"圧電基板と、該圧電基板の上面に位置しているAlを主成分とする電極と、該電極の上面に位置している第1の膜と、該第1の膜と前記圧電基板のうち前記電極から露出する部分とを覆い、前記圧電基板の上面からの厚みが前記電極および前記第1の膜の合計の厚みよりも大きい、酸化珪素を主成分とする絶縁層と、を備え、前記第1の膜は、前記電極の材料および前記絶縁層の材料よりも音響インピーダンスが大きく、かつ前記電極の材料および前記絶縁層の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料を主成分とする、弾性波素子。前記第1の膜が、Ta2O5、TaSi2およびW5Si2のいずれかを主成分とする、請求項1に記載の弾性波素子。前記圧電基板が、128°±10°Y-XカットのLiNbO3基板である、請求項2に記載の弾性波素子。前記第1の膜が、Ta2O5を主成分とするものであり、該第1の膜の正規化厚みt/λが下記の式1の範囲にある、請求項3に記載の弾性波素子。0.5706T/λ2-0.3867T/λ0.0913≦t/λ≦T/λ-0.1...式1ここで、T/λは絶縁層の正規化厚みであり、tは第1の膜の厚みであり、Tは絶縁層の厚みであり、λは弾性波の波長である。前記第1の膜が、TaSi2を主成分とするものであり、該第1の膜の正規化厚みt/λが下記の式2の範囲にある、請求項3に記載の弾性波素子。0.3995T/λ2-0.2675T/λ0.0657≦t/λ≦T/λ-0.1...式2ここで、T/λは絶縁層の正規化厚みであり、tは第1の膜の厚みであり、Tは絶縁層の厚みであり、λは弾性波の波長である。前記第1の膜が、W5Si2を主成分とするものであり、該第1の膜の正規化厚みt/λが下記の式3の範囲にある、請求項3に記載の弾性波素子。0.2978T/λ2-0.1966T/λ0.0433≦t/λ≦T/λ-0.1...式3ここで、T/λは絶縁層の正規化厚みであり、tは第1の膜の厚みであり、Tは絶縁層の厚みであり、λは弾性波の波長である。前記第1の膜の正規化厚みt/λによって変化する反共振周波数を有し、前記第1の膜の正規化厚みt/λは、該正規化厚みt/λによって変化するストップバンドの上端の周波数が、前記反共振周波数よりも高い、請求項1に記載の弾性波素子。前記第1の膜が絶縁材料を主成分とする、請求項1または7に記載の弾性波素子。前記電極は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第1バスバーおよび第2バスバーと、前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延びた複数の第1電極指と、前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延び、前記複数の第1電極指と互いに交差している複数の第2電極指と、前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延び、先端が前記複数の第2電極指の先端に第1先端ギャップ部を介して対向する複数の第1ダミー電極と、前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延び、先端が前記複数の第1電極指の先端に第2先端ギャップ部を介して対向する複数の第2ダミー電極と、を備え、前記圧電基板の上面における前記複数の第1先端ギャップ部および前記複数の第2先端ギャップ部に位置しており、前記電極の材料および前記絶縁層の材料よりも音響インピーダンスが大きく、かつ前記電極の材料および前記絶縁層の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い絶縁材料を主成分とする第2の膜をさらに有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の弾性波素子。前記電極は、弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する第1バスバーおよび第2バスバーと、前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延びた複数の第1電極指と、前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延び、前記複数の第1電極指と互いに交差している複数の第2電極指と、前記第1バスバーから前記第2バスバー側へ延び、先端が前記複数の第2電極指の先端に第1先端ギャップ部を介して対向する複数の第1ダミー電極と、前記第2バスバーから前記第1バスバー側へ延び、先端が前記複数の第1電極指の先端に第2先端ギャップ部を介して対向する複数の第2ダミー電極と、を備え、前記圧電基板の上面における前記複数の第1先端ギャップ部および前記複数の第2先端ギャップ部に位置しており、前記第1の膜と同一材料からなる第2の膜をさらに有する、請求項8に記載の弾性波素子。前記圧電基板の上面のうち前記電極から露出する部分に位置しており、前記第1の膜と同一材料からなる第2の膜をさらに有する、請求項8に記載の弾性波素子。請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波素子と、該弾性波素子が取り付けられる回路基板と、を備える弾性波装置。上記の構成によれば、電極の上面に電極の材料および酸化珪素よりも音響インピーダンスが大きく、かつ電極の材料および酸化珪素よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなる第1の膜を配置したことによって、電極が酸化珪素によって覆われている弾性波素子の反射係数を高くすることができ、温度補償特性および共振特性に優れた弾性波素子とすることができる。以下、本発明の実施形態に係るSAW素子およびSAW装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、第2の実施形態以降において、第1の実施形態の構成と同様もしくは類似する構成については、第1の実施形態と同様の符号を付して説明を省略することがある。