脆弱化区域をドナー構造体中の既定の深さに形成して付着面と前記脆弱化区域の間に移転層を画定し、且つ前記脆弱化区域と前記付着面の反対側の面との間に残留ドナー構造体を画定するステップと、前記付着面に金属層を形成するステップであって、前記金属層により、前記移転層の熱膨張係数CTEとよく一致する前記金属層の適合CTEと、前記移転層を構造的に支持するのに十分な剛性とが得られるステップと、前記移転層を前記脆弱化区域のところで前記ドナー構造体から分離して、前記移転層及び前記金属層を備える複合基板を形成するステップと、を含む、半導体基板を製造する方法。前記付着面に前記金属層を形成するステップが、前記金属層を形成して前記金属層と前記移転層の間にオーミックコンタクトを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記付着面に前記金属層を形成するステップが、前記金属層を形成して前記金属層と前記移転層の間にショットキーコンタクトを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記脆弱化区域を前記ドナー構造体中に形成するステップが、前記脆弱化区域を半導体材料のインゴット又は半導体材料のボウルの少なくとも一部分の中に形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記金属層を形成するステップが、前記移転層との間に電気コンタクトを形成するコンタクト層を前記付着層に形成するステップと、前記コンタクト層に層上で導電結合された耐熱金属層を形成するステップと、をさらに含み、前記耐熱金属層が、前記コンタクト層と比較して相対的に厚くなっており、前記十分な剛性が得られ、且つ前記適合CTEが得られる、請求項1に記載の方法。前記適合CTEが前記移転層のCTEの10以内である、請求項1に記載の方法。シリコン、ゲルマニウム、SiC、GaN、AlN、InGaN及びGaAsからなる群から前記ドナー構造体を選択するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。SiCを含むように前記ドナー構造体を選択するステップと、タングステン又はモリブデンを含むように前記金属層を選択するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。GaNを含むように前記ドナー構造体を選択するステップと、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、レニウム、又はタンタルを含むように前記金属層を選択するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記移転層の内部に、前記移転層の上に、又はこれらの組合せで追加半導体構造体を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記半導体基板に十分な剛性を与えるように構成された金属支持基板と、前記金属支持基板の付着面と接触する半導体材料を備える移転層とを具備する半導体基板であって、前記移転層が、前記半導体材料を備えるとともに脆弱化区域を前記付着面から既定の深さに含んで前記付着面と前記脆弱化区域の間に前記移転層を画定するドナー構造体から分離され、前記金属支持基板の適合熱膨張係数CTEが前記移転層のCTEとよく一致する、半導体基板。前記金属支持基板が、前記付着層に隣接し、前記移転層との間に導電コンタクトを形成するコンタクト層と、前記コンタクト層に導電結合されて隣接する耐熱金属層とを備え、前記耐熱金属層により、前記半導体基板を構造的に支持するのに十分な剛性が得られ、且つ前記適合CTEが得られる、請求項11に記載の半導体基板。前記導電コンタクトがオーミックコンタクトを備える、請求項12に記載の半導体基板。前記適合CTEが前記移転層の前記CTEの20以内である、請求項12に記載の半導体基板。前記移転層がSiCを含み、前記耐熱金属層がタングステン、モリブデン、及びジルコニウムのうちの少なくとも1つを含む、請求項12に記載の半導体基板。前記移転層がGaNを含み、前記耐熱金属層がジルコニウム、ハフニウム、レニウム、及びタンタルのうちの少なくとも1つを含む、請求項12に記載の半導体基板。前記耐熱金属層に導電結合されて隣接する厚い金属基板をさらに備える、請求項12に記載の半導体基板。前記移転層がn-ドープGaNを含み、少なくとも1つの光素子を形成するように前記移転層上に一体化された半導体デバイス層をさらに備える、請求項11に記載の半導体基板。