一方向を長手方向とし、前記長手方向の一端21が固定端とされていると共に前記一端21と反対側の他端22が自由端とされており、薄肉のダイヤフラム24が形成されていると共に前記ダイヤフラム24にブリッジ回路を構成する複数のピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されたセンサ部10と、前記センサ部10の前記一端21を固定する支持部材40と、を有し、前記ダイヤフラム24は、外形輪郭線が前記長手方向と垂直に交差する一辺24aを前記一端21側に有する形状とされており、前記複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、前記ダイヤフラム24のうち前記一辺24aの中点周りの領域外に形成されていることを特徴とする圧力センサ。前記センサ部10は、シリコン基板20を有する直方体形状とされ、前記シリコン基板20に前記ダイヤフラム24が形成されており、前記ダイヤフラム24は、前記外形輪郭線が前記一辺である第1辺24aと、第2~第4辺24b~24dを有する多角形状とされており、前記長手方向を第1方向、当該長手方向と垂直な方向を第2方向とすると、前記第1~第4辺24a~24dのうち相対する第1辺24aと第3辺24cとは前記第2方向と平行とされていると共に相対する第2辺24bと第4辺24dとは前記第1方向と平行とされており、前記第1辺24aが前記固定端21側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。前記シリコン基板20は主表面が001面とされ、前記第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cは前記ダイヤフラム24のうち前記第3辺24cの中央部に隣接して形成され、前記第2ピエゾ抵抗素子25bは前記ダイヤフラム24のうち前記第2辺24bの中央部に隣接して形成され、前記第4ピエゾ抵抗素子25dは前記ダイヤフラム24のうち前記第4辺24dの中央部に隣接して形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。前記シリコン基板20は主表面が001面とされ、前記第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、前記ダイヤフラム24のうち前記第3辺24cに隣接して形成され、前記第2ピエゾ抵抗素子25bを挟んで前記第1ピエゾ抵抗素子25aと前記第3ピエゾ抵抗素子25cとが直列接続されていると共に前記第4ピエゾ抵抗素子25dを挟んで前記第1ピエゾ抵抗素子25aと前記第3ピエゾ抵抗素子25cが直列接続されており、前記第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cは、前記ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が変化する部分が前記第1方向に延設されており、前記第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dは、前記ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が変化する部分が第2方向に延設されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。前記シリコン基板20は主表面が011面とされ、前記第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cは前記ダイヤフラム24のうち中央部に形成され、前記第2、前記第4ピエゾ抵抗素子25b、25dは前記ダイヤフラム24のうち前記第3辺24cの中央部に隣接して形成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力センサ。前記ダイヤフラム24は、前記第2方向の長さ/前記第1方向の長さの比をアスペクト比とすると、前記アスペクト比が1以上とされていることを特徴とする請求項2ないし5のいずれか1つに記載の圧力センサ。一方向を長手方向とし、前記長手方向の一端21が固定端とされていると共に前記一端21と反対側の他端22が自由端とされており、薄肉のダイヤフラム24が形成されていると共に前記ダイヤフラム24にブリッジ回路を構成する複数のピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されたセンサ部10と、前記センサ部10の前記一端21を固定する支持部材40と、を有し、前記ダイヤフラム24は、外形輪郭線は円形状とされており、前記複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、前記長手方向と平行であって前記ダイヤフラム24の中心を通る直線が前記ダイヤフラム24の前記外形輪郭線と交差する交点のうち、前記固定端21側に位置する交点周りの領域外に形成されていることを特徴とする圧力センサ。前記ダイヤフラム24は、前記長手方向の長さより当該長手方向と垂直方向の長さが長くなる楕円形状とされていることを特徴とする請求項7に記載の圧力センサ。一方向を長手方向とし、前記長手方向の一端21が固定端とされていると共に前記一端21と反対側の他端22が自由端とされており、薄肉のダイヤフラム24が形成されていると共に前記ダイヤフラム24にブリッジ回路を構成する複数のピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されたセンサ部10と、前記センサ部10の前記一端21を固定する支持部材40と、を有し、前記ダイヤフラム24は、外形輪郭線が頂角26と第1~第3辺24a~24cとを有すると共に前記頂角26を前記一端21側に有する三角形状とされ、前記複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、前記頂角26周りの領域外に形成されていることを特徴とする圧力センサ。