基板と、前記基板上に、第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層とが順に積層された半導体層と、前記第2導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層と、を備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対して傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の法線方向に対する傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向に対する傾斜角度よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。前記導電性酸化物層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも低い請求項1に記載の半導体レーザ素子。前記導電性酸化物層の高さをd1、前記リッジの高さをd2、前記導電性酸化物層の上面の幅をa1、前記導電性酸化物層の下面の幅をb1、前記リッジの上面の幅をa2、前記リッジ部の下面の幅をb2としたときに、d2/d1>b2-a2/b1-a1を満たす請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ素子。前記導電性酸化物層の高さをd1、前記上面の幅をa1としたときに、d1は50Å以上であり、かつ、d1<a1を満たす請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記リッジの高さd2が6000Å以下である請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記半導体レーザ素子は窒化物半導体レーザ素子であり、前記窒化物半導体レーザ素子の発振波長は440nm以上である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記導電性酸化物層はITOである請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記活性層はInを含んでおり、前記第2導電型半導体層はInxAlyGa1-x-yN0≦x、0≦y、0≦xy≦1からなる層を有しており、前記導電性酸化物層と接する層はGaNである請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。前記第2導電型半導体層にAlを含有する層を有しており、該Al含有層の膜厚は6000Å以下である請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。a基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層を順次積層して半導体層を形成し、該半導体層上に所定形状のマスク層を形成した後、該マスク層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、b少なくともリッジ底面領域からリッジ上の前記マスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、c前記リッジ上の前記第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層から前記マスク層を露出させる工程と、d前記リッジ上のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出させる工程と、e前記リッジ上面に、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が、前記法線方向に対する前記リッジ側面の傾斜角度よりも大きい導電性酸化物層を形成する工程と、f前記第2のマスク層を除去する工程と、g少なくとも前記リッジ底面領域からリッジ上の前記導電性酸化物層上に至る領域に誘電体層を形成する工程と、h前記リッジの側面に前記誘電体層を残した状態で、前記導電性酸化物層の表面から前記誘電体層を除去して該表面を露出させる工程と、i前記導電性酸化物層及び前記工程hにより残された誘電体層の上部に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。A基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層と、導電性酸化物層とを順次積層する工程と、B前記導電性酸化物層上に所定形状のマスク層を形成し、前記マスク層を用いてその側面が傾斜した前記導電性酸化物層をパターニングする工程、C前記マスク層及び導電性酸化物層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去し、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が前記導電性酸化物層の前記法線方向に対する傾斜角度よりも小さいリッジを形成する工程と、D前記マスク層を残存させたまま、前記リッジを含む前記第2導電型半導体層上に誘電体層を形成する工程と、E前記マスク層を除去し、前記リッジ上の前記導電性酸化物層の表面を露出させる工程と、F少なくとも前記導電性酸化物層上面及び前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。しかし、導電性酸化物は、その抵抗率の高さにより、電圧を上昇させ、電気特性が不十分となるため、上記素子は未だ実用化されていない。これらの問題は、特にリッジ構造を含む電流狭窄構造を用いた場合に、狭い発光領域で電流密度が高くなるため、顕著に現れる。また、上述した誘電体層の形成方法では、リッジの側面のみに誘電体層を精度良く残すことが困難であった。特に、特許文献1のような半導体レーザ素子では、導電性酸化物層と半導体層との側面が面一に形成されているために、導電性酸化物層と半導体層との界面でエッチングを精度良く止めることが困難であった。従って、リッジの側面に誘電体層が被覆されていない領域が存在する場合には、適切な光閉じ込めができなくなり、また、リッジの側面に電極が接することによってリークが生じるなどの問題があった。一方、導電性酸化物層の側面に誘電体層が残される場合には、電圧を上昇させ、半導体レーザ素子の性能を十分に発揮させることができないという課題があった。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、導電性酸化物を用いた半導体レーザ素子において、電気特性を改善することにより、電力効率を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体レーザ素子は、基板と、前記基板上に、第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層とが順に積層された半導体層と、前記第2導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層と、を備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対して傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の法線方向に対する傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向に対する傾斜角度よりも大きいことを特徴とする。