"トンネル接合であって、pドープトンネル層と、nドープトンネル層とを備え、InP格子定数を有する、トンネル接合。前記pドープトンネル層は、pドープAlGaInAs材料であり、前記nドープトンネル層は、InP,GaInPAs,AlAsSb,AlInAsSb,AlInPAsから成るグループから選択されるnドープ材料である、請求項1に記載のトンネル接合。前記pドープトンネル層は、xをx=1を含む0.25~1とした場合のAlxGa1-xInAsから成るグループから選択されるpドープ材料であり、前記nドープトンネル層は、InP,GaInPAs,AlAsSb,AlInAsSb,AlInPAsから成るグループから選択されるnドープ材料である、請求項1又は2に記載のトンネル接合。前記pドープトンネル層及び前記nドープトンネル層は、1x1019/cm3~1x1020/cm3のドープ濃度を有する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のトンネル接合。前記pドープトンネル層は、1.25eV超のバンドギャップを有し、前記nドープトンネル層は、1.35eV超のバンドギャップを有する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のトンネル接合。前記pドープトンネル層は、1.25eVのバンドギャップを有し、前記nドープトンネル層は、1.35eVのバンドギャップを有する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のトンネル接合。前記pドープトンネル層及び前記nドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のトンネル接合。フォトニック素子200であって、広バンドギャップのタイプIIトンネル接合290を備え、該タイプIIトンネル接合290は、pドープトンネル層240と、nドープトンネル層250とを含み、前記広バンドギャップのタイプIIトンネル接合290はInP格子定数を有する、フォトニック素子200。前記pドープトンネル層240は、pドープAlGaInAs材料であり、そして前記nドープトンネル層250は、InP,GaInPAs,AlAsSb,AlInAsSb,AlInPAsから成るグループから選択されるnドープ材料である、請求項8に記載のフォトニック素子。前記pドープトンネル層は、xをx=1を含む0.25~1とした場合のAlxGa1-xInAsから成るグループから選択されるpドープ材料であり、そして前記nドープトンネル層は、InP,GaInPAs,AlAsSb,AlInAsSb,AlInPAsから成るグループから選択されるnドープ材料である、請求項8又は9に記載のフォトニック素子。前記pドープトンネル層240及び前記nドープトンネル層250は、1x1019/cm3~1x1020/cm3のドープ濃度を有する、請求項8又は9に記載のフォトニック素子。前記pドープトンネル層240は、1.25eV超のバンドギャップを有し、そして前記nドープトンネル層250は、1.35eV超のバンドギャップを有する、請求項8乃至11のいずれか1項に記載のフォトニック素子。前記pドープトンネル層240は、1.25eVのバンドギャップを有し、そして前記nドープトンネル層250は、1.35eVのバンドギャップを有する、請求項8乃至11のいずれか1項に記載のフォトニック素子。更に、前記タイプIIトンネル接合290の第1面に配置される第1光起電力電池202と、前記タイプIIトンネル接合290の第2面に配置される第2光起電力電池204とを備える、請求項8乃至13のいずれか1項に記載のフォトニック素子。更に、前記第1及び第2光起電力電池に電気的に接続される1つ以上の更に別の光起電力電池を備える、請求項14に記載のフォトニック素子。前記第1光起電力電池202及び前記第2光起電力電池204は、InP,AlInAs,AlAsSb,AlInAsSb,AlInPAs,AlGaInAs,GaInPAs,GaInAs,AlGaAsSb,GaAsSb,及びこれらの材料の組み合わせから成るグループから選択される、請求項14又は15に記載のフォトニック素子。前記1つ以上の更に別の光起電力サブ電池は、これらの光起電力サブ電池の間に配置される広バンドギャップのタイプIIトンネル接合を有する、請求項14乃至16のいずれか1項に記載のフォトニック素子。