"下記式I:に表される化合物を少なくとも一つ含んでいる有機太陽電池であって、式中、YはO、N-R1、またはR1-C-R2から選択され;R1およびR2は、それぞれ独立して、CN、アリール、アルキル、NO2、ハロゲン、ヘテロアリール、またはCF3から選択され;アリールは置換されることができ;A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立して、C、CH、N、またはCRから選択され、芳香環を形成する、またはA1-A2、A2-A3、A3-A4のうち少なくとも一つが、付加縮合された芳香環の一部であり;Rは芳香環である、有機太陽電池。請求項1に記載の式Iによって表される材料を含む電子輸送層である、第一の電子輸送層を少なくとも一つ含んでいる、請求項1に記載の有機太陽電池。上記電子輸送層が、ドーピングされている、請求項2に記載の有機太陽電池。補助的な電子輸送層を含んでおり、ここで上記第一の電子輸送層がドーピングされており、上記補助的な電子輸送層はドーピングされておらず、ここで上記補助的な電子輸送層は供与体-受容体のヘテロ接合と隣接しており、上記第一の電子輸送層は上記補助的な電子輸送層と陰極との間に位置する、請求項2または3に記載の有機太陽電池。上記補助的な電子輸送層は、正孔ブロッキング層および励起子ブロッキング層の少なくとも一つである、請求項4に記載の有機太陽電池。供与体-受容体のヘテロ接合が、好ましくは受容体として、請求項1に記載の式Iによって表される材料を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の有機太陽電池。上記供与体-受容体のヘテロ接合はバルク-ヘテロ接合である、請求項6に記載の有機太陽電池。少なくとも一つの半導体高分子層、および請求項1に記載の式Iによって表される材料を含む一つの電子輸送層を含んでいる、請求項1に記載の有機太陽電池。上記電子輸送層がn-ドーピングされている、請求項8に記載の有機太陽電池。下記式I:で表される化合物であって、式中、YはO、N-R1、またはR1-C-R2から選択され;R1およびR2は、それぞれ独立して、CN、アリール、アルキル、NO2、ハロゲン、ヘテロアリール、またはCF3から選択され;アリールは置換されることができ;A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立して、C、CH、N、またはCRから選択され、芳香環を形成する、またはA1-A2、A2-A3、A3-A4のうち少なくとも一つが、付加縮合された芳香環の一部であり;Rは芳香環であり;下記の化合物を除く、化合物。YがN-R1から選択される、請求項10に記載の化合物。[発明が解決しようとする課題]本発明の目的は、有機太陽電池に用いるための新たな有機半導体材料を提供することである。上記材料は、好ましくは、光学活性層の少なくとも一つおよび電子輸送層に用いられ、より好ましくは電子輸送層に用いられる。[課題を解決するための手段]この目的は、式Iによって表される新たな化合物によって実現できる。この目的はまた、独立請求項1によって、ならびに従属請求項の考案される好ましい用途および素子によって実現できる。この目的は、下記式Iによって表される化合物を少なくとも一つ含んでいる有機太陽電池によって実現できる:式中、YはO、N-R1、またはR1-C-R2から選択され;R1およびR2は、それぞれ独立して、CN、アリール、アルキル、NO2、ハロゲン、ヘテロアリール、CF3から選択され、ここでアリールは置換されることができ、A1、A2、A3、A4は、それぞれ独立してC、CH、N、CRから選択され、またはA1-A2、A2-A3、A3-A4の少なくとも一つが付加縮合された芳香環の一部であり、上記付加縮合された芳香環additionalaromaticcondensedringは、好ましくは、フェニル、ピラジル、チエニル、イミダゾイル、ヘテロアリールであり、Rは芳香環、好ましくは、以下に定義されているアリールである。さらに好ましくは、R1がCNであり、R2がアリールまたはヘテロアリールである。アリールは、好ましくは、フェニル、ナフチル、アントラシル、ペルフルオロフェニル、フルオロフェニルから選択される。ヘテロアリールは、好ましくは、C5~C20のヘテロアリールであり、より好ましくは、ピリジル、チエニル、またはオキサジルoxazylである。