"半導体に接触するプローブを複数有するプローブセット部と、このプローブセット部を保持するとともに前記半導体に向けて加圧するセット保持部とを備え、前記プローブセット部と前記セット保持部との接触部を球形としたことを特徴とする半導体検査装置。前記セット保持部は、第1保持部と、第1保持部に連結部を介して連結され、前記プローブセット部内に設けられる第2保持部とを有し、前記プローブセット部と前記第1保持部との接触部を球形としたことを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。前記プローブセット部を前記セット保持部に対し浮かせる浮上手段を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体検査装置。半導体に接触するプローブを複数有するプローブセット部と、このプローブセット部を保持するセット保持部とを備える半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、前記プローブセット部と前記セット保持部との接触部を球形とし、前記セット保持部と前記プローブセット部とを調芯し、前記セット保持部によって前記プローブセット部を前記半導体に向けて加圧して、複数の前記プローブを前記半導体に略均等な力で押圧して検査することを特徴とする半導体検査方法。しかしながら、上記従来の構成では、各シリンダの圧力を制御して、各プローブの押圧力を調整しなければならず、制御が煩雑になってしまう。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、複雑な制御を行うことなく、半導体の実装状態に左右されずに検査を行うことが可能な半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、被検査物に接触するプローブを複数有するプローブセット部と、このプローブセット部を保持するとともに前記被検査物に向けて加圧するセット保持部とを備え、前記プローブセット部と前記セット保持部との接触部を球形としたことを特徴とする。上記構成によれば、プローブセット部とセット保持部との接触部を球形としたため、プローブセット部が被検査物の傾きに追従して傾くので、プローブの押圧力を均一化できる。上記構成において、前記セット保持部は、第1保持部と、第1保持部に連結部を介して連結され、前記プローブセット部内に設けられる第2保持部とを有し、前記プローブセット部と前記第1保持部との接触部を球形としてもよい。上記構成によれば、プローブセット部とセット保持部の第1保持部との接触部を球形としたため、プローブセット部が半導体の傾きに追従して傾くので、プローブの押圧力を均一化できる。上記構成において、前記プローブセット部を前記セット保持部に対し浮かせる浮上手段を設けてもよい。上記構成によれば、浮上手段により、プローブセット部をセット保持部に対し浮かせることができるので、プローブセット部を半導体の傾きに追従して容易に傾けることができる。また、本発明は、半導体に接触するプローブを複数有するプローブセット部と、このプローブセット部を保持するセット保持部とを備える半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、前記プローブセット部と前記セット保持部との接触部を球形とし、前記セット保持部と前記プローブセット部とを調芯し、前記セット保持部によって前記プローブセット部を前記半導体に向けて加圧して、複数の前記プローブを前記半導体に略均等な力で押圧して検査することを特徴とする。上記構成によれば、プローブセット部とセット保持部との接触部を球形とし、セット保持部とプローブセット部とを調芯し、セット保持部によってプローブセット部を半導体に向けて加圧して、複数のプローブを半導体に略均等な力で押圧して検査するため、プローブセット部が半導体の傾きに追従して傾くので、プローブの押圧力を均一化できる。本発明によれば、プローブセット部とセット保持部との接触部を球形としたため、プローブセット部が半導体の傾きに追従して傾くので、複雑な制御を行うことなく、プローブの押圧力を均一化でき、その結果、半導体の実装状態に左右されずに検査を行うことが可能となる。また、プローブセット部とセット保持部の第1保持部との接触部を球形としたため、プローブセット部が半導体の傾きに追従して傾くので、複雑な制御を行うことなく、プローブの押圧力を均一化でき、その結果、半導体の実装状態に左右されずに検査を行うことが可能となる。また、浮上手段により、プローブセット部をセット保持部に対し浮かせることができるので、プローブセット部を半導体の傾きに追従して容易に傾けることができる。