発光層と、前記発光層上にpクラッド層を有したIII族窒化物半導体発光素子において、前記発光層の前記pクラッド層側とは反対側に位置し、n型不純物がドープされた高不純物濃度層と、前記高不純物濃度層と前記発光層との間であって前記発光層に接して位置し、その高不純物濃度層よりもn型不純物濃度が低い低不純物濃度層と、を有し、前記低不純物濃度層は、n型不純物濃度が、前記pクラッド層のp型不純物濃度の1/1000~1/100であり、厚さが10~400Åである、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。前記低不純物濃度層のn型不純物濃度は1×1017~1×1018/cm3である、ことを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記低不純物濃度層は、厚さが50~400Åである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記低不純物濃度層は、厚さが150~350Åである、ことを特徴とする請求項3に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記低不純物濃度層は、超格子構造である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記高不純物濃度層および前記低不純物濃度層は、超格子構造のnクラッド層であることを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記超格子構造は、アンドープまたはn型不純物ドープのInGaNとアンドープまたはn型不純物ドープのGaNの少なくとも2層を1単位として、その1単位が繰り返し積層された構造である、ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載のIII族窒化物半導体発光素子。III族窒化物半導体中の電子は、その有効質量の小ささから正孔よりも移動度が大きい。そのため、発光層のn側に接する層のn型不純物を高くすると、発光層内の電子正孔対がp側に偏って集中飽和してしまったり、電子が発光層を通過してp側にオーバーフローしてしまう。一方、逆に特許文献1~3のように発光層のn側に接する層のn型不純物を低くしても、その低濃度層が厚い場合に発光層での電子と正孔との分布のバランスが悪化してしまう。その結果、正孔が発光層を通過してn側にオーバーフローしてしまい、発光効率を低下させてしまうという問題があった。また、発光層のn側に接する層をアンドープとすると、駆動電圧を上昇させてしまう。そこで本発明の目的は、III族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させずに、発光効率を向上させることである。第1の発明は、発光層と、発光層上にpクラッド層を有したIII族窒化物半導体発光素子において、発光層のpクラッド層側とは反対側に位置し、n型不純物がドープされた高不純物濃度層と、高不純物濃度層と発光層との間であって発光層に接して位置し、その高不純物濃度層よりもn型不純物濃度が低い低不純物濃度層と、を有し、低不純物濃度層は、n型不純物濃度が、pクラッド層のp型不純物濃度の1/1000~1/100であり、厚さが10~400Åである、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。低不純物濃度層は、nクラッド層であってもよく、高不純物濃度層もまた、nクラッド層であってもよい。もちろん、nクラッド層とは別に新規に設けた層であってもかまわない。また、低不純物濃度層、高不純物濃度層は、超格子構造であってもよいし、単層あるいは超格子構造ではない複数の層で構成されていてもよい。超格子構造とする場合には、たとえば、アンドープまたはn型不純物ドープのInGaNと、アンドープまたはn型不純物ドープのGaNの少なくとも2層が積層された構造を1単位として、これが複数単位繰り返し積層された構造を採用することができる。発光層やpクラッド層は従来より知られる任意の構成でよい。発光層は、たとえばInGaN/GaNなどからなるMQW構造である。pクラッド層は、たとえば、p-InGaN/p-AlGaNや、p-GaN/p-AlGaNなどからなる超格子構造や、p-AlGaNからなる単層である。また、本発明における高不純物濃度層、低不純物濃度層のn型不純物濃度、あるいはpクラッド層のp型不純物濃度は、その層全体での平均濃度を示すものである。したがって、層の厚さ方向に濃度勾配が存在したり、複数の層で構成されている場合にそのいくつかの層が本発明に示された濃度範囲を満たさない場合であっても、層全体としての平均の濃度が本発明に示された範囲を満たすのであればかまわない。n型不純物にはSiを用いるのが一般的であるが、Ge、Cなどを用いることもできる。また、p型不純物にはMgを用いるのが一般的であるが、Znなどを用いることもできる。