半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設ける工程と、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける工程と、前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程と、前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記固相拡散接合の際に、前記第1の層及び前記第2の層において再結晶を生じさせることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の層と前記第2の層とを固相拡散接合する工程の前に、前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層及び前記第2の層を互いに接触させる工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の電極を構成する金属及び前記第2の電極を構成する金属は、Cu、Sn、Al又はNiを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記搭載部材は、リードフレーム又は回路基板であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程において、蟻酸を還元剤として用い、処理温度を100°C~150°Cとすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体素子は、高電子移動度トランジスタを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記固相拡散接合を、150°C~250°Cで行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記固相拡散接合を、非酸化雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記機械加工として、前記第1の電極及び前記第2の電極の表面を平坦にする加工を行うことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。本発明の目的は、コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。半導体装置の製造方法の一態様では、半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける。前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する。前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する。上記の半導体装置の製造方法等によれば、微結晶の第1の層及び第2の層の作用により、低温での固相拡散接合でも高い接合強度を得るができる。従って、コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる。以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。本実施形態では、先ず、半導体素子の電極、及びこの半導体素子を搭載する搭載部材の電極の表面の機械加工を行って、各電極の表面に、機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の層を設けるステップS1。電極は、例えば少なくともCu、Sn、Al又はNiのいずれか一種を含む。Cu、Sn、Al及びNiは比較的酸化しやすい金属である。なお、半導体素子と搭載部材との間で電極の材料が相違していてもよい。搭載部材は、例えばリードフレーム又は回路基板である。例えば、先ず、図2aに示すように、回路部11及び電極12を含む半導体素子10に対し、電極12間に樹脂13を埋め込む。次いで、図2bに示すように、基部15a及び切削部15bを含むダイヤモンドバイト15を用いて、電極12及び樹脂13の表面の切削加工を行う。この結果、電極12の表面に、多くの転位が導入された微結晶の層が形成される。搭載部材についても同様の処理を行えばよい。微結晶の層の厚さは、100nm程度となる。図3に、切削加工後の電極の一例の電子線回折像を示す。図3aは、切削加工後の電極の透過型電子顕微鏡TEM:transmissionelectronmicroscope写真を示し、図3b、c、及びdは、それぞれ、図3a中の位置P1、位置P2、及び位置P3の電子線回折像を示す。図3aに示すように、表面に近い領域に多数の転位が存在している。また、図3b、c、及びdに示すように、表面に近い位置ほど、結晶方位の乱れが激しくなっている。なお、図示しないが、切削加工前においては、電極の全体において転位密度がほぼ一様であり、位置P1及びP2の電子線回折像は位置P3のものと同様であった。このことから、切削加工後においては、切削加工前よりも粒径が小さい微結晶の層が電極の表面に存在していることが明らかである。なお、機械加工として、切削加工の他に、研削加工又はサンドブラスト処理等を行ってもよい。電極の表面の機械加工の後、電極の固相拡散が生じる温度未満の温度で、各電極の表面の還元処理を行うステップS2。例えば、図4aに示すように、筐体21内のステージ22上に、電極32が設けられた回路基板31、及び電極12が設けられた半導体素子10を載置する。また、筐体21内に蟻酸ガスを導入し、120°Cに加熱する。電極32の表面にも、機械加工により微結晶の層が設けられている。このような処理により、電極12及び32の表面が還元される。なお、蟻酸ガスを用いて還元処理を行う場合の処理温度は100°C~150°Cとすることが好ましい。処理温度が100°C未満であると、還元反応が十分に進行しない可能性がある。一方、処理温度が150°Cを超えていると、各電極の表面に存在する微結晶に再結晶が生じて微結晶よりも大きな結晶が増加しやすい。図5に還元処理後の電極の表面の一例を示す。120°Cで還元処理が行われた電極の表面を示す図5aと180°Cで還元処理が行われた電極の表面を示す図5bとを比較すると分かるように、180°Cで還元処理が行われた電極の表面には、再結晶により生じた大きめの結晶の粒界が確認できる。なお、還元剤は蟻酸に限定されず、還元剤として水素ラジカルを用いて還元処理を行ってもよく、還元剤として一酸化炭素ガスを用いて還元処理を行ってもよい。水素ラジカルを用いる場合の処理温度は25°C~150°Cとすることが好ましい。処理温度が150°Cを超えると、各電極の表面に存在する微結晶に再結晶が生じて微結晶よりも大きな結晶が増加しやすい。