第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極に挟持された有機エレクトロルミネッセンス層からなる発光素子が設けられた第1の基板と、前記発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、前記発光素子の放射光を遮光するように前記有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第2の基板と、を有し、前記発光素子の放射光が前記第2の基板側から射出されることを特徴とする発光装置。第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極に挟持された有機エレクトロルミネッセンス層からなる発光素子が設けられた第1の基板と、前記発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、前記発光素子の放射光を遮光するように前記有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第2の基板と、前記発光素子に電力を供給する発光制御回路と、前記光電変換素子の起電力を充電する蓄電部と、を有し、前記発光素子の放射光が前記第2の基板側から射出されることを特徴とする発光装置。請求項1または請求項2において、前記第1の電極は、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、銀の中から選ばれる材料であることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記光電変換素子は、pin接合を有したアモルファスシリコンであることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記光電変換素子は、pin接合を有した単結晶半導体であることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置を用いた電子機器。請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。特許文献2、及び特許文献3においては、表示装置とは別に太陽電池を配置し、表示装置に設けられたバックライトの光を当該太陽電池に入射させ、当該太陽電池に入射した光によって電気を生成する。当該生成された電気を表示装置にフィードバックすることにより、表示装置の消費電力を少なくする技術が示されている。しかし、表示装置と別に太陽電池を形成する必要があり、工程が複雑になることで、歩留まりが低いといった問題があった。また、太陽電池で生成される電力よりも、バックライト自身の消費電力が大きいため、バックライトの光を効率よく回収できない。上記問題に鑑み、本明細書等において開示する発明の一態様は、発光装置からの光光エネルギーを効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を提供することを課題の一つとする。また、上記問題に鑑み、本明細書等において開示する発明の一態様は、歩留まりが高い光エネルギー再利用型の発光装置を提供することを課題の一つとする。本明細書等において開示する発明の一態様では、発光装置の遮光膜を光電変換素子に置き換えることにより、光を電力に変換する。すなわち、従来遮光膜領域では、光が射出されなかったのに対し、開示される発明では、射出されない光を光電変換素子により電力に変換し、再利用することができる。従って、消費電力が少ない発光装置を実現できる。より詳細には、次の通りである。本発明の一態様は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極に挟持された有機EL層からなる発光素子が設けられた第1の基板と、発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、発光素子の放射光を遮光するように有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第2の基板と、を有し、発光素子の放射光が第2の基板側から射出されることを特徴とする発光装置である。また、本発明の一態様は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極に挟持された有機EL層からなる発光素子が設けられた第1の基板と、発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、発光素子の放射光を遮光するように有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第2の基板と、発光素子に電力を供給する発光制御回路と、光電変換素子の起電力を充電する蓄電部と、を有し、発光素子の放射光が第2の基板側から射出されることを特徴とする発光装置である。上記構成において、第1の電極は、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、銀の中から選ばれる材料により構成されてもよい。第1の電極をアルミニウム、アルミニウムを含む合金、銀の中から選ばれる材料により形成することで、有機EL層からの光を効率よく発光させることができる。また、上記構成において、光電変換素子は、pin接合を有したアモルファスシリコン、またはpin接合を有した単結晶半導体により構成されてもよい。また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置を用いた電子機器、または照明装置である。なお、本明細書等において、発光装置には、画像表示デバイスや、発光デバイス、光源、照明等が含まれる。また、発光装置は、発光素子が形成されたパネルにコネクタFPC:Flexibleprintedcircuit等を取り付けたモジュールをも含むものとする。また、本明細書等において、光電変換素子には、太陽電池を含むものとし、有色層はカラーフィルタを含むものとする。なお、本明細書等において上や下の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下であることを限定するものではない。例えば、ゲート絶縁層上のゲート電極の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。