温度によって電気的特性が変化するサーミスタと、該サーミスタの表面に接合する一対の金属電極とからなる温度センサ素子であって、上記サーミスタは、Si系セラミックスから構成されており、上記金属電極は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αと、を含有してなり、上記サーミスタと上記金属電極との界面には、上記金属元素αのシリサイドが上記サーミスタを成すSi系セラミックスの結晶粒界中に存在する拡散層が形成されていることを特徴とする温度センサ素子。請求項1に記載の温度センサ素子において、上記拡散層は、上記金属元素αのシリサイドおよびCrシリサイドが上記Si系セラミックスの結晶粒界中に存在することを特徴とする温度センサ素子。請求項1または2に記載の温度センサ素子において、上記サーミスタを成すSi系セラミックスは、主成分である窒化珪素に炭化珪素を含有することを特徴とする温度センサ素子。請求項3に記載の温度センサ素子において、上記窒化珪素からなる結晶粒と、該結晶粒の周囲に配置するガラス相からなる結晶粒界と、該結晶粒界に分散する炭化珪素の粒子と、を有することを特徴とする温度センサ素子。請求項4に記載の温度センサ素子において、上記金属元素αシリサイドおよびCrシリサイドが、上記結晶粒界に分散する炭化珪素の粒子を取り込んで配置することを特徴とする温度センサ素子。請求項1~5のいずれか一項に記載の温度センサ素子において、上記金属元素αは、Feであることを特徴とする温度センサ素子。請求項1~6のいずれか一項に記載の温度センサ素子において、上記金属電極は、Crを30~90質量、Feを10~70質量含有する合金からなることを特徴とする温度センサ素子。請求項1~7のいずれか一項に記載の温度センサ素子において、上記金属電極は、線膨張係数が11×106/°C以下であることを特徴とする温度センサ素子。請求項1~8のいずれか一項に記載の温度センサ素子において、上記金属電極は、厚みが3~110μmであることを特徴とする温度センサ素子。請求項1~9のいずれか一項に記載の温度センサ素子において、上記拡散層は、厚みが3~110μmであることを特徴とする温度センサ素子。請求項1~10のいずれか一項に記載の温度センサ素子の製造方法において、Si系セラミックスから構成されるサーミスタの表面に、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αと、を含有してなる金属電極と成る金属を配設させた状態で加熱処理する工程により、上記サーミスタに上記金属電極を接合するとともに、上記サーミスタと上記金属電極との界面において上記金属元素αを、上記Si系セラミックスの結晶粒界中に拡散させて上記金属元素αのシリサイドが存在する拡散層を形成することを特徴とする温度センサ素子の製造方法。請求項11に記載の温度センサ素子の製造方法において、上記金属電極となる金属は、平均粒径が50μm以下の合金粉末を採用することを特徴とする温度センサ素子の製造方法。請求項11又は12に記載の温度センサ素子の製造方法において、上記加熱処理は、真空中又は不活性ガス中で行なうことを特徴とする温度センサ素子の製造方法。請求項11~13のいずれか一項に記載の製造方法において、上記加熱処理は、圧力及び/又は電圧を加えながら実施することを特徴とする温度センサ素子の製造方法。請求項1~10のいずれか一項に記載の温度センサ素子を備えることを特徴とする温度センサ。請求項15に記載の温度センサにおいて、上記温度センサ素子と、該温度センサ素子に先端側で電気的に接続されると共に後端側で外部回路に電気的に接続される信号線と、該信号線を内部に収容するシースピンとを備えることを特徴とする温度センサ。しかしながら、近年のエンジン小型高出力化に伴う排気ガス温度上昇といった背景から、従来の構成の接合体やセラミックセンサを高温環境下で使用される温度センサに適用した場合、接合信頼性余裕度が小さくなり、接合界面近傍にて剥離のおそれがあるという問題が顕在化してきた。特に、窒化珪素及び炭化珪素等のように線膨張係数の小さいセラミックと金属の接合体においては顕著である。また、従来の構成の接合体やセラミックセンサにおいては、温度センサとして重要な特性であるオーミックコンタクト性を確保することができない。即ち、高精度な温度検出のためにはサーミスタの抵抗をばらつきなく外部回路にて検出する必要があり、サーミスタと金属電極の界面および金属電極の抵抗値が極めて小さく、接合面積にばらつきがないことが要求される。例えば、特許文献1に示された技術においては、酸化層の影響により抵抗がばらついてしまうおそれがあり、特許文献2に示された技術においては、凹部寸法が接合面積に直接影響してしまうためばらつきを抑制することはできない。また、特許文献4、5に示された技術においては、何れも接合信頼性のみを向上させることを目的としているため、抵抗値の上昇や抵抗値のばらつきを生じやすく、温度センサとして重要な特性であるオーミックコンタクト性を確保することが困難である。詳細には、特許文献4、5は、セラミックス中の成分を拡散させるために、HP、HIPにより接合体を1350°C程度の高温で焼成する製法を用いている。これにより、金属の抵抗値は上昇し、抵抗値もばらつきが生じやすいものとなる。そして、この接合体を、温度センサに適用した場合には、温度センサとして重要なオーミックコンタクト性を確保することができないという問題がある。加えて、窒化珪素または炭化珪素を主成分とするセラミックスは、通常、結晶の領域に比べて結晶粒界の領域が非常に狭いため、金属側からセラミックスの結晶粒界への拡散は極めて少なく拡散状態に大きなばらつきが発生してしまう。このような接合体を温度センサとして用いた場合には、金属の酸化状態や接合界面の拡散状態により影響を受けやすいオーミックコンタクト性を確保することができず、特に-50°C~1050°Cの広範囲の温度域で使用する温度センサとして用いた場合には、抵抗値のばらつきにより測定精度を高いものにできず、また耐熱性も悪いために剥離や割れが生じやすいため、温度センサに適用することができないという問題がある。