結晶構造における六角形環が広がる方向が面内方向とされた黒鉛シートが用いられた放熱基板であって、略矩形体形状をなす基体の表面に、前記黒鉛シートが、前記基体の表面を構成する一つの面から当該一つの面に対向する面にかけて折り曲げられて貼り付けられた構成を具備することを特徴とする放熱基板。前記基体は樹脂材料で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の放熱基板。結晶構造における六角形環が広がる方向が面内方向とされた黒鉛シートが、略矩形体形状をなす基体の表面を構成する一つの面から当該一つの面に対向する面にかけて、折り曲げられて貼り付けられた構成を具備する複数の放熱基板ブロックが、前記一つの面が一方の主面を、前記一つの面と対向する面が他方の主面をそれぞれ構成するように、前記複数の放熱基板ブロックにおける前記一つの面と交差する面同士が接合されたことを特徴とする放熱基板。前記基体は樹脂材料で構成されたことを特徴とする請求項3に記載の放熱基板。前記放熱基板ブロックにおける前記一つの面と交差する面には突起部及び孔部が形成され、隣接する2つの前記放熱基板ブロックにおいて、前記突起部と前記孔部とが嵌合する構成を具備することを特徴とする請求項3又は4に記載の放熱基板。表面にめっき層が形成されたことを特徴とする請求項3から請求項5までのいずれか1項に記載の放熱基板。前記一方の主面側に、絶縁シートを介して金属薄膜層が形成されたことを特徴とする請求項3から請求項6までのいずれか1項に記載の放熱基板。前記金属薄膜層が部分的に除去された構成を具備することを特徴とする請求項7に記載の放熱基板。請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の放熱基板が用いられたことを特徴とする半導体モジュール。請求項8に記載の放熱基板が用いられ、前記金属薄膜層の上に半導体チップが搭載されたことを特徴とする半導体モジュール。前記の通り、放熱基板には半導体チップからの放熱を効率的に行うという機能が求められる。一方で、配線パターンを放熱基板上に形成し、この放熱基板を配線基板として使用する場合もある。特許文献1に記載の放熱基板は導電性であるため、こうした使用を行うことは困難である。特許文献2に記載の放熱基板においては、粘着層の熱伝導率はグラファイトと比べて著しく低い。また、この放熱基板の面内方向はグラファイト層の膜厚方向となるため、この放熱基板の面内方向におけるグラファイト層自身の熱伝導率も低い。このため、この放熱基板の膜厚方向における熱伝導率は高くなるものの、その面内方向における熱伝導率は著しく低い。このため、特にパワー半導体モジュールのように、搭載する半導体チップからの放熱を高効率で行うという目的には適さない。すなわち、搭載するチップからの放熱を高効率で行うことができる放熱基板を得ることは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の放熱基板は、結晶構造における六角形環が広がる方向が面内方向とされた黒鉛シートが用いられた放熱基板であって、略矩形体形状をなす基体の表面に、前記黒鉛シートが、前記基体の表面を構成する一つの面から当該一つの面に対向する面にかけて折り曲げられて貼り付けられた構成を具備することを特徴とする。本発明の放熱基板において、前記基体は樹脂材料で構成されたことを特徴とする。本発明の放熱基板は、結晶構造における六角形環が広がる方向が面内方向とされた黒鉛シートが、略矩形体形状をなす基体の表面を構成する一つの面から当該一つの面に対向する面にかけて、折り曲げられて貼り付けられた構成を具備する複数の放熱基板ブロックが、前記一つの面が一方の主面を、前記一つの面と対向する面が他方の主面をそれぞれ構成するように、前記複数の放熱基板ブロックにおける前記一つの面と交差する面同士が接合されたことを特徴とする。本発明の放熱基板において、前記基体は樹脂材料で構成されたことを特徴とする。本発明の放熱基板において、前記放熱基板ブロックにおける前記一つの面と交差する面には突起部及び孔部が形成され、隣接する2つの前記放熱基板ブロックにおいて、前記突起部と前記孔部とが嵌合する構成を具備することを特徴とする。本発明の放熱基板は、表面にめっき層が形成されたことを特徴とする。本発明の放熱基板は、前記一方の主面側に、絶縁シートを介して金属薄膜層が形成されたことを特徴とする。本発明の放熱基板は、前記金属薄膜層が部分的に除去された構成を具備することを特徴とする。