基体上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第1の層を積層し、前記第1の層上にMgからなる第2の層を積層し、前記第1の層と前記第2の層とを含む積層体に酸化処理を施して、前記第2の層のMgを酸化してMgOとし、前記積層体に加熱処理を施して、前記第2の層を結晶化すると共に前記第1の層を垂直磁化させる磁気抵抗素子の製造方法。請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、さらに前記積層体に酸化処理を施す工程の後で、前記積層体に加熱処理を施す工程の前に、前記第2の層上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第3の層を積層し、前記積層体に加熱処理を施す工程では、さらに、前記第3の層を垂直磁化させる磁気抵抗素子の製造方法。請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、さらに前記積層体に加熱処理を施す工程の後で、前記第2の層上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第3の層を積層し、前記積層体に加熱処理を施して、前記第3の層を垂直磁化させる磁気抵抗素子の製造方法。請求項2又は3に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、前記第1の層及び前記第3の層は、CoFeB系材料からなり、前記第1の層を積層する工程は、前記第1の層が0.6nm以上1.5nm以下の厚さとなるように積層し、前記第3の層を積層する工程は、前記第3の層が0.6nm以上1.5nm以下の厚さとなるように積層する磁気抵抗素子の製造方法。請求項4に記載の磁気抵抗素子の製造方法であって、前記第1の層を積層する工程では、Taからなる第4の層の直上に前記第1の層を積層し、請求項4に記載の磁気抵抗素子の製造方法は、さらに、前記第3の層の直上にTaからなる第5の層を積層する磁気抵抗素子の製造方法。しかしながら、特許文献1に記載されているような製造方法では、MgO膜を成膜する工程では次のような問題が生じると考えられる。即ち、MgO膜をスパッタ法により成膜する際にMgOが成膜チャンバの内壁に付着及び剥離し、素子に悪影響を及ぼすダストが多量に発生する。また、アース電位の成膜チャンバの内壁に絶縁物であるMgOが堆積することにより、MgO膜の表面が帯電することでアーク放電を起こし、MgO膜にプラズマダメージが生じる等である。これらの問題は、成膜材料が金属酸化物であるMgOであることに起因するものである。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、MgOの成膜工程を要しない、垂直磁化型磁気抵抗素子の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る磁気抵抗素子の製造方法は、基体上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第1の層を積層する。上記第1の層上にMgからなる第2の層を積層する。上記第1の層と上記第2の層とを含む積層体に酸化処理を施して、上記第2の層のMgを酸化してMgOとする。上記積層体に加熱処理を施して、上記第2の層を結晶化すると共に上記第1の層を垂直磁化させる。本発明の一実施形態に係る磁気抵抗素子の製造方法は、基体上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第1の層を積層する。上記第1の層上にMgからなる第2の層を積層する。上記第1の層と上記第2の層とを含む積層体に酸化処理を施して、上記第2の層のMgを酸化してMgOとする。上記積層体に加熱処理を施して、上記第2の層を結晶化すると共に上記第1の層を垂直磁化させる。この製造方法によれば、金属酸化物であるMgOを成膜することなく垂直磁化型磁気抵抗素子を製造することが可能である。これにより、MgOの成膜による問題、即ち、MgOを成膜する際にMgOが成膜チャンバの内壁に付着及び剥離し、素子に悪影響を及ぼすダストが多量に発生ことを防止することが可能である。また、アース電位の成膜チャンバの内壁に絶縁物であるMgOが堆積することによりMgO膜の膜質が変化することを防止することが可能である。