"同一面側に一対の電極を有する発光素子と、前記電極が形成されている側の発光素子上に形成された波長変換層と、前記波長変換層上に形成された光反射層と、を有し、前記一対の電極の一部が、前記光反射層から露出されていることを特徴とする発光素子。前記光反射層は、前記電極が形成されている側において、前記電極が露出されていない領域のほぼ全てを被覆するように形成されている請求項1に記載の発光素子。前記発光素子の半導体層と前記波長変換層の間に、透光性電極が配置されている請求項1又は請求項2に記載の発光素子。前記光反射層は、無機化合物の粒子の集合体からなる請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光素子。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくともSi-O結合を含む部材を有する請求項4に記載の発光素子。前記波長変換層又は前記光反射層が、電着、静電塗装、溶射のいずれかで形成される請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光素子。前記透光性電極と前記波長変換層との間に、保護膜を有する請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載の発光素子。前記電極は、パッド電極と、前記パッド電極上に形成された金属ポストからなる請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光素子。前記電極は、パッド電極であり、前記光反射層の表面から凹んだ位置において前記光反射層から露出されている請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の発光素子。前記金属ポストの側面は、前記波長変換層及び前記反射部材により被覆されている請求項9に記載の発光素子。請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載された発光素子が載置される支持体と、前記発光素子を被覆する封止樹脂と、を有し、前記封止樹脂に波長変換部材が含有されている発光装置。前記支持体は前記発光素子が収納される凹部を有し、前記凹部に前記封止樹脂が充填されてなる請求項11に記載の発光装置。前記波長変換部材の発光波長は、前記波長変換層の発光波長よりも短い請求項11又は請求項12に記載の発光装置。一対の電極を備えた発光素子と、前記電極のそれぞれと接続される配線を備えた支持体と、を有し、前記発光素子は前記配線上にフリップチップ接合され、前記電極と前記配線とが電気的に接続されており、前記発光素子の下面と前記支持体の上面との間に、波長変換層及び絶縁材料からなる光反射層を前記発光素子側からこの順に備えてなることを特徴とする発光装置。しかしながら、従来の技術においては、以下に述べる問題がある。蛍光体層は発光素子からの光を変換するために、発光素子を被覆するように形成されている。発光素子からの光は、この蛍光体層を通ることで波長変換されて光取り出し面から出射される。このとき発光素子からの光は、蛍光体層を透過して蛍光体を励起することになるが以下、透過型励起ともいう、蛍光体自身に光散乱性があるため、光取り出しのロスが生じていた。また、蛍光体層がある程度の厚みを有しているため、光取り出し面に光が到達するまでの間に、蛍光体に励起された光が再度蛍光体に当たって吸収され、光取り出し効率が低下するという問題があった。本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、蛍光体により波長変換された光を効率よく取り出すことで、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明に係る発光素子は、同一面側に一対の電極を有する発光素子と、前記電極が形成されている側の発光素子上に形成された波長変換層と、前記波長変換層上に形成された光反射層と、を有し、前記一対の電極の一部が、前記光反射層から露出されていることを特徴とする。前記光反射層は、前記電極が形成されている側において、前記電極が露出されていない領域のほぼ全てを被覆するように形成されていることが好ましい。前記発光素子の半導体層と前記波長変換層の間に、透光性電極が配置されていることが好ましい。前記光反射層は、無機化合物の粒子の集合体からなることが好ましい。前記無機化合物の粒子の粒子間に、少なくともSi-O結合を含む部材を有することが好ましい。前記波長変換層又は前記光反射層が、電着、静電塗装、溶射のいずれかで形成されることが好ましい。