"下記式1で表される化合物と、下記式2で表される化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウム化合物。前記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。前記式2中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。前記式1で表される化合物が、下記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより得られる、請求項1に記載のスルホニウム化合物。前記式11中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。下記式1で表される化合物と、下記式2で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える、スルホニウム化合物の製造方法。前記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。前記式2中、R2は、ヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。下記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、前記式1で表される化合物を得る工程を更に備える、請求項3に記載のスルホニウム化合物の製造方法。前記式11中、R1は、アリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。請求項1又は2に記載のスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウムボレート錯体。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項3又は4に記載のスルホニウム化合物の製造方法により得られるスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウムボレート錯体。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項1又は2に記載のスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える、スルホニウムボレート錯体の製造方法。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。請求項3又は4に記載のスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える、スルホニウムボレート錯体の製造方法。前記式21中、Xはハロゲン原子を表す。特許文献1~3に記載されたスルホニウムボレート錯体を得る方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができず、得られるスルホニウムボレート錯体の収率が低いという問題がある。また、特許文献2,3に記載されたスルホニウムボレート錯体を得る方法では、スルホニウムアンチモネート錯体を用いるため、得られるスルホニウムボレート錯体において、微量のアンチモン原子が残留することがある。得られるスルホニウムボレート錯体においてアンチモン原子が含まれていると、スルホニウムボレート錯体を含む硬化性組成物の硬化性が低くなったり、該硬化性組成物の硬化物により金属配線の腐食が生じたりするという問題がある。本発明の目的は、スルホニウムボレート錯体を効率的に得るために用いることができるスルホニウム化合物及び該スルホニウム化合物の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、上記スルホニウム化合物が用いられており、硬化剤として用いることができるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。本発明の限定的な目的は、金属の腐食を抑制できるスルホニウムボレート錯体及び該スルホニウムボレート錯体の製造方法を提供することである。本発明の広い局面によれば、下記式1で表される化合物と、下記式2で表される化合物とを反応させることにより得られる、スルホニウム化合物が提供される。上記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。上記式2中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。本発明に係るスルホニウム化合物のある特定の局面では、上記式1で表される化合物は、下記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより得られる。上記式11中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。また、本発明の広い局面によれば、上記式1で表される化合物と、上記式2で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える、スルホニウム化合物の製造方法が提供される。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法のある特定の局面では、上記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式1で表される化合物を得る工程が更に備えられる。本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られる。上記式21中、Xはハロゲン原子を表す。本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備える。本発明に係るスルホニウム化合物は、式1で表される化合物と、式2で表される化合物とを反応させることにより得られるので、本発明に係るスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができる。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、式1で表される化合物と、式2で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備えるので、スルホニウム化合物を効率的に得ることができる。このため、本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物をボレート化合物と反応させることで、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明に係るスルホニウム化合物は、下記式1で表される化合物と、下記式2で表される化合物とを反応させることにより得られている。上記式1中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。上記式2中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式1で表される化合物と、上記式2で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程を備える。本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法では、グリニャール反応を利用している。従来、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式Y3のように、グリニャール反応を利用せずに、蒸留水中で反応が行われていた。また、スルホニウムボレート錯体を得る際に、上記反応式Y4及び上記反応式Y5のように、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、酢酸エチル等の有機溶媒中で反応が行われていた。また、スルホニウムアンチモネート錯体を用いて、水中で反応が行われることもあった。しかしながら、従来のスルホニウムボレート錯体の製造方法では、スルホニウムボレート錯体を効率的に得ることができず、収率が悪いという問題があった。また、未反応のスルホニウムアンチモネート錯体が残留しやすいという問題もあった。これに対して、本発明では、グリニャール反応を利用しているので、スルホニウム化合物を効率的に、収率よく得ることができる。このため、該スルホニウム化合物を用いて、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。