分子接合によって第1のウェーハ100を第2のウェーハ200に貼り合わせる方法であって、前記第1および第2のウェーハは、前記第1および第2のウェーハ間に初期半径方向位置ずれDRを有し、前記方法は、前記第1および第2のウェーハ間に接合波Bondingwaveの伝播を起こさせるために、前記第1および第2のウェーハ100、200を接触させるステップを少なくとも含む方法であって、前記接触させるステップ中に、予め定められた貼り合せ曲率KBが、前記初期半径方向位置ずれDRの関数として前記第1および第2のウェーハの少なくとも1枚に課されることを特徴とする方法。前記第2のウェーハ200は、前記接合波の伝播中に前記第1のウェーハ100に課される前記予め定められた貼り合せ曲率KBに自由に適応することができることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1および第2のウェーハ100、200は、直径300mmのシリコンの円形ウェーハであり、各々微小構成部品を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。前記第1および第2ウェーハ100、200の貼り合せ前に、補償されるべき前記第1および第2のウェーハ間の初期半径方向位置ずれDRを測定するステップと、貼り合せ前に第1および第2ウェーハ100、200の曲率K1、K2を測定するステップと、前記第1および第2のウェーハ100、200間の前記初期半径方向位置ずれDRに対する補償半径方向位置ずれDRcを決定するステップと、前記第1および第2のウェーハ間の前記補償半径方向位置ずれDRcを生成することができる貼り合せ後曲率KFcを計算するステップと、前記計算された貼り合せ後曲率KFcの関数として前記予め定められた貼り合せ曲率KCを計算するステップとを含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。前記貼り合せ後曲率は、次の式を使用して計算され、KFc=DRc/h.R当該式において、KFcは前記貼り合せ後曲率であり、DRcは前記補償半径方向位置ずれであり、hは前記第1のウェーハの前記厚さであり、Rは前記第1のウェーハの中心から前記半径方向位置ずれの測定点までの距離であることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記予め定められた貼り合せ曲率は、次の式を使用して計算され、KB=8KFc-K1K2/6当該式において、KBは前記予め定められた貼り合せ曲率であり、K1は前記第1のウェーハの前記初期曲率であり、K2は前記第2のウェーハの初期曲率であり、KFcは前記貼り合せ後曲率であることを特徴とする請求項4または5に記載の方法。第1の保持支持具310および第2の保持支持具320をそれぞれ使用して、前記第1のウェーハ100および前記第2のウェーハ200を互いに向かい合っている状態で保持するステップであって、前記第1の支持具が、前記予め定められた貼り合せ曲率を前記第1のウェーハに課す、ステップと、前記第1および第2のウェーハ間に接合波Bondingwaveの伝播を起こさせるために、前記第1および第2のウェーハ100、200を接触させるステップと、前記第2のウェーハ200を、前記第1のウェーハ100と接触する前にまたは接触している間に、前記第2の保持支持具320から解放するステップであって、その結果、前記第2のウェーハが、前記接合波の前記伝播中に前記第1のウェーハに課された貼り合せ曲率に適応する、ステップとを含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。前記予め定められた貼り合せ曲率Kcは、前記第1の保持支持具に取り付けられたジャッキ312を動かすことによって、前記第1のウェーハ100に課されることを特徴とする請求項7に記載の方法。前記予め定められた貼り合せ曲率は、前記第1のウェーハ100と前記第1の保持支持具310の間に置かれた膜によって、前記第1のウェーハ100に課され、前記膜は、前記予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。