複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置であって、半導体基板と、前記半導体基板内に前記複数の画素に対応して形成された、入射した光を光電変換することで信号電荷を生成する複数の光電変換部と、前記半導体基板の上方に前記複数の画素に対応して形成された複数のカラーフィルタとを備え、隣り合う前記カラーフィルタとの間の領域であって前記半導体基板側の領域に、前記カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域が形成され、前記複数のカラーフィルタのそれぞれは、前記低屈折率領域の上方で、隣り合う前記カラーフィルタと接している固体撮像装置。前記低屈折率領域は、空洞、又は、前記カラーフィルタより屈折率が低い材料を含む領域である請求項1記載の固体撮像装置。前記低屈折率領域は、前記カラーフィルタより屈折率が低いシリコン酸化物を含む請求項2記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域内に形成された、光を遮るための第1遮光部を備える請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1遮光部は、タングステン、アルミニウム、銅、及び、チタンの少なくとも1つを含む請求項4記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記複数の光電変換部間に形成され、前記複数の光電変換部とは異なる導電型の複数の不純物領域を含む分離部を備え、前記低屈折率領域の前記半導体基板側の面の幅は、前記分離部の前記カラーフィルタ側の面の幅より短い請求項1~5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域と前記半導体基板との間に形成された、光を遮る第2遮光部を備える請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域と前記半導体基板との間に形成された、前記カラーフィルタより屈折率が高い高屈折率膜を備える請求項1~7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記高屈折率膜は、チタン酸化物、シリコン窒化物、及び、タンタル酸化物の少なくとも1つを含む請求項8記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記複数のカラーフィルタの上方に前記複数の画素に対応して形成された複数のレンズを備える請求項1~9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、さらに、前記半導体基板の下方に形成された、前記複数の光電変換部によって生成された信号電荷を検出する検出回路部を備える請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板内に前記複数の画素に対応して、入射した光を光電変換することで信号電荷を生成する複数の光電変換部を形成する工程と、前記半導体基板の上方に、複数のカラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域を形成する工程と、前記複数の画素に対応して前記半導体基板の上方に、前記複数のカラーフィルタを形成する工程とを含み、前記低屈折率領域を形成する工程では、隣り合う前記カラーフィルタとの間の領域であって前記半導体基板側の領域に、前記低屈折率領域を形成し、前記カラーフィルタを形成する工程では、前記低屈折率領域の上方で、隣り合う前記カラーフィルタが接するように、前記複数のカラーフィルタを形成する固体撮像装置の製造方法。前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記半導体基板の上方において、前記複数の画素の境界の少なくとも一部を含む領域に、光を遮るための遮光部を形成する工程を含み、前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、前記遮光部を内部に含むように前記低屈折率領域を形成する請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、前記複数のカラーフィルタより屈折率が低い材料を形成する工程と、形成した前記材料をパターニング及びエッチングすることで、前記低屈折率領域を形成する工程とを含む請求項12又は13記載の固体撮像装置の製造方法。前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、シリコンを形成する工程と、形成したシリコンをパターニング及びエッチングすることで、隣り合う前記カラーフィルタの間の領域に、前記シリコンからなる凸部を形成する工程と、前記複数のカラーフィルタを形成した後に、前記凸部まで貫通する孔を前記複数のカラーフィルタに形成する工程と、前記孔を介して、シリコンを除去するためのガスに前記凸部を曝して、前記凸部を除去することで、空洞である前記低屈折率領域を形成する工程とを含む請求項12又は13記載の固体撮像装置の製造方法。しかしながら、上記従来技術では、空洞部にキャップ層が不均一に埋め込まれるため、画素間で感度特性にばらつきが生じる。また、空洞部を透過する入射光が、隣接画素へ到達することによるクロストークや、遮光金属で反射することによるフレアなどの課題がある。例えば、上記特許文献1及び特許文献3に記載された構造では、カラーフィルタ上部にキャップ層が必要となる。キャップ層を成膜する際に、カラーフィルタ間が空洞部であるため、原理的に一部分のキャップ層材が、空洞部に埋め込まれる。そして、キャップ層材が空洞部に不均一に埋め込まれることで、各画素で感度特性ムラが発生し、画素間、チップ間で感度特性にばらつきが生じるという課題がある。また、上記特許文献1~3に記載された構造では、上述したように、カラーフィルタ間に低屈折率材料又は空洞部が形成されている。よって、カラーフィルタ間への入射光は、シリコン基板表面又は遮光配線へ到達する。入射光がシリコン基板表面に到達する場合、隣接画素への入射光のクロストークによって混色が生じるという課題がある。また、入射光が遮光配線へ到達する場合、遮光配線の表面で光が反射して、高光強度で特に顕著となるフレアが発生し、画質が低下するという課題がある。そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、カメラモジュールの小型化及び画素サイズの微細化を実現するとともに、高感度、低混色及び高画質を実現することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置であって、半導体基板と、前記半導体基板内に前記複数の画素に対応して形成された、入射した光を光電変換することで信号電荷を生成する複数の光電変換部と、前記半導体基板の上方に前記複数の画素に対応して形成された複数のカラーフィルタとを備え、隣り合う前記カラーフィルタとの間の領域であって前記半導体基板側の領域に、前記カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域が形成され、前記複数のカラーフィルタのそれぞれは、前記低屈折率領域の上方で、隣り合う前記カラーフィルタと接している。これにより、斜入射光の入射角度が高角度でも、カラーフィルタの側面と低屈折率領域との境界における屈折率の差によって、大部分の光が反射される。よって、隣接画素への光の漏れ込みの低減が図れ、高集光、したがって、高感度及び低混色を実現することができる。また、低屈折率領域の上部は、カラーフィルタで被覆されているため、上方にレンズを形成しても、カラーフィルタ間の低屈折率領域の形状のバラツキを低減することができる。そして、半導体基板面からの反射光は、カラーフィルタ間の低屈折率領域上のカラーフィルタで大部分の光が吸収されるため、高光強度でもフレアを低減し、高画質を実現することができる。また、前記低屈折率領域は、空洞、又は、前記カラーフィルタより屈折率が低い材料を含む領域であってもよい。これにより、カラーフィルタ内の入射光は、カラーフィルタと低屈折率領域との境界で反射するため、隣接画素への光の漏れ込みを低減することができ、高感度を実現することができる。また、前記低屈折率領域は、前記カラーフィルタより屈折率が低いシリコン酸化物を含んでもよい。これにより、例えば、カラーフィルタ下方の平坦化膜として形成するシリコン酸化膜をエッチングすることで、容易に低屈折率領域を形成することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域内に形成された、光を遮るための第1遮光部を備えてもよい。これにより、第1遮光部により、低屈折率領域に漏れ込む入射光が半導体基板へ到達することを妨げられるため、隣接画素への光の漏れ込みの低減が図れ、高感度を実現することができる。また、第1遮光部からの反射光は、低屈折率領域上方のカラーフィルタで光が吸収されるため、高光強度でもフレアを低減し、高画質を実現することができる。そして、カラーフィルタと光電変換部との間の距離が縮まり、高感度を実現することができる。また、前記第1遮光部は、タングステン、アルミニウム、銅、及び、チタンの少なくとも1つを含んでもよい。これにより、低屈折率領域内への入射光が半導体基板内へ到達するのを妨げるため、半導体基板内へ光の入射を防止して隣接画素へ光の漏れ込みを低減でき、高感度を実現することができる。そして、第1遮光部を薄膜にできるため、カラーフィルタと光電変換部との間の距離が縮まり、高感度を実現することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記複数の光電変換部間に形成され、前記複数の光電変換部とは異なる導電型の複数の不純物領域を含む分離部を備え、前記低屈折率領域の前記半導体基板側の面の幅は、前記分離部の前記カラーフィルタ側の面の幅より短くてもよい。これにより、カラーフィルタ内の入射光は、半導体基板内の分離部へ漏れ込むことなく光電変換部へ到達するために、高感度を実現することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域と前記半導体基板との間に形成された、光を遮る第2遮光部を備えてもよい。これにより、低屈折率領域内への入射光は、半導体基板内へ到達しないため、カラーフィルタで分光されない光が光電変換部に蓄積されず、各色感度が向上する。また、半導体基板内へ光の入射を防止することができ、隣接画素への光の漏れ込みを低減することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記低屈折率領域と前記半導体基板との間に形成された、前記カラーフィルタより屈折率が高い高屈折率膜を備えてもよい。これにより、光の集光効率をさらに高めることができ、高感度を実現することができる。また、前記高屈折率膜は、チタン酸化物、シリコン窒化物、及び、タンタル酸化物の少なくとも1つを含んでもよい。これにより、耐湿性を確保しながら、感度向上を実現することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記複数のカラーフィルタの上方に前記複数の画素に対応して形成された複数のレンズを備えてもよい。これにより、集光効率が改善して、感度向上を実現することができる。また、前記固体撮像装置は、さらに、前記半導体基板の下方に形成された、前記複数の光電変換部によって生成された信号電荷を検出する検出回路部を備えてもよい。これにより、カラーフィルタと光電変換部との間の距離が縮まり、感度向上、低混色を実現することができる。また、本発明の一態様に係る固体撮像装置の製造方法は、複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置の製造方法であって、半導体基板内に前記複数の画素に対応して、入射した光を光電変換することで信号電荷を生成する複数の光電変換部を形成する工程と、前記半導体基板の上方に、複数のカラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域を形成する工程と、前記複数の画素に対応して前記半導体基板の上方に、前記複数のカラーフィルタを形成する工程とを含み、前記低屈折率領域を形成する工程では、隣り合う前記カラーフィルタとの間の領域であって前記半導体基板側の領域に、前記低屈折率領域を形成し、前記カラーフィルタを形成する工程では、前記低屈折率領域の上方で、隣り合う前記カラーフィルタが接するように、前記複数のカラーフィルタを形成する。これにより、斜入射光の入射角度が高角度でも、カラーフィルタの側面と低屈折率領域との境界における屈折率の差によって、大部分の光が反射される。よって、隣接画素への光の漏れ込みの低減が図れ、高感度及び低混色の固体撮像装置を製造することができる。また、低屈折率領域の上部は、カラーフィルタで被覆されているため、上方にレンズを形成しても、カラーフィルタ間の低屈折率領域の形状のバラツキを低減することができる。そして、半導体基板面からの反射光は、カラーフィルタ間の低屈折率領域上のカラーフィルタで大部分の光が吸収されるため、高光強度でもフレアを低減し、高画質の固体撮像装置を製造することができる。