アーク蒸着ソースであって、導電性のセラミックターゲットプレート1を備える陰極と、陽極21と、前記ターゲットプレート1を前記陽極21に対して負の電位にすることができるように前記ターゲットプレート1および前記陽極21と配線された電圧源23と、アークを点火するための点火装置20とを含んでいる、そのようなアーク蒸着ソースにおいて、前記ターゲットプレート1は冷却プレート10と広い面積で熱的に好ましくはボンディング接続を介して作用接続されており、陰極スポットを強制的に移動させる手段が設けられていることを特徴とするアーク蒸着ソース。強制的に移動させる前記手段は、前記ターゲットプレートにミクロ亀裂が存在しているときでさえ陰極スポットの移動を保つことができるように設計されていることを特徴とする、請求項1に記載のアーク蒸着ソース。陰極スポットを強制的に移動させる前記手段は気化表面で、すなわち前記ターゲットプレートの表面で陰極スポットが到達することができるあらゆる個所で、実質的に同じ作用を有していることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載のアーク蒸着ソース。陰極スポットを強制的に移動させる前記手段は、陰極スポットの実質的に均等な移動につながる磁気的な手段を含んでいることを特徴とする、請求項3に記載のアーク蒸着ソース。磁気的な前記手段は、気化表面での実質的に均一な磁界につながり、その磁束線が気化表面に対して実質的に垂直に向くように、または代替的に気化表面全体で気化表面に立てた法線に対して45°よりも大きい角度で向くように、構成されていることを特徴とする、請求項4に記載のアーク蒸着ソース。強制的に移動させる前記手段は冷却プレート側に内側の永久磁石を含むとともに、内側の前記永久磁石に対して反対の極性に向けられ、それにより前記ターゲットプレート1の気化するべき表面2で磁界分布が生成されるようにする外側の永久磁石リングを含んでおり、強制的に移動させる前記手段は気化するべき表面2の中心領域6に遮蔽部3を含んでおり、前記遮蔽部3の表面は前記電圧源23から少なくとも実質的に電気絶縁されており、そのようにして蒸着ソースが作動したときに当該領域では補充電子を利用することができないことを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載のアーク蒸着ソース。前記遮蔽部3は電気絶縁性材料、好ましくは酸化アルミニウムまたは窒化ホウ素でできており、または酸化アルミニウムもしくは窒化ホウ素の表面を有していることを特徴とする、請求項5に記載のアーク蒸着ソース。先行請求項のうちいずれか1項に記載の少なくとも1つのアーク蒸着ソースを備えている、基板をコーティングするためのコーティング設備。基板をコーティングする方法において、コーティングのために請求項8に記載のコーティング設備が適用されることを特徴とする方法。そこで本発明の課題は、従来は少なくとも産業規模では可能でなかったセラミックターゲットの層材料でも、アークにより経済的に蒸着することができるようにすることである。特にTiN、TiB2、WB、および/またはW2Nのターゲットを、早期にターゲット破断を生じることなく、アークを用いた蒸着に利用できるようにすることが意図される。したがって発明者らには、アークによってターゲットへ転移される熱衝撃をどうすれば効率的に吸収できるかという問題が課せられる。火花蒸着の代替としてのPVDコーティング方式であるスパッタテクノロジーから、スパッタターゲット材料をいわゆる冷却プレートと接着ボンディングして、効率的な熱排出を可能にすることが知られている。このような冷却プレートは高い熱伝導性を有しており、できる限り広い面積と良好な熱ブリッジでスパッタターゲット材料に取り付けられる。冷却プレートは、スパッタに使用されるターゲット材料と類似する膨張率を有しているのが好ましい。比較的高い放電電圧により得られる、スパッタの際の高いターゲット性能に基づき、スパッタターゲットへの高い熱注入が生じるが、これはターゲット全体にわたって均等に配分される。しかし熱衝撃につながる可能性がある、火花蒸着の場合に発生する熱負荷は局所的であり、温度勾配が大きいという特徴があり、このことはセラミックターゲットの機械的な過負荷につながる。これとは対照的にスパッタでは、ターゲットでの温度分布が均等なので耐熱衝撃性は重要ではない。したがって、アークによる蒸着のために用いられるセラミックターゲットでは、単純に冷却プレートを使用しても満足のいく結果にはつながらない。ターゲット破断の危険は引き続き顕著である。そのうえ、局所化された温度負荷は、他ならぬその局所でボンディング接続が損傷をうけ、そのために、本来もっとも必要であるはずの個所で良好な熱接触が成立しなくなるという帰結にしばしばつながる。しかし発明者らは驚くべきことに、金属ターゲットの火花蒸着との関連でドロップレット問題の緩和につながるいくつかの方策が、セラミックターゲットとの関連で、冷却プレートを備えるセラミックターゲットの損傷なしに高い信頼度で火花蒸着を適用できるという帰結につながることを見出した。したがって本発明では、裏面に冷却プレートがボンディングされたセラミックターゲットによりアークを用いて蒸着が行われ、アークがターゲット表面で迅速な移動を強いられることを特徴とするように、火花蒸着が実施される。