前記予め定められた貼り合せ曲率は、前記第1の保持支持具310によって、前記第1のウェーハ100に課され、前記第1の保持支持具は、前記予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。前記第1及び第2のウェーハ100、200は、各々、それぞれのその貼り合せ面に微小構成部品110、210を備え、前記第1及び第2のウェーハの一方100の前記微小構成部品110の少なくともいくつかは、前記他方200のウェーハの前記微小構成部品210の少なくともいくつかと位置合せしようとすることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の方法。分子接合によって第1のウェーハ100を第2のウェーハ200に貼り合わせるための装置300であって、前記第1及び第2のウェーハは、前記第1及び第2のウェーハ間に初期半径方向位置ずれDRを有し、前記装置は、前記第1のウェーハ100および前記第2のウェーハ200をそれぞれ保持する第1の保持支持具310および第2の保持支持具320を備える装置であって、前記第1の保持支持具は、予め定められた貼り合せ曲率Kcを前記初期半径方向位置ずれの関数として前記第1のウェーハに課すための手段を備え、前記装置は、前記第2のウェーハ200を、前記第1のウェーハ100と接触する前または接触している間に、前記第2の保持支持具320から解放するために前記第2の支持具を制御し、その結果、前記第2のウェーハ200は、接合波の前記伝播中に前記第1のウェーハ100に課される前記貼り合せ曲率に適応することを特徴とする装置。前記予め定められた貼り合せ曲率Kcを前記初期半径方向位置ずれの関数として、または、前記予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率半径を前記初期半径方向位置ずれDRの関数として計算するための処理手段を備えることを特徴とする請求項12に記載の装置。前記第1の保持支持具310は、前記予め定められた貼り合せ曲率Kcを前記第1のウェーハ100に課すことができるジャッキ312をさらに備え、前記ジャッキは、前記予め定められた貼り合せ曲率Kcに対応する曲率半径に従って駆動され、前記装置は、前記第2のウェーハ200を、前記第1のウェーハ100と接触した後で、前記第2の保持支持具320から解放するために前記第2の支持具を制御し、その結果、前記第2のウェーハが200が、接合波の前記伝播中に前記第1のウェーハに課される前記貼り合せ曲率に適応することを特徴とする請求項13に記載の装置。前記第1の保持支持具は、前記予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有すること、または、前記装置は、前記第1のウェーハ100と前記第1の保持支持具の間に置かれた膜をさらに備え、前記膜は、前記予め定められた貼り合せ曲率Kcに対応する曲率を有することを特徴とする請求項12に記載の装置。本発明の目的は、互いに貼り合わせようとする2枚のウェーハ間に存在する初期半径方向位置ずれを補償することを可能にする解決策を提供することである。この目的のために、本発明は、分子接合によって第1のウェーハを第2のウェーハに貼り合わせる方法を提供し、第1及び第2のウェーハは、それらの間に初期半径方向位置ずれを有し、本方法は、第1及び第2のウェーハ間に接合波Bondingwaveの伝播を起こすために、第1及び第2のウェーハを接触させるステップを少なくとも含み、接触させるステップ中に、予め定められた貼り合せ曲率が、初期半径方向位置ずれの関数として第1及び第2のウェーハの少なくとも1枚に課されることを特徴とする。以下で詳細に説明されるように、第1及び第2のウェーハの貼り合せ中にこれらのウェーハの曲率を監視することによって、初期に存在する半径方向位置ずれを補償する追加の半径方向位置ずれを誘起することができる。本発明の1つの態様によれば、第2のウェーハは、接合波の伝播中に第1のウェーハに課される予め定められた貼り合せ曲率に自由に適応することができる。本発明の他の態様によれば、第1及び第2のウェーハは、直径300mmのシリコンの円形ウェーハであり、各々微小構成部品を備えている。