また、前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記半導体基板の上方において、前記複数の画素の境界の少なくとも一部を含む領域に、光を遮るための遮光部を形成する工程を含み、前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、前記遮光部を内部に含むように前記低屈折率領域を形成する工程と、前記複数の画素に対応して前記半導体基板の上方に、前記複数のカラーフィルタを形成してもよい。これにより、遮光部により、低屈折率領域に漏れ込む入射光が半導体基板へ到達することを妨げられるため、隣接画素への光の漏れ込みの低減が図れ、高感度を実現することができる。また、遮光部からの反射光は、低屈折率領域上方のカラーフィルタで光が吸収されるため、高光強度でもフレアを低減し、高画質を実現することができる。そして、カラーフィルタと光電変換部との間の距離が縮まり、高感度を実現することができる。また、前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、前記複数のカラーフィルタより屈折率が低い材料を形成する工程と、形成した前記材料をパターニング及びエッチングすることで、前記低屈折率領域を形成する工程とを含んでもよい。これにより、例えば、カラーフィルタ下方の平坦化膜として形成するシリコン酸化膜をエッチングすることで、容易に低屈折率領域を形成することができる。また、前記低屈折率領域を形成する工程では、前記半導体基板の上方に、シリコンを形成する工程と、形成したシリコンをパターニング及びエッチングすることで、隣り合う前記カラーフィルタの間の領域に、前記シリコンからなる凸部を形成する工程と、前記複数のカラーフィルタを形成した後に、前記凸部まで貫通する孔を前記複数のカラーフィルタに形成する工程と、前記孔を介して、シリコンを除去するためのガスに前記凸部を曝して、前記凸部を除去することで、空洞である前記低屈折率領域を形成する工程とを含んでもよい。これにより、形状のバラツキの少ない空洞を形成することができるので、高感度の固体撮像装置を製造することができる。本発明によれば、カメラモジュールの小型化及び画素サイズ微細化を実現しながら、高感度、低混色及び高画質を実現することができる。以下、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置及びその製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、他の実施の形態との組み合わせも可能である。実施の形態1本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置は、複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置であって、半導体基板の第1主面の上方に複数の画素に対応して形成された複数のカラーフィルタを備え、隣り合うカラーフィルタとの間の領域であって半導体基板側の領域に、カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域が形成され、複数のカラーフィルタのそれぞれは、低屈折率領域の上方で、隣り合うカラーフィルタと接している。まず、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置の回路構成の一例について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10の一例を示す回路構成図である。本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、図1に示すように、複数の画素部100がアレイ状に配列されたMOSMetalOxideSemiconductor型の固体撮像装置である。図1に示すように、固体撮像装置10は、撮像領域17と、垂直シフトレジスタ18と、水平シフトレジスタ19と、出力端21とを備える。撮像領域17には、複数の画素部100がアレイ状に配列されている。複数の画素部100はそれぞれ、光電変換部フォトダイオード11と、浮遊拡散層フローティングディフュージョン12と、転送トランジスタ13と、増幅トランジスタ14と、リセットトランジスタ15と、選択トランジスタ16とを備える。光電変換部11は、入射光を光電変換することで、信号電荷を生成する。光電変換部11によって生成された信号電荷は、転送トランジスタ13によって浮遊拡散層12に転送される。浮遊拡散層12に転送された電荷は、増幅トランジスタ14によって増幅され、垂直シフトレジスタ18によって制御された選択トランジスタ16、及び、出力信号線20を介し、水平シフトレジスタ19によって、出力端21から出力される。なお、浮遊拡散層12に蓄積されている余剰電荷は、ドレイン領域が電源線に接続されたリセットトランジスタ15により排出される。図1には示していないが、画素毎に、各フォトダイオードの上方に、緑色光を透過する緑フィルタ、赤色光を透過する赤フィルタ、及び、青色光を透過する青フィルタのいずれかが形成される。また、各フィルタの上方に、オンチップマイクロレンズが形成され、集光効率の向上が図られる。続いて、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10が備える画素部100の断面構成の一例について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態1に係る画素部100の構成の一例を示す断面図である。本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、第1主面光入射面と、当該第1主面の反対側の面である第2主面とを有する半導体基板と、半導体基板内に複数の画素に対応して形成された、第1主面側から入射した光を光電変換することで、信号電荷を生成する複数の光電変換部とを備える。また、固体撮像装置10は、半導体基板の第2主面側に形成された、複数の光電変換部によって生成された信号電荷を検出する検出回路部を備える。検出回路部は、トランジスタ112及び多層配線114を含んでいる。さらに、固体撮像装置10は、複数の光電変換部のそれぞれの間、及び、複数の光電変換部と検出回路部との間を電気的に分離する分離部とを備える。具体的には、図2に示すように、半導体基板の一例であるシリコン層101内に、n型第1導電型の拡散領域からなるフォトダイオード111と、フォトダイオード111に蓄積された電荷を読み出すトランジスタ112とが形成されている。なお、トランジスタ112は、画素部100が備えるトランジスタであり、例えば、転送トランジスタ13、増幅トランジスタ14、又は、選択トランジスタ16である。図2には、一例として、転送トランジスタ13がトランジスタ112として表れている。このように、図2の例では、各種トランジスタを含む検出回路部は、半導体基板の下方に形成されている。フォトダイオード111は、光電変換部の一例であり、シリコン層101の表面から裏面まで広がっている。