作業室に収容される反応室を開放する反応室開放方法であって、前記反応室へガスを導入して前記反応室の圧力を昇圧する工程と、前記反応室と前記作業室との圧力差が所定値以下になるまで前記反応室の圧力を昇圧した後に前記反応室からガスを排気しながら前記反応室と前記作業室とを連通する工程と、前記反応室と前記作業室とを連通した後に前記反応室を開放する工程と、を含むことを特徴とする反応室開放方法。前記反応室からガスを排気しながら前記反応室と前記作業室とを連通する工程は、前記反応室と前記作業室との圧力差が所定値以下となるときに前記反応室からガスを排気するための排気路に設けられる排出弁を開き、前記反応室と前記作業室とを連通して均圧にするための均圧路に設けられる均圧弁を開くことを特徴とする請求項1に記載の反応室開放方法。前記均圧弁を開いた後前記反応室を開放する前に前記排出弁を閉じる工程と、前記反応室を開放した後に前記排出弁を開く工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の反応室開放方法。前記作業室へ導入するガスの量に基づいて前記反応室から排気するガスの量を調整することを特徴とする請求項1から3の何れか1つに記載の反応室開放方法。前記反応室を開放するときに前記反応室へガスを導入することを特徴とする請求項1から4の何れか1つに記載の反応室開放方法。前記反応室へ導入するガスの量及び前記作業室へ導入するガスの量に基づいて前記反応室から排気するガスの量を調整することを特徴とする請求項5に記載の反応室開放方法。反応室を開放する反応室開放方法であって、前記反応室内へガスを導入して前記反応室内の圧力を昇圧する工程と、前記反応室内と前記反応室外との圧力差が所定値以下になるまで前記反応室内の圧力を昇圧した後に前記反応室内からガスを排気しながら前記反応室内と前記反応室外とを連通する工程と、前記反応室内と前記反応室外とを連通した後に前記反応室を開放する工程と、を含むことを特徴とする反応室開放方法。前記反応室内からガスを排気しながら前記反応室内と前記反応室外とを連通する工程は、前記反応室内と前記反応室外との圧力差が所定値以下となるときに前記反応室内からガスを排気するための排気路に設けられる排出弁を開き、前記反応室内と前記反応室外を連通して均圧にするための均圧路に設けられる均圧弁を開くことを特徴とする請求項7に記載の反応室開放方法。前記均圧弁を開いた後前記反応室を開放する前に前記排出弁を閉じる工程と、前記反応室を開放した後に前記排出弁を開く工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の反応室開放方法。前記反応室を開放するときに前記反応室へガスを導入することを特徴とする請求項7から9の何れか1つに記載の反応室開放方法。前記反応室へ導入するガスの量に基づいて前記反応室から排気するガスの量を調整することを特徴とする請求項10に記載の反応室開放方法作業室に収容される反応室を備える気相成長装置であって、前記作業室の圧力を第1の圧力から第2の圧力の範囲に調整する圧力調整手段と、前記反応室と前記作業室を連通して前記反応室の圧力を前記作業室の圧力と等しくするための均圧手段と、前記反応室と前記作業室とを連通するときにガスを排気して前記反応室からパーティクルを排出するための排気手段と、前記反応室を開放するための開放手段と、を備えることを特徴とする気相成長装置。前記排気手段は前記反応室の圧力と前記第1の圧力との差が所定値以下のときに開かれる排出弁を有することを特徴とする請求項12に記載の気相成長装置。前記排気手段は前記作業室へ導入するガスの量に基づいて前記反応室から排気するガスの量を調整するための流量調整弁をさらに備えることを特徴とする請求項12又は13に記載の気相成長装置。前記排気手段は前記反応室へ導入するガスの量及び前記作業室へ導入するガスの量に基づいて前記反応室から排気するガスの量を調整するための流量調整弁をさらに備えることを特徴とする請求項12又は13に記載の気相成長装置。特許文献1は、反応室と作業室との圧力差を無くしてから反応室を開放し、反応室を開放するときのパーティクルの発生を抑制している。しかし、均圧弁を開くときは反応室と作業室との間に圧力差があり、この圧力差に起因してパーティクルが発生し反応室又は作業室へ拡散してしまうという問題が生じる。また、特許文献1は、反応室を開放した後、成膜処理の終えた基板を反応室から取り出すため、基板が装填されたポートを反応室から取り出す必要があるが、基板を取り出すためポートを移動させる装置の動作による振動によって、パーティクルが発生するという問題が生じる。