"液体が供給される処理基板を保持する基板保持装置であって、基材と、前記基材上に形成され、前記処理基板の裏面を支持する第1支持部と、前記基材上に形成され、前記処理基板の裏面に対向し、前記第1支持部を囲むように設けられた第1周壁部と、前記第1周壁部の外側に設けられた第1回収口とを備え、前記第1周壁部に沿う気体の流れによって、前記第1周壁部の外側の液体を前記第1回収口まで移動して回収する基板保持装置。前記第1回収口に接続する吸引装置を有し、前記吸引装置が前記第1回収口を介して吸引することによって、前記第1回収口に向かう気体の流れを生成する請求項1記載の基板保持装置。前記第1周壁部は、前記処理基板のエッジ部よりも内側に設けられ、前記第1回収口を介して回収される液体は、前記処理基板の裏面のうち第1周壁部よりも外側の領域に付着している液体を含む請求項1又は2記載の基板保持装置。前記第1回収口は、前記基材上における前記第1周壁部近傍の所定位置に設けられている請求項1~3のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1回収口は、前記基材上において前記処理基板のエッジ部よりも内側に設けられている請求項1~4のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1回収口は、前記第1周壁部に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている請求項1~5のいずれか一項記載の基板保持装置。前記処理基板と前記第1周壁部と前記基材とで囲まれた第1空間を負圧にすることによって、前記処理基板の裏面を前記第1支持部で吸着保持する請求項1~6のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1周壁部は、前記処理基板に形成された切欠部に応じた凹部を有し、前記凹部の内側に前記第1回収口が設けられている請求項1~7のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1回収口は、前記凹部の中心位置から前記第1周壁部の周方向に所定距離ずれた位置に設けられている請求項8記載の基板保持装置。前記第1周壁部の外側に、前記第1回収口に向かう気体の流れをガイドする第2周壁部を備えた請求項1~9のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第2周壁部の上面と前記処理基板の裏面とは対向している請求項10記載の基板保持装置。前記第2周壁部の上面は前記第1周壁部の上面よりも低い請求項11記載の基板保持装置。前記第1周壁部と前記第2周壁部との間の第2空間と、前記第2空間の外側の第3空間とを流通する流路を有する請求項10~12のいずれか一項記載の基板保持装置。前記流路は、前記第2周壁部の一部に設けられた孔を含む請求項13記載の基板保持装置。前記流路は、前記第2周壁部の一部に設けられたスリット部を含む請求項13又は14記載の基板保持装置。前記流路は、前記第2周壁部と前記処理基板との間に設けられた隙間を含む請求項13~15のいずれか一項記載の基板保持装置。第2周壁部の更に外側に、第2回収口を有する請求項10~16のいずれか一項記載の基板保持装置。前記基材上に形成され、前記処理基板の周囲を囲むようにプレート部材を保持するプレート保持部を備え、前記プレート保持部は、前記プレート部材の裏面側に空間が形成されるように、前記プレート部材を保持し、前記第2回収口は、前記プレート保持部に保持されたプレート部材の裏面側に設けられている請求項17記載の基板保持装置。前記処理基板と前記第2周壁部の上面の一部の領域とが対向し、前記プレート部材と前記第2周壁部の上面の他の領域とが対向する請求項18記載の基板保持装置。前記プレート部材の裏面と前記第2周壁部の上面との間に隙間が形成されている請求項19記載の基板保持装置。前記プレート保持部は、前記プレート部材の裏面を支持する第2支持部と、前記第2支持部を囲む外壁部とを備え、前記プレート部材と前記外壁部と前記基材とで囲まれた第4空間を負圧にすることによって、前記プレート部材の裏面を前記第2支持部で吸着保持し、前記第2回収口は、前記第4空間の外側に設けられている請求項18~20のいずれか一項記載の基板保持装置。前記プレート部材は液体に対して撥液性を有する請求項18~21のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1回収口及び第2回収口は、前記処理基板と前記プレート部材との間から浸入した液体を回収する請求項18~22のいずれか一項記載の基板保持装置。請求項1~23のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された処理基板を液体を介して露光する露光装置。前記液体を介した露光中に、前記第1回収口を用いた回収動作を停止する請求項24記載の露光装置。前記液体を介した露光終了後、前記処理基板を前記基板保持装置に保持した状態で、前記第1回収口を用いた回収動作を行う請求項24又は25記載の露光装置。前記基板保持装置を、前記露光を行う第1位置と前記第1位置とは別の第2位置との間で移動する駆動装置を備え、前記基板保持装置を移動中に、前記第1回収口を用いた回収動作を行う請求項26記載の露光装置。請求項24~27のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して液体が基板の裏面側に浸入すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面側に浸入した液体によって基板の裏面が濡れると、基板ホルダ基板保持装置で基板を良好に保持できなくなる虞がある。あるいは、所定の搬送系を使って基板ホルダから基板を搬出アンロードする際、濡れた基板の裏面を保持した搬送系に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散したりする等、被害が拡大する虞もある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の裏面側に液体が浸入した場合でも、その浸入した液体を迅速に回収することができる基板保持装置及び露光装置、その露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第1の態様に従えば、液体LQの液浸領域LRが表面Pa上に形成される処理基板Pを保持する基板保持装置であって、基材PHBと、基材PHB上に形成され、処理基板Pの裏面Pbを支持する第1支持部46と、基材PHB上に形成され、処理基板Pの裏面Pbに対向し、第1支持部46を囲むように設けられた第1周壁部42と、第1周壁部42の外側に設けられた第1回収口51とを備え、第1周壁部42に沿う気体の流れによって、第1周壁部42の外側の液体LQを第1回収口51まで移動して回収する基板保持装置PHが提供される。本発明の第1の態様によれば、第1周壁部に沿う気体の流れによって、第1周壁部の外側の液体を第1回収口まで移動することで、基板の裏面側に液体が浸入しても、その液体を第1回収口を使って迅速に回収することができる。本発明の第2の態様に従えば、上記態様の基板保持装置PHを備え、当該基板保持装置に保持された処理基板Pを液体LQを介して露光する露光装置EXが提供される。本発明の第2の態様によれば、浸入した液体を迅速に回収することができるので、処理基板を良好に露光することができる。本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置EXを用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第3の態様によれば、処理基板を良好に露光することができる露光装置を使ってデバイスを製造することができる。本発明によれば、処理基板の裏面側に液体が浸入した場合でも、その浸入した液体を迅速に回収することができる。また、処理基板を良好に露光することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。<第1の実施形態>本発明の第1の実施形態について図1を参照しながら説明する。図1は第1の実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHと、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構100を備えている。液浸機構100は、投影光学系PLの像面近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、ノズル部材70に設けられた供給口12を介して投影光学系PLの像面側の光路空間K1に液体LQを供給する液体供給機構10と、ノズル部材70に設けられた回収口22を介して投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。ノズル部材70は、基板P基板ホルダPHの上方において、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に投影している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。具体的には、露光装置EXは、液浸機構100を使って、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の下面LSAと、基板ホルダPHに保持され、投影光学系PLの像面側に配置された基板Pの表面Paとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンの像で基板Pを露光する。制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとをそれぞれの走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置所謂スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向走査方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向非走査方向、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材レジストを塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、あるいはArFエキシマレーザ光波長193nm、F2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。