"下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、前記エッチングストッパー膜の応力と前記フリー層の磁歪定数との積が負になることを特徴とする磁気抵抗素子。下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、前記絶縁膜の応力が、前記フリー層の磁歪定数との積が正で且つ絶対値が1GPa以上であることを特徴とする磁気抵抗素子。前記絶縁膜の平坦部の厚さが、前記エッチングストッパー膜の位置を超えない厚さであり、前記絶縁膜の平坦部に、前記フリー層の磁歪定数との積が正になる応力を有する金属膜を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気抵抗素子。下部電極上に、順に反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層及びキャップ層を成膜する工程と、前記キャップ層上に、前記フリー層の磁歪定数との積が負になる応力を有する条件でエッチングストッパー膜を形成する工程と、前記エッチングストッパー膜上にハードマスクを成膜する工程と、前記下部電極、反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜及びハードマスクを覆うように絶縁膜を堆積する工程と、前記ハードマスク上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子を、メモリセルの情報記憶部として用いたことを特徴とする半導体記憶装置。しかし、縮小化に伴って書き込み電流は小さくなるものの、熱により磁化反転が生じやすくなるという熱的安定性の低下が問題となる。磁気抵抗素子としての特性を維持するためには、熱による磁化の反転が起こらないように、熱安定性指標Δを一定以上に確保する必要がある。なお、熱安定性指標Δは、Msをフリー層の飽和磁化、Vをフリー層の体積、Hkをフリー層の異方性磁界、Tを絶対温度、kbをボルツマン定数とすると、Δ=MsVHk/2kbT1で表わされる。したがって、熱安定性指標Δは、素子の縮小化に伴うフリー層の体積Vの減少とともに低下するので、素子特性が不安定化することになる。また、式1から明らかなように、熱安定性指標Δは温度Tに反比例するために、素子の温度上昇によって、熱安定性指標Δが低下し、素子特性が不安定化するという問題もある。したがって、本発明は、スピン注入型磁気抵抗素子の熱安定性指標Δを応力制御により大きくすることを目的とする。開示する一観点からは、下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、前記エッチングストッパー膜の応力と前記フリー層の磁歪定数との積が負になることを特徴とする磁気抵抗素子が提供される。また、開示する別の観点からは、下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、前記絶縁膜の応力が、前記フリー層の磁歪定数との積が正で且つ絶対値が1GPa以上であることを特徴とする磁気抵抗素子が提供される。また、開示する別の観点からは、下部電極上に、順に反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層及びキャップ層を成膜する工程と、前記キャップ層上に、前記フリー層の磁歪定数との積が負になる応力を有する条件でエッチングストッパー膜を形成する工程と、前記エッチングストッパー膜上にハードマスクを成膜する工程と、前記下部電極、反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜及びハードマスクを覆うように絶縁膜を堆積する工程と、前記ハードマスク上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法が提供される。また、開示するさらに別の観点からは、上述の磁気抵抗素子を、メモリセルの情報記憶部として用いたことを特徴とする半導体記憶装置が提供される。開示の磁気抵抗素子、その製造方法及び半導体記憶装置によれば、磁気抵抗素子の熱安定性指標Δを応力制御により大きくすることが可能になる。ここで、熱安定性指標Δについて検討する。上述のように、熱安定性指標Δは、Msをフリー層の飽和磁化、Vをフリー層の体積、Hkをフリー層の異方性磁界、Tを絶対温度、kbをボルツマン定数とすると、Δ=MsVHk/2kbT1で表わされる。一方、磁性体に着磁した方向とは逆方向の磁場を加えて、種々の磁化過程を取りながらも磁化が0になる時の磁場を持って、磁化反転の容易性を見積もる値として保磁力抗磁力Hcがある。