"下記式1で表され、珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、下記式51で表され、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、前記第1のオルガノポリシロキサン及び前記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Xより求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ50モル以上であり、封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数の封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数に対する比が、1.0以上、5.0以下である、光半導体装置用封止剤。前記式1中、a、b及びcは、a/abc=0~0.30、b/abc=0.70~1.0及びc/abc=0~0.10を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R6は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。前記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0~0.30、q/pqr=0.70~1.0及びr/pqr=0~0.10を満たし、R51~R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R56は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。珪素原子に結合したメチル基の含有比率モル={上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量}×100式X前記第1のオルガノポリシロキサン及び前記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Yより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率がそれぞれ、0.5モル以上、10モル以下である、請求項1に記載の光半導体装置用封止剤。珪素原子に結合したアリール基の含有比率モル=上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量×100式Y前記第1のオルガノポリシロキサンが、下記式1Aで表される第1のオルガノポリシロキサンである、請求項1又は2に記載の光半導体装置用封止剤。前記式1A中、a及びbは、a/ab=0~0.25及びb/ab=0.75~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R5は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。前記第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1-aで表される構造単位を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記式1-a中、R2及びR3はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。前記第2のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合したビニル基を有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記第2のオルガノポリシロキサンが、下記式51Aで表される第2のオルガノポリシロキサンである、請求項1~5のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記式51A中、p及びqは、p/pq=0~0.25及びq/pq=0.75~1.0を満たし、R51~R55は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R55は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。前記第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51-aで表される構造単位を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。前記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。前記ヒドロシリル化反応用触媒が白金のアルケニル錯体であり、前記白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である、請求項1~7のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤。光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項1~8のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。特許文献1に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、プリント基板等に実装する際のリフロー工程で封止剤が変色し、光度が低下するという問題がある。また、従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷熱を繰り返し受ける温度サイクル等の過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。特に、従来の光半導体装置用封止剤では、耐熱性が低いという問題がある。また、特許文献1に記載のような従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されると、徐々に光度明るさが低下するという問題がある。さらに、従来の光半導体装置用封止剤が、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されると、封止剤自体が変色するという問題もある。本発明は、光半導体装置に用いられる封止剤であって、耐熱性に優れており、封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても光度が低下し難く、かつ封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても封止剤の変色が生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。本発明の広い局面によれば、下記式1で表され、珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、下記式51で表され、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Xより求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ50モル以上であり、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数の封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数に対する比珪素原子に結合した水素原子の数/珪素原子に結合したアルケニル基の数が、1.0以上、5.0以下である、光半導体装置用封止剤が提供される。上記式1中、a、b及びcは、a/abc=0~0.30、b/abc=0.70~1.0及びc/abc=0~0.10を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R6は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。上記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0~0.30、q/pqr=0.70~1.0及びr/pqr=0~0.10を満たし、R51~R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R56は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。珪素原子に結合したメチル基の含有比率モル={上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量}×100式X本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Yより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ、0.5モル以上、10モル以下である。珪素原子に結合したアリール基の含有比率モル=上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量×100式Y本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1Aで表される第1のオルガノポリシロキサンである。上記式1A中、a及びbは、a/ab=0~0.25及びb/ab=0.75~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R5は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1-aで表される構造単位を有する。上記式1-a中、R2及びR3はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有する。本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51Aで表される第2のオルガノポリシロキサンである。上記式51A中、p及びqは、p/pq=0~0.25及びq/pq=0.75~1.0を満たし、R51~R55は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R55は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51-aで表される構造単位を有する。