"支持体上に、少なくとも下部電極と有機材料を含む光電変換層と上部電極とをこの順に積層してなる光電変換素子を備えてなる太陽電池の製造方法であって、前記支持体上に、複数の開口部を有する補助金属配線を形成する工程と、前記開口部を埋め込むと共に、前記補助金属配線を被覆する透明絶縁層を形成する工程と、前記透明絶縁層を、前記補助金属配線の表面が露出すると共に前記開口部における該透明絶縁層の表面が該補助金属配線の表面と略同一平面となるまでエッチングする工程と、前記透明絶縁層および前記補助金属配線の表面上に前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に前記光電変換層および上部電極を順次形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記透明絶縁層を形成する工程において、前記透明絶縁層を、該透明絶縁層の表面が、前記補助金属配線の表面上方に後に形成される前記光電変換層の表面よりも高い位置となる厚みで形成し、前記透明絶縁層をエッチングする工程において、前記補助金属配線の表面を含む平面上の少なくとも一部に、前記透明絶縁層の一部が前記下部電極の形成領域の少なくとも一部を区画する絶縁性隔壁として残るようにエッチングすることを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。前記絶縁性隔壁を、前記下部電極の形成領域を取り囲むように形成し、該絶縁性隔壁により取り囲まれた形成領域に、前記下部電極および前記光電変換層を順次形成し、前記上部電極を、前記光電変換層および前記絶縁性隔壁上に、該上部電極と前記絶縁性隔壁とにより前記光電変換層が封止されるように形成することを特徴とする請求項2記載の太陽電池の製造方法。前記支持体上に、前記補助金属配線の位置を光学的に検出するための位置検出用マークを該補助金属配線と同時に形成することを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の太陽電池の製造方法。特許文献3に記載の紫外線硬化樹脂を成膜して、支持体裏面側から紫外線露光して洗浄することにより、金属配線開口部のみに透明樹脂を形成して表面段差を解消する方法は、比較的容易な方法でコストの抑制も可能と考えられる。しかしながら、金属配線断面は理想的な矩形ではなく、現実は台形端部断面が直角ではなくて鋭角であるため、この方法によると、金属配線端部の斜面に成膜された紫外線硬化樹脂に紫外線が照射されず洗浄工程で除去されてしまう。つまり、金属配線端部に透明樹脂が形成されない溝ができてしまうおそれがある。このような透明電極を光電変換素子の下部電極として用いた場合、その溝による表面段差で、下部電極と上部電極の接触ひいては短絡が発生する恐れがあると考えられる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、下部電極に補助金属配線を備えた有機薄膜太陽電池であって、短絡故障の発生が抑制された太陽電池を、低工程数および低コストで製造することができる製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の太陽電池の製造方法は、支持体上に、少なくとも下部電極と有機材料を含む光電変換層と上部電極とをこの順に積層してなる有機光電変換素子を備えてなる太陽電池の製造方法であって、前記支持体上に、複数の開口部を有する補助金属配線を形成する工程と、前記開口部を埋め込むと共に、前記補助金属配線を被覆する透明絶縁層を形成する工程と、前記透明絶縁層を、前記補助金属配線の表面が露出すると共に前記開口部における該透明絶縁層の表面が該補助金属配線の表面と略同一平面となるまでエッチングする工程と、前記透明絶縁層および前記補助金属配線の表面上に前記下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に前記光電変換層および上部電極を順次形成する工程とを含むことを特徴とする。すなわち、本発明は、透明絶縁層を補助金属配線よりも厚く形成した後に補助金属配線表面が露出するまでエッチバックして、補助金属配線表面と開口部を埋め込む透明絶縁層の表面を略面一として平坦化された面を形成することを特徴とする。前記透明絶縁層を形成する工程において、前記透明絶縁層を、該透明絶縁層の表面が、前記補助金属配線の表面上方に後に形成される前記光電変換層の表面よりも高い位置となる厚みで形成し、前記透明絶縁層をエッチングする工程において、前記補助金属配線の表面を含む平面上の少なくとも一部に、前記透明絶縁層の一部が前記下部電極の形成領域の少なくとも一部を区画する絶縁性隔壁として残るようにエッチングすることが好ましい。すなわち、前記補助金属配線表面を有する平坦化された面を形成する工程において同時に、前記絶縁性隔壁を形成することが望ましい。本発明の太陽電池の製造方法においては、前記絶縁性隔壁を、前記下部電極の形成領域を取り囲むように形成し、該絶縁性隔壁により取り囲まれた形成領域に、前記下部電極および前記光電変換層を順次形成し、前記上部電極を、前記光電変換層および前記絶縁性隔壁上に、該上部電極と前記絶縁性隔壁とにより前記光電変換層が封止されるように形成することが望ましい。また、本発明の太陽電池の製造方法においては、前記支持体上に、前記補助金属配線の位置を光学的に検出するための位置検出用マークを該補助金属配線と同時に形成することが望ましい。本発明の太陽電池の製造方法によれば、多数の開口部を有する補助金属配線の開口部を埋め込む平坦化層を、透明絶縁層を補助金属配線を覆うように形成した後に、補助金属配線の表面が露出するまでエッチングすることにより形成するので、容易な方法で、確実に平坦化層を得ることができ、低工程数、低コストで実現できる。本発明の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池は、補助金属配線の開口部を埋め込む平坦化層を備えているため、短絡故障を効果的に防止することができ、高い保存性および信頼性を備えている。以下、本発明の実施の形態を説明する。第1の実施形態本発明の第1の実施形態にかかる太陽電池の製造方法について、図1A~図1Cを参照して説明する。図1A、図1Bは、第1の実施形態の太陽電池の製造方法における製造工程を示す断面図であり、図1Cは、本実施形態の製造方法により製造される太陽電池の構造を示す断面図である。まず、図1Aに示すように、支持体10の表面に、複数の開口部を有する補助金属配線26を形成する。補助金属配線26は、例えばメッシュ状の配線であり、メッシュの目が開口部となる。この補助金属配線26は、例えば、支持体10上にハロゲン化銀を含む組成物を塗布してハロゲン化銀含有層を形成する工程と、ハロゲン化銀含有層の一部を露光する工程と、ハロゲン化銀含有層を現像する工程と、現像済みハロゲン化銀含有層を定着して銀を含む該補助配線を形成する工程とを順に行うことにより形成することができる。補助金属配線は、シャドウマスクを使用した真空蒸着やスパッタ等のPVD法、または、導電性微粒子を含む塗布組成物を各種の印刷技術で成膜してもよい。金属材料を全面に成膜してから、一般的なフォトリソグラフィ工程によりエッチングすることで補助金属配線を形成することもできる。その後、図1Aに示すように、この補助金属配線26が形成された支持体10上に、補助金属配線26の開口部を埋め込むと共に、補助金属配線26を被覆するように透明絶縁層30を形成する。透明絶縁層30は、例えば、補助金属配線26が覆われるように窒化酸化珪素層などをスパッタなどのPVD法や各種の化学的気相製膜法CVD法により形成することができる。また、メタアクリレートのような透明樹脂材料により形成してもよい。その後、図1Bに示すように、透明絶縁層30を、補助金属配線26の表面が露出し、開口部に埋め込まれた絶縁層30の表面が補助金属配線26の表面と略面一となるまでエッチングする。なお、ここで補助金属配線開口部に埋め込まれてエッチングにより補助金属配線26の表面と略同一の面を有する絶縁層30を平坦化層31と称する。