さらに、マイナス帯電の酸素プラズマとマイナス帯電のスパッタガスイオンが反発し、MgO膜にプラズマダメージが生じることを防止すること等が可能である。上記磁気抵抗素子の製造方法であって、さらに上記積層体に酸化処理を施す工程の後で、上記積層体に加熱処理を施す工程の前に、上記第2の層上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第3の層を積層し、上記積層体に加熱処理を施す工程では、さらに、上記第3の層を垂直磁化させてもよい。この製造方法によれば、第1の層及び第3の層から形成された、結晶化し垂直磁化されたCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる二つの層により、第2の層から形成された結晶化されたMgOからなる層が挟まれた積層構造を作成することができる。上記第1の層及び上記第3の層の垂直磁化及び上記第2の層の結晶化を一つの加熱処理工程で実行することが可能であり、これらの工程が別工程である場合に比べて生産性を向上させることが可能である。上記磁気抵抗素子の製造方法であって、さらに、上記積層体に加熱処理を施す工程の後で、上記第2の層上にCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる第3の層を積層し、上記積層体に加熱処理を施して、上記第3の層を垂直磁化させてもよい。この製造方法によれば、第1の層及び第3の層から形成された、結晶化し垂直磁化されたCo、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる二つの層により、第2の層から形成された結晶化されたMgOからなる層が挟まれた積層構造を作成することができる。第1の層の加熱処理工程と上記第3の加熱処理工程が別であるため、第1の層と第3の層の膜厚が異なる場合等に個別の条件で両層を垂直磁化させることが可能であり、製造プロセスの自由度を向上させることができる。上記第1の層及び前記第3の層は、CoFeB系材料からなり、上記第1の層を積層する工程は、上記第1の層が0.6nm以上1.5nm以下の厚さとなるように積層し、上記第3の層を積層する工程は、上記第3の層が0.6nm以上1.5nm以下の厚さとなるように積層してもよい。CoFeB系材料を磁性層とし、MgOを絶縁層とする磁気抵抗素子は、通常、磁化方向が積層方向に対して垂直となる面内磁化型の磁気抵抗素子となる。しかし、その場合でも、磁性層と絶縁層の界面に近傍においてCoFeB系材料が垂直異方性成分を有することが見出された。そこで、上記第1の層及び上記第2の層の膜厚をそれぞれ0.6nm以上1.5nm以下とすることにより、垂直磁化型のCoFeB-MgO系磁気抵抗素子を製造することが可能である。上記第1の層を積層する工程では、Taからなる第4の層の直上に上記第1の層を積層し、請求項4に記載の磁気抵抗素子の製造方法は、さらに、上記第3の層の直上にTaからなる第5の層を積層してもよい。この製造方法によれば、第1の層が第4の層に隣接し、第3の層が第5の層に隣接した積層構造を作成することが可能である。Taとの接触しているCoFeB系材料は、結晶化の際のTaの寄与により垂直磁化を発現するため、この製造方法により垂直磁化型のCoFeB-MgO系磁気抵抗素子を製造することが可能である。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態について説明する。トンネル磁気抵抗素子の構造本実施形態に係るトンネル磁気抵抗素子の製造方法によって製造するトンネル磁気抵抗素子の構造について説明する。図1は、トンネル磁気抵抗素子以下、TMR素子の積層構造を示す模式図である。なお、本実施形態に係るTMR素子は、磁化方向が積層方向と同方向である垂直磁化型TMR素子であるものとする。また、図2は、TMR素子1の磁化方向を示す概念図であり、矢印が磁化方向を示す。図2aは磁化並行状態を示し、図2bは磁化反並行状態を示す。図1に示すように、TMR素子1は、基板10上にバッファ層20、ピン層30、バリア層40、フリー層50及びキャッピング層60がこの順で積層された層構造を有する。なお、ここに示すTMR素子1の構造は、本発明の製造方法によって製造される素子構造の一例である。基板10は各層を支持する基板であり、Siが加熱酸化されて形成されたSi/SiO2からなるものとすることができる。