絶縁性基板の一方の面に対して、第1の基板の種原子層が成膜された面が、平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。絶縁性基板の一方の面に対して、種原子で構成された基板の一方の面が、平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。絶縁性基板の一方の面に対して、第1の基板の第1の種原子層が成膜された面が、平行に対向する位置に配置され、かつ絶縁性基板の他方の面に対して、第2の基板の第2の種原子層が成膜された面が、平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。絶縁性基板の一方の面に対して、第1の種原子で構成された基板の一方の面が、平行に対向する位置に配置され、かつ絶縁性基板の他方の面に対して、第2の種原子で構成された基板の一方の面が、平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程は、減圧化学気相成長装置を利用することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項5において、前記シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程は、600°C乃至700°Cの温度、20Pa乃至200Paの圧力、300sccm乃至3000sccmのSiH4ガス流量、0sccm乃至1000sccmのN2ガス流量、ただし、SiH4ガス流量は、N2ガス流量以上の関係を満たし、120分乃至180分の時間、という条件下で、前記減圧化学気相成長装置を利用して、連続的にウィスカの成長が進行することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項1において、前記絶縁性基板と、前記第1の基板との距離は、1.0cm乃至3.0cmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項2において、前記絶縁性基板と、前記種原子で構成された基板との距離は、1.0cm乃至3.0cmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項3において、前記絶縁性基板と、前記第1の基板との距離、及び前記絶縁性基板と、前記第2の基板との距離は、1.0cm乃至3.0cmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項4において、前記絶縁性基板と、前記第1の種原子で構成された基板との距離、及び前記絶縁性基板と、前記第2の種原子で構成された基板との距離は、1.0cm乃至3.0cmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項1乃至請求項10のいずれか一において、前記種原子層、前記第1の種原子層、及び前記第2の種原子層の膜厚は、10nm乃至1000nmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項1乃至請求項11のいずれか一において、前記ウィスカ単体は、その幅が50nm乃至300nmで、その直径が100nm乃至400nmで、その長さが700nm乃至800nmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。請求項1乃至請求項12のいずれか一において、前記第1の基板及び前記第2の基板は、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、サファイア、石英のうち、いずれか一つであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法。基板上にウィスカ集合体を成長させる際、ウィスカ集合体の成長を助長する役割を担うものは、基板上に成膜された種原子層である。核種原子の発生と同時に、核を起点として核に追随するように、ウィスカ集合体は成長する。つまり、ウィスカ集合体は種原子層が成膜された基板上で成長するため、一般的にウィスカ集合体の先端部には、核が存在し、核を含まないウィスカ集合体を成長させる事は、極めて困難である。また、種原子層が成膜されていない基板上に、直接ウィスカ集合体を成長させることは、原理的に不可能であるという問題もある。