"支持基板と、前記支持基板の上に配置され、互いに離隔する第1裏面電極及び第2裏面電極と、前記第1裏面電極の上に配置される光吸収部と、前記光吸収部の上に配置される第1バッファと、前記第1バッファの上に配置される第2バッファと、前記第1バッファから延びて、前記光吸収部の側面に配置される第1バリアー膜と、前記第1バリアー膜から延びて、前記第2裏面電極の上面に配置される第1ダミー部と、を含むことを特徴とする太陽光発電装置。前記第2バッファの上に配置されるウィンドウと、前記ウィンドウから延びて、前記第2裏面電極に接続される接続部と、を含み、前記第1バリアー膜は、前記光吸収部及び前記接続部の間に介されることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1ダミー部の厚さは、1nm乃至80nmであることを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第2バッファから延びて、前記光吸収部の側面に配置される第2バリアー膜と、前記第2バリアー膜から延びて、前記第1ダミー部の上に配置される第2ダミー部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第2バリアー膜の厚さは、前記第2バッファの厚さより大きいことを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。前記第1バッファ、前記第1バリアー膜、及び前記第1ダミー部は、互いに一体形成され、前記第2バッファ、前記第2バリアー膜、及び前記第2ダミー部は、互いに一体形成されることを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。前記第1バリアー膜は、硫化カドミウムを含み、前記第2バリアー膜は、ガリウムがドーピングされたチンオキサイドを含むことを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。前記第1バリアー膜は、硫化カドミウムを含み、前記第2バリアー膜は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドを含むことを特徴とする請求項4に記載の太陽光発電装置。支持基板と、前記支持基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置され、貫通溝が形成される光吸収層と、前記光吸収層の上面、前記貫通溝の内側面、及び前記貫通溝の底面に配置される第1バッファ層と、前記第1バッファ層の上に配置される第2バッファ層と、前記第2バッファ層の上に配置されるウィンドウ層と、を含むことを特徴とする太陽光発電装置。前記第1バッファ層は、前記貫通溝の底面の全体を覆うことを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記貫通溝の底面に配置される第1バッファ層の厚さは、1nm乃至80nmであることを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記第2バッファ層は、ガリウムがドーピングされたチンオキサイドを含むことを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記第2バッファ層において、前記貫通溝の内側面に配置されるバッファ層の厚さは、前記光吸収層の上に配置される第2バッファ層の厚さより厚いことを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。支持基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層に貫通溝を形成するステップと、前記光吸収層の上面、前記貫通溝の内側面、及び前記貫通溝の底面に第1バッファ層を形成するステップと、前記第1バッファ層の上に第2バッファ層を形成するステップと、前記第2バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップと、を含むことを特徴とする太陽光発電装置の製造方法。前記貫通溝を形成するステップで、機械的な装置またはレーザーを使用して、前記裏面電極層の一部を露出するように前記光吸収層をパターニングすることを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第2バッファ層を形成するステップで、前記支持基板に対して傾斜する方向に前記第2バッファ層を形成するための物質を蒸着することを特徴とする請求項15に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第2バッファ層を形成するステップで、前記支持基板に対して傾斜する方向に、前記第1バッファ層の上に不純物がドーピングされないジンクオキサイドまたはガリウムがドーピングされたチンオキサイドが蒸着されることを特徴とする請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、漏洩電流を抑制し、向上した光電変換効率を有する太陽光発電装置を提供することにある。本発明に従う太陽光発電装置は、支持基板、前記支持基板の上に配置され、互いに離隔する第1裏面電極及び第2裏面電極、前記第1裏面電極の上に配置される光吸収部、前記光吸収部の上に配置される第1バッファ、前記第1バッファの上に配置される第2バッファ、前記第1バッファから延びて、前記光吸収部の側面に配置される第1バリアー膜、及び前記第1バリアー膜から延びて、前記第2裏面電極の上面に配置される第1ダミー部を含む。本発明に従う太陽光発電装置は、支持基板、前記支持基板の上に配置される裏面電極層、前記裏面電極層の上に配置され、貫通溝が形成される光吸収層、前記光吸収層の上面、前記貫通溝の内側面、及び前記貫通溝の底面に配置される第1バッファ層、前記第1バッファ層の上に配置される第2バッファ層、及び前記第2バッファ層の上に配置されるウィンドウ層を含む。