第1の絶縁体上に接して位置する反射膜を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記反射膜は、Agからなる第1層を形成した後、前記第1層上に厚さ1~30ÅのAlからなる第2層を最上層として形成して少なくとも2層構造とし、前記反射膜の形成後、300~700°Cの温度で熱処理を行う、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記反射膜は、厚さ1~30ÅのAlからなる第3層を形成し、前記第3層上に前記第1層、前記第2層を順に形成して3層構造とする、ことを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記熱処理は、III族窒化物半導体発光素子の電極がオーミックコンタクトをとるための熱処理を兼ねるものである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。III族窒化物半導体発光素子は、n型層、発光層、p型層、該p型層に対して電流を拡散するための拡散電極を有し、前記反射膜を形成する前に、前記n型層、前記拡散電極に、それぞれ接合するコンタクト電極を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記熱処理は、前記反射膜を形成した後に、前記反射膜の上面が露出した状態で行われ、前記コンタクト電極の前記n型層及び前記拡散電極に対するオーミックコンタクト、前記拡散電極の前記p型層に対するオーミックコンタクトを得るための熱処理をかねることを特徴とする請求項4に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記反射膜上に接して第2の絶縁体を形成し、前記熱処理は、前記第2の絶縁体の形成後に行う、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記反射膜の上にAgの拡散を防止するバリアメタル層を形成することを特徴とする請求項1ないし請求項6の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記III族窒化物半導体発光素子は、前記第2の絶縁体上に配線状に電極が形成され、前記電極側を光取り出し側とするフェイスアップ型であり、前記反射膜は、平面視で前記電極に対向する領域に形成する、ことを特徴とする請求項6に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記III族窒化物半導体発光素子は、基板を前記第1の絶縁体とし、その基板上に素子構造が形成されたフェイスアップ型であり、前記反射膜は、前記基板の前記素子構造形成側とは反対側の面上に形成する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記III族窒化物半導体発光素子は、基板上に素子構造が形成され、前記素子構造上に前記第1の絶縁体を介して前記反射膜が形成されたフリップチップ型である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。前記III族窒化物半導体発光素子の発光波長のピークは、400nm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。Agは熱によってマイグレーションが生じ、反射率が減少してしまう。そのため、反射膜形成後の工程において熱履歴に注意が必要となる。特許文献1には熱によるマイグレーションについての記載はない。また、特許文献2では、温度80°C、湿度90の環境に、100時間放置しても、反射率の顕著な低下が観測されなかったことが示唆されている。しかし、特許文献2は、より高温での積極的な熱処理により反射率を向上させるものではない。そこで本発明の目的は、反射膜を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、反射膜の耐熱性および反射率を向上させることである。第1の発明は、第1の絶縁体上に接して位置する反射膜を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、反射膜は、Agからなる第1層を形成した後、第1層上に厚さ1~30ÅのAlからなる第2層を最上層として形成して少なくとも2層構造とし、反射膜の形成後、300~700°Cの温度で熱処理を行う、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。反射膜は、Agからなる第1層と、第1層上に形成された厚さ1~30ÅのAlからなる第2層とで構成される少なくとも2層構造Ag/Alを含む構造であり、第2層が最上層第1の絶縁体側を下層、それとは反対側を上層と定義してとする構造であれば任意の構造でよいが、特に厚さ1~30ÅのAlからなる第3層上に上記第1層、第2層が順に形成された、Al/Ag/Alの3層構造であることが好ましい。