"陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールバリア層、電子輸送層、電子注入層、および、陰極を順番に積層してなるポリマーエレクトロルミネッセスデバイスであって、前記ホールバリア層は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成される、ポリマーエレクトロルミネッセスデバイス。前記ホールバリア層は、厚さ範囲を1nmから10nmとする、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記陽極は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記発光層は、前記発光材料、または発光材料とホスト材料の混合物で作られ、発光材料は、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-ビニル4h-ピラン、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジン-N,C2イリジウムピリジンカルボキシイミド、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートイリジウム、及び、トリス2-フェニルピリジンイリジウムのうちから少なくとも一つ選択される材料で作成され、前記ホスト材料は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、N-アリールベンゾイミダゾールのうちから少なくとも一つ選択される材料で作成され、発光材料とホスト材料の混合物で作られた発光材料の質量含有量の範囲は、1~20である、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記ホール注入層は、モリブデン三酸化物、三酸化タングステン、およびバナジウム過酸化物から選択される材料から作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記ホール輸送層は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、から選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記電子輸送層は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾロ誘導体、N-アリールベンゾイミダゾールのうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記電子注入層は、電子注入材料、又は、電子注入材料を電子輸送材料にドープした混合物で形成され、前記電子注入材料は、炭酸セシウム、ふっ化リチウム、およびセシウムアジ化合物の内から選択される材料で作成され、前記電子輸送材料は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾロ誘導体、およびN-アリールベンゾイミダゾールのうちから選択される材料で作成され、ドープされる電子注入材料と電子輸送材料の混合物中の電子注入材料の質量含有量の範囲は、20~60である、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。前記陰極は、銀、アルミニウム、プラチナ、金、およびマグネシウム銀合金のうちから選択される材料で作成される、ことを特徴とする請求項1に記載のポリマーエレクトロルミネセンスデバイス。陽極を準備し、陽極の表面にホール注入層、ホール輸送層、発光層を形成し、発光層の表面にホールバリア層を形成し、ホールバリア層は酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成し、ホールバリア層の表面に電子輸送層、電子注入層と陰極を順次形成する、ポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法。以上のことから、発光効率の高いポリマーエレクトロルミネッセスデバイスとその製造方法を提供する必要がある。ポリマーエレクトロルミネッセスデバイスは陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールバリア層、電子輸送層、電子注入層、および、陰極を有し、ホールバリア層は酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成される。好ましい実施例としては、ホールバリア層の厚さの範囲は、1nm~10nmとする。好ましい実施例としては、陽極導電基板は、インジウムすず酸化ガラス、フルオレンドープドすず酸化ガラス、アルミニウムドープド亜鉛酸化ガラス、およびインジウムドープド亜鉛酸化ガラスのうちから選択される材料で作成される。好ましい実施例としては、発光層の材料は発光材料、または発光材料とホスト材料の混合物で作られる。発光材料は、4-メチルニトリル-2-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-ビニル-4H-ピラン、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジン-N、C2イリジウムピリジンカルボキシイミド、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートイリジウム、及び、トリス2-フェニルピリジンイリジウムのうちから少なくとも一つ選択される材料で作成される。ホスト材料は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾール誘導体、N-アリールベンゾイミダゾールのうちから少なくとも一つ選択される材料で作成される。発光材料とホスト材料の混合物で作られた発光材料の質量含有量の範囲は1~20である。好適な実施例では、ホール注入層は、モリブデン三酸化物、三酸化タングステン、およびバナジウム過酸化物から選択される材料から作成される。