"半導体処理装置内で半導体基板を支持するために使用される基板支持アセンブリにおける複数区域加熱プレートのための故障検出の方法であって、前記加熱プレートは、複数の平坦加熱器区域と、複数の電力供給ラインと、複数の電力リターンラインとを備え、各平坦加熱器区域は、前記電力供給ラインの1つと前記電力リターンラインの1つに接続され、いずれの2つの平坦加熱器区域も同一の電力供給ラインおよび電力リターンラインの対を共有せず、a1つまたは複数の平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、b前記測定総加熱出力を、前記1つまたは複数の平坦加熱器区域の予め定められた設定総加熱出力と比較し、c前記測定総加熱出力が前記予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることとを備える方法。請求項1に記載の方法において、前記所定の偏差は、前記予め定められた総加熱出力の±20、±10、±5、または±1である、方法。請求項1に記載の方法において、前記測定総加熱出力は、前記1つまたは複数の各平坦加熱器区域にわたる電圧Vを測定し、前記1つまたは複数の各平坦加熱器区域を介して流れる電流Iを測定し、VとIを乗算し、前記1つまたは複数の平坦加熱器区域のVIを加算することによって得られる、方法。請求項3に記載の方法において、前記電圧Vは、前記電力供給ラインの1つと前記電力リターンラインの1つの間に接続された電圧計を使用して測定され、前記電流Iは、前記電力リターンラインの1つと接地の間に接続された電流計を使用して測定される、方法。請求項1に記載の方法において、1つまたは複数の電力供給ラインが電源に接続され、少なくとも1つの電力リターンラインが接地されている状態で、前記1つまたは複数の電力供給ライン、および前記少なくとも1つの電力リターンラインに接続されている前記平坦加熱器区域の前記測定総加熱出力は、前記1つまたは複数の電力供給ライン上の電圧Vを測定し、前記少なくとも1つの電力リターンラインによって搬送される総電流Iを測定し、VとIを乗算することによって取得され、前記予め定められた総加熱出力は、前記1つまたは複数の電力供給ラインおよび前記少なくとも1つの電力リターンラインに接続されている各前記平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される、方法。請求項1に記載の方法において。1つまたは複数の電力リターンラインが接地され、少なくとも1つの電力供給ラインが電源に接続されている状態で、前記1つまたは複数の電力リターンライン、および前記少なくとも1つの電力供給ラインに接続されている前記平坦加熱器区域の前記測定総加熱出力は、前記少なくとも1つの電力供給ライン上で電圧Vを測定し、前記少なくとも1つの電力供給ライン上で電流Iを測定し、VとIを乗算することによって取得され、前記予め定められた総加熱出力は、前記1つまたは複数の電力リターンラインおよび前記少なくとも1つの電力供給ラインに接続されている各前記平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される、方法。請求項5に記載の方法において、前記1つまたは複数の電力供給ラインでの前記電圧Vは、平坦加熱器区域での電圧降下ではない電圧降下を差し引くことによって補正される、方法。請求項6に記載の方法において、前記少なくとも1つの電力供給ラインでの前記電圧Vは、平坦加熱器区域での電圧降下ではない電圧降下を差し引くことによって補正される、請求項6に記載の方法。半導体処理装置内で半導体基板を支持するために使用される基板支持アセンブリにおける複数区域加熱プレートのための故障検出の方法であって、前記加熱プレートは、複数の平坦加熱器区域と、複数の電力供給ラインと、複数の電力リターンラインとを備え、各平坦加熱器区域は、前記電力供給ラインの1つと前記電力リターンラインの1つに接続され、いずれの2つの平坦加熱器区域も同一の電力供給ラインおよび電力リターンラインの対を共有せず、a全ての電力リターンラインが前記電流計を介して接地され、第iの電力供給ラインのみが前記電源に接続されている状態で、前記第iの電力供給ライン上の電圧Vを測定し、前記全ての電力リターンライン上の総電流Iを測定し、VとIを乗算することによって、前記第iの電力供給ラインに接続されている全ての前記平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、b前記総加熱出力を、前記第iの電力供給ラインに接続されている各前記平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、c前記測定総加熱出力が前記予