"下記化学式Iで表され、重量平均分子量が5000乃至5000000であるポリイミド高分子化合物。[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、nは正の整数である。]前記ポリイミド高分子化合物が光架橋性高分子化合物である請求項1に記載のポリイミド高分子化合物。下記化学式IIで表される高分子化合物と、[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Zは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、nは繰り返し単位であって、10乃至10000の正の整数である。]下記化学式II-1から選ばれる少なくとも1種の化合物とを反応させる高分子化合物の調製方法。[式中、Rは水素、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Aはハロゲンである。]前記化学式IIで表される高分子化合物は、下記化学式IIIで表される化合物と、下記化学式IVで表される化合物とを反応させて調製する請求項3に記載の高分子化合物の調製方法。前記化学式IVで表される化合物は、下記化学式Vで表されるジニトロ化合物をパラジウム触媒の存在下で還元反応させて得られる請求項4に記載の高分子化合物の調製方法。前記化学式Vで表される化合物は、下記化学式VIで表される化合物と4-フルオロニトロベンゼンとをセシウム触媒の下で反応させて調製する請求項5に記載の高分子化合物の調製方法。[式中、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体である。下記化学式Iで表されるポリイミド高分子を架橋して得られる活性層を含んでなる高分子メモリ素子であって、前記ポリイミド高分子化合物の重量平均分子量が5000乃至5000000である高分子メモリ素子。[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、nは繰り返し単位を示す正の整数である。]前記高分子メモリ素子が、第1電極、前記第1電極上に形成された活性層、及び前記活性層上に形成された第2電極を含む請求項7に記載の高分子メモリ素子。前記第1電極が、金、銀、白金、銅、コバルト、ニッケル、スズ、アルミニウム、酸化インジウムスズ、チタン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項8に記載の高分子メモリ素子。前記第2電極が、金、銀、白金、銅、コバルト、ニッケル、スズ、アルミニウム、酸化インジウムスズ、チタン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる請求項8に記載の高分子メモリ素子。前記活性層が電極とダイオードに連結される請求項3に記載の高分子メモリ素子。前記ダイオードがPNダイオード又はショットキーダイオードである請求項8に記載の高分子メモリ素子。基板上に形成された下部電極上に活性層を形成するステップと、上部電極が前記活性層と接触するように前記上部電極を前記活性層上に形成するステップとを含んでなる高分子メモリ素子の製造方法であって、前記活性層は、下記化学式Iで表されるポリイミド高分子化合物を架橋して形成され、前記ポリイミド高分子化合物の重量平均分子量が5000乃至5000000である高分子メモリ素子の製造方法。[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、nは繰り返し単位を示す正の整数である。]前記活性層を形成するステップでは、高分子を含有する溶液で前記下部電極のコーティングが行われる請求項13に記載の高分子メモリ素子の製造方法。前記コーティングが、スピンコーティング、スプレーコーティング、静電気コーティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、インクジェットコーティング及びロールコーティングのいずれか1種のコーティングによって行われる請求項14に記載の高分子メモリ素子の製造方法。コーティング層に光を照射することにより前記コーティング層を架橋してナノパターンを形成する請求項15に記載の高分子メモリ素子の製造方法。下記化学式I’で表され、重量平均分子量が5000乃至5000000であるポリイミド高分子化合物。[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、nは繰り返し単位を示す正の整数である。]重量平均分子量が5000乃至500000である請求項17に記載のポリイミド高分子化合物。そこで、本発明の目的は、上述した従来の技術的問題点を克服し、製造工程が単純であり、電流-電圧スイッチング現象を示し、動作電圧及び電流が低く、オン/オフ比率が大きい上、書き込まれた情報が長期間保存される、有機不揮発性メモリ素子を提供することにある。本発明の他の目的は、上述した従来の問題点を解決することができる新規な不揮発性メモリ素子用高分子化合物を提供することにある。本発明の別の目的は、上述した従来の問題点を解決することができる新規な不揮発性メモリ素子用高分子化合物を製造する方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明のある観点によれば、下記化学式I[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体よりなる群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、ここで、nは正の整数であり、ポリイミド高分子化合物polyimidepolymercompoundの重量平均分子量weightaveragemolecularweightは5000乃至5000000、好ましくは5000~500000である。]