"互いの素子接続面を対向して配置された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、これら第1と第2のリードフレームの各素子接続面に一側と他側の電極面がそれぞれ接続されたドライバーチップと、このドライバーチップの周囲に配置され、一側の電極面が第1リードフレームの素子接続面に接続され、他側の電極面が第2リードフレームの素子接続面に接続された電子部品と、ドライバーチップと電子部品を各素子接続面に接続したことによって積層された前記第1と第2のリードフレームを埋没して一体に成形する成形体とからなることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載された半導体装置であって、前記ドライバーチップと前記電子部品が、第1のはんだを用いて前記第1リードフレームの素子接続面に接続され、ドライバーチップと電子部品が、第1のはんだと融点が異なる第2のはんだ、あるいは、第1及び第2のはんだと融点が異なる第3のはんだを用いて前記第2リードフレームの素子接続面に接続されていることを特徴とする半導体装置。請求項2に記載された半導体装置であって、前記ドライバーチップと前記電子部品の前記接続が、融点の高いはんだを用いる箇所から融点の低いはんだを用いる箇所の順序で行われたことを特徴とする半導体装置。第1リードフレームの素子接続面に、ドライバーチップの一側電極を、また、ドライバーチップの周囲に配置された電子部品の一側電極をそれぞれ接続し、第2リードフレームの素子接続面に、前記電子部品の他側電極を接続し、前記ドライバーチップの他側電極を接続して前記第1と第2のリードフレームを積層し、積層された第1と第2のリードフレームを成形体で埋没して一体の半導体装置に成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかし、特許文献1のTABフィルムを用いた半導体装置の場合、フィルム基板の機械的強度が弱く、重い電子部品を支えるには適していないから、トランスファ成型によって堅牢なモジュールに成型することができない。また、多層化する程、樹脂フィルム基板の特徴であるフレキシビリティが損なわれる。また、半導体装置101の場合、単層のリードフレーム103に、ドライバーチップ105の裏面を高温はんだで接続し、ダイオードチップ107の裏面をAu/Si共晶の導電性接着剤で接続し、抵抗チップ109とコンデンサチップ111を低温はんだで接続してあり、さらに、ドライバーチップ105及びダイオードチップ107の電極とリード113とは金系のボンディングワイヤ115によって接続されている。このように、単層のリードフレーム103に電子部品105,107,109,111を接続しているから、製造工程と配線が複雑である上に、これらの電子部品の各電極と接続するために多数の配線が必要であるにも拘わらず、1枚のリードフレーム103から引き出せるリード113配線の本数対応する電極の数及び引き回しの自由度は充分ではなく、さらに、1枚のリードフレーム103上では実装可能な電子部品の数と配置箇所も制限される。また、金系のボンディングワイヤ115は高価である。そこで、この発明は、製造工程が簡素であり、電極の数と配線の引き回しと実装可能な電子部品の数と配置箇所などの自由度が高く、堅牢なモジュールに成型することができる半導体装置及びその製造方法の提供を目的としている。請求項1の半導体装置は、互いの素子接続面を対向して配置された第1リードフレーム及び第2リードフレームと、これら第1と第2のリードフレームの各素子接続面に一側と他側の電極面がそれぞれ接続されたドライバーチップと、このドライバーチップの周囲に配置され、一側の電極面が第1リードフレームの素子接続面に接続され、他側の電極面が第2リードフレームの素子接続面に接続された電子部品と、ドライバーチップと電子部品を各素子接続面に接続したことによって積層された第1と第2のリードフレームを埋没して一体に成形する成形体とからなることを特徴とする。請求項2の半導体装置は、請求項1に記載された発明であって、前記ドライバーチップと前記電子部品が、第1のはんだを用いて前記第1リードフレームの素子接続面に接続され、ドライバーチップと電子部品が、第1のはんだと融点が異なる第2のはんだ、あるいは、第1及び第2のはんだと融点が異なる第3のはんだを用いて前記第2リードフレームの素子接続面に接続されていることを特徴とする。請求項3の半導体装置は、請求項2に記載された発明であって、前記ドライバーチップと前記電子部品の前記接続が、融点の高いはんだを用いる箇所から融点の低いはんだを用いる箇所の順序で行われたことを特徴とする。