上部電極と下部電極との間に金属酸化物層が配置され、前記上部電極と前記下部電極との間に直流電圧を印加すると、前記直流電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態のいずれか一方の状態になることにより情報を記憶することができ、膜厚方向にセンス電流を流し、抵抗値を測定して前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを判別することにより情報を読み出すことができるメモリ素子の製造装置であって、エッチングガスを供給するガス供給部と、前記エッチングガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを有するエッチング室と、前記エッチング室に接続して配置された洗浄室と、処理対象物を前記エッチング室から前記洗浄室に搬送する搬送室と、を有し、前記エッチング室は、基板上に前記下部電極と前記金属酸化物層と前記上部電極とがこの順に積層された処理対象物が搬入されると、化学構造中に塩素を含むエッチングガスをプラズマ化し、前記金属酸化物層をエッチングして、前記下部電極を露出させるように構成され、前記洗浄室は、前記処理対象物のエッチングした表面に洗浄液を接触させるように構成されたメモリ素子の製造装置。前記金属酸化物層は、Al2O3と、Y2O5と、HfO2と、TiO2と、CoOと、NiOとからなる群より選択される一の金属酸化物からなる請求項1記載のメモリ素子の製造装置。前記エッチングガスは、Cl2と、BCl3と、SiCl4とからなる群より選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有する請求項1又は請求項2のいずれか1項記載のメモリ素子の製造装置。上部電極と下部電極との間に金属酸化物が配置され、前記上部電極と前記下部電極との間に直流電圧を印加すると、前記直流電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態のいずれか一方の状態になることにより情報を記録することができ、膜厚方向にセンス電流を流し、抵抗値を測定して高抵抗状態と低抵抗状態とを判別することにより情報を読み出すことができるメモリ素子の製造装置であって、基板上に前記下部電極と前記金属酸化物層と前記上部電極とがこの順に積層された処理対象物上に、前記上部電極が露出するような開口を有する所定のパターンのマスクを配置するマスク工程と、化学構造中に塩素を含むエッチングガスをプラズマ化し、前記上部電極と前記金属酸化物層をエッチングして、前記下部電極を露出させるエッチング工程と、前記処理対象物のエッチングした表面に洗浄液を接触させ、前記エッチング工程で生成された金属の塩化物を除去する洗浄工程とを有するメモリ素子の製造方法。前記金属酸化物層は、Al2O3と、Y2O5と、HfO2と、TiO2と、CoOと、NiOとからなる群より選択される一の金属酸化物からなる請求項4記載のメモリ素子の製造方法。前記金属酸化物層のエッチングに用いる前記エッチングガスは、Cl2と、BCl3と、SiCl4とからなる群より選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有する請求項4又は請求項5のいずれか1項記載のメモリ素子の製造方法。本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、反応性イオンエッチングにおいて発生するエッチング生成物を除去して、金属酸化物にパターンを良好に形成する技術を提供する。本発明者らは残留物を検討したところ、残留物はCoやNiの酸化物であることが分かった。エッチング生成物がCoやNiの塩化物であることから、酸化物はエッチングの際に生成された塩化物がアッシングの際に酸化されて形成されると考えられる。酸化物は後工程で除去できないが、塩化物は水洗することで溶解できることから本発明を完成させた。係る知見に基づいて成された本発明は、上部電極と下部電極との間に金属酸化物層が配置され、前記上部電極と前記下部電極との間に直流電圧を印加すると、前記直流電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態のいずれか一方の状態になることにより情報を記憶することができ、膜厚方向にセンス電流を流し、抵抗値を測定して前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを判別することにより情報を読み出すことができるメモリ素子の製造装置であって、エッチングガスを供給するガス供給部と、前記エッチングガスをプラズマ化するプラズマ生成部とを有するエッチング室と、前記エッチング室に接続して配置された洗浄室と、処理対象物を前記エッチング室から前記洗浄室に搬送する搬送室と、を有し、前記エッチング室は、基板上に前記下部電極と前記金属酸化物層と前記上部電極とがこの順に積層された処理対象物が搬入されると、化学構造中に塩素を含むエッチングガスをプラズマ化し、前記上部電極と前記金属酸化物層をエッチングして、前記下部電極を露出させるように構成され、前記洗浄室は、前記処理対象物のエッチングした表面に洗浄液を接触させるように構成されたメモリ素子の製造装置である。