基板の表面に液状物質を吐出してパターンを描画する描画装置であって、先端が前記基板の表面に対向して配置され、前記液状物質が注入された静電吸引式のノズルと、前記基板を水平に保持するとともに、前記基板と前記ノズルを水平方向に相対移動させる第1の位置決め手段と、前記ノズルを垂直方向に移動させる第2の位置決め手段と、前記液状物質にパルス電圧を印加して、前記ノズルの先端から前記液状物質を吐出させるパルス電圧発生手段と、前記第1および第2の位置決め手段と前記パルス電圧発生手段を制御し、待機時は前記基板の表面の上方の待機位置に前記ノズルの先端を配置し、描画時は、前記ノズルを下降させて描画開始点の上方の描画位置に前記ノズルの先端を配置し、前記ノズルの先端から前記液状物質を吐出させる制御手段とを備え、前記制御手段は、前記ノズルの先端を前記待機位置から前記描画位置まで移動させる間に前記ノズルを少なくとも1回停止させる、描画装置。前記制御手段は、前記ノズルの先端を前記待機位置から下降させて前記待機位置と前記描画位置の間の補正位置に前記ノズルの先端を一旦停止させた後に、前記ノズルの先端を前記補正位置から前記描画位置に下降させる、請求項1に記載の描画装置。前記待機位置と前記補正位置の間の距離は、前記補正位置と前記描画位置の間の距離よりも大きい、請求項2に記載の描画装置。前記補正位置と前記描画位置の間の距離は、前記第2の位置決め手段のオーバーシュート量、または前記ノズルの垂直方向の振動幅よりも大きく設定される、請求項2または請求項3に記載の描画装置。前記補正位置と前記描画位置の間の距離は1mm以下に設定される、請求項2から請求項4までのいずれかに記載の描画装置。前記第2の位置決め手段は、前記ノズルによって捨て打ちされた液状物質を受ける捨て打ち部材と、前記ノズルの先端と前記基板の間に前記捨て打ち部材を挿抜する駆動手段と、前記ノズルと前記捨て打ち部材との間に設けられ、前記ノズルの先端と前記基板の間に前記捨て打ち部材が挿入されるに従って前記ノズルを上昇させ、前記ノズルと前記基板の間から前記捨て打ち部材が抜き取られるに従って前記ノズルを下降させる倣い機構とを含み、前記制御手段は、前記駆動手段を制御し、捨て打ち動作時は、前記ノズルの先端と前記基板の間に前記捨て打ち部材を挿入して、前記ノズルから前記液状物質を吐出させ、捨て打ち動作の終了後は、前記ノズルと前記基板の間から前記捨て打ち部材を抜き取り、前記ノズルと前記基板の間から前記捨て打ち部材が抜き取られたとき、前記ノズルの先端は前記補正位置に配置されている、請求項2から請求項5までのいずれかに記載の描画装置。さらに、前記基板の表面の高さを測定する測定手段を備え、前記制御手段は、前記測定手段の測定結果に基づいて、前記ノズルの先端と前記基板の表面の間の距離を補正する、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の描画装置。前記制御手段は、前記ノズルの先端から前記液状物質を吐出させながら前記ノズルと前記基板を水平方向に相対移動させて、前記基板の表面に前記液状物質のパターンを描画する、請求項1から請求項7までのいずれかに記載の描画装置。基板の表面に形成されたパターンの欠陥を修正するパターン修正装置であって、先端が前記基板の表面に対向して配置され、修正液が注入された静電吸引式のノズルと、前記基板を水平に保持するとともに、前記基板と前記ノズルを水平方向に相対移動させる第1の位置決め手段と、前記ノズルを垂直方向に移動させる第2の位置決め手段と、前記修正液にパルス電圧を印加して、前記ノズルの先端から前記修正液を吐出させるパルス電圧発生手段と、前記第1および第2の位置決め手段と前記パルス電圧発生手段を制御し、待機時は前記基板の上方の待機位置に前記ノズルの先端を配置し、修正時は、前記ノズルを下降させて前記欠陥の上方の描画位置に前記ノズルの先端を配置し、前記ノズルの先端から前記修正液を吐出させる制御手段とを備え、前記制御手段は、前記ノズルの先端を前記待機位置から前記描画位置まで移動させる間に前記ノズルを少なくとも1回停止させる、パターン修正装置。