また、本明細書等において電極や配線の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、電極は配線の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、電極や配線の用語は、複数の電極や配線が一体となって形成されている場合をなどをも含む。また、ソースやドレインの機能は、極性の異なるトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。発光装置からの光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を提供することができる。また、このような発光装置を用いることにより、環境に対する負荷を低減させることができる。また、歩留まりが高い光エネルギー再利用型の発光装置を提供することができる。以下、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書などにおいて開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面などにおいて示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面などに開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の発光装置の一態様である表示装置について、図1A乃至Cを用いて説明する。<表示装置>図1A乃至Cは発光装置の画素の一部分に相当する図面である。本実施の形態においては、図1A乃至Cに示した画素の一部分も発光装置とすることを付記する。図1Aに示す発光装置は、図1Aに矢印で示す方向に光を発する。すなわち、発光素子120が形成された第1の基板101を介することなく、第2の基板151を介して発光する所謂上面射出構造トップエミッション構造ともいうの発光装置である。図1Bは、第1の基板101側の平面図であり、図1Cは、第2の基板151側の平面図である。図1Aは、図1B、及び図1CにおけるA1-A2の断面図に相当する。なお、図1B、図1Cの平面図においては、本発明の構成要素である一部例えば、発光素子120などを図面の煩雑を避けるために、省略してある。図1Aに示すように、第1の基板101は、第1の基板101上に発光素子の駆動を制御するトランジスタ130と、第1の電極114、有機EL層118、及び第2の電極119からなる発光素子120と、を有し、第2の基板151は、第2の基板151上に光電変換素子152と、カラーフィルタ154と、を有している。発光素子120からの光は、第2の基板151側に射出され、カラーフィルタ154により、吸収、及び透過するのと同時に、光電変換素子152により吸収される。光電変換素子152は、遮光機能所謂ブラックマトリクス機能を有している。本実施の形態において、光電変換素子152は、第3の電極152a、p型半導体層152b、i型半導体層真性半導体層152c、n型半導体層152d、及び第4の電極152eが積層し形成する例を示す。光電変換素子152は、発光素子120の波長領域に合わせた吸収感度を持つ構造にすることにより、効率よく発光素子120からの光を電力に変換できるため好ましい。また、光電変換素子152の遮光膜としての機能は、第3の電極152a、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152d、及び第4の電極152eのいずれか一つが遮光機能を有していても良いし、各層を組み合わせて遮光機能を有しても良い。このように、発光素子120と光電変換素子152が近接して設けられることにより、発光素子120と光電変換素子152の間に光が反射、または吸収する材料がほとんどない。即ち、カラーフィルタ154に入射する光以外は全て光電変換素子152に入射する。この効果は、本実施の形態に示すように、トップエミッション構造の有機EL素子と、遮光機能を有する光電変換素子との複合化でしか得られない効果である。その結果、効率の良い光エネルギーの回収が実現可能である。なお、第1の基板101と第2の基板151の間にある空間160は、特に限定はなく、透光性を有していれば良い。ただし、空間160は、屈折率が空気よりも大きい透明な材料で充填した方が好ましい。屈折率が小さい場合、発光素子120から射出された斜め方向の光が、空間160によりさらに屈折し、場合によっては隣接の画素から光が射出してしまう。従って、空間160としては、例えば、第1の基板101と第2の基板151とが、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤を用いることができる。また、窒素やアルゴンなどの不活性な気体なども用いることができる。また、発光素子の駆動を制御するトランジスタ130、及び発光素子120が形成された第1の基板101と、光電変換素子152が形成された第2の基板151とは、異なる基板で形成できる。すなわち、光電変換素子152を第2の基板151に直接形成することができ、他の材料、及び工程による制限がないため、簡単な製造工程で作製することができる。従って、トランジスタ130、及び発光素子120と、光電変換素子152を別々の基板に形成することができるため、不良発生率が低く、高い歩留まりを実現できる。続けて、図1A乃至Cに示した発光装置の詳細な説明、及び作製方法の説明を行う。まず、発光素子の駆動を制御するトランジスタ130、及び発光素子120が形成された第1の基板101の作製方法を以下に示す。<第1の基板の作製方法>絶縁表面を有する基板である第1の基板101上に、導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去してゲート電極102を形成する。図1Aのように、ゲート電極102の端部にテーパー形状が形成されるようにエッチングすると、積層する膜の被覆性が向上するため好ましい。第1の基板101に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。第1の基板101にはガラス基板を用いることができる。ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730°C以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウムBaOを多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、B2O3よりBaOを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。