"絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの両面にそれぞれ形成された第1金属層及び第2金属層と、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に形成され、前記第1金属層と前記第2金属層とを電気的に接続する層間接続部と、を有し、前記第1金属層の厚さは0.08mm以上であり、前記ビアホールの直径は0.1mm以上であり、前記層間接続部は、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部からなることを特徴とするフレキシブル配線基板。前記絶縁性フィルムの厚さTfと、前記第1金属層の厚さTmと、前記ビアホールの直径Dとが、TfTm/D<0.75の関係を満たすように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル配線基板。前記メッキ部は、前記メッキ部の上面に生じる窪みの深さが前記ビアホールの深さの10以下の略平坦な上面となるよう充填されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線基板。前記メッキ部は、2層以上のメッキ層からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のフレキシブル配線基板。絶縁性フィルムの第1主面上に厚さが0.08mm以上の第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、前記絶縁性フィルムの第2主面上に第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通させる貫通工程と、を有し、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通して前記第2金属層が露出する、直径が0.1mm以上のビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール内に、前記第1金属層と前記第2金属層とを電気的に接続する層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を有し、前記層間接続部形成工程では、前記第2金属層に電流を印加して電気メッキを行い、前記ビアホール内に第1メッキ層を形成する第1メッキ層形成工程と、前記第1金属層と前記第2金属層とに電流を印加して電気メッキを行い、前記第1メッキ層の上と前記第1金属層の上とに第2メッキ層を形成する第2メッキ層形成工程と、を実施して、前記第1メッキ層と、前記第2メッキ層の前記第1メッキ層上に形成された部分とで、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部を構成し、前記メッキ部からなる前記層間接続部を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。前記絶縁性フィルムの厚さTfと、前記第1金属層の厚さTmと、前記ビアホールの直径Dとを、TfTm/D<0.75の関係を満たすように設定することを特徴とする請求項5に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。前記第2メッキ層形成工程の前に、前記第1メッキ層の上と、前記ビアホールの壁面と、前記第1金属層の上とに、導電化処理を施す導電化処理工程を有することを特徴とする請求項5又は6に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。近年では、大電流用途に適合するTABテープの開発が進み、配線パターン等の厚みを従来のTABテープよりも厚くし、配線パターンを構成する導電体の断面積を大きくすることで、大電流を所望の箇所に供給あるいは伝送している。しかしながら、上述のような層間接続部を大電流用途のTABテープに適用した場合、ビアホールの壁面に沿って設けられ、例えば厚さが0.01mm~0.02mm程度の薄いメッキ層に大電流が流れて電気抵抗が増大してしまう。本発明の目的は、層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能なフレキシブル配線基板およびフレキシブル配線基板の製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様によれば、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの両面にそれぞれ形成された第1金属層及び第2金属層と、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通するビアホールと、前記ビアホール内に形成され、前記第1金属層と前記第2金属層とを電気的に接続する層間接続部と、を有し、前記第1金属層の厚さは0.08mm以上であり、前記ビアホールの直径は0.1mm以上であり、前記層間接続部は、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部からなるフレキシブル配線基板が提供される。本発明の第2の態様によれば、前記絶縁性フィルムの厚さTfと、前記第1金属層の厚さTmと、前記ビアホールの直径Dとが、TfTm/D<0.75の関係を満たすように構成されている第1の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。