用語アリールは、芳香環または環に炭素のみを含んでいる芳香族である。アリール基は、1~3の別々の環、縮合環、またはペンダント環を含んでもよく、そして6~20の環原子を含んでもよく、環の要素としてヘテロ原子を含まない。アリール基としては、例えば、フェニル、1-ナフチルおよび2-ナフチルを含んでいるナフチル、ペルフルオロフェニル、フルオロフェニル、およびビフェニルが挙げられるが、これらに限定されない。[発明の効果]式Iによって表される化合物は、好ましくは太陽電池における電子輸送層に用いられる。上記化合物は、電子輸送層の主成分である。好ましくは、式Iによって表される化合物を含んでいる電子輸送層の少なくとも一つは、電気的なドーパントがドーピングされている。さらに加え、または他の実施形態において、式Iによって表される化合物は、主成分として励起子ブロッキング層に用いられる。上記励起子ブロッキング層はまた、好ましくは、電子輸送層である。上記層は、十分に低いLUMOを有するため、上記受容体と陰極との間において電子を輸送することができ、そして同時に、大きなHOMO-LUMOギャップを有するため、光学活性領域内に電子を閉じ込めている励起子を阻害する。すなわち、上記HOMO-LUMOギャップは、光学活性領域と直接的に近接する接しているいずれの材料のHOMO-LUMOギャップよりも大きいことを意味する。この層は、電気的にドーピングされていないことが好ましい。さらに加え、またはさらなる他の実施形態において、式Iによって表される上記化合物は、励起子および正孔ブロッキング層の主成分として用いられる。この実施形態では、励起子および正孔ブロッキング層は、十分低いHOMOを有しているため、直接的に隣接する層主にバルク-ヘテロ接合の上記供与体分子から正孔を阻害することができ、そして同時に、大きなHOMO-LUMOギャップを有するため、光学活性領域内に電子を閉じ込めている層の外の励起子を阻害する。すなわち、上記HOMO-LUMOギャップは、光学活性領域と近接する接しているいずれの材料のHOMO-LUMOギャップよりも大きいことを意味する。この層は、電気的にドーピングされていないことが好ましい。さらに加え、または他の実施形態において、式Iによって表される上記化合物は、供与体-受容体のヘテロ接合における受容体として存在する。この実施形態の一態様では、上記化合物はまた、電荷に変換される光を受けて、光電流に寄与し、好ましくは、光電流が0Vの場合の寄与が、350~500nmの領域における光電子の吸収に起因する。上記寄与が、5より大きいことが好ましい。さらに加え、または他の実施形態において、式Iによって表される上記化合物は、励起子ブロッキング層および電子輸送層の主成分として用いられる。この実施形態において、励起子ブロッキング層および電子輸送層は、十分に低いLUMOを有しているため、隣接する層における供与体分子からの電子を受け取ることができ、そして同時に、大きなHOMO-LUMOギャップを有しているため、光学活性領域内に電子を閉じ込めている層の外の励起子を阻害する。すなわち、上記HOMO-LUMOギャップは、光学活性領域と直接的に近接する接しているいずれの材料のHOMO-LUMOギャップよりも大きいことを意味する。この層は、電気的にドーピングされていないことが好ましい。式Iによって表される上記化合物は、好ましくは、隣接する層と組み合わされた層の主成分として用いられ、上記層および上記隣接する層のLUMOの差の測定基準は、0.4eVより小さく、より好ましくは0.2eVよりも小さい0.2eVは、一つの材料の密度状態のおおよその幅である。上記隣接する層は、主成分として、C58、C60、C70、または可溶性のフラーレン誘導体例えば、PC60BMから選択されるフラーレンを含むことが好ましい。本発明の他の一態様では、有機太陽電池は、供与体-受容体のヘテロ接合に隣接する層において、ドーピングされていない形態にて上記式Iによって表される化合物を含む。さらに、上記有機太陽電池は、上記供与体-受容体のヘテロ接合に隣接する層と陰極との間に、式Iによって表される化合物を含んでいる補助的なドーピングされている層を含む。本発明の他の一態様では、上記太陽電池は、高分子の太陽電池であり、上記高分子の太陽電池は、少なくとも一つの供与体-受容体のヘテロ接合に少なくとも一つの半導体高分子を含んでおり、そして少なくとも一つの電子輸送層において式Iによって表される上記化合物を含んでいる。