<第1の実施形態>SAW素子の構成および製造方法図1aは本発明の第1の実施形態に係るSAW素子1の平面図、図1bは図1aのIb-Ib線における断面図である。なお、SAW素子1は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側図1aの紙面手前側、図1bの紙面上方を上方として、上面、下面等の用語を用いるものとする。SAW素子1は、基板3と、基板3の上面3aに設けられたIDT電極5および反射器7と、IDT電極5および反射器7上に設けられた第1の膜9図1bと、上面3aを第1の膜9の上から覆う保護層11図1bとを有している。なお、SAW素子1は、この他にも、IDT電極5に信号の入出力を行うための配線等を有していてもよい。基板3は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板3は、タンタル酸リチウムLiTaO3単結晶,ニオブ酸リチウムLiNbO3単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。より好適には、基板3は、128°±10°Y-XカットのLiNbO3基板によって構成されている。基板3の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。一例として、基板3の厚みz方向は、0.2mm~0.5mmである。IDT電極5は、一対の櫛歯状電極13を有している。各櫛歯状電極13は、SAWの伝搬方向x方向に延びるバスバー13a図1aと、バスバー13aから上記伝搬方向に直交する方向y方向に伸びる複数の電極指13bとを有している。2つの櫛歯状電極13同士は、互いに噛み合うように電極指13bが互いに交差するように設けられている。複数の電極指13bは、そのピッチが、例えば、共振させたい周波数でのSAWの波長λの半波長と同等となるように設けられている。なお、図1等は模式図であり、実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のIDT電極5が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型SAWフィルタが構成されてもよいし、複数のIDT電極5をX方向に沿って配置した2重モードSAW共振器フィルタ等が構成されてよい。また、複数の電極指の長さを異ならせることによって、アポダイズによる重み付けを行ってもよい。後述する第2の実施形態等のようにダミー電極が設けられてもよい。IDT電極5は、例えば、Alを主成分とする材料Al合金を含むによって形成されている。Al合金は、例えば、Al-Cu合金である。なお、Alを主成分とするとは、基本的にはAlを材料とするものであるが、SAW装置1の製造過程等において自然に混入しうるAl以外の不純物等が混ざった材料も含む。以下、主成分との表現を用いた場合も同様の意味である。IDT電極5の各種寸法は、SAW素子1に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、IDT電極5の厚みe図1bは、100nm~300nmである。なお、IDT電極5は、基板3の上面3aに直接配置されていてもよいし、別の部材を介して基板3の上面3aに配置されていてもよい。別の部材は、例えば、Ti、Cr、あるいはこれらの合金等である。このようにIDT電極5を別の部材を介して圧電基板3の上面3aに配置する場合は、別の部材の厚みはIDT電極5の電気特性に殆ど影響を与えない程度の厚み例えば、Tiの場合はIDT電極5の厚みの5の厚みに設定される。反射器7は、IDT電極5の電極指13bのピッチと概ね同等のピッチの格子状に形成されている。反射器7は、例えば、IDT電極5と同一の材料によって形成されるとともに、IDT電極5と同等の厚みに形成されている。第1の膜9は、IDT電極5および反射器7の反射係数を高くするためのものである。第1の膜9は、例えば、IDT電極5および反射器7の上面の全面に亘って設けられている。第1の膜9は、IDT電極5および反射器7を構成する材料AlまたはAl合金、および、保護層11を構成する材料後述とは音響インピーダンスが異なる材料を主成分とする材料によって構成されている。当該音響インピーダンスの相違は、ある程度以上であることが好ましく、例えば、15MRayl以上、より好ましくは20MRayl以上である。第1の膜9の好適な材料および第1の膜9の好適な厚みt図1bについては後述する。保護層11は、例えば、基板3の上面3aの概ね全面に亘って設けられており、第1の膜9が設けられたIDT電極5および反射器7を覆うとともに、上面3aのうちIDT電極5および反射器7から露出する部分を覆っている。保護層11の上面3aからの厚みT図1bは、IDT電極5および反射器7の厚みeよりも大きく設定されている。例えば、厚みTは、厚みeよりも100nm以上厚く、200nm~700nmである。保護層11は、絶縁性を有する材料を主成分とする材料からなる。また、保護層11は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなるSiO2などの材料を主成分とする材料によって形成されており、これにより温度の変化による特性の変化を小さく抑えることができる。すなわち温度補償に優れた弾性波素子とすることができる。なお、基板3を構成する材料など、一般的な材料は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度は遅くなる。また保護層11の表面は、大きな凹凸がないようにしておくことが望ましい。圧電基板上を伝搬する弾性波の伝搬速度は保護層11の表面の凹凸に影響を受けて変化するため、保護層11の表面に大きな凹凸が存在すると、製造された各弾性波素子の共振周波数に大きなばらつきが生じることとなる。したがって、保護層11の表面を平坦にしておけば、各弾性波素子の共振周波数が安定化する。具体的には、保護層11の表面の平坦度を圧電基板上を伝搬する弾性波の波長の1以下とすることが望ましい。図2a~図2eは、SAW素子1の製造方法を説明する、図1bに対応する断面図である。製造工程は、図2aから図2eまで順に進んでいく。