"基板上の固化重合性材料を除去するシステムであって、a真空紫外VUV放射線源と、b基板を保持するように構成され、前記真空紫外VUV放射線源に対して相対して位置付けられ且つ相対的に移動可能な基板ハンドラーと、c各々がガスを貯留し且つ前記ガスを前記真空紫外VUV放射線源と前記基板との間に局所的に提供するよう構成された2つ又はそれ以上のリザーバと、d前記2つ又はそれ以上のリザーバに接続され、前記各リザーバから送給されるガスの量を制御して前記真空紫外VUV放射線源と前記基板との間に指定のガス混合物を提供するようにプログラムされた制御ユニットと、を備える、システム。前記真空紫外VUV放射線源を密閉するチャンバを更に備え、該チャンバが、前記基板ハンドラーに対して相対して位置付けられる露出アパーチャを有し、前記リザーバが前記チャンバと流体連通している、請求項1に記載のシステム。前記露出アパーチャが、前記チャンバと前記基板ハンドラーとの間の流体連通を可能にする、請求項2に記載のシステム。前記放射線源が、140~190nmの波長の放射線を提供する、請求項1~3のいずれかに記載のシステム。前記放射線源が、ピーク強度が約172nmで且つスペクトルバンド幅が約15nmFWHMを有する放射線を提供する、請求項1~4のいずれかに記載のシステム。基板上の固化重合性材料を除去する方法であって、a基板の少なくとも一部の上に残留層を有するパターン化層を形成するステップと、b真空紫外VUV放射線源を提供するステップと、c前記残留層を有する前記基板の少なくとも一部が前記真空紫外VUV放射線源と位置合わせされるように前記基板を位置決めするステップと、d前記基板の少なくとも一部と前記真空紫外VUV放射線源との間に酸素が21未満のガス組成物を提供するステップと、前記基板を前記真空紫外VUV放射線で照射し、前記基板の一部から前記残留層を除去するステップと、を含む方法。前記真空紫外VUV放射線源が、露出アパーチャを有するチャンバ内に密閉され、前記基板の位置決めステップが、前記基板部分を前記露出アパーチャと位置合わせして位置決めするステップを更に含む、請求項6に記載の方法。前記ガス組成物を前記チャンバに提供するステップを更に含む、請求項7に記載の方法。前記真空紫外VUV放射線が140~190nmの波長で提供される、請求項6~8のいずれかに記載の方法。前記真空紫外VUV放射線が、ピーク強度が約172nmでスペクトルバンド幅が約15nmFWHMで提供される、請求項6~8のいずれかに記載の方法。前記提供されるガス組成物が10未満の酸素を含有する、請求項6~10のいずれかに記載の方法。前記提供されるガス組成物が5未満の酸素を含有する、請求項6~10のいずれかに記載の方法。ハードマスク層又は基板上にパターンを転写する方法であって、a基板上にハードマスクを形成するステップと、b前記ハードマスクの少なくとも一部分上に残留層を有するパターン化層を形成するステップと、c真空紫外VUV放射線源を提供するステップと、d前記残留層を有する前記ハードマスクの一部分が前記真空紫外VUV放射線源と位置合わせされるように前記基板を位置決めするステップと、e前記ハードマスクの一部分と前記真空紫外VUV放射線源との間に酸素が21未満のガス組成物を提供するステップと、f前記真空紫外VUV放射線を前記基板に照射し、前記ハードマスクの一部分から前記残留層を除去するステップと、gバッチ処理ステップを用いて前記パターンを前記ハードマスクに転写し、前記ハードマスクの一部分を除去するステップと、を含む、方法。前記真空紫外VUV放射線源が、露出アパーチャを有するチャンバ内に密閉され、前記基板の位置決めステップが、前記ハードマスク部分を前記露出アパーチャと位置合わせして位置決めするステップを更に含む、請求項13に記載の方法。前記ガス組成物を前記チャンバに提供するステップを更に含む、請求項14に記載の方法。前記真空紫外VUV放射線が140~190nmの波長で提供される、請求項13~15のいずれかに記載の方法。前記真空紫外VUV放射線が、ピーク強度が約172nmでスペクトルバンド幅が約15nmFWHMで提供される、請求項13~15のいずれかに記載の方法。前記提供されるガス組成物が10未満の酸素を含有する、請求項13~17のいずれかに記載の方法。前記提供されるガス組成物が5未満の酸素を含有する、請求項13~17のいずれかに記載の方法。