第一の電極層、光電変換層および第二の電極層がこの順に配置され、前記第二の電極層側から入射する光によって光起電力を発生させる薄膜光電変換素子において、少なくとも前記第二の電極層は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明導電膜であることを特徴とする薄膜光電変換素子。前記光電変換層は、アモルファスシリコンa-Si太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、または微結晶シリコン系太陽電池に用いられる光電変換層であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜光電変換素子。前記酸化物透明導電膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比が0.02~0.1の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明電極層の比抵抗が2.0×103Ωcm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜光電変換素子。前記低原子価金属酸化物が、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタルおよび低原子価酸化モリブデンから選ばれることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。低原子価酸化チタンがTiO2XX=0.1~1であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜光電変換素子。低原子価酸化チタンがTiOII、Ti2O3III、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9およびTi8O15から選ばれることを特徴とする請求項4または5に記載の薄膜光電変換素子。低原子価酸化ニオブがNbOII、Nb2O3IIIおよびNbO2IVから選ばれることを特徴とする請求項4~6のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。低原子価酸化タンタルがTaO2およびTa2O3IIIから選ばれることを特徴とする請求項4~7のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。低原子価酸化モリブデンがMoO2およびMo2O3IIIから選ばれることを特徴とする請求項4~8のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であることを特徴とする請求項1~9のいずれかに薄膜光電変換素子。波長780~1500nmにおける平均光透過率が80以上であり、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。基板と、該基板上に前記第一の電極層が積層された請求項1~11のいずれかに記載の薄膜光電変換素子とを少なくとも有する太陽電池。透明基板と、該透明基板上に前記第二の電極層が積層された請求項1~11のいずれかに記載の薄膜光電変換素子とを少なくとも有する太陽電池。しかしながら、上記した従来の、アルミニウムやガリウムをドーパントとした酸化亜鉛ZnO系透明導電膜は、i低抵抗で可視光領域での透過率が高いが、近赤外領域での透過率が低く、ii化学的耐久性に劣り、これらを使用した薄膜光電変換素子は、耐久性が大きく劣るという大きな2つの問題点があった。上記iの問題により、これらの膜を光入射側に用いた太陽電池は赤外領域の太陽光エネルギーを十分利用することができなかった。これは、酸化物透明導電膜による赤外線の反射や吸収はキャリア電子濃度が大きいほど大きくなるから、アルミニウムやガリウムをドーパントとした酸化亜鉛ZnO膜の赤外領域での透過率が低いのは、低抵抗の裏返しとしてキャリア電子濃度が高いためと考えられる。上記iiの問題は、薄膜光電変換素子の信頼性に関わる問題であり、製品寿命に直結する。通常、20年レベルの長期屋外使用耐性が求められるが、現在の薄膜光電変換素子は実用レベルで20年保証できるかはまだわからないという現状にある。本発明は、上記課題を克服することを目的に提案された材料であり、可視光領域だけでなく赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有し、化学的耐久性に優れた酸化物透明導電膜を備えた薄膜光電変換素子およびそれを用いた太陽電池を提供することを目的としている。本発明者は、上記問題を解決すべく種々検討した結果、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物を含有したターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であって、酸化亜鉛に低原子価金属が、低原子価金属/亜鉛の原子数比で0.02~0.1の割合で置換され、酸化物透明導電膜の比抵抗が2.0×103Ωcm以下である酸化物透明導電膜は、近赤外領域の透過性に優れて、当該酸化物透明導電膜を薄膜光電変換素子における酸化物透明導電膜に適用した時に変換効率および耐久性を向上させ、長期信頼性を向上させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の構成からなる。1第一の電極層、光電変換層および第二の電極層がこの順に配置され、前記第二の電極層側から入射する光によって光起電力を発生させる薄膜光電変換素子において、少なくとも前記第二の電極層は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明導電膜であることを特徴とする薄膜光電変換素子。2前記光電変換層は、アモルファスシリコンa-Si太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、または微結晶シリコン太陽電池に用いられる光電変換層であることを特徴とする前記1に記載の薄膜光電変換素子。3前記酸化物透明導電膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比が0.02~0.1の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明電極層の比抵抗が2.0×103Ωcm以下であることを特徴とする前記1または2に記載の薄膜光電変換素子。4前記低原子価金属酸化物が、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタルおよび低原子価酸化モリブデンから選ばれることを特徴とする前記1~3のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。