半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うHNO3、HF及びH2Oからなるエッチング液であって、前記HNO3、HF及びH2Oの配合重量比が以下の式1を満たす、エッチング液。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:0を超え160以下1前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるn型の拡散層及び/又は前記半導体基板の裏面側に形成されるp型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられる、請求項1に記載のエッチング液。前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるp型の拡散層及び/又は前記半導体基板の裏面側に形成されるn型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられる、請求項1に記載のエッチング液。前記HNO3、HF及びH2Oの配合重量比が以下の式2を満たす、請求項1~3のいずれかに記載のエッチング液。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:30~1602前記半導体基板は単結晶又は多結晶シリコンであり、その比抵抗は0.3~50Ωcmである、請求項1~4のいずれかに記載のエッチング液。しかしながら、上記特許文献1に記載されたエッチング液としてのフッ硝酸液HF/HNO3液を用いた拡散層のエッチングでは以下のような問題点がある。例えば、エッチング液においてHFフッ化水素の配合量が多すぎる場合には、反応熱が発生し、エッチングレートが早くなってしまうことにより、エッチング制御が困難になってしまうといった問題がある。加えて、HFの消耗が早くなり、フッ硝酸液の劣化が促進されてしまい、エッチングにおいて基板表面が荒れて短絡電流密度Jscが低下してしまうといった問題や、エッチング液の寿命が短くなってしまうといった問題もある。一方、エッチング液においてHFフッ化水素の配合量が少なすぎる場合には、エッチングレートが遅くなり、エッチング液としての機能を果たさないために、エッチングを行うことが困難となってしまう。従って、上記問題点に鑑み、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングを行うに際してフッ硝酸液HF/HNO3液をエッチング液として用いる場合には、当該フッ硝酸液に含まれるHNO3硝酸、HFフッ化水素及びH2O水の割合を、所定の好ましい配合とする必要がある。そこで、本発明の目的は、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングで用いられるエッチング液としてのフッ硝酸液HF/HNO3液の各成分の配合を所定のものとすることで、効率的にエッチング制御を行い、所望のエッチングレートでもって基板の拡散層のエッチングを行って太陽電池セルを製造することにある。また、当該太陽電池セルを用いて、従来よりも性能に優れた太陽電池を製造することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明者らは太陽電池セルの製造に用いる基板の拡散層をエッチングする場合に用いるフッ硝酸液エッチング液の配合について鋭意研究を行い、当該フッ硝酸液に含まれるHNO3硝酸、HFフッ化水素及びH2O水における好適な配合比についての知見を得た。上記知見に基づく本発明によれば、半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うHNO3、HF及びH2Oからなるエッチング液であって、前記HNO3、HF及びH2Oの配合重量比が以下の式1を満たす、エッチング液が提供される。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:0を超え160以下1前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるn型の拡散層及び/又は前記半導体基板の裏面側に形成されるp型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられても良い。前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるp型の拡散層及び/又は前記半導体基板の裏面側に形成されるn型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられても良い。上記エッチング液において、前記HNO3、HF及びH2Oの配合重量比が以下の式2を満たすものとしても良い。