"半導体基板と、前記半導体基板の第1面側の表層に設けられ、表面がシリサイド化された受光部と、を備え、前記半導体基板の第2面に入射した被撮像体からの光を当該半導体基板の内部で光電変換し、当該光電変換により発生した電荷を前記受光部で受けて前記被撮像体を撮像することを特徴とする固体撮像装置。請求項1に記載の固体撮像装置において、前記受光部の表面全体がシリサイド化されている固体撮像装置。請求項1または2に記載の固体撮像装置において、前記受光部は、隣接する前記半導体基板との間でPN接合を形成する第1の不純物拡散層である固体撮像装置。請求項1乃至3いずれかに記載の固体撮像装置において、前記半導体基板の前記第1面上に、前記受光部と隣接して設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を挟んで、前記受光部の反対側に設けられた第2の不純物拡散層と、を備え、前記受光部、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極および前記第2の不純物拡散層は、電界効果トランジスタを構成している固体撮像装置。請求項4に記載の固体撮像装置において、前記第2の不純物拡散層の表面がシリサイド化されている固体撮像装置。請求項1乃至3いずれかに記載の固体撮像装置において、前記半導体基板の前記第1面側の前記表層に、前記受光部と隣接して設けられた第2の不純物拡散層と、前記半導体基板の前記第1面上に、前記第2の不純物拡散層と隣接して設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を挟んで、前記第2の不純物拡散層の反対側に設けられた第3の不純物拡散層と、を備え、前記第2の不純物拡散層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極および前記第3の不純物拡散層は、電界効果トランジスタを構成している固体撮像装置。請求項6に記載の固体撮像装置において、前記第2および第3の不純物拡散層の表面がシリサイド化されている固体撮像装置。請求項4乃至7いずれかに記載の固体撮像装置において、前記ゲート電極の表面がシリサイド化されている固体撮像装置。しかしながら、特許文献1に記載の固体撮像装置においては、感度の面で向上の余地がある。かかる固体撮像装置の感度が低下する一因としては、半導体基板の内部で発生した信号電荷の一部が、再結合によって消滅してしまうことが挙げられる。本発明による固体撮像装置は、半導体基板と、上記半導体基板の第1面側の表層に設けられ、表面がシリサイド化された受光部と、を備え、上記半導体基板の第2面に入射した被撮像体からの光を当該半導体基板の内部で光電変換し、当該光電変換により発生した電荷を上記受光部で受けて上記被撮像体を撮像することを特徴とする。ここで、第2面は、第1面受光部が設けられた側の面と反対側の面である。この固体撮像装置においては、受光部の表面がシリサイド化されている。このため、光電変換されることなく、半導体基板中を通って受光部の表面に達した光は、当該表面で反射される。これにより、その反射された光を再利用できるため、入射光に対する光電変換効率が向上する。本発明によれば、感度の優れた固体撮像装置が実現される。以下、図面を参照しつつ、本発明による固体撮像装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本発明による固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。固体撮像装置1は、半導体基板10と受光部20とを備えている。本実施形態において、半導体基板10は、P型シリコン基板である。この半導体基板10は、P型ウエル領域12を含んでいる。受光部20は、半導体基板10の表面S1第1面側の表層に設けられている。具体的には、半導体基板10中のP型ウエル領域12に受光部20が形成されている。この受光部20の表面20aは、シリサイド化されている。本実施形態においては特に、表面20aの全体がシリサイド化されている。また、受光部20は、N型不純物拡散層第1の不純物拡散層であり、隣接するP型ウエル領域12との間でPN接合を形成している。固体撮像装置1は、半導体基板10の裏面S2第2面に入射した被撮像体からの光を半導体基板10の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部20で受けて上記被撮像体を撮像するものである。