圧電材からなり、少なくとも一主面には不規則な形状の凹凸が設けられた粗面領域を有する圧電基板と、前記圧電基板の両主面上の前記粗面領域よりも凹凸の高低差が小さい領域に形成された励振電極と、前記励振電極から引き出され、前記粗面領域に形成されて、表面には不規則な形状の凹凸が設けられた引出電極と、を備える圧電振動片。請求項1の圧電振動片において、前記粗面領域における凹凸はそれぞれの高低差が不規則である複数の凸部により形成され、前記引き出し電極における表面の凹凸はそれぞれの高低差が不規則である複数の凸部により形成されている圧電振動片。請求項1又は請求項2に記載の圧電振動片において、前記励振電極は前記圧電基板の中央部分に形成され、前記粗面領域は前記励振電極の外周に形成された圧電振動片。請求項3の圧電振動片において、前記圧電基板における少なくとも一主面の前記中央領域がメサ形状であり、前記粗面領域における凹凸の最大高低差が、メサ形状となった前記中央領域の高さの5以上50以下である圧電振動片。請求項1から請求項4のいずれか1項の圧電振動片において、前記粗面領域はフッ化カリウム又は90°Cのフッ酸を用いたウエットエッチングで形成された圧電振動片。請求項3の圧電振動片において、前記圧電基板における少なくとも一主面の前記中央領域がメサ形状に形成され、前記粗面領域は前記圧電基板の外周領域及び前記外周領域と前記中央領域とを所定の角度でつなぐスロープ領域を含む圧電振動片。請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の圧電振動片と、前記圧電振動片をキャビティ内に収納し、前記キャビティ内に形成された接続電極を有するパッケージと、前記パッケージを密封するリッドと、前記引出電極と前記接続電極とを電気的に接続する導電性接着剤と、を備える圧電デバイス。圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、前記主面の両面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記圧電基板の中央領域を除く周辺領域の前記フォトレジスト膜を露光する露光工程と、前記周辺領域の前記レジスト膜が除去されて現れる前記金属膜を除去する工程と、前記金属膜が除去されて現れる前記圧電材に対して第1エッチング剤をさらすことにより、前記中央領域が厚く前記周辺領域が薄いメサ部を形成する第1エッチング工程と、薄くなった前記周辺領域に第1エッチング剤とは異なる第2エッチング剤を直接さらすことで、前記周辺領域に前記鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成する第2エッチング工程と、前記中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、前記周辺領域に前記励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える圧電振動片の製造方法。圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、前記主面の両面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記圧電基板の中央領域を除く周辺領域の前記フォトレジスト膜を露光する露光工程と、前記周辺領域の前記フォトレジスト膜が除去されて現れる前記金属膜を除去する工程と、前記金属膜が除去されて現れる前記圧電材に対して第2エッチング剤をさらすことにより、前記中央領域が厚く前記周辺領域が薄いメサ形状を形成するとともに、前記周辺領域に前記鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成する第3エッチング工程と、前記中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、前記周辺領域に前記励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える圧電振動片の製造方法。前記露光工程は、前記圧電振動片の主面の片面のみの前記フォトレジスト膜を露光する請求項8又は請求項9に記載の圧電振動片の製造方法。前記露光工程が、前記圧電振動片の主面の両面のフォトレジスト膜を露光する請求項8又は請求項9に記載の圧電振動片の製造方法。前記第2エッチング剤はフッ化カリウムを含む請求項8から請求項11のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法。前記第2エッチング剤はCF4、C4F8またはCHF3の反応性ガスを含む請求項8から請求項11のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法。前記第1エッチング剤はフッ酸またはバッファードフッ酸を含み、前記第2エッチング剤は第1エッチング剤のフッ酸よりも温度及び濃度が高いフッ酸を含む請求項8から請求項11のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法。圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、前記主面の両面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記圧電基板の中央領域を除く周辺領域の外周の前記フォトレジスト膜を露光及び現像する露光及び現像工程と、前記フォトレジスト膜を熱処理する工程と、前記圧電材にサンドブラストを行って前記周辺領域が前記中央領域よりも薄いメサ部を形成し、前記周辺領域に前記鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成するサンドブラスト工程と、前記中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、前記周辺領域に前記励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える圧電振動片の製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された水晶振動片において、格子状の凹凸は、水晶振動片の外周に金属膜を形成する工程、フォトレジストを塗布する工程、格子状のパターンを露光する工程、およびフォトレジストの現像後に水晶をエッチングする工程などを経なければ形成されない。