絶縁フィルムの両面に所定パターンの導体層が形成され、パワー系半導体素子が搭載されるパワー部と制御系半導体素子が搭載されるコントロール部とを有するフレキシブル配線基板であって、前記パワー部は、前記絶縁フィルムの第1主面側の前記導体層及び前記絶縁フィルムを貫通し、前記絶縁フィルムの第2主面側の前記導体層が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホールを有し、前記絶縁フィルムの前記第2主面側において、前記パワー部の前記導体層と前記コントロール部の前記導体層とを熱的に遮断する熱遮断溝が設けられていることを特徴とするフレキシブル配線基板。前記熱遮断溝は、その溝の深さの少なくとも50以上に、熱伝導率10W/mK以下の樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル配線基板。前記熱遮断溝は、その幅が01mm以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線基板。前記第2主面の前記導体層は、その厚さが35μm以上であることを特徴とする請求項1~3の何れかに記載のフレキシブル配線基板。前記絶縁フィルムは、その厚さが20μm以上であることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載のフレキシブル配線基板。請求項1~5の何れかに記載のフレキシブル配線基板に、前記パワー部にパワー系半導体素子を、前記コントロール部に制御系半導体素子をそれぞれ搭載したことを特徴とするモジュール。上述したように、パワー半導体モジュールにおいては、パワー半導体用セラミック基板とコントロール部品基板プリント配線基板の2つの基板を使用するため、以下の問題点がある。1部品コストが割高である。パワー半導体用とコントロール部品用で基板を分けなければならないことから、自ずと部品コストが高くなる。特にセラミック基板は非常に高価な部材であるため、この部分のコスト低減が課題となる。2モジュールサイズが大きくなる。基板が2枚となるため、それらを組み合わせて構成するモジュール本体の面積、体積が大きくなる。本発明は、良好な放熱性を確保しながら、安価で小型のパワー半導体モジュールを構築できるフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールを提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、絶縁フィルムの両面に所定パターンの導体層が形成され、パワー系半導体素子が搭載されるパワー部と制御系半導体素子が搭載されるコントロール部とを有するフレキシブル配線基板であって、前記パワー部は、前記絶縁フィルムの第1主面側の前記導体層及び前記絶縁フィルムを貫通し、前記絶縁フィルムの第2主面側の前記導体層が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホールを有し、前記絶縁フィルムの前記第2主面側において、前記パワー部の前記導体層と前記コントロール部の前記導体層とを熱的に遮断する熱遮断溝が設けられているフレキシブル配線基板である。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載のフレキシブル配線基板において、前記熱遮断溝は、その溝の深さの少なくとも50以上に、熱伝導率10W/mK以下の樹脂が充填されているフレキシブル配線基板である。本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様に記載のフレキシブル配線基板において、前記熱遮断溝は、その幅が01mm以上であるフレキシブル配線基板である。本発明の第4の態様は、第1~第3の態様のいずれかのフレキシブル配線基板おいて、前記第2主面の前記導体層は、その厚さが35μm以上であるフレキシブル配線基板である。本発明の第5の態様は、第1~第4の態様のいずれかのフレキシブル配線基板において、前記絶縁フィルムは、その厚さが20μm以上であるフレキシブル配線基板である。本発明の第6の態様は、第1~第5の態様のいずれかのフレキシブル配線基板に、前記パワー部にパワー系半導体素子を、前記コントロール部に制御系半導体素子をそれぞれ搭載したモジュールである。