パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークに光を照射し、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークから反射した光を前記受光素子に導く検出系と、リレー光学系と、を備え、前記リレー光学系は前記型を介して前記マークから反射した光を前記リレー光学系と前記検出系の間で結像させ、前記検出系は前記リレー光学系が結像させた光を前記受光素子に導くことを特徴とするインプリント装置。前記リレー光学系は型を介して前記マークから反射した光を結像させ、前記検出系は前記型と前記基板が近接または密接した際に、前記マークから反射した光を前記受光素子に導くことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記インプリント材を硬化させる照明光を照射する照明系と、前記リレー光学系に、前記反射した光と前記照明光を分離する光学部材と、を備えていることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記反射した光の波長と、前記照明光の波長は異なることを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。前記照明光は紫外線で、前記反射した光は可視光または赤外線であることを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。前記光学部材は、前記照明系からの照明光を反射し、前記マークから反射した光を透過することを特徴とする請求項3~5のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記光学部材は、前記照明系からの照明光を透過し、前記マークから反射した光を反射することを特徴とする請求項3~5のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記インプリント材を硬化させる照明光を照射する照明系を備え、前記照明光は前記リレー光学系を透過して前記インプリント材を照射することを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記検出系と前記照明系の配置を切り替える切り替え機構を備え、前記切り替え機構は、前記反射した光を検出する際は、前記リレー光学系を透過した前記反射した光が前記受光素子に導くように前記検出系を配置し、前記インプリント材を硬化させる際は、前記リレー光学系を介して前記照明光で前記基板を照明するように前記照明系を配置することを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。前記インプリント材を硬化させる照明光を照射する照明系と、前記照明光を反射するミラーと、駆動機構と、を備え、前記駆動機構は、前記インプリント材を硬化させる際に、前記ミラーを前記リレー光学系に配置させることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記リレー光学系の画面の大きさは、前記照明系が前記インプリント材を照射する前記照明光の領域以上であることを特徴とする請求項3~10のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記リレー光学系は非露光光で前記基板のショット領域を結像しているテレセントリック光学系であることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記検出系は移動可能であり、移動することで複数のマークから反射した光を前記受光素子に導くことを特徴とする請求項1~12のいずれか一項に記載のインプリント装置。複数の前記受光素子と複数の前記検出系を備え、前記基板と前記型に形成された複数のマークから反射した光は、前記リレー光学系を介して前記検出系がそれぞれの前記反射した光を前記受光素子に導くことを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載のインプリント装置。前記リレー光学系が形成する前記基板の結像面、又は、結像面付近にミラーを備え、一部の前記反射した光の光束を折り曲げることを特徴とする請求項14に記載のインプリント装置。パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント方法であって、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークに光を照射し、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークから反射した光が、リレー光学系により前記リレー光学系と検出系の間で結像され、前記リレー光学系が結像させた光を前記検出系が受光素子に導くことで、前記基板に形成されたマークと前記型に形成されたマークを前記受光素子で検出することを特徴とするインプリント方法。請求項1乃至15のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。照明系や照明光束との干渉を避けるようにTTM検出系を配置するため、照明系の光軸に対して傾けて配置せざるを得なかった。照明系の光軸に対して傾けて配置されたTTM検出系でウエハをアライメントする為に、TTM検出系はリトロー配置となっており、リトロー角で回折した光を取り込む事で信号を検出していた。