次に、補助金属配線26と透明絶縁材料からなる平坦化層31との上に下部電極12を形成し、この下部電極層12上に、少なくとも有機材料を含む光電変換層15を積層する。図1Cに示す太陽電池1は、下部電極12と光電変換層15との間にさらに正孔輸送層などの半導体層13を備えることができる。さらに、光電変換層15上に上部電極21を形成することにより図1Cに示すような太陽電池1を形成する。なお、光電変換層15と上部電極21間には電子輸送層などの半導体層を備えていてもよい。本実施形態の製造方法によれば、平坦化層31を、補助金属配線26を覆うまで厚く透明絶縁層30を形成した後に、補助金属配線26の表面が露出されるまでエッチングすることにより、補助金属配線26の表面と、補助金属配線の開口部に埋め込まれた絶縁層の表面とを略同一平面とすることができる。少ない工程数およびコストで補助金属配線の開口部を埋めて補助金属配線の表面を含む平坦な層を形成でき、補助金属配線の段差により、下部電極と上部電極が接触して短絡が発生する恐れがない。第2の実施形態本発明の第2の実施形態にかかる太陽電池の製造方法について、図2A~図2Gを参照して説明する。図2Aから図2Fは、第2の実施形態の太陽電池の製造方法における製造工程を示すものであり、図2Aは平面図、図2B~図2Fは断面図であり、図2Gは本実施形態の製造方法により製造される太陽電池の構造を示す断面図である。なお、第1の実施形態の太陽電池の構成要素と同一の要素には同等の符号を付し詳細な説明を省略する。まず、図2Aに示すように、支持体10の表面に、補助金属配線25を形成する。補助金属配線としては、図2Aに示すように、素子形成位置に対応する領域には、メッシュ状の配線26を設け、その両端にはやや太いライン状の配線バスライン27をメッシュ状の配線に連続して設ける。なお、この補助金属配線25の形成時に、十字模様のアライメントマーク位置検出用マーク28を同時に補助金属配線と同じ材料で形成することが好ましい。アライメントマーク28を形成しておくことにより、後の工程において、このアライメントマークを位置合わせの基準点として、画像認識機能を備えた各種製造装置や印刷装置を用いて、所望の位置に精度よく絶縁性隔壁などの機能膜の形成を行うことができる。補助金属配線25のメッシュ状の配線26の間および素子形成位置以外の補助金属配線が形成されていない領域以下においては、両者を併せて配線開口部と称する。に、図2Bに示すように、補助金属配線25を埋め込むように透明絶縁層30を形成する。たとえば、アクリル系やエポキシ系などの光硬化性材料を塗布し、その材料に適した波長の光を全面に照射する事で、補助金属配線25を光硬化性樹脂からなる透明絶縁層30により被覆する。熱硬化性材料や電子線硬化性材料でも透明絶縁層30を形成できる。さらに、図2Cに示すように、透明絶縁層30上にさらに光硬化性材料を塗布し、塗布膜30aを形成し、先に形成した銀からなるアライメントマーク28を位置合せの基準点として、絶縁性隔壁を形成する部分のみにフォトマスク50を介して光照射し、この部分のみを硬化させる。なお、このとき、塗布膜30aを、先に設けた透明絶縁層の材料とは異なる透明絶縁性の材料により形成してもよい。その後未硬化の光硬化性材料を適切な溶媒で洗浄すれば、図2Dに示すように、露光されなった部分の塗布膜30aを除去することができる。これにより、2度光照射を行なった部分に厚い透明絶縁層30が形成される。次に、第1の実施形態の場合と同様に、補助金属配線25表面と補助金属配線開口部に形成された透明絶縁層30の表面が略同一平面になるまで、光硬化性樹脂の表面をプラズマエッチングして、平坦化層31を形成する図2E参照。。このエッチングの際、透明絶縁層30の厚い部分は、後に形成する下部電極の形成領域の少なくとも一部を区画する絶縁性隔壁32として残る。このとき絶縁性隔壁32は、その表面が、後工程において形成される光電変換層の表面よりも高い位置となるように立設する。その後、図2Fに示すように、下部電極12、正孔輸送層などの半導体層13および有機材料を含む光電変換層15を順次積層形成し、さらに、光電変換層15上、絶縁性隔壁32および露出している端部の平坦化層31上に上部電極層20を形成する。電極層20のうち、光電変換層15直上に形成されている部分が上部電極21として機能し、上部電極21から連続的に形成された端部領域は外部接続端子23として機能する。次に、上部電極21上および一部露出している下部電極12、正孔輸送層などの半導体層13、光電変換層15を覆うように、保護層40を形成する。最後に、封止フィルム41を保護層40上に配置してラミネートすることにより、図2Gに示す太陽電池3を作製することができる。本実施形態では、平坦化層31の作製工程で、絶縁性隔壁32を同時に作り込むことができる。絶縁性隔壁32を平坦化層31の形成工程の後に、別途の工程で形成してもよい。しかしながら、本実施形態のように、絶縁性隔壁を平坦化層と同時に形成することにより、工程数をあまり増加させることなく、絶縁性隔壁32を形成することができ、さまざまな構造の光電変換素子を支持体上に形成することが可能となる。たとえば、図3Eに示す他の実施形態の太陽電池のように、下部電極12の形成領域を取り囲むように、かつ光電変換層15の表面位置よりも表面位置が高い絶縁性隔壁32を設けることにより、光電変換層15が絶縁性隔壁32と上部電極層20間に封止された構造とすることができる。このように、有機材料からなる光電変換層15を封止する構造とすることにより、耐久性のさらなる向上を図ることができる。上記実施形態においては、単一の光電変換素子からなる太陽電池について説明したが、本発明の製造方法は図5Eあるいは図6Dに示すような複数の光電変換素子c1c2c3を直列接続した集積化太陽電池の製造にも同様に適用することができる。集積化太陽電池を製造する場合には、図5Aの下図に示すように支持体10上に、素子毎に対応させて、素子間で分離した補助金属配線25を形成する。また、図5Bに示すように、絶縁性隔壁32を、隣接素子間で下部電極同士や光電変換層同士が接触しないように少なくとも素子間に形成する。図5Eあるいは図6Dに示すように、上部電極層20を、素子間において、下部電極12あるいは補助金属配線25と接触するように形成することにより、上部電極層20の素子間領域は電極接続配線部22として機能し、素子同士を直列接続させることができる。以下、本発明の太陽電池の製造方法に好ましく用いることができる材料等について詳しく述べる。<支持体>支持体10は、その上に複数の光電変換素子およびそれらを直列接続するための電極接続配線を形成して保持することができるものであれば特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチックフィルムなど、目的に応じて適宜選択しうる。以下、支持体の代表的な例としてプラスチックフィルム基板について説明する。プラスチックフィルム基板の材質、厚み等に特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、光透過性を有する有機薄膜太陽電池とする場合には、光、例えば、400nm~800nmの波長範囲の光に対する透過性に優れることが好ましい。400nm~800nmの波長範囲の光に対する光透過率は、通常80以上が好ましく、より好ましくは85以上、さらに好ましくは90以上である。プラスチックフィルムの厚みに関して特に制限はないが、典型的には1μm~800μmであり、好ましくは10μm~300μmである。易接着層/下塗り層プラスチックフィルム基板の表面下部電極を形成する側の面は、密着性向上の観点から、易接着層もしくは下塗り層を有していてもよい。易接着層もしくは下塗り層は、単層であってもよく、多層であってもよい。易接着層もしくは下塗り層の形成には、各種の親水性下塗ポリマーが用いられる。本発明に使用する親水性下塗ポリマーとしては、ゼラチン、ゼラチン誘導体、カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマー、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロースエステル、塩化ビニル含有共重合体、塩化ビニリデン含有共重合体、アクリル酸エステル含有共重合体、酢酸ビニル含有共重合体、ブタジエン含有共重合体などのラテックスポリマー、ポリアクリル酸共重合体、無水マレイン酸共重合体等が例示される。