しかしながら、上記圧力センサでは、外部温度が変化したときに、ダイヤフラム24に生じる熱応力を低減することができるものの、完全に無くすことはできない。この場合、ダイヤフラム24のうち固定端21に近い部分には大きな熱応力が生じ、ダイヤフラム24のうち固定端21から遠い部分には固定端21側より小さな熱応力が生じる。具体的には、ダイヤフラム24のうち固定端21側に位置する第1辺24aの中央部に最も大きな熱応力が生じる。そして、上記圧力センサでは、第1辺24aの中央部に隣接して第1ピエゾ抵抗25aが形成されている。このため、外部温度が変化したときに第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dには異なる熱応力が印加されることになり、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差分がノイズオフセットとして出力され、圧力検出精度が低下してしまうという問題がある。特に、第1辺24aの中央部に隣接して形成された第1ピエゾ抵抗素子25aには大きな熱応力が印加されることになり、他の第2~第4ピエゾ抵抗素子25b~25dとの抵抗値の変化の差が大きい。なお、上記では、001面を主表面とするシリコン基板20を有するセンサ部10を用いて構成された圧力センサを例に挙げて説明したが、例えば、011面を主表面とするシリコン基板20を有するセンサ部10を用いて圧力センサを構成した場合も同様である。本発明は上記点に鑑みて、センサ部を片持ち支持してなる圧力センサにおいて、外部温度の変化によって、圧力の検出精度が低下することを抑制することができる圧力センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、ダイヤフラム24は、外形輪郭線が長手方向と垂直に交差する一辺24aを一端21側に有する形状とされており、複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、ダイヤフラム24のうち当該一辺24aの中点周りの領域外に形成されていることを特徴としている。このような圧力センサでは、ダイヤフラム24は、一端21側に一辺24aを有する外形とされているため、外部温度が変化したときに一辺24aの中点周りの領域中央部に最も大きな熱応力が生じることになるが、ピエゾ抵抗素子25a~25dは一辺24aの中点周りの領域外に形成されている。このため、外部温度が変化したときに最も大きな熱応力が生じる部分にピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されている従来の圧力センサと比較して、各ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差分を低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。さらに、このような圧力センサでは、ブリッジ回路から出力された検出信号を増幅回路で所定倍に増幅し、増幅した増幅信号に基づいて圧力が測定される。このため、各ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の最大値の絶対値が大きい程、増幅した増幅信号の誤差が大きくなる。しかしながら、請求項1に記載の圧力センサでは、ピエゾ抵抗素子25a~25dを一辺24aの中点周りの領域外に形成しているため、外部温度が変化したときにピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の最大値の絶対値も小さくすることができる。したがって、さらに、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。例えば、請求項2に記載の発明のように、センサ部10をシリコン基板20を有する直方体形状とし、このシリコン基板20にダイヤフラム24を形成する。そして、ダイヤフラム24を、外形輪郭線がセンサ部10の長手方向と垂直となる一辺としての第1辺24aと、第2~第4辺24b~24dを有する多角形状とし、センサ部10の長手方向を第1方向、当該長手方向と垂直な方向を第2方向としたとき、第1~第4辺24a~24dのうち相対する第1辺24aと第3辺24cとを第2方向と平行とすると共に相対する第2辺24bと第4辺24dとを第1方向と平行とし、第1辺24aを固定端21側に位置するようにすることができる。この場合、請求項3に記載の発明のように、シリコン基板20を主表面が001面であるものとし、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cをダイヤフラム24のうち第3辺24cの中央部に隣接して形成し、第2ピエゾ抵抗素子25bをダイヤフラム24のうち第2辺24bの中央部に隣接して形成し、第4ピエゾ抵抗素子25dをダイヤフラム24のうち第4辺24dの中央部に隣接して形成することができる。このような圧力センサでは、シリコン基板20の主表面が001面とされているため、ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに第1~第4辺24a~24dの中央部が歪みやすくなる。このため、従来の圧力センサと比較して、感度をほぼ維持しつつ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。