で表されるポリイミド高分子化合物を提供する。本発明に係るポリイミド高分子化合物は光架橋性高分子化合物である。本発明の他の観点によれば、化学式Iのポリイミド高分子化合物を調製preparedするために、下記化学式II[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Zは次の誘導体群から選ばれる芳香族又は脂肪族誘導体であり、ここで、nは繰り返し単位であって、10乃至10000の正の整数である。]で表される化合物を、次の化合物[ここで、Rは水素又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Aはハロゲンである。]から選ばれた少なくとも1種の化合物と反応させて調製する、高分子化合物の調製方法を提供する。本発明の実施において、化学式IIの高分子化合物は、下記化学式IIIの化合物を下記化学式IV[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Zは次の誘導体群から選ばれる芳香族又は脂肪族誘導体である。]の化合物と反応させてポリイミド高分子を調製する。本発明の一実施において、化学式IVの化合物は、下記化学式Vで表される化合物をパラジウム触媒の存在下で還元反応させることにより得られる。化学式Vの化合物は、下記化学式VI[式中、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基である。]と4-フルオロニトロルベンゼンとをセシウム触媒の下で反応させて得ることができる。本発明の別の観点によれば、下記化学式I[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、ここで、nは正の整数であり、ポリイミド高分子化合物の重量平均分子量は5000乃至5000000、好ましくは5000乃至500000である。]で表されるポリイミド高分子を含む活性層activelayerを有する、有機メモリ素子を提供する。本発明の有機メモリ素子は、第1電極と、第1電極上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2電極とを含んでなる。本発明の有機メモリ素子は、下部電極と上部電極との間に、電子とホールの移動が可能な活性層を含めることができる。この活性層は、ポリイミド高分子からなり、有機メモリ素子の製造後にメモリ素子の電極の両端に電圧を印加すると、電極を介して電子とホールが活性層内に流入し、活性層の内部で形成されるフィラメントを介して電流が運搬される。本発明の有機メモリ素子の活性層は、ポリイミド高分子から形成される厚さ10乃至100nm以内の膜の形で構成される。上述した目的を達成するための本発明の製造方法は、基板上に形成された下部電極上に活性層を形成するステップstepと、上部電極が活性層と接触するように上部電極を活性層上に形成するステップとを含んでなる。本発明の有機メモリ素子は、下部電極と上部電極との間に、電子とホールの移動が可能な活性層を含めることができる。有機メモリ素子の製造後にメモリ素子の電極の両端に電圧を印加すると、電極を介して電子とホールが活性層内に流入し、活性層の内部で形成されるフィラメントを介して電流が運搬される。このようなメモリ素子に電圧を印加すると、活性層の抵抗値が双安定性を示してメモリ特性を示す。また、このようなメモリ特性は有機材料の特性により現れるもので、電源が切れてもその特性をそのまま維持して不揮発性メモリ素子としての特性を示す。本発明に係る有機メモリ素子は、活性層を膜の形で形成し、この活性層にパターンを形成するように遮光性パターンlightshieldingpatternを形成した後、光を照射してこの活性層を光架橋させた後、架橋していない部分を除去することにより、パターンが形成される。本発明の高分子メモリ素子において、上部電極は、金、銀、白金、銅、コバルト、ニッケル、スズ、アルミニウム、酸化インジウムスズindiumtinoxide、チタン、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれ、下部電極は、金、銀、白金、銅、コバルト、ニッケル、スズ、アルミニウム、酸化インジウムスズ、チタン、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれてもよい。高分子活性層は電極とダイオードで連結され、一実施において、PNダイオード又はショットキーダイオードである。また、本発明は、下記化学式I’[式中、Xは-CH-、N又はPであり、Yは次の誘導体群から選ばれる誘導体であり、ここで、RはH、又は炭素数1乃至8のアルキル基であり、Zは次の芳香族誘導体及び脂肪族誘導体からなる誘導体群から選ばれるいずれか1種の誘導体であり、ここで、nは繰り返し単位の正の整数であり、このポリイミド高分子化合物の重量平均分子量は5000乃至5000000であり、好ましくは5000乃至500000である。]で表されるポリイミド高分子化合物の高分子メモリ素子の活性層としての用途を提供する。上述したように、本発明の化学式Iの新規なポリイミド高分子は、有機溶媒に対して可溶性であって加工性に極めて優れるとともに、熱的安定性、機械的強度、超耐熱超耐寒性などの機械的物性に極めて優れる。そして、電気的特性により低い駆動電圧にスイッチング現象が起こり、オン/オフの2つの電流状態が存在することを確認することにより、これを活性層として用いて不揮発性メモリ素子を実現することができる。