"A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式1-1により表される化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、Aは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、m=2の場合には各々独立に、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。m=2の場合、2つのR1が互いに結合して、環を形成していてもよい。Arは、n≧2の場合には各々独立に、芳香環基を表す。Xは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、前記Arとの結合部が炭素原子である連結基を表す。ANは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。前記Aが硫黄原子である場合、nは、1~3の整数であり、mは、mn=3なる関係を満たす整数である。前記Aがヨウ素原子である場合、nは、1又は2の整数であり、mは、mn=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。C活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物前記一般式1-1により表される化合物を除くを更に含有した請求項1に記載の組成物。前記Xの少なくとも1つは下記一般式1-2により表される請求項1又は2に記載の組成物。式中、R2及びR3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。R2とR3とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2及びR3の少なくとも一方は、Eと互いに結合して、環を形成していてもよい。Eは、連結基又は単結合を表す。前記Xの少なくとも1つは下記一般式1-3により表される請求項1又は2に記載の組成物。式中、Jは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。Eは、連結基又は単結合を表す。前記Eはアルキレン結合である請求項3又は4に記載の組成物。前記Eは、エステル結合及びエーテル結合からなる群より選択される少なくとも1つを含んでいる請求項3又は4に記載の組成物。前記Aは硫黄原子を表す請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。前記R1は、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物。前記Y-は有機酸アニオンを表す請求項1乃至8の何れか1項に記載の組成物。前記Y-は、スルホン酸アニオン、イミド酸アニオン、又はメチド酸アニオンを表す請求項1乃至9の何れか1項に記載の組成物。請求項1乃至10の何れか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。請求項1乃至10の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。前記露光は液浸液を介して行われる請求項12に記載の方法。請求項12又は13に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。請求項14に記載の半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス。本発明の目的は、感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供することにある。本発明は、例えば、以下の通りである。1A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、B活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式1-1により表される化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式中、Aは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、m=2の場合には各々独立に、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。m=2の場合、2つのR1が互いに結合して、環を形成していてもよい。Arは、n≧2の場合には各々独立に、芳香環基を表す。Xは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、前記Arとの結合部が炭素原子である連結基を表す。ANは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。前記Aが硫黄原子である場合、nは、1~3の整数であり、mは、mn=3なる関係を満たす整数である。前記Aがヨウ素原子である場合、nは、1又は2の整数であり、mは、mn=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。2C活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物前記一般式1-1により表される化合物を除くを更に含有した1に記載の組成物。3前記Xの少なくとも1つは下記一般式1-2により表される1又は2に記載の組成物。式中、R2及びR3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。R2とR3とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2及びR3の少なくとも一方は、Eと互いに結合して、環を形成していてもよい。Eは、連結基又は単結合を表す。4前記Xの少なくとも1つは下記一般式1-3により表される1又は2に記載の組成物。式中、Jは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。Eは、連結基又は単結合を表す。5前記Eはアルキレン結合である3又は4に記載の組成物。6前記Eは、エステル結合及びエーテル結合からなる群より選択される少なくとも1つを含んでいる3又は4に記載の組成物。7前記Aは硫黄原子を表す1~6の何れかに記載の組成物。8前記R1は、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す1~7の何れかに記載の組成物。9前記Y-は有機酸アニオンを表す1~8の何れかに記載の組成物。10前記Y-は、スルホン酸アニオン、イミド酸アニオン、又はメチド酸アニオンを表す1~9の何れかに記載の組成物。111~10の何れかに記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。121~10の何れかに記載の組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。13前記露光は液浸液を介して行われる12に記載の方法。1412又は13に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。1514に記載の半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス。16活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、1に記載の一般式1-1により表される化合物。本発明によると、感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。また、ここで活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外EUV線、X線又は電子線EBを意味している。光とは、活性光線又は放射線を意味している。露光とは、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。