また、基板10は、セラミックやガラス等の他の材料からなるものであってもよい。バッファ層20は、隣接するピン層30の平滑かつ均質な結晶化を促進するための層である。バッファ層20は、図1に示すように基板10側から順に積層された、Taタンタル層21、Ruルテニウム層22及びTa層23によって構成されている。Ta層23は、後述するピン層30を構成するCoFeBの良好な結晶化に寄与する。各層の厚さは例えば、Ta層21が5nm、Ru層22が10nm、Ta層23が5nmとすることができる。なお、バッファ層20の構成はここに示すものに限られない。ピン層30は、磁化方向が固定された層である。なおピン層は固定層あるいは強磁性層とも呼ばれる。図2a及びbに示すように、ピン層30の磁化方向はTMR素子1の積層方向と同一方向であり、かつ、図2aに示す磁化並行状態と図2bに示す磁化反並行状態において磁化方向は同一である。ピン層30は、001配向のCoFeBコバルト鉄ボロン結晶からなるものとすることができる。CoFeBの組成比は、CoxFeyB1-xyにおいて0.2≦x≦0.4、0.4≦y≦0.6の範囲とすることができる。また、ピン層30は、CoFeB以外にもCoFeBと類似の性質を有するCoFeB系材料、即ちCoFeBにPリンあるいはC炭素等が添加された材料からなるものとすることも可能である。ピン層30の厚さは0.6nm以上1.5nm以下とすることが好適である。また、ピン層30は、CoFeB系材料以外にも、Co、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなるものとすることができる。このような材料としては例えばCoFeやFeNiが挙げられる。バリア層40は、ピン層30とフリー層50の間にトンネル障壁を形成する層である。バリア層は非磁性層あるいは絶縁層とも呼ばれる。バリア層40はピン層30とフリー層50の磁化方向の異同図2に示すに対してその差異が大きい、即ちMR比magnetoresistance:磁気抵抗比が大きいものが好適である。バリア層40は、001配向のMgO酸化マグネシウム結晶からなるものとすることができる。001配向のMgO結晶はMg:O=1:1の組成比が好ましく、その規則的な結晶性によって、トンネル電流波動性を有するの散乱が他の材料に比べて小さく、高いMRmagnetoresistance:磁気抵抗比を得ることが可能である。バリア層40の厚さは例えば0.8nmとすることができる。フリー層50は、磁化方向が固定されていない反転可能な層である。なおフリー層は自由層あるいは強磁性層とも呼ばれる。図2a及びbに示すように、フリー層50の磁化方向はTMR素子1の積層方向と同一方向であり、かつ、図2aに示す磁化並行状態と図2bに示す磁化反並行状態において磁化方向は反対である。フリー層50は、001配向のCoFeB結晶からなるものとすることができる。CoFeBの組成比は、CoxFeyB1-xyにおいて0.2≦x≦0.4、0.4≦y≦0.6の範囲とすることができる。また、ピン層30は、CoFeB以外にもCoFeBと類似の性質を有するCoFeB系材料からなるものとすることも可能である。フリー層50の厚さは0.6nm以上1.5nm以下が好適である。フリー層50とピン層30は同一組成のCoFeB系材料から形成することが可能である。また、フリー層50は、CoFeB系材料以外にも、Co、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなるものとすることができる。このような材料としては例えばCoFeやFeNiが挙げられる。なお、CoFeBとMgOによって形成されるCoFeB-MgO系TMR素子は通常、面内磁化型のものとなる。しかし、CoFeBとMgOの界面近傍では垂直磁気異方性成分が存在する。本実施形態に係るTMR素子1ではCoFeBからなるピン層30とフリー層50の膜厚を最適化することにより、垂直磁化型のCoFeB-MgO系TMR素子を形成している。キャッピング層60は、フリー層50と配線との電気的接続を安定させるため、また、隣接するフリー層50の均質な結晶化を促進するための層である。キャッピング層60は、図1に示すようにフリー層50側から順に積層されたTa層61及びRu層62によって構成されている。Ta層61は、フリー層50を構成するCoFeBの良好な結晶化に寄与する。