シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上に前記ボンドウェーハの薄膜からなるSOI層を有する貼り合わせSOIウェーハを作製し、その後、前記剥離面を平坦化する平坦化処理を行う貼り合わせSOIウェーハの製造方法であって、前記剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記平坦化処理として、研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理のうち、少なくともいずれか一種類以上の処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記RTA処理は1025~1075°Cの温度範囲で、1~60秒の熱処理時間で行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。近年の半導体デバイスの低消費電力化、微細化、高機能化に伴い、SOI層の膜厚均一性は、従来の面内膜厚レンジ面内の最大膜厚から最小膜厚を引いた値が3nm程度では必ずしも十分とは言えなくなってきており、更なる面内膜厚レンジの改善が求められている。イオン注入剥離法によってSOIウェーハを製造する場合、前述の通りSOI層の剥離後の平坦化処理には様々な方法がある。代表的な工程として研磨タッチポリッシュ、犠牲酸化処理、熱処理、エッチング等が上げられる。また、例えばArアニールなど、減厚を目的としない工程として実施される場合のある不活性ガス雰囲気での高温長時間の熱処理であっても、実際にはある程度のSOI層が除去される工程になっている。特に、縦型熱処理炉でArアニールを行うと、ウェーハ周辺部のSOI膜厚が薄くなり、面内均一性を悪化させている。一方、研磨により平坦化を行うと、ダレと呼ばれるウェーハ周辺部のみ薄くなる現象と、ハネと呼ばれるウェーハ周辺部のみ厚くなる現象があり、SOI層の面内均一性を悪化させる原因となっている。さらに、犠牲酸化処理熱酸化と酸化膜除去を行う処理として、熱酸化を縦型炉で処理した場合も同様に、同心円形状の面内膜厚分布を持つ場合があり、SOI層の面内均一性を悪化させる原因となっている。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、平坦化処理後のSOI層の膜厚の面内均一性が一層良好なSOIウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上に前記ボンドウェーハの薄膜からなるSOI層を有する貼り合わせSOIウェーハを作製し、その後、前記剥離面を平坦化する平坦化処理を行う貼り合わせSOIウェーハの製造方法であって、前記剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。このような製造方法であれば、剥離後のSOI層の平坦化処理において、SOI層の膜厚の面内均一性の悪化を抑制し、SOI層の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。特に、SOI層の平坦化後の面内膜厚レンジが1.5nm以下となる貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。また、前記平坦化処理として、研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理のうち、少なくともいずれか一種類以上の処理を行うことができる。不活性ガス、例えばAr雰囲気による熱処理では縦型炉で行うことによりウェーハ周辺部の方が雰囲気ガスの流れが良いためウェーハ中心部と比較して膜厚が薄くなる傾向があり、研磨処理、例えばCMPケミカルメカニカルポリッシングではウェーハ周辺部のみ薄くなる場合ダレがあり、また犠牲酸化処理でも同心円形状の面内分布を持つ場合がある。しかしながら、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法であれば、SOI層表面の中央部に自然酸化膜が残存するようにRTA処理を行った後に、平坦化処理としてこれらの処理を行うので、SOI層の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。さらに、前記RTA処理は1025~1075°Cの温度範囲で、1~60秒の熱処理時間で行うことが好ましい。このような処理条件であればSOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去されやすく、かつ中央部の自然酸化膜は残存して全ての自然酸化膜が除去されることがない。以上説明したように、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法であれば、剥離後のSOI層の平坦化処理において、SOI層の膜厚の面内均一性の悪化を抑制し、SOI層の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。特に、SOI層の平坦化後の面内膜厚レンジが1.5nm以下となる貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。また、平坦化処理として、研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理を行ったとしてもSOI層の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上述のように、剥離後のSOI層の平坦化処理において、SOI層の膜厚の面内均一性の悪化を抑制し、SOI層の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造できる方法が望まれていた。本発明者らは、上記問題点について鋭意検討を重ねた結果、平坦化処理の特徴周辺部が薄くなる特徴にあわせて、平坦化処理の前に水素ガス含有雰囲気によるRTA処理を適切な条件で加えておくことによって、SOI層の平坦化後の面内膜厚レンジが1.5nm以下の貼り合わせSOIウェーハを得ることができることを見出し、本発明を完成させた。以下、本発明をより詳細に説明する。