本発明によれば、良好な放熱性を確保しながら、安価で小型のパワー半導体モジュールを構築できるフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールを提供することができる。以下に、本発明に係るフレキシブル配線基板及びそれを用いたモジュールの実施形態を図面を用いて説明する。フレキシブル配線基板図1に、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基板を示す。図1aは断面図、図1bは絶縁フィルムの第2主面側から見た底面図である。本実施形態のフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム1の両面に所定パターンの導体層配線層、配線パターン2、3が形成された2配線層のフレキシブル配線基板であって、上述の従来技術におけるパワー半導体用基板とコントロール部品基板とを、この一枚のフレキシブル配線基板に統合したものである。このフレキシブル配線基板では、パワー系半導体素子が搭載される部分領域であるパワー部と、制御系半導体素子が搭載される部分領域であるコントロール部とを一枚のフレキシブル配線基板に配しながらも、パワー系半導体素子の発熱からコントロール部を熱的に隔離できることが重要なポイントである。フレキシブル配線基板に用いられる絶縁フィルム1は、ポリイミド、液晶ポリマーなどの有機材料からなるフィルム基材であり、絶縁フィルム1の厚さは20μm以上250μm以下のものを使用するのが好ましい。絶縁フィルム1の厚さが20μm未満であると、薄い絶縁フィルムを通じてパワー部側からコントロール部側へと熱が伝わる虞がある。つまり、絶縁フィルム1は、パワー部の発する熱を遮断するために、熱伝導率が低い材質からなり、かつ、熱遮断効果を向上するため、20μm以上の十分な厚みを確保するのがよい。一方、絶縁フィルム1の厚さが250μmを超えると、フレキシブル配線基板の厚みが増して小型化を阻害してしまうことになる。絶縁フィルム1の両面の導体層2、3としては、例えば銅層銅箔が用いられる。一例として、第1主面側の導体層2には配線用の薄銅箔例えば厚さ3μm以上50μm以下が、第2主面側の導体層3には放熱用の銅箔例えば厚さ35μm以上10mm以下が、それぞれ絶縁フィルム1に貼付等される構造とする。導体層銅層2、3の厚みは特に限定されるものではないが、第1主面側の導体層銅層2はファインピッチの配線を形成できるように、なるべく薄いものを用いるとよい。また、パワー系半導体素子が搭載される第2主面側の導体層銅層3は、放熱特性を向上するために、厚いもの厚さ35μm以上を用いるのが望ましい。パワー部側の第2主面の厚い導体層331は、パワー系半導体素子の熱を効果的に放熱する放熱層として機能する。また、コントロール部側においては、第1主面の導体層2と第2主面の導体層3との間を電気的に接続する導通ビア8が所定箇所に設けられている。更に、第1主面側の導体層配線層2上には、パッド部や端子部となる一部を除き、ソルダーレジスト4が形成されている。絶縁フィルム1の第1主面側のパワー系半導体素子が搭載されるパワー部の領域には、絶縁フィルム1の第1主面側の導体層2及び絶縁フィルム1を貫通し、絶縁フィルムの第2主面側の導体層3が露出するパワー系半導体素子搭載部となるデバイスホールフィルム基材開口5が形成されている。また、絶縁フィルム1の第2主面側には、パワー系半導体素子が搭載されるパワー部の導体層31と制御系半導体素子が搭載されるコントロール部の導体層32とを、熱的に且つ電気的に遮断するための熱遮断溝6が設けられている。本実施形態では、熱遮断溝6はパワー部とコントロール部を二つに分断するように形成されている。熱遮断溝6の内部は、空隙のままでもよいが、熱の遮断効果をより向上するため、図1に示すように、熱遮断溝6内に断熱性の樹脂7を、例えば印刷法により埋め込んで充填するのがよい。断熱性の樹脂7を充填することにより、近接するパワー部の導体層31からコントロール部の導体層32への熱放射熱を遮断することができる。断熱性の樹脂7は、熱遮断溝6の溝深さの少なくとも50以上に、熱伝導率10W/mK以下の樹脂が充填されているのが好ましい。