"キャリア輸送性のπ電子共役有機分子を基材上に蒸着させて、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造する方法であって、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]、前記薄膜の膜密度から算出される前記有機分子一分子あたりの体積Vm[Å3]、及び前記有機分子の蒸着速度R[Å/sec]を用いて下記式Aから算出される温度TA[°C]以上で、且つ1.15Tg[K]以下である温度に、前記基材の温度を調節しながら、前記有機分子を蒸着させることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。TA=0.85×Tg/10.01846×lnVm/600×R-273A非経験的分子軌道計算法により導出した最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が、前記有機分子間において基材表面に対して垂直方向に重なることを特徴とする請求項1に記載のキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。前記有機分子が、前記最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が直線状に並んだ構造を有し、前記有機分子が電子輸送性の場合には、最低非占有分子軌道の前記直線方向に対する2次の配向パラメータSが、あるいは、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、最高占有分子軌道の前記直線方向に対する2次の配向パラメータSが、それぞれ-0.1~-0.5の範囲にあることを特徴とする請求項2に記載のキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。前記有機分子が、前記最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が面状に並んだ構造を有し、前記有機分子が電子輸送性の場合には、最低非占有分子軌道の前記面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、あるいは、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、最高占有分子軌道の前記面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、それぞれ-0.1~-0.5の範囲にあることを特徴とする請求項2に記載のキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。前記有機分子において、前記Tgが60°C以上であり、分子量が400~2500であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。前記基材の温度を、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]以下とすることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。請求項1~6のいずれか一項に記載の製造方法で、複数層のキャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造することを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法。しかし、非特許文献1及び2には、分子の配向方向を制御する具体的な因子、水平配向が優先することによるキャリア輸送特性の変化、水平配向が優先することを利用した具体的な有機半導体素子については何ら開示されていない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、構成する有機分子の配向が制御され、キャリア移動度が高いキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供することを課題とする。本発明は、キャリア輸送性のπ電子共役有機分子を基材上に蒸着させて、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造する方法であって、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]、前記薄膜の膜密度から算出される前記有機分子一分子あたりの体積Vm[Å3]、及び前記有機分子の蒸着速度R[Å/sec]を用いて下記式Aから算出される温度TA[°C]以上で、且つ1.15Tg[K]以下である温度に、前記基材の温度を調節しながら、前記有機分子を蒸着させることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。TA=0.85×Tg/10.01846×lnVm/600×R-273Aまた、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法において、非経験的分子軌道計算法により導出した最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が、前記有機分子間において基材表面に対して垂直方向に重なることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。また、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法において、前記有機分子が、前記最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が直線状に並んだ構造を有し、前記有機分子が電子輸送性の場合には、最低非占有分子軌道の前記直線方向に対する2次の配向パラメータSが、あるいは、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、最高占有分子軌道の前記直線方向に対する2次の配向パラメータSが、それぞれ-0.1~-0.5の範囲にあることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。また、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法において、前記有機分子が、前記最高占有分子軌道又は最低非占有分子軌道が面状に並んだ構造を有し、前記有機分子が電子輸送性の場合には、最低非占有分子軌道の前記面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、あるいは、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、最高占有分子軌道の前記面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、それぞれ-0.1~-0.5の範囲にあることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。また、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法において、前記有機分子において、前記Tgが60°C以上であり、分子量が400~2500であることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。また、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法において、前記基材の温度を、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]以下とすることを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。また、本発明は、かかるキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法で、複数層のキャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造することを特徴とするキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供する。本発明によれば、構成する有機分子の配向が制御され、キャリア移動度が高いキャリア輸送性有機非晶質薄膜の製造方法を提供できる。<キャリア輸送性有機非晶質薄膜及びその製造方法>本発明に係るキャリア輸送性有機非晶質薄膜以下、単に有機薄膜又は薄膜と略記することがあるの製造方法は、キャリア輸送性のπ電子共役有機分子を基材上に蒸着させて、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を製造する方法であって、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]、前記薄膜の膜密度から算出される前記有機分子一分子あたりの体積VmÅ3、及び前記有機分子の蒸着速度R[Å/sec]を用いて下記式Aから算出される温度TA[°C]以上で、且つ1.15Tg[K]以下である温度に、前記基材の温度を調節しながら、前記有機分子を蒸着させることを特徴とする。TA=0.85×Tg/10.01846×lnVm/600×R-273Aここでキャリアとは、正孔又は電子を意味する。また、本発明において非晶質とは、結晶性を有していないこと、すなわち、分子の高次構造において規則性が無いことを指す。