"第1及び第2の電磁波放射線の範囲をそれぞれ吸収するための第1導電型の上部18及び下部14の半導体層の積層体であって、前記上部層18と前記下部層14との間にポテンシャル障壁を形成する中間層16によって離される、第1導電型の上部18及び下部14の半導体層の積層体と、前記上部層18及び前記下部層14に注入された、第1導電型とは反対である第2導電型の半導体区域44;20,52;72,74であって、前記下部層14のそれぞれの半導体区域44;52;74が前記上部層18及び前記中間層16を通り抜ける開口部22の底部に少なくとも部分的に注入される、第2導電型の半導体区域44;20,52;72,74と、これらの区域の電荷を集めるために、前記半導体区域44;20,52;72,74にそれぞれ接続された電気的導体要素28,30,32,34と、を備える第1及び第2の電磁波放射線範囲を検知するバイスペクトル検知器であって、前記上部層18を通り抜ける前記それぞれの開口部22の少なくとも前記部分が、第2導電型の半導体キャップ層46によって前記上部層18から離され、前記キャップ層の第2導電型のドーパントの濃度が1017cm-3よりも大きく、前記キャップ層の厚さが、前記キャップ層における少数担体の拡散距離を上回るように、前記濃度に応じて選ばれることを特徴とする、バイスペクトル検知器。前記上部層18のあらゆる半導体区域が、前記下部層14の隣接する半導体区域とともに連続するボリューム44を形成し、前記中間層16は前記上部及び下部層の材料に関して絶縁である材料で作られるか、又はそのバンドギャップが前記上部18及び前記下部層14のそれぞれのバンドギャップの3倍よりも大きい第1導電型の半導体材料で作られることを特徴とする、請求項1に記載のバイスペクトル検知器。前記上部層18及び前記下部層14が、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、前記中間層16が、カドミウムとテルリウムとの合金、又はカドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金で作られることを特徴とする、請求項1又は2に記載のバイスペクトル検知器。前記上部層18及び前記下部層14が、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、前記中間層16が、前記上部層及び下部層のそれぞれの水銀組成の半分よりも少ない水銀組成を有する、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られることを特徴とする、請求項1又は2に記載のバイスペクトル検知器。前記中間層を通り抜ける前記それぞれの開口部の前記部分が、第2導電型の半導体キャップ層によって前記中間層から離されることを特徴とする、請求項1から4の何れか一項に記載のバイスペクトル検知器。前記中間層が前記上部層及び下部層の材料に関して絶縁である材料で作られるか、又はそのバンドギャップが前記下部及び上部層のそれぞれのバンドギャップの3倍よりも大きい第1導電型の半導体材料で作られることを特徴とする、請求項1から5の何れか一項に記載のバイスペクトル検知器。第1及び第2の電磁波放射線の範囲をそれぞれ吸収するための第1導電型の上部18及び下部14の半導体層の積層体を形成するステップであって、前記上部層18と前記下部層14との間にポテンシャル障壁を形成する中間層16によって離される第1導電型の上部18及び下部14の半導体層の積層体を形成するステップと、前記上部層18及び前記下部層14を通り抜け下部層14まで広がる、少なくとも1つの開口部22を作るステップと、前記上部層18及び前記下部層14にそれぞれ注入された、第1導電型とは反対である第2導電型の第1及び第2の半導体区域のセット44;20,52;72,74を作るステップであって、1つの半導体区域44;52;74がそれぞれの開口部22の底部に少なくとも部分的に注入される、第2導電型の第1及び第2の半導体区域のセット44;20,52;72,74を作るステップと、これらの区域の電荷を集めるために前記半導体区域44;20,52;72,74にそれぞれ接続された電気的導体要素28,30,32,34を作るステップと、を含み、イオン注入又はイオンビームミリングによる第2導電型のドーピングが、前記上部層18に位置する前記側面の少なくとも前記部分上のあらゆる開口部22の側面上に行われることを特徴とする、第1及び第2の電磁波放射線範囲を検知するバイスペクトル検知器の製造方法。