段差を有する被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜上に、未硬化状態の第1のインプリントレジストを形成する工程と、平坦面を有する第1のテンプレートにおける前記平坦面を前記第1のインプリントレジストの表面に接触させた状態で前記第1のインプリントレジストを硬化させ、前記第1のインプリントレジストの表面を平坦化する工程と、前記第1のインプリントレジストの平坦面上に、前記第1のインプリントレジストとは異なる材料の中間転写膜を形成する工程と、前記中間転写膜上に、前記中間転写膜とは異なる材料の未硬化状態の第2のインプリントレジストを形成する工程と、凹凸を有する第2のテンプレートにおける前記凹凸を前記第2のインプリントレジストに接触させた状態で前記第2のインプリントレジストを硬化させ、前記第2のインプリントレジストに前記凹凸を反転させた凹凸パターンを形成する工程と、前記凹凸パターンが形成された前記第2のインプリントレジストをマスクにしたエッチングにより、前記中間転写膜を加工する工程と、加工された前記中間転写膜をマスクにしたエッチングにより、前記被加工膜を加工する工程と、を備えたパターン形成方法。前記被加工膜と前記第1のインプリントレジストとの間に、前記中間転写膜とは異なる材料であって前記中間転写膜よりも厚い下層レジスト膜を形成する工程をさらに備えた請求項1記載のパターン形成方法。前記第1のインプリントレジストと前記第2のインプリントレジストは、同じ材料であり、ともに紫外線照射により硬化される請求項1または2に記載のパターン形成方法。前記中間転写膜は、シリコンと酸素を含む請求項1~3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。前記第1のインプリントレジストは、シリコンを含む請求項1~4のいずれか1つに記載のパターン形成方法。実施形態によれば、パターン加工不良を抑制できるパターン形成方法を提供する。実施形態によれば、パターン形成方法は、段差を有する被加工膜を形成する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記被加工膜上に、未硬化状態の第1のインプリントレジストを形成する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、平坦面を有する第1のテンプレートにおける前記平坦面を前記第1のインプリントレジストの表面に接触させた状態で前記第1のインプリントレジストを硬化させ、前記第1のインプリントレジストの表面を平坦化する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記第1のインプリントレジストの平坦面上に、前記第1のインプリントレジストとは異なる材料の中間転写膜を形成する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記中間転写膜上に、前記中間転写膜とは異なる材料の未硬化状態の第2のインプリントレジストを形成する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、凹凸を有する第2のテンプレートにおける前記凹凸を前記第2のインプリントレジストに接触させた状態で前記第2のインプリントレジストを硬化させ、前記第2のインプリントレジストに前記凹凸を反転させた凹凸パターンを形成する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記凹凸パターンが形成された前記第2のインプリントレジストをマスクにしたエッチングにより、前記中間転写膜を加工する工程を備える。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、加工された前記中間転写膜をマスクにしたエッチングにより、前記被加工膜を加工する工程を備える。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。図1a~図3cは、実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図である。図1aは、下地10及びその上に設けられた層間絶縁膜21の断面を表す。