本実施形態においては、液体LQとして純水が用いられている。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線、KrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光も透過可能である。マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、マスクMを真空吸着又は静電吸着により保持する。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。マスクステージMST上には移動鏡91が設けられている。また、移動鏡91に対向する位置にはレーザ干渉計92が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角場合によってはθX、θY方向の回転角も含むはレーザ干渉計92によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計92の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計92の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、本実施形態においては、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1は、鏡筒PKより露出している。基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを投影光学系PLの像面側において移動可能である。基板ステージPSTは、基板ホルダPHを支持するZチルトステージ95と、Zチルトステージ95を支持するXYステージ90とを備えている。XYステージ90はベースBP上に移動可能に支持されている。基板ホルダPHは、Zチルトステージ95上に支持されており、例えば真空吸着等により基板Pを保持する。基板ホルダPH上には凹部96が設けられている。凹部96には、後に詳述する、基板Pを保持するための第1保持部PH1が配置されている。そして、基板ホルダPHのうち凹部96周囲の上面97は、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面Paとほぼ同じ高さ面一になるような平坦面平坦部となっている。なお、投影光学系PLの像面側の光路空間K1を液体LQで満たし続けることができるならば、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面Paと基板ホルダPHの上面97との間に段差があっても構わない。基板ステージPSTは基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置PSTDは、例えばリニアモータ等を含み、XYステージ90をベースBP上でX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動するXY駆動機構と、例えばボイスコイルモータ等を含み、Zチルトステージ95をZ軸方向、θX方向、及びθY方向に移動するZ駆動機構とを備えている。Zチルトステージ95及びXYステージ90の駆動により、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面Paは、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。基板ホルダPHの側面には移動鏡93が設けられている。また、移動鏡93に対向する位置にはレーザ干渉計94が設けられている。基板ホルダPH上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計94によりリアルタイムで計測される。また、露光装置EXは、例えば特開平8-37149号公報に開示されているような、基板ホルダPHに支持されている基板Pの表面Paの面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカスレベリング検出系不図示を備えている。フォーカスレベリング検出系は、基板Pの表面Paの面位置情報Z軸方向の位置情報、及びθX及びθY方向の傾斜情報を露光前及び/又は露光中に検出する。なお、フォーカスレベリング検出系は、静電容量型センサを使った方式のものを採用してもよい。レーザ干渉計94の計測結果は制御装置CONTに出力される。フォーカスレベリング検出系の検出結果も制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板Pのフォーカス位置Z位置及び傾斜角θX、θYを制御して基板Pの表面Paを投影光学系PLの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計94の計測結果に基づいて、基板PのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行う。次に、液浸機構100の液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端を接続する供給管13とを備えている。供給管13の他端はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、供給管13の他端と供給口12とを接続する内部流路供給流路が形成されている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQの温度を調整する温度調整機構、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。なお、液体供給機構10のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタユニット等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端を接続する回収管23とを備えている。回収管23の他端はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、回収管23の他端と回収口22とを接続する内部流路回収流路が形成されている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお、液体回収機構20の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22はノズル部材70の下面70Aに形成されている。ノズル部材70の下面70Aは、基板Pの表面Pa、及び基板ホルダPHの上面97と対向する位置に設けられている。ノズル部材70は、第1光学素子LS1の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口12は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの第1光学素子LS1投影光学系PLの光軸AXを囲むように複数設けられている。また、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、第1光学素子LS1に対して供給口12よりも外側に設けられており、第1光学素子LS1及び供給口12を囲むように設けられている。液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給部11及び液体回収部21のそれぞれを駆動する。制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、その液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。基板Pを液浸露光するときには、制御装置CONTは、液浸機構100を使って投影光学系PLと基板ホルダPHに保持されている基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、投影光学系PLと液体LQとを介して基板P上に露光光ELを照射することによって、基板Pを露光する。次に、図2~図5を参照しながら基板ホルダPHについて説明する。図2は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHの側断面図、図3は基板ホルダPHを上方から見た平面図、図4は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHを上方から見た平面図、図5は図2の要部拡大図である。基板ホルダPHは、基材PHBと、基材PHBに形成され、基板Pを吸着保持する第1保持部PH1とを備えている。基板ホルダPHの第1保持部PH1は、基材PHB上に形成され、基板Pの裏面Pbを支持する第1支持部46と、基材PHB上に形成され、基板Pの裏面Pbに対向し、第1支持部46を囲むように設けられた第1周壁部42とを備えている。第1保持部PH1は、基板ホルダPHに形成された凹部96の内側に配置されている。第1支持部46は凸状に形成されており、その上面46Aで基板Pの裏面Pbを支持する。本実施形態においては、第1支持部46は、第1周壁部42の内側において複数一様に形成された支持ピンを含む。第1周壁部42は、基板Pの形状に応じて略円環状に形成されており、第1周壁部42の上面42Aは基板Pの裏面Pbの周縁領域エッジ領域に対向するように設けられている。第1周壁部42の上面42Aは平坦面となっている。本実施形態においては、第1支持部46の上面46Aは、第1周壁部42の上面42Aと同じ高さか、上面42Aよりも僅かに高く形成されている。そして、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pb側には、基板Pと第1周壁部42と基材PHBとで囲まれた第1空間31が形成される。第1周壁部42の内側の基材PHB上には第1吸引口41が形成されている。第1吸引口41は基板Pを吸着保持するためのものであって、第1周壁部42の内側において基材PHBの上面のうち第1支持部46以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。