"基板と、前記基板の上面に設けられ、柱状の半導体からなるコア部、前記コア部の側面を被覆する絶縁膜、前記絶縁膜を介して前記コア部の側面を周回するように設けられた導体パターンを備えるコイル部とを備えることを特徴とするコイル素子。前記コア部は、単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項1に記載のコイル素子。前記基板の上面に前記コイル部を複数備え、前記複数のコイル部の導体パターンが、互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項1または2に記載のコイル素子。基板と、前記基板の上面にそれぞれ設けられ、柱状の半導体からなるコア部、前記コア部の側面を被覆する絶縁膜、前記絶縁膜を介して前記コア部の側面を周回するように設けられた導体パターンをそれぞれ備える複数のコイル部とを備え、前記複数のコイル部が互いに近接して平行に設けられていることを特徴とする微小変圧器。前記複数のコイル部の上面に設けられ、大気中よりも磁性率の高い磁性体を含む被覆材を更に備えることを特徴とする請求項4に記載の微小変圧器。第1基板と、前記第1基板の上面に設けられ、角柱状の半導体からなる第1コア部、前記第1コア部の側面を被覆する第1絶縁膜、前記第1絶縁膜を介して前記第1コア部の側面を周回するように設けられた第1導体パターンを備える角柱状の第1コイル部と、第2基板と、前記第2基板の上面に設けられ、角柱状の半導体からなる第2コア部、前記第2コア部の側面を被覆する第2絶縁膜、前記第2絶縁膜を介して前記第2コア部の側面を周回するように設けられた第2導体パターンを備える角柱状の第2コイル部とを備え、前記第1基板の上面と前記第2基板の上面とが対向し、前記第1コイル部の側面と前記第2コイル部の側面とが近接して配置されることを特徴とする微小変圧器。しかしながら、これらのコイル素子は、シリコン酸化膜、ポリイミド等をコイルの軸心として用いるものであり、素子設計に対する再現性に限界があり、断線、動作不良等を生じる可能性がある。本発明は、上記問題点を鑑み、微小で高精度なコイル素子及び微小変圧器を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、基板と、前記基板の上面に設けられ、柱状の半導体からなるコア部、前記コア部の側面を被覆する絶縁膜、前記絶縁膜を介して前記コア部の側面を周回するように設けられた導体パターンを備えるコイル部とを備えるコイル素子であることを要旨とする。また、本発明の第1の態様に係るコイル素子においては、前記コア部は、単結晶シリコンからなる。また、本発明の第1の態様に係るコイル素子においては、前記基板の上面に前記コイル部を複数備え、前記複数のコイル部の導体パターンが、互いに電気的に接続される。本発明の第2の態様は、基板と、前記基板の上面にそれぞれ設けられ、柱状の半導体からなるコア部、前記コア部の側面を被覆する絶縁膜、前記絶縁膜を介して前記コア部の側面を周回するように設けられた導体パターンをそれぞれ備える複数のコイル部とを備える微小変圧器であることを要旨とし、前記複数のコイル部が互いに近接して平行に設けられていることを特徴とする。また、本発明の第2の態様に係るコイル素子においては、前記複数のコイル部の上面に設けられ、大気中よりも磁性率の高い磁性体を含む被覆材を更に備えることができる。本発明の第3の態様は、第1基板と、前記第1基板の上面に設けられ、角柱状の半導体からなる第1コア部、前記第1コア部の側面を被覆する第1絶縁膜、前記第1絶縁膜を介して前記第1コア部の側面を周回するように設けられた第1導体パターンを備える角柱状の第1コイル部と、第2基板と、前記第2基板の上面に設けられ、角柱状の半導体からなる第2コア部、前記第2コア部の側面を被覆する第2絶縁膜、前記第2絶縁膜を介して前記第2コア部の側面を周回するように設けられた第2導体パターンを備える角柱状の第2コイル部とを備える微小変圧器であることを要旨とし、前記第1基板の上面と前記第2基板の上面とが対向し、前記第1コイル部の側面と前記第2コイル部の側面とが近接して配置されることを特徴とする。本発明によれば、微小で高精度なコイル素子及び微小変圧器を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の第1~第3の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、断面図と平面寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態に係る微小変圧器は、図1及び図2に示すように、一次側のコイル素子1a及び二次側のコイル素子1bを備える。コイル素子1aは、基板100と、三角柱状の半導体からなるコア部20aと、コア部20aの少なくとも側面を被覆する絶縁膜30aと、絶縁膜30aを介してコア部20aの側面を螺旋状に周回するように設けられた導体パターン40aとを備える。コイル素子1bは、コイル素子1aと共有する基板100と、コイル素子1aと同様のコア部20bと、絶縁膜30bと、導体パターン40bとを備える。