"基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第1の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第2の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有し、前記第2の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる、ことを特徴とする薄膜形成装置。前記薄膜はSi薄膜であり、前記第2の誘電体板は、チッ化アルミニウムあるいはチッ化ケイ素からなる板である、請求項1に記載の薄膜形成装置。前記電極板の端面には、500V以上の高周波電圧が印加され、前記第2の誘電体板は、前記経路長の中央の位置より上流側に位置する領域であって、前記電極板のピーク間の電圧が500V以上である領域に設けられる、請求項1または2に記載の薄膜形成装置。前記第2の誘電体板は、前記電極板から見て、前記成膜空間と反対側にある空間から着脱自在に交換される、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。しかし、上記プラズマ生成装置では、成膜処理を長期間行ったとき、均一な薄膜が形成できず、また、形成される微結晶Si薄膜の特性が、薄膜太陽電池やTFTの電気特性を低下する場合がある。例えば、微結晶Si薄膜のキャリアの移動度が低下して、薄膜太陽電池の発電効率が低下する場合がある。これは、形成される微結晶Si薄膜内に、キャリアをトラップし易い不純物が含まれるためである、と考えられる。そこで、本発明は、長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い薄膜形成装置を提供することを目的とする。本発明の一態様は、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置である。当該装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間内の基板を載置する載置台の上部に、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向くプラズマ生成用電極板が設けられ、前記成膜空間内の前記ガスを用いて前記成膜空間内でプラズマを生成させるプラズマ電極部と、前記成膜空間に向く前記電極板の面の一部を遮蔽する第1の誘電体板と、前記電極板の面の残りの部分を遮蔽する交換可能な第2の誘電体板と、を含む電極板遮蔽部と、を有する。前記第2の誘電体板は、前記電極板の電流が流れる端面間の経路長の中央の位置に対して少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。前記薄膜はSi薄膜であり、前記第2の誘電体板は、チッ化アルミニウムあるいはチッ化ケイ素からなる板である、ことが好ましい。前記電極板の端面には、500V以上の高周波電圧が印加され、前記第2の誘電体板は、前記経路長の中央の位置より上流側に位置する領域であって、前記電極板のピーク間の電圧が500V以上である領域に設けられる、ことが好ましい。また、前記第2の誘電体板は、前記電極板から見て、前記成膜空間と反対側にある空間から着脱自在に交換される、ことが好ましい。上述の薄膜形成装置では、長期間使用しても均一な薄膜の形成を維持することができ、さらに、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれ難い。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。以下、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態である薄膜形成装置10の構成を示す概略図である。図1に示す薄膜形成装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板に薄膜を形成するCVD装置である。薄膜形成装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成する方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子等の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する方式と異なる。このため、プラズマを生成する素子が共振するように供給する電力の周波数を調整する必要がない。薄膜形成装置以下、薄膜として微結晶Si薄膜を形成する例を用いて、薄膜形成装置10について説明する。薄膜形成装置10は、給電ユニット12と、成膜容器14と、ガス供給部16と、ガス排気部18と、を有する。給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、プラズマ電極部30と、を有する。高周波電源22は、例えば、100~2000Wで数10MHzの高周波電力を電極板30の電極板30a図2a,b参照に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力が電極板30aに効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30aへ数10アンペアの電流を流すことができる。