リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口およびひとつまたは複数の液体抽出開口を有し、その液体供給開口および液体抽出開口は使用中液体が本流体ハンドリング構造の下面上に提供され、かつ、その下面から除去されるよう構成される、流体ハンドリング構造。下面上に提供される液体のメニスカスは、液浸流体を含むよう構成された空間内の液体のメニスカスとは別である、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。使用中、表面に提供される液体は下面に対向する表面からガスギャップで隔てられる、請求項1または2に記載の流体ハンドリング構造。前記リソグラフィ装置のパターン付与されたビームが投影されるべき位置に対して、前記ひとつまたは複数の液体供給開口よりも内側で液体を供給するための別のひとつまたは複数の液体供給開口をさらに備える、請求項1から3のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、第1列目に細長いアパーチャを有するガスナイフ装置と、前記境界に対して外側のひとつまたは複数の液体供給開口と、を順番に有する、流体ハンドリング構造。前記境界に対して前記ガスナイフよりも外側に設けられたひとつまたは複数の液体抽出開口をさらに備える、請求項5に記載の流体ハンドリング構造。前記ひとつまたは複数の液体抽出開口は、前記境界に対して前記ひとつまたは複数の液体供給開口よりも内側である、請求項6に記載の流体ハンドリング構造。本流体ハンドリング構造の下面と接触する液体を前記ひとつまたは複数の液体供給開口によって提供し、前記ひとつまたは複数の液体抽出開口によって抽出するよう構成される、請求項6または7に記載の流体ハンドリング構造。前記ひとつまたは複数の液体供給開口を出る液体は、本流体ハンドリング構造に対向する対向面と本流体ハンドリング構造との間に張られる液体のメニスカスの一部を形成しない、請求項6から8のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。第2列目に配置されそれを通じて流体を抽出するひとつの細長い開口または複数の開口をさらに備え、その開口は使用中流体ハンドリング構造に対向する対向面に向けられており、前記境界に対して前記ガスナイフよりも内側に設けられる、請求項6から9のいずれかに記載の流体ハンドリング構造。リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、本流体ハンドリング構造と本流体ハンドリング構造に対向する対向面との間に張られるメニスカスを固定するメニスカス固定特徴部と、前記境界に対して前記メニスカス固定特徴部よりも外側に設けられ、本流体ハンドリング構造の下面に液体を提供するひとつまたは複数の液体供給開口と、を首尾よく有する、流体ハンドリング構造。下面上に提供される液体のメニスカスは、前記空間内の液体のメニスカスとは別である、請求項11に記載の流体ハンドリング構造。使用中、表面に提供される液体は前記対向面からガスギャップで隔てられる、請求項11または12に記載の流体ハンドリング構造。デバイス製造方法であって、投影システムの最終要素と前記最終要素に対向する表面との間に流体を提供し、流体ハンドリング構造を使用して放射投影ビームが通過する空間に流体を閉じ込めることと、前記空間よりも半径方向外側の位置で、前記表面に対向する前記流体ハンドリング構造の下面に液体を提供することと、基板上の液体を流体ハンドリング構造の下面上の液体と接触させることで基板から液滴を少なくとも部分的に除去することと、前記流体ハンドリング構造の抽出開口を通じて液体を抽出することと、を含むデバイス製造方法。リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口を有し、その液体供給開口は、使用中少なくとも液体が下面に対向する対向面上の液滴と接触するまでは、その液体が前記対向面からはガスギャップを有した状態で下面にぶら下がるよう下面上に液体を提供する、流体ハンドリング構造。基板を投影システムの下でできる限り速く動かすことができることが望ましい。このため、流体ハンドリングシステム、特に局所域流体ハンドリングシステムは液体を大きく失うことなしに走査速度を高めることができるよう設計されるべきである。いくらかの液体が失われ、流体ハンドリングシステムに対向する表面例えば、基板または基板テーブルすなわち、対向面上に取り残される可能性がある。対向面と流体ハンドリングシステムとの間に張られるメニスカスにそのような液体が接触した場合、液体中にガスの泡が混入される可能性がある。そのようなガスの泡が、投影ビームが液浸液を通じて通過する経路上に入ると、結像欠陥が引き起こされる可能性があり、したがって望ましくない。例えば、結像エラーの可能性を低減するためのひとつまたは複数の手段が実行される流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口およびひとつまたは複数の液体抽出開口を有し、その液体供給開口および液体抽出開口は使用中液体が本流体ハンドリング構造の下面上に提供され、かつ、その下面から除去されるよう構成される。ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、第1列目に細長いアパーチャを有するガスナイフ装置と、境界に対して外側のひとつまたは複数の液体供給開口と、を順番に有する。ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、本流体ハンドリング構造と本流体ハンドリング構造に対向する対向面との間に張られるメニスカスを固定するメニスカス固定特徴部と、境界に対してメニスカス固定特徴部よりも外側に設けられ、本流体ハンドリング構造の下面に液体を提供するひとつまたは複数の液体供給開口と、を首尾よく有する。ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、投影システムの最終要素と最終要素に対向する表面との間に流体を提供し、流体ハンドリング構造を使用して放射投影ビームが通過する空間に流体を閉じ込めることと、空間よりも半径方向外側の位置で、表面に対向する流体ハンドリング構造の下面に液体を提供することと、基板上の液体を流体ハンドリング構造の下面上の液体と接触させることで基板から液滴を少なくとも部分的に除去することと、流体ハンドリング構造の抽出開口を通じて液体を抽出することと、を含む。ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口を有し、その液体供給開口は、使用中少なくとも液体が下面に対向する対向面上の液滴と接触するまでは、その液体が対向面からはガスギャップを有した状態で下面にぶら下がるよう下面上に液体を提供する。図1は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するよう構成されている照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストでコーティングされたウエハWを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウエハテーブルWTと、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイからなるターゲット部分Cに投影するよう構成されている投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、を備える。照明システムは、放射を方向付け、放射を形成し、または放射を制御するために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書ではパターニングデバイスという用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書では投影システムという用語は、使用される露光放射あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影システムと同義に用いられ得る。