対向する第1面と第2面とを有するシリコン基板に、該シリコン基板の第2面から第1面に貫通する液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、該第1面に配線パターンを形成する工程と、該第2面にエッチングマスク層を形成する工程と、該第2面のエッチングマスク層上からレーザーを用いて該エッチングマスク層に位置決め基準マークを形成するマーク形成工程と、該位置決め基準マークを用いて、該第2面のエッチングマスク層を貫通しかつ該シリコン基板の内部に底を有する開口パターン溝部をレーザーにより形成するレーザー加工工程と、該開口パターン溝部から該第1面までを結晶異方性エッチングすることによって、該シリコン基板を貫通する液体供給口を形成する工程と、を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記位置決め基準マークを形成するレーザーが、YVO4レーザーの第2高調波である、請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記位置決め基準マークを形成するレーザーの周波数が15kHz以上、出力が0.3W以上である、請求項1または2に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記レーザー加工工程が、前記開口パターン溝部に囲まれる領域内に、前記第2面のエッチングマスク層を貫通しかつ該開口パターン溝部の底の位置よりも第1面側のシリコン基板内部の位置に底を有する凹みである先導孔を形成する工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。1つのシリコン基板に前記液体供給口を備える液体吐出ヘッド用基板を複数製造し、その際、前記位置決め基準マークを、該シリコン基板の第2面のうちの該液体吐出ヘッド用基板となる領域以外の領域に形成する、請求項1~4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。前記位置決め基準マークを、前記シリコン基板の第2面のうちの前記液体供給口となる領域内に形成する、請求項1~4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。1つのシリコン基板に前記液体供給口を備える液体吐出ヘッド用基板を複数製造し、その際、前記位置決め基準マークを、該シリコン基板の第2面のうちの該液体吐出ヘッド用基板となる領域内であって、かつ前記液体供給口となる領域以外の領域に形成する、請求項1~4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。特許文献1に記載の製造方法において、所定の位置にインク供給口を形成させるためには、位置決め基準マークを用いる方法が考えられ、これにより2種類の未貫通孔をより精度良く形成することが出来る。しかしながら、特許文献2の方法で位置決め基準マークを形成する場合、樹脂層を光照射して透過率を低下させて変色させることになる。このため、特許文献1のように、シリコン基板の裏面にSi、SiO、SiO2、Poly-Si等の無機材料層無機層を有する場合、以下のようになる場合があった。即ち、これらの無機材料層上に樹脂層を形成してから特許文献2の方法を適用することになるため、位置決め基準マークを形成するのに多くの工程数が必要となる場合があった。本発明は、裏面第2面に無機材料層を有するシリコン基板であっても、位置決め基準マークを少ない工程数で形成することができ、液体供給口を精度良く短時間で製造することが可能な液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。上述の課題を解決するための、本発明の液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、対向する第1面と第2面とを有するシリコン基板に、該シリコン基板の第2面から第1面に貫通する液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、該第1面に配線パターンを形成する工程と、該第2面にエッチングマスク層を形成する工程と、該第2面のエッチングマスク層上からレーザーを用いて該エッチングマスク層に位置決め基準マークを形成するマーク形成工程と、該位置決め基準マーク用いて、該第2面のエッチングマスク層を貫通しかつ該シリコン基板の内部に底を有する開口パターン溝部をレーザーにより形成するレーザー加工工程と、該開口パターン溝部から該第1面までを結晶異方性エッチングすることによって、該シリコン基板を貫通する液体供給口を形成する工程と、を含む。