"物理蒸着PVDのための装置であって、基板上に堆積されるソース材料を含むターゲット、前記ターゲットの背面に向き合って配置され、前記ターゲットの周縁部に沿って前記ターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、前記ターゲットの前記背面と前記ソース分配板との間に配置された空胴を有する、ターゲット組立体と、前記ターゲットの中心軸に一致する点において前記ソース分配板に結合した電極と、前記空胴内に配置された、前記ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転軸を有する回転可能な磁石を含み、前記電極を通して駆動されないマグネトロン組立体とを含むことを特徴とする装置。基板支持体が内部に配置されたプロセスチャンバをさらに含み、前記ターゲットは、前記プロセスチャンバの前記内部に前記基板支持体の支持面に面して配置されることを特徴とする請求項1に記載の装置。前記電極に結合された、RFエネルギーを前記ターゲットに供給するための高周波RF電源をさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。前記ターゲット組立体が、前記ソース分配板のまわりに該ソース分配板から離間して配置された接地シールドをさらに含み、前記電極は前記接地シールド内の開口部を貫通し、前記ターゲット組立体は、前記接地シールドと前記ソース分配板との間に結合した複数の誘電体スペーサをさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。前記複数の誘電体スペーサが、前記中心軸に対して軸対称に配置されることを特徴とする請求項4に記載の装置。前記接地板と前記ソース分配板との間に配置された誘電体材料をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の装置。前記誘電体材料が、主に空気を含むことを特徴とする請求項6に記載の装置。前記接地板と前記ソース分配板との間の距離が約5mmから約40mmであることを特徴とする請求項7に記載の装置。前記ターゲット組立体が、前記ターゲットの前記背面と前記ソース分配板との間に配置されて、前記空胴の側壁を少なくとも部分的に形成する、前記ソース分配板から前記ターゲットの前記周縁部にRFエネルギーを伝搬するための導電性部材をさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。前記導電性部材が、前記ソース分配板のターゲットに面した表面に該ソース分配板の周縁部に近接して結合する第1の端部と、前記ターゲットのソース分配板に面した表面に該ターゲットの前記周縁部に隣接して結合した第2の端部とを有する円筒形部材をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。前記ターゲットが、前記ソース材料を支持するための背板をさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。前記マグネトロン組立体が、前記ターゲットの前記中心軸と位置合わせされていない位置において前記ソース分配板内の第1の開口部を貫通して配置され、前記回転可能な磁石に回転可能に結合されたシャフトと、前記空胴の外側に配置され、前記シャフトに結合された、前記回転可能な磁石を回転させるためのモータと、をさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。前記ソース分配板を貫通して配置され、前記第1の開口部との組合せで前記中心軸に対して対称的なパターンで配列された、1つ又はそれ以上の第2の開口部をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の装置。前記空胴内に配置され、前記シャフトと前記回転可能な磁石との間に結合された、前記シャフトから前記回転可能な磁石にトルクを伝達するためのギアボックスをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の装置。前記マグネトロン組立体が、前記空胴内に配置され、前記回転可能な磁石組立体に結合されたモータをさらに含むことを特徴とする請求項1~請求項2のいずれかに記載の装置。従って、本発明者らは、PVDプロセスチャンバ内の被処理基板上により均一な堆積プロファイルをもたらすことができる、PVDプロセスのための改善された方法及び装置を提供する。