酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる、ことを特徴とする光検出素子用透明電極膜。前記酸化物透明電極膜が、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比が0.02~0.1の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が2.0×103Ωcm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価金属酸化物が、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタルおよび低原子価酸化モリブデンから選ばれることを特徴とする、請求項1または2に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価酸化チタンが、一般式:TiO2XX=0.1~1で表されることを特徴とする、請求項3に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価酸化チタンがTiOII、Ti2O3III、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9およびTi8O15から選ばれることを特徴とする、請求項3または4に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価酸化ニオブがNbOII、Nb2O3IIIおよびNbO2IVから選ばれることを特徴とする、請求項3に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価酸化タンタルがTaO2およびTa2O3IIIから選ばれることを特徴とする、請求項3に記載の光検出素子用透明電極膜。低原子価酸化モリブデンがMoO2およびMo2O3IIIから選ばれることを特徴とする、請求項3に記載の光検出素子用透明電極膜。前記光検出素子用透明電極膜の波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜。前記光検出素子用透明電極膜の波長780~1500nmにおける平均光透過率が80以上であり、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜。一対の電極と、該電極間に狭持された光検知材料層とを有する光検出素子において、該電極のうち少なくとも一方は、請求項1~10のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜であることを特徴とする光検出素子。前記光検知材料層は、赤外線検知材料層であることを特徴とする請求項11に記載の光検出素子。上記ITO膜や、酸化インジウムを主成分としチタン等のドーパントを添加した酸化インジウム系膜や、アルミニウムやガリウムをドーパントした酸化亜鉛ZnO系膜は、i低抵抗で可視光領域での透過率が高いが、近赤外領域での透過率が低い、ii低抵抗で可視光領域での透過率も近赤外領域の透過率も高いが、希少金属のインジウムを主成分として用いる必要があるため、資源問題を抱えており、極めてコスト高になってしまうという大きな2つの問題点があった。これらの問題により、上記ITO膜や酸化亜鉛膜を光入射側の電極に用いた光検出素子では、赤外線を光検知材料層に入射させる割合が小さく、赤外光検出の感度が悪かった。酸化物透明電極膜による赤外線の反射や吸収は、キャリア電子濃度が大きいほど大きくなるから、これらのITO膜や酸化亜鉛ZnO膜で近赤外領域での透過率が低いのは、低抵抗の裏返しとしてキャリア電子濃度が高いためと考えられる。本発明は、上記課題を克服することを目的に提案された材料を使用するものであり、前提条件として、インジウムのような希少金属レアメタルを一切使用せず、極めて安価であり、電極の役割を担いながら、赤外線を入射電極内で減衰することなく赤外線検知材料層まで効率よく届かせることができ、従来よりも微弱な赤外線を検出できる光検出素子を実現することを目的とする。すなわち、本発明の課題は、可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、およびそれを備えた光検出素子を提供することである。本発明者は、上記問題を解決すべく種々検討した結果、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物を含有したターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であって、酸化亜鉛に低原子価金属が、低原子価金属/亜鉛の原子数比で0.02~0.1の割合で置換され、酸化物透明電極膜の比抵抗が2.0×103Ωcm以下である酸化物透明電極膜は、近赤外領域の透過性に優れて、該酸化物透明電極膜を光検出素子の光入射側の電極に用いると、赤外光検出の感度が向上するという知見を得て、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の構成からなる。1酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる、ことを特徴とする光検出素子用透明電極膜。2前記酸化物透明電極膜が、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜された酸化物透明導電膜であり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比が0.02~0.1の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が2.0×103Ωcm以下であることを特徴とする、前記1に記載の光検出素子用透明電極膜。