少なくとも1つの機能的pn接合4を有するパワー半導体構成要素1であって、第1の基本導電率を備えたベース本体2と、第2の導電率を備え、前記ベース本体2の中央に水平配置され、第1の二段階ドーピングプロファイル100を有し、かつ第1の主面6から前記ベース本体2への第1の浸透深さ102を有する井戸状領域10と、前記井戸状領域10と前記パワー半導体構成要素1のエッジとの間に配置されたエッジ構造であって、単一段階ドーピングプロファイル、第2の導電率および第2の浸透深さ202を備え、前記ベース本体2に配置された複数のフィールドリング20、これらフィールドリング20に付設されたフィールドプレート構造40、並びに前記エッジ構造用のパッシベーション30を備えて成るエッジ構造と、を有し、前記第1の浸透深さ102が、前記第2の浸透深さ202の50以下であり、各フィールドリング20に、前記フィールドリング20の中央に水平配置された第1の本体要素42を有するフィールドプレートとして、導電性モールド40が付設され、これら第1の本体要素42の間に、第1のパッシベーション層32が配置されて、前記ベース本体2から側方に離間され、かつ前記パワー半導体構成要素1の前記エッジの方向にて前記付設されたフィールドリング20に水平に突き出る少なくとも1つの第2の本体要素44を有する、パワー半導体構成要素1。第2の本体要素44が、前記パワー半導体構成要素1の中央の方向にて水平に、前記付設されたフィールドリング20を突き出る、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記井戸状領域10における前記第1の主面6での第2のドーパント原子の濃度が、1017~1020cm-2である、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記井戸状領域10の前記二段階ドーピングプロファイル100のレベル130が、前記第1の浸透深さ102の10~40の範囲にあるように構成されている、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。第2の導電率の前記井戸状領域10の表面上に、金属コンタクト層18が配置されている、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記第1のパッシベーション層32の上方に、第2のパッシベーション層34が配置されている、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記第1のパッシベーション層32がシリコン酸化物であり、前記第2のパッシベーション層34がポリイミドである、請求項6に記載のパワー半導体構成要素。前記第1のパッシベーション層32と前記第2のパッシベーション層34の間に、シリコン亜硝酸塩から成る層が配置されている、請求項7に記載のパワー半導体構成要素。前記第2のパッシベーション層34が、前記導電性モールド40を完全に覆う、請求項6に記載のパワー半導体構成要素。前記導電性モールド40およびその本体要素42、44が、金属またはドープされたポリシリコンを備えて構成される、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記ベース本体2の内部に延び、第3の浸透深さ502を有する第1の導電率の第2の二段階ドーピングプロファイル500が前記第2の主面8から形成され、この第2のドーピングプロファイル500の第1のドーピングの前記第3の浸透深さ502が、前記ベース本体2の横方向範囲の半分の領域にある、請求項1に記載のパワー半導体構成要素。前記第2のプロファイル要素540が第4の浸透深さ542を有し、前記第2の二段階ドーピングプロファイル500における前記第2のプロファイル要素540の前記第4の浸透深さ542が、前記第1のプロファイル要素520の前記第3の浸透深さ522の40~70、好ましくは50~60である、請求項11に記載のパワー半導体構成要素。前記第2の二段階ドーピングプロファイル500における前記第2のプロファイル要素540の前記第4の浸透深さ542が、前記ベース本体2の横方向範囲の少なくとも20、好ましくは少なくとも30である、請求項12に記載のパワー半導体構成要素。前記第1のプロファイル要素520によって生成された、前記第1の導電率を備えた前記第2の主面8でのドーパント原子の濃度が、前記第2のプロファイル要素540によって生成された濃度より少なくとも2桁小さい、請求項11に記載のパワー半導体構成要素。