炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長してエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、エピタキシャル成長を行なう前に、水素ガスと共に珪素と塩素を含むガスを流して前処理エッチングを行なった後に、エピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記前処理エッチングにおいて、水素ガス中の水素原子に対する珪素と塩素を含むガス中の珪素原子の濃度が、0.0001以上0.01以下である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記前処理エッチングにおいて、水素ガス中の水素原子に対する珪素と塩素を含むガス中の塩素原子の濃度が、0.0001以上0.1以下である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記前処理エッチングに用いる珪素と塩素を含むガスが、SiHnCl4n式中、nは0~3の整数である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記前処理エッチングを、1550°C以上1650°C以下の温度で実施する請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記前処理エッチングにおいて、エッチング量が0.1μm以上1μm以下である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記エピタキシャル成長が、熱化学蒸着法CVD法である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である請求項1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法。上述のとおり、SiC単結晶基板のオフ角度を従来の8°から約4°乃至それ以下にしながら、従来よりも優れた表面状態を得るためには、水素シラン雰囲気中での前処理エッチングが必要である。しかし、この前処理エッチングにおいて、シランの分解を制御し、安定したエッチング状態を確保することは難しく、さらにシランの濃度が局所的に上がった際に発生するSiドロップレットの問題があるため、表面状態の良好なエピタキシャル膜を安定して形成することは困難であった。そして、これを解決し得る、具体的なエッチング条件は未だ見出されていない。本発明の課題は、この状況に鑑み、表面状態の優れた高品質エピタキシャル膜を有するエピタキシャルSiC単結晶基板の製造方法を提供することである。本発明は、エピタキシャル成長を行なう前に、水素ガスと共に珪素と塩素を含むガスを流して前処理エッチングを行なった後に、エピタキシャル層を形成することで、上記課題を解決できることを見出し、完成したものである。即ち、本発明は、1炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素をエピタキシャル成長してエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、エピタキシャル成長を行なう前に、水素ガスと共に珪素と塩素を含むガスを流して前処理エッチングを行なった後に、エピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、2前記前処理エッチングにおいて、水素ガス中の水素原子に対する珪素と塩素を含むガス中の珪素原子の濃度が、0.0001以上0.01以下である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、3前記前処理エッチングにおいて、水素ガス中の水素原子に対する珪素と塩素を含むガス中の塩素原子の濃度が、0.0001以上0.1以下である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、4前記前処理エッチングに用いる珪素と塩素を含むガスが、SiHnCl4n式中、nは0~3の整数である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、5前記前処理エッチングを、1550°C以上1650°C以下の温度で実施する1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、6前記前処理エッチングにおいて、エッチング量が0.1μm以上1μm以下である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、7前記エピタキシャル成長が、熱化学蒸着法CVD法である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、8前記炭化珪素単結晶基板のオフ角度が4°以下である1に記載のエピタキシャル炭化珪素単結晶基板の製造方法、である。本発明によれば、オフ角度が約4°乃至それ以下の基板上のエピタキシャル膜において、表面状態の優れた高品質エピタキシャル膜を有するSiC単結晶基板を提供することが可能である。また、本発明の製造方法で、CVD法を用いれば、装置構成が容易で制御性にも優れ、均一性、再現性の高いエピタキシャル膜が得られる。さらに、本発明のエピタキシャルSiC単結晶基板を用いたデバイスは、表面状態の優れた高品質エピタキシャル膜上に形成されるため、その特性及び歩留りが向上する。本発明の具体的な内容について述べる。まず、SiC単結晶基板上へのエピタキシャル成長について述べる。