高電圧を発生する高電圧発生器と、容量素子と、その1周期がパルス供給期間および前記パルス供給期間の後のパルス休止期間を含む期間設定信号と、その周波数が前記期間設定信号の周波数よりも高いインパルス繰り返し周波数であり、かつ、その振幅値が前記高電圧の値よりも低い電圧値を表すパルス信号とを重ね合わせて、前記パルス信号が前記パルス供給期間にのみ発生する合成信号を生成する信号発生器と、前記合成信号の電圧値が予め設定されたゲート設定電圧値よりも低いときに前記高電圧発生器からの前記高電圧により前記容量素子に電荷を蓄積させ、前記合成信号の電圧値が前記ゲート設定電圧値以上であるときに、前記容量素子に蓄積された電荷を放出させ、前記容量素子から放出される電荷により前記高電圧の値をピーク値とするインパルス電圧を発生し、負荷が設けられた第1出力端子と第2出力端子との間に前記インパルス電圧を供給する半導体スイッチと、を具備することを特徴とするインパルス電圧発生装置。前記高電圧発生器の出力は前記容量素子の第1電極に接続され、前記半導体スイッチは、前記容量素子の第1電極に接続された第1端子と、前記第1出力端子に接続された第2端子と、前記信号発生器の出力に接続されたゲート端子とを備え、前記半導体スイッチは、前記ゲート端子に供給される前記合成信号の電圧値が前記ゲート設定電圧値よりも低いときに、前記半導体スイッチを介して前記容量素子の第1電極と前記第1出力端子とを接続しないで、前記高電圧発生器からの前記高電圧により前記容量素子の第1電極と第2電極との間に電荷を蓄積させ、前記ゲート端子に供給される前記合成信号の電圧値が前記ゲート設定電圧値以上であるときに、前記半導体スイッチを介して前記容量素子の第1電極と前記第1出力端子とを接続して、前記容量素子に蓄積された電荷を放出させ、前記容量素子から放出される電荷により前記高電圧の値をピーク値とする前記インパルス電圧を発生し、前記第1出力端子と、前記容量素子の第2電極の電位と同電位の前記第2出力端子との間に前記インパルス電圧を供給する、ことを特徴とする請求項1に記載のインパルス電圧発生装置。前記高電圧発生器の出力と前記容量素子の第1電極との間に設けられた抵抗素子である充電抵抗素子と、前記第1出力端子と前記第2出力端子との間に設けられた抵抗素子である負荷抵抗素子と、前記半導体スイッチの前記第2端子と前記第1出力端子との間に設けられた抵抗素子である調整抵抗素子と、をさらに具備することを特徴とする請求項2に記載のインパルス電圧発生装置。前記半導体スイッチの前記第1端子にカソードが接続され、前記半導体スイッチの前記第2端子にアノードが接続されたスイッチ用逆電圧保護ダイオード、をさらに具備することを特徴とする請求項2または請求項3に記載のインパルス電圧発生装置。直流電圧を発生する直流電源をさらに具備し、前記高電圧発生器は、前記直流電源から供給される前記直流電圧に比例し、かつ、前記直流電圧よりも高い前記高電圧を発生する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のインパルス電圧発生装置。前記直流電源は、前記高電圧を制御するために予め指定された電圧値、立ち上がり時間、および、立ち下がり時間に応じて前記直流電圧を前記高電圧発生器に供給する、ことを特徴とする請求項5に記載のインパルス電圧発生装置。前記直流電源は、前記パルス供給期間である第1パルス供給期間中に前記高電圧である第1高電圧を前記高電圧発生器に発生させるために、前記第1高電圧に比例した前記直流電圧である第1直流電圧を前記高電圧発生器に供給し、前記第1パルス供給期間の次の第2パルス供給期間中に前記第1高電圧とは異なる第2高電圧を前記高電圧発生器に発生させるために、前記第2高電圧に比例した前記直流電圧である第2直流電圧を前記高電圧発生器に供給する、ことを特徴とする請求項6に記載のインパルス電圧発生装置。前記インパルス電圧発生装置は、回転電機と、前記回転電機を駆動するためのパルス電圧を出力するインバータと、前記インバータと前記回転電機とを接続するケーブルと、を具備するシステム、または、そのシステムにおける前記回転電機のコイル部品を評価するときに用いられ、前記高電圧は、前記ケーブルと前記回転電機との接続部に発生する可能性があるインバータサージのピーク電圧、または、そのピーク電圧に安全係数を乗じた値を想定した電圧であり、前記インパルス繰り返し周波数は、前記インバータサージが繰り返し発生する場合を想定した周波数である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のインパルス電圧発生装置。