前記製造方法によって、基材の温度だけでなく、蒸着させる有機分子の蒸着速度も同時に調節することによって、従来よりも精密に配向性が制御された非晶質の有機薄膜が得られる。本発明に係る製造方法を適用できる蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等のドライプロセス;レーザー転写法等が例示できる。前記基材としては、各種素子で使用されるガラス製等の基板、該基板上にこれとは異なる無機薄膜又は有機薄膜が形成されたものが例示でき、目的に応じて適宜選択できる。前記無機薄膜又は有機薄膜としては、電極層、半導体層等の各種機能層が例示でき、例えば、後述するように、本発明に係る製造方法で形成された有機薄膜を最上層に備えたものを基材として用いてもよい。また、前記基材の形状も、プレート状をはじめ、目的に応じて任意に選択できる。一般的に、蒸着による薄膜の形成過程では、飛来した分子が基材表面上で運動しながら別の飛来分子と合体して核を形成し、その核に次々と分子が取り込まれて核成長し、場合によっては近傍で成長する別の核と合体しながら薄膜が形成される。その際、蒸着速度が所定の値よりも速くなると、飛来した分子が基板上で十分に運動しないうちに、別の飛来分子と合体して薄膜が形成される。このようにして形成される薄膜における分子の配向は等方的になるので、膜密度は蒸着速度が速くなるにしたがって低くなると予想される。一方、基材温度が高いほど分子の熱運動のエネルギーは大きくなり、特定の時間内に基材上で配置を変える頻度は高くなる。したがって、基材温度が高いほど、分子はよりエネルギー的に安定な配置を取る機会が多くなり、特定の配向をとり易くなり、非晶質の場合でもより結晶に近い密度になると予想される。そこで、蒸着速度と基材温度を適切に調整することにより、分子の配向が制御された有機薄膜を形成できると考えられ、このような観点から、本発明は完成されたものである。蒸着速度R[Å/sec]で有機薄膜が形成される場合には、有機分子有機化合物が基材表面上で運動できる時間を見積もると、以下のようになる。すなわち、形成される有機薄膜の密度から算出される有機分子1個あたりの体積をVm[Å3]とし、平均的に有機分子が一辺Vm1/3[Å]の立方体に1個存在すると考えると、蒸着速度R[Å/sec]で有機薄膜が形成されているとき、1分子層が形成される時間はVm1/3/R[sec]となり、基材上の1cm2の領域に1秒あたりに飛来する分子数は、R×1016/Vm[個]となるので、有機分子が基材上で運動できる時間は、Vm/R×1016[sec]となる。これに対して、有機分子が基材上で配置を変える頻度は、有機分子が基材上で配置を変えるための活性化エネルギーをQD、有機分子が基材上のある特定の位置にとどまっているときの振動数をν、基材温度をT、ボルツマン定数をkBとすると、νexp-QD/kBTとなる。したがって、有機分子が基材上で配置を変える時間は、1/νexpQD/kBTとなる。そこで、蒸着速度R[Å/sec]で決まる、有機分子が基材上で運動できる時間Vm/R×1016[sec]に対して、有機分子が基材上で配置を変える時間1/νexpQD/kBTが十分長くなるように基材温度T[°C]を設定することにより、配向性が制御された有機薄膜を形成できると考えられる。そこで、有機薄膜を形成するときの有機分子の蒸着速度R[Å/sec]と基材温度T[°C]の条件を変えて、これらと、形成される有機薄膜の配向性との関係を詳細に調べたところ、有機薄膜を形成する有機分子のガラス転移点をTg[K]、有機薄膜の膜密度から算出される有機分子の一分子あたりの体積をVmÅ3、有機分子の蒸着速度をR[Å/sec]としたときに、基材温度T[°C]が、上記の温度TA[°C]以上で、且つ1.15Tg[K]以下である場合に、配向性が制御された非晶質の有機薄膜を形成できることが明らかとなった。本発明においては、このように基材温度を調節することで、有機薄膜の配向性が制御されるので、有機分子としてキャリア輸送性のπ電子共役有機分子を用いることで、有機薄膜のキャリア移動度キャリア輸送性が向上し、例えば、かかる薄膜を用いた有機EL素子は、印加電圧を低減でき、駆動電圧を低電圧化できる。本発明においては、前記基材の温度を、前記有機分子のガラス転移点Tg[K]以下とすることが好ましい。このようにすることで、配向性がより制御された有機薄膜を形成できる。ここで、有機薄膜の配向性が制御されるとは、例えば、非経験的分子軌道計算法により導出した最高占有分子軌道HOMO又は最低非占有分子軌道LUMOが、有機薄膜を構成する前記有機分子間において、基材表面に対して垂直方向に重なるように、前記有機分子が基材上で配置されることを意味する。非経験的分子軌道計算法としては、米国Gaussian社製のGaussianシリーズ、Schrodinger社製のMarcoModel、Wavefunction社製のSpartan、アドバンスソフト社製のABINIT-MP/BioStation等の汎用の量子化学計算ソフトを用いた計算法が例示でき、なかでも、Gaussian09Gaussian09W、Gaussian09Mが好適である。Gaussian09Wを用いてπ電子共役有機分子のHOMO又はLUMOの分布を計算する場合、まず、チェックポイントファイルを指定し、分子モデルの初期座標、計算方法と基底関数、電荷とスピン多重度をそれぞれ入力してインプットファイルを作成し、計算を実行することにより、最適構造化を行い、π電子共役有機分子の安定構造を計算する。次いで、得られた安定構造に対して分子軌道を表示することにより、π電子共役有機分子のHOMO又はLUMOの分布を可視化することができる。なお、インプットファイルの作成及び実行の際の計算方法としては、Hartree-Fock法、密度汎関数DFT法、MPMollerPlessetperturbationtheory法、CCCoupledClustertheory法が選択できるが、本明細書におけるGaussian09Wを用いた計算では、DFT法を採用している。また、Gaussian09Wを用いた場合、安定構造の計算と同時に、HOMO及びLUMOも計算されており、GaussianViewによりHOMO及びLUMOの分布を可視化している。ここで、例えば、キャリア輸送性を示す有機材料として注目されている2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADNの分子構造を以下に示す。MADNはアントラセン骨格の9位及び10位にナフタレン骨格が結合した構造を有する。MADNについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gdにより求めたMADNの安定構造を図1aに示す。また、この安定構造に対して、HOMOの分布を可視化したものを図1bに、LUMOの分布を可視化したものを図1cに、それぞれ分子構造と共に示す。図1に示すように、MADNのHOMO及びLUMOは、アントラセン骨格に主に存在し、ナフタレン骨格にはほとんど存在しない。本発明によれば、有機薄膜を構成するMADN分子間において、MADNのHOMO又はLUMOが基材表面に対して垂直方向に重なる。これは、HOMO及びLUMOが主に分布しているアントラセン骨格のπ電子共役面が、基材表面に対して実質的に平行に配向することによる。ここで、π電子共役面が基材表面に対して実質的に平行に配向するとは、π電子共役面が基材表面に完全に平行な場合だけでなく、π電子共役面と基材表面とがなす角度が45°未満となるように、アントラセン骨格が配向することを示す。MADNはキャリア輸送性であるが、このように、MADNの配向が制御されることで、後述するように有機EL素子の一対の電極間に配置された有機薄膜の構成材料としてMADNを適用した場合には、かかるMADN膜が電荷輸送層及び正孔輸送層のいずれであっても、MADN膜のキャリア輸送性が向上し、有機EL素子の駆動電圧を低電圧化できる。このように、キャリア移動に関与する分子軌道π電子共役有機分子が正孔輸送性の場合にはHOMO、電子輸送性の場合はLUMOが主に分布するπ電子共役面が、基材表面に対して実質的に平行となることにより、キャリア移動に関与するπ電子の軌道の重なりが大きくなり、キャリア移動度が高くなる。なお、π電子共役有機分子には、複数のπ電子共役面に満遍なくHOMO又はLUMOが分布している場合もある。この場合には、最も面積が大きいπ電子共役面を基材表面に対して実質的に平行に配向させることが好ましく、これにより、キャリア輸送性をより向上させることができる。ここでは、MADNについて説明したが、本発明においてはMADN以外のπ電子共役有機分子についても同様に配向を制御でき、HOMO又はLUMOが主に分布しているHOMO又はLUMOの分布が多い骨格のπ電子共役面を、基材表面に対して実質的に平行に配向させることができる。本発明において好ましいπ電子共役有機分子としては、ベンゼン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フェナントロリン骨格、ベンゾフラン骨格、ベンゾジフラン骨格、トリアジン骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、トリアゾール骨格、ピリジン骨格、オキサジアゾール骨格、カルバゾール骨格等のπ電子共役面を有するものが例示できる。従来の有機薄膜では、分子間においてπ電子共役面のπ電子の軌道が重なるものについては開示されているが、本発明により得られる有機薄膜では、π電子の軌道の中でも、HOMO又はLUMOが重なっており、これは本発明により初めて開示される構成であり、これにより、キャリア移動度が顕著に向上する。π電子共役有機分子としては、HOMO又はLUMOが直線状に並んだ構造を有するものが例示できる。