下地基板上に窒化物半導体結晶薄膜を形成し、該窒化物半導体結晶薄膜をボイド化し、該ボイド化した窒化物半導体結晶薄膜の上に窒化物半導体結晶厚膜を形成する3つのプロセスを、前記下地基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行する第1工程と、前記窒化物半導体結晶厚膜を前記下地基板から剥離して窒化物半導体自立基板を得る第2工程と、前記第2工程で剥離された前記下地基板を前記第1工程で再利用する第3工程とを含む窒化物半導体自立基板の製造方法。前記第2工程と第3工程との間に、前記下地基板上に残留した残留物を化学的に除去し、その後前記下地基板上を機械的に研磨する第4工程を含む請求項1に記載の窒化物半導体自立基板の製造方法。窒化物半導体自立基板の製造方法において、再利用する下地基板には、再利用前の窒化物半導体結晶の成長工程あるいは剥離工程で結晶ひずみが形成される傾向がある。再利用する下地基板に結晶ひずみがあると、最終的に下地基板上に成長させる窒化物半導体結晶の内部にもそのひずみが転写される。下地基板のひずみが転写されると良好な窒化物半導体自立基板を得ることが困難となる。また、新規に下地基板を購入すると製造コストが増加する。そこで、再利用する下地基板を再結晶温度以上に加熱して結晶ひずみを除去することが必要となる。しかし、窒化物半導体結晶の成長プロセスの他に、下地基板の結晶ひずみを除去するプロセスを別個に導入したのでは自立基板の生産効率が悪くなるという問題がある。なお、特許文献1や特許文献2の半導体素子製造における基板再利用技術を、特許文献3の下地基板に適用して、窒化物半導体自立基板製造において下地基板を再利用することも考えられるが、そのような報告は未だない。本発明の目的は、内部ひずみを効率よく除去した下地基板を再利用することによって、下地基板の内部ひずみの影響の少ない良好な窒化物半導体自立基板を得ることが可能な窒化物半導体自立基板の製造方法を提供することにある。本発明の一実施の形態によれば、下地基板上に窒化物半導体結晶薄膜を形成し、該窒化物半導体結晶薄膜をボイド化し、該ボイド化した窒化物半導体結晶薄膜の上に窒化物半導体結晶厚膜を形成する3つのプロセスを、前記下地基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行する第1工程と、前記窒化物半導体結晶厚膜を前記下地基板から剥離して窒化物半導体自立基板を得る第2工程と、前記第2工程で剥離された前記下地基板を前記第1工程で再利用する第3工程とを含む窒化物半導体自立基板の製造方法が提供される。好ましくは、前記第2工程と第3工程との間に、前記下地基板上に残留した残留物を化学的に除去し、その後前記下地基板上を機械的に研磨する第4工程を含むのがよい。本発明によれば、内部ひずみを効率よく除去した下地基板を再利用することによって、下地基板の内部ひずみの影響の少ない良好な窒化物半導体自立基板を得ることができる。本実施の形態は、窒化物半導体基板を成長するプロセスにおいて、再利用しようとする下地基板の結晶ひずみを低減するものである。下地基板の上に窒化物半導体結晶基板を形成する方法には、FIELOFacetInitiatedEpitaxialLateralOvergrowth法、DEEPDislocationEliminationbytheEpigrowthwithInvertedPyramidalPits法、VAS法VoidassistedSeparationMethod等がある。しかし、窒化物半導体結晶を成長するプロセスにおいて、再利用しようとする下地基板の結晶ひずみを低減するには、VAS法がもっとも好ましい。VAS法のプロセスには、薄膜成長、厚膜成長に加えて、TiN微細孔マスク形成のためのアニール処理が含まれ、これらのプロセスで下地基板の再結晶温度以上の温度履歴が下地基板に与えられて、下地基板の結晶ひずみを有効に低減するからである。VAS法は、サファイア等の異種基板上にHVPE法を用いて厚いGaN結晶層を形成し、成長後に異種基板を除去することで自立GaN基板とする方法である。これは、ボイドを有する層を歪み緩和層として機能させ、下地基板と窒化物半導体結晶との格子定数差や熱膨張係数差に起因する歪みを緩和するものである。これにより、欠陥密度が低く、結晶品質の良好な反りのない窒化物半導体自立基板を得ることができ、下地基板の剥離も容易に行うことができる。このようなVAS法固有の特長と、VAS法のプロセスでの下地基板のひずみ除去との相乗効果により、窒化物半導体自立基板の製造方法において初めて下地基板の再利用が可能になった。以下に本発明の一実施の形態を説明する。まず、本実施の形態にかかる窒化物半導体自立基板の製造方法について概要を説明する。