例えば、下地10は、基板11の表面上に下層パターンが形成された構造を有する。基板11は、例えばシリコン基板であり、その表面には電流が流れるアクティブ領域12が形成されている。複数のアクティブ領域12が、第1の方向図において横方向に、素子分離領域13によって分離されて配列されている。各アクティブ領域12は、第1の方向に対して直交する第2の方向紙面を貫く方向に延びている。素子分離領域13は、例えばトレンチ内にシリコン酸化膜などの絶縁膜が埋め込まれたSTIShallowTrenchIsolation構造を有する。下層パターンは、アクティブ領域12上に絶縁膜8を介して設けられた第1の電極14を有する。例えば、第1の電極14は、アクティブ領域12と同じ第2の方向に延びている。また、下層パターンは、第1の電極14が相対的に密にレイアウトされたパターン密部15と、第1の電極14が相対的に疎にレイアウトされたパターン疎部16とを有する。パターン密部15における第1の電極14間のピッチは、パターン疎部16における第1の電極14間のピッチよりも小さい。そのパターンの疎密部を有する下地10上に、例えばシリコン酸化膜などの層間絶縁膜21が、パターンの疎密部を覆うように形成される。下地パターンの疎密は、層間絶縁膜21の表面に段差を生じさせる。すなわち、パターン密部15の上の層間絶縁膜21の表面に対して、パターン疎部16の上の層間絶縁膜21の表面が基板11側に下がっている。層間絶縁膜21の表面段差は、例えばCMPChemicalMechanicalPolishingなどによってある程度は緩和することができるが、完全に解消することは難しい。層間絶縁膜21の表面上には、図1bに示すように、段差を有する被加工膜として例えば第2の電極22が形成される。この段階では、第2の電極22は層間絶縁膜21の表面の全面に形成される。その第2の電極22の表面にも、層間絶縁膜21の表面段差を反映した段差が生じる。第2の電極22は、後述する工程にて、選択的エッチングによりパターニングされる。本実施形態は、この第2の電極22のパターン加工を良好に行うことができるパターン形成方法を提供する。第2の電極22上には、図1bに示すように、下層レジスト膜23が形成される。下層レジスト膜23は、例えばカーボンを含む有機膜である。下層レジスト膜23の表面にも、層間絶縁膜21の表面段差を反映した段差が生じる。次に、下層レジスト膜23上には、第1のインプリントレジスト24が形成される。第1のインプリントレジスト24は、例えば紫外線硬化型樹脂であり、液状もしくはペースト状の未硬化状態で下層レジスト膜23に供給される。次に、図1cに示す第1のテンプレート31を用いて、第1のインプリントレジスト24の表面を平坦化する。第1のテンプレート31は、紫外線に対する透過性を有する例えば石英製である。図1cに示すように、第1のテンプレート31は、平坦面31aを有する。その平坦面31aは、未硬化状態の第1のインプリントレジスト24に接触し押し付けられる。そして、第1のテンプレート31の上方平坦面31aの反対側から第1のインプリントレジスト24に対して紫外線を照射する。この紫外線の照射を受け、第1のインプリントレジスト24は硬化する。これにより、第1のインプリントレジスト24の表面が平坦化される。第1のインプリントレジスト24を硬化させた後、第1のテンプレート31を、図1dに示すように、第1のインプリントレジスト24から離す。第1のインプリントレジスト24の表面には、第1のテンプレート31によって転写された平坦面24aが形成される。次に、図2aに示すように、第1のインプリントレジスト24の平坦面24a上に、中間転写膜25を形成する。中間転写膜25は、第1のインプリントレジスト24とは異なる材料であり、シリコンと酸素を含む。中間転写膜25は、例えば、TEOStetraethoxysilane、SOGSpinOnGlassによって形成されたシリコン酸化膜である。また、中間転写膜25は、下層レジスト膜23よりも薄い。中間転写膜25は、第1のインプリントレジスト24の平坦面24a上に形成される。したがって、中間転写膜25の表面は平坦である。次に、中間転写膜25上には、第2のインプリントレジスト26が形成される。第2のインプリントレジスト26は、紫外線硬化型樹脂であり、液状もしくはペースト状の未硬化状態で中間転写膜25に供給される。