板状の半導体チップ10を用意する用意工程と、前記半導体チップ10の全体を前記樹脂20で封止する樹脂封止工程と、前記樹脂20にレーザLを照射して、前記樹脂20を昇華させて除去することにより、前記半導体チップ10の少なくとも一部2を露出させる樹脂除去工程と、を備える半導体装置の製造方法において、前記用意工程では、前記半導体チップ10として、前記樹脂20よりも前記レーザLの吸収率が低く且つ前記レーザLで溶融しない材料よりなるものを用意し、前記樹脂除去工程では、前記レーザLとして、前記半導体チップ10を透過するとともに、前記樹脂20よりも前記半導体チップ10の方が当該レーザLの吸収率が小さくなる波長のものを照射して行い、当該レーザLを、前記半導体チップ10の一方の板面11側から前記樹脂20に照射することによって、当該一方の板面11側を封止する前記樹脂20を昇華させて除去し、続いて前記レーザLを前記半導体チップ10の他方の板面12側まで透過させ、当該透過した前記レーザLにより、当該他方の板面12側を封止する前記樹脂20を昇華させて除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記樹脂除去工程では、前記半導体チップ10の一部2にて前記レーザLの照射による前記半導体チップ10の一方の板面11側および他方の板面12側における前記樹脂20の除去を行うものであり、前記半導体チップ10の残部1は前記レーザLの照射を行わずに前記樹脂20で封止されたままの状態とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記樹脂除去工程では、前記半導体チップ10の一部2において、前記半導体チップ10の側面13~16のうちの少なくとも1つの側面14~16と前記樹脂20とが隙間を有して対向した状態で、当該少なくとも1つの側面14~16が露出するように、前記半導体チップ10の一方の板面11側から照射される前記レーザLによって、当該少なくとも1つの側面14~16側の前記樹脂20を一部残して除去することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記樹脂除去工程では、前記半導体チップ10の一部2において、前記半導体チップ10の他方の板面12と前記樹脂20とが隙間を有して対向した状態で、当該他方の板面12が露出するように、前記半導体チップ10の他方の板面12側まで透過する前記レーザLによって、当該他方の板面12側の前記樹脂20を一部残して除去することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。板状をなす半導体チップ10と、前記半導体チップ10の一部を封止する樹脂20と、を備え、前記半導体チップ10は、前記樹脂20で封止される部位を第1の部位1、前記樹脂20より露出する部位を第2の部位2として、前記第2の部位2における前記半導体チップ10の一方の板面11側にセンシング部17を有するものである半導体装置において、前記第2の部位2における前記半導体チップ10の側面13~16および前記半導体チップ10の他方の板面12のうちの少なくとも1つの面に対して、隙間を有して対向する対向部22、24~26が設けられており、前記対向部22、24~26は、前記第1の部位1を封止する前記樹脂20が延長された部位として形成されていることを特徴とする半導体装置。しかしながら、両板面が樹脂封止された状態の半導体チップに対して当該両板面の樹脂を除去する目的で、上記したようなレーザで昇華させて除去する方法を採用する場合、一方の板面側からレーザ照射して樹脂の除去を行った後、半導体チップの向きを変えるか、またはレーザ照射手段の位置を半導体チップの他方の板面側に移動させるかの工程を経て、他方の他面側からレーザ照射して樹脂の除去を行うことになる。つまり、従来では、レーザ照射を、半導体チップの一方の板面側からと他方の板面側からとで分けて行うことが必要となり、手間かかってしまう。また、このような問題は、半導体チップの一部を露出させる場合だけでなく、半導体チップの全体を樹脂で封止した後、レーザによる樹脂の除去を行って、半導体チップの全体を露出させる場合にも、同様に起こり得ることは明らかである。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップを樹脂で封止した後、半導体チップの少なくとも一部を露出させるようにレーザ照射によって樹脂を除去してなる半導体装置の製造方法において、半導体チップの片方の板面側からのレーザ照射のみで、両板面に位置する樹脂を、一括して除去できるようにすることを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、板状の半導体チップ10を用意する用意工程と、半導体チップ10の全体を樹脂20で封止する樹脂封止工程と、樹脂20にレーザLを照射して、樹脂20を昇華させて除去することにより、半導体チップ10の少なくとも一部2を露出させる樹脂除去工程と、を備える半導体装置の製造方法において、さらに以下の点を特徴としている。