この保磁力Hcは、異方性磁界Hkとの間に下記の関係がある。Hc∝Hk2したがって、保磁力Hcを増大させると異方性磁界Hkを増大させることができ、その結果、熱安定性指標Δを向上することができる。この保磁力Hcは、Hc1を磁性材料が有する固有値、Hc2を磁性体の形状に起因する値、λをフリー層の磁歪定数、σをフリー層の応力値、A及びBを定数とすると、Hc=Hc1Hc2Aλσ/MsB3で表わされる。したがって、第1項では材料的に制限が加わり、第2項では形状的に制限が加わるため、鋭意検討の結果、保磁力Hcの値を増大させるためには、第3項の値を増加させることが最も有効であるとの結論に至った。図1は、フリー層における磁化容易軸及び磁化困難軸とスピンの向きの関係の説明図である。フリー層はその形状により磁化容易軸と、それと直交する磁化困難軸を有しており、磁化容易軸の方が磁化困難軸よりも長い。即ち、フリー層の長手方向が磁化容易軸となる。図2は、保磁力Hcを大きくする場合の磁歪定数λと印加する応力の関係の説明図である。図2aに示すように、フリー層の磁歪定数λが正の時には、フリー層の磁化容易軸方向に引っ張り応力を印加することで上記の式3における第3項を大きくすることができる。一方、図2bに示すように、フリー層の磁歪定数λが負の時には、フリー層の磁化容易軸方向に圧縮応力を印加することで上記の式3における第3項を大きくすることができる。したがって、フリー層の磁歪定数λが正負のいずれの場合にも、フリー層の磁化容易軸方向に印加される応力の絶対値を大きくすることによって保磁力Hcを大きくすることができ、最終的にフリー層の熱安定性を向上することができる。図3は、本発明の実施の形態の磁気抵抗素子の概念的斜視図である。図3に示すように、本発明の実施の形態の磁気抵抗素子の素子部は、下地絶縁層11上に設けた下部電極12、反強磁性層13、ピンド層14、トンネル絶縁膜15、フリー層16、キャップ層17、エッチングストッパー膜18及びハードマスク19からなる。この素子部をその平坦部がフリー層16の位置より高くなるように絶縁膜20により被覆すると共に、その上に層間絶縁膜21を設け、その上に上部電極22を形成する。この場合、下部電極12は、例えば、Ta膜とAl膜の積層構造で構成し、反強磁性層13としてはPtMnやIrMn等を用い、ピンド層14としては、CoFeBやNiFeの単層構造、或いは、CoFeB/Ru/CoFeB等の多層構造で形成する。また、トンネル絶縁膜15はMgOやAl-Oで構成する。フリー層16は、CoFeBやNiFe等で構成するが、CoFeBの場合の磁歪定数λは負の値となる。キャップ層17としては、例えば、Taを用いる。また、エッチングストッパー膜18としては、フリー層16にフリー層16の磁歪定数λとの積が負になる応力を印加する応力調整層を兼ねるものである。したがって、磁歪定数λが負の場合には、引っ張り応力を有する膜になるようにRuやCrを用いて成膜条件により応力の値を制御する。成膜条件としては、ガス圧を高くするほど、また、印加電力を下げるほど引っ張り応力を大きくすることができる。応力の絶対値は200MPa以上が望ましく、上限はないものの、実用的には600MPa以下にする。応力調整層を兼ねるエッチングストッパー膜18の応力が引っ張り応力であれば、それとは逆に縮もうとする力が働き、直下のフリー層16に圧縮応力を印加することになる。なお、キャップ層17は応力調整層に比べて非常に薄いので、フリー層16に与える応力の影響は限定的なものとなる。また、ハードマスク19としては、例えば、Taを用いる。カバー膜となる絶縁膜20は、SiC、SiN或いはSiCNをCVD法により成膜し、ここでも、成膜条件を振ることによって、フリー層16の磁歪定数λとの積が正になり且つ応力の絶対値が1GPa以上になるように調整する。なお、CoFeBの磁歪定数λは負であるので、CoFeBをフリー層として用いる場合には、圧縮応力になるようにする。また、成膜後にArイオンを注入することによっても圧縮応力を発生させることが可能であり、例えば、100keVの加速エネルギーで、1×1014cm-2のドーズ量で注入すれば良い。層間絶縁膜21としては、SiO2、SiOC、或いは、Low-k膜を用い、ここでも、フリー層16の磁歪定数λが負の場合には、-500MPa以上の圧縮応力を持つようにCVD法或いは塗布法により成膜する。なお、上部電極22としては、例えば、Cuを用い、ダマシン法を用いて形成する。図4は、本発明の実施の形態の磁気抵抗素子の作用効果の説明図であり、図4aは応力印加状態の説明図であり、図4bは熱安定性指標Δの応力依存性の説明図である。