前記中間層16が前記上部層18及び前記下部層14の材料に関して絶縁である材料で作られるか、又はそのバンドギャップが前記上部層18及び前記下部層14のそれぞれのバンドギャップの3倍より大きい第1導電型の半導体材料で作られ、前記開口部の底部で前記第2導電型の半導体区域44;52;74が前記下部層14に形成されるように、第2導電型のドーピングが前記全ての開口部22に適用されることを特徴とする、請求項7に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。前記開口部の前記側面上の第2導電型のドーピングが、前記上部層18に含まれる前記開口部22の側面の前記部分のみに、イオンビームミリングによって行われることを特徴とする、請求項7又は8に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。前記第2導電型の半導体区域44;72が前記上部層に形成されるように、前記開口部の側面上の第2導電型のドーピングが前記上部層18の露出面42の上まで広がることを特徴とする、請求項8又は9に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。前記上部層18の前記第2導電型の半導体区域20が、前記開口部の側面のドーピング後に得られる前記第2導電型の半導体区域52と接触しないように作られることを特徴とする、請求項8又は9に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。第2導電型の半導体要素62がまた、特にイオン注入又はイオンビームミリングによって前記上部層18に形成され、これらの要素が、前記開口部22の側面のドーピング後に得られる前記第2導電型の半導体区域52を共通の導体要素64に接続することを特徴とする、請求項11に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。前記上部層18及び前記下部層14が、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、前記中間層16が、カドミウムとテルリウムとの合金、又はカドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金で作られることを特徴とする、請求項7から12の何れか一項に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。前記上部層18及び前記下部層14が、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、前記中間層16が、前記上部及び下部層のそれぞれの水銀組成の半分よりも少ない水銀組成を有する、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られることを特徴とする、請求項7から12の何れか一項に記載のバイスペクトル検知器の製造方法。このタイプの検知器が遭遇する問題をより良く理解するために、図1から図3を参照しながら、バイスペクトルアレイ検知器10の例を以下に説明する。図1はこの検知器の上面図であり、ここでは3画素検知器による2次元2画素の形態が示され、図2は図1のA-A線に沿った断面図であり、図3は検知器の積層体を形成する、カドミウム、水銀及びテルリウムの様々な合金CdXHg1-XTeのカドミウム組成xを示すプロファイルである。検知器10は、カドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金、又はCZT合金から成る基板12と、基板12上に形成されるP型半導体の下部吸収層14と、層14は水銀の空孔及び低いエネルギーギャップによってPドープされたCdXHg1-XTe合金から成る。層14のカドミウム組成x14は、波長λ14周辺の第1の波長範囲に層が吸収特性を有するように選ばれる。下部層14上に作られ、バリアを形成する中間層16と、層16は高いエネルギーギャップを有する材料、例えば、組成x16が層14及び層18のカドミウム組成x14、x18に関して高い、CdXHg1-XTe合金から成る。バリアを形成する層16上に形成される、上部のP型半導体吸収層18と、層18は水銀の空孔及び低いエネルギーギャップによってPドープされたCdXHg1-XTe合金から成る。層18のカドミウム組成x18は、λ18<λ14であるような波長λ18周辺の第2の波長範囲に層が吸収特性を有するように選ばれる。によって形成される積層体を備える。N型半導体区域20はまた、例えばボロンイオン注入によって、上部層18に作られる。このイオン注入ステップは、P型の固有のドーピングをN型ドーピングに変える効果を有し、こうしてPN接合のアレイを形成し、それ故にフォトダイオードを形成する。開口部22はまた、下部層14に接続できるように、上部層18及び中間層16を通り抜けて下部層14まで機械加工される。