このため水晶振動片に格子状の凹凸を形成する作業工程が多くなり生産性が良くなかった。本発明は、簡易な工程を経て圧電振動片の周辺領域を粗面状に形成し、圧電振動片がパッケージ内に確実に導電性接着剤で固定される圧電振動片を提供することを目的とする。また、その圧電振動片を簡易な工程で形成する製造方法を提供することを目的とする。第1観点の圧電振動片は、圧電材からなり、少なくとも一主面には不規則な形状の凹凸が設けられた粗面領域を有する圧電基板と、圧電基板の両主面上の粗面領域よりも凹凸の少ない領域に形成された励振電極と、励振電極から引き出され、粗面領域に形成されて、表面には不規則な形状の凹凸が設けられた引出電極と、を備える。第2観点の圧電振動片は、第1観点において、粗面領域における凹凸がそれぞれの高低差が不規則である複数の凸部により形成され、引き出し電極における表面の凹凸がそれぞれの高低差が不規則である複数の凸部により形成されている。第3観点の圧電振動片は、第1観点又は第2観点の圧電振動片において、励振電極は圧電基板の中央部分に形成され、粗面領域は励振電極の外周に形成される。第4観点の圧電振動片は、第3観点において、圧電基板における少なくとも一主面の中央領域がメサ形状であり、粗面領域における凹凸の最大高低差が、メサ形状となった中央領域の高さの5以上50以下である。圧電振動片がメサ形状に形成され、粗面領域が中央領域の外周に形成されることにより、圧電基板の不要伝播振動が吸収され、振動の閉じ込め効果が増大してCI値を低く抑えることができる。第5観点の圧電振動片は、第1観点から第4観点において、粗面領域はフッ化カリウム又は90°Cのフッ酸を用いたウエットエッチングで形成される。第6観点の圧電振動片は、第3観点において、圧電基板における少なくとも一主面の中央領域がメサ形状に形成され、粗面領域が圧電基板の外周領域及び外周領域と中央領域とを所定の角度でつなぐスロープ領域を含む。第7観点の圧電デバイスは、第1観点から第6観点における圧電振動片と、圧電振動片をキャビティ内に収納し、キャビティ内に形成された接続電極を有するパッケージと、パッケージを密封するリッドと、引出電極と接続電極とを電気的に接続する導電性接着剤と、を備える。第8観点の圧電振動片の製造方法は、圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、主面の両面に金属膜を形成する工程と、金属膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、圧電基板の中央領域を除く周辺領域のフォトレジスト膜を露光する露光工程と、周辺領域のレジスト膜が除去されて現れる金属膜を除去する工程と、金属膜を除去されて現れる圧電材に対して第1エッチング剤をさらすことにより、中央領域が厚く周辺領域が薄いメサ部を形成する第1エッチング工程と、薄くなった周辺領域に第1エッチング剤とは異なる第2エッチング剤を直接さらすことで、周辺領域に鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成する第2エッチング工程と、中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、周辺領域に励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える。第9観点の圧電振動片の製造方法は、圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、主面の両面に金属膜を形成する工程と、圧電基板の中央領域を除く周辺領域のフォトレジスト膜を露光する露光工程と、周辺領域のフォトレジスト膜が除去されて現れる金属膜を除去する工程と、金属膜を除去され現れる圧電材に対して第2エッチング剤をさらすことにより、中央領域が厚く周辺領域が薄いメサ形状を形成するとともに、周辺領域に鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成する第3エッチング工程と、中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、周辺領域に励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える。第10観点の圧電振動片の製造方法は、第8観点又は第9観点において、露光工程で、圧電振動片の主面の片面のみのフォトレジスト膜を露光する。第11観点の圧電振動片の製造方法は、第8観点又は第9観点において、露光工程で、圧電振動片の主面の両面のフォトレジスト膜を露光する。第12観点の圧電振動片の製造方法は、第8観点から第11観点において、第2エッチング剤はフッ化カリウムを含む。第13観点の圧電振動片の製造方法は、第8観点から第11観点において、第2エッチング剤はCF4、C4F8またはCHF3の反応性ガスを含む。第14観点の圧電振動片の製造方法は、第8観点から第11観点において、第1エッチング剤はフッ酸またはバッファードフッ酸を含み、第2エッチング剤は第1エッチング剤のフッ酸よりも温度及び濃度が高いフッ酸を含む。