このような静電吸引式のインクジェット装置では、たとえばガラス管の先端を非常に細く加工したノズルを使用し、描画時にはノズルの先端と基板の表面との間隔を数十μm程度の微小距離に設定する必要がある。その際、ノズルの先端が基板の表面に接触し、ノズル先端を損傷するという問題があった。たとえば、ノズルの先端と基板の表面との間隔を設定する際、Z軸ステージを高速で下降させてノズルの先端を待機位置から描画位置に移動させると、Z軸ステージのオーバーシュートや、ノズルを固定支持する部材の振動によってノズルの先端を基板の表面に衝突させてしまう場合がある。ノズルの先端を損傷するとジェット流が乱れて吐出位置が不安定になるので、ノズルの交換が必要になる。それゆえに、この発明の主たる目的は、ノズルの先端と基板の表面との接触を防止することが可能な描画装置およびパターン修正装置を提供することである。この発明に係る描画装置は、基板の表面に液状物質を吐出してパターンを描画する描画装置であって、先端が基板の表面に対向して配置され、液状物質が注入された静電吸引式のノズルと、基板を水平に保持するとともに、基板とノズルを水平方向に相対移動させる第1の位置決め手段と、ノズルを垂直方向に移動させる第2の位置決め手段と、液状物質にパルス電圧を印加して、ノズルの先端から液状物質を吐出させるパルス電圧発生手段と、第1および第2の位置決め手段とパルス電圧発生手段を制御し、待機時は基板の表面の上方の待機位置にノズルの先端を配置し、描画時は、ノズルを下降させて描画開始点の上方の描画位置にノズルの先端を配置し、ノズルの先端から液状物質を吐出させる制御手段とを備えたものである。制御手段は、ノズルの先端を待機位置から描画位置まで移動させる間にノズルを少なくとも1回停止させる。好ましくは、制御手段は、ノズルの先端を待機位置から下降させて待機位置と描画位置の間の補正位置にノズルの先端を一旦停止させた後に、ノズルの先端を補正位置から描画位置に下降させる。また好ましくは、待機位置と補正位置の間の距離は、補正位置と描画位置の間の距離よりも大きい。また好ましくは、補正位置と描画位置の間の距離は、第2の位置決め手段のオーバーシュート量、またはノズルの垂直方向の振動幅よりも大きく設定される。また好ましくは、補正位置と描画位置の間の距離は1mm以下に設定される。また好ましくは、第2の位置決め手段は、ノズルによって捨て打ちされた液状物質を受ける捨て打ち部材と、ノズルの先端と基板の間に捨て打ち部材を挿抜する駆動手段と、ノズルと捨て打ち部材との間に設けられ、ノズルの先端と基板の間に捨て打ち部材が挿入されるに従ってノズルを上昇させ、ノズルと基板の間から捨て打ち部材が抜き取られるに従ってノズルを下降させる倣い機構とを含む。制御手段は、駆動手段を制御し、捨て打ち動作時は、ノズルの先端と基板の間に捨て打ち部材を挿入して、ノズルから液状物質を吐出させ、捨て打ち動作の終了後は、ノズルと基板の間から捨て打ち部材を抜き取る。ノズルと基板の間から捨て打ち部材が抜き取られたとき、ノズルの先端は補正位置に配置されている。また好ましくは、さらに、基板の表面の高さを測定する測定手段を備え、制御手段は、測定手段の測定結果に基づいて、ノズルの先端と基板の表面の間の距離を補正する。また好ましくは、制御手段は、ノズルの先端から液状物質を吐出させながらノズルと基板を水平方向に相対移動させて、基板の表面に液状物質のパターンを描画する。また、この発明に係るパターン修正装置は、基板の表面に形成されたパターンの欠陥を修正するパターン修正装置であって、先端が基板の表面に対向して配置され、修正液が注入された静電吸引式のノズルと、基板を水平に保持するとともに、基板とノズルを水平方向に相対移動させる第1の位置決め手段と、ノズルを垂直方向に移動させる第2の位置決め手段と、修正液にパルス電圧を印加して、ノズルの先端から修正液を吐出させるパルス電圧発生手段と、第1および第2の位置決め手段とパルス電圧発生手段を制御し、待機時は基板の上方の待機位置にノズルの先端を配置し、修正時は、ノズルを下降させて欠陥の上方の描画位置にノズルの先端を配置し、ノズルの先端から修正液を吐出させる制御手段とを備えたものである。