"第1の発光ダイオード、及び前記第1の発光ダイオードから放出された光を吸収するように構成され、前記吸収された光と異なる波長を有する光を放出するように構成された表面改質された発光体を含み、前記表面改質された発光体は、シリケート発光体、及び前記シリケート発光体上に配置されたフッ素化コーティングを含む発光装置。前記フッ素化コーティングは疎水化表面サイトを生成するように構成され、前記フッ素化コーティングは、フッ素化無機製剤、フッ素化有機製剤、又はフッ素化無機製剤及びフッ素化有機製剤のいずれをも含む、請求項1に記載の発光装置。前記表面改質された発光体は、前記フッ素化コーティング上に又は前記フッ素化コーティングと前記シリケート発光体との間に配置された酸化物を含む水分バリア層をさらに含む、請求項1に記載の発光装置。前記酸化物は、MgO、Al2O3、Y2O3、La2O3、Gd2O3、Lu2O3及びSiO2の少なくとも一つを含む、請求項3に記載の発光装置。前記シリケート発光体は、アルカリ土金属シリケート発光体を含み、前記フッ素化コーティングは、SiOR3X形態、ここで、R=CH3、C2H5又はより高い次数のアルカンで、Xがフッ素官能基化された有機リガンドを含む、フッ素官能基化された有機シランorganosilaneを用いて、前記アルカリ土金属シリケート発光体をフッ素化することによって形成されたフッ素化バリア層を含む、請求項1に記載の発光装置。前記表面改質された発光体は、一般式Me1Me2Me3xSi,P,Al,B,V,N,C,GeyO,Nz:A,F,Sを含み、ここで、Aは、ランタノイドlanthanoid及びマンガン族より選ばれる活性剤であり、Fは、表面に固定又は交差結合されたフッ素又はフッ素化合物で、Sは、非フッ素化層形成物質の追加コーティングであり、Me1は1価金属で、Me2は2価金属であり、Me3は、周期律表のIII族又はランタノイドより選ばれる3価金属であり、Siの一部はP、Al、B、V、N、Ge、又はCに置き換えられ、0<x<5、0<y<12、0<z<24である、請求項1に記載の発光装置。前記の表面改質された発光体は、化学式Sr3xyzCaxBaySiO5:Euz、F、Sを含み、ここで、Fは、表面に固定又は交差結合されたフッ素又はフッ素化合物で、Sは非フッ素化物質を含む追加コーティングであり、0≦x≦2、0≦y≦2及び0<z<05である、請求項1に記載の発光装置。0≦x≦005、0≦y≦05及び0<z<025である、請求項7に記載の発光装置。前記シリケート発光体はアルカリ土金属シリケート発光体を含み、前記アルカリ土金属シリケート発光体は、前記シリケート発光体内でアルカリ土金属イオンの一部を置き換え、Mg及びZnより選ばれた2価イオン、アルカリ金属より選ばれた1価イオン又は希土類より選ばれた3価イオンを含む第1の置換元素、及びシリコンの一部を置き換え、P、B、V、N、Ge及びCからなる群より選ばれた少なくとも一つを含む第2の置換元素を含む、請求項1に記載の発光装置。前記第1の発光ダイオード及び前記発光体はパッケージ内に結合されている、請求項1に記載の発光装置。前記パッケージ内に第2の発光ダイオードをさらに含み、前記第2の発光ダイオードは、前記発光体の発光ピーク波長より長波長の発光ピーク波長を有する光を放出する、請求項10に記載の発光装置。前記パッケージは基板をさらに含み、前記第1の発光ダイオードは前記基板上に実装される、請求項10に記載の発光装置。前記基板は印刷回路ボード又はリードフレームを含む、請求項12に記載の発光装置。前記第1の発光ダイオードを封止するモールディング部をさらに含み、前記の表面改質された発光体は前記モールディング部内に配置される、請求項13に記載の発光装置。前記パッケージはヒートシンクをさらに含み、前記第1の発光ダイオードは前記ヒートシンク上に実装される、請求項10に記載の発光装置。前記第1の発光ダイオードは複数の発光セルを含む、請求項1に記載の発光装置。本発明の典型的な各実施例は、水分安定性、放射線及び他の環境的影響に対する安定性、及び改善された動作寿命を提供することができるシリケート発光体を用いた発光装置を提供する。また、本発明の典型的な各実施例は、フッ素化無機又は有機製剤agentで表面処理された発光体を用いた発光装置を提供する。また、本発明の典型的な各実施例は、発光体表面に微細に分散されたフッ化物fluoride又はフッ素化合物の検出可能なdetectable固定fixingを提供したり、又は発光体の表面を疎水性化することができ、表面の欠陥を解決することができる、このような化合物の表面ネットワークsurfacenetworksの形成を提供する。本発明の追加的な特徴は、以下の詳細な説明で言及されており、部分的には、その説明から明らかになるか、本発明の実施によって理解され得るだろう。