"基板上にルテニウム含有層を形成する方法であって、a少なくとも1つの基板を内部に配置した反応チャンバを準備することと、b前記反応チャンバに、式[L]mRuCO3式中、Lは直鎖状若しくは分岐状の不飽和炭化水素、又は2つ以上の置換基を有する環状不飽和炭化水素であり、mは1又は2であるを有する少なくとも1つの化合物を含む蒸気を導入することと、c前記蒸気を前記基板と接触させて、該基板の少なくとも1つの表面に蒸着プロセスを用いてルテニウム含有層を形成する、前記蒸気を前記基板と接触させることと、を含む、基板上にルテニウム含有層を形成する方法。前記蒸着プロセスがCVD及び/又はALDである、請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つの化合物が、Ruエチレン2CO3、Ruプロピレン2CO3、Ruブテン2CO3からなる群から選択される、請求項1又は2に記載の方法。前記少なくとも1つの化合物が、Ru2,4-ペンタジエンCO3、Ru2-メチル-2,4-ペンタジエンCO3、Ru1,4-ペンタジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエナールCO3、Ru2,4-ヘプタジエンCO3、Ru1,4-ジメチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-エチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-n-プロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1,5-ジメチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-5-エチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-5-n-プロピル-1,4-シクロヘキサジエンCO3及びRu1-メチル-5-イソプロピル-1,4-シクロヘキサジエンCO3からなる群から選択される、請求項1又は2に記載の方法。LがC=C-C=C又はC=C-CH2-C=Cである、請求項1又は2に記載の方法。前記少なくとも1つの化合物が、およそ-20°C~およそ100°C、好ましくはおよそ-20°C~およそ30°C、より好ましくはおよそ-20°C~およそ0°Cの範囲の温度で液体である、請求項1又は2に記載の方法。前記蒸着プロセスが、熱蒸着プロセス又はプラズマ蒸着プロセスである、請求項2に記載の方法前記反応チャンバが1個~200個のウエハーを含有する、請求項1又は2に記載の方法。前記蒸着プロセスを、約0.01トール1.33Pa~約1000トール133322Pa、好ましくは約0.1トール13.3Pa~約100トール13332.2Paの圧力範囲で行う、請求項1又は2に記載の方法。前記蒸着プロセスを、約10°C~約400°C、好ましくは約25°C~約350°C、より好ましくは約50°C~約300°Cの温度範囲で行う、請求項1に記載の方法。前記反応チャンバに反応物質を導入することを更に含む、請求項1に記載の方法。前記反応物質が水素H2、アンモニアNH3、シランSiH4、ジエチルシランSiEt2H2、これらの励起種、及びその混合物からなる群から選択される、請求項11に記載の方法。前記反応物質が酸素O2、水H2O、オゾンO3、H2O2、NO、NO2、カルボン酸RCOOH、これらの励起種、及びその混合物からなる群から選択される、請求項11に記載の方法。蒸着に好適な特性を有するルテニウム含有前駆体が依然として必要とされている。<表記法および用語>以下の明細書及び特許請求の範囲を通して或る特定の略語、記号及び用語が使用される。例えば、不飽和炭化水素という用語は、炭素原子及び水素原子のみを含有する不飽和官能基を指す。さらに、不飽和炭化水素という用語は、直鎖状、分岐状又は環状の不飽和炭化水素基を指す。直鎖状不飽和炭化水素基の例としては、エチレン基、プロピレン基、ブテン基等が挙げられるが、これらに限定されない。分岐状不飽和炭化水素基の例としては、2-メチル-2,4-ペンタジエンが挙げられるが、これに限定されない。環状不飽和炭化水素基の例としては、シクロヘキサジエニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。Meという略語はメチル基を指し、Etという略語はエチル基を指し、Prという略語はプロピル基を指し、iPrという略語はイソプロピル基を指し、Buという略語はブチルn-ブチルを指し、tBuという略語はtert-ブチルを指し、sBuという略語はsec-ブチルを指し、CHDという略語はシクロヘキサジエニルを指す。