"一方向に延びた第1内部配線接続部を有する第1電源端子と、前記第1内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第2内部配線接続部を有する出力端子と、前記第2内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第3内部配線接続部を有する第2電源端子と、前記第1、第2および第3内部配線接続部を含む積層構造体の一側方に配置され、上アーム回路を構成する第1アッセンブリと、前記積層構造体に対して前記第1アッセンブと反対側に配置され、下アーム回路を構成する第2アッセンブリと、前記第1アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの一方に接続するための第1接続金属部材と、前記第1アッセンブリを前記第2内部配線接続部に接続するための第2接続金属部材と、前記第2アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの他方に接続するための第3接続金属部材と、前記第2アッセンブリを第2内部配線接続部に接続するための第4接続金属部材とを含み、前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の接続部材で構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている、半導体装置。前記第1、第2、第3および第4接続金属部材が、リボンで構成されている、請求項1に記載の半導体装置。前記第1、第2、第3および第4接続金属部材が、リードフレームで構成されている、請求項1に記載の半導体装置。前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成されている、請求項1に記載の半導体装置。前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成されている、請求項1に記載の半導体装置。前記第1アッセンブリは、表面に第1導体層が形成された第1基板と、前記第1導体層に接合された第1スイッチング素子および第1ダイオード素子を含み、前記第2アッセンブリは、表面に第2導体層が形成された第2基板と、前記第2導体層に接合された第2スイッチング素子および第2ダイオード素子を含み、前記第1接続金属部材は、前記第1導体層を、前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの一方に接続するものであり、前記第2接続金属部材は、前記第1スイッチング素子と前記第1ダイオード素子とを、前記第2内部配線接続部に接続するものであり、前記第3接続金属部材は、前記第2スイッチング素子と前記第2ダイオード素子とを、前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの他方に接続するものであり、前記第4接続金属部材は、前記第2導体層を、前記第2内部配線接続部に接続するものである、請求項1に記載の半導体装置。前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたリボンで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたリボンで構成されている、請求項6に記載の半導体装置。前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されている、請求項6に記載の半導体装置。前記第1接続金属部材および前記第4接続金属部材は、リボンまたはリードフレームで構成されており、前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されている、請求項6に記載の半導体装置。前記第1内部配線接続部および前記第3内部配線接続部は、平面視で一方向に長い矩形状であり、前記第1電源端子は、前記第1内部配線接続部の一端部から立ち上がった第1立上部と、前記第1立上部の側縁部に結合され、前記第1内部配線接続部から遠ざかる方向に延びた第1横行部と、前記第1横行部に結合された第1外部配線接続部とを含み、前記第2電源端子は、前記第3内部配線接続部の一端部から立ち上がり、前記第1立上部と対向配置された第2立上部と、前記第2立上部の側縁部に結合され、前記第2内部配線接続部から遠ざかる方向に延び、前記第1横行部と対向配置された第2横行部と、前記第2横行部に結合された第2外部配線接続部とを含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体装置。ところが、SiCパワーデバイスによる高速スイッチングは、スイッチング時のサージ電圧の増加という新たな問題をもたらす。サージ電圧Vは、次式Aに示すとおり、パワーモジュール内部の配線が有する自己インダクタンスLと、電流iの時間tによる微分didt時間当たりの電流変化率との積で与えられる。V=Ldidt......Aスイッチング速度が速いほど、電流iの変化率didtが大きくなるから、サージ電圧Vが大きくなる。このサージ電圧によって、デバイスに耐圧以上の電圧が負荷されると、デバイスが破壊されるおそれがある。また、サージ電圧が大きいと、EMI電磁気妨害ノイズの増大や信頼性の低下の懸念もある。そこで、SiCデバイス等の高速スイッチング素子を適用しながら、サージ電圧を低減するために、パワーモジュールの内部配線が有する自己インダクタンスLを低減する必要がある。この課題は、パワーモジュールのみならず、スイッチング素子を有する半導体装置に共通している。むろん、Si半導体を用いたスイッチング素子を有する半導体装置においても、サージ電圧の低減は重要な課題である。この発明の目的は、内部配線の自己インダクタンスの小さなパワーモジュールを実現できる半導体装置を提供することである。この発明による半導体装置は、一方向に延びた第1内部配線接続部を有する第1電源端子と、前記第1内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第2内部配線接続部を有する出力端子と、前記第2内部配線接続部上に絶縁層を介して配置された第3内部配線接続部を有する第2電源端子と、前記第1、第2および第3内部配線接続部を含む積層構造体の一側方に配置され、上アーム回路を構成する第1アッセンブリと、前記積層構造体に対して前記第1アッセンブと反対側に配置され、下アーム回路を構成する第2アッセンブリと、前記第1アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの一方に接続するための第1接続金属部材と、前記第1アッセンブリを前記第2内部配線接続部に接続するための第2接続金属部材と、前記第2アッセンブリを前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの他方に接続するための第3接続金属部材と、前記第2アッセンブリを第2内部配線接続部に接続するための第4接続金属部材とを含んでいる。そして、前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。この発明では、第1アッセンブリと一方の電源端子とを接続するための第1接続金属部材と、第1アッセンブリと出力端子とを接続するための第2接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。また、第2アッセンブリと他方の電源端子とを接続するための第3接続金属部材と、第2アッセンブリと出力端子とを接続するための第4接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されている。横断面矩形状の金属部材は、例えば帯状のリボンであってもよい。また、横断面矩形状の金属部材は、例えば板状のリードフレームであってもよい。これにより、第1、第2、第3および第4接続金属部材が金属ワイヤで構成される場合に比べて、接続金属部材の総数を減少させることができ、工程作業時間の短縮化が図れるとともに内部配線の自己インダクタンスを低減できる。これにより、上アーム回路および下アーム回路に使用されるスイッチング素子のスイッチング速度が高速である場合でも、サージ電圧を抑制できる。また、第1接続金属部材と第2接続金属部材には、反対方向の電流が流れる。これにより、第1接続金属部材と第2接続金属部材のインダクタンスが少なくとも部分的に相殺される。第1接続金属部材と第2接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されているため、インダクタンスの相殺効果を高めることができる。同様に、第3接続金属部材と第4接続金属部材には、反対方向の電流が流れる。これにより、第3接続金属部材と第4接続金属部材のインダクタンスが少なくとも部分的に相殺される。第3接続金属部材と第4接続金属部材のうち少なくとも一方が横断面矩形状の金属部材で構成されているため、インダクタンスの相殺効果を高めることができる。これにより、内部配線の自己インダクタンスが低い半導体装置を提供できる。この発明の一実施形態では、前記第1、第2、第3および第4接続金属部材が、リボンで構成されている。