半導体基板上の誘電体層中にその上面に自然酸化膜を含む金属の相互接続配線を形成し、前記誘電体層及び前記金属の相互接続配線の少なくとも一部を覆いマンガン原子又はイオンを含む第1のキャップ層を形成し、前記第1のキャップ層上に絶縁体である第2のキャップ層を形成し、前記自然酸化膜及び第1のキャップ層は、第1のキャップ層と相互接続配線との間に酸化マンガンを形成するために反応する半導体装置の製造方法。前記第1のキャップ層中のマンガンは、前記金属の相互接続配線の表面上の酸化膜中にある酸化された銅の量を低減するか除去するため、前記酸化膜中の酸化された銅と反応することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。金属の相互接続配線が中に形成された半導体基板の上方に形成された誘電体層と、前記誘電体層の少なくとも一部の上方に形成され、マンガンにより構成された第1のキャップ層と、炭化シリコンとマンガンリッチの炭化シリコンから選択された1つ以上により構成された誘電体層の上方に形成された第2のキャップ層と、を具備することを特徴とする半導体装置。内部に銅の相互接続配線を有する誘電体層を半導体基板の上方に設け、内部に前記銅を含む相互接続配線を有する誘電体層の一部を覆い、前記銅を含む相互接続配線の少なくとも一部に第1のキャップ層を形成するためマンガンを堆積し、第2のキャップ層を形成するため、炭化シリコンと窒素リッチの炭化シリコンから選択された1つ以上を前記堆積されたマンガンキャップ層の上方に堆積し、銅を含む相互接続配線と酸化マンガンを含む第1のキャップ層との界面の一部は、銅を含む相互接続配線の上面上の自然酸化膜と前記第1のキャップ層中のマンガンとの反応により、酸化マンガンが形成されることを特徴とする相互接続配線とキャップ層の間の接着力を増加させる方法。前記第1のキャップ層中のマンガンは、前記金属の相互接続配線の表面上の酸化膜中にある酸化された銅の量を低減するか除去するため、前記酸化膜中の酸化された銅と反応することを特徴とする請求項4記載の方法。相互接続配線とその上方のキャップ層との接着力を向上することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上の誘電体層中にその上面に自然酸化膜を含む金属の相互接続配線を形成し、前記誘電体層及び前記金属の相互接続配線の少なくとも一部を覆いマンガン原子又はイオンを含む第1のキャップ層を形成し、前記第1のキャップ層上に絶縁体である第2のキャップ層を形成し、前記自然酸化膜及び第1のキャップ層は、第1のキャップ層と相互接続配線との間に酸化マンガンを形成するために反応する。以下、図面を参照して実施の形態について説明する。キャップ層は、銅やプラズマあるいはプラズマ堆積処理を使用しない銅合金により形成された相互接続配線を有する誘電体層の上方に形成される。銅を含む相互接続配線の表面は、自然に酸化する傾向があり、それはキャップ層と酸化した銅領域との接着力を著しく低下させる。低接着力のキャップ層は製造された半導体装置のエレクトロマイグレーション及び低信頼性を招くことがある。プラズマガスを用いた酸化銅領域の除去は、誘電体層にダメージを与えることがある。金属相互接続配線は、半導体基板の上方に設けられた誘電体層中に形成された少なくとも1つ以上のトレンチ及び/又はビア内に形成される。マンガンは少なくとも金属相互接続配線が形成された誘電体層の一部をカバーするため、及び少なくとも金属製相互接続配線の一部に第1のキャップ層を形成するために堆積される。マンガンは、従来のプラズマを主体とするプロセスや誘電体層とプラズマガスとの接触なしで堆積される。堆積されたマンガンは第1のキャップ層を形成し、第1のキャップ層を形成するマンガンの少なくとも一部は、相互接続配線の表面上の酸化された銅領域が還元する間に、酸化マンガンを形成するために酸化する。炭化シリコンと窒素リッチの炭化シリコンから選択された1以上は、その後、第1のキャップ層の上方に第2のキャップ層を形成するために堆積される。相互接続配線は、誘電体層中のトレンチ及び/又はビアのパターンへ銅又は他の金属材料をはめ込むことにより形成される。図1に示すように、複数の銅を主成分とする相互接続配線105が誘電体層絶縁層110内に形成される。簡単化のため、相互接続配線105は、個々のトレンチ105として示している。