元素周期表による元素の一般的な略語が本明細書中で使用される。元素がこれらの略語によって言及される場合もあることを理解されたい例えば、Ruはルテニウムを指し、Srはストロンチウムを指す、等。基板上にルテニウム含有層を形成する方法を開示する。少なくとも1つの基板を内部に配置した反応チャンバを準備する。反応チャンバに蒸気を導入する。蒸気は、式[L]mRuCO3式中、Lは直鎖状若しくは分岐状の不飽和炭化水素、又は2つ以上の置換基を有する環状不飽和炭化水素であり、mは1又は2であるを有する少なくとも1つの化合物を含む。蒸気を基板と接触させて、基板の少なくとも1つの表面に蒸着プロセスを用いてルテニウム含有層を形成する。本方法は更に、下記態様の1つ又は複数を含むことができる:蒸着プロセスがCVD及び/又はALDである;少なくとも1つの化合物が、Ruエチレン2CO3、Ruプロピレン2CO3、Ruブテン2CO3からなる群から選択される;少なくとも1つの化合物が、Ru2,4-ペンタジエンCO3、Ru2-メチル-2,4-ペンタジエンCO3、Ru1,4-ペンタジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエナールCO3、Ru2,4-ヘプタジエンCO3、Ru1,4-ジメチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-エチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-n-プロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1,5-ジメチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-5-エチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-5-n-プロピル-1,4-シクロヘキサジエンCO3及びRu1-メチル-5-イソプロピル-1,4-シクロヘキサジエンCO3からなる群から選択される;LがC=C-C=C又はC=C-CH2-C=Cである;少なくとも1つの化合物が、およそ-20°C~およそ100°Cの範囲の温度で液体である;少なくとも1つの化合物が、およそ-20°C~およそ30°Cの範囲の温度で液体である;少なくとも1つの化合物が、およそ-20°C~およそ0°Cの範囲の温度で液体である;蒸着プロセスが、熱蒸着プロセス又はプラズマ蒸着プロセスである;反応チャンバが1個~200個のウエハーを含有する;蒸着プロセスを、約0.01トール1.33Pa~約1000トール133322Paの圧力範囲で行う;蒸着プロセスを、約0.1トール13.3Pa~約100トール13332.2Paの圧力範囲で行う;蒸着プロセスを、約10°C~約400°Cの温度範囲で行う;蒸着プロセスを、約25°C~約350°Cの温度範囲で行う;蒸着プロセスを、約50°C~約300°Cの温度範囲で行う;反応チャンバに反応物質を導入する;反応物質が水素H2、アンモニアNH3、シランSiH4、ジエチルシランSiEt2H2、これらの励起種、及びその混合物からなる群から選択される;反応物質が酸素O2、水H2O、オゾンO3、H2O2、NO、NO2、カルボン酸RCOOH、これらの励起種、及びその混合物からなる群から選択される。本発明の性質及び目的の更なる理解のために、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明について言及するものとする。ルテニウム含有前駆体を開示する。開示される前駆体は、CVD堆積及びALD堆積に高反応性で使用されるように、送達条件で熱的に安定であり得る。開示される前駆体は、一般式LmRuCO3式中、Lは直鎖状若しくは分岐状の不飽和炭化水素、又は2つ以上の置換基を有する環状不飽和炭化水素であり、mは1又は2であるを有する金属トリカルボニル錯体である。一実施形態では、開示される前駆体が式L2RuCO3を有し、Lがエチレン、プロピレン又はブテン等の直鎖状不飽和炭化水素である。例示的な前駆体としては、Ruエチレン2CO3、Ruプロピレン2CO3及びRuブテン2CO3が挙げられる。代替的な実施形態では、開示される前駆体が式LRuCO3を有し、Lが下記に示すようにRu原子に結合する:この実施形態では、Lは2,4-ペンタジエン、2-メチル-2,4-ペンタジエン、1,4-ペンタジエン、2,4-ヘキサジエン、2,4-ヘキサジエナール、2,4-ヘプタジエンであり得る。