"下記式1及び式2で表される化合物を含有してなる有機半導体材料。式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1~C36脂肪族炭化水素基を表す。式2中、Ar1、Ar2及びAr3は、各々独立に置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、nは6以上の整数を表す。。式2におけるAr1、Ar2及びAr3が各々独立に水素原子、ハロゲン原子、C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシル基、C1~C12ハロゲノアルキル基、C1~C12ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基に置換されたフェニル基であり、分子量が5000以上である請求項1に記載の有機半導体材料。式2で表される化合物が分子量5000以上の下記式3で表される化合物である請求項2に記載の有機半導体材料。式3中、R3、R4及びR5のうち、少なくとも一つがハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であり、それ以外が、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であり、mは10以上の整数を表す。式3におけるR3、R4及びR5の少なくとも1つがメチル基、トリフルオロメチル基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基またはフルオロ基であり、それ以外が水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基またはフルオロ基である請求項3に記載の有機半導体材料。式1におけるR1及びR2がそれぞれ独立に直鎖のC6~C12アルキル基である請求項1乃至4のいずれかに記載の有機半導体材料。式1で表される化合物と式2で表される化合物の比率が5:1から1:1である請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の有機半導体材料。請求項1乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料が少なくとも1種類の有機溶媒に溶解及び/又は分散してなる有機半導体組成物。沸点が150°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなる請求項7に記載の有機半導体組成物。沸点が180°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなる請求項8に記載の有機半導体組成物。上記有機半導体材料の固形分が0.5以上5以下である請求項7乃至9のいずれかに記載の有機半導体組成物。請求項1乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料からなる有機薄膜。請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって形成された有機薄膜。請求項1乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。トップゲート構造である請求項13に記載の電界効果トランジスタ。ソース電極とドレイン電極とを有する基板上に上記有機半導体材料を含む半導体層が設けられ、該有機半導体材料の上部の一部又は全部にゲート絶縁体層が設けられ、該ゲート絶縁体層の上部に接するようにゲート電極が設けられたトップゲート構造を有したトップゲート-ボトムコンタクト型構造である、請求項14に記載の電界効果トランジスタ。請求項7乃至10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって半導体層を形成する電界効果トランジスタの製造方法。請求項7乃至10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって半導体層を形成し、塗布印刷プロセスによって該半導体層の上部にゲート絶縁体層を形成するトップゲート-ボトムコンタクト型構造の電界効果トランジスタの製造方法。本発明は均一性の高い薄膜形成が可能な優れた印刷適性を有するだけでなく、キャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性等の半導体特性にも優れた実用的な電界効果トランジスタを提供することを目的とする。本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、半導体材料として特定の有機複素環式化合物及び特定の高分子化合物とを有機溶媒中に混合した組成物を用いた電界効果トランジスタを形成した場合に、均一性の高い薄膜形成が可能な優れた印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性等の半導体特性に優れた実用的な電界効果トランジスタを提供出来ることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、1下記式1及び式2で表される化合物を含有してなる有機半導体材料、式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1~C36脂肪族炭化水素基を表す。式2中、Ar1、Ar2及びAr3は、各々独立に置換もしくは無置換の芳香族基であり、nは6以上の整数を表す。、に関する。上記式1及び式2の化合物を含有してなる有機半導体材料を用いて、電界効果トランジスタを形成した場合に、均一性の高い薄膜形成が可能な優れた印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性等の半導体特性に優れた実用的な電界効果トランジスタを提供することが出来る。本発明を詳細に説明する。本発明は特定の有機複素環式化合物及び特定の高分子化合物を含有してなる有機半導体材料、有機薄膜及びそれらを用いた電界効果トランジスタ並びにその製造方法に関する。