本発明の1つの態様によれば、本方法は、ウェーハの貼り合せ前に、-補償されるべき第1及び第2のウェーハ間の初期半径方向位置ずれを測定するステップと、-貼り合せ前に各ウェーハの曲率を測定するステップと、-第1及び第2のウェーハ間の初期半径方向位置ずれに対する補償半径方向位置ずれを決定するステップと、-第1及び第2のウェーハ間の補償半径方向位置ずれを生成することができる貼り合せ後曲率を計算するステップと、-計算された貼り合せ後曲率の関数として予め定められた貼り合せ曲率を計算するステップと、を含む。本発明の特定の態様によれば、本方法は、-第1の保持支持具および第2の保持支持具をそれぞれ使用して、第1のウェーハおよび第2のウェーハを互いに向かい合っている状態で保持するステップであって、第1の支持具が、予め定められた貼り合せ曲率を第1のウェーハに課す、ステップと、-第1及び第2のウェーハ間に接合波の伝播を起こさせるために、第1及び第2のウェーハを接触させるステップと、-第2のウェーハを、第1のウェーハと接触する前に、または接触している間に第2の保持支持具から解放するステップであって、その結果、第2のウェーハが、接合波の伝播中に第1のウェーハに課される貼り合せ曲率に適応する、ステップと、を含む。本発明の1つの特徴によれば、予め定められた貼り合せ曲率は、第1の保持支持具に取り付けられたジャッキを動かすことによって、第1のウェーハに課される。本発明の他の特徴によれば、予め定められた貼り合せ曲率は、第1のウェーハと第1の保持支持具の間に置かれた膜によって第1のウェーハに課され、膜は、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有する。本発明のさらに他の特徴によれば、予め定められた貼り合せ曲率は、第1の保持支持具によって第1のウェーハに課され、第1の保持支持具は、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有する。本発明の特定の態様によれば、第1及び第2のウェーハは、各々、それぞれのその貼り合せ面に微小構成部品を含み、第1及び第2のウェーハの一方の微小構成部品の少なくともいくつかは、他方のウェーハの微小構成部品の少なくともいくつかと位置合せしようとする。本発明は、また、分子接合によって第1のウェーハを第2のウェーハに貼り合わせるための装置に関し、第1及び第2のウェーハは、それらの間に初期半径方向位置ずれを有し、本装置は、第1のウェーハおよび第2のウェーハをそれぞれ保持する第1の保持支持具および第2の保持支持具を備え、本装置では、第1の保持支持具は、予め定められた貼り合せ曲率を初期半径方向位置ずれの関数として第1のウェーハに課すための手段を備え、本装置は、第2のウェーハを、第1のウェーハと接触する前または接触している間に、第2の支持具から解放するために、第2の保持支持具を制御し、その結果、第2のウェーハは、接合波の伝播中に第1のウェーハに課される貼り合せ曲率に適応する。本発明の1つの特徴によれば、貼り合せ装置は、予め定められた貼り合せ曲率を初期半径方向位置ずれの関数として計算し、または、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率半径を初期半径方向位置ずれの関数として計算するための処理手段を備える。本発明の1つの特徴によれば、第1の保持支持具は、さらに、予め定められた貼り合せ曲率を第1のウェーハに課すことができるジャッキを備え、このジャッキは、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率半径に従って駆動され、本装置は、第2のウェーハを、第1のウェーハと接触した後で第2の支持具から解放するために第2の保持支持具を制御し、その結果、第2のウェーハは、接合波の伝播中に第1のウェーハに課される貼り合せ曲率に適応する。本発明の他の特徴によれば、本装置は、さらに、第1のウェーハと第1の保持支持具の間に置かれた膜を備え、膜は、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有する。本発明のさらに他の特徴によれば、第1の保持支持具は、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を有する。