また、プローブセット部とセット保持部との接触部を球形とし、セット保持部とプローブセット部とを調芯し、セット保持部によってプローブセット部を半導体に向けて加圧して、複数のプローブを半導体に略均等な力で押圧して検査するため、プローブセット部が半導体の傾きに追従して傾くので、プローブの押圧力を均一化できる、その結果、半導体の実装状態に左右されずに検査を行うことが可能となる。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、パワー半導体デバイスの一例として、直流を交流に変換する電力変換装置たるインバータ装置のアームを例示し、当該アームを被試験デバイスいわゆる、DUTとして検査する検査装置について説明する。図1は、検査装置1の電気的構成を示す回路図である。検査装置1は、インバータ装置が備える1相分のアーム2を検査する装置である。アーム2は、逆並列接続されたダイオード4を有する2つのスイッチング素子6を直列接続して構成されており、電位が正電位となる高圧側以下、P側と言うのラインと、電位が負電位アース電位を含むとなる低圧側以下、N側と言うのラインとの間に接続され、アーム2の中点Pから出力が得られる。スイッチング素子6には、パワー半導体の一例たるIGBTが用いられている。アーム2は、インバータモジュールに組み込む前のベアチップ状態で検査され、各スイッチング素子6のゲート端子には、ゲートドライブ回路GDが接続され、当該ゲートドライブ回路GDにはゲート電圧を測定するための電圧測定器10が設けられている。また、この検査装置1では、アーム2の熱抵抗試験を実施可能にするために、アーム2をヒータ8で加熱可能になっている。検査装置1は、アーム2の各スイッチング素子6をゲートドライブ回路GDにより実際の動作状態に則してスイッチング動作させたときの出力を評価可能に構成されており、直流電源12を有した電源回路14と、この電源回路14の高圧側に接続されるP側バスライン16と、低圧側に接続されるN側バスライン18と、負荷回路19とを備え、これらP側バスライン16及びN側バスライン18の間にアーム2が電気的に接続されている。P側バスライン16及びN側バスライン18とアーム2との電気的な接続部66は、プローブユニット62図2参照を通じて行われるが、この詳細については後述する。電源回路14は、電解コンデンサ20、整流ダイオード22、スイッチング素子24及びサイリスタ26を有する昇圧回路28を備え、また、この電源回路14の出力段には出力電圧を測定する電圧測定器30が設けられている。負荷回路19は、疑似誘導負荷31と、疑似誘導負荷31を流れる電流の向きを切り替えるための4つの切替スイッチ32を備え、インバータ装置が駆動する交流モータ例えば電気自動車の車両駆動モータの負荷を擬似的に再現する。この負荷回路19に上記アーム2の中点Pが接続され、アーム2が負荷回路19を駆動する際の性能試験が行われる。検査装置1は、上記の他にも、アーム2の両端電圧を検出する電圧測定器34、アーム2の中点PからP側バスライン16及びN側バスライン18の電位差をそれぞれ検出する電圧測定器36、38、P側バスライン16及びN側バスライン18のそれぞれの電流を検出するカレントトランス40、42、P側バスライン16に設けられた短絡保護回路44、及び負荷回路19とアーム2の間に設けられたスナバコンデンサ46を備えている。短絡保護回路44は、検査時にアーム2が短絡破壊された時に生じる短絡電流から検査装置1を保護するための回路であり、逆並列接続されたダイオード49を有し、P側バスライン16に介挿されるスイッチング素子50と、カレントトランス40に基づいて短絡電流を検出し、スイッチング素子50のゲートドライブ回路GDを制御してオフし、P側バスライン16を絶縁する短絡保護制御部52とを有する。図2は、検査装置1の主要部の構造的な構成を示す図である。また、図3は、プローブ90を示す模式図である。検査装置1は、プローブユニット62と、ワークセット部61とを備えている。プローブユニット62は、複数本本実施形態では4本のプローブ90を有し、アーム2の表面に設けられた各スイッチング素子6の電極パッド図示略にプローブユニット62を所定の押圧力で押し付けて各プローブ90をコンタクトさせるものである。ワークセット部61は、アーム2を載置する載置台63と、この載置台63を上下に可動する昇降ユニット64とを備えている。アーム2を載置台63にセットする時には、昇降ユニット64が載置台63を下降位置まで下げることで載置台63にアーム2をセット可能にし、検査時には載置台63を上げて所定位置にアーム2をセットする。載置台63の直上には、上記プローブユニット62が位置する。直下の所定位置にアーム2がセットされた後、プローブユニット62は、図示せぬ昇降機構によって下降し、これによりプローブユニット62のプローブ90がアーム2の表面に触針する。このプローブ90とアーム2の接触により、上述の電気的な接続部66図1が構成される。プローブユニット62は、上述のP側バスライン16及びN側バスライン18に電気的に接続され、これらを通じて電源回路14から電位が与えられる。