ここで、HOMO又はLUMOが直線状に並んだ構造とは、HOMO又はLUMOを有するπ電子共役面が、基材表面に沿って直線を描くように配列した構造を意味する。このような構造を有する場合、前記有機分子が電子輸送性の場合には、LUMOの前記直線方向LUMOの配列方向に対する2次の配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることが好ましい。そして、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、HOMOの前記直線方向HOMOの配列方向に対する2次の配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることが好ましい。これにより、有機薄膜のキャリア移動度がより向上する。また、π電子共役有機分子としては、HOMO又はLUMOが面状に並んだ構造を有するものが例示できる。ここで、HOMO又はLUMOが面状に並んだ構造とは、HOMO又はLUMOを有するπ電子共役面が、二つ以上の方向に伸びて基材表面に沿って面を描くように配列した構造を意味する。このような構造を有する場合、前記有機分子が電子輸送性の場合には、LUMOの前記面内LUMOの配列面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることが好ましい。そして、前記有機分子が正孔輸送性の場合には、HOMOの前記面内HOMOの配列面内に存在する平行ではない二つの遷移双極子モーメントの方向に対する2次の配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることが好ましい。これにより、有機薄膜のキャリア移動度がより向上する。前記配向パラメータSは、基材上に形成された薄膜中の分子の配向方向を定量化する値でありAppliedPhysicsLetters,93,2008,173302参照、薄膜の消衰係数kに依存し、下記式Bで表される。S=3/2cos2θ-1/2=kz-kxy/kz2kxyB式中、θは分子の配向軸と、基材表面に対して垂直な方向との為す角度°であり、kxyは基材表面と平行な方向の薄膜の消衰係数であり、kzは基材表面に対して垂直な方向の薄膜の消衰係数である。ここで、x及びyを、互いに直交し且つ光学的に等方的な二つの方向とし、これらの方向の消衰係数をkx及びkyとすると、kxy=kx=kyである。薄膜が光学的異方性を有していない場合のSは0であり、薄膜中の分子の配向方向が基材表面に対して完全に水平方向平行である場合のSは-0.5である。消衰係数kは、分光エリプソメーターによる測定値から算出される。したがって、配向パラメータSが、-0.1~-0.5の範囲にあることは、有機薄膜中で、基材表面に対して水平方向平行に配向している有機分子の割合が高いことを示す。本発明において、前記有機分子は、明確な融点を示さず、ガラス転移点Tgが60°C以上であるものが好ましい。また、前記有機分子は、分子量が400~2500であるものが好ましい。本発明においては、基材として、薄膜が形成されたものを用い、その最上層の薄膜上に有機薄膜を形成することができる。この場合には、基材中の少なくとも最上層の薄膜の温度を、新たに形成しようとする有機薄膜に関するTg、Vm及びRから前記式Aで算出されるTA以上で、且つ1.15Tg以下である温度に調節すればよい。そして、新たに有機薄膜を形成しようとする前記最上層の薄膜は、有機薄膜及び無機薄膜のいずれでもよく、有機薄膜の場合、本発明に係る製造方法で形成されたものでもよい。このように、本発明においては、基材上に前記方法で複数層の有機薄膜を形成することもできる。前記有機薄膜は、非晶質であっても有機分子の配向が制御され、キャリア移動度に優れるので、有機EL素子への適用に好適なものである。本発明に係る製造方法は、有機エレクトロルミネッセンス以下、ELと略記する素子等、キャリア輸送性有機非晶質薄膜を備えた各種素子の製造への適用に特に好適である。以下、前記素子として有機EL素子について説明する。図2は、本実施形態に係る有機EL素子の要部を例示する概略断面図である。ここに示す有機EL素子1は、基材11上に、第一電極12、有機EL層13及び第二電極14がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、有機EL素子1は、基材11上に、第一電極12及び第二電極14からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機EL層13と、を備えたものである。基材11としては、ガラス基板が例示できる。基材11の厚さは、0.4~1.1mmであることが好ましい。第一電極12及び第二電極14は、陽極又は陰極として機能するものである。陰極の材質としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム、バリウム等のアルカリ土類金属;アルミニウム;銅;ケイ素;二種以上のこれら金属からなる合金;一種以上のこれら金属を含む合金以外の化合物等が例示できる。なかでも、安定性が良好な点から、リチウム、セシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、ナトリウムカリウム合金、セシウム化合物、マグネシウム合金、バリウム化合物、アルミニウムリチウム合金、アルミニウム銅合金、アルミニウム銅シリコン合金が好ましい。また、これら以外でも、好ましいものとしてフッ素化合物が例示できる。陰極は、二種以上の材質からなる層が積層された複数層のものでもよく、この時の層数は特に限定されない。複数層の陰極で好ましいものとしては、カルシウム層及びアルミニウム層が積層されたものが例示できる。陽極の材質としては、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO登録商標、酸化インジウム、酸化スズ、カドミウムスタネートCd2SnO4、酸化亜鉛、ヨウ化銅、金、白金等が例示できる。第一電極12及び第二電極14の膜厚は、それぞれ50~200nmであることが好ましい。有機EL層13は、陽極である第一電極12側から、陰極である第二電極14側へかけて、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fがこの順に積層され、概略構成されている。正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fは、それぞれ単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。正孔注入層13aは、正孔の第一電極12からの注入を効率よく行うものである。正孔輸送層13bは、正孔の発光層13cへの輸送を効率よく行うものである。電子輸送層13eは、電子の発光層13cへの輸送を効率よく行うものである。電子注入層13fは、電子の第二電極14からの注入を効率よく行うものである。これらは、キャリア注入輸送層に該当する。有機EL層13において、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fのうちの少なくとも一層は、上記本発明の非晶質薄膜の製造方法で形成された有機薄膜であり、すべての層が該有機薄膜であってもよい。そして、有機EL層13において、該有機薄膜ではない層は、公知の方法で形成されたものであり、上記本発明の非晶質薄膜の製造方法以外の方法で形成された有機薄膜であってもよいし、無機薄膜であってもよい。正孔注入層13a及び正孔輸送層13bの材質は、公知のものでよく、好ましいものとしては、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物や無機p型半導体材料;ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPD、4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、Tg151°C、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、Tg55°C、4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPC、2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPAS、N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPD、N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クオーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPD、4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASi、2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Cz等の芳香族第三級アミン化合物;ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物;ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子化合物;2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN、Tg120°C等の芳香族炭化水素化合物等が例示できる。なお、ここでTgとはガラス転移点であり、これは以降において例示する有機分子でも同様である。