先ず、上記式1で表される化合物について説明する。上記式1中、R1及びR2はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1~C36脂肪族炭化水素基を表す。脂肪族炭化水素基は、飽和又は不飽和の直鎖、分岐鎖又は環状の脂肪族炭化水素基であり、好ましくは直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは直鎖の脂肪族炭化水素基である。炭素数は通常C1~C36であり、好ましくはC2~C24、より好ましくはC4~C20、更に好ましくはC6~C12である。直鎖又は分岐鎖の飽和脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、iso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、t-ブチル、n-ペンチル、iso-ペンチル、t-ペンチル、sec-ペンチル、n-ヘキシル、iso-ヘキシル、n-ヘプチル、sec-ヘプチル、n-オクチル、n-ノニル、sec-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-ヘプタデシル、n-オクタデシル、n-ノナデシル、n-エイコシル、ドコシル、n-ペンタコシル、n-オクタコシル、n-トリコンチル、5-n-ペンチルデシル、ヘネイコシル、トリコシル、テトラコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、ノナコシル、n-トリアコンチル、スクアリル、ドトリアコンチル、ヘキサトリアコンチル等が挙げられる。また、環状の飽和脂肪族炭化水素基の具体例としては、シクロヘキシル、シクロペンチル、アダマンチル、ノルボルニル等が挙げられる。直鎖又は分岐鎖の不飽和脂肪族炭化水素基の具体例としては、ビニル、アリール、エイコサジエニル、11,14-エイコサジエニル、ゲラニルトランス-3,7-ジメチル-2,6-オクタジエン-1-イル、ファルネシルトランス,トランス-3,7,11-トリメチル-2,6,10-ドデカトリエン-1-イル、4-ペンテニル、1-プロピニル、1-ヘキシニル、1-オクチニル、1-デシニル、1-ウンデシニル、1-ドデシニル、1-テトラデシニル、1-ヘキサデシニル、1-ノナデシニル等が挙げられる。直鎖、分岐鎖及び環状の脂肪族炭化水素基のうち、好ましいものは直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは直鎖の脂肪族炭化水素基である。飽和又は不飽和の脂肪族炭化水素基とは、飽和のアルキル基、炭素-炭素二重結合を含むアルケニル基及び炭素-炭素三重結合を含むアルキニル基が挙げられ、より好ましくはアルキル基またはアルキニル基であり、さらに好ましくはアルキル基である。脂肪族炭化水素残基としては、これらの飽和又は不飽和の脂肪族炭化水素基を組み合わせたもので、すなわち脂肪族炭化水素基中の部位に炭素-炭素二重結合、炭素-炭素三重結合を同時に含む場合も全て含まれる。ハロゲノ置換脂肪族炭化水素基とは、任意の種類のハロゲン原子が上記の脂肪族炭化水素基の任意の位置に任意の数で置換されているものを意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、さらに好ましくはフッ素原子及び臭素原子が挙げられる。ハロゲノ置換脂肪族炭化水素基の具体例としては、クロロメチル、ブロモメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、n-ペルフルオロプロピル、n-ペルフルオロブチル、n-ペルフルオロペンチル、n-ペルフルオロオクチル、n-ペルフルオロデシル、n-ドデカフルオロ-6-ヨードヘキシル、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル等が挙げられる。上記式1で表される化合物は、例えば非特許文献1に記載の公知の方法により合成することができる。また、特許文献2に記載の方法でも得られる。上記式1で表される化合物の精製方法は、特に限定されず、再結晶、カラムグロマトグラフィー、及び真空昇華精製等の公知の方法が採用できる。また必要に応じてこれらの方法を組み合わせて用いてもよい。下記表1に上記式1で表される化合物の具体例を示す。次に上記式2の化合物について説明する。上記式2中のAr1、Ar2及びAr3は、各々独立に置換もしくは無置換の芳香族基であり、nは6以上の整数を表す。Ar1、Ar2及びAr3は例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などがその例として挙げられる。Ar1、Ar2及びAr3に置換基がある場合、特に置換位置は限定されない。置換基としては、水素原子、ハロゲン原子、C1~C12脂肪族炭化水素基や環状の飽和脂肪族炭化水素基、C1~C12アルコキシル基、C1~C12ハロゲノアルキル基、C1~C12ハロゲノアルコキシル基、シアノ基などが置換したアリール基等が挙げられる。C1~C12脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、iso-プロピル、n-ブチル、iso-ブチル、t-ブチル、n-ペンチル、iso-ペンチル、t-ペンチル、sec-ペンチル、n-ヘキシル、iso-ヘキシル、n-ヘプチル、sec-ヘプチル、n-オクチル、n-ノニル、sec-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル等が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基の具体例としては、シクロヘキシル、シクロペンチル、アダマンチル、ノルボルニル等が挙げられる。また、C1~C12アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等が挙げられる。C1~C12ハロゲノアルキル基の具体例としてはクロロメチル、トリクロロメチルなどのクロロ置換アルキル、トリフルオロメチル、トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチルなどのフルオロ置換アルキル等が挙げられる。