すなわち、用意工程では、半導体チップ10として、樹脂20よりもレーザLの吸収率が低く且つレーザLで溶融しない材料よりなるものを用意し、樹脂除去工程では、レーザLとして、半導体チップ10を透過するとともに、樹脂20よりも半導体チップ10の方が当該レーザLの吸収率が小さくなる波長のものを照射して行い、当該レーザLを、半導体チップ10の一方の板面11側から樹脂20に照射することによって、当該一方の板面11側を封止する樹脂20を昇華させて除去し、続いてレーザLを半導体チップ10の他方の板面12側まで透過させ、当該透過したレーザLにより、当該他方の板面12側を封止する樹脂20を昇華させて除去することを特徴とする。それによれば、半導体チップ10の少なくとも一部2において樹脂20を除去し、半導体チップ10の両板面11、12を露出させるにあたって、半導体チップ10の一方の板面11側からのレーザ照射だけで、半導体チップ10の他方の板面12側の樹脂20も除去できるから、両板面11、12側からのレーザ照射を行うことなく、片方の板面11側からの照射のみで、両板面11、12に位置する樹脂20を、一括して除去することができる。ここで、請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、半導体チップ10の一部2にてレーザLの照射による半導体チップ10の一方の板面11側および他方の板面12側における樹脂20の除去を行うものであり、半導体チップ10の残部1はレーザLの照射を行わずに樹脂20で封止されたままの状態とすることを特徴とする。半導体チップ10の全体が露出するように樹脂20を除去してもよいが、本発明の製造方法のように、半導体チップ10の一部2は樹脂20を除去して露出させ、残部1は樹脂20で封止されたものとすることで当該残部1の保護等が図れる。また、請求項3に記載の発明では、請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、半導体チップ10の一部2において、半導体チップ10の側面13~16のうちの少なくとも1つの側面14~16と樹脂20とが隙間を有して対向した状態で、当該少なくとも1つの側面14~16が露出するように、半導体チップ10の一方の板面11側から照射されるレーザLによって、当該少なくとも1つの側面14~16側の樹脂20を一部残して除去することを特徴とする。それによれば、半導体チップ10の一部2において、両板面11、12に加えてさらに少なくともの1つの側面14~16が露出することになるが、当該少なくとも1つの側面14~16は、これに隙間を有して対向する樹脂20によって、当該樹脂20からの応力を受けることなく保護されるものとなる。また、当該隙間も樹脂の型成形に比べて小さいものにできる。また、請求項4に記載の発明では、請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、樹脂除去工程では、半導体チップ10の一部2において、半導体チップ10の他方の板面12と樹脂20とが隙間を有して対向した状態で、当該他方の板面12が露出するように、半導体チップ10の他方の板面12側まで透過するレーザLによって、当該他方の板面12側の樹脂20を一部残して除去することを特徴とする。それによれば、半導体チップ10の一部2において、露出する他方の板面12は、これに隙間を有して対向する樹脂20によって、当該樹脂20からの応力を受けることなく保護されるものとなる。また、当該隙間も型成形に比べて小さいものにできる。請求項5に記載の発明では、板状をなす半導体チップ10と、半導体チップ10の一部を封止する樹脂20と、を備え、半導体チップ10は、樹脂20で封止される部位を第1の部位1、樹脂20より露出する部位を第2の部位2として、第2の部位2における半導体チップ10の一方の板面11側にセンシング部17を有するものである半導体装置において、第2の部位2における半導体チップ10の側面13~16および半導体チップ10の他方の板面12のうちの少なくとも1つの面に対して、隙間を有して対向する対向部22、24~26が設けられており、対向部22、24~26は、第1の部位1を封止する樹脂20が延長された部位として形成されていることを特徴とする。それによれば、この対向部22、24~26がこれに対向する半導体チップ10の面を覆うため、当該面について異物からの保護等が期待できるとともに、対向部22、24~26は半導体チップ10とは離間するため、樹脂20による応力が半導体チップ10に発生しにくくなる。なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置S1の概略構成を示す図であり、図1においてaは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。本実施形態の半導体装置S1は、大きくは、板状をなす半導体チップ10と、半導体チップ10の一部を封止する樹脂20と、を備えて構成されている。半導体チップ10は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる板状のものであり、ここでは、典型的な矩形板状をなしている。この半導体チップ10には、図示しないが、不純物を拡散させてなる拡散配線や、SiN、SiO2等の無機物質などよりなる膜等が形成されている。ここでは、半導体チップ10は、一端10aから他端10bへ図1の右から左へ延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ10における各面については、一方の板面を表面11とし、他方の板面を裏面12とし、表裏両面11、12の端部を連結する4個の面13、14、15、16を側面13、14、15、16としている。ここで、本半導体チップ10における側面13~16とは、一端10a側の端面13、他端10b側の端面14、および当該両端10a、10b間に延びるここではチップ長手方向に延びる2個の側面15、16である。また、ここでは、半導体チップ10は、検出部としてのセンシング部17を有するセンサチップとして構成されている。具体的には、ダイアフラムを有する圧力センサ、可動部を有する加速度センサや角速度センサ、あるいは熱式流量センサ等のセンサチップが挙げられる。センシング部17は、半導体チップ10の他端10b側における半導体チップ10の表面11に設けられている。ここで、センシング部17は、半導体チップ10の裏面12側に凹部を設けることで半導体チップ10の表面11側にて当該凹部の底部となる薄肉部として構成されている。この凹部は、たとえばシリコンの異方性エッチングなどにより形成されるものである。具体的には、この薄肉部としてのセンシング部17は、たとえば圧力検出を行うダイアフラムや力学量検出を行う可動部、あるいは、熱式流量検出素子を有するメンブレン等に相当する。そして、半導体チップ10は、センシング部17を露出させるように半導体チップ10の他端10b側を露出させた状態で、一端10a側の残部が樹脂20で封止されている。この樹脂20は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、金型を用いたトランスファーモールド法などにより成形されたものである。ここで、半導体チップ10における一端10a側であって樹脂20で封止されている部位を第1の部位1、第1の部位1よりも他端10bであってセンシング部17を含んで樹脂20より露出している部位を第2の部位2とする。このように、本半導体チップ10においては、第2の部位2における半導体チップ10の表面11側にセンシング部17が備えられている。さらに言えば、本実施形態では、半導体チップ10の他端10b側である第2の部位2は樹脂20より突出しており、当該第2の部位2における半導体チップ10の表裏両面11、12および全ての側面ここでは3個の側面14、15、16の外側、つまり当該第2の部位2の全ての外面の外側には樹脂20は存在しない。このように、本実施形態では、センシング部17を含む第2の部位2の全表面を樹脂20より露出させることで、樹脂20による応力からセンシング部17を解放して精度良く検出可能としている。また、半導体チップ10は、第1の部位1にて基板30に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ10の裏面12と基板30とを対向させた状態で、半導体チップ10の第1の部位1と基板30とが接着剤40を介して接着されている。この接着剤40は、たとえエポキシ樹脂等よりなる。また、この基板30は、リードフレームや配線基板などよりなる。ここで、リードフレームは、Cuや42アロイなどの導電性に優れた金属よりなるもので、エッチングやプレスなどにより形成されたものである。また、配線基板としては、プリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板などが挙げられる。そして、半導体チップ10の第1の部位1および基板30は、樹脂20で封止されている。また、図示しないが、半導体チップ10と基板30とは、樹脂20の内部にてワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。さらに、図示しないが、基板30の一部は端子部として構成され、この基板30の端子部は樹脂20より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。