前記透光性電極と前記波長変換層との間に、保護膜を有することが好ましい。前記電極は、パッド電極と、前記パッド電極上に形成された金属ポストからなることが好ましいか、もしくは前記電極は、パッド電極であり、前記光反射層の表面から凹んだ位置において前記光反射層から露出されていることが好ましい。前記金属ポストの側面は、前記波長変換層及び前記反射部材により被覆されていることが好ましい。また、本発明に係る発光装置は、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載された発光素子が載置される支持体と、前記発光素子を被覆する封止樹脂と、を有し、前記封止樹脂に波長変換部材が含有されている。前記支持体は前記発光素子が収納される凹部を有し、前記凹部に前記封止樹脂が充填されてなることが好ましい。前記波長変換部材の発光波長は、前記波長変換層の発光波長よりも短いことが好ましい。さらに、本発明に係る別の発光装置は、一対の電極を備えた発光素子と、前記電極のそれぞれと接続される配線を備えた支持体と、を有し、前記発光素子は前記配線上にフリップチップ接合され、前記電極と前記配線とが電気的に接続されており、前記発光素子の下面と前記支持体の上面との間に、波長変換層及び絶縁材料からなる光反射層を前記発光素子側からこの順に備えてなることを特徴とする。本発明に係る発光素子によれば、蛍光体により波長変換された光を効率良く取り出すことで、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子及び発光装置を提供することができる。以下、本発明に係る発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。<第1実施形態>図1は、本発明の実施形態に係る発光素子100を示す断面図であり、図2~図7は、本実施形態に係る発光素子の製造工程を示す概略断面図である。本実施形態に係る発光素子は、主として、同一面側に一対の電極23を有する発光素子100と、電極23の形成されている側の発光素子100上に形成された波長変換層12と、波長変換層12上に形成された光反射層20と、を有し、一対の電極23の一部が、光反射層20から露出されている。図1に示すように、発光素子100は、透光性基板10上に半導体層11が形成されてなる。半導体層11には、一対のパッド電極16及び17が形成されている。パッド電極16は、半導体層11に直接接触して設けられた透光性電極14を介して形成されている。さらに、パッド電極16及び17の上面中央部を露出させ、半導体層11表面及び透光性電極14、パッド電極16及び17の側面を覆うように、保護膜15が形成されている。保護膜15から露出されたパッド電極16及び17上には、金属ポスト18が形成されている。金属ポスト18の端部は、外部電源に接続するために発光素子100の表面に平坦な形状で露出されてなる。波長変換層12は、保護膜15上に金属ポスト18を埋めるように、金属ポストが形成されていない領域のほぼ全てを被覆するように形成されており、さらにその上に光反射層20が同様に形成されている。このとき、波長変換層12及び光反射層20は、発光素子の上面の50以上を被覆していることが好ましく、これにより、より発光効率を向上させることができる。このように形成された発光素子100は、透光性基板10側から、半導体層11、波長変換層12、光反射層20がこの順に積層されており、最上面の光反射層20の表面から金属ポスト18が光反射層20と略面一になるよう露出されている。なお、透光性基板10、半導体層11、波長変換層12、光反射層20の積層は、これらの間に他の部材、例えば透光性電極14や保護膜15等が挟まれていてもよいものとする。本実施形態の発光素子100は、金属ポスト18を外部電源に接続するための端子電極として用いて、フリップチップ型実装をする発光素子とすることができる。透光性基板10が光取り出し面側とされ、光反射層20が実装面側とされる。発光素子100の側面は、透光性基板10、半導体層11の側面が露出されており、半導体層11上に形成された波長変換層12及び光反射層20もまた、発光素子100の側面に露出されてなる。つまり、発光素子100の側面は、透光性基板10側から、半導体層11、波長変換層12、光反射層20がこの順に配されてなる。半導体層11と波長変換層12の間に保護膜15が形成されていてもよい。本実施形態の発光素子100は、一対の端子電極となる電極23の間に、波長変換部材12が形成されており、さらにその上が光反射層20に覆われてなる。