3低原子価金属酸化物が、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタルおよび低原子価酸化モリブデンから選ばれることを特徴とする、前記1または2に記載の光検出素子用透明電極膜。4低原子価酸化チタンが、一般式:TiO2XX=0.1~1で表されることを特徴とする、前記3に記載の光検出素子用透明電極膜。5低原子価酸化チタンがTiOII、Ti2O3III、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9およびTi8O15から選ばれることを特徴とする、前記3または4に記載の光検出素子用透明電極膜。6低原子価酸化ニオブがNbOII、Nb2O3IIIおよびNbO2IVから選ばれることを特徴とする、前記3に記載の光検出素子用透明電極膜。7低原子価酸化タンタルがTaO2およびTa2O3IIIから選ばれることを特徴とする、前記3に記載の光検出素子用透明電極膜。8低原子価酸化モリブデンがMoO2およびMo2O3IIIから選ばれることを特徴とする、前記3に記載の光検出素子用透明電極膜。9前記光検出素子用透明電極膜の波長780~1500nmにおける平均光透過率が85以上であることを特徴とする、前記1~8のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜。10前記光検出素子用透明電極膜の波長780~1500nmにおける平均光透過率が80以上であり、表面抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする、前記1~8のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜。11一対の電極と、該電極間に狭持された光検知材料層とを有する光検出素子において、該電極のうち少なくとも一方は、前記1~10のいずれかに記載の光検出素子用透明電極膜であることを特徴とする光検出素子。12前記光検知材料層は、赤外線検知材料層であることを特徴とする前記11に記載の光検出素子。本発明によれば、可視光領域だけでなく近赤外線領域の透過性に優れ、しかも低抵抗値を有し、希少金属を一切有さず、資源問題がなく安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、および該光検出素子用透明電極膜を備えた光検出素子を提供することができ、産業上極めて有用な発明といえる。本発明の光検出素子用透明電極膜を光入射側の電極に用いた光検出素子は、微弱な赤外線を検出でき、感度も高く、特に光通信の分野で極めて有用である。本発明の酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛に、ドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなり、光検出素子に用いられるものである。該膜を光入射側の電極に用いた光検出素子は、微弱な赤外線を検出でき、感度も高くすることができる。該膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法にて成膜することができる。例えば、スパッタリング法では、原料であるスパッタリングターゲットとして低原子価金属酸化物をドーパントの原料として用いた酸化亜鉛系酸化物焼結体ターゲットを用い、スパッタリング装置内に基板と前記ターゲットを配置し、酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基板を所定の温度で加熱し、この基板と前記ターゲットとの間に電界を印加してターゲット基板間にプラズマを発生させることによって、酸化亜鉛の亜鉛の一部を低原子価金属で置換した酸化物透明電極膜を基板上に作製することができる。一方、イオンプレーティング法では、原料であるイオンプレーティング用タブレットとして、低原子価金属を含む酸化亜鉛系酸化物焼結体タブレットを用い、イオンプレーティング装置内に基板と、前記タブレットを銅ハース内に配置し、酸素ガスを含むアルゴン不活性ガス雰囲気中で、前記基板を所定の温度で加熱し、前記銅ハースから電子銃を用いてタブレットを蒸発させ、基板付近でプラズマを発生させることによって、タブレット蒸気をイオン化し、酸化亜鉛の亜鉛の一部を低原子価金属で置換した酸化物透明電極膜を基板上に作製することができる。なお、上記ターゲットまたはタブレット中の低原子価金属の含有量を変えることにより、膜中の低原子価金属の含有量を変化させることができる。この時、作製される酸化物透明電極膜の構造や結晶性は、膜中の低原子価金属の含有量、基板加熱温度、不活性ガス雰囲気中の酸素分圧、成膜速度等の成膜条件に依存する。このような方法は一例であるが、こうして、酸化亜鉛を主成分として低原子価金属酸化物を含有する酸化物透明電極膜、すなわち本発明の酸化物透明電極膜を得ることができる。なお、以下、このような成膜の際に用いる固形材料のことをターゲットまたはタブレットと称する場合もあるが、これらを含め単にターゲットと称する場合もある。本発明における低原子価金属酸化物をドーパントの原料として用いたターゲットまたはタブレットは、実質的に亜鉛と、低原子価金属を含む酸化物焼結体である。ここで、実質的とは、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、低原子価金属および酸素からなることを意味する。