Cu0.3~1.0質量、Ni0.01~0.1質量、P0.0001~0.02質量、残部Snからなるはんだ合金から成るダイボンディング用はんだペレット。Ag3.0~4.0質量、Cu0.3~1.0質量、Ni0.01~0.1質量、P0.0001~0.02質量、残部Snからなるはんだ合金から成るダイボンディング用ペレット。In0.2~2.0質量、P0.0001~0.02質量、残部Snからなるはんだ合金から成るダイボンディング用ペレット。半導体素子と基板がSn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明の30~50原子O酸素、5~15原子Pおよび残部Snからなる保護膜、または10~30原子In、40~60原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜を有するダイボンディング用ペレットを用いてダイボンディング接合されており、しかも該接合面におけるボイド率が10以下となっていることを特徴とする電子部品。従来、ダイボンディング接合用に用いられていたはんだは、SnPb系はんだであった。ところがSnPb系はんだは、鉛公害の問題からその使用が規制されるようになってきており、今日では鉛を含まない所謂鉛フリーはんだが使用されるようになってきた。この鉛フリーはんだとは、Sn或いはSn主成分にAg、Cu、Sb、Bi、In、Ni、Cr、Mo、Ge、Ga、P等の第三元素を適宜添加したものである。SnPb系はんだでは、濡れ性に優れていることから、フラックスレスでダイボンディング接合を行っても、ボイドの発生は少なかった。しかしながら鉛フリーはんだはSnPb系はんだに較べて濡れ性が劣るためフラックスレスでのダイボンディング接合ではボイドが多く発生していた。このようにダイボンディング接合で、大量のボイドが発生すると、熱放出が悪くなるばかりでなく、接合強度も弱くなって、製品使用時の電気的な発熱により基板全体が膨張収縮を繰り返し、繰り返し熱疲労により接合部にクラックが発生して半導体素子からの熱放出を阻害し、デバイスの機能を低下させる。本発明は、濡れ性に劣る鉛フリーはんだを用いているにもかかわらず、ダイボンディング接合においてボイドの発生が極めて少ないというダイボンディング接合用はんだペレットおよびボイドの少ない電子部品を提供することにある。本発明者は、Sn主成分の鉛フリーはんだの表面にSnとOとPからなる無色透明の保護皮膜やSnとInとOとPからなる無色透明の保護皮膜を形成することで、はんだ加熱時に、はんだ表面に強固な黄色から褐色にみえるSnO2やIn2O3の酸化皮膜が形成されることを防止し、更に、加熱により保護膜が容易に粉砕され、溶融はんだ本来の流動性、反応性が向上することを突き止め、本発明を完成させた。本発明は、電子部品の半導体素子と基板を接合するダイボンディング用はんだペレットにおいて、該ペレットはSn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明の30~50原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜または、10~30原子In、40~60原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、保護膜の厚みは好ましくは05~20nm、より好ましくは1~5nmが適している。さらに、電子部品の半導体素子と基板を接合するダイボンディング用はんだペレットにおいて、Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明の厚さ05~20nmで、30~50原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜をはんだ付け時の加熱で形成するダイボンディング用はんだペレットである。また別の発明は、電子部品の半導体素子と基板を接合するダイボンディング用はんだペレット使用、該ペレットはSn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明の30~50原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜または、10~30原子In、40~60原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットで、半導体素子と基板をダイボンディング接合してあり、しかも該接合面におけるボイド率が10以下であることを特徴とする電子部品である。本発明のダイボンディング接合用はんだペレットは、鉛フリーはんだを用いているため、電子機器が故障して屋外や地中に廃棄処分されても、酸性雨で鉛が溶け出すことがなく、従って環境汚染を引き起こすことがない。また本発明のはんだペレットは、本来、濡れ性に劣る鉛フリーはんだを用いているにもかかわらず、濡れ性に優れているため、ボイドの発生が少ない。そして本発明の電子部品は、半導体素子と基板間にボイドが少ないため、充分な接合強度が得られるという信頼性に優れたものである。本発明に用いる鉛フリーはんだは、Sn100または、Sn主成分の合金である。Snは単体で鉛フリーはんだとして使用することもあり、またSnに第三元素を添加して使用することもある。本発明に使用して好適な鉛フリーはんだは、Sn系合金、SnCu系合金、SnAg系合金、SnAgCu系合金、SnBi系合金、SnIn系合金のいずれかである。