少なくとも一つの電子輸送層は、n-ドーピングされていることが好ましい。本発明の好ましい一態様では、上記有機太陽電池は、それぞれ第一p層、第一i層、もしくは第一n層を含んでいる、pi構造、ni構造、またはpin構造を含む。本明細書中において、ここで、pは、p-ドーピングされている正孔輸送層、nはn-ドーピングされている電子輸送層、iは本質的な光活性層を意味する。上記輸送層は、上記光活性層よりも大きなHOMO-LUMOギャップを有する。本発明の全ての態様において、一般的なn-ドーパントは:テトラチアナフタセン、[Ruterpy2]0;ローダミンB;塩化ピロニンB;アクリジンオレンジベース;ロイコクリスタルバイオレット;2,2’-ジイソプロピル-1,1’,3,3’-テトラメチル-2,2’,3,3’,4,4’,5,5’,6,6’,7,7’-ドデカヒドロ-1H,1’H-2,2-ビベンゾ[d]イミダゾール;4,4’,5,5’-テトラシクロヘキシル-1,1’,2,2’,3,3’-ヘキサメチル-2,2’,3,3’-テトラヒドロ-1H,1’H-2,2’-ビスイミダゾール;2,2’-ジイソプロピル-4,4’,5,5’-テトラキス4-メトキシフェニル-1,1’,3,3’-テトラメチル-2,2’,3,3’-テトラヒドロ-1H,1’H-2,2’-ビスイミダゾール;2-イソプロピル-1,3-ジメチル-2,3,6,7-テトラヒドロ-1H-5,8-ジオキサ-1,3-ジアザ-シクロペンタ[b]-ナフテン;ビス-[1,3-ジメチル-2-イソプロピル-1,2-ジヒドロ-ベンゾイミダゾール-2];テトラキス1,3,4,6,7,8-ヘキサヒドロ-2H-ピリミド[1,2-a]ピリミジナートジタングステンII;2,2’-ジイソプロピル-4,5-ビス2-メトキシフェニル-4’,5’-ビス4-メトキシフェニル-1,1’,3,3’-テトラメチル-2,2’,3,3’-テトラヒドロ-1H,1’H-2,2’-ビスイミダゾール;2,2’-ジイソプロピル-4,5-ビス2-メトキシフェニル-4’,5’-ビス3-メトキシフェニル-1,1’,3,3’-テトラメチル-2,2’,3,3’-テトラヒドロ-1H,1’H-2,2’-ビスイミダゾールである例えば、米国特許出願2005/0040390公開公報、米国特許出願2009/0212280公開公報、米国特許出願2007/0252140公開公報を参照のこと。[図面の簡単な説明]図1は、太陽電池を形成する層の堆積を表している略図である。図2は、ETLを含んでいる太陽電池の層を表している略図である。[素子]図1によると、有機太陽電池は、基板10、陽極11、少なくとも一つの有機光学活性層12、および、陰極13を少なくとも含む。また、上記積層が逆型となることができ、その場合、層11が陰極となり、層12が陽極となる。一実施形態において、上記基板10は、ガラスまたは高分子板、あるいは薄い金属板webなどの透明基板である;上記陽極11は、ITO、FTO、AlZOなどの透明な導電性の酸化物である;そして上記陰極13は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。一実施形態において、上記少なくとも一つの有機光学活性層12は、高分子を含んでいるチオフェンと式Iによって表される化合物との混合物を含む。あるいは、上記少なくとも一つの有機光学活性層12は、好ましくは高分子を含んでいるチオフェンである供与体高分子と、好ましくはフラーレンまたは可溶性のフラーレン誘導体である受容体との混合物を含む;この実施形態において、式Iによって表される上記化合物を含んでいる層が、上記少なくとも一つの有機光学活性層12と上記陰極13との間に形成される。必要に応じて、上記層構造は逆型となる。一実施形態において、上記陽極11は、透明でなく、そして主にアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。上記基板10は、必ずしも透明である必要はない。上記陰極13は、透明な導電性酸化物の層、または薄い厚さ<30nm透明な金属層を含む。さらに図1に関連する別の実施形態において、上記基板10、上記陽極11および上記陰極13は、透明である。この実施形態において、上記素子が、可視の波長領域におけるいずれの波長における入射光を100吸収しないため、上記素子全体は、半透明である。