また、請求項4に記載の発明のように、シリコン基板20を主表面が001面であるものとし、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dをダイヤフラム24のうち第3辺24cに隣接して形成し、第2ピエゾ抵抗素子25bを挟んで第1ピエゾ抵抗素子25aと第3ピエゾ抵抗素子25cとを直列接続すると共に第4ピエゾ抵抗素子25dを挟んで第1ピエゾ抵抗素子25aと第3ピエゾ抵抗素子25cとを直列接続する。そして、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cをダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が変化する部分が第1方向に延設されたものとし、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dをダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が変化する部分が第2方向に延設されたものとすることができる。このような圧力センサでは、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが固定端21より最も遠くなる第3辺24cに隣接して形成されている。このため、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差を低減することができ、さらに圧力検出精度が低下することを抑制することができる。また、請求項5に記載の発明のように、シリコン基板20を主表面が011面であるものとし、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cをダイヤフラム24のうち中央部に形成し、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dをダイヤフラム24のうち第3辺24cの中央部に隣接して形成することができる。さらに、請求項6に記載の発明のように、ダイヤフラム24を、第2方向の長さ/第1方向の長さの比をアスペクト比としたとき、アスペクト比を1以上とすることができる。このような圧力センサでは、外部温度が変化したとき、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。また、請求項7に記載の発明では、ダイヤフラム24の外形輪郭線が円形状とされ、複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、センサ部10の長手方向と平行であってダイヤフラム24の中心を通る直線がダイヤフラム24の外形を構成する外形輪郭線と交差する交点のうち、固定端21側に位置する交点周りの領域外に形成されていることを特徴としている。このように、本発明は、ダイヤフラム24の外形輪郭線が円形状である場合にも適用することができる。この場合、請求項8に記載の発明のように、ダイヤフラム24は、センサ部10の長手方向の長さより当該長手方向と垂直方向の長さが長くなる楕円形状とすることができる。このような圧力センサでは、請求項6に記載の発明と同様に、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。また、請求項9に記載の発明では、ダイヤフラム24は、外形輪郭線が頂角26と第1~第3辺24a~24cとを有すると共に頂角26を一端21側に有する三角形状とされ、複数のピエゾ抵抗素子25a~25dは、頂角26周りの領域外に形成されていることを特徴としている。このように、本発明は、ダイヤフラム24の外形輪郭線が頂角26を一端21側に有する三角形状である場合にも適用することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1aは本実施形態の圧力センサの平面図、図1bは図1a中のA-A断面図である。図1に示されるように、圧力センサは、センサ部10と、樹脂材料等を用いて構成され、センサ部10を片持ち支持する支持部材40とを有する構成とされている。センサ部10は、シリコン基板20とガラス基板等の台座30とを有して構成され、一方向を長手方向とする直方体形状とされており、長手方向の一端が固定端21とされていると共に当該一端と反対側の他端が自由端22とされている。そして、固定端21が接着剤等の接合部材50を介して支持部材40に接合されている。すなわち、センサ部10は支持部材40に片持ち支持されている。なお、本実施形態における長手方向とは、110方向である。シリコン基板20は、直方体形状とされており、本実施形態では主表面が001面とされ、主表面では110軸および-110軸が直交した状態で存在している。そして、このシリコン基板20には、固定端21側より自由端22側に表面から異方性エッチング等されることにより構成された断面が台形形状の凹部23が形成されており、この凹部23に伴って薄肉部となった部分によりダイヤフラム24が構成されている。ダイヤフラム24を自由端22側に形成するのは、ダイヤフラム24を固定端21側に形成した場合と比較して、外部温度が変化したときにダイヤフラム24に生じる熱応力が小さくなるためである。また、シリコン基板20の裏面には、ガラス基板やシリコン基板等で構成される直方体形状の台座30が接合されており、台座30のうち凹部23の底面と対向する領域には凹部31が形成されている。そして、この凹部31とシリコン基板20により圧力基準室26が形成されている。本実施形態では、この圧力基準室26が真空圧とされているが、例えば、大気圧とされていてもよい。ダイヤフラム24は、本実施形態では、外形輪郭線図1a中の破線で示した線が110方向と平行となる第1~第4辺24a~24bを有して構成され、平面形状が正方形状とされている。具体的には、第1~第4辺24a~24dのうち相対する第1辺24aと第3辺24cとが-110方向と平行とされており、相対する第2辺24bと第4辺24dとが110方向と平行とされている。