ベース板と、前記ベース板の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子と、前記ベース板の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の他方の主面にその一方の主面が固着された金属層と、前記金属層の他方の主面が露出するように前記ベース板、前記パワー半導体素子及び前記絶縁樹脂層を被覆して筐体を形成する樹脂筐体とを有するパワーモジュールと、一主面に少なくとも1つの凸状段差部が形成され、前記凸状段差部の少なくとも上面において前記金属層の露出面に半田により接合される冷却器と、を備えた半導体装置であって、前記凸状段差部の上面の面積が前記金属層の他方の主面の面積より小さいことを特徴とする半導体装置。前記冷却器の凸状段差部以外の部分は前記半田に対して濡れにくい材料で構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記冷却器の凸状段差部の上面及び側面は前記半田に対して濡れ性の良い材料で表面処理されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。前記冷却器の凸状段差部の側面は傾斜を有していることを特徴とする請求項2及び請求項3のいずれかに記載の半導体装置。前記凸状段差部は前記冷却器の一主面に複数個形成され、前記複数個の凸状段差部は連接部により連接され、前記複数個の凸状段差部にはそれぞれ前記パワーモジュールが接合されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。このような固定方法によれば、半田が金属層の全面にいきわたるため、金属層の周辺においては、半田からの引っ張り応力により、金属層及び金属層に接合された絶縁樹脂層が周辺部においてベース板より剥離する恐れがあった。絶縁樹脂層がベース板より剥離すると、ベース板と金属層との間の電気的絶縁が不十分となるだけでなく、ベース板と金属層との間の熱抵抗が増大し、半導体装置の絶縁性能及び冷却性能を低下させる、という課題があった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得ることを目的としている。上記課題を解決するため、この発明に係る半導体装置では、ベース板と、前記ベース板の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子と、前記ベース板の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の他方の主面にその一方の主面が固着された金属層と、前記金属層の他方の主面が露出するように前記ベース板、前記パワー半導体素子及び前記絶縁樹脂層を被覆して筐体を形成する樹脂筐体とを有するパワーモジュールと、一主面に少なくとも1つの凸状段差部が形成され、前記凸状段差部の少なくとも上面において前記金属層の露出面に半田により接合される冷却器とを備えた半導体装置であって、前記凸状段差部の上面の面積が前記金属層の他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。上記のような構成としたため、本発明に係る半導体装置は、パワーモジュールに冷却器を半田接合した場合においても、半田からの引っ張り応力により、金属層及び金属層に接合された絶縁樹脂層が周辺部においてベース板より剥離することを防止でき、高い絶縁性能及び冷却性能を有するという効果を奏する。<実施の形態1>図1は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の一実施例の構造を模式的に示す平面図a及びそのA-A断面図bである。パワーモジュール1の冷却面には、パワーモジュール1を冷却するための冷却器7が半田8により接合されており、半田8の厚みを制御するために、アルミニウム等の金属からなるスペーサ9が半田8中に埋め込まれている。まず、パワーモジュール1の構成について説明する。パワーモジュール1は、ベース板2、パワー半導体素子3、絶縁シート4、樹脂筐体5、外部端子6及び図示省略している他の要素から構成されている。ベース板2の一方の主面上には、パワー半導体素子3が半田図示省略により固着されている。ベース板2の他方の主面上には、絶縁樹脂層4aと金属層4bとの積層構造体複合体からなる絶縁シート4が配置され、ベース板2の他方の主面に絶縁樹脂層4aの一方の主面が固着されている。絶縁シート4は絶縁樹脂層4aの他方の主面と金属層4bの一方の主面が固着されて構成されている。更に、モールド樹脂が、金属層4bの他方の主面が露出するように、ベース板2、パワー半導体素子3、絶縁樹脂層4aを被覆してパワーモジュール1の樹脂筐体5を形成している。樹脂筐体5からは外部回路への電気的接続のための複数の外部端子6が出ている。露出している金属層4bの他方の主面は、パワーモジュール1の冷却面となっている。ベース板2は、例えば銅のような熱伝導性の良好な金属から構成されている。パワー半導体素子3は、例えばシリコン又は炭化シリコンのような半導体材料からなるIGBT又はパワーMOSFETである。絶縁樹脂層4aは、例えば窒化ホウ素粉末のフィラーが質量百分率50の割合でその中に含まれているエポキシ樹脂であり、その厚みは100μm~500μmの範囲内の値に設定されている。金属層4bは、例えば厚み約100μmの銅箔である。モールド樹脂は、例えばシリカのフィラーが質量百分率70程度の割合でその中に含まれているエポキシ樹脂である。