本発明の典型的な実施例は発光装置を開示するが、この発光装置は、第1の発光ダイオード及び前記発光装置から放出された光を吸収し、前記吸収された光と異なる波長を有する光を放出するように構成された表面改質された発光体を含み、前記表面改質された発光体は、シリケート発光体、及び前記シリケート発光体上に配置されたフッ素化コーティングを含む。前記の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、いずれも典型的で且つ説明のためのものであって、請求されたような本発明の追加説明を提供するために意図されたものと理解しなければならない。本発明の追加的な特徴は以下の詳細な説明で言及しており、部分的には、その説明から明らかになるか、本発明の実施によって理解できるだろう。以下、本発明を、本発明の典型的な各実施例が図示された添付の各図面を参照してより詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で具体化することができ、ここに記載された典型的な各実施例に制限されるものと理解してはならない。むしろ、これらの典型的な各実施例は、本開示を十分に提供し、当該分野で熟練した者に本発明の思想を完全に伝達することができるだろう。各図面において、大きさ及び各層と各領域の相対的な大きさは、明確性のために誇張して図示する場合がある。各図面における同一の参照番号は同一の構成要素を示す。一つの要素又は層が他の要素又は層上にあるか、又は他の要素又は層に接続されると言及されるとき、それは、前記の他の要素又は層上に直接あったり、それに直接連結されたり、又はそれらの間に介在する各要素又は各層が存在し得る。これとは対照的に、一つの要素が他の要素又は層上に直接あるか、又は他の要素又は層に直接連結されると言及されるとき、それらの間に介在する要素や層は存在しない。本開示のために、X、Y及びZの少なくとも一つは、Xのみ、Yのみ、Zのみ、又は、X、Y及びZの二つ以上の任意の組合せ例えば、XYZ、XYY,YZ、ZZと解釈することができる。本発明の典型的な各実施例によると、発光装置は、UV又は可視範囲の光を放出する発光ダイオード、及び前記発光ダイオードの周囲に配置され、前記発光ダイオードから放出された光の少なくとも一部を吸収し、前記の吸収された光と異なる波長を有する光を放出する表面改質された発光体を含む。高エネルギーUV放射線、青色光、電子ビーム、X線又はガンマ線で励起するとき、特定の化学組成及び活性剤の性質により、本発明の典型的な各実施例に係る発光体は、先行技術に比べて、高い放射線収率と、H2O、空気湿度、及び他の環境的要因に対して著しく改善された安定性とを有し、可視光及び赤外線放射線を放出する。このような理由により、それらは、放射線変換器として、寿命の長い産業製品、例えば、陰極線管及び他の映像生成システム走査レーザービームシステム、X線映像変換器、高性能光源、室内及び室外照明のための全ての色相のLED、及びLCDディスプレイのバックライト、太陽電池、温室フィルム及びガラスに有用に使用することができる。本発明の典型的な各実施例に係る発光体は、表面改質されたシリケート発光体を含むが、その表面が疎水性表面サイトの生成のためのフッ素化無機又は有機製剤のコーティングを有したり、又は、前記フッ素化コーティングと酸化物MgO、Al2O3、Ln2O3Ln=Y、La、Gd又はLu及びSiO2のうち少なくとも一つ又は対応する前駆物質のような層形成材料で構成された一つ以上の水分バリア層との組合せを有することを特徴とし、ゾルゲルsolgel技術を用いて形成することができる。本発明の典型的な各実施例に係る表面改質されたシリケート発光体を含む発光体は、粉末状のアルカリ土金属シリケート発光体を含むことができる。前記の表面改質されたシリケート発光体は、次の一般式を有することができる:Me1Me2Me3xSi,Al,B,P,V,N,C,GeyO,Nz:A,F,Sここで、Aは、ランタノイドlanthanoid又はマンガン族より選ばれる活性剤であり、Fは、表面に固定及び任意に交差結合crosslinkedされたフッ素又はフッ素化合物であり、Sは、非フッ素化層形成物質による任意の追加コーティングである。Me1は1価金属で、Me2は2価金属で、Me3は周期律表のIII族又はランタノイドより選ばれる3価金属である。シリコンの一部は、P、Al、B、V、N、Ge又はCに置き換えることができる。比率x、y及びzは次の範囲を有することができる:0<x<5、0<y<12、0<z<24本発明の典型的な各実施例によると、発光特性及び安定性能を最適化できるが、前記の表面改質されたシリケート発光体surfacemodifiedsilicateluminophoresの、いくつかのアルカリ土金属イオンは、追加の2価イオン、例えば、Mg、Znにより、又は、電荷均衡のための適切な手段の移行とともに、アルカリ金属又は希土類から1価又は3価の陽イオンに置き換えることができる。さらに、P、B、V、N、Ge又はCは、少しのシリコンの代わりに、前記の表面改質されたシリケート発光体の陽イオンサブ格子に含有させることができる。