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記ヒドロシリル化反応用触媒が白金のアルケニル錯体であり、該白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式1で表され、珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くと、式51で表され、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ50モル以上であり、上記比珪素原子に結合した水素原子の数/珪素原子に結合したアルケニル基の数が封止剤中で1.0以上、5.0以下であるので、耐熱性を高くすることができる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度を低下し難くすることができる。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、封止剤の変色を生じ難くすることができる。以下、本発明の詳細を説明する。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第1のオルガノポリシロキサンと、第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くは、式1で表され、珪素原子に結合したアルケニル基と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第2のオルガノポリシロキサンは、式51で表され、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Xより求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率はいずれも、50モル以上である。珪素原子に結合したメチル基の含有比率モル={上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量}×100式X上記式Xにおける上記官能基は、上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に直接結合している基を意味する。上記官能基が複数種ある場合に、官能基の分子量は、官能基それぞれの官能基の平均個数×官能基の分子量の総和を意味する。下記式Yにおける官能基も同様である。また、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数の封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数に対する比珪素原子に結合した水素原子の数/珪素原子に結合したアルケニル基の数が、1.0以上、5.0以下である。上記第2のオルガノポリシロキサンがアルケニル基を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合したアルケニル基の数には、第2のオルガノポリシロキサンのアルケニル基の数も含まれる。上記組成の採用により、封止剤の耐熱性を高めることができる。さらに、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離が生じ難くなる。さらに、封止剤自体も、過酷な環境で使用されても変色し難くなる。また、上記組成の採用により、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなり、かつ上記光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても封止剤の変色が生じ難くなる。上記ヒドロシリル化反応用触媒が白金のアルケニル錯体であり、該白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合には、封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度がより一層低下し難くなる。さらに、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光半導体装置用封止剤の変色がより一層生じ難くなる。封止剤の保存安定性をより一層高め、封止剤の耐熱性をより一層良好にする観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式Yより求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ、好ましくは0.5モル以上、好ましくは10モル以下、より好ましくは5モル以下である。珪素原子に結合したアリール基の含有比率モル=上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量×100式Yなお、上記アリール基がフェニル基である場合には、上記珪素原子に結合したアリール基の含有比率は、珪素原子に結合したフェニル基の含有比率を示す。第1のオルガノポリシロキサン本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第1のオルガノポリシロキサン但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除くは、下記式1で表され、珪素原子に結合したアルケニル基と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、珪素原子に結合したアルケニル基と、珪素原子に結合したメチル基とを有する第1のオルガノポリシロキサンである。上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、上記第2のオルガノポリシロキサンとは異なる。アルケニル基とメチル基とはそれぞれ、珪素原子に直接結合している。なお、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。上記第1のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式1中、a、b及びcは、a/abc=0~0.30、b/abc=0.70~1.0及びc/abc=0~0.10を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R6は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。なお、上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式1は平均組成式を示す。上記式1における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式1中のR1~R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R6SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。なお、一般に、上記式1の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第1のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式1の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式51の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。上記式1中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第1のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基及び上記式1中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。封止剤の硬化性をより一層高める観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。また、上記第1のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基は、ビニル基であることが好ましい。上記式1における炭素数2~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基及びアリール基が挙げられる。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式1中、R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、R1がビニル基を表し、R2及びR3がメチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、CH2=CHSiR2R3O1/2で表される構造単位を有することが好ましく、すなわち下記式1-aで表される構造単位を有することが好ましい。R1R2R3SiO1/2で表される構造単位は、下記式1-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式1-aで表される構造単位と下記式1-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式1-aの存在により、末端にビニル基を存在させることができ、末端にビニル基が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式1-aで表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-a中、R2及びR3はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。上記第1のオルガノポリシロキサンにおける下記式X1より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は50モル以上である。このメチル基の含有比率が50モル以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつ封止剤の変色が生じ難くなる。上記第1のオルガノポリシロキサンにおける下記式X1より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは60モル以上、好ましくは99.9モル以下、より好ましくは99モル以下、更に好ましくは98モル以下である。上記メチル基の含有比率が上記下限以上であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、アルケニル基を充分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。珪素原子に結合したメチル基の含有比率モル={上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量}×100式X1封止剤の保存安定性をより一層高める観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。