C1~C12ハロゲノアルコキシル基としてはトリフルオロメトキシ、ペンタフルオロエトキシ等が挙げられる。上記置換基のうち、特にハロゲン原子やC1~C4アルキル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基、シアノ基が置換したアリ-ル基であることが好ましく、Ar1がハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基、シアノ基のいずれかに置換されたフェニルであり、Ar2、Ar3は無置換のフェニルであることが更に好ましい。更にAr1の2,4,6位が置換された下記式3の構造式3中、R3、R4及びR5のうち、少なくとも一つがハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であり、それ以外が、水素原子、ハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であることが好ましく、特に少なくとも一つがメチル基、トリフルオロメチル基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基またはフルオロ基であることが好ましい。nは6以上である整数を表すが、少なくとも15以上であることが好ましく、分子量が5000以上であることが更に好ましい。なお、上記式2で表される化合物は、例えば特許文献6、特許文献7あるいは非特許文献3に記載の公知の方法により合成することができる。本発明の有機半導体材料は、少なくとも前記式1及び式2で表される化合物を含有するものであるが、前記式1で表される化合物及び式2で表される化合物を1種類ずつ含有しても、前記式1で表される化合物及び式2で表される化合物の一方又は両方の数種類の誘導体を混合して用いてもよい。本発明の有機半導体材料における式1の化合物の含有率は総量に対して10~99質量であることが好ましく、30~95質量であるとより好ましく、50~85質量であることが更に好ましい。一方、本発明の有機半導体材料における式2の化合物の含有率は総量に対して1~90質量であることが好ましく、5~70質量であるとより好ましく、15~50質量であることが更に好ましい。本発明の有機半導体材料には、本発明の効果を損なわない限りにおいて、電界効果トランジスタ特性の改善や他の特性を付与するために必要に応じて他の有機半導体材料や各種添加剤を混合してもよい。これらの添加剤としては、キャリア発生剤、導電性物質、粘度調整剤、表面張力調整剤、レベリング剤、浸透剤、レオロジー調整剤、配向剤、分散剤等が挙げられる。このような添加剤は本発明の有機半導体材料の総量に対して0~30質量の範囲で含まれてもよいが、0~20質量であることが好ましく、10質量以下であることが更に好ましい。次に、有機半導体材料を塗布印刷プロセスに適応するために本発明の有機半導体材料を有機溶媒に溶解又は分散させた有機半導体組成物を用いることが好ましい。使用できる溶媒としては化合物が基板上に成膜出来れば特に限定されるものではないが、有機溶媒が好ましく、単一の有機溶媒を使用可能であるし、複数の有機溶媒を混合して使用することも出来る。具体的にはトルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼン、テトラヒドロナフタレン、デカリン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、オクタン、デカン等炭化水素系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒;オクタフルオロペンタノール、ペンタフルオロプロパノール等のフッ化アルコール系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸エチル、炭酸ジエチル等のエステル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド系溶媒;テトラヒドロフラン、ジイソブチルエーテル等のエーテル系溶媒を用いることが出来るが、実際の塗布印刷プロセスを想定した場合には、溶媒の安全性及び保管、製造条件での組成安定性を考慮する必要があり、少なくとも1種類の溶媒の沸点が150°C以上が好ましく、更には180°C以上の沸点をもつ溶媒を少なくとも1種類使用することが好ましい。すなわち、本発明に係る有機半導体組成物は、沸点が150°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなることが好ましく、沸点が180°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなることがより好ましい。なお、上記溶液は、溶質が溶媒に均一に溶解した状態である。本発明の電界効果トランジスタFieldeffecttransistor、以下FETと略記する場合があるは、半導体層に接してソース電極及びドレイン電極の2つの電極があり、その2つの電極間に流れる電流を、ゲート絶縁体層を介してゲート電極と呼ばれるもう一つの電極に印加する電圧で制御されるものである。図1に本発明の電界効果トランジスタのいくつかの態様例を示すが、各層や電極の配置は素子の用途により適宜選択できる。次に、図1に示される本発明の電界効果トランジスタの各構成要素について説明するが、本発明に係る電界効果トランジスタは当該構成要素に限定されるものではない。なお、図1において同じ名称には同じ番号を付すものとする。基板1は、その上に形成される各層が剥離することなく保持できることが必要である。例えば、樹脂板や樹脂フィルム、紙、ガラス、石英、セラミック等の絶縁性材料;金属や合金等の導電性基板上に絶縁層をコーティングした形成物;樹脂と無機材料等との各種組合せからなる材料等が使用できる。中でも一般に使用される樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリエーテルイミド等が挙げられる。