基層102と、微細加工の熱的素子108と、前記微細加工の熱的素子108に接触して、前記基層102上の前記微細加工の熱的素子108を支持する非犠牲エーロゲル層104であって、前記微細加工の熱的素子108と前記基層102の間を熱的に絶縁するように配置される非犠牲エーロゲル層104とを備える微細加工デバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記非犠牲エーロゲル層104が、前記基層102の中に形成された空洞内に堆積されるデバイス。請求項1に記載のデバイスであって、前記非犠牲エーロゲル層104の少なくとも1つの表面を覆う保護層106をさらに備えるデバイス。本発明の実施形態は、微細加工デバイスの素子間を絶縁する方法およびシステムを提供するものであり、以下の明細書を読み取って検討することにより理解されるであろう。一実施形態では、微細加工デバイスは、基層と、微細加工の熱的素子と、微細加工の熱的素子に接触して、基層上の微細加工の熱的素子を支持する非犠牲エーロゲル層であって、微細加工の熱的素子と基層の間を熱的に絶縁するように配置される非犠牲エーロゲル層とを備える。別の実施形態では、微細加工デバイスは、基層と、微細加工の電気的素子と、微細加工の電気的素子に接触して、基層上の微細加工の電気的素子を支持する非犠牲エーロゲル層であって、微細加工の電気的素子と基層の間を電気的に絶縁するように配置される非犠牲エーロゲル層とを備える。さらに別の実施形態では、微細加工デバイスは、基板層と、微細加工素子と、微細加工素子に接触して、音響振動による微細加工素子の運動を減衰するように基板層上の微細加工素子を構造的に支持する非犠牲エーロゲル層とを備える。好ましい実施形態の記述および以下の図面に照らして考慮すれば、本発明の実施形態は、より容易に理解され得て、さらなる利点およびその用途が、よりたやすく明白になり得る。一般的慣行により、様々な描かれたフィーチャは原寸に比例せず、例示的実施形態に関連する特定のフィーチャを強調するように描かれている。以下の詳細な説明では、本明細書の一部分を形成する添付図面が参照されており、特定の例示的実施形態が実例として示されている。しかし、他の実施形態が利用され得て、論理的変更、機械的変更、および電気的変更が可能であることを理解されたい。さらに、図面に示された方法および仕様は、個々の行為が遂行され得る順番を制限するものと解釈されるべきではない。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味に解釈されるべきではない。本発明の実施形態は、微小電子機械システムMEMSの製造を通じて、絶縁層を形成するためのシリカエーロゲルを利用する。エーロゲル絶縁層は非犠牲であり、これは、エーロゲル層が、製造の間に除去されず、完成したデバイスに残ることを意味している。エーロゲルは、ゲルの液体の成分がガスと置換されるゾル-ゲルプロセスによって生成された高度に多孔性の固体である。エーロゲルは非常に低密度であり、その上、MEMSデバイスの他の層を支持することができる構造的に頑健な基礎をもたらす。さらに、エーロゲルは、硬化して、単位体積当たり主として空隙で構成される多孔性のスポンジのような構造体を形成する網目状の繊維になる。この多孔性構造がエーロゲルの全体にわたって熱伝導性および導電性を制限するので、エーロゲルは、熱的および電気的な絶縁体として都合よく機能することができる。エーロゲルは、高剛性で絶縁能力があるため、微細加工および通常動作を通じて電気デバイスの絶縁された部分を構造的に支持するのにも適している。エーロゲルの構造は、振動および他の力を減衰するので、デバイス内の素子の音響絶縁用の絶縁層を設けるのにも有用である。図1は、製作されたデバイスを熱的絶縁するのにエーロゲル材料を用いる本発明の一実施形態のデバイス100MEMSデバイスなどを示す図である。デバイス100は基板層102を含む。基板層102は、様々な電気機械デバイスを作製するための基層であり、その上に形成された電気機械デバイスを支持する。基板層102は、シリコンまたは微細加工に用いられる他の材料から形成され得る。デバイス100は、エーロゲル層104も含む。