本発明の典型的な各実施例によると、前記アルカリ土金属シリケート発光体は、SiOR3X形態、ここで、R=CH3、C2H5、...、及びX=aF官能基化有機リガンドである、フッ素官能基化fluorinefunctionalizedされた有機シランorganosilaneを用いてフッ素化することができ、制御された加水分解及び凝縮は、シリケート発光体マトリックス上へのフッ素化バリア層の形成を達成することができ、前記フッ素化バリア層は、障壁であるとともに、疎水性特性を有することができる。本発明の典型的な各実施例に係る前記の表面改質されたシリケート発光体は、次の化学式で特徴づけることができる:Sr3-x-y-zCaxBaySiO5:Euz,F,Sここで、0≦x≦2、0≦y≦2及び0<z<05である。また、本発明の典型的な各実施例に係る前記の表面改質されたシリケート発光体は、次の化学式で特徴づけることができる:Sr3-x-y-zCaxBaySiO5:Euz,F,Sここで、0≦x≦005、0≦y≦05及び0<z<025である。本発明の典型的な各実施例に係る前記発光装置は、前記発光ダイオード及び前記発光体から放出された光の組合せを通して白色光又は所望の色相の光を放出することができる。さらに、他の発光体を、更に他の所望の色相の光を放出するために前記発光装置に追加することができる。前記発光体は、前記発光ダイオードの側面、上面及び下面のうち少なくともいずれか一方に配置することができる。また、前記発光体は、接着剤又はモールディング材に混合し、前記発光ダイオードの周囲に配置することができる。前記発光ダイオード及び前記発光体は、一つのパッケージpackages内にすべてを含めることができる。本発明の典型的な実施例によると、前記発光装置は、前記パッケージ内に更に他の発光ダイオードを含むことができる。前記他の発光ダイオードは、前記発光ダイオードから放出される光と同一又は異なる波長を有する光を放出することができる。例えば、前記他の発光ダイオードは、前記発光体の発光ピーク波長より長波長を有する光を放出することができる。前記パッケージは、前記発光ダイオードが実装される印刷回路ボード又はリードフレームなどの基板を含む。本発明の典型的な実施例によると、前記パッケージは、前記発光ダイオードから放出された光を反射させるリフレクタをさらに含むんでもよい。本典型的な実施例において、前記発光ダイオードは前記リフレクタ内に実装される。前記発光装置は、前記基板上に前記発光ダイオードを封止するモールディング部をさらに含んでいてもよい。前記発光物質は前記モールディング部内に分布されるが、これに限定されることはない。前記パッケージはヒートシンクをさらに含んでいてもよく、前記発光ダイオードは前記ヒートシンク上に実装してもよい。本発明の典型的な各実施例によると、前記発光ダイオードは、Al,Ga,InN系列の化合物半導体で形成することができる。前記発光ダイオードは、n型半導体層とp型半導体層との間に単一の活性領域を有する、例えば、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を有していてもよい。前記発光ダイオードは、単一基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルを含んでいてもよい。前記発光セルのそれぞれは活性領域を有することができる。前記各発光セルは、配線を介して電気的に直列及び/又は並列に接続される。これらの発光セルを用いることにより、交流電源下で直接駆動することのできる交流AC発光ダイオードを提供することができる。このようなAC発光ダイオードは、単一基板上に互いに接続されたブリッジ整流器と各発光セルの直列アレイを形成することによって、又は、単一基板上に互いに逆並列に接続された各発光セルの各直列アレイを形成することによって、追加のAC/DC変換器がなくても交流電源に接続して駆動することができる。図1は、本発明の典型的な実施例に係る発光装置100の断面図である。前記発光装置100は、チップ型パッケージと言ってもよい。図1を参照すると、電極5を基板1の両側端部にそれぞれ形成することができ、1次光を発生させる発光ダイオード6を一方の電極5上に実装することができる。前記発光ダイオード6は、銀Agエポキシなどの導電性接着剤9を介して電極パターン5に実装することができ、導電性ワイヤ2を介して他方の電極5に電気的に接続することができる。前記発光ダイオード6は、紫外線又は可視光線領域の光を放出し、窒化ガリウム系列の化合物半導体で形成することができる。前記発光ダイオード6は紫外線又は青色光を放出することができる。発光体3は、前記発光ダイオード6の上面及び側面にドッティングdottingされ得る。モールディング部10、例えば、硬化性樹脂thermosettingresinが前記発光ダイオード6を封止する。