好適な実施例では、ホール輸送層は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサン、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミン、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミン、から選択される材料で作成される。好適な実施例では、電子輸送層は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル、1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾロ誘導体、N-アリールベンゾイミダゾールのうちから選択される材料で作成される。好適な実施例では、電子注入層は電子注入材料か、電子注入材料と電子輸送材料の混合物で形成される。電子注入材料は、炭酸セシウム、ふっ化リチウム、およびセシウムアジ化合物の内から選択される材料で作成される。電子輸送材料は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリン、1,2,4-トリアゾロ誘導体、およびN-アリールベンゾイミダゾールのうちから選択される材料で作成される。電子注入材料がドープされた電子輸送材料の混合物中の電子注入材料の質量含有量の範囲は20~60である。好適な実施例では、陰極は銀、アルミニウム、プラチナ、金、およびマグネシウム銀合金のうちから選択される材料で作成される。ポリマーエレクトロルミネッセスデバイスの製造方法は、以下のステップを含む。陽極を準備し、陽極の表面にホール注入層、ホール輸送層、発光層を形成し、発光層の表面にホールバリア層を形成し、ホールバリア層は酸化亜鉛、硫化亜鉛、および硫化カドミウムのうちから選択される材料で作成し、ホールバリア層の表面に電子輸送層、電子注入層と陰極を順次形成する。上述のエレクトロルミネッセスデバイスは酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化カドミウムをホールバリア層の材料として使用する。酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化カドミウムの仕事関数は-7.2eVの高いものであり、ホールの輸送をブロックして、ホールを発光層中に存在させ、電子と再結合させる。その結果、励起子再結合の確率が増加し、ポリマーエレクトロルミネッセスデバイスの発光効率を高めることができる。以下では、実施例と図面を参照し、ポリマーエレクトロルミネッセスデバイスとその製造方法について詳細に説明する。図1に示すように、一実施例としてのポリマーエレクトロルミネッセスデバイス100は、陽極20,ホール注入層30,ホール輸送層40,発光層50,ホールバリア層60,電子輸送層70,電子注入層80,および、陰極90を順次積層して構成される。陽極20は、インジウムすず酸化物ガラスITO、フルオレンドープすず酸化ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOのうちから選択される材料で作成される。陽極20の表面にホール注入層30を形成する。ホール注入層30はモリブデン三酸化物MoO3、三酸化タングステンWO3、およびバナジウム過酸化物の材料V2O5から作成される。好ましくは、ホール注入層30はMoO3にて作成される。ホール注入層30の厚さの範囲は、20nm~80nmである。好ましくは、ホール注入層の厚さは40nmである。ホール注入層30の表面には、ホール輸送層40が形成される。ホール輸送層40は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBを材料として形成することができ、好ましくは、NPBが選択される。ホール輸送層40の厚さの範囲は、20nm~60nmである。好ましくは、ホール輸送層の厚さは40nmである。ホール輸送層40の表面に発光層50を形成する。発光層50は、発光材料やホスト材料に発光材料をドーピングした混合物で作られる。発光材料は、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-ビニル4h-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジン-N、C2イリジウムピリジンカルボキシイミドFIrpic、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートイリジウムIrMDQ2acac、及び、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3のうちから少なくとも一つ選択される材料で作成される。ホスト材料は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPB、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、N-アリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから少なくとも一つ選択される材料で作成される。発光材料とホスト材料の混合物で作られた発光材料の質量含有量の範囲は1~20である。発光層50は、Alq3で作られる。発光層の厚さの範囲は、2nmから50nmであり、好ましくは30nmである。発光層の表面にホールバリア層60を形成する。ホールバリア層は、酸化亜鉛ZnO、酸化マグネシウムMgO、硫化亜鉛ZnS、および硫化カドミウムCdSのうちから選択される材料で作成される。ホールバリア層60の厚さの範囲は、1nmから10nmとする。電子輸送層70が、ホールバリア層60の表面に形成される。電子輸送層70は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾロ誘導体例えば、TAZなど、N-アリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから選択される材料で作成される。