"入力端に入力した光を光増幅して出力端から出力する光増幅装置であって、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、前記コア領域を取り囲むクラッド領域とを含み、少なくとも前記コア領域の一部にYbイオンが添加されており、主として前記コア領域を導波する励起光により励起され、前記入力端に入力した光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第1光増幅性導波路と、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、前記コア領域を取り囲む第1クラッド領域と、前記第1クラッド領域を取り囲む第2クラッド領域とを含み、少なくとも前記コア領域の一部にYbイオンが添加されており、主として前記コア領域および前記第1クラッド領域を導波する励起光により励起され、前記第1光増幅性導波路において光増幅された光を入力し、その光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第2光増幅性導波路と、前記第1光増幅性導波路および前記第2光増幅性導波路それぞれに励起光を供給する励起光供給手段とを備え、前記第1光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度が、前記第2光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度より高いことを特徴とする光増幅装置。前記第1光増幅性導波路の励起寿命が前記第2光増幅性導波路の励起寿命より長いことを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。前記第1光増幅性導波路の励起寿命が1m秒以上であることを特徴とする請求項1記載の光増幅装置。入力端に入力した光を光増幅して出力端から出力する光増幅装置であって、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、前記コア領域を取り囲むクラッド領域とを含み、少なくとも前記コア領域の一部にYbイオンが添加されており、主として前記コア領域を導波する励起光により励起され、前記入力端に入力した光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第1光増幅性導波路と、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、前記コア領域を取り囲む第1クラッド領域と、前記第1クラッド領域を取り囲む第2クラッド領域とを含み、少なくとも前記コア領域の一部にYbイオンが添加されており、主として前記コア領域および前記第1クラッド領域を導波する915nm帯の励起光により励起され、前記第1光増幅性導波路において光増幅された光を入力し、その光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第2光増幅性導波路と、前記第1光増幅性導波路および前記第2光増幅性導波路それぞれに励起光を供給する励起光供給手段とを備え、前記第1光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度が、前記第2光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度より高く、前記第2光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークが、前記第1光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークより高いことを特徴とする光増幅装置。前記第2光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける主ピークの高さで規格化した波長915nm帯の副次ピークが251より高いことを特徴とする請求項4記載の光増幅装置。前記第1光増幅性導波路、前記第2光増幅性導波路に添加される正イオンは、Alの代わりにLaであることを特徴とする請求項1または4に記載の光増幅装置。レーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光源から出力されるレーザ光を光増幅する請求項1~6の何れか1項に記載の光増幅装置とを備えることを特徴とするレーザ光源装置。しかしながら、このような種光源および光増幅装置を含む構成のレーザ光源装置は以下のような問題点を有することを本願発明者は見出した。すなわち、直接変調された半導体レーザ光源が種光源として用いられる場合、出力されるパルスレーザ光のビーム品質を回折限界に維持ずることを考えると、半導体レーザ光源は横単一モードのものであることが望ましい。ところが、横単一モードの半導体レーザ光源は、Ybが利得を有する波長域1064nm帯で発振する最高出力が高々200mWである。また、数百MHzの帯域で高速変調できる電流値も限られる。更に、利得スイッチで高いピークパワーを出力する方式も考えられるが、半導体レーザ光源の信頼性の観点から、定常的に高いピークパワーを出力するのは望ましくない。