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされてものであり、温度センサ素子におけるサーミスタと金属電極との接合界面においてサーミスタの結晶粒界に積極的に金属電極の成分を拡散させた拡散層を形成することで、高温の環境下において耐熱性及び接合信頼性を確保することができると共に、特に、-50°C~1050°Cの広範囲の温度域においても、高精度な温度検出が可能な温度センサ素子及びその製造方法、並びに温度センサを提供しようとするものである。第1の発明は、温度によって電気的特性が変化するサーミスタと、該サーミスタの表面に接合する一対の金属電極とからなる温度センサ素子であって、上記サーミスタは、Si系セラミックスから構成されており、上記金属電極は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αと、を含有してなり、上記サーミスタと上記金属電極との界面には、上記金属元素αのシリサイドが上記サーミスタを成すSi系セラミックスの結晶粒界中に存在する拡散層が形成されるものである。第2の発明は、第1の発明の温度センサ素子の製造方法において、Si系セラミックスから構成されるサーミスタの表面に、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αとを含有してなる金属電極と成る金属を配設させた状態で加熱処理する工程により、上記サーミスタに上記金属電極を接合するとともに、上記サーミスタと上記金属電極との界面において上記金属元素αを、上記Si系セラミックスの結晶粒界中に拡散させて上記金属元素αのシリサイドを備えた拡散層を形成するものである。第3の発明は、第1の発明の温度センサ素子を備える温度センサである。第1~第3の発明の温度センサ素子および製法、温度センサにおいて、上記サーミスタは、Si系セラミックスから構成されるため、温度センサとしての高耐熱性を確保できる。金属電極に含有するCrは、サーミスタとの線膨張係数差を縮小させ、例えば焼成温度1200°Cの熱処理工程においてもサーミスタとの境界における割れやクラックを抑制することができる。また、金属電極に含有する金属元素αは、Siの拡散係数がCrよりも高いため、Crよりもシリサイド化合物を生成しやすい。金属元素αシリサイドとCrシリサイドの関係は、線膨張係数においては金属元素αシリサイド<Crシリサイドの関係があり、抵抗値においては金属元素αシリサイド<Crシリサイドの関係があることから、サーミスタの結晶粒界に金属元素αが優先的に拡散して金属元素αシリサイドを生成することで本発明における拡散層を形成することができる。この拡散層により、高温の環境下においても耐熱性及び接合信頼性を確保することができるとともに、オーミックコンタクトを確保して抵抗値のばらつきを抑制できる。特に、-50°C~1050°Cの広範囲の温度域においても、ほとんど抵抗値のばらつきはなく高精度な温度検出が可能な温度センサを提供することができる。次に、本発明の実施形態について図1~図7を用いて説明する。本例の温度センサは、図1に示すごとく、自動車の排気ガス温度測定用のセンサとして用いられる。この温度センサ5は、温度によって電気特性が変化するサーミスタ10と、その表面に設けられた一対の金属電極11とからなる温度センサ素子1が先端側に接合されると共に、後端側で外部回路図示略に接続する一対の信号線21を収容するシースピン3とを有する。先端側に接合された温度センサ素子1は、カバー4内に収容されている。また、カバー4よりも後端側において、シースピン3の外周にはこれを保持するリブ12が形成されている。リブ12は、内燃機関への取付け用ボスの内壁の先端面に当接させる当接部121と、その後方に延びると共に当接部121よりも外径の小さい後方延設部122と、当接部の前方に伸びると共に当接部121よりも外径の小さい前方延設部123とからなる。これらの当接部121と後方延設部122と前方延設部123との内側に、シースピン3が挿嵌されている。前方延設部123においては、リブ12がシースピン3に対して全周溶接されている。また、後方延設部122の外周には、シースピン3及び信号線21の一部を保護する保護チューブ13の一端が溶接固定されている。上記カバー4は、シースピン3の先端部301の外周に対して全周溶接されている。シースピン3、及びカバー4は、ステンレス鋼またはNi基耐熱合金からなる。更に、リブ12、保護チューブ13も、ステンレス鋼またはNi基耐熱合金からなる。また、シースピン3は、ステンレス鋼またはNi基耐熱合金からなる2本の信号線21と、該信号線21の周りに配置したマグネシア等の絶縁粉末からなる絶縁部33と、該絶縁部33の外周を覆うステンレス鋼またはNi基耐熱合金からなる外管部34とからなる。シースピン3は円柱形状を有し、外管部34は円筒形状を有する。また、信号線21は、絶縁部33及び外管部34から先端側及び後端側に露出している。そして、図2aは図1の温度センサ5の先端部を示す斜視図であり、図2aに示すように信号線21の先端は温度センサ素子1の金属電極11に接合され、信号線21の後端は、外部回路に接続する外部信号線図示略に接続されている。また、上記温度センサ素子1は、図2bに示すようにその周囲をモールド材6で覆われていない形態でも問題ないが、図1及び図2aに示すように、温度センサ素子1と信号線21の一部をモールド材6により封止することが好ましい。モールド材6は、1000°C以上の高温にて温度センサ素子1を保護する効果を有する材料で構成され、無機材料、非晶質ガラス、結晶化ガラス等からなる。それぞれが単独で所望の範囲の線熱膨張係数を有すれば単独で用いてもよいが、所望の線膨張係数を有するように非晶質ガラスと結晶化ガラスとを混合したもの、ガラスに無機材料粉末を添加したもの等を用いて構成してもよい。