代替的には、Lは2つ以上の置換基を有するシクロヘキサジエン分子、例えば1,4-ジメチル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-4-エチル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-4-n-プロピル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-5-メチル-1,4-シクロヘキサジエン、1-メチル-5-エチル-1,4-シクロヘキサジエン、1-メチル-5-n-プロピル-1,4-シクロヘキサジエン、1-メチル-5-イソプロピル-1,4-シクロヘキサジエンであり得る。例示的な前駆体としては、Ru2,4-ペンタジエンCO3、Ru2-メチル-2,4-ペンタジエンCO3、Ru1,4-ペンタジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエンCO3、Ru2,4-ヘキサジエナールCO3、Ru2,4-ヘプタジエンCO3、Ru1,4-ジメチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-エチル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-n-プロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3、Ru1,5-ジメチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3、Ru1-メチル-5-エチル-1,4-シクロヘキサジエンCO3及びRu1-メチル-5-n-プロピル-1,4-シクロヘキサジエンCO3が挙げられる。好ましくは、前駆体はRu1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3である。開示される前駆体は、およそ-20°C~およそ100°C、より好ましくはおよそ-20°C~およそ30°C、更により好ましくはおよそ-20°C~およそ0°Cの範囲の温度で液体であるのが好ましい。<配位子の選択>一部のLmRuCO3化合物は、CVD/ALD堆積に好適な特性を示す。L配位子の選択は、得られるルテニウム含有層の使用目的に基づいて行うことができる。しかしながら、ルテニウム原子の酸化状態及び配位子Lの立体障害は常に同じというわけではなく、一部の構造は作ることができない。例えば、Lが中性配位子ではない場合例えば置換シクロペンタジエン、LmRuCO3化合物におけるルテニウムの酸化状態はゼロではなく、これにより安定なLmRuCO3化合物が得られる。このような場合、Ru原子と非中性L配位子との間の結合を切断するために、CVDプロセス又はALDプロセス中に酸素が必要とされる。結果として、得られるルテニウム含有層は酸素も含有し得る。しかしながら、Lが中性配位子である場合例えば、ジエンm=1又は不飽和炭化水素m=1又は2、LmRuCO3化合物におけるルテニウムの酸化状態はゼロである。その状況では、結合を切断するために酸素又はオゾンが必要とされることはないと考えられる。酸素の代わりに水素を用いることができる場合がある。得られるRu含有層は、障壁層等の酸素を使用することができない一部の部品に適用することができる。<活性部位>上記のような配位子の選択に加えて、一部の配位子はLmRuCO3構造を作ることができない。配位子分子LはC1=C2-C3=C4又はC5=C6-C7H2-C8=C9であり得る。ジエン分子の場合、2つの二重結合がより近くにあるべきであり、C2、C3、C6、C8は炭素上の置換基水素以外を有しないべきである。言い換えると、1,3-ジエン分子が1,4-ジエン分子よりも好ましい。加えて、C2、C3、C6又はC8炭素分子上の任意の非水素置換基は、LmMCO3分子の形成を妨げる場合がある。立体障害を回避するために、配位子分子はtbp三方両錐形構造を生じる開いた部位を必要とし得る。例えば、Lが1-メチル-4-イソプロピル-1,4-シクロヘキサジエン又は1,3,5-トリメチル-1,4-シクロヘキサジエンである場合のように、配位子が活性部位を有しない場合、LMCO3生成物は得られなかった。<堆積法>開示される前駆体は、蒸着プロセスを用いて1つ又は複数の基板例えば、半導体基板又は基板アセンブリ上にルテニウム含有層を形成するために使用することができる。この方法は半導体デバイス、太陽光発電デバイス、LCD-TFTデバイス及びフラットパネルデバイスの製造において有用であり得る。この方法は、基板を準備することと、少なくとも1つのルテニウム含有前駆体を含む蒸気を準備することと、ルテニウム含有前駆体を含む蒸気を基板と接触させること通常は蒸気を基板に送ることと、基板の少なくとも1つの表面上にルテニウム含有層を形成するために、還元剤又は酸化剤の蒸気を基板に供給することとを含む。