当業者であれば、ここに示す実施形態がより複雑なパターンのトレンチ及びビアに容易に適用可能であることを理解可能である。銅は周囲の誘電体層110中へ拡散する性質があるため、銅を主成分とする相互接続配線トレンチ及び/又はビアは、一般にバリアメタル層図示せずを有している。バリアメタル層を形成する材料は、タンタル、タンタル窒化物、チタン、窒化チタン、及びこれらの組み合わせのうちから1つ以上を含んでいる。バリアメタル層は、スパッタ堆積、CVD、原子層堆積ALDなどの周知技術を使用して形成できる。相互接続配線105は、周知の電気メッキ及びダマシン技術によって形成される。相互接続配線105及び誘電体層は、トランジスタ、コンデンサ、及び/又は他のデバイス構造が形成される半導体基板101上に形成される。一実施例において、相互接続配線105の幅は約25nmから約60nmである。他の実施例において、相互接続配線の幅は約30nmから約55nmである。また、他の実施例において、相互接続配線の幅は約30nmから約50nmある。半導体装置の処理中、銅を主成分とする相互接続配線105の表面は、酸化され易く、銅酸化物の膜がその上に形成される。銅を主成分とする相互接続配線105を酸化から保護するため、キャップ層135が、銅を主成分とする相互接続配線105上に配置される。キャップ層は、酸化の原因となる水及び酸素の拡散の両方を防ぐバリアとして、また、キャップ層135の上方に形成される第2の誘電体層140中への銅の拡散を防止するバリアとして機能する。キャップ層は、相互接続配線の追加のレベルを形成するために使用することができる。キャップ層135は、窒素リッチの炭化シリコンSiCNから形成されるが、窒化ケイ素SiNを使用することも可能である。SiCN、及びSiNを主成分とするキャップ層は、少なくとも相互接続配線の表面の一部及びキャップ層上に酸化された銅がある銅相互接続配線に対して接着力が弱い。図2に示すように、キャップ層135と銅配線105との接着力が弱い場合、低EM信頼度の結果、ボイド205及び/又はヒロック210が生じる。図2において、矢印は、電子流の方向を示している。図2は、銅配線105に沿った半導体装置の断面を示しており、誘電体層110は示していない。接着力が弱い場合、キャップ層135と相互接続配線105との間の接着バリアが高電流密度により銅原子の運動量移動に十分対抗できないため、電子流の上流にヒロック210が形成されることがある。また、質量が電子流の上流に転送されることにより、ボイド205が下流に形成される場合がある。銅配線105とキャップ層135との間の接着力は、銅配線105の表面例えば上面上の酸化銅を除去することにより改善できる。銅配線105の表面に存在する酸化物層は、大気中の酸素に相互接続配線105が露出されることによって形成された自然酸化物層である。自然酸化物層は故意に形成されない。換言すれば、自然酸化物層は、半導体装置の処理において、大気中の酸素へ銅配線105がやむを得ず露出された結果である。典型的には、銅を主成分とする材料は、電気メッキあるいは他の適切な技術により誘電体層110内に形成されたトレンチ及び/又はビアに形成される。その後、電気メッキされた銅を主成分とする材料は、化学的機械研磨CMPを用いて平坦化される。これにより新たな銅表面が露出される。しかし、銅配線105の表面は、水分、酸素、フッ素及びトレースガスに容易に反応し、酸化銅あるいは他の酸化した銅種copperspeciesが銅配線105の表面に形成される。キャップ層135の堆積に先立って、銅酸化物及び他の酸化された銅種を除去するため、洗浄技術がしばしば使用される。典型的な洗浄工程としてプラズマに基づいた処理が、キャップ層135の堆積に先立って酸化された銅種を除去するため、銅配線105の表面に適用される。一般的なプラズマ処理は、高周波数によるプラズマ点弧を有するアンモニア及び窒素ガスである。さらに、SiCN、SiC、あるいは他の適切なキャップ層材料は、PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionを使用して堆積される。ここで、トリメチルシランのような前駆体ガス及びアンモニアは組み合わせられ、キャップ層135を形成するための炭化シリコンを堆積することが可能なプラズマを形成するために適切な高周波数が印加される。