前記第2の主面8でのドーパント原子の濃度が、1018~1021cm-2である、請求項14に記載のパワー半導体構成要素。本発明は、粒子照射を含まない単純な製造プロセスに適し、同時に小さな逆電流ならびに低い順方向損失およびスイッチング損失を有するパワー半導体構成要素を提供する目的に基づいている。本発明は、請求項1の特徴を有するパワー半導体構成要素によって目的を達成する。好ましい実施形態は、それぞれの従属請求項に記載される。本発明によるパワー半導体構成要素は、フロー制御バルブとしての、好ましくはダイオードとしての機能を生成するための少なくとも1つの機能的pn接合を有する。この目的のために、パワー半導体構成要素は、第1の基本導電率を備えたベース本体を有するが、このベース本体は、典型的には1013~1014cm-3の低いドーピング濃度を備えたnドーピングを伴うことが多く、通常n-ドーピングの形態をしている。このベース本体に埋め込まれ、かつ第1の主面に隣接する第1の側の中央に水平に配置されて、パワー半導体構成要素は、第2の導電率の井戸状領域を有するが、この領域は、第1の二段階ドーパントプロファイルを有するように、および第1の主面からベース本体の中へと第1の浸透深さを有するように設計される。この文脈において、井戸状領域の二段階ドーピングプロファイルのレベルが、第1の浸透深さに対して10~40の範囲に置かれる場合には好ましい。金属コンタクト層による電気コンタクト接続の理由で、井戸状領域の第1の主面における第2のドーパント原子の濃度が、1017~1020cm-2である場合には、それは、同様に有利である。この場合および以降において、ドーピングプロファイルの浸透深さは、ドーピングが実行される表面から、ドーパント濃度が基本ドーピングの絶対値に達するまでの距離を意味すると理解されるように意図されている。同様に第1の主面において、この井戸状領域とパワー半導体構成要素のエッジとの間に配置されているのは、単一段階ドーパントプロファイルと、第2の導電率と、第2の浸透深さと、を備えた複数のフィールドリングを含むエッジ構造である。このエッジ構造は、フィールドリングおよびまた関連パッシベーション不動態化に関連する関連フィールドプレート構造を有する。本発明によれば、第1の浸透深さは、第2の浸透深さの50以下である。フィールドプレート構造は、各フィールドリングに関連して導電性モールドから作製されるが、導電性モールドには、それぞれ、第1の本体要素がフィールドリングの中央に水平に配置されている。第1のパッシベーション層が、これらの第1の本体要素間に水平に設けられる。さらに、第1のパッシベーション層によってベース本体から離間されるように配置された、導電性モールドの少なくとも1つのそれぞれの第2の本体要素が設けられる。この場合には、この1つのそれぞれの第2の本体要素は、パワー半導体構成要素のエッジの方向において水平に、関連するフィールドリング上に突き出る。さらに、少なくとも1つの、またはさらなる第2の本体要素が、パワー半導体構成要素の中央の方向において水平に、少なくとも1つの関連するフィールドリング上に突き出る場合には、それは好ましくなり得る。有利なことに、第1のパッシベーション層は、その上に配置された第2のパッシベーション層を有するが、この第2のパッシベーション層は、導電性モールドまたは第1のパッシベーション層を完全に覆う。この場合に、シリコン亜硝酸塩の層が、第1および第2のパッシベーション層間に配置されるのがまた好ましくなり得る。パワー半導体構成要素の第2の主面に隣接する、関連する第2の側の有利な構成は、次の特徴を有する。2つのプロファイル要素および第3の浸透深さの第1の導電率を備えた第2の二段階ドーピングプロファイルが、第2の主面から、ベース本体の中へと延びる。この場合に、この第3の浸透深さ、すなわち、この第2のドーピングプロファイルの第1のプロファイル要素の深さは、電圧クラスおよびしたがってパワー半導体構成要素の必要な厚さに依存して、ベース本体の横方向範囲のほぼ半分である。第2のプロファイル要素が、第4の浸透深さを有し、この第4の浸透深さが、第1のプロファイル要素の第3の浸透深さの40~70、好ましくは50~60である場合には、それはまた好ましい。したがって、第2のドーピングプロファイルの合計浸透深さは、その第1のプロファイル要素の浸透深さと同一である。