なお、複数の堆積された素子例えば、タンデム型素子はまた、本発明において提供される。このような素子において、少なくとも一つの補助的な有機光学活性層が、上記少なくとも一つの有機光学活性層12と上記陰極13との間に形成される。補助的な有機層または補助的な無機層は、適切な電気的接合、および、層の位置の光学的な最適化を提供するために用いられてもよい。少なくともこれら機能の一部が、式Iによって表される化合物を含んでいる層によって提供されることが好ましい。さらに図1に関連して、効率的に電荷担体の注入/抽出を提供するために、電極、緩衝層、および/または、注入層の表面処理を用いることができる。表面処理の例としては、電極表面の酸処理またはプラズマ処理が挙げられる。注入層の例としては、薄い無機の絶縁層例えば、LiFおよび薄い電気的なドーパント層が挙げられる。図2は、有機太陽電池を表している層の堆積を示し、上記有機太陽電池は、基板20、陽極21、少なくとも一つの光学活性層22、有機電子輸送層ETL23、および、陰極24を少なくとも含んでいる。上記層の堆積は、逆型とすることもできる。上記ETLは、陰極と光学活性層との間に形成される。一実施形態において、上記有機電子輸送層は、その主成分として、式Iによって表される化合物を含む。式Iによって表されるこの化合物は、電気的なドーパントによってドーピングされていることが好ましい。上記ETL23の厚さは、いかなるものであってもよいが、上記少なくとも一つの光学活性層22と上記陰極24との間の補助的な光学活性層がない場合は、40nmより薄い厚さであることが好ましい。図1に関連して記載された全ての実施形態は、図2に関連している部分においても適用することができる。全ての図は、太陽電池の層状構造を簡単に示している。電気的接続、封止、電極外部の光学構造などの素子の特徴のいくつかは、示していない。電極陽極および陰極の少なくとも一つは、素子が動作する波長領域において透明である。別の実施形態において、少なくとも一つの光学活性層22は、供与体-受容体バルク-ヘテロ接合供与体-受容体の混合物である。上記供与体は、ピロール基またはチオフェン基を有する強力な吸収化合物によって形成されていることが好ましい。上記受容体は、好ましくは、C58、C60、またはC70のフラーレン、あるいは、可溶性のフラーレン誘導体である。上記ETL23は、主成分として、式Iによって表される化合物を含む。上記ETL23は、好ましくは、n-ドーパントによってドーピングされている。あるいは、有機のn-ドーパントが、製造におけるその扱いやすさのため、非常に好ましい。別の実施形態において、上記少なくとも一つの光学活性層22は、供与体-受容体バルク-ヘテロ接合供与体-受容体の混合物である。上記供与体は、ピロール基またはチオフェン基を有する強力な吸収化合物によって形成されることが好ましい。上記受容体は、式Iによって表される化合物である。本発明の一態様において、全ての有機層が小分子から構成される。好ましくは、これらの小分子は、VTE真空熱蒸着によって蒸着されることができる。本発明の別の態様において、少なくとも一つの有機半導体層は高分子を含み、少なくとも一つの補助的な半導体層は式Iによって表される化合物を含む。本発明の別の態様は、式Iの化合物およびn-ドーパントを含んでいる層である。本発明の化合物は、比較的高い導電率を有する、非常に安定したn-ドーピングされている層を形成するという特別な効果を有する。上記導電率は、いわゆる2点法または4点法によって計測することができる。本明細書中において、金または酸化インジウムスズのような導電性材料の接点が、基板上に配置される。そして、試験対象の薄膜が、上記基板上に設けられ、上記接点が上記薄膜によって覆われる。上記接点に電圧をかけた後、電流が計測される。上記接点の形状および上記試料の厚さから、抵抗、それによって、薄膜材料の導電率が測定できる。ドーピングされている層が良好なオーム接点を供与するので、上記4点法または2点法により上記ドーピングされている層に対して同じ導電値が得られる。また、温度安定性もまた、上記ドーピングされていない、または、ドーピングされている層を段階的に加熱し、待機期間後に導電率を計測する方法によって、計測することができる。そして、所望の半導体特性を損失することなく層にかけることができる最高温度は、上記導電率が低下する寸前の温度である。