光起電力素子を形成する方法であって、pドープトンネル層を成長させることと、nドープトンネル層を成長させることとを含み、前記pドープトンネル層及びnドープトンネル層は、InP格子定数を有する広バンドギャップのタイプIIトンネル接合を構成する方法。前記pドープトンネル層及びnドープトンネル層は、有機金属気相エピタキシー反応器、水素化物気相エピタキシー反応器、分子線エピタキシー反応器、化学線エピタキシー反応器、及び原子層堆積反応器から成るグループから選択される反応器で順番に成長させる、請求項19に記載の方法。更に、広バンドギャップのタイプIIトンネル接合で分離される2つ以上の光起電力電池を成長させることを含む、請求項18又は19に記載の方法。図2は、本開示の1つの実施形態による素子200を示している。素子200はフォトニック素子である。この実施形態では、素子200は太陽電池である。別の実施形態では、素子200は多接合型太陽電池である。別の実施形態では、素子200は、光を電力に変換するレーザパワー変換器またはセンサのような他のフォトニック素子とすることができる。広帯域スペクトルの光パワーを電力に変換する両方の太陽電池だけでなく、単一波長の光を電力に変換するレーザパワー変換器は、トンネル接合特性の向上による利点を生かしたフォトニック素子の例である。図2から分かるように、素子200は、InP系2接合型太陽電池であり、素子200が、2つの光起電力電池を含むことを意味している。個々の光起電力電池は、サブ電池と表記することができる。素子200は、第1光起電力電池202と、そして第2光起電力電池204とを含む。第1光起電力電池202は、第1エミッタ/ベース220を含む。この例示的な実施形態では、第1エミッタ/ベース220は、InP格子定数を有するGaInPAsエミッタ/ベースである。別の実施形態では、第1エミッタ/ベース220は、これらには限定されないが、異なるバンドギャップを有し、かつInPと同じ格子定数を有するAlAsSb,AlGaAsSb,AlInAs,InP,AlGaInAs,GaInAs,GaAsSb,またはGaInPAsのようなIII-V族材料とすることができる。1つの実施形態では、第1エミッタ/ベース220は、個別のエミッタ層及びベース層図示せずを含み、この場合、エミッタ層が入射光に最も近接している。第1光起電力電池202は、1.1eVのバンドギャップを有する。別の実施形態では、第1光起電力電池202は、約0.73~2.45eVのバンドギャップを有することができる。別の実施形態では、第1光起電力電池202は、約1.0~1.1eVのバンドギャップを有することができる。更に別の実施形態では、第1光起電力電池202は、約1.0~1.1eVのバンドギャップを有することができ、そして3接合以上の太陽電池に設けることができる。第1光起電力電池202は、第1感光サブ電池層の波長に対して高い感度を有する。本明細書において使用されるように、波長という用語は、単一の離散波長を意味する、または波長は、層材料が高い光-電力変換効率を実現する波長範囲を含むことができる。第1光起電力電池202は更に、窓層210を含む。窓層210は、第1エミッタ/ベース220の第1面220aに配置され、第1面220aは、矢印Lで表わされる入射光に最も近接して配置される。本明細書において使用されるように、上部及び下部という相対用語は、入射光に最も近接する表面、及び入射光から最も遠い表面をそれぞれ指すために使用される。また、2つの層を比較するために使用される場合、上のまたは上方の、或いは覆い被さるとは、太陽に近い方の層を指し、そして下側のまたは下方の、或いは下地のとは、太陽または他の照射光源から遠い方の層を指す。窓層210は、約1.1eVよりも広いバンドギャップエネルギーを実現するInP,AlGaInAs,AlInAs,AlAsSb,AlGaAsSb,GaInPAsの組成とすることができる。窓層210は、2つの機能を有する。窓層210の第1機能は、第1光起電力サブ電池202の前面220aにおける少数キャリア再結合を減らすすなわち、前面220aを不動態化することである。更に、窓材料の光学特性は、出来る限り多量の光が透過して、第1光起電力サブ電池202、及び窓層の下に配置することができる任意の更に別の感光サブ電池層群図示せずに到達し、光生成電荷キャリアが更に高い効率で収集されるようなものとする必要がある。窓層210が極めて高い光吸収特性を示す場合、窓層内に生成されるキャリアは、その後収集される可能性がより低くなるので、窓の光吸収特性によって全体変換効率が低下する。