"液相で、高分子担持ホウ素触媒の存在下で、aCHR1mR23-m式中、R1は、それぞれ独立して、COR7、COOR8、-NO2又は-CNを表し式中、R7及びR8は、それぞれ、炭化水素基を表す。、R2は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、mは1又は2を表す。で表される求核剤と、bCR3R4=CR5nR62-n式中、R5は、それぞれ独立して、COR9、COOR10、-NO2又は-CNを表し式中、R9及びR10は、それぞれ、炭化水素基を表す。を表し、R3、R4及びR6は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、nは1又は2を表す。で表されるビニル化合物とから、マイケル付加反応により、CR1mR23-m-CR3R4-CHR5nR62-n式中、R1~R6、m、nは上記と同様を表す。で表される付加生成物を製造する方法であって、該高分子担持ホウ素触媒が、XBH4式中、Xは、アルカリ金属又は4級アンモニウムイオンを表す。で表されるホウ素化合物を水酸基を有するスチレン系高分子に担持させて成る、マイケル付加反応生成物の製法。液相で、高分子担持ホウ素触媒の存在下で、aCHR1mR23-m式中、R1は、それぞれ独立して、COR7、COOR8、-NO2又は-CNを表し式中、R7及びR8は、それぞれ、炭化水素基を表す。、R2は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、mは1又は2を表す。で表される求核剤と、b’CR3R4=CR11nR62-n式中、R11はCHOHR9式中、R9は、炭化水素基を表す。を表し、R3、R4及びR6は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、nは1又は2を表す。で表されるビニル化合物とから、マイケル付加反応により、CR1mR23-m-CR3R4-CHCOR9nR62-n式中、R1~R4、R6、R9、m、nは上記と同様を表す。で表される付加生成物を製造する方法であって、該高分子担持ホウ素触媒が、XBH4式中、Xは、アルカリ金属又は4級アンモニウムイオンを表す。で表されるホウ素化合物を水酸基を有するスチレン系高分子に担持させて成る、マイケル付加反応生成物の製法。前記高分子担持ホウ素触媒が、更にケッチェンブラックを含む請求項1又は2に記載の製法。前記スチレン系高分子が、下式化1式中、x、y及びzは構成モノマーのモル比を表し、xyzに対してyは0~60、zは10~60、xは0であってもよい残部を表し、oは0~5の整数、pは0~6の整数を表す。で表される請求項1~3のいずれか一項に記載の製法。mが2である請求項1~4のいずれか一項に記載の記載の製法。nが1である請求項1~5のいずれか一項に記載の製法。R2が水素原子である請求項1~6のいずれか一項に記載の製法。R3及びR4が水素原子である請求項1~7のいずれか一項に記載の製法。R6が水素原子である請求項1~8のいずれか一項に記載の製法。XBH4式中、Xは、アルカリ金属又は4級アンモニウムイオンを表す。で表されるホウ素化合物を下式化1式中、x、y及びzは構成モノマーのモル比を表し、xyzに対してyは0~60、zは10~60、xは0であってもよい残部を表し、oは0~5の整数、pは0~6の整数を表す。で表されるスチレン系高分子に担持させて成るマイケル付加反応用高分子担持ホウ素触媒。更にケッチェンブラックを含む請求項10に記載の触媒。本願発明は、マイケル付加反応へ応用することのできるホウ素を高分子に固定化した高分子担持ホウ素触媒及びこの高分子担持ホウ素触媒を用いてマイケル付加反応により炭素-炭素付加生成物を製造する方法を提供することを目的とする。本発明者らは新規に高分子担持ホウ素触媒を開発し、液相で、この高分子担持ホウ素触媒の存在下で、求核剤と特定のビニル化合物とを反応させると、炭素-炭素付加生成物が生成することを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、液相で、高分子担持ホウ素触媒の存在下で、aCHR1mR23-m式中、R1は、それぞれ独立して、COR7、COOR8、-NO2又は-CNを表し式中、R7及びR8は、それぞれ、炭化水素基を表す。、R2は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、mは1又は2を表す。で表される求核剤と、bCR3R4=CR5nR62-n式中、R5は、それぞれ独立して、COR9、COOR10、-NO2又は-CNを表し式中、R9及びR10は、それぞれ、炭化水素基を表す。