"第1の層厚を有する第1のナノ構造金属層4を含むバンドパスフィルタと、第2の層厚を有する第2のナノ構造金属層7を含むバンドストップフィルタとの組み合わせを少なくとも1つ有し、それらの一方が他方の上に配置され、前記バンドストップフィルタは、前記バンドパスフィルタの透過帯域幅と部分的に重なる隣接する波長帯域を遮断するように、前記バンドパスフィルタに対して調整されており、前記第1および第2の層厚が互いに異なることを特徴とする光学的フィルタシステム。前記第1の層厚は130nmと270nmとの間にて選択されることを特徴とする請求項1に記載の光学的フィルタシステム。前記第2の層厚は30nmと170nmとの間にて選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の光学的フィルタシステム。前記第1の層厚は150nmと250nmとの間にて選択され、前記第2の層厚は50nmと150nmとの間にて選択されることを特徴とする請求項1に記載の光学的フィルタシステム。前記第1のナノ構造金属層4はホールアレイ5を形成し、前記第2のナノ構造金属層7はアイランドアレイ8を形成することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光学的フィルタシステム。前記バンドパスフィルタと前記バンドストップフィルタとの複数の組み合わせが、互いに隣り合うように配列されていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光学的フィルタシステム。少なくとも幾つかの前記組み合わせが、異なる波長透過帯域を有することを特徴とする請求項6に記載の光学的フィルタシステム。前記フィルタのそれぞれの横方向の寸法が5mm以下であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の光学的フィルタシステム。波長選択的な検出のために上記請求項のいずれかに記載のフィルタシステムを有する光学的センサまたは分光器。この発明の目的は、小さな周波数帯域幅を有する異なるフィルタを非常に小さいスペースに横方向に隣接配置することが可能であり、かつ、半導体プロセス、特にCMOSプロセスにその製造を容易に統合することが可能な光学的フィルタシステムを提案することにある。この目的は、請求項1に係る光学的フィルタシステムによって解決される。この光学的フィルタシステムの有利な変形は、従属項の目的であり、また以下の説明や実施形態から結論付けられるであろう。提案に係る光学的フィルタシステムは、フィルタの組み合わせ効果を発揮させるために一方の上に他方が配置されたバンドパスフィルタとバンドストップフィルタとの組み合わせを少なくとも1つ含む。バンドパスフィルタは、第1の層厚を有する第1のナノ構造金属層から作成され、バンドストップフィルタは、第2の層厚を有する第2のナノ構造金属層から作成され、第1の層厚と第2の層厚とが異なるように選択される。これに関連して、バンドパスフィルタの透過帯域幅と部分的に重なる隣接する波長帯域を遮断するように、バンドストップフィルタがバンドパスフィルタに対して調整される。よって、バンドパスフィルタの透過帯域の側面フランクflankの1つがバンドストップフィルタにより遮断され、光学的フィルタシステムは、バンドパスフィルタよりも狭い透過帯域幅または周波数帯域幅を有する。層厚の異なる選択は、フィルタシステムの中心波長での高いフィルタ透過を伴うフィルタ特性の向上を可能とする。第1の層厚は、好ましくは130nm~270nmの間、特に好ましくは150nm~250nmの間の範囲において選択され、第2の層厚は、好ましくは30nm~170nmの間、特に好ましくは50nm~150nmの間の範囲において選択される。これらの値により、特に、急峻なフランクを伴う狭帯域幅と、中心波長での高い透過性との組み合わせに関し、特に有利なフィルタ特性が得られる。これに関連し、バンドパスフィルタは、好ましくは、ホールアレイの形態、すなわちEOTフィルタの形態のナノ構造金属層として構成される。このフィルタの相対的に広い透過帯域幅は、システム全体においてバンドストップフィルタとの組み合わせとして使用されるときに、かなり低減される。そのようなバンドパスフィルタは、関連技術で知られている薄い金属層におけるナノアパーチャアレイarrayofnanoappertureを有する。この場合におけるナノアパーチャは、円形または他の幾何学的形状でよい。以下においてフィルタ波長として参照される透過帯域の中心波長透過帯域の半値全幅に関連するは、主としてアパーチャ間の距離または周期periodにより決定され、より低い程度ではあるがアパーチャの径により決定される。アパーチャ径は、主としてフィルタ帯域幅の決定に寄与し、これは、フィルタの波長および帯域幅の双方が、これら2つのパラメータの適当な選択により或る制限の範囲内で調整できることを意味する。ナノ構造金属層に基づくそのようなフィルタの顕著な優位性は、基板上の非常に小さいスペース内において隣り合うように異なるフィルタ特性特に、異なるフィルタ波長を持つフィルタを容易に製造できるようになることにある。