各層の厚さは例えば、Ta層61が5nm、Ru層62が10nmとすることができる。なお、キャッピング層60の構成はここに示すものに限られない。TMR素子1は以上のように構成されている。TMR素子1には、バッファ層20及びキャッピング層60に配線が接続される。具体的には、図2に示すように、バッファ層2のTa層23に正極V、キャッピング層60のRu層62に負極V-が接続される。TMR素子1の動作を簡単に説明する。TMR素子1に外部から磁場を印加すると、ピン層30の磁化方向は変化しないのに対し、フリー層50の磁化方向は磁場に応じて反転する。即ち図2aに示す磁化並行状態と図2bに示す磁化反並行状態を任意に切り替えることが可能となる。ここで、図2aに示すようにピン層30の磁化方向とフリー層50の磁化方向が一致している場合、バリア層40のトンネル障壁は小さくなり、ピン層30とフリー層50の間で大きなトンネル電流が流れる。即ち、TMR素子1の電気抵抗は小さくなる。一方、図2bに示すようにピン層30の磁化方向とフリー層50の磁化方向が一致してない場合、バリア層40のトンネル障壁は大きくなり、ピン層30とフリー層50の間のトンネル電流は小さくなる。即ちTMR素子1の電気抵抗は大きくなる。したがって、TMR素子1に電流を印加すれば電気抵抗の大小により磁化並行状態か磁化反並行状態かを判断することが可能である。例えば、各状態に0又は1を割り当てることによってTMR素子1をメモリMRAM:MagnetoresistiveRandomAccessMemoryとして利用することができる。トンネル磁気抵抗素子の製造装置上記のような構成を有するTMR素子1の製造装置について説明する。図3は、TMR素子1の製造装置100を概略的に示す模式図である。製造装置100は、搬入された基板10に対して各層の成膜を施しTMR素子1を製造するための装置であり、後述するTMR素子1の製造方法において使用されるものである。なお、製造装置100はTMR素子1の製造装置の一例であり、異なる構成とすることも可能である。図3に示すように、製造装置100はマルチチャンバとして構成されている。製造装置100は、搬送室101、導入室102、加熱室103、浄化室104、第1PVDphysicalvapordeposition室105、第2PVD室106、第3PVD室107、第4PVD室108、酸化室109を有する。導入室102から酸化室109までの各室は、搬送室101に気密に接続されている。導入室102は、基板10を搬送室内に導入するための室である。導入室102には、基板10を導入室内に搬入するための図示しない導入装置が設けられている。搬送室101には、図示しない搬送装置が収容されており、同搬送装置が導入室102から導入された基板10を各室に搬送する。加熱室103は導入された基板10を加熱し、脱ガス処理を施す室ある。浄化室104はLT-ICPLongThrowInductivelyCoupledPlasma:遠距離誘導結合プラズマ源を有し、成膜前の基板10に対して洗浄処理を施す室である。第1PVD室105、第2PVD室106、第3PVD室107及び第4PVD室108は基板10に各種材料の成膜を施す室である。各PVD室はDCDirectCurrentスパッタ装置を収容するものとすることができる。また、他にもRFスパッタRadioFrequency等の成膜装置とすることも可能であるが、DCスパッタ装置はスパッタリングカソードの構成が簡単であり好適である。本実施形態とは異なり、MgO等の金属酸化物を成膜する場合にはRFスパッタを用いる必要があるが、本実施形態では金属酸化物の成膜をしないため、DCスパッタを用いることが可能である。各PVD室に設けられたスパッタ装置は、スパッタリングターゲットが3つずつ設けられた3元系のスパッタ装置とすることができる。第1PVD室105には、Taターゲットが設けられている。他の2つのターゲットはTMR素子1の製造には利用されない。第2PVD室106には、CoFeBターゲット及びRuターゲットが設けられている。第3PVD室107はTMR素子1の製造には利用されない。第4PVD室108には、Mgターゲット及びTaターゲットが設けられている。このようにスパッタ装置を3元系とすることにより膜厚が均一な成膜が可能であるが、スパッタ装置は必ずしも3元系のものでなくてもよい。酸化室109は、詳細は後述するが、成膜された金属Mgを酸化させてMgOとするための室である。