なお、樹脂20で封止されている部分は、外部から保護される。次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、述べる。本製造方法は、板状の半導体チップ10を用意する用意工程と、半導体チップ10の全体を樹脂20で封止する樹脂封止工程と、樹脂20にレーザを照射して、樹脂20を昇華させて除去することにより、半導体チップ10の一部、ここでは上記第2の部位2を露出させる樹脂除去工程と、を備える。ここで、図2は本製造方法における樹脂封止工程を示す工程図、図3は樹脂除去工程を示す工程図、図4は図3に続く樹脂除去工程を示す工程図であり、これら各図2~図4においてaは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。ここで、本製造方法では、レーザLとして、半導体チップ10を透過するとともに半導体チップ10における吸収率が樹脂20における吸収率よりも小さい波長のものを選定して用いる。具体的にレーザLは、CO2波長:約10μm、ErYAG波長:約3μm、HoYAG波長:約1.5μm、およびファイバーレーザなど、波長が1μmを超えるレーザが採用される。一方で、このレーザLに合わせて、用意工程では、半導体チップ10として、レーザLを透過し且つ樹脂20よりもレーザLの吸収率が低く且つレーザLで溶融しない材料よりなるものを用意する。本実施形態の半導体チップ10は、上述のように、半導体プロセスにより製造されるが、シリコン半導体よりなる本体部と、これに形成された拡散配線や、SiN、SiO2等の無機物質膜等とを備えてなり、このような半導体チップ10は上記レーザLに対応した特性を有する。そして、本製造方法では、基板30に半導体チップ10を接着剤40により固定する。その後、これら半導体チップ10および基板30の樹脂封止を行うが、ここでは、図2に示されるように、半導体チップ10の全体、つまり第1の部位1および第2の部位2の両方を樹脂20で封止する樹脂封止工程。この樹脂封止は、トランスファーモールド法などの金型を用いた方法により行われる。次に、図3に示されるように、樹脂除去工程では、レーザLとして、上述のように、半導体チップ10を透過するとともに、樹脂20よりも半導体チップ10の方が当該レーザLの吸収率が小さくなる波長のものを照射して行う。まず、半導体チップ10の第2の部位2において、半導体チップ10の表面11側から樹脂20にレーザLを照射することによって、表面11側を封止する樹脂20を昇華して除去する。このとき、本実施形態では、図3bの矢印に示されるように、第2の部位2における半導体チップ10の表面11の外郭よりもはみ出すように、レーザLをスキャンさせることで、第2の部位2における側面14~16を封止する樹脂20も除去する。そして、レーザLの照射を続け、第2の部位2における表面11側の樹脂20が除去されると、レーザLは、半導体チップ10の裏面12側まで透過する。そのまま照射を続け、図4に示されるように、この裏面12側に透過したレーザLにより、第2の部位2の裏面12側を封止する樹脂20を昇華して除去する。このとき、半導体チップ10はレーザLでダメージを受けずに、樹脂20が除去される。具体的には、半導体チップ10を構成する上記シリコン半導体、拡散配線、無機物質のレーザ吸収波長帯は1um以下にあり、それよりも長い波長帯においては、半導体チップ10は、レーザLのエネルギーを吸収せずほぼ透過する。一方で、樹脂20は長波長帯にも吸収ピークが存在したとえば-OH基の振動波長≒3um、SH基の振動波長≒4um、エポキシ3員環の振動は長≒8umなど、広い領域においてレーザLの吸収が可能である。したがって、長波長1um超かつ樹脂20を除去することのできるレベルの低パワー密度たとえば数十mJのレーザLを、半導体チップ10の表面11側に照射することにより、半導体チップ10の機能損傷がなく、周囲の樹脂20を選択的に除去することができる。こうして、本実施形態の樹脂除去工程では、半導体チップ10の一部ここでは第2の部位2にてレーザLの照射による半導体チップ10の表面11側および裏面12側における樹脂20の除去が行われ、半導体チップ10の残部ここでは第1の部位1はレーザLの照射を行わずに樹脂20で封止されたままの状態とされる。この樹脂除去工程の終了に伴い、本半導体装置ができあがる。ところで、本実施形態によれば、半導体チップ10の第2の部位2において樹脂20を除去し、半導体チップ10の表裏の両板面11、12を露出させるにあたって、半導体チップ10の表面11側からのレーザ照射だけで、半導体チップ10の裏面12側の樹脂20も除去できる。