複数の発光ダイオードを含む発光部と、前記発光部の陽極に交流電源の正の電圧のみが印加されるようにスイチングするスイッチ部とを含むLED回路。前記スイッチ部は、前記交流電源の陽極に接続された第1のSPDTsinglepoledoublethrowと、前記交流電源の陰極に接続された第2のSPDTと、前記第1のSPDT及び前記第2のSPDTを制御する制御部と、を含む、請求項1に記載のLED回路。前記制御部は、交流電源の正の電圧が印加される場合、前記第1のSPDTのポールを前記発光部の陽極に、前記第2のSPDTのポールを前記発光部の陰極に接続するように制御し、交流電源の負の電圧が印加される場合、前記第1のSPDTのポールを前記発光部の陰極に、前記第2のSPDTのポールを前記発光部の陽極に接続するように制御する、請求項2に記載のLED回路。前記第1のSPDTは、ポールpoleが前記交流電源の陽極に接続され、スローthrowが前記発光部の陽極と陰極にそれぞれ接続され、前記第2のSPDTは、ポールpoleが前記交流電源の陰極に接続され、スローthrowが前記発光部の陽極と陰極にそれぞれ接続された、請求項2または3に記載のLED回路。前記制御部は、前記交流電源の電圧の極性に従属的な出力を生成する比較器を含む、請求項2から4の何れか1項に記載のLED回路。前記スイッチ部は、前記交流電源の負の電圧を制御信号として使い、前記交流電源の正の電圧を前記発光部に供給する第1のスイッチ部と、前記交流電源の正の電圧を制御信号として使い、前記交流電源の負の電圧を前記発光部に供給する第2のスイッチ部とを含む、請求項1に記載のLED回路。前記第1のスイッチ部は、前記交流電源の一端に接続されたドレイン、前記発光部の陽極に接続されたソース及び前記交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のpチャンネルMOSFETと、前記第1のpチャンネルMOSFETのドレインに接続されたソース、前記発光部の陰極に接続されたドレイン及び前記交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のnチャンネルMOSFETとを含む、請求項6に記載のLED回路。前記第2のスイッチ部は、前記交流電源の他端に接続されたドレイン、前記発光部の陽極に接続されたソース及び前記交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のpチャンネルMOSFETと、前記第2のpチャンネルMOSFETのドレインに接続されたソース、前記発光部の陰極に接続されたドレイン及び前記交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のnチャンネルMOSFETとを含む、請求項6または請求項7に記載のLED回路。本発明の実施例は、交流/直流変換を使用することなく、商用交流電源で発光ダイオードを直接駆動させ、複数の発光ダイオードが交流電源の波形変化に関わらず常時駆動できるLED回路を具現するものである。本発明の第1技術的な側面は、複数の発光ダイオードを含む発光部と、上記発光部の陽極に交流電源の正の電圧のみが印加されるようにスイチングするスイッチ部と、を含むLED回路に関する。また、上記スイッチ部は、上記交流電源の陽極に接続された第1のSPDTと、上記交流電源の陰極に接続された第2のSPDTと、上記第1のSPDT及び第2のSPDTを制御する制御部と、を含むことができる。また、上記制御部は、交流電源の正の電圧が印加される場合、上記第1のSPDTのポールを上記発光部の陽極に、上記第2のSPDTのポールを上記発光部の陰極に接続するように制御し、交流電源の負の電圧が印加される場合、上記第1のSPDTのポールを上記発光部の陰極に、上記第2のSPDTのポールを上記発光部の陽極に接続するように制御することができる。また、上記第1のSPDTは、ポールpoleが上記交流電源の陽極に接続され、スローthrowが上記発光部の陽極と陰極にそれぞれ接続され、上記第2のSPDTは、ポールpoleが上記交流電源の陰極に接続され、スローthrowが上記発光部の陽極と陰極にそれぞれ接続されることができる。また、上記制御部は、上記交流電源電圧の極性に従属的な出力を生成する比較器を含むことができる。また、上記スイッチ部は、上記交流電源の負の電圧を制御信号として使い、上記交流電源の正の電圧を上記発光部に供給する第1のスイッチ部と、上記交流電源の正の電圧を制御信号として使い、上記交流電源の負の電圧を上記発光部に供給する第2のスイッチ部と、を含むことができる。