一酸化炭素ガスを用いる場合の処理温度は50°C~150°Cとすることが好ましい。処理温度が50°C未満であると、還元反応が十分に進行しない可能性がある。一方、処理温度が150°Cを超えていると、各電極の表面に存在する微結晶に再結晶が生じて微結晶よりも大きな結晶が増加しやすい。還元処理の後、電極の固相拡散が生じる温度未満の温度で、半導体素子の電極と、搭載部材の電極との位置合わせを行うステップS3。つまり、互いに接合する電極同士を対向させる。例えば、図6aに示すように、水平方向において、半導体素子10の電極12と回路基板31の電極32との位置合わせを行う。この結果、電極12の基部12aより表面側に位置する微結晶層12bと電極32の基部32aより表面側に位置する微結晶層32bとが互いに対向する。次いで、電極間に圧力を印加しつつ、固相拡散が生じる温度まで加熱し、電極同士の固相拡散接合を行うステップS4。固相拡散接合は、真空又は不活性ガス雰囲気等の非酸化雰囲気下で行うことが好ましい。例えば、図4bに示すように、電極32に電極12を接触させる。この結果、図6bに示すように、微結晶層12bと微結晶層32bとが互いに接触することとなる。そして、加圧及び昇温を行い、微結晶層12b内の金属原子及び微結晶層32b内の金属原子を固相拡散させる。固相拡散が生じる温度は150°C~250°C程度である。この結果、図6cに示すように、電極12及び32の境界が消失し、微結晶層12b及び32bが存在していた領域と同等の領域に接合部30aを含む接続材30が得られる。同種の金属であれば、結晶粒径が小さいほど固相拡散が生じやすいため、本実施形態では、従来の化学機械研磨による平坦バンプを用いた表面活性化接合と同程度の温度であってもそれよりも低い温度であっても、十分に固相拡散が生じ、高い接合強度が得られる。このように、本実施形態によれば、固相拡散接合を、還元が行われた微結晶の層同士で行うので、その温度が比較的低い場合でも、極めて高い接合強度を得ることができる。例えば、従来の化学機械研磨による平坦バンプを用いた表面活性化接合では250°C~300°C程度での加熱を行っても十分な接合強度が得られないことがあるが、本実施形態によれば、150°C~250°C程度の加熱で十分な接合強度を得ることができる。また、はんだを用いた接合と比較すると、はんだの使用が不要となるため、Ti及びNi等のバリア金属を用いる必要もなくなり、コスト及び工数を低減することも可能である。更に、同種金属同士の接合とすることが可能なので、合金化に伴うボイドの発生等を抑制することができ、高い信頼性を得ることも可能である。なお、半導体素子の種類は特に限定されない。例えば、LSIlargescaleintegrationチップであってもよく、メモリであってもよく、GaN系高電子移動度トランジスタHEMT:highelectronmobilitytransistor等のトランジスタであってもよい。図7に、GaN系HEMTが回路基板に搭載された状態の一例を示す。この例では、回路基板41とGaN系HEMT42とが、ソース接続材43s、ドレイン接続材43d、及びゲート接続材43gを介して接続されている。ソース接続材43s、ドレイン接続材43d、及びゲート接続材43gは、それぞれ、GaN系HEMT42のソース、ドレイン、及びゲートに接続されている。回路基板41としては、例えば厚銅箔基板を用いることができる。次に、本発明者らが行った実験について説明する。この実験では、上記の実施形態のように、切削加工、還元、位置合わせ、及び固相拡散接合を行って実施例の試料を作製し、切削加工の代わりのCMP、還元、位置合わせ、及び固相拡散接合を行って比較例の試料を作製した。実施例では、図8aに示すように、チップ試料51aと回路基板試料61aとを接合した。チップ試料51aの作製では、Si基板52の表面に導電層53及び絶縁層54を形成し、導電層53上にバンプ55aを形成した。そして、バンプ55aの表面に切削加工を施し、微結晶層を形成した。また、回路基板試料61aの作製では、Si基板62の表面に導電層63及び絶縁層64を形成し、導電層63上にプレートバンプ65aを形成した。そして、プレートバンプ65aの表面に切削加工を施し、微結晶層を形成した。ここでバンプ材料としてCu電極を用いた。Cu電極は、Au電極と比較して硬度が高いため、より厚い微結晶層が形成されやすい。また、切削加工は、単結晶ダイヤモンドバイトを用いてフライカット方式により加工を実施した。フライカット方式では、ウエハ上に形成される全てのバンプ被切削材を同一の速度で加工するため、バンプ表面の微結晶層の厚さを、均一に形成できるものである。またR形状のダイヤモンドバイトでノーズ径が10mmのものを用い、バイト刃先先端の丸み半径は50nm-300nmのものを用いた。比較例では、図8bに示すように、チップ試料51bと回路基板試料61bとを接合した。チップ試料51bの作製では、Si基板52の表面に導電層53及び絶縁層54を形成し、導電層53上にバンプ55bを形成した。そして、バンプ55bの表面にCMPを施した。また、回路基板試料61bの作製では、Si基板62の表面に導電層63及び絶縁層64を形成し、導電層63上にプレートバンプ65bを形成した。そして、プレートバンプ65bの表面にCMPを施した。CMPの条件として、過酸化水素系のスラリー及びポリウレタン製の研磨パッドを用いた。実施例及び比較例のいずれにおいても、チップ試料51a及び51bのサイズは5mm×5mm×0.6mmとし、それぞれ、392個のバンプ55a及び55bをチップ試料51a及び51bの周縁部に配列させた。また、バンプ55a及び55bのピッチは40μmとし、サイズは25mm×25mm×0.008mmとした。一方、回路基板試料61a及び61bのサイズは5mm×5mm×0.6mmとした。また、プレートバンプ65a及び65bのサイズは10mm×10mm×0.6mmとし、1個ずつとした。このような大きなプレートバンプを用いたのは、位置ずれに伴う誤差を排除するためである。つまり、プレートバンプを用いることにより、位置合わせ精度を考慮せずとも上記の実施形態の効果を確認することが可能となる。還元処理では、実施例及び比較例のいずれにおいても、蟻酸ガスを用い、処理温度を120°Cとし、処理時間を30分間とした。上述のように、プレートバンプ65a及び65bを用いているため、位置合わせは簡易的に行った。固相拡散接合熱圧着接合では、接合温度を200°C及び250°Cの2種類とし、接合時間を30分間とし、接合圧力を300MPaとした。そして、得られた実施例及び比較例の実装体に対し、ダイシェア試験及び接合界面の観察を行った。ダイシェア試験では、シェア強度せん断強度の測定、及び破壊モード割合の調査を行った。