第1の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと電子素子とを接続する第1接続部材と、第2の層に位置し、複数の前記第1導体に対向している第2導体と、前記第2導体と前記電子素子とを接続する第2接続部材と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点、または前記第2接続部材と前記第2導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第3導体と、平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第1導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第4導体と、を備え、前記第4導体の少なくとも一部分は、当該第4導体に非接続である前記第1導体と対向していることを特徴とする配線基板。請求項1に記載の配線基板であって、前記第4導体のうち前記第1導体と対向している部分の長さは、前記電子素子から漏洩する電磁波の波長の1/8以上、かつ3/8以下である配線基板。請求項2に記載の配線基板であって、前記長さが、前記波長の1/4であることを特徴とする配線基板。請求項1乃至3いずれか一項に記載の配線基板であって、複数の前記第4導体が繰り返し配列されることを特徴とする配線基板。請求項1乃至4いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第4導体は、前記第1の層とは異なる層に位置しており、接続部材を介して前記第1導体に接続している配線基板。請求項1乃至4いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第4導体は、前記第1の層に位置し、前記間隙において、一の前記第1導体と接続している前記第4導体と、他の前記第1導体と接続している前記第4導体とが交互に配列されていることを特徴とする配線基板。請求項1乃至4いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第4導体は、前記第1の層に位置し、前記間隙において、他の前記第1導体には凹部が形成されており、前記第4導体は前記凹部内に入り込んでいる配線基板。請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第3導体は、前記第1の層と前記第2の層との間に位置し、前記第1導体と前記第2導体とに対向し、対向している前記第1導体または前記第2導体のいずれか一方に第3接続部材を介して接続していることを特徴とする配線基板。請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第3導体は、前記第1導体を介して前記第2導体に対向し、対向している前記第2導体に第3接続部材を介して接続し、前記第1導体または前記第2導体は、前記第3接続部材が通過する開口が設けられていることを特徴とする配線基板。請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第3導体は、前記第2導体を介して前記第1導体に対向し、対向している前記第1導体に第3接続部材を介して接続し、前記第3導体は、前記第3接続部材が通過する開口が設けられていることを特徴とする配線基板。請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第3導体は、前記第1の層に位置し、前記第2導体に対向し、前記第1導体にインダクタを介して接続していることを特徴とする配線基板。請求項1乃至7いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第3導体は、前記第2の層に位置し、前記第1導体に対向し、前記第2導体にインダクタを介して接続していることを特徴とする配線基板。請求項1乃至12いずれか一項に記載の配線基板であって、前記第1導体は、電源プレーンであり、前記第2導体は、グラウンドプレーンであることを特徴とする配線基板。電子素子と、第1の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと前記電子素子とを接続する第1接続部材と、第2の層に位置し、複数の前記第1導体に対向している第2導体と、前記第2導体と前記電子素子とを接続する第2接続部材と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点、または前記第2接続部材と前記第2導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第3導体と、平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第1導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第4導体と、を備え、前記第4導体の少なくとも一部分は、当該第4導体に非接続である前記第1導体と対向していることを特徴とする電子装置。多層基板を備える電子装置において、導体層に間隙を隔てて複数の導体が形成される場合、導体に電子素子を接続すると、導体を伝播したノイズが間隙から放射され、他の層または多層基板の外部にノイズが漏洩する。従って、導体層に対してEBG構造を構成しても、十分なノイズ対策を得ることができなかった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板及び電子装置を提供することにある。