また、上記第1のスイッチ部は、上記交流電源の一端に接続されたドレイン、上記発光部の陽極に接続されたソース及び上記交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のpチャンネルMOSFETと、上記第1のpチャンネルMOSFETのドレインに接続されたソース、上記発光部の陰極に接続されたドレイン及び上記交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のnチャンネルMOSFETと、を含むことができる。また、上記第2のスイッチ部は、上記交流電源の他端に接続されたドレイン、上記発光部の陽極に接続されたソース及び上記交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のpチャンネルMOSFETと、上記第2のpチャンネルMOSFETのドレインに接続されたソース、上記発光部の陰極に接続されたドレイン及び上記交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のnチャンネルMOSFETと、を含むことができる。本発明によると、交流/直流変換装置を必要とせずに駆動回路の複雑さを減らすことができる。また、電解キャパシタ及びブリッジ回路を使用しないため、寿命及び効率を向上させることができる。さらに、すべての発光ダイオードが常時駆動しているため、いずれかの発光ダイオードが全体の寿命を決めることを防止することができ、寿命を向上させることができる。以下、添付の図面を参照し、本発明の実施例を説明する。本発明は後述される実施例に限定されず、本発明の実施例は本発明の技術的思想を容易に理解するためのものである。本発明に参照される図面において実質的に同じ構成と機能を有する構成要素には同じ符号を使用する。図1は、本発明の実施例によるLED回路の構成図である。図1を参照すると、本発明の実施例によるLED回路は、発光部100とスイッチ部200aとを含むことができる。図1において、発光部100は、直列接続された複数の発光ダイオードを含むことができる。ここで、発光部100の発光ダイオードの構成は例示であり、直列、並列、直並列など、多様な構造と個数を有することができる。スイッチ部200aは、発光部100の陽極に交流電源の正の電圧のみが印加されるようにスイチングすることができる。即ち、交流電源ACは、一定の周波数例えば、60Hzで正の電圧と負の電圧を交互に繰り返すが、スイッチ部200aは、交流電源が正の電圧を供給する区間では発光部100の陽極にそれを供給し、負の電圧を供給する区間では発光部100の陰極が接続されるように動作できる。スイッチ部200aは、第1のSPDTsinglepoledoublethrow210と、第2のSPDT220と、制御部230とを含むことができ、制御部230は、比較器231を含むことができる。制御部230は、交流電源の電圧極性に従属的な出力を生成する比較器231を含むことができる。即ち、交流電源の電圧波形が正の場合に比較器231は正の電圧を出力し、交流電源の電圧波形が負の場合に比較器231は負の電圧を出力することができる。この比較器231は、交流電源の陽極に非反転端子が接続され、接地に反転端子が入力されることができる。これにより、交流電圧の電圧波形に追従して電圧波形の符号変化に応じて出力を生成することができる。第1のSPDT210はポールCO1が交流電源の陽極に接続され、第1スローNP1は発光部100の陽極に接続され、第2スローNN1は発光部100の陰極に接続される。また、第2のSPDT220はポールCO2が交流電源の陰極に接続され、第1スローNN2は発光部100の陰極に接続され、第2スローNP2は発光部100の陽極に接続される。交流電源の正の電圧が印加される場合、第1のSPDT210は制御部230の制御を受けてポールCO1をスローNP1に接続させ、交流電源の陽極と発光部100の陽極が互いに接続されるようにする。同時に、第2のSPDT220のポールCO2をスローNN2に接続させ、交流電源の陰極と発光部100の陰極が接続されるように動作できる。図1に示されたノードN1~N4及びスイッチ部200aの各ポールとスローを通じて上記接続による閉経路を見ると、交流電源から正の電圧が印加される場合、N1-CO1-NP1-N2-発光部100-N3-NN2-CO2-N4の経路に沿って電流が流れるようになる。交流電源の負の電圧が印加される場合、第1のSPDT210は制御部230の制御を受けてポールCO1を第2スローNN1に接続させ、交流電源の陽極と発光部100の陰極が互いに接続されるようにする。同時に、第2のSPDT220のポールCO2をスローNP2に接続させ、交流電源の陰極と発光部100の陰極が接続されるように動作できる。この場合、正の電圧を基準にして電流経路を見ると、N4-CO2-NP2-N2-発光部100-N3-NN1-CO1-N1の閉ルーフを成すようになる。従って、上述した実施例によると、交流電源の電圧極性が変わっても、発光部100の陽極には常に正の電圧が印加されるため、交流電源の全周期に渡って発光部100が常時駆動され得るという効果がある。