下記式Y1により求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は好ましくは0.5モル以上、好ましくは10モル以下、より好ましくは5モル以下である。珪素原子に結合したアリール基の含有比率が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層良好になる。珪素原子に結合したアリール基の含有比率モル=上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量×100式Y1上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、R4R5SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式1-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R4R5SiXO1/2式1-2R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R4R5SiO2/2で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有するR4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。また、下記式1-bで表される構造単位において、Si-O-Si結合中の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、Si-O-Si結合中の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-2及び式1-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-b、式1-2及び式1-2-b中のR4及びR5は、上記式1中のR4及びR5と同様の基である。上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、R6SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式1-3又は式1-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R6SiX2O1/2式1-3R6SiXO2/2式1-4R6SiO3/2で表される構造単位は、下記式1-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-3-c又は式1-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R6SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式1-3、式1-3-c、式1-4及び式1-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-c、式1-3、式1-3-c、式1-4及び式1-4-c中のR6は、上記式1中のR6と同様の基である。上記式1-b及び式1-c、式1-2~1-4、並びに式1-2-b、式1-3-c及び式1-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式1中、a/abcの下限は0、上限は0.30である。a/abcが上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式1中、a/abcは、好ましくは0.25以下、より好ましくは0.20以下である。なお、aが0であり、a/abcが0である場合、上記式1中、R1R2R3SiO1/2の構造単位は存在しない。上記式1中、b/abcの下限は0.70、上限は1.0である。b/abcが上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式1中、b/abcは、好ましくは0.75以上、より好ましくは0.80以上である。上記式1中、c/abcの下限は0、上限は0.10である。c/abcが上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、封止剤の密着性がより一層高くなる。上記式1中、c/abcは、好ましくは0.05以下である。なお、cが0であり、c/abcが0である場合、上記式1中、R6SiO3/2の構造単位は存在しない。上記式1中のc/abcは、0であることが好ましい。すなわち、上記式1で表される第1のオルガノポリシロキサンは、下記式1Aで表される第1のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式1A中、a及びbは、a/ab=0~0.25及びb/ab=0.75~1.0を満たし、R1~R5は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1~R5は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。上記式1A中、a/abは好ましくは0.20以下、より好ましくは0.15以下である。上記式1A中、b/abは好ましくは0.80以上、より好ましくは0.85以上である。上記第1のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式1中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式1中のR4R5SiO2/2で表される構造単位及び上記式1-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式1中のR6SiO3/2で表される構造単位、並びに上記式1-3及び式1-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式1中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式1中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式1中の各構造単位の比率を見分けることができる。第2のオルガノポリシロキサン本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51で表され、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。水素原子とメチル基とは珪素原子に直接結合している。上記第2のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0~0.30、q/pqr=0.70~1.0及びr/pqr=0~0.10を満たし、R51~R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R56は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。なお、上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位及びR56SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式51は平均組成式を示す。上記式51における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式51中のR51~R56は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、R56SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。上記式51における炭素数2~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びアリール基が挙げられる。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式51中、R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、R51が水素原子を表し、R52及びR53がメチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、HR52R53SiO1/2で表される構造単位を有することが好ましく、すなわち下記式51-aで表される構造単位を有することが好ましい。R51R52R53SiO1/2で表される構造単位は、下記式51-aで表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式51-aで表される構造単位と下記式51-aで表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式51-aの存在により、末端に水素原子を存在させることができる。末端に水素原子が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式51-aで表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式51-a中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2~8の炭化水素基を示す。封止剤の硬化性をより一層高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をさらに一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンが、上記式1-aで表される構造単位を有し、かつ上記第2のオルガノポリシロキサンが、上記式51-aで表される構造単位を有することが特に好ましい。封止剤の硬化性をより一層高める観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したビニル基を有することが好ましい。この場合には、R51~R56は、少なくとも1個が珪素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、少なくとも1個がビニル基を表し、水素原子、メチル基及びビニル基以外のR51~R56は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式X51より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は50モル以上である。このメチル基の含有比率が50モル以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつ封止剤の変色が生じ難くなる。