"放熱部材と、当該放熱部材の主面に固定される半導体素子と、前記主面の上方に間隔をあけて配されると共に、ボンディングワイヤによって前記半導体素子に電気接続される回路基板と、を備え、当該回路基板に、その厚さ方向に貫通して前記半導体素子を前記回路基板の上方に露出させる貫通孔が形成され、前記放熱部材に、前記主面から突出すると共に前記回路基板の下面のうち前記貫通孔の周縁部分のみに固定される支持突起が設けられていることを特徴とする半導体素子の電気接続構造。前記支持突起が、前記主面に固定された前記半導体素子を囲む平面視環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の電気接続構造。前記支持突起の外周面側において前記放熱部材と前記回路基板とによって挟まれる空間に存在する空気が、前記放熱部材と前記回路基板とを断熱する断熱層として機能することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の電気接続構造。前記半導体素子が、ポッティング樹脂によって埋設されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の半導体素子の電気接続構造。前記回路基板の上面に搭載された回路部品が、前記ポッティング樹脂によって埋設されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の電気接続構造。前記貫通孔の内周縁が、前記回路基板と前記支持突起との固定部分よりも前記貫通孔の径方向内側に張り出していることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子の電気接続構造。前記回路基板の下面のうち前記支持突起との固定部分よりも前記貫通孔の径方向内側に張り出す領域に、前記半導体素子の温度を計測するための温度計測素子が搭載されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の電気接続構造。前記放熱部材の主面のうち前記半導体素子を固定する搭載領域が、当該搭載領域を除く前記主面の他の領域よりも上方に突出する位置に形成され、前記搭載領域及び前記半導体素子の平面視形状が、互いに相似していることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体素子の電気接続構造。ところで、放熱部材の上面側に向く回路基板の下面に回路部品を搭載する場合もあるため、上記従来の半導体素子の電気接続構造としては、回路基板を放熱部材の上面に対して間隔をあけた位置で固定する構造も考えられている。しかしながら、回路基板が放熱部材に対して間隔をあけて配されると、ボンディングワイヤを回路基板の配線パターンに接合する際に、回路基板も振動してしまうことがある。ボンディングワイヤを貫通孔の周縁部分に接合する場合には、接合部分が特に振動し易くなってしまう。その結果として、ボンディングワイヤの接合不良が発生する虞がある。本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、回路基板が放熱部材に対して間隔をあけて配されていても、回路基板に対するボンディングワイヤの接合不良を防ぐことが可能な半導体素子の電気接続構造を提供することを目的とする。この課題を解決するために、本発明の半導体素子の電気接続構造は、放熱部材と、当該放熱部材の主面に固定される半導体素子と、前記主面の上方に間隔をあけて配されると共に、ボンディングワイヤによって前記半導体素子に電気接続される回路基板と、を備え、当該回路基板に、その厚さ方向に貫通して前記半導体素子を前記回路基板の上方に露出させる貫通孔が形成され、前記放熱部材に、前記主面から突出すると共に前記回路基板の下面のうち前記貫通孔の周縁部分のみに固定される支持突起が設けられていることを特徴とする。この電気接続構造では、ボンディングワイヤを支持突起の直上あるいはその近傍に位置する回路基板の上面に接合することで、超音波振動を付与しても回路基板の振動を抑えることができるため、回路基板に対するボンディングワイヤの接合不良を防止することができる。