"式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数2~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。Z1は、有機対イオンを表す。]L1が、式L1-1で表される基である請求項1又は2記載の塩。[式L1-1中、Laは、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。は-CQ1Q2-との結合手を表す。]Z1が、アリールスルホニウムカチオンである請求項1記載の塩。請求項1~3のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。請求項4記載の酸発生剤と樹脂とを含有するフォトレジスト組成物。前記樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である請求項5記載のフォトレジスト組成物。さらに塩基性化合物を含有する請求項5又は6記載のフォトレジスト組成物。1請求項5~7のいずれか記載のフォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させ組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。従来から知られる上記の塩を含むフォトレジスト組成物では、レジストパターン形成時のフォーカスマージンDOFが必ずしも満足できない場合があった。本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、2価の炭素数2~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。Z1は、有機対イオンを表す。]2L1が、式L1-1で表される基である1記載の塩。[式L1-1中、Laは、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。は-CQ1Q2-との結合手を表す。]3Z1が、アリールスルホニウムカチオンである1又は2記載の塩。4上記1~3のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。5上記4記載の酸発生剤と樹脂とを含有するフォトレジスト組成物。6樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である5記載のフォトレジスト組成物。7さらに塩基性化合物を含有する5又は6記載のフォトレジスト組成物。81上記5~7のいずれか記載のフォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩及びこの塩を含むフォトレジスト組成物を用いることにより、優れたフォーカスマージンDOFでパターンを形成することができる。本明細書では、特に断りのない限り、同様の置換基を有するいずれの化学構造式も、炭素数を適宜選択しながら、後述する具体的な各置換基を適用することができる。直鎖状、分岐状又は環状いずれかをとることができるものは、特記ない限りそのいずれをも含み、また、同一の基において、直鎖状、分岐状及び/又は環状の部分構造が混在していてもよい。さらに、各置換基は、結合部位によって一価又は二価の置換基となり得る。立体異性体が存在する場合は、それらの立体異性体の全てを包含する。さらに、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。<式Iで表される塩>本発明の塩は、式Iで表される。[式I中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。L1は、炭素数2~17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R1及びR2は、互いに独立に、炭素数1~12の炭化水素基を表す。Z1は、有機対イオンを表す。]Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。L1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、1-メチルシクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,2-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基;ノルボルナン-2,3-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,2-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。また、2価の飽和炭化水素基としては、後述する1価の脂環式炭化水素基から任意の1つの水素原子を除いて結合手としたものであってもよい。L1の2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基がオキシ基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式L1-1、式L1-2、式L1-3又は式L1-4以下、式L1-1~式L1-4のように表記する。同様の表現については同様に記載する。のいずれかで表される基、好ましくは式L1-1又は式L1-4で表される基が挙げられる。式L1-1~式L1-4は、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-NR1R2と結合する。以下の式L1-1~式L1-4の具体例も同様である。ここで、Laは、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。なかでも、炭素数8~12のアルカンジイル基が好ましく、-CH28-、-CH212-が好ましい。Lb及びLcは、それぞれ独立に、炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。なかでも、Lbは炭素数8~12のアルカンジイル基が好ましく、-CH28-、-CH212-が好ましい。Lcは炭素数1~4のアルカンジイル基が好ましく、-CH2-が好ましい。Ld及びLeは、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。なかでも、Ldは炭素数8~12のアルカンジイル基が好ましく、-CH28-、-CH212-が好ましい。Leは炭素数1~4のアルカンジイル基が好ましく、-CH2-が好ましい。Lf及びLgは、それぞれ独立に、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。なかでも、Lfは炭素数8~12のアルカンジイル基が好ましく、-CH28-、-CH212-が好ましい。Lgは炭素数1~4のアルカンジイル基が好ましく、-CH2-が好ましい。式L1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式L1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式L1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式L1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。R1及びR2の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルプロピル基、2-エチルプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、3-エチルブチル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-エチルヘキシル基、tert-オクチル基等のアルキル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、イソボルニル基等が挙げられる。これらを組み合わせた基としては、下記の基が挙げられる。式Iで表される塩におけるアニオンとしては、例えば、以下の塩が挙げられる。Z1としては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Z1しては、例えば、式Z1~式Z4等が挙げられる。式Z1~式Z4中Pa~Pcは、それぞれ独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~36の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表すか、PaとPbは、一緒になってイオウ原子を含む環を形成する。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~36の脂肪族炭化水素基、炭素数3~36の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。P4及びP5は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。P6及びP7は、それぞれ独立に、炭素数1~36の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~36の脂環式炭化水素基を表すか、P6及びP7は、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成する。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。P8は、水素原子、炭素数1~36の脂肪族炭化水素基、炭素数3~36の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。P9は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。P8及びP9は、それらが結合する-CH-CO-とともに3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成してもよい。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。P10~P15は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Eは、-S-又は-O-を表す。i、j、p、r、x及びyは、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。qは0又は1を表す。v及びwは、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。iが2以上であるとき、複数のP4は互いに同一でも異なってもよく、これと同様に、j、p、r、x、y、v及びwのいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のP5及びP10~P15のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられ、特に、P6~P8の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12である。