好ましくは、電子輸送層はBphenで作成される。電子輸送層70の厚さの範囲は40nmから80nmであり、好ましくは60nmである。電子注入層80が電子輸送層70の表面に形成される。電子注入層80は、電子注入材料、又は、電子輸送材料に電子注入材料をドープした混合物にて作成される。電子注入材料は、炭酸セシウムCs2CO3、セシウムアジ化合物CsN3、ふっ化リチウムLiFから成るグループから選択された材料で作られる。電子輸送材料は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾロ誘導体例えば、TAZなど、およびN-アリールベンゾイミダゾールTPBIから選択される。一種類の電子注入材料が使用される場合には、電子注入層の厚さは、0.5nmから10mmの範囲とされる。電子注入材料を電子輸送材料にドープした混合物が形成されるときは、電子注入材料の混合物中の質量比は20から60の範囲とされ、好ましくは、電子注入層80はBphen:CsN3の混合物で作られ、CsN3の混合物中の比率は20とされ、電子注入層80の厚さは20nmから60nmの範囲とし、好ましくは、厚さを40nmとする。陰極90が電子注入層80の表面に形成される。陰極90は銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt、金Au、マグネシウム銀合金から成るグループから選択された材料で作成され、マグネシウム銀合金におけるマグネシウム対銀の質量比は10:1とされる。好ましくは、陰極はマグネシウム銀合金で作成される。陰極90の厚さの範囲は、80nmから250nmであり、好ましくは、厚さは100nmとする。上述のエレクトロルミネセンスデバイス100では、ホールバリア層60は酸化亜鉛、酸化マグネシウム、硫化亜鉛、または硫化カドミウムで作成される。酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化カドミウムの仕事関数は-7.2eVと高く、ホールバリア層へのポテンシャルバリヤは大きく高められ、ホールバリア層は発光層で電子と再結合するホールの遷移をブロックすることができ、励起子の再結合確率を増加させ、その結果、エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率が高められる。ホールバリア層60の材料は広く選択可能であり、材料の価格は低く、エレクトロルミネセンスデバイスの製造コストの低減に寄与することができる。同時に、酸化亜鉛、マグネシウム酸化物、硫化亜鉛、または硫化カドミウムの粒子のサイズは大きく、効果的に発光層50に進入する光を拡散させることができ、その結果、発光効率がさらに高められる。図2を参照して、エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法の実施例を説明する。ステップS1:陽極20を準備する。本実施例では、陽極20は、インジウムすず酸化物ガラスITO、フルオレンドープすず酸化ガラスFTO、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラスAZO、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスIZOのうちから選択される材料で作成される。本実施例では、使用される前において、陽極20は陽極表面の有機性の汚れを除去するために、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールにより、それぞれ15分間の超音波処理がなされる。洗浄された陽極は、10W~50Wのパワー工率で2~15分間のプラズマ処理が行われ、好ましくは、5分間の35Wのパワーで処理される。ステップS2:陽極20の表面に、順次、ホール注入層30、ホール輸送層40、および発光層50が形成される。ホール注入層30は陽極20の表面に形成される。ホール注入層30は真空熱蒸着によって形成される。ホール注入層30は、三酸化モリブデンMoO3、三酸化タングステンWO3、五酸化バナジウムV2O5から選択された材料で作成され、好ましくは、MoO3で作成される。ホール注入層30の厚さは20nmから80nmの範囲とし、好ましくは40nmとされる。ホール輸送層40はホール注入層30の表面に形成される。ホール輸送層40は真空熱蒸着によって形成される。ホール輸送層40は1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPBから選択される材料で形成することができ、好ましくは、NPBが選択される。ホール輸送層の厚さは20nmから60nmの範囲とし、好ましくは、厚さ40nmとする。本実施例では、発光層50は真空熱蒸着によって形成される。発光層50は、発光材料やホスト材料に発光材料をドーピングした混合物から形成される。発光材料は、4-ジシアノメチレン-2-tert-ブチル-6-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-ビニル4h-ピランDCJTB、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、ビス4,6-ジフルオロフェニルピリジン-N,C2イリジウムピリジンカルボキシイミドFIrpic、ビス2-メチル-ジフェニル[f,h]キノキサリンアセチルアセトネートイリジウムIrMDQ2acac、及び、トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3のうちから少なくとも一つ選択される材料で作成される。