樹脂フィルムまたは紙を用いると、半導体素子に可撓性を持たせることができ、フレキシブルで、軽量となり、実用性が向上する。基板の厚さは、通常1μm~10mmであり、好ましくは5μm~3mmである。ソース電極2、ドレイン電極3、ゲート電極6には導電性を有する材料が用いられる。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、タングステン、タンタル、ニッケル、コバルト、銅、鉄、鉛、錫、チタン、インジウム、パラジウム、モリブデン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、リチウム、カリウム、ナトリウム等の金属及びそれらを含む合金;InO2、ZnO2、SnO2、ITO等の導電性酸化物;ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンPEDOTPSS等、ポリアセチレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子化合物;BED-TTFなどの有機電荷移動錯体;シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体;カーボンブラック、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料、等が使用できる。また、導電性高分子化合物や半導体にはドーピングを行ってもよく、ドーパントとしては、例えば、塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸;PF5、AsF5、FeCl3等のルイス酸;ヨウ素等のハロゲン原子;リチウム、ナトリウム、カリウム等の金属原子、等が用いられる。電極の接触抵抗を低下させるために酸化モリブデンをドーピングすること、または金属にチオールなどの処理をしてもよい。また、上記材料にカーボンブラックや金、白金、銀、銅等の金属粒子などを分散した導電性の複合材料も用いられる。各電極2、3、6には配線が連結されるが、配線も電極とほぼ同じ材料で作製される。ソース電極2、ドレイン電極3およびゲート電極6の膜厚は、材料によって異なるが、通常0.1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~10μmであり、より好ましくは1nm~5μmである。ゲート絶縁体層5は絶縁性を有する材料であり、例えば、ポリパラキシリレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー及びこれらを組み合わせた共重合体;二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル等の酸化物;SrTiO3、BaTiO3等の強誘電性酸化物;窒化珪素、窒化アルミニウム等の窒化物;硫化物;フッ化物などの誘電体、あるいはこれら誘電体の粒子を分散させたポリマー等が使用できる。ゲート絶縁体層5の膜厚は、材料によって異なるが、通常0.1nm~100μm、好ましくは0.5nm~50μm、より好ましくは5nm~10μmである。半導体層4に含まれる有機半導体材料は、少なくとも前記式1及び式2からなるが、前記式1又は式2で表される化合物の数種類の誘導体を混合して用いてもよい。有機半導体材料は半導体層4の総量に対して50質量以上、好ましくは80質量以上、更に好ましくは95質量以上含まれる。この際、電界効果トランジスタ特性の改善や他の特性を付与するために、必要に応じて他の有機半導体材料や各種添加剤を混合してもよい。また、半導体層4は複数の層から成っていてもよい。半導体層4の膜厚は、必要な機能を失わない範囲で、薄いほど好ましい。電界効果トランジスタにおいては、所定以上の膜厚があれば半導体素子の特性は膜厚に依存しないが、膜厚が厚くなると漏れ電流が増加してくることが多い。逆に薄すぎると電荷の通り道チャネルが形成できなくなるため、適度の膜厚は必要である。半導体が必要な機能を示すための半導体層の膜厚は、通常、0.1nm~10μm、好ましくは0.5nm~5μm、より好ましくは1nm~3μmである。保護層7の材料としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂からなる膜や、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素等、無機酸化膜や窒化膜等の誘電体からなる膜が好ましく用いられ、特に、酸素透過率や吸水率の低い樹脂ポリマーが好ましい。また、有機ELディスプレイ用に開発されている保護材料も使用が可能である。保護層の膜厚は、その目的に応じて任意の膜厚を採用できるが、通常100nm~1mmである。保護層を形成すると、湿度などの外気の影響を小さくすることができ、また、デバイスのON/OFF比を上げることが出来るなど、電気的特性を安定化できる利点もある。本発明の電界効果トランジスタは、基板表面の洗浄処理として塩酸や硫酸、酢酸等による酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等によるアルカリ処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴン等のプラズマ処理、ラングミュアブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理等を行うことで優れた印刷適正を示すことができるが、その他、上記した各層の間や、半導体素子の外面に必要に応じて他の層を設けてもよい。また、半導体層が積層される基板または絶縁体層上などに予め表面処理を行うことにより、基板、電極等とその後に成膜される半導体層との界面部分の分子配向や結晶性の制御、電極界面や絶縁体層上のトラップ部位の低減によりキャリア移動度等の特性を改良したり、基板表面の親水性/疎水性のバランスを調整することにより、その上に形成された膜の膜質や基板への塗れ性の改良によってデバイスの均一性を更に向上させることが可能である。このような基板処理としては、例えば、フェニルエチルトリクロロシラン等によるシランカップリング処理、チオール処理や繊維等を利用したラビング処理等が挙げられる。