伝送線29は、電極板30aから延び接地されている。電極板30aは、後述する隔壁32上に固定された板部材であって、この板部材の第1の主面31eが成膜容器14内の成膜空間に向いて隔壁32に対して並行に配置されている。電極板30aは、伝送線28が接続されている端面と伝送線29が接続されている端面との間の、板部材の長手方向に沿って電流を流す。成膜容器14は、内部空間38を容器内に有し、内部空間38は、隔壁32及び電極板30a等により上部空間と下部の成膜空間40に区分けされている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成されて内部空間38を0.1Pa以下の減圧状態にできるように、密閉されている。成膜容器14の上部空間には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板30aと、を有する。隔壁32の上部空間に面する側には、電極板30aが固定されている。電極板30aの周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体からなる電極板遮蔽部36が設けられている。電極板遮蔽部36には、例えば石英板とチッ化アルミニウムが部材として用いられる。電極板遮蔽部36を設けるのは、プラズマによる電極板30aの腐食を防ぎ、かつ効率よくプラズマへ電磁エネルギを供給させるためである。成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられている。ヒータ42は、サセプタ44に載置するガラス基板20を所定の温度、例えば250°C程度に加熱する。サセプタ44は、ガラス基板20を載置する。昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、電極板30aに近接するように、ガラス基板20を所定の位置にセットする。ガス供給部16は、ガスタンク48と、マスフローコントローラ50と、を有する。ガスタンク48は、薄膜用原料ガスであるモノシランガスSiH4を貯蔵する。マスフローコントローラ50は、モノシランガスの流量を調整する部分である。例えば形成される膜の膜厚や膜質等の結果に応じてモノシランガスの流量を調整することができる。モノシランガスは、成膜容器14の成膜空間40の側壁から成膜空間40内に供給される。ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を所定の圧力に維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。プラズマ電極板部及び電極板遮蔽部図2aは、電極板30aと電極板遮蔽部36を拡大した拡大断面図であり、図2bは、電極板遮蔽部36を拡大した斜視図である。プラズマ電極部30の電極板30aは、成膜空間40内のサセプタ44の上部に設けられ、反応ガスを用いてプラズマを生成させる。電極板30aは、矩形形状の一方向に長尺な板部材である。電極板30aでは、給電線28と接続された一方の端面31aから給電線29に接続された他方の端面31bに向けて、すなわちX方向に電流が流れる。電極板30aの一方の主面31eは成膜空間40に向いている。給電線29は、図1に示すように接地されている。電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。電極板30aには、例えば500V~1kVの高周波電圧を印加する。電極板遮蔽部36は、第1の誘電体板36aと第2の誘電体板36bとを有する。第1の誘電体板36aは、成膜空間40に向く電極板の面の一部を遮蔽する。第1の誘電体板36aは、例えば石英板からなり、隔壁32に固定されている。第2の誘電体板36bは、電極板30aの成膜空間40に向く面の残りの部分を遮蔽する。第2の誘電体板36bは、電極板30aの電流が流れる端面間の経路長の中央の位置の少なくとも上流側に位置する領域に設けられる。また、図2bに示すように、第1の誘電体板36aの一部には孔36cが設けられており、この孔36cに第2の誘電体板36bが交換可能に設けられている。具体的には、第1の誘電体板36aの孔36cの側面に階段状のステップが設けられ、このステップに、第2の誘電体板36bの側面に設けられた階段状のステップが噛み合って孔36cに固定される。すなわち、第2の誘電体板36bは、隔壁32に固定された第1の誘電体板36aの孔36cに、電極板30aから見て成膜空間40と反対側にある上部空間から着脱自在に交換できる構成となっている。薄膜形成装置10において、第2の誘電体板36bが、電極板30aの電流が流れる端面間の経路長の中央の位置中心位置の少なくとも上流側に設けられるのは、電極板30aの電流が流れる端面間の経路長の中央の位置の少なくとも上流側の電極板遮蔽部36の表面では、生成されるプラズマ中のイオン、特に水素イオンによるエッチング反応によりエッチングが支配的に進行するからである。このようにエッチングが支配的となるのは、電極板30aの給電線29と接続されている端面31bでは0Vの電位ピーク間の電圧であるのに対して、上記部分の電極板30aには、500V以上の電位ピーク間の電圧を有するからである。