前記発光体3が前記発光ダイオード6の付近にドッティングされるが、特定の構成に限定されることはない。例えば、前記発光体3は、前記モールディング部10内に全体的に均一に分布させることができる。前記発光体3は、前記発光ダイオード6から放出された光の少なくとも一部を吸収し、前記の吸収された光と異なる波長の光を放出する。前記発光ダイオード6は、前記電極5を通して外部電源に接続され、これによって、1次光を放出することができる。前記発光体3は、1次光の少なくとも一部を吸収し、前記1次光に比べて長波長の2次光を放出する。その結果、前記1次光と前記2次光とが混合されて混合光を形成し、この混合光が前記発光装置100から放出される。望ましい色相の光、例えば、白色光をこの方式で具現することができる。前記発光装置100は、1個以上の追加的な発光ダイオードを含んでもよい。これらの発光ダイオードは、互いに同一の発光ピーク又は互いに異なる発光ピークを有する光を放出することができる。例えば、前記発光装置100は、紫外線又は青色光を放出する互いに同一又は互いに異なる発光ダイオードを含むことができる。また、前記発光装置100は、前記発光体の発光ピーク波長より長波長の光を放出する発光ダイオードを含むことができる。このような長波長の発光ダイオードは、発光装置100の演色評価数を向上させるために用いることができる。さらに、前記発光装置100は、前記発光体3に加えて他の発光体をさらに含んでもよい。前記他の発光体の例としては、オルトシリケート発光体、YAG系列の発光体及びチオガレート発光体を含むが、これらに限定されることはない。従って、望ましい色相の光を発光ダイオード6及び発光体の適切な選択によって達成することができる。図2は、本発明の更に他の典型的な実施例に係る発光装置200の断面図である。前記発光装置200は、トップビュー型のパッケージと言ってもよい。図2を参照すると、前記発光装置200は、前記発光装置100と類似した構造を有し、基板1上にリフレクタ21をさらに含む。発光ダイオード6が前記リフレクタ21内に実装される。前記リフレクタ21は、前記発光ダイオード6から放出された光を反射させ、特定の指向角内の輝度を増加させる。発光体3は、前記発光ダイオード6の周囲に配置され、前記発光ダイオード6から放出された光の少なくとも一部を吸収し、前記吸収された光と異なる波長を有する光を放出する。前記発光体3は、前記発光ダイオード6上にドッティングされたり、硬化性樹脂モールディング部10内に均一に分布させることができる。また、前記発光装置200は、放出波長が互いに同一又は互いに異なる一つ以上の追加的な発光ダイオードを含むことができ、前記発光体3に加えて他の発光体をさらに含むことができる。一方、各発光装置100、200は、熱伝導性に優れた金属性材料の基板1、例えば、メタルPCBを含んでもよい。このような基板は、発光ダイオード6で生成された熱を容易に放出することができる。また、各リード端子を含むリードフレームを前記基板1として使用することができる。このようなリードフレームは、発光ダイオードを封止するモールディング部10によって取り囲まれて支持され得る。発光装置200において、前記リフレクタ21は、基板1と異なる材質で形成され得るが、これに限定されるものではない。例えば、前記リフレクタ21は、前記基板1と同一の材質で形成することができる。各リード端子を有するリードフレームを、PPAなどのプラスチックをインサート成形insertmoldingし、基板1とリフレクタ21をともに形成することができる。その後、前記各リード端子が折り曲げられて電極5が形成され得る。図3は、本発明の更に他の典型的な実施例に係る発光装置300の断面図である。前記発光装置300は、発光ダイオードランプと言ってもよい。図3を参照すると、発光装置300は、一対のリード電極31、32を含み、一方のリード電極31の上端部に、カップ形状のカップ部cupportion33が形成されている。カップ部33内には少なくとも一つの発光ダイオード6が、導電性接着剤9を介して実装され、導電性ワイヤ2を介して他方のリード電極32に電気的に接続される。複数の発光ダイオードがカップ部33内に実装される場合、各発光ダイオードは、互いに同一又は互いに異なる波長の光を放出することができる。発光体luminophores3は、前記発光ダイオード6の周囲に配置される。発光体3は、発光ダイオード6から放出された光の少なくとも一部を吸収し、吸収光と異なる波長の光を放出する。前記発光体3は、カップ部33内で発光ダイオード6上にドッティングされたり、前記カップ部33の内部に形成された硬化性樹脂モールディング部34内に均一に分布させることができる。モールディング部10は、前記発光ダイオード6、発光体3及び前記一対のリード電極31、32の部分を封止する。前記モールディング部10は、例えば、エポキシ又はシリコンで形成してもよい。本典型的な実施例において、前記発光装置300は、一対のリード電極31、32を含む。