後述するが、通常、モジュール化する場合、第2主面側の導体層31の裏面は、シリコーングリスを介してアルミ放熱板を固定する。このシリコーングリスはアルミ放熱板への熱伝導を助ける働きを有している。そのため、シリコーングリスを充填するにあたり、熱遮断溝6内にシリコーングリスが入り込むのは好ましくなく、十分な熱遮断効果を得るためには、熱遮断溝6の溝深さの少なくとも50以上に樹脂を充填すればよい。シリコーングリスの進入を抑制するためには、95以上とするのがより望ましい。また、熱遮断溝6は、パワー部の熱がコントロール部にほとんど伝熱されないように、熱遮断溝6の幅は01mm以上とするのが好ましい。また、熱遮断溝は、図1bに示すようにパワー部とコントロール部を完全に二つに分断するように形成されても良いし、パワー部の導体層31の形状によっては、不連続の開口となる場合も有りうる。いずれにしても、パワー部とコントロール部とが熱的に且つ電気的に遮断される形状であればよい。モジュール次に、図1のフレキシブル配線基板にパワー系半導体素子等を搭載したモジュールパワー半導体モジュールについて説明する。図2に、本発明の一実施形態に係るモジュールの断面図を示す。パワー部においては、パワー系半導体素子パワーIC11を、絶縁フィルム1を介さずに、絶縁フィルム1に開けたデバイスホール5から露出している第2主面の導体層銅層3に直接搭載し、パワー系半導体素子11の熱を直接的に導体層銅層331に伝えて放熱性を高めている。パワー系半導体素子11の発熱を効率的に放熱するために、パワー系半導体素子11をデバイスホール5内の導体層31に接着するための接着剤12は、高熱伝導率のものを使用するのがよい。パワー系半導体素子11、11の相互間の配線やパワー系半導体素子11と他の配線層等との配線は、従来技術と同様にアルミワイヤ13により接続している。一方、コントロール部においては、第1主面に施されたソルダーレジスト4上に、制御系半導体素子制御用IC14を接着剤12を介して搭載する。制御系半導体素子制御用IC14とパッド等との配線は、金ワイヤ16で接続する。また、抵抗、コンデンサ等のディスクリート部品15は、パッド等に搭載され、はんだボールやペースト印刷されたはんだ17を介して導体層配線2に電気的に接続される。この際、交差配線を行いたい場合は、適宜、第2主面の導体層銅層3の部分にエッチング法により配線を形成し、マイクロビアを介して銅めっきにより第1主面の導体層2と第2主面の導体層3を電気的に接続することにより、第1主面の導体層2と第2主面の導体層3との配線を交差することができる。コントロール部の熱遮断溝6に臨む導体層32には、パワー部の導体層31とコントロール部の導体層32との電気的な信号のやりとりに供するブリッジパッド18を設置している。このブリッジパッド18は第2主面の導体層32を絶縁フィルム1に開口した穴を介して露出させたもので、パワー系半導体素子11からはアルミワイヤ13でこのブリッジパッド18に接続し、ブリッジパッド18はコントロール部の第1主面の導体層2とマイクロビア導通ビア8を通じて電気的に接続されている構造である。デバイスホール5は、絶縁フィルム1に001mm2以上の開口を設けたものであり、デバイスホール5の部分において、第1主面の導体層2は絶縁フィルム1の開口面積の60以上の開口を有し、絶縁フィルム1の開口から第2主面の導体層3が露出しており、一方、第2主面の導体層3は絶縁フィルム1の開口の70以上の面積を覆う構造であればよいが、パワー系半導体素子が搭載できる面積を有していれば特に限定されない。パワー系半導体素子11で発生した熱は、接着剤12を介してパワー部側の第2主面の導体層31に伝達されるが、パワー部側の第2主面の導体層31とコントロール部側の第2主面の導体層32との間には熱遮断溝6が設けられているため、フレキシブル配線基板のコントロール部側への熱の伝達は大幅に低減される。また、本実施形態のモジュールパワーモジュールにおいては、パワー部とコントロール部を一枚のフレキシブル配線基板とすることにより、従来技術のこれらを2枚の基板に分離したものに比較して、パワー部とコントロール部の接続部分等を削減出来ること、さらにコントロール部においては、従来基板が一般に100μm/100μmのラインスペース配線ルールを使用するのに対し、本実施形態のフレキシブル配線基板においては30μm/30μmラインスペース配線ルールで形成出来ることから、面積比でおおよそ20~50のサイズ削減が可能である。