5低原子価酸化チタンがTiO2XX=0.1~1であることを特徴とする前記4に記載の薄膜光電変換素子。6低原子価酸化チタンがTiOII、Ti2O3III、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9およびTi8O15から選ばれることを特徴とする前記4または5に記載の薄膜光電変換素子。7低原子価酸化ニオブがNbOII、Nb2O3IIIおよびNbO2IVから選ばれることを特徴とする前記4~6のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。8低原子価酸化タンタルがTaO2およびTa2O3IIIから選ばれることを特徴とする前記4~7のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。9低原子価酸化モリブデンがMoO2およびMo2O3IIIから選ばれることを特徴とする前記4~8のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。10波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であることを特徴とする前記1~9のいずれかに薄膜光電変換素子。11波長780~1500nmにおける平均光透過率が80以上であり、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする前記1~9のいずれかに記載の薄膜光電変換素子。12基板と、該基板上に前記第一の電極層が積層された前記1~11のいずれかに記載の薄膜光電変換素子とを少なくとも有する太陽電池。13透明基板と、該透明基板上に前記第二の電極層が積層された前記1~11のいずれかに記載の薄膜光電変換素子とを少なくとも有する太陽電池。本発明によれば、可視光領域だけでなく近赤外線領域も透過性に優れ、しかも低抵抗値を有し、化学的耐久性が良好な酸化物透明導電膜を備えた薄膜光電変換素子の光入射側の透明電極に用いることによって、従来では不可能であった赤外線領域の太陽光エネルギーを高効率に利用でき、光電変換素子の長期的信頼性を向上させることができ、産業上極めて有用な発明といえる。本発明の光電変換素子は、第一の電極層と、光電変換層と、第二の電極層とがこの順に配置され、前記第二の電極層側から入射する光によって光起電力を発生させる薄膜光電変換素子である。かかる薄膜光電変換素子は、少なくとも前記第二の電極層が、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明導電膜であること以外は、特に制限されるものではなく、光電変換層を種々変えることによって、例えば、アモルファスシリコンa-Si太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、微結晶シリコン太陽電池などのシリコン系薄膜太陽電池;バルク単結晶シリコンにシリコン系薄膜を積層したヘテロ接合太陽電池;カルコパイライト系薄膜太陽電池;GaAs、CdTeなどの化合物半導体を用いた太陽電池;有機材料を用いた有機太陽電池等に用いることができ、なかでも、アモルファスシリコンa-Si太陽電池、多結晶シリコン太陽電池または微結晶シリコン太陽電池に用いるのが好ましい。薄膜光電変換素子の厚さは、特に限定されず、0.5μm~100μm程度であるのが好ましい。以下、前記光電変換素子をシリコン系薄膜太陽電池に用いた本発明の太陽電池の一実施形態として、前記光電変換層が、第一の電極層側から順に、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層を積層したものを含む、シリコン系薄膜太陽電池について説明する該形態を第一の実施形態とする。前記第一の実施形態は、基板上に第一の電極層が形成され、該第一の電極層の上に光電変換層として、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層が順次形成され、p型半導体層の上に第二の電極層として後述する特定の酸化物透明導電膜が形成された、いわゆるサブストレート型構造のシリコン薄膜太陽電池である。さらに、場合によっては、該第二の電極層の上に、例えば、銀、アルミニウム、銅、モリブデン等からなる金属の櫛形電極を設けることもできる。基板としては、透光性である必要はなく、例えば、ポリイミドなどの樹脂基板、ステンレス、アルミニウムなどの金属基板などのフレキシブル基板;無アルカリガラスなどのガラス基板、ポリエチレンテレフタレートPETなどの樹脂基板などの透光性基板等が用いられる。第一の電極層としては、例えば、銀、アルミニウム、銅、モリブデン等からなる金属膜電極;ガリウム等が添加された酸化亜鉛薄膜;酸化錫薄膜等の導電性酸化物層;後述する酸化物透明導電膜などが用いられる。また、金属膜電極と併用して、酸化亜鉛薄膜、導電性酸化物層を用いることもできる。光電変換層は、一般的な太陽電池に使用することができる光電変換層であれば使用可能であり、その構造は、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層をこの順に形成された3層からなるシングル構造以下、p-i-n層構造という場合があるであってもよい。p型半導体層の材料としては、例えば、水素化アモルファスシリコンカーバイドa-SiC:Hなどが挙げられる。i型半導体層の材料としては、例えば、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、結晶シリコンc-Si、微結晶シリコンμc-Si、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムa-SiGe:Hなどが挙げられる。n型半導体層の材料としては、例えば、水素化アモルファスシリコンa-Si:H、微結晶シリコンμc-Siなどが挙げられる。この中でも、p型半導体層としてa-SiC:H層、i型半導体層としてa-Si:H層、およびn型半導体層としてa-Si:H層がこの順に形成された3層以下、a-Siのp-i-n層という場合があるからなるシングル構造が好ましい。特に、アモルファスシリコンa-Si太陽電池に用いられる光電変換層は、p-i-n層構造であり、i型半導体層は水素化アモルファスシリコンa-Si:Hからなり、p型半導体層はSiより価数が小さいBなどをドーパントとして用いたもの、n型半導体層はSiより価数が大きいPなどをドーパントとして用いたものからなる。多結晶シリコン太陽電池に用いられる光電変換層は、アモルファスシリコンa-Si太陽電池に用いられる光電変換層と同じp-i-n層構造であり、各々の層を構成する層の組成も基本的に変わらないが、アモルファスでなく多結晶化したシリコンを用いている。