表面に酸化膜が成膜された支持基板用半導体ウェーハの第1主面に、活性層用半導体層が形成されたSOIウェーハであって、前記活性層用半導体層が形成された前記第1主面と対向する第2主面に、導電性膜が形成された、SOIウェーハ。前記導電性膜は、前記SOIウェーハの製造プロセスにおいて、前記第2の主面が帯電可能な導電性部材に接触することを防ぐ位置かつ形状によって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のSOIウェーハ。前記帯電可能な導電性部材には、ウェーハ製造設備で使用される搬送アーム、搬送ステージ、及びチャンバーステージが含まれる、請求項2に記載のSOIウェーハ。周知のように、半導体ウェーハの製造プロセスでは、イオン注入等の支持基板用半導体ウェーハ110の内部に電荷が注入される工程が存在する。ここで、上述したように、シリコン酸化膜111は、支持基板用半導体ウェーハ110の表面全体を覆うように成膜される。一般的に、イオン注入工程において注入されるイオンはプラスに帯電しているため、シリコン酸化膜111で覆われている支持基板用半導体ウェーハ110は、プラスに帯電することとなる図8a。ここで、支持基板用半導体ウェーハ110の内部に注入されたプラス電荷は、シリコン酸化膜111の厚みが薄ければ1μm未満大気中に放電される大気中に漂うマイナスイオンのマイナス電荷によって打ち消される。しかし、シリコン酸化膜111が厚くなればなる程1μm以上、支持基板用半導体ウェーハ110の内部に注入されたプラス電荷は、大気中に放電され難くなる。この支持基板用半導体ウェーハ110の内部にプラス電荷が溜まった状態のままで半導体製造を継続した場合、ウェーハ製造設備で使用される搬送ステージ50に載置したときに支持基板用半導体ウェーハ110の最表層部に集まったプラス電荷によって、搬送ステージ50の表面にマイナス電荷が引き寄せられ、搬送ステージ50がマイナス-に帯電する図8b。従って、SOIウェーハ101と搬送ステージ50とが接触する境界図8b、矢印Yの部分は、プラス電荷が集まった支持基板用半導体ウェーハ110の最表層部とマイナスに帯電した搬送ステージ50の表面との間となり、この境界を跨いだ2つの帯電電荷はプラスとマイナスの異極性となる。従って、搬送ステージ50からSOIウェーハ101を引き離す際には、境界を跨いだ2つの帯電電荷が異なる極性であるため静電吸着現象が生じてしまう。その結果、例えば、静電吸着現象が起因となるSOIウェーハ101とウェーハ製造設備で使用される搬送ステージ50との貼り付きによる搬送不良等が発生するという問題がある。また、シリコン酸化膜111の寿命が低下したり、活性層122側の帯電が原因となる閾値電圧変動や耐圧低下等が起こったりするおそれもある。なお、支持基板用半導体ウェーハ110の内部に注入されたプラス電荷を大気中に放電するための他の手法として、支持基板用半導体ウェーハ110の側面を切削等してシリコン酸化膜111を剥がし、単結晶シリコン部分を露出させる手法が存在する。しかし、単結晶シリコン部分を露出させる切削処理には微細な加工が要求され、制御管理が難しいという新たな課題も生じる。それ故に、本発明の目的は、簡単な方法を用いて、SOIウェハとウェーハ製造設備で使用される搬送ステージと間における静電吸着現象の発生を無くし、静電吸着現象を起因とするウェーハの搬送不良等の発生を防止することができるSOIウェーハを提供することである。本発明は、表面に酸化膜が成膜された支持基板用半導体ウェーハの第1主面に、活性層用半導体層が形成されたSOIウェーハに向けられている。そして、上記目的を達成するために、本発明のSOIウェーハは、活性層用半導体層が形成された第1主面と対向する第2主面に、導電性膜が形成されている。この導電性膜は、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、第2の主面が帯電可能な導電性部材に接触することを防ぐ位置かつ形状によって形成されていることを特徴とする。また、典型的には、帯電可能な導電性部材には、ウェーハ製造設備で使用される搬送アーム、搬送ステージ、及びチャンバーステージが含まれる。上記本発明によれば、SOIウェーハの第2主面に導電性膜が形成されているので、支持基板用半導体ウェーハの内部がプラスに帯電していても、ウェーハ製造設備で使用される搬送ステージとの間で静電吸着現象が生じない。よって、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。以下、本発明が提供する半導体素子の形成に用いられるSOIウェーハについて、そのSOIウェーハの構造、課題が解決される原理、及びSOIウェーハの製造方法を、図面を参照しながら順に説明する。1.SOIウェーハの構造図1は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の構造を説明する断面図である。図1に示すSOIウェーハ1は、表面に酸化膜11が成膜された支持基板用半導体ウェーハ10と、支持基板用半導体ウェーハ10の第1主面図1では上面に形成された活性層22と、支持基板用半導体ウェーハ10の活性層22が形成された第1主面と対向する第2主面図1では下面に形成された導電性膜33とを備えている。