前記移転層がp-ドープGaNを含み、少なくとも1つの光素子を形成するように前記移転層上に一体化された半導体デバイス層をさらに備える、請求項11に記載の半導体基板。前記移転層がSiCを含み、少なくとも1つの大電力電子デバイスを形成するように前記移転層上に一体化された半導体デバイス層をさらに備える、請求項11に記載の半導体基板。0014さらなる態様、細部、及び本発明の諸実施形態の諸要素の代わりとなる組合せは、以下の詳細な説明から明らかになろう。0015本発明は、添付の図に示された本発明の例示的な実施形態についての以下の詳細な説明を参照することによって、より完全に理解されよう。0024本明細書で提示される説明図は、何か特定の材料、デバイス又は方法の実際の図を意図したものではなく、本発明の諸実施形態を説明するために用いられる単なる理想的な描写である。0025本明細書で第1の、第2のなどの呼称を用いてある要素を指し示すことは、特に明記されていない限り、これらの要素の量又は順序を何ら限定しないことを理解されたい。もっと正確に言えば、本明細書では、これらの呼称は、2つ以上の要素、又はある要素の諸例を区別する便利な方法として用いられることがある。したがって、第1及び第2の要素を指し示すことは、2つの要素しかそこでは使用することができないこと、或いは第1の要素が何らかの方法で第2の要素に先行しなければならないことを意味しない。また、特に指定がない限り、要素の組には1つ又は複数の要素が含まれうる。0026本明細書で説明される諸要素には、同じ要素の複数の例が含まれうる。これらの要素は、数字の識別名例えば、110で総称して示され、アルファベットの識別名が後に続く数字表示例えば、110A、又はダッシュが先行する数字表示例えば、110-1ではっきり限定して表示されることがある。説明をたどることが簡単になるように、大部分について要素番号表示は、要素が提示される、又は最も完全に論じられる図面の番号から始まる。すなわち、例えば、図1の要素識別名は、ほとんどが数字構成1xxの形になり、図4の要素は、ほとんどが数字構成4xxの形になる。0027以下の説明では、本開示の諸実施形態及びその実施についての完全な説明を提示するために、材料の種類及び処理条件などの具体的な詳細が提示される。しかし、本開示の諸実施形態を、これらの具体的詳細を用いないで従来の製造技法と組み合わせて実施できることは、当業者には理解されよう。加えて、本明細書で提示される説明は、半導体デバイス又は半導体システムを製作するための完全なプロセスの流れを形成するものではない。本明細書では、本発明の諸実施形態を理解するのに必要なプロセス処置及び構造体だけが詳細に説明される。本明細書で説明する諸材料は、それだけには限らないが、スピンコーティング、ブランケットコーティング、ブリッジマン法、チョクラルスキー法、化学気相成長CVD、プラズマ促進化学気相成長PECVD、原子層堆積ALD、プラズマ促進ALD、又は物理気相成長PVDを含む任意の適切な技法によって、形成例えば、堆積又は成長することができる。本明細書で説明及び図示する諸材料は、層として形成することができるが、これらの材料は層には限定されず、他の三次元構成で形成することもできる。0028本明細書で水平及び垂直などの語は、半導体構造体例えば、ウェハ、ダイ、基板などの主平面又は主面に対する要素又は構造体の相対的位置を、その半導体構造体の向きを無視して定義し、説明されている構造体の向きに対して解した直交する次元である。本明細書で垂直という語は、半導体構造体の主面にほぼ直角の次元を意味するとともに含み、水平という語は、半導体構造体の主面にほぼ平行な次元を意味する。0029本明細書では、半導体構造体という語は、半導体デバイスを形成する際に使用されるいかなる構造体も意味するとともに含む。半導体構造体は、例えば、ダイ及びウェハ例えば、キャリア基板及びデバイス基板、並びに、三次元的に互いが一体化された2つ以上のダイ及び又はウェハを含むアセンブリ又は複合構造体を備える。半導体構造体にはまた、完全に製造された半導体デバイス、並びに、半導体デバイスの製造中に形成される中間構造体も含まれる。半導体構造体は、導電性材料、半導体材料、非導電性材料例えば、電気絶縁体、及びこれらの組合せを含むことができる。0030本明細書では加工半導体構造体という語は、1つ又は複数の少なくとも部分的に形成されたデバイス構造体を含む、あらゆる半導体構造体を意味するとともに含む。加工半導体構造体は半導体構造体のサブセットであり、全ての加工半導体構造体が半導体構造体である。