易接着層もしくは下塗り層の乾燥後の塗布膜厚は、50nm~2μmの範囲であることが好ましい。なお、支持体を仮支持体として用いる場合には、支持体表面に易剥離性処理を施すことも可能である。<下部電極>下部電極12は、金属、合金、TCO、導電性ポリマー等の各種導電材料から選ばれる。例えば、光透過性を有する有機薄膜太陽電池とする場合は、下部電極12として導電性ポリマー層やITO等のTCOを用いればよいし、光透過性が要求されない場合は、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、パラジウム、銀、タンタル、タングステン、白金、金などの金属材料を用いればよい。下部電極に好適な導電性ポリマー層は、特願2010-181078号本出願時において未公開に詳細が開示されている。<補助金属配線>補助金属配線を構成する金属材料の例としては、金、白金、鉄、銅、銀、アルミニウム、クロム、コバルト、ステンレス鋼等が挙げられる。金属材料の好ましい例としては、銅、銀、アルミニウム、金等の低抵抗金属が挙げられ、なかでも、製造コストと材料コストが低く、酸化されにくい銀もしくは銅が好ましく用いられる。補助金属配線のパターン形状は特に限定されないが、光透過性及び導電性の観点から、メッシュ状のものメッシュパターン電極が好ましい。メッシュパターンには特に制限がなく、正方形、長方形、菱形等の格子状、縞状ストライプ状、ハニカム、あるいは曲線の組合せを用いてもよい。これらのメッシュデザインは開口率光透過率と表面抵抗電気伝導率が所望の値となるように調整される。このようなメッシュパターンの補助金属配線26とする場合、メッシュの開口率は通常は70以上であり、80以上が好ましく、85以上がより好ましい。補助金属配線の表面抵抗は10Ω/□以下であることが好ましく、3Ω/□以下であることがさらに好ましく、1Ω/□以下であることがより好ましい。光透過率と電気伝導率はトレードオフの関係にあるため、開口率は大きいほど好ましいが、現実的には95以下となる。補助金属配線25の厚みは特に制限は無いが、通常は0.02μm~20μm程度である。補助金属配線25のメッシュパターン26における線幅は、光透過性と導電性の観点から、平面視による線幅が1μm~500μmの範囲であり、1μm~100μmが好ましく、3μm~20μmがより好ましい。補助金属配線25のメッシュパターン26におけるピッチは小さいメッシュが細かい方が太陽電池の特性上有利である。しかしながらピッチが小さいと光の透過率が低下するので、妥協点が選ばれる。ピッチは金属細線の線幅に応じて変化するが、平面視によるピッチが50μm~2000μmであることが好ましく、100μm~1000μmがより好ましく、150μm~500μmがさらに好ましい。開口部の観点から言えば補助金属配線25のメッシュパターン26の繰り返し単位となる開口部の面積が1×10-9m2~1×10-4m2であることが好ましく、3×10-9m2~1×10-5m2であることがより好ましく、1×10-8m2~1×10-6m2であることがさらに好ましい。補助金属配線25は、大面積集電のために、バスライン太線27を有していても良い。バスラインの線幅やピッチは、使用する材料に応じて適宜選択される。補助金属配線25の形成方法としては特に制限はなく、公知の形成方法を適宜使用しうる。例えば、予め作製したメッシュパターン金属を支持体表面に貼り合せる方法、導電材料をメッシュパターンに塗布する方法、蒸着もしくはスパッタ等のPVD法を用いて導電膜を全面に形成した後にエッチングしてメッシュパターンの導電膜を形成する方法、スクリーン印刷、インクジェット印刷などの各種印刷法によりメッシュパターンの導電材料を塗布する方法、蒸着もしくはスパッタによりシャドウマスクを用いてメッシュパターンの金属補助配線を基材表面に直接形成する方法、特開2006-352073号公報、特開2009-231194号公報等に記載のハロゲン化銀感光材料を用いる方法以下、銀塩法と呼ぶことがある等が挙げられる。補助金属配線25をメッシュ電極として形成する場合は、そのピッチが小さいため、銀塩法で形成することが好ましい。銀塩法で補助金属配線25を形成する場合、補助金属配線を形成するための塗液を支持体上に設け、補助金属配線25を形成するための塗膜に対してパターン露光を行う工程と、パターン露光された塗膜を現像する工程と、現像された塗膜を定着する工程とにより、支持体上に所望のパターンを有する補助金属配線25を形成することができる。銀塩法で作製される補助金属配線25は、銀と親水性ポリマーの層である。親水性ポリマーの例としては、ゼラチン、ゼラチン誘導体、カゼイン、寒天、アルギン酸ソーダ、でんぷん、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマー、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロースエステル等が例示される。層内には銀や親水性ポリマーのほかにも塗布、現像、定着工程に由来する物質が含まれる。銀塩法で補助配線を形成した後に銅めっきを施して、さらに抵抗の低い補助配線を得る方法も好ましく用いられる。<アライメントマーク>補助金属配線25を形成する工程において、後工程で積層する各機能膜やフィルム基板の重ね合せ精度を向上させて集積化密度を高めるため、位置検出用のアライメントマーク28を該金属配線と同時に形成することが好ましい。アライメントマークは、各機能膜の製造装置や印刷装置の画像認識仕様が指定するパターンを適宜形成するが、縞、十字、矩形、円やそれらを組合わせた幾何学的模様や、記号、文字などが好ましく使用される。<平坦化層、絶縁性隔壁>平坦化層31、絶縁性隔壁32は、透明な絶縁性材料であれば特に制限はないが、後述のガスバリア層を構成する材料が好ましく用いられ、特には、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素などの透明な無機材料、あるいはメタアクリレートなどの重合物を用いることができる。絶縁性隔壁32を備えた太陽電池を作製する場合、平坦化層31と絶縁性隔壁32は別工程で作製することも可能であるが、第2の実施形態にて説明したように、同一工程にて作製することが好ましい。<機能性層>支持体10の裏面側下部電極を形成しない面側には機能性層を設けてもよい。例えば、ガスバリア層、マット剤層、反射防止層、ハードコート層、防曇層、防汚層、易接着層等が挙げられる。このほか、機能性層に関しては特開2006-289627号公報の段落番号0036~0038に詳しく記載されており、ここに記載の機能性層を目的に応じて設けてもよい。<光電変換層>光電変換層15は、太陽光を受けて励起子電子-正孔対を生成した後に、その励起子が電子と正孔に解離して、電子が負極側へ、正孔が正極側へ、輸送されるという光電変換過程が高効率で発現する材料から選択して構成される。有機薄膜太陽電池とする場合は、有機材料からなる電子供与領域ドナーを含む光電変換層15を形成し、変換効率の観点から、バルクへテロ接合型の光電変換層適宜、バルクへテロ層という。が好ましく適用される。バルクヘテロ層は電子供与材料ドナーと電子受容材料アクセプターが混合された有機の光電変換層である。電子供与材料と電子受容材料の混合比は変換効率が最も高くなるように調整されるが、通常は、質量比で、10:90~90:10の範囲から選ばれる。このような混合層の形成方法は、例えば、共蒸着法が用いられる。あるいは、両方の有機材料に共通する溶媒を用いて溶剤塗布することによって作製することも可能である。バルクヘテロ層の膜厚は10~500nmが好ましく、20~300nmが特に好ましい。電子供与材料ドナー又は正孔輸送材料ともいう。は、その最高被占軌道HOMO準位が4.5~6.0eVのπ電子共役系化合物であり、具体的には、各種のアレーン例えば、チオフェン、カルバゾール、フルオレン、シラフルオレン、チエノピラジン、チエノベンゾチオフェン、ジチエノシロール、キノキサリン、ベンゾチアジアゾール、チエノチオフェンなどをカップリングさせた共役系ポリマー、フェニレンビニレン系ポリマー、ポルフィリン類、フタロシアニン類等が例示される。