交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、前記サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、熱ナノインプリント法によって前記モールドの前記複数の凹部の形状を前記樹脂部に転写することにより、前記樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、前記ナノインプリント工程の後に、前記マスクを介して前記フォトレジスト層に露光光を照射することにより、前記フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、前記部分露光工程の後に、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程の後に、前記フォトレジスト層の形状を前記形成対象層に転写することにより、前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、を備え、前記部分露光工程では、前記フォトレジスト層は、前記光遮光部に対応する複数の第1領域と、前記光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、前記複数の第1領域は露光されず、前記複数の第2領域のうち、前記樹脂部の前記複数の凹部下の領域が露光され、前記現像工程では、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、前記フォトレジスト層転写工程では、前記形成対象層に、前記フォトレジスト層の前記複数の第1領域に対応する形状を有する前記非回折格子部を形成すると共に、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に対応する形状を有する前記回折格子部を形成することを特徴とするサンプルドグレーティングの形成方法。交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、前記サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、光非透過層と、紫外線硬化樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、光ナノインプリント法によって前記モールドの前記複数の凹部の形状を前記樹脂部に転写することにより、前記樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、前記ナノインプリント工程後に、前記樹脂部をマスクとして前記光非透過層をエッチングすることにより、前記樹脂部の形状を前記光非透過層に転写し、これにより前記光非透過層に複数の凹部を形成する光非透過層エッチング工程と、前記光非透過層エッチング工程の後に、前記マスクを介して前記フォトレジスト層に露光光を照射することにより、前記フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、前記部分露光工程の後に、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程の後に、前記フォトレジスト層の形状を前記形成対象層に転写することにより、前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、を備え、前記部分露光工程では、前記フォトレジスト層は、前記光遮光部に対応する複数の第1領域と、前記光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、前記複数の第1領域は露光されず、前記複数の第2領域のうち、前記樹脂部の前記複数の凹部下の領域が露光され、前記現像工程では、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、前記フォトレジスト層転写工程では、前記形成対象層に、前記フォトレジスト層の前記複数の第1領域に対応する形状を有する前記非回折格子部を形成すると共に、前記フォトレジスト層の前記複数の第2領域に対応する形状を有する前記回折格子部を形成することを特徴とするサンプルドグレーティングの形成方法。前記部分露光工程は、前記フォトレジスト層と前記マスクとを対向させた後に、前記マスクの前記光透過部の周期方向が、前記樹脂部の前記複数の凹部の周期方向に対して平行になるように、又は、平行に近づくように、前記マスクと前記樹脂部との相対位置を調節する調節工程をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のサンプルドグレーティングの形成方法。半導体基板上に、活性層と前記形成対象層とを含む半導体レーザのための半導体積層を堆積する半導体積層堆積工程と、請求項1~3のいずれか一項に記載のサンプルドグレーティングの形成方法によって前記形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成する工程と、を備える半導体レーザの製造方法。半導体レーザ素子が有する回折格子を形成する方法として、ナノインプリント法を採用することが検討されている。回折格子の形成にナノインプリント法を採用することで、半導体レーザ等のデバイスの製造コストを低減させることができる等の利点がある。ナノインプリント法によって回折格子を形成する際には、まず、回折格子を形成すべき半導体層上に樹脂層を形成する。