素子200は任意であるが、矢印で表わされる方向から衝突するものとして図示される入射光Lに最も近接する素子200の上面に配置される反射防止AR層または反射防止コーティング図示せずを含む。1つの実施形態では、ARコーティングは、窓層210の上に配置することができる。ARコーティングは、電池の上方の光透過媒質空気、ガラス、またはポリマーのようなと素子200の半導体層群との間の表面反射を最小限に抑えるために設けられるので、より多くのフォトンが素子200に入射することができる。ARコーティングは、TiO2,Ta2O5,SiO2,及びMgF2のようなこの技術分野で公知の材料により形成することができる。ARコーティングの厚さは変えることができ、かつ通常、約0.04~0.35ミクロンである。ARコーティングは素子200に塗布することができるが、他の構成では、別のサブ電池を素子200の上方に、別のトンネル接合をサブ電池と素子200との間に挟んだ状態で積層する、または塗布することができる。第1光起電力電池202は更に、第1エミッタ/ベース220の底面に配置されるpドープBSF層230を含む。この例示的な実施形態では、pドープBSF層230はpドープInP/BSF層である。別の実施形態では、pドープBSF層230は、AlGaInAs層、GaAsSb層、AlAsSb層、AlGaAsSb層、AlInAs層、GaInPAs層、及びこれらの材料の合金層とすることができる。1つの実施形態では、BSF層230はInPと格子整合する。別の実施形態では、BSF層230は、均一に歪んだ層とすることができ、この層は、Matthews-Blakesleeマシューブレイクスリーの臨界膜厚を下回る膜厚を有する。pドープBSF層230は、第1エミッタ/ベース220の背面における少数キャリア再結合を減らす。pドープBSF層230は、pドープBSF層230の下のサブ電池群が利用することができる光が、pドープBSF層230を透過することができる光学特性を有し、そして/またはpドープBSF層230内の少数キャリア特性は、光がpドープBSF層230内で吸収されることにより生じる電子及び正孔が、素子200のpn接合に効果的に収集されるような特性とする必要がある。少数キャリア電子は、第1エミッタ/ベース220のpn接合290に収集される。BSF層230及び第1エミッタ/ベース220のpドープ濃度は通常、BSF層230の最高濃度から第1エミッタ/ベース220のベース層図示せずの最低濃度に傾斜して、電子をBSF層230からエミッタ/ベース220に向かって引き出す電界を形成する。第2光起電力電池204は、第2エミッタ/ベース270を含む。この例示的な実施形態では、第2エミッタ/ベース270は、InP格子定数を有するGaInPAs層である。別の実施形態では、第2エミッタ/ベース270は、InP格子定数を有するGaInAs,GaAsSb,AlGaInAs,AlGaAsSb,GaInPAs、及びこれらの材料の合金とすることができる。第2エミッタ/ベース270は、第1エミッタ/ベース220のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する。この例示的な実施形態では、第2光起電力電池204は、約0.8eVのバンドギャップを有する。別の実施形態では、第2光起電力電池204は、約0.73~2.0eVのバンドギャップを有することができる。別の実施形態では、第2光起電力電池204は、約0.73~0.80eVのバンドギャップを有することができる。更に別の実施形態では、第2光起電力電池204は、約0.73~0.80eVのバンドギャップを有することができ、かつInPと格子整合する3接合以上の太陽電池に設けることができる。第2光起電力電池204は更に、第2エミッタ/ベース270の上に配置されるnドープ窓層260を含む。nドープ窓層260の概要特性は、窓層210の窓特性と同様である。nドープ窓260は、約2x1018/cm3~2x1019/cm3のnドープ濃度を有する。別の実施形態では、nドープ窓260は、約1x1019/cm3のnドープ濃度を有することにより、大きな電界を生成し、そしてpn接合270を不動態化することができる。第2光起電力電池204は更に、第2背面電界BSF層280を、第2エミッタ/ベース270の下方に含む。1つの実施形態では、第2BSF層280は、より広いバンドギャップのInP層、AlGaInAs層、AlAsSb層、GaAsSb層、AlGaAsSb層、またはGaInPAs層とすることができる。