本発明に係るスルホニウム化合物を得るために、並びに本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法では、アンチモン原子を有する化合物を用いないことが好ましい。さらに、後述する本発明に係るスルホニウムボレート錯体を得るために、並びに本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法では、アンチモン原子を有する化合物を用いないことが好ましい。アンチモン原子を有する化合物を用いない場合には、スルホニウムボレート錯体を用いた硬化性組成物の硬化性を高めることができ、更に金属の腐食を抑制できる。上記式1中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。上記式1中のR1の好ましい例としては、フェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、1-ナフチル基及び2-ナフチル基等が挙げられる。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1中のR1は、フェニル基、o-メチルフェニル基又は1-ナフチル基であることが好ましい。但し、上記R1はこれら以外の基であってもよい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式1で表される化合物は、下記式1A又は下記式1Bで表される化合物であることが好ましい。上記式1A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表す。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R1aは、メチル基であることが好ましい。mは、R1が存在しないように0であることが好ましい。上記式1A中のXの好ましい基は、上記式1中のXの好ましい基と同様である。なお、R1aのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R1aは、CH2MgX基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。上記式1B中、Xはハロゲン原子を表す。上記式1B中のXの好ましい基は、上記式1中のXと同様である。上記式2において、R2のベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、R2は、S-CH3基に対して、パラ位に結合していることが好ましい。上記式2におけるCH3OCOO基は、メトキシカルボニルオキシ基である。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式2中のR2は、ヒドロキシ基であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式2中のnは、1であることが好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られるスルホニウム化合物は、下記式31で表されるカチオン部分を有する化合物であることが好ましく、下記式32で表される化合物であることがより好ましい。上記式31中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。上記式31中のR1、R2及びnは、上記式1及び上記式2中のR1、R2及びnに由来する。上記式31中のR1、R2及びnの好ましい基及び数は、上記式1及び上記式2中のR1、R2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式32中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式32中のR1、R2、X及びnは、上記式1及び上記式2中のR1、R2、X及びnに由来する。上記式32中のR1、R2、X及びnの好ましい基及び数は、上記式1及び上記式2中のR1、R2、X及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式31で表されるカチオン部分を有する化合物は、下記式31A又は下記式31Bで表されるカチオン部分を有する化合物であることが好ましい。上記式32で表される化合物は、下記式32A又は下記式32Bで表される化合物であることが好ましい。上記式31A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、mは0又は1を表し、nは1~3の整数を表す。上記式31A中のR1a、R2、m及びnは、上記式1A及び上記式2中のR1a、R2、m及びnに由来する。上記式31A中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数は、上記式1A及び上記式2中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式31B中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、nは1~3の整数を表す。上記式31B中のR2及びnは、上記式2中のR2及びnに由来する。上記式31B中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式2中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式32A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表し、nは1~3の整数を表す。上記式32A中のR1a、R2、X、m及びnは、上記式1A及び上記式2中のR1a、R2、X、m及びnに由来する。上記式32A中のR1a、R2、X、m及びnの好ましい基及び数は、上記式1A及び上記式2中のR1a、R2、X、m及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式32B中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式32B中のR2、X及びnは、上記式1B及び上記式2中のR2、X及びnに由来する。上記式32B中のR2、X及びnの好ましい基及び数は、上記式1B及び上記式2中のR2、X及びnの好ましい基及び数と同様である。本発明に係るスルホニウム化合物では、上記式1で表される化合物は、下記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより得られていることが好ましい。この反応では、上記式1で表される化合物が容易に得られる。従って、本発明に係るスルホニウム化合物は、下記式11で表される化合物と金属マグネシウムとを反応させることにより得られた上記式1で表される化合物と、上記式2で表される化合物とを反応させることにより得られていることが好ましい。上記式11中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、Xはハロゲン原子を表す。上記式1中のR1及びXの好ましい基は、上記式1中のR1及びXの好ましい基と同様である。本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式1で表される化合物を得る工程を更に備えることが好ましい。この工程では、上記式1で表される化合物が容易に得られる。従って、本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法は、上記式11で表される化合物と、金属マグネシウムとを反応させることにより、上記式1で表される化合物を得る工程と、上記式1で表される化合物と、上記式2で表される化合物とを反応させることにより、スルホニウム化合物を得る工程とを備えることが好ましい。上記式11中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。上記式11中のR1の好ましい例としては、フェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、1-ナフチル基及び2-ナフチル基等が挙げられる。上記式11中のR1は、フェニル基、o-メチルフェニル基又は1-ナフチル基であることが好ましい。但し、上記R1はこれら以外の基であってもよい。上記式11で表される化合物は、下記式11A又は下記式11Bで表される化合物であることが好ましい。