図1に本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法を示す。図1に示すように、本発明ではaシリコン単結晶からなるボンドウェーハ1の表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ1内部にイオン注入層4を形成し、bボンドウェーハ1のイオン注入された側の表面とベースウェーハ2の表面とを絶縁膜3を介して貼り合わせた後、cボンドウェーハ1の一部を前記イオン注入層4で剥離して、前記ベースウェーハ2上に前記ボンドウェーハ1の薄膜からなるSOI層6を有する貼り合わせSOIウェーハを作製し、その後、d剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、SOI層6の表面の周辺部の自然酸化膜5が除去され、中央部の自然酸化膜5’が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、e中央部に自然酸化膜5’が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、平坦化後のSOI層6’の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように平坦化処理を行うことで均一な膜厚を有する貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。なお、c工程からd工程へ移る間に自然と、SOI層6の表面に自然酸化膜5が形成される。また、c工程のあとにSC-1洗浄及び/又はSC-2洗浄を行ってもよく、これによっても自然酸化膜5を形成することができる。尚、図1では絶縁膜3をボンドウエーハ1に形成する例を示したが特に限定されず、ベースウエーハ2に形成しても、又は両方に形成してもよい。水素を含むガスで1100°C以上の高温でRTA処理することにより、SOI層6の表面の自然酸化膜5が除去されマイグレーションにより平坦化がなされることが知られている。一方、1100°Cよりも低い温度で水素を含むガスでRTA処理すると、熱処理時間に依存してSOI層6の表面の周辺部からほぼ一定の距離まで自然酸化膜5が除去される。これにより、ウェーハの中央部では自然酸化膜5’が除去されずに残存する場合がある。ウェーハ中央部に除去されずに残存する自然酸化膜5’の大きさは、熱処理温度と熱処理時間によって変化する。しかしながら、このように中央部に自然酸化膜が残存する表面状態のままではRTA処理によってウェーハ面内均一で良好な表面状態を得るということから反する。そのため、このような条件でRTA処理を完了してしまうことは一般には行われていなかった。具体的に、イオン注入剥離法によって剥離した直後のSOIウェーハSOI表面に自然酸化膜5が形成されているを水素含有雰囲気下で1000°C、1050°C、1100°C、各30秒でRTA処理した後、それらのウェーハを犠牲酸化処理酸化と酸化膜除去を行う処理してSOI層6’の膜厚を測定してみた。その結果、1000°CでRTA処理したSOI層6’の膜厚は全体的に薄く、1100°CでRTA処理したSOI層6’の膜厚は1000°CでRTA処理した場合よりも厚く、1050°CでRTA処理したSOI層6’の膜厚は周辺部では1100°CでRTA処理したウェーハと同様に厚くなり、他の領域中央部については1000°CでRTA処理したウェーハと同様に薄くなった。尚、平坦化処理として犠牲酸化処理の代わりに研磨やArアニールを行った場合も同様の傾向があった。このように、SOI層6’が全体的に薄くなるのは平坦化処理によるSOI層の減厚速度が速く、SOI層6’が厚くなるのは平坦化処理によるSOI層の減厚速度が遅くなることに起因するものである。さらに、RTA処理した直後のSOIウェーハを観察すると1000°CでRTA処理した場合では、ウェーハ剥離直後のヘイズと変化無く、全面で自然酸化膜5が残存し、TEM観察を行うとSOI層6’は剥離直後と同様に歪み層イオン注入ダメージに起因は残存していた。一方、1100°CでRTA処理した場合では、ウェーハ剥離直後と比較して自然酸化膜5が除去され全面でヘイズが改善し、TEM観察を行うと歪み層の結晶性は回復していた。また、1050°CでRTA処理したウェーハは、周辺部では自然酸化膜5が除去されヘイズが改善され、TEM観察を行うと周辺部では結晶性が回復し、中央部では剥離直後と同様にヘイズは改善されず自然酸化膜5’が残存し、TEM観察を行うと歪が残存していた。自然酸化膜5が除去された領域と結晶性が改善された領域は完全には一致しないが、重なる部分が多い。以上のことから、水素ガス含有雰囲気によるRTA処理で、SOI層6の表面の自然酸化膜5の除去が不完全な状態周辺部で自然酸化膜5が除去され、中央部で自然酸化膜5’が残留した状態、言い換えると、周辺部で結晶性が回復し、中央部で歪み層が残留した状態になる条件でRTA処理を行い、その後、平坦化処理を行うと結晶性が回復された領域周辺部の減厚速度は遅くなり、歪み層が残存する領域中央部では減厚速度は速くなることがわかった。この現象を利用し、平坦化処理の特徴周辺部が薄くなる特徴にあわせて、平坦化処理の前に水素ガス含有雰囲気によるRTA処理を適切な条件で加えておくことによって、SOI層6の平坦化処理において、SOI層6の膜厚の面内均一性の悪化を抑制し、SOI層6’の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。このようなRTA処理の条件温度、熱処理時間としては、SOI層6の表面の周辺部の自然酸化膜5が除去され、中央部の自然酸化膜5’が残存するようにするものであれば特に制限されない。このようなRTA処理の条件は、平坦化後のSOI層6’の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように、平坦化処理工程におけるSOI層6の除去量の面内分布特性に合わせて実験的に設定することができる。具体的には、1100°C以上の温度では短時間でSOI層6の全面の自然酸化膜5が除去されてしまい、1000°C以下の温度では自然酸化膜5が除去されにくい。そのため、RTA処理の条件としては、1025°C~1075°Cの温度範囲で、1~60秒の熱処理時間で行うことが好ましい。