本発明に係る組成物は、A酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうと、B活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式1-1により表される化合物とを含有している。このような構成を採用すると、後で詳しく説明するように、優れた感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードを達成することが可能となる。以下、これら各成分について、順に説明する。A酸分解性樹脂酸分解性樹脂以下、樹脂Aともいうは、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する。樹脂Aは、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、各々独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~70molが好ましく、より好ましくは30~50molである。好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0または正の整数を表す。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。式IおよびII中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5または6である。R3は好ましくは水素原子またはメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式IIで表される繰り返し単位が、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基を有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2、より好ましくは0または1である。樹脂Aが酸分解性繰り返し単位を併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Aは、下記一般式で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。式中、Aは、エステル結合-COO-で表される基またはアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合には各々独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合には各々独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表す。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R7におけるアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数1~20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する置換基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として後述する一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式に於いて、R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式と同義である。R9は、複数個ある場合には各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。mは、置換基数であって、0~5の整数を表す。mは0または1であることが好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることがさらに好ましい。Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがさらに好ましい。mが1以上である場合、少なくとも1つのR9はラクトンのカルボニル基のα位またはβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。一般式で表される繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~60mol、更に好ましくは30~50molである。樹脂Aは、一般式で表される単位以外にも、ラクトン基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式で表される単位以外のラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AII’で表される繰り返し単位も好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。一般式で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましい一般式で表される単位以外のラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。一般式で表される繰り返し単位以外のラクトンを有する繰り返し単位の含有率は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~50mol、更に好ましくは30~50molである。本発明の効果を高めるために、一般式IIIから選ばれる2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式IIIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。樹脂Aは、一般式AI及びIII以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~40molが好ましく、より好ましくは5~30mol、更に好ましくは10~25molである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、0~20molが好ましく、より好ましくは3~15mol、更に好ましくは5~10molである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,またはCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の含有率は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、0~40モルが好ましく、より好ましくは0~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、パターンプロファイル、解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、樹脂Aに要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、組成物のドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、パターンプロファイル、解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から、樹脂Aは芳香族基を実質的に有さないことが好ましく、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子およびケイ素原子を含有しないことが好ましい。樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。より好ましくは、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーである。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Aは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種および開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、パターン形状が優れ、且つパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。