この発明の一実施形態では、前記第1、第2、第3および第4接続金属部材が、リードフームで構成されている。この発明の一実施形態では、前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうちの一方がリボンで構成され、他方がワイヤで構成されている。この発明の一実施形態では、前記第1接続金属部材および前記第2接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成され、前記第3接続金属部材および前記第4接続金属部材のうちの一方がリードフレームで構成され、他方がワイヤで構成されている。この発明の一実施形態では、前記第1アッセンブリは、表面に第1導体層が形成された第1基板と、前記第1導体層に接合された第1スイッチング素子および第1ダイオード素子を含み、前記第2アッセンブリは、表面に第2導体層が形成された第2基板と、前記第2導体層に接合された第2スイッチング素子および第2ダイオード素子を含む。そして、前記第1接続金属部材は、前記第1導体層を、前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの一方に接続するものであり、前記第2接続金属部材は、前記第1スイッチング素子と前記第1ダイオード素子とを、前記第2内部配線接続部に接続するものである。また、前記第3接続金属部材は、前記第2スイッチング素子と前記第2ダイオード素子とを、前記第1内部配線接続部および第3内部配線接続部のうちの他方に接続するものであり、前記第4接続金属部材は、前記第2導体層を、前記第2内部配線接続部に接続するものである。この発明の一実施形態では、前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたリボンで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたリボンで構成されている。この構成によれば、第1スイッチング素子および第1ダイオード素子を、それぞれ異なる接続金属部材によって第2内部配線接続部に接続する場合に比べて、第2接続金属部材の自己インダンスと、第1導体層および第1接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。同様に、第2スイッチング素子および第2ダイオード素子を、それぞれ異なる接続金属部材によって第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続する場合に比べて、第3接続金属部材の自己インダンスと、第2導体層および第4接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。この発明の一実施形態では、前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたリードフレームで構成されている。この構成においても、第2接続金属部材の自己インダンスと、第1導体層および第1接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。また、第3接続金属部材の自己インダンスと、第2導体層および第4接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。この発明の一実施形態では、前記第1接続金属部材および前記第4接続金属部材は、リボンまたはリードフレームで構成されており、前記第2接続金属部材は、一端部が前記第1スイッチング素子に接続され、他端部が前記第2内部配線接続部に接続され、中間部が前記第1ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されており、前記第3接続金属部材は、一端部が前記第2スイッチング素子に接続され、他端部が前記第1内部配線接続部または第3内部配線接続部に接続され、中間部が前記第2ダイオード素子に接続されたワイヤで構成されている。この構成においても、第2接続金属部材の自己インダンスと、第1導体層および第1接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。また、第3接続金属部材の自己インダンスと、第2導体層および第4接続金属部材の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。この発明の一実施形態では、前記第1内部配線接続部および前記第3内部配線接続部は、平面視で一方向に長い矩形状である。そして、前記第1電源端子は、前記第1内部配線接続部の一端部から立ち上がった第1立上部と、前記第1立上部の側縁部に結合され、前記第1内部配線接続部から遠ざかる方向に延びた第1横行部と、前記第1横行部に結合された第1外部配線接続部とを含む。また、前記第2電源端子は、前記第1内部配線接続部の一端部に対応する前記第3内部配線接続部の一端部から立ち上がり、前記第1立上部と対向配置された第2立上部と、前記第2立上部の側縁部に結合され、前記第2内部配線接続部から遠ざかる方向に延び、前記第1横行部と対向配置された第2横行部と、前記第2横行部に結合された第2外部配線接続部とを含む。第1アッセンブリ内のスイッチング素子が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第2アッセンブリ内のスイッチング素子が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期には、第1電源端子および第2電源端子のうち一方には、外部配線接続部から内部配線接続部に向かって電流が流れ、他方には内部配線接続部から外部配線接続部に向かって電流が流れる。第2アッセンブリ内のスイッチング素子が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第1アッセンブリ内のスイッチング素子が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期にも、第1電源端子および第2電源端子のうち一方には、外部配線接続部から内部配線接続部に向かって電流が流れ、他方には内部配線接続部から外部配線接続部に向かって電流が流れる。このような過渡期には、第1電源端子の第1内部配線接続部に流れる電流の方向と、第2電源端子の第3内部配線接続部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。また、第1電源端子の第1立上部に流れる電流の方向と、第2電源端子の第2立上部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。さらに、第1電源端子の第1横行部に流れる電流の方向と、第2電源端子の第2横行部に流れる電流の方向は、互いに逆方向になる。電流が互いに逆方向に流れる第1内部配線接続部と第3内部配線接続部は対向している。また、電流が互いに逆方向に流れる第1立上部と第2立上部も対向している。さらに、電流が互いに逆方向に流れる第1横行部と第2横行部も対向している。これにより、前記過渡期において、第1電源端子の自己インダクタンスと第2電源端子の自己インダクタンスとを相殺させることができるので、内部配線の自己インダクタンスの低い半導体装置を提供できる。以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。[第1の実施形態]図1は、この発明の第1の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図2は、図1の右側面図である。図3は、図1の左側面図である。図4は、図1の正面図である。図5は、図1のV-V線に沿う断面図である。パワーモジュール1は、放熱ベース2と、放熱ベース2上に配置され、上アーム回路ハイサイド回路を構成する第1アッセンブリ3と、放熱ベース2上に配置され、下アーム回路ローサイド回路を構成する第2アッセンブリ4と、これらのアッセンブリ3,4を収容するケース5と、ケース5に組み付けられた複数の端子とを備えている。複数の端子は、第1電源端子この例では正極側電源端子Pと、第2電源端子この例では負極側電源端子Nと、出力端子OUTと、第1のゲート端子G1と、第1のソース端子S1と、第1のソースセンス端子SS1と、第2のゲート端子G2と、第2のソース端子S2と、第2のソースセンス端子SS2を含んでいる。説明の便宜上、以下では、図1に示したX方向、-X方向、Y方向および-Y方向ならびに図2に示すZ方向および-Z方向を用いることがある。X方向および-Xは、平面視矩形の放熱ベース2の短辺に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単にX方向という。Y方向および-Y方向は放熱ベース2の長辺に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単にY方向という。Z方向および-Z方向は放熱ベース2の法線に沿う2つの方向であり、これらを総称するときには単にZ方向という。