このような半導体レーザ素子は、以下の1以上を備えることが好ましい。前記導電性酸化物層の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも低い。前記導電性酸化物層の高さをd1、前記リッジの高さをd2、前記導電性酸化物層の上面の幅をa1、前記導電性酸化物層の下面の幅をb1、前記リッジの上面の幅をa2、前記リッジ部の下面の幅をb2としたときに、d2/d1>b2-a2/b1-a1を満たす。前記導電性酸化物層の高さをd1、前記上面の幅をa1としたときに、d1は50Å以上であり、かつ、d1<a1を満たす。前記リッジの高さd2が6000Å以下である。前記半導体レーザ素子は窒化物半導体レーザ素子であり、前記窒化物半導体レーザ素子の発振波長は440nm以上である。前記導電性酸化物層はITOである。前記活性層はInを含んでおり、前記第2導電型半導体層はInxAlyGa1-x-yN0≦x、0≦y、0≦xy≦1からなる層を有しており、前記導電性酸化物層と接する層はGaNである。前記第2導電型半導体層にAlを含有する層を有しており、該Al含有層の膜厚は6000Å以下である。また本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、a基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層を順次積層して半導体層を形成し、該半導体層上に所定形状のマスク層を形成した後、該マスク層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去してリッジを形成する工程と、b少なくともリッジ底面領域からリッジ上の前記マスク層上に至る領域に第2のマスク層を形成する工程と、c前記リッジ上の前記第2のマスク層の一部を除去して、該第2のマスク層から前記マスク層を露出させる工程と、d前記リッジ上のマスク層を除去することによりリッジ上面を露出させる工程と、e前記リッジ上面に、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が、前記法線方向に対する前記リッジ側面の傾斜角度よりも大きい導電性酸化物層を形成する工程と、f前記第2のマスク層を除去する工程と、g少なくとも前記リッジ底面領域からリッジ上の前記導電性酸化物層上に至る領域に誘電体層を形成する工程と、h前記リッジの側面に前記誘電体層を残した状態で、前記導電性酸化物層の表面から前記誘電体層を除去して該表面を露出させる工程と、i前記導電性酸化物層及び前記工程hにより残された誘電体層の上部に金属層を形成する工程とを有することを特徴とするか、A基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層と、導電性酸化物層とを順次積層する工程と、B前記導電性酸化物層上に所定形状のマスク層を形成し、前記マスク層を用いてその側面が傾斜した前記導電性酸化物層をパターニングする工程、C前記マスク層及び導電性酸化物層を用いて前記第2導電型半導体層の一部を除去し、該リッジの上面の法線方向に対する、その側面の傾斜角度が前記導電性酸化物層の前記法線方向に対する傾斜角度よりも小さいリッジを形成する工程と、D前記マスク層を残存させたまま、前記リッジを含む前記第2導電型半導体層上に誘電体層を形成する工程と、E前記マスク層を除去し、前記リッジ上の前記導電性酸化物層の表面を露出させる工程と、F少なくとも前記導電性酸化物層上面及び前記誘電体層上に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、導電性酸化物を用いた半導体レーザ素子において、電気特性を改善することにより電力効率を顕著に向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することができる。以下、本件発明の好ましい実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体レーザ素子を例示するものであって、本発明は半導体レーザ素子を以下のものに特定しない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。半導体レーザ素子本発明の半導体レーザ素子1は、主として、基板と、半導体層と、導電性酸化物層による電極と、誘電体膜とを備えて形成される。このような半導体レーザ素子は、典型的には、図1に示すように、基板10上に、第1導電型半導体層12例えば、n側半導体層、活性層14、第2導電型半導体層16例えば、p側半導体層が順に積層されており、第2導電型半導体層16の上面に導電性酸化物層20が形成されている。図1に示す半導体レーザ素子においては、第2導電型半導体層16の上面に、ストライプ状のリッジ18が形成されており、このリッジ18の上面のみで導電性酸化物層20が接続されている。つまり、導電性酸化物層20は、オーミック電極として機能している。さらに、リッジ18の側面には、半導体層の屈折率よりも屈折率の低い誘電体層24が形成されている。また、導電性酸化物層20と、誘電体層24とを覆うように金属層22が形成されている。なお、図3は図1の一部拡大図である。導電性酸化物層図2A及びBは、リッジ近傍部分の、ストライプ方向に垂直な断面図である。図2Aに示すように、導電性酸化物層20の側面は、リッジの上面28に対して傾斜している。言い換えると、リッジ上面28に形成される導電性酸化物層20の断面形状は、リッジの中央部に平坦部となる上面30を有しており、その上面の両端からリッジ側面方向に向かって膜厚が低減する傾斜部32を有している。ここで、導電性酸化物層の上面30の幅a1は、1.8μm~25.0μm程度が挙げられる。傾斜部32の長さは上面30の端部からリッジ上面の端部までの長さを意味する。傾斜部の長さは、リッジ下部の幅b2やリッジ上面28の幅b1によって適宜調整されるが、0.1μm~3.0μmの範囲であることが好ましい。導電性酸化物層20の下面の幅をa2とする。導電性酸化物層の傾斜部32は、導電性酸化物層の上面30と導電性酸化物層の下面28とを繋ぐように形成されていればよく、複数の面で形成されていてもよい。図2A及びBに示す例では、導電性酸化物層の傾斜部32は上面30から下面28に向かって広がる傾斜面を有している。このように、導電性酸化物層20の角部が面取りされる形状とすることにより、角部において応力が集中することを緩和することができ、この上に接続される金属層22の剥がれを効果的に抑制することができる。加えて、金属層22と導電性酸化物層20との接触面積を増加させることができるため、金属層22と導電性酸化物層20との密着性をより向上させることができる。さらに、導電性酸化物層20の体積を減少させて、電気抵抗率を低減することが可能となり、金属層22との接触面積を増大させることも相俟って、動作電圧を低下させることができ、電力効率を顕著に向上させることができる。導電性酸化物層20の側面の角度は、図2Aに示すように、リッジ上面に対するリッジ18の側面の角度よりも小さいことが適している。言い換えると、リッジ上面の法線方向に対する導電性酸化物層20の側面の傾斜角度は、図2Bに示すように、リッジ18の側面の法線方向に対する傾斜角度よりも大きいことが適している。ここで、図2Aにおいて、導電性酸化物層の側面の角度とは、リッジの上面28と、導電性酸化物層の側面32とのなす角度のことをいい、θ1で示す角度のことである。リッジ上面に対するリッジ18側面の角度とは、リッジの下面に相当する面と、リッジの側面とのなす角度のことをいい、θ2で示す角度のことである。