本発明の半導体モジュールは、前記放熱基板が用いられたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールは、前記放熱基板が用いられ、前記金属薄膜層の上に半導体チップが搭載されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、搭載するチップからの放熱を高効率で行うことができる。第1の実施の形態以下、本発明の実施の形態となる放熱基板の構造について説明する。この放熱基板は、基体の表面に黒鉛シートが貼り付けられて構成される。この際、発熱源となる半導体チップ等が搭載される表面側からその裏面側に向かって、黒鉛シートは一体化されている。この黒鉛シートは、平板状のものが折り曲げられてこの形態とされる。この放熱基板においては放熱は主に黒鉛シートによってなされる。図1aは、この放熱基板10の構造を示す斜視図である。図1b、cは、それぞれそのA-A方向、B-B方向の断面図である。この放熱基板10は、基体11上に黒鉛シート12が貼り付けられて構成される。黒鉛シート12は、薄い接着剤図示せずを用いて基体11の表面に固定される。また、黒鉛シート12は、平板状のものが折り曲げられた上で図1の状態で基体11上に固定される。黒鉛シート12の、折り曲げられる前の状態a、折り曲げる途中の状態b、折り曲げた後の状態cの斜視図を図2に示す。黒鉛シート12は基体11と比べて薄いため、放熱基板10の形状は基体11の形状と概略等しい。基体11は、この放熱基板10のベースとなり、この放熱基板10と概略同一の形態の矩形体形状あるいは平板形状をなす。その材質は、この上に黒鉛シート12を貼り付けられるものでありかつ耐熱性のある材料であれば任意であり、樹脂材料や金属で構成することができる。基体11にも放熱を行わせるためには、基体11を熱伝導率の高い金属銅等で構成することができる。ただし、放熱基板10を軽量化するためには、樹脂材料で基体11を形成することが好ましい。この場合、全体が金属材料で構成された放熱基板よりもこの放熱基板10を軽量化することができる。ここで用いられる黒鉛シート12は黒鉛グラファイトで構成され、その形状は図2に示される。黒鉛シート12が折り曲げられる前の状態においては、図2aに模式的に示されるように、黒鉛グラファイトの結晶構造における六角形環六方晶系における六角形の結晶が亀の甲状に2次元的に広がった構成が広がる方向は、黒鉛シート12の面内方向となっている。グラファイトにおいては、この六角形が広がる方向における熱伝導率が特に高くなっており、この方向と垂直な方向黒鉛シート12の厚さ方向における熱伝導率は低くなっている。図2aの構成の黒鉛シート12は、平板状の大きな黒鉛シートを切断加工することによって得ることが可能である。また、一般に得られるシート状の黒鉛においては、六角形が広がる方向は面内方向となる。このため、図2aに示される黒鉛シート12を容易に得ることができる。また、黒鉛シート12の厚さは、例えば0.015~0.1mm程度である。この厚さの黒鉛シート12に対しては、図2に示された曲げ加工を容易に施すことができる。また、黒鉛は高い曲げ強度を有しているため、図2bcの形態に折り曲げることも容易である。このため、図2に示された形態で黒鉛シート12を折り曲げて矩形体形状や平板形状の基体11の表面に接合することが可能である。黒鉛シート12を基体11に接合する接着剤の厚さは例えば10~20μmとする。接着剤の種類としては、例えばエポキシ系の材料を用いることができる。接着剤は、黒鉛シート12を基体11に固定できる限りにおいて、薄く形成することが好ましい。上記の放熱基板10においては、基体11や接着剤を構成する材料の熱伝導率は黒鉛と比べて低い。しかしながら、黒鉛シート12の面内方向の熱伝導率は極めて高く、1000~2000W/m/K程度である。このため、放熱基板10において黒鉛シート12が貼り付けられた面に平行な方向の熱伝導率は高くなる。ここで、黒鉛シート12は図2に示された構成で一体となっており、図1における放熱基板10の上面一つの面側から下面前記の一つの面に対向する面側に向かって連続的に形成され、折り曲げられている。このため、側面を介して上面側から下面側に高効率で熱を伝達させることができる。このため、この放熱基板10においては、放熱基板10の面内方向と厚さ方向で共に高い熱伝導率をもつ。この放熱板10の上に半導体チップを搭載して半導体モジュールを構成すれば、この半導体モジュールは高い放熱効率をもつ。第2の実施の形態上記の放熱基板10を半導体モジュールに用いることができるが、この放熱基板10を複数連結した構成とすることもできる。図3は、この放熱基板110の構成を示す斜視図a、及びそのC-C方向の断面図bである。この放熱基板110は、前記の放熱基板10と同様の構造が一つのブロック放熱基板ブロック120とされ、これらが面内で複数接合して構成される。