"材料、特にダイヤモンドを化学蒸着CVDによって合成する方法であって、真空チャンバー内で、前記合成される材料を支えるために配置された基板の近傍にプラズマを作り出し、かつ炭素を保有する物質、特にCH4又はC2H2、及びH2を前記チャンバーに導入し、前記材料の合成を遂行する不飽和分子又はラジカルの形態で反応性炭素原子を保有する物質を含むガスを前記チャンバー内で生成する方法であり、前記合成される材料の電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルを用いて、前記合成される材料の形成につながる反応に寄与する吸収周波数を前記スペクトルから導き出すこと、及び前記吸収及び非弾性拡散周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線を生成し、前記フォトンビームは前記プラズマ内に注入され、そこで、固体材料のエネルギー状態に関して、これらのエネルギー状態に対応するエネルギーを有するこれらのフォトンの吸収が、前記反応性炭素原子を保有する物質によってなされることを特徴とする、前記方法。炭素キャリアガスを前記物質として導入する、請求項1に記載の方法。前記不飽和分子又はラジカルのエネルギー状態と前記材料のフォノンのエネルギー状態との間のカップリングを達成するためのエネルギー光線として赤外線を使用する、請求項1又は2に記載の方法。エネルギー光線としてX線、UV線及び可視光線を使用する、請求項1又は2に記載の方法。前記合成される材料が、2セットの方向ベクトルで表される1セットの面、例えば、ダイヤモンドの場合は八面体又は十二面体、を決める結晶格子を含み、第1ベクトルは前記材料の可能な面を決める高い原子密度を有する主網状平面の法線方向を示し、第2ベクトルは前記材料の結晶構造に従ってフォノンの伝播を可能にする波動ベクトルからなり、前記フォトンビームは前記2セットの方向ベクトルが示す方向に向けられ、注入される、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。UVC光線のビームが前記プラズマ内に注入される、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記真空チャンバー内に電場を作り出すことによって前記プラズマが生成され、前記電場は第1及び第2電位によって作り出され、前記第1電位は、前記基板に対して高さ方向の第1ゾーンオフセット内に作られ、前記第2電位は前記基板の直近にある第2ゾーン内に作られ、前記第1及び第2ゾーンは互いに隣接し、前記第1及び第2電位は前記基板の方を向いた傾斜を有し、前記第1電位の勾配は前記第2電位の勾配より大きい、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記基板の周辺に設置された発生器によって前記第2電位が作られる、請求項7に記載の方法。前記基板の上方に設置されたグリル及びフィラメントによって前記第1電位が作られる、請求項7又は8に記載の方法。前記合成される材料の蒸着中、前記基板は所定温度で維持される、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。前記蒸着がホットフィラメントを用いて蒸気相内で行われる、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。前記合成される材料の層が少なくとも1μmの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをH2に対して0.01~200ppmの比率で注入することによって前記材料をドープし、かつ電子-フォノン相互作用に対応する周波数を有する第2フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記材料の超伝導性を生じさせる、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記第2フォトンビームが、非ドープダイヤモンドの値に対して4mVのオフセットを有する方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットの方向LO_Γ→L及びΓ→ξに注入される第1ビームフラグメントと、該セットの方向ξのフォトンビームの第2フラグメントとに分割される、請求項12に記載の方法。前記合成される材料の層が少なくとも1μmの厚さを有する場合、前記チャンバー内にホウ素キャリアガスをH2に対して0.01~100ppmの比率で注入することによって前記材料をドープし、かつ電子-フォノン相互作用に対応する周波数を有する第3フォトンビームを前記プラズマ内に注入して前記材料の超伝導性を生じさせる、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記第3フォトンビームが、方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットの方向Lに注入される第1ビームフラグメントと、該セットの方向ξに注入される第2フラグメントとに分割される、請求項14に記載の方法。前記合成される材料の層が少なくとも1μmの厚さを有する場合、前記チャンバー内に窒素保有ガスをCH4に対して0.1~1の割合で注入することによって前記材料をドープし、かつn型半導性を生じさせる電子-フォノン相互作用に対応する周波数を有する第4フォトンビームを前記プラズマ内に注入する、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。前記第4フォトンビームが、C型中心のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する方向ベクトルのセットに従って、及び/又はA型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する3つのフォトンビームに従って、及び/又はB型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する4つのフォトンビームに従って注入される、請求項16に記載の方法。