"下記一般式Iで表される、共重合ポリマー。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、nは繰り返し単位数を示し、2~75である。前記一般式I中のnが、3~60である、請求項1に記載の共重合ポリマー。前記一般式I中のR1及びR2が、それぞれ独立に炭素数1~12のアルキル基又は置換アルキル基である、請求項1又は2に記載の共重合ポリマー。前記一般式Iの末端に、水素原子、炭化水素基を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の共重合ポリマー。請求項1~4のいずれか1項に記載の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する、有機光電変換素子。上記のように光電変換層を構成する有機半導体材料について様々な開発がなされているが、光電変換効率を更に向上し得る有機半導体材料が求められている。本発明は、従来のp型半導体材料と比べ、光電変換効率を更に向上し得る新規有機材料を提供することを目的とする。本発明者らは、下記に示す共重合ポリマーが、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記[1]~[5]を提供するものである。[1]下記一般式Iで表される、共重合ポリマー。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を示し、nは繰り返し単位の数を示し、2~75である。[2]前記一般式I中のnが、3~60である、上記[1]に記載の共重合ポリマー。[3]前記一般式I中のR1及びR2が、それぞれ独立に炭素数1~12のアルキル基又は置換アルキル基である、上記[1]又は[2]に記載の共重合ポリマー。[4]前記一般式Iの末端に、水素原子、炭化水素基を有する、上記[1]~[3]のいずれか1項に記載の共重合ポリマー。[5]上記[1]~[4]のいずれか1項に記載の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する、有機光電変換素子。本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層を用いた有機光電変換素子は、従来のp型半導体材料を用いた有機光電変換素子に比べ、得られる光電変換効率を更に向上させることができる。[共重合ポリマー]本発明の共重合ポリマーは、下記一般式Iで表される。式I中、nは繰り返し単位の数を示し、2~75である。nが2未満であると、π電子共役系が充分に伸長しないため、十分な太陽光吸収効率が得られず好ましくない。また、nが75を超えると、溶媒への溶解性が低下し、後述するような塗布法に適さないため好ましくない。そのため、nとしては、好ましくは3~60、より好ましくは10~55、更に好ましくは25~55、特に好ましくは40~53である。また、式1で表される共重合ポリマーの重量平均分子量としては、好ましくは2,500~250,000、より好ましくは10,000~125,000、更に好ましくは15,000~75,000、特に好ましくは20,000~50,000である。2500以上であれば、π電子共役系が十分に伸長し、太陽光吸収効率を向上させることができ、250,000以下であれば、溶媒への十分な溶解性が得られる。なお、上記nは、共重合ポリマーの重量平均分子量を基に算出された値であり、上記重量平均分子量は、実施例に記載の方法により測定された値である。式I中、R1及びR2は一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を表す。炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。置換炭化水素基としては、上記の炭化水素基の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子や、酸素原子、ケイ素原子、硫黄原子、リン原子等で置換された炭化水素基が挙げられる。これらの中でも、溶媒への溶解性を向上させる観点から、アルキル基又は置換アルキル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。R1及びR2の炭素数は、溶媒への溶解性や得られる共重合ポリマーの結晶性を上げ、キャリア移動度を向上させる観点から、好ましくは1~12、より好ましくは2~10、更に好ましくは3~8である。また、本発明の共重合ポリマーは、末端に不活性の官能基を有し、キャッピングしているものが好ましい。不活性の官能基としては、水素原子又は炭化水素基が好ましく、アリール基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。[共重合ポリマーの合成方法]本発明の共重合ポリマーの合成方法は、特に制限されるものではないが、上記一般式II及びIIIで表されるモノマーを、金属錯体の存在下で共重合させる方法により、合成することができる。式II中のXは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、MgCl、MgBr、MgI、BOR2、SnR3Rは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基等を表す。なお、例えば、BOR2は、1,3,2‐ジオキサボロランや4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン等のような環状構造を有するものも含まれる。上記一般式IIで表されるモノマーの合成方法は、特に制限はないが、当該合成方法の一例としては、実施例で記載の方法が挙げられる。