しかし、リトロー配置されたTTM検出系では、配置上の制約からTTM検出系の検出開口数以下、NAも十分に上げることができない為、検出光量が少なくアライメント精度が低下してしまうと言う問題があった。本発明はTTM検出系の検出開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることを目的とする。本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、受光素子と、基板に形成されたマークと型に形成されたマークに光を照射し、基板に形成されたマークと型に形成されたマークから反射した光を受光素子に導く検出系と、リレー光学系と、を備え、リレー光学系は型を介してマークから反射した光をリレー光学系と検出系の間で結像させ、検出系はリレー光学系が結像させた光を受光素子に導くことを特徴とする。本発明によりTTM検出系の検出開口数を上げて、基板と型のアライメント精度を向上させることができる。以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。[第1実施形態]図9は従来のインプリント装置1の構成を概略的に示す図である。インプリント装置1は図9に示すように、インプリント樹脂を硬化させるために照明光3主に紫外線を照射する照明系2と、型としてのモールド5を保持するインプリントヘッド4、基板としてのウエハ8を保持するウエハステージ9を備える。さらにインプリント装置1は、TTM検出系7、樹脂塗布機構6、制御部10を備える。TTM検出系7は、モールド5に形成されたモールドアライメントマーク不図示とウエハ8に形成されたウエハアライメントマーク不図示を検出することができる。アライメントマークの検出結果に基づいて、モールド5とウエハ8の位置合わせをする事ができる。TTM検出系7は、内部に設けられた光源を用いて、モールドアライメントマークとウエハアライメントマークに計測光11主に可視光や赤外線を照射し、その反射光を検出する。TTM検出系7には反射光を検出する為の受光素子として光電変換素子例えばCCDなどを搭載している。この時、モールドアライメントマークとウエハアライメントマークの位置フォーカスを合わせることで、モールド5とウエハ8の相対位置関係X、Y、Zを合わせることができる。TTM検出系7の検出結果は制御部10に出力され、制御部10はTTM検出系7の検出結果に基づいてウエハステージ9もしくはインプリントヘッド4をXY方向に制御することで、モールド5もしくはウエハ8のXY方向における位置を調整することができる。TTM検出系7によるモールド5とウエハ8の位置計測では、ウエハアライメントマークの上部にインプリント樹脂が供給される為、単色光では干渉縞が発生してしまう。そのため、アライメント信号に干渉縞の信号が加算された状態で検出され、高精度に検出できなくなる。また、計測光11に紫外線領域の光を用いると、今度はウエハアライメントマークの上部に供給されたインプリント樹脂が感光してしまう。従って、一般的にこうしたTTM検出系7の照明光源としては、広帯域かつ非露光光の波長を持つものが使用され、干渉縞の少ない信号として検出する。ここで、非露光光とはインプリント樹脂を硬化させるために照射する光とは異なる波長を持つ光のことを示す。モールド5とウエハ8のアライメントが終わると、モールドに形成されたパターンの転写が行われる。樹脂塗布機構6を用いてウエハ8にインプリント樹脂を供給する。インプリントヘッド4はモールド5を保持しながら移動して、ウエハ8に供給されたインプリント樹脂と、モールド5に形成されたパターンを接触させる押印。この状態で、インプリント樹脂を硬化させる為に、照明系2から照明光3紫外線が照射される。インプリント樹脂が硬化したら、モールド5と硬化したインプリント樹脂とを引き離す離型。インプリント装置1を用いたインプリント技術によるパターン転写方法について図8を用いて説明する。モールド5には基板上のインプリント樹脂に転写するパターン13が形成されている。まずは図8aに示すように、樹脂塗布機構6がインプリント材としてのインプリント樹脂14をウエハ8上に供給する。ここでは、光を照射することで硬化する光硬化樹脂を用いて説明する。インプリント樹脂14が供給されたウエハ8を、図8bのようにモールド5の真下に来るようにウエハステージ9が移動する。モールド5の真下にインプリント樹脂14が供給されたウエハ8が来たら、図8cのようにモールド5をウエハ8上のインプリント樹脂14に押し付ける。ここでは、モールド5をインプリント樹脂に対して押し付ける場合を説明したが、ウエハチャックが移動してウエハ8に供給されたインプリント樹脂14をモールド5に対して押し付けるようにしても良い。また、モールド5とウエハ8を互いに押し付け合うようにしても良い。モールド5を押し付けた状態で、照明系2からインプリント樹脂14を硬化させる為の紫外線15が照射される。インプリント樹脂14が硬化したら、図8dのようにモールド5をインプリント樹脂14から引き離す。すると、モールド5に形成されたパターン13がインプリント樹脂14に転写され、パターン13と反転したパターン16を形成する事ができる。そして、ウエハステージ9を移動させて、次のショットにインプリント樹脂を供給してパターンの転写を行う。このようにウエハ上のショットに対して押印と離型を繰り返すことで、ウエハ8上の全てのショットに微細なパターン16を形成することができる。しかし、このモールド5の押印と離型により、ウエハ8に力が加わる。