上記式11A中、R1aは、炭素数1~4のアルキル基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表す。上記式11A中のR1aは、メチル基であることが好ましい。上記式11A中のmは、R1が存在しないように0であることが好ましい。上記式11A中のXは塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。なお、R1aのベンゼン環に対する結合部位は特に限定されない。R1aは、CH2X基に対して、オルト位に結合していることが好ましい。上記式11B中、Xはハロゲン原子を表す。上記式11B中のXは塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物は、スルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。本発明に係るスルホニウム化合物は、ボレート化合物と反応させてスルホニウムボレート錯体を得るためのスルホニウム化合物であることが好ましい。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記ボレート化合物は、下記式21で表されるアニオン部分を有する化合物又はテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートアニオンを有する化合物又はテトラキス[3,5-ビストリフルオロメチルフェニル]ボレートアニオンを有する化合物であることが好ましく、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートアニオンを有する化合物であることがより好ましい。上記ボレート化合物のカチオン部分は、リチウムカチオン又はナトリウムカチオンであることが好ましく、ナトリウムカチオンであることがより好ましい。上記式21中、Xはハロゲン原子を表す。上記式21中のXは、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。本発明に係るスルホニウムボレート錯体は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより得られていることが好ましい。また、本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法は、本発明に係るスルホニウム化合物又は本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物と、上記式21で表されるアニオン部分を有する化合物とを反応させることにより、スルホニウムボレート錯体を得る工程を備えることが好ましい。本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法では、本発明に係るスルホニウム化合物及び本発明に係るスルホニウム化合物の製造方法により得られたスルホニウム化合物を用いているので、スルホニウムボレート錯体を効率的に、収率よく得ることができる。本発明に係るスルホニウムボレート錯体及び本発明に係るスルホニウムボレート錯体の製造方法により得られたスルホニウムボレート錯体は、下記式41で表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。上記式41中、R1はアリール基又はナフチル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41中のR1、R2及びnは、上記式1及び上記式2中のR1、R2及びnに由来する。上記式41中のR1、R2及びnの好ましい基及び数は、上記式1及び上記式2中のR1、R2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。スルホニウムボレート錯体をより一層効率的に得る観点からは、上記式41で表されるスルホニウムボレート錯体は、下記式41A又は下記式41Bで表されるスルホニウムボレート錯体であることが好ましい。上記式41A中、R1aは炭素数1~4のアルキル基を表し、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、mは0又は1を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41A中のR1a、R2、m及びnは、上記式1A及び上記式2中のR1、R2、m及びnに由来する。上記式41A中のR1a、R2、m及びnの好ましい基及び数は、上記式1A及び上記式2中のR1、R2、m及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41A中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41A中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。上記式41B中、R2はヒドロキシ基又はCH3OCOO基を表し、Xはハロゲン原子を表し、nは1~3の整数を表す。上記式41B中のR2及びnは、上記式1B及び上記式2中のR2及びnに由来する。上記式41B中のR2及びnの好ましい基及び数は、上記式1B及び上記式2中のR2及びnの好ましい基及び数と同様である。上記式41B中のXは、上記式21中のXに由来する。上記式41B中のXの好ましい基は、上記式21中のXの好ましい基と同様である。上記スルホニウムボレート錯体は、カチオン重合開始剤として好適に用いられる。硬化性組成物は、硬化性化合物と、上記カチオン重合開始剤とを含むことが好ましい。上記硬化性組成物は、導電性粒子をさらに含むことが好ましい。導電性粒子を含む硬化性組成物は、異方性導電材料であることが好ましい。上記硬化性組成物は、光の照射又は加熱により硬化可能である。上記硬化性組成物は光の照射により硬化させてもよく、加熱により硬化させてもよく、光の照射と加熱とにより硬化させてもよい。上記異方性導電材料は、ペースト状である異方性導電ペーストであってもよく、フィルム状である異方性導電フィルムであってもよい。上記異方性導電材料は、異方性導電ペーストであることが好ましい。以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。実施例11グリニャール試薬の合成金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2-ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1-クロロメチルナフタレン10重量部を滴下して、20°Cで撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式A-1により、グリニャール試薬である1-ナフチルメチルマグネシウムクロリドを合成した。2スルホニウム化合物の合成得られた1-ナフチルメチルマグネシウムクロリド分子量201.010重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.26.975重量部を添加し、20°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式B-1により、スルホニウム化合物B1スルホニウム塩を合成した。用いた1-ナフチルメチルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物B1の収率は97であった。3スルホニウムボレート錯体の合成得られたスルホニウム化合物B110重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、20°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式C-1により、スルホニウムボレート錯体C1を得た。4硬化性組成物の調製硬化性化合物であるEBECRYL3702ダイセルサイテック社製エポキシアクリレート5重量部と、得られたスルホニウムボレート錯体C14重量部と、フィラーであるアルミナ平均粒子径0.5μm20重量部とを配合し、さらに平均粒子径3μmの導電性粒子を配合物100重量中での含有量が10重量となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、硬化性組成物異方性導電ペーストを得た。なお、用いた上記導電性粒子は、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。