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。なお、下記式においては結合手を表す。なかでも、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基であり、特に、P6~P8の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~36、より好ましくは炭素数4~12である。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p-メチルフェニル基、p-エチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-シクロへキシルフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。なかでも、好ましくは、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。P6とP7及びP8とP9が互いに結合して形成する3員環~12員環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせが挙げられる。なかでも、P6及びP7が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。P8及びP9が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。式Z1~式Z4で表されるカチオンの中でも、式Z1が好ましく、式Z5で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式Z5中、全てのzが0がさらに好ましい。式Z5中P1~P3は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~36の脂肪族炭化水素基、炭素数3~36の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表すか、P1~P3から選ばれる2つが一緒になって単結合、-O-又は炭素数1~4の2価の脂肪族炭化水素基を表し、イオウ原子を含む環を形成する。該脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~36である。z1、z2及びz3は、それぞれ独立に、0~5の整数好ましくは0又は1を表す。z1が2以上のとき、複数のP1は、互いに同一でも異なってもよく、z2が2以上のとき、複数のP2は互いに同一でも異なってもよく、z3以上のとき、複数のP3は互いに同一でも異なってもよい。なかでも、P1~P3は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。式Z1又はZ5で表されるカチオンとしては、以下のものが挙げられる。式Z5で表されるカチオンのうち、イオウ原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンZ1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンZ2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンZ3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンZ4の具体例としては、以下のものが挙げられる。式Iで表される塩は、上述のアニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される塩が好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味である。さらに、以下の塩がより好ましい。式Iで表される塩は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。例えば、L1が-CO-O-La-すなわち式L1-1で表される基である式Iaで表される塩は、式Ibで表される化合物と式Icで表される塩とを溶剤中で反応させることにより得ることができる。以下の式における置換基の定義は上記と同じ意味である。用いる溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。[式中、R1、R2、Q1、Q2、Z1及びLaは、上記と同じ意味を表す。]式Ibで表される化合物は、式Idで表される化合物と式Ieで表される化合物とを反応させることにより、得ることができる。式Idで表される化合物としては、12-ブロモ-1-ドデカノール等が挙げられる。式Ieで表される化合物としては、ジメチルアミン、N-メチルブチルアミン等が挙げられる。[式中、R1、R2及びLaは、上記と同じ意味を表す。]式Icで表される塩は、式Ifで表される塩と式Igで表される化合物とを反応させることにより、得ることができる。[式中、Q1、Q2及びZ1は、上記と同じ意味を表す。]式Ifで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。<酸発生剤>本発明の酸発生剤は、式Iで表される塩を含有する。式Iで表される塩は、酸発生剤として有用であり、酸発生剤として使用する時、単独で用いても複数種を併用してもよい。また、本発明の酸発生剤は、式Iで表される塩とは異なる酸発生剤以下酸発生剤Bという場合があるを、式Iで表される塩とともに、含有していてもよい。酸発生剤Bとしては、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤又はこれらを組み合わせて用いることができる。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート及びスルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等がある。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン及びスルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、本発明の技術分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も適宜使用できる。例えば、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載されている、放射線によって酸を発生する化合物を、酸発生剤Bとして使用できる。酸発生剤Bとしては、分子内にフッ素原子を有するフッ素含有酸発生剤が好ましく、以下の式B1で表される酸発生剤B以下、酸発生剤B1という。が特に好ましい。この酸発生剤B1と式Iで表される塩とを含む本発明のフォトレジスト組成物は、LERが良好なレジストパターンを製造できるだけでなく、良好なフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造できるという利点がある。なお、以下の説明において、この酸発生剤B1のうち、正電荷を有するZは有機カチオンといい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものをスルホン酸アニオンということがある。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基-SO2-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。式B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることが好ましく、より好ましくは、Q1及びQ2がともにフッ素原子である。Q1及びQ2がともにフッ素原子である酸発生剤B1を用いたフォトレジスト組成物では、より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。Lb1の2価の飽和炭化水素基としては、L1で例示したものと同様のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基がオキシ基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式b1-1で示される基又は式b1-2で示される基である。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9は、単結合又は炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb10は、炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。特に、式b1-1で表される2価の基がより好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がさらに好ましい。式b1-1で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。Lb1の2価の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基は、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基等が挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-メチルエチル基イソプロピル基、1,1-ジメチルエチル基tert-ブチル基、2,2-ジメチルエチル基、プロピル基、1-メチルプロピル基、2,2-ジメチルプロピル基、1-エチルプロピル基、ブチル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-プロピルブチル基、ペンチル基、1-メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4-ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1-メチルヘプチル基、オクチル基、メチルオクチル基、メチルノニル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。なかでも、炭素数1~6のアルキル基がより好ましい。Yの脂環式炭化水素基としては、飽和及び不飽和の単環式及び多環式の炭化水素基ただし、芳香族炭化水素は除くが挙げられる。なかでも飽和炭化水素が好ましい。また、脂環式炭化水素基は、アルキル基が結合しているものであってもよいアルキル基を介して脂環式炭化水素基がLb1に結合しているものであってもよい。