上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式X51より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは60モル以上、好ましくは99.9モル以下、より好ましくは99モル以下、更に好ましくは98モル以下である。上記メチル基の含有比率が好ましい上記下限以上であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、珪素原子に結合した水素原子を充分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。珪素原子に結合したメチル基の含有比率モル={上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量/上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量}×100式X51封止剤の保存安定性をより一層高める観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアリール基を有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。下記式Y51により求められる珪素原子に結合したアリール基の含有比率は好ましくは0.5モル以上、好ましくは10モル以下、より好ましくは5モル以下である。珪素原子に結合したアリール基の含有比率が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層良好になる。珪素原子に結合したアリール基の含有比率モル=上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量×100式Y51上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、R54R55SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式51-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R54R55SiXO1/2式51-2R54R55SiO2/2で表される構造単位は、下記式51-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R54R55SiO2/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-2及び51-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-b、式51-2及び式51-2-b中のR54及びR55は、上記式51中のR54及びR55と同様の基である。上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、R56SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式51-3又は式51-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R56SiX2O1/2式51-3R56SiXO2/2式51-4R56SiO3/2で表される構造単位は、下記式51-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-3-c又は式51-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R56SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-3、式51-3-c、式51-4及び式51-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-c、式51-3、式51-3-c、式51-4及び式51-4-c中のR56は、上記式51中のR56と同様の基である。上記式51-b及び式51-c、式51-2~51-4、並びに式51-2-b、式51-3-c及び式51-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式51中、p/pqrの下限は0、上限は0.30である。p/pqrが上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式51中、p/pqrは、好ましくは0.25以下、より好ましくは0.20以下である。なお、pが0であり、p/pqrが0である場合、上記式51中、R51R52R53SiO1/2の構造単位は存在しない。上記式51中、q/pqrの下限は0.70、上限は1.0である。q/pqrが上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式51中、q/pqrは、好ましくは0.75以上、より好ましくは0.80以上である。上記式51中、r/pqrの下限は0、上限は0.10である。r/pqrが上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、封止剤の密着性がより一層高くなる。上記式51中のr/pqrは、好ましくは0.05以下である。なお、rが0であり、r/pqrが0である場合、上記式51中、R56SiO3/2の構造単位は存在しない。上記式51中のp/pqrは、0であることが好ましい。すなわち、上記式51で表される第2のオルガノポリシロキサンは、下記式51Aで表される第2のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。上記式51A中、p及びqは、p/pq=0~0.25及びq/pq=0.75~1.0を満たし、R51~R55は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51~R55は、炭素数2~8の炭化水素基を表す。上記式51A中、p/pqは好ましくは0.20以下、より好ましくは0.15以下である。上記式51A中、q/pqは好ましくは0.80以上、より好ましくは0.85以上である。封止剤におけるクラックの発生をより一層抑制し、かつ封止剤のハウジング材等からの剥離をより一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンは、上記式1Aで表される第1のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第2のオルガノポリシロキサンは、上記式51Aで表される第2のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上記第2のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式51中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式51中のR54R55SiO2/2で表される構造単位及び上記式51-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式51中のR56SiO3/2で表される構造単位、並びに上記式51-3及び式51-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式51中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式51中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式51中の各構造単位の比率を見分けることができる。上記第1のオルガノポリシロキサン100重量部に対して、上記第2のオルガノポリシロキサンの含有量は10重量部以上、400重量部以下であることが好ましい。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、硬化性により一層優れた封止剤を得ることができる。硬化性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサン100重量部に対して、上記第2のオルガノポリシロキサンの含有量は、より好ましくは15重量部以上、更に好ましくは20重量部以上、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは200重量部以下である。第1,第2のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法上記第1,第2のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量は、好ましくは0.1モル以上、好ましくは10モル以下、より好ましくは5モル以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、封止剤の密着性が高くなる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、上記第1,第2のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記アルコキシ基の含有量は、上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、上記第1,第2のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの数平均分子量Mnは、好ましくは500以上、より好ましくは800以上、更に好ましくは1000以上、特に好ましくは5000以上、好ましくは200000以下、より好ましくは100000以下、更に好ましくは60000以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は5000以上、60000以下であることが好ましい。また、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は5000以上、60000以下であることが好ましい。封止剤の硬化性をより一層高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をさらに一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が5000以上、60000以下であり、かつ上記第2のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が5000以上、60000以下であることが特に好ましい。上記数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量Mnは、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mmを2本、測定温度:40°C、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いて測定された値を意味する。