そして、ダイヤフラム24は、第1辺24aが固定端21側に位置するように形成されている。なお、本実施形態では、110方向が本発明の第1方向に相当し、-110方向が本発明の第2方向に相当している。また、ダイヤフラム24上には、応力によって抵抗値が変動する第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dがホイートストンブリッジフルブリッジ回路を構成するように形成されている。具体的には、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、ダイヤフラム24のうち第1辺24aの中点周りの領域外に形成されている。つまり、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、第1辺24aの中点近傍を除く領域に形成されており、第1辺24aの中点に接しないように形成されている。言い換えると、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、外部温度が変化したとき、ダイヤフラム24に最も大きい熱応力が生じる部分を除く領域に形成されている。本実施形態では、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cが第3辺24cの中央部に隣接して形成され、第2ピエゾ抵抗素子25bが第2辺24bの中央部に隣接して形成され、第4ピエゾ抵抗素子25dが第4辺24dの中央部に隣接して形成されている。すなわち、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、全体としてダイヤフラム24のうち自由端22側に形成されている。第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを第2~第4辺24b~24dの中央部に隣接して形成するのは、上記のように、シリコン基板20の主表面を001面とした場合には、ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに第2~第4辺24b~24dの中央部が歪みやすいためである。図2は、ブリッジ回路の回路図である。図2に示されるように、本実施形態では、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、第1ピエゾ抵抗素子25aが第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dと直列接続されており、第3ピエゾ抵抗素子25cが第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dと直列されて4辺形の閉回路を形成している。なお、図2中では、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cと重ねて記載した紙面下側に向かう矢印は、ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が減少することを示しており、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dと重ねて記載した紙面上側に向かう矢印は、ダイヤフラム24に圧力が印加されたときに抵抗値が増加することを示している。なお、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、例えば、拡散等により形成された抵抗とされ、直線が繰り返し折り返された折れ線形状とされている。そして、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、本実施形態では、ダイヤフラム24に応力が印加されたときに抵抗値が変化する方向を長手方向とした折れ線形状とされており、当該長手方向は110方向とされている。すなわち、本実施形態では、長手方向に延設された部分が抵抗値が変化する部分となる。次に、外部温度が変化したときにダイヤフラム24に生じる熱応力について説明する。図3は、外部温度が150°Cであるときにダイヤフラム24に生じる熱応力を示すシミュレーション結果であり、aは従来の圧力センサにおけるダイヤフラム24の応力分布図、bは本実施形態の圧力センサにおけるダイヤフラム24の応力分布図、cはダイヤフラム24のうち第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dの形成領域に生じる応力の平均値を示す図である。また、図4は、外部温度が-40°Cであるときにダイヤフラム24に生じる熱応力を示すシミュレーション結果であり、aは従来の圧力センサにおけるダイヤフラム24の応力分布図、bは本実施形態の圧力センサにおけるダイヤフラム24の応力分布図、cはダイヤフラム24のうち第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dの形成領域に生じる熱応力の平均値を示す図である。なお、従来の圧力センサとは、上記図15で示されるように、第1~第4辺24a~24dの中央部に隣接して第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dがそれぞれ形成された圧力センサのことである。また、図3a、bおよび図4a、bでは、濃淡によってダイヤフラム24に生じる熱応力を示しており、濃度が薄くなるほどピエゾ抵抗効果に寄与する部分の引張応力が大きいことを示し、濃度が濃くなるほどピエゾ抵抗効果に寄与する成分の圧縮応力が大きいことを示している。