電極パッド上に柱状電極を形成する第1工程と、前記柱状電極の上面にマスク層を形成する第2工程と、前記マスク層をマスクとするウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去し、前記マスク層側が前記電極パッド側よりも細くなった形状の突起電極を形成する第3工程と、前記マスク層を除去する第4工程と、を有する突起電極の製造方法。前記第1工程は、前記電極パッド上に導電層を形成する工程と、前記電極パッド上の前記導電層の少なくとも一部を露出する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、前記開口部の底部に露出する前記導電層上に、前記導電層を給電層とする電解めっき法により前記柱状電極を形成する工程と、を含む請求項1記載の突起電極の製造方法。前記導電層は、前記電極パッド上に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成された第2導電層と、を含み、前記第2導電層は、前記柱状電極と同一材料からなり、前記第2工程では、前記開口部から露出する前記柱状電極の上面にマスク層を形成した後、前記レジスト層を除去し、前記第3工程では、ウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去すると共に、前記柱状電極に覆われていない部分の前記第2導電層を除去する請求項2記載の突起電極の製造方法。前記電極パッドは半導体チップに形成されている請求項1乃至3の何れか一項記載の突起電極の製造方法。しかしながら、図4に示すように、柱状バンプ320は金ワイヤバンプ120のような尖鋭形状ではないため、はんだ290は柱状バンプ320の先端面にしか濡れず、側面には濡れ上がり難い。従って、柱状バンプ320は、はんだ290と広い面積で接触することができない。そのため、柱状バンプ320と電極パッド220との接続信頼性が低下する虞がある。又、はんだ290の余剰な部分が柱状バンプ320の側面からはみ出すため、柱状バンプ320のピッチが狭くなると、隣接する柱状バンプ320間で短絡する虞がある。以上、半導体チップに柱状バンプ柱状突起電極を形成した半導体装置の問題点について説明したが、ガラスや樹脂からなる基板等に柱状バンプ柱状突起電極を形成した場合も同様の問題が生じる。本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、接続信頼性が高く、デバイス半導体チップや基板等の多ピン化に対応可能な突起電極の製造方法を提供することを課題とする。本突起電極の製造方法は、電極パッド上に柱状電極を形成する第1工程と、前記柱状電極の上面にマスク層を形成する第2工程と、前記マスク層をマスクとするウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去し、前記マスク層側が前記電極パッド側よりも細くなった形状の突起電極を形成する第3工程と、前記マスク層を除去する第4工程と、を有することを要件とする。開示の技術によれば、接続信頼性が高く、デバイス半導体チップや基板等の多ピン化に対応可能な突起電極の製造方法を提供できる。以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。[本実施の形態に係る突起電極の構造]まず、半導体装置を例にとり、本実施の形態に係る突起電極の構造について説明する。図5は、本実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図5を参照するに、半導体装置10は、大略すると、半導体チップ20と、第1導電層30と、第2導電層40と、突起電極50とを有する。半導体チップ20は、半導体基板21と、配線層22と、電極パッド23と、保護膜24とを有する。半導体チップ20は、薄型化されたシリコンSi等からなる半導体基板21に半導体集積回路図示せずが形成されたものである。半導体基板21の厚さは、例えば、50μm~500μm程度とすることができる。半導体集積回路図示せずは、半導体基板21の電極パッド23側に設けられている。電極パッド23は、配線層22上に設けられている。電極パッド23の材料としては、例えば、アルミニウムAl等を用いることができる。電極パッド23の材料として、Al/Cu合金例えば、Al/0.5CuやAl/Si/Cu合金例えば、Al/10Si/0.5Cu等を用いても構わない。保護膜24は、半導体集積回路図示せず上に設けられている。保護膜24は、半導体集積回路図示せずを保護するための膜であり、パッシベーション膜と呼ばれる場合もある。保護膜24としては、例えば、SiN膜、PSG膜等を用いることができる。又、SiN膜やPSG膜等からなる層に、更にポリイミド等からなる層を積層しても構わない。突起電極50は、第1導電層30及び第2導電層40を介して、半導体チップ20の電極パッド23上に設けられている。