さらに、第2の二段階ドーピングプロファイルの第2のプロファイル要素の第4の浸透深さは、ベース本体の横方向範囲の少なくとも20、好ましくは少なくとも30であるように意図されている。第1のプロファイル要素によって生成された、第1の導電率を備えた第2の主面上のドーパント原子の濃度が、第2のプロファイル要素によって生成された濃度より少なくとも2桁小さく、第2の主面上のドーパント原子の濃度が1018~1021cm-2である場合に、それは同様に好ましい。通常、この第2の主面は、井戸状領域のコンタクト金属化に匹敵する、さらなるコンタクト金属化を自身の上に配置する。この場合に、これらの金属化の特定の構成は、用いられることになるそれぞれの外部接続技術と一致する。本発明による解決法は、例示的な実施形態および図1~6に関してさらに説明する。図1は、本発明によるパワー半導体構成要素1の詳細を断面で示し、一方で図2は、本発明によるパワー半導体構成要素1、この場合には1200V電圧クラスのパワーダイオードの第1の主面における関連するドーピング濃度を、その厚さにわたって示す。図1は、多様なパワー半導体ダイオードからの例で分かるように、第1の基本導電率、典型的には弱いnドーピングを備えたベース本体2の詳細を示す。第1の主面6上およびそこからベース本体2の内部に横に延びて、pn接合4を生成するための第2の、この場合にはp型の導電率の井戸状領域10が示されている。本発明によれば、この井戸状領域10は、二段階ドーピングプロファイル100によって生成され、その結果、合計浸透深さ102は浅く、この場合には3μm~4μmの範囲である。同時に、井戸状領域10の表面におけるドーパント濃度は、金属コンタクト層18が自身の上に配置された接合部における電気抵抗を十分に低くするために、十分に高く、この場合には1017~1018cm-2の範囲である。この場合に、この第1のドーピングプロファイル100のレベル130が、合計プロファイルの浸透深さ102の10~40の範囲にあるように設計される場合には好ましい。このドーピングプロファイルは、最終的には合計浸透深さ102と、および前記第1のドーピングプロファイル100を生成するために適した第2の浸透深さ142を備えた第2のプロファイル要素と同一である、3μm~4μmの第1の浸透深さ122を備えた2つのプロファイル要素によって形成される。このように生成されるこの井戸状領域10は、パワー半導体構成要素1のベース本体2の中央に水平に配置され、かつ四方をエッジ領域によって囲まれる。このエッジ領域は、複数のフィールドリング20をベース本体2に有するが、これらのフィールドリング20は、それらに関する限り、第2の、この場合にはn型の導電率の第2の単一段階ドーピングプロファイル200、図6を参照で生成される。この場合の顕著な特徴は、フィールドリング20のこの第2のドーピングプロファイル200の浸透深さ202が、井戸状領域10の第1のドーピングプロファイル100の浸透深さ102より大きいということである。この第1の浸透深さ102が、第2の浸透深さ202の、理想的には30まで、50以下である場合には好ましい。エッジ領域はまた、フィールドプレート構造を有するが、この場合には個々の導電性モールド40が、このフィールドプレート構造を生成する。それぞれの導電性モールド40は、本体要素42、44と一体化して作製されるが、それぞれの第1の本体要素42は、関連するフィールドリングの中央に水平方向に、かつそれと電気接触して配置される。この場合に、導電性モールド40全体には、金属または適切にドープされたポリシリコンが含まれる。井戸状領域10の金属コンタクト層18ならびに第1の水平に隣接する本体要素42およびまた全てのさらなる第1の本体要素42は、それらの間に配置される第1のパッシベーション層32を有するが、この第1のパッシベーション層32は、この領域におけるベース本体2の酸化によって形成されたシリコン酸化物を有利に含む。それぞれの導電性モールド40の第2の本体要素44は、ベース本体2から離間されるように配置され、かつ少なくともエッジの方向において、しかし少なくとも導電性モールド40の場合には有利にまた、第1の本体要素42に水平に重なり、この重なりが、関連するフィールドリング20の水平範囲を超えるようにする。示されているのはまた、好ましくはポリイミドから形成された第2のパッシベーション層34であり、このパッシベーション層34は、第1のパッシベーション層32およびまたフィールドプレート構造40の自由領域を完全に覆う。