コア部20a、絶縁膜30a、導体パターン40aから構成される三角柱状のコイル部10aは、1つの側面が基板100の上面と一致するように、基板100の上面に配置されている。同様に、コア部20b、絶縁膜30b、導体パターン40bから構成される三角柱状のコイル部10bは、1つの側面が基板100の上面と一致するように、コイル部10aに近接してコイル部10aと平行に、基板100の上面に配置される。コイル部10a,10bの上方に露出した側面は、絶縁層60が被覆されている。コイル素子1aの導体パターン40aは、その両端が基板100の上面において引き出され、それぞれ電極50a,50cとなっている。同様に、導体パターン40bは、その両端が基板100の上面において引き出され、それぞれ電極50b,50dとなっている。第1の実施の形態に係る微小変圧器は、例えば、電極50a,50cに入力された交流信号を、コイル素子1a,1bのコイルの巻数等に応じて変圧し、電極50b,50dから出力できる。-コイル素子の製造方法-図3~図7を参照して、第1の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子の製造方法の一例を説明する。先ず、図3aに示すように、単結晶Siからなる半導体層201、有機材料やシリコン酸化膜SiO2等の無機材料からなる絶縁物の薄膜である絶縁層202、単結晶Si等からなる支持基板203が積層された半導体基板を用意する。図3bに示すように、半導体基板の両面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜71,72を形成し、上面を露光することにより、図3cに示すようにフォトレジスト膜71をパターン形成する。次に、図4dに示すように、パターン形成されたフォトレジスト膜71をマスクに、例えば水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、水酸化カリウムKOH等を用いて、半導体層201を異方性エッチングする。半導体層201の上面から絶縁層202に達するまで、100面から異方性エッチングすることにより、半導体層201の側壁が111面に沿って形成され、半導体層201は高精度に三角柱状に形成される。次に、図4eに示すように、フォトレジスト膜71,72を除去し、図4fに示すように、半導体基板の上面に、絶縁物の薄膜である絶縁層301を形成する。次に、図5gに示すように、段差を有して形成された絶縁層301の頂部を除去することにより半導体層201の上面を露出し、図5hに示すように、露出された半導体層201の上面と、SiO2等からなるガラス基板302とを陽極接合する。次に、図5iに示すように、支持基板203を除去し、図6jに示すように、支持基板203が除去された絶縁層202の下面と、上面に導体パターン401が形成されたガラス等からなる基板100とを張り合わせる。基板100は、三角柱状に形成された半導体層201の位置と、導体パターン401の位置とが、平面視、重畳するように張り合わされる。次に、図6kに示すように、ガラス基板302を除去し、図6lに示すように、半導体層201及び絶縁層301の上面に、絶縁物の薄膜である絶縁層303を形成する。次に、図7mに示すように、三角柱状に形成された半導体層201をコア部20として、絶縁層301,303,202のそれぞれ一部がコア部20の側面を被覆する絶縁膜30を構成するように、絶縁層301,303,202を選択的に除去する。絶縁層301,303,202は、コア部20が露出せず、導体パターン401が露出するように選択的に除去される。そして、露出した導体パターン401と接続するように、絶縁膜30の上方から導体をパターン形成することにより、螺旋状の導体パターン40が、絶縁膜30を介してコア部20の側面に周回するように形成される。以上のように、コイル部10が、コア部20、絶縁膜30、導体パターン40から構成される。次に、図7nに示すように、コイル部10を上方から被覆する絶縁層60を形成する。更に、図7oに示すように、絶縁層60を選択的に除去して、電極50を露出させることにより、複数のコイル素子が完成する。第1の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子によれば、単結晶Siを異方性エッチングすることにより高精度に形成され、断線、動作不良等の可能性を低減させることができる。また、MEMS技術により立体形状のコイルパターンを微小に製造可能であり、一括して大量生産が容易である。また、フォトリソ技術によって立体的に配線パターンを形成するため、露光精度に依存した高密度配線パターンを実現でき、コイルの巻数を向上できる。第2の実施の形態本発明の第2の実施の形態に係る微小変圧器は、図8に示すように、コイル素子1e,1gが、複数本のコイル部10e,10f,10g,10hにより構成されている点で、第1の実施の形態と異なる。複数本のコイル部10e,10f,10g,10hは、基板100の上面に、それぞれ互いに近接して、互いに平行に設けられている。