"第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、をそれぞれが含み、互いに分離された複数のチップと、少なくとも1つの前記チップの前記p側電極と前記第2の面側で電気的に接続されたp側外部端子と、前記p側外部端子に対して離間し、少なくとも1つの前記チップの前記n側電極と前記第2の面側で電気的に接続されたn側外部端子と、前記p側外部端子と前記n側外部端子との間の中点を通り、かつ、前記p側外部端子と前記n側外部端子を結ぶ線および前記発光層に対して垂直な中心線と、前記半導体層の延長線との交差部に設けられ、前記半導体層よりも剛性の低い層と、を備え、前記中心線上に前記半導体層は設けられず、前記複数のチップの間に前記中心線が位置することを特徴とする半導体発光装置。前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアと、前記チップに対する反対側に形成された配線面とを有する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の前記配線面上に設けられ、前記第1のビアを通じて前記p側電極と電気的に接続され、前記p側外部端子を含むp側配線部と、前記配線面上に設けられ、前記第2のビアを通じて前記n側電極と電気的に接続され、前記n側外部端子を含むn側配線部と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記複数のチップの間に、前記半導体層よりも剛性の低い層として前記第1の絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記第1の絶縁層は、前記チップの前記第1の面から続く側面を覆っていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光装置。前記p側配線部と前記n側配線部との間に設けられた第2の絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記第2の絶縁層は、前記p側配線部の周囲及び前記n側配線部の周囲を覆っていることを特徴とする請求項5記載の半導体発光装置。前記第2の絶縁層は、樹脂であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体発光装置。前記配線面上に設けられ、隣り合う前記チップ間の前記p側電極と前記n側電極とを接続する配線層をさらに備えたことを特徴とする請求項2~7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側配線部は、前記第1のビア内及び前記配線面上に設けられたp側配線層と、前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚く、前記p側外部端子を含むp側金属ピラーと、を有し、前記n側配線部は、前記第2のビア内及び前記配線面上に設けられたn側配線層と、前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚く、前記n側外部端子を含むn側金属ピラーと、を有することを特徴とする請求項2~8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記n側配線層の面積は、前記n側電極の面積よりも広いことを特徴とする請求項9記載の半導体発光装置。前記p側配線部は、複数の前記第1のビアを介して、前記p側電極と接続されていることを特徴とする請求項2~10のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記p側外部端子は前記複数のチップを含む領域に広がり、前記n側外部端子は前記複数のチップを含む領域に広がっていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記複数のチップのそれぞれの上に、前記n側配線部または前記p側配線部が設けられていることを特徴とする請求項2~12のいずれか1つに記載の半導体発光装置。隣り合う前記p側配線部間の中点を通り、かつ、前記p側配線部間を結ぶ線および前記発光層に対して垂直な中心線上に前記半導体層は設けられず、前記複数のチップの間に前記中心線が位置することを特徴とする請求項13記載の半導体発光装置。前記p側電極上に設けられた無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に設けられた金属ピラーと、をさらに備え、前記金属ピラーは、前記p側外部端子及び前記n側外部端子と同じ面に設けられた外部端子を有することを特徴とする請求項1~12のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記複数のチップのそれぞれの上に、前記p側外部端子、前記n側外部端子および前記金属ピラーのいずれかが設けられていることを特徴とする請求項15記載の半導体発光装置。前記金属ピラーは複数設けられ、隣り合う前記金属ピラー間の中点を通り、かつ、前記金属ピラー間を結ぶ線および前記発光層に対して垂直な中心線上に前記半導体層は設けられず、前記複数のチップの間に前記中心線が位置することを特徴とする請求項16記載の半導体発光装置。第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、をそれぞれが含み、互いに分離された複数のチップと、前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアとを有する絶縁層と、前記絶縁層上における複数の前記チップを含む領域に広がって設けられ、前記第1のビアを通じて前記p側電極と電気的に接続されたp側配線層と、前記p側配線層に対して離間して、前記絶縁層上における複数の前記チップを含む領域に広がって設けられ、前記第2のビアを通じて前記n側電極と電気的に接続されたn側配線層と、前記p側配線層上における複数の前記チップを含む領域に、分割されずにひとつながりに設けられたp側外部端子と、前記n側配線層上における複数の前記チップを含む領域に、分割されずにひとつながりに設けられたn側外部端子と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。前記絶縁層は、前記p側電極と前記p側配線層との間に設けられ前記p側電極及び前記p側配線層に接し、且つ前記p側電極と前記n側配線層との間に設けられ前記p側電極及び前記n側配線層に接する無機絶縁膜を有することを特徴とする請求項18記載の半導体発光装置。実装面にパッドを有する実装基板と、前記p側外部端子及び前記n側外部端子を前記パッドに接合させて、前記実装面に実装された請求項1~19のいずれか1つに記載の半導体発光装置と、を備えたことを特徴とする発光モジュール。実施形態によれば、信頼性に優れた半導体発光装置及び発光モジュールを提供する。実施形態によれば、半導体発光装置は、互いに分離された複数のチップと、p側外部端子と、n側外部端子と、前記半導体層よりも剛性の低い層とを備えている。前記チップのそれぞれは、半導体層と、p側電極と、n側電極とを含む。前記半導体層は、第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む。前記p側電極は、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記n側電極は、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられている。前記p側外部端子は、少なくとも1つの前記チップの前記p側電極と前記第2の面側で電気的に接続されている。前記n側外部端子は、前記p側外部端子に対して離間し、少なくとも1つの前記チップの前記n側電極と前記第2の面側で電気的に接続されている。前記半導体層よりも剛性の低い層は、前記p側外部端子と前記n側外部端子との間の中点を通り、かつ、前記p側外部端子と前記n側外部端子を結ぶ線および前記発光層に対して垂直な中心線と、前記半導体層の延長線との交差部に設けられている。前記中心線上に前記半導体層は設けられず、前記複数のチップの間に前記中心線が位置する。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。第1実施形態図1aは、第1実施形態の半導体発光装置10aの模式断面図である。半導体発光装置10aは、複数のチップ3を含むマルチチップ構造を有する。複数のチップ3は、互いに分離されている。各チップ3は、半導体層15と、p側電極16と、n側電極17とを有する。半導体層15は、第1の面15aと、その反対側に形成された第2の面を有する。第2の面にp側電極16及びn側電極17が設けられ、その反対側の第1の面15aから主として光が外部に放出される。また、半導体層15は、第1の半導体層11と第2の半導体層12を有する。第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、例えば窒化ガリウムを含む。第1の半導体層11は、例えば下地バッファ層、n型層などを含み、n型層は電流の横方向経路として機能する。第2の半導体層12は、発光層活性層12aを、n型層とp型層とで挟んだ積層構造を有する。半導体層15の第2の面側は凹凸形状に加工されている。その第2の面側に形成された凸部は発光層12aを含む。その凸部の表面である第2の半導体層12の表面に、p側電極16が設けられている。すなわち、p側電極16は、発光層12aを有する領域に設けられている。