"太陽電池であって、p形半導体またはn形半導体の一方で構成された基板と、前記基板と同一の導電型の第1の拡散層を前記基板上に形成するとともに、前記基板と逆の導電型の第2の拡散層を該前記基板上に直接または該第2の拡散層と同一の導電型のウェルを介して形成し、前記第1および第2の拡散層に、それぞれ第1および第2の電極を設けた第1種の単位太陽電池と、前記基板上に該基板と逆の導電型の半導体で基礎となるウェルを形成し、前記基板と同一の導電型の第3の拡散層を前記ウェル上に直接または該第3の拡散層と同一の導電型のウェルを介して形成するとともに、前記基礎となるウェル上に、前記基板と逆の導電型の第4の拡散層を形成し、前記第3および第4の拡散層に、それぞれ第3および第4の電極を設けた第2種の単位太陽電池とを備え、前記第1種および第2種の単位太陽電池は、絶縁層を介さずに隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線することによって直列に配列された太陽電池。請求項1記載の太陽電池であって、前記基板はp基板であり、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上に直接またはnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線した太陽電池。請求項1記載の太陽電池であって、前記基板はp基板であり、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上にnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられ、さらに、前記nウェル上に前記第1の拡散層とは異なる付加拡散層としてのp拡散層が形成され、前記付加拡散層には、付加電極が設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線するとともに、前記第4の電極と前記付加電極とを結線した太陽電池。請求項1記載の太陽電池であって、前記基板はp基板であり、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上にディープnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池は、さらに、前記第1種の単位太陽電池における前記ディープnウェル上に形成されたpウェルと、前記pウェル上に形成された前記第1の拡散層とは異なる第5の拡散層としてのp拡散層と、前記pウェル上に形成された前記第2の拡散層とは異なる第6の拡散層としてのn拡散層と、前記第5および第6の拡散層にそれぞれ設けられた第5および第6の電極とを有する第3種の単位太陽電池を有し、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池、第3種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間、および前記第2の電極と前記第5の電極との間を、それぞれ結線した太陽電池。太陽電池を備える集積回路であって、請求項1~4いずれか記載の太陽電池と、前記太陽電池が形成される基板と同一の基板上に形成され、該太陽電池によって印加される電源電圧とともに、該電源電圧の中間に相当する中間電圧を利用可能な回路である中間電圧活用回路を備える集積回路。請求項5記載の集積回路であって、前記中間電圧活用回路は、少なくとも一つのMOSトランジスタを備える回路であり、前記中間電圧は、前記MOSトランジスタに印加されるフォワードバイアスである集積回路。請求項5または6記載の集積回路であって、前記中間電圧は、前記太陽電池の負極と前記基板との間の電圧に相当し、前記中間電圧活用回路は、前記基板を介して前記中間電圧が印加されるよう構成されている集積回路。請求項7記載の集積回路であって、前記太陽電池は、前記基板をp基板とし、該p基板が正極および負極の中間の電位となるよう、前記第1種の単位太陽電池および第2種の単位太陽電池を1つずつ直列に接続しており、前記中間電圧活用回路は、前記p基板上に形成された2つのn拡散層を備えるNMOS回路と、前記p基板上に形成されたnウェルと、該nウェル上に形成された2つのp拡散層を備えるPMOS回路とを有し、前記p基板とnウェルが等電位となるよう結線されているCMOS回路である集積回路。請求項6または7記載の集積回路であって、前記太陽電池は、前記基板をp基板とし、前記第1種、第2種および第3種の単位太陽電池を1つずつ直列に接続しており、前記中間電圧活用回路は、前記p基板上に直接形成された2つのn拡散層、または前記p基板上にディープnウェルを形成し、該ディープnウェル上にpウェルを介して形成された2つのn拡散層を備えるNMOS回路と、前記p基板上に形成されたnウェルと、該nウェル上に形成された2つのp拡散層を備えるPMOS回路とを有し、前記PMOS回路のnウェルは、前記太陽電池の正極から単位太陽電池一つ分だけ電位が低い第1の中間電位となるよう、前記太陽電池と接続されており、前記NMOS回路は、前記n拡散層が形成された前記p基板または前記pウェルが、前記太陽電池の負極から単位太陽電池一つ分だけ電位が高い第2の中間電位となるよう、前記太陽電池と接続されているCMOS回路である集積回路。太陽電池は、発電原理に応じた物理的な制約により、電圧が0.3~0.5V程度しか得られない。一般に集積回路には動作速度を確保するため、閾値電圧よりも高い電圧を印加することが望まれるが、太陽電池単体で得られる電圧では、十分な電圧を印加することができない。太陽電池によって閾値電圧を超える十分な電圧を印加するためには、太陽電池を直列接続すればよい。高い電圧を得るため、従来は、個別に製造された太陽電池を外部配線によって直列に接続する方法がとられていた。単一の基板上に形成する方法としては、SOISilicononInsulatorを用いることにより、それぞれの太陽電池を絶縁状態で形成した上で、直列に結線する方法がとられていた。しかし、個別の太陽電池を外部配線で接続する方法では、製造工程が増え、製造コストがかかるという課題がある。また、太陽電池同士を絶縁した状態で配列する必要があるため、小型化にも制約が生じる。SOIを用いる方法では、SOI自体のコストが高いという課題があるとともに、十分な発電効率が得られないことが知られている。特許文献1のように、集積回路が形成された基板の表面または裏面に太陽電池専用のp形半導体またはn形半導体の層を形成し、集積回路と太陽電池とを積層状態で形成する方法も可能ではあるが、やはり製造工程が増え、製造コストがかかるという課題を免れることはできない。本発明は、かかる課題に鑑み、p形半導体またはn形半導体の単一の基板上に直列接続された太陽電池を形成可能とする技術を提供し、該太陽電池と同一の基板上に集積回路を形成する技術を提供することを目的とする。最初に本明細書における用語について定義する。本発明は、pn接合で構成される太陽電池を直列に接続した素子である。以下の説明では、便宜上、特に記さない限り、一つ一つのpn接合で構成される太陽電池を単位太陽電池と称し、これらを直列に接続して構成される全体の素子を太陽電池と称するものとする。また、単位太陽電池を構成するダイオードとは別に、太陽電池の発電に無関係または障害となるダイオードが形成されることがある。本明細書では、かかるダイオードを、それが機能するか否かに関わらず寄生ダイオードと称するものとする。