本発明の第3の態様によれば、前記メッキ部は、前記メッキ部の上面に生じる窪みの深さが前記ビアホールの深さの10以下の略平坦な上面となるよう充填されている第1又は第2の態様に記載のフレキシブル配線基板が提供される。本発明の第4の態様によれば、前記メッキ部は、2層以上のメッキ層からなる第1~第3の態様のいずれかに記載のフレキシブル配線基板が提供される。本発明の第5の態様によれば、絶縁性フィルムの第1主面上に厚さが0.08mm以上の第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、前記絶縁性フィルムの第2主面上に第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通させる貫通工程と、を有し、前記絶縁性フィルム及び前記第1金属層を貫通して前記第2金属層が露出する、直径が0.1mm以上のビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記ビアホール内に、前記第1金属層と前記第2金属層とを電気的に接続する層間接続部を形成する層間接続部形成工程と、を有し、前記層間接続部形成工程では、前記第2金属層に電流を印加して電気メッキを行い、前記ビアホール内に第1メッキ層を形成する第1メッキ層形成工程と、前記第1金属層と前記第2金属層とに電流を印加して電気メッキを行い、前記第1メッキ層の上と前記第1金属層の上とに第2メッキ層を形成する第2メッキ層形成工程と、を実施して、前記第1メッキ層と、前記第2メッキ層の前記第1メッキ層上に形成された部分とで、前記ビアホール内を満たすよう前記ビアホール内に充填されるメッキ部を構成し、前記メッキ部からなる前記層間接続部を形成するフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。本発明の第6の態様によれば、前記絶縁性フィルムの厚さTfと、前記第1金属層の厚さTmと、前記ビアホールの直径Dとを、TfTm/D<0.75の関係を満たすように設定する第5の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。本発明の第7の態様によれば、前記第2メッキ層形成工程の前に、前記第1メッキ層の上と、前記ビアホールの壁面と、前記第1金属層の上とに、導電化処理を施す導電化処理工程を有する第5又は第6の態様に記載のフレキシブル配線基板の製造方法が提供される。本発明によれば、層間接続部における電気抵抗が低減され、大電流用途に適用可能となる。<本発明の一実施形態>以下に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板及びフレキシブル配線基板の製造方法について説明する。1フレキシブル配線基板の構造まずは、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板の構造について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るフレキシブル配線基板の一部を示す図であって、主に層間接続部50vを示す断面図である。図1に示すように、フレキシブル配線基板としてのTABテープは、例えば絶縁性フィルム10と、絶縁性フィルム10の両面にそれぞれ形成された第1金属層21及び第2金属層42と、を有している。また、TABテープは、絶縁性フィルム10及び第1金属層21を貫通するビアホール30と、ビアホール30内に形成され、第1金属層21と第2金属層42とを電気的に接続する層間接続部50vと、を有している。絶縁性フィルム10は、可撓性を有する樹脂、例えば厚さが0.1mm以下のポリイミドPI等からなる。絶縁性フィルム10の第1主面10a上には、第1金属層21が形成されている。第1金属層21は、例えば厚さが0.08mm以上0.5mm以下の銅箔等からなる。また、第1金属層21は、係る銅箔等がパターニングされた第1配線パターン21pを一部に有している。また、第1配線パターン21p上には、第1配線パターン21pと重なる位置に、後述する第2メッキ層52を構成する銅メッキ等がパターニングされたメッキパターン52pを有している。絶縁性フィルム10の第2主面10b上には、第2金属層42が形成されている。第2金属層42は、例えば厚さが0.012mm程度の銅箔等からなる。また、第2金属層42は、係る銅箔等がパターニングされた第2配線パターン42pを一部に有している。このように、第1金属層21は、大電流用途に適用可能なように、第2金属層42に比して比較的厚く形成されている。また、第1配線パターン21pとメッキパターン52pとで、大電流を流す配線として機能させることで、TABテープに大電流を流す際、配線部分の電気抵抗をいっそう低減することができる。また、第1金属層21を構成する銅箔等の一部を加工して第1配線パターン21pを形成する際の加工性を考慮して、上記のように、第1金属層21を所定の厚さ以下とすることが好ましい。絶縁性フィルム10及び第1金属層21を貫通するビアホール30は、例えば直径が0.1mm以上0.8mm以下に形成されている。ビアホール30内に形成される層間接続部50vは、ビアホール30内を満たすようビアホール30内に充填されるメッキ部50からなる。メッキ部50は、2層以上のメッキ層からなる。すなわち、ビアホール30内には、例えば銅メッキ等からなる第1メッキ層51が形成されている。第1メッキ層51は、ビアホール30内の第1金属層21には到達しない高さに形成されている。