なお、各種の層は、プロセスの進行に伴って形状等が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。図2aに示すように、まず、基板3の上面3a上には、IDT電極5および反射器7となる導電層15、ならびに、第1の膜9となる付加層17が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVDChemicalVaporDeposition:化学的気相堆積法等の薄膜形成法によって、上面3a上に導電層15が形成される。次に、同様の薄膜形成法によって、付加層17が形成される。付加層17が形成されると、図2bに示すように、付加層17および導電層15をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層19が形成される。具体的には、ネガ型もしくはポジ型の感光性樹脂の薄膜が適宜な薄膜形成法によって形成され、フォトリソグラフィー法等によって、IDT電極5および反射器7等の非配置位置において薄膜の一部が除去される。次に、図2cに示すように、RIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチング等の適宜なエッチング法によって、付加層17および導電層15のエッチングを行う。これによって、第1の膜9が設けられたIDT電極5および反射器7が形成される。その後、図2dに示すように、適宜な薬液を用いることによって、レジスト層19は除去される。そして、図2eに示すように、スパッタリング法もしくはCVD法等の適宜な薄膜形成法によって、保護層11となる薄膜が形成される。この時点においては、保護層11となる薄膜の表面には、IDT電極5等の厚みに起因して凹凸が形成されている。そして、必要に応じて化学機械研磨等によって表面が平坦化され、図1bに示すように、保護層11が形成される。なお、保護層11は、平坦化の前もしくは後において、後述するパッド39図12等を露出させるために、フォトリソグラフィー法等によって一部が除去されてもよい。図3a~図3cを参照して、比較例の作用を説明するとともに、第1の実施形態のSAW素子1の作用を説明する。図3aは、第1の比較例のSAW素子101の作用を説明する断面図である。SAW素子101は、第1の実施形態のSAW素子1において第1の膜9および保護層11がない状態のものとなっている。IDT電極5によって基板3に電圧が印加されると、矢印y1によって示すように、基板3の上面3a付近において、上面3aに沿って伝搬するSAWが誘起される。また、SAWは、矢印y2によって示すように、電極指13bと電極指間ギャップ部互いに交差する電極指13b間の領域、電極指13bの非配置領域との境界において反射する。そして、矢印y1およびy2で示すSAWによって電極指13bのピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指13bによって取り出される。このようにして、SAW素子1は、共振子もしくはフィルタとして機能する。しかし、SAW素子101においては、その温度が上昇すると、基板3における弾性波の伝搬速度が遅くなり、また、電極指間ギャップ部が大きくなる。その結果、共振周波数が低くなり、所望の特性が得られないおそれがある。図3bは、第2の比較例のSAW素子201の作用を説明する断面図である。SAW素子201は、第1の実施形態のSAW素子1において第1の膜9がない状態のものとなっている。換言すれば、第1の比較例のSAW素子101に保護層11を付加したものとなっている。SAW素子201においては、保護層11が設けられていることから、矢印y3によって示すように、誘起されるSAWは、基板3だけでなく、保護層11においても伝搬する。ここで、上述のように、保護層11は、温度が上昇すると弾性波の伝搬速度が速くなる材料、例えば、SiO2等の酸化珪素によって形成されている。従って、基板3および保護層11を伝搬するSAW全体としては、温度上昇による速度の変化が抑制されることになる。すなわち、保護層11によって、温度上昇による基板3の特性変化が補償される。しかし、IDT電極5がAlもしくはAl合金で形成され、保護層11がSiO2で形成された場合においては、IDT電極5と保護層11とで音響的な性質が近似し、電極指13bと電極指間ギャップ部との境界が音響的に曖昧になる。換言すれば、電極指13bと電極指間ギャップ部との境界における反射係数が低下する。その結果、図3bにおいて図3aの矢印y2よりも小さい矢印y4によって示すように、SAWの反射波が十分に得られず、所望の特性が得られないおそれがある。図3cは、第1の実施形態のSAW素子1の作用を説明する断面図である。SAW素子1は、保護層11を有していることから、第2の比較例のSAW素子201と同様に、温度特性の補償効果が得られる。また、SAW素子1は、第1の膜9を有し、第1の膜9は、音響インピーダンスがIDT電極5および保護層11の音響インピーダンスとある程度相違する材料によって形成されている。従って、電極指13bと電極指間ギャップ部との境界位置における反射係数が高くなる。その結果、矢印y2によって示すように、SAWの反射波を十分に得ることが可能となる。第1の膜の好適な材料および厚み以下、第1の膜9の好適な材料および厚みtについて検討する。なお、以下の検討において、特に断りがない限り、基板3は128°Y-XカットのLiNbO3基板であり、IDT電極5はAlからなり、保護層11はSiO2からなるものとする。図4aおよび図4bは、電極指13bの1本当たりの反射係数Γ1および電気機械結合係数K2を示すグラフである。図4aおよび図4bは、シミュレーション計算によって得られたものである。計算条件は、以下のとおりである。なお、各種寸法は、SAWの波長λに対する比で示されている。IDT電極5の正規化厚みe/λ:0.08保護層11の正規化厚みT/λ:0.25第1の膜9の正規化厚みt/λ:0.01~0.05の範囲で変化させた。第1の膜9の材料:WC、TiN、TaSi2各材料の音響インピーダンス単位はMRayl:SiO2:12.2Al:13.5WC:102.5TiN:56.0TaSi2:40.6図4aおよび図4bにおいて、横軸は第1の膜9の正規化厚みt/λを示している。