磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲であることを特徴とする電磁波吸収膜。膜厚が10~500nmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波吸収膜。前記磁性金属は、Fe-Al-Ni、Fe-Ni、Fe-Co及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波吸収膜。基材上に、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲である電磁波吸収膜を形成することを特徴とする電磁波吸収体の製造方法。前記電磁波吸収膜の形成は、物理蒸着によって行われることを特徴とする請求項4に記載の電磁波吸収体の製造方法。前記物理蒸着は、不活性ガス及び酸素ガスを導入し、前記磁性金属をターゲットに用いたスパッタリングであることを特徴とする請求項5に記載の電磁波吸収体の製造方法。前記酸素ガスの導入量は、不活性ガスの001~05倍の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の電磁波吸収体の製造方法。前記磁性金属が、Fe-Al-Ni、Fe-Ni、Fe-Co及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属であることを特徴とする請求項4に記載の電磁波吸収体の製造方法。本発明は、上記の現状を鑑み開発されたものであり、従来の電磁波吸収手段に比べて、薄厚であり、高周波領域での電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜及び、環境に負荷をかけることなく比較的容易に製造できる前記電磁波吸収膜を用いた電磁波吸収体の製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を所定量含有させることにより、電磁波吸収効果を有する前記磁性金属及び絶縁体である前記金属酸化物を、膜中に均一に分散させることができるため、薄厚で、電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜が得られることを見出した。さらに、前記電磁波吸収膜を形成した電磁波吸収体は、トルエン等の溶剤を用いることや、磁性体層と電気絶縁層とを交互に積層させることがないため、従来の製造方法に比べて、環境に負荷をかけることなく、比較的容易に製造することができることを見出した。本発明は、このような知見に基づきなされたもので、その要旨は以下の通りである。1磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲であることを特徴とする電磁波吸収膜。2膜厚が10~500nmの範囲であることを特徴とする上記1に記載の電磁波吸収膜。3前記磁性金属は、Fe-Al-Ni、Fe-Ni、Fe-Co及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属であることを特徴とする上記1に記載の電磁波吸収膜。4基材上に、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲である電磁波吸収膜を形成することを特徴とする電磁波吸収体の製造方法。5前記電磁波吸収膜の形成は、物理蒸着によって行われることを特徴とする上記4に記載の電磁波吸収体の製造方法。6前記物理蒸着は、不活性ガス及び酸素ガスを導入し、前記磁性金属をターゲットに用いたスパッタリングであることを特徴とする上記5に記載の電磁波吸収体の製造方法。7前記酸素ガスの導入量は、不活性ガスの001~05倍の範囲であることを特徴とする上記6に記載の電磁波吸収体の製造方法。8前記磁性金属が、Fe-Al-Ni、Fe-Ni、Fe-Co及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属であることを特徴とする上記4に記載の電磁波吸収体の製造方法。本発明によれば、薄厚であり、高周波領域での電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜を提供し、さらに、環境に負荷をかけることなく比較的容易に製造できる、該電磁波吸収膜を用いた電磁波吸収体の製造方法を提供することが可能となった。以下、本発明による電磁波吸収膜の構成と限定理由を説明する。本発明に従う電磁波吸収膜は、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有することを特徴とする。膜中に、電磁波吸収作用を有する前記磁性金属及び絶縁体としての前記金属酸化物を含有することで、電気的に絶縁した状態で前記磁性金属を存在させることができる。ただし、通常の磁性体と絶縁体とを単純に混合するだけでは、均一に分散することが困難であり、所望の電磁波吸収性能を得ることができない。