本実施形態においては、第1吸引口41は第1周壁部42の内側において複数一様に配置されている。第1吸引口41のそれぞれは流路45を介して第1真空系40に接続されている。第1真空系40は、基板Pと第1周壁部42と基材PHBとで囲まれた第1空間31を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述したように、第1支持部46は支持ピンを含む、本実施形態における第1保持部PH1は所謂ピンチャック機構の一部を構成している。制御装置CONTは、第1真空系40を駆動し、基板Pと第1周壁部42と基材PHBとで囲まれた第1空間31内部のガス空気を吸引してこの第1空間31を負圧にすることによって、基板Pの裏面Pbを第1支持部46で吸着保持する。図5に示すように、基板ホルダPHの凹部96の内側には、上面97と接続し、第1保持部PH1に吸着保持された基板Pの側面Pcと対向する内側面98が形成されている。そして、第1保持部PH1に保持された基板Pのエッジ部と、その基板Pの周囲に設けられた内側面98上面97との間には、所定のギャップAが形成されている。本実施形態においては、ギャップAは0.1~1.0mm程度である。また、図5に示すように、基板ホルダPHの凹部96の内側には、第1周壁部42の外側面に沿って段部99が形成されている。段部99は、内側面98とほぼ垂直に、かつ内側面98と連続的に形成された上面99Aと、上面99Aとほぼ垂直に、且つ上面99Aと連続的に形成された内側面99Sを有している。段部99の内側面99Sと第1周壁部42の外側面42Sとの間には、その外側面42Sに沿ってギャップBが形成されている。本実施形態において、ギャップBは約1.0mmに設定されている。このように、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面側の第1周壁部42の外側には、ギャップBの第2空間33が形成される。また、第1保持部PH1のうち、環状の第1周壁部42の外径は基板Pの外径よりも小さく形成されている。換言すれば、第1周壁部42は、基板Pのエッジ部よりも内側基板Pの中央部側になるように設けられている。そして、基板Pのエッジ領域は、第1周壁部42の外側に所定量オーバーハングしている図5参照。以下の説明においては、基板Pのうち第1周壁部42より外側にオーバーハングした領域を適宜、オーバーハング部H1と称する。本実施形態においては、オーバーハング部H1は、約1.5mmである。また段部99は、凹部96の内側面98より第1周壁部42側へ突設され、段部99の内側面99Sの内径は、基板Pの外径よりも小さい。さらに段部99の上面99Aは、第1周壁部42の上面42Aよりも僅かに低い。このため、第1保持部PH1に保持された基板Pのオーバーハング部H1の一部基板Pの裏面Pbの外周エッジと、段部99の上面99Aの内側エッジとが所定のギャップGを介して対向する。本実施形態においては、ギャップGは1~10μmに設定されている。ギャップGは、第1周壁部42と段部99との間の第2空間33と、第1保持部PH1に保持された基板Pの側面と内側面98との間の空間とを流通する流路を形成している。また、図4に示すように、本実施形態における基板Pには、位置合わせのための切欠部であるノッチ部NTが形成されている。ノッチ部NTにおける基板Pの側面Pcと基板ホルダPHの内側面98上面97との間のギャップも、上述のギャップAとほぼ同じ大きさに設定されるように、基板Pの外形ノッチ部NTの形状に応じて、内側面98上面97の内側エッジの形状が設定されている。具体的には、内側面98上面97の内側エッジには、基板Pのノッチ部NTの形状に対応するように、第1周壁部42に向かって突出する凸部98Nが設けられている。また、第1周壁部42上面42Aには、基板Pに形成されたノッチ部NTの形状に応じた凹部42Nが設けられている。また、段部99上面99Aには、基板Pに形成されたノッチ部NTの形状に応じた凸部99Nが設けられている。第1周壁部42の凹部42Nは、段部99の凸部99Nと対向する位置に設けられており、凹部42Nと凸部99Nとの間には、上述のギャップBとほぼ同じ大きさのギャップが形成されている。これにより、ノッチ部NTを含む基板Pのエッジの全域と内側面98上面97との間に、0.1~1.0mmのギャップAが確保されるとともに、第1周壁部42の外側面42Sと段部99の内側面99Sとの間に、約1.0mmのギャップBが確保される。なおここでは、基板Pの切欠部としてノッチ部NTを例にして説明したが、切欠部が無い場合、あるいは切欠部として基板Pにオリエンテーションフラット部オリフラ部が形成されている場合には、第1周壁部42、段部99、及び内側面98のそれぞれを、基板Pの外形に応じた形状にし、基板Pとその周囲の内側面98上面97との間において所定のギャップAを確保するとともに、第1周壁部42の外側面42Sとその周囲の段部99の内側面99Sとの間において所定のギャップBを確保するようにすればよい。なお、ノッチ部NTなどの基板Pの切欠部が非常に小さい場合には、第1周壁部42、段部99、及び内側面98のそれぞれに、切欠部に応じて、凹部及び/又は凸部を設けなくてもよい。基板ホルダPHは、第1周壁部42の外側面42Sと段部99の内側面99Sとの間に設けられた第1回収口51を備えている。第1回収口51は、液体LQを回収可能であり、段部99の内側面99Sと第1周壁部42の外側面42Sとの間における基材PHBの上面54に設けられている。図5などに示すように、第1回収口51は、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1と対向する位置に設けられている。すなわち、第1回収口51は、基材PHBの上面54において、第1保持部PH1に保持された基板Pのエッジ部よりも内側基板Pの中央部側に設けられている。また、図3などに示すように、第1回収口51は、第1周壁部42の外側であって、第1周壁部42に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、第1回収口51のそれぞれは平面視ほぼ円形状であり、基材PHBの上面54において、第1周壁部42の周方向に沿って7箇所に所定間隔で設けられている。また、第1回収口51は、基板Pのノッチ部NTに応じて形成された第1周壁部42の凹部42Nの内側にも1つ設けられている。図2及び図5に示すように、第1回収口51のそれぞれには、真空系を含む吸引装置50が流路52を介して接続されている。第1回収口51に接続された吸引装置50と、第1空間31を負圧にするための第1真空系40とは互いに独立している。制御装置CONTは、吸引装置50及び第1真空系40それぞれの動作を個別に制御可能であり、吸引装置50による吸引動作と、第1真空系40による吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。基板Pの露光面である表面Paにはフォトレジスト感光材が被覆されている。本実施形態において、感光材はArFエキシマレーザ用の感光材であって、液体LQに対して撥液性を有している。また、基板Pの露光面である表面Paに塗布された感光材の上層にトップコート層と呼ばれる保護層液体から感光材を保護する膜を塗布する場合があるが、このトップコート層を形成するための材料として、例えばフッ素系樹脂材料等の撥液性材料を用いてもよい。また、基板ホルダPHの少なくとも一部には撥液化処理が施されており、基板ホルダPHは、液体LQに対して撥液性を備えている。本実施形態においては、基板ホルダPHの基材PHBうち、第1保持部PH1の第1周壁部42の上面42A及び外側面42S、第1支持部46の上面46Aが撥液性を有している。また、上面97及び内側面98も撥液性を備えている。また、段部99の上面99A及び内側面99Sも撥液性を有している。基板ホルダPHの撥液化処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料などの撥液性材料を被覆する処理が挙げられる。次に、露光装置EXの動作の一例について、図6のフローチャート図及び図7の模式図を参照しながら説明する。まず、図7に示す基板交換位置J2において、露光処理されるべき基板Pが搬送系300によって基板ホルダPHに搬入ロードされるステップSA1。ここで、基板交換位置J2とは、搬送系300の近傍の位置を含み、搬送系300が基板ホルダPHに対して基板Pを搬入ロード及び搬出アンロード可能な位置を含む。基板Pを基板ホルダPHにロードするときには、制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを使って、基板ホルダPHを支持した基板ステージPSTを基板交換位置J2に移動し、搬送系300によって基板Pをロード可能な状態とする。基板ホルダPHに対して基板Pがロードされた後、制御装置CONTは第1空間31を負圧空間にして、基板ホルダPHの第1保持部PH1でロードされた基板Pを保持する。このとき、第1支持部46で支持された基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42とが接触密着している。制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを使って、基板ホルダPHを支持した基板ステージPSTを、露光を行う露光処理位置J1に移動するステップSA2。ここで、露光処理位置J1とは、投影光学系PLの直下の位置を含む。制御装置CONTは、投影光学系PLと基板P基板ホルダPHとを対向させた状態で、液浸機構100を使って液体LQの供給及び回収動作を開始し、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域LRを形成するステップSA3。制御装置CONTは、液浸領域LRを形成することによって、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たした後、照明光学系ILより露光光ELを射出し、投影光学系PL及び液体LQを介して、基板ホルダPHに保持された基板Pに露光光ELを照射することによって、その基板Pを液浸露光するステップSA4。本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向走査方向に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影する走査型露光装置所謂スキャニングステッパである。