単環式の炭化水素基としては、シクロアルキル基が挙げられ、多環式の炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基並びに下記に示す基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基が好ましく、炭素数3~12のシクロアルキル基がより好ましい。Yにおける置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。等が挙げられる。この置換基である脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基は、さらに、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基等の置換基を有していてもよい。また、脂肪族炭化水素基の置換基として、さらに炭素数3~16の脂環式炭化水素基を有していてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペントキシ基、n-ヘキトキシ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチルフェニル基、p-tert-ブチルフェニル基、p-アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6-ジエチルフェニル基、2-メチル-6-エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、トリチル、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基におけるメチレン基は、オキシ基、スルホニル基-SO2-又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、エーテル結合又は環状エーテル基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがオキシ基に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、オキシ基及びカルボニル基に置き換わった基等が挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26のいずれかで表される基が挙げられる。ここで、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の1~3個がそれぞれ、1以上のオキソ基、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては、式Y12~式Y26で表される基が挙げられる。なお、これら式Y1~式Y26で表される基において、はLb1に結合している結合手を表す。Yとしては、特に、式Y1~式Y19のいずれかで表される基が好ましく、式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基がより好ましく、式Y11又は式Y14で表される基がさらに好ましい。環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。Yとしては、ヒドロキシ基等を置換基として有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、アダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基がより好ましい。式B1で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yが有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がよりに好ましい。Yが無置換の脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-1で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状エーテル基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、前記スルトン環基であり、Lb1が式b1-2で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、脂肪族炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-3で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが、前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-3で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。Yが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Lb1が式b1-4で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yが前記環状ケトン基であり、Lb1が式b1-4で表される2価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-5で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-6で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルホン酸アニオンの中でも、Lb1が式b1-1で表される基であるものが好ましく、以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。酸発生剤B1に含まれるカチオンは、例えば、オニウムカチオンスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。従って、酸発生剤B1における有機カチオンであるZとしては、式Iにおける有機対イオンZ1と同様のもの、つまり式Z1~Z5で表されるカチオンが挙げられる。このような有機カチオンを有する酸発生剤B1と式Iで表される化合物とを含むフォトレジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。酸発生剤B1は前記スルホン酸アニオン及び前記有機カチオンを任意に組み合わせることができる。なかでも、式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンZ5との組合せである酸発生剤B1並びに式b1-1-3~式b1-1-5のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオンZ3との組合せである酸発生剤B1が好ましい。このような酸発生剤B1と、式Iで表される化合物とを含む本発明のフォトレジスト組成物は、より一層広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができる。さらに好ましい酸発生剤B1は、以下の式B1-1~式B1-17のいずれかで表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及びB1-14のいずれかで表されるもの並びにトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1である式B1-3で表されるものが好ましい。本発明の酸発生剤が、式Iで表される塩と酸発生剤B1とを含む場合、それらの質量比は、例えば、100:0~5:95が挙げられ、95:5~5:95が好ましく、90:10~10:90がより好ましい。<フォトレジスト組成物>本発明のフォトレジスト組成物は、式Iで表される塩を含む本発明の酸発生剤と、樹脂とを含む。<樹脂以下、樹脂Aという。>樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂である。酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂Aは、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂Aが酸と接触するとこの保護基が脱離して、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶な樹脂となる。保護基により保護されている親水性基を酸不安定基と称する。親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。樹脂Aは、酸不安定基を有するモノマー以下、モノマーa1という。を重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマーa1を1種のみ使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>モノマーa1は酸不安定基を有する。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が有機残基に置き換わり、オキシ基と結合する有機残基の炭素原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表される以下、場合により酸不安定基1という。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表す。Ra1及びRa2は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環、該脂肪族炭化水素基又は該脂環式炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、オキシ基、チオキシ基-S-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基が挙げられる。脂環式炭化水素基としては、飽和及び不飽和、単環式及び多環式のいずれでもよい。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数が3~16の飽和脂環式炭化水素基である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3で表される基としては、例えば、下記に示す基が挙げられる。このような環は、好ましくは、炭素数が3~12である。酸不安定基1の具体例は、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブトキシカルボニル基であると好ましい。、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造又はケタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2という。である。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表す。Rb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成してもよい。