"中心軸に沿って円筒状に延びる陽極円筒と、前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びる複数の板状の第1ベインと、前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びて2つの前記第1ベインで挟まれる位置にそれぞれ設けられた板状の第2ベインと、前記第1ベインを短絡する第1ストラップリングと、前記第2ベインを短絡する第2ストラップリングと、を具備し、前記第1ベインおよび前記第2ベインはいずれも第1面と第2面を持ち前記第1面の前記陽極円筒とは反対側の遊端に前記第1面側から前記第2面側に傾いたダレが形成されていて、隣り合う前記第1ベインおよび前記第2ベインは前記第1面同士または前記第2面同士が向かい合うように配置され、前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角は前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角よりも小さい、ことを特徴とするマグネトロン。前記第1ベインおよび前記第2ベインは、それらと同数で前記中心軸から等角で放射状に広がる平面をそれぞれ横切っていることを特徴とする請求項1に記載のマグネトロン。前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインの前記中心軸側の端部の距離は、前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインの前記中心軸側の端部の距離と等しいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマグネトロン。前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインの前記と前記第2ベインの前記陽極円筒に接する端部の距離は、前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインの前記中心軸側の端部と前記第2ベインの前記中心軸側の端部との距離と等しいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマグネトロン。第1面と第2面を持つ板を前記第1面側からプレスして複数の第1ベインおよび前記第1ベインと同数の第2ベインを製造する工程と、前記第1ベインを前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びるように配置し、前記第2ベインを前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びて2つの前記第1ベインで挟まれる位置にそれぞれ配置し、前記第1のベインおよび前記第2のベインを前記陽極円筒の内面に固着させる工程と、前記第1ベインを第1ストラップリングで短絡する工程と、前記第2ベインを第2ストラップリングで短絡する工程と、を具備し、隣り合う前記第1ベインおよび前記第2ベインは前記第1面同士または前記第2面同士が向かい合うように配置され、前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角は前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角よりも大きい、ことを特徴とするマグネトロンの製造方法。マグネトロンの陽極構造体のベインをプレス加工によって製造した場合、加工時の断面にはダレ、せん断面、破断面、バリが存在する。加工後のバレル研磨などによってバリ取りをすることによって、バリは、マグネトロンの組み立て時には、特に大きな問題ではない。また、破断面も、角部が残り、比較的切削部品に近い形状となるため大きな影響はない。しかし、ダレは、ほぼそのままの状態で残ってしまう。マグネトロンの共振周波数は、各空洞共振器の各部のキャパシタンス、インダクタンスによって決定される。ベインのダレは、キャパシタンスに大きな影響を与える。たとえば試作時に切削によって製造されたベインを用いた陽極構造体と、同じ設計寸法でプレス加工によって製造されたベインを用いた陽極構造体とでは、共振周波数は、プレス加工によって製造されたベインを用いたものの方が高く、その差が10MHz以上となることもある。これは、ダレが存在するために実質的な対向面積が小さく、距離も大きくなるため、ストラップ-ベイン間のなどの各箇所でキャパシタンスが小さくなることが大きく影響している。インダクタンスに関してもダレの影響は存在するが、基本的に空洞共振器の長さ寸法に影響を与えているので、各部の全体の長さに比べれば、その影響は極僅かであると考えられる。このように、プレス加工に伴うダレの影響は小さいものではないが、ダレの形状が大きくばらつかない限り、ストラップ-ベイン間のキャパシタンスへの影響などは各ベインでほぼ一定であり、全体で補正をすることは比較的容易である。