1つの実施形態では、第2BSF層280は、InPと格子整合する。別の実施形態では、BSF層280は、均一に歪んだ層とすることができ、この層は、Matthews-Blakesleeの臨界膜厚を下回る膜厚を有する。第2BSF層280は、窓層210と同様の不動態化機能を提供し、かつpドープInP/BSF層230のBSF特性と同様のBSF特性を有する。従って、第2BSF層280は、第2エミッタ/ベース270の背面270bにおける少数キャリア再結合を減らす。第2BSF層280の光特性はまた、第2BSF層の下の全てのサブ電池が利用することができる光の殆どの部分が、第2BSF層を透過することができるようなものでなければならない、及び/または第2BSF層280の少数キャリア特性は、光が第2BSF層280に吸収されることにより生じる電子及び正孔が、セル204に効率的に収集されような特性とする必要がある。素子200は更に、高濃度ドープ、広バンドギャップのタイプIIトンネル接合を含み、このタイプIIトンネル接合は、トンネル接合またはpn接合290と表記することができる。pn接合は、InP格子定数を有することにより、第1光起電力電池202及び第2光起電力電池204を電気的に直列に接続する。タイプIIとは、バンド整合がより良好になって、荷電粒子がpn接合をより少ないエネルギーでトンネリングすることができる状態を指す。これにより、空間電荷領域がより狭くなって、トンネリングの可能性が高くなり、そしてより大きい太陽光強度を検出するトンネルダイオードのピークトンネル電流が大きくなる。pn接合290に不純物を高濃度にドープする目的は、荷電キャリアに対する抵抗を低くして、荷電キャリアがpn接合290をトンネリングすることができるようにすることにある。pn接合290は、高濃度pドープトンネル層240と、そして高濃度nドープトンネル層250とを含む。高濃度pドープトンネル層240は、InPと格子整合する。ドープ濃度は、これらのトンネル層の場合、1x1019/cm3~1x1020/cm3の範囲である。1つの実施形態では、nドープInPトンネル層250は、トンネルダイオードのトンネル層としてのみならず、トンネルダイオードの下のサブ電池の窓層としても機能する。1つの実施形態では、高濃度pドープトンネル層240は、高濃度pドープAlGaInAsトンネル層とすることができる。別の実施形態では、高濃度pドープトンネル層240は、x>0.25またはx=1とした場合に、AlxGa1-xInAsである。高濃度pドープトンネル層240は、1.25eV以上のバンドギャップを有する。1つの実施形態では、高濃度pドープトンネル層240は、1.25eV超のバンドギャップを有する。別の実施形態では、高濃度pドープトンネル層240は、1.45eVのバンドギャップを有する。高濃度nドープトンネル層250は、InPと格子整合する。1つの実施形態では、高濃度nドープトンネル層250は、InP格子定数を有する広バンドギャップIII-V族半導体であり、このIII-V族半導体は、pドープトンネル層との間でタイプIIバンド整合をとることができる。別の実施形態では、高濃度nドープトンネル層は、1.35eV以上のバンドギャップ、及びInP格子定数を有する高濃度nドープInP、AlInPAs、AlAsSb、またはAlGaAsSbトンネル層である。1つの実施形態では、高濃度nドープInPトンネル層250は、1.35eVのバンドギャップを有するInPトンネル層である。高濃度pドープトンネル層240のバンドギャップは、高濃度nドープトンネル層250とタイプIIジグザグ状トンネル接合を形成するために1.25eV以上とする必要がある。より広いバンドギャップのnドープトンネルAlInPAs層の場合、pドープトンネルAlInAs層を用いることができる。タイプIIジグザグ状トンネルダイオードを形成するには、バンドギャップ差、またはAl組成差を保持する必要がある。太陽電池200は更に、BSF層280の下に基板図示せずを含むことができる。1つの実施形態では、当該基板はInPとすることができる。別の実施形態では、当該基板はシリコン、GaSb、CdTe、InP/Siテンプレート、またはInGaAs/Siテンプレート、或いは他の半導体とすることができる。1つの実施形態では、当該基板は、片面研磨または両面研磨することができる。1つの実施形態では、当該基板は、100面方位を有することができ、そして300~1000μm以上の厚さを有することができる。