具体的には、結晶の粒径が数mm程度の多結晶シリコンを利用した光電変換層である。この光電変換層は、単結晶シリコン太陽電池などの他のシリコン半導体素子の製造過程で生じた端材やオフグレード品をシリコン原料に利用して製造できる。また、多結晶シリコン太陽電池は、単結晶シリコン太陽電池に比べると面積あたりの出力光電変換効率は落ちるが、生産に必要なエネルギーは少なく、エネルギー収支やエネルギーペイバックタイムEPT、温室効果ガスGEG排出量の面で単結晶シリコン太陽電池より優れる。このように、多結晶シリコン太陽電池はコストと性能のバランスの良さから、現在の太陽電池の主流となっている。また、ガラス上に非常に薄い多結晶シリコン太陽電池を形成して、利用することもできる。微結晶シリコン太陽電池に用いられる光電変換層は、アモルファスシリコンa-Si太陽電池に用いられる光電変換層と同じp-i-n層構造であり、各々の層を構成する層の組成も基本的に変わらないが、アモルファスでなく微結晶化したシリコンを用いている。この光電変換層は、CVD法などにて微細な結晶で構成された薄膜を製膜して得られる。微結晶シリコンは、多結晶型の1種と見なせるが、製膜条件によってはアモルファス的な性質も併せ持ち、その具体例としては、粒径が10~100nm程度のシリコン結晶同士の隙間結晶粒界にアモルファスシリコンが充填された、結晶とアモルファスが混在した緻密なシリコンなどが挙げられる。また、光電変換層は、例えば、上述したa-Siのp-i-n層以下、ボトムセルという場合がある上に、さらに別の吸収可能な波長領域が異なるp-i-n層以下、トップセルという場合があるが電気的に直列に形成されたタンデム構造であってもよく、より好ましくは、ボトムセル上に形成されるトップセルが、p層としてa-Si:H層、i層として微結晶Si層、およびn層としてa-Si:H層がこの順に形成された3層、またはp層としてa-Si:H層、i層としてa-SiGe:H層、およびn層としてa-Si:H層がこの順に形成された3層であるタンデム構造であるのがよい。光電変換層をタンデム構造にすることにより、短波長のみならず長波長側の光の光電変換も可能となることから、例えば、ダブルテクスチャ構造を有する酸化物透明導電膜付き基体に上記タンデム構造の光電変換層を用いれば、光電変換効率の向上効果はより明らかなものとなる。前記第一の実施形態は、基板側に裏面電極を設けたサブストレート型構造のシリコン薄膜太陽電池であるが、本発明の太陽電池の他の実施形態である、基板側から光電変換層に光を取り込むスーパーストレート型構造の太陽電池について、説明する該形態を第二の実施形態とする。前記第二の実施形態は、基板上に第二の電極層として後述する特定の酸化物透明導電膜が形成され、該第二の電極層の上に光電変換層として、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層が順次形成され、n型半導体層の上に第一の電極層が形成された、シリコン薄膜太陽電池である。この場合、基板としてガラス基板等の透明基板を用い、第一の電極層として本発明における酸化物透明導電膜を用いることが好ましく、その他は第一の実施形態と同様のものを用いることができる。また、本発明の光電変換素子は、前記光電変換層が、上述したp-i-n層構造だけでなく、第一の電極層側から順に、n型半導体層、i型半導体層、単結晶又は多結晶シリコン、i型半導体層およびp型半導体層を積層したものである、ヘテロ接合太陽電池に用いられる光電変換層としてもよい。前記光電変換素子は、単結晶又は多結晶シリコンの一方の面受光部ではない側の上に、i型半導体層およびn型半導体層が順次形成され、該n型半導体層上に第一の電極層が形成されるとともに、単結晶又は多結晶シリコンの他方の面受光部側の上には、i型半導体層およびp型半導体層が順次形成され、該p型半導体層上に第二の電極層として後述する本発明における酸化物透明導電膜が形成される。さらに、場合によっては、第一の実施形態と同様、該第二の電極層の上に金属の櫛形電極を設けることもできるし、該第一の電極層の受光側とは反対側の面に裏面電極層を設けることもできる。上記裏面電極層の電極材料としては、例えば、Ag、Ag合金、Al、Al合金などを主成分とする層を用いることができ、好ましくは、結晶性のAgを膜中に95mol以上含有する金属膜を用いるのがよい。結晶性のAgを裏面電極の金属膜に用いることにより、上記光電変換層を透過してきた光を反射させ、再び反射光を光電変換層に戻すことが可能となることから、光電変換効率を向上効果させることができる。単結晶又は多結晶シリコンとしては、例えば、n型シリコンウェハー、p型シリコンウェハー等が用いられる。なお、このヘテロ接合太陽電池に用いられる光電変換層における第一の電極層、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層については、前述した第一の実施形態と同様のものを用いることができる。また、上記裏面電極層の電極材料を第一の電極層に用いてもよい。本発明の光電変換素子における光電変換層は、光入射側がn型半導体層であるn-i-p型構造であってもよく、p-i-n型構造と同様の材質を用いることができ、さらに第一の電極層側から順に、p型半導体層およびn型半導体層を積層したp-n型構造など、従来公知のシリコン系薄膜太陽電池に用いられる種々の光電変換層としてもよい。本発明の光電変換素子は、波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であるのが好ましく、88以上であるのがさらに好ましい。また、本発明の光電変換素子は、波長780~1500nmにおける平均光透過率が80以上であり、表面抵抗が20Ω/□以下であるのが好ましく、波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であり、表面抵抗が10Ω/□以下であるのがさらに好ましい。平均光透過率がおよび表面抵抗が上記範囲内であれば、光電変換効率向上に寄与することできる。なお、平均光透過率は可視紫外分光光度計によって測定されたものであり、表面抵抗は四端子四探針法によって測定されたものである。上記各実施形態における酸化物透明導電膜以外の各層の形成方法や各層の膜厚等については、特に制限されず、従来公知の方法を適宜実施すればよい。酸化物透明導電膜本発明における酸化物透明導電膜は、酸化亜鉛に、ドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明導電膜からなる。該膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法にて成膜されるのが好ましい。