ところで、アーム2は、被検査物である半導体2Aスイッチング素子6を基板2Bに半田2Cにより実装して構成されているが、半導体2Aの溶融状態によっては、半導体2Aが基板2Bに対し傾く場合がある。したがって、プローブユニット62は、半導体2Aの実装状態に左右されずに、半導体2Aを安定して検査可能であることが望まれる。そこで、本実施形態のプローブユニット62は、複数本のプローブ90が設けられるプローブセット部70と、このプローブセット部70を保持するセット保持部80と、プローブセット部70をセット保持部80に対し浮かせる浮上手段65を備えて構成されている。セット保持部80は、上記昇降機構に接続され昇降可能に構成されており、プローブセット部70の上方に配置される本体第1保持部81と、プローブセット部70内に配置される支持体第2保持部82と、本体81と支持体82を連結する連結部83とを備えている。本体81は当該本体81の下面がプローブセット部70の上面と接触可能なように設けられており、下面は凸状球形本実施形態では、楕円球形の保持部側接触面接触部81Aを構成している。また、本体81には、空洞部C1が形成されており、本体81に設けられた流入口81Bから空洞部C1に流体が供給されるようになっている。流入口81Bには流体供給管67が接続され、流体供給管67には本体81に供給する流体の流量圧力を制御するレギュレータ68が設けられている。これらの流体供給管67及びレギュレータ68は本実施形態の流体供給手段を構成している。流体としては、気体又は流体を使用できるが、取り扱いの容易性やコストの観点から、空気を使用することが望ましく、本実施の形態では、例えば工場エアを用いている。支持体82は、上面である支持面82Aが凸状球形本実施形態では、楕円球形に形成されており、プローブセット部70の上側内面を支持面82Aに当接させてプローブセット部70を支持している。また、支持体82には空洞部C2が形成されており、中空の連結部83により、本体81の空洞部C1と支持体82の空洞部C2とが連通している。支持体82には、支持面82Aに、本体81から連結部83を介して支持体82内に流入した流体をプローブセット部70内に流出するための流出口82Bが複数形成されている。連結部83は、支持体82に支持されたプローブセット部70と、本体81の間に隙間を形成する長さに設定されている。プローブセット部70は、上面が、本体81の保持部側接触面81Aと接触する凹状球形本実施形態では、楕円球形のセット部側接触面接触部71を構成している。セット部側接触面71の半径は、保持部側接触部の半径より大きくされている。プローブセット部70には、支持体82を収容する支持体収容室C3が形成されており、プローブセット部70の上板被支持体72が支持体82に支持される。上板72、支持体82及び流出口82Bは、プローブセット部70を浮かせた状態で揺動自在に支持する浮上手段65を構成している。上板72の内面には、支持体82の支持面82Aに当接する凹状球形本実施形態では、楕円球形の被支持面73が形成されている。被支持面73の半径は、支持面82Aの半径とほぼ同一にされている。上板72には、セット保持部80の連結部83を挿通する連結孔74が形成され、連結孔74は、プローブセット部70の揺動による連結部83の移動を許容できる大きさに形成されている。プローブセット部70の下板75には、複数本のプローブ90が摺動自在に一列に設けられている。各プローブ90は、図3に示すように、半導体2A図2に接触するピン91と、ピン91を摺動可能に支持するスリーブ92と、ピン91を半導体2Aに向けて付勢するスプリング93とを備えている。ピン91の外周面にはガイド部94が取り付けられており、このガイド部94がスリーブ92に沿って移動する。ピン91の一端は半導体2Aに接触するヘッド部91Aとなっており、他端には配線95が接続される。プローブ90の配線95は、図2に示すように、プローブセット部70に形成された配線孔76からプローブセット部70の外部に引き回され、P側バスライン16又はN側バスライン18図1に接続されている。複数本のプローブ90の半数のプローブ90以下、P側プローブと称し、符号90Aを付すは、P側バスライン16に接続され、電源回路14図1から高電位正電位が与えられる。残りのプローブ90以下、N側プローブと称し、符号90Bを付すは、N側バスライン18に接続され、電源回路14からアース電位負電圧が与えられる。検査時においては、P側プローブ90A図1のそれぞれがアーム2のP側のスイッチング素子6のコレクタ電極パッドに接触し、またN側プローブ90BのそれぞれがN側のスイッチング素子6のエミッタ電極パッドに接触する。次に、本実施形態の作用について説明する。図4は流体の供給停止状態の検査装置1を示す図であり、図5はプローブ90を半導体2Aに接触させた状態の検査装置1を示す図であり、図6はプローブ90を半導体2Aに押圧した状態の検査装置1を示す図である。