樹脂Aは、1種で使用してもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。樹脂Aの組成物に占める配合率は、全固形分を基準として、30~99質量であることが好ましく、60~95質量であることがより好ましい。B一般式1-1により表される化合物本発明に係る組成物は、上述した通り、下記一般式1-1により表される化合物以下、B成分ともいうを含有している。この化合物は、活性光線又は放射線の照射により分解して、酸を発生する。即ち、この化合物は、酸発生剤として機能する。式中、Aは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。R1は、m=2の場合には各々独立に、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。m=2の場合、2つのR1が互いに結合して、環を形成していてもよい。Arは、n≧2の場合には各々独立に、芳香環基を表す。Xは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、前記Arとの結合部が炭素原子である連結基を表す。ANは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。前記Aが硫黄原子である場合、nは、1~3の整数であり、mは、mn=3なる関係を満たす整数である。前記Aがヨウ素原子である場合、nは、1又は2の整数であり、mは、mn=2なる関係を満たす整数である。oは、1~10の整数を表す。Y-は、アニオンを表す。上記一般式1-1により表される化合物は、高い光分解性を有している。そのため、この化合物を酸発生剤として用いると、高い感度を達成することができる。R1は、m=2の場合には各々独立に、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。m=2の場合、2つのR1が互いに結合して、環を形成していてもよい。これら基又は環は、置換基を更に備えていてもよい。R1により表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、1~50であることが好ましく、1~30であることがより好ましく、1~20であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1-エチルペンチル基、及び、2-エチルヘキシル基が挙げられる。R1により表されるアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2~50であることが好ましく、2~30であることがより好ましく、3~20であることが更に好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、及びスチリル基が挙げられる。R1により表される環式脂肪族基は、例えば、シクロアルキル基である。シクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この環式脂肪族基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数3~8の単環のシクロアルキル基が挙げられる。R1により表される芳香族炭化水素基としては、炭素数6~14のものが好ましい。このような基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基などのアリール基が挙げられる。R1により表される芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニル基である。R1により表される複素環式炭化水素基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この複素環式炭化水素基は、芳香族性を有していることが好ましい。上記の基に含まれる複素環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このような複素環としては、例えば、イミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、2H-ピロール環、3H-インドール環、1H-インダゾール、プリン環、イソキノリン環、4Hキノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、ペリミジン環、トリアジン環、ベンズイソキノリン環、チアゾール環、チアジアジン環、アゼピン環、アゾシン環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、及びベンゾチアゾール環が挙げられる。2つのR1により形成される環は、4~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、5員環であることが特に好ましい。R1は、芳香族炭化水素基であるか、又は、互いに結合して環を形成していることが好ましい。R1により表される基又は2つのR1が互いに結合して形成される環が置換基を更に備えている場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子-F、-Br、-Cl、又は-I、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基-SO3H及びその共役塩基基スルホナト基と称する、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、ホスホノ基-PO3H2及びその共役塩基基ホスホナト基と称する、ホスホノオキシ基-OPO3H2及びその共役塩基基ホスホナトオキシ基と称する、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基、並びに、アルキル基が挙げられる。これら置換基のうち、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基が特に好ましい。このアルキル基としては、例えば、先にR1について説明したのと同様のものが挙げられる。Arは、n≧2の場合には各々独立に、芳香環基を表す。この芳香環基は、芳香環として、複素環を含んでいてもよい。また、この芳香環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この芳香環基は、炭素数が6~14であることが好ましい。このような基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等のアリール基が挙げられる。芳香環基が複素環を含んでいる場合、この複素環としては、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、及びチアゾール環が挙げられる。Arにより表される芳香環基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。Arにより表される芳香環基は、後述する-X-ANにより表される基以外に、置換基を更に備えていてもよい。この置換基としては、例えば、先にR1における置換基として列挙したものを用いることができる。Arにより表される芳香環基には、-X-ANにより表される基が置換している。Xは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、Arとの結合部が炭素原子である連結基を表す。ANは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。即ち、一般式1-1により表される化合物では、ANにより表される塩基性部位が、Arにより表される芳香環基に直結した炭素原子を介して、上記芳香環基に結合している。本発明者らは、このような構成を採用すると、塩基性部位が芳香環基に直結した酸素原子又は硫黄原子を介して上記芳香環基に結合している場合と比較して、優れたラフネス特性及び露光ラチチュードを達成できることを見出している。その機構は必ずしも明らかではないが、本発明者らは、以下のように推測している。