また、図2Bにおいて、導電性酸化物層の側面32の傾斜角度とは、リッジの上面28の法線方向に対する傾斜した導電性酸化物層の側面32の角度のことをいい、θ1’で示される。θ1θ1’は常に90°の関係を意味する。リッジ側面の傾斜角度とは、リッジの上面の法線方向に対して傾斜したリッジ側面の角度のことをいい、θ2’で示される。θ2θ2’は常に90°の関係を意味する。リッジ18の側面32と、導電性酸化物層20の側面34とが、リッジ上面に対して同じ角度で連続して形成されている場合は、導電性酸化物層20と第2導電型半導体層24とが面一になるため、導電性酸化物層の側面とリッジの側面とに設けられた誘電体の垂直方向の厚さに差が生じない。また、θ1>θ2及びθ1’<θ2’の場合は、電流注入される幅a2に対して、屈折率差の幅b2が広くなりすぎ、閾値が高くなり効率が悪化する。図2に示すように、θ1<θ2及びθ1’>θ2’とすることにより、リッジ側面に形成された誘電体層は、導電性酸化物層の側面に形成された誘電体層よりもエッチングされにくくなるため、リッジ側面に誘電体層を残しやすくなる。特に、誘電体層のエッチングに異方性のあるRIE等のドライエッチング装置を用いる場合には、確実に異方性のあるエッチングを行うことができるため、寸法精度良く誘電体層を形成することができる。また、θ1<θ2及びθ1’>θ2’とすることにより、リッジ側面の誘電体層の垂直方向の厚さを、導電性酸化物層の垂直方向の厚さに比べて大きくすることができ、リッジ側面に誘電体層を残した構造を作ることができる。つまり、誘電体層24を、リッジ18の側面のみに精度良く配置することができる。これにより、導電性酸化物層の表面つまり、上面30及び側面34を誘電体層24から安定して露出させることができ、導電性酸化物層の表面を、確実に金属層22に接続させることができる。その結果、上述したように、密着性や電力効率を向上させることができる。θ1<θ2及びθ1’>θ2’を満たす場合を、導電性酸化物層20とリッジの幅及び高さの関係式で示すと、以下のようになる。d2/d1>b2-a2/b1-a1ここで、d1は導電性酸化物層の高さであり、d2はリッジ18の高さである。よって、この式を満たすように、導電性酸化物層及びリッジの幅及び高さを設定することが好ましい。特に、導電性酸化物層の高さd1を50Å以上としたときに、d1<a1を満たすことが好ましい。これにより、導電性酸化物層を形成する際にマスク層を用いてその上から導電性酸化物層を形成し、マスク層を除去することでマスク層のない部分に導電性酸化物層を形成するリフトオフ場合に、導電性酸化物層を精度良く形成することができる。また、特定の厚みおよび形状の導電性酸化物層を第2導電型半導体層の特定の箇所に形成して、共振器端面を形成するための劈開をすることにより、劈開性が向上することが確認された。これは、半導体層に対して、導電性酸化物層が与える応力が影響しているためと考えられる。このようにして劈開性を向上させるために、導電性酸化物層の厚みつまり、高さd1を、0.05μm以上とすることが好ましく、0.1~0.4μm程度がより好ましい。さらに、リッジの高さd2を0.6μm以下とすると、リッジにかかる応力を少なくすることができるため、より一層劈開性が向上する。リッジの高さd2と、導電性酸化物層の厚み高さd1の合計を2.0μm以下とすることがより好ましい。一般に、半導体層は、半導体層を形成する各層の格子定数が異なることによる応力を内在している。特に、Inの含有量を多くするほど、半導体層にかかる応力が大きくなり、Inを含有する層における劈開面に、段差が発生する現象が見られる。このような段差が発生することにより、閾値電流の上昇、閾値電流以上での発光出力の立ち上がりの傾き角ηスロープ効率の低下やばらつきが大きくなる等の問題が生じる。このような状態の半導体層上に、導電性酸化物層を形成して応力を加えることにより、またリッジの高さを0.6μm以下とすることにより、半導体層にかかる応力を緩和していると考えられる。半導体層にかかる応力を緩和した状態で劈開することにより、半導体層の組成にかかわらず、つまり、半導体層がInを含有する場合であっても、段差の生じる割合を減少させることができる。その結果、閾値の上昇や発光出力の立ち上がりの傾き角ηスロープ効率の低下やばらつきを小さくすることができる。導電性酸化物層20は、クラッド層兼電極として機能させることが好ましい。これにより、従来用いていた半導体によるクラッド層を省略することが可能となるため、クラックを低減した信頼性の高い長波長の半導体レーザ素子を実現できる。また、クラッド層が省略されることにより、半導体レーザ素子の動作電圧の増大を抑制することができる。本明細書においてクラッド層とは、後述するように、活性層井戸層と障壁層を含むの上側と下側に位置するそれぞれの膜のうち、井戸層の屈折率より低く、膜厚は少なくとも100nm以上ある層のことを指す。これらは多層膜や超格子構造、またはGRIN構造であってもよい。このように活性層の上下に光屈折率の小さなクラッド層を設けることにより、光を活性層に閉じ込める機能をもつ。このクラッド層がないと、閾値電流が数倍増加し、ときには全くレーザ発振しない場合もある。つまり、クラッド層として機能させるとは、実質的に光を閉じ込めるという意味であり、ある層がクラッド層として機能しているかは、等価屈折率シミュレーション等によって確認することができる。例えば、500nmにおけるGaN、AlN、InNの屈折率を2.368、2.122、2.8として、各層の屈折率をその層を構成する半導体の混晶比に基づいて比例計算で算出して等価屈折率シミュレーションを行う。そのシミュレーションの結果、光の最大強度を1.0として、活性層を中心に活性層の上下にある特定の層までの領域で、光の強度が0.5以上となる領域のそれらの上下にある層をクラッド層と考えてよい層の途中で0.5以上となる場合は、そこからクラッド層と考える。そのためクラッド層は多層膜であることもある。また、簡易には、半導体レーザ素子のニアフィールドパターンから導波路の大きさを見積もり、その導波路の大きさに合う位置にある層をクラッド層と判断することもできる。導電性酸化物層20をクラッド層として機能させるために、導電性酸化物層の屈折率は、半導体層の屈折率よりも低くすることが好ましい。導電性酸化物層は、例えば、亜鉛Zn、インジウムIn、スズSn、ガリウムGa、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag、ニッケルNi、金Au、ランタンLa、ストロンチウムSr、フッ素F及びマグネシウムMgからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含む層により形成することができる。具体的にはZnO屈折率:約1.95、In2O3、SnO2、ATO、ITOInとSnとの複合酸化物、IZO、MgO等が挙げられる。なかでも、ITO屈折率:約2.0が好ましい。この導電性酸化物層は、可視光のみならず、例えば、波長360nm~650nmの波長の光を吸収することなく、効率よく、例えば、透過率が90以上、あるいは85以上、80以上で光を透過させることができるものであることが好ましい。これにより、意図する波長の半導体レーザ素子の電極として利用することができる。さらに、導電性酸化物層は、例えば、比抵抗が1×10-3Ωcm以下、好ましくは1×10-4~1×10-6Ωcm程度であることが好ましい。これにより、電極として有効に利用することができる。導電性酸化物層20は、共振器端面と離間して形成されることが好ましい。導電性酸化物層20が、共振器端面にまで及んでいる場合、電流が共振器端面にまで注入されることとなり、共振器端面付近に熱が発生し、特に高出力の素子では発熱が顕著になるため、CODレベルの低下が懸念される。