そして、この回折格子の形状に対応した凹凸パターンを有するモールドをこの樹脂層に押し付け、その状態で樹脂層を硬化させる。これにより、モールドの凹凸パターンを樹脂層に転写する。その後、この樹脂層の形状を半導体層に転写することにより、半導体層に微細構造を形成する。しかしながら、サンプルドグレーティングを有する分布帰還型半導体レーザの製造において、当該サンプルドグレーティングをナノインプリント法で形成する場合、以下のような問題点があった。即ち、サンプルドグレーティングは、交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部を有する。そして、サンプルドグレーティングの態様、例えば、周期方向に沿った回折格子部の長さ回折格子部における凹部の本数や周期方向に沿った非回折格子部の長さ共振器方向における回折格子部の位置等に依存して、当該サンプルドグレーティングの結合効率やフィルタ特性等が変化する。しかしながら、サンプルドグレーティングをナノインプリント法で形成する場合、1つのモールドを用いて形成された複数のサンプルドグレーティングは、全て同じ態様となる。そのため、様々な態様のサンプルドグレーティングを形成するためには、目的とする態様ごとに、当該態様に対応した凹凸パターンを有する複数のモールドを準備する必要がある。しかし、モールドの製造時には、一般に、石英基板等を電子線リソグラフィー等によって高精度に微細加工する必要があるため、製造コストが比較的高く、製作期間が長いという問題点がある。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストかつ短時間で形成することが可能な形成方法、及び、様々な態様のサンプルドグレーティングを有する半導体レーザを低コストかつ短時間で製造することが可能な製造方法を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明の第1の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法は、交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、熱ナノインプリント法によってモールドの複数の凹部の形状を樹脂部に転写することにより、樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、ナノインプリント工程の後に、マスクを介してフォトレジスト層に露光光を照射することにより、フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、部分露光工程の後に、フォトレジスト層を現像する現像工程と、現像工程の後に、フォトレジスト層の形状を形成対象層に転写することにより、形成対象層に前記サンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、を備える。部分露光工程では、フォトレジスト層は、光遮光部に対応する複数の第1領域と、光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、複数の第1領域は露光されず、複数の第2領域のうち、樹脂部の複数の凹部下の領域が露光され、現像工程では、フォトレジスト層の複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、フォトレジスト層転写工程では、形成対象層に、フォトレジスト層の複数の第1領域に対応する形状を有する非回折格子部を形成すると共に、フォトレジスト層の複数の第2領域に対応する形状を有する回折格子部を形成することを特徴とする。本発明の第1の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法においては、形成されるサンプルドグレーティングにおける周期方向に沿った回折格子部の長さや周期方向に沿った非回折格子部の長さを、マスクの態様、即ち、マスクにおける光透過部の周期方向に沿った長さや、1つの光透過部から隣接する他の光透過部までの長さによって制御することができる。そのため、複数の態様のマスクを準備すれば、1種類のモールドを用いて、複数の態様のサンプルドグレーティングを形成することができる。そして、マスクの製造コストは、一般に、モールドの製造コストよりも10分の1以下程度と低い。そのため、本発明の第1の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法によれば、様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能となる。また、上述の課題を解決するため、本発明の第2の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法は、交互に周期的に設けられた回折格子部と非回折格子部からなるサンプルドグレーティングの形成方法であって、周期的に設けられた複数の凹部を含むパターン面を有するナノインプリント用のモールドを準備するモールド準備工程と、光遮光部に周期的に設けられた光透過部を有するマスクを準備するマスク準備工程と、サンプルドグレーティングの形成対象層上に、フォトレジスト層と、光非透過層と、紫外線硬化樹脂からなる樹脂部と、をこの順に形成する樹脂部形成工程と、光ナノインプリント法によってモールドの複数の凹部の形状を樹脂部に転写することにより、樹脂部に複数の凹部を形成するナノインプリント工程と、ナノインプリント工程後に、樹脂部をマスクとして光非透過層をエッチングすることにより、樹脂部の形状を光非透過層に転写し、これにより光非透過層に複数の凹部を形成する光非透過層エッチング工程と、光非透過層エッチング工程の後に、マスクを介してフォトレジスト層に露光光を照射することにより、フォトレジスト層の一部を露光する部分露光工程と、部分露光工程の後に、フォトレジスト層を現像する現像工程と、現像工程の後に、フォトレジスト層の形状を形成対象層に転写することにより、形成対象層にサンプルドグレーティングを形成するフォトレジスト層転写工程と、を備える。