この厚さの範囲に存在する場合に、反射膜は熱処理により、熱処理をしない場合に比べて反射率が向上する。また、Agだけで反射層を形成して熱処理をした場合の反射率に対して、本発明での反射率は2倍近く大きい。同じAlからなる第2層と第3層は、異なる厚さであってもよいが、同じ厚さとすることが作製上容易で好ましい。また、Agからなる第1層の厚さは、500~5000Åとするのが望ましい。500Åより薄いと、光の透過率が高くなり望ましくない。また、5000Å以上では、その厚さによる段差が大きく、素子作製が難しくなり望ましくない。より望ましい反射膜の第2層の厚さは、5~10Åである。反射膜が3層構造の場合も、2層構造と同様に、第3層、第2層の厚さが、ともに、1~30Åの範囲に存在する場合に、反射膜は熱処理により、熱処理をしない場合に比べて反射率が向上する。また、Agだけで反射層を形成して熱処理をした場合の反射率に対して、本発明での反射率は2倍近く大きい。熱処理の温度は、300~600°Cであることがより望ましい。この範囲であれば、反射膜の反射率の改善効果がより大きい。なお、反射膜形成後の熱処理は、III族窒化物半導体発光素子の電極がオーミックコンタクトをとるための熱処理など、他の熱処理を兼ねるものであってもよい。300~600°Cの温度範囲の熱処理は、電極と半導体層とのオーミックコンタクトを実現できる温度範囲であり、同一工程において、電極のオーミック形成を実現できる。熱処理工程は、反射膜の形成の後であれば、任意である。熱処理工程は、反射膜が第2の絶縁体で覆われる前であっても、覆われた後であっても良い。第1の絶縁体は、SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2、などのIII族窒化物半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有した絶縁材料であればよい。フェイスアップ型の場合には、第1の絶縁体は、絶縁体からなる成長基板、たとえばサファイア基板であってもよい。第2の発明は、第1の発明において、反射膜は、厚さ1~30ÅのAlからなる第3層を形成し、第3層上に第1層、第2層を順に形成して3層構造とする、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。3層構造の場合には、2層構造に比べてAlの総合厚さを同一とした場合に、熱処理による反射率の改善率も大きい。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、熱処理は、III族窒化物半導体発光素子の電極がオーミックコンタクトをとるための熱処理を兼ねるものである、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。同一工程において、電極のオーミック形成を実現できるので、製造工程が簡略化される。第4の発明は、第1の発明または第2の発明において、III族窒化物半導体発光素子は、n型層、発光層、p型層、該p型層に対して電流を拡散するための拡散電極を有し、反射膜を形成する前に、n型層、拡散電極に、それぞれ接合するコンタクト電極を形成することを特徴とする。ここで拡散電極は、p型層へ電流を一様に拡散するための電極であり、透光性の金属薄膜、ITO、酸化チタン、酸化錫などの透明導電膜を用いることができる。また、第5の発明は、第4の発明において、熱処理は、反射膜を形成した後に、反射膜の上面が露出した状態で行われ、コンタクト電極のn型層及び拡散電極に対するオーミックコンタクト、拡散電極のp型層に対するオーミックコンタクトを得るための熱処理をかねることを特徴とする。反射膜の上面が露出した状態で、熱処理する方が、第2の絶縁体で上部を覆って熱処理するよりは、反射膜の反射率の増加率が大きい。よって、この状態で熱処理することは、反射率の改善に効果が高い。また、第6の発明は、第1の発明から第4の発明において、反射膜上に接して第2の絶縁体を形成し、熱処理は、第2の絶縁体の形成後に行う、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。第2の絶縁体は、第1の絶縁体と同様にIII族窒化物半導体発光素子の発光波長に対して透光性を有した絶縁材料であればよく、第1の絶縁体と第2の絶縁体とが同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。第7の発明は、第1の発明から第6の発明において、反射膜の上にAgの拡散を防止するバリアメタル層を形成することを特徴とする。バリアメタル層は、Ti、Ni、Al、、W、Moのうちの1種又は2種以上の合金や、Agよりイオン化傾向が高い金属や、ITO、IZO、ICOなどのn型酸化導電膜を用いることができる。また、バリアメタル層は、上記の材料の積層構造であっても良い。バリアメタル層を設けることにより、湿度によるAgのマイグレーションを抑制することができる。