第1ランド部が設けられた第1リードと、前記第1ランド部の上面に下面電極が固着された第1半導体素子と、第2ランド部と、前記第2ランド部と連続する第1接続部が設けられた第2リードと、前記第2ランド部の上面に固着された第2半導体素子と、を備え、前記第1ランド部と重畳する位置で、前記第2リードの前記第1接続部の下面が、前記第1半導体素子の上面電極に接続することを特徴とする回路装置。第2接続部を有する第3リードを更に備え、前記第2リードの前記第2ランド部と重畳する位置で、前記第2半導体素子の上面電極に、前記第3リードの前記第2接続部の下面が接続することを特徴とする請求項1に記載の回路装置。前記第1ランド部には複数の前記第1半導体素子が配置され、複数の前記第2リードに設けられた前記第1接続部が、個別に前記第1半導体素子の前記上面電極に接続することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路装置。前記第3リードの前記第2接続部は、複数の前記第2リードの前記第2ランド部に固着された前記第2半導体素子の上面電極に共通に接続することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の回路装置。前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、直列に接続されたトランジスタであることを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の回路装置。前記第1リードの前記第1ランド部は、前記第1リードの他の部分よりも厚く形成され、前記第2リードの前記第2ランド部は、前記第2リードの他の部分よりも厚く形成されることを特徴とする請求項1から請求項5の何れかに記載の回路装置。前記第2リードの前記第2ランド部と第1接続部との間には、前記第2リードを厚み方向に曲折させた曲折部が設けられ、前記第1接続部は、前記第2ランド部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の回路装置。前記第1半導体素子は、第1トランジスタおよび第1ダイオードを含み、第1トランジスタおよび第1ダイオードの下面電極が、前記第1リードの前記第1ランドに接続し、第1トランジスタおよび第1ダイオードの上面電極が、前記第2リードの前記第1接続部に接続することを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の回路装置。前記第2半導体素子は、第2トランジスタおよび第2ダイオードを含み、第2トランジスタおよび第2ダイオードの下面電極が、前記第2リードの前記第2ランドに接続し、第2トランジスタおよび第2ダイオードの上面電極が、前記第3リードの前記第2接続部に接続することを特徴とする請求項2から請求項8の何れかに記載の回路装置。前記第1リードおよび前記第2リードは回路基板の上面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項9の何れかに記載の回路装置。前記回路基板の上面には前記第1半導体素子および前記第2半導体素子のスイッチングを制御する制御素子が配置され、前記制御素子と前記第1半導体素子または前記第2半導体素子とは、前記回路基板の上面に形成された導電パターンを経由して接続されることを特徴とする請求項10に記載の回路装置。前記第1半導体素子および前記第2半導体素子は、インバータ回路を構成する素子であることを特徴とする請求項1から請求項11の何れかに記載の回路装置。しかしながら、図4を参照して、基板101の上面に実装される半導体素子105Aとして大電流のスイッチングを行うMOSFET等を採用した場合、抵抗値を低くするために複数の金属細線107が必要とされ、このことが製造コストを高くすると共に、製造工程が複雑になる問題があった。更には、同様の理由により、半導体素子105Aの下面電極と接続される導電パターン103の幅を広くする必要があり、これにより装置全体の小型化が困難と成る問題もあった。本発明はこの様な問題点を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、大電流が通過する半導体素子を接続する構造が簡素化された回路装置を提供することにある。本発明の回路装置は、第1ランド部が設けられた第1リードと、前記第1ランド部の上面に下面電極が固着された第1半導体素子と、第2ランド部と、前記第2ランド部と連続する第1接続部が設けられた第2リードと、前記第2ランド部の上面に固着された第2半導体素子と、を備え、前記第1ランド部と重畳する位置で、前記第2リードの前記第1接続部の下面が、前記第1半導体素子の上面電極に接続することを特徴とする。本発明では、第1リードの第1ランド部に第1半導体素子の下面電極を固着し、第2リードの第2ランド部に第2半導体素子の下面電極を固着している。更に、第2リードの第1接続部を第1半導体素子の上面電極に接続している。