部分露光工程では、フォトレジスト層は、光遮光部に対応する複数の第1領域と、光透過部に対応する複数の第2領域と、を有し、複数の第1領域は露光されず、複数の第2領域のうち、樹脂部の複数の凹部下の領域が露光され、現像工程では、フォトレジスト層の複数の第2領域に、複数の凹部が形成され、フォトレジスト層転写工程では、形成対象層に、フォトレジスト層の複数の第1領域に対応する形状を有する非回折格子部を形成すると共に、フォトレジスト層の複数の第2領域に対応する形状を有する回折格子部を形成することを特徴とする。本発明の第2の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法においては、形成されるサンプルドグレーティングにおける周期方向に沿った回折格子部の長さや周期方向に沿った非回折格子部の長さを、マスクの態様、即ち、マスクにおける光透過部の周期方向に沿った長さや、1つの光透過部から隣接する他の光透過部までの長さによって制御することができる。そのため、複数の態様のマスクを準備すれば、1種類のモールドを用いて、複数の態様のサンプルドグレーティングを形成することができる。そして、マスクの製造コストは、モールドの製造コストよりも低い。そのため、本発明の第2の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法によれば、様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能となる。さらに、本発明の第1の態様又は第2の態様に係るサンプルドグレーティングの形成方法において、部分露光工程は、フォトレジスト層とマスクとを対向させた後に、マスクの光透過部の周期方向が、樹脂部の複数の凹部の周期方向に対して平行になるように、又は、平行に近づくように、マスクと樹脂部との相対位置を調節する調節工程をさらに含むことが好ましい。これにより、サンプルドグレーティングの回折格子部における凹部の数、および実質的な回折格子周期が、所望の数および値からずれてしまうことを抑制することができる。また、上述の課題を解決するため、本発明の半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に、活性層と上記形成対象層とを含む半導体レーザのための半導体積層を堆積する半導体積層堆積工程と、上述のいずれかのサンプルドグレーティングの形成方法によって上記形成対象層にサンプルドグレーティングを形成する工程と、を備える。本発明の半導体レーザの製造方法においては、上述のいずれかの形成方法によってサンプルドグレーティングを形成するため、様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能となる。そのため、本発明の半導体レーザの製造方法によれば、様々な態様のサンプルドグレーティングを有する半導体レーザを低コストで製造することが可能となる。本発明によれば、様々な態様のサンプルドグレーティングを低コストで形成することが可能な形成方法、及び、様々な態様のサンプルドグレーティングを有する半導体レーザを低コストで製造することが可能な製造方法が提供される。以下、実施の形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、可能な場合には同一要素には同一符号を用いる。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。第1実施形態第1実施形態に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に半導体積層を堆積する半導体積層堆積工程と、半導体積層内の半導体層に第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法によってサンプルドグレーティングを形成する工程と、メサ部形成工程と、電極形成工程と、を備えている。また、第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法は、モールド準備工程と、マスク準備工程と、樹脂部形成工程と、ナノインプリント工程と、部分露光工程と、現像工程と、フォトレジスト層転写工程と、を備えている。以下、これらの各工程について詳細に説明する。モールド準備工程初めに、モールドを準備するモールド準備工程が行われる。図1は、モールド準備工程で準備されるモールドを示す平面図であり、図2は、図1に示すモールドの領域1Aを拡大して示す平面図であり、図3は、図2のモールドのIII-III線に沿った端面図である。図1に示すように、本工程で準備されるナノインプリント用のモールド1は、略平坦なパターン面1Pを有する矩形の平板状の部材であり、石英、シリコーン樹脂等で構成されている。図1においては、直交座標系2が示されており、モールド1の厚さ方向にZ軸を設定し、パターン面1Pと平行な方向にX軸とY軸をそれぞれ設定している。図2以降の各図においても、必要に応じて直交座標系2を示している。