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、該メチレン基は、オキシ基、チオキシ基-S-又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。は結合手を表す。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。酸不安定基2の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の脂環式炭化水素環を有するものが好ましい。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素環を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、該樹脂Aを含む本発明のフォトレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より高解像度でレジストパターンを製造することができる。脂環式炭化水素環を有する酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、モノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、モノマーa1-2という。が好ましい。樹脂Aを製造する際、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、オキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表し、n2は0~3の整数を表す。なお、式a1-1においてアダマンタン環にある-CH3m1の表記は、アダマンタン環にあるメチレン基及び/又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がm1個であることを意味する。La1及びLa2は、好ましくは、オキシ基又は-O-CH2f1-CO-O-但し、f1は1~4の整数を表すで表される基あり、より好ましくはオキシ基である。f1は、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下であり、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n2は、好ましくは0又は1である。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-1としては、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマーa1-2としては、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。樹脂Aが、モノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2を用いて製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位を100モルとしたとき、これらモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。モノマーa1-1に由来する構造単位及び/又はモノマーa1-2に由来する構造単位の含有量の合計を、このような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマーa1-1及び/又はモノマーa1-2の使用量を調整すればよい。樹脂Aの製造には、上述したメタアクリル系モノマー以外に、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他のモノマーを用いることができる。このような他のモノマーとしては、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、モノマーa1-3という。が挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、カルボキシル基、シアノ基又は-COORa13を表す。Ra13は、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基にメチレン基を含む場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表す。Ra10及びRa11は互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよく、これらの基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。-COORa13としては、例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等が挙げられる。ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、又は2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。Ra10~Ra12は、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基等が挙げられる。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。モノマーa1-3としては、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチル等が挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂Aを含むフォトレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、樹脂Aを含むフォトレジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。上述のように、高解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂Aの全構造単位100モルに対する、モノマーa1-3に由来する構造単位の含有量は10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。また、他のモノマーとして、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、モノマーa1-4という。も用いることができる。[式a1-4中、Ra32は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33はそれぞれ独立である。Ra34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、カルボニル基、オキシ基、-S-、スルホニル基-SO2-又は-NRc-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基で置換されていてもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれかである。特に、脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基が好ましい。脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。芳香族炭化水素基としては、アリール基が好ましい。式a1-4においては、Ra32及びRa33がアルキル基である場合、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra33のアルコキシ基としては、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ra34及びRa35の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基及びイソボルニル基等が好ましい。上述したように、Xa2及びYa3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基等に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1は、メタアクリル系モノマーが好ましく、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、モノマーa1-5という。が挙げられる。式a1-5中、R31は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。L31~L33は、オキシ基、-S-又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs2は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5において、R31は、水素原子又はメチル基が好ましい。L31は、オキシ基が好ましい。L32及びL33は、一方がオキシ基、他方が-S-が好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2が好ましい。Z1は、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5としては、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマー>本発明のフォトレジスト組成物に用いる樹脂Aとしては、モノマーa1に加えて、酸不安定基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるを用いて得られる共重合体であると好ましい。酸安定モノマーを併用して樹脂Aを製造する場合、モノマーa1の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマーa1の使用量と酸安定モノマーの使用量の割合は、モノマーa1/酸安定モノマーで表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に、モノマーa1-1を、モノマーa1に用いる場合、該モノマーa1の使用量の総量100モルに対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を15モル以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂Aを含むフォトレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa2という。