酸化物焼結体においては、低原子価金属の原子数が全金属原子数に対して2以上10以下の割合で含有されることが好ましく、さらに好ましくは、低原子価金属の原子数が全金属原子数に対して3以上9以下となる割合、より好ましくは3以上6以下となる割合で含有される。この低原子価金属の原子数の割合が2未満となると、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性などの化学的耐久性が不充分となるおそれがある。一方、低原子価金属の原子数の割合が10を超えると、低原子価金属が亜鉛サイトに十分置換固溶できなくなり、この酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が不充分となるおそれがある。ここで、全金属原子数とは、酸化物焼結体を作製するために用いる原料粉末に含まれる全金属原子数であり、全金属原子数の約90~98を亜鉛が占める。そのため、ターゲットまたはタブレットにおいて、酸化亜鉛が主成分となる。低原子価金属は単成分である必要なく、低原子価金属の複数成分であっても構わない。酸化物焼結体は、原子数比でX/ZnXの値が0.02以上0.1以下式中、Xは、チタン、ニオブ、タンタルおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも1種を示すである、すなわち実質的に低原子価金属酸化物の結晶相を含有しない。原子数比でX/ZnXの値が0.02未満である酸化物焼結体では、通常、低原子価金属が酸化亜鉛に完全に反応するため、酸化物焼結体中に低原子価金属酸化物の結晶相は生成されず、原子数比でX/ZnXの値が0.1を超える酸化物焼結体では、一般に、低原子価金属が酸化亜鉛へ反応しきれないため、酸化物焼結体中に低原子価金属酸化物が生じやすくなる。しかし、酸化物焼結体に低原子価金属酸化物の結晶相が含まれていると、得られる膜が、比抵抗などの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがあるため、酸化物焼結体では、X/ZnXの値を上記範囲内とするのが好ましく、実質的に低原子価金属酸化物の結晶相を含有しない。ここで、低原子価金属酸化物の結晶相としては、例えば、酸化チタンの結晶相、酸化ニオブの結晶相、酸化タンタルの結晶相、酸化モリブデンの結晶相などが挙げられる。酸化チタンの結晶相とは、具体的には、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化ニオブの結晶相とは、具体的には、Nb2O5、NbO2、Nb2O3NbOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化タンタルの結晶相とは、具体的には、Ta2O5、TaO2、Ta2O3、TaOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化モリブデンの結晶相とは、具体的には、MoO3、MoO2、Mo2O3のほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものとする。酸化物焼結体は、ニオブ源として、原子価が2価、3価または4価である低原子価ニオブ元素を、タンタル源として、原子価が2価、3価または4価である低原子価タンタル元素を用い、チタン源としては各種原子価であればよく、モリブデン源として、原子価が3価または4価の低原子価モリブデン元素を用い、例えば、これらの低原子価金属の酸化物粉末を酸化亜鉛粉末と混合しプレス成形されるのが好ましい。低原子価金属酸化物は、低原子価酸化チタン、低原子価酸化ニオブ、低原子価酸化タンタルおよび低原子価酸化モリブデンから選ばれる少なくとも1つであるのが好ましい。具体的には、低原子価酸化チタンとは、TiO、Ti2O3IIIのように、原子価が2価または3価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンをいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの1種を単独で用いてもよく、または2種以上の混合物を用いてもよい。なかでも、特にTi2O3IIIの粉末を用いるのが好ましい。これは、Ti2O3のイオン半径が0.67Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであるため、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記一般式:TiO2XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。低原子価酸化ニオブとしては、例えば、酸化ニオブII、酸化ニオブIII、酸化ニオブIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。低原子価酸化タンタルとしては、例えば、酸化タンタルII、酸化タンタルIII、酸化タンタルIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。低原子価酸化モリブデンとしては、例えば、酸化モリブデンIII、酸化モリブデンIVなどが挙げられ、それぞれ単独で用いてよいし、2種以上を併用してもよい。なお、前記低原子価酸化金属の構造は、X線回折装置XRayDiffraction、XRD、X線光電子分光装置XrayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析によって確認することができる。以上のような酸化物焼結体は、後述する酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法によって好ましく得られるが、該製造方法により得られたものに限定されるわけではない。