しかし、前記発光装置300は、一対のリード電極31、32よりも多いリード電極を有してもよい。図4は、本発明の更に他の典型的な実施例に係る発光装置400の断面図である。前記発光装置400は、高出力発光ダイオードパッケージhighpowerlightemittingdiodepackageと言ってもよい。図4を参照すると、発光装置400は、ハウジング43内に収容されたヒートシンク41を含む。前記ヒートシンク41は外部に露出した底面を有する。各リード電極44がハウジング43内に露出しており、ハウジング43を通して外部に延長される。ヒートシンク41の上面には少なくとも一つの発光ダイオード6が導電性接着剤9を介して実装され、前記発光ダイオード6は、導電性ワイヤ2を介して各リード端子44のうち一つに電気的に接続される。また、更に他の導電性ワイヤ2が、各リード端子44のうち他の一つとヒートシンク41とを接続し、その結果、前記発光ダイオード6が二つのリード電極44にそれぞれ電気的に接続される。前記ヒートシンク41上の発光ダイオード6の周囲に発光体3が配置される。発光体3は、発光ダイオード6から放出された光の少なくとも一部を吸収し、吸収された光と異なる波長の光を放出する。前記発光体3は、ヒートシンク41上で発光ダイオード6上にドッティングされたり、前記発光ダイオードを覆うモールディング部図示せず内に均一に分布させることができる。図5は、本発明の更に他の典型的な実施例に係る発光装置500の断面図である。図5を参照すると、発光装置500は、ハウジング53、及び前記ハウジングに結合され、互いに絶縁された複数のヒートシンク51、52を含む。前記各ヒートシンク51、52上には各発光ダイオード6、7がそれぞれ導電性接着剤を介して実装され、前記各発光ダイオード6、7は、導電性ワイヤ図示せずを介してリード電極54に電気的に接続される。前記各リード電極54はハウジングの内部から外部に延長される。各発光ダイオード6、7がそれぞれ二つのリード電極54に接続されるが、より多い数のリード電極を設けてもよい。発光体3は、図4を参照して説明したように、前記各発光ダイオード6、7のうち少なくとも一つの周囲に配置することができる。上述した典型的な各実施例において、前記発光ダイオード6は、導電性接着剤9を介して基板1又はヒートシンク41上に実装され、導電性ワイヤ2を介して電極又はリード電極に電気的に接続される。前記発光ダイオード6が、上部側に二つの電極を有する2ボンドダイtwobonddieである場合、前記発光ダイオード6は、二つの導電性ワイヤによってそれぞれ各電極又は各リード電極に電気的に接続することができる。従って、前記接着剤は導電性である必要がない。いくつかの典型的な各実施例において、前記発光ダイオード6は、Al,Ga,InN系列の化合物半導体で形成することができる。前記発光ダイオード6は、例えば、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、又は多重量子井戸構造を有することができ、n型半導体層とp型半導体層との間に配置された単一の活性領域を有することができる。本発明の典型的な各実施例に係る表面改質された発光体3の製造のための基剤として使用される発光体粉末luminophorepowdersは、出発物質として使用可能なアルカリ土金属カーボネート又は対応する金属酸化物とSiO2との間の、1000°C超過の温度での多段階高温固相反応multistagehightemperaturesolidstatereactionsによって合成することができる。付加的に、無機化mineralization添加剤例えば、NH4Cl、NH4F又はアルカリ金属又はアルカリ土金属ハロゲン化物又は3価金属のハロゲン化物が反応混合物に添加されることによって、反応性を促進させ、得られる発光体の粒子サイズの分布を調節することができる。特定の化学量論比stochiometricratioの選択により、所望の組成のドーピングされたアルカリ土金属シリケート発光体、より詳細には、対応するオルト及びオキシオルトシリケート発光体を生成することが可能である。したがって、計算された量の各出発物質を強制的にvigorously混合した後、所望の温度範囲内で非活性又は還元雰囲気で、多段階か焼工程multistagecalcinationprocessを行う。また、発光体特性を最適化するために、主要なか焼工程は、任意の異なる温度範囲内でいくつかのか焼段階を有してもよい。か焼工程が終了した後、試料を室温で冷却し、例えば、フラックス残留物を除去したり、表面欠陥を最小化したり、又は、その他の粒子サイズ分布を微細に調節することと関連した適切な後処理工程を行う。シリコン酸化物の代わりに、使用されたアルカリ土金属化合物との反応のための反応物としてシリコン窒化物Si3N4又は他のシリコンを含有した前駆物質を使用することも代案的に可能である。