即ち、塩基性部位が芳香環基に直結した酸素原子又は硫黄原子を介して上記芳香環基に結合している場合、酸素原子及び硫黄原子は芳香環への電子供与性が高いため、光酸発生剤の感度を低下させる。この感度の低下に伴って、ラフネス特性及び露光ラチチュードが劣化すると考えられる。Xにより表される連結基は、Arとの結合部が炭素原子であれば、特に限定されない。この連結基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、-COO-、-CO-、若しくは、これらの組み合わせを含んでいる。この連結基は、これら各基と、-O-、-S-、-OCO-、-S-、-S=O2-、-OS=O2-、及び-NR-からなる群より選択される少なくとも1つとの組み合わせを含んでいてもよい。ここで、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Xにより表される連結基が含み得るアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキレン基の炭素数は、1~20であることが好ましく、1~10であることがより好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、及びブチレン基が挙げられる。Xにより表される連結基が含み得るシクロアルキレン基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキレン基の炭素数は、3~20であることが好ましく、3~10であることがより好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、1,4-シクロヘキシレン基が挙げられる。Xにより表される連結基が含み得るアリーレン基の炭素数は、6~20であることが好ましく、6~10であることがより好ましい。このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基及びナフチレン基が挙げられる。少なくとも1つのXは、下記一般式1-2又は1-3により表されることが好ましい。式中、R2及びR3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。R2とR3とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R2及びR3の少なくとも一方は、Eと互いに結合して、環を形成していてもよい。Eは、連結基又は単結合を表す。式中、Jは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。Jは、酸素原子であることがより好ましい。Eは、連結基又は単結合を表す。R2及びR3により表される各基並びにこれらが更に備え得る置換基としては、例えば、先にR1について説明したのと同様のものが挙げられる。R2とR3とが結合して形成し得る環、及び、R2及びR3の少なくとも一方がEと結合して形成し得る環は、4~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R2及びR3は、各々独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。Eにより表される連結基は、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、-COO-、-CO-、-O-、-S-、-OCO-、-S-、-S=O2-、-OS=O2-、-NR-、又はこれらの組み合わせを含んでいる。Eにより表される連結基は、アルキレン結合、エステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、ウレタン結合、ウレア結合、アミド結合、及びスルホンアミド結合からなる群より選択される少なくとも1つであることが好ましい。ここで、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。Eにより表される連結基は、より好ましくは、アルキレン結合、エステル結合、又はエーテル結合である。ANは、上述した通り、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。ここで塩基性部位とは、一般式1-1のカチオン部位の共役酸のpKaが-3以上となるような部位を意味している。このpKaは、-3~15の範囲内にあることが好ましく、0~15の範囲内にあることがより好ましい。なお、このpKaは、ACDChemSketchにより求めた計算値を意味している。ANにより表される塩基性部位は、例えば、アミノ基アンモニア若しくはアミン1級アミン及び2級アミンなどから水素原子を1つ除いた基;以下同様又は含窒素複素環基を含んでいる。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子吸引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。なお、ANにより表される塩基性部位は、アミノ基及び含窒素複素環基などの塩基性基を2つ以上備えていてもよい。ANにより表される塩基性部位がアミノ基を含んでいる場合、このアミノ基は、式-NR2により表されることが好ましい。ここで、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、シアノ基、エステル基、ラクトン基、又はこれらを含んだ基を表す。Rにより表されるアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基としては、例えば、先にR1により表されるアルキル基、環式脂肪族基としてのシクロアルキル基、又は芳香族炭化水素基について説明したのと同様のものが挙げられる。Rにより表される各基が更に備え得る置換基も、先にR1について説明したのと同様である。ANにより表される塩基性部位が含窒素複素環基を含んでいる場合、この含窒素複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。また、この含窒素複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。含窒素複素環基としては、好ましくは、ピペリジン環、モルホリン環、ピロリジン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラジン環、ピロール環、又はピリミジン環を含んだ基が挙げられる。本発明の一態様において、ANにより表される塩基性部位に含まれる窒素原子の周囲に、立体障害が導入されていることが好ましい。窒素原子の周囲に立体障害を導入することで、窒素原子の求核性を下げることができる。これによって、一般式1-1により表される化合物は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の他成分との間で求核反応を起こし難く、パターンの線幅の経時安定性向上が期待できる。このような観点からは、塩基性部位に含まれる窒素原子には、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基、若しくは、前記窒素原子に隣接する部位が3級若しくは4級炭素原子である鎖式脂肪族基が少なくとも1つ直結していることが好ましい。ここで、環式脂肪族基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の単環式又は多環式のシクロアルキル基、ラクトン構造を有する基具体的には、樹脂Aにおいて例示した一般式LC1-1~LC1-17などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。また、複素環式炭化水素基としては、例えば、先にR1について説明したのと同様のものが挙げられる。また、窒素原子隣接部位が3級炭素原子である鎖式脂肪族基としては、例えば、イソプロピル基、sec-ブチル基等を挙げることができる。また、例えば、以下に示す基のように、イソプロピル基等の分岐式脂肪族基にアルコキシ基が置換した基を挙げることができる。また、窒素原子隣接部位が4級炭素原子である鎖式脂肪族基としては、例えば、tert-ブチル基等を挙げることができる。