図4bに示すように、熱安定性指標Δは応力調整層の応力が大きいほど、即ち、大きな引っ張り応力であるほど高くなり、また、絶縁膜20の応力が高圧縮応力である場合に、大きくなる。なお、応力調整層となるエッチングストッパー層18はフリー層16の直上にあるので、絶縁膜20より大きな影響を与える。次に、図5乃至図8を参照して、本発明の実施の形態の磁気抵抗素子の製造プロセスを説明する。まず、図5aに示すように、下地絶縁膜11上に下部電極12、反強磁性層13、ピンド層14、トンネル絶縁膜15、フリー層16、キャップ層17、エッチングストッパー膜18、ハードマスク19及びSiO2等の絶縁膜ハードマスク23を順次積層する。ここでは、上述のように、エッチングストッパー膜18が応力調整層を兼ねるように、フリー層16の磁歪定数λとの積が負になり且つ絶対値が200MPa以上になるように成膜する。次いで、図5bに示すように、レジストパターン24をマスクとして絶縁膜ハードマスク23をエッチングする。次いで、図5cに示すように、絶縁膜ハードマスク23をマスクとして、ハードマスク19をエッチングする。この時、アッシング工程で磁気抵抗素子部が酸化しないように、エッチングストッパー膜18の上でエッチングを停止する。次いで、図6dに示すように、ハードマスク19をマスクとしてエッチングストッパー膜18乃至反強磁性層13をエッチングして下部電極12を露出させる。次いで、図6eに示すように、カバー膜となる絶縁膜20を下部電極12上の膜厚がフリー層16の高さを超えるように成膜する。また、この時、上述のように、フリー層16の磁歪定数λとの積が正になり且つ応力の絶対値が1GPa以上になるよう条件で成膜する。次いで、図6fに示すように、下層レジスト25、SOGSpinonGlass膜26、レジスト27からなるトリレベル構造のレジストを設けてArF露光する。なお、SOG膜は膜厚を調整することによって反射防止膜を兼ねる。なお、KrF露光を用いても良い。次いで、図7gに示すように、トリレベル構造のレジストパターンをマスクとして絶縁膜20をエッチングする。次いで、図7hに示すように、下部電極12をエッチングする。次いで、図7iに示すように、厚さが100nm~500nmの層間絶縁膜21を堆積させた後、CMP法により平坦化してハードマスク19の頂面を露出させる。なお、この時も、上述のように、フリー層16の磁歪定数λとの積が正で且つ絶対値で500MPa以上の応力を持つように成膜する。次いで、図8jに示すように、全面に厚さが100nm~200nmの第2層間絶縁膜28を堆積させる。なお、この第2層間絶縁膜28は、SiO2、SiC或いはLow-k膜を用い、CVD法或いは塗布法により成膜する。次いで、図8kに示すように、第2層間絶縁膜に上部電極形成用の凹部29を形成する。次いで、図8lに示すように、例えば、Cu電解めっき法により凹部29をCuめっき膜で埋め込んだのち、CMP法により平坦化して上部電極22を形成することにより基本的プロセスフローは終了する。このように、本発明の実施の形態においては、フリー層の直上に設けるエッチングストッパー膜が応力調整層を兼ねるように成膜しているので、フリー層の保磁力の第3項を大きくすることができ、それによって、熱安定性指標Δを大きくすることができる。また、磁気抵抗素子部を覆う絶縁膜も、フリー層の保磁力の第3項が大きくなるような応力を有するように成膜しているので、熱安定性指標Δを大きくすることができる。なお、上述の実施の形態においては、エッチングストッパー膜及び絶縁膜の両方に熱安定性指標Δを大きくする応力を持たせているが、どちらか一方にそのような応力を持たせるようにしても良い。図9は、本発明の実施の形態の他の磁気抵抗素子の概念的斜視図である。図9に示すように、本発明の実施の形態の他の磁気抵抗素子の素子部は、下地絶縁層11上に設けた下部電極12、反強磁性層13、ピンド層14、トンネル絶縁膜15、フリー層16、キャップ層17、エッチングストッパー膜18及びハードマスク19からなる。この素子部をその平坦部が絶縁膜20によりフリー層16の位置より高くなるように被覆すると共に、その上に金属膜30及び層間絶縁膜21を順次設け、その上に上部電極22を形成する。この場合の各部材の構成は図3に示した本発明の実施の形態の磁気抵抗素子と全く同様であるが、金属膜30としては、高線熱膨張係数及び高ヤング率を有し且つドライエッチ軍が容易な材料を用いる。このような材料としては、表1に示すようにRu、Al、Cr或いはTaが好適である。