フォトリソグラフィー工程で使用するプリベーク装置であって、少なくとも、感光性レジストが塗布された基板を加熱するための加熱チャンバーと、次工程の装置として設けられた冷却チャンバーと、を備えており、前記加熱チャンバーは、天面部と側面部と底面部から構成された閉空間を形成しており、前記天面部の内側側面部に囲まれている空間の天面部にはホットプレートが下向きに設けてあり、前記ホットプレートの下方には、加熱によって感光性レジスト層から発せられる昇華物をトラップするための昇華物捕集機構が備えられており、側面部には前記基板を出し入れ可能に開閉する開閉シャッターが設けてあることを特徴とするプリベーク装置。昇華物捕集機構が、主に金属から形成されたクールプレート冷却されたプレートであることを特徴とする請求項1に記載のプリベーク装置。請求項1または2に記載のプリベーク装置を用いたプリベーク方法であって、少なくとも、前工程の塗布工程にて感光性レジストが塗布された基板を加熱チャンバーにより加熱する加熱工程と、加熱工程が終了したあと、基板の温度を目的の温度まで冷却チャンバーにより冷却する冷却工程と、をこの順に実施する方法であり、加熱工程を実施するに際して、前工程の塗布工程から搬送されてきた前記基板を反転させてから加熱工程に搬入し、加熱工程を終了して次工程である冷却工程に前記基板を搬出するに際して、再び前記基板を反転させてから搬出し搬送することを特徴とするプリベーク方法。加熱工程を終了して次工程である冷却工程に基板を搬入するに際して、前記基板を反転させずにそのままの向きで加熱チャンバーから搬出し搬送することを特徴とする請求項3に記載のプリベーク方法。本発明は、真空吸着型ホットプレートを使用したプリベーク装置において、ホットプレートによる基板の加熱により、加熱チャンバーの内壁面に生成する再結晶化物の発生を防止し、且つ周囲環境から飛来する異物が基板表面に付着することを抑制するプリベーク装置およびプリベーク方法を提供すること課題とする。上記課題を解決する手段として、本発明の請求項1は、フォトリソグラフィー工程で使用するプリベーク装置であって、少なくとも、感光性レジストが塗布された基板を加熱するための加熱チャンバーと、次工程の装置として設けられた冷却チャンバーと、を備えており、前記加熱チャンバーは、天面部と側面部と底面部から構成された閉空間を形成しており、前記天面部の内側側面部に囲まれている空間の天面部にはホットプレートが下向きに設けてあり、前記ホットプレートの下方には、加熱によって感光性レジスト層から発せられる昇華物をトラップするための昇華物捕集機構が備えられており、側面部には前記基板を出し入れ可能に開閉する開閉シャッターが設けてあることを特徴とするプリベーク装置である。また請求項2は、昇華物捕集機構が、主に金属から形成されたクールプレート冷却されたプレートであることを特徴とする請求項1に記載のプリベーク装置である。また請求項3は、請求項1または2に記載のプリベーク装置を用いたプリベーク方法であって、少なくとも、前工程の塗布工程にて感光性レジストが塗布された基板を加熱チャンバーにより加熱する加熱工程と、加熱工程が終了したあと、基板の温度を目的の温度まで冷却チャンバーにより冷却する冷却工程と、をこの順に実施する方法であり、加熱工程を実施するに際して、前工程の塗布工程から搬送されてきた前記基板を反転させてから加熱工程に搬入し、加熱工程を終了して次工程である冷却工程に前記基板を搬出するに際して、再び前記基板を反転させてから搬出し搬送することを特徴とするプリベーク方法である。また請求項4は、加熱工程を終了して次工程である冷却工程に基板を搬出するに際して、前記基板を反転させずにそのままの向きで搬出し搬送することを特徴とする請求項3に記載のプリベーク方法である。本発明のプリベーク装置およびプリベーク方法を用いれば、プリベーク工程で発生していた異物付着が起因の不良を従来より更に低減することが可能となる。本発明について図を用いて説明する。図1は、本発明のプリベーク装置の加熱チャンバー1の一例を示す断面図である。本発明の加熱チャンバー1の特徴は、基板4を加熱するためのホットプレート2が加熱チャンバー1の天面部に設けられており、基板4を下向きに保持できるように真空吸着する点である。その為、前工程である感光性レジストが基板を上向きにして塗布され、そのままの向きで加熱チャンバー1に搬送されてくる。従来はこのままの向きで、塗布された感光性レジスト層7を上向きにしたまま、ホットプレート上に載置され、プリベークが実施されてきた。しかしながら、本発明のプリベーク装置の加熱チャンバーは、図1に示されているように、ホットプレート2は、下向きに設けられている。その為、前工程から搬送されてきた基板4を反転させて、感光性レジスト層7がある面を下向きにしてから、ホットプレート2に押し当てて真空吸着することによって、下向きに基板4を保持する。このことによって、周囲環境から飛来する異物が感光性レジスト層7に付着することを抑制することができる。また、加熱チャンバー1の下部に設けられている昇華物捕集機構6によって感光性レジスト層7から発せられる昇華物を捕集する。図2は、本発明のプリベーク装置の冷却チャンバー11の一例を示す断面図である。図1に示した加熱チャンバー1と異なるのは、ホットプレートの代わりにクールプレート12が備えられている点である。図3も、本発明のプリベーク装置の冷却チャンバー11の一例を示す断面図である。冷却チャンバー11のクールプレート12が、図2と上下反転した状態の冷却チャンバーである。図4は、本発明のプリベーク方法を説明する図である。aは、加熱チャンバー1に基板4が搬入されてきた状態を示している。