上述の問題に鑑み、開示する発明の一態様では、種原子層が成膜されていない基板上に、核種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、絶縁性基板の一方の面に対して、第1の基板の種原子層が成膜された面が、概略平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様は、絶縁性基板の一方の面に対して、種原子で構成された基板の一方の面が、概略平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様は、絶縁性基板の一方の面に対して、第1の基板の第1の種原子層が成膜された面が、概略平行に対向する位置に配置され、かつ絶縁性基板の他方の面に対して、第2の基板の第2の種原子層が成膜された面が、概略平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様は、絶縁性基板の一方の面に対して、第1の種原子で構成された基板の一方の面が、概略平行に対向する位置に配置され、かつ絶縁性基板の他方の面に対して、第2の種原子で構成された基板の一方の面が、概略平行に対向する位置に配置され、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程を有することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程は、減圧化学気相成長装置を利用することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、シリコンを含むガスを導入し、化学気相成長を行うことによって、ウィスカ集合体を成長させる工程は、600°C乃至700°Cの温度、20Pa乃至200Paの圧力、300sccm乃至3000sccmのSiH4ガス流量、0sccm乃至1000sccmのN2ガス流量、ただし、SiH4ガス流量は、N2ガス流量以上の関係を満たし、120分乃至180分の時間、という条件下で、減圧化学気相成長装置を利用して、連続的にウィスカの成長が進行することを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、基板間距離は、1.0cm乃至3.0cmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、種原子層、第1の種原子層、及び第2の種原子層の膜厚は、10nm乃至1000nmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、ウィスカ単体は、その幅が50nm乃至300nmで、その直径が100nm乃至400nmで、その長さが700nm乃至800nmであることを特徴とするウィスカ集合体の製造方法である。また、本発明の一態様において、第1の基板、及び第2の基板は、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、サファイア、石英のうち、いずれか一つを用いてもよい。本発明の一態様により、種原子層が成膜されていない基板上に、核種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を得ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本明細書等においてウィスカ単体と表記されている用語は、ウィスカ集合体中に含まれている単体ウィスカを示すものとする。なおウィスカ集合体とは、ウィスカ単体が単純に密集した集合体の他、あるウィスカ単体の根本から別のウィスカ単体が成長して一部、あるいは全部が結合したものが密集した集合体、ウィスカ単体が途中で枝分かれして成長したものが密集した集合体、等を含む。なお、本明細書等において上や下の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下であることを限定するものではない。上下の用語は説明の便宜のために用いる表現に過ぎない。なお、図面等において示す各構成の、位置、厚さ、大きさなどは、理解の簡単のため、実際の位置、厚さ、大きさなどを表していない場合がある。このため、開示する発明の一態様は、必ずしも、図面等に開示された位置、厚さ、大きさなどに限定されない。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。実施の形態1本実施の形態では、開示する発明の一態様に係るウィスカ集合体の製造方法について、説明する。なお本実施の形態で説明するウィスカ集合体の製造方法は、種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を直接成長させることができる方法である。図1乃至図2は、被形成基板上にウィスカ集合体が成長した一例を模式的に示す断面図である。以下に、ウィスカ集合体の製造方法について、図1乃至図2を用いて説明する。図1Aに示すように、サセプター106に、種基板100及び被形成基板101を配置する。