本発明では、中央部に自然酸化膜5’が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、平坦化後のSOI層6’の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように平坦化処理を行う。このような平坦化処理の条件は、所定の条件でRTA処理されたSOIウエーハに対して平坦化処理工程を行った場合のSOI層6の除去量の面内分布特性を考慮しながら、実験的に設定することができる。また、平坦化処理として、研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理のうち、少なくともいずれか一種類以上の処理を行うことができる。平坦化処理は最終的に製造される貼り合わせSOIウエーハに併せて複数の処理を組み合わせて行うことができる。研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理等の平坦化処理はSOI層6の面内均一性を損ねる。しかしながら、本発明のようにSOI層6の表面の中央部に自然酸化膜5’が残存するようにRTA処理を行った後に平坦化処理としてこれらの処理を行えば、平坦化後のSOI層6’の膜厚の面内均一性の良好な貼り合わせSOIウェーハを製造することができる。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。[実施例1、比較例1~4]ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500°Cで30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。それらのSOIウェーハを洗浄しSC-1洗浄及びSC-2洗浄。この際、SOI表面に厚さ1.6nmの自然酸化膜が形成される、50の濃度の水素ガス雰囲気中Arガス50で1050°Cで5、10、20秒のRTA処理を行った。SOIウェーハのSOI層表面の周辺部の自然酸化膜は除去され、中央部の自然酸化膜は残存していた。RTA処理装置はMattson社製Mattson3000を用いた。リファレンスとして全面自然酸化膜が除去されず歪み層が残存するSOIウェーハ1000°Cで30秒のRTA処理と、全面自然酸化膜が除去され歪み層が結晶性を回復させたSOIウェーハ1100°Cで30秒のRTA処理を用意した。その後、平坦化処理としてCMPタッチポリッシュを行った。CMPはウェーハ周辺部の研磨速度が大きくなる周辺ダレが形成されるように研磨条件を設定した。取り代は100nmに設定した。比較例11000°Cで30秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均の取り代は120nmとなりウェーハ周辺部は中心部と比較しては約5nm薄くなる傾向があった。比較例21100°Cで30秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は98nmとなりウェーハ周辺部はウェーハ中心部と比較すると4nm薄くなる傾向があった。比較例31050°Cで5秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は112nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部10mm近傍に平均より4nm程度薄いリング状の領域が存在した。実施例11050°Cで10秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は110nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると面内で1.5nm以内であり、特別薄い領域も厚い領域も無く、SOI層の膜厚均一性は良好であった。比較例41050°Cで20秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は105nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部30mm近傍に平均より4nm程度厚いリング状の領域が存在した。実施例1のように、SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するようにRTA処理条件を適切に選ぶことにより、CMPを行っても膜厚均一性は小さくなることが分かった。また、CMPの特性に合わせてRTA条件を選ぶことが可能となる。図2は、実施例1、比較例3~4のSOI膜厚分布を示したもので、ウェーハ中心部のSOI層の膜厚を0とした。このように、RTAの条件、平坦化処理の条件を組み合わせることで、膜厚レンジを1.5nm以下にできる。[実施例2、比較例5~8]ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500°Cで30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。それらのSOIウェーハを洗浄しSC-1洗浄及びSC-2洗浄。この際、SOI表面に厚さ1.6nmの自然酸化膜が形成される、50の濃度の水素ガス雰囲気中Arガス50で1050°Cで5、10、20秒のRTA処理を行った。SOIウェーハのSOI層表面の周辺部の自然酸化膜は除去され、中央部の自然酸化膜は残存していた。RTA処理装置はMattson社製Mattson3000を用いた。リファレンスとして自然酸化膜が除去されず歪み層が残存するSOIウェーハ1000°Cで30秒のRTA処理と、自然酸化膜が除去され歪み層が結晶性を回復させたSOIウェーハ1100°Cで30秒のRTA処理を用意した。その後、平坦化処理として、犠牲酸化処理を行った。酸化温度は900°C、酸化膜厚は200nmとした。RTA処理が1000°Cで30秒と1100°Cで30秒のリファレンスウェーハの酸化膜をHFで除去した後のSOI層の膜厚分布は特に特徴のある分布ではなく膜厚レンジは1.5nm程度であった。一方、1050°Cで5、10、20秒のRTA処理を行ったSOIウェーハの犠牲酸化処理後のSOI層の膜厚分布はウェーハ中央部に比べて周辺部が厚く、膜厚レンジは2nmを超えていた。