制御手段は、ノズルの先端を待機位置から描画位置まで移動させる間にノズルを少なくとも1回停止させる。この発明に係る描画装置およびパターン修正装置では、ノズルの先端を待機位置から描画位置まで移動させる間にノズルを少なくとも1回停止させる。したがって、ノズルの停止位置と描画位置との間の距離を小さく設定することにより、ノズルの先端と基板の表面との接触を防止することができる。この発明に係る描画装置では、静電吸引式のインクジェットノズルは、描画吐出を行わない待機時には、基板から上方に遠く離れた待機位置に配置される。描画動作時には、ノズルを待機位置から描画を行なう描画位置まで複数段階で下降させてノズル先端の損傷を回避する。すなわち静電吸引型のノズルは、上下方向に移動可能なZ軸ステージに固定され、Z軸ステージは制御装置によって制御される。制御装置は、描画指令に応答してZ軸ステージを駆動させ、第一段階第一の下降としてノズルを待避位置から補正位置まで下降させて一旦停止させる。補正位置では、ノズル先端と基板表面の間隔が描画距離Gに補正距離Hを加算した距離GHに設定される。次に制御装置は、Z軸ステージを駆動させ、第二段階第二の下降としてノズルを補正距離Hだけ下降させて描画位置で停止させる。描画位置では、ノズル先端と基板表面の間隔が描画距離Gに設定され、ノズル先端からの液状物質の吐出が可能となる。第二段階の下降量は第一段階の下降量よりも小さく設定され、第二段階の下降量は僅かである。補正距離Hは、Z軸ステージのオーバーシュートやノズルを固定する部材の振動による変位よりも大きめに設定される。補正距離Hは、1mm以下の値に設定され、たとえば100μm程度に設定される。補正距離Hを微小な値に設定するので、第二の下降時には、Z軸ステージのオーバーシュートやノズルを固定する部材の振動は、無視できるほど小さく抑制される。したがって、ノズル先端と基板表面との衝突を防止して、ノズル先端が損傷することを回避することができる。また、下降量が小さいので移動時間も僅かであり、2段階に分けてノズルを下降してもタクトタイムには余り影響を与えない。以下、本願発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による描画装置の要部を示す断面図である。図1において、この描画装置は、静電吸引型のインクジェットノズル1と、パルス電圧発生装置3と、XYステージ5と、描画装置全体を制御する制御装置7とを備える。ノズル1は、ガラス管を引き伸ばして先端径を微小に形成したものである。ノズル1の内部には液状物質液体2が注入され、パルス電圧発生装置3から出力されるパルス電圧VPが液状物質2に印加可能になっている。基板4は、XYステージ5の上に水平に固定される。XYステージ5を駆動させることによって基板4の表面の所望の目標位置をノズル1の下方に位置決めすることが可能となっている。描画動作時にはノズル1の先端1aと基板4の表面とは、微小な描画距離Gを開けて対峙する。この状態でノズル1に注入した液状物質2にパルス電圧VPを印加すると、ノズル1の先端1aから基板4に向かって円錐状のテーラーコーン2aが形成され、テーラーコーン2aの頂部から基板4の表面に達するジェット流液柱2bが生じ、液状物質2の一部が基板4の表面上に移動して液滴2cが形成される。図2は、描画装置を用いて基板4の表面に液状物質2のパターンを描画する方法を示す図である。描画装置は、さらに、制御装置7によって制御されるZ軸ステージ6を備える。ノズル1はZ軸ステージ6に固定される。Z軸ステージ6を駆動させることでノズル1を上下方向に移動させ、ノズル1の先端1aと基板4の表面との間隔を所望の距離に設定することが可能となっている。