第1メッキ層51の上と第1金属層21の上とには、例えば銅メッキ等からなる第2メッキ層52が形成されている。第1メッキ層51と、第2メッキ層52のビアホール30内を満たす部分、すなわち、第1メッキ層51上に形成された部分とで、メッキ部50が構成される。上述のように、第2メッキ層52は、第1配線パターン21pと重なる位置にメッキパターン52pを有している。このように、ビアホール30の直径を所定値以上とし、ビアホール30内を満たすようにメッキ部50が充填された構成とすることで、層間接続部50vにおける電気抵抗を低減することができ、大電流用途に適用可能となる。また、層間接続部50vを構成する銅メッキ等の導電体の質量が増加するため、電気的接合信頼性が向上する。また、第1メッキ層51及び第2メッキ層52を充填する際の生産性を考慮して、上記のように、ビアホール30の直径を所定値以下とすることが好ましい。また、メッキ部50は、略平坦な上面を有する。すなわち、メッキ部50は、メッキ部50の上面、つまり、ビアホール30内の略中央に位置する第2メッキ層52の上面に生じる窪み52dの深さが、例えばビアホール30の深さの10以下の平坦な上面となるよう充填されている。このような、略平坦な上面を有するメッキ部50は、例えば絶縁性フィルム10の厚さTfと、第1金属層21の厚さTmと、ビアホール30の直径Dとが、TfTm/D<0.75の関係を満たすように構成されることで得られる。その具体的な手法については後述する。上記各数値の具体例を挙げると、絶縁性フィルム10の厚さTfを0.05mm、第1金属層21の厚さTmを0.1mm、前記ビアホールの直径Dを0.2mmなどとすることができる。このように、メッキ部50の上面が略平坦に構成されることで、例えば層間接続部50vの上に形成される種々の構造と、層間接続部50vの接合性を向上させることができる。層間接続部50v上の構造としては、例えばハンダボールが搭載されるボールパッド等がある。上述の従来例のように、薄いメッキ層が形成されるのみで層間接続部が充填されていないTABテープにおいては、層間接続部の上にボールパッド等を形成することが困難であった。また、仮にボールパッドを形成したとしても、ボールパッドがビアホール内へと撓み、ハンダボールやハンダボールと接合する半導体チップのパッド等と、良好な接合を得ることが困難であった。しかしながら、本実施形態においては、ビアホール30内が充填され、さらにメッキ部50が略平坦な上面を有しているので、層間接続部50vの直上の位置であってもボールパッド形成位置に含めることができ、配線設計上の自由度を向上させることができる。2フレキシブル配線基板の製造方法次に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板としてのTABテープの製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態に係るTABテープの製造方法の各工程を、図1のA-A断面と同方向側の断面図で示す工程図である。ビアホール形成工程まずは、以下のように、第1金属層形成工程と、第2金属層形成工程と、貫通工程とを有するビアホール形成工程を行って、絶縁性フィルム10及び第1金属層21を貫通して第2金属層42が露出する、直径が例えば0.1mm以上0.8mm以下のビアホール30を形成する。第1金属層形成工程図2aに示すように、絶縁性フィルム10の第1主面10a上に、例えば厚さが0.08mm以上0.5mm以下の第1金属層21を形成する。すなわち、例えば厚さが0.08mm以上0.5mm以下の第1金属層21となる銅箔等を、図示しない接着材により絶縁フィルム10の第1主面10a上に貼着する。貫通工程次に、図2bに示すように、絶縁性フィルム10及び第1金属層21を、例えばプレス加工等により貫通させる。第2金属層形成工程さらに、図2cに示すように、絶縁性フィルム10の第2主面10b上に第2金属層42を形成する。すなわち、例えば第2金属層42となる銅箔等を、図示しない接着材により絶縁フィルム10の第2主面10b上に貼着する。これにより、絶縁性フィルム10及び第1金属層21を貫通して第2金属層42が露出する、直径が例えば0.1mm以上0.8mm以下のビアホール30が形成される。層間接続部形成工程続いて、以下のように、第1メッキ層形成工程と、導電化処理工程と、第2メッキ層形成工程とを有する層間接続部形成工程を行って、ビアホール30内に、第1金属層21と第2金属層42とを電気的に接続する層間接続部50vを形成する。第1メッキ層形成工程図2dに示すように、第2金属層42に電流を印加して電気メッキを行い、ビアホール30内に第1メッキ層51を形成する。係る電気メッキは、例えば銅メッキ液を用いた電気銅メッキ等とすることができる。電流を印加した第2金属層42を電極として、ビアホール30内に露出した第2金属層42の上面から第1メッキ層51が成長していく。このように、電気銅メッキ等を所定時間継続することで、ビアホール30内の第1金属層21には到達させずに、銅メッキ等からなる第1メッキ層51を形成する。このとき、絶縁性フィルム10を厚くする場合は、ビアホール30のアスペクト比ビアホール30の深さ/ビアホールの直径の比が高くなりすぎないよう、ビアホール30の直径を大きくする。具体的には、絶縁性フィルム10の厚さTfと、第1金属層21の厚さTmと、ビアホール30の直径Dとを、例えばTfTm/D<0.75の関係を満たすように設定しておくことが好ましい。