第8の発明は、第6の発明において、III族窒化物半導体発光素子は、第2の絶縁体上に配線状に電極が形成され、電極側を光取り出し側とするフェイスアップ型であり、反射膜は、平面視で電極に対向する領域電極により遮光される領域に形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。この場合には、配線状の電極により光の出力が遮られるが、この光は反射膜により反射されて、多重反射により配線状の電極の存在しない位置から出力されるので、出力効率が向上する。第9の発明は、第1の発明から第7の発明において、III族窒化物半導体発光素子は、基板を第1の絶縁体とし、その基板上に素子構造が形成されたフェイスアップ型であり、反射膜は、基板の素子構造形成側とは反対側の面上に形成する、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。すなわち、本発明は、電極での遮光による光出力の低下を防止する発光素子だけでなく、基板の裏面素子層の形成されていない方の面に、本発明の反射膜を設けても良い。第10の発明は、第1の発明から第7の発明において、III族窒化物半導体発光素子は、基板上に素子構造が形成され、素子構造上に第1の絶縁体を介して反射膜が形成されたフリップチップ型である、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。電極の遮光による光出力の低下を抑制することがてきる。第11の発明は、第1の発明から第10の発明において、III族窒化物半導体発光素子の発光波長のピークは、400nm以上であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。発光ピーク波長が400nm以上の範囲において、第2の絶縁体を有しない素子では、本発明の反射膜の反射率は90以上、第2の絶縁体を有する素子では、反射率は83以上と高くできるので、本発明の反射膜はこの波長領域で使用することが効果的である。本発明によると、熱処理後において反射膜の反射率低下を抑制することができ、Agと同等、ないしそれ以上の反射率の反射膜を形成することができる。その結果、III族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。これは、AlによってAgが不動態となり、熱マイグレーションが防止されるためと考えられる。また、AlはAgに比べてSiO2などの絶縁体との密着性がよいため、反射膜と絶縁体との密着性を確保することができ、III族窒化物半導体発光素子の信頼性を向上させることができる。図1より明らかなように、Agの単層からなる反射膜は、Agの上部を絶縁膜で覆う場合も、覆わない場合も、熱処理により反射率は低下する。そして、Agの上部を絶縁膜で覆わない場合には、熱処理により、反射率は94.5から50に、減少幅は47と大幅に低下する。また、Alの単層から成る反射膜も、Alの上部を絶縁膜で覆う場合も、覆わない場合も、熱処理により反射率は低下する。この場合には、Alの上部を絶縁膜で覆った場合には、熱処理により、反射率は89から53.5に、減少幅は40と大幅に低下する。これに対して、本発明において、第1の絶縁体の上のAg、その上のAlから成る反射膜の場合には、Alの上部が第2の絶縁体で覆われていない場合には、熱処理により反射率は89から96.5に、増加幅8で増加する。また、Alの上部が第2の絶縁体で覆われている場合には、熱処理により、反射膜の反射率は94.5から96.5に、増加幅2で増加する。これに対して、AgとAlの上下関係が逆の場合、すなわち、第1の絶縁体の上のAl、その上のAgから成る反射膜の場合には、Agの上部が第2の絶縁体で覆われていない場合には、熱処理により反射率は96から67.5に、減少幅30で減少する。また、Agの上部が第2の絶縁体で覆われている場合には、熱処理により、反射膜の反射率は83.5から82.5に、増加幅1で減少する。このことから、熱処理による反射膜の反射率の改善には、Ag層の上のAl層の存在が、大きく寄与していることが理解される。また、第1の絶縁体の上に、Alから成る第3層、Agから成る第1層、Alから成る第2層の3層構造で反射膜を形成した場合には、最上層の第2層の上が第2の絶縁体で覆われていなくとも、覆われていても、ともに、熱処理により、反射率が向上していることが分かる。また、Al/Ag/Alの3層構造とAg/Alの2層構造とで、Alから成る層の厚さが20Åの場合を比較すると、反射膜の反射率や、熱処理による反射率の増加率は、ほぼ等しい。このことから、Alから成る層は、Agから成る層の上に位置する層の存在が、熱処理による反射率の改善に大きく寄与していることが分かる。したがって、図1から、反射膜がAl/Ag/Alの3層構造とAg/Alの2層構造とにかかわらずAlから成る層の厚さ主として、Ag層の上のAl層第2層の厚さが1-30Åの範囲において、熱処理により反射率が向上する。図1の反射率の特性において、反射膜を熱処理した素子における処理温度は、600°Cである。