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、パーティクルの発生及び拡散を抑制する、反応室開放方法、気相成長装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の反応室開放方法は、作業室に収容される反応室を開放する反応室開放方法であって、反応室へガスを導入して反応室の圧力を昇圧する工程と、反応室と作業室との圧力差が所定値以下になるまで反応室の圧力を昇圧した後に反応室からガスを排気しながら反応室と作業室とを連通する工程と、反応室と作業室とを連通した後に反応室を開放する工程と、を含むことを特徴としている。反応室からガスを排気しながら反応室と作業室とを連通する工程は、反応室と作業室との圧力差が所定値以下となるときに反応室からガスを排気するための排気路に設けられる排出弁を開き、反応室と作業室を連通するための均圧路に設けられる均圧弁を開くことが好ましい。均圧弁を開いた後反応室を開放する前に排出弁を閉じる工程と、反応室を開放した後に排出弁を開く工程と、をさらに含むことが好ましい。作業室へ導入するガスの量に基づいて反応室から排気するガスの量を調整することが好ましい。反応室を開放するときに反応室へガスを導入することが好ましい。反応室へ導入するガスの量及び作業室へ導入するガスの量に基づいて反応室から排気するガスの量を調整することが好ましい。本発明の反応室開放方法は、反応室内へガスを導入して反応室内の圧力を昇圧する工程と、反応室内と反応室外との圧力差が所定値以下になるまで反応室内の圧力を昇圧した後に反応室内からガスを排気しながら反応室内と反応室外とを連通する工程と、反応室内と反応室外とを連通した後に反応室を開放する工程と、を含むことを特徴としている。反応室内からガスを排気しながら反応室内と反応室外とを連通する工程は、反応室内と反応室外との圧力差が所定値以下となるときに反応室内からガスを排気するための排気路に設けられる排出弁を開き、反応室内と反応室外を連通するための均圧路に設けられる均圧弁を開くことが好ましい。均圧弁を開いた後反応室を開放する前に排出弁を閉じる工程と、反応室を開放した後に排出弁を開く工程と、をさらに含むことが好ましい。反応室を開放するときに反応室へガスを導入することが好ましい。反応室へ導入するガスの量に基づいて反応室から排気するガスの量を調整することが好ましい。本発明の気相成長装置は、作業室に収容される反応室を備える気相成長装置であって、作業室の圧力を第1の圧力から第2の圧力の範囲に調整する圧力調整手段と、反応室と作業室を連通して反応室の圧力を作業室の圧力と等しくするための均圧手段と、反応室と作業室とを連通するときにガスを排気して反応室からパーティクルを排出するための排気手段と、反応室を開放するための開放手段と、を備えることを特徴としている。排気手段は反応室の圧力と第1の圧力との差が所定値以下のときに開かれる排出弁を有することが好ましい。排気手段は作業室へ導入するガスの量に基づいて反応室から排気するガスの量を調整するための流量調整弁をさらに備えることが好ましい。排気手段は反応室へ導入するガスの量及び作業室へ導入するガスの量に基づいて反応室から排気するガスの量を調整するための流量調整弁をさらに備えることが好ましい。本発明によれば、パーティクルの発生及び拡散を抑制して反応室を開放する反応室開放方法、及び気相成長装置を提供することができる。以下、本発明の実施例1について図1から図4に基づいて説明する。図1は実施例1の気相成長装置100の概要を示すブロック図である。気相成長装置100は、反応室101を作業室102に収容し、第1導入部103によって反応室101へガスを導入し、反応室101内の基板へ化合物半導体結晶の薄膜を生成する。反応室101内のガスやパーティクルは排気部104から排気される。気相成長装置100は第2導入部105によって作業室102へガスを導入して反応室101を大気から隔離し、圧力調整部106によって作業室102の圧力を調整している。薄膜が生成された基板は均圧部107によって反応室101と作業室102の圧力を均圧にした後、反応室101を開放して取り出される。気相成長装置100は、圧力検出部108によって反応室101の圧力を監視し、圧力検出部109によって作業室102の圧力を監視し、制御部110によって各部を制御する。反応室101は、反応室開放部101aと反応室本体101bから成る化合物半導体を成長させるための空間である。