複数の電極を有する基板と、上記電極に接続した球状のバンプと、該バンプを被覆した被覆材とを備えた加工対象物にレーザ光を照射して、上記バンプを覆う被覆材を除去して該バンプを露出させるようにしたレーザ加工方法において、上記バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる第1ステップと、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径を第1ステップにおける有効穿孔径よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第1ステップで穿孔された凹部内の被覆材に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる第2ステップとを備えたことを特徴とするレーザ加工方法。上記第1ステップと第2ステップとにおいて、上記レーザ光の光軸は、バンプの中心線と平行で該中心線からオフセットされていて、バンプの中心線の周囲を旋回されることにより上記被覆材を除去するようになっていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のレーザ加工方法。上記第1ステップのオフセット量と第2ステップのオフセット量とは同一に設定されていることを特徴とする請求項3に記載のレーザ加工方法。上記第1ステップと第2ステップにおいて照射されるレーザ光はいずれもガウシアンモードであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のレーザ加工方法。上記従来のレーザ加工方法においては、球状のバンプの中心頂部を僅かに露出させるだけでよい場合には問題は生じないが、バンプの中心頂部だけではなくその周辺部分までもより深く露出させるようにした場合には、バンプが溶融して隣接のバンプと接触してしまうという危険性が生じていた。すなわち、バンプの中心頂部を僅かに露出させる場合には、バンプの中心頂部を覆う被覆材にレーザ光を照射して該バンプの中心頂部を覆う被覆材を除去すればよく、その際にバンプに伝達されるレーザ光の熱を相対的に少なくすることができるので、該バンプを溶融させることが無い。これに対し、バンプの中心頂部だけではなくその周辺部分までより深く露出させる場合には、レーザ光はバンプの中心頂部を覆う被覆材を除去するだけではなく、その周辺部分までより深く被覆材を除去する必要がある。その場合には、上記周辺部分の被覆材を除去する際に、レーザ光が露出されたバンプにも照射されることになるので、該バンプが過熱溶融されて変形してしまう危険性がある。また、特に高密度化により隣接するバンプの間隔が狭い場合には、上記周辺部分の被覆材を除去する際に隣接するバンプの周辺部分の被覆材を除去してしまうので、上記溶融されたバンプが隣接したバンプ側に流動して両者が接触してしまう危険性もあった。本発明はそのような事情に鑑み、バンプの中心頂部だけではなくその周辺部分までより深く露出させる必要がある場合であっても、該バンプが過熱溶融されてしまう危険性を低減することができるレーザ加工方法を提供するものである。すなわち本発明は、複数の電極を有する基板と、上記電極に接続した球状のバンプと、該バンプを被覆した被覆材とを備えた加工対象物にレーザ光を照射して、上記バンプを覆う被覆材を除去して該バンプを露出させるようにしたレーザ加工方法において、上記バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる第1ステップと、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径を第1ステップにおける有効穿孔径よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第1ステップで穿孔された凹部内の被覆材に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる第2ステップとを備えたことを特徴とするものである。本発明によれば、上記第1ステップでは、上記バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させているので、従来方法と同様にバンプに伝達されるレーザ光の熱を相対的に少なくすることができ、該バンプの溶融を防止することができる。