酸化室109は、プラズマ酸化、ラジカル酸化又は自然酸化等の各種酸化プロセスのいずれかにより金属Mgを酸化させるものとすることができる。具体的には酸化室109は、プラズマ酸化の場合には、ISMInductivelySuperMagnetronプラズマ源やLT-ICP源を収容するものとすることができる。また、酸化室109は、ラジカル酸化の場合には酸素ラジカル源を収容するものとすることができる。自然酸化の場合には、高圧真空に対する高圧であり数Pa~数百Pa程度酸素雰囲気とするための酸素ガス源及び基板加熱源を収容するものとすることができる。TMR素子1の製造装置100は以上のように構成されるものとする。トンネル磁気抵抗素子の製造方法製造装置100を用いたTMR素子1の製造方法について説明する。図4は、TMR素子1の製造方法を示すフローチャートである。脱ガス及び洗浄St101基板10を導入装置にセットすると、導入装置が基板10を導入室102を介して搬送室101に搬入する。搬送装置は基板10を加熱室103に搬入し、基板10は加熱室103において加熱され、脱ガスされる。次に搬送装置は基板10を浄化室104に搬入し、基板10は浄化室104においてプラズマにより洗浄される。バッファ層積層St102次に搬送装置は基板10を第1PVD室105に搬入する。第1PVD室においてDCスパッタによりTaターゲットを用いて、基板10上にTa層21を成膜する。成膜条件はArガス圧力0.02~0.1Pa、DC電力50~400W、室温とすることができる。この成膜条件は下記の各層において同様である。この条件では成膜速度は0.3~1.2nm/sec程度となる。なお、ここではDCスパッタによりTa層21を成膜するものとするが、RFスパッタ等の異なるスパッタにより成膜してもよく、以下の各層の成膜においても同様である。例えば、Ta層21は厚さが5nmとなるように成膜する。以下、基板10に各層が成膜されたものを積層体とする次に、搬送装置は積層体を第2PVD室106に搬入する。第2PVD室においてDCスパッタによりRuターゲットを用いて、Ta層21上にRu層22を成膜する。例えば、Ru層22は厚さが10nmとなるように成膜する。次に、搬送装置は積層体を再び第1PVD室105に搬入する。第1PVD室においてDCスパッタによりTaターゲットを用いて、Ru層22上にTa層23を成膜する。例えば、Ta層23は厚さが5nmとなるように成膜する。このようにしてTa層21、Ru22及びTa層23からなるバッファ層20が積層される。第1CoFeB膜成膜St103次に、搬送装置は積層体を第2PVD室106に搬入する。第2PVD室106においてDCスパッタによりCoFeBターゲットを用いて、CoFeBからなる第1CoFeB膜をTa層23上に成膜する。また、CoFeB以外のCoFeB系材料を成膜する場合には、CoFeB-Xターゲットをさらに追加するXはCoFeBに追加される材料。この第1CoFeB膜はアモルファス非晶質状態であり、後述のステップにおいてピン層30となるものである。第1CoFeB膜の組成比は、ターゲット組成により調節することが可能であり、例えば、CoxFeyB1-xyにおいて0.2≦x≦0.4、0.4≦y≦0.6の範囲となるようにすることができる。また、例えば、第1CoFeB膜は厚さが0.6nm以上1.5nm以下となるように成膜する。Mg膜成膜St104次に、搬送装置は積層体を第4PVD室108に搬入する。第4PVD室108においてDCスパッタによりMgターゲットを用いて、Mg膜を第1CoFeB膜上に成膜する。このMg膜はアモルファス状態であり、後述のステップにおいてバリア層40となるものである。例えばMg膜は厚さが0.8nmとなるように成膜する。なお、Mg膜の厚さが0.8nmより大きいと、次のMg膜酸化工程において十分に酸化させることができないため、次のMg膜酸化工程の後再びMg膜を成膜し、再度Mg膜を酸化させる工程が必要である。Mg膜酸化St105次に、搬送装置は積層体を酸化室109に搬入する。酸化室109において、プラズマ酸化、ラジカル酸化又は自然酸化のいずれかの方法により、Mg膜を酸化させてMgO膜とする。具体的には、自然酸化の場合、室温において積層体を酸素圧力1~1000Paの酸素雰囲気中に600~1000sec間配置することによって酸化させることができる。このMgO膜はアモルファス状のMg膜を酸化したものであるので、アモルファス状である。