ここに図示されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は2つ以上2つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブル及び/または2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプのものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に他の1以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適切な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスMAを通過した放射ビームBは投影システムPSを通過する。投影システムPSはビームを基板Wのターゲット部分Cにフォーカスする。第2の位置決め装置PWと位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なるターゲット部分Cを位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ図1には明示せずとにより放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリから機械検索後や走査中に行われる。一般に支持構造MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現される。同様に基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは異なり、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射でターゲット部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされるすなわち単一静的露光。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の非走査方向の幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。投影システムPSの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は三種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとオールウェットallwet型のシステムとである。浴槽型では、基板Wの実質的に全体と任意的に基板テーブルWTの一部とが液槽に浸される。局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さい。その空間の境界を越える領域は液体で満たされない。液体で満たされたボリュームまたは空間は基板Wがその空間の下を移動しているとき投影システムPSに対し実質的に静止状態にある。図2乃至図5は、そのようなシステムにおいて使用可能な異なる供給デバイスを示す。オールウェット型の構成では、液体は閉じ込められない。基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。投影システムと投影システムに対向する対向面との間の領域へまたはその中に液浸液を供給してもよいそのような対向面は基板および/または基板テーブルの表面であってもよい。図2乃至図5の液体供給装置後述はいずれもこうしたシステムに使用可能である。しかしながら、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにしてもよい。4つの異なる形式の局所液体供給システムが図2乃至図5に図示されている。図2及び図3に示されるように、液体が少なくとも1つの入口によって矢印で示されるように基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって矢印で示されるように除去される。基板が-X方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素のX側にて供給され、-X側にて除去される。図2は構成を模式的に示しており、液体の流れは矢印で示されている。その構成では、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される。図2では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図3に示され、ここでは矢印で示されるように各側に4組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図4に示されている。液体は、投影システムPSの両側にある2つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口によって供給され、投影システムPSの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムPSと基板Wとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Wの移動方向によって決まる他方の組合せの入口及び出口は作動させない。図4においては流体および基板Wの流れの方向が矢印で示されることに留意されたい。提案されている別の構成は液体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを設けることである。この液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図5に示す。矢印は流れの向きを示す。図5は、液体閉じ込め構造12を有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリング構造を模式的に示す図である。この液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終要素と対向面例えば、基板テーブルWTまたは基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Wの表面について言及した場合、追加的にまたは選択的に基板テーブルWTの表面にもついても言及していることを留意されたい。明示的に別段の定めをした場合を除き、投影システムなどの別の物体に対する基板の動きについての言及は、同じ物体に対する基板テーブルの動きについての言及を含む。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSに対してXY面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向では多少の相対運動があってよい。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造12と基板Wの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールガスシールを含むシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されているまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11の少なくとも一部に液体を収容する。基板Wに対する非接触シール、例えばガスシール16が投影システムPSの像フィールドの周囲に形成され、基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間11に液体が閉じ込められてもよい。この空間11は少なくとも一部が液体閉じ込め構造12により形成される。液体閉じ込め構造12は投影システムPSの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影システムPSの下方かつ液体閉じ込め構造12内部の空間11に、液体入口13によって供給される。液体出口13によって液体が除去されてもよい。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施の形態では液体閉じ込め構造12は、上端において内周が投影システムPSまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形または他の任意の適切な形状であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。液体は、液体閉じ込め構造12の底部と基板Wの表面との間に使用時に形成されるガスシール16によって空間11に収容されてもよい。