を表し、R3、R4及びR6は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、nは1又は2を表す。で表されるビニル化合物とから、マイケル付加反応により、CR1mR23-m-CR3R4-CHR5nR62-n式中、R1~R6、m、nは上記と同様を表す。で表される付加生成物を製造する方法であって、該高分子担持ホウ素触媒が、XBH4式中、Xは、アルカリ金属又は4級アンモニウムイオンを表す。で表されるホウ素化合物を水酸基を有するスチレン系高分子に担持させて成る、マイケル付加反応生成物の製法である。また本発明は、XBH4式中、Xは、アルカリ金属又は4級アンモニウムイオンを表す。で表されるホウ素化合物を下式化1式中、x、y及びzは構成モノマーのモル比を表し、xyzに対してyは0~60、zは10~60、xは0であってもよい残部を表し、oは0~5の整数、pは0~6の整数を表す。で表されるスチレン系高分子に担持させて成るマイケル付加反応用高分子担持ホウ素触媒である。本発明で用いる高分子担持ホウ素触媒は、XBH4で表されるホウ素化合物をスチレン系高分子に担持させて成る。式中、Xは、アルカリ金属イオン又は4級アンモニウムイオンを表す。アルカリ金属としてはNa又はKが挙げられる。4級アンモニウムイオンとしてはNRa4式中、Raは、ぞれぞれ独立して、アルキル基、好ましくは炭素数が1~6のアルキル基を表す。が挙げられる。本願発明の触媒は更に、Pd、Au、Pt,Ru,Co,Ni,Cu,Rh,Feの金属を含有してもよい。これらの金属は、触媒調整時に、1価2価3価又は4価の金属化合物などの前駆体として加えられる。このような金属化合物として、酢酸パラジウム、ハロゲン化金、ハロゲン化金のトリフェニルホスフィン錯体、ソジウムヘキサクロロ白金、パラシメンジクロロルテニウムダイマー、塩化コバルト、ビストリフェニルホスフィンジクロロニッケル、酢酸銅、塩化鉄が挙げられる。ハロゲン化金のトリフェニルホスフィン錯体として、AuClPPh3が挙げられるこのホウ素化合物等をスチレン系高分子に担持させる方法としては、特に限定されないが、適当な溶媒中でこれらを混合することにより行うことができる。溶媒としては、ジグライム、THF、DME、DCM等が挙げられる。温度は0~50°C程度である。本発明で用いるスチレン系高分子はスチレンモノマーをベースとした高分子であり、水酸基を必須に有する。このスチレン系高分子は、その主鎖又はベンゼン環に水酸基を有する親水性側鎖を有するものが好ましい。また、このスチレン系高分子は、更にエポキシ基などの架橋性官能基を有していてもよい。このエポキシ基などの架橋性官能基もまた、スチレン系高分子の主鎖又はベンゼン環上の親水性側鎖に結合したものでもよい。親水性側鎖の主鎖としては、比較的短いアルキル基、例えば、炭素数が1~6程度のアルキレン基であってもよいが、ポリオキシアルキレン鎖でもよい。ポリオキシアルキレン鎖としては、-CH2OC2H44-や-COOC2H44-等が挙げられる。このようなスチレン系高分子として、例えば、下式化2式中、Xaはアルキレン基又はエーテル結合を含むアルキレン基を表す。又は下式化3式中、Xbはアルキレン基又はエーテル結合を含むアルキレン基を表す。で表される構造を有するモノマーを全モノマー中に10~60含む。このスチレン系高分子は、更に任意に、下式化4式中、Xcはアルキレン基又はエーテル結合を含むアルキレン基を表す。又は下式化5式中、Xdはアルキレン基又はエーテル結合を含むアルキレン基を表す。で表される構造を有するモノマーを全モノマー中に0~60含み、かつこれらの合計が100以下となるように含んでもよい。これらの合計が100未満の場合には残部としてスチレンモノマーを含んでもよい。これらモノマー混合物を共重合してスチレン系高分子を得ることができる。本発明で用いるスチレン系高分子として、下記の高分子が挙げられる。式中、x、y及びzは構成モノマーのモル比を表し、xyzに対して、yは0~60、好ましくは10~50、zは10~60、好ましくは20~50であり、ただし、yzは100以下である。xは0であってもよい残部である。oは0~5の整数、pは0~6の整数を表す。この触媒に、更にケッチェンブラックを含有させてもよい。ケッチェンブラックは導電性カーボンブラックで、性能の優秀さ、品質の安定性で優れている。プラスチックゴムなどに混練りすることで、従来のカーボンブラックに比べ少量の添加量で同等の導電性を付与することと併せて高い評価を得ている活性炭であり、またケッチェンブラックは他のカーボンブラックと異なり、中空シェル状の構造を持っているため、特異的な性能を発揮する活性炭である。