複数のフォトダイオード111のそれぞれの間には、分離領域120が形成されている。分離領域120は、分離部の一例であり、例えば、シリコン酸化物などの絶縁材料から構成される。なお、フォトダイオード111は、図1に示す光電変換部11に相当する。なお、半導体基板の第1主面は、フォトダイオード111に光が入射する面である光入射面であり、図2では、シリコン層101の上面である。また、半導体基板の第2主面は、光入射面と反対側の面であり、図2では、シリコン層101の下面である。トランジスタ112は、MOS型構造を用いており、拡散領域112aを取り囲むように、絶縁膜からなるSTIShallowTrenchIsolation分離領域112bが形成され、拡散領域112a下方にゲート酸化膜図示せずを介して、ゲート電極112cが形成されている。ゲート電極112c下方には、多層の絶縁膜シリコン酸化膜、シリコン窒化膜113が形成され、当該絶縁膜113内に多層配線114が形成される。多層配線114を介して、トランジスタ112は制御される。本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、光入射面とは反対側の面から、フォトダイオード111によって生成された信号電荷を電気信号として取り出す。さらに、多層の絶縁膜113の下方に、支持基板102が、貼り合わされている。シリコン層101は、例えば1~5μmと薄層である。このため、支持基板102は、例えば、シリコン基板であって、補強の役割を担う。これにより、固体撮像装置10の強度を向上させることができる。また、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、さらに、第1主面側に、すなわち、半導体基板の上方に、複数の画素に対応して形成された複数のカラーフィルタ122a~122cを備える。複数のカラーフィルタ122a~122cのそれぞれは、隣り合うカラーフィルタの境界を含む領域のうち半導体基板の逆側の領域では、隣り合うカラーフィルタと接している。言い換えると、複数のカラーフィルタ122a~122cのそれぞれは、隣り合うカラーフィルタ間の領域であって、半導体基板の逆側の領域では、隣り合うカラーフィルタと接している。また、隣り合うカラーフィルタの境界を含む領域のうち半導体基板側の領域には、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い低屈折率領域が形成されている。言い換えると、隣り合うカラーフィルタ間の領域であって、半導体基板側の領域には、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い低屈折率領域が形成されている。具体的には、トランジスタ112が形成されている側のシリコン層101の面である第2主面と反対側の第1主面の上方に、シリコン酸化膜115を介して、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が高い高屈折率膜の一例であるシリコン窒化膜116が5~100nmの厚みで形成されている。シリコン窒化膜116を設けることで、フォトダイオード111への入射光強度が増加して、緑550nm光の感度が約20改善する。このように、低屈折率領域と半導体基板との間に、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が高い高屈折率膜を備えてもよい。なお、シリコン窒化膜116の代わりに、チタン酸化物TiO2、及び、タンタル酸化物TaOの少なくとも1つを含む高屈折率膜を備えていてもよい。また、シリコン窒化膜116の上方にシリコン酸化膜117が形成されて、シリコン酸化膜117上に、遮光の役割を担う第2遮光部の一例である金属膜118が格子状に形成されている。本発明の実施の形態1では、金属膜118の材料として、薄膜での光遮光性が高いタングステン材料を用いている。なお、金属膜118の材料として、アルミニウム又は銅を用いてもよい。また、金属膜118の厚みは、200~500nmである。金属膜118は、後述する低屈折率領域の一例である凸部121と第1主面との間に形成されている。金属膜118の上方に、シリコン酸化膜からなる絶縁膜119がある。絶縁膜119の厚みは、300~2000nmである。さらに、絶縁膜119上に、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い凸部121が形成されている。具体的には、凸部121は、分離領域120の上方に形成され、すなわち、画素と画素との境界線に沿って形成されている。例えば、凸部121は、格子状に形成されて、高さ100~500nmである。さらに、各フォトダイオード111上方の凸部121の間に、カラーフィルタ122a~122cが形成されている。言い換えると、凸部121は、隣り合うカラーフィルタ122a~122cの間の領域に形成されている。つまり、隣り合うカラーフィルタ122a~122cの境界を含む領域のうち、半導体基板側の領域には、低屈折率領域の一例である凸部121が形成されている。また、凸部121は、カラーフィルタ122a~122cで覆われており、凸部121上部で隣接画素とのカラーフィルタ境界を設けている。すなわち、隣り合うカラーフィルタ122a~122cの境界を含む領域のうち、半導体基板の逆側の領域では、隣り合うカラーフィルタは互いに接している。言い換えると、図2に示すように、凸部121の上方で隣り合うカラーフィルタは、互いに接している。なお、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、例えば、ベイヤ配列の固体撮像装置であり、カラーフィルタ122aは、透過光強度で青色光が高い青フィルタであり、カラーフィルタ122bは、透過光強度で緑色光が高い緑フィルタであり、カラーフィルタ122cは、透過光強度で赤色光が高い赤フィルタである。複数のカラーフィルタ122a~122cは、複数の画素部100に対応して形成されている。つまり、画素毎にカラーフィルタが形成されている。各カラーフィルタの厚みは300~1000nmであり、凸部121の高さよりも厚い。凸部121は、シリコン酸化物を含む領域で形成されている。あるいは、凸部121は、空洞であってもよい。なお、空洞の場合は、図5及び図6で示す製造方法で実現できる。このように、凸部121間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込み、カラーフィルタ122a~122cの下部の間に低屈折率領域である凸部121を設けることで、カラーフィルタ内を通過する斜入射光が凸部121界面で反射する。つまり、導波路構造となり、隣接画素への光の漏れ込みクロストークを低減することができ、高感度が実現できる。