前記バッチ処理ステップがフッ化水素酸を用いる、請求項13~19のいずれかに記載の方法。前記パターン化層を除去するステップを更に含む、請求項13~20のいずれかに記載の方法。バッチ処理ステップを用いて前記パターンを前記基板に転写し、前記基板の一部を除去するステップを更に含む、請求項21に記載の方法。前記バッチ処理ステップが、前記基板を選択的にエッチングする、請求項22に記載の方法。前記基板がケイ素であり、前記ハードマスクが酸化ケイ素であり、前記バッチ処理ステップにおいて水酸化カリウムが使用される、請求項23に記載の方法。基板上の固化重合性材料を除去し、ハードマスク層又は基板上にパターンを転写するための方法及びシステムが提供される。1つの態様において、本方法は、基板の少なくとも一部分上残留層を有するパターン化層を形成するステップと、残留層を有する基板の一部分が提供された真空紫外VUV放射線源と位置合わせされるように基板を位置決めするステップと、を含む。ハードマスクの一部分と真空紫外VUV放射線源との間に21未満の酸素のガス組成物を提供される。基板に真空紫外VUV放射線を照射して残留層を除去する。1つの態様において、提供される組成物は、酸素が21未満である。他の態様において、提供されるガス組成物は、酸素が10未満、又は5未満である。更に別の態様において、真空紫外VUV放射線源が、露出アパーチャを有するチャンバ内に密閉され、提供されるガス組成物が該チャンバに提供される。他の態様では、本システムは、真空紫外VUV放射線源と、基板を保持するように構成され、真空紫外VUV放射線源に対して相対して位置付けられ且つ相対的に移動可能な基板ハンドラーと、各々がガスを貯留し且つガスを真空紫外VUV放射線源と基板との間に局所的に提供するよう構成された2つ又はそれ以上のリザーバと、を含む。制御ユニットがリザーバに接続され、各リザーバから送給されるガスの量を制御して真空紫外VUV放射線源と基板との間に指定のガス混合物を提供するようにプログラムされる。別の態様において、真空紫外VUV放射線源は、露出アパーチャを有するチャンバ内に密閉され、提供されるガス組成物がチャンバに提供される。更に別の態様において、露出アパーチャは、チャンバと基板ハンドラーとの間の流体連通を可能にする。種々の態様において、真空紫外VUV放射線は、140~190nmの波長で提供することができる。他の態様において、真空紫外VUV放射線は、約172nmのピーク強度で且つ約15nmFWHMのスペクトルバンド幅を有することができる。更なる態様は、材料除去の後にパターン転写を含む。1つの態様において、パターンは、バッチ処理ステップを用いてハードマスクに転写され、ハードマスクの一部を除去する。更なる態様において、バッチ処理は、フッ化水素酸を用いる。他の態様において、パターン化層を除去することができ、パターンは、バッチ処理ステップを用いて基板に転写され、基板の一部を除去する。別の態様において、基板はケイ素であり、ハードマスクは酸化ケイ素であり、このようなバッチ処理において水酸化カリウムを用いることができる。本明細書で説明する態様及び実施構成は、上述した以外の方法で組み合わせることもできる。他の態様、特徴、及び利点は、以下の詳細な説明、図面、及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。本発明の特徴及び利点を詳細に理解できるように、添付図面に示す実施形態を参照することにより本発明の実施形態のより詳細な説明を行うことができる。しかしながら、添付図面は、本発明の代表的な実施形態のみを示すものであり、従って、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることもできるので、この添付図面が本発明の範囲を限定するとみなすべきではない。各図面、特に図1を参照すると、基板12上にレリーフパターンを形成するために使用するリソグラフィシステム10が示されている。基板12は、基板チャック14に結合することができる。図示のように、基板チャック14は真空チャックである。しかしながら、基板チャック14は、限定ではないが、真空型、ピン型、溝型、静電型、電磁型、及び/又は同様のものを含む、あらゆるチャックであってもよい。