例えば開口部22の底部にちょうど触れる下部層14のそのような部分にボロンイオン注入によるNドーピングを適用することによって、N型半導体区域24が下部層14に作られる。PN接合のアレイ、それ故にフォトダイオードは、こうして下部層14に形成される。半導体区域20及び半導体区域24はそれぞれ、好ましくはL行×C列の検知器アレイを形成し、示された例では、L及びCはそれぞれ2及び3であり、4つの区域24から成る長方形又は正方形の中心に区域24を得るように、区域24のアレイは区域20のアレイに対して補正offsetされる。CdTe/ZnS二分子層を用いて作られたパッシベーション層26明瞭さのために図1では示せずがまた、上部層18の露出面上及び開口部22に堆積される。最終的に、金属導電パッド28が各区域20の上の上部層18上に形成され、区域20に浸透し、そこに含まれる電荷を集める。同様に、金属導電パッド30が各開口部22に、その開口部の側面を覆う層の形態で堆積され、対応する区域24に浸透し、その区域に含まれる電荷を集める。パッド30の外部のインターフェース図示せずとの接続を促進するために、導電パッド30はパッシベーション層26の上部面上に広がる。最終的に、フリップチップ技術を用いることで読み出し回路図示せず上の積層体を混成するhybridizeために、パッシベーション層26の上部面上に形成されるそれぞれの導電パッド28,30の部分上でインジウムのバンプ32,34が使用される。上述の検知器10は、バックサイドイルミネイテッドセンサーである。基板12の露出面は、積層体を浸透する電磁波放射線REを受け取る。第1の波長範囲に含まれる放射線REの部分は下部層14によって吸収され、第2の波長範囲に含まれる放射線REの部分は上部層18によって吸収される。それ自体周知のように、下部層14及び上部層18での光子の吸収は、半導体区域20,24に拡散し、且つ導電パッド28,30によって集められる電荷担体を解放する。バイアス電圧は、共通の周辺コンタクト図2では図示せずとそれ自体知られた形態である導電パッド28,30との間に印加されるか、又は印加されない。中間層16の役割は、層14,18の一方で作られる電荷担体が層14,18の他方に拡散し、それ故に検知の質に弊害をもたらすクロストークとして知られる現象を生み出すのを防ぐことである。この機能はより一般的に、バリアと称される。中間層16のバリア機能の質は主に、一方での中間層16のバンドギャップ値と、他方での下部層14及び上部層18のバンドギャップ値との間の差異によって決まる。中間層16は、下部層14及び上部層18の価電子帯及び導電帯を離すポテンシャル障壁を形成し、それ故に一方の層からもう一方の層への電荷担体の移動を制限する。CdXHg1-XTeタイプの半導体の合金では、エネルギーギャップ値は主に、水銀組成1-x、又は同等にカドミウム組成xによって決定される。図3は積層体の様々な層のカドミウム組成xに関する典型的なプロファイルを示し、中間層16は下部層14及び上部層18のそれぞれの組成x14、x18よりも好ましくは少なくとも50高い組成x16を有する。開口部22は下部層14に接続するために必要であり、それ故に半導体区域24を作り、且つ区域24の電荷を集める導電パッド30を作ることを可能にする。しかし、開口部22を形成するのに使用される機械加工技術にかかわらず、開口部の壁は常に多くの欠陥を有する。穴の側面の結晶品質はこれによるエッチングによって低下することがあり、高い表面再結晶速度をもたらす。実際に、上部層18に存在する開口部22のそれらの部分は、その層の電荷担体に対する再結晶の源であると同様に、この層18のPN接合に対するこの発生電流に関連する低周波ノイズの源でもある。この問題を軽減するために頻繁に採用される1つの解決策は、上部層18のPN接合を開口部22から離すことである。このことはそれ故に、ピクセル曲線因子を低減する。もう1つの解決策は、開口部22を作るためにプラズマ機械加工技術を用いるステップと、その後に開口部の側面をアニーリングによって修繕するステップとを含む。この解決策は理想的で好ましい策であり得るが、面倒な技術的開発作業を伴うエッチングプロセスを完全にマスターすることが必要とされる。本発明の目的は、これらの欠陥が依然として存在し得るにもかかわらず、上部層に含まれる開口部のそれらの部分がその層に対して電気的に不可視にされる検知器及びそれを製造する方法を提供することによって、開口部の欠陥による問題を解決することである。