工作物を受容する少なくとも1つの真空化可能なプラズマチャンバーを有している工作物プラズマ処理装置であって、前記プラズマチャンバーが処理ステーションの領域に配置され、前記プラズマチャンバーがチャンバー底部とチャンバーカバーと側部のチャンバー壁とによって画成され、前記プラズマチャンバーが処理ガスを制御可能に供給および/または排出させるための装置と連結されている前記工作物プラズマ処理装置において、前記プラズマチャンバー17が、定置の台座15によって支持されている回転可能なプラズマホイール2上に配置されていること、前記台座15の領域に少なくとも1つの処理ガス通路40が配置され、該処理ガス通路が少なくとも部分的にカバー43によって画成され、該カバーが前記プラズマホイール2の一部として形成されていること、前記カバー43が前記処理ガス通路40に対する少なくとも1つの連通穴44を有し、該連通穴が連通通路45と少なくとも1つの制御弁46とを介して前記プラズマチャンバー17の内部空間と連通可能であること、を特徴とする工作物プラズマ処理装置。前記処理ガス通路40が前記プラズマホイール2の回転軸線に対し実質的に同心に延在していることを特徴とする、請求項1に記載の工作物プラズマ処理装置。前記制御弁46が弁ブロック47の領域に配置されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の工作物プラズマ処理装置。前記弁ブロック47の内部に、前記制御弁46を前記プラズマステーション3と連通させる少なくとも1つの通路が延在していることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。前記通路が前記制御弁46を少なくとも2つのキャビティ4と連通させるために少なくとも1つの通路分岐部を有していることを特徴とする、請求項4に記載の工作物プラズマ処理装置。前記キャビティ4が前記プラズマホイール2の周に沿って列状に配置されていることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。前記プラズマステーション3の1つのチャンバー壁が鉛直方向に位置決め可能に配置されていることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。前記プラズマステーション3のステーションフレーム16に対し相対的に不動にマイクロ波発生器19が設けられていることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。前記処理ガス通路40が前記プラズマステーション3に対し相対的に内側に位置するように前記プラズマホイール2上に配置されていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。前記処理ガス通路40が、実質的に長方形の横断面を有し、且つ鉛直方向上側をカバー43によって画成されていることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。本発明の課題は、冒頭で述べた種類の装置において、プラズマチャンバーへの効率的な処理ガス供給が可能であるように構成することである。この課題は、本発明によれば、プラズマチャンバーが、定置の台座によって支持されている回転可能なプラズマホイール上に配置されていること、前記台座の領域に少なくとも1つの処理ガス通路が配置され、該処理ガス通路が少なくとも部分的にカバーによって画成され、該カバーがプラズマホイールの一部として形成されていること、カバーが処理ガス通路に対する少なくとも1つの連通穴を有し、該連通穴が連通通路と少なくとも1つの制御弁とを介してプラズマチャンバーの内部空間と連通可能であることによって解決される。処理ガス通路を台座の領域に定置に配置することと、制御弁を、プラズマホイールとともに回転するカバーの領域に配置することとにより、極めてコンパクトな構成が可能になる。処理ガス通路は空間的にプラズマチャンバーのすぐ近くに延在することができ、大きな横断面を備えさせることができる。これにより、プラズマチャンバーへの供給はわずかな流動抵抗で行われる。さらに、技術水準に比べて、互いに結合させる弁構成要素の数量がかなり減少し、よって漏れの危険が少なくなる。継続的な作動に関しては、必要なサービス作業、保守作業が少なくなる。本発明による装置は、特に、プラスチックから成るボトルのためのコーティング方法の経過を支援するために適している。この場合、SiOxから成る層を備えたボトルの内面コーティングが行われ、その際プラスチック上でのSiOxから成る層の保持は、表面処理材として形成された中間層によって改善することができる。コーティング方法は、好ましくは、PICVDとして実施される。