本発明において各層を設ける方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法、ゾルゲル法等が適宜使用できるが、生産性を考慮すると、塗布法や、インクジェット印刷等の印刷法が好ましい。次に、本発明の電界効果トランジスタの製造方法について、図1の態様例に基づき以下に説明する。基板及び基板処理本発明の電界効果トランジスタは、上記でも説明した基板1上に必要な電極や各種の層を設けることで作製される図1参照。この基板1上には前述の表面処理などを行う事も可能である。基板1の厚みは、必要な機能を妨げない範囲で薄い方が好ましい。材料によっても異なるが、通常1μm~10mmであり、好ましくは5μm~3mmである。ソース電極及びドレイン電極の形成上記の電極材料等を用いて基板1上にソース電極2及びドレイン電極3を形成する。ソース電極2及びドレイン電極3の材料は同じでも、異なってもよい。電極を形成する方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法等が挙げられる。成膜時又は成膜後、所望の形状になるよう必要に応じてパターニングを行うのが好ましい。パターニングの方法としても各種の方法を使用できるが、例えばフォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィー法、及びこれら手法を複数組み合わせた手法を利用し、パターニングすることも可能である。ソース電極2及びドレイン電極3の膜厚は、材料によっても異なるが、通常1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~10μmであり、より好ましくは1nm~5μmである。ソース電極2及びドレイン電極3の膜厚は同じでも、異なっていてもよい。半導体層の形成半導体層は上記で説明した有機半導体材料からなり、これらを溶媒中に溶解又は分散した有機半導体組成物を用いて塗布印刷プロセスによって成膜される。塗布印刷プロセスとは、溶剤可溶性を有する半導体材料、例えば本発明の前記式1及び式2で表される化合物を予め有機溶媒に溶解し、得られた有機半導体組成物を塗布例えば、基板に有機半導体組成物を塗布するし、その後、乾燥させて優れた半導体特性を有する半導体層を容易に形成できる半導体層の作製方法を言う。塗布による製造方法、すなわち塗布印刷プロセスはデバイス製造時の環境を真空や高温状態にする必要が無く、大面積の電界効果トランジスタを低コストで製造できるため工業的にも有利であり、各種半導体層の作製方法の中でも特に好ましい。具体的には、上記式1及び式2の化合物を溶媒に溶解、または分散化することで本発明の有機半導体組成物を調製する。上記式1及び式2の化合物を同時に溶解、または分散化するか、個別に溶媒に溶解または分散した後に混合して調製してもよい。組成物中における上記式1及び式2の化合物または複数の該化合物の濃度は、溶媒の種類や、作製する半導体層の膜厚によって異なるが、有機半導体組成物の総量に対して通常0.001~50質量であり、0.01~20質量であることが好ましく、0.5以上5以下であることが特に好ましい。半導体層の成膜性の向上や電界効果トランジスタの特性の改善、他の特性を付与するために添加剤や他種の半導体材料を混合することも可能である。有機半導体組成物を調製するには、上記の有機半導体材料等を上記の溶媒に溶解又は分散させる必要があるが、場合により加熱溶解処理を行ってもよい。さらに得られた有機半導体材料の組成物をフィルターを用いてろ過し、不純物等を除去してもよい。これを基板上に塗布すると、半導体層の成膜性の向上が見られ、上記式1及び式2の化合物を含む有機半導体組成物は好適に使用される。上記の通りに調製した有機半導体組成物を、基板ソース電極及びドレイン電極の露出部に塗布する。塗布法としては、キャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、ワイヤバーコーティング、スプレーコーティング等のコーティング法;インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷、グラビア印刷等の印刷法;マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィー法等、さらにはこれらの手法を複数組み合わせた方法を採用出来る。また、塗布法に類似した方法として水面上に上記の有機半導体材料を含む組成物を滴下することにより作製した半導体層の単分子膜を基板に移して積層するラングミュアブロジェット法、液晶や融液状態の材料を2枚の基板で挟んで毛管現象で基板間に導入する方法等も採用出来る。これらの方法により作製される有機半導体層の膜厚は、機能を損なわない範囲で薄い方が好ましい。膜厚が大きくなると漏れ電流が増大する場合がある。有機半導体層の膜厚は、上記の半導体層4に同じである。このように作製された半導体層は、後処理により半導体特性を改良することができる。例えば、半導体層を形成した後に基板を熱処理することによって、成膜時に生じた膜中の歪みが緩和され、膜中の配列配向を制御できる等の理由により、半導体特性の向上や安定化を図ることができ、ピンホール等も低減できる。熱処理は半導体層が形成されていればどの段階で行ってもよい。熱処理の温度は特に制限は無いが、通常室温~150°Cで、好ましくは40~120°Cである。熱処理の時間は、特に制限は無いが、通常1秒~24時間、好ましくは1分~1時間である。最適な条件で熱処理を行えば、その後の耐熱性を大幅に向上させることもできる。熱処理は大気中でもよいが、窒素やアルゴン等の不活性雰囲気下で行ってもよい。また、その他の半導体層の後処理方法として、膜中のキャリア密度の増減を目的に、酸素や水素等の酸化性あるいは還元性の気体や、酸化性あるいは還元性の液体などで処理し、酸化、または還元により特性の変化を誘起する手法がある。すなわち、微量の元素、原子団、分子、高分子を半導体層に加えることにより、半導体層中のキャリア密度が増減し、半導体特性である電気伝導度、キャリア極性p型-n型変換、フェルミ準位、等を変化させる手法であり、特にシリコン等の無機系の材料を用いた半導体素子では一般的に利用されている。