第2のインプリントレジスト26の材料は、例えば第1のインプリントレジスト24と同じ材料を用いることができる。本実施形態では、2回のインプリント工程を含むが、それらに用いる第1のインプリントレジスト24と第2のインプリントレジスト26とを同じ材料にすることで、条件設定や管理が容易になり、またコスト低減を図れる。次に、図2bに示す第2のテンプレート32を用いて、第2のインプリントレジスト26に凹凸パターン26aを形成する。第2のテンプレート32は、紫外線に対する透過性を有する例えば石英製である。第2のテンプレート32は、図2bに示すように一方の面側に凹凸33を有する。その凹凸33は、未硬化状態の第2のインプリントレジスト26に接触し押し付けられる。第2のインプリントレジスト26は、第2のテンプレート32の凹部に充填される。そして、第2のテンプレート32の上方凹凸面の反対側から第2のインプリントレジスト26に対して紫外線を照射する。この紫外線の照射を受け、第2のインプリントレジスト26は硬化する。第2のインプリントレジスト26を硬化させた後、第2のテンプレート32を、図2cに示すように、第2のインプリントレジスト26から離す。これにより、第2のインプリントレジスト26に凹凸パターン26aが形成される。この凹凸パターン26aは、第2のテンプレート32の凹凸33の反転パターンである。凹凸パターン26aの凹部の下には、第2のインプリントレジスト26が残される。すなわち、凹凸パターン26aと中間転写膜25との間に、第2のインプリントレジスト26の残存部26bが形成されている。その残存部26bの膜厚は、面方向で均一である。下層パターンのパターン密部15の上の残存部26bと、下層パターンのパターン疎部16の上の残存部26bとの間で膜厚差が生じていない。次に、凹凸パターン26aが形成された第2のインプリントレジスト26をマスクにしたエッチングにより、図3aに示すように、中間転写膜25及び第1のインプリントレジスト24を順に加工する。エッチングは、例えばRIEReactiveIonEtchingにより行う。さらに、加工された中間転写膜25をマスクにしたエッチングにより、図3bに示すように、下層レジスト膜23を加工する。このエッチングも例えばRIEにより行われる。この下層レジスト膜23のエッチング時に、下層レジスト膜23と同じ有機系材料である第2のインプリントレジスト26は、中間転写膜25上から消失する。さらに、残っている中間転写膜25及び加工された下層レジスト膜23をマスクにしたエッチングにより、図3cに示すように、被加工膜としての第2の電極22を加工する。このエッチングも例えばRIEにより行われる。中間転写膜25を加工するための第2のインプリントレジスト26は有機系材料であり、シリコン酸化物系のいわゆるハードマスクと呼ばれる材料に比べるとRIE耐性が低く、RIE時の消費量が大きい。したがって、中間転写膜25があまり厚いと、中間転写膜25の加工が終了するまで第2のインプリントレジスト26の凹凸パターン26aが残っていない可能性がある。そこで、中間転写膜25の膜厚は、一般のレジスト膜に比べて薄い、例えば数十nmほどに抑えている。このように中間転写膜25が薄いため、それをマスクにした第2の電極22の加工中に、中間転写膜25が消失してしまう懸念がある。そこで、本実施形態では、第2の電極22の上に、中間転写膜25よりも厚い下層レジスト膜23を形成している。すなわち、第2の電極22を加工するためマスクの必要膜厚を、下層レジスト膜23によって補っている。下層レジスト膜23は、樹脂材料からなり、たとえば塗布法により厚く形成することが容易である。第2の電極22の加工後、第2の電極22上に残っている下層レジスト膜23は除去される。なお、下層レジスト膜23は、図4に示すように、第1のインプリントレジスト24と中間転写膜25との間に形成してもよい。すなわち、第1のインプリントレジスト24は第2の電極22上に供給され、その後第1のテンプレート31を用いて平坦化される。そして、その平坦面24a上に下層レジスト膜23と中間転写膜25が順に形成される。平坦面24a上に形成される下層レジスト膜23の表面は平坦であり、その下層レジスト膜23の平坦面上に形成される中間転写膜25の表面も平坦になる。