このような方法では、プラズマはマイクロ波のパルスを使用して点火される。パルスはそのパルス幅、パルス間隔、パルス高に関し制御することができる。カバーと処理ガス通路の壁との間の密封は、処理ガス通路がプラズマホイールの回転軸線に対し実質的に同心に延在していることによって容易になる。コンパクトな構成は、制御弁が弁ブロックの領域に配置されていることによって支援される。同様に、装置のコンパクトな構成は、弁ブロックの内部に、制御弁をプラズマステーションと連通させる少なくとも1つの通路が延在していることによって可能になる。複数個のキャビティへの同時供給のため、前記通路は制御弁を少なくとも2つのキャビティと連通させるために少なくとも1つの通路分岐部を有している。処理すべき工作物の供給と排出とは、キャビティがプラズマホイールの周に沿って列状に配置されていることによって達成される。工作物の搬送経路を実質的に水平方向にのみ延在させるため、プラズマステーションの1つのチャンバー壁は鉛直方向に位置決め可能に配置されている。マイクロ波発生器を長期的に作動させるため、プラズマステーションのステーションフレームに対し相対的に不動にマイクロ波発生器が設けられている。プラズマホイールのコンパクトな構成と、容易なアクセスとのため、処理ガス通路はプラズマステーションに対し相対的に内側に位置するようにプラズマホイール上に配置されている。同様に、コンパクトな構成と、容易なアクセスとのため、処理ガス通路は、実質的に長方形の横断面を有し、且つ鉛直方向上側をカバーによって画成されている。図1の図示から認められるプラズマモジュール1は、回転するプラズマホイール2を備えている。プラズマホイール2の周に沿って複数個のプラズマステーション3が配置されている。プラズマステーション3は、処理すべき工作物5を受容するためにキャビティ4またはプラズマチャンバー17を備えている。処理すべき工作物5は装入部6の領域でプラズマモジュール1に供給され、個別化ホイール7を介して受け渡しホイール8へ転送される。受け渡しホイールは位置決め可能な担持アーム9を備えている。担持アーム9は受け渡しホイール8の台座10に対し相対的に回動可能に配置され、その結果工作物5同士の間隔を変化させることができる。これにより、個別化ホイール7における工作物5同士の間隔を大きくして受け渡しホイール8から装入ホイール11への工作物5の受け渡しが行われる。装入ホイール11は処理すべき工作物5をプラズマホイール2へ受け渡す。工作部5は処理後に搬出ホイール12によってプラズマホイール2の領域から取りだされて搬出区間13の領域へ移送される。図2の実施形態では、プラズマステーション3はそれぞれ2つキャビティ4またはプラズマチャンバー17を備えている。これによってそれぞれ2つの工作物5を同時に処理することができる。この場合、基本的には、キャビティ4を互いに完全に仕切って構成することが可能であり、他方1つの共通のキャビティ空間内で一部のみを互いに境界づけることで、すべての工作物5の最適なコーティングが保証されるようにすることも可能である。特にこの場合、別個のマイクロ波カップリングによって部分キャビティを互いに境界づけることが考えられる。図3は、一部分にプラズマホイール2を構築させた1つのプラズマモジュール1の斜視図である。プラズマステーション3は担持リング14上に配置され、該担持リングは、回転結合部の一部として形成され、機台15の領域で支持されている。プラズマステーション3はそれぞれ1つのステーションフレーム16を有し、該ステーションフレームはプラズマチャンバー17を保持している。プラズマチャンバー17は筒状のチャンバー壁18とマイクロ波発生器19とを有している。プラズマホイール2の中央には回転分配器20が配置され、該回転分配器を介してプラズマステーション3に作動媒体またはエネルギーが供給される。作動媒体を分配するため、特にリングパイプ21を使用することができる。処理すべき工作物5は筒状のチャンバー壁18の下方に図示されている。プラズマチャンバー17の下部部分は、図面を簡単にするためにそれぞれ図示していない。図4は1つのプラズマステーション3の斜視図である。ステーションフレーム16を案内棒23を備え、該案内棒で、筒状のチャンバー壁18を保持するための往復台24が案内されているのがわかる。図4は往復台24とチャンバー壁18とを持ちあげ状態で示したものであり、その結果工作物5は解放されている。プラズマステーション3の上部領域には、マイクロ波発生器19が配置されている。マイクロ波発生器19は、転向部25とアダプタ26とを介して、プラズマチャンバ17に開口している連結チャネル27に接続されている。基本的には、マイクロ波発生器19をチャンバーすバー31の領域にダイレクトに連結することも、間隔要素を介してチャンバーカバー31に連結してもよく、後者の場合には、チャンバーカバー31に対し所定の距離で配置され、従ってチャンバーカバー31の比較的大きな周領域に配置される。