そして、前記電気接続構造においては、前記支持突起が、前記主面に固定された前記半導体素子を囲む平面視環状に形成されているとよい。この構成では、放熱部材の主面上の空間が、半導体素子が搭載されている支持突起の内周面側の空間内側空間と、支持突起の外周面側において放熱部材と回路基板とによって挟まれる空間外側空間とに区画されることになる。このため、半導体素子において生じた熱が、支持突起において遮蔽され易くなり、内側空間から外側空間に伝わることを抑制できる。したがって、例えば、放熱部材の主面に対向して外側空間に面する回路基板の下面に、熱に弱い回路部品が搭載されていても、この回路部品が半導体素子の熱の影響を受けることを抑制でき、この回路部品を含む回路の動作安定化を図ることができる。また、後述するように半導体素子をポッティング樹脂によって埋設する場合には、半導体素子の上方から溶融されたポッティング樹脂を流し込むが、放熱部材の主面上の空間が支持突起によって内側空間と外側空間とに区画されることで、溶融状態のポッティング樹脂が内側空間から外側空間に漏れ出すことを防止することができる。したがって、半導体素子の埋設に要するポッティング樹脂の量を少量に抑えることができる。さらに、前記電気接続構造においては、前記支持突起の外周面側において前記放熱部材と前記回路基板とによって挟まれる空間に存在する空気が、前記放熱部材と前記回路基板とを断熱する断熱層として機能することが好ましい。この構成では、断熱層によって放熱部材の熱例えば、半導体素子から放熱部材に逃げた熱が回路基板側に伝わることを抑制できる。したがって、例えば、放熱部材の主面に対向して断熱層外側空間に面する回路基板の下面に、熱に弱い回路部品が搭載されていても、この回路部品が放熱部材の熱の影響を受けることを抑制できる、この回路部品を含む回路の動作安定化を図ることができる。また、前記電気接続構造においては、前記半導体素子が、ポッティング樹脂によって埋設されることが好ましい。上記ポッティング樹脂は空気と比較して熱伝導率が高いため、上記構成では、半導体素子がポッティング樹脂に埋設されずに空気に接触している場合と比較して、半導体素子において発生した熱を半導体素子の外部に効率よく逃がすことができる。特に、ポッティング樹脂は放熱部材にも接触するため、半導体素子の上面側において発生した熱をポッティング樹脂から放熱部材まで効率よく伝えることができる。したがって、半導体素子の放熱効率向上を図ることができる。また、半導体素子特にその上面側において発生した熱が、半導体素子の上方側に逃げにくくなるため、半導体素子の上方側に位置する回路基板や空間の温度上昇を抑えることもできる。特に、回路基板の温度上昇を抑えることは、熱に弱い回路部品が回路基板に搭載されている場合に特に有効である。さらに、前記電気接続構造においては、前記回路基板の上面に搭載された回路部品が、前記ポッティング樹脂によって埋設されていてもよい。この構成では、前述した半導体素子の場合と同様に、回路基板に搭載された回路部品の熱もポッティング樹脂から放熱部材に効率よく逃がすことが可能となる。また、前記電気接続構造においては、前記貫通孔の内周縁が、前記回路基板と前記支持突起との固定部分よりも前記貫通孔の径方向内側に張り出しているとよい。言い換えれば、前記回路基板のうち前記貫通孔の周縁部分には、前記支持突起との固定部分よりも前記貫通孔の径方向内側に張り出す張り出し部が形成されているとよい。上記構成では、前述したように半導体素子をポッティング樹脂で埋設する場合に、張り出し部をなす回路基板の下面にもポッティング樹脂を接触させることができるため、ポッティング樹脂によって覆われる回路基板の上面の面積を増やさなくても、ポッティング樹脂と回路基板との接合界面の面積を増加させることができる。さらに、回路基板の張り出し部をポッティング樹脂により埋設すれば、ポッティング樹脂に嵌合させることもできる。以上のことから、ポッティング樹脂が放熱部材や回路基板から剥離することを防ぐことができる。特に、ボンディングワイヤもポッティング樹脂に埋設されている場合には、ポッティング樹脂の剥離に基づくボンディングワイヤの断線、あるいは、ボンディングワイヤの半導体素子や回路基板からの剥離を防いで、電気接続構造の電気的な信頼性向上を図ることができる。