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:30~1602また、前記半導体基板は単結晶又は多結晶シリコンであり、その比抵抗は0.3~50Ωcmであっても良い。本発明によれば、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングで用いられるエッチング液としてのフッ硝酸液HF/HNO3液の各成分の配合を所定のものとすることで、効率的にエッチング制御を行い、所望のエッチングレートでもって基板の拡散層のエッチングを行って太陽電池セルを製造することができる。また、当該太陽電池セルを用いて、従来よりも性能に優れた太陽電池を製造することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、本実施の形態では、p型の半導体基板の受光面側にn型の拡散層を形成する場合を例示して説明するが、本発明はこれに限られるものではなく、例えばn型の半導体基板の受光面側にp型の拡散層を形成する場合についても同様の手順で実施することが可能である。図1a~eは、単結晶シリコン基板からなる半導体基板1を用いて太陽電池セル20を製造する工程を示す説明図である。なお、図1において、上面が受光面である。先ず、図1aに示すように、例えばCZ法により作製された結晶面方位100、12.5cm角、厚さが30~500μmで、比抵抗が0.5~50Ωcmドーパント濃度4×1015~5×1016cm-3程度の単結晶シリコン基板からなるp型ボロンドープの半導体基板1が用意される。次に、高濃度10wtの水酸化ナトリウム水溶液に半導体基板1シリコン基板を浸漬させ、ダメージ層を取り除いた。なお、ここでは半導体基板1のダメージ層除去のために水酸化ナトリウム水溶液を用いたが、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いても構わない。またフッ硝酸などの酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。ここで、太陽電池は通常、表面に凸凹形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り2回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。そこで、ダメージエッチングを行なった基板を、例えば3wtの水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸し、ウエットエッチングすることにより、ランダムテクスチャ構造を形成する。これら一つ一つの山のサイズは1~20μm程度である。他の代表的な表面凸凹構造としてはV溝、U溝が挙げられる。これらは研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凸凹構造を作るには酸エッチングやリアクティブイオンエッチングなどが代替法として用いることが可能である。次に、拡散炉においてオキシ塩化リンPOCl3ガスを含有する雰囲気中で、半導体基板1が例えば870°Cに加熱されることによって、図1bに示すように、半導体基板1の上面受光面全面にリンPが拡散される。こうして、半導体基板1の表面受光面全面に高濃度拡散領域5が形成される。なお、本実施の形態における高濃度拡散領域5のシート抵抗は25~50Ω/□ohm/squareであることが好ましい。続いて、図1cに示すように、全面に高濃度拡散領域5が形成された半導体基板1の表面上に所定のパターンでレジスト膜7が例えば10~30μmの厚さで塗布される。このレジスト膜7のパターン形成は、例えばスクリーン印刷によって行われる。また、レジスト膜7として塗布されるレジスト剤としては、スクリーン印刷法にて印刷可能であり、耐HFフッ化水素酸性を有し、アルカリ性水溶液にて剥離が可能なレジスト剤を用いることが好ましい。次に、図1dに示すように、所定のパターンに形成されたレジスト膜7をマスクとして、露出した部分についてフッ硝酸液HF/HNO3液をエッチング液として用いた湿式エッチングが行われる。これにより、高濃度拡散領域5の一部マスクされていない部分がエッチングされ、低濃度拡散領域9が形成される。即ち、このエッチングにおいてマスクされていた箇所については高濃度拡散領域5が形成されたままとなり、半導体基板1の表面受光面は、高濃度拡散領域5と低濃度拡散領域9が所定のパターンでもって混在する状態となる。そして、図1eに示すように、例えばアルカリ性水溶液によってレジスト膜7が除去される。次に、図1fに示すように、プラズマCVD装置を用いて半導体基板1の表面に表面保護膜パッシベーション膜兼反射防止膜12として例えば窒化膜を堆積させると共に、各高濃度拡散領域5の上に受光面グリッド電極14が形成される。上記反射防止膜12としては、窒化膜以外に酸化膜、二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜等が例示される。