"酸化物半導体からなる半導体層と、銅を主体とする層であるソース電極およびドレイン電極と、上記半導体層と、上記ソース電極および上記ドレイン電極の各々との間に設けられた酸化物反応層と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。上記半導体層は、酸化物反応層を介して、ソース電極およびドレイン電極の各々と低抵抗のオーミック接合性を有する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。上記酸化物反応層と上記半導体層との間に高コンダクタンス層を有する、請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。上記半導体層は、酸化物反応層および高コンダクタンス層を介して、ソース電極およびドレイン電極の各々と低抵抗のオーミック接合性を有する、請求項3に記載の薄膜トランジスタ。上記半導体層は、非晶質のInGaZnOxである、請求項1から4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ。上記高コンダクタンス層はIn濃化層である、請求項5に記載の薄膜トランジスタ。上記ソース電極および上記ドレイン電極は、CuMn合金からなる、請求項1から6の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ。上記酸化物反応層は、MnOxを主体とする層である、請求項1から7の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ。上記酸化物反応層は、Cu,In,Ga,Znを含む、請求項8に記載の薄膜トランジスタ。上記酸化物反応層は、ソース電極およびドレイン電極の表層を形成するCuMnに接して設けられている、請求項1から9の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ。本発明は、上記の従来技術の問題点を解決すべくなされたもので、半導体層と電極との間の密着性を向上させることができるとともに、その間のオーミック接合性をより良好なものして薄膜トランジスタの高速動作を実現させ、また電極表面の酸化をより確実に防止することができ、さらに電極の製造工程を少ないプロセスで実現することができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。以下に、本発明の目的を達成するための手段1~10を例示する。1酸化物半導体からなる半導体層と、銅を主体とする層であるソース電極およびドレイン電極と、上記半導体層と、上記ソース電極および上記ドレイン電極の各々との間に設けられた酸化物反応層と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。21において、上記半導体層は、酸化物反応層を介して、ソース電極およびドレイン電極の各々と低抵抗のオーミック接合性を有する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。31または2において、上記酸化物反応層と上記半導体層との間に高コンダクタンス層を有する薄膜トランジスタ。43において、上記半導体層は、酸化物反応層および高コンダクタンス層を介して、ソース電極およびドレイン電極の各々と低抵抗のオーミック接合性を有する薄膜トランジスタ。51から4において、上記半導体層は、非晶質のInGaZnOxである薄膜トランジスタ。65において、上記高コンダクタンス層はIn濃化層である薄膜トランジスタ。71から6の何れかにおいて、上記ソース電極および上記ドレイン電極は、CuMn合金からなる薄膜トランジスタ。81から7の何れかにおいて、上記酸化物反応層は、MnOxを主体とする層である薄膜トランジスタ。98において、上記酸化物反応層は、Cu,In,Ga,Znを含む薄膜トランジスタ。101から9の何れかにおいて、上記酸化物反応層は、ソース電極およびドレイン電極の表層を形成するCuMnに接して設けられている薄膜トランジスタ。本発明によれば、酸化物半導体からなる半導体層と、ソース電極およびドレイン電極の各々との間に酸化物反応層を設けたので、半導体層とソース電極およびドレイン電極の各々との間の密着性を向上させることができる。また、半導体層は、その酸化物反応層を介して、ソース電極およびドレイン電極の各々と低抵抗のオーミック接合性を有するようになり、薄膜トランジスタの高速動作を可能にする。また、電極表面に酸化物反応層が形成されるので、銅を主体とする電極の酸化を防止することができる。さらに、電極の製造工程を短縮し、TFT製造工程の簡略化に寄与し、製造コストを低減することができる。また、酸化物反応層と半導体層との間にさらに高コンダクタンス層を設けたので、上記のオーミック接合性を一層向上させることができ、薄膜トランジスタの動作をより一層高速化することができる。以下にこの発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明に係る薄膜トランジスタの断面構造を示す図である。図1において、薄膜トランジスタTFT10は、例えば液晶ディスプレイや有機ELElectroLuminescenceディスプレイなどの表示駆動を行う駆動素子として機能し、例えばボトムゲート型の構造を有している。薄膜トランジスタ10は、ガラスやプラスチックなどよりなる基板1上の選択的な領域にゲート電極2を有しており、このゲート電極2と基板1とを覆うように、ゲート絶縁膜3が形成されている。ゲート絶縁膜3上には半導体層4が設けられ、この半導体層4に部分的に接して所定のパターンでソース電極5およびドレイン電極6が配設されている。そして、ソース電極5、ドレイン電極6および半導体層4上に保護膜パッシベーション膜7が積層されている。ゲート電極2、ソース電極5およびドレイン電極6は、銅合金であるCuMnで形成されている。このCuMn膜はスパッタリングで製膜した後に、250°Cに適量の酸素雰囲気中で熱アニールを行った。