放熱ベース2を水平面においたとき、X方向およびY方向は互いに直交する2つの水平な直線X軸およびY軸に沿う2つの水平方向第1水平方向および第2水平方向となり、Z方向は鉛直な直線Z軸に沿う鉛直方向高さ方向となる。放熱ベース2は、平面視矩形の一様厚さの板状体であり、熱伝導率の高い材料で構成されている。より具体的には、放熱ベース2は、銅で構成された銅ベースであってもよい。この銅ベースは、表面にニッケルめっき層が形成されたものであってもよい。放熱ベース2のZ方向側の主面には、必要に応じて、ヒートシンクその他の冷却手段が取り付けられる。ケース5は、略直方体形状に形成されており、樹脂材料で構成されている。とくに、PPSポリフェニレンサルファイド等の耐熱性樹脂を用いることが好ましい。ケース5は、平面視において放熱ベース2より若干大きな矩形をなしており、放熱ベース2の主面に固定されたケース本体6と、ケース本体6に固定され、ケース本体6の一方側Z方向側を閉塞する天板図示略とを備えている。これにより、放熱ベース2、ケース本体6および天板によって、回路収容空間がケース5の内部に区画されている。この実施形態では、ケース本体6と前記複数の端子とは、同時成形により作られている。図6は、ケース本体6の外観を示す斜視図である。図7は、ケース本体6の平面図である。図8は、図7のVIII-VIII線に沿う断面図である。図9は、図7のIX-IX線に沿う断面図である。図10は、第1電源端子P、第2電源端子Nおよび出力端子OUTの構造を説明するための斜視図である。ケース本体6は、平面視においてY方向に長い矩形の開口部を有する枠部7と、枠部7の外周面の-Z方向側縁部に枠部7を廻るように形成された外方張出部8とを含んでいる。枠部7は、一対の側壁9,10と、これら一対の側壁9,10の両端をそれぞれ結合する一対の端壁11,12とを備えている。枠部7は、側壁9,10と端壁11,12との結合部である4つのコーナー部に、内方に凸んだ凹部13を有している。外方張出部8の外周縁の輪郭は、平面視において、放熱ベース2より若干大きい矩形状である。外方張出部8の外周縁部には-Z方向に突出した突出縁8aが形成されている。図1および図5に示すように、放熱ベース2は、枠部7および外方張出部8の-Z方向側の表面と突出縁8aとによって形成される凹部内に嵌め込まれて、ケース本体6に固定されている。外方張出部8の4つのコーナー部には、外方張出部8を厚さ方向に貫通する取付孔14が形成されている。放熱ベース2には、各取付孔14に対応する位置に、放熱ベース2を厚さ方向に貫通する取付孔図示略が形成されている。パワーモジュール1は、ケース本体6の取付孔14およびそれに対応する放熱ベース2の取付孔を挿通するボルト図示略によって、取付対象の所定の固定位置に固定される。これらの取付孔を利用して前述のヒートシンク等の冷却手段が取り付けられてもよい。枠部7の端壁11,12の対向面内側面の-Z方向端部には、長さ方向X方向に延びた内方突出部11a,12aが形成されている。枠部7の一方の端壁11の-X方向側端部に、第1のソースセンス端子SS1、第1のソース端子S1および第1のゲート端子G1が取り付けられている。第1のソースセンス端子SS1は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分15aと、第1部分15aの-Y方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分15bとを備えている。第1部分15aの中間部は、その表面が露出するように、端壁11の内方突出部11aに埋め込まれている。第1部分15aの先端部は内方突出部11aから内方Y方向に突出している。第1部分15aの基端部およびそれに繋がる第2部分15bの大部分は、端壁11に埋め込まれている。第2部分15bの先端部は、端壁11の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。第1のソース端子S1は、第1のソースセンス端子SS1のX方向側に、第1のソースセンス端子SS1と間隔をおいて配置されている。第1のソース端子S1は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分16aと、第1部分16aの-Y方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分16bとを備えている。第1部分16aの中間部は、その表面が露出するように、端壁11の内方突出部11aに埋め込まれている。第1部分16aの先端部は内方突出部11aから内方Y方向に突出している。第1部分16aの基端部およびそれに繋がる第2部分16bの大部分は、端壁11に埋め込まれている。第2部分16bの先端部は、端壁11の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。第1のゲート端子G1は、第1のソース端子S1のX方向側に、第1のソース端子S1と間隔をおいて配置されている。第1のゲート端子G1は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分17aと、第1部分17aの-Y方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分17bとを備えている。第1部分17aの中間部は、その表面が露出するように、端壁11の内方突出部11aに埋め込まれている。第1部分17aの先端部は内方突出部11aから内方Y方向に突出している。第1部分17aの基端部およびそれに繋がる第2部分17bの大部分は、端壁11に埋め込まれている。第2部分17bの先端部は、端壁11の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。枠部7の他方の端壁12のX方向側端部に、第2のソースセンス端子SS2、第2のソース端子S2および第2のゲート端子G2が取り付けられている。第2のソースセンス端子SS2は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分18aと、第1部分18aのY方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分18bとを備えている。第1部分18aの中間部は、その表面が露出するように、端壁12の内方突出部12aに埋め込まれている。第1部分18aの先端部は内方突出部12aから内方-Y方向に突出している。第1部分18aの基端部およびそれに繋がる第2部分18bの大部分は、端壁12に埋め込まれている。第2部分18bの先端部は、端壁12の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。第2のソース端子S2は、第2のソースセンス端子SS2の-X方向側に、第2のソースセンス端子SS2と間隔をおいて配置されている。第2のソース端子S2は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分19aと、第1部分19aのY方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分19bとを備えている。第1部分19aの中部は、その表面が露出するように、端壁12の内方突出部12aに埋め込まれている。第1部分19aの先端部は内方突出部12aから内方-Y方向に突出している。第1部分19aの基端部およびそれに繋がる第2部分19bの大部分は、端壁12に埋め込まれている。第2部分19bの先端部は、端壁12の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。第2のゲート端子G2は、第2のソース端子S2の-X方向側に、第2のソース端子S2と間隔をおいて配置されている。第2のゲート端子G2は、X方向から見て略L形であり、Y方向に延びた第1部分20aと、第1部分20aのY方向端部基端部からZ方向に延びた第2部分20bとを備えている。第1部分20aの中間部は、その表面が露出するように、端壁12の内方突出部12aに埋め込まれている。第1部分20aの先端部は内方突出部12aから内方-Y方向に突出している。第1部分20aの基端部およびそれに繋がる第2部分20bの大部分は、端壁12に埋め込まれている。第2部分20bの先端部は、端壁12の表面Z方向側表面からZ方向に突出している。枠部7の側壁9,10の表面Z方向側表面の両端部には、Z方向に突出した突起部21が形成されている。この突起部21の表面には、天板をケース本体6に取り付けるためのねじ孔22が形成されている。また、各側壁9,10の対向面内側面おける長さ中央部には、そのほぼ高さ中央とそのZ方向側端寄りの位置との間部分に、内方に突出した突起部23が形成されている。平面視において、この突起部23の先端部は、内方に突出した半円状に形成されている。この突起部23のZ方向側表面には、天板をケース本体6に取り付けるためのねじ孔24が形成されている。枠部7の一対の側壁9,10の長さ中央部は、連結部25によって互いに連結されている。連結部25の一端は一方の側壁9の内側面のそのほぼ高さ中央と-Z方向側端との間部分に結合され、他端は他方の側壁10の内側面のそのほぼ高さ中央と-Z方向側端との間部分に結合されている。