連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。前記一級アルキル部位の炭素数が4~20である、請求項1記載のレジスト剥離用界面活性剤。前記界面活性剤のHLB値が、11.0~16.0である、請求項1又は2記載のレジス剥離用界面活性剤。前記界面活性剤の全体の数平均分子量が200~3000である、請求項1~3のいずれか一項記載のレジスト剥離用界面活性剤。前記ポリオキシエチレン部位の繰り返し単位数が2~30である、請求項1~4のいずれか一項記載のレジスト剥離用界面活性剤。請求項1~5のいずれか一項記載のレジスト剥離用界面活性剤が、0.01~10質量溶解している、混相流体噴射用水。連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射することにより、基板を処理する方法において、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤を前記水に添加して、前記混相流体として噴射することを特徴とする、基板上のレジストを剥離する基板処理方法。前記混相流体が、水蒸気と水とを加速流路を有するノズルによって加速して噴射されることを特徴とする、請求項7記載の基板処理方法。水蒸気と水の混相流体によって、レジストを剥離する場合には、基板上に形成されたレジスト膜の面積が大きくなると、処理において十分にレジストが剥離できないという問題を有していた。そこで、本発明は、水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤を提供することを目的とする。本発明1は、連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤である。本発明2は、前記一級アルキル部位の炭素数が4~20である、前記発明1のレジスト剥離用界面活性剤である。本発明3は、前記界面活性剤のHLB値が、11.0~16.0である、前記発明1又は2のレジス剥離用界面活性剤である。本発明4は、前記界面活性剤の全体の数平均分子量が200~3000である、前記発明1~3のいずれか一つのレジスト剥離用界面活性剤である。本発明5は、前記ポリオキシエチレン部位の繰り返し単位数が2~30である、前記発明1~4のいずれか一つのレジスト剥離用界面活性剤である。本発明6は、前記発明1~5のいずれか一つのレジスト剥離用界面活性剤が、0.01~10質量溶解している、混相流体噴射用水である。本発明7は、連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射することにより、基板を処理する方法において、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤を前記水に添加して、前記混相流体として噴射することを特徴とする、基板上のレジストを剥離する基板処理方法である。本発明8は、前記混相流体が、水蒸気と水とを加速流路を有するノズルによって加速して噴射されることを特徴とする、前記発明7の基板処理方法である。本発明に係るレジスト剥離用界面活性剤は、連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体内に混合することによって、広い面積のレジスト膜を剥離することができる。界面活性剤として、ノニオン系界面活性剤を選択することによって、レジスト剥離が好適に行なわれ、更に、カウンターイオン等の金属成分が含まれないため金属汚染を防止することができる。更に、ノニオン系界面活性剤として、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するものを選択することによって、特に高いレジスト剥離効果が得られる。界面活性剤として、アルキル基の炭素数が少ないものや、分子量の小さいものを使用することで、特に広い面積のレジストであっても良好に剥離することができる。このようなサイズの小さな界面活性剤を選択することでレジストに対して十分な浸透力を発揮すると考えられ、これにより広い面積のレジストであっても剥離しやすくなると考えられる。本発明は、連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加されるレジスト剥離用界面活性剤である。混相流体の噴射による物理力を利用するレジスト剥離工程では、噴射された混相流体が基板上に衝突して衝撃力を与えて、レジストを剥離する。このように物理力を利用するレジスト剥離方法において、界面活性剤を添加することによって、広い面積のレジスト膜であっても剥離できる。本発明係るレジスト剥離用界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤である。ノニオン系の界面活性剤を使用することにより、他のアニオン系界面活性剤や、カチオン系界面活性剤とはことなり、対イオンとしてナトリウム、カリウム等の金属が含まれないため、基板の汚染の原因となりにくいため好適である。本発明に係るレジスト剥離用界面活性剤は、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有する。ノニオン系の界面活性剤において、このような構造のポリオキシエチレンアルキルエーテル系界面活性剤を選択することによって、特に、レジスト剥離が効果的に行なわれるという効果を奏する。