化学蒸着によるSi-Ge型半導体の形成方法であって、前記蒸着がチャンバー内で行われること、及び-水素の存在下、500°C~600°Cの温度で、基板上のシリコンの化学蒸着、及び0.01~1000mbarの間にある圧力でチャンバーが維持されること、かつ前記蒸着は、シリコンの蒸着層が少なくとも3nmの厚さを有するまで、Si-Si結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを前記チャンバー内に注入することによって行われること;-400°C~550°Cの間にある第1温度での前記基板の温度の安定化;-Si-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応する第1のフォトンビームと、Ge-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応する第2の別のフォトンビームとを前記チャンバー内へ注入するとともに、層Geが所定厚さで得られるまで、400°C~550°Cの温度でSi層上のゲルマニウムを化学蒸着すること;-水素の存在下、前記化学蒸着の温度の750°C~850°Cの間にある値への上昇;-所定厚さの層が得られるまで、Ge-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームの注入を維持すること、を含むことを特徴とする方法。前記フォトンビームが、シリコンの1セットの方向ベクトルに従って注入される、請求項18に記載の方法。材料、特にダイヤモンドを化学蒸着CVDによって合成する装置であって、前記合成される材料が、1セットの方向ベクトルであって各ベクトルは前記材料の所定面の法線方向を示すベクトルによって表される1セットの可能な面を備える結晶学を有し、該装置は、前記合成される固体材料を支えるために配置された基板と、真空チャンバーとを含み、前記真空チャンバーは該チャンバー内で前記基板の近傍にプラズマを生成するために配置されたプラズマ発生器を含み、前記チャンバーは、炭素を保有する物質、特に炭素保有ガス、特にCH4又はC2H2、及びH2を該チャンバー内に導入するために配置された入口を含み、前記チャンバーは、前記炭素保有物質及びH2から、該チャンバー内で、前記材料の合成を遂行するラジカル又は不飽和な形態の分子を含むガスを生成するように配置されている装置であり、該装置は、前記チャンバーに取り付けられたフォトンビーム発生器を含み、前記フォトンビーム発生器が、前記合成される固体材料の電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルから導き出される吸収周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線、特に赤外線、及び/又はX線、UV線及び可視光線を生成するように配置され、かつ前記合成される固体材料の形成につながる反応を生じさせ、前記フォトンビーム発生器は、前記生成されたビームを、前記固体材料の所定の方向ベクトルと、前記フォトンビームに含まれるエネルギーを決める、ブリルアン帯中心におけるモードを含むフォトンモードのエネルギーと関連するブリルアン帯の波動ベクトルとの両方に対応する角度で前記チャンバー内に注入できるように、前記チャンバーに取り付けられ、前記フォトンビーム発生器は、前記プラズマ内へ前記フォトンビームを注入できるように前記チャンバーに取り付けられ、かつ前記固体材料のエネルギー状態に関して、反応性炭素原子を保有する物質によって引き起こされる、これらのフォトンの吸収がこれらのフォニック状態に対応するエネルギーを有することを特徴とする、前記装置。UVC光線のビームを生成するために配置された別の発生器を含み、前記別の発生器は前記プラズマ発生器によって生じたプラズマ内にUVC光線を注入できるように前記チャンバーに取り付けられている、請求項19又は20に記載の装置。前記基板の周辺に取り付けられた、前記プラズマを集束させるためのシステムを含む、請求項20又は21に記載の装置。前記プラズマ集束システムが、リングによって形成されている、請求項22に記載の装置。前記プラズマ集束システムが、前記基板の周りの一連のブロック波の形態で配置されたワイヤによって形成されている、請求項22に記載の装置。本発明の目的は、化学蒸着によって材料を合成する方法であって、材料の良い品質を有しながら、公知方法の蒸着速度より高い蒸着速度を得るこを可能にする方法を提示することである。この目的のため、本発明の方法は、合成される材料の電磁吸収及び非弾性拡散スペクトルを用いて、これらのスペクトルから、合成される材料の形成につながる反応に寄与する吸収周波数を導き出すこと、及び前記吸収及び非弾性拡散周波数に対応する各周波数によって決まるエネルギー量を保有するフォトンビームの形態でエネルギー光線を生成し、前記フォトンビームはプラズマ内に注入され、そこで、固体材料のエネルギー状態に関して、これらのエネルギー状態に対応するエネルギーを有するこれらのフォトンの吸収が、前記反応性炭素原子を保有する物質によってなされることを特徴とする。どんな場合においても、吸収固有又はデフォルトによって活性化された及び非弾性拡散周波数フォトン及びニュートロンのに正確に対応するエネルギー保有フォトンビームの形態のエネルギー光線を生成及び注入することによって、チャンバー内に生じたプラズマ中に存在する前記反応性炭素原子を保有する物質が、合成される材料のエネルギー状態のエネルギーに適切に対応するエネルギーを吸収することができる。その結果、これは、得たい材料を合成するために吸収すべきエネルギーにより良く的を絞れるようにする。このようにして、合成される材料を形成する確率が実質的に上昇し、合成される材料の蒸着速度を公知方法よりかなり高くする。さらに、吸収すべきエネルギーの的を絞ることによって、合成される材料の品質が優れる。好ましくは炭素保有ガスを前記物質として導入する。ガスの添加は制御が容易であり、エネルギー光線のより効率的な吸収が得られる。好ましくは、不飽和分子又はラジカルのエネルギー状態と材料のフォトンのエネルギー状態との間のカップリングを達成するためのエネルギー光線として赤外線を使用する。これらの赤外線は、合成される材料のスペクトルに存在する広範な周波数を網羅する。本発明の方法の第1の優先的実施形態は、合成される材料が2セットの方向ベクトルで表される1セットの面、例えば、ダイヤモンドの場合は八面体又は十二面体、を決める結晶格子を含み、第1ベクトルは前記材料の可能な面を決める高い原子密度を有する主網状平面の法線方向を示し、第2ベクトルは材料の結晶構造に従ってフォノンの伝播を可能にする波動ベクトルからなり、前記フォトンビームは前記2セットの方向ベクトルが示す方向に向けられ、注入されることを特徴とする。