連結部25は、図7および図9に示すように、放熱ベース2の主面に固定される横断面略U形の第1絶縁層構成部26と、第1絶縁層構成部26のZ方向側に配置された横断面略U形の第2絶縁層構成部27と、第2絶縁層構成部27のZ方向側に配置された横断面略U形の第3絶縁層構成部28とを含んでいる。第1絶縁層構成部26、第2絶縁層構成部27および第3絶縁層構成部28は、それぞれその長さ方向に延び、Z方向に開口した凹部26a、27a、28aを有している。図9に示すように、第1絶縁層構成部26の-Z方向側の表面は、枠部7の-Z方向側の表面と面一となっている。第2絶縁層構成部27の幅Y方向の長さは、第1絶縁層構成部26の幅より短い。第2絶縁層構成部27の-Z方向側表面のY方向側縁部は、第1絶縁層構成部26のY方向側の立上壁のZ方向側表面に結合されている。第1絶縁層構成部26の-Y方向側の立上壁と、第2絶縁層構成部27の-Y方向側の立上壁との間には、間隔があいている。第1絶縁層構成部26と第2絶縁層構成部27との間の空間部第1絶縁層構成部26の凹部26a内を第1電源端子P内部配線接続部31aが通っている。この空間部内を通っている第1電源端子PのZ方向側表面の一側部-Y方向側の側部は露出している。第2絶縁層構成部27の凹部37a内を、出力端子OUT内部配線接続部32aが通っている。第3絶縁層構成部28の幅は、第2絶縁層構成部27の幅より小さい。第3絶縁層構成部28は、第2絶縁層構成部27の凹部37aを通っている出力端子OUTのZ方向側表面の幅中央部上に配置されている。したがって、第2絶縁層構成部27の凹部37aを通っている出力端子OUTのZ方向側表面の両側部は、露出している。第3絶縁層構成部28の凹部28a内を、第2電源端子N内部配線接続部33aが通っている。この凹部28aを通っている第2電源端子NのZ方向側表面は露出している。なお、第3絶縁層構成部28の-Y方向側の立上壁の両端部の一部は、突起部23に結合されている。次に、図7、図9および図10を参照して、第1電源端子P、第2電極Nおよび出力端子OUTの構造について説明する。第1電源端子P、第2電源端子Nおよび出力端子OUTは、それぞれ、金属板たとえば、銅板にニッケルめっきを施したものを所定形状に切り出し、曲げ加工を施して作成されたものであり、ケース5の内部の回路に電気的に接続されている。第1電源端子Pは、導電性の板状体からなる。第1電源端子Pは、内部配線接続部31aと、内部配線接続部31aに結合された立上部31bと、立上部31bに結合された横行部31cと、横行部31cに結合された外部配線接続部31dとを有している。内部配線接続部31aは、平面視においてY方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部31aは、XY平面に沿う板状体からなり、そのX方向端部のY方向側端部にX方向に突出した矩形板状の突出部31aaを有している。内部配線接続部31aの長さ中間部は第1絶縁層構成部26の凹部26a内を通っており、その両端部は枠部7の側壁9,10内にそれぞれ埋め込まれている。立上部31bは、内部配線接続部31aの突出部31aaのX方向側縁部からZ方向に立ち上がっている。立上部31bは、YZ平面に沿う板状体からなり、内部配線接続部31aの突出部31aaと略同幅に形成されている。立上部31bは、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。横行部31cは、立上部31bの-Y方向側縁部に結合されていて、X方向に延びている。横行部31cは、XZ平面に沿う板状体からなり、立上部31bと略同幅に形成されている。横行部31cは、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。外部配線接続部31dは、横行部31cのX方向側縁部に結合されていて、Y方向に延びている。外部配線接続部31dは、YZ平面に沿う板状体からなり、横行部31cと略同幅に形成されている。外部配線接続部31dは、枠部7の側壁10の外側面に形成された凹部内に埋め込まれており、そのX方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部31dの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔31eが形成されている。外部配線接続部31dの-X方向側表面には、挿通孔31eにねじ孔が整合するようにしてナット34が固定されている。このナット34は、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。出力端子OUTは、導電性の板状体からなる。出力端子OUTは、内部配線接続部32aと、内部配線接続部32aに結合された立上部32bと、立上部32bに結合された横行部32cと、横行部32cに結合された外部配線接続部32dとを有している。内部配線接続部32aは、平面視においてY方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部32aは、第1電源端子Pの内部配線接続部31aと平行な板状体からなり、第1電源端子Pの内部配線接続部31aのZ方向側に配置されている。内部配線接続部32aの幅Y方向の長さは第1電源端子Pの内部配線接続部31aの幅より短い。内部配線接続部32aのーZ方向側表面は、第1電源端子Pの内部配線接続部31aのZ方向側表面の幅中間部と対向している。内部配線接続部32aの長さ中間部は第2絶縁層構成部27の凹部27a内を通っており、その両端部は枠部7の側壁9,10内にそれぞれ埋め込まれている。立上部32bは、内部配線接続部32aの-X方向側縁部から-Z方向に立ち上がっている。立上部32bは、YZ平面に沿う板状体からなり、内部配線接続部32aと略同幅に形成されている。立上部32bは、枠部7の側壁9内に埋め込まれている。横行部32cは、立上部32bの-Z方向側縁部に結合されていて、-X方向に延びている。横行部32cは、XY平面に沿う板状体からなり、立上部32bと略同幅に形成されている。横行部32cは、枠部7の側壁9内に埋め込まれている。外部配線接続部32dは、横行部32cの-X方向側縁部に結合されていて、Z方向に延びている。外部配線接続部32dは、YZ平面に沿う板状体からなり、横行部32cと略同幅に形成されている。外部配線接続部32dは、枠部7の側壁9の外側面に形成された凹部内に埋め込まれており、その-X方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部32dの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔32eが形成されている。外部配線接続部31dのX方向側表面には、挿通孔31eにねじ孔が整合するようにしてナット35が固定されている。このナット35は、枠部7の側壁9内に埋め込まれている。第2電源端子Nは、導電性の板状体からなる。第2電源端子Nは、内部配線接続部33aと、内部配線接続部33aに結合された立上部33bと、立上部33bに結合された横行部33cと、横行部33cに結合された外部配線接続部33dとを有している。内部配線接続部33aは、平面視においてY方向に長い矩形状に形成されている。内部配線接続部33aは、出力端子OUTの内部配線接続部32aと平行な板状体からなり、出力端子OUTの内部配線接続部32aのZ方向側に配置されている。内部配線接続部33aの幅Y方向の長さは出力端子OUTの内部配線接続部32aの幅より短い。内部配線接続部33aのーZ方向側表面は、出力端子OUTの内部配線接続部32aのZ方向側表面の幅中間部と対向している。内部配線接続部33aの長さX方向の長さは、第1の電源端子Pの長さより短く、内部配線接続部33aのX方向側端は、第1の電源端子Pの内部配線接続部31aのX方向側端に対して、-X方向側に位置している。内部配線接続部33aの長さ中間部は第3絶縁層構成部28の凹部28a内を通っており、その両端部は枠部7の側壁9,10内にそれぞれ埋め込まれている。立上部33bは、内部配線接続部33aのX方向側縁部からZ方向に立ち上がっている。立上部33bは、第1電源端子Pの立上部31bと平行な板状体からなり、内部配線接続部33aと略同幅に形成されている。立上部33bの高さは、立上部33bのZ方向表面と第1電源端子Pの立上部31bのZ方向表面とが同一のXY平面に含まれるような高さに形成されている。立上部31bのX方向側表面の一部は、第1電源端子Pの立上部31bの-X方向側表面の一部に対向している。立上部33bは、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。横行部33cは、立上部33bの-Y方向側縁部に結合されていて、X方向に延びている。横行部33cは、第1電源端子Pの横行部31cと平行な板状体からなり、立上部33bと略同幅に形成されている。横行部33cの-Y方向側表面の大部分は、第1電源端子Pの横行部31cのY方向側表面に対向している。横行部33cは、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。外部配線接続部33dは、横行部33cのX方向側縁部に結合されていて、-Y方向に延びている。