有機P型半導体化合物中に、無機N型半導体化合物粒子が存在する光電変換活性層を有する有機無機複合薄膜太陽電池であって、前記光電変換活性層の光入射面側に、更に無機P型半導体化合物を含有する光吸収層が形成されており、前記光吸収層は、厚みが25~100nmであることを特徴とする有機無機複合薄膜太陽電池。無機P型半導体化合物は、カルコパイライト系化合物又はCZTSであることを特徴とする請求項1記載の有機無機複合薄膜太陽電池。光吸収層は、無機P型半導体化合物粒子の焼結層であることを特徴とする請求項1又は2記載の有機無機複合薄膜太陽電池。請求項1、2又は3記載の有機無機複合薄膜太陽電池を製造する方法であって、無機P型半導体化合物粒子を含有する光吸収層用インクを作製する工程、前記光吸収層用インクを塗工、焼成させ、光吸収層を形成する工程、有機P型半導体化合物及び無機N型半導体化合物粒子を含有する光電変換活性層用インクを作製する工程、及び、前記光電変換活性層用インクを光吸収層上に塗工、乾燥させ、光電変換活性層を形成する工程を有することを特徴とする有機無機複合薄膜太陽電池の製造方法。本発明は、光電変換効率に優れる有機無機複合薄膜太陽電池、及び、該有機無機複合薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、有機P型半導体化合物中に、無機N型半導体化合物粒子が存在する光電変換活性層を有する有機無機複合薄膜太陽電池であって、前記光電変換活性層の光入射面側に、更に無機P型半導体化合物を含有する光吸収層が形成されており、前記光吸収層は、厚みが25~100nmである有機無機複合薄膜太陽電池である。以下に本発明を詳述する。本発明者らは、有機無機複合薄膜太陽電池の光電変換活性層の光入射面側に、更に所定の厚みを有する光吸収層を形成することで、太陽光の光電変換波長域を拡大することが可能となり、その結果、変換効率を大幅に向上できることを見出し、本発明を完成させるに至った。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池は、有機P型半導体化合物中に、無機N型半導体化合物粒子が存在する光電変換活性層を有する。また、上記光電変換活性層の光入射面側に、更に光吸収層が形成されている。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池の一例を図1に示す。有機無機複合薄膜太陽電池10は、陰極2、光電変換活性層11、光吸収層12、ホール輸送層7、透明電極8、ガラス基板9とからなり、光電変換活性層11は、有機P型半導体化合物5中に、無機N型半導体化合物粒子6が存在する構造となっている。また、光吸収層12は、無機P型半導体化合物粒子3から構成されている。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池10では、光電変換活性層11の光入射面側に、更に所定の厚みの光吸収層12が形成されていることで、有機P型半導体化合物での光キャリア生成に加え、無機N型半導体化合物粒子による光キャリア生成も得ることが出来る。これにより、太陽光の光電変換波長域を拡大することが可能となり、その結果、有機無機複合薄膜太陽電池10の変換効率を大幅に向上できる。上記光電変換活性層中の有機P型半導体化合物は、電子供与体としての役割を有する。上記有機半導体化合物としては、例えば、フタロシアニン系顔料、インジゴ、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化合物、また有機電子写真感光体に用いられる電荷移動剤、電気伝導性有機電荷移動錯体、導電性高分子等が挙げられる。上記フタロシアニン系顔料としては、中心金属がCu、Zn、Co、Ni、Pb、Pt、Fe、Mg等の2価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属のフタロシアニン、その他バアナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニン等があるが、特にこれに限定されるものではない。上記電荷移動剤としては、ヒドラジン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物等があるが、特にこれらに限定されるものではない。上記電気伝導性有機電荷移動錯体としては、テトラチオフルバレン、テトラフェニルテトラチオフラバレン等があるが特にこれに限定されるものではない。上記導電性高分子としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフルオレン等が挙げられる。なかでも、ポリ3-アルキルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン誘導体等のように、有機溶媒に可溶なものが好ましい。上記無機N型半導体化合物粒子は、平均粒子径の好ましい下限が1nm、好ましい上限が50nmである。上記無機N型半導体化合物粒子の平均粒子径が1nm未満であると、分散状態を制御するのが困難となり、凝集体となりやすいためP/N接合界面の表面積が少なくなることで光キャリアの失活が起こりやすくなる。上記無機N型半導体化合物粒子の平均粒子径が50nmを超えると、P/N接合界面の表面積が少なくなることで光キャリアの失活が起こりやすくなる。