"インバータと回転電機との間を接続し、矩形断面を有し、互いにそれぞれを含む平面が直交配置される第1バスバー及び第2バスバーを流れる電流を検出するための電流検出装置であって、前記第1バスバーを流れる電流により発生する第1磁束線と前記第2バスバーを流れる電流により発生する第2磁束線とが直交する磁束直交位置に関して、前記第1磁束線の接線上の片側及び他側にそれぞれ配置される2つの第1磁気抵抗素子と、前記磁束直交位置に関して、前記第2磁束線の接線上の片側及び他側にそれぞれ配置される2つの第2磁気抵抗素子と、前記各第1磁気抵抗素子に対し逆方向のバイアス磁束と、前記各第2磁気抵抗素子に対し逆方向のバイアス磁束とをそれぞれ発生させる磁束発生手段とを備えることを特徴とする電流検出装置。請求項1に記載の電流検出装置において、前記2つの第1磁気抵抗素子は、前記第1バスバーの前記矩形断面の一辺方向中央を含む第1平面と前記第2バスバーの前記矩形断面の一辺方向中央を含む第2平面とが直交する平面直交位置に関して、前記第2平面上の両側に配置され、前記2つの第2磁気抵抗素子は、前記平面直交位置に関して、前記第1平面上の両側に配置されることを特徴とする電流検出装置。請求項1または請求項2に記載の電流検出装置において、前記各第1磁気抵抗素子は、互いに直列接続されており、前記各第2磁気抵抗素子は、互いに直列接続されていることを特徴とする電流検出装置。請求項3に記載の電流検出装置において、前記各第1磁気抵抗素子の中点に接続された第1電圧取得部と、前記各第2磁気抵抗素子の中点に接続された第2電圧取得部と、前記第1電圧取得部の取得電圧から前記第1バスバーを流れる電流値を取得する第1電流取得部と、前記第2電圧取得部の取得電圧から前記第2バスバーを流れる電流値を取得する第2電流取得部とを備えることを特徴とする電流検出装置。請求項1から請求項4のいずれか1に記載の電流検出装置において、前記各第1磁気抵抗素子は、前記第1磁束線の接線方向に長くなるつづら折り状に形成された第1GMR多層膜素子を含み、前記各第2磁気抵抗素子は、前記第2磁束線の接線方向に長くなるつづら折り状に形成された第2GMR多層膜素子を含むことを特徴とする電流検出装置。上記の特許文献1に記載された第1の電流検出器では、例えば、第1電流路から発生する磁束を検出する磁束検出器を有する場合に、第2電流路からの磁束を検出しないように、第2電流路からの磁束が、電流検出器の感磁方向に対して垂直になるように電流検出器を配置しなければならない。このため、1つの電流検出器で第1電流路に流れる電流から発生する磁束と第2電流路に流れる電流から発生する磁束とを別々に検出することができない。したがって、電流検出が要求される電流路ごとに電流検出器を設置する必要があり、電流検出器の数が多くなり、回転電機で必要とされる電流検出器全体の小型化や省スペース化を妨げる要因となっている。このため、1つの電流検出装置で2つのバスバーを流れる電流によって発生する2つの方向の磁束を検出可能な構成の実現が望まれている。これに対して、上記の特許文献1に記載された第2の電流検出器では、1の磁束検出器で、互いに直交する第1電流路及び第2電流路のそれぞれを流れる電流によって発生する磁束を検出するとされているが、1の磁束検出方向で検出される磁束が、他の磁束検出方向で検出される磁束に影響される可能性がないとはいえない。また、それぞれの磁束検出方向の磁束を検出するために1の磁束検出器のみを使用すると、磁束を感度よく検出できない可能性がある。本発明の目的は、電流検出装置において、1つの電流検出装置で2つのバスバーを流れる電流によって発生する2つの方向の磁束を感度よく検出可能な構成を提供することを目的とする。本発明に係る電流検出装置は、インバータと回転電機との間を接続し、矩形断面を有し、互いにそれぞれを含む平面が直交配置される第1バスバー及び第2バスバーを流れる電流を検出するための電流検出装置であって、前記第1バスバーを流れる電流により発生する第1磁束線と前記第2バスバーを流れる電流により発生する第2磁束線とが直交する磁束直交位置に関して、前記第1磁束線の接線上の片側及び他側にそれぞれ配置される2つの第1磁気抵抗素子と、前記磁束直交位置に関して、前記第2磁束線の接線上の片側及び他側にそれぞれ配置される2つの第2磁気抵抗素子と、前記各第1磁気抵抗素子に対し逆方向のバイアス磁束と、前記各第2磁気抵抗素子に対し逆方向のバイアス磁束とをそれぞれ発生させる磁束発生手段とを備えることを特徴とする電流検出装置である。本発明に係る電流検出装置において、好ましくは、前記2つの第1磁気抵抗素子は、前記第1バスバーの前記矩形断面の一辺方向中央を含む第1平面と前記第2バスバーの前記矩形断面の一辺方向中央を含む第2平面とが直交する平面直交位置に関して、前記第2平面上の両側に配置され、前記2つの第2磁気抵抗素子は、前記平面直交位置に関して、前記第1平面上の両側に配置される。また、本発明に係る電流検出装置において、好ましくは、前記各第1磁気抵抗素子は、互いに直列接続されており、前記各第2磁気抵抗素子は、互いに直列接続されている。