なお、本発明の実施の形態1では、カラーフィルタ122a~122cの屈折率は、1.5~1.9程度であり、凸部121の屈折率は、シリコン酸化膜の場合は約1.4、空洞の場合は約1である。シリコン酸化膜を凸部121に用いた場合に、従来比20増の高感度を実現できる。また、空洞を凸部121に用いた場合に、従来比40増の高感度を実現できる。また、凸部121上にカラーフィルタ122a~122cを設けることで、カラーフィルタ内で所望の光以外を吸収するため、金属膜118での反射の戻り光による影響で、カバーガラス、レンズ界面との乱反射によるフレアを低減できる。特に、高強度な光で効果的となり、従来比20減の戻り光の削減を実現できる。なお、本発明の実施の形態1では、トランジスタ112が形成されている側のシリコン層101の面である第2主面と反対側の第1主面の上方に、カラーフィルタ122a~122cを凸部121の間に形成した。これに対して、トランジスタ112が形成されている第2主面側の多層配線114の上方図2における絶縁膜113の下面に形成しても、同様な効果が得られる。ただし、多層配線114による光反射が増加するため、従来比10増の高感度までしか実現できない。さらに、固体撮像装置10は、複数のカラーフィルタ122a~122cの上方に、画素毎に形成された複数のレンズ124を備える。具体的には、カラーフィルタ122a~122cの上には、平坦化膜123を介して、レンズ124が形成されている。平坦化膜123は、例えば、有機物から構成される。レンズ124を設けることで、高集光可能となり、従来比30増の高感度を実現できる。なお、固体撮像装置10は、レンズ124を備えていなくてもよい。次に、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10の製造方法について、図3及び図4を用いて説明する。なお、図3及び図4は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、図3のaに示すように、シリコン基板SOISiliconOnInsulator基板を含む内に、一般的な固体撮像装置の製造方法で、フォトダイオード111、分離領域120、トランジスタ112を含む各種トランジスタ、多層の絶縁膜113、及び、多層配線114を形成する。続いて、図3のbに示すように、支持基板102としてシリコン基板を絶縁膜113に貼り付ける。本発明の実施の形態では、接着剤図示せずを用いている。なお、絶縁膜113をCMPChemicalMechanicalPolishing法で平坦化して、プラズマ中で表面活性化して、支持基板102と貼り付けてもよい。続いて、図3のcに示すように、フォトダイオード111を形成しているシリコン基板を薄化加工する。例えば、シリコン基板の厚みは、2~5μmであり、フォトダイオード111がシリコン層101の表面から裏面まで貫通するように、シリコン基板の第1主面側を研磨する。このとき、SOI基板のBOX層シリコン酸化膜まで、加工して、シリコン層101を残す。続いて、図3のdに示すように、トランジスタ112が形成されているシリコン層101の面である第2主面の反対側の第1主面の上方に、シリコン酸化膜115と、シリコン窒化膜116と、シリコン酸化膜117とを積層する。例えば、CVDChemicalVaporDeposition法などにより、シリコン酸化膜115と、シリコン窒化膜116と、シリコン酸化膜117とを積層する。シリコン窒化膜116は、入射光のシリコン層101界面での反射を低減する役割を担う。続いて、図4のaに示すように、タングステンからなる金属膜をスパッタリング法又はCVD法で成膜して、リソグラフィ法を用いてパターニングする。パターニング後、ドライエッチング法で分離領域120の上方に格子状パターンの金属膜118を形成する。これにより、斜入射光の隣接画素への漏れ込みを低減して、混色発生を防ぐことができる。なお、金属膜118の幅は、0.4μm程度としている。続いて、図4のbに示すように、シリコン酸化膜からなる絶縁膜119を、金属膜118及びシリコン酸化膜117を覆うように、CVD法などにより成膜する。続いて、図4のcに示すように、リソグラフィ法を用いてパターニング後、ドライエッチング法で分離領域120の上方に格子状パターンの凸部121を形成する。続いて、図4のdに示すように、ベイヤ配列となるように、凸部121間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込む。また、凸部121上方にもカラーフィルタ122a~122cを配置する。これにより、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い凸部121が、カラーフィルタ122a~122cの側方に形成され、光導波路が形成されて高感度化が実現できる。また、凸部121の上にカラーフィルタ122a~122cが形成されて、金属膜118による反射光を吸収して、フレアを低減できる。続いて、図2に示すように、カラーフィルタ122a~122c上に平坦化膜123をスピンコーター法で形成する。そして、平坦化膜123上に、有機膜を同様の手法で塗布して、リソグラフィ法でパターニング後にドライエッチングを行うことで、複数のレンズ124を形成する。以上の工程を経ることで、図2に示す固体撮像装置10を製造することができる。以上のように、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置10は、半導体基板の上方に画素毎に形成された複数のカラーフィルタを備え、当該複数のカラーフィルタのそれぞれは、隣り合うカラーフィルタとの間の領域であって半導体基板と逆側の領域、例えば、レンズが形成される側の領域では、隣り合うカラーフィルタと接しており、半導体基板側の領域には、カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域が形成されていることを特徴とする。これにより、斜入射光の入射角度が高角度でも、カラーフィルタ側面と低屈折率領域との境界における屈折率の差によって、大部分の光が反射される。よって、隣接画素への光の漏れ込みクロストークの低減が図れ、高集光により高感度を実現することができる。また、低屈折率領域の上方は、カラーフィルタで被覆されているため、上方に、レンズを形成しても、カラーフィルタ間の低屈折率領域の形状バラツキを低減することができる。そして、半導体基板面からの反射光は、カラーフィルタ間の低屈折率領域の上方のカラーフィルタで大部分が吸収されるため、高光強度でも、フレアを低減することができる。以上、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置及びその製造方法について説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を当該実施の形態に施したものも、本発明の範囲内に含まれる。