チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。前記強誘電体が、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれたものであることを特徴とする請求項1記載の強誘電体膜の作製方法。チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該チタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。前記冷却を、少なくとも冷却を開始した後から300~400°Cまでの冷却速度をその温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする請求項3記載の強誘電体膜の作製方法。前記第1冷却工程を1~15°C/分の冷却速度で実施することを特徴とする請求項4記載の強誘電体膜の作製方法。前記第1冷却工程の前に、第1冷却工程における冷却速度よりも早い冷却速度で冷却を実施し、次いで該第1冷却工程及び第2冷却工程を実施することを特徴とする請求項4又は5記載の強誘電体膜の作製方法。前記第1冷却工程の前の冷却を、少なくとも冷却を開始した後から550°Cまで実施することを特徴とする請求項6記載の強誘電体膜の作製方法。チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層としてのチタン酸ストロンチウム膜をエピタキシャル成長させ、このチタン酸ストロンチウム膜上に、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度付近までの冷却速度を、該キュリー温度付近から室温までの冷却速度より遅くして実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。前記キュリー温度付近の温度が、キュリー温度±キュリー温度の15の範囲の温度であることを特徴とする請求項8記載の強誘電体膜の作製方法。前記強誘電体が、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれたものであることを特徴とする請求項8又は9記載の強誘電体膜の作製方法。基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。基板上に、電極層を介して、強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該チタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。基板上に、電極層としてのチタン酸ストロンチウム膜をエピタキシャル成長させ、このチタン酸ストロンチウム膜上に、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度付近までの冷却速度を、該キュリー温度付近から室温までの冷却速度より遅くして実施することを特徴とする強誘電体膜の作製方法。本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、強誘電体膜を用いた高密度記憶媒体における記憶保持特性を向上せしめることができる強誘電体膜を作製する方法を提供することにある。本発明の強誘電体膜の作製方法は、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする。上記少なくとも冷却を開始した後とは、冷却開始の直後、及び冷却開始から所定の時間が経過した後の両方を含む意味で用いる。上記冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度より15程度高い温度~15程度低い温度キュリー温度±キュリー温度の15の範囲までの温度での冷却速度第1冷却工程をその範囲の温度から室温までの冷却速度第2冷却工程より遅くして実施することにより、強誘電体メモリに適した強誘電体膜を得ることができる。成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板は、以下の実施例1に記載した方法で測定した規格化保持時間記憶保持時間が高く、強誘電体メモリとして使用するのに適しているものである。しかし、少なくとも冷却を開始した後から上記キュリー温度より15程度高い温度~15程度低い温度の範囲までの冷却速度が、その範囲の温度から室温までの冷却速度と同じか又は早いと、成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板は、以下の実施例1に記載した方法で測定した規格化保持時間が低く、強誘電体メモリとして使用するには適していないものである。上記冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度の15程度を超えるキュリー温度より高い温度キュリー温度キュリー温度の15程度を超える温度までの冷却速度を、その温度から室温までの冷却速度より遅くして実施しても、成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板を用いて測定した規格化保持時間は低く、強誘電体メモリとして使用するには適していない。また、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度の15程度を超えるキュリー温度より低い温度キュリー温度-キュリー温度の15程度を超える温度までの冷却速度を、その温度から室温までの冷却速度より遅くして実施しても、成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板を用いて測定した規格化保持時間はやや低く、強誘電体メモリとして使用するにはあまり適していないと共に、当該基板の生産性が劣り、好ましくない。