正孔注入層13aの材質としては、陽極からの正孔の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層13bの材質よりも、HOMOのエネルギー準位が低い材質が好ましい。そして、正孔輸送層13bの材質としては、正孔注入層13aの材質よりも、正孔の移動度が高いものが好ましい。正孔注入層13a及び正孔輸送層13bは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、正孔の注入性及び輸送性をより向上させるためには、正孔注入層13a及び正孔輸送層13bは、アクセプターを含むことが好ましい。前記アクセプターは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。前記無機材料の好ましいものとしては、金Au、白金Pt、タングステンW、イリジウムIr、オキシ塩化リンPOCl3、六フッ化ヒ酸イオンAsF6-、塩素Cl、臭素Br、ヨウ素I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等が例示できる。前記有機材料の好ましいものとしては、7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンTCNQF4、テトラシアノエチレンTCNE、ヘキサシアノブタジエンHCNB、ジシクロジシアノベンゾキノンDDQ等のシアノ基を有する化合物;トリニトロフルオレノンTNF、ジニトロフルオレノンDNF等のニトロ基を有する化合物;フルオラニル;クロラニル;ブロマニル等が例示できる。前記アクセプターは、これらのなかでも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、シアノ基を有する化合物が好ましい。正孔注入層13aの膜厚は、1~500nmであることが好ましい。正孔輸送層13bの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。発光層有機発光層13cの材質は、公知のものでよく、有機発光材料のみでもよいし、発光性のドーパントとホスト材料との組み合わせでもよく、さらに任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。また、上記の各材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散されていてもよい。発光効率及び耐久性の観点からは、発光層13cの材質としては、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。前記有機発光材料は、低分子発光材料及び高分子発光材料等に分類でき、蛍光材料又は燐光材料等に分類されるものでもよい。発光層有機発光層13cに用いる低分子有機材料ホスト材料を含むの好ましいものとしては、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBi等の芳香族ジメチリデン化合物;5-メチル-2-[2-[4-5-メチル-2-ベンゾオキサゾリルフェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料;アゾメチン亜鉛錯体、8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム錯体Alq3等の蛍光発光有機金属錯体;BeBqビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体;4,4’-ビス-2,2-ジ-p-トリル-ビニル-ビフェニルDTVBi;トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオノモノフェナントロリンEuIIIEuDBM3Phen;ジフェニルエチレン誘導体;トリス[4-9-フェニルフルオレン-9-イルフェニル]アミンTFTPA、Tg186°C等のトリフェニルアミン誘導体;ジアミノカルバゾール誘導体;ビススチリル誘導体;芳香族ジアミン誘導体;キナクリドン系化合物;ペリレン系化合物;クマリン系化合物;ジスチリルアリーレン誘導体DPVBi;オリゴチオフェン誘導体BMA-3T;4,4’-ジトリフェニルシリル-ビフェニルBSB、Tg100°C、ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1、Tg26°C、1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2、1,3-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH3、Tg46°C、トリフェニル-4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルシランTPSi-F、Tg100°C等のシラン誘導体;9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP、Tg62°C、4,4’-ビスカルバゾール-9-イル-2,2’-ジメチルビフェニルCDBP、Tg111°C、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、Tg55°C、3-ジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO1、Tg74°C、3,6-ジ9-カルバゾリル-9-2-エチルヘキシルカルバゾールTCz1、Tg88°C、9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCP、Tg101°C、ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2、3-ジフェニルホスホリル-9-4-ジフェニルホスホリルフェニル-9H-カルバゾールPPO21、Tg111°C、2,2-ビス4-カルバゾリルフェニル-1,1-ビフェニル4CzPBP、Tg120°C、3,6-ビスジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO2、Tg123°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSi、Tg131°C、3,6-ビス[3,5-ジフェニルフェニル]-9-フェニル-カルバゾールCzTP、Tg135°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ジトリチル-9H-カルバゾールCzC、Tg167°C、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビス9-4-メトキシフェニル-9H-フルオレン-9-イル-9H-カルバゾールDFC、Tg180°C、2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBP、9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDF等のカルバゾール誘導体;4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体;1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB、2,7-ビスカルバゾール-9-イル-9,9-ジメチルフルオレンDMFL-CBP、Tg131°C、2-[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンBDAF、Tg153°C、2-9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンBSBF、Tg176°C、9,9-ビス[4-ピレニルフェニル]-9H-フルオレンBPPF、Tg177°C、2,2’-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレンSpiro-Pye、Tg189°C、2,7-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレン2,2’-Spiro-Pye、Tg186°C、2,7-ビス[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンTDAF、Tg201°C、2,7-ビス9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンTSBF、Tg231°C、9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1等のフルオレン誘導体;1,3-ジピレン-1-イルベンゼンm-Bpye、Tg97°C等のピレン誘導体;プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1等のベンゾエート誘導体;4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1、2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPT等のフォスフィンオキサイド誘導体;4,4-ジトリフェニルシリル-p-ターフェニルBST、Tg113°C等のターフェニル誘導体;2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMT等トリアジン誘導体が例示できる。