本発明によれば、第1の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと電子素子とを接続する第1接続部材と、第2の層に位置し、複数の前記第1導体に対向している第2導体と、前記第2導体と前記電子素子とを接続する第2接続部材と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点、または前記第2接続部材と前記第2導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第3導体と、前記領域に含まれる前記間隙に形成され、一端が前記第1導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第4導体と、を備え、前記第4導体の少なくとも一部分は、当該第4導体に非接続である前記第1導体と対向していることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明によれば、電子素子と、第1の層に位置し、間隙を隔てて配置されている複数の第1導体と、複数の前記第1導体の少なくとも一つと前記電子素子とを接続する第1接続部材と、第2の層に位置し、複数の前記第1導体に対向している第2導体と、前記第2導体と前記電子素子とを接続する第2接続部材と、前記第1接続部材と前記第1導体との接続点、または前記第2接続部材と前記第2導体との接続点と、前記間隙の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列された複数の第3導体と、平面視で前記領域に含まれる前記間隙と重なる位置に形成され、一端が前記第1導体のうち一つと接続し、他端がオープン端である線状の第4導体と、を備え、前記第4導体の少なくとも一部分は、当該第4導体に非接続である前記第1導体と対向していることを特徴とする電子装置が提供される。本発明によれば、複数に分割された導体を備え、当該導体の間隙から放射したノイズの漏洩を防ぐ配線基板及び電子装置が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る電子装置100の上面図と断面図である。より詳細には、図1Aは電子装置100の上面図であり、図1Bは図1Aで示す断面線における電子装置100の断面図である。電子装置100は、上面から順番にA層110、B層120、C層130、D層140を少なくとも備える多層基板である。なお、電子装置100は、上述の4つの層以外の層を備えても構わない。例えば、各層の間には誘電体層が位置してもよい。また、電子装置100は、本発明の構成に矛盾しない範囲で、図示しない孔やビア等を他に備えてもよい。さらに、上述の4つの層において、本発明の構成に矛盾しない範囲で、信号線が配列されてもよい。電子装置100は、電子素子151と、電源プレーン121第1導体と、電源プレーン122第1導体と、グラウンドプレーン141第2導体と、オープンスタブ111第4導体と、導体エレメント131第3導体と、を備えている。電子素子151は、電子装置100の上面に実装されている。電子素子151は、接続部材152を介して電源プレーン122と接続しており、接続部材153を介してグラウンドプレーン141と接続している。なお、電子素子151はLSI等の素子を想定している。電子装置100に実装される電子素子151の数は単一であっても、複数であってもよい。本実施形態においては、電子素子151が電子装置100の上面に実装されているものとして説明するが、必ずしもこれに限らず、内部実装であってもよい。電源プレーン121と電源プレーン122とは、B層120に位置し、間隙123を隔てて配置されている。また、電源プレーン122は、接続部材152第1接続部材によって電子素子151と接続している。グラウンドプレーン141は、D層140に位置し、電源プレーン121と電源プレーン122と対向している。また、グラウンドプレーン141は、接続部材153第2接続部材によって電子素子151と接続している。導体エレメント131は、電源プレーン122と接続部材152との接続点と、グラウンドプレーン141と接続部材153との接続点と、間隙123の少なくとも一部と、を平面視で包含する領域を囲うように繰り返し配列されている。なお、本実施形態において、導体エレメント131によって囲われている領域は、電源プレーン122と接続部材152との接続点と、グラウンドプレーン141と接続部材153との接続点と、を包含するように図示しているが、必ずしもこれに限らず、双方の少なくとも一方が包含されればよい。オープンスタブ111は、B層120の一つ上の層であるA層110に位置しており、平面視で上記領域に含まれる間隙123と重なる位置に形成されている。オープンスタブ111は線状の導体であり、一端がビア112を介して電源プレーン121と接続しており、他端がオープン端になっている。以下、各図面を用いて各々の構成要素について詳細に述べる。図2は、第1の実施形態の電子装置100のA層110を示す図である。A層110には、複数のオープンスタブ111が繰り返し配列されている。各オープンスタブ111と接続部材152と接続部材153とは、互いに絶縁されている。オープンスタブ111はA層110に位置している線状の導体であって、その形状は直線に限らず、例えば渦巻状やミアンダ状等であってもよい。本実施形態においては、複数のオープンスタブ111が繰り返し配列され、各々のオープンスタブ111の少なくとも一部分が、電源プレーン122と対向しているが、必ずしもこれに限らない。例えば、オープンスタブ111は単一である場合もあり得る。また、電源プレーン122に接続し、電源プレーン121と対向しているオープンスタブ111が混在してもよい。ここで、オープンスタブ111が繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上のオープンスタブ111が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。図3は、第1の実施形態の電子装置100のB層120を示す図である。B層120には、電源プレーン121と電源プレーン122とが、間隙123を隔てて配列されている、シート状の導体である。間隙123には誘電体が充填され、電源プレーン121と電源プレーン122とは互いに絶縁されている。従って、電源プレーン121と電源プレーン122の各々に異なる電位を与えることが可能となっている。ただし、必ずしも全て異なる電位を与える必要はなく、互いに等しい電位が与えられてもよい。電源プレーン122は、接続部材152と接続する接続点を有しており、電子素子151に電源を供給している。また、電源プレーン122は接続部材153が通過する開口を有し、電源プレーン122と接続部材153とは互いに絶縁されている。なお、電源プレーン121は、電子素子151に図示されない配線を用いて電源供給してもよいし、図示されない他の素子等に電源供給してもよい。