また、本発明に係る電流検出装置において、好ましくは、前記各第1磁気抵抗素子の中点に接続された第1電圧取得部と、前記各第2磁気抵抗素子の中点に接続された第2電圧取得部と、前記第1電圧取得部の取得電圧から前記第1バスバーを流れる電流値を取得する第1電流取得部と、前記第2電圧取得部の取得電圧から前記第2バスバーを流れる電流値を取得する第2電流取得部とを備える。また、本発明に係る電流検出装置において、好ましくは、前記各第1磁気抵抗素子は、前記第1磁束線の接線方向に長くなるつづら折り状に形成された第1GMR多層膜素子を含み、前記各第2磁気抵抗素子は、前記第2磁束線の接線方向に長くなるつづら折り状に形成された第2GMR多層膜素子を含む。本発明に係る電流検出装置によれば、1つの電流検出装置で2つのバスバーを流れる電流によって発生する2つの方向の磁束が感度よく検出可能となる。例えば、各第1磁気抵抗素子を直列接続した部分の中点から取り出した電圧の取得値と、各第2磁気抵抗素子を直列接続した部分の中点から取り出した電圧の取得値とから、互いに直交する方向の磁束をそれぞれ取得でき、それぞれの磁束の取得値から対応するバスバーを流れる電流値をそれぞれ取得できる。また、各磁気抵抗素子に対応する電圧の取得値に、別の方向に配置された磁気抵抗素子で検出される磁束が影響を及ぼすことがない。このため、1つの電流検出装置で2つのバスバーを流れる電流によって発生する2つの方向の磁束が感度よく検出可能となる。この結果、電流検出装置全体の小型化及び省スペース化を図れる。以下において、図1から図16を用いて本発明に係る実施の形態の1例を説明する。本実施の形態の電流検出装置は、例えば電動モータ、発電機等として使用される3相の回転電機とインバータとを接続する3相の動力線を構成する3本のバスバーのうち、2本のバスバーを流れる電流を検出するために使用される。まず、図1を用いて電流検出装置10を含む回転電機駆動システムの構成を説明する。回転電機駆動システムは、直流電源であるバッテリ12と、回転電機14と、バッテリ12と回転電機14とに接続され、回転電機14を駆動するインバータ16と、制御部18とを備える。回転電機14は、U相、V相、W相の3相交流型である。制御部18は、ドライブ回路20と、駆動制御部22とを含む。インバータ16は、バッテリ12から供給された直流電圧を各相の交流電圧に変換し、回転電機14を駆動する。インバータ16は、回転電機14を発電機として使用する回生制動時に、回転電機14で発生した交流電力を直流電力に変換し、バッテリ12に供給する機能も有する。回転電機14は、例えば走行用モータとエンジンとを搭載し、少なくとも一方を主駆動源として走行するハイブリッド車両や、電気自動車の走行用モータとして使用することができる。なお、回転電機14は、その用途が限定されるものではなく、あらゆる用途で使用されることが可能である。インバータ16は、図示しない3相のアームを含み、各相アームは、直列接続されたトランジスタ、IGBT等の2つのスイッチング素子を含む。各相アームの中点を、インバータ16と回転電機14とを接続する各相の動力線24,26,28の一端に接続している。各相の動力線24,26,28の他端は、回転電機14を構成するステータに設けられた各相のステータコイルの一端に接続されている。各相の動力線24,26,28は、断面矩形状の第1バスバー30、第2バスバー32及び第3バスバー34によりそれぞれ構成される。各バスバー30,32,34は、同一の矩形の断面を有し、例えば平板状である。回転電機14の回転角度等の回転情報はレゾルバ36で検出され、駆動制御部22に入力される。3相の動力線24,26,28のうち、2相の動力線24,26を流れる電流に基づく出力電圧または電流は、1つの電流検出装置10で検出され、その検出値が駆動制御部22に入力される。駆動制御部22に、電流に基づく出力電圧が入力される場合、駆動制御部22は、出力電圧から対応する電流値を算出する。駆動制御部22は、2相の動力線24,26を流れる電流値から残りの1相の動力線28を流れる電流値も算出する。各相の動力線24,26,28を流れる電流値と、回転電機14の回転情報とは、ドライブ回路20に出力する制御出力の算出のために使用される。ドライブ回路20は、制御出力から、インバータ16を構成するスイッチング素子のスイッチ状態を制御して、インバータ16の各相アームから出力される各相電流値を決定する。また、電流検出装置10は、インバータ16と回転電機14との間を接続する3本のバスバー30,32,34のうち、2本の第1バスバー30及び第2バスバー32を流れる電流を検出するためのものである。図2、図4に示すように、電流検出装置10は、第1バスバー30及び第2バスバー32により、周囲の一部を囲まれるように配置されている。図4に示すように、第1バスバー30及び第2バスバー32は、それぞれのバスバー30,32を含む2の平面T1、T2が互いに直交するように配置されている。また、平面T1,T2の直交位置Tgから同じ距離で各バスバー30,32が配置されている。ただし、平面T1,T2の直交位置Tgから異なる距離で各バスバー30,32が配置されていてもよい。また、各バスバー30,32では、図4の表裏方向、図2の矢印α方向、矢印β方向に電流がそれぞれ流れる。また、図3に示すように、電流検出装置10は、樹脂38中に磁石40とリードフレーム42とセンサチップ44とを包埋するように含んでいる。