誘電体基板を複数積層した多層基板と、前記多層基板に実装された半導体デバイスと、前記半導体デバイスの実装領域を略環状に囲うように前記多層基板に接合されて、該多層基板との間にキャビティを形成する金属蓋と、前記多層基板と前記金属蓋とを接合するはんだ層と、前記はんだ層が途切れていることによって前記多層基板と前記金属蓋との間に形成されて、前記キャビティの内外を迂回させて連通する通気穴と、を備えることを特徴とする高周波パッケージ。前記通気穴は、クランク状であることを特徴とする請求項1記載の高周波パッケージ。しかしながら、上記基板と蓋体を接合する半田に通気穴を形成する方法においては、半田塗布量のばらつきにより半田フィレットが適切な形状に成形できず、通気穴の大きさが大きくなってしまうことがあった。そのため、従来は半田量の塗布量を厳しく管理して、通気穴が大きくならないようにしているが、製造ばらつきにより、どうしても通気穴の幅が大きくなってしまうものもできてしまう。そして、通気穴の大きさが所定以上に大きいと、高周波パッケージ内部の高周波信号が外部に漏れてしまい、EMI特性の劣化やシステム上のノイズが増えてしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、通気穴からの高周波信号の漏れを低減した高周波パッケージを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、誘電体基板を複数積層した多層基板と、多層基板に実装された半導体デバイスと、半導体デバイスの実装領域を略環状に囲うように多層基板に接合されて、多層基板との間にキャビティを形成する金属蓋と、多層基板と金属蓋とを接合するはんだ層と、はんだ層が途切れていることによって多層基板と金属蓋との間に形成されて、キャビティの内外を迂回させて連通する通気穴と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、通気穴の幅が広くなった場合でも、通気穴からの高周波信号の漏れを抑制できるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態.図1は、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態の構成を示す断面図であり、通気穴部分を示している。図2は、通気穴部分の導体パターンの上面図である。誘電体基板を複数積層して構成され、半導体デバイスが実装された多層基板1には接地された導体パターン2が設けられており、導体パターン2と金属蓋3とは、はんだ4を介して接合されている。金属蓋3が導体パターン2を介してはんだ4で多層基板1に固定されることで、金属蓋3と多層基板1との間に半導体デバイスを収容するキャビティが形成されている。導体パターン2は、半導体デバイスの実装領域を略環状に囲っていて、導体が無い部分が1カ所あり、それによって通気穴5が形成されている。通気穴5の幅は、λ/2よりも十分狭くなっており、通気穴5を介しての高周波信号の漏洩は防止されている。なお、λは、漏洩防止の対象とする高周波信号多層基板1に実装された半導体デバイスから出力される信号などの中心周波数での波長を表している。さらに、導体の無い部分はクランク状になっており、導体パターン2を最短距離で横切る従来構造と比較して長くなっているため、製造ばらつきによりはんだ4の量が少なくなって通気穴5の幅が広がってしまった場合でも、高周波信号は外部へ漏れ出るまでに減衰し、キャビティの外へ漏れにくくなっている。これにより、高周波パッケージの製品歩留まりを向上させることができる。このように、本実施の形態によれば、通気穴5を介して高周波パッケージから漏れ出る高周波信号を低減することができる。なお、上記の例では、通気穴5がクランク状になっている構成を例としたが、通気穴5が導体パターン2を最短距離で横切らず迂回する形状であればクランク状とは異なる形状であっても良い。例えば、導体パターン2を上面視で斜めに横切るように通気穴5を設けても良いし、シヌソイド状に通気穴5を設けることも可能である。