そのため、本発明では前記金属酸化物を前記磁性金属の酸化物とすることで、膜形成の際、前記磁性金属を選択的に酸化して金属酸化物を得ることができるとともに、前記磁性金属及び前記金属酸化物を均一に分散することができる結果、得られた電磁波吸収膜は優れた電磁波吸収性を有する。さらに、本発明による電磁波吸収膜は、電磁波吸収性が高く、複数層形成する必要もないため、従来の電磁波吸収膜に比べて大幅に薄厚化することができる。ここで、本発明による電磁波吸収膜の膜厚は、10~500nmとすることが好ましい。10nm未満の場合、膜厚が小さすぎるため、所望の電磁波吸収性を得ることができないおそれがあり、一方、500nmを超えると、電磁波吸収性の効果が飽和し、薄厚の電磁波吸収膜を得るという本発明の目的に沿わないおそれがあり、さらに、膜厚の応力によってクラックが発生するおそれがあるためである。また、本発明による電磁波吸収膜は、前記磁性金属及び前記金属酸化物を含有すればよく、その他の含有成分については、特に限定はしない。さらに、製造工程中に、不可避的に含有される成分についても膜中に含有される場合がある。また、前記電磁波吸収膜中の金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲であることを特徴とする。10体積未満の場合、前記磁性金属の割合が多くなりすぎるため、前記磁性金属が均一に分散されず、電磁波吸収性が低下し、一方、50体積を超えると、前記磁性金属の割合が少なくなりすぎるため、十分な電磁波吸収性が得られないからである。なお、前記前記金属酸化物の含有率については、本発明では、前記電磁波吸収膜の任意の1箇所についてネットワークアナライザーを用いて、前記金属酸化物の体積を測定し、各測定値の平均値をもとに含有率を算出している。また、前記磁性金属及び前記金属酸化物は、粒子状で存在しているが、その平均粒径は、いずれも10nm以下であることが好ましい。10nmを超える場合、粒径が大きすぎるため、前記磁性金属を均一に分散することが難しく、電磁波吸収性能が低下するおそれがあるからである。なお、前記磁性金属及び前記金属酸化物の平均粒径については、いずれも、複数の粒径を測定して得られる平均値であれば特に限定はしないが、本発明では、任意に選択した前記磁性金属及び前記金属酸化物の粒子各30個ずつの粒径をSEMによって測定し、その平均を算出することで得られる。本発明による電磁は吸収膜に含有される前記磁性金属は、十分な電磁波吸収性能を発揮できるという点から、Fe-Al-Ni、Fe-Ni、Fe-Co及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の軟磁性金属であることが好ましい。その他にも、Fe-Mo-Niや、Co-Nb-Zr等を用いることもできる。また、前記金属酸化物は、前記磁性金属の酸化物であり、具体的には、Fe2O3、Al2O3、SiO2及びNiOからなる群より選ばれた少なくとも1種の酸化物であることが好ましい。次に、本発明による電磁波吸収体の製造方法について図面を用いて説明する。本発明による電磁波吸収体1の製造方法は、図1に示すように、基材10上に、磁性金属及び該磁性金属を酸化してなる金属酸化物を含有し、該金属酸化物の含有率が、10~50体積の範囲である電磁波吸収膜20を形成することを特徴とする。前記電磁波吸収膜20に前記磁性金属及び該金属の酸化物である前記金属酸化物を含有させることで、同一材料磁性金属を用いて前記電磁は吸収膜20の形成を行うことができるため、前記磁性金属を膜中に均一に分散させることが可能となり、薄厚で、電磁波吸収性に優れた電磁波吸収膜を得ることができる。さらに、トルエン等の溶剤を用いることがないため環境への悪影響はなく、磁性体層と電気絶縁層とを交互に積層させることがないため、煩雑な製造工程を経ることなく比較的容易に製造することができる。また、前記電磁波吸収膜20の形成は、物理蒸着によって行われることが好ましい。前記電磁波吸収膜20に含有される前記前記磁性金属を膜中に均一に分散させることを可能とし、さらに、前記電磁波吸収膜20を効率的に形成することができるからである。なお、物理蒸着の種類としては、例えば、スパッタリング、抵抗加熱又はイオンプレーティング等が挙げられる。さらに、前記物理蒸着は、図2に示すように、不活性ガス及び酸素ガスを導入し、前記磁性金属をターゲット110に用いたスパッタリングであることがより好ましい。スパッタリングによって、前記ターゲット110である磁性金属の一部が酸素と反応して酸化物となった状態で、前記基材10上に到達するため、均一に分散された磁性金属及び該磁性金属の酸化物を含有する電磁波吸収膜20を確実に形成することできるからである。スッパッタリングの条件については、前記基材10上に所望の電磁波吸収膜20形成できる条件であればよく、前記ターゲット110を磁性金属とし、不活性ガス及び酸素ガスを導入すること以外の条件については特に限定されない。例えば、図2に示すようなスパッタリング装置100を用いて行うことができる。