前記発光体の典型的な各実施例の製造のために使用される多結晶発光体粉末の合成は、ここで説明した製造工程に制限されない。本発明に係る粉末状のアルカリ土金属シリケート発光体表面のフッ素化のために、異なる無機フッ素化合物、例えば、アルカリ金属フッ化物例えば、LiF、NaF、KF、アルカリ土金属フッ化物MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、AlF3及び希土類のフッ化物例えば、YF3、LaF3又はGdF3、NH4F及びNH4HF2、及び他の無機又は有機フッ素化合物例えば、フッ化物を含有したアミンを使用することができる。選択された前記物質は、シリケート発光体粉末と混合され、この場合、水性懸濁液aqueoussuspensionsを用いてもよい。添加されるフッ素化剤の望ましい比率は、化合物の溶解度及び反応条件pH、温度、混合強度intensityofmixing、滞留時間などによって左右され、実験的に容易に決定することができる。表面処理が完了した後、前記フッ素化発光体は、懸濁液から除去され、適当な溶媒で洗浄された後、80°C~200°Cの温度で乾燥される。冷却及びスクリーニング後、これらは使用可能な形態になる。最適な発光体特性を達成するために、本発明の発光体の特定組成、使用されたフッ素化剤の類型と量及び追加要因により、本発明によって生成された発光体には、付加的に又は乾燥工程の代わりに還元雰囲気で300°C~600°Cの温度範囲内で熱的後処理熱処理を行うことができる。本発明の典型的な各実施例に係る発光体の製造と関連した細部情報について、以下、いくつかの実施例によって提示する。実施例実施例A1実施例A1は、本発明の典型的な実施例によってフッ素化表面層が提供され、基底base格子組成Sr29Ba001Ca005SiO5:Eu004を有する発光体の製造を説明するものであり、この発光体は、表1で光学データopticaldataと共に試料F103と記載され、前記発光体の発光スペクトルは、図1aで番号3と示される。表1は、異なる量のNH4Fで処理されたユウロピウム活性ストロンチウムオキシオルトシリケート発光体試料の光学及び水分安定性データを含む。対応する発光体マトリックスを合成するために、化学量論量stoichiometricamountsのSrCO3、BaCO3、CaCO3、Eu2O3及びSiO2と02molのNH4Clを強制的に混合した後、2水素を含有するN2/H2雰囲気で1400°Cで5時間のか焼工程をコランダムるつぼcorundumcruciblesで行う。か焼工程が終了した後、か焼された物質を均一化及び粉砕し、H2Oで洗浄する。その後、100gの乾燥及びスクリーニングされた発光体を、11gのNH4F、200gのガラス玉及び1リットルの水とともに適当なプラスチック容器に入れ、30分間低スピードでジャーミルjarmillで強制的に混合する。何分かの沈澱時間後、まず、上清液を移しdecant、その後、ブフナーBuchner漏斗を通した吸入suctionによりろ過する。その後、最終生成物の乾燥及びスクリーニングを行う。実施例A2光学データが表2に示され、発光スペクトルは図6aで番号4と示された、本発明の典型的な実施例に係る試料F―202を含有する発光体を製造するために、実施例A1に記載された100gの発光体マトリックスを、2474gのNH4HF2と混合する。表2は、異なる量のNH4HF2で処理されたユウロピウム活性ストロンチウムオキシオルトシリケート発光体試料の、光学及び水分安定性データを含む。この場合、フッ素化表面層は、ロールミル上で400gのガラス玉と1Lの脱イオン水に混合物を入れ、湿性化学沈澱によって塗布される。1時間の処理後、溶液からコーティングされた発光体が除去され、実施例A1と類似する後処理が行われる。実施例A3ここで、実施例A2によって生産された30gの発光体は、60分間35水素を含有したN2/H2雰囲気で400°Cでコランダムるつぼで熱処理される。冷却後、表2に示される光学データ及び図6aで番号5と示される発光スペクトルである試料F202Tは、スクリーニングによって均一化され、本発明の典型的な実施例を製造する。実施例A4本発明の典型的な実施例に係る基底格子組成Sr2948Ba001Cu0002SiO5:Eu004を有するオキシオルトシリケート発光体は、実施例A1によって固相状態で合成され、前駆体物質テトラエトキシシランTEOSを用いてSiO2ネットワークでコーティングされる。このため、50gの発光体は、1Lのエタノール、182gのTEOS及び100mlの32アンモニア水の、溶液500mlと混合され、反応容器で2時間撹拌される。その後、コーティングされた発光体は、吸入によりろ過され、エタノールで洗浄された後、160°Cで24時間乾燥される。このような予備表面処理後、発光体には、実施例A1と同様に、フッ素化剤としてNH4Fを使用してフッ素化が行われる。そのために、80gの予備コーティングされた発光体は、実施例A1の条件下で198gのNH4Fと反応される。