可視光波長領域で発光するセリウム含有レーザー材料を製造する方法であり、前記方法は、a前記レーザー材料及び/又は好適な前駆体を1880°C以上の温度に加熱するステップ、b40時間以内に冷却時間300°C以下に冷却するステップ、を含む方法。請求項1に記載の方法であり、前記冷却時間は20時間以下である、方法。請求項1に記載の方法であり、前記ステップaで前記レーザー材料及び/又は好適な前駆体が2000°C以上の温度に加熱される、方法。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法であり、前記冷却時間が、64/ln[Ce]時間以下であり、ここで[Ce]がCeのモル含有量である、方法。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法であり、前記レーザー材料が、5d-4f遷移を示す斜方晶系材料である、方法。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法であり、前記レーザー材料が、Ca1-xSc、Mg2O4:Cexである、方法。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法であり、前記レーザー材料中の前記含有量が、0.001以上である、方法。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法であり、前記レーザー材料中の前記含有量が、0.0025以上で0.2以下である、方法。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法で製造されたレーザー材料を含むシステムであり、次の1以上の製品:固体状態レーザー、デジタル投影装置、光ファイバ製品、固体レーザーの医療用製品暖房製品、シンチレーション製品、X線検出装置、γ線検出装置、高エネルギー粒子検出装置、超短パルス蛍光顕微鏡、分光測定、生体光学、フォトリソグラフィーで使用される、システム。本発明の目的は、セリウム含有レーザー材料を提供することであり、前記レーザー材料は、可視光波長領域で発光し、前記吸収率、特に4f-5d遷移の吸収率が増加した、セリウム含有レーザー材料を提供することである。前記課題は本発明の請求項に記載されるレーザー材料により解決される。従って、前記可視光波長領域で発光するセリウム含有レーザー材料の製造方法は、a前記レーザー材料及び/又は好適な前駆体を1800°C以上に加熱するステップと、b40時間冷却時間内に温度を300°C以下に冷却するステップを含む。本発明で用語レーザー材料とは具体的には、固体状態レーザーでの活性材料であり、従って、励起波長で吸収し、同様に前記レーザー波長で誘導発光を示す材料を意味するか、それを含む。留意すべきことは、前記用語レーザー材料は、本質的にレーザー材料である全ての材料について使用される、ということであるこのことは、本明細書中で記載される全てのさらなる材料、特に以下説明される材料Ca1-xSc、Mg2O4:Cexにおいて同様である。本発明で本質的にとは、具体的には、90重量を超え、より好ましくは95重量を超え及びより好ましくは98重量を超えることを意味する及び/又は含む。本発明で用語前駆体材料とは、具体的には、本発明の前記ステップa及びbを実施した後、前記レーザー材料を少なくとも部分的に形成し得る材料を意味する及び/又は含む。本発明の好適な前駆体材料は、具体的には以下示される酸化物であるただし本発明はこれらの材料に限定されない。驚くべきことに、かかる方法を用いることは、本発明において広い範囲の応用を有するものであり、少なくとも1つの次の利点を持つ:前記レーザー材料内の前記光学活性媒体の前駆吸収率が、容易にかつ効果的に強化され得ること、前記方法は高度な設定を必要とせず標準の装置を用いて実施され得ること、成長の際に高温度勾配を用いる他の成長技術では通常は小さい結晶が得られるのみであるが、この方法を用いると大型結晶の製造が可能になること、である。好ましい実施態様によると、ステップaでは前記レーザー材料及び/又は好適な前駆体が、2000°C以上、好ましくは2150°C以上で加熱される。これにより前記製造プロセスの速度を向上させるのみならず、いくつかの応用においては前記3価Ceの吸収率をさらに増加させる。好ましい実施態様では、ステップbで、冷却時間は20時間以下、より好ましくは12時間以下及び最も好ましくは9時間以下である。本発明の好ましい実施態様によると、ステップbで、前記冷却時間は64/in[Ce]時間以下である、ここで[Ce]はCeのモル含有量を示す。