ガラスに添加する無機材料粉末としては、酸化アルミニウムAl2O3、酸化マグネシウムMgO、酸化イットリウムY2O3、酸化クロムCr2O3、酸化ジルコニウムZrO2、感温素子2を構成する低熱膨張セラミックス等が挙げられる。さらに、図2cに示すように、信号線21と温度センサ素子1が電極線211を介して接続されていても良い。この場合、電極線211と信号線21はレーザ溶接等で接合する。こうすることで温度センサ素子1と信号線21の線膨張係数差を更に縮小できると共に、製造容易な構成とすることができる。この温度センサ5に用いられる温度センサ素子1は略直方体形状であり、図3に示すように温度によって電気的特性が変化するサーミスタ10の表面に一対の金属電極11が形成されてなり、サーミスタ10と金属電極11の界面には拡散層12が形成されている。この温度センサ素子1の金属電極11には、それぞれシースピン3内から伸びる信号線21が直接接合される。温度センサ素子1と、先端側でシースピン3から露出する信号線21はカバー4内に挿入され、カバー4はシースピン3の側面に溶接されている。上記サーミスタ10は、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とするSi系セラミックスから構成され、窒化珪素を主成分として炭化珪素を含有することが好ましい。この場合には、機械的特性及び耐熱性に優れ、例えば線膨張係数3×106~5×106/°C程度の低熱膨張セラミックスからなるサーミスタ10を実現することができ、金属電極11とサーミスタ10との接合信頼性を十分に確保できる。また、炭化珪素および窒化珪素の両者を含有することで、図4に示すごとく、窒化珪素からなる結晶粒101と、その周囲に配設された結晶化ガラス相またはガラス相からなる結晶粒界105と、この結晶粒界105に分散された炭化珪素からなる粒子102と金属導電体103とを有するサーミスタ10を採用することがより好ましい。これは、炭化珪素半導体自体の抵抗と炭化珪素の粒子間抵抗トンネル抵抗、およびその温度に対する抵抗が変化するといった温度電気的特性を利用した導電パスを窒化珪素の結晶粒界105に形成することができるためであり、例えば-80°C~1200°C、特に-50°C~1050°Cという広い温度領域において優れた感度で温度を検出できる温度センサを実現できる。また、耐熱性に優れたセラミックスの複合材料で構成されているため、サーミスタ10の耐熱性を向上させることができる。なお、請求項におけるガラス相からなる結晶粒界とは、上記のように結晶化ガラス相またはガラス相からなる結晶粒界を示すものである。また、上記結晶粒界105には、金属導電体103が分散されていることが好ましい。この場合には、上記サーミスタ10の抵抗値を所望の値に制御しやすい。金属導電体103としては、例えば、TiB2、VN、TiO2、TiN2、CrB2、及びWSi2等の周期律表の第4族から第6族の珪化物、ホウ化物、窒化物、炭化物からなる粒子が挙げられる。上記サーミスタ10の表面に形成される金属電極11は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αと、を含有してなる。金属電極11中に含まれるCrにより、サーミスタ10を構成するSi系セラミックスとの線膨張係数差を縮小することが可能となる。近年、温度センサには使用温度領域として-50°C~1050°C程度の非常に広い温度領域が要求されている。Crを含有させることにより、この広い温度領域においてもサーミスタ10との線膨張係数差に起因するクラックや割れの発生を低減することができる。また、上記金属元素αは、Siの拡散係数がCrよりも高いことから、Crよりもシリサイド化合物を生成しやすい。即ち、サーミスタ10の結晶粒界に金属元素αを拡散しての金属元素αのシリサイドを形成してなる拡散層を積極的に形成できるものである。上記金属元素αは、Fe、Mo、Ni、W、Zr、Nb、Ta等から選択できる。また、上記サーミスタ10との線膨張係数差の縮小、耐熱性向上の点から、Crを30~90質量、及びFeを10~70質量含有する合金から成ることが好ましく、特に、Crを60質量、Feを40質量含有する合金から成ることがより好ましい。これにより、高温環境下において金属電極11等が酸化することを抑制することができ、上記金属電極11の耐熱性をより向上させることができると共に、上記サーミスタ10との線膨張係数差に起因する熱応力を抑制することができ、接合信頼性を確保できる。これは、CrにFeを添加することで生成自由エネルギーが低いCrが選択的に酸化し、より安定した酸化膜を形成できるため、Cr-Fe合金の酸化の進行を抑制できるからである。また、Feの添加量が多すぎると耐酸化性が悪化してしまうだけでなく、金属電極11の線膨張係数が大きくなるためサーミスタ10との線膨張係数差が拡大してしまい熱応力を増大させてしまうためである。なお、上記合金は、さらにAlを0.5~7質量含有することにより、高温環境下において金属電極11が酸化することを抑制することができ、金属電極11の耐熱性をより向上させることができる。Alが0.5質量未満となると、耐熱性の向上効果が十分に現れないおおそれがある。一方、7質量を超えて含有しても耐熱性の向上効果はほとんど得られず、かえって硬度が高くなり、加工性が悪化する傾向にある。図5に、代表的な金属元素のSiの拡散係数を示す。同図に示す棒グラフにおいては、横軸は金属元素種を示し、縦軸はSiの拡散係数cm2/sを示す。また、図6に、代表的な金属とその金属シリサイドの耐熱温度及び線膨張係数を示す。同図において、横軸は線膨張係数×106/°Cを示し、縦軸は耐熱温度°Cを示し、各合金、純金属、及びこれらのシリサイドがとりうる線膨張係数及び耐熱温度の範囲を線で囲んだ領域で示してある。また、上記金属電極11は、その線膨張係数が11×106/°C以下であることが好ましい。