例えば、酸素及び水素等のガスを接触させたり、塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、またはPF5、AsF5、FeCl3等のルイス酸等を含む溶液に浸したり、ヨウ素等のハロゲン原子、またはナトリウム、カリウム等の金属原子等を電気化学的に処理することにより達成できる。これらのドーピングは半導体層の作製後でなくても、真空蒸着法により半導体層を形成する材料に、またはドーピングに用いる材料を添加して共蒸着したり、半導体層作製時の雰囲気中に混合したりドーピング材料を存在させた環境下で半導体層を作製する方法、イオンを真空中で加速して半導体層に衝突させてドーピングすることも可能である。絶縁体層の形成上記の絶縁体材料等を用いて半導体層4上にゲート絶縁体層5を形成する図1参照。ゲート絶縁体層5の形成方法としては、例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティング等の塗布法;スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット等の印刷法;真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法等のドライプロセス法、等が挙げられる。また、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイトのように金属表面に酸化物膜を形成する方法も使用できる。ゲート絶縁体層5の膜厚は、その機能を損なわない範囲で薄い方が好ましく、通常0.1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~50μmであり、より好ましくは5nm~10μmである。ゲート電極の形成ゲート電極6は、ソース電極2及びドレイン電極3の作製方法と同じ方法で形成することが出来る。膜厚は、材料によっても異なるが、通常1nm~100μmであり、好ましくは0.5nm~10μmであり、より好ましくは1nm~5μmである。保護層前記の保護層材料を使用して保護層7を形成すると、外気の影響を最小限にでき、電界効果トランジスタの電気的特性を安定化できるという利点がある図1参照。保護層7の膜厚は、その目的に応じて任意の膜厚を採用できるが、通常100nm~1mmである。保護層を成膜するには各種の方法を採用できるが、保護層が樹脂からなる場合は、例えば、樹脂を含有する溶液を塗布後に乾燥させて樹脂膜とする方法、樹脂モノマーを塗布あるいは蒸着した後に重合する方法等が挙げられ、成膜後に架橋処理を行ってもよい。保護層が無機物からなる場合は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の真空プロセスでの形成方法や、ゾルゲル法等の塗布印刷プロセスでの形成方法を用いることができる。本発明の電界効果トランジスタは、保護層を半導体層表面の他に、各層の間にも必要に応じて設けることが出来る。設置された保護層は、電界効果トランジスタの電気的特性の安定化に役立つ場合がある。一般に電界効果トランジスタの動作特性は、半導体層のキャリア移動度、電導度、絶縁層の静電容量、素子の構成ソースドレイン電極間距離及び幅、絶縁層の膜厚等などにより決まる。電界効果トランジスタの半導体層に用いられる有機材料には、高いキャリア移動度が要求されるが、低コストで製造できる本発明の上記式1の化合物は有機半導体材料として高いキャリア移動度を発現する。また、本発明の電界効果トランジスタは比較的低温プロセスでの製造が可能であり、高温条件下では使用できないプラスチック板、プラスチックフィルム等のフレキシブルな材質も基板として用いることができる。その結果、軽量で柔軟性に優れた壊れ難い素子の製造が可能であり、ディスプレイのアクティブマトリクスのスイッチング素子等として利用することができる。ディスプレイとしては、例えば液晶ディスプレイ、高分子分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、ELディスプレイ、エレクトロクロミック型ディスプレイ、粒子回転型ディスプレイ等が挙げられる。さらに、本発明の電界効果トランジスタは、成膜性が良好であることから、塗布等の塗布印刷プロセスで製造でき、従来の真空蒸着プロセスと比べて非常に低コストで大面積ディスプレイ用途の電界効果トランジスタの製造にも適用できる。本発明の電界効果トランジスタは、メモリー回路素子、信号ドライバー回路素子、信号処理回路素子などのデジタル素子やアナログ素子としても利用でき、これらを組み合わせることによりICカードやICタグの作製が可能である。更に、本発明の電界効果トランジスタは化学物質等の外部刺激によりその特性に変化を起こすことができるので、FETセンサーとしての利用も期待できる。なお、本発明には以下の2~16の形態も含まれる。2式2におけるAr1、Ar2及びAr3が各々独立に水素原子、ハロゲン原子、C1~C12アルキル基、C1~C12アルコキシル基、C1~C12ハロゲノアルキル基、C1~C12ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基に置換されたフェニル基であり、分子量が5000以上である1に記載の有機半導体材料、3式2で表される化合物が分子量5000以上の下記式3で表される化合物である2に記載の有機半導体材料、式3中、R3、R4及びR5のうち、少なくとも一つがハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であり、それ以外が、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、C1~C4アルキル基、C1~C4アルコキシル基、C1~C4ハロゲノアルキル基、C1~C4ハロゲノアルコキシル基またはシアノ基であり、mは10以上の整数を表す。