これらの制約により、種光源のピークパワーは100~200mW程度に限定される。また、外部変調された光ファイバレーザ光源が種光源として用いられる場合も、外部変調を行うために用いられるLNO等の電気光学素子の信頼性の観点から、ピークパワーは高々100mW程度に抑圧する必要がある。その結果、出力パルスのピークが数k~数十kWも必要な場合例えば、レーザ加工に用いられる場合や、第2高調波や第3高調波を発生させる為の基本波を出力する光源として用いられる場合、種光源の下流に設けられる光増幅装置は、40dBを超える利得を有することが必要となる。この利得は、光通信の分野においてさえも最高クラスに近く、非常に高い値である。仮に、産業用の光ファイバレーザ光源で一般的に用いられるクラッド励起を行ったとしても、信号光以外に存在するASE光による飽和で、1段のYbDFで稼げる利得は30dB程度に制約される。したがって、光増幅装置を2段以上の多段構成として、ASE光を除去する損失スペクトルを有する素子を段間に挿入するのが好適である。この場合、前段のYbDFは、光増幅すべき信号光のレベルが未だ小さいので、高価なファイバ被覆や特殊な励起光結合手段が必要なクラッド励起をする必要は無く、光通信の分野で一般に普及している、光ファイバのコアを伝搬する励起光による励起方式を使うことが、コスト上も消費電力上も望ましい。しかし、非特許文献3,4では、これらの異なる励起方式に適したYbDFのガラス組成に関する設計事項は開示されていない。そもそも、YbDFのガラス組成に関しては、非特許文献1,2にあるように、誘導放出断面積および吸収断面積または励起寿命に関する個別の検討のみであり、且つ、対象もボレートやリン酸塩ガラスなどであって実用に適しないガラスのものが多く、産業上重要な石英系ガラスの組成を詳細に調査したものは無かった。ましてや、組成と励起方式の相性に言及したものは存在しなかった。本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、高利得であって実用的な光増幅装置およびレーザ光源装置を提供することを目的とする。本発明に係る光増幅装置は、入力端に入力した光を光増幅して出力端から出力する光増幅装置であって、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、このコア領域を取り囲むクラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、主としてコア領域を導波する励起光により励起され、入力端に入力した光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第1光増幅性導波路と、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、このコア領域を取り囲む第1クラッド領域と、この第1クラッド領域を取り囲む第2クラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、主としてコア領域および第1クラッド領域を導波する励起光により励起され、第1光増幅性導波路において光増幅された光を入力し、その光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第2光増幅性導波路と、第1光増幅性導波路および第2光増幅性導波路それぞれに励起光を供給する励起光供給手段とを備えることを特徴とする。さらに、第1光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度は、第2光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度より高いことを特徴とする。また、本発明に係る光増幅装置において、第1光増幅性導波路の励起寿命は第2光増幅性導波路の励起寿命より長いのが好適である。また、第1光増幅性導波路の励起寿命は1m秒以上であるのが好適である。また、第1光増幅性導波路の励起寿命が1m秒以上であるのが好適である。或いは、本発明に係る光増幅装置は、入力端に入力した光を光増幅して出力端から出力する光増幅装置であって、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、このコア領域を取り囲むクラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、主としてコア領域を導波する励起光により励起され、入力端に入力した光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第1光増幅性導波路と、主成分が石英系ガラスからなり、コア領域と、このコア領域を取り囲む第1クラッド領域と、この第1クラッド領域を取り囲む第2クラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、主としてコア領域および第1クラッド領域を導波する915nm帯の励起光により励起され、第1光増幅性導波路において光増幅された光を入力し、その光をコア領域に伝搬させながら光増幅して出力する第2光増幅性導波路と、第1光増幅性導波路および第2光増幅性導波路それぞれに励起光を供給する励起光供給手段とを備えることを特徴とする。