そして、図3cおよび図4cでは、実線棒グラフが従来の圧力センサにおける第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dの形成領域に生じる熱応力を示し、破線棒グラフが本実施形態の圧力センサにおける第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dの形成領域に生じる熱応力を示している。棒グラフは、左から順に8つ並んでいるが、左端に位置する2つの棒グラフが第1ピエゾ抵抗素子25aの形成領域に生じる平均応力を示し、左から2番目に位置する2つの棒グラフが第2ピエゾ抵抗素子25bの形成領域に生じる平均応力を示し、左から3番目に位置する2つの棒グラフが第3ピエゾ抵抗素子25cの形成領域に生じる平均応力を示し、右端に位置する2つの棒グラフが第4ピエゾ抵抗素子25dの形成領域に生じる平均応力を示している。図3および図4に示されるように、外部温度が150°Cまたは-40°Cの場合には、センサ部10が湾曲等するためダイヤフラム24に熱応力が生じる。このとき、ダイヤフラム24のうち固定端21に最も近い第1辺24aの中点周りの領域、つまり中央部に生じる熱応力が最も大きくなり、熱応力はその部分から放射状に広がって小さくなっていく。そして、従来の圧力センサでは、第1~第4辺24a~24dのそれぞれの中央部に隣接して第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されているため、外部温度が変化したとき、第1辺24aの中央部に隣接して形成された第1ピエゾ抵抗素子25aには第2~第4ピエゾ抵抗素子25b~25dと比較して、大きな熱応力が印加される。言い換えると、第1ピエゾ抵抗素子25aは、ダイヤフラム24のうち最も大きな熱応力が生じる部分に形成されている。これに対し、本実施形態では、第1ピエゾ抵抗素子25aを、第3ピエゾ抵抗素子25cと共に第3辺24cの中央部に隣接して形成しているため、第1ピエゾ抵抗素子25aに印加される熱応力を第3ピエゾ抵抗素子25cに印加される熱応力とほぼ同じにすることができる。すなわち、本実施形態の圧力センサでは、外部温度が150°Cまたは-40°Cに変化したとき、従来の圧力センサと比較して、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差を低減することができる。このため、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。また、上記構成の圧力センサは、ブリッジ回路から出力された検出信号を増幅回路で所定倍に増幅し、増幅した増幅信号に基づいて圧力が測定される。このため、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の最大値が大きい程増幅信号の誤差が大きくなる。しかしながら、本実施形態では、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを第1辺24aの中点周りの領域外に形成しているため、外部温度が変化したときに第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の最大値の絶対値も小さくすることができる。すなわち、例えば、外部温度が150°Cであるときには、従来の圧力センサでは、第1ピエゾ抵抗素子25aに印加される3MPaが応力の最大値となるが、本実施形態の圧力センサでは、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dに印加される1.8MPaが応力の最大値となる。したがって、増幅した増幅信号の誤差を低減することができ、圧力検出精度が低下することをさらに抑制することができる。以上説明したように、本実施形態の圧力センサでは、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cを第3辺24cの中央部に隣接して形成し、第2ピエゾ抵抗素子25bを第2辺24bの中央部に隣接して形成し、第4ピエゾ抵抗素子25dを第4辺24dの中央部に隣接して形成している。このため、外部温度の変化によってダイヤフラム24に熱応力が生じたとき、ダイヤフラム24における最も大きな熱応力が生じる部分に第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを形成していないため、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差を低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。さらに、ダイヤフラム24における最も大きな熱応力が生じる部分に第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを形成していないため、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の絶対値の最大値を低減することができる。したがって、増幅した増幅信号の誤差を低減することができ、圧力検出精度が低下することをさらに抑制することができる。すなわち、例えば、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを第1辺24aの中央部に隣接して形成することにより、外部温度が変化したときに各ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差を低減することも考えられるが、この圧力センサでは、印加される熱応力が大きくなって増幅信号の誤差が大きくなる。