"光電変換素子とON状態およびOFF状態に制御されるスイッチング素子とを含む複数の画素を画素領域に格子状に配列したアレーと、前記画素の行のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子に接続されたゲート線と、前記画素の列のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子を介して前記光電変換素子に接続された信号線と、前記信号線のそれぞれに接続された信号検出回路と、前記スイッチング素子を前記ON状態にするパルス状信号を前記画素領域のうち前記行単位で設定された有効画素領域内の前記画素に接続された複数の前記ゲート線に順次出力して前記光電変換素子から画素情報を読み出すスキャン動作と、前記有効画素領域外の前記画素に接続された前記ゲート線のそれぞれに複数の前記パルス状信号を順次出力して前記有効画素領域外の前記画素の前記光電変換素子をリフレッシュするリフレッシュ動作と、を行うゲート制御回路と、を具備することを特徴とするX線平面検出器。前記ゲート制御回路はそれぞれ複数の前記ゲート線に接続された複数のゲート制御素子を含み、前記リフレッシュ動作のときに各前記ゲート制御素子は同位置に接続された前記ゲート線に同一の前記制御信号を同時に出力することを特徴とする請求項1に記載のX線平面検出器。前記リフレッシュ動作のときに隣り合う前記ゲート線を流れる前記制御信号は同時に前記ON信号とならないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のX線平面検出器。前記制御回路は前記スキャン動作のときに隣り合う2本の前記ゲート線を組として同時に前記ON信号を与え、前記リフレッシュ動作のときに隣り合う前記組に流れる前記制御信号は同時に前記ON信号とならないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のX線平面検出器。前記リフレッシュ動作のときの前記ON信号のパルス幅は前記スキャン動作のときの前記ON信号のパルス幅よりも短いことを特徴とする請求項1に記載のX線平面検出器。前記リフレッシュ動作のときに前記信号検出回路はリセット状態であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のX線平面検出器。光電変換素子とON状態およびOFF状態に制御されるスイッチング素子とを含む複数の画素を画素領域に格子状に配列したアレーと、前記画素の行のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子に接続されたゲート線と、前記画素の列のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子を介して前記光電変換素子に接続された信号線と、前記信号線のそれぞれに接続された信号検出回路と、を有するX線平面検出器の駆動方法において、前記スイッチング素子を前記ON状態にするパルス状信号を前記画素領域のうち前記行単位で設定された有効画素領域内の前記画素に接続された複数の前記ゲート線に順次与えて前記光電変換素子から画素情報を読み出すスキャン工程と、前記有効画素領域外の前記画素に接続された前記ゲート線のそれぞれに複数の前記パルス状信号を順次与えて前記有効画素領域外の前記画素の前記光電変換素子をリフレッシュするリフレッシュ工程と、を具備することを特徴とするX線平面検出器の駆動方法。TFTがONの状態のときに、蓄積された電荷が光電変換素子から読み出される。しかし、TFTは理想的なスイッチ素子ではないため、電荷の読み残しが発生する。TFTは有限な抵抗値Ron数Mオームを持つため、光電変換素子の容量CPDとの間で決まる時定数によって、所定の時間内に読み出させる電荷の量に制限を受ける。このため、十分な電荷を読み取るためには、TFTをONする時間を長くしなくてはいけない。したがって、スキャンしない残りの駆動線を駆動しないか、高速動作のためにTFTのON時間を短くしてしまうと、順次スキャンした任意のゲート線上の光電変換素子とそれ以外の光電変換素子とでは、ゲートスキャン後のオフセットレベルが異なる可能性がある。オフセットレベルが異なってしまうと、画像として境界が見える場合がある。