低不純物濃度層のn型不純物濃度は、高不純物濃度層よりもn型不純物の濃度が低く、かつ、pクラッド層のp型不純物濃度の1/1000~1/100となる範囲であれば任意でよい。望ましくは、低不純物濃度層のn型不純物濃度を1×1017~1×1018/cm3とすることである。また、pクラッド層のp型不純物濃度は1×1019~1×1021/cm3とすることが望ましい。また、高不純物濃度層のn型不純物濃度は、低不純物濃度層よりも濃度が高ければ任意の濃度でよいが、望ましくは1×1018~1×1021/cm3である。また、低不純物濃度層の厚さは、50~400Åとすることがより望ましい。より発光効率を向上させることができるからである。さらに望ましくは150~350Åである。第2の発明は、第1の発明において、低不純物濃度層のn型不純物濃度は1×1017~1×1018/cm3である、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、低不純物濃度層は、厚さが200~400Åである、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第4の発明は、第3の発明において、低不純物濃度層は、厚さが150~350Åである、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第5の発明は、第1の発明から第4の発明において、低不純物濃度層は、超格子構造である、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第6の発明は、第5の発明において、高不純物濃度層および低不純物濃度層は、超格子構造のnクラッド層であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。第7の発明は、第5の発明から第6の発明において、超格子構造は、アンドープまたはn型不純物ドープのInGaNとアンドープまたはn型不純物ドープのGaNの少なくとも2層を1単位として、その1単位が繰り返し積層された構造である、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。本発明によれば、電子正孔対がp側あるいはn側に偏ってしまうのが抑制され、発光層中に電子と正孔をバランスよく分布させることができる。そのため、電子がp側へオーバーフローしてしまうことも、正孔がn側へオーバーフローしてしまうことも抑制することができ、発光効率を向上させることができる。また、本発明では、発光層のn側に接する層はn型不純物がドープされた低不純物濃度層であり、アンドープではないため、従来のIII族窒化物半導体発光素子に比較して駆動電圧を上昇させてしまうこともない。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の構成を示した図である。実施例1のIII族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板10を有し、サファイア基板10上に、III族窒化物半導体からなるnコンタクト層11、nクラッド層12、発光層13、pクラッド層14、pコンタクト層15が順に積層された構造を有している。また、pコンタクト層15表面pクラッド層側とは反対側の面からnコンタクト層11に至る深さの溝が設けられていて、その溝の底面に露出したnコンタクト層11上にはn電極16が設けられている。また、pコンタクト層15表面の溝が設けられた領域以外のほぼ全面に、ITOからなる透明電極17が設けられ、透明電極17上にはp電極18が設けられている。サファイア基板10は、c面を主面とするサファイアの基板である。c面以外にもa面を主面とするサファイア基板を用いることもできる。サファイア以外には、SiC、Si、ZnO、スピネル、GaNなどを基板として用いることができる。また、基板のIII族窒化物半導体層を積層させる側の表面には、ストライプ状、ドット状などの凹凸加工が施されていてもよく、これにより光取り出し効率を向上させることができる。nコンタクト層11は、Si濃度が1×1018/cm3以上のn-GaNである。nコンタクト層11をSi濃度の異なる複数の層で構成してもよく、複数の層のうち一部の層のSi濃度を高くしてn電極16と接触させるようにすれば、nコンタクト層11の結晶性を悪化させずにn電極16とのコンタクト抵抗をより低減することができる。nクラッド層12は、アンドープInGaN/アンドープGaN/Siドープのn-GaNサファイア基板10側から順にアンドープInGaN層、アンドープGaN層、Siドープのn-GaN層の3層が積層された積層構造、記号/は積層であることを意味し、A/BはAを成膜したのちBを成膜した積層構造であることを意味する。以下において同じを1ペアとして複数ペア繰り返し積層された超格子構造である。アンドープInGaN層の厚さは1.6nm、アンドープGaN層は1.6nm、n-GaN層は1.6nmであり、1ペアの総膜厚は4.8nmである。また、nクラッド層12全体の厚さは72nmである。