"基板上に、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極と一部が対向するように設けられ、前記画素電極と誘電体層を介して保持容量を構成する容量配線と、を備え、前記容量配線は、前記基板と前記画素電極との間に設けられた絶縁膜に埋め込まれるように形成されており、前記絶縁膜と共に前記画素電極側の面が平坦化されてなることを特徴とする電気光学装置。前記容量配線は、第1導電膜と前記第1導電膜を覆って保護する第2導電膜とを含み、前記第2導電膜の表面が、前記絶縁膜の表面と面一となっていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記画素電極は、隣り合って並行する2つの前記容量配線に跨って配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。基板上に容量配線層を形成する工程と、前記容量配線層を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を研磨して、前記絶縁膜から前記容量配線層を露出させると共に、露出した前記容量配線層と前記絶縁膜の表面とを平坦化する工程と、露出した前記容量配線層および前記絶縁膜を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層を介して前記容量配線層と一部が重なるように画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。前記容量配線層を形成する工程は、第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜を覆って保護する第2導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜および前記第2導電膜をパターニングして前記容量配線層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置の製造方法。基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝部を形成する工程と、前記溝部を埋めると共に、前記絶縁膜を覆って容量配線層を形成する工程と、前記容量配線層を研磨して、前記溝部において前記容量配線層を前記絶縁膜から露出させると共に、露出した前記容量配線層と前記絶縁膜の表面とを平坦化する工程と、露出した前記容量配線層および前記絶縁膜を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層を介して前記容量配線層と一部が重なるように画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。前記容量配線層を形成する工程は、第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜を覆って前記第1導電膜を保護する第2導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。しかしながら、上記特許文献1の液晶表示装置では、画素電極においてブラックマトリクスと重なった部分、つまり上記画素保持容量を構成した部分に段差が生じ、当該段差部において液晶分子の配向が乱れて表示ムラが発生するおそれがあるという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の電気光学装置は、基板上に、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に、前記画素電極と一部が対向するように設けられ、前記画素電極と誘電体層を介して保持容量を構成する容量配線と、を備え、前記容量配線は、前記基板と前記画素電極との間に設けられた絶縁膜に埋め込まれるように形成されており、前記絶縁膜と共に前記画素電極側の面が平坦化されてなることを特徴とする。この構成によれば、誘電体層を介して容量配線と画素電極とが重なった部分において保持容量が構成される。また、誘電体層が設けられる部分は、容量配線と絶縁膜の表面が平坦化されているので、誘電体層を介して配置される画素電極の表面に凹凸が生じない。すなわち、画素の開口率を確保しつつ画素電極を用いて保持容量を構成し、従来に比べて表示ムラが低減され、優れた表示品質を有する電気光学装置を提供できる。[適用例2]上記適用例の電気光学装置において、前記容量配線は、第1導電膜と前記第1導電膜を覆って保護する第2導電膜とを含み、前記第2導電膜の表面が、前記絶縁膜の表面と面一となっていることが好ましい。これによれば、第1導電膜は第2導電膜により保護されているので、容量配線の表面と絶縁膜の表面とを平坦化する工程において、第1導電膜が損傷することがなく、少なくとも第1導電膜における導電性が確保され、電気的に不具合のない保持容量を構成することができる。[適用例3]上記適用例の電気光学装置において、前記画素電極は、隣り合って並行する2つの前記容量配線に跨って配置されているとしてもよい。これによれば、1つの容量配線と重なる場合に比べて、保持容量における電気容量を大きくすることができる。言い換えれば、所望の電気容量を確保し易くなる。[適用例4]本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。これによれば、従来に比べて表示ムラが低減され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。[適用例5]本適用例の電気光学装置の製造方法は、基板上に容量配線層を形成する工程と、前記容量配線層を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を研磨して、前記絶縁膜から前記容量配線層を露出させると共に、露出した前記容量配線層と前記絶縁膜の表面とを平坦化する工程と、露出した前記容量配線層および前記絶縁膜を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層を介して前記容量配線層と一部が重なるように画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。この方法によれば、画素電極は表面が平坦化された容量配線層と絶縁膜とを覆う誘電体層上において、平面的に容量配線層と一部が重なるように形成される。