及び/又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aは、当該樹脂Aを含むフォトレジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜及び/又は塗布膜から得られる組成物層は基板との密着性に優れる傾向があり、高解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定モノマーa2>酸安定モノマーa2を樹脂Aの製造に用いる場合、酸安定モノマーa2は、当該樹脂Aを含む本発明のフォトレジスト組成物からレジストパターンを得る際の露光源の種類によって、好適なものを選択すればよい。すなわち、本発明のフォトレジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線照射によるレジストパターン形成に用いる場合には、酸安定モノマーa2としては、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2-0例えば、ヒドロキシスチレン類等が好ましい。樹脂Aの製造に用いる酸安定モノマーa2は、露光源の種類に対して好適なモノマー1種のみでもよく、露光源の種類に対して好適なモノマー2種以上でもよく、或いは、露光源の種類に対して好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマーa2とを組み合わせた2種以上でもよい。酸安定モノマーa2としては、以下の式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、酸安定モノマーa2-0という。が挙げられる。なお、この式a2-0は、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示す以下同様。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31はそれぞれ独立である。]Ra30としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。Ra31としては、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。Ra31のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1又は2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、酸安定モノマーa2-0が有するフェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されたモノマーを用いることが好ましい。該保護基としては、例えば、アセチル基等が好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位からは容易に、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位と同じものを形成することができる。ただし、本発明に用いる樹脂Aが、酸不安定基を有するモノマーa1に由来する構造単位を有している場合、フェノール性ヒドロキシ基が保護基で保護されたモノマーに由来する構造単位を脱保護する際には、この酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護する必要がある。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。上述の酸安定モノマーa2-0のなかでも、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンを用いて、樹脂Aを製造する際には、フェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光波長:193nmによるレジストパターン形成に用いる場合は、酸安定モノマーa2として、式a2-1で表される酸安定モノマー以下酸安定モノマーa2-1という場合がある。が好ましい。式a2-1中、La3は、オキシ基又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、オキシ基、-O-CH2f1-CO-O-ここでf1は、1~4の整数であるであり、より好ましくはオキシ基である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~40モルの範囲から選ばれ、5~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa3>酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定モノマーa3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。樹脂Aの製造においては、これらのうち1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-1といい、式a3-2で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-2といい、式a3-3で示される酸安定モノマーa3を酸安定モノマーa3-3という。式a3-1、式a3-2及び式a3-3中、Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は互いに同一でも異なってもよく、q1が2以上のとき、複数のRa22は互いに同一でも異なってもよく、r1が2以上のとき、複数のRa23は互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6は、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましくここでd1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。γ-ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-3は例えば、以下のものが挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。樹脂Aが、モノマーa3-1に由来する構造単位、モノマーa3-2に由来する構造単位及びモノマーa3-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa3に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~50モルの範囲から選ばれ、10~40モルの範囲が好ましく、15~40モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>樹脂A製造には、以下の酸安定モノマーを用いてもよい。以下、このような酸安定モノマーを酸安定モノマーa4という。酸安定モノマーa4としては、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸及び式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、酸安定モノマーa4-3という。などが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキソ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、第三級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。モノマーa4-3のRa25及びRa26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12の基である。このRa27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが挙げられる。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及びモノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルが好ましく、3~30モルの範囲がより好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。更に、酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基の代表例は、下記スルトン環にある水素原子の1つが、La7との結合手に置き換わったものである。置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基とは、上述のLa7との結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基及び炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーa4の具体例を下記に示す。樹脂Aが、式a4-4で表されるスルトン環を有する酸安定モノマーa4に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルが好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。また、酸安定モノマーa4としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、場合によりモノマーa4-5という。も使用できる。このようなモノマーの中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルが好ましく、2~15モルの範囲がより好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。<特定の基を有するその他の酸安定モノマー>本発明の樹脂Aの製造には、式3又は式4で表される基を有するその他の酸安定モノマー以下モノマーa5及びモノマーa6という場合がある。を用いることもできる。<モノマーa5>モノマーa5は、以下の式3で表される基を有する。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]R10のフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-ペルフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2-ペルフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。R10のフッ化アルキル基は、炭素数1~4が好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。モノマーa5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。樹脂Aが、モノマーa5に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。<モノマーa6>モノマーa6は以下の式4で表される基を有する。