第15観点の圧電振動片の製造方法は、圧電材を使った圧電振動片を製造する方法において、凹凸の高低差が小さい鏡面状の主面を有する圧電基板を用意する工程と、主面の両面にフォトレジスト膜を形成する工程と、圧電基板の中央領域を除く周辺領域の外周のフォトレジスト膜を露光及び現像する露光及び現像工程と、フォトレジスト膜を熱処理する工程と、圧電材にサンドブラストを行って周辺領域が中央領域よりも薄いメサ部を形成し、周辺領域に鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成するサンドブラスト工程と、中央領域に励振用の電極である励振電極を形成し、周辺領域に励振電極に接続される引出電極を形成する電極形成工程と、を備える。本発明の圧電振動片は、引出電極が粗面状になり導電性接着剤で確実にパッケージに固定することができる。また、本発明の製造方法は粗面状の引出電極を容易に形成することができる。以下、本発明の公的な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。第1実施例<圧電振動片100の構成>図1は、圧電振動片100の構成を説明するための図である。図1を参照して、圧電振動片100の構成を説明する。図1aは、圧電振動片100の平面図である。図1bは、図1aのA-A断面図である。圧電振動片100は、例えば振動周波数が4MHzであり、X軸方向に厚み滑り振動をするATカットの水晶振動片である。ATカットは結晶軸XYZのY軸に直交する水晶片の主面が、X軸を回転軸としてY軸からZ軸方向に35度15分回転してなる。圧電振動片100は厚みをY′軸方向として、平面外形を矩形状短冊状とする。本明細書では、圧電振動片100の長さをX軸方向とし、幅をZ’軸方向とする。圧電振動片100の大きさは、例えば、平面外形の長辺LXが約1mm、短辺WZが約0.7mm、厚さTY図1b参照が約0.042mmである。圧電振動片100は、主面が長方形であり、中央領域が周辺領域に比べて厚く形成された圧電基板AKにより構成されるメサ型の圧電振動片である。圧電基板AKの中央領域の厚さが厚く形成された領域をメサ部MB、中央領域に比べて厚さが薄い領域を周辺領域GBとする。メサ部MBはY ́軸側と-Y ́軸側とに同じ形状に形成されており、表面は凹凸の高低差が小さい鏡面に加工されている。鏡面は、面上の最も高い位置と最も低い位置との高低差が例えば0.1μm以下である。Y ́軸側のメサ部MB上には励振電極RD1が、-Y ́軸側のメサ部MB上には励振電極RD2が形成されている。励振電極RD1及び励振電極RD2は、両励振電極に電圧を加えることにより圧電振動片100に厚み滑り振動を起こさせる。圧電基板AKの周辺領域GBの表面は、凹凸の高低差が大きい粗面状に加工されている。そのため、周辺領域GB上に形成され、圧電振動片100が外部の電極と接続するための電極である引出電極HD1及び引出電極HD2の表面も粗面状になっている。引出電極HD1及び引出電極HD2はそれぞれ励振電極RD1及び励振電極RD2と接続されており、励振電極RD1及び引出電極HD1が電極EL1を、励振電極RD2及び引出電極HD2が電極EL2を構成している。電極EL1及び電極EL2は圧電振動片100の表裏面で対称になるように形成されている。図1bは、図1aのA-A断面図である。電極EL1及び電極EL2は、クロムCr層と金Au層とにより構成されている。Au層は圧電基板AK上に直接形成することが困難であるため、圧電基板AK上にCr層を形成し、Cr層上にAu層を形成している。<圧電振動子1000の構成>圧電振動片100は、パッケージ内に固定されて圧電振動子として使用される。以下に、圧電振動片100を組み込んだ圧電振動子1000について図2を参照して説明する。図2aは、圧電振動子1000の断面図である。図2bは、図2aのB-B断面図である。圧電振動子1000は、圧電振動片100と、パッケージPKと、リッドLDとを備えている。パッケージPKはキャビティCTを有する箱型であり、側面部SBとベースBSとにより構成されている。リッドLDは封止材SGによってパッケージPKに接合され、パッケージPK内を密封している。パッケージPKの内部の2カ所には接続電極SDが形成されている。パッケージPKの外部の2カ所には外部電極GDが形成されている。圧電振動片100は、導電性を有する導電性接着材DSにより引出電極HD1及び引出電極HD2を通して接続電極SDに固定される。電極EL1及び電極EL2と接続電極SDとはそれぞれ電気的にも接続される。また、接続電極SDはパッケージPK内部を貫通する導通配線不図示を通して、外部電極GDとそれぞれ電気的に接続されている。そのため、電極EL1及び電極EL2と外部電極GDとは電気的に接続されている。圧電振動片100を振動させる際は、各接続電極SDを通して励振電極RD1と励振電極RD2とに電圧が印加される。圧電振動片100は、中央領域にメサ部MBを有し、周辺領域GBがメサ部MBに対して薄く形成されているため振動エネルギーを圧電振動片100の中央に閉じ込めることができ、クリスタルインピーダンスCI値を低く抑えることができる。また、励振電極RD1及びRD2が、表面が鏡面状のメサ部MB上に形成されていることもCI値の低減に効果を及ぼしている。さらに、引出電極HD1及びHD2の表面が粗面状に形成されることによって導電性接着材DSとの接着面積が増す。このことによって引出電極HD1及びHD2と導電性接着材DSとの固着強度が増し、導通も確保することができることもCI値低減に効果を及ぼしている。また、周辺領域GBを粗面状にすることにより表面に形成される凹凸は、複雑な要因で生じる不要振動を減衰させ、CI値を良好にする。<圧電振動片100の作製方法>圧電振動片100は、圧電材を基材とする圧電材ウエハ150に圧電振動片100のパターンを形成して作製される。図3aは、圧電材ウエハ150の平面図である。