線膨張係数が11×106/°Cを超える場合には、上記サーミスタ10として低熱膨張セラミックスからなるものを採用した場合に、上記金属電極11と上記サーミスタ10との接合信頼性を確保することが困難になるおそれがある。また、金属電極11の線膨張係数を小さくし過ぎると、金属電極11に信号線等を接合して温度センサを構成した場合に、金属電極11と信号線との線膨張係数差が大きくなり、両者の接合界面への熱応力が増大してしまうおそれがあるという観点から、金属電極11の線膨張係数は7×106/°C以上であることが好ましい。但し、信号線として線膨張係数の小さい金属例えば、Pt等の貴金属を用いる場合は、金属電極11の線膨張係数を更に小さくすることが可能である。しかしながら、高コストとなってしまうため、信号線としてNi-Cr-Fe合金やFe-Cr-Al合金等の高耐熱金属を使用し、金属電極の線膨張係数を7×106/°C以上とすれば接合信頼性を満足するだけでなく低コストを実現できることから好ましい。なお、金属電極11の線膨張係数は、例えばCrと共に上記金属電極11に含有させる上記金属元素αの種類及び配合割合を調整することにより制御できる。また、金属電極11の厚みは、3~110μmであることが好ましい。厚みが3μm未満となると、強度が不十分になり、熱ストレスにより上記金属電極11にクラックが発生するおそれがある。一方、110μmを超える場合には、線膨張率差に起因する応力が接合界面に生じるため、サーミスタ10にクラックが発生し易くなるおそれがある。そして本発明においては、上記サーミスタ10と金属電極11との界面に形成される拡散層12として、上記金属電極11に含有する金属元素αのシリサイドが上記サーミスタ10を成すSi系セラミックスの結晶粒界中に存在することが重要である。この拡散層12により、図3に示すように、サーミスタ10、金属電極11との間の接合性を高めるとともに、オーミックコンタントを確保することができる。上記金属元素αのシリサイドは、Crシリサイドに比較して線膨張係数、抵抗値ともに小さい。この関係により、上記金属元素αのシリサイドは、上記サーミスタ10と金属電極11との中間熱膨張係数を有する熱応力緩和層として機能すると共に、上記サーミスタ10と金属電極11のオーミックコンタクトを阻害しないレベルの低抵抗な拡散層12となるため、サーミスタ10と金属電極11の接合強度を高め、オーミックコンタクトを確保して素子の抵抗ばらつきを抑制することができる。特に、金属電極11を成す上記金属元素αとしてFeを用いることがより好ましく、この場合、サーミスタ10の結晶粒界中のSi結晶化ガラス相またはガラス相に含有されるSiおよび結晶粒界中に存在する炭化珪素からなる粒子中に含有されるSiと反応してFeSiをサーミスタ10の結晶粒界中に形成する。FeSiは、サーミスタ10と金属電極11との中間の線膨張係数となるため、両者の熱応力を緩和して接合性を高めることができる。なお、金属元素αのシリサイドを、サーミスタ10を成すSi系セラミックスの結晶粒界中に存在させるためには、サーミスタ10をなすSi系セラミックスの結晶粒界領域を大きくし、金属元素αが拡散しやすいサーミスタ10の結晶構造とすることが必要である。そこで、サーミスタ10を成すSi系セラミックスを炭化珪素および窒化珪素の両者を含有することが好ましい。これは、窒化珪素からなる結晶粒101の結晶粒界105に、Fe等の金属元素αとより反応し易い炭化珪素の粒子102を分散させることで、結晶粒界105に沿って積極的に拡散させることができるためである。炭化珪素15~50体積、窒化珪素50~85体積の組成とすることがより好ましく、サーミスタ10中に含有する炭化珪素を15~50体積とすることで、導電パスを形成する炭化珪素の粒子102が積極的に窒化珪素の結晶粒101の間に入りこむことでサーミスタ10の結晶粒界割合を大きくすることができる。さらに、添加成分として、TiB2を含有させることで、焼成時に酸素をトラップすることができるため、結晶粒界中に金属元素αのシリサイドを存在させやすい。なお、金属元素αのシリサイドの結晶粒界中における存在の有無は、TEM透過型電子顕微鏡TransmissionElectronMicroscopeによって確認することができる。この拡散層12は、図10に示すように、金属電極11に含有する上記金属元素αのシリサイドが上記サーミスタ10を成すSi系セラミックスの結晶粒界中に主に存在する領域を示すものである。また、上記拡散層12は、厚みが3~110μmであることが好ましい。上記厚みが3μm未満となると、拡散層12自体の強度が不十分になり熱応力によりクラックが発生するおそれがある。一方、110μmを超えると、拡散層12としての熱応力緩和効果が低減してしまうため、サーミスタ10に比して強度の低い拡散層12の厚さが増大して接合強度が低下するおそれがある。次に、本発明の温度センサ素子の製造方法について一実施例を用いて説明する。先ず、以下のようにサーミスタ10を製造する。平均粒径0.7μmの窒化珪素Si3N4粉末を63.4体積と、平均粒径0.2μmの炭化珪素SiC粉末30体積と、焼結助剤として平均粒径0.5μmの酸化イットリウムY2O3粉末6体積と、金属導電体として平均粒径0.4μmのTiB2粉末0.6体積とを混合し、エタノールを用いて24時間ボールミルで混合して混合原料を得た。次いで、上記混合原料を成形型に入れ、圧力20MPaで一軸プレス成形を行い、N2雰囲気、温度1850°C、プレス圧20MPaという条件でホットプレスを1時間行なった。サーミスタ10を成す焼結体の結晶粒界の領域を大きくするための焼成条件は、ボイドが発生して抵抗ばらつきが大きくならない程度に焼結が不足しないようにし、且つ結晶粒界が狭くならない程度に焼結し過ぎないように、温度時間雰囲気加圧力等を調整することが重要である。これにより、縦1.0mm×横1.0mm×高さ0.5mmの直方体形状板状の焼結体からなるサーミスタ10を得た。