支持基板用半導体ウェーハ10は、単結晶シリコンSiからなり、ウェーハ表面の全体には熱酸化処理によって絶縁性を有するシリコン酸化膜11が成膜されている。この支持基板用半導体ウェーハ10の第1主面には、単結晶シリコンからなる活性層22が形成されている。すなわち、シリコン酸化膜11が、支持基板用半導体ウェーハ10と活性層22とで挟まれた構造となる。この支持基板用半導体ウェーハ10と活性層22とで挟まれたシリコン酸化膜11は、BOX層やBOX酸化膜とも称される。さらに、この支持基板用半導体ウェーハ10の第2主面には、導電性を有する導電性膜33が形成されている。この導電性膜33には、導電性のある材料、例えば単結晶シリコン、ポリシリコン、炭化シリコンSiC、窒化ガリウムGaN、二酸化クロムCrO2、及び酸化チタンTiO等が用いられる。この導電性膜33は、後述するように、SOIウェーハ1の製造プロセスにおいて、ウェーハ製造設備で使用される搬送アーム、搬送ステージ、及びチャンバーステージ等以下、総称して搬送ステージと記すの帯電可能な導電性部材と、支持基板用半導体ウェーハ10の第2主面との間において、静電吸着現象の発生を無くす目的で設けられる。このため、導電性膜33は、支持基板用半導体ウェーハ10の第2主面が搬送ステージに接触してしまうことを防止することができる位置かつ形状によって形成される。つまり、本発明のSOIウェーハ1は、シリコンSi/二酸化シリコンSiO2/シリコンSi/二酸化シリコンSiO2/シリコンSiの5層構造を有することを基本とする。なお、導電性膜33側となるシリコンについては、上述した他の導電性のある材料に置き換えることが可能である。2.課題が解決される原理図2は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の構造によって、従来の解決課題であった静電吸着現象の発生を防止できる原理を説明するための図である。今、本発明のSOIウェーハ1が、プラスイオンの注入工程を終えて、支持基板用半導体ウェーハ10の内部がプラスに帯電した状態を考える図2a。背景技術で述べたように、支持基板用半導体ウェーハ10に成膜されたシリコン酸化膜11の厚みが1μm未満と薄ければ、支持基板用半導体ウェーハ10に帯電したプラス電荷はシリコン酸化膜11を通過して大気中に放電されるすなわち、大気中に漂うマイナスイオンのマイナス電荷によって打ち消される。しかし、支持基板用半導体ウェーハ10に成膜されたシリコン酸化膜11の厚みが1μm以上になると、支持基板用半導体ウェーハ10に帯電したプラス電荷の大半は大気中に放電されることなく、支持基板用半導体ウェーハ10の内部に溜まることになる図2a。この支持基板用半導体ウェーハ10の内部にプラス電荷が溜まった本発明のSOIウェーハ1を、導電性膜33が形成された側を下面としてウェーハ製造設備で使用される搬送ステージ50に載置した場合の帯電状態を、図2bに示す。この図2bに示すように、支持基板用半導体ウェーハ10の内部に溜まったプラス電荷は、搬送ステージ50に近い側の最表層部に集まるため、この最表層部に集まったプラス電荷によって、従来と同様に搬送ステージ50の表面にマイナス電荷が引き寄せられる。従って、搬送ステージ50がマイナス-に帯電する。ところが、本発明の特徴的なSOIウェーハ1の構造では、支持基板用半導体ウェーハ10と搬送ステージ50との間に介在する導電性膜33も、搬送ステージ50と同じく、搬送ステージ50に近い側の最表層部に集まった支持基板用半導体ウェーハ10内部のプラス電荷によって、マイナス-に帯電することとなる図2b。このため、本発明のSOIウェーハ1の構造では、SOIウェーハ1と搬送ステージ50とが接触する境界図2b、矢印Xの部分は、マイナスに帯電した導電性膜33とマイナスに帯電した搬送ステージ50の表面との間となり、この境界を跨いだ2つの帯電電荷はマイナスとマイナスの同極性となる。従って、搬送ステージ50からSOIウェーハ1を引き離す際には、境界を跨いだ2つの帯電電荷が同じ極性であるため静電吸着現象が生じない。よって、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。3.SOIウェーハの製造方法上述した構造による本発明のSOIウェーハ1を実現するための製造方法として、例えば以下の製造方法が考えられる。図3~図5は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例1~例3をそれぞれ説明する図である。<製造方法例1>図3は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例1を説明する図である。この製造方法例1では、次の工程A~工程Dが実行される。単結晶シリコンからなる3つの半導体ウェーハ10、20、及び30を用意する。工程A:この3つの内、1つの半導体ウェーハ10に熱酸化処理を施して、ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11を成膜する。