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、及びクロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。上記第1のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第2のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンに必要に応じてアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム-t-ブトキシド、カリウム-t-ブトキシド及びセシウム-t-ブトキシドが挙げられる。上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好ましい。ヒドロシリル化反応用触媒本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のオルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金-アルケニルシロキサン錯体、白金-オレフィン錯体及び白金-カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体が好ましい。上記白金-アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金-オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6-ヘプタジエン等が挙げられる。上記白金-アルケニルシロキサン錯体及び白金-オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6-ヘプタジエンである。高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつ封止剤の変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつ封止剤の変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2Oを用いることが好ましい。上記白金のアルケニルを得るための上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジフェニル-1,3-ジビニルジシロキサン及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物における当量に関しては、上記塩化白金酸6水和物1モルに対して上記2官能以上のアルケニル化合物が1モルである重量を1当量とする。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物は、50当量以下であることが好ましい。上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2-プロパノール及び1-ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子白金のアルケニル錯体の場合には白金原子の重量単位で0.01ppm以上、1000ppm以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が0.01ppm以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が1000ppm以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは1ppm以上、より好ましくは500ppm以下である。酸化ケイ素粒子本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化ケイ素粒子をさらに含むことが好ましい。該酸化ケイ素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径は、好ましくは5nm以上、より好ましくは8nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下である。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化ケイ素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、25°Cにおける粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡商品名JEM-2100、日本電子社製を用いて観察する。視野中の100個の酸化ケイ素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化ケイ素粒子が球形である場合には酸化ケイ素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化ケイ素粒子の長径の平均値を意味する。上記酸化ケイ素粒子のBET比表面積は、好ましくは30m2/g以上、好ましくは400m2/g以下である。上記酸化ケイ素粒子のBET比表面積が30m2/g以上であると、封止剤の25°Cにおける粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化ケイ素粒子のBET比表面積が400m2/g以下であると、酸化ケイ素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。上記酸化ケイ素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化ケイ素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil50比表面積:50m2/g、Aerosil90比表面積:90m2/g、Aerosil130比表面積:130m2/g、Aerosil200比表面積:200m2/g、Aerosil300比表面積:300m2/g、及びAerosil380比表面積:380m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機ケイ素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有するケイ素系化合物、アミノ基を有するケイ素系化合物、メタアクリロイル基を有するケイ素系化合物、及びエポキシ基を有するケイ素系化合物等が挙げられる。上記メタアクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。酸化ケイ素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、酸化ケイ素粒子は、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物又はポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理されていることが好ましい。上記酸化ケイ素粒子を表面処理するための上記有機ケイ素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物又はポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。有機ケイ素化合物により表面処理する方法の一例として、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物を用いる場合には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化ケイ素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化ケイ素粒子を表面処理する方法が挙げられる。上記トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、RX200比表面積:140m2/g、及びR8200比表面積:140m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、RY200比表面積:120m2/g日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機ケイ素化合物により酸化ケイ素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化ケイ素粒子を添加し、攪拌しながら有機ケイ素化合物を添加する乾式法、酸化ケイ素粒子のスラリー中に有機ケイ素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化ケイ素粒子の乾燥後に有機ケイ素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機ケイ素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。上記有機ケイ素化合物により表面処理されている酸化ケイ素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化ケイ素粒子と上記第1,第2のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機ケイ素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。上記第1のオルガノポリシロキサンと上記第2のオルガノポリシロキサンとの合計100重量部に対して、上記酸化ケイ素粒子の含有量は、0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。上記第1のオルガノポリシロキサンと上記第2のオルガノポリシロキサンとの合計100重量部に対して、上記酸化ケイ素粒子の含有量は、より好ましくは0.5重量部以上、更に好ましくは1重量部以上、より好ましくは35重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記酸化ケイ素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化ケイ素粒子の含有量が上記上限以下であると、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。蛍光体本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、Ca、Ba、Mg10PO46Cl2:Eu、Ba、SrMgAl10O17:Eu、Sr、Ba3MgSi2O8:Eu等が挙げられる。