種基板100は、種原子層100a及び基板100bを含む。なお、被形成基板101の一方の面に対して、種基板100において種原子層100aが基板100b上に成膜された面が、平行に対向する位置に、種基板100及び被形成基板101を配置する。種原子層100aは、印刷法、塗布法、インクジェット法、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等を適宜用いて、基板100b上に形成される。種原子層100aに用いられる材料としては、ウィスカ集合体の成長を助長する役割を直接的に又は間接的に果たすことができさえすれば、特に限定されない。例えば、チタン、ニッケル、タングステン、コバルト、鉄、クロム等に代表される金属原子を用いてもよいし、金属以外の原子を用いてもよい。本実施の形態では種原子層100aとして、チタンを用いる。基板100bに用いられる材料としては、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、サファイア、石英等を用いることができる。また、ステンレス等の金属基板等に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。本実施の形態では基板100bとして、ガラス基板を用いる。次に、炉に基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。本実施の形態における成膜条件は、SiH4ガス原料ガスの流量を300sccm、N2ガスの流量を300sccm、炉内温度を600°C、炉内圧力を20Pa、処理時間を2時間15分、基板100bの底面と被形成基板101の底面との距離dサセプター106のピッチ間隔、以下、基板間距離とするを25.4mmとする。なお、昇温、降温時には、Heガスの流量を200sccm流す。なお、原料ガスとしては、少なくともシリコンを含む堆積性ガスであればよく、SiH4ガスに限定されない。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、水素を導入してもよい。なお、原料ガスと共に導入する不活性ガスとしては、N2、Ar、He等が挙げられる。ただし、不活性ガスは導入しなくてもよい。本実施の形態ではN2を導入する。シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行った結果、図1Bに示すように、被形成基板101上にウィスカ集合体102が形成される。被形成基板101は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、特にその種類を問わない。石英基板、酸化アルミニウム基板、等に代表される絶縁性基板や、シリコンウェハー等を用いることができる。なお、絶縁表面を有する基板、あるいは全体が絶縁性材料から成る基板を絶縁性基板と呼ぶ。本実施の形態では被形成基板101として、石英基板を用いる。種原子層100aの膜厚は、特に上限は限定されるものではないが、少なくとも0.5μm以下である事が好ましく、生産性を考慮すると、0.1μm以下、より好ましくは、10nm~50nm程度が妥当である。種原子層100aの膜厚は、被形成基板101上に形成されるウィスカ集合体102の出来具合に影響を及ぼす。なお、種原子層100aの膜厚を10nm~50nm程度にすると、被形成基板101上によりウィスカ集合体102が形成し易くなる。一方、種基板100上にシリコン原子が堆積していく状態、すなわちシリコンウィスカ集合体の形成され易さには、自由度がある。図1Bに示すように、種基板100上にウィスカ集合体104を形成することも可能であり、図2に示すように、ウィスカ集合体を形成せず、種基板100上にポリシリコン層105を成膜することも可能である。すなわち、種原子層100aの膜厚は、種基板100上に形成されるウィスカ集合体の出来具合にも強く影響を及ぼす。種原子層100aの膜厚が、薄いほど種基板100上にウィスカ集合体は形成され易い傾向があり、図1Bの状態により近づく。また種原子層100aの膜厚が、厚いほど種基板100上にウィスカ集合体は形成され難い傾向があり、図2の状態により近づく。更に、図1Bの場合において、ウィスカ集合体102と、種基板100上に形成されたウィスカ集合体104を比較すると、同一の減圧化学気相成長工程で、基板上に形成されたウィスカ集合体であるが、ウィスカ集合体の密度、ウィスカ単体のサイズ、本数、形状、等多くの点において違いがある。ウィスカ集合体102は低密度であり、ウィスカ集合体102中のウィスカ単体はそれぞれ、形成位置がまばらであり、丸みを帯びた形状を有する傾向がある。