本発明によれば、裏面第2面に無機材料層を有するシリコン基板であっても、位置決め基準マークを少ない工程数で形成することができ、液体供給口を精度良く短時間で製造することが可能な液体吐出ヘッド用基板の製造方法が提供される。本発明より得られる液体吐出ヘッド用基板は、インク、薬液、接着剤およびはんだペーストなどの吐出ヘッドに用いる基板として使用することができる。以降、液体吐出ヘッドのうち、インクジェットプリンタ等のインクジェット記録装置に搭載されるインクジェット記録ヘッドに着目して説明する。なお、通常、1つのシリコン基板シリコンウェハに液体供給口を有する液体吐出ヘッド用基板を複数製造する。図1は、本発明より得られる液体吐出ヘッド用基板を用いて作製したインクジェット記録ヘッドの一例の要部構成を示す斜視図である。以下この要部構成について詳しく説明する。図1に示すインクジェット記録ヘッドチップ100は、本発明より得られる液体吐出ヘッド用基板であるインクジェット記録ヘッド用基板ヘッド用基板1と、有機膜層6とから構成されている。有機膜層6は、インクを吐出するインク吐出口液体吐出口11と、このインク吐出口に連通するインク流路液体流路12とを有する。流路壁及び吐出口壁である有機膜層は、複数のインク吐出口を有することができ、インク流路12は、各インク吐出口に連通することができる。インクジェット記録ヘッド用基板1は、インク流路12に連通するインク供給口液体供給口13と、配線パターンとを有する。図1では、この配線パターンのうちの、インクを吐出するエネルギーを発生する素子であるインク吐出圧エネルギー発生素子2が記載されている。以降、ヘッド用基板1の対向する2つの面のうち、配線のある面を第1面おもて面1a、もう一方の面を第2面裏面1bと称する。同様に、ヘッド用基板の基板として用いるシリコン基板図2の符号10の対向する2つの面のうち、配線パターンが形成される側の面を第1面おもて面10a、もう一方の面を第2面裏面10bと称する。図1に示すように、エネルギー発生素子2は所定のピッチで2列に並んで基板1のおもて面に配置されており、インク供給口13は、インク吐出圧エネルギー発生素子2の2つ列の間に形成されている。また、インク吐出口11は、図2aに示すように、インク吐出圧エネルギー発生素子2の紙面上方に配置されている。本発明では、ヘッド用基板1上、より具体的にはヘッド用基板1と有機膜層6との間に、他の層を有することができ、例えば、密着層としてポリエーテルアミド層を形成することができる。インクジェット記録ヘッド100は、インク吐出口11が形成された面が記録媒体の記録面に対面するように配置される。そして、インク供給口13からインク流路12内に充填されたインク液体に、インク吐出圧エネルギー発生素子2によって圧力が加えられると、インク吐出口11からインク液滴が吐出する。このインク液滴が、記録媒体に付着することによって、画像を形成することができる。なお、本発明より得られるヘッド用基板を用いたインクジェット記録ヘッドは、文字、図形、記号等といった何らかの意味を持つ画像を形成するだけでなく、幾何学的パターン等の特定の意味を持たない画像を形成することもできる。本発明の製造方法は、対向する第1面と第2面とを有するシリコン基板に、このシリコン基板の第2面から第1面に貫通するインク供給口を形成する工程貫通口形成工程を含む。また、本発明の製造方法では、レーザープロセスを用いて位置決め基準マークを作製するため、フォトリソグラフィープロセスを用いる従来の方法と異なり、位置決め基準マークのパターニングを行う必要がない。よって、本発明では、位置決め基準マークを従来と比べて少ない工程で作製することができ、インク供給口を精度良く短時間で形成することができる。具体的には、レーザープロセスにより作製した位置決め基準マークを用いて、レーザーにより、第2面側図2aでは、エッチングマスク層4の紙面下方からエッチングマスク層4にインク供給口の開口パターンを形成する。このインク供給口の開口パターンは、後述する開口パターン溝部、またはこの溝部と先導孔とからなることができる。その後、この開口パターンから結晶異方性エッチングを行うことにより、インク供給口を形成する。以下に、本発明の製造方法の各工程を、図2~7を用いて詳しく説明する。