アダプタ26はトランジション要素の機能を有し、連結チャネル27は同軸導体として形成されている。連結チャネル27の、チャンバーカバー31に臨む開口部の領域には、石英ガラス窓が配置されている。転向部25は中空導体として形成されている。工作物5は、チャンバー底部29の領域に配置されている保持要素28によって保持される。チャンバー底部29はチャンバー台座30の一部として形成されている。位置調整を容易にするため、チャンバー台座30を案内棒23の領域に固定することが可能である。他の変形実施形態によれば、チャンバー台座30をステーションフレーム16にダイレクトに固定する。この種の配置構成では、たとえば、案内棒23を鉛直方向において2分割に実施することも可能である。図5は、図3のプラズマステーション3を、プラズマチャンバー17が閉じている状態で示した正面図である。ここでは、筒状のチャンバー壁18を備えた往復台24は図4の位置に比べて降下しており、その結果チャンバー壁18はチャンバー底部29に対し移動している。この位置決め状態でプラズマコーティングを実施することができる。図6は図5の配置構成の鉛直断面図である。これから特に認められるように、連結通路27はチャンバーカバー31内に開口し、該チャンバーカバーは側方に突出しているフランジ32を有している。フランジ32の領域にはパッキン33が配置され、該パッキンはチャンバー壁18の内側フランジ34の作用を受ける。これにより、チャンバー壁18の降下状態で、チャンバーカバー31に対するチャンバー壁18の密封が行われる。他のパッキン35がチャンバー壁18の下部領域に配置されて、ここでもチャンバー底部29に対する密封が保証されている。図6に図示した位置では、チャンバー壁18がキャビティ4を取り囲んでおり、その結果キャビティ4の内部空間も工作物5の内部空間も真空にさせることができる。処理ガスの導入を補助するため、チャンバーカバー30の領域には中空のガス導入槍状部材36が配置され、該ガス導入槍状部材は工作物5の内部空間内に走入可能である。ガス導入槍状部材36の位置決めを行うため、ガス導入槍状部材を、案内棒23に沿って位置決め可能なガス導入槍状部材用往復台37によって保持させる。ガス導入槍状部材用往復台37の内部には処理ガス通路38が延在、該処理ガス通路は、図6に図示した持ち上げ位置において、チャンバー台座30のガス接続部39と連結されている。このような配置により、ガス導入槍状部材用往復台37にチューブ状の結合要素を設ける必要がなくなる。上述したプラズマステーションの構成とは択一的に、本発明によれば、工作物5を付設の担持構造部に対し不動なプラズマチャンバー17に挿入することも可能である。同様に、図示したような、工作物5の口部を鉛直方向下向きにして該工作物をコーティングする代わりに、口部を鉛直方向上向きにして工作物のコーティングを実施してもよい。特に、ボトル状の工作物5のコーティングを実施することが考えられる。この種のボトルも同様に熱可塑性プラスチックから形成されている。好ましくは、PETまたはPPの使用が考えられる。他の有利な実施形態によれば、コーティングしたボトルは飲料物の受容に用いられる。次に、コーティング工程を例にして典型的な処理工程について説明する。まず、装入ホイール11を使用して工作物5をプラズマホイール2へ搬送し、スリーブ状のチャンバー壁18を持ちあげた状態で、プラズマステーション3への工作物5の挿入を行う。挿入工程の終了後、チャンバー壁18をその密封位置へ降下させ、時間的にずらして保持要素28を変位させ、その結果キャビティ4の内部空間に対する工作物5の内部空間の密封が生じる。次に、ガス導入槍状部材36を工作物5の内部空間内へ挿入させる。ガス導入槍状部材36をすでにキャビティ4の降下開始と同期させて工作物5の内部空間内へ挿入させてもよい。これと同時に、または、時間的にずらして、キャビティ4および工作物5の内部空間の真空化を行う。キャビティ4の内部空間を十分に真空化した後、次に工作物5の内部空間の圧力をさらに降下させる。また、ガス導入槍状部材36の位置決め運動をすでに少なくとも部分的にチャンバー壁18の位置決めに並行して実施することも考えられる。十分に低い負圧の達成後、処理ガスを工作物5の内部空間内へ導入し、マイクロ波発生器19を用いてプラズマに点火する。特に、プラズマを用いて工作物5の内表面に表面処理材を析出させるとともに、酸化珪素から成る本来のバリアー層を析出させることが考えられる。コーティング工程の終了後、プラズマチャンバー17と工作物5の内部空間とを通気する。キャビティ4の内部および工作物5の内部空間が周囲圧に達した後、チャンバー壁18を再び持ち上げ、ガス導入槍状部材36を再び工作物5の内部空間から除去する。