ウィスカ集合体104は高密度であり、ウィスカ集合体104中のウィスカ単体はそれぞれ、ウィスカ集合体102中のウィスカ単体に比べ長く、密集し、色々な形状を有する傾向がある。なお、本実施の形態に係る種基板100は、種原子層100aのみで構成されていてもよい。ウィスカ集合体の成長を助長する役割を直接的に又は間接的に果たすことができさえすれば、特に限定されない。従って、例えばチタンシート等の金属板を用いてもよい。なお、チタンシートの厚さは、0.1mm乃至0.6mm程度が妥当である。ウィスカ集合体102中のウィスカ単体、及びウィスカ集合体104中のウィスカ単体は、円柱状、角柱状等の柱形状、円錐状、角錐状等の錐形状でもよい。また、先端部が尖った針状形状、先端部が湾曲した形状、角部が丸みを帯びた形状、片側もしくは両側の側面が傾斜したテーパー形状、を有していてもよい。なお、ウィスカ集合体102中のウィスカ単体、及びウィスカ集合体104中のウィスカ単体のサイズ及び形状は、種原子層100aの融点、及び沸点に依存して変化するため、用途に合わせて種原子層100aを選定することが好適である。ウィスカ集合体を成長させる工程は、減圧化学気相成長法を採用することが好ましい。なお、熱化学気相成長法は、成膜時の圧力に応じて、大気圧より低い圧力下で成膜が行われる減圧化学気相成長法と、大気圧下で成膜が行われる常圧化学気相成長法の2種類に大別される。シリコンを含むガスを導入し、減圧化学気相成長を行うことで、より均質で良好なウィスカ集合体を形成することが可能になる。大気圧より低い圧力下での成膜工程では、気相中の原料原子の平均自由行程が長くなるため、段差に対しても原料原子が良く拡散し、狭い隙間まで原料原子が到達できる。従って、良好なステップカバレッジを得ることが可能になる。また、原料原子の拡散係数が大きくなるため成膜速度は、基板表面への移動よりも、基板表面での反応に律速される。このため、反応律速領域をより高温側にシフトさせることもできる。なお、本実施の形態のように、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属原子を種原子層100aとして用いた場合、種原子層100aと、シリコンとの界面には、シリサイドが形成される。図1Bでは、ウィスカ集合体104の根本部と、種原子層100aとの界面に、また図2では、ポリシリコン層105と、種原子層100aとの界面に、シリサイド103が形成される。例えば種原子層100aの材料として、チタン、ニッケル、タングステン、コバルト、鉄、クロム等に代表される金属原子を用いた場合、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、鉄シリサイド、クロムシリサイド等が、種原子層100aと、シリコンとの界面にそれぞれ形成される。なお、減圧化学気相成長を行った後に形成された種原子層100aとシリサイド103との界面及び、シリサイド103とシリコンとの界面は明確でない。上述したウィスカ集合体の製造方法によれば、種基板100と対向する位置に配置した、被形成基板101上には、少なくともウィスカ集合体102を形成することができる。さらに減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば種類を問わず、被形成基板101を自由に選定することができ、当該被形成基板101上にウィスカ集合体102を成長させることができる。また、被形成基板101は、種基板100と対向する位置に配置されているため、種原子層が成膜されていない被形成基板101上に、接して直接ウィスカ集合体102を成長させることが可能になる。次に、上述したウィスカ集合体の製造方法を採用して被形成基板上に形成されたウィスカ集合体及びウィスカ単体を、図3乃至図4に示す。図3に、SEM走査電子顕微鏡での観察写真を示し、図4に、STEM走査透過電子顕微鏡での観察写真を示す。被形成基板101として石英基板、種原子層100aとしてチタン、基板100bとしてガラス基板を用いている。チタンの膜厚は、500nmである。図3は、ウィスカ集合体の表面を拡大したSEM観察写真を示している。SEM観察法は、電子線を電場レンズによって細く絞りながら、試料表面上を走査させて、表面から発生する二次電子や反射電子を検出して試料表面の顕微鏡像を得る手法である。図3Aは、倍率3000倍、加速電圧10.0kV、図3Bは、倍率40000倍、加速電圧10.0kV、という条件下で石英基板上に形成されたウィスカ集合体の表面を拡大して観察した写真である。図4はウィスカ集合体の断面、及びウィスカ単体のサンプルを拡大したSTEM写真を示している。STEM観察法とは、SEM走査電子顕微鏡のように電子線を走査させながら、TEM透過電子顕微鏡のように試料を透過した電子線から顕微鏡像を得る手法である。