通常、酸化物焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、得られる酸化物焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。酸化物焼結体は、酸化物焼結体の相対密度が93以上、好ましくは95~100であるのがよい。ここで、相対密度とは、酸化物焼結体の密度を理論密度で除し、100を掛けたものと定義する。相対密度が93未満であると、焼結体の特徴である、成膜速度が速い、安定な成膜が可能という特徴を損なわれるおそれがある。酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法酸化亜鉛系酸化物焼結体の製造方法は、下記AおよびBのうち少なくとも1種を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を焼結することにより、上述した酸化物焼結体を得る方法である。A低原子価金属酸化物粉と、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉以下、酸化亜鉛粉または水酸化亜鉛粉を酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉という場合があるとの混合粉B亜鉛と低原子価金属酸化物化合物粉低原子価金属酸化物と酸化亜鉛が固相反応によって生成する複合酸化物粉前記原料粉末の具体例としては、前記した低原子価金属酸化物粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉か、または亜鉛と低原子価金属酸化物化合物粉を含むものであればよい。低原子価金属酸化物粉は、低原子価酸化チタン粉、低原子価酸化ニオブ粉、低原子価酸化タンタル粉および低原子価酸化モリブデン粉から選ばれる少なくとも1つであるのが好ましい。前記低原子価酸化モリブデン粉としては、MoO2、Mo2O3等の粉末を用いることができ、特に、Mo2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Mo2O3のイオン半径が0.69Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åである。亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記低原子価酸化ニオブ粉としては、例えば、NbO2、NbO、Nb2O3等の粉末を用いることができ、特に、Nb2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Nb2O3のイオン半径は0.72Åであり、亜鉛のイオン半径は0.74Åであるので、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記低原子価酸化タンタル粉としては、例えば、TaO2、TaO、Ta2O3等の粉末を用いることができ、特に、Ta2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ta2O3のイオン半径が0.72Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであり、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記低原子価酸化チタン粉とは、TiO、Ti2O3IIIのように、原子価が2価または3価の整数であるチタン元素の酸化物だけでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等をも含む一般式:TiO2XX=0.1~1で表される新規な低原子価酸化チタンの粉末をいう。この低原子価酸化チタンの粉末は、前記一般式で表される酸化チタンの1種を単独で用いてもよく、または2種以上の混合物を用いてもよい。なかでも、特にTi2O3IIIの粉末を用いるのが好ましい。これは、Ti2O3のイオン半径が0.67Åであり、亜鉛のイオン半径が0.74Åであるため、亜鉛のイオン半径と極めて近く固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。低原子価金属酸化物化合物粉低原子価金属酸化物と酸化亜鉛が固相反応によって生成する複合酸化物粉の具体例としては、ニオブ酸亜鉛化合物粉、タンタル酸亜鉛化合物粉、モリブデン酸亜鉛化合物粉などが挙げられる。前記ニオブ酸亜鉛化合物粉としては、例えば、Zn3Nb2O8、ZnNb2O6、Zn4Nb2O9等の粉末を用いることができ、特に、Zn3Nb2O8の粉末を用いるのが好ましい。前記タンタル酸亜鉛化合物粉としては、例えば、ZnTa2O6、Zn3Ta2O8、Zn4Ta2O9等の粉末を用いることができ、特に、Zn3Ta2O8の粉末を用いるのが好ましい。前記モリブデン酸亜鉛化合物粉酸化亜鉛と低原子価酸化モリブデンとの固相反応による複合酸化物としては、例えば、ZnMoO4、Zn2Mo3O8、Zn3Mo2O9、ZnMo2O7、ZnMoO3、ZnMoO4、Zn3Mo3O8、ZnMo8O10、ZnMoO3等の粉末を用いることができ、特に、ZnMoO3の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ1μm以下であることが好ましい。