そこで、導電性酸化物層20は、共振器端面と離間するように、すなわち、リッジのストライプ方向の両端部には、導電性酸化物層20を形成しないようにすることが好ましく、さらに、導電性酸化物層20が形成されない領域に、導電性酸化物層の屈折率に近い材料を設けて、導電性酸化物層が形成されない端面側との屈折率差を小さくすることがより好ましい。これにより、FFP形状が乱れることを抑制することができる。基板基板としては、サファイア、スピネルMgA12O4、炭化珪素、シリコン、ZnO、GaAs、窒化物基板GaN、AlN等であることが好ましい。また、基板の厚みは、例えば、50μmから10mm程度が挙げられる。ここで、窒化物基板は、MOVPE、MOCVD法有機金属化学気相成長法、HVPE法ハライド気相成長法等の気相成長法、超臨界流体中で結晶育成させる水熱合成法、高圧法、フラックス法、溶融法等により形成することができる。また、市販のものを用いてもよい。この基板は、例えば、第1主面及び/又は第2主面に0.03~10°程度のオフ角を有する窒化物基板であることがより好ましい。また、単位面積当たりの転位数が1×107/cm2以下であればよい。基板は、n型の導電性を有するものでもよいし、p型の導電性を有するものでもよい。半導体層を成長させる成長面の面方位に関しては、C面0001、A面11-20、M面1-100または半極性面11-22、20-21、10-1-1、10-1-2などの基板を用いることができる。半導体層半導体層は、第1導電型半導体層12、活性層14及び第2導電型半導体層16からなる積層体によって構成される。基板上の半導体層の成長方法は、特に限定されないが、MOVPE有機金属気相成長法、MOCVD有機金属化学気相成長法、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線エピタキシー法など、窒化物半導体の成長方法として知られている全ての方法を用いることができる。特に、MOCVDは、減圧~大気圧の条件で、結晶性良く成長させることができるので好ましい。第1導電型半導体層は、特に限定されないが、化合物半導体、さらに窒化物半導体、特に、一般式がInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1で示されるものが好ましい。これに加えて、III族元素としてBが一部に置換されたものを用いてもよいし、V族元素としてNの一部をP、Asで置換されたものを用いてもよい。第1導電型及び第2導電型は、いずれか一方がn型、他方がp型を意味する。n型半導体層は、n型不純物として、Si、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr、CdなどのIV族元素又はVI族元素等を1種類以上含有していてもよい。また、p型半導体層は、p型不純物として、Mg、Zn、Be、Mn、Ca、Sr等を含有している。不純物は、例えば、5×1016/cm3~1×1021/cm3程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。なお、第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を構成する半導体層の全てが必ずしも不純物を含有していなくてもよい。第1導電型半導体層及び/又は第2導電型半導体層は、光ガイド層を有していることが好ましく、さらにこれらの光ガイド層が活性層を挟んだ構造であるSCHSeparateConfinementHeterostructure構造とすることが好ましい。第1導電型半導体層の光ガイド層と第2導電型半導体層の光ガイド層とは、互いに組成及び/又は膜厚が異なる構造であってもよい。例えば、第1導電型半導体層以下、n型半導体層又はn側半導体層と記すことがある、活性層、第2導電型半導体層以下、p型半導体層又はp側半導体層と記すことあるは、単一膜構造、多層膜構造又は組成比が互いに異なる2層からなる超格子構造を備えていてもよい。また、これらの層に組成傾斜層、濃度傾斜層を備えたものであってもよい。n型半導体層は、組成及び/又は不純物濃度が異なる2層以上の構造であってもよい。例えば、第1のn型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0≦y≦1、0≦xy≦1によって形成することができ、好ましくはAlxGa1-xN0≦x≦0.5、さらに好ましくはAlxGa1-xN0<x≦0.3によって形成することができる。具体的な成長条件としては、反応炉内での成長温度を900°C以上で形成することが好ましい。また、第1のn型半導体層はクラッド層として機能させることができる。膜厚は0.5~5μm程度が適当である。なお、後述するように、n型半導体層側に低屈折率の導電性酸化膜を設ける場合は、第1のn型半導体層は省略可能である。第2のn型半導体層は、光ガイド層として機能させることができ、InxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0≦y<1、0≦xy≦1によって形成することができる。膜厚は0.1~5μmが適当である。第2のn型半導体層は省略可能である。n型半導体層の層間に、単数又は複数の半導体層を追加形成してもよい。活性層は、多重量子井戸構造又は単一量子井戸構造のいずれでもよい。井戸層は、少なくともInを含有している一般式InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y<1、0≦xy≦1を有することが好ましい。In含有量を高くすることで長波域の発光が可能となり、Al含有量を高くすることで紫外域の発光が可能となり、300nm~650nm程度の波長域での発光が可能である。活性層を量子井戸構造で形成することにより、発光効率を向上させることができる。活性層上にはp型半導体層が積層されている。第1のp型半導体層は、p型不純物を含有したAlxGa1-xN0≦x≦0.5によって形成することができる。第1のp型半導体層はp側電子閉じ込め層として機能する。第1のp型半導体層の膜厚は、特に限定されないが、例えば、200Å以下である。第2のp型半導体層は、光ガイド層として機能させることができ、InxAlyGa1-x-yN0≦x<1、0≦y<1、0≦xy≦1によって形成することができる。第2のp型半導体層の膜厚もまた、特に限定されないが、例えば、3000Å~8000Åである。第2のp型半導体層の上に、クラッド層として機能するp型不純物を含有したAlxGa1-xN0≦x≦0.5又はGaNとAlGaNとからなる超格子層を形成することができるが、この層は省略してもよい。この層を省略することにより、活性層成長後のp側半導体層の成長時間を省略することができる。また、一般に、p側半導体層を低抵抗化させるため、p側半導体層は、n側半導体層又は活性層よりも高温で積層することが好ましい。しかし、p側半導体層を高温で成長させると、In混晶比の高い活性層は分解することがある。従って、この層を省略することにより、p側半導体層を高温で成長させることによる活性層へのダメージ等を軽減させることができる。さらに、高抵抗であるp側半導体層の積層数を低減させることができるため、動作電圧を低減することができる。第3のp型半導体層は、p型不純物を含有したAlxGa1-xN0≦x≦1で形成することができる。第3のp型半導体層は、上述した導電性酸化物層20と接する層として形成することができる。Alを多く含有すると電圧が上昇する傾向があるため、0≦x≦0.3とすることが好ましい。