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A2は、単結合、-CH2m-SO2-O-又は-CH2m-CO-O-を表し、ここに示す該-CH2m-に含まれるメチレン基は、オキシ基、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該-CH2m-に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。mは、1~12の整数を表す。]R11における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。R11としては、以下の基が挙げられる。なお、は炭素原子との結合手である。R12における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、好ましくはイソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基及びエチルヘキシル基である。脂環式炭化水素基としては、以下に表される基が挙げられる。R12が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。R12が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、R11の場合で説明したものと同じである。A2としては、下記の基が挙げられる。モノマーa6としては、例えば、式a6-1で表されるモノマーが好ましい。[式a6-1中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA2は、上記と同じ意味を表す。]式a6-1で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。樹脂Aが、モノマーa6-1に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲がさらに好ましい。好ましい樹脂Aは、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマーa1として、上述のモノマーa1-1及びモノマーa1-2の少なくとも1種を用いることが好ましく、モノマーa1-1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーa2としては、酸安定モノマーa2-1が好ましく、酸安定モノマーa3としては、酸安定モノマーa3-1及び酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種が好ましい。樹脂Aは、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーa2、酸安定モノマーa3及び酸安定モノマーa4からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂Aの全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法例えばラジカル重合法により製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは2,500以上であり、より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは3,500以上である。該重量平均分子量の上限は50,000以下が好ましく、30,000以下がより好ましく、10,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<塩基性化合物以下、塩基性化合物Cという。>本発明のフォトレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。ここでいう塩基性化合物とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、以下の式C2で表される芳香族アミン、特に、以下の式C2-1で表されるアニリン類が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数1~6程度のアルキル基である。、炭素数1~6程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数5~10程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数5~10程度のシクロアルキル基である。又は芳香族炭化水素基好ましくは、炭素数6~10程度の芳香族炭化水素基である。を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なっていてもよい。式C2で表される芳香族アミンとしては、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミン等が挙げられる。式C2-1で表されるアニリン類としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン及びジフェニルアミン等が挙げられる。また、以下の式C3~式C11のいずれかで表される化合物以下、化合物C3~化合物C11のように表記する。を用いてもよい。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc20、Rc21、Rc23、Rc24、Rc25、Rc26、Rc27及びRc28とは上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。Rc9、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13、Rc14、Rc16、Rc19及びRc22は、それぞれ独立であり、前記のRc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc21は互いに同一でも異なっていてもよく、q3が2以上であるとき、複数のRc24は互いに同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc25は互いに同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc26は互いに同一でも異なっていてもよく、t3が2以上であるとき、複数のRc27は互いに同一でも異なっていてもよく、u3が2以上であるとき、複数のRc28は互いに同一でも異なっていてもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基である。、脂環式炭化水素基好ましくは、炭素数3~6程度の脂環式炭化水素基である。又はアルカノイル基好ましくは、炭素数2~6程度のアルカノイル基である。を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくは、炭素数1~6程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数1~6程度のアルキレン基である。、カルボニル基、-C=NH-、-C=NRc3-但し、Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。、チオキシ基、ジスルフィド結合-S-S-又はこれらの組合せを表す。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度である。アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数2~6程度である。化合物C4としては、例えば、ピペラジン等が挙げられる。化合物C5としては、例えば、モルホリン等が挙げられる。化合物C6としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。化合物C7としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。化合物C8としては、例えば、イミダゾール及び4-メチルイミダゾール等が挙げられる。化合物C9としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。化合物C10としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン及び2,2’-ジピコリルアミン等が挙げられる。化合物C11としては、例えば、ビピリジン等が挙げられる。塩基性化合物C3としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられる。すでに述べたように、塩基性化合物Cとしてアンモニウムヒドロキシドも使用することができる。ここでいうアンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリン等が挙げられる。本発明のフォトレジスト組成物に用いる塩基性化合物Cとしては、これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤以下、溶剤Dという。>本発明のフォトレジスト組成物に含まれる溶剤Dは、用いる式Iで表される塩の種類及びその量と、樹脂Aの種類及びその量と、酸発生剤Bの種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本発明のフォトレジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜選択できる。好適な溶剤Dの例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ-ブチロラクトン等の環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本発明のフォトレジスト組成物は、必要に応じて、上記以外の構成成分以下成分Fという場合がある。を含んでいてもよい。成分Fは特に限定されず、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等である。<フォトレジスト組成物及びその調製方法>本発明のフォトレジスト組成物は、式Iで表される塩、樹脂A、必要に応じて、酸発生剤B、塩基性化合物C、成分F及び溶剤Dを混合することにより調製することができる。これらの成分の混合順は任意であり、特に限定されない。混合する際の温度は、用いる式Iで表される塩等の種類や溶剤Dに対する溶解度等に応じて選択でき、10~40°Cの範囲が好ましい。混合時間は、混合温度に応じて適宜調整することができ、0.5~24時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合等を用いることができる。本発明のフォトレジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本発明のフォトレジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。