さらに、第1光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度は、第2光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度より高く、第2光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークは、第1光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークより高いのが好適である。また、本発明に係る光増幅装置において、第2光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける主ピークの高さで規格した波長915nm帯の副次ピークが251より高いのが好適である。本発明に係る光増幅装置においては、第1光増幅性導波路および第2光増幅性導波路それぞれは、主成分が石英系ガラスからなり、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されている。励起光供給手段により第1光増幅性導波路に供給された励起光は、第1光増幅性導波路のコア領域を導波して、第1光増幅性導波路に添加されたYbイオンを励起する。励起光供給手段により第2光増幅性導波路に供給された励起光は、第2光増幅性導波路のコア領域および第1クラッド領域を導波して、第2光増幅性導波路に添加されたYbイオンを励起する。入力端に入力した被増幅光は第1光増幅性導波路において光増幅され更に第2光増幅性導波路においても光増幅されて、その増幅された光が出力端から出力される。第1光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度は、第2光増幅性導波路におけるAlの正イオンの添加濃度より高い。或いは、第2光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークは、第1光増幅性導波路の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークより高い。このような光増幅装置は高利得であって実用的なものとなり得る。なお、第1光増幅性導波路、第2光増幅性導波路に添加される正イオンは、Alの代わりにLaであってもよい。本発明に係るレーザ光源装置は、レーザ光を出力するレーザ光源と、このレーザ光源から出力されるレーザ光を光増幅する上記の本発明に係る光増幅装置とを備えることを特徴とする。本発明に係るレーザ光源装置では、レーザ光源から出力されるレーザ光は、光増幅装置により光増幅された後に出力される。光増幅装置が高利得であるので、このレーザ光源装置は、高パワーのレーザ光を出力することができる。本発明に係る光増幅装置は、高利得であって実用に優れ、特に加工用途等に好適に用いられ得る。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本実施形態に係るレーザ光源装置1の概略構成図である。この図に示されるレーザ光源装置1は、MOPAMasterOscillatorPowerAmplifier構成のものであって、レーザ光源2および光増幅装置3を備える。レーザ光源2は、レーザ光を出力するものであり、例えばレーザダイオードである。光増幅装置3は、このレーザ光源2から出力されるレーザ光を光増幅する。このレーザ光源装置1では、レーザ光源2から出力されたレーザ光は、光増幅装置3により光増幅された後に出力される。図2は、本実施形態に係る光増幅装置3の構成図である。この図に示される光増幅装置3は、入力端11に入力した光を光増幅して出力端12から出力するものであって、光アイソレータ21~23、光カプラ31,32、第1光増幅性導波路41、第2光増幅性導波路42、バンドパスフィルタ50、光分岐器60および励起光源70を備える。光増幅装置3の入力端11は、レーザ光源2から出力されるレーザ光を入力する。入力端11から出力端12へ向かって順に、光アイソレータ21、光カプラ31、第1光増幅性導波路41、光アイソレータ22、バンドパスフィルタ50、光カプラ32、第2光増幅性導波路42および光アイソレータ23が配置されている。また、光カプラ31および光カプラ32の双方に光分岐器60が接続され、この光分岐器60に励起光源70が接続されている。光アイソレータ21~23それぞれは、入力端11から出力端12へ向かう順方向には光を通過させるが、逆方向には光を通過させない。光カプラ31は、光アイソレータ21から到達した被増幅光を第1光増幅性導波路41へ出力するとともに、光分岐器60から到達した励起光をも第1光増幅性導波路41へ出力する。光カプラ32は、バンドパスフィルタ50から到達した被増幅光を第2光増幅性導波路42へ出力するとともに、光分岐器60から到達した励起光をも第2光増幅性導波路42へ出力する。