本実施の形態で示す発光装置は、第2の基板151を介して発光を取り出す上面射出構造トップエミッション構造であるので、第1の基板101としては、非透光性の金属基板等の基板を用いることもできる。下地膜となる絶縁膜を第1の基板101とゲート電極102との間に設けてもよい。下地膜は、第1の基板101からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート電極102の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。次に、ゲート電極102上にゲート絶縁層104を形成する。ゲート絶縁層104は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、SiH4、酸素、及び窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。次に、半導体層を形成しフォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により島状の半導体層106を形成する。半導体層106の材料は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、In-Ga-Zn-O系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層106としては、In-Ga-Zn-O系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。次に、ゲート絶縁層104、及び半導体層106上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程によりソース電極及びドレイン電極108を形成する。ソース電極及びドレイン電極108に用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。また、ソース電極及びドレイン電極108に用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnO、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。次に、半導体層106、及びソース電極及びドレイン電極108上に、絶縁層110を形成する。絶縁層110としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。次に、絶縁層110上に第2の絶縁層112を形成する。第2の絶縁層112としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第2の絶縁層112を形成してもよい。次に、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により、第2の絶縁層112、及び絶縁層110にソース電極及びドレイン電極108に達する開口を形成する。開口方法は、ドライエッチング、ウェットエッチングなど適宜選択すれば良い。次に、第2の絶縁層112、ソース電極及びドレイン電極108上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程により、第1の電極114を形成する。第1の電極114としては、有機EL層118後に形成されるが発する光を効率よく反射する材料が好ましい。なぜなら光の取り出し効率を向上できるためである。なお、第1の電極114を積層構造としてもよい。例えば、発光物質を含む有機EL層118に接する側に金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀などを用いることができる。このような構成とすることで、有機EL層118と反射率の高い金属膜アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀などとの間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適である。次に、第1の電極114上に隔壁116を形成する。隔壁116としては、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極114上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。次に、第1の電極114、及び隔壁116上に有機EL層118を形成する。有機EL層118は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良いが、有機EL層118が発する光は白色であることが好ましく、赤、緑、青のそれぞれの波長領域にピークを有する光が好ましい。次に、有機EL層118上に第2の電極119を形成する。なお、第1の電極114、または第2の電極119は、いずれか一方は発光素子120の陽極として機能し、他方は発光素子120の陰極として機能する。陽極として機能する電極には、仕事関数の大きな物質が好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小さな物質が好ましい。なお、本実施の形態においては、第1の電極114、有機EL層118、及び第2の電極119を合わせて発光素子120としている。以上の工程により、発光素子の駆動を制御するトランジスタ130、及び発光素子120が設けられた第1の基板101が形成される。次に、光電変換素子152、及びカラーフィルタ154が形成された第2の基板151の作製方法について図2A、及び図2Bを用いて説明を行う。<第2の基板の作製方法>まず、第2の基板151上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程を行い、第3の電極152aを形成する。図2A参照。第3の電極152aとして、アルミニウム、銀等の反射率の高い金属により形成することができる。ただし、これらの金属は、この後に形成するシリコン成分を含むp型半導体層等と比較的容易に相互に反応し合金化する。これを防ぐ目的で、反射率の高い金属の上に、バリアメタルとしてクロム、ニッケル、チタン等の金属や、酸化亜鉛等の金属酸化物を薄く形成してもよい。また、反射率の高い金属の下に、第2の基板151との密着性を向上させるためや、外光からの反射を低減するためにクロム、ニッケル、チタン等の金属を形成した3層構造とすることが好適である。第2の基板151と第3の電極152aとの間に下地膜を形成してもよい。