前記インパルス電圧発生装置は、リニアモーターと、前記リニアモーターを駆動するためのパルス電圧を出力するインバータと、前記インバータと前記リニアモーターまたはそのコイル部品とを接続するケーブルと、を具備するシステムを評価するときに用いられ、前記高電圧は、前記ケーブルと前記リニアモーターとの接続部に発生する可能性があるインバータサージのピーク電圧、または、そのピーク電圧に安全係数を乗じた値を想定した電圧であり、前記インパルス繰り返し周波数は、前記インバータサージが繰り返し発生する場合を想定した周波数である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のインパルス電圧発生装置。前記第1出力端子にカソードが接続され、前記第2出力端子にアノードが接続され、前記負荷に対して並列に設けられた負荷用逆電圧保護ダイオード、をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載のインパルス電圧発生装置。放電ギャップを用いたインパルス電圧発生装置では、スパーク放電によりインパルス電圧を発生させる。このため、インパルス電圧の電圧値、立ち上がり時間、立ち下がり時間、および、インパルス繰り返し周波数などのパラメータが一定にならないことが多い。スパーク放電は大気中で発生する。このため、上記パラメータが一定になるように、一定の圧力空気を第1電極と第2電極との間に供給する必要がある。それでも上記パラメータが一定にならない理由がある。その理由として、第1電極および第2電極の表面はスパーク放電により放電痕が生じる。このため、上記パラメータが一定になるように、第1電極および第2電極の表面を定期的に清掃または交換する必要がある。また、インパルス電圧のピーク値を調整する度に、第1電極と第2電極との間の距離、すなわち、放電ギャップを調整する必要がある。放電ギャップはわずかな距離の変化でも上記パラメータが変わるため、放電ギャップを調整することは多大な時間を要する。このように、放電ギャップを用いたインパルス電圧発生装置では、上記試験において、安定したインパルス電圧を繰り返し発生させることが困難である。また、非特許文献1では、半導体スイッチを用いて高電圧パルスを発生させる回路が記載されている。しかし、インパルス電圧を繰り返し発生させる期間と、そのインパルス電圧を発生させない期間とを交互に行う試験を実現する構成ではない。本発明が解決しようとする課題は、安定したインパルス電圧を繰り返し発生させる期間と、そのインパルス電圧を発生させない期間とを交互に行う試験を実現することにある。本発明のインパルス電圧発生装置は、高電圧を発生する高電圧発生器と、容量素子と、その1周期がパルス供給期間および前記パルス供給期間の後のパルス休止期間を含む期間設定信号と、その周波数が前記期間設定信号の周波数よりも高いインパルス繰り返し周波数であり、かつ、その振幅値が前記高電圧の値よりも低い電圧値を表すパルス信号とを重ね合わせて、前記パルス信号が前記パルス供給期間にのみ発生する合成信号を生成する信号発生器と、前記合成信号の電圧値が予め設定されたゲート設定電圧値よりも低いときに前記高電圧発生器からの前記高電圧により前記容量素子に電荷を蓄積させ、前記合成信号の電圧値が前記ゲート設定電圧値以上であるときに、前記容量素子に蓄積された電荷を放出させ、前記容量素子から放出される電荷により前記高電圧の値をピーク値とするインパルス電圧を発生し、負荷が設けられた第1出力端子と第2出力端子との間に前記インパルス電圧を供給する半導体スイッチと、を具備することを特徴とする。本発明によれば、安定したインパルス電圧を繰り返し発生させる期間と、そのインパルス電圧を発生させない期間とを交互に行う試験を実現することができる。以下、本発明に係るインパルス電圧発生装置の実施形態について、図面を参照して説明する。[第1実施形態]本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置は、たとえば図8に示されるようなシステムに適用される。そのシステムは、回転電機1と、インバータ2と、ケーブル3とを具備している。ケーブル3は、インバータ2と回転電機1とを接続する。回転電機1としては、電動機モーターや発電機が例示される。インバータ2は、スイッチング動作により直流電圧からパルス電圧に変換し、そのパルス電圧を、ケーブル3を介して回転電機1に供給する。回転電機1は、パルス電圧により駆動する。しかし、上述のシステムでは、インバータ2とケーブル3と回転電機1とのインピーダンス不整合により、反射波が発生する。