溶剤Dの含有量は、本発明のフォトレジスト組成物総質量に対して90質量以上が好ましく、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上であり、99.9質量以下が好ましく、より好ましくは99質量以下である。なお、本発明のフォトレジスト組成物から溶剤Dを除いた量を、本発明のフォトレジスト組成物の固形分という。ここで、溶剤Dの含有量が90質量である本発明のフォトレジスト組成物では、固形分は10質量に相当する。溶剤Dの含有量が上記範囲内であると、例えば、後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成しやすい。この溶剤Dの含有量は、本発明のフォトレジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、調製した後の本発明のフォトレジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの含有量は、本発明のフォトレジスト組成物の固形分の総質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。式Iで表される塩の含有質量は、本発明のフォトレジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~10質量が好ましく、0.01~5質量が好ましく、0.01~1質量がより好ましい。本発明のフォトレジスト組成物に酸発生剤Bを用いる場合、その含有量は、本発明のフォトレジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは25質量部以下である。式Iで表される塩と酸発生剤Bとの合計量は、本発明のフォトレジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量100質量部に対して、好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上であり、好ましくは40質量部以下であり、より好ましくは26質量部以下である。本発明のフォトレジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、その含有量は本発明のレジスト組成物の固形分の総質量に対して、0.01~1質量程度が好ましい。これら式Iで表される塩、樹脂A及び酸発生剤B並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有量も、本発明のレジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。これらの含有量は、調製した後の本発明のフォトレジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。なお、成分Fを本発明のフォトレジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、式Iで表される塩、樹脂A及び酸発生剤B、並びに必要に応じて用いられる溶剤D塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することが好ましい。<レジストパターンの製造方法>本発明のフォトレジストパターンの製造方法は、1本発明のフォトレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。工程1における本発明のフォトレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にフォトレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚が調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本発明のレジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本発明のフォトレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2は、基板上に塗布された本発明のフォトレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させる。これによって、塗布膜から溶剤溶剤Dを除去することができる。このような乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させて除去することにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本発明のフォトレジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択できる。例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱の場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を、露光機を用いて該組成物層を露光する工程である。露光は、所望する微細パターンが形成されたマスクフォトマスクを介して行われる。露光機の光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等が挙げられる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線や、超紫外光EUVを照射するものであってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では、該組成物層に含まれる式Iで表される塩及び/又は酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生する。発生した酸の作用により、樹脂Aが有する酸不安定基の脱保護反応により親水性基が生じることにより、樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、上記樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像で露光部の組成物層が除去されることにより、レジストパターンを形成することができる。工程4において、露光後の組成物層に加熱処理いわゆるポストエキスポジャーベークが行われる。かかる加熱処理は前記工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程4におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がより好ましい。この加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。工程5は、加熱後の組成物層を現像装置を用いて現像する工程である。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板上に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のもののを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本発明のフォトレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のフォトレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のフォトレジスト組成物、電子線EB照射用のフォトレジスト組成物又はEUV露光用のフォトレジスト組成物等として使用することができる。ドライ露光のみならず、液浸露光用のフォトレジスト組成物として好適である。さらに、ダブルイメージングにも用いることができる。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。以下の実施例において、化合物の構造は、質量分析LC;Agilent製1100型、MASS;Agilent製LC/MSD型で確認した。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製実施例1:式I-1で表される塩の合成式I-1-aで表される化合物10.00部及び式I-1-bで表される化合物50.00部を仕込み、23°Cで6時間攪拌した。得られた反応液に、酢酸エチル120部及びイオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層にイオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗操作を5回行った。回収した有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式I-1-cで表される化合物10.25部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=2/1容量比式I-1-dで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-1-dで表される塩4.20部及びアセトニトリル21.02部を仕込み、40°Cで30分間攪拌した。さらに、式I-1-eで表される化合物1.64部を仕込み、50°Cで2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却し、ろ過することにより、式I-1-fで表される化合物を含む溶液を得た。得られた溶液に、式I-1-cで表される化合物2.34部及びアセトニトリル6.66部を仕込み、23°Cで12時間攪拌した。得られた反応物を濃縮し、濃縮物にクロロホルム50部及びイオン交換水25部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、n-ヘプタン25部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にクロロホルム3.11部及びn-ヘプタン31.10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I-1で表される塩2.16部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-428.2実施例2:式I-2で表される塩の合成式I-2-aで表される化合物10.00部、クロロホルム10.00部及び式I-2-bで表される化合物4.00部を仕込み、23°Cで2時間攪拌し、得られた反応液を濃縮した。回収された濃縮物を以下の条件でカラム分取することにより、式I-2-cで表される化合物2.48部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:酢酸エチル式I-1-dで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I-1-dで表される塩4.20部及びアセトニトリル21.02部を仕込み、40°Cで30分間攪拌した。さらに、式I-1-eで表される化合物1.64部を仕込み、50°Cで2時間攪拌した。