電極23を実装基板に接続させた場合、電極23の間から実装基板側に出射された光は、波長変換部材12により波長変換され、さらに光反射層20により半導体層11側へと反射されて外部に取り出される。このような構成によれば、光取り出し面とは反対側に出射されて電極間の隙間から実装基板側に漏れていた光を、波長変換して反射することができるため、発光素子から光取り出し面側に出射された光の一部を波長変換された状態で取り出すことができる。これにより、発光素子実装後に加える波長変換部材を不要としたり、使用量を少なくしたりすることが可能となる。その結果、使用する蛍光体層の厚みを薄くすることが可能となり、光の吸収や散乱損失が少なくなって発光効率を向上させることができる。特に、本実施形態では、光反射層20は、電極23が形成されている側において、電極23が露出されていない領域のほぼ全てを被覆するように形成されているため、光取り出し効率をより向上させることができる。以下、本実施の形態に係る発光素子の各構成について詳しく説明する。透光性基板10透光性基板10は薄い半導体層11を保持する機能を有している。透光性基板10としては、半導体層11を結晶成長させる成長基板をそのまま使用することもできるし、一旦成長基板として利用した基板を剥離し、別の部材を貼り付けて透光性基板10として用いてもよい。成長用基板としては、サファイア、スピネル等の絶縁性基板を用いても良いし、GaN,SiC,ZnO,ZnS,GaP等の半導体材料を用いても良い。また、貼り付け用の基板としては、ガラス,樹脂シリコーン樹脂,エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,セラミックスAl2O3,AlN等でも良く、波長変換部材等をコートしたり、分散させたりした物でも良い。加えて透光性基板10の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減等を図ることもできる。半導体層11透光性基板10上に配置される半導体層11は、少なくともn型半導体層、活性層、及びp型半導体層が順に積層形成され、p型半導体層と電気的に接続されたパッド電極16と、p型半導体層側からエッチング等により露出されたn型窒化物半導体層と電気的に接続されたパッド電極17と、を有し、各電極の表面の少なくとも一部を除いて保護膜15が形成されている。半導体層11については、IV-IV族、III-V族、II-VI族化合物半導体等が使用可能であり、少なくともp型とn型を有して、電流を流すことにより光を発することが可能な材料であれば特に限定されない。半導体層11の成膜方法としては、MOCVD法、LPE法、MBE法等を用いる事ができる。電極23電極23は、半導体層11を外部電源に接続するための導電部材である。本実施形態では、パッド電極16、17と、その上に形成された金属ポスト18からなる。パッド電極16、17パッド電極16、17については、半導体層11とオーミック接合を示す材料が好ましく、それぞれ単一の材料で構成してもよいし、2種以上の材料の積層でも良く、化合物としても良い。また、半導体層11との界面部には光反射率の高い材料を用いることが好ましい。ここで言う光反射率とは、半導体層11で生ずる波長に対しての光反射率を指す。また、オーミック特性と光反射特性を別々の層で構成しても構わない。具体的にはオーミック特性を得るのに透光性電極14を用いても良い。この場合は、図1に示すように、半導体層11上に透光性電極14が形成され、透光性電極14の一部にパッド電極16が形成されてなる。パッド電極16、17は1つの発光素子100に対して少なくとも1対は必要であり、これ以上については個数を限定する必要はない。例えば、n型半導体層に複数のパッド電極を形成しても良い。これにより、半導体層11に均一に電流を流すことが可能になる。パッド電極16、17の具体的な材料としては、亜鉛Zn、ニッケルNi、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、ルテニウムRu、オスミウムOs、イリジウムIr、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、コバルトCo、鉄Fe、マンガンMn、モリブデンMo、クロムCr、タングステンW、ランタンLa、銅Cu、銀Ag、金Au、イットリウムY等の金属、合金の単層膜又は積層膜等が挙げられる。パッド電極16、17の成膜方法としては、スパッタ法,真空蒸着法,メッキ法,CVD法,印刷法,スプレーコート法等を用いる事が出来る。保護膜15保護膜15は半導体層11の剥き出し部を保護するために用いられ、パッド電極16、17の表面が露出するように開口されて形成される。