その反射波がパルス電圧に重畳することにより、ケーブル3と回転電機1との接続部4で、インバータサージが発生する可能性がある。このインバータサージは、その立ち上がり時間が非常に短くたとえば50ns~2μs、その立ち下がり時間が立ち上がり時間に比べて長い。インバータサージが繰り返し発生するときの周波数は、たとえば1kHz~20kHzである。そこで、上述のシステム、または、そのシステムにおける回転電機1のコイル部品を評価する試験の1つとして、インバータサージを模擬的に発生させて、たとえば負荷として上記接続部に印加する試験がある。この試験では、模擬的なインバータサージとしてインパルス電圧を繰り返し発生させて、そのインパルス電圧を負荷に印加する期間と、そのインパルス電圧を発生させない期間とを交互に行う。本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置では、上記試験を実現する。図1は、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置の構成を示す回路図である。図1に示されるように、第1実施形態のインパルス電圧発生装置は、直流電源10と、高電圧発生器HVDC13と、容量素子16と、充電抵抗素子21と、負荷抵抗素子22と、調整抵抗素子23と、第1出力端子31と、第2出力端子32と、信号発生器33と、スイッチ用逆電圧保護ダイオード34と、半導体スイッチ40と、を具備している。高電圧発生器13の出力は容量素子16の第1電極正電極11に接続されている。容量素子16の第2電極負電極12は第2出力端子32の電位と同電位である。具体的には、第2出力端子32は接地されている。高電圧発生器13は、後述の高電圧HVDCを出力する。高電圧HVDCは、高電圧発生器13の第1電位から第2電位までの電位差を表している。本実施形態では、高電圧発生器13の第1電位を0[V]に設定し、高電圧発生器13の第2電位を高電圧HVDCに設定するために、高電圧発生器13の第1電位側の配線図示しないおよび筐体図示しないは接地されている。直流電源10は、入力用直流電源14と、制御用直流電源15とを含んでいる。入力用直流電源14の出力は高電圧発生器13の入力ポート図示しないに接続されている。入力用直流電源14は、後述の直流電圧VDCを出力する。直流電圧VDCは、入力用直流電源14の第1電位から第2電位までの電位差を表している。本実施形態では、入力用直流電源14の第1電位を0[V]に設定し、入力用直流電源14の第2電位を直流電圧VDCに設定するために、入力用直流電源14の第1電位側の配線図示しないおよび筐体図示しないは接地されている。制御用直流電源15の出力は高電圧発生器13の入力ポート図示しないに接続され、制御用直流電源15は、入力ポートにより高電圧発生器13に流すことができる電流の値を制御する電圧後述の制御信号を出力する。その電圧は、制御用直流電源15の第1電位から第2電位までの電位差を表している。本実施形態では、制御用直流電源15の第1電位を0[V]に設定し、制御用直流電源15の第2電位を上記電圧に設定するために、制御用直流電源15の第1電位側の配線図示しないおよび筐体図示しないは接地されている。高電圧発生器13の出力と容量素子16の第1電極11との間には抵抗素子である充電抵抗素子21が設けられている。第1出力端子31と第2出力端子32との間には抵抗素子である負荷抵抗素子22が設けられている。たとえば、第1出力端子31と第2出力端子32との間には、インパルス電圧を供給する負荷として、前述したケーブル3と回転電機1との接続部4が設けられる。半導体スイッチ40は、容量素子16の第1電極11に接続された第1端子41と、第1出力端子31に接続された第2端子42と、ゲート端子43とを備えている。第1端子41と第2端子42との間には抵抗素子が設けられている。半導体スイッチ40は、ゲート端子43に供給される電圧値が、予め設定されたゲート設定電圧値以上であるときにオンし、第1端子41と第2端子42とを接続する。半導体スイッチ40の第2端子42と第1出力端子31との間には抵抗素子である調整抵抗素子23が設けられている。スイッチ用逆電圧保護ダイオード34は、半導体スイッチ40の第1端子41にカソードが接続され、半導体スイッチ40の第2端子42にアノードが接続されている。すなわち、スイッチ用逆電圧保護ダイオード34は、半導体スイッチ40に対して並列に設けられ、整流ダイオードとして使われる。信号発生器33の出力は、半導体スイッチ40のゲート端子43に接続されている。