このようにすることで、回路基板上の導電パターンや金属細線を経由せずに、リードにより半導体素子どうしが接続される。従って、半導体素子を接続する構造が簡素化される。図1を参照して、本発明の回路装置の一例として混成集積回路装置10の構成を説明する。図1Aは混成集積回路装置10を示す斜視図であり、図1Bは平面図であり、図1Cは図1Bで矢印Cの方向から装置を見た側面図である。図1Aおよび図1Bを参照して、混成集積回路装置10は、導電パターン22および回路素子が上面に組み込まれた回路基板12と、回路素子と接続されて外部に導出するリード14-20と、回路基板12および回路素子を一体的に樹脂封止する封止樹脂34とを主要に具備している。回路基板12は、回路素子を相互に接続するための導電パターン22が上面に形成された基板である。回路基板12の材料としては、アルミニウム等の金属基板、セラミック基板または、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂から成る基板が採用される。金属基板が回路基板12として採用される場合は、アルミナ等のフィラーが充填された樹脂からなる絶縁層により回路基板12の上面が被覆され、この絶縁層の上面に導電パターン22が形成される。回路基板12の具体的な大きさは、例えば、縦×横=60mm×80mm程度であり、厚みは1.0mm~2.0mm程度である。また、後述するリード16等は、回路基板12を被覆する絶縁層の上面または、導電パターンの上面に配置される。導電パターン22は厚みが35μm~70μm程度の銅等の金属から成り、所定の電気回路が形成されるように回路基板12の上面に形成される。導電パターン22は、回路素子が固着されるアイランド、金属細線が接続されるパッド、リード14が固着されるパッド22Aおよび、これらを相互に接続する配線部22B等を備える。導電パターン22に電気的に接続される回路素子としては、能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。具体的には、トランジスタ、LSIチップ、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、インダクタンスなどを回路素子として採用することができる。図1Bを参照すると、回路基板12の上面には、制御素子24LSI、チップ素子等が回路基板12の上面に固着されている。一方、IGBT等のトランジスタやダイオード等の大電流が通過する半導体素子は、リード16-19のランド部16B-19Bに固着されている。ここで、リードに固着されるトランジスタとしては、MOSFETやバイポーラトランジスタも採用可能である。封止樹脂34は、回路基板12およびその上面に固着された回路素子を封止するように形成されている。封止樹脂34は、フィラーが混入されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、トランスファーモールドにより形成される。リード14-20は、混成集積回路装置10の入出力端子として機能する。図1Bを参照して、リード14は、回路基板12の端部にて側辺に沿って配置されたパッド22Aに固着され、内蔵されたインバータ回路を動作させるための制御信号が通過する。一方、リード16-20は、例えば1アンペア以上の大電流が通過するリードであり、リード14よりも幅が広く形成される。リード16は、一端が外部に導出するリード部16Aと、リード部16Aと連続してランド状に形成されたランド部16Bとを有する。ランド部16Bの上面には、半導体素子の下面電極が半田等の導電性固着材を介して固着されている。ここでは、トランジスタQ1-Q3の下面電極例えばIGBTのコレクタ電極および、ダイオードD1-D3の下面電極例えばカソード電極が、ランド部16Bの上面に固着されている。この構成により、トランジスタQ1-Q3およびダイオードD1-D3がリード16を経由して外部と接続される。リード17は、紙面上にて下方から、外部に導出するリード部17A、ランド部17Bおよび、接続部19Cを有している。ランド部17Bの上面には、トランジスタQ4の下面電極IGBTのコレクタ電極およびダイオードD4の下面電極カソード電極が半田を介して固着される。接続部17Cは、トランジスタQ1の上面電極IGBTのエミッタ電極およびダイオードD1の上面電極カソード電極を覆うように配置され、これらの電極に導電性固着材を介して接続される。また、リード17のランド部17Bと接続部17Cとの間には、厚み方向に曲折する曲折部が設けられ、これにより接続部17Cはランド部17Bよりも上方に配置される。この様な構成により、リード16のランド部16Bに固着されたトランジスタQ1と、リード17のランド部19Bに固着されたトランジスタQ4とが直列に接続される。また、リード17の接続部17Cを経由して、トランジスタQ1に対してダイオードD1が逆並列に接続される。リード18の構成は、上記したリード17と同様であり、リード部18A、ランド部18Bおよび接続部18Cから成る。