このケッチェンブラックは上記高分子内に分散しホウ素等の金属の担体として機能すると考えられ、触媒活性を更に高める効果を有している後記の実施例参照。このケッチェンブラックは触媒又は高分子に対して好ましくは30~1000重量、より好ましくは50~200重量加える。ホウ素化合物を担持した高分子は、エポキシ基などの架橋性官能基を含む場合、架橋することができる。特に、水酸基とエポキシ基を含む場合にはこれらが反応するので好ましい。架橋することによりホウ素化合物は安定化すると共に種々の溶剤に対して不溶化し、担持したホウ素化合物の漏れを防止することができる。架橋反応により、ホウ素化合物を担持した高分子鎖同士を結合させることや、架橋基を有する材料など適当な担体に結合させることもできる。架橋反応は、加熱や紫外線照射、好ましくは加熱により架橋性官能基を反応させることにより行う。架橋反応は、これらの方法以外にも、使用する直鎖型有機高分子化合物を架橋するための従来公知の方法である、例えば架橋剤を用いる方法、過酸化物やアゾ化合物等のラジカル重合触媒を用いる方法、酸又は塩基を添加して加熱する方法、例えばカルボジイミド類のような脱水縮合剤と適当な架橋剤を組み合わせて反応させる方法等に準じても行うことができる。架橋性官能基を加熱により架橋させる際の温度は、通常50~200°C、好ましくは70~180°C、より好ましくは100~170°Cである。加熱架橋反応させる際の反応時間は、通常01~100時間、好ましくは1~50時間、より好ましくは2~10時間である。本発明においては、液相で、この高分子担持ホウ素触媒の存在下で、求核剤と特定のビニル化合物とを反応させる。本願発明で用いる求核剤は、炭素が一つの水素原子を有し、かつ少なくとも一つの電子求引性基R1を有することが必須の条件である。即ち、この求核剤は次式で表される。aCHR1mR23-mR1は、電子求引性基である。この電子求引性基としては如何なる基を用いることもできるが、例えば、それぞれ独立して、好ましくは同じであって、COR7、COOR8、-NO2又は-CNである。R7及びR8は特に制限は無く、それぞれ、置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。この炭化水素にも特に制限は無いが、例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基が挙げられる。置換基にも特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、上記の電子求引性基などが挙げられる。一方、R2には特に制限は無く、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。この炭化水素にも特に制限は無いが、例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基が挙げられる。置換基にも特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、上記の電子求引性基などが挙げられる。mは1又は2、好ましくは2を表す。mが2の場合には、各R1は異なってもよい。またmが1の場合には、2つのR2はそれぞれが結合する炭素原子と共に脂肪族の5~7員環を形成してもよい。もう一方の反応基質であるビニル化合物は求電子剤としての役割があるため、ビニル基の一端に少なくとも一つの電子求引性基R5を有し、次式で表される。bCR3R4=CR5nR62-nR5は、電子求引性基である。この電子求引性基としては如何なる基を用いることもできるが、例えば、それぞれ独立して、COR9、COOR10、-NO2又は-CN、好ましくはCOR9である。R9及びR10は特に制限は無く、それぞれ、置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。この炭化水素にも特に制限は無いが、例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基が挙げられる。置換基にも特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、上記の電子求引性基などが挙げられる。一方、R3、R4及びR6には特に制限は無く、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。この炭化水素にも特に制限は無いが、例えば、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基が挙げられる。置換基にも特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、上記の電子求引性基などが挙げられる。