例示的なチャックが、米国特許第6,873,087号に記載されており、該特許は引用により本明細書に組み入れられる。基板12及び基板チャック14は更に、ステージ16によって支持することができる。ステージ16は、x、y、及びz軸に沿った並進移動及び/又は回転移動を行うことができる。ステージ16、基板12、及び基板チャック14はまた、基台図示せず上に位置付けることができる。基板12から間隔を置いてテンプレート18が配置される。テンプレート18は、第1の面及び第2の面を有するボディを含むことができ、一方の面は、ここから基板12に向かって延びるメサ20を有する。メサ20は、その上にパターニング表面22を有する。更に、メサ20は、モールド20と呼ぶこともできる。或いは、メサ20を使用せずにテンプレート18を形成することもできる。テンプレート18及び/又はモールド20は、限定ではないが、石英ガラス、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサン重合体、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン重合体、金属、硬化サファイア、及び/又は同様のものを含む材料で形成することができる。図示のように、パターン面22は、複数の間隔を置いて配置された凹部24及び/又は凸部26により定められる特徴部を備えるが、本発明の実施形態はこのような構成例えば平面に限定されるものではない。パターン面22は、基板12上に形成されることになるパターンの基礎を成すあらゆる原パターンを定めることができる。テンプレート18は、チャック28に結合することができる。チャック28は、限定ではないが、真空型、ピン型、溝型、静電型、電磁型、及び/又はその他の同様のチャック型として構成することができる。例示的なチャックが米国特許第6,873,087号に更に記載されており、該特許は引用により本明細書に組み入れられる。更に、チャック28をインプリントヘッド30に結合し、チャック28及び/又はインプリントヘッド30をテンプレート18の移動を容易にするように構成することができる。システム10は、流体分注システム32を更に備えることができる。流体分注システム32を使用して、基板12上に例えば、重合性材料成形可能材料34を堆積させることができる。成形可能材料34は、液滴分注、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学蒸着CVD、物理蒸着PVD、薄膜堆積、厚膜堆積、及び/又は同様のものなどの技術を使用して基板12上に位置付けることができる。成形可能材料34は、設計考慮事項に応じて、モールド22と基板12との間に所望の体積が定められる前及び/又は後に、基板12上に配置することができる。成形可能材料34は、バイオ分野、太陽電池産業、バッテリ産業、及び/又は機能性ナノ粒子を必要とするその他の産業で使用される機能性ナノ粒子とすることができる。例えば、成形可能材料34は、米国特許第7,157,036号及び米国特許出願公開第2005/0187339号に記載されるように、単量体混合物を含むことができ、これら両特許は引用により本明細書に組み入れられる。或いは、成形可能材料34は、限定ではないが、例えば、PEG生体材料、N型、P型材料などの太陽電池材料、及び/又は同様のものを含むことができる。図1及び図2を参照すると、システム10は更に、経路42に沿ってエネルギー40を導くように結合されたエネルギー源38を備えることができる。インプリントヘッド30及びステージ16は、テンプレート18及び基板12を経路42に重ねて位置付けるように構成することができる。システム10は、ステージ16、インプリントヘッド30、流体分注システム32、及び/又はエネルギー源38と通信するプロセッサ54によって調整することができ、またメモリ56内に記憶されたコンピュータ可読プログラムに基づいて動作することができる。インプリントヘッド30又はステージ16のいずれか、或いは両方は、モールド20と基板12との間の距離を変化させて、これらの間に成形可能材料34によって充填される所望の体積を定める。例えば、インプリントヘッド30はテンプレート18に力を加えて、モールド20が成形可能材料34と接触するようにすることができる。