図4aにおいて縦軸は電極指13bの1本当たりの反射係数Γ1を示している。図4bにおいて縦軸は電気機械結合係数K2を示している。図4aおよび図4bにおいて、線L1、L2およびL3は、それぞれ、第1の膜9がWC、TiNおよびTaSi2からなる場合に対応している。図4aにおいて、線LS1は、反射係数Γ1の一般的に好ましいとされる範囲の下限を示している。図4bにおいて、線LS2は、電気機械結合係数K2の一般的に好ましいとされる範囲の下限を示している。これらの図より、第1の膜9が設けられることによって、電気機械結合係数K2を一般的に好ましいとされる範囲に留めつつ、反射係数Γ1を一般的に好ましいとされる範囲とすることが可能であることが確認された。また、図4aより、第1の膜9の正規化厚みt/λが大きくなるほど、反射係数Γ1が高くなっていることが窺える。図4bより、第1の膜9の正規化厚みt/λは、電気機械結合係数K2にほとんど影響を及ぼしていないことが窺える。ただし、第1の膜9の正規化厚みt/λが大きくなると、若干、電気機械結合係数K2は向上する。このような傾向は、いずれの材料によって第1の膜9が形成された場合においても生じている。一般には、音波が伝搬する媒質間における音響インピーダンスの差が大きいほど反射波は大きい。しかし、TaSi2線L3は、TiN線L2に比較して、音響インピーダンスが小さく、ひいては、SiO2との音響インピーダンスの差が小さいにも関わらず、反射係数Γ1が大きくなっている。以下では、この理由について検討する。音響インピーダンスZSが互いに同一で、ヤング率Eおよび密度ρが互いに異なる種々の仮想材料によって第1の膜9を形成した場合ケースNo.1~No.7について、反射係数Γ1および電気機械結合係数K2を計算した。計算条件は、以下のとおりである。IDT電極5の正規化厚みe/λ:0.08保護層11の正規化厚みT/λ:0.30第1の膜9の正規化厚みt/λ:0.03第1の膜9の物性値:ZSEρMRaylGPa103kg/m3No.1:5010025.0No.2:5020012.5No.3:503008.33No.4:504006.25No.5:505005.00No.6:506004.17No.7:507003.57なお、ZS=√ρEである。図5aおよび図5bは、上記の条件に基づいて計算した結果を示すグラフである。横軸は、No.を示し、縦軸は、電極指13bの1本当たりの反射係数Γ1または電気機械結合係数K2を示している。線L5は計算結果を示している。図5aにおいて、反射係数Γ1は、音響インピーダンスZSが同一であっても、ヤング率Eが小さく、密度ρが大きいほど大きくなっている。また、No.1~No.3における反射係数Γ1の変化率は、No.3~No.7における反射係数Γ1の変化率よりも大きくなっている。換言すれば、No.3付近において、臨界的意義を見出す余地がある。このような反射係数Γ1の変化は、以下のように、第1の膜9を構成する材料の弾性波の伝搬速度の相違によって生じているものと考えられる。まず、導波路理論より、振動分布は弾性波の伝搬速度の遅い媒質の領域ほど大きくなる。一方、No.1~No.7の仮想材料の弾性波の伝搬速度Vは、以下のようになる単位はm/s。なお、V=√E/ρである。No.1:2000No.2:4000No.3:6000No.3:8000No.4:10000No.6:12000No.7:14000従って、同等の音響インピーダンスの第1の膜9であっても、振動分布が第1の膜9に集中する弾性波の伝搬速度が遅い第1の膜9の方が、振動分布が周りに分散してしまう弾性波の伝搬速度が速い第1の膜9よりも、実効的に反射係数が高くなると考えられる。また、SiO2の弾性波の伝搬速度は5560m/s、Alの弾性波の伝搬速度は5020m/sである。従って、No.1および2の第1の膜9の弾性波の伝搬速度は、保護層11およびIDT電極5の弾性波の伝搬速度よりも遅く、No.3~7の第1の膜9の弾性波の伝搬速度は、保護層11およびIDT電極5の弾性波の伝搬速度よりも速い。従って、上述したNo.3付近における反射係数の変化率の変化も、弾性波の伝搬速度によって説明できる。なお、図5aにおいて、横軸を弾性波の伝搬速度とみなしたときのSiO2およびAlの弾性波の伝搬速度を線LV1およびLV2によって示す。また、図5bに示す電気機械結合係数K2については、ヤング率Eおよび密度ρが変化しても、大きな変化は生じず、好ましい範囲内に収まっている。以上のとおり、第1の膜9は、保護層11およびIDT電極5を形成する材料と音響インピーダンスが相違し、かつ保護層11およびIDT電極5を形成する材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料からなることが好ましい。なお、保護層11およびIDT電極5を形成する材料よりも音響インピーダンスが小さい材料よりも、大きい材料の方が、保護層11およびIDT電極5を形成する材料よりも弾性波の伝搬速度が遅いという条件を満たしやすく、材料の選定が容易である。このような材料としては、例えば、Ta2O5、TaSi2、W5Si2が挙げられる。これらの物性値音響インピーダンスZS、弾性波の伝搬速度V、ヤング率E、密度ρは、以下のとおりである。ZSVEρMRaylm/sGPa103kg/m3Ta2O5:33.843521477.76TaSi2:40.644381809.14W5Si2:67.4446530115.1なお、図4aにおいて例示したWCおよびTiNは、保護層11およびIDT電極5を形成する材料よりも弾性波の伝搬速度が遅いという条件を満たさないWCのV:6504m/s、TiNのV:10721m/s。TaSi2図4aの線L3よりも更に音響インピーダンスが保護層11およびIDT電極5の音響インピーダンスに近いTa2O5AlおよびSiO2との音響インピーダンスの差が20MRayl程度について反射係数を計算し、上記の材料に関する知見について確認を行った。計算条件は、以下のとおりである。IDT電極5の正規化厚みe/λ:0.08保護層11の正規化厚みT/λ:0.27、0.30または0.33第1の膜9の正規化厚みt/λ:0.01~0.09の範囲で変化させた。図6は上記の条件に基づいて計算した結果を示すグラフである。