この時点で、コーティングした工作物5の取り出しと、コーティングすべき新たな工作物5の装入とを実施することができる。チャンバー壁18、発禁要素28および/またはガス導入槍状部材36の位置決めは、種々の駆動アッセンブリを使用して行うことができる。基本的には、空気圧駆動および/または電気駆動、特に1実施形態ではリニアモータが考えられる。しかし、特に、プラズマホイール2の回転との正確な運動同期を補助するため、カム制御を実現することが考えられる。カム制御は、たとえば、プラズマホイール2の周に沿って制御カムが配置され、該制御カムに沿ってカムローラが案内されるように実施されていてよい。カムローラは位置決めすべきそれぞれの構成要素と連結されている。図7は、機台15の領域における複数個の処理ガス通路40を説明する図である。これらの処理ガス通路40はそれぞれ底部41と側壁42とを有し、側壁42は機械台座15と結合されている。底部41とは反対側にはカバー43が配置され、該カバーはプラズマホイール2の一部として形成されている。カバー43は側壁42に対し密封して案内されている。カバー43の領域には、処理ガス通路40に開口している連通穴44が配置されている。連通穴44はそれぞれ連通通路45を介して制御弁46と連結されている。制御弁46はプラズマステーション3と処理ガス通路40との連通を制御し、従って付設の処理ガス供給部との連通をも制御する。特に、制御弁46を、チャンバー台座30と結合されている弁ブロック47の領域に配置することが考えられる。プラズマステーション3の領域に複数のキャビティ4を配置する場合、特定の処理ガスをそれぞれ1つの制御弁46のみを介して複数のキャビティ4に供給するため、または、負圧供給部への接続を実現するため、弁ブロック47の領域に複数の通路枝部が配置されている。典型的には、処理ガス通路40はプラズマホイール2の中心に対し同心に延在している。図示した実施形態では、処理ガス通路40は上側が開口しており、その上部膨出部にカバー43を備えている。しかし、基本的には、処理ガス通路40の他のどのような空間的配向も考えられ、たとえばカバー43が処理ガス通路下方に配置され、或いは、処理ガス通路の横に配置されていてよい。図8は、4つのキャビティ4を備えた1つのプラズマステーション3を説明する図である。マイクロ波発生器19は典型的には複数のマイクロ波モジュール48を有し、その数量はキャビティ4の数量に対応している。これによって、キャビティ4のそれぞれに1つの別個のマイクロ波モジュール48を付設することができる。チャンバー壁18の位置決めは、有利な実施形態によれば、カム制御部を使用して機械的に行う。この場合、適当なカム軌道部に沿って、チャンバー壁18と結合されているカムローラ49が案内される。ガス導入槍状部材用往復台37を位置決めするため、有利には、同様に機械的なカム制御部を使用する。このためのガス導入槍状部材用往復台37はカムローラ50を備えている。図8には認められないガス導入槍状部材36をガス導入槍状部材往復台37に対し相対的に位置決めするため、有利には、空気圧シリンダ51を使用する。機械的制御と空気圧による制御との組み合わせにより、キャビティ4および工作物5を密封する工程と、ガス導入槍状部材36を工作物5内へ導入する本来の工程とを切り離すことができる。図9は弁ブロック47の斜視図である。制御弁46を担持する担持板52は、ベース要素53に対し相対的に回動可能に配置されている。このため、回動枢着部54が使用される。回動枢着部54は、好ましくは、ベース要素53の、プラズマホイール2の半径方向内側にある片側に配置されている。これにより、図9に図示した高く開いた作動状態では、制御弁56の下側とベース要素53の領域に配置されている弁座とがアクセスしやすくなって、クリーニングを行うことができる。担持板52を閉じ位置へ戻し回動させた後、固定要素55により担持板52をべース要素53に対し相対的にロックさせる。固定要素55はねじとして形成されていてよい。プラズマホイール2の半径方向における個々の処理ガス通路40の配置は、好ましくはその都度重要な流動技術的なコンダクタンスに依存して行う。流動技術的なコンダクタンスとは、体積流と圧力との商である。コンダクタンスが大きければ大きいほど、真空技術上の要請が厳しくなる。すなわち、体積流が増えるに伴って、または、圧力が降下するに従って、真空技術上の要請が高度になる。相対的に最大の負圧を備えた処理ガス通路40は半径方向内側に配置され、従ってプラズマステーション3から最も離れた位置に配置される。ここでの真空技術上のコンダクタンスは小さい。処理ガスの供給は、考慮すべきコンダクタンスを大きくしながら、プラズマホイール2の半径方向外側において、よってプラズマステーション3に対する距離が短い位置で行う。