図4Aは、倍率19500倍、加速電圧200kV、という条件下で石英基板上に形成されたウィスカ集合体の断面を拡大して観察した写真である。図4Bは、倍率150000倍、加速電圧200kV、という条件下で、また、図4Cは、倍率150000倍、加速電圧200kV、という条件下で、図4Aに示されるウィスカ集合体の表面に、銅製のメッシュをこすりつけて、削り落としたウィスカ単体のサンプルを、拡大して観察した写真である。図4Bに示されるウィスカ単体の形状は、先端部が尖った針状形状、及び両側の側面が傾斜したテーパー形状を有することがわかる。また、図4Cに示されるウィスカ単体の形状は、先端部が湾曲した形状、及び円柱に近い形状を有することがわかる。これより、シリコンを含むガスを導入し、同一の減圧化学気相成長工程で基板上に形成された同一のウィスカ集合体に含まれているウィスカ単体であっても、ウィスカ単体のサイズ及び形状には、違いがあることがわかる。図3乃至図4より、ウィスカ単体のサイズは、幅、直径、長さがそれぞれ異なることがわかる。総じてウィスカ単体のサイズは幅50nm~300nm、直径100nm~400nm、長さ700nm~800nm程度であることがわかる。ウィスカ単体のサイズは、減圧化学気相成長を行う工程時の炉内温度に依存する。これは、ウィスカ集合体成長時におけるシリコン結晶粒の方位が、ウィスカ集合体成長時の温度に強く依存するためである。すなわち炉内温度が比較的低温であれば、ウィスカ集合体はあまり成長せず、炉内温度が高温になるにつれウィスカ集合体が成長し易くなり、ウィスカ単体は長くなる傾向がある。またウィスカ集合体の密度は、基板間距離に依存する。すなわち、減圧化学気相成長を行う工程時において、気相中の熱運動している原子が、種基板と被形成基板との間で、他の原子に衝突する頻度が減少すれば、ウィスカ集合体の成長できる確率は、向上する。ウィスカ集合体の密度が最大となるのは、理想的には基板間距離を、減圧化学気相成長を行う工程時の圧力における原子の平均自由行程に相当する距離にしたときである。この場合、原子は、種基板と被形成基板との間をほぼ直進して移動することができる。従って、基板間距離が長くなるほど、気相中の熱運動している原子が他の原子に衝突する頻度が増加するため、ウィスカ集合体の成長できる確率は低減し、ウィスカ集合体の密度が減少する傾向がある。このように、基板間距離及び、減圧化学気相成長を行う工程時の炉内温度種基板の温度、及び被形成基板の温度に依存してウィスカ単体のサイズ及び、ウィスカ集合体の密度は変化する。用途に合わせた所望のウィスカ集合体を形成するためには、あらゆる条件を適宜調整する必要がある。なお、ウィスカ集合体及びウィスカ単体は、基板間距離、炉内温度、炉内圧力、処理時間、など様々な条件に依存して密度、形状、サイズ等を変化させるため、特にそれらの条件は限定されない。上述したウィスカ集合体の製造方法を採用して被形成基板上に形成されたウィスカ集合体の成分構成原子について説明する。図4に示したSTEM観察の結果より、シリコンウィスカ集合体の根本部や先端部に種原子が全く見られないことがわかる。つまり、ウィスカ集合体は、種原子を含まずシリコン原子のみで形成されている。図5に示した模式的断面図を用いて、一般的なウィスカ集合体の成長メカニズムについて説明する。まず、基板200上に、種原子層201を成膜する図5A参照。次に、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う図5B参照。基板200上に成膜された種原子201a及び種原子201bを起点として種原子201a及び種原子201bに追随するように、ウィスカ単体203a及びウィスカ単体203bは成長する。種原子201a及び種原子201bは、ウィスカ単体203a及びウィスカ単体203bの先端部に付着し、シリコン原子を引っ張るような形で、ウィスカ単体203a及びウィスカ単体203bの成長を助長する。更にウィスカ単体203a及びウィスカ単体203bの根本部には、シリサイド202が形成される図5C参照。その後、ウィスカ単体203a及びウィスカ単体203bの成長が止まり、先端部に種原子201a及び種原子201bが付着したウィスカ単体204a及びウィスカ単体204bが完成する図5D参照。上述したウィスカ集合体の製造方法を採用して被形成基板上に形成されたウィスカ集合体の成長メカニズムは、図5に示されるような、一般的なウィスカ集合体の成長メカニズムとは、異なる。従って、同一の減圧化学気相成長工程で基板上に形成されたウィスカ集合体102及びウィスカ集合体104は、ウィスカ集合体の密度、ウィスカ単体のサイズ、本数、形状、等の他にも、それらの成長メカニズムが一般的なウィスカ集合体と比べて大きく異なる。