すなわち、上記部分では、500V以上の電位があるので、例えばプラズマ中のHイオンによって第2の誘電体板36bがエッチングされ易い。このため、薄膜形成装置10の使用によって、第2の誘電体板36bの厚さがエッチングで薄くなり、その結果、電極板30aと成膜空間40との間の距離が僅かに近くなり、電極板30aにより形成される磁場が使用開始時点から変化する。このため、磁場によって生成されるプラズマ密度の分布も僅かに変化する。その結果、基板20に形成されるSi薄膜も均一でなくなる。しかし、エッチングされ易い領域に設けられる第2の誘電体板36bは、着脱自在であるため、薄膜形成装置10の使用に伴って厚さが微小に変化しても、第2の誘電体板36bを取替えることにより、電極板30aにより形成される磁場の変化を抑制することができる。したがって、長期間薄膜形成装置10を使用しても均一な薄膜の形成を維持することができる。特に、第2の誘電体板36bに酸素原子等のような、基板20に形成する薄膜の特性を低下させる成分が含まれている場合、第2の誘電体板36bはエッチングされるので、基板20に形成される薄膜に上記成分が含まれる場合がある。そのため、第2の誘電体板36bには、薄膜の特性を低下させる成分が含まれない材料が用いられる。例えば、モノシランガスを用いる本実施形態の場合、第2の誘電体板36bにチッ化アルミニウムあるいはチッ化ケイ素を用いることが、薄膜の特性を低下させない点で好ましい。したがって、形成される薄膜に薄膜の特性を低下するような不純物が含まれないようにすることができる。また、図2bに示すように、孔36cの側面および第2の誘電体板36aの側面にステップを設けて、電極板30aから見て成膜空間40と反対側に位置する上部空間から第2の誘電体板36bを着脱自在に交換できる構造を有するので、プラズマの生成に大きな影響を与える成膜空間40内部を開けて第2の誘電体板36bを取り外す必要が無くなる。すなわち、第2の誘電体板36bは成膜空間40内部を開けることなく上部空間から容易に交換することができる。上述したように、第1の誘電体板36a及び第2の誘電体板36bを含む電極板遮蔽部36の表面がエッチングされるか、あるいは薄膜が形成されるかは、使用するガスの種類、電極板30aに印加する周波数及び電圧、及び成膜空間40内の成膜時の圧力によって変化するが、モノシランガスを用い、13.56~60MHzの高周波を電極板30aに500V~1kV印加し、そのときの成膜空間40の圧力雰囲気を0.1~100Paとする場合、電極板30aの電位ピーク間の電圧が凡そ500Vとなる位置を境にしてその上流側給電側に位置する電極板遮蔽部36の面ではエッチングが支配的である。したがって、この場合、第2の誘電体基板36bは、電極板30aの電位ピーク間の電圧が500Vより高い領域に対応する部分に設けられることが好ましい。図3は、図2aに示す矩形形状の電極板30aに代えて用いられる電極板30bの例を示している。電極板30bは、U字形状を成しており、往路部分30cと復路部分30dとを有し、往路部分30cと復路部分30dとは並行している。このように、U字形状の電極板30bを用いることで、生成されるプラズマの密度を均一にすることができ、薄膜を基板20に均一に形成することができる。図4a,bは、電極板と生成されるプラズマの電子密度の関係を説明する図である。図4aに示す電極板60を用いたとき、モノシランガス1.3Paを導入した成膜空間40内で生成されるプラズマの電子密度は、図4bに示すような値となる。電極板60は、電極板30と異なり屈曲部を有さない一方向に伸びる電極板である。このとき、電極板60の端面60aに1kWの高周波電力13.56~60MHzが付与され、端面60bが接地されている。すなわち、図4bに示すように、接地側端面60bの側では電子密度が高く、給電側端面60aの側では電子密度が低い。この理由については、明確ではないが、接地側では電流により生成された磁場に基づいて生成されるプラズマ電流に由来するプラズマが支配的であるのに対し、給電側では高電圧によって生成されるプラズマ電圧に由来するプラズマが支配的であることに起因すると考えられる。高電圧の給電側では、電子はその電界により加熱されるため、十分なエネルギを受けることができず、高密度なプラズマが生成されにくいと考えられるからである。したがって、電極板30bを、接地側でプラズマ密度が高くなることを利用して、図3aに示すように、U字形状とすることにより、給電側のプラズマ密度の低い領域と、接地側のプラズマ密度の高い領域とが混ざり合って、平均的なプラズマ密度を生成する。この結果、成膜空間40で均一な磁場を形成する。したがって、電極板30bは、均一なプラズマ密度を達成することができる。このような電極板30bにおいても、少なくともU字状に流れる電流の端面間の経路長の中央の位置の少なくとも上流側図3では、斜線で施された領域に対応する位置に、第2の誘電体板36aが設けられることが好ましい。以上、本発明の薄膜形成装置について詳細に説明したが、本発明の薄膜形成装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。"