半導体層15の第2の面側において凸部の横には、発光層12aを含む第2の半導体層12がない領域が設けられ、その領域の第1の半導体層11の表面に、n側電極17が設けられている。すなわち、n側電極17は、発光層12aを含まない領域に設けられている。半導体層15の第2の面において、発光層12aを含む領域の面積は、発光層12aを含まない領域の面積よりも広い。また、発光層12aを含む領域に設けられたp側電極16の方が、発光層12aを含まない領域に設けられたn側電極17よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。発光層12aを含む第2の半導体層12の側面には絶縁膜14が設けられている。また、絶縁膜14は、p側電極16とn側電極17との間に設けられ、それら電極16、17間を絶縁している。絶縁膜14は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶縁膜である。チップ3の第2の面側は、第1の絶縁層以下、単に絶縁層と言う18で覆われている。第1の面15aは、絶縁層18で覆われていない。また、絶縁層18は、チップ3とチップ3との間に充填され、チップ3の側面を覆っている。半導体層15における第1の面15aから続く側面は、絶縁層18で覆われている。チップ3とチップ3との間に充填された絶縁層18の表面図1aにおいて下面は、第1の面15aとほぼ面一である。絶縁層18は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層18としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。絶縁層18には、p側電極16に達する第1のビア18aと、n側電極17に達する第2のビア18bが形成されている。また、絶縁層18は、チップ3に対する反対側に配線面18cを有する。その配線面18c上には、p側配線層21とn側配線層22とが互いに離間して設けられている。p側配線層21は、図1aにおいて例えば右側のチップ3上に設けられている。n側配線層22は、図1aにおいて例えば左側のチップ3上に設けられている。第1のビア18aの内壁及びその付近の配線面18cの表面には、金属膜19が形成されている。p側配線層21は、後述するように、金属膜19をシードメタルとしたメッキ法により形成される。したがって、p側配線層21は、金属膜19を介して第1のビア18a内に設けられ、その第1のビア18a内に設けられた部分を通じてp側電極16と電気的に接続されている。p側配線層21は、金属膜19よりも厚い。p側配線層21は、図1aにおいて例えば右側のチップ3のp側電極16上に広がっている。第2のビア18bの内壁及び図1aにおける左側のチップ3上の配線面18cの表面には、金属膜19が形成されている。n側配線層22は、後述するように、金属膜19をシードメタルとしたメッキ法により形成される。したがって、n側配線層22は、金属膜19を介して第2のビア18b内に設けられ、その第2のビア18b内に設けられた部分を通じてn側電極17と電気的に接続されている。n側配線層22は、金属膜19よりも厚い。n側配線層22は、図1aにおいて例えば左側のチップ3上に広がっている。また、p側配線層21とn側配線層22との間の配線面18c上には配線層20が設けられている。配線層20も、下地の金属膜19をシードメタルとしたメッキ法により形成される。配線層20は、図1aにおいて左側のチップ3のp側電極16に通じる第1のビア18a及びその内壁に形成された金属膜19を介して、図1aにおいて左側のチップ3のp側電極16と電気的に接続されている。また、配線層20は、図1aにおいて右側のチップ3のn側電極17に通じる第2のビア18b及びその内壁に形成された金属膜19を介して、図1aにおいて右側のチップ3のn側電極17と電気的に接続されている。したがって、図1aに示される隣り合う2つのチップ3は、配線層20を介して直列に接続されている。配線層20は、金属膜19よりも厚い。配線層20は、隣り合うチップ3間の配線面18c上に広がっている。p側配線層21、n側配線層22及び配線層20のそれぞれの下に形成された金属膜19は、配線面18c上で互いに分離されている。p側配線層21においてチップ3に対する反対側の面上には、p側金属ピラー23が設けられている。p側配線層21、その下地である金属膜19およびp側金属ピラー23は、本実施形態におけるp側配線部を構成する。n側配線層22においてチップ3に対する反対側の面上には、n側金属ピラー24が設けられている。n側配線層22、その下地である金属膜19およびn側金属ピラー24は、本実施形態におけるn側配線部を構成する。p側金属ピラー23はp側配線層21よりも厚く、n側金属ピラー24はn側配線層22よりも厚い。図1aにおいて例えば右側のチップ3上にp側金属ピラー23が設けられ、例えば左側のチップ3上にn側金属ピラー24が設けられている。絶縁層18の配線面18cには、第2の絶縁層として樹脂層25が設けられている。樹脂層25は、p側配線層21、n側配線層22及び配線層20を覆っている。また、樹脂層25は、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24との間に充填されている。樹脂層25は、p側金属ピラー23の側面及びn側金属ピラー24の側面を覆っている。p側金属ピラー23におけるp側配線層21に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、p側外部端子23aとして機能する。n側金属ピラー24におけるn側配線層22に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、n側外部端子24aとして機能する。すなわち、p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、半導体層15の第2の面を挟んで第1の面15aの反対側で露出されている。図1bは、半導体発光装置10aの実装面側の模式平面図を表す。図1a及びbにおける1点鎖線は、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の中点を通る中心線cを表す。すなわち、中心線cは、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の部分を、それら端子23a、24a間を結ぶ方向に2等分する。また、中心線cは、p側外部端子23aとn側外部端子24aとを結ぶ線および発光層12aの発光面に対して垂直である。本実施形態では、その中心線cが隣り合うチップ3の間に位置し、中心線c上に半導体層15は設けられていない。また、図1bに示すように、1つのチップ3に対応して設けられる金属ピラーは1つであり、1つのチップ3上に複数の金属ピラーがレイアウトされない。したがって、隣り合う金属ピラー間の中心線c上に半導体層15は存在しない。後述するように、半導体層15は、半導体層15のエピタキシャル成長に適した基板上に形成されるが、その基板は第1の面15a上から除去される。このため、半導体発光装置10aを低背化できる。第1の面15a上およびチップ3間の絶縁層18上には、発光層12aからの放出光に対して透明な透明体として蛍光体層27が設けられている。あるいは、上記透明体としてレンズを設けてもよい。蛍光体層27は、透明樹脂と、透明樹脂に分散された蛍光体粒子とを含む。蛍光体粒子は、発光層12aからの放出光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため、半導体発光装置10aは、発光層12aからの光と、蛍光体層27における波長変換光との混合光を放出可能である。例えば、発光層12aがGaN系材料、蛍光体粒子が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、発光層12aからの青色光と、蛍光体層27における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層27は、複数種の蛍光体粒子例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体粒子と、緑色光を発光する緑色蛍光体粒子を含む構成であってもよい。図2は、第1実施形態の半導体発光装置10aを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。実装基板100上に実装される半導体発光装置10aの数は任意であり、単数でも複数でもよい。また、複数の半導体発光装置10aが、ある一方向に沿って配列されて線状光源を構成してもよい。半導体発光装置10aのp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装基板100の表面実装面に形成されたパッド101に対してはんだ102を介して接合される。実装基板100の実装面には配線パターンも形成されており、パッド101はその配線パターンに接続されている。なお、はんだ102の代わりに、はんだ以外の他の金属を用いてもよい。第1の面15aは実装面の反対側図2において上方を向き、光は主に実装面の反対側図2において上方に放出される。本実施形態では、半導体発光装置10aを実装基板100に実装した状態で、実装基板100側からチップ3に加わる応力を、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24及び樹脂層25が吸収することで緩和することができる。