半導体基板10の表面S1上には、ゲート絶縁膜32が形成されている。このゲート絶縁膜32は、上述の受光部20と隣接して設けられている。また、ゲート絶縁膜32上には、ゲート電極34が形成されている。ゲート電極34の表面34aも、シリサイド化されている。ゲート絶縁膜32およびゲート電極34は、例えば、それぞれ酸化シリコンおよびポリシリコンによって構成される。さらに、ゲート絶縁膜32およびゲート電極34を挟んで、受光部20の反対側にはN型不純物拡散層36第2の不純物拡散層が形成されている。N型不純物拡散層36の表面36aも、シリサイド化されている。これらのゲート絶縁膜32、ゲート電極34およびN型不純物拡散層36は、受光部20と共に、電界効果トランジスタFETを構成している。このFETにおいて、ゲート電極34およびN型不純物拡散層36は、それぞれリセットゲートおよびリセットドレインとして機能する。また、このFETは、素子分離領域52によって、他の素子と隔てられている。素子分離領域52は、例えば、LOCOSLocalOxidationofSilicon領域またはSTIShallowTrenchIsolation領域である。受光部20には、配線54を介して、ソースフォロアアンプ40が接続されている。この配線54は、半導体基板10上の配線層図示せず中に形成される配線である。ただし、図1においては、この配線54およびソースフォロアアンプ40を回路図で表している。ソースフォロアアンプ40は、選択スイッチ用FET42、検出用FET44、および負荷用FET46を含んでいる。これらは、高電位側の電源端子Vddと低電位側の電源端子Vssとの間に、設けられている。具体的には、電源端子Vddから電源端子Vssに向かって、検出用FET44、選択スイッチ用FET42および負荷用FET46の順に、互いに直列に設けられている。また、負荷用FET46のドレイン端子選択スイッチ用FET42側の端子に、ソースフォロアアンプ40の出力端子48が接続されている。次に、固体撮像装置1の動作を説明する。まず、ゲート電極34にハイパルスが印加されることにより、受光部20の電位がリセットされる。次に、ゲート電極34にローパルスが印加されることにより、光電変換により発生した電荷が受光部20中に蓄積される。すると、受光部20の電位は、蓄積された電荷量に依存した値となり、ソースフォロアアンプ40の出力端子48から出力される。続いて、固体撮像装置1の効果を説明する。固体撮像装置1においては、受光部20の表面20aがシリサイド化されている。このため、光電変換されることなく、半導体基板10中を通って受光部20の表面20aに達した光は、当該表面20aで反射される。これにより、その反射された光を再利用できるため、入射光に対する光電変換効率が向上する。よって、感度の優れた固体撮像装置1が実現されている。このように受光部20の表面20aに形成されるシリサイドを反射板として利用することにより、固体撮像装置1の製造工程の増大を抑えつつ、光電変換効率を向上させることができる。ところで、特許文献2,3に記載の固体撮像装置においても、かかる反射板として機能し得る金属反射膜が設けられている。しかしながら、この場合、金属反射膜を形成する工程が追加されるため、製造工程が増大してしまう。そのうえ、この金属反射膜は、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられており、それにより光電変換領域から離間している。そのため、光電変換領域と金属反射膜との間の領域この場合は絶縁膜における光の吸収や散乱等により、光電変換領域を通過した光の再利用効率が低下してしまう。この点、固体撮像装置1においては、反射板として機能するシリサイドが光電変換領域に隣接して設けられているため、光電変換領域を通過した光を高効率で再利用することができる。これにより、上述のとおり、光電変換効率が向上し、感度に優れた固体撮像装置1が実現されている。なお、特許文献2,3の固体撮像装置においても、シリサイドが設けられている。ところが、このシリサイドは、光電変換領域そのものとして用いられており、上述の反射板として機能するものではない。すなわち、これらの文献の固体撮像装置は、金属からなる第1光電変換領域と、それにオーミック接触した第2光電変換領域とを撮像のために要する。