第2CoFeB膜成膜St106次に、搬送装置は積層体を第2PVD室106に搬入する。第2PVD室106においてDCスパッタによりCoFeBターゲットを用いて、CoFeBからなる第2CoFeB膜をMgO膜上に成膜する。CoFeB以外のCoFeB系材料を成膜する場合には、CoFeB-Xターゲットをさらに追加する。この第2CoFeB膜はアモルファス状態であり、後述のステップにおいてフリー層50となるものである。第2CoFeB膜の組成比は、ターゲット組成により調節することが可能であり、例えば、CoxFeyB1-xyにおいて0.2≦x≦0.4、0.4≦y≦0.6の範囲となるようにすることができる。また、例えば、第2CoFeB膜は厚さが0.5nm以上1.5nm以下となるように成膜する。キャッピング層積層St107次に、搬送装置は積層体を第4PVD室108に搬入する。第4PVD室108においてDCスパッタによりTaターゲットを用いて第2CoFeB膜上にTa層61を成膜する。例えば、Ta層61は厚さが5nmとなるように成膜する。次に、搬送装置は基板を第2PVD室106に搬入する。第2PVD室106においてDCスパッタによりRuターゲットを用いてTa層61上にRu層62を成膜する。例えばRu層62は厚さが10nmとなるように成膜する。このようにしてTa層61及びRu62からなるキャッピング層60が積層される。熱処理St108次に、搬送装置は積層体を加熱室103に搬入する。加熱室103において積層体に熱処理を施す。このとき加熱温度は最大400°Cとすることが可能であり、加熱時間は分単位とすることができる。この熱処理により、アモルファス状態のMgO膜が結晶化し、001配向を有する結晶となる。即ち、MgO膜がバリア層40となる。また、アモルファス状態の第1CoFeB膜及び第2CoFeB膜も結晶化し、001配向を有する結晶となる。第1CoFeB膜及び第2CoFeB膜は、この結晶化によって垂直磁性膜となる。即ち、第1CoFeB膜はピン層30となり、第2CoFeB膜はフリー層50となる。以上のようにして、TMR素子1が製造される。上述のように本実施形態は、金属酸化物であるMgOを直接成膜せず、金属Mgを成膜し、その金属Mgを酸化処理によりMgOとするものである。さらに、熱処理を施すことにより、MgO膜、第1CoFeB膜及び第2CoFeB膜を結晶化させ、垂直磁化型のTMR素子1の製造を可能とする。本実施形態の製造方法によって製造されるTMR素子1は、MgO膜を直接成膜して製造されるTMR素子と同等の特性を有するものである。具体的には、素子抵抗値が数十~1kΩμm2の領域において40~70のMR比を得ることができる。この製造方法により、金属酸化物であるMgOの成膜による問題、即ち、MgO膜をスパッタ法により成膜する際にMgOが成膜チャンバの内壁に付着及び剥離し、素子に悪影響を及ぼすダストが多量に発生ことを防止することが可能である。また、アース電位の成膜チャンバの内壁に絶縁物であるMgOが堆積することにより、MgO膜の表面が帯電することでアーク放電を起こし、MgO膜にプラズマダメージが生じることを防止することが可能である。なお、上記実施形態ではバリア層40の元となるMg膜の成膜St104及び酸化St105は一度しか実施していないが、これはバリア層40が薄い0.8nm以下の場合である。バリア層40をより厚くした場合に、Mg膜を厚くすると酸化が充分に進行しないおそれがある。したがってこのような場合には、Mg膜の成膜St104と酸化St105を所望の膜厚が得られるまで繰り返し実行することで、バリア層40を形成することが可能である。第2の実施形態本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し説明を省略する。第2の実施形態に係る製造方法によって製造するTMR素子の構造は、第1の実施形態に係るTMR素子1と同一であり、また、同製造方法において使用する製造装置も第1の実施形態に係る製造装置100と同一である。第2の実施形態は第1の実施形態に対し、金属MgをMgOに酸化するタイミングが異なる。トンネル磁気抵抗素子の製造方法製造装置100を用いたTMR素子1の製造方法について説明する。図5は、第2の実施形態に係るTMR素子1の製造方法を示すフローチャートである。脱ガス及び洗浄St201、バッファ層積層St202、第1CoFeB膜成膜St203及びMg膜成膜St204の各工程はそれぞれ第1の実施形態に示すものと同一である。