0031本明細書ではIII-V半導体という語は、少なくとも大部分が、周期表のIIIA族の1つ又は複数の元素例えば、B、Al、Ga、In、及びTiと、周期表のVA族の1つ又は複数の元素例えば、N、P、As、Sb、及びBiとから成るあらゆる半導体材料を意味するとともに含む。0032別に明記されない限り、本明細書では、熱膨張係数という語は、材料又は構造体に関して用いられる場合、材料又は構造体の室温での平均線熱膨張係数を意味する。0033本明細書では、工学基板という語は、その最も広い意味において、材料の2つ以上の層を備え、且つ1つ又は複数の半導体デバイスを上に製造する基板として使用することを目的とする、あらゆる基板を意味するとともに含む。工学基板は、非限定的な例として、半導体オンインシュレータ型の基板を含む。0034本明細書では、十分な剛性という語は、その後の加工又はハンドリング中に塑性変形又は弾性変形による構造的損傷が半導体構造体に生じない十分な剛性が得られる半導体構造体の剛性を意味する。非限定的な例として、このような構造的損傷には、転位、亀裂、結晶格子損傷、ゆがみ、湾曲、及び層分離が含まれうる。0035本発明の様々な実施形態は、工学基板と、工学基板のCTEとよく一致するCTEを有する適切なベース基板が得られる工学基板を生産する方法とに関係がある。0036本発明の諸実施形態には、広い範囲のシリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、及びIII-V半導体材料に、基板としての適用例がありうる。例えば、本発明の諸実施形態の方法及び構造体は、III族窒化物、III族ヒ化物、III族リン化物、及びIII族アンチモン化物に2元、3元、4元、及び5元の形で適用することができる。0037図2は、移転層230を作るための脆弱化区域220を有するドナー構造体210の簡略断面図である。非限定的な例として、本明細書で説明する分離プロセスでは、スマートカットSMART-CUT商標技術を使用することができる。このようなプロセスは、例えば、Bruelの米国特許第RE39484号、Aspar他の米国特許第6303468号、0038Aspar他の米国特許第6335258号、Moriceau他の米国特許第6756286号、Aspar他の米国特許第6809044号、Aspar他の米国特許第6946365号、Dupont他の米国特許第7531428号、Ghyselen他の米国特許第6858107号、及びGhyselen他の米国特許第6867067号に詳細に記載されている。これら特許のそれぞれの開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。しかし、既定の脆弱化領域を利用することを含む、複合材料ウェハを製造するのに適切な他のプロセスもまた使用できることを理解されたい。0039この分離プロセスを実施するために、既定の脆弱化領域220をドナー構造体210内に形成することができる。図2は、スマートカット商標技術の使用を示し、1つ又は複数の水素イオン、ヘリウムイオン又は他の不活性ガスイオンなどの原子種250が、付着面240を通して、ドナー構造体210内に脆弱化区域220を作る分量及びエネルギーで注入される。脆弱化区域220は、主付着面240にほぼ平行であり、原子種注入プロセスのパラメータに基づく既定の深さにある。0040したがって、移転層230は、付着層240と脆弱化区域220の間に形成される。加えて、残留ドナー構造体が脆弱化区域220と付着面240の反対面との間に形成される。0041ドナー構造体210は半導体材料を含み、いくつかの実施形態では、シリコン、ゲルマニウム、III族窒化物例えば、GaN、INGaN、AlGaN、及びSiCを含むことがある。この半導体材料はドープされないことがあり、或いは一部の適用例では、n又はpドープされることもある。半導体は、図2に示される独立型ウェハとすることができ、或いは、例えばサファイアベース上のGaNであるテンプレート構造体とすることができる。ドナー構造体210はまた、半導体材料のインゴット又はボウルの少なくとも一部分を含むこともでき、いくつかの実施形態では、このインゴット又はボウルの少なくとも一部分は、シリコン、ゲルマニウム、III族窒化物例えば、GaN、INGaN、AlGaN、及びSiCを含むことがある。インゴット又はボウルは、Ghyselen他の米国特許第6858107号、Ghyselen他の米国特許第6867067号に記載されているものなどの構造体を含むことができる。これら特許のそれぞれの開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。