図2~7のaは、図1に記載の切断線A-A’に沿った断面図に対応しており、bは、シリコン基板10の裏面第2面側の平面図である。なお、図2~7のbに示す平面図は、紙面上下方向が、図1に示す記録ヘッド用基板1の長辺長手方向に対応しており、これらの図では、長辺方向の一部を省略して記載している。まず、シリコン基板10の第1面10aに配線パターンを形成し配線形成工程、第2面10bにエッチングマスク層4を形成する。なお、図2aに示すシリコン基板10は、おもて面10aに、インク吐出圧エネルギー発生素子2と、犠牲層5と、絶縁保護膜3と、吐出口11及び流路12を有する有機膜層6とが形成されており、裏面10bに、エッチングマスク層4が形成されている。また、インク吐出圧エネルギー発生素子2は、シリコン基板10の長手方向図2aでは紙面垂直方向に沿って2列並べられている。配線パターンとしては、例えば、インク吐出エネルギー発生素子、エネルギー発生素子に電気を送るための配線不図示、及びヘッドと本体の電気的接合部不図示を挙げることができる。インク吐出圧エネルギー発生素子2は、Alなどからなる配線や、TaSiN、TaNに代表される高抵抗材料などで構成することができる。また、これらの配線パターンは、例えばフォトリソグラフィープロセスを用いることにより形成することができる。なお、第1面10aには、ヒータを設置することもできる。また、犠牲層5は、インク供給口13のおもて面側の開口幅を規定するためにシリコン基板10のおもて面に形成することができる。この犠牲層5の材料としては、例えば、AlやAlSiを挙げることができ、Alが用いられると、配線と同時に犠牲層5を形成できるので効率的である。犠牲層5は、例えばAlにフォトリソグラフィープロセスを用いることにより形成することができる。絶縁保護膜3は、インク吐出圧エネルギー発生素子2および犠牲層5を覆うように形成することができる。この絶縁保護膜3は、SiO、SiNなどからなることができ、インクやその他の液体からシリコン基板10に形成された配線を守ると共に、インク供給口13を形成する時のエッチングストップ層としての役割も担うことができる。また、絶縁保護膜3は、フォトリソグラフィープロセスを用いることにより形成することができる。絶縁保護膜3上に、インク流路の型となるポジ型感光性樹脂からなる型材不図示を形成し、インク吐出口11を有する有機膜層6を形成した後に除去することで、インク流路12を形成することができる。なお、この型材は、ポジ型感光性樹脂層をスピンコート法などにより形成し、フォトリソグラフィーによりこの層をパターニングすることで形成することができる。有機膜層6は、この型材を被覆するようにスピンコート法により層を形成し、この層に吐出口及び流路を形成することで作製することができる。有機膜層6の材料としては、例えば、エポキシ樹脂および光カチオン重合開始剤を含むネガ型の感光性樹脂を挙げることができる。また、インク流路となる部材有機膜層6を形成する時期は適宜選択することができる。例えば、マスク層4形成後、かつ後述する溝部7や先導孔8を形成する前にシリコン基板10のおもて面に形成しても良いし、マスク層4、溝部7及び先導孔8を形成した後におもて面に形成しても良い。エッチングマスク層4は、エッチング液例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に耐性のある材料を用いてシリコン基板10の裏面に少なくとも1層以上形成することができる。エッチングマスク層4としては、例えばSiOに代表される絶縁膜、Mo、Au、TiNまたはTiに代表される金属膜を含む無機膜、およびポリエーテルアミド等の有機膜を用いることができる。なお、熱酸化膜SiOを用いれば、表面の絶縁保護膜3と同時に形成できるので、製造時間が短縮できる。また、エッチングマスク層はフォトリソグラフィープロセスにより形成することができる。さらに、エッチングマスク層4は、基板裏面を覆うように形成することができ、その形成時期は、インク供給口を形成する前の段階であれば、適宜選択することができる。このマスク層4を裏面10bに有するシリコン基板を後述するマーク形成工程に供することができる。次に、図3~5に示すように、第2面のエッチングマスク層上、即ち第2面側からレーザーを用いてエッチングマスク層4に位置決め基準マーク9を形成するマーク形成工程。マーク9を形成する際に用いるレーザーは、記録ヘッドの分野で用いられるレーザーを適宜用いることができるが、シリコン基板10の透過率の観点から、YVO4レーザー波長:1064nmの第2高調波波長:532nmであることが好ましい。