この場合、各放熱基板ブロック120においては、黒鉛シート12は、上面一つの面側から下面前記一つの面に対向する面にかけて連続的に形成され、折り曲げられて図1と同様の構成とされる。ここで、各放熱基板ブロック120は、放熱基板ブロック120の上面一つの面が放熱基板110の一方の主面を、放熱基板ブロック120の下面前記一つの面と対向する面が放熱基板110における他方の主面をそれぞれ構成するように配列される。放熱基板ブロック120における側面前記一つの面と交差する面同士が接合されることによって放熱基板110が形成される。放熱基板ブロック120同士の接合は、基体11と黒鉛シート12の接合と同様に、接着剤等を用いて行うことができる。接着剤の厚さは前記と同様に例えば10~20μmとすることができる。図3においては、接着剤の記載は省略されている。この場合、接合に用いられる接着剤の熱伝導率は高くない。しかしながら、この放熱基板110においては、上面一方の主面側から下面他方の主面側に向かう熱伝導は個々の放熱基板ブロック120によって行われるため、高い放熱効率を得ることができる。放熱基板10を単体で用いる場合には、厚さ方向の熱伝導は主に黒鉛シート12が接合された放熱基板10の端部でのみなされるのに対して、上記の放熱基板110においては、隣接する放熱基板ブロック120間で厚さ方向の熱伝導がなされる。このため、上記の放熱基板110においては、厚さ方向の熱伝導が多くの箇所でなされ、厚さ方向の熱伝導の効率が高くなる。一方、この放熱基板110の上面側の大部分の領域では黒鉛シート12が接合されているため、面内方向において高い熱伝導率が得られる。このため、この放熱基板110においては、面内方向、厚さ方向の両方において高い熱伝導率が得られる。また、個々の放熱基板ブロック120を予め複数製造しておくことにより、所望の形態の放熱基板110を得ることができる。第3の実施の形態図3のような形態で連結することが特に容易なように放熱基板ブロックを形成することもできる。図4は、この場合に用いられる個々の放熱基板ブロック210に用いられる黒鉛シート220の折り曲げられる前の一方向からの斜視図a、放熱基板ブロック210の一方向からの斜視図b、放熱基板ブロック210の他方向からの斜視図cを示す。この放熱基板ブロック210においては、基体211の一側面に2つの突起部212が形成されている。また、この突起部212と反対側の側面に、2つの孔部213が設けられている。図4abに示されるように、黒鉛シート220は、突起部212が設けられた面には接合されない。また、孔部213が設けられた面においては、黒鉛シート220にも孔部213に対応した開口部が設けられている。図5は、この放熱基板ブロック210の左側面図a、上面図b、右側面図c、D-D方向の断面図dである。図5の形態の放熱基板ブロック210を連結させた放熱基板230の突起部213の突出した方向に沿った断面図を図6に示す。突起部212と孔部213とを嵌合させることにより、放熱基板ブロック210同士の接合をより確実に行うことができる。この際、突起部212が設けられた面には黒鉛シート220は存在しないが、孔部213が設けられた面には黒鉛シート220が設けられているため、連結された状態図6においては、連結部で厚さ方向に黒鉛シート220が存在している。このため、連結部において厚さ方向で高い熱伝導率が得られる。連結部以外では、面内方向で高い熱伝導率が得られる。なお、突起部と孔部の構成は、側面接合される面に形成され、これらが嵌合できる形態である限りにおいて、任意である。例えば、同一の側面に突起部と孔部を設けることもでき、2つずつの側面に突起部、孔部を設け、放熱基板ブロックを2次元配列することも可能である。こうした場合においても、放熱基板ブロックにおいて黒鉛シートを上面側から下面側に折り曲げて基体に接合することができる限りにおいて、高い放熱効率を得ることができる。第4の実施の形態前記の放熱基板110と同様の構造の表面に、めっき層を形成した放熱基板310の断面図を図7に示す。この放熱基板310においては、前記の放熱基板110と同様に放熱基板ブロック120が配列された構造の表面全面にめっき層311が形成されている。めっき層311は、例えば銅CuやニッケルNi等、電解めっきや無電解めっきで放熱基板ブロック120の表面に形成できる金属で形成される。めっき層311の厚さは、例えば5~20μm程度とすることができる。放熱基板110においては、隣接する放熱基板10同士の接合は接着剤のみによってなされていたのに対し、この放熱基板310においては、めっき層311によってこの接合が補強される。