従って、本発明の典型的な各実施例に係る発光体は、試料FTS600の形態で製造される。前記発光体の光学データは表6に記載されており、発光スペクトルは図6aに番号7と表示され、実施例A1、A2及びA3に記載された発光体と同様に、従来のオキシオルトシリケート発光体、及び未コーティング基底発光体と同一の基底格子組成に比べて相当改善された耐湿性を有することができる。本発明の典型的な各実施例に係るこれら発光体の性能特性は、表1、2及び6にまとめた。実施例B1試料F320の形態の本発明の典型的な実施例に係る発光体の製造のために、組成Sr29485Ba001Cu00015SiO5:Eu004の基底格子が合成される。このために、化学量論量のSrCO3、BaCO3、CuO、Eu2O3、65gのSiO2及び03molのNH4Clが混合され、適当なか焼るつぼに入れて高温炉furnaceで24時間か焼される。か焼プログラムは、それぞれ3時間で1200°C及び1350°Cでの2個の主要なか焼区域を有する。第1のか焼フェーズの間、か焼は水素濃度5のフォーミングガスforminggas下で達成され、水素濃度は、その後の第2のか焼フェーズで20に増加する。マトリックス物質の冷却、洗浄及び均一化後、発光体表面のフッ素化が行われる。このために使用されたフッ素化剤は、NH4F又はNH4HF2の代わりにアルミニウムフルオライドA1F3である。発光体粒子の表面との相互作用のために、12gのAlF3は、60°Cの1LのH2Oに取り込まれ、混合物は1時間強制的に撹拌される。その後、100gの合成された発光体マトリックスは、懸濁液に添加される。反応時間は60分であり得る。試料F320の形態にあるコーティングされた発光体は、実施例A1、A2、A3及びA4と類似する形で後処理される。その光学データは表3に示され、その発光スペクトルは図1aに番号6と示されている。表3は、更にfurtherフッ素化されたEu2ドーピングされたストロンチウムオキシオルトシリケート発光体の光学及び安定性データを含む。実施例C1下記の実施例は、本発明の典型的な各実施例によってコーティングされ、組成Sr0876Ba1024SiO4:Eu01を有するアルカリ土金属オルトシリケート発光体に関する。本実施例において、ベース物質は高温固相反応によって製造され、ここで、開始混合物は、化学量論量のSrCO3、BaCO3、Eu2O3、SiO2、及び02molのNH4Clを含む。か焼工程は、窒素雰囲気で開始混合物が充填されたるつぼを1275°Cで加熱し、10時間にわたって前記温度を維持した後、室温に冷却することを含む。高温上昇の達成時に、20水素が保護ガスに添加される。冷却後、収得した物質には、フラックス残留物を除去するために洗浄が行われた後、乾燥スクリーニングされる。ベース物質のフッ素化のために、150gの発光体粉末及び4268gのNH4Fが3LのH2Oで懸濁され、2時間にわたって撹拌される。コーティング手順が完了した後、フッ素化発光体は試料F401の形態で吸入によりろ過され、吸入フィルター上でエタノールで洗浄され、130°Cで24時間乾燥される。試料F401の光学データは表4に示され、その発光スペクトルは図1bで番号3と示されている。表4は、付加的にSiO2でコーティングされたフッ素化緑色波長放出アルカリ土金属オルトシリケート発光体の光学及び安定性データを含む。追加の段階として、試料F401の形態の本発明の典型的な実施例に係る発光体には、追加でSiO2コーティングを提供することができる。このために、50gのフッ素化Sr0876Ba1024SiO4:Eu01発光体粉末は、1Lのエタノール、25gのTEOS及び150mlの32アンモニア水からなる500mlのTEOS溶液に添加されるが、この溶液は、24時間前に予め準備された。5時間の撹拌後、反応が完了する。試料F401TSの形態の表面コーティングされた発光体は吸入でろ過され、エタノールで再び洗浄されて乾燥される。試料F401TSの光学データは表4に示されている。試料F401TSの発光スペクトルは図1bで番号4と示されている。各場合について、未処理の発光体に備えて、多様なマトリックス組成のフッ素化発光体の放出スペクトルが、図1a及び図6bに例示されているが、これら図面は、本発明の典型的な各実施例に係るフッ素化表面構造を有する発光体の発光強度が参照物質のものと少し異なっていることを示す。また、これは、表1、表2、表3、表4、表5、表6及び表7にまとめた本発明の典型的な各実施例に係る発光体試料の発光データによって確認できるが、ある程度低い発光強度が、フッ素化及び任意に付加的にSiO2コーティングされた試料に対して一部の場合に測定される。発光効率が少し増加する表面処理に対する各例は、参照された表に示されている。後者の効果として、コーティングされた物質の場合に、ある程度のより良い光の放出の結果であると考えられる。