開示される前駆体化合物は、ルテニウム含有膜を形成するために、当業者に既知の任意の堆積法を用いて堆積させることができる。好適な堆積法の例としては、従来の化学蒸着CVD、プラズマ強化化学蒸着PECVD、低圧化学蒸着LPCVD、原子層堆積ALD、パルス化学蒸着P-CVD、プラズマ強化原子層堆積PE-ALD、その組合せ、及び/又は当業者に既知の任意の他の堆積技法が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、堆積法は熱蒸着プロセス又はプラズマ蒸着プロセスである。より好ましくは、堆積法はALD又はPE-ALDである。前駆体の蒸気を、少なくとも1つの基板を含有する反応チャンバに導入する。反応チャンバは1個~200個のウエハーを含有し得る。反応チャンバは、内部で堆積法が行われるデバイスの任意の筺体又はチャンバ、例えば、限定するものではないが、平行平板型反応器、低温壁型反応器、高温壁型反応器、単一ウエハー反応器、マルチウエハー反応器、又はその他のタイプの堆積システムであり得る。反応チャンバ内の温度及び圧力並びに基板の温度は、ルテニウム含有前駆体の蒸気と基板との接触が、基板の少なくとも1つの表面上でRu含有層の形成をもたらすように、好適な条件に保持される。反応物質をRu含有層の形成を助けるために使用してもよい。反応チャンバは、約0.01トール1.33Pa~約1000トール133322Paの範囲、より好ましくは約0.1トール13.3Pa~約100トール13332.2Paの範囲内の圧力に維持され得る。反応チャンバ内の温度は、約10°C~約100°C、好ましくは約25°C~約350°C、より好ましくは約50°C~約300°Cの範囲であり得る。所望の結果を達成するために、少しの実験で温度を最適化することができることが当業者には認識される。ルテニウム含有膜を堆積させる基板のタイプは最終用途によって異なる。一部の実施形態では、基板はMIM技術、DRAM技術、FeRam技術において誘電材料として、若しくはCMOS技術においてゲート誘電体として使用される酸化物例えばRuO2系材料、三元酸化物系材料等、又は銅とlow-k層との間の酸素障壁として使用される窒化物系膜例えばRuNから選ばれ得る。他の基板を半導体デバイス、太陽光発電デバイス、LCD-TFTデバイス又はフラットパネルデバイスの製造において使用することができる。かかる基板の例としては、金属基板等の固体基板例えばAu、Pd、Rh、Ru、W、Al、Ni、Ti、Co、Pt、並びにTiSi2、CoSi2及びNiSi2等の金属ケイ化物、金属窒化物含有基板例えばTaN、TiN、TiAlN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN及びTiSiN、半導体材料例えばSi、SiGe、GaAs、InP、ダイヤモンド、GaN及びSiC、絶縁体例えばSiO2、Si3N4、SiON、HfO2、Ta2O5、ZrO2、TiO2、Al2O3及びチタン酸バリウムストロンチウム、又はこれらの材料のあらゆる組合せを含む他の基板が挙げられるが、これらに限定されない。利用される実際の基板は、利用される特定の前駆体の実施形態にも左右され得る。しかし多くの場合、利用される好ましい基板はTiN型、Ru型及びSi型の基板から選択される。所望のルテニウム膜又はルテニウム含有膜を十分な成長速度で、また所望の物理的状態及び組成で得るのに十分な温度に基板を加熱してもよい。基板を加熱することのできる温度範囲の非限定的な例としては、150°C~600°Cが挙げられる。好ましくは、基板の温度は450°C以下にとどめる。前駆体を液体状態で蒸発器に送り込み、そこで反応チャンバに導入する前に蒸発させてもよい。前駆体を蒸発前に任意で1つ又は複数の溶媒、1つ又は複数の金属源、及び1つ又は複数の溶媒と1つ又は複数の金属源との混合物と混合することができる。溶媒はトルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタン等からなる群から選択することができる。得られる濃度は、およそ0.05M~およそ2Mの範囲であり得る。金属源は現在既知であるか、又は今後開発される任意の金属前駆体を含み得る。代替的に、前駆体を含有する容器にキャリアガスを通すか、又はキャリアガスを前駆体に吹き込むことによって前駆体を蒸発させてもよい。次いで、キャリアガス及び前駆体を蒸気として反応チャンバに導入する。キャリアガスとしては、Ar、He、N2、及びその混合物を挙げることができるが、これらに限定されない。前駆体を容器内で溶媒、別の金属前駆体、又はその混合物と任意で混合することができる。