例えば、スパッタリング法では、原料であるスパッタリングターゲットとして低原子価金属酸化物をドーパントの原料として用いた酸化亜鉛焼結体ターゲットを用い、スパッタリング装置内に基体と前記ターゲットを配置し、酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基体を所定の温度に加熱し、この基体と前記ターゲットとの間に電界を印加してターゲット基体間にプラズマを発生させることによって、酸化亜鉛の亜鉛の一部を低原子価金属で置換した酸化物透明導電膜を基体上に作製することができる。一方、イオンプレーティング法では、原料であるイオンプレーティング用タブレットとして、低原子価金属酸化物を含む酸化亜鉛焼結体タブレットを用い、イオンプレーティング装置内に基体と、前記タブレットを銅ハース内に配置し、酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基体を所定の温度で加熱し、前記銅ハースから電子銃を用いてタブレットを蒸発させ、基体付近でプラズマを発生させることによって、タブレット蒸気をイオン化し、酸化亜鉛の亜鉛の一部を低原子価金属で置換した酸化物透明導電膜を基体上に作製することができる。基体とは、例えば、光電変換層を表面に有するもの;スーパーストレート型構造の太陽電池を作製する場合には、前述した透明基板;サブストレート型構造の太陽電池を作製する場合には、基板上に光電変換層を積層したものなどが挙げられる。なお、上記ターゲットまたはタブレット中の低原子価金属の含有量を変えることにより、膜中の低原子価金属の含有量を変化させることができる。この時、作製される酸化物透明導電膜の構造や結晶性は、膜中の低原子価金属の含有量、基体加熱温度、不活性ガス雰囲気中の酸素分圧、成膜速度等の成膜条件に依存する。このような方法は一例であるが、こうして、酸化亜鉛を主成分として低原子価金属を含有する酸化物透明導電膜、すなわち本発明における第二の電極層を得ることができる。低原子価金属酸化物をドーパントの原料として用いたターゲットまたはタブレットは、実質的に亜鉛と、低原子価金属からなる酸化物焼結体である。ここで、実質的とは、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、低原子価金属および酸素からなることを意味する。酸化物焼結体においては、低原子価金属の原子数が全金属原子数に対して2以上10以下の割合で含有されることが好ましく、さらに好ましくは、低原子価金属の原子数が全金属原子数に対して3以上9以下となる割合、より好ましくは3以上6以下となる割合で含有される。この低原子価金属の原子数の割合が2未満となると、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性などの化学的耐久性が不充分となるおそれがある。一方、低原子価金属の原子数の割合が10を超えると、低原子価金属が亜鉛サイトに十分置換固溶できなくなり、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が不充分となるおそれがある。ここで、全金属原子数とは、酸化物焼結体を作製するために用いる原料粉末に含まれる全金属原子数であり、全金属原子数の約90~98を亜鉛が占める。そのため、ターゲットまたはタブレットにおいて、酸化亜鉛が主成分となる。低原子価金属は単成分である必要なく、低原子価金属の複数成分であっても構わない。酸化物焼結体は、原子数比でX/ZnXの値が0.02以上0.1以下式中、Xは、チタン、ニオブ、タンタルおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも1種を示すである、すなわち実質的に低原子価金属酸化物の結晶相を含有しない。原子数比でX/ZnXの値が0.02未満である酸化物焼結体では、通常、低原子価金属が酸化亜鉛に完全に反応するため、酸化物焼結体中に低原子価金属酸化物の結晶相は生成されず、原子数比でX/ZnXの値が0.1を超える酸化物焼結体では、一般に、低原子価金属が酸化亜鉛へ反応しきれないため、酸化物焼結体中に低原子価金属酸化物が生じやすくなる。しかし、酸化物焼結体に低原子価金属酸化物の結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗などの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがあるため、酸化物焼結体では、X/ZnXの値を上記範囲内とするのが好ましく、実質的に低原子価金属酸化物の結晶相を含有しない。ここで、低原子価金属酸化物の結晶相としては、例えば、酸化チタンの結晶相、酸化ニオブの結晶相、酸化タンタルの結晶相、酸化モリブデン結晶相などが挙げられる。酸化チタンの結晶相とは、具体的には、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化ニオブの結晶相とは、具体的には、Nb2O5、NbO2、Nb2O3NbOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化タンタルの結晶相とは、具体的には、Ta2O5、TaO2、Ta2O3、TaOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化モリブデンの結晶相とは、具体的には、MoO3、MoO2、Mo2O3のほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化物焼結体は、ニオブ源として、原子価が2価、3価または4価である低原子価ニオブ元素の酸化物を用い、タンタル源として、原子価が2価、3価または4価である低原子価タンタル元素の酸化物を用い、チタン源としては各種原子価であればよく、好ましくは後述する低原子価チタン元素の酸化物を用い、モリブデン源として、原子価が3価または4価の低原子価モリブデン元素の酸化物を用い、例えば、酸化亜鉛粉末と低原子価金属酸化物粉末とを混合しプレス成形されるのが好ましい。低原子価金属酸化物は、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタル、低原子価酸化モリブデンから選ばれる少なくとも1つであるのが好ましい。具体的には低原子価酸化チタンとは、TiO、Ti2O3IIIのように、原子価が2価または3価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンをいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの1種を単独で用いてもよく、あるいは2種以上の混合物を用いてもよい。なかでも、特にTi2O3IIIの粉末を用いるのが好ましい。