これを達成するために、本発明の目的物は、第1及び第2の電磁波放射線の範囲をそれぞれ吸収するための第1導電型の上部及び下部の半導体層の積層体であって、上部層と下部層との間にポテンシャル障壁を形成する中間層によって離される第1導電型の上部及び下部の半導体層の積層体と、上部及び下部層に注入された、第1導電型とは反対である第2導電型の半導体区域であって、下部層のそれぞれの半導体区域が上部及び中間層を通り抜ける開口部の底部に、少なくとも部分的に注入される、第2導電型の半導体区域と、これらの区域の電荷を集めるために、半導体区域にそれぞれ接続された電気的導体要素と、を備える、第1及び第2の電磁波放射線範囲を検知するバイスペクトル検知器である。本発明によると、上部層を通り抜けるそれぞれの開口部の少なくともその部分は、第2導電型の半導体キャップ層によって上部層から離され、その第2導電型のドーパントの濃度は1017cm-3よりも大きく、その厚さは、それがキャップ層における少数担体の拡散距離を上回るように、前記濃度に応じて選ばれる。実際には、前記表面で発生した担体は、再結晶の前に、それらの周囲の材料の中に拡散によって移動する。拡散距離はそして、その寿命の間に少数担体が進んだ平均距離によって規定される。この拡散距離はドーピングで急速に減少する。古典的に、1017cm-3ドーピングで、1マイクロメートルの何分の1かになる。言い換えると、例えばPである第1導電型の材料の中に注入された、例えばNである第2導電型のドーパントの濃度が高くなるほど、前記Nドープされた材料内の電荷担体の拡散距離は短くなる。同様に、キャップ層に対して適切な厚さ、例えば電荷担体の拡散距離の略3倍の厚さを選ぶことによって、前記電荷担体はそれ故に、もはや開口部の側面に到達できず、従ってこれらの側面にある欠陥で再結晶できない。逆に、側面によって発生した電荷担体はその後、接合まで拡散できず、フォトダイオードの暗電流及びノイズに貢献できない。それ故に、CdXHg1-XTeの合金で作られ、水銀の空孔のために初期にはP型であり、例えばボロンイオン注入によって、その後1017を上回る濃度でN型ドーピングに変えられ、更に500nmよりも大きい厚さを有するパッシベーション層は、効果的に開口部をマスクする。この厚さは、Nドーパントの濃度が1018と同等もしくは1018よりも大きい場合、略100nmになり得る。開口部はそれ故に、上部層の電荷担体に関して電気的にマスクされる。開口部によって作られた電荷担体の再結晶及びノイズの源は、それ故に著しく弱められ、あるいは完全に取り除かれる。本発明のある実施形態では、上部層のあらゆる半導体区域は、下部層の隣接する半導体区域とともに連続するボリュームを形成し、中間層は上部及び下部層の材料に関して絶縁である材料で作られるか、又はそのバンドギャップが下部及び上部層のそれぞれのバンドギャップの3倍よりも大きい、第1導電型の半導体材料で作られる。言い換えれば、この方法で半導体区域を作ることによって最適なフォトダイオードの曲線因子を達成できるが、それは上部層のPN接合を開口部の近くに配置できるからである。加えて、中間層を選ぶことによって、任意のクロストークが制限される。好ましくは、上部及び下部層は、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、中間層はカドミウムとテルリウムとの合金、又はカドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金で作られる。言い換えれば、中間層は事実上完璧なバリア機能を実現するが、それは中間層が上部及び下部層の絶縁を保証するからである。代わりに、上部及び下部層は、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、中間層は、上部及び下部層のそれぞれの水銀組成の半分よりも少ない水銀組成を有する、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られる。言い換えれば、中間層は積層体の組立を促進するために、最小量の水銀組成を有する。積層体は、例えば分子線エピタキシーによって、基板上に成長する。同時に中間層は、その低い水銀組成によるバンドギャップの高い値により、非常に高い質のバリア機能を実現する。実際には、CdHgTeの場合、2つの異なる組成間の界面は、それ故にP型材料の少数担体を阻むポテンシャル障壁を価電子帯に作る。ある実施形態では、中間層を通り抜けるそれぞれの開口部のその部分は、第2導電型の半導体キャップ層によって中間層から離される。ある実施形態では、中間層は上部及び下部層の材料に関して絶縁である材料で作られるか、又はそのバンドギャップが下部及び上部層のそれぞれのバンドギャップの3倍よりも大きい、第1導電型の半導体材料で作られる。