しかしながら、ベイン間のキャパシタンスの影響は問題となる。すなわち、通常、ベインは1種類の部品を交互に上下に逆に配置しているため、一つおきにダレ側同士、破断面側同士の開口部が並ぶこととなり、ダレ側同士の開口部を持つ空洞共振器では破断面同士の開口部を持つ空洞共振器に比べ、ベイン先端部のキャパシタンスが小さくなってしまう。空洞共振器は固有の共振周波数を有しているが、このような状態ではわずかに異なった2種類の共振周波数を持つ空洞共振器が存在することになる。通常避けられない各部品の寸法のばらつきや、組み立てのばらつきに加え、この空洞共振器の差によって、マグネトロンの全体としての基本波占有帯域が広範化してしまう。基本波成分が広範化すると高調波などの不要ノイズも悪化する。そこで、1つのマグネトロンに2種類のベインを用いて、ダレの方法を一方向にそろえる方法があるたとえば特許文献1参照。しかし、この方法では、2種類のベインを用いるため、金型を2種類用意し、打ち抜いたベインが互いに混ざらないように管理しなければならない。このため、金型や管理のコストが増大してしまい、現実的ではない。そこで、本発明は、コストを増大させることなく、マグネトロンの基本波占有帯域を狭小化させることを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明は、マグネトロンにおいて、中心軸に沿って円筒状に延びる陽極円筒と、前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びる複数の板状の第1ベインと、前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びて2つの前記第1ベインで挟まれる位置にそれぞれ設けられた板状の第2ベインと、前記第1ベインを短絡する第1ストラップリングと、前記第2ベインを短絡する第2ストラップリングと、を具備し、前記第1ベインおよび前記第2ベインはいずれも第1面と第2面を持ち前記第1面の前記陽極円筒とは反対側の遊端に前記第1面側から前記第2面側に傾いたダレが形成されていて、隣り合う前記第1ベインおよび前記第2ベインは前記第1面同士または前記第2面同士が向かい合うように配置され、前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角は前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角よりも小さい、ことを特徴とする。また、本発明は、マグネトロンの製造方法において、第1面と第2面を持つ板を前記第1面側からプレスして複数の第1ベインおよび前記第1ベインと同数の第2ベインを製造する工程と、前記第1ベインを前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びるように配置し、前記第2ベインを前記陽極円筒の内面から前記中心軸に向かって延びて2つの前記第1ベインで挟まれる位置にそれぞれ配置し、前記第1のベインおよび前記第2のベインを前記陽極円筒の内面に固着させる工程と、前記第1ベインを第1ストラップリングで短絡する工程と、前記第2ベインを第2ストラップリングで短絡する工程と、を具備し、隣り合う前記第1ベインおよび前記第2ベインは前記第1面同士または前記第2面同士が向かい合うように配置され、前記第1面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角は前記第2面同士が向かい合う前記第1ベインと前記第2ベインとのなす角よりも大きい、ことを特徴とする。本発明によれば、コストを増大させることなく、マグネトロンの基本波占有帯域を狭小化させることができる。本発明に係るマグネトロンの一実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれらに限定されない。図1は、本発明に係るマグネトロンの一実施の形態における横断面図である。図2は、本実施の形態におけるマグネトロンの縦断面図である。なお、図1において、陽極円筒、ベインおよび出力側のストラップリング以外の図示は省略した。本実施の形態のマグネトロンは、同一の軸中心軸41に沿って配置された陽極円筒1、陰極5、一対のエンドハット6,7および一対のポールピース8,9、並びに、この中心軸41の近傍から放射状に延びる複数のベイン51,52を備えている。陽極円筒1は、中心軸41に沿って円筒状に延びている。ベイン51,52は、中心軸41の近傍からほぼ放射状に延びて、陽極円筒1の内面に固定されている。ベイン51,52は、それぞれ実質的に長方形の板状に形成されている。陽極円筒1の内面に固定されていない側のベイン2の遊端31は、中心軸41に沿って延びる同一の円筒面上に配置されていて、この円筒面をベイン内接円筒と呼ぶ。複数のベイン51,52は、円周方向の一つおきに、ベインの出力側図2における上側の端部にろう付けされた大小それぞれ対となったストラップリング61,62によって連結されている。