例えば、上述しているように、1°Cずつ段階的に、各昇温段階の後に10秒の待機時間をもって、二つの電極を有する基板上にてドーピングされている層を加熱することができる。次いで、上記導電率が計測される。上記導電率は、温度とともに変化し、特定の温度にて急に低下する。よって、上記温度安定性は、上記導電率が急に低下するまでの温度である。上記測定は、真空にて行われる。使用される多くの異なる材料の特性を、最高占有分子軌道エネルギー準位HOMO、イオン化ポテンシャルの同義語の位置、および、最低空占有分子軌道エネルギー準位LUMO、電子親和力の同義語の位置によって説明することができる。好ましい化合物は以下の通りである。[一般的な合成]下記の式は、本発明における化合物の一般的な合成を示す。参照:SanguinetetalChemMater2006年1842594269、およびJacobetalTetrahedronLetters4086258628。[合成-実施例][実施例C-2][ステップ1]第1ステップ:5H-ジインデノ[1,2-a:1’,2’-c]フルオレン-5,10,15-トリオン1の合成。全ての操作を、市販の溶液/化学薬品をそれ以上精製せずに、大気中にて行った。トルキセノン。磁性撹拌棒を有する100mLの丸底フラスコに、インダン-1,3-ジオン2.50g、17.0mmolおよびメタンスルホン酸40mLを加えた。その混合物を110°Cで3時間にわたって加熱した。室温まで冷却した後、その反応混合物を水300mL中に分散させ、未精製の生成物を濾過した。その生成物を、加熱した炭酸プロピレン75mLに溶解し、冷却後、吸引濾過により分離した。収量1.73g79。1HNMRCDCl3:a9.32d,J7.2Hz,3H、7.90d,J7.2Hz,3H、7.72t,J7.2Hz,3H、7.60d,J7.2Hz,3H。第2ステップ:2,2’,2-5H-ジインデノ[1,2-a:1’,2’-c]フルオレン-5,10,15-トリイリデントリマロノニトリル2の合成。全ての操作を大気中にて行った。1mmolの1を、乾燥させ、脱酸素したクロロベンゼン50mlに溶解した。その後、アルゴン雰囲気下にてマロノニトリル6mmolを加え、続けてTiCl46mmolおよび乾燥させたピリジン12mmolを十分に攪拌しながら2時間にわたって滴下して加えた。その反応混合物を70°Cまで加温し、さらに4時間にわたって撹拌した。その反応混合物に水30mlを加え、ジクロロメタンを用いて生成物を抽出した。カラムクロマトグラフィー溶離液としてジクロロメタンを使用により2を生成した。残渣をクロロベンゼンから再結晶化し、赤色の結晶mp>250°Cとして、収率42のC-2を生成した。この第2ステップは、非常に用途が広く、CH-3~11の構造を有する好適なC-H酸性化合物をそれぞれ用いることによって、C-3~11、C18の材料を得るために用いることができる:十分な純度および量のC3~11をそれぞれ得るために、上記の合成手順を用いることができる。場合によっては、洗浄ステップまたは精製ステップというわずかな変更を加えることもできる。当業者は、化合物の調製において、調製方法の一般原則を変えずに、洗浄ステップまたは精製ステップというわずかな変更を必要であることを認識している。他の有機ETMsと比較した場合、化合物C-2は、ドーピングされている形態において非常に高い導電率を有する。テトラキス1,3,4,6,7,8-ヘキサヒドロ-2H-ピリミド[1,2-a]ピリミジナートジタングステンIIをドーピングした層の室温における導電率は、1.06×10-3S/cmであり、安定な温度は153°Cである。4,4’,5,5’-テトラシクロヘキシル-1,1’,2,2’,3,3’-ヘキサメチル-2,2’,3,3’-テトラヒドロ-1H,1’H-2,2’-ビイミダゾールをドーピングした層の室温における導電率は、1.2×10-2S/cmであり、安定な温度は141°Cである。[実施例C-21][ステップ1]第1ステップ:5H-ジインデノ[1,2-a:1’,2’-c]フルオレン-5,10,15-トリオン1の合成。全ての操作を、市販の溶液/化学薬品をそれ以上精製せずに、大気中にて行った。トルキセノン。磁性撹拌棒を有する100mLの丸底フラスコに、インダン-1,3-ジオン2.50g、17.0mmolおよびメタンスルホン酸40mLを加えた。その混合物を110°Cで3時間にわたって加熱した。室温まで冷却した後、その反応混合物を水300mL中に分散させ、未精製の生成物を濾過した。