得られた反応物を23°Cまで冷却し、ろ過することにより、式I-1-fで表される化合物を含む溶液を得た。得られた溶液に、式I-2-cで表される化合物0.99部及びアセトニトリル2.01部を仕込み、23°Cで12時間攪拌した。得られた反応物を濃縮後、カラム分取することにより、式I-2で表される塩0.36部を得た。展開媒体;シリカゲル60-200メッシュ;メルク社製展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1容量比MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-246.0実施例3:式I-3で表される塩の合成リチウムアルミニウムハイドライド10.4部、無水テトラヒドロフラン120部を仕込み23°Cで30分間攪拌した。次いで、式I-3-aで表される化合物62.2部を無水THF900部に溶かした溶液を氷冷下で滴下し、23°Cで5時間攪拌した。反応マスに酢酸エチル50.0部、6N塩酸50.00部を添加、攪拌し、分液を行った。有機層を濃縮し、カラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I-3-bで表される化合物を84.7g純度60を得た。式I-3-cで表される化合物1.84部、無水THF50部を仕込み、23°Cで30分間攪拌した。次いで、カルボニルジイミダゾール2.89部、無水THF50部の混合溶液を23°Cで滴下し、23°Cで4時間攪拌した。得られた反応液を、式I-3-bで表される化合物6.04部純度60及び無水THF50部の混合液中に65°Cで、25分間かけて滴下し、さらに、65°Cで3時間加熱し、冷却後、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I-3-dで表される化合物1.26部を得た。I-3-dで表される化合物0.90部を含む溶液に、クロロホルム5.00部及びI-3-eで表される化合物1.00部を添加した。得られた混合物を、23°Cで15時間撹拌し、イオン交換水で洗浄した。得られた混合物に活性炭1.00部を加えて攪拌し、ろ過した。得られたろ液を濃縮し、酢酸エチル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert-ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮して、式I-3で表される塩0.86部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-246.0実施例4:式I-4で表される塩の合成式I-4-aで表される化合物50.00部及びテトラヒドロフラン250部を、反応器中に仕込み、30°Cで30分間攪拌し、これに、トリメチルシリルクロリド50.23部を滴下した。得られた混合液を0°Cまで冷却し、式I-4-bで表される化合物純度32東京化成製157.20部を30分かけて滴下した。さらに、得られた混合物を23°Cまで昇温し、同温度で1時間攪拌した。得られた反応混合物に、1N塩酸125部を仕込み、攪拌静置し、分液することで水層を回収した。回収された水層に、tert-ブチルメチルエーテル125部を加えて攪拌静置し、分液することで水層を回収した。回収された水層に、クロロホルム125部を加えて攪拌静置し、分液することで有機層を回収した。回収された有機層をろ過し、得られたろ液を濃縮した。濃縮残渣に、アセトニトリル28.33部及びtert-ブチルメチルエーテル354.15部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、析出した結晶をろ過することにより、式I-4-cで表される化合物53.00部を得た。式I-4-dで表される化合物13.12部及びクロロホルム73.86部を、反応器中に仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I-4-cで表される塩20.71部及びイオン交換水62.27部を添加した。次いで、35塩酸6.90部を滴下し、23°Cで12時間攪拌した。得られた反応混合物に、28アンモニア水12.00部を滴下し、分液することで有機層を回収した。回収された有機層に、イオン交換水50部を仕込み、攪拌、静置及び分液の水洗操作を計5回行った。得られた有機層に活性炭2.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル30部及びtert-ブチルメチルエーテル150部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式I-4-eで表される塩14.28部を得た。式I-4-eで表される塩10.32部及びアセトニトリル61.91部を仕込み、40°Cで30分間攪拌し、式I-1-eで表される化合物4.44部を仕込んだ。これを50°Cで1時間攪拌することにより、式I-4-fで表される化合物を含む溶液を得た。得られた式I-4-fで表される化合物を含む溶液に、式I-1-cで表される化合物6.20部を仕込み、23°Cで1時間攪拌した。得られた反応混合物に、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、濃縮物をカラムメルクシリカゲル60-200メッシュ展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1分取することにより、式I-4で表される化合物10.26部を得た。MSESISpectrum:M277.1MSESI-Spectrum:M-428.2樹脂の合成以下に示すモノマーA~モノマーFを用いて、樹脂を合成した。合成例1:樹脂A1の合成式Eで表されるモノマー、式Fで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー、式Cで表されるモノマー及び式Dで表されるモノマーを、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒4:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8.1×103である共重合体を収率65で得た。得られた共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とした。合成例2:樹脂A2の合成式Aで表されるモノマー、式Fで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー、式Cで表されるモノマー及び式Dで表されるモノマーを、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00molと3.00molとの割合で添加し、これを73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒4:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約7.8×103である共重合体を収率68で得た。得られた共重合体は、次式の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とした。合成例3:樹脂A3の合成式Aで表されるモノマー、式Bで表されるモノマー及び式Cで表されるモノマーを、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルとを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1molと3molとの割合で添加し、これを80°Cで約8時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒3:1に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約9.2×103である共重合体を収率60で得た。この共重合体は、次式構造単位を有するものであり、これを樹脂A3とした。実施例及び比較例表1に示すように、以下の各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、フォトレジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂A1~A3<式Iで表される塩>酸発生剤B1:式I-1で表される塩酸発生剤B2:式I-2で表される塩酸発生剤B3:式I-3で表される塩酸発生剤B4:式I-4で表される塩<酸発生剤B>酸発生剤X1:酸発生剤X2:酸発生剤X3:<塩基性化合物:クエンチャー>クエンチャーC1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート265部2-ヘプタノン20.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部γ-ブチロラクトン3.5部レジストパターンの評価シリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物ARC-29;日産化学株製を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。この有機反射防止膜の上に、上記のフォトレジスト組成物を、乾燥プリベーク後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。フォトレジスト組成物を塗布して得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレートで、表1のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークし、レジスト膜組成物層を形成した。得られたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパーXT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4AnnularX-Y偏光を用いて、コンタクトホールパターンホールピッチ100nm/ホール径70nmを形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表1のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。各フォトレジスト組成物からのレジストパターン形成において、ホール径70nmのマスクで形成したパターンのホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。フォーカスマージンDOF評価:実効感度において、フォーカスを段階的に変化させてレジストパターンを形成し、得られたホール径が52.2nm以上57.7nm以下を保持するフォーカス範囲を線幅指標DOFとし、DOFが、0.17μm以上であるものを◎◎、0.15μm以上0.17μm未満の場合を◎、0.09μm以上0.15μmより大きい場合を○、0.09μm未満の場合を×として判断した。これらの結果を表2に示す。"