酸化物焼結体が酸化亜鉛と酸化モリブデンとを含む場合、すなわち前記原料粉末として低原子価酸化モリブデン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合もしくは低原子価酸化モリブデン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とモリブデン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnXの値、すなわちMo/ZnMoの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はモリブデンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとMoとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。酸化物焼結体が酸化亜鉛と酸化ニオブと酸化タンタルとを含む場合、すなわち前記原料粉末が、低原子価酸化ニオブ粉と低原子価酸化タンタル粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とからなる原料粉末である場合、もしくは低原子価酸化ニオブ粉および/または低原子価酸化タンタル粉と、酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉と、ニオブ酸亜鉛化合物粉および/またはタンタル酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合低原子価酸化ニオブ粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とニオブ酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合、および低原子価酸化タンタル粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とタンタル酸亜鉛化合物粉とからなる原料粉末である場合を除くの各原料粉末の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnXの値、すなわちNbTa/ZnNbTaの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はニオブに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとNbおよびTaとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。前記原料粉末として低原子価酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉との混合粉を用いる場合、もしくは低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉水酸化亜鉛粉とチタン酸亜鉛化合物粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比で上記X/ZnXの値、すなわちTi/ZnTiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比よりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。本発明では、低原子価金属酸化物を用いるものであるから、大気雰囲気中でのアニール処理を施すと、いずれも酸化されて主原子価例えば、ニオブは5価、タンタルは5価、チタンは4価、モリブデンは6価になってしまう。そのため、不活性雰囲気または還元雰囲気で焼結されるのが好ましい大気雰囲気焼結その後、還元アニールも含める。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、不活性雰囲気または還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、不活性雰囲気または還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末は成形される前に、粉砕処理が施されてもよい。粉砕処理が施されることで、原料粉末は幅の狭い粒度分布に整えられ、後述する焼結において、均一に固相焼結させることができ、密度の高い酸化物焼結体を得ることができる。粉砕処理する方法としては、特に限定されず、例えば、メディアを使用する場合、ビーズミル、ボールミル、遊星ミル、サンドグラインダー、振動ミルまたはアトライター等の装置を備えた粉砕機による方法、メディアを使用しないジェットミル、ナノマイザー、スターバースト等の湿式超高圧微粒化装置による方法などが挙げられる。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。水系溶媒は、水を主成分とし、水単独であってもよいし、水とメタノール、エタノールなどのアルコールなどとの混合物であってもよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、大気雰囲気、不活性雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、600~1500°Cで行なう。そして、大気雰囲気または酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この大気雰囲気中または酸化雰囲気中で焼結した後に施す還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなり、一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、1000°Cまでは5~10°C/分とし、1000°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、熱間等方圧加圧法HIP法、冷間等方圧加圧法CIP法、マイクロ波焼結法、ミリ波焼結法等を採用することができる。