エーロゲル層104は、基板層102の表面上に堆積されたエーロゲルの層である。一実施形態では、エーロゲル層104は、シリカから成るエーロゲルから作製される。本明細書を読み取ることにより当業者に理解されるように、他の実施形態については、他の材料から形成されたエーロゲル層が選択されてよい。代替材料のこのような選択は、当業者の技術の範囲内にあり、当業者が実現しようとする特定のタイプの絶縁例えば熱的絶縁、電気的絶縁、音響絶縁に基づくことになる。いくつかの実装形態では、エーロゲル層が所望の厚さを達成するまで、エーロゲルが、スピンコーティングによって基板層102の表面に与えられる。例えば、エーロゲル層は、エーロゲル層104の厚さが10マイクロメートルになるように基板層102に与えられる。いくつかの実装形態では、基板は、基板とエーロゲルの間の結合の強化を促進するように処理され得る。エーロゲルは有効な断熱材であり、したがって、エーロゲル層104は、基板層102を、エーロゲル層104によって支持された構造体から熱的に絶縁する。さらに、エーロゲル層104は、疎水性エーロゲルまたは親水性エーロゲルから作製される。本明細書を読み取ることにより当業者によって理解されるように、親水性エーロゲルは、液体にさらされると構造的に劣化する。したがって、エーロゲル層104に対する損傷を回避するために、デバイス100の製造は乾式プロセスに限定されるべきであり、そうでなければ、エーロゲル層104は液体との接触を防がれるべきである。図1に示される実施形態では、保護層106が、エーロゲル層104を囲んでエーロゲル層104が液体と接触するのを防止する。保護層106は、疎水性エーロゲル、SiO2、水晶、または液体を通さない他の材料などの外部コーティングでよい。保護層106は、液体の侵入を防止するのに十分な厚ささえあればよい。一般に、エーロゲル層104が、保護層106より厚いことになる。例えば、エーロゲル層104自体が10マイクロメートルの厚さを有する一実施形態では、0.1~0.2マイクロメートルの保護層106で十分なことが証明されている。図1に示される実施形態では、保護層106は、エーロゲル層104の表面を、露出しないようにカプセル化する。保護層106がエーロゲル層104の頂面および側面を液体から保護し、基板層102がエーロゲル層104の底面を保護する。エーロゲル層104が保護され、その頂部上に構築された微細加工構造体をさらに支持するその能力が、製造プロセスに用いられる溶剤との接触または液体との接触によって損なわれることはないはずである。さらに、保護層106は、一旦配置されると、ヒータ、ワイヤ、または他のデバイスを堆積するのに利用され得る滑らかな表面をもたらす。エーロゲル層104は粗い表面を有することが多く、これが、エーロゲル層104の表面上に小さな素子を取り付けるのを妨げる。より滑らかな表面を有する材料で作製される保護層106により、エーロゲル層上により小さな素子を取り付けることができる。代替実装形態では、エーロゲル層104は、より滑らかな表面を有するように構築される。デバイス100は、エーロゲル層104の頂部上に形成された素子108も含む。一例を提供するために、本明細書では、素子108は、適切な動作のために、基板層102から熱的に、かつ物理的に絶縁されなければならない熱的素子と称される。例えば、一実施形態では、素子108は薄膜ヒータである。このような実施形態では、薄膜ヒータが基板層102と接触すると、薄膜ヒータによって発生された熱の少なくとも一部分が基板層102に浪費されることになる。図1に示される実施形態では、エーロゲル分離層104は、その上に素子108が形成され得る構造的支持をもたらすばかりでなく、素子108を基板層102から熱的に絶縁するように機能して、素子108と基板層102の間の熱移動を防止する。すなわち、薄膜ヒータがエーロゲル層104上に載るので、エーロゲル層104が、薄膜ヒータと基板層102の間の熱伝導を制限することになる。他の実施形態では、素子108が電気的絶縁または音響絶縁を必要とする素子である可能性があり、その場合には、エーロゲル絶縁層104は、その形態の絶縁をもたらすように適切に与えられることになる。