また、式III中のR1、R2は、上記一般式Iと同じ一価の炭化水素基又は置換炭化水素基を表す。式III中のYは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、MgCl、MgBr、MgI、BOR2、SnR3Rは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基等を表す。なお、例えば、BOR2は、1,3,2‐ジオキサボロランや4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン等のような環状構造を有するものも含まれる。上記式IIIで表されるモノマーの合成方法は、特に制限はないが、例えば、実施例で記載の方法や、Chen,S.H.etal.,ChemistryofMaterials,2003年,15巻,542ページに記載の方法等の公知の合成方法が挙げられる。金属錯体としては、特に制限されず、例えば、銅錯体、ニッケル錯体、パラジウム錯体等の還元触媒が挙げられる。これらの中でも、ニッケル錯体、パラジウム錯体が好ましい。ニッケル錯体としては、例えば、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケル、テトラキストリフェニルホスフィンニッケル、ジクロロ2,2-ビピリジンニッケル等が挙げられ、これらの中でも、重合性能の観点から、ビス1,5-シクロオクタジエンニッケルが好ましい。パラジウム錯体の例としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ジクロロ{1,3-ビスジフェニルホスフィンプロパン}パラジウム、トリスジベンジリデンジパラジウム等が挙げられる。これらの中でも、重合性能の観点から、トリスジベンジリデンジパラジウムが好ましい。なお、これらの金属錯体は、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。重合の手順は、特に制限されないが、例えば、反応容器中でモノマーを溶媒に溶解又は分散させ、そこに上記金属錯体を触媒として加え、上記式II及びIIIで表されるモノマーをクロスカップリング反応により重合させる方法が挙げられる。当該反応において重合させる場合、上記式IIのX及び式IIIのYは脱離することで炭素-炭素結合を形成するため、XとYとは異なるものであり、且つ、X、Yのいずれかがハロゲン又は擬似ハロゲンとなる。溶媒としては、モノマーを好適に溶解又は分散させることができ、且つ、モノマーや高分子との間に好ましからぬ反応を生じないものであれば、特に制限されない。例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、N,N-ジメチルホルムアミド等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。ただし、上記式IIのX及び式IIIのYのいずれかがBOR2Rは一価の炭化水素基又は置換炭化水素基である場合、反応液性を塩基性にするために、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アミン等の塩基あるいはそれらの水溶液を更に添加される。重合反応時の雰囲気は、特に制限されないが、通常は、空気中又は不活性雰囲気下で行われ、好ましくは、不活性雰囲気下で行われる。不活性雰囲気としては、窒素ガス又はアルゴンガス雰囲気が挙げられる。重合反応は、特に制限されないが、加熱還流下で行うことが好ましい。加熱温度としては、通常室温~180°C、好ましくは80~150°C、より好ましくは80~120°Cである。重合反応時の圧力としては、特に制限はないが、通常は常圧で行う。重合時間としては、使用するモノマーや触媒の種類、重合時の温度や圧力等によっても異なるが、通常1~240時間、好ましくは20~120時間、より好ましくは50~100時間である。[有機光電変換素子]次に、本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層を有する有機光電変換素子について説明する。本発明の有機光電変換素子4は、図1に示すように、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極1、3間に、少なくとも1種の本発明の共重合ポリマーを含む光電変換層2を有する有機光電変換素子である。有機光電変換素子とは、光エネルギー照射によって起電力を発生する素子のことであり、一般的には光エネルギーを電気的なエネルギーに変換する素子で光電変換層に電荷を取り出すための電極を配したものである。有機光電変換素子としては、有機太陽電池、フォトダイオード等の種々の有機半導体デバイスが挙げられる。これらの中でも、本発明においては、有機太陽電池に適している。また、光電変換層とは、有機光電変換素子の中心をなす光電効果を受ける層であり、単層からなってもよいし、複数層からなってもよい。単層の場合には、光電変換層は、通常、真性半導体層から形成される。真性半導体層とは、電子供与性材料p型半導体材料及び電子受容性材料n型半導体材料よりなるp-n接合界面を持つ有機層のことである。複数層の場合には、電子供与性材料層と電子受容性材料層からなるp-n接合界面を持つ有機層から形成される。図1では、単層からなる真性半導体層の場合を示している。本発明の有機光電変換素子において、少なくとも上記一般式1で表される共重合ポリマーを含む光電変換層を有する。ここで、上記一般式1で表される共重合ポリマーは、p型半導体材料として電子供与性に優れている。