外部配線接続部33dは、YZ平面に沿う板状体からなり、横行部33cより大きな幅に形成されている。つまり、外部配線接続部33dは、横行部33cより、-Z方向に突出した部分を有している。外部配線接続部33dは、枠部7の側壁10の外側面に形成された凹部に埋め込まれており、そのX方向側表面が外部に露出している。外部配線接続部33dの略中央部には、外部配線接続用の挿通孔33eが形成されている。外部配線接続部33dの-X方向側表面には、挿通孔33eにねじ孔が整合するようにしてナット36が固定されている。このナット36は、枠部7の側壁10内に埋め込まれている。端子P,N,OUTの外部配線接続部31d,33d,32dに形成された挿通孔31e,33e,32eを挿通し、前述のナット34,36,35に螺着されるボルトを用いることにより、パワーモジュール1の取付対象側に備えられるバスバーに対して端子P,N,OUTを接続できる。図5に示すように、第1絶縁層構成体26は、放熱ベース2と第1電源端子Pの内部配線接続部31aとを絶縁する絶縁層として機能する。また、第2絶縁層構成体27は、第1電源端子Pの内部配線接続部31aと出力端子OUTの内部配線接続部32aとを絶縁する絶縁層として機能する。また、第3絶縁層構成体28は、出力端子OUTの内部配線接続部32aと第2電源端子Nの内部配線接続部33aとを絶縁する絶縁層として機能する。つまり、放熱ベース2上に、第1絶縁層構成体26、第1電源端子Pの内部配線接続部31a、第2絶縁層構成体27、出力端子OUTの内部配線接続部32a、第3絶縁層構成体28および第2電源端子Nの内部配線接続部33aからなる積層構造体40が形成されている。次に、図1および図5を参照して、第1アッセンブリ3および第2アッセンブリ4について説明する。放熱ベース2の主面における枠部7に囲まれた領域は、積層構造体40によって、2つの領域2a,2bに区画されている。これらの領域2a,2bのうち、積層構造体40の-Y方向側にある領域を第1領域2aといい、積層構造体40のY方向側にある領域を第2領域2bということにする。放熱ベース2の主面の第1領域2aに第1アッセンブリ3が配置され、放熱ベース2の主面の第2領域2bに第2アッセンブリ4が配置されている。第1アッセンブリ3に第1電源端子Pが接続されており、第2アッセンブリ4に第2電源端子Nが接続されている。出力端子OUTは第1および第2アッセンブリ3,4の両方に電気的に接続されている。第1アッセンブリ3は、第1基板51と、複数の第1スイッチング素子Tr1と、複数の第1ダイオード素子Di1とを含む。第1スイッチング素子Tr1は、この実施形態では、Nチャンネル型DMOS電界効果型トランジスタで構成されている。とくに、この実施形態では、第1スイッチング素子Tr1は、SiC半導体デバイスで構成された高速スイッチング型のMOSFETSiC-DMOSである。また、第1ダイオード素子Di1は、この実施形態では、ショットキーバリアダイオードSBDで構成されている。とくに、この実施形態では、第1ダイオード素子Di1は、SiC半導体デバイスSiC-SBDで構成されている。第1基板51は、平面視で略矩形であり、4辺が放熱ベース2の4辺とそれぞれ平行な姿勢で、放熱ベース2の主面に接合されている。第1基板51の放熱ベース2側の表面-Z方向側表面には、第1接合用導体層52が形成されている。この第1接合用導体層52が半田57を介して放熱ベース2に接合されている。第1基板51の放熱ベース2とは反対側の表面Z方向側表面には、第1素子接合用導体層53と、第1ソース用導体層54と、第1ソースセンス用導体層55と、第1ゲート用導体層56とが形成されている。第1基板51は、たとえば、セラミックスの両面に銅箔を直接接合した基板DBC:DirectBondingCopperからなる。その銅箔により各導体層52~56を形成できる。第1素子接合用導体層53は、平面視で略矩形であり、第1基板51の表面Z方向側表面における-Y方向側縁部およびX方向側縁部に近い領域を除いた領域の略全域を覆うように形成されている。第1ソース用導体層54は、平面視でX方向に細長い略矩形であり、第1素子接合用導体層53と第1基板51の一辺-Y方向側の辺との間に配置されている。第1ソースセンス用導体層55は、平面視で略矩形であり、第1ソース用導体層54の-X方向側端部と第1基板51の一辺-Y方向側の辺との間に配置されている。第1ゲート用導体層56は、平面視でX方向に細長い略矩形であり、第1ソース用導体層54と第1基板51の一辺-Y方向側の辺との間であって、第1ソースセンス用導体層55のX方向側に配置されている。第1素子接合用導体層53の表面には、複数の第1スイッチング素子Tr1のドレイン電極が接合されているとともに複数の第1ダイオード素子Di1のカソード電極が接合されている。各第1スイッチング素子Tr1は、第1素子接合用導体層53に接合されている面とは反対側の表面にソース電極とゲート電極とを有している。各第1ダイオード素子Di1は、第1素子接合用導体層53に接合されている面とは反対側の表面にアノード電極を有している。第1素子接合用導体層53の表面のY方向の長さ中央部付近に、5つの第1ダイオード素子Di1がX方向に間隔をおいて並んで配置されている。また、第1素子接合用導体層53の表面の一辺-Y方向側の辺と5つの第1ダイオード素子Di1との間に、5つの第1スイッチング素子Tr1が、X方向に間隔をおいて並んで配置されている。5つの第1スイッチング素子Tr1は、5つの第1ダイオード素子Di1に対して、積層構造体40とは反対側-Y方向側に配置されており、積層構造体40の長さ方向X方向に直交する方向Y方向に関して、5つの第1ダイオード素子Di1と位置整合している。Y方向に位置整合している第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1は、平面視において、Y方向に延びたリボン61によって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。具体的には、リボン61の一端部が第1スイッチング素子Tr1のソース電極に接続され、リボン61の他端部が内部配線接続部32aの-Y方向側の露出面に接続され、リボン61の中間部が第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接続されている。つまり、第1スイッチング素子Tr1のソース電極および内部配線接続部32aのうちの一方を起点とし、それらの他方を終点とし、第1ダイオード素子Di1のアノード電極を中継点とするステッチボンディングによって、それらの接続が行なわれている。図1においては、明確化のために、リボン61は、途中部を省略して図示してある。なお、第1スイッチング素子Tr1のソース電極と第1ダイオード素子Di1とを第1のリボンで接続し、第1ダイオード素子Di1と内部配線接続部32aとを第1のリボンとは異なる第2のリボンで接続するようにしてもよい。第1素子接合用導体層53と第1電源端子Pの内部配線接続部31aとは、平面視においてY方向に延びた5本のリボン62によって接続されている。具体的には、各リボン62の一端部は第1素子接合用導体層53の表面のY方向側端部に接続され、各リボン62の他端部は第1電源端子Pの内部配線接続部31aの露出面に接続されている。これらの5本のリボン62は、前述の5本のリボン61に対して-Z方向側に配置されており、Z方向に関して5本のリボン61と位置整合している。リボン61,62は、横断面矩形の帯状の接続金属部材であり、例えばアルミニウム、銅等の金属、銅板の両面にアルミニウムが積層されたクラッド材等からなる。各第1スイッチング素子Tr1のソース電極は、ボンディングワイヤ63によって、第1ソース用導体層54に接続されている。第1ソース用導体層54は、ボンディングワイヤ64によって、第1ソース端子S1の第1部分16aに接続されている。1つの第1スイッチング素子Tr1第1素子接合用導体層53の-X方向側に辺に最も近いスイッチング素子Tr1のソース電極は、ボンディングワイヤ65によって、第1ソースセンス用導体層55にも接続されている。第1ソースセンス用導体層55は、ボンディングワイヤ66によって、第1ソースセンス端子SS1の第1部分15aに接続されている。各第1スイッチング素子Tr1のゲート電極は、ボンディングワイヤ67によって、第1ゲート用導体層56に接続されている。第1ゲート用導体層56は、ボンディングワイヤ68によって、第1ゲート端子G1の第1部分17aに接続されている。ボンディングワイヤ63~68は、例えばアルミニウム等の金属ワイヤからなる。第2アッセンブリ4は、第2基板71と、複数の第2スイッチング素子Tr2と、複数の第2ダイオード素子Di2とを含む。第2スイッチング素子Tr2は、この実施形態では、Nチャンネル型DMOS電界効果型トランジスタで構成されている。とくに、この実施形態では、第2スイッチング素子Tr2は、SiC-DMOSである。また、第2ダイオード素子Di2は、この実施形態では、ショットキーバリアダイオードSBDで構成されている。とくに、この実施形態では、第2ダイオード素子Di2は、SiC-SBDで構成されている。