そのため、表裏の両板面11、12側からのレーザ照射を行うことなく、表面11側からの照射のみで、表裏の両板面11、12に位置する樹脂20を、一括して除去することができる。なお、このレーザ照射による樹脂除去工程においては、ワークを真空チャンバーなどに入れた状態とし、真空ポンプなどを用いて、ワークまわりを減圧雰囲気とすることによって、レーザLにより昇華された樹脂20の成分を排気させることが望ましい。第2実施形態図5は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す工程図であり、aは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。この図5では、樹脂20の除去完了状態を示している。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、第2の部位2を封止する樹脂20の除去範囲が相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、第2の部位2における半導体チップ10の表裏両面11、12および全ての側面14、15、16の外側には樹脂20は存在しないものであった。それに対して、本実施形態では、図5に示されるように、第2の部位2における半導体チップ10の表裏両面11、12のうちセンシング部17を含む一部が露出するように、樹脂20を除去する。また、本実施形態では、第2の部位2において、半導体チップの表裏両面11、12のうちセンシング部17の外側部分、および、当該表裏両面11、12の端部を連結する他端10b側の端面14を含む3個の側面14~16つまり、全ての側面14~16は、樹脂20で封止されたままとなっている。このような本実施形態における樹脂20の除去形態は、上記同様、半導体チップ10の全体を封止する樹脂封止工程を行った後、樹脂除去工程において、図5の露出範囲に一致する範囲にてレーザLをスキャンすることにより、容易に実現することができる。第3実施形態図6は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す工程図であり、aは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。図6では、樹脂20の除去完了状態を示している。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、第2の部位2を封止する樹脂20の除去範囲が相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。本実施形態では、図6に示されるように、第2の部位2における半導体チップ10の表裏両面11、12のうちセンシング部17を含む一部が露出するように、樹脂20を除去する。さらに、ここでは、当該表裏両面11、12の露出部分において当該表裏両面11、12を連結する2個の側面15、16は、それぞれ樹脂20の対向部25、26とは隙間を有して対向し、この隙間により露出している。この対向部25、26は樹脂20の一部であり、第1の部位1を封止する樹脂20が延長された部位として形成されている。また、本実施形態では、第2の部位2において、半導体チップの表裏両面11、12のうち他端10b側の端面14側の部位、および、当該端面14は、樹脂20で封止されたままとなっている。このような本実施形態における樹脂20の除去形態は、上記同様、半導体チップ10の全体を封止する樹脂封止工程を行った後、樹脂除去工程において、図6の露出範囲に一致する範囲にてレーザLをスキャンすることにより、容易に実現することができる。具体的に樹脂除去工程では、半導体チップ10の第2の部位2において、半導体チップ10の側面14~16のうちの上記2つの側面15、16と樹脂20の対向部25、26とが隙間を有して対向した状態で、当該2つの側面15、16が露出するように、半導体チップ10表面11側から照射されるレーザLによって、2つの側面15、16側の樹脂20を一部残して除去する。より具体的には、第2の部位2における半導体チップ10の表面11側にレーザLを照射して、表裏両面11、12の樹脂20の除去を行うとともに、上記2つの側面15、16と、これに対向して封止する樹脂20との境界以上にレーザLの照射範囲を広げ、当該境界近傍の樹脂20を除去するようにする。本実施形態によれば、半導体チップ10の第2の部位2において、表裏両面11、12に加えてさらに2つの側面15、16が露出することになるが、当該2つの側面15、16は、これに隙間を有して対向する樹脂20の対向部25、26によって、樹脂20からの応力を受けることなく保護されるものとなる。また、金型により、本実施形態のような対向部25、26を有する樹脂20を成形する場合、一般には、樹脂20で第1の部位1側を封止する成形を行った後、別途、第2の部位2側に対向部25、26を成形する、というように、封止部と対向部とを分けて成形する必要がある。