これは、Ti2O3のイオン半径が0.67Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであるため、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記一般式:TiO2XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調整することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。低原子価酸化ニオブとしては、例えば、酸化ニオブII、酸化ニオブIII、酸化ニオブIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。低原子価酸化タンタルとしては、例えば、酸化タンタルII、酸化タンタルIII、酸化タンタルIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。低原子価酸化モリブデンとしては、例えば、酸化モリブデンIII、酸化モリブデンIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。なお、前記低原子価酸化金属の構造は、X線回折装置XRayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置XrayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析によって確認することができる。以上のような酸化物焼結体は、後述する酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、得られる酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。酸化物焼結体は、酸化物焼結体の相対密度が93以上、好ましくは95~100であるのがよい。ここで、相対密度とは、酸化物焼結体の密度を理論密度で除し、100を掛けたものと定義する。相対密度が93未満であると、焼結体の特徴である、成膜速度が速い、安定な成膜が可能という特徴を損なわれるおそれがある。酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法は、下記AおよびBのうち少なくとも1種を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上述した酸化物焼結体を得る方法である。A低原子価金属酸化物粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉以下、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉を酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉という場合があるとの混合粉B亜鉛と低原子価金属酸化物化合物粉低原子価金属酸化物と酸化亜鉛が固相反応によって生成する複合酸化物粉前記原料粉末の具体例としては、低原子価金属酸化物粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉か、または亜鉛と低原子価金属酸化物化合物粉を含むものであればよい。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。低原子価金属酸化物粉としては、例えば、低原子価酸化チタン粉、低原子価酸化ニオブ粉、低原子価酸化タンタル粉、低原子価酸化モリブデン粉、低原子価金属酸化物化合物粉などが挙げられ、なかでも低原子価酸化チタン粉、低原子価酸化ニオブ粉、低原子価酸化タンタル粉および低原子価酸化モリブデン粉から選ばれるのが好ましい。前記低原子価酸化モリブデン粉としては、例えば、MoO2、Mo2O3等の粉末を用いることができ、特に、Mo2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Mo2O3のイオン半径が0.69Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åである。亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。これら粉末はそれぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。前記低原子価酸化ニオブ粉としては、例えば、NbO2、NbO、Nb2O3等の粉末を用いることができ、特に、Nb2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Nb2O3のイオン半径は0.72Åであり、亜鉛のイオン半径は0.74Åであるので、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。これら粉末はそれぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。前記低原子価酸化タンタル粉としては、例えば、TaO2、TaO、Ta2O3等の粉末を用いることができ、特に、Ta2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ta2O3のイオン半径が0.72Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであり、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。これら粉末はそれぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。前記低原子価酸化チタンとは、TiO、Ti2O3IIIのように、原子価が2価または3価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンをいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの1種を単独で用いてもよく、あるいは2種以上の混合物を用いてもよい。なかでも、特にTi2O3IIIの粉末を用いるのが好ましい。これは、Ti2O3のイオン半径が0.67Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであるため、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記一般式:TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタン粉は、単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気などの還元雰囲気にて、還元剤としてカーボンなどを用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調整することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。