力が加わる事によって、ウエハステージ9に対してウエハ8の位置が図7aのようにずれてしまうことがある。これは、従来の光露光装置とは異なり、型モールドと基板ウエハ上に供給されたインプリント樹脂とが接触するためである。図7aのようにウエハ8がウエハステージ9に対してずれた状態で、次のショットでモールドの押印を行えば、下地のパターンとの重ね合わせが上手くいかず、デバイスの歩留まり低下の原因となってしまう。そこで、ショットに対してモールドの押印と離型を行い、次のショットの押印の前に、そのショットのアライメントマーク12を計測することで、ウエハのずれを補正するアライメント手法ダイバイダイアライメントが必要になってくる。ダイバイダイアライメントでは、ショット毎にショットのアライメントマーク12を計測し、ウエハ8のずれを補正する事で、モールドの押印と離型によるウエハのずれの影響を低減することができる為、下地のパターンと高精度に重ね合わせることができる。しかし、図9に示した従来のインプリント装置1では、TTM検出系7が照明系2と照明光3の照明光束を避けるように配置されている。そのため、TTM検出系7のNAを十分に上げる事が出来ないと言う問題があった。TTM検出系7のNA45はTTM検出系7それ自体の大きさに依存しており、照明系2と照明光3の照明光束を避けるように配置されたTTM検出系7では、TTM検出系7を大型化する事ができず、NA45を大きくする事ができない。TTM検出系7のNAを十分に大きくする事が出来なければ、アライメント時の光量が少なくなり、アライメント精度の低下に繋がってしまう。TTM検出系7は、モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークを同時に検出して位置合わせする為、モールド5の上部に配置せざるを得ない。但し、モールド5の上部が配置上混みあっている事から、従来のインプリント装置1では、TTM検出系7のNAを上げる事ができず、アライメント精度が低下する、と言う問題があった。TTM検出系7のアライメント精度が低下すれば、ダイバイダイアライメントの際のウエハの位置ずれを正確に補正する事ができなくなり、モールドの押印時に下地のパターンとの重ね合わせが上手くいかず、デバイスの歩留まりが低下する原因となってしまう。そこで本発明では、モールド5とウエハ8をダイレクトに位置合わせするTTM検出系のNAを上げる事ができ、アライメント精度を向上させたインプリント装置を提供する事に特徴がある。結果として、モールド5に形成されたパターンとウエハ8のショット領域と高精度に重ね合わせする事ができ、歩留まりの向上に貢献できる。図3は、第1実施形態に係るインプリント装置17の構成を概略的に示す図である。図3は、モールド5の上部Z軸方向にリレー光学系18を構成する事を特徴とするインプリント装置17を示している。第1実施形態のインプリント装置17は図3に示すように、ウエハ8を保持するウエハステージ9と、モールド5を保持するインプリントヘッド4、樹脂塗布機構6、制御部10を備える。ここまでは、図9に示した従来のインプリント装置の構成と同じである。リレー光学系18には、リレー光学系内レンズ49が構成されており、ウエハ面が結像されているウエハ面の結像面47共役面をモールド5の上部に作り出す事ができる。リレー光学系は型を介してウエハ面を結像させる機能を有しており、ウエハ面を結像させればリレー光学系の倍率は等倍であっても、拡大系であっても良い。ここで、リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、1つのショット領域全面であることが望まれる。ショット領域全面を結像することにより、ショットに対応する複数のマークを検出することができる。また、リレー光学系の画面の大きさは、後述する照明系が基板上のインプリント材を照射する照明光の領域以上にすることができる。こうすることで、型に形成されたパターンを転写する領域の外側に形成されたマークをリレー光学系により結像させることができる。結像したマークが検出系により受光素子に導かれることで、マーク検出が行われる。TTM検出系19は内部に設けられた光源を用いて、モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークに計測光11主に可視光や赤外線を照射し、その反射光を検出する。上述のTTM検出系7には受光素子が含まれると説明したが、ここでは、TTM検出系19と受光素子46は異なるものとして説明する。TTM検出系19はリレー光学系18の上部に配置されており、TTM検出系19から照射された計測光11はリレー光学系18内のリレー光学系内レンズ49を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系18、TTM検出系19を通りTTM検出系用の受光素子46で検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。受光素子46としては光電変換素子例えばCCDカメラなどを用いればよい。特に、モールド5とウエハ8が近接または密接した際に、モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークから反射した光を受光素子に導くようにする。こうすることで、インプリント材を硬化させる前にモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。