図2は、Al/Ag/Alから成る反射膜において、第2層の上に第2の絶縁体が存在しない場合と、存在する場合とで、熱処理をしない場合と、熱処理温度を変化させた時の反射膜の反射率の特性を示している。熱処理をすることで、何れの場合も、反射膜の反射率は向上していることが理解される。300°C以上、600°C以下で熱処理をした場合には、確実に、熱処理により反射膜の反射率は向上している。また、700°Cでの熱処理においては、Alから成る層の厚さに依存して、反射率が増加する傾向と減少する傾向とが見られる。800°Cでは、反射率は、Alから成る層の厚さにかかわらず、反射率は大きく低下している。このことから、反射膜の熱処理温度は、300°C以上、700°C以下で用いることができ、望ましい熱処理温度は、300°C以上、600°C以下である。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。サファイア基板1上にSiO2からなる厚さ3000Åの第1絶縁膜2第1の絶縁体を形成し、第1絶縁膜2上に種々の材料からなる反射膜3を蒸着によって形成した試料Aを作製し図2.A参照、その後、熱処理を行った場合と行わなかった場合についてそれぞれ、反射膜表面に垂直に光を照射して反射率を測定した。また、上記と同様にしてサファイア基板1上に第1絶縁膜2、反射膜3を順に形成後、さらに反射膜3上にSiO2からなる厚さ3000Åの第2絶縁膜4第2の絶縁体をCVD法によって形成した試料Bを作製し図2.B参照、その後熱処理を行った場合と行わなかった場合について、同様に反射率を測定した。反射膜の材料には、Al/Ag/Al第1絶縁膜2側からAl膜、Ag膜、Al膜、の順の意、以下も同様、Al/Ag、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al、Ag、Al、の6種の材料をそれぞれ用いた。Agの厚さはいずれも2000Åである。Al/Ag/Alについては、両方のAlの厚さを同一とし、その厚さを1、3、5、10、20、30、50、100Åと替えてそれぞれ反射率を測定した。Al/Ag、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al、については、Alの厚さを20Åとした。単層のAgについては、厚さを2000Åとし、単層のAlについては、厚さを1000Åとした。図1は、反射膜の材料と、波長450nmにおける反射率との関係を示したグラフである。熱処理は600°Cで3分間行った。図1のように、反射膜として単層のAgや単層のAlを用いた場合は、試料A、Bのいずれの場合であっても、熱処理後は熱処理前に比べて反射率が低下していることがわかる。単層のAgを用いた試料Aの場合には、熱処理により、反射膜の反射率の減少率は47であり、単層のAlを用いた試料Bの場合には、熱処理により、反射膜の反射率の減少率は40であり、ともに、大きく減少している。また、試料Aでは熱処理中雰囲気に晒されるが、試料Bでは雰囲気に晒されないことから、熱処理による反射率の低下は、熱処理中の雰囲気が原因ではないことがわかる。一方、Al/Ag/Alは、Alの厚さ1~30Åの範囲においては、試料A、Bのいずれの場合であっても、熱処理後の反射率は95以上であり、熱処理前の単層のAgの反射率と同程度もしくはそれ以上の反射率となっている。また、Alの厚さを20ÅとしたAg/Al、Al/Ag/Al/Ag/Al、についても、熱処理後の反射率は、熱処理前の単層のAgの反射率と同程度もしくはそれ以上の反射率となっている。したがって、反射膜の構造を、Ag層上にAl層を最上層として形成した少なくとも2層の構造とし、Al層の厚さを1~30Åとすれば、熱処理後においても単層のAgと同程度、もしくはそれ以上の反射率とすることができると推察される。また、Al層の厚さを1~30Åとすれば、試料A、Bの場合に、熱処理により、ともに反射率は増大している。このことから、反射膜がAg単で構成されている場合に比べて、反射膜の熱処理が反射率の改善において有効であることが分かる。図3は、熱処理の温度と、波長450nmにおける反射率との関係を示したグラフである。熱処理の時間は3分間で、反射膜にはAl/Ag/Alを用い、Agの厚さは2000Å、Alの厚さは5、10、30、50Åと替えてそれぞれ反射率を測定した。図3のように、反射膜3上に第2絶縁膜4を形成していない試料A、形成した試料Bのいずれでも、熱処理温度が800°Cでは反射率が低下しており、熱処理温度は300~700°Cが望ましいことがわかる。また、熱処理温度は300~600°Cの範囲においては、Alの厚さにかかわらず、熱処理温度が高くなるほど、熱処理による反射率の増加率が大きくなることが分かる。したがって、熱処理温度は300~600°Cは、反射膜の熱処理温度として、特別な効果を有する範囲である。また、図9、10は、熱処理後における試料Aおよび試料Bの反射膜3の反射率についての波長依存性を示したグラフである。