基板は反応室本体101bに配置され、反応室本体101bの開口部は反応室開放部101aで蓋をされる。薄膜生成後、開放手段図示せずによって反応室開放部101aを操作することで反応室101は開放され、処理の終えた基板が取り出される。作業室102は反応室101内に不純物が混入しないように大気から隔離した状態で、反応室101への基板の挿入や反応室101からの基板の取り出し、反応室101のメンテナンス等の作業を行うための空間である。反応室101の全体が作業室102に収容される必要は無く、反応室開放部101a及び反応室本体101bの開口部が作業室102に収容されていればよい。第1導入部103は反応室101に接続される導入路103aと第1ガス供給部103bを有し、反応室101へガスを導入する導入手段である。第1ガス供給部103bは反応ガス源、不活性ガス源、及び各種ガスの導入、停止、又は流量の制御を行うための弁を有し、第1導入部103は導入路103aを介して反応ガス、不活性ガス、又はこれらの混合ガスを導入する。第2導入部105は作業室102に接続される導入路105aと第2ガス供給部105bを有し、作業室102へガスを導入する導入手段である。第2ガス供給部105bは不活性ガス源及び不活性ガスの導入、停止、又は流量の制御を行うための弁を有し、第2導入部105は導入路105aを介して作業室102へ不活性ガスを導入する。反応ガスは、トリメチルガリウムTMG又はトリメチルアルミニウムTMA等の有機金属ガスと、アンモニアNH3、ホスフィンPH3、又はアルシンAsH3等の水素化合物ガスとの混合物であり、これら反応ガスは窒素N2等のキャリアガスと共に反応室101へ導入される。不活性ガスは窒素N2、水素H2、又はアルゴンAr等である。排気部104は反応室101に接続される排気路111と、排気路111に設けられる排気弁112と、除外部113を有し、反応室101からガスを排気する排気手段である。除外部113は排気路111を介して反応室101からガスを吸引して大気中へ排気する。このとき、反応室101からはガスと共にパーティクルも排出される。圧力調整部106は作業室102に設けられ、作業室102からガスの排気を行い作業室102の圧力を所定の範囲に調整する圧力調整手段であり、作業室102の圧力が上限値に達すると作業室102内の不活性ガスの排気を開始し下限値になると排気を停止することで作業室102の圧力を所定の範囲に調整している。圧力調整部106の下限値を第1の圧力とし、上限値を第2の圧力とすると、作業室102の圧力は第1の圧力から第2の圧力の範囲に調整される。均圧部107は反応室101と作業室102を連通する均圧路107aと均圧路107aに設けられる均圧弁107bを有し、反応室101と作業室102を連通して圧力を均圧にする均圧手段である。圧力検出部108と圧力検出部109はそれぞれ反応室101と作業室102の圧力を検出する圧力検出手段である。制御部110は圧力検出部108と圧力検出部109から検出信号を受信し、反応室101と作業室102の圧力に基づいて第1ガス供給部103b、均圧弁107b、及び排気弁112を制御する。第2導入部105は作業室102へ常に一定の導入量でガスを導入しているが、制御部110によって反応室101や作業室102の圧力に基づいて導入量を制御してもよい。同様に、除外部113は常に一定の排気量でガスを排気しているが、制御部110によって排気量を制御してもよい。また、圧力調整部106は作業室102の圧力を自動で調整するが、制御部110によって排気の開始と停止を制御して圧力を調整してもよい。気相成長装置100は反応室101と作業室102の圧力差を検出する差圧検出手段を備えていてもよく、制御部110は差圧検出手段から検出信号を受信して各部へ制御信号を送ってもよい。図2は実施例1の気相成長装置の構造を説明するための説明図である。ただし、制御部110は図示していない。反応室101は反応室開放部101aと上方が開口した反応室本体101bから形成され、反応室開放部101aを反応室本体101bの開口部にOリング114を介して装着することで、反応室101は密封される。反応室開放部101a及び反応室本体101bは耐食性に優れている材料から構成され、例えばステンレスで構成される。昇降装置115は反応室開放部101aの昇降を行い、反応室開放部101aを上昇させて反応室101を開放する開放手段である。反応室開放部101aは導入路103aが接続され、第1ガス供給部103bから反応ガスや不活性ガスが導入される。接続される導入路103aは1つでもよく、複数でもよい。