実施例21グリニャール試薬の合成金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2-ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1-クロロメチルベンゼン10重量部を滴下して、15°Cで撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式A-2により、グリニャール試薬であるベンジルマグネシウムクロリドを合成した。2スルホニウム化合物の合成得られたベンジルマグネシウムクロリド分子量150.910重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.29.3重量部を添加し、15°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式B-2により、スルホニウム化合物B2スルホニウム塩を合成した。用いたベンジルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物B2の収率は95であった。3スルホニウムボレート錯体の合成得られたスルホニウム化合物B210重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式C-2により、スルホニウムボレート錯体C2を得た。4硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体C1を、得られたスルホニウムボレート錯体C2に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例31グリニャール試薬の合成金属マグネシウム14重量部にテトラヒドロピラン10重量部を添加し、1,2-ジブロモエタン0.6重量部を更に添加して金属マグネシウムを活性化させた。次に、1-クロロメチル-2-メチルベンゼン10重量部を滴下して、10°Cで撹拌し、反応させた。ろ過により残留しているマグネシウムを除去した。このようにして、下記反応式A-3により、グリニャール試薬である2-メチルベンジルマグネシウムクロリドを合成した。2スルホニウム化合物の合成得られた2-メチルベンジルマグネシウムクロリド分子量164.910重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.28.5重量部を添加し、10°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式B-3により、スルホニウム化合物B3スルホニウム塩を合成した。用いた2-メチルベンジルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物B3の収率は96であった。3スルホニウムボレート錯体の合成得られたスルホニウム化合物B310重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式C-3により、スルホニウムボレート錯体C3を得た。4硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体C1を、得られたスルホニウムボレート錯体C3に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。実施例41スルホニウム化合物の合成実施例1で得られた1-ナフチルメチルマグネシウムクロリド分子量201.010重量部に、4-メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフィド分子量198.29.9重量部を添加し、23°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、下記反応式B-4により、スルホニウム化合物B4スルホニウム塩を合成した。用いた1-ナフチルメチルマグネシウムクロリドに対して、得られたスルホニウム化合物B4の収率は97であった。2スルホニウムボレート錯体の合成得られたスルホニウム化合物B410重量部に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、下記反応式C-4により、スルホニウムボレート錯体C4を得た。3硬化性組成物の調製スルホニウムボレート錯体C1を、得られたスルホニウムボレート錯体C4に変更したこと以外は実施例1と同様にして、硬化性組成物を得た。比較例1水中で1-クロロメチルナフタレン分子量176.610重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.27.95重量部を添加し、23°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物スルホニウム塩を合成した。用いた1-クロロメチルナフタレンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は32であった。比較例2水中で1-クロロメチルベンゼン分子量126.610重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.211.1重量部を添加し、23°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物スルホニウム塩を合成した。用いた1-クロロメチルベンゼンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は29であった。比較例3水中で1-クロロメチル-2-メチルベンゼン分子量140.610重量部に、4-メチルチオフェノール分子量140.210重量部を添加し、23°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物B3スルホニウム塩を合成した。用いた1-クロロメチル-2-メチルベンゼンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は28であった。比較例4純水中で1-クロロメチルナフタレン分子量176.610重量部に、4-メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフィド分子量198.211.23重量部を添加し、23°Cで24時間撹拌し、結晶物を析出させた。結晶物を取り出し、洗浄した。このようにして、スルホニウム化合物スルホニウム塩を合成した。用いた1-クロロメチルナフタレンに対して、得られたスルホニウム化合物の収率は25であった。比較例5下記式101で表されるスルホニウムアンチモネート錯体に酢酸エチル100重量部を添加し、テトラフルオロフェニルボレートナトリウムを10重量含む水溶液150重量部を更に添加して、23°Cで30分間撹拌した。分液操作により酢酸エチル層を取り出し、水洗した後、エバポレーターで濃縮した。このようにして、スルホニウムボレート錯体Z1を得た。スルホニウムボレート錯体C1を、得られたスルホニウムボレート錯体Z1に変更したこと以外は実施例1と同様にして硬化性組成物を得た。実施例1~4及び比較例5の評価金属の腐食性:L/Sが20μm/20μmのITO電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。上記透明ガラス基板上に、得られた異方性導電ペーストを厚さ20μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が互いに対向し、接続するように積層した。その後、異方性導電ペースト層に420nmの紫外線を光照射強度が60mW/cm2となるように照射して、異方性導電ペースト層を半硬化させた後に150°Cで加熱して硬化させ、接続構造体を得た。得られた接続構造体を85°Cで湿度85の条件で20日間保管した。保管後の銅電極の表面に腐食が生じているか否かを評価した。銅電極に腐食が生じていない場合を○、導通不良が生じない程度に銅電極に部分的に腐食が生じている場合を△、導通不良が生じる程度に銅電極に腐食が生じている場合を×と判定した。その結果、実施例1~4の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は○であった。比較例5の硬化性組成物を用いた接続構造体では、金属の腐食性の評価結果は×であった。比較例5で金属の腐食性の評価結果が悪かった理由としては、スルホニウムボレート錯体を得た後に、該スルホニウムボレート錯体中にスルホニウムアンチモネート錯体が残留していたことなどが挙げられる。"