4式3におけるR3、R4及びR5の少なくとも1つがメチル基、トリフルオロメチル基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基またはフルオロ基であり、それ以外が水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基またはフルオロ基である3に記載の有機半導体材料、5式1におけるR1及びR2がそれぞれ独立に直鎖のC6~C12アルキル基である1乃至4のいずれかに記載の有機半導体材料、6式1で表される化合物と式2で表される化合物の比率が5:1から1:1である1乃至5のいずれかに記載の有機半導体材料、71乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料が少なくとも1種類の有機溶媒に溶解及び/又は分散してなる有機半導体組成物、8沸点が150°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなる7に記載の有機半導体組成物、9沸点が180°C以上である少なくとも1種類の有機溶媒を含む溶液からなる8に記載の有機半導体組成物、10上記有機半導体材料の固形分が0.5以上5以下である7乃至9のいずれかに記載の有機半導体組成物、111乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料からなる有機薄膜、127乃至10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって形成された有機薄膜、131乃至6のいずれかに記載の有機半導体材料を有することを特徴とする電界効果トランジスタ、14トップゲート構造である13に記載の電界効果トランジスタ、15ソース電極とドレイン電極とを有する基板上に上記有機半導体材料を含む半導体層が設けられ、該有機半導体材料の上部の一部又は全部にゲート絶縁体層が設けられ、該ゲート絶縁体層の上部に接するようにゲート電極が設けられたトップゲート構造を有したトップゲート-ボトムコンタクト型構造である、14に記載の電界効果トランジスタ、167乃至10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって半導体層を形成する電界効果トランジスタの製造方法、177乃至10のいずれかに記載の有機半導体組成物を用いて、塗布印刷プロセスによって半導体層を形成し、塗布印刷プロセスによって該半導体層の上部にゲート絶縁体層を形成するトップゲート-ボトムコンタクト型構造の電界効果トランジスタの製造方法以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例中、部は特に指定しない限り質量部を、または質量をそれぞれ表す。実施例1溶液調製表1に記載の化合物11及びポリビス4-フェニル2,4,6-トリメチルフェニルアミンシグマアルドリッチ製を各々4となるようにテトラヒドロナフタレンに溶解した。この溶液を質量比で1:1となるように混合して組成物を作製した。トランジスタ素子の作製フォトリソグラフィーによりソースドレインパターン金電極:チャネル長100μm×チャネル幅15mm、36個を形成したガラス基板をプラズマ処理し、この基板上に10mMのペンタフルオロベンゼンチオールアルドリッチ製のIPA溶液をスピンコート法により塗布し、電極SAM処理を行った。次いで10mMのフェニルエチルトリクロロシランアルドリッチ製のトルエン溶液をスピンコート法により塗布して基板表面をSAM処理した後、上記のように調製した化合物11及びポリビス4-フェニル2,4,6-トリメチルフェニルアミンの組成物をスピンコート法により塗布し、有機薄膜を形成した。さらに、この有機薄膜上にCYTOP旭硝子製をスピンコート法により塗布して有機絶縁膜を形成した。そして、メタルマスクを用いた真空蒸着法により有機絶縁膜上に、ゲート電極として金を蒸着し、トップゲート-ボトムコンタクト素子を作製した。特性評価得られた有機電界効果トランジスタにドレイン電圧を-2V、ゲート電圧Vgを20~-100Vに変化させた条件で1つの基板上の36個の半導体特性を評価した。その結果算出された36個の電極の移動度の平均値は1.6cm2/Vs最大で2.0cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.24cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-21V、標準偏差1.9Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。この結果は、非特許文献2で示されている移動度0.53cm2/Vs及びその標準偏差0.24と比較すると高い移動度を示すだけでなく、均一な印刷特性をもつ組成物であることを示唆している。また、図2に示す半導体特性から、ヒステリシスもなく、繰り返し電圧をかけた場合の半導体特性の変化も見られなかった。更に、図3に示すように大気中に139日暴露した場合にも移動度、閾値電圧、ON電流の変化はわずかであり、優れた半導体特性を維持していた。比較例1トランジスタ素子の作製化合物11の代わりに特許文献5に記載の下記化合物101を使用する以外は実施例1と同様にしてトップゲート-ボトムコンタクト素子を作製した。特性評価得られた有機電界効果トランジスタを同様の条件で半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は0.94cm2/V、標準偏差は0.24cm2/Vsであり、実施例1に比べて非常に劣る結果であった。比較例2実施例1で作製した組成物の変わりに化合物11の3のテトラヒドロナフタレン溶液を用いること以外は実施例1と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は2.75cm2/Vsと高い数値を示したものの、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.85cm2/Vsであり、実施例1に比べ個々の電極での移動度のばらつきが非常に大きかった。更にこの素子では形成した薄膜にクラックが入り、トランジスタ素子としての動作が確認できない電極も多く認められた。