nは1又は2、好ましくは1を表す。また上記bビニル化合物の代わりに下記b’ビニル化合物を用いてもよい。b’CR3R4=CR11nR62-nR11はCHOHR9を表す。R3、R4、R6及びR9は、上記と同様に定義される。このような水酸基を有するビニル化合物は、上記bビニル化合物R5がCOR9である場合の前駆体と考えられる。この水酸基を有するb’ビニル化合物から1段階でマイケル反応付加生成物を合成するほうが、水酸基を有するb’ビニル化合物から一旦bビニル化合物を合成して、このbビニル化合物からマイケル反応付加生成物を合成する2段階の合成方法に比べて、効率的であり、収率も高い後記の実施例参照。この反応は液相で行なわれる。反応溶媒として、ジクロロメタン、アセトニトリル、THF、トルエン、ジグライム、ジメチルエチレングリコール、ジオキサン、HMPAなどを用いることができる。基質の濃度は、通常005~5mmolml、好ましくは01~2mmolmlである。触媒の基質に対する当量は、通常01~10mol、好ましくは1~5molである。またこの反応温度は、室温で行なうことができるが、0~100°Cの範囲であってもよい。反応時間は、03~72時間である。その結果、次式で表される付加生成物が合成される。CR1mR23-m-CR3R4-CHR5nR62-n式中、R1~R6は上記と同様を表す。なお、R2が水素原子の場合には、R1mの電子求引性の程度によって、更に反応が進んで、次式で表される付加生成物が合成される場合がある。CR1mH3-m-o-CR3R4-CHR5nR62-n1o式中、R1~R6、m、nは上記と同様を表す。oは1以上かつ3-m以下である。以下、実施例にて本発明を例証するが本発明を限定することを意図するものではない。1HNMRと13CNMRはJEOLJNMECX400JNMECX500又は、JNMECX600を使用しCDCl3を溶媒とし、テトラメチルシラン又はCDCl3を内部標準物質として測定した。高分解能質量分析はBRUKERDALTONICSBioTOFIImassspectrometer及びJEOLJMST100TDAccuTOFTLCにて測定した。ガスクロマトグラフィー分析はShimadzuGC2010apparatusにて測定した。ICP分析はShimadzuICPS7510にて測定した。カラムクロマトグラフィーにはSilicagel60を調整用薄層クロマトグラフィーにはWakogelB5Fを使用した。溶媒は定法に従い蒸留したものを使用した。ICPのサンプルは1020mgを硫酸及び硝酸の混合液中で、200°Cで3時間加熱し、室温に戻してから王水を加えることで調整した。製造例1150mLのTHFにソジウムハイドライド60inmineraloil、52gを加え、0°Cにてその反応液にテトラエチレングリコール254g、131mmolを加えた。室温で1時間撹拌した後1クロロメチル4ビニルベンゼンethoxyethoxyethoxyethanolを得た206g、662mmol、76。1HNMRδ25525935937345552555367172272773173913CNMRδ61869570570697074726730113812631280136013711380製造例2スチレン26g、25mmol、4-ビニルベンジルグリシジルエーテル国際公開WO2005085307に記載の方法に従って合成したもの475g、25mmol、製造例1で得た2ethoxyethoxyethoxyethanol767g、25mmol、及び重合開始剤和光純薬工業社製V70、308mg、1mmolをクロロホルム15mlに溶解させ、脱気操作後アルゴン中で室温、72時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、THF100mlを加えた反応液をジエチルエーテル1l中に室温にてゆっくりと滴下し、得られた沈殿物を濾過分取した後、ジエチルエーテルにて十分に洗浄した。その後、室温にて減圧乾燥させ透明ガム状固体として下式のスチレン系高分子高分子1898g、xyz293536を得た。コポリマーのモノマー成分の比は1HNMRにより決定した。実施例1製造例2で得た高分子108695gをジグライムに溶解させ、ジグライム4mL、和光純薬工業株に溶解させたNaBH4を加えた後、室温で四時間攪拌した。そののちジエチルエーテル40mL、和光純薬工業株を滴下した。ボロン固定化ポリマーをジエチルエーテルで3回洗浄し、室温で乾燥させた。乾燥させた固体を150°Cで6時間無溶媒条件で加熱した。架橋したポリマーをジクロロメタン、水で洗浄し、乳鉢と乳棒にて粉砕し170°C無溶媒条件で6時間加熱した。