0042ドナー構造体210がIII族窒化物材料である場合、注入される表面の極性は、最終複合基板の極性を決定する際に考慮されなければならない。非限定的な例として、GaNドナー構造体を使用して、その後の加工のためのガリウム極性面又は窒素極性面を形成することができる。別の非限定的な例として、InGaNドナー構造体を使用して、その後の加工のための金属極性面又は窒素極性面を形成することができる。0043キャリアウェハへの従来の層移転では、通常はボンディングプロセスが用いられ、何らかの熱処理による注入ウェハの分割が後に続く。ボンディングプロセスでは、大面積欠陥非移転領域を回避するために、接合されるべき表面が高品質であることが必要とされる一方で、分割プロセスの結果としてウェハが破壊することを回避するために、両ウェハの熱膨張係数CTEが違いすぎてはならない。いくつかの適用例では、導電基板に半導体材料を導電接合することが、垂直デバイス構造体、すなわち半導体層の表面近くに活性領域を有するとともに基板又はキャリアウェハとの半導体の境界面近くに接触領域を有するデバイス、を構築するのに望ましい。0044しかし、このような手法は、現在ほとんどのボンディングプロセスでは、高品質ボンドを保証するための二酸化ケイ素SiO2の層をボンディング面に伴うので、実現することが困難である。SiO2は絶縁体であり、電気的伝導を不可能ではないとしても困難にし、加えて、基板へのデバイスの効率的な熱放散を妨げることになる。0045結果として、本発明の諸実施形態は、熱放散を行うことができるとともに、移転層230のCTEとよく一致するCTEを有する支持基板が得られる構造体及びプロセスを実現する。いくつかの実施形態では、例えばオーミックコンタクト又はショットキーコンタクトである電気コンタクトを、移転層230と金属キャリア層の間に形成することができる。オーミックコンタクトすなわち、電圧に依存しない抵抗を有するコンタクトが、ショットキーバリア高さがゼロ又は負である場合に、金属~半導体接合部に形成される。言い換えると、オーミックコンタクトは、ほぼ線形且つ対照的な電流対電圧特性を有する。このような場合、キャリアは半導体に自由に流入又は流出し、その結果、オーミックコンタクトの両端間の抵抗が最小になる。0046図3ABは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、耐熱金属キャリア280及び移転層230を有する複合基板の形成を示す簡略断面図である。耐熱金属層310は、移転層230の構造的支持部になるのに十分な剛性がある金属支持基板を形成するように、十分な厚さに形成することができる。0047耐熱金属層310は、例えばオーミックコンタクトである電気コンタクトを耐熱金属層310と移転層230の間に設けるのに適切な方法で、付着面240に形成される。耐熱金属層310を堆積する前に、半導体の表面では、耐熱金属層310の品質に影響を及ぼしうるあらゆる表面酸化物又は他の表面層を除去する処理が必要になりうる。例えば、薄い酸化ガリウム層は、耐熱金属層310を堆積する前に、また、例えばオーミックコンタクトである電気コンタクトを形成するために、除去される必要がある。0048脆弱化区域220がさらに脆弱になりうるように、ドナー構造体210と金属支持基板310の構造体全体を炉図示せずに入れ、加熱することができる。脆弱化により、移転層230及び付随する金属支持基板310は、脆弱化区域220のところでドナー構造体から分離することができる。熱エネルギーを与える代わりに、他の形の負荷エネルギー、例えば機械エネルギー、化学エネルギー、又は熱、機械エネルギー及び化学エネルギーの組合せを脆弱化処置及び分離処置中に用いることもできる。0049こうして分離後に形成された構造体は、薄い移転層をさらに供与することができる残留ドナー構造体図示せずと、金属支持基板310及び移転層230を含む複合基板450とになる。非限定的な例として、移転層230は、1000ナノメートル未満の厚さを有することがあり、約500ナノメートルの厚さを有することが多い。0050図3Bに示されるように、複合基板450は裏返して、移転層230の露出面に追加加工することができる。さらなる加工ステップを実施する前に複合基板450に、例えば研磨、洗浄、又はこれらの組合せなどの表面処理が施されることがある。追加加工には、非限定的な例として、複合基板上にデバイス構造体を追加することが含まれうる。このデバイス構造体には、ドープ半導体材料及び非ドープ半導体材料の複数の層、並びに電子素子、光学素子、及びこれらの組合せを作るための、当技術分野で知られている活性領域の複数の層が含まれうる。