本発明の太陽電池は、p形半導体またはn形半導体の一方で構成された基板と、前記基板と同一の導電型の第1の拡散層を前記基板上に形成するとともに、前記基板と逆の導電型の第2の拡散層を該前記基板上に直接または該第2の拡散層と同一の導電型のウェルを介して形成し、前記第1および第2の拡散層に、それぞれ第1および第2の電極を設けた第1種の単位太陽電池と、前記基板上に該基板と逆の導電型の半導体で基礎となるウェルを形成し、前記基板と同一の導電型の第3の拡散層を前記ウェル上に直接または該第3の拡散層と同一の導電型のウェルを介して形成するとともに、前記基礎となるウェル上に、前記基板と逆の導電型の第4の拡散層を形成し、前記第3および第4の拡散層に、それぞれ第3および第4の電極を設けた第2種の単位太陽電池とを備え、前記第1種および第2種の単位太陽電池は、絶縁層を介さずに隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線することによって直列に配列された構成を有している。p基板上に単位太陽電池を形成する場合を例にとって説明すれば、図1a、図1bに示した構成が第1種の単位太陽電池に相当し、図1cに示した構成が第2種の太陽電池に相当する。もっとも、第1種および第2種の太陽電池が、図1に示した構成に限定される訳ではなく、この他にも種々の構成が可能である。本発明によれば、上述した第1種および第2種の単位太陽電池を混在させることにより、単一の基板上にこれらを直列に形成することができる。本発明の効果を説明するために、まず同一の基板上では、同種の単位太陽電池を直列に接続することができないことを示す。図2は、第1種の単位太陽電池を直列接続した例を示す説明図である。図2aには、個別の基板に形成された第1種の単位太陽電池を直列接続した状態を示した。各単位太陽電池は、p基板P22、P24の上に、上記第1の拡散層に相当するp拡散層P21、P23が直接形成され、第1の電極に相当する電極EL1、EL3が設けられている。また、p基板P22、P24の上に、上記第2の拡散層に相当するn拡散層N21、N22が直接形成されており、第2の電極に相当する電極EL3、EL2が設けられている。n拡散層N21、N22は、nウェルを介して形成してもよい。それぞれの単位太陽電池では、n拡散層N21、N22と、p基板P22、P24との間で、ダイオードD21、D22が形成されるから、これらが単位太陽電池として機能する。n拡散層N21と、P拡散層P23とを電極EL3で結線することによって両者を直列に接続することができる。図2aに対応する回路図を図2bに示した。図2cには、図2aに示した2個の単位太陽電池を単純に同一のp基板上に形成した状態を示した。この構成では、単一のp基板P22Aに、第1の拡散層に相当するp拡散層P21A、P23Aと、第2の拡散層に相当するn拡散層N21A、N22Aが形成され、電極EL1~EL3が設けられる。n拡散層N21A、N22Aとp基板との間で、それぞれダイオードD21A、D22Aが形成されるため、これらが単位太陽電池として機能する。しかし、図2cの構成では、全てがp基板上に構成されているため、p基板を通じて、2個の単位太陽電池がショートした状態となる。図2cに対応する回路図を図2dに示した。従って、第1種の単位太陽電池同士を共通の基板上で直列に接続することはできない。図2では、p基板の例を示したが、n基板上に第1種の太陽電池を構成しても同じ結果となる。図3は、第2種の単位太陽電池を直列接続した例を示す説明図である。図3aには、個別の基板に形成された第2種の単位太陽電池を直列接続した状態を示した。各単位太陽電池は、p基板P32、P34の上に形成されたnウェルN32、N34上に上記第3の拡散層に相当するp拡散層P31、P33が直接形成され、第3の電極に相当する電極EL1、EL3が設けられている。また、nウェルN32、N34上に、上記第4の拡散層に相当するn拡散層N31、N33が直接形成されており、第4の電極に相当する電極EL3、EL2が設けられている。nウェルをディープnウェルとした上で、pウェルを介してp拡散層P31、P33を形成してもよい。それぞれの単位太陽電池では、nウェルN32、N34と、p拡散層P31、P33との間で、ダイオードD31、D32が形成されるから、これらが単位太陽電池として機能する。n拡散層N31と、P拡散層P33とを電極EL3で結線することによって両者を直列に接続することができる。図3aに対応する回路図を図3bに示した。なお、各単位太陽電池において、nウェルN32、N34とp基板P32、P34との間でも寄生ダイオードが形成されるが、p基板P32,P34がどこにも導通していないことから、これらの寄生ダイオードは機能し得ないため、図3bの回路図では図示を省略した。図3cには、図3aに示した2個の単位太陽電池を単純に同一のp基板上に形成した状態を示した。この構成では、単一のp基板P34Aに形成された2つのnウェルN32A、N34A上に、上記第3の拡散層に相当するp拡散層P31A、P33Aと、上記第4の拡散層に相当するn拡散層N31A、N33Aが形成され、電極EL1~EL3が設けられる。nウェルN32A、N34Aとp拡散層P31A、P33Aとの間で、それぞれダイオードD31A、D32Aが形成されるため、これらが単位太陽電池として機能する。また、nウェルN32A、N34Aとp基板P34Aとの間でも寄生ダイオードとしてのダイオードD33A、D34Aが形成され、両者はp基板P34Aを介して接続された状態となる。図3cに対応する回路を図3dに示した。p基板P34Aを介して短絡されたダイオードD33A、D34Aも単位太陽電池と同様に発電機能を有しているから、これらのダイオードD33A、D34Aは、単位太陽電池に相当するダイオードD32Aの両端を等電位にするように作用し、結果としてダイオードD32Aの発電を阻害する。従って、第2種の単位太陽電池同士を共通の基板上で直列に接続することはできない。図3では、p基板の例を示したが、n基板上に第2種の太陽電池を構成しても同じ結果となる。これに対し、本発明では、第1種および第2種の単位太陽電池を、絶縁層を介さずに隣接させることによって両者を混在させて直列に接続する。太陽電池の正極に近い側から第1種の単位太陽電池、第2種の太陽電池の順に配置する場合と、太陽電池の正極に近い側から第2種の単位太陽電池、第1種の太陽電池の順に配置する場合とが考えられるが、いずれの場合でも、第4の電極第2種の単位太陽電池の基礎となるウェル側の電極と第1の電極第1種の単位太陽電池の基板側の電極との間を結線すればよい。このように結線すると、第1種および第2種の単位太陽電池で構成される太陽電池において、正極に近い側にn形半導体、負極に近い側にp形半導体が接する部分、すなわち寄生ダイオードに相当するpn接合の少なくとも一部が短絡されることになる。従って、寄生ダイオードが単位太陽電池の発電を阻害することを抑制でき、単一の基板上に単位太陽電池が直列接続された太陽電池を実現することができる。また、本発明では、単一の基板上に複数の単位太陽電池を形成できるため、通常の半導体集積回路の製造工程を利用でき、太陽電池の製造コストを抑制することができる。なお、本発明は、第1種および第2種の単位太陽電池を混在させることを要件とするものではあるが、両者を1個ずつ用いるものに限定はされない。本発明の太陽電池において、基板をp基板とした場合の第1の構成例として、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上に直接またはnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線した構成としてもよい。