従って、この実施形態では本方法は、フォノンモードωのエネルギーを有するフォトンビームであって、例えば通常Γで表されるブリルアン帯の中心を含め、臨界点及び高対称点で、前記材料の分散曲線から導き出される対応する波動ベクトルKブリルアン帯内にあるにより方向づけられるフォトンビームを注入することから成る。正格子及び逆格子のそれぞれの網目に関するこれらの2セットの方向は、結局前記フォトンビームのために選ばれる方向を与える。フォトンビームが注入されるときのこれらの2セットのベクトルを考慮することによって、フォトンとフォノンの間の相互作用の確率を高め、ひいては合成される材料の蒸着速度の向上に役立つ。本発明の方法の第2の優先的実施形態は、UVC光線のビームをプラズマ内に注入することを特徴とする。UVCビームの注入は、特にプラズマの密度を高め、ひいては固形物の合成を刺激する。本発明の方法の第3の優先的実施形態は、真空チャンバー内に電場を作り出すことによってプラズマが生成され、前記電場は第1及び第2電位によって作り出され、前記第1電位は、基板に対して高さ方向の第1ゾーンオフセット内に作られ、第2電位は基板の直近にある第2ゾーン内に作られ、第1及び第2ゾーンは互いに隣接し、前記第1及び第2電位は基板の方を向いた傾斜を有し、第1電位の勾配は第2電位の勾配より大きいことを特徴とする。これは、不飽和分子を保有するか又はラジカルの形の物質が基板の周り全体により良く集中できるようにし、ひいては材料を合成する確率を高めることができる。本発明は、本発明の方法を適用するための装置にも関する。以下、本発明の装置の実例実施形態を示す図面の助けを借りて本発明をさらに詳細に説明する。図中、同一要素又は類似要素には同一の参照番号を割り当てた。図1a、1b及び1cは、本発明の装置の実例実施形態を概略的に図示する。図1aは装置の構造を示し、図1bは装置の要素の空間配置を示す。装置1は、熱フィラメント化学蒸着HFCVDによって材料を合成する方法に適用するために配置されている。しかしながら、図示した装置は、化学蒸着CVDによって材料を合成する他のいずれの方法にも可能であり、かつ本発明はHFCVDプロセスに限定されず、いずれのCVDプロセスにも適用されることは明らかである。図1b及び1cに示す装置1は真空チャンバー2を含み、これは好ましくは合成プロセスの開始前には103トルの圧力状態になっている。チャンバー2は、既知様式で、例えばポンプを利用して真空下に置かれる。チャンバー2内には、合成される材料17を支えるように配置された、例えばプレートで形成された基板キャリア3がある。この材料は蒸着を達成するのに適合し得るいずれの物質であってもよく、例えばダイヤモンド、W、WCCo、WCNi、シリカ等である。基板キャリア3は、後で述べる理由のため好ましくは第1AC電源16に接続される。必要に応じて、基板キャリア3はDC源16’にも接続される。基板キャリア3は、好ましくは、基板の温度を調節する働きをする冷却プレート18上に取り付けられる。このために、この冷却プレート18には液体を冷却するための入口19A及び出口18Bが接続されている。基板の上方にグリル4があり、グリル4の上方にフィラメント5がある。フィラメント5は好ましくは、プラズマのより良いコリメーションのために電場を集束させる働きをする2つのコリメータ5A間に取り付けられる。コリメータは、蒸着領域内の温度、及びプラズマのより良い分散をもたらす。本発明は図1a及び1bに示すグリル及びフィラメントの位置に限定されず、またこれらの位置が逆であってよいことにも留意すべきである。グリル4は第2電源6に接続され、フィラメント5は第3電源7に接続されている。第2及び第3電源はDC電源である。必要なときはグリル4を第4のAC電源図示せずに接続してもよい。フィラメントは、AC電源である第5電源8にも接続されている。第1、第2及び第3電源は基板、グリル及びフィラメント間の電位を変える働きをするが、第5電源8はフィラメントの加熱に役立つ。基板、グリル及びフィラメント間の電位を変えることによって、チャンバー内の電場を変えることができ、ひいてはチャンバー内で生成されるプラズマを制御することができる。フィラメント及びグリルに加えられる電圧は、合成される材料に応じて0.1~400ボルトで異なり得る。グリルは基本的に、チャンバー内に存在する不飽和分子又はラジカルを保有する化学物質の流れを調節する働きをし、一方フィラメントはガスを活性化する働きをする。本発明の装置は、基板周辺に設置されるプラズマを集束させるためのシステム9をも含み、このシステム9は、固体材料の合成が起こり、かつ蒸着が達成される領域内の温度及びプラズマの分布を改善するために配置されている。図10は、プラズマを集束させるための該システム9の例を示す。プラズマ集束システムは、例えば基板及び基板に対してチャンバーの上端の方へのオフセットの周りに設置されるリング50によって形成される。実質的に逆U字型に折り曲げた1セットの金属ワイヤで集束システム9を形成して、基板の周りに設置してもよい。プラズマ集束システムは、直流を供給する第6電源10によって電力供給される。プラズマを集束させるためのリング形状は、フィラメントとの関連では基板キャリアの両側に設置される2つの半円形によって満たされるのが好ましい。プラズマ集束システム9は、好ましくは基板の方にプラズマをより良く集束させるために基板キャリアの方へ傾くように設置される。本発明の装置は、チャンバーの上方に配列され、かつエネルギー光線、特に赤外線IRをフォトンビームの形で生成するために配置されるフォトンビーム発生器11-1~11-5をも含む。フォトンビーム発生器の数は、物質の結晶学によって決まるので、図1a及び1bに示すものに限定されない。図1cに示す実施形態のように、1つのフォトンビーム発生器のみでも可能である。この又はこれらの発生器は、合成される材料のスペクトル密度関数Ψω,Kここで、ωは周波数を表し、Kは、後述するように偏極しているか又は平面内にない波動ベクトルを表すによって決まる周波数のエネルギー光線を生成する働きをする。最後に、装置は、UVC光線のビームを発生させる発生器12-1、12-2及び12-312-3は図中に見えないを備えている。後者の発生器は好ましくは円形に配置され、それらの間の角度はいずれの場合も対称性の理由で120°である。明瞭さの理由で、赤外線を生成するために配置されるフォトンビーム発生器の実施形態のみについて述べる。しかしながら、本発明はこの実施形態に限定されず、材料と相互作用する電磁スペクトルの他のいずれのエネルギー光線X線、UV線、可視光線をも使用することができる。