これに対し、本実施形態では、増幅信号の誤差を抑制しつつ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、第1実施形態に対して第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dを形成する場所を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、説明を省略する。図5は、本実施形態におけるダイヤフラム24の平面図である。図5に示されるように、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、それぞれ互いに隣接して形成されていると共に第3辺24cに隣接して形成されている。そして、第2ピエゾ抵抗素子25bは第1ピエゾ抵抗素子25aを挟んで第3ピエゾ抵抗素子25cと反対側に形成されており、第4ピエゾ抵抗素子25dは第3ピエゾ抵抗素子25cを挟んで第1ピエゾ抵抗素子25aと反対側に形成されている。この場合は、ダイヤフラム24に測定媒体から圧力が印加されたとき、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが全て第3辺24cに隣接して形成されているため、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dには同符号の応力が印加されることになる。すなわち、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dには、引っ張り応力または圧縮応力のうち同じ応力が印加されることになる。このため、図2に示すブリッジ回路から出力を発現させるために、本実施形態では、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cの長手方向を110方向とし、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dの長手方向を-110方向としている。すなわち、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cの長手方向と、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dの長手方向とが直交するようにしている。なお、図5中の第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに示した矢印は、長手方向の向きを示している。このような圧力センサでは、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dがそれぞれ第3辺24cに隣接して形成されているため、上記第1実施形態と比較して、外部温度が変化したときに第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の差をさらに低減することができる。また、上記第1実施形態と比較して、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dが固定端21からさらに離れた位置に形成されているため、外部温度が変化したときに第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dに印加される熱応力の最大値の絶対値を低減することができる。したがって、上記第1実施形態と比較して、外部温度が変化したときにさらに圧力検出精度が低下することを抑制することができる。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、第2実施形態に対してダイヤフラム24の形状を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。図6は、本実施形態における圧力センサの平面図である。図6に示されるように、ダイヤフラム24は、-110方向の長さ/110方向の長さの比をアスペクト比とすると、アスペクト比が1より大きくなる矩形状とされている。このような圧力センサでは、外部温度が変化したとき、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。図7aはダイヤフラム24のアスペクト比が1より小さいセンサ部10の平面図、図8aはダイヤフラム24のアスペクト比が1であるセンサ部の平面図、図9aはダイヤフラム24のアスペクト比が1より大きいセンサ部の平面図である。図7b、c~図9b、cは、外部温度が150°Cであるときのダイヤフラム24に生じる熱応力を示すシミュレーション結果であり、図7~図9において、bはa中のA方向に沿って熱応力をシミュレーションした結果であり、cはa中のB方向に沿って熱応力をシミュレーションした結果である。なお、図7b、c~図9b、cでは、丸が110方向の熱応力、四角が-110方向の熱応力、三角がピエゾ抵抗効果に寄与する熱応力図中では単に寄与応力と示すを示している。また、図7a~図9aでは、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは省略して示してある。図8に示されるように、アスペクト比が1であるダイヤフラム24を基準とすると、図9に示されるように、アスペクト比が1より大きいダイヤフラム24では、ピエゾ抵抗効果に寄与する熱応力が減少しているが、図7に示されるように、アスペクト比が1より小さいダイヤフラム24ではピエゾ抵抗効果に寄与する熱応力が増加している。これは、以下の理由であると考えられる。すなわち、センサ部10は、110方向を長手方向とする直方体形状とされており、固定端21が支持部材40に固定されているため、外部温度が変化したときに、-110方向を軸として湾曲しやすくなる。すなわち、自由端22が鉛直方向に変位しやすくなる。また、ダイヤフラム24はアスペクト比に応じて湾曲しやすくなる方向が変わり、アスペクト比が1より大きい場合には110方向を軸として湾曲しやすくなり、アスペクト比が1より小さい場合には-110方向を軸として湾曲しやすくなる。