また、本実施形態においては、従来技術のパワー部に使用される高価なセラミック基板を使用しないで放熱構造を構築でき、さらに上述したように基板のサイズを従来技術に比較して縮小出来るため、パワーモジュール用基板に掛かるコストも30~60低減できる。次に、本発明の実施例を以下に説明する。図3に、本発明の一実施例のモジュールパワーモジュールを示す。本実施例のモジュールにおけるフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム1として50μm厚のポリイミドフィルムを用い、第1主面の導体層2として9μm厚の銅箔、第2主面の導体層3として100μm厚の銅箔をポリイミドフィルムに貼付したものを用いた。なお、第1主面の導体層2の銅めっきが施される部分は、ポリイミドフィルムに貼付した9μm厚の銅箔と、後述する電気的導通のために行う銅めっき導通ビア内を埋める際に9μm厚の銅箔上に析出した分の8μm厚の銅からなり、その合計銅厚は17μmとなる。第1主面側の配線導体層2をエッチング法にてライン/スペースが30μm/30μmの設計ルールで形成した後、部品搭載用のパッド開口部などを除いた、配線回路全体を25μm厚みのソルダーレジスト樹脂4にて表面を保護被覆する。第2主面については、パワー部では放熱のために、銅箔導体層31の面積をなるべく広くとることが望ましい。パワー系半導体素子パワーIC11と第2主面の導体層銅箔3の裏面とは、絶縁性のある接着剤12を用いて接着するため、基本的には、パワー部においてパワー系半導体素子11毎に銅箔3を分離する必要はない。また、コントロール部については、回路配線をエッチング法にて形成するが、第2主面の導体層3は01mm厚の厚銅であるため、配線のライン/スペースは150μm/150μmの設計ルールとする。さらに、コントロール部の回路を形成しない余分なエリアについては、配線と干渉しないように広い面積を有する銅箔導体層32を配置し、この銅箔導体層32を上記パワー部の銅箔導体層31とつなげることによって、放熱のために使用することが可能である。基材のポリイミドフィルム1については、電気的に導通を取る必要がある配線には、レーザーにより貫通する80μm径のマイクロビア第1主面に開口があるブラインドビアを形成し、さらに第1主面と第2主面の配線の電気的導通を確保するため、ブラインドビア内と第1主面の銅箔に8μmの銅めっきを施す。また、ポリイミドフィルム1のパワー部、パワー系半導体素子11が搭載される部分については、デバイスホールとして、ポリイミドフィルム1の部分をポリイミドエッチング法にて開口させる。この際、第2主面の銅箔3の裏面第2主面の銅箔3がポリイミドフィルム1と密着している面がポリイミドエッチングにて形成したデバイスホールを介して露出することになるが、この面は密着力を保持するため粗化を行っていることが多く、パワー系半導体素子11を搭載する際、支障とならないレベルに化学研磨酸洗などにより、平滑化しておくことが好ましい。パワー部には、上記デバイスホール開口に露出した第2主面の銅面後述の金めっきが最表面となる上に複数個のパワー系半導体素子11が搭載されるが、パワー系半導体素子同士の接続はアルミワイヤ13にて接続される。またパワー系半導体素子11と外部端子との接続は以下の接続が考えられる。1パワー系半導体素子から外部端子附属の電極へアルミワイヤでボンディング接続。2ポリイミドフィルム開口から第2主面の銅を露出させたパッドを経由させて、パワー系半導体素子からパッドへのアルミワイヤ接続、及びパッドから外部端子附属の電極26へのアルミワイヤ接続図3の実施例。3ポリイミドフィルム開口から第2主面の銅を露出させたパッドを経由させて、パワー系半導体素子からパッドへのアルミワイヤ接続、及びパッドを設けた第2主面の銅をポリイミドフィルム端から延長させて伸ばすことにより、外部端子附属のパッドと接合。そして、コントロール部とパワー部の間に、2mmの熱遮断溝6を設け、この熱遮断溝6の遮断効果を向上するために、断熱樹脂7を印刷法により埋め込んだ。