回路基材上に接着された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子上に厚さが50μm以上の絶縁性接着剤層を介して接着された第2の半導体素子と、前記第1の半導体素子と前記回路基材の電極部とを電気的に接続する第1のボンディングワイヤであって、前記第1の半導体素子との接続側端部が前記絶縁性接着剤層内に取り込まれている第1のボンディングワイヤと、前記第2の半導体素子と前記回路基材の電極部とを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、前記第1および第2の半導体素子を前記第1および第2のボンディングワイヤと共に封止する封止樹脂とを具備し、前記絶縁性接着剤層は、ガラス転移温度が135°C以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が100ppm以下であると共に、常温弾性率が500MPa以上2GPa以下である絶縁樹脂層からなることを特徴とする積層型半導体装置。請求項1記載の積層型半導体装置において、前記第1のボンディングワイヤは前記絶縁性接着剤層の厚さに基づいて前記第2の半導体素子の下面から離間していることを特徴とする積層型半導体装置。請求項1記載の積層型半導体装置において、前記絶縁性接着剤層は、前記第1の半導体素子側に配置され、前記第2の半導体素子の接着時温度で軟化または溶融する第1の層と、前記第2の半導体素子側に配置され、前記第2の半導体素子の接着時温度に対して層形状が維持される第2の層とを有することを特徴とする積層型半導体装置。請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の積層型半導体装置において、前記第2の半導体素子は70μm以下の厚さを有することを特徴とする積層型半導体装置。請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の積層型半導体装置において、前記絶縁性接着剤層は前記第2の半導体素子の接着時温度における粘度が1kPas以上100kPas未満であることを特徴とする積層型半導体装置。本発明の目的は、熱サイクル試験に対する信頼性を向上させた積層型半導体装置を提供することにある。本発明の態様に係る積層型半導体装置は、回路基材上に接着された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子上に厚さが50μm以上の絶縁性接着剤層を介して接着された第2の半導体素子と、前記第1の半導体素子と前記回路基材の電極部とを電気的に接続する第1のボンディングワイヤであって、前記第1の半導体素子との接続側端部が前記絶縁性接着剤層内に取り込まれている第1のボンディングワイヤと、前記第2の半導体素子と前記回路基材の電極部とを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、前記第1および第2の半導体素子を前記第1および第2のボンディングワイヤと共に封止する封止樹脂とを具備し、前記絶縁性接着剤層は、ガラス転移温度が135°C以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が100ppm以下であると共に、常温弾性率が500MPa以上2GPa以下である絶縁樹脂層からなることを特徴としている。本発明の態様に係る積層型半導体装置によれば、熱サイクル試験で印加される温度に対する絶縁性接着剤層の線膨張係数を低減しているため、厚い絶縁性接着剤層を使用した場合においても熱サイクル試験に対する信頼性を向上させることが可能となる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。図1は本発明の一実施形態によるスタック型マルチチップ構造の積層型半導体装置の構成を示す断面図である。同図に示す積層型半導体装置1は、素子搭載用の回路基材2を有している。素子搭載用の回路基材2は半導体素子を搭載することが可能で、かつ回路を有するものであればよい。このような回路基材2としては、絶縁基板や半導体基板等の表面や内部に回路を形成した回路基板、あるいはリードフレームのような素子搭載部と回路部とを一体化した基材等を用いることができる。