走査露光時には、液浸領域LRの液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR内に投影され、マスクMが-X方向又はX方向に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域ARに対してX方向又は-X方向に速度βVβは投影倍率で移動する。基板P上には複数のショット領域が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップアンドスキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。基板Pの液浸露光処理が終了した後、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体供給動作を停止する。そして、制御装置CONTは、基板Pを基板ホルダPHに保持した状態で、液体回収機構20を使って、基板P表面及び基板ホルダPHの上面97に残留する液体LQを回収するステップSA5。基板P表面及び基板ホルダPHの上面97に残留する液体LQを回収した後、制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを使って、基板ホルダPHを支持した基板ステージPSTを、基板交換位置J2に移動するステップSA6。そして、基板交換位置J2において、露光処理された後の基板Pが搬送系300によって基板ホルダPHから搬出アンロードされるステップSA7。このように、基板ステージ駆動装置PSTDは、基板Pの露光を行う露光処理位置J1と、露光処理位置J1とは別の基板交換位置J2との間で基板ホルダPH基板ステージPSTを移動可能である。次に、基板ホルダPHの液体回収作用について説明する。上述のステップSA4において、基板Pの表面Paのエッジ領域Egを液浸露光するとき、図5に示すように、投影光学系PLの像面側に形成された液浸領域LRの一部が基板Pの外側に形成される。すなわち、液浸領域LRは基板P及び上面97上に形成される。この状態においては、ギャップAの上に液体LQの液浸領域LRが形成される。その場合、第1保持部PH1で保持された基板Pと上面97内側面98との間のギャップAは、0.1~1.0mmに設定されているので、液体LQの表面張力によって、ギャップAに液体LQが浸入することが抑制されている。また、基板ホルダPHの上面97及び内側面98は撥液性を備えているので、ギャップAを介して第2空間33に液体LQが浸入することが抑制されている。したがって、基板Pのエッジ領域Egを露光する場合にも、上面97により投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。このように、ギャップAを小さくしたり、基板ホルダPHの上面97および内側面98を撥液性にしたりするなどして、ギャップAからの液体LQの浸入を抑制するようにしているが、基板ホルダPHの移動及び/又は液浸領域LRを形成している液体LQの圧力変化などに起因して、基板Pの周囲に形成されているギャップAを介して、基板ホルダPHの凹部96内に液体LQが浸入する可能性がある。ギャップAを介して第2空間33に液体LQが浸入した場合、基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42Aとがほぼ密着しているため、第1周壁部42の内側への液体LQの浸入は防止できるが、図5に示すように、第2空間33に浸入した液体LQは、基板Pの裏面Pbのうち、第1周壁部42よりも外側の領域、すなわち基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1に付着する可能性が高い。あるいは、ギャップAから浸入した液体LQは、第1周壁部42の外側面42S、内側面98、段部99の上面99A、内側面99S、基材PHBの上面54などに付着する可能性が高い。本実施形態において、ギャップAを介して第2空間33に浸入した液体LQは、吸引装置50を駆動することによって回収することができる。吸引装置50が駆動されると、図8の模式図に示すように、第1回収口51の周囲の気体すなわち第2空間33の気体は、第1回収口51に吸引される。すなわち、吸引装置50が第1回収口51を介して、第2空間33の気体を吸引することによって、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1と段部99との間の微小ギャップGには、基板Pの内側へ向かう気体の流れが発生するとともに、段部99の内側面99Sと第1周壁部42の外側面42Sとの間の微小ギャップには、第1回収口51に向かう気体の流れが生成される図8中、矢印y1参照。すなわち、第2空間33には、第1周壁部42にガイドされた気体の流れが生成される。換言すれば、ギャップBの溝状に形成された第2空間33には、第1周壁部42に沿うように、第1回収口51に向かう気体の流れが生成される。この吸引装置50によって生成された第1周壁部42に沿う気体の流れによって、ギャップAを介して第2空間33に浸入した液体LQは、第1回収口51まで移動する。具体的には、ギャップAを介して第2空間33に浸入し、例えば基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1に付着した液体LQ、第1周壁部42の外側面42Sなどに付着した液体LQなどは、第1周壁部42に沿う気体の流れによって第1回収口51まで移動する。そして、第1回収口51まで移動した液体LQは、第1回収口51を介して回収される。このように、第1周壁部42の周囲に約1mmのギャップBを有する第2空間33を形成するとともに、第1周壁部42の周囲に所定の間隔で第1回収口51を複数設けることで、吸引装置50の駆動により、第1周壁部42に沿って流速の大きい気体の流れが生成され、ギャップAから浸入して、第1周壁部42の外側面42S、段部99の内側面99S等に付着している液体LQを第1回収口51へ移動させて、回収することができる。また、凹部96内に段部99を設け、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1と段部99の上面99Aとの間に微小ギャップGを設けているので、吸引装置50の駆動によりギャップGには第2空間33へ向かって流速の大きな気体の流れが発生し、基板Pと内側面98との間、基板Pと段部99との間などに付着している液体LQを速やかに第2空間33へ移動させて、第1回収口51から回収することができる。なお、第2空間33は、ギャップAを介して大気開放されているので、第1回収口51を介して第2空間33の気体を吸引した場合でも、ギャップAを介して第2空間33の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。また、図9の拡大図に示すように、第1周壁部42の外側面42Sの一部に形成された凹部42Nの内側にも第1回収口51Nが設けられているため、ギャップAを介して凹部42N近傍に浸入した液体LQも、第1周壁部42の凹部42Nに向かう気体の流れによって、第1回収口51Nまで移動され、その第1回収口51Nを介して回収される。なお、不図示ではあるが、第1回収口51と真空系を含む吸引装置50との間の流路52の途中には、第1回収口51より回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器が設けられており、吸引装置50に液体LQが流入することを防止している。また、本実施形態においては、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作は、液体LQを介した基板Pの露光終了後、つまり、上述のステップSA4の処理が終了した後に行われる。すなわち、本実施形態においては、液体LQを介した基板Pの露光中には、吸引装置50は停止しており、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作は停止している。露光中に第1回収口51を用いた回収動作を停止することで、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作に起因する振動、基板P表面の平坦度の悪化などを抑えることができる。そして、液体LQを介した露光終了後ステップSA4の後、基板Pを基板ホルダPHに保持した状態で、第1回収口51を用いた回収動作を行うことで、第1回収口51を使って液体LQを円滑に回収することができる。また、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作は、基板Pの露光終了後ステップSA4の後であって、基板Pを基板ホルダPHよりアンロードする前であればいつでもよい。例えば、基板Pの露光終了後、液体回収機構20を用いた基板P上及び基板ホルダPH上の液体LQの回収動作すなわちステップSA5の動作と、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作とを並行して行ってもよい。この場合、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作は、露光処理位置J1において行われる。あるいは、基板Pの露光終了後、基板ホルダPH基板ステージPSTを露光処理位置J1から基板交換位置J2までの移動中に、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作を行うようにしてもよい。すなわち、基板Pの露光終了後、基板ホルダPHの移動動作と、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作とを並行して行うようにしてもよい。露光処理位置J1から基板交換位置J2までの移動中に、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作を行うことで、基板ホルダPHを基板交換位置J2に移動した直後に、露光処理済の基板Pの搬出アンロードを介しすることができる。あるいは、基板Pの露光終了後、基板ホルダPH基板ステージPSTを基板交換位置J2に移動した後、基板Pを基板ホルダPHよりアンロードする前に、基板交換位置J2において、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作を行うようにしてもよい。