プラズマをチャンバー2内で生成しなければならないので、本発明の装置は、特に炭素保有ガスの形の炭素保有物質と、水素H2とをチャンバーに導入するための、供給源13に接続された入口をも含む。導入される物質は当然、合成される材料に関係がある。供給源は、チャンバーに注入されるガスの流速を調節するために配置された流量制御弁14を用いてチャンバーに接続されている。ダイヤモンドを形成するためには、不飽和分子又はラジカルの形の反応性炭素原子これらから材料の合成が達成されるを保有する物質を含むガスをチャンバー内で生成するため、炭素保有物質がチャンバーに導入される。炭素保有ガスは、例えばメタンCH4又はアセチレンC2H2である。この合成反応自体は既知であり、例えば、JEButlerYAMankelevichACheesmanJieMa及びMNRAshfoldによる表題ダイヤモンドの化学蒸着の理解:最近の進展Understandingthechemicalvapourdepositionofdiamondrecentprogressの論文JournalofPhysicsCondensedMatter212009に記載されている。必要な場合、チャンバーに入る前に加熱15を利用してガスを予熱してよい。ガスを送り込んでチャンバー内部で広がるガスの圧力の平衡を保つため、ガスポンピング装置27がチャンバーに接続されている。ダイヤモンド以外の材料を形成するためには、不飽和分子又はラジカルの形の反応性材料の基礎原子これらから前記材料の合成が達成されるを保有する物質を含むガスをチャンバー内で生成するため、前記材料を形成するために必要な物質がチャンバーに導入される。蒸着ゾーンは基板の近傍に位置している。合成反応が起こるのは蒸着ゾーンであり、このため、蒸着ゾーン内では、温度分布及び活性化すべき化学種の分布が非常に均質でなければならない。本発明の方法は、活性化学種の固有の量子状態と合成される材料の固有の量子状態の選択的励起及びカップリング中の物理的共鳴現象に基づいている。この合成される材料は固体材料、液体又はガスであってさえよい。本発明の目的は、量子状態レベルでの選択的遷移を可能にすることによって合成方法の効率を高めることである。本発明の方法は、反応工程中のこの材料の有効又は見掛け吸収スペクトルに対応し、かつ材料の形成につながる固有の量子状態のいくつかを強いることによって、材料の合成による形成の可能性を補助する。本発明の方法は、合成される材料に対応する特定の固有量子遷移を強いることによっても化学種の形成の可能性を促進する。最後に、本方法は、合成される化学種の特定の固有量子状態を、前記化学種に対応する形成中の反応工程時に強いることによって化学種の形成の可能性を促進する。本発明の方法では、反応の種々の瞬間、又は全反応中に作用し得るエネルギーEDAstがチャンバーに導入される。従ってチャンバー内には以下のものがある。-EDst;溶解エネルギーであり、その機能は、物質中に存在する化学結合のいくつかを切り裂き、出発物質又は合成される材料につながるであろう過渡的物質を選択的に、特に共鳴によって形成することである。溶解エネルギーは、例えばUVC光線によって生成される。-EAst;構造化エネルギーであり、形成すべき構造を形成、統合又は構成し;その機能は、形成又は合成される物質の構造を固定することである。合成される材料のスペクトル密度関数[Ψω,K]は、状態スペクトル密度の関数の和で構成されている。Ψω,K=ΨEω,KΨVω,KΨRω,KΨTω,Kここで、ΨEは電子状態スペクトル密度関数を表し、ΨVは振動又はフォニック状態スペクトル密度関数を表し、ΨRは回転状態スペクトル密度関数を表し、ΨTは並進状態スペクトル密度関数を表す。ダイヤモンドの例について振動状態に対応するこの状態スペクトル密度関数のより完全な詳細は、ClaudeKleinThomasHartnett及びCliffordRobinsonによる表題ダイヤモンドの臨界点フォノン周波数PhysicalReviewBVol45No22of1June1992の論文に記載されている。特に、ダイヤモンドでは、全体的な状態スペクトル密度関数は、電子ΨEω,Kのスペクトル密度関数と振動ΨVω,K状態スペクトル密度関数の和で表される。材料が液体で形成されるときは、回転状態を考慮しなければならず、ガスでは、並進状態を考慮しなければならない。本発明の方法は、この状態スペクトル密度関数に頼るか、或いはこれがない場合には、合成される材料の有効又は見掛けの電磁吸収スペクトルに頼る。ダイヤモンドの例については、Kleinらの論文の図9に示される吸収スペクトルを参照されたい。これらの電磁吸収スペクトルは、材料に固有であるか、又はデフォルトによって活性化されたスペクトルである。これらの電磁吸収スペクトルは、合成される材料のフォトン又はニュートロンの非弾性拡散スペクトルでもある。合成される材料を特徴づけ、ひいては合成される材料の形成につながる反応に寄与する吸収周波数fiは電磁吸収スペクトルから導き出される。従って、例えばこの場合もKleinらの論文を参照すると、2フォトンスペクトルに相当する表IIに示される17の1≦i≦17エネルギーレベルが考えられる及び又は1フォトンスペクトルに相当する同論文の表I。これらのエネルギーレベル及びそれらに対応する吸収周波数を用いて、これらの周波数fiの各iについてエネルギーEi=hfihはプランク定数に等しいの量を保有するフォトンビームが形成されるであろう。このようにして、ダイヤモンドの例では、17のフォトンビームが得られ、それぞれうまく決定された量のエネルギーEiを有する。当然に、周波数は、合成される固体材料によって決まる。i=17という選択は、Kleinらの論文の例に関連するが、本発明を全く限定しない。当然、前記論文の図9に示された合成される材料のスペクトルの全ての周波数を得ることができた。しかしながら、実際には、最も代表的なもの及び材料を決定するのに必要なものを得れば十分である。従って、RVogelgesangAAlvarengaHyunjungKimARamdas及びSRodriguesによる表題等方制御されたダイヤモンドのマルチフォノンラマン及び赤外スペクトルMultiphononRamanandinfraredspectraofisotropicallycontrolleddiamondの論文PhysicalReviewBVolume58number9ofSeptember1998onpages5408to5416の表IIIに示される値を得ることができた。