下地膜は基板151からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、第2の基板151と第3の電極152aの間に、外光からの反射防止のため、顔料を含んだ樹脂層などを形成しても良い。次に、第3の電極152a上にp型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dを順に積層するように形成する。p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、スパッタリング法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により、非晶質半導体膜、多結晶半導体膜、微結晶半導体膜などを用いて形成することができる。これらの作製方法を用いる場合、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、その界面にゴミなどが付着するのを防ぐために、大気に曝さずに連続して形成することが望ましい。または、SOI法で形成された単結晶半導体膜を、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dとして用いても良い。単結晶半導体膜を用いる場合、ダイオード内において、キャリアの移動を阻害する要因となる結晶欠陥が少ないため、フォトダイオードの光電変換効率を高めることが出来る。ただし、第2の基板151は、透光性を有する必要があるため、SOI法で形成された単結晶半導体膜を使用する場合においては、透光性の基板に単結晶半導体膜を転載する必要がある。転載する際には、公知の技術を適宜用いれば良い。なお、SOI法で形成された単結晶半導体膜は、p型半導体層152b、i型半導体層真性半導体層152c、n型半導体層152dのいずれか一つの層のみの構成でもよい。また、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dに用いられる半導体の材料として、シリコン、炭化シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウムなどを用いることができる。例えば、アモルファスシリコンを用いたp型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、シラン、ジシランなどのシリコンを含む成膜ガスを、グロー放電分解することにより形成することができる。また、p型半導体層152bは、例えばp型を付与する不純物元素としてボロンを用いる場合、ボロン、ジボラン、三フッ化ホウ素などを、成膜ガスに加えることで形成することができる。n型半導体層152dは、例えばn型を付与する不純物元素として例えばリンを用いる場合、ホスフィンなどを、成膜ガスに加えることで形成することができる。なお、i型半導体層152cに用いられる半導体は、含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。i型半導体層152cには、周期表第13族若しくは第15族の不純物元素を有するものも、その範疇に含む。すなわち、i型半導体層152cは、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いn型の電気伝導性を示し、p型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的若しくは非意図的に添加されたものをその範疇に含む。また、炭化シリコンを有するアモルファスシリコンを用いたp型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、炭素を含む気体とシリコンを含む気体とを成膜ガスとして用い、該成膜ガスをグロー放電分解することにより形成することができる。炭素を含む気体としては、メタン、エタンなどが挙げられる。シリコンを含む気体としては、シラン、ジシランが挙げられる。シリコンを含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。また、シリコンを有する微結晶半導体を用いたp型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、シリコンを含む気体を水素で希釈したガスを用い、周波数が数十MHz乃至数百MHzの高周波プラズマCVD法、または周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD法を用いることで形成できる。シリコンを含む気体は、シラン、ジシランなどの水素化シリコン、フッ化シリコンまたは塩化シリコンを用いればよい。また、水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガスで希釈してもよい。また、多結晶半導体を用いたp型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dは、非晶質半導体または微結晶半導体を、レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する触媒元素を用いた熱結晶化法等を単独で、或いは複数組み合わせて実施することで、形成することができる。また、多結晶半導体を、スパッタリング法、プラズマCVD法、熱CVD法などを用いて、直接形成しても良い。なお、本実施の形態では、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dを順に積層することでpin接合を形成する場合を例示しているが、本発明はこの構成に限定されない。n型半導体層152d、i型半導体層152c、p型半導体層152bの順に積層しても良い。次に、フォトリソグラフィ工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去する。p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152dのエッチングはドライエッチング、またはウェットエッチングで行うことができる。ドライエッチングで行う場合、エッチングガスには、塩素、塩化硼素、塩化シリコンまたは四塩化炭素などの塩素系ガス、四フッ化炭素、フッ化硫黄またはフッ化窒素などのフッ素系ガス、酸素などを適宜用いることができる。