また、反応室開放部101aはシャワープレート116を備え、導入されたガスをシャワープレート116によって均一に拡散させて供給する。反応室101は圧力検出部108によって内部の圧力が計測されている。反応室本体101bは円盤状のサセプタ117を収容し、サセプタ117は基板ホルダ118を備える。サセプタ117は基板ホルダ118を複数備えていてもよいが、サセプタ117と同心円状に1つの基板ホルダ118を備えていてもよい。サセプタ117の底部中心にはサセプタ117を回転させるための回転駆動軸119が設けられる。また、サセプタ117の下方には、ヒータ120がサセプタ117と同心円状に設けられる。薄膜が生成される基板は基板ホルダ118に配置される。作業室102は、反応室101を大気から隔離して作業するための空間であり、例えばグローブボックスやクリーンルームである。作業室102は導入路105aが接続され、第2ガス供給部105bから不活性ガスが導入されて反応室101を大気から隔離している。また、作業室102は圧力調整部106によって圧力を所定の範囲に調整されている。圧力調整部106は例えばオイルバブラーであり、作業室102の圧力が設定値第1の圧力から上昇していくと作業室102に接続される排気路121を介して不活性ガスの排気を開始する。不活性ガスの排気によって作業室102の圧力は低下し、圧力が設定値に戻ると圧力調整部106は不活性ガスの排気を停止する。作業室102は第2ガス供給部105bから常に不活性ガスが導入されるため、排気を止めると作業室102の圧力は再び上昇する。圧力調整部106が排気を開始する圧力を第2の圧力とすると、排気の開始と停止を繰り返すことで、圧力調整部106は作業室102の圧力を第1の圧力から第2の圧力の範囲に調整し、例えば、101.3[kPa]から101.6[kPa]の範囲に調整する。圧力調整部106は作業室102の圧力が設定の上限値に達すると排気を開始し、下限値に達すると排気を停止するような電磁弁でもよい。作業室102は圧力検出部109によって内部の圧力が計測されている。排気部104は、反応室101に接続される排気路111と、排気路111に設けられる排気弁112、フィルタ122、及び除外部113を有する。除外部113は排気路111を介して反応室101からガスを吸引して大気中へ排気する。反応室101は複数の排気口を有し、該排気口から排気路111を介して反応ガスや不活性ガスが排気される。また、パーティクルは排気されるガスとともに排出され、フィルタ122によってトラップされる。反応室101の複数の排気口にそれぞれ排気路111が接続され、複数の排気路111が1つに合流してもよいが、反応室101は1つの排気口を有し、1つの排気路111が反応室101に接続されていてもよい。排気路111は、例えばステンレス等から成り、主排気路111a、副排気路111b、及び過加圧防止路111cを含む。また、排気弁112は主排気弁112a、排出弁112b、過加圧防止弁112c、及び流量調整弁112dを含む。主排気路111aは主排気弁112aと真空ポンプ123が設けられ、真空ポンプ123は主排気路111aを介して反応室101を減圧状態にするための荒引きを行う。副排気路111bは排出弁112bと流量調整弁112dが設けられ、流量調整弁112dによってガスの流量が調整される。副排気路111bの流量は予め設定されていてもよいが、任意に変更できるようにしてもよい。過加圧防止路111cは過加圧防止弁112cが設けられ、反応室101の圧力が異常高圧となった場合に用いられる。即ち、過加圧防止弁112cは反応室101の圧力が異常高圧となったときに開かれ、反応室101からガスを強制的に排気して反応室101の圧力を通常状態に戻す。均圧路107aは例えばステンレス等から成り、一端が反応室本体101bに接続され、他端が作業室102に接続され、均圧弁107bを開くことで反応室101と作業室102を連通する。反応室101と作業室102は均圧路107aを介して連通されていればよく、例えば均圧路107aの一端が排気路111に接続され、他端が排気路121に接続されていてもよい。また、均圧路107aは作業室102内の反応室本体101bの壁面に設けられる通気口などでもよい。均圧弁107bを開くとき、排出弁112bが開かれ除外部113よりガスが吸引されているため、第2導入部105が作業室102へ導入する不活性ガスは、作業室102から均圧路107aを介して反応室101へ流入し、副排気路111bを介して排気される。即ち、作業室102→均圧路107a→反応室101→排気路111副排気路111bの気流により不活性ガスは排気される。