材料としてはSiO2、Al2O3、SiN等の絶縁性材料で形成される。成膜方法としては、スパッタ法、CVD法、蒸着法等を用いる事が出来る。なお、この層は必ずしも必要というわけではない。保護膜15が形成されている場合には、後述の波長変換層12は、保護膜15を介して半導体層11又は透光性電極14の上に形成される。透光性電極14透光性電極14は、半導体層11の広い範囲を覆うように設けられ、パッド電極16を介して供給される電流を半導体層11の全面に均一に拡散させるための電極である。ただし、透光性電極14は金属ポスト18やパッド電極のように外部と電気的接続を取るものではないため、光反射層20からは露出されない。本実施形態では、半導体層11と波長変換層12との間に形成され、波長変換層側へと光を透過させる。なお、ここで言う間とは、透光性の別部材を介している場合も含むものとする。つまり、透光性電極を透過した光が波長変換12層に到達し、さらに光反射層20から反射された光を光取り出し面側に透過することが可能な部材であれば特に問題なく、例えば保護膜15を介していてもよい。透光性電極14としては、ITOインジウム-スズ酸化物、IZOインジウム-亜鉛酸化物、ZnO、In2O3、SnO2などの導電性酸化物や、金属薄膜を用いることができる。また、半導体層11の全域に電流を均一に供給するため、半導体層のほぼ全面に形成することが好ましい。また、透光性電極14の膜厚は特に限定されるものではないが、シート抵抗が過大とならないように、5000nm以下とすることが好ましく、100~1000nm程度とすることがより好ましい。透光性電極14は、前記した材料を、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法化学気相成長法などにより形成することができる。金属ポスト18金属ポスト18は、後に形成される波長変換層12及び光反射層20を避けて電極端子を外部に露出させるために形成される。パッド電極16、17と電気的に接続することが可能で、電気を流すものであれば特に限定されないが、例えば、金Au、銅Cu、ニッケルNi、銀Ag、アルミニウムAl、ロジウムRh等の単体、または、これらの多層膜や合金等を用いることができる。好ましくは、熱伝導率等に優れた金Auを単体で用いることである。また、金属ポスト18は一つの発光素子100に対して少なくとも1対は必要で、それ以上に対しては個数を限定する事はなく、例えば一つのパッド電極に対して金属ポスト18が複数個に分かれて形成されていても良い。これにより金属ポスト18の使用量を少なくする事ができるため低コスト化に有利である。金属ポスト18は、5μm~200μm程度の厚みが好ましく、形状は特に限定されず、種々の形状をとることができる。例えば、円柱、角柱等の柱状とすることで、後の工程で光反射層20を厚く形成した場合であっても、電極端子を光反射層20から露出させることができるため、発光素子の実装歩留まりが向上する。また、金属ポスト18は、柱状に限られず、ワイヤーボンディング法等でバンプ状に形成しても良い。また、半田材のように溶融させて形成しても良い。円柱やバンプ状の場合の直径は、電気抵抗、放熱性、結合強度特性を良好にするために50μm以上とすることが好ましい。波長変換層12波長変換層12は、給電に使用する一対の電極23以外の領域であって、半導体層11上を被覆する。波長変換層12については半導体層11からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発するもので、半導体層11からの光を、より長波長に変換させるものの方が効率がよい。波長変換層は、1種の蛍光体等を単層で形成してもよいし、2種以上の蛍光体等が混合された単層を形成してもよいし、1種の蛍光体等を含有する単層を2層以上積層させてもよいし、2種以上の蛍光体等がそれぞれ混合された単層を2層以上積層させてもよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。好ましくは、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体である、Y3Al5O12:Ce、Y0.8Gd0.23Al5O12:Ce、Y3Al0.8Ga0.25O12:Ce、Y,Gd3Al,Ga5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体である。また、Yの一部もしくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ceなどもある。