Z軸ステージ6を駆動させることでノズル1の先端1aと基板4との間隔をパターニング可能な描画距離Gに調整する。この状態でパルス電圧発生装置3から液状物質2にパルス電圧VPを印加しながら、XYステージ5を駆動させてノズル1と基板4とを水平方向に相対移動させることにより、任意形状のパターン2dを基板4の表面に描画することができる。ここでは、基板4を搭載したXYステージ5を駆動して相対移動させているが、ノズル1をXY方向に移動させる形態であっても良い。描画が終了すると、Z軸ステージ6によって、基板4から上方に大きく離れた待機位置にノズル1が移動される。ノズル1の先端1aと基板4の表面との間の描画距離Gが数十μmと微小な距離である場合、待機位置から描画位置までノズル1を高速で直接下降させると、Z軸ステージ6が停止位置よりも行き過ぎるオーバーシュートや、ノズル1を固定支持する部材の振動によってノズル1の先端1aを基板4に衝突させてしまうことも想定される。また、オーバーシュートや振動を抑えるためにZ軸ステージ6の下降速度を遅くしたり、減速時間を長くする方法も考えられるが、下降移動時間が長くなってタクトタイムが増えるので余り好ましくない。このため、Z軸ステージ6を高速で下降させても、ノズル1の先端1aが基板4に衝突するのを防止し、ノズル1の先端1aを損傷させない方法が必要とされる。そこで、この実施の形態1では、図3に示すように、待機時にはノズル1の先端1aを待機位置で待機させる。制御装置7は、描画指令に応答して、Z軸ステージ6を駆動させてノズル1を下降させ、ノズル1の先端1aと基板4の表面との間隔が描画距離Gに補正距離Hを加算した距離GHとなる補正位置にノズル1の先端1aを一旦停止させる第一の下降。次に制御装置7は、Z軸ステージ6を駆動させて補正距離Hだけノズル1を下降させ、ノズル1の先端1aと基板4の表面との間隔を最終的に描画距離Gに合わせる第二の下降。補正距離Hは、Z軸ステージ6のオーバーシュートやノズル1を固定する部材の振動による変位よりも大きめに設定される。補正距離Hは、1mm以下、たとえば100μm程度とされる。第二の下降量は、第一の下降量よりも小さく設定されることになる。ノズル1の高さを2段階に分けてノズル1を下降させる場合、第一の下降ではノズル1の先端1aを補正位置で一旦停止させる。このとき、ノズル1の先端1aと基板4の間隔は十分に大きな距離GHに設定されているため、Z軸ステージ6のオーバーシュートやノズル1を固定する部材に振動があったとしてもノズル1の先端1aを基板4に衝突させることはない。第二の下降の下降量が1mm以下と微小であれば、Z軸ステージ6のオーバーシュートやノズル1を固定する部材の振動をほとんど無視できるほど小さく抑制することができるので、ノズル1の先端1aと基板4の表面との衝突を回避することができる。そのため、ノズル1の先端1aと基板4との間の描画距離Gを数十μmに設定しても、ノズル1の損傷を防止することが可能となる。また、補正距離Hを微小な距離に設定すると移動時間も僅かなため、2段階に分けてノズル1を下降させてもタクトタイムには余り影響を与えない。図4は、この描画装置の動作を示すフローチャートである。制御装置7は、ステップS1において描画位置と描画形状描画範囲が指定されると、ステップS2においてXYステージ5を駆動させてノズル1の先端1aを基板4の描画開始点目標位置の上方の待機位置に移動させる。次に制御装置7は、ステップS3においてZ軸ステージ6を駆動させてノズル1を下降させ、ノズル1の先端1aを補正位置で一旦停止させる第一の下降。次いで制御装置7は、ステップS4においてZ軸ステージ6を駆動させてノズル1を下降させ、ノズル1の先端1aを描画位置で停止させる第二の下降。次に制御装置7は、ステップS5においてパルス電圧発生装置3にパルス電圧を発生させてノズル1の先端1aから基板4の表面に液滴2cを吐出させるとともに、XYステージ5を駆動させてノズル1を水平方向に移動させ、ステップS1で指定された範囲に液状物質2のパターン2dを描画する。