しかしながら、この表が示すように、全てのエネルギーレベルが赤外周波数範囲内で活性があるわけではなく、従って活性化されなかった当該周波数のフォトンビームの生成は役立たない。従って、各フォトンビームに含まれるエネルギーは、合成される材料に固有のフォノンモードの励起エネルギーを表す。このようにプラズマ中に存在する反応性炭素原子フォトンと接触して、ビームのフォトンの吸収周波数に対応する吸収周波数を有するを保有する物質は、それが合成される固体材料である場合には、振動遷移を受け、これは基板又は既に形成された固体とのそれらの相互作用に影響を及ぼすであろう。その結果は、フォトンのエネルギーは合成される材料のフォニック状態のエネルギーに対応するので、前記材料の表面により多く的を絞った高効率の相互作用及び反応であり、非選択的に全ての周波数電子、振動等にわたってエネルギーが分布される既知の方法と比較して、本方法のより高い有効性をもたらすであろう。本発明の方法は、材料と反応性炭素原子を保有する物質との相間における、2つの系の最適カップリングのためのフォトンを利用した相互作用という現象に頼る。これらのフォトンビームは、発生器11-iを利用して、チャンバー2内に存在するプラズマ内に注入される。従って、各フォトンビームに取り込まれるエネルギーは、フォニック状態レベルで共鳴によって吸収を引き起こすのに必要なエネルギーに相当する。従って、プラズマ内に存在する反応性炭素原子を含有する物質は、吸収周波数がフォトンビームのエネルギーの吸収周波数に対応するフォトンと接触して、このエネルギーを吸収し、その結果として、形成すべき固体材料のより有利な合成反応をもたらす。いずれの場合もフォトンのエネルギーはフォニック状態のエネルギーに対応するので、フォトンのエネルギー吸収につながる可能性がより高い、より的を絞った反応が起こり、それゆえに、エネルギーが非選択的に全ての周波数を網羅する既知の方法に比べて本方法の効率をさらに高めるであろう。図2は、フォトンビームを発生させるエミッタ11-iの実例実施形態を示す。この発生器は、選ばれた吸収周波数fiに対応するエネルギーEiを有するフォトンビームを生成する。発生器は、高い効率を与えるため好ましくは銅製の本体20を含む。この本体は、円錐台形状frustoconicalshapeを有し、その頭部に、赤外IRエミッタを形成する1セットのセラミック加熱プレート21を含む。図示した例では、発生器は、表面全体を覆って分布し、かつ図の上部に示される7つのプレートを含む。発生器は、例えばアルゴン用のガス入口22をも含む。このガスは、内壁の酸化を減じる働きをし、それにより内壁の高い反射指数を維持できるようにする。ガスは、生成された赤外線の吸収をも減らし、非常に選択的なエネルギー量を有するフォトンビームの発生に寄与する。必要な場合、冷却システム29の液体循環のためにポンプ28が設けられる。円錐台状管への入口の近傍には、広い通過バンドを有する第1セットのフィルター23が取り付けられている。これらのフィルターは例えばサファイアで形成されている。フィルターセットを使用する代わりに1つのみのフィルターを使用することもできるが、後者の解決策はより費用がかかる。このセットのフィルターは生成すべきエネルギーの周波数の選択を可能にする。第1フィルターの下方には、狭い通過バンドを有する第2セットのフィルター24が取り付けられ、その結果、第1及び第2セットのフィルターがガス入口22-1の両側に位置している。この第2セットは、合成反応に必要な全ての周波数fiを選択するための多通過光学フィルターから成る。発生器の末端には、フォトンビームのコリメータとして働く光学レンズ25がある。レギュレータに連結された電流供給源26がエミッタの温度を制御する。従って、フォトンビーム発生器を操作するためには、生成すべきエネルギーの周波数が第1及び第2セットのフィルター22及び24を用いて供給される。エミッタ21によってフォトンが生成され、セットのフィルター23及び24を調整することによって所要エネルギーfiが得られる。このようにして、選ばれた周波数fiのエネルギーEi=hfiを有するフォトンビームが第2セットのフィルター24から現れる。数個の発生器11-iの存在のため数個のエネルギービームEifiを同時に発生させることができる。合成される材料は、2セットの方向ベクトルで関連づけることができる結晶網目を有する。第1セットのベクトルは、前記固体材料の可能な面、例えば、ダイヤモンドの例では、八面体又は十二面体を決める最高原子密度を有する主要網様平面の法線方向を示す。第2セットの波動ベクトルは、材料の結晶構造に従ってフォトンの伝播が許容される波動ベクトルから成る。これは、例えばRamdasによってIEEofJuly2000に発表された表題従来型ダイヤモンドのフォトンのラマン、ブリルアン及び赤外分光学RamanBrillouinandinfraredspectroscopyofphotonsinconventionaldiamondの論文に詳細に記載されている。図12は、高対称点Γ、L、X、W、Σ、ξを有するダイヤモンド等の材料の網目の第1ブリルアン帯を示す。前記フォトンビームは、前記2セットの方向ベクトルが示す方向に向けて注入される。本方法は、フォノンモードωのエネルギーを有し、かつ例えば通常Γで表されるブリルアン帯の中心を含め、臨界点及び高対称点で、前記材料の分散曲線から導き出される対応する波動ベクトルKブリルアン帯内にあるにより方向づけられるフォトンビームを注入することからも成る。末端の正格子及び逆格子のそれぞれの網目に関するこれらの2セットの方向は、前記フォトンビームに合わせた方向の選択を可能にする。これらの2セットのベクトルを考慮すると、フォトンビームが注入されるとき、相互作用の確率を高めることができ、ひいては合成される固体材料の蒸着速度を増すのに役立つ。合成の効率を高めるためには、この結晶学を考慮し、かつ結晶面の法線により示される方向及び又はフォノンの伝播が斟酌される波動ベクトルに対応する方向にもフォトンビームを注入することが有用である。本発明の方法で進行するこのやり方は上記フォトンの注入を改善するが、これらの好適方向を考慮することなく注入を直接行なうこともできることに留意すべきである。発生器は、この可能性を正確に許容するために方向づけてチャンバー上に取り付けられている。図3は、フォトンビームを発生させる単周波数発生器30の別の実例実施形態を示す。この発生器はエミッタ本体31を含み、これもフォトンの高反射指数を与えるため好ましくは銅製である。この円錐台形状を有する本体31の上部には、狭い発光バンドを有するセラミック加熱プレート32が取り付けられている。