図4は、第1の実施形態の電子装置100のC層130を示す図である。C層130には、複数の導体エレメント131が、接続部材153との接続点と、複数のオープンスタブ111と対向している領域の少なくとも一部を囲うように繰り返し配列されている。なお、本実施形態において、導体エレメント131は、B層120第1の層とD層140第2の層との間のC層130に位置している。また、導体エレメント131の各々は、接続部材153と絶縁されている。導体エレメント131は島状の導体であって、その形状は四角形に限らない。本実施形態の電子装置100に適用可能な導体エレメント131の形状は複数種考えられ、これらについては後述する。導体エレメント131は、電源プレーン121または電源プレーン122に対向しており、さらにグラウンドプレーン141に対向している。また、導体エレメント131は、対向しているグラウンドプレーン141に接続部材132第3接続部材を介して接続している。ここで、導体エレメント131が繰り返し配列されるとは、少なくとも三つ以上の導体エレメント131が間隔を隔てて連続的に配列されることを意味している。図5は、第1の実施形態の電子装置100のD層140を示す図である。D層140には、グラウンドプレーン141が延在している。グラウンドプレーン141は、接地等によって基準電位が与えられる、シート状の導体である。グラウンドプレーン141は、接続部材153との接続点を有している。本実施形態の電子装置100において、グラウンドプレーン141及び電源プレーン121または122からなる平行平板を、電子素子151から伝播するノイズの伝播経路と考えることができる。上記のように構成することによって、各々の導体エレメント131は、対向している電源プレーン121または122と、対向しているグラウンドプレーン141とを含むEBG構造の単位セルを構成する。ここで、単位セルとはEBG構造を構成する最小単位のことであって、電子装置100は、繰り返し配列させた単位セルを備えることによって、電子素子151から接続部材152または153を介して伝播するノイズを効果的に抑制することができる。図6Aは、導体エレメント131の一例の上面図である。図6Aに示す導体エレメント131は四角形の導体であって、このような形状の導体エレメント131を含む単位セルは、いわゆるマッシュルーム型のEBG構造と呼ばれる。より詳細には、導体エレメント131がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン121または122との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材132がマッシュルームの軸部分に相当し、インダクタンスを形成している。マッシュルーム型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント131を、キャパシタンスを形成するそれぞれの対向プレーンに接近させて、キャパシタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント131を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図6Bは、導体エレメント131の一例の上面図である。図6Bに示す導体エレメント131は平面方向に形成される螺旋状の伝送線路であって、一端はグラウンドプレーン141と接続する接続部材132に接続され、他端はオープン端となっている。このような形状の導体エレメント131を含む単位セルは、導体エレメント131を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のEBG構造である。より詳細には、導体エレメント131が、それぞれ対向する電源プレーン121または122と電気的に結合することで電源プレーン121または122をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。一方、接続部材132はインダクタンスを形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。オープンスタブ型EBG構造は、平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、導体エレメント131を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。なお、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント131と対向する電源プレーン121または122は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメント131と対向プレーンの距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント131を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。図6Cは、導体エレメント131の一例の上面図である。図6Cに示す導体エレメント131は四角形の導体であって、開口を有している。その開口の中には、一端が当該開口の淵に接続され、他端はグラウンドプレーン141と接続する接続部材132に接続される螺旋状のインダクタが形成されている。このような形状の導体エレメント131を含む単位セルは、マッシュルーム型EBG構造を基本として、マッシュルームのヘッド部分にインダクタを設けることでインダクタンスを増加させた、インダクタンス増加型のEBG構造である。より詳細には、導体エレメント131がマッシュルームのヘッド部分に相当し、それぞれ対向する電源プレーン121または122との間でキャパシタンスを形成する。一方、接続部材132はマッシュルームの軸部分に相当し、導体エレメント131に設けられたインダクタと共にインダクタンスを形成している。インダクタンス増加型EBG構造は、平行平板を前記キャパシタンスと前記インダクタンスからなる直列共振回路でシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント131を、キャパシタンスを形成するそれぞれの電源プレーン121または122に接近させて、キャパシタンスを大きくする、または前記インダクタの長さを長くしてインダクタンスを大きくすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。