また、これらのベイン51,52は、円周方向の一つおきに、入力側図2における下側の端部にろう付けされた大小それぞれ対となったストラップリングによっても連結されている。以下、同一のストラップリングで結合されたベインを、それぞれ第1ベイン51および第2ベイン52と呼ぶこととする。また、第1ベイン51を結合する出力側のストラップリングを第1ストラップリング61、第2ベイン52を結合する出力側のストラップリングを第2ストラップリング62と呼ぶこととする。本実施の形態においては、径が小さい方のストラップリングが第1ストラップリング61であり、径が大きい方のストラップリングが第2ストラップリング62である。なお、入力側では、出力側と大小が逆のストラップリングで第1ベイン51および第2ベイン52が結合されている。つまり、径が小さい方のストラップリングが第2ベイン52を結合する第2ストラップリングであり、径が大きい方のストラップリングが第1ベイン51を結合する第1ストラップリングである。陰極5は、螺旋状であり、陽極円筒1の中心軸に配置されている。また、陰極5の両端は、それぞれエンドハット6,7に固着されている。エンドハット6,7は、ベイン2に対して中心軸41の外側に配置されている。一対のポールピース8,9は、それぞれ中央部に貫通孔32を有する漏斗状に形成されている。貫通孔32の中心は、中心軸41上に位置している。それぞれのポールピース8,9は、エンドハット6,7で挟まれる空間に対して中心軸41の外側に向かって貫通孔32から広がるように形成されている。ポールピース8,9の外径は陽極円筒1の径とほぼ同じに形成されている。ポールピース8,9の外周部分は、陽極円筒1の両方の端部にそれぞれ固定されている。また、これら一対のポールピース8,9は、エンドハット6,7で挟まれる空間を挟んで配置されている。また、ポールピース8,9には、それぞれ筒状の金属封着体10,11が固着されている。それぞれの金属封着体10,11は、陽極円筒1の一端にも接している。出力側の金属封着体10のポールピース8に対して反対側の端には、出力側セラミック12が接合されている。また、出力側セラミック12の金属封着体10に対して反対側の端には、排気管13が接合されている。ベインの1つから銅でできた棒状のアンテナ14が導出されている。このアンテナ14は、出力側のポールピース8を貫通して、出力部内を中心軸41上に延びて、先端は排気管13で挟持固定されている。排気管13の全体はキャップ15で覆われている。入力側の金属封着体11のポールピース9に対して反対側の端には、入力側セラミック16が接合されている。陰極5には、エンドハット6,7を介して2本のサポートロッド17,18が接続されている。サポートロッド17,18は、たとえば中継板19を介して管外へ導出されている。また、マグネット21,22とヨーク23,24が、このような発振部本体を囲むように配設されて、磁気回路を形成している。また、発振部本体を冷却するためのラジエーター25がヨーク23,24で囲まれる空間の内部に設けられている。また、陰極5には、サポートロッド17,18を介して、コイル33および貫通コンデンサ34を有するフィルター回路が接続されている。フィルター回路を構成するコイル33および貫通コンデンサ34は、フィルターボックス27に収められている。図3は、本実施の形態におけるベインの製造時の側面図である。本実施の形態において、第1ベイン51および第2ベイン52は、同一の銅板50の異なる部分を、同一の型53を用いて、プレス機54によって打ち抜いて製造される。銅板50および銅板50から打ち抜かれて第1ベイン51および第2ベイン52のプレス機54と対向する側の面を第1面71、その反対側の面を第2面72と呼ぶこととする。図4は、本実施の形態におけるベインの一部拡大断面図である。ベイン51,ベイン52は、プレス加工によって形成されているため、端縁に向かって第1面71側から第2面72側に傾いたダレ55がその端部に形成されている。ダレ55の反対側すなわち第2面72側には、バリが生じる。このバリは、研磨して取り除いてもよい。第1ベイン51と第2ベイン52とは、同形であり、互いに中心軸41方向に上下を逆に配置されている。つまり、隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52とは、互いに第1面71同士、あるいは第2面72同士が向かい合うように配置されている。本実施の形態では、第1面71同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52とのなす角が、第2面72同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52とのなす角よりも小さくなるように、ベイン51,52が配置されている。