ガスシール16は、例えば空気又は合成空気、ある実施の形態ではN2又はその他の不活性ガスなどのガスによって形成される。ガスシール16のガスは、圧力の作用で入口15を介して液体閉じ込め構造12と基板Wとのギャップに提供される。ガスは出口14から抜き取られる。ガス入口15での過剰圧力、出口14の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速のガスの流れが存在するように構成される。液体閉じ込め構造12と基板Wとの間の液体に作用するガスの力が空間11に液体を収容する。入口及び出口は空間11を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。ガスの流れは空間11に液体を収容する効果がある。すなわち、出口14および入口15はメニスカス固定特徴部として機能する。こうしたシステムは米国特許出願公開第2004-0207824号に開示されている。米国特許出願公開第2004-0207824号は全体が参照により本明細書に組み入れられる。別の実施の形態では、液体閉じ込め構造12はガスシールを有さない。別のシステムは多孔質材料を使用し、この多孔質材料を負圧にさらすことで基板と液体閉じ込め構造12とのギャップから液体を抽出する。これによりメニスカスが固定される。本発明の実施の形態は、投影システムの最終要素と基板および/または基板テーブルとの間の空間11に、例えば液体メニスカスの形で液体のエッジを実質的にある場所に固定するメニスカス固定デバイスを使用するシステムに関する。このメニスカス固定構成はいわゆるガス吸引抽出原理gasdragextractorprincipleに依拠しており、この原理は例えば米国特許出願公開第2008/0212046号に開示されている。米国特許出願公開第2008/0212046号は全体が参照により本明細書に組み入れられる。このシステムにおいては、抽出孔がコーナを有する形状に配列されている。そのコーナはステップ方向や走査方向などの、投影システムと基板および/または基板テーブルとの相対運動の方向に合わせられていてもよい。これにより、相対運動の方向の所与の速さにおいて2つの出口間のメニスカスに加わる力を、それら2つの出口が相対運動の方向に垂直に配列された場合に比べて、小さくすることができる。しかしながら、本発明の実施の形態は平面視において任意の形状を有する流体ハンドリング構造に適用されうる。また、本発明の実施の形態は任意の形状に構成されたひとつ以上の抽出開口のような部材を有する流体ハンドリング構造に適用されうる。非限定的なリストにあるそのような形状は、楕円例えば、円または直線で囲まれた形状例えば、正方形などの矩形や菱形などの平行四辺形または4つ以上のコーナを有するコーナ形状例えば、4以上の点の星を含んでよい。本発明の実施の形態が関連しているUS2008/0212046のシステムの変形例では、ひとつ以上の開口はコーナを有する形状に配置され、そのジオメトリは走査方向およびステッピング方向などの相対運動の好ましい両方向において整列するコーナについて、鋭角のコーナ約60度から90度までの範囲、望ましくは75度から90度までの範囲、最も望ましくは75度から85度までの範囲から選択されるの存在を許容するものである。これによると、整列した個々のコーナの方向における速さを増やすことができる。これは、走査方向における不安定なメニスカスに起因する液滴の生成が抑制されることによるものである。走査方向およびステッピング方向の両方においてコーナが整列される場合、これらの方向において速さを大きくすることができる。走査方向およびステッピング方向における動作の速さは実質的に等しくされることが望ましい。本発明の実施の形態はガス吸引抽出器流体ハンドリングシステムを参照して説明される。しかしながら、本発明は他の任意のタイプの流体ハンドリングシステムにおいても使用されうる。後述の液体供給開口および液体抽出開口は、ガス流図5や液体流図3や多孔質抽出器などの任意のタイプの液体ハンドリングシステムのメニスカス固定特徴部よりも半径方向外側に設けられてもよい。これにより、後述の通り、対向面とメニスカス固定特徴部との間に張られるメニスカスと衝突したならば結像欠陥を生じうる大きな液滴がそのメニスカスに到達するのを防ぐことができる。図6は、本発明の実施の形態に係る流体ハンドリング構造の一部のメニスカス固定特徴部を模式的に示す平面図である。示されているメニスカス固定デバイスの特徴は、たとえば図5のメニスカス固定構成14、15、16と置き換えることができる。図6のメニスカス固定デバイスはひとつまたは複数の開口50を備えており、そのひとつまたは複数の開口50は第1列目または固定用の列に配置されている。ある実施の形態では、複数の開口50がある。これらの開口50の各々は、図には円形の開口として示されているが、必ずしも円形である必要はない。実際、これらの開口50のうちの1つまたは複数は、円形、正方形、矩形、楕円形、三角形、細長いスリット、等々から選択される1つまたは複数の開口であってもよい。個々の開口は、平面視で、0.2mm以上の、望ましくは0.5mmまたは1mm以上の長さ寸法つまり1つの開口から隣接する開口への方向における寸法を有しており、ある実施の形態では0.1mmから10mmまでの範囲から選択され、ある実施の形態では0.25mmから2mmまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、長さ寸法は0.2mmから0.5mmまでの範囲から、望ましくは0.2mmから0.3mmまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は、0.1mmから2mmまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は、0.2mmから1mmまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は0.35mmから0.75mmまでの範囲から選択され、望ましくは約0.5mmである。図6のメニスカス固定デバイスの開口50の各々を、個別の低圧力源に接続することができる。別法または追加として、これらの開口50の各々または複数を、それ自体が低圧力に保持される共通のチャンバまたはマニホルド環状であってもよいに接続することも可能である。この方法によれば、これらの開口50の各々または複数における一様な低圧を実現できる。開口50を真空源に接続することができ、および/または流体ハンドリング構造またはシステムあるいは閉じ込め構造、バリア部材、液体供給システムを取り囲んでいる大気の圧力を高くして所望の圧力差を生成することも可能である。図6の実施の形態の場合、開口50は流体抽出開口である。開口50は、流体ハンドリング構造へのガスおよび/または液体の通路における入口である。すなわち、開口は空間11からの出口と見なされうる。これは後に詳述される。開口50は、流体ハンドリング構造12の表面に形成される。その表面は、使用中、基板および/または基板テーブルなどの対向面と対向する。ある実施の形態では、開口は、流体ハンドリング構造の平らな表面に存在している。ある実施の形態では、基板に対向する流体ハンドリング構造の表面にリッジが存在しうる。その実施の形態では、開口50はリッジの中に存在してもよい。ある実施の形態では、針またはチューブによって複数の開口50が規定されてもよい。これらの針のうちのいくつか、たとえば隣接する針のボディは、一体に結合することができる。これらの針を一体に結合して単一のボディを形成することができる。この単一のボディはコーナ形状を形成してもよい。下面51に設けられた供給開口40図6では不図示だが図8-11では図示を通じて開口50よりも半径方向内側に液体が提供される。図7に見られるように、個々のまたは複数の開口50は、例えばチューブまたは細長い通路55の末端である。開口50は、使用中、それが基板Wに対向するよう配置されることが望ましい。開口50のリムつまり表面からの出口は、基板Wの上面と実質的に平行であってもよい。開口50は使用中基板Wおよび/または基板を支持する基板テーブルWTに向けられる。これについての別の考え方は、開口50が接続される通路55の長手軸は基板Wの上面に対して実質的に直角から/-45度以内、望ましくは35度以内、25度以内、さらには15度以内で直角である。開口50は、液体およびガスの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間11から抽出され、一方、ガスは開口50の液体とは別の側にある大気から抽出される。