また、x=0、すなわちGaNとすると、p型不純物であるMgが活性化しやすく、導電性酸化物層とのオーミック抵抗が小さくなるため好ましい。これらの半導体層にはInを混晶させてもよい。また、第1のp型半導体層、第2のp型半導体層は省略可能である。各層の膜厚は、3nm~300nm程度が適当である。p型半導体層の層間に、単数又は複数の半導体層を追加形成してもよい。p側半導体層の総膜厚を700nm以下、さらにAl含有層の膜厚を600nm以下とすることにより、劈開性が向上し、劈開面の段差等を軽減することができる。440nm以上の比較的長波長の半導体レーザ素子においては、十分な屈折率差を設けるためにp側及び/又はn側のクラッド層においてAl混晶を高くする必要がある。また、380nm以下の紫外領域の光を発振する半導体レーザ素子では、Al混晶の高い層を形成することによって光の吸収を防止することができる。しかし、Al混晶の高い層を形成すると、半導体層にクラックが発生しやすい。従って、クラッド層を省略することにより、クラックを低減した信頼性の高い長波長の半導体レーザ素子を実現できる。誘電体層誘電体層24は、リッジ底面領域であるp側半導体層上面とリッジ側面の絶縁性を確保するとともに、p側半導体層に対する屈折率差を確保して、活性層からの光の漏れを制御し得る機能を有する。そのため、誘電体層24は、半導体層の屈折率よりも屈折率の低い材料によって形成することが適している。例えば、Si、Mg、Al、Hf、Nb、Zr、Sc、Ta、Ga、Zn、Y、B、Ti及びこれらの酸化物例えば、SiO2、Al2O3、Nb2O3、TiO2、Ta2O等、窒化物例えば、AlN、AlGaN、BN等、フッ化物等の化合物が挙げられる。なかでも、ZrO2及びSiO2屈折率:約1.45が好ましい。誘電体層は、単層でもよいし、適当な屈折率を得るために、組成の異なる複数の材料を積層して用いてもよい。誘電体の膜厚は特に限定されず、材料の組成、屈折率等によって適宜調整することができ、導電性酸化物層と同程度であることが適している。具体的には、0.1~2.0μm程度が挙げられる。さらに、このような半導体レーザ素子は、図1に示すように、半導体層の側面に保護膜25が形成されていてもよい。保護膜25は、絶縁性の材料からなるものであればよく、好ましくは半導体層よりも屈折率の低い材料からなるものである。図1に示す半導体レーザ素子において、保護膜25は、リッジから離間した誘電体層24の上に積層されており、半導体層の上面から側面を被覆するように形成されている。誘電体層24と保護膜25とは、同じ材料でもよいし、異なる材料であってもよい。その他の構成本発明の半導体レーザ素子は、共振器端面であるフロント側端面及び/又はリア側端面に、例えば、絶縁性の保護膜や、窒化膜からなる保護膜が形成されている。誘電体層24と保護膜25は、絶縁性の材料からなるものであればよく、好ましくは半導体層よりも低屈折率の材料からなるものである。半導体レーザ素子の製造方法本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、図4の工程a~工程iに示すように、まず、工程aにおいて、基板上に、活性層を含む半導体層を形成する。ここでの半導体層は、基板上に、第1導電型半導体層12n側半導体層、活性層14及び第2導電型半導体層16p側半導体層をこの順に積層する。次に、基板上に半導体層を積層したウェハの半導体層上に所定形状のマスク層を形成する。マスク層の形成方法の1つを以下に開示するが、マスク層の形成方法としてはこれに限定されるものではない。まず、半導体層上にマスク層34とレジスト層図示しないを順に形成する。このレジスト層を所定形状にパターニングし、さらにレジスト層をマスクとして用いてマスク層を同一形状にパターニングする。マスク層をパターニングした後、レジスト層を除去することにより所定形状のマスク層を形成することができる。ここで、マスク層の材料としては、SiO2、SiON、SiN等が挙げられる。このマスク層は他の公知のマスク材料で転用することが可能である。マスク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、100nm~1000nm程度とすることが適しており、200nm~600nm程度が好ましい。マスク層は、CVD法、スパッタ法、蒸着法等の公知の方法により形成することができる。続いて、半導体層上にリッジを形成する。マスク層の開口部から半導体層の上面にあるp側半導体層の一部を除去してリッジを形成する。p側半導体層の一部を除去する方法は、特に限定されることなく、ウェットエッチング又はドライエッチングのいずれの方法を用いてもよい。具体的には、半導体層の材料を考慮して、マスク層との選択比が大きくなるエッチャントを選択して、除去することが好ましい。リッジの大きさは、マスク層の大きさにほぼ対応するが、その底面側の幅が広く上面に近づくにつれてストライプ幅が小さくなる順メサ形状、積層面に垂直な側面を有する形状であってもよいし、これらが組み合わされた形状でもよい。リッジの側面の角度、すなわち、図4aに示すθ2は、60°~90°であることが好ましく、より好ましくは70°~90°、さらに好ましくは80°~90°である。ここで、マスク層34がリッジの上面に積層した状態で、リッジを形成するため、マスク層34の側面は、リッジの角度と略同じ角度とすることが好ましい。言い換えると、リッジの側面の傾斜角度θ2’は、0°~30°であることが好ましい。工程bにおいて、少なくともリッジの両側の底面領域から、リッジ上面のマスク層34上に至る領域に第2のマスク層36を形成する。リッジ底面領域とリッジ側面のみならず、リッジ上面のマスク層34が形成された領域にも第2のマスク層36を形成する。ここで、第2のマスクの材質としては特に限定されるものではないが、レジスト層をパターン形成することが好ましい。第2のマスク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えば、0.1μm~3.0μm程度が挙げられる。工程cにおいて、第2のマスクのパターンを形成する。パターンの形成方法としては、工程bにおいて形成した第2のマスク層36の表面から、ウェットエッチング法又はドライエッチング法等により適当なエッチャントを用いてマスク層を溶解、一部除去又は薄膜化するなどの方法が挙げられる。これにより、マスク層を露出させることができる。つまり、リッジが形成された位置にリッジと同じ形状の開口部を形成することができる。第2のマスクに開口部を形成する方法は、レジストパターンの材料等を考慮して、フォトリソグラフィーを用い、適当なエッチャントを選択して、ウェットエッチング又はドライエッチング等を行なう方法が挙げられる。例えば、硝酸、フッ化水素酸、希塩酸、希硝酸、硫酸、塩酸、酢酸、過酸化水素等の酸の単独又は2種以上の混合液、アンモニア等のアルカリ溶液の単独又はアンモニアと過酸化水素等の混合液、各種界面活性剤等の適当なエッチャントが挙げられる。また、不要な箇所に残存する第2のマスクを除去する方法は、浸漬、超音波処理又はこれらの組み合わせ等、公知の方法が挙げられる。これは他のマスク層や第3のマスク層の除去にも利用することができる。第2のマスク層36の形成する開口部は、リッジ上面の幅a1よりも狭い幅であることが好ましい。これにより、側面に傾斜部を有する導電性酸化物層を容易に形成することができる。また、第2のマスク層36の上面が、リッジの上面28よりも上部に位置するように形成させる。例えば、図4cに示すように、リッジ上部のマスク層34の上面と、第2のマスク層36の上面がほぼ面一となるように形成することができる。工程dにおいて、リッジ上面のマスク層34を除去する。