図3のように、リレー光学系18をモールド5の上部に配置する事で、モールド5上部の配置上の混みあいを避けて、配置上余裕のあるスペースまで、TTM検出系19の配置場所を移動させることができる。図3のように、配置上余裕のあるスペースにTTM検出系19を配置する事により、TTM検出系19は大型化しても配置可能となり、TTM検出系19のNAを大きくする事ができる。図3のTTM検出系19のNA52は、図9のTTM検出系7のNA45よりも十分に大きくする事ができる。TTM検出系19のNA52を大きくする事が出来る為、アライメント時に十分な光量を確保する事ができる。そのため、本実施形態のインプリント装置17では、ダイバイダイアライメントの精度が従来と比較して向上する。よって、本実施形態のインプリント装置17は、モールド5とウエハ8の押印離型時に発生するウエハの位置ずれを高い精度で補正する事ができ、モールドの押印時に下地のパターンと高精度に重ね合わせする事ができる。そのため、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。本実施形態のインプリント装置17の照明系20は、図3のようにモールド5の真上ではなく、TTM検出系19からの計測光11の光軸に対して傾けて配置することができる。この配置であれば、照明系20からの照明光3は、モールド5とウエハ8の押印後にインプリント樹脂を硬化させるために光を照射することができる。モールド5を透過して、インプリント樹脂を照射する事ができる。よって、図3のリレー光学系18は照明系20からの照明光3紫外線が通らない。そのため、本実施形態のリレー光学系は照明光3とは異なる光非露光光が結像するリレーレンズである事も特徴である。[第2実施形態]図1を用いて第2実施形態について説明する。図3のインプリント装置17では、照明系20はTTM検出系19からの計測光11の光軸に対して傾けて配置していたが、照明系はできれば傾けずに、ウエハ8に対して垂直に照明光を入射する事が望ましい。そこで、第2実施形態ではモールド上部に高いアライメント精度を実現できるNAの高いTTM検出系と、照明系の両方を配置し、計測光と照明光の両方をウエハ面に対して垂直に入射できる事を特徴とするインプリント装置について説明する。図1はビームスプリッター22を備えたリレー光学系23をモールド上部に配置したインプリント装置21の概略ブロック図を示したものである。インプリント装置21は図1に示すように、ウエハ8を保持するウエハステージ9と、モールド5を保持するインプリントヘッド4、樹脂塗布機構6、制御部10を備える。ここまでは、図9で示したインプリント装置の構成と同じである。TTM検出系19はリレー光学系23を介して配置されている。TTM検出系19から照射された計測光11は、リレー光学系23に構成されたリレー光学系内レンズ49とビームスプリッター22とリレー光学系内レンズ49を透過して、モールド5とウエハ8に照射される。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系18、TTM検出系19を通りTTM検出系用の受光素子46で検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。リレー光学系23に構成されたリレー光学系内レンズ49によって、ウエハ面が結像されているウエハ面の結像面47がモールド5の上部に形成される。TTM検出系19については、図3のTTM検出系19と同様の構成とすることができる。リレー光学系23は型を介して基板の表面の結像面47を形成することができる。リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、第1実施形態のリレー光学系18と同じく、ショット領域全面とすることができる。また、照明系がインプリント材を照明する照明光の領域以上とすることができる。少なくともショットに対応して基板上に形成されたアライメントマークが、同時に結像されるようにリレー光学系の画面の大きさを決めればよい。図1のインプリント装置21のTTM検出系19は、図3と同じくモールド上部の配置上の混みあいを避けて、配置上余裕のあるスペースに配置されている。このため、TTM検出系19が大型化しても配置可能となり、TTM検出系19のNAを上げる事ができる。図1のTTM検出系19のNA52は、図9に示した従来のインプリント装置のTTM検出系7のNA45よりも十分に大きくすることができる。TTM検出系19のNA52を大きくする事が出来る為、アライメント時に十分な光量を確保する事ができる。そのため、第2実施形態のインプリント装置21では、ダイバイダイアライメントの精度が従来と比較して向上する。よって、第2実施形態のインプリント装置21は、モールド5とウエハ8の押印離型時に発生するウエハの位置ずれを高い精度で補正する事ができ、モールドの押印時に下地のパターンと高精度に重ね合わせする事ができる。そのため、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。第2実施形態のインプリント装置21の照明系24は、TTM検出系19と同じく、モールド上部の配置上の混みあいを避けて、配置上余裕のあるスペースに配置されている。照明系24から照射された照明光3は照明系用レンズ48を通ってビームスプリッター22まで導光された後、ビームスプリッター22で反射する。反射した照明光3はリレー光学系内レンズ49と、モールド5を透過し、ウエハ8に供給されたインプリント樹脂を照射することができる。インプリント樹脂は照明光3が照射されることで硬化する。