したがって、形成された画素電極の表面には凹凸が生じない。すなわち、画素の開口率を確保しつつ画素電極を用いて保持容量を形成し、従来に比べて表示ムラが低減され、優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。[適用例6]上記適用例の電気光学装置の製造方法において、前記容量配線層を形成する工程は、第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜を覆って保護する第2導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜および前記第2導電膜をパターニングして前記容量配線層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。この方法によれば、第1導電膜は第2導電膜により保護されているので、絶縁膜を研磨して平坦化する工程において、第1導電膜が損傷することを防止することができる。すなわち、少なくとも第1導電膜における導電性を確保して、電気的に不具合が生じない保持容量を形成できる。[適用例7]本適用例の他の電気光学装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝部を形成する工程と、前記溝部を埋めると共に、前記絶縁膜を覆って容量配線層を形成する工程と、前記容量配線層を研磨して、前記溝部において前記容量配線層を前記絶縁膜から露出させると共に、露出した前記容量配線層と前記絶縁膜の表面とを平坦化する工程と、露出した前記容量配線層および前記絶縁膜を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層を介して前記容量配線層と一部が重なるように画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。この方法によれば、絶縁膜に予め形成した溝部に容量配線層が形成される。したがって、絶縁膜を研磨する場合に比べて、容量配線層を研磨するほうが早い場合には、容量配線層と絶縁膜とを分離して、それぞれをいち早く露出させることができる。また、溝部は容量配線層によって埋められているので、容量配線層の表面と絶縁膜の表面とを平坦化するために、必要以上に容量配線層が研磨されてしまうことを防ぐことができる。[適用例8]上記適用例の電気光学装置の製造方法において、前記容量配線層を形成する工程は、第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜を覆って前記第1導電膜を保護する第2導電膜を形成する工程と、を含むことが好ましい。この方法によれば、第1導電膜は第2導電膜により保護されているので、容量配線層を研磨する工程において、第1導電膜が損傷することを防止することができる。すなわち、少なくとも第1導電膜における導電性を確保して、電気的に不具合が生じない保持容量を形成できる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。なお、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターThinFilmTransistor;TFTを画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図1および図2を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、同図bは同図aのH-H’線で切った概略断面図、図2は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図1aおよびbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10および対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10および対向基板20は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。素子基板10は対向基板20よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材40を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層50を構成している。シール材40は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。額縁状に配置されたシール材40の内側には、同じく額縁状に遮光膜21が設けられている。遮光膜21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜21の内側が複数の画素Pを有する表示領域Eとなっている。なお、図1では図示省略したが、表示領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光部が設けられている。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40の内側に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部のシール材40の内側には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。なお、検査回路103の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路101と表示領域Eとの間のシール材40の内側に沿った位置に設けてもよい。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた光透過性を有する画素電極15およびスイッチング素子としての薄膜トランジスターTFT;ThinFilmTransistor30と、信号配線と、これらを覆う配向膜18とが形成されている。また、TFT30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。対向基板20の液晶層50側の表面には、遮光膜21と、これを覆うように成膜された層間膜層22と、層間膜層22を覆うように設けられた共通電極23と、共通電極23を覆う配向膜24とが設けられている。