さらに、前記電気接続構造においては、前記回路基板の下面のうち前記支持突起との固定部分よりも前記貫通孔の径方向内側に張り出す領域に、前記半導体素子の温度を計測するための温度計測素子が搭載されているとよい。この構成では、温度計測素子が半導体素子と共にポッティング樹脂によって埋設されることで、半導体素子と温度計測素子との間には熱伝導率の低い空気が介在しなくなるため、半導体素子の熱はポッティング樹脂のみを介して温度計測素子に伝わることになる。したがって、半導体素子の熱が空気を介して温度計測素子に伝わる場合と比較して、半導体素子の温度を精度よく測定することができる。また、前記電気接続構造においては、前記放熱部材の主面のうち前記半導体素子を固定する搭載領域が、当該搭載領域を除く前記主面の他の領域よりも上方に突出する位置に形成され、前記搭載領域及び前記半導体素子の平面視形状が、互いに相似しているとよい。この構成によれば、放熱部材の主面に半導体素子を固定する位置や向きに誤りが生じることを防いで、放熱部材の主面に対する半導体素子の位置決めを容易に行うことが可能となる。本発明によれば、放熱部材には、回路基板の下面のうち貫通孔の周縁部分に固定される支持突起が形成されているため、回路基板に対するボンディングワイヤの接合不良を防止することができる。第一実施形態以下、図1~3を参照して本発明の第一実施形態について説明する。図1,2に示すように、この実施形態に係る半導体素子の電気接続構造は、放熱部材2と、放熱部材2の主面2aに重ねて固定される絶縁用基板3及び半導体素子4と、放熱部材2の主面2aの上方に間隔をあけて配される回路基板5と、を備えて大略構成されている。放熱部材2は、アルミニウムAl等のように熱伝導性に優れた導電性材料からなり、例えば厚板状に形成されている。この放熱部材2には、その主面2aから一体に突出する支持突起21及び複数の筒状突起部22が形成されている。支持突起21は、放熱部材2の主面2aのうち絶縁用基板3及び半導体素子4が搭載される領域以下、搭載領域23aと呼ぶ。の周囲に位置し、この搭載領域23aを囲む平面視環状に形成されている。具体的に説明すれば、支持突起21は、放熱部材2の主面2aのうち搭載領域23aに対して間隔をあけた位置において突出しており、搭載領域23aに搭載された絶縁用基板3及び半導体素子4が、支持突起21の内周面に接触しないようになっている。言い換えれば、放熱部材2の主面2aのうち支持突起21によって囲まれる領域支持突起21よりも内側の領域は、半導体素子4を搭載する搭載領域23a、及び、支持突起21と搭載領域23aとの間の平面視環状の領域他の領域24aに区画されている。なお、この支持突起21は、図示例において平面視円環状に形成されているが、例えば、半導体素子4の平面視形状に相似させる等して平面視多角形の環状に形成されていてもよい。複数の筒状突起部22は、放熱部材2の主面2aのうち支持突起21よりも外側の領域において、互いに間隔をあけて複数形成されている。各筒状突起部22の先端面22aには、支持突起21と同様に、後述する回路基板5が配されるようになっている。すなわち、支持突起21及び筒状突起部22の突出高さによって、放熱部材2の主面2aに対する回路基板5の高さ位置が設定されている。そして、各筒状突起部22には、その先端面22aから窪むように形成され、回路基板5を放熱部材2に固定するためのねじ固定用ネジ6を螺着させる雌ネジ不図示が形成されている。絶縁用基板3は、放熱部材2とその主面2a上に搭載される半導体素子4とを電気的に絶縁すると共に、半導体素子4を放熱部材2上に容易かつ確実に固定させるためのものである。本実施形態における絶縁用基板3は、例えば図3に示すように、導電性を有して放熱部材2の主面2aに接合するための金属板31、電気的な絶縁性を有する絶縁層32、及び、導電性を有して半導体素子4に接合するための導電性層33を下側から順番に積層して構成されている。金属板31は、例えばアルミニウムや銅Cu等のように熱伝導率の高い金属材料によって構成されている。絶縁層32は、例えばエポキシ樹脂やポリイミドPI等によって構成されている。