その生成物を、加熱した炭酸プロピレン75mLに溶解し、冷却後、吸引濾過により分離した。収量:1.73g79。1HNMRCDCl3:a9.32d,J7.2Hz,3H、7.90d,J7.2Hz,3H、7.72t,J7.2Hz,3H、7.60d,J7.2Hz,3H。第2ステップ:2.5mmolの1をチエニルクロリド90mlおよびTHF1mL触媒量中に溶解し、そしてアルゴン雰囲気下にて3日間にわたって還流した。次いで、チエニルクロリドを蒸留し、残渣をアルゴン雰囲気下にて保存した5,5,10,10,15,15-ヘキサクロロ-10,15-ジヒドロ-5H-ジインデノ[1,2-a:1’,2’-c]フルオレン。別のフラスコに、アニリン15mmolをグリム10mLに溶解し、その溶解物を、事前に60の水素化ナトリウム1.26g、31.5mmolおよびグリム200mlで満たした第3のフラスコに、-10°Cで注ぎ、混合物を-10°Cで30分間攪拌し、そしてガス発生を確認できるまで室温で1.5時間にわたって撹拌した。その後、その溶液を-78°Cまで冷却した。この溶液に、上記5,5,10,10,15,15-ヘキサクロロ-10,15-ジヒドロ-5H-ジインデノ[1,2-a:1’,2’-c]フルオレンを加え、その後、この混合物を、アルゴン雰囲気下にて乾燥させたジクロロメタン15mL中に溶解した。次いでこの混合物を、アルゴン雰囲気下にて室温で3日間にわたって撹拌し、その後、24時間にわたって50°Cまで加熱した。[精密検査]その後、上記混合物を室温まで冷却し、氷水500mLに注ぎ、ジクロロメタンを用いて抽出した。次いで、ロータリーエバポレータを用いて上記溶媒を除去した。得られたオイルを、ジエチルエーテル100mLを用いて処理した。その懸濁液を濾過し、ジクロロメタンを除去した後、シリカパッドを通してジクロロメタンでゲル濾過し、橙色の固体を得た。収量:35mg2、HPLC純度97。シクロボルタンメトリー:Fcに対して-0.89V。[素子の実施例]素子1比較例。最新技術の有機太陽電池を、以下の手順で製造することができる:ITOでコーティングされた、パターニングされたガラス基板を、エタノール、アセトン、およびイソプロパノールを含んでいる超音波洗浄機中にて洗浄する。その後、上記ITO基板を、15分間酸素プラズマ処理にさらす。上記基板を、窒素を含んでいるグローブボックスに通して真空中に入れる。真空において、従来のVTE真空熱蒸着を用いて上記有機層を蒸着する。まず、厚さ10nmの5モル濃度のp-ドーピングされているCuPc層を、シャドーマスクを通して上記ITO上に蒸着する。10nmの非ドーピングのCuPc層を上記ドーピングされているCuPc層上に蒸着する。厚さ30nmのフラーレンC60とCuPcとの混合層を、モル比2C60:1CuPcにて蒸着する。厚さ40nmのC60層を、上記混合層の上に蒸着する。10nmのBPhen4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン層を、上記C60層の上に蒸着する。上記BPhen層に続けて、厚さ100nmのAl陰極を蒸着する。標準疑似AM1.5気団1.5太陽スペクトル下にて、このような素子は、一般的に、約8mA/cm2の短絡電流、約40のFF、および約0.5Vの開路電圧を示す。素子2。厚さ10nmの化合物C-2のn-ドーピングされている層をBPhen層の代わりに用いることを除いて、素子1と同様の層構造を有する、工夫に富んだ有機太陽電池を作製することができる。標準疑似AM1.5下にて、このような素子は、一般的に、8mA/cm2の短絡電流、45のFF、および0.53Vの開路電圧を有しており、向上した性能を示す。上記厚さ40nmのC60層を上記化合物C-2に置き換え、上記素子の光共振器を最適化することによって、上記短絡回路をさらに向上することができる。熱応力試験において、素子1における太陽電池は、67°Cで動作を停止するのに対し、素子2は、少なくとも80°Cの温度下でも動作できる。[専門語]逆型Inverted-用語逆型太陽電池、または、逆型構造は、陰極が陽極よりも基板に近い層構造を有する素子をいう。逆型素子の製造方法において、上記陰極は、基板上に形成され、その後、陰極の蒸着に続けて有機層および他の層の蒸着が行われる。ETL-電子輸送層は、主な電荷担体が電子である素子の堆積に用いられる層である。