本発明はメモリ素子の製造装置であって、前記金属酸化物層は、Al2O3と、Y2O5と、HfO2と、TiO2と、CoOと、NiOとからなる群より選択される一の金属酸化物からなるメモリ素子の製造装置である。本発明はメモリ素子の製造装置であって、前記エッチングガスは、Cl2と、BCl3と、SiCl4とからなる群より選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有するメモリ素子の製造装置である。本発明は、上部電極と下部電極との間に金属酸化物が配置され、前記上部電極と前記下部電極との間に直流電圧を印加すると、前記直流電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態のいずれか一方の状態になることにより情報を記録することができ、膜厚方向にセンス電流を流し、抵抗値を測定して高抵抗状態と低抵抗状態とを判別することにより情報を読み出すことができるメモリ素子の製造装置であって、基板上に前記下部電極と前記金属酸化物層と前記上部電極とがこの順に積層された処理対象物上に、前記上部電極が露出するような開口を有する所定のパターンのマスクを配置するマスク工程と、化学構造中に塩素を含むエッチングガスをプラズマ化し、前記上部電極と前記金属酸化物層をエッチングして、前記下部電極を露出させるエッチング工程と、前記処理対象物のエッチングした表面に洗浄液を接触させ、前記エッチング工程で生成された金属の塩化物を除去する洗浄工程とを有するメモリ素子の製造方法である。本発明はメモリ素子の製造方法であって、前記金属酸化物層は、Al2O3と、Y2O5と、HfO2と、TiO2と、CoOと、NiOとからなる群より選択される一の金属酸化物からなるメモリ素子の製造方法である。本発明はメモリ素子の製造方法であって、前記金属酸化物層のエッチングに用いる前記エッチングガスは、Cl2と、BCl3と、SiCl4とからなる群より選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有するメモリ素子の製造方法である。エッチング生成物を除去できるので、次工程以降の装置を汚染したり、次工程である配線形成工程において断線もしくは絶縁不良を起こしたりせず、ReRAM製造の歩留まりが向上する。遷移金属酸化物を反応性イオンエッチングで安定してパターン形成できるので、ReRAMの高集積化が可能となる。図1eに本発明で形成されるメモリ素子5の構造を示し、図4にこのメモリ素子5を複数有する記憶装置1の模式図を示す。図4に示すように、記憶装置1は記憶部6と制御部7とを有している。記憶部6には複数のメモリ素子5が配置されている。図1eに示すように、メモリ素子5は下部電極13と金属酸化物層14と第一、第二の金属層16、17とを有し、各層13、14、16、17は絶縁層12を介して基板11上にこの順に積層されて配置されている。第一、第二の金属層16、17とが上部電極18を構成している。すなわち、上部電極18と下部電極13との間に金属酸化物層14が配置されている。基板11は半導体等から成り、ここではSiが用いられており、絶縁層12は絶縁物から成り、ここではSiO2である。また下部電極13と第一、第二の金属層16、17は導電性物質から成り、ここでは下部電極13と第二の金属層17にはTiN膜が用いられており、第一の金属層16にはAl膜が用いられている。金属酸化物層14は、Al2O3と、Y2O5と、HfO2と、TiO2と、CoOと、NiOとからなる群より選択される一の金属酸化物からなる。上部電極18と下部電極13との間に直流電圧が印加されると、メモリ素子5は、直流電圧の極性に応じて高抵抗状態と、高抵抗状態より抵抗値の低い低抵抗状態のいずれか一方の状態になるようになっている。本実施例では、上部電極18を陽極とし、下部電極13を陰極として、パルス状の正電圧が印加されると、メモリ素子5は低抵抗状態になり、パルス状の負電圧が印加されると、高抵抗状態になるように構成されているが、パルス状の正電圧が印加されると、高抵抗状態になり、パルス状の負電圧が印加されると、低抵抗状態になるように構成されていてもよい。下部電極13の表面は部分的に露出され、第二の金属層17と下部電極13にはそれぞれ第一、第二の接続端子が電気的に接続されている。