なお、前記低原子価酸化金属の構造は、X線回折装置X-RayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析によって確認することができる。亜鉛と低原子価金属酸化物化合物粉低原子価金属酸化物と酸化亜鉛が固相反応によって生成する複合酸化物粉の具体例としては、ニオブ酸亜鉛化合物粉、タンタル酸亜鉛化合物粉、モリブデン酸亜鉛化合物粉などが挙げられる。前記ニオブ酸亜鉛化合物粉としては、例えば、Zn3Nb2O8、ZnNb2O6、Zn4Nb2O9等の粉末を用いることができ、特に、Zn3Nb2O8の粉末を用いるのが好ましい。前記タンタル酸亜鉛化合物粉としては、例えば、ZnTa2O6、Zn3Ta2O8、Zn4Ta2O9等の粉末を用いることができ、特に、Zn3Ta2O8の粉末を用いるのが好ましい。前記モリブデン酸亜鉛化合物粉酸化亜鉛と低原子価酸化モリブデンとの固相反応による複合酸化物としては、例えば、ZnMoO4、Zn2Mo3O8、Zn3Mo2O9、ZnMo2O7、ZnMoO3、ZnMoO4、Zn3Mo3O8、ZnMo8O10、ZnMoO3等の粉末を用いることができ、特に、ZnMoO3の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末において、低原子価金属の原子数が酸化亜鉛の原子数に対して2以上10以下の割合で含有されることが好ましく、さらに好ましくは低原子価金属の原子数が酸化亜鉛の原子数に対して3以上9以下となる割合、より好ましくは3以上6以下となる割合で含有される。この低原子価金属の原子数の割合が2未満となると、得られる酸化物焼結体もしくはターゲットまたはタブレット以下、単にターゲットという場合があるを用いて形成された膜の耐薬品性などの化学的耐久性が不充分となるおそれがある。一方、低原子価金属の原子数の割合が10を超えると、低原子価金属が亜鉛サイトに十分置換固溶できなくなり、得られる酸化物焼結体またはターゲットを用いて形成された膜の導電性や透明性が不充分となるおそれがある。原料粉末に含まれる全金属原子数の約90~98を亜鉛が占めるため、原料粉末において酸化亜鉛が主成分となる。低原子価金属は単成分である必要はなく、低原子価金属の複数成分であっても構わない。原料粉末は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、およびハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素以下、これらを添加元素と称することもあるを含有してもよい。これによって、得られる酸化物焼結体またはターゲットを用いて形成される膜の比抵抗に加え、得られる酸化物焼結体またはターゲット自体の比抵抗も低下させることができる。添加元素の全含有量は、原子比で、原料粉末に含まれる全金属元素の総量に対して0.05以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、得られる酸化物焼結体またはターゲットを用いて形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。さらに、原料粉末は、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、原料粉末に含まれる全金属元素の総量に対して0.1以下であることが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ1μm以下であることが好ましい。酸化物焼結体が酸化亜鉛と酸化モリブデンとを含む場合、すなわち前記原料粉末として低原子価酸化モリブデン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、または低原子価酸化モリブデン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とモリブデン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnX、すなわちMo/ZnMoの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はモリブデンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとMoとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。酸化物焼結体が酸化亜鉛と酸化ニオブと酸化タンタルとを含む場合、すなわち前記原料粉末が、低原子価酸化ニオブ粉と低原子価酸化タンタル粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とからなる原料粉末である場合、もしくは低原子価酸化ニオブ粉および/または低原子価酸化タンタル粉と、酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉と、ニオブ酸亜鉛化合物粉および/またはタンタル酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合低原子価酸化ニオブ粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とニオブ酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合、および低原子価酸化タンタル粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とタンタル酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合を除くの各原料粉末の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnXの値、すなわちNbTa/ZnNbTaの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はニオブに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとNbおよびTaとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。