その上部にはガス入口33も設けられている。このガスは、図2の例で述べたのと同じ役割を果たす。発生器30は、バンド幅を減じることによってfiに対応する周波数値の前選択を可能にする広い周波数バンドを有する第1セットのフィルター34を含む。同時に、この第1フィルター34は、発生器内で生成される熱の減少を促す。狭い通過バンドを有する第2セットのフィルター35は、所要周波数fiを選択できるようにし、光学レンズ36は、フォトンビームのコリメーションを可能にする。最後に、電力供給源37が電流を供給し、レギュレータ38が温度を調節する。材料の合成をさらに刺激するためには、プラズマ内に十分な不飽和分子又はラジカルが存在することが重要である。これは、これらの不飽和分子又はラジカルは、材料の蒸着に必須のブリックbrickだからである。この目的を達成するために、本発明の方法は、UVC光線のビームの生成を含み、これらが次にプラズマに注入される。図4は、このようなUVC光線の発生器40の実例実施形態を示す。この発生器40は、好ましくはUVC光線の高反射指数を与えるためアルミニウムから製作された本体41を含む。本体41の内部にUVCランプ42が取り付けられている。このランプがUVC光線を生成し、これが漏斗の形のコリメータ43に送られる。UVC光線のエミッタは好ましくはプラズマに直接注入できるようにチャンバーの側面に設置される。このようにしてUVC光線が反応CH4→CH3Hを刺激し、より大きい濃度のCH3を生じさせ、これが所要材料の合成に寄与する。材料の合成による蒸着効率をさらに高めるために、プラズマ集束システムを利用する。図10は、該システムの第1実施形態を示す。チャンバー内には、基板キャリア3の周辺かつ基板17に対して高さのオフセットにリング50が設置されている。リング50はフィラメント5の下方に位置し、電流供給源に接続されている。図10のリング50を基板キャリア3の周辺に配置される一連のブロック波として構成される導電体と置き換えることによって、プラズマ集束システムの第2実施形態を実施することができる。リング50も導電体も基板の方に向いた電場を生成し、これがチャンバー内に存在するプラズマを基板の方へ集束させる。プラズマ集束システムはグリル4と基板3の間に位置している。ここで、本発明の方法を図5~8及び11を用いて説明する。グリル4及びフィラメント5は、基板に対して高さ方向の第1ゾーンRFGオフセットに第1電位を作り出すことができる。この第1ゾーンは、グリル4及びフィラメント5の近傍に位置している。プラズマ集束システムは、基板キャリア3の表面上に位置している第2ゾーンRDに第2電位を作り出す。第1及び第2ゾーンは、第1及び第2電位間にいわゆる真空を作り出さないように互いに隣接している。チャンバー内には、フィラメント5の周りにプラズマのゾーンRPFもある。第1ゾーンRFG内では、フィラメントとグリルの間の電位差によってプラズが確立している。基板周辺のゾーンRGC内では、グリルと集束システム9の間の電位差によってプラズマが確立している。一方、集束システムの下方のゾーンRCS内では、集束システムと基板キャリアの間の電位差によってプラズマが確立している。第1及び第2電位は、それらの異なる構成及び技術的設計のため、それぞれ異なる勾配を有する。電位をもたらす2つの電場が基板の方に向いている場合でさえ、第1電位の勾配レベルは第2電位の勾配レベルより高い。図11は、チャンバー内の電場分布を示す。理解を容易にするため、この図11には、グリル4、フィラメント5及び基板3を繰り返して示した。この図では、電位がどのようにして基板の周りに集中し、それによってポテンシャル井戸その中に基板があるを作り出しているかが分かる。実際には、フィラメントの周りに、基板キャリアの上方に広がるように電位が集中しているのが分かる。従って、材料の合成による蒸着は、基板のこの領域で促進されるであろう。グリルの周りでは、電場が楕円ループの構造を有するのが分かる。図11に示した例では、グリルの電圧は185V、フィラメントの電圧は-25V、基板キャリアの電圧は-0.1Vであり、集束システムは20Vである。集束システムにより生じた電位がどのようにして基板キャリアの周りにプラズマを集中させる傾向があるかも分かる。ここで、図5~8の助けを借りて本発明の方法をさらに詳細に説明する。チャンバー2内では、前述したようにプラズマ60が作り出され、ガスは供給源13によってチャンバーに導入される。第1及び第2電位の値は、合成される材料に応じて確立される。スペクトル分布関数又はそうでなければ合成される材料のその吸収スペクトルに基づいて、使用者は、発生器11を用いて、材料の合成に必要なエネルギーEi=hfiを有するフォトンビーム61を生成できるように種々の吸収周波数fiを決めるであろう。図5は、どのようにしてゾーンRI内でエネルギー光線をチャンバーに導入するかを示す。適用できる場合、チャンバーに導入される光線を偏光させることができる。後者の場合、周波数値と関連する波動ベクトル及び材料の結晶学と関連する波動ベクトルの偏光面が考慮される。このようにして生成されたエネルギーはプラズマ内に注入され、そこでエネルギーは、プラズマ内に存在する反応性炭素原子を保有する物質により吸収され得る。基板の近く又は基板の表面の近くにプラズマが集束しているので、反応性炭素原子を保有する物質と基板そこには既に形成された材料が存在するの間のより良いエネルギー相互作用が得られるであろう。プラズマ内に含まれる物質を選択的に励起させるであろうUVC光線発生器17を活性化することによって改善を得ることができる。これは、プラズマ内に不飽和分子又はラジカルを含む選択形の生成を増やし、ひいてはエネルギー吸収の確率を高めるようにする。これらのUVC光線は、ゾーンRAS内、すなわちグリルのゾーン内へ導入される。ダイヤモンドの例では、ベクトルL、W、Σ及びξのセットに従って17の周波数値がプラズマ内へ注入される。ベクトルLの方向に4ビーム、ベクトルWの方向に3ビーム及びベクトルΣの方向にに7ビーム、ベクトルξの方向に4ビーム。最後に、集束システムを用いて、基板キャリアの周りゾーンRDにプラズマ井戸63を形成し、このようにして反応性炭素原子を含有する物質を基板の周りに集束させることができる。当然に、本発明はダイヤモンドの合成に限定されず、合成される他の材料に適用可能である。従って、例えば、超伝導体を生成するために本発明の方法をダイヤモンドのホウ素によるドーピングに適用できる。超伝導体を得るための条件は、原子密度nB>3×1020原子/cm3>600ppmである。