この絶縁層32は、放熱部材2と半導体素子4との電気的な絶縁を確保しながらも、半導体素子4において発生した熱を導電性層33から金属板31に効率よく伝えることができるように、より薄く形成されることが好ましく、また、熱伝導率の高い材料によって構成されることが好ましい。導電性層33は、例えば銅箔などのように熱伝導率の高い金属材料を薄膜状に形成したものである。以上のように構成される絶縁用基板3の平面視形状は、図2に示す半導体素子4の平面視形状と一致するように、あるいは微小に大きくなるように設定されている。そして、この絶縁用基板3は、その金属板31図3参照がはんだや銀ペースト等の導電性材料やシリコングリス等の絶縁性材料からなる固定剤不図示を介して図1に示す放熱部材2の搭載領域23aに接合されることで、放熱部材2に固定されている。半導体素子4は、通電によって発熱するものであり、その上面4aに複数の電極不図示を有して構成されている。なお、本実施形態の半導体素子4は、平面視矩形の板状に形成されているが、これに限ることは無い。この半導体素子4は、はんだや銀ペースト等の導電性接着剤不図示を介して絶縁用基板3の上面3aをなす導電性層33に接合されている。したがって、半導体素子4は、前述した絶縁用基板3を介して放熱部材2の主面2aに固定されている。図1,2に示すように、回路基板5には、その厚さ方向に貫通する挿通孔不図示及び貫通孔51が形成されている。挿通孔は、回路基板5を放熱部材2に固定するための固定用ネジ6の軸部を挿通させるものであり、放熱部材2の筒状突起部22に対応する数図示例では二つだけ形成されている。各挿通孔の孔径は、固定用ネジ6の軸部の外径よりも大きく、かつ、固定用ネジ6の頭部61の外径や筒状突起部22の外径よりも小さくなるように設定されている。一方、貫通孔51は、回路基板5を放熱部材2に固定した状態において、放熱部材2上に固定された半導体素子4を回路基板5の上方に露出させるものである。なお、図示例において、貫通孔51は、支持突起21の平面視形状に相似する平面視円形状に形成されているが、任意の平面視形状に形成されてよい。この貫通孔51の内径は、平面視環状に形成された支持突起21の内径よりも小さく設定されている。以上のように構成される回路基板5は、その挿通孔に固定用ネジ6の軸部を挿通させた上で筒状突起部22の雌ネジに螺着させることにより、筒状突起部22と固定用ネジ6の頭部61との間に挟みこまれている。また、回路基板5の下面5bのうち貫通孔51の周縁部分は、支持突起21の先端部との間に隙間が生じないように、はんだや銀ペースト等の導電性材料やシリコングリス等の絶縁性材料からなる固定剤不図示によって支持突起21の先端部に接合されている。これにより、回路基板5が放熱部材2に固定されている。この固定状態では、放熱部材2の主面2a上の空間が、半導体素子4が搭載されている支持突起21の内周面側の空間内側空間S1と、支持突起21の外周面側において放熱部材2と回路基板5とによって挟まれる空間外側空間S2とに区画されている。そして、外側空間S2に存在する空気は、放熱部材2と回路基板5とを断熱する断熱層として機能している。また、回路基板5を放熱部材2に固定した状態では、貫通孔51の内周縁が、回路基板5と支持突起21との接合部分よりも支持突起21や貫通孔51の径方向内側に張り出している。言い換えれば、回路基板5のうち貫通孔51の周縁部分には、支持突起21との固定部分よりも支持突起21や貫通孔51の径方向内側に張り出す張り出し部52が形成されている。この張り出し部52は、貫通孔51の周方向全体に画成されて平面視環状図示例では、支持突起21や貫通孔51の平面視形状に相似する円環状を呈している。また、張り出し部52は、支持突起21よりも内側に位置する放熱部材2の主面2aのうち他の領域24a上のみに位置し、搭載領域23a上には位置していない。これにより、搭載領域23a上に搭載された半導体素子4の上面4a全体が、貫通孔51を通じて回路基板5の上方に露出している。なお、図示例では、搭載領域23a上に搭載された半導体素子4の上部が貫通孔51内に挿入されて、半導体素子4の上面4aが回路基板5の上面5aと同一平面をなしているが、これに限ることはない。半導体素子4の上面4aは、例えば回路基板5の上面5aよりも低くあるいは高く位置してもよい。