p基板上に形成する場合には、かかる配置および結線とすることにより、nウェル第2種の単位太陽電池とp基板との間に生じる寄生ダイオードを短絡させ無効化することができる。基板をp基板とした場合の第2の構成例として、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上にnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられ、さらに、前記nウェル上に前記第1の拡散層とは異なる付加拡散層としてのp拡散層が形成され、前記付加拡散層には、付加電極が設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間を結線するとともに、前記第4の電極と前記付加電極とを結線した構成としてもよい。上記の構成によれば、第1種の単位太陽電池に、さらに付加拡散層を設けることによって、新たに付加的な単位太陽電池を構成することができる。この付加的な単位太陽電池の負極は、第2の拡散層としてのn拡散層第1種の単位太陽電池の負極と共通であるから、第1種の単位太陽電池と並列に接続された状態となる。従って、上述の単位太陽電池によれば、第1種の単位太陽電池と付加的な単位太陽電池とを並列接続した上で、第2種の単位太陽電池を直列に接続した構成を実現することができる。基板をp基板とした場合の第3の構成例として、前記第1種の単位太陽電池は、前記第1の拡散層が、前記基板上に形成されたp拡散層であり、前記第1の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第2の拡散層が、前記基板上にディープnウェルを介して形成されたn拡散層であり、前記第2の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記第2種の単位太陽電池は、前記基礎となるウェルが、前記基板上に形成されたnウェルまたはディープnウェルであり、前記第3の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接またはpウェルを介して形成されたp拡散層であり、前記第3の電極が、該p拡散層に設けられており、前記第4の拡散層が、前記基礎となるウェル上に直接形成されたn拡散層であり、前記第4の電極が、該n拡散層に設けられた単位太陽電池であり、前記太陽電池は、さらに、前記第1種の単位太陽電池における前記ディープnウェル上に形成されたpウェルと、前記pウェル上に形成された前記第1の拡散層とは異なる第5の拡散層としてのp拡散層と、前記pウェル上に形成された前記第2の拡散層とは異なる第6の拡散層としてのn拡散層と、前記第5および第6の拡散層にそれぞれ設けられた第5および第6の電極とを有する第3種の単位太陽電池を有し、前記太陽電池の正極側から、前記第2種の単位太陽電池、前記第1種の単位太陽電池、第3種の単位太陽電池の順に、絶縁層を介さずに直列に隣接させ、前記第1の電極と第4の電極との間、および前記第2の電極と前記第5の電極との間を、それぞれ結線した構成としてもよい。上記構成によれば、第4の電極第2種の単位太陽電池の正極と第1の電極第1種の単位太陽電池の負極との間の結線は、第2種、第1種の単位太陽電池間に生じる寄生ダイオードを無効化できる。また、第2の電極第1種の単位太陽電池の負極と第5の電極第3種の単位太陽電池の正極との間の結線は、第1種、第3種の単位太陽電池間に生じる寄生ダイオードを無効化できる。この結果、第2種、第1種、第3種の単位太陽電池を直列に接続した太陽電池を実現することができる。また、上記構成では、第2の拡散層第1種の単位太陽電池の負極を、ディープnウェルを介して形成することによって、ディープnウェルを第3種の単位太陽電池と共通化することができ、構造の簡素化を図ることもできる。さらに、第1種~第3種の単位太陽電池の数を増やし、4個以上の単位太陽電池の直列接続を実現することも可能である。本発明は、太陽電池単体としての構成だけでなく、次に示すように、太陽電池を備える集積回路として構成することもできる。上述した本発明の各太陽電池には、種々の回路を接続可能であるが、前記太陽電池が形成される基板と同一の基板上に形成され、該太陽電池によって印加される電源電圧とともに、該電源電圧の中間に相当する中間電圧を利用可能な回路である中間電圧活用回路を接続することが好ましい。本発明の太陽電池は、単位太陽電池を直列接続して構成されているため、太陽電池全体として電源電圧を印加する他、各単位太陽電池間から中間電圧を印加することが可能である。従って、これらの中間電圧を利用可能な回路を接続することによって、本発明における太陽電池の特性を活かした回路構成を実現することができる。上述の集積回路において、前記中間電圧活用回路は、少なくとも一つのMOSトランジスタを備える回路であり、前記中間電圧は、前記MOSトランジスタに印加されるフォワードバイアスとすることができる。フォワードバイアスとは、MOSトランジスタの基板とソースとの間に順方向の電圧を印加することを言う。かかる回路によれば、新たにフォワードバイアス用の電圧を生成するまでなく、太陽電池で発生する中間電圧を活用することができる。また、各単位太陽電池は、比較的安定した電圧で発電可能であるから、安定した中間電圧を印加可能であり、フォワードバイアスによる動作速度の向上効果を安定的に得ることが可能となる。中間電圧活用回路はフォワードバイアス回路の他、SRAMの読み出し回路、電磁誘導結合通信における受信回路などとすることもできる。また、本発明の集積回路において、前記中間電圧は、前記太陽電池の負極と前記基板との間の電圧に相当する場合には、前記中間電圧活用回路は、前記基板を介して前記中間電圧が印加されるよう構成してもよい。こうすることによって、太陽電池と共通の基板上に中間電圧活用回路を形成するだけで、中間電圧を印加することができ、簡易な構造で集積回路を実現できる。本発明の集積回路において、単位太陽電池を2つ用いる場合には、前記太陽電池は、前記基板をp基板とし、該p基板が正極および負極の中間の電位となるよう、前記第1種の単位太陽電池および第2種の単位太陽電池を1つずつ直列に接続しており、前記中間電圧活用回路は、前記p基板上に形成された2つのn拡散層を備えるNMOS回路と、前記p基板上に形成されたnウェルと、該nウェル上に形成された2つのp拡散層を備えるPMOS回路とを有し、前記p基板とnウェルが等電位となるよう結線されているCMOS回路であるものとすることができる。こうすれば、基板が中間電位となるように太陽電池が構成されており、基板を介してNMOS回路、PMOS回路のそれぞれにフォワードバイアスをかけることができる。従って、非常に簡易な構造で、フォワードバイアスによる効果を安定的に得られる回路を実現することができる。上記構成における単位太陽電池としては、例えば、先に本発明の太陽電池として例示した第1~第3の構成を適用することが可能である。もっとも、上記構成は、単位太陽電池を3つ以上用いる場合を排除するものではない。3つ以上の単位太陽電池を用いる場合においても、その一部において上記構成を含むことは可能である。