本発明の実施形態は、基板の物理蒸着PVD処理のための改善された方法及び装置を提供する。幾つかの実施形態において、物理蒸着PVDのための装置は、基板上に堆積されるソース材料を含むターゲット、ターゲットの背面に向き合って配置され、ターゲットの周縁部に沿ってターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、ターゲットの背面とソース分配板との間に配置された空胴を有する、ターゲット組立体と、ターゲットの中心軸に一致する点においてソース分配板に結合した電極と、空胴内に配置された、ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転軸を有する回転可能な磁石を含み、電極を通して駆動されないマグネトロン組立体と、を含むことができる。幾つかの実施形態において、物理蒸着PVDのための装置は、基板支持体が内部に配置されたプロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に基板支持体の支持面に面して配置された、基板上に堆積されるソース材料を含むターゲット、ターゲットの背面に向き合って配置され、ターゲットの周縁部に沿ってターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、ターゲットの背面とソース分配板との間に配置された空胴を有する、ターゲット組立体と、ターゲットの中心軸に一致する点においてソース分配板に結合した電極と、電極に結合された、RFエネルギーをターゲットに供給するためのRF電源と、空胴内に配置された、ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転軸を有する回転可能な磁石を含み、電極を通して駆動されないマグネトロン組立体と、を含むことができる。幾つかの実施形態において、物理蒸着PVDのための装置は、基板支持体が内部に配置されたプロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に基板支持体の支持面に面して配置された、基板上に堆積されるべきソース材料を含むターゲット、ターゲットの背面に向き合って配置され、ターゲットの周縁部に沿ってターゲットに電気的に結合された対向するソース分配板、及び、ターゲットの背面とソース分配板との間に配置された空胴を有するターゲット組立体と、ターゲット組立体の周りに該ターゲット組立体から離間して配置された接地シールドと、接地シールドとソース分配板との間に結合し、ターゲットの中心軸に対して軸対称パターンで配置された、複数の誘電体スペーサと、接地シールド内の開口部を貫通する、ターゲットの中心軸と一致する点においてソース分配板に結合した電極と、電極に結合された、RFエネルギーをターゲットに供給するためのRF電源と、空胴内に配置された、ターゲット組立体の中心軸に位置合わせされた回転軸を有する回転可能な磁石を含み、電極を通して駆動されないマグネトロン組立体と、を含むことができる。本発明の他の及びさらに別の実施形態は、以下で説明される。上で簡単に概説され、以下でより詳細に論じられる本発明の実施形態は、添付図面に示される本発明の例示的な実施形態を参照することにより理解することができる。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示したものであり、本発明はその他の均等に有効な実施形態を認めることができるので、従って、その範囲を限定するものとして考えられるべきものではないことに留意されたい。理解を容易にするため、図面間で共通する同一の要素を示すために、可能な場合には同一の参照符号を用いた。図面は、縮尺通りに描かれたものではなく、分かり易くするために単純化されているものもある。1つの実施形態の要素及び特徴を、さらに詳しく述べることなく、他の実施形態に有益に組み入れることができることが意図される。本明細書において、基板の物理蒸着PVDプロセスのための方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、本明細書で説明される本発明の方法及び装置によれば、改善された方法及び装置は、被処理基板上により均一な堆積プロファイルを生じさせることができる。本発明の装置の実施形態は、PVDプロセスチャンバ内のターゲットへのRF電力の結合を、チャンバ内のターゲットに近接する電磁場がより均一になるようにさせ、そのことにより、被処理基板上でのターゲット材料のより均一な分布を助長することができることが有利である。