窒化物半導体結晶膜を作製するに際して、下地基板内の素材内に内部応力等による結晶のひずみを有していると、最終的に下地基板上に成長させる窒化物半導体結晶厚膜内部にもそのひずみがそのまま転写される。このため、再利用する下地基板の内部のひずみを効率良く低減する必要がある。そこで、本実施の形態は、次のような第1工程~第3工程を実行することで、ボイド形成剥離法VAS法で用いた下地基板を繰り返し用いるようにしている。第1工程では、1下地基板上に窒化物半導体結晶薄膜を形成し、2該窒化物半導体結晶薄膜をボイド化し、3該ボイド化した窒化物半導体結晶薄膜の上に窒化物半導体結晶厚膜を形成する、3つのプロセスを、前記下地基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行する。第1工程のボイド形成剥離法のプロセスでは、下地基板は1~3の3回にわたる熱履歴を受ける。これにより下地基板が受ける熱は下地基板の再結晶温度以上に達するため、下地基板の内部に残留しているひずみが低減される。第2工程では、前記窒化物半導体結晶厚膜を前記下地基板から剥離して窒化物半導体自立基板を得る。第3工程では、第2工程で剥離された前記下地基板を前記第1工程で繰り返し再利用するようにしている。繰り返し再利用回数は少なくとも1回、好ましくは2回がよい。再利用するには機械的な研磨を必要とするため、再利用回数には限界がある。再利用回数が増えるに従って基板厚さは薄くなる。十分な厚さをもつ窒化物半導体結晶厚膜を作れない現状では、研磨回数が2回を超えると再利用が困難になる。このように構成することによって、再利用する下地基板の内部ひずみを低減するために、ボイド形成剥離プロセスにより下地基板が受ける熱履歴を効率良く利用することができる。これにより、新規に別プロセスを設けることなく、再利用する下地基板の内部ひずみの影響の少ない良好な窒化物半導体自立基板が得られる。この場合において、第1工程で再利用する前に、下地基板上に残留した窒化物半導体結晶薄膜等からなる残留物を化学的または機械的に除去するのが好ましい。剥離後に残留する残留物を除去した下地基板を再利用することで、内部ひずみの少ない一層良好な窒化物半導体自立基板が得られる。つぎに、上述した窒化物半導体自立基板の製造方法について詳細に説明する。図2は窒化物半導体自立基板を製造するボイド形成剥離法VAS法のプロセスの模式図である。GaNを代表とする窒化物半導体自立基板を製造するVAS法のプロセスにおいて、GaNの結晶厚膜成長をさせるために下地基板としてサファイア基板10が用いられる。第1工程において、図2aに示すように、HVPE法でGaN結晶厚膜15を成長する際、下地基板としてボイド形成基板14を用いる。ボイド形成基板14はボイド13を高密度に発生させたGaN結晶薄膜11をサファイア基板10上に形成した構造となっている。そのボイド形成基板14の表面には多結晶の熱凝集によるTiN微細孔マスク12を有する。上記GaN結晶薄膜11は、MOVPE法によりサファイア基板10上にサファイア基板の再結晶温度以上の温度で成長する。上記TiN微細孔マスク12は、GaN結晶薄膜下地GaN結晶薄膜11の上にTiを形成した後、サファイア基板の再結晶温度以上の温度で熱処理アニールを施す。これによりTiは窒化されてTiNになるのと同時に、多数の微細孔を有するメッシュ状の構造TiN微細孔マスク12に変化する。一方、GaN結晶薄膜11の上部はエッチングされ、ボイド13が多数形成される。上記ボイド形成基板14上にGaN結晶厚膜15を成長させる。GaN結晶厚膜15は、HVPE炉にセットし、サファイア基板の再結晶温度以上の温度で成長する。GaN結晶厚膜15の膜厚は、自立基板とするために200μm以上、好ましくは300μm以上とする。GaN結晶厚膜15は微細なマスク上に形成されるため、低転位化を達成でき、結晶ひずみを非常に少なくすることができる。第2工程において、図2bに示すように、ボイド形成基板14上のボイド13を境にGaN結晶厚膜15と、サファイア基板10を含むボイド形成基板14とを剥離することによりGaN自立基板が得られる。ボイド形成基板14は、ボイド13を境に容易に剥離できるため、サファイア基板に加えられる機械的ひずみを非常に少なくすることができる。上述したようなVAS法によるGaN結晶厚膜成長において、下地基板10に注目すると、1枚の製品のGaN自立基板が完成するまでにサファイア基板は、1GaN結晶薄膜形成、2TiNの微細孔マスク形成のためのアニール処理、3HVPE法によるGaN結晶厚膜成長の計3回にわたる熱履歴温度×時間を受けることになる。それらの温度はサファイア基板の再結晶温度よりも高い温度にて実行される。サファイアの再結晶温度は1100°Cである。したがって、熱履歴の温度の下限は1200°Cとした。第3工程では、第2工程で剥離されたサファイア基板を少なくとも第1工程で1回再利用する。