遮光膜21は、図1aに示すように平面的にデータ線駆動回路101や走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮蔽して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。層間膜層22は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜21を覆うように設けられている。このような層間膜層22の形成方法としては、例えばプラズマCVD法などを用いて成膜する方法が挙げられる。共通電極23は、例えばITOなどの透明導電膜からなり、層間膜層22を覆うと共に、図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線に電気的に接続している。画素電極15を覆う配向膜18および共通電極23を覆う配向膜24は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、SiOx酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。図2に示すように、液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、データ線6a沿って平行するように配置された容量配線3bとを有する。走査線3aが延在する方向がX方向であり、データ線6aが延在する方向がY方向である。走査線3aとデータ線6aならびに容量配線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、2つの保持容量C1,C2とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された共通電極23との間で一定期間保持される。保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と共通電極23との間に形成される液晶容量と並列に保持容量C1,C2が接続されている。保持容量C1,C2は、TFT30のドレインと容量配線3bとの間に設けられている。詳しくは、後述するが、保持容量C1,C2は、隣り合って並行する2つの容量配線3bに誘電体層を介して画素電極15の一部が重なり合うことにより構成されている。一方の容量配線3bと画素電極15との間で保持容量C1が構成され、他方の容量配線3bと画素電極15との間で保持容量C2が構成されている。容量配線3bは、固定電位に接続されている。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6aが接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6aに供給するサンプリング回路、データ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は透過型であって、画素Pが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。次に、画素Pの平面的な配置と構造について、図3~図6を参照して説明する。図3は第1実施形態の液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図4aおよびbは第1実施形態の液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図5は図4のA-A’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図6は図4のB-B’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。図3に示すように、液晶装置100における画素Pは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、X方向とY方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。X方向に延在する非開口領域には、図2に示した走査線3aが設けられている。走査線3aは遮光性の導電部材が用いられており、走査線3aによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。同じく、Y方向に延在する非開口領域には、図2に示したデータ線6aと容量配線3bが設けられている。データ線6aおよび容量配線3bも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。非開口領域は、素子基板10側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板20側において格子状にパターニングされた遮光膜21によっても構成することができる。非開口領域の交差部付近には、図2に示したTFT30が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にTFT30を設けることにより、TFT30の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Pの構造については後述するが、交差部付近にTFT30を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。画素電極15は、格子状に設けられた非開口領域に対して外縁部が重なるように配置されている。図4aに示すように、画素PのTFT30は、走査線3aとデータ線6aの交差部に設けられている。TFT30は、ソース領域30sと、ドレイン領域30dと、チャネル領域30cと、ソース領域30sとチャネル領域30cとの間に設けられた接合領域30eと、チャネル領域30cとドレイン領域30dとの間に設けられた接合領域30fとを有するLDDLightlyDopedDrain構造の半導体層30aを有している。半導体層30aは上記交差部を通過して、走査線3aと重なるように配置されている。走査線3aはデータ線6aとの交差部において、X,Y方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域30fおよびドレイン領域30dと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極30gが設けられている。