さらに、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。また、これらの粒径等は特に限定する物ではないが、0.1~200μm程度の球形や鱗片状の物を用いる事が出来る。加えて、波長変換層12の任意断面での体積密度としては40以上である事が好ましい。これにより、薄い層での波長変換が可能となり発光素子の厚みを薄くすることができる。これらの波長変換層12の形成方法としては、電着,溶射,静電塗装等や、樹脂系に練り込んで印刷,スピンコート,ポッティング,ディッピング等の方法を用いる事も出来る。電着用の導電膜の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング、スクリーン印刷、インクジェット塗布、スプレー塗布あるいはそれらを組み合わせた方法を挙げることができる。また、電着用の導電膜は、電着後に酸化させる事で高抵抗化させる。これにより、素子の2極間で電気的にショートする事が無くなるのと、波長変換層12へ光を透過させることが可能となる。なお、この高抵抗化は、同じ導電膜を用いて光反射層20を波長変換層12の上に電着した後に行っても良い。また、電着,溶射,静電塗装等で形成する場合、これらの材料をより強固に固定するために透光性の材料を含浸させても良い。この透光性の材料としてはシリコーン等の樹脂でも良く、ポリシラザンやゾルゲル等の無機材料でも良い。とくにSi-O結合を有する物が好ましい。Si-O結合系の材料は比較的光による劣化が少なく、素子信頼性の向上に繋がるからである。波長変換層12の厚みは、3~50μmであることが好ましい。このような厚みであると、波長変換層12での光の吸収損失を少なくすることができる。光反射層20光反射層20は、半導体層11からの光を光取り出し面方向に反射させるものである。従って、少なくとも半導体層11から発光する波長に対して50以上の光反射率を有することが好ましい。光反射層20は、半導体層11上に形成された波長変換層12を被覆する。パッド電極16、17間から波長変換層12を通って波長変換された光は光反射層20により半導体層11側へと戻され、光取り出し面側から出射される。光反射層20は、好ましくは絶縁性の無機化合物の粒子の集合体であり、無機化合物の粒子として、具体的には、SiO2、Al2O3、AlOH3、MgCO3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、MgOH2、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3等の酸化物、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物等が挙げられる。これらは、単独でも化合物を用いてもよいし、混合して用いてもよい。あるいは、これらを積層させるようにしてもよい。これらの粒径等は特に限定する物ではないが、0.1~200μm程度の球形や鱗片状の物を用いる事が出来る。粒子の集合体で光反射層20を形成していることから、従来の樹脂材料に光反射性粒子を含有させたものよりも高密度で粒子を配置可能であり、光反射率を向上させることができる。また、これらの材料をより強固に固定するために透光性の材料を含浸させても良い。この透光性の材料としてはシリコーン等の樹脂でも良く、ポリシラザンやゾルゲル等の無機材料でも良い。とくにSi-O結合を有する物が好ましい。Si-O結合系の材料は比較的屈折率が低いため、他の材料のフィラーと屈折率差を大きく取る事が出来、光反射率の点で有利だからである。また、粒子の隙間をあえて埋めず、空気層とする事でより高い反射率を得る事も可能である。これらの光反射層20の形成方法としては、電着,溶射,静電塗装等や、樹脂系に練り込んで印刷,スピンコート,ポッティング,ディッピング等の方法を用いる事も出来る。また、光反射層20は電極23の通電のため少なくとも一部を露出させておく必要がある。この方法としてはフォトリソグラフィー技術や研磨研削等の技術を用いて行う事が出来る。光反射層20の厚みは、半導体層11から出射された光を反射可能な厚みであれば特に限定されないが、例えば1~100μm程度、好ましくは3μm以上とすることにより、十分な反射率を確保することができ、発光素子の光取り出し効率が向上する。本実施形態では、金属ポスト18の側面には、光反射層20及び波長変換層12が被覆されている。このような構成によれば、光反射部材の保持力が強くなり、工程中で光反射層20や、光反射層20を形成する粒子が脱落することを抑制することができ、製造歩留まりが向上する。