それに対して、ここではレーザLを用いることで1回の樹脂成形で形成可能である。また、金型成形の場合、成形後の金型の抜き性や金型とワークとの密着性を確保するためのフィルムを介在させる等の必要があることから、対向部25、26と半導体チップ10との隙間を小さくしにくい。それに対して、レーザLで除去する場合は当該隙間を微細寸法とでき、たとえば装置の小型化等の利点が期待される。また、上述したが、本実施形態の半導体装置は、第2の部位2における半導体チップ10の2つの側面15、16に対して、隙間を有して対向する対向部25、26が設けられており、この対向部25、26は、第1の部位1を封止する樹脂20が第2の部位2側に延長された部位として形成されたものとして構成される。そして、このような半導体装置においては、たとえば半導体チップ10を、気体流れの流量検出を行うものとし、対向部25、26は、その気体流れの整流板として構成されたものにできる。もちろん、本半導体装置は、このような流量センサに限定するものではなく、上記したような圧力センサや加速度センサ等であってもよい。第4実施形態図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す工程図であり、aは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。図7では、樹脂20の除去完了状態を示している。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、第2の部位2を封止する樹脂20の除去範囲が相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。図7に示されるように、本実施形態の半導体装置においても、上記第1実施形態と同様、第2の部位2における半導体チップ10の表裏両面11、12および全ての側面14~16が露出しているが、ここでは、当該全ての側面14~16に対して、離間して対向する対向部24、25、26が設けられている。具体的に、第2の部位2において半導体チップ10の他端10b側の端面14に対向する対向部24と、両端10a、10b間に延びる2個の側面15、16に対向する対向部25、26とが設けられている。そして、これら対向部24~26は、第1の部位1を封止する樹脂20が延長された部位として形成されている。ここでは、各対向部24~26は、第1の部位1を封止する樹脂20と一体となって第2の部位2を取り囲む矩形枠状に形成されている。本実施形態の樹脂除去工程では、半導体チップ10の第2の部位2において、上記3つの側面14~16と樹脂20の対向部24~26とが隙間を有して対向した状態で、当該3つの側面14~16が露出するように、半導体チップ10表面11側から照射されるレーザLによって、3つの側面14~16側の樹脂20を一部残して除去する。具体的には、第2の部位2における半導体チップ10の表面11側にレーザLを照射して、表裏両面11、12の樹脂20の除去を行うとともに、上記3つの側面14~16と、これに対向して封止する樹脂20との境界以上にレーザLの照射範囲を広げ、当該境界近傍の樹脂20を除去するようにする。本実施形態によれば、半導体チップ10の第2の部位2における全ての外面が露出することになるが、上記3つの側面14~16は、これに隙間を有して対向する樹脂20の対向部24~26によって、樹脂20からの応力を受けることなく保護される。また、本実施形態においても、上記第3実施形態で述べたのと同様、対向部24~26を有する樹脂20が1回の樹脂成形で形成でき、その対向部24~26の隙間を微細寸法とすることができる。そして、この対向部24~26は、上記整流板等に適用できることも、上記同様である。第5実施形態図8は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す工程図であり、aは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。図8では、樹脂20の除去完了状態を示している。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、第2の部位2を封止する樹脂20の除去範囲が相違するものである。図8に示されるように、本実施形態の半導体装置は、上記第4実施形態において、さらに、第2の部位2における半導体チップ10の裏面12に対して、離間して対向する対向部22が設けられているものである。ここでは、4個の対向部22、24~26が一体となって直方体の空間形状を構成している。そこで、以下、第4実施形態との相違点を中心に述べることとする。