次に、冷却器7の構成について説明する。冷却器7は、基体部7a、凸状段差部7b及びパイプ7cから構成されている。基体部7aは複数のアルミニウムブレージングシートを積層し、中空に成型されている。基体部7aの一方の端と他方の端には、冷媒を導入又は排出するためのパイプ7cが設けられており、冷媒は一方のパイプ7cから基体部7aの中空部分に導入され、他方のパイプ7cから排出されるようになっている。ここでアルミニウムブレージングシートとしては、A3003としてJISに記載されているAl-Mn系合金Al-10~15wtMnを芯材とし、該芯材の両側の面にAl-Si系合金Al-75wtSi又はAl-Si系合金Al-60wtSiをろう材としてクラッドしたものを用いている。代表的なアルミニウムブレージングシートの厚みは0.3~0.6mmで、ろう材クラッド率は表裏併せて5である。それぞれ適切な形状に加工された複数のアルミニウムブレージングシートを、クラッド材であるろう材により相互に接合することにより、所望の形状の基体部7aが得られる。冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面には平面視形状が四角形の凸状段差部7bが設けられており、この凸状段差部7bを介して冷却器7とパワーモジュール1とが半田8により接合されている。半田はペースト材又は板材で供給でき、ペースト材の場合は冷却器7側に印刷する。このようにすることにより、半田濡れ不足、空孔等の半田付け不良を低減できる。凸状段差部7bのパワーモジュール1と接合する面、すなわち凸状段差部7bの上面の面積は、金属層4bの他方の主面の面積より小さくなるように設定されており、凸状段差部7bの上面が金属層4bの他方の主面に包含されるように、凸状段差部7bの上面と金属層4bの他方の主面は接合されている。凸状段差部7bは、基体部7aと同様に、所望の形状に加工されたアルミニウムブレージングシートを冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面に接合することにより形成されている。このような形成方法であれば、積層型の冷却器の製造工程において、基体部7aと同時に形成することができ、製造工程が簡略化できる。このようなアルミニウムブレージングシートは半田の濡れにくい材料であるので、凸状段差部7bの上面は、半田8が十分にいきわたるように、ニッケルめっきのような表面処理が施されている。凸状段差部7bは、それ自体をニッケルのような半田に対して濡れ性の良い材料で構成することも可能であるが、基体部7aへの接合の容易さ及び基体部7aへの接合に伴う線膨張係数の相違による冷却器7の反りの影響を考慮すると、本実施例のように基体部7aと同じ材料で構成し、表面処理を施す方が望ましい。また、本実施例においては、凸状段差部7bの上面だけでなく、凸状段差部7bの側面にもニッケルめっきのような表面処理が施されている。但し、冷却器7の基体部7aの表面にはニッケルめっきのような表面処理は施されていない。このようにすることにより半田8は、その周辺に厚いフィレットを形成している。すなわち、図1bに示されるように、半田8は凸状段差部7bの上面だけでなく、凸状段差部7bの断面視した場合の角部以下断面角部と称するを覆って、凸状段差部7bの側面まで拡がっており、半田8の周辺部分は厚みが大きくなっている。但し、基体部7aの表面は表面処理されず、半田の濡れにくい材料であるアルミニウムブレージングシートが剥き出しのままになっているので、半田8の拡がりは基体部7aの表面には至っていない。図1aに示されているように、凸状段差部7bを平面視した場合の4つの角部以下平面角部と称するは所定の半径Rで丸み付けされている。平面角部における半田8の応力集中を緩和するためである。本実施例によれば、冷却器7の凸状段差部7bの上面の面積をパワーモジュール1の金属層4bの他方の主面の面積より小さくなるように設定したことにより、半田8が金属層4bの周辺まで拡がらず、半田8からの引っ張り応力による周辺における絶縁シート4のベース板2からの剥離を防止できる。本実施例によれば、さらに冷却器7の凸状段差部7b以外の部分、すなわち基体部7aをアルミニウムブレージングシートのような半田の濡れにくい材料で構成したため、半田8の拡がりが更に抑制され、半田8からの引っ張り応力による周辺における絶縁シート4のベース板2からの剥離を防止できる。加えて本実施例によれば、さらに冷却器7の凸状段差部7bの上面及び側面は、ニッケルのような半田に対して濡れ性の良い材料で表面処理が施されているので、パワーモジュール1の金属層4bと冷却器7の凸状段差部7bとの接合面に半田8が十分にいきわたるだけでなく、半田8が凸状段差部7bの断面角部を覆って凸状段差部7bの側面まで拡がり、半田8の周辺部分は厚みが大きくなっている。これにより温度サイクルによる半田クラックの進行が抑制されると共に、周辺における半田8からの引っ張り応力が軽減され、周辺における絶縁シート4のベース板2からの剥離が防止される。図2は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の一変形例の構造を模式的に示す平面図a及びそのB-B断面図bである。図1に示された半導体装置との相違点は、凸状段差部7bの側面が傾斜を有している点で、その他の点は図1と同様の構成であるので説明を省略する。