図1に示す積層型半導体装置1は、素子搭載用回路基材として回路基板2を有している。回路基板2を構成する基板には、樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の絶縁基板、あるいは半導体基板等、各種の材料からなる基板を適用することができる。樹脂基板を適用した回路基板としては、一般的な多層銅張積層板多層プリント配線板等が挙げられる。回路基板2の下面側には、半田バンプ等の外部接続端子3が設けられている。回路基板2の素子搭載面となる上面側には、外部接続端子3と例えば内層配線図示せずを介して電気的に接続された電極部4が設けられている。電極部4はワイヤボンディング部となるものである。このような回路基板2の素子搭載面上面には、第1の半導体素子5が第1の接着剤層6を介して接着されている。第1の接着剤層6には一般的なダイアタッチ材ダイアタッチフィルム等が用いられる。第1の半導体素子5の上面側に設けられた第1の電極パッド5aは、第1のボンディングワイヤ7を介して回路基板2の電極部4と電気的に接続されている。第1の半導体素子5上には、第2の半導体素子8が第2の接着剤層9を介して接着されている。第2の半導体素子8は、例えば第1の半導体素子5と同形またはそれより大形の形状を有している。第2の接着剤層9は第2の半導体素子8の接着時の加熱温度接着時温度で軟化または溶融し、その内部に第1のボンディングワイヤ7の一部電極パッド5aとの接続側端部を取り込みつつ、第1の半導体素子5と第2の半導体素子8とを接着するものである。従って、第2の接着剤層9には第1のボンディングワイヤ7の絶縁を確保する上で絶縁性接着剤が用いられる。第1のボンディングワイヤ7の電極パッド5aとの接続側端部は、絶縁性接着剤層からなる第2の接着剤層9内に取り込まれることで、第2の半導体素子8との接触が防止されている。すなわち、第1のボンディングワイヤ7は絶縁性接着剤層9の厚さに基づいて第2の半導体素子8の下面から離間しており、これにより第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触による絶縁不良やショート等の発生を防止している。このように、第2の接着剤層はスペーサとしての機能を併せ持つものであり、このような機能を得る上で厚さが50μm以上の絶縁樹脂層が適用されている。第2の接着剤層9を構成する絶縁樹脂層の厚さが50μm以下であると、第1のボンディングワイヤ7が第2の半導体素子8に接触しやすくなり、絶縁不良やショート等の発生率が高くなる。ワイヤ径等にもよるが、第2の接着剤層9の厚さは70μm以上とすることがさらに好ましい。ボンディングワイヤ7の径が25μmの場合の具体例としては、厚さが75μmや85μmの絶縁性接着剤層9が挙げられる。なお、第2の接着剤層9を厚くしすぎると積層型半導体装置1の薄型化が阻害されるため、第2の接着剤層9の厚さは150μm以下とすることが好ましい。接着時に第1のボンディングワイヤ7の一部を良好に取り込む上で、第2の接着剤層9は接着時温度における粘度接着時粘度が1kPas以上100kPas未満であることが好ましい。第2の接着剤層9の接着時粘度が1kPas未満であると軟らかすぎて、接着剤が素子端面からはみ出すおそれがある。一方、第2の接着剤層9の接着時粘度が100kPas以上であると、第1のボンディングワイヤ7に変形や接続不良等を生じさせるおそれがある。第2の接着剤層9の接着時粘度は1~50kPasの範囲であることがより好ましく、さらには1~20kPasの範囲であることが望ましい。図1では第2の接着剤層9の厚さに基づいて第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触を抑制している。これに加えて、図2に示すように第2の半導体素子8の接着時温度で軟化または溶融する第1の層9aと、第2の半導体素子8の接着時温度に対して層形状が維持される第2の層9bとを積層した第2の接着剤層9を適用してもよい。第1の層9aは第1の半導体素子5側に形成され、第2の半導体素子8の接着層として機能する。第2の層9bは第2の半導体素子8側に形成され、第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触を防止する絶縁層として機能する。