図1は、本発明の幾つかの実施形態によるPVDチャンバ100の単純化された断面図である。好適なPVDチャンバの例としては、両方とも、カリフォルニア州サンタクララ所在のAppliedMaterials,Inc.から入手可能なALPS登録商標PLUS及びSIPENCORE登録商標PVD処理チャンバが挙げられる。AppliedMaterials,Inc.又は他の製造業者から入手されるその他のプロセスチャンバも、本明細書に開示される本発明の装置に従う改造からの利益を得ることができる。本発明の幾つかの実施形態において、PVDチャンバ100は、プロセスチャンバ104の上に配置されたターゲット組立体102を含む。プロセスチャンバ104は、基板108をその上で受けるための基板支持体106を含む。基板支持体106は、接地された包囲壁110内に配置することができ、この包囲壁は、ターゲット114の上方のターゲット組立体102の少なくとも幾らかの部分を覆う、チャンバ壁図示されるような又は接地されたシールド、例えば、接地シールド112とすることができる。幾つかの実施形態図示せずにおいては、接地シールド112は、基板支持体106も囲むように、ターゲット114の下方まで延ばすことができる。基板支持体106は、ターゲット114の主面に面した材料受け面を有し、スパッタ被覆されることになる基板108を、ターゲット114の主面と対向する平面位置で支持する。基板支持体106は、基板108をプロセスチャンバ104の中央領域120内に支持することができる。中央領域120は、処理の間の基板支持体106の上方領域例えば、ターゲット114と処理位置にあるときの基板支持体106との間として定められる。幾つかの実施形態において、基板支持体106は、底部チャンバ壁124に接続されたベロー122を通って垂直方向に可動とすることができ、基板108を、プロセスチャンバ104の下方部分にあるロードロック弁図示せずを通して基板支持体106上に移送すること、及び、その後で堆積又は処理位置まで持ち上げることを可能にする。1種又はそれ以上の処理ガスを、ガス源126から質量流量制御装置128を通して、プロセスチャンバ104の下部の中へと供給することができる。プロセスチャンバ104の内部を排気するため、及び、プロセスチャンバ104の内側の所望の圧力を維持することを促進するために、排気ポート130を設け、弁132を介してこれをポンプ図示せずに結合することができる。基板108上に負のDCバイアスを誘導するために、RFバイアス電源134を基板支持体106に結合することができる。それに加えて、幾つかの実施形態においては、処理中に、負のDC自己バイアスが基板108上に形成されることがある。例えば、RFバイアス電源134により供給されるRFエネルギーは、約2MHzから約60MHzまでの周波数範囲とすることができ、例えば、2MHz、13.56MHz、又は60MHzといった、非限定的な周波数を用いることができる。他の用途においては、基板支持体106を接地することもでき、又は電気的に浮動状態のままにすることもできる。代替的に、又は組み合わせて、RFバイアス電力が所望されないことがある用途に関して基板108上の電圧を調整するために、キャパシタンス同調器136を基板支持体106に結合することができる。幾つかの実施形態において、プロセスチャンバ104は、接地された導電性アルミニウム製アダプタ116のレッジ140に接続された、接地された底部シールド138をさらに含むことができる。暗部シールド142は、接地底部シールド138上で支持することができ、ねじ又は他の適切な方式で接地底部シールド138に締結することができる。接地底部シールド138と暗部シールド142との間の金属製のねじ切りされた接続部は、これら2つのシールド138、142を接地導電性アルミニウム製アダプタ116に接地させる。接地導電性アルミニウム製アダプタ116自体は、アルミニウム製チャンバ側壁110に対して封止され、接地される。両シールド138、142とも、典型的には、硬質の非磁性ステンレス鋼から形成される。底部シールド138は下方に延びており、概ね一定の直径を有する概ね管状の部分144を含むものとすることができる。底部シールド138は、接地導電性アルミニウム製アダプタ116の壁及びチャンバ壁110に沿って、基板支持体106の上面より下方まで下向きに延びており、基板支持体106の上面に達するまで上向きに戻る例えば、底部にU字形部分を形成する。