圧電材ウエハ150の周縁部の一部には結晶方向を特定するためのオリエンテーションフラット151が形成されている。圧電材ウエハ150は人工水晶からなり、表裏面は凹凸の高低差が小さい、たとえば0.1μm以下の鏡面になるように研磨等の加工がなされている。直径は3インチまたは4インチである。圧電材ウエハ150上には複数の圧電振動片100が形成される。図3aには3つの圧電振動片100の形成例を示している。点線の枠160内には、一つの圧電振動片100が形成されている。図3bは、図3aの点線の枠160を拡大した図である。圧電材ウエハ150を貫通した貫通孔152を形成することにより圧電振動片100の平面外形を形成する。この時点では、圧電振動片100は接続部153を通して圧電材ウエハ150と繋がっている。圧電振動片100は圧電材ウエハ150と繋がった状態でメサ部MB、電極EL1及び電極EL2を形成することにより、一度に大量の圧電振動片100を作製することができる。図3cは、圧電材ウエハ150に繋がれたままで、メサ部MB、周辺領域GB、電極EL1及び電極EL2が形成された圧電振動片100の図である。この後、ダイシングソー不図示を用いてダイシングライン154に沿って切断することにより、圧電振動片100は圧電材ウエハ150より切り離される。以下に、圧電材ウエハ150から図3cに示した圧電振動片100が形成されるまでを、図4から図9を参照して説明する。図4は、圧電基板厚み形成工程を示したフローチャートである。そのフローチャートの右側にその関連する図が示されている。圧電材ウエハ150は、圧電材ウエハ150の取り扱いを容易にするために、圧電材ウエハ150の厚さAYを圧電基板AKの厚さよりも厚くしている。圧電基板厚み形成工程は、厚さAYで、表面に何も形成されていないベアウエハの状態の圧電材ウエハ150に、圧電基板AKの厚さTYの領域を形成する工程である。図4aから図4eは、図3aのC-C断面における圧電基板AKの形成過程を示した断面図である。ステップS101では、真空蒸着又はスパッタリングにより、表面に何も形成されていない圧電材ウエハ150の表裏両面に金属膜が形成される。金属膜は、クロムCr膜と金Au膜とにより形成される。最初にCr膜が圧電材ウエハ150上に形成され、次にCr膜の上にAu膜が形成される。さらに、Au膜上にはスピンコート等によりフォトレジストが塗布され、フォトレジスト膜PMが形成される図4a参照。ステップS102では、圧電材ウエハ150のY ́軸側の主面に、圧電基板AKのパターンが形成されたフォトマスクを通してフォトレジスト膜PMに紫外線を照射し、圧電基板AKが形成される場所のフォトレジスト膜PMを露光する。その後、フォトレジスト膜PMを現像し、圧電基板AKが形成される位置のフォトレジスト膜PMを除去する図4b参照。ステップS103では、圧電基板AKが形成される位置のフォトレジスト膜PMが除去された箇所のAu膜及びCr膜がエッチングにより除去される図4c参照。Au膜はたとえばヨウ素とヨウ化カリウムとの水溶液でエッチングされ、Cr膜はたとえば硝酸第2セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングされる。ステップS104では、圧電材ウエハ150に第1エッチング剤を用いてエッチングを行い、圧電基板AKを構成する位置の圧電材ウエハ150の厚さをTYにする図4d参照。圧電材ウエハ150が水晶を基材とする場合には、第1エッチング剤として55フッ酸又はフッ酸にフッ化アンモニウムを混合した液であるバッファードフッ酸等を用いたウエットエッチングによりエッチングを行うことができる。第1エッチング剤を用いたエッチングでは、エッチングする面を鏡面にエッチングすることができる。粗面の表面の粗さを示す尺度の1つにP-V値がある。P-V値は、面上の最も高い位置と最も低い位置との高低差PeakとValleyの差を示した値である。通常のエッチングに用いられるバッファードフッ酸フッ酸にフッ化アンモニウムを混合した液のP-V値は0.1μm以下である。以下、圧電基板AKへのエッチングは、特に条件を示さない場合は第1エッチング剤による鏡面エッチングであるとする。ステップS105では、圧電材ウエハ150上に形成されているフォトレジスト膜PM及びAu膜とCr膜との金属膜を除去する図4e参照。図5は、貫通孔形成工程を示したフローチャートである。そのフローチャートの右側にその関連する図が示されている。貫通孔形成工程は、図3bに示した圧電基板AKの外形形成を、貫通孔152を形成することにより行う。図5fから図5kは、図3aのC-C断面における圧電基板AKの形成過程を示した断面図である。ステップS201は、図4のステップS105からの続きの工程となっている。ステップS201では、圧電基板AKに金属膜及びフォトレジスト膜PMを形成する図5f参照。金属膜及びフォトレジスト膜PMの形成工程はステップS101と同じである。ステップS202では、貫通孔152のパターンが形成されたフォトマスクを用い、貫通孔152が形成される場所のフォトレジスト膜PMを露光し、現像する図5g参照。ステップS203では、貫通孔152が形成される場所のAu膜とCr膜との金属膜をエッチングする図5h参照。金属膜のエッチングの方法は、ステップS103と同様である。ステップS204では、圧電材ウエハ150をエッチングして貫通孔152を形成し、圧電基板AKの平面外形を形成する図5i参照。圧電材ウエハ150のエッチングの方法に関しては、ステップS104と同様に55フッ酸又はバッファードフッ酸を用いる。ステップS205では、圧電材ウエハ150上に形成されているフォトレジスト膜PMを除去する図5j参照。ステップS206では、圧電材ウエハ150上に形成されている金属膜Au膜、Cr膜を除去する図5k参照。図5kの圧電基板AKの状態は、図3bに示した圧電基板AKの状態に等しい。これらの工程により厚さTYの圧電基板AKが用意された。