リードフレーム42の片面図3の下面にセンサチップ44を固定しており、リードフレーム42の他面図3の上面に磁束発生手段である、磁石40を固定している。リードフレーム42は、金属等の板材の片面に複数の薄板状のリード部図示せずを設けたもので、樹脂38中からリード部の図示しない接続端子を導出させている。図5に示すように、センサチップ44は、それぞれ2つずつの第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbと第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbとを含み、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbの接続端子を、対応する図示しないリード部に直接またはワイヤ等を介して接続している。複数のリード部により、直流電源に接続するための電源リード部と、出力電圧を出力するための出力リード部と、グランド側の接地するための接地リード部とが構成され、それぞれのリード部の接続端子が樹脂38中から導出されている。また、図4に示すように、電流検出装置10は、図4の表裏方向から見た形状が正方形である直方体状である。電流検出装置10は、その中心が第1バスバー30の矩形断面の一辺であるP1方向の中央Q1を含む仮想平面である第1平面S1と、第2バスバー32の矩形断面の一辺であるP2方向の中央Q2を含む仮想平面である第2平面S2とが直交する平面直交位置O1に位置するように配置されている。また、図5に示すように、2つの第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbは、第2平面S2上において、平面直交位置O1に関して両側に配置されている。また、2つの第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbは、第1平面S1上において、平面直交位置O1に関して両側に配置されている。図3に戻って、磁石40は、断面正方形の直方体状で、図3に矢印γで示す方向に着磁されており、センサチップ44の配置位置で磁束方向が平面直交位置O1を中心に放射状に外側に向かう方向となっている。このため、図5に矢印で示すように、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbの配置位置では、平面直交位置O1を中心として外側に向かう方向に磁石40による磁束が発生している。なお、磁石40は直方体状に限定するものではなく、例えば円柱状等とすることもできる。また、図6に示すように、各バスバー30,32に図6の表側から裏側に向かう方向に電流が流れると、この電流により磁束が矢印δ1、δ2で示す向きに流れる。図6では説明の明りょう化のために、第1バスバー30を流れる電流により発生する2の第1磁束線M1a,M1bと、第2バスバー32を流れる電流により発生する2の第2磁束線M2a,M2bとを示している。各バスバー30,32の位置との関係で上記のように電流検出装置10を配置しているので、電流検出装置10は、第1バスバー30を流れる電流により発生する第1磁束線M1bと、第2バスバー32を流れる電流により発生する第2磁束線M2bとが直交する位置である磁束直交位置O2に配置されている。磁束直交位置O2は、各バスバー30,32に直交する平面上で、上記の第1平面S1と第2平面S2との直交位置である平面直交位置O1図4と一致している。また、第1磁束線M1bの磁束直交位置O2を通る接線上において、磁束直交位置O2に関して片側と他側とに、2つの第1磁気抵抗素子MRXa、MRXb図5が配置されている。また、第2磁束線M2bの直交位置O2を通る接線上において、磁束直交位置O2に関して片側と他側とに、2つの第2磁気抵抗素子MRYa、MRYb図5が配置されている。なお、図4から図6において、直交位置O1、O2を中心として4方向に広がる実線矢印は、磁石40による着磁方向であり、磁石40から発生するバイアス磁界の方向を示している。図7に示すように、2つの第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbは直列接続されることでハーフブリッジ回路と呼ばれる第1アーム46を構成し、2つの第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbは直列接続されることでハーフブリッジ回路と呼ばれる第2アーム48を構成している。各アーム46,48の一端図7の上端は、nVの電圧を有する図示しない直流電源の正極と接続している。そして第1アーム46の中点が、第1出力電圧Vout1を取り出すための出力リード部に接続され、その出力リード部が電流検出装置10図6等の外部に導出されている。また、第2アーム48の中点が、第2出力電圧Vout2を取り出すための出力リード部に接続され、その出力リード部も電流検出装置10の外部に導出されている。また、各アーム46,48の他端図7の下端が接地リード部に接続され、接地リード部も電流検出装置10図6等の外部に導出されている。直流電源に接続するための電源リード部も電流検出装置10の外部に導出されている。