このように、第2の半導体素子8の接着時温度に対して層形状が維持される第2の層絶縁層9bを第2の半導体素子8側に形成することによって、第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触による絶縁不良やショートの発生をより確実に防止することが可能となる。また、第1の半導体素子5と第2の半導体素子8との接着自体は、第1の層9aで良好に実現することができる。このような2層構造の接着剤層9は、例えば接着時粘度が異なる接着剤樹脂シートを積層したり、あるいは接着剤樹脂組成物を順に塗布して形成することができる。2層構造を有する接着剤層9において、第2の層9bは接着時粘度が100kPas以上であることが好ましい。第2の層9bの接着時粘度が100kPas未満であると、第1のボンディングワイヤ7の接触防止機能を十分に発揮させることができないおそれがある。第2の層9bの接着時粘度は200kPas以上であることがより好ましい。ただし、粘度があまり高すぎると接合層としての機能が損なわれるため、第2の層絶縁層9bの接着時粘度は1000kPas未満であることが好ましい。第1の層接着層の接着時粘度は、上述したように1kPas以上100kPas未満であることが好ましい。さらに、第1の半導体素子5と第2の半導体素子8との間の距離は、第1の半導体素子5の接続に使用されていない電極パッド、すなわちノンコネクションパッド上に金属材料や樹脂材料等からなるスタッドパンプを形成して維持するようにしてもよい。このような構成によっても、第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触を有効に防止することができる。スタッドパンプの高さは、第1のボンディングワイヤ7の高さより高くなるように設定する。第2の半導体素子8はスタッドパンプがスペーサとして機能することで、それより下には下降しないため、第1のボンディングワイヤ7との接触が防止される。スタッドパンプは1箇所のみに設置してもよいが、第1の半導体素子5の重心を通る3箇所以上に設置することが好ましい。第2の接着剤層9を介して第1の半導体素子5上に接着された第2の半導体素子8は、その上面側に設けられた第2の電極パッド8aが第2のボンディングワイヤ10を介して回路基板2の電極部4と電気的に接続されている。回路基板2上に積層、配置された第1および第2の半導体素子5、8は、例えばエポキシ樹脂のような封止樹脂11で封止されており、これらによってスタック型マルチチップパッケージ構造の積層型半導体装置1が構成されている。なお、図1や図2では2個の半導体素子5、8を積層した構造について説明したが、半導体素子の積層数はこれに限られるものではなく、3個もしくはそれ以上であってもよいことは言うまでもない。上述した第2の接着剤層92層構造の場合には各層9a、9bは、ガラス転移温度が135°C以上で、かつガラス転移温度以下の温度範囲における線膨張係数が100ppm以下の絶縁樹脂層からなるものである。すなわち、絶縁性接着剤層9を構成する絶縁樹脂のような高分子材料は、一般的に低温ではガラス状であり、ガラス転移温度ガラス転移点Tgを超えるとゴム状さらには液状になると共に、線膨張係数が急激に増大する。従って、第2の接着剤層9を構成する絶縁樹脂層のガラス転移温度が熱サイクル試験で印加される温度以下であると、熱サイクル試験時に接着剤層9の線膨張係数が急激に増加することで、半導体素子5、8との線膨張係数の差がさらに増大する。接着剤層9と半導体素子5、8との線膨張係数の差が増大すると、それに基づいて半導体素子5、8に作用する熱応力引張応力も増大する。引張応力は半導体素子5の端部表面に応力集中するため、この応力集中で半導体素子5にクラックや割れが生じやすくなる。半導体装置の熱サイクル試験は一般的に-55°C~125°Cの温度範囲で実施される。従って、接着剤層9を構成する絶縁樹脂層のガラス転移温度を、半導体素子5、8に引張応力を生じさせる熱サイクル試験時の高温側温度125°Cに熱的マージン10°Cを加えた温度135°Cもしくはそれより高く設定することで、熱サイクル試験時に接着剤層9と半導体素子5、8との線膨張係数の差が増大することを抑制できる。