本変形例では、凸状段差部7bは、側面に傾斜付けを施した所望の形状のアルミニウムブレージングシートを冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面に接合することにより形成され、半田8の周辺部分の厚みが大きくなっている。このような側面に傾斜付けを施した構造は、アルミニウムブレージングシートを例えばエッチングにより所望の形状に形成する際に、サイドエッチング部分として同時に形成することができる。凸状段差部7bの上面及び側面は、同様にニッケルめっきのような表面処理が施されている。本変形例によれば、凸状段差部7bの側面に傾斜を設けたことにより、半田8の周辺部分は厚みが大きくすることが可能となるため、温度サイクルによる半田クラックの進行が更に抑制されると共に、周辺における半田8からの引っ張り応力が更に軽減され、周辺における絶縁シート4のベース板2からの剥離が防止される。図3は本発明の実施の形態1に係る半導体装置の他の変形例の構造を模式的に示す平面図a及びそのC-C断面図bである。図1に示された半導体装置との相違点は、凸状段差部7bの断面角部に丸みを設けた点で、その他の点は図1と同様の構成であるので説明を省略する。本変形例においても、図2の変形例と同様に半田8の周辺部分の厚みが大きくなっている。本変形例では、凸状段差部7bは、プレス加工により所望の形状に成形されたアルミニウムブレージングシートを冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面に接合することにより形成され、プレス加工時のダレが断面角部の丸みとなっている。凸状段差部7bの上面及び側面は、同様にニッケルめっきのような表面処理が施されている。本変形例によれば、凸状段差部7bの断面角部に丸みを設けたことにより、上述の変形例の効果に加えて、凸状段差部7bの断面角部を起点とした半田クラックの発生も抑制できる。<実施の形態2>実施の形態1においては、単一のパワーモジュールを冷却器に接合して構成される半導体装置について述べたが、複数のパワーモジュールを互いに結線して、単一の冷却器に接合する場合もあり、このような半導体装置について実施の形態2において説明する。図4は本発明の実施の形態2に係る半導体装置の一実施例の冷却器7を模式的に示す平面図a、冷却器7に複数本実施例の場合は6個のパワーモジュール1を接合して構成された半導体装置を模式的に示す平面図b及びその正面図cである。但し、結線は図示を省略している。パワーモジュール1の構成は、実施の形態1と同様なので、説明を省略する。図4において冷却器7は、基体部7a、凸状段差部7b及びパイプ7cから構成されている。基体部7aは複数のアルミニウムブレージングシートを積層し、中空に成型されている。基体部7aの一方の端と他方の端には、冷媒を導入又は排出するためのパイプ7cが設けられており、冷媒は一方のパイプ7cから基体部7aの中空部分に導入され、他方のパイプ7cから排出されるようになっている。図4からわかるように、冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面には、各パワーモジュール1に対応してそれぞれ平面視形状が四角形の凸状段差部7bが設けられており、この凸状段差部7bを介して冷却器7と複数本実施例の場合は6個のパワーモジュール1とが半田図示省略したにより接合されている。各凸状段差部7bのパワーモジュール1と接合する面、すなわち凸状段差部7bの上面の面積は、実施の形態1の場合と同様に、金属層4bの他方の主面の面積より小さくなるように設定されており、凸状段差部7bの上面が金属層4bの他方の主面に包含されるように、凸状段差部7bの上面と金属層4bの他方の主面は接合されている。また、図示を省略しているが、実施の形態1の場合と同様に、半田の応力集中の緩和を目的として、凸状段差部7bの平面角部は所定の半径Rで丸み付けされている。各凸状段差部7bは、図4aに示されるように、平面角部を避けて辺部において、連接部7dにより互いに連接されている。平面角部を避けることにより、凸状段差部7bの平面角部における丸み付けの効果を維持するためである。このように連接された凸状段差部7bは、基体部7aと同様に、所望の形状に加工されたアルミニウムブレージングシートを冷却器7のパワーモジュール1と接合する側の面に接合することにより形成されている。各凸状段差部7bはこのように連接部7dにより互いに連接されているので、積層型の冷却器の製造工程において、基体部7aと同時に一括して形成することがでる。また、実施の形態1の場合と同様の理由により、凸状段差部7bの上面は、半田が十分にいきわたるように、ニッケルめっきのような表面処理が施されている。本実施例によれば、複数のパワーモジュール1を単一の冷却器7に接合して構成した半導体装置において、各パワーモジュールに対応した複数の凸状段差部7bを連接部7dにより互いに連接して構成したため、製造工程が簡略化できる。なお、以上の実施の形態の説明においては、冷却器7は液冷型の冷却器であったが、これに限るものではなく、空冷型の冷却器であっても構わない。冷却器7の基体部7aはアルミニウムブレージングシートを積層して成型したものであったが、半田の濡れにくい材料で構成してあればよい。凸状段差部7bの上面の表面処理は、ニッケルめっきとしたが、他の半田の濡れ性の良い材料、例えば錫めっきや金めっきであっても構わない。また、実施の形態の説明においては、半導体装置としてパワーモジュールを例にとって説明したが、パワーモジュール以外の樹脂筐体を有する半導体装置であっても、本発明の効果が発揮されることは言うまでもない。