ただし、導体エレメント131を対向プレーンに近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。また、本実施形態の電子装置100において、複数のオープンスタブ111が間隙123に形成されている。各々のオープンスタブ111が、対向している電源プレーン122と電気的に短絡するため、オープンスタブ111が形成されている間隙123が特定の周波数帯域で閉じているように見える。従って、当該周波数帯域のノイズが、間隙123から漏洩することを防ぐことができる。なお、上記したノイズは、電子素子151から漏洩した電磁波である。ただしこれら電磁波の全てがノイズとして機能するわけではなく、その一部である場合が多い。漏洩した電磁波のうちどの波長の電磁波がノイズとして機能するかは、ノイズの影響を受けたくない素子によって変わる。ここで電子素子151から漏洩する電磁波の周波数がfであるとき、オープンスタブ111の長さ、正確にはオープンスタブ111が電源プレーン122と対向している部分の長さdは、以下の式1のように定められる。ただし、εeffは複数のオープンスタブ111における実効比誘電率を表している。また、ε0は真空の誘電率を表している。そして、μ0は真空の透磁率を表している。さらに、λは当該電磁波の波長を表している。すなわち、最も好ましいオープンスタブ111の長さdは、電子素子151から漏洩する電磁波のうちノイズとなる波長λの1/4であり、このとき最もオープンスタブ111が短絡に見える。ただし、オープンスタブ111の長さdは、電子素子151から生じるノイズの波長λの1/8以上、3/8以下としても実用上は構わない。なお、電子素子151から生じるノイズとは、例えば電子素子151で用いられるクロック周波数の高調波成分などである。ただしノイズの周波数は必ずしもこれに限るものではない。例えばノイズ源となる電子素子151に近接してノイズ耐性の弱いRF回路などが実装されている場合は、電子素子151から生じるノイズのうち、当該RF回路の動作周波数と同一周波数のノイズを抑制することが好ましい。従って、本実施形態の電子装置100は、上記の導体エレメント131を含むEBG構造と、オープンスタブ111を備えるので、単位セルで囲まれている領域内にノイズを閉じ込めることができ、外部へのノイズ伝播を防止することができる。なお、上記の導体エレメント131を含むEBG構造において、電子素子151から生じるノイズ周波数をバンドギャップ帯域に含むことが望ましい。導体エレメント131を含むEBG構造のバンドギャップ帯域は、導体エレメント131と電源プレーン121または122の間隔、導体エレメント131とグラウンドプレーン141の間隔、接続部材132の太さ、導体エレメント131の相互間隔などを調節することにより、所望の値に定めることができる。また、繰り返し配列される単位セルは、それぞれ周期的であることが望ましい。なぜならば、単位セルが周期的に配置された場合は、EBG構造中を伝播する電磁波が周期性に起因するBragg反射を起こすため、より広帯域なノイズ伝播抑制効果が得られるからである。ただし、必ずしも単位セルは周期的に配置される必要はなく、オープンスタブ111が形成されている領域と、電子素子151が実装されている領域とを取り囲むように繰り返し配置されていれば、本発明の効果を得ることができる。第2の実施形態図7は、本発明の第2の実施形態に係る電子装置100の上面図と断面図である。より詳細には、図7Aは電子装置100の上面図であり、図7Bは図7Aで示す断面線における電子装置100の断面図である。本実施形態の電子装置100は、第1の実施形態の電子装置100と比較して、複数のオープンスタブ111と、それらが位置するA層110が省かれ、その代わりに櫛歯状の突起部124が電源プレーン121と電源プレーン122との間隙123に配列されている点において異なる。言い換えれば、電源プレーン122には、間隙123に対向する変に複数の凹部が形成されており、これら複数の凹部それぞれ内に、電源プレーン121と一体的に形成された突起部124が入り込んでいる。図8は、第2の実施形態の電子装置100のB層120を示す図である。各々の突起部124はコプレナー線路と見做すことができる。コプレナー線路とは、伝送線路を構成する2導体、すなわち信号導体とプレーン導体が同一平面に存在するような伝送線路のことである。本実施形態においては、突起部124が上記信号導体に相当する。各々の突起部124は、一端が電源プレーン121または電源プレーン122の一方のプレーンと接続し、他方のプレーンと対向することでコプレナー線路を形成している。突起部124の他端はオープン端となっているため、各々の突起部124は、第1の実施形態のオープンスタブ111と同等と見做すことができる。C層130とD層140については、第1の実施形態と同様である。従って、導体エレメント131と、電源プレーン121または122と、グラウンドプレーン141との対向領域の構造は第1の実施形態と同様であり、第2の実施形態においてもEBG構造を構成する。なお、第2の実施形態の導体エレメント131についても、図6に示すいずれの形状を用いてもよい。従って、第2の実施形態の電子装置100も、第1の実施形態と同様に単位セルで囲まれている領域内にノイズを閉じ込めることができ、外部へのノイズ伝播を防止することができる。なお本実施形態において、図14に示すように突起部124はスパイラル状に延伸していてもよい。この場合、電源プレーン122にもスパイラル状の突起部125が形成される。突起部125は、突起部124と噛み合うように延伸している。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。上記の実施形態において、既に電子素子151を実装済みの電子装置100について説明した。しかし、本発明は、電子素子が実装される実装予定領域が定められた配線基板にも適用可能である。上記の実施形態において、間隙123と電子素子151とは平面視で重ならないように図示して説明したが、重なってもよい。この場合、電源プレーン121の一部と電源プレーン122の一部が電子素子151の直下に位置してもよい。