ビームスプリッター22は照明系24と部分的に共通な構成である。このように、第2実施形態のインプリント装置ではビームスプリッター22を備えたリレー光学系23をモールド上部に構成する事で、TTM検出系19と照明系24の両方を配置上余裕のあるスペースに配置する事が可能である。また、リレー光学系23は照明光3とは異なる光非露光光でショット全面を結像しているテレセントリック光学系軸外主光線が光軸に平行である。上述したようにリレー光学系23は複数のアライメントマークを同時に結像することができる。そのため、TTM検出系19を移動可能に構成し、その位置を変えることで、複数のアライメントマークの各点を計測する事ができる。リレー光学系23がテレセントリック光学系だと、軸外主光線が光軸に対して平行である為、TTM検出系19の像高変更の手段が容易になると言うメリットがある。図1では、ウエハ8上の3点がウエハ面の結像面47に結像している例を示しており、TTM検出系19の位置を変える事で、ウエハショットの異なる点を計測できる事が分かる。図1では簡単の為、ビームスプリッター22内での光線の屈折を図示していないが、実際にはビームスプリッター22に垂直に入射するリレー光学系23の軸上光線以外は、ビームスプリッター22を透過する時にわずかながらシフトする。[第3実施形態]図2を用いて第3実施形態について説明する。上述の実施形態のように、リレー光学系の配置は検出系とモールドの間に構成されていることを特徴とする。また検出系は、リレー光学系を介してモールドとウエハの順に計測光を照射し、モールドに形成されたアライメントマークとウエハに形成されたアライメントマークの反射光を検出する。検出結果に基づいてモールドとウエハの位置ずれを検出し、位置合わせができる構成になっている。第2実施形態で説明したビームスプリッター22は、TTM検出系19の計測光11を透過し、照明系24から照射される照明光3を反射する特性であるとした。しかし、ビームスプリッターの特性は逆でも良い。第3実施形態のインプリント装置は、TTM検出系19の計測光11を反射し、照明系24から照射される照明光3を透過する特性を持ったビームスプリッター26を用いる。図2はビームスプリッター26を備えたインプリント装置25の概略ブロック図を示したものである。TTM検出系19から照射された計測光11は、TTM検出系用レンズ50を透過し、ビームスプリッター26まで導光された後、ビームスプリッター26で反射する。反射した計測光11はリレー光学系内レンズ49を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はTTM検出系19を通りTTM検出系用の受光素子46で検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。リレー光学系23は、第2実施形態で説明したリレー光学系23と同様の構成とすることができる。ただし、計測光11はビームスプリッター26で反射するため、リレー光学系23に構成されたリレー光学系内レンズ49とTTM検出系用レンズ50によって、ウエハの表面ウエハ面の結像面47が形成される。このように、ウエハ面の結像面47がモールド5の上部に形成される。TTM検出系19については、図3のTTM検出系19と同様の構成とすることができる。リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、第1実施形態のリレー光学系18と同じく、ショット領域全面とすることができる。また、照明系がインプリント材を照明する照明光の領域以上とすることができる。少なくともショットに対応して基板上に形成されたアライメントマークが、同時に結像されるようにリレー光学系の画面の大きさを決めればよい。照明系24から照射された照明光3はリレー光学系23に備えられたリレー光学系内レンズ49、ビームスプリッター26、リレー光学系内レンズ49を透過し、モールド5を透過してウエハ8上に供給されたインプリント樹脂を照明する。インプリント樹脂は照明光3が照射されることで硬化する。このように、第3実施形態のインプリント装置25では、計測光11を反射し、照明光3を透過する特性を持ったビームスプリッター26を備える。こうして、第2実施形態と同じく、高アライメント精度を実現できるNAの高いTTM検出系19と照明系24をモールド上に配置する事が可能となる。図2のインプリント装置では、TTM検出系からの計測光を反射し、照明系からの照明光を透過させる特性を持つビームスプリッター26をリレー光学系が備えている事を特徴とした。このビームスプリッターの特性は完全反射や完全透過でなくても良い。例えば、TTM検出系からの計測光の90を反射し、10は透過する特性のビームスプリッターであっても良い。また、照明系からの照明光の90を透過し、10は反射する特性のビームスプリッターであっても良い。ビームスプリッターの反射と透過の比は、9:1ではなく、8:2でも7:3などでも良いとする。[第4実施形態]図4を用いて第4実施形態について説明する。図1や図2のように、ビームスプリッターを備えたリレー光学系を構成するインプリント装置では、TTM検出系と照明系の両方をモールド上に配置する事が可能で、かつTTM検出系のNAを十分に上げる事が出来ると言うメリットがある。しかし、リレー光学系内に備えられるビームスプリッターの特性を出すのが難しいことがある。また、特性を出せたとしてもビームスプリッターのコストが高い場合がある。