本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、支持基板の上に裏面電極層を形成するステップ、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、前記光吸収層に貫通溝を形成するステップ、前記光吸収層の上面、前記貫通溝の内側面、及び前記貫通溝の底面に第1バッファ層を形成するステップ、前記第1バッファ層の上に第2バッファ層を形成するステップ、及び前記第2バッファ層の上にウィンドウ層を形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置は、第1バリアー膜を含む。前記第1バリアー膜により、光吸収部の側面が絶縁できる。これによって、実施形態に係る太陽光発電装置は、光吸収部の側面を通じて漏洩される電流を防止することができる。特に、前記第1バリアー膜は硫化カドミウムで形成され、これによって、前記第1バリアー膜は高い抵抗を有する。したがって、前記第1バリアー膜は、効率良く漏洩電流を防止することができる。また、前記第1ダミー部は薄い厚さを有するので、ウィンドウから延びる接続部はトンネリング効果によって、第2裏面電極に容易に接続できる。即ち、接続部は、ダミー部を通じて第2裏面電極に接続される時、ダミー部は薄い厚さを有するので、実施形態に係る太陽光発電装置は、トンネリング効果により電力損失を減少させる。また、前記光吸収部の側面には前記第2バッファから延びる第2バリアー膜が配置される。これによって、前記第2バリアー膜により前記光吸収部の側面の絶縁はより強化できる。また、前記第2バリアー膜の厚さは、前記第2バッファの厚さより厚いことがある。これによって、前記第2バリアー膜により、前記光吸収部の側面の絶縁はより強化できる。したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、漏洩電流を防止し、向上した発電効率を有する。本発明を説明するに当たって、各基板、膜、電極、溝、または層などが、各基板、電極、膜、溝、または層などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図2を参照すると、太陽光発電装置は、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層310、下部バッファ層320、上部バッファ層330、第1バリアー膜323、ウィンドウ層400、及び接続部500を含む。前記支持基板100はプレート形状を有し、前記裏面電極層200、前記光吸収層310、前記下部バッファ層320、前記上部バッファ層330、前記ウィンドウ層400、及び前記接続部500を支持する。前記支持基板100は、絶縁体でありうる。前記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板100は、ソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。前記支持基板100は、透明でありえる。前記支持基板100は、リジッドまたはフレキシブルである。前記裏面電極層200は、前記支持基板100の上に配置される。前記裏面電極層200は、導電層である。前記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどの金属が挙げられる。また、前記裏面電極層200は、2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一の金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。前記裏面電極層200には、第1貫通溝TH1が形成される。前記第1貫通溝TH1は、前記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。前記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。前記第1貫通溝TH1の幅は、約80μm乃至200μmでありうる。前記第1貫通溝TH1によって、前記裏面電極層200は、多数個の裏面電極210、220...に区分される。即ち、前記第1貫通溝TH1によって、前記裏面電極210、220...が定義される。図2では、前記裏面電極210、220...のうち、第1裏面電極210及び第2裏面電極220が図示される。前記裏面電極210、220...は、前記第1貫通溝TH1によって互いに離隔する。前記裏面電極210、220...は、ストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記裏面電極210、220...は、マトリックス形態に配置される。この際、前記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。前記光吸収層310は、前記裏面電極層200の上に配置される。また、前記光吸収層310に含まれた物質は、前記第1貫通溝TH1に詰められる。前記光吸収層310は、I-III-VI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層310は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。前記光吸収層310のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVでありうる。前記光吸収層310には、第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2は、前記光吸収層310を貫通する。また、前記第2貫通溝TH2は、前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。前記第2貫通溝TH2は、前記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、前記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、前記第1貫通溝TH1の傍らに形成される。前記第2貫通溝TH2の幅は、約80μm乃至約200μmでありうる。