このようにして淡黄色固体を得た。このようにして得た触媒を以下PIBという。実施例2この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethylbenzoylacetate、3ブテン2オン、PIB、とジクロロメタンをスクリューキャップバイアルにいれ、室温で1820時間攪拌した。PIBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2benzoyl5oxohexanoateの分析結果を示す。1HNMRδ80079175375074374043741040425824722121020610913CNMRδ2078195216971358133612871286613525404299226139実施例3この実施例では下式のマイケル反応を行った。24ペンタンジオン、3ブテン2オン、PIB、とジクロロメタンをスクリューキャップバイアルにいれ、室温で1820時間攪拌した。PIBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物3Acetylhepta26dioneの分析結果を示す。1HNMRδ36223821320720113CNMRδ20742041667404300299213実施例4この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethyl2oxocyclopentanecaboxylate、3ブテン2オン、PIB、とジクロロメタンをスクリューキャップバイアルにいれ、室温で1820時間攪拌した。PIBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2oxo1cyclopentanecarboxylateの分析結果を示す。1HNMRδ41026726024321920718011813CNMRδ214920771713613588387379342298268195139実施例5この実施例では下式のマイケル反応を行った。ニトロエタン、3ブテン2オン、PIB、とジクロロメタンをスクリューキャップバイアルにいれ、室温で1820時間攪拌した。PIBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物5Nitrohexane2oneの分析結果を示す。1HNMRδ45745124824421320014813CNMRδ2065825390300286194実施例6この実施例では下式のマイケル反応を行った。Malononitrile3buten2one、PIB、とジクロロメタンをスクリューキャップバイアルにいれ、室温で1820時間攪拌した。PIBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物、ダブルマイケル付加生成物をそれぞれ透明なオイルとして得た。以下生成物2malononitrile及び22bismalononitrileの分析結果を示す。2malononitrile:1HNMRδ40527422521413CNMRδ2058112338529924921422bismalononitrile:1HNMRδ27822321513CNMRδ20441148391361315300実施例7製造例2で得た高分子101563gをジグライムに40°Cで溶解させ、ケッチェンブラックを加え15分撹拌した。ジグライム16mL、和光純薬工業株に溶解させたNaBH4を加えた後、室温で四時間攪拌した。そののちジエチルエーテル40mL、和光純薬工業株を滴下した。ボロン固定化ポリマー被覆カーボンをジエチルエーテルで3回洗浄し、室温で乾燥させた。乾燥させた固体を170°Cで4時間無溶媒条件で加熱した。架橋したポリマーをジクロロメタンで洗浄し、乳鉢と乳棒にて粉砕し黒色固体を得た。このようにして得た触媒を以下PICBBという。実施例8製造例2で得た高分子101448gをジグライムに溶解させ、ケッチェンブラックを加え0°Cにした。ジグライム22mL、和光純薬工業株に溶解させたNaBH4を加えた後、室温で15分間攪拌した。この混合溶液にジグライムに溶解させた、塩化トリフェニルホスフィン金および酢酸パラジウム2を滴下し4時間撹拌した。そののちジエチルエーテル80mL、和光純薬工業株を滴下した。金、パラジウム、ホウ素固定化ポリマー被覆カーボンをジエチルエーテルで3回洗浄し、室温で乾燥させた。乾燥させた固体を170°Cで4時間無溶媒条件で加熱した。架橋したポリマーをジクロロメタンで洗浄し、乳鉢と乳棒にて粉砕し黒色固体を得た。このようにして得た触媒を以下PICBAuPdBという。