0051図4A~Cは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、耐熱金属層310、移転層230、及びこれらの間のコンタクト層410を有する複合基板450の形成を示す簡略断面図である。0052図4A~Cの実施形態では、金属のコンタクト層410が付着面240に配置されている。このコンタクト層410は、移転層230とコンタクト層410の間に高品質例えば、低抵抗のオーミックコンタクトを設けるように構成される。非限定的な例として、ドナー材料がnドープGaNである場合、コンタクト金属層は、例えばTi/Al/Ni/Au積層とすることができ、或いは、金の使用がデバイス動作に悪影響を及ぼすおそれがあるときにはTi/Al積層とすることができる。別の非限定的な例として、ドナー材料がpドープGaNである場合、コンタクト金属層は、例えばNi/Au積層、又はNiリストの1番目の材料が半導体に最も近いとすることができる。コンタクト層410を堆積する前に、半導体材料の表面は、コンタクト層410の品質に影響を及ぼしうるあらゆる表面酸化物又は他の表面層を除去する処理が必要になることがある。例えば、薄い酸化ガリウム層は、コンタクト層410を堆積する前に除去する必要がある。コンタクト層410は、スパッタコーティング、熱蒸着、eビーム蒸着などによって堆積することができる。いくつかの実施形態では、コンタクト層410はまた、厚い金属支持体を続けて堆積するためのシード金属として働くこともでき、このようなシードは、移転層230との接着性を改善し、また移転層230との導電特性を改善することができる。0053コンタクト層410は、数単分子層ほどにも薄くすることができる。いくつかの実施形態では、コンタクト層410は、約1~50ナノメートルの厚さを有しうる。0054図4Bに示されるように、耐熱金属層310がコンタクト層410上に、耐熱金属層310とコンタクト層410の間に低インピーダンス結合を得るのに適した方法で形成される。図4A~Cの実施形態では、コンタクト層410と耐熱金属層310の組合せは、本明細書で金属支持基板310Aと呼ばれることがある。0055脆弱化区域220がさらに脆弱になりうるように、ドナー構造体210と金属支持基板310Aの構造体全体を炉図示せずに入れ、加熱することができる。脆弱化により、移転層230及び付随する金属支持基板310Aは、脆弱化区域220のところでドナー構造体から分離することができる。熱エネルギーを与える代わりに、他の形の負荷エネルギー、例えば機械エネルギー、化学エネルギー、又は熱、機械エネルギー及び化学エネルギーの組合せを脆弱化ステップ及び分離ステップ中に用いることもできる。0056こうして分離した後に形成された構造体は、薄い移転層をさらに供与することができる残留ドナー構造体図示せずと、金属支持層310、コンタクト層410及び移転層230を含む複合基板450とになる。非限定的な例として、移転層230は、1000ナノメートル未満の厚さを有することがあり、約500ナノメートルの厚さを有することが多い。0057図4Cに示されるように、複合基板450は、移転層230の露出面に追加加工するために裏返すことができる。さらなる加工ステップを実施する前に複合基板450に、例えば研磨、洗浄、又はこれらの組合せなどの表面処理が施されることがある。追加加工には、非限定的な例として、複合基板上にデバイス構造体を追加することが含まれうる。このデバイス構造体には、ドープ半導体材料及び非ドープ半導体材料の複数の層、並びに電子素子、光学素子、及びこれらの組合せを作るための、当技術分野で知られている活性領域の複数の層が含まれうる。0058残留ドナー構造体は、図2、図3ABで示された、又は図2、図4A及び図4Cで示された加工を繰り返すことによって、再使用して追加の複合構造体を形成することができる。別のいかなる加工ステップを実施する前にも、残留ドナー構造体は、元の表面品質に戻すために、例えば研磨、洗浄、又はこれらの組合せなどの表面処理が施される必要がありうる。0059図3AB及び図4A~Cの両方の実施形態で、耐熱金属層310は、例えば分離のための加熱、及び追加層の成長/堆積/加工などの後続の処理に十分な高い温度で、化学的及び物理的に安定して存続できなければならない。非限定的な例として、追加GaN層の後続の処理では、耐熱金属層310は、約900~1100°Cの範囲の温度に耐えることができなければならない。加えて、後続の処理で、耐熱金属層310は、追加の成長/堆積/加工装置内の化学的環境に耐えることができなければならない。