以上説明したように、第1回収口51を介して第1周壁部42の外側の第2空間33の液体LQを回収するようにしたので、仮にギャップAを介して第2空間33に液体LQが浸入しても、基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42Aとの間を介して第1空間31に液体LQが浸入したり、液体LQが基板Pの裏面Pbオーバーハング部H1に付着したままの状態が放置されたりするなどの不都合を防止できる。したがって、第1空間31に浸入した液体LQが、第1吸引口41を介して第1真空系40に流入して第1真空系40を故障させる等の不都合の発生を防止できる。また、第1回収口51を用いて液体LQを回収することで、第1支持部46の上面41Aと基板Pの裏面Pbとの間に液体LQが浸入して基板Pのフラットネスが劣化したり、基板Pを良好に保持できなくなったり、基板ホルダPHが濡れたままの状態を放置して、基板ホルダPHが錆びたり、液体LQが気化するときの気化熱により基板ホルダPHが熱変形したりするなどの不都合の発生も防止できる。また、第1回収口51を用いて液体LQを回収することで、基板Pの裏面Pbに液体LQが付着したまま搬送系300によって搬送されることが無いので、搬送系300に液体LQが付着したり、搬送経路に液体LQが飛散するなど、被害が拡大することを防止することもできる。特に、第1回収口51を使って、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pbのうち、第1周壁部42よりも外側のオーバーハング部H1に付着している液体LQを回収することで、基板Pを搬出するときに搬送系300が濡れてしまったり、基板Pの裏面Pb側に浸入した液体LQの表面張力の影響により基板Pの裏面Pbと基板ホルダPHの第1周壁部42の上面42Aとが吸着し、基板Pの交換作業を円滑に行うことができなくなったりするといった不都合を防止することができる。また、基板Pの裏面側に、微小なギャップBおよびギャップGを形成するとともに、吸引装置50が第1回収口51を介して吸引することによって、第1回収口51に向かう流速の大きい気体の流れが生成されるため、簡易な構成でギャップAから浸入した液体LQを回収することができる。なお、オーバーハング部H1の大きさは、所望の気体の流れを生成することができ、且つ基板Pのエッジ部における撓み量を許容値以下に抑えることができるように、基板Pの寸法公差、搬送系300による基板Pの基板ホルダPHに対する載置精度などを考慮して適宜設定することができる。また、第2空間33のギャップBは、流速の大きい気流を形成するために、0.5~1.5mmに設定されることが望ましい。また、第1周壁部42に沿う気体の流れによって、第1周壁部42の外側のギャップBの液体LQを第1回収口51まで移動することで、例えば基材PHBの上面54と第1周壁部42の外側面42Sと段部99の内側面99Sとで形成される第2空間33の隅部、角部など図5中、符号K参照に液体LQが付着しても、その隅部Kの液体LQを気体の流れによって第1回収口51まで円滑に移動し、回収することができる。特に本実施形態においては、第1回収口51は、基材PHBの上面54における第1周壁部42近傍に所定間隔で複数の位置に設けられているため、隅部Kに沿った気体の流れを良好に生成することができ、隅部Kに溜まっている液体LQを円滑に回収することができる。また、凹部42Nの内側にも第1回収口51Nを設けたので、凹部42Nの内側に液体LQが溜まることも防止できる。なお、図10に示すように、凹部42Nの近傍ではあるももの、凹部42Nの外側に第1回収口51Nが設けられている場合、吸引装置50が第1回収口51Nを介して気体を吸引しても、凹部42Nの内側には気体の流れが生成されない領域よどみ領域Yが形成される可能性が高いため、凹部42Nの内側に溜まった液体LQを第1回収口51Nまで移動することが困難となる。本実施形態においては、凹部42Nの内側に第1回収口51Nを設けたため、凹部42Nに溜まった液体LQも円滑に回収できる。また、例えば設計上の都合などによって、凹部42Nの内側に第1回収口51Nを設けることが困難な場合には、図11に示すように、凹部42Nの中心位置e1から第1周壁部42の周方向に所定距離αずれた位置に第1回収口51Nを設けてもよい。こうすることにより、第1回収口51Nを凹部42Nの外側に設けた場合でも、凹部42Nの内側に気体の流れを生成できるため、凹部42Nの内側に溜まった液体LQを第1回収口51Nまで移動して回収することができる。なお、凹部42Nの幅をβとした場合、距離αは、α≦β/2の条件を満足することが好ましい。こうすることにより、凹部42Nの内側に気体の流れを生成することができる。<第2の実施形態>次に、第2の実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第1周壁部42の外側に、第1回収口51に向かう気体の流れをガイドする第2周壁部44を設けた点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図12は第2の実施形態に係る基板ホルダPHを上方から見た平面図、図13は第2の実施形態に係る基板ホルダPHの要部拡大断面図である。図12及び図13において、基板ホルダPHは、第1周壁部42の外側に、第1回収口51に向かう気体の流れをガイドする第2周壁部44を備えている。第2周壁部44は平面視においてほぼ環状であり、第1周壁部42を囲むように設けられている。図13に示すように、第2周壁部44の上面44Aと、第1保持部PH1に保持された基板Pの裏面Pbとは対向するように設けられている。そして第2周壁部44の上面44Aは、第1周壁部42の上面42Aよりも僅かに低くなっている。そして、第1空間31を負圧空間にすることによって基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42Aとが接触するとき、基板Pの裏面Pbと第2周壁部44の上面44Aとの間にはわずかなギャップ隙間Cが設けられる。第1周壁部42の上面42Aと基板Pの裏面Pbとが接触することで、第1空間31の気密性が維持されるため、第1保持部PH1による基板Pの吸着保持を良好に行うことができるとともに、第1空間31に液体LQが浸入することを抑制することができる。また、本実施形態においても、第1保持部PH1に保持された基板Pのエッジ部と内側面98上面97との間には0.1~1.0mmのギャップAが形成されている。ギャップCは、第1周壁部42と第2周壁部44との間の第2空間33Aと、その第2空間33Aの外側の空間とを流通する流路を形成している。ここで、第2空間33Aの外側の空間とは、内側面98と第2周壁部44の外側面44Sとの間の第3空間33Bを含む大気空間を含む。第2空間33Aは、第1周壁部42と第2周壁部44と基材PHBの上面54と第1保持部PH1に保持された基板Pとで囲まれた空間であり、ギャップC及びギャップAを介して大気開放されている。第2周壁部44の外側面44Sと内側面98との間には所定のギャップDが形成されている。ギャップDはギャップAより大きく、例えば約2.5mmである。また、環状の第2周壁部44の外径は基板Pの外径よりも小さく形成されている。換言すれば、第2周壁部44は、基板Pのエッジ部よりも内側基板Pの中央部側に設けられている。そして、基板Pのエッジ領域は、第2周壁部44の外側に所定量オーバーハングしてオーバーハング部H1を形成している。図12に示すように、第2周壁部44の一部には、第1周壁部42と第2周壁部44との間の第2空間33Aとその第2空間33Aの外側の空間第3空間33Bを含む大気空間とを流通するためのスリット部53が設けられている。すなわち、第2空間33Aは、スリット部53及び上述のギャップC及びギャップAを介して大気開放されている。スリット部53は、第2周壁部44の周方向における複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、スリット部53のそれぞれは、第2周壁部44の周方向において所定間隔で7箇所に設けられている。図15に示すように、本実施形態におけるスリット部53は、上下方向Z軸方向に延びるように形成され、スリット部53の下端部は基板ホルダPHの基材PHBまで達している。一方、スリット部53の上端部は第2周壁部44の上面44Aまで達している。したがって、本実施形態における第2周壁部44は、平面視円弧状の円弧部材を複数組み合わせて形成されたものであり、それら円弧部材を第1周壁部42に沿って複数設けることにより、全体としてほぼ環状となっている。第1回収口51は、第1周壁部42と第2周壁部44との間における基材PHBの上面54において、第1周壁部42に沿って複数設けられている。第1回収口51のそれぞれは、互いに隣り合うスリット部53どうしの間に設けられている。換言すれば、スリット部53のそれぞれが、互いに隣り合う第1回収口51どうしの間に設けられている。次に、第2の実施形態に係る基板ホルダPHの液体回収作用について説明する。図13に示すように、ギャップAを介して第3空間33Bに浸入した液体LQは、基板Pの裏面Pbのうち、第2周壁部44よりも外側の領域、すなわち基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1に付着する可能性が高い。更に、ギャップAから浸入した液体LQは、ギャップCを介して第2空間33Aに浸入し、第2空間33Aを形成する基板Pの裏面Pb、第1周壁部42の外側面42S、あるいは第1周壁部42と第2周壁部44との間における基材PHBの上面54などに付着する可能性が高い。ギャップAを介して第2空間33Aに浸入した液体LQは、吸引装置50を駆動することによって回収することができる。吸引装置50が駆動されると、図14の模式図に示すように、第1回収口51の周囲の気体第2空間33Aの気体は、第1回収口51に吸引される。すなわち、吸引装置50が第1回収口51を介して、第2空間33Aの気体を吸引することによって、第1回収口51の近傍第2空間33Aには、第1回収口51に向かう気体の流れが生成される図13中、矢印y2参照。ここで、第2周壁部44は、第1周壁部42の外側において第1回収口51に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置50が第1回収口51を介して吸引することによって、第1回収口51に向かう気体の流れを良好に生成することができる。