本半導体装置では、第1の部位1を封止する樹脂20が延長された部位としての対向部22、24~26が、第2の部位2における半導体チップ10の表面11以外の全ての外面12、14~16について離間して設けられている。ここで、当該側面14~16に対する対向部24~26は上記第4実施形態と同様の樹脂除去工程により形成することができる。さらに、本実施形態の樹脂除去工程では、半導体チップ10の第2の部位2において、半導体チップ10の裏面12と樹脂20とが隙間を有して対向した状態で、当該裏面12が露出するように、当該裏面12側まで透過するレーザLによって、当該裏面12側の樹脂20を一部残して除去する。この場合、具体的には、第2の部位2における半導体チップ10の裏面12側の樹脂20について、レーザLの照射により当該樹脂20が除去される深さと照射時間との関係を求めておく。そして、この関係に基づいて照射時間を制御することで、当該裏面12側の樹脂20が一部残るようにする。本実施形態によれば、上記第4実施形態と同様、側面14~16についての効果が発揮されるとともに、第2の部位2における露出する裏面12についても、これに隙間を有して対向する樹脂20の対向部22によって、樹脂20からの応力を受けることなく保護される。また、1回の成形で樹脂20の形成が可能なこと、隙間の微細寸法化が可能なこと、整流板等への適用が可能なことについても上記同様である。第6実施形態図9は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す工程図であり、aは概略断面図、bはaの上視概略平面図である。図9では、樹脂20の除去完了状態を示している。本実施形態は、上記各実施形態に比べて、半導体チップ10の構成が相違するとともに、それに伴いレーザLの照射方法を変更したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。上記各実施形態の半導体チップ10では、当該半導体チップ10における膜や配線を拡散配線や無機物質よりなるものとして、レーザLの透過性、樹脂20よりも低いレーザLの吸収率、レーザLに対する非溶融性といった特性を実現していた。これに対して、本実施形態の半導体チップ10では、樹脂20が除去されて露出する第2の部位2に、レーザLを反射する金属材料よりなる金属配線3が形成されている。このような金属配線3は、たとえばアルミニウムや金などよりなり、波長が数um程度のレーザLを反射するものである。この場合、上記各実施形態の樹脂除去工程のように、第2の部位2の表面11の真上からレーザLを照射すると、裏面12側にて金属配線3の真下に位置する樹脂20については、金属配線3の影となってレーザLが当たらず、除去できないことになる。そこで、本実施形態の樹脂除去工程では、図9に示されるように、金属配線3の斜め上方からレーザLを照射することにより、金属配線3の真下に位置する裏面12側の樹脂20に対してもレーザLが当たるようにする。これにより、本実施形態においても、第2の部位2の裏面12側を封止する樹脂20が、適切に除去される。第7実施形態図10は、本発明の第7実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂封止工程および樹脂除去工程を示す工程図であり、a~dは各工程におけるワークの概略断面図である。上記各実施形態では、樹脂除去工程において、半導体チップ10の一部を露出させるものであったが、本実施形態の樹脂除去工程では、全体が樹脂封止された半導体チップ10の全体を露出させるものである。本実施形態は、たとえば、半導体チップ10の全体が樹脂20で封止されてなる半導体装置において、完成品に故障が発生したときなどに、故障解析等のために半導体チップ10だけを樹脂20から取り出して検査する場合に用いられる。具体的には、そのような取り出し工程および検査工程を製造方法の一部として備える半導体装置の製造方法に適用されるものである。まず、本実施形態においても、図10aに示されるように、基板30に半導体チップ10を接着剤40により固定した後、これら半導体チップ10および基板30の樹脂封止を行い、半導体チップ10の全体を樹脂20で封止する樹脂封止工程。このとき、基板30と半導体チップ10の裏面12との間には、樹脂よりなる接着剤40が介在し、それ以外の外面すなわち半導体チップ10の表面11および全ての側面は樹脂20にて封止されている。この場合、接着剤40は、樹脂20と同一系の典型的なエポキシ樹脂よりなり、この接着剤40が半導体チップ10の裏面12を封止する樹脂に相当する。そして、樹脂除去工程では、図10bに示されるように、半導体チップ10の全体において表面11側から樹脂20にレーザLを照射する。それによって、表面11側の樹脂20を除去するとともに、半導体チップ10の側面14~16を封止する樹脂20も除去する。