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガし、d全ての電力供給ラインが前記電源に接続され、第jの電力リターンラインのみが接地された状態で、前記全ての電力供給ライン上の電圧Vを測定し、前記第jの電力リターンライン上の電流Iを測定し、VとIを乗算することによって、前記第jの電力リターンラインに接続されている全ての平坦加熱器区域の総加熱出力を取得し、e前記測定総加熱出力を、前記第jの電力リターンラインに接続されている各前記平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、f前記測定総加熱出力が前記予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える方法。請求項9に記載の方法において、さらに、前記第iの電力供給ラインと前記第jの電力リターンラインの両方に接続されている前記平坦加熱器区域が故障状態である、前記第iの電力供給ラインのみが前記電源に接続され、全ての前記電力リターンラインが接地されているとき、および前記第jの電力リターンラインのみが接地され、前記すべての電力供給ラインが前記電源に接続されているときにアラーム信号がトリガされた場合に、前記第iの電力供給ラインと前記第jの電力リターンラインの両方に接続されている前記平坦加熱器区域が故障状態であると識別することを備える、方法。請求項9に記載の方法において、前記全ての電力供給ラインでの前記電圧V、および前記第iの電力供給ラインでの前記電圧Vは、平坦加熱器区域での電圧降下ではない電圧降下を差し引くことによって補正される、方法。基板上で望ましい限界寸法CD均一性を実現するために、半導体処理装置内における半径方向および方位角方向での基板の温度制御は、ますます要求の厳しいものになっている。特に、半導体製造プロセスではCDが100nm未満に近付くので、小さな温度変動でさえ許容できない程、CDに影響を及ぼすことがある。基板支持アセンブリは、処理中に、基板の支持、基板温度の調整、および高周波出力の供給など様々な役割を果たすように構成することができる。基板支持アセンブリは、処理中に基板支持アセンブリ上に基板を静電クランプするのに有用な静電チャックESCを備えることができる。ESCは、調整可能なESCT-ESCでよい。T-ESCは、参照により本明細書に組み込まれる、本願と同一の譲受人に譲渡されている米国特許第6,847,014号および第6,921,724号に記載されている。基板支持アセンブリは、セラミック基板ホルダ、流体冷却ヒートシンク以後、冷却プレートと呼ぶ、および段階的な半径方向の温度制御を実現するために複数の同心平坦加熱器区域を備えることができる。典型的には、冷却プレートは、-20°C~80°Cの間で維持される。加熱器は、冷却プレート上に位置され、間に断熱材の層が挟まれる。加熱器は、基板支持アセンブリの支持面を、冷却プレートの温度よりも約0°C~90°C高い温度で維持することができる。複数の平坦加熱器区域内での加熱器出力を変えることによって、基板支持温度プロファイルを、中央の温度が高いプロファイル、中央の温度が低いプロファイル、および均一なプロファイルの間で変えることができる。さらに、平均基板支持温度を、冷却プレートの温度よりも0°C~90°C高い動作範囲内で段階的に変えることができる。半導体技術の進歩と共にCDが減少するにつれて、方位角方向での小さな温度変動がますます大きな問題となる。温度の制御は、いくつかの理由により、簡単な作業ではない。まず、熱源およびヒートシンクの位置や、媒体の移動、材料、および形状など、多くの因子が伝熱に影響及ぼし得る。第2に、伝熱は、動的なプロセスである。対象の系が熱平衡状態にない限り、伝熱が生じ、温度プロファイルおよび伝熱は、時間と共に変化する。第3に、当然ながらプラズマ処理中に常に存在するプラズマなど非平衡の現象が、任意の実用的なプラズマ処理装置の伝熱挙動の理論的な予測を非常に困難にする。プラズマ処理装置内の基板温度プロファイルは、プラズマ密度プロファイル、RF出力プロファイル、およびチャック内の様々な加熱または冷却要素の詳細な構造など、多くの因子によって影響を及ぼされ、したがって、基板温度プロファイルはしばしば均一でなく、少数の加熱または冷却要素を用いて制御するのは困難である。この欠点は、基板全体にわたる処理速度の不均一性、および基板上のデバイスダイの限界寸法の不均一性につながる。温度制御の複雑さに鑑みて、装置が所望の空間的および時間的温度プロファイルを能動的に生成して維持し、CDの均一性に悪影響を及ぼす他の有害因子を補償することができるように、独立して制御可能な複数の平坦加熱器区域を基板支持アセンブリに組み込むことが有利である。