集積回路上の第1の金属化層に形成された第1の櫛状構造体及び第2の櫛状構造体であって、各櫛状構造体は複数の歯を備え、各櫛状構造体の前記歯は他方の櫛状構造体に向かって延びている第1の櫛状構造体及び第2の櫛状構造体と、前記第1の櫛状構造体から上方に延びる複数の第1の導電性ビアと、前記第2の櫛状構造体から上方に延びる複数の第2の導電性ビアと、前記第1の金属化層の上方の第2の金属化層に配置される第1の平面構造体及び第2の平面構造体と、前記第1の平面構造体から前記複数の第1の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第3の導電性ビアと、前記第2の平面構造体から前記複数の第2の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第4の導電性ビアと、を備え、前記第1の櫛状構造体及び前記第2の櫛状構造体、前記第1の平面構造体及び前記第2の平面構造体、並びに前記第1の導電性ビア、前記第2の導電性ビア、前記第3の導電性ビア、及び前記第4の導電性ビアは全て実質的に同じ電位であるシールド構造体。各櫛状構造体の歯は、他方の櫛状構造体の歯の間に延びる、請求項1に記載のシールド構造体。前記複数の第1のビアの導電性ビアは、前記複数の第3のビアの導電性ビアの間に延びる、請求項1に記載のシールド構造体。前記第1の平面構造体と前記第2の平面構造体との間の前記第1の金属化層に配置された第1の信号線を更に備える、請求項1に記載のシールド構造体。前記第1の平面構造体と前記第2の平面構造体との間の前記第2の金属化層に配置された第1の信号線及び第2の信号線を更に備える、請求項1に記載のシールド構造体。前記平面構造体の少なくとも1つは櫛状構造体である、請求項1に記載のシールド構造体。前記第1の平面構造体及び前記第2の平面構造体は、第3の櫛状構造体及び第4の櫛状構造体であり、各櫛状構造体は複数の歯を備え、前記第3の櫛状構造体の歯及び前記第4の櫛状構造体の歯は、互いに向って延びている、請求項1に記載のシールド構造体。少なくとも1つの信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第3の金属化層に配置される、請求項7に記載のシールド構造体。第1信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第3の金属化層に配置され、第2の信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第4の金属化層に配置される、請求項7に記載のシールド構造体。集積回路上の第1の金属化層に形成された第1及び第2のアレイの導電要素であって、前記第1のアレイの導電要素は互いに連結されて前記第2のアレイの導電要素の間に延び、前記第2のアレイの導電要素は互いに連結されている、第1及び第2のアレイの導電要素と、前記第1のアレイから上方に延びる複数の第1の導電性ビアと、前記第2のアレイから上方に延びる複数の第2の導電性ビアと、前記第1の金属化層の上方の第2の金属化層に配置される第1の平面構造体及び第2の平面構造体と、前記第1の平面構造体から前記複数の第1の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第3の導電性ビアと、前記第2の平面構造体から前記複数の第2の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第4の導電性ビアと、を備え、前記第1のアレイ及び前記第2のアレイ、前記第1の平面構造体及び前記第2の平面構造体、並びに前記第1の導電性ビア、前記第2の導電性ビア、前記第3の導電性ビア、及び第4の導電性ビアは全て実質的に同じ電位であるシールド構造体。前記複数の第1のビアの導電性ビアは、前記複数の第2のビアの導電性ビアの間に延びる、請求項10に記載のシールド構造体。前記第1の平面構造体と前記第2の平面構造体との間の前記第2の金属化層に配置された第1の信号線を更に備える、請求項10に記載のシールド構造体。前記第1の平面構造体と前記第2の平面構造体との間の前記第2の金属化層に配置された第1の信号線及び第2の信号線を更に備える、請求項10に記載のシールド構造体。前記第1及び第2の平面構造体は、前記第2の金属化層に形成された第3及び第4のアレイの導電要素であり、前記第3のアレイの導電要素は互いに連結されて前記第4のアレイの導電要素の間に延び、前記第4のアレイの導電要素は互いに連結される、請求項10に記載のシールド構造体。少なくとも1つの信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の前記第3の金属化層に配置される、請求項14に記載のシールド構造体。第1の信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第3金属化層に配置され、第2の信号線が、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第4の金属化層に配置される、請求項14に記載のシールド構造体。