横軸および縦軸は図4aの縦軸および横軸と同様である。なお、線L7、L8およびL9は、それぞれ、保護層11の正規化厚みT/λが0.27、0.30および0.33の場合に対応している線L7、L8およびL9はほぼ重なっている。図6において、Ta2O5は、TiN図4aの線L2に比較して、音響インピーダンスが保護層11の音響インピーダンスに近いにも関わらず、弾性波の伝搬速度が遅いことから、反射係数が高くなっている。図6においては、保護層11の正規化厚みT/λは、概ね、反射係数に影響を及ぼさないという結果となっている。次に、第1の膜9の正規化厚みt/λの好ましい範囲について検討する。まず、第1の膜9の正規化厚みt/λの好ましい範囲の下限値以下、好ましい範囲のを省略して単に下限値ということがある。について検討する。図7aは、IDT電極5全ての電極指13bの反射係数Γallを模式的に示すグラフである。図7aにおいて横軸は周波数fを示し、縦軸は反射係数Γallを示している。反射係数Γallが概ね1100となる周波数帯f1~f2は、ストップバンドと呼ばれている。なお、実用上、ストップバンドにおける反射係数Γallは、完全に1である必要はなく、例えば、反射係数Γallが0.99以上である周波数帯がストップバンドとして特定されてよい。また、一般に、ストップバンドの下端f1もしくは上端f2においては、反射係数Γallが急激に変化するから、この変化の間がストップバンドと特定されてもよい。IDT電極5の反射係数Γallは、電極指13bの1本当たりの反射係数Γ1および電極指13bの本数等によって決定される。そして、反射係数Γ1が小さくなると、ストップバンドの幅SBは小さくなることが一般的に知られている。図7bは、IDT電極5の電気的なインピーダンスZeを模式的に示すグラフである。図7bにおいて横軸は周波数fを示し、縦軸はインピーダンスの絶対値|Ze|を示している。一般に知られているように、|Ze|は、共振周波数f3において極小値をとり、反共振周波数f4において極大値をとる。また、第1の膜9の正規化厚みt/λを変えるとストップバンドの下端f1と共振周波数f3とが一致した状態でストップバンドの上端f2と反共振周波数f4とが変化する。このときの変化の割合は、ストップバンドの上端f2の方が反共振周波数f4よりも大きい。ここで、仮に、ストップバンドの上端f2が、線L11で示す、反共振周波数f4よりも低い周波数であると仮定すると、領域Sp1において仮想線2点鎖線で示すように、共振周波数f3と反共振周波数f4との間の周波数帯幅Δfにおいてスプリアスが発生する。その結果、所望のフィルタ特性等が得られないおそれがある。一方、ストップバンドの上端f2が、線L12で示す、反共振周波数f4よりも高い周波数であると仮定すると、領域Sp2において仮想線2点鎖線で示すように、スプリアスは、反共振周波数f4よりも高い周波数において発生する。この場合、スプリアスがフィルタ特性等に及ぼす影響は抑制される。従って、ストップバンドの上端f2は反共振周波数f4よりも高い周波数であることが好ましい。ここでストップバンドの上端f2は反射係数に依存するから、ストップバンドの上端f2が反共振周波数f4よりも高い周波数となるようにIDT電極5の反射係数を調整すればよい。そして、IDT電極5の反射係数は図4や図6において示したように第1の膜9の正規化厚みt/λが大きくなるほど直線的に増加するから、第1の膜9の正規化厚みt/λを調整することによってストップバンドの上端f2を反共振周波数f4よりも高い周波数とすることができる。すなわち、第1の膜9の正規化厚みt/λをストップバンドの上端f2が反共振周波数f4よりも高くなる厚みとすることによって、共振周波数f3と反共振周波数f4との間の周波数帯幅Δfにおいてスプリアスの発生が抑制される。ここで、図6に示したように、反射係数Γ1は、保護層11の正規化厚みT/λの影響を受ける。また、幅Δfは、保護層11の正規化厚みT/λの影響を受ける。そこで、第1の膜9の正規化厚みt/λは、保護層11の正規化厚みT/λに応じて決定されることが好ましい。そこで、ストップバンドの上端f2が反共振周波数f4と同等となる正規化厚みt/λを保護層11の正規化厚みT/λを変化させて算出し、その計算結果に基づいて、正規化厚みt/λの下限値を正規化厚みT/λによって規定した。図8~図10は、ストップバンドの上端f2が反共振周波数f4よりも高くなる正規化厚みt/λを説明するグラフであり、それぞれ、第1の膜9の材料をTa2O5、TaSi2、W5Si2とした場合に対応している。図8~図10において、横軸は保護層11の正規化厚みT/λを示し、縦軸は第1の膜9の正規化厚みt/λを示している。各図において示した実線LN1~LN3は、ストップバンドの上端f2が反共振周波数f4と同等となる正規化厚みt/λの計算結果を示したものである。なお、計算において、IDT電極5の正規化厚みe/λは、0.08とした。各図において実線LN1~LN3によって示されるように、第1の膜9の正規化厚みt/λは、2次曲線によって好適に近似曲線を導き出すことが可能であった。具体的には、以下のとおりである。Ta2O5図8:下限値実線LN1:t/λ=05706T/λ2-03867T/λ00913TaSi2図9:下限値実線LN2:t/λ=03995T/λ2-02675T/λ00657W5Si2図10:下限値実線LN3:t/λ=02978T/λ2-01966T/λ00433なお、いずれの下限値の式においても、正規化厚みt/λの極小値は、特許文献2において示された密着層の正規化厚みの最大値0.01よりも大きい。特許文献1は、密着層の厚みが波長によって正規化されていないので比較が難しい。しかし、正規化された厚みが大きくなるように、周波数を高く例えばUMTSの最大周波数2690MHz、弾性波の伝搬速度を遅く例えば3000m/sしても、λ=1.1μmであり、特許文献1の密着層の厚さの最大値100Åは、正規化すると0.01未満である。次に、第1の膜9の正規化厚みt/λの好ましい範囲の上限値以下、好ましい範囲のを省略して単に上限値ということがある。について検討する。図4aおよび図6に示したように、第1の膜9の正規化厚みt/λが大きくなるほど反射係数が高くなる。従って、正規化厚みt/λの上限値は、第1の膜9が保護層11から露出しない範囲ということになる。