図1に示すように、第1実施形態のモールド1のパターン面1Pには、複数例えば、図に示すように4行9列のラインアンドスペースパターン3Pが形成されている。また、図2及び図3に示すように、パターン面1PにはZ軸の負方向に凹むと共にX軸に沿った方向に延びる複数の凹部3が設けられている。これらの複数の凹部3によって各ラインアンドスペースパターン3Pが規定される。複数の凹部3は、パターン面1PにおいてY軸に沿って周期的に設けられている。即ち、複数の凹部3は、パターン面1Pにおいて、Y軸と平行な周期方向3Cに沿って周期的に設けられている。各ラインアンドスペースパターン3Pの複数のライン部は、それぞれ略同形であり、それぞれX軸に沿った方向に延びている。各ライン部のYZ面に沿った断面は、矩形状である。各ラインアンドスペースパターン3Pの複数のスペース部となる複数の凹部3は、それぞれ略同形であり、それぞれY軸に沿った方向に延びている。各凹部3のYZ面に沿った断面は、矩形状である。各ラインアンドスペースパターン3Pの形状は、後述のサンプルドグレーティング21Pの回折格子部21Bにおける複数の凹部21Dの形状に対応している図18参照。また、複数の凹部3が設けられている周期、即ち、各ラインアンドスペースパターン3Pの1つのライン部のY軸方向に沿った幅と1つの凹部3のY軸方向に沿った幅の合計値は、後述のサンプルドグレーティング21Pの回折格子部21Bにおける複数の凹部21Dが設けられている周期と略等しい図18参照。マスク準備工程次に、マスク準備工程が行われる。図4は、マスク準備工程で準備されるマスクを示す平面図であり、図5は、図4に示すモールドの領域7Aを拡大して示す平面図である。図4及び図5に示すように、本工程で準備されるマスク7は、略平坦な表面を有する矩形の平板状の部材である。図4及び図5においては、マスク7の厚さ方向にZ軸を設定し、マスク7の表面と平行な方向にX軸とY軸をそれぞれ設定している。マスク7は、光遮光部7Sと、光遮光部7Sに設けられた複数の光透過部7Tとを有する。光遮光部7Sは、Z軸方向に沿って進む光を遮光するための領域であり、光透過部7Tは、Z軸方向に沿って進む光を透過させるための領域である。複数の光透過部7Tは、マスク7の表面においてY軸と平行な方向に沿って周期的に設けられている。即ち、複数の光透過部7Tは、マスク7の表面において、Y軸と平行な周期方向7Cに沿って周期的に設けられている。光透過部7Tの周期方向7Cに沿った幅W7Tは、モールド1のラインアンドスペースパターン3Pの周期方向3Cに沿った長さよりも小さく、かつ、モールド1の各凹部3の周期方向3Cに沿った幅よりも大きい図1及び図2参照。1つの光透過部7Tと、それに隣接する光透過部7Tとの周期方向3Cに沿った長さB7Tは、モールド1のラインアンドスペースパターン3Pの周期方向3Cに沿った長さよりも小さく、かつ、モールド1の各凹部3の周期方向3Cに沿った幅よりも大きい図1及び図2参照。また、複数の光透過部7Tの周期方向7Cの周期は、モールド1の複数の凹部3dの周期方向3Cの周期よりも大きい図2参照。第1実施形態においては、光透過部7Tの幅W7Tは、後述のサンプルドグレーティング21Pの回折格子部21BのY軸方向に沿った長さに対応しており、上記の長さB7Tは、後述のサンプルドグレーティング21Pの非回折格子部21AのY軸方向に沿った長さに対応している。また、光透過部7TのX軸方向に沿った長さは、モールド1の各凹部3のX軸方向に沿った長さよりも長い。第1実施形態の光透過部7Tは、開口であるが、光透過部7Tは、合成石英等の後述の露光光LE図14参照が透過することが可能な材料で構成されていてもよい。光遮光部7Sは、酸化クロム等の後述の露光光LE図14参照が実質的に透過することができない材料で構成されている。そして、マスク準備工程では、光透過部7T及び光遮光部7Sの形状が異なる複数のマスク7を準備する。例えば、光透過部7Tの周期方向7Cに沿った幅W7Tや、1つの光透過部7Tから隣接する他の光透過部7Tまでの長さB7Tや、光透過部7Tの周期方向7C方向の周期が互いに異なる複数種類の態様の複数のマスク7を準備する。半導体積層堆積工程次に、半導体積層堆積工程が行われる。図6は、半導体積層堆積工程及び次の樹脂部形成工程を説明するための端面図である。半導体積層堆積工程では、まず、半導体基板11の主面上に、半導体レーザのための半導体積層23を堆積する。具体的には、図6に示すように、例えば有機金属気相成長法等のエピタキシャル成長法によって、半導体基板11上に、下部クラッド層13、下部光閉じ込め層15、活性層17、上部光閉じ込め層19、及び、半導体層21をこの順に堆積する。半導体基板11、下部クラッド層13、下部光閉じ込め層15、活性層17、上部光閉じ込め層19、及び、半導体層21で半導体積層23となる。なお、図6及び以降の各図においては、半導体基板11の厚さ方向に直交座標系2のZ軸を設定し、モールド1の主面と平行な方向にX軸とY軸をそれぞれ設定している。半導体基板11の主面及び裏面は、それぞれXY平面と略平行な平面であり、下部クラッド層13、下部光閉じ込め層15、活性層17、上部光閉じ込め層19、及び、半導体層21の積層方向は、Z軸に沿っている。半導体基板11は、第1導電型例えばn型の半導体基板であり、例えば、InPやGaN等のIIIV族化合物半導体からなる。下部クラッド層13は、第1導電型の例えばInPやGaN等のIIIV族化合物半導体からなる。下部光閉じ込め層15は、第1導電型の例えばGaInAsP等のIII-V族化合物半導体からなる。