基板を収容する筐体と、前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、前記筐体内に配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持するレールと、前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備るプラズマ処理装置であって、プラズマ発生中は前記基板と前記電極体とを当接状態とし、基板の搬送中は前記搬送経路と前記電極体とを離隔させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させる移動手段を備えるプラズマ処理装置。前記筐体は、基体と、前記基体と相対的に移動することにより当該筐体を開閉する蓋体とを備え、前記移動手段は、前記蓋体と前記基体との相対移動と前記レールと前記電極体との相対移動とを機構的に連動させる連動手段を備える請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記移動手段はさらに、前記搬送経路と前記電極体とが離隔する方向に前記レールと前記電極体とを付勢する付勢手段を備え、前記連動手段は、前記蓋体と前記基体とが近づく際に発生する力を用いて前記付勢手段の付勢力に抗し、前記レールと前記電極体とを相対的に移動させる請求項2に記載のプラズマ処理装置。前記レールは、保持した基板に対し前記電極体の反対側に配置され、基板の端縁と重なるように配置される鍔部を備え、前記移動手段は、前記鍔部と前記電極体との間隔が基板の厚みと同等になるまで、前記レールと前記電極体とを相対的に移動させる請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記レールは、基板が摺動する摺動部であって、プラズマ発生中は基板の厚みと同程度に前記鍔部に近づき、基板の搬送中は前記鍔部から離れる摺動部を備える請求項4に記載のプラズマ処理装置。基板を収容する筐体と、前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、前記筐体内に配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持するレールと、前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備るプラズマ処理装置に対するプラズマ処理方法であって、プラズマ発生前に前記基板と前記電極体とを当接させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させ、基板の搬送中は前記搬送経路と前記電極体とを離隔させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させるプラズマ処理方法。プラズマ処理装置を生産ラインに等に組みむ場合、基板をプラズマ処理装置に自動的に搬出入するためのレールをプラズマ処理装置を貫通するように配置し、当該レールに沿って基板を滑らせることで基板の搬送を行う場合がある。ところが、裏面にも電子部品が取り付けられた基板の場合、基板をレールに滑らせて搬送する際に基板の裏側に配置される電極体と基板の裏面側に突出した電子部品との干渉を防ぐため、基板の搬送経路と電極体との間に広い間隔を設けておく必要が生じる。このような基板と電極体との隙間は異常放電の発生確率を高め、プラズマ処理における不具合の発生の原因となる。また、基板には反りが発生する場合があり、反りの状態は基板毎に異なる。従って、基板の反りの状態によっては、基板と電極体との間に隙間が発生する場合があり、当該隙間がプラズマ処理における不具合の発生原因となる。本願発明は上記課題に鑑みなされたものであり、プラズマ処理の対象物である基板の裏面に電子部品などの突起物が存在する場合や、基板に反りが発生する場合においても基板と電極体との間の隙間の発生を抑制することを目的とする。上記目的を達成するために、本願発明にかかるプラズマ処理装置は、基板を収容する筐体と、前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、前記筐体内に配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持するレールと、前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備るプラズマ処理装置であって、プラズマ発生中は前記基板と前記電極体とを当接状態とし、基板の搬送中は前記搬送経路と前記電極体とを離隔させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させる移動手段を備えることを特徴としている。これによれば、基板の裏面に突起物などがあった場合でも電極体と干渉することなく基板を搬送することができ、さらに、プラズマ処理を行う際は、基板と電極体との隙間を可及的に狭くすることが可能となる。従って、異常放電の発生を抑制し、プラズマ処理の歩留まりを向上させることが可能となる。また、前記筐体は、基体と、前記基体と相対的に移動することにより当該筐体を開閉する蓋体とを備え、前記移動手段は、前記蓋体と前記基体との相対移動と前記レールと前記電極体との相対移動とを機構的に連動させる連動手段を備えるものでもよい。前記移動手段はさらに、前記搬送経路と前記電極体とが離隔する方向に前記レールと前記電極体とを付勢する付勢手段を備え、前記連動手段は、前記蓋体と前記基体とが近づく際に発生する力を用いて前記付勢手段の付勢力に抗し、前記レールと前記電極体とを相対的に移動させるものでもよい。以上によれば、高電圧が印加される電極体の近傍に、駆動源や駆動機構を設ける必要が無く簡単な構造で、基板と電極体とを離隔させ、また、当接近接含むさせることが可能となる。