次に、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置の動作として、高電圧発生器13、入力用直流電源14、および、制御用直流電源15の動作について説明する。入力用直流電源14は、直流電圧VDCを発生し、その直流電圧VDCを高電圧発生器13に供給する。高電圧発生器13は、入力用直流電源14から供給される直流電圧VDCに比例し、かつ、直流電圧VDCよりも高い高電圧HVDCHVDC>>VDCを発生し、その高電圧HVDCを容量素子16に印加する。この高電圧HVDCは、前述のインバータサージのピーク電圧、または、そのピーク電圧に安全係数を乗じた値を想定した電圧である。安全係数は、エンハンスメントファクターEnhancementfactorとも呼ばれ、上述のシステムまたはそのシステムにおける回転電機1のコイル部品を試験により厳しく評価する場合に、たとえば1.3などの予め決められた数値が用いられる。たとえば、高電圧発生器13は、入力用直流電源14から供給される直流電圧VDCに対して3000倍の電圧を上記高電圧HVDCとして発生する。ここで、高電圧発生器13は、直流電圧VDCが0V~10Vの範囲であるときに、高電圧HVDCを0V~30kVの範囲で出力する。すなわち、直流電圧VDCが10Vであるとき、高電圧発生器13は、直流電圧VDCの10Vに対して3000倍の電圧である30kVを上記高電圧HVDCとして発生する。図2は、入力用直流電源14が高電圧発生器13に発生させることが可能な高電圧HVDCの波形として、パルス波を示す図である。図3は、図2とは異なる波形として、ランプ波を示す図である。図4は、図2および図3とは異なる波形として、パルス波やランプ波を組み合わせたときの波形を示す図である。制御用直流電源15は、直流電圧VDCの電圧値、立ち上がり時間、および、立ち下がり時間を指定するための制御信号を入力用直流電源14に出力する。図3~図5に示されるように、制御用直流電源15は、制御信号により直流電圧VDCの電圧値、立ち上がり時間、および、立ち下がり時間を調整することにより、一定の高電圧HVDCの他に、高電圧HVDCの波形をパルス波、ランプ波、および、パルス波やランプ波を組み合わせたときの波形に変形することも可能である。本実施形態では、制御用直流電源15は、高電圧発生器13に流れる電流の最大値を設定できる。次に、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置の動作として、信号発生器33および半導体スイッチ40の動作について説明する。まず、信号発生器33の動作について説明する。図5は、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置の信号発生器33が発生する期間設定信号50およびパルス信号53と、信号発生器33が生成する合成信号54と、半導体スイッチ40が合成信号54に基づいて発生するインパルス電圧55とを示す図である。信号発生器33には、第1の周波数として設定周波数f1が予め設定され、第1の振幅値として第1電圧値V1が予め設定される。信号発生器33は、設定周波数f1が設定されたときに、図5に示されるような波形関数で表される期間設定信号50を発生する。期間設定信号50は、その周波数が設定周波数f1であり、その振幅が第1電圧値V1である。期間設定信号50の1周期は、パルス供給期間51と、パルス供給期間51の後のパルス休止期間52とを含んでいる。期間設定信号50の波形が方形波である場合、パルス供給期間51は、期間設定信号50の振幅値である第1電圧値V1を表す期間であり、パルス休止期間52は、振幅値がない期間である。期間設定信号50の1周期をパルス供給期間51とパルス休止期間52とに分けることが可能である場合、期間設定信号50の波形は、方形波に限らず、正弦波、三角波でもよい。また、信号発生器33には、第2の周波数として設定周波数f1よりも高く設定されたインパルス繰り返し周波数f2f2>f1が予め設定され、第2の振幅値として第2電圧値V2が予め設定される。インパルス繰り返し周波数f2は、前述のインバータサージが繰り返し発生する場合たとえば1kHz~20kHzを想定した周波数である。信号発生器33は、インパルス繰り返し周波数f2および第2電圧値V2が設定されたときに、図5に示されるようなパルス信号53を発生する。パルス信号53は、その周波数がインパルス繰り返し周波数f2であり、その振幅が第2電圧値V2である。