描画が終了すると制御装置7は、ステップS6においてZ軸ステージ6を駆動させ、ノズル1を上昇させてノズル1の先端1aを待機位置に移動させ、一連の工程を終了する。なお、ステップS2とステップS3の間に捨て打ち工程を追加して、ノズル1から液状物質2を多量に吐出してノズル1の先端にある液状物質2をリフレッシュしても良い。液状物質2の捨て打ちは、基板4の上ではなく、図示しない捨て打ち板の上にすることが好ましい。[実施の形態2]図5は、この発明の実施の形態2による描画装置パターン修正装置10の構成を示す斜視図である。図5において、描画装置10は、定盤11を備える。定盤11の中央部にチャック12が設けられ、チャック12には基板13が固定される。また、定盤11には、ガントリ型のXYステージ14が搭載されている。XYステージ14は、X軸ステージ14aと門型のY軸ステージ14bとを含む。Y軸ステージ14bは、チャック12を跨ぐように設けられ、図中のY軸方向に移動する。X軸ステージ14aは、Y軸ステージ14bに搭載され、図中のX方向に移動する。X軸ステージ14aには、上下方向に移動可能なZ軸ステージ15が搭載される。Z軸ステージ15には、観察光学系16が固定される。観察光学系16の上方にはレーザ17が搭載され、その下方には対物レンズ18を切り替える対物レンズ切り替え器19が固定される。さらに、対物レンズ切り替え器19には、図1で示した静電吸引式のインクジェットノズル1を固定支持する支持ユニット20が固定される。レーザ17は基板13の表面に形成済みのパターンを除去、整形する場合などに用いられ、レーザ加工が不要な場合には搭載されない。X軸ステージ14a、Y軸ステージ14b、およびZ軸ステージ15を制御することにより、観察光学系16、支持ユニット20の各々を基板13表面の所望の位置の上方に移動させることが可能となる。対物レンズ切り替え器19は、図6に示すように、互いに倍率が異なる複数の対物レンズ18をXY方向に移動させるXYステージの可動板19aを備える。可動板19aを移動させることで対物レンズ18の倍率を変更したり、支持ユニット20をXY方向に移動させることが可能となっている。なお、支持ユニット20は、Z軸ステージ15に直接固定してあっても良い。支持ユニット20は可動板19aの下面に固定され、ノズル1を固定した固定台21と、固定台21を上下に移動させるZ軸ステージ22と、円板状の捨て打ち板23と、捨て打ち板23を水平方向に移動させるX軸ステージ24を備える。捨て打ち板23は、X軸ステージ24に回転可能な状態で支持される。Z軸ステージ22は、カム機構図示せずによりX軸ステージ24の移動に連動して上下動することが可能とされる。図6では、待機状態が示されており、ノズル1の先端1aと捨て打ち板23の表面とは微小な距離を保って対峙しており、液状物質2の捨て打ちが可能な状態にある。図7は、捨て打ち板23をノズル1の下方から外れるように退避した状態を示す斜視図である。図6の矢印A方向にX軸ステージ24を移動させると、捨て打ち板23も一緒にA方向に移動して、ノズル1の直下から捨て打ち板23が外れるとともに、図視しないカム機構によってZ軸ステージ22が下降端まで下降する。このときZ軸ステージ22に固定した固定台21も下降し、ノズル1の先端1aは捨て打ち板23よりも下方に位置することになる。たとえば、観察光学系16で基板13の表面を観察可能な焦点位置にZ軸ステージ15が位置する状態で、捨て打ち板23を退避させると、ノズル1が下降してノズル1の先端1aが補正位置に配置される。補正位置では、ノズル1の先端1aと基板4の表面との間隔が所定距離GHに設定される。図8は、図5に示した描画装置10の動作を示すフローチャートである。描画装置10には、装置全体を制御する制御装置図示せずが設けられている。制御装置は、たとえばパーソナルコンピュータで構成されている。