本発明の強誘電体膜の作製方法はまた、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後からチタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする。エピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜の冷却を、少なくとも冷却を開始した後から300~400°Cまでの冷却速度をその温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする。上記第1冷却工程において、少なくとも冷却を開始した後から300°C未満の低い温度、又は400°Cを超える高い温度までの冷却速度を、その温度から室温までの冷却速度より遅くして冷却を実施すると、得られた強誘電体膜の規格化保持時間は低く、強誘電体メモリとして使用するのに適していない。特に、前者の温度では、当該基板の生産性が劣り、好ましくない。エピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜の第1冷却工程を1~15°C/分好ましくは、5°C/分の冷却速度で実施することを特徴とする。1°C/分未満であり、かつ15°C/分を超えると、得られた強誘電体膜の規格化保持時間は低くなる傾向があり、強誘電体メモリとして使用するのに適していない。特に1°C/分未満であると生産性が劣り、好ましくない。エピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜の第1冷却工程の前に、第1冷却工程における冷却速度よりも早い冷却速度で冷却を実施し、次いで第1冷却工程及び第2冷却工程を実施することを特徴とする。上記第1冷却工程の前の冷却を、少なくとも冷却を開始した後から550°Cまで実施することを特徴とする。この場合、その後に上記した第1冷却工程及び第2冷却工程を実施すれば、所望の目的物が得られる。しかし、550°Cを超えた温度で冷却を止めると、得られた強誘電体膜の規格化保持時間は低くなる傾向があり、強誘電体メモリとして使用するのに適していない。本発明の強誘電体膜の作製方法はさらに、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層としてのチタン酸ストロンチウム膜をエピタキシャル成長させ、このチタン酸ストロンチウム膜上に、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度付近までの冷却速度を、キュリー温度付近から室温までの冷却速度より遅くして実施することを特徴とする。上記強誘電体がチタン酸ジルコン酸鉛であることが好ましい。上記冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度付近までの冷却速度をその後の室温までの冷却速度よりも遅くして実施することにより、強誘電体メモリに適した強誘電体膜を得ることができる。成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板は、以下の実施例1に記載した方法で測定した規格化保持時間が高く、強誘電体メモリとして使用するのに適しているものである。しかし、上記キュリー温度付近までの冷却速度が、その後の室温までの冷却速度と同じか又は早いと、成膜室内から取り出した強誘電体膜がエピタキシャル成長されている基板は、規格化保持時間が低く、強誘電体メモリとして使用するには適していないものである。上記キュリー温度付近の温度が、キュリー温度±キュリー温度の15の範囲の温度であることを特徴とする。上記強誘電体膜の作製方法において、使用する強誘電体が、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれたものであることを特徴とする。本発明の強誘電体膜の作製方法はさらに、基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする。本発明の強誘電体膜の作製方法はさらに、基板上に、電極層を介して、強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該チタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することを特徴とする。本発明の強誘電体膜の作製方法はさらに、基板上に、電極層としてのチタン酸ストロンチウム膜をエピタキシャル成長させ、このチタン酸ストロンチウム膜上に、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度付近までの冷却速度を、該キュリー温度付近から室温までの冷却速度より遅くして実施することを特徴とする。本発明によれば、エピタキシャル成長させて得られたチタン酸ジルコン酸薄膜等の強誘電体薄膜を、成膜温度から室温までの特定の冷却パターンを経た後に成膜室から取り出し、この強誘電体膜を記憶媒体に適用した場合、良好な規格化保持時間を有するという効果を奏することができる。本発明に係る強誘電体薄膜の作製方法の第1の実施の形態によれば、この強誘電体膜の作製方法は、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、例えば、MOCVD法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等によってエピタキシャル成長させてチタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれた強誘電体膜を形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施することからなる。上記基板以外にも、例えば、MgOやDyScO3スカンジウム酸ジスプロシウム等を用いることもできる。また、上記基板以外にも、同様な格子定数を持つ下地基板を用意すれば、使用可能である。