図7a及び図7bにおいて、本発明の典型的な各実施例に係るフッ素化Sr3SiO5:Eu発光体の電子顕微鏡写真と、未処理の開始物質の電子顕微鏡写真とが比較される。これらの顕微鏡写真は、実施例に記載された適当なフッ素化剤による表面処理により、走査電子顕微鏡写真の助けによって可視化され得る特定の表面構造を形成することを明示する。この状況は、緑色発光アルカリ土金属オルトシリケート発光体に対して、図8に示す電子顕微鏡写真と対比することができる。図8に示す顕微鏡写真は、未処理の発光体試料の特徴的な粒子表面、本発明の典型的な各実施例によって製造されたフッ素化物質の表面、及び追加のSiO2でコーティングされた開始物質から誘導された追加試料の表面を示す。併せて、表面構造がフッ素を含有することが、図9に示した対応するエネルギー分散X線分光EDX分析の結果から明らかになる。発光体マトリックスの特徴を示すストロンチウムSr、珪素Si及び酸素Oに対するピークに加えて、相当なピーク高さを有する明らかな特異的反射が、本発明に係るフッ素化発光体のEDXスペクトルで見られるが、これは、ピークのエネルギー位置を基にしてフッ素元素Fに明らかに割り当てられているためである。さらに、図示したスペクトルは、金Au及びパラジウムPdによって指定される反射を含むが、これは、分析方法と関連する理由のため、発光体試料が金及びパラジウムでコーティングされたことに起因する。本発明の典型的な各実施例に係る発光体の表面上に微細に分散されたフッ化物又はフッ素化合物の固着又はこのような化合物のネットワークの形成に対する追加証拠は、X線光電子分光XPS分析の結果によって、図10及び図11に示される。固着は、吸着を含んでもよく、化学吸着又は物理吸着と類似する方法である。図10に示したように、実施例1によってNH4Fで処理された基底格子組成Sr29Ba001Ca005Eu004SiO5の発光体のXPSスペクトルは、この固相分析方法でフッ素化発光体の表面構造の要素としてフッ素元素Fを検出することが可能であることを示す。また、追加的な結論が前記XPSスペクトルから出る。例えば、NH4Fフッ素化オキシオルトシリケート発光体の内部補正されたXPSスペクトル図11の曲線2を、対応する発光体マトリックスと同等量のNH4Fとの機械的混合物のスペクトル図11の曲線1と比較することによって、各場合に測定されたF1sピークが、図11に示したように、互いに結合エネルギーbindingenergyにおいて異なる強度及びエネルギーシフトshiftを有することは明らかである。曲線2として示される試料のF1sピークの低い強度は、工程の間に添加されたフッ素が発光体表面からやや損失されると解釈することができる。曲線1のF1sピークでの低い結合エネルギーへのシフトは、適用されたフッ素化剤と発光体マトリックス表面との間の化学結合形成を示し得る。表1、表2、表3、表4、表5及び表6において、本発明の典型的な各実施例によって構成された異なるシリケート発光体のいくつかの発光パラメーター及び安定性テストの結果がまとめられており、変更されていないすなわち、非フッ素化表面発光体粉末のパラメーター及びいくつかの場合には市販の比較対象発光体comparativeluminophoresのパラメーターと比較されている。表5は、フッ素化されたEu2コーティングされたストロンチウムオキシオルトシリケート発光体及びフッ素化されてSiO2コーティングされたEu2コーティングされたストロンチウムオキシオルトシリケート発光体の光学及び安定性データを含む。表6は、フッ素化されたSiO2コーティングされたストロンチウムオキシオルトシリケート発光体の光学及び安定性データを含む。材料の水分安定性moisturestabilityは、気候が制御されたキャビネットで対応する発光体試料を貯蔵して評価し、前記キャビネットは、7日間85°Cの温度及び85の空気湿度で作動された。その後、発光体は150°Cで24時間乾燥された後、ルミネセンス収率luminescenceyieldの比較測定が行われた。比較発光測定の結果は、本発明の典型的な各実施例に係る発光体の発光効率とその温度依存性がいずれも市販のユウロピウム活性アルカリ土金属オキシオルトシリケート又は対応するオルトシリケート発光体と同一であるか、むしろ、これらより優れるという事実を証明する。第二に、安定性テストの結果は、表4、表5及び表6で示したように、フッ素化表面構造及び任意の付加的なSiO2コーティングを有する本発明の典型的な各実施例に係る発光体が、同一のマトリックス組成の変更されていない非フッ素化表面発光体と比較して相当改善された耐湿性を有することを示す。本発明の思想又は範囲を逸脱しない限り、多様な変形及び変化が本発明にもたらされ得ることは当業者にとって明らかであろう。従って、本発明の変形及び変化が添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある場合、本発明が前記変形及び変化を包括するように意図される。"