所望の体積が成形可能材料34で充填された後、エネルギー源38が、紫外放射線などのエネルギー40を生成し、これにより成形可能材料34が固化及び/又は架橋して基板12の表面44及びパターン面22の形状に共形となり、基板12上にパターン化層46を定める。パターン化層46は、残留層48、並びに凸部50及び凹部52として示す複数の特徴部を含むことができ、凸部50が厚みt1を有し、残留層が厚みt2を有する。上述のシステム及びプロセスは、米国特許第6,932,934号、米国特許第7,077,992号、米国特許第7,179,396号、及び米国特許第7,396,475号に記載された、インプリントリソグラフィプロセス及びシステムで更に使用することができ、これらの特許は全て引用によりその全体が本明細書に組み入れられる。インプリントプロセスの間、上述のように、テンプレート18と基板12との間の距離が短くなり、重合性材料34が流動して、テンプレート18及び基板12のトポグラフィ微細構造に共形になる。テンプレート18及び基板が互いに最小距離内にあるときには、これら間の流れチャンネルは極めて狭く、重合性材料34の流れを低減することができる。流量を増大させる技術を実装してもよい。例えば、重合性材料34は、低粘性材料例えば、約10センチポイズ未満の粘性を有する材料の使用を含むことができる。低粘性材料を用いることにより、テンプレート18と基板12との間の流れチャンネルは、25nm又はそれよりも小さくすることができる。流れチャンネルの厚みが直接的に残留層48を形成する。このため、残留層48は、一般的に非ゼロの厚み12を含む。しかしながら、多くの用途では、パターン化層46から残留層48を除去し、特徴部50及び52間で基板12にアクセスできるようにしている。パターン化層46から残留層48を除去する最も一般的な方法には、プラズマベースのエッチングプロセスが挙げられる。このようなプロセスは、固化した重合性材料34の方向性すなわち、主として垂直方向のエッチングを行うことができ、その結果、特徴部50及び52の横方向寸法に対して最小の変更で残留層48を除去することができる。しかしながら、プラズマベースのエッチングプロセスは、高コスト、低スループット、及び低圧力環境を必要とすることに起因して全ての用途に好適である訳ではない。同様に、ナノパターン化用途では、特に太陽電池及び/又はフォトニック結晶アレイ及び同様のものを含む光起電装置の形成などでは、維持費が生産の推進要因となる。通常ナノパターンでは、ドライエッチング機器及びプロセスを用いてパターンが転写される。しかしながら、これらのプロセスは、高コストでスループットが低い。例えば、反応性イオンエッチングRIE、イオンミリング、その他などのプロセスは、一般に、ガス相を利用し、そのため、ポンプによって真空圧力にまで降圧させ、次いで圧力を大気圧まで戻すための時間を確保しなければならない。特殊なプロセスガスを必要とし且つ専用の電源を利用する大型の真空ポンプを用いた機器の大きな機能要素は、コスト及び規模を増大させる。工具は、一般に、あるサイズの基板だけをエッチングできるように基板サイズにより制限される。例えば、多くのRIE工具は、8インチ未満の円形基板を処理することができるが、それよりも大きなサイズ又は方形基板を扱うことはできない。工具はまた、基板の順次的処理すなわち、1つずつに限定される場合がある。特定の乾燥プロセス例えば、下流側アッシャ/バルクレジスト剥離アッシャにおけるレジスト剥離においてバッチ処理が実施されてきたが、パターン転写プロセスは、特定の電極構成で特別に設計されたエッチングチャンバにおいて実施される。これらのチャンバは、表面汚染に対して敏感であり、定期的な保守整備を必要とし、加工コストを増大ささせることになる。本明細書では、固化重合性材料34を除去するための代替の除去システム及び技術が記載される。例えば、本明細書で記載されるシステム及び技術は、パターン化層46から残留層48を除去するのに用いることができる。プラズマエッチング技術と比べて、本明細書で記載される除去技術は、より高いスループット及びコスト低減をもたらし、減圧処理環境を必要としない。加えて、本明細書で記載される除去技術は、非インプリント法により形成されたその下にある有機層の除去にも適用可能である。また、本明細書で記載されるエッチング技術は、上述のプロセスに比べてコスト低減、スループット増大、及び倍率調整パターン転写プロセス段階の簡素化を目的とするナノパターン化用途に特に有用である。