本発明の目的物はまた、第1及び第2の電磁波放射線の範囲をそれぞれ吸収するための第1導電型の上部及び下部の半導体層の積層体を形成するステップあって、上部層と下部層との間にポテンシャル障壁を形成する中間層によって離される第1導電型の上部及び下部の半導体層の積層体を形成するステップと、上部及び中間層を通り抜け下部層まで広がる、少なくとも1つの開口部を作るステップと、上部及び下部層にそれぞれ注入された、第1導電型とは反対である第2導電型の第1及び第2の半導体区域のセットを作るステップであって、1つの半導体区域があらゆる開口部の底部に少なくとも部分的に注入される、第2導電型の第1及び第2の半導体区域のセットを作るステップと、これらの区域の電荷担体を集めるために、半導体区域にそれぞれ接続された電気的導体要素を作るステップと、を含む、第1及び第2の電磁波放射線範囲を検知するバイスペクトル検知器を製造する方法である。本発明によると、イオン注入又はイオンビームミリングによる第2導電型のドーピングは、上部層に位置する前記側面の少なくともその部分上のあらゆる開口部の側面上に行われる。より詳細には、読者はジャーナルオブクリスタルグロースJournalofCrystalGrowthの86巻700頁1998年で発表された、デステファニス著のイオン注入と熱処理によるHgCdTeの電気的ドーピングElectricaldopingofHgCdTebyionimplantationandheattreatmentという題名の文献を参照すべきである。言い換えれば、それらが適用される要素の表面上に、これらのドーピング技術が高いNドーパント濃度を伴った層、又はNと称される層を形成することが観察されているが、この濃度は1017cm-3よりも大きく、且つこれは開口部を電気的にマスクするのに十分な厚さまで広がる。それ故に、これらのドーピング技術をP型CdXHg1-XTe材料に適用することによって、その水銀の空孔のために、略1018cm-3のNドーパント濃度を伴った略100nmの厚さのN層が作られるが、それは効果的に開口部をマスクするのに優に十分である。本発明のある実施形態では、中間層は上部及び下部層の材料に関して絶縁である材料、下部及び上部層のそれぞれのバンドギャップの少なくとも3倍大きくなるように選択されたバンドギャップを有する、第1導電型の半導体材料で作られ、開口部の底部で第2導電型の半導体区域が下部層に形成されるように、第2導電型のドーピングが全ての開口部に適用される。言い換えれば、本発明によるキャップ層は、第2導電型の半導体区域を形成するのに用いられる技術を用いて作られる。実際には、イオン注入及びイオンビームミリングは必然的に、高いドーパント濃度を有するN層及び低いドーパント濃度を有するN型層の積層体を形成する。電気的に開口部をマスクするキャップ層が下部層の第2導電型の半導体区域と共同に作られ得、それ故に単一のプロセスステップで作られ得ることもまた、注目すべきである。例えば、単一のイオン注入ステップは、適切な積層体のマスキングを用いて行われる。代わりに、開口部の側面上の第2導電型のドーピングは、上部層に含まれる開口部の側面のその部分だけに、バリア層が水銀を有しない場合にはバリア層に広がることなしに、イオンビームミリングによって行われる。本発明のある変形例では、第2導電型の半導体区域が上部層に形成されるように、開口部の側面上の第2導電型のドーピングは上部層の露出面の上にまで広がる。フォトダイオードの曲線因子はそれ故に最適である。更に、電気的に開口部をマスクする層と同様に上部層の半導体区域は、単一のステップで、例えばイオン注入の間適切なマスキングを適用することで、作られる。本発明のもう1つの変形例では、上部層の第2導電型の半導体区域は、開口部の側面のドーピング後に得られる第2導電型の半導体区域と接触しないように作られる。とりわけ、第2導電型の半導体要素はまた、特にイオン注入又はイオンビームミリングによって上部層に形成され、これらの要素は、開口部の側面のドーピング後に得られる第2導電型の半導体区域を共通の導体要素に接続する。言い換えれば、このことは開口部の存在による上部層の第2導電型の半導体区域におけるピンチオフを避ける。このことは暗電流を制限する。加えて、半導体要素を形成することは、全ての開口部の半導体区域を同一のポテンシャルに至らせることを可能にする。本発明のある実施形態では、上部及び下部層は、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、中間層はカドミウムとテルリウムとの合金、又はカドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金で作られる。もう1つの実施形態では、上部及び下部層は、水銀の空孔によってPドープされた、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られ、中間層は、上部及び下部層のそれぞれの水銀組成の半分よりも少ない水銀組成を有する、カドミウム、水銀及びテルリウムの合金で作られる。