本発明の集積回路において、単位太陽電池を3つ用いる構成として、前記太陽電池は、前記基板をp基板とし、前記第1種、第2種および第3種の単位太陽電池を1つずつ直列に接続しており、前記中間電圧活用回路は、前記p基板上に直接形成された2つのn拡散層、または前記p基板上にディープnウェルを形成し、該ディープnウェル上にpウェルを介して形成された2つのn拡散層を備えるNMOS回路と、前記p基板上に形成されたnウェルと、該nウェル上に形成された2つのp拡散層を備えるPMOS回路とを有し、前記PMOS回路のnウェルは、前記太陽電池の正極から単位太陽電池一つ分だけ電位が低い第1の中間電位となるよう、前記太陽電池と接続されており、前記NMOS回路は、前記n拡散層が形成された前記p基板または前記pウェルが、前記太陽電池の負極から単位太陽電池一つ分だけ電位が高い第2の中間電位となるよう、前記太陽電池と接続されているCMOS回路とすることもできる。単位太陽電池を3個直列にした場合には、電源電圧の他、上述した第1、第2の中間電位による2種類の電圧を印加することができる。上記回路構成によれば、これらの第1の中間電位を利用してPMOS回路にフォワードバイアスをかけ、第2の中間電位を利用してNMOS回路にフォワードバイアスをかけることができる。一般に、フォワードバイアスは、ソース、基板間に大電流が流れない程度の低電圧に抑えることが要求されるため、単位太陽電池1個分程度の電圧を利用することが好ましい。上記第1の中間電位は正極から単位太陽電池一つ分だけ低い電位となっており、第2の中間電位は負極から単位太陽電池一つ分だけ高い電位となっているため、これらの中間電位を利用することにより、PMOS回路、NMOS回路に、それぞれ適切なフォワードバイアスをかけることが可能となる。上記構成における単位太陽電池としては、例えば、先に本発明の太陽電池として例示した第4の構成を適用することが可能である。単位太陽電池を3個直列にした場合、第1の中間電位、第2の中間電位は基板またはウェルに得られるため、いずれか一方または双方のフォワードバイアスを、基板またはウェルを介してかける回路構成とすることも可能である。上記構成は、単位太陽電池を4つ以上用いる場合を排除するものではない。4つ以上の単位太陽電池を用いる場合においても、その一部において上記構成を含むことは可能である。以下では、まず実施例1として、集積回路上に形成される太陽電池を例示する。[構成例1]図4は、構成例1としての太陽電池の構造を示す説明図である。構成例1の太陽電池は、単一のp基板103の上に、正極側から第2種の単位太陽電池100、第1種の単位太陽電池200の順に、2つの単位太陽電池を直列接続した構造をなしている。図4aは断面の構造を示し、図4bは構成例1の太陽電池の回路図を示している。図4aに基づき、構成例1としての太陽電池の構造を説明する。第2種の単位太陽電池100は、p基板103の上に、nウェル105が形成されている。nウェル105の上には、第3の拡散層に相当するp拡散層104、および第4の拡散層に相当するn拡散層106が形成されている。p拡散層104には第3の電極正極に相当する電極101が設けられ、n拡散層106には第4の電極負極に相当する電極102が設けられている。p拡散層104とnウェル105との間にダイオード107が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。第1種の単位太陽電池200の構造を説明する。第1種の単位太陽電池200は、p基板103の上に、第1の拡散層に相当するp拡散層202、および第2の拡散層に相当するn拡散層203が形成されている。p拡散層202には第1の電極正極に相当する電極102が設けられ、n拡散層203には第2の電極負極に相当する電極201が設けられている。p基板103とn拡散層203との間にダイオード204が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。構成例1の太陽電池は、第2種の単位太陽電池100、第1種の単位太陽電池200を共通のp基板103上に形成することによって、両者を絶縁層を介さずに隣接した構造となっている。第2種の単位太陽電池100のn拡散層106と、第1種の単位太陽電池200のp拡散層202は、電極102によって結線されている。かかる構造では、p基板103とnウェル105との間に、寄生ダイオード108が発生するが、電極102は寄生ダイオード108の両端を短絡し、無効化する機能も果たしている。図4bに構成例1の太陽電池の回路図を示す。第2種の単位太陽電池100に形成されるダイオード107と、第1種の単位太陽電池200に形成されるダイオード204とが直列に接続され、両者の中間に、寄生ダイオード108がその両端を電極102によって短絡した状態で存在する。以上で説明した構成例1の太陽電池によれば、2個の単位太陽電池分の電圧を発電することができる。[構成例2]図5は、構成例2としての太陽電池の構造を示す説明図である。構成例2の太陽電池は、単一のp基板113の上に、正極側から第2種の単位太陽電池110、第1種の単位太陽電池210の順に、2つの単位太陽電池を直列接続した構造をなしている。図5aは断面の構造を示し、図5bは構成例2の太陽電池の回路図を示している。図5aに基づき、構成例2の太陽電池の構造を説明する。第2種の単位太陽電池110は、構成例1の単位太陽電池100と同様であり、p基板113、nウェル115、p拡散層114、n拡散層116、電極111、電極112で構成されている。p拡散層114とnウェル115との間にダイオード117が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。第1種の単位太陽電池210の構造を説明する。第1種の単位太陽電池210は、p基板113の上に、第1の拡散層に相当するp拡散層212が直接形成されている。またp基板113の上にnウェル213を介して第2の拡散層に相当するn拡散層214が形成されている。p拡散層212には第1の電極正極に相当する電極112が設けられ、n拡散層214には第2の電極負極に相当する電極211が設けられている。p基板113とnウェル213との間にダイオード215が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。構成例2の太陽電池は、第2種の単位太陽電池110、第1種の単位太陽電池210を共通のp基板113上に形成することによって、両者を絶縁層を介さずに隣接した構造となっている。第2種の単位太陽電池110のn拡散層116と、第1種の単位太陽電池210のp拡散層212は、電極112によって結線されている。かかる構造では、p基板113とnウェル115との間に、寄生ダイオード118が発生するが、電極112は寄生ダイオード118の両端を短絡し、無効化する機能も果たしている。図5bに構成例2の太陽電池の回路図を示す。第2種の単位太陽電池110に形成されるダイオード117と、第1種の単位太陽電池210に形成されるダイオード215とが直列に接続され、両者の中間に、寄生ダイオード118がその両端を電極112によって短絡した状態で存在する。以上で説明した構成例2の太陽電池によれば、2個の単位太陽電池分の電圧を発電することができる。[構成例3]図6は、構成例3としての太陽電池の構造を示す説明図である。構成例3の太陽電池は、単一のp基板123の上に、正極側から第2種の単位太陽電池120、第1種の単位太陽電池220の順に、2つの単位太陽電池を直列接続するとともに、第1種の単位太陽電池220に付加的な単位太陽電池320を並列に接続した構造をなしている。図6aは断面の構造を示し、図6bは構成例3の太陽電池の回路図を示している。