-2-ブチルアミン、トリ-1-ペンチルアミン、トリ-2-ペンチルアミン、トリ-3-ペンチルアミン、トリネオペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリ-1-ヘキシルアミン、トリ-2-ヘキシルアミン、トリ-3-ヘキシルアミン、ピリジン、N-メチルイミダゾール、Nメチルピロリジン、Nメチルモルホリン等が挙げられる。本発明は上記式9で表される芳香族化合物が上記式10で表される芳香族化合物であり、上記式5で表される芳香族化合物が上記式6で表される芳香族化合物である、上記製造方法を提供する。また、本発明は上記式9で表される芳香族化合物が上記式10-1で表される芳香族化合物であり、上記式5で表される芳香族化合物が上記式6-1で表される芳香族化合物である、上記製造方法を提供する。更に、本発明は上記式9で表される芳香族化合物が上記式10-1で表される芳香族化合物であり、上記式5で表される芳香族化合物が上記式6-1で表される芳香族化合物である、上記製造方法を提供する。本発明はまた、上記式10で表される化合物を用い、sp2炭素-sp2炭素結合形成反応を行い、上記式9で表される構造単位の数及び/又は10で表される芳香族化合物の上記nを増加させる、製造方法を提供する。この場合、先述の式3で表される構造単位を有する芳香族化合物及び/又は式4で表される芳香族化合物の製造方法を同様に適用できる。本発明の芳香族化合物は、本発明の芳香族化合物を含む組成物として使用することもできる。本発明の芳香族化合物を用いて、本発明の芳香族化合物及び/又はそれを含む組成物からなる膜とすることもできる。前記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、前記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。実施例1化合物1の合成トリ4-ブロモフェニルアミン/THF溶液0.2mol/L、トリ4-ブロモフェニルアミンの含有量は100g、0.21molを-60°C内温、dryiceacetonebath使用に冷却し、温度が-55°C以上にならないようにtertBuLiを15分かけて加え、別途-60°C内温で用意した1,6-ジブロモヘキサン1.0mol/LTHF溶液、トリ4-ブロモフェニルアミンに対して5.0当量に、シリンジで内温が-55°C以上にならないように数回に分けて加えた。この反応溶液を冷浴より出し、撹拌を続けながら30分かけて室温に戻した。内温15°Cになったところで反応を停止した。溶媒を減圧留去して得られたオイル状物質を、さらに減圧蒸留して残存している1,6-ジブロモヘキサンを除去して粘ちょうな黄色のオイル状物質を得た。これを酢酸エチル500mLに溶解し、0.1mol/L塩酸500mL及び飽和食塩水500mLで洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去して粗生成物115gを得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン、体積比1/200から1/40までの直線的な濃度勾配を使用による精製を行い、化合物1を含む混合物を無色粘稠オイル26.9gとして得た。この無色粘稠オイルを下記の条件でHPLCに供したところ、化合物1を単離することができた。HPLC面積百分率から、前記混合物中の化合物1の含有量を24.1g収率21と算出した。HPLC条件機種:SPD-10AV/LC-10AT/DGU-3A/SCL-10AVP/SIL-10A/C-R5AShimadzuカラム:MightysilRP-18GP5μm、6mmid、15cm、関東化学移動相:アセトニトリル/水=95/5体積比、流速1.0mL/min検出波長:254nmカラム温度:40°C1H-NMR400MHz、CDCl3、機種:BRUKERADVANCE400:δ1.3-2.6ppmm、化合物1の-CH2-、3.4ppmt、化合物1の-CH2Br、6.9-7.3ppmm、化合物1の芳香環ポリマー分子量測定法ポリスチレン換算の数平均分子量Mn及び重量平均分子量Mwはサイズ排除クロマトグラフィーSECにより次の条件で求めた。装置:東ソー製HLC-8220GPCカラム:下記4本のカラムを直列に繋げた。TSKguardcolumnSuperMPHZ-M東ソー製1本TSKgelSuperMultiporeHZ-M東ソー製3本移動相:テトラヒドロフラン検出器:示差屈折率検出器実施例2化合物2の合成化合物1化合物2化合物1実施例1記載の混合物を12.5g用いた。純分として11.3g=0.20mmolの1,2-ジメトキシエタン溶液300mLを30分間窒素バブリングし、ビスピナコラートジボロン27.7g109mmol、及び酢酸カリウム48.3g、493mmolを加えてよく攪拌し、ここへPdCl2dppf/CH2Cl2溶液PdCl2dppfの含有量は1.0g、1.2mmolを加え、80°Cで2時間攪拌した。23°Cに戻した反応液を水1500mLに投入し、酢酸エチル250mLで3回抽出した。酢酸エチル層を合一し飽和食塩水500mLで洗浄した後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去して得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン、体積比1/100から1/10までの直線的な濃度勾配を使用により精製し、化合物2を8.3g得た白色固体、収率65、HPLCから純度100。