上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Sr、CaS:Eu、Ca、Sr2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiW2O8:Eu、Sm、Sr、Ca、Bs、Mg10PO48Cl2:Eu、Mn、Ba3MgSi2O8:Eu、Mn等が挙げられる。上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al、Ga5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:Cu、Al、BaMgAl10O17Eu、Mn、SrAl2O4:Eu等が挙げられる。上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al5O12:Ce、Y、Gd3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等が挙げられる。さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。上記蛍光体の体積平均粒径は、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上、好ましくは30μm以下、より好ましくは25μm以下である。所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は、0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。カップリング剤本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。他の成分本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。なお、上記第1のオルガノポリシロキサンと、上記第2のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、上記第2のオルガノポリシロキサンを含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。なお、上記酸化ケイ素粒子又は上記蛍光体が用いられる場合には、上記酸化ケイ素粒子と上記蛍光体とはそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。このように上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第2のオルガノポリシロキサンとを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって保存安定性を向上させることができる。光半導体装置用封止剤の詳細及び用途本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度は、好ましくは80°C以上、より好ましくは100°C以上、好ましくは180°C以下、より好ましくは150°C以下である。硬化温度が上記下限以上であると、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のオルガノポリシロキサン、上記第2のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、LEDなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。光半導体装置の実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。本実施形態の光半導体装置1は、ハウジング2を有する。ハウジング2内にLEDからなる光半導体素子3が実装されている。この光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子3が用いられている。内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤4が充填されている。なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子3の実装構造等は適宜変形され得る。以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。合成例1第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン476g、及びビニルメチルジメトキシシラン5.3gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水144gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーAを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーAは、下記の平均組成式A1を有していた。Me2SiO2/20.99ViMeSiO2/20.01...式A1上記式A1中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーAのメチル基の含有比率は99モルであった。合成例2第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g及びジメチルジメトキシシラン471gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーBを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーBは、下記の平均組成式B1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.98...式B1上記式B1中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーBのメチル基の含有比率は98モルであった。合成例3第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジメチルジメトキシシラン447g及びジフェニルジメトキシシラン49gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーCを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーCは、下記の平均組成式C1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.92Ph2SiO2/20.06...式C1上記式C1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーCのメチル基の含有比率は74モルであり、フェニル基の含有比率は12モルであった。合成例4第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン4.2g、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジメチルジメトキシシラン418g、ジフェニルジメトキシシラン49g及びフェニルトリメトキシシラン40gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水146gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーDを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーDは、下記の平均組成式D1を有していた。Me3SiO1/20.01ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.85Ph2SiO2/20.06PhSiO3/20.06...式D1上記式D1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーDのメチル基の含有比率は65モルであり、フェニル基の含有比率は18モルであった。合成例5第1のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成比較例用温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジメチルジメトキシシラン375g及びジフェニルジメトキシシラン196gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーEを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーEは、下記の平均組成式E1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.78Ph2SiO2/20.20...式E1上記式E1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーEのメチル基の含有比率は43モルであり、フェニル基の含有比率は40モルであった。合成例6第1のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成比較例用温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン4.2g、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジメチルジメトキシシラン394g及びフェニルトリメトキシシラン119gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水153gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーFを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーFは、下記の平均組成式F1を有していた。Me3SiO1/20.01ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.80PhSiO3/20.17...式F1上記式F1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーFのメチル基の含有比率は65モルであり、フェニル基の含有比率は17モルであった。合成例7第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン24g、及びジメチルジメトキシシラン438gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーGを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーGは、下記の平均組成式G1を有していた。HMe2SiO1/20.08Me2SiO2/20.92...式G1上記式G1中、Meはメチル基を示す。