このようなエッチング技術は、単独で用いるか、又は上記の材料除去技術と組み合わせて用いることができる。図3は、固化重合性材料34を除去するための例示的なシステム60を示す。システム60は、放射線源62を含むことができる。放射線源62は、太陽スペクトラムの真空紫外VUV領域を含むことができる。例えば、放射線源62は、約140nm~190nm波長範囲を含むことができる。1つの実施形態において、放射線は、Xeエキシマー誘電体バリア放電ランプにより提供することができる。ランプは、約172nmの波長でピーク強度を有することができ、スペクトルバンド幅は約15nmFWHMである。残留層48の表面での放射線強度は、約5~150mW/cm2である。放射線源62は、チャンバ64内に密閉することができる。ガス組成物はチャンバ64内に存在することができる。特定のガス組成又は混合物組成は、特定の基板によって決まることができる。例えば、本明細書で詳細に説明されるように、酸素低減環境により材料除去全体が改善されるが、基板のフッ化炭素除去の場合など、特定の用途ではある割合の酸素を維持することが望ましい場合もある。例えば、1つの実施形態において、ガスの組成は、少なくとも90の窒素と10未満の酸素とからなることができる。別の実施形態では、ガスの組成は、95の窒素と5未満の酸素とからなることができる。ガスの組成又は混合は、図3に示すように、リザーバ68a及び68bに接続された第1のサブシステムコントローラ又は制御ユニット66により制御することができる。第1のサブシステムコントローラ66は、リザーバ68a及び68bからチャンバ64へのガスの流れを提供することができ、また、各リザーバから送給されるガスの量を制御してチャンバ64に指定のガス組成又は混合物を提供するようにプログラムすることができる。放射線源62の放射線出力は、第2のサブシステムコントローラ又は制御ユニット70により制御することができる。例えば、残留層48の除去速度は、第2のサブシステムコントローラ70が放射線源62の強度を修正することにより調整することができる。システム60は、基板ハンドラー72を含むことができる。基板ハンドラー72は、チャンバ64の露出アパーチャ74による基板12のスキャンを提供することができる。基板ハンドラー72の移動は、第3のサブシステムコントローラ76により制御することができる。例えば、基板12上の固化重合性材料34の除去速度は、第3のサブシステムコントローラ76が基板ハンドラー72の線形速度を修正することにより調整することができる。1つの実施形態において、基板ハンドラー72は、基板チャック及び線形アクチュエータを含むことができる。基板チャック及び線形アクチュエータは、チャンバ64の露出アパーチャ74の真下で基板をスキャンするよう構築される。別の実施形態では、基板ハンドラー72は、チャンバ64の露出アパーチャ74の真下で基板12を作動させることができる複数の回転ローラを含むことができる。第1のサブシステムコントローラ66、第2のサブシステムコントローラ70、及び/又は第3のコントローラ76は互いに一体化してもよい点に留意されたい。或いは、第1のサブシステムコントローラ66、第2のサブシステムコントローラ70、及び/又は第3のサブシステムコントローラ76は別個のシステムであってもよい。図4は、基板12上に位置付けられたパターン化層46から残留層48を除去するための例示的な方法を示す。ステップ102において、残留層48並びに特徴部50及び52を有するパターン化層46は、図1及び2に関連して説明したシステム及び方法を用いて基板12上に形成することができる。ステップ104において、サブシステムコントローラ76は、基板12をチャンバ64のアパーチャ74と位置合わせして位置付けることができる。ステップ106において、サブシステムコントローラ66は、チャンバ64内にガス環境を提供することができる。ステップ108において、サブシステム70は、チャンバ64のアパーチャ74を通じて放射線例えば、VUV放射線を基板12に提供することができる。例えば、サブシステム70は、放射線源62を制御し、約172nmのピーク強度でスペクトルバンド幅が約15nmFWHMを有する真空紫外放射線を提供することができる。