圧電基板AKは、凹凸の高低差が小さく、P-V値は0.1μm以下である。図6は、メサ部MBの形成のために、圧電振動片100に金属膜とフォトレジスト膜とを形成し、圧電振動片100をエッチングする箇所のフォトレジスト膜と金属膜とを除去するまでのフローチャートである。そのフローチャートの右側にその関連する図が示されている。図6lから図6pは、図3cのD-D断面における圧電振動片100の形成過程を示した断面図である。ステップS301は、図5のステップS206からの続きの工程であり、圧電基板AKの主面の両面に金属膜を形成する工程である。ステップS301では、圧電基板AKに金属膜を形成する図6l参照。圧電基板AKの全面圧電基板AKの表裏面および側面にCr膜が形成され、Cr膜上の全面にAu膜が形成される。Cr膜及びAu膜の形成は、蒸着又はスパッタリングによって行われる。ステップS302は、金属膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程である。Au膜上にスプレーガンなどを使ってフォトレジストを塗布し、Au膜上の全面にフォトレジスト膜PMを形成する図6m参照。ステップS303は、圧電基板AKの中央領域を除く周辺領域GBのフォトレジスト膜を露光する露光工程である。ステップS303では、圧電基板AKの周辺領域GBのパターンが形成されたフォトマスクPT1を用いて圧電基板AKの表裏面のフォトレジスト膜PMを露光する。そしてフォトレジスト膜PMに露光領域RBを形成する図6n参照。図6nでは、フォトレジスト膜PMのハッチングがされている領域が露光領域RBである。ステップS304では、フォトレジスト膜PMの現像を行い、露光領域RBを除去する図6o参照。ステップS305は、周辺領域GBのフォトレジスト膜PMが除去されて現れる金属膜を除去する工程である。ステップS305では、圧電基板AKの周辺領域GBに形成されている金属膜Au膜、Cr膜のエッチングを行う。まずAu膜のエッチングが行われ、その後にCr膜のエッチングが行われる図6p参照。フォトレジスト膜PM及び金属膜Au膜、Cr膜によってエッチングより保護された圧電基板AK上の中央領域がメサ部MBとなり、圧電基板AKが露出した領域が周辺領域GBとなる。次に、図7及び図8を参照してメサ加工エッチング工程及び粗面加工エッチング工程について説明する。メサ加工エッチングは、図6のステップS305で露出させた圧電基板AKの周辺領域GBをエッチングして、圧電基板AKのメサ部MBを形成する。粗面加工エッチングは、フッ化カリウムKFにより圧電基板AKの周辺領域GBの表面を粗面に加工する。図7及び図8は、メサ加工エッチング及び粗面加工エッチングの説明のためのフローチャートである。図7又は図8のどちらか1つの工程を行うことによりメサ加工エッチング及び粗面加工エッチングを行う。図7は、メサ加工エッチング及び粗面加工エッチングを別々に行っており、図8は、メサ加工エッチングと粗面加工エッチングとを同時に行っている。図7のステップS401及び図8のステップS501は、両工程とも図6のステップS305の続きの工程である。図7qから図7sは、図3cのD-D断面における圧電振動片100の形成過程を示した断面図である。ステップS401は、金属膜を除去されて現れる圧電材に対して第1エッチング剤である55フッ酸又はバッファードフッ酸等をさらすことにより、圧電基板AKの中央領域が厚く周辺領域GBが薄いメサ部を形成するメサ加工エッチング工程である。メサ加工エッチングにより、圧電基板AKの表裏面の周辺領域GBとメサ部MBとの間には、高さDYの段差が形成される図7q参照。メサ部MB形成のためのメサ加工エッチングの時間は、例えば、高さDYが4μmである段差をエッチングする際に55フッ酸を用いると2分程度である。ステップS402では、圧電基板AKの周辺領域GBの粗面加工エッチングを行う。粗面加工エッチングは、周辺領域GBをフッ化カリウムKFによりエッチングする図7r参照。薄くなった周辺領域GBに第1エッチング剤とは異なる第2エッチング剤を直接さらすことで、周辺領域GBに鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面約2μmを形成する粗面加工エッチング工程である。第2エッチング剤には、フッ化カリウムKF又は90°Cの50フッ酸等が用いられる。フッ化カリウムKFを使用した場合のP-V値は、約2μmである。図7r1の点線180の拡大図に示すように、第2エッチング剤により粗面加工された後の圧電基板AKの表面は、斜面SYを有する不規則な凹凸が形成される。圧電基板AKの粗面加工された表面の各凸部の頂点は同一平面上にはなく、各凹部の底は同一平面上にはない。この粗面が形成された粗面領域のP-V値の最大値は、周辺領域GBとメサ部MBとの間の高さDYの5以上50以下となることが好ましい。ステップS403では、圧電基板AK上のフォトレジスト膜PM及び金属膜Au膜、Cr膜の除去を行う図7s参照。図7sの圧電基板AKは、メサ部MBと周辺領域GBとが形成され、周辺領域GB上が粗面P-V値は約2μmに、メサ部MB上が鏡面P-V値は0.1μm以下になっている。図8r ́から図8s ́は、図3cのD-D断面における圧電振動片100の形成過程を示した断面図である。ステップS501は、金属膜を除去され現れる圧電材に対して第2エッチング剤をさらすことにより、中央領域が厚く周辺領域GBが薄いメサ形状を形成するとともに、周辺領域GBに鏡面よりも凹凸の高低差が大きい粗面を形成するエッチング工程である。これは、メサ加工エッチングと粗面加工エッチングとを同時に行うことに相当する。ステップS501では、圧電基板AKの周辺領域GBを第2エッチング剤によりエッチングする。このエッチングにより、圧電基板AKの表裏面の周辺領域GBとメサ部MBとの間には高さDYの段差が形成され、同時に周辺領域GBの表面が粗面状に加工される図8r ́参照。