これに関連して、一様な層厚の金属層結果的にナノ構造を有するの提供が必要なだけである。そのようなフィルタの相対的に大きい帯域幅という不都合は、バンドストップフィルタとの組み合わせにより、この光学的フィルタシステムにおいては回避される。そのように設計されたバンドパスフィルタは、好ましくは、一様なまたは一定の層厚の金属層から構成されるバンドストップフィルタと組み合わされ、それもナノ構造であり、特にこの発明の応用においてアイランドアレイislandarrayとも称される金属の立方体または円柱の周期的配置からなるホールアレイを補足する構造を形成している。そのような構造については、バンドストップフィルタの特性を有し、その遮断帯域位置および幅は、立方体または円柱の周期または距離およびサイズの適当な選択によって調整することができる。各フィルタは層厚が一様でかつ所望のフィルタ特性にしたがって構成された金属層を1つ要求するのみであるから、そのようなバンドパスフィルタとバンドストップフィルタとの組み合わせは、半導体技術に用いられるプロセス特にCMOSプロセスによって非常に有利に作成できる。このようにして、バンドストップフィルタのための異なる構成と同様に、異なるフィルタ特性が極めて小さいスペースにおいて隣り合うように生成される。2つのフィルタは、たとえばSiO2のように所望の透過帯域幅のための透明な材料から作成されるCMOS互換層によって有利に分離される。もちろん、金属層についても、たとえばアルミニウムのようにCMOS互換にするために選択された材料から作成される。提案に係るフィルタシステムの重要な特徴は、システム全体において、バンドストップフィルタがバンドパスフィルタの透過帯域幅を一方の波長側からすなわち短波長側からまたは長波長側から制限することである。このようにして、フィルタシステムの透過帯域幅の縮小が達成される。構成前の条件において一定の厚さを有する構造層のかたちで全てのフィルタを作成することができるので、光学的センサの製造のための半導体プロセスに提案に係るフィルタシステムを容易に統合することができる。2つのフィルタの組み合わせ効果により達成される狭い透過帯域幅と、製造プロセスの間に容易に変化するフィルタ波長の特性とにより、最小限のスペースに横方向に別段の狭さで配列される透過帯域特性を有するフィルタまたはフィルタの組み合わせが実現される。したがって、提案に係るフィルタシステムの好適な変形において、バンドパスフィルタとバンドストップフィルタとの複数の組み合わせを、基板またはキャリア上に隣り合うように配列させることができ、その際、少なくとも幾つかの組み合わせが異なる波長透過帯域特に互いの中心波長がオフセットしているを有する。このようにして、多重狭帯域カラーチャンネルを有する光学的センサを非常に小さいスペースに作成することが可能である。狭帯域光学的バンドパスフィルタは、センサ技術および分光測定法において非常に重要である。たとえば、CMOSフォトダイオードアレイ上におけるそのようなフィルタシステムの10またはそれ以上の配置により、チップサイズの分光器の製造が可能となる。提案に係るフィルタシステムがイメージセンサに用いられる場合、フィルタホイール等の機械的可動部を伴うことなく、マルチスペクトルたとえば16の波長のカメラを作成することができる。たとえ少ないチャンネルしか使用されない場合であっても、その応用たとえば分析学において、たとえば提案に係るフィルタシステムに供給される狭帯域光学的バンドパスフィルタがしばしば要求される。光学的フィルタシステムは、たとえば、建物やLCDバックライト等の多くの照明状況のためのLEDのモニタリングや制御の分野、印刷プロセスにおけるインクのモニタリングや制御、気体液体構造物の解析のための小型化されたマルチスペクトルセンサや小型分光器、マルチスペクトルカメラなどのへの応用における局所的に分解されたスペクトル収集locallyresolvedspectralacquisitionに用いることが可能である。提案に係るフィルタシステムに用いられるナノ構造金属層から作成されるフィルタは、たとえば、OptiwaveCorporationにより製造されるOptiFDTD等の商業的に入手可能なソフトウェアを用いて、またはA.F.Oskooiet.al.によるMEEP:AflexiblefreesoftwarepackageforelectromagneticsimulationsbytheFDTDmethod、ComputerPhysicsCommunications181,687-7022010に記載されたソフトウェア等の無料で入手可能なソフトウェアを用いて、おおよそ形成することが可能である。所望のフィルタ効果およびバンドストップ効果を得るために必要な径、並びに、アパーチャまたは立方体もしくは円柱等の盛り上がった領域の間の距離は、そのようなプログラムを用いて決定することが可能である。そして、金属層の構築は、フォトリソグラフィ集積回路用表面加工技術やそれに続くエッチング技術により公知の方法で実行される。