独立して制御可能な複数の平坦加熱器区域を備える、半導体処理装置内の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、本願と同一の所有者によって所有されている米国特許出願公開第2011/0092072号に開示されており、その開示は参照により本明細書に組み込まれる。この加熱プレートは、平坦加熱器区域ならびに電力供給ラインおよび電力リターンラインの拡張可能な多重レイアウト方式を備える。平坦加熱器区域の出力を調整することによって、処理中の温度プロファイルを、半径方向でおよび方位角方向の双方に整形することができる。この加熱プレートは主にプラズマ処理装置に関して説明されるが、この加熱プレートは、プラズマを使用しない他の半導体処理装置でも使用することができる。この加熱プレートにおける平坦加熱器区域は、好ましくは、規定のパターン、例えば、長方形グリッド、六角形グリッド、円形状配列polararray、同心リング、または任意の所望のパターンで配列される。各平坦加熱器区域は、任意の適切なサイズでよく、1つまたは複数の加熱器要素を有することができる。1つの平坦加熱器区域内の全ての加熱器要素がまとめてオンまたはオフに切り替えられる。電気的接続の数を最小にするために、電力供給ラインがそれぞれ異なる平坦加熱器区域のグループに接続され、電力リターンラインがそれぞれ異なる平坦加熱器区域のグループに接続されるように電力供給ラインおよび電力リターンラインが配置され、各平坦加熱器区域は、特定の電力供給ラインに接続されているグループの1つと、特定の電力リターンラインに接続されているグループの1つとに含まれている。どの2つの平坦加熱器区域も、同一の電力供給ラインと電力リターンラインの対に接続されることはない。したがって、平坦加熱器区域は、この特定の平坦加熱器区域が接続される電力供給ラインと電力リターンラインの対に電流を流すことによって稼働活性化させることができる。加熱器要素の出力は、好ましくは、20W未満、より好ましくは5~10Wである。加熱器要素は、ポリイミド製加熱器、シリコーンゴム製加熱器、マイカ製加熱器、金属製加熱器例えばW、Ni/Cr合金、Mo、またはTa、セラミック製加熱器例えばWC、半導体製加熱器、またはカーボン製加熱器などの抵抗加熱器でよい。加熱器要素は、スクリーンプリント型、巻線型、またはエッチドフォイル型の加熱器でよい。一実施形態では、各平坦加熱器区域は、半導体基板上に製造されるデバイスダイ4個分以下であり、または、半導体基板上に製造されるデバイスダイ2個分以下であり、または半導体基板上に製造されるデバイスダイ1個分以下であり、または、基板上のデバイスダイに対応するように、面積が16~100cm2、または1~15cm2、または2~3cm2である。加熱器要素の厚さは、2マイクロメートル~1ミリメートル、好ましくは5~80マイクロメートルの範囲内でよい。平坦加熱器区域ならびに/または電力供給ラインおよび電力リターンラインの間にスペースを設けるために、平坦加熱器区域の総面積は、基板支持アセンブリの上面の面積の最大90、例えば面積の50~90でよい。電力供給ラインまたは電力リターンライン総称して電力ラインは、平坦加熱器区域の間にある1~10mmの範囲内の隙間に配置することができ、または、電気絶縁層によって平坦加熱器区域の平面から離隔された別個の平面内に配置することができる。電力供給ラインおよび電力リターンラインは、大きな電流を搬送し、ジュール加熱を減少するために、スペースが許す限り広い幅で形成されることが好ましい。電力ラインが平坦加熱器区域と同じ平面内にある一実施形態では、電力ラインの幅は、好ましくは、0.3mm~2mmの間である。電力ラインが平坦加熱器区域とは異なる平面上にある別の実施形態では、電力ラインの幅は、平坦加熱器区域と同じ大きさにすることができ、例えば300mmのチャックに関しては、その幅を2.54~5.08cm1~2インチにすることができる。電力ラインの材料は、加熱器要素の材料と同じ材料でも、異なる材料でもよい。好ましくは、電力ラインの材料は、Cu、Al、W、Inconel登録商標、またはMoなど、低抵抗材料である。図1は、2つの電気絶縁層104Aおよび104B内に組み込まれている平坦加熱器区域101のアレイを有する加熱プレートの一実施形態を備える基板支持アセンブリを示す。電気絶縁層は、ポリマー材料、無機材料、セラミック、例えば、酸化ケイ素、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウム、または他の適切な材料でよい。基板支持アセンブリは、さらに、aセラミック層103静電クランプ層を有するESCであって、基板をセラミック層103の表面にDC電圧で静電クランプするために電極102例えば単極または双極が埋め込まれたESCと、b断熱層107と、cクーラントを流すためのチャネル106を含む冷却プレート105と、を備える。