そして第2ステップでは、レーザ光を上記第1ステップで穿孔された凹部内の被覆材に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させるようにしているが、その際には、該第2ステップにおけるレーザ光の有効穿孔径を第1ステップにおける有効穿孔径よりも小さく設定してしているので、上記バンプの周辺部分の被覆材を除去する際にバンプに伝達されるレーザ光の熱を少なくすることができる。したがって、バンプを溶融させる危険性を低減することができ、また隣接するバンプの周辺部分を被覆する被覆材を除去する範囲を小さくすることができるので、当該バンプを溶融させる危険性を低減することができることと相まって、該バンプが隣接するバンプ側に流動して両者が接触してしまう危険性を低減することができる。以下図示実施例について本発明を説明すると、図1において、加工対象物1はレーザ加工機2のX-Yテーブル3上に載置されており、このX-Yテーブル3は制御装置4によって水平面内で互いに直交するX方向とY方向とに移動されるようになっている。上記加工対象物1は、図2に示すように、それぞれ複数の電極5を有する多数の基板6と、上記各電極5に接続した球状のバンプ7と、各バンプ7を被覆した被覆材8とを備えている。図2では1つのバンプ7のみが記載されているが、このバンプ7は所定の微少の間隔をあけて多数配置されている。また各バンプ7は、リフローによって僅かに溶融されて各電極5に溶着されている。図1に示すように、上記レーザ加工機2は、上記被覆材8を除去するための加工用レーザ装置11と、この加工用レーザ装置11による加工が終了した後に加工塵8a図2b参照を除去してバンプ7の露出した表面をクリーニングするためのクリーニング用レーザ装置12とを備えている。上記加工用レーザ装置11は、CO2パルスレーザ発振器14と、コリメータ15と、ベンドミラー16と、Xガルバノミラー17と、Yガルバノミラー18と、さらにfθレンズ19とを備えており、上記CO2パルスレーザ発振器14から水平方向に発振されたレーザ光L1は、コリメータ15によって所要の直径の平行光線となるように調整される。このレーザ光L1のビームモードはガウシアンモードである。上記コリメータ15は、図示しないが例えばカメラの絞りに用いられているようなレーザ光の透過面積を変更することができるアパーチャーを備えており、該コリメータ15によって所要の直径に調整されたレーザ光L1は、ベンドミラー16によって鉛直下方に反射され、Xガルバノミラー17とYガルバノミラー18とに順次導入される。Xガルバノミラー17とYガルバノミラー18はガルバノスキャナーを構成しており、従来周知のように、レーザ光L1はガルバノスキャナーによって適宜の必要な方向に走査されるようになっている。上記fθレンズ19はテレセントリック特性を有しており、上記ガルバノスキャナーによるレーザ光L1の等角速度運度を等速運動に変換して加工対象物1の表面にこれに垂直に照射することができるようになっている。図3はガウシアンモードを有するレーザ光L1の出力分布を示したものである。従来周知のように、ガウシアンモードのレーザ光L1の出力は、その中心部分の出力が高く、その周辺の出力が小さくなっている。上記加工用レーザ装置11は、後に詳述するように上記被覆材8を除去するために、本発明方法における第1ステップと第2ステップとで用いられる。第1ステップではレーザ出力が大きくセットされるとともに、上記コリメータ15のアパーチャーの面積が大きくセットされる。図3の点線Aは、被覆材8を除去穿孔するために必要な最小限のパワー密度を示している。同図から理解されるように、第1ステップにおけるレーザ光L1による上記被覆材8の有効穿孔径R1は大きくなり、大きな範囲で被覆材8を除去することができるようになっている。他方、第2ステップでは、レーザ出力が小さくセットされるとともに、上記コリメータ15のアパーチャーの面積も小さくセットされる。この場合には、第2ステップにおけるレーザ光L1の有効穿孔径R2は小さくなり、小さな範囲で被覆材8を除去することが可能となる。上記クリーニング用レーザ装置12は、上記加工塵8aを除去するために、本発明方法の第3ステップで用いられる。