このとき、副排気路111bの排気量が第2導入部105の導入量よりも大きいと、作業室102の圧力が第1の圧力よりも小さくなるため、副排気路111bの排気量は流量調整弁112dによって第2導入部105の導入量以下となるように調整されている。図3は反応室101が開放されたときの気流を説明するための説明図である。反応室101は、Oリング114による密封を解除し昇降装置115が反応室開放部101aを上昇させることで開放される。反応室101を開放するための反応室開放部101aの移動によってパーティクルが発生する。パーティクルの発生を抑制するため、反応室開放部101aは、振動抑制のために等速度で上昇することが好ましく、加速度0.25[mm/s2]の後に等速度5[mm/s]で上昇する。密封を解除した直後に反応室開放部101aの上昇を一旦停止し、再度上昇を開始してもよい。気流124は反応室101が開放されたときの反応室101及び作業室102内のガスの流れを表している。即ち、導入路105aから作業室102へ導入されている不活性ガスは、作業室102→反応室本体101bの開口部→反応室本体101b→排気路111副排気路111bの気流で排気される。均圧路107aの断面積は反応室101の開口面積よりも十分小さいため、作業室102から反応室101への不活性ガスの流れは、反応室101を開放する前の均圧路107aを通る気流から反応室本体101bの開口部を通る気流へ自然に切り替わる。そのため、反応室開放部101aの移動による振動で発生するパーティクルは気流124で排気部104へ運ばれて排出され、パーティクルの拡散が抑制される。次に、気相成長装置100を用いて薄膜を生成する方法を説明する。薄膜を生成するとき、反応室101はガスが排気され、圧力が減圧環境約10~60[kPa]に維持される。そのため、まず、主排気弁112aを開き、真空ポンプ123によって450[L/min]のガス排気を行う。反応室101が減圧環境になると、第1導入部103は反応ガスを導入する。このとき、基板ホルダ118に配置された基板はヒータ120によって所定温度に加熱され、回転駆動軸119によってサセプタ117と共に回転される。導入された反応ガスは加熱された基板上で気相反応を起こし、薄膜を形成する。基板は、半導体基板、ウエハ、ガラス基板、サファイア基板等が用いられる。例えば、反応ガスとしてトリメチルガリウムTMGとアンモニアNH3を導入して気相成長させると、基板上に窒化ガリウムGaNが生成される。薄膜生成後、反応ガスの導入を停止するが反応室101内には反応ガスが残っているため、真空ポンプ123によって主排気路111aを介して反応室101内の反応ガスを排気する。反応ガスの排気は反応室101の圧力が十分小さくなるまで行い、このときの反応室101の圧力を例えば1.0×10-2[kPa]とする。次に、図4に基づいて、反応ガスを排気して圧力を小さくした反応室101から処理を終えた基板を取り出すために、反応室101を開放するまでの反応室開放方法を説明する。まず、第1導入部103は反応室101へ不活性ガスの導入を開始して反応室101の圧力を昇圧するステップS101。このとき、排気部104は反応室101からガスの排気を行っていなくてもよいが、不活性ガスの導入量よりも小さい排気量で排気を行ってもよい。排気を行いながら不活性ガスを導入することで、気流の流れを最小限にして、パーティクルの拡散を抑制しながら昇圧することができるため、ここでは主排気弁112aの開度を調整し、主排気路111aを介して不活性ガスの導入量よりも小さい排気量で排気する。不活性ガスの導入は反応室101の圧力が作業室102の圧力と略等しくなるまで行う。このときの反応室101と作業室102の圧力差P1を予め設定し、反応室101と作業室102の圧力差がP1以下になるまで不活性ガスの導入を続けるステップS102でNO。制御部110は圧力検出部108と圧力検出部109の検出値から圧力差を判断する。また、制御部110は圧力検出部108の検出値と第1の圧力又は第2の圧力との圧力差を監視してもよい。ここでは、作業室102の圧力が圧力調整部106によって101.3[kPa]大気圧から101.6[kPa]の範囲に調整され、圧力検出部108が100[kPa]と検出するまで不活性ガスを導入する。反応室101と作業室102の圧力差がP1以下になるとステップS102でYES、不活性ガスの導入を停止するステップS103。ステップS101で不活性ガスの導入と同時に主排気路111aを介して不活性ガスの排気を行っていた場合、不活性ガス導入停止と同時に主排気弁112aを閉じて不活性ガスの排気も停止する。