この回路基板5の上面5aと半導体素子4の上面4aとの相対的な高さ位置は、例えば絶縁用基板3の高さ寸法を変更することで容易に調整することが可能である。ただし、この相対的な高さ位置は、例えば、半導体素子4と回路基板5とを電気接続するボンディングワイヤ7後述の形成を、最適な状態で行うことができるように設定されることが好ましい。以上のように放熱部材2に固定された半導体素子4及び回路基板5は、複数のボンディングワイヤ7によって互いに電気接続されている。各ボンディングワイヤ7の一端部は、半導体素子4の上面4aに形成された電極に接合され、他端部は、回路基板5の上面5aにおいて電気配線パターンに接続して形成された接合領域不図示に接合されている。なお、図示例では、回路基板5の接合領域が、回路基板5の上面5aのうち支持突起21の直上に位置しているが、少なくとも支持突起21の直上の近傍に位置していればよい。また、回路基板5の下面5bのうち張り出し部52をなす領域には、例えばサーミスタ等のように半導体素子4の温度を計測するための温度計測素子8が搭載されている。この温度計測素子8は、回路基板5の下面5bに形成された電気配線パターンに電気接続されている。さらに、回路基板5の上面5aや下面5bには、半導体素子4や温度計測素子8と共に電気回路を構成する回路部品10,11も搭載されている。これら回路部品10,11は回路基板5の上面5aや下面5bに形成された電気配線パターンにそれぞれ電気接続されている。なお、回路基板5の下面5bに搭載される回路部品11は、支持突起21よりも外側に位置している、すなわち、放熱部材2の主面2a、回路基板5の下面5b及び支持突起21の外周面によって区画された外側空間S2に配されている。また、本実施形態の電気接続構造では、絶縁用基板3、半導体素子4、ボンディングワイヤ7及び温度計測素子8が、ポッティング樹脂9によって埋設されている。具体的に説明すれば、ポッティング樹脂9が、放熱部材2の主面2a、回路基板5の下面5b及び支持突起21の内周面によって区画された内側空間S1、及び、内側空間S1上方の貫通孔51に充填されることで、絶縁用基板3、半導体素子4及び温度計測素子8がポッティング樹脂9内に埋設されている。さらに、ポッティング樹脂9が貫通孔51の上方において盛り上がるように溢れていることで、回路基板5の上面5aのうち貫通孔51の周縁部分が覆われると共に、ボンディングワイヤ7が埋設されている。このポッティング樹脂9は、少なくとも電気的な絶縁性を有すると共に、空気よりも熱伝導率が高い材料からなり、具体的な材料としては、例えばシリコーン樹脂等の高分子ゲルが挙げられる。次に、上述したように構成される電気接続構造を組み立てる組立方法の一例について説明する。本実施形態の電気接続構造を組み立てる場合には、はじめに、絶縁用基板3の上面3aに半導体素子4を接合する接合工程。この工程においては、例えば、はんだペーストや銀ペースト等の導電性接着剤を絶縁用基板3の導電性層33と半導体素子4との間に介在させた状態において、リフローやダイボンドを実施することで、絶縁用基板3と半導体素子4とを接合すればよい。この工程により、絶縁用基板3及び半導体素子4を一体に固定した素子ユニットが構成されることになる。また、上記接合工程の前後あるいは同時に、回路基板5の上面5aや下面5bの所定位置に温度計測素子8や回路部品10,11等を搭載する搭載工程。これら接合工程及び搭載工程の後には、上記素子ユニット及び回路基板5を放熱部材2に取り付ける取付工程。この工程においては、はじめに、放熱部材2の搭載領域23a及び支持突起21の先端部に固定剤不図示を塗布する。次いで、絶縁用基板3の金属板31が搭載領域23a上の固定剤に触れるように、素子ユニットを放熱部材2の搭載領域23a上に配置する。これにより、素子ユニットが放熱部材2の搭載領域23aに固定される。その後、回路基板5の下面5bのうち貫通孔51の周縁部分が支持突起21に塗布された固定剤に触れるように、回路基板5を支持突起21の先端部上に配置する。これによって、支持突起21の先端部が回路基板5の下面5bに固定されることになる。この状態においては、支持突起21の先端部と回路基板5の下面5bとが隙間なく固定されているため、放熱部材2の主面2a上の空間が、半導体素子4が搭載されている支持突起21よりも内側の空間内側空間S1と、支持突起21よりも外側において放熱部材2と回路基板5とによって挟まれる空間外側空間S2とに区画されることになる。