実施例2実施例1で作製した組成物を用いて、有機絶縁膜をCYTOPからTeflon登録商標AF1600DuPont社製に変える以外は実施例1と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は2.5cm2/Vs最大で3.3cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.43cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-15V、標準偏差2.8Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。実施例3実施例2で使用したポリビス4-フェニル2,4,6-トリメチルフェニルアミンに変えてポリビス4-フェニル24-ジメチルフェニルアミンHFR社製を用いる以外は実施例2と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は1.65cm2/Vs最大で2.07cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.40cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-17V、標準偏差2.2Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。実施例4実施例3で用いた組成物をガラス基板上に同様にスピンコート法により塗布した後、120°Cで30分間熱処理をした。その後、この有機薄膜上にCYTOP旭硝子製をスピンコート法により塗布して有機絶縁膜を形成した。そして、メタルマスクを用いた真空蒸着法により有機絶縁膜上に、ゲート電極として金を蒸着し、トップゲート-ボトムコンタクト素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は1.98cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.33cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-17V、標準偏差2.2Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。耐熱性試験このトランジスタ素子を130°C30分間再度加熱し、高温にさらされた際の耐熱性を確認した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は2.16cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.12cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-17V、標準偏差1.4Vであり、耐熱性試験を行う前の特性と比較してほぼ変化は認められなかった。実施例5実施例1で使用したポリビス4-フェニル2,4,6-トリメチルフェニルアミンに変えてポリビス4-フェニル4-フルオロフェニルアミンHFR社製を用いる以外は実施例1と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は1.82cm2/Vs最大で2.21cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.39cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均-1.6V、標準偏差1.6Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。実施例6実施例4で用いた化合物11とポリビス4-フェニル4-フルオロフェニルアミンの質量比を1:1から3:1に変更した組成物を用いる以外は実施例4と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は2.79cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.59cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均0.85V、標準偏差0.7Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。実施例7実施例4で用いた化合物11とポリビス4-フェニル4-フルオロフェニルアミンの質量比を1:1から5:1に変更した組成物を用いる以外は実施例4と同様にしてトランジスタ素子を作製した。特性評価得られたトランジスタ素子を実施例1と同一条件にて半導体特性を評価した結果、算出された36個の電極の移動度の平均値は2.33cm2/Vs、基板内のばらつきを示す指標である標準偏差は0.45cm2/Vsであった。また、閾値電圧は、平均2.9V、標準偏差1.9Vであり、優れた移動度と基板内の均一性を示した。以上のように、本発明の有機半導体材料からなる電界効果トランジスタは大気中で安定に動作し、半導体層を作製する際には特別な設備などを必要とする真空蒸着法を用いることなく、基板表面処理におけるパターニング等の煩雑な作業を必要とせず、塗布法などにより簡便かつ安価に作製できることが確認された。また、従来から知られているペンタセン誘導体からなる電界効果トランジスタやアルキル基を有するベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンのみからなる電界効果トランジスタよりも高い半導体特性及び均一性を示した。さらにはペンタセン誘導体などを用いる従来の有機電界効果トランジスタにおいては、半導体層に用いる化合物が大気中の湿気などにより分解することが知られており、大気中での安定性に問題があるのに対し、本発明の電界効果トランジスタは、139日後に半導体特性を再測定した場合においても、初期値と同等の値を示し、大気中でも非常に安定で長寿命であり、特にトップゲート-ボトムコンタクト構造から成る電界効果トランジスタとすることでより優れたトランジスタ性能を発揮するだけでなく、高い耐久性を有することが判明した。"