これにより、矢印100によって示されているガス流が生成され、このガス流は、図6に示されているように、開口50間のメニスカス90を実質的に所定の位置に固定するために有効である。このガス流は、運動量阻止による、ガス流誘導圧力勾配による、および/または液体に対するガス流のドラッグずりshearによる、液体閉じ込めの維持に貢献する。開口50は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を取り囲んでいる。すなわち、開口50は、基板および/または基板テーブルに対向する流体ハンドリング構造の表面に分散されていてもよい。複数の開口50は、空間の周りに実質的に連続的に間隔を隔てて設けられてもよい。ある実施の形態では、隣接開口のいくつかの間の間隔は同じであってもよいし、隣接開口50間の間隔は変化してもよい。ある実施の形態では、液体はコーナを有する形状の周り全体から抽出される。液体がコーナを有する形状に衝突するポイントがあり、液体は実質的にそのポイントで抽出される。これが達成されるのは、コーナを有する形状内の空間の周り全体に開口50が形成されることによるものである。この方法によれば、液体を空間11に閉じ込めることができる。メニスカスは、動作中、開口50によって固定されうる。図6から分かるように、開口50は、平面視で、コーナを有する形状つまりコーナ52を備えた形状を形成するように配置されていてもよい。図6の場合、そのコーナを有する形状は、湾曲したエッジまたは辺54を有する菱形例えば、正方形などの四辺形である。エッジ54は負の半径を有してもよい。エッジ54は、例えばコーナ52から離れているエッジ54の部分に沿って、コーナを有する形状の中心に向かって湾曲していてもよい。しかしながら、相対運動の方向に対する、エッジ54上の全ての点の角度の平均は、平均角度の線について参照されてもよく、この平均角度の線は湾曲のない直線として表されてもよい。コーナを有する形状の主軸110、120は、投影システム下での基板Wの主進行方向に揃えられてもよい。これは、最大走査速さが、開口50が円形などの移動方向が形状の軸と揃わない形状に配置された場合のものより大きいことを確かなものとするのに役に立つ。これは、主軸が相対運動の方向と揃えられている場合には、2つの開口50間のメニスカスに働く力が低減されうることによるものである。例えば、係数cosθで低減されうる。ここでθは、2つの隣接開口50を結んでいる線の、基板Wが移動する方向に対する角度である。正方形の形状を使用することにより、ステップ方向の運動および走査方向の運動の最大速さを実質的に同じにすることができる。これは、形状のコーナ52の各々と走査方向およびステッピング方向110、120とを整列させることによって達成されうる。一方の方向、たとえば走査方向の運動を他方の方向、例えばステップ方向の運動より速くすることが好ましい場合、ひし形形状を使用することができる。このような構造の場合、ひし形の主軸を走査方向に整列させることができる。ひし形形状の場合、コーナの各々を鋭角にすることができるが、たとえばステッピング方向における相対運動の方向に対する、ひし形の2つの隣接する辺またはエッジの平均角度の線の間の角度は鈍角、すなわち90度より大きい角度であってもよいたとえば約90度から120度までの範囲から選択され、ある実施の形態では90度から105度までの範囲から選択され、ある実施の形態では85度から105度までの範囲から選択される。開口50の形状の主軸を基板の主移動方向通常は走査方向に整列させ、かつ、別の軸を基板のもう一方の主移動方向通常はステップ方向に整列させることによって、スループットを最適化することができる。θが90度以外の任意の構造は、少なくとも1つの運動方向には有利であることは理解されよう。したがって、主軸と主移動方向の正確なアライメントは重要ではない。負の半径を有するエッジを提供する利点は、コーナをより鋭くすることができることである。走査方向に整列したコーナ52およびステップ方向に整列したコーナ52の両方に対して、75から85度までの範囲から選択される角度、さらにはそれより小さい角度を達成することができる。この特徴が無かったならば、両方の方向に整列したコーナ52に同じ角度を持たせるためには、これらのコーナは90度の角度を有するほかない。コーナが90度未満の角度を有することが望まれる場合、ある相対運動の方向に整列したコーナを90度未満のコーナとして選択する必要があるであろう。この場合、他のコーナは90度より大きい角度を有することになる。開口50は星形に配置されてもよい。星形のある実施の形態では、エッジは湾曲する代わりに直線的である。複数のエッジは、2つのコーナ52間に引かれる直線よりも半径方向内側のある点で交わってもよく、その点は例えば中間コーナである。この構成は、複数の開口50によって定義される、2つの隣接するコーナ52間のエッジが滑らかである構成と比べて、大きな相対速度のもとでメニスカスを固定するという点では劣っているかもしれない。複数の開口50によって定義されるそのような線はコーナを有する形状を定義してもよく、連続的であり、かつ、連続的に変化する方向を有する。星形の実施の形態では、その形状の辺に沿う中間コーナはメニスカスを固定してもよい。コーナが鋭いほど、メニスカスを固定する力がより多くコーナに集中する。鋭いコーナでは、固定するための力は形状のエッジの短い長さの部分に集中する。鋭いコーナよりも滑らかな湾曲を有するコーナ例えば、大きな曲率半径を有するコーナはより長く、したがってそのコーナのより長い曲線に沿って、すなわちコーナに亘って、固定するための力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との相対速度のある値において、両方のコーナに働く有効メニスカス固定力は同じになる。しかしながら、所定の長さのエッジ部分については、鋭いコーナの場合の有効固定力は滑らかに湾曲するコーナの場合のものよりも大きい。基板と流体ハンドリング構造との相対速度がより低い場合、鋭いコーナで固定されたメニスカスは滑らかに湾曲するコーナによって固定されたメニスカスよりも不安定となる。開口50の半径方向内側にはひとつまたは複数の開口不図示が設けられてもよく、液体は流体ハンドリングシステム12の下面と対向面との間のギャップにこのひとつまたは複数の開口を通じて提供される。液浸液の液滴は、液浸液が閉じ込められる空間11から逃げ出すことがある。例えば、その空間に対向する表面上の高さステップ基板Wのエッジとテーブルに設けられた基板を支持する凹部のエッジとのギャップやセンサの表面などが空間11の下を相対的に移動する間に、また、流体ハンドリング構造と対向面との相対速度、例えば走査速度が臨界速度よりも大きくなる場合これは、より大きな走査速度/より高いスループットが要求される場合に必要となりうるに、そのような逃げ出しが発生しうる。そのような臨界速度は対向面の少なくともひとつの性質によるものであってもよい。液滴が空間内の液浸液から逃れる際、液滴は、流体ハンドリング構造と対向面例えば、基板Wまたは基板Wを支持する基板テーブルWTとの間の液浸液のメニスカス90から離脱する。メニスカスは流体抽出開口50液体抽出器によって流体ハンドリング構造12に対して固定されてもよく、流体抽出開口50は2相流体流として液体とガスとを抽出してもよい。液滴は、対向面の動きに対する液浸空間11の追尾側から逃げ出してもよい。流体ハンドリング構造12に対して対向面と共に動いていくと、液滴は次にガスナイフ61に遭遇しうる。このガスナイフ61はその液滴を液体抽出器の方へと方向転換させる。しかしながら、時折、液滴がメニスカス90からさらに離れるよう動くことがガスナイフ61によって妨げられるような条件となることがある。時折、そのような液滴はガスナイフ61を超えて通過する。ある実施の形態では、液滴は流体ハンドリング構造12の部材の影響から逃れてしまう。別の実施の形態では、液滴はさらなる抽出器およびガスナイフに遭遇し、それらは液滴を抽出するおよび/または液滴がメニスカスから離れるように動くのを妨げる役割を果たす。対向面内における流体ハンドリング構造12と対向面との相対運動、例えば走査方向またはステッピング方向が変化する場合、そのような液滴は流体ハンドリング構造12に対する動きとして液体メニスカス90に向けて戻りうる。液滴は、それがメニスカス90から離脱した際に最初に通過したガスナイフ61によって少なくとも部分的には止められうる。液滴が十分に大きい場合はその液滴はメニスカス90に向けてガスナイフ61を通過する。