ここで系とは、主要成分に前述第三元素を適宜添加したものである。例えばSnAg系とは、SnAgそのものの他、該合金に第三元素を適宜添加したものも含む。本発明のダイボンディング用はんだペレットに使用する鉛フリーはんだには無色透明の30~50原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜および、10~30原子In、40~60原子O酸素、5~15原子Pおよび残部実質Snからなる保護膜を形成するためには、予め、はんだ合金にPを00001~002質量添加する必要がある。Pの添加量が00001質量よりも少ないと、これらの保護膜は形成が困難であり、黄色のSn02膜の形成を抑止することは困難であり、しかるに002質量よりも多く添加するとはんだ自身の液相線温度が上昇し濡れ性が低下するとともに、はんだ組織内部にSnPの化合物が大きく晶出して、機械的特性が低下する。本発明のダイボンディング用はんだペレットは、厚さが005mmよりも薄いと、接合部である半導体素子と基板間に存在するはんだの量が少なすぎて接合強度が充分とならないばかりでなく、ボイドが発生しやすくなる。しかるにペレットの厚さが1mmを超えるとはんだの量が多くなりすぎて、接合後に余剰のはんだが半導体素子から多くはみ出てしまい、不要箇所にはんだが付着したり、その後のワイヤーボンディングの際にワイヤーに接触したりしてしまう。また本発明のダイボンディング用はんだペレットは、形状が接合する半導体素子と略同一となっている。はんだペレットが半導体素子よりも余りにも小さすぎるとはんだが半導体素子全域に行きわたらなくなり、更に、ボイドも増加するため接合強度が弱くなる。しかるにはんだペレットが半導体素子よりも大きすぎると素子からはみ出たはんだペレット上面に拘束力がなくなるため、表面張力にしたいがい、球状になり、素子下部のはんだ量が低下し、結果的に熱疲労による接合信頼性を低下させることとなるばかりでなく、素子からはみ出たはんだが不良箇所に付着して短絡事故を起こす原因となる。本発明の電子部品は、半導体素子と基板がPを1~200ppm添加した合金でダイボンディング接合されたものであり、接合面におけるボイドの占める面積割合ボイド率が10以下である。一般的に、半導体素子と基板の接合面におけるボイド率が多いと熱伝導性、接合強度を増加させるために、はんだ厚さの増加、基板の熱膨張の低減など、設計を大きく変更する必要があり、現代のファインピッチ実装に逆行することこととなる。接合強度も弱くなって、製品使用時の電気的な発熱により基板全体が膨張収縮を繰り返し、繰り返し熱疲労により接合部にクラックが発生して半導体素子からの熱放出を阻害し、デバイスの機能を低下させる。そのため本発明では、ボイド率を10以下とした。10×10×03の半導体素子を30×30×03の基板ニッケルメッキした銅基板にはんだペレットでダイボンディング接合を行った。使用した鉛フリーはんだは表1の通りで、SnCuNi系はんだにPを添加したものである。はんだペレットの形状を10×10×01mmに成型して、該はんだペレットを半導体素子と基板間に挟み込み、酸素濃度が50ppmの水素窒素混合ガス雰囲気中で235°C以上に3分間、ピーク温度280°C、総リフロー時間15分間でリフローを行った。表面に発生した保護膜の厚みと金属組成をxpsで測定した。さらに、該ダイボンディング接合した部分を透過X線装置でボイドを観察し、ボイド率を計測した。10×10×03の半導体素子を30×30×03の基板ニッケルメッキした銅基板にはんだペレットでダイボンディング接合を行った。使用した鉛フリーはんだは表1の通りで、SnAgCu系はんだにPを添加したものである。はんだペレットの形状を10×10×01mmに成型して、該はんだペレットを半導体素子と基板間に挟み込み、酸素濃度が50ppmの水素窒素混合ガス雰囲気中で235°C以上に3分間、ピーク温度280°C、総リフロー時間15分間でリフローを行った。表面に発生した保護膜の厚みと金属組成をXPSで測定した。さらに、該ダイボンディング接合した部分を透過X線装置でボイドを観察し、ボイド率を計測した。10×10×03の半導体素子を30×30×03の基板ニッケルメッキした銅基板にはんだペレットでダイボンディング接合を行った。使用した鉛フリーはんだは表1の通りで、SnIn系はんだにPを添加したものである。はんだペレットの形状を10×10×01mmに成型して、該はんだペレットを半導体素子と基板間に挟み込み、酸素濃度が50ppmの水素窒素混合ガス雰囲気中で235°C以上に3分間、ピーク温度280°C、総リフロー時間15分間でリフローを行った。表面に発生した保護膜の厚みと金属組成をxpsで測定した。さらに、該ダイボンディング接合した部分を透過X線装置でボイドを観察し、ボイド率を計測した。実施例1~3のはんだペレット組成、表面に発生した保護膜の厚みと金属組成およびボイド率の計測結果を表1~3示す。ここで、保護膜の厚みおよび金属組成はxpsにより、02nm単位でスパッタリングし、深さ方向の情報を収集し、またボイド率は、X線透過タイプの断面観察装置を用いて50倍で測定した。表1~3から明らかなように、鉛フリーはんだにPを添加したはんだでダイボンディング接合した電子部品は、それと同一組成でPを添加していないはんだに較べてボイド率が40以上も少なくなっていることが分かる。またPを添加したはんだでダイボンディング接合した場合は、ボイド率が10以下であったが、Pを添加していないはんだでダイボンディング接合した場合は、ボイド率が10を超えていた。