突起電極50は、半導体装置10を基板等と電気的に接続するための電極である。突起電極50は、尖鋭形状先端部が電極パッド23側よりも細くなった形状とされている。突起電極50は、例えば、略円錐台形状とすることができる。但し、突起電極50の側壁の断面形状は直線状であっても、曲線状の部分を含んでもよい。なお、本願において、尖鋭形状とは、先端部が電極パッド23側よりも細くなった形状を総称するものであり、必ずしも先端部が針のように尖ったものを指すものではない。突起電極50の高さH1は、例えば、20μm~50μm程度とすることができる。突起電極50の先端部の径φ1と、第2導電層40と接する部分の径φ2との比は、例えば、1:1.5程度とすることができる。突起電極50の材料としては、例えば、銅Cu等を用いることができる。第1導電層30及び第2導電層40は、電極パッド23上に電解めっき法により突起電極50を形成する過程で形成される給電層である。第1導電層30としては、例えば、チタンTi膜を用いることができる。第1導電層30の厚さは、例えば、0.1μm程度とすることができる。第2導電層40としては、例えば、銅Cu膜を用いることができる。第2導電層40の厚さは、例えば、0.2μm程度とすることができる。[本実施の形態に係る突起電極の製造方法]次に、半導体装置を例にとり、本実施の形態に係る突起電極の製造方法について説明する。図6~図15は、本実施の形態に係る突起電極の製造工程を例示する図である。まず、図6及び図7に示す工程では、半導体ウェハ31を準備する。なお、図6は平面図、図7は部分断面図である。半導体ウェハ31は、例えば6インチ約150mm、8インチ約200mm、12インチ約300mm等のシリコンウェハ等である。シリコンウェハの厚さは、例えば0.625mm6インチの場合、0.725mm8インチの場合、0.775mm12インチの場合等であるが、バックサイドグラインダー等で適宜薄型化することができる。半導体ウェハ31には、複数の半導体チップ20が形成されている。各半導体チップ20の構造については、前述の通りである。なお、半導体ウェハ31において、Bは隣接する半導体チップ20を分離するスクライブ領域以下、スクライブ領域Bとする、Cはスクライブ領域B内にある半導体ウェハ31を切断する位置以下、切断位置Cとするを示している。次に、図8に示す工程では、電極パッド23上及び保護膜24上に第1導電層30A及び第2導電層40Aを積層形成する。第1導電層30A及び第2導電層40Aは、最終的には、第1導電層30及び第2導電層40となる層である。第1導電層30Aとしては、例えば、チタンTi膜を用いることができる。第2導電層40Aとしては、例えば、銅Cu膜を用いることができる。第1導電層30AとしてチタンTi膜を用い、第2導電層40Aとして銅Cu膜を用いる場合には、まず、電極パッド23上及び保護膜24上に、チタンTiをターゲットとしてスパッタリングを行ってチタンTi膜を形成し、次に、銅Cuをターゲットとしてスパッタリングを行って銅Cu膜を形成する。なお、電極パッド23上及び保護膜24上へチタンTiのスパッタリングを行う前に、保護膜24とチタンTiとの密着性を高めるため、窒素N2逆スパッタリング又はアルゴンAr逆スパッタリングを行ってもよい。逆スパッタリング並びにチタンTi及び銅Cuのスパッタリングは、同一のスパッタ装置を用いて連続的に行うことが可能である。チタンTi膜の厚さは、例えば、0.1μm程度とすることができる。銅Cu膜の厚さは、例えば、0.2μm程度とすることができる。チタンTi膜及び銅Cu膜をそれぞれこの程度の厚さとすることにより、電極パッド23及び保護膜24とチタンTi膜、チタンTi膜と銅Cu膜、銅Cu膜と柱状電極50A後述の図10に示す工程で形成されるとの密着性を向上することができ、柱状電極50Aを形成する際の電解めっき性も良好に保つことができる。但し、保護膜24の材料の種類によっては、チタンTiを形成せずに電極パッド23上及び保護膜24上に直接銅Cu膜を形成しても、保護膜24と銅Cu膜との間に高い密着性が得られる。保護膜24の材料としてこのような材料を使用する場合には、保護膜24にO2プラズマアッシング等のアッシング処理を施して保護膜24を粗面化及び表面改質処理をした後、銅Cuをターゲットとしてスパッタリングを行って保護膜24上に直接銅Cu膜を形成することができる。又、保護膜24にアッシング処理を施した後に、窒素N2逆スパッタリング又はアルゴンAr逆スパッタリングを行ってから銅Cuをターゲットとしてスパッタリングを行って銅Cu膜を形成しても構わない。すなわち、保護膜24の材料の種類によっては、銅Cu膜を形成する前に保護膜24上にチタンTiをターゲットとしてスパッタリングを行ってチタンTi膜を形成する工程や、保護膜24上へチタンTiのスパッタリングを行う前に保護膜24とチタンTiとの密着性を高めるため、窒素N2逆スパッタリング又はアルゴンAr逆スパッタリングを行う工程を削除することができる。