各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行且つ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持されるとともに、75°Cの転移温度Tniにおいて誘電率異方性Δεが3.3以上、5.3以下の材料からなる液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記画素電極と前記共通電極との間に印加する液晶駆動電圧の最大値は5V以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。最大値付近の液晶駆動電圧を印加した際に、透過率が最大となる請求項2に記載の液晶表示装置。さらに、前記第1基板の外面に配置された第1偏光板及び第2基板の外面に配置された第2偏光板を備え、前記第1偏光板の第1偏光軸と前記第2偏光板の第2偏光軸とが直交することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、透過率を向上することが可能な液晶表示装置を提供することにある。本実施形態によれば、各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行且つ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持されるとともに、75°Cの転移温度Tniにおいて誘電率異方性Δεが3.3以上、5.3以下の材料からなる液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数である。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続された画素電極PE、容量線Cの一部であり画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。保持容量CSは、容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第1駆動回路GDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第2駆動回路SDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第3駆動回路CDに接続されている。これらの第1駆動回路GD、第2駆動回路SD、及び、第3駆動回路CDは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源として、駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。図2は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する側10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタTFTである。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に形成されている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWに接続されている。また、この画素電極PEは、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLを有している。これらの共通電極CE及び画素電極PEは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する側30Aに、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタは、緑色画素に対応して配置されている。異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。また、オーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。このようなオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。特に、このような液晶層LQは、例えば、誘電率異方性が正ポジ型の液晶材料によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置される。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。第1偏光板PL1の第1偏光軸あるいは第1吸収軸と第2偏光板PL2の第2偏光軸あるいは第2吸収軸とは、例えば、クロスニコルの位置関係にある。図3は、図2に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。ゲート配線Gは、第1方向Xに沿って延出している。このようなゲート配線Gは、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線Sは、第2方向Yに沿って延出している。このようなソース配線Sは、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線Gとソース配線Sとの交差部にはスイッチング素子が配置されているが図示を省略している。容量線Cは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、容量線Cは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方に延在しており、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。この容量線Cは、各画素PXに対応して形成された共通電極CEを含んでいる。各画素PXの画素電極PEは、共通電極CEの上方に配置されている。各画素電極PEは、各画素PXにおいて画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った短辺と、第2方向Yに沿った長辺と、を有する概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、基板主面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理がなされている。