さらに、熱サイクル試験時に半導体素子5、8に作用する引張応力は、接着剤層9を構成する絶縁樹脂層のガラス転移温度以下の線膨張係数の具体的な値に影響される。すなわち、絶縁樹脂層のガラス転移温度が135°C以上であっても、ガラス転移温度以下の線膨張係数の値自体が大きいと半導体素子5、8に作用する引張応力が増大し、これにより半導体素子5、8にクラック等が生じやすくなる。そこで、接着剤層9はガラス転移温度以下の線膨張係数が100ppm以下の絶縁樹脂層で構成する。図3に絶縁樹脂層のガラス転移温度以下の線膨張係数と熱サイクル試験-55°C~125°C時に半導体素子Siチップに作用する引張応力との関係の一例を示す。図3から明らかなように、絶縁樹脂層の線膨張係数が増加するにつれて半導体素子に作用する引張応力が増大することが分かる。一般的に半導体素子に作用する引張応力が300MPaを超えるとクラックが生じやすくなる。言い換えると、接着剤層9を構成する絶縁樹脂層の線膨張係数が100ppm以下であれば、熱サイクル試験時に半導体素子5、8に生じるクラックを抑制することが可能となる。半導体素子5、8に作用する引張応力はその厚さによっても変化し、半導体素子5、8の厚さが薄いほど引張応力が増大する。さらに、例えば厚さが70μm以下の半導体素子5、8を適用する場合、接着剤層9を構成する絶縁樹脂層の線膨張係数は70ppm以下とすることがより好ましい。図4に半導体素子の厚さと接着剤層の厚さが熱サイクル試験-55°C~125°C時に半導体素子Siチップの表面引張応力値に及ぼす影響を測定した結果を示す。図4から明らかなように、接着剤層絶縁樹脂層9の厚さが厚いほど半導体素子5、8の表面引張応力値が増大し、さらに半導体素子5、8の厚さが薄いほど表面引張応力値が増大する。従って、厚さが70μm以下と薄い半導体素子5、8で積層型半導体装置1を構成する場合には、絶縁樹脂層の線膨張係数は70ppm以下とすることがより好ましい。上述したように、第2の接着剤層9をガラス転移温度が135°C以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が100ppm以下、さらには70ppm以下の絶縁樹脂層で構成することによって、熱サイクル試験時における接着剤層9と半導体素子5、8との線膨張係数の差が小さくなるため、半導体素子5、8に作用する熱応力引張応力を低減することが可能となる。これによって、熱サイクル試験時に半導体素子5、8に生じるクラックや割れ等を抑制することができる。すなわち、積層型半導体装置1の熱サイクル試験に対する信頼性を高めることが可能となる。このような熱サイクルに対する信頼性の向上効果は、特に厚さが70μm以下の半導体素子5、8を適用した場合に有効である。第2の接着剤層9を構成する絶縁樹脂層は、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビスマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂で構成することが好ましい。このような熱硬化性絶縁樹脂を適用するにあたって、主鎖の分子量、重合度、架橋度合、側鎖の置換基の種類や量、樹脂組成物における添加剤例えば可塑剤の種類や量、硬化剤や架橋剤の種類や量等によって、接着剤層絶縁樹脂層9のガラス転移温度を調整することができる。さらに、絶縁樹脂組成物中におけるシリカ等の無機質充填材の含有量を調整することによって、絶縁樹脂層の線膨張係数を制御することができる。このように、熱硬化性絶縁樹脂の種類、構造、重合条件、また添加剤の種類や量等に基づいて、ガラス転移温度を135°C以上とすると共に、ガラス転移温度以下の線膨張係数を100ppm以下さらには70ppm以下に調整した絶縁樹脂層で、半導体素子5、8間の接着剤層9を構成する。2層構造の接着剤層9を適用する場合には、それぞれ上記条件を満足させるものとする。第2の接着剤層9は、例えば半導体ウエハの裏面に接着剤シートを貼り付けたり、接着剤樹脂組成物塗布用樹脂組成物を塗布した後、これらを半導体ウエハと共に切断することにより形成される。また、個片状の接着剤シートを第1の半導体素子5と第2の半導体素子8との間に供給して第2の接着剤層9として機能させるようにしてもよい。接着剤層9の供給方法は特に限定されるものではない。