なお、第1導電層30AとしてクロムCr膜を用い、第2導電層40Aとして銅Cu膜を用いても構わない。次に、図9に示す工程では、第2導電層40A上に、電極パッド23上の第2導電層40Aの一部を露出する開口部60xを有するレジスト層60を形成する。具体的には、第2導電層40A上に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト層60例えば、ドライフィルムレジスト等をラミネートする。そしてフィルム状のレジスト層60にドライエッチングにより開口部60xを形成する。又は、第2導電層40A上に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性の樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト層60例えば、ドライフィルムレジスト等をラミネートして、レジスト層60を露光及び現像することにより開口部60xを形成してもよい。或いは、第2導電層40A上に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布して、レジスト層60を露光及び現像することにより開口部60xを形成してもよい。更に、予め開口部60xを形成したフィルム状のレジスト層60を第2導電層40A上にラミネートしてもよい。開口部60xは、後述の図10に示す工程で形成される柱状電極50Aに対応する位置に形成されるが、その配設ピッチは、例えば20~100μm程度とすることができる。開口部60xの平面形状は、例えば円形であり、その直径は例えば10~50μm程度とすることができる。開口部60xの平面形状は、例えば、長軸30~200μm程度、短軸10~50μm程度の楕円形としてもよい。レジスト層60の厚さは、例えば35~90μm程度とすることができる。次に、図10に示す工程では、レジスト層60の開口部60xの底部に露出する第2導電層40A上に、第1導電層30A及び第2導電層40Aをめっき給電層に利用する電解めっき法により柱状電極50Aを形成する。柱状電極50Aは、最終的には、突起電極50となるものである。柱状電極50Aは、例えば円柱状に形成することができる。柱状電極50Aの径は、例えば10~50μm程度とすることができる。柱状電極50Aの厚さ高さは、例えば30~80μm程度とすることができる。柱状電極50Aの材料としては、例えば銅Cu等を用いることができる。柱状電極50Aは、例えば、長軸30~200μm程度、短軸10~50μm程度の楕円柱状としてもよい。なお、柱状電極50Aを形成する前に、開口部60x内の表面清浄化のため、プラズマクリーニング処理を行ってもよい。プラズマクリーニング処理としては、例えば、O2プラズマアッシング等を用いることができる。O2プラズマアッシングは、真空雰囲気中において、対象物を酸素ガスがプラズマ励起された酸素ラジカル及び酸素イオンにより酸化させ、COやCO2等の気体状反応生成物として除去するものである。供給される酸素ガスには必要に応じて種々の不活性ガスを添加しても構わない。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン系ガス、水素系ガス、窒素系ガス、CF4、C2F6等のCF系ガス等を用いることができる。次に、図11に示す工程では、第1導電層30A及び第2導電層40Aをめっき給電層に利用する電解めっき法により、レジスト層60の開口部60x内に露出する柱状電極50Aの上面にマスク層65を形成する。マスク層65は、後述の図13に示す工程で柱状電極50Aの一部をエッチングするエッチング液で除去されない材料であれば、どのような材料を用いても構わない。柱状電極50Aの材料が銅Cu等である場合には、マスク層65の材料としては、例えばニッケルNi、金Au、パラジウムPd、Inインジウム等を用いることができる。マスク層65の厚さは、例えば0.5~3μm程度とすることができる。次に、図12に示す工程では、レジスト層60を除去する。次に、図13に示す工程では、マスク層65をマスクとするウェットエッチングにより柱状電極50Aの側壁の一部を除去し、突起電極50を形成する。なお、柱状電極50Aの材料が銅Cuであり、第2導電層40Aが銅Cu膜である場合には、柱状電極50Aに覆われていない部分の第2導電層40Aは柱状電極50Aの一部と共に除去され、第2導電層40が形成される。柱状電極50Aの材料が銅Cuであり、マスク層65の材料がニッケルNiである場合には、エッチング液として、例えば過硫酸アンモニウム水溶液、過酸化水素水と硫酸との混合液等を用いることにより、ニッケルNiからなるマスク層65はエッチングされず、銅Cuからなる柱状電極50Aのみを選択的にエッチングできる。