制御装置は、ステップS11において描画位置と描画形状描画範囲が指定されると、ステップS12においてXYステージ14および対物レンズ切り替え器19の可動板19aを駆動させ、ノズル1の先端1aを基板4の描画開始点目標位置の上方の待機位置に移動させる。次に制御装置は、ステップS13においてZ軸ステージ15を駆動させ、ノズル1を下降させてノズル1の先端1aを捨て打ち位置に移動させ、ステップS14においてパルス電圧発生装置図示せずにパルス電圧VPを発生させて液状物質2の捨て打ちを行なわせる。次いで制御装置は、ステップS15において捨て打ち板23をノズル1の下から退避させる。捨て打ち板23を退避させると、ノズル1も連動して下降し、ノズル1の先端1aは補正位置に移動する図4の第一の下降に相当。次に制御装置は、ステップS16においてZ軸ステージ15を駆動させ、ノズル1を補正距離H分だけ下降させてノズル1の先端1aを描画位置に移動させる図4の第二の下降に相当。次いで制御装置は、ステップS17においてパルス電圧発生装置にパルス電圧を発生させてノズル1の先端1aから基板13の表面に液滴2cを吐出させるとともに、XYステージ14を駆動させてノズル1を水平方向に移動させ、ステップS11で指定された範囲に液状物質2のパターン2dを描画する。描画が終了すると制御装置は、ステップS18においてZ軸ステージ15を駆動させ、ノズル1を上昇させてノズル1の先端1aを待機位置に移動させ、一連の工程を終了する。図9から図11は、支持ユニット20の構成を示す図であり、特に、図9は支持ユニット20の正面図であり、図10は図9のX-X線断面図であり、図11は図10のB矢視図である。図9から図11は、液状物質2を塗布するノズル1の直下に捨て打ち板23が隙間を開けて対峙しており、捨て打ち動作が可能な状態を示している。また、図12から図14は、捨て打ち板23が横に退避するとともにノズル1が下降して、ノズル1の先端1aと基板1とが隙間W2描画距離Gを持って対峙した状態を示す。この状態で基板13の表面に対して液状物質2の塗布が可能となる。図12は支持ユニット20の正面図であり、図13は図12のXIII-XIII線断面図であり、図14は図13のC矢視図である。まず、図9から図11を用いて支持ユニット20の構成について説明する。支持ユニット20全体を支持するベース板30は垂直に設けられており、ベース板30の表面に直動案内軸受31のスライド部31aが固定され、ベース板30の裏面に直動案内軸受32のスライド部32aが固定されている。直動案内軸受31のスライド部31aは垂直に配置され、直動案内軸受32のスライド部32aは水平に配置されている。直動案内軸受31のレール部31bには、断面L字型のZ軸ステージ22が固定される。したがって、Z軸ステージ22は、直動案内軸受31によってベース板30に対して上下方向に進退可能に支持される。また、Z軸ステージ22の突出した端部にはローラ33が固定され、その一側面には複数の磁石34が埋設されている。直動案内軸受32のレール部32bには、X軸ステージ24が固定される。したがって、X軸ステージ24は、直動案内軸受32によってベース板30に対して水平方向に進退可能に支持される。ノズル1は、固定台21に保持される。固定台21の一端面には複数の磁石35が埋設されている。固定台21は、磁石34と磁石35の吸引力によりZ軸ステージ22に装着される。磁石34と磁石35とは中心をずらして配置してあるため、固定台21をZ軸ステージ22に装着する際には固定台21は下方に吸引されて、その端面21aがZ軸ステージ22の上面22aに押し付けられて位置決めされる。X軸ステージ24の下端にはモータ36が固定され、モータ36の回転軸は円板状の捨て打ち板23の表面の中央に固定される。モータ36によって捨て打ち板23を所定角度ずつ回転させることにより、液状物質2の捨て打ち位置を少しずつ変えることが可能となる。ノズル1の直下に一定の隙間W1を開けて捨て打ち板23が対峙しており、この状態で捨て打ちが行なわれる。