図6aに基づき、構成例3の太陽電池の構造を説明する。第2種の単位太陽電池120は、構成例1の単位太陽電池100と同様であり、p基板123、nウェル125、p拡散層124、n拡散層126、電極121、電極122で構成されている。p拡散層124とnウェル125との間にダイオード127が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。第1種の単位太陽電池220の構造を説明する。第1種の単位太陽電池220は、p基板123の上に、第1の拡散層に相当するp拡散層222が直接形成されている。またp基板123の上にnウェル223を介して第2の拡散層に相当するn拡散層224が形成されている。p拡散層222には第1の電極正極に相当する電極122が設けられ、n拡散層224には第2の電極負極に相当する電極221が設けられている。p基板123とnウェル223との間にダイオード225が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。付加的な単位太陽電池320の構造を説明する。付加的な単位太陽電池320は、nウェル223上に形成されている。nウェル223上には付加拡散層としてのp拡散層321が形成されている。p拡散層321には、付加電極としての電極122が形成されている。付加的な単位太陽電池320を構成するnウェル223およびn拡散層224は、第1種の単位太陽電池220と共通である。p拡散層321とnウェル223との間にダイオード322が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。構成例3の太陽電池は、第2種の単位太陽電池120、第1種の単位太陽電池220を共通のp基板123上に形成することによって、両者を絶縁層を介さずに隣接した構造となっている。第2種の単位太陽電池120のn拡散層126と、第1種の単位太陽電池220のp拡散層222は、電極122によって結線されている。かかる構造では、p基板123とnウェル125との間に、寄生ダイオード128が発生するが、電極122は寄生ダイオード128の両端を短絡し、無効化する機能も果たしている。構成例3の太陽電池では、さらに、上述した付加的な単位太陽電池320が形成されている。付加的な単位太陽電池320のp拡散層321は、第2種の単位太陽電池120のn拡散層126および第1種の単位太陽電池220のp拡散層222と電極122によって接続されているが、付加的な単位太陽電池320との関係では、この電極122は、寄生ダイオードを無効化する役割は果たさない。付加的な単位太陽電池320には寄生ダイオードは発生しないからである。図6bに構成例3の太陽電池の回路図を示す。第2種の単位太陽電池120に形成されるダイオード127と、第1種の単位太陽電池220に形成されるダイオード225とが直列に接続され、両者の中間に、寄生ダイオード128がその両端を電極122によって短絡した状態で存在する。さらに、ダイオード225には、付加的な単位太陽電池320に形成されるダイオード322が並列に接続されている。以上で説明した構成例2の太陽電池によれば、2個の単位太陽電池分の電圧を発電することができる。また、付加的な単位太陽電池320が設けられていることによって、電流を増大させることも可能である。[構成例4]図7は、構成例4としての太陽電池の構造を示す説明図である。構成例4の太陽電池は、単一のp基板133の上に、正極側から第2種の単位太陽電池130、第1種の単位太陽電池230、第3種の単位太陽電池330の順に、3つの単位太陽電池を直列接続した構造をなしている。図7aは断面の構造を示し、図7bは構成例4の太陽電池の回路図を示している。図7aに基づき、構成例4の太陽電池の構造を説明する。第2種の単位太陽電池130は、構成例1の単位太陽電池100と同様であり、p基板133、nウェル135、p拡散層134、n拡散層136、電極131、電極132で構成されている。p拡散層134とnウェル135との間にダイオード137が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。第1種の単位太陽電池230の構造を説明する。第1種の単位太陽電池230は、構成例2における第1種の単位太陽電池210においてnウェル213をディープnウェル233に置換した構成に相当し、p基板133、ディープnウェル233、p拡散層232、n拡散層234、電極132,231で構成されている。p基板133とディープnウェル233との間にダイオード235が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。第3種の単位太陽電池330の構造を説明する。第3種の単位太陽電池330は、ディープnウェル233上に形成されている。ディープnウェル233上にはpウェル332が形成され、その上には第5の拡散層としてのp拡散層333が形成されている。p拡散層333には、第5の電極としての電極231が形成されている。また、pウェル332には、第6の拡散層としてのn拡散層334が形成されている。n拡散層334には、第6の電極としての電極331が形成されている。第3種の単位太陽電池330を構成するディープnウェル233は、第1種の単位太陽電池230と共通である。pウェル332とn拡散層334との間にダイオード335が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。構成例4の太陽電池は、第2種の単位太陽電池130、第1種の単位太陽電池230、第3種の単位太陽電池330を共通のp基板133上に形成することによって、三者を絶縁層を介さずに隣接した構造となっている。第2種の単位太陽電池130のn拡散層136と、第1種の単位太陽電池230のp拡散層232は、電極132によって結線されている。かかる構造では、p基板133とnウェル135との間に、寄生ダイオード138が発生するが、電極132は寄生ダイオード138の両端を短絡し、無効化する機能も果たしている。また、第1種の単位太陽電池230のn拡散層234と、第3種の単位太陽電池330のp拡散層333は、電極231によって結線されている。かかる構造では、pウェル332とディープnウェル233との間に、寄生ダイオード236が発生するが、電極231は寄生ダイオード236の両端を短絡し、無効化する機能も果たしている。図7bに構成例4の太陽電池の回路図を示す。第2種の単位太陽電池130に形成されるダイオード137、第1種の単位太陽電池230に形成されるダイオード235、第3種の単位太陽電池330に形成されるダイオード335が直列に接続され、三者の中間に、寄生ダイオード138、236がその両端を電極132、231によって短絡した状態で存在する。以上で説明した構成例4の太陽電池によれば、3個の単位太陽電池分の電圧を発電することができる。以上で説明した構成例1~4の各太陽電池によれば、それぞれ単位太陽電池2個または3個分の電圧を発電することができる。また、構成例1~4は、それぞれ単一の基板上に複数の単位太陽電池を形成できるため、通常の半導体集積回路の製造工程を利用でき、太陽電池の製造コストを抑制することができる。次に、第2実施例として太陽電池を用いた集積回路を例示する。実施例1で示した構成例1~4の太陽電池が形成された基板上に、種々の回路を同時に形成することにより、外部電源を要さず独立に稼働する集積回路を実現することができる。