一級アルキル部位は、分岐アルキルであっても直鎖アルキルであってもよいが、直鎖アルキルが好適である。一級アルキル部位の炭素数が4~20であることが好適であり、4~10であることがより好適である。このような範囲にあることによって、好適にレジストが剥離しやすくなる。当該炭素数のアルキル部位を有することによってより好適にレジスト剥離が行なわれ、より好適な範囲4~10のアルキル部位である場合には特に広い面積のレジストであっても好適に剥離される。本発明に係る界面活性剤は、HLB値が11.0~16.0であることが好適であり、11.0~14.5がより好適である。ここで、HLB値とは、グリフィン法により求めた値であり、HLB値=20×親水部の分子量Mn/全体の分子量Mnで定義される値であるここで分子量に分布がある場合には数平均分子量とする。上記の一級アルキル部位の炭素数において、当該HLB値のものを使用することによって、特に高いレジスト剥離効果が得られる。ポリオキシエチレン部位は、その繰り返し単位数が4~18であることが好適である。このような長さであることによって、適切な親疎水性バランスが保たれる。本発明に係る界面活性剤全体の数平均分子量は、200~3000が好適であり、20~2000がより好適であり、200~1200がより好適であり、200~500であることが特に好適である。ここで、数平均分子量は、ゲルパーミエーショクロマトグラフ分析によるプルラン換算値である。当該数分子量の範囲のものを使用することによって、レジスト剥離が好適に行われる。数分子量範囲において特に好適な範囲200~500の界面活性剤を使用することによって、混相流体の噴射時の非常に短い時間であっても、高い浸透力を発揮するため、広い面積のレジストであっても、剥離可能となる。より具体的に、本発明に係るレジスト剥離用界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンブチルエーテル、ポリオキシエチレンペンチルエーテル、ポリオキシエチレンヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンヘプチルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンウンデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルが挙げられる。本発明に係る界面活性剤は、混相流体の噴射において使用される水中に添加して使用される。当該水中での界面活性剤の濃度は、全体質量に対して、0.01~10質量が好適であり、0.05~5質量がより好適であり、0.1~1質量が更に好適である。このような低濃度の添加量であっても、混相流体により与える物理力との組合せによって、レジストを剥離することが可能となる。図1は、本発明に係る界面活性剤を使用する基板処理方法において用いられる基板処理装置100の全体図である。本装置100は、水蒸気供給部A、ガス供給部B、水供給部C、2流体調整部D、混相流体噴射部E、基板保持回転上下機構部Fを有する構成である。以下、各部を詳述する。A水蒸気供給部水蒸気供給部Aは、純水を供給するための水供給管111と、所定温度D1°C以上に加温して水蒸気を発生させ、水蒸気の発生量を制御して水蒸気を所定値C1MPaに加圧する蒸気発生器112と、蒸気の供給及びその停止を司る開閉可能な水蒸気開閉バルブ113と、蒸気発生器112から下流に供給される水蒸気の圧力を計測するための圧力計114と、蒸気供給圧力を所望の値に調整するための水蒸気圧力調整バルブ115と、供給水蒸気内の微小液滴量を調整する温度制御機構付き加熱蒸気生成器兼飽和蒸気湿り度調整器116と、安全装置としての安全弁117と、から構成される。水蒸気の流量及び圧力は、水蒸気圧力調整バルブ115で制御することが可能である。Bガス供給部ガス供給部Bは、不活性ガス又は清浄空気を供給するためのガス供給管121と、不活性ガス又は清浄空気の供給圧力を所望の値に調整するためのガス圧力調整弁122と、不活性ガス又は清浄空気の停止及び再開を司り、流量を所望の値に調整するためのガス開閉兼用流量調整バルブ123と、不活性ガス又は清浄空気の温度を調整するためのガス温度制御機構付加熱部124と、下流に供給される気体の圧力を計測するためのガス流量計125と、から構成される。元圧をガス圧力調整弁122で、一定0.4MPa程度とし、出力流量を開閉兼用流量調整バルブ123で制御することが可能である。C水供給部水供給部Cは、水を供給するための水供給貯留タンク131と、水に熱エネルギーを持たせるための水温度制御機構付加熱部132と、水の流量を確認するための水流量計133と、下流への水の供給の停止及び再開を司る下流供給用水開閉バルブ134と、流量を調整するため及び水が気体配管内に円滑に導入されるためのオリフィス流量調整バルブ135から構成される。液体ここでは水に溶けるガス、例えば水であればCO2を溶かした液体状態でノズルに供給してもよい。また、水供給貯留タンク131内で本発明に係る界面活性剤を混合してもよいし、あらかじめ界面活性剤を混合した液を水供給貯留タンク131内に入れてもよい。水の流量は、一定圧力通常0.4MPaを純水のタンク図示せずにかけた状態で、その出力をオリフィス流量調整バルブ135を調節して、水流量計133により確認しながら制御できる。