この現象は、特に、部分駆動から全面駆動に切り替える場合に生じる可能性がある。そこで、部分駆動後にもう一度、全画面にわたり、TFTをONしてTFTをスイッチさせて電荷をリセットさせる方法がある。しかし、この方法では、さらに追加のリセット時間が必要となる。また、残りのゲート線を同時にONさせる方法もある。しかし、隣り合う複数本のゲート線を同時にONさせてしまうと、ON時に隣接画素へ電荷が誘導される。このため、順次スキャンした任意のゲート線上の光電変換素子とは、オフセットレベルが異なってしまい、同様に画像として境目が見える場合がある。特に、動画用途のようにゲインが高い設定では、この境目が顕著に見える。順次スキャンした任意のゲート線以外のゲート線でも十分な電荷を吐き出すためには十分なTFTのON時間が必要であり、そのため、短い時間に十分電荷を吐き出すために光電変換素子に掛かる電圧の極性を変えたりするなどの工夫が施されている。しかしながら、この方法も光電変換素子に印加する電圧の極性をフレーム単位で変化させなくてはならず、動作の安定性に欠ける場合がある。そこで、本発明が解決しようとする課題は、全画素領域の一部の有効画素領域のゲート線のみを順次スキャンして一部の光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、有効画素領域とそれ以外の無効画素領域でのオフセットレベルの差がない画像が得られるX線平面検出器を提供することである。上記課題を解決するため、一実施形態によるX線平面検出器は、光電変換素子とON状態およびOFF状態に制御されるスイッチング素子とを含む複数の画素を画素領域に格子状に配列したアレーと、前記画素の行のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子に接続されたゲート線と、前記画素の列のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子を介して前記光電変換素子に接続された信号線と、前記信号線のそれぞれに接続された信号検出回路と、前記スイッチング素子を前記ON状態にするパルス状信号を前記画素領域のうち前記行単位で設定された有効画素領域内の前記画素に接続された複数の前記ゲート線に順次出力して前記光電変換素子から画素情報を読み出すスキャン動作と、前記有効画素領域外の前記画素に接続された前記ゲート線のそれぞれに複数の前記パルス状信号を順次出力して前記有効画素領域外の前記画素の前記光電変換素子をリフレッシュするリフレッシュ動作と、を行うゲート制御回路と、を具備することを特徴とする。また、一実施形態によるX線平面検出器の駆動方法は、光電変換素子とON状態およびOFF状態に制御されるスイッチング素子とを含む複数の画素を画素領域に格子状に配列したアレーと、前記画素の行のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子に接続されたゲート線と、前記画素の列のそれぞれに対して設けられて前記スイッチング素子を介して前記光電変換素子に接続された信号線と、前記信号線のそれぞれに接続された信号検出回路と、を有するX線平面検出器の駆動方法において、前記スイッチング素子を前記ON状態にするパルス状信号を前記画素領域のうち前記行単位で設定された有効画素領域内の前記画素に接続された複数の前記ゲート線に順次与えて前記光電変換素子から画素情報を読み出すスキャン工程と、前記有効画素領域外の前記画素に接続された前記ゲート線のそれぞれに複数の前記パルス状信号を順次与えて前記有効画素領域外の前記画素の前記光電変換素子をリフレッシュするリフレッシュ工程と、を具備することを特徴とする。以下、いくつかの実施形態によるX線平面検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。[第1実施形態]図3は、第1実施形態によるX線平面検出器の模式的斜視図である。X線平面検出器は、TFTアレー基板39と、X線変換膜12とを有している。TFTアレー基板39は、ガラス製の基板13の表面に画素36を正方格子に配列したものである。X線変換膜12は、X線14が入射すると蛍光を発生する。図4は、本実施形態によるX線平面検出器の回路図である。TFTアレー基板39に形成された各画素36は、薄膜トランジスタTFT35と光電変換素子33とを有している。