"一方の導体と他方の導体とをはんだ接合するためのSnを主成分とするPbフリーはんだであって、前記一方の導体および前記他方の導体の少なくともいずれか一方はAgを主成分とする層をその表面に備えており、前記Snを主成分とするPbフリーはんだに、Znが含まれていることを特徴とするPbフリーはんだ。Zn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下である請求項1記載のPbフリーはんだ。導体とはんだ接合するためのPbフリーはんだ層を備えたはんだ被覆導体において、前記導体は、Agを主成分とする層を少なくともその表面に備えており、前記Pbフリーはんだ層は、Snを主成分とするものであると共にZnを含むものであることを特徴とするはんだ被覆導体。前記Pbフリーはんだ層のZn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下である請求項3記載のはんだ被覆導体。一方の導体と他方の導体とがSnを主成分とするPbフリーはんだにより接合されて形成される電気部品において、前記一方の導体と前記他方の導体との間には接合部が形成され、前記一方の導体および前記他方の導体の少なくともいずれか一方は、Agを主成分とする層をその表面に備えており、前記接合部はZnを含有し、残部にSnが含有されていることを特徴とする電気部品。前記接合部のZn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下である請求項5記載の電気部品。前記導体のうち、Agを主成分とする層を少なくともその表面に備えている導体と、前記接合部との界面に、Ag-Sn-Zn系金属間化合物からなる層が形成されている請求項5又は6に記載の電気部品。特許文献1は、Sn-3.5重量Agはんだの使用により、Agとの接合界面のAg3Snは高温環境150°Cにおいても、成長が抑止されると報告している。有鉛はんだに対してSn-3.5重量Agはんだの場合、高温環境での接合界面でのSnの拡散が抑制されるので、Ag3Snの成長が抑止されるとしている。しかし実際には、Snの拡散抑制は十分ではなく、高温に長時間保持する場合、このAg3Snは成長し続けるので、接続信頼性が問題視される。特許文献2,3及び4では、はんだとAgとの接合界面に他の金属による中間層やNi層を形成して、Agとはんだとの間の相互拡散やAg3Sn化合物の成長抑制が可能であると報告されている。特に特許文献4では、SnとNiとの間ではSnとAgとの間より相互拡散が起こりにくいので、それにより、SnとAgとの間にNi層を形成して拡散のバリアとすることにより、金属間化合物の生成を抑える効果があるとしている。導体表面へのNi層形成に関しては、接合界面の拡散抑制効果が一般的に知られているが、Niは大気中で酸化しやすくはんだ濡れ性が低下することが懸念されている。また硬質なために割れやすく、割れによりAgとはんだが直接接触してしまい、拡散抑制効果が失われる虞もある。そこで、本発明の目的は、従来のPbフリーはんだに対して高温保持におけるAgとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたSnを主成分とするPbフリーはんだ及びはんだ被覆導体並びにそれを用いた電気部品を提供することにある。上記課題を解決すべく創案された本発明は、一方の導体と他方の導体とをはんだ接合するためのSnを主成分とするPbフリーはんだであって、前記一方の導体および前記他方の導体の少なくともいずれか一方はAgを主成分とする層をその表面に備えており、前記Snを主成分とするPbフリーはんだに、Znが含まれているPbフリーはんだである。Zn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下であるとよい。また、本発明は、導体とはんだ接合するためのPbフリーはんだ層を備えたはんだ被覆導体において、前記導体は、Agを主成分とする層を少なくともその表面に備えており、前記Pbフリーはんだ層は、Snを主成分とするものであると共にZnを含むものであるはんだ被覆導体である。前記Pbフリーはんだ層のZn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下であるとよい。さらに、本発明は、一方の導体と他方の導体とがSnを主成分とするPbフリーはんだにより接合されて形成される電気部品において、前記一方の導体と前記他方の導体との間には接合部が形成され、前記一方の導体および前記他方の導体の少なくともいずれか一方は、Agを主成分とする層をその表面に備えており、前記接合部はZnを含有し、残部にSnが含有されている電気部品である。