なお、ゲート電極2、ソース電極5およびドレイン電極6は、少なくとも表層部がCuMnから成っておればよく、全体としては、例えばCuMn/Cu/CuMnのように、内部がCuから形成されているものでもよい。ゲート絶縁膜3および保護膜7は、酸化シリコンSiOxで形成されている。半導体層4は、酸化物半導体であり、非晶質のInGaZnOxa-IGZOで形成されている。この半導体層4と、ソース電極5およびドレイン電極6の各々とは、上記のように、部分的に互いに接している領域を有しており、その領域での界面は、本発明に特有の構成を備えている。この界面構造について、図2、図3および図4を用いて説明する。なお、図2、図3および図4では、半導体層4とソース電極5との間の界面構造について説明するが、半導体層4とドレイン電極6との間の界面構造図1のB-B断面についても、同様の構造を有しており、ここではB-B断面の説明は省略する。図2は半導体層とソース電極との界面を示し、図1のA-A断面図である。この図2に示すように、半導体層4とソース電極5との間の界面20においては、半導体層4に接してIn濃化層21が形成され、またこのIn濃化層21に接して酸化物反応層22が形成されている。図3は熱アニール前後の酸化物半導体とソース電極、およびその界面でのSIMS分析の結果を示す図である。左側の図3aはアズデポ時であり、熱アニール前のSIMS分析結果を示し、右側の図3bは熱アニール後のSIMS分析結果を示している。図3aに示す熱アニール前の段階では、界面に酸化物反応層22等は形成されていないことが判る。図3bは、250°C1時間の熱アニール後である。a-IGZOからなる半導体層4と、CuMnからなるソース電極5との界面20には、熱拡散により酸化物反応層22とIn濃化層21とが形成されている。酸化物反応層22は、ソース電極5の構成元素であるMnの酸化物であるMnOxを主体とした層であり、半導体層4の構成元素であるIn,Ga,Znを含み、またソース電極5の構成元素であるCuをも含んでいる。In濃化層21は、酸化物反応層22と半導体層4との間に形成され、半導体層4の構成元素であるInが濃化している。この酸化物反応層22とIn濃化層21とからなる界面20における組成分布を見ると、この界面20によってソース電極5のCuが半導体層4へ拡散するのが抑制され、また半導体層4のIn,Ga,Znがソース電極5へ拡散するのが抑制され、界面20がバリア層として機能していることが分かる。また、この界面20によって、半導体層4とソース電極5との間の密着性が大幅に向上する。図4は熱アニール後の酸化物反応層と半導体層との間の断面を示す電子顕微鏡写真である。この図4において、半導体層4と酸化物反応層22との間の界面20は、数nmの厚みを有し、酸化物反応層22とIn濃化層21とが形成されている。In濃化層21には、Inの微結晶粒が多数観測された。次に、図5、図6を用いて本発明に係る薄膜トランジスタ10の電気的特性について説明する。図5は、半導体層と、ソース電極およびドレイン電極の各々との間での電圧-電流特性を示す図である。電極にAlを用いた場合を破線で示し、CuMn合金を用いた場合を実線で示している。電極にAlを用いた場合は、電圧―電流特性に非線形性が見られるが、電極にCuMn合金を用いた場合、その電圧―電流特性は線形である。これは、電気的にオーミック接合性を有することを実証している。CuMn合金の場合、Cu-4at.Mnでは、抵抗率が1.2~2.9×10-4Ωcm2であった。このように、半導体層4は、その酸化物反応層22およびIn濃化層21を介して、ソース電極5およびドレイン電極6の各々と低抵抗のオーミック接合性を有するようになり、薄膜トランジスタ10の高速動作を可能にする。この低抵抗化は、半導体層4を形成するa-IGZO層側に接して形成されたIn濃化層21が、低抵抗のna-IGZO層として作用し、高コンダクタンス層となっているのが大きな要因であると推測される。図6は、本発明の薄膜トランジスタの特性を示す図で、aはIDS対VGS伝達特性を示すグラフ、bはさまざまなVGにおけるIDs対VDs出力特性を示すグラフである。この図6から、移動度7.62cm2/Vs、しきい値8.2V、オン/オフ比107が得られた。これらの値から、本発明の薄膜トランジスタ10の移動度は、現状のa-SiTFTに比べて、約10倍であることを実証できた。さらに、高精細化平面ディスプレイを駆動するに十分な性能を有することを示している。以上述べたように、本発明によれば、酸化物半導体からなる半導体層4と、ソース電極5およびドレイン電極6の各々との間に酸化物反応層22およびIn濃化層21を設けたので、半導体層4とソース電極5およびドレイン電極6の各々との間の密着性を向上させることができる。また、半導体層4は、その酸化物反応層22およびIn濃化層21を介して、ソース電極5およびドレイン電極6の各々と低抵抗のオーミック接合性を有するようになり、薄膜トランジスタ10の高速動作を可能にする。また、電極表面に酸化物反応層22およびIn濃化層21が形成されるので、銅を主体とする電極の酸化を防止することができる。さらに、電極の製造工程を短縮し、TFT製造工程の簡略化に寄与し、製造コストを低減することができる。また、酸化物反応層22と半導体層4との間のIn濃化層21が、高コンダクタンス層となるので、オーミック接合性を一層向上させることができ、薄膜トランジスタ10の動作をより一層高速化することができる。また、半導体層4が酸化物半導体でありa-IGZOの場合、酸化物反応層22と半導体層4との間のIn濃化層21は、na-IGZOとして作用すると考えられる。一般に、na-IGZOの形成にはキャリア濃度の高い半導体膜を成膜したり、ドーピングによってキャリア濃度を高くしている。本発明では、熱アニールによってna-IGZOを自己形成することが可能であり、na-IGZO形成プロセスを簡略化することができる。なお、上記の説明では、In濃化層21が半導体層4と酸化物反応層22との間に形成される場合について説明したが、界面20に酸化物反応層22のみが形成されるようにしてもよく、この場合も、密着性向上、良好なオーミック接合性、電極の酸化防止、製造工程の短縮化といった諸効果を同様に発揮することができる。"