上述した成長メカニズムを考慮すれば、ウィスカ単体204a及びウィスカ単体204bの先端部に種原子201a及び種原子201bが必ず残る、またウィスカ単体204a及びウィスカ単体204bの根本部にシリサイド202が形成される、という従来の制約を超えて、種原子を含まないウィスカ集合体を、成長させる事は極めて困難であることがわかる。上述したウィスカ集合体の製造方法によれば、これらの従来の制約を超えて、種原子層が成膜されていない基板上に、核種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることができる。また、ポリシリコン層が成膜された表面と、上記製造方法によりウィスカ集合体が形成された表面とを比較すると、格段にその表面積が増加する。従ってこのような表面形状特性を活かして、ウィスカ集合体を様々な用途に適用させることが可能となる。例えば当該ウィスカ集合体を太陽電池に利用すれば、単位面積当たりの発電効率を高め、エネルギーコストを低減させることができる。この他にも、当該ウィスカ集合体が形成された基板を、リチウムイオン二次電池、各種電極材料、フィルター等へ応用し、多岐に渡ってその用途を広げることができる。実施の形態2本実施の形態では、開示する発明の一態様に係るウィスカ集合体の別の製造方法について、説明する。なお本実施の形態で説明するウィスカ集合体の製造方法は、種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を直接成長させることができる方法である。図6乃至図7は、被形成基板上にウィスカ集合体が成長した一例を模式的に示す断面図である。以下に、ウィスカ集合体の製造方法について、図6乃至図7を用いて説明する。図6Aに示すように、サセプター311に、第1の種基板300、第2の種基板305、被形成基板301を配置する。第1の種基板300は、種原子層300a及び基板300bを含む。第2の種基板305は、種原子層305a及び基板305bを含む。被形成基板301の一方の面に対して、第1の種基板30において種原子層300aが成膜された面が、平行に対向する位置に、かつ、被形成基板301の他方の面に対して、第2の種基板305において種原子層305aが成膜された面が、平行に対向する位置に、第1の種基板300、第2の種基板305、被形成基板301を配置する。なお、図6乃至図7に示される種原子層300aの膜厚、種原子層305aの膜厚、基板305bの底面と被形成基板301の底面との距離d1、基板300bの底面と被形成基板301の底面との距離d2、等は、実際の位置、厚さ、大きさなどを正確に図示できていない。従って、必ずしも、図に示された位置、厚さ、大きさなどに限定されない。図6乃至図7に示される基板305bの底面と被形成基板301の底面との距離d1、基板300bの底面と被形成基板301の底面との距離d2は、サセプター311のピッチ間隔であり、等しいものとする。種原子層300a及び種原子層305aは、印刷法、塗布法、インクジェット法、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等を適宜用いて、基板300b及び基板305b上に形成される。種原子層300a及び種原子層305aに用いられる材料としては、ウィスカ集合体の成長を助長する役割を直接的に又は間接的に果たすことができさえすれば、特に限定されない。例えば、チタン、ニッケル、タングステン、コバルト、鉄、クロム等に代表される金属原子を用いてもよいし、金属以外の原子を用いてもよい。基板300b及び基板305bに用いられる材料としては、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、サファイア、石英等を用いることができる。また、ステンレス等の金属基板等に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。次に、炉に基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。本実施の形態における成膜条件は、SiH4ガス原料ガスの流量を300sccm、N2ガスの流量を300sccm、炉内温度を600°C、炉内圧力を20Pa、処理時間を2時間15分、基板305bの底面と被形成基板301の底面との距離d1、基板300bの底面と被形成基板301の底面との距離d2を等しく12.7mmとする。なお、昇温、降温時には、Heガスの流量を200sccm流す。なお、原料ガスとしては、少なくともシリコンを含む堆積性ガスであればよく、SiH4ガスに限定されない。シリコンを含む堆積性ガスとしては、水素化シリコン、フッ化シリコン、または塩化シリコンがあり、代表的には、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、Si2Cl6等がある。