たとえば、設定周波数f1が500Hzである場合、インパルス繰り返し周波数f2は10kHzである。信号発生器33は、パルス信号53を発生したときに、期間設定信号50とパルス信号53とを重ね合わせて、図5に示されるように、パルス信号53がパルス供給期間51にのみ発生する合成信号54を生成し、半導体スイッチ40のゲート端子43に供給する。ここで、合成信号54の電圧値である第3電圧値V3は、パルス信号53の第2電圧値V2を表しているV3=V2。または、第3電圧値V3は、期間設定信号50の第1電圧値V1とパルス信号53の第2電圧値V2との論理積を表しているV3=V1AndV2。この第3電圧値V3は、半導体スイッチ40をオンするためのゲート設定電圧値Vgたとえば5Vと信号発生器33の仕様との組み合わせによって決定され、高電圧HVDCの値よりも大幅に低く、ゲート設定電圧値Vgよりも高いVg<V3<<HVDC。次に、半導体スイッチ40の動作について説明する。いま、入力用直流電源14から第1制御信号が発生されたものとする。この第1制御信号は、パルス供給期間51である第1パルス供給期間中に高電圧HVDCである第1高電圧たとえば10kVを高電圧発生器13に発生させる。すなわち、入力用直流電源14から発生される第1制御信号により、指定された電圧値、立ち上がり時間、および、立ち下がり時間に応じた第1直流電圧3.3Vが高電圧発生器13に供給された場合、高電圧発生器13は、第1直流電圧3.3Vに対して3000倍の電圧を第1高電圧10kVとして発生する。ただし、高電圧発生器13に流れる電流の値が制御用直流電源15で規定されている電流値を超える場合には、制御用直流電源15によって、高電圧HVDCである第1高電圧10kVは発生しない。半導体スイッチ40は、ゲート端子43に供給される合成信号54の電圧値である第3電圧値V3がゲート設定電圧値Vgよりも低いときにオフし、第1端子41と第2端子42とを接続しない。このとき、高電圧発生器13から容量素子16に印加された高電圧HVDC{この場合、第1高電圧10kV}により、容量素子16の第1電極11と第2電極12との間には電荷が蓄積される。すなわち、半導体スイッチ40は、容量素子16を充電する。半導体スイッチ40は、ゲート端子43に供給される合成信号54の第3電圧値V3がゲート設定電圧値Vg以上であるときにオンし、第1端子41と第2端子42とを接続する。この場合、容量素子16の第1電極11は半導体スイッチ40および調整抵抗素子23を介して第1出力端子31に接続される。このとき、容量素子16に蓄積された電荷が放出される。すなわち、半導体スイッチ40は、容量素子16を放電する。その結果、半導体スイッチ40は、容量素子16から放出される電荷により、図5に示されるように、上記高電圧HVDC{第1高電圧10kV}の値をピーク値とするインパルス電圧55を発生して、そのインパルス電圧55を第1出力端子31と第2出力端子32との間に出力する。図6は、図5のX部分を拡大したときのインパルス電圧55を示す図である。図7は、図6のY部分を拡大したときのインパルス電圧55の立ち上がりを示す図である。図6および図7に示されるように、インパルス電圧55は、その立ち上がり時間が非常に短くたとえば20ns~200ns、その立ち下がり時間が立ち上がり時間に比べて長いたとえば20μs。インパルス幅インパルス電圧が立ち上がり終わってから立ち下がり始めるまでの幅は1μs~10μsであり、インパルス繰り返し周波数f2は1kHz~20kHz上述の例では10kHzである。このように、第1実施形態のインパルス電圧発生装置によれば、安定したインパルス電圧55を繰り返し発生させるパルス供給期間51と、そのインパルス電圧55を発生させないパルス休止期間52とを交互に行う試験を実現することができる。また、第1実施形態のインパルス電圧発生装置によれば、上述のインパルス電圧55を繰り返し発生させることにより、上述のシステムを正確に評価することができる。また、第1実施形態のインパルス電圧発生装置では、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に増加させる試験を実現することもできる。たとえば、入力用直流電源14から、第1制御信号の後に第2制御信号が発生されたものとする。たとえば、第2制御信号は、第1パルス供給期間の次のパルス供給期間51である第2パルス供給期間中に第1高電圧とは異なる高電圧HVDCである第2高電圧{たとえば第1高電圧10kVよりも高い12kV}を高電圧発生器13に発生させる。