ゲート電極30gは、Y方向に延在した部分が平面的にチャネル領域30cと重なっている。また、チャネル領域30cと重なった部分から折り曲げられてX方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線3aの拡張部との間に設けられたコンタクトホールCNT5,CNT6によって、電気的に走査線3aと接続している。コンタクトホールCNT5,CNT6は、平面視でX方向が長い矩形状長方形であって、半導体層30aのチャネル領域30cと接合領域30fとに沿って接合領域30fを挟むように両側に設けられている。データ線6aは、Y方向に延在すると共に、走査線3aとの交差部において同じく平面視で四角形の拡張部を有し、当該拡張部からX方向に突出した部分に設けられたコンタクトホールCNT1によってソース領域30sと電気的に接続している。コンタクトホールCNT1を含む部分がソース電極31図5参照となっている。一方、ドレイン領域30dの端部には重なり合って接合された2つのコンタクトホールCNT2,CNT3が設けられており、コンタクトホールCNT2を含む部分がドレイン電極32図5参照となっている。コンタクトホールCNT2CNT3の近傍にコンタクトホールCNT4が設けられている。詳しくは後述するが、コンタクトホールCNT3とコンタクトホールCNT4とは、これらに重なるように設けられた中継層3cによって電気的に接続されている。画素電極15は、走査線3aやデータ線6aに対して外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線3aと重なる位置に設けられたコンタクトホールCNT4に接続されている。つまり、コンタクトホールCNT4と、中継層3cと、コンタクトホールCNT2,CNT3とを介してドレイン電極32に電気的に接続されている。図4bに示すように、容量配線3bは、平面的にデータ線6aと重なってY方向に延在すると共に、走査線3aとデータ線6aとの交差部に対応した位置に同じく四角形の拡張部を有している。画素電極15は並行する2つの容量配線3bに跨るように配置されており、一方の容量配線3bと平面的に重なった部分斜線で示す部分が保持容量C1として機能し、他方の容量配線3bと平面的に重なった部分斜線で示す部分が保持容量C2として機能している。2つの容量配線3bの間には、容量配線3bと同じ配線層に形成された平面視で四角形の中継層3cが設けられている。前述したように、この中継層3cと重なるようにコンタクトホールCNT4が設けられ画素電極15と接続されている。なお、図4bでは図示省略したが、他の画素Pにおいても同様に画素電極15が配置され、保持容量C1,C2が構成されている。次に、図5および図6を参照して、画素Pの構造について、さらに詳しく説明する。図5に示すように、素子基板10上には、まず走査線3aが形成される。走査線3aは、例えばAl、Ti、Cr、W、Ta、Moなどの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。走査線3aを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜11aが形成され、下地絶縁膜11a上に島状に半導体層30aが形成される。半導体層30aは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したソース領域30s、接合領域30e、チャネル領域30c、接合領域30f、ドレイン領域30dを有するLDD構造が形成されている。半導体層30aを覆うように第1絶縁膜ゲート絶縁膜11bが形成される。さらに第1絶縁膜11bを挟んでチャネル領域30cに対向する位置にゲート電極30gが形成される。ゲート電極30gと第1絶縁膜11bとを覆うようにして第2絶縁膜11cが形成され、半導体層30aのそれぞれの端部と重なる位置に第1絶縁膜11b、第2絶縁膜11cを貫通する2つのコンタクトホールCNT1,CNT2が形成される。そして、2つのコンタクトホールCNT1,CNT2を埋めると共に第2絶縁膜11cを覆うようにAlアルミニウムなどの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールCNT1を介してソース領域30sに繋がるソース電極31およびデータ線6aが形成される。同時にコンタクトホールCNT2を介してドイレイン領域30dに繋がるドレイン電極32が形成される。つまり、ソース電極31、データ線6a、ドレイン電極32は、同一導電層においてパターニングされたものである。データ線6aおよびドレイン電極32ならびに第2絶縁膜11cを覆うように層間絶縁膜12が形成される。層間絶縁膜12は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、TFT30が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理ChamicalMechanicalPolishing;CMP処理やスピンコート処理などが挙げられる。層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホールCNT3がドレイン電極32と重なる位置に形成され、このコンタクトホールCNT3を埋めるようにして遮光性を有する導電膜が成膜される。この導電膜をパターニングして、容量配線3bと、コンタクトホールCNT3を介してドレイン電極32と繋がる中継層3cとが形成される。詳しくは、後述するが、容量配線3bおよび中継層3cは、絶縁膜13に埋め込まれるように形成されており、その表面が層間絶縁膜12を覆う絶縁膜13の表面と面一となるように平坦化されている。また、容量配線3bや中継層3cを構成する上記遮光性の導電膜は、Alアルミニウムからなる第1導電膜と、第1導電膜を保護するTiN窒化チタンなどからなる第2導電膜との積層体が用いられている。次に、容量配線3bや中継層3cおよび絶縁膜13を覆うように誘電体膜が成膜され、誘電体膜のうち画素電極15と繋がるコンタクトホールCNT4と重なる部分を除くようにパターニングして誘電体層14が形成される。誘電体膜としては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウムHfO2、アルミナAl2O3、酸化タンタルTa2O5などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも2種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。