この放熱基板310においては、最表面が黒鉛シート12よりも熱伝導率が低いめっき層311となるが、めっき層311の厚さを5~20μm程度とすることにより、半導体チップからの熱を素速く黒鉛シート12に伝達させ、放熱させることができる。なお、図7の例では放熱基板110と同様の構造の上にめっき層を形成した例について記載したが、前記の放熱基板230と同様の構造の上にめっき層を形成することもでき、同様の効果を奏することも明らかである。第5の実施の形態上記の放熱基板10、110、230、310における上面側の最表面は、黒鉛やめっき層金属であり、これらはいずれも導電体であるため、最表面全体が導電層となっている。これに対して、以下に示す放熱基板410においては、上面側の最表面を部分的に導電性とすることができ、この部分的な導電層を配線パターンとして用いることができる。図8は、この放熱基板410を製造し、かつこれを用いて半導体モジュールを製造する場合の工程断面図である。ここでは、図8aに示されるように、図3の放熱基板110と同様の構成が用いられる。すなわち、基体11の表面に黒鉛シート12が形成された構造の複数の放熱基板ブロック120が面状に接合される。次に、図8bに示されるように、この構造の上面に、絶縁シート411と金属薄膜層412を順次積層し、圧着する。ここで、絶縁シート411は、例えばエポキシ樹脂で構成される絶縁層である。また、熱硬化性樹脂とアルミナ等からなる無機物フィラーを含むことができる。更にガラス繊維等も含ませることができる金属薄膜層412は、例えば銅や銅合金で構成される。絶縁シート411は、図8aの構成上に金属薄膜層412が電気的に絶縁されて固定されるように、その材質、厚さは適宜設定される。ただし、一般に絶縁シート411の熱伝導率は高くないために、金属薄膜層412と放熱基板ブロック120黒鉛シート12との間の絶縁性が確保できる限りにおいて、絶縁シート411は薄いことが好ましい。次に、図8cに示されるように、金属薄膜層412を局所的にエッチングしてパターニングする。これにより、金属薄膜層412は半導体モジュールの配線となる。このパターニングは、例えばフォトレジストをマスクとしたウェットエッチング等によって容易に行われる。このエッチングは、例えば金属薄膜層412が銅で構成される場合には、塩化第二鉄水溶液を用いて絶縁シート411や放熱基板ブロック120等に悪影響を与えずに行うことができる。これにより、放熱基板410が形成される。この放熱基板410においては、最上層の金属薄膜層412が配線として使用される。その下には、薄い絶縁シート411を挟んで、面内方向、厚さ方向共に放熱効率の高い放熱基板ブロック120が存在する。このため、この放熱基板410における放熱効率は高くなる。次に、図8dに示されるように、この放熱基板410における金属薄膜層412上に、半導体チップ80を搭載する。ここでは、金属薄膜層412は、左右と中央部の3つに分割され、左右にそれぞれ半導体チップ80が搭載される。半導体チップ80と金属薄膜層412との間の接合ははんだによって行うことができる。この際、半導体チップ80の裏面側に電極が構成されている場合には、この電極と金属薄膜層412との間はこのはんだによって接合される。また、半導体チップ80の表面にはボンディングワイヤ90の一端が接続され、ボンディングワイヤ90の他端は中央部の金属薄膜層412に接続される。図8は断面図を示しているが、実際には金属薄膜層412は、この放熱基板410の面上において配線となるように二次元的にパターニングされている。すなわち、半導体チップ80、ボンディングワイヤ90、金属薄膜層412によってこの半導体モジュールにおける配線が形成され、電気回路が構成される。最後に、図8eに示されるように、金属板100を放熱基板410の裏面側に接合する。この接合も、接着剤を用いて行うことができる。この構成により、半導体チップ80が発した熱は、放熱基板410を介して金属板100に伝わり、高効率で放熱される。この半導体モジュールにおいては、放熱基板410における金属薄膜層412を配線として用いることができ、かつ放熱基板410によって高い放熱効率も得ることができる。なお、図8dの状態とされた後に、半導体チップ80やボンディングワイヤ90を封止する絶縁性の樹脂層モールド層を形成することもできる。なお、上記の構成において、放熱基板ブロックを構成する基体は矩形体形状あるいは平板形状であるとしたが、厳密な矩形体形状、平板形状である必要はない。大きな空隙がない状態で放熱基板ブロックを接合して放熱基板を形成できる限りにおいて、基体の形状は任意である。また、黒鉛シートの形状も、放熱基板あるいは放熱基板ブロックの上面側から下面側に向かって連続的に形成され、折り曲げて基体に接合できる限りにおいて、任意である。