上記無機N型半導体化合物粒子の平均粒子径の更に好ましい下限は2nm、更に好ましい上限は25nmである。上記無機N型半導体化合物粒子としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム、酸化バナジウムなど公知の半導体の一種または二種以上を用いることができる。なかでも、酸化亜鉛が好ましい。上記有機P型半導体化合物全体に対する上記無機N型半導体化合物粒子の含有量は特に限定されないが、好ましい下限は25vol、好ましい上限は75volである。上記無機N型半導体化合物粒子の含有量が25vol未満であると、電荷の輸送に必要な無機N型半導体化合物粒子同士の接続や、電極との接続に乏しく、充分なエネルギー変換効率を得ることができないことがあり、75volを超えると、光キャリア生成量が少なく充分なエネルギー変換効率を得ることができないことがある。上記無機N型半導体化合物粒子を製造する方法としては、例えば、酸化亜鉛からなる無機N型半導体化合物粒子を製造する場合は、有機溶剤に亜鉛金属塩を添加した後、湯浴中で攪拌しながら、アルカリ化合物を添加、撹拌することにより、無機N型半導体化合物粒子分散液を得る方法等を用いることができる。なお、上記方法を用いる場合は、湯浴の温度を変更することにより、平均粒子径平均結晶子径の範囲を調整することができる。また、上記無機N型半導体化合物粒子を製造する方法として、噴霧火炎熱分解法、CVD法、PVD法、粉砕法等の乾式法や、マイクロエマルション法、水熱反応法、ゾルゲル法等の湿式法等が適用可能である。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池における光電変換活性層の厚みの好ましい下限は25nm、好ましい上限は5μmである。上記光電変換活性層の厚みが25nm未満であると、充分な光キャリア発生量を得ることが出来ないことがある。5μmを超えると、陽極側で発生した電荷が陰極に捕集されるまでの距離が長く電荷と正孔が再結合しやすくなることがある。上記光吸収層中の無機P型半導体化合物は、有機P型半導体化合物とは異なる吸収波長域を有しているため光吸収波長域増大及び拡大としての役割を有する。上記無機P型半導体化合物としては、例えば、CuIn1-xGaxSe2CIGS等のカルコパイライト系化合物、Cu2ZnSnS4CZTS等が挙げられる。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池における光吸収層の厚みの下限は25nm、上限は100nmである。上記光吸収層の厚みが25nm未満であると、光電変換層への光キャリア生成の寄与度が少なく、顕著な効果は得られない。100nmを超えると、有機P型半導体化合物への入射光量が少なくなり有機P型半導体化合物による光キャリア生成が少なくなる。好ましい下限は50nm、好ましい上限は75nmである。また、上記光吸収層の厚みは、上記光電変換活性層の厚みの25~100であることが好ましい。上記光吸収層の厚み比率が25未満であると光電変換層への光キャリア生成の寄与度が少なく、顕著な効果は得られない。100を超えると、無機N型半導体化合物粒子と直接接合している有機P型半導体化合物の光吸収量が減少するため、有機P型半導体化合物と無機P型半導体化合物間における光キャリアの失活による影響が顕著となる。上記光吸収層は、無機P型半導体化合物粒子の焼結層であることが好ましい。これにより、無機P型半導体化合物粒子をインク化することで印刷プロセスによって形成することができ、形成コストの大幅削減が期待できる。上記無機P型半導体化合物粒子は、平均粒子径の好ましい下限が1nm、好ましい上限は50nmである。上記無機P型半導体化合物粒子の平均粒子径が1nm未満であると分散状態を制御するのが困難となり、印刷プロセスによる形成時に均一且つ平滑な層を得ることが困難となる。上記無機P型半導体化合物粒子の平均粒子径50nmを超えると、焼結性が低下することから高温での焼成プロセスが必要となり、有機無機複合薄膜太陽電池の他の構成部材の熱劣化の原因となる。上記無機P型半導体化合物粒子平均粒子径の更に好ましい下限は2nm、更に好ましい上限は25nmである。上記無機P型半導体化合物粒子を製造する方法としては、例えば、CZTSからなる無機P型半導体化合物粒子を製造する場合は、有機溶剤に銅、亜鉛、錫の酢酸塩を添加した後、湯浴中で攪拌しながら、硫黄粉末を添加、撹拌することにより、無機P型半導体化合物粒子分散液を得る方法等を用いることができる。なお、上記方法を用いる場合は、湯浴の温度を変更することにより、平均粒子径の範囲を調整することができる。また、上記無機P型半導体化合物粒子を製造する方法として、CVD法、PVD法、粉砕法等の乾式法や、マイクロエマルション法等の湿式法等が適用可能である。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池における光電変換活性層、光吸収層以外の陽極、ホール輸送層、陽極については、従来公知のものを用いることができる。本発明の有機無機複合薄膜太陽電池は、例えば、無機P型半導体化合物粒子を含有する光吸収層用インクを作製する工程、前記光吸収層用インクを塗工、焼成させ、光吸収層を形成する工程、有機P型半導体化合物及び無機N型半導体化合物粒子を含有する光電変換活性層用インクを作製する工程、及び、前記光電変換活性層用インクを光吸収層上に塗工、乾燥させ、光電変換活性層を形成する工程を有する方法によって製造することができる。