bは、基板4の搬入が完了し、基板4を図示していないロボットアームなどの基板移動機構を使用して上に向って移動している状態を示している。cは、基板4の移動が完了し、ホットプレート2に真空吸着され、且つ、基板4を搬入したシャッター5を閉じた状態を示している。dは、基板4の加熱が終了し、真空吸着を切って基板4をホットプレート2から図示していない基板移動機構を使用して下方向に移動している状況を示している。eは、基板4の下方向への移動が完了し、図面の右方向に向って図示していない基板移動機構を使用して移動している状況を示している。基板4を右方向に移動開始する前に、図面右側に設けてあるシャッター55を開く。fは、加熱チャンバー1から出た基板4が、次の処理工程を実施するための冷却チャンバー11に搬入されている状況を示している。gは、基板4の冷却チャンバー11への搬入が完了し、上方向に向って図示していない基板移動機構によって移動を開始した状況を示している。hは、基板4の上方向への移動が完了し、クールプレート12に真空吸着された状況を示している。同時に、基板4が搬入されたシャッター56は閉じられている。iは、基板4の冷却が終了し、真空吸着を切って基板4をクールプレート12から図示していない基板移動機構を使用して下方向に移動している状況を示している。jは、基板4の下方向への移動が完了し、図面の右方向に向って図示していない基板移動機構を使用して移動している状況を示している。基板4を右方向に移動開始する前に、図面右側に設けてあるシャッター57を開く。図4のf~jにおいて、図2に示した冷却チャンバー11を使用して本発明を説明したが、図3に示した冷却チャンバー111を使用しても良い。次に、本発明の実施例として、液晶ディスプレイ用カラーの場合を用いて更に詳しく説明する。<実施例1>ブラックマトリックスパターンを形成したカラーフィルタ用の基板4に、スリットスピンコータを使用して、赤の顔料分散レジストを塗布し、感光性レジスト層7を形成した。次にEBR処理edgebeadremoval処理、基板端部から数mm程度までの領域に塗布された塗布膜を除去する処理を行った。EBR処理した領域を膜面側からロボットアームの先端に備えられている真空吸着機構で吸着し、基板4を保持した後、顔料分散レジストが塗布された面を下方向に向くように反転させた。次に、加熱チャンバー1のシャッター5を開き、ロボットアームに保持された基板4を加熱チャンバー1の中に搬入し、所定の位置まで搬入したところで加熱チャンバー1の内部の天面部に設けてあるホットプレート2に向って上昇させた。基板4がホットプレート2に密着させたところで、ホットプレート2に備えられている真空吸着機構3を作動させることによって基板4をホットプレートに真空吸着した。基板4がホットプレート2に真空吸着されると基板4の温度が上昇し、基板4に塗布されている顔料分散レジストから昇華物が発生する。その昇華物は、加熱チャンバー1に備えられている昇華物捕集機構6によってトラップされる。昇華物捕集機構6として、10°Cに冷却された冷水を通したSUS316製のクールプレートを使用した。ホットプレートと同様の単純な平面を冷水を通すことにより冷却した構造である。具体的には、厚さ1.0mmのSUS316板に、銅製の冷水管を銀ろうにより接合した構造のものである。SUS316板の表面は冷水の温度と同じ10°Cに冷却され、昇華物が析出し、捕集されていることが確認できた。より効率的な捕集のためには、冷却された表面積が大きくなる構造を採用することが有効であるが、同時に清掃がし易く、クリーンに保持し易い構造であることも重要である。次に、10分間の加熱処理が終了後、シャッター55を開いてから、ロボットアームを加熱チャンバー1に挿入し、基板4を保持してから、ホットプレート2の真空吸着を切った後、ロボットアームを下方向に下げ、水平移動させる位置で止めた。次に、シャッター55を通して基板4を加熱チャンバー1から取り出した。その後、シャッター55を閉じた。次に、基板4を同じロボットアームで保持したまま、搬送方向で180°C回転させ、今度は冷却チャンバー11のシャッター56を開き、所定の位置まで挿入したあと、冷却チャンバー11の天面部に設けてあるクールプレート12に向って上昇させ、基板4をクールプレート12に密着させてから真空吸着を作動させて、基板4をクールプレート12に吸着した。ここで図2に示したのと同等の配置関係にある冷却チャンバー11を使用したが、図3に示した冷却チャンバー111を使用することもできる。その場合は、加熱チャンバー1から出てきた基板4を搬送方向で180°C回転させてから、冷却チャンバー111に搬入させる前に、基板4を上下反転させることが必要である。この場合は、クールプレート12が冷却チャンバー111の底面部に設けてあるため、基板4を冷却チャンバー111に搬入し所定の位置まで挿入したあと、クールプレート12に向って下降させることになる。基板4をクールプレート12に真空吸着したあとは、ロボットアームを冷却チャンバー11から取り出し、シャッター57を閉めた。基板4をクールプレート12に10分間保持したあと、再び、シャッター57を開き、ロボットアームを冷却チャンバー11に入れて、基板4を取り出した。この時、基板4の温度はクールプレート12と同じ温度に冷却されていた。本発明によるプリベーク装置を使用した場合と、従来から使用してきたプリベーク装置を使用した場合の、フォトリソグラフィー工程が起因すると考えられる不良率の例を図5に示した。従来のプリベーク装置を用いた場合は、裏面汚れ、巨大異物、埋め込み異物、と分類しているフォトリソグラフィー工程が起因すると考えられる不良率は、合計で5.5程度だったものが、本発明のプリベーク装置を使用した場合は、2.5程度に低減した。