マスク層65をマスクとするウェットエッチングにより、柱状電極50Aの側壁のエッチングサイドエッチングが進行するため、尖鋭形状先端部マスク層65側が電極パッド23側よりも細くなった形状の突起電極50が形成される。突起電極50の高さH1は、例えば、20μm~50μm程度とすることができる。突起電極50の先端部の径φ1と、第2導電層40と接する部分の径φ2との比は、例えば、1:1.5程度とすることができる。なお、ウェットエッチングの際のスプレー圧、スプレーの吐出形状、エッチング液の温度、エッチング時間等を調整することにより、突起電極50を所望の尖鋭形状とすることができる。次に、図14に示す工程では、マスク層65を、例えばウェットエッチングにより除去する。突起電極50の材料が銅Cuであり、マスク層65の材料がニッケルNiである場合には、エッチング液として、例えば硫酸又は硝酸をベースとしたニッケル選択エッチング液等を用いることにより、銅Cuからなる突起電極50はエッチングされず、ニッケルNiからなるマスク層65のみを選択的にエッチングできる。次に、図15に示す工程では、第2導電層40に覆われていない部分の第1導電層30A図14参照を、例えばウェットエッチングにより除去し、第1導電層30を形成する。突起電極50の材料が銅Cuであり、第1導電層30AがチタンTiである場合には、エッチング液として、例えば過酸化水素水とリン酸との混合液或いはフッ酸等を用いることにより、銅Cuからなる突起電極50はエッチングされず、チタンTiからなる第1導電層30Aのみを選択的にエッチングできる。なお、第1導電層30を形成後、突起電極50の表面清浄化のため、前述と同様のプラズマクリーニング処理を行ってもよい。図15に示す工程の後、図15に示す構造体をスクライブ領域B内の切断位置Cに沿って切断することで、個片化された複数の半導体装置10が製造される。図15に示す構造体の切断は、例えば、スクライブ領域Bの幅よりも幅の狭いダイシングブレードを用いたダイシング等によって行うことができる。以上のように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、電極パッド23上に例えば円柱状の柱状電極50Aを形成し、更に柱状電極50Aの先端部にマスク層65を形成する。そして、マスク層65をエッチングせず柱状電極50Aをエッチングするエッチング液を用いて、柱状電極50Aをウェットエッチングする。これにより、柱状電極50Aのサイドエッチングが進行するため、尖鋭形状先端部マスク層65側が電極パッド23側よりも細くなった形状の突起電極50が形成される。その結果、半導体装置10を基板等にはんだで接続する際に、従来の金ワイヤバンプと同様に図2と同様に、尖鋭形状の突起電極50の傾斜面側壁にはんだが濡れ上がり易く、突起電極50ははんだと広い面積で接触できる。そのため、突起電極50と基板等の電極パッドとは、はんだを介して、接続信頼性が高い状態で接続される。又、図4のようにはんだの余剰な部分が突起電極50の側面からはみ出すことがないため、突起電極50をピッチ化することができる。又、突起電極50は電解めっき法により複数の電極パッド23上に一括で形成できるため、半導体チップ20の更なる多ピン化に対応することができる。なお、本実施の形態では、セミアディティブ法で柱状電極50Aを形成した後、図11~図15に示す工程を実行して突起電極50を形成した。しかし、図6及び図7に示す工程の後、電極パッド23上及び保護膜24上の全体に銅Cu等の金属層を形成し、更に図11~図15に示す工程を実行して突起電極50を形成することも可能である。しかしながら、後者の所謂サブトラクティブ法では突起電極50を狭ピッチで形成することが困難であるため、セミアディティブ法で柱状電極50Aを形成する工程を設けることが好ましい。以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、本実施の形態では、本発明に係る突起電極の製造方法を、半導体チップの電極パッド上に突起電極を形成する工程に適用する例を示した。しかしながら、本発明に係る突起電極の製造方法は、半導体チップを有さない基板に形成された電極パッド上に突起電極を形成する工程に適用してもよい。その際に用いる基板は、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板等の様々な基板であってよい。又、突起電極50として金Auを用いても構わない。突起電極50として金Auを用いる場合には、例えば、第1導電層30Aとしてチタンタングステン合金TiW膜を用い、第2導電層40Aとして金Au膜を用いた電解めっき法により柱状電極50Aを形成することができる。突起電極50として金Auを用いた場合には、マスク層65としては例えばニッケルNi、パラジウムPd、インジウムIn等を用いることができ、その場合、エッチング液としては例えば硫酸又は硝酸をベースとした選択エッチング液を用いることができる。