請求項4の半導体装置の製造方法は、第1リードフレームの素子接続面に、ドライバーチップの一側電極を、また、ドライバーチップの周囲に配置された電子部品の一側電極をそれぞれ接続し、第2リードフレームの素子接続面に、前記電子部品の他側電極を接続し、前記ドライバーチップの他側電極を接続して前記第1と第2のリードフレームを積層した後、積層された第1と第2のリードフレームを成形体で埋没して一体の半導体装置に成形することを特徴とする。請求項1の半導体装置は、第1と第2のリードフレームの各素子接続面にドライバーチップと電子部品を接続して構成されており、機械的強度の弱いフィルム基板を用いないから、重い電子部品を支えることが可能であり、堅牢なモジュールにすることができる。また、第1と第2のリードフレームを用いる2層構造にしたことによって、単層のリードフレームを用いた半導体装置より製造工程が簡単になり、製品半導体装置の歩留まりが向上する上に、金系の高価なボンディングワイヤを用いないから、コストがそれだけ低減される。また、2層構造にしたリードフレームでは、引き出せる配線の本数対応する電極の数が増加すると共に、配線引き回しの自由度が向上するまた、2枚のリードフレームの対向する素子接続面に種々の電子部品を配置して接続する構成は、電子部品の配置箇所に対する制約が緩い。このように、電極数が増加すること、配線の引き回しと電子部品の配置が自由であることにより、設計の自由度が高くなり、多機能化、高機能化、高集積化、小型化などの要求に対応することが可能になる。また、電子部品の配置箇所に対する制約が緩和されたことに伴って、モジュールの内外から発生するノイズの影響を受けにくい箇所に各電子部品を配置することが可能になり、その結果、耐ノイズ性に優れた半導体装置が得られる。請求項2の半導体装置は、請求項1の構成と同等の効果が得られる。また、2層構造にしたリードフレームに電子部品を接続する本発明の半導体装置では、最も適したはんだや導電性接着剤を電子部品毎に選択できるから、歩留まりと性能と耐久性がさらに向上する。請求項3の半導体装置は、請求項2の構成と同等の効果が得られる。また、ドライバーチップと電子部品の内、融点の高いはんだを用いるものを最初に接続し、以下、融点のより低いはんだを用いるものの順に接続したので、先に行われた接続箇所が後から行う接続時の熱影響によって劣化することが防止され、製品半導体装置の性能が高く維持される。請求項4記載の半導体装置の製造方法は、ドライバーチップと電子部品を、第1のリードフレームに接続した後、第2のリードフレームに接続することによって、請求項1の構成と同等の効果が得られる。一実施例図1~図6によって一実施例の半導体装置1及びその製造方法を説明する。[半導体装置1の構成]半導体装置1は、電気自動車やハイブリッド車のような車両において、ECUの制御機能の一部を代替する分散制御用のモジュールであり、互いの素子接続面3,5を対向して配置された第1リードフレーム7及び第2リードフレーム9と、これらの素子接続面3,5に一側と他側の電極面をそれぞれ接続されたドライバーチップ11従来はECUに内蔵されていたコントロールチップと、ドライバーチップ11の周囲に配置され、一側の電極面を第1リードフレーム7の素子接続面3に接続され、他側の電極面を第2リードフレーム9の素子接続面5に接続されたダイオードチップ13電子部品と抵抗チップ15電子部品とコンデンサチップ17電子部品と、ドライバーチップ11とダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17を接続したことによって積層された第1と第2のリードフレーム7,9を埋没して一体に成形する成形体19とで構成されている。また、ドライバーチップ11とダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17は高温はんだ21第1のはんだを用いて素子接続面3第1リードフレーム7に接続されており、素子接続面5第2リードフレーム9に対しては、ダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17は低温はんだ23第1のはんだ21と融点が異なる低い第2のはんだを用いて接続され、ドライバーチップ11はフェースダウンボンド25はんだ21,23と融点が異なる低い第3のはんだを用いて接続されている。[半導体装置1の製造方法]図1から図6の順で半導体装置1の製造方法を説明する。図1のように、第1リードフレーム7の素子接続面3に設けられたランドに高温はんだ21を用いてドライバーチップ11の一側電極面を接続する。