チャンバ64内のガス環境形態は、残留層48の除去後に残存する特徴部50及び52の品質を実質的に高めることができる。例えば、図5は、放射線に曝露する前の原子間力顕微鏡により測定した例示的なレジスト特徴部50及び52のプロファイルを示している。空気環境約79窒素及び21酸素でパターン化層46を放射線例えば、VUV放射線に曝露すると、図6に示すように約19nm/分の速度で残留層48を除去することができる。しかしながら、ターン化層46の特徴部50及び52は著しく劣化し、図7及び8に示す図7は空気中で30秒曝露、図8は空気中で60秒曝露を示しているように、空気中での60秒の曝露後にパターンがほぼ完全に劣化するようになる可能性がある。空気に対して利用可能な酸素量が低減されている窒素濃縮環境において曝露プロセスを行う際に、残留層48の除去は、空気環境において判明した結果と実質的に同様とすることができるが、特徴部50及び52の品質は、図9~11に示すプロセスの間実質的に保持することができる。例えば、約98窒素及び2未満の酸素をもたらすような空気環境を向上させることによってパターン品質を実質的に向上させ、所望の構造を実質的に維持しながら残留層48の除去を可能にすることができる。詳細には、図11に示すように、窒素濃縮環境内での60秒曝露の後でも、パターン品質を実質的に保持することができる。システム60は、チャンバ64にガス組成を提供するリザーバ68a及び68bを備えて図示されているが、放射線源と基板との間にガス組成を提供する代替の方法が存在することは理解されるであろう。例えば、リザーバは、放射線源と基板との間にガス組成を提供するように、放射線源と位置合わせした基板の当該部分にガス組成を局所的に送給するよう構成することができる。図12~17は、例示的なナノパターン化プロセスを示している。一般に、重合性材料34は、上述のようにパターン化され、最小厚みt2の残留層48を有するパターン化層46を提供することができる。残留層48は、制御組成のガス環境におけるVUV処理により除去され、これにより設計考慮事項例えば、ハードマスク層60が設計で使用されるかどうかに応じて基板12又はハードマスク層60の表面を露出させることができる。基板12又はハードマスク層60の表面は、パターン化層46の特徴部50及び52を用いてパターン化することができる。次いで、パターンは基板12に転写することができる。図12を参照すると、任意選択のハードマスク層60を基板12上に位置付けることができる。1つの実施形態において、ハードマスク層60は、基板12に固有のものとすることができる例えば、シリコン上の自然酸化物。別の実施形態において、ハードマスク層60は、限定ではないが、スパッタリング、化学蒸着、気化、及び同様のものを含む堆積技術により施工することができる。一般に、ハードマスク層60は薄膜である。例えば、ハードマスク層60は、約20nm未満とすることができる。ハードマスク層60は、後続のエッチングステップ中に選択性を示す材料から形成することができる。例えば、ハードマスク層60は、限定ではないが、熱酸化物例えば、酸化ケイ素、金属、及び同様のものを含む材料から形成することができる。ハードマスク層60に接着層を施工してもよい点に留意されたい。例示的な接着層は、米国特許出願シリアル番号11/187,407、11/187,406、及び11/734,542において詳細に記載されており、これら全ては引用により全体が本明細書に組み込まれる。接着層は、ハードマスク層60とパターン化層46との間の接着を高めることができる。図12及び13を参照すると、重合性材料34をハードマスク層60上に堆積させ、図1及び2に関して説明したシステム及びプロセスを利用して、テンプレート18を用いてパターン化しパターン化層46を形成することができる。テンプレート18は、大面積インプリント例えば、約6インチ幅を上回るに適合させることができる。1つの実施形態において、テンプレート18の特徴部24及び26は、ピラー型特徴部とすることができる。パターン転写中、ピラー型特徴部を有するテンプレート18を用いることにより、ピラー型特徴部以外の特徴部を有する基板12内でパターンが転写される可能性がある点に留意されたい。しかしながら、このような異常は、本明細書で更に説明されるように、光回折を増大させ、捕捉効率を高める結果をもたらすことができる。