捨て打ちされた液状物質2がノズル1の先端1aに接触してノズル1の先端1aを汚染しないように、予め捨て打ち前に捨て打ち板23を所定角度だけ回転させておく。Z軸ステージ22に固定されたローラ33は、X軸ステージ24の上端部に当接している。X軸ステージ24の上端部には、水平部24aと傾斜部24bを持つ倣い面カム面が形成されている。このため、ノズル1の先端1aの垂直方向の高さ位置は、ローラ33とX軸ステージ24との当接位置で決定される。X軸ステージ24を水平方向に移動させて、ローラ33とX軸ステージ24との当接位置を変えることで、捨て打ち板23の退避とノズル1の下降を同時に行なうことが可能となる。X軸ステージ24を移動させる駆動装置37たとえばエアシリンダや直動ソレノイドアクチュエータはベース板30に固定されており、その出力軸はX軸ステージ24に連結されている。駆動装置37の出力軸は水平方向に伸縮する。図9の状態でノズル1が液状物質2の捨て打ちを行なうと、液状物質2が捨て打ち板23上に付着する。捨て打ち終了後、モータ36の回転軸を所定角度だけ回転させて捨て打ち板23を所定角度だけ回転させて、次回の捨て打ちに備える。仮に捨て打ち板23を回転させず常に同じ位置に捨て打ちを実行すると、捨て打ちされた液状物質2の液滴が堆積してノズル1の先端1aに接触し、描画時にパターン2dの周りを汚染することが懸念される。しかし、捨て打ち板23を回転させる機能を備えたことでその心配が払拭される。捨て打ちが完了し、捨て打ち板23の所定角度の回転が終了した時点で、捨て打ち板23の退避とノズル1の下降を駆動装置37の操作により実行する。次にX軸ステージ24の移動に伴ってZ軸ステージ22が下降する工程について説明する。駆動装置37の操作によりX軸ステージ24が水平移動すると、初期はローラ33とX軸ステージ24の水平部24aとが当接した状態にあるため、Z軸ステージ22は下降せず、X軸ステージ24のみが水平方向に移動する。この状態はノズル1の直下から捨て打ち板23が外れるまで続く。その後、ローラ33がX軸ステージ24の傾斜部24bに当接し始めると、Z軸ステージ22は直動案内軸受31によってその自重で下降を始め、Z軸ステージ22の突出部がベース板30の上部に接触した時点で下降が停止する。図12から図14はZ軸ステージ22が下降して停止した状態を示す。このような構成にすることで、1つの駆動装置37であっても水平方向と垂直方向の2軸駆動が可能となり、装置の簡略化を実現することができる。また、それにより、捨て打ち板23の退避とノズル1の下降を短時間で行なうことが可能となる。[実施の形態3]基板13の厚さにバラツキがある場合、あるいは基板13の設置方法によっては基板13の表面の高さにバラツキを生じることが想定され、バラツキが描画距離G以上に大きい場合にはノズル1を損傷することも考えられる。これを回避する手段として、基板13の表面の高さを描画前に計測して、Z軸ステージ15の移動量を補正することが望ましい。図15は、この発明の実施の形態3による描画装置の要部を示す図であって、図6と対比される図である。図15を参照して、この描画装置が実施の形態2の描画装置と異なる点は、対物レンズ切り替え器19の可動板19aの下面に、基板13の表面の高さを計測する距離センサ40が設けられている点である。この描画装置の制御装置は、距離センサ40を用いて、基準位置から基板13の表面の高さを予め計測し、その計測結果に基づいてノズル1の移動量を補正する。たとえば、基板13の表面の高さの計測値が標準値よりも高い基板13が標準品よりも厚い場合には、その計測値に応じて第一の下降で移動させる移動量を減らす。逆に、基板13の表面の高さの計測値が標準値よりも低い基板13が標準品よりも薄い場合には、その計測値に応じて第一の下降で移動させる移動量を増やす。図16は、この描画装置の動作を示すフローチャートであって、図8と対比される図である。図16を参照して、この描画装置が実施の形態2の描画装置と異なる点は、ステップS11とステップS12の間にステップS11Aが追加されている点である。