特に樹脂層25は、金属に比べて柔軟性があり、高い応力緩和効果が得られる。また、半導体発光装置10aが実装基板100に実装された状態では、半導体層15と実装基板100との間の熱膨張係数の違いが問題となりうる。例えば、GaN層の面方向の熱膨張係数は5.59ppm/°C、GaN層の膜厚方向の熱膨張係数は3.17ppm/°C、ガラス布/ガラス不織布コンポジットエポキシ樹脂積層板CEM3:Compositeepoxymaterial3の熱膨張係数は16ppm/°C、アルミニウム基板の熱膨張係数は23ppm/°C、AlN基板の熱膨張係数は4.5ppm/°Cである。半導体層15と実装基板100との間の熱膨張係数の違いは、はんだ102及びパッド101によって実装基板100に拘束されたp側外部端子23aとn側外部端子24aとを互いに離間させるような応力を生じさせうる。したがって、半導体発光装置10aにおいてp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の前述した中心線c付近に引張応力が集中しやすく、そこに半導体層15が存在すると、半導体層15にクラックが生じる懸念がある。本実施形態では、上記応力が作用しやすいp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の中心線c上に半導体層15は存在しない。したがって、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。上記中心線cと、半導体層15の面方向の延長線との交差部に、半導体層15よりも剛性の低い層として絶縁層18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂層である。すなわち、上記応力が集中しやすいp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の中心線c付近には、樹脂層25及び樹脂からなる絶縁層18が設けられている。すなわち、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂が応力の集中しやすい部分に設けられているため、その樹脂が上記応力を吸収し、高い応力緩和効果を得ることができる。この結果、チップ3の信頼性を高めることができる。第1の半導体層11は、n側電極17及びn側配線層22を介して、n側外部端子24aを含むn側金属ピラー24と電気的に接続されている。発光層12aを含む第2の半導体層12は、p側電極16及びp側配線層21を介して、p側外部端子23aを含むp側金属ピラー23と電気的に接続されている。また、複数のチップ3間は配線層20によって直列に接続されている。すなわち、複数のチップ3は、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの間に直列接続されている。あるいは、複数のチップ3は、p側外部端子23aとn側外部端子24aとの間に並列接続されていてもよい。p側配線層21の面積が広いほど、発光層12aを含む第2の半導体層12に対して、より均一な分布で電流を供給することが可能となり、さらに、発光層12aの熱を効率的に逃がすことも可能となる。p側電極16は、発光層12aを含む発光領域に広がっている。したがって、複数の第1のビア18aを介してp側配線層21とp側電極16とを接続することで、発光層12aへの電流分布が向上し、且つ発光層12aの熱の放熱性も向上できる。n側配線層22の面積は、n側電極17の面積よりも広い。また、絶縁層18上に広がるn側配線層22の面積は、n側配線層22が第2のビア18bでn側電極17と接続する面積よりも大きい。n側電極17よりも広い領域にわたって形成された発光層12aによって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層12aを含まず、発光領域よりも狭い領域に設けられたn側電極17が、これよりも面積の大きなn側配線層22として実装面側に配置し直された構造を実現できる。p側配線層21とp側金属ピラー23とが接触する面積は、p側配線層21とp側電極16とが接触する面積より大きい場合もあるし、小さい場合もある。p側金属ピラー23、n側金属ピラー24、樹脂層25のそれぞれの厚さは、半導体層15よりも厚く、さらにはチップ3よりも厚い。したがって、半導体層15を形成するために使用した後述する基板がなくても、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24および樹脂層25を含む支持体によって、半導体層15を安定して支持し、半導体発光装置10aの機械的強度を高めることができる。なお、各金属ピラー23、24のアスペクト比平面サイズに対する厚みの比は1以上であることに限らず、その比は1よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー23、24は、その平面サイズよりも厚さが小さくてもよい。p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23およびn側金属ピラー24の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。樹脂層25は、実装基板100と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層25として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。次に、図3a~図5bを参照して、半導体発光装置10aの製造方法について説明する。図3aは、基板5の主面上に、第1の半導体層11及び第2の半導体層12を形成した積層体を示す。基板5の主面上に第1の半導体層11が形成され、その上に発光層12aを含む第2の半導体層12が形成される。窒化ガリウムを含む第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、例えばサファイア基板上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法で結晶成長させることができる。第1の半導体層11は、下地バッファ層、n型GaN層を含む。第2の半導体層12は、発光層活性層12a、p型GaN層を含む。発光層12aは、青、紫、青紫、紫外光などを発光するものを用いることができる。第1の半導体層11における基板5に接する面が、半導体層15の第1の面15aであり、その反対側の第2の半導体層12の表面が半導体層15の第2の面15bである。基板5上に半導体層15を形成した後、図示しないレジストを用いた例えばRIEReactiveIonEtching法で、図3bに示すように、第2の半導体層12の一部を除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。第1の半導体層11が露出された領域は、発光層12aを含まない。次に、図4aに示すように、第2の半導体12の表面上にp側電極16を、第1の半導体層11の表面上にn側電極17を形成する。p側電極16及びn側電極17は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。p側電極16とn側電極17は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。各電極16、17と半導体層11、12とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。p側電極16及びn側電極17が形成されていない半導体層15の第2の面は絶縁膜14で覆われる。絶縁膜14は、発光層12aを含む第2の半導体層12の側面を覆って保護する。次に、図示しないレジストをマスクに用いた例えばRIE法で、絶縁膜14及び第1の半導体層11を選択的に除去し、基板5に達する溝2を形成する。溝2は、ウェーハ状態の基板5上で例えば格子状の平面レイアウトで形成される。溝2によって、半導体層15は基板5上で複数のチップ3に分離される。なお、半導体層15を複数に分離する工程は、電極16、17を形成する前に行ってもよい。次に、基板5上のすべての露出部を、図4bに示す絶縁層18で覆う。絶縁層18は、p側電極16上及びn側電極17上に設けられる。また、絶縁層18は、溝2内にも設けられ、第1の面15aから続く第1の半導体層11の側面を覆う。次に、絶縁層18を選択的にエッチングし、絶縁層18に第1のビア18aと第2のビア18bを形成する。第1のビア18aはp側電極16に達する。第2のビア18bはn側電極17に達する。また、絶縁層18における、チップ3に対する反対側の面は、後述する配線層が形成される配線面18cとなる。次に、配線面18c、第1のビア18aの内壁及び第2のビア18bの内壁に、金属膜19を形成する。金属膜19は、後述するメッキのシードメタルとして使われる。金属膜19は、第1のビア18aの底部で露出しているp側電極16の表面と、第2のビア18bの底部で露出しているn側電極17の表面にも形成される。金属膜19は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜19は、例えば、下層側から順に形成されたチタンTiと銅Cuとの積層膜を含む。次に、図5aに示すように、金属膜19上に選択的にレジスト41を形成し、金属膜19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、金属膜19上に、p側配線層21、n側配線層22及び配線層20が選択的に形成される。