従って、複雑な機構が原因となって発生する異常放電を抑制することが可能となる。前記レールは、保持した基板に対し前記電極体の反対側に配置され、基板の端縁と重なるように配置される鍔部を備え、前記移動手段は、前記鍔部と前記電極体との間隔が基板の厚みと同等になるまで、前記レールと前記電極体とを相対的に移動させるものでもよい。これによれば、移動手段がレールと電極体とを相対的に移動させて基板と電極体とを当接させる際に、電極体に当接している基板の端縁を鍔部で押さえつけることができ、基板毎に反りの状態が異なっていても基板の反りを矯正し、基板と電極体との間の隙間の発生を抑制することが可能となる。また、前記レールは、基板が摺動する摺動部であって、プラズマ発生中は基板の厚みと同程度に前記鍔部に近づき、基板の搬送中は前記鍔部から離れる摺動部を備えてもよい。これによれば、厚みの異なる基板にも柔軟に対応して、スムーズに基板を搬出入することができると共に、プラズマ処理の際には基板の裏面の端縁に発生する空間を狭めることが可能となる。また、上記目的を達成するために本願発明に係るプラズマ処理方法は、基板を収容する筐体と、前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、前記筐体内に配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持するレールと、前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備るプラズマ処理装置に対するプラズマ処理方法であって、プラズマ発生前に前記基板と前記電極体とを当接させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させ、基板の搬送中は前記搬送経路と前記電極体とを離隔させるように前記レールと前記電極体とを相対的に移動させることを特徴とする。これによれば、基板の裏面に突起物などがあった場合でも電極体と干渉することなく基板を搬送することができ、さらに、プラズマ処理を行う際は、基板と電極体との隙間を可及的に狭くすることが可能となる。従って、異常放電の発生を抑制し、プラズマ処理の歩留まりを向上させることが可能となる。本願発明よれば、基板の裏面の形状や反りの状態によらず、プラズマ処理の際における異常放電の発生を抑制することが可能となる。次に、本願発明に係るプラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施の形態は、本願発明に係るプラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法の一例を示したものに過ぎない。従って本願発明は、以下の実施の形態を参考に請求の範囲の文言によって範囲が画定されるものであり、以下の実施の形態のみに限定されるものではない。図1は、実施の形態に係るプラズマ処理装置の外観を模式的に示す斜視図である。図2は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を模式的に示す斜視図である。図3は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。図4は、蓋体を閉じた状態のプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。これらの図に示すように、プラズマ処理装置100は、被処理物としての基板200の表面にプラズマを照射し、基板200の表面をクリーニングやエッチングなどのプラズマ処理をする装置であって、筐体101と、電極体102と、レール103と、プラズマ発生手段104と移動手段105とを備えている。なお、プラズマ処理装置100は、筐体101の内部を真空にする真空ポンプなどの真空吸引手段や、プラズマ処理用のガスを筐体101の内部に導入するガス供給手段などを備えるが、図示を省略している。また、プラズマ処理装置100は、基板200を筐体101の内部に搬入し、また、筐体101内の基板200を筐体101外部に搬出するための外部レール139を備えている。真空吸引手段は、真空ポンプと筐体101とを接続する真空排気配管、真空バルブ、圧力調整バルブ等で構成されている。ガス供給手段は、アルゴンガスボンベ、および、窒素ガスボンベと筐体101と接続されるガス導入管等で構成されている。本実施の形態の場合、プラズマ処理装置100は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板200に設けられるボンディングパッドにプラズマを照射して洗浄する装置である。筐体101は、基板200を収容し、基板200を収容した空間を真空に維持することのできる真空容器であり、基体111と、基体111の上方に設けられた蓋体112とを備えている。基体111は、電極体102やレール103が収容される容器であり、大気圧に耐えることができる剛性を備えている。基体111は、電極体102とは絶縁されている。蓋体112は、基体111と相対的に移動することにより筐体101を開閉することができる蓋または扉であり、大気圧に耐えることができる剛性を備えている。また、蓋体112は、モータなどの駆動源図示せずによって基体111に対し進退自在となるように構成されている。つまり、筐体101の中に基板200を搬入する際や、筐体101から基板200を搬出する際には基体111に対し蓋体112が持ち上げられ、プラズマ処理をする際には、基体111に蓋体112が当接するまで蓋体112が下降するものとなっている。なお、図示しないが、基体111と蓋体112との間には、筐体101の気密性を保持すべく、Oリング等のシール部材が介在している。