上面が疎水性である被加工材上に疎水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜上に親水性のカバー膜を形成する工程と、前記カバー膜及び前記基材膜に開口部を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材に被着させ、前記溶液を、前記親水性部分が集合し、形状が前記被加工材の上面に対して平行な方向に延びるシリンダー状である親水性ブロックと、前記疎水性部分が集合し、前記親水性ブロックを覆い、前記被加工材の上面及び前記開口部の側面に接した疎水性ブロックと、に分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備えた微細構造体の製造方法。被加工材上に、開口部が形成され、上面が親水性であり前記開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックと前記親水性部分が集合した親水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備えた微細構造体の製造方法。前記固化膜を形成する工程において、前記親水性ブロックの形状は、前記被加工材の上面に対して平行な方向に延びるシリンダー状であり、前記疎水性ブロックは、前記親水性ブロックを覆い、前記被加工材の上面及び前記開口部の側面に接する請求項2記載の微細構造体の製造方法。前記被加工材の上面が疎水性である請求項2または3に記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、疎水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜上に親水性のカバー膜を形成する工程と、前記カバー膜及び前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、を有した請求項2~4のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、疎水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜の上面に改質処理を施すことにより、前記基材膜の上面を親水性とする工程と、前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、を有した請求項2~4のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、親水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、前記基材膜上に疎水性のカバー膜を形成する工程と、前記カバー膜をエッチバックすることにより、前記開口部の側面上に疎水性の側壁を形成する工程と、を有した請求項2~4のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。被加工材上に、開口部が形成され、上面が疎水性であり前記開口部の側面が親水性であるガイド膜を形成する工程と、親水性部分及び疎水性部分を含み、前記親水性部分の長さが前記疎水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記親水性部分が集合した親水性ブロックと前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記疎水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備えた微細構造体の製造方法。前記固化膜を形成する工程において、前記疎水性ブロックの形状は、前記被加工材の上面に対して平行な方向に延びるシリンダー状であり、前記親水性ブロックは、前記疎水性ブロックを覆い、前記被加工材の上面及び前記開口部の側面に接する請求項8記載の微細構造体の製造方法。前記被加工材の上面が親水性である請求項8または9に記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、親水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜上に疎水性のカバー膜を形成する工程と、前記カバー膜及び前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、を有した請求項8~10のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、親水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜の上面に改質処理を施すことにより、前記基材膜の上面を疎水性とする工程と、前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、を有した請求項8~10のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。