半導体基板に薄膜を形成する成膜装置に付着した堆積物をクリーニングするにあたり、基板ステージの温度を非加熱状態~400°Cに維持した成膜チャンバー内に水素系クリーニングガスを供給し、前記成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで発生したパルスプラズマを成膜チャンバー内の壁面部分に作用させて、成膜装置に付着した堆積物をクリーニングするようにした成膜装置での堆積物クリーニング方法。水素系クリーニングガスが水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスである請求項1に記載の成膜装置での堆積物クリーニング方法。水素系クリーニングガスが水素ガスである請求項1に記載の成膜装置での堆積物クリーニング方法。クリーニング時に基板ステージの温度を200°C~400°Cに維持する請求項1から3のいずれか1項に記載の成膜装置での堆積物クリーニング方法。半導体基板が太陽電池用基板である請求項1~4のいずれか1項に記載の成膜装置での堆積物クリーニング方法。前記水素-アルゴンを使用したクリーニング技術は、高周波誘導プラズマを利用するものであることから、装置が大掛かりとなり、ランニングコストが高価につくという問題を有している。このため、積層度をあまり求められない半導体基板の製造には使用しにくいという問題があった。また、前記水素-アルゴンを使用したクリーニング技術では、水素-アルゴンのガスコストがNF3の数百分の1程度と安価である一方で、そのクリーニングレートがクリーニングガスとしてNF3を使用したものに比べて11000程度であり、コストとクリーニングレートとの積で見ると、高周波誘導プラズマとクリーニングガスの組み合わせでは、クリーニング方法としての十分な能力を発揮できないという問題もあった。本発明は、このような点に鑑み、積層度をあまり求められない半導体基板の成膜装置に対して最適なクリーニング方法を提供することを目的とする。上述の目的を達成するために請求項1に記載の発明は、半導体基板に薄膜を形成する成膜装置に付着した堆積物をクリーニングするにあたり、基板ステージの温度を非加熱状態~400°Cに維持した成膜チャンバー内に水素系クリーニングガスを供給し、前記成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで発生したパルスプラズマを成膜チャンバー内の壁面部分に作用させて、成膜装置に付着した堆積物をクリーニングするようにしたことを特徴としている。また、請求項2に記載の発明は、請求項1の方法に使用する水素系クリーニングガスが水素-アルゴン混合ガスであることを特徴とし、請求項3に記載の発明は、請求項1の方法に使用する水素系クリーニングガスが水素ガスであることを特徴としている。本発明では、成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで、パルス状にガスプラズマを作用させることができ、成膜装置に付着した堆積物をマイクロメーターレベルでクリーニングすることができる。高周波誘導プラズマでは、10Torr以下の真空雰囲気でないと使用できないことから精密な真空度制御が必要であるが、パルスプラズマは真空域から大気圧まで広い範囲で使用できるため、ラフな圧力制御で一定のプラズマを得ることができ、ハンドリングが容易であるという利点がある。パルスプラズマは直流電源を使用することができることからシステムを安価に構成することが出来るうえ、パルス幅、デューティ比を選ぶことにより、プラズマ強度を容易に変更することができる利点がある。さらに、本発明はクリーニングレートが大きく、コストとクリーニングレートとの積もNF3と比べて大きくなることから、従来のハロゲン系クリーニングガスによるクリーニング方法の代替技術として十分な能力を有している。そのうえ、本発明では、プラズマとして作用するガス種が水素単独、あるは水素とアルゴンであることから、環境負荷が小さく、ランニングコストを抑えることができる。この実験装置は、真空容器と、この真空容器内に対向する状態で配置した一対の電極と、該電極に電力を供給するパルスプラズマ発生電源装置と、真空容器内と連通している真空ポンプとで構成してある。パルスプラズマ発生電源装置は図示を省略した商用電源が接続してある。また、電極は円形のステンレス製のものを上下に配置してあり、上部電極は熱による破壊を防ぐために冷却装置により冷却し、下部電極はクリーニングしやすくするために、ヒータにより加熱する構造になっている。また、下部電極には、絶縁体であるセラミック板を置き、そのセラミック板の中心に10mmの孔を開け、その上に処理材であるシリコンウエハを設置した。なお、シリコンウエハの外側での沿面放電を防止するために、周囲にカプトンテープを貼って固定した。一対の電極間距離は10~90mmの間で調整可能に構成してあり、今回は30mmに固定して実験を行なった。上述の構成からなる実験装置を使用しての実験では、真空容器内のセラミック板上に処理材であるシリコンウエハを設置し、真空容器を密閉し、ロータリー式真空ポンプを作動させて、真空容器内を真空引きした後、200Paまで水素-アルゴンガスを供給し、パルスプラズマ発生電源装置を用いて低圧下で水素アルゴンプラズマを生成し、ガス割合と基板ステージ温度とをパラメータとしてp-シリコン膜のクリーニングを行なった。サンプル1から7について、表1に示す条件でプラズマ処理を行い、高周波グロー放電発光表面分析装置の測定結果からクリーニングレートを計算した。サンプル試料としてシリコンウエハ上に窒化シリコン膜p-シリコン膜を成膜したものを使用し、p-シリコンが検出され始めてから、窒素が測定されるまでの時間をクリーニング時間と定義する。なお、実験条件は以下のように設定した。電極ギャップ:30mm気圧:200Paパルス幅周期:40μs/200μs電圧:1.0kV処理時間:3minGDSの測定結果を表にまとめると、表2に示すようになる。未処理のSiについて、クリーニング時間は260secであることから、厚さ1μmのp-Siの測定に260sec必要となることが分かるので、No1からNo7のサンプルについて、クリーニング深さ:x=1-クリーニング時間/260クリーニングレート:c=x/3で求められる。クリーニングレートを基板温度と混合ガス割合をパラメータとした表に重ね合わせたものを表3に示す。上述の結果、最も良好なクリーニングレートは、0112μm/minであり、そのときの条件は、水素:アルゴンの比が9:1で、基板加熱温度が300°Cであったが、おおよそマイクロメーターオーダー、すなわち100ナノメーターオーダーのクリーニングレートを得ることができた。上記の各実験例では、基板ステージ温度を200°C、300°C、400°Cに加熱したが、実作業では、直前処理の基板ステージ温度で行なうようにしてもよい。