破壊モード割合の調査では、バンプ55a又は55b内に破断部70が生じるバルク破壊図9aと、バンプ55a又は55bとプレートバンプ65a又は65bとの界面に破断部70が生じる界面破壊図9bとの総数のうちのバルク破壊の割合を求めた。また、接合界面の観察では、集束イオンビームFIB:focusedionbeamにより接合界面近傍の加工を行い、走査型電子顕微鏡SEM:scanningelectronmicroscopeを用いて接合界面を含む断面を観察した。図10aは、接合温度とダイシェア強度との関係を示す。図10bは、接合温度とバルク破壊の割合との関係を示す。また、図10aに示すように、200°C及び250°Cのいずれの接合温度においても、実施例によれば比較例の2倍程度のシェア強度が得られた。また、図10bに示すように、実施例では、200°C及び250°Cのいずれの接合温度においても、100近いバルク破壊の割合が得られた。これに対し、比較例では、接合温度が200°Cの場合に、バルク破壊の割合が極めて低かった。このことから、実施例によれば、200°C程度の温度で固相拡散接合を行っても十分に高い接合強度が得られたといえる。図11a及びbは、それぞれ、接合温度を200°C及び250°Cとした実施例のSEM写真を示す。また、図11c及びdは、それぞれ、接合温度を200°C及び250°Cとした比較例のSEM写真を示す。なお、図11a~d中の円○は、そこにボイドが存在することを示している。図11aに示すように、接合温度を200°Cとした実施例では、接合界面がほとんどの領域で消失し、僅かな領域で認識可能である。また、そこに僅かなボイドが存在するだけである。図11bに示すように、接合温度を250°Cとした実施例では、少数のボイドが散在しているが、接合界面が消失している。ボイドが散在している理由としては、接合界面に存在していたボイドが固相拡散及び再結晶に伴って移動したことが考えられる。また、接合界面が消失した理由としては、微結晶の再結晶が生じたためであると考えられる。一方、図11c及びdに示すように、比較例では、接合温度に拘わらず、広い領域で接合界面が確認できる。これは、CMPでは、処理液の作用等によりCMP後には微結晶の層が存在せず、実施例のような再結晶が生じなかったためであると考えられる。図12に、実施例における電極のTEM写真を示し、図13に、比較例における電極のTEM写真を示す。図12b及び図13bに示す領域は、それぞれ、図12a及びb中の四角形□で囲まれた領域に相当する。図12a及びb、特に図12bに示すように、実施例では、表層部に結晶粒が極めて小さい領域が存在する。一方、図13a及びb、特に図13bに示すように、比較例では、全体にわたって結晶粒が大きい。このような組織の相違に伴って、再結晶の生じやすさが異なり、接合強度に大きな相違が生じたものと考えられる。以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1半導体素子に設けられた第1の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第1の層を設ける工程と、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第2の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第2の層を設ける工程と、前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程と、前記第1の層及び前記第2の層を互いに固相拡散接合する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記2前記固相拡散接合の際に、前記第1の層及び前記第2の層において再結晶を生じさせることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記第1の層と前記第2の層とを固相拡散接合する工程の前に、前記第1の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第2の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第1の層及び前記第2の層を互いに接触させる工程を有することを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記4前記第1の電極を構成する金属及び前記第2の電極を構成する金属は、Cu、Sn、Al又はNiを含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記5前記搭載部材は、リードフレーム又は回路基板であることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記6前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程において、蟻酸を還元剤として用い、処理温度を100°C~150°Cとすることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記7前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程において、水素ラジカルを還元剤として用い、処理温度を25°C~150°Cとすることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記8前記第1の層の表面に存在する酸化膜及び前記第2の層の表面に存在する酸化膜を還元する工程において、一酸化炭素を還元剤として用い、処理温度を50°C~150°Cとすることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記9前記半導体素子は、高電子移動度トランジスタを含むことを特徴とする付記1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記10前記固相拡散接合を、150°C~250°Cで行うことを特徴とする付記1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記11前記固相拡散接合を、非酸化雰囲気下で行うことを特徴とする付記1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記12前記機械加工として、前記第1の電極及び前記第2の電極の表面を平坦にする加工を行うことを特徴とする付記1乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。