図9のように、熱処理後における試料Aの反射膜3では、反射膜3が1~30ÅのAl/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Alの場合には、波長420~1000nmでは反射率がおよそ95でほぼ一定となっていて、波長420nmよりも短くなると徐々に反射率も低下し、波長380nm当たりで急激に反射率が低下とする特性となっている。また、図10のように、熱処理後における試料Bの反射膜3では、反射膜3が1~30ÅのAl/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Alの場合には、波長650nm付近に若干反射率の低下が見られるものの、波長450~1000nmで反射率がおよそ95でほぼ一定であり、波長450nmよりも短くなると徐々に反射率が低下し、波長400nmより短くなると減衰振動しながら反射率が低下していく特性となっている。以上の結果から、絶縁膜上に反射膜を有したIII族窒化物半導体発光素子の製造では、反射膜3の材料としてAl/Ag/Al、Ag/Al、Al/Ag/Al/Ag/Alを用い、Alの厚さを1~30Åとして、反射膜形成後の熱処理温度は300~700°Cとするのが好適であることがわかった。これにより、反射膜3の反射率は、熱処理前のAgと同等ないしそれ以上となり、III族窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。このような反射率低下の防止は、AlによってAgが不動態となり、熱マイグレーションが防止されるためと考えられる。また、反射膜3中のAgが絶縁膜に直接接しない構造となるため、反射膜3と絶縁膜との密着性が確保され、III族窒化物半導体発光素子の信頼性の向上も図ることができる。また、図9、10から、上記反射膜3を用いる場合には、III族窒化物半導体発光素子の発光波長のピークは400nm以上であることが望ましいとわかった。より望ましくは400~600nmである。図4は、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子の平面図であり、図5はその平面図におけるA-Aでの断面図である。図4のように、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10と、サファイア基板10上に順に形成されたn-GaN層11、発光層12、p-GaN層13を有している。p-GaN層13表面の中央部には、そのp-GaN層13表面からn-GaN層11に達する深さの孔14が直線状に複数設けられている。また、p-GaN層13表面の孔14が設けられた領域以外のほぼ全面に、ITO電極15が設けられている。さらに、ITO電極15の表面、孔14の側面および底面、p-GaN層13表面のうちITO電極15が形成されていない領域、に連続してSiO2からなる絶縁膜16が設けられている。絶縁膜16上にはn電極17とp電極18が形成されている。n電極17は、ボンディングワイヤが接続されるパッド部17aと、パッド部17aに連続する配線状のワイヤ部17bにより構成されている。また、p電極18も同様に、パッド部18aと、パッド部18aに連続する配線状のワイヤ部18bにより構成されている。絶縁膜16にはn-GaN層11を露出させる孔20、およびITO電極15を露出させる孔21が設けられ、孔20を通してn電極17のワイヤ部17bとn-GaN層11とが接触し、孔21を通してp電極18のワイヤ部18bとITO電極15とが接触している。絶縁膜16中であって、平面視でn電極17およびp電極18と対向する領域には、反射膜19が埋め込まれている。反射膜19は、Al/Ag/Alの3層構造であり、Alの厚さは1~30Åである。実施例2のIII族窒化物半導体発光素子は、n電極17、p電極18側から光を取り出すフェイスアップ型の素子である。ここで、n電極17およびp電極18の下部には絶縁膜16に埋め込まれた反射膜19が位置している。そのため、発光層12から放射される光のうち、n電極17およびp電極18に向かう光は、反射膜19によって反射されて素子内部に戻り、n電極17およびp電極18によって光が吸収されてしまうことが防止されている。その結果、光取り出し効率が反射膜19を設けていない場合よりも向上されている。次に、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程について、図6を参照に説明する。まず、サファイア基板10上に、MOCVD法によって、n-GaN層11、発光層12、p-GaN層13を順に形成する。原料ガスには、Ga源としてTMGトリメチルガリウム、In源としてTMIトリメチルインジウム、Al源としてTMAトリメチルアルミニウム、窒素源としてアンモニア、n型ドーピングガスとして、シラン、p型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム、キャリアガスには水素または窒素を用いる。そして、p-GaN層13上の一部領域に、蒸着によってITO電極15を形成する図6.A。次に、フォトリソグラフィとドライエッチングによってp-GaN層13表面からn-GaN層11に達する深さの孔14を形成する図6.B。