必要に応じて、前駆体が液相になり、十分な蒸気圧を有することを可能にする温度に容器を加熱してもよい。容器を、例えば0°C~150°Cの範囲内の温度に維持してもよい。蒸発させる前駆体の量を制御するために、容器の温度を既知の方法で調整することができることが当業者には認識される。前駆体を反応チャンバに導入する前に溶媒、金属前駆体及び安定剤と任意で混合することに加えて、前駆体を反応チャンバ内で反応物質と混合してもよい。例示的な反応物質としては、H2、水素含有液、アルコールROHRはC1~C6アルキルである、金属前駆体、例えばストロンチウム含有前駆体、バリウム含有前駆体、TMA等のアルミニウム含有前駆体、及びその任意の組合せが挙げられるが、これらに限定されない。限定するものではないが、例えばRuO2等のように、所望のルテニウム含有膜が酸素も含有する場合、反応物質はO2、O3、H2O、H2O2、酢酸、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、及びその組合せから選択されるが、これらに限定されない酸素源を含み得る。限定するものではないが、例えば窒化ルテニウム等のように、所望のルテニウム含有膜が窒素も含有する場合、反応物質は窒素N2、アンモニア及びそのアルキル誘導体、イミン、ヒドラジン及びそのアルキル誘導体、N含有ラジカル例えばN、NH、NH2、NO、N2O、NO2、アミン、及びその任意の組合せから選択されるが、これらに限定されない窒素源を含み得る。限定するものではないが、例えば炭化ルテニウム等のように、所望のルテニウム含有膜が炭素も含有する場合、反応物質はメタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、プロピレン、t-ブチレン、イソブチレン、CCl4、及びその任意の組合せから選択されるが、これらに限定されない炭素源を含み得る。限定するものではないが、例えばケイ化ルテニウム又はケイ酸ルテニウム等のように、所望のルテニウム含有膜がケイ素も含有する場合、反応物質は、SiH4、Si2H6、Si3H8、TriDMAS、BDMAS、BDEAS、TDEAS、TDMAS、TEMAS、SiH33N、SiH32O、トリシリルアミン、ジシロキサン、トリシリルアミン、ジシラン、トリシラン、アルコキシシランSiHxOR14-x、シラノールSiOHxOR14-x好ましくはSiOHOR13、より好ましくはSiOHOtBu3、アミノシランSiHxNR1R24-xここで、xは1、2、3又は4であり、R1及びR2は各々独立してH、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のC1~C6炭素鎖である;好ましくはTriDMAS、BTBAS及び/又はBDEAS、及びその任意の組合せから選択されるが、これらに限定されないケイ素源を含み得る。対象の膜は代替的にゲルマニウムGeを含有していてもよく、この場合、上述のSi含有反応物質はGe含有反応物質に置き換えられ得る。所望のルテニウム含有膜が別の金属、例えば限定するものではないがB、In、Zn、Au、Pd、Ag、Ti、Ta、Hf、Zr、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、As、Sb、Bi、Sn、Pb、又はその組合せ等も含有する場合、反応物質は金属を含有する第2の前駆体を含み得る。第2の前駆体は、B2H6、SbRi’3又はSnRi’4ここで、Ri’は各々独立してH、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のC1~C6炭素鎖である等の金属アルキル、SbORi3又はSnORi4ここで、Riは各々独立してH、又は直鎖状、分岐状若しくは環状のC1~C6炭素鎖である等の金属アルコキシド、及びSbNR1R2NR3R4NR5R6又はGeNR1R2NR3R4NR5R6NR7R8ここで、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は各々独立してH、C1~C6炭素鎖又はトリアルキルシリル基であり、炭素鎖及びトリアルキルシリル基は各々、直鎖状、分岐状又は環状である等の金属アミン、及びその任意の組合せから選択することができるが、これらに限定されない。好ましい一実施形態では、反応物質は水素H2、アンモニアNH3、シランSiH4、ジエチルシランSiEt2H2、これらの励起種、及びその混合物から選択することができるが、これらに限定されない。別の好ましい実施形態では、反応物質は酸素O2、水H2O、オゾンO3、H2O2、NO、NO2、カルボン酸RCOOH、これらの励起種、及びその混合物から選択することができるが、これらに限定されない。