p側配線層21は、図5aにおいて右側のチップ3の複数の第1のビア18a内にも形成され、金属膜19を介して右側のチップ3のp側電極16と電気的に接続される。n側配線層22は、図5aにおいて左側のチップ3の第2のビア18b内にも形成され、金属膜19を介して左側のチップ3のn側電極17と電気的に接続される。配線層20は、p側配線層21とn側配線層22との間の配線面18c上に形成される。また、配線層20は、図5aにおいて左側のチップ3の第1のビア18a内にも形成され、金属膜19を介して左側のチップ3のp側電極16と電気的に接続される。さらに、配線層20は、図5aにおいて右側のチップ3の第2のビア18b内にも形成され、金属膜19を介して右側のチップ3のn側電極17と電気的に接続される。次に、図5bに示すように、配線面18c上にレジスト42を形成する。レジスト42には、p側配線層21に通じる第1の開口42aと、n側配線層22に通じる第2の開口42bが選択的に形成されている。そして、レジスト42をマスクに用いて、金属膜19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が形成される。p側金属ピラー23はp側配線層21上に形成される。n側金属ピラー24はn側配線層22上に形成される。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を形成した後、レジスト42は除去される。その後、金属膜19の露出部を除去する。これにより、p側配線層21、n側配線層22および配線層20間でつながっていた金属膜19が、図1aに示すように分断される。次に、配線層間、および金属ピラー間を充填する樹脂層25図1aに示すを形成する。樹脂層25は、絶縁性を有する。また、樹脂層25に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層12aからの放出光に対して遮光性を与えてもよい。また、樹脂層25に、発光層12aからの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。p側金属ピラー23、n側金属ピラー24及び樹脂層25を含む支持体にチップ3が支持された状態で、半導体層15の形成に使った基板5は例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。基板5の裏面側から第1の半導体層11に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板5に対して透過性を有し、第1の半導体層11に対しては吸収領域となる波長を有する。レーザ光が基板5と第1の半導体層11との界面に到達すると、その界面付近の第1の半導体層11はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えばGaN系材料の第1の半導体層11はガリウムGaと窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板5と第1の半導体層11との間に微小な隙間が形成され、基板5と第1の半導体層11とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板5を除去する。半導体層15は、これよりも厚い支持体によって支持されているため、基板5がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。また、樹脂層25も、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を構成する金属も、半導体層15に比べて柔軟な材料である。そのため、基板5上に半導体層15を形成するエピタキシャル成長で発生した大きな内部応力が、基板5の剥離時に一気に開放されても、デバイスが破壊されることを回避できる。基板5を除去した後、第1の面15aは洗浄、また必要に応じて凹凸を形成するフロスト処理が行われる。第1の面15aに微小凹凸を形成することで、光取り出し効率を向上できる。その後、第1の面15a上に蛍光体層27図1aに示すを形成する。蛍光体層27を形成する工程は、例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第1の面15a上に供給する工程と、それを熱硬化させる工程とを有する。蛍光体層27を形成した後、ダイシング領域でウェーハを切断して、複数の半導体発光装置10aに個片化する。このとき、硬い基板5はすでに除去されているので、基板5は切断しなくてもよく、個片化が容易になる。また、ダイシング領域には、半導体層15を含むチップ3が形成されておらず、樹脂層25及び絶縁層18が設けられている。すなわち、ダイシング領域には半導体層15は存在しないため、ダイシング時に半導体層15が受けるダメージを回避することができる。また、ダイシング領域には、配線層及び金属ピラーも存在しない。ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、外部端子を含む配線部の形成及び絶縁材によるチップの保護を行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、図1aに示すように、すでにチップ3の側面が絶縁膜14及び絶縁層18で覆われて保護されている。この結果、生産性を高めることができ、価格低減が容易となる。第2実施形態図6は、第2実施形態の半導体発光装置10bの模式断面図である。図7は、第2実施形態の半導体発光装置10bを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。本実施形態の半導体発光装置10bも、複数のチップ3を含むマルチチップ構造を有する。図6に示す断面には、例えば4つのチップ3が示されるが、チップ3の数はこれに限らず、任意である。それぞれのチップ3の構成は、前述した第1実施形態と同じである。第1実施形態と同様、各チップ3の第2の面側および各チップ3間には、絶縁層18が設けられている。絶縁層18には、p側電極16に達する第1のビア18aと、n側電極17に達する第2のビア18bが形成されている。絶縁層18上には、配線層20a、20b、20cが互いに離間して形成されている。配線層20a、20b、20cは、例えばメッキ法により同時に形成される。そのメッキのときのシードメタルとして使った金属膜の図示は図6では省略している。配線層20aは、図6において左端のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左端のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20aは、図6において左から2番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20bは、図6において左から2番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20bは、図6において左から3番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20cは、図6において左から3番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20cは、図6において右端のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その右端のチップ3のn側電極17と接続されている。したがって、複数のチップ3は、配線層20a、20b、20cによって直列に接続されている。絶縁層18上には、配線層20a、20b、20cを覆うように、絶縁層31が設けられている。絶縁層31は、絶縁層18と同じ材料を用いることができる。例えば、絶縁層31としてポリイミド等の樹脂を用いることができる。絶縁層31上には、p側配線層34とn側配線層35とが互いに離間して形成されている。p側配線層34及びn側配線層35は、例えばメッキ法により同時に形成される。そのメッキのときのシードメタルとして使った金属膜の図示は図6では省略している。p側配線層34は、絶縁層31及び絶縁層18を貫通して図6において右端のチップ3のp側電極16に達する複数のビア33aを介して、その右端のチップ3のp側電極16と接続されている。n側配線層35は、絶縁層31及び絶縁層18を貫通して図6において左端のチップ3のn側電極17に達するビア33bを介して、その左端のチップ3のn側電極17と接続されている。p側配線層34においてチップ3に対する反対側の面上には、p側金属ピラー36が設けられている。p側配線層34及びp側金属ピラー36は、本実施形態におけるp側配線部を構成する。p側金属ピラー36はp側配線層34よりも厚い。n側配線層35においてチップ3に対する反対側の面上には、n側金属ピラー37が設けられている。n側配線層35及びn側金属ピラー37は、本実施形態におけるn側配線部を構成する。n側金属ピラー37はn側配線層35よりも厚い。絶縁層31上には、本実施形態における第2の絶縁層として樹脂層32が設けられている。樹脂層32は、p側配線層34とn側配線層35との間、およびp側金属ピラー36とn側金属ピラー37との間に充填されている。樹脂層32は、p側配線層34の側面、n側配線層35の側面、p側金属ピラー36の側面及びn側金属ピラー37の側面を覆っている。