かかる回路としては、例えば、論理ゲート、フリップフロップやラッチ、RAM、マスクROM、不揮発性メモリ、昇圧回路、クロック発振回路、センサ、波形整形回路、A/D変換回路、送信回路、受信回路、蓄電用キャパシタなどが考えられる。例えば、温度センサと送信回路、受信回路を搭載した集積回路とすれば、これらのチップを散布しておくだけで、種々の地点の温度を計測可能なシステムを構成することが可能となる。このように、外部電源不要で独立稼働可能な集積回路は、その回路構成に応じて、幅広い活用方法が考えられる。なお、集積回路上の素子に光が当たると素子特性が変化して所望の動作をしなくなることがあるので、太陽電池と集積回路を同一チップ上に形成する場合には、太陽電池以外の素子に光が当たるのを阻止することが好ましい。これを実現する方法としては、例えば、集積回路のメタル配線層や、集積回路を実装する場合の封止材などを用いて太陽電池以外の素子に光が当たることを抑制しつつ、太陽電池部分だけに光が当たるような構造とすることが考えられる。以下では、こうした回路構成のうち、本実施例における太陽電池の特性を活かすことができる回路を例示する。図8は、実施例2における集積回路の概略構造を示す説明図である。以下で示す例では、太陽電池によって印加される電源電圧とともに、電源電圧の中間に相当する中間電圧を利用可能な回路以下、中間電圧活用回路と呼ぶこともあるを搭載した例を示す。図8aは2個の単位太陽電池100、200実施例1の構成例1に相当を直列に接続した回路に、中間電圧活用回路500を接続した例を示す。光Lが太陽電池に当たると、中間電圧活用回路500には、太陽電池の正極電位VDD、負極電位VSSに応じた電源電圧が印加される。また、図のように単位太陽電池100、200を直列に接続した構成では、これらの単位太陽電池100、200の接続部分からは、電源電圧のほぼ半分に相当する中間電圧VBを中間電圧活用回路500に印加することができる。ここでは、実施例の構成例1に相当する太陽電池を例にとって説明したが、構成例2,3を用いる場合も同様である。図8bは3個の単位太陽電池130、230、330実施例1の構成例4に相当を直列に接続した回路に、中間電圧活用回路600を接続した例を示す。光Lが太陽電池に当たると、中間電圧活用回路600には、太陽電池の正極電位VDD、負極電位VSSに応じた電源電圧が印加される。また、図のように単位太陽電池130、230の接続部分からは、電源電圧のほぼ2/3に相当する中間電圧VBPを中間電圧活用回路600に印加することができ、単位太陽電池230、330の接続部分からは、電源電圧のほぼ1/3に相当する中間電圧VBNを中間電圧活用回路600に印加することができる。このように、実施例1で例示した太陽電池は、単位太陽電池を直列接続して構成されているから、新たに中間電圧を生成する回路を用いるまでなく、単位太陽電池同士の接続部分から、容易に中間電圧を印加することが可能なのである。かかる特性を利用することによって、比較的簡易な回路構成で、中間電圧活用回路500、600を利用することが可能となる。以下では、中間電圧活用回路として、CMOS回路にフォワードバイアスを印加する回路を例にとって具体的な回路構成を説明する。[回路例1]図9は、回路例1としての集積回路の構造を示す説明図である。この集積回路は、2個の単位太陽電池100、200を直列にし、中間電圧活用回路としてのCMOS回路500Aを接続したものである。図9aは断面の構造を示し、図9bは回路例1の集積回路の回路図を示している。図9aに基づき、回路例1の集積回路の構造を説明する。単位太陽電池100、200は、それぞれ実施例1における構成例1の太陽電池である。正極電位をVDD、負極電位をVSSとする。2つの単位太陽電池100、200の接続部分に当たる電極102は、中間電位VBとなる。電極102は、p基板103に接続されているから、p基板103の電位も中間電位VBである。CMOS回路500Aは、太陽電池と共通のp基板103上に形成されており、PMOS回路510、NMOS回路520を有している。PMOS回路510は、p基板103上に形成されたnウェル514上に、p拡散層512、513を形成し、ゲートとして作用するポリシリコン層516を設けることによって形成される。p拡散層513は電極101を介して太陽電池の正極電位VDDに接続され、ソースとして機能する。p拡散層512は、電極517が設けられており、ドレインとして機能する。nウェル514には、n拡散層515が形成されており、電極511が設けられている。電極511の作用については後述する。NMOS回路520は、p基板103上に直接形成されたn拡散層522、523と、ゲートとして作用するポリシリコン層524で構成される。n拡散層522は電極201を介して太陽電池の負極電位VSSに接続され、ソースとして機能する。n拡散層523は、電極517が設けられており、ドレインとして機能する。p基板103には、p拡散層521が形成されており、電極511が設けられている。上述の電極511は、PMOS回路510のnウェル514と、NMOS回路520のp基板103とを接続している。先に説明した通り、回路例1では、p基板103は、太陽電池の中間電位VBとなっているから、電極511によって、PMOS回路510のnウェル514も中間電位VBに保持されることになる。この中間電位VBの作用について、次に回路図を参照しながら説明する。図9bは回路例1の集積回路の回路図を示している。図9aの構造と対応させるため、PMOS回路510、NMOS回路520を敢えて横向きに配置して示した。上述した通り、PMOS回路510のソースSには、太陽電池の正極電位VDDが接続され、NMOS回路520のソースSには、太陽電池の負極電位VSSが接続されることになる。そして、図示する通り、PMOS回路510、NMOS回路520の基板電位は、p基板103および電極511を介して、それぞれ中間電位VBとされる。PMOS回路510について見れば、基板電位中間電位VBはソース電位VDDよりも単位太陽電池1個分だけ低い電位となっていることになる。またNMOS回路520について見れば、基板電位中間電位VBは、ソース電位VSSよりも単位太陽電池1個分だけ高い電位となっていることになる。これは、PMOS回路510、NMOS回路520にそれぞれフォワードバイアスFB1、FB2を印加している状態に相当する。つまり、回路例1によれば、p基板103を中間電位VBに保持することができ、この中間電位VBをCMOS回路500Aへのフォワードバイアスとして活用することができるのである。また、図9aに示す通り、太陽電池とCMOS回路500Aとは、同じp基板103上に形成されるから、回路構成が簡略化されるとともに、同一の製造工程で形成可能となり製造コストを抑制することができる利点もある。図9aでは、電極511と電極102とを結線しない状態を示したが、両者を直接短絡させるように電極を形成してもよい。[回路例2]図10は、回路例2としての集積回路の構造を示す説明図である。この集積回路は、3個の単位太陽電池130、230、330を直列にし、中間電圧活用回路としてのCMOS回路600Aを接続したものである。図10aは断面の構造を示し、図10bは回路例2の集積回路の回路図を示している。図10aに基づき、回路例2の集積回路の構造を説明する。単位太陽電池130、230、330は、それぞれ実施例1における構成例4の太陽電池である。正極電位をVDD、負極電位をVSSとする。