図2に示されるように、各平坦加熱器区域101は、電力供給ライン201の1つと、電力リターンライン202の1つとに接続される。どの2つの平坦加熱器区域101も、同一の電力供給ライン201と電力リターンライン202の対を共有することはない。適切な電気スイッチング構成によって、1対の電力供給ライン201と電力リターンライン202を電源図示せずに接続することができ、これにより、この1対のラインに接続された平坦加熱器区域のみがオンに切り替えられる。各平坦加熱器区域の時間平均加熱出力は、時分割多重によって個別に調整することができる。異なる平坦加熱器区域の間のクロストークを防止するために、ダイオード250が、各平坦加熱器区域101と、そこに接続された電力供給ライン201との間に直列接続され図2に示す、または各平坦加熱器区域101と、そこに接続された電力リターンライン202との間に直列接続され図示せず、それにより、ダイオード250は、電力リターンライン201から平坦加熱器区域101を介して電力供給ライン201に向かう方向には電流を流さない。ダイオード250は、平坦加熱器区域内に、または平坦加熱器区域に隣接して、物理的に位置される。基板支持アセンブリは、加熱プレートの一実施形態を備えることができ、この実施形態において、加熱プレートの各平坦加熱器区域は、基板上の単一のデバイスダイまたはデバイスダイグループ以下のサイズであり、各デバイスダイ位置ごとに基板温度、結果としてプラズマエッチングプロセス、を制御して、基板からのデバイスの歩留まりを最大にすることができる。加熱プレートは、10~100個、100~200個、200~300個、またはより多くの平坦加熱区域を含むことができる。加熱プレートの拡張可能なアーキテクチャは、最小限の数の電力供給ライン、電力リターンライン、および冷却プレート内の通路を用いて、ダイ毎die-by-dieの基板温度制御に必要な平坦加熱器区域の数典型的には、直径300mmの基板上に100個を超えるダイ、したがって100個以上の加熱器区域に容易に対応することができ、したがって、基板温度に対する外乱、製造費、および基板支持アセンブリの複雑さを減少する。図示していないが、基板支持アセンブリは、基板を持ち上げるためのリフトピン、ヘリウム裏面冷却、温度フィードバック信号を提供するための温度センサ、加熱出力フィードバック信号を提供するための電圧および電流センサ、加熱器および/またはクランプ電極のための給電、および/またはRFフィルタなどの機能を備えることができる。プラズマ処理チャンバの動作の概要として、図3は、チャンバ713を備えるプラズマ処理チャンバの概略図を示し、チャンバ713内に、上側シャワーヘッド電極703と基板支持アセンブリ704が配設されている。基板例えば300mmのウェハ712が、装填ポート711を通して基板支持アセンブリ704上に装填される。ガスライン709が、上側シャワーヘッド電極703にプロセスガスを供給し、上側シャワーヘッド電極703は、プロセスガスをチャンバ内に送り込む。ガス源708例えば、適切なガス混合物を供給するマスフローコントローラMFCが、ガスライン709に接続される。RF電源702が、上側シャワーヘッド電極703に接続される。動作時、チャンバが真空ポンプ710によって排気され、RF出力が、上側シャワーヘッド電極703と、基板支持アセンブリ704内の下側電極との間で容量結合されて、基板712と上側シャワーヘッド電極703との間の空間内でプロセスガスを励起してプラズマを発生させる。このプラズマを使用して、基板712上の層にデバイスダイフィーチャをエッチングすることができる。既述のように、基板支持アセンブリ704は、内部に組み込まれた加熱器を有することがある。プラズマ処理チャンバの詳細な設計は変えることができるが、RF出力が基板支持アセンブリ704を通してプラズマに結合されることを理解すべきである。所望の基板支持温度プロファイルを実現するために、各平坦加熱器区域101に供給される電力は、その実際の温度に基づいて調節することができる。各平坦加熱器区域101での実際の温度は、そこに接続されているダイオード250の逆方向飽和電流を測定することによって監視することができる。また、各平坦加熱器区域101での実際の温度は、各平坦加熱器区域での熱電対またはフルオロプティックfluoro-optic温度センサによって監視することもできる。一実施形態による加熱プレートに関する故障検出の方法は、ステップa1つまたは複数の平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、ステップb測定総加熱出力を1つまたは複数の平坦加熱器区域の予め定められた総加熱出力と比較し、ステップc測定総加熱出力が予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える。