以上に説明したような本実施形態の発光素子100は、従来知られている発光素子と同様に用いることができ、セラミックスや樹脂パッケージなどの各種の支持体に実装することで、発光装置とすることができる。波長変換された光が取り出されるため、別途波長変換部材を用いなくても良いし、さらに波長変換部材が必要な場合であっても、波長変換部材の使用量を減らすことができる。また、発光素子100の状態で色調を測定することができるため、この色調に応じて後に加える波長変換部材の量を調整することが可能となり、発光装置としての色調歩留まりを向上させることができる。<発光素子の製造方法>次に、第1実施形態に係る発光素子の製造方法について、図2~7を参照しながら説明する。まず、図2に示すように、同一面側に少なくとも一対のパッド電極16、17を有する発光素子を準備する。この発光素子は、個々の発光素子に分割される前のウエハ状態の発光素子であり、透光性基板10上に半導体層11が形成され、半導体層11上に少なくとも一対のパッド電極16、17が形成されている。パッド電極16は透光性電極14を介して形成されており、パッド電極16、17の上面の一部を除いて保護膜15が形成されている。次に、図3に示すように、保護膜15の開口部であってパッド電極16、17の露出部に金属ポスト18を形成する。形成方法は、めっき法の他にスパッタ法や蒸着法等を用いることができる。後に形成される波長変換層12及び光反射層20から露出される程度の厚みで形成する。次に、図4に示すように、複数の金属ポスト18間に波長変換層12を埋設する。これらの波長変換層12は、電着,溶射,静電塗装等により形成することもできるし、樹脂系に含有させたものを印刷,スピンコート,ポッティング,ディッピング等することにより形成する事も出来る。次に、図5に示すように、複数の金属ポスト18間に形成された波長変換層12上を、被覆するように光反射層20を埋設する。発光素子100は、最終的には外部との電気的接続を取るために金属ポスト18が露出している必要があるが、後の工程において導電部材を露出させればよいため、この段階においては、金属ポスト18を完全に被覆するように光反射層20が形成されていてもよい。次に、図6に示すように、光反射層20を研磨等することにより、金属ポスト18の端部を露出させる。これにより、光反射層20と金属ポスト18の端部とが、ほぼ面一に平坦化される。この平坦化方法としては、フォトリソグラフィー技術や研磨、研削等の技術を用いて行うことができる。最後に、図7に示すように、分割予定線21に沿ってダイシングやスクライブ等によってウエハを個片化して、図1に図示するような発光素子100とする。分割予定線21は、透光性基板10、半導体層11、波長変換層12、光反射層20を通る線であり、これらが面一に裁断されることで、発光素子100の側面が形成されることとなる。特に、波長変換層12及び光反射層20を無機材料で形成することにより、レーザスクライブ法等の破断による分割が可能となり、分割時に生じる発光素子への損傷が少なく、信頼性を向上させることができる。また、レーザスクライブ法等の破断による分割によれば、分割時の切りしろを少なくすることができるため、収率を向上させることができるため好ましい。<第1実施形態の変形例1>図1に示す前記第1実施形態に係る発光素子100の側面には、半導体層11の側面が露出された例を示したが、本変形例では、半導体層11の側面が波長変換層12に被覆された発光素子600について、図14を参照して説明する。第1実施形態と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。発光素子600では、半導体層11の側面が、基板10の最も外側に位置する側面よりも内側になるように形成されている。このような発光素子は、例えばn型半導体層、活性層、p型半導体層を積層した後に、基板10が露出するまで半導体層11をエッチングすることにより形成することができる。このように、基板10の一部が半導体層11側において露出されていることにより、半導体層11の側面に波長変換層12を被覆することができる。なお、図14では半導体層11の側面と波長変換層12の間に保護膜15が介されているが、第1実施形態で述べたとおり、この保護膜15は形成されていなくてもよい。つまり、ここで言う半導体層11の側面が波長変換層12に被覆されるとは、透光性の別部材を介している場合であってもよく、半導体層11からの光がその側面において波長変換層12へと入射可能なように設けられていることをいう。