本発明は、単に例示の目的で与えられ、同一の符号が同一又は類似の構成要素を示す添付の図面に関連する以下の説明を読むことで、より容易に理解できるようになるだろう。[第1の実施形態]本発明の第1の実施形態による検知器40は、図3及び図6を参照して以下に説明される。検知器40は、積層体の層14、16及び18に注入されたN型半導体区域又はN型区域の形によって、図1から図3における検知器10と異なる。より特別に、パッシベーション層26の堆積後に、N型ドーピングが、例えばボロンイオン注入によって、パッシベーション層26を通って積層体の上部面42の部分に行われる。イオン注入は好ましくは、上部面42の上に位置される適切なマスクを用い、且つ注入されるべき部分を除いた上部面42をマスキングして行われる。層12,14,16、開口部22、導電パッド28,30、及びインターフェース32,34は、JEMの36巻8号1031頁2007年で発表された、デステファニス著のLETIでのHgCdTe系2色型とデュアルバンド型赤外光アレイの状況という題名の文献に記載された方法に従って作られる。図4に示されるように、注入部分のそれぞれは開口部22を備え、その上部に金属導電パッド28が形成される上部層18の部分まで広がる。N型区域の空間的に隣接するボリューム44は、この方法で得られる。これらのボリューム44のそれぞれはそれ故に、1つの開口部22を取り囲み、上部層18にPN接合を形成するためのN型区域及び下部層14にPN接合を形成するために開口部22の底部に注入されるN型区域の両方を構成する。図6は、イオン注入によってこのようにして得られた空間的なドナー濃度のプロファイルを示す。このプロファイルは、上部層18に含まれる開口部22の壁と垂直である任意の軸に沿っており、上部層18の電荷ドナー濃度と同様にボリューム44の電荷ドナー濃度を含む。ここで、その濃度は問題になっている軸に沿った厚さに応じてプロットされる。ここで、1つのボリューム44は本質的に、略100nmの厚さ及び1018と大体同一のNドーパント濃度を有する第1のN層46と、数百nm、例えば900nmの厚さ及び低いNドーパント濃度を有する第2のN-層48とに分けられることに注目すべきである。層46は開口部22の壁を上部層18に含まれる電荷担体から電気的にマスクするのに十分であることが明示される。このようなプロファイルは実質的にボリューム44の至る所で見られ、P部分のみが上部層18、下部層14又は中間層16に応じて変化する。そのプロファイルでN-を示す層は、上部又は下部層のPを示す隣接した区域とともにPN接合を形成する。上部及び下部P型層にN型半導体区域を注入することによって作られるフォトダイオードの曲線因子が最適であることもまた、知っておくべきである。実際に、開口部は電気的にマスクされているため、何であれ上部層のPN接合と開口部22と間に、最小間隔を許容する必要はない。またここで留意すべきは、開口部22の側面全体にわたって行われるイオン注入により、N型区域が中間層16を通り抜けられることである。気を抜くと、このようにして構成されたN型区域は電荷担体が中間層16を通って上部層18及び下部層14の間を移動することを許容し得る。これはクロストークをもたらし得る。これを軽減するために、開口部22の側面上に行われるイオン注入が中間層16に決してN型区域を作らないように、中間層16は有利に選ばれる。それ故に、上部及び下部層が水銀の空孔によるドーピングを経たP型のCdXHg1-XTe合金で作られる場合、中間層16はカドミウム及びテルリウムの合金又はカドミウム、亜鉛及びテルリウムの合金から成る。このような合金はP型のCdXHg1-XTe合金に関して絶縁であり、高い質のバリア機能を実現させるだけではなく、ドーピングの反転は合金内の水銀の存在によって独占的に生じるため、イオン注入は決して中間層16にN型区域を作らない。上部及び下部層のN型区域間に連続性がないため、電荷担体はそれ故に中間層を通ってこれらの層間を移動できない。このことはそれ故に、クロストークを阻む。しかし、このような合金が積層体製作方法をより複雑にしている。実際には、上部層18を形成するのに用いられる技術は、それが上に作られる基板、故にこの場合は中間層16の性質によって決まる。例えば上述の合金は、CdXHg1-XTe合金で作られた層を製造するのに通常より好ましい技術である分子線エピタキシーMBEを用いることによって上部層16の成長を促すには、最適ではない。中間層16上の上部層18の成長を促すためには、それ故に最小量の水銀を加えることがより好ましく、その結果この層をCdHgTeで作って製造する。