高さDYを4μmとして形成する時、エッチングの時間は、第2エッチング剤に90°Cに加熱されたフッ化カリウムKFを用いた場合、30分から1時間程度である。ステップS502では、フォトレジスト膜PM、Au膜、Cr膜の除去を行う図8s ́参照。図8s ́の圧電基板AKは、メサ部MBと周辺領域GBとが形成され、周辺領域GB上が粗面に、メサ部MB上が鏡面になっている。図8ではメサ加工エッチング及び粗面加工エッチングが同時に行われており、図7に比べて工程数が少ない。しかし、図8のステップS501でのフッ化カリウムKFのエッチングは時間が1時間程度かかる。図7のステップS401のメサ加工エッチングでは、55フッ酸を使って2分程度の時間で済む。図9は、圧電基板AKへの電極形成工程を説明するためのフローチャートである。電極形成工程は、中央領域に励振用の電極である励振電極RD1及びRD2を形成し、周辺領域GBに励振電極RD1及びRD2に接続される引出電極HD1及びHD2を形成する工程である。図9tから図9wは、図3cのD-D断面における圧電振動片100の形成過程を示した断面図である。圧電基板AKへの電極形成工程では、周辺領域GBが粗面状に加工された後の圧電基板AKに電極EL1及び電極EL2が形成される。また、図9のステップS601は図7又は図8のステップS403又はステップS502から続く工程である。ステップS601では、圧電基板AKの全面圧電基板AKの表裏面、および側面にCr膜が真空蒸着又はスパッタリングによって形成され、Cr膜上の全面にAu膜が真空蒸着又はスパッタリングによって形成される。圧電基板AKの中央領域であるメサ部MBの表面は鏡面状に形成されているため、メサ部MB上に形成されたCr層の表面も鏡面状に形成される。さらにAu層の表面も鏡面状に形成される。Au層の表面は、中央領域の表面と同じように、P-V値は0.1μm以下である。圧電基板AKの周辺領域GBの表面は粗面上に形成されているため、周辺領域GB上に形成されたCr層の表面も粗面状に形成される。さらにAu層の表面も粗面状に形成される。Au層の表面は、周辺領域GBの表面と同じように、P-V値は約2μm以上である。さらに、Au膜上の全面にフォトレジスト膜PMが形成される図9t参照。Cr膜及びAu膜の形成には蒸着又はスパッタリングが用いられる。フォトレジスト膜PMの塗布には、スプレーガンなどが用いられる。ステップS602では、電極EL1のパターン形状を有するフォトマスク不図示を使用してフォトレジスト膜PMの露光及び現像を行う図9u参照。これにより、フォトレジスト膜PMを電極EL1及び電極EL2と同様な形状に形成する。電極EL1と電極EL2とは圧電基板AKの表裏で対称であるため、同じパターンを有するフォトマスクが圧電基板AKの表裏の電極形成に使用される。ステップS603では、Au膜及びCr膜のエッチングが行われる図9v参照。まず、フォトレジスト膜PMが形成されていない箇所のAu膜のエッチングが行われ、次にAu膜が形成されていない箇所のCr膜のエッチングが行われる。その結果、圧電基板AK上には、フォトレジスト膜PMが露光されていない箇所のAu膜とCr膜とが残ることになる。ステップS604では、フォトレジスト膜PMを除去する図9w参照。図9wは、図3cのD-D断面の断面図と同じになる。圧電基板AKの周辺領域GBの表面は粗面上に形成されているため、周辺領域GB上に形成されたAu層の表面も粗面状に形成される。そのため、圧電振動片100の引出電極HD1及び引出電極HD2は、鏡面上に形成された引出電極よりも表面積を大きく形成することができる。以上に示したように、圧電振動片100では、粗面加工によって引出電極の表面積を大きく形成することができる。また、粗面加工を行う場合、従来は金属膜及びフォトレジスト膜の形成、露光と現像、金属膜及びフォトレジスト膜の除去を行わなければならなかった。しかし、第1実施例ではメサ加工エッチングと粗面加工とを同時又は互いに連続して行うことにより、大幅に工程数を減らすことができる。第1実施例では、粗面加工のためのエッチングにフッ化カリウムKFを用いた。KFは、常温で固体であり潮解性を有する。KFの水溶液は弱アルカリ性を示す。また、以上の説明では粗面加工に用いるエッチャントとしてフッ化カリウムKF又は高温例えば90°C高濃度例えば50のフッ酸等を用いたウエットエッチングにより粗面加工を行ったが、CF4、C4F8、CHF3等を用いたドライエッチングでも粗面加工を行うことができる。さらに、サンドブラスト法によっても粗面加工を行うことができる。サンドブラスト法に関しては後述する。さらに、図5に説明した貫通穴形成工程は、圧電振動片100の形成工程のどの工程の間にでも入れることができる。例えば、図8で説明したメサ加工工程の後に行っても良いし、図4で説明した圧電基板AKの厚さ調整工程の前に行っても良い。第2実施例第1実施例の圧電振動片100は、表裏両面の主面にメサ部MBを有していた。しかし、メサ部MBは主面の片側の面にのみ形成されていてもよい。第2実施例として、主面の片側の面のみにメサ部MBが形成された圧電振動片200について説明する。<圧電振動片200の構成>図10aは、圧電振動片200の断面図である。圧電振動片200は、Y′軸側の面のみにメサ部MBが形成されている。また、Y′軸側の面の周辺領域GBは粗面加工されており、粗面上に形成されている引出電極HD1及びHD2の表面も粗面になっている。粗面加工は-Y′軸側の面のメサ加工していない面に施すことも可能だが、粗面加工はメサ部加工面に行う場合に作業を効率化することができるため、Y′軸側の面のメサ部GBに形成した方が好ましい。図10bは、圧電振動子2000の断面図である。図10cは、図10bのE-E断面における圧電振動子2000の断面図である。圧電振動子2000は、リッドLDと、パッケージPKと、圧電振動片200とから構成される。