第2基板71は、平面視で略矩形であり、4辺が放熱ベース2の4辺とそれぞれ平行な姿勢で、放熱ベース2の主面に接合されている。第2基板71の放熱ベース2側の表面-Z方向側表面には、第2接合用導体層72が形成されている。この第2接合用導体層72が半田77を介して放熱ベースに接合されている。第2基板71の放熱ベース2とは反対側の表面Z方向側表面には、第2素子接合用導体層73と、第2ソース用導体層74と、第2ソースセンス用導体層75と、第2ゲート用導体層76とが形成されている。第2基板71は、たとえば、セラミックスの両面に銅箔を直接接合した基板DBCからなる。その銅箔により各導体層72~76を形成できる。第2素子接合用導体層73は、平面視で略矩形であり、第2基板71の表面Z方向側表面におけるY方向側縁部および-X方向側縁部に近い領域を除いた領域の略全域を覆うように形成されている。第2ソース用導体層74は、平面視でX方向に細長い略矩形であり、第2素子接合用導体層73と第2基板71の一辺Y方向側の辺との間に配置されている。第2ソースセンス用導体層75は、平面視で略矩形であり、第2ソース用導体層74のX方向側端部と第2基板71の一辺Y方向側の辺との間に配置されている。第2ゲート用導体層76は、平面視でX方向に細長い略矩形であり、第2ソース用導体層74と第2基板71の一辺Y方向側の辺との間であって、第2ソースセンス用導体層55の-X方向側に配置されている。第2素子接合用導体層73の表面には、複数の第2スイッチング素子Tr2のドレイン電極が接合されているとともに複数の第2ダイオード素子Di2のカソード電極が接合されている。各第2スイッチング素子Tr2は、第2素子接合用導体層73に接合されている面とは反対側の表面にソース電極とゲート電極とを有している。各第2ダイオード素子Di2は、第2素子接合用導体層73に接合されている面とは反対側の表面にアノード電極を有している。第2素子接合用導体層73の表面のY方向の長さ中央部付近に、5つの第2ダイオード素子Di2がX方向に間隔をおいて並んで配置されている。また、第2素子接合用導体層73の表面の一辺Y方向側の辺と5つの第2ダイオード素子Di2との間に、5つの第2スイッチング素子Tr2が、X方向に間隔をおいて並んで配置されている。5つの第2スイッチング素子Tr2は、5つの第2ダイオード素子Di2に対して、積層構造体40とは反対側Y方向側に配置されており、積層構造体40の長さ方向X方向に直交する方向Y方向に関して、5つの第2ダイオード素子Di2と位置整合している。Y方向に位置整合している第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2は、平面視において、Y方向に延びたリボン81によって、第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続されている。具体的には、リボン81の一端部が第2スイッチング素子Tr2のソース電極に接続され、リボン81の他端部が内部配線接続部33aの露出面に接続され、リボン81の中間部が第2ダイオード素子Di2のアノード電極に接続されている。つまり、第2スイッチング素子Tr2のソース電極および内部配線接続部33aのうちの一方を起点とし、それらの他方を終点とし、第2ダイオード素子Di2のアノード電極を中継点とするステッチボンディングによって、それらの接続が行なわれている。図1においては、明確化のために、リボン81は、途中部を省略して図示してある。なお、第2スイッチング素子Tr2のソース電極と第2ダイオード素子Di2とを第1のリボンで接続し、第2ダイオード素子Di2と内部配線接続部33aとを第1のリボンとは異なる第2のリボンで接続するようにしてもよい。第2素子接合用導体層73と出力端子OUTの内部配線接続部32aとは、平面視においてY方向に延びた5本のリボン82によって接続されている。具体的には、各リボン82の一端部は第2素子接合用導体層73の表面の-Y方向側端部に接続され、各リボン82の他端部は出力端子OUTの内部配線接続部32aのY方向側の露出面に接続されている。これらの5本のリボン82は、前述の5本のリボン81に対して-Z方向側に配置されており、Z方向に関して5本のリボン81と位置整合している。リボン81,82は、横断面矩形の帯状の接続金属部材であり、例えばアルミニウム、銅等の金属、銅板の両面にアルミニウムが積層されたクラッド材等からなる。各第2スイッチング素子Tr2のソース電極は、ボンディングワイヤ83によって、第2ソース用導体層74に接続されている。第2ソース用導体層74は、ボンディングワイヤ84によって、第2ソース端子S2の第1部分19aに接続されている。1つの第2スイッチング素子Tr2第2素子接合用導体層73のX方向側に辺に最も近いスイッチング素子Tr2のソース電極は、ボンディングワイヤ85によって、第2ソースセンス用導体層75にも接続されている。第2ソースセンス用導体層75は、ボンディングワイヤ86によって、第2ソースセンス端子SS2の第1部分18aに接続されている。各第2スイッチング素子Tr2のゲート電極は、ボンディングワイヤ87によって、第2ゲート用導体層76に接続されている。第2ゲート用導体層76は、ボンディングワイヤ88によって、第2ゲート端子G2の第1部分20aに接続されている。ボンディングワイヤ83~88は、例えばアルミニウム等の金属ワイヤからなる。図11は、パワーモジュール1の電気的構成を説明するための電気回路図である。第1アッセンブリ3に備えられた複数の第1スイッチング素子Tr1および複数の第1ダイオード素子Di1は、第1電源端子Pと出力端子OUTとの間に並列に接続されて、上アーム回路ハイサイド回路91を形成している。同様に、第2アッセンブリ4に備えられた複数の第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2は、出力端子OUTと第2電源端子Nとの間に並列に接続されて、下アーム回路ローサイド回路92を形成している。上アーム回路91と下アーム回路92とは、出力端子OUTを介して接続されている。このようにしてハーフブリッジ回路が構成されている。このハーフブリッジ回路を単相ブリッジ回路として用いることができる。また、このハーフブリッジ回路パワーモジュール1を電源に複数個たとえば3個並列に接続することにより、複数相たとえば3相のブリッジ回路を構成することができる。各第1スイッチング素子Tr1には、第1ダイオード素子Di1が並列に接続されている。各第1スイッチング素子Tr1のドレインおよび各第1ダイオード素子Di1のカソードは、第1素子接合用導体層53に接続されている。第1素子接合用導体層53は第1電源端子Pに接続されている。複数の第1スイッチング素子Tr1のソースは、対応する第1ダイオード素子Di1のアノードに接続されている。各第1ダイオード素子Di1のアノードは出力端子OUTに接続されている。複数の第1スイッチング素子Tr1のゲートは第1ゲート端子G1に接続されている。また、複数の第1スイッチング素子Tr1のソースは、第1ソース端子S1に接続されている。さらに、1つの第1スイッチング素子Tr1のソースは、第1ソースセンス端子SS1に接続されている。出力端子OUTから第1電源端子Pへと向かう電流は、第1スイッチング素子Tr1を迂回して第1ダイオード素子Di1を通り、これにより、逆方向電流による第1スイッチング素子Tr1の破壊が防がれるようになっている。一方、各第2スイッチング素子Tr2には、第2ダイオード素子Di2が並列に接続されている。各第2スイッチング素子Tr2のドレインおよび各第2ダイオード素子Di2のカソードは、第2素子接合用導体層73に接続されている。第2素子接合用導体層753は出力端子OUTに接続されている。複数の第2スイッチング素子Tr2のソースは、対応する第2ダイオード素子Di2のアノードに接続されている。各第2ダイオード素子Di2のアノードは第2電源端子Nに接続されている。複数の第2スイッチング素子Tr2のゲートは第2ゲート端子G2に接続されている。また、複数の第2スイッチング素子Tr2のソースは、第2ソース端子S2に接続されている。さらに、1つの第2スイッチング素子Tr2のソースは、第2ソースセンス端子SS2に接続されている。第2電源端子Nから出力端子OUTへと向かう電流は、第2スイッチング素子Tr2を迂回して第2ダイオード素子Di2を通り、これにより、逆方向電流による第2スイッチング素子Tr2の破壊が防がれるようになっている。図5を参照して上アーム回路91第1アッセンブリ3および下アーム回路92第2アッセンブリ4における電流経路について説明する。図5に実線で示す矢印は、第1スイッチング素子Tr1が導通しているときに電流が流れる方向を示している。第1スイッチング素子Tr1が導通すると、第1電源端子Pから流入した電流は、リボン62を通って-Y方向に流れ、第1素子接合用導体層53に達する。第1素子接合用導体層53内では、-Y方向に電流が流れ、第1スイッチング素子Tr1に到達する。第1スイッチング素子Tr1を通った電流は、折り返されて、リボン61を通ってY方向へと流れ、出力端子OUTへと導かれ、出力端子OUTからモータその他の負荷へと供給される。このように、第1スイッチング素子Tr1に流入する電流は-Y方向の電流が流れ、第1スイッチング素子Tr1からの電流はY方向に流れるので、互いに逆方向となる。