また、nクラッド層12は、図1に示すように、nコンタクト層11側から順に高不純物濃度層120、低不純物濃度層121の2層で構成されている。nクラッド層12の超格子構造を構成する上記複数ペアの積層のうち、発光層13に接する側から数ペアが低不純物濃度層121であり、残りのペアが高不純物濃度層120となっている。低不純物濃度層121は、高不純物濃度層120よりもSi濃度が低い層であり、高不純物濃度層120のSi濃度は1×1018/cm3、低不純物濃度層121のSi濃度は2.5×1017/cm3である。ここで、高不高不純物濃度層120および低不純物濃度層121のSi濃度は、層全体での平均である。以下においても同様である。低不純物濃度層121のSi濃度は上記範囲に限るものではない。低不純物濃度層121のSi濃度は、pクラッド層12のMg濃度の1/1000~1/100の範囲であればよい。この範囲であれば、発光層13に電子と正孔をバランスよく分布させることができ、発光効率を向上させることができる。低不純物濃度層121のSi濃度のより望ましい範囲は、さらに1×1017~1×1018/cm3を満たすことである。低不純物濃度層121の厚さは、結晶中にSiが十分に含まれ、n型不純物として作用する程度の厚さであればよく、10Å以上であればよい。ただし、厚すぎると発光効率が低下してしまうため400Å以下とする。つまり、低不純物濃度層121の厚さは10~400Åの範囲であればよい。より望ましくは50~400Å、さらに望ましくは150~350Åである。また、高不純物濃度層120のSi濃度は上記に限るものでなく、低不純物濃度層121よりも低いSi濃度であれば任意であるが、1×1018~1×1021/cm3とすることが望ましい。1×1018/cm3よりもSi濃度が低いと高不純物濃度層120の低抵抗化が十分でなく、1×1021/cm3よりもSi濃度が高いと結晶性が劣化してしまうからである。nコンタクト層11とnクラッド層12との間に、素子の静電耐圧性を高めるためのESD層を設けてもよい。ESD層は、たとえば、nコンタクト層11側から順に、第1ESD層、第2ESD層、第3ESD層の3層構造とし、第1ESD層は、発光層13側の表面に1×108/cm2以下のピットが形成され、厚さが200~1000nm、Si濃度が1×1016~5×1017/cm3のGaNで構成され、第2ESD層は、発光層13側の表面に2×108/cm2以上のピットが形成され、厚さが50~200nm、キャリア濃度が5×1017/cm3以下のGaNで構成され、第3ESD層は、Si濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3のGaNで構成する。このようにESD層を構成すれば、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させることができ、電流のリークを減少させることができる。発光層13は、アンドープのInGaNからなる井戸層とアンドープのAlGaNからなる障壁層とが交互に繰り返し積層されたMQW構造である。この発光層13は低不純物濃度層121上に接して位置している。井戸層と障壁層との間に、Al組成比が障壁層のAl組成比以下のAlGaNからなり、井戸層と同じ成長温度で形成するキャップ層を設けてもよい。このようなキャップ層を設けると、障壁層を形成する際の昇温時に井戸層からのInの離脱が防止されるため、発光効率を向上させることができる。発光層13とpクラッド層14との間に、pクラッド層14中のMgが発光層13へ拡散するのを防止するために、アンドープのGaNとアンドープのAlGaNとからなる層を設けてもよい。pクラッド層14は、厚さ2nm、Mg濃度1×1020/cm3のp-AlGaN層と、厚さ2nm、Mg濃度1×1020/cm3のp-InGaN層とを1単位として、これを繰り返し積層させた超格子構造である。ただし、最初に形成する層、すなわち、発光層13に接する層をp-InGaN層とし、最後に形成する層、すなわち、pコンタクト層15に接する層をp-AlGaN層としている。pクラッド層14全体としてのMg濃度の平均は1×1020/cm3である。このMg濃度の平均の1/400が、低不純物濃度層121のSi濃度の平均となっている。なお、pクラッド層14は上記以外の超格子構造、たとえばp-GaN/p-AlGaNなどの超格子構造であってもよいし、超格子構造以外の構造であってもよい。たとえばp-AlGaNからなる単層であったり、超格子構造ではない複数の層で構成されていてもよい。また、pクラッド層14のMg濃度の平均は必ずしも上記値である必要はないが、1×1019~1×1021/cm3であることが望ましい。1×1019/cm3よりもMg濃度が低いと低抵抗化が十分でなく、1×1021/cm3よりもMg濃度が高いと、結晶性を悪化させてしまう。pコンタクト層15は、厚さ10nm、Mg濃度1.0×1021/cm3のp-GaNからなる。結晶性向上と透明電極17とのコンタクト抵抗低減とを両立させるために、pコンタクト層15をMg濃度の異なる複数の層で構成してもよい。