液滴は、空間11に閉じ込められている液浸液のエッジまたは境界にまたは少なくともその近くに設けられた抽出開口50を通じた抽出作用により抽出されうる。しかしながら、そのような液滴が完全には抽出されない場合、その液滴は、空間に閉じ込められている液体の液体メニスカス90との衝突によって泡を生成しうる。液滴は、メニスカス90に向けてガスナイフ61を通過するのには不十分な大きさであるおよび/または不十分な速さを有しているかもしれない。液滴は、小さくてもよいひとつまたは複数の液滴と合体し、ガスナイフ61の前でより大きな液滴を形成しうる。この場合、ガスナイフ61は液浸液による過負荷状態となり、合体した液滴が通過しうる。そのような液滴は流体ハンドリング構造12に対する動きとしてメニスカス90に向けて動き、潜在的にはひとつまたは複数の泡を生成しうる。本発明の実施の形態によって解決される課題は、対向面から液滴を除去し、かつ、液滴がメニスカス90に入るのを防ぐために、液滴は抽出器と接触する必要があることである。例えば、高さ40μmの液滴は結像欠陥を引き起こすのに十分な大きさの泡を空間11の中に生成しうるので、流体ハンドリング構造12の対向面上での浮上高さFHは40μmより低くあるべきである。しかしながら、機械的な観点からは公差や衝突の危険性などの理由でこれは非常に難しい。ある実施の形態では、流体ハンドリング構造12の下面51上にひとつまたは複数の液滴以降、本文中での液滴への言及は、追加的にまたは代替的に液体の膜を含むものとするを追加することによって、有効浮上高さEFHを低減する。液滴が下面上の液体と接触した場合、その液滴は下面上の液体によって少なくとも部分的に吸収され、対向面から除去される。対向面上の液滴は抽出器を通じて抽出される。下面51上の液体は例えば、当然ながら浮上高さFHが下面上の液体よりも大きい限りにおいて100-150μm程度の厚さを有しうる。対向面が偶然に下面51上の液体と衝突した場合、対向面、流体ハンドリング構造12のいずれにも損傷は生じない。濡れた流体ハンドリング構造12の下面51を使用して流体ハンドリング構造12の浮上高さを仮想的に低くすることによって、対向面上の液滴の抽出を顕著に改善することができる。流体ハンドリング構造12の下面51を濡らすことは、流体ハンドリング構造の下面にぶら下がる小さな液滴および/または液体供給部から抽出部へ下面51上を流れる液体流によって達成されうる。通常、浮上高さFHよりも低い高さを有する液滴は下面51に接触せず抽出されない図8参照。液体80液滴/膜で浮上高さを低くすることにより、対向面上を戻ってきた液滴は下面51にぶら下がる液体80にぶつかり、その液体80と合体し、抽出されるであろう図9および図11。本明細書で説明されるように、流体ハンドリング構造12のジオメトリを変えるかまたはひとつまたは複数の液体80の液滴によって例えばその液滴のサイズを変えることによって、機械的に有効浮上高さEFHを変えることができる。ある実施の形態では、例えば図6-12に示されるようにひとつまたは複数の追加的な抽出開口300およびひとつまたは複数の液体供給開口400をガスナイフ61の近くに追加することによって、走査方向が変化する間にメニスカス90に向けてガスナイフ61を通過する液滴の量およびサイズを顕著に低減できる。液体供給開口400は例えば図9および図10に示されるような多孔質材料または多孔質プレートであってもよい。追加的な抽出開口300および液体供給開口400は、大きな液滴がガスナイフ61を通過してメニスカス90と衝突するのを防ぐことができる。流体ハンドリング構造12の下面51に液体を供給しそこから液体を除去するための他の構成も可能である。追加的な抽出部および供給部はそれぞれ単一の細長い開口として設けられてもよく、または例えば一列に並ぶ複数の開口として設けられてもよい。したがって、図6に見られるように、ひとつまたは複数の抽出開口300はガスナイフ61を囲み、ひとつまたは複数の供給開口400は抽出開口300を囲む。供給開口400を通じて流体ハンドリング構造12の下方の面または下面51上に液体80が供給される。図8および図9を参照して後述される通り、これにより大きな液滴がメニスカス90に衝突する可能性が低減される。図7は、開口50が流体ハンドリング構造12の下面51に設けられることを示す。しかしながらそうである必要はなく、開口50は流体ハンドリング構造12の下面51から突出する部分にあってもよい。矢印100は、流体ハンドリング構造12の外側から開口50に伴う通路55のなかへのガスの流れを示す。矢印150は空間から開口50のなかへの液体の経路を示す。通路55および開口50は、望ましくは環状フローモードにおいて2相抽出すなわち、ガスおよび液体が生じるよう設計される。環状ガスフローでは、ガスは実質的に通路55の中央を流れ、液体は実質的に通路55の壁に沿って流れる。これにより、脈動の発生の少ないスムーズな流れを実現できる。開口50の半径方向内側にはメニスカス固定特徴部は存在しなくてもよい。メニスカス90は開口50の近くに、開口50へのガス流によって誘起されるドラッグ力dragforcesで固定される。約15m/sより大きなガスドラッグ速度、望ましくは20m/sより大きなガスドラッグ速度で十分である。基板からの液体の蒸発量を低減することができ、それにより液体の跳ねの影響および熱膨張/収縮の影響の両方を低減できる。複数例えば、少なくとも36の離散的な針そのそれぞれは開口50と通路55とを有してもよいはメニスカスを固定するのに有効でありうる。各針は直径1mmであり、3.9mm間隔で離間されている。ある実施の形態では、112個の開口50が存在する。開口50は正方形であってもよく、辺の長さは0.5mm、0.3mm、0.2mmまたは0.1mmである。流体ハンドリング構造の底部の他のジオメトリも可能である。例えば、本発明の実施の形態において、米国特許出願公開第2004-0207824号に開示される任意の構成を使用することができる。図6に示されるように、開口50の外側に細長いアパーチャ61これはスリット形状であってもよいが設けられてもよい。細長いアパーチャ61は、第1列目に配置された開口50よりも、液浸流体を含む空間からさらに離れた場所に配置されてもよい。アパーチャ61は、開口50が配置される第1列目と実質的に平行であってもよい。細長いアパーチャは第2列目またはナイフ列を形成してもよい。第2列目は開口50によって形成される形状の周囲を囲んでもよい。ある実施の形態では、細長いアパーチャは連続し、第1列目によって形成される形状を完全に囲んでもよい。使用中、アパーチャ61は高圧源に接続される。アパーチャ61から流れるガスはガスナイフ60を形成してもよく、そのガスナイフ60は開口50によって形成されるメニスカス固定システムを囲む。このガスナイフの機能は後述される。ある実施の形態では、細長いアパーチャは複数の離散的なアパーチャそれは細長くてもよいを形状の辺54に沿って含む。複数のアパーチャは直列に設けられてもよい。隣接するアパーチャ61複数のアパーチャが第2列目に沿って存在する場合と隣接する開口50との距離を一定に保つことが望ましい。ある実施の形態では、アパーチャ61および開口50の中心線の長さに沿ってそうであることが望ましい。ある実施の形態では、流体ハンドリングデバイスの多くのコーナのうちのひとつの領域内においてその距離が一定であってもよい。ガスナイフ60は開口50に、それらの間の空間に亘って圧力勾配を生成するのに十分に近いことが望ましい。流体ハンドリング構造12の下などに液体層例えば、液滴や液体膜が蓄積されうる停滞ゾーンが存在しないことが望ましい。ある実施の形態では、開口50を通じたガスの流量は細長いアパーチャ61を通じたガスの流量と関連付けられていてもよい。これは、2009年9月3日に提出された米国特許出願第61/239555号および米国特許出願公開第2007-0030464号に記載されており、それらはそれぞれ全体が参照により本明細書に組み込まれる。したがって、ガスの割合は実質的に、アパーチャ61から開口50へと内向きに向けられていてもよい。開口50およびアパーチャ61を通じたガスの流量が同じ場合、その流量はバランスしていると称されてもよい。ガス流がバランスしていると液体残留物、例えば液体膜の厚さを低減するか最小化することができるので望ましい。本明細書の他の個所に記載されている通り、開口50は任意の閉じた形状を形成するよう構成されてもよい。そのような閉じた形状は、非限定的にリストすると、平行四辺形、菱形、矩形、正方形などの四辺形や円などの楕円を含んでもよい。