なお、原料ガスに、水素を導入してもよい。なお、原料ガスと共に導入する不活性ガスとしては、N2、Ar、He等が挙げられる。ただし、不活性ガスは導入しなくてもよい。本実施の形態ではN2を導入する。シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行った結果、図6Bに示すように、被形成基板301上にウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306が形成される。被形成基板301は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、特にその種類を問わない。石英基板、酸化アルミニウム基板、等に代表される絶縁性基板や、シリコンウェハー等を用いることができる。なお、絶縁表面を有する基板、あるいは全体が絶縁性材料から成る基板を絶縁性基板と呼ぶ。種原子層300a及び種原子層305aの膜厚は、特に上限は限定されるものではないが、少なくとも0.5μm以下である事が好ましく、生産性を考慮すると、0.1μm以下、より好ましくは、10nm~50nm程度が妥当である。種原子層300a及び種原子層305aの膜厚は、被形成基板301上に形成されるウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306の出来具合に影響を及ぼす。なお、種原子層300a及び種原子層305aの膜厚を10nm~50nm程度にすると、被形成基板301上によりウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306が形成し易くなる。一方、第1の種基板300及び第2の種基板305上にシリコン原子が堆積していく状態、すなわちシリコンウィスカ集合体の形成され易さには、自由度がある。図6Bに示すように、第1の種基板300及び第2の種基板305上にウィスカ集合体304及びウィスカ集合体307を形成することも可能であり、図7に示すように、ウィスカ集合体を形成せず、第1の種基板300及び第2の種基板305上のそれぞれにポリシリコン層308及びポリシリコン層309を成膜することも可能である。すなわち、種原子層300a及び種原子層305aの膜厚は、第1の種基板300及び第2の種基板305上に形成されるウィスカ集合体の出来具合にも強く影響を及ぼす。種原子層300a及び種原子層305aの膜厚が、薄いほど第1の種基板300及び第2の種基板305上にウィスカ集合体は形成され易い傾向があり、図6Bの状態により近づく。また種原子層300a及び種原子層305aの膜厚が、厚いほど第1の種基板300及び第2の種基板305上にウィスカ集合体は形成され難い傾向があり、図7の状態により近づく。更に、図6Bの場合において第1の種基板300及び第2の種基板305上に形成されるウィスカ集合体304及びウィスカ集合体307と、被形成基板301上に形成されるウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306とを比較すると、同一の減圧化学気相成長工程で基板上に形成されたウィスカ集合体であるが、ウィスカ集合体の密度、ウィスカ単体のサイズ、本数、形状、等多くの点において違いがある。ウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306は低密度であり、ウィスカ集合体302中のウィスカ単体及びウィスカ集合体306中のウィスカ単体はそれぞれ、形成位置がまばらであり、丸みを帯びた形状を有する傾向がある。ウィスカ集合体304及びウィスカ集合体307は高密度であり、ウィスカ集合体304中のウィスカ単体及びウィスカ集合体307中のウィスカ単体はそれぞれ、ウィスカ集合体302中のウィスカ単体及びウィスカ集合体306中のウィスカ単体に比べ長く、密集し、色々な形状を有する傾向がある。なお、本実施の形態に係る第1の種基板300及び第2の種基板305は、それぞれ種原子層300a及び種原子層305aのみで構成されていてもよい。ウィスカ集合体の成長を助長する役割を直接的に又は間接的に果たすことができさえすれば、特に限定されない。従って、例えばチタンシート等の金属板を用いてもよい。なお、チタンシートの厚さは、0.1mm乃至0.6mm程度が妥当である。ウィスカ集合体302中のウィスカ単体、ウィスカ集合体304中のウィスカ単体、ウィスカ集合体306中のウィスカ単体、ウィスカ集合体307中のウィスカ単体は、円柱状、角柱状等の柱形状、円錐状、角錐状等の錐形状でもよい。