ここで、仮にP1を0[kPa]に設定し、圧力検出部108と圧力検出部109の検出値が等しいときに不活性ガスの導入を停止しても、圧力検出部108と圧力検出部109の特性値のばらつきにより、圧力差が生じる。また、制御部110は、圧力検出部108と圧力検出部109からの検出信号を受信し、反応室101と作業室102の圧力差が0になったときに第1ガス供給部103b及び主排気弁112aへ導入停止及び排気停止を行うための制御信号を送信したとしても、第1ガス供給部103bが該制御信号を受信し不活性ガス導入を停止するタイミングと、主排気弁112aが該制御信号を受信し不活性ガス排気を停止するタイミングは、応答の違い等によりずれてしまい、圧力差が生じる。そのため、この段階で反応室101を開放すると、反応室101と作業室102の圧力差によって衝撃や振動が発生し、この衝撃や振動によってパーティクルが発生する。さらに、不活性ガスの導入及び排気を停止した状態では反応室101の圧力は一定となるが、作業室102の圧力は第1の圧力から第2の圧力の範囲で変動するため、反応室101を開放するタイミングによっても、反応室101と作業室102の間には圧力差が生じる。そこで、反応室101と作業室102の圧力差をP1以下とした状態で、排出弁112bを開き、均圧弁107bを開き、反応室101と作業室102を連通するステップS104。このとき、排出弁112bと均圧弁107bは同時に開いてもよいが、排出弁112bを均圧弁107bよりも先に開いてもよい。均圧弁107bを開き、均圧路107aを介して反応室101と作業室102を連通することで、反応室101と作業室102の圧力は等しくなる。また、均圧弁107bを開くときの反応室101と作業室102の圧力差による衝撃や振動によりパーティクルが発生する。そこで、均圧弁107bを開くと同時又は均圧弁107bを開く前に排出弁112bを開き、反応室101から不活性ガスを排気しながら均圧弁107bを開くことで、均圧弁107bを開くときに発生するパーティクルを排出するため、反応室101及び作業室102へパーティクルが拡散することを抑制することができる。均圧弁107bを開き、所定時間経過後、反応室101を開放するステップS105。反応室101と作業室102を連通して所定時間経過することで反応室101と作業室102の圧力が等しくなっているため、圧力差に起因する反応室101を開放する瞬間の振動、衝撃及び乱流発生を最小限に抑え、パーティクルの発生を抑制することができる。ただし、反応室101を開放するための反応室開放部101aの動作によってもパーティクルが発生するため、ステップS104以降ガスの排気を継続した状態で反応室101を開放し、発生したパーティクルを排出する。以上で反応室101を開放するための処理を終了する。また、反応室101から薄膜が生成された基板を取り出すときや気相成長装置100のメンテナンス時にもパーティクルが発生するため、反応室101を開放した後も、ガスの排気を継続し、発生したパーティクルを排出することが好ましい。本実施例の均圧路107aの内径は反応室本体101bの開口面積よりも十分小さいため、反応室101を開放すると均圧路107aを通っていた気流は反応室101の開口部を通る気流へと自然に切り替わるが、ステップS105で反応室101を開放すると同時に均圧弁107bを閉じて気流を切り替えるようにしてもよい。本実施例の排気路111は流量が異なる複数の経路に分岐し、複数の排気弁112が設けられているが、1つの排気弁112で微細な流量の制御が可能であり、各工程で流量の切り替えを確実に行うことができる場合は、排気路111は複数の経路に分岐せず1つの排気弁112が設けられるような構成でもよい。また、排出弁112bで副排気路111bの開閉と流量制御が同時に行えるのであれば、流量制御弁118は無くてもよい。さらに、気相成長装置100が備える各種の弁はマスフローコントローラでもよい。以上説明したとおり、本実施例は、均圧弁107bを開くときに副排気路111bを介して排気を行うことで、反応室101と作業室102を連通するときに発生するパーティクルの拡散を抑制することができる。また、反応室101と作業室102を連通して圧力を均圧にした後に反応室101を開放することで、パーティクルの発生を抑制するとともに、反応室101を開放するときに副排気路111bを介して排気することで、反応室開放部101aの移動によって発生するパーティクルの拡散を抑制することができる。次に、本発明の実施例2について、図5に基づいて説明する。