図10は、本発明の実施の形態の他の磁気抵抗素子の作用効果の説明図であり、図10aは素子温度上昇時の応力の印加状態の説明図であり、図10bは熱安定性指標Δの素子温度依存性の説明図である。図10aに示すように、素子温度が上昇すると線熱膨張係数の大きな金属膜30が膨張してフリー層16に圧縮応力を印加することになる。図10bに示すように、熱安定性指標Δは素子温度の上昇とともに低下する。この時、金属膜30を設けていると熱安定性指標Δの低下は金属膜30を設けない場合に比べて抑制される。次に、図11乃至図13を参照して、本発明の実施の形態の他の磁気抵抗素子の製造プロセスを説明する。まず、図11aに示すように、絶縁膜20の形成工程までは図5a乃至図6eの工程と全く同様である。次いで、図11bに示すように、絶縁膜20上に金属膜30を成膜する。この時、フリー層16の磁歪定数λとの積が正になり且つ応力の絶対値が1GPa以上になるよう条件で成膜する。例えば、フリー層16の磁歪定数λが負の場合、低ガス圧或いは高印加電力の成膜条件で成膜することにより、圧縮応力を持つようにすることができる。次いで、図11cに示すように、下層レジスト25、SOG膜26、レジスト27からなるトリレベル構造のレジストを設けてArF露光する。なお、SOG膜は膜厚を調整することによって反射防止膜を兼ねる。なお、KrF露光を用いても良い。次いで、図12dに示すように、トリレベル構造のレジストパターンをマスクとして金属膜30をエッチングする。引き続いて、図12eに示すように絶縁膜20をエッチングする。次いで、図12fに示すように、下部電極12をエッチングする。次いで、図13gに示すように、厚さが100nm~500nmの層間絶縁膜21を堆積させた後、CMP法により平坦化してハードマスク19の頂面を露出させる。なお、この時も、上述のように、フリー層16の磁歪定数λとの積が正で且つ絶対値で500MPa以上の応力を持つように成膜する。次いで、図13hに示すように、全面に厚さが100nm~200nmの第2層間絶縁膜28を堆積させたのち、第2層間絶縁膜28に上部電極形成用の凹部29を形成する。次いで、図13iに示すように、例えば、Cu電解めっき法により凹部29をCuめっき膜で埋め込んだのち、CMP法により平坦化して上部電極22を形成することにより基本的プロセスフローは終了する。このように、本発明の実施の形態の他の磁気抵抗素子においては、エッチングストッパー膜及び絶縁膜の両方に熱安定性指標Δを大きくする応力を持たせるとともに、線熱膨張係数の大きな金属膜を設けているので、素子温度の変動に対する安定性が向上する。以上を前提として、次に、図14乃至図19を参照して、本発明の実施例1の半導体記憶装置の製造プロセスを説明する。まず、図14aに示すように、シリコン基板31の表面に、シャロートレンチアイソレーションSTIによる素子分離絶縁膜32を形成し、この素子分離絶縁膜32で囲まれた活性領域内に、MOSFET33を形成する。このMOSFET33は、ゲート絶縁膜34、ゲート電極35、ソース領域36、及び、ドレイン領域37で構成され、ゲート電極35の両側にはサイドウォール38が設けられている。なお、ソース領域36及びドレイン領域37のゲート電極寄りにはエクステンション領域が形成されている。次いで、全面にリンガラスPSGからなる厚さが、1.5μmの層間絶縁膜39を堆積させたのち、層間絶縁膜39を貫通するとともにソース領域36及びドレイン領域37に達する2本のビアホールを形成する。次いで、このビアホール内をCMP法を用いてタングステンWからなる導電性プラグ40,41で充填する。次いで、例えば、原料ガスとしてテトラメチルシランならびに炭酸ガスを用いたCVD法により、層間絶縁膜39上に比誘電率3.6のシリコンオキシカーバイド膜からなる厚さが30nmのエッチングストッパー膜42を形成する。次いで、エッチングストッパー膜42の上に、塗布法により、水を含む液状シリカ系組成物を塗布し、塗布後に、400°Cで60分のキュアを行うことによって、MSQを主成分とするk値が2.4以下のポーラスシリカからなる層間絶縁膜43を形成する。次いで、キャップ膜44を形成したのち、キャップ膜44、層間絶縁膜43及びエッチングストッパー膜42に、複数の配線用トレンチ或いは接続導体用凹部を形成する。次いで、Taからなるバリアメタル層及びCu膜で埋め込んだのち、CMP法で研磨することによって接続導体45を形成する。次いで、再び、エッチングストッパー層42、層間絶縁膜43及びキャップ膜44を形成したのち、デュアルダマシン法を用いてプラグ46及びプラグ46に接続する接続導体47を形成する。なお、他の領域においてはプラグとプラグに接続する配線が形成される。この工程を適宜図においては、3回繰り返すことによって多層配線構造を形成する。