第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42それぞれは、主成分が石英系ガラスからなり、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加された光導波路であり、好適にはYb添加光ファイバYbDFである。第1光増幅性導波路41は、光カプラ31から出力された被増幅光および励起光を入力し、励起光により励起されて被増幅光を光増幅し、その増幅した光を光アイソレータ22へ出力する。第2光増幅性導波路42は、光カプラ32から出力された被増幅光および励起光を入力し、励起光により励起されて被増幅光を光増幅し、その増幅した光を光アイソレータ23へ出力する。特に、第1光増幅性導波路41は、コア領域と、このコア領域を取り囲むクラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、コア領域を導波する励起光により励起され、入力端に入力した光を光増幅して出力する。第2光増幅性導波路42は、コア領域と、このコア領域を取り囲む第1クラッド領域と、この第1クラッド領域を取り囲む第2クラッド領域とを含み、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加されており、コア領域および第1クラッド領域を導波する励起光により励起され、第1光増幅性導波路41において光増幅された光を入力し更に光増幅して出力する。さらに、第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42それぞれは、Ybイオン以外の3価の正イオンを含有する。そして、第1光増幅性導波路41における正イオンの添加濃度は、第2光増幅性導波路42における正イオンの添加濃度より高い。この正イオンはAl3イオンであるのが好適である。第2光増幅性導波路41の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークは、第1光増幅性導波路42の吸収断面積のスペクトルにおける波長915nm帯の副次ピークより高いのが好適である。第1光増幅性導波路41の励起寿命は、第2光増幅性導波路42の励起寿命より長いのが好適である。また、第1光増幅性導波路41の励起寿命は1m秒以上であるのが好適である。バンドパスフィルタ50は、光アイソレータ22と光カプラ32との間の光路上に設けられ、第1光増幅性導波路41において光増幅されて出力された光を選択的に透過させ、その他の波長の光ASE光を遮断する。光分岐器60は、励起光源70から出力された励起光を2分岐して、その分岐した一方の励起光を光カプラ31へ出力し、他方の励起光を光カプラ32へ出力する。励起光源70は、第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42それぞれに含まれるYbイオンを励起し得る波長の励起光を出力するものであり、好適にはレーザダイオードを含む。励起光源70,光分岐器60,光カプラ31および光カプラ32は、第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42それぞれに励起光を供給する励起光供給手段として作用する。このように構成される光増幅装置3は以下のように動作する。励起光源70から出力された波長975nm帯または波長915nm帯の励起光は光分岐器60により2分岐される。光分岐器50による分岐により得られた一方の励起光は光カプラ31を経て第1光増幅性導波路41に供給され、他方の励起光は光カプラ32を経て第2光増幅性導波路42に供給される。入力端11に入力した波長1064nm帯の被増幅光は、光アイソレータ21および光カプラ31を経て、第1光増幅性導波路41に入力し、この第1光増幅性導波路41において光増幅される。第1光増幅性導波路41において光増幅された光は、光アイソレータ22,バンドパスフィルタ50および光カプラ32を経て、第2光増幅性導波路42に入力し、この第2光増幅性導波路42において更に光増幅される。そして、第2光増幅性導波路42において光増幅された光は、光アイソレータ23を経て、出力端12から出力される。次に、第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42について更に具体的に説明する。第1光増幅性導波路41および第2光増幅性導波路42それぞれは、主成分が石英系ガラスからなり、少なくともコア領域の一部にYbイオンが添加された光導波路であり、好適にはYb添加光ファイバYbDFである。以下では、第1光増幅性導波路41または第2光増幅性導波路42として用いられ得るYbDFの実施例YbDFA,YbDFB,YbDFCについて説明する。図3は、YbDFA,YbDFBおよびYbDFCそれぞれの組成および励起寿命を纏めた図表である。また、この図表には、吸収断面積の主ピークの高さで規格した副次ピークの高さ規格化副次ピークも示されている。YbDFAは、3807wtppmのYb元素および566wtのAl元素がコア領域に添加されたものである。YbDFBは、5486wtppmのYb元素および027wtのAl元素がコア領域に添加されたものである。