ここで、気相成長装置の構造は実施例1と同様であるため、説明を省略する。図5は実施例2の気相成長装置の反応室開放法を説明するためのフロー図である。ここで、ステップS104までは実施例1と同様であるため説明を省略する。ステップS104で排出弁112bを開いてから均圧弁107bを開くことで、均圧弁107bを開くときに発生するパーティクルを排出することができる。ここで、均圧路107aの流量を小さくすることで、乱流の発生を抑制し、乱流によるパーティクルの発生を抑制して反応室101と作業室102を連通することができるが、流量調整弁112dによって副排気路111bの流量が均圧路107aの流量よりも大きく設定されている場合、ステップS106で排出弁112bを開いて副排気路111bから排気を続けると、反応室101の圧力が作業室102の圧力よりも小さくなっていく。そこで、均圧弁107bを開いて所定時間経過後、均圧弁107bを開いたときに発生したパーティクルを十分に排出してから排出弁112bを閉じるS205。排出弁112bを閉じて所定時間経過後、反応室101と作業室102の圧力が等しくなってから反応室101を開放するS206。反応室101を開放した直後、排出弁112bを再度開くS207。また、実施例1と同様に、ステップS206で反応室101を開放すると同時に均圧弁107bを閉じて気流を切り替えてもよい。本実施例は、均圧弁107b開いた後に排出弁112bを閉じ、所定時間経過後に反応室101を開放することで、均圧弁107bを開いたときのパーティクルの発生を抑制するために均圧路107aのガス流量を小さくした場合でも、反応室101を開放するときに反応室101と作業室102の圧力を等しくすることができる。また、反応室101を開放した直後に再度排出弁112bを開くことで、反応室101を開放するときの反応室開放部101aの移動によって発生するパーティクルを排出することができる。次に、本発明の実施例3について、図6に基づいて説明する。ここで、気相成長装置の構造は実施例1と同様であるため、説明を省略し、反応室開放方法は実施例1及び実施例2と異なる部分のみ説明する。図6は反応室101が開放されたときの不活性ガスの流れを説明するための説明図である。本実施例では、反応室101を開放するときに、導入路103aから不活性ガスを導入する。即ち、実施例1のステップS105、又は実施例2のステップS206において、反応室101を開放すると同時に、第1導入部103は反応室開放部101aへ不活性ガスを導入する。導入された不活性ガスはシャワーヘッド112から均一に反応室本体101bの開口部へ供給され、排気部104へダウン気流301が生成される。第1導入部103が導入した不活性ガスは、第2導入部105が導入した不活性ガスと共に排気部104から排気される。反応室101を開放するための反応室開放部101aの移動によって発生したパーティクルをダウン気流301によって排気部104へと運び効果的に排出することができる。このとき、反応室101から排気する不活性ガスの量、即ち副排気路111bの排気量を、第1導入部103が反応室101へ導入する不活性ガスの導入量よりも小さくすると、第1導入部103が導入した不活性ガスが反応室開放部101aから作業室102へ流れ、パーティクルが作業室102へ流出するため好ましくない。また、副排気路111bの排気量を第1導入部103が反応室101へ導入する不活性ガスの量と第2導入部105が作業室102へ導入する不活性ガスの量の和よりも大きくすると、作業室102の圧力が第1の圧力よりも小さくなるため好ましくない。よって、副排気路111bの排気量は、第1導入部103の導入量以上で、第1導入部103の導入量と第2導入部105の導入量の和以下とする。副排気路111bの流量は流量調整弁112dによって予め設定してもよいが、第1導入部103が不活性ガスを導入すると同時に、流量調整弁112dによって副排気路111bの流量を調整してもよい。例えば、副排気路111bの流量を、第1導入部103が反応室101へ不活性ガス導入を開始する前は第2導入部105の導入量以下に調整し、第1導入部103が不活性ガス導入を開始するときに第1導入部103の導入量と第2導入部105の導入量の和以下に調整してもよい。次に、本発明の実施例4について、図7、8に基づいて説明する。図7は実施例4の気相成長装置を説明するための図である。ここで、実施例1から3と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。