次いで、図14bに示すように、スパッタ法を用いてキャップ膜44上に膜厚が10nmのTa膜と40nmのAl膜からなる下部電極48を形成する。引き続いて、膜厚が15nmのPtMn膜からなる反強磁性層49と、2nmのCoFeB/1nmのRu/3nmのCoFeBからなるピンド層50を形成する。引き続いて、膜厚が1nmのMgOからなるトンネル絶縁膜51、膜厚が2nmのCoFeBからなるフリー層52、及び、膜厚が1nmのTaからなるキャップ層53を形成する。これらの成膜条件としては、Arガスのガス圧を0.2Paとし、パワーを500Wとする。次いで、Arガス圧を0.5Paに上昇させた状態で、膜厚が10nmのRuからなるエッチングストッパー膜54を成膜する。この時、ガス圧を高めているので、エッチングストッパー膜54の応力は200MPa以上の引っ張り応力を有し、応力調整層としても機能することになる。次いで、Arガス圧を0.2Paに戻して、膜厚が80nmのTaからなるハードマスク55を成膜したのち、CVD法を用いて膜厚が50nmのSiO2膜を形成して絶縁性ハードマスク56とする。次いで、図15cに示すように、膜厚が200nmのレジストを塗布したのち、ArF露光を行うことによって、50nm×150nmの矩形のレジストパターン57を形成する。次いで、このレジストパターン57をマスクとして絶縁膜ハードマスク56をエッチングする。この時のエッチング条件としては、CF4を100sccm流して10Paの圧力下で800WのRF電力を印加する。次いで、図15dに示すように、レジストパターン57をアッシングにより除去したのち、絶縁膜ハードマスク56をマスクとして、ハードマスク55をエッチングする。この時のアッシング条件は、O2ガスを100sccm流して10Paの圧力下で200WのRF電力を印加して行う。また、ハードマスク55のエッチング条件は、Cl2ガスを20sccm及びBCl3ガスを60sccm流して2Paの圧力下で500WのRF電力を印加して行う。なお、ハードマスク55のエッチングにおいては、後述する第2のアッシング工程で磁気抵抗素子部が酸化しないように、エッチングストッパー膜54の上でエッチングを停止する。次いで、O2ガスを100sccm流して10Paの圧力下で300WのRF電力を印加して第2のアッシング工程を行う。この時、エッチングストッパー膜54は5nm程度エッチングされる。次いで、図15eに示すように、ハードマスク55をマスクとしてエッチングストッパー膜54乃至反強磁性層49をエッチングして下部電極48を露出させる。この時のエッチング条件としては、CH3OHガスを100sccm流して2Paの圧力下で800WのRF電力を印加して行う。次いで、図16fに示すように、CVD法を用いて膜厚が24nmのSiCからなるカバー膜となる絶縁膜58を成膜して、下部電極48上の膜厚がフリー層52の高さを超えるように成膜する。また、この時、1GPa以上の圧縮応力になる条件で成膜する。次いで、図16gに示すように、下層レジスト59、SOG膜60、厚さが200nmのレジスト61からなるトリレベル構造のレジストを設けてAr露光により200nm×300nmのサイズの矩形パターンを形成する。次いで、図17hに示すように、トリレベル構造のレジストパターンをマスクとして絶縁膜58をエッチングする。この時のエッチング条件としては、CF4ガスを100sccm流して5Paの圧力下で800WのRF電力を印加して行う。次いで、図17iに示すように、下部電極48をエッチングしたのち、レジストパターンをアッシングにより除去する。この時のエッチング条件は、Cl2ガスを20sccm及びBCl3ガスを60sccm流して2Paの圧力下で500WのRF電力を印加して行う。また、アッシング条件は、O2ガスを100sccm流して10Paの圧力下で200WのRF電力を印加して行う。次いで、図18jに示すように、CVD法を用いて厚さが20nmのSiCからなるバリア絶縁膜62を成膜する。次いで、図18kに示すように、厚さが400nmのSiO2からなる層間絶縁膜63を堆積させた後、CMP法により平坦化してハードマスク55の頂面を露出させる。この時、500MPa以上の圧縮応力を持つ条件で成膜する。次いで、図19lに示すように、CVD法を用いて全面に厚さが200nmのSiO2からなる層間絶縁膜64を堆積させる。次いで、図19mに示すように、層間絶縁膜64に凹部66を設けたレジストパターン65を形成し、このレジストパターン65をマスクとしてエッチングすることによって、ビア67を形成する。