また、YbDFCは、10571wtppmのYb元素および254wtのAl元素がコア領域に添加されたものである。YbDFAおよびYbDFBそれぞれの組成を対比すると、Yb濃度の差は小さいが、Al濃度の差は大きい。YbDFAのAl濃度は、YbDFBのAl濃度より高い。この結果、YbDFAの励起寿命は15m秒であり、YbDFBの励起寿命は08m秒であって、前者は後者の略2倍となった。励起寿命が長い方が、吸収から増幅に転じる閾値となる励起パワーが低く抑えられるので、一般的にはパワー変換効率の改善に有利である。図4は、YbDFA,YbDFBおよびYbDFCそれぞれの誘導放出断面積のスペクトルを示す図である。また、図5は、YbDFA,YbDFBおよびYbDFCそれぞれの吸収断面積のスペクトルを示す図である。これらのスペクトルは、波長975nm付近での主ピーク値を100として規格化されている。YbDFAと比べると、YbDFBは、波長915nm帯の吸収ピークが高く、波長915nm帯の励起光の吸収効率が良い。また、YbDFAと比べると、YbDFBは、誘導放出断面積の第二ピークが長波長側にあるので、発振波長を1080nmより長くしたい場合非常に強く飽和した場合など、クラッド励起でコアとクラッドとの直径比率が10を超えた場合などに見られるには有利である。YbDFAおよびYbDFBそれぞれにおいて、吸収断面積は波長975nm帯で最も大きいことから、この点からは励起光波長として975nm帯が好ましいと言える。しかし、クラッド励起の場合、励起光源70として用いられるマルチモード励起のレーザダイオードの所要電流が数A~数十Aにもなり、発熱量が大きいので、ペルチエ素子のみによる精度の高い電子冷却は不可能で、場合によっては水冷などが必要となる。このとき、レーザダイオードの温度変動は無視でない程度となって、レーザダイオードから出力される励起光の波長は不安定となる。その結果、吸収スペクトル幅が狭い波長975nm帯での励起は、励起光波長が変動した場合に、吸収効率の大きな劣化を招き、ひいては、パワー変換効率の劣化を招くことになる。一方、波長915nm帯の副次ピークは、ピーク値が低いものの、幅が広いので、励起光波長変動の影響を無視できる。したがって、クラッド励起の場合は、波長915nm帯励起が望ましいと考えられる。次に、コア領域を伝搬する波長975nm帯の励起光により励起したときのYbDFAおよびYbDFBそれぞれの利得について説明する。図6は、YbDFAおよびYbDFBそれぞれの利得を纏めた図表である。ここでは、YbDFAおよびYbDFBの何れも、波長1064μm帯でのモードフィールド径が46μmであり、Yb添加領域の直径が24μmであり、波長975nm帯での吸収断面積が248dB/mであり、長さが6mであって、コア領域を伝搬する波長975nm帯の励起光により励起された。コア領域を伝搬する励起光による励起の場合、励起光源として、光通信用に普及している単一モードの波長098μm帯励起レーザダイオードモジュールが使用可能である。そこで、励起光波長を975nmした。YbDFAおよびYbDFBそれぞれに注入される励起光のパワーを、100mW,200mWまたは400mWとした。また、励起方向は順方向励起とした。被増幅光については、波長を1064nmとし、ピークパワーを200mWとし、デューティ比10000のパルス列を想定し、平均パワーを-17dBmとした。図6に示されるとおり、YbDFAについては、励起光パワーが100mWであるときに利得は168dBであり、励起光パワーが200mWであるときに利得は216dBであり、励起光パワーが400mWであるときに利得は241dBであった。また、YbDFBについては、励起光パワーが100mWであるときに利得は91dBであり、励起光パワーが200mWであるときに利得は179dBであり、励起光パワーが400mWであるときに利得は224dBであった。YbDFAとYbDFBとでは、励起光パワーが100mWであるときには、励起パワーの閾値の違いが大きく影響し、YbDFAの利得は167dB程度であり、YbDFBの利得は9dB程度であって、両者の間には2倍近い差が生じた。励起光パワーが400mWであるときには、両者の間の閾値の違いの影響が小さくなり差が縮まるが、誘導放出断面積および吸収断面積の形状の違いから、依然としてYbDFAの利得が大きい。また、稼動時初期は差が小さくとも、何年という期間中に励起レーザダイオードの劣化が生じ、励起光パワーが下がったときの影響を考えれば、YbDFAの方が有利と言える。次に、波長915nm帯の励起光によりクラッド励起したときのYbDFAおよびYbDFBそれぞれの利得について説明する。図7は、YbDFAおよびYbDFBそれぞれの信号光パワーおよび残留励起光パワーを纏めた図表である。波長915nm帯での吸収断面積ピークの差異は、励起光モードフィールドとYb添加領域とのオーバーラップが小さいクラッド励起時に影響する。そこで、以下のような場合を検討した。ここでは、YbDFAおよびYbDFBの何れも、波長1064μm帯でのモードフィールド径が14μmであり、Yb添加領域の直径が12μmであり、クラッド直径が125μmであり、波長975nm帯での吸収断面積が64dB/mであり、長さが5mであって、コア領域および第1クラッド領域を伝搬する波長915nm帯の励起光により励起された。