つまり、アスペクト比が1以下とされているダイヤフラム24では、外部温度が変化したとき、センサ部10が湾曲しやすい方向とダイヤフラム24の湾曲しやすい方向とが同じ方向になり、ダイヤフラム24に生じる熱応力が大きくなる。これに対しアスペクト比が1より大きくされているダイヤフラム24では、センサ部10の湾曲しやすい方向とダイヤフラム24の湾曲しやすい方向とが交差するため、アスペクト比が1以下とされている圧力センサと比較して、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができる。したがって、本実施形態では、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができ、さらに圧力検出精度が低下することを抑制することができる。なお、本実施形態では、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが第3辺24cに隣接して形成されている例について説明したが、上記第1実施形態のように、第2ピエゾ抵抗素子25bが第2辺24bの中央部に隣接して形成されていると共に第4ピエゾ抵抗素子25dが第4辺24dの中央部に隣接して形成されていてもよい。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の圧力センサは、第1実施形態に対してシリコン基板20の主表面の面方位を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、説明を省略する。図10は、本実施形態における圧力センサの平面図である。図10に示されるように、本実施形態のシリコン基板20は、主表面が011面とされており、主表面には01-1軸および100軸が直交した状態で存在している。このように、主表面が011面であるシリコン基板20を用いた場合には、ダイヤフラム24に測定媒体から圧力が印加されたとき、中心から01-1軸方向に沿って中央領域と周辺領域とで大きな差がでることになる。したがって、本実施形態では、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cがダイヤフラム24の中央部に配置されており、第2、第4ピエゾ抵抗素子25b、25dが第3辺24cの中央部に隣接して形成されている。このように、シリコン基板20として主表面が011面である基板を用いても、上記第1実施形態と同様に、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが第1辺24aの中点周りの領域外に形成されているため、外部温度が変化したときに圧力検出精度が低下することを抑制することができる。他の実施形態上記各実施形態では、センサ部10の固定端21を支持部材40に接合部材50を介して固定する例について説明したが、例えば、センサ部10の固定端21を樹脂封止して支持部材40に固定してもよい。また、上記各実施形態では、センサ部10は、裏面に凹部23が形成されたシリコン基板20と、当該シリコン基板20の裏面に接合される台座30とを有するものを例に挙げて説明したが、例えば、センサ部10は次のような構成とされていてもよい。図11は、他の実施形態におけるセンサ部10の断面構成を示す図である。図11aに示されるように、シリコン基板20の裏面から断面が台形となる凹部23を形成してダイヤフラム24を構成してもよい。また、図11bに示されるように、図11aの変形例として、凹部23は断面が矩形であってもよい。そして、図11cに示されるように、シリコン基板20を薄膜化すると共に台座30に凹部31を形成し、シリコン基板20のうち凹部31と対向する領域にダイヤフラム24を構成してもよい。さらに、図11dに示されるように、図1bの変形例として、シリコン基板20の表面から形成した凹部23の断面が矩形状となるようにしてもよい。また、図11eに示されるように、センサ部10をシリコン基板20のみで構成し、シリコン基板20の内部に圧力基準室26を構成する空洞部27を形成するようにしてもよい。このシリコン基板20は、例えば、シリコンで構成された基板の表面に凹部を形成した後、LPCVD法等により凹部を閉塞するように基板上にエピタキシャル層を形成することにより、凹部により空洞部27が構成されて製造される。さらに、上記第1、第2実施形態では、ダイヤフラム24として正方形状のものを例に挙げて説明したが、ダイヤフラム24の形状はこれに限定されるものではない。図12は、他の実施形態におけるダイヤフラム24の拡大平面図である。図12aに示されるように、ダイヤフラム24は、第1~第4辺24a~24dを有し、さらに、第1辺24aと第2辺24bとを結ぶ第5辺24e、第2辺24bと第3辺24cとを結ぶ第6辺24f、第3辺24cと第4辺24dとを結ぶ第7辺24g、第4辺24dと第1辺24aとを結ぶ第8辺24hを有する八角形状とされていてもよい。この場合、例えば、上記第1実施形態と同様に、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cを第3辺24cに隣接して形成し、第2ピエゾ抵抗素子25bを第2辺24bの中央部に隣接して形成し、第4ピエゾ抵抗素子25dを第4辺24dの中央部に隣接して形成することができる。さらに、図12bに示されるように、ダイヤフラム24は、第1~第4辺24a~24dを有し、第1辺24aが第3辺24cより短くされた台形形状とされていてもよい。また、特に図示しないが、第3辺24cが第1辺24aより短くされた台形形状とされていてもよい。この場合、例えば、上記第2実施形態と同様に、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを第3辺24cと隣接して形成することができる。