前記ガイド膜を形成する工程は、疎水性の基材膜を形成する工程と、前記基材膜に前記開口部を形成する工程と、前記基材膜上に親水性のカバー膜を形成する工程と、前記カバー膜をエッチバックすることにより、前記開口部の側面上に親水性の側壁を形成する工程と、を有した請求項8~10のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。前記疎水性部分がポリスチレンであり、前記親水性部分が、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン-alt-プロピレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリビニルメチルエーテル及びポリエチレンオキサイドからなる群から選択された1種の分子である請求項2~13のいずれか1つに記載の微細構造体の製造方法。本発明の目的は、形状精度が高い微細構造体の製造方法を提供することである。実施形態に係る微細構造体の製造方法は、被加工材上に、開口部が形成され、上面が親水性であり前記開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成する工程と、疎水性部分及び親水性部分を含み、前記疎水性部分の長さが前記親水性部分の長さよりも長い両親媒性高分子を含有した溶液を、前記被加工材及び前記ガイド膜に被着させ、前記溶液を前記疎水性部分が集合した疎水性ブロックと前記親水性部分が集合した親水性ブロックとに分離させ、前記溶液を固化させて固化膜を形成する工程と、前記固化膜から前記親水性ブロックを除去することにより、マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして前記被加工材に対して処理を施す工程と、を備える。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。先ず、第1の実施形態について説明する。本実施形態は、両親媒性高分子BCP:BlockCoPolymerの配向特性を用いたDSADirectedSelfAssembly技術により、被加工材上に微細なパターンが形成されたマスク材を形成し、このマスク材をマスクとして被加工材に対して処理を施し、微細構造体を製造する方法である。これにより、例えば、シリコン基板の上面に、周期的に配列された微細なトレンチを形成することができる。図1a~d及び図2a~dは、本実施形態に係る微細構造体の製造方法を例示する工程断面図であり、図3aは、横軸に両親媒性高分子を構成する2本のポリマー鎖の組成比fをとり、縦軸にχNの値をとって、両親媒性高分子の組成と相分離の形態との相関関係を例示するグラフ図であり、bは、aに示す各相分離の形態を例示する模式図である。図3の縦軸に示すχは、Flory-Hugginsのセグメント間相互作用パラメータであってポリマー成分によって決まる値であり、Nは、両親媒性高分子全体の重合度である。先ず、図1aに示すように、被加工材1を用意する。被加工材1は、例えば、半導体基板でもよく、半導体基板上に絶縁膜が形成されたものでもよく、半導体基板上に導電膜が形成されたものでもよい。本実施形態においては、被加工材1の上面1aは、疎水性である。例えば、被加工材1がシリコン基板である場合、自然酸化膜が十分に薄ければ、上面1aは疎水性となる。次に、図1bに示すように、被加工材1上に、CVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法又は塗布法により、疎水性の基材膜2を一様に形成する。疎水性の基材膜2の例としては、有機材料膜及び非晶質カーボン膜等が挙げられる。基材膜2の膜厚は、後述する図2aに示す工程において、両親媒性高分子を含む溶液がシリンダー状に相分離できるような厚さとする。次に、図1cに示すように、基材膜2上に、CVD法又は塗布法により、親水性のカバー膜3を一様に形成する。親水性のカバー膜3の例としては、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等が挙げられる。カバー膜3は基材膜2よりも薄く形成する。次に、図1dに示すように、リソグラフィー技術及び反応性イオンエッチング技術を用いて、カバー膜3及び基材膜2を選択的に除去する。