一方、n型半導体材料としては、特に限定されず、例えば、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、N,N-ジオクチル-3,4,9,10-ナフチルテトラカルボキシジイミドPTCDI-C8H、2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、2,5-ジ1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾールBND等のオキサゾール誘導体、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、カーボンナノチューブCNT、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体CN-PPV等が挙げられる。これらの中でも、安定でキャリア移動度の高いn型半導体材料であることから、フラーレン化合物が好ましい。フラーレン化合物としては、例えば、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94を始めとする無置換のもの、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル[6,6]-PCBM、又は[60]PCBM、[5,6]-フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル[5,6]-PCBM、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドヘキシルエステル[6,6]-PCBH、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドドデシルエステル[6,6]-PCBD、フェニルC71ブチリックアシッドメチルエステルPC70BM、又は[70]PCBM、フェニルC85ブチリックアシッドメチルエステルPC84BM等が挙げられる。これらの中でも、優れた電子受容性を有する観点から、[6,6]-フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル[6,6]-PCBM、又は[60]PCBMがより好ましい。なお、これらのn型半導体材料は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。本発明において、p型半導体材料とn型半導体材料の質量比は、光電変換効率を向上させる観点から、好ましくは10:1~1:10、より好ましくは1:5~5:1、更に好ましくは1:1~1:5である。ここで、本発明において、有機光電変換素子における光電変換効率とは、下記計算式式1により求められる値を意味する。光電変換効率[]=Voc×Jsc×FF式1Vocは開放電圧[V]、Jscは短絡電流密度[mA/cm2]、FFは曲線因子を示す。すなわち、光電変換効率は、開放電圧、短絡電流密度、及び曲線因子の3つの因子の積で算出される。本発明における有機光電変換素子は、p型半導体材料として一般式1で表される共重合ポリマーを含むことで、上記因子のうち、特に開放電圧が上昇する効果を奏する。その理由は定かではないが、HOMO準位が深くなる結果であると推測される。また、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む光電変換層の形成方法としては、特に限定されないが、例えは、スピンコート及びバーコート等の塗布法、真空蒸着法等が挙げられる。これらの中でも、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む溶液を塗布する方法が好ましい。この溶液に含まれる溶媒としては、特に限定されず、例えば、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、テトラヒドロフラン等を用いることができる。本発明の有機光電変換素子の電極材料としては、特に限定されないが、陰極の場合、電子受容性材料のLUMOレベルに対してエネルギー障壁が小さく、仕事関数が比較的小さなものから選ばれ、例えば、Ag、Al、Pt,Ir、Cr、ZnO、CNT、及びそれらの合金、複合体等が挙げられる。一方、陽極の場合、電子供与性材料のHOMOレベルとエネルギー障壁が小さく、比較的仕事関数が大きなものから選ばれ、透明なものが好ましい。例えば、スズドープ酸化インジウムITO,IrO2、In2O3、SnO2、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO、ZnOGa、Alドープ、MoO3等の材料から形成される透明半導体電極が挙げられる。電極の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法が挙げられる。なお、これらの光電変換層や電極材料は、基材上に積層することができる。基材としては、光電変換材料の種類や用途に応じて適宜選択されるが、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂等の有機材料から任意の方法で作製されたフィルムや板が挙げられる。また、本発明において、必要に応じて、各層の接触界面に緩衝層バッファ層を設けることもできる。バッファ層としては、導電性の層であればよく、例えば、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネートPEDOT-PSS、酸化モリブデン、フッ化リチウム、酸化チタン、金あるいはバソクプロイン等からなる導電性の層が挙げられる。これらの中でも、PEDOT-PSSを用いることが好ましい。実施例において行った測定法の詳細を以下にまとめて示す。