このような有機無機複合薄膜太陽電池の製造方法もまた本発明の1つである。上記光吸収層用インク又は光電変換活性層用インクには、無機P型半導体化合物粒子、無機N型半導体化合物粒子、有機P型半導体化合物に加えて有機溶剤を含有することが好ましい。上記有機溶剤としては例えば、クロロホルム、クロロベンゼン、オルト-ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記有機溶剤の含有量は特に限定されないが、好ましい下限は75重量、好ましい上限は99重量である。上記有機溶剤の含有量が75重量未満であると、インクの粘度が高くなりすぎることがある。上記有機溶剤の含有量が99重量を超えると、充分な厚みの光電変換活性層や光吸収層が得られないことがある。なお、光吸収層用インクを塗工、焼成させ、光吸収層を形成する工程、光電変換活性層用インクを光吸収層上に塗工、乾燥させ、光電変換活性層を形成する工程における塗工方法、乾燥方法については、従来公知の方法を用いることができる。本発明によれば、光電変換効率に優れる有機無機複合薄膜太陽電池、及び、該有機無機複合薄膜太陽電池の製造方法を提供できる。以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。実施例1無機P型半導体化合物粒子の作製酢酸銅1.0重量部と酢酸亜鉛0.5重量部と酢酸スズ0.7重量部とをオレイルアミン100重量部に溶解し、攪拌しながら硫黄粉末0.4重量部をオレイルアミン50重量部に溶解した液を滴下し、その後250°Cで1時間加熱攪拌を続けることにより、複合硫化物CZTSナノ粒子分散液を得た。次いで、CZTSナノ粒子分散液を遠心分離及び上澄み除去し、沈殿物を回収することによってCZTSナノ粒子無機P型半導体化合物粒子、平均粒子径10nmを得た。無機N型半導体化合物粒子の作製酢酸亜鉛二水和物1重量部をメタノール35重量部に溶解し、60°Cの湯浴中にて攪拌しながら、水酸化カリウム0.5重量部をメタノール15重量部に溶解した液を滴下し、滴下終了後5時間加熱攪拌を続けることにより、酸化亜鉛ナノ粒子分散液を得た。次いで、酸化亜鉛ナノ粒子分散液を遠心分離及び上澄み除去し、沈殿物を回収することによって酸化亜鉛ナノ粒子無機N型半導体化合物粒子、平均粒子径5nmを得た。有機無機複合薄膜太陽電池の作製ガラス基板上に陽極として厚み300nmのITO膜を形成したものを、純水、アセトン、エタノールを順に用いて各10分間超音波洗浄した後、乾燥させた。洗浄後のITO膜の表面上にホール輸送層としてポリエチレンジオキサイドチオフェン:ポリスチレンスルフォネートPEDOT:PSSをスピンコート法により50nmの厚みに形成した。次に、CZTSナノ粒子1.00重量部をクロロホルム49.0重量部に溶解、分散させることで、光吸収層用インクを調製した。得られた光吸収層インクをホール輸送層上にスピンコート法により50nmの厚みに塗工し、200°Cにて焼結させることによって光吸収層を形成した。また、酸化亜鉛ナノ粒子5.00重量部とポリ3-アルキルチオフェン2.00重量部をクロロホルム350重量部に溶解、分散させることで、光電変換活性層インクを調製した。得られた光電変換活性層インクを光吸収層上にスピンコート法により100nmの厚みに塗工し、乾燥させることによって光電変換活性層を形成した。更に、光電変換活性層の表面に陰極として真空蒸着によりアルミニウムを100nmの厚みに形成することにより、有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。実施例2実施例1の有機無機複合薄膜太陽電池の作製において、光吸収層の膜厚を25nmとしたこと以外は実施例1と同様に有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。実施例3実施例1の有機無機複合薄膜太陽電池の作製において、光吸収層の膜厚を100nmとしたこと以外は実施例1と同様に有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。比較例1実施例1の有機無機複合薄膜太陽電池の作製において、光吸収層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様に有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。比較例2実施例1の有機無機複合薄膜太陽電池の作製において、光吸収層の膜厚を20nmとしたこと以外は実施例1と同様に有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。比較例3実施例1の有機無機複合薄膜太陽電池の作製において、光吸収層の膜厚を110nmとしたこと以外は実施例1と同様に有機無機複合薄膜太陽電池を作製した。<評価>実施例及び比較例で得られた有機無機複合薄膜太陽電池について以下の評価を行った。結果を表1に示した。有機無機複合薄膜太陽電池の評価得られた有機無機複合薄膜太陽電池の電極間に、電源KEYTHLEY社製、236モデルを接続し、100mW/cm2の強度のソーラーシミュレータ山下電装社製を用いて、有機無機複合薄膜太陽電池のエネルギー変換効率を測定した。なお、表1には、比較例1の変換効率、短絡電流密度を1.00として規格化した数値を示した。