カバーリング148は、基板支持体106がその下方ロード位置にあるときには、底部シールド138の上向きに延びる内側部分150の上部に載っているが、基板支持体106が上方堆積位置にあるときには、基板支持体106の外周上に載り、基板支持体106をスパッタ堆積から保護する。追加の堆積リング図示せずを用いて、基板108の周縁を堆積から遮蔽することができる。幾つかの実施形態において、基板支持体106とターゲット114との間に選択的に磁場をかけるために、磁石152をプロセスチャンバ104の周りに配置することができる。例えば、図1に示されるように、磁石152は、チャンバ壁110の外側の周りに、処理位置にあるときの基板支持体106のすぐ上の領域に配置することができる。幾つかの実施形態において、磁石152は、付加的に又は代替的に、他の位置に、例えば接地導電性アルミニウム製アダプタ116に隣接して、配置することができる。磁石152は、電磁石とすることができ、電磁石が発生させる磁場の大きさを制御するための電源図示せずに結合することができる。ターゲット組立体102は、電極154に接続されたRF電源182を有する。RF電源182は、RF発生器と、例えば動作中に反射してRF発生器に戻る反射RFエネルギーを最小にするための、整合回路とを含むことができる。例えば、RF電源182により供給されるRFエネルギーは、約13.56MHzから約162MHz又はそれ以上の周波数範囲とすることができる。例えば、13.56MHz、27.12MHz、60MHz、又は162MHzといった、非限定的な周波数を用いることができる。本発明者らは、中央に配置されたマグネトロンシャフトを取り囲む管状カラーにRFエネルギーを結合することによって処理の均一性のある程度の改善を得ることができるとはいえ、より高い周波数を有するRFエネルギーを結合した場合には、プロセスの均一性が予期せぬほど低下することを発見した。詳細には、印加されるRFエネルギーの周波数が高くなるにつれて、処理の均一性が低下する。本発明者らは、ターゲットの中心軸に対して一直線に軸方向に配置された小直径の電極を用いてRFエネルギーをターゲット組立体に結合することにより、マグネトロン駆動機構がターゲット組立体に対して軸対称ではない位置に移動した場合でさえも、プロセスの均一性の向上を得ることができることを発見した。幾つかの実施形態において、第2のエネルギー源183をターゲット組立体102に結合して、処理中に追加のエネルギーをターゲット114に与えることができる。幾つかの実施形態において、第2のエネルギー源183は、例えばターゲット材料のスパッタリング速度従って、基板上の堆積速度を高めるための、DCエネルギーを供給するDC電源とすることができる。幾つかの実施形態において、第2のエネルギー源183は、RFエネルギーを、例えばRF電源182によって供給されるRFエネルギーの第1の周波数とは異なる第2の周波数で供給する、RF電源182と同様の第2のRF電源とすることができる。第2のエネルギー源183がDC電源である実施形態においては、第2のエネルギー源は、DCエネルギーをターゲット114に電気的に結合するのに適した任意の位置、例えば、電極154又はその他のある種の導電性部材例えば、後述のソース分配板158などにおいて、ターゲット組立体102に結合することができる。第2のエネルギー源183が第2のRF電源である実施形態においては、第2のエネルギー源は、電極154を介してターゲット組立体102に結合することができる。電極154は、円筒形又はそれ以外の棒状のものとすることができ、PVDチャンバ100の中心軸186に位置合わせすることができる例えば、電極154は、ターゲットの中心軸と一致する点においてターゲット組立体と結合することができ、これは中心軸186と一致する。PVDチャンバ100の中心軸186に位置合わせされた電極154は、RF源182からのRFエネルギーをターゲット114に軸対称な方式で印加することを促進する例えば、電極154は、RFエネルギーをPVDチャンバの中心軸に位置合わせされた一点においてターゲットに結合することができる。電極154の中心的配置は、基板堆積プロセスにおける堆積の非対称性を排除又は低減することに役立つ。電極154は、任意の適切な直径を有するものとすることができるが、電極154の直径が小さくなればなるほど、RFエネルギーの印加は、真の一点に近づく。例えば、他の直径を用いることもできるが、幾つかの実施形態において、電極154の直径は、約0.5インチから約2インチまでとすることができる。電極154は、一般に、PVDチャンバの構成に応じて、任意の適切な長さを有することができる。