また、反射防止膜12の形成法は上記プラズマCVD装置による方法以外にも、リモートプラズマCVD法、コーティング法、真空蒸着法等が例示されるが、経済的な観点からプラズマCVD法が好ましい。さらに、上記反射防止膜12上にトータルの反射率が最も小さくなるような条件、例えば二フッ化マグネシウム膜といった屈折率が1から2の間の膜を形成すれば、反射率がさらに低減し、生成電流密度が高くなる。また、受光面グリッド電極14は、例えばAgを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷で各高濃度拡散領域5上に塗布することにより形成される。一方、半導体基板1の裏面においては、図1fのように、裏面電極16がスクリーン印刷機によって印刷乾燥される。裏面電極16は、例えばAgを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷によって半導体基板1の裏面側に印刷することにより形成される。そして、焼成を行うことで受光面グリッド電極14や裏面電極16を焼結させ、半導体基板1の裏面において裏面電極16以外の部分にAL-BSFAl-BackSurfaceField10を形成させ、太陽電池セル20が製造される。図1を参照して上述した工程によって太陽電池セル20は製造されるが、本発明者らは、図1c、dにおいて示した低濃度拡散領域9を形成するフッ硝酸液を用いたエッチング以下、エッチング工程とも呼称するにおいて、HNO3、HF及びH2Oからなるエッチング液としてのフッ硝酸液の各成分の配合比を好適に制御することで、エッチング制御を行うことが可能であることを見出し、最終製品である太陽電池の性能を向上させるための好適な配合比について鋭意研究を行った。以下には、その好適な配合比について説明する。なお、以下に説明する配合比の数値は全て重量比wtでもって示している。図2は、エッチング工程においてエッチング液フッ硝酸液のHNO3とH2Oの重量を固定し、HFの配合比を変化させた場合の製造される太陽電池セルの変換効率Effを測定したグラフである。なお、図2においてHNO3とH2Oの配合比はHNO3:H2O=100:68で固定して測定を行っている。図2に示されるように、HFの配合比を、重量比でHNO3:HF=100:0.05よりも少なくした場合には、エッチングレートが遅くなってしまい、製造される太陽電池セルの変換効率が低下している。一方、HFの配合比を、重量比でHNO3:HF=100:1.5よりも多くした場合には、半導体基板表面が荒れて短絡電流密度Jscが低下し、製造される太陽電池セルの変換効率が低下してしまう。ここで、図3はHFの配合比を変えた場合の半導体基板表面のSEM画像であり、図3aはHNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:68とした場合の画像であり、図3bはHNO3:HF:H2O=100:2:68とした場合の画像である。図3aと図3bを比較すると、図3bの場合の方が半導体基板表面が荒れていることが分かる。図2及び図3から得られる知見によれば、製造された太陽電池セルの変換効率を低下させること無くエッチングを行うことが可能なHFの配合比はHNO3:HF=100:0.05~1.5であることが分かる。ここに、本検討において固定重量としているH2Oの配合比も記載することで、エッチング液の好適な配合比として以下の式3が得られる。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:683また、図4はエッチング工程においてエッチング液フッ硝酸液のHNO3とHFの重量を固定し、H2Oの配合比を変化させた場合のn型拡散層のシート抵抗n層ρs[Ω/□]の処理時間変化を測定したグラフである。また、図5は、エッチング工程においてエッチング液フッ硝酸液のHNO3とHFの重量を固定し、H2Oの配合比を増加させた場合に、n型拡散層のシート抵抗を80Ω/□となるまでにかかる処理時間エッチングに要する時間を測定したグラフである。なお、図4及び図5においてHNO3とHFの配合比はHNO3:HF=100:0.24重量比で固定して測定を行っている。図4に示されるように、HNO3:H2Oの配合比を100:67、100:127、100:308とそれぞれ変化させた場合には、H2Oの配合比を増加させる程エッチングレートが低下し、n型拡散層のシート抵抗を所望の値まで上昇させるのに処理時間が長くかかってしまう。また、同様に、図5に示されるように、エッチングによってn型拡散層のシート抵抗を所定の値80Ω/□にするための処理時間が、H2Oの配合比を増加させるほど長時間となってしまう。図4及び図5から得られる知見によれば、n拡散層のシート抵抗を所定の値にするための処理時間は、エッチング液中のH2Oの配合比が少ない程好ましい。また、通常太陽電池セルの製造において行われるエッチング処理時間は10min以内が望ましいことが知られている。