また、前記光吸収層310は、前記第2貫通溝TH2によって、多数個の光吸収部311、312...を定義する。即ち、前記光吸収層310は、前記第2貫通溝TH2により前記光吸収部311、312...に区分される。前記下部バッファ層320は、前記光吸収層310の上及び前記第2貫通溝TH2の内側に配置される。前記下部バッファ層320は、硫化カドミウムCdSを含み、前記下部バッファ層320のエネルギーバンドギャップは、約2.2eV乃至2.4eVである。前記下部バッファ層320は、高い抵抗を有する。例えば、前記下部バッファ層320は、前記上部バッファ層330及び前記ウィンドウ層400より高い抵抗を有することができる。前記上部バッファ層330は、前記下部バッファ層320の上に配置される。また、前記上部バッファ層330は、前記第2貫通溝TH2の内側にも配置される。前記上部バッファ層330は、ガリウムがドーピングされたジンクオキサイドGadopedZnO、またはガリウムがドーピングされたチンオキサイドGadopedSnOを含む。前記上部バッファ層330のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。これとは異なり、前記上部バッファ層330は、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドを含むことができる。これによって、前記上部バッファ層330は、非常に低い抵抗を有する。例えば、前記上部バッファ層330は、前記ウィンドウ層400に対応する抵抗を有したり、前記ウィンドウ層400より低い抵抗を有することができる。前記ウィンドウ層400は、前記上部バッファ層330の上に配置される。前記ウィンドウ層400は、透明で、導電層である。前記ウィンドウ層400に使われる物質の例としては、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAldopedZnO;AZOなどが挙げられる。前記下部バッファ層320、前記上部バッファ層330、及び前記ウィンドウ層400には、第3貫通溝TH3が形成される。前記第3貫通溝TH3は、前記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、前記第3貫通溝TH3の幅は、約80μm乃至約200μmでありうる。前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2の傍らに配置される。即ち、平面視して、前記第3貫通溝TH3は、前記第2貫通溝TH2の傍らに並べて配置される。前記下部バッファ層320は、前記第3貫通溝TH3によって、多数個の下部バッファ321、322...、第1バリアー膜323、及び第1ダミー部324に区分される。同様に、前記上部バッファ層330は、前記第3貫通溝TH3によって、多数個の上部バッファ331、332...、前記第2バリアー膜333、及び第2ダミー部334に区分される。前記第1バリアー膜323は、前記第1光吸収部311の上に配置される第1下部バッファ321から延びて、前記第1光吸収部311の側面に配置される。前記第1バリアー膜323は、前記第1下部バッファ321と一体形成され、前記第1光吸収部311の側面と前記第2バリアー膜333との間に介される。前記第1ダミー部324は、前記第1バリアー膜323から前記裏面電極層200の上面に沿って延びる。より詳しくは、前記第1ダミー部324は、前記バリアー膜から延びて、第2裏面電極220の上面に接触する。前記第1ダミー部324は、前記第1バリアー膜323と一体形成される。前記第1ダミー部324は、前記第2貫通溝TH2の底面の全体を覆う。前記第2バリアー膜333は、前記第1下部バッファ321の上に配置される第1上部バッファ331から延びて、前記第1バリアー膜323の上に配置される。前記第2バリアー膜333は、前記第1上部バッファ331と一体形成され、前記第1バリアー膜323と前記接続部500との間に介される。前記第2バリアー膜333は、前記第1上部バッファ331のように低い抵抗を有する。前記第2ダミー部334は、前記第2バリアー膜333から前記裏面電極層200の上面に沿って延びる。より詳しくは、前記第2ダミー部334は、前記第2バリアー膜333から延びて、第1ダミー部324の上面に接触する。前記第2ダミー部334は、前記第2バリアー膜333と一体形成される。前記第1バリアー膜323は、前記下部バッファ321、322...から延びて、前記光吸収部311、312...の側面に配置される。また、前記第2バリアー膜333も同様に、前記上部バッファ331、332...から延びて、前記光吸収部311、312...側面に配置される。前記第1ダミー部324は、前記第1バリアー膜323から前記裏面電極層200の上面に沿って延びる。また、前記第2ダミー部334は、前記第2バリアー膜333から延びて、前記第1ダミー部324の上に配置される。前記第1ダミー部324は、前記第2貫通溝TH2の底面の全体を覆う。前記第1ダミー部324は、薄い厚さを有する。例えば、前記第1ダミー部324の厚さTは、約1nm乃至約80nmでありうる。より詳しくは、前記第1ダミー部324の厚さは、約1nm乃至約30nmでありうる。また、前記第3貫通溝TH3によって、前記ウィンドウ層400は、多数個のウィンドウ410、420...に区分される。即ち、前記ウィンドウ410、420...は、前記第3貫通溝TH3によって定義される。前記ウィンドウ410、420...は、前記裏面電極210、220...と対応する形状を有する。即ち、前記ウィンドウ410、420...は、ストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記ウィンドウ410、420...は、マトリックス形態に配置される。また、前記第3貫通溝TH3によって、多数個のセルC1,C2...が定義される。より詳しくは、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3によって、前記セルC1,C2...が定義される。即ち、前記第2貫通溝TH2及び前記第3貫通溝TH3によって、実施形態に係る太陽光発電装置は、前記セルC1,C2...