また、ドライエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching法、ICPInductivelyCoupledPlasmaエッチング法、ECRElectronCyclotronResonanceエッチング法、平行平板型容量結合型エッチング法、マグネトロンプラズマエッチング法、2周波プラズマエッチング法またはヘリコン波プラズマエッチング法等を用いれば良い。また、ウェットエッチングを用いる場合、エッチング液には、水酸化テトラメチルアンモニウムtetramethylammoniumhydroxide、略称:TMAH溶液を用いることができる。次に、n型半導体層152d上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ工程、及びエッチング工程を行い、第4の電極152eを形成する。第4の電極152eとしては、可視光を透過する導電膜を用いる。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度好ましくは、5nm~30nm程度の金属薄膜を用いることもできる。例えば20nmの膜厚を有するアルミニウム膜を第4の電極152eとして用いることができる。以上の工程により光電変換素子152を形成することができる。なお、本実施の形態においては、光電変換素子152として、pin接合を有したフォトダイオードを例示したが、これに限定されず、光電変換機能を有していれば良い。次に、第2の基板151、及び光電変換素子152上にカラーフィルタ154を形成する図2B参照。カラーフィルタ154については、赤色Rのカラーフィルタ、緑色Gのカラーフィルタ、青色Bのカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、公知の材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。ここでは、RGBの3色を用いた方法について説明したが、特に限定されず、RGBY黄色の4色を用いた構成、RGBYから選ばれた何れか一つを用いた単色の構成でもよい。以上の工程により、光電変換素子152と、カラーフィルタ154と、が形成された第2の基板151を形成することができる。また、本実施の形態においては、光電変換素子152を形成した後に、カラーフィルタ154を形成する方法について例示したが、これに限定されない。カラーフィルタ154を形成した後に、光電変換素子152を形成しても良い。ただし、本実施の形態のように、光電変換素子152を形成した後に、カラーフィルタ154を形成する方が好適である。なぜなら、カラーフィルタ154は有機樹脂等により形成されるため、カラーフィルタ154を先に形成した場合には、該有機樹脂等の耐熱性を考慮して、光電変換素子152を形成する必要があるためである。よって、本発明のように、発光素子の駆動を制御するトランジスタ130、及び発光素子120が形成されていない、第2の基板151に、遮光機能を有する光電変換素子152を形成することにより、他の材料、及び工程による制限例えば、トランジスタ形成工程での高温加熱処理等の制限が無いため、簡単な工程により作製することができる。また、第2の基板151に光電変換素子152が形成されているため、第1の基板101に設けられた発光素子120内の有機EL層118からの光を当該光電変換素子152により吸収し、電力に変換することが可能である。以上のように、発光装置からの光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。また、従来まで遮光膜であるブラックマトリクスBMに、入射した光は、熱熱エネルギーに変換されてしまっていた。熱が発生すると発光素子が発熱し、発光装置の信頼性に問題が生じてしまう。しかしながら、開示する本発明では、光電変換素子に入射した光は電力に変換される。これにより、熱の発生が抑制される。すなわち、発光素子への発熱も抑制され、発光装置の信頼性の向上が同時に実現できる。また、遮光膜であるブラックマトリクスBMは、画素を分割するため、表示装置には必須なものであったが、上記のように従来は熱源にもなっていた。開示する本発明は、このように表示装置において、必ず生じてしまう無駄なエネルギーを回収するシステムである。また、トランジスタ、及び発光素子が形成された基板と、光電変換素子とを別々の基板に形成するため、不良発生率が低く、歩留まりが高い。すなわち、歩留まりが高い光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態においては、本発明の発光装置の一態様である表示装置について、図3を用いて説明を行う。図3は、表示装置1000、及び周辺回路等のブロック図を示しており、遮光機能を有する光電変換素子1010、表示部1020、電力制御回路1030、蓄電部1040により構成されている。なお、電力制御回路1030は、コンバータ1002、コンバータ1003、及びスイッチSW1乃至SW3を有する構造について例示している。また、発光制御回路1050は、コンバータ1003と、SW3、及び蓄電部1040を有する構造について例示している。なお、表示部1020は、発光素子、及び発光素子を駆動させるトランジスタを含む構成である。まず、発光素子からの光が光電変換素子1010により吸収され、電力に変換され発電される場合の動作について説明する。光電変換素子1010で発電した電力は、蓄電部1040を充電するための電圧となるようにコンバータ1002で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部1020の動作に光電変換素子1010からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ1003で表示部1020に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部1020での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにして蓄電部1040の充電を行う構成とすればよい。また、光電変換素子1010からの電力のみで表示部1020に必要な電力が得られない場合には、SW1、及びSW3をオンにして光電変換素子1010からの電力と、蓄電部1040からの電力を合わせて用いることもできる。次に、光電変換素子1010により発電されない場合、すなわち発光素子が未発光時の動作について説明する。光電変換素子1010からの電力が与えられないため、予め蓄電部1040に蓄えられていた電力を使用するために、発光制御回路1050が機能する。