その際、レーザー加工条件も形成するマーク9に応じて適宜調整することができるが、以下のようにするのが好ましい。即ち、レーザーの周波数は、デブリ加工飛散物の発生を抑制する観点から15kHz以上が好ましく、出力はコントラストの観点から0.3W以上が好ましい。図3~5では、位置決め基準マーク9は、エッチングマスク層4を貫通しかつ裏面10bに底を有する凹みとして形成されている。しかしながら、位置決め基準マークの形態は適宜選択することができ、例えば、エッチングマスク層4を貫通し、基板10の内部に底を有する凹みであっても良い。また、マーク9の開口形状は適宜選択することができ、例えば、図3~5に示すような十字型や、四角型とすることができる。なお、マーク9や後述する開口パターン溝部や先導孔の加工深さは、レーザー種やレーザー出力条件等によって適宜調節することができる。また、これらの凹みを形成する際のレーザー種や出力条件は同一であっても良いし、異なっていても良い。また、マーク9の形成位置も適宜選択することができる。例えば、図3では、マーク9は、図3bに示すように、シリコン基板裏面のインク供給口となる領域13aの近傍、より具体的にはエッチングマスク層4の紙面左下部分に形成されている。図1~4、6及び7は、1つのチップインクジェット記録ヘッドに着目した図であるが、シリコンウェハにチップを複数形成する場合は、以下のようにすることができる。即ち、この図3bのように、シリコン基板の第2面のうちのチップとなる領域内であって、かつインク供給口となる領域13a以外の領域にマーク9を形成することができる。また、図5のように、ウェハ10の裏面内のチップとなる領域14以外の領域に位置決め基準マーク9を形成することもできる。なお、シリコン基板の第2面のうちのチップとなる領域と、シリコン基板の第2面のうちのインクジェット記録ヘッド用基板となる領域とは一致する。即ち、1つのシリコン基板にインク供給口を備えるヘッド用基板を複数製造する際、以下のようにして良い。マーク9をシリコン基板の第2面のうちのヘッド用基板となる領域以外の領域に形成しても良いし、ヘッド用基板となる領域内であってかつインク供給口となる領域以外の領域に形成しても良い。さらに、マーク9を裏面10bのうちのインク供給口となる領域図3bの符号13a内に形成することもでき、図4bでは、この領域内の、犠牲層5が形成されたおもて面の位置と対向する裏面の位置にマーク9が形成されている。このように、領域13a内にマーク9を形成した場合、後の工程で形成される開口パターン溝部7を、このマーク9を囲むように形成することができる。このようにすると位置決め基準マーク9はインク供給口13の形成により基板から除去されるので、位置決め基準マーク9を設ける領域を基板内に専用設定しなくてもよく、基板面積を有効活用できるという点で好適である。図4中、犠牲層5および後の工程で形成される開口パターン溝部7は点線で図示している。なお、図3、4、6及び7のマーク9の形成位置は各図のbに示す位置であり、各図のaに記載するマーク9は、A-A’断面部分にマーク9が形成されたことを示すものではない。また、同様に、図6の先導孔8及び図7の凹み15の形成位置は、各図のbに示す位置であり、各図のaに記載する先導孔8及び凹み15は、A-A’断面部分にこれらが形成されたことを示すものではない。本発明では、マーク9を形成する際、予めおもて面10aに別途位置決め基準マークを形成し、そのおもて面のマークを基準として、裏面10bにマーク9を形成することができる。おもて面のマークは、例えばフォトリソグラフィープロセスにより形成することができる。図4では、おもて面の犠牲層5の内部に位置決め基準マーク不図示を予め形成し、その基準マークにより裏面のインク供給口となる領域開口予定の領域内にマーク9を形成している。そのため、位置決め基準マークの位置とマーク9を形成する位置の距離が近くなり、より高精度に犠牲層5と対向する裏面の位置にマーク9を形成することが出来る。続いて、マーク9を位置決め基準マークとして、レーザーにより裏面10bのエッチングマスク層を貫通しかつシリコン基板の内部に底を有する開口パターン溝部を形成するレーザー加工工程。図6では、シリコン基板10に、後述する先導孔8と、開口パターン溝部7とが形成されている。より具体的には、図6bに示すように、エッチングマスク層4表面のインク供給口13に対応する部分内に、エッチングマスク層4を貫通し基板10の内部に底を有する凹みとして、開口パターン溝部7が形成されている。