それぞれの場合において、ガスナイフ60用のアパーチャ61は、開口50によって形成される形状と実質的に同様の形状を有してもよい。開口50によって形成される形状のエッジとアパーチャ61によって形成される形状のエッジとの距離は上述の範囲内にある。ある実施の形態では、その距離は一定であることが望ましい。図8は、本発明の実施の形態によって解決される課題を示し、図9-11は本発明の実施の形態がいかに働くかを示す。それらの思想は、図6および図7の実施の形態、後述の図12の実施の形態、並びに任意の他の局所域流体ハンドリング構造のいずれにも適用可能である。さらに、それらの思想は、空間11に液体を維持する流体ハンドリングシステムのメニスカス固定特徴部などよりも半径方向外側に本発明の実施の形態が適用された任意の流体ハンドリングシステムに関連する。本発明の実施の形態は、液体閉じ込めシステム12の下面51に液体を供給し、かつ、そこから液体を抽出する構成または機構を備える。ある実施の形態では、ひとつまたは複数の液体抽出開口300が設けられる。ある実施の形態では、ひとつまたは複数の液体抽出開口300よりも半径方向外側にひとつまたは複数の液体供給開口400が設けられる。ひとつまたは複数の液体抽出開口300およびひとつまたは複数の液体供給開口400は、リソグラフィ装置の投影システムPSの光軸に対して逆であってもよい。図8は、例えば流体ハンドリングシステム12の下面51に液体が供給されない場合の問題を示す。ガスナイフ61よりも半径方向外側に抽出開口300が存在してはいるものの、対向面この場合、基板W上の大きな液滴1000は基板Wが液体閉じ込め構造12の下を矢印45の向きに通過するとき抽出開口300の下を通過し、対向面基板Wとメニスカス固定特徴部例えば、開口50との間に張られるメニスカス90と衝突する。大きな液滴1000がメニスカス90と衝突すると、投影システムPSの最終要素と基板との間の空間11の液体にガスが泡800として混入されうる。これにより結像エラーが生じうる。上述の課題に対処するためのひとつの方法は、流体ハンドリング構造12の下面51と対向面との距離を縮めることである。しかしながら、これは流体ハンドリング構造12と対向面とが衝突するリスクが高まるので難しい。本発明の実施の形態は、例えば仮想的な低減された浮上高さ下面51と対向面との距離を導入することでこの問題を解決する。これは、図9に示されるように流体ハンドリング構造12の下面51上に液体80を提供することによって達成される。対向面上の液滴1000が下面51上の液体80と接触すると、それら2つの液体メニスカスは合体する。すると抽出器300が合体した液体を流体ハンドリング構造12を通じて抽出することが可能となり、液滴1000は対向面から除去されるかまたは小さくなる。小さな液滴がメニスカス90と衝突しても、その場合に空間内に混入されるガスは少ないので問題となる可能性は小さい。ビームPBが液体を通過して基板Wに至る経路にそのようなガスが到達する前に、そのようなガスは液体に溶ける。図10は、図9の実施の形態の平面図である。図示されるように、下面51上の液体80は液滴の形をとりうる。あるいはまた、図11に示されるように、液体は膜の形をとりうる。いかなる実施の形態も動作し、下面51上に液体80を得るいかなる方法もうまくいく。ある実施の形態例えば、図9および図10では、液体供給開口400を定義するために多孔質材料が使用される。ある実施の形態例えば、図6、図7および図11では、細長いスリットが液体供給開口400を定義する。下面上での液体80の形態は、ひとつまたは複数の液体供給開口400およびひとつまたは複数の液体抽出開口300の性質によって決められる。図12は、本発明の実施の形態に係る流体ハンドリング構造の一部の模式的な断面図である。液体が含まれる空間11と、流体ハンドリング構造の外部の領域、例えば流体ハンドリング構造の外部の雰囲気の領域と、の間の境界において、開口50およびアパーチャ61は上述のようにして配置されてもよい。開口50は、液体を空間から流体ハンドリング構造のなかへと抽出するために、第1列目に設けられてもよい。アパーチャ61は第2列目に設けられてガスナイフデバイスを形成してもよい。ガスナイフからのガスは、液体を第1列目の開口50の方へ押しやってもよい。本発明のある実施の形態では、液体を空間から流体ハンドリング構造のなかへと抽出するために、第1列目に細長い開口または複数の開口50のいずれか一方を使用してもよい。第1列目および第2列目よりも液浸液からさらに遠い所に、第3列目または液滴列のひとつまたは複数の開口71が設けられてもよい。第2ガスナイフデバイスは第4列目または液滴ナイフ列に配置されるアパーチャ72によって形成される。ある実施の形態では、アパーチャ72は複数のアパーチャ72を有する。第4列目は第3列目よりも液浸液を含む空間11からさらに遠くの所に配置される。第2ガスナイフデバイスを通じたガス流は主に内側に向けられ、そのほとんどは開口71を通過する。ある実施の形態では、開口71を通じたガス流と第2ガスナイフデバイスのアパーチャ72を通じたガス流とはバランスしている。本実施の形態の流体ハンドリング構造は、開口50と協働する第1ガスナイフデバイスを含む。この組み合わせは液浸液の主たる抽出を担う。流体ハンドリング構造は第3開口71と協働する第2ガスナイフデバイスを有する。ひとつまたは複数の開口とそれに伴うガスナイフとの組み合わせを追加的に提供することは、想像以上に有益であることが見出された。図7に示されるような構成、すなわち単一のガスナイフデバイスと単一の関連する開口列とを有する構成では、基板Wおよび/または基板テーブルWTの表面に液体の残留物が残される可能性がある。液体残留物は液体膜または複数の液滴の形態を取りうる。しばらくすると膜は複数の液滴に分裂するかもしれない。複数の液滴はより大きな液滴に成長し、許容できないくらいに大きくなるかもしれない。本明細書で説明されるように、走査速度が対向面の部分についての臨界走査速度を超える場合、液体残留物が残されうる。例えばこれは、連続的な接触角を有する表面について走査速度がその表面の臨界走査速度を超えて増大する場合に生じうる。表面の一部分で接触角が変化し、したがってその部分において臨界走査速度が減少し、したがって走査速度が一定であってもその走査速度が臨界走査速度を超える。液体残留物はそのような部分に残されうる。そのような部分は、基板のエッジやシャッター部のエッジやセンサのエッジやセンサターゲットのエッジなどのフィーチャのエッジであってもよく、例えば液体メニスカスがそのエッジを横切るときのそのエッジであってもよい。ガスナイフデバイスが大気圧との接続によって、例えば大気と接続されガスナイフデバイスと開口50、71との間に配置された空間によって開口列50、71と分断される構成では、さらなる課題が生じうる。液体はガスナイフデバイスと開口との間に蓄積され、大きな液滴が生成されうる。投影システムPSおよび流体ハンドリング構造に対する基板Wおよび/または基板テーブルWTの運動の向きが変わるとき、そのような大きな液滴は液浸液の進行側のメニスカスと衝突しうる。液滴がメニスカスと衝突するとガスが混入され、小さいかもしれないし大きいかもしれない泡を生成しうる。さらに、衝突によってメニスカスが攪乱されることによってもまた泡が形成されうる。泡の形成は望ましくない。本明細書で説明される構成は上述または他の課題のひとつまたは複数を低減するのに役に立ちうる。すなわち、内側ガスナイフ61よりも半径方向外側に、流体ハンドリング構造の下面上に液体を提供するための構成または機構が設けられる。これにより、2つのガスナイフ61、71の間に形成され合体しうるどのような液滴もメニスカス90に衝突しないようにすることができる。2つのガスナイフデバイスと関連する抽出用開口とを流体ハンドリング構造に提供することにより、ガスナイフデバイスと抽出用開口との組み合わせのそれぞれのプロセス制御パラメータの設計および/または設定を、各組み合わせの特定の目的に合わせて選択することが可能となる。そのような設計および/または設定は異なるものであってもよい。第1ガスナイフを形成する、第2列目のアパーチャ61からのガス流量は、第2ガスナイフデバイスを形成する、第4列目のアパーチャ72からのガス流量よりも少なくてもよい。ある実施の形態では、第1ガスナイフデバイスについてのガス流量は比較的低いことが望ましい。これは、上述の通り、第1列目の開口50を通じた流れは2相であり、かなりの量の液体を含むからである。第2列目のアパーチャ61を通じた流量と第1列目の開口50を通じた流量とが2相流の不安定レジームにある場合、例えば流量が高すぎる場合、2相流は振動などの力の変動を引き起こす可能性があり、望ましくない。