湾曲手段と磁場発生手段とを有し、前記湾曲手段は、磁性膜を有する板体を湾曲可能に支持するよう構成され、前記磁場発生手段は、複数の電磁石と、前記湾曲手段により支持された前記板体の両面側に、各電磁石のうち1または複数の電磁石の芯に接続して伸びる磁路延長部材とを有し、前記磁路延長部材の先端が前記板体の両面側で前記板体との間に隙間をあけて前記板体を挟んで対向するよう配置されていることを特徴とする磁歪測定装置。前記湾曲手段は、支持する前記板体の周縁部の複数箇所を、前記板体の一方の表面側で支持する周縁支持手段と、前記板体の中心部の1または複数箇所を、前記板体の他方の表面側で支持する中心支持手段とを有し、前記板体が湾曲するよう、前記周縁支持手段または前記中心支持手段の少なくともいずれか一方が前記板体を所定の力で押すよう構成されていることを特徴とする請求項1記載の磁歪測定装置。前記電磁石は4つから成り、前記湾曲手段により支持された前記板体の両面側および左右の側方にそれぞれ配置され、前記磁路延長部材は4つから成り、両隣の電磁石の芯に接続して1本に収束するよう、各電磁石の間から1つずつ伸びて、前記板体の両面側に2つずつ配置され、各磁路延長部材の先端が前記板体の両面側で前記板体の表面に沿って所定の間隔をあけて配置されるとともに、それぞれ前記板体の反対面側に配置された対応する磁路延長部材の先端に対して前記板体を挟んで対向するよう配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の磁歪測定装置。しかしながら、巨大磁気抵抗効果GMR膜を使用した一般的なハードディスクHDDの読み取りヘッドは、Ni-Feシールド層に覆われているため、非特許文献1に記載の磁歪測定方法では、マイナーループminorloopでの抵抗-磁場曲線R-Hcurveの測定が困難であるという課題があった。その代替としてシールド層に覆われた固定層pinnedlayerの磁歪を測定するためには、シールド層中の磁性材料を飽和可能な強磁場を使用する必要がある。本発明は、このような課題に着目してなされたもので、強磁場を使用して、シールド層に覆われた磁性膜の磁歪を測定可能な磁歪測定装置を提供することを目的としている。上記目的を達成するために、本発明に係る磁歪測定装置は、湾曲手段と磁場発生手段とを有し、前記湾曲手段は、磁性膜を有する板体を湾曲可能に支持するよう構成され、前記磁場発生手段は、複数の電磁石と、前記湾曲手段により支持された前記板体の両面側に、各電磁石のうち1または複数の電磁石の芯に接続して伸びる磁路延長部材とを有し、前記磁路延長部材の先端が前記板体の両面側で前記板体との間に隙間をあけて前記板体を挟んで対向するよう配置されていることを特徴とする。本発明に係る磁歪測定装置は、湾曲手段により板体を支持した状態で使用される。各電磁石の芯に接続して伸びた各磁路延長部材の先端が、板体の両面側で板体との間に隙間をあけて板体を挟んで対向するよう配置されているため、対向する各磁路延長部材の先端が異なる極性になるよう各電磁石に電流を流すことにより、板体の表面に対して平行又は垂直方向の磁界を容易に発生させることができる。磁界を発生させた後、プローブ等を磁性膜に電気的に接触させて、磁性膜の抵抗を測定することにより、抵抗-磁場曲線を得ることができる。また、板体が磁性膜をシールド層で覆ったものであっても、電磁石の電流を調整することにより、磁性膜を飽和可能な強磁場を発生させることができ、抵抗-磁気曲線を得ることができる。本発明に係る磁歪測定装置は、湾曲手段により板体を湾曲させて磁性膜の抵抗を測定することにより、湾曲時の抵抗-磁場曲線を得ることができる。また、湾曲手段により、板体にかかる荷重を変化させて、板体の湾曲率を様々に変えた状態での抵抗-磁場曲線を得ることにより、磁性膜の磁歪を測定することができる。このように、本発明に係る磁歪測定装置によれば、強磁場を使用して、シールド層に覆われた磁性膜の磁歪をシールド層に邪魔されることなく測定することができる。本発明に係る磁気抵抗評価装置は、板体の任意の位置で磁界を形成可能に、板体と各磁路延長部材の先端とが相対的に移動可能に構成されていることが好ましい。磁性膜を有する板体の例としては、Ni-Feシールド層で覆われた、巨大磁気抵抗効果GMR膜を使用したハードディスクHDDの読み取りヘッドが挙げられる。