このレーザー加工工程では、レーザー種として、例えば、シリコンへの吸収率に優れるYAGレーザー波長1064nmの第3高調波3倍波波長355nmを用いることができる。その際、溝部7を形成するレーザーは、周波数30kHz以上、出力4.0W以上とすることが好ましい。開口パターン溝部7の形状は、インク供給口13の開口形状に応じて適宜選択することができる。例えば、インク供給口の開口形状と溝部7の開口形状を一致させることもでき、図6bのように、開口パターン溝部7を格子状に形成することもできる。格子状の溝部7格子パターンを用いた場合、シリコン基板10の長手方向の溝部7のピッチに応じて、レーザー加工工程におけるレーザー加工時間や、後述するエッチング工程におけるエッチング速度を変化させることができる。つまり、溝部7のピッチが狭いほどレーザー加工時間は長くなるがエッチング時間は短くなる。従って、エッチング速度を従来と同等レベルにする観点から、基板の長手方向における溝部7のピッチPは800μm以下とすることが好ましい。また、加工タクトの観点から、ピッチPは200μm以上とすることが好ましい。本発明では、開口パターン溝部を形成する工程レーザー加工工程が、シリコン基板のインク供給口となる領域内に先導孔を形成する工程を含むことができる。なお、先導孔とは、第2面裏面のエッチングマスク層を貫通しかつ開口パターン溝部の底の位置よりも第1面側おもて面側のシリコン基板内部の位置に底を有する凹みである。シリコン基板のインク供給口となる領域は、ヘッド用基板のインク供給口の領域と一致し、溝部7の領域や溝部7に囲まれる領域を含むことができる。先導孔は、インク供給口13の開口部シリコン基板10の裏面側の開口部の内部、例えば、裏面10bのうちの開口パターン溝部7に囲まれた領域内に形成することができ、先導孔の配置や数は限定されない。図6では、図6bに示すように、エッチングマスク層4を貫通し、終端部がシリコン基板10の内部にある未貫通孔である先導孔8が、格子状の溝部7上に、シリコン基板10の長手方向に沿って2列並べられている。本発明では、図6bのように、先導孔8を開口パターン溝部7に重ねて配置することが好ましく、これにより後述するエッチング工程においてエッチング液が先導孔8に入り込みやすく、異方性エッチングが速く進むようになる。また、先導孔8は以下の方法により形成することができる。即ち、先導孔は、マーク9を用いて加工位置を制御し、所望の位置にレーザー照射することにより形成することができる。次に、開口パターン溝部からおもて面までを結晶異方性エッチングすることによって、シリコン基板を貫通するインク供給口を形成するエッチング工程。結晶異方性エッチングは、開口パターン溝部7にTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液等のエッチング液を浸漬させることで行うことができる。この時、有機膜層を保護するために有機膜層6上に保護材を形成することが好ましい。なお、シリコン基板に先導孔を形成した場合は、例えば先導孔8及び溝部7にエッチング液を浸漬させることで、先導孔8及び溝部7からおもて面までを結晶異方性エッチングすることができる。図7では、次の操作によってインク供給口13を形成している。まず、結晶異方性エッチングによって、エッチングマスク層4から犠牲層5まで貫通する貫通孔を形成する。その後、インク供給口13の開口領域を覆う部分の絶縁保護膜3をドライエッチングにて除去し、インク供給口を形成する。また、図7では、結晶異方性エッチングの際、シリコン基板の裏面に形成された位置決め基準マークもエッチングされ、このマークが形成された部分にも、エッチングマスク層4を貫通しかつ基板内部に底を有する凹み15が形成されている。マーク9、開口パターン溝部7、先導孔8及び凹み15は、底の部分が図6aに示すように平坦であっても良いし、図7の凹み15のように平坦でなくても良い。なお、絶縁保護膜3は、その厚みをエッチング時間に合わせて適宜調整することで、結晶異方性エッチング完了時に、犠牲層などと同時に除去することも可能である。次に、保護材不図示と型材不図示を除去する。以上の工程を経て、インク供給口13から流入したインクをインク吐出口11から吐出させるノズル部が形成された基板1インクジェット記録ヘッド100を得ることができる。なお、本発明では、この記録ヘッドに、インク吐出圧エネルギー発生素子2を駆動させる本体との電気配線の接合を行った後、インク供給用のチップタンク部材を接合させることもできる。