すなわち、蓄電部1040に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでコンバータ1003により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部1020の動作に蓄電部1040からの電力が用いられることとなる。なお、蓄電部1040としては、特に限定は無いが、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点があるため好適である。以上のように、発光装置の一形態である表示装置からの光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。また、発光素子からの光を電力に変換し、蓄電部を充電することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態においては、実施の形態1で示した第1の電極114、有機EL層118、及び第2の電極119からなる発光素子120の詳細について図4A、及び図4Bを用いて説明を行う。<発光素子の構成>図4Aに示す発光素子120は、一対の電極第1の電極114、第2の電極119間に発光領域を含む有機EL層118が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、第1の電極114を陽極として用い、第2の電極119を陰極として用いるものとする。また、有機EL層118は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。図4Aに示す発光素子120は、第1の電極114と第2の電極119との間に生じた電位差により電流が流れ、有機EL層118において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり有機EL層118に発光領域が形成されるような構成となっている。本発明においては、発光は、第2の電極119側から外部に取り出させる。従って、第2の電極119は透光性を有する物質で成る。また、第2の電極119側から外部に発光を効率良く取り出すために、第1の電極114は反射性の高い物質で形成するのが好ましい。なお、有機EL層118は図4Bのように第1の電極114と第2の電極119との間に複数積層されていても良い。nnは2以上の自然数層の積層構造を有する場合には、mmは自然数、mは1以上n-1以下番目の有機EL層と、m1番目の有機EL層との間には、それぞれ電荷発生層118aを設けることが好ましい。電荷発生層118aは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物とV2O5やMoO3やWO3等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層118aに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子120の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。なお、電荷発生層118aは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。このような構成を有する発光素子120は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。なお、電荷発生層118aとは、第1の電極114と第2の電極119に電圧を印加したときに、電荷発生層118aに接して形成される一方の有機EL層118に対して正孔を注入する機能を有し、他方の有機EL層118に電子を注入する機能を有する。図4Bに示す発光素子120は、有機EL層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。図4Bに示す発光素子120を用いて、白色発光を得る場合、複数の有機EL層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第1の有機EL層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む第2の有機EL層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第1の有機EL層と、緑色の発光を示す第2の有機EL層と、青色の発光を示す第3の有機EL層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する有機EL層を有する構成であっても白色発光が得られる。有機EL層が2層積層された積層型素子において、第1の有機EL層から得られる発光の発光色と第2の有機EL層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。なお、上述した積層型素子の構成において、積層される有機EL層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、本実施の形態で示す発光素子120では、トップエミッション構造の採用により、発光効率が高められた発光素子とすることができる。実施の形態4本実施の形態では、発光装置の一形態である表示装置表示パネル、または発光パネルともいうの外観及び断面について、図5を用いて説明する。図5Aは、第1の基板上に形成された発光素子駆動用トランジスタ及び発光素子と、第2の基板上に形成された遮光機能を有する光電変換素子、及びカラーフィルタと、をシール材によって封止したパネルの平面図であり、図5Bは、図5AのB1-B2における断面図に相当する。また、図5Cは、図5AのC1-C2における断面図に相当する。第1の基板4501上に設けられた画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、及び走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bを囲むようにして、シール材4505が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、及び走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bの上に第2の基板4506が設けられている。なお、第2の基板4506上には、光電変換素子4521、及びカラーフィルタ4522が設けられている。光電変換素子4521、及びカラーフィルタ4522については、実施の形態1で示した光電変換素子152、及びカラーフィルタ154と同様な手法により形成することができる。