たとえば、pクラッド層14側から順に、Mg濃度1~3×1019/cm3で厚さ320ÅのGaNからなる第1pコンタクト層、Mg濃度4~6×1019/cm3で厚さ320ÅのGaNからなる第2pコンタクト層、Mg濃度1~2×1020/cm3で厚さ80ÅのGaNからなる第3pコンタクト層、の3層構造としてもよい。また、透明電極17と接する第3pコンタクト層は、GaNではなくInGaNとしてもよい。仕事関数が透明電極17に近くなるため、コンタクト抵抗をさらに低減することができる。また、pコンタクト層15表面に凹凸形状が設けられていてもよい。これにより光取り出し効率が向上するとともに、ITO電極17との接触面積が増大するためコンタクト抵抗をより低減することができる。透明電極17はITOからなり、pコンタクト層15表面のほぼ全面に設けられている。透明電極17には、ITO以外にもICOセリウムドープの酸化インジウムやIZO亜鉛ドープの酸化インジウムなどの透明酸化物導電体材料や、Auなどの金属薄膜を用いることができる。n電極16、p電極18は、電流拡散性を向上させるために、ワイヤがボンディングされるパッド部と、面内に配線状たとえば格子状や櫛歯状、放射状に広がり、パッド部と接続する配線状部と、を有する構造としてもよい。以上説明した実施例1のIII族窒化物半導体発光素子では、発光層13のn側に接する層として、高不純物濃度層120よりもSi濃度の低い低不純物濃度層121を導入し、そのSi濃度をpクラッド層12のMg濃度の1/1000~1/100とし、厚さを10~400Åの範囲としている。このような低不純物濃度層121を導入すると、n側から発光層13へと供給される電子の量が減少し、電子と正孔の移動度の違いにより発光層13においてp側に偏っていた電子正孔対の分布がn側にシフトする。そのため、発光層13の中心付近に電子正孔対の分布がシフトし、電子がp側へオーバーフローしてしまうのを抑制することができる。また、低不純物濃度層121のSi濃度、厚さが上記範囲であれば、電子正孔対の分布がn側へ偏りすぎて、正孔がn側へオーバーフローしてしまうことも抑制される。その結果、発光層13において電子と正孔がバランスよく分布することとなり、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。また、発光層13のn側に接するのは上記所定量のSiがドープされた低不純物濃度層121であってアンドープではないため、従来のIII族窒化物半導体発光素子に比べて駆動電圧を上昇させてしまうこともない。次に、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。まず、サファイア基板10を用意し、サファイア基板10を水素雰囲気中で加熱してサーマルクリーニングを行い、サファイア基板10表面の付着物を除去する。そして、サファイア基板10上にMOCVD法によってAlNからなるバッファ層図示しないを400°Cで形成した後、バッファ層上にMOCVD法によってnコンタクト層11、nクラッド層12、発光層13、pクラッド層14、pコンタクト層15を順に形成する。用いる原料ガスは、窒素源として、アンモニアNH3、Ga源として、トリメチルガリウムGaCH33、In源として、トリメチルインジウムInCH33、Al源として、トリメチルアルミニウムAlCH33、n型ドーピングガスとして、シランSiH4、p型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウムMgC5H52、キャリアガスとしてH2とN2である。上記nクラッド層12の形成は、以下のようにして行う。nコンタクト層11上にアンドープInGaN/アンドープGaN/n-GaNを1単位としてこれを複数単位繰り返し積層させ、超格子構造である高濃度不純物濃度層120を形成する図2a。次に、アンドープInGaN/アンドープGaN/n-GaN中のn-GaN層形成時のシランの供給量を低下させる以外は同様にして、アンドープInGaN/アンドープGaN/n-GaNを1単位として複数単位繰り返し積層させ、超格子構造を形成する。これにより、高不純物濃度層120よりもSi濃度の低い低不純物濃度層121を形成する図2b。低不純物濃度層121のSi濃度は、1単位中のn-GaN層のSiドープ量によって制御し、低不純物濃度層121全体としての平均のSi濃度が2.5×1017/cm3となるようにする。低不純物濃度層121の厚さは、アンドープInGaN/アンドープGaN/n-GaNの単位数を変化させることで制御する。もちろん、アンドープInGaN/アンドープGaN/n-GaNの各層の厚さを変化させることで低不純物濃度層121の厚さを制御してもよい。以上のようにしてnクラッド層12を形成する。pコンタクト層15の形成後、所定の領域をドライエッチングしてpコンタクト層15表面からnコンタクト層11に達する深さの溝を形成する。そして、pコンタクト層15上のほぼ全面にITOからなる透明電極17を形成し、透明電極17上にp電極18、溝底面に露出したnコンタクト層11表面にn電極16を形成する。