このほか、ケミカルレビュー第107巻、953~1010頁2007年にHole-TransportingMaterialsとして記載されている化合物群やジャーナルオブジアメリカンケミカルソサエティー第131巻、16048頁2009年に記載のポルフィリン誘導体も適用可能である。これらの中では、チオフェン、カルバゾール、フルオレン、シラフルオレン、チエノピラジン、チエノベンゾチオフェン、ジチエノシロール、キノキサリン、ベンゾチアジアゾール、チエノチオフェンからなる群より選ばれた構成単位をカップリングさせた共役系ポリマーが特に好ましい。具体例としてはポリ-3-ヘキシルチオフェンP3HT、ポリ-3-オクチルチオフェンP3OT、ジャーナルオブジアメリカンケミカルソサエティー第130巻、3020頁2008年に記載の各種ポリチオフェン誘導体、アドバンストマテリアルズ第19巻、2295頁2007年に記載のPCTBT、ジャーナルオブジアメリカンケミカルソサエティー第130巻、732頁2008年に記載のPCDTQx、PCDTPP、PCDTPT、PCDTBX、PCDTPX、ネイチャーフォトニクス第3巻、649頁2009年に記載のPBDTTT-E、PBDTTT-C、PBDTTT-CF、アドバンストマテリアルズ第22巻、E135~E138頁2010年に記載のPTB7等が挙げられる。電子受容材料アクセプター又は電子輸送材料ともいう。は、その最低空軌道LUMO準位が3.5~4.5eVであるようなπ電子共役系化合物であり、具体的にはフラーレンおよびその誘導体、フェニレンビニレン系ポリマー、ナフタレンテトラカルボン酸イミド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸イミド誘導体等が挙げられる。これらの中では、フラーレン誘導体が好ましい。フラーレン誘導体の具体例としてはC60、フェニル-C61-酪酸メチルエステル文献等でPCBM、60PCBM、あるいはPC61BMと称されるフラーレン誘導体、C70、フェニル-C71-酪酸メチルエステル多くの文献等でPCBM、70PCBM、あるいはPC71BMと称されるフラーレン誘導体、およびアドバンストファンクショナルマテリアルズ第19巻、779~788頁2009年に記載のフラーレン誘導体、ジャーナルオブジアメリカケミカルソサエティー第131巻、16048頁2009年に記載のフラーレン誘導体SIMEF等が挙げられる。<電子輸送層>必要に応じて、光電変換層バルクヘテロ層15と負極の間に電子輸送材料からなる電子輸送層を設置しても良い。電子輸送層に用いることのできる電子輸送材料としては、前記の光電変換層で挙げた電子受容材料および、ケミカルレビュー第107巻、953~1010頁2007年にElectron-TransportingandHole-BlockingMaterialsとして記載されているものが挙げられる。各種金属酸化物も安定性が高い電子輸送層の材料として好ましく利用され、例えば、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化ニオブ、酸化ルテニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化バリウムが挙げられる。これらのうち比較的に安定な酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛がより好ましい。電子輸送層の膜厚は0.1~500nmであり、好ましくは0.5~300nmである。電子輸送層は、塗布などによる湿式製膜法、蒸着やスパッタ等のPVD法による乾式製膜法、転写法、印刷法など、いずれによっても好適に形成することができる。<その他の半導体層>必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、正孔阻止層、励起子拡散防止層等の補助層を有していてもよい。なお、本発明において、下部電極12と上部電極21の間に形成された、バルクヘテロ層、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、励起子拡散防止層など、電子や正孔を輸送する層の総称として半導体層の言葉を用いる。<上部電極>上部電極を構成する材料としては、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。上部電極が負極として機能する場合は、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、銅、亜鉛、ストロンチウム、銀、インジウム、錫、バリウム、ビスマスなどの金属やこれらの合金が好ましく用いられる。上部電極が正極として機能する場合は、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、パラジウム、銀、タンタル、タングステン、白金、金などの金属やこれらの合金、TCO、導電性ポリマーが好ましく用いられる。これらは、1種のみで使用しても、2種以上を混合または積層してもよい。上部電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことできる。例えば、塗布や印刷による湿式製膜法、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のPVD法や各種化学的気相製膜法CVD法による乾式製膜法などの中から、前記した構成材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。上部電極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、シャドウマスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等を行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。また、負極と半導体層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の弗化物、酸化物等による誘電体層を0.1~5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等のPVD法により形成することができる。上部電極の厚みは、その構成材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、導電性の観点から、通常、0.01μm~10μm程度であり、0.05μm~1μmが好ましい。<保護層>保護層40の材料としては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化珪素SiOx、酸化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム等の金属酸化物、窒化珪素SiNx等の金属窒化物、窒化酸化珪素SiOxNy等の金属窒化酸化物金属酸化窒化物、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウム等の金属弗化物、ダイヤモンド状炭素DLC、などの無機材料が挙げられる。また、有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ弗化ビニリデン、ポリパラキシリレン、ポリビニルアルコール等のポリマーが挙げられる。これらのうち、金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物やDLCが好ましく、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。保護層は単層でも多層構成であっても良い。保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、MBE分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法などのPVD法や、原子層堆積法ALD法またはALE法を含む各種CVD法、塗布法、印刷法、転写法を適用できる。