本発明の1つの態様によれば、第1の保持支持具および第2の保持支持具は、第1及び第2のウェーハを吸引力または静電気力によって保持する手段を備える。本発明の他の態様によれば、第1の保持支持具および第2の保持支持具は、直径が100mm、150mm、200mm、または300mmの円形基板を受け入れるように適応されている。本発明は、一般に、貼り合せ後に2枚のウェーハ間に半径方向位置ずれをもたらす異なる半径方向の膨張を有する2枚のウェーハ間の分子接合による貼り合せに適用される。より詳細には、本発明は、これだけではないが、それぞれ構成部品を含む少なくとも2枚のウェーハ間の分子接合による貼り合せに適用され、これら2枚のウェーハにおいて、各ウェーハの構成部品の少なくともいくつかを、貼り合せ後に位置合わせしようとする。貼り合せ後の2枚のウェーハの半径方向位置ずれ現象を補償するために、本発明は、初期半径方向位置ずれの関数として事前に定義された貼り合せ曲率を、2枚のウェーハの貼り合せ中に、その2枚のウェーハに課すことを提案する。より正確には、貼り合せ前に、2枚のウェーハの各々はそれ自体の曲率を持ち、この曲率は、図2のウェーハ30の場合のように凹状であることがあり、または図3のウェーハ40の場合のように凸状であることがある。この曲率は、半導体技術で反りという用語で呼ばれるウェーハの湾曲変形を決定している。図2および3に示されるように、ウェーハの反りΔzは、ウェーハが自由に載っている基準面P典型的に、完全に平坦とウェーハ自体の間の、概ねウェーハの中心と同じレベルで測定された距離矢印に対応している。半導体の分野で従来から使用されているウェーハ直径、すなわち数十ミリメートルから300ミリメートルのスケールに対して、曲率は一般にm1またはkm1の単位で測定されるが、反りはマイクロメートルの単位で測定される。というのは、半導体分野で使用されるウェーハの曲率は非常に小さく、その結果として、対応する曲率半径が非常に大きいからである。図4Aから4Cは、初期曲率K1およびK2図4Aをそれぞれ有する、支持ウェーハ60ベースに第1のウェーハ50上を貼り合わせる前および貼り合わせた後の曲率の変化を示す。以下で詳細に説明されるように、分子接合による貼り合わせ中に、貼り合せ曲率と呼ばれる曲率KBが2枚のウェーハ50および60の一方に課され図4B、他方のウェーハは、接合波の伝播中にこの第1のウェーハに課される曲率に適応される。曲率KBは、以下で詳細に説明されるように、貼り合せ機械の特定の保持支持具によって課されることがあり、曲率KBは2枚のウェーハの一方だけに対してであり、もう一方のウェーハは、接合波の伝播中に他方のウェーハに課される曲率に適応するために、接合波の伝播が始まった瞬間から自由に変形することができる。貼り合せが達成された後で、2枚のウェーハがそれぞれの保持支持具から解放されると、貼り合わされたウェーハ50および60の組合せによって構成された構造は、貼り合せ後曲率と呼ばれる曲率KFを有する。貼り合せ後曲率KFは、次式で計算されることがある。KF=2K1K212KB/161この式は、非特許文献1の文献中に与えられた式12に基づいて決定された。この式に基づいて、貼り合せ曲率KBの貼り合せ後曲率KFに及ぼす影響は、ウェーハ50および60の初期曲率K1およびK2の影響よりも圧倒的に大きい6倍ことが分かる。さらに、貼り合せ後に2枚のウェーハ間に結果として生じる半径方向位置ずれDRは、次式によって決定されることがある。DR=-2εR2ここで、Rは、ウェーハの中心と半径方向位置ずれの測定点の間の距離であり、εは、第1のウェーハ50上の表面に加えられる歪である。さらに、第1のウェーハの表面に加えられる歪と貼り合せ後曲率KFの間に関係があり、この関係は、次式で与えられる。ε=KFh/23ここで、hは、第1のウェーハの厚さである。歪εに対応する式3の要素を式2に入れることによって、貼り合せ後に結果として生じる半径方向位置ずれDRと貼り合せ後曲率KFの間の関係は、次式によって決められる。DR=-KFhR4半径方向位置ずれDRは、貼り合せ後曲率KFの関数であることが分かる。