所定の偏差は、例えば、事前設定予め定められた総加熱出力の±20、±10、±5、または±1でよい。半導体基板の処理中、アラーム信号を使用して、アラームを引き起こしている加熱区域に対する再較正試験または電力調節をトリガすることができる。ステップaにおける1つまたは複数の各平坦加熱器区域の測定加熱出力は、その平坦加熱器区域にわたる電圧Vを測定し、その平坦加熱器区域を介して流れる電流Iを測定し、VとIを乗算することによって得ることができる。ステップaにおける測定総加熱出力は、1つまたは複数の各平坦加熱器区域の測定加熱出力の和である。電圧測定は、電圧計または他の適切な電圧測定デバイスを用いて行うことができ、電流測定は、電流計または他の適切な電流測定デバイスを使用して得ることができる。図4に示されるように、加熱プレートは、加熱区域101に接続された電力供給ライン201とリターンライン202の間に接続されている電圧計520または他の適切な電圧測定デバイスとを有することができ、電流計530または他の適切な電流測定デバイスは、各平坦加熱器区域101とそこに接続されている電力リターンライン202または電力供給ライン201との間に直列接続されている。処理装置5000例えば、コンピュータやマイクロコントローラなどは、各電圧計520から読み取った電圧値を取得し、各電流計530から読み取った電流値を取得するように動作可能である。加熱器区域のN×Mのアレイと、N本の電力供給ラインと、M本の電力リターンラインとを有する加熱プレートでは、N×M個の電流計およびN×M個の電圧計が必要とされる。故障検出の方法は、a平坦加熱器区域が通電された状態で、平坦加熱器区域にわたる電圧Vを、好ましくはそこに接続されている電圧計520を使用して測定し、平坦加熱器区域を通って流れる電流Iを、好ましくはそこに接続されている電流計530を使用して測定し、VとIを乗算することによって、平坦加熱器区域の測定加熱出力を取得し、b平坦加熱器区域の測定加熱出力を、平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力と比較し、c測定加熱出力が予め定められた加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える。あるいは、図5に示されるように、電圧計520が各電力供給ライン210に接続され、電流計530が各電力リターンライン202に直列接続され、それにより、任意の電力リターンライン202が接地されるとき、電流計530は、電力リターンライン202と接地の間にある。処理装置5000は、各電圧計520から読み取った電圧値を取得し、各電流計530から読み取った電流値を取得するように動作可能である。加熱器区域のN×Mのアレイと、N本の電力供給ラインと、M本の電力リターンラインとを有する加熱プレートでは、N個の電圧計およびM個の電流計が必要とされる。故障検出の方法は、a1つまたは複数の電力供給ライン201が電源に接続され、少なくとも1つの電力リターンライン202が接地されている状態で、1つまたは複数の電力供給ライン201上の電圧Vを、好ましくはそこに接続されている電圧計520の少なくとも1つを使用して測定し、少なくとも1つの電力リターンライン202によって搬送される総電流Iを、好ましくはそこに接続されている電流計530を使用して測定し、VとIを乗算することによって、1つまたは複数の電力供給ライン201と少なくとも1つの電力リターンライン202に接続されている平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、b測定総加熱出力を、1つまたは複数の電力供給ライン201と少なくとも1つの電力リターンライン202に接続されている各平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、c測定総加熱出力が予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える。あるいは、図6に示されるように、電圧計520が各電源ライン201に接続され、電流計530が各電力供給ライン201に直列接続され、それにより、任意の電力供給ライン201が電源に接続されるとき、その電力供給ライン201によって搬送されるすべての電流が、そこに接続された電流計530を通って流れ、その後、任意の平坦加熱器区域101内に流れる。処理装置5000は、各電圧計520から読み取った電圧値を取得し、各電流計530から読み取った電流値を取得するように動作可能である。