また、図3のようなビームスプリッターを備えていないリレー光学系では、TTM検出系のNAを十分に上げてモールド上に配置する事はできても、照明系はTTM検出系の光軸に対して斜めに配置せざるを得ない。そこで第4実施形態としては、ビームスプリッターを備えないリレー光学系を構成するインプリント装置について説明する。NAが十分に大きいTTM検出系と照明系の両方をモールド上に配置し切り替える事を特徴とする。図4は第4実施形態のTTM検出系と照明系を切り替えるインプリント装置27の概略ブロック図を示したものである。第4実施形態のインプリント装置27は図4に示すように、ウエハ8を保持するウエハステージ9と、モールド5を保持するインプリントヘッド4、樹脂塗布機構6、制御部10を備える。ここまでは、上述の実施形態で説明したインプリント装置の構成と同じである。TTM検出系28と照明系29は、モールド5とウエハ8に対してリレー光学系30を介して配置されており、それぞれ駆動機構不図示を備えている。アライメント時には、図4aのように、TTM検出系28から照射された計測光11はリレー光学系30に構成されたリレー光学系内レンズ49を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系30、TTM検出系28を通りTTM検出系用の受光素子46で検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。リレー光学系30は型を介してウエハの表面の結像面47を形成することができる。リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、第1実施形態のリレー光学系18と同じく、ショット領域全面とすることができる。また、照明系がインプリント材を照明する照明光の領域以上とすることができる。少なくともショットに対応して基板上に形成されたアライメントマークが、同時に結像されるようにリレー光学系の画面の大きさを決めればよい。リレー光学系30に構成されたリレー光学系内レンズ49によって、ウエハの表面ウエハ面の結像面47が形成される。このように、ウエハ面の結像面47がモールド5の上部に形成される。TTM検出系28については、図3のTTM検出系19と同様の構成とすることができる。ウエハ8を照明系29が照明する時には、図4bのように、TTM検出系28と照明系29の位置を入れ替える。照明系29から照射された照明光3はリレー光学系30に構成されたリレー光学系内レンズ49とモールド5を透過し、ウエハ8に供給されたインプリント樹脂を照射する。インプリント樹脂は照明光3が照射されることで硬化する。このように、TTM検出系28と照明系29の配置を切り替えるインプリント装置27では、リレー光学系30内にビームスプリッターを備えずに、NAを十分上げたTTM検出系と照明系をモールド上部に配置する事が可能となる。[第5実施形態]図5を用いて第5実施形態について説明する。上述の実施形態では説明を簡単にする為に、TTM検出系は1系統の構成で説明した。しかし、TTM検出系は複数系統の構成でも良い。例えば、ダイバイダイアライメント時にショットの複数個所に形成されたアライメントマークを同時に計測したい時などには、TTM検出系が複数系統ある方が望ましい。TTM検出系が1系統でも、ステージを移動させるか、もしくはTTM検出系を移動させる事で、ショットの複数個所に形成されたアライメントマークを計測する事はできる。しかし、ステージまたは検出系を移動させる為に、アライメント精度が低下し易く、かつスループットも低下すると言う問題がある。モールド上は配置上混みあっており、従来、TTM検出系をモールド上に複数系統配置することは、配置上容易ではなかった。そこで第5実施形態では、モールド上にリレー光学系を配置する事で、NAが十分に大きいTTM検出系を複数系統、モールド上に配置する事を特徴とする。図5は第5実施形態の複数のTTM検出系を備えるインプリント装置の概略ブロック図を示したものである。第5実施形態のインプリント装置は図5a~cに示すように、ウエハ8を保持するウエハステージ9と、モールド5を保持するインプリントヘッド4、樹脂塗布機構6と、制御部10を備える。ここまでは、上述の実施形態で説明したインプリント装置の構成と同じである。図5aは、2系統のTTM検出系をモールド5の上部に配置したインプリント装置31の概略ブロック図を示したものである。モールド5の上部にリレー光学系34が構成されており、モールド上部の配置上の混みあいを避けて、配置上余裕のあるスペースにTTM検出系を配置することができる。図5aでは、TTM検出系32とTTM検出系33が配置上余裕のあるスペースに配置されており、それぞれNAが十分に大きいTTM検出系で高いアライメント精度を実現することができる。TTM検出系が2系統構成される事により、同一ショットの異なる2点のアライメントマークを同時に検出する事ができ、高精度なアライメント計測を実現する事ができる。例えば、X方向のアライメントマークとY方向のアライメントマークを検出すれば、X方向のアライメント計測とY方向のアライメント計測を同時にする事もできる。また、ショット内の異なる2点のアライメントマークを検出する事で、ショット形状を補正する事もできる。また、第5実施形態のリレー光学系34は照明光3とは異なる光非露光光でショット全面を結像しているテレセントリック光学系であり、複数のTTM検出系を配置する事が可能である。リレー光学系34は型を介してウエハの表面の結像面47を形成することができる。リレー光学系34は、第1実施形態で説明したリレー光学系18と同様の構成とすることができる。