なお、HPLC条件、NMR条件は化合物1と同一である。1H-NMR400MHz、CDCl3:δ1.3ppms、24H、-CH3、1.3-2.6ppmm、10H、-CH2-、3.4ppmt、2H、-CH2Br、7.0-7.7ppmm、化合物2の12H、芳香環実施例3第4級アンモニウム塩化実施例1において得られた、化合物1を含む混合物を、トリエチルアミンと反応させれば、化合物1を第4級アンモニウム塩化合物化合物3に変換することができる。実施例4化合物2の高分子化実施例2において得られた化合物2とほぼ等モル量のアリーレンジハライド化合物との間でSuzukiカップリングによる縮重合をPdPPh34及びアルカリの存在下で行えば、ブロモアルキル基を有するポリマーが得られる。該ポリマーをトリエチルアミンと反応させれば、第4級アンモニウム塩を有するポリマーに変換できる。該ポリマーは正孔注入材料として用いることができる。実施例5化合物3の高分子化実施例3において得られる化合物3同士で、Ni0触媒によるカップリング反応にて縮重合を行えば、第4級アンモニウム塩を有するポリマーが得られる。該ポリマーは正孔注入材料として用いることができる。実施例6化合物2の共重合による、ブロモアルキル基を有するポリマーの合成三口丸底フラスコを用い、窒素雰囲気中23°Cにて、実施例2において得られた化合物20.98g1.48mmolと2,5-ジメトキシ-1,4-ジブロモベンゼン0.46gAldrich製、1.50mmolをTHF86mlに溶解し、得られた溶液を40分間窒素バブリングした。バブリング終了後、該溶液を80°Cのオイルバスに浸漬し80°Cまで昇温した。続いて該溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムPdPPh340.019gAldrich製、0.016mmolを加えて反応混合物を得た。炭酸カリウム1.02g和光純薬製、7.4mmolを純水12mlに溶解し、40分間窒素バブリングして得た溶液を、上記反応混合物に15分間かけて滴下した。その後、オイルバスの温度を80°Cに保ち、7時間攪拌した。反応混合物には固形分の析出は認められず、各成分は完溶していた。反応混合物を23°Cまで冷却し、40分間窒素バブリングした後、該反応混合物にフェニルボロン酸0.018gAldrich製、0.15mmolを添加した。得られた混合物を80°Cのオイルバスに浸漬し、80°Cまで昇温した。続いて該混合物にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムPdPPh340.018gAldrich製、0.016mmolを添加して9時間攪拌した。得られた反応混合物を23°Cまで冷却し、大過剰のメタノール:水=400ml:100ml混合液に滴下した。析出したポリマーを吸引ろ過で分離した後、メタノール:水=4:1体積比溶液で洗浄し、真空乾燥して、ポリマー0.62g収率77を得た。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ1.3-1.9ppmm、8H、-CH2-、2.6ppmt、2H、-CH2-Ar、3.4ppmt、2H、-CH2Br、4.8ppms、6H、-OCH3、6.8-7.7ppmm、14H、芳香環SECMn=4.7×103Mw=6.3×103実施例7化合物2の共重合による、ブロモアルキル基を有するポリマーの合成三口丸底フラスコを用い、窒素雰囲気中23°Cにて、実施例2において得られた化合物20.164g0.247mmolと1,3-ジブロモベンゼン0.059g東京化成工業製、0.250mmolをTHF16mlに溶解し、得られた溶液を40分窒素バブリングした。バブリング終了後、該溶液を80°Cのオイルバスに浸漬し80°Cまで昇温した。続いて該溶液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムPdPPh340.0029gAldrich製、0.0025mmolを加えて反応混合物を得た。炭酸カリウム0.17g和光純薬製、1.23mmolを純水12mlに溶解し、40分間窒素バブリングして得た溶液を、上記反応混合物に15分間かけて滴下した。その後、オイルバスの温度を80°Cに保ち、6時間攪拌した。反応混合物には固形分の析出は認められず、各成分は完溶していた。反応混合物を23°Cまで冷却し、40分間窒素バブリングした後、該反応混合物にフェニルボロン酸0.0030gAldrich製、0.025mmolを添加した。得られた混合物を80°Cのオイルバスに浸漬し、80°Cまで昇温した。続いて該混合物にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムPdPPh340.0029gAldrich製、0.0025mmolを添加して9時間攪拌した。得られた反応混合物を23°Cまで冷却し、大過剰のメタノール:水=100ml:20ml混合液に滴下した。析出したポリマーを吸引ろ過で分離した後、メタノール:水=4:1体積比溶液で洗浄し、真空乾燥して、ポリマー0.077g収率64を得た。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ1.2-2.0ppmm、8H、-CH2-、2.6ppmt、2H、-CH2-Ar、3.4ppmt、2H、-CH2Br、、6.8-7.9ppmm、14H、芳香環実施例8実施例6記載のポリマーの、第4級アンモニウム塩への変換実施例6記載の方法にて得たにて得られたポリマー0.70g繰り返し構造単位基準で1.23mmolをトリメチルアミンの4.2mol/Lエタノール溶液30mlAldrich製、126mmol中に分散させ、23°Cで3日間攪拌した。