このような構造とすることで、画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、及び走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506とによって、充填材4507と共に密封されている。このように外気に曝されないように脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材でパッケージング封入することにより、気密性が高くなり好ましい。また、第1の基板4501上に設けられた画素部4502、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、及び走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、薄膜トランジスタを複数有しており、図5Bでは、画素部4502に含まれるトランジスタ4510と、信号線駆動回路4503aに含まれるトランジスタ4509とを例示している。トランジスタ4509、及びトランジスタ4510は、実施の形態1で示したトランジスタ130と同様な手法により形成することができる。また、発光素子4511が有する第1の電極4514は、トランジスタ4510のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続されている。なお、発光素子4511の構成は、第1の電極4514、有機EL層4512、第2の電極4513の積層構造である。発光素子4511の構成としては、実施の形態3で示した素子構造を適用することができる。隔壁4520は、有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを用いて形成する。特に感光性の材料を用い、第1の電極4514上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。有機EL層4512は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。発光素子4511に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極4513及び隔壁4520上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を形成することができる。また、信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504b、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518から供給されている。接続端子電極4517が、発光素子4511が有する第1の電極4514と同じ導電膜から形成され、端子電極4516は、トランジスタ4509、及びトランジスタ4510が有するソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜から形成されている。接続端子電極4517は、FPC4518が有する端子と、異方性導電膜4519を介して電気的に接続されている。発光素子4511からの光は、第2の基板4506側から射出される。そのため、第2の基板4506は、透光性を持たせる必要があり、例えば、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような材料を用いる。また、充填材4507としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、第2の基板4506に偏光板、又は円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。信号線駆動回路4503a、信号線駆動回路4503b、及び走査線駆動回路4504a、走査線駆動回路4504bは、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、又は一部、又は走査線駆動回路のみ、又は一部のみを別途形成して実装しても良く、図5の構成に限定されない。次に、図5Cについて、説明を行う。図5Cは光電変換素子4521と、接続端子部4523において、FPC4518が有する端子と、導電層4530a、及び導電層4530bを介して電気的に接続されている。導電層4530a、及び導電層4530bは、導電性を有していればよく、例えば、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤、または、導電性ビーズを含有した樹脂、または半田接合等の方法を用いて接続端子部4523と接続されれば良い。なお、光電変換素子4521が有する第3の電極4521aは、接続端子部4523bと電気的に接続されており、発光素子4511が有する第1の電極4514と同じ導電膜から形成されている接続端子電極4517bと、トランジスタ4510が有するソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜から形成された端子電極4516bを介して電極4515bと電気的に接続されている。また、光電変換素子4521が有する第4の電極4521bは、接続端子部4523aと電気的に接続されており、発光素子4511が有する第1の電極4514と同じ導電膜から形成されている接続端子電極4517aと、トランジスタ4510が有するソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜から形成された端子電極4516aを介して電極4515aと電気的に接続されている。本実施の形態においては、光電変換素子4521からの電力は、FPC4518から取り出す構造を例示しているが、これに限定されない。第3の電極4521aと、第4の電極4521bにそれぞれ電極を繋げ、電力を取り出す構造とすれば良く、別途外部に蓄電部等を実装しても良く、図5の構成に限定されない。以上のように、発光装置の一形態である表示装置からの光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。また、光電変換素子と発光素子の一つである有機EL層が近接して設けられているため、有機EL層からの光を効率よく当該光電変換素子により吸収することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態においては、発光装置の概観及び断面について、図6を用いて説明する。