なお、上記第1実施形態と同様に、第2辺24bの中央部と隣接する位置に第2ピエゾ抵抗素子25bを形成すると共に第4辺24dの中央部と隣接する位置に第4ピエゾ抵抗素子25dを形成してもよい。また、図12cに示されるように、ダイヤフラム24は円形状とされていてもよい。この場合、110方向と平行であってダイヤフラム24の中心を通る直線がダイヤフラム24の外形を構成する外形輪郭線と交差する交点のうち、固定端21側に位置する交点周りの領域外に第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを形成することができる。すなわち、外部温度が変化したときには、ダイヤフラム24のうち最も固定端21に近い部分に最も大きな熱応力が生じるため、この部分を除く領域に第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを形成することができる。具体的には、図12cでは、ダイヤフラム24の中心より自由端22側に第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cを形成し、中心を通る-110軸上であって、中心より-110方向側に第2ピエゾ抵抗素子25bを形成し、中心より1-10方向側に第4ピエゾ抵抗素子25dを形成している。さらに、図12dに示されるように、ダイヤフラム24は、第1~第3辺24a~24cを有すると共に固定端21側に頂角26を有し、第2辺24bが-110方向と平行となる三角形状とされていてもよい。図13は、他の実施形態におけるダイヤフラムに生じる熱応力を示すシミュレーション結果であり、aは外部温度が150°Cであるときのシミュレーション結果、bは外部温度が-40°Cであるときのシミュレーション結果である。図13に示されるように、外部温度が150°Cまたは-40°Cの場合には、ダイヤフラム24のうち頂角26周りの領域に最も大きな熱応力が生じている。このため、図12dに示されるように、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dをダイヤフラム24のうち頂角26周りの領域に形成することができ、例えば、上記第2実施形態と同様に、第2辺24bに隣接して形成することができる。以上図12に示されるダイヤフラム24を備えた圧力センサでは、110方向や-110方向と非平行な辺を有するため、[-110]方向や[110]方向を軸として湾曲しにくくなる。このため、センサ部10の湾曲しやすい方向とダイヤフラム24の湾曲しやすい方向とが異なり、上記第3実施形態のように、ダイヤフラム24に生じる熱応力そのものを低減することができる。なお、図12では、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを形成する位置に関しては一例を示したにすぎず、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは外部温度が変化したときにダイヤフラム24に最も大きな熱応力が生じる部分を除く領域に形成されていれば、従来の圧力センサと比較して、検出精度が低下することを抑制することができる。また、上記第3実施形態では、ダイヤフラム24としてアスペクト比が1より大きい矩形状のものを例に挙げて説明したが、ダイヤフラム24の形状はこれに限定されるものではない。図14は他の実施形態におけるダイヤフラム24の拡大平面図である。図14aに示されるように、図12aに示した八角形状のダイヤフラム24において、アスペクト比が1以上となるようにすることができる。この場合、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dを第3辺24cに隣接して形成することができる。また、図14bに示されるように、図6に示したダイヤフラム24において、第1~第4辺24a~24dを繋ぐ各角部に丸みを持たせた略矩形状とすることもできる。さらに、図14cに示されるように、図12cに示したダイヤフラム24において、アスペクト比が1以上となる楕円形状とすることができる。この場合、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、ダイヤフラム24の中心より自由端22側に配置することができる。なお、図12および図14では、シリコン基板20の主表面が001面である場合について説明したが、図12および図14に示したダイヤフラム24の形状は主表面が011面であるシリコン基板20についても適用可能である。この場合は、例えば、上記第4実施形態と同様に、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dのうち、第1、第3ピエゾ抵抗素子25a、25cをダイヤフラム24の中央部に形成することができる。さらに、上記各実施形態では、ダイヤフラム24にホイートストンブリッジフルブリッジ回路を構成する第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dが形成されている例について説明したが、例えば、ダイヤフラム24にハーフブリッジ回路を構成する第1、第2ピエゾ抵抗素子25a、25bのみが形成されていてもよい。そして、上記各実施形態では、第1~第4ピエゾ抵抗素子25a~25dは、ダイヤフラム24に応力が印加されたときに抵抗値が変化する方向を長手方向としたものを例に挙げて説明したが、例えば、ダイヤフラム24に応力が印加されたときに抵抗値が変化する方向を短手方向とする折り返し形状とされていてもよい。また、第1~第4ピエゾ抵抗25a~25dは、折れ線形状とされていなくてもよく、例えば、直線とされていてもよい。