図2に示すスパッタリング装置100は、前記ターゲット110を支持する支持台120と、前記ターゲット110及び前記基材10の間へ電圧をかける電源130と、前記不活性ガス及び酸素ガスを導入するための導入口140、150と、装置内の減圧を行うための真空ポンプ160と、シャッター170と、前記基材10を載置するためのテーブル180とを備え、装置内を減圧した状態で前記基材10と前記ターゲット110との間に電圧をかけてプラズマ200を発生させることで、発生したプラズマ粒子をターゲット110磁性金属に衝突させて、衝突で弾き飛ばされた磁性金属は、その粒子の一部が反応性ガスの酸素と反応して酸化物となった状態で、前記基材10上に付着する結果、電磁波吸収膜20を形成できる。また、前記電磁波吸収膜20の性能を高める点からは、前記酸素ガスの導入量は、不活性ガスの001~05倍の範囲であることが好ましい。001倍未満の場合、スパッタリング時に前記磁性金属の酸化物粒子を十分に生成することができず、形成された電磁波吸収膜20中の前記磁性金属の分散性が低下するからであり、一方、05倍を超えると、酸素の量が多すぎるため、前記磁性金属粒子の殆どが酸化する結果、前記電磁波吸収膜20の電磁波吸収性能が低下するおそれがあるからである。さらに、前記ターゲット110である磁性金属は、Fe-Al-Ni、Fe-Ni及びFe-Sからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属であることが好ましい。その他の金属を、前記磁性金属として用いて電磁波吸収膜20を形成した場合、十分な電磁波吸収性能を発揮できないおそれがあるからである。なお、前記電磁波吸収膜20が形成される基材10については、特に限定はせず、電磁波吸収体の用途によって種々の基材10を選択することができる。具体的な種類については特に限定はしないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリイミドPI、ポリエチレンPE又はポリプロピレンPP等を用いることができる。上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲の記載に基づいて種々の変更を加えることができる。本発明の実施例について説明する。実施例1及び2、比較例1図2に示すスパッタリング装置100を用いて、アルゴンガス及び酸素ガスを導入し、表1に示す磁性金属をターゲットとして、減圧下1Pa程度でスパッタリングを行うことによって、ポリエチレンテレフタレートPETからなる基材10上に、表1に示す磁性金属及び金属酸化物からなる電磁波吸収膜20を形成し、各実施例及び比較例のサンプルとなる電磁波吸収体を製造した。なお、スパッタリングの条件ターゲットの種類、アルゴンガスに対する酸素ガスの導入量の割合、装置内の圧力、及び、形成された電磁波吸収膜20の条件磁性金属の種類、金属酸化物の種類、金属酸化物の含有率、膜厚については、表1に示す。比較例2酸素ガスを導入せず、アルゴンガスのみを導入してスパッタリングを行ったこと以外は、実施例1~3と同様の条件によって、比較例1のサンプルとなる電磁波吸収体を製造した。なお、スパッタリングの条件ターゲットの種類、装置内の圧力、及び、形成された電磁波吸収膜20の条件磁性金属の種類、金属酸化物の含有率、膜厚については、表1に示す。比較例3偏平磁性金属からなる電磁波吸収膜を備えた市販の電磁波吸収体太陽誘電株製SFX1を、比較例2のサンプルとして用いた。なお、電磁波吸収膜20の条件磁性金属の種類、金属酸化物の含有率、膜厚については、表1に示す。以上のようにして得られた各電磁波吸収体について評価を行った。評価方法を以下に示す。評価方法1電磁波吸収性能各サンプルについて、ネットワークアナライザーを用いたSパラメータ法により、吸収量=1-10S2110-10S1110を計算することで、電磁波吸収量dBを取得し、評価を行った。なお、電磁波吸収量の取得は、周波数の異なる2種類の電磁波1GHz、3GHzのについて行った。電磁波吸収量の測定結果は、表1に示す。2電磁波吸収膜の膜厚各サンプルについて、電磁波吸収膜の膜厚をオージェ電子分光法によって測定した。膜厚の側定結果は、表1に示す。表1の結果から、本発明にかかる実施例1及び2は、特に高周波領域3GHzでの電磁波吸収性能が高いことがわかった。一方、磁性金属酸化物の含有率が本発明の範囲外である比較例1、及び、磁性金属のみからなる電磁波吸収膜を有する比較例2については、いずれも、電磁波吸収性能が各実施例に比べて劣るものであった。また、市販品である比較例3については、一定の電磁波吸収性能を発揮するものの、実施例1及び2に比べて大幅に電磁波吸収膜の膜厚が大きいことがわかった。さらに、各実施例のサンプルは、1層の電磁波吸収膜からなるため、複数層形成した電磁波吸収膜に比べて製造工程が煩雑とはならず、基材上に磁性金属をスパッタリングしているため環境に悪影響を与える材料を用いていないことがわかった。