例えば、上述したように、低屈折率領域の一例である凸部121は、空洞であってもよい。以下では、空洞である凸部121が形成された固体撮像装置10の製造方法の一例について、図5及び図6を用いて説明する。なお、図5及び図6は、本発明の実施の形態1の変形例に係る固体撮像装置10の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、図5のaに示す金属膜118を形成するまでの工程は、上述した図3及び図4のaに示す工程と同じである。続いて、図5のbに示すように、シリコン酸化膜からなる絶縁膜119を成膜し、さらに、スパッタリング法又はCVD法を用いて、シリコン膜125を100~500nmの厚みで形成する。なお、絶縁膜119の厚みは、100~500nmの厚みとしている。続いて、図5のcに示すように、リソグラフィ法を用いてシリコン膜125をパターニングした後、ドライエッチング法で、分離領域120の上方に格子状パターンのシリコン凸部121aを形成する。続いて、図5のdに示すように、ベイヤ配列となるように、シリコン凸部121a間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込む。また、シリコン凸部121aの上にもカラーフィルタ122a~122cを配置する。続いて、図6のaに示すように、カラーフィルタ122a~122c上に平坦化膜123をスピンコーター法で形成する。そして、平坦化膜123上に、有機膜を同様の手法で塗布して、リソグラフィ法でパターニング後にドライエッチングを行うことで、複数のレンズ124を形成する。続いて、図6のbに示すように、レンズ124間の一部にシリコン凸部121aへ到達する孔126を開口する。つまり、互いに隣り合うカラーフィルタの接面もしくは接面近傍の一部に孔126が形成される。続いて、図6のcに示すように、シリコンを除去するためのガスにシリコン凸部121aを曝して、シリコン凸部121aを除去することで、空洞を形成する。具体的には、フッ化キセノンXeFガスを用いて、シリコン凸部121aを等方性エッチングにより除去する。これにより、空洞である凸部121が形成される。以上のようにして、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い凸部121がカラーフィルタ122a~122cの側方に形成され、光導波路が形成されて高感度化が実現できる。また、平坦化膜123及びレンズ124を形成してから、空洞である凸部121を形成するので、空洞形状が一様となり、各画素間の感度特性のバラツキを、従来の約半分にすることができる。実施の形態2本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置は、複数の画素が2次元状に配列された固体撮像装置であって、半導体基板の第1主面光入射面の上方に複数の画素に対応して形成された複数のカラーフィルタを備え、隣り合うカラーフィルタの間の領域であって、半導体基板側の領域に、カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域が形成され、複数のカラーフィルタのそれぞれは、低屈折率領域の上方で、隣り合うカラーフィルタと接している。さらに、低屈折率領域内には、光を遮るための遮光部が形成されている。まず、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置の回路構成は、例えば、図1と同様である。したがって、ここでは、説明を省略する。続いて、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置が備える画素部200の断面構成の一例について、図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態2に係る画素部200の構成一例を示す断面図である。なお、図7では、実施の形態1に係る画素部100の構成と同じ構成要素には同じ参照符号を付している。以下では、実施の形態1に係る画素部100の構成と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。本発明の実施の形態2に係る画素部200は、実施の形態1に係る画素部100と比較して、金属膜118及び絶縁膜119を備えない点と、分離領域120及び凸部121の代わりに分離領域220及び低屈折率領域221を備える点と、新たに遮光部227を備える点とが異なっている。分離領域220は、光電変換部フォトダイオード111とは異なる導電型の不純物領域を含む分離部の一例である。複数のフォトダイオード111のそれぞれの間には、p型第2導電型から構成される分離領域220が形成されている。なお、フォトダイオード111は、図1に示す光電変換部11に相当している。低屈折率領域221は、複数のカラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い領域である。図7に示すように、隣り合うカラーフィルタの間の領域のうち半導体基板側の領域に、低屈折率領域221が形成されている。すなわち、複数のカラーフィルタ122a~122cのそれぞれは、低屈折率領域221の上方で、隣り合うカラーフィルタと接している。具体的な低屈折率領域221の構造は、分離領域220上方にシリコン酸化膜からなる凸形状を格子状に配置しており、高さ100~500nmである。さらに、各フォトダイオード111上方にカラーフィルタ122a~122cが形成されて、低屈折率領域221の間に埋め込まれている。また、カラーフィルタ122a~122cは、低屈折率領域221を覆いながら、その上部で隣接画素のカラーフィルタ122a~122cとの境界を設けている。つまり、隣り合うカラーフィルタ122a~122cは、低屈折率領域221の上方で互いに接している。言い換えると、隣り合うカラーフィルタの境界を含む領域のうち上部の領域において、カラーフィルタは互いに接している。なお、低屈折率領域221は、空洞でも同様の効果が得られて、図11及び図12で示す製造方法で実現できる。低屈折率領域221が空洞である構成については、後で図10を用いて説明する。このように、低屈折率領域221間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込み、すなわち、カラーフィルタ122a~122cの下部の間に低屈折率領域221を設けている。これにより、カラーフィルタ122a~122c内を通過する斜入射光が低屈折率領域221の界面で反射する。つまり、導波路構造となり、隣接画素への光の漏れ込みクロストークを低減することができ、高感度が実現できる。