最後に、各固定用ネジ6の軸部を回路基板5の各挿通孔に挿通させた上で各筒状突起部22の雌ネジに螺着させ、回路基板5を各筒状突起部22の先端面22aに押し付けて固定することで、取付工程が完了する。このように取付工程を実施することで、回路基板5が放熱部材2の主面2a上に固定されると共に、半導体素子4が絶縁用基板3を介して放熱部材2の主面2aに固定されることになる。上記取付工程後には、ボンディングワイヤにより半導体素子4と回路基板5とを電気接続する電気接続工程。この工程においては、従来周知のワイヤボンディングにより、各ボンディングワイヤ7の一端部を半導体素子4の上面4aに形成された電極に接合する。また、各ボンディングワイヤ7の他端部を回路基板5の上面5aのうち支持突起21の直上あるいは近傍に形成された接合領域不図示に接合する。各接合の際には、ボンディングワイヤ7の一端部及び他端部を、それぞれ半導体素子4の上面4a及び回路基板5の上面5aに押し付けた上で超音波振動を付与する。最後に、溶融されたポッティング樹脂9を回路基板5の貫通孔51から内側空間S1に流し込み、溶融状態のポッティング樹脂9を硬化例えば熱硬化等させて、絶縁用基板3、半導体素子4、ボンディングワイヤ7及び温度計測素子8を埋設するポッティング樹脂9を形成する埋設工程ことで、図1,2に示す電気接続構造の組み立てが完了する。上記埋設工程では、支持突起21の先端部は回路基板5の下面に隙間なく固定されているため、溶融状態のポッティング樹脂9を内側空間S1に流し込む際に、溶融状態のポッティング樹脂9が内側空間S1から外側空間S2に漏れ出すことは無い。また、溶融状態のポッティング樹脂9は、貫通孔51上に溢れた後、自らの表面張力によって回路基板5の上面5a上において盛り上がるため、回路基板5の上面5aよりも上方に位置するボンディングワイヤ7も確実にポッティング樹脂9内に埋設することができる。以上説明したように、本実施形態の半導体素子の電気接続構造では、ボンディングワイヤ7を接合させる回路基板5の接合領域が、回路基板5の上面5aのうち支持突起21の直上あるいはその近傍に位置しているため、電気接続工程の際にボンディングワイヤ7を回路基板5の上面5aに押し付けて超音波振動を付与しても、回路基板5の振動を抑えることができる。したがって、回路基板5に対するボンディングワイヤの接合不良を防止することができる。また、本実施形態の電気接続構造では、支持突起21が半導体素子4を囲む平面視環状に形成されることで、放熱部材2の主面2a上の空間が内側空間S1と外側空間S2とに区画されているため、半導体素子4において生じた熱が、支持突起21において遮蔽され易くなり、内側空間S1から外側空間S2に伝わることを抑制できる。さらに、本実施形態の電気接続構造では、外側空間S2に存在する空気が断熱層として機能するため、この断熱層によって放熱部材2の熱例えば、半導体素子4から放熱部材2に逃げた熱が外側空間S2を介して回路基板5側に伝わることを抑制できる。以上のことから、例えば外側空間S2に面するように回路基板5の下面5bに搭載された回路部品11が熱に弱くても、この回路部品11が半導体素子4や放熱部材2の熱を受けることを抑制でき、この回路部品11を含む電気回路の動作安定化を図ることができる。また、本実施形態の電気接続構造では、支持突起21によって放熱部材2の主面2a上の空間が内側空間S1と外側空間S2とに区画されていることで、埋設工程において流し込む溶融状態のポッティング樹脂9が内側空間S1から外側空間S2に漏れ出すことを防止できる。したがって、半導体素子4等の埋設に要するポッティング樹脂9の量を少量に抑えることができる。また、半導体素子4が、空気と比較して熱伝導率が高いポッティング樹脂9によって埋設されているため、ポッティング樹脂9に埋設されずに空気に接触する場合と比較して、半導体素子4において発生した熱を半導体素子4の外部に効率よく逃がすことができる。特に、ポッティング樹脂9は放熱部材2にも接触しているため、半導体素子4の上面4a側において発生した熱をポッティング樹脂9から放熱部材2まで効率よく伝えることができる。