続いて、誘電体層14を覆うようにITOやIZOなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングしてコンタクトホールCNT4を介して中継層3cと繋がる画素電極15が形成される。図6に示すように、誘電体層14上において、画素電極15は、隣り合って並行する2つの容量配線3bに外縁部が重なるようにパターニングされる。誘電体層14を介して2つの容量配線3bと重なった画素電極15の部分が保持容量C1,C2となる。容量配線3bの表面と絶縁膜13の表面とが面一となっているので、これを覆う誘電体層14が平坦な状態で形成され、誘電体層14上に形成された画素電極15の表面も平坦になっている。このような素子基板10の配線構造において、容量配線3bには、固定電位が与えられる。固定電位として、液晶装置100における駆動電圧Vddと基準電位Vssとの間の中間電位が与えられる。例えば、駆動電圧Vddの最大電位が15.5v、基準電位Vssが0vのとき、中間電位として6.5v±1v程度の範囲における電位が与えられる。なお、容量配線3bを上記固定電位に接続させる方法としては、例えば、容量配線3bを図1aに示した表示領域Eの外側の周辺領域まで引き出させて、上記固定電位を供給する配線に接続させる方法が挙げられる。<液晶装置の製造方法>次に、本実施形態の液晶装置の製造方法について、図7を参照して説明する。図7a~fは液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、素子基板10上における保持容量の形成方法を示すものであって、図6に示した断面図に相当するものである。素子基板10上における画素Pの構造は、前述したとおりであって、以降、層間絶縁膜12上における保持容量C1,C2を構成する容量配線3b、誘電体層14、画素電極15の形成方法について具体的に説明する。まず、図7aに示すように、層間絶縁膜12を覆って第1導電膜33と、第1導電膜33を保護する第2導電膜34を成膜する。第1導電膜33は、例えばAlアルミニウムからなり、厚みがおよそ500nmである。第2導電膜34は、Alに比べて酸化や腐食が起り難く、導電性を有するTiN窒化チタンなど、金属と窒素や酸素との化合物を採用することができる。第2導電膜34の厚みは、後の絶縁膜13の形成工程や絶縁膜13の研磨工程を考慮して、第1導電膜33と同程度のおよそ500nmとする。次に、図7bに示すように、積層された第1導電膜33と第2導電膜34とを例えばフォトリソグラフィー法によりパターニングして、互いに所定の間隔をおいて並行する容量配線層35を形成する容量配線層の形成工程。続いて、図7cに示すように、容量配線層35を覆う絶縁膜13を形成する。絶縁膜13は、シリコンの酸化物や窒化物を用いることができ、例えばプラズマCVD法により厚みが1000nm~1500nmとなるように成膜する。これによって、容量配線層35を十分に被覆することができる。容量配線層35を覆った絶縁膜13の表面には、凹凸が生じている。本実施形態では、SiO2を用いて絶縁膜13を形成した。次に、図7dに示すように、上記凹凸を無くし、かつ容量配線層35を露出させ、露出した容量配線層35の表面が周囲の絶縁膜13の表面13aと面一となるまで絶縁膜13を研磨して平坦化する絶縁膜の研磨工程。確実に面一とするため、絶縁膜13だけでなく、容量配線層35のうち第2導電膜34の厚みが500nmから100nm程度になるまで研磨を行った。したがって、研磨後の絶縁膜13および容量配線層35つまり容量配線3bの厚みはおよそ600nmである。絶縁膜13の研磨は、例えば薬品を用いた化学的研磨処理ChamicalMechanicalPolishing;CMP処理や研磨剤を用いた機械的研磨処理を採用することができる。次に、図7eに示すように、面一となった容量配線3bと絶縁膜13とを覆って誘電体膜を成膜する。これを前述したように、コンタクトホールCNT4に相当する部分だけエッチングして取り除いて、誘電体層14を形成する誘電体層の形成工程。誘電体膜としては、前述したように、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウムHfO2、アルミナAl2O3、酸化タンタルTa2O5などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも2種の単層膜を積層した多層膜を用いることができる。本実施形態では、屈折率nがおよそ1.7となるようにアルミナAl2O3と酸化ハウニュウムHfO2とをこの順に積層して、厚みを20nm~30nmとした。次に、図7fに示すように、誘電体層14上にITOやIZOなどの透明導電膜を例えば厚みが20nm~200nmの範囲となるよう成膜して、これをフォトリソグラフィー法でパターニングすることにより、並行する2つの容量配線3bと一部が重なる画素電極15を形成する。本実施形態では、屈折率nがおよそ1.9のITOを用いて画素電極15を形成した。これにより、SiO2からなる絶縁膜13の屈折率nがおよそ1.46であるため、絶縁膜13と画素電極15との間に、屈折率nが両者の中間的な値を示す誘電体層14が配置されたことになる。したがって、屈折率nが異なる膜に入射した光の膜界面における反射率が低減され、入射光が減衰し難いので、開口領域において所望の透過率を確保することができる。上記実施形態の液晶装置100およびその製造方法によれば、以下の効果が得られる。1容量配線3bは絶縁膜13に埋め込まれるように形成され、絶縁膜13の表面13aと容量配線3bの表面とが面一になるように平坦化されている。したがって、絶縁膜13や容量配線3bに対して誘電体層14を介して配置された画素電極15の表面には凹凸が生ぜず平坦になっている。したがって、該凹凸に起因する液晶分子の配向の乱れによる表示ムラが低減された液晶装置100を提供することができる。加えて、画素電極15は、隣り合って並行する2つの容量配線3bと外縁部が重なるように配置されて2つの保持容量C1,C2を構成している。保持容量C1,C2は、図3および図4bに示すように、非開口領域内に設けられているので、保持容量C1,C2を設けることに伴って開口領域が狭くならない。