なお、先に孔14を形成した後にITO電極15を形成してもよい。次に、上面全面、すなわち、ITO電極15表面、孔14の底面および側面、p-GaN層13表面であってITO電極15の形成されていない領域に連続して、MOCVD法によって、SiO2からなる第1絶縁膜16aを形成する。そして、第1絶縁膜16a上であって、後に形成されるn電極17、p電極18と平面視において対向する領域に、スパッタリングによってAl膜、Ag膜、Al膜を順に積層してAl/Ag/Alからなる反射膜19を形成する図6.C。スパッタリングガスはArガスのほかに、ArにO2ガスを添加たとえば1体積添加したものを用いてもよい。Al膜は1~30Åである。Ag膜は500~5000Åである。次に、第1絶縁膜16a表面、反射膜19表面に連続して、MOCVD法によって、によってSiO2からなる第2絶縁膜16bを形成する。これにより、第1絶縁膜16aと第2絶縁膜16bとで一体の絶縁膜16を形成し、絶縁膜16中であって、後に形成されるn電極17、p電極18と平面視において対向する領域に、反射膜19が埋め込まれるように形成される。その後、絶縁膜16の所定の領域に、n-GaN層11を露出させる孔20、およびITO電極15を露出させる孔21を形成する図6.D。次に、蒸着によって、絶縁膜16上にNi/Au/Alからなるn電極17、p電極18を形成する。n電極17とp電極18はそれぞれ別に形成してもよいし、同一材料を用いることで同時に形成してもよい。n電極17は、パッド部17aと配線状のワイヤ部17bとを有する形状に形成し、ワイヤ部17bの一部が孔20を埋めて、ワイヤ部17bとn-GaN層11とが接触するよう形成する。また、p電極18は、パッド部18aと配線状のワイヤ部18bとを有する形状に形成し、ワイヤ部18bの一部が孔21を埋めて、ワイヤ部18bとITO電極15とが接触するよう形成する図6.E。次に、300~700°Cで3分間の熱処理を行う。これは、n電極17がn-GaN層11にオーミックコンタクトをとるために、また、p電極18がITO電極15に、ITO電極15がp-GaN層13にオーミックコンタクトをとるために行うものである。その後、n電極17のパッド部17a、およびp電極18のパッド部18aを除く全面に絶縁膜22を形成することで、図4、5に示す実施例2のIII族窒化物半導体発光素子が製造される。以上に示した実施例2のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程では、反射膜19としてAlの厚さを1~30ÅとしたAl/Ag/Alを用い、反射膜19形成後の熱処理を300~700°Cの範囲で行っているため、熱処理後においても、反射膜19の反射率はAgと同等ないしそれ以上の反射率である。そのため、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子は光取り出し効率に優れている。また、反射膜19中のAgと絶縁膜16が直接接していないため、絶縁膜16との密着性も確保され、III族窒化物半導体発光素子の信頼性が向上されている。図7は、実施例3のIII族窒化物半導体発光素子の構成を示した断面図である。実施例3のIII族窒化物半導体発光素子は、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子のサファイア基板10裏面n-GaN層11形成側とは反対側の表面上に、反射膜119、SiO2からなる絶縁膜120、はんだ層121を順に形成したものである。反射膜119は、反射膜19と同一の構成であり、Al/Ag/Alからなる。Alは1~30Å、Agは500~5000Åである。はんだ層121はAuやAuSnである。実施例3のIII族窒化物半導体発光素子は、実施例2のIII族窒化物半導体発光素子と同じく、n電極17、p電極18側から光を取り出すフェイスアップ型の素子である。反射膜119は、発光層12からサファイア基板10側へと放射される光を光取り出し面側へと反射させるためのものである。このIII族窒化物半導体発光素子をはんだ層121を介してリードフレームに接合する際、その熱処理温度が300~700°Cであれば、反射膜119の反射率はAgと同程度、もしくはそれ以上の反射率となる。その結果、実施例3のIII族窒化物半導体発光素子は、光取り出し効率に非常に優れたものとなる。実施例4のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程について、図8を参照に説明する。まず、サファイア基板200上にMOCVD法によって、n-GaN層201、発光層202、p-GaN層203を順に積層し、p-GaN層203上の一部領域にITO電極205を形成する。次に、フォトリソグラフィ、ドライエッチングによって発光層202、p-GaN層203の一部を除去し、n-GaN層201を露出させる。また、ITO電極205上の一部領域にNi/Al/AuからなるITOコンタクト電極206を形成し、露出したn-GaN層201の一部領域にNi/Au/Alからなるnコンタクト電極211を形成する図8.A。