1つのシリコン基板に複数のチップを形成した場合は、ダイシングソータ等によってこれらのチップを切断分離した後、各チップに上記電気配線及びチップタンク部材の接合を行うことができる。本発明では、レーザーで位置決め基準マークを形成することで、位置決め基準マークを少ない工程数で形成することができ、液体供給口を精度良く短時間で製造することができる。なお実際は、1つのシリコン基板10に複数のチップを作製しているが、以下の実施例では、1つのチップに着目した説明を行う。実施例1まず、シリコン基板10のおもて面10aにヒータを含む配線パターンを形成した。具体的には、配線パターンとして、インク吐出圧エネルギー発生素子2及び耐インク保護膜不図示を形成した。続いて、AlSiからなる犠牲層5、SiOからなる絶縁保護膜3を形成した。さらに、裏面10bにSiO2からなるエッチングマスク層4を形成した。そして、絶縁保護膜3の上、より具体的には、インク流路壁が形成される部分の絶縁保護膜上にフォトリソグラフィープロセスを用いてポリエーテルアミドからなる密着層不図示を形成した。次に、ポジ型感光性樹脂ODUR商品名、東京応化工業製を絶縁保護膜及び密着層に塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングしてインク流路となる型材不図示を形成した。その後、インク吐出口11とインク流路の壁を形成するために有機膜層6を型材と密着層との上に積層した。有機膜層6の材料としては、エポキシ樹脂EHPE3150商品名、ダイセル化学工業製100質量部、及び光カチオン重合触媒SP-172商品名、旭電化工業製6質量部を使用した。そして、フォトリソグラフィープロセスによりインク吐出口11とインク流路12を形成した。その後、有機膜層6をエッチング液から保護する為に保護材不図示を有機膜層6を被覆するように形成した。これにより、図2に示すシリコン基板10を得た。続いて、レーザー加工装置としてExcel社製、商品名:Osprey4.0を用いて、YVO4レーザーの2倍波波長532nmにより、マスク層4を貫通しかつ裏面に底を有する凹みであって、開口形状が十字型の位置決め基準マーク9を形成した。このマーク9の形成位置は、図3bに示す位置インク供給口となる領域13a以外の領域とした。レーザー加工条件は、周波数20kHz、出力0.40W、スキャン速度50mm/secとした。次に、このマーク9と、レーザー種としてYAGレーザーの3倍波波長355nmとを用いて、エッチングマスク層4におけるインク供給口13に対応する部分領域13aに、図6に示す格子状の開口パターン格子パターン溝部7を形成した。その際、レーザー加工条件は、出力4.5W、周波数30kHzとし、溝部7は、エッチングマスク層4を貫通し、シリコン基板10の裏面10bから約10μm程度の深さになるように形成した。また、シリコン基板10の図6b紙面上下方向の溝部7のピッチPは、エッチング速度およびレーザー加工時間を考慮して800μmとした。続いて、図6に示すように、エッチングマスク層4を貫通しかつ終端部がシリコン基板10の内部にある未貫通孔である先導孔8を、YAGレーザーの3倍波波長355nmを用いて、開口パターン溝部7の一部と重なる位置にシリコン基板10の長手方向に沿って2列形成した。続いて、この基板10をTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に1080分間浸漬させることによって、開口パターン溝部7および先導孔8から犠牲層5までを結晶異方性エッチングした。その後、図7に示すように、ドライエッチングでインク供給口のおもて面における開口領域を覆う絶縁保護膜部分を除去し、インク供給口13を形成した。次に、保護材と型材を乳酸メチルにて除去し、インクジェット記録ヘッド用基板1を得た。続いて、このインクジェット記録ヘッド用基板1に、インク吐出圧エネルギー発生素子2を駆動させる電気配線不図示の接合を行った後、インク供給用のチップタンク部材不図示を接合した。これにより、インクジェット記録ヘッド100を得た。比較例1エッチングマスク層4に形成する位置決め基準マーク9を、フォトリソグラフィープロセスを用いて形成した以外は実施例1と同様にしてインクジェット記録ヘッド100を作製した。実施例1では、レーザーで位置決め基準マークを形成することで、フォトリソグラフィーを用いた比較例1よりも1ロット当たり240分時間を短縮することできた。