以上によって図1に示した実施例1のIII族窒化物半導体発光素子が製造される。次に、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の光出力および駆動電圧の測定結果について説明する。図3は、低不純物濃度層121の厚さを変化させた場合の実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の相対光出力を示したグラフである。低不純物濃度層121の厚さは、超格子構造のペア数を変えることで変化させた。ただし、クラッド層12を構成する高濃度不純物濃度層120と低不純物濃度層121の厚さの割合を変化させてnクラッド層12全体の厚さは変化させていない。グラフの縦軸である相対光出力は、低不純物濃度層121を設けない場合nクラッド層12全体を高不純物濃度層120とする場合の光出力を1として規格化した相対値である。図3のように、低不純物濃度層121の厚さがおよそ200Åでは相対光出力がおよそ1.01、低不純物濃度層121の厚さがおよそ340Åでは相対光出力がおよそ1.03、低不純物濃度層121の厚さがおよそ480Åでは相対光出力がおよそ0.99であった。発光層13における電子と正孔の分布バランスをとるという低不純物濃度層121導入の目的を考えれば、低不純物濃度層121の膜厚を厚くしていくと、電子正孔対の分布がn側へとシフトしていき、p側への電子のオーバーフローが減少して分布バランスが改善されて次第に光出力が増大していくが、所定の膜厚を越えると電子正孔対の分布がn側に偏っていき、n側に正孔のオーバーフローを生じて光出力が減少に転じ、光出力が低下していくものと推察される。図3のグラフはおよそその推察に合致しており、妥当な推察であることを支持している。上記推察と図3から、実施例1のIII族窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させるためには、低不純物濃度層121は、少なくとも、Siが結晶に十分に含まれ、n型不純物として作用する厚さ以上であれば、発光効率を向上させることができると考えられ、その厚さは10Åである。また、低不純物濃度層121の厚さの上限は、図3のグラフにおいて発光効率が上昇から減少に転じる区間であって、相対光出力が1よりも大きい厚さであり、400Åである。したがって、低不純物濃度層121の厚さは10~400Åとするのがよいことがわかる。また、発光効率向上のためにより望ましいのは、図3より50~400Åであり、さらに望ましくは150~350Åである。図4は、低不純物濃度層121の厚さと相対順電圧との関係を示したグラフである。低不純物濃度層121の厚さは、図3の場合と同様に超格子構造のペア数を変えて変化させ、nクラッド層12全体の厚さは変えていない。相対順電圧は、低不純物濃度層121を設けずにnクラッド層12全体を高不純物濃度層120とした場合に順電流を20mA流したときの順電圧を1として規格化した相対値である。図4のように、低不純物濃度層121を導入しても駆動電圧の上昇は見られないことがわかる。また、低不純物濃度層121の厚さを変えても、駆動電圧の変化はそれほどないことがわかる。比較のため、低不純物濃度層121に変えてアンドープ層を導入した比較例のIII族窒化物半導体発光素子について、図3、4と同様にしてアンドープ層の厚さを変えて相対光出力および相対順電圧の値を測定した。図5はアンドープ層の厚さと相対光出力の関係を示したグラフ、図6はアンドープ層の厚さと相対順電圧の関係を示したグラフである。図5のように、およそ100~400Åのアンドープ層を導入することで、発光効率を向上させることができることがわかる。しかし、一方で図6のように、アンドープ層を導入すると、アンドープ層を導入しない場合よりも駆動電圧が上昇してしまっていることがわかる。なお、実施例1では、高不純物濃度層120や低不純物濃度層121を超格子構造としたが、必ずしもそのような構成である必要はない。たとえば、高不純物濃度層120や低不純物濃度層121は単層であってもよく、超格子構造ではない複数の層であってもよい。ただし、発光層13のn側に接する低不純物濃度層121を超格子構造とすれば、低不純物濃度層121の結晶性が改善され、その上に形成される発光層13の結晶性も改善されるため、より発光効率を向上させることができる。また、実施例1では低不純物濃度層121をnクラッド層12の一部としたが、必ずしもそのような構成である必要はなく、発光層13のn側に接する層であればよい。たとえば、低不純物濃度層121は発光層13とnクラッド層12との間に新規に設けられた層であってもよい。また、実施例のIII族窒化物半導体発光素子はフェイスアップ型の素子であったが、本発明はこれに限定するものではなく、従来知られている任意の構造のIII族窒化物半導体発光素子に適用することができる。たとえば、フリップチップ型の素子や、導電性基板を用いたり、レーザーリフトオフなどの技術によって基板を除去するなどして縦方向に導通をとる構造とした素子などにも本発明は適用することができる。