本発明で好適にエピタキシャル成長に用いる装置は、横型のCVD装置であってもよい。CVD法は、装置構成が簡単であり、ガスのon/offで成長を制御できるため、エピタキシャル膜の制御性、再現性に優れた成長方法である。また、CVD法以外に、分子線エピタキシー法MBE法、液相エピタキシー法LPE法等によって、エピタキシャル成長を行なうこともできる。図1に、従来のエピタキシャル膜成長を行なう際の典型的な成長シーケンスを、ガスの導入タイミングと併せて示す。まず、成長炉に基板をセットし、成長炉内を真空排気した後、水素ガスを導入して圧力を1×104~3×104Paに調整する。その後、圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を上げ、成長温度である1550~1650°Cに達した後、材料ガスであるSiH4とC2H4及びドーピングガスであるN2を導入して成長を開始する。SiH4流量は毎分40~50cm3、C2H4流量は毎分20~40cm3であり、成長速度は毎時6~7μmである。この成長速度は、通常利用されるエピタキシャル層の膜厚が10μm程度であるため、生産性を考慮して決定されたものである。一定時間成長し、所望の膜厚が得られた時点でSiH4、C2H4及びN2の導入を止め、水素ガスのみ流した状態で温度を下げる。温度が常温まで下がった後、水素ガスの導入を止め、成長室内を真空排気し、不活性ガスを成長室に導入して、成長室を大気圧に戻してから、基板を取り出す。この従来方式で成長を行なう場合には、特に前処理エッチングの工程は入っていないが、水素ガス中で成長温度に達するまでの間に、必然的に水素ガス中でのエッチング処理が行なわれていることになる。次に、本発明の内容を図2の成長シーケンス例で説明する。この例では、SiC単結晶基板をセットし、成長炉内を真空排気した後、水素ガスを導入して圧力を1×104~3×104Paに調整する。その後、圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を上げ、1550~1650°Cに達した時に、SiHnCl4nガス式中、nは0~3の整数を導入する。この際、SiHnCl4nガスの導入量は、良好な成長前の表面状態を得るという観点から0.3cm3/分~30cm3/分であるのがよく、好ましくは3cm3/分~30cm3/分であるのがよい。また、水素ガスの導入量は100L/分~200L/分であるのがよく、好ましくは140L/分~160L/分であるのがよい。この状態で10~30分間程度前処理エッチングを行った後にSiHnCl4nガスの導入を止め、材料ガスであるSiH4とC2H4及びドーピングガスであるN2を導入して成長を開始する。その後の手順は、図1の場合と同様である。ここで、SiHnCl4nガスとして、具体的には四塩化ケイ素SiCl4、トリクロロシランSiHCl3、ジクロロシランSiH2Cl2及びクロロシランSiH3Clを挙げることができ、これらの1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、材料ガスの種類については特に制限されず、上記のようなモノシランとエチレンのほかに、ケイ素源ガスとして、ジシラン、ジクロルシラン、トリクロルシラン等を用いてもよく、炭素源ガスとして、プロパン、メタン、エタン、アセチレン等を用いてもよい。更には、キャリアガスやドーピングガス等の種類についても特に制限されない。なお、上記図2では、前処理エッチングに用いる珪素と塩素を含むガスがSiHnCl4nの場合を示したが、モノシランやジシランと、塩素や塩化水素とを混合したガスを前処理エッチングに適用することも可能である。その場合のこれら混合ガスの導入量や水素ガスの導入量等については、上述したSiHnCl4nガスの場合と同様である。このように、水素ガスと共にSiHnCl4nガス等のような珪素と塩素を含むガスを流して前処理エッチングを行なうことによって、その後のエピタキシャル成長膜における表面状態がシランを用いた成長前エッチングの場合よりも改善される。これは以下のように考えられる。シランの場合は、分解するとSixHyの形を持った化合物が多種類生成され、それらの割合でエッチング状態が決定されると考えられるため、エッチング速度やエッチング後の表面状態を再現性良く制御することは難しいと思われる。しかし、SiHnCl4nガス等の場合は、分解すると気相中で安定したSiCl2の形になると考えられ、SiHnCl4nガス等の流量によって基板表面へのSiCl2の供給量を制御できるようになるため、安定したエッチング速度とSi-richなエッチング状態が再現性良く得られるようになり、エピタキシャル膜の表面状態が改善される。さらに、SiCl2同士が結合してSiドロップレットを形成することもないため、それにより表面欠陥が増加するようなことも生じない。なお、上述したように、特許文献1において、エピタキシャル成長に用いるキャリアガス中に塩化水素HClを含めたり、シリコンSi原料ガス中に塩素Clを含めたりすることが開示されており、含有される塩素でのエピタキシャル膜のエッチング、あるいは塩素によるSi原料ガスの分解促進が述べられている。しかし、その目的は、エピタキシャル膜の膜厚やドーピング密度の均一性の向上であり、本発明におけるSiHnCl4nガス等の目的である、SiCl2の形で供給することにより、安定したエッチング速度とSi-richなエッチング状態を達成し、それによって最適なエピタキシャル成長前状態を実現すること、とはその効果が根本的に異なる。本発明により、約4°乃至それ以下のオフ角を持った基板上のエピタキシャル膜において、表面状態の良好なエピタキシャル膜が得られるようになったが、SiHnCl4nガス等の量が少なければエッチングが十分に行なわれないため、その流量には下限が存在する。