ランド部18Bの上面にはトランジスタQ5およびダイオードD5の下面電極が固着され、接続部18CはトランジスタQ2およびダイオードD2の上面電極に接続される。この様な構成により、トランジスタQ2とトランジスタQ5とが直接に接続され、接続部18Cを経由してトランジスタQ2にダイオードD2が逆並列に接続される。リード19の構成も、リード17、18と同様であり、リード部19A、ランド部19Bおよび接続部19Cから成る。また、ランド部19Bの上面には、トランジスタQ6およびダイオードD6の下面電極が固着され、接続部19CはトランジスタQ3およびダイオードD3の上面電極に接続される。この構成により、トランジスタQ3とトランジスタQ6とが直列に接続され、トランジスタQ3とダイオードD3とが接続部19Cを経由して逆並列に接続される。リード20は、外部に導出するリード部20Aと、リード20と曲折部を経由して連続する接続部20Bとを含む。接続部20Bは、リード17-19のランド部17B-19Bと重畳するように配置されている。接続部20Bの下面は、導電性固着材を介して、トランジスタQ4-Q6、ダイオードD4-D6の上面電極に固着される。この構成により、トランジスタQ4-Q6の上面電極がリード20を経由して外部と接続される。更に、接続部20Bを介して、トランジスタQ4-Q6の夫々に、ダイオードD4-D6が逆並列に接続される。図1Cを参照して、リード16のランド部16Bは、リード16の他の部分よりも厚く形成されて下方に突出している。例えば、ランド部16Bの厚みは0.5mm以上1.0mm以下であり、リード16の他の部分の厚みは0.2mm以上0.5mm以下である。ランド部16Bの下面は、回路基板12を被覆する絶縁層に直に固着されても良いし、回路基板12の上面に形成されたランド形状の導電パターンに半田等の固着材を介して固着されても良い。このように、動作時に発熱するトランジスタQ3やダイオードD3が実装されるランド部16Bを厚くすることで、ランド部16Bがヒートシンクとして機能し、これら素子が動作時に発する熱を効率的に回路基板12に伝導させることができる。結果として、トランジスタQ3およびダイオードD3の過熱による特性劣化が抑止される。更に本形態では、上記したリード16-20にトランジスタを固着することにより、トランジスタから発生した熱の一部が、リード16-20を経由して外部に良好に放熱される結果、トランジスタの過熱が抑制される。リード16の上面に実装されたトランジスタD3およびダイオードD3の上面電極は、リード19の接続部19Cの下面に、半田等の導電固着材を介して接続される。ここで、トランジスタQ3およびダイオードD3に接続する接続部19Cの下面には、突起部28が設けられても良い。これにより、これらの素子と接続部19Cとが確実に接続される。また、突起部28が下方に突起する長さは、接続される素子の厚さにより調整されても良い。例えば、オン抵抗を低減するためにトランジスタQ3がダイオードD3よりも薄く形成されたら、トランジスタD3と接続される突起部28を、ダイオードD3と接続される突起部28よりも下方に突起させても良い。また、突起部28は、接続部19Cに対してプレス加工を行うことで一体的に突起状とされた部位でも良いし、突起状の金属材料を別体で接続部19Cの下面に溶着させても良い。リード16と同様に、リード19のランド部19Bも、リード19の他の部分よりも厚く形成されている。これにより、ランド部19Bの上面に実装されたトランジスタQ6およびダイオードD6から発生する熱は、ランド部19Bを経由して良好に外部に放出される。更に、ランド部19Bに実装されたトランジスタQ6およびダイオードD6の上面電極は、接続部20Bの下面に接続されている。接続部20Bには、上記した接続部19Cと同様に突起部28が設けられても良い。また、上記したリードに固着された半導体素子パワー素子のスイッチングは、回路基板12の上面に配置された制御素子により制御される。具体的には、回路基板12の上面にLSIである制御素子24が配置さている。そして、リードに実装されたトランジスタQ1-Q6の上面に配置された制御電極例えばIGBTのゲート電極は、回路基板12の上面に実装された導電パターン22から成る配線部22Bおよび金属細線を経由して、制御素子24と接続される。この様な構成により、制御素子24から発生する制御信号に基づいて、トランジスタQ1-Q6がスイッチング動作を行う。配線部22Bは、リード16-20の下方に配置されている。配線部22Bを含めて回路基板12の上面は、ソルダーレジストにより被覆されている。このソルダーレジストにより、配線部22Bとリード16-20とが平面視で交差する位置で、両者は絶縁されている。図2は、図1に示した混成集積回路装置10に組み込まれるリード16-20を抜き出して示す斜視図である。この図を参照して、先ず、トランジスタQ1-Q3およびダイオードD1-D3が、ランド部16Bに固着されたリード16が、回路基板の上面に配置される。