光電変換素子33は、たとえば並列に接続されたフォトダイオードおよびコンデンサからなっている。光電変換素子33は、X線変換膜12がX線を受けて発生した蛍光を電荷に変換する。光電変換素子33の一方の端部は、TFTのドレイン電極に接続されている。光電変換素子33の他方の端部は、バイアス線34に接続されている。TFT35のゲート電極は、ゲート線31に接続されている。TFT35のソース電極は、信号線32に接続されている。信号線32は、光電変換素子33からの電荷信号を転送する。なお、図3および図4では、画素36を5行5列あるいは3行3列しか記載していないが、必要とする解像度、検出領域の大きさに応じて適宜増減する。ゲート線31は、ゲート制御回路37に接続されている。信号線32は、信号検出回路38に接続されている。バイアス線34は、電源10に接続されている。信号検出回路38は、画像処理回路11に接続されている。ゲート制御回路37は、TFT35のゲートを制御する。ゲート制御回路37によってTFT35がスイッチされ、光電変換素子33に蓄積された電荷は信号線32を通って信号検出回路38で電気信号として検出される。つまり、TFT35は、ゲート線31から与えられるパルス状のゲート制御信号によってスイッチされるスイッチング素子である。また、光電変換素子33に蓄積された画素信号は、このスイッチング素子を介して信号線32を用いて読み出される。図5は、本実施形態による信号検出回路のブロック図である。信号検出回路38は、積分アンプ15と電圧アンプ16とサンプルホールド回路17とマルチプレクサ回路18とA/D変換器19とを有している。各画素36からの電荷信号は、積分アンプ15で電圧に変換され、アナログの電圧アンプ16で電圧増幅される。その後、サンプルホールド回路17でサンプルホールドされる。これまでの処理は、信号線32に対して並列処理される。並列処理された信号をマルチプレクサ回路18で一つに選択し、A/D変換器19を通してデジタル値に変換する。A/D変換器19の後段の画像処理回路11は、デジタル値に変換された信号に、画像並び替え、画像処理などを施し、画像信号として外部に出力する。このX線平面検出器に、X線14が照射されると、各画素36の光電変換素子33に電荷信号が蓄積される。スイッチング素子であるTFT35は、ゲート線31を流れる制御信号によって、オンON状態およびオフOFF状態に制御される。ゲート線31には、TFT35をON状態またはOFF状態に制御するパルス状の制御信号がゲート制御回路37から出力される。ゲート線31に、TFT35をON状態に制御するパルス状信号が出力されると、光電変換素子33に蓄積された画像信号が信号線32に流れる。ゲート制御回路37がTFT35をON状態にするパルス状信号を複数のゲート線31に順次出力するスキャン動作によって、所定の時間で画素36に蓄積された電荷信号が読み出される。図1は、本実施の形態によるX線平面検出器において全画素領域の一部を読み出す場合の領域区分を示す模式的平面図である。このX線平面検出器では、全画素領域29の全体をスキャンしてX線画像を取得できるとともに、全画素領域29の一部を有効画素領域20として設定し、有効画素領域20のみをスキャンしてX線画像を取得できるようになっている。有効画素領域20が設定された場合の、スキャンされない残りの画素36が配置された領域を無効画素領域21と呼ぶこととする。有効画素領域20は、ゲート線31単位で設定される。ゲート制御回路37は、複数のゲート制御素子81で構成される。本実施形態において、有効画素領域20は、ゲート制御素子81単位で設定される。たとえばそれぞれのゲート制御素子81は、g本のゲート線31に接続されている。ゲート制御素子81の数をm個とし、全画素領域29には、mg本のゲート線31が設けられているとする。ゲート制御回路37は、有効画素領域20内の画素36の電荷信号をスキャンするため、スキャン動作を行う。スキャン動作の際には、有効画素領域20内の光電変換素子33に接続された複数のゲート線31にTFT35をON状態にするパルス状のゲート制御信号を順次出力する。このスキャン動作によって、有効画素領域20内の画素36に蓄積された電荷信号が読み出される。ゲート制御回路37は、有効画素領域20内の画素36をスキャンした後、無効画素領域21のリフレッシュ動作を行う。