その後、さらに平坦化処理としてCMPを行った。CMPはウェーハ周辺部の研磨速度が大きくなる周辺ダレが形成されるように研磨条件を設定した。取り代は100nmに設定した。比較例51000°Cで30秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにCMPすると平均の取り代は120nmとなりウェーハ周辺部は中心部と比較しては約5nm薄くなる傾向があった。比較例61100°Cで30秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにCMPすると平均取り代は98nmとなり、ウェーハ周辺部はウェーハ中心部と比較すると4.5nm薄くなる傾向があった。比較例71050°Cで5秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにCMPすると平均取り代は114nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部10mm近傍に平均より3.5nm程度薄いリング状の領域が存在した。実施例21050°Cで10秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにCMPすると平均取り代は111nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると面内で1.5nm以内であり、特別薄い領域も厚い領域も無く、SOI層の膜厚均一性は良好であった。比較例81050°Cで20秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにCMPすると平均取り代は104nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部30mm近傍に平均より4.2nm程度厚いリング状の領域が存在した。以上より、SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するようにRTA処理条件を選ぶことにより犠牲酸化処理とCMPを行っても膜厚均一性は小さくなることが分かった。また、犠牲酸化処理とCMPの特性の組み合わせでもRTA条件を適切に選ぶことにより均一性の良いSOIウェーハの製造が可能となることも分かった。図3は、実施例2、比較例7~8のSOI膜厚分布を示したもので、ウェーハ中心部のSOI層の膜厚を0とした。[実施例3、比較例9~12]ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500°Cで30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。それらのSOIウェーハを洗浄しSC-1洗浄及びSC-2洗浄。この際、SOI表面に厚さ1.6nmの自然酸化膜が形成される、50の濃度の水素ガス雰囲気中Arガス50で1050°Cで5、10、20秒のRTA処理を行った。SOIウェーハのSOI層表面の周辺部の自然酸化膜は除去され、中央部の自然酸化膜は残存していた。RTA処理装置はMattson社製Mattson3000を用いた。リファレンスとして自然酸化膜が除去されず歪み層が残存するSOIウェーハ1000°Cで30秒のRTA処理と、自然酸化膜が除去され歪み層が結晶性を回復させたSOIウェーハ1100°Cで30秒のRTA処理を用意した。その後、平坦化処理として、犠牲酸化処理を行った。酸化温度は900°C、酸化膜厚は200nmとした。RTA処理が1000°Cで30秒と1100°Cで30秒のリファレンスウェーハの酸化膜をHFで除去した後のSOI層の膜厚分布は特に特徴のある分布ではなく膜厚レンジは1.5nm程度であった。一方、1050°Cで5、10、20秒のRTA処理を行ったSOIウェーハの犠牲酸化処理後のSOI層の膜厚分布はウェーハ中央部に比べて周辺部が厚く、膜厚レンジは2nmを超えていた。さらに、平坦化処理として、それらのSOIウェーハに対して1200°C、4時間のArアニール処理Ar100雰囲気を行った。Arアニールは高温でも短時間処理であれば熱処理後のSOI層面内膜厚分布の悪化は大きくはないが、長時間処理の場合、膜厚分布が大きくなり問題となる。比較例91000°Cで30秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにArアニールするとSOI層の膜厚は周辺部が中心部と比べ3nm薄くなる傾向があった。比較例101100°Cで30秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにArアニールするとSOI層の膜厚は周辺部が中心部と比べ3nm薄くなる傾向があった。実施例31050°Cで5秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにArアニールしたSOIウェーハでは面内均一性が1nm以下になり、リング状等の特別なパターンは見られず、SOI層の膜厚均一性は良好であった。比較例111050°Cで10秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにArアニールしたSOIウェーハの膜厚分布を見ると外周25mm近傍に平均より3nm程度厚いリング状の領域が存在した。比較例121050°Cで20秒の犠牲酸化処理した後のSOIウェーハをさらにArアニールしたSOIウェーハの膜厚分布を見ると外周35mm近傍に平均より3.5nm程度厚いリング状の領域が存在した。以上より、SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するようにRTA処理条件を選ぶことにより犠牲酸化処理とArアニールを行っても膜厚均一性は小さくなることが分かった。また、犠牲酸化処理とArアニールの特性の組み合わせでもRTA条件を適切に選ぶことにより均一性の良いSOIウェーハの製造が可能となることも分かった。図4は、実施例3、比較例11~12のSOI膜厚分布を示したもので、ウェーハ中心部のSOI層の膜厚を0とした。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。