これは、PV工場の薬液工程は、通常5~10minタクトで行われており、10minを超えると、処理槽を直列的にもう一槽設ける必要があるため、装置コストの増大といった問題が生じるためである。従って、図5の結果からエッチングの処理時間が10min600sec以下で済むためには、エッチング液中のH2Oの配合比をHNO3:H2O=100:0を超え160以下とすることが望ましいことが分かる。ここに、本検討において固定重量としているHFの配合比も記載することで、エッチング液の好適な配合比として以下の式4が得られる。HNO3:HF:H2O=100:0.24:0を超え160以下4以上、図2~図5を参照して検討した結果から得られる式3及び式4の両方を満たすエッチング液の配合比が、最適な条件として以下の式1に示される。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:0を超え160以下1また、一般的にフッ硝酸液HF/HNO3液を作製する場合には、フッ酸と硝酸が含まれる水溶液をそれぞれ用意し、それら水溶液を混合することでフッ硝酸液を得る。即ち、作製されるフッ硝酸液は水溶液となり、H2Oが必ず含まれる。一般的に市販されているフッ酸を含む水溶液と硝酸を含む水溶液とを混合した場合、フッ硝酸液におけるH2Oの配合比は以下の式5に示すようになることが知られている。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:30~30以上5従って、上記式1に示されるエッチング液の配合条件に、式5に示した条件を加えることで、より好ましいエッチング液の配合比として以下の式2の条件が導き出される。HNO3:HF:H2O=100:0.05~1.5:30~1602以上説明した式1あるいは式2で示される配合比のフッ硝酸液を、低濃度拡散領域9を形成する場合のエッチング液として用いた場合、エッチングレートの低下が回避され、半導体基板1において形成される低濃度拡散領域9のシート抵抗を所定の値にするための処理時間を長時間化することなく、効率的にエッチングを行うことができる。また、エッチング後の低濃度拡散領域9のシート抵抗を例えば70~90Ω/□程度の所定の値に安定的且つ効率的に制御することが可能となるため、最終的に製造される太陽電池セルの性能を従来に比べ向上させることが可能となる。更には、当該太陽電池セルを用いて太陽電池を製造することで、従来よりも性能の優れた太陽電池を製造することができる。なお、上記シート抵抗の安定化や太陽電池セルの性能の向上については、後述する実施例において具体的に説明する。以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。上記実施の形態では、p型の半導体基板1の受光面側にn型の拡散層高濃度拡散領域5、低濃度拡散領域9を形成する場合を説明したが、n型の半導体基板の受光面側にp型の拡散層を形成する場合についても同様の手順で実施できる。また、拡散層については半導体基板1の受光面側にのみ形成する場合を例示して説明したが、例えば半導体基板1の受光面側と裏面側の両方に拡散層を形成する場合について、その両方の拡散層に対して本願発明は適用可能である。実施例本発明者らは、実施例として、本発明にかかるエッチング液を用いてエッチングを行うことで、エッチングレートを維持し、半導体基板の低濃度拡散領域におけるシート抵抗を安定して所望の値とすることができることを実証する実験を行った。図6はこの実験結果を示すものであり、エッチング液の配合比HNO3:HF:H2Oを所定の比率に維持した状態で、半導体基板上に低濃度拡散領域の形成を行うためのエッチングを複数回行った際のバッチ処理ごとのエッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗を測定したグラフである。なお、本実施例におけるエッチング液の配合比はHNO3:HF:H2O=100:0.24:67とし、当該配合比を維持するために、適宜HFをエッチング液に加えることとした。また、バッチ処理回数は25回とした。図6に示すように、エッチング液の配合比HNO3:HF:H2Oを所定の比率に維持してエッチングを行うことで、エッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗は常に所望の範囲内の値70~90Ω/□とすることが可能であった。ここで、エッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗を70~90Ω/□、より好ましくは約80Ω/□とするのは、低濃度拡散領域のシート抵抗が60~105Ω/□の範囲である場合に太陽電池セルの変換効率が良好であることが知られており、特に当該シート抵抗が約80Ω/□である場合に太陽電池セルの変換効率が良好であることが知られているからである特許文献1参照。