各数値をこのように設定しておくことで、ビアホール30内に銅メッキ液等が抱き込まれてしまい、ビアホール30の内部で第1メッキ層51の成長速度が低下してしまうことを抑制することができる。また、ビアホール30の直径を大きくした場合は、印加する電流を増大させ、電気メッキの時間を長くする。これは、後述する第2メッキ層形成工程においても同様である。これにより、ビアホール30内を満たすようにメッキ部50を充填することができる。導電化処理工程次に、図2eに示すように、ビアホール30内に形成された第1メッキ層51の上と、ビアホール30の壁面と、第1金属層21の上とに、導電化処理を施す。具体的には、例えば無電解銅メッキ等により、ビアホール30内及びビアホール30近傍の露出面、すなわち、第1メッキ層51の上と、ビアホール30の壁面と、第1金属層21の上とに、導電被膜Mを形成する。第2メッキ層形成工程次に、図2fに示すように、第1金属層21と第2金属層42とに電流を印加して電気メッキを行い、第1メッキ層51の上と第1金属層21の上とに第2メッキ層52を形成する。係る電気メッキは、例えば銅メッキ液を用いた電気銅メッキ等とすることができる。電気銅メッキ等を所定時間、継続することで、銅メッキ等からなる第2メッキ層52を形成することができる。電気銅メッキ等は、少なくともビアホール30内が、第2メッキ層52により、第1金属層21の上面の高さに満たされるまで継続することとする。このように、第2メッキ層形成工程では、第2金属層42のみならず、第1金属層21にも電流を印加して第2メッキ層52を形成することで、電気的に接続のなかった第1金属層21と第2金属層42とが第1メッキ層51及び第2メッキ層52を介して接続される。また、第2メッキ層形成工程に先駆けて、導電化処理工程を行って導電被膜Mを形成している。これにより、第1金属層21及び第2金属層42から印加された電流が導電被膜Mに伝わり、第1メッキ層51の上と、ビアホール30の壁面と、第1金属層21の上と、の3方向から、成長方向や成長速度の偏りを抑えつつ、ビアホール30内を満たすように第2メッキ層52を成長させることができる。但し、このとき、ビアホール30内の略中央に窪み52dが生じ得る。電気銅メッキ等は、この第2メッキ層52の窪み52dの深さが、例えばビアホールの深さの10以下となるまで継続することが好ましい。以上のように、第1メッキ層51と、第2メッキ層52の第1メッキ層51上に形成された部分とで、ビアホール30内を満たすようビアホール30内に充填されるメッキ部50を構成し、メッキ部50からなる層間接続部50vを形成することができる。配線パターン形成工程この後、図2gに示すように、配線パターン21p,42pを形成する。すなわち、第2メッキ層52の上に図示しないレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに第2メッキ層52及び第1金属層21をエッチングする。これにより、メッキパターン52pと共に第1配線パターン21pが形成される。一方、第2金属層42の上に図示しないレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに第2金属層42をエッチングする。これにより、第2配線パターン42pが形成される。以上により、本実施形態に係るフレキシブル配線基板が製造される。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態においては、第2メッキ層52を銅メッキ等からなるとしたが、ニッケルNiメッキ等であってもよい。また、上述の実施形態においては、第1メッキ層51と、第2メッキ層52の第1メッキ層51上に形成された部分とでメッキ部50が構成されるとしたが、メッキ部50は3層以上の複数のメッキ層から構成されていてもよい。また、上述の実施形態においては、ビアホール形成工程を、第1金属層形成工程、貫通工程、第2金属層形成工程の順に行うこととしたが、工程順はこれに限られない。例えば、上述の実施形態と同様、第1金属層形成工程及び第2金属層形成工程を行って順不同、第1金属層及び第2金属層を有する絶縁性フィルムを形成した後、レーザ加工等により第2金属層を残して絶縁性フィルム及び第1金属層を貫通させる貫通工程を行って、ビアホールを形成してもよい。なお、銅箔等が既に片面或いは両面に貼着された絶縁性フィルムを出発材料とすることも可能である。この場合、例えば巴川製紙所製のTAB用接着テープ等を用いることができる。また、上述の実施形態においては、第1金属層21及び第2金属層42は接着材を介して絶縁性フィルム10に貼着することとしたが、接着材を用いずに熱圧着により銅箔を貼り合せたり、スパッタリングやメッキ等を用いて銅などの導電材を直接的に絶縁性フィルムに成膜したりしてもよい。また、上述の実施形態においては、導電化処理工程は、無電解銅メッキにより行うこととしたが、スパッタリングや蒸着等によって導電被膜を形成してもよく、パラジウムPd系触媒等によって導電化処理を施してもよい。或いは、第2メッキ層形成工程にて、第1金属層21にも電流を印加することとしたので、導電化処理工程を省略することも可能である。また、上述の実施形態においては、絶縁性フィルム10はポリイミドPI等から構成されるとしたが、これに限られず、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリアミドイミドPAI、液晶ポリマLCP、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂により構成されていてもかまわない。"