代替の一実施形態では、素子108は、基板からの電気的絶縁を必要とする電気的素子である。例えば、電気的素子は螺旋状のインダクタであり得て、基板層102から電気的に絶縁されなければ結合損失を招くことになる。このような損失により、インダクタのQが低下する恐れがある。さらに、導電性基板層102に対する容量結合および他の素子への信号漏れがある可能性があり、どちらも、エーロゲル層104によってもたらされる絶縁によって緩和され得る。特定の用途では、エーロゲル層の頂部に構築された素子は、同一基板上に構築された他のMEMS素子に電気的に接続する必要があることがある。エーロゲル層が比較的厚いものであり得るので、エーロゲル層の頂部の素子と他のMEMS素子の間の接続は、他のMEMS素子からエーロゲル層によって支持された素子まで行く比較的長い接続を形成する必要があるため、性能が低下する恐れがある。さらに、接続は、リード線をパッドの中へ押しつけることによってMEMS素子に接合されるリード線を使用して形成されることが多い。リード線が、エーロゲル層によって支持されたMEMS素子上のパッドの中へ押しつけられるとき、結果として生じる圧力により、エーロゲル層が割れて粉々になる可能性があり、エーロゲル層の、基板層102から素子を絶縁する能力および構造的にそれらの素子を支持する能力の両方が劣化する。本発明の1つまたは複数の実施形態では、このような問題を回避するために、デバイスの基板層内の絶縁された素子が配置される位置に空洞が形成される。次いで、空洞は、基板から熱的に絶縁されなければならない素子を支持するためにエーロゲルで満たされ得る。エーロゲルが、基板の上に層として堆積されるのではなく基板内の空洞に堆積されるので、エーロゲル上に形成される素子は、基板自体の上に直接形成された諸素子とほぼ同一平面上になり、これらの素子との間に必要な電気的接続は比較的短い。また、エーロゲル材料は空洞の中にのみ堆積され、絶縁を必要としない素子は、基板層上に直接形成され得て、その結果、ワイヤおよび他の電気機械素子は、素子を支持するエーロゲルに圧力を印加することなく取り付けられ得る。図2および図3は、このような構成の実例を提供する。図2および図3は、本発明の一実施形態のデバイス200を示す図である。デバイス200は、基板201の中に形成された空洞204を備える。空洞204は、素子202の支持ならびに素子202と基板201の間に絶縁層をもたらすエーロゲル材料203で満たされる。本明細書を読み取ることにより当業者に理解されるように、空洞204は、エッチングまたは他の製造プロセスによって容易に形成され得る。図2はデバイス200の上面図であり、図3はデバイス200カッタウェイ図である。上記で論じられたエーロゲル絶縁層104と同様に、エーロゲル材料203は、素子202を基板201から絶縁するためのデバイス200内の絶縁層をもたらす。上記で論じられたように、もたらされる絶縁は、熱的絶縁、電気的絶縁、または音響絶縁、あるいはそれの組合せであり得る。空洞204にエーロゲル材料203を堆積すると、基板201のプロファイルまたはデバイス200の全容積を増加することなく、絶縁および支持のためにエーロゲルを利用する構成をもたらす。これも図2に示されるように、デバイス200は、ワイヤボンディング208-1および208-2がデバイス200に取り付けられた基板201上に形成されたパッド206-1および206-2を含む。一実施形態では、ワイヤボンディング208-1および208-2は、ワイヤボンディング208-1および208-2をパッド206-1および206-2の中へ押しつけることによって、パッド206-1および206-2に取り付けられる。パッド206-1および206-2は、基板201の上に直接形成されるすなわちエーロゲル層が介在しない。したがって、ワイヤボンディング208-1および208-2をパッド206-1および206-2に取り付けるためにデバイス200に圧力がかけられるとき、空洞204内のエーロゲル材料203には圧力がかからない。図3に示されるように、一実施形態では、空洞204は、基板201の中に矩形の空洞として生成される。しかし、他の形状が用いられてもよい。