前記原料粉末として低原子価酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、または低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnXの値、Ti/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。低原子価金属酸化物を大気雰囲気中でのアニール処理を施すと、酸化されて主原子価例えば、ニオブは5価、タンタルは5価、モリブデンは6価、チタンは4価になってしまう。そのため、不活性雰囲気、還元雰囲気で焼結されるのが好ましい大気雰囲気焼結その後、還元アニールも含める。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、不活性雰囲気または還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、不活性雰囲気または還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末は成形される前に、粉砕処理が施されてもよい。粉砕処理が施されることで、原料粉末は幅の狭い粒度分布に整えられ、後述する焼結において、均一に固相焼結させることができ、密度の高い酸化物焼結体を得ることができる。粉砕処理する方法としては、特に限定されず、例えば、メディアを使用する場合、ビーズミル、ボールミル、遊星ミル、サンドグラインダー、振動ミルまたはアトライター等の装置を備えた粉砕機による方法、メディアを使用しないジェットミル、ナノマイザー、スターバースト等の湿式超高圧微粒化装置による方法などが挙げられる。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。水系溶媒は、水を主成分とし、水単独であってもよいし、水とメタノール、エタノールなどのアルコールなどとの混合物であってもよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、エチルセルロース等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、大気雰囲気、不活性雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、600~1500°Cで行なう。そして、大気雰囲気または酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この大気雰囲気中または酸化雰囲気中で焼結した後に施す還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、1000°Cまでは5~10°C/分とし、1000°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等方圧加圧HIP法、冷間等方圧加圧CIP法、マイクロ波焼結法、ミリ波焼結法等を採用することができる。前記アニール処理を施す際の還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成Znと金属との原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。前記アニール処理を施す際の不活性雰囲気、還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。ターゲット本発明におけるターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことをタブレットと称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含めターゲットと称することとする。本発明におけるターゲットは、上述した酸化亜鉛系酸化物焼結体を加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化亜鉛系酸化物焼結体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明におけるターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。酸化亜鉛系酸化物透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法により成膜を行うのが好ましく、その際の具体的手法や条件などについては、上述したターゲットを用いること以外、特に制限はなく、公知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法の手法や条件を適宜採用すればよい。以上のようにして、酸化物透明導電膜、すなわち本発明における第二の電極層が形成される。本発明における酸化亜鉛系酸化物透明導電膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、好ましくは50~600nm、より好ましくは100~500nmである。50nm未満であると、充分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、600nmを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。上記特性を有する膜は、赤外領域での透過率が極めて高く、低抵抗であるため太陽電池の透明電極として有用である。以上、光電変換素子の代表的な実施形態を挙げたが、本発明にかかる光電変換素子はこれらに限定されるものではなく、受光側である第二の電極層として前述した特定の透明導電膜を用いる限り、従来公知の光電変換素子の構成を適宜採用することができる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗Ω/□は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。参考例1酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径100mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧100Paのアルゴン雰囲気下、1000°Cで4時間アニールして、酸化物焼結体1を得た。得られた酸化物焼結体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンの結晶相は全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体1を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により酸化物透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基板石英ガラス基板とをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、透明基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、透明基板上に膜厚500nmの酸化物透明導電膜を形成した。