集積回路上の第1の金属化層に形成される第1及び第2のアレイの導電要素であって、前記第1のアレイの導電要素は互いに連結されて前記第2のアレイの導電要素の間に延び、前記第2のアレイの導電要素は互いに連結される、第1及び第2のアレイの導電要素と、前記第1の金属化層の上方の第2の金属化層に形成される第3及び第4のアレイの導電要素であって、前記第3のアレイの導電要素は互いに連結されて前記第4のアレイの導電要素の間に延び、前記第4のアレイの該導電要素は互いに連結される、第3及び第4のアレイの導電要素と、前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第3の金属化層に配置される少なくとも1つの信号線と、を備え、前記第1のアレイ、前記第2のアレイ、前記第3のアレイ、及び前記第4のアレイの導電要素は、全て実質的に同じ電位であるシールド構造体。前記導電要素の少なくとも1つのアレイの導電要素は、櫛状構造体で互いに連結される、請求項17に記載のシールド構造体。前記第1の金属化層と前記第2の金属化層との間の第4の金属化層に配置される第2の信号線を更に備える、請求項17に記載のシールド構造体。前記第3の金属化内に配置される第2の信号線を更に備える、請求項17に記載のシールド構造体。本発明は、集積回路の金属化層内に実装できる改良されたシールド構造体である。改良されたシールド構造体は、伝送線とシールド構造体との間の寄生結合が低減するので、従来のシールド構造体に比べて挿入損失が減少する。更に、改良されたシールド構造体では信号/ノイズ比が向上する。本発明の好ましい実施形態では、シールド構造体は、集積回路上の第1の金属化層に形成される第1の櫛状構造体及び第2の櫛状構造体であって、各櫛状構造体は複数の歯を備え、櫛状構造体の歯は他方の櫛状構造体に向かって延びている第1の櫛状構造体及び第2の櫛状構造体と、第1の櫛状構造体から上方に延びる複数の第1の導電性ビアと、第2の櫛状構造体から上方に延びる複数の第2の導電性ビアと、第1の金属化層の上方の第2の金属化層に配置された第1の平面構造体及び第2の平面構造体と、第1の平面構造体から複数の第1の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第3の導電性ビアと、第2の平面構造体から複数の第2の導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第4の導電性ビアとを備える。少なくとも1つの信号線が、第1の平面構造体と第2の平面構造体との間の第2の金属化層に配置され、第1の櫛状構造体及び第2の櫛状構造体、第1の平面構造体及び第2の平面構造体、並びに第1の導電性ビア、第2の導電性ビア、第3の導電性ビア、及び第4の導電性ビアは全て同じ電位である。好ましい実施形態では種々の変形例が実施できる。例えば、一対の信号線は異なる形式の信号を伝達するために使用でき、第1及び第2の平面構造体は櫛状構造体とすることができ、導電性ビアの多数の列は、平面構造体及び/又は櫛状構造体から延びることができる。好ましい実施形態は接地された共面導波管の変形例とみなすことができるが、本発明は、マイクロストリップ及びストリップ線等の他の形式の導波管でも実施できる。当業者であれば、本発明の前述の及び他の目的並びに利点は、以下の詳細な説明に照らして理解できるはずである。図2は、本発明のシールド構造体200の例示的な実施形態の斜視図であり、図3及び図4はそれぞれ図2の線3-3及び線4-4に沿った断面図である。シールド構造体200は、半導体基板200上の複数の金属化層211-214の集積回路内に形成される。金属化層は、金属間誘電体層231-234図4に示すが、図2には明確化のために示されていないによって互いに分離されると共に基板220からも分離されている。シールド構造体200は、第1の金属化層211に形成された第1及び第2の櫛状構造体240、245であり、各櫛状構造体は、他の櫛状構造体に向かって延びる複数の第1及び第2の歯242、247と、第1の櫛状構造体240から上方に延びる複数の第1の導電性ビア250と、第2の櫛状構造体245から上方に延びる複数の第2の導電性ビア255と、第1の金属化層の上方の第2の金属化層214の第1及び第2の平面構造体260、265と、第1の平面構造体260から複数の第1の導電性ビア250に向かって下向きに延びる複数の第3の導電性ビア270と、第2の平面構造体265から第2の複数の導電性ビア255に向かって下向きに延びる複数の第4の導電性ビア275と、を備える。信号線280、282は、第1の平面構造体と第2の平面構造体との間の金属化層214に配置される。第1及び第2の櫛状構造体、第1及び第2の平面構造体、並びに第1、第2、第3、及び第4の導電性ビアは、全て同じ電位であり、接地されていることが好ましい。好ましくは、金属化層は、集積回路の最上の金属化層である。限定されるものではないが、例示的に、金属化層214は、集積回路の最上層とすることができ、金属化層211は、その下方の数層とすることができ、層の数は設計基準に応じて様々である。他の場合として、金属化層214は、集積回路の最上層でなくてもよい。図3は、図2の線3-3に沿った金属化層211の水平横断面図を示す。図3に示すように、第1の櫛状構造体240は複数の第1の歯242を備え、第2の櫛状構造体245は複数の第2の歯247を備える。各櫛状構造体の複数の歯は互いに平行である。