活性層17は、例えば、MQW多重量子井戸構造やSQW単一量子井戸構造を有する。また、活性層17は、例えば、GaInAsPやAlGaInAs等のIIIV族化合物半導体からなる。上部光閉じ込め層19は、第2導電型第1導電型がn型の場合、p型の例えばGaInAsP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層21は、第2導電型の例えばGaInAsP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体層21は、サンプルドグレーティング21P図18参照の形成対象層である。なお、半導体積層23は、下部光閉じ込め層15及び上部光閉じ込め層19を有していなくてもよい。樹脂部形成工程次に、樹脂部形成工程が行われる。本工程では、図6に示すように、半導体層21上に、転写層25と、フォトレジスト層27と、樹脂部29と、をこの順に形成する。転写層25は、例えば、窒化シリコンSiNや窒化酸化シリコンSiON等の絶縁材料からなり、例えば、化学気相成長法等の気相成長法によって形成される。フォトレジスト層27は、第1実施形態では、ポジ型のフォトレジストからなる。樹脂部29は、PMMAポリメチルメタクリレート等の熱可塑性樹脂や、PETポリエチレンテレフタラート等の熱硬化性樹脂からなる。フォトレジスト層27及び樹脂部29は、例えば、塗布法によって形成することができる。なお、本工程においては、転写層25を形成しなくてもよい。ナノインプリント工程続いて、ナノインプリント工程が行われる。図7~図9は、ナノインプリント工程を説明するための端面図であり、図10は、ナノインプリント工程を説明するための平面図である。本工程では、熱ナノインプリント法によってモールド1の複数の凹部3の形状を樹脂部29に転写する。具体的には、まず、樹脂部29が熱可塑性樹脂からなる場合、樹脂部29を、そのガラス転移温度又は融点以上の温度まで加熱することにより、樹脂部29を軟化させる。樹脂部29が熱硬化性樹脂からなる場合、このような加熱は不要である。続いて、図7に示すように樹脂部29にモールド1のパターン面1Pを押し付ける。そして、樹脂部29にモールド1のパターン面1Pを押し付けた状態で、樹脂部29を硬化させる。この樹脂部29の硬化は、樹脂部29が熱可塑性樹脂からなる場合、樹脂部29を、そのガラス転移温度又は融点以下の温度まで冷却することにより行うことができ、樹脂部29が熱硬化性樹脂からなる場合、樹脂部29を、その重合温度以上に加熱することにより行うことができる。続いて、図8に示すように、モールド1を樹脂部29から離間させる。これにより、樹脂部29には、モールド1のパターン面1Pの反転形状が転写される。即ち、樹脂部29には、複数の凹部29Dが形成され、モールド1のパターン面1Pの反転形状であるラインアンドスペースパターンが複数の凹部29Dによって規定される。次に、図9に示すように、複数の凹部29Dがフォトレジスト層27に達するように、即ち、複数の凹部29Dにおいてフォトレジスト層27の表面が露出するように、例えば、O2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、樹脂部29をエッチングする。図10は、図9の状態の樹脂部等を示す平面図である。図10に示すように、複数の凹部29Dは、モールド1のパターン面1Pの反転形状であるラインアンドスペースパターンを規定する。そのため、複数の凹部29Dは、Z軸負側に凹むと共にX軸に沿って延びる。また、複数の凹部29Dは、樹脂部29の表面においてY軸に沿って周期的に設けられている。即ち、複数の凹部29Dは、樹脂部29の表面において、Y軸と平行な周期方向29Cに沿って周期的に設けられている。部分露光工程次に、部分露光工程が行われる。図11及び図14は、部分露光工程を説明するための端面図であり、図12及び図13は、部分露光工程で行うことができる調節工程を説明するための平面図である。部分露光工程では、まず、図11に示すように、樹脂部29を介してフォトレジスト層27とマスク7の表面とを対向させる。その後、調節工程を行うことができる。図12及び図13は、フォトレジスト層とマスクとを対向させた状態を示す平面図である。図12に示すように、フォトレジスト層27とマスク7の表面とを対向させた状態において、マスク7の光透過部7Tの周期方向7Cと、樹脂部29の複数の凹部29Dの周期方向29Cとが、非平行である場合がある。その場合、図13に示すように、マスク7の光透過部7Tの周期方向7Cが、樹脂部29の複数の凹部29Dの周期方向29Cに対して平行になるように、又は、平行に近づくように、マスク7と樹脂部29との相対位置を調節することができる。また、図13に示すように、フォトレジスト層27とマスク7とを対向させた状態において、Z軸方向から見て、マスク7の光透過部7Tと、凹部29Dのうちの少なくとも1つ第1実施形態では3つとが重複するようにする。これにより、図11に示すように、フォトレジスト層27のうちの第1領域27Aはマスク7によって覆われ、フォトレジスト層27のうちの第2領域27Bはマスク7によって覆われない。即ち、本工程において、フォトレジスト層27は、第1領域27Aと第2領域27Bを有し、第1領域27Aは、マスク7の光遮光部7Sに対応する領域であり、第2領域27Bは、マスク7の光透過部7Tに対応する領域である。続いて、図14に示すように、マスク7を介してフォトレジスト層27に露光光LEを照射する。露光光LEは、複数の凹部29Dを通過してフォトレジスト層27に到達する。これにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bのうち、樹脂部29の複数の凹部29Dの下の領域27Eを露光する。この際、フォトレジスト層27のうち、第1領域27Aはマスク7の作用により露光されず、第2領域27Bのうち、樹脂部29によって覆われた領域は樹脂部29の作用によって露光されない。現像工程続いて、現像工程が行われる。図15は、現像工程を説明するための端面図である。本工程では、図15に示すように、アルカリ現像液によってフォトレジスト層27を現像する。これにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bに、複数の凹部27Dを形成する。その結果、フォトレジスト層27の第2領域27Bには、樹脂部29の形状の非反転パターンが転写され、当該第2領域27Bには、複数の凹部27Dが形成される。これらの複数の凹部27Dは、当該第2領域27Bにおけるラインアンドスペースパターンを規定する。フォトレジスト層27の第1領域27Aには、凹部等によって規定されるパターンは形成されない。フォトレジスト層転写工程次に、フォトレジスト層転写工程が行われる。図16~図18は、フォトレジスト層転写工程を説明するための端面図である。本工程では、フォトレジスト層27の第1領域27A及び第2領域27Bの形状を半導体層21に転写する。具体的には、まず、図16に示すように、フォトレジスト層27をマスクとして、例えば、CF4ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、転写層25を選択的にエッチングする。これにより、フォトレジスト層27の形状を転写層25に転写する。転写層25には、ラインアンドスペースパターンを規定する複数の凹部25Dが形成される。続いて、図17に示すように、例えば、O2ガスを用いたプラズマアッシングによって、フォトレジスト層27及び樹脂部29を除去する。続いて、図18に示すように、例えば、CH4とH2の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、転写層25をマスクとして用いて半導体層21をエッチングすることにより、半導体層21に複数の凹部21Dを形成する。その後、例えばフッ酸等を用いたウェットエッチングによって、転写層25を除去する。これにより、半導体層21に、フォトレジスト層27の第1領域27A図15参照に対応する形状を有する非回折格子部21Aが形成される共に、フォトレジスト層27の第2領域27B図15参照に対応する形状を有する回折格子部21Bを形成する。その結果、Y軸に沿った方向を周期方向とするサンプルドグレーティング21P、即ち、Y軸に沿って交互に周期的に設けられた非回折格子部21Aと回折格子部21Bとからなるサンプルドグレーティング21Pが半導体層21に形成される。第1実施形態では、サンプルドグレーティング21Pの回折格子部21Bにおける複数の凹部21Dによって規定されるラインアンドスペースパターンは、モールド1のパターン面1Pの複数の凹部3によって規定されるラインアンドスペースパターン3Pの反転形状に対応する。なお、樹脂部形成工程において転写層25を形成しなかった場合、図15に示すフォトレジスト層27をマスクとして、例えばCH4とH2の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって半導体層21をエッチングした後に、例えば、O2ガスを用いたプラズマアッシングによって、フォトレジスト層27及び樹脂部29を除去することにより、図18に示すように、半導体層21にサンプルドグレーティング21Pが形成される。以上のような工程を経て、第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法が終了する。メサ部形成工程、電極形成工程次に、メサ部形成工程及び電極形成工程が行われる。これらの工程では、まず、図19に示すように、例えば有機金属気相成長法によって、サンプルドグレーティング21Pを形成した半導体層21上に埋め込み層31を形成する。埋め込み層31はサンプルドグレーティング21Pを埋め込んでいる。また、埋め込み層31は、第2導電型の例えばInP等のIII-V族化合物半導体からなる。埋め込み層31は、半導体層21と同様の材料から構成されていてもよいし、異なる材料から構成されていてもよい。埋め込み層31は、第1上部クラッドとして機能する。その後、埋め込み層31、半導体層21、上部光閉じ込め層19、活性層17、下部光閉じ込め層15、及び、下部クラッド層13をウェットエッチング等によってエッチングすることにより半導体メサを形成する。当該半導体メサは、Z軸方向に沿って突出し、Y軸方向に沿って延びるメサ形状を有する。さらに、その半導体メサを埋め込むメサ埋め込み層33を形成した後、メサ埋め込み層33及び埋め込み層31上に第2上部クラッド層35を形成する。メサ埋め込み層33は、例えばFeがドープされたInP等の半絶縁性IIIV族化合物半導体からなる。メサ埋め込み層33は、第1導電型のInP等からなるIIIV族化合物半導体層及び第2導電型のInP等からなるIIIV族化合物半導体層とが積層された積層構造を有してもよい。第2上部クラッド層35は、例えば第2導電型のInP等のIIIV族化合物半導体からなる。なお、第2上部クラッド層35を形成しなくてもよい。その後、第2上部クラッド層35上に、コンタクト層37及び上部電極39をこの順に形成する。コンタクト層37は、例えば第2導電型のGaInAs等のIIIV族化合物半導体からなる。