図1は、ナノアパーチャアレイホールアレイを有する金属層により形成される光学的バンドパスフィルタの波長依存透過のシミュレーションを示す。このバンドパスフィルタは、670nmで約50の透過、および約113nmの半値全幅FWHMを有する。事前に行われた最適化にもかかわらず、そのようなフィルタのフィルタ帯域幅はさらに減じられる。この実施形態において関連する波長帯域は、350~1100nmであり、提案に係るフィルタシステムにおけるそのようなフィルタの金属層の厚みは130~270nmの間の範囲である。典型的なホール径は100~300nmであり、ホールパターンの周期は200~600nmである。このフィルタの構成の概略上面図は、同図の右上部分に示されている。図2は、金属層における金属的円柱の周期的配置アイランドアレイにより形成された金属層により形成された光学的バンドストップフィルタのシミュレーションを示す。約630nmの波長より上では、スペクトルカーブはバンドストップフィルタ特性を示す。この場合においても、このフィルタの構成の上面図が、同図の右上部分に示されている。この種のフィルタにおいて、典型的な円柱の径は100~300nmであり、提案に係るフィルタシステムにおいて高さは30~170nmである。ここに提案に係る光学的フィルタシステムの基本アイディアは、図1に示すように比較的広い周波数帯域幅を有するバンドパスフィルタの周波数帯域幅を、図2に示すように中心波長に関してわずかにオフセットしたバンドストップフィルタを組み合わせることによって減少させることにあり、2つのフィルタ層の層厚を様々に選択することによりフィルタシステムの結果的な中心波長の高い透過を達成可能とする。これら2つのフィルタタイプの組み合わせを図3に示す。T1λは、図1の広帯域バンドパスフィルタの透過曲線を示す。T2λは、図2のバンドストップフィルタの透過曲線を示す。結果として得られる関数T1λ×T2λは、提案に係るフィルタシステムの透過曲線または波長透過帯域に相当する。バンドパスフィルタとバンドストップフィルタとの間の距離が各々のエバネッセント場の程度よりも大きいたとえば200nmより大きい場合、2つのフィルタ構造の場の分布は連結されず、結果として得られるフィルタ特性は、上記生成された関数T1λ×T2λに接近する。2つのフィルタ層の間の小さな距離は、ともあれ技術的な理由により必要である。しかし、2つのナノ構造体の場の結合fieldcouplingに伴う小さな距離でさえ同様の場の特性を招き、その正確な振る舞いを2層配置のシミュレーションによって最適化することも可能である。したがって、前述の距離は、提案に係る光学的フィルタシステムの関数を確保するために絶対的に必要なものではない。図3は、2つのフィルタを組み合わせて得られる光学的フィルタシステムが図1のバンドパスフィルタよりも顕著に小さな半値全幅を有することを示す。この目的のために、図4は、図1の波長依存透過T1λ、2つの同じバンドパスフィルタの直列配置の波長依存透過T1λ×T1λ、および図3の提案に係るフィルタシステムの波長依存透過の間の比較を示す。値47nmについて、半値全幅FWHMは、113nmの図1のバンドパスフィルタと比較してかなり減少し、93nmのFWHMを持つ2段階のバンドパスフィルタ配置の上記直列配置との比較では2倍減少する。最大透過30についても上記直列配置25よりわずかに高くなる。図5は、フォトダイオード上の提案に係るフィルタシステムの構成の概略例を示す。この図は、対応するフィルタシステムが搭載された基板において隣り合うように構築された複数のフォトダイオードにおける1つの配置の断面のみを示す。そのような場合において、光学的フィルタシステムは、隣り合うように配列された複数のフィルタまたはフィルタの組み合わせを有し、各場合においてフィルタの1つの組み合わせはフォトダイオードの上に配置される。異なるフィルタ特性は、好ましくは、フィルタの異なる構成を実現することにより、フィルタの複数の組み合わせによって与えられる。本例の各フォトダイオードは、pドープ半導体基板1内のnドープウェルn-dopedwell2により形成される。その上には、誘電性中間層3および金属層4が設けられ、この金属層には所望のフィルタ特性に応じてナノアパーチャ5が作成されている。さらに、このバンドパスフィルタ上には付加的な誘電性中間層6が設けられ、それは第1のナノ構造金属層4により形成され、そしてこの上には第2の金属層7が設けられる。第2の金属層7は、第1の金属層4よりも小さな層厚を有し、それはバンドパスフィルタを形成し、望ましいバンドストップフィルタを形成するように構成され、円柱状または立方体状の構造8が、意図するフィルタ特性に応じた望ましい横方向のサイズおよび距離にて作成される。電気的中間層3、6は、たとえば二酸化ケイ素SiO2層であってよい。フォトダイオードのp領域およびn領域の電気的な接触は図示されていない。それらは通常、各層を通過する適当な貫通接続により形成される。もちろん、たとえばその構成部分のそれぞれの機能に要求される付加的なCMOS処理層を、第1の金属層4の下や、第2の金属層7の上や、これら2つの金属層の間に、配置することも可能である。"