すなわち、剥離されたサファイア基板を第1工程で繰り返し用いることで、サファイア基板は、受けた熱履歴により結晶内部のひずみの少ない良好な状態になっている。したがって、上述したように再生加工したサファイア基板上に成長させるGaN結晶厚膜においても内部ひずみの少ない良好な結晶状態を有することができる。また、再生加工費は新規で購入するサファイア基板のコストの5~6割程度の費用で加工することが可能であるため、製造コスト低減が図れる。その結果、従来よりも低価格にてGaN自立基板を提供することができる。ところで、図2bに示すように、GaN結晶厚膜15を剥離した後のボイド形成基板14上にはGaNの残留物、例えばGaN結晶薄膜11やTiN微細孔マスク12が残っている。そこで、第4の工程において、サファイア基板10は、これらの残留物を化学的に除去し、サファイア基板表面を機械的加工により研磨することで再度下地基板として、より確実に利用することが出来るようにする。図1を用いて、この残留物を化学的または機械的加工による除去について説明する。図1aは、ボイド形成剥離法を用いてサファイア基板10上にGaN結晶厚膜を成長させ、その後、GaN結晶厚膜を剥離することにより得られたボイド形成基板14を示す。ボイド形成基板14をまず酸に浸漬し、サファイア基板10上のGaN結晶薄膜残留物11a、TiN残留物12aなどの残留物を化学的処理にて除去する図1b。その後、その表面を機械的に研削研磨することで。再度GaN結晶厚膜を成長させるためのサファイア基板10bを得る図1c。このようにして得られた再生サファイア基板10bを、図2に示すVASプロセスで用いる。以上述べたように本実施の形態によれば、つぎのような1つまたはそれ以上の効果を発揮する。1ボイド剥離法VAS法による窒化物半導体自立基板を製造するプロセスで、サファイア基板下地基板が受ける再結晶温度よりも高い3回の熱履歴を効率良く利用することによって、別なプロセスを設けることなく、下地基板内部のひずみを低減することができる。また、ひずみを低減した下地基板を再利用するので、内部ひずみの少ない良好な結晶状態を有する窒化物半導体自立基板が得られる。2自立基板を作製する本来の半導体結晶の成長プロセス内において、再利用すべき下地基板の結晶ひずみを除去するようにしたので、ひずみ除去のための別個のプロセスを導入する必要がなく、生産効率を向上できる。3再生加工費は新規で購入する下地基板のコストの5~6割程度の費用で加工することが可能であるため、製造コスト低減が図れるため、従来よりも低価格にてGaN自立基板を提供することが出来る。4剥離後の下地基板表面に対して、化学的処理を行って残留物を除去し、除去後の荒れた下地基板表面は機械的加工を施して研磨することにより、下地基板の再利用が一層容易になる。このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。例えば、窒化物半導体結晶はGaNを例示したが、広くAlxInyGa1-x-yN0≦xy≦1で表される窒化物系化合物半導体結晶であってもよい。直径2インチ、厚さ430μmのサファイアC面基板上に、MOVPE法で、トリメチルガリウムTMGとアンモニアNH3を原料として、500nmのアンドープGaN下地層GaN結晶薄膜を成長温度400°C~900°C、2時間で形成した。これに厚さ20nmのTiを真空蒸着した。その後、H2:NH3=4:1の混合気流中で、1180°C、20分間の熱処理を施した。すると、Tiは窒化されてTiNになるのと同時に、数十nm程度の多数の微細孔を有するメッシュ状の構造TiN微細孔マスク12に変化した。一方、GaN結晶薄膜11はエッチングされ、ボイドが多数形成された。このボイド形成基板14をHVPE炉にセットして、厚さ800μmのGaN結晶厚膜15を成長した。ここでGaN結晶厚膜成長条件は、特に限定されず、公知の条件が適用される第1工程。GaN結晶厚膜15を成長後、これをボイド形成基板14から剥離して窒化物半導体自立基板を得た第2工程。GaN結晶厚膜15剥離後のボイド形成基板14を、まず加熱したリン酸系水溶液熱リン酸に浸漬し、サファイア基板10上のGaN結晶薄膜残留物11a、TiN残留物12aなどの残留物を化学的処理にて除去する。その後、その表面を機械的に研削研磨することで。再度GaN結晶厚膜を成長させるためのサファイア基板10bを得る第4工程。第2工程で剥離されたサファイア基板を第4工程を経て第1工程で繰り返し使用する第3工程。繰り返し回数が1回目では、サファイア基板の厚さは405μmであった。2回目では厚さは380μmであった。繰り返し回数を重ねるほど結晶ひずみは低減した。しかし、厚さも減っていくため、405μmで出発した場合には、2回までが許容できる回数となった。380μm以下になると結晶成長時の熱的条件に影響が生じ、再利用が困難になったためである。