該クリーニング用レーザ装置12は、YAGパルスレーザ発振器24と、コリメータ25と、ベンドミラー26と、Xガルバノミラー27と、Yガルバノミラー28と、さらにfθレンズ29とを備えており、YAGパルスレーザ発振器24内には音響光学素子を用いたQスイッチ30と非線形光学結晶31とが設けられている。上記Qスイッチ30は高いパルスエネルギーを作り出すための光学部品であり、また非線形光学結晶31はYAGの基本波をUV波長領域に変換するために用いられている。UV波長領域のレーザ光L2は、加工塵8aに対する吸収性が良くてその除去が良好であり、またパルス照射は、過入熱によるバンプ7の溶融を防ぐために有効である。そして上記YAGパルスレーザ発振器24から水平方向に発振されたレーザ光L2は、上記加工用レーザ装置11と同様にして、加工対象物1に照射されるようになっている。以上の構成において、先ず、加工対象物1がX-Yテーブル2上の所定位置にセットされる。図示しないが上記加工対象物1に設けられた各基板6にはそれぞれアライメントマークが設けられており、レーザ加工機2は上記アライメントマークを撮影するカメラからの画像と、予め記録された基板6の設計寸法とからそれぞれの基板6毎にバンプ7が埋設されている位置を算出する。1つのバンプ7が選択されたら、制御装置4により第1ステップの作業が行われる。すなわち図2aに示すように、制御装置4はレーザ光L1の光軸を、選択したバンプ7の中心線Oと平行で、かつ該中心線Oから所要距離eだけオフセットした位置に設定する。このオフセット量eは、レーザ光L1の光軸が直接バンプ7の表面と重なることがないように、球状のバンプ7の半径R以上に設定することが好ましい。またレーザ光L1の焦点はバンプ7の中心の高さ位置に設定することが好ましく、その焦点のスポット径はバンプ7の直径の1/2~1/5程度が好ましい。この状態で上記加工用レーザ装置11が起動され、1つのパルスレーザ光L1が選択したバンプ7を覆う被覆材8の表面に照射される。前述したように、パルスレーザ光L1はガウシアンモードとなっているので、該レーザ光L1の中心部分の出力が高く、その周辺の出力が小さくなり、それによって被覆材8の表面は半球状凹面に除去されてバンプ7の頂上部分が露出されるようになる。またこの際、レーザ光L1による上記被覆材8の有効穿孔径R1は相対的に大きいので、被覆材8の表面は比較的大きく半球状凹面に除去されることになる。上記制御装置4は、レーザ光L1の発振と同時に該レーザ光L1の光軸を上記バンプ7の中心線Oの周囲に旋回させるようになり、それによって上記中心線Oの周囲の被覆材8は、レーザ光L1の多数回の照射によりドーナツ状に除去される。このとき、バンプ7の中心線Oは鉛直方向であり、またレーザ光L1の光軸は、上記fθレンズ19によって加工対象物1の表面にこれに垂直に照射されるようになっているので、レーザ光L1の光軸はバンプ7の中心線Oに対して平行状態を保って、その周囲を旋回されるようになる。またレーザ光L1の照射タイミングは、先行するレーザ光L1の照射領域と後続のレーザ光L1の照射領域とが重なり合うようなタイミングで被覆材8の表面に照射されるようになっており、それによって上記中心線Oの周囲の被覆材8をドーナツ状に除去することができるようにしてある。上記レーザ光L1はバンプ7の中心線Oの周囲を旋回されながら被覆材8にパルス状に照射されるが、その際、レーザ光L1はガウシアンモードとなっているので、バンプ7の中心頂部に照射される熱量を低減することができる。すなわち、ガウシアンモードではレーザ光L1の中心部分の出力が高く、その周辺の出力が小さいので、上述したようにレーザ光L1の光軸をバンプ7の中心線Oから所要距離eだけオフセットさせれば、レーザ光L1の光軸とバンプ7の中心線Oとを一致させた場合に比較してバンプ7に加えられる熱量を小さくすることができ、それによってバンプ7が溶融する危険性を低減することができる。特に、上記オフセット量eをバンプ7の半径R以上に設定すれば、レーザ光L1の光軸が直接バンプ7の表面と重なることがないので、バンプ7が溶融する危険性をより低減することができる。図2bは第1ステップが終了した状態を示しており、この状態ではバンプ7の中心線Oの周囲の被覆材8が相対的に広く浅くドーナツ状に除去されて凹部9が形成されており、その中心にバンプ7の中心頂部が露出されている。