以下述べる単結晶基板も同様である。本発明に係る強誘電体薄膜の作製方法の第2の実施の形態によれば、この強誘電体膜の作製方法は、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、例えば、MOCVD法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等によってエピタキシャル成長させて強誘電体膜としてチタン酸ジルコン酸鉛膜を形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成されたチタン酸ジルコン酸鉛膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後からチタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度より15高い温度~15低い温度の範囲までの温度での冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程、例えば、少なくとも冷却を開始した後から300~400°Cまでの冷却速度をその温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施し、第1冷却工程を1~15°C/分好ましくは、5°C/分の冷却速度で実施し、所望により第1冷却工程の前に、第1冷却工程における冷却速度よりも早い冷却速度で550°Cまで冷却を実施することからなる。本発明に係る強誘電体薄膜の作製方法の第3の実施の形態によれば、この強誘電体膜の作製方法は、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層としてのチタン酸ストロンチウム膜をエピタキシャル成長させ、このチタン酸ストロンチウム膜上に、例えば、MOCVD法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等によってエピタキシャル成長させてチタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれた強誘電体膜、好ましくはチタン酸ジルコン酸鉛膜を形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度±キュリー温度の15の範囲の温度であるキュリー温度付近までの冷却速度を、キュリー温度付近から室温までの冷却速度より遅くして実施することからなる。上記したような基板上にエピタキシャル成長させたバッファー層としてのチタン酸ストロンチウム膜の代わりに、例えば、ZrN、YSZZrO20.97Y2O3イットリア安定化ジルコニア等をバッファー層として用いることもできる。また、その上の電極層として、ルテニウム酸ストロンチウムSrRuO3や、Irや、Pt等を用いることもできる。本発明で使用できる基板は、上記チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板の他に、強誘電体薄膜を用いる記憶媒体で使用でき、かつ本発明に従って強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させ得る基板であれば使用できる。上記電極層としては、チタン酸ストロンチウム薄膜以外に、強誘電体薄膜を用いる記憶媒体で使用でき、かつ本発明に従って単結晶基板上に成膜できる電極層材料からなる層であって、その電極層の上に強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させ得るものであれば使用できる。電極層の形成方法は公知の液相エピタキシャル法等のエピタキシャル成長条件で実施できる。また、強誘電体薄膜として、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれた強誘電体からなる薄膜以外にも、強誘電体メモリを構成するための記憶媒体で使用できる公知の強誘電体薄膜を用いることができ、この強誘電体薄膜のエピタキシャル成長条件は公知のエピタキシャル法のエピタキシャル成長条件で良い。例えば、強誘電体からなる薄膜を、MOCVD法によってエピタキシャル成長させる条件は、例えば、基板温度:600~650°C、圧力:600~700Pa、成膜時間:4~5分である。この基板温度、圧力及び成膜時間の範囲を外れると、所望のエピタキシャル成長が達成できなくなる傾向がある。その結果として、得られた強誘電体膜の規格化保持時間は低くなる傾向があり、強誘電体メモリとして使用するのに適していない。上記のようにして、チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に形成された、電極層としてのチタン酸ストロンチウム薄膜と、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、及びチタン酸鉛から選ばれた強誘電体からなる薄膜とからなる積層体を用い、その上にさらに公知の構成要素を成膜することにより、強誘電体メモリの記憶媒体及び強誘電体メモリを作製することができる。また、上記冷却速度に関しては、強誘電体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛PZT薄膜を用いた場合、例えば、エピタキシャル成長温度630°Cの場合、成膜後の冷却を630°Cから300°Cまで1~15°C/分好ましくは、5°C/分の冷却速度で実施し、それ以後の室温までの冷却を冷却速度:15~100°C/分好ましくは、20°C/分で実施し、その後成膜室から処理された基板を取り出す。この基板を用いて、以下の実施例1に記載した方法で測定した規格化保持時間記憶保持時間は高く、強誘電体メモリとして使用するのに適している。