制御装置は、ステップS11Aにおいて基準位置から基板13の表面の高さを測定し、その測定結果に基づいて、ステップS15におけるノズル1の下降量を補正する。他の構成および動作は、実施の形態2と同じであるので、その説明は繰り返さない。この実施の形態3では、基板13の表面の高さがバラツク場合でも、描画時におけるノズル1の先端1aと基板13の表面との間隔を所定の距離Gに設定することができる。したがって、ノズル1の先端1aと基板13の表面との衝突を回避することができ、また、基板13の表面に液状物質2のパターン2dを正確に描画することができる。[実施の形態4]図17は、この発明の実施の形態4によるパターン修正装置の修正対象である基板41を示す斜視図である。パターン修正装置の構成は、実施の形態1~3で示した描画装置と同じである。図17において、基板41は、ガラス基板のような絶縁基板42を含む。絶縁基板42の表面には、導電性パターン配線43が形成されている。導電性パターン43にはオープン欠陥部43aが存在するものとする。液状物質2としては、導電性インク修正液44が使用される。オープン欠陥部43aの修正は、欠陥部43aとその両側の正常な導電性パターン43を含む範囲に導電性インク44を塗布した後、導電性インク44を加熱焼成し、欠陥部43aを含む範囲に導電性の修正層を形成することにより行われる。図18a~eは、欠陥部43aを修正する工程を示す断面図である。図18a~eの各々のうちの基板41の部分は図17のXVIII-XVIII線断面図である。まず図18aに示すように、ノズル1の先端1aを描画開始点目標位置の上方の待機位置に配置する。オープン欠陥部43aの一方側図では左側の正常な導電性パターン43の端部の中心点が描画開始点とされる。次に図18bに示すように、第一の下降を実施して、ノズル1の先端1aを補正位置で一旦停止させる。このとき、ノズル1の先端1aと基板41の表面との間隔は描画距離Gと補正距離Hの和の距離GHに設定される。次いで図18cに示すように、第二の下降を実施して補正距離Hの分だけノズル1を下降させ、ノズル1の先端1aを描画位置に合わせる。このとき、ノズル1の先端1aと基板41の表面との間隔は描画距離Gに設定される。この状態で図18dに示すように、パルス電圧発生装置図示せずから導電性インク44にパルス電圧VPを印加しながらノズル1と基板41とを導電性パターン43の長さ方向に相対移動させて、導電性インク44のパターンを描画する。導電性インク44のパターンは、オープン欠陥部43aの一方側図では左側の正常な導電性パターン43の端部からオープン欠陥部43aを経てオープン欠陥部43aの他方側図では右側の正常な導電性パターン43の端部に至る範囲に形成される。導電性インク44のパターンの膜厚が薄い場合には、繰り返し描画して導電性インク44のパターンを複数回積層する。描画が終了すると、ノズル1は基板41から上方に大きく離れた待機位置に移動される。次に図18eに示すように、加熱装置45を用いて導電性インク44のパターンを加熱焼成して導電性の修正層44Aを形成する。これにより、欠陥部43aが修正され、導電性パターン43の導通が確保される。この実施の形態4では、ノズル1の先端1aと基板41の表面との間隔を2段階に分けて調整してから欠陥部43aを修正する。したがって、ノズル1の先端1aと基板41の表面の間隔を描画距離Gに調整する際に、ノズル1の先端1aが基板41の表面に接触するのを防止することができ、安定して欠陥部43aを修正することができる。また、ノズル1の先端1aの損傷を回避できるので、ノズル1の交換頻度を低減し、メンテナスの負荷を軽減することができる。なお、実施の形態3と同様に、距離センサ40を用いて、基板41の表面高さを予め計測し、その結果に基づいてノズル1の移動量を補正しても良い。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。