他の実施形態では、空洞204は、立方体、ピラミッド形、円錐形、三角形、円筒状、多面形、半球状などでよい。図3に示される実施形態については、空洞204が基板201の表面の中へ侵入するが、空洞204の深さは基板201の厚さより小さい。図3は、溶剤または液体にさらされることによる構造の劣化を防止するためにエーロゲル材料203の上に堆積された保護層210も示す。図4は、本発明の一実施形態の別のデバイス400のブロック図である。デバイス400は、構成が図1のデバイス100に類似している。デバイス100とは対照的に、デバイス400は、保護層406によってそれぞれがカプセル化されている区画化されたエーロゲル部分404-1と404-2に分割されたエーロゲル層403で示されるを含む。エーロゲル部分404-1および404-2は、エーロゲル層403を区画に分割し、その結果、製造を通じて、層403の諸部分が、他の部分を損なうことなく選択的に除去され得る。これは、例えば、基板層402によって直接支持されるとよりよく機能するMEMS素子を、基板402上に取り付けるのに望ましいことであり得る。例えば、素子408を支持するためにエーロゲル部分404-2を残す一方でエーロゲル部分404-1が除去され得る。保護層406の一部分が、エーロゲル部分404-2をカプセル化したまま残り、エーロゲル部分404-2を液体への露出から保護する。図5は、本発明の一実施形態の方法500を示す流れ図である。この方法は、微細加工デバイス用の基板を形成するステップ510から始まる。例えば、基板は、シリコン層または微細加工デバイスの基層の製造に用いられる他の材料でよい。この方法は、ステップ520に進み、基板上の少なくとも1つの位置にエーロゲル層を形成する。上記で図1~図4に関して説明されたように、一実施形態では、エーロゲル層は、基板層の頂部上に層として形成される。代替実施形態では、エーロゲル層は、部分的に選択して除去され得る複数のエーロゲル区画を備えてよい。他の実施形態では、エーロゲル層は、基板の中に形成された空洞内にエーロゲル材料を堆積することにより形成される。一実施形態では、この方法は、エーロゲルの一部分を保護層でコーティングするステップをさらに含む。上記で図1~図4に関して説明されたように、エーロゲル層が液体または溶剤と接触するのを防止するために、エーロゲル層に保護層が与えられる。1つまたは複数の実施形態では、保護層を与えると、電気的素子を取り付けるための滑らかな表面ももたらす。すなわち、保護層を与えると、エーロゲルの本来高い表面粗さが弱まり、エーロゲルの表面粗さに近い寸法を有する素子が保護層上に堆積され得るようになる。特定の実装形態では、保護層は、SiO2、水晶、窒化物絶縁体、または熱伝導率も導電率も小さい他の保護絶縁体から作製される。他の実施形態では、例えば乾燥製造プロセスが用いられる、エーロゲルを保護層でコーティングするステップは、任意選択で省略され得る。この方法は、ステップ530に進み、微細加工素子がエーロゲル層で支持されて基板から絶縁されるように、微細加工素子を微細加工デバイスの中に設置する。上記で説明されたように、熱的または電気的に絶縁されるとより効率的に機能する微細加工素子については、エーロゲル層で支持されるように微細加工素子を設置すれば、同素子は、構造的に支持されまま熱的および電気的に絶縁され得る。上記の実施形態の説明は、本発明の実施形態の範囲を微小電子機械システムMEMSデバイスである微細加工デバイスにのみ限定するようには意図されていない。他の非MEMSデバイスの微細加工デバイスも、前述のように、埋め込まれたエーロゲル領域によってもたらされた絶縁および支持の機能から利益を得る。したがって、本発明の実施形態の範囲は、MEMSデバイスおよび非MEMSデバイスの両方を対象として含むように意図されている。特定の実施形態が本明細書に図示され、かつ説明されてきたが、同じ目的を達成するように意図されたあらゆる機構が、示された特定の実施形態と置換され得ることが当業者には理解されよう。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびその等価物によってのみ限定されるように明白に意図されている。