上記冷却速度を、少なくとも冷却を開始した後から強誘電体のキュリー温度より15程度高い温度までの冷却速度を、それ以後の室温までの冷却速度より遅くする場合、強誘電体薄膜としてチタン酸ジルコン酸鉛PZT薄膜を用いた場合、例えば、エピタキシャル成長温度630°Cの場合、630°Cから500°Cまで20°C/分で冷却した後、400°Cまでの冷却を1~15°C/分好ましくは、5°C/分の冷却速度で実施し、それ以後の冷却を冷却速度:15~100°C/分で実施してもよく、その後成膜装置から処理された基板を取り出す。この基板を用いて、以下の実施例1に記載した方法で測定した規格化保持時間記憶保持時間は高く、強誘電体メモリとして使用するのに適している。シリコンSi単結晶基板上に、バッファー層としてチタン酸ストロンチウムをエピタキシャル成長させ、得られたチタン酸ストロンチウム薄膜上に、電極として機能するルテニウム酸ストロンチウム薄膜を形成させ、次いでMOCVD法によって、基板温度:630°C、圧力:667Pa、成膜時間:4分30秒で、チタン酸ジルコン酸鉛をエピタキシャル成長させ、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜を作製した。エピタキシャル成長させて得たチタン酸ジルコン酸鉛薄膜が形成されている基板を成膜室から取り出すために、成膜温度から室温程度まで冷却するが、この冷却プロセスを図1a~dに示す4種の試行パターンに従って実施した。図1aに示す試行パターン1に従って、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜が成長した基板を、まず、成膜温度から550°Cまで冷却速度:20°C/分で冷却し、550°Cから400°Cまでの間は冷却速度:5°C/分で冷却し、次いで室温程度まで冷却速度:20°C/分で冷却した。その後、成膜室内から取り出した基板を用いて、以下述べる規格化保持時間記憶保持時間を測定する試験を実施した。図1bに示す試行パターン2に従って、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜が成長した基板を、まず、成膜温度から550°Cまで冷却速度:5°C/分で冷却し、次いで550°Cから室温程度までの間は冷却速度:20°C/分で冷却した。その後、成膜室内から取り出した基板を用いて、以下述べる規格化保持時間を測定する試験を実施した。図1cに示す試行パターン3に従って、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜が成長した基板を、まず、成膜温度から300°Cまで冷却速度:5°C/分で冷却し、その後、300°Cから室温程度まで冷却速度:20°C/分で冷却した。その後、成膜室内から取り出した基板を用いて、以下述べる規格化保持時間を測定する試験を実施した。図1dに示す試行パターン4に従って、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜が成長した基板を、成膜温度から室温程度まで冷却速度:20°C/分で冷却した。その後、成膜室内から取り出した基板を用いて、以下述べる規格化保持時間を測定する試験工程を実施した。以下、上記試行パターン1~4に従って得られた基板について、図2a及びbを参照して、規格化保持時間時間を測定する方法を説明し、得られた結果を棒グラフとして図3に示す。規格化保持時間は、以下のようにして測定した。上記試行パターン1~4に従って得られた基板21に対し、図2aに示すAFM原子間力顕微鏡に設けられた片持ちバネカンチレバー23の先端に取り付けられているAFM探針22の先端部を用いて、図2bに示すようにして圧電応答を観察し、初期の書き込みサイズ及び所定の時間経過後のサイズを測定した。すなわち、図2bに示すように、1基板21の所定の部分24のみにAFM探針で直流電圧~10Vを印加し、分極反転させ、2同じ部分24に対し、AFM探針を用いて圧電応答を観察し、初期の書き込みサイズa0を測定し、その後、3所定の時間Δt経過後に同じ部分24の圧電応答を観察し、所定の時間経過後に残ったサイズa1を測定した。図2bにおいて、25は残ったサイズを測定した部分である。上記のようにして得られたサイズから算出した規格化保持時間=Δt/a0-a1を示す図3から明らかなように、試行パターン3に従って得られた基板の場合が、最も長い規格化保持時間を有し、次が試行パターン1に従って得られた基板の場合、その次が試行パターン2に従って得られた基板の場合であり、冷却プロセスを急激に室温まで下げた試行パターン4に従って得られた基板の場合には記憶保持時間は最も悪かったことが分かる。上記結果から分かるように、チタン酸ジルコン酸鉛のキュリー温度が、通常、350°C付近であることから、キュリー温度より50°C程度低い温度である300°Cキュリー温度の15程度低い温度に相当するまでゆっくり冷却する試行パターン3、及び成膜温度から550°Cまで急速に冷却した後、550°Cからキュリー温度より50°C程度高い温度である400°Cキュリー温度の15程度高い温度に相当するまでゆっくり冷却する試行パターン1の場合に、最初から急激な冷却速度で冷却する試行パターン4や、キュリー温度より200°C程度高い温度までゆっくり冷却し、その後急激に冷却する試行パターン2の場合よりも、良好な記憶保持時間が得られることが分かる。実施例1におけるチタン酸ジルコン酸鉛の代わりに、強誘電体としてチタン酸鉛キュリー温度:135°C程度、及びチタン酸鉛キュリー温度:490°C程度をそれぞれ用い、実施例1記載のプロセスを実施した。この場合、冷却速度:5°C/分で実施した温度範囲は、各強誘電体薄膜の形成温度から各キュリー温度より15高い温度までの範囲、又は各強誘電体薄膜の形成温度から各キュリー温度より15低い温度までの範囲である。かくして得られた基板に対して、実施例1の場合と同様に規格化保持時間を算出したところ、同様な結果が得られた。なお、本実施例において用いた各強誘電体に対して、実施例1における試行パターン2及び4を実施したところ、算出した規格化保持時間は極めて低かった。