このマスク層34の除去方法としては、ウェットエッチング等のエッチングを用いることが好ましい。ここでのマスク層34の除去方法としては、上述した第2のマスク層36の開口部の形成方法を利用することもできる。これにより、第2のマスク層36が除去された部分に凹部が形成され、この凹部の底面にリッジ上面28が露出される。工程eにおいて、リッジ上面28及び第2のマスク層36上に導電性酸化物層20を形成する。ここでは、前記工程dの除去工程後に露出したリッジ上面に導電性酸化物層20を形成する。導電性酸化物層の形成方法としては、公知の方法を用いることができるが、スパッタ法、又は蒸着法を用いることが好ましい。ここで、第2のマスク層36の開口部が凹部になっていることから導電性酸化物層を形成することにより、平坦な上面30と傾斜部32とを有する導電性酸化物層を形成することができる。また、リッジ上面に接する電極の幅は、リッジの幅と略同一幅となる。但し、リッジ幅が7.0μm以上の場合には、リッジ幅よりも狭く電極を形成してもよい。ここで、後述するhの工程において、リッジの側面及びリッジ底面領域において誘電体層24を残し、一方、導電性酸化物層20と接する領域においては誘電体層24を除去することを精度良く行うために、導電性酸化物層20の側面の角度θ1を、リッジ側面の角度θ2よりも小さくなるように形成する。言い換えると、導電性酸化物層20の側面の傾斜角度θ1’を、リッジ側面の傾斜角度θ2’よりも大きくなるように形成する。θ1は、45°~85°であることが好ましく、より好ましくは60°~80°である。θ1’は、15°~45°であることが好ましく、より好ましくは10°~30°である。工程fにおいて、第2のマスク層36とその上の導電性酸化物層20を除去することによりリッジ底面領域とリッジ側面とを露出させる。ここでは第2のマスク層36を除去することにより、この上の導電性酸化物層を同時に除去する。ここでの第2のマスク層36の除去方法としては、上述した除去方法のいずれかを用いればよいが、リフトオフ法やウェットエッチングを用いることが好ましい。工程gにおいて、リッジ底面領域から導電性酸化物層の上面にかけて誘電体層24を形成する。この誘電体層16は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、気相成長法等の当該分野で公知の方法により形成することができる。工程hにおいて、誘電体層24をリッジの側面に残した状態で、誘電体層24を導電性酸化物層20の表面から除去する。この除去方法は、特に限定されるものではないが、エッチバック法によることが好ましい。図5を用いて、誘電体層24を、リッジの側面及びリッジの底面領域40に残した状態で、導電性酸化物層20の表面から除去する方法の一例について説明する。工程gによって、リッジ底面領域から導電性酸化物層の上面にかけて誘電体層24を形成した状態で、さらに、図5に示す工程jに示すように、誘電体層24を覆うように第3のマスク38を形成する。次に、工程kによって、第3のマスク層38の表面からウェットエッチング法により適当なエッチャントを選択してエッチングする。このとき、第3のマスク層38の上面が、導電性酸化物層20の下面よりも若干高く位置するようにエッチングする。これによって、第3のマスク層38の上面及びそれよりも若干下側の誘電体層24が除去され、導電性酸化物層の表面を覆わずにその表面を露出させることができ、リッジの側面及びリッジ底面領域を完全に被覆しうる誘電体層24を形成することができる。リッジの上に形成された導電性酸化物層20の側面は、工程eにより、リッジ側面の角度よりも小さい。すなわち、θ1<θ2及びθ1’>θ2’とすることで、リッジ側面に形成された誘電体層が、導電性酸化物層の側面に形成された誘電体層よりもエッチングされにくくなる。このように、θ1<θ2及びθ1’>θ2’とした状態で、第3のマスク層38の上面が、導電性酸化物層20の下面よりも若干高く位置するようにエッチングすることで、誘電体層24を精度よく配置させることができる。このようにして、誘電体層24をリッジの側面に残し、誘電体層24が導電性酸化物層20の表面から除去された状態で、工程iにおいて、導電性酸化物層20の上面30及び側面の傾斜部32を被覆する金属層22を形成する。金属層22は、いわゆるパッド電極として用いることができ、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、W等の金属からなる積層膜とすることが好ましい。具体的には、導電性酸化物層側からW-Pd-Au又はNi-Ti-Au、Ni-Pd-Auの順に形成した膜が挙げられる。パッド電極の膜厚は特に限定されないが、最終層のAuの膜厚を100nm程度以上とすることが好ましい。金属層22の形状は、特に限定されない。また、別の半導体レーザ素子の製造方法は、図6の工程A~工程Fに示すように、まず、工程Aにおいて、上記と同様に、基板上に第1導電型半導体層と、活性層と、第2導電型半導体層と、導電性酸化物層とを順次積層して、半導体層50を形成し、さらに、その上に、導電性酸化物層51を形成する。工程Bにおいて、導電性酸化物層51上に、所定形状のマスク層52を形成する。ここでのマスク層52は、上述した方法と同様に形成することができる。このマスク層52を利用して、このマスク層52から露出する導電性酸化物層51を除去することによって、その側面が傾斜した導電性酸化物層51をパターニングする。ここでの除去は、上述したようなエッチングを利用することが適しており、異方性エッチング、例えば、RIEを利用することが好ましい。この際、マスク層52も多少除去し得る条件を選択する。それによって、半導体層50上面に対する水平方向に減退する。その結果、マスク層52の側面直下に存在する導電性酸化物層51の一部が除去され、テーパー形状になる。つまり、エッチングによるマスク層の若干の水平方向の減退と、異方性エッチングとが相まって、導電性酸化物層51の厚み方向におけるエッチングの程度が変化する。これによって、導電性酸化物層51の側面を傾斜させることができる。工程Cにおいて、マスク層52及び導電性酸化物層51を利用して、第2導電型半導体層の一部を除去してリッジを形成する。ここでのリッジの形成は、上述した方法と実質的に同様に形成することができる。この際の第2導電型半導体層の除去は、半導体層と導電性酸化物層とのエッチングレートが異なる条件でエッチングすることが適している。これによって、工程Bにおけるようなマスク層の水平方向の減退のような現象を、導電性酸化物層に生じさせないように制御することができる。また、異方性エッチングを利用することが好ましい。これらによって、第2導電性酸化物層の厚み方向におけるエッチングの程度の変化を最小限に留めることができ、第2導電性酸化物層つまり、リッジの側面を、上述した関係を満たすように、導電性酸化物層51の側面の角度よりも大きい角度に留めることができる。言い換えると、リッジ側面の傾斜角度は、導電性酸化物層51の側面の傾斜角度よりも小さい傾斜角度とすることができる。工程Dにおいて、マスク層52を残存させたまま、上記と同様に、リッジを含む第2導電型半導体層上に誘電体層53を形成する。工程Eにおいて、マスク層52を除去する。この際のマスク層52の除去は、リフトオフ法を利用することが適している。これによって、角度の大きなリッジ側面においては誘電体層53が密着している一方、リッジ上に存在する、角度の小さい導電性酸化物層51の側面においては誘電体層53を密着させず、離間させることができる。これにより、導電性酸化物層51の表面、つまり、上面及び傾斜した側面の双方を露出させることができる。