正規化厚みt/λの下限値と同様に、正規化厚みt/λの上限値を式によって規定するならば、例えば、IDT電極5の正規化厚みe/λを、一般的なSAW素子における正規化厚みe/λに照らして0.1未満と見積もり、下記の式のように規定できる。上限値:t/λ=T/λ-0.1以上の検討から導かれる正規化厚みt/λの好ましい範囲を、Ta2O5を例にとり、図11に示す。図11において、横軸および縦軸は、図8と同様に、保護層11の正規化厚みT/λおよび第1の膜9の正規化厚みt/λを示している。線LL1は下限値を示し、線LH1は上限値を示している。これらの線の間のハッチングされた領域が第1の膜9の正規化厚みt/λの好ましい範囲である。なお、線LH5は、特許文献2において示された密着層の上限値0.01を示している。SAW装置の構成図12は、本実施形態に係るSAW装置51を示す断面図である。SAW装置51は、例えば、フィルタもしくはデュプレクサを構成している。SAW装置51は、SAW素子31と、SAW素子31が実装される回路基板53とを有している。SAW素子31は、例えば、いわゆるウェハレベルパッケージのSAW素子として構成されている。SAW素子31は、上述したSAW素子1と、基板3のSAW素子1側を覆うカバー33と、カバー33を貫通する端子35と、基板3のSAW素子1とは反対側を覆う裏面部37とを有している。カバー33は、樹脂等によって構成されており、SAWの伝搬を容易化するための振動空間33aをIDT電極5および反射器7の上方z方向の正側に構成している。基板3の上面3a上には、IDT電極5と接続された配線38と、配線38に接続されたパッド39とが形成されている。端子35は、パッド39上において形成され、IDT電極5と電気的に接続されている。裏面部37は、例えば、特に図示しないが、温度変化等によって基板3表面にチャージされた電荷を放電するための裏面電極と当該裏面電極を覆う絶縁層とを有している。回路基板53は、例えば、いわゆるリジッド式のプリント配線基板によって構成されている。回路基板53の実装面53aには、実装用パッド55が形成されている。SAW素子31は、カバー33側を実装面53aに対向させて配置される。そして、端子35と実装用パッド55は、半田57によって接着される。その後、SAW素子31は封止樹脂59によって封止される。<第2の実施形態>図13aは、第2の実施形態に係るSAW素子301を示す平面図である。SAW素子301のIDT電極305は、第1の実施形態のIDT電極5と同様に、AlまたはAlを主成分とする合金からなり、一対の櫛歯状電極313を有している。また、各櫛歯状電極313は、第1の実施形態の櫛歯状電極13と同様に、バスバー313aと複数の電極指313bとを有している。さらに、各櫛歯状電極313は、複数の電極指313b間においてバスバー313aから他方の櫛歯状電極313のバスバー313a側へ向かって延びる複数のダミー電極313cを有している。各櫛歯状電極313の複数のダミー電極313cは、その先端が他方の櫛歯状電極313の複数の電極指313bの先端と先端ギャップ部G1を介して対向している。ダミー電極313cの幅x方向の大きさは、例えば、電極指313bの幅と同等である。先端ギャップ部G1の長さy方向の大きさは、例えば、半波長λ/2程度である。IDT電極305は、いわゆるアポダイズが施されている。すなわち、複数の電極指313bの長さがx方向の位置に応じて変化することによって、一対の櫛歯状電極313の複数の電極指313bが交差する範囲交差範囲R1のy方向の幅Wは、x方向の位置に応じて変化している。図13では、IDT電極5のx方向の中央において幅Wが大きくなり、x方向の両側において幅Wが小さくなる場合を例示している。複数のダミー電極313cは、複数の先端ギャップ部G1の長さが互いに概ね同一となるように、幅Wの変化に対応して互いに長さが異なっている。なお、IDT電極305は、アポダイズが施されないものであってもよい。図13bは、図13aの領域XIIIbにおける斜視図である。なお、同図は、保護層11を透視して示されている。IDT電極305の上面には、第1の実施形態と同様に、第1の膜9が設けられている。第1の膜9は、バスバー313a図13bでは不図示および電極指313bだけでなく、ダミー電極313cの上面にも設けられている。さらに、SAW素子301においては、先端ギャップ部G1に第2の膜310が配置されている。第2の膜310は、IDT電極305の材料および保護層11SiO2よりも音響インピーダンスが大きく、かつIDT電極305の材料およびSiO2よりも弾性波の伝搬速度が遅い絶縁性材料を主成分とする材料によって形成されている。例えば、第2の膜310は、第1の膜9の材料と同一の材料によって形成されている。第2の膜310は、例えば、平面視において先端ギャップ部G1を完全に埋めている。すなわち、第2の膜310は、電極指313bの先端からダミー電極313cの先端に亘って設けられるとともに、電極指313bおよびダミー電極313cと同等の幅x方向の大きさを有している。第2の膜310の厚さは、例えば、第1の膜9の厚さと同等である。図14a~図14gは、SAW素子301の製造方法を説明する図であり、各図の上段はSAW素子301の一部拡大断面図図14aの下段のXIVXIV線参照を、下段はSAW素子301の一部拡大斜視図を示している。第1の実施形態のSAW素子1の製造方法では、IDT電極5と第1の膜9とが同時にエッチングされていたのに対し、SAW素子301の製造方法では、IDT電極305と第1の膜9とが別個にエッチングされる。具体的には、以下のとおりである。IDT電極305および反射器7以下、反射器7の説明は省略等となる導電層15が基板3の上面3aに形成されるまでは、第1の実施形態と同様である。次に、図14aに示すように、導電層15上には、導電層15をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層319が形成される。レジスト層319の形成方法は、第1の実施形態のレジスト層19と同様である。その後、図14bに示すように、RIE等の適宜なエッチング法によって導電層15のエッチングがなされて、IDT電極305が形成される。