これにより、被加工材1に対して処理を施す予定の領域において、カバー膜3及び基材膜2に開口部4を形成する。このようにして、基材膜2及びカバー膜3からなり、開口部4が形成されたガイド膜5が形成される。ガイド膜5の上面5aには親水性のカバー膜3が露出しているため、上面5aは親水性である。また、ガイド膜5における開口部4の側面5bには疎水性の基材膜2が露出しているため、側面5bは疎水性である。このように、ガイド膜5の上面5aと側面5bとは、表面に露出した材料が異なるため、表面エネルギーが異なる。次に、図2aに示すように、溶液6を、被加工材1及びガイド膜5に対して塗布する。溶液6は、両親媒性高分子BCPを含有した溶液である。両親媒性高分子とは、疎水性部分及び親水性部分の双方を含む分子であり、例えば、1本の直鎖状の分子であって、一方側の部分に疎水基が結合しており、他方側の部分に親水基が結合した分子である。両親媒性高分子の例としては、ポリスチレン-ポリメチルメタクリレートPS-PMMA、ポリスチレン-ポリエチレン-alt-プロピレンPS-PEP、ポリスチレン-ポリブタジエンPS-PBD、ポリスチレン-ポリイソプレンPS-PI、ポリスチレン-ポリビニルメチルエーテルPS-PVME及びポリスチレン-ポリエチレンオキサイドPS-PEO等が挙げられる。すなわち、両親媒性高分子の疎水性部分は、例えば、ポリスチレンである。親水性部分は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン-alt-プロピレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリビニルメチルエーテル及びポリエチレンオキサイドからなる群から選択された1種の分子である。また、溶媒には、例えば、ジグリム等の有機溶媒を用いることができる。図3a及びbに示すように、両親媒性高分子の疎水性部分及び親水性部分のうち、より小さい部分の組成比が0.15~0.35程度であると、相分離後の構造はhexHexagonalpackedcylinders構造となる。すなわち、両親媒性高分子を相分離させたときに、両親媒性高分子の疎水性部分及び親水性部分のうち、より小さい部分が集合してシリンダー形状のブロックを形成する。また、より大きい部分は、このシリンダー形状のブロックを埋め込むようなブロックを形成する。なお、溶液6に両親媒性高分子以外の成分を含有させる場合は、相分離した後の各ブロックの体積が上述の比率となるように、含有量を調整することが好ましい。本実施形態においては、溶液6に含まれる両親媒性高分子は、疎水性部分の長さが親水性部分の長さよりも長い分子とする。具体的には、両親媒性高分子全体に対する親水性部分の組成比を0.15~0.35程度とする。例えば、疎水性部分と親水性部分の組成比を、7:3とする。これにより、溶液6は、各両親媒性高分子の疎水性部分が集合した疎水性ブロック7と、各両親媒性高分子の親水性部分が集合した親水性ブロック8とに分離する。このとき、親水性ブロック8の形状は、被加工材1の上面1aに対して平行な方向に延びるシリンダー状となる。また、ガイド膜5の開口部4の側面5bが物理ガイドとなり、複数本の親水性ブロック8は、開口部4内において、相互に平行に且つ周期的に配列される。一方、疎水性ブロック7の形状は、親水性ブロック8を囲むような形状となる。以下、シリンダー形状のブロックをシリンダーブロックともいい、シリンダーブロックを囲むブロックを外周ブロックともいう。そして、被加工材1の上面1a及びガイド膜5の開口部4の側面5bは疎水性であるため、疎水性ブロック7は、上面1a及び側面5bとの間では親和性濡れ性が高く、ガイド膜5の上面5aとの間では親和性濡れ性が低い。これにより、溶液6は開口部4の内部にのみ充填され、ガイド膜5の上面5a上には残留しない。このとき、両親媒性高分子の総分子量、すなわち、分子鎖長を選択することにより、シリンダーブロック親水性ブロック8の配列周期を制御することができる。また、両親媒性高分子における疎水性部分と親水性部分との組成比を選択することにより、シリンダーブロックの配列周期に対するシリンダーブロックの直径の比を制御することができる。更に、開口部4の一方向における長さを、両親媒性高分子の分子鎖長の2倍の長さのn倍nは整数とすることにより、開口部4内に一方向に沿ってn本のシリンダーブロックを配列させることができる。一方、開口部4の一方向の長さが両親媒性高分子の分子鎖長の2倍の長さの整数倍からずれていると、シリンダーブロックは、この一方向に沿ってはうまく配列されない。このように、開口部4の寸法を選択することにより、シリンダーブロックの方向を制御することができる。