その結果として、初期半径方向位置ずれDRiを知ることによって、補償半径方向位置ずれDRcは、DRc=-DRiであるように決定され、式4を用いて、DRc=KFhRと与えられる。初期半径方向位置ずれを、初期半径方向成分を推定するためにウェーハの同じバッチの2枚のウェーハ間の貼り合せを行い、さらにこの2枚のウェーハの位置ずれを測定することによって、測定することができる。2枚のウェーハには、単純な十字などの位置合せマークがありバーニアVernierまたはモアレMoireによる測定方法、この位置合せマークによって、赤外顕微鏡検査または共焦点赤外顕微鏡検査によってミクロン単位で位置ずれを測定すること、さらに、概ねウェーハの中心および周囲にあるウェーハ上の複数の位置でそれを行うことが可能になる。様々な位置ずれ成分、特に半径方向位置ずれは、これらの測定から引き出すことができる。これらの測定は、概ねウェーハの中心および周囲、例えば300mmウェーハの中心から147mmのところに配置された位置合せマークと同じレベルで行われる。周囲で、半径方向位置ずれは最大であり、図7に示されるように1ミクロンを超えることがあり、これは、上記で説明された顕微鏡測定技術で測定可能である。このようにして、ウェーハのバッチ全体について初期半径方向位置ずれが知られ、このウェーハに本発明の貼り合せ法を応用して初期半径方向位置ずれを補償することができる。初期半径方向位置ずれを測定するために使用されるウェーハの対は、そのバッチから引き出されるか、または、本発明に従って予め決定された貼り合せ曲率によりウェーハを再び貼り合わせるために別々であることがある。この初期半径方向位置ずれは、また、別々に取られた2枚のウェーハの各々の2つの微小構成部品間の距離を正確に測定し0.33ppm以内で、これらの2つの差を比較することによって、決定されるかもしれない。この最後の式4に基づいて、補償半径方向位置ずれを得ることを可能にする目標貼り合せ後曲率KFcは、次式に従って計算される。KFc=DRc/h.R5式1は、貼り合せ後曲率KFが、2枚のウェーハの初期曲率K1およびK2と貼り合せ曲率KBの関数として決定されることを示している。曲率K1およびK2は、2枚のウェーハの固有の曲率に対応するので、曲率KBだけが、貼り合せ後曲率KFの値を調節することを可能にする可変パラメータを示している。したがって、補償半径方向位置ずれを得ることを可能する貼り合せ後曲率KFcの目標値は、式5に基づいて既に計算され、また、曲率K1およびK2は、例えば、KLA‐TencorCorpのKLA‐TencorFlexのような光学測定ツールによってまたは、反りを決定することを可能にする容量測定器、光学的プロフィロメトリまたは機械的プロフィロメトリによる任意の測定によって事前に測定されており、この目標貼り合せ後曲率KFcを得るために、貼り合せ中に2枚のウェーハに課されるべき貼り合せ曲率KBは、次式のように計算される。KB=8KF-K1K2/66本発明の実施形態による半径方向位置ずれの補償を含む貼り合せ方法を使用して、第1のウェーハ100上に形成された微小構成部品の層を第2のウェーハ200に転写することによる3次元構造の例示の製造が、これから、図5Aから5Gおよび6を参照して説明される。ウェーハは、特に、150mm、200mm、および300mmの直径を有することがある。3次元構造の製造は、第1のウェーハ100の表面に第1の一連の微小構成部品110を形成し図5A、ステップS1、第2のウェーハ200の表面に第2の一連の微小構成部品210を形成図5B、ステップS2することから始まる。微小構成部品110および210は、構成部品全部および/またはそのほんの一部であることがある。ここで説明される例では、第1のウェーハ100は、SOI型SilicononInsulatorの直径300mmのウェーハであり、このウェーハは、同じくシリコンで作られた支持材101の上にシリコン層103を備え、埋込み酸化物層102、例えばSiO2がこのシリコン層とシリコン支持材の間に配置されている。ウェーハ100は、また、他の型の多層構造または単層構造からなるものでもよい。第2のウェーハ200は、直径300mmのシリコンウェーハである。微小構成部品110および210は、製造されるべき微小構成部品に対応するパターンを形成する領域を定めることを可能するマスクを使って、フォトリソグラフィで形成される。