<ガスバリア層>水分子や酸素分子など活性因子の浸透を阻止する目的の保護層を特にガスバリア層ともいい、有機薄膜太陽電池はガスバリア層を有することが好ましい。ガスバリア層は、水分子や酸素分子等の活性因子を遮断する層であれば、特に制限はないが、保護層として先に例示した材料が通常利用される。これらは純物質でもよいし、複数組成からなる混合物や傾斜組成でもよい。これらのうち、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が好ましい。ガスバリア層は単層でも、複数層でも良い。有機材料層と無機材料層の積層でも良く、複数の無機材料層と複数の有機材料層の交互積層でも良い。有機材料層は平滑性があれば特に制限はないが、メタアクリレートの重合物からなる層などが好ましく例示される。無機材料層は、上述の保護層材料が好ましく、珪素、アルミニウムの酸化物、窒化物、窒化酸化物が特に好ましい。無機材料層の厚みに関しては特に限定されないが、1層に付き、通常は5~500nmであり、好ましくは10~200nmである。無機材料層は複数のサブレイヤーから成る積層構造であってもよい。この場合、各サブレイヤーが同じ組成であっても異なる組成であってもよい。また、米国特許出願公開2004/0046497号明細書に開示してあるようにポリマーからなる有機材料層との界面が明確で無く、組成が膜厚方向で連続的に変化する層であってもよい。<封止フィルム>ガスバリア層をプラスチックフィルム基板上にあらかじめ形成したものを本発明では封止フィルムと表現している。有機光電変換素子からなる太陽電池を形成した後に、封止フィルムを公知の接着剤やシーラントで貼り合せる製造方法が、該太陽電池の製造工程数を削減できるので好ましく使用されている。特に、太陽電池の支持体10がプラスチックフィルムからなる場合は、支持体の裏面下部電極を形成しない面側からも水分子や酸素分子などの活性分子が浸透するので、該太陽電池の両面に封止フィルムを貼り合せるラミネートすることが好ましい。本発明に製造方法により製造される太陽電池の厚さは特に限定されないが、光透過性を有する有機薄膜太陽電池とする場合は、50μm~1mmであることが好ましく、100μm~500μmであることがより好ましい。以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。実施例1実施例1として図1A~図1Cに示した第1の実施形態の製造方法に沿って太陽電池1を製造した。支持体10としてポリエチレンナフタレートPENフィルム100μm厚、50mm角を用い、PENフィルム上に、0.01mm幅、0.2mmピッチ、2μm厚の正方格子状の補助金属配線26を形成した。補助金属配線の形成方法は、以下の通りとした。[ハロゲン化銀乳剤の調製]反応容器内で下記溶液Aを34°Cに保ち、特開昭62-160128号公報記載の混合撹拌装置を用いて高速に撹拌しながら、硝酸濃度6を用いて水素イオン濃度pHを2.95に調整した。引き続き、ダブルジェット法を用いて下記溶液Bと下記溶液Cを一定の流量で8分6秒間かけて添加した。添加終了後に、炭酸ナトリウム濃度5を用いてpHを5.90に調整し、続いて下記溶液Dと溶液Eを添加した。溶液Aアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万18.7g塩化ナトリウム0.31g溶液I下記1.59cm3純水1,246cm3溶液B硝酸銀169.9g硝酸濃度65.89cm3純水にて全量を317.1cm3とした。溶液Cアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万5.66g塩化ナトリウム58.8g臭化カリウム13.3g溶液I下記0.85cm3溶液II下記2.72cm3純水にて全量を317.1cm3とした。溶液D2-メチル-4ヒドロキシ-1,3,3a,7-テトラアザインデン0.56g純水112.1cm3溶液Eアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万3.96g溶液I下記0.40cm3純水128.5cm3溶液Iポリイソプロピレンポリエチレンオキシジ琥珀酸エステルナトリウム塩の10質量メタノール溶液溶液II六塩化ロジウム錯体の10質量水溶液上記操作終了後に、常法に従い40°Cにてフロキュレーション法を用いて脱塩及び水洗処理を施し、溶液Fと防黴剤を加えて60°Cでよく分散し、40°CにてpHを5.90に調整して、最終的に臭化銀を10mol含む平均粒子径0.09μm、変動係数10の塩臭化銀立方体粒子乳剤を得た。溶液Fアルカリ処理不活性ゼラチン平均分子量10万16.5g純水139.8cm3上記塩臭化銀立方体粒子乳剤に対し、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀1mol当たり20mg用い、40°Cにて80分間化学増感を行い、化学増感終了後に4-ヒドロキシ-6-メチル-1,3,3a,7-テトラザインデンTAIをハロゲン化銀1mol当たり500mg、1-フェニル-5-メルカプトテトラゾールをハロゲン化銀1mol当たり150mg添加して、ハロゲン化銀乳剤を得た。このハロゲン化銀乳剤のハロゲン化銀粒子とゼラチンの体積比ハロゲン化銀粒子/ゼラチンは0.625であった。[塗布]さらに硬膜剤としてテトラキスビニルスルホニルメチルメタンをゼラチン1g当たり200mgの比率となるようにして添加し、また塗布助剤界面活性剤として、スルホ琥珀酸ジ2-エチルヘキシルナトリウムを添加し、表面張力を調整した。こうして得られた塗布液を、銀換算の目付け量が0.625gm-2となるように、下塗り層を施したPENフィルム基板支持体上に塗布した後、50°C24時間のキュア処理を実施して感光材料を得た。[露光]得られた感光材料を、メッシュパターンのフォトマスク線幅0.01mm、ピッチ0.2mmを介して紫外線露光した。[化学現像]露光した感光材料を、下記現像液DEV-1を用いて25°Cで60秒間の現像処理を行った後、下記定着液FIX-1を用いて25°Cで120秒間の定着処理を行った。DEV-1純水500cm3メトール2g無水亜硫酸ナトリウム80gハイドロキノン4gホウ砂4gチオ硫酸ナトリウム10g臭化カリウム0.5g水を加えて全量を1000cm3とした。FIX-1純水750cm3チオ硫酸ナトリウム250g無水亜硫酸ナトリウム15g氷酢酸15cm3カリミョウバン15g水を加えて全量を1000cm3とした。[物理現像]次に、下記物理現像液PDEV-1を用いて30°Cで10分間物理現像を行った後、水道水で10分間洗い流して水洗処理を行った。PDEV-1純水900cm3クエン酸10gクエン酸三ナトリウム1gアンモニア水281.5gハイドロキノン2.3g硝酸銀0.23g水を加えて全量を1000cm3とした。[電解めっき]物理現像処理の後に、下記電解めっき液を用いて25°Cで電解銅めっき処理を施した後、水洗、乾燥処理を行った。なお電解銅めっきにおける電流制御は3Aで1分間、次いで1Aで12分間、計13分間かけて実施した。めっき処理終了後に、水道水で10分間洗い流して水洗処理を行い、乾燥風50°Cを用いてドライ状態になるまで乾燥した。電解めっき液硫酸銅五水和物200g硫酸50g塩化ナトリウム0.1g水を加えて全量を1000cm3とした。以上のようにして補助金属配線補助銀配線26を形成した後、図1Aに示すように、光重合開始剤Lamberti製、EsacureKTO46を添加したトリメチロールプロパントリアクリレートTMPTAの2‐アセトキシ‐1‐メトキシプロパンPGMEA溶液を回転塗布し、塗布膜全面に対して紫外線波長365nm照射する事で、補助金属配線26を透明絶縁性材料であるポリアクリレートからなる透明絶縁層30により被覆した。その後、図1Bに示すように、補助金属配線26の表面と、補助金属配線開口部に形成された透明絶縁層ポリアクリレート層30の表面が略同一平面になるまで、ArガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、ポリアクリレート層30の表面をプラズマエッチングして、平坦化層31を形成した。