そして、図14cに示すように、適宜な薬液を用いることによってレジスト層319は除去される。次に、図14dに示すように、IDT電極305および圧電基板3の上面3aのIDT電極305から露出する部分を覆うようにして、第1の膜9および第2の膜310となる付加層17が形成される。付加層17の形成方法は、第1の実施形態と同様である。なお、薄膜形成の条件を適宜に設定することによって、付加層17の先端ギャップ部G1における厚みを付加層17のIDT電極305上における厚みと同等にしたり、当該厚みよりも厚くしたりすることが可能である。次に、図14eに示すように、付加層17上には、付加層17をエッチングするためのマスクとしてのレジスト層320が形成される。レジスト層320の平面形状は、先端ギャップ部G1において開口が形成されていない点のみがレジスト層319と異なる。なお、レジスト層320の形成方法は、レジスト層319と同様である。その後、図14f特に下段に示すように、RIE等の適宜なエッチング法によって付加層17のエッチングがなされて、第1の膜9および第2の膜310が形成される。そして、図14gに示すように、適宜な薬液を用いることによってレジスト層320は除去される。図15aおよび図15bは、本実施形態の作用を説明する斜視図である。図15aは、第2の膜310が設けられなかった場合における圧電基板3上の構造を音響的に見た図である。この図に示すように、音響的に見た場合には、AlもしくはAlを主成分とする金属からなるIDT電極5およびSiO2からなる保護層11の境界は曖昧となっており、IDT電極5の上面に配置された第1の膜9のみが見える。そして、先端ギャップ部G1は、第1の膜9からなる縞の欠落部となっている。従って、先端ギャップ部G1においては、SAWの散乱等が発生し、その結果、損失が生じる。特に、IDT電極305にアポダイズが施されている場合においては、アポダイズが施されていない場合に比較して、先端ギャップ部G1がバスバー313a間の中央側に位置することから、損失が大きくなりやすい。図15bは、本実施形態第2の膜310が設けられた場合における圧電基板3上の構造を音響的に見た図である。この図に示すように、第2の膜310が設けられることにより、第1の膜9からなる縞の欠落部は埋められる。その結果、先端ギャップ部G1におけるSAWの散乱等が抑制され、損失が抑制される。以上の第2の実施形態によれば、第1の膜9が設けられていることによって、第1の実施形態と同様に、反射係数を高くすることができる効果が奏される。さらに、上述したように、先端ギャップ部G1におけるSAWの散乱抑制が図られる。第2の膜310は、第1の膜9と同一材料によって形成されていることから、換言すれば、第2の膜310は、第1の膜9と音響的に同一の性質を示すから、第2の膜310は先端ギャップ部G1を音響的に好適に埋めることができる。また、第2の膜310は、第1の膜9と同時に製造することができるから、製造工程の簡素化が図られる。<第3の実施形態>図16aは、第3の実施形態に係るSAW素子401を示す平面図である。SAW素子401のIDT電極5は、第1の実施形態のIDT電極5と同様である。すなわち、第2の実施形態において示したダミー電極313cは設けられていない。そして、各櫛歯状電極13の複数の電極指13bの先端は、複数の先端ギャップ部G2を介して他方の櫛歯状電極13のバスバー13aと対向している。なお、IDT電極5は、第2の実施形態と同様に、アポダイズが施されたものであってもよい。図16bは、図16aの領域XVIbにおける斜視図である。なお、同図は、保護層11を透視して示されている。IDT電極5の上面には、第1の実施形態と同様に、第1の膜9が設けられている。さらに、SAW素子401においては、先端ギャップ部G2に第2の膜410が配置されている。第2の膜410の材料は、第2実施形態で説明した第2の膜310の材料と同様である。第2の膜410は、例えば、平面視において先端ギャップ部G2を完全に埋めている。すなわち、第2の膜410は、一方の櫛歯状電極13の電極指13bの先端から他方の櫛歯状電極13のバスバー13aの縁部に亘って設けられるとともに、電極指13bと同等の幅x方向の大きさを有している。第2の膜410の厚さは、例えば、第1の膜9の厚さと同等である。第2の膜410は、例えば、第2の実施形態の第2の膜310と同様に、付加層17のパターニングによって、第1の膜9の形成と同時に形成される。なお、SAW素子401は、上記の説明のように、第1の実施形態において先端ギャップ部G2に第2の膜410を設けたものと捉えることもできるが、第2の実施形態において、ダミー電極313c上の第1の膜9を残しつつダミー電極313cを無くしたものと捉えることもできる。以上の第3の実施形態によれば、第1の膜9が設けられていることによって、第1の実施形態と同様に、反射係数を高くすることができる効果が奏される。また、第2の膜410が設けられることによって、第2の実施形態と同様に、先端ギャップ部G2におけるSAWの散乱抑制が図られる。また、第2の実施形態では、交差範囲R1、先端ギャップ部G1およびダミー電極313cの配置領域でSAWの速度が異なり、速度の不連続性が発生する。これに対し、第3の実施形態は、ダミー電極313cが無くされたことから、速度の不連続部分の数が減る。その結果、速度の不連続部分におけるSAWの散乱が抑制されることが期待される。<第4の実施形態>図17aは、第4の実施形態に係るSAW素子501を示す平面図である。SAW素子501のIDT電極505は、第2の実施形態と同様に、ダミー電極513cを有するものであり、かつ第1の実施形態と同様に、アポダイズが施されていないものである。ただし、IDT電極505は、第2の実施形態と同様に、アポダイズが施されたものであってもよい。図17bは、図17aの領域XVIIbにおける斜視図である。なお、同図は、保護層11を透視して示されている。IDT電極505の上面には、他の実施形態と同様に、第1の膜9が設けられている。さらに、SAW素子501においては、同一の櫛歯状電極513に属するダミー電極513cおよび電極指513bであって、互いに隣接するもの同士の間の側方ギャップ部G3に第2の膜510が設けられている。