例えば、各々製造されるべき構成部品の一部を構成する微小構成部品110および210を対に接合することによって完成された構成部品を形成するために、または、対応する微小構成部品110および210用の相互接続回路を形成するために、微小構成部品110および210は、互いに相互作用しようとする。したがって、ウェーハの貼り合せ後に微小構成部品110と210の間の良好な位置合せを確実にすることができることが重要である。本発明によれば、貼り合せ中にウェーハの一方に貼り合せ曲率KBを課し、同時に一方では、2枚のウェーハ間に接合波を伝播させることによって他方のウェーハがその課される曲率に適応できるようにする貼り合せ機械が使用される。この操作によって、2枚のウェーハ間に補償半径方向位置ずれDRcを引き起こす目標貼り合せ後曲率KFcを得ることができるようになり、この補償半径方向位置ずれDRcは、2枚のウェーハ間に存在し、貼り合せ前に各々のウェーハに対して事前に行われた様々な処理ステップリソグラフィ、層堆積、熱処理など中に誘起された2枚のウェーハ間の異なる半径方向膨張初期半径方向位置ずれDRiを補償する。図5Cに示されるように、貼り合せ操作は、第1のウェーハ100を第2のウェーハ200と向かい合った状態で保持しようとする保持表面311を持つ第1の支持板310を備える貼り合せ機械または装置300を使って行われ、第2のウェーハ200は、機械300の第2の支持板320の保持表面321上に保持されている。支持板310および320は、両方とも、静電気または吸引保持手段のような保持手段図5Cに示されていないを備えている。第1および第2の支持板310および320は、各々、変位方向dpxおよびdpyに沿って動くことができ、それによって一方では回転および平行移動で位置ずれエラーを補償しながら2枚のウェーハを互いに向かい合うように位置決めすることを可能にし、また他方では、第1および第2の支持板310および320の保持表面311および321をそれぞれ互いに近づき合うようにまたは互いに遠ざかるようにすることを可能にする。この目的のために、各支持板は、例えば、アクチュエータ図5Cに示されないに取り付けられ、このアクチュエータが、2つの支持板間の距離を方向dpに沿って調節するために、貼り合せ機械によって制御される。貼り合せの開始時に、2枚のウェーハ100および200は、各々、それぞれの支持板の保持表面に押し付けられた状態で保持されている図5C、ステップS3。次に、本発明によれば、上で与えられた式6によって計算され、かつ事前に決定された目標貼り合せ後曲率KFcを得ることを可能にする貼り合せ曲率KBに対応する曲率が、上記で説明されたように補償半径方向位置ずれDRcを誘起するために、第1のウェーハ100または、代わりに第2のウェーハに課される図5D、ステップS4。この目的のために、第1の支持板310は、ロッド313を提供されるジャッキまたは直線アクチュエータ312を含み、ロッド313は、ジャッキが動かされたとき、第1のウェーハ100が押し付けられている板310の保持表面311を越えて延びる。図5Dに示されるように、この場合、ロッド313の自由端313aは、第1のウェーハを押して、決定された貼り合せ曲率が第1のウェーハに与えられるようにする。ジャッキ312の作動中に、支持板310の保持手段の引付力、すなわち吸引力または静電気力は、ロッド313によりその屈曲中にウェーハにかかる歪を減少させるために、板310の保持表面311の限られた中心同心領域のレベルのところで減少しまたはさらに無効になるように、貼り合せ機械によって制御可能である。貼り合せ機械300は、ロッド313が保持表面311を越えて突き出す距離dtを制御し、この距離dtは、ウェーハに課すべき貼り合せ曲率KBの関数として決定される。より正確には、ジャッキ312は、貼り合せ機械300によって定められた設定値位置の関数としてロッド313の直線位置を制御するサーボ制御図示されていないを備えている。貼り合せ機械300はプログラマブルマイクロプロセッサなどの処理手段を備え、この処理手段は、ここで説明される機械300のようにジャッキを使用する場合に、貼り合せ曲率KBまたは貼り合せ曲率KBと等しい曲率半径を計算することができる。