幾つかの実施形態において、電極は、約0.5インチから約12インチまでの間の長さを有することができる。電極154は、アルミニウム、銅、銀などのような任意の適切な導電性材料から製作することができる。電極154は、円形の接地板156を貫通することができ、ソース分配板158に結合される。接地板156は、アルミニウム、銅などのような任意の適切な導電性材料を含むことができる。複数の絶縁体160が、ソース分配板158を接地板156に結合する。絶縁体160は、ソース分配板158を接地板156に電気的に結合することなく、組立体の安定性及び剛性をもたらす。絶縁体160間の空いた空間は、ソース分配板158の表面に沿ったRF波の伝搬を可能にする。幾つかの実施形態において、絶縁体160は、PVDチャンバ100の中心軸186に対して対称に配置することができる。このような位置決めにより、ソース分配板158の表面に沿った対称的なRF波の伝搬、そして最終的には、ソース分配板158に結合されたターゲット114に対する対称的なRF波の伝搬を促進することができる。ターゲット114は、一体型でも、又は幾つかの構成部品から製作されたものでもよく、さらに背板162に結合することができる。背板162は又はターゲット144が直接、ターゲット114の周縁部の近くでRFエネルギーを受け取るように、導電性部材164を介してソース分配板158に結合する。少なくとも一部には電極154の中心配置に起因して、RFエネルギーを、従来のPVDチャンバと比べてより対称的かつ均一に供給することができる。ターゲット114を、接地導電性アルミニウム製アダプタ116の上で誘電性アイソレータ118を通じて支持することができる。ターゲット114は、スパッタリング中に基板図示せず上に堆積される、例えば金属又は金属酸化物などの材料を含む。幾つかの実施形態において、背板162は、ターゲット114の、ソース分配板に面した表面に結合することができる。背板162は、背板162を介してRF電力をターゲット114に結合することができるように、例えば、銅-亜鉛、銅-クロム、又はターゲットと同じ材料などの、導電性材料を含むことができる。あるいは、背板162は、非導電性とすることができ、ターゲット114のソース分配板に面した表面を導電性部材164の第2の端部168に結合するための貫通電気接続などのような導電性要素図示せずを含むことができる。背板162は、例えば、ターゲット114の構造的安定性を改善するために組み入れることができる。ターゲット114は、プロセスチャンバ104の天井を部分的に形成する。導電性部材164は、ソース分配板158のターゲットに面した表面に該ソース分配板158の周縁部に近接して結合する第1の端部166と、ターゲット114のソース分配板に面した表面に該ターゲット114の周縁部に近接して結合する第2の端部168とを有する、円筒形とすることができる。幾つかの実施形態においては、第2の端部168は、背板162のソース分配板に面した表面に該背板162の周縁部に近接して結合する。絶縁性の間隙180が、接地板156と、ソース分配板158、導電性部材164、及びターゲット114及び/又は背板162の外面との間に設けられる。絶縁性間隙180は、空気、又はその他の、セラミック、プラスチックなどのようなある種の適切な誘電体材料で満たすことができる。接地板156とソース分配板158との間の距離は、接地板156とソース分配板158との間の誘電体材料に依存する。誘電体材料が主として空気である場合には、接地板156とソース分配板158との間の距離は、5mmと40mmとの間にすべきである。空胴170は、導電性部材164の内面と、ソース分配板158のターゲットに面した表面と、ターゲット114又は背板162のソース分配板158に面した表面とによって少なくとも部分的に定められる。幾つかの実施形態において、空胴170は、水H2Oなどのような冷却流体192で少なくとも一部を満たすことができる。幾つかの実施形態においては、仕切り194を設けて、冷却流体192を空胴170の所望の部分例えば、図示されているような下方部分などに収容し、そして、後述するように、冷却流体192が仕切り194のもう一方の側に配置された構成部品に達することを防止することができる。マグネトロン組立体196の1つ又はそれ以上の部分は、少なくとも部分的に空胴170内に配置することができる。マグネトロン組立体は、プロセスチャンバ104内のプラズマ処理を補助するために、回転磁場をターゲットに近接して印加する。