得られた反応混合物から溶媒を留去し、減圧乾燥して4級アンモニウム塩ポリマーを0.71g収率96得た。得られたポリマーはメタノールに10重量で溶解することを確認した。1H-NMR300MHz、DMSO-d6:δ1.3-1.9ppmm、8H、-CH2-、2.3ppmt、2H、-CH2-Ar、3.1ppms、9H、-NCH33、3.4ppms、2H、-CH2N、3.7-4.0ppmm、6H、-OCH3、6.8-7.7ppmm、14H、芳香環元素分析Nはフラスコ燃焼法で、Brはフラスコ燃焼‐イオンクロマトグラフ法で測定。以下同様N:4.2重量計算値:4.5重量Br:13.8重量計算値:12.9重量実施例9実施例8記載の第4級アンモニウム塩のカウンターアニオンの交換実施例8記載の方法にて合成したポリマー0.30g繰り返し構造単位基準で486mmolを窒素雰囲気下25°CでN,N-ジメチルホルムアミド和光純薬製3.0mlに溶解し、得られた溶液にトリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム0.11g631mmol、和光純薬製を加え、10時間攪拌した。反応溶液をイオン交換水100mlに滴下し、析出したポリマーを吸引ろ過で取り出した。得られたポリマーを50mlのイオン交換水中に分散させて攪拌して洗浄し、吸引ろ過してポリマーを取り出した。これを2回繰り返した後、得られたポリマーを40°Cで減圧乾燥して、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンを導入した第4級アンモニウム塩ポリマー0.18gを得た。元素分析の結果から、ブロモアニオンの70モルがトリフルオロメタンスルホン酸アニオンに置換された、下記の組成式で表されるポリマーが得られたことが判明した。なおナトリウム分は検出されなかったことから、余剰のトリフルオロメタンスルホン酸ナトリウムは取り出し工程で除去されたことがわかった。1H-NMR300MHz、DMSO-d6:δ1.3-1.9ppmm、8H、-CH2-、2.6ppmt、2H、-CH2-Ar、3.1ppms、9H、-NCH33、3.3ppmt、2H、-CH2N、3.7-4.0ppmm、6H、-OCH3、7.0-7.6ppmm、14H、芳香環19F-NMR280MHz、DMSO-d6:δ-78ppms、3F、-CF3元素分析Fはフラスコ燃焼‐イオンクロマトグラフ法で、Naは硫硝酸分解-塩酸溶解-ICP発光分析法で測定N:4.0重量計算値:4.2重量Br:4.7重量計算値:3.6重量F:5.8重量計算値:6.0重量Na:0.0重量計算値:0.0重量実施例8及び9記載のポリマーのHOMO-LUMO測定を行った。ガラス基板上にポリマー溶液をスピンコートした。測定方法:重合体の最高占有分子軌道HOMOの軌道エネルギーは、重合体のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めた。一方、重合体の最低非占有分子軌道LUMOの軌道エネルギーは、HOMOとLUMOとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めた。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置理研計器株式会社製:AC-2を用いた。また、HOMOとLUMOのエネルギー差は紫外可視近赤外分光光度計Varian社製:Cary5Eを用いて重合体の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めた。実施例8のポリマー:HOMO-5.18eV、LUMO-2.31eV実施例9のポリマー:HOMO-5.35eV、LUMO-2.47eV実施例10又は11実施例8又は9記載のポリマーの正孔注入性評価ホールオンリーデバイスを作製し実施例8又は9記載のポリマー正孔注入性を評価した。素子構造は以下の構成とした。ITO/実施例8又は9記載のポリマーからなる正孔注入輸送層30~40nm/正孔輸送層である中間層100nm/Au100nm実施例10ホールオンリーデバイス1の作製実施例8で合成したポリマー以下、ポリマー1と呼称することもあるとメタノールを混合し、1.5重量のポリマー1を含む正孔注入輸送層形成用組成物を得た。ガラス基板表面に成膜パターニングされたITO陽極厚さ:45nm上に、上記正孔注入輸送層用組成物を塗布し、スピンコート法によって厚さが30nmになるように正孔注入輸送層を成膜した。正孔注入輸送層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、180°Cで10分加熱し、その後、基板を室温まで自然冷却させて、正孔注入輸送層が形成された基板を得た。次に、正孔輸送性高分子材料とキシレンとを混合し、0.7重量の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送層形成用組成物を得た。ここで、正孔輸送性高分子材料は、以下の方法で合成した。