より正確には、ウェーハ100および200の初期曲率K1およびK2はそれぞれ、目標の貼り合せ後曲率KFcと同様に、貼り合せ機械に入力され、次に貼り合せ機械の処理手段が、上で与えられた式6を使用することによって、課せられるべき貼り合せ曲率KBを計算し、さらに、対応する目標曲率半径RcbRcb=1/KBを得るためにこの値の逆数をとる。ジャッキ312のサーボ制御に送る必要がある定めるべき最終パラメータは、曲率半径Rcbに対応する反りΔzである。というのは、上で示されたように、ウェーハの反りは、基準面、ここでは保持表面311と、ウェーハの表面、ここでは保持表面311に面しているウェーハの表面との間の、ウェーハの中心で測られた距離に対応する。反りΔzは、貼り合せ曲率を課すときロッド313が延びなければならない距離dtに対応する。目標曲率半径Rcbの関数としての目標反りΔzcは、次式で計算されることがある。Δzc=Rcb-√Rcb2-D/227ここで、Dは、曲げられるウェーハの直径である。計算された後で、目標反りΔzcの数値は、ジャッキ312のサーボ機構に伝えられ、ジャッキ312が、ロッドを等しい距離dtdt=Δzcに位置決めするためにロッドを動かす。貼り合せ曲率KBが第1のウェーハ100に適用されたとき、ウェーハ100の先頭部100a先端が第2のウェーハ200の露出表面とかすかに接触して接合波の伝播を起こさせるように、支持板310および320は、互いに近づき合う図5D、ステップS5。第2のウェーハ200をその支持板320上に保持する手段は、第2のウェーハ200が貼り合せ中に第1のウェーハ100に課される変形曲率Kcに適応できるようにするために、2枚のウェーハを接触させる前または接触させている間に既に動作を停止している。代替として、2枚のウェーハを、互いにΔzcだけ離れたところに置き、次に、ロッド313を距離dt=Δzcを越えて動かすことによって、2つの表面が密着するまで2枚のウェーハの一方を変形させることができる。貼り合せ曲率KBを課すことおよび接合波の伝播の開始は、このように同時に行われる。この場合にも、予め定められた貼り合せ曲率まで変形していないウェーハは、接合波の伝播中に他方のウェーハに課される貼り合せ曲率に自由に適応できなければならない。分子接合による貼り合わせは、それ自体はよく知られている技術である。念のために、分子接合による貼り合わせの原理は、2つの表面を直接接触させること、すなわち特定の材料接着剤、ワックス、蝋付けなどを使用することなく直接接触させることに基づいている。そのような作業では、貼り合わされるべき2つの表面が十分に平滑で粒子または汚染がないこと、および、典型的に数ナノメートル未満の距離で接触し始めることができるようにするために、それらの表面を互いに十分に近づけることが必要である。この場合に、2つの表面間の引付力は、分子接合接合される2つの表面の原子または分子間の電子相互作用の全引付力ファンデルワース力によって誘起される接合をもたらす接合波の伝播を引き起こすことができるぐらい、十分に大きい。接合波の伝播が開始された後で、そのとき支持板320から解放された第2のウェーハ200は、接合波の伝播中に第1のウェーハ100に課される曲率に適応する図5E、ステップS6。2枚のウェーハが完全に貼り合わされたとき、第1のウェーハ100は、それの支持から完全に解放される図5F、ステップS7。次いで、3次元構造400が得られ、事前に定められた目標曲率KFcを有している。このようにして、予め決められた貼り合せ曲率に適応することよって、2枚のウェーハ100および200の間に存在する半径方向位置ずれを補償することができた。微小構成部品110は、貼り合せ前に半径方向位置ずれが最初に存在していたにもかかわらず、貼り合せ後には、微小構成部品210と適正に位置合せされている。図7の曲線は、直径300mmで厚さ775μmの2枚のウェーハに対して行われた測定に対応し、各ウェーハは2つの金属レベルと、堆積されたTEOS型の酸化物で構成され既に準備された貼り合せ層とを備えている。図7は、半径方向位置ずれの変化をウェーハの貼り合せ後曲率KFの関数として示している。