次に、300~700°Cで3分間の熱処理を行う。これは、nコンタクト電極211がn-GaN層201にオーミックコンタクトをとるために、また、ITOコンタクト電極206がITO電極205に、ITO電極205がp-GaN層203にオーミックコンタクトをとるために行うものである。次に、ITO電極205上、ITOコンタクト電極206上、および露出したn-GaN層201上、nコンタクト電極211側面に連続して、SiO2からなる絶縁膜207を形成する。絶縁膜207上であって、平面視でITOコンタクト電極206およびnコンタクト電極211上に位置しない領域に、反射膜208を形成する。反射膜208は、Al/Ag/Alからなり、Alの厚さは1~30Åである。次に、絶縁膜207上、および反射膜208上に連続してさらに絶縁膜を形成することで、絶縁膜207中に反射膜208が埋め込まれた構成とする。そして、絶縁膜207の一部をエッチングしてITOコンタクト電極206およびnコンタクト電極211を露出させる図8.B。次に、露出したITOコンタクト電極206上に、Ti/Niからなるバリア電極216、AuSnからなるはんだ層217、Au層218を順に形成する。また、露出したnコンタクト電極211上に、Ti/Niからなるバリア電極212、AuSnからなるはんだ層213、Au層214を順に形成する図8.C。以上により、製造される実施例4のIII族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板200裏面側n-GaN層201形成側とは反対側から光を取り出すフリップチップ型の素子であり、発光層202から光取り出し側とは反対側に放射された光を反射膜によって光取り出し側へと反射させることができるため、光取り出し効率が向上されている。ここで、反射膜208の材料としてAlの厚さが1~30ÅのAl/Ag/Alを用い、反射膜208形成後の熱処理を300~700°Cで行っているため、反射膜208の反射率はAgと同等ないしそれ以上の反射率である。そのため、実施例4のIII族窒化物半導体発光素子は光取り出し効率に優れている。また、反射膜208中のAgと絶縁膜207が直接接していないため、反射膜208と絶縁膜207との密着性も確保され、III族窒化物半導体発光素子の信頼性が向上されている。次に、実施例5に係るIII族窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。図11は、実施例5の方法により製造されたIII族窒化物半導体発光素子の断面図である。平面図は、図4と同一であり、図11は図4のA-A線を切断線とする断面図である。実施例2と同一機能を有する部分には、同一符号が付されている。図11のように、実施例5のIII族窒化物半導体発光素子は、図5の実施例2に係るIII族窒化物半導体発光素子と類似の形状をしている。異なる点は、次の通りである。n-GaN層11に接触してコンタクト電極31とITO電極15に接触してコンタクト電極32とが形成されている。また、絶縁膜16上に形成されているn電極17は、コンタクト電極31と接合し、絶縁膜16上に形成されているp電極18はコンタクト電極32に接合している。コンタクト電極31は、n-GaN層11上において、離散的に複数の位置でn-GaN層11と接触して設けられた、円形の点状の電極である。同様に、コンタクト電極32は、ITO電極15拡散電極上において、離散的に複数の位置でITO電極15と接触して設けられた、円形の点状の電極である。反射膜19上に、反射膜19と同一形状同一面積に、バリアメタル層30が形成されている。バリアメタル層30は、厚さ1000ÅのTiから成る。III族窒化物半導体発光素子の構造としては、実施例2に対して以上の点のみが異なる。バリアメタル層30の材料としては、Tiの他、Ni、Al、W、Moのうちの1種、または、これらの金属の2種以上の合金や、これらの金属の少なくとも1種を含む合金や、Agよりイオン化傾向が高い金属や、ITO、IZO、ICOなどのn型酸化導電膜を用いることができる。また、バリアメタル層30は、単層でも良く、上記の異なる金属の複数の層で構成されていても良い。また、バリアメタル層30の厚さは300~50000Åとすることが望ましい。5000Åより厚いとバリアメタル層30を絶縁膜16で覆うことが難しくなるため望ましくなく、300Åよりも薄いと、バリアメタル層30が膜状とならず、望ましくない。より望ましくは500~2000Åである。次に、実施例5に係るIII族窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。図12.Aに示すように、サファイア基板10上に、MOCVD法によって、n-GaN層11、発光層12、p-GaN層13を順に形成する。そして、p-GaN層13上の一部領域に、蒸着によってITO電極15を形成する。この工程は、実施例2の図6.Aと同一である。