したがって、半導体素子4の放熱効率向上を図ることができる。さらに、半導体素子4特にその上面4a側において発生した熱が、半導体素子4の上方側に逃げにくくなるため、半導体素子4の上方側に位置する回路基板5や空間の温度上昇を抑えることもできる。特に、回路基板5の温度上昇を抑えることは、回路基板5に搭載された回路部品10,11が熱に弱い場合に特に有効である。また、回路基板5に張り出し部52が形成されていることで、張り出し部52をなす回路基板5の下面5bにもポッティング樹脂9を接触させることができるため、ポッティング樹脂9によって覆われる回路基板5の上面5aの面積を増やさなくても、すなわち、ポッティング樹脂9の量を増やさなくても、ポッティング樹脂9と回路基板5との接合界面の面積を増加させることができる。さらに、回路基板5の張り出し部52がポッティング樹脂9によって埋設されているため、この張り出し部52をポッティング樹脂9に嵌合させることもできる。以上のことから、ポッティング樹脂9が放熱部材2や回路基板5から剥離することを防ぐことができる。したがって、ポッティング樹脂9の剥離に基づく、ボンディングワイヤ7の断線、あるいは、ボンディングワイヤ7の半導体素子4や回路基板5からの剥離を防ぎ、電気接続構造の電気的な信頼性向上を図ることができる。さらに、本実施形態の電気接続構造では、張り出し部52や内側空間S1をなす回路基板5の下面5bに温度計測素子8が設けられると共に、この温度計測素子8がポッティング樹脂9に埋設されているため、半導体素子4と温度計測素子8との間には熱伝導率の低い空気が介在しない。すなわち、半導体素子4の熱はポッティング樹脂9のみを介して温度計測素子8に伝わることになる。したがって、半導体素子4の熱が空気を介して温度計測素子8に伝わる場合と比較して、半導体素子4の温度を精度よく測定することが可能となる。第二実施形態次に、図4を参照して本発明の第二実施形態について説明する。この実施形態では、第一実施形態の電気接続構造と比較して、放熱部材の構成のみが異なっており、その他の構成については第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。本実施形態の放熱部材2では、放熱部材2の主面2aのうち支持突起21よりも内側の領域において、半導体素子4の搭載領域23aが他の領域24aよりも高く位置するように、放熱部材2の主面2aが段差を有して形成されている。言い換えれば、本実施形態の放熱部材2には、その平坦な主面2aから一体に突出する固定台23が形成され、この固定台23の上端面が半導体素子4の搭載領域23aとなっている。この搭載領域23aの平面視形状は、絶縁用基板3及び半導体素子4の平面視形状に相似している。本実施形態では、搭載領域23aが絶縁用基板3及び半導体素子4と同様の平面視矩形状に形成され、その大きさは、絶縁用基板3に一致するように、あるいは、微小に大きくなるように設定されている。なお、図示例の放熱部材2の主面2aは、支持突起21よりも内側の領域のうちの他の領域24aと、支持突起21よりも外側の領域とが、同一平面をなすように形成されているが、これに限ることは無く、少なくとも支持突起21よりも内側の領域において搭載領域23aが他の領域24aよりも高く位置していればよい。したがって、放熱部材2の主面2aのうち支持突起21よりも外側の領域は、例えば搭載領域23aと同等の高さ位置に設定されてもよいし、搭載領域23aよりも高い位置に設定されてもよい。また、図示例では、固定台23上に固定された半導体素子4の上面4aが回路基板5の上面5aよりも高く位置しているが、例えば低く位置してもよいし、あるいは、第一実施形態の場合と同様に、回路基板5の上面5aと同一平面をなしてもよい。本実施形態の放熱構造によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。また、本実施形態の放熱部材2では、搭載領域23aが他の領域24aよりも高く位置すると共に、搭載領域23aの平面視形状が半導体素子4や絶縁用基板3の平面視形状に相似しているため、放熱部材2の主面2aに半導体素子4や絶縁用基板3を固定する位置や向きに誤りが生じることを防いで、放熱部材2の主面2aに対する半導体素子4や絶縁用基板3の位置決めを容易に行うことが可能となる。