なお、図中の符号8aは、被覆材8が除去された際に、露出したバンプ7の頂部に残存する加工塵である。またこの状態では、バンプ7の中心を水平に横切る水平面におけるバンプの周辺部分は、被覆材8内に埋没されていて、この部分は未だ露出されてはいない。上述した第1ステップの作業が終了したら、引き続き第2ステップの作業が行われる。この第2ステップでは、上述したようにコリメータ15のアパーチャーが調整されてレーザ光L1のビーム径が絞られ、レーザ光L1による上記被覆材8の有効穿孔径R2は第1ステップにおける有効穿孔径R1よりも小さく設定される。また、第2ステップのレーザ光のパルス幅が第1ステップのパルス幅よりも小さく設定されて、該第2ステップのレーザ出力が第1ステップのレーザ出力よりも小さく設定される。さらに、第2ステップにおいてもレーザ光L1の照射タイミングは、先行するレーザ光L1の照射領域と後続のレーザ光L1の照射領域とが重なり合うようなタイミングで被覆材8の表面に照射されるが、上述したように第2ステップの有効穿孔径R2が第1ステップの有効穿孔径R1よりも小さく設定される関係上、2つの隣接する照射領域間のピッチは第1ステップのピッチよりも細かくなるように設定される。これにより、バンプ7の周辺部分を全周に亘って確実に露出させることができるようにしてある。その他の条件は、すなわちレーザ光L1の光軸がバンプ7の中心線Oと平行であることや、上記オフセット量eやレーザ光L1の焦点位置は、第1ステップと同一のままである。この状態で上記加工用レーザ装置11が起動され、図2cに示すように、1つのパルスレーザ光L1が上記第1ステップによって除去された凹部9内における被覆材8の表面に照射される。この場合においても被覆材8の表面は1つのパルスレーザ光L1によって半球状凹面に除去されるが、この際には、前述したように、第2ステップにおけるレーザ光L1の有効穿孔径R2は小さいので、小さな範囲でしか被覆材8を除去することができず、したがって被覆材8は第1ステップの場合よりも狭い範囲で球状凹面に除去される。これによって、バンプ7の中心頂部に連続して、バンプ7の中心を水平に横切る水平面におけるバンプの周辺部分が露出されるようになる。上記制御装置4は、第1ステップと同様に、レーザ光L1の発振と同時に該レーザ光L1の光軸を上記バンプ7の中心線Oの周囲に旋回させるようになり、それによって上記中心線Oの周囲の被覆材8は、レーザ光L1の多数回の照射により円筒状に除去される。その結果、図2dに示すように、バンプ7の中心頂部に連続して、バンプ7の中心を水平に横切る水平面におけるバンプの周辺部分も露出されるようになる。この際、該第2ステップにおいては、レーザ出力を小さく、また被覆材8の有効穿孔径R2を小さく設定しているので、上記バンプ7の周辺部分の被覆材8を除去する際にバンプ7に伝達されるレーザ光L1の熱を少なくすることができる。したがって、被覆材8の有効穿孔径を大きく設定したままの場合に比較して、バンプ7に照射されるレーザ光L1の照射量を小さくして該バンプ7を溶融させる危険性を低減することができる。また、隣接する図示しないバンプの周辺部分を被覆する被覆材8を除去してしまう範囲を小さくすることができるので、該被覆材8を超えてバンプ7が隣接するバンプ側に流動して両者が接触してしまう危険性も低減することができる。上記第2ステップが終了したら、引き続き、バンプ7の表面に付着している加工塵8aを除去する第3ステップが実行される。この第3ステップでは、クリーニング用レーザ装置12が選択使用される。この第3ステップでは、図2eで示すように、レーザ光L2の光軸とバンプ7の中心線Oとが一致され、上記制御装置4は、レーザ光L2のパルス発振と同時に該レーザ光L2の光軸を上記バンプ7の中心線Oを中心として、その周囲に渦巻き状に徐々に離隔させながら旋回させるようになる。これによりUV波長領域のレーザ光L2がバンプ7の露出した表面全域に照射されて、図2fで示すように、上記加工塵8aが除去される。以上のようにして1つのバンプ7が露出されたら、以後、新たに被覆材8で被覆されたバンプ7が選択されて、各バンプ7ごとに上述の第1ステップから第3ステップまでの作業が繰り返されることになる。