発光層有機発光層13cに用いる高分子有機材料の好ましいものとしては、ポリ2-デシルオキシ-1,4-フェニレンDO-PPP、ポリ[2,5-ビス-[2-N,N,N-トリエチルアンモニウムエトキシ]-1,4-フェニル-アルト-1,4-フェニレン]ジブロマイドPPP-NEt3、ポリ[2-2’-エチルヘキシルオキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレン]MEH-PPV、ポリ[5-メトキシ-2-プロパノキシサルフォニド-1,4-フェニレンビニレン]MPS-PPV、ポリ[2,5-ビス-ヘキシルオキシ-1,4-フェニレン-1-シアノビニレン]CN-PPV等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレンPDAF等のポリスピロ誘導体;ポリN-ビニルカルバゾールPVK、Tg200°C等のポリカルバゾール誘導体等が例示できる。前記有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率が高い燐光材料が好ましい。前記発光性のドーパントの材質のうち、紫外発光材料であれば、p-クォーターフェニル、3,5,3,5テトラ-tert-ブチルセクシフェニル、3,5,3,5テトラ-tert-ブチル-p-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が例示できる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料;ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’,6’-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の、また、緑色発光材料であれば、トリス2-フェニルピリジナートイリジウムIrppy3等の燐光発光有機金属錯体等が例示できる。発光層13cの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fの材質は、公知のものでよく、好ましいものとしては、低分子材料であれば、n型半導体である無機材料;1,3-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]ベンゼンBpy-OXD、Tg102°C、1,3-ビス5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールー2-イルベンゼンOXD7等のオキサジアゾール誘導体;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;チオピラジンジオキシド誘導体;ベンゾキノン誘導体;ナフトキノン誘導体;アントラキノン誘導体;ジフェノキノン誘導体;フルオレノン誘導体;ベンゾジフラン誘導体;8-ヒドロキシキノリノラート-リチウムLiq、Tg130°C等のキノリン誘導体;2,7-ビス2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル-9,9-ジメチルフルオレンBpy-FOXD、Tg134°C等のフルオレン誘導体;1,3,5-トリ3-ピリジル-フェン-3-イルベンゼンTmPyPB、Tg79°C、1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPB、Tg80°C等のベンゼン誘導体;2,2’,2-1,3,5-ベンジントリイル-トリス1-フェニル-1-H-ベンゾイミダゾールTPBI、Tg122°C等のベンゾイミダゾール誘導体;3,5-ジピレン-1-イルピリジンPY1、Tg107°C等のピリジン誘導体;3,3’,5,5’-テトラ[m-ピリジル-フェン-3-イル]ビフェニルBP4mPy、Tg107°C等のビフェニル誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhen、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP等のフェナントロリン誘導体;トリス2,4,6-トリメチル-3-ピリジン-3-イルフェニルボラン3TPYMB等のトリフェニルボラン誘導体;ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPS等のテトラフェニルシラン誘導体が例示できる。また、高分子材料であれば、ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等が例示できる。特に、電子注入層13fの材質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物;酸化リチウムLi2O等の酸化物等が例示できる。電子注入層13fの材質としては、陰極からの電子の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層13eの材質よりも、LUMOのエネルギー準位が高い材質が好ましい。そして、電子輸送層13eの材質としては、電子注入層13fの材質よりも、電子の移動度が高いものが好ましい。電子輸送層13e及び電子注入層13fは、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。そして、電子の輸送及び注入性をより向上させるためには、電子輸送層13e及び電子注入層13fは、ドナーを含むことが好ましい。前記ドナーは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。前記無機材料の好ましいものとしては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属;希土類元素;アルミニウムAl;銀Ag;銅Cu;インジウムIn等が例示できる。前記有機材料の好ましいものとしては、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレンTTF類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が例示できる。前記芳香族3級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類;フェニレンジアミン類;N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等のベンジジン類;トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類;N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミンのトリフェニルジアミン類が例示できる。前記縮合多環化合物が置換基を有するとは、前記縮合多環化合物中の一つ以上の水素原子が、水素原子以外の基置換基で置換されていることを指し、前記置換基の数は特に限定されず、すべての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。前記置換基としては、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルケニルオキシ基、炭素数6~15のアリール基、炭素数6~15のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が例示できる。前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、n-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基が例示できる。また、環状のアルキル基は、単環状及び多環状のいずれでも良く、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。前記アルコキシ基としては、前記アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記アルケニル基としては、炭素数が2~10の前記アルキル基において、炭素原子間の一つの単結合C-Cが二重結合C=Cに置換されたものが例示できる。前記アルケニルオキシ基としては、前記アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が例示できる。前記アリールオキシ基としては、前記アリール基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。前記ドナーは、これらのなかでも、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。電子輸送層13eの膜厚は、5~500nmであることが好ましい。また、電子注入層13fの膜厚は、0.1~100nmであることが好ましい。有機EL素子1は、例えば、以下の方法で製造できる。図3は、有機EL素子1の製造方法を説明するための概略断面図である。まず、図3aに示すように、基材11上に、スパッタリング法、真空蒸着法等により第一電極12を形成する。次いで、図3bに示すように、第一電極12上に、正孔注入層13a、正孔輸送層13b、発光層13c、正孔防止層13d、電子輸送層13e及び電子注入層13fをこの順に積層し、有機EL層13を形成する。この時、有機EL層13正孔注入層13a~電子注入層13fのうちの少なくとも一層を、上記本発明の非晶質薄膜の製造方法で形成する。そして、本発明の製造方法で形成する層は、正孔注入層13a~電子注入層13fのすべての層でもよい。また、本発明の製造方法で形成しない層は、例えば、真空蒸着法等で形成する。次いで、図3cに示すように、有機EL層13上に、真空蒸着法等により第二電極14を形成する。上記工程を行うことで、図2に示す有機EL素子1が得られる。