更にまた、両親媒性高分子における疎水性部分及び親水性部分の極性を制御することにより、シリンダーブロックの形状を制御することができる。このため、両部分の極性の差を調整することにより、シリンダーブロックの直径を制御し、配列周期を制御することができる。次に、図2bに示すように、加熱処理を行うことにより、溶液6内の溶媒を揮発させる。これにより、溶液6が固化して、固化膜9が形成される。次に、図2cに示すように、固化膜9に対して、シリンダーブロック親水性ブロック8のエッチング速度が、外周ブロック疎水性ブロック7のエッチング速度よりも高くなるような条件で、例えば反応性イオンエッチングReactiveIonEtching:RIE等のエッチングを施す。これにより、固化膜9からシリンダーブロック親水性ブロック8が除去される。このとき、外周ブロック疎水性ブロック7の大部分は残留する。この結果、固化膜9における親水性ブロック8が除去されたあとの部分が凹部9aとなり、固化膜9に親水性ブロック8の配列パターンに対応した凹凸パターンが形成される。これにより、疎水性ブロック7の残留部分からなるマスク材10が形成される。次に、図2dに示すように、マスク材10をマスクとして被加工材1に対して処理を施す。例えば、マスク材10をマスクとして反応性イオンエッチングを施すことにより、被加工材1に周期的に配列された複数本のトレンチ1bを形成する。このようにして、微細構造体が製造される。次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態においては、マスク膜5の上面5aを親水性とし、側面5bを疎水性とし、疎水性ブロック7がシリンダー状の親水性ブロック8を囲み込むように相分離する溶液6を塗布しているため、溶液6は開口部4の内部のみに充填され、マスク膜5の上面5a上には配置されない。これにより、開口部4の端部においても親水性ブロック8の配列が乱れることがなく、親水性ブロック8を周期的に配列させることができる。この結果、形状精度が高いマスク材10を形成することができ、被加工材1を精度よく加工することができる。また、本実施形態においては、上面1aが疎水性である被加工材1に対して、上述の溶液6を使用しているため、溶液6と上面1aとの間の親和性も高く、溶液6が上面1a上に安定して濡れ広がる。これによっても、マスク材10を精度よく形成することができる。更に、本実施形態においては、被加工材1上に疎水性の基材膜2を形成し、その上に親水性のカバー膜3を形成し、カバー膜3及び基材膜2に開口部4を形成することにより、マスク膜5を形成している。これにより、上面5aと側面5bとで表面エネルギーが異なるマスク膜5を、通常の半導体プロセスによって形成することができる。次に、本実施形態の比較例について説明する。図4は、本比較例に係る微細構造体の製造方法を示す工程断面図である。図4に示すように、本比較例においては、被加工材1上にガイド膜105を形成する。ガイド膜105には開口部104を形成する。ガイド膜105の構造は単層構造であり、上面105aの表面エネルギーと、開口部104の側面105bの表面エネルギーとは、相互に等しい。そして、このガイド膜105上に、上述の溶液6を塗布する。このとき、ガイド膜105の上面105aと側面105bとの間で表面エネルギーが等しいため、溶液6は開口部104の内部だけでなく、上面105a上にも配置される。開口部104の内部においては、ガイド膜105の側面105bが物理ガイドとして作用する。しかしながら、ガイド膜105の上面105a上においては、物理ガイドが存在しないため、シリンダーブロック108が延びる方向及び形成位置は制御されず、ランダムとなる。このため、開口部104内の端部に配置されるシリンダーブロック108が、上面105a上に配置されたシリンダーブロック108の影響を受ける。例えば、外周ブロック107内において、シリンダーブロック108が本来形成されるはずの位置108aに形成されなくなる。これはパターン欠陥を発生させ、例えばオープン不良となる。また、シリンダーブロック108が、本来の位置108bから上方にずれる。これは、マスク材のパターンを被加工材1に転写したときに、寸法のばらつきの原因となる。このように、本比較例においては、開口部104内においても、シリンダーブロック108を精度よく配列させることができない。この結果、マスク材を精度よく形成することができず、被加工材1を精度よく加工することができない。次に、本実施形態の変形例について説明する。本変形例は、前述の第1の実施形態と比較して、疎水性と親水性とを逆にした例である。以下、図1a~d及び図2a~dを参照して、本変形例を説明する。