一方で、第2列目のアパーチャ61を通じた流量および/または第1列目の開口50を通じた流量のレジームが安定であればあるほど、例えば流量が低ければ低いほど、投影システムPSおよび流体ハンドリング構造に対する基板Wおよび/または基板テーブルWTの所与の運動速度においてガスナイフデバイスを通過して漏れ出す液浸液は多くなる。したがって、単一ガスナイフ構成におけるガス流量は、基本的にこれら2つの相容れない要求の間の妥協によるものであった。第2ガスナイフデバイスとそれに伴う抽出部とを流体ハンドリング構造に提供することにより、第1ガスナイフデバイスについてより低い流量を使用することができるので有利である。第2ガスナイフデバイスは第1ガスナイフデバイスを通過した液滴を除去するために使用されうる。さらに、第4列目のアパーチャ72を通じたガス流量および第3列目のひとつまたは複数の開口71を通じたガス流量は、比較的高くてもよい。これは、流れの大部分がガスであるからである。このように流量を増加させることにより、基板Wおよび/または基板WTの表面からの液滴の除去の性能を向上させることができ、有利である。ある構成では、第1ガスナイフデバイスを形成する、第2列目のアパーチャ61からのガス流量は、毎分100リットル以下であってもよく、毎分75リットル以下であることが望ましく、毎分約50リットルであるかそれ以下であることが望ましい。ある特定の構成では、第2ガスナイフデバイスを形成する、第4列目のアパーチャ72からのガス流量は、毎分60リットル以上であってもよく、毎分100リットル以上であることが望ましく、毎分約125リットルであるかそれ以上であることが望ましい。ある実施の形態では、第2列目のアパーチャ61を通じたガス流量を制御するためのコントローラ63が設けられる。ある実施の形態では、コントローラ63は、第1列目の開口50を通じたガス流量を制御してもよい。コントローラ63は、高圧源64例えば、ポンプおよび/または低圧源65例えばポンプであり、高圧を提供するポンプと同じポンプであるかもしれないを制御してもよい。所望の流量を達成するために、コントローラ63はひとつまたは複数の適切な流量制御バルブと接続されていてもよい。コントローラは、ひとつまたは複数の開口50に伴うひとつまたは複数の2相流量計と接続されて抽出流量を測定してもよいし、アパーチャ61に伴う流量計と接続されて供給ガス流量を測定してもよいし、それら両方の流量計と接続されていてもよい。2相流量計の適切な構成は2009年6月30日に提出された米国特許出願第61/213657号に記載されている。この出願は参照により全体が本明細書に組み入れられる。アパーチャ72を通じたガス流量を制御するためにコントローラ73これはコントローラ63と同じであってもよいが設けられる。コントローラ73は、ひとつまたは複数の開口71を通じたガス流量も制御する。コントローラ73は、高圧源74例えば、ポンプおよび/または低圧源75例えばポンプであり、高圧を提供するポンプと同じポンプであるかもしれないを制御してもよい。所望の流量を達成するために、コントローラ73に接続されコントローラ73によって制御されるひとつまたは複数の適切な制御バルブが存在してもよい。コントローラは、ひとつまたは複数の開口71を通じた流れを測定するひとつまたは複数の2相流量計またはアパーチャ72を通じた流れを測定するひとつまたは複数の流量計もしくはその両方によって供給される流量計測に基づいて、値を制御してもよい。このような構成は、第1列目および第2列目に伴う流れ成分についての構成と同様のものであってもよい。コントローラ63、73の一方または両方は、開口50、71を通じたガス流を、対応するガスナイフのガス流量に比例する形で制御するよう構成されてもよい。ある実施の形態では、ガスナイフを通じたガス流量は、対応する開口50、71を通じた全流量との差が20または10以内とされる。ある実施の形態では、開口50、71を通じたガス流量は、対応するひとつまたは複数のアパーチャ61、72を通じたガス流とマッチするよう制御されてもよい。ある実施の形態では、ひとつまたは複数のアパーチャ61、72またはガスナイフを通じたガス流量は、対応する開口50、71を通じたガス流量と実質的に同じであってもよい。開口50、71を通じたガス流量を対応するガスナイフのガス流量とマッチするようにすることは、ガスナイフから流れ出るガスの実質的に全てが対応する開口50、71へと流れ入ることを意味する。ガスの流れは内向きであってもよく、メニスカスに向いていてもよく、または液体残留物源に向いていてもよい。孤立したガスナイフは実質的に対称な圧力ピークを生成し、ガスはそのピークから離れる両方の方向へと流れる。しかしながら、ある実施の形態ではガス流はガスナイフの一方または両方についてバランスされているので、ガスナイフはガスナイフのひとつまたは複数のアパーチャ61、72とそれに対応する開口50、71との間に圧力勾配を形成しうる。ガスナイフのいずれについてもそのガスナイフからの外向き図7および図8において右向きの、すなわち液浸液を含む空間から離れる向きのガス流は小さいか存在しない。ある実施の形態では、コントローラ63、73は、ガスナイフの一方または両方が必要とされているかまたは必要とされるかもしれないときにそれが起動されるように、ガスナイフの一方または両方の起動を制御してもよい。言い換えると、ガスナイフは適切な所定の条件下でスイッチオフされてもよい。例えば、走査速度が安全に臨界速度より小さいときにはガスナイフはスイッチオフされてもよく、また現在メニスカス下にある表面またはメニスカスに近づいている表面についての臨界速度を走査速度が超えるか超える可能性が高いときにはガスナイフはスイッチオンされてもよい。例えば、基板の中央部分が流体ハンドリング構造12の下を動くときには、ガスナイフの一方または両方はスイッチオフされてもよい。基板のこの部分に亘る接触角は一定であり、この部分についての臨界走査速度は超過されることがない程度に十分に高いものでありうる。基板やセンサやシャッター部材やセンサターゲットなどのエッジを超えて空間のメニスカスが移動する前、移動中および/または移動後に、ガスナイフデバイスの一方または両方は動作状態とされうる。リソグラフィ装置のある構成では、その装置の想定されるいかなる動作モードについても、特に内側のガスナイフは必須ではないかもしれない。したがって、ある実施の形態では、内側のガスナイフは省略されうる。そのような実施の形態では、第2列目のアパーチャ61が省略されうる。高圧源64に対する要請は存在しなくてよい。本発明の装置のこの変形は、本願で説明される他の実施の形態および変形例に関連して適用されうることは理解されるべきである。ひとつまたは複数の開口71およびアパーチャ72は第3列目および第4列目に沿って配置され、ひとつまたは複数の開口50およびアパーチャ61は第1列目および第2列目に沿って形成され、第3列目および第4列目は、第1列目および第2列目に大略的にしたがってもよい。ある実施の形態では、ひとつまたは複数の開口71によって形成される形状はひとつまたは複数の開口50によって形成される形状とは異なる。第3列目および第4列目、例えばある実施の形態では第1列目から第4列目までが平行であり列間に一定の距離が設けられることが望ましい。ある実施の形態では、第2列目のアパーチャ61の、第1列目から第4列目までを横切る方向における幅は、40μmから75μmの範囲から選択され、約50μmであることが望ましい。ある実施の形態では、第2ガスナイフデバイスを形成するのに使用される、第4列目のアパーチャ72は、第2列目のアパーチャ61について説明されたような特徴と同じ特徴を有してもよい。第1ガスナイフデバイスのアパーチャ61のように、アパーチャ72は単一のスリットまたは複数の細長いアパーチャとして形成されてもよい。ある実施の形態では、第4列目のアパーチャ72の、第1列目から第4列目までを横切る方向における幅は、20μmから50μmの範囲から選択され、30μmであることが望ましい。第3列目のひとつまたは複数の開口71は、単一の細長いスリットまたは複数の細長い開口として形成されてもよい。ある実施の形態では、第3列目のひとつまたは複数の開口71の、第1列目から第4列目までを横切る方向における幅は、100μmから200μmの範囲から選択され、150μmであることが望ましい。あるいはまた、第3列目のひとつまたは複数の開口71は、第1列目のひとつまたは複数の開口50と同様に構成されてもよい。