テンプレート18のパターン、基板12及び/又はハードマスク層60の材料、及びエッチングの化学的特性を選択することによって、基板12内に様々な構造を転写及び/又は作製することができる。図13及び14を参照すると、本明細書において前述した真空紫外VUVシステム及び方法を用いて、残留層48を除去し、ハードマスク層60又は基板12表面を露出させることができる。このようなシステム及び方法は、異方性又は方向性エッチングを可能にし、大面積基板及び/又は複数の基板12を処理し、処理コストを更に低減することができる。このようなシステム及び方法は、上述のようにコストに極めて敏感であり且つパターン欠陥及び/又は劣化に対して他のナノパターン化施工よりもより耐性を有することができる光起電装置に特に好適とすることができる。また、あまり好ましくはないが、残留層48は、酸素アッシャ、レジスト剥離装置、UVオゾン源、及び同様のものなどのバッチ処理を含む技術を用いて除去することができる。例えば、残留層48は、酸素アッシャ120W、25sccmO2、60秒を用いて除去することができる。図14及び15を参照すると、基板12又はハードマスク層60の表面をパターン化することができる。例えば、ハードマスク層60は、限定ではないが、酸化ケイ素を除去するためのフッ化水素酸、クロムをパターン化するための硝酸セリウムアンモニウム、及び同様のものを含む、バッチ処理ステップ例えば、湿式化学品曝露を用いてパターン化することができる。1つの実施形態において、ハードマスク層60は、ハードマスク層60の厚み約10nmターゲットに応じて15~20インチにおいて6:1:2NH4F/HF/DIWの濃度及び20°Cの緩衝酸化物エッチング液を用いて処理される。図15及び16を参照すると、パターン化層46は、限定ではないが、高周波音処理、メガソニックリンス、及び同様のものを含む技術によって除去することができる。1つの実施形態において、パターン化層46は、クイックダンプDI水リンス及び約10分間の超音波DI水リンスによって除去される。パターン化層46の除去に続いて、残存するハードマスク層60により提供されるパターンを図17に示すように基板12に転写することができる。このパターンは、基板12のバルク材料に向けて化学物質が選択性である湿式化学品曝露を用いて基板12に転写することができる。例えば、シリコンのエッチングにおいて水酸化カリウムを用いることができ、ここではハードマスク層60が酸化ケイ素から形成されている例えば、約45インチにおいて50°Cで45KOH溶液。上述の方法の変更形態は、特徴部形成を変えることができる。例えば、図18は、ピラー間の区域において不規則で不揃いのエッチングを含む転写ピラーパターンを示している。この不規則性は、図16及び17に示す湿式化学品曝露の前に酸化物除去が不完全であったことに起因する。しかしながら、結果として得られる構造体は、光回折が増大し、捕捉効率を高め、太陽光効率を向上させることができる。図19は、ピラミッド構造を含む転写ピラーパターンを示す。ピラミッド構造の形成は、超軽量の残留層48除去プロセスを用いて、図20に示すハードマスク層60の除去の前にピラー間の薄い残留層48をそのまま残しながら、ピラーに隣接する薄い残留層48を除去することができるようにすることによって生じる。ピラミッド構造は更に、基板122を湿式エッチング化学品例えば、KOHに曝すことができる時間を増やすことにより修正することができる。ピラー間の残存する残留層48の中央部分を除去する時間を増やすことにより、図21に示す構造体を形成することができる。例えば、100結晶面から111結晶面への選択エッチングを示す、<100>ケイ素の基板12を用いることにより、これらの構造体を形成することができる。図12~21に関して説明したプロセスの代替として、別の技術例えば、RIEによりハードマスク層60を定めることができる。例えば、酸素アッシュディスカムプロセスの後にCF4/O2RIEが続き、ハードマスク層60を定めることができる。図22は、このようなプロセスを用いて基板12上に形成された例示的な乾式エッチ酸化物バンプを示す。次いで、基板12を追加の湿式エッチング溶液に通し、基板12の表面をパターン化することができる。例えば、湿式エッチング例えば、KOHに続いて、図23に示すようなナノピラミッド構造体を形成することができる。"