"複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタと、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具えることを特徴とする、気相成長装置。前記切替装置は、前記複数のガス導入菅それぞれに供給すべき原料ガス及びキャリアガスの切り替えを行い、前記反応管の前記ガス導入部に供給する前記原料ガスの流量を制御するように構成したことを特徴とする、請求項1に記載の気相成長装置。前記複数のガス導入部は、前記整流板のガス供給口の配列方向に対して並列に配列されてなることを特徴とする、請求項1又は2に記載の気相成長装置。前記原料ガスは、II族ガス、III族ガス、IV族ガス、V族ガス及びVI族ガスからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の気相成長装置。前記キャリアガスは、窒素ガス、水素ガス及びアルゴンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載の気相成長装置。複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出したサセプタ上に基板を載置及び固定する工程と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入管から、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板を介して、前記ガス反応部における前記基板に対して原料ガス及びキャリアガスを第1の流量比で供給し、前記基板上において第1の膜体を形成する工程と、前記反応管の外部に設けられた前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置によって、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべき原料ガス及びキャリアガスの切り替えを行い、前記ガス反応部における前記基板に対して原料ガス及びキャリアガスを前記第1の流量比と異なる第2の流量比で供給し、前記基板の前記第1の膜体上に第2の膜体を形成する工程と、を具えることを特徴とする、気相成長方法。本発明が解決しようとする課題は、気相成長時に原料ガス流量が大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供することである。実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。図1は、本実施形態における気相成長装置の概略構成を示す断面図であり、図2は、図1に示す気相成長装置の整流板を拡大して示す図である。図3は、図1に示す気相成長装置の切替装置の概略構成を示す図である。図1に示すように、本実施形態の気相成長装置10は、複数のガス導入部11A、及びこれら複数のガス導入部11Aの下方に位置するガス反応部11Bを含む反応管11と、反応管11の、ガス反応部11Bの内部に表面12Aが露出してなるサセプタ12とを具える。なお、複数のガス導入部11Aは、それぞれ11A-1,11A-2,11A-3,11A-4,11A-511A-rなどの符号が付されている。サセプタ12は、図示しないヒータにより加熱され、基板Sを所定の温度にする。ガス反応部11Bは、上述のように、基板Sを配置し、原料ガス及びキャリアガスを基板Sの表面に導入することにより、基板S上に膜作製を行う、いわゆる成膜室として機能するものである。また、図1に示すように、反応管11の、複数のガス導入部11A及びガス反応部11B間には、整流板13が設けられている。整流板13には、複数のガス供給口が形成され、それぞれ13A-1,13A-2,13A-3,13A-4,13A-513A-pなどの符号が付されている。さらに、図1に示すように、複数のガス導入部11Aには、それぞれガス導入管14-1,14-2,14-3,14-4,14-514-rが接続されている。なお、各ガス導入管は各ガス導入部と対応するようにして設けられている。例えば、ガス導入管14-1は、ガス導入部11A-1に接続され、ガス導入管14-2は、ガス導入部11A-2に接続されている。また、図2から明らかなように、複数のガス導入部11A-1等は、整流板13の複数のガス供給口13A-1等と並列に配列されている。なお、このような配列関係を取ることにより、以下に説明する原料ガス等の流速及び流量制御による基板Sに対する原料ガス等の供給の均一性が増大し、形成すべき膜の均一性及び再現性を増大させることができる。また、本実施形態の気相成長装置10においては、反応管11の外部において、ガス導入管14-1等に供給すべきガスを切り替えるための切替装置20が取り付けられている。