工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10を残る2つの半導体ウェーハ20及び30で挟み、熱処理例えば、約1000°Cで約2時間を施して3つの半導体ウェーハ10、20、及び30を貼り合わせる。工程C:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面工程Bの点線及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層SOI層22を形成する。工程D:半導体ウェーハ30を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面工程Bの点線及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した導電性膜33を形成する。<製造方法例2>図4は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例2を説明する図である。この製造方法例2では、次の工程A~工程Dが実行される。単結晶シリコンからなる2つの半導体ウェーハ10及び20を用意する。工程A:この2つの内、1つの半導体ウェーハ10に熱酸化処理を施して、ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11を成膜する。工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10ともう1つの半導体ウェーハ20とを密着させ、熱処理を施して2つの半導体ウェーハ10及び20を貼り合わせる。工程C:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面工程Bの点線及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層SOI層22を形成する。工程D:半導体ウェーハ10の半導体ウェーハ20が貼り合わされていない側の表面に、CVDchemicalvapordeposition法等を用いて、ポリシリコン等の導電性膜33を所望の厚さで形成する。<製造方法例3>図5は、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の製造方法例3を説明する図である。この製造方法例3では、次の工程A~工程Dが実行される。単結晶シリコンからなる2つの半導体ウェーハ10及び20を用意する。工程A:2つの半導体ウェーハ10及び20に熱酸化処理を施して、各ウェーハの表面全体に絶縁性のシリコン酸化膜11及び21をそれぞれ成膜する。工程B:シリコン酸化膜11を成膜した半導体ウェーハ10とシリコン酸化膜21を成膜した半導体ウェーハ20とを密着させ、熱処理を施して2つの半導体ウェーハ10及び20を貼り合わせる。工程C:半導体ウェーハ10の半導体ウェーハ20が貼り合わされていない側の表面に、CVD法等を用いて、ポリシリコン等の導電性膜33を所望の厚さで形成する。この状態における半導体ウェーハ20は、活性層22を形成する前段階の活性層用半導体層に該当する。工程D:半導体ウェーハ20を、半導体ウェーハ10が貼り合わされていない側の表面工程Cの点線及び端面を研磨処理し、所望の厚さ及び形状を有した活性層SOI層22を形成する。上述した製造方法例1~例3のいずれかを用いることで、シリコン活性層22/二酸化シリコン酸化膜11/シリコンウェーハ10/二酸化シリコン酸化膜11/シリコン導電性膜33による5層構造のSOIウェーハ1を、完成させることができる。なお、導電性膜33は、上述したようにシリコン以外で形成しても構わない。なお、図4及び図5では、外周部分を研磨処理していない導電性膜33の形状を図示しているが、図1に示したように導電性膜33の外周部分を研磨処理してもよい。つまり、支持基板用半導体ウェーハ10の第2主面が、製造設備に使用される搬送ステージ等の帯電可能な導電性部材に接触することを防ぐという目的が達成されるならば、導電性膜33の位置及び形状は特に限定されない。以上のように、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1によれば、支持基板用半導体ウェーハ10の活性層22が形成されていない第2主面に、導電性を有する導電性膜33を形成する。この導電性膜33により、支持基板用半導体ウェーハ10の内部がプラスに帯電したSOIウェーハ1を、ウェーハ製造設備で使用される搬送ステージ50に載置させても、静電吸着現象が生じない。従って、SOIウェーハの製造プロセスにおいて、静電吸着現象が起因となるウェーハの搬送不良等の発生を防止することができる。また、本発明の一実施形態に係るSOIウェーハ1の構造では、支持基板用半導体ウェーハ10の単結晶シリコン部分を露出させることを行わないため、支持基板用半導体ウェーハ10の側面を切削してシリコン酸化膜11を剥がすという微細な切削加工処理が必要ないという利点がある。