ある実施の形態では、下側の面の外側の部分が第4列目のアパーチャ72から少なくとも2mm、望ましくは少なくとも5mmだけ延在するように、流体ハンドリング構造の下側の面51を構成してもよい。流体ハンドリング構造の下側の面51のこの外側の部分51aは、基板Wおよび/または基板テーブルWTの表面と協働して、ダンパとして機能しうる。その結果、第3列目のひとつまたは複数の開口71から離れる向きへのガス流を低減できる。したがって、このような構成により、特に比較的高い走査速度において、例えば液滴の形態で流体ハンドリング構造から離れていく液体の漏出を低減できる。図12に示される実施の形態では、流体ハンドリング構造の下側の面51に凹部80が設けられる。凹部80は第2列目と第3列目との間の第5列目または凹部列に設けられてもよい。ある実施の形態では、凹部80は第1列目から第4列目のいずれか、望ましくは少なくとも第2列目または第3列目もしくはその両方と平行となるよう構成される。凹部80はひとつまたは複数の開口81を含んでもよい。この開口81はガス路82によって雰囲気などの大気と、例えば流体ハンドリング構造の外部領域と接続されていてもよい。この凹部80は、望ましくは外部の大気と接続された場合、第1ガスナイフデバイスおよび関連する第1列目のひとつまたは複数の開口50を、第2ガスナイフデバイスおよび関連する第3列目のひとつまたは複数の開口71から分離するよう機能しうる。凹部80は両側に位置する部材の動作を分離する。したがって、凹部よりも半径方向内側にある特徴は半径方向外側にある特徴から分離される。一般に、第1ガスナイフと第2ガスナイフとを分離する機能を所望の通りに提供できるよう、凹部80の体積は十分に大きくあるべきであることは理解されるべきである。しかしながら、凹部80の体積が大きいほど、液体が凹部内に集まる可能性は高くなり、および/または凹部80内に集まる液体の量も多くなる。そのように液体が集まる結果、大きな液滴が形成され、その大きな液滴は次に基板Wおよび/または基板テーブルWTの表面上に放たれるので、そのように液体が集まることは望ましくない。代替的にまたは追加的に、凹部80に集まった液体は、走査方向に変化が生じたときにメニスカスと衝突する可能性があり、その場合上述の課題のうちのひとつまたは複数が生じうる。凹部80のサイズの選択は妥協によるものであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリング構造の下側の面51に対する凹部80の深さD1は、0.25mmから0.75mmの範囲から選択されてもよく、望ましくは約0.5mmである。ある実施の形態では、第1列目から第5列目までを横切る方向における凹部80の幅は、1mmから15mmの範囲から選択されてもよく、望ましくは1mmから10mmの範囲から選択され、望ましくは2mmから3mmの範囲から選択される。ある実施の形態では、凹部80のサイズは、主に第1ガスナイフと第2ガスナイフとを分離する機能を所望の通りに実現するように選択されてもよい。例えば、凹部80のサイズは上述の例よりも大きくてもよい。そのような実施の形態では、凹部内に液体が集まるのを低減するかまたは凹部に集まった液体による影響を改善するかあるいはその両方を実行するような追加的な方策を講じてもよい。図12の実施の形態は、内側のガスナイフ61と外側の抽出開口71との間に平坦な表面を提供したり、それらの間に段差を提供したり、それらの間にスロープがついた望ましくは湾曲した表面を提供したり、および/または2010年4月22日に提出された米国特許出願第61/362972に教示されているように内側のガスナイフ61を省略したりすることによって、変形されてもよい。図12の実施の形態では、抽出開口300および液体供給開口400は、2つのガスナイフ61、72の間に捕らえられた大きな液滴がメニスカス90に衝突するのを防ぐのに効果的でありうる。抽出開口300および供給開口400は下面51の、内側のガスナイフ61と凹部80との間に描かれている。ある実施の形態では、抽出開口300および供給開口400は、凹部80と抽出開口71との間に位置してもよい。本発明の実施の形態は、個別の乾燥ステーションにおいて使用されてもよい。理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書におけるウエハあるいはダイという用語がそれぞれ基板あるいはターゲット部分という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。本明細書において放射及びビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有するを含むあらゆる種類の電磁放射を含む。レンズという用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む1つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施の形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令のひとつ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクであってもよい。機械で読み取り可能な命令は2以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら2以上のコンピュータプログラムはひとつ以上の異なるメモリ及び/またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくともひとつの構成要素内部に設けられたひとつ以上のコンピュータプロセッサによってひとつ以上のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。ひとつ以上のプロセッサは少なくとも1つのコントローラと通信可能に構成されていてもよい。例えば、コントローラの各々は、上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するためのひとつ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラはそのようなコンピュータプログラムを記録するデータ記録媒体及び/またはそのような媒体を受けるハードウエアを含んでもよい。したがって、コントローラはひとつ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。本発明のひとつ以上の実施の形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び/または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び/または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。本明細書で述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施の形態においては投影システムと基板及び/または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。ひとつ以上の構造体、及びひとつ以上の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、ひとつ以上の液体開口、ひとつ以上の気体開口、ひとつ以上の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口または流体ハンドリング構造からの出口または液浸空間からの出口または流体ハンドリング構造への入口であってもよい。ある実施の形態においては、空間の表面は基板及び/または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは空間の表面は基板及び/または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、空間が基板及び/または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するためのひとつ以上の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。ある実施の形態では、液浸液は水であってもよい。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。