本発明に係る磁歪測定装置で、前記湾曲手段は、支持する前記板体の周縁部の複数箇所を、前記板体の一方の表面側で支持する周縁支持手段と、前記板体の中心部の1または複数箇所を、前記板体の他方の表面側で支持する中心支持手段とを有し、前記板体が湾曲するよう、前記周縁支持手段または前記中心支持手段の少なくともいずれか一方が前記板体を所定の力で押すよう構成されていることが好ましい。この場合、一方の表面側に向かって凸状になるよう、板体を容易に湾曲させることができる。このときの磁歪の測定原理を、図1に示す。磁性膜MagneticThinFilmに機械的な応力が印加されたとき、磁性膜の磁化の方向は、歪エネルギーλSσにより変化させられる。ここで、λSは磁性膜の飽和磁歪定数であり、σは磁性膜に印加された応力である。この現象は、逆磁歪効果と呼ばれている。図1に示すように、板体が磁性膜を載せた基板Substrateから成り、これに荷重AppliedLoadGをかけて湾曲させる。ここで、基板の幅をW、厚みをt、中心支持手段の2つの支持点LowerKnifeEdgeの間隔をL1、周縁支持手段の2つの支持点UpperKnifeEdgeの間隔をL2とする。このとき、異方性エネルギーは歪エネルギーに等しいと仮定できるため、σ、板体の歪ε、λSは、以下のようになる。ここで、ΔHkはσにより導入される異方性磁界の偏差であり、MSは飽和磁化である。また、EsubおよびEfilmは、それぞれ基板および磁性膜のヤング率であり、基板および磁性膜はフックの法則に従うと仮定している。また、κ=2MSWt2Esub/{9L2-L1Efilm}である。4式から、磁性膜が弾性変形を示す範囲では、GとΔHkとの関係を示すグラフの傾きから、λSを計算することができる。こうして、本発明に係る磁歪測定装置は、磁性膜の磁歪を測定することができる。本発明に係る磁歪測定装置で、前記電磁石は4つから成り、前記湾曲手段により支持された前記板体の両面側および左右の側方にそれぞれ配置され、前記磁路延長部材は4つから成り、両隣の電磁石の芯に接続して1本に収束するよう、各電磁石の間から1つずつ伸びて、前記板体の両面側に2つずつ配置され、各磁路延長部材の先端が前記板体の両面側で前記板体の表面に沿って所定の間隔をあけて配置されるとともに、それぞれ前記板体の反対面側に配置された対応する磁路延長部材の先端に対して前記板体を挟んで対向するよう配置されていることが好ましい。この電磁石および磁路延長部材が4つから成る場合、各磁路延長部材の先端が、板体の両面側で板体の表面に沿って所定の間隔をあけて配置されているため、その各磁路延長部材の先端が異なる極性になるよう電磁石に電流を流すことにより、板体の表面に対して平行方向の磁界を容易に発生させることができる。また、各磁路延長部材の先端が、板体の反対面側に配置された対応する磁路延長部材の先端に対して板体を挟んで対向するよう配置されているため、板体の表面に対して垂直方向の磁界を発生させることができる。このことから、全ての電磁石について電流を調整し、各磁路延長部材の極性やその強度を調整することにより、各磁路延長部材の先端を含み板体の表面に垂直な面内で、任意の方向の磁界を容易に発生させることができる。本発明に係る磁歪測定装置は、湾曲手段により支持された板体の一方の面側の各磁路延長部材の先端の間から磁性膜に電気的に接触可能に伸びるプローブを有することが好ましい。この場合、各電磁石により磁界を発生させたまま、プローブを磁性膜に電気的に接触させて測定することができる。これにより、測定精度をより高めることができる。また、本発明に係る磁歪測定装置において、磁場発生手段は、湾曲手段により支持された板体に平行な基準面、および、その基準面に垂直かつ互いに垂直な2つの面に対して面対称を成す構成から成ることが好ましい。この場合、各電磁石により発生する磁界の向きや大きさを高精度かつ容易に調整することができる。これにより、測定精度をさらに高めることができる。磁界の向きや大きさをより高精度に調整できるよう、板体の表面に沿って配置された磁路延長部材の先端の間隔と、板体を挟んで対向するよう配置された磁路延長部材の先端の間隔とが同じ間隔であることが好ましい。本発明によれば、強磁場を使用して、シールド層に覆われた磁性膜の磁歪を測定可能な磁歪測定装置を提供することができる。以下、図面に基づき、本発明の実施の形態について説明する。