加熱器区域のN×Mのアレイと、N本の電力供給ラインと、M本の電力リターンラインとを有する加熱プレートでは、N個の電圧計およびN個の電流計が必要とされる。故障検出の方法は、a1つまたは複数の電力リターンライン202が接地され、少なくとも1つの電力供給ライン201が電源に接続されている状態で、少なくとも1つの電力供給ライン201上の電圧Vを、好ましくはそこに接続されている電圧計520を使用して測定し、少なくとも1つの電力供給ライン201上の電流Iを、好ましくはそこに接続されている電流計530を使用して測定し、VとIを乗算することによって、1つまたは複数の電力リターンライン202と少なくとも1つの電力供給ライン201に接続されている平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、b測定総加熱出力を、1つまたは複数の電力リターンライン202と少なくとも1つの電力供給ライン201に接続されている各平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、c測定総加熱出力が予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える。あるいは、図7に示されるように、マルチプレクサ1000は、各電力リターンライン202を、他の電力リターンラインとは別個に、選択的に、電流計530を介して接地するように、または電気絶縁端に接続するように構成されている。マルチプレクサ2000は、各電力供給ライン201を、他の電力供給ラインとは別個に、選択的に電気絶縁端に接続するように構成されている。処理装置5000は、電圧計520から電圧読取値を取得し、電流計530から電流読取値を取得するように動作可能であり、マルチプレクサ1000および2000を制御する。加熱器区域のN×Mのアレイと、N本の電力供給ラインと、M本の電力リターンラインとを有する加熱プレートでは、ただ1つの電圧計およびただ1つの電流計が必要とされる。故障検出の方法は、a全ての電力リターンライン202が電流計530を介して接地され、第iの電力供給ライン201のみが電源に接続された状態で、第iの電力供給ライン201上の電圧Vを、好ましくは電圧計520を使用して測定し、全ての電力リターンライン202上の総電流Iを、好ましくは電流計530を使用して測定し、VとIを乗算することによって、第iの電力供給ライン201に接続されている全ての平坦加熱器区域の測定総加熱出力を取得し、b総加熱出力を、第iの電力供給ライン201に接続されている各平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、c測定総加熱出力が予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれているときに、アラーム信号をトリガし、d全ての電力供給ライン201が電源に接続され、第jの電力リターンライン202のみが接地されている状態で、全ての電力供給ライン201上の電圧Vを、好ましくは電圧計520を使用して測定し、第jの電力リターンライン202上の電流Iを、好ましくは電流計530を使用して測定し、VとIを乗算することによって、第jの電力リターンライン202に接続されている全ての平坦加熱器区域の総加熱出力を取得し、e測定総加熱出力を、第jの電力リターンラインに接続されている各平坦加熱器区域の予め定められた加熱出力を加算することによって計算される予め定められた総加熱出力と比較し、f測定総加熱出力が予め定められた総加熱出力から所定の偏差ずれている場合に、アラーム信号をトリガすることを備える。この方法はさらに、どの平坦加熱器区域が故障状態であるかを識別することができる。第iの電力供給ライン201のみが電源に接続され、全ての電力リターンライン202が接地されているとき、および第jの電力リターンライン202のみが接地され、全ての電力供給ライン201が電源に接続されているときにアラーム信号がトリガされた場合、第iの電力供給ライン201と第jの電力リターンライン202の両方に接続されている平坦加熱器区域が故障状態である。電力供給ライン201で測定された電圧Vから、平坦加熱器区域での電圧降下ではない電圧降下、例えば、電力供給ライン201、電力リターンライン202、および/またはダイオード250での電圧降下を差し引くことによって、測定誤差を修正することができる。独立して制御可能な複数の平坦加熱器区域を備える半導体処理装置内の基板支持アセンブリ用の加熱プレートのための故障検出の方法を、その具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を施すことができ、均等形態を採用することができることが当業者には明らかであろう。"