単位太陽電池130、230の接続部分に当たる電極132は、正極電位から単位太陽電池1個分だけ電位が低い中間電位VBPとなる。電極132は、p基板133に接続されているから、p基板133の電位も中間電位VBPである。単位太陽電池230、330の接続部分に当たる電極231は、負極電位から単位太陽電池1個分だけ電位が高い中間電位VBNとなる。CMOS回路600Aは、太陽電池と共通のp基板103上に形成されており、PMOS回路610、NMOS回路620を有している。PMOS回路610は、p基板133上に形成されたnウェル614上に、p拡散層612、613を形成し、ゲートとして作用するポリシリコン層616を設けることによって形成される。p拡散層613は電極131を介して太陽電池の正極電位VDDに接続され、ソースとして機能する。p拡散層612は、電極617が設けられており、ドレインとして機能する。nウェル614には、n拡散層615が形成されており、電極132が設けられている。電極132の作用については後述する。NMOS回路620は、p基板133上にディープnウェル625およびpウェル624を形成し、そのpウェル624上にn拡散層622、623を形成し、ゲートとして作用するポリシリコン層626を設けることによって形成される。n拡散層622は電極331を介して太陽電池の負極電位VSSに接続され、ソースとして機能する。n拡散層623は、電極617が設けられており、ドレインとして機能する。pウェル624には、p拡散層621が形成されており、電極231が設けられている。電極231の作用については後述する。上述の電極132は、PMOS回路610のnウェル614を、単位太陽電池230の正極と接続しているから、nウェル614は中間電位VBPに保持されることになる。また、電極231は、NMOS回路620のpウェル624を、単位太陽電池330の正極と接続しているから、pウェル624は中間電位VBNに保持されることになる。これらの中間電位VBP、VBNの作用について、次に回路図を参照しながら説明する。図10bは回路例2の集積回路の回路図を示している。図10aの構造と対応させるため、PMOS回路610、NMOS回路620を敢えて横向きに配置して示した。上述した通り、PMOS回路610のソースSには、太陽電池の正極電位VDDが接続され、NMOS回路620のソースSには、太陽電池の負極電位VSSが接続されることになる。そして、図示する通り、PMOS回路610の基板電位は、電極132を介して中間電位VBPとされる。PMOS回路610について見れば、基板電位中間電位VBPはソース電位VDDよりも単位太陽電池1個分だけ低い電位となっていることになる。また、NMOS回路620の基板電位は、電極231を介して、中間電位VBNとされる。NMOS回路620について見れば、基板電位中間電位VBNは、ソース電位VSSよりも単位太陽電池1個分だけ高い電位となっていることになる。これは、PMOS回路610、NMOS回路620にそれぞれフォワードバイアスFB3、FB4を印加している状態に相当する。一般にMOSトランジスタに印加されるフォワードバイアスは、ソース、基板間に大量の電流が流れない程度の低い電圧に抑える必要がある。回路例2のように3つの太陽電池を接続した場合に、仮に中間電位VBPのみを、PMOS回路610,NMOS回路620双方のフォワードバイアスに利用したとすると、NMOS回路620に対しては、負極電位VSSよりも単位太陽電池2個分だけ高い中間電位が印加されることになり、フォワードバイアスとしては過大となってしまう。また、仮に中間電位VBNのみを用いるとすれば、今度は、PMOS回路610に対して、正極電位VDDよりも単位太陽電池2個分だけ低い中間電位が印加されることになり、やはりフォワードバイアスとしては過大となってしまう。これに対し、回路例2では、2つの中間電位VBP、VBNの双方を用いることによって、PMOS回路610、NMOS回路620の両者に、それぞれ単位太陽電池1個分のフォワードバイアスを印加することが可能となっている。また、図10aに示す通り、太陽電池とCMOS回路600Aとは、同じp基板133上に形成されるから、回路構成が簡略化されるとともに、同一の製造工程で形成可能となり製造コストを抑制することができる利点もある。図10では、単位太陽電池を3個直列する場合を例示したが、4個以上の単位太陽電池が直列接続されている場合も、正極電位から単位太陽電池1個分だけ低い中間電位、および負極電位から単位太陽電池1個分だけ高い中間電位を併用すれば、CMOS回路に適切なフォワードバイアスを印加することが可能である。[動作速度の比較結果]次に、上述した回路例1および回路例2の性能を示す。図11は、集積回路の動作速度の比較結果を示す説明図である。動作速度の評価用の回路として、0.18μmプロセスのNOTゲート3段からなるリングオシレータを用い、その発振周波数を評価値として示した。単位太陽電池1個~3個のそれぞれに対し、フォワードバイアス有り/無しの回路シミュレーション結果を比較して示してある。単位太陽電池1個図1に示す構成の場合は、供給電圧は0.3~0.5Vとなる。発振周波数は、フォワードバイアスがない場合で1.6MHZ結果A、フォワードバイアス有りの場合でも6.4MHZ結果Bにしかならない。これらの発振周波数は、供給電圧が0.32V時の値である。単位太陽電池2個図4~6に示す構成の場合は、供給電圧は0.6~1.0Vとなる。発振周波数は、フォワードバイアスがない場合で400MHZ結果C、フォワードバイアス有りの場合は940MHz結果Dとなる。これらの発振周波数は、構成例1の太陽電池を用いた回路例1に相当する構成の場合において、供給電圧が0.64V時の値である。構成例2,3の太陽電池を用いても、同等以上の性能を実現することができる。単位太陽電池1個の場合に比較して、単位太陽電池2個の場合では、フォワードバイアス有り/無しのいずれの結果についても、発振周波数が大きく向上している。これは、単位太陽電池1個の場合は、閾値電圧を下回る電源電圧しか印加することができないのに対し、単位太陽電池を2個用いると、閾値電圧を超える電源電圧を供給可能となることによる効果である。また、単位太陽電池2個の場合において、フォワードバイアス無し結果Cに対して、フォワードバイアス有り結果Dで発振周波数が2倍以上も向上しているのは、まさしく回路例1のフォワードバイアスが効果的に作用していることを表している。単位太陽電池3個図7に示す構成の場合は、供給電圧は0.9~1.5Vとなる。発振周波数は、フォワードバイアスがない場合で1900MHZ結果E、フォワードバイアス有りの場合は2800MHz結果Fとなる。これらの発振周波数は、構成例4の太陽電池を用いた回路例2に相当する構成の場合において、供給電圧が0.96V時の値である。単位太陽電池3個の場合では、フォワードバイアス有り/無しのいずれの結果についても、電源電圧が向上する分、発振周波数がさらに大きく向上している。また、単位太陽電池3個の場合において、フォワードバイアス無し結果Eに対して、フォワードバイアス有り結果Fでも発振周波数が大きく向上しているのは、回路例2のフォワードバイアスが効果的に作用していることを表している。回路例1、2で説明した通り、本実施例の太陽電池では、p基板が中間電圧となる。従って、フォワードバイアスをかけない状態で集積回路を形成しようとするためには、集積回路を太陽電池とは別基板上に形成する必要がある。結果C、結果Eは、この意味で、太陽電池と同一の基板上に集積回路を形成できないケースであることを示している。