前記アニール処理を施す際の還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成Znと金属との原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。前記アニール処理を施す際の不活性雰囲気、還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。ターゲット本発明におけるターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。本発明におけるターゲットまたはタブレットは、上述した酸化亜鉛系酸化物焼結体を加工してなる。加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化亜鉛系酸化物焼結体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明におけるターゲットまたはタブレットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。本発明の酸化物透明電極膜の形成方法は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法により成膜を行うのが好ましいが、その際の具体的手法や条件などについては、上述したターゲットを用いること以外、特に制限はなく、公知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法の手法や条件を適宜採用すればよい。以上のようにして、本発明の光検出素子に用いる酸化物透明電極膜が形成される。本発明の酸化物透明電極膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、好ましくは50~600nm、より好ましくは100~500nmである。50nm未満であると、充分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、600nmを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。上記特性を有する膜は、近赤外領域での透過率が極めて高く、低抵抗であるため太陽電池の透明電極としても有用である。本発明の光検出素子は、一対の電極と、該電極間に挟持された光検知材料層とを有し、該電極のうち少なくとも一方が上述した酸化物透明電極膜である。このような光検出素子は、一対の電極との間の電気容量の変化を測定することにより、入射光による光検知材料層の分極率の変化を検出して、入射光を検出する。一対の電極としては、少なくとも一方の電極が上述した酸化物透明電極膜であれば特に限定されず、入射光側の電極が酸化物透明電極膜であるのが好ましく、例えば、両電極が酸化物透明電極膜であってもよい。一対の電極のうち一方が酸化物透明電極膜である場合、他方の電極としては、例えばアルミニウム等の金属薄膜など、従来から光検出素子に用いられている電極を採用すればよい。光検知材料層としては、所望する検出対象に応じて公知の材料を適宜選択すればよく、特に限定されないが、本発明の効果を有意に発揮するうえでは、赤外光を検出対象とする赤外線検知材料層であるのが好ましい。赤外線検知層の材質としては、公知のものを用いればよく、例えば、GeやInGeAsをベースとした半導体材料フォトダイオードPDやアバランシェフォトダイオードAPD;アルカリ土類金属元素の硫化物あるいはセレン化物に、Eu、Ce、Mn、Cuの中から選ばれる1種類以上の元素と、Sm、Bi、Pbの中から選ばれる1種類以上の元素とを添加した材料;非晶質珪素ゲルマニウムと非晶質珪素との積層体を用いたAPDなどが挙げられる。光検出素子の製造方法は、特に限定されず、例えば、基板上に酸化物透明電極膜を形成した透明導電性基板を上述したように作製し、該透明導電性基板の酸化物透明電極膜上に光検知材料層を形成した後、該光検知材料層の上に他方の電極を形成する方法などが挙げられる。基板としては、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス、耐熱性透明樹脂ポリイミド、ポリアミド等などが挙げられる。酸化物透明電極膜以外の電極や光検知材料層の形成方法やそれらの膜厚等については、特に制限されず、従来公知の方法に基づき適宜実施すればよい。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗Ω/□は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。実施例1酸化亜鉛粉末ZnO;和光純薬工業株製、特級および酸化チタン粉末TiOII;株高純度化学研究所製、純度99.99を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3となる割合で混合し、原料粉末の混合物を得た。次いで、得られた混合物を金型に入れ、一軸プレスにより成形圧500kg/cm2にて成形し、直径80mm、厚さ5mmの円盤状の成形体を得た。この成形体を常圧101325Paのアルゴン雰囲気下、1000°Cで4時間アニールして、酸化物焼結体1を得た。