図2乃至図4は、本発明の実施の形態の磁歪測定装置を示している。図2に示すように、磁歪測定装置10は、支持台11と磁場発生手段12と湾曲手段13とを有している。磁歪測定装置10は、支持台11から所定の高さの水平面上に、測定対象となる磁性膜を有する板体1を配置するよう構成されている。図2に示すように、磁場発生手段12は、支持台11の上に載置されており、4つの電磁石21と、ヨークから成る4つの磁路延長部材22とを有している。各電磁石21は、水平面に配置された板体1の上下両面側および左右の側方にそれぞれ配置されている。各電磁石21は、中心軸が一つの垂直面内に入るよう配置されている。また、板体1の上下に配置された電磁石21は、中心軸が水平方向に伸び、板体1の左右に配置された電磁石21は、中心軸が垂直方向に伸びるよう配置されている。各磁路延長部材22は、両隣の電磁石21の芯に接続して1本に収束するよう、各電磁石21の間から1つずつ、板体1に向かって伸びるよう設けられている。各磁路延長部材22は、板体1の上下両面側に2つずつ配置されている。各磁路延長部材22は、それぞれの先端22aが板体1の上下両面側で、板体1の表面に沿って所定の間隔をあけて配置されている。また、各磁路延長部材22は、それぞれの先端22aが板体1の反対側に配置された対応する磁路延長部材22の先端22aに対して、板体1を挟んで対向するよう配置されている。磁場発生手段12は、板体1の表面に沿って配置された磁路延長部材22の先端22aの間隔と、板体1を挟んで対向するよう配置された磁路延長部材22の先端22aの間隔とが同じ間隔になっている。磁場発生手段12は、板体1の下面側に配置された電磁石21の芯に接続された2つの磁路延長部材22の下端部で、支持台11に固定されている。湾曲手段13は、上部支持部材23と周縁支持手段24と中心支持手段25と荷重手段26とを有している。上部支持部材23は、板体1の上面側に配置された電磁石21の芯に接続された2つの磁路延長部材22の上端部に架け渡されるよう設けられている。周縁支持手段24は、上部支持部材23から下方に吊り下げられるようにして設けられている。周縁支持手段24は、下端に設けられた水平板24aと、水平板24aの下面から下方に向かって突出した1対の突起24bを有している。各突起24bは、各磁路延長部材22の先端22aを含む垂直面内に、板体1の上面側の2つの磁路延長部材22の先端22aを間に挟むよう、所定の間隔を開けて設けられている。周縁支持手段24は、常態で、突起24bの先端が板体1の上面に接するよう設けられている。中心支持手段25は、上方に向かって伸びるよう、支持台11に固定されている。中心支持手段25は、上端に設けられた支持柱25aと、支持柱25aにかかる荷重を測定可能に支持柱25aと支持台11との間に設けられたロードセル25cとを有している。支持柱25aは、尖端25bが、各磁路延長部材22の先端22aを含む垂直面内で、板体1の下面側の2つの磁路延長部材22の先端22aの間に位置するよう設けられている。中心支持手段25は、支持柱25aの尖端25bが板体1の下面に接するよう設けられている。荷重手段26は、上部支持部材23の上部に回転可能に設けられ、左右に回すことにより、ねじ機構で周縁支持手段24を上昇させたり下降させたりするよう構成されている。湾曲手段13は、周縁支持手段24の各突起24bと、中心支持手段25の支持柱25aの尖端25bとの間に板体1を配置することにより、板体1を支持するようになっている。湾曲手段13は、板体1を適切に配置することにより、支持した板体1の上面側の周縁部の2箇所を周縁支持手段24の各突起24bで支持し、板体1の下面側の中心部の1箇所を中心支持手段25の支持柱25aの尖端25bで支持するようになっている。また、湾曲手段13は、荷重手段26により周縁支持手段24を下降させて下方に向かって押し出すことにより、板体1を上に凸に湾曲させるようになっている。湾曲手段13は、湾曲したときに板体1にかかる荷重を、ロードセル25cで測定可能になっている。次に、作用について説明する。磁歪測定装置10は、湾曲手段13により板体1を支持した状態で使用される。各磁路延長部材22の先端22aが、板体1の両面側で板体1の表面に沿って所定の間隔をあけて配置されているため、その各磁路延長部材22の先端22aが異なる極性になるよう電磁石21に電流を流すことにより、板体1の表面に対して平行方向の磁界を容易に発生させることができる。