また、第1周壁部42の外側に、約1mmのギャップEを介して第2周壁部44を設けたことにより、第2空間33Aにおいて、流速が大きい気体の流れを生成することができる。したがって、その気体の流れによって、第1周壁部42の外側第2空間33Aの液体LQを、第1回収口51まで円滑に移動して回収することができる。この場合、第2空間33Aの内側の例えば隅部Kに溜まっている液体LQもより確実に回収することができる。なお、第1周壁部42と第2周壁部44との間のギャップEは、流速の大きい気体の流れを生成するために0.5~1.5mmに設定されることが望ましい。なお、第2空間33Aは、ギャップC及びスリット部53及びギャップAを介して大気開放されているので、第1回収口51を介して第2空間33Aの気体を吸引した場合でも、ギャップC及びスリット部53を介して第2空間33Aの外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。また、ギャップCには、第2空間33Aの外側から内側へ向かう気体の流れが生成されるので、基板Pの裏面Pbのうち、第2周壁部44よりも外側のオーバーハング部H1に付着した液体LQは、そのギャップCに生成される気体の流れによって、第2空間33Aに引き込まれ、第1回収口51まで移動して回収される。すなわち、基板Pの裏面Pbとの間にギャップCを形成する第2周壁部44を設けたことによって、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1に付着した液体LQも、より確実に第1回収口51を使って回収することができる。本実施形態においては、ギャップCは1~10μmに設定されているが、その大きさは、第1回収口51を介した吸引力、液体LQの粘度などに応じて最適化されることが望ましい。ギャップCを、第1回収口51を介した吸引力、液体LQの粘度などに応じて最適化することにより、ギャップCにおける気体の流れの流速を十分に高めて、オーバーハング部H1に付着している液体LQを第2空間33Aに引き込んで、第1回収口51を使って良好に回収することができる。本実施形態における第1回収口51を使った液体LQの回収動作は、上述の第1の実施形態同様、基板Pの露光中には停止され、基板Pの露光を行っていないときに実行される。以上説明したように、第1周壁部42の外側に第2周壁部44を設けたので、第1回収口51に向かう気体の流れをガイドし、所望の気体の流れを生成し、その生成された気体の流れによって液体LQを第1回収口51まで良好に移動して回収することができる。図16は、第2周壁部44のスリット部53近傍におけるXY平面に沿った断面図である。図16に示すように、スリット部53のエッジはほぼ直角に形成されているが、図17に示すように、第2空間33Aから第3空間33Bに向かって漸次窄まるテーパ状であってもよい。あるいは、図18に示すように、スリット部53のエッジは円弧状であってもよい。また、上述の実施形態においては、第2周壁部44は、第2空間33Aとその外側の空間とを流通する流路としてスリット部53を備えているが、図19に示すように、第2周壁部44の一部に孔貫通孔55を設けてもよい。また、図19に示す例では、孔55はほぼ円形状であるが、矩形状、あるいはその他の形状であってもよい。すなわち、第1周壁部42に沿う気体の流れを生成可能なように、第2空間33Aの外側の空間から気体を流入させることができれば第2空間33Aを大気開放することができれば、流路の形状及び/又は流路の位置は任意に設定可能である。なお、第1周壁部42に沿ってスムースな気体の流れを生成するためにスリット部53及び/又は孔55が形成されていることが望ましいが、それらを設けずに、ギャップCからの気体に流入によって、第1周壁部42に沿った気体の流れを生成することもできる。また、第2実施形態において、図20に示すように、第2周壁部44の更に外側に、第1回収口51と同等の機能を有する第2回収口57を設けるようにしてもよい。例えば、第1周壁部42と第2周壁部44との間における基材PHBの上面56に第2回収口57を設けることができる。第2回収口57には流路52’を介して吸引装置50’が接続されている。こうすることにより、第3空間33Bの上面56などに溜まった液体LQを第2回収口57を介して回収することができる。なお、第2回収口57を使った液体LQの回収動作は、第1回収口51を使った液体LQの回収動作同様、基板Pの露光中には停止され、基板Pの露光を行っていないときに実行される。なお、吸引装置50と吸引装置50’とを同時に動作させる場合には、ギャップCに生成される気体の流速を低下させないように、吸引装置50’は、吸引装置50よりも弱い吸引力で動作させることが望ましい。あるいは、吸引装置50を動作させて、基板Pの裏面Pbのオーバーハング部H1に付着した液体LQ及び/又は第2空間33A内に浸入、付着した液体LQを回収した後に、吸引装置50’を動作させて、第3空間33Bに浸入、付着した液体LQを回収するようにしてもよい。<第3の実施形態>次に、図21~図24を参照しながら第3の実施形態について説明する。図21は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHの側断面図、図22は基板ホルダPHの一部を上方から見た平面図、図23は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHを上方から見た平面図、図24は図22の要部拡大図である。本実施形態の基板ホルダPHは、基材PHBと、基材PHBに形成され、基板Pを吸着保持する第1保持部PH1と、基材PHBに形成され、第1保持部PH1で吸着保持された基板Pの周囲を囲むようにプレート部材Tを吸着保持する第2保持部PH2とを備えている。プレート部材Tは、基材PHBとは別の部材であって、第2保持部PH2に対して脱着交換可能に設けられている。また、図23に示すように、プレート部材Tは略環状部材であって、その中央部には、基板Pを配置可能な略円形状の開口THが形成されている。そして、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲を囲むように配置される。また、プレート部材Tの外形は基材PHBの形状に沿うように平面視矩形状に形成されている。図21において、プレート部材Tの表面Ta及び裏面Tbのそれぞれは平坦面平坦部となっている。また、プレート部材Tは基板Pとほぼ同じ厚さである。そして、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの表面平坦面Taと、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面Paとはほぼ面一となる。すなわち、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲に、その基板Pの表面Paとほぼ面一の平坦面Taを形成する。なお、投影光学系PLの像面側の光路空間K1を液体LQで満たし続けることができるならば、第1保持部PH1に保持された基板P表面と第2保持部PH2に保持されたプレート部材T表面との間に段差があっても構わない。上述の第2実施形態と同様に、基板ホルダPHの第1保持部PH1は、基材PHB上に形成された第1支持部46と、第1支持部46の周囲を囲むように基材PHB上に形成された環状の第1周壁部42と、第1周壁部42の内側の基材PHB上に設けられた第1吸引口41とを備えている。また、第1周壁部42の外側には、第2周壁部44が設けられている。本実施形態における第2周壁部44の上面44Aの幅は、上述の第2の実施形態に比べて大きく幅広に形成されている。上述の第2実施形態同様、第2周壁部44の周方向における複数の所定位置のそれぞれにはスリット部53が設けられている。また、上述の実施形態同様、第1回収口51は、第1周壁部42に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。そして、スリット部53のそれぞれが、互いに隣り合う第1回収口51どうしの間に設けられている。基板ホルダPHの第2保持部PH2は、第2周壁部44を囲むように基材PHB上に形成された略円環状の第3周壁部62と、第3周壁部62の外側に設けられ、第3周壁部62を囲むように基材PHB上に形成された環状の第4周壁部63と、第3周壁部62と第4周壁部63との間の基材PHB上に形成された凸状の第2支持部66とを備えている。第2支持部66は、プレート部材Tの裏面Tbを支持するものであって、第3周壁部62と第4周壁部63との間において複数一様に形成されている。本実施形態においては、第2支持部66も、第1支持部46同様、複数の支持ピンを含む。第3周壁部62は第1空間31に対して第2周壁部44の外側に設けられており、第4周壁部63は第3周壁部62の更に外側に設けられている。また、第3周壁部62は、プレート部材Tの開口THの形状に応じて略円環状に形成されている。一方、第4周壁部63は、プレート部材Tの外形に応じて略矩形環状に形成されている。第3周壁部62の上面62Aは、プレート部材Tの裏面Tbのうち、開口TH近傍の内縁領域内側のエッジ領域に対向するように形成されている。第4周壁部63の上面63Aは、プレート部材Tの裏面Tbのうち、外縁領域外側のエッジ領域に対向するように形成されている。第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの裏面Tb側には、基材PHBと第3、第4周壁部62、63とプレート部材Tの裏面Tbとで囲まれた第4空間32が形成される。第3周壁部62と第4周壁部63との間における基材PHB上には第2吸引口61が形成されている。第2吸引口61はプレート部材Tを吸着保持するためのものであって、第3周壁部62と第4周壁部63との間において、基材PHBの上面のうち第2支持部66以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。本実施形態においては、第2吸引口61は第3周壁部62と第4周壁部63との間において複数一様に配置されている。第2吸引口61のそれぞれは、流路65を介して第2真空系60に接続されている。第2真空系60は、基材PHBと第3、第4周壁部62、63とプレート部材Tの裏面Tbとで囲まれた第4空間32を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述したように、第2支持部66は支持ピンを含み、本実施形態における第2保持部PH2も、第1保持部PH1同様、所謂ピンチャック機構の一部を構成している。