気相成長装置400は実施例1の気相成長装置100から作業室102、作業室102に接続されている第2導入部105、圧力調整部106、均圧部107、及び圧力検出部109を除いた構成をとり、反応室101は作業室に収容されず、大気中に配置される。均圧部401は一端が反応室101に接続され他端が大気に開放されている均圧路401aと、均圧路401aに設けられる均圧弁401bを含む。制御部402は圧力検出部108から検出信号を受信し、反応室101の圧力に基づいて第1ガス供給部103b、排気弁112、及び均圧弁401bを制御する。図8は実施例4の気相成長装置の反応室開放方法を説明するためのフロー図である。ここで、実施例1から3と同様に、成膜後、反応ガスを排気して減圧状態の反応室101へ不活性ガスの導入を開始するステップS401。このとき、不活性ガスの導入量よりも少ない排気量で排気を行ってもよい。反応室101への不活性ガスの導入は反応室101内の圧力が反応室101外の圧力、即ち大気圧と略等しくなるまで行う。このときの反応室101内外の圧力差P2を予め設定し、反応室101内外の圧力差がP2以下になるまで不活性ガスの導入を続けるステップS402でNO。制御部110は圧力検出部108の検出値と大気圧101.3[kPa]から圧力差を判断する。ここでは、実施例1と同様に、圧力検出部108が100[kPa]と検出するまで不活性ガスを導入する。反応室101の内外の圧力差がP2以下になるとステップS402でYES、不活性ガスの導入を停止するステップS403。ステップS101で不活性ガスの導入と同時に不活性ガスの排気を行っていた場合、不活性ガス導入を停止すると同時に不活性ガス排気も停止する。次に、反応室101の内と外の圧力差をP2以下とした状態で、排出弁112bを開き、均圧弁401bを開き、反応室101の内と外を連通するステップS404。このとき、排出弁112bと均圧弁401bは同時に開いてもよいが、排出弁112bを均圧弁401bよりも先に開いてもよい。均圧弁401bを開き、均圧路401aを介して反応室101を大気開放することで、反応室101の内外の圧力は等しくなる。均圧弁401bを開くと同時、又は均圧弁401aを開く前に排出弁112bを開き、ガスの排気を行うことで、均圧弁401bを開くときに発生するパーティクルを排出するため、反応室101の内部又は外部へパーティクルが拡散することを防ぐことができる。均圧弁401bを開き、所定時間経過後、反応室101を開放するステップS405。反応室101の内外の圧力が等しくなっているため、反応室101を開放する瞬間の振動、衝撃及び乱流発生を最小限に抑え、パーティクルの発生を抑制することができる。ただし、反応室101を開放するための反応室開放部101aの動作によってもパーティクルが発生するため、ステップS404で開いた排出弁112bは開いた状態のままで反応室101を開放し、発生したパーティクルを排出する。実施例2と同様に、ステップS404で均圧弁401bを開いた後、ステップS405で反応室101を開放する前に排出弁112bを閉じ、ステップS405で反応室101を開放した後に再度排出弁112bを開いてもよい。また、実施例3と同様に、ステップS405で反応室101を開放するときに第1導入部103は反応室101へ不活性ガスを導入してもよい。このとき、第1導入部103が導入した不活性ガスが反応室101から作業室102へ流出しないように、排気部104の不活性ガスの排気量を第1導入部103の導入量以上に調整してもよい。以上、説明したとおり、本実施例は、反応室101の内外を連通するときに発生するパーティクルの拡散を抑制することができる。また、反応室101内外を連通して圧力を均圧にした後に反応室101を開放することで、パーティクルの発生を抑制するとともに、反応室101を開放するときに反応室開放部101aの移動によって発生するパーティクルの拡散を抑制することができる。本発明の反応室開放方法及び気相成長装置は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、上記実施形態はシャワープレート116を介して反応ガスを反応室101へ供給するシャワー型気相成長装置について説明したが、反応室101の中心軸に沿って導入路103aを配置し、反応室101の中心部から外周部へ放射状に反応ガスを導入する中央放射型気相成長装置にも同様に実施可能である。また、上記実施形態は減圧CVD装置について説明したが、常圧や加圧のCVD装置についても同様に実施可能であり、プラズマCVD装置等にも同様に実施可能である。