実施例9この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethylbenzoylacetate、3ブテン1オール、PICBAuPdB、とテトラヒドロフランをスクリューキャップバイアルにいれ、30°Cで20時間攪拌した。PICBAuPdBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2benzoyl5oxohexanoateの分析結果を示す。濾過にて回収した触媒は減圧下乾燥を行い、再利用に用いた。1HNMRδ80079175375074374043741040425824722121020610913CNMRδ2078195216971358133612871286613525404299226139実施例10この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethylbenzoylacetate、1フェニル3ブテン1オール、PICBAuPdB、とテトラヒドロフランをスクリューキャップバイアルにいれ、60°Cで22時間攪拌した。PICBAuPdBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2benzoyl5oxo5phenylhexanoateの分析結果を示す。IR3064298129371974191317341686159614481221974cm11HNMRδ80779575975375074345741941032231631230624923611513CNMRδ1992195316981366135913361331128711287012861280614528356232139ESIHRMScalcdforC20H20O432514398found32514334上記の反応の反応時間ごとのマイケル付加生成物と生成が予想された中間体1フェニル3ブテン1オンの収率を下表に示す。原料のビニル化合物としてカルボニル化合物の代わりにその前駆体であるアルコール化合物を用いて、1段階で反応させても、その中間体と考えられるカルボニル化合物1フェニル3ブテン1オンは検出されなかったND。参考例1この実施例では下式の酸化反応を行った。1フェニル3ペンテン1オール、PICBAuPdB、メシチレン660μL、0173mmol、東京化成とテトラヒドロフランd8をスクリューキャップバイアルにいれ、60°Cで22時間攪拌した。少量の反応溶液を重クロロホルムで薄め、1HNMRで観測しメシチレンを内部標準として収率を算出した。結果を下表に示す。この表に示すように、本願発明の触媒を使った場合、アルコール化合物からカルボニル化合物への変換率は60を超えなかった。このことは、原料としてアルコール化合物を用いて2段階でマイケル反応を行った場合には、実施例2の収率95からかなり下がった収率しか得られないことを示している。即ち、本願発明のマイケル反応の出発物質としてカルボニル化合物の代わりにその前駆体であるアルコール化合物を用いたほうが効率的であることが示唆される。実施例11この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethylbenzoylacetate、2プロペン1オール、PICBAuPdB、とテトラヒドロフランをスクリューキャップバイアルにいれ、30°Cで20時間攪拌した。PICBAuPdBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2benzoyl5oxohexanoateの分析結果を示す。1HNMRδ97780180076075774844444141641026825523522211513CNMRδ2011194816951358133712881286615526411211139実施例12この実施例では下式のマイケル反応を行った。Ethylbenzoylacetate、ビニルアルデヒド、PICBB、とテトラヒドロフランをスクリューキャップバイアルにいれ、20°Cで20時間攪拌した。PICBBを濾過にて除去し、ジクロロメタンで触媒を洗浄し、濾液と混合した。濾液の溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製しマイケル付加生成物を透明なオイルとして得た。以下生成物Ethyl2benzoyl5oxohexanoateの分析結果を示す。1HNMRδ97780180076075774844444141641026825523522211513CNMRδ2011194816951358133712881286615526411211139"