ホスト材料は、1,1-ビス4-N,N’-2p-トリルアミノフェニルシクロヘキサンTAPC、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンTPD、4,4’,4’’-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N’-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ビフェニルジアミンNPB、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾール誘導体例えば、TAZ、N-アリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから少なくとも一種類又は二種類選択される材料で作成される。発光材料とホスト材料の混合物で作られた発光材料の質量含有量の範囲は1~20である。発光層50はAlq3で作られる。発光層の厚さの範囲は2nmから50nmであり、好ましくは30nmである。ステップS3:ホールバリア層60が発光層の表面に形成され、ホールバリア層60は酸化亜鉛、酸化マグネシウム、硫化亜鉛、および硫化カドミウムから選択された材料で作成される。本実施例では、ホールバリア層60は電子ビームによって形成され、ホールバリア層60の厚さは、1nmから10nmの範囲とされる。ステップS4:電子輸送層70,電子注入層80,および陰極90が、ホールバリア層60の表面に順番に形成される。電子輸送層70が、ホールバリア層60の表面に形成される。電子輸送層70は蒸着で形成される。電子輸送層70は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾロ誘導体例えば、TAZなど、N-アリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから選択される材料で作成され、好ましくは、Bphenで作成される。電子輸送層70の厚さは、40nmから80nmの範囲とされ、好ましくは厚さ60nmとされる。電子注入層80が電子輸送層70の表面に形成される。電子注入層80は蒸発で形成される。電子注入層80は、電子注入材料、又は、電子輸送材料に電子注入材料をドーピングして形成された混合物で作成される。電子注入材料は、炭酸セシウムCs2CO3、セシウムアジ化合物CsN3、ふっ化リチウムLiFから成るグループから選択された材料で作られる。電子輸送材料は、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、4,7-ジフェニル-1,10-フェナンスロリンBphen、1,2,4-トリアゾロ誘導体例えば、TAZなど、N-アリールベンゾイミダゾールTPBIのうちから選択される材料で作成される。電子注入材料がドープされた電子輸送材料の混合物中の電子注入材料の質量含有量の範囲は20~60である。好ましくは、電子注入層80はBphen:CsN3で形成され、CsN3の質量含有量は20とする。電子注入層80の厚さは、20nmから60nmの範囲とされ、好ましくは厚さ40nmとされる。本実施例では、陰極90は銀Ag、アルミニウムAl、プラチナPt、金Au、およびマグネシウム銀合金Mg-Agから選択された材料で作され、このうち、マグネシウム対銀の質量比は10:1とする。陰極90はマグネシウム銀合金で作成される。陰極90の厚さの範囲は、80nmから250nmとされ、好ましくは厚さ100nmとする。上述のエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法はシンプルなプロセスであり、ホールバリア層は電子ビームによって形成され、ホールバリア層の厚さはコントロールしやすく、この方法によって得られたエレクトロルミネセンスデバイスの発光効率は高いものとなる。以下は特定の実施例である。以下の実施例と比較例において使用される装置は、次のものがある。高真空塗装装置瀋陽科学機器センター株式会社、圧力<1×10-3Pa、電流電圧試験装置米国キース、モデル2602、電界発光スペクトル試験装置U.S.photoresearchcompany、model:PR650、およびスクリーン輝度計BeijingNormalUniversity、Model:ST-86LA。実施例1実施例1のポリマーエレクトロルミネセンスデバイスは、以下の構造とする。ITO/MoO3/NPB/Alq3/ZnO/Bphen/Bphen:CsN3/Mg―Ag実施例1のエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は以下を含む。ITOについて、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使ってそれぞれ15分間超音波処理し、ガラス表面の有機汚染物質を除去し、酸素プラズマ処理が行われる。ホール注入層は蒸着により形成され、MoO3を材料とし、厚さ40nmとされる。次いで、ホール輸送層が蒸着により形成され、NPBを材料とし、厚さ40nmとされる。発光層は蒸着により形成され、Alq3を材料とし、厚さ30nmとされる。ホールバリア層は電子ビームにより蒸着され、材料をZnOとし、厚さ5nmとされる。電子輸送層は蒸着により形成され、Bphenを材料とし、厚さ60nmとされる。電子注入層は蒸着により形成され、Bphen:CsN3CsN3の質量含有率は20を材料とし、厚さ40nmとされる。その後、陰極が蒸着により形成され、Mg―Agを材料とし、厚さ100nmとされる。最終的にエレクトロルミネセンスデバイスが得られる。実施例2実施例2のポリマーエレクトロルミネセンスデバイスは以下のように構成される。IZO/WO3/TAPC/DCJTB/ZnS/TAZ/LiF/Al実施例2のポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は以下を含む。IZOについて、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使ってそれぞれ15分間超音波処理し、ガラス表面の有機汚染物質を除去し、酸素プラズマ処理が行われる。ホール注入層は蒸着により形成され、WO3を材料とし、厚さ80nmとされる。