工程Fにおいて、上記と同様に、少なくとも導電性酸化物層51上面及び誘電体層53上に金属層54を形成する。本発明の半導体素子の製造方法では、任意の段階で、例えば、後述するn側電極を形成する前に、基板の第2主面を研磨することが好ましい。基板の研磨方法は、当該分野で公知であるいずれの方法も利用することができる。さらに、上述した導電性酸化物層の形成前後に、基板の第2主面に、部分的又は全面に、n側電極を形成することが好ましい。n側電極は、例えば、スパッタ法、CVD、蒸着等で形成することができる。n側電極のパターン形成には、リフトオフ法を利用することが好ましく、n側電極を形成した後、300°C程度以上でアニールを行うことが好ましい。n側電極としては、例えば、総膜厚1μm程度以下が挙げられる。n側電極の材料は特に限定されるものではなく、例えば、基板側からV膜厚10nm-Pt膜厚200nm-Au膜厚300nmの順に積層されて形成される。他には、Ti15nm-Pt200nm-Au300nm、Ti10nm-Al500nm、Ti6nm-Pt100nm-Au300nm、Ti6nm-Mo50nm-Pt100nm-Au210nm等が例示される。n側電極上にメタライズ電極を形成してもよい。メタライズ電極は、例えば、Ti-Pt-Au-Au/Sn、Ti-Pt-Au-Au/Si、Ti-Pt-Au-Au/Ge、Ti-Pt-Au-In、Au-Sn、In、Au-Si、Au-Ge等により形成することができる。メタライズ電極の膜厚は、特に限定されない。メタライズ電極のみでオーミック特性が維持される場合には、n側電極が省略可能である。任意に、例えば、工程hの後、誘電体層24の上に、保護膜25を形成してもよい。保護膜25は、当該分野で公知の方法により形成することができる。任意に、半導体層に共振器面を形成する。共振器面は、エッチング又は劈開等により、当該分野で公知の方法により形成することができる。共振器面を劈開によって形成する場合には、リッジから離間した領域に、劈開の補助溝を形成することが好ましい。補助溝間の距離は40μm以上であることが好ましく、80μm以上であることがより好ましい。このような範囲で補助溝を形成することにより、意図する位置での劈開の精度を保ったまま、リッジ周辺の劈開面の段差を低減することができる。また、任意の段階に、得られた共振器面、つまり、共振器面の光反射側及び/又は光出射面に、保護膜を形成することが好ましい。保護膜はSiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3、Nb2O5、AlN、AlGaN等からなる単層膜又は多層膜とすることが好ましい。さらに、共振器方向に分割することにより、半導体素子のチップを得ることができる。この分割は、任意の段階で分割補助溝を形成し、それを用いてスクライブすることなどによって形成することができる。本発明の半導体レーザ素子の製造方法では、導電性酸化物層の側面及び上面を誘電体層から安定して露出することができ、リッジの側面は略完全に誘電体層で被覆することができる。これにより、誘電体層の形成を高精度に制御することが可能となり、半導体レーザ素子の製造歩留まりを向上させることができる。以下に、本発明の半導体レーザ素子の実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1この実施例の半導体レーザ素子は、図1に示すように、C面を成長面とするGaN基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層が形成されており、p側半導体層16の上面にはストライプ状のリッジ18が形成されている。また、リッジ18上には、導電性酸化物層20が接続されている。この導電性酸化物層20には、リッジのストライプ方向に垂直な断面形状において、前記導電性酸化物層の側面が、前記リッジの上面に対して傾斜されており、導電性酸化物層の上面、側面及び誘電体層24を被覆するように、金属層22が形成されている。さらに、図示しないが、半導体層の共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜が形成されている。このような半導体レーザ素子は、以下の製造方法によって形成することができる。リッジの形成まず、GaN基板10を準備する。次に、この基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層を形成する。活性層14の井戸層の組成をIn0.20Ga0.80Nとし、発振波長を445nmとし、p型半導体層16は、第1のp型半導体層としてAlGaNを10nm、第2のp型半導体層としてAlGaNを0.5μm、第3のp型半導体層としてGaNを15nm積層させる。その後、p側半導体層16のほぼ全面に、CVD装置により、マスク層34としてSiO2膜を500nmの膜厚で形成する。その後、RIE反応性イオンエッチング装置を用いたエッチングによりマスク層の幅を15.0μmにパターン形成する。ここでマスク層の幅を後述するリッジ幅とする。次に、図4aに示すように、積層された半導体層の上面にリッジを形成する。具体的には、半導体層の上層であるp側半導体層16の上面にリッジ18を形成する。ここで、RIE装置を用いて、マスク層の開口部に露出しているp側半導体層16をエッチングすることにより、幅15.0μm程度、高さ0.45μm程度のストライプ状のリッジ18を形成する。リッジの側面の角度θ2は78°、傾斜角度θ2’は12°である。その後、図4bに示すように、リッジ底面領域40からマスク層34の上面を被覆する第2のマスク層36を形成する。この第2のマスク層は、レジスト層を膜厚1.2μmで形成する。次に、図4cに示すように、第2のマスク層22をマスク層34が露出するまでエッチングする。具体的には、RIE装置を用いて、第2のマスク層22をエッチングすることにより形成される。次に、図4dに示すように、先の工程で露出したマスク層21をウェットエッチングにより除去する。このエッチングによりリッジ上面28が露出される。導電性酸化物層の形成次に、図4eに示すように、リッジ18上及び第2のマスク層36上に導電性酸化物層20を形成する。この導電性酸化物層は、第2のマスク層の開口部からリッジ上に形成されるため、開口部の直下であるリッジの中央部上には平坦面が形成され、その両外側には傾斜部32が形成される。この導電性酸化物層の材料としては、ITOをスパッタ装置を用いて形成する。ここで、導電性酸化物層の上面の幅a1は、13.0μmであり、下面の幅b1は15.0μmである。また、導電性酸化物層の厚さd1は、400nmである。リッジの上面に対する側面の角度θ1は63°、傾斜角度θ1’は27°であり、θ1<θ2及びθ1’>θ2’の関係が満たされている。次に、図4fに示すように、第2のマスク層36を除去することで、この上に形成されていた導電性酸化物層も同時に除去される。第2のマスク層の除去方法は、剥離液を用いたリフトオフ法であり、第2のマスク層と同時に、この第2のマスク層上の導電性酸化物層も除去される。導電性酸化物層20は、リッジ上面28でのみ半導体層と接触しているため、電流のリークは発生しない。誘電体層の形成次に、図4gに示すように、リッジ底面領域40からリッジ側面、導電性酸化物層の傾斜面、導電性酸化物層の上面を被覆する誘電体層24を形成する。この誘電体層は、スパッタ装置を用いてSiO2膜を膜厚200nmで形成する。次に、SiO2膜の上全面に、膜厚2.5μmで第3のマスク層38として、レジスト層を形成する。図5kに示すように、この第3のマスク層38レジスト層を、酸素を用いたエッチバックにより、平坦化する。