その後、この平坦化層31および補助金属配線26からなる平面上に、ジメチルスルホキシドDMSOを添加したポリエチレンジオキシチオフェン‐ポリスチレンスルホン酸水溶液PEDOT-PSS:H.C.StarckClevios製、CleviosPH500以下ではPEDOT-PSS水溶液Iと略記する。を回転塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより下部電極12膜厚0.2μmを形成した。次に、別組成のPEDOT-PSS水溶液H.C.StarckClevios製、CleviosPVP.AI4083以下ではPEDOT-PSS水溶液IIと略記する。を下部電極12上に回転塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより正孔輸送層13膜厚0.04μmを形成した。電子供与材料としてP3HTMerck製、lisiconSP001、及び、電子受容材料としてPC61BMフロンティアカーボン製、nanomspectraE100Hをクロロベンゼンに溶解させた組成物を、乾燥窒素雰囲気で正孔輸送層13上に回転塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これによりバルクヘテロ接合型の光電変換層15を形成し、膜厚は0.2μmであった。光電変換層15上に、弗化リチウム膜厚1nmとアルミニウム膜厚0.4μmを連続して真空蒸着して上部電極21を形成した。このとき、素子面積が1.1cm2となるようにシャドウマスクを用いた。以上の構成の有機光電変換素子では、下部電極12のPEDOT-PSSが正極として、上部電極21のアルミニウムが負極として機能する。上記のようにして得られた太陽電池について、PENフィルム支持体10の裏面下部電極12を形成しない面側から擬似太陽光を80mWcm-2照射して変換効率を測定した。具体的には、有機薄膜太陽電池へキセノンランプNewport製96000にエアマスフィルタNewport製84094を組合せた光源を照射しながら、ソースメータKeithleyInstruments製Model2400により電圧を印加して電流値を測定した。得られた電流-電圧特性からPeccellI-VCurveAnalyzerペクセルテクノロジーズ製ver.2.1を用いて変換効率を算出した。得られた変換効率は3であった。実施例2実施例2として、実施例1とほぼ同様の製造工程により同様の構成の太陽電池を作製した。実施例1と異なるのは平坦化層31を形成するための透明絶縁性材料である。実施例1の工程において、補助金属配線26を形成後、TMPTA溶液の代わりに、ポリシラザンのキシレン溶液を回転塗布し、120°Cで60分間加熱した後に水蒸気処理をする事で、補助金属配線26を酸化珪素により被覆した。すなわち、酸化珪素からなる透明絶縁層30を形成した。銀配線表面と、配線開口部に形成された酸化珪素の表面が略同一平面になるまで、ArガスとCF4ガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、透明絶縁層酸化珪素層30の表面をプラズマエッチングして、平坦化層31を形成した。上記工程以外は、実施例1の工程と同様とした。実施例2の製造方法により得られた太陽電池について、実施例1と同様に変換効率を求めたところ、変換効率3であった。比較例1実施例1の工程において、平坦化層を形成せずに、有機薄膜太陽電池を形成した。比較例1の製造方法により得られた太陽電池は、短絡していて、電池特性が得られなかった。この有機薄膜太陽電池の断面を電顕観察したところ、補助銀配線と上部アルミニウム電極が接触している部分が複数あった。比較例2比較例1と同様に平坦化層を形成することなく、有機薄膜太陽電池を形成した。比較例2においては、PEDOT-PSS水溶液Iを複数回塗布する事で、膜厚2μmの下部電極を形成した。この他の工程は、比較例1と同様とした。この比較例2の製造方法で製造された有機薄膜太陽電池は、変換効率0.5であった。なお、補助銀配線開口部の可視光透過率を測定すると20以下であった。比較例3実施例1の工程において、補助金属配線26上に光重合開始剤を添加したTMPTAのPGMEA溶液を回転塗布した後に、PENフィルム支持体の裏面銀配線を形成しない面側から紫外線照射し、PGMEA溶液で洗浄する事で、補助銀配線開口部にポリアクリレートからなる平坦化層31を形成した。この他の工程は、実施例1と同様とした。比較例3の製造方法で製造された有機薄膜太陽電池は、短絡していて、電池特性が得られなかった。この有機薄膜太陽電池の断面を電顕観察したところ、補助銀配線の外縁を沿うようにポリアクリレートが形成されていない溝が見受けられ、その部分で下部電極や補助銀配線と上部アルミニウム電極が接触していた。実施例3実施例3として、図2A~図2Gに示した第2の実施形態の製造方法に沿って太陽電池3を製造した。図2Aは平面図、図2B~図2Gは断面図である。本実施例の製造方法を、実施例1と異なる点を中心に説明する。実施例1の補助金属配線の形成工程において、0.01mm幅、0.2mmピッチ、2μm厚の正方格子状の配線26とこの配線26に隣接して設けられるライン状配線27からなる補助金属配線25を形成すると共に、0.1mm幅、1mm長の銀線からなる十字模様をアライメントマーク28として図2Aのように形成した。次に、実施例1と同様に、図2Bに示すように、光重合開始剤を添加したTMPTAのPGMEA溶液を回転塗布し、紫外線を全面に照射する事で、補助金属配線25をポリアクリレートからなる透明絶縁層30により被覆した。さらに、図2Cに示すように、ポリアクリレート層30上にさらにTMPTAのPGMEA溶液を回転塗布し、塗布膜30aを形成した。先に形成した銀線からなるアライメントマーク28を位置合せの基準点として、絶縁性隔壁を形成する部分のみにフォトマスクを介して紫外線照射し、この部分のみを硬化させた。その後PGMEA溶液で洗浄することにより、露光されなった部分の塗布膜30aを除去した図2D参照。次に、図2Eに示すように、実施例1と同様に、補助金属配線25表面と補助金属配線開口部に形成されたポリアクリレート層30の表面が略同一平面になるまで、ArガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、ポリアクリレートの表面をプラズマエッチングして、平坦化層31を形成すると、同時にポリアクリレートからなる絶縁性隔壁32を形成することが出来た。なお、このときの絶縁性隔壁32の表面が、後工程において形成される光電変換層の表面よりも高い位置となるように、ポリアクリレート層30および塗布膜30aの厚みは設定した。その後、DMSOを添加したPEDOT-PSS水溶液Iをフィルムアプリケータを用いて塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより下部電極膜厚0.2μmを形成した図2F参照。次に、下部電極12上に、PEDOT-PSS水溶液IIを下部電極12上にフィルムアプリケータを用いて塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより正孔輸送層13膜厚0.04μmを形成した図2F参照。さらに正孔輸送層13上に、光電変換層15として、亜鉛フタロシアニンZnPc:膜厚40nmを真空蒸着した後に、ZnPcとフラーレンC60を体積比1:1で共蒸着膜厚20nmし、更に、C60膜厚40nmを蒸着して計100nmの膜厚とした。この光電変換層15は、ZnPcが電子供与材料であって、C60が電子受容材料である。これらの真空蒸着工程は、真空度が1×10-4Pa以下であって、支持体上方にシャドウマスクを配置する事で、光電変換層を図2Fのように形成した。さらに、光電変換層15、絶縁性隔壁32および露出している端部の平坦化層31上に上部電極層20として、アルミニウム膜厚0.4μmを真空蒸着した。基板上方にシャドウマスクを配置する事で、上部電極層20を図2Fのように形成した。