このように、半導体層11の側面方向にも波長変換層12が配置されていることにより、半導体層11の側面から直接光が出ることが無くなり、側面から出る光も波長変換層12により波長変換される。これにより色むらを減少させることができる。また、後から封止樹脂28に波長変換部材を加える場合には、この波長変換部材の量を少なくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。<第1実施形態の変形例2>さらに別の変形例を、図15を参照して説明する。本変形例の発光素子700は、金属ポスト18の側面が波長変換層12により被覆されている。これにより金属ポスト18が光反射層20から露出される部分において、金属ポスト18の周囲に波長変換層12が光反射層20から露出されてなる。これにより波長変換層12の接着面積が増え、結着力が上がり工程中での波長変換層12の脱落を防ぐことが出来、歩留まりを向上させることができる。<第2実施形態>図8に示すように、本実施形態の発光素子200は金属ポスト18を有しておらず、光反射層の表面から凹んだ位置においてパッド電極16、17の上面が露出されるように、光反射層20及び波長変換層12が開口されてなる発光素子であり、その他の構成については第1実施形態と同様である。本実施形態の発光素子200は、第1実施形態の発光素子と同様の効果を有する。なお、本実施形態においてはパッド電極16、17が電極に該当する。本実施形態の発光素子は、第1実施形態の製造方法と比較して、金属ポスト18に代えて図9に示すようにレジスト19を形成して、第1実施形態と同様に波長変換層12及び光反射層20を形成した後に、レジスト19を除去するものである。研磨や研削等によってレジスト19と光反射層20とが面一になるように平坦化したのちにレジストを除去してもよいが、この平坦化は必ずしも必要ではない。その他の部分については、第1実施形態と同様にして形成することができる。<第3実施形態>本実施形態の発光装置300は、第1実施形態の発光素子100を支持体に搭載して樹脂封止したものである。本実施形態の発光装置300は、図10に示すように、発光素子100が収納される凹部を有する支持体22と、凹部内に充填される封止樹脂28とを有する。さらに、封止樹脂28には、波長変換部材29が含有されている。支持体22支持体22は、発光素子100を載置するための部材である。支持体22の底面には、発光素子の一対の電極23と電気的接続をとるための少なくとも一対の導体配線24を有している。また、支持体22の外側に、外部との電気的接続を取るための外部端子26を有している。なお、この支持体22の材料は特に限定されることはない。例えば、セラミックスAl2O3、AlN等、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジンbismaleimidetriazineresin、ポリフタルアミドPPA等の樹脂を用いることができる。また、導体配線24についても、リードフレーム等の導電性の板材であってもよい。支持体22は、凹部を有することが好ましく、これにより封止樹脂28を容易に充填することができる。発光素子100は、電極23を実装面となる導体配線24に接合する所謂フリップチップ実装することにより支持体と接合される。封止樹脂28発光素子を被覆する封止樹脂28は、発光素子100からの光を透過可能な透光性を有するものであればよい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー等を含有させることもできる。封止部材28に含有される波長変換部材としては、波長変換層12で説明したものと同様の蛍光体等を用いることができる。波長変換層12で用いる蛍光体と、封止樹脂に含有させる波長変換部材は、同じものであっても良いし、種類や発光波長が異なるものであっても良い。支持体22が凹部を有する場合は、凹部に封止樹脂28を充填することで、発光素子が被覆される。本実施形態の発光装置300は、発光素子100が波長変換層12を有していることで半導体層11からの光が波長変換され、光反射層20で光取り出し面方向に取り出されることにより、波長変換層12がない場合と比べて、封止樹脂に含有させる波長変換部材の量を少なくすることができる。これにより、蛍光体により吸収される光を少なくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。この光取り出し効率の向上は、蛍光体が沈降分布し、かつ、フリップチップ実装される場合に、より顕著である。発光素子をフリップチップ実装する場合、透光性基板10を実装面に実装する場合と比較して、半導体層11が下方に位置することになる。