なお、本発明の実施の形態2では、カラーフィルタ122a~122cの屈折率は、1.5~2.0程度であり、低屈折率領域221の屈折率は、シリコン酸化膜の場合は約1.4である。シリコン酸化膜を低屈折率領域221に用いる場合、赤光波長650nmを高透過させるカラーフィルタ122cが上方に形成されているフォトダイオード111の感度は、従来多層配線114の下方に低屈折率領域が無く、カラーフィルタが配列された固体撮像装置比25増の高感度を実現できる。さらに、本発明の実施の形態2では、低屈折率領域221内に遮光部227が形成されている。このため、フォトダイオード111とカラーフィルタ122a~122cとの短距離化ができて、従来比20減の距離まで近づく。また、低屈折率領域221をカラーフィルタ122a~122cで覆うことで、シリコン層101及び遮光部227からの反射光をカラーフィルタ122a~122cで吸収可能である。このため、固体撮像装置上方に備え付けられるカバーガラス又はレンズの界面との乱反射によるフレアを低減できる。低屈折率領域221上部に形成されるカラーフィルタ122a~122cの膜厚に依存するが、例えば、200nm厚の場合、従来比30減の反射光低減を実現できる。上述したように、低屈折率領域221内には、シリコン層101への入射光を妨げる第1遮光部の一例である遮光部227が形成されている。本実施の形態における遮光部227は、金属膜を有し、例えば、薄膜での光遮光性が高いタングステン材料が、膜厚200~500nmで形成されている。なお、アルミニウム、銅、チタンなどを同様の膜厚200~500nmで形成し、遮光部227として用いてもよい。これにより、低屈折率領域221にカラーフィルタから漏れ込む入射光が半導体基板へ到達することを妨ぐことができる。このため、隣接画素への光の漏れ込みのさらなる低減が図れ、高感度を実現することができる。なお、本発明の実施の形態2では、トランジスタ112が形成されている側のシリコン層101の面である第2主面の反対側の第1主面の上方に、カラーフィルタ122a~122cを低屈折率領域221の間に形成した。これに対して、トランジスタ112が形成されている第2主面側の多層配線114の上方図7における絶縁膜113の下面に形成しても、同様な効果が得られる。すなわち、多層配線114などを含む検出回路部と、カラーフィルタ122a~122cとを、半導体基板に対して同じ面側に形成してもよい。言い換えると、検出回路部は、半導体基板の上方、すなわち、光入射面側に形成されていてもよい。ただし、多層配線114による光反射が増加するため、赤光波長650nmを高透過させるカラーフィルタ122cが上方に形成されているフォトダイオード111の感度で、従来比10増の高感度までしか実現できない。さらに、図8に示すように、カラーフィルタ122a~122c上方に、平坦化膜123を介してレンズ124を形成してもよい。すなわち、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置は、複数のカラーフィルタ122a~122cの上方に、複数の画素部200に対応して形成された複数のレンズ124を備えていてもよい。この構成によれば、さらなる高集光が可能となり、低屈折率領域221をシリコン酸化膜として、赤光波長650nmを高透過させるカラーフィルタ122cが上方に形成されているフォトダイオード111の感度は、従来比30増の高感度を実現できる。次に、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置の製造方法について、図3及び図9を用いて説明する。なお、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置の製造方法は、実施の形態1に係る固体撮像装置の製造方法とシリコン酸化膜117を形成するまでの工程図3が共通である。したがって、以下では、図3に示す工程については説明を省略する。なお、図9は、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。シリコン酸化膜117を形成後、複数の画素の境界の少なくとも一部を含む領域に遮光部227を形成する。具体的には、図9のaに示すように、タングステンからなる金属膜をスパッタリング法又はCVD法で成膜して、リソグラフィ法を用いてパターニングする。パターニング後、ドライエッチング法で分離領域220の上方に遮光部227を形成する。遮光部227は、本実施の形態では、シリコン酸化膜117の上方の面に格子状に形成されているものとする。これは、行列状に配置されたカラーフィルタを縁取るように形成されているためであるが、必ずしも格子状でなくともよく、隣り合うカラーフィルタ同士の境界部周辺に形成されていればよい。これにより、斜入射光の隣接画素への漏れ込みを低減できる。なお、遮光部227の幅は、フォトダイオード111上方に配置されないように、分離領域220の幅より狭く形成している。本実施の形態では、遮光部227の幅は、0.3μm程度としている。続いて、図9のbに示すように、シリコン酸化膜からなる絶縁膜119を、遮光部227及びシリコン酸化膜117を覆うように、CVD法などにより成膜する。続いて、図9のcに示すように、リソグラフィ法を用いてパターニング後、ドライエッチング法で分離領域220の上方に格子状パターンの低屈折率領域221を形成する。遮光部227のパターン同様に、フォトダイオード111上方に配置されないように、低屈折率領域221の幅を分離領域220の幅より狭く形成している。すなわち、低屈折率領域221の半導体基板側の面の幅は、分離領域220のカラーフィルタ側の面の幅、すなわち、光入射面側の面の幅より短い。なお、例えば、低屈折率領域221の垂直方向の断面形状は実質的に、矩形、台形又は三角形である。続いて、図9のdに示すように、ベイヤ配列となるように、低屈折率領域221間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込む。また、低屈折率領域221上方にもカラーフィルタ122a~122cを配置する。これにより、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い低屈折率領域221が、カラーフィルタ122a~122c側方に形成される。これによって、斜入射光が低屈折率領域221界面で反射する光導波路が形成されて、高感度化が実現できる。また、低屈折率領域221の上部にカラーフィルタ122a~122cが形成されて、シリコン層101及び遮光部227による反射光を吸収して、フレアを低減できる。以上の工程を経ることで、図7に示す固体撮像装置を製造することができる。以上のように、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置は、半導体基板の上方に画素毎に形成された複数のカラーフィルタ122a~122cを備える。