そして、-Y方向に流れる電流の経路を提供するリボン62および第1素子接合用導体層53と、Y方向に流れる電流の経路を提供するリボン61とは、互いに接近している。特に、リボン62とリボン61とは帯状の接続金属部材であり、リボン62のZ方向側表面はリボン61の-Z向側表面に対向している。これにより、リボン62および第1素子接合用導体層53の自己インダクタンスと、リボン61の自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール1のインダクタンスを低減できる。前述したように、第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1は、ステッチボンディングによって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。したがって、第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1を、それぞれ異なる接続金属部材によって出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続する場合に比べて、リボン62および第1素子接合用導体層53の自己インダクタンスと、リボン61の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。図5に破線で示す矢印は、第2スイッチング素子Tr2が導通しているときに電流が流れる方向を示している。第2スイッチング素子Tr2が導通すると、出力端子OUTから流入した電流は、リボン82を通ってY方向に流れ、第2素子接合用導体層73に達する。第2素子接合用導体層73内では、Y方向に電流が流れ、第2スイッチング素子Tr2に到達する。第2スイッチング素子Tr2を通った電流は、折り返されて、リボン81を通って-Y方向へと流れ、第2電源端子Nに到達する。このように、第2スイッチング素子Tr2に流入する電流はY方向の電流が流れ、第2スイッチング素子Tr2からの電流は-Y方向に流れるので、互いに逆方向となる。そして、Y方向に流れる電流の経路を提供するリボン82および第2素子接合用導体層73と、-Y方向に流れる電流の経路を提供するリボン81とは、互いに接近している。特に、リボン82とリボン81とは帯状の接続金属部材であり、リボン82のZ方向側表面はリボン81の-Z向側表面に対向している。これにより、リボン82および第2素子接合用導体層73の自己インダクタンスと、リボン81の自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール1のインダクタンスを低減できる。前述したように、第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2は、ステッチボンディングによって、第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続されている。したがって、第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2を、それぞれ異なる接続金属部材によって第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続する場合に比べて、リボン82および第2素子接合用導体層73の自己インダクタンスと、リボン81の自己インダクタンスとの相殺効果を高めることができる。図12は、このパワーモジュール1がHブリッジ回路に利用された場合の電気回路を示している。Hブリッジ回路では、2個のパワーモジュール1が電源201に並列接続される。一方のパワーモジュール1を第1のパワーモジュール1_1、他方のパワーモジュール1を第2のパワーモジュール1_2ということにする。説明の便宜上、上アーム回路を構成している第1トランジスタ素子Tr1および第1ダイオード素子Di1はそれぞれ1個のみ図示され、下アーム回路を構成する第2トランジスタ素子Tr2および第2ダイオード素子Di2もそれぞれ1個のみ示されている。2個のパワーモジュール1_1,1_2の出力端子OUTの間に、モータ等の誘導性の負荷202が接続されている。このようなHブリッジ回路では、例えば第1のパワーモジュール1_1の第1トランジスタ素子Tr1と第2のパワーモジュール1_2の第2トランジスタ素子Tr2とが導電状態とされる。この後、これらのトランジスタ素子Tr1,Tr2が遮断状態にされる。そして、第1のパワーモジュール1_1の第2トランジスタ素子Tr2と第2のパワーモジュール1_2の第1トランジスタ素子Tr1とが導電状態とされる。この後、これらのトランジスタ素子Tr1,Tr2が遮断状態にされる。そして、第1のパワーモジュール1_1の第1トランジスタ素子Tr1と第2のパワーモジュール1_2の第2トランジスタ素子Tr2とが導電状態とされる。このような動作が繰り返されることにより、負荷202が交流駆動される。第1のパワーモジュール1_1内の第1スイッチング素子Tr1が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第2スイッチング素子Tr2が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期には、第1のパワーモジュール1_1では、図12に矢印で示すように、第1電源端子Pから第1スイッチング素子Tr1を通って出力端子OUTに電流が流れ、出力端子OUTから第2スイッチング素子Tr2を通って第2電源端子Nに電流が流れる。また、第1のパワーモジュール1_1内の第2スイッチング素子Tr2が導電状態から遮断状態に切り換えられ、第1スイッチング素子Tr1が遮断状態から導電状態に切り換えられるときの過渡期にも、第1のパワーモジュール1_1では、第1電源端子Pから第1スイッチング素子Tr1を通って出力端子OUTに電流が流れ、出力端子OUTから第2スイッチング素子Tr2を通って第2電源端子Nに電流が流れる。図7および図10を参照して、このような過渡期には、第1のパワーモジュール1_1の第1電源端子Pの内部配線接続部31aおよび横行部31cには-X方向に電流が流れ、第1電源端子Pの立上部31bにはY方向の電流が流れる。一方、第1のパワーモジュール1_1の第2電源端子Nの内部配線接続部33aおよび横行部33cにはX方向に電流が流れ、第2電源端子Nの立上部33bには-Y方向の電流が流れる。-X方向に電流が流れる第1電源端子Pの内部配線接続部31aとX方向に電流が流れる第2電源端子Nの内部配線接続部33aとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。また、-X方向に電流が流れる第1電源端子Pの横行部31cと、X方向に電流が流れる第2電源端子Nの横行部33cとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。さらに、Y方向の電流が流れる第1電源端子Pの立上部31bと、-Y方向の電流が流れる第2電源端子Nの立上部33bとは、互いに対向しているとともに互いに接近している。これにより、第1電源端子Pの自己インダクタンスと、第2電源端子Nの自己インダクタンスとが、それらの間の相互インダクタンスによって少なくとも部分的に打ち消される。これにより、パワーモジュール1のインダクタンスを低減できる。[第2の実施形態]図13は、この発明の第2の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図13において、図1の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。このパワーモジュール1Aでは、第1の実施形態の第1アッセンブリ3に使用されている一方のリボン61の代わりに、ボンディングワイヤ61Aが用いられている。また、第1の実施形態の第2アッセンブリ4に使用されている一方のリボン81の代わりに、ボンディングワイヤ81Aが用いられている。Y方向に位置整合している第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1は、平面視において、Y方向に延びた2本のボンディングワイヤ61Aによって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。具体的には、各ボンディングワイヤ61Aの一端部が第1スイッチング素子Tr1のソース電極に接続され、各ボンディングワイヤ61Aの他端部が内部配線接続部32aの-Y方向側の露出部に接続され、各ボンディングワイヤ61Aの中間部が第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接続されている。このような接続は、ステッチボンディングによって行なうことができる。なお、図13では、明確化のためにボンディングワイヤ61Aは、途中部を省略して図示してある。同様に、Y方向に位置整合している第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2は、平面視において、Y方向に延びた2本のボンディングワイヤ81Aによって、第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続されている。