さらに、本実施形態の放熱構造では、支持突起21や筒状突起部22に対する搭載領域23aの高さ位置固定台23の高さ寸法を変更することで、回路基板5の上面5aと半導体素子4の上面4aとの相対的な高さ位置を容易に調整することもできる。特に、絶縁用基板3の高さ寸法の変更が困難である場合でも、回路基板5の上面5aと半導体素子4の上面4aとの相対的な高さ位置の調整を行うことができる。なお、上記第二実施形態では、半導体素子4の搭載領域23aをなす固定台23が放熱部材2に一体に形成されているが、例えば放熱部材2と別個に形成されて放熱部材2の主面2aに取り付けられてもよい。第三実施形態次に、図5を参照して本発明の第三実施形態について説明する。この実施形態では、第一実施形態の電気接続構造と比較して、ポッティング樹脂の形成領域のみが異なっており、その他の構成については第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。本実施形態の放熱構造では、第一実施形態と同様に、ポッティング樹脂9によって絶縁用基板3、半導体素子4、ボンディングワイヤ7及び温度計測素子8が埋設されると共に、回路基板5の上面5aに搭載された回路部品10も埋設されている。なお、ポッティング樹脂9の量を少なく抑えるためには、回路部品10が、ボンディングワイヤ7に干渉しない範囲で、できるだけ貫通孔51に近い位置に搭載されることが好ましい。本実施形態の電気接続構造によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。また、回路部品10において生じた熱も、半導体素子4の場合と同様に、ポッティング樹脂9から放熱部材2に効率よく逃がすことが可能となる。この第三実施形態の構成は、前述した第二実施形態にも適用することが可能である。以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。例えば、回路基板5が放熱部材2に固定されることで画成される回路基板5の張り出し部52は、貫通孔51の周方向全体に画成されることに限らず、例えば、貫通孔51の周方向の一部にのみ画成されてもよいし、貫通孔51の周方向に複数配列されていてもよい。また、張り出し部52は、特に画成されなくても構わない。また、回路基板5の下面5bのうち貫通孔51の周縁部分は、固定剤によって支持突起21の先端部に接合されるとしたが、少なくとも固定されていればよく、例えば、固定用ネジ6の締結力によって支持突起21の先端部に押し付けられてもよい。この場合には、例えば、支持突起21の突出高さを筒状突起部22の突出高さよりも高く設定しておけばよい。また、複数の筒状突起部22の配置等を工夫すれば、上述した実施形態の場合と同様に、支持突起21の先端部との間に隙間が生じないように、回路基板5の下面5bを支持突起21の先端部に固定することも十分に可能である。さらに、支持突起21は、平面視環状に形成されることに限らず、少なくとも回路基板5の上面5aのうちボンディングワイヤ7を接合する領域の直下あるいはその近傍に位置する貫通孔51の周縁部分において、回路基板5の下面5bに固定されていればよい。したがって、支持突起21は、例えば図6に示すように、半導体素子4を囲むように複数配列されてもよい。また、支持突起21や筒状突起部22は、放熱部材2に一体に形成されるとしたが、少なくとも放熱部材2の主面2aから突出するように設けられていればよく、例えば放熱部材2と別個に形成されて、放熱部材2の主面2aから突出するように放熱部材2に取り付けられてもよい。半導体素子4は、絶縁用基板3を介して放熱部材2の主面2aに固定されることに限らず、例えば放熱部材2の主面2a搭載領域23aに直接固定されてもよい。この場合には、例えば、はんだや銀ペースト等の導電性接着剤を介して半導体素子4を導電性材料からなる放熱部材2の主面2aに搭載する等して、半導体素子4と放熱部材2とが電気的に接続されてもよい。また、例えば、放熱部材2を樹脂材料等の非導電性材料により構成する等して、半導体素子4と放熱部材2とが電気的に絶縁されてもよい。"