さらに、図10cに示されるように、レーザLの照射を続け、半導体チップ10の裏面12側に透過したレーザLにより、当該裏面12側を封止する樹脂としての接着剤40を昇華して除去する。このときも、上記同様、半導体チップ10はレーザLでダメージを受けずに、樹脂20の除去が行われる。以上が本実施形態の樹脂除去工程である。この樹脂除去工程の終了に伴い、図10dに示されるように、半導体チップ10は全ての外面が樹脂20より露出した状態とされる。その後、半導体チップ10を取り出して、上述のように検査を行う。このように、半導体チップ10の全面を露出させる場合でも、表面11側からのレーザ照射だけで、裏面12を含む当該全面を露出させることができる。参考例図11は、本発明の参考例としての半導体装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略斜視図である。本例の半導体装置は、上記第1実施形態等のものと同様、板状をなす半導体チップ10と、半導体チップ10の一部を封止し残部を露出させる樹脂20と、を備えて構成されている。ここで、本例では、金型として、樹脂20より露出する半導体チップ10の残部に密着してこれを被覆するとともに、半導体チップ10の一部はキャビティに位置させるようにしたものを用い、樹脂成型を行う。ここで、半導体チップ10の残部に対する金型の被覆については、通常、密着性確保等のために、半導体チップ10と金型との間にフィルムを介在させて行う。このような金型成形の場合、半導体チップ10の全体を樹脂20で封止する場合の金型に比べて、複雑な形状の金型が必要であり、フィルムも必要であり、製造コストが大きいものになる恐れがある。さらに、この場合、半導体チップ10の残部は金型で被覆されているものの、半導体チップ10の側面に隙間が存在しやすく、図11に示されるように、当該側面に樹脂が付着し、樹脂バリ20aを発生する可能性が高い。本例は、この樹脂バリ20aをレーザ照射して除去し、当該側面を露出させようとするものである。具体的には、図11に示されるように、樹脂20より露出する半導体チップ10の残部において、表面11側から、半導体チップ10の側面の樹脂バリ20aに対して、レーザLを照射し、樹脂バリ20aを昇華して除去するようにする。このとき、半導体チップ10の側面上の樹脂バリ20aを十分に除去するため、半導体チップ10の表面11の外郭を狙ってレーザLを照射するが、その場合、半導体チップ10にもレーザLが照射されることは免れない。そこで、この場合も、レーザLと半導体チップ10との関係を、上記第1実施形態と同様に、レーザLは半導体チップ10を透過し、レーザLの吸収率は樹脂20の方が半導体チップ10よりも大きく、半導体チップ10はレーザLで溶融しない、という関係に設定する。こうすることで、樹脂バリ20aを狙ったレーザLが、半導体チップ10に照射されても、半導体チップ10はレーザ照射によるダメージを受けることがない。そして、この本例のレーザ照射による樹脂除去工程によれば、図11において樹脂バリ20aが適切に除去された構成の半導体装置ができあがる。他の実施形態なお、半導体チップ10としては、シリコン半導体よりなるもの以外にも、たとえばSiCやゲルマニウム半導体などよりなるものでもよい。この場合も、上記したレーザLとの関係については同様に設定できることはいうまでもない。また、半導体チップ10としては、樹脂20の除去により一部もしくは全体が露出するものであればよいが、半導体チップ10の一部が露出する場合、その露出部位はセンシング部17でなくてもよく、たとえばパワー素子等が形成された発熱部であってその発熱部を放熱させる等の目的で露出していてもよい。また、全体が露出する場合の目的としては、上記したような故障解析に限定するものではない。また、樹脂20内部にて基板30には、半導体チップ10以外の他の電子素子や回路チップなどが搭載されていてもよい。そのような場合には、半導体チップ10とこれら他の電子素子や回路チップとが、さらに樹脂20の内部にてワイヤボンディング等により接続されていてもよい。また、上記図6においては、半導体チップ10の表裏両面11、12の露出部分において2個の側面15、16が、樹脂20の対向部25、26と隙間を有して対向し、この隙間により露出していたが、当該2個の側面15、16の一方は樹脂20で封止されたままとし、他方のみが対向部との隙間にて露出するものでもよい。また、上記図8に示される樹脂20構成の変形として、たとえば樹脂20の対向部は、第2の部位2における半導体チップ10の裏面12に離間対向する対向部22のみとし、第2の部位2における半導体チップ10の側面14、15、16の対向部は、レーザLで除去して無くした構成であってもよい。また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。