すなわち、入力用直流電源14から発生される第2制御信号により、指定された電圧値、立ち上がり時間、および、立ち下がり時間に応じた第2直流電圧4.0Vが高電圧発生器13に供給された場合、高電圧発生器13は、第2直流電圧4.0Vに対して3000倍の電圧を第2高電圧12kVとして発生する。ただし、高電圧発生器13に流れる電流の値が制御用直流電源15で規定されている電流値を超える場合には、制御用直流電源15によって、高電圧HVDCである第2高電圧12kVは発生しない。半導体スイッチ40は、ゲート端子43に供給される合成信号54の電圧値である第3電圧値V3がゲート設定電圧値Vgよりも低いときにオフし、第1端子41と第2端子42とを接続しない。このとき、高電圧発生器13から容量素子16に印加された高電圧HVDC{この場合、第2高電圧12kV}により、容量素子16の第1電極11と第2電極12との間には電荷が蓄積される。すなわち、半導体スイッチ40は、容量素子16を充電する。半導体スイッチ40は、ゲート端子43に供給される合成信号54の第3電圧値V3がゲート設定電圧値Vg以上であるときにオンし、第1端子41と第2端子42とを接続する。この場合、容量素子16の第1電極11は半導体スイッチ40および調整抵抗素子23を介して第1出力端子31に接続される。このとき、容量素子16に蓄積された電荷が放出される。その結果、半導体スイッチ40は、容量素子16から放出される電荷により、上記高電圧HVDC{第2高電圧12kV}の値をピーク値とするインパルス電圧55を発生して、そのインパルス電圧55を第1出力端子31と第2出力端子32との間に出力する。第1実施形態のインパルス電圧発生装置では、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に増加させる試験を実現するために、入力用直流電源14は、たとえば、第1~第6パルス供給期間51中に徐々に増加する高電圧HVDCとして第1~第6高電圧10kV、12kV、14kV、16kV、18kV、20kV}を高電圧発生器13に発生させる。その結果、半導体スイッチ40が、信号発生器33により生成される合成信号54に基づいて、スイッチング動作により第1~第6パルス供給期間51中に上述のインパルス電圧55を繰り返し発生させる。また、第1実施形態のインパルス電圧発生装置では、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に増加させ、その後、所定のタイミングあるいは任意のタイミングで、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に減少させる試験を実現することもできる。この場合、入力用直流電源14は、たとえば、第1~第6パルス供給期間51中に徐々に増加する高電圧HVDCとして第1~第6高電圧10kV、12kV、14kV、16kV、18kV、20kVを高電圧発生器13に発生させる。次に、第7~第11パルス供給期間51中に徐々に減少させる高電圧HVDCとして第7~第11高電圧18kV、16kV、14kV、12kV、10kVを高電圧発生器13に発生させる。その結果、半導体スイッチ40が、信号発生器33により生成される合成信号54に基づいて、スイッチング動作により第1~第11パルス供給期間51中に上述のインパルス電圧55を繰り返し発生させる。また、第1実施形態のインパルス電圧発生装置では、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に増加させ、所定のタイミングあるいは任意のタイミングで、パルス供給期間51毎の高電圧HVDCを一定にする試験を実現することもできる。この場合、入力用直流電源14は、たとえば、第1~第6パルス供給期間51中に徐々に増加する高電圧HVDCとして第1~第6高電圧10kV、12kV、14kV、16kV、18kV、20kVを高電圧発生器13に発生させる。次に、第7~第11パルス供給期間51中に一定の高電圧HVDCとして第6高電圧20kVを高電圧発生器13に発生させる。その結果、半導体スイッチ40が、信号発生器33により生成される合成信号54に基づいて、スイッチング動作により第1~第11パルス供給期間51中に上述のインパルス電圧55を繰り返し発生させる。また、第1実施形態のインパルス電圧発生装置では、パルス供給期間51毎に高電圧HVDCを徐々に減少させ、所定のタイミングあるいは任意のタイミングで、パルス供給期間51毎の高電圧HVDCを一定にする試験を実現することもできる。