また、各磁路延長部材22の先端22aが、板体1の反対面側に配置された対応する磁路延長部材22の先端22aに対して板体1を挟んで対向するよう配置されているため、板体1の表面に対して垂直方向の磁界を発生させることができる。このため、全ての電磁石21について電流を調整し、各磁路延長部材22の極性やその強度を調整することにより、各磁路延長部材22の先端22aを含み板体1の表面に垂直な面内で、任意の方向の磁界を容易に発生させることができる。磁界を発生させた後、プローブ等を磁性膜に電気的に接触させて、磁性膜の抵抗を測定することにより、抵抗-磁場曲線を得ることができる。このとき、板体1が磁性膜をシールド層で覆ったものであっても、電磁石21の電流を調整することにより、磁性膜を飽和可能な強磁場を発生させることができ、抵抗-磁気曲線を得ることができる。磁性膜の磁歪を測定するには、湾曲手段13により板体1を湾曲させて磁性膜の抵抗を測定し、湾曲時の抵抗-磁場曲線を作成する。作成した抵抗-磁場曲線から、Hkを求める。ここで、図3aに示すように、Hkは、磁性膜の固定層中のスピンを回転可能な異方性エネルギーに相当する磁場として定義される。自由層FLと固定層PLのスピンは、図3a中のa点では逆向き、b点では垂直、c点では平行である。このことから、回転領域図3a中の斜線の範囲;RotatingAreaは、Hk×ΔRで求められる。実際には、回転領域は次式で計算される。これは、実際の抵抗-磁気曲線は図3aに示すような単純な形をしておらず、強磁場での抵抗-磁気曲線の右側の領域が飽和していないためである。図3bに示すように、回転領域は、自由層と固定層のスピンが逆向きの点から、垂直になる点までの積分で求められる。求められた回転領域の面積をΔR/2で割ることにより、Hkが求められる。こうして、図3に基づいて、抵抗-磁場曲線から、Hkを求めることができる。同様にして、湾曲手段13により、板体1にかかる荷重Gを変化させて、板体1の湾曲率を様々に変えた状態での抵抗-磁場曲線を作成し、それぞれHkを求める。こうして求められたHkと、各Hkに対応する荷重Gまたは応力σとの関係をプロットし、その曲線の傾きΔHk/GまたはΔHk/Δσから、4式に基づいて、λSを求める。ここで、図2に示すように、磁歪測定装置10では、L1=0である。このようにして、磁歪測定装置10を使用して、磁性膜の磁歪を測定することができる。磁歪測定装置10によれば、強磁場を使用して、シールド層に覆われた磁性膜であっても、磁歪を測定することができる。また、セラミックス製のウエハに実装された読み取りヘッドの磁歪は、ガラス基板やシリコン基板上に加工されたものの磁歪とは異なっているため、セラミックス製のウエハに実装された読み取りヘッドの磁歪を測定可能な磁歪測定装置10は、実用的である。磁歪測定装置10は、実用的な基板に実装された読み取り装置の応力効果を調べるのに最適である。測定対象として、読み取りヘッドとして使用される、磁性膜が2つのシールド層で覆われたデュアルスピンバルブを用いた。シールド層は、NiとFeの合金であるパーマロイpermalloyで形成されている。測定対象の磁性膜の厚みは、0.025μmである。また、測定対象を載せる基板として、径6インチ、厚さ1.2mmのAlTiC材の基板を使用した。板体1は、この基板に測定対象を載せたものから成る。電気抵抗の測定には、ケースレーインスツルメンツ株社製のソースメータ2601を使用した。板体1を湾曲させる最大応力は、50MPaとした。磁場は、板体1の表面に沿った方向に、最大4000エルステッドOeまで変化させた。板体1にかけた荷重が0kgのとき、および41.1kg403Nのときに得られた抵抗-磁場曲線を、図4aに示す。図4aに示すように、荷重をかけて湾曲させることにより、固定層のHkが増加していることが確認された。次に、板体1に印加する応力σを5段階に変えたときの、Hkとσとの関係をプロットした結果を、図4bに示す。図4bに示すように、Hkとσとの関係は、ほぼ直線で表されることが確認された。図4bには、最小二乗法により求められた近似直線、およびその式も示している。この直線の傾きから、1式および4式に基づいてλSを求めると、λS=-1.0557×10-4となる。