キャップ層135の材料は、絶縁体であり炭化シリコン、あるいは、窒素リッチの炭化シリコン以外の材料とすることが可能である。キャップ層135の材料は固有材料に限定されるものではない。多くのlow-k材料は、プラズマから損傷を受ける高い感受性を有している。相互接続配線を洗浄プラズマ、及び/又はPECVDに晒す処理において、プラズマは相互接続配線、及びlow-k材料により形成された縁誘電体層の両方に接触する。low-k材料は、シリコン酸化物の誘電率未満の誘電率を有する任意の誘電材料として定義される。low-k材料は、相互接続配線105の配置が減少するデバイスサイズにより接近するに伴い、隣接した相互接続配線間のキャパシタンスを低減するために使用される。プラズマへlow-k材料を晒すことは、材料の誘電率を増加させる顕著な作用があり、それにより、キャパシタンスの低減においてlow-k材料の有効性が低減する。さらに、low-k材料を有する誘電体層に配置された銅を主成分とする相互接続配線を使用して形成されたデバイスは、TDDBが弱い。銅を主成分とする相互接続配線は、誘電体層への銅の拡散を防ぐために、バリアメタル層かライナーによって誘電体層から分離されている。TDDBは、時間経過にわたって拡散を防止するためバリアメタル層やライナーの信頼性を測定することである。誘電体層、バリアメタル層、及び/又は相互接続配線をプラズマへ晒すことは、デバイス中のTDDBの割合を増加させる。すなわち、酸化物の除去、及び/又は相互接続配線が形成された誘電体層にキャップ層を堆積することにおけるプラズマに基づくプロセスの使用は、誘電体層中への金属の拡散速度を増加させる。さらに、プラズマに基づくプロセスの使用は、リーク電流の発生の原因となる。そのため、酸化物を除去するためのプラズマに基づく洗浄プロセスの使用、及び/又はPECVDのようなプラズマに基づく堆積工程は、半導体装置の機能的な寿命を短縮させる。TDDBの割合の増加は、望ましくない酸化物の除去や誘電体層上にキャップ層を配置する前に、誘電体層及び/又は相互接続配線をプラズマガスへ晒すことなくキャップ層を配置するによって回避できる。一実施例において、半導体装置の誘電体層を形成するlow-k材料は、プラズマダメージにより増加されない誘電率を有している。別の実施例において、半導体装置の誘電体層を形成するlow-k材料は、そのlow-k材料本来の誘電率特性とほぼ等しい誘電率を有している。すなわち、low-k材料は、プラズマダメージの影響を示さない。以下、本実施形態について説明する。本実施形態は、いかなるプラズマも使用しない半導体装置の金属層間の1つ以上のキャップ層の配置を開示する。ここで定義されるように、プラズマは、プラズマが電磁界に応答するように、部分的にイオン化されたガスである。一例において、プラズマは少なくとも約0.1以上イオン化されている。別の例において、プラズマはイオン化されたアンモニアガスで構成される。当業者は、堆積材料、マスキング、フォトリソグラフィ、エッチング、及びインプラントを含む周知の半導体製造技術が、上記デバイスや構造を形成ために有用であることを認識している。半導体装置を形成するための材料の堆積は、LCVDLowPressureChemicalVaporDeposition、CVDChemicalVaporDeposition、ALDAtomicLayerDeposition及び類似のものにより行うことができる。の上の上方、の下方及びの上にのような用語は、半導体基板の表面によって定義された平面に関して定義される。用語の上で上記の、の上になど、主題要素が別の要素が参照したより半導体基板の平面から遠ざかっていることを示す。用語下方にまた、同類項は、他の要素が参照したより半導体基板の平面に主題要素が接近していることを示す。空間の参照として、用語の上の上方、の下方及びの上になどは、相対的な空間的関係を単に示し、どんな特別の要素も物理的接触であることを必ずしも示さない。この定義は本明細書全体に適用される。図3は、誘電体層を有する半導体装置の実施形態を示している。誘電体層305は、半導体基板301上方に形成されている。図3に示す断面構造は、誘電体層305内の多数の個別の金属相互接続配線310を示している。相互接続配線310は、周知のダマシン、デュアルダマシン、及び/又は電気メッキ技術によって形成される。