しかし中間層16における水銀の存在の効果は、後続の開口部22の側面上のイオン注入が層16にN型区域を形成し、故に上部層18と下部層16との間の電荷担体の可能な移動を許容することである。層16の水銀組成はクロストークが発生するのを防ぐために制限される。より特別に、この層のカドミウム組成は上部層18及び下部層14のそれぞれのカドミウム組成の2倍を上回る。このように、上部層のN型区域と下部層のN型区域との間に限られたバイアスの差異が存在する場合、N層が中間層16に存在するときでさえ、それ故にN-層が存在する場合にはなおさら、小さいバンドギャップ層18及び14と大きいバンドギャップ層16との間の境界の交差上の半導体のバンドにおけるポテンシャル障壁の形成により、これらの層の間は十分な質を有して電気的に絶縁される。必要ならば、その絶縁特性を高めるために、より大きいバンドギャップの方へバリア層16の組成をシフトすることができる。更に、中間層16の電圧勾配を制限するために中間層16の厚さを変えることもまた可能であり、その厚さは検知器が使用中の場合には、上部及び下部層のN型区域間に印加されるバイアスの差異に応じて選ばれる。このことは下部及び上部層間の十分な絶縁を提供する。例として:下部層14は5μmの厚さであり、0.3のカドミウム組成x14を有する。層14はそれ故に、温度77Kのときに5.5μmの波長で調整され、Eg=0.24eVのエネルギーギャップを有する。上部層18は3μmの厚さであり、0.22のカドミウム組成x18を有する。層18はそれ故に、温度77Kのときに11μmの波長で調整され、Eg=0.1eVのエネルギーギャップを有する。中間層16は1μmの厚さであり、0.8のカドミウム組成x16を有する。層16はそれ故に、Eg=1.1eVのエネルギーギャップを有する。[第2の実施形態]先に述べたように、第1の実施形態はイオン注入によって作られるフォトダイオードの曲線因子を最適化することを可能にする。しかし上部層18のN型区域が開口部22の側面に形成される垂直部分を備えることにより、悪化した性能が観察され得る。上部層18のPN接合部、特に区域44が屈曲を形成する位置にピンチオフ区域があり得る。PN接合部におけるピンチオフは、特にトンネル効果により、PN接合部における漏れ電流を増加する影響を有する。この問題を軽減するために、図7及び8に示された第2の実施形態による検知器50は、導電パッド28の下にある上部層のN型区域20が、図7及び8に示されるように、開口部22の側面上に形成されるN型区域52からはっきり分かれている点で、第1の実施形態とは異なる。上部層18におけるPN接合のN型区域20はそれ故に、ピンチオフ区域を全く含まない。検知器50を製作する方法はそれ故に、イオン注入の間に用いられるマスクの形状に関して第1の実施形態による検知器40を製作する方法とは異なり、このマスクはまた、あらゆる開口部22の周囲の上部層18の部分もマスクする。[第3の実施形態]第2の実施形態では、開口部22の側面上に形成され、上部層18に含まれるN型区域のポテンシャルは、任意の固定されたポテンシャルに接続されていないため、自由に変動できる。第1の実施形態において中間層に用いられる材料の選択に関連して上記で説明したように、その区域は中間層16によって実現されたバリア機能のために、下部層14の区域から電気的に絶縁され、また電荷収集の目的のためのポテンシャルが提供された上部層18におけるPN接合のN型区域に接続されない。開口部22の側面上のN型区域にバイアスが印加されない場合、そのPN接合は必然的にその開路ポテンシャルであると仮定する。しかしこのポテンシャルは変動するため、このPN接合の空間電荷区域は、様々なパラメータの変動例えば、開口部22の表面と関連する再結合電流の変動などの影響のために、時間とともに変動する可能性がある。その結果として、N型区域のこれらの変動はまた、隣接したダイオードによって集められた電流を変更する可能性がある。このような干渉は、隣接したPN接合で、主に上部層18におけるPN接合で、滞在的にノイズを発生し得る。この問題を軽減するために、第3の実施形態による検知器60は、例えばイオン注入によって、上部層18のN型区域20及び開口部22の側面上のN型区域52の製造と共同して、上部層18に作られるN型の半導体要素62を備える。これらの要素62の機能は、上部層18に含まれるN型区域52のそれらの部分のポテンシャルを同一の値に合わせることである。例えば且つ図9に示されるように、要素62は開口部22のアレイの同一の列における連続したN型区域52と、好ましくは導電パッド32、故に下部層14のPN接合と同一のポテンシャルが提供された金属要素64に更に接続された列の終端の区域52とを相互に接続する。