一般式1-1において、oは、1~10の整数を表す。oは、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。Y-は、非求核性アニオンであることが好ましい。ここで、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これにより、本発明に係る組成物の経時安定性が向上する。Y-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。また、ビスアルキルスルホニルイミドアニオンにおける2つのアルキル基が、互いに結合して環状構造を形成している態様も好ましい。この場合、形成される環状構造は5~7員環であることが好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。Y-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。また、Y-の非求核性アニオンは、例えば、下記一般式LD1により表されることが好ましい。式中、Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基からなる群より選択される基を表す。Lは、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。Cyは、環状構造を有する基を表す。xは、1~20の整数を表す。yは、0~10の整数を表す。zは、0~10の整数を表す。Xfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Xfは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、又はCH2CH2C4F9であることが好ましい。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基からなる群より選択される基である。このアルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数1~4のものが好ましい。さらに好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、例えば、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。Lは、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CONH-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、及びアルケニレン基が挙げられる。これらの中でも、-CONH-、-CO-、又は-SO2-が好ましく、-CONH-又は-SO2-がより好ましい。Cyは、環状構造を有する基を表す。環状構造を有する基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環構造を有する基が挙げられる。脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性の抑制及びMEEFMaskErrorEnhancementFactorの向上の観点から好ましい。アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。中でも、193nmにおける光吸光度が比較的低いナフチル基が好ましい。複素環構造を有する基は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環構造を有する基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環構造を有する基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。また、ラクトン環の例としては、先に樹脂Aにおいて例示したラクトン構造が挙げられる。上記環状構造を有する基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、アルキル基は、炭素数が1~12であることが好ましい。シクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、シクロアルキル基は、炭素数が3~12であることが好ましい。アリール基は、炭素数が6~14であることが好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。また、Y-の非求核性アニオンは、例えば、下記一般式LD2により表されることも好ましい。一般式LD2中、Xf、R1、R2、L、Cy、x、y及びzは、一般式LD1における各々と同義である。Rfは、フッ素原子を含んだ基である。Rfによる表されるフッ素原子を含んだ基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、及び少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基が挙げられる。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子により置換されていてもよく、フッ素原子を含んだ他の置換基により置換されていてもよい。Rfが少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基である場合、フッ素原子を含んだ他の置換基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基が挙げられる。また、これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子を含んでいない置換基によって更に置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、先にCyについて説明したもののうち、フッ素原子を含んでいないものを挙げることができる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、Xfにより表される少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、例えば、パーフルオロフェニル基が挙げられる。以下に、一般式1-1により表される化合物のカチオン部位の具体例を挙げる。一般式1-1により表される化合物の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式2により表される化合物と、下記一般式3により表される化合物とを反応させることで合成する。式中、Z-は、例えば、臭素イオン、塩素イオン、ヨウ素イオン、スルホン酸イオン、BF4-、AsF6-、SbF6-、PF6-、又はClO4-であり、好ましくは、臭素イオン、塩素イオン、スルホン酸イオン、又はカルボン酸イオンである。Z-における、スルホン酸イオンとしては、例えば、pトルエンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンが挙げられる。Z-における、カルボン酸イオンとしては、例えば、トリフルオロ酢酸イオン及び酢酸イオンが挙げられる。Mは、例えば、アルカリ金属イオンである。このアルカリ金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、リチウムイオン及びカリウムイオンが挙げられる。化合物2及び化合物3としては、市販のものを用いてもよく、合成してもよい。化合物2の製造方法は、特に限定されない。具体例として、一般式4で示されるオニウム塩化合物の場合を例に挙げると、化合物4と、一般式5で示される塩基性化合物を適当な塩基の存在下にて反応させることで、化合物2を合成することが出来る。ここで、化合物4に対する塩基性化合物5のモル比は、好ましくは1~100であり、更に好ましくは1~10であり、特に好ましくは1~5である。反応に使用する塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、及び炭酸カリウムが挙げられる。中でも、適当な塩基性を有するという理由から、トリエチルアミン又は炭酸カリウムが好ましい。