次に、図7a及びb1に示すごとく、サーミスタ10の高さ方向の対向する一対の面に、Crを60質量、Feを40質量のCr-Fe合金ペースト110を約100μm程度の厚さで印刷した。Cr-Fe合金ペースト110は、合金粉末119の平均粒径D50メジアン径がレーザ回折式粒度分布測定装置にて測定した値で50μm以下のものである。合金粉末119の平均粒径が50μm以下であると、金属電極11の厚みを調整しやすく、50μmを超えると、金属電極11の厚みが110μmを超えて大きくなり易く、熱応力が増大してクラックが発生するおそれがある。金属電極11の形成方法は、印刷のほかに、溶射、メッキ、転写シート、ディスペンサ、インクジェット、刷毛塗布、圧縮成形、蒸着、又は金属箔等により行なうことができる。作業性、及び均一な厚みでの付着という観点から、合金粉末のペーストを転写シートに印刷し、サーミスタ10の表面に形成するのが好ましい。また、金属電極11の厚みは、サーミスタ10への上記金属電極11となる金属の配設量を調整することにより制御することができる。次に、金属電極11および拡散層12を形成するため一定条件にて熱処理を施す。熱処理は、例えば温度400°Cで脱脂し、SPSSparkPlasmaSintering:熱処理時に圧力と電流を付与した焼結プロセスにて、サーミスタ10の表面に形成した合金ペースト110を約30MPaで加圧しながら温度1150°Cで10分間保持することにより行った図7b2及びb3参照。上記熱処理の温度は900~1300°Cとすることが好ましい。拡散層12の厚みは、この熱処理温度や時間を調整することにより制御することができる。具体的には、加熱温度を高くしたり、加熱時間を長くしたりすることにより金属電極11中の成分のサーミスタ10側への拡散117が進行し、より拡散層12の厚みを大きくすることができる図7b2及びb3参照。また、熱処理の雰囲気は、金属電極11の酸化を防止するため、真空中又は窒素、アルゴン等不活性ガス中で行なうことが好ましい。さらに、熱処理中に圧力及び/又は電圧を加えながら加熱することが好ましい。これにより、図7b1~b3に示すごとく、金属電極11となる金属の焼結性を向上させることができ、金属元素αのサーミスタ10側への拡散117を促進させることができる。また、加熱温度を低下させることができるため、サーミスタ10および金属電極11への加熱によるダメージを低減できるだけでなく、加熱時間も短縮できる。これにより、図3に示すごとく温度センサ素子1を得た。このようにして得られた温度センサ素子1を上述したとおり図1に示すような温度センサ5に用いることで、温度センサ素子1におけるサーミスタ10と金属電極11との接合界面においてサーミスタ10の結晶粒界に積極的に金属電極11の成分を拡散させた拡散層12を形成されるため、高温の環境下において、耐熱性及び接合信頼性を確保することができると共に、抵抗値のばらつきがなくオーミックコンタクト性に優れるため、-50°C~1050°Cの広範囲の温度域においてほとんどばらつきなく温度の検出が可能なものにできる。温度センサ素子の他の実施形態1として、先ず上述の製造方法と同様に得られたサーミスタ10の高さ方向の対向する一対の面に、例えばCr-Fe合金ペースト110を印刷して熱処理を施す図7b1及びb2参照。この熱処理により、Cr-Fe合金ペースト110の全てを拡散させ拡散層12を形成する図8a参照。その後、図8aに示すごとく、拡散層12の表面上に例えばFe-Cr-Al合金からなる金属箔を接合して金属電極11を形成することもできる。これにより、拡散層12をより確実にばらつきを少なく形成するとともに、金属箔からなる金属電極11は耐酸化性が高く、金属電極11上に接合するリード線との接合強度も高くすることができる。また、他の実施形態2として、先ず上述の製造方法と同様にサーミスタ10の高さ方向の対向する一対の面に、例えばCr-Fe合金ペースト110を印刷して熱処理を施す図7b1及びb2参照。この熱処理により、Cr-Fe合金ペースト110の一部を拡散させ拡散層12とし、その一部を第1金属電極111として形成する図8b参照。その後、図8bに示すように、第1金属電極111上に例えばFe-Cr-Al合金からなる金属箔を接合して第2金属電極112を形成することもできる。このように金属電極を複数層に形成することで、拡散層12をより確実にばらつきを少なく形成するとともに、金属箔からなる金属電極11は耐酸化性が高く、金属電極11上に接合するリード線との接合強度も高くすることができる。上記Fe-Cr-Al合金としては、SUH21JISG4312等を採用することができる。SUH21は、Crを17~21質量、Alを2.0~4.0質量、Cを0.10質量以下、Siを1.50質量以下、Mnを1.0質量以下、Pを0.040質量以下、Sを0.030質量以下、Feを残部という組成を有するものである。ここで、温度センサ素子の試料を種々作製して、本発明の効果を確認するために各種評価を実施した。実験例1先ず評価用の試料X0、X1を準備した。本発明の温度センサ素子の試料である試料X1は、サーミスタ10として、平均粒径0.7μmの窒化珪素Si3N4粉末を63.4体積と、平均粒径0.2μmの炭化珪素SiC粉末30体積と、焼結助剤として平均粒径0.5μmの酸化イットリウムY2O3粉末6体積と、金属導電体として平均粒径0.4μmのTiB2粉末0.6体積とを混合し、エタノールを用いて24時間ボールミルで混合して混合原料を得た。次いで、上記混合原料を成形型に入れ、圧力20MPaで一軸プレス成形を行い、N2雰囲気、温度1850°C、プレス圧20MPaという条件でホットプレスを1時間行なった。これにより、縦1.0mm×横1.0mm×高さ0.5mmの直方体形状板状の焼結体からなるサーミスタ10を得た。次に、サーミスタ10の高さ方向の対向する一対の面に、Crを60質量、Feを40質量のCr-Fe合金ペースト110を約30μm程度の厚さで印刷した。