1共重合ポリマーの重量平均分子量測定GPC装置東ソー株製、装置名HLC-8228GPC、カラム:製品名SHODEXGPCKF-804LGPCKF-805L、カラム温度:40°C、検出器:UV検出器254nm、溶離液:THF、カラム流速:1.0ml/分、ポリスチレン換算を用いて、得られた共重合ポリマーのTHF中で、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mw及び高分子ポリマーの多分散度Mw/Mnを測定した。また、繰り返し単位数nは、この重量平均分子量から算出した。21H-NMR測定FT-NMR装置JEOL製、装置名JNM-A500を用いた、3有機光電変換素子の測定有機光電変換素子に、均一化した100Wタングステンランプの光を照射しながら、ソーラーシミュレータワコム電創製、装置名WXS-50S-1.5、及び電圧-電流発生器ADC製、装置名R6243を用いて、開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子FFを測定した。また、光電変換効率ηは、上述の式1より算出した。[合成例1:化合物1aの合成]1,2,5-ベンゾチアジアゾールシグマアルドリッチ社製9.87g、48臭化水素水純正化学株製50mlを混合し110°Cまで加熱し、反応混合物に臭素37.1g、48臭化水素水30mlを滴下し、110°Cのまま2.5時間撹拌した。反応液を冷却後、ろ過を行い、純水で洗浄した。得られた固体をクロロホルムで溶解し、純水で3回洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、濃縮物をメタノールで再結晶化させ、12.73gの白色固体として、下記式で表される化合物1aを得た収率60、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:7.732H,s。[合成例2:化合物1bの合成]化合物1a9.14gとエタノール300mlを混合した後、0°Cに冷却した。冷却後、水素化ホウ素ナトリウム純正化学株製20.7gを少しずつ加えた後、室温まで昇温し3日間撹拌した。その後、反応液に純水を加えてジエチルエーテルで抽出し、純水、飽和食塩水の順で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去し、7.57gの白色固体として、下記式で表される化合物1bを得た収率92、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:3.894H,s、6.852H,s。[合成例3:化合物1cの合成]化合物1b1.0gとエタノール25mlを混合した後、40グリオキサール水溶液東京化成工業株製0.56gを滴下した。室温で3時間撹拌後、反応液を40°Cまで加熱し1時間撹拌した。その後、反応液から溶媒を留去し、濃縮物を酢酸エチルで溶解し、純水、飽和食塩水の順で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=5/95→30/70で精製し、0.23gの淡黄色固体として、下記式で表される化合物1cを得た収率22、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:8.012H,s、9.022H,s。[合成例4:化合物1dの合成]化合物1c1.62g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムシグマアルドリッチ社製198mgを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した後に、2-チエニルトリブチルスズ東京化成工業株製4.32g、N,N-ジメチルホルムアミド56mlをシリンジで加えた。反応液を90°Cまで加熱し、3.5時間撹拌した。その後、反応液を冷却し、純水を加えてトルエンで抽出し、有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。その後、濃縮物をメタノールで再結晶化させ、真空乾燥を行い、1.41gの赤色固体として、下記式で表される化合物1dを得た収率85、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:7.202H,dd,J=3.9,5.1Hz、7.522H,dd,J=0.9,5.1Hz、7.832H,dd,J=0.9,3.9Hz、8.132H,s、8.982H,s。[合成例5:化合物1eの合成]化合物1d1.41gとo-ジクロロベンゼン60mLを混合した後、55°Cまで加熱し、N-ブロモコハクイミド2.96gを4回に分けて加え、55°Cの温度で更に6時間撹拌した。その後、反応液を150度まで加熱して固体を完全に溶解させた後、室温まで冷却し、析出した固体をろ過で回収した。得られた固体を純水、エタノールの順で洗浄し、o-ジクロロベンゼンで再結晶化し、2.00gの赤色固体として、下記式で表される化合物1eを得た収率91、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:7.142H,d,J=4.2Hz、7.562H,d,J=4.2Hz、8.122H,s、8.982H,s。[合成例6:化合物2aの合成]9,9-ジオクチル-2,7-ジブロモフルオレンシグマアルドリッチ社製6.0gを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した。テトラヒドロフラン100mlをシリンジで加え、-65°C以下まで冷却した。反応溶液に1.6Mn-ブチルリチウム/ヘキサン溶液14mlをシリンジで滴下し、-65°C以下のまま1時間撹拌した。その後、2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロランシグマアルドリッチ社製4.49gをシリンジで加え、-65°C以下のまま1時間撹拌後、室温まで昇温し、15時間撹拌した。