Mg膜酸化St205搬送装置は積層体を酸化室109に搬入する。酸化室109において、プラズマ酸化、ラジカル酸化又は自然酸化のいずれかの方法により、Mg膜を酸化してMgO膜とする。このMgO膜はアモルファス状のMg膜を酸化したものであるので、アモルファス状である。熱処理St206次に、搬送装置は積層体を加熱室103に搬入する。加熱室103において積層体に熱処理を施す。このとき加熱温度は最大400°Cとすることが可能であり、加熱時間は分単位とすることができる。この熱処理により、アモルファス状態のMgO膜が結晶化し、001配向を有する結晶となる。即ち、MgO膜がバリア層40となる。また、アモルファス状態の第1CoFeB膜も結晶化し、001配向を有する結晶となる。第1CoFeB膜は、この結晶化によって垂直磁性膜となる。即ち、第1CoFeB膜はピン層30となる。ここで、上記Mg膜酸化工程St205と熱処理工程St206は同時に実行することが可能である。即ち、積層体を酸素プラズマ、酸素ラジカル又は酸素ガス雰囲気以下、酸素雰囲気と総称するにおいて加熱することにより、Mg膜が酸化されると同時にMgO膜及び第1CoFeB膜の結晶化が進行する。なお、酸素雰囲気ではない状態で加熱すれば、Mg膜酸化工程St205と熱処理St206を別の工程とすることも可能である。第2CoFeB膜成膜St207次に、搬送装置は積層体を第2PVD室106に搬入する。第2PVD室106においてDCスパッタによりCoFeBターゲットを用いて、CoFeBからなる第2CoFeB膜をバリア層40上に膜する。CoFeB以外のCoFeB系材料を成膜する場合には、CoFeB-Xターゲットをさらに追加する。この第2CoFeB膜はアモルファス状態であり、後述のステップにおいてフリー層50となるものである。第2CoFeB膜の組成比は、ターゲット組成により調節することが可能であり、例えば、CoxFeyB1-xyにおいて0.2≦x≦0.4、0.4≦y≦0.6の範囲となるようにすることができる。また、例えば、第2CoFeB膜は厚さが0.5nm以上1.5nm以下となるように成膜する。キャッピング層積層St208キャッピング層積層工程St208は第1の実施形態に係る同工程St107と同様にすることができる。熱処理St209次に、搬送装置は積層体を加熱室103に搬入する。加熱室103において積層体に熱処理を施す。このとき加熱温度は最大400°Cが可能であり、加熱時間は分単位とすることができる。この熱処理により、アモルファス状態の第2CoFeB膜が結晶化し、001配向を有する結晶となる。第2CoFeB膜はこの結晶化によって垂直磁性膜となる。即ち、第2CoFeB膜はフリー層50となる。以上のようにして、TMR素子1が製造される。本実施形態に係る製造方法においても第1の実施形態と同様に、金属酸化物であるMgOを直接成膜せず、金属Mgを成膜し、その金属Mgを酸化処理によりMgOとするものである。したがって、金属酸化物であるMgOの成膜による問題を防止することが可能である。かつ、MgO膜が成膜中に上記問題によりプラズマダメージを受けていた際に、同様にプラズマダメージを受けてアモルファス状態から結晶化状態に変化していたMgO膜下層のCoFeB膜をアモルファス状態のまま維持できるので、CoFeB膜上に成長させるMgO膜を所望の結晶方位に成長させることが可能である。また、第2の実施形態では、第1の実施形態と異なり、第1CoFeB膜及びMgO膜の熱処理と第2CoFeB膜の熱処理が別工程である。このため、第1CoFeB膜と第2CoFeB膜の熱処理条件を異なるものとすることができ、製造プロセスの自由度を向上させることが可能となる。これは例えば、第1CoFeB膜と第2CoFeB膜の膜厚が大きく異なる場合等に有効である。本発明はこの実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更することが可能である。上記第1及び第2の実施形態の製造方法は、バッファ層、ピン層、バリア層、フリー層及びキャッピング層が積層されて構成されたTMR素子を製造するものとしたが、これに限られない。Co、Ni及びFeの少なくとも一つを含む材料からなる磁性層ピン層又はフリー層と、上記磁性層に隣接するMgOからなるバリア層を少なくとも有する磁気抵抗素子であれば、本発明を適用することが可能である。