第1配向膜AL1は、スリットPSLに対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、スリットPSLが延出した第2方向Yに対して5°~15°の角度をもって交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。このような構成の液晶表示装置において、液晶層LQに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態OFF時では、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向に初期配向する液晶分子LMが初期配向する方向を初期配向方向と称する。OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光は、第1偏光板PL1に対してクロスニコルの位置関係にある第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。一方、液晶層LQに電圧が印加された状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態ON時では、液晶分子LMは、面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、電界と略平行な方向に配向する。このようなON時には、第1偏光板PL1の第1吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。次に、本実施形態における液晶層LQの物性と駆動方法との関係について検討する。まず、画素電極PEと共通電極CEとの間に印加する液晶駆動電圧と、液晶表示パネルLPNの透過率との関係について説明する。図4は、液晶駆動電圧Vに対する透過率の関係の一例を示す図である。ここに示した例は、75°Cの転移温度Tniにおける誘電率異方性Δεが異なる条件の液晶材料を適用した以外は全て同一条件で構成された液晶表示パネルを用意し、液晶駆動電圧に対する透過率の変化を測定したものである。用意した液晶表示パネルは以下の5種類である。すなわち、パネル1は誘電率異方性Δεが1.3の液晶材料を適用して構成されたものであり、パネル2は誘電率異方性Δεが2.3の液晶材料を適用して構成されたものであり、パネル3は誘電率異方性Δεが5.3の液晶材料を適用して構成されたものであり、パネル4は誘電率異方性Δεが7.3の液晶材料を適用して構成されたものであり、パネル5は誘電率異方性Δεが9.3の液晶材料を適用して構成されたものである。なお、図中の透過率は、パネル5において3.5Vの液晶駆動電圧を印加した場合の透過率を100として規格化したものである。液晶駆動電圧の最大値は、駆動回路の負荷の増大抑制、消費電力の低減、耐圧性などを考慮して5V以下に設定される。液晶駆動電圧の最大値を5Vに設定した場合、パネル2及びパネル3では、液晶駆動電圧の上昇に伴って透過率が単調増加し、最大値付近の液晶駆動電圧を印加した際に、透過率が最大となる。このとき、パネル2及びパネル3で得られる最大の透過率は、パネル5において3.5Vの液晶駆動電圧を印加したときの透過率に対して約10向上する。一方で、パネル1については、液晶駆動電圧の上昇に伴って透過率が単調増加するものの、得られる最大の透過率は、パネル5において3.5Vの液晶駆動電圧を印加したときの透過率を約10下回る。また、パネル4及びパネル5については、5Vよりも低い液晶駆動電圧を印加した際に最大の透過率が得られるが、得られる最大の透過率は、パネル2及びパネル3で得られる最大の透過率よりも低い。上記の結果から、液晶層LQを構成する液晶材料として、75°Cの転移温度Tniにおける誘電率異方性Δεが3.3以上、5.3以下の材料を適用したパネルにおいて、高い透過率を得られることが確認された。特に、液晶駆動電圧の最大値が5V以下の条件化では、誘電率異方性Δεが3.3以上、5.3以下の材料を適用したパネルにおいて、最も高い透過率を得られることが確認された。ところで、このように低い正の誘電率異方性Δεを有する液晶材料を適用することでパネル透過率を改善できることは、以下の知見により見出した。すなわち、誘電率異方性Δεが高い液晶材料は、電界に対して比較的感度が高いため、比較的低い液晶駆動電圧を印加した際に最大の透過率が得られる。このため、誘電率異方性Δεの小さい液晶材料を適用したパネルほど、最大の透過率が得られる液晶駆動電圧が高くなる傾向があり、この傾向は上記の測定結果から読み取ることができる。また、誘電率異方性Δεが高い液晶材料は、電界に対して比較的感度が高いため、基板主面にほぼ平行に初期配向している液晶分子が電圧印加時に基板主面に対して起き上がってしまい、液晶層LQの実質的なリタデーションΔnd但し、Δnは液晶材料の屈折率異方性であり、dは液晶層を保持しているセルギャップに相当するが低下してしまう。このため、誘電率異方性Δεの大きい液晶材料を適用したパネルほど、得られる最大の透過率が低くなる傾向があり、この傾向は上記の測定結果から読み取ることができる。これらの知見に基づき、本実施形態においては、誘電率異方性Δεが3.3以上、5.3以下の材料を適用して液晶表示パネルを構成するものである。一方で、誘電率異方性Δεの小さい液晶材料を適用したことにより、各画素に表示すべき階調を変化させた際の応答速度を向上することが可能となる。すなわち、誘電率異方性Δεの小さい液晶材料ほど粘性率γ1mPasが低くなる傾向があり、また、転移温度Tniの低い液晶材料ほど粘性率γ1mPasが低くなる傾向がある。液晶材料の低粘性化を図ることにより、液晶駆動電圧の大小にかかわらず、応答速度を向上することが可能となる。一例として、転移温度Tniが75°Cにおいて誘電率異方性Δεが3.3である液晶材料においては、粘性率γ1は48mPasであった。このような条件の液晶材料を適用した液晶表示パネルは図4のパネル2に相当し、液晶駆動電圧の最大値を5Vに設定して駆動したところ、上記のように高い透過率が得られ、しかも、ネガ型の液晶材料を適用した場合よりも応答速度を高速化できることが確認された。以上説明したように、本実施形態によれば、透過率を向上することが可能な液晶表示装置を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。