不活性ガス雰囲気下、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレン1.4g、2,7-ビス4,4,5,5-テトラメチル1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9,9-ジオクチルフルオレン6.4g、N,N-ビス4-ブロモフェニル-N’,N-ビス4-ブチルフェニル-1,4-フェニレンジアミン4.1g、ビス4-ブロモフェニルベンゾシクロブテンアミン0.6g、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド1.7g、酢酸パラジウム4.5mg、トリ2-メトキシフェニルホスフィン0.03g、及びトルエン100mLを混合し、得られた混合物を100°Cで2時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸0.06gを添加し、得られた混合物を10時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し攪拌した。その後、水層を除去し、有機層を水、次いで3重量酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた後、濾取したポリマーを再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。ポリマーを含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを濾取後50°Cで真空乾燥し、正孔輸送性高分子材料を得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は3.0×105であった。上記で得た正孔注入輸送層が形成された基板の正孔注入輸送層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ100nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、180°Cで10分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、基板を室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。上記で得た正孔輸送層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にAuを100nm成膜し、陰極を形成させて、積層構造体1を製造した。上記で得た積層構造体1を真空装置より取り出し、不活性雰囲気下窒素雰囲気下で、封止ガラスと2液混合型エポキシ樹脂にて封止し、ホールオンリーデバイス1を得た。実施例11ホールオンリーデバイス2の作製実施例9で合成したポリマー以下、ポリマー2と呼称することがあるとメタノールを混合し、1.5重量のポリマー2を含む正孔注入輸送層形成用組成物を得た。ガラス基板表面に成膜パターニングされたITO陽極厚さ:45nm上に、上記正孔注入輸送層用組成物を塗布し、スピンコート法によって厚さが40nmになるように正孔注入輸送層を成膜した。正孔注入輸送層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、180°Cで60分加熱し、その後、基板を室温まで自然冷却させて、正孔注入輸送層が形成された基板を得た。次に、正孔輸送性高分子材料とキシレンとを混合し、0.7重量の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送層形成用組成物を得た。ここで、正孔輸送性高分子材料は、実施例10記載の方法で合成したものであり、そのポリスチレン換算の重量平均分子量は3.0×105であった。上記で得た正孔注入輸送層が形成された基板の正孔注入輸送層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ100nmの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下窒素雰囲気下、180°Cで10分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、基板を室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。上記で得た正孔輸送層が形成された基板を真空装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にAuを100nm成膜し、陰極を形成させて、積層構造体2を製造した。上記で得た積層構造体2を真空装置より取り出し、不活性雰囲気下窒素雰囲気下で、封止ガラスと2液混合型エポキシ樹脂にて封止し、ホールオンリーデバイス2を得た。比較例1ホールオンリーデバイスC1の作製実施例10において、正孔注入輸送層を形成させない以外は、実施例10と同様に操作し、ホールオンリーデバイスC1を得た。[測定]上記で得られたホールオンリ-デバイス1、2、及びC1に4.0Vの逆方向電圧を印加し、電流密度を測定した。結果を表1に示す。表1から明らかなように、本発明の芳香族化合物を含むホールオンリーデバイスは、前記芳香族化合物を含まないホールオンリーデバイスに比べ、電流密度が優れる。以上より、オニウムイオン、特に第1級~第4級アンモニウムイオンの少なくとも1種、とりわけ第4級アンモニウムイオンを炭化水素側鎖、特にアルキル側鎖に有する本発明の芳香族化合物は、積層構造体及び電子デバイスに応用でき、とりわけ、同じ電圧でより高い電流密度を確保できる正孔注入材料として好適に利用でき、極めて有用である。"