1つの実施形態では、当該基板には、n型不純物またはp型不純物のいずれかをドープすることができる。1つの実施形態では、当該基板には、p型不純物がドープされる。1つの実施形態では、当該基板に、5x1018/cm3超の不純物をドープして、金属コンタクト層とのオーミック接触を可能にする。窓層210は、窓層の上に超高濃度ドープn型キャップ層を有することができ、この超高濃度ドープn型キャップ層は、標準的なリソグラフィ法を使用してパターニングされる。このパターンは、窓層の面積の大きい割合が、入射光に対して開口されたままになるように設計される。このキャップ層は、金属コンタクト層を有することができ、この金属コンタクト層をパターニングしてキャップ層とのみ接触するようにして、窓の面積の大きい割合が入射光に対して開口されたままとする。金属コンタクト層によって、太陽電池とのオーミック接触を行なうことができるので、この太陽電池を続いて組み付けて電力供給回路とすることができる。pn接合290は、全体的な素子特性を低下させることなく、光透過率を高めることができ、そして素子200のトンネル接合を流れるピークトンネル電流を大きくすることができることにより、電力変換効率が、より大きい太陽光強度において高くなる。pn接合290は、より大きい太陽光強度において動作することができることにより、太陽エネルギー変換効率がより高くなるように変換効率を向上させることができる。AlGaInAsドープトンネル層240及びInPドープトンネル層250は、有機金属気相エピタキシーMOVPE反応器で順番に成長させて、pn接合290、この場合はトンネル接合ダイオードを形成する。更に、素子200及び素子構成要素群窓、BSFは、MOVPE反応器で成長させることができる。別の実施形態では、pn接合290は、有機金属気相エピタキシーMOVPE反応器、分子線エピタキシーMBE反応器、化学線エピタキシーCBE反応器、水素化物気相エピタキシーHVPE反応器、または原子層堆積ALD反応器で成長させることができる。図2に示す素子200は、順構造の太陽電池である、または別の表現をすると、素子200は、新規の層が既成層の上になり、かつ多接合セル群のうちのバンドギャップが最も広いセルが最後の層になるように成長させる。別の実施形態では、素子200は、逆構造となるようにすることができる、または多接合電池群のうちのバンドギャップが最も広い電池が最初に成長するように形成することができる。成長順は、順構造または逆構造によって異なるように変えることができるが、試験作業及び現地作業を行なう場合、バンドギャップが最も広い電池が太陽に最も近くなるように配置される。1つの実施形態では、素子200は、広バンドギャップのタイプIIトンネル接合を有する逆構造InP系多接合セルとすることができる。本開示によれば、pドープトンネル層は必ず、pドープBSF層とnドープトンネル層との間に位置し、そしてnドープトンネル層は、pドープトンネル層とnドープ窓層との間に位置する。本開示によれば、トンネル接合290内の材料AlGaInAs/InPのバンドギャップは、例えば0.73/0.77eVのバンドギャップをそれぞれ有するGaInAs/GaAsSbのトンネル接合と比較して、既存の解決策よりも広いので、より高い光透過率を実現して寄生損失を低減することができる。本開示は、1.25eVのバンドギャップをダイオードの両端に亘って有する先行技術によるAlGaInAsホモ接合型トンネルダイオードと比較したときに、1.25eVのAlGaInAsのバンドギャップ、及び1.35eVのInPのバンドギャップを有するpn接合290を実現する。1つの実施形態では、トンネル接合290のバンドギャップは0.73eV~2.0eVの範囲であり、InP格子定数に格子整合する。別の実施形態では、トンネル接合290のバンドギャップは1.25eV超である。1つの実施形態では、トンネル接合290は、既存の解決策よりも高い光透過率λを有する。更に広いバンドギャップを持つ半導体合金、例えばAlInAs,AlAsSb,及びAlInPAsを利用する他の実施形態は、ずっと高い光透過率を広い波長範囲に対応して有することができる。バンドオフセットを持ち、かつトンネル接合290に使用される材料AlGaInAs/InPのようなは、タイプIIヘテロ構造トンネル接合ダイオードを形成し、このヘテロ構造トンネル接合によって、荷電粒子がpn接合をトンネリングするために必要なエネルギー量を小さくすることができる。