また、リレー光学系34は、第2実施形態や第3実施形態で説明したリレー光学系23と同様の構成としても良い。リレー光学系にビームスプリッターを挿入して照明系24が照射する照明光3の光路と計測光11の一部を共通にすることができる。また、図5aのTTM検出系32とTTM検出系33の相対位置は可変である。TTM検出系32とTTM検出系33の位置を変えることで、ウエハショットの各点を計測する事が可能となる。リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、少なくとも基板上に形成された複数のアライメントマークが、同時に結像されるようにリレー光学系の画面の大きさを決めればよい。TTM検出系32とTTM検出系33から照射された計測光11はリレー光学系34を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系34、TTM検出系32、TTM検出系33を通りTTM検出系用の受光素子46でそれぞれ検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。リレー光学系34に構成されたリレー光学系内レンズ49によって、ウエハ面が結像されているウエハ面の結像面47がモールド5の上部に形成される。TTM検出系32、33については、図3のTTM検出系19と同様の構成とすることができる。本実施形態のインプリント装置31では照明系35は、モールド5とウエハ8の押印後にウエハに供給されたインプリント樹脂に照明光3を照射すれば良い。そのため、照明系35はモールド5の真上ではなく、TTM検出系32やTTM検出系33からの計測光11の光軸に対して傾けて配置しても良い。この配置であれば、照明系35からの照明光3は、モールド5とウエハ8の押印後にモールド5を透過して、ウエハ8に供給されたインプリント樹脂を照射する事ができる。インプリント樹脂は照明光3が照射されることで硬化する。このように、図5aのリレー光学系34は照明系35からの照明光3紫外線が通らない。そのため、本実施形態のリレー光学系は照明光3とは異なる光非露光光が結像するリレーレンズである事も特徴である。図5aの説明では複数のTTM検出系として2系統配置したインプリント装置について説明した。しかし複数系統であれば、TTM検出系は2系統でなくて3系統でも4系統でも良い。図5bはモールド5の上部にTTM検出系を4系統配置したインプリント装置36の概略ブロック図を示したものである。第5実施形態では、モールド上にリレー光学系34を構成しており、TTM検出系を配置上余裕のあるスペースに配置することが可能である。その為、TTM検出系を縦方向Z方向だけでなく、横方向X方向、Y方向に配置する事が可能となる。インプリント装置36のTTM検出系は、図5aと同じZ方向に配置されたTTM検出系32とTTM検出系33に加えて、Y方向にTTM検出系37とTTM検出系38が配置され、合わせて4系統配置されている。TTM検出系32とTTM検出系33は、ここでは図5aで説明したものと同じものとする。TTM検出系37とTTM検出系38から照射された計測光11は、それぞれミラー39とミラー40で反射し、リレー光学系34を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系34、TTM検出系37、TTM検出系38を通りTTM検出系用の受光素子46でそれぞれ検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。ミラー39とミラー40は結像面47の近傍に配置されており、反射光を折り曲げて取り出す事ができる。結像面47の近傍にミラーを配置する事で、光線有効径が広がる前に光線を折り曲げる反射事が出来る為、複数のTTM検出系を容易に配置する事が可能となる。図5bの説明では、結像面47の後にミラー39とミラー40を配置しているが、ミラーは結像面47の手前に配置しても良い。このように、リレー光学系が形成する結像面、又は結像面付近にミラーを配置することで、インプリント装置全体の高さを抑えたり、設計の自由度が増したりする。また、本実施形態では一部の光束を折り曲げているが、装置の高さを抑えたい場合には全ての光束を折り曲げて、検出系を横方向に配置しても良い。図5cはミラー39とミラー40を結像面47の手前に配置したインプリント装置53の概略ブロック図を示したものである。図5cのTTM検出系37とTTM検出系38はリレー光学系34が結像面47を形成する前に、ミラー39とミラー40で一部の光線を折り曲げている事に特徴がある。図5bと同じく、光線有効径が広がる前に光線を折り曲げる事が出来る為、複数のTTM検出系を容易に配置する事が可能になる。リレー光学系34は上述の実施形態で説明したリレー光学系と同様の構成にすることができる。しかし、図5cのように結像面47を形成する前にミラーを配置して反射光を折り曲げている場合には、必ずしも結像面47は形成されない。このような場合は、ミラー39とミラー40で光線が折り曲げられた後に、アライメントマークから反射した光が結像している。そのため、ミラー39とミラー40はリレー光学系の一部とみなすことができる。ここでは、このような場合もリレー光学系はウエハ面の結像面47を形成すると呼ぶことにする。このように、モールドの上部にリレー光学系を構成する手法を用いれば、モールド上の配置上の混みあいを緩和して、十分にNAの大きいTTM検出系を複数、配置する事ができる。