一般的に、この層は、電子輸送材料ETMを含む。上記陰極と上記陰極の最も密接している供与体-受容体のヘテロ接合との間の正孔ブロッキング層、励起子ブロッキング層もまた電子輸送層である。電子注入層もまた、ETMを含んでいる半導体である場合、電子輸送層になることができる。ETM-電子輸送材料は、還元に対して安定であり、電子における高い移動度を有する半導体材料である。ETMにおいて、上記電子の移動度は、一般的に、正孔の移動度よりも高い。HTL-正孔輸送層は、主な電荷担体が電子である素子の堆積に用いられる層である。一般的に、この層は、正孔輸送材料HTMを含む。HTM-正孔輸送材料は、酸化に対して安定であり、正孔における高い移動度を有する半導体材料である。HTMにおいて、上記正孔の移動度は、一般的に、電子の移動度よりも高い。FHJ-平面ヘテロ接合は、供与体材料および受容体材料が別の層中に存在する、供与体-受容体のヘテロ接合である。好ましくは、上記供与体材料および受容体材料は、ヘテロ界面を提供する隣接した層中に存在する。あるいは、光吸収および/または電荷担体分離を補助するために、他の層を間に配置することができる。BHJ-バルク-ヘテロ接合は、供与体、受容体および吸収材料を含んでいる混合層である。一般的に、供与体材料および受容体材料の少なくとも一つがまた、吸収材料である。上記供与体-受容体ヘテロ界面は、電荷担体への光吸収によって形成される励起子の分離において必要である。バルク-ヘテロ接合には、段階的であることができる、または、補助的な層を含むこともできる。バルク供与体-受容体のヘテロ接合はまた、混合層、および上記受容体材料を含んでいるが供与体材料を含まない層、または、上記供与体材料を含んでいるが受容体材料を含まない層の少なくとも一つを含んでいる、ハイブリッド接合であることができる。このようなヘテロ接合はまた、段階的なバルク-ヘテロ接合とすることができる。受容体-本発明における受容体は、電荷担体への励起子の分離を補助するための太陽電池の光学活性層に用いられる化合物であり、電子を受容する。上記の用語受容体は、正孔輸送層をドーピングすることができる非常に強力な受容体である、電気的なp-ドーパントと混同してはならない。供与体-本発明における供与体は、電荷担体への励起子の分離を補助するための太陽電池の光学活性層に用いられる化合物であり、電子を提供する正孔を受容する。上記の用語供与体は、電子輸送層をドーピングすることができる非常に強力な供与体である、電気的なn-ドーパントと混同してはならない。電気的なドーパント-電気的なドーパントは、半導体に加える場合に、半導体の電荷担体の濃度を増加することができ、結果的に半導体の導電率を増加することができるドーパントである。電荷担体の濃度の増加は、ドーパント-半導体系の少なくとも二つの要素のLUMOとHOMOとの間の電荷移動によるものである。用語電気的にドーピングされるは、上記にて定義されるように、電気的なドーパントによりドーピングされている層または材料をいう。n-ドーパント-電子輸送材料または電子輸送層において、負の電荷担体の濃度を増加することができる電気的なドーパントである。上記負の電荷担体は、電子輸送層一般的には、電子輸送材料のLUMOの効果的な伝導帯に供給される。p-ドーパント-正孔輸送材料または正孔輸送層において、正の電荷担体の濃度を増加することができる電気的なドーパントである。上記正の電荷担体は、正孔輸送層一般的には、正孔輸送材料のHOMOの効果的な価電子帯に供給される。透明性-光電流の発生に寄与しない、これらの輸送層は、所望しない吸収による効率損失を避けるために透明であることが必要である。高い透明性が、太陽電池が動作する波長領域において必要である。高い透明性は、好ましくは、1より小さな励起係数k、より好ましくは、0.1より小さな励起係数を意味する。LUMO-最低空占有分子軌道である。HOMO-最高占有分子軌道である。固有層-層中に電荷担体の濃度を増加するドーパントをドーピングされていない層である。本明細書中において、黒色であり、温度勾配、または電界がない層が用いられていると考えられる。外国語の書面および請求項において開示されている特徴は、別々および組み合わせの両方において、素子の形態における本発明を認識するための材料である。太陽電池を形成する層の堆積を表している略図である。ETLを含んでいる太陽電池の層を表している略図である。"