図6Aは、第1の基板上に形成された有機EL層を含む発光素子と、第2の基板に形成された遮光機能を有する光電変換素子、及びカラーフィルタと、を充填材によって封止された発光装置の断面図であり、図6Bは発光装置の斜視図を示す。なお、図6Aは、図6BのD1-D2線における断面図に相当する。本実施の形態においては、第1の基板上にトランジスタが形成されない構成である。すなわち、第1の基板上には、第1の電極、有機EL層、及び第2の電極からなる発光素子で構成されている。図6Aに示した発光装置について、以下詳細に説明する。図6に示す発光装置は外部電源図示していないから電力を与えることで、発光素子120が発光し、照明装置として使用することができる。なお、本実施の形態においては、光電変換素子152は、直線状に構成された所謂ストライプ構造であるが、これに限定されない。例えば、光電変換素子152が、直線、または曲線を組み合わせ、形状を持たせることによって、照明装置の非発光エリアに形状を持たせることが可能となる。このような構成とすることで、照明装置に絵画のような特徴を持たせることもできる。図6Aに示すように、第1の基板101上には、第1の電極114、有機EL層118、及び第2の電極119からなる発光素子120が形成されており、第2の基板151上には、第3の電極152a、p型半導体層152b、i型半導体層152c、n型半導体層152d、及び第4の電極152eからなる光電変換素子152が形成されている。また、第1の基板101と、第2の基板151は、充填材280により、密封されている。図6Aに示す発光装置は、図6Aに矢印で示す方向に発光するトップエミッション構造であり、有機EL層118の光は、カラーフィルタ154により、吸収、及び透過するのと同時に光電変換素子152により吸収される。充填材280としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。このように、発光素子120と光電変換素子152が近接して設けられることにより、発光素子120と光電変換素子152の間に光が反射、または吸収する材料がほとんどない。即ち、カラーフィルタ154に入射する光以外は全て光電変換素子152に入射する。なお、図6Bに示す筐体290は、図6Aに示す発光装置を収納することができ、照明装置として、用いることができる。以上のように、発光装置の光を効率よく電力に変換し、再利用することで消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。また、本発明は、発光装置の一つとして照明装置にも適用することができ、消費電力が少ない光エネルギー再利用型の発光装置を実現できる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示す発光装置を含む電子機器について説明する。実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置を有する電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図7に示す。図7Aはテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置は、表示部9103は、実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置を用いることによって作製される。光エネルギー再利用型の発光装置を搭載したテレビ装置は、表示部9103の光を再利用することが可能であるため、消費電力が少ないテレビ装置を提供することができる。図7Bはコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータは、表示部9203に実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置を用いることによって作製される。光エネルギー再利用型の発光装置を搭載したコンピュータは、表示部9203の光を再利用することが可能であるため、消費電力が少ないコンピュータを提供することができる。また、携帯可能なコンピュータである場合には、消費電力が少ないため長時間使用することができる。図7Cは携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話は、表示部9403が実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置を用いることによって作製される。光エネルギー再利用型の発光装置を搭載した携帯電話は、表示部9403の光を再利用することが可能であるため、消費電力が少ない携帯電話を提供することができる。また、消費電力が少ない携帯電話とすることによって、長時間使用することができる。図7Dはデジタルビデオカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このデジタルビデオカメラは、表示部9502は、実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置を用いることによって作製される。光エネルギー再利用型の発光装置を搭載したデジタルビデオカメラは、表示部9502の光を再利用することが可能であるため、消費電力が少ないデジタルビデオカメラを提供することができる。以上のように、実施の形態1、実施の形態2、または実施の形態4に示した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態7本実施の形態では、実施の形態5に示す発光装置について説明する。図8Aは、本発明の一態様の発光装置を電気スタンドとして用いた例である。電気スタンドは、筐体1201と、照明部1203とを有している。そして、照明部1203として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。図8Bは、本発明の一態様の発光装置を、室内用照明装置として用いた例である。室内用照明装置は、筐体1204と、照明部1206とを有している。そして、照明部1206として、本発明の発光装置が用いられている。以上のように、本発明の一態様の発光装置を、照明装置として用いることで、光エネルギーを再利用することが可能であるため、消費電力が少なく、環境に対する負荷を低減した照明装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。