この反応は、例えば、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、ピリジン、NMP、塩化メチレン、及びピリジンなどの非プロトン性有機溶媒中で行われる。中でも、アセトン、アセトニトリル又はテトラヒドロフラン中で、反応を行うことが好ましい。有機溶媒の使用割合は、有機溶媒と水との合計100質量部に対して、好ましくは、2~100質量部であり、更に好ましくは5~100質量部であり、特に好ましくは、10~95質量部である。反応温度は、-40~100°Cが好ましく、更に好ましくは、-20°C~80°Cであり、特に好ましくは、0°C~80°Cである。また、反応時間は、0.1~96時間であり、さらに好ましくは、0.5~24時間である。化合物2の製造方法の具体例として、一般式6で示されるオニウム塩化合物の場合を考える。この場合、例えば、化合物6と一般式7で示される化合物とを適当な塩基の存在下にて反応させることで、化合物2を合成することが出来る。ここで、R4は、アルキル基、環式脂肪族基を表す。化合物6に対する化合物7のモル比は、好ましくは1~10であり、更に好ましくは1~5である。反応に使用する塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び水素化ナトリウムを挙げることができる。中でも、適当な塩基性を有するという理由から、トリエチルアミン又は炭酸カリウムが好ましい。この反応は、例えば、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、ピリジン、NMP、塩化メチレン及びピリジンなどの非プロトン性有機溶媒中で行われる。中でも、アセトン、アセトニトリル又はテトラヒドロフラン中で、反応を行うことが好ましい。有機溶媒の使用割合は、有機溶媒と水との合計100質量部に対して、好ましくは、2~100質量部であり、更に好ましくは5~100質量部であり、特に好ましくは、10~95質量部である。反応温度は、-40~100°Cが好ましく、更に好ましくは、-20°C~80°Cであり、特に好ましくは、0°C~80°Cである。また、反応時間は、0.1~96時間であり、さらに好ましくは、0.5~24時間である。一般式1-1により表される化合物は、1種類を単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。B成分の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~20.0質量であることが好ましく、0.5~15.0質量であることがより好ましく、1.0~10.0質量であることが更に好ましい。本発明に係る組成物は、上述した成分A及びBに加えて、他の成分を更に含有していてもよい。以下、これらの任意成分について説明する。C一般式1-1により表される化合物以外の酸発生剤本発明に係る組成物は、一般式1-1により表される化合物以外の酸発生剤以下、C成分ともいうを更に含有していることが好ましい。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤としては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3779778号明細書、欧州特許第126712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としては、例えば、先に一般式1-1におけるY-について説明したのと同様のものを挙げることができる。Z-とY-とは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。但し、B成分とC成分との塩交換反応を抑制する観点から、前者の構成を採用することが好ましい。R201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。尚、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基CH2O-もしくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開20070224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C11~C33が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上一緒に用いられる。本発明に係る組成物がF成分を含んでいる場合、その含有率は、本発明の組成物の全固形分を基準として、通常は0.001~10質量であり、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤とF成分との組成物中の含有割合は、酸発生剤/F成分モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/F成分モル比は、より好ましくは3.5~200、更に好ましくは3.5~150である。G酸の作用により脱離する基を有し、該脱離により塩基性が増大する低分子化合物本発明に係る組成物は、酸の作用により脱離する基を有し、該脱離により塩基性が増大する低分子化合物以下において、低分子化合物Gともいう。を含有することが好ましい。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基であることが好ましく、カルバメート基又はヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物Gの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Gとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Gは、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有していてもよい。カルバメート基を構成する保護基は、例えば、下記一般式d-1により表される。一般式d-1中、R’は、各々独立に、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。R’は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R’は、より好ましくは、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。より好ましくは、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロアルキル基である。低分子化合物Gは、上述の塩基性化合物と一般式d-1で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。低分子化合物Gは、下記一般式Aで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、低分子化合物Gは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物であるかぎり、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシアルキル基を示す。但し、-Cにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。少なくとも2つのRbが結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Aにおいて、RaおよびRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Ra及び/又はRbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい低分子化合物Gを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Aで表される化合物は、例えば、特開2009199021号公報に記載されている方法により合成することができる。低分子化合物Gは、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。