本発明に係る製造方法を適用する有機EL素子は、図2に示すものに限定されず、有機EL層13が少なくとも発光層を備えていればよく、発光層のみを備えたもの、又は発光層とキャリア輸送層とを備えたもの等、有機EL素子1の構成の一部が変更されたものでもよい。例えば、有機EL層13の構成を以下のようにしたものが挙げられる。1発光層のみの有機EL層。2第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔輸送層及び発光層がこの順に積層された有機EL層。3第一電極12側から第二電極14側へかけて、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。4第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。5第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。6第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。7第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL層。8第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。9第一電極12側から第二電極14側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL層。前記電子防止層は、有機EL用として公知のものでよく、単層構造及び多層構造のいずれであってもよく、有機薄膜及び無機薄膜のいずれでもよい。上記のような有機EL素子1以外の有機EL素子も、少なくとも一層の有機薄膜を本発明に係る製造方法で形成することで、有機EL素子1と同様に製造できる。なお、ここまで、有機EL層を構成する各層の材質材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料又は電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料及び電子輸送材料もホスト材料として使用できる。前記有機EL素子は、これを構成する有機薄膜が非晶質であっても、有機薄膜を構成する分子の配向が制御され、キャリア移動度が高いので、高電圧を印加する必要が無く、消費電力が少なく、信頼性及び耐久性にも優れる。前記有機EL素子は、例えば、電極間ショートが防止され、従来その防止策としてとられていた有機薄膜の多層化や厚膜化等の手段も不要なので、簡便に且つ低コストで製造できる。以下、本発明に係る製造方法で有機薄膜を形成するのに好適な、MADN以外のπ電子共役有機分子の具体的構造を例示する。ただし、π電子共役有機分子はここに例示するものに限定されるものではない。下記N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPDについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図4aに、分子構造と前記計算法で求めたHOMOの分布を図4bに、それぞれ示す。α-NPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、正孔輸送に関与するHOMOが中央付近のビフェニル骨格に主に分布しており、ナフタレン骨格におけるHOMOは僅かである。したがって、α-NPDを正孔輸送層又は正孔注入層の形成に用いる場合には、ナフタレン骨格ではなくビフェニル骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、α-NPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTAについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図5aに、分子構造と前記計算法で求めたHOMOの分布を図5bに、それぞれ示す。正孔輸送性のTCTAは、正孔輸送に関与するHOMOが分子全体に分布しているが、カルバゾール骨格に最も面積の広いπ電子共役面を有するので、少なくともいずれかのカルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TCTAを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPについて、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めた安定構造を図6aに、分子構造と前記計算法で求めLUMOの分布を図6bに、それぞれ示す。BCPは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、電子輸送に関与するLUMOがフェナントロリン骨格に主に分布している。したがって、BCPを電子輸送層又は電子注入層の形成に用いる場合には、フェナントロリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCPを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CPの安定構造を図7aに、分子構造とHOMOの分布を図7bに、それぞれ示す。m-CPは、正孔輸送層、正孔注入層又は発光層ホスト材料の材質として好適であり、正孔輸送に関与するHOMOが、カルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、m-CPを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。以下、同様に、Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31Gにより求めたHOMO及び/又はLUMOの分布と、分子の配向について説明する。下記4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPCは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有し、各π電子共役面は6角形状又は円状になり、正孔輸送に関与するHOMOが、シクロヘキサン骨格に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、前記ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TAPCを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPASは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有し、正孔輸送に関与するHOMOがジフェニルアミン骨格に主に分布している。したがって、ジフェニルアミン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DPASを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は同一平面状にはなく、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、HOMOが、窒素原子で挟まれた四つのベンゼン骨格一つのビフェニレン基を構成する二つのフェニレン基、該フェニレン基に該当しない二つのフェニレン基に広がっている。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DNTPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クオーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPDは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は同一平面状にはなく、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、HOMOが、窒素原子に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BTPDを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASiは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各ベンゼン骨格はそれぞれπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOが、窒素原子に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DTASiを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Czは、正孔輸送層又は正孔注入層の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々の互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOがカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、Ad-Czを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々のπ電子共役面有し、全てのπ電子共役面が互いに平行ではない。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CBPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、窒素原子で挟まれたビフェニル骨格に主に分布している。