言い換えれば、所望の電気容量を有する保持容量C1,C2を実現しつつ、高い開口率を確保することができる。すなわち、表示ムラが低減され、優れた表示品質明るいを有する液晶装置100を実現または製造することができる。2容量配線層35は、第1導電膜33と、これを保護する第2導電膜34とからなる。それゆえに、容量配線層35を覆う絶縁膜13を研磨する工程では、容量配線層35と絶縁膜13の表面13aとが確実に面一となるように研磨しても、容量配線3bを構成する第1導電膜33が損傷することがない。したがって、第1導電膜33における電気特性が保たれるので、電気的に不具合のない保持容量C1,C2を得ることができる。第2実施形態<電子機器>図8は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図8に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光Rを反射させ、緑色光Gと青色光Bとを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光Gを反射させ、青色光Bを透過させる。ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光Rは、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光Gは、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光Bは、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報映像信号に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。このような投射型表示装置1000によれば、表示ムラが低減され、高い開口率を有する液晶装置100を液晶ライトバルブ1210,1220,1230として用いているので、高い表示品位が実現されている。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1上記実施形態において、容量配線層35と絶縁膜13の表面13aとが面一となるように平坦化する保持容量の形成方法は、これに限定されない。図9a~dは変形例の液晶装置の製造方法保持容量の形成方法を示す概略断面図である。例えば、まず、図9aに示すように、絶縁膜としての層間絶縁膜12の容量配線3bを形成する領域に溝部12aを形成する溝部の形成工程。溝部12aの形成は、図5に示したコンタクトホールCNT3を層間絶縁膜12に形成する工程で、例えばハーフトーンマスクなどを用い、層間絶縁膜12のエッチング深さがコンタクトホールCNT3よりも浅くなるようコントロールすれば、同一工程でコンタクトホールCNT3と溝12aとを形成することも可能である。続いて、溝部12aを埋めるように層間絶縁膜12を覆って第1導電膜33と、第2導電膜34とを積層して容量配線層35を形成する容量配線層の形成工程。次に、図9bに示すように、容量配線層35を研磨して、露出した層間絶縁膜12の表面12bと容量配線層35つまり容量配線3bの表面とが面一となるように平坦化する容量配線層の研磨工程。容量配線層35の研磨は、絶縁膜13の場合と同様に、例えば薬品を用いた化学的研磨処理ChamicalMechanicalPolishing;CMP処理や研磨剤を用いた機械的研磨処理を採用することができる。実際には、平坦化するために層間絶縁膜12もやや研磨される。次に、図9cに示すように、容量配線3bと層間絶縁膜12と覆って誘電体層14を形成する誘電体層の形成工程。そして、図9dに示すように、誘電体層14上にITOやIZOなどの透明導電膜を成膜して、これをフォトリソグラフィー法でパターニングすることにより、並行する2つの容量配線3bと一部が重なる画素電極15を形成する。このような変形例1の液晶装置の製造方法保持容量の形成方法によれば、層間絶縁膜12上に絶縁膜13を形成する工程が不要となる。また、容量配線層35を研磨する工程において、層間絶縁膜12の研磨速度に比べて、容量配線層35の研磨速度が早い場合には、容量配線層35からいち早く容量配線3bを露出させることができる。また、溝部12aは容量配線層35により埋められているので、層間絶縁膜12の表面12bに対して面一とするために、必要以上に容量配線層35が研磨されてしまうことを防ぐことができる。言い換えれば、容量配線層35を容量配線3bを形成するに必要な厚みに近づけて成膜することができるので、成膜時の無駄を省くことができる。上記実施形態の絶縁膜13を研磨する場合と比較しても、同様な効果を奏する。変形例2上記液晶装置における容量配線3bの構成は、これに限定されない。例えば、画素電極15のコンタクトホールCNT4を設ける部分を除いて、容量配線3bを走査線3aの延在方向X方向に配置することも可能である。また、容量配線3bを図3に示した非開口領域のように格子状に設けてもよい。これによれば、保持容量として機能する部分をさらに増やすことができる。変形例3上記液晶装置100における半導体層30aの配置は、これに限定されない。例えば、走査線3aとデータ線6aの交差部において、データ線6aに沿った方向に半導体層30aを配置したとしても、あるいは、交差部において半導体層30aを折り曲げた配置としても、本発明の保持容量の構造配置を適用することができる。変形例4上記液晶装置100が適用される電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUDヘッドアップディスプレイや直視型のHMDヘッドマウントディプレイ、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。変形例5上記素子基板10の保持容量C1,C2の構造を適用可能な電気光学装置は、上記液晶装置100に限定されない。例えば、トランジスターを備えたアティブ駆動型の電気光学装置であって、有機ELElectroLuminessence装置、電気泳動装置などの表示装置に適用することができる。有機EL装置に適用した場合には、画素電極の表面に凹凸が生じないので、画素電極上に形成される発光機能を有する機能層の膜厚を均一な状態にし易い。ゆえに、発光ムラを低減できる。電気泳動装置に適用した場合には、画素電極上における電気泳動層の層厚を均一にし易い。ゆえに、表示ムラを低減できる。"