本発明において、低分子化合物Gの含有率は、上述したF成分と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~20質量、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と低分子化合物Gとの組成物中の使用割合は、酸発生剤/低分子化合物GF成分モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/[低分子化合物GF成分]モル比は、より好ましくは3.5~200、更に好ましくは3.5~150である。H界面活性剤本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子とケイ素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、製、フロラードFC430、431、4430製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれるもしくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。本発明に係る組成物が界面活性剤を含有している場合、その含有率は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.1~2質量、さらに好ましくは0.1~1.5質量、特に好ましくは0.1~1質量である。Iカルボン酸オニウム塩本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩が好ましい。アニオン部としては、炭素数1~30の直鎖、分岐、単環または多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。さらに好ましくはこれらのアルキル基の一部または全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。アルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより220nm以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。フッ素置換されたカルボン酸のアニオンとしては、フロロ酢酸、ジフロロ酢酸、トリフロロ酢酸、ペンタフロロプロピオン酸、ヘプタフロロ酪酸、ノナフロロペンタン酸、パーフロロドデカン酸、パーフロロトリデカン酸、パーフロロシクロヘキサンカルボン酸、2,2-ビストリフロロメチルプロピオン酸のアニオン等が挙げられる。カルボン酸オニウム塩の組成物中の含有率は、組成物の全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。J溶解阻止化合物本発明の組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物を含有していてもよい。溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE2724355に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、樹脂Aについて説明したものと同様のものが挙げられる。なお、本発明の組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としてはフェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2~6個含有するものである。溶解阻止化合物の添加量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対し、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。Kその他の添加剤本発明の組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号公報、特開平2-28531号公報、米国特許第4,916,210号明細書、欧州特許第219294号明細書等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。<パターン形成方法>本発明の組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8.0質量、さらに好ましくは1.0~7.0質量である。本発明の組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列または並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。例えば、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、膜を形成する。当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。活性光線又は放射線としては、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができるが、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、電子ビーム等であり、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV13nm、電子ビームが好ましい。膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1級アミン、2級アミン、3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理または、リンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。即ち、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体を満たした状態で、活性光線又は放射線の照射を行ってもよい。これにより、解像性を更に高めることが可能となる。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましい。特に、露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ及び取り扱いのし易さといった点から、水を用いるのが好ましい。また、更なる短波長化を図るべく、屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液であってもよく、有機溶剤であってもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加してもよい。その添加剤としては、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール及びイソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。液浸液として用いる水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理がされていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を向上させるための添加剤を水に加えてもよく、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の態様を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明の範囲は、以下の実施例に限定されるものではない。<酸発生剤1>B成分として、下記化合物B-1~B-57を合成した。また、参照用に、下記化合物B-58及びB-59を準備した。<合成例1;化合物B-1の合成>2-フェニルプロピルアセテートとジフェニルスルホキシドとのフリーデルクラフツ反応によって、スルホニウム塩を合成した。その後、これを加水分解して、化合物B-1-1を得た。200mLの3口フラスコ内にて、3.7gの下記化合物B-1-1を、1.5gのピリジンと25gのTHFとの混合溶媒に溶解させた。