図4の符号71a、71bは第一、第二の接続端子を示している。制御部7から一のメモリ素子5の第一、第二の接続端子71a、71bの間に直流電圧を印加すると、直流電圧の極性に応じて、この一のメモリ素子5は高抵抗状態と低抵抗状態のいずれか一方の状態になる。低抵抗状態と高抵抗状態とをそれぞれ1と0に対応づけることにより、1/0の情報を記録することができる。また制御部7から第一、第二の接続端子71a、71bを介して一のメモリ素子5の膜厚方向にセンス電流を流し、この一のメモリ素子5の抵抗値を測定して、測定値を高抵抗状態と低抵抗状態に判別することにより、この一のメモリ素子5に記憶された情報を読み出すことができる。図3に本発明であるメモリ素子の製造装置50を示す。メモリ素子の製造装置50は、処理対象物に所定のパターンを形成するエッチング室30と、エッチング生成物を除去する洗浄室52と、処理対象物をエッチング室30から洗浄室52に搬送する搬送室51とを有している。エッチング室30は、真空槽39と、真空槽39内にエッチングガスを供給するガス供給部31と、供給されたエッチングガスをプラズマ化するプラズマ生成部42と、真空槽39内を真空排気する真空排気部32と、真空層39内に配置された処理対象物の温度を制御する温度制御部38とを有している。真空槽39の内部には処理対象物を載置するためのステージ36が設けられている。温度制御部38はステージ36に接続され、例えばステージ36に設けられた不図示の冷却パイプに温度制御した熱媒体を流すことにより、ステージ36上に載置される処理対象物の温度を制御できるようにされている。プラズマ生成部42はRFアンテナ33とプラズマ用マッチングボックス37aとプラズマ用高周波電源34とを有している。RFアンテナ33は真空槽39の上方に設置され、プラズマ用マッチングボックス37aを介してプラズマ用高周波電源34に電気的に接続されており、プラズマ用高周波電源34からRFアンテナ33に高周波電圧を印加すると、誘導結合により、真空槽39内に供給されたエッチングガスをプラズマ化できるようにされている。またステージ36にはバイアス用マッチングボックス37bを介してバイアス用高周波電源35が電気的に接続されており、バイアス用高周波電源35からステージ36に高周波電圧を印加すると、ステージ36上に電場を形成して、プラズマ中のイオンをステージ36側に引き込んで処理対象物に衝突させ、処理対象物を異方性エッチングできるようにされている。ガス供給部31は、真空槽39の外部に設置されて、真空槽39内部に接続され、真空槽39内にエッチングガスを供給可能にされている。真空排気部32は、真空槽39の外部に設置されて、真空槽39内部に接続され、真空槽39内を真空排気可能にされている。搬送室51は、エッチング室30の真空槽39に第一のゲートバルブ55aを介して気密に接続され、洗浄室52は、搬送室51に第二のゲートバルブ55bを介して気密に接続されている。搬送室51は不図示の真空排気手段を有し、第一、第二のゲートバルブ55a、55bを閉じた状態で、搬送室51内を真空排気できるように構成されている。本発明であるメモリ素子の製造方法を説明する。第一、第二のゲートバルブ55a、55bを閉じて、エッチング室30の真空槽39内と搬送室51内をあらかじめ真空排気して真空雰囲気に維持しておく。また洗浄室52内に酸素を含有しない不活性ガスを導入して、大気圧にしておく。図1aに示すように、基板11上に、絶縁層12と下部電極13と金属酸化物層14と第一、第二の金属層16、17とがこの順序で積層された処理対象物を用いる。まずマスク工程として、図1bに示すように、第二の金属層17上に、フォトレジストを塗布し、所定のパターンを露光し、現像して、開口を有するマスク20を形成する。マスク20の開口部の底面には第二の金属層17が露出する。あるいは、第二の金属層17上にインプリントレジストを塗布し、所定のパターンの凹凸を有する原板を押し当てて、開口を有するマスク20を形成し、開口の底面に第二の金属層17を露出させてもよい。次いで、エッチング工程として、この処理対象物10を、図3を参照し、エッチング室30の真空槽39内に真空雰囲気を維持しながら搬入し、マスク20側の表面が露出するような向きでステージ36上に載置する。温度制御部38を動作させ、ステージ36の不図示の冷却パイプに温度制御した熱媒体を流し、エッチング中の処理対象物10の温度を20°C~80°Cの範囲に保持する。ガス供給部31から第一のエッチングガスを供給し、真空槽39内を0.1Pa~2.0Paの圧力に保持する。第一のエッチングガスには化学構造中に塩素を含有するガスを用い、例えばCl2と、BCl3と、SiCl4の群から選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有するガスである。