次いで、ホール輸送層が蒸着により形成され、TAPCを材料とし、厚さ60nmとされる。発光層は蒸着により形成され、DCJTBを材料とし、厚さ50nmとされる。ホールバリア層は電子ビームにより蒸着され、材料をZnSとし、厚さ1nmとされる。電子輸送層は蒸着により形成され、TAZを材料とし、厚さ40nmとされる。電子注入層は蒸着により形成され、LiFを材料とし、厚さ0.5nmとされる。その後、陰極が蒸着により形成され、Alを材料とし、厚さ250nmとされる。最終的にエレクトロルミネセンスデバイスが得られる。実施例3実施例3のポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの構造は以下を含む:AZO/V2O5/TCTA/TCTA:IrMDQ2acac/CdS/TPBi/LiF/Au実施例3に従ったエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は以下を含む。AZOについて、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使ってそれぞれ15分間超音波処理し、ガラス表面の有機汚染物質を除去し、酸素プラズマ処理が行われる。ホール注入層は蒸着により形成され、V2O5を材料とし、厚さ20nmとされる。次いで、ホール輸送層が蒸着により形成され、TCTAを材料とし、厚さ20nmとされる。発光層は蒸着により形成され、TCTA:IrMDQ2acacドープされるIrMDQ2acacの質量含有率は1を材料とし、厚さ2nmとされる。ホールバリア層は電子ビームにより蒸着され、材料をCdSとし、厚さ5nmとされる。電子輸送層は蒸着により形成され、TPBiを材料とし、厚さ80nmとされる。電子注入層は蒸着により形成され、LiFを材料とし、厚さ0.7nmとされる。その後、陰極が蒸着により形成され、Auを材料とし、厚さ80nmとされる。最終的にエレクトロルミネセンスデバイスが得られる。実施例4実施例4に従ったポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの構造は以下を含む。FTO/WO3/TPD/TCTA:Irppy3/MgO/PBD/Cs2CO3/Pt実施例4に従ったエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は以下を含む:FTOについて、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使ってそれぞれ15分間超音波処理し、ガラス表面の有機汚染物質を除去し、酸素プラズマ処理が行われる。ホール注入層は蒸着により形成され、WO3を材料とし、厚さ30nmとされる。次いで、ホール輸送層が蒸着により形成され、TPDを材料とし、厚さ30nmとされる。発光層は蒸着により形成され、TCTA:Irppy3ドープされるIrppy3の質量含有率は10を材料とし、厚さ10nmとされる。ホールバリア層は電子ビームにより蒸着され、材料をMgOとし、厚さ10nmとされる。電子輸送層は蒸着により形成され、PBDを材料とし、厚さ30nmとされる。電子注入層は蒸着により形成され、Cs2CO3を材料とし、厚さ5nmとされる。その後、陰極が蒸着により形成され、Ptを材料とし、厚さ150nmとされる。最終的にエレクトロルミネセンスデバイスが得られる。実施例5実施例5に従ったポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの構造は以下を含む。ITO/MoO3/TCTA/TCTA:Firpic/ZnS/Bphen/CsN3/Ag実施例5に従ったポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法は以下を含む:ITOについて、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使ってそれぞれ15分間超音波処理し、ガラス表面の有機汚染物質を除去し、酸素プラズマ処理が行われる。ホール注入層は蒸着により形成され、MoO3を材料とし、厚さ50nmとされる。次いで、ホール輸送層が蒸着により形成され、TCTAを材料とし、厚さ35nmとされる。発光層は蒸着により形成され、TCTA:FirpicドープされるFirpicの質量含有率は20を材料とし、厚さ20nmとされる。ホールバリア層は電子ビームにより蒸着され、材料をZnSとし、厚さ4nmとされる。電子輸送層は蒸着により形成され、Bphenを材料とし、厚さ40nmとされる。電子注入層は蒸着により形成され、CsN3を材料とし、厚さ2nmとされる。その後、陰極が蒸着により形成され、Agを材料とし、厚さ200nmとされる。最終的にエレクトロルミネセンスデバイスが得られる。比較例1比較例1では、実施例1の方法で製造されたITO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/CsN3:Bphen/Mg-Agのポリマーエレクトロルミネセンスデバイスであり、ホールバリア層を含まず、他の層の材料と厚さは実施例1と同じである。図3に示すように、曲線1は実施例1のポリマーエレクトロルミネセンスデバイスの電流密度と電流効率を示すものである。曲線2は比較例1のエレクトロルミネセンスデバイスの電流密度と電流効率を示すものである。図3に明らかなように、実施例1の電流効率が比較例1より大きく、実施例1の最大電流効率が26.8cd/Aであり、比較例1の最大電流効率が23.3cd/Aであった。このことは、ホールバリア層が無機金属酸化物で作られることで、有効にホールをブロックすることができることを証明するものである。そして、ホールをブロックし、ホールが電子と再結合し、再結合が有効に促進され、これにより、光放出効率が高められることになる。理解されるべきは、上述した本発明の好ましい実施例は、詳細に説明するためのものであり、これにより本発明の特許の権利範囲を制限するものではない。本発明の権利範囲は、特許請求の範囲の記載に基くものである。"