リフレッシュ動作では、無効画素領域21内の画素36に接続されたゲート線31を順次スキャンする。無効画素領域21内の画素36に接続されたゲート線31を走査するタイミングでは、TFT35はスイッチするが積分アンプ15はリセット状態にされる。これにより、TFT35がONとなって画素36から信号が流れても、積分アンプ15よりも後段の回路で、信号線32を流れる画素信号は画像信号として画像処理がされないようになり、画素36から出力される画素信号は読み捨てられる。有効画素領域20は、全画素領域29の中央付近に設けられる場合が多い。したがって、無効画素領域21は、全画素領域29の周辺部分に設けられることが多くなる。全画素領域20の周辺部分には、患者などの被検査体を透過しないX線が直接入射することが多い。このため、無効画素領域21は、有効画素領域20に比べて多くのX線に起因する蛍光を受光しており、より多くの電荷が蓄積している場合がある。このため、無効画素領域21のリフレッシュを適切に行うことが必要である。図2は、本実施の形態によるX線平面検出器において無効画素領域のリフレッシュ動作時のゲート制御信号のタイミングチャートである。図2において、Giは無効画素領域22内の画素36に接続されたi番目のゲート線31のゲート制御信号を示し、縦軸はゲートのON/OFFを示している。また、図2において、横軸は時間の経過を示している。図2は、無効画素領域21内の画素36に接続されたゲート線31の数がnである場合について示している。リフレッシュ動作において、1つのゲート線31に流れるゲート制御信号Giは、一定間隔を置いて複数回連続したパルスとして出力される。リフレッシュ動作が開始されると、まず1番目のゲート線31に、間隔90を置いた2つのONのパルス91,92のゲート制御信号G1が流れる。2つのONのパルス91,92の長さは、いずれもTonであるとし、2つのパルス91,92の間のOFFとなる間隔90の長さはToffであるとする。Toffは、Ton以上である。次に、2番目のゲート線31に、間隔90を置いた2つのONのパルス91,92のゲート制御信号G2が流れる。G2に流れる最初のONのパルス91は、1番目のゲート制御信号G1の2つのONのパルス91,92の間のOFF90のときに出力される。G2に流れる2つめのONのパルス92は、1番目のゲート線G1に流れる2つ目のONのパルス92の後に出力される。その後、順次、n番目のゲート線31まで、間隔90を置いた2つのONのパルス91,92のゲート制御信号線Gnが流れる。このとき、i番目のゲート線31に流れるゲート制御信号Giにおいて、最初のONのパルス91は、i-1番目のゲート線37に流れるゲート制御信号Gi-1の2つのONのパルス91,92の間のOFF90のときに出力される。また、i番目のゲート線37Giに流れるゲート制御信号Gi-1の2つめのONのパルス92は、i-1番目のゲート線37に流れるゲート制御信号Gi-1の2つのONのパルス91,92の後に出力される。すべてのゲート線37に流れるゲート制御信号G1、G2、...、Gnにおいて、全てのONのパルス91,92の長さはTonである。また、すべてのゲート線31に流れるゲート制御信号G1、G2、...、Gnにおいて2つのONのパルス91,92の間のOFF90の長さはToffである。このように、本実施形態では、無効画素領域21内の画素36に接続されたゲート線31に対しては、多パルス状に時間配分して順次スキャンしている。このような多パルス状の時間配分をしたリフレッシュ動作を行うことにより、単パルス状のリフレッシュ動作を行う場合に比べて、トータルのリフレッシュ時間を短くすることができる。リフレッシュ動作において、TFT35のON時間が短すぎると、画素36に蓄積された電荷信号がリフレッシュ動作後にも残存し、次の電荷信号の蓄積の際に画素36に入射したX線の強度を正確に観測できない。このため、リフレッシュ動作において、TFT35のON時間は十分に長くして、画素36に蓄積された電荷信号を吐き出しておく必要がある。しかし、単パルスを順次ゲート線31に与えてリフレッシュ動作を行う場合、TFT35のON時間を2倍あるいは4倍に伸ばすと、リフレッシュ動作に要する時間も単純に2倍あるいは4倍となる。