得られた酸化物焼結体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の結晶相の混合物であり、酸化チタンの結晶相は全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体1を50mmφの円盤状に加工することにより、ターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により基材上に透明導電膜を成膜した透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記ターゲットと透明基材石英ガラス基板;コーニング社製の無アルカリガラス1737、厚さ0.7mmとをそれぞれ設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~1500nmで平均89であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~1500nmにおける透過率は平均94であった。波長190nm~2500nmの範囲における透明導電性基板の直線透過率を図1に示す。図1から明らかなように、可視光領域だけでなく近赤外線領域780nm~1500nmにおける光透過率は非常に高かった。比較例1平均粒径が1μmの酸化亜鉛粉末97.7重量部と、平均粒径が0.2μmの酸化アルミニウム粉末23重量部とを、ポリエチレン製ポットに入れ、乾式ボールミルを用いて72時間混合し、原料粉末の混合物を得た。得られた混合物を金型に入れ、成形圧300kg/cm2の圧力でプレスを行い、成形体を得た。この成形体に3ton/cm2の圧力でCIPによる緻密化処理を施した後、以下の条件で焼結して、アルミニウムドープ酸化亜鉛の酸化物焼結体C1を得た。焼結温度:1500°C昇温速度:50°C/時間保持時間:5時間焼結雰囲気:大気中得られた酸化物焼結体C1は、X線回折で分析したところ、ZnOとZnAl2O4との2相の混合組織であった。次に、得られた酸化物焼結体C1を4インチφ、6mmtの形状に加工し、インジウム半田を用いて無酸素銅製バッキングプレートにボンディングすることにより、ターゲットを作製した。そして、このターゲットを用いて、以下の条件でスパッタリング法による成膜を行い、透明基材石英ガラス基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成し、透明導電性基板を得た。形成した膜中のAl含有量は2.3重量であった。装置:dcマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°C到達真空度:5×105Paスパッタリングガス:Arスパッタリングガス圧:0.5PaDCパワー:300W得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.1×104Ωcmであり、表面抵抗は8.2Ω/□であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~1500nmで平均72であった。波長190nm~2500nmの範囲における透明導電性基板の直線透過率を図1に示す。図1から明らかなように、可視光領域の透過率は高いが、近赤外線領域780nm~1500nmにおける光透過率は低かった。実施例1と同様の透明基板コーニング社製無アルカリガラス1737、厚さ0.7mm上に、通常のスパッタリング法により以下の成膜条件で、膜厚100nmとなるように、ITO膜を形成した。スパッタリング成膜条件装置:DCマグネトロンスパッタ装置磁界強度:1000Gaussターゲット直上、水平成分基板温度:200°Cスパッタリングガス:Ar、O2スパッタリングガス圧:0.5Pa酸素分圧:0.0~3.0DCパワー:100W得られたITO膜の比抵抗は、2.0×104Ωcmであり、シート抵抗は20Ω/□であった。得られたITO膜付き基板の透過率について、波長190nm~2500nmの範囲における直線透過率を図1に示す。図1に示すように、ITO膜付き基板では、可視領域波長400~780nmにおける透過率については優れているが、近赤外領域780nm~1500nmの透過率は平均72程度であった。実施例2以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図2は本発明の一実施形態に係る光検出素子を示す略示断面図である。ガラス基板1上に光入射側の透明電極2として、透明導電膜を実施例1と同様にして、スパッタリング法で200nmほど形成した。この透明導電膜上に、Eu2O3とSm2O3を200ppm添加したCaSの焼結体ペレットを用いて、電子ビーム蒸着法により基板温度500°Cにて、1μmほどのEuとSmをドープしたCaSの光検知材料層3を形成した。最後に、光検知材料層3の上に裏面電極4としてアルミニウム膜をスパッタリング法で形成した。比較例3光入射側の透明電極2として、比較例2と同様にして膜厚200nmのITO膜を用いた以外は、実施例2と同様の条件、方法、寸法で光検出素子を作製した。実施例2および比較例3で得られた光検出素子のそれぞれについて、一定の波長強度の赤外線を入射したときの透明電極と裏面電極間の電気容量の変化を測定して比較したところ、比較例3の光検出素子よりも実施例2の光検出素子のほうが著しく大きく、本発明の光検出素子は、赤外線感度が良好であることがわかった。以上のように、本実施例で得られた光検出素子の特性は、従来のITO膜を用いた光検出素子の特性よりはるかに優れていることが確認できた。このことは、本発明の酸化物透明電極膜が、可視光だけでなく赤外線の透過率も高いため、光検知材料層に赤外線がより多く入射することができたからであると考えられる。本発明の酸化物透明電極膜は、赤外線領域だけでなく可視光領域での透明度も高いため、可視光検知素子と組み合わせることで、可視光の光検出素子も実現できる。また、アバランシェフォトダイオードやフォトダイオードを用いた光検知材料層を用いた光検出素子の場合でも、赤外線入射側の透明電極に本発明の酸化物透明電極膜を用いると、同様に赤外線感度を改善できる。