したがって、前記ビフェニル骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CBPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOは、メチル基を有するベンゼン骨格o-トリル基に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、メチル基を有していないベンゼン骨格フェニル基に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMO及びLUMOは、ケイ素原子で挟まれたベンゼン骨格に主に分布している。したがって、前記ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、UGH2を配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、中央付近のベンゼン骨格一つのトリフェニルシリル基、二つのカルバゾリル基がそれぞれ結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各カルバゾール骨格、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCP2を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、ケイ素原子及び窒素原子が共に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SimCP2を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、正孔輸送に関与するHOMOが、リン原子に結合していない方のフルオレン骨格に主に分布している。したがって、このフルオレン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SPPO1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、電子輸送に関与するLUMOは、リン原子に結合している方のフルオレン骨格に主に分布している。したがって、このフルオレン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、SPPO1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOは、酸素原子に結合したベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、MMA1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、末端のベンゼン骨格カルボニル基に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、MMA1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSiは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、カルバゾール骨格、その他のベンゼン骨格は、別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMO及びLUMOがカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CzSiを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、中央付近の二つのベンゼン骨格ビフェニレン基を構成する二つのベンゼン骨格が同一平面上にあり、一つのπ電子共役面を有し、その他のベンゼン骨格のπ電子共役面とは互いに平行でない。そして、HOMO及びLUMOが前記二つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これら二つのベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、PO1を配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBPは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、両末端側のカルバゾール骨格と中央付近の四つのベンゼン骨格は同一平面上になく、互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはカルバゾール骨格に主に分布している。したがって、カルバゾール骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCBPを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BCBPを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPTは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、中央付近のジベンゾチオフェン骨格とベンゼン骨格とが互いに平行でないπ電子共役面を有し、HOMO及びLUMOがジベンゾチオフェン骨格に主に分布している。したがって、ジベンゾチオフェン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、PPTを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1は、発光層ホスト材料の材質として好適であり、各ベンゼン骨格が別々に互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはN,N-ジフェニルアニリン骨格に主に分布している。したがって、N,N-ジフェニルアニリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、HM-A1を配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、窒素原子及びリン原子で挟まれたベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、HM-A1を配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDFは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、ベンゾジフラン骨格と両末端側のカルバゾール骨格、その他のベンゼン骨格が互いに平行でないπ電子共役面を有し、HOMO及びLUMOがベンゾジフラン骨格に主に分布している。したがって、ベンゾジフラン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、CZBDFを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMTは、発光層ホスト材料の材質として好適であり、トリアジン骨格、各ベンゼン骨格が互いに平行でないπ電子共役面を有する。そして、HOMOはジフェニルアミノ骨格に主に分布している。したがって、ジフェニルアミノ骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPMTを配向させることで、正孔移動度を高くできると考えられる。一方、LUMOは、トリアジン骨格と、酸素原子に結合しているベンゼン骨格とに主に分布している。したがって、これらトリアジン骨格、ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPMTを配向させることで、電子移動度を高くできると考えられる。下記2,2’,2-1,3,5-ベンジントリル-トリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールTPBIは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ベンゾイミダゾール骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが中央付近のベンゼン骨格三つのベンゾイミダゾール骨格が結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TPBIを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、トリアゾール骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが、ビフェニル基を構成する二つのベンゼン骨格のうち、トリアゾール骨格に結合しているものに主に分布している。したがって、このベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TAZを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhenは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、フェナントロリン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOがフェナントロリン骨格に主に分布している。