得られたポリマーGのメチル基の含有比率は99.7モルであった。合成例8第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン438g、及びメチルジエトキシシラン48gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水144gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーHを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーHは、下記の平均組成式H1を有していた。Me2SiO2/20.91HMeSiO2/20.09...式H1上記式H1中、Meはメチル基を示す。得られたポリマーHのメチル基の含有比率は99.7モルであった。合成例9第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン428g、ビニルメチルジメトキシシラン10.6g、及びメチルジエトキシシラン48gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水144gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーIを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーIは、下記の平均組成式I1を有していた。Me2SiO2/20.89ViMeSiO2/20.02HMeSiO2/20.09...式I1上記式I1中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーIのメチル基の含有比率は98モルであった。合成例10第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン404g、ジフェニルジメトキシシラン49g、ビニルメチルジメトキシシラン10.6g、及びメチルジエトキシシラン48gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水144gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーJを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーJは、下記の平均組成式J1を有していた。Me2SiO2/20.84Ph2SiO2/20.05ViMeSiO2/20.02HMeSiO2/20.09...式J1上記式J1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーJのメチル基の含有比率は76モルであり、フェニル基の含有比率は10モルであった。合成例11第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン380g、ジフェニルジメトキシシラン49g、ビニルメチルジメトキシシラン10.6g、メチルジエトキシシラン48g、及びフェニルトリメトキシシラン40gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水148gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーKを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーKは、下記の平均組成式K1を有していた。Me2SiO2/20.79Ph2SiO2/20.05ViMeSiO2/20.02HMeSiO2/20.09PhSiO3/20.05...式K1上記式K1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーKのメチル基の含有比率は68モルであり、フェニル基の含有比率は15モルであった。合成例12第2のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成比較例用温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン332g、ジフェニルジメトキシシラン196g、ビニルメチルジメトキシシラン10.6g、及びメチルジエトキシシラン48gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水144gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーLを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーLは、下記の平均組成式L1を有していた。Me2SiO2/20.69Ph2SiO2/20.20ViMeSiO2/20.02HMeSiO2/20.09...式L1上記式L1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーLのメチル基の含有比率は42モルであり、フェニル基の含有比率は40モルであった。合成例13第2のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成比較例用温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン12.5g、ジメチルジメトキシシラン341g、ビニルメチルジメトキシシラン10.6g、メチルジエトキシシラン48g、及びフェニルトリメトキシシラン119gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水153gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーMを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーMは、下記の平均組成式M1を有していた。Me3SiO1/20.02Me2SiO2/20.71ViMeSiO2/20.02HMeSiO2/20.09PhSiO3/20.16...式M1上記式M1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーMのメチル基の含有比率は65モルであり、フェニル基の含有比率は16モルであった。合成例14第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン5.4g、ジメチルジメトキシシラン467g、及びビニルメチルジメトキシシラン5.3gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水142gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーNを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーNは、下記の平均組成式N1を有していた。Me2HSiO1/20.02Me2SiO2/20.98ViMeSiO2/20.01...式N1上記式N1中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーNのメチル基の含有比率は98モルであった。合成例15第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジフェニルジメトキシシラン4.9g及びジメチルジメトキシシラン468gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーOを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーOは、下記の平均組成式O1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.975Ph2SiO2/20.005...式O1上記式O1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーOのメチル基の含有比率は98モルであり、フェニル基の含有比率は1モルであった。合成例16第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジフェニルジメトキシシラン24.4g及びジメチルジメトキシシラン452gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーPを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーPは、下記の平均組成式P1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.955Ph2SiO2/20.025...式P1上記式P1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーPのメチル基の含有比率は91モルであり、フェニル基の含有比率は5モルであった。合成例17第1のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン10.4g、ジフェニルジメトキシシラン48.8g及びジメチルジメトキシシラン447gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水143gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーQを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーQは、下記の平均組成式Q1を有していた。ViMe2SiO1/20.02Me2SiO2/20.93Ph2SiO2/20.05...式Q1上記式Q1中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーQのメチル基の含有比率は79モルであり、フェニル基の含有比率は10モルであった。合成例18第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン5.4g、ジフェニルジメトキシシラン9.8g、ジメチルジメトキシシラン462g、及びビニルメチルジメトキシシラン5.3gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水142gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーRを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーRは、下記の平均組成式R1を有していた。Me2HSiO1/20.02Me2SiO2/20.97ViMeSiO2/20.01Ph2SiO2/20.01...