また、シリコン亜硝酸塩を含む中間層を2つのパッシベーション層32、34間に配置するのが好ましくなり得る。図3は、本発明によるパワー半導体構成要素1の2つのさらなる実施形態の詳細を示す。図3aに示す実施形態は、第1のフィールドリング20が、井戸状領域10と重なり合う点で、すなわち、井戸状領域10と第1のフィールドリングとの間に間隔がないという点で、図1に示す実施形態と異なる。さらに、井戸状領域10の金属コンタクト層18は、この場合には、第1のフィールドリング20aの導電性モールド40aと一体化して作製される。図3bに示す構成では、井戸状領域10の金属コンタクト層18は、同様に、第1のフィールドリング20aの導電性モールド40aと一体化して作製されるが、この場合に、このフィールドリング20aは、図1に示す構成と類似の方法で井戸状領域10から離間される。この場合には、図1に示す構成の場合におけるように、第1のパッシベーション層32aが、井戸状領域10と、第1のフィールドリング20aの第1の導電性モールド40aにおける第1の本体要素との間で水平に、ベース本体2上の領域で配置される。図4および5は、先行技術に基づいたパワー半導体構成要素の第1の主面の厚さに対してプロットされたドーピング濃度を示す。図4は、単一段階の深いドーピングプロファイルが、この場合には第2の側に生成された1200V電圧クラスにおけるパワーダイオード用の典型的なプロファイルを示す。単一段階プロファイルの場合には、この深いドーピングは、ドーピングプロファイルの最初にパワーダイオード内部においてできるだけ小さな傾斜を生成するために、および同時に表面における高ドーパント濃度を達成して、金属コンタクト層に対する電気抵抗をできるだけ低く維持するために必要である。したがって、かかるプロファイルはまた、ベース本体用に、この場合には240μmを超える比較的大きな横方向範囲を必要とする。図5は、先行技術に基づいて、単に140μmの厚さおよび二段階ドーピングプロファイルを備えた1200V電圧クラスにおける、対照的に薄ウエハ技術を用いて作製されたパワーダイオードを示すが、このドーピングプロファイルのレベルは、第2の表面にほとんど直に接して生成される。図6は、本発明によるパワー半導体構成要素1、この場合には同様に1200V電圧クラスにおけるパワーダイオードの、第1の主面6、図1を参照から進んだそれらの厚さに対してプロットされた合計ドーピング濃度およびまたドーピングプロファイルを示す。図2に既に示したような第1のドーパント濃度が、第1の主面上に示されている。さらに、フィールドリング用の第2の浸透深さ202を備えた第2のドーピングプロファイル200が、この場合に示されている。第2の主面8、図1を参照からスタートする第2の側は、図5に示すパワーダイオードの場合におけるように、原則として二段階ドーパントプロファイルを有する。しかしながら、先行技術とは対照的に、この場合におけるウエハの横方向範囲は、薄ウエハ技術の欠点の処理およびまたこの場合に必要とされるアブレージョンプロセスを回避するために、より大きくなるように選択される。さらに、このパワーダイオードに関して、ドーパント原子のより高い濃度でのそのドーピングの浸透深さ、およびドーピングプロファイルを形成する2つの個々のプロファイルの比率は、図5に示す先行技術とは異なるように選択される。第3の浸透深さ522およびしたがって第2のドーピングプロファイル全体を備えた、より低くて浅い第1のプロファイル要素520は、1200V電圧クラスにおけるこのダイオードの場合には、パワーダイオード1のベース本体のほぼ中央まで横に延びるその浸透深さ502を有する。第2およびより急勾配のプロファイル要素540は、第3の浸透深さ522の40~70、好ましくは50~60の第4の浸透深さ542を有する。さらに、この第2のプロファイル要素540は、ベース本体の、この場合には200μmの横方向範囲の少なくとも20である浸透深さ542を有する。第2の二段階ドーピングプロファイル500のこの形態によって、プロファイルのスタートにおける低勾配の生成、および第2の主面における1018~1021cm-2のドーパント原子濃度の達成が同時に可能になる。第2に、第2の二段階ドーピングプロファイル500のこの構成は、図5に示す横方向範囲を超える、ベース本体の横方向範囲を有するが、これは、薄ウエハ技術の欠点の処理が発生しないことを意味する。