また、先端部が尖った針状形状、先端部が湾曲した形状、あらゆる角部が丸みを帯びた形状、片側もしくは両側の側面が傾斜したテーパー形状、を有していてもよい。なお、ウィスカ集合体302中のウィスカ単体、ウィスカ集合体304中のウィスカ単体、ウィスカ集合体306中のウィスカ単体、ウィスカ集合体307中のウィスカ単体のサイズ及び形状は、種原子層300a及び種原子層305aの融点、及び沸点に依存して変化するため、用途に合わせて種原子層300a及び種原子層305aを選定することが好適である。なお、ウィスカ集合体を成長させる工程は、減圧化学気相成長法を採用することが好ましい。シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行うことで、より均質で良好なウィスカ集合体を形成することが可能になる。大気圧より低い圧力下での成膜工程では、気相中の原料原子の平均自由行程が長くなるため、段差に対しても原料原子が良く拡散し、狭い隙間まで原料原子が到達できる。従って、良好なステップカバレッジを得ることが可能になる。また、原料原子の拡散係数が大きくなるため成膜速度は、基板表面への移動よりも、基板表面での反応に律速される。このため、反応律速領域をより高温側にシフトさせることもできる。なお、シリコンと反応してシリサイドを形成する金属原子を種原子層300a及び種原子層305aとして用いた場合、種原子層300a及び種原子層305aと、シリコンとの界面には、シリサイドが形成される。図6Bでは、ウィスカ集合体304の根本部と、種原子層300aとの界面及び、ウィスカ集合体307の根本部と、種原子層305aとの界面に、また図7では、ポリシリコン層308と、種原子層300aとの界面及び、ポリシリコン層309と、種原子層305aとの界面に、それぞれシリサイド303及びシリサイド310が形成される。例えば種原子層300a及び種原子層305aの材料として、チタン、ニッケル、タングステン、コバルト、鉄、クロム等に代表される金属原子を用いた場合、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、タングステンシリサイド、コバルトシリサイド、鉄シリサイド、クロムシリサイド等が、種原子層300aとシリコンとの界面に、及び種原子層305aとシリコンとの界面にそれぞれ形成される。なお、減圧化学気相成長を行った後に形成された種原子層300aとシリサイド303との界面、シリサイド303とシリコンとの界面、種原子層305aとシリサイド310との界面、シリサイド310とシリコンとの界面は明確でない。上述したウィスカ集合体の製造方法によれば、被形成基板301の両面にウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306を形成することができる。さらに減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、種類を問わず、被形成基板301を自由に選定することができ、当該被形成基板301上にウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306を成長させることができる。また、被形成基板301は、第1の種基板300と第2の種基板305に挟まれた位置に配置されているため、種原子層が成膜されていない被形成基板301の両面上に、接して直接ウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306を成長させることが可能になる。また上述したウィスカ集合体の製造方法を採用して被形成基板上に形成されたウィスカ集合体の成長メカニズムは、図5に示されるような、一般的なウィスカ集合体の成長メカニズムとは、異なるためウィスカ集合体302及びウィスカ集合体306は、種原子を含まずシリコン原子のみで形成される。従って、上述したウィスカ集合体の製造方法によれば、ウィスカ集合体の先端部に種原子が必ず残る、またウィスカ集合体の根本部にシリサイドが形成される、という従来の制約を超えて、種原子層が成膜されていない基板上に、核種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることができる。また、ポリシリコン層が成膜された表面と、上記製造方法によりウィスカ集合体が形成された表面とを比較すると、格段にその表面積が増加する。従ってこのような表面形状特性を活かして、ウィスカ集合体を様々な用途に適用させることが可能となる。例えば当該ウィスカ集合体を太陽電池に利用すれば、単位面積当たりの発電効率を高め、エネルギーコストを低減させることができる。この他にも、当該ウィスカ集合体が形成された基板を、リチウムイオン二次電池、各種電極材料、フィルター等へ応用し、多岐に渡ってその用途を広げることができる。