したがって、フェナントロリン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、BPhenを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPSは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが、ピリジン骨格と、このピリジン骨格に結合しているベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらピリジン骨格、ベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、DPPSを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記1,3,5-トリ3-ピリジル-フェン-3-イルベンゼンTmPyPBは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TmPyPBを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。下記1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPBは、電子輸送層又は電子注入層の材質として好適であり、各ピリジン骨格と各ベンゼン骨格は互いに平行でないπ電子共役面を有し、電子輸送に関与するLUMOが四つのベンゼン骨格に主に分布している。したがって、これらベンゼン骨格のπ電子共役面が基板表面に対して実質的に平行となるように、TpPyPBを配向させることで、キャリア移動度を高くできると考えられる。<表示装置>前記有機EL素子を備えた表示装置としては、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部とを備え、前記発光部が、前記有機EL素子であるものが例示できる。そして、かかる有機EL素子を備えたこと以外は、従来の表示装置と同様の構成とすることができる。このような表示装置は、前記有機EL素子を備えたことで、電力消費量が少ないものとなる。以下、図面を参照しながら説明する。図8は、前記有機EL素子を備えた表示装置の一実施形態の要部を例示する概略図であり、aは平面図、bは1画素の等価回路図、cは1画素の平面図である。ここに示す表示装置5Aは、前記有機EL素子1を用いた有機EL表示装置である。表示装置5Aにおいては、複数の走査線ゲート配線50と、複数の信号線ソース配線51とが縦横に配されたマトリクスが形成されており、それぞれの交差部に一つの画素が設けられた画素アレイが形成されている。画素アレイの周囲領域には、走査線50に接続された走査線駆動回路ゲートドライバ55と、信号線51に接続された信号線駆動回路ソースドライバ56が、それぞれ配置されている。そして、前記走査線駆動回路55及び信号線駆動回路56には、画像表示を行うためのタイミング信号やRGB輝度信号等の画像信号を供給するためのコントローラ57が接続され、さらに走査線50及び信号線51に与える信号電圧を供給するための電源回路59が接続されている。コントローラ57には、表示装置5Aに対して外部より水平垂直同期信号や画像信号を与えるための外部処理装置58が接続されている。表示装置5Aを構成する画素アレイの1画素は、図8bに示すように、走査線50及び信号線51に接続されたスイッチング用トランジスタ52、画素を駆動するための駆動用トランジスタ53、並びに保持容量54を備え、駆動用トランジスタ53に有機EL素子1からなる画素部が接続されている。有機EL素子1は、駆動電流又は電圧により発光する。スイッチング用トランジスタ52及び駆動用トランジスタ53は、例えば、一般的な多結晶シリコンを半導体として用いたトランジスタ等で構成できる。以上により表示装置5Aが構成されている。有機EL素子としては、図1に示すものに限定されず、本発明に係る製造方法が適用された有機薄膜を備えたものであれば、いずれも用いることができる。以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。<キャリア輸送性有機非晶質薄膜を備えた素子の製造>[実施例1]下記手順により、図9に示す素子2を製造した。なお、図9では、図2に示す有機EL素子1の構成要素と同じものには、図2と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。電極及び配線としてパターニングされた厚さ150nmのIZO膜第一電極12、陽極が表面に形成された厚さ0.7mmのガラス基板基材11を用い、これを水洗後、純水超音波洗浄を10分、アセトン超音波洗浄を10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を5分、それぞれ順次行い、100°Cで1時間乾燥させた。次いで、酸素ガスを少量含む窒素ガス雰囲気下、前記基板にUV光を照射して、表面を洗浄処理した後、真空蒸着装置内に導入した。次いで、得られた基板を80°Cに加熱し、この温度を保持したまま、蒸着速度1Å/secで、膜厚100nmの2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN、Tg120°C、分子量444.57膜正孔輸送層13bを真空蒸着により形成した。次いで、形成したMADN膜の分子の配向状態を確認するため、基板を取り出し、分光エリプソメーターM-2000U、J.A.Woollam社製による測定に供し、得られた測定データを解析し、MADN膜の光学定数屈折率n及び消衰係数kを算出した。測定データの解析は、MADN膜が基板に垂直な方向に一軸対称性を有するとしたモデルで行った。結果については後述する。次いで、基板を再度真空蒸着装置内に導入し、電極及び配線パターンを形成するためのシャドーマスクを用いて、前記MADN膜上に膜厚100nmのアルミニウムAl膜第二電極14、陰極を真空蒸着により形成した後、封止することで、素子2を製造した。X線反射率測定XRRにより測定したMADN膜の密度は1.15g/cm3、MADNのTgは120°C、蒸着速度は1Å/secであり、前記式Aから算出される基板温度TAは61.1°C、1.15Tgは138°Cとなるので、実際の基材温度80°Cは、TA以上、1.15Tg以下の条件を満たしていた。[比較例1]MADN膜の形成を80°Cではなく室温で行ったこと以外は、実施例1と同様の方法で、素子を製造した。<薄膜中の分子の配向状態の確認>実施例1及び比較例1におけるMADN膜について、算出した前記光学定数屈折率n及び消衰係数kを図10に示す。図10中、aは実施例1、bは比較例1の結果である。また、Sは前記配向パラメータであり、前記式Bにしたがって算出した値である。消衰係数kx、ky、kzには、ピークが二つ見られた。ここで、x、y及びzは、互いに直交する三つの方向であり、そのうちx及びyは、基材表面ガラス基板上のIZO膜の表面と平行な方向であり、zは、基材表面に対して垂直な方向であって、すなわち、kx、ky及びkzは、これらの方向に対応した消衰係数である。Gaussian09Wを用いた非経験的分子軌道計算法のレベルB3LYP/6-31GdによるMADNの遷移双極子モーメントの計算結果から、これらのうち波長250nm付近のピークは、図1aに示すMADNにおけるアントラセン骨格の長軸方向y方向の遷移双極子モーメントに由来し、波長400nm付近のピークは、図1aに示すアントラセン骨格の短軸方向x方向の遷移双極子モーメントに由来することが判った。一方、先に説明した通り、図1b及びcから明らかなように、MADNのHOMO及びLUMOは、主にアントラセン骨格に分布しており、ナフタレン骨格にはほとんど分布していない。そして、図10から、実施例1では、MADNを構成するアントラセン骨格の長軸方向y方向の異方性が強く、これは、アントラセン骨格のπ電子共役面が、基板表面に対して平行になる傾向があることを意味している。これに対して、比較例1では、アントラセン骨格の短軸方向x方向、二つのナフタレン骨格を結ぶ方向の異方性が強く、これは、アントラセン骨格ではなくナフタレン骨格のπ電子共役面が、基板表面に対して平行になる傾向があることを意味している。このように、MADN膜形成時の基板の温度調節の有無によって、MADN膜の配向性が変化することを確認できた。<薄膜の電気的特性の評価>実施例1及び比較例1の素子について、電流-電圧I-V特性を測定し、実施例1及び比較例1におけるMADN膜の電気的特性を評価した。電流-電圧特性の測定結果を図11に示す。図11から、実施例1の方が比較例1よりも、印加電圧に対して電流が流れ易く、MADNを構成する二つのナフタレン骨格のπ電子共役面ではなく、アントラセン骨格のπ電子共役面が、基板表面に対して平行な状態の方が、キャリア移動度が高いことを確認できた。以上の結果から、実施例1におけるMADN膜は、配向性が良好に制御され、電気的特性に優れることが確認できた。<キャリア輸送性有機非晶質薄膜を備えた素子の製造、薄膜中の分子の配向状態の確認、薄膜の電気的特性の評価>[実施例2]MADN膜形成時の基板の加熱温度を80°Cに代えて90°Cとし、蒸着速度を1Å/secに代えて10Å/secとしたこと以外は、実施例1と同様の方法で、素子を製造した。その結果、MADN膜は、分光エリプソメーターによる測定の結果、実施例1の場合と同じであり、得られた素子は実施例1の素子と同様の電流-電圧I-V特性を有し、実施例1よりも印加電圧に対してより電流が流れ易かった。このように、基板の加熱温度を変えても、MADNを構成する二つのナフタレン骨格のπ電子共役面ではなく、アントラセン骨格のπ電子共役面が、基板表面に対して平行な状態の方が、キャリア移動度が高いことを確認できた。"