一実施例において、相互接続配線310は、重量において少なくとも約50の銅を含んでいる。銅は、自然に酸化する傾向を有している。銅の酸化は、半導体の製造に行なわれる多くの熱処理によって促進される。相互接続配線310の表面315上の酸化した銅の形成は、意図的又は好ましい結果ではない。むしろ、酸化した銅の形成は、従来の半導体製造技術の不必要な副産物である。銅は、1及び/又は2酸化状態に酸化することができる。ここで定義されるように、酸化した銅はCu又はCu2を含む任意のコンパウンドである。一実施例において、相互接続配線310の表面315の一部は、酸化銅CuOの膜を有している。別の実施例において、相互接続配線310の表面315に存在することができる酸化した銅は、銅のハロゲン化物のような、CuO以外の酸化した銅の形である。上記のように、キャップ層135に対応するキャップ層325は、酸化によるさらなるダメージから相互接続配線310を保護する相互接続配線310を含む誘電体層305の上方に配置される。酸化は、空気や水分とのコンタクトによって促進され、上方に積層される任意の誘電体層から誘電体層305を分離する。上述したように、相互接続配線310の表面315上の酸化した銅の膜の存在は、弱いEM信頼度を招くキャップ層と銅相互接続配線310との間の接着に悪影響を及す。図4において、マンガン405の層は、気相化学堆積、及び/又は熱気相化学堆積のような周知の技術によって誘電体層305及び相互接続配線310の上方に堆積される。マンガンはマンガンの還元元素として堆積される。当業者であれば、ここに示す効果を達成するために気相化学堆積以外の堆積技術を使用可能であることは明らかである。堆積されたマンガン元素は、還元剤として働くことができ、そこにおいて、他の種を還元する間にマンガンは酸化される。そのため、堆積されたマンガン405の一部は、相互接続配線310の表面315にある酸化した銅フィルムを還元する。酸化した銅が相互接続配線310の表面315に存在する場合、堆積されたマンガン405の一部はMnOxに酸化される。ここで、Oは、相互接続配線310の表面315に現在する酸化膜に由来し、xは、約1から約3.5である。別の実施例において、xは約1~約2である。すなわち、堆積されたマンガン405の一部を酸化させる間に、銅の元素を再生成するため、及び少なくとも酸化銅膜を除去するために、還元/酸化反応が、相互接続配線310の表面315上に堆積されたマンガン405と酸化した銅の膜との間で行われる。少なくとも堆積されたマンガン405と相互接続配線310の界面の一部は、銅又は酸化マンガンMnOxを有する層を具備し、酸化した銅の膜がない銅合金の接触であることを特徴とする。堆積されたマンガン405は、誘電体層305上方のキャップ層を形成し、第1のキャップ層405はMnOxを含んでいる。MnOxと銅又は銅合金の界面はEM信頼度を向上させる強い接着力を有している。このため、第1のキャップ層405は誘電体層305いかなるプラズマの使用や、第1のキャップ層405を形成するマンガンの堆積の従来技術の誘電体層305とプラズマとの間のコンタクトも用いることなく誘電体層305の上方に形成される。そのため、誘電体層305は、いかなるプラズマダメージも受けず、誘電体層305を形成するlow-k材料も、プラズマダメージにより増加されないlow-k材料固有の誘電率を有している。図4に示すように、第2のキャップ層410は、マンガン堆積の後に第1のキャップ層405の上方に形成される。一実施例において、第2のキャップ層は、一般的なSiC及び/又は周知技術により形成することが可能なSiCN材料を含んでいる。第1、第2のキャップ層の両方は、相互接続配線310中の銅の酸化の防止、及び上層の誘電体層430への銅の拡散の防止の両方のバリア特性を有している。2つのキャップ層を用いることにより、優れた接着力が第1のキャップ層中のMnOxによって提供される一方、SiC又はSiCNのような従来材料の優れたバリア特性の効果を利用することができる。自然酸化物層、及び/又は相互接続配線310の表面にある酸化した銅315との反応が、第2のキャップ層410が形成される前に生じることがある。あるいは、自然酸化物層、及び/又は相互接続配線310の表面にある酸化した銅315との反応が生じ、これが第2のキャップ層410の形成後にも生じ続けることがある。