0060耐熱金属層310は、十分な剛性が得られる十分な厚さとして、移転層230を構造的に支持することができる。非限定的な例として、耐熱金属層310は、約10~150ミクロンの厚さを有することがあり、約10~20ミクロンの厚さを有することが多い。非限定的な例として、耐熱金属層310は、スパッタコーティング、プラズマスプレーコーティング、又はめっき無電解めっき及び電気めっきの方法によって堆積することができる。0061耐熱金属層310は、例えば、後続の成長プロセス中の歪み及び亀裂を防止するために、移転層230とよく一致する適合CTEを有することができる。表1は、移転層230用及び耐熱金属層310用のいくつかの非限定的な材料のCTEを一覧表示している。0062いくつかの実施形態では、耐熱金属層310のCTEは、移転層230の半導体材料のCTEの約20以内又は10以内とすることができる。すなわち、これらの実施形態では、耐熱金属層310として使用されるタングステン、モリブデン、及びジルコニウムがSiC移転層230とよく一致し、いくつかの実施形態では特にタングステンがよく一致することになる。同様に、これらの実施形態では、耐熱金属層310として使用されるジルコニウム、ハフニウム、レニウム、及びタンタルがGaN移転層230とよく一致し、いくつかの実施形態では特にモリブデンがよく一致することになる。0063半導体金属の積層はCTEが一致しているので、デバイス構造体の製造を完了するために、半導体材料の厚いエピ層をスタック上に亀裂を伴わずに成長させることができる。必要であれば、スパッタ/蒸着金属層と同じ種類の厚い金属ウェハがキャリアとしての役割を果たして、金属層の有利な特性を失わずにスタックに剛性を付加することができる。0064図5A~Cは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、複合基板450N上に形成されたnドープ窒化ガリウムGaN移転層230N及び光デバイスを有する、複合基板450Nを示す。0065図5Aでは、複合基板450Nは、耐熱金属層310例えば、モリブデンの上のTi/Al/Ni/Auコンタクト層410上のGa極性である、nドープGaN層の移転層230Nを含む。移転層230は、サファイアテンプレート上のnGaNバルク又はnGaNGa極性から得ることができる。nGaNバルクからの移転は、n面極性バルクへのイオン注入により行うことができる。コンタクト層410及び耐熱金属層310の堆積の後に、バルクからの移転層230の移転層分離が続く。サファイア上のnGaNの移転を二重移転で行って、複合基板上にGa極性n-GaN層が得られる。0066図5Bは、複合基板450N上の追加半導体デバイスから構成される、光デバイスの一種としてのLED構造体を示す。このLED構造体は活性領域を含み、この活性領域は、例えば、nドープGaN移転層230N上に配置された量子井戸などの複数の層を含みうる。1つ又は複数のp型層520が、活性層510の上に配置される。その結果が、nドープGaN移転層230N、活性層510、及びp型層520によって形成されたLEDである。コンタクト層530がp型層520との電気接続部になる。0067結果として得られるLED構造体は垂直ダイオード構造体になり、これは、図1のダイオード構造体と異なり、ダイオードのn側に接続するための、上部層の上に露出された追加の電気接続部が不要である。0068図5Cは、厚い金属基板550を含むための任意選択の別の処置を示す。支持金属の厚さは、堆積耐熱金属層310と厚い金属基板550の間を接合する金属ごとに増大させることができ、金属支持部をこのように厚くすることは、厚い金属基板550が腐食性の反応炉成長条件に耐えることができる場合には、デバイス層形成の前に実施することができる。0069図6A~Cは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、複合基板450P上に形成されたpドープ窒化ガリウムGaN移転層230P及び光デバイスを有する、複合基板450Pを示す。0070図6A~Cの実施形態の層は、移転層230がpドープGaN移転層230Pを備えることを除いて、図5A~Cの実施形態の層と類似している。対応するコンタクト層410は、例えばNi/Auとすることができる。0071図6Bは、活性領域を含む光デバイスとしてのLED構造体を示し、このLED構造体は、例えば、pドープGaN移転層230P上に配置された量子井戸などの複数の層を含みうる。1つ又は複数のn型層620が、活性層610の上に配置される。その結果が、pドープGaN移転層230P、活性層610、及びn型層620によって形成されたLEDである。