第2の実施の形態において説明しない他の構成は、第1の実施の形態と実質的に同様であるので重複する説明を省略する。第2の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子1eは、2本のコイル部10e,10fを備える。コイル部10eの導体パターン40eは、一端が電極50eとなっており、他端が中継パターン21に接続される。コイル部10fの導体パターン40fは、一端が電極50fとなっており、他端が中継パターン21に接続される。中継パターン21は、導体からなり、導体パターン40eの一端と導体パターン40fの一端とを互いに電気的に接続する。同様に、コイル素子1gは、2本のコイル部10g,10hを備える。コイル部10gの導体パターン40gは、一端が電極50gとなっており、他端が中継パターン22に接続される。コイル部10hの導体パターン40hは、一端が電極50hとなっており、他端が中継パターン22に接続される。中継パターン22は、導体からなり、導体パターン40gの一端と導体パターン40hの一端とを互いに電気的に接続する。第2の実施の形態に係る微小変圧器は、電極50e,50fに入力された交流信号を、コイル部10e,10f,10g,10hのコイルの巻数等に応じて変圧し、電極50g,50hから出力できる。第2の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子によれば、単結晶Siを異方性エッチングすることにより高精度に形成され、断線、動作不良等の可能性を低減させることができる。また、MEMS技術により立体形状のコイルパターンを微小に製造可能であり、大量生産が容易である。第2の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子によれば、単結晶Siを異方性エッチングすることにより高精度に形成され、断線、動作不良等の可能性を低減させることができる。また、MEMS技術により立体形状のコイルパターンを微小に製造可能であり、一括して大量生産が容易である。また、フォトリソ技術によって立体的に配線パターンを形成するため、露光精度に依存した高密度配線パターンを実現でき、コイルの巻数を向上できる。また、第2の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子によれば、複数本のコイル部から構成されることにより、コイル長を長くし、インダクタンスを増大させることができる。第3の実施の形態本発明の第3の実施の形態に係る微小変圧器は、図9に示すように、コイル素子1Aの基板100Aの上面と、コイル素子1Bの基板100Bの上面とが、互いに対向するように配置される点で第1の実施の形態と異なる。第3の実施の形態において説明しない他の構成は、第1の実施の形態と実質的に同様であるので重複する説明を省略する。第3の実施の基体に係る微小変圧器は、それぞれ上面が互いに対向するように配置されたコイル素子1Aと、コイル素子1Bとを備える。コイル素子1Aは、基板100Aと、基板100Aの上面に設けられた三角柱状のコイル部10Aとを備える。同様に、コイル素子1Bは、基板100Bと、基板100Bの上面に設けられた三角柱状のコイル部10Bとを備える。コイル素子1Aのコイル部10Aの側面と、コイル素子1Bのコイル部10Bの側面とは、図9に示すように、絶縁層60A,60B、接着層80を介して互いに平行に対向して設けられる。コイル素子1Aとコイル素子1Bとの間は、接着層80により接合されている。第3の実施の形態に係る微小変圧器が備えるコイル素子によれば、単結晶Siを異方性エッチングすることにより高精度に形成され、断線、動作不良等の可能性を低減させることができる。また、MEMS技術により立体形状のコイルパターンを微小に製造可能であり、一括して大量生産が容易である。また、フォトリソ技術によって立体的に配線パターンを形成するため、露光精度に依存した高密度配線パターンを実現でき、コイルの巻数を向上できる。また、第3の実施の形態に係る微小変圧器によれば、複数のコイル部が、基板の上面に設けられるため、上下方向から互いに近接して配置可能であり、磁界の漏れを低減でき、変圧器の効率を向上できる。その他の実施の形態上記のように、本発明は第1~第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた第1及び第2の実施の形態においては、図10に示すように、複数のコイル部10a,10bの上方から、大気中よりも磁性率の高い磁性体を含む被覆材90を設けることにより、磁界の漏れを低減でき、変圧器の効率を向上できる。複数のコイル部10a,10bの上面に設けられた被覆材90は、有機材料であっても無機材料であっても良い。また、既に述べた第1~第3の実施の形態においては、コイル部10の断面形状は、三角柱状に限るものでなく、四角柱形状等の他の形状であっても良い。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"