電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体と、前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを接続し、接続された前記電気的終端用中心導体から入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、前記抵抗膜の幅は、前記電気的終端用中心導体に接している位置において所定幅を有するとともに、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かう途中位置において当該所定幅よりも狭い幅を有してなり、当該抵抗膜の幅は前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されていることを特徴とする光変調器モジュール。前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって連続的に狭まることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって不連続的に狭まることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって非線形形状で狭まることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器モジュール。前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。以上のように、従来技術では抵抗膜に伝搬した高周波電気信号がジュール熱に変換される場合に、抵抗膜が熱破壊されてしまうという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、熱破壊に強い抵抗膜を具備する光変調器モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器モジュールは、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体と、前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを接続し、接続された前記電気的終端用中心導体から入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、前記抵抗膜の幅は、前記電気的終端用中心導体に接している位置において所定幅を有するとともに、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かう途中位置において当該所定幅よりも狭い幅を有してなり、当該抵抗膜の幅は前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって連続的に狭まることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって不連続的に狭まることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光変調器モジュールは、請求項1または2に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜の幅が、前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体へ向かって非線形形状で狭まることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項5に記載の光変調器モジュールは、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴としている。本発明によれば、高周波電気信号の伝搬する初期の領域では、電気的終端用中心導体に接する抵抗膜の幅を広くしているので、抵抗膜の単位面積当たりに発生するジュール熱を抵抗膜の破壊限界より小さくすることができ、高信頼な光変調器モジュールを実現することができる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図6~図11に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。[第1の実施形態]図1に、本発明の第1の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、その模式的な上面図を示す。本発明における第1の実施形態において特徴的な構成は、抵抗膜27aについて高周波電気信号26aの伝搬距離zが延びるとともに換言すれば、抵抗膜27aが電気的終端用中心導体22から電気的終端用接地導体23へ向かうとともに抵抗膜27aの幅をW1からW2へと直線的に連続的に狭めていることである。なお、抵抗膜27aについての議論は抵抗膜27bについても同様と言うことができるので、説明を簡単にするために、ここでは図1における左半分抵抗膜27aについてのみで議論する。図2には抵抗膜27aを伝搬する高周波電気信号26aの伝搬距離zを変数とした場合における、抵抗膜24aの単位面積当たりに生じるジュール熱量を示す。なお、図2には図11に示した従来のジュール熱量と抵抗膜の破壊限界も破線で図示している。図2からわかるように、図1に示した抵抗膜27aはzが小さい領域電気的終端用中心導体に接する位置およびその近傍の領域において従来よりも幅を広く構成しているので、単位面積当たりに生じるジュール熱量について抵抗膜27aを構成する材料の熱破壊限界以下に抑えることができる。さらに、抵抗膜27a、27bに求められる抵抗値は幅の変化を考慮して決定することができるので、zが大きい領域における幅を狭くすることで所望の抵抗値を実現できる。詳しく説明すれば、zが小さい領域では抵抗膜27a、27bの幅は広いので抵抗値は低い値を持つがzが大きくなると抵抗膜27a、27bの幅は狭くなるので抵抗値は高くなる。従って全体として所望一般に35~50Ω程度の抵抗値を実現することが可能となる。なお、抵抗膜27a、27bの材料は、例えばニクロムや窒化タンタルなどをあげることができるが、その他の材料でも良いことは言うまでもない。以上は図1における左半分抵抗膜27aについてのみで議論してきたが、もちろん右半分抵抗膜27bに関しても同様と言うことができ、さらに左右が完全にミラー対称でなくても本発明に属すると言うことができる。図1では抵抗膜27a、27bの幅は直線的に変えた構造を示しているが、曲線的に変えても良いし、不連続に変えても良いことは言うまでもない。以上のことは本発明の全ての実施形態について言うことができる。[第2の実施形態]図3に、本発明の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第2の実施形態を示す。この第2の実施形態においては、抵抗膜28a、28bの幅を電気的終端用中心導体22から電気的終端用接地導体23に向かって不連続に階段状に狭めている。このように構成しても高周波電気信号の伝搬距離zが小さい領域では抵抗膜28a、28bの幅がW3と広く、zがある程度の大きさになったらW4と小さく構成しているので、本発明としての効果を奏することができる。なお、図3では不連続の段数は1段であるが、これより多い段数でも良いことは言うまでもない。[第3の実施形態]図4に、本発明の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第3の実施形態を示す。この第3の実施形態においては、抵抗膜29a、29bの幅を非線形の形状で狭めている。ここでは、抵抗膜29a、29bの幅をW5からW6へと変化させている。実際には、抵抗膜29a、29bで発生するジュール熱量はexp-zの関数形に従ってzが小さい場合には大きく、zが大きくなるにつれて急速に減少するので、図4の構成のように抵抗膜29a、29bの幅を非線形に変化させる方が好適であってしかもW5を広くできるので、ジュール熱による破壊に対してより強くなると言うことができる。[第4の実施形態]図5に、本発明の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第4の実施形態を示す。図4の第3の実施形態では、抵抗膜29a、29bの幅を直線よりも急激に狭くする非線形形状としたが、図5に示すように、逆に直線よりも緩やかに狭くした非線形の形状としても良い。本実施形態は、図4に示した第3の実施形態に比較して熱破壊限界以下に抑える効果は小さいものの、抵抗膜の幅が高周波電気信号の伝搬とともに幅が狭くなっていれば本発明としての効果を奏することができる。[各種実施形態]以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップACPSや対称コプレーナストリップCPSなどの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。抵抗膜は電気的終端の中心導体の両側にある、いわゆるCPW型の終端抵抗を用いて説明してきたが、第1~第4の実施形態で示したような電気的終端用中心導体をセンターとした左右の抵抗膜が完全にミラー対称の構成でなくてもよい。また、抵抗膜が電気的終端の中心導体の片側のみにある非対称コプレーナストリップACPS型、マイクロストリップ型でも良い。さらには、1つの抵抗膜の左右例えば図1の抵抗膜27aにおける高周波電気信号26aをセンターとした場合の左右の構成を組み合わせるようにしてもよい。例えば、右側を図1のような直線状、左側を図4の非線形状などとしてもよい。つまるところ、抵抗膜の単位面積当たりに発生するジュール熱が抵抗膜の破壊限界より小さくなるように、抵抗膜の幅が高周波電気信号の伝搬方向に向かって徐々に狭くなって構成されていれば、本発明の思想に属することになる。さらに、以上の実施形態はx-カット、y-カットもしくはz-カットの面方位、即ち、基板表面カット面に対して垂直な方向に結晶のx軸、y軸もしくはz軸を持つ基板にも適用可能であるし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良い。また、基板が半導体の場合についても本発明を適用できる。