ここで、図5a及びbを参照して、比較例のパターン形成方法について説明する。この比較例では、図5aに示すように、第2の電極22上に、下層レジスト膜23及び中間転写膜25が順に形成される。中間転写膜25を形成する前の段階で、中間転写膜25の下の層の表面には、下層パターンの疎密部の影響による段差が生じている。したがって、中間転写膜25の表面にも段差が生じる。その中間転写膜25上には、凹凸パターン形成用のインプリントレジスト26が供給され、そのインプリントレジスト26にはテンプレートによって凹凸パターン26aが転写される。一般に、インプリント法において、インプリントレジスト26より下の構造物に対するダメージを考慮して、テンプレートの凹凸の凸部先端は、インプリントレジスト26の下の層図5aでは中間転写膜25に対して強く押し付けない。そのため、テンプレートの凹凸がインプリントレジスト26に接触した状態で、テンプレートの凸部先端と中間転写膜25との間にはインプリントレジスト26が存在する。したがって、インプリントレジスト26の硬化後、その凹凸パターン26aの凹部の底部と中間転写膜25との間には、インプリントレジスト26が残される。そして、比較例のように、中間転写膜25の表面に段差があると、インプリントレジスト26における凹凸パターン26aより下の残存部26bの膜厚が均一ではなくなる。図5aでは、下層のパターン密部15の上で残存部26cの膜厚が相対的に薄く、パターン疎部16の上で残存部26dの膜厚が相対的に厚くなる。凹凸パターン26aの下の残存部26bに膜厚差があるインプリントレジスト26をマスクにして、下層をエッチングすると、下層のパターン加工不良をまねく。すなわち、図5bに示すように、残存部26bの膜厚が薄い部分の下の中間転写膜25の加工が終了したとき、残存部26bの膜厚が厚い部分の下の中間転写膜25の加工はまだ終了していないことが起こりうる。中間転写膜25のパターン加工不良は、その中間転写膜25をマスクにした下層のパターン加工不良をまねく。あるいは、残存部26bの膜厚が薄い部分では過剰にエッチングが進み、パターン密部15の上の中間転写膜25が消失してしまうことも起こり得る。なお、粘度の低い下層レジスト膜23を使うことで、下層レジスト膜23の表面の平坦化を図ることも考えられるが、粘度の低いレジストは一般にRIE耐性が低くなる傾向があり、レジスト材料選択にあたって平坦化を優先することは難しい。これに対して、本実施形態では、前述したように、平坦面31aを有する第1のテンプレート31を用いたインプリント法により、中間転写膜25が形成される面を平坦化している。したがって、その平坦面上に形成される中間転写膜25の表面は平坦になる。したがって、図2cに示すように、中間転写膜25を加工するマスクとなる第2のインプリントレジスト26における凹凸パターン26aより下の残存部26bの膜厚を均一にすることができる。これにより、残存部26bの膜厚差に起因する中間転写膜25の加工不良を抑制でき、さらに加工された中間転写膜25をマスクにした被加工膜第2の電極22の加工不良を抑制することができる。なお、平坦化用の第1のインプリントレジスト24として、シリコンを含有したものを用いることで、その第1のインプリントレジスト24を中間転写膜25として機能させることも可能である。すなわち、中間転写膜の膜厚が実質増大し、下層レジスト膜23を形成しなくても、中間転写膜25及び第1のインプリントレジスト24だけで、第2の電極22を加工できる可能性がある。第1のインプリントレジスト24と第2のインプリントレジスト26とは、同じ材料に限らず、異なる材料を用いてもよい。また、第1のインプリントレジスト24に対する紫外線の照射条件強度、時間などと、第2のインプリントレジスト26に対する紫外線の照射条件とは、同じでも、異ならせてもよい。平坦化用の第1のインプリントレジスト24は第1のテンプレート31との離型時に、凹凸パターンの破損の心配がないので、例えば、第2のインプリントレジスト26よりも硬くすることが可能である。なお、被加工膜に段差ができる原因は、パターンの疎密部を有する下地上に被加工膜を形成するものとして説明したが、原因は何であれ被加工膜に段差ができていれば本実施形態は適用できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。