本変形例においては、図1aに示す被加工材1の上面1aが親水性であるものとする。この場合、図1bに示す工程において、基材膜2を親水性とし、図1cに示す工程において、カバー膜3を疎水性とする。これにより、図1dに示す工程において、開口部4を形成することにより、上面5aが疎水性であり側面5bが親水性であるガイド膜5が形成される。そして、図2aに示すように、溶液6を塗布する。溶液6に含有させる両親媒性高分子においては、親水性部分の長さを疎水性部分の長さよりも長くする。これにより、第1の実施形態とは逆に、疎水性ブロックがシリンダーブロックとなり、親水性ブロックが外周ブロックとなる。また、被加工材1の上面1a及びガイド膜5の側面5aは親水性であり、ガイド膜5の上面5aは疎水性であるため、溶液6は上面5a上には配置されず、開口部4内のみに配置される。次に、図2bに示すように、溶液6を固化させて固化膜9とし、図2cに示す工程と同様な工程により、シリンダーブロック疎水性ブロックを除去して、マスク材10を形成する。次に、図2dに示すように、マスク材10をマスクとして被加工材1に対して処理を施す。本変形例によれば、被加工材1の上面1aが親水性である場合に、溶液6を開口部4内により確実に充填することができる。本変形例における上記以外の製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。なお、被加工材1の上面1aが疎水性である場合に、本変形例を適用してもよく、上面1aが親水性である場合に、第1の実施形態を適用してもよい。これらの場合においても、一定の効果を得ることができる。すなわち、少なくとも開口部の側面が疎水性であり、ガイド膜の上面が親水性であれば、外周ブロックが疎水性である溶液は、開口部内において保持される。同様に、少なくとも開口部の側面が親水性であり、ガイド膜の上面が疎水性であれば、外周ブロックが親水性である溶液は、開口部内において保持される。但し、溶液を開口部内でより確実に保持するためには、開口部の底面、すなわち、被加工材の上面の性質は、開口部の側面及び溶液の外周ブロックの性質と同じであることが好ましい。具体的には、前述の第1の実施形態のように、被加工材の上面が疎水性である場合には、開口部の側面及び溶液の外周ブロックも疎水性とし、ガイド膜の上面は親水性とすることが好ましい。また、前述の変形例のように、被加工材の上面が親水性である場合には、開口部の側面及び溶液の外周ブロックも親水性とし、ガイド膜の上面は疎水性とすることが好ましい。次に、第2の実施形態について説明する。図5a及びbは、本実施形態に係る微細構造体の製造方法を例示する工程断面図である。本実施形態は、前述の第1の実施形態と比較して、ガイド膜の形成方法が異なっている。先ず、前述の第1の実施形態と同様に、図1aに示す被加工材1を用意する。被加工材1の上面1aは疎水性であるものとする。次に、図1bに示すように、被加工材1上に、CVD法又は塗布法により疎水性の基材膜2を一様に形成する。疎水性の基材膜2は、例えば、有機材料膜、非晶質カーボン膜、又は、有機基を含有したシリコン酸化膜とする。次に、図5aに示すように、基材膜2の上面に対して改質処理を施し、親水性の改質層2aを形成する。このような改質処理としては、例えば、酸素ガス等の酸化性ガス、還元性ガス、若しくは不活性ガスのプラズマ照射、又は、電子線若しくは紫外線の照射が挙げられる。次に、図5bに示すように、基材膜2に開口部4を形成することにより、ガイド膜15を形成する。なお、上述の改質層2aの厚さは、基材膜2の上面が親水性となり、且つ、開口部4の側面15bが疎水性のままであるような厚さとする。これにより、上面15aが親水性であり、側面15bが疎水性であるガイド膜15が形成される。以後の工程は、前述の第1の実施形態において説明した図2a~dに示す工程と同様である。本実施形態によれば、簡便な改質処理により、上面15aが親水性であり、側面15bが疎水性であるガイド膜15を形成することができる。本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。次に、第3の実施形態について説明する。図6a~d及び図7a~dは、本実施形態に係る微細構造体の製造方法を例示する工程断面図である。本実施形態は、前述の第1の実施形態と比較して、ガイド膜の形成方法が異なっている。先ず、図6aに示すように、被加工材1を用意する。前述の第1の実施形態と同様に、被加工材1の上面1aは疎水性であるものとする。次に、図6bに示すように、被加工材1上に、CVD法又は塗布法により、基材膜12を一様に形成する。このとき、前述の第1及び第2の実施形態とは異なり、基材膜12は親水性とする。