また、過度にSiHnCl4nガスの量を増やすと成長が始まってしまい、不要なエピタキシャル膜が形成される可能性がある。以上の状況を考慮し、本発明者らが検討した結果、SiHnCl4nガス等の珪素と塩素を含むガス中における珪素原子の、水素ガス中における水素原子に対する濃度珪素原子の数/水素原子の数は0.0001以上0.01以下が好ましく、より好適には0.001以上0.01以下であるのがよい。また、SiHnCl4nガス等の珪素と塩素を含むガス中における塩素原子の、水素ガス中における水素原子に対する濃度塩素原子の数/水素原子の数は0.0001以上0.1以下が好ましく、より好適には0.001以上0.1以下であるのがよい。また、前処理エッチング時の温度は、低過ぎるとエッチングが十分に行なわれず、高過ぎるとエッチング後の表面荒れが生じる可能性があるため、1550°C以上1650°C以下が好ましい。さらに、エッチングによって除去される量は、少な過ぎると表面状態の改善効果が十分でなく、多過ぎると表面の凸凹が増加する可能性があるため、SiC単結晶基板の表面が厚み方向に0.1μm以上1μm以下の範囲でエッチングされるのが好ましく、より好適には0.3μm以上0.6μm以下であるのがよい。なお、本発明は、4°以下のオフ角を持ったSiC基板上へのエピタキシャル膜形成において、特にその効果を発揮するものであるが、オフ角が4°を超える基板に対しても、当然その効果を有するものである。また、オフ角の下限は0°である。このようにして成長されたエピタキシャルSiC単結晶基板上に好適に形成されるデバイスは、ショットキーバリアダイオード、PINダイオード、MOSダイオード、MOSトランジスタ等、特に電力制御用に用いられるデバイスである。実施例13インチ76mmウェーハ用SiC単結晶インゴットから、約400μmの厚さでスライスし、粗削りとダイヤモンド砥粒による通常研磨を実施した、4H型のポリタイプを有するSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長の手順としては、成長炉に基板をセットし、成長炉内を真空排気した後、水素ガスを毎分150L導入しながら圧力を1.0×104Paに調整した。その後、圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を1600°Cまで上げ、トリクロロシランSiHCl3を毎分3cm3水素ガス中の水素原子に対するトリクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.001と0.003導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、トリクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。なお、前処理エッチングによるSiC単結晶基板のエッチング量は、事前にエピタキシャル膜の前処理エッチングのみを行う実験を実施し、エッチング前後での膜厚をFTIR法例えばナノメトリクス社FTIR装置等で測定して算出した値である。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜の光学顕微鏡写真例えばオリンパス社MX61顕微鏡を用いた微分干渉像を図3に示す。図3より、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜が得られていることが分かる。このエピタキシャル膜表面をAFM例えばブルカー社製AFM装置で評価したところ、表面粗さのRa値算術平均表面粗さ:JISB06011994は0.20nmと平坦性に優れていた。実施例2実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1600°Cに達した後に、ジクロロシランSiH2Cl2を毎分6cm3水素ガス中の水素原子に対するジクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.002と0.004導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、ジクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分20cm3C/Si比1.0、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.22nmと平坦性に優れていた。実施例3実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1600°Cに達した後に、クロロシランSiH3Clを毎分20cm3水素ガス中の水素原子に対するクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.007導入して、前処理エッチングを約0.6μm行なった。その後、クロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分16cm3C/Si比0.8、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.25nmと平坦性に優れていた。