したがって、アーク蒸着によるコーティング設備のための本発明によるアークソースは、裏面に良好な熱接触により、好ましくはボンディングされて、冷却プレートが設けられた少なくとも1つのセラミックターゲットを含んでおり、局所的な加熱およびこれに伴うミクロ亀裂の形成を低減させ、小さなミクロ亀裂が形成された場合でさえ当該個所での陰極スポットの高い滞留確率を妨げる、アークの陰極スポットが移動するように強いられる手段が設備に設けられていることを特徴としている。次に、図面を参照しながら本発明について一例を挙げて詳しく説明する。図1には、基板をコーティングするためにアーク蒸着室で使用される、本発明によるアーク蒸着ソースが示されている。このアーク蒸着ソースは通常どおり、純粋に模式的に示すように、アークを点火するための点火装置20を含んでいる。さらに、ターゲットプレート1と陽極21の間には、同じく純粋に模式的に示すように、電気的な高電流IH低電圧ULDC電圧源23が介在している。本発明によるアークソースは、気化するべき表面2を備える導電性のセラミックターゲットプレート1を含んでいる。ターゲットプレート1の裏側の表面7には、すなわち、気化するべき表面2と反対を向いているほうの表面には、ターゲットプレート1と熱的に広い面積で作用接続された冷却プレート10が設けられている。冷却プレート10は、熱伝導性の高い材料でできている。広い面積での熱的な接触により、冷却プレートは、陰極スポットによってターゲット表面2で起こる局所的なエネルギー注入を迅速かつ効率的にターゲット断面全体に分散させることができる。このように、熱衝撃に基づくターゲットプレート1の破損の危険は、この防止策によってすでにかなり緩和されている。冷却プレートが追加的に導電性であるときは、電圧源23に対するターゲットプレート1の電気接触が、冷却プレート10を通じて具体化されていてよい。たとえば冷却プレートの材料はモリブデンが考慮の対象となるが、スパッタテクノロジーから知られているそれ以外の材料を使用することもできる。熱的な作用接続は、冷却プレートがターゲットプレートにボンディングされることによって成立しているのが好ましい。しかしながら、冷却プレートにもかかわらず局所的に加熱が起こり、その帰結として局所的に電子が外に出やすくなる可能性があることが判明している。したがって、さらに方策を講じなければその個所にスポットがとどまり、このことは、熱衝撃が冷却プレートでももはや吸収できないオーダーになるという帰結につながる。そこで本発明によるアークソースは、アークの1つの陰極スポットないし場合により複数の陰極スポットをターゲット上で、場合によりミクロ亀裂から離れるように動くように強いる手段をさらに含んでいる。図1に示す実施形態では、この手段は冷却プレートの後方に配置された内側の永久磁石11と、内側の永久磁石11に対して反対の極性を向く外側の環状磁石13とを含んでいる。内側の永久磁石11および外側の環状磁石13に基づき、気化するべき表面2には、N極からS極ないしS極からN極へ延びる磁束線が生じる。表面2で生成される磁界の水平成分は、表面2でのアークの陰極スポットの強制運動につながる。それに対して本例では、表面2で生成される磁界の垂直成分は、アークの1つの陰極スポットまたは複数の陰極スポットが基本的に表面の相応の個所にとどまり、もしくはその運動が少なくとも減速されることにつながる。したがって、ここで検討している本発明の実施形態では、磁界の垂直成分が支配的である表面2の領域から、陰極スポットを遠ざけておくための方策が講じられる。したがって、導電性のセラミックターゲットプレート1の表面2には中央領域の遮蔽部3が配置されており、遮蔽部3は、陰極スポットでアークを供給することができる補充電子が、当該領域で保証されなくなるような性質を備えている。本例では、遮蔽部3の表面はAl2O3や窒化ホウ素のような非導電性材料でできている。しかしながら、遮蔽部3を導電性材料で製作するが、この材料を電圧源23から絶縁し、もしくは少なくとも電圧源23と電気接触が劣るようにすることも考えられる。このような構造によって補充電子が妨げられ、もしくは少なくとも大幅に阻止される。アークの陰極スポットは、十分な補充電子が供給される個所で、すなわち磁界の垂直成分が支配的である中心領域6を回避した個所で、移動するのが好ましい。本発明によるさまざまな構造が考えられ、当業者は自身の問題に合わせたうえで、自身にもっとも良く適した具体化を選ぶことができる。図2は、ボンディングされた冷却プレート10を備えるターゲットプレート1を模式的に示している。ターゲットプレートは中央の穴を有しており、冷却プレート10は雌ねじを有しており、それにより、本発明に基づく遮蔽部3を、同じく図示しているねじ15を用いて、ターゲットプレート1および冷却プレート10からなる複合体にねじ止めすることができる。図3は、ボンディングされた冷却プレート10と遮蔽部3を備えるターゲットプレート1の、さらに別の本発明による実施形態を示している。この実施形態では、遮蔽部3はターゲットプレート1の広い面積の穴に入っている。図示するように、ターゲットプレート1への遮蔽部3の小さなオーバーハングがあるのが好ましく、これは、陰極スポットがターゲットプレート1のエッジ近傍へ移動し、そこでいわば捕えられるのを回避するためである。