形成した酸化物透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。また、この酸化物透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の酸化物透明導電膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~1500nmで平均89であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。また、得られた透明導電性基板の透過率の測定結果を図1に示す。図1から明らかなように、可視光領域だけでなく近赤外線領域780nm~1500nmにおける光透過率は非常に高かった。よって、このような酸化物透明導電膜を、太陽電池の受光部側の表面透明電極膜透明導電膜および/またはpn接合部の裏側の透明導電膜に用いると、赤外線領域の太陽エネルギーを有効に電気エネルギーに変換することができる。参考例2平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末97.7重量部と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末2.3重量部とを、ポリエチレン製ポットに入れ、乾式ボールミルを用いて72時間混合し、原料粉末の混合物を得た。得られた混合物を金型に入れ、成形圧300kg/cm2の圧力でプレスを行い、成形体を得た。この成形体に3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を施した後、以下の条件で焼結して、アルミニウムドープ酸化亜鉛の焼結体を得た。得られた焼結体は、X線回折で分析したところ、ZnOとZnAl2O4との2相の混合組織であった。焼結温度:1500°C昇温速度:50°C/時間保持時間:5時間焼結雰囲気:大気中次に、得られた酸化物焼結体を4インチφ、6mmtの形状に加工してターゲットを作製し、インジウム半田を用いて無酸素銅製バッキングプレートにボンディングして、以下の条件でスパッタリング法による成膜を行い、透明基板石英ガラス基板上に膜厚500nmの酸化物透明導電膜を形成し、透明導電性基板を得た。形成した膜中のAl含有量は2.3重量であった。装置:dcマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C到達真空度:5×105Paスパッタリングガス:Arスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W得られた透明導電性基板上の酸化物透明導電膜の比抵抗は4.1×104Ωcmであり、表面抵抗は8.2Ω/□であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~1500nmで平均70であった。また、得られた透明導電性基板の透過率の測定結果を図1に示す。図1から明らかなように、可視光領域の透過率は高いが、近赤外線領域780nm~1500nmにおける光透過率は低かった。よって、このような酸化物透明導電膜を、太陽電池の受光部側の表面透明電極膜透明導電膜および/またはpn接合部の裏側の透明電極膜に用いると、赤外線領域の太陽エネルギーを有効に電気エネルギーに変換することができない。実施例1<太陽電池セルの作製>参考例1で作製した透明電極基板上に図2に示す層構成になるように、下記に示す手順でアモルファスシリコン太陽電池素子を作製した。非晶質p型シリコン層形成試料1参考例1で得た透明導電性基板をp型シリコン製膜室に輸送した後、シランSiH4、水素H2、ジボランB2H6、メタンCH4等の高純度半導体ガスをp型シリコン製膜室へ一定流量で導入し、基板温度150°C、圧力0.5Torrに保った後、放電を開始し、1分間の製膜で厚さ10nmのボロンドープa-Si合金膜を得た。その後、同室で上記条件のジボランB2H6ガスの導入のみを停止して、ノンドープa-SiC合金膜を太陽電池バッファー層として厚さ5nmの製膜を行い、試料2を得た。製膜が終了した後、再び高真空に排気した。ノンドープ非晶質i型シリコン光電変換層形成次に、得られた試料2をi型シリコン製膜室に輸送した後、SiH4とH2をi型シリコン製膜室へ一定流量で導入し、基板温度150°C、高圧力1.0Torrに保った後、放電を開始し、25分間の製膜で厚さ0.35μmのノンドープa-Siを形成した試料3を得た。製膜が終了した後、再び高真空に排気した。非晶質n型シリコン層形成次に、得られた試料3をn型シリコン製膜室に輸送し、SiH4、H2、フォスフィンPH3をn型シリコン製膜室へ一定流量で導入し、基板温度150°C、圧力0.2Torrに保った。放電を開始し、6分間の製膜で厚さ30nmのリンドープa-Siを形成した試料4を得た。製膜が終了した後再び高真空に排気した。第一の電極層および裏面反射電極層形成以上のp型層-i型層-n型層の3層光電変換ユニットを製膜後、試料4を室温まで冷却し、大気中に取り出した後、試料4を再びスパッタ真空装置に設置し、次の手順で第一の電極層および裏面反射電極層以下、纏めて裏面電極という場合があるを形成した試料5を得た。試料5を室温でガリウム添加酸化亜鉛層20nm、銀層200nm、ガリウム添加酸化亜鉛層20nmを順に積層し、試料6を得た。試料6を真空装置から取り出した後、裏面電極のパターニングにより面積0.25cm2の太陽電池素子を得た。その後150°Cのポストアニーリングを2時間行った。以上の工程により得られたアモルファスシリコン太陽電池の光電変換効率を測定したところ、8.9であった。作製した太陽電池素子の化学的耐久性の評価を行うために、85°C、湿度85の雰囲気に1000時間暴露の試験を行っても酸化物透明導電膜の劣化はわずかしか発生せず、試験前の光電変換効率はわずかの低下であった。比較例1酸化物透明導電膜に参考例2のAZO膜を用いた以外は実施例1と同様の条件、手順で、図2に示す層構成の太陽電池を作製し、同様の条件で特性を調べたところ、実施例1に較べて光電変換効率は低かった。作製した太陽電池セルの化学的耐久性の評価を行うために、85°C、湿度85の雰囲気に1000時間暴露の試験を実施したところ、酸化物透明導電膜が劣化し、試験前の光電変換効率が著しく低下した。本実験より、本発明における透明電極膜を適用した太陽電池は変換効率が優れて、化学的耐久性にも優れており、長期的に信頼性に優れていることは自明である。