コンタクト層630がn型層620との電気接続部になる。0072結果として得られるLED構造体は垂直ダイオード構造体になり、これは、図1のダイオード構造体と異なり、ダイオードのp側に接続するための、上部層の上に露出された追加の電気接続部が不要である。0073図6Cは、厚い金属基板650を含むための任意選択の別の処置を示す。支持金属の厚さは、堆積耐熱金属層310と厚い金属基板650の間を接合する金属ごとに増大させることができ、金属支持部をこのように厚くすることは、厚い金属基板650が腐食性の反応炉成長条件に耐えることができる場合には、デバイス層形成の前に実施することができる。0074図7A~Cは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、複合基板450S上に形成された炭化ケイ素SiC移転層230S及び大電力電子デバイスを有する、複合基板450Sを示す。複合基板450Sは、例えばタングステン310Tである耐熱金属層310の上にSiC移転層230Sを含む。表1から分かるように、SiC移転層230とタングステン耐熱金属層310TはCTEが一致しており、その結果、SiC移転層230、及びその上に形成された大電力電子デバイスは、CTE不一致による歪みの影響をデバイス形成中にほとんど、又は全く受けなくなる。0075図7Bに示されるように、電力デバイスは、SiC移転層230S上の1つ又は複数の電力デバイス層710により形成することができる。コンタクト層730が電力デバイス層710への電気接続部になる。0076図7Cは、厚い金属基板750を含むための任意選択の別の処置を示す。支持金属の厚さは、堆積耐熱金属層310と厚い金属基板750の間を接合する金属ごとに増大させることができ、金属支持部をこのように厚くすることは、厚い金属基板750が腐食性の反応炉成長条件に耐えることができる場合には、デバイス層形成の前に実施することができる。0077図8A~Dは、本発明の1つ又は複数の実施形態による、裏返されてn層が上になる光デバイスを形成する複合基板450の上に形成された、nドープ窒化ガリウムGaN移転層230及び光デバイスを有する複合基板を示す。0078図8Aの実施形態の層は、図3Bの実施形態の層と類似している。しかし、図4A~図6Cの実施形態とは異なり、図8A~Dの実施形態は、複合基板450に隣接するコンタクト層を含まない。もっと正確に言えば、例えばLEDなどの光デバイスを、この実施形態ではnドープ窒化ガリウムGaN移転層230Nとして形成された半導体材料230の上に形成することができる。0079図8Bに示されるように、光デバイスは活性領域810を含むことができ、この活性領域は、例えば、n型窒化ガリウムGaN移転層230N上に配置された量子井戸などの複数の層を含みうる。1つ又は複数のp型GaN層820を活性層810の上に配置することができる。その結果が、n型窒化ガリウムGaN移転層230N、活性層810、及びp型層820によって形成されたLEDである。0080形成された光デバイス構造体を用いて、前述したようなコンタクト層840をp型GaN層820上に形成して、p型層820との電気接続部にすることができる。コンタクト層840上に、例えば厚い金属基板850などの放熱板を形成することができる。結果として得られる構造体は、裏返されていると考えることができる。この裏返された構成は、図8Cに示されている。次に、耐熱金属310を除去して、n型窒化ガリウムGaN移転層230Nを露出することができる。0081結果として得られるLED構造体は垂直ダイオード構造体になり、これは、図1のダイオード構造体とは異なり、ダイオードのp側に接続するための、上部層の上に露出される追加の電気接続部が不要である。もっと正確に言えば、ダイオードのp側は、コンタクト層840及び厚い金属基板850により接触させることができる。コンタクト層850を形成して、nドープ窒化ガリウムGaN移転層230Nとの電気接続部にすることができる。0082上述の本発明の諸実施形態は、これらの実施形態が本発明の諸実施形態の単なる例にすぎないので、本発明の範囲を限定しない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその法的等価物の範囲によって規定される。いかなる等価の実施形態も本発明の範囲内にあるものとする。実際、本明細書で図示され説明されたものに加えて、説明された諸要素の代わりとなる有用な組合せなど、本発明の様々な修正が当業者には本明細書から明らかになろう。このような修正もまた、添付の特許請求の範囲に入るものとする。