これを氷冷しながら撹拌し、2.1gのクロロアセチルクロリドを30分かけて滴下した。滴下後、アイスバスを除去して、室温にて1時間撹拌した。100gのクロロホルムを加えた後、有機層を水、飽和重曹水、水で順次洗浄し、溶媒を除去して、褐色液体状の下記化合物B-1-2を得た。200mLの3口フラスコ内にて、上記化合物B-1-2を、25gのアセトンに溶解させた。これを氷冷しながら撹拌し、1.7gのピペリジンを30分かけて滴下した。滴下後、アイスバスを除去して、室温にて5時間撹拌した。100gのクロロホルムを加えた後、有機層を水、飽和重曹水、水で順次洗浄し、溶媒を除去して、褐色液体状の化合物B-1-3を得た。化合物B-1-3を50gの水に溶かした水溶液に、3.6gの化合物B-1-4を加え、30分撹拌した。100gのクロロホルムを加えた後、有機層を水で洗浄することで、褐色液体状の化合物B-13.3gを得た。1HNMR300MHzCDCl3778762755422395376323313304265240182155148120114084。<合成例2;化合物B-11の合成>3-フェニル-1-メチルプロピルアミンとジフェニルスルホキシドとのフリーデルクラフツ反応によって、下記化合物B-1-5を得た。200mLの3口フラスコ内にて、4.2gの化合物B-1-5を、40gのアセトニトリルに溶解させた。これに、3.6gの炭酸カリウムを加え、氷冷下、3.2gのブロモ酢酸エチルを30分かけて滴下した。引き続き、氷冷下で30分撹拌した後、アイスバスを除去して、室温にて5時間撹拌した。100gのクロロホルムを加えた後、有機層を水で洗浄し、溶媒を除去して、褐色液体状の下記化合物B-1-6を得た。化合物B-1-6を50gの水に溶解させた水溶液に、2.9gのノナフルオロブタンスルホン酸カリウムを加え、30分撹拌した。100gのクロロホルム加えた後、有機層を水で洗浄することで、褐色液体状の化合物B-112.5gを得た。1HNMR300MHzCDCl3780752412347303272178163126105。他のB成分についても、化合物B-1又はB-11と同様の方法により合成した。<酸発生剤2>C成分として、下記化合物C-1~C-8を準備した。<樹脂A>樹脂Aとして、下記樹脂A-1~A-13を準備した。<疎水性樹脂>疎水性樹脂Dとして、下記樹脂D-1~D-9を準備した。<塩基性化合物F又は低分子化合物G>塩基性化合物F又は低分子化合物Gとして、下記化合物F-1~F-6を準備した。<溶剤>溶剤として、下記S-1~S-3を準備した。S-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートS-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルS-3:γ-ブチロラクトン。<界面活性剤>界面活性剤として、下記W-1~W-5を準備した。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製W-2:メガファックR08大日本インキ工業株製W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製W-4:トロイゾルS366トロイケミカル株製W-5:PF6320OMNOVA社製。<レジスト組成物の調製>下記表2に示す成分を、同表に示す混合溶剤に溶解させ、固形分濃度4.4質量の溶液を調製した。これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過してポジ型レジスト溶液を調製した。<露光条件1:ArF液浸評価>シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に、調製した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を塗布し、130°Cで60秒間ベークを行い、膜厚110nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハーに対して、ArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.35を用いて、45nm1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては純水を用いた。その後、90°Cで60秒間加熱した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液2.38質量で30秒間現像した。続いて、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。<露光条件2:ArFドライ評価>シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚78nmの反射防止膜を形成した。その上に、調製した感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を塗布し、130°Cで60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。得られたウエハーに対してArFエキシマレーザースキャナーASML社製PAS5500/1100、NA0.75を用い、75nm1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。その後、90°Cで60秒間加熱した後、ついでテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像した。純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを得た。<レジスト評価>感度:露光条件1得られたパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて観察した。そして、45nmラインライン:スペース=11を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。感度:露光条件2得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて観察した。75nmラインライン:スペース=11を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。露光ラチチュード:露光条件1線幅45nmのラインアンドスペース1:1のマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが45nm±10を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードELが良好である。露光ラチチュード:露光条件2線幅75nmのラインアンドスペース1:1のマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが75nm±10を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードELが良好である。LWR:露光条件145nmのライン幅に仕上がっているラインパターンについて、走査型顕微鏡日立社製S9260で観察し、ラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、エッジがあるべき基準線からの距離を50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。LWR:露光条件275nmのライン幅に仕上がっているラインパターンについて、走査型顕微鏡日立社製S9260で観察し、ラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、エッジがあるべき基準線からの距離を50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。以上の測定結果を、下記表2に示す。表2から分かるように、実施例に係る組成物は、比較例に係る組成物と比較して、感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードにより優れていた。"