図2のように、第1リードフレーム7の素子接続面3においてドライバーチップ11用ランドの周辺に設けられたそれぞれのランドに高温はんだ21を用いてダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17の一側電極面を接続する。図3のように、第1リードフレーム7の素子接続面3と対向して第2リードフレーム9を配置し、その素子接続面5に低温はんだ23を用いてダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17の他側電極面を接続する。図4のように、ドライバーチップ11の他側電極面に予め各電極に対向してグリッドアレイ状に設けられたフェースダウンボンド25はんだボールによるバンプを溶融させて、第2リードフレーム9の素子接続面5にドライバーチップ11の他側電極面を接続する。図5のように、リードフレーム7,9とドライバーチップ11とダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17の必要部分に成形体19を浸透させて固化するトランスファ成型を行う。図6のように、タイバーカットにより不要部分27図5をカットして、2層リードフレーム構造の半導体装置1分散制御用モジュールを得る。[半導体装置1及びその製造方法の効果]半導体装置1は、素子接続面3,5を対向させた第1と第2のリードフレーム7,9にドライバーチップ11とダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17などを接続して構成されており、機械的強度の弱いフィルム基板を用いないから、重い電子部品を支えることが可能であり、堅牢なモジュールに成形することができる。また、第1と第2のリードフレーム7,9を用いる2層構造にしたことによって、単層リードフレームを用いた半導体装置より製造工程が簡単になり、製造工程が簡単になっただけ製品半導体装置1の歩留まりが向上する上に、金系の高価なボンディングワイヤを用いないから、コストがそれだけ低減される。また、リードフレーム7,9を用いる2層構造にしたことにより、引き出せる配線の本数対応する電極の数が増加すると共に、配線引き回しの自由度が向上し、さらに、リードフレーム7,9の対向する素子接続面3,5に種々の電子部品11,13,15,17を接続する半導体装置1では電子部品の配置箇所に対する制約が緩和される。このように、対応可能な電極数が増加すること、配線の引き回しと電子部品の配置が自由であることなどの理由によって、半導体装置1は設計の自由度が高くなり、多機能化、高機能化、高集積化、小型化などの要求に対応することが可能になる。また、電子部品の配置箇所に対する制約が緩和されたことに伴って、モジュールの内外から発生するノイズの影響を受けにくい箇所に電子部品11,13,15,17を配置することが可能になり、その結果、耐ノイズ性に優れた半導体装置1が得られる。また、2層構造のリードフレーム7,9に電子部品11,13,15,17を接続する半導体装置1は、電子部品11,13,15,17毎に最も適したはんだや接着剤を選択可能であり、その結果、歩留まりと性能と耐久性がさらに向上している。また、ドライバーチップ11とダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17の一側電極面を高温はんだ21で接続し、その後、低温はんだ23でダイオードチップ13と抵抗チップ15とコンデンサチップ17の他側電極面を接続し、その後、はんだ21,23より融点が低いフェースダウンボンド25でドライバーチップ11の他側電極面を接続しており、このように、融点の高いはんだによる接続を最初に行い、以下、それより融点の低いはんだによる接続を順次行うので、高温はんだ21による接続箇所が低温はんだ23を用いた接続時の熱影響で劣化することが防止され、高温はんだ21及び低温はんだ23による接続箇所がフェースダウンボンド25を用いた接続時の熱影響で劣化することが防止されるから、半導体装置1の性能が高く維持される。また、本発明の製造方法によれば、製造工程が簡単になって製品半導体装置1の歩留まりが向上する上に、高価なボンディングワイヤを用いないから、コストが大幅に低減される。また、電子部品11,13,15,17毎に最も適したはんだや接着剤を選択できるから、歩留まりと性能と耐久性がそれだけ向上する。また、融点の高いはんだを用いる箇所から融点のより低いはんだを用いる箇所の順に電子部品の接続を行うので、先に行われた接続箇所が後から行う接続時の熱影響によって劣化することが防止され、製品半導体装置1の性能が高く維持される。[本発明の範囲に含まれる他の態様]"