に区分される。即ち、実施形態に係る太陽光発電装置は、多数個のセルC1,C2...を含む。例えば、実施形態に係る太陽光発電装置は、支持基板100の上に配置される第1セルC1及び第2セルC2を含む。前記第1セルC1は、前記第1裏面電極210、前記第1光吸収部311、前記第1下部バッファ321、前記第1上部バッファ331、及び前記第1ウィンドウ410を含む。前記第1裏面電極210は、前記支持基板100の上に配置され、前記第1光吸収部311、前記第1下部バッファ321、及び前記第1上部バッファ331は、前記第1裏面電極210の上に順次に積層して配置される。前記第1ウィンドウ410は、前記第1上部バッファ331の上に配置される。即ち、前記第1裏面電極210及び前記第1ウィンドウ410は、前記第1光吸収部311を挟んで互いに対向する。図示してはいないが、前記第1光吸収部311及び前記第1ウィンドウ410は、前記第1裏面電極210の上面の一部が露出しながら前記第1裏面電極210を覆う。前記第2セルC2は、前記第1セルC1に隣接して前記支持基板100の上に配置される。前記第2セルC2は、前記第2裏面電極220、前記第2光吸収部312、前記第2下部バッファ322、前記第2上部バッファ332、及び前記第2ウィンドウ420を含む。前記第2裏面電極220は、前記第1裏面電極210に離隔して前記支持基板100の上に配置される。前記第2光吸収部312は、前記第1光吸収部311に離隔して前記第2裏面電極220の上に配置される。前記第2ウィンドウ420は、前記第1ウィンドウ410に離隔して前記第2上部バッファ332の上に配置される。前記第2光吸収部312及び前記第2ウィンドウ420は、前記第2裏面電極220の上面の一部が露出しながら前記第2裏面電極220を覆う。前記接続部500は、前記第2貫通溝TH2の内側に配置される。また、前記接続部500は、前記第1ダミー部324の上に配置される。前記接続部500は、前記ウィンドウ層400から下方に延びて、前記裏面電極層200に接続される。例えば、前記接続部500は、前記第1ウィンドウ410から下方に延びて、前記第2裏面電極220に接続される。この際、前記接続部500、前記第2ダミー部334、及び前記第2裏面電極220は、低い抵抗を有し、前記第1ダミー部324は、薄い厚さを有するので、前記第2ダミー部334及び前記第2裏面電極220の間でトンネリング現象が発生する。これによって、前記第2ダミー部334及び前記第2裏面電極220の間に容易に電流が流れるようになる。したがって、前記接続部500は、互いに隣接するセルC1,C2...に各々含まれたウィンドウと裏面電極とを容易に連結する。即ち、前記接続部500は、前記第1ウィンドウ410及び前記第2裏面電極220を連結する。前記接続部500は、前記ウィンドウ410、420...と一体形成される。即ち、前記接続部500に使われる物質は、前記ウィンドウ層400に使われる物質と同一である。前記第1バリアー膜323は、前記光吸収部311、312...の側面を絶縁する。即ち、前記第1バリアー膜323は、前記光吸収部311、312...及び前記接続部500の間に各々介される。これによって、前記第1バリアー膜323は、前記光吸収部311、312の側面への漏洩電流を遮断することができる。例えば、前記第1バリアー膜323は、前記接続部500から前記第1光吸収部311の側面を通過して、前記第1裏面電極210に電流が漏洩する現象を防止することができる。即ち、前記第1バリアー膜323は、抵抗の高い光吸収部311、312...及び抵抗の低い第2バリアー膜333の間に介されるので、前記第1バリアー膜323でトンネリング現象が発生しない。これによって、前記第1バリアー膜323は、前記光吸収部311、312...の側面の抵抗を増加させる。また、前記漏洩電流を遮断するために、前記第1貫通溝TH1の幅が増加する必要がない。即ち、前記第1貫通溝TH1の幅が減少しても、前記第1バリアー膜323によって、前記漏洩電流が効率良く遮断できる。これによって、前記第1貫通溝TH1の幅は減少し、実施形態に係る太陽光発電装置は、電力生産が不能なデッドゾーンdeadzoneを減らすことができる。また、前記第1ダミー部324は薄い厚さを有するので、前記接続部500及び前記裏面電極層200の間の接続特性を減少させない。例えば、前記第1ダミー部324は、約80nm以下であるので、前記接続部500及び前記裏面電極層200の間の抵抗を増加させない。したがって、実施形態に係る太陽光発電装置は、セル間の接続特性を向上させ、向上した発電効率を有する。図3乃至図6は、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考する。図3を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、前記裏面電極層200は、パターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、前記基板の上に多数個の裏面電極210、220...が形成される。前記裏面電極層200は、レーザーによりパターニングされる。前記第1貫通溝TH1は、前記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、前記支持基板100及び前記裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介され、この際、前記第1貫通溝TH1は、前記追加的な層の上面を露出するようになる。図4を参照すると、前記裏面電極層200の上に光吸収層310が形成される。前記光吸収層310は、スパッタリング工程または蒸発法等により形成される。例えば、前記光吸収層310を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層310を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化Selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、前記裏面電極層200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、前記金属プリカーサ膜は、セレン化selenization工程により銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層310が形成される。これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレン化工程は同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程によりCIS系またはCIG系光吸収層310が形成される。以後、前記光吸収層310の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2は、チップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップによって、前記光吸収層310及び前記下部バッファ層320はパターニングできる。また、前記第2貫通溝TH2は、約200乃至600nmの波長を有するレーザーにより形成される。この際、前記第2貫通溝TH2の幅は、約100μm乃至約200μmでありうる。また、前記第2貫通溝TH2は、前記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、前記光吸収層310の上及び前記第2貫通溝TH2の内側に、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、前記下部バッファ層320が形成される。以後、前記下部バッファ層320の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、前記上部バッファ層330が形成される。前記下部バッファ層320は、低い厚さで蒸着される。例えば、前記下部バッファ層320の厚さは、約1nm乃至約80nmである。また、前記下部バッファ層320及び前記上部バッファ層330は、傾斜する方向に蒸着される。図6を参照すると、前記上部バッファ層330の上に、ウィンドウ層400が形成される。この際、前記第2貫通溝TH2の内側に、前記ウィンドウ層400をなす物質が詰められる。前記ウィンドウ層400を形成するために、前記上部バッファ層330の上に透明な導電物質が積層される。前記透明な導電物質は、前記第2貫通溝TH2の全体に詰められる。前記透明な導電物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドなどが挙げられる。これによって、前記ウィンドウ層400から延びて、前記裏面電極層200に直接接続される接続部500が、前記第2貫通溝TH2の内側に形成される。以後、前記下部バッファ層320、前記上部バッファ層330、及び前記ウィンドウ層400の一部が除去されて、第3貫通溝TH3が形成される。これによって、光吸収部311、312...の側面に第1バリアー膜323が形成され、前記裏面電極層200の上に第1ダミー部324が形成される。前記下部バッファ層320及び前記上部バッファ層330はパターニングされて、前記光吸収部311、312...の上に各々多数個の下部バッファ321、322...及び多数個の上部バッファ331、332...が順次に形成される。また、前記光吸収部311、312...の側面に、第1バリアー膜323及び第2バリアー膜333を含む第1バリアー膜323が形成される。また、前記第2貫通溝TH2の底面には、第1ダミー部324及び第2ダミー部334を含む第1ダミー部324が形成される。また、前記ウィンドウ層400はパターニングされて、多数個のウィンドウ410、420...及び多数個のセルC1,C2...が定義される。前記第3貫通溝TH3の幅は、約80μm乃至約200μmでありうる。このように、前記第2バリアー膜323、333を形成して、高い効率を有する太陽光発電装置が提供される。図7及び図8は、本発明の他の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態では、前述した太陽光発電装置及び製造方法に対する説明を参照する。即ち、前述した太陽光発電装置及び製造方法に対する説明は、変更された部分を除いて、本製造方法に対する説明に本質的に結合できる。図7を参照すると、光吸収層310の上面、第2貫通溝TH2の内側面、及び前記第2貫通溝TH2の底面に、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、下部バッファ層320が形成される。以後、前記下部バッファ層320の上にガリウムがドーピングされたジンクオキサイド、ガリウムがドーピングされたチンオキサイド、または不純物がドーピングされないジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上部バッファ層330が形成される。この際、前記上部バッファ層330を形成するための物質は、支持基板100に対して傾斜する方向に前記下部バッファ層320の上に蒸着される。例えば、前記上部バッファ層330を形成するための物質が蒸着される方向及び前記支持基板100の間の角度は、約10 ゚乃至約40 ゚でありうる。これによって、第2バリアー膜335は、厚い厚さT2で形成される。即ち、前記第2バリアー膜335は、前記光吸収層310の上面に形成される上部バッファ層331、332の厚さT1より厚いことがある。即ち、前記上部バッファ層330で、前記光吸収層310の上に形成される上部バッファ層331、332の厚さT1は、光吸収部311の側面に形成される上部バッファ層335の厚さT2より薄いことがある。図8を参照すると、前記上部バッファ層330の上に、ウィンドウ層400及び第3貫通溝TH3が形成される。本実施形態に従う太陽光発電装置は、相対的に厚い第2バリアー膜335を含む。これによって、前記光吸収部311の側面の絶縁は、より強化できる。したがって、本実施形態に従う太陽光発電装置は、セル間の接続特性をより向上させ、向上した発電効率を有する。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"