電極層20のうち、光電変換層15直上に形成されている部分が上部電極21として機能し、上部電極21から連続的に形成された端部領域は外部接続端子23として機能する。以上の構成の有機光電変換素子では、下部電極のPEDOT-PSSが正極として、上部電極21のアルミニウムが負極として機能する。次に、保護層40として、ArガスとN2ガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、高周波マグネトロンスパッタにより、組成分布を変化させた窒化酸化珪素SiOxNy:膜厚0.5μmを形成した。支持体上方にシャドウマスクを配置する事で、外部接続端子部23に窒化酸化珪素が成膜される事を防止した。以上の工程は、光電変換層15と上部電極層20を形成する真空蒸着装置と保護層40を形成するスパッタ装置が真空度1×10-4Pa以下のクラスタ型真空搬送系にそれぞれ直結されている有機電界発光有機EL素子製造装置を使用した。最後に、封止フィルム41として酸化アルミニウム蒸着膜が積層されたPENフィルムを、シーラントとしてのエチレン‐酢酸ビニル共重合体EVAフィルムをはさんで、保護層40上に真空加熱140°Cラミネートした。実施例3の方法で製造した太陽電池について、実施例1と同様に変換効率を求めたところ、変換効率2であった。実施例4図3A~図3Eは、実施例4の製造工程を示す断面図である。図に沿って本実施例4の製造方法を説明する。まず、実施例3と同様にして、PENフィルム10上に補助金属配線25およびアライメントマーク28を形成した図2A参照。次に、N2ガスとO2ガスとSiH4ガスを導入した真空度10Paの雰囲気で、プラズマCVDにより、組成分布を変化させた窒化酸化珪素SiOxNyからなる透明絶縁層30膜厚5μmを成膜し、補助金属配線25を被覆した図3A参照。更に、ポジ型フォトレジスト東京応化工業製、OFPR-800を成膜し、先に形成した銀からなるアライメントマーク28を位置合せの基準点として、絶縁性隔壁を形成する部分以外にフォトマスク50を介して紫外線照射した。水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH2.38水溶液で現像した後に水洗し、120°C加熱した。この処理により図3Bに示すようなレジストパターン43を形成した。その後、配線表面と、補助銀配線開口部に形成された窒化酸化珪素の表面が略同一平面になるまで、ArガスとCF4ガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、窒化酸化珪素とフォトレジストの表面をプラズマエッチングして、平坦化層31を形成すると、同時に窒化酸化珪素からなる絶縁性隔壁32を形成することが出来た図3C参照。絶縁性隔壁32間に、DMSOを添加したPEDOT-PSS水溶液Iをフィルムアプリケータを用いて塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより下部電極12膜厚0.2μmを絶縁性隔壁32間に形成した図3D参照。次に、下部電極12上に電子輸送層14として、チタンIVイソプロポキシドのエタノール溶液を下部電極上にフィルムアプリケータを用いて塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより酸化チタンからなる電子輸送層14膜厚0.01μmを図3Dのように形成した。次に、電子供与材料としてポリ[N‐9’‐ヘプタデカニル‐2,7‐カルバゾール‐alt‐5,5’‐4’,7’‐ジ‐2‐チエニル‐2’,1’,3’‐ベンゾチアジアゾール]PCDTBT、及び、電子受容材料としてPC71BMフロンティアカーボン製、nanomspectraE112をクロロホルムに溶解させた組成物を、乾燥窒素雰囲気で電子輸送層14上にフィルムアプリケータを用いて塗布した。これによりバルクヘテロ接合型の光電変換層15を形成し、膜厚は0.2μmであった。PCDTBTの構造式は以下のとおりである。さらに、PEDOT-PSS水溶液IIを光電変換層15上にフィルムアプリケータを用いて塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより正孔輸送層16膜厚0.04μmを図3Dのように形成した。正孔輸送層16および絶縁性隔壁32および露出している平坦化層31上に上部電極層20として、銀膜厚0.4μmを真空蒸着した。支持体上方にシャドウマスクを配置する事で、上部電極層20を図3Eのように形成した。図3Eのように絶縁性隔壁32上および該絶縁性隔壁32間に形成されている正孔輸送層16上を上部電極層20によって覆うことにより、光電変換層15が上部電極層20と絶縁性隔壁32によって封止された構造とすることができた。電極層20のうち正孔輸送層16の直上に形成されている部分が上部電極21として機能し、上部電極21から連続的に形成された端部領域は外部接続端子23として機能する。以上の構成の有機光電変換素子では、下部電極12のPEDOT-PSSが負極として、上部電極21の銀が正極として機能する。実施例4の製造方法により製造された太陽電池について、実施例1と同様に変換効率を求めたところ、変換効率2であった。実施例5図4A~図4Cは、実施例5の製造工程を示す断面図である。図に沿って本実施例5の製造方法を説明する。本実施例5の製造方法は、実施例4とほぼ同様であり、実施例4の工程において、ポジ型フォトレジストを紫外線照射する際のフォトマスクパターンを変えた点のみ異なる。まず、実施例3、4と同様にして、PENフィルム10上に銀からなる補助金属配線25およびアライメントマーク28を形成し図2A参照、実施例4と同様にして窒化酸化珪素からなる透明絶縁層30を形成した図3A参照。窒化酸化珪素からなる透明絶縁層30の上に、実施例4と同様の手順であるが、図4Aに示すような、実施例4とは異なるパターンのレジストパターンを形成した。本実施例において、レジストパターンとして、素子の両端域に実施例3と同様の太い幅のライン状のパターン43と、そのパターン43間に補助金属配線位置に一致するように設けられた細幅のライン状パターン44とからなるものを形成した。その後、実施例4と同様にして窒化酸化珪素層30とフォトレジスト43,44の表面からプラズマエッチングして平坦化層31を形成した。このとき、フォトレジスト43,44の下層となっていた窒化酸化珪素はエッチングされないので、透明絶縁層30が残って絶縁性隔壁32となる図4B参照。下部電極12、電子輸送層14、光電変換層15、正孔輸送層16および上部電極層20の形成方法は実施例4と同様とした図4C参照。さらに、保護層図示せずとして、ArガスとN2ガスとO2ガスを導入した真空度1Paの雰囲気で、マグネトロンスパッタにより、組成分布を変化させた窒化酸化珪素SiOxNy:膜厚0.5μmを形成した。基板上方にシャドウマスクを配置する事で、外部接続端子部に窒化珪素が成膜される事を防止した。本実施例における以上の工程は、光電変換層15と上部電極層20を形成する真空蒸着装置と保護層を形成するスパッタ装置が真空度1×10-4Pa以下のクラスタ型真空搬送系にそれぞれ直結されている有機電界発光有機EL素子製造装置を使用した。最後に、封止フィルムとして酸化アルミニウム蒸着膜が積層されたPENフィルムを、エチレン‐酢酸ビニル共重合体EVAフィルムを介して、保護層上に真空加熱140°Cラミネートした。実施例5の方法で製造した太陽電池について、実施例1と同様に変換効率を求めたところ、変換効率3であった。実施例6実施例6の製造方法における製造工程を図5A~図5Eに示す。各図において、上図は断面図であり、下図は平面図である。実施例6の製造方法は、実施例3と同様の工程であるが、有機光電変換素子3個が電極接続配線によって直列接続された集積化太陽電池6を作製するものとした。支持体、各層の材料等についても実施例3と同様とした。まず、図5Aに示すように、支持体10であるPENフィルム上に、0.01mm幅、0.2mmピッチ、2μm厚の正方格子状の配線26とこの配線26に隣接して設けられるライン状配線27からなる補助銀配線25、0.1mm幅、1mm長の銀線からなる十字模様をアライメントマーク28として同時に図5Aのように形成した。