超伝導体を得るために、本発明の方法は、最初はダイヤモンドの合成で述べたのと同様である。ホウ素によるダイヤモンドのドーピングを達成するためには、ホウ素を保有するガス、例えばトリメチルボラン又は三塩化ホウ素又はジボラン、特にH2に対して0.01~200ppm、さらに特に1ppm~20ppmの割合のジボランC2H6がチャンバーに導入される。このホウ素保有ガスは、例えばダイヤモンドの層が既に少なくとも1μm、特に約1~5μmの厚さを有するときに導入される。ダイヤモンドの共鳴による物理化学的合成後に、超伝導性を生じさせる電子-フォトン相互作用に対応する周波数で第2フォトンビームもチャンバー内に注入される。特に、第2フォトンビームは、第2ビームの第1及び第2フラグメントに分割され、ホウ素の存在に起因し、かつ超伝導性の出現につながるフォトン周波数に対応するフォトンビームの2つのフラグメントがプラズマ内に注入される。さらに特に、非ドープダイヤモンドの値に対して4mVのオフセットを有する方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットの方向LO_Γ→L及びΓ→ξの第2フォトンビームの第1フラグメント、及び方向ξのフォトンビームの第2フラグメント。フォノンモードLOに関するさらに完全な詳細は、MHoeschらによる表題室温を求めながらダイヤモンド超電導性を生じさせるフォノンの発見-ダイヤモンド内の超伝導体Discoveryofphononscausingsuperconductivityindiamondslookingforroomtemperaturesuperconductorsindiamondsの論文JAEARDReview2007page45に示されている。ダイヤモンドの蒸着に対応する種々のフォトンビームの力のあり得る減少は、C-Cに対してB-C型の結合のエネルギーの差に比例すると予測することができる。この減少は、ダイヤモンドンの成長が超伝導性の形成より優位に立てないようにし、ひいては炭素Cのホウ素Bによる置換プロセスを促進し、或いは該プロセスに重みをかける。本発明の方法の別の応用は、p型半導体を生成するためにダイヤモンドをホウ素でドープすることから成る。半導体を得るための1つの条件は、原子密度がnB<1×1020原子/cm3<600ppmであることである。超伝導体の形成で用いたのと同様にホウ素保有ガスを使用するが、H2に対して0.01~100ppm、特に0.1ppm~10ppmの量である。ダイヤモンドの共鳴による物理化学的合成後には、半導性を生じさせる電子-フォノン相互作用に対応する周波数の第3フォトンビームもチャンバー内に注入される。特に、第3フォトンビームは第3ビームの第1及び第2フラグメントに分割され、ホウ素の存在に起因し、かつ半導性の出現につながるフォノン周波数に対応するフォトンビームのフラグメントがプラズマ内に注入される。従って、半導性の原因であるホウ素の存在に起因するフォノンの周波数に対応する5つのフォトンビームがプラズマ内に注入される。第1フラグメントは、方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットの方向Lに注入される3つのビームから形成され、第2フラグメントは方向ξに注入される2つのビームを含む。超伝導体の生成と同様に、可能性のある力の減少を予測することができる。本発明のさらに別の応用は、n型半導体を生成するために窒素Nでダイヤモンドをドープすることから成る。この半導体を得るための1つの条件は、原子の密度が25~2500ppmであることである。例えばN2、CH3又はCH3NH2等の窒素保有ガス、特にN2がCH4に対して0.1~1のN2の割合で用いられる。ダイヤモンドの共鳴による物理化学的合成後には、n型半導性を生じさせる電子-フォノン相互作用に対応する周波数のフォトンもチャンバー内に導入される。特に、C型中心のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応するフォトンビーム、及び又はA型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する3つのフォトンビーム、及び又はB型集合体のための窒素の存在に起因するフォノン周波数に対応する4つのフォトンビームが特に方向ベクトルのセットに従ってプラズマ内に注入される。p型半導体の生成と全く同じように、可能性のある力の減少を予測することができる。本発明の方法は、n型半導体を生成するためにリンでダイヤモンドをドープできようにもする。リン保有ガス、例えばホスホランPH3等が4102~4105、特に2102~1103のリン/炭素モル比で用いられる。ダイヤモンドの共鳴による物理化学的合成後にはn型半導体を生じさせる電子-フォノン相互作用に対応する周波数の4つのフォトンビームもチャンバー内に導入される。特に523meV及び562meVに位置するフォトンビームであって、結晶格子内のリンの存在に起因し、かつ半導性の原因であるフォノン周波数に対応するフォトンビームが方向ベクトルのセットに従ってプラズマ内に注入される。可能性のある力の減少を予測することができる。本発明の方法は、Si-Geシリコンゲルマニウム型半導体をドーピングによって形成できるようにもする。SiのGeによるドーピングの例では、Si上のGeのエピタキシー及びCVDプロセスにおけるSi1xGex型合金の形成が、Si格子定数とGe格子定数との差に起因する界面及び結晶内部の張力の出現につながることに留意すべきである。これらの張力は、結晶構造の欠陥の原因である。従って一般的にSi上のGeのヘテロエピタキシーはSi上のGeの島の出現から始まる。これらの島はピラミッドの形をしたピークであり、Geの集合体の形成の範囲までつながり得る。これは不均質な蒸着の形成という結果をもたらす。現在Si及びGeの蒸着物は、該変形の出現に起因する欠陥密度が0.3粒子/cm2未満であり、106/cm2未満の低い転位密度であれば高品質とみなされる。本発明の方法は、記述したように不完全度がより少なく、不完全度を排除さえし得るSi-Ge蒸着物を形成できるようにする。この目的を達成するためにSi-Geの蒸着方法は下記工程を含む:a500°C~600°Cの温度、好ましくは500°Cの温度T0で、水素の存在下、純粋シリコン基板又はブランク基板上のシリコンの化学蒸着CVDの工程。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に0.1mbar~1000mbar、さらに特に1mbar~800mbarである。