合金粉末の平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定した値で5μmである。次に、温度400°Cで脱脂し、SPSSparkPlasmaSintering:熱処理時に圧力と電流を付与した焼結プロセスにて、サーミスタ10の表面に形成した合金ペースト110を30MPaで加圧しながら温度1150°Cで10分間保持する熱処理を施し、試料X1を得た。また、比較例の温度センサ素子試料である試料X0は、サーミスタ10として平均粒径0.7μmの窒化珪素Si3N4粉末を94体積と、焼結助剤として平均粒径0.5μmの酸化イットリウムY2O3粉末6体積とを混合し、上記と同様の方法にて焼結体を得た。次いで、サーミスタ10の表面に金属電極11となる合金ペーストを上記と同様の方法で印刷し、サーミスタ10の表面に形成した合金ペースト110を10MPaで加圧しながら温度1350°Cで10分間保持するホットプレスにて熱処理を施して接合した。これら試料X1および比較例試料X0を環状暗視野走査型透過電子顕微鏡ADF-STEMJEM-2100Fを使用による画像解析により金属電極とサーミスタとの境界面を中心に観察した。その結果を図10~図12に示す。図10aは本発明の試料X1の拡散層を示すADF-STEM画像、同図bはaにおける元素Cr分析結果であり、同図cはaにおける元素Fe分析結果である。また、図11は本発明の試料X1の金属電極とサーミスタの境界部分の拡散層の様子を示すモデル図、図12は比較例の試料X0の金属電極とサーミスタの境界部分の拡散層の様子を示すモデル図である。図10及び図11からわかるように、本発明の試料X1は、窒化珪素Si3N4の結晶粒101と、炭化珪素SiCの粒子102とを有し、これら結晶粒の間の結晶粒界105に金属元素αであるFeシリサイド107、Crシリサイド106が形成されており、これらFeシリサイド107、Crシリサイド106は、窒化珪素Si3N4の結晶粒101間の結晶粒界105中に存在する炭化珪素SiC粒子102を取り込む形で形成されている。これらFeシリサイド107、Crシリサイド106の拡散は金属電極11との境界面よりある程度の深さまで存在しているが、図11に示すように、一部破線で囲んだ領域炭化珪素SiC粒子が存在せず、かつ結晶粒界が極めて狭い領域のように未拡散領域108も備えている。しかし、一定深さまで到達すると、結晶粒界中には炭化珪素SiC粒子102しか存在せず、Feシリサイド107、Crシリサイド106は見られない。この境界が拡散層12とサーミスタ10との界面である。なお、図11では金属元素αシリサイドであるFeシリサイド107およびCrシリサイド106上にSiC粒子102が配置されているように図示したが、図10aより判るようにSiC粒子はFeシリサイド、Crシリサイド内に取り込まれた状態で存在する。これに対し、図12に示すように、比較例の試料X0は、窒化珪素Si3N4の結晶粒101と、その間の結晶粒界105を備え、これら結晶粒101や結晶粒界105に金属元素αであるFeシリサイド107と、Crシリサイド106が形成されている。しかし、これらFeシリサイド107、Crシリサイド106は金属電極11とサーミスタ10の界面付近の微小領域にのみに拡散して形成されており、拡散状態に大きなばらつきが発生することが判った。また、比較例の試料X0は1350°Cで熱処理しているため、金属電極11が酸化してしまい金属電極11の抵抗値が上昇していることが判った。一方で、酸化を抑制するために熱処理温度を低くした例えば、試料X1と同じ1150°Cとした場合は、拡散層が全く形成されないため、接合強度を確保することはできないことも判った。実験例2先ず評価用の試料X1~10を準備した。試料X1は、サーミスタ10として、平均粒径0.7μmの窒化珪素Si3N4粉末を63.4体積と、平均粒径0.2μmの炭化珪素SiC粉末30体積と、焼結助剤として平均粒径0.5μmの酸化イットリウムY2O3粉末6体積と、金属導電体として平均粒径0.4μmのTiB2粉末0.6体積とを混合し、エタノールを用いて24時間ボールミルで混合して混合原料を得た。次いで、上記混合原料を成形型に入れ、圧力20MPaで一軸プレス成形を行い、N2雰囲気、温度1850°C、プレス圧20MPaという条件でホットプレスを1時間行なった。これにより、縦1.0mm×横1.0mm×高さ0.5mmの直方体形状板状の焼結体からなるサーミスタ10を得た。次に、サーミスタ10の高さ方向の対向する一対の面に、Crを60質量、Feを40質量のCr-Fe合金ペースト110を約30μm程度の厚さで印刷した。合金粉末の平均粒径は、レーザ回折式粒度分布測定装置にて測定した値で5μmである。次に、温度400°Cで脱脂し、SPSSparkPlasmaSintering:熱処理時に圧力と電流を付与した焼結プロセスにて、サーミスタ10の表面に形成した合金ペースト110を30MPaで加圧しながら温度1150°Cで10分間保持する熱処理を施し、試料X1を得た。また、本例においては、合金ペーストの金属種を変えてさらに7種類の温度センサ素子試料X2~試料X8を作製した表1参照。なお、金属電極11となる合金ペーストの材質の違いを除いては上記試料X1と同様にして作製したものである。試料X2は、Cr粉末ペーストを、試料X3は、Cr-10Ti合金粉末ペーストを、試料X4は、Fe-25Cr-5Al合金粉末ペーストを、試料X5は、Fe-20Ni-25Cr合金粉末ペーストを、試料X6は、Ni-15.5Fe-8.5Cr合金粉末ペーストを、試料X7は、W粉末ペーストを、試料X8は、Pt粉末ペーストを、それぞれ印刷形成して作製した温度センサ素子である。これら試料X1~X8に以下の各種評価を実施した。表1は各試料の温度センサ素子における金属電極の線膨張係数を示す。線膨張係数は、熱機械分析装置を用い、恒温保持測定方法JISZ2285に基づいて測定した。次に、上記試料X1~X8の温度センサ素子について、以下のようにして接合信頼性、耐熱性、オーミックコンタクト性の評価を行なった。