したがって、シリサイドは、第1光電変換領域として設けられたものである。これに対して、固体撮像装置1においては、半導体基板10および受光部20が光電変換領域として機能するのであって、上記文献の固体撮像装置とは撮像原理が相異している。この撮像原理の相異に関し、固体撮像装置1の撮像原理の方が、使用可能な光の波長範囲が広いという点で優位である。すなわち、上記文献の固体撮像装置においては主に赤外光しか利用できないのに対して、固体撮像装置1においては、可視光から赤外光までの幅広い波長範囲の中から選択された入射光を利用することができる。また、特許文献4の固体撮像装置においても、受光部の表面にシリサイドが設けられている。ところが、この固体撮像装置は表面入射型であるため、このシリサイドを、半導体基板中の光電変換領域を通過した光を反射させる反射板として利用することができない。むしろ、このシリサイドは、半導体基板に入射しようとする光を反射させてしまうものである。そのため、受光部の表面のうちシリサイドで覆われた部分の面積割合が増えれば増えるほど、光電変換効率が低下してしまう。実際、同文献の固体撮像装置においては、光電変換効率の低下を防ぐべく、受光部表面の周縁部にのみをシリサイド化している。固体撮像装置1においては、受光部20の表面20aの全体がシリサイド化されている。これにより、表面20aの一部のみがシリサイド化されている場合に比して、光電変換効率を一層向上させることができる。裏面入射型の固体撮像装置1においては、受光部20の表面20aのうちシリサイドで覆われた部分の面積割合が増えれば増えるほど、光電変換効率が向上するからである。そのうえ、表面20aの全体をシリサイド化する場合の方が、一部のみをシリサイド化する場合よりも、製造工程が簡素である。ただし、表面20aの全体をシリサイド化することは必須ではなく、その一部のみがシリサイド化されていてもよい。受光部20は、隣接する半導体基板10P型ウエル領域12との間でPN接合を形成する不純物拡散層である。これにより、簡素な構成で、固体撮像装置を実現することができる。受光部20、ゲート絶縁膜32、ゲート電極34およびN型不純物拡散層36は、FETを構成している。これにより、簡素な構成で、受光部20の電位をリセットするための構造を実現することができる。ゲート電極34の表面34aおよびN型不純物拡散層36の表面36aがシリサイド化されている。これにより、これらの表面34a,36aが低抵抗となるため、高速動作に適したFETが得られる。なお、固体撮像装置1の製造工程においては、受光部20の表面20aのシリサイド化を、これらの表面34a,36aのシリサイド化と同時に実行することが好ましい。なお、本発明による固体撮像装置は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。図2は、上記実施形態の変形例に係る固体撮像装置を示す断面図である。固体撮像装置2は、半導体基板10と受光部20とを備えている。この固体撮像装置2も、半導体基板10の裏面S2に入射した被撮像体からの光を半導体基板10の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部20で受けて上記被撮像体を撮像するものである。半導体基板10および受光部20の構成は、固体撮像装置1について説明したとおりである。固体撮像装置2においては、半導体基板10の表面S1側の表層に、N型不純物拡散層38が形成されている。このN型不純物拡散層38は、受光部20と隣接して設けられている。また、半導体基板10の表面S1上に、N型不純物拡散層38と隣接してゲート絶縁膜32が形成されている。ゲート絶縁膜32上には、ゲート電極34が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜32およびゲート電極34を挟んで、N型不純物拡散層38の反対側にはN型不純物拡散層36が形成されている。N型不純物拡散層38の表面38a、ゲート電極34の表面34aおよびN型不純物拡散層36の表面36aは、何れもシリサイド化されている。これらのN型不純物拡散層38、ゲート絶縁膜32、ゲート電極34およびN型不純物拡散層36は、FETを構成している。このFETにおいても、ゲート電極34およびN型不純物拡散層36は、それぞれリセットゲートおよびリセットドレインとして機能する。なお、固体撮像装置2の動作および効果は、上述の固体撮像装置1と同様である。"