これにより、空間電荷領域がより狭くなって、トンネリング確率が高くなり、そしてより大きい太陽光強度を検出するトンネルダイオードのピークトンネル電流が大きくなる。ヘテロ接合型トンネルダイオードでは、合金層が、トンネル接合のp領域との間でタイプIIバンド整合をとる素子の領域pn接合のn領域に配置される。一般的に、トンネリング確率は、以下の方程式で近似することができる:式中、Egは、接合半導体層のバンドギャップであり、そしてwは、pn接合の空乏層幅である。この方程式は、トンネリング確率が、接合のバンドギャップが小さくなるにつれて高くなることを示している。pn接合290により形成されるタイプIIヘテロ接合では、nドープ層及びpドープ層のバンドギャップは図3に示すように、ジグザグである。このバンド配列によってEgが小さくなってEgeffとなる、すなわちエネルギーギャップが、ヘテロ接合界面のp側の価電子帯端とn側の伝導帯端との間に形成されるようになる。Egeffは、ホモ接合のEgよりも小さいので、タイプIIトンネル接合のトンネリング確率は、ホモ接合のトンネリング確率よりも高くなる。広バンドギャップのタイプIIトンネル接合ダイオードと表記することができるpn接合290は、InP,AlInAs,AlInAsP,AlAsSb,AlInAsSb,AlGaAsSb,AlGaInAs,GaInPAs,GaInAs,GaAsSb、及びこれらの材料の組み合わせにより形成される光起電力サブ電池群をモノリシックに集積化して、InP格子定数を持つ多接合型太陽電池とすることができる。1つの実施形態では、広バンドギャップ例えば、AlGaInAs/InPのタイプIIトンネル接合ダイオードによって、単一接合型太陽電池を宇宙用途または地上用途に使用される所望の素子の第1層p型BSFまたはn型窓のようなとは逆導電型の基板に成長させることができる。更に、AlGaInAs/InPタイプIIトンネル接合ダイオードによって、半導体直接接着による超高変換効率>33の多接合型太陽電池、カーボンナノチューブ接着CNT接着による多接合型太陽電池、及びInP格子定数を持つ構成サブ電池群を有する多接合型太陽電池を形成することができる。例えば、InP格子定数を持つ狭いバンドギャップ~0.7-1.2-eVの構成サブ電池群は、超高変換効率>33多接合型太陽電池構造の不可欠な構成要素の1つとなっている。別の実施形態では、AlGaInAs/InPタイプIIトンネル接合ダイオードを多接合型太陽電池に用いることにより、ピークトンネル電流が大きくなり、そして寄生光損失が低減するので、所望のバンドギャップを組み合わせたより高い性能の太陽電池が得られる。図4は、多接合型光起電力素子400の1つの実施形態を示している。光起電力素子400は、多接合型太陽電池とすることができる。図4から判るように、多接合型太陽電池400は、第1光起電力電池410と、第2光起電力電池420と、そして第3光起電力電池430と、を含むものとして図示されている。隣接するセルの間に配置されるのが、上に説明したpn接合群290である。多接合型太陽電池400は更に、基板450を含む。この例示的な実施形態では、基板450はInP基板である。別の実施形態では、基板450は、InPまたはGaInAsをSi基板、Ge基板、GaAs基板、InAs基板、GaP基板、GaSb基板、ポリマー基板、金属基板と組み合わせたハイブリッドテンプレートのような仮想基板にInP格子定数を整合させた状態のInP層またはIII-V族半導体層とすることができる。更に、多接合型太陽電池400は更に、上に説明したように、窓層と、そしてBSF層と、を含むことができる。図5は、ホモ接合型AlGaInAs/AlGaInAsトンネルダイオードを用いる1.2sun100mW/cm2の光量及び1.4sunにおける先行技術による2つの例示的な多接合型太陽電池の電流-電圧伝達関数と比較したときの、15.5sunにおける本開示による多接合型太陽電池の電流-電圧伝達関数IV曲線を示している。図5から判るように、本開示に記載されるタイプIIトンネルダイオードを用いる太陽電池は、15.5sunで所望の通りに変化するIV曲線を実現し、このIV曲線は、この光量に比例した0.25A/cm2の電流密度を有することができる太陽電池を動作させるために必要な電流を上回るピークトンネル電流を示している。本開示の特定の実施形態について、例示のために詳細に説明してきたが、種々の変更及び改良を、本開示の思想及び範囲から逸脱しない限り加えることができる。従って、本開示は、添付の請求項によって制限される場合を除き、限定するものではない。"