接合信頼性各試料試料X1~X8を温度1050°Cで2分間保持し、次いで常温約25°Cで2分間保持するという冷熱サイクルを1サイクルとし、この冷熱サイクルを1000サイクル繰り返し行なった冷熱サイクル試験。次いで、金属電極の剥離や、金属電極及びサーミスタにおけるクラックの発生を拡大顕微鏡外観及び金属顕微鏡断面にて観察した。剥離及びクラックが認められなかったものを○として評価し、大きな剥離又はクラックが認められたものを×として評価し、剥離又はクラックが認められるがその程度が小さいものを△として評価した。その結果を表1に示す。耐熱性各試料試料X1~X8を温度1050°Cの高温炉に500時間放置した高温放置試験。その後、金属電極及び拡散層における溶融や酸化の有無を金属顕微鏡による断面観察により調べた。そして、高温炉での加熱後に加熱前に比べて酸化及び溶融等の変化が認められなかったものを○として評価し、大きな溶融や酸化が認められたものを×として評価し、溶融又は酸化が認められるがその程度が小さいものを△として評価した。その結果を表1に示す。オーミックコンタクト性新品および上記接合信頼性、耐熱性の試験を行った後の各試料について、サーミスタの抵抗を測定した。新品については、金属電極を接合する前のサーミスタそのものの抵抗に対する接合後のサーミスタの抵抗変化率が5以下のものを○として評価し、100以上のものを×として評価し、5を超えかつ100未満のものを△として評価した。また、上記接合信頼性の試験及び耐熱性の試験前後におけるサーミスタの抵抗変化率が5以下のものを○として評価し、100以上のものを×として評価し、5を超えかつ100未満のものを△として評価した。その結果を表1に示す。なお、評価対象となる抵抗変化率試験後は、接合信頼性の試験冷熱サイクル試験と、耐熱性の試験高温放置試験のうち変化率が大きいものを対象とした。表1に示すように、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素であるFeとを含有し、かつ線膨張係数が11×106/°C以下の金属電極、即ちCr-Fe合金からなる金属電極を形成した試料X1は、接合信頼性、耐熱性、及びオーミックコンタクト性のいずれの特性にも優れていた。ところで、図6は、本例の評価結果を基に各金属電極用金属、及び拡散層として形成される金属シリサイド層の耐熱温度及び線膨張係数をまとめたグラフである。Crを採用した試料X2においては、線膨張係数がサーミスタの線膨張係数4.5×106/°Cに近く熱応力を低減できると考えられるが、冷熱サイクル試験にて剥離が認められた。これは、図6に示す通り拡散層として形成されたCrシリサイドの線膨張係数が大きいためであり、適切な拡散層を形成しなければ接合信頼性を満足できないということである。また、高温放置試験においては電極であるCrの酸化が認められ、耐熱性を十分に満足できないことが分かった。オーミックコンタクト性についても電極剥離および電極酸化により抵抗値が変化しており、温度センサ素子としての機能を十分に満足することができない。これに対し、Cr-Fe合金を採用した試料X1は、表1に示すように接合信頼性、耐熱性、及びオーミックコンタクト性の全てが優れている。これは、図5に示す通り、Crに、CrよりもSiの拡散係数の小さいFeを添加し、拡散層にCrシリサイドだけでなく低熱膨張であるFeシリサイドを形成させることにより、拡散層の線膨張係数を小さくできると共にCrの酸化を抑制できるためである。これにより金属電極の剥離および酸化を防止することができ、さらに、冷熱サイクル試験高温放置試験後においてもオーミックコンタクト性を十分に確保することができる。確実に適切な拡散層を形成するためのポイントは、上述のごとくSiの拡散係数がCrよりも高い元素を添加することである。図6に示すごとく、FeはSiの拡散係数がCrよりも高い。そのため、Cr-Fe合金を電極材料とした場合、確実にFeシリサイドを形成することができる。一方、Siの拡散係数がCrよりも低い元素であるTiを添加した場合、拡散層の大半がCrシリサイドで形成されてしまい、適切な拡散層が得られない。実際、表1から知られるごとく、Cr-Ti合金を用いた試料X3においては、接合信頼性を十分に確保できないことがわかる。また、表1より知られるごとく、Fe-Cr-Al合金を採用した試料X4、Fe-Ni-Cr合金を採用した試料X5、及びNi-Fe-Cr合金を採用した試料X6については、Siの拡散係数がCrよりも高い元素Feが添加されているため、確実に適切な拡散層が形成されており、新品のオーミックコンタクト性に優れている。しかしながら、冷熱サイクル試験にて剥離が発生し、接合信頼性を十分に満足できない。これは、拡散層としてFeシリサイドが形成されるものの金属電極自体の線膨張係数が大きく、熱応力を十分に抑制できないためである。また試料X5及び試料X6は、拡散層としてFeシリサイドだけでなくNiシリサイドが形成されるが、図6に示すようにNiシリサイドは耐熱温度が低いため、耐熱性も満足することができない。試料X7は、線膨張係数がサーミスタの線膨張係数とほぼ一致しているため、熱応力が極めて小さく接合信頼性は満足できる。しかしながら、図6に示すように、電極であるW自体の耐酸化温度が低いため、電極が大きく酸化してしまい耐熱性を満足することができず、抵抗値が大きく変化した。Ptを採用した試料X8についても、線膨張係数は比較的サーミスタの線膨張係数に近いため、熱応力が小さく接合信頼性は満足できる。しかしながら、図6に示すように、電極であるPt自体の耐熱温度は高いものの、拡散層として形成されるPtシリサイドの耐熱温度が低いため、耐熱性を満足できなかった。このように、本発明の温度センサ素子試料X1においては、高温の環境下において、耐熱性及び接合信頼性を確保することができると共に、オーミックコンタクト性に優れ、ほとんどばらつきなく安定して温度の検出が可能になることが判った。