p側金属ピラー36におけるp側配線層34に対する反対側の面は、樹脂層32で覆われずに露出され、p側外部端子36aとして機能する。n側金属ピラー37におけるn側配線層35に対する反対側の面は、樹脂層32で覆われずに露出され、n側外部端子37aとして機能する。p側配線層34及びn側配線層35のそれぞれは、複数のチップ3を含む領域上に広がっている。例えば、p側配線層34は図6において右の2つのチップ3を含む領域上に広がり、n側配線層35は図6において左の2つのチップ3を含む領域上に広がっている。p側配線層34上に設けられたp側金属ピラー36も、複数のチップ3を含む領域上に広がっている。したがって、p側外部端子36aも複数のチップ3を含む領域上に広がっている。例えば、p側外部端子36aは図6において右の2つのチップ3を含む領域上に広がっている。n側配線層35上に設けられたn側金属ピラー37も、複数のチップ3を含む領域上に広がっている。したがって、n側外部端子37aも複数のチップ3を含む領域上に広がっている。例えば、n側外部端子37aは図6において左の2つのチップ3を含む領域上に広がっている。図6において1点鎖線は、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中点を通る中心線cを表す。中心線cは、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の部分を、それら端子36a、37a間を結ぶ方向に2等分する。また、中心線cは、p側外部端子36aとn側外部端子37aとを結ぶ線および発光層12aの発光面に対して垂直である。その中心線cはチップ3間に位置する。図6に示す例では、真ん中の2つのチップ3の間に中心線cが位置する。中心線c上に半導体層15は設けられていない。図7に示されるように、半導体発光装置10bのp側外部端子36a及びn側外部端子37aは、それぞれ、実装基板100の表面実装面に形成されたパッド101に対してはんだ102を介して接合される。第1の面15aは実装面の反対側図7において上方を向き、光は主に実装面の反対側図7において上方に放出される。本実施形態においても、半導体発光装置10bを実装基板100に実装した状態で、実装基板100側からチップ3に加わる応力を、p側金属ピラー36、n側金属ピラー37及び樹脂層32が吸収することで緩和することができる。また、本実施形態においても、第1実施形態で説明した前述した引張応力が集中しやすいp側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中心線c上に半導体層15は存在しない。したがって、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。上記中心線cと、半導体層15の面方向の延長線との交差部に、半導体層15よりも剛性の低い層として絶縁層18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂層である。すなわち、上記応力が集中しやすいp側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中心線c付近には、樹脂層32と、いずれも樹脂からなる絶縁層31及び18が設けられている。すなわち、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂が応力の集中しやすい部分に設けられているため、その樹脂が上記応力を吸収し、高い応力緩和効果を得ることができる。この結果、チップ3の信頼性を高めることができる。また、本実施形態では、p側配線層34及びn側配線層35を、チップ3間を接続する配線層20a~20cと同じレイヤーではなく、それら配線層20a~20cの上のレイヤーに形成している。そのため、p側配線層34及びn側配線層35を、複数のチップ3を含む広い領域にわたって形成することができる。この結果、p側配線層34及びn側配線層35のそれぞれの上に設けられるp側金属ピラー36及びn側金属ピラー37の平面サイズを大きくできる。したがって、p側外部端子36a及びn側外部端子37aの面積を広くできる。これにより、p側外部端子36a及びn側外部端子37aを通じた、発光層12aの熱の実装基板100側への放熱性を高くできる。さらに、p側外部端子36a及びn側外部端子37aと、パッド101との接合強度が高まり、信頼性が増す。図6において左端のチップ3の第1の半導体層11は、n側電極17及びn側配線層35を介してn側金属ピラー37と電気的に接続されている。図6において右端のチップ3の第2の半導体層12は、p側電極16及びp側配線層34を介してp側金属ピラー36と電気的に接続されている。そして、複数のチップ3は、p側配線層34、n側配線層35および配線層20a~20cによって、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間に直列接続されている。あるいは、複数のチップ3は、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間に並列接続されていてもよい。複数のチップ3を含む領域上で広い面積で広がるp側配線層34を、複数のビア33aを介してp側電極16と接続させることで、発光層12aへの電流分布が向上し、且つ発光層12aの熱の放熱性も向上できる。n側配線層35の面積は、n側電極17の面積よりも広い。また、絶縁層31上に広がるn側配線層35の面積は、n側配線層35がビア33bでn側電極17と接続する面積よりも大きい。発光層12aを含まず、発光領域よりも狭い領域に設けられたn側電極17が、これよりも面積の大きなn側配線層35として実装面側に配置し直された構造となっている。p側金属ピラー36、n側金属ピラー37、樹脂層32のそれぞれの厚さは、半導体層15よりも厚く、さらにはチップ3よりも厚い。したがって、半導体層15を形成するために使用した基板がなくても、p側金属ピラー36、n側金属ピラー37および樹脂層32を含む支持体によって、半導体層15を安定して支持し、半導体発光装置10bの機械的強度を高めることができる。p側配線層34、n側配線層35、配線層20a~20c、p側金属ピラー36およびn側金属ピラー37の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。樹脂層32は、実装基板100と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層25として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。第3実施形態図8は、第3実施形態の半導体発光装置10cの模式断面図である。本実施形態の半導体発光装置10cも、複数のチップ3を含むマルチチップ構造を有する。図8に示す断面には、例えば4つのチップ3が示されるが、チップ3の数はこれに限らず、任意である。それぞれのチップ3の構成は、前述した第1実施形態と同じである。第1実施形態と同様、各チップ3の第2の面側および各チップ3間には、絶縁層18が設けられている。絶縁層18には、p側電極16に達する第1のビア18aと、n側電極17に達する第2のビア18bが形成されている。絶縁層18上には、p側配線層21、n側配線層22、配線層20a、20b、20cが互いに離間して形成されている。これら配線層は、例えばメッキ法により同時に形成される。そのメッキのときのシードメタルとして使った金属膜の図示は図8では省略している。p側配線層21は、図8において右端のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その右端のチップ3のp側電極16と接続されている。また、p側配線層21は、図8において右から2番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その右から2番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、p側配線層21は、図8において左から2番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のp側電極16と接続されている。n側配線層22は、図8において左端のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左端のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20aは、図8において左端のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左端のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20aは、図8において左から2番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20bは、図8において左から2番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20bは、図8において左から3番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20cは、図8において左から3番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20cは、図8において右端のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その右端のチップ3のn側電極17と接続されている。