次に、図12.Bに示すように、フォトレジストの塗布、露光、現像のしてマスクを形成した後、ドライエッチングによってp-GaN層13の表面からn-GaN層11に達する深さの孔14を形成する。この工程は、実施例2の図6.Bの工程と同一である。なお、先に孔14を形成した後にITO電極15を形成してもよい。次に、全面にフォトレジストを塗布した後、所定領域に円形で点状の領域を露光し、現像することで、円形で点状の窓の形成されたマスクを形成した。その後、Ni、Au、Alを順次、堆積させた。その後、マスクをリフトオフさせた。これにより、図12.Cに示すように、孔14におけるn-GaN層11の露出面に、Ni/Au/Alの積層構造から成るコンタクト電極31が形成された。すなわち、コンタクト電極31は、n-GaN層11に対して、複数の位置で、円形で点状に接触することになる。同様に、図12.Cに示すように、ITO電極15表面において、Ni/Au/Alの積層構造から成るコンタクト電極32が形成された。すなわち、コンタクト電極32は、ITO電極15に対して、複数の位置で、円形で点状に接触することになる。次に、図12.Dに示すように、上面全面、すなわち、ITO電極15の露出面、コンタクト電極31、32の露出面、孔14の底面および側面、p-GaN層13の露出面に連続して、MOCVD法によって、SiO2からなる第1絶縁膜16aを形成する。そして、第1絶縁膜16a上であって、後に形成されるn電極17、p電極18と平面視において対向する領域n電極17、p電極18により遮光される領域に、スパッタリングによってAl膜、Ag膜、Al膜を順に積層してAl/Ag/Alからなる反射膜19を形成する。この工程は、実施例2の図6.Cの工程と同一である。実施例2と同様に、Al膜は1~30Åである。Ag膜は500~5000Åである。次に、この状態において、300~700°Cで3分間の熱処理を行う。これは、コンタクト電極31がn-GaN層11にオーミックコンタクトをとるために、また、コンタクト電極32がITO電極15に、ITO電極15がp-GaN層13にオーミックコンタクトをとるために行うものである。次に、この状態において、図12.Eに示すように、フォトレジストの塗布、露光、現像によりマスクを形成し、スパッタリングにより、反射膜19の上に、同一形状および同一面積に、バリアメタル層30を形成した。バリアメタル層30は、Tiを厚さ400nmに形成した。次に、図12.Fに示すように、第1絶縁膜16a表面、反射膜19表面に連続して、MOCVD法によって、SiO2からなる第2絶縁膜16bを形成する。これにより、第1絶縁膜16aと第2絶縁膜16bとで一体の絶縁膜16を形成し、絶縁膜16中であって、後に形成されるn電極17、p電極18と平面視において対向する領域n電極17、p電極18により遮光される領域に、反射膜19とバリアメタル層30とが埋め込まれるように形成される。その後、絶縁膜16の所定の領域に、コンタクト電極31を露出させる孔20、およびコンタクト電極32を露出させる孔21を形成する。次に、図12.Gに示すように、蒸着によって、絶縁膜16上にNi/Au/Alからなるn電極17、p電極18を形成する。n電極17とp電極18はそれぞれ別に形成してもよいし、同一材料を用いることで同時に形成してもよい。n電極17は、図4に示すように、パッド部17aと配線状のワイヤ部17bとを有する形状に形成し、ワイヤ部17bの一部が孔20を埋めて、ワイヤ部17bとコンタクト電極31とが接触するよう形成する。また、p電極18は、図4に示すように、パッド部18aと配線状のワイヤ部18bとを有する形状に形成し、ワイヤ部18bの一部が孔21を埋めて、ワイヤ部18bとコンタク電極32とが接触するよう形成する。次に、図12.Hに示すように、n電極17のパッド部17a、およびp電極18のパッド部18aを除く全面に絶縁膜22を形成することで、図4、11に示す実施例5のIII族窒化物半導体発光素子が製造される。上記実施例5において、実施例2と同様に、図12.Gに示す、第2絶縁膜16bと、n電極17、p電極18とを形成した状態において、300~700°C望ましくは、300~600°Cの範囲で、熱処理をするようにしても良い。以上に示した実施例5のIII族窒化物半導体発光素子の製造工程では、反射膜19としてAlの厚さを1~30ÅとしたAl/Ag/Alを用い、反射膜19を形成し、反射膜19の上にバリアメタル層30を形成する前の状態で、熱処理を300~700°C望ましくは、300~600°Cの範囲で行っているため、熱処理後においても、反射膜19の反射率はAgと同等ないしそれ以上の反射率となる。また、300~600°Cの範囲で熱処理することで、反射膜の反射率を、熱処理する前に比べて増加させることができる。そのため、実施例5のIII族窒化物半導体発光素子は光取り出し効率に優れている。また、この熱処理によりコンタクト電極31、32のオーミック接触を実現することができる。また、反射膜19中のAgと絶縁膜16とが直接接していないため、絶縁膜16との密着性も確保され、III族窒化物半導体発光素子の信頼性が向上されている。