図8は、順次隣り合うゲート線に対して重ならないように単パルスを与えてリフレッシュ動作を行う場合のゲート制御信号のタイミングチャートである。たとえば、順次隣り合うゲート線31に対して重ならないように単パルスを与えてリフレッシュ動作を行う場合、リフレッシュのON時間をTon、ゲート線31に接続されているTFT35の個数をnとすれば、リフレッシュに要する時間は、2Ton×nである。このように、単にゲート線31に与えるパルスのON時間をp倍に長くすると、リフレッシュに要する時間がp倍に長くなる。また、パルスの周期を変えずにTFT35のゲートのON時間を単純に延ばし、ゲートが開いている状態で隣接するゲートを開いてしまうと、消費電流が増大するとともに、すでにONしている画素36へTFT35のON時の電荷が誘導し、大きくオフセットしてしまう。このため、得られるX線画像が、不自然になる。一方、本実施形態のX線平面検出器では、リフレッシュ動作において、信号を2以上の多パルスとし、かつ、隣り合うゲート線31で同時にONとならないようにしている。隣り合うゲート線31で同時にONのゲート信号が流れないため、同一信号線31に接続された隣り合うTFT35が同時にONとなることがない。その結果、消費電流の増大や隣接した画素36のTFT35への電荷の誘導が抑制される。しかも、多パルスとしているため、隣り合うゲート線31で同時にONとならないようにしても、すべてのリフレッシュ動作が完了するまでの時間は、1つのパルスの長さTonにリフレッシュするTFTに接続されたゲート線31の数nを乗じた時間に、分割したパルス数から1を減じた数ここでは1=2-1をパルス周期TonToffに乗じた時間を加えたものにしかならない。たとえば、単パルスによるリフレッシュ動作で、ON時間を10μ秒として無効画素領域21に属するゲート線31を順次スキャンした場合、100×100ピクセルの場合、全スキャン時間は、10×100=1000μ秒である。ON時間を20μ秒にすれば、20×100=2000μ秒となる。ところが、本実施形態の駆動方式では、トータルのON時間を2倍の20秒としたとしても、Toffを10μ秒とすると、10×1002-1×1010=1020μ秒となる。つまり、リフレッシュ時のTFT15のON時間を2倍にしても、全体としては20μ秒、すなわち2しか延びずにリフレッシュすることができる。一般的に、TFT15のON/OFFのDutyを50とし、TFTのON時間をTon、OFF時間をToffとし、リフレッシュ時間をP倍にする場合を考える。パルス数をpとすれば、リフレッシュに必要な時間はn×Tonp-1TonToffとなる。つまり、全ゲートをリフレッシュするトータル時間は、リフレッシュ時間をp倍にしてもp-1TonToff時間しか延びない。つまり、リフレッシュ時間をp倍にした場合の全ゲートをリフレッシュするトータル時間の増分は、ゲート線31に接続されているTFT35の個数に依存せず、ゲート線31の数nが多くなるほど効果が大きくなる。このように、無効画素領域21のリフレッシュ時に、i番目のゲート線31のゲート制御信号Giの複数のONのパルスが同じタイミング時間内でONしないように位相調整すれば、隣接画素への誘導電荷の影響を受けることなく、より短い時間で光電変換素子に蓄積されている残電荷を消去し、平衡状態にすることができる。つまり、効率よく無効画素領域に属する光電変換素子に蓄積した電荷をリフレッシュさせることができる。その結果、部分スキャン後に短時間でリフレッシュ動作を完了した場合であっても、部分スキャンから瞬時に全面スキャンに切り替えた後に有効画素領域20のゲート線31上の光電変換素子33と無効画素領域22の光電変換素子33とでは、ゲートスキャン後のオフセットレベルがほぼ一致するために画像として境界は見えない。したがって、本実施の形態によれば、全画素領域の一部の有効画素領域のゲート線のみを順次スキャンして一部の光電変換素子の信号を読み出した後に全ゲートのスキャン動作を短時間で行っても、有効画素領域とそれ以外の無効画素領域でのオフセットレベルの差がない画像が得られる平面検出器が提供される。つまり、本実施形態によるリフレッシュ動作方法は、隣接画素36への誘導電荷もなく、画像も安定しており、非常に画期的なリフレッシュの方法である。