また、光を用いて架橋が可能であるから、マスクを用いて所望の模様のパターンを自由に実現することができる。よって、新規な光架橋性ポリイミド高分子を用いて、非常に優れた性能を有する不揮発性メモリ素子を簡単な工程と低い生産費用で製造することが可能である。以下、添付図面を参照して本発明について詳細に説明する。図1は本発明の実施例に係る有機メモリ素子の概略断面図である。図1を参照すると、本発明に係る有機メモリ素子は、第1電極と第2電極との間に活性層が挟まれている。このようなメモリ素子に電圧を印加すると、活性層の抵抗値が双安定性を示してメモリ特性を示す。また、このようなメモリ特性は、有機材料の特性により現れるものであって、電源が切れてもその特性をそのまま維持して不揮発性メモリ素子としての特性を示す。次に、本発明について下記合成例と実施例を挙げて説明するが、本発明は下記合成例と実施例に限定されない。合成例1250mLの丸底フラスコに5g45.8mmolの4-アミノフェノール、7g45.8mmolのフッ化セシウム及び30mLのジメチルスルホキシドを入れ、室温で攪拌した。ここに13.57g96.18mmolの4-フルオロニトロベンゼン4fluoronitrobenzeneを添加した後、150°Cで24時間攪拌した。この反応物を加熱したメタノールに沈殿させ、濾過を行った。濾液を室温まで冷却して収率81の沈殿物を得た。1HNMRδ934823821808805733730720717713710706703合成例2250mLの丸底フラスコに、合成例1で得た7.03g20mmolのジニトロ化合物、2gのPd/C5wt及び100mLのエタノールを入れる。混合物に30mLのヒドラジンモノハイドレートhydrazinemonohydrate98を添加し、100°Cで24時間攪拌した。濾過によってPd/Cを除去し、濃縮して収率84の生成物を得た。1HNMRδ726678664653648475合成例3250mLの丸底フラスコに4.44g10mmolの2,2-ビス-3,4-ジカルボキシルフェニルヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド、2.53mLのイソキノリン及び80mLのジメチルアセトアミドを入れ、室温で30分間攪拌する。合成例2で合成されたジアミン化合物2.91g10mmolを混合物に添加し、70°Cで2時間、160°Cで12時間攪拌した。反応物をメタノールに滴加し、溶媒を除去して収率98の高分子を得た。1HNMRδ839815810792770739736723702合成例4合成例3で得られたポリイミド0.699g、1mmolとピリジン0.475g、6mmolをテトラヒドフラン20mLに溶かした後、0°Cまで冷却する。塩化シンナモイルcinnamoylchloride0.592g、4mmolを溶かしたテトラヒドロフラン溶液を添加し、室温で24時間攪拌した。反応物をメタノールに滴加し、溶媒を除去して収率93の高分子を得た。1HNMRδ816795775766751736722708655図1のような有機メモリ素子を作るために、シリコン基板上に熱酸化反応によって絶縁膜SiO2を形成した後、その上に電子ビーム又は熱蒸着装置を用いて厚さ100乃至300nmのAl電極を形成した。その後、合成例4で調製された高分子をシクロペンタノン溶媒に溶解させた後、0.2μmのシリンジフィルターで濾過した溶液をAl電極にスピンコーティングspincoatingして高分子活性層polymeractivelayerを形成する。こうして形成された高分子活性層を真空状態で80°Cにて1時間熱処理して、電極上に、厚さ20乃至80nmの高分子活性層を有する薄膜を形成した。この際、活性層の厚さはアルファステッププロファイラーと楕円偏光器を用いて測定した。こうして作られた高分子活性層にフォトマスクを被覆した後、7.5J/cm2の紫外線を照射し、架橋していない部分を除去した。パターン化された高分子活性層にAl電極を、電子ビーム又は熱蒸着装置を用いて1nm乃至1000nmの厚さに蒸着させて有機メモリ素子を完成した。この際、蒸着される電極の厚さは水晶振動子モニターによって調節した。[実験例1]メモリ素子の特性試験実施例1で得られた有機メモリ素子の電気的特性を測定するために、半導体分析器に連結されたプローブステーションを用いた。高分子活性層の両端の電極にプローブステーションのタングステンチップを接触し、電圧印加による電流の変化を測定してスイッチング特性を評価した。図2のAl電極をベースとする有機メモリ素子の電圧-電流関係のグラフから分かるように、本発明に係る新規な光架橋性ポリイミド高分子を活性層として有するメモリ素子は、コンプライアンス電流が0.01Aの場合、低い電圧で低い電流状態、オフ状態を維持してから特定の電圧±1.5V内外でターンオンされて高い電流状態、オン状態を維持し、以後の繰り返された両方向スイープでも安定的にオン状態を維持する傾向を示した。ここで、ターンオンされる現象は、メモリの現象の中でも書き込み現象に相当する。このように書き込みされた状態でコンプライアンス電流を0.1Aとし、スイープを行う場合、オン状態を維持してから特定の電圧±0.5V内外でターンオフされて低い電流状態、オフ状態を維持し、以後の繰り返された両方向スイープでも安定的にオフ状態を維持する傾向を示した。ここで、ターンオフされる現象はメモリの現象のうち消去現象に相当する。すなわち、この素子はオン/オフ現象を示して書き込みと消去を自由に調節することができた。また、このメモリ素子は2つの抵抗状態オンオフ状態で、例えば2.0Vでオン状態の場合には電流が約1.0×10-2A、オフ状態の場合には1.0×10-7Aであり、オン-オフ状態の電流比が105乃至106と非常に安定したメモリ素子の特性を示した。"