また、蓋体112は、プラズマ処理をする際の電極体としても機能している。つまり、蓋体112と電極体102との間に電圧を印加することにより、蓋体112と電極体102との間にプラズマが発生するものとなっている。本実施の形態の場合、蓋体112は接地されている。図5は、電極体と基板とを側方から模式的に示す断面図である。電極体102は、筐体101内でプラズマを発生させるための一方の電極体として機能するものであり、例えば金属などの導電性材料で形成される板状ブロック状の部材である。本実施の形態の場合、基板200の裏面にはコネクタなどの電子部品からなる突出部201が存在しており、電極体102は、前記突出部201を収容する凹陥部121が設けられている。以上のように、電極体102が、突出部201に対応する凹陥部121を備えることで、基板200を電極体102に隙間無く当接させることが可能となる。プラズマ発生手段104は、電極体102と蓋体112との間に電圧を印加してプラズマを発生させる装置である。本実施の形態の場合、プラズマ発生手段104は、高周波電圧を電極体102と蓋体112との間に印加する高周波電源部と、電極体102と蓋体112との間に印加した高周波の反射波による干渉を防止する自動整合器とを備えている。図6は、筐体が閉じた状態のレールの一部を模式的に示す斜視図である。図7は、筐体が開いた状態のレールを模式的に示す断面図である。図8は、筐体が閉じた状態のレールを模式的に示す断面図である。これらの図に示すように、レール103は、基板200を搬出入する際は、搬送経路A図2参照を形成する部材であり、プラズマ処理を行う際は、基板200を保持する部材としても機能するものである。また、レール103は、基板200の搬送方向図中X軸方向に筐体101の内方全体にわたって延在しており、電極体102に対し進退自在となるように基体111に取り付けられている。また、レール103は、セラミクスなどの絶縁体によって形成されている。本実施の形態の場合、レール103は、鍔部131と、摺動部132とを備えており、鍔部131と摺動部132とは、独立して電極体102に対し進退自在となるように基体111に取り付けられている。鍔部131は、保持した基板200に対し電極体102の反対側に配置され、筐体101内に配置される基板200の端縁と重なるように配置される部分である。本実施の形態の場合、鍔部131は、本体134から側方に突出状に設けられた部分であり、基板200の搬送方向図中X軸方向に筐体101の内方全体にわたって延在している。また、鍔部131は、基板200の搬送中基体111に対し蓋体112が離れ筐体101が開いた状態のときにおいては、電極体102の上端面よりも上方に配置される状態となり、プラズマ発生中基体111に対し蓋体112が当接し筐体101が閉じた状態のときにおいては、電極体102の上端面と鍔部131の下端面とが基板200の厚みと同程度に近づいた状態となる。以上により、基板200を電極体102に押圧状体で配置することができ、電極体102と基板200との間に隙間が発生することを抑制でき、搬入された基板200が反っている場合でも、反りを矯正して基板200を電極体102に密着させることが可能となる。摺動部132は、基板200の端縁を下方から支持する部分であり、基板200を搬出入する際には、基板200の端縁が摺動する部分である。摺動部132は、電極体102の側方に配置され、基板200の搬送方向図中X軸方向に筐体101の内方全体にわたって延在している。本実施の形態の場合、摺動部132は、基板200の搬送中基体111に対し蓋体112が離れ筐体101が開いた状態のときにおいては、電極体102に対し突出して外部レール139の上端面と摺動部132の上端面とが同一水平面に配置される状態となり、鍔部131の下端面とは基板200の厚みよりも離れた状態となる。一方、プラズマ発生中基体111に対し蓋体112が当接し筐体101が閉じた状態のときにおいては、電極体102の上端面と摺動部132の上端面とが同一水平面に配置される状態となり、基板200の厚みと同程度に鍔部131に近づいた状態となる。以上によって、基板200の搬送中においては、外部レール139との間で基板200の受け渡しをスムーズに行うことができ、プラズマ発生中においては、基板200の端縁を下方から支えることで、異常放電が発生する空間を減少させることが可能となる。また、鍔部131は、基体111に起立状態で取り付けられる柱状のシャフト133に対し、本体134を介して上下方向Z軸方向に摺動自在に取り付けられている。摺動部132は、本体134を挟み込むようにして配置されており、本体134に対して上下方向Z軸方向に摺動自在に取り付けられている。すなわち、鍔部131、および、摺動部132は、シャフト133に対して独立して上下方向に摺動自在に取り付けられている。また、鍔部131の上下方向のストロークは、摺動部132のストロークよりも長くなるものとなっている。これにより、基板200の厚みが異なる場合でも柔軟に対応することができる。移動手段105は、プラズマ発生中においては基板200と電極体102とを当接させ、基板200の搬送中においてはレール103によって形成される搬送経路Aと電極体102とを離隔させるようにレール103と電極体102とを相対的に移動させる機構である。本実施の形態の場合、移動手段105は、蓋体112と基体111との相対移動とレール103と電極体102との相対移動とを機構的に連動させる連動手段151と、レール103と電極体102とが離隔する方向にレール103と電極体102とを付勢する付勢手段152とを備えている。連動手段151は、蓋体112と基体111とが近づく際に発生する力を用いて付勢手段152の付勢力に抗し、レール103と電極体102とを相対的に移動させる機構である。