したがって、複数のチップ3は、配線層20a、20b、20cによって直列に接続されている。p側配線層21においてチップ3に対する反対側の面上には、p側金属ピラー23が設けられている。本実施形態では、p側配線層21及びp側金属ピラー23は、複数のチップ3のそれぞれに対応して設けられている。n側配線層22においてチップ3に対する反対側の面上には、n側金属ピラー24が設けられている。絶縁層18上には、樹脂層25が設けられている。樹脂層25は、p側配線層21、n側配線層22、配線層20a、20b、20cを覆っている。また、樹脂層25は、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24との間、および隣り合うp側金属ピラー23間に充填されている。樹脂層25は、p側金属ピラー23の側面及びn側金属ピラー24の側面を覆っている。p側金属ピラー23におけるp側配線層21に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、p側外部端子23aとして機能する。n側金属ピラー24におけるn側配線層22に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、n側外部端子24aとして機能する。図8において1点鎖線は、隣り合う金属ピラー外部端子間の部分を、隣り合う金属ピラー外部端子間を結ぶ方向に2等分する中心線cを表す。また、中心線cは、隣り合う金属ピラー間を結ぶ線および発光層12aの発光面に対して垂直である。その中心線cはチップ3間に位置する。中心線c上に半導体層15は設けられていない。p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、前述した実装基板100の表面実装面に形成されたパッド101に対してはんだ102を介して接合される。本実施形態においても、半導体発光装置10cを実装基板100に実装した状態で、実装基板100側からチップ3に加わる応力を、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24及び樹脂層25が吸収することで緩和することができる。また、すべてのチップ3上に金属ピラーが設けられているため、各チップ3のそれぞれに対して金属ピラーによる応力緩和効果を与えることができる。また、本実施形態においても、第1実施形態で説明した前述した引張応力が集中しやすいp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の中心線c上に半導体層15は存在しない。したがって、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。さらに、複数のp側外部端子23aにおける隣り合うp側外部端子23a間の中心線c上にも半導体層15は存在しないため、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。上記中心線cと、半導体層15の面方向の延長線との交差部に、半導体層15よりも剛性の低い層として絶縁層18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂層である。すなわち、上記応力が集中しやすい中心線c付近には、樹脂層25および樹脂からなる絶縁層18が設けられている。すなわち、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂が応力の集中しやすい部分に設けられているため、その樹脂が上記応力を吸収し、高い応力緩和効果を得ることができる。この結果、チップ3の信頼性を高めることができる。図8において左端のチップ3の第1の半導体層11は、n側電極17及びn側配線層22を介してn側金属ピラー24と電気的に接続されている。図8において左端以外の3つのチップ3のそれぞれの第2の半導体層12は、p側電極16及びp側配線層21を介してp側金属ピラー23と電気的に接続されている。n側外部端子24aは、複数のチップ3のうちの少なくとも1つのチップ3のn側電極17と接続されればよい。p側外部端子23aも、複数のチップ3のうちの少なくとも1つのチップ3のp側電極16と接続されればよい。本実施形態のように、p側配線部p側配線層21及びp側金属ピラー23を複数のチップ3上に設けることで、放熱性および実装の安定性を向上できる。すなわち、発光領域の熱を、発光領域上に設けられたp側電極16、p側配線層21及びp側金属ピラー23を通じて、実装基板側に逃がす放熱経路を増やすことができる。本実施形態では、すべてのチップ3の発光領域上に金属ピラーが設けられている。したがって、各チップ3の発光領域の熱を、その発光領域上に設けられた金属ピラーを通じて、実装基板側に逃がすことができる。また、複数のp側外部端子23aによって、半導体発光装置10cと実装基板との接合面積を広く確保でき、接合強度を向上できる。第4実施形態図9は、第4実施形態の半導体発光装置10dの模式断面図である。本実施形態の半導体発光装置10dも、複数のチップ3を含むマルチチップ構造を有する。図9に示す断面には、例えば4つのチップ3が示されるが、チップ3の数はこれに限らず、任意である。それぞれのチップ3の構成は、前述した第1実施形態と同じである。本実施形態においても、第1実施形態と同様、各チップ3の第2の面側および各チップ3間に絶縁層18が設けられている。絶縁層18には、p側電極16に達する第1のビア18aと、n側電極17に達する第2のビア18bが形成されている。また、本実施形態では、p側電極16上に無機絶縁膜61が設けられている。無機絶縁膜61は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜である。第1のビア18aは、絶縁層18及び無機絶縁膜61を貫通して、p側電極16に達する。絶縁層18上には、p側配線層21、n側配線層22、配線層62、20a、20b、20cが互いに離間して形成されている。これら配線層は、例えばメッキ法により同時に形成される。そのメッキのときのシードメタルとして使った金属膜の図示は図9では省略している。p側配線層21は、図9において右端のチップ3上の絶縁層18及び無機絶縁膜61を貫通する第1のビア18aを通じて、その右端のチップ3のp側電極16と接続されている。n側配線層22は、図9において左端のチップ3の第2のビア18b内に設けられ、その左端のチップ3のn側電極17と接続されている。また、n側配線層22は、左端のチップ3の無機絶縁膜61上に広がっている。そのn側配線層22と、左端のチップ3のp側電極16との間には無機絶縁膜61が介在しているため、左端のチップ3におけるn側配線層22とp側電極16との間は絶縁されている。図9において真ん中の2つのチップ3のそれぞれの無機絶縁膜61上には、配線層62が設けられている。配線層62とp側電極16との間には無機絶縁膜61が介在しているため、配線層62とp側電極16との間は絶縁されている。配線層20aは、図9において左端のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左端のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20aは、図9において左から2番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20bは、図9において左から2番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から2番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20bは、図9において左から3番目のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のn側電極17と接続されている。配線層20cは、図9において左から3番目のチップ3の第1のビア18a内にも設けられ、その左から3番目のチップ3のp側電極16と接続されている。また、配線層20cは、図9において右端のチップ3の第2のビア18b内にも設けられ、その右端のチップ3のn側電極17と接続されている。したがって、複数のチップ3は、配線層20a、20b、20cによって直列に接続されている。p側配線層21においてチップ3に対する反対側の面上には、p側金属ピラー23が設けられている。n側配線層22においてチップ3に対する反対側の面上には、n側金属ピラー24が設けられている。配線層62においてチップ3に対する反対側の面上には、金属ピラー63が設けられている。金属ピラー63は、電気的にフローティングである。絶縁層18上には、樹脂層25が設けられている。樹脂層25は、配線層20a、20b、20cを覆っている。また、樹脂層25は、隣り合う金属ピラー間に充填され、各金属ピラーの側面を覆っている。すなわち、樹脂層25は、n側金属ピラー24と金属ピラー63との間、金属ピラー63と金属ピラー63との間、および金属ピラー63とp側金属ピラー23との間に充填されている。p側金属ピラー23におけるp側配線層21に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、p側外部端子23aとして機能する。n側金属ピラー24におけるn側配線層22に対する反対側の面は、樹脂層25で覆われずに露出され、n側外部端子24aとして機能する。