パッケージPKはキャビティCTを有する箱型であり、側面部SBとベースBSとにより構成される。第1実施例のパッケージPKと同様に、パッケージPKは接続電極SDと外部電極GDとを有している。それぞれ圧電振動片200の引出電極HD1及び引出電極HD2と導電性接着材DSを通して接続されている。圧電振動片200の周辺領域GB上に形成された引出電極HD1及び引出電極HD2の表面は粗面になっているため、導電性接着材DSと引出電極HD1及び引出電極HD2との接着面積は引出電極HD1及びHD2の表面が鏡面に形成された場合よりも大きくなる。このことにより、導電性接着材DSと引出電極HD1及び引出電極HD2との接着強度が増し、電気の導通も確保される。<圧電振動片200の作製方法>圧電振動片200の作製方法は基本的には図4から図9に示した圧電振動片100の作製方法と同じである。Y ́軸側の面のみにメサ部MBを形成するためには、図6のステップS303においてY ́軸側の面のみのフォトレジスト膜PMを露光する。そのため、メサ加工エッチング及び粗面加工はY ́軸側の面のみが行われることになる。第3実施例第1実施例、第2実施例ではメサ部MBを有する圧電基板AKの加工について説明した。メサ部MBを持たない平面状の圧電基板AK又はメサ部MBの厚さが周辺領域GBよりも薄く形成されている逆メサ状の圧電基板AKでも、粗面加工を行うことはできる。以下に平面状及び逆メサの圧電基板AKへの粗面加工に関して説明する。<平面状圧電基板への粗面加工>図11は、平面状圧電基板への粗面加工を行う工程を説明するためのフローチャート及びその説明のための図である。ステップS701は、図5のステップS205から続く工程である。ステップS701では、圧電材ウエハ150及び圧電基板AKの全体にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜PMを形成する図11a参照。ステップS702では、圧電基板AKの周辺領域GBのパターンが形成されたフォトマスクを通してフォトレジスト膜PMを露光し、現像する図11b参照。ステップS703では、フォトレジスト膜PMの、現像され除去された箇所に形成されている金属膜Cr膜、Au膜をエッチングにより除去する図11c参照。ステップS704では、圧電基板AKの周辺領域GBをKFエッチングにより粗面を形成する図11d参照。図11dは図11cの点線170内を拡大した図である。ステップS705では、圧電基板AK上のフォトレジスト膜PMを除去し図11e参照、ステップS706では圧電基板AK上の金属膜Au膜、Cr膜を除去する図11f参照。ステップS706の後は、図9に示した電極形成工程に進む。図11fの圧電基板AKは、Y ́軸側の面の周辺領域GBが粗面加工をされており、周辺領域GB上に形成される引出電極の表面も粗面状に形成することができる。<逆メサ型圧電基板への粗面加工>図12は、逆メサ型圧電基板への粗面加工を行う工程を説明するためのフローチャート及びその説明のための図である。ステップS801では、圧電材ウエハ150上に金属膜Au膜、Cr膜を形成し、その上にフォトレジスト膜PMを形成する図12a参照。ステップS802では、圧電材ウエハ150上のフォトレジスト膜PMを、逆メサ部GMのパターンが形成されたフォトマスクを通して露光し、現像する。さらに、逆メサ部GMが形成される領域の金属膜Au膜、Cr膜をエッチングして除去する図12b参照。ステップS803では、第1エッチング剤である55フッ酸又はバッファードフッ酸で浸して圧電材ウエハ150をエッチングして逆メサ部GMを形成する。そして、圧電材ウエハ150上のフォトレジスト膜PM、金属膜Au膜、Cr膜を除去する図12c参照。ステップS804では、圧電材ウエハ150上に金属膜Cr膜、Au膜を形成し、Au膜上にフォトレジスト膜PMを形成する。さらに、周辺領域GBのパターンが形成されたフォトマスクを通してフォトレジスト膜PMを露光し、現像する。そして、周辺領域GBの金属膜Au膜、Cr膜をエッチングして除去する図12d参照。ステップS805では、第2エッチング剤であるフッ化カリウムKFでKFエッチングを行い、周辺領域GBを粗面加工する図12e参照。ステップS806では、圧電材ウエハ150上のフォトレジスト膜PM、金属膜Au膜、Cr膜を除去する図12f参照。図12fは、2つの逆メサ型圧電振動片が形成されている領域を示している。この後に、表面に電極が形成され、逆メサ型圧電振動片ごとに切り離される。第4実施例<サンドブラスト法による粗面加工>以上の実施例では、粗面加工を主にウエットエッチング又はドライエッチングにより行う工程を示した。しかし、サンドブラスト法を使用して粗面加工を行っても良い。図13を参照してサンドブラスト法による粗面加工について説明する。図13aは、メサ加工された圧電基板AKにサンドブラスト法により粗面加工を行っている図である。サンドブラスト法は、研磨材KZを圧電基板AKの表面上に吹き付けることにより粗面を形成する加工法である。圧電基板AKの加工したい領域のパターンを持つ金属マスクKMを挟んで研磨材KZを噴射することにより、圧電基板AKの表面を粗面加工することができる。図13aでは、圧電基板AKの周辺領域GBのみに粗面加工を行っており、メサ部MBは金属マスクKMによって保護されている。サンドブラスト法によって粗面加工された圧電基板AKの周辺領域GBのP-V値は、研磨材KZの粒子の粒径によって変わるが、約10~30μmが好ましい。サンドブラスト法は、粗面形成のために金属膜及びフォトレジスト膜等の形成、フォトレジスト膜の露光と現像、金属膜及びフォトレジスト膜等の除去工程を行う必要が無く、金属マスクKMを通して対象物の対称領域のみに研磨材KZを吹き付け粗面加工を行うことができる。そのため、メサ型の圧電基板AKだけではなく、平面型、逆メサ型等のエッチングによる粗面加工に手間のかかる圧電基板AKにも簡単に粗面加工を行うことができる。