具体的に連動手段151は、蓋体112の下面に垂下状に取り付けられた柱状の部材であり、蓋体112が基体111に対して近づくと、基体111から突出状体のレール103の先端に連動手段151の先端が当接し、その後は蓋体112の動きに連動してレール103を押し下げるものとなっている。付勢手段152は、搬送経路Aと電極体102とが離隔する方向にレール103と電極体102とを付勢する装置である。本実施の形態の場合、付勢手段152は、基体111を介して電極体102とレール103とを付勢するバネであり、レール103の本体134の内部や、摺動部132の内部に設けられた空間にバネである付勢手段152が配置されている。そして、付勢手段152は、常に基体111に対してレール103が突出する方向に基体111を介してレール103と電極体102との間に力を発生させている。以上のような構成のプラズマ処理装置100は、次のようにしてプラズマ処理が行われる。まず、筐体101が開いた状態図2、図3、図7においては、レール103を押し上げる方向に付勢手段152が機能しており、外部レール139の上端面と摺動部132の上端面とが同一平面内に配置されている。この状態で、基板200はプッシャーなどローダーにより外部レール139、および、レール103に沿って摺動し、筐体101内に搬入される。この搬入工程において、例えば基板200の裏面にコネクタなどの突出部201が存在する場合でも図5参照、基板200の搬送経路Aは持ち上がり、搬送経路Aと電極体102との間に隙間が発生しているため、電極体102と突出部201とが干渉することなく基板200を搬入することができる。次に、筐体101を閉ざすために駆動源により蓋体112を基体111の方向に移動させる。移動手段105は、蓋体112が基体111に対して近づくと、レール103の本体134の先端に連動手段151の先端が当接し図7に示す状態、蓋体112の動きに連動して本体134を鍔部131と共に押し下げる。そして、レール103の鍔部131が基板200の端縁の表面と当接し、基板200と摺動部132とを基板200が電極体102の上面に当接するまで押し下げる図8に示す状態。以上によって、プラズマ発生前に基板200と電極体102とを当接させるようにレールと電極体102とを相対的に移動させ、電極体102と基板200とを密着させることができる。また、基板200の裏面に突出部201が存在している場合、電極体102に突出部201に対応する凹陥部121を設けておけば、隙間の発生を可及的に抑えて基板200と電極体102とを密着させることができる。また、基板200が反っている場合は、基板200の反りが矯正され、基板200の反りによる隙間の発生が抑制される。以上の状態において、蓋体112と基体111とが当接して筐体101は密閉状態となっているため、真空吸引手段を用いて筐体101内方を真空排気する。つぎに、所定の真空状態となったところで、ガス供給手段により筐体101内方にアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを導入すると共に、プラズマ発生手段104により、電極体102と蓋体との間に高周波の電圧を印加する。これにより、筐体101の内方に導入されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧が印加され、筐体101内にプラズマが発生する。そして筐体101内に発生したプラズマが基板200の表面に照射され基板200の表面が洗浄される。プラズマによる洗浄が終了すると、筐体101の内方が大気開放され、筐体101を開けるために駆動源により蓋体112を基体111から遠ざかる方向に移動させる。以上により、連動手段151が蓋体112の移動と共に持ち上がり、レール103は付勢手段152の付勢力により電極体102に対して移動して上方に向かって進出する。外部レール139の上端面と摺動部132の上端面とが同一平面内になると、摺動部132の進出は停止するが、本体134、および、鍔部131は、図7に示す状態となるまでさらに進出する。以上により、筐体101が開放され外部レール139の上端面と摺動部132の上端面とが同一平面内に配置されているため、アンローダーなどを用いて、基板200を摺動部132、および、外部レール139に対して滑りながら搬出される。以上のように、基板200を搬出する際も、電極体102と搬送経路Aとが離隔しているため、基板200の裏面に突出部201が存在していても、電極体102と干渉することなく搬出することができる。なお、本願発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本明細書において記載した構成要素を任意に組み合わせて、また、構成要素のいくつかを除外して実現される別の実施の形態を本願発明の実施の形態としてもよい。また、上記実施の形態に対して本願発明の主旨、すなわち、請求の範囲に記載される文言が示す意味を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本願発明に含まれる。例えば、レール103は、鍔部131と摺動部132とが独立して移動可能なものばかりでなく、鍔部131と摺動部132とが固定されているものや、鍔部131の無いものなどを採用してもかまわない。また、移動手段105を蓋体112などの動きと連動するものとして説明したが、移動手段105は、独立してレール103と電極体102とを相対的に移動させるものでもかまわない。例えば、エアーアクチュエータを用いて、電極体102に対しレール103を移動させるものなどを挙示することができる。また、上記実施の形態において、プラズマ処理装置100は、プラズマによる基板の洗浄を目的とするものとして説明したが、基板200にビアホール等を形成する目的で、プラズマを用いて基板に対してエッチング加工を行うドライエッチング装置であっても構わない。