実験例3本実験例ではCrとFeの配合比が異なる金属電極を形成したときの、温度センサ素子の特性の変化を検討する。本実験例においては、後述の表2に示すごとく、CrとFeの配合比が異なる合金粉末を用いて7種類の温度センサ素子試料X9~X15を作製した。なお、金属電極11となる合金ペーストの材質の違いを除いては上記試料X1と同様にして作製したものである。試料X9はCr-5Fe合金粉末のペーストを、試料X10はCr-10Fe合金粉末のペーストを、試料X11はCr-25Fe合金粉末のペーストを、試料X12はCr-40Fe合金粉末のペーストを、試料X13はCr-55Fe合金粉末のペーストを、試料X14は、Cr-70Fe合金粉末のペーストを、試料X15は、Cr-85Fe合金粉末のペーストを、それぞれ印刷形成して作製した温度センサ素子である。これらの各試料試料X9~試料X15について、実施例1と同様に、金属電極の線膨張係数を測定し、さらに接合信頼性、耐熱性、及びオーミックコンタクト性の評価を行なった。その結果を表2に示す。また、高温放置試験耐熱性評価における試験前後の酸化増加量率と、Cr-Fe合金におけるFe配合割合質量との関係を図13に示す。酸化増量率は、高温放置試験前後の各試料の重量を測定し、酸化増量率=試験後の重量-試験前の重量/試験前の重量という式に基づいて算出した。表2より、金属電極にFeを10~70質量含有するCr-Fe合金を採用した試料X10~X14においては、全ての評価項目を満足することがわかる。これに対し、Cr-5Fe合金を採用した試料X9、及びCr-85Feを採用した試料X15においては、少なくとも耐熱性が低下することがわかる。これは、図13に示すように、Cr-Fe合金においてFeの配合割合が10質量未満の場合、及び70質量を超える場合には、金属電極自体が酸化してしまうためである。また、表2より知られるごとく、Cr-85Fe合金を採用した試料X15においては、冷熱サイクル試験にてわずかに金属電極の剥離が認められた。これは、Cr-85Fe合金自体の線膨張係数が大きく、熱応力を十分に抑制できないためである。一方、Cr-70Fe合金を採用した試料X14においては、接合信頼性が確保されていることから、線膨張係数が11×106/°C以下であれば熱応力を十分に抑制でき、接合信頼性を満足できると考えられる。また、本例においては、Cr-40Fe合金にAlを配合したときの耐酸化性向上効果を検討した。その結果を図14に示す。図14に示すように、Alを0.5質量以上添加すれば酸化増量を抑制でき、電極の耐熱性を向上できることが分かる。また、Al配合量を7質量より多くしても効果は変わらず加工性が悪化する傾向にあるため、Al配合量は7質量以下が好ましい。図14においては、Cr-40Fe合金の例を示しているが、Feの配合割合が10質量Cr-10Fe合金から70質量Cr-70Fe合金の範囲において同様の結果であることを確認している。なお、耐熱性だけでなく接合信頼性、及びオーミックコンタクト性も十分に満足できる。実験例4ここでは、金属電極の厚み及び拡散層の厚みの異なる15種類の温度センサ素子試料X16~X30を作製し、その特性の変化を検討する。具体的には、金属電極の厚み及び拡散層の厚みが後述の表3に示す値となるように合金粉末ペーストの塗布量及び加熱時間を変更し、実施例1と同様にして試料X16~X30の温度センサ素子を作製した。各試料試料X16~X30は、金属電極の厚み及び拡散層の厚みを変更した点を除いては実施例1の試料X1と同様にして作製した温度センサ素子である。金属電極11の厚みt1及び拡散層12の厚みt2は、走査型電子顕微鏡SEM観察により求めることができる後述の図15a参照。各試料試料X16~X30について、実施例1と同様にして、接合信頼性、耐熱性、及びオーミックコンタクト性の評価を行なった。その結果を表3に示す。表3に示すように、金蔵電極の厚みが1~2μm、拡散層の厚みが1~2μmである試料X16においては、接合信頼性が不十分であった。これは、金属電極膜の厚みが小さすぎて、金属電極自体の強度が不足してしまい、熱ストレスにより電極自体にクラックが発生してしまったからである。また耐熱性も十分に満足することができないが、これは金属電極の厚みが小さすぎて、金属電極表面からの酸化がサーミスタまで進行してしまったためである。その結果、抵抗値が大幅に上昇し、オーミックコンタクト性を確保できなくなる。一方、金属電極の厚みが110μmを超えて大きい試料X28、及び金属電極と拡散層の厚みが110μmを超えて大きい試料X29及び試料X30においては、耐熱性は満足できるものの接合信頼性は十分に満足できない。これは、接合界面へのストレスが増大し、サーミスタにクラックが発生したためである。これに対し、金属電極及び拡散層の厚みが3~110μmである試料X17~X27は、冷熱サイクル試験及び高温放置試験後であっても剥離クラック、酸化等の問題がなくオーミックコンタクト性を満足していた。次に、試料X19の温度センサ素子について、その金属電極とサーミスタとの接合界面の状態を調べた。具体的には、試料X19の上記接合界面を走査型電子顕微鏡SEMで観察し、その結果を図15aに示す。また、Si、Cr、Feについてエネルギー分散型蛍光X線分析EDXを行い、Siについての結果を図15bに、Crについての結果を図15cに、Feについての結果を図15dにそれぞれ示す。図15aに示すごとく、試料X19における接合界面には、拡散層12が形成されており、金属電極11とサーミスタ10とが拡散接合されていることがわかる。また、図15b~dに示すごとく、金属電極11とサーミスタ10との接合界面においては、サーミスタ成分であるSiと金属電極成分であるCr及びFeが拡散して、Crシリサイド及びFeシリサイドからなる金属シリサイドが形成されていることがわかる。なお、本発明の実施例は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しなければ種々の変更は可能である。