本発明においてほとんどの用途のために、前記含有量は高いほど前記冷却時間はわずかに高くなり得るが、一方で低含有濃度では冷却時間はより短くなる、ということが見出された。好ましくは、ステップbでは冷却時間は、50/ln[Ce]時間以下、より好ましくは40/ln[Ce]時間以下である。本発明の好ましい実施態様のよると、前記レーザー材料は、5d-4f遷移を示す斜方晶系材料である。かかる材料は、例えば欧州特許出願第10166783号から知られており、この内容は参照されて本明細書の援用される。本発明は、特にこれらの材料に関連して有用であるが、これらの限定されるものではない。本発明の好ましい実施態様によると、前記レーザー材料は、Ca1-xSc、Mg2O4:Cexである。留意されるべきことは、Mgは通常は少量存在するだけである又は存在しないということである。本発明の好ましい実施態様によると、Ceの含有量=前記式での数字xは、0.001以上である。実際、低含有量は、実際の応答において使用できないか、非常に困難であるレーザー材料となるレーザー材料となることが見出された。本発明の好ましい実施態様によると、Ceの含有量=前記式の数字xは0.0025以上で0.2以下である。前記含有量が高すぎると即ち0.2又は20を超えると、多くの応用において望ましいレーザー材料が形成されず又は非常に低い程度、従って、ほとんどの応用にとっては前記含有量の上限が0.2に制限することが有用となる、ということが見出された。Ceの好ましい含有量=前記式の数字xは0.004以上で0.01以下である。本発明はさらに、本発明のレーザー材料を含むシステムに関し、次の応用の少なくとも1つの使用されるものである:固体状態レーザー、デジタル投影装置、光ファイバ製品、固体レーザーの医療用製品暖房製品、シンチレーション製品、X線検出装置、γ線検出装置、高エネルギー粒子検出装置、超短パルス蛍光顕微鏡、分光測定、生体光学、フォトリソグラフィーなどである。前記部品は、特許請求された部品及び記載された実施態様により使用される部品同様に、それらの寸法、形状、材料選択及び技術的考え方に関してなんら特定の例外は存在せず、関連する技術分野で知られる選択基準が限定されることなく適用される。本発明のさらなる詳細な説明、構成、特徴及び利点については特許請求の範囲、図面及び以下の記載に例示する方法で、本発明によるレーザー材料のいくつかの実施態様及び実施例に基づき開示されている。実施例本発明はさらに以下の実施例及び比較例を用いて説明されるが、これらは本発明をさらに説明するためであり本発明をなんら限定するものではない。一般的方法全ての本発明の実施例及び比較例の材料は、以下の方法で製造された。Sc2O3及びCeO2及びCaO純度5Nの好適な量を、レニウムルツボ内で混合し、2300°Cまで、5H2、約95N2及び300ppmO2からなる雰囲気下で加熱した。前記ルツボを水冷誘導コイルの中心に位置し;電力は最大電力36kWでRF発生装置で生成させた。前記温度は光学高温計で制御された。約90分加熱後、前記混合物を、設定時間=冷却時間内で前記温度が300°C以下に下がるように冷却した。通常、高光学品質の単結晶が得られる。CaSc2O4の斜方晶系相は、X線回折測定で決定された。図1は、本発明により製造された3種類の材料と比較材料の吸収スペクトルを示す。データは表1に示される。これから、本発明の方法を実施することで非常に低い含有量であっても、良好なCe3の前記4f-5d遷移が達成でき、一方で比較例材料は吸収が低いことが明らかに分かる。本発明によるさらなる材料のスペクトルが図2に示され;前記材料は、Ca0.99Sc1.99Mg0.01O4:Ce0.01であった。冷却時間は12時間である。良好な吸収がまた観察される。前記詳細な実施態様での要素及び構成の具体的な組み合わせは、例示するだけのものであり;これらの教示を、本明細書及び参照されて援用された特許/特許出願での教示と交換、置換することもまた本発明に含まれる。当業者であれば理解するように、本発明の特許請求の範囲の範囲及び本質から外れることなく、ここで記載された内容を変形し、変法し及び実施することが可能である。従って、前記記載は例示のためであり、限定するものではない。特許請求の範囲において、用語含むは、他の要素又はステップを除外するものではなく、ひとつのは複数を除外するものではない。ある手段が相互に異なる従属請求項に引用されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利ではない、ということを意味するものではない。本発明の範囲は以下の特許請求の範囲及びそれと均等な範囲で定められる。さらに、明細書及び特許請求の範囲で使用される参照符号は、本発明の範囲を限定するものではない。