リード17-19は、紙面上にて横方向に等間隔に離間しており、各々のランド部17B-19Bの上面には、トランジスタQ4-Q6およびダイオードD4-D6の下面電極が固着されている。そして、リード17は、ランド部16Bに固着されたトランジスタQ1およびダイオードD1の上面電極に、接続部17Cが固着されるように配置される。同様に、リード18は、トランジスタQ2およびダイオードD2の上面電極に、接続部18Cが固着されるように配置される。また、リード19は、トランジスタQ3およびダイオードD3の上面電極に、接続部19Cが固着されるように配置される。リード20は、接続部20Bの下面が、トランジスタQ1-Q3およびダイオードD1-D3の上面電極に固着するように配置されている。図3を参照して、上記した構成の混成集積回路装置10に組み込まれるインバータ回路を説明する。図3Aはインバータ回路を示す回路図であり、図3Bはこの回路が組み込まれた回路基板12を示す平面図である。図3Aには、外部から入力される交流電力を直流電力に変換する整流回路36と、直流電力を所定の周波数の交流電圧に変換するインバータ回路38とが示されている。本形態の混成集積回路装置10には、整流回路36およびインバータ回路38の両方が組み込まれてもよいし、インバータ回路38のみが組み込まれても良い。整流回路36は、ブリッジ接続された4つのダイオードから成り、外部から入力された交流電力を直流電力に変換する。また、コンデンサCは、変換後の直流電力を安定化させるためのものである。整流回路36にて変換された直流電力は、インバータ回路38に出力される。インバータ回路38は、6個のトランジスタQ1-Q6と6個のダイオードD1-D6から構成され、Q1-Q3がハイサイド側のトランジスタであり、Q4-Q6がローサイド側のトランジスタである。ここでは、トランジスタとしてIGBTが採用される。そして、各トランジスタQ1-Q6のコレクタ電極およびエミッタ電極には、逆並列にフライホイールダイオードD1-D6が接続されている。この様に、フライホイールダイオードをトランジスタに対して逆並列に接続することで、誘導性負荷に発生する逆起電力からトランジスタが過電圧破壊されないように保護することができる。ここで、フライホイールダイオードは、フリーホイールダイオードまたはFWDFreeWheelingDiodeとも称される。また、トランジスタQ1とトランジスタQ4とは直列に接続されており、排他的にオン/オフ制御されて両素子の中間点からU相の交流電力がリード部17A図3B参照を経由して外部に出力される。また、トランジスタQ2とトランジスタQ5とは直列に接続されており、排他的にオン/オフする両素子の中間点からV相の交流電力が、リード部18Aを経由して外部に出力される。更に、直列接続されるトランジスタQ3とトランジスタQ6は排他的にオン/オフし、両者の中間点からW相の交流電力が、リード部19Aを経由して外部に出力される。そして、各相の出力は、モータM図3A参照の励磁巻線へ供給されて、モータMが駆動される。また、各トランジスタのスイッチングは、図3Bに示す制御素子24により制御されている。本形態の特徴は、大電流が通過する経路をリードで構成したことにある。具体的には、図1B参照すると、例えば1アンペア以上の大電流が通過するトランジスタQ1-Q6およびダイオードD1-D6の下面電極は、リード16-19のアイランド部16B-19Bに接続されている。更に、トランジスタQ1-Q3およびダイオードD1-D3の上面電極は、リード17-19の接続部17C-19Cに接続されている。また、トランジスタQ4-Q6およびダイオードD4-D6の上面電極は、リード20の接続部20Bに接続されている。これにより、リード16およびリード20から入力された直流電力は、トランジスタQ1-Q6により所定のタイミングにてスイッチングされ、リード17-19を経由して交流電極に変換されて出力される。一例として、U相の出力の経路は、リード部16A、ランド部16B、トランジスタQ1、接続部17C、リード部17Aである。従って、本形態では、変換前の直流電流および変換後の交流電流は、厚みが0.5mm程度の厚いリードのみを経由し、導電パターン22や金属細線を経由せずに外部に出力される。このことから、大電流を流すための多数の金属細線や、幅の広い導電パターンが不要と成るので、パワー素子が内蔵される混成集積回路装置10の構成が簡素化される。更に本形態では、金属からなる回路基板12の上面に、この様な構成のリードを配置したので、トランジスタQ1-Q6から発生した熱を、リード16-20および回路基板12を経由して良好に外部に放出させることができる。更に本形態では、図1Cを参照して、リード16を部分的に幅広に形成したランド部16Bを、リード19の他の部分よりも厚く形成している。これにより、厚いランド部16Bがヒートシンクとして機能するので、トランジスタQ6およびダイオードD6から発せられた熱は、ランド部16Bおよび回路基板12を経由して良好に外部に放出される。