一実施例において、第2のキャップ層の平均の厚さは、約10nmから約50nmである。別の実施例において、第2のキャップ層410の平均の厚さは、約15nmから約40nmである。一実施例において、第1のキャップ層405は、約1nmから約10nmの平均の厚さを有している。別の実施例において、別の具体化では、第1のキャップ層405は、約1nmから約5nmの平均の厚さを有している。図5は、別の実施形態を示している。図5に示すように、マンガンは、相互接続配線310及び誘電材料305の両方の上に第1のキャップ層405を形成するために堆積される。誘電材料305は、low-k材料かシリコン酸化物が可能である。上記のように、相互接続配線310の表面は、その上に形成された酸化銅フィルムを有している。相互接続配線310上方のMnの堆積に際して、堆積されたマンガンと、相互接続配線310の表面の酸化銅フィルムとの間で、MnOx510を有する第1のキャップ層405の領域を形成するための反応が生じる。酸化銅フィルムから由来するMnOx510の領域を形成する酸素原子又はイオンは、相互接続配線310の表面上に存在する。堆積されたマンガンは、さらに誘電体層305のlow-kの材料に反応する。誘電体層305上に堆積されたマンガンは、MnSiyOzマンガンシリコン酸化物515を有する第1のキャップ層405の領域を形成する。ここで、yは約1から約3であり、zは約3から約5である。MnSiyOzは、堆積されたマンガンと誘電体層305のlow-k材料との反応により形成される。Si原子又はイオン、及びMnSiyOzを形成する酸素原子又はイオンは、誘電体層305の材料から由来する。Mn堆積の結果として、第1のキャップ層405の領域510は、MnOxを含み、第1のキャップ層405の他の領域515は、MnSiyOzを含んでいる。すなわち、第1のキャップ層405の異なる領域は、相互接続配線310の上方に堆積されたか、相互接続配線310間の誘電体層305材料の上方に堆積されたかに依存して異なる酸化したマンガン種を含むことができる。MnSiyOzと、銅又は相互接続配線310の銅合金との界面は、MnOxと銅又は銅合金との界面と同様に優れた接着特性を示す。上記第1、第2のキャップ層を有する半導体構造は、様々な機能の半導体装置に組み込むことが可能である。当業者であれば、上述した第1、第2のキャップ層を使用する場合、多くの半導体装置が金属化された誘電体層上にキャップ層を適用することを認識できる。本実施形態は、ランダムアクセスメモリRAM及びNORやNANDフラッシュメモリを含む半導体記憶装置の製造に適用可能である。図6は、上記実施形態に係るプラズマを使用せずに高接着度を有するキャップ層を形成するための方法を示している。ステップ602において、シリコン酸化物やlow-k誘電体を有する誘電体層が、半導体基板上に形成される。ステップ604において、1以上のビア及び/又はトレンチが誘電体層中に形成され、銅を有する材料が充填される。周知の金属バリア層及び/又は接着層が、銅材料を充填する前にビア及び/又はトレンチ内に形成される。ビア及び/又はトレンチを充填した後、意図せぬ酸化プロセスが銅の材料の表面に酸化銅フィルムを形成する場合がある。ステップ606において、マンガンの第1のキャップ層が、誘電体層、及びビア及び/又はトレンチを充填した銅の上方に堆積される。第1のキャップ層の少なくとも一部がMnOxを有するように、マンガンは、ビア及び/又はトレンチを充填した銅の表面に存在する酸化した銅と反応する。すなわち、第1のキャップ層と相互接続配線との界面の少なくとも一部はMnOxにより形成される。ステップ608において、炭化シリコンSiC及び/又は窒素リッチの炭化シリコンSiCNを有する第2のキャップ層が、第1のキャップ層の上方に堆積される。ステップ610において、第2のキャップ層の上方に第2の誘電体層が任意に堆積される。与えられた特性のための任意の図あるいは数値の範囲に関して、1つの範囲からの図あるいはパラメーターは、数値の範囲を生成するために別の図あるいは同じ特性のための異なる範囲からのパラメーターと結合してもよい。その他、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。