好ましくは3nm~5nmの層の厚さが得られるまで、シリコン前駆体ガスとしてSiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4又はSiCH34、特にSiH4を利用する。これらの前駆体ガスの1種以上の混合物を想定することもできる。より高い蒸着速度及び基本法の品質より優れた品質の蒸着を得るためには、Si-Si結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが、基板の方へ向き、かつ方向ベクトルL、X、Σ、ξのセットに従ってチャンバー内に注入される。所望の厚さを得た後にSiH4の添加が停止され、水素の存在下でフォトンビームの温度が400°C~550°C、好ましくは430°C~460°Cに下げられる。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである。b水素の存在下、400°C~500°C、好ましくは430°C~460°C、さらに特に450°Cの第1温度T1での基板温度の安定化工程。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである。c所定厚さのゲルマニウム層が得られるか、又はシリコン層上に所望の最終層厚が得られるまで、第1温度T1と称するで、純粋シリコン基板又は既にシリコンのCVD後に得られたシリコン基板上のゲルマニウムの化学蒸着CVDの工程。ゲルマニウム前駆体ガスは好ましくはGeH4である。次にGe-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビーム及びSi-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが、方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットに従って、基板の方に向きながらチャンバー内に注入される。後者のビームは、Geの第1原子層の形成中、すなわちSi-Ge界面の形成中に作用するであろう。引き続きこの結合Si-Geに対応するフォトンビームの力は減少し、或いはゼロにまでさえ低減するが、Ge-Ge結合に対応するフォトンビームの力は維持される。これは、蒸着における欠陥数を減らせるようにし、すなわち、より高い蒸着速度で優れた品質の蒸着を得られるようにする。この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである。及び任意工程:d1-温度T2未満の温度から500°C~600°C、好ましくは540°C~560°C、特に550°Cの第3温度T3の範囲までの温度で、ゲルマニウムのCVD及びGe-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを停止する工程。この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである。d2-所望の厚さを有するSi1xGexの中間層が得られるまで、第3温度T3でのSi1xGex合金x≦0.9のCVD工程。ゲルマニウムの前駆体ガスは好ましくはGeH4である。シリコンの前駆体ガスはSiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4及びSiCH34、特にSiH4である。次にSi-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームIR及び/又は2つのフォトンビームIR及びラマンが、基板の方に向いて、方向ベクトルL、W、Σ、ξのセットに従ってチャンバー内に注入される。この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである;d3第3温度T3でのSi1xGex合金のCVDが純粋ゲルマニウムCVDに変わる遷移工程。次工程への変化を果たすためシリコン前駆体ガスの流れが停止される。Ge-Ge結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームを注入するため、SiGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームも停止される。SiGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームからGeGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームへの変化は、好ましくは同期様式で、好ましくは力の同時減少-増加によって起こらなければならず、この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである;d4-最上層としてゲルマニウムの蒸着及び中間層としてSi1xGexを得るようにこの温度T3でゲルマニウムのCVDが維持される工程。この工程中、GeGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである;d5-ゲルマニウムCVD温度を第3温度T3から750°C~850°C、好ましくは800°C~850°Cの第4温度T4に上昇させる工程。この工程中、GeGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。T4は、好ましくはT2に等しく、この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである;eゲルマニウムの化学蒸着CVDの温度を第1温度T1から750~850°C、好ましくは800°C~850°Cに制限される第2温度に上昇させる工程。この工程は、GeGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームの非存在下で行なわれる。しかし、この工程は水素の存在下で行なわれる。チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである;fゲルマニウム層の所望厚さまで第2温度T2でのゲルマニウムCVDの継続。GeGe結合に起因するフォノンの周波数に対応するフォトンビームが維持される。この工程は水素の存在下で行なわれ、チャンバー内の圧力は好ましくは0.01mbar~1000mbar、特に1mbar~800mbarである。"