蛍光体等の波長変換部材が沈降分布していると、下方に位置した半導体層11が蛍光体に埋もれてしまい、この蛍光体を抜けて光が光取り出し面まで到達するまでの間に再吸収されてしまい、光取り出し効率が低下する。半導体層11からの光が蛍光体で励起される場合は、以下の2通りの励起があると考えられる。1つは先に述べたとおり、蛍光体を透過して励起する透過型励起であり、この場合は蛍光体を透過した光は蛍光体自身に吸収され、発光効率が低下する。上述のように、蛍光体が沈降分布し、かつ、フリップチップ実装される場合は、半導体層が蛍光体に埋もれていることから、透過型の励起が多くなっていると考えられる。もう1つは蛍光体の表面で励起する場合以下、表面励起ともいうであり、この場合においては、蛍光体を透過せずに蛍光体の表面で光が励起されることから、蛍光体自身の光吸収を抑えることができる。つまり、表面励起の割合が高いほど、発光効率の高い発光装置とすることができる。図10に示すように、半導体層および基板10の側面の大半の波長変換部材29から露出されている場合、半導体層から取り出された光は、沈降分布された蛍光体の表面に当たり、表面励起されて光取り出し面から取り出されるため、光取り出し効率が高くなる。本実施形態の発光装置300では、フリップチップ実装ではあるものの、波長変換層12及び光反射層20を実装面側に有しており、実装面から半導体層11までの距離が長くなるように形成されている。これにより、半導体層11を波長変換部材29から露出させることが容易となる。さらに、波長変換部材29の発光波長は、波長変換層12の発光波長よりも短くすることが好ましい。長波側の蛍光体例えば、赤色を発光するCASN系蛍光体の吸収スペクトルは、短波側の蛍光体例えば、黄色を発光するYAG系蛍光体の発光スペクトルと一部重複する。このため、短波側の蛍光体による波長変換光の一部が長波側の蛍光体に吸収され、発光効率が低下し発光装置の出力が低下する場合がある。これを抑制するために、半導体層から光取り出し面までの経路のうち、光取り出し面に近いほうに短波の蛍光体を配置することで、光吸収を抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。<第4実施形態>図11に、第4実施形態の発光装置400を示す。本実施形態では、発光素子に波長変換層12を形成し、波長変換層12上に形成された光反射層20に代えて、発光素子実装時に発光素子下部を埋めるように形成される光反射層32を用いて光を取り出し面側に反射させる。この光反射層32は、絶縁材料からなるいわゆるアンダーフィル等を用いることができる。光反射層32は、光反射層20と同様の材料により形成することができる。つまり、第4実施形態の発光装置400は、一対の電極23を備えた発光素子500を、支持体22の配線24にフリップチップ接続した発光装置であって、発光素子100の下面と支持体22の上面との間に、波長変換層12と光反射層32とを、この順に備える。発光素子の電極23を支持体22の配線24に接合する際には図11に示すようにバンプやメッキ等の接合部材30で高さを稼ぐことが好ましい。これにより、光反射層32を形成しやすくなるからである。また、実装面から半導体層11までの距離を長くすることができるという利点もある。実施形態4の発光装置であっても、実施形態3と同様の効果を得ることができる。実施形態3と同様に、外側底面に外部端子26を有する支持体22を用い、支持体の凹部に波長変換部材29を含有する封止樹脂28で封止してもよい。ここで、実施形態4に用いる発光素子500について説明する。発光素子500は、光反射層20が発光素子に形成されていない以外は、第1実施形態の発光素子100と同様の構成であり、同様に作成することができる図12参照。発光素子500は、図13に示すように、波長変換層12から金属ポスト18が露出されて形成されており、外部電源に接続するための端子電極として用いて、フリップチップ型実装をする発光素子とすることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。すなわち、前記に示す発光素子及び発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光素子及び発光装置を例示するものであって、本発明は、発光素子及び発光装置を前記の形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施形態の部材に特定するものではない。特に、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。"