プローブセット部70は、図2に示すように、流体の供給が行われない初期状態流体の供給停止状態では、その自重が被支持面73と支持面82Aとの当接によって鉛直方向に安定よく受けられて、セット保持部80に垂下支持される。一方、流体が供給されると、プローブセット部70は、図4に示すように、浮いた状態で支持される。より詳細には、レギュレータ68が作動すると、流体が、矢印で示すように、流体供給管67から本体81の空洞部C1に供給され、連結部83を通って支持体82の空洞部C2に流入し、支持体82に形成された流出口82Bから支持体収容室C3内に噴出される。これにより、被支持面73が流体の圧力を受けて、上板72が支持体82から離間して浮上し、すなわち、プローブセット部70がセット保持部80に浮いた状態で保持される。次いで、図5に示すように、セット保持部80を図示せぬ昇降機構により押し下げると、プローブ90が半導体2Aに接触する。このとき、プローブセット部70がセット保持部80に浮いた状態で保持されているため、上板72の被支持面73と支持体82の支持面82Aとの間の摩擦がなく、半導体2Aが傾いている場合には、プローブセット部70が半導体2Aの傾きに追従して容易に傾く。プローブセット部70が傾くことにより、半導体2Aに衝撃を与えることなく、プローブ90の全てが半導体2Aに略均等に接触する。そして、流体の供給を停止し、セット保持部80を押し下げ続けると、図6に示すように、プローブセット部70のセット部側接触面71とセット保持部80の保持部側接触面81Aとが接触する。ここで、セット部側接触面71と保持部側接触面81Aとは球形に形成されているため、プローブセット部70が傾いた状態で、セット部側接触面71と保持部側接触面81Aとが接触する。これにより、プローブセット部70は、半導体2Aの傾きに追従して傾いた状態で位置決めされ、この状態のままセット保持部80によりアーム2に向けて加圧されるので、プローブ90を均等の押圧力で半導体2Aに押し付けることができる。すなわち、プローブセット部70とセット保持部80は、複数のプローブ90が半導体2Aに略均等な力で押圧されるように調芯された状態で接触するので、セット保持部80によってプローブセット部70を半導体2Aに向けて加圧することで、複数のプローブ90を半導体2Aに略均等な力で押圧して検査できる。したがって、本実施の形態では、各プローブ90にシリンダを設ける必要がないので構成が簡素化するとともに、プローブ90毎に押圧力を調整する必要がないため、煩雑な制御を行う必要がない。なお、各プローブ90は、摺動自在に構成されているため、プローブ90が半導体2Aに接触する際や、プローブ90が半導体2Aに押圧されるときには、略上方に押し上げられ、適切な押圧力が維持されることとなる。以上説明したように、本実施形態によれば、プローブセット部70とセット保持部80との接触面71,81A、より詳細には、プローブセット部70とセット保持部80の本体81との接触面71,81Aを球形としたため、プローブセット部70が半導体2Aの傾きに追従して傾くので、複雑な制御を行うことなく、プローブ90の押圧力を均一化でき、その結果、半導体2Aの実装状態に左右されずに検査を行うことが可能となる。また、本実施形態によれば、浮上手段65により、プローブセット部70をセット保持部80に対し浮かせることができるので、プローブセット部70を半導体2Aの傾きに追従して容易に傾けることができる。但し、上記実施の形態は本発明の一態様であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能であるのは勿論である。例えば、上記実施形態では、プローブセット部70のセット部側接触面71を凹状球形に、セット保持部80の保持部側接触面81Aを凸状球形に形成したが、セット部側接触面71を凸状球形に、保持部側接触面81Aを凹状球形に形成してもよい。また、上記実施形態では、プローブセット部70を浮かせる浮上手段65を設けていたが、浮上手段65は設けなくてもよい。また、上記実施形態では、複数本のプローブ90を一列に設けていたが、複数本のプローブ90を複数列に設けてもよい。また、上記実施形態では、基板2Bに一の半導体2Aが設けられていたため、検査装置1が一のプローブユニット62を備えていたが、図7に示すように、基板102Bに複数の半導体2Aが設けられている場合には、検査装置100が複数のプローブユニット62を備えてもよい。この場合、複数の半導体2Aが異なる方向に傾いていても、半導体2Aに衝撃を与えることなく検査できる。また、上記実施形態では、上述した実施形態では、被試験デバイスとしてインバータ装置のアームを検査する検査装置を例示したが、これに限らず、IGBTやMOSFET等のパワー半導体デバイス、及び当該パワー半導体により構成したモジュールデバイスの検査装置として広く用いることができる。"