およそ55μmの反りに対応するおよそ0.005m1の貼り合せ後曲率KFの場合、初期半径方向位置ずれは完全に補償されていることが分かる。この曲線は、貼り合せ後曲率を調節することによって、2枚のウェーハ間に存在する初期半径方向位置ずれの位置ずれ成分を補償することを可能にする追加の半径方向位置ずれ成分を生成することができることを明確に示している。貼り合せ後、2枚のウェーハ間の貼り合せエネルギーを増強し、次に一方のウェーハを薄くすることができるようにするために、構造400は、適度の熱処理500°C未満にかけられることがある。図5Gに示されるように、微小構成部品110の層の上に存在する材料の一部を除去するために、第1のウェーハ100は薄くされるステップS8。ウェーハ100は、特に、化学機械研磨CMP、化学エッチング、または、例えば原子打込みによって基板中に事前に形成された脆弱化面に沿った劈開または破砕によって、薄くされることがある。本明細書でそうであるように第1のウェーハがSOI型の基板である場合には、有利なことに、埋込み絶縁層が、残りの層100aの厚さの境界を定めるために、化学エッチング停止層として使用されることがある。代替として、最初の基板がバルク材料から作られている場合、機械的な薄化研磨を停止させるために、深いゾーン、例えば、バルク材料の表面に規則正しく間隔を空けて配置された金属材料のゾーンが、構成部品の形成中に事前にバルク材料中に形成されることがある。次に、第2のウェーハ200と、第1のウェーハ100の残り部分に対応する層100aとによって形成された3次元構造500が得られる。代替的実施形態によれば、微小構成部品の形成後に、貼り合せの準備をする目的で、酸化物層、例えばSiO2層が、第1のウェーハおよび/または下のウェーハの表面に堆積されることがある。一方のウェーハの微小構成部品を他方のウェーハの微小構成部品と接触させることができるようにするために、この酸化物層またはこれらの酸化物層は、さらに、微小構成部品の全てまたはいくつかと接触した金属ゾーン、例えば銅のゾーンを酸化物層中に形成することによって、準備されることがある。ウェーハの貼り合せ面は、さらに処理されることがある。表面の準備のために採用される処理は、得ようとする貼り合せエネルギーに従って変化する。標準的な貼り合せエネルギー、すなわち比較的小さな貼り合せエネルギーを得ようとする場合、化学機械研磨を行い続いて洗浄を行うことによって、表面を準備することができる。そうでない場合、2枚の基板間に高い貼り合せエネルギーを得ようとする場合、表面の準備は、RCA型の洗浄すなわち、粒子および炭化水素を除去するのに適合したSC1バスNH4OH、H2O2、H2Oと金属汚染を除去するのに適合したSC2バスHCl、H2O2、H2Oの組合せ、プラズマによる表面活性化、およびブラッシングが後に続く追加の洗浄を含む。貼り合せは、好ましくは、2枚のウェーハ間の温度差を減らすために、制御された温度で行われる。貼り合せ曲率を課すことは、また、第1のウェーハとこれを保持する支持具の間に置かれた膜を備える貼り合せ機械でも行われ、その膜の曲率は予め定められた貼り合せ曲率に対応していることがあり、または、予め定められた貼り合せ曲率に対応する曲率を持つ第1のウェーハ用保持支持具を備える貼り合せ機械で行われることがあり、この場合に、保持支持具は、特に、変形可能であり、その貼り合せ機械によって事前に計算された貼り合せ曲率に適応するためにその貼り合せ機械によって駆動されることがある。第2のウェーハの第1のウェーハとの接触および接合波の伝播開始前の第2のウェーハの解放は、上で説明されたように行われる。半径方向位置ずれの補償に関する本発明の貼り合せ法のおかげで、微小構成部品110と210の間に著しいオフセットなしに第1のウェーハ100上を第2のウェーハ200ベースに貼り合わせることができるようになった。したがって、半径方向位置ずれをウェーハの全表面にわたって一様に無視できるほど小さい値に制限することができる。その上、微小構成部品110および210は、たとえ非常に小さなサイズ例えば、<1μmであっても、互いにぴったり合っている状態で容易に形成することができる。これによって、例えば、不良相互接続の危険を最小限にしながら、微小構成部品を金属接続によって互いに相互接続することができるようになる。