実施例4実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1550°Cに達した後に、ジクロロシランSiH2Cl2を毎分6cm3水素ガス中の水素原子に対するジクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.002と0.004導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、ジクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分20cm3C/Si比1.0、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.23nmと平坦性に優れていた。実施例5実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1650°Cに達した後に、トリクロロシランSiHCl3を毎分3cm3水素ガス中の水素原子に対するトリロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.001と0.003導入して、前処理エッチングを約0.6μm行なった。その後、トリクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.21nmと平坦性に優れていた。実施例6実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1600°Cに達した後に、シランSiH4を毎分20cm3水素ガス中の水素原子に対するシラン中の珪素原子の濃度は0.007、塩化水素HClを毎分60cm3水素ガス中の水素原子に対する塩化水素中の塩素原子の濃度は0.02導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、シランと塩化水素の導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分16cm3C/Si比0.8、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.55nmと平坦性に優れていた。実施例7実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1500°Cに達した後に、トリクロロシランSiHCl3を毎分3cm3水素ガス中の水素原子に対するトリクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.001と0.003導入して、前処理エッチングを約1.0μm行なった。その後、トリクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.48nmと平坦性に優れていた。実施例8実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は6°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であり、1600°Cに達した後に、トリクロロシランSiHCl3を毎分3cm3水素ガス中の水素原子に対するトリクロロシラン中の珪素原子と塩素原子の濃度はそれぞれ0.001と0.003導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、トリクロロシランの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分20cm3C/Si比1.0、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表面粗さのRa値は0.21nmと平坦性に優れていた。実施例9~175実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であるが、基板のオフ角、前処理エッチング量、SiHnCl4nガスのガス種と濃度を表1~表6のように変えてある。前処理エッチング後、SiHnCl4nガスの導入を止め、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜は、表面荒れや欠陥の少ない良好な膜であり、表1~表6に示すように表面粗さのRa値も小さい値を示していた。なお、表中の濃度は水素ガス中の水素原子に対する、SiHnCl4nガス中の珪素原子の濃度Si濃度と塩素原子の濃度Cl濃度とを表す。比較例1実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であるが、珪素と塩素を含むガスを流す前処理エッチングは行なわず、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜の光学顕微鏡写真を図4に示す。図4より、三角形欠陥が多く、表面粗さの大きい膜であることが分かり、表面粗さのRa値は1.5nmと大きい値を示していた。比較例2実施例1と同様にスライス、粗削り、通常研磨を行った、4H型のポリタイプを有する3インチ76mmのSiC単結晶基板のSi面に、エピタキシャル成長を実施した。基板のオフ角は4°である。成長前処理開始までの手順、温度、水素ガスの導入等は、実施例1と同様であるが、1600°Cに達した後に、シランSiH4を毎分3cm3水素ガス中の水素原子に対するシラン中の珪素原子の濃度は0.001導入して、前処理エッチングを約0.5μm行なった。その後、SiH4流量を毎分40cm3、C2H4流量を毎分22cm3C/Si比1.1、さらにドーピングガスであるN2流量を毎分1cm3にしてエピタキシャル層を約10μm成長した。このようにしてエピタキシャル成長を行った膜には、前処理エッチングの不安定性あるいはSiドロップレットに起因すると思われる欠陥やピットが図4と同様に多く観察され、表面粗さのRa値は1.1nmと大きい値を示していた。