なお、切替装置20は、本来的には、ガス導入管の数r個に準じた切替素子を有するが、本実施形態では、気相成長装置10の特徴及び以下に説明する気相成長方法の特徴を明確化すべく、ガス導入管14-1,14-2及び14-3に接続する切替素子のみを示している。第1の切替素子21は、第1のガス導入管14-1に供給すべきガスを切り替えるための素子であって、第1のガス導入管14-1に接続されており、本実施形態では、V族ガスに同伴させるキャリアガスとしての水素ガス及び窒素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ211及び213と、これらマスフローコントローラと第1のガス導入管14-1との間に設けられたバルブ212及び214とを有している。また、別途設けた原料ガス供給源から流量調整された原料ガスとしての例えばV族ガスに対するバルブ216を有している。第2の切替素子22は、第2のガス導入管14-2に供給すべきガスを切り替えるための素子であって、第2のガス導入管14-2に接続されており、本実施形態では、単独、もしくはIII族ガス及びV族ガスに同伴させるキャリアガスとしての水素ガス及び窒素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ221及び223と、これらボンベと第2のガス導入管14-2との間に設けられたバルブ222及び224とを有している。また、別途設けた原料ガス供給源から流量調整された原料ガスとしてのV族ガス及びIII族ガスに対するバルブ226及び228を有している。第3の切替素子23は、第3のガス導入管14-3に供給すべきガスを切り替えるための素子であって、第3のガス導入管14-3に接続されており、本実施形態では、III族ガスに同伴させるキャリアガスとしての水素ガス及び窒素ガスの流量を制御するマスフローコントローラ231及び233と、これらマスフローコントローラと第3のガス導入管14-3との間に設けられたバルブ232及び234とを有している。また、別途設けた原料ガス供給源からの原料ガスとしての例えばIII族ガスに対するバルブ236を有している。次に、図1に示す気相成長装置10を用いた気相成長方法について説明する。なお、本実施形態では、気相成長装置10の特徴及び以下に説明する気相成長方法の特徴を明確にすべく、原料ガスとしてトリメチルガリウムTMG、GaCH33のIII族ガス及びアンモニアNH3のV族ガスを使用して、基板S上にGaN膜を形成する場合について説明する。また、本実施形態では、主としてV族ガスとしてのNH3ガスの流量を大きく変化させた場合について説明する。例えば、サファイア基板上に青色発光素子を形成する場合に、低温バッファGaN層、高温GaN層、シリコンドープGaN層、活性層バリアGaN層、マグネシウムドープGaN層等のGaN層を形成する必要があり、適切なNH3ガスの流量はそれぞれのGaN層で異なることがある。最初に、例えば第1のガス導入管14-1に接続された切替装置20の第1の切替素子21から、原料ガスとしてのNH3ガスを反応管11の第1のガス導入部11A-1に供給し、第2のガス導入管14-2に接続された切替装置20の第2の切替素子22から、キャリアとしての窒素ガスを反応管11の第2のガス導入部11A-2に供給する。また、第3のガス導入管14-3に接続された切替装置20の第3の切替素子23から、TMG及びキャリアガスとしての水素ガスを反応管11のガス導入部11A-3に供給する。この場合において、第1の切替素子21及び第1のガス導入管14-1から所定の流量でNH3ガスを反応管11の第1のガス導入部11A-1に供給するとともに、第2の切替素子22及び第2のガス導入管14-2から所定の流量で窒素ガスを反応管11の第2のガス導入部11A-2に供給する。また、第3の切替素子23及び第3のガス導入管14-3から所定の流量でTMGと水素ガスを反応管11のガス導入部11A-3に供給する。第1のガス導入部11A-1に供給されたNH3ガスは、整流板13の第1のガス供給口13A-1及び第2のガス供給口13A-2を通って、反応管11の反応部11B内に導かれ、基板S上に供給される。第2のガス導入部11A-2に供給された窒素ガスは、整流板13の第3のガス供給口13A-3を通って、反応管11の反応部11B内に導かれ、基板S上に供給される。第3のガス導入部11A-3に供給されたTMGと水素ガスは、整流板13の第4のガス供給口13A-4及び第5のガス供給口13A-5を通って、反応管11の反応部11B内に導かれ、基板S上に供給される。これによって、基板S上にはGaN膜が所定の厚さで形成されることになる。その他の整流板13のガス供給口からも同様にNH3ガス窒素ガスTMGと水素ガス窒素ガスNH3ガス窒素ガスTMGと水素ガスのように、V族ガスとIII族ガスがキャリアガスを挟んで交互に整流板から供給される。なお、反応管11に導入する際の窒素ガス、NH3ガス、及びTMGと水素ガスは、整流板13を通ってガス反応部11Bに導入する際に、整流板面内で均一に流出するように、また、一部のガスの流速が大きくなって噴流が成膜に悪影響を与えないように、ガス流の乱れを生じないように、それぞれ所定の流速に設定する。