[第2実施形態]図6は、第2実施形態によるX線平面検出器においてリフレッシュ動作時の無効領域に対応するゲート制御素子に与えられるパルスのタイミングチャートである。本実施形態によるX線平面検出器において、有効画素領域20図1参照は、ゲート制御素子81図1参照単位で設定される。つまり、ゲート制御素子81は複数であって、有効画素領域20図1参照と無効画素領域21図1参照との境界は、隣り合うゲート制御素子81に属するゲート線31図1参照の間に位置している。このX線平面検出器では、無効画素領域21に対応するゲート制御素子81が複数の場合、リフレッシュ動作の際、それぞれのゲート制御素子81を同時に駆動する。つまり、リフレッシュ動作のときに無効画素領域22に制御信号を出力する各ゲート制御素子81は、互いに同位置に接続されたゲート線31に同一の制御信号を同時に出力する。より具体的には、1番目のゲート制御素子81は、接続されたゲート線31に対してゲート制御信号G11、G12、G13、...、G1gを出力する。無効画素領域21に対応するゲート制御素子81がS個の場合、最終のS番目のゲート制御素子81は、接続されたゲート線31に対してゲート制御信号GS1、GS2、GS3、...、GSgを出力する。ここで、1からgはゲート制御素子81に接続されたゲート線31の位置を示していて、G11とGS1とは同一の信号であって同時に出力されている。G12とGS2と、G13とGS3と、...、G1gとGSgとについても同様である。図6に示すように、本実施形態では、無効画素領域22に属する光電変換素子33図4参照は、ゲート制御素子81単位で同じタイミングで同時にリフレッシュされる。ゲート制御素子81単位でそれぞれリフレッシュを行っているため、同時にONとなるゲート線31の間には、それぞれのゲート制御素子81に接続されたゲート線31の数gから1を減じた数のゲート線31が存在する。したがって、隣接画素への誘導電荷の影響もほとんどなく、電荷を消去できる。また、ゲート制御素子81単位でリフレッシュを行うので、リフレッシュに要する時間は、無効画素領域22に属するゲート線31に接続されたゲート制御素子が2以上の場合であっても、1つの場合と同じである。このため、無効画素領域22を広くしても、リフレッシュ時間が長くなることはない。[第3実施形態]図7は、第3実施形態によるX線平面検出器においてリフレッシュ動作時の無効領域に対応するゲート制御素子に与えられるパルスのタイミングチャートである。本実施の形態によるX線平面検出器は、有効画素領域20図1参照から電荷信号を読み出すスキャン動作時に、隣接するゲート線31図1参照を同時にONさせて、一つの信号線32図1参照に電荷を加算して読み出す画素加算モードで電荷信号を読み出すことができるものである。画素加算モードでのスキャン動作では、たとえば有効画素領域20に属する画素36図4参照に接続されたゲート線31のうち、i番目のものとi1番目のものに同時にONの信号を与え、2つの画素36からの電荷を加算して読み出す動作を順次繰り返す。このX線平面検出器においては、同時に電荷が加算して読み出される画素群は隣接しているものの、誘導電荷の影響がないようになっている。このようなX線平面検出器において、リフレッシュ動作においても、無効画素領域22図1参照に属する画素36に接続されたゲート線31のうち、2i番目のものと2i1番目のものに同時にONの信号を与え、2つの画素36からの電荷を加算して読み出す動作を順次繰り返す。この際、2i番目のゲート線31と2i1のゲート線31とには、同時にON信号が与えられないように位相調整する。このように、画素加算モードが可能なX線平面検出器であっても、リフレッシュ動作において、無効画素領域21に属するゲート線31に間隔を置いて2以上のONの制御信号を与えることによって、第1実施形態と同様に、リフレッシュに要する時間を短くすることができる。また、加算読み出しされる画素群に関して、隣り合う画素群では同時にリフレッシュ動作のONの制御信号が与えられることがないため、隣接する画素群への誘導電荷の影響は小さい。なお、ここでは、2つのゲート線31に同時にON信号を与える場合について示したが、3つ以上のゲート線31に同時にON信号を与える場合も同様である。[他の実施形態]本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"