また、金属ピラー63における配線層62に対する反対側の面も、樹脂層25で覆われずに露出され、外部端子63aとして機能する。すなわち、p側外部端子23a、n側外部端子24aおよび外部端子63aは、同じ面で露出している。図9において1点鎖線は、隣り合う金属ピラー外部端子間の部分を、隣り合う金属ピラー外部端子間を結ぶ方向に2等分する中点を通る中心線cを表す。また、中心線cは、隣り合う金属ピラー間を結ぶ線および発光層12aの発光面に対して垂直である。その中心線cはチップ3間に位置する。中心線c上に半導体層15は設けられていない。また、図9において、真ん中の2つの外部端子63a間の中心線cは、左端のn側外部端子24aと右端のp側外部端子23aとの間の中心線cでもある。p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、前述した実装基板100の表面実装面に形成されたパッド101に対してはんだ102を介して接合される。さらに、外部端子63aも、実装基板100の実装面に形成されたパッドにはんだを介して接合される。p側外部端子23a及びn側外部端子24aを通じて半導体発光装置10dに電力が供給され、各チップ3の発光層が発光する。半導体発光装置10dと実装基板とは、外部端子63aによっても接合されるが、外部端子63aには電力は供給されない。したがって、その外部端子63aが接合される実装基板側のパッドは、他の配線と接続しないランドパターンでよい。半導体発光装置10dを実装基板に実装した状態で、実装基板側からチップ3に加わる応力は、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24、金属ピラー63及び樹脂層25が吸収することで緩和することができる。本実施形態では、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24の他に金属ピラー63も設けている。したがって、すべてのチップ3上に金属ピラーが設けられている。これにより、各チップ3のそれぞれに対して金属ピラーによる応力緩和効果を与えることができる。また、外部端子を増やすことで、半導体発光装置10dと実装基板との接合面積を広く確保でき、接合強度を向上できる。また、本実施形態においても、第1実施形態で説明した前述した引張応力が集中しやすいp側外部端子23aとn側外部端子24aとの間の中心線c上に半導体層15は存在しない。したがって、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。さらに、n側外部端子24aと外部端子63aとの間の中心線c、外部端子63aと外部端子63aとの間の中心線c、および外部端子63aとp側外部端子23aとの間の中心線c上にも半導体層15は存在しないため、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。上記中心線cと、半導体層15の面方向の延長線との交差部に、半導体層15よりも剛性の低い層として絶縁層18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂層である。すなわち、上記応力が集中しやすい中心線c付近には、樹脂層25および樹脂からなる絶縁層18が設けられている。すなわち、半導体層15及び金属よりも柔軟な樹脂が応力の集中しやすい部分に設けられているため、その樹脂が上記応力を吸収し、高い応力緩和効果を得ることができる。この結果、チップ3の信頼性を高めることができる。また、すべてのチップ3の発光領域上には、金属ピラーが設けられている。したがって、各チップ3の発光領域の熱を、その発光領域上に設けられた金属ピラーを通じて、実装基板側に逃がすことができる。図9において左端のチップ3の発光領域の熱は、p側電極16、無機絶縁膜61、n側配線層22及びn側金属ピラー24を通じて放熱される。図9において真ん中の2つのチップ3の発光領域の熱は、p側電極16、無機絶縁膜61、配線層62及び金属ピラー63を通じて放熱される。図9において右端のチップ3の発光領域の熱は、p側電極16、p側配線層21及びp側金属ピラー23を通じて放熱される。n側配線層22及び配線層62のそれぞれと、p側電極16との間を絶縁する絶縁膜として無機絶縁膜61を用いている。無機材料は有機材料樹脂材料に比べて高い熱伝導性を有する。p側電極16と金属ピラーとの間には、有機材料が介在していない。したがって、本実施形態では、発光領域から金属ピラーへの放熱性を高くすることができる。第5実施形態図10は、第5実施形態の発光モジュールの模式斜視図である。この発光モジュールは、半導体発光装置10eを実装基板100に実装した構造を有する。半導体発光装置10eは、図1aを参照して説明した第1実施形態の半導体発光装置10aと同様な構成を有する。半導体発光装置10eと半導体発光装置10aとは、光の主な放出面である第1の面15aに対する実装面の面方位が異なる。図10に示す半導体発光装置10eのp側外部端子23b及びn側外部端子24bは、前述した半導体層15の第1の面15a及び第2の面とは異なる面方位の第3の面で樹脂層25から露出している。第3の面は、図1aに示す半導体発光装置10aにおける紙面手前側の面、または紙面裏側の面に対応し、第1の面15aに対して略垂直な面である。すなわち、p側金属ピラー23の1つの側面が図10に示す半導体発光装置10eのp側外部端子23bとなり、n側金属ピラー24の1つの側面が図10に示す半導体発光装置10eのn側外部端子24bとなる。金属ピラー23及び24における、p側外部端子23b及びn側外部端子24b以外の面は樹脂層25で覆われている。半導体発光装置10eは、第3の面を実装基板100の実装面に向けた姿勢で実装される。その第3の面で露出しているp側外部端子23b及びn側外部端子24bは、それぞれ、実装基板100の実装面に形成されたパッドに対してはんだを介して接合される。第3の面は第1の面15aに対して略垂直である。したがって、第3の面を下方の実装面側に向けた姿勢で、第1の面15aは実装面の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、半導体発光装置10e及びこれを用いた発光モジュールは、実装面に対して平行な方向または傾いた方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプである。なお、第1実施形態以外の他の実施形態の半導体発光装置も、外部端子を上記第3の面で露出させることで、サイドビュータイプになる。第6実施形態図11a~図13bは、第6実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図である。図11a~図13bは、基板の反対側から見た、チップ3の第2の面側実装面側の平面図である。図11a~図13bは、1つの半導体発光装置の平面図を表し、その1つの半導体発光装置は、複数のチップ3を含む。例えば、図11aに示すように、1つの半導体発光装置は、8個のチップ3を含む。複数のチップ3は、溝2によって互いに分離されている。各チップ3は、前述した実施形態と同様、半導体層15と、p側電極16と、n側電極17とを有する。前述した実施形態と同様、基板の主面上に第1の半導体層11が形成され、その上に発光層12aを含む第2の半導体層12が形成される。そして、第2の半導体層12の一部を除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。次に、第2の半導体12の表面にp側電極16を、露出された第1の半導体層11の表面にn側電極17を形成する。図11aに示す例では、p側電極16及びその下の第2の半導体層12はチップ3における第2の面のほとんどを占めている。第1の半導体層11の露出部は第2の半導体層12の周囲を囲み、したがって、n側電極17はp側電極16の周囲を囲んでいる。p側電極16とn側電極17との間には絶縁膜14が設けられる。また、n側電極17の周囲も絶縁膜14で覆われる。p側電極16及びn側電極17を形成した後、図示しないレジストをマスクに用いた例えばRIE法で、基板に達する溝2を形成する。溝2は、ウェーハ状態の基板上で例えば格子状の平面レイアウトで形成される。なお、溝2を形成する工程は、p側電極16及びn側電極17を形成する前に行ってもよい。次に、p側電極16及びn側電極17上に、図11bに示すように、無機絶縁膜61としてシリコン窒化膜を形成する。あるいは、無機絶縁膜61としてシリコン酸化膜を用いてもよい。無機絶縁膜61はp側電極16及びn側電極17のほとんどを覆うが、各チップ3の平面視におけるコーナー部で、p側電極16の一部およびn側電極17の一部が、無機絶縁膜61から露出される。また、複数のチップ3のうちの1つのチップ3図11bにおいて左から2番目の上側に位置するチップ3においては、無機絶縁膜61に広い開口もしくは第1のビア61aが形成され、その開口61aを通じてp側電極16の大部分が無機絶縁膜61から露出される。次に、溝2内に、図12aに示すように、絶縁層18が埋め込まれる。また、絶縁層18は、溝2の周辺の無機絶縁膜61の表面の一部を覆う。各チップ3の第2の面側において、n側電極17が設けられた周縁部よりも内側の大部分の領域は、絶縁層18で覆われず、その領域に無機絶縁膜61が露出する。また、無機絶縁膜61から露出していたp側電極16の一部およびn側電極17の一部も、絶縁層18で覆われずに、絶縁層18から露出する。