上記の実施形態において、間隙123を隔てて配列される電源プレーンは二つであったが、三つ以上に分割していてもよい。このとき、三つ以上の電源プレーンの各々が本発明の第1導体と見做して電子装置または配線基板を構成してもよい。上記の実施形態において、電子素子151は平面実装電子装置100の上面に実装としているが、内部実装であってもよい。第1の実施形態において、オープンスタブ111は、電源プレーン121または電源プレーン122より上層に位置するものとして説明したが、電源プレーン121または電源プレーン122とグラウンドプレーン141との間の層に位置してもよい。図9は、本発明の第2の実施形態の電子装置100の変形例における上面図と断面図である。この電子装置100は、導体エレメント131が電源プレーン121または電源プレーン122に接続部材132を介して接続している点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。残りの構成やその効果については、第2の実施形態と同様であるので、ここでの説明は割愛する。図10は、本発明の第2の実施形態の電子装置100の変形例における上面図と断面図である。この電子装置100が備える導体エレメント131は、電源プレーン121または電源プレーン122を介してグラウンドプレーン141に対向し、グラウンドプレーン141に接続部材132を介して接続している点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。また、この電子装置100が備える電源プレーン121または電源プレーン122は、当該接続部材が通過する開口が設けられている点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。このように構成しても、電源プレーン121または122とグラウンドプレーン141とから成る平行平板と、導体エレメント131とを含むEBG構造を構成しうる。従って、この電子装置100も、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図10においては、導体エレメント131が位置するC層130を設けているが、導体エレメント131は電子素子151と同一面図10における上面に位置してもよい。この場合、C層130を設ける必要がないので、電子装置100をより薄く製造できるというメリットがある。図11は、本発明の第2の実施形態の電子装置100の変形例における上面図と断面図である。この電子装置100が備える導体エレメント131は、グラウンドプレーン141を介して電源プレーン121または電源プレーン122に対向し、電源プレーン121または電源プレーン122に接続部材132を介して接続している点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。また、この電子装置100が備えるグラウンドプレーン141は、当該接続部材が通過する開口が設けられている点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。このように構成しても、電源プレーン121または122とグラウンドプレーン141とから成る平行平板と、導体エレメント131とを含むEBG構造を構成しうる。従って、この電子装置100も、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図11においては、導体エレメント131が位置するC層130を設けているが、導体エレメント131は電子素子151が実装している面の裏面図11における下面に位置してもよい。この場合、C層130を設ける必要がないので、電子装置100をより薄く製造できるというメリットがある。図12は、本発明の第2の実施形態の電子装置100の変形例における上面図と断面図である。この電子装置100が備える導体エレメント131は、B層120第1の層に位置し、グラウンドプレーン141に対向し、電源プレーン121または電源プレーン122にインダクタを介して接続している点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。また、図6に示す導体エレメント131の形状のうち、この電子装置100に用いることができる導体エレメント131は、図6Cに示す形状である。このように構成しても、電源プレーン121または122とグラウンドプレーン141とから成る平行平板と、導体エレメント131とを含むEBG構造を構成しうる。従って、この電子装置100も、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、C層130を設ける必要がないので、電子装置100をより薄く製造できるというメリットがある。図13は、本発明の第2の実施形態に係る電子装置100の変形例における上面図と断面図である。この電子装置100が備える導体エレメント131は、D層140第2の層に位置し、電源プレーン121または電源プレーン122に対向し、にグラウンドプレーン141インダクタを介して接続している点において、第2の実施形態の電子装置100と異なる。また、図6に示す導体エレメント131の形状のうち、この電子装置100に用いることができる導体エレメント131は、図6Cに示す形状である。このように構成しても、電源プレーン121または122とグラウンドプレーン141とから成る平行平板と、導体エレメント131とを含むEBG構造を構成しうる。従って、この電子装置100も、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、C層130を設ける必要がないので、電子装置100をより薄く製造できるというメリットがある。なお、当然ながら、上述した実施の形態及び複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態及び変形例では、各構成要素の機能などを具体的に説明したが、その機能などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。この出願は、2010年6月2日に出願された日本出願特願2010-127189を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。