前駆体及び1つ又は複数の反応物質は、反応チャンバに同時に化学蒸着、順次に原子層堆積、又は他の組合せで導入することができる。例えば、1つのパルスで前駆体を導入し、別個のパルスで2つの更なる金属源を共に導入することができる改良原子層堆積。代替的には、反応チャンバが反応物質を前駆体の導入前に既に含有していてもよい。反応物質は反応チャンバから離れて位置するプラズマシステムを通過し、ラジカルへと分解させてもよい。代替的には、前駆体を、他の金属源をパルスによって導入しながら反応チャンバに連続的に導入してもよいパルス化学蒸着。各々の例において、パルスの後に、導入した過剰量の成分を除去するパージ工程又は排気工程を行うことができる。各々の例において、パルスを約0.01秒~約10秒、代替的には約0.3秒~約3秒、代替的には約0.5秒~約2秒の範囲の期間にわたって持続させることができる。原子層堆積タイプのプロセスの非限定的な一例では、開示される前駆体の気相を反応チャンバに導入し、そこで好適な基板と接触させる。次いで、反応器をパージ及び/又は排気することによって、過剰な前駆体を反応チャンバから除去することができる。酸素源を反応チャンバに導入し、そこで吸収された前駆体と自己制御的に反応させる。反応チャンバをパージ及び/又は排気することによって、任意の過剰な酸素源を反応チャンバから除去する。所望の膜が酸化ルテニウム膜である場合、この2工程プロセスによって所望の膜厚を得ることができるか、又は必要な厚さを有する膜が得られるまでこれを繰り返すことができる。代替的に、所望の膜がルテニウム金属酸化物膜である場合、上記の2工程プロセスの後に金属前駆体の蒸気を反応チャンバに導入することができる。金属前駆体は堆積されるルテニウム金属酸化物の性質に基づいて選択される。反応チャンバへの導入後、金属前駆体を基板と接触させる。反応チャンバをパージ及び/又は排気することによって、任意の過剰な金属前駆体を反応チャンバから除去する。再度、酸素源を反応チャンバに導入して、第2の金属前駆体と反応させてもよい。反応チャンバをパージ及び/又は排気することによって、過剰な酸素源を反応チャンバから除去する。所望の膜厚が達成された後、プロセスを終了することができる。しかしながら、より厚い膜が所望される場合、4工程プロセス全体を繰り返してもよい。前駆体、金属前駆体及び酸素源の供給を交互に行うことによって、所望の組成及び厚さの膜を堆積させることができる。上記で論考したプロセスにより得られるルテニウム含有膜又はルテニウム含有層は、SrRuO及びRuO2を含み得る。適切な前駆体及び反応物質の賢明な選択によって所望の膜組成を得ることができることが当業者には認識される。以下の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に例示するために提示するものである。しかしながら、実施例は、包括的なものであることを意図するものではなく、本明細書中に記載される本発明の範囲を限定することを意図するものでもない。<Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3の合成>Ru3CO1210g、15.6mmolを、200mlのトルエン中の1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエン25ml、0.15molと還流下で17時間混合した。反応後、過剰な溶媒及び配位子分子を真空圧力下で除去した。残存する液体を真空圧力下で2回蒸留すると、70°C/20mmHgで淡黄色の液体が最終生成物として得られた収率およそ82。別の精製方法として、生成物をカラムクロマトグラフィーシリカゲル、溶媒:ヘキサンによって分離した。淡黄色の画分Rf=0.7を回収し、溶媒を真空圧力下、室温で除去した。図1は、Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3についての温度に対する質量損失率を示す熱重量分析TGAのグラフである。TGAの結果は、20トールで残留物のない良好な蒸発を示す。図2は、Ru1-メチル-4-イソプロピル-1,3-シクロヘキサジエンCO3についての温度に対する蒸気圧のグラフである。lnVp=16.624~5672.8/T、ΔH=47kJ/mol。本発明の性質を説明するために本明細書中に記載及び例示されている詳細、材料、工程及び部材の配列の多くの更なる変更は、添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で当業者が行うことができることが理解される。よって、本発明は、上記に挙げられる実施例及び/又は添付の図面における具体的な実施形態に限定されることが意図されるものではない。"