これに対し、本実施例で例示した回路例1、回路例2は、それぞれ結果D、Fに対応し、図9,10で説明した通り、太陽電池と同一基板上に形成可能な集積回路である。即ち、本実施例の太陽電池および集積回路を用いれば、低コストで太陽電池と同じ製造プロセスで集積回路を同一基板上に形成しつつ、閾値電圧よりも高い電源電圧と、フォワードバイアスを効果的にかけることができる中間電圧を印加することができるのである。この結果、安価で高速動作可能な集積回路を供給することが可能となる。[変形例]実施例2では、中間電圧活用回路として、CMOS回路を用いた例を示した。中間電圧活用回路としては、以下に例示する通り、この他にも種々の回路が適用可能である。図12は、集積回路の変形例を示す説明図である。図12aは、中間電圧活用回路としてSRAMの読み出し回路を用いる場合の回路例である。メモリセルから2線式でデータを読み出すための回路を示した。2線式でデータを読み出す場合には、予め読みだしラインDL1、DL2に中間電圧VBを印加することが必要となる。本実施例の太陽電池を用いれば、回路例1、2に示したように、中間電圧を容易に印加することが可能であり、これを読みだし回路に活用することができる。図12bは、中間電圧活用回路としてコイルCT、CRによる電磁誘導結合通信における受信回路を用いる場合の回路例である。かかる回路としては、コイルCRの中間タップを中間的な電位VBに保ち、差動アンプで受ける回路が用いられる。この中間的な電位として、本実施例の太陽電池で生じる中間電圧を活用することにより、かかる受信回路を簡易な回路で実現することができる。本実施例においては、フォワードバイアスを効果的に利用できる回路例を示した。このようにフォワードバイアスを印加すると、この電圧によって回路にリーク電流が流れる。本実施例では、p基板を介して中間電圧を印加するため、フォワードバイアスの必要性が低い部分にまで、フォワードバイアスが印加されることによって、リーク電流が過大となり、誤動作を招くなどの弊害が生じる可能性がある。かかる弊害を回避する方法としては、リーク電流が悪影響を与える箇所には、リーク電流を抑制するため、閾値電圧が高いトランジスタやチャネル長を大きめにしたトランジスタを用いても良い。以上、本発明の種々の実施例について説明した。本発明は、これらの実施例に限らず、種々の構成で実現することが可能である。1例えば、以上の各実施例では、p基板上に形成された例を示したが、本発明は、n基板上に形成することも可能である。2本発明は、実施例で示した太陽電池等として構成する他、これらの太陽電池および集積回路を製造する製造プロセスとして構成することもできる。製造プロセスとして構成する場合は、p基板またはn基板を用意する工程と、例示した種々の構造を実現するように、基板上にそれぞれの層を形成し、電極を設ける工程とを備えるプロセスとすればよい。3実施例2で示した集積回路においては、p基板、n基板に代えて、SOIやガラス基板を用いるようにしてもよい。この場合は、基板が絶縁性を有しており、単位太陽電池間を絶縁することが可能であるため、実施例1図4~7で説明した太陽電池のみならず、図2a、図3aに示したように、同種の単位太陽電池を単純に複数個直列した回路を形成することができる。このように単位太陽電池同士が絶縁された回路であっても、実施例2図8~10のように、単位太陽電池間に生じる中間電位によって、集積回路にフォワードバイアスをかけることが可能である。直列に接続された複数個の単位太陽電池間に生じる中間電位をフォワードバイアスに利用する回路構成は、太陽電池と集積回路とを別基板で形成した態様で実現してもよい。4構成例3図6で示した太陽電池では、第1種の単位太陽電池220に付加的な単位太陽電池320が並列に接続された構造を示した。この構成においては、更に、第2種の単位太陽電池120に付加的な単位太陽電池を並列に接続することもできる。図13は構成例3としての太陽電池の変形例を示す説明図である。図13aは断面の構造を示し、図13bは構成例3の太陽電池の回路図を示している。図13aに基づき、変形例の太陽電池の構造を説明する。第1種の単位太陽電池220および付加的な単位太陽電池320の構造は、構成例3図6と同じである。変形例では、p基板123上にディープnウェル423が形成されている。ディープnウェル423上にはpウェル123Aが形成され、その上にはp拡散層124Aが形成されている。p拡散層124Aには、電極121Aが形成されている。また、pウェル123Aには、n拡散層126Aが形成されている。n拡散層126Aには、電極122が形成されている。pウェル123Aとn拡散層126Aとの間にダイオード127Aが形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。また、ディープnウェル423には、n拡散層424が形成されており、電極122が接続されている。かかる構造では、pウェル123Aとディープnウェル423でもダイオード422が形成されるから、これが単位太陽電池として機能する。図13bに変形例の太陽電池の回路図を示す。構成例3図6の回路に対し、変形例では、さらに第2種の単位太陽電池120Aに形成されるダイオード127Aと、付加的な単位太陽電池420に形成されるダイオード422が並列に接続されている。従って、変形例の太陽電池によれば、2個の単位太陽電池分の電圧を発電することができるとともに、付加的な単位太陽電池320、420が設けられていることによって、電流を増大させることも可能である。ここでは、構成例3図6の第2種の単位太陽電池120を並列にした構造を例示した。同様の構造を適用することにより、構成例1図4、構成例2図5、構成例4図7においても、それぞれ第2種の単位太陽電池100、110、130を並列にすることも可能である。5図14は太陽電池の平面配置例を示す説明図である。図14aは第1種の単位太陽電池CL1ハッチングを付した部分と、第2種の単位太陽電池CL2とを並べて配置した状態である。この平面配置でも均等に太陽光が照射されている場合は支障なく発電されるが、太陽光の受光領域SUNに偏りが生じると、第2種の太陽電池CL2の電圧が低下する可能性がある。図14bは第1種の単位太陽電池CL1と、第2種の単位太陽電池CL2とを市松状に配置した平面配置例である。個々のセルの面積は図14aの例よりも小さくなるが、第1種、第2種の太陽電池CL1、CL2の総面積は図14aと同等である。このように第1種、第2種の太陽電池CL1、CL2を異方性を抑制して配置することにより、太陽光の受光領域SUNに偏りが生じても、安定した電圧を供給することが可能となり、電圧変動の少ない電源を構築することができる利点がある。かかる特性は、特に太陽電池の中間電位をフォワードバイアスに活用する場合に有用性が高い。図14aのように異方性を有する配置では、太陽電池全体の電圧が変動する結果、PMOSトランジスタまたはNMOSトランジスタの一方にしかフォワードバイアスが適正にかけられないことがあり、動作が不安定になるおそれがあるからである。図14bのように異方性を抑制し、安定した電圧を供給可能とすることにより、安定的にフォワードバイアスをかけることができ、回路の動作を安定させることができるのである。図14では、単位太陽電池が2個の場合について例示したが、3個以上の単位太陽電池を用いる構造においても、図14bと同様、3個の単位太陽電池を規則正しく配列し、異方性を抑制することによって、同様に安定した電圧供給が可能となる。"