前記接合部のZn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下であるとよい。前記導体のうち、Agを主成分とする層を少なくともその表面に備えている導体と、前記接合部との界面に、Ag-Sn-Zn系金属間化合物からなる層が形成されているとよい。本発明によれば、従来のPbフリーはんだに対して高温保持におけるAgとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたSnを主成分とするPbフリーはんだ及びはんだ被覆導体並びにそれを用いた電気部品を提供することができる。以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。図1aに示すように、本実施の形態に係るPbフリーはんだ1は、一方の導体2と他方の導体図示せずとをはんだ接合するためのSnを主成分とするPbフリーはんだである。ここで、導体の一方例えば、導体2はAgを主成分とする層を少なくともその表面に備えており、Snを主成分とするPbフリーはんだに、Znが含まれていることを特徴とする。本実施の形態では導体2に銀板を用いる。Pbフリーはんだ1におけるZn含有量は、0.05mass以上1.0mass以下であることが好ましい。この理由を以下に述べる。本発明者がPbフリーはんだに添加するZn濃度について、鋭意研究した結果、Zn濃度が高いほど界面化合物層の成長を抑制する効果が高いことを見出した。また、この研究から、Zn含有量を0.05mass以上にすることにより、高温保持における、界面化合物層の成長の成長抑制効果が得られやすいことが分かった。しかし、Znは酸化しやすいため、Zn含有量が多すぎるとAgに対する濡れ性が悪くなり、接合界面に多数の欠陥が形成されやすくなる。そのため、Zn含有量は1.0mass以下が好ましい。このPbフリーはんだ1の作用を説明する。Snを主成分とするPbフリーはんだにZnを微量添加することにより、Agを主成分とする層との接合界面でZnが濃化するために界面付近にAg-Sn-Zn系金属間化合物が形成される。そのため、Znを微量添加した場合は、界面の金属間化合物層3は、Ag-Sn-Zn系金属間化合物となり、例えば、Ag-Sn-Zn化合物もしくはAg-Sn-Zn化合物およびAg3Snで構成されている状態となる。このAg-Sn-Zn化合物もしくはAg-Sn-Zn化合物およびAg3Snの形成により、高温でのそれらの化合物層の成長が妨げられる。Znを含まない通常のPbフリーはんだでは、図1bに示すように、Pbフリーはんだ11中のSnと導体2の表面のAgとの相互拡散により、接合界面に金属間化合物であるAg3Snが形成され、保持温度が高いと、このAg3Snで構成された金属間化合物層13が厚く成長する。これに対し、本実施の形態に係るPbフリーはんだ1では、Ag-Sn-Zn化合物がAg3Snより、はんだとの界面においてSnとAgの相互拡散速度が遅いため、金属間化合物層3の成長が抑制される。つまりAg-Sn-Zn化合物が相互拡散の障壁のような役割を果たす。Znの添加により、高温状態での金属間化合物層3の成長を抑制できれば、接合強度を向上し、高温環境でも高い信頼性を得ることができる。なお、導体の具体的な組み合わせとしては、銀成分とPbフリーはんだ1とが接触する構成であれば特に限定されるものではなく、例えば、図2に示すように、銀板22とCuからなる配線材例えばリード線24の組み合わせを挙げることができる。Pbフリーはんだ1で接合する限りにおいては、配線材24側には錫、金、銀、はんだなどのめっきを施したものであってもよい。またAgを主成分とする層とPbフリーはんだ1との界面に使用するのでない限り、これらのめっきの下地にニッケルめっきを施すものであってもよい。またこれに限定されるわけではなく、導体の具体的な組み合わせの中には、必ずしも導体単体でなくてもよく、その部材の構成要素の中に導体を含んでいればよい。例えば電極を備えた電子部品や、導電パターンを有する絶縁基板のようなものであってもよい。例えば、図3に示すように、配線パターン34を有するセラミック基板35の上にPbフリーはんだ1を介して銀めっき32を被覆した銀電極を有する電子部品コンデンサやICチップなど36を実装するものでもよい。またこれに限定されるわけではなく、図4に示すように、溶融めっき法によりPbフリーはんだ1のめっき被覆を施した配線材44と、セラミック基板35の上に形成した銀ペースト42とを接合する構造であってもよい。また、セラミック基板35に限定されるものではなくその素材は有機フィルム例えばガラスエポキシ基板又はポリイミド基板などであってもよい。