これによって、複数のアライメントマークを同時に検出する時にも、TTM検出系の光量を十分に確保する事ができ、精度の高いアライメントを実現する事ができる。[第6実施形態]図6を用いて第6実施形態について説明する。図5a~cの説明では、簡単のために照明系35はTTM検出系の光軸に対して傾けて配置した。しかし、複数のTTM検出系をモールド5の上部に配置した時であっても、照明系からの照明光をウエハに対して垂直に入射させてもよい。図6は第6実施形態の複数のTTM検出系を備え、照明系からの照明光をウエハに対して垂直に入射させるインプリント装置41の概略ブロック図を示したものである。第6実施形態のインプリント装置41は図6に示すように、ウエハ8を保持するウエハステージ9と、モールド5を保持するインプリントヘッド4、樹脂塗布機構6と、制御部10を備える。ここまでは、上述の実施形態で説明したインプリント装置の構成と同じである。また、インプリント装置41には図5bと同じくTTM検出系32、33、37、38が構成されている。図6aはアライメント時のインプリント装置41を示した図である。アライメント時には、TTM検出系から照射された計測光11はリレー光学系34に構成されたリレー光学系内レンズ49を透過し、モールド5とウエハ8を照射する。モールド5に形成されたアライメントマークとウエハ8に形成されたアライメントマークからの反射光はリレー光学系34、TTM検出系を通りTTM検出系用の受光素子46で検出される。検出信号に基づいてモールド5とウエハ8の位置合わせを行うことができる。このようにアライメント時の計測光11の光路は図5bと変わらない。リレー光学系34は上述の実施形態で説明したリレー光学系と同様の構成にすることができる。リレー光学系の画面の大きさ結像させるウエハ面の領域は、少なくとも基板上に形成された複数のアライメントマークが、同時に結像されるようにリレー光学系の画面の大きさを決めればよい。計測光11や反射光を折り曲げるミラー39とミラー40はリレー光学系の結像面47の後に配置しているが、第5実施形態と同様に、結像面47の手前に配置しても良いし、結像面47に配置しても良い。このように、結像面付近にミラーを配置することで、光線の有効径が広がる前に光線を折り曲げる事が出来る為、複数のTTM検出系を容易に配置することが可能になる。第6実施形態のインプリント装置41の照明系42はモールド5の上部に配置されている。ウエハ8を照明する時には、図6bのように、照明系42用のミラー43がリレー光学系34内に配置される。照明系42から照射された照明光3は照明系用レンズ48を通り、折り曲げミラー51で折り曲げられ、リレー光学系34内に配置されたミラー43にまで導光される。ミラー43で反射した照明光3は、モールド5を透過し、ウエハ8に供給されたインプリント樹脂を照射する。インプリント樹脂は照明光3が照射されることで硬化する。図6cは複数のTTM検出系と照明系42を一つのユニット44にまとめてモールド5の上部に配置したインプリント装置41を示した図である。第6実施形態のように、モールド上にリレー光学系34を構成する手法を用いれば、TTM検出系32、33、37、38と照明系42のユニット44のような大型のユニットをまとめてモールド5の上部に配置する事も可能となる。モールド5の上部にリレー光学系34を構成することで、図6cに示したような大型のユニット44をモールド5の上部に配置する事が可能となり、十分にNAの大きいTTM検出系を用いて、高精度なアライメントを実現する事ができる。第6実施形態では、リレー光学系34にミラー43を出し入れすることで計測光11と照明光3を選択的にモールド5とウエハ8を照射することができる。ここでは、ミラー43に限られず、照明光と計測光を分離する光学部材であれば良い。例えば、図1及び図2で説明したビームスプリッターを用いても良い。ビームスプリッターを用いれば、ミラー43を移動させるための駆動機構不図示を必要としなくなる。モールド5の上部は配置上、非常に混みあっており、従来は図9のようなNAの小さいTTM検出系しか配置する事が出来なかった。何れの実施形態のインプリント装置もNAの大きいTTM検出系を配置することができ、精度の高いアライメントを実現することができる。よって、本発明のインプリント装置では、モールド5とウエハ8の間で発生する位置ずれを高精度に補正する事ができ、モールドと下地のパターンと高精度に重ね合わせる事ができる。また、デバイスの歩留まり向上に貢献できる。上記の何れの実施形態もTTM検出系に光源を有し、アライメントマークに計測光を照射するものとして説明したが、必ずしもTTM検出系に光源を有していなくても良い。アライメントマークに計測光を照射するための光源計測光照明部をTTM検出系とは別に有していても良い。アライメントマークを計測光照明部から照射された光で照射し、アライメントマークから反射した光をTTM検出系が受光素子に導くようにしてもよい。上記の何れの実施形態もリレー光学系はショット全面を結像するものとして説明したが、必ずしもショット全面である必要はなく、複数のマークを同時に検出系まで導ければ良い。また、複数のショットの領域を結像するリレー光学系を用いても良い。[デバイス製造方法]デバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを形成する工程を含む。さらに、デバイス製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合の製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。