たとえば、第1面71同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52とのなす角は、34°であり、第2面72同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52とのなす角は38°である。中心軸41から等角で放射状に広がる10枚の平面のなす角は、36°であるから、本実施の形態においては、隣り合うベイン51,52がなす角はこの等角の場合から2°ずれている。中心軸41から放射状に広がり、中心角が交互に34°および36°となるような平面にベイン51,52を配置する。プレス加工によって形成したベイン51,52にはダレ55が存在するため、第1面71同士の実質的な対向面積は、ダレ55が存在しない場合に比べて小さくなる。また、このダレ55の存在によって、対向距離も大きくなる。ベイン51,52と陽極円筒1とで囲まれる空間は、空洞共振器である。第1ベイン51および第2ベイン52を中心軸41から放射状に広がる平面に沿って配置すると、第1面71同士が向かい合う空間と、第2面72同士が向かい合う空間では、遊端31部分に存在するダレ55の存在によって、遊端31の間の距離および空洞共振器の体積が異なることになる。つまり、この場合には、隣り合うベイン51,52間のキャパシタンスおよび隣り合う空洞共振器のインダクタンスが異なることになる。その結果、隣り合う空洞共振器で共振周波数が異なることになる。しかし、本実施の形態では、第1面71同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52と間隔を、第2面72同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52との間隔よりも小さくしている。その結果、第1面71同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52との間のキャパシタンスを、第2面72同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52との間のキャパシタンスと同等とすることができる。したがって、第1面71同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52との間の空洞共振器の共振周波数と、第2面72同士が隣り合う第1ベイン51と第2ベイン52との間の空洞共振器の共振周波数との差を小さくすることができる。また、この場合には、ベイン51,52は陽極円筒1の内面の法線方向に延びることとなるため、接合の際のろう付けが容易である。また、ベイン51,52は、陽極円筒1との接合部の陽極円筒1の内周に沿った距離が等間隔になるように配置してもよい。この場合、隣り合うベイン51,52の遊端31の間隔は、円周方向に大小が交互に並ぶ。また、それぞれのベイン51,52は、陽極円筒1との接合部で、ベイン51,52の数と同数の中心軸41から等角で放射状に広がる平面を横切ることとなる。このような配置とすることにより、すべての空洞共振器でインダクタンスをほぼ同等としたまま、インダクタンスを変化させることができる。その結果、すべての空洞共振器で共振周波数を同等とすることができる。ベイン51,52は、遊端31が中心軸41を中心とする同一の円周上に等間隔で位置するように配置してもよい。この場合、隣り合うベイン51,52の陽極円筒1との接合部の内周に沿った距離は、円周方向に大小が交互に並ぶこととなる。また、それぞれのベイン51,52は、遊端31部分で、ベイン51,52の数と同数の中心軸41から等角で放射状に広がる平面を横切ることとなる。このように配置することにより、ベイン51,52間のキャパシタンスが小さい第1面71同士の開口部を持つ空洞共振器はインダクタンスが大きくなり、ベイン51,52間のキャパシタンスが大きい第1面71同士の開口部を持つ空洞共振器はインダクタンスが小さくなる。その結果、インダクタンスの変化の影響およびキャパシタンスの変化の影響が互いにキャンセルし合い、共振周波数を同等とすることができる。また、遊端31が等間隔で配置されているため、遊端31と陰極5との間の電子作用空間における電磁場のひずみが小さくなり、他の特性への影響が小さい。このように本実施の形態では、1種類のベイン51,52を用いているが、隣り合う空洞共振器の共振周波数の差を小さくすることができる。その結果、マグネトロンの基本波占有帯域を狭小化させることができる。また、陽極円筒1とベイン51,52とは、その位置を規定する溝が形成された治具に、第1ベイン51および第2ベイン52を周方向に交互に配置していき、陽極円筒1に圧入するなどで組み立てられる。したがって、治具の隣り合う溝を適宜調節して本実施の形態のベイン51,52の配置となるように形成しておくことにより、容易に本実施の形態のマグネトロンを製造することができる。このように、本実施の形態では、コストを増大させることなく、マグネトロンの基本波占有帯域を狭小化させることができる。"