またしても、検知器60を製作する方法は、イオン注入の間に用いられるマスクの形状に関して、第1及び第2の実施形態による検知器40及び50を製作する方法とは異なる。上部層18に含まれる開口部の周囲にN区域を得るためにイオン注入を用いる実施形態ついて説明されてきた。イオン注入は、このようにして形成されるダイオードの経年劣化と特に関係がある限りは、十分に習得された技術であるという利点を有する。それにもかかわらず、イオン注入が唯一、注入が適用される方向に垂直である平面における注入区域の形状を正確に観察することを可能にする。実際には、イオン注入が積層体に直交して適用される場合、開口部の側面とイオン注入が適用される方向との間に存在する角度のために、N型区域は中間層16に出現し得る。それ故に、先に述べたように、N型区域が中間層16を通り抜ける場合に発生し得るクロストークに関しては注意しなければならず、このことは非常に注意深くこの層の材料を選ぶことを強制する。イオン注入を中間層16に含まれる開口部の部分に適用しないことが可能であるが、このことは、イオン注入を開口部22の側面に直交して適用するために、製作の間に積層体を多数回回転することを伴う。これは、製作時間及び必要となる装置の観点から、非常に高価である。[第4の実施形態]イオンビームミリングがこの問題を軽減するために用いられる。この技術は、イオン注入と同一の結果を得る、つまりドーピングによって導電性を反転し、N区域及びN-区域から成るN型区域を形成することを可能にする。イオンビームミリングは回転ステップを伴わないシンプルなイオン注入よりも多くの製作ステップを含む。実際には、開口部22の側面を都合良くドープするために、注入の間サンプルの連続的な回転を伴う、ゼロでないイオン流束の入射角典型的に30°を扱う必要がある。このプロセスを用いることで、ドーピングは求められているパッシベーション機能を得るために、十分な材料の厚さにわたって反転される。対照的に、CdHgTe材料がイオンビームでエッチングされる場合、特定の入射角を用いる必要なしに、ドーピングの反転はエッチングされた表面下の略1μmの深さで起こり、それ故にプロセスは単純化する。例えば、開口部22は伝統的な方法でエッチングされ、そして上部層18に含まれる開口部の部分がイオンビームミリングによってオーバーエッチングされ、このことはこの部分のみにN型区域を、それ故にそれぞれの開口部22を囲むN層を作る効果を有する。加えて、イオンビームミリングはまた、イオン注入よりもより厚い厚さにわたって導電性の反転を生み出すという利点を有し、故により厚いN層を作る。上部層18及び下部層14のPN接合のN型区域72,74はまた、例えば、図10で図示されるように、イオンビームミリングによって、有利に上部層18のPN接合のN型区域とともに製造されるが、必ずしも最適な曲線因子を得るために開口部22のN型区域に隣接するボリューム72を形成しない。中間層16を通り抜けるN型区域がないため、中間層が作られ得る材料の選択上にある制限を緩和することが可能である。数字上の例示のために、開口部は20μmの間隔で離され、開口部は円筒形で、8μmの直径を有し、10μmの直径を有する少なくとも1つのN型区域があらゆる開口部の周囲に形成され、4μmのN型区域が開口部の底部に形成され、4μmから6μmの間の直径を有するN型区域が上部層上に形成される。CdXHg1-XTe合金を用いる本発明の1つの応用例を説明する。明らかに本発明は、同一の結果、つまり開口部を電気的にマスクするのに十分であるN型ドーパント濃度及び厚さを有するN層を形成する他の材料のタイプにもまた適用され得る。例えば、小さいエネルギーギャップを有する鉛の塩をベースとした材料例えばPbSnTeは材料CdHgTeと同様の、ヘテロ構造を設計するための柔軟性を提供する。ここで説明されるバイスペクトル構造はまた、異なる組成を有し、バリアとして働くSiO2層によって離されるPドープされたPbSnTeの2層の間の孔の周囲にN型区域を形成するために、アンチモンイオン注入又はカドミウム注入を用いることによって作られ得る。同様に、本発明はまた、N型材料にP層を形成するのにも適用できる。上記の濃度及び厚さに関する同一の条件が適用されることは、注意すべきである。最終的に、イオン注入又はイオンビームミリングを用いた好ましい製作方法が説明される。本発明によるN又はP層はまた、フォトレジストの開口又はパッシベーションを通して不純物を拡散することによって、例えば上記のPbSnTeにカドミウムを拡散することによって得られ得る。有利に、バリアを形成する中間バリアは、有利に絶縁材料、又は上部吸収半導体層のバンドギャップよりも少なくとも3倍大きく、且つ下部吸収半導体層のバンドギャップよりも少なくとも3倍大きいバンドギャップを有する半導体材料で有利に作られる。"