式R1上記式R1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーRのメチル基の含有比率は95モルであり、フェニル基の含有比率は2モルであった。合成例19第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン5.4g、ジフェニルジメトキシシラン19.6g、ジメチルジメトキシシラン455g、及びビニルメチルジメトキシシラン5.3gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水142gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーSを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーSは、下記の平均組成式S1を有していた。Me2HSiO1/20.02Me2SiO2/20.96ViMeSiO2/20.01Ph2SiO2/20.02...式S1上記式S1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーSのメチル基の含有比率は89モルであり、フェニル基の含有比率は4モルであった。合成例20第2のオルガノポリシロキサンの合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン5.4g、ジフェニルジメトキシシラン44g、ジメチルジメトキシシラン450g、及びビニルメチルジメトキシシラン5.3gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸2.1gと水142gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーTを得た。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーTは、下記の平均組成式T1を有していた。Me2HSiO1/20.02Me2SiO2/20.925ViMeSiO2/20.01Ph2SiO2/20.045...式T1上記式T1中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマーTのメチル基の含有比率は80モルであり、フェニル基の含有比率は9モルであった。白金アルケニル錯体Aの合成環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2O、300mg、及び2-プロパノール4.6mlを入れて、窒素雰囲気下にて室温で20分間攪拌した。20分後、炭酸水素ナトリウムNaHCO3、400mgを加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン8当量、864mgを加え、反応溶液を60°Cで24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム300mgを加えて5分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が5gになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Aの溶液を得た。白金アルケニル錯体Bの合成環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2O、300mg、及び2-プロパノール4.6mlを入れて、窒素雰囲気下にて室温で20分間攪拌した。20分後、炭酸水素ナトリウムNaHCO3、400mgを加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン20当量、2.16gを加え、反応溶液を60°Cで24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム300mgを加えて5分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が5gになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Bの溶液を得た。白金アルケニル錯体Cの合成環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸6水和物H2PtCl66H2O、300mg、及び2-プロパノール4.6mlを入れて、窒素雰囲気下にて室温で20分間攪拌した。20分後、炭酸水素ナトリウムNaHCO3、400mgを加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に2,4,6,8-テトラメチル-2,4,6,8-テトラビニルシクロテトラシロキサン20当量、3.99gを加え、反応溶液を60°Cで24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム300mgを加えて5分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が5gになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Cの溶液を得た。実施例1ポリマーA8g、ポリマーG2g、及び白金アルケニル錯体Aの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例2ポリマーA8g、ポリマーG2g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例3ポリマーA8g、ポリマーG2g、及び白金アルケニル錯体Cの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例4ポリマーB6g、ポリマーH3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例5ポリマーB6g、ポリマーI3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例6ポリマーC6g、ポリマーJ3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例7ポリマーD6g、ポリマーK3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例8ポリマーB2g、ポリマーN8g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例9ポリマーO2g、ポリマーR8g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例10ポリマーP2g、ポリマーS8g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。実施例11ポリマーQ2g、ポリマーT8g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例1ポリマーB8g、ポリマーI2g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例2ポリマーE6g、ポリマーL3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。比較例3ポリマーF6g、ポリマーM3g、及び白金アルケニル錯体Bの溶液封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。評価光半導体装置の作製銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150°Cで2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の通電試験、熱衝撃試験を実施した。通電試験得られた光半導体装置について、23°Cの温度下、光度測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて発光素子に300mAの電流を流した時の光度を測定した以下、初期光度と称する。次いで、発光素子に300mAの電流を流した状態で光半導体装置を85°C及び相対湿度85RH雰囲気下のチャンバー内に入れて、500時間放置した。500時間後、23°Cの温度下、光度測定装置OL770、オプトロニックラボラトリーズ社製を用いて発光素子に300mAの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が5未満の場合を○○、5以上、10未満の場合を○、10以上、20未満の場合を△、30以上の場合を×と判定した。変色通電試験後のサンプルにおいて、通電試験前のサンプルから変色しているか否かを目視で観察した。通電試験前後のサンプル間で、変色が見られない場合を○、わずかに変色が見られる場合を△、著しい変色が見られる場合を×と判定した。熱衝撃試験得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、135°Cまで昇温し、135°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後、1000サイクル後、1500サイクル後、2000サイクル後及び3000サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。実体顕微鏡SMZ-10、ニコン社製にてサンプルを観察した。20個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数NG数を数えた。粘度比作製直後の光半導体装置用封止剤作製直後の封止剤を用意した。さらに、作製直後の封止剤を3時間室温23°Cで放置して、3時間後の封止剤を用意した。粘度測定装置VISCOMETERTV-22、東機産業社製を用いて、作製直後の封止剤の23°C及び10rpmでの粘度と、3時間後の封止剤の23°C及び10rpmでの粘度とを測定した。3時間後の封止剤における粘度値の作製直後の封止剤における粘度値に対する粘度比3時間後粘度値/作製直後粘度値を求めた。耐熱試験後の透過率保持率得られた光半導体装置用封止剤を150°Cで2時間加熱して硬化させた。硬化した光半導体装置用封止剤の透過率をUV-VIS光度計日立U-3000にて測定し、透過率の400nmでの値を得た以下、初期値と称する。耐熱試験として、硬化した光半導体装置用封止剤を200°Cのオーブン内に500時間入れた。その後、耐熱試験後の硬化した光半導体装置用封止剤の透過率をUV-VIS光度計日立U-3000にて測定し、透過率の400nmでの値を得た。耐熱試験後の透過率の400nmでの値の上記初期値に対しての保持率をパーセンテージで計算し、耐熱試験後の透過率の保持率とした。結果を下記の表1に示す。また、下記の表1には、封止剤中での上記比珪素原子に結合した水素原子の数/珪素原子に結合したアルケニル基の数も示した。"