そして、当該複数のカラーフィルタ122a~122cのそれぞれは、隣り合うカラーフィルタの間の領域であって、半導体基板と逆側の領域、例えば、レンズ124が形成される側の領域では、隣り合うカラーフィルタと接している。また、半導体基板側の領域には、カラーフィルタより屈折率が低い低屈折率領域221が形成されている。さらに、低屈折率領域221内に、遮光部227が形成されていることを特徴とする。これにより、斜入射光の入射角度が高角度でも、カラーフィルタ122a~122c側面と低屈折率領域221との境界における屈折率の差によって、大部分の光が反射される。よって、隣接画素への光の漏れ込みクロストークの低減が図れ、高集光により高感度を実現することができる。また、低屈折率領域221の上方は、カラーフィルタ122a~122cで被覆されているため、上方にレンズ124を形成しても、カラーフィルタ122a~122c間の低屈折率領域221の形状バラツキを低減することができる。そして、反射光は、カラーフィルタ122a~122c間の低屈折率領域221の上方のカラーフィルタで大部分が吸収されるため、高光強度でも、フレアを低減することができる。さらに、遮光部227が低屈折率領域221内にあるため、カラーフィルタ122a~122cとシリコン層101との距離を短くすることができ、高感度を実現することができる。以上、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置及びその製造方法について説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を当該実施の形態に施したものも、本発明の範囲内に含まれる。例えば、上述したように、カラーフィルタ間にある低屈折率領域は、空洞であってもよい。図10は、本発明の実施の形態2の変形例に係る固体撮像装置の構成の一例を示す断面図である。図10に示すように、隣り合うカラーフィルタ122a~122cの間の領域であって、半導体基板側の領域には、低屈折率領域として、空洞221aが形成されている。そして、空洞221a内に、光を遮るための遮光部227が形成されている。隣り合うカラーフィルタ122a~122cは、空洞221aの上方において互いに接している。空洞221aの屈折率は、約1である。空洞221aが低屈折率領域として形成されている場合、赤光波長650nmを主に透過させるカラーフィルタ122cが上方に形成されているフォトダイオード111の感度は、従来比45増の高感度を実現することができる。以下では、低屈折率領域として空洞221aが形成された固体撮像装置の製造方法の一例について、図11及び図12を用いて説明する。なお、図11及び図12は、本発明の実施の形態2の変形例に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、図11のaに示す遮光部227を形成するまでの工程は、上述した図3及び図9のaに示す工程と同じである。続いて、図11のbに示すように、10~30nmの膜厚でシリコン酸化膜からなる絶縁膜228を成膜し、さらに、スパッタリング法又はCVD法を用いて、シリコン膜229を100~500nmの厚みで形成する。続いて、図11のcに示すように、リソグラフィ法を用いてシリコン膜229をパターニングした後、ドライエッチング法で、分離領域220の上方に格子状パターンのシリコン凸部230を形成する。続いて、図11のdに示すように、ベイヤ配列となるように、シリコン凸部230間にカラーフィルタ122a~122cを埋め込む。また、シリコン凸部230の上部にもカラーフィルタ122a~122cを配置する。続いて、図12のaに示すように、カラーフィルタ122a~122cの境界領域に、リソグラフィ法でパターニング後にドライエッチングを行うことで、シリコン凸部230へ到達する空間を開口する。つまり、互いに隣り合うカラーフィルタの接面もしくは接面近傍の一部に孔126が形成される。孔126は、カラーフィルタ122a~122cをシリコン凸部230まで貫通する。なお、図11のdに示すカラーフィルタを埋め込む際に、画素間の境界領域に孔126をリソグラフィで形成してもよい。続いて、図12のbに示すように、シリコンを除去するためのガスの一例であるフッ化キセノンXeFガスを用いて、シリコン凸部230を等方性エッチングにより除去する。これにより、低屈折率領域として空洞221aが形成される。以上のようにして、カラーフィルタ122a~122cより屈折率が低い低屈折率領域221又は空洞221aがカラーフィルタ122a~122cの側方に形成されることで、光導波路が形成されて高感度化が実現できる。また、フォトダイオード111は、p型の拡散領域からなるフォトダイオードでもよい。なお、この場合、分離領域220は、n型の分離領域となる。以上、本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を当該実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、低屈折率領域である低屈折率材料及び空洞の形成は、上記説明に限らず、他の方法を用いて形成してもよい。また、上記実施の形態の説明に用いた図例えば、図2などにおいて、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、トランジスタ等のn型及びp型等は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、これらを反転させることで、同等の結果を得ることも可能である。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。また、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。また、上記固体撮像装置の構成は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、本発明に係る固体撮像装置は、上記構成の全てを必ずしも備える必要はない。言い換えると、本発明に係る固体撮像装置は、本発明の効果を実現できる最小限の構成のみを備えればよい。同様に、上記の固体撮像装置の製造方法は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、上記ステップの全てを必ずしも含む必要はない。言い換えると、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、本発明の効果を実現できる最小限のステップのみを含めばよい。また、上記のステップが実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記ステップの一部が、他のステップと同時並列に実行されてもよい。