幾つかの実施形態において、マグネトロン組立体196は、モータ176と、モータシャフト174と、ギアボックス178と、ギアボックスシャフト184と、回転可能な磁石例えば、磁石支持部材172に結合された複数の磁石188とを含むことができる。幾つかの実施形態において、マグネトロン組立体196は、空胴170内で回転する。例えば、幾つかの実施形態において、モータ176、モータシャフト174、ギアボックス178、及びギアボックスシャフト184は、磁石支持部材172を回転させるように設けることができる。マグネトロンを有する従来のPVDチャンバにおいては、マグネトロン駆動シャフトは、典型的にはチャンバの中心軸に沿って配置されるので、チャンバの中心軸に位置合わせされた位置におけるRFエネルギーの結合が妨げられる。それとは反対に、本発明の実施形態においては、電極154がPVDチャンバの中心軸186に位置合わせされる。従って、幾つかの実施形態においては、マグネトロンのモータシャフト174は、接地板156内の偏心した開口部を貫通して配置することができる。接地板156から突出したモータシャフト174の端部は、モータ176に結合される。モータシャフト174は、さらに、ソース分配板158を貫通する対応する偏心した開口部例えば、第1の開口部146を貫通して配置され、ギアボックス178に結合される。幾つかの実施形態においては、ソース分配板158に沿った軸対称のRF分布を有利に維持するために、1つ又はそれ以上の第2の開口部198を、ソース分配板158を貫通して第1の開口部146に対して対称の位置関係で配置することができる。1つ又はそれ以上の第2の開口部158は、光センサなどのような物品が空胴170にアクセスすることを可能にするために用いることもできる。ギアボックス178は、例えばソース分配板158の底面に結合することなどの、任意の好適な手段によって支持することができる。ギアボックス178は、ギアボックス178の少なくとも上面を誘電体材料で製作すること、又は、ギアボックス178とソース分配板158との間に絶縁体層190を挿入することなどにより、ソース分配板158から絶縁することができる。ギアボックス178は、ギアボックスシャフト184を介して磁石支持部材172にさらに結合されており、モータ176により与えられた回転運動を磁石支持部材172従って、複数の磁石188に伝達する。磁石支持部材712は、複数の磁石188を剛に支持するのに十分な機械的強度を与えるのに適した任意の材料から構築することができる。例えば、幾つかの実施形態においては、磁石支持部材188は、非磁性ステンレス鋼などの非磁性金属から構築することができる。磁石支持部材172は、複数の磁石188が所望の位置で該磁石支持部材に結合することを可能にするのに適した任意の形状を有するものとすることができる。例えば、幾つかの実施形態においては、磁石支持部材172は、板、円板、横材などを含むことができる。複数の磁石188は、所望の形状及び強度を有する磁場をもたらす任意の様式で構成することができる。あるいは、磁石支持部材172は、例えば空胴170内の冷却流体192が存在する場合の冷却流体による、磁石支持部材172及び取り付けられた複数の磁石188上に生じる抵抗に打ち勝つ、十分なトルクを有するその他のいずれかの手段によって回転させることができる。例えば、幾つかの実施形態においては、図3に示されるように、マグネトロン組立体196は、空胴170内に配置された、磁石支持部材172に直接接続したモータ176及びモータシャフト174例えば、パンケーキモータを用いて、空胴170内で回転させることができる。モータ176は、空胴170内に、又は仕切りが存在する場合には空胴170の上部内に嵌め込まれるように、十分にサイズ調整しなければならない。モータ176は、電気モータ、空気圧若しくは油圧式駆動装置、又は必要なトルクを与えることができるその他のいずれかの、プロセスに適合した機構とすることができる。このように、PVD処理のための方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態においては、本発明の方法及び装置は、プロセスチャンバのターゲットに対して中心にRFエネルギーを供給し、これにより、PVDプロセスチャンバ内の被処理基板上に、従来のPVDプロセス装置と比べてより均一な堆積プロファイルを有利にもたらすことができる。上述のことは本発明の実施形態に向けられたものであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明のその他の実施形態及びさらなる実施形態を考案することができる。"