上部電極39は、例えばTi/Pt/Auからなる積層構造を有する。また、半導体基板11の裏面上に下部電極41を形成する。下部電極41は、例えばAuGeNi合金からなる。上述の各工程を経ることによって、サンプルドグレーティング21Pを有する分布帰還型半導体レーザ50を製造することができる。そして、マスク準備工程で準備された異なる態様のマスク7を用いて、上述の各工程を行うことにより、異なる態様のサンプルドグレーティング21Pを半導体層21に形成することができ、また、異なる態様のサンプルドグレーティング21Pを有する分布帰還型半導体レーザ50を製造することができる。上述の第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法においては、形成されるサンプルドグレーティング21Pにおける周期方向に沿った回折格子部21Bの長さや周期方向に沿った非回折格子部21Aの長さを、マスク7の態様、即ち、マスク7における光透過部7Tの周期方向7Cに沿った幅W7Tや、1つの光透過部7Tから隣接する他の光透過部7Tまでの長さB7Tによって制御することができる図5及び図18参照。そのため、複数の態様のマスク7を準備すれば、1種類のモールド1を用いて、複数の態様のサンプルドグレーティング21Pを形成することができる。そして、マスク7の複数の光透過部7Tの周期方向7Cの周期は、モールド1の複数の凹部3dの周期方向3Cの周期よりも大きいため、マスク7の製造コストは、モールド1の製造コストよりも低くすることができる。そのため、第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法によれば、様々な態様のサンプルドグレーティング21Pを低コストで形成することが可能となる。さらに、上述の第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法において、部分露光工程は、フォトレジスト層27とマスク7とを対向させた後に、マスク7の光透過部7Tの周期方向7Cが、樹脂部29の複数の凹部29Dの周期方向29Cに対して平行になるように、又は、平行に近づくように、マスク7と樹脂部29との相対位置を調節する調節工程をさらに含んでいる図12及び図13参照。これにより、サンプルドグレーティング21Pの回折格子部21Bにおける複数の凹部21Dの数、および実質的な回折格子周期が、所望の数および値からずれてしまうことを抑制することができる。また、上述の第1実施形態の半導体レーザの製造方法においては、上述のような形成方法によってサンプルドグレーティング21Pを形成するため、様々な態様のサンプルドグレーティング21Pを低コストで形成することが可能となる。そのため、第1実施形態の半導体レーザの製造方法によれば、様々な態様のサンプルドグレーティング21Pを有する分布帰還型半導体レーザ50を低コストで製造することが可能となる図19参照。第2実施形態次に、第2実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法について説明する。第2実施形態のサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法は、光非透過層エッチング工程をさらに備えている点、及び、樹脂部形成工程と、ナノインプリント工程と、部分露光工程と、フォトレジスト層転写工程の内容において、第1実施形態のサンプルドグレーティングの形成方法及び半導体レーザの製造方法と異なる。以下、主に第1実施形態との相違部分について説明し、特に説明されていない部分については、第1実施形態における場合と同様である。樹脂部形成工程図20は、第2実施形態の樹脂部形成工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図6に対応する。第2実施形態の樹脂部形成工程においては、図20に示すように、半導体層21上に、転写層25と、フォトレジスト層27と、光非透過層28と、樹脂部29と、をこの順に形成する。第1実施形態の転写層25及びフォトレジスト層27は、第1実施形態の転写層25及びフォトレジスト層27とそれぞれ同様の材料からなる。光非透過層28は、後述の紫外線UVを反射及び/又は吸収する材料、例えば、アルミニウムAl、ニッケルNi、クロムCr等の金属材料や、TiO2等の金属酸化材料からなる。第2実施形態の樹脂部29は、プレポリマー、モノマー、光重合開始剤、添加剤などを含む、紫外線のエネルギーによる光重合反応を利用して硬化する樹脂紫外線硬化樹脂からなる。紫外線硬化樹脂の代表的な種類として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂がある。ナノインプリント工程図21及び図22は、第2実施形態のナノインプリント工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図7及び図9にそれぞれ対応する。第2実施形態のナノインプリント工程においては、光ナノインプリント法によってモールド1の複数の凹部3の形状を樹脂部29に転写する。具体的には、まず、図21に示すように、樹脂部29にモールド1のパターン面1Pを押し付けた状態で、モールド1の上方からモールド1を経由して樹脂部29に紫外線UVを照射することにより、樹脂部29を硬化させる。この際、光非透過層28は紫外線UVを反射及び/又は吸収するため、光非透過層28の下のフォトレジスト層27は露光されない。