なお、本実施の形態において主成分とは、含有成分の中でもっとも多い場合であればそれを含むものである。そして、Agを主成分とする層とは、例えば、含有成分の中でAgがもっとも多い場合であればそれを含むものである。よって必ずしも銀めっきである必要はなく、有機溶剤と混合した銀ペーストであってもかまわないし、また本発明の効果を損なわない限りにおいてAg以外の添加元素を含む銀合金層であってもよい。また、本実施の形態においては、Agを主成分とする層を少なくともその表面に備えていればよく、Agを主成分とする層が表面を被覆するコアの部分は鋼材であっても、アルミニウムであっても銅材であってもよい。つまり、導体の全体がAgから構成されている必要はない。以上説明したように、本発明によれば、従来のPbフリーはんだに対して高温保持におけるAgとはんだとの界面の金属間化合物層の成長を更に抑制することができ、はんだ接合部における良好なはんだ濡れ性を備えたSnを主成分とするPbフリーはんだ及びはんだ被覆導体並びにそれを用いた電気部品を提供することができる。また、高温保持におけるAgを主成分とする層とSnを主成分とするはんだの接合界面の金属間化合物層の成長を確実に抑制することができるため、高温環境で使用される電子機器のはんだ接合部においても長期信頼性を得ることができる。以下に、本発明の実施例及び比較例について説明する。実施例溶融めっき法により厚さ0.2mmの銀板にSn-3.0massAg-0.5massCu-0.2massZnからなるPbフリーはんだめっきを厚さ約50μm形成した。このときのめっき浴温は260°Cで、5秒間浸漬してめっきを施した。めっき直後の金属間化合物層の厚さは1.7μmであった。これを高温保持試験に供し、Znを添加したはんだの金属間化合物層の成長厚さを調査した。150°Cに設定した恒温槽にて2000hrまで種々の時間保持し、PbフリーはんだめっきとAgの界面に形成されるAg-Sn-Zn系金属間化合物層を光学顕微鏡により断面観察を行った。このとき図5に示すように、画像処理ソフトを用いて金属間化合物層の面積を測定し、それを銀板とPbフリーはんだの界面に対して平行な面積測定部の幅で除し、金属間化合物層の厚さを計測した。比較例比較例として、同様に厚さ0.2mmの銀板にZnを含まないSn-3.0massAg-0.5massCuからなる従来のPbフリーはんだめっきを実施例と同様の方法で厚さ約50μm行った。めっき直後の金属間化合物層の厚さは1.3μmであった。比較例についても実施例と同様の高温保持試験を実施し、同様の方法を用いて金属間化合物層の厚さを計測した。図6,7に、本実験で得られた、150°Cで2000hr保持後の実施例および比較例の断面観察写真を示す。実施例の金属間化合物層の成分を分析したところAg-Sn-Zn系金属間化合物層であり、比較例の金属間化合物層の成分を同様に分析したところAg3Snの金属間化合物層が形成されていた。そして、上記と同様の方法により金属間化合物層の厚さを測定したところ、実施例の金属間化合物層の厚さは7.0μmであったのに対し、比較例の金属間化合物層の厚さは8.3μmの厚さであった。また、図8に150°C環境における金属間化合物層の成長挙動の比較を示す。このように、比較例では150°Cで2000hr保持後は金属間化合物層厚さが7.0μm成長するのに対し、実施例では5.3μmと大幅に成長が抑制されていることが確認された。尚、図8のグラフ中、実施例、比較例の金属組成の数値単位はmassである。したがって、ここでは、Pbフリーはんだの接合界面における接続信頼性の指標として、界面における金属間化合物層の厚さを評価したが、上記実験の結果から、比較例に比して実施例は大幅に金属間化合物の成長を抑制することができており、実施例は比較例に比して大幅にPbフリーはんだの接合界面における接続信頼性を有するものであるといえる。また、本発明のPbフリーはんだは、銀板との界面において中間層を介在させるようなことをしないため、従来のSnを主成分とするPbフリーはんだに比してはんだ濡れ性を低下させることもなく良好なはんだ濡れ性を備えていた。さらに、本発明のPbフリーはんだは、上記各成分の他、本発明の目的を損しない範囲で必要に応じて、例えば、Bi、In、P、Sb、Mg、Auなどの他の元素を含有させることもできる。これにより、はんだ付け時およびはんだ付け後におけるはんだ合金の融点をさらに低下させることができる。なお、本発明のPbフリーはんだとしては、Snを主成分とすると共にZnを含有し、Pbを添加していないものであれば特に限定されるものではなく、純Sn系、Sn-Ag系、Sn-Ag-Cu系、Sn-Cu系のいずれであってもよい。"