BCl3を使用する場合には、重合性を希釈するため、希ガスHe、Ne、Ar、Kr、Xeを添加してもよい。プラズマ用高周波電源34を起動し、RFアンテナ33に交流電流を流し、RFアンテナ33から真空槽39内に電波を放射させ、第一のエッチングガスを励起して、プラズマ化し、塩素イオンや塩素ラジカル等の活性種を生成する。またバイアス用高周波電源35を起動し、処理対象物10にバイアス電圧を印加して、生成された塩素イオンを処理対象物10に入射させ、異方性のエッチング処理を行う。ここでは、ステージ36を囲むようにシールド41が設けられており、エッチング生成物の真空槽39の内壁への付着が防止されている。異方性のエッチング処理により金属酸化物層14が露出したら、プラズマ用高周波電源34とバイアス用高周波電源35の動作をそれぞれ停止し、かつガス供給部31からの第一のエッチングガスの供給を停止する。第一のエッチングガスを真空排気し、真空槽39内の圧力が低下した後、ガス供給部31から第二のエッチングガスの供給を開始する。真空槽39内はレジストマスク20との選択比に応じて0.1Pa~10Paの圧力に保持する。第二のエッチングガスには化学構造中に塩素を組成に含むガスを用い、例えばCl2と、BCl3と、SiCl4の群から選択される一のガス又は二以上の混合ガスを含有するガスである。BCl3を使用する場合には、重合性を希釈するため、希ガスHe、Ne、Ar、Kr、Xeを添加してもよい。次いで、プラズマ用高周波電源34とバイアス用高周波電源35を動作させ、プラズマ中の塩素イオンにより、露出している金属酸化物層14を第二のエッチングガスと反応させ、塩化物ガスを生成して、真空排気によって塩化物ガスを除去することで、異方性エッチングする。このとき図1cに示すように、処理対象物10のエッチングされた側壁部分には金属酸化物層14に含まれる金属の塩化物からなるエッチング生成物25が付着し、残留する。これは一般に、金属酸化物層14に含まれる金属の塩化物は融点、沸点が高く、エッチング中の温度では蒸気圧が低いためである。下部電極13が露出したら、プラズマ用高周波電源34とバイアス用高周波電源35の動作をそれぞれ停止し、かつガス供給部31からの第二のエッチングガスの供給を停止する。搬送室51にはここでは搬送用のロボット65が設けられている。搬送室51を真空排気しておき、真空槽39内の圧力が低下した後、第一のゲートバルブ55aを開いて、真空槽39内から搬送室51内に処理対象物10を移動させ、第一のゲートバルブ55aを閉じる。次いで、搬送室51内に酸素を含有しない不活性ガスを導入して、搬送室51内の圧力を大気圧まで上げる。洗浄室52内には、処理対象物を載置できる洗浄ステージ61と、洗浄ステージ61に載置された処理対象物に洗浄液を噴射するシャワーノズル62とが配置されている。第二のゲートバルブ55bを開き、処理対象物10を搬送室51から洗浄室52に搬入し、洗浄ステージ61上に置く。次いで洗浄工程として、処理対象物10のエッチングした表面にシャワーノズル62から洗浄液を噴霧して、処理対象物10のエッチングした表面を洗浄液と接触させて洗浄処理を行う。ここでは洗浄方法としてシャワー式を説明したが、本発明はこれに限定されず、超音波ディップ式等の他の洗浄方法で処理対象物10のエッチングした表面を洗浄液と接触させて洗浄処理をしても良い。洗浄液としては、純水、イオン交換水、マイクロナノバブル水などの水や、エタノール、メタノール、アセトン、イソプロピルアルコール、エチルエーテルなどの有機溶媒のうち一種類又は二種類以上の混合物を用いる。エッチング生成物25は、例えばCoCl2やNiCl2等の水溶性及びアルコール可溶性の金属の塩化物であり、図1dに示すように、洗浄液による洗浄処理によりエッチング生成物25は洗浄液に溶解して、除去される。ここで、搬送室51にて処理対象物10を大気に接触させてからから洗浄室52にて洗浄を開始するまでに要する時間は5分以内が望ましい。なぜならば、処理対象物10を大気に出すと、処理対象物10の表面に残留していた塩素が大気中の水分と反応しHClを形成する。処理対象物10にHClにて腐食される材料例えばAlを使っていると、そこに腐食コロージョンが発生する虞があるからである。洗浄処理を終えた後、遠心力による乾燥や、高温気体の吹き付けなどによって処理対象物を乾燥させ、次いで、不図示のアッシング室に処理対象物を搬入し、O2ガスを用いてプラズマアッシングを行う。励起したO2ガスから生じた酸素イオンや酸素ラジカルがマスク20を酸化、分解させて、マスク20が除去される。処理対象物の側壁部分のエッチング生成物25はアッシング前に除去されており、アッシング後に側壁部分に酸化物から成る残留物が残留することはない。このようにして図1eに示すように金属酸化物層14にパターン形成が成されたメモリ素子5が得られる。