これにより、第3のマスク層38は、導電性酸化物層が形成されたリッジの上面及びリッジの側面の上部に対応する位置に開口が形成される。次に、図5lに示すように、ドライエッチングにより、導電性酸化物層20の上面に被覆された誘電体層24を除去する。リッジの側面の角度θ2は、導電性酸化物層の側面の角度θ1よりも大きく形成されているため、ドライエッチングにより必要な部分、つまりリッジの側面を被覆する誘電体層をエッチングする可能性を低くすることができ、これにより、リッジの全側面が誘電体層24に覆われ、かつ、導電性酸化膜20の上面及び側面は誘電体層24から露出された状態で誘電体層24を形成することができる。次に、リッジ底面領域40上にリッジ側面から35μm程度離間した領域に第2の保護膜25を形成する。この第2の保護膜25は、さらに半導体層の側面まで被覆している。その後、図4iに示すように、導電性酸化物層20及び誘電体層24上にp側パッド電極として金属層22を形成する。また、基板10の裏面にn側電極26を形成する。半導体層のフロント側共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜を形成する。また、半導体層のリア側共振器面には、ZrO2とSiO2からなる誘電体多層膜を形成する。以上により、半導体レーザ素子を形成することができる。このように、実施例1の半導体レーザ素子では、導電性酸化物層の半導体層と接する側の面積を広く確保した状態で導電性酸化物層に傾斜部32を設けていることで、電気抵抗率を低減させることができる。また、金属層22と導電性酸化物層20との接触面積を多く取れることも相俟って、動作電圧を低下させることができ、電力効率を顕著に向上させることができる。さらに、このような製造工程によると、誘電体層24を必要な箇所にのみ適切に精度良く形成することができるため、特性が安定した半導体レーザ素子を製造することができる。実施例2実施例1において、活性層14の井戸層の組成をIn0.22Ga0.78Nとし、発振波長を510nmとし、リッジ幅を5μmとし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。長波長領域であってもクラックの発生を抑制することができる。その他は実施例1と同様の効果が得られる。実施例3実施例1において、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。また、活性層14の井戸層の組成をIn0.05Ga0.95Nとし、発振波長を405nmとし、リッジ幅を1.5μmとし、その他は、実施例1と同様にして半導体レーザを作成する。実施例1と同様の効果が得られる。実施例4実施例1において、θ1を76°、θ2を84°とし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1と同様の効果が得られる。実施例5実施例1において、導電性酸化物層をIZOとし、その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。実施例6実施例1において、基板の面方位を20-21面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。実施例7実施例1において、第2のp型半導体層の組成をInGaNとGaNの超格子構造に変更する。また、活性層14の井戸層の組成をIn0.2Ga0.8Nとし、発振波長を473nmとし、リッジ幅を2.5μmとし、その他は、実施例1と同様にして半導体レーザを作成する。実施例1と同様の効果が得られる。実施例8実施例1において、基板の面方位を10-11面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。実施例9実施例1において、基板の面方位を10-1-2面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。実施例10実施例1において、基板の面方位を11-22面とし、第2のp型半導体層の組成をAlGaNからGaNに変更する。その他は実施例1と同様にして半導体レーザ素子を作成する。実施例1とほぼ同様の効果が得られる。実施例11実施例1の半導体レーザ素子を、以下の製造方法によって形成する。まず、図6Aに示すように、実施例1の製造方法と同様に、GaN基板10上に、n側半導体層12、活性層14及びp側半導体層16をこの順に積層した半導体層50を形成する。半導体層50の上に、導電性酸化物層51を形成する。この導電性酸化物層51としてITO膜を、スパッタ装置を用いて形成する。導電性酸化物層51の厚さd1図2参照は400nmである。次いで、図6Bに示すように、実施例1と同様に、導電性酸化物層51のほぼ全面に、CVD装置により、マスク層52としてSiO2膜を500nmの膜厚で形成する。その後、RIE装置を用いたエッチングによりマスク層52の幅を15.0μmにパターン形成する。このマスク層52を用いて、導電性酸化物層51をエッチングする。ここでのエッチングは、例えば、エッチングガスとしてヨウ素を用いたRIE装置によって行なう。ここでパターニングされる導電性酸化物層51は、上述したマスク層52の減退、異方性エッチング等の作用により、その側面をテーパー状に形成することができる。つまり、導電性酸化物層51の上面の幅a1を、13.0μmとし、下面の幅b1を15.0μm、半導体層50の上面に対する側面の角度θ1は63°、傾斜角度θ1’は27°とすることができる。図6Cに示すように、マスク層52及び導電性酸化物層51を用いて第2導電型半導体層の一部を除去する。この除去は、RIE装置を用いて、半導体層50をエッチングすることにより、幅15.0μm程度、高さ0.45μm程度のストライプ状のリッジを形成することができる。ここでのリッジの側面の角度θ2は、78°、傾斜角度θ2’は、12°であり、θ1<θ2及びθ1’>θ2’の関係が満たされている。図6Dに示すように、マスク層52を残存させたまま、リッジを含む半導体層50上に誘電体層53を形成する。この誘電体層53は、スパッタ装置を用いてSiO2膜を膜厚200nmで形成する。これによって、リッジ底面領域からリッジ側面、導電性酸化物層51の傾斜面、マスク層52の側面及び上面を被覆することができる。図6Eに示すように、マスク層52を除去し、リッジ上の導電性酸化物層51の表面を露出させる。ここでのマスク層52の除去は、実施例1と同様に、剥離液を用いたリフトオフ法である。このマスク層52の除去と同時に、導電性酸化物層51の上面のみならず、側面も、誘電体層53から剥離させることができる一方、リッジの側面では、誘電体層53の剥離を阻止して密着させたままとすることができる。その後、図6Fに示すように、実施例1と同様に、少なくとも導電性酸化物層51上面及び誘電体層53上に、p側パッド電極として金属層54を形成する。また、基板の裏面にn側電極を形成する。半導体層のフロント側共振器面には、Al2O3からなる誘電体膜、リア側共振器面には、ZrO2とSiO2からなる誘電体多層膜を形成し、半導体レーザ素子を得る。このように、実施例1の製造方法とは異なる方法によっても、実施例1と同様の半導体レーザ素子を製造することができる。この半導体レーザ素子は、導電性酸化物層の半導体層と接する側の面積を広く確保した状態で導電性酸化物層の側面に傾斜を設けているため、電気抵抗率を低減させることができる。また、金属層54と導電性酸化物層51との接触面積を増大させることができ、動作電圧を低下させ、電力効率を顕著に向上させることができる。さらに、このような製造工程によっても、誘電体層53を精度良く形成することができるため、安定した特性の半導体レーザ素子を製造することができる。