次に、図示しない金属膜を例えばスパッタ法で形成した後、その金属膜上に選択的にレジストを形成し、金属膜を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、無機絶縁膜61及び絶縁層18上に、図12bに示すように、p側配線層34、n側配線層35および配線層120が形成される。p側配線層34、n側配線層35および配線層120は、同じレイヤーに同材料で同時に形成される。p側配線層34、n側配線層35および配線層120は、相互に離間している。p側配線層34とn側配線層35との間、p側配線層34と配線層120との間、およびn側配線層35と配線層120との間には、後の工程で樹脂層が設けられる。p側配線層34は、複数のチップ3を含む領域上に広がって設けられている。図12bに示す例では、p側配線層34は、左側の4つのチップ3を含む領域上に広がって設けられている。p側配線層34は、図12aにおいて左から2番目の上側に位置するチップ3における、無機絶縁膜61及び絶縁層18から広い面積で露出するp側電極16に接続している。n側配線層35も、複数のチップ3を含む領域上に広がって設けられている。図12bに示す例では、n側配線層35は、右側の4つのチップ3を含む領域上に広がって設けられている。n側配線層35は、図12aにおいて右から2番目の上側に位置するチップ3におけるコーナー部で無機絶縁膜61及び絶縁層18から露出するn側電極17に接続している。隣り合うチップ3間は、配線層120によって電気的に接続されている。配線層120は、隣り合うチップ3間の隣り合うコーナー部の上に設けられている。配線層120は、隣り合うチップ3における一方のチップ3のコーナー部で露出されたp側電極16の一部に接続され、且つ他方のチップ3のコーナー部で露出されたn側電極17の一部に接続されている。半導体発光装置における図12bに示す実装面側は、例えば矩形状の平面形状を有する。その矩形の長手方向を2分する一方の領域図12bにおける左側の領域にp側配線層34が広がっており、他方の領域図12bにおける右側の領域にn側配線層35が広がっている。p側配線層34とn側配線層35とは、面積がほぼ等しい。次に、図示しないレジストをマスクに用いたCu電解メッキを行う。これにより、図13aに示すように、p側配線層34上にp側金属ピラー36が設けられ、n側配線層35上にn側金属ピラー37が設けられる。p側金属ピラー36において、p側配線層34に対する反対側の面は、p側外部端子36aとして機能する。n側金属ピラー37において、n側配線層35に対する反対側の面は、n側外部端子37aとして機能する。p側金属ピラー36の周囲およびn側金属ピラー37の周囲には樹脂層が設けられ、樹脂層はp側金属ピラー36の側面およびn側金属ピラー37の側面を覆う。p側外部端子36a及びn側外部端子37aは、樹脂層から露出される。p側外部端子36a及びn側外部端子37aは、前述した実装基板100の実装面に形成されたパッド101に対して、はんだ100を介して接合される。p側金属ピラー36は、p側配線層34上における複数のチップ3を含む領域に設けられている。図13aに示す例では、左側の4つのチップ3を含む領域上に、p側金属ピラー36が設けられている。その領域には金属ピラーは1つのみが設けられ、p側金属ピラー36は、その領域で分割されずにひとつながりに設けられている。n側金属ピラー37は、n側配線層35上における複数のチップ3を含む領域に設けられている。図13aに示す例では、右側の4つのチップ3を含む領域上に、n側金属ピラー37が設けられている。その領域には金属ピラーは1つのみが設けられ、n側金属ピラー37は、その領域で分割されずにひとつながりに設けられている。すなわち、1つの半導体発光装置において、それぞれ1つずつのp側外部端子36aとn側外部端子37aが設けられている。p側外部端子36a及びn側外部端子37aのそれぞれは、複数のチップ3を含む領域上に分割されずにひとつながりに設けられている。p側外部端子36aとn側外部端子37aとは、同形状で同面積で形成され、半導体発光装置の長手方向を2等分する線に対して対称にレイアウトされている。このため、はんだを介した実装基板への実装時のチップの傾きや回転を抑制することができる。図13aにおいて1点鎖線は、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中点を通る中心線cを表す。中心線cは、p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の部分を、それら端子36a、37a間を結ぶ方向に2等分する。また、中心線cは、p側外部端子36aとn側外部端子37aとを結ぶ線および発光層の発光面に対して垂直である。その中心線cは、図13aにおいて左側の4つのチップ3と、右側の4つのチップ3との間に位置する。中心線cはチップ3間を分離する溝2上に位置し、中心線c上に半導体層15は設けられていない。したがって、本実施形態においても、前述した引張応力が集中しやすいp側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中心線c上に半導体層15は存在しない。したがって、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。また、複数のチップ3を含むマルチチップ構造の1つの半導体発光装置において、p側とn側の外部端子はそれぞれ1つしか設けられていない。p側外部端子36aは1つしか設けられていないが、そのp側外部端子36aは、複数のチップ3を含む広い領域にわたって分割されずにひとつながりに形成されている。同様に、n側外部端子37aは1つしか設けられていないが、そのn側外部端子37aは、複数のチップ3を含む広い領域にわたって分割されずにひとつながりに形成されている。それぞれの外部端子36a、37aは分割されていないため、上記引張応力が加わる箇所をp側外部端子36aとn側外部端子37aとの間のみに制限することができる。また、p側配線層34及びn側配線層35を、複数のチップ3を含む広い領域にわたって形成することから、p側配線層34及びn側配線層35のそれぞれの上に設けられるp側金属ピラー36及びn側金属ピラー37の平面サイズを大きくできる。したがって、p側外部端子36a及びn側外部端子37aの面積を広くできる。これにより、p側外部端子36a及びn側外部端子37aを通じた、発光層の熱の実装基板側への放熱性を高くできる。さらに、p側外部端子36a及びn側外部端子37aと、パッド101との接合強度が高まり、信頼性が増す。さらに、p側電極16とp側配線層34との間には、それらp側電極16及びp側配線層34に接して無機絶縁膜61が設けられている。また、p側電極16とn側配線層35との間にも、それらp側電極16及びn側配線層35に接して無機絶縁膜61が設けられている。発光領域の熱は、発光領域上に設けられたp側電極16、無機絶縁膜61、配線層および金属ピラーを通じて実装基板側に放熱することができる。そして、無機材料は有機材料樹脂材料に比べて高い熱伝導性を有することから、その放熱経路を通じた熱の放熱性を高めることができる。p側外部端子36aとn側外部端子37aとの間の中点を通る中心線cは、図13bに示すように、チップ3上に位置していてもよい。この場合でも、それぞれの外部端子36a、37aは分割されていないため、上記引張応力が加わる箇所の増大をまねかない。前述した実施形態において、半導体層15の形成に用いた基板5を除去せずに、第1の面15a上に残してもよい。その場合、金属ピラー及び樹脂層を設けなくても、基板5によってチップ3を安定して支持することができる。基板5は、例えばサファイア基板であり、窒化物系の発光層から放出される光に対して透過性を有する。蛍光体層27を設けない場合、発光層からの放出光と同じ波長の光が外部へと放出される。もちろん、基板5上に蛍光体層27を形成してもかまわない。金属ピラーを設けない場合、配線層の一部を露出させて外部端子とすることができる。その場合でも、隣り合う外部端子間の中点を通る中心線上に半導体層15を設けずに、樹脂を設けることで、半導体層15に加わる応力集中を回避して、半導体層15のクラックを防ぐことができる。前述した蛍光体層としては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体CaAlSiN3:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、M1-x,Rxa1AlSib1Oc1Nd1組成式1MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7を用いることができる。組成式1で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体Sr,Ca,Ba2SiO4:Euを含有することができる。緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体Ba,Ca,Mg10PO46Cl2:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、M1-x,Rxa2AlSib2Oc2Nd2組成式2MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11を用いることができる。組成式2で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体BaMgAl10O17:Euを含有することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"