D2流体調整部2流体調整部Dは、生成された2流体の温度や飽和水蒸気の湿り度を調整するための2流体温度制御機構付加熱部141を有している。E混相流体噴射部混相流体噴射部Eは、対象物に対して混相流体を噴射するための、前後左右方向図1のX軸ノズルスキャン範囲又はY軸ノズルスキャン範囲に移動可能なノズル200と、ノズルの移動を円滑に行うためのするためのフレキシブル配管152と、流体のノズル直前の圧力を計測するための圧力計153と、から構成される。ノズル200は、X軸方向及びY軸方向にスキャンするができる。図2は、基板処理装置100に使用されるノズル200の一例の断面図である。ノズル200は、該ノズルの上流に設けられノズル内で最大断面積を有する気体導入孔211と、該気体導入孔よりも下流であり、加速流路の側面に設けられた液体導入孔213と、該気体導入孔から供給された気体及び該液体導入孔から供給された液体を加速する加速流路215と、加速された混相流体が噴射される噴出口217とを有する加速ノズル部210を有する。ノズル200は、ここでは、加速ノズル部210が一つ設けられた単体のノズルを示したが、当該加速ノズル部210が複数本設けられた複連ノズルであってもよい。加速流路215は断面積が下流に向かうにつれて小さくなる導入路2151、該導入部の終端に形成された流路内で最小断面積を有する絞り部2153、該絞り部と連続的に形成されており下流に向かうにつれて断面積が大きくなる加速路2155を有する。尚、気体導入孔211の断面積のほうが、液体導入孔213の断面積よりも大きいことが好適である。このような構成をとることによって、連続相の気体と、分散相の液滴からなる混相流体を噴射し易くなる。尚、噴出口217の断面形状は、円形であっても、楕円形であっても、スリット形であってもよい。F基板保持回転部基板保持回転部Fは、対象物基板を搭載保持可能なステージ161と、ステージ161を回転させるための回転モーター162とから構成される。以下、上記装置を用いた本発明に係る界面活性剤の使用方法について説明する。本発明に係る装置においては、水蒸気供給部から供給される水蒸気と、水供給部から供給される水とをノズル200内で混合して混相流体を噴射する。特に水蒸気が連続相であり、水滴が分散相である混相流体を噴射することが好適である。このような構成の混相流体を使用することによって、基板のパターンへのダメージを減らしつつ、高い衝撃力を与えることができる。本発明においては、使用する水に、本発明に係る界面活性剤を添加して噴射する。尚、水蒸気に対して不活性ガス又は清浄空気を混合することで、水蒸気の噴射量を低く抑えながら、高い圧力を得ることができる。当該方法は、例えば、基板処理装置100により、実施可能である。ここで、各種条件について説明する。混相流体の温度は、60~115°Cが好適であり、80~113°Cがより好適であり、90~110°Cが更に好適である。60°C以上とすることにより、著しく反応速度が上がる。流体温度は、熱電対をウエハに設置し、所定の対象物間距離だけ離して1分間流体を噴射した後の定常状態の温度を流体温度とした。混相流体の噴射速度は、60m/s以上が好適であり、140m/s以上がより好適であり、200m/s以上が更に好適である。上限は特に限定されないが、600m/s以下である。噴射速度は、流体の体積流量をノズル噴出口の断面積で除した値とする。ノズルに対する水供給流量は、0.1~0.7dm3/minが好適であり、0.2~0.6dm3/minがより好適であり、0.3~0.5dm3/minが更に好適である。処理速度スキャン速度は、10~180m/sが好適であり、10~90m/sがより好適であり、10~50m/sが更に好適である。尚、当該数値範囲は主に洗浄に影響するパラメータの限界値を示した値であり、これらの組合せは必要となる衝撃力の度合いに応じて容易に選択し設定することが可能である。処理対象基板としては、特に限定されないが、広い面積占有率を有するレジストを有する基板を処理することが好適である。このようなレジストであっても、本発明に係る界面活性剤を添加することにより、混相流体によってレジストを良好に剥離することができる。特に、基板処理表面のレジスト占有面積率は、30~100が好適であり、50~100がより好適であり、70~99が更に好適であり、78~99が特に好適である。ここでレジスト占有面積率とは、基板処理面においてレジスト膜が形成されている部分の面積を、基板処理面の面積によりを除して100を乗じた数値である。基板処理装置100を用いて下記条件にて表1に記載された界面活性剤を含む水と、水蒸気との混相流体を基板に噴射して前記基板上のレジストを剥離する処理を実施した。ここで用いた基板は、基板表面上のレジスト占有面積率が80である基板サンプル1及びレジスト占有面積率が75である基板サンプル2を用いた。結果を表2に示した。以上の結果より、本発明に係るノニオン系の界面活性剤を用いることによって、サンプル上のレジスト剥離を効果的に行なうことができることが明らかとなった。本発明に係る一級アルキル系の界面活性剤を用いた場合実施例1~6、アニオン系の界面活性剤比較例2や、ノニオン系であっても二級アルキル系の界面活性剤比較例1を用いた場合と比較して高いレジスト剥離効果が得られた。更に本発明に係る界面活性剤の中でも、特に実施例1及び2に係る界面活性剤においては、高い剥離性を示した。