第2の膜510は、例えば、平面視において側方ギャップ部G3を完全に埋めている。すなわち、第2の膜510は、電極指513bの縁部からこれに隣接するダミー電極513cの縁部に亘って設けられるとともに、バスバー13aの縁部からダミー電極13cの先端に亘って設けられている。第2の膜510の厚さは、例えば、第1の膜9の厚さと同等である。第2の膜510は、例えば、第2の実施形態の第2の膜310と同様に、付加層17のパターニングによって、第1の膜9の形成と同時に形成される。以上の第4の実施形態によれば、第1の膜9が設けられていることによって、第1の実施形態と同様に、反射係数を高くすることができる効果が奏される。さらに、第4の実施形態では、交差領域を伝搬するSAWと第2の膜510の領域を伝搬するSAWとの速度差が大きくなり、交差領域におけるSAWの閉じ込め効果が高まることが期待される。その結果、損失が抑制されることが期待される。なお、以上の実施形態において、基板3は圧電基板の一例であり、IDT電極5、305および505は電極の一例であり、保護層11は絶縁層の一例である。上記の実施形態は、適宜に組み合わされて実施されてよい。例えば、第4の実施形態の第2の膜510は、第1の実施形態のようにダミー電極が無い構成のIDT電極5において、同一の櫛歯状電極13に属する複数の電極指13bの根元部分間に設けられてもよいし、第2の実施形態の第2の膜310と共に設けられてもよい。本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。弾性波素子は、狭義のSAW素子に限定されない。例えば、絶縁層11の厚さが比較的大きい例えば0.5λ~2λ、いわゆる弾性境界波素子ただし、広義のSAW素子に含まれる。であってもよい。なお、弾性境界波素子においては、振動空間33aの形成は不要であり、ひいては、カバー33等も不要である。また、弾性波素子は、ウェハレベルパッケージのものに限定されない。例えば、SAW素子は、カバー33および端子35等を有さず、基板3の上面3a上のパッド39と、回路基板53の実装用パッド55とが半田57によって直接接着されてもよい。そして、SAW素子1保護層11と回路基板53の実装面53aとの隙間によって振動空間が形成されてよい。第1の膜は、電極の全面に亘って設けられることが好ましい。ただし、第1の膜は、電極指のみに設けられるなど、電極の一部にのみ設けられてもよい。また、第1の膜は、電極の上面だけでなく、側面にも設けられてもよい。第1の膜の材料は、導電材料であってもよいし、絶縁材料であってもよい。具体的には、タングステン、イリジウム、タンタル、銅などの導電材料、BaxSr1-xO3、PbxZn1-xO3、ZnO3などの絶縁材料を第1の膜の材料として挙げることができる。保護層の上面は、電極指の位置において凸となるように、凹凸を有していてもよい。この場合、反射係数を更に高くすることができる。当該凹凸は、図2eを参照して説明したように、保護層の成膜時に電極指の厚みに起因して形成されるものであってもよいし、保護層の表面を電極指の間の領域においてエッチングして形成されるものであってもよい。また、基板3は、128°±10°Y-XカットのLiNbO3基板の他にも、例えば、38.7°±Y-XカットのLiTaO3などを用いることができる。弾性波の伝搬方向に交差する方向において互いに対向する2本のバスバー第1バスバーおよび第2バスバーは、弾性波の伝搬方向に平行でなくてもよく、弾性波の伝搬方向に傾斜していてもよい。また、バスバーは、直線状でなくてもよく、曲線状に延びたり、屈曲したりしてもよい。また、バスバーは、幅が一定でなくてもよく、幅が変化してもよい。先端ギャップを埋める第2の膜310もしくは410は、先端ギャップ部を完全に埋めなくてもよい。例えば、第2の膜は、先端ギャップ部よりも幅x方向および/または長さy方向が小さくてもよい。第2の膜によって先端ギャップ部が多少なりとも埋められれば、第2の膜が無い場合に比較して散乱が抑制される。逆に、第2の膜は、先端ギャップ部よりも大きくてもよい。例えば、第2の膜は、その幅x方向が電極指の幅よりも大きくてもよい。第2の膜は、実施形態に例示したものに限定されない。例えば、第2の膜は、第2の実施形態の先端ギャップ部G1に対してx方向に隣接する領域に形成されるものであってもよい。この場合も、先端ギャップ部G1は、SAWの伝搬方向に見て第2の膜に塞がれ、損失の低下が抑制される。また、第2の膜は、音響的な孔を埋め込むものに限定されない。例えば、反射器の一部もしくは全部を第2の膜によって構成してもよい。第2の膜は、第1の膜と同一材料によって形成されなくてもよい。また、第2の膜は、単一の材料によって形成されるものに限定されず、例えば、複数の絶縁層から構成されてもよい。なお、上述の第1の膜についての考察の結果からすると、第1の膜の材料が電極の材料および絶縁層の材料よりも音響インピーダンスが大きく、かつ電極の材料および絶縁層の材料よりも弾性波の伝搬速度が遅い材料を主成分とするものであれば、電極の材料としてAlを主成分とする材料以外の材料を使用し、絶縁層の材料として酸化珪素を主成分とする材料以外の材料を使用した場合であっても、同様の効果、すなわち、温度特性の補償をしつつ反射係数を高くすることができるものと推測される。また、上述の第1の膜についての考察の結果からすると、電極および絶縁層の材料によっては、第1の膜の材料として図4aにおいて線L1で示したWCを使用できる場合もあると考えられる。また、第1の膜を絶縁材料により形成することによって、第1の膜を金属材料によって形成したものに比べ、電極の腐食を抑制し弾性波素子の電気特性を安定化させることができる。なぜならば、SiO2からなる絶縁層にはピンホールが形成されることがあり、このピンホールが形成されると、これを介して電極部分まで水分が浸入することとなるが、電極上に電極材料と異なる材料からなる金属膜が配置されていると、浸入した水分によって、異種金属間の電池効果よる腐食が発生するからである。よって、第1の膜をTa2O5などの絶縁材料によって形成すれば、電極と第1の膜との間において電池効果は殆ど起きないため、電極の腐食が抑制された信頼性の高い弾性波素子とすることができる。"