また、第2の接着剤層9は硬化後の弾性率常温弾性率が500MPa以上2GPa以下であることが好ましい。硬化後の第2の接着剤層硬化樹脂層9の弾性率が500MPa未満であると、ワイヤボンディング工程における第2の半導体素子8の撓みが大きくなり、第2の半導体素子8にクラック等が生じやすくなる。硬化後の第2の接着剤層9の弾性率が2GPaを超えると、第2の半導体素子8や積層型半導体装置1の製造性の低下等を招くおそれがある。このような範囲において、接着剤層9の弾性率は熱サイクル試験時における半導体素子5、8の表面引張応力値に影響を及ぼさないことを確認した。上述した実施形態の積層型半導体装置1は、例えば以下のようにして作製される。まず、回路基板2上に第1の接着剤層6を用いて第1の半導体素子5を接着する。続いて、ワイヤボンディング工程を実施して、第1のボンディングワイヤ7で回路基板2の電極部4と第1の半導体素子5の電極パッド5aとを電気的に接続する。次に、第1の半導体素子5上に第2の接着剤層9を用いて第2の半導体素子8を接着する。第2の半導体素子8の接着工程を実施するにあたって、第2の接着剤層9は例えば接着剤シートの貼り付け層や接着剤樹脂組成物の塗布層として、予め第2の半導体素子8に分割する前の半導体ウエハの裏面に形成しておく。これらを半導体ウエハと共に切断ダイシングして個片化する。次いで、個片化した第2の半導体素子8を実装ツールで保持し、これを実装ステージ上に載置した第1の半導体素子5に対して位置合せした後に下降させ、第2の接着剤層9を第1の半導体素子5に押し当てる。この際、実装ステージおよび実装ツールの少なくとも一方を用いて第2の接着剤層9を加熱して軟化または溶融させ、さらに加熱して硬化させる。第2の接着剤層9はその内部に第1のボンディングワイヤ7の一部第1の半導体素子5との接続側端部を取り込むことが可能な厚さを有するため、第1のボンディングワイヤ7と第2の半導体素子8との接触を抑制することができる。この後、第2の半導体素子8に対してワイヤボンディング工程を実施して、第2のボンディングワイヤ10で回路基板2の電極部4と第2の半導体素子8の電極パッド8aとを電気的に接続し、さらに第1および第2の半導体素子5、8をボンディングワイヤ7、10等と共に封止樹脂11で封止することによって、図1や図2に示した積層型半導体装置1が作製される。上述した実施形態の具体例として、厚さ60μmの半導体素子5、8間を、ガラス転移温度が155°C、ガラス転移温度以下の線膨張係数が70ppmのエポキシ樹脂系接着剤で接着した積層型半導体装置実施例を100個作製した。接着剤層の厚さは85μmとした。このような100個の積層型半導体装置について、-55°C×20min→常温25°C×20min→125°C×20minを1サイクルとする熱サイクル試験を実施したところ、500サイクル後におけるクラックの発生率は0であった。一方、ガラス転移温度が155°C、ガラス転移温度以下の線膨張係数が120ppmのエポキシ樹脂系接着剤を用いて作製した積層型半導体装置比較例は、500サイクル後におけるクラックの発生率が55まで上昇した。なお、図5に比較例の積層型半導体装置の熱サイクル試験TCTにおける累積不良率のワイブルチャートを示す。このように、本発明の実施形態による積層型半導体装置1は、熱サイクル試験に対する信頼性に優れるものである。本発明は半導体素子の接続にワイヤボンディング接続を使用した積層型半導体装置に限らず、フリップチップ接続を使用した積層型半導体装置に適用することも可能である。本発明はフリップチップ接続部の周囲を絶縁する絶縁性接着剤層の厚さを50μm以上と厚くした積層型半導体装置にも適用可能であり、この場合にも半導体素子と絶縁性接着剤層との線膨張係数の差に基づくクラック等の発生を抑制する効果、さらにはそれに基づく積層型半導体装置の信頼性の向上効果を得ることができる。なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、複数の半導体素子間を厚さが50μm以上の絶縁性接着剤層を用いて接着した各種の積層型半導体装置に適用することができる。そのような積層型半導体装置についても、本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。