具体的には、各ボンディングワイヤ81Aの一端部が第2スイッチング素子Tr2のソース電極に接続され、各ボンディングワイヤ81Aの他端部が内部配線接続部33aの露出部に接続され、各ボンディングワイヤ81Aの中間部が第2ダイオード素子Di2のアノード電極に接続されている。このような接続は、ステッチボンディングによって行なうことができる。なお、図13では、明確化のためにボンディングワイヤ81Aは、途中部を省略して図示してある。前記第2の実施形態の第1アッセンブリ3に使用されているリボン62の代わりに、横断面矩形の板状のリードフレームを用いてもよい。また、前記第2の実施形態の第2アッセンブリ4に使用されているリボン82の代わりに、リードフレームを用いてもよい。[第3の実施形態]図14は、この発明の第3の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な平面図である。図14において、図1の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。図15は、図14のXV-XV線に沿う断面図である。このパワーモジュール1Bでは、第1の実施形態の第1アッセンブリ3に使用されている一方のリボン61の代わりに2つのリードフレーム101,102が用いられ、他方のリボン62の代わりにリードフレーム103が用いられている。また、第1の実施形態の第2アッセンブリ4に使用されている一方のリボン81の代わりに2つのリードフレーム111,112が用いられ、他方のリボン82の代わりにリードフレーム113が用いられている。各リードフレーム101~103,111~113は、例えば横断面矩形の金属板たとえば銅板にニッケルめっきを施したものに曲げ加工を施して作成されている。Y方向に位置整合している第1スイッチング素子Tr1のソース電極と第1ダイオード素子Di1のアノード電極とは、平面視において、Y方向に延びたリードフレーム101によって、互いに接続されている。リードフレーム101は、第1スイッチング素子Tr1のソース電極に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。第1ダイオード素子Di1のアノード電極は、平面視において、Y方向に延びたリードフレーム102によって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。リードフレーム102は、第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、内部配線接続部32aの-Y方向側の露出面に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側短部を連結する連結部とから構成されている。なお、図14では、明確化のためにリードフレーム102は、途中部を省略して図示してある。第1素子接合用導体層53と第1電源端子Pの内部配線接続部31aとは、平面視においてY方向に延びた5つのリードフレーム103によって接続されている。各リードフレーム103は、第1素子接合用導体層53の表面のY方向側端部に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、内部配線接続部31aの露出面に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。Y方向に位置整合している第2スイッチング素子Tr2のソース電極と第2ダイオード素子Di1のアノード電極とは、平面視において、Y方向に延びたリードフレーム111によって、互いに接続されている。リードフレーム111は、第2スイッチング素子Tr2のソース電極に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、第2ダイオード素子Di2のアノード電極に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。第2ダイオード素子Di2のアノード電極は、平面視において、Y方向に延びたリードフレーム112によって、第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続されている。リードフレーム112は、第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、内部配線接続部33aの露出面に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。なお、図14では、明確化のためにリードフレーム112は、途中部を省略して図示してある。第2素子接合用導体層73と出力端子OUTの内部配線接続部32aとは、平面視においてY方向に延びた5つのリードフレーム113によって接続されている。各リードフレーム113は、第2素子接合用導体層73の表面の-Y方向側端部に接合された第1接合部と、第1接合部に結合された第1立上部と、内部配線接続部32aのY方向側の露出面に接合された第2接合部と、第2接合部に結合された第2立上部と、第1立上部および第2立上部のZ方向側端部を連結する連結部とから構成されている。[第4の実施形態]図16は、この発明の第4の実施形態に係るパワーモジュールの内部構造を示す図解的な断面図である。図16は、第1の実施形態の図5に対応する断面図である。図16において、図5の各部の対応する部分は同一参照符号で示す。このパワーモジュール1Cでは、第1の実施形態の第1アッセンブリ3に使用されている一方のリボン61の代わりに横断面矩形のリードフレーム121が用いられ、他方のリボン62の代わりに横断面矩形のリードフレーム122が用いられている。また、第1の実施形態の第2アッセンブリ4に使用されている一方のリボン81の代わりに横断面矩形のリードフレーム131が用いられ、他方のリボン82の代わりに横断面矩形のリードフレーム132が用いられている。リードフレーム122は、第3の実施形態のリードフレーム103と同様な構造なのでその説明を省略する。また、リードフレーム132は、第3の実施形態のリードフレーム113と同様な構造なのでその説明を省略する。Y方向に位置整合している第1スイッチング素子Tr1および第1ダイオード素子Di1は、平面視においてY方向に延びたリードフレーム121によって、出力端子OUTの内部配線接続部32aに接続されている。リードフレーム121は、第1スイッチング素子Tr1のソース電極に接合された第1接合部121aと、第1接合部121aに結合された第1立上部121bと、第1ダイオード素子Di1のアノード電極に接合された第2接合部121cと、第2接合部121cに結合された第2立上部121dと、出力端子OUTの内部配線接続部32aの-Y方向側の露出部に接合された第3接合部121eと、第3接合部121eに結合された第3立上部121fと、第1立上部121b、第2立上部121dおよび第3立上部121fのZ方向側端部を連結する連結部121gとから構成されている。この実施形態では、各立上部121b,121d,121fのZ方向側端は、同じ高さ位置にある。連結部121gは、放熱ベース2の主面と平行な面を有している。Y方向に位置整合している第2スイッチング素子Tr2および第2ダイオード素子Di2は、平面視においてY方向に延びたリードフレーム131によって、第2電源端子Nの内部配線接続部33aに接続されている。リードフレーム131は、第2スイッチング素子Tr2のソース電極に接合された第1接合部131aと、第1接合部131aに結合された第1立上部131bと、第2ダイオード素子Di2のアノード電極に接合された第2接合部131cと、第2接合部131cに結合された第2立上部131dと、第2電源端子Nの内部配線接続部33aの露出面に接合された第3接合部131eと、第3接合部131eに結合された第3立上部131fと、第1立上部131b、第2立上部131dおよび第3立上部131fのZ方向側端を連結する連結部131gとから構成されている。この実施形態では、各立上部131b,131d,131fのZ方向側端は、同じ高さ位置にある。連結部131gは、放熱ベース2の主面と平行な面を有している。リードフレーム121,131は、銅等の金属製であり、例えば鋳造によって作りことができる。以上、この発明の実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、SiC半導体デバイスで構成したMOS型電界効果トランジスタをスイッチング素子の例として説明したが、IGBTInsulatedGateBipolarTransistor等の他の形態のスイッチング素子が適用されてもよい。また、前述の実施形態では、スイッチング素子およびダイオード素子を備えた構成について説明したが、ダイオード素子が備えられていない半導体装置に対しても、この発明を適用できる。また、半導体装置は、必ずしもパワーモジュールを構成している必要はない。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"