親水性の基材膜12の例としては、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等が挙げられる。基材膜12の膜厚は、後述する図7bに示す工程において、両親媒性高分子を含む溶液がシリンダー状に相分離できるような厚さとする。次に、図6cに示すように、リソグラフィー技術及び反応性イオンエッチング技術を用いて基材膜12をパターニングし、開口部4を形成する。次に、図6dに示すように、CVD法又は塗布法により、カバー膜13を一様に形成する。このとき、前述の第1及び第2の実施形態とは異なり、カバー膜13は疎水性とする。疎水性のカバー膜13の例としては、有機材料膜及び非晶質カーボン膜等が挙げられる。次に、図7aに示すように、全面に反応性イオンエッチング又はウェットエッチング等のエッチング処理を施すことにより、カバー膜13図6d参照をエッチバックする。これにより、開口部4の側面上のみにカバー膜13を残留させ、被加工材1の上面1a上及び基材膜12の上面上からカバー膜13を除去する。この結果、開口部4の側面上に疎水性の側壁13aが形成される。基材膜12及び側壁13aにより、ガイド膜25が形成される。ガイド膜25の上面25aは、親水性の基材膜12が露出しているため親水性であり、ガイド膜25における開口部4の側面25bは、疎水性の側壁13aが露出しているため疎水性である。以後の工程は、前述の第1の実施形態と同様である。すなわち、図7bに示すように、溶液6を塗布する。前述の第1の実施形態と同様に、溶液6に含まれる両親媒性高分子は、疎水性部分の長さが親水性部分の長さよりも長い分子とする。これにより、開口部4の内部のみに溶液6が充填されると共に、溶液6がシリンダー状の親水性ブロック8及びそれを取り囲む疎水性ブロック7に相分離する。次に、図7cに示すように、溶液6を固化させて固化膜を形成した後、シリンダー状の親水性ブロック8を除去してマスク材10を形成する。次に、図7dに示すように、マスク材10をマスクとして被加工材1を加工する。これにより、微細構造体が製造される。本実施形態においても、前述の第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。本実施形態における上記以外の製造方法は、前述の第1の実施形態と同様である。なお、前述の第2及び第3の実施形態においても、前述の第1の実施形態の変形例と同様に、疎水性と親水性とを逆にしてもよい。すなわち、前述の第1~第3の実施形態においては、上面が親水性であり開口部の側面が疎水性であるガイド膜を形成し、これに疎水性ブロックが外周ブロックとなる両親媒性高分子を被着させる場合を例に挙げて説明したが、上面が疎水性であり開口部の側面が親水性であるガイド膜を形成し、これに親水性ブロックが外周ブロックとなる両親媒性高分子を被着させる場合であっても、基本的な構成及び効果は第1~第3の実施形態と同様である。また、前述の各実施形態において、シリンダー配向性が高い両親媒性高分子として、液晶性メソゲン基が置換されたポリアクリレートと、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド又はポリブチレンオキサイド等とを含む両親媒性高分子を使用してもよい。更に、前述の各実施形態において、シリンダーブロックと外周ブロックとの間のエッチング選択比を高めるために、外周ブロックとなる成分に、酸素エッチング耐性が高いケイ素含有成分を含有させてもよい。例えば、シルセスキオキサンなどの誘導体、又は、シリケート類、ハイドロジェンシロキサン、メチルシロキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、メチルシルセスキオキサン等の有機系若しくは無機系のケイ素含有化合物を含有させることができる。更にまた、前述の各実施形態においては、エッチングによりシリンダーブロックを除去する例を示したが、これには限定されず、例えば、加熱処理を施すことにより、シリンダーブロックの成分を揮発させ、外周ブロックの分子間を通過させて固化膜の外部に排出してもよい。更にまた、前述の各実施形態においては、マスク材10を用いて被加工材1に施す処理としてエッチング処理を例示したが、これには限定されず、周期的なパターンが形成されたマスク材を用いる処理であればよい。例えば、マスク材10をマスクとして、被加工材1に対して不純物をイオン注入してもよい。これにより、被加工材1の上層部分に、不純物拡散層を選択的に形成することができる。以上説明した実施形態によれば、形状精度が高い微細構造体の製造方法を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。