この場合、入力用直流電源14は、たとえば、第1~第6パルス供給期間51中に徐々に増加する高電圧HVDCとして第1~第6高電圧20kV、18kV、16kV、14kV、12kV、10kVを高電圧発生器13に発生させる。次に、第7~第11パルス供給期間51中に一定の高電圧HVDCとして第6高電圧10kVを高電圧発生器13に発生させる。その結果、半導体スイッチ40が、信号発生器33により生成される合成信号54に基づいて、スイッチング動作により第1~第11パルス供給期間51中に上述のインパルス電圧55を繰り返し発生させる。このように、第1実施形態のインパルス電圧発生装置によれば、安定したインパルス電圧55を繰り返し発生させるパルス供給期間51と、そのインパルス電圧55を発生させないパルス休止期間52とを交互に行う試験を実現することができる上に、複数種類のインパルス電圧55をパルス供給期間51毎に発生させることができる。なお、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置では、上述のシステム図8参照の他に、たとえば図9に示されるようなシステムにも適用可能である。図9は、図8とは異なる例として、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置が適用されるシステムの構成を示す図である。このシステムでは、上述の回転電機1に代えて、リニアモーター5を具備している。リニアモーター5は、たとえば、磁気浮上式リニアモーターカーやその他の用途に利用されている。この場合、ケーブル3は、インバータ2とリニアモーター5またはそのコイル部品とを接続する。インバータ2は、スイッチング動作により直流電圧からパルス電圧に変換し、そのパルス電圧を、ケーブル3を介してリニアモーター5に供給する。リニアモーター5は、パルス電圧により駆動する。[第2実施形態]第2実施形態について、第1実施形態の変更点のみ説明する。図10は、本発明の第2実施形態に係るインパルス電圧発生装置の構成を示す回路図である。図11は、本発明の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置において、負荷にインダクタンス成分が含まれている場合、図5のX部分を拡大したときのインパルス電圧を示す図である。図12は、本発明の第2実施形態に係るインパルス電圧発生装置において、負荷にインダクタンス成分が含まれている場合、図5のX部分を拡大したときのインパルス電圧を示す図である。図10に示されるように、第2実施形態のインパルス電圧発生装置は、第1実施形態の構成に加えて、負荷用逆電圧保護ダイオード44を具備している。負荷用逆電圧保護ダイオード44は、第1出力端子31にカソードが接続され、第2出力端子32にアノードが接続されている。すなわち、負荷用逆電圧保護ダイオード44は、負荷抵抗素子22および負荷に対して並列に設けられ、整流ダイオードとして使われる。前述の第1実施形態に係るインパルス電圧発生装置では、第1出力端子31と第2出力端子32との間の負荷にインダクタンス成分が含まれている場合、そのインダクタンス成分により逆起電力が発生する。このため、図11に示されるように、パルス供給期間51にインパルス電圧55を発生させるときに、正極性の高電圧HVDCをピーク値とする第1波が発生した後に、0[V]に安定するまで第2波以降の電圧が発生する。たとえば、インダクタンス成分で発生する逆起電力によって、第1波の後に負極性の電圧をピーク値とする第2波が発生する。すなわち、逆電圧が発生する。その逆電圧により、第2波の後に正極性の電圧をピーク値とする第3波が発生し、第3波の後に負極性の電圧をピーク値とする第4波が発生する。インパルス電圧55として必要な成分は第1波である。一方、第2実施形態のインパルス電圧発生装置では、第1出力端子31と第2出力端子32との間の負荷にインダクタンス成分が含まれている場合、負荷用逆電圧保護ダイオード44により上述の逆電圧を防止する。このため、図12に示されるように、パルス供給期間51にインパルス電圧55を発生させるときに、負荷にインダクタンス成分が含まれていても、正極性の高電圧HVDCをピーク値とする第1波だけが発生する。したがって、第2実施形態のインパルス電圧発生装置によれば、インパルス電圧55として必要な成分だけを得ることができる。以上、本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更することができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。