図2は、図1のLED回路における波形を示すグラフである。図2を参照すると、図2のaは交流電源の波形、bは制御部230の出力、cは交流電源の波形及び制御部230の出力に関する第1のSPDT210のポールCO1と接続されるスロー、及び第2のSPDT220のポールCO2と接続されるスローを示す。図2のa、bを参照すると、交流電源は、一定の周波数で正の電圧と負の電圧にスイングしており、比較部230の出力は、この交流電源の電圧変化を追従しながら正または負の一定の電圧を出力していることが分かる。さらに、2のcを参照すると、第1のSPDT210のポールCO1は比較部230の出力を制御信号として、スローNP1及びスローNN1と交互に接続されることが分かる。また、第1のSPDT210のポールとスローの接続に相応する第2のSPDT220のポールとスローの接続状態も確認できる。図3は、本発明の他の実施例によるLED回路の構成図である。図3を参照すると、スイッチ部200bは、交流電源の負の電圧を制御信号として使い、交流電源の正の電圧を発光部100に供給する第1のスイッチ部240と、交流電源の正の電圧を制御信号として使い、交流電源の負の電圧を発光部100に供給する第2のスイッチ部250と、を含むことができる。第1のスイッチ部240は、交流電源の一端に接続されたドレイン、発光部100の陽極に接続されたソース及び交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のpチャンネルMOSFET241と、第1のpチャンネルMOSFET241のドレインに接続されたソース、発光部100の陰極に接続されたドレイン及び交流電源の他端に接続されたゲートを含む第1のnチャンネルMOSFET242と、を含むことができる。また、第2のスイッチ部250は、交流電源の他端に接続されたドレイン、発光部100の陽極に接続されたソース及び交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のpチャンネルMOSFET251と、第2のpチャンネルMOSFET251のドレインに接続されたソース、発光部100の陰極に接続されたドレイン及び交流電源の一端に接続されたゲートを含む第2のnチャンネルMOSFET252と、を含むことができる。交流電源の電圧変化と、上述した第1のスイッチ部240及び第2のスイッチ部250の動作について具体的に説明すると、交流電源の正の電圧が印加される場合、第1のスイッチ部240の第1のpチャンネルMOSFET241及び第1のnチャンネルMOSFET242のゲートには交流電源の負の電圧がそれぞれ印加される。これによって、第1のpチャンネルMOSFET241はターンオンされ第1のnチャンネルMOSFET242はターンオフされノードN1に供給される正の電圧は第1のpチャンネルMOSFET241のドレイン及びソースを介して発光部100に供給される。このとき、第2のスイッチ部250の第2のpチャンネルMOSFET251及び第2のnチャンネルMOSFET252のゲートには、交流電源の正の電圧がそれぞれ印加される。これによって、第2のpチャンネルMOSFET251はターンオフされ第2のnチャンネルMOSFET252はターン-オンされ、発光部100に印加された正の電圧が交流電源に行くN1-N2-N3-N4の経路を形成できるようになる。交流電源から負の電圧が供給される場合、第1のスイッチ部240の第1のpチャンネルMOSFET241及び第1のnチャンネルMOSFET242のゲートには、交流電源の正の電圧がそれぞれ印加される。これによって、第1のpチャンネルMOSFET241はターンオフされ第1のnチャンネルMOSFET242はターンオンされる。このとき、第2のスイッチ部250の第2のpチャンネルMOSFET251及び第2のnチャンネルMOSFET252のゲートには、交流電源の負の電圧がそれぞれ印加される。これによって、第2のpチャンネルMOSFET251はターンオンされ第2のnチャンネルMOSFET252はターンオフされ正の電圧は閉ルーフN4-N2-発光部100-N3-N1を巡回するようになる。上述した第1のスイッチ部240及び第2のスイッチ部250の動作により、図1に示された実施例と同様に、交流電源の全周期に渡って発光部100が常時駆動され得るという効果が得られる。また、図3に示された他の実施例は、制御部を含まないため、回路の構成をさらに簡単にすることができるという効果がある。このように本発明の実施例によると、交流/直流変換装置を必要とせずに駆動回路の複雑さを減らすことができ、電解キャパシタ及びブリッジ回路を使用しないため、寿命及び効率を向上させることができる。さらに、すべての発光ダイオードが常時駆動しているため、いずれかの発光ダイオードが全体の寿命を決めることを防止することができ、寿命を向上させることができる。