コントロール部の熱遮断溝6側には、パワー部とコントロール部の電気的な信号のやりとりに供するブリッジパッド18を設置した。このフレキシブル基板に部品実装のため、ニッケル20μm厚と金05μm厚の電気めっきを施す。この際、コスト低減のため、第1主面のソルダーレジスト4の開口部分に露出する銅面と、デバイスホール内で露出する第2主面の銅層の裏面にのみに電気めっきを行い、第2主面の表面はニッケル金めっき時にマスキング材でカバーすることによりめっきせず、銅面のままに保つ。今回の実施例においては、矩形枠状のケース21の底部開口をアルミ放熱板厚さ5mm22で覆い、このケース21内のアルミ放熱板22上にパワー系半導体素子11等を搭載したフレキシブル配線基板を設置した。第2主面の銅箔3とアルミ放熱板22との間にシリコーングリス50μm厚23を充填した。アルミ放熱板22はケース21にネジ24で固定した。ケース21内には、ソルダーレジスト25を充填した。パワー系半導体素子11は、アルミワイヤ13を介してケース21の電極に接続されている。熱遮断溝の幅Lの最適条件本実施例のモジュールパワーモジュールの放熱特性を支配する重要なパラメーターは熱遮断溝の幅となるので、図4に示す単純化した放熱検証モデルにて、熱遮断溝の幅の最適化について考察する。ここでは、熱の流れは、第2主面側のパワー部の銅からコントロール部の銅へと熱遮断溝を通じて伝導する分熱量Q1と、第2主面側のパワー部の銅からシリコーングリスを通じてアルミ放熱板へ流れる分熱量Q2のみを考慮することとし、絶縁フィルムであるポリイミドを通過しての熱は無視し得るものとする。一般に熱の流動がある際の熱抵抗θについては、以下の関係式が成立する。θ=LAλ...1ここで、θ°C/W:熱抵抗、Lm:熱伝導する長さ=ここでは熱遮断溝の幅、Am2:熱量の熱伝導する面積、λW/m°C:熱伝導率である。熱遮断溝を通じて、第2主面側のパワー部の銅からコントロール部の銅へ熱が伝達する際の熱抵抗をθ1とし、第2主面側のパワー部の銅下面からシリコーングリス層を通過する際の熱抵抗をθa、さらにその下に設置されたアルミ放熱板に熱が流れる際の熱抵抗をθb、それらの総合熱抵抗をθ2とすると、以下のような関係となる。θ2=θaθb...2θ1≫θ2...3熱遮断溝に充填した断熱樹脂エポキシ樹脂の熱伝導率は021W/mK、熱遮断溝の深さ第2主面の銅箔の厚さは100μm=01mm、ポリイミドフィルム面に平行なパワー部の第2主面の銅箔面積は20mm×20mm、シリコーングリスの厚さは50μm=005mm、シリコーングリスの熱伝導率は6W/mK、アルミ放熱板の熱伝導率は236W/mKである。なお、一般的なセラミックの熱伝導率は32W/mK、銅の熱伝導率は395W/mK、ポリイミドフィルムは016W/mK、エポキシ樹脂のソルダーレジストは021W/mKである。上記各部の設定値を1式に代入して計算すると以下の通りとなる。θ1=LAλ=L201000×011000×021...4θa=0051000=002θb=51000=005よって2式に上記計算値を代入すると、θ2=θaθb=007...54式、5式を3式に代入すると、L/42×10-7≫007∴L≫003μm従って、上記計算例では、幅Lを003μmより十分大きく、例えば20mmなどに取れば、パワー部から発せられる熱量は、第2主面の熱遮断溝を通過して伝導することなく、アルミ放熱板から放熱されることとなる。熱遮断溝の幅Lについては、上記のように、パワー系半導体素子からの発熱量、第2主面の銅厚、第2主面のパワー部の銅層サイズ、シリコーングリスやアルミ放熱板の厚みや熱伝導率、熱遮断溝への埋込樹脂の熱伝導率などにより変化するので、これらを総合して適切かつ十分な溝幅を設定する必要がある。変形例なお、上記図3の実施例では、フレキシブル配線基板からアルミワイヤ13にて外部電極26にボンディング接続しているが、図5に示す変形例では、フレキシブル配線基板の第2主面の厚銅3を絶縁フィルム端から、例えば2.0mm以上突出させ、外部電極30として機能させる構成である。また、前記熱遮断溝の外部に、前記熱遮断溝より大きな片面の開口が絶縁フィルム開口に掛かることなく位置し、その反対面の銅が絶縁フィルム開口を50以上覆う様に位置するようにしてもよい。