コア領域および第1クラッド領域を伝搬する励起光による励起の場合、前述したとおり、励起光波長は915nm帯であるのが好ましい。そこで、励起光波長を915nmした。YbDFAおよびYbDFBそれぞれに注入される励起光のパワーを40mWとした。また、励起方向は、励起効率が優れる逆方向励起とした。被増幅光については、波長を1064nmとし、ここに到達するまでに充分に光増幅されていると仮定して平均パワーを17dBmとした。図7に示されるとおり、YbDFAについては、被増幅光が光増幅される出力される信号光のパワーが237Wであり、残留励起光のパワーが58Wであった。また、YbDFBについては、被増幅光が光増幅される出力される信号光のパワーが245Wであり、残留励起光のパワーが35Wであった。YbDFBと比較すると、YbDFAの平均出力は08Wだけ低い。この理由は、YbDFBと比較すると、YbDFAは、図5に示した吸収断面積スペクトルから判るように波長915nmでの吸収係数が小さいために、通過してしまう残留励起光のパワー58Wが60程度大きいからである。このように、残留励起光パワーが大きいと、光増幅装置3の上流に位置するレーザ光源2の損傷原因ともなり、危険も増す。図8は、YbDFA,YbDFBおよびYbDFCそれぞれのAl濃度と主ピークで規格化した吸収断面積のスペクトルの副次ピーク高さとの関係を示すグラフである。Al濃度が低いほど、波長915nm付近の副次ピークの高さは向上する。その一方で、励起用レーザダイオードとして世界でもっとも高いシェアを有するJDSU製6390シリーズの仕様書などに見られるとおり、励起レーザダイオード側にも波長915±8nm程度の波長ばらつきが存在する。ここで、バラツキ範囲内の最長波長923nmでは、図5に見られるとおり、YbDFBの吸収断面積は、YbDFAより高いが、YbDFCとは略一致する。したがって、励起レーザダイオードの仕様の波長バラツキの最悪値923nmを仮定するなら、Al濃度はYbDFBでもYbDFCでも同じである。しかし、これ以上のAl濃度の差があれば、吸収断面積の副次ピークの際の効果は現れる。したがって、Yb添加ファイバのAl濃度はせめてYbDFC以下であることが、クラッド励起される用途としては望ましい。以上のように、YbDFAは、励起パワーも信号光パワーも数mW~数百mW程度と低く、且つ、励起光の波長を975nmに設定できる信号経路上流のプリアンプすなわち、図2中の第1光増幅性導波路41に適用するのが好適である。その一方で、YbDFBは、励起パワーも信号光パワーも数W~数十Wと高く、励起光波長を915nm付近とせざるを得ない信号経路下流のブースタアンプすなわち、図2中の第2光増幅性導波路42に適用するのが好適である。また、第2光増幅性導波路42の励起方向は逆方向励起であるのが好適である。したがって、図1中における光増幅装置3として、図9に示される構成の光増幅装置3Aが用いられるのが更に好ましい。図9は、他の実施形態に係る光増幅装置3Aの構成図である。図2に示された光増幅装置3の構成と比較すると、この図9に示される光増幅装置3Aは、光カプラ32に替えて光カプラ33を備える点で相違し、また、光分岐器60および励起光源70に替えて励起光源71および励起光源73を備える点で相違している。光カプラ33は、第2光増幅性導波路42と光アイソレータ23との間に設けられており、第2光増幅性導波路42において光増幅されて出力された光を光アイソレータ23へ通過させ、励起光源71から到達した励起光を第2光増幅性導波路42へ出力する。励起光源71は、光カプラ31と接続されており、波長975nm帯の励起光を出力する。また、励起光源73は、光カプラ33と接続されており、波長915nm帯の励起光を出力する。このように構成される光増幅装置3Aは以下のように動作する。励起光源71から出力された波長975nm帯の励起光は、光カプラ31を経て第1光増幅性導波路41YbDFAに順方向から供給され、この第1光増幅性導波路41のコア領域に閉じ込められて導波する。また、励起光源73から出力された波長915nm帯の励起光は、光カプラ33を経て第2光増幅性導波路42YbDFBに逆方向から供給され、この第2光増幅性導波路42のコア領域および第1クラッド領域に閉じ込められて導波する。入力端11に入力した波長1064nm帯の被増幅光は、光アイソレータ21および光カプラ31を経て、第1光増幅性導波路41に入力し、この第1光増幅性導波路41において光増幅される。第1光増幅性導波路41において光増幅された光は、光アイソレータ22およびバンドパスフィルタ50を経て、第2光増幅性導波路42に入力し、この第2光増幅性導波路42において更に光増幅される。そして、第2光増幅性導波路42において光増幅された光は、光カプラ33および光アイソレータ23を経て、出力端12から出力される。なお、以上ではYbと共にAlが添加される場合について示したが、La等の3価の正イオンであれば同等の効果が期待される。また、上記のYbDFBに替えて、Al無添加のものが用いられてもよい。"