次に、基板S上にGaN膜を形成する際、反応管11内に導入するNH3を、上述した状態条件から大幅に増大させる場合を考える。例えば、上述した状態条件から2倍量のNH3ガスを導入することを考えると、上述した状態の場合では、第2の切替素子22及び第2のガス導入管14-2から導入するNH3ガスの流速を2倍にしなければならない。すると、整流板13を通った後のNH3ガスが噴流となって、基板Sの表面に亘ってNH3ガスやTMGの原料ガスが均一に供給されなくなり、得られるGaN膜の均一性や再現性が劣化してしまう場合がある。また、渦が生じ、気相中で原料ガス同士が反応してしまい、この結果得られる生成物が整流板13に付着し、整流板に堆積物を生じる場合がある。また、上記生成物が成膜過程あるいは成膜後のGaN膜面に付着し、当該膜の特性劣化を生ぜしめてしまう場合もある。したがって、上述のようにNH3ガスの流量を2倍にするに際しては、上述のように流速を2倍にする代わりに、第2のガス導入管14-2に接続された、切替装置20の第2の切替素子22のバルブ224を閉、バルブ226を開として、第1のガス導入管14-2からもNH3ガスを反応管11のガス導入部11A内に導入するようにする。この場合、反応管11の反応部11B内には、整流板13の第1のガス供給口13A-1、第2のガス供給口13A-2のみならず、第3のガス供給口13A-3からもNH3ガスが導入されるようになる。なお、その他の整流板13のガス供給口からも同様にNH3ガスNH3ガスTMGと水素ガスNH3ガスNH3ガスNH3ガスTMGと水素ガスのように、V族ガスとIII族ガスが交互に整流板から供給される。したがって、NH3ガスの流量を2倍にした場合においても、整流板からほぼ同じNH3ガスの流速で、反応管11内の反応部11B内に当該NH3ガスを導入することが可能となる。このため、整流板13を通った後もNH3ガスが噴流となることなく、基板Sの表面に亘ってNH3ガスやTMGの原料ガスが均一に供給されるようになる。この結果、得られるGaN膜の均一性や再現性が劣化せず、膜の均一性及び再現性をより劣化させてしまうような不利益を防止することができる。さらに、整流板への堆積物を低減させ、上記生成物が成膜過程あるいは成膜後のGaN膜面に付着し、当該膜の特性劣化を生ぜしめることをも抑制することができる。なお、以上においては、NH3のガス流量を2倍にする場合について述べたが、流量の変化は2倍でなくてもよく、任意の流量変化をさせる場合に、整流板からの流れの乱れが低減するように供給するガスの種類と流量を設定する。また、基板S上にGaN膜を形成する際、キャリアガスとしては、窒素ガスと水素ガスとの任意の混合ガスを用いることができ、NH3ガスにキャリアガスを同伴させてもよい。切替装置20の切替素子の数は4以上でもよい。ガス導入管への接続も例えばマニホールドを介して供給しても良い。以上においては、III族ガスとしてTMG、V族ガスとしてNH3の場合について説明したが、III族ガスとしては、TMG以外にトリメチルインジウムTMI、InCH33、トリメチルアルミニウムTMA、AlCH33等を挙げることができ、V族ガスとしては、NH3以外にターシャルブチルアミンt-C4H9NH2、モノメチルヒドラジンN2H3CH3、アルシンAsH3、ホスフィンPH3等を挙げることができる。n型のドーパントとしてはシランSiH4、p型のドーパントとしてはジシクロペンタジニエルマグネシウムを用いる。InGaN層を成長させる場合には、III族ガスとして、TMGとTMIとを用いる。AlGaN層を成長させる場合は、III族ガスとして、TMGとTMAとを用いる。GaAsを成長させる場合は、V族ガスとして、AsH3を用いる。また、上述したIII族ガス及びV族ガス以外に、ジメチル亜鉛ZnCH32等のII族ガス、メタンCH4等のIV族ガス、セレン化水素等のVI族ガスを用いることもできる。ZnSeを成長させる場合には、ZnCH32とH2Seとを用いる。カーボン等の膜を成長する場合にCH4を用いる。さらに、キャリアガスとしては窒素ガス、水素ガス以外に、アルゴンガスなども用いることができる。また、本実施形態においては、NH3の流量を代えて同じGaN膜を形成する場合について説明したが、異なる組成、例えばInGaN膜を形成する場合等に、NH3の流量を上述のように代えてもよい。なお、本実施形態では、複数のガス導入部11A-1等は、整流板13の複数のガス供給口13A-1等と並列に配列したが、複数のガス導入部11A-1は、整流板13に対して同心円状となるように配列することもできる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として掲示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"