第3、第4周壁部62、63は、第2支持部66を含む第4空間32の外側を囲む外壁部として機能しており、制御装置CONTは、第2真空系60を駆動し、基材PHBと第3、第4周壁部62、63とプレート部材Tとで囲まれた第4空間32内部のガス空気を吸引してこの第4空間32を負圧にすることによって、プレート部材Tを第2支持部66で吸着保持する。第1空間31を負圧にするための第1真空系40と、第4空間32を負圧にするための第2真空系60とは互いに独立している。制御装置CONTは、第1真空系40及び第2真空系60それぞれの動作を個別に制御可能であり、第1真空系40による第1空間31に対する吸引動作と、第2真空系60よる第4空間32に対する吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。また、制御装置CONTは、第1真空系40と第2真空系60とをそれぞれ制御し、第1空間31の圧力と第4空間32の圧力とを互いに異ならせることもできる。図24に示すように、第1保持部PH1に保持された基板Pの外側のエッジ部側面Pcと、その基板Pの周囲に設けられたプレート部材Tの内側開口TH側のエッジ側面Tcとの間には、0.1~1.0mmのギャップ隙間Aが形成されている。また、図23に示すように、ノッチ部NTにおける基板Pとプレート部材Tとの間にも、ギャップAと同程度のギャップが形成されるように、基板Pの外形ノッチ部NTの形状に応じて、プレート部材Tの形状が設定されている。具体的には、プレート部材Tには、基板Pのノッチ部NTの形状に対応するように、開口THの内側に向かって突出する突起部150が設けられている。これにより、ノッチ部NTを含む基板Pのエッジ部の全域とプレート部材Tとの間に、0.1~1.0mmのギャップAが確保されている。なお、ノッチ部NTが非常に小さい場合には、プレート部材Tに突起部150を設けなくてもよい。図24に示すように、基板Pの裏面Pbと第2周壁部44の上面44Aの一部の領域とが対向するとともに、プレート部材Tの裏面Tbと第2周壁部44の上面44Aの他の領域とが対向するようになっている。すなわち、基板Pとプレート部材Tとの間に形成されるギャップAの直下に、第2周壁部44の上面44Aが配置される。また、基板Pの裏面Pbと第2周壁部44の上面44Aとの間には所定のギャップCが形成されるとともに、プレート部材Tの裏面Tbと第2周壁部44の上面44Aとの間には所定のギャップ隙間Fが形成される。また、第2周壁部44の更に外側には、第1回収口51と同等の機能を有する第2回収口57が設けられている。第2回収口57には流路52’を介して吸引装置50’が接続されており、吸引装置50’が第2回収口57を介して吸引することによって、第2回収口57に向かう気体の流れを生成する。第2回収口57に向かう気体は、第2周壁部44の外側面44ASに沿うように流れ、第2周壁部44の外側の液体LQを第2回収口57まで移動して回収する。第2回収口57は、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの裏面Tb側の第5空間34に設けられている。第2保持部PH2は、プレート部材Tの裏面Tb側に第5空間34が形成されるように、プレート部材Tを保持しており、第2回収口57は、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの裏面Tb側に設けられている。本実施形態においては、第2回収口57は、第2周壁部44の外側面44Sと、第3周壁部62の内側面62Tとの間における基材PHBの上面58に設けられている。第2保持部PH2の環状の第3周壁部62の内径は、プレート部材Tの開口THの径よりも大きく、プレート部材Tの開口TH近傍の内縁領域は第3周壁部62よりも内側基板P側に所定量オーバーハングしてオーバーハング部H2を形成している。第2回収口57は、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの裏面Tbのオーバーハング部H2と対向する位置に設けられている。第2回収口57は、第2周壁部44と第3周壁部62との間における基材PHBの上面58において、第2周壁部44の外側面44S近傍の所定位置に設けられている。また、第2回収口57は、第2周壁部44に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。第2回収口57のそれぞれは、互いに隣り合うスリット部53どうしの間に設けられている。第5空間34は、ギャップA及びギャップFを介して大気開放されており、ギャップF及び第5空間34に円滑に気体の流れを生成することができる。本実施形態においては、ギャップFへの液体LQの吸引力が、ギャップCへの液体LQの吸引力よりも大きくなるようにギャップC、ギャップF、第1回収口51を介した吸引力、及び第2回収口57を介した吸引力が設定されている。ここで、第1回収口51に接続する吸引装置50と第2回収口57に接続する吸引装置50’とは互いに独立している。制御装置CONTは、吸引装置50、50’それぞれの動作を個別に制御可能であり、吸引装置50による第1回収口51を介した吸引動作と、吸引装置50’による第2回収口57を介した吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。また、制御装置CONTは、吸引装置50と吸引装置50’とをそれぞれ制御し、第1回収口51を介した吸引力と第2回収口57を介した吸引力とを互いに異ならせることもできる。図21に戻って、第4周壁部63の上面63Aは平坦面であって、第4周壁部63は、第2支持部66よりも僅かに低い。そして、第4周壁部63の上面63Aとプレート部材Tの下面Tbとの間には所定のギャップが形成されている。また、プレート部材Tは、第4周壁部63の外形よりも大きく形成されており、プレート部材Tの外縁領域は第4周壁部63の外側に所定量オーバーハングしている。プレート部材T上の液体LQがプレート部材Tの外側に流出した場合、基板ホルダPHの側面に設けられている移動鏡93に付着するおそれがあるが、プレート部材Tが第4周壁部63の外側に、ひいては移動鏡93の外側にオーバーハングしているので、プレート部材Tの外側に流出した液体LQが移動鏡93に付着することが防止されている。また、プレート部材Tと第4周壁部63の上面63Aとの間にはギャップが形成されているため、第2真空系60によって第4空間32を負圧にすることで、第4空間32の外側から内側に向かうギャップを介した気体の流れが生成される。したがって、プレート部材Tの外側に流出した液体LQは、移動鏡93を含む基板ホルダPHの側面に流れる前に付着する前に、ギャップを介して第4空間32に引き込まれる。したがって、移動鏡93に液体LQが付着する不都合を更に確実に防止することができる。プレート部材Tの表面Ta、裏面Tb、及び側面Tcのそれぞれには、液体LQに対して撥液性を有する撥液性材料が被覆されている。撥液性材料としては、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料等が挙げられる。あるいは、プレート部材Tを石英によって形成した場合には、そのプレート部材Tに旭硝子社製サイトップを被覆することができる。なお、プレート部材Tを撥液性にするために、プレート部材T自体を撥液性材料フッ素系の材料などで形成してもよい。また、第2保持部PH2の第3周壁部62の上面62A及び内側面62T、第2支持部66の上面66Aも撥液性を有している。基板ホルダPHの撥液化処理としては、上述したようなフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、トップコート層形成用材料等を被覆する処理が挙げられる。また、第3周壁部62は、第2支持部66とほぼ同じ高さ、あるいは僅かに低くなっており、第2支持部66にプレート部材Tを保持した状態で、プレート部材Tの裏面Tbと第3周壁部62の上面62Aとがほぼ密着する。次に、第3の実施形態に係る基板ホルダPHの液体回収作用について説明する。基板Pとプレート部材Tとの間のギャップAを介して液体LQが浸入した場合、その浸入した液体LQは、図24に示すように、ギャップCを介して第2空間33に流入する可能性があるとともに、ギャップFを介して第5空間34に浸入する可能性がある。ギャップAを介して第2空間33及び第5空間34の少なくともいずれか一方に浸入した液体LQは、吸引装置50及び吸引装置50’の少なくともいずれか一方を駆動することによって回収することができる。例えば、吸引装置50が駆動されることにより、第1回収口51の近傍第2空間33には、第1周壁部42に沿って第1回収口51に向かう気体の流れが生成され、この気体の流れによって、液体LQを第1回収口51を介して回収することができる。ここで、第2周壁部44は、第2の実施形態と同様に、第1周壁部42の外側において第1回収口51に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置50が第1回収口51を介して吸引することによって、第1回収口51に向かう気体の流れを良好に生成することができる。また、ギャップC及び第2周壁部44に形成されたスリット部53は、第2空間33とその外側の空間大気空間とを流通している。すなわち、第2空間33は、ギャップC及びスリット部53及びギャップAを介して大気開放されているので、第1回収口51を介して第2空間33の気体を吸引した場合でも、ギャップC、スリット部53及びギャップAを介して第2空間33の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。また、ギャップCには、第2の実施形態と同様に、第2空間33の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップCに留まっている液体LQは、その気体の流れによって、第2空間33に引き込まれ、第1回収口51まで円滑に移動して回収される。一方、吸引装置50’が駆動されることにより、第2回収口57の近傍第5空間34には、第2回収口57に向かう気体の流れが生成され、この気体の流れによって、液体LQを第2回収口57を介して回収することができる。このとき、第2周壁部44は、第2周壁部44の外側において第2回収口57に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置50’が第2回収口57を介して吸引することによって、第2回収口57に向かう気体の流れを良好に生成することができる。