その後、反応液に水を加え、ジエチルエーテルで抽出した後、飽和食塩水で洗浄した。有機層を分離後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過により硫酸ナトリウムを除去した後、溶媒を留去した。そして、濃縮物をメタノール:アセトン=10:1で再結晶化させ、4.71gの白色固体として、下記式で表される化合物2aを得た収率67、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:0.75-1.1154H,br,m、2.034H,m、7.612H,d,J=7.6Hz、8.22H,d,J=7.6Hz、8.302H,s。[実施例1:共重合ポリマー1の合成]化合物1e1.0g、化合物2a1.42g、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム0シグマアルドリッチ社製41mg、トリス2-メチルフェニルホスフィン東京化成工業株製54mgを反応容器に投入し、反応容器を窒素置換した。そして、トルエン22ml、10テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液東京化成工業株製15mlをシリンジで加え、反応溶液を95°Cまで加熱し、3日間撹拌した。その後、反応液にブロモベンゼン東京化成工業株製35mg、フェニルボロン酸東京化成工業株製30mg、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム02mg、トリス2-メチルフェニルホスフィン2.7mgを加え、更に1日間95°Cで撹拌した。その後、反応液をメタノール/水=9/1に滴下し、析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。得られた固体を、ソクスレー抽出機にて、アセトン、ヘキサンの順で洗浄した後、クロロホルムで抽出した。そして、クロロホルム抽出液から溶媒を留去した固体にクロロホルムを加えて溶解し、それをメタノール/水=9/1に滴下し、析出した固体をろ過で回収後、真空乾燥をして、赤色固体として0.51gの下記一般式Iで表される共重合ポリマー1を得た収率34、1H-NMR300MHz、溶媒:CDCl3:9.082H,br、8.222H,br、7.87-7.718H,br、7.492H,br、2.114H,br、1.1024H,br、0.796H,br。なお、図2は、得られた共重合ポリマー1の1H-NMRチャートである。得られた共重合ポリマー1の重量平均分子量Mwは34,770、高分子ポリマーの多分散度Mw/Mnは2.45、繰り返し単位数nは49.66であった。[実施例2:有機光電変換素子1の作製]p型半導体として共重合ポリマー1を7.5mg、n型半導体材料として[60]PCBMフロンティアカーボン株製、商品名NanomSpectraE100Hを30.0mg秤量し、窒素雰囲気下で脱水クロロベンゼンシグマアルドリッチ社製、脱水品1.0mLを加え、窒素雰囲気下で50°Cに加温しながら24時間撹拌し混合溶液を調製した。次に、洗浄及びUV-オゾン処理を行って清浄化したITOガラスガラス基板にスズドープ酸化インジウム膜を形成した透明導電性ガラス、抵抗値14Ω/sq、文献Brabec、C.J.etal.、AdvancedMaterials、2009年、21巻、1ページに記載された方法で、導電性ポリマー電極としてPEDOT-PSSClevios社製を40nm成膜した上に、上記混合溶液を孔径0.45μmのシリンジフィルターで濾過してから滴下してスピンコートを行い、光電変換層を厚み70nmになるように形成した。形成された光電変換層の表面を観察したが、均質で曇りの無い膜が成膜されていた。次に、この光電変換層上にアルミニウム高純度化学研究所株製を約100nm8.2×105Pa、1.5Å/s積層し、有機光電変換素子1を作製した。[参考例1:有機光電変換素子2の作製]p型半導体として、P3HTポリ-3-ヘキシルチオフェン、Merck社製を15mg、n型半導体として、[60]PCBMフロンティアカーボン製、商品名NanomSpectraE100Hを11.3mg秤量し、窒素雰囲気下で脱水クロロベンゼンシグマアルドリッチ社製、脱水品1.0mLを加え、窒素雰囲気下で50°Cに加温しながら24時間撹拌し混合溶液を調製した。次に、実施例2で用いたものと同様のITOガラスに、非特許文献1に記載された方法で、導電性ポリマー電極としてPEDOT-PSSClevios社製を40nm成膜した上に、上記混合溶液を孔径0.45μmのシリンジフィルターで濾過してから滴下し、回転数700rpmで60秒間スピンコートを行い、厚さ120nmの薄膜を形成し、この薄膜に150°Cで10分間加熱処理を行って光電変換層とした。形成された光電変換層の表面を観察したが、均質で曇りの無い膜が成膜されていた。次に、この光電変換層にアルミニウム高純度化学研究所株製を約100nm8.2×105Pa、1.5Å/s積層し、有機光電変換素子2を作製した。得られた有機光電変換素子1、2について、上述の方法で開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子FF、及び光電変換効率ηを測定した。結果を表1に示す。実施例1で合成した共重合ポリマーを用いた有機光電変換素子1は、最も一般的な有機薄膜太陽電池の一つである参考例1の[60]PCBM-P3HT混合系の有機光電変換素子2と比べて、大きな変換効率が得られた。そのため、本発明の有機光電変換素子は、参考例1の従来のものと比べて、光電変換効率が優れている。この結果から、本発明の共重合ポリマーは、有機薄膜太陽電池用のp型半導体材料として非常に有用である。"