続いて、図22に示すように、モールド1を樹脂部29から離間させ、複数の凹部29Dが光非透過層28に達するように、即ち、複数の凹部29Dにおいて光非透過層28の表面が露出するように、例えば、O2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、樹脂部29をエッチングする。これにより、第1実施形態における場合と同様に、樹脂部29に複数の凹部29Dが形成される。光非透過層エッチング工程続いて、光非透過層エッチング工程が行われる。図23は、第2実施形態の光非透過層エッチング工程を説明するための端面図である。本工程では、図23に示すように、例えば、Cl2ガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、樹脂部29をマスクとして光非透過層28をエッチングすることにより、樹脂部29の形状を光非透過層28に転写する。これにより、光非透過層28に複数の凹部28Dが形成される。部分露光工程光非透過層エッチング工程の後に、部分露光工程が行われる。図24は、第2実施形態の部分露光工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図14に対応する。第2実施形態の部分露光工程では、まず、図24に示すように、樹脂部29及び光非透過層28を介してフォトレジスト層27とマスク7の表面とを対向させる。その後、第1実施形態における場合と同様に調節工程を行うことができる。そして、図24に示すように、第1実施形態における場合と同様にマスク7を介してフォトレジスト層27に露光光LEを照射する。露光光LEは、複数の凹部29Dと複数の凹部28Dを通過してフォトレジスト層27に到達する。これにより、第1実施形態における場合と同様にフォトレジスト層27の第2領域27Bのうち、樹脂部29の複数の凹部29Dの下の領域27Eを露光する。この際、フォトレジスト層27のうち、第1領域27Aは露光されず、第2領域27Bのうち、樹脂部29によって覆われた領域は露光されない。現像工程次に、現像工程が行われる。図25は、第2実施形態の現像工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図15に対応する。第2実施形態の現像工程は、第1実施形態の現像工程と同様である。即ち、アルカリ現像液によってフォトレジスト層27を現像することにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bに、複数の凹部27Dを形成する。フォトレジスト層転写工程続いて、フォトレジスト層転写工程が行われる。図26~図28は、第2実施形態のフォトレジスト層転写工程を説明するための端面図であり、第1実施形態の図16~図18にそれぞれ対応する。本工程では、フォトレジスト層27の第1領域27A及び第2領域27Bの形状を半導体層21に転写する。具体的には、まず、図26に示すように、第1実施形態における場合と同様に、フォトレジスト層27をマスクとして転写層25を選択的にエッチングし、フォトレジスト層27の形状を転写層25に転写することにより、転写層25に複数の凹部25Dを形成する。続いて、図27に示すように、例えば、O2ガスを用いたプラズマアッシングによって、フォトレジスト層27、光非透過層28、及び樹脂部29を除去する。続いて、図28に示すように、第1実施形態における場合と同様に、転写層25をマスクとして用いて半導体層21をエッチングすることにより、半導体層21に複数の凹部21Dを形成する。その後、例えばフッ酸等を用いたウェットエッチングによって、転写層25を除去する。これにより、半導体層21に、第1実施形態における場合と同様のサンプルドグレーティング21Pが形成される。その後、第1実施形態における場合と同様にメサ部形成工程及び電極形成工程をおこなうことにより、サンプルドグレーティング21Pを有する分布帰還型半導体レーザ50を製造することができる図19参照。上述の第2実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法においては、第1実施形態に係るサンプルドグレーティングの形成方法における場合と同様の理由に基づき、様々な態様のサンプルドグレーティング21Pを低コストで形成することが可能となる。また、上述の第2実施形態に係る半導体レーザの製造方法においては、第1実施形態に係る半導体レーザの製造方法における場合と同様の理由に基づき、様々な態様のサンプルドグレーティング21Pを有する分布帰還型半導体レーザ50を低コストで製造することが可能となる図19参照。本発明は上述の実施形態に限定されず、様々な変形態様が可能である。例えば、上述の各実施形態の樹脂部形成工程では、フォトレジスト層27を構成する材料として、ポジ型のフォトレジストを用いているが図6参照、当該材料としてネガ型のフォトレジストを用いることもできる。この場合、部分露光工程及び現像工程を行うことにより、フォトレジスト層27の第2領域27Bには、樹脂部29の形状の反転パターンが転写され図14及び図15参照、サンプルドグレーティング21Pの回折格子部21Bにおける複数の凹部21Dによって規定されるラインアンドスペースパターンは、モールド1のパターン面1Pの複数の凹部3によって規定されるラインアンドスペースパターン3Pの非反転形状に対応する図18参照。また、上述の各実施形態においては、サンプルドグレーティング21Pを活性層17よりも上部に設けられた半導体層21に形成しているが図18参照、活性層17よりも下部に設けられた層にサンプルドグレーティング21Pを形成してもよい。