複数の第1の歯は第1の横断要素244により互いに連結されており、第2の複数の歯は第2の横断要素249で互いに連結されている。図3に示すように、第1の櫛状構造体240の歯は、第2の櫛状構造体245の歯の間に延びるが、第2の櫛状構造体245の歯に接触していない。しかしながら、前述のように複数の歯は同じ電位である。これを実現するために、2つの櫛状構造体の間の電気的接続は、接地接続を介してのみ維持される。もしくは、2つの櫛状構造体の間の、1つの歯又は歯の少数10以下を直接接続することもできる図示せず。櫛状構造体240、245は、金属化層に所定のパターンを形成するための公知のエッチング技術を使用して、金属化層211に構造体を定めることにより形成される。図4は、図2の線4-4に沿った貫通ビア250、270の縦断面図を示す。ビア255、275の縦断面図も同様である。図4に示すように、ビア250は、スタック252で、金属化層211から、金属間誘電体層232、金属化層212、及び中間誘電体層233を通って金属化層213まで上方に延びている。従って、スタック252は金属化層214に達していない。ビア270は、スタック272で、金属化層214から、金属間誘電体層234、金属化層213、及び金属間誘電体層233を通って、金属化層212まで下方に延びている。従って、スタック272は金属化層211に達していない。更に、スタック252は各スタック272の間に延びているが、金属化層212又は213において、スタック252とスタック272とは互いに接触していない。しかしながら、前述のように、ビア250とビア270とは同じ電位である。これを実現するために、いくつかのビア250、270は、スタックビアを適切な金属化層まで延ばすことによって、又は各スタックを金属化層212及び/又は金属化層213で接続することによって、互いに接続できる。このような方法で、ビアの総数に対して少ない10以下数のビアだけを接続すべきである。もしくは、各ビアは、接地接続により一緒に接続できる。ビアは従来の半導体プロセスで形成されるが、ホールが金属間誘電体層の直下の金属化層に向かってエッチングにより形成され、次に、ホールは、アルミニウム又は銅等の導電材料で充填される。次に、公知のプロセスを用いて、充填されたホールに電気的に接続されるように誘電体層の上部に次の金属層が形成され、次に、この金属層は、エッチングされてスタックビアを分離するようになっている。次に、誘電体層が金属層上に形成され、プロセスを繰り返してスタックのビアの次の層を形成するようになっている。ビア形成プロセスの詳細は、前述のPlummerの文献の702-706頁に開示されており、この開示容は引用により本明細書に組み込まれている。図2に示した実施形態において種々の変更例を実施できる。例えば、一対の信号線280、282の代わりに単一の信号線を実装できる。第1及び第2の平面構造体は櫛状構造体とすることができ、導電性ビアの多数の列は、平面構造体及び/又は櫛状構造体から延びることができる。また、本発明は、他の導波管構成を使用して実施できる。例えば、図5に示すように、第1及び第2の櫛状構造体540、545が下側金属化層511に形成され、第3及び第4の櫛状構造体560、565が上側金属化層515に形成され、1つ又はそれ以上の信号線580、582が上側金属化層と下側金属化層との間に配置される第3の金属化層513に形成されるストリップ線路を実装できる。例示するように、上側金属化層及び下側金属化層を通る水平断面図は、図3に示すものと同じである。随意的に、図4と同様の側壁は、スタックビアを下側金属化層の櫛状構造体から上方に延ばすこと、及び上側金属化層の櫛状構造体から下方に延ばすことで形成できる。図5に示す実施形態において、ストリップ線路は5つの金属化層511-515に形成されるが、本発明はこれより多い又は少ない数の金属化層を用いて実施できる。本発明を実施すると、図1D、1B、及び1Eに示す従来の接地共面導波管に比べて、導波管の挿入損失が約20減少することが分かっている。図6は、伝送損失と周波数数との関係をシュミレーションしたグラフを示す。図6に示すように、12.5GHzにおいて、図2の導波管の伝送損失は10.1dB/mmであるが、従来の導波管の伝送損失は12.6dB/mmである。当業者には明らかなように、本発明の精神及び範囲内において種々の変更例を実施できる。例えば、図3の水平横断面では、櫛状構造体240の各フィンガーが櫛状構造体245の2つのフィンガー間に延びる構成を示すが、図7に示すような、第1の櫛状構造体740の一対のフィンガー742が、第2の櫛状構造体745の一対のフィンガー747の2組の間に延びる構成、又は図8に示すような、第1の櫛状構造体840の3つのフィンガー842が、第2の櫛状構造体845の3つのフィンガー847の2組の間に延びる構成を使用できる。フィンガーのより大きなグループ分けも使用でき、櫛状構造体の異なる場所で異なる数のグループ分けを使用できる。同様に、ビアの対又は3つの又はそれ以上は、上方に延びるビアの対又は3つの又はそれ以上の2組の間で下方に延びることができ、側壁の異なる場所でビアの異なる数のグループ分けを使用できる。図2及び図5は、伝送線が同じ金属化層に形成される構造体を示すが、伝送線が異なる金属化層に形成される構造体を使用することもできる。