すなわち、第2周壁部44と第3周壁部62との間には、約1mmに設定されたギャップJの第5空間34が形成されており、吸引装置50’が第2回収口57を介して吸引することによって、溝状の第5空間34に第2回収口57に向かう流速な大きい気体の流れを生成することができる。なお、ギャップJはギャップBと同様に、流速の大きい気体の流れを生成するために0.5~1.5mm程度に設定することが望ましい。なお、第5空間34は、ギャップF及びスリット部53及びギャップAを介して大気開放されているので、第2回収口57を介して第5空間34の気体を吸引した場合でも、ギャップF、スリット部53、及び/又はギャップAを介して第5空間34の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。また、ギャップFは、ギャップCと同様に1~10mmに設定され、ギャップFには、第5空間34の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップFに留まっている液体LQは、その気体の流れによって、第5空間34に引き込まれ、第2回収口57まで円滑に移動して回収される。このように、第1回収口51及び第2回収口57は、基板Pとプレート部材Tとの間のギャップAから浸入した液体LQを回収することができる。そして、第2周壁部44は、第1回収口51に向かう気体の流れをガイドする機能と、第2回収口57に向かう気体の流れをガイドする機能とのそれぞれを有しているので、所望の気体の流れを生成することができる。第1回収口51及び第2回収口57を使った液体LQの回収動作は、上述の実施形態同様、基板Pの露光中には停止され、基板Pの露光を行っていないときに実行される。制御装置CONTは、基板Pの露光終了後、ギャップAから浸入した液体LQを回収するとき、吸引装置50及び吸引装置50’のそれぞれを駆動し、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作と、第2回収口57を用いた液体LQの回収動作とを並行して行うことができる。あるいは、制御装置CONTは、基板Pの露光終了後、ギャップAから浸入した液体LQを回収するとき、まず、吸引装置50’を駆動して、第2回収口57を用いた液体LQの回収動作を行った後、吸引装置50を駆動して、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作を行うこともできる。あるいは、制御装置CONTは、第1回収口51を用いた液体LQの回収動作を行った後、第2回収口57を用いた液体LQの回収動作を行うこともできる。本実施形態においては、ギャップFへの液体LQの吸引力が、ギャップCへの液体LQの吸引力よりも大きくなるようにギャップC、ギャップF、第1回収口51を介した吸引力、及び第2回収口57を介した吸引力が設定されている。したがって、ギャップAから浸入した液体LQをプレート部材Tの裏面Tb側に円滑に引き込むことができるので、ギャップAから浸入した液体LQが基板Pの裏面Pb側に回り込む不都合を防止することができる。なお上述のように、基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42Aとは接触密着しているため、ギャップAから浸入した液体LQが、基板Pの裏面Pbと第1周壁部42の上面42Aとの間を介して第1空間31に浸入することが防止されている。なお、第3の実施形態においても、第2周壁部44のスリット部53を省略して、ギャップC及びギャップFから流入した気体によって、第2周壁部44及び第3周壁部62に沿った気体の流れを生成するようにしてもよい。<その他の実施形態>なお、上述の第1~第3の各実施形態においては、吸引装置50が第1回収口51を介して気体を吸引することで、第1回収口51に向かう気体の流れを生成しているが、例えば、第1周壁部42の外側面42Sに沿った気体の流れを生成可能な気体吹出口を有する気体供給装置を設け、気体吹出口より吹き出した気体によって、第1回収口51に向かう気体の流れを生成するようにしてもよい。同様に、第2回収口に向かう気体の流れを、気体吹出口より吹き出した気体によって生成してもよい。なお、第1回収口51の位置及び/又は数は上述の例に限定されない。例えば、上述の第1~第3の各実施形態においては、第1回収口51は、第1周壁部42の外側における基材PHBの上面54に設けられているが、第1周壁部42の外側面42Sの一部に設けてもよい。また、上述の第1~第3の各実施形態においては、第1回収口51は第1周壁部42近傍に設けられているが、第1周壁部42から離れた位置に設けられていてもよい。第1回収口51を第1周壁部42から離れた位置に設けた場合であっても、基板Pのオーバーハング部H1に対向している位置であれば、第1回収口51を使って液体LQを回収することができる。なお、上述の第1~第3の各実施形態においては、第1回収口51は、第1周壁部42に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられているが、第1回収口51は1つであってもよい。なお、上述の第1~第3の実施形態においては、例えば図9に示すように、基板Pに形成されたノッチ部NTに合わせて第1周壁部42に凹部42Nが形成され、その凹部42Nの内側に第1回収口51Nを形成しているが、第1周壁部42の複数箇所に所定の間隔で凹部42Nを設け、第1回収口51の全て、あるいは一部を凹部42Nの内側にそれぞれ配置してもよい。この場合、第1回収口51を一箇所しか設けない場合には、基板Pに形成されたノッチ部NTに合わせて第1周壁部42に形成された凹部42Nの内側の第1回収口51Nだけを残せばよい。なお、上述の第1~第3の各実施形態においては、基板Pの吸着保持にはピンチャック機構を採用しているが、その他のチャック機構を採用してもよい。同様に、第3の実施形態において、プレート部材Tの吸着保持にはピンチャック機構を採用しているが、その他のチャック機構を採用してもよい。また、基板P及びプレート部材Tの双方の吸着保持に真空吸着機構を採用してもよいし、少なくとも一方を静電吸着機構などの他の機構を用いて保持するようにしてもよい。また、上述の各実施形態においては、第1周壁部42の上面42の高さを、第1支持部46の上面46Aより低くしているが、第1周壁部42の上面42の高さと第1支持部46の上面46Aとが同じであってもよい。この場合、第1支持部46の上面46Aと基板Pの裏面Pbとがより密着して第1空間31への液体LQの浸入をより確実に抑えることができる。また、上述の第3実施形態において、第3周壁部62の上面62Aの高さを第2支持部66の上面66Aの高さよりも低くしているが、第3周壁部62の高さと第2支持部66の上面66Aの高さとが同じであってもよい。この場合、第3周壁部62の上面62Aと基板Pの裏面Pbとがより密着して、第4空間32への液体LQの浸入を抑制することができる。上述したように、本実施形態における液体LQは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジスト、光学素子レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水水の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、液体LQは純粋に限定されず、例えば屈折率が1.6~2.0の高屈折率液体を用いてもよい。本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子LS1が取り付けられており、この光学素子LS1により投影光学系PLの光学特性、例えば収差球面収差、コマ収差等の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテルPFPEあるいはフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PL及び/又は基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの例えばセダー油を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクレチクルを用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にラインアンドスペースパターンを形成する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報、特表2000-505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。更に、特開平11-135400号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサなどを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6-124873号公報、特開平10-303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCDあるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。基板ステージPST及び/又はマスクステージMSTにリニアモータUSP5623853またはUSP5528118参照を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-166475号公報USP5528118に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8-330224号公報USP5874820に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床大地に逃がしてもよい。本実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図25に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含むステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む205、検査ステップ206等を経て製造される。"