図13bは、平面型の圧電基板AKへ粗面加工を行っている様子を示した図である。図11に示したように、ウエットエッチングにより粗面加工を行うこともできるが、平面型ではメサ部MBを形成しないため、粗面加工をするためだけにフォトレジスト膜を形成し、露光と現像とを行わなければならない。サンドブラスト法を用いれば、圧電材ウエハ150がベアウエハの状態、図5kの状態等、周辺領域GBの圧電基板AKが露出している状態であれば粗面加工が可能である。図13cは、逆メサ型の圧電基板AKへ粗面加工を行っている様子を示した図である。図12に示したように、ウエットエッチングにより粗面加工を行うこともできるが、逆メサ型では逆メサ部GMを粗面加工するわけではないため、粗面加工をするためだけに金属膜、フォトレジスト膜を形成し、露光と現像とを行わなければならない。サンドブラスト法を用いれば、圧電材ウエハ150がベアウエハの状態、図12cの状態等、周辺領域GBの圧電基板AKが露出している状態であれば粗面加工が可能である。<サンドブラスト法によるメサ部形成及び粗面加工>サンドブラスト法を用いて粗面加工を行うとともに圧電基板AKにメサ加工を行うこともできる。図14を参照して、サンドブラスト法を用いて圧電基板AKに粗面加工及びメサ加工を行う方法を説明する。図14は、サンドブラストを用いて圧電基板への粗面加工及びメサ加工を行う工程を説明するためのフローチャートである。図14aから図14fは、それぞれステップS901からステップS906を説明するための図である。ステップS901は、図5のステップS206から続く工程である。ステップS901では、圧電材ウエハ150及び圧電基板AKの全体にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜PMを形成する図14a参照。ステップS902では、圧電基板AKの中央領域を除く周辺領域GBの外周GB1図14c参照のフォトレジスト膜PMを露光する露光工程である。ステップS902では、圧電基板AKの周辺領域GBの外周GB1のパターンが形成されたフォトマスクPT2を用いて圧電基板AKの表裏面のフォトレジスト膜PMを露光する。そしてフォトレジスト膜PMに露光領域RBを形成する図14b参照。図14bでは、フォトレジスト膜PMのハッチングがされている領域が露光領域RBである。ステップS903では、フォトレジスト膜PMの現像を行い、露光領域RBのフォトレジスト膜PMを除去する図14c参照。フォトレジスト膜PMの露光領域RBが除去された後の圧電基板AKでは、周辺領域GBの外周GB1のフォトレジスト膜PMが除去されている。ステップS904では、フォトレジスト膜PMの熱処理を行う。フォトレジスト膜PMの外周には、図14cに示されるように、角を有する段差PM1が形成されている。フォトレジスト膜PMは熱処理されることにより段差PM1の角が丸く削られて、周辺領域GBの外周GB1と中央領域とをつなぐスロープ領域SPが形成される図14d参照。圧電基板AKの周辺領域GBは、外周GB1とスロープ領域SPとにより形成されている。また、スロープ領域SPは、X―Z’平面からY’軸方向に角度SP1傾いたスロープ状に形成される。角度SP1は5度から80度に形成されることが望ましく、フォトレジスト膜PMの厚さ、熱処理の温度及び時間により角度SP1を調節することができる。ステップS905では、圧電基板AKにサンドブラストが行われることにより、圧電基板AKに粗面加工及びメサ加工がなされる。図14dに示された圧電基板AKにサンドブラストを行った場合、圧電基板AKの外形には、フォトレジスト膜PMの外形が圧電基板AKに転写される。つまり、圧電基板AKの外形は、サンドブラストが行われる前のフォトレジスト膜PMを含んだ圧電基板AKの形状と同形状に形成される。そのため、圧電基板AKの中央領域にはメサ部MBが形成される。また、周辺領域GBには、粗面加工がなされる図14e参照。ステップS906は、圧電基板AKに励振電極及び引出電極等の電極が形成される。電極の形成は図9に示された電極形成工程と同様である。圧電基板AKの周辺領域GBに形成される電極は、周辺領域GBの粗面を反映して電極の表面も粗面状に形成される。以上、本発明の最適な実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施例に様々な変更変形を加えて実施することができる。例えば、本実施形態ではベースとリッドとを直接接合して圧電デバイスを形成したが、圧電振動片が励振部と励振部を囲む枠部とを有し、ベース及びリッドが圧電振動片の枠部を介して封止材により接合される3枚重ねの圧電振動片であっても良い。この場合、ベース及びリッドと接合される枠部の面に粗面加工が行われることにより、封止材の接合面積が増し、ベース及び枠部と、リッド及び枠部との固着強度を増大させることができる。また、励振部がメサ形状に形成され、励振部の周辺領域が粗面加工された場合は、励振部における不要伝播振動が吸収され、振動の閉じ込め効果が増大してCI値を低く抑えることができる。また、本実施形態では圧電基板AKの圧電材料として、水晶を例に挙げて説明したが、これはあくまでも一例であり、圧電材料としては水晶以外にも例えば、LiTaO3リチウムタンタレートなども適用可能である。また、金Auの代わりに銀Ag等を使用し、クロムCrの代わりにニッケルNi、チタンTiまたはタングステンW等を使用することも可能である。また、ATカットの水晶片を代表として説明したが、BTカットの水晶片、音叉型の水晶片であってもよい。さらに圧電デバイスとして、圧電振動子以外に、発振回路を含む集積回路ICを組み込んだ圧電発振器として構成することも可能である。また、以上の実施例によって1枚の圧電基板AK上に複数の機械的に結合した振動領域をもつフィルタであるモノリシックフィルタを作製することも可能である。