次いで、図20nに示すように、レジストパターン65を除去したのち、新たなレジストを塗布して、凹部69,70を有するレジストパターン68を形成し、エッチングにより層間絶縁膜64に凹部71,72を形成する。次いで、図20oに示すように、レジストパターン68を除去したのち、Cu電解めっき法によりビア67及び凹部71,72をCuめっき膜で埋め込んだのち、CMP法により平坦化して上部電極73を形成することにより基本的プロセスフローは終了する。なお、ビア67と凹部71には、プラグ74とプラグ74に接続する配線75が形成される。以降は、上部電極73に接続するビット線等を形成し、必要とする多層配線構造を形成する。この本発明の実施例1においては、応力調整層を兼ねるエッチングストッパー膜とカバー絶縁膜によってフリー層に圧縮応力を印加しているが、図9に示したように、線熱膨張係数の大きい金属膜を介在させても良い。なお、金属膜をエッチングする場合には、例えば、Cl2を100sccm及びO2を10sccm流し、5Paの圧力下で400WのRF電力を印加して行う。また、実施例1においては、フリー層として磁歪定数λが負のCoFeBを用いているため、エッチングストッパー膜とカバー絶縁膜によってフリー層に圧縮応力を印加しているが、フリー層の磁歪定数λが正の材料を用いた場合には、逆の応力を持たせる。即ち、エッチングストッパー膜には圧縮応力を持たせることによって、フリー層に引っ張り応力を印加し、カバー絶縁膜には引っ張り応力を持つように成膜すれば良い。ここで、実施例1を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。付記1下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、前記エッチングストッパー膜の応力と前記フリー層の磁歪定数との積が負になることを特徴とする磁気抵抗素子。付記2前記エッチングストッパー膜の応力の絶対値が、200MPa以上であることを特徴とする付記1に記載の磁気抵抗素子。付記3下部電極上に前記下部電極側から順に設けた反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜、ハードマスク及び上部電極と、前記少なくともフリー層の側面に設けた絶縁膜を有し、絶縁膜の応力が、前記フリー層の磁歪定数との積が正で且つ絶対値が1GPa以上であることを特徴とする磁気抵抗素子。付記5前記絶縁膜の平坦部の厚さが、前記エッチングストッパー膜の位置を超えない厚さであり、前記絶縁膜の平坦部に、前記フリー層の磁歪定数との積が正になる応力を有する金属膜を有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載の磁気抵抗素子。付記5下部電極上に、順に反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層及びキャップ層を成膜する工程と、前記キャップ層上に、前記フリー層の磁歪定数との積が負になる応力を有する条件でエッチングストッパー膜を形成する工程と、前記エッチングストッパー膜上にハードマスクを成膜する工程と、前記下部電極、反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜及びハードマスクを覆うように絶縁膜を堆積する工程と、前記ハードマスク上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。付記6下部電極上に、順に反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜及びハードマスクを成膜する工程と、前記エッチングストッパー膜上にハードマスクを成膜する工程と、前記フリー層の磁歪定数との積が正で且つ絶対値が1GPa以上になる応力を有する条件で前記下部電極、反強磁性層、ピンド層、トンネル絶縁膜、フリー層、キャップ層、エッチングストッパー膜及びハードマスクを覆うように絶縁膜を堆積する工程と、前記ハードマスク上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。付記7前記絶縁膜を堆積する工程が、前記絶縁膜の平坦部の厚さが、前記エッチングストッパー膜の位置を超えない厚さになるように堆積する工程であり、少なくとも前記絶縁膜の平坦部に、前記フリー層の磁歪定数との積が正になる応力を有する条件で金属膜を堆積する工程を有することを特徴とする付記5または付記6に記載の磁気抵抗素子の製造方法。付記8付記1乃至付記4のいずれか1に記載の磁気抵抗素子を、メモリセルの情報記憶部として用いたことを特徴とする半導体記憶装置。"