なお、正方格子状配線26は幅10mmの範囲に形成し、格子状の配線間のライン状配線27は幅2mm、図中左端に設けられているライン状配線27は幅8mmとした。次に、図5Bに示すように、ポリアクリレートからなる平坦化層31および絶縁性隔壁32を形成した。絶縁性隔壁32は幅1mm、高さ0.6μmとし、絶縁性隔壁32同士の間隔は12mmとした。続いて、図5Cに示すように、DMSOを添加したPEDOT-PSS水溶液Iを塗布した後に加熱処理して下部電極12膜厚0.2μmを形成した。さらに、PEDOT-PSS水溶液IIを塗布した後に加熱処理して正孔輸送層図示せずを下部電極12上に形成し、正孔輸送層上に図5Dに示すように、ZnPcとC60からなる光電変換層15を形成した。このとき、光電変換層15と隣接する絶縁性隔壁32間にライン状の溝17が設けられるようにシャドウマスクを介した真空蒸着により光電変換層15を形成した。次に、光電変換層15および絶縁性隔壁32上に、該光電変換層15の絶縁性隔壁32を備えていない周縁が露出するようにアルミニウムからなる電極層20を形成した。すなわち図5Eに示すように、隣接する電極層20間は、ライン状の溝35により隔てられている。電極層20は、例えば、光電変換層15を備えた支持体10上に電極層形成領域にのみ開口を有するシャドウマスクを配置して、真空蒸着により成膜形成する。電極層20は露出している絶縁性隔壁32を覆うように、その表面が絶縁性隔壁32の表面よりも高くなる厚みとした。電極層20のうち、光電変換層15直上に形成されている部分が上部電極21として機能し、上部電極21から連続的に形成され溝17に埋め込まれて隣接する素子の下部電極12に接続している領域は電極接続配線22として機能し、直列接続の少なくとも一方の終端に配置されている素子の一端に形成されている領域は外部接続端子23として機能する。電極接続配線22は、隣接する光電変換素子cncn1nは1あるいは2の一方の光電変換素子cnの上部電極21と他方の素子cn1の下部電極12を電気的に接続するものであり、この電極接続配線22により、複数の素子c1c2c3が直列接続されている。ここで、絶縁性隔壁32は、隣接する光電変換素子cncn1の下部電極同士の接触を防止すると共に、光電変換素子cn、cn1の間に配置された電極接続配線22と一方の光電変換素子cnの下部電極との接触を防止しでいる。最後に、実施例3と同様にして、電極層20上に素子c1c2c3を覆うようにして窒化酸化珪素からなる保護層40を形成し、さらにその上に封止フィルム41を配置して、ラミネートした。以上の本実施例の製造方法により、図5Eに示すように支持体10上に複数の有機光電変換素子c1c2c3が電極接続配線22により直列接続された有機薄膜太陽電池6を形成することができた。なお、図5Eに示す太陽電池6において、図中両矢印にて示す領域Cは、下部電極12、光電変換層15および上部電極21がこの順に積層されて光電変換素子として機能する領域であり、領域Bは光電変換素子領域C間および両端に設けられている電極接続配線部であり、直列接続の終端領域Aは外部接続端子部である。上記のようにして得られた有機太陽電池6について、実施例1と同様に変換効率を算出した。変換効率は1であった。実施例7実施例7の製造方法における製造工程を図6A~図6Dに示す。各図において、上図は断面図であり、下図は平面図である。実施例7の製造方法は、実施例6と同様に、有機光電変換素子3個が電極接続配線によって直列接続された集積化太陽電池7を作製するものとした。以下、実施例6の工程と異なる点を中心に説明する。特に記載のない場合には、寸法、材料についても実施例6のものと同一である。まず、図6Aに示すように、支持体10の表面に、銀からなる補助金属配線25およびアライメントマーク28を形成した。補助金属配線について実施例6と異なるのは、補助金属配線25に各素子の長さ方向の端部にも太いライン状の配線27’をさらに設けている点のみである。図6Bに示すように、ポリアクリレートからなる平坦化層31および絶縁性隔壁32を形成した。ここで、絶縁性隔壁32は、素子領域の周囲を取り囲むように、かつ素子間に間隔33を設けるように形成されている。次に、図6Cに示すように、絶縁性隔壁32に囲まれた素子領域下部電極形成領域に、DMSOを添加したPEDOT-PSS水溶液Iを回転塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより下部電極12膜厚0.2μmを形成した。次に、下部電極12上に、PEDOT-PSS水溶液IIを下部電極上に回転塗布し、130°Cで20分間加熱処理した。これにより正孔輸送層膜厚0.04μm:図示せずを形成した。さらに、電子供与材料としてP3HTMerck製、lisiconSP001、及び、電子受容材料としてPC61BMフロンティアカーボン製、nanomspectraE100Hをクロロベンゼンに溶解させた組成物を、乾燥窒素雰囲気で正孔輸送層上に回転塗布した。これにより図6Cに示すように、バルクヘテロ接合型の光電変換層15を形成し、膜厚は0.2μmであった。光電変換層15および絶縁性隔壁32上に上部電極層20として、アルミニウム膜厚0.4μmを真空蒸着した。このとき、光電変換層15を備えた支持体10上に電極層形成領域にのみ開口を有するシャドウマスクを配置して、真空蒸着した。図6Dに示すように、電極層20を、素子間の間隔33にも埋め込まれると共に、絶縁性隔壁32の上に隣接電極層20間に間隔39が設けられるように形成した。実施例6の場合と同様に、電極層20のうち、光電変換層15直上に形成されている部分が上部電極21として機能し、上部電極21から連続的に形成され絶縁性隔壁32間の間隔33に埋め込まれて隣接する素子の補助金属配線25に接続している領域は電極接続配線22として機能し、直列接続の少なくとも一方の終端に配置されている素子の一端に形成されている領域は外部接続端子23として機能する。電極接続配線22は、隣接する光電変換素子cncn1の一方の光電変換素子cnの上部電極21と他方の素子cn1の下部電極12を電気的に接続するものであり、ここでは、補助金属配線25を介して他方の素子cn1の下部電極12に電気的に接続されている。この電極接続配線22により、複数の素子c1c2c3が直列接続されている。なお、絶縁性隔壁32は、隣接する光電変換素子cn、cn1の下部電極12同士の接触を防止や、光電変換素子cn、cn1の間に配置された電極接続配線22と一方の光電変換素子cnの下部電極との接触を防止すると共に、隣接する光電変換素子cn、cn1の間に配置された電極接続配線22と他方の光電変換素子cn1の上部電極の絶縁を確実なものとする機能を有している。以上の構成の有機光電変換素子では、下部電極12のPEDOT-PSSが正極として、上部電極21のアルミニウムが負極として機能する。なお、図6Dに示すように、素子外周を取り囲むように絶縁性隔壁32を形成し、上部電極層20を形成することにより、素子毎に光電変換層15が電極層20と絶縁性隔壁32によって封止された構造とすることができる。最後に、実施例6と同様に、電極層20上に素子c1c2c3を覆うようにして窒化酸化珪素からなる保護層40を形成し、さらにその上に封止フィルム41を配置して、ラミネートする。以上の本実施例の製造方法により、図6Dに示すように支持体10上に複数の有機光電変換素子c1c2c3が電極接続配線22により直列接続された有機薄膜太陽電池7を形成することができた。なお、図6Dに示す太陽電池7において、図中両矢印にて示す領域Cは、下部電極12、光電変換層15および上部電極21がこの順に積層されて光電変換素子として機能する領域であり、領域Bは光電変換素子領域C間および両端に設けられている電極接続配線部であり、直列接続の終端領域Aは外部接続端子部である。上記のようにして得られた有機太陽電池7について、実施例1と同様に変換効率を算出した。変換効率は2であった。以上のように、実施例の製造方法により作製された太陽電池ではいずれも1以上の変換効率が得られたのに対し、比較例の製造方法により作製された太陽電池では、光電変換特性が得られない、あるいは得られても0.5と非常に小さかった。"