そして、上記の磁石40図3により、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbに対し逆方向のバイアス磁束を発生させ、各第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbに対し逆方向のバイアス磁束を発生させるようにしている。すなわち、図7で各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbに対し矢印で示す方向に、バイアス磁束を発生させている。これにより、後述する図10、図12a、図15aに示すように、2の第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbのうち、片側の第1磁気抵抗素子MRXaに正のバイアス磁束が作用し、他側の第1磁気抵抗素子MRXbに負のバイアス磁束が発生している。図10、図12a、図15aは、横軸で磁束、すなわち磁束密度の絶対値|B|を、縦軸で電気抵抗Rを表している。同様に、2の第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbのうち、片側の第2磁気抵抗素子MRYaに正のバイアス磁束が作用し、他側の第2磁気抵抗素子MRYbに負のバイアス磁束が発生している。なお、図示は省略するが、各アーム46,48図7にそれぞれ図示しない2の抵抗を接続してフルブリッジ回路を構成することもできる。また、この場合に、各アーム46,48に接続する2の抵抗として、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbまたは第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbと同じ方向に配置した別の磁気抵抗素子を用いることもできる。各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbは、例えば図8、図9に示すように、人工格子型のGMR多層膜素子により構成することができる。ここで、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbで代表して説明する。第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbは、センサチップ44の片面につづら折り状に形成された、すなわち蛇行形状に形成された第1GMR多層膜素子50を成膜し、センサチップ44の片面に設けられたアルミニウム等の2の接続部52の間に第1GMR多層膜素子50を接続することにより構成されている。第1GMR多層膜素子50は、第2平面S2方向と一致するBx方向に長い複数の直線部54を、第1平面S1方向と一致し、Bx方向と直交するBy方向に短い複数の連結部56で接続している。このようにBx方向に長い直線部54を有することでBx方向の磁束を検出することが可能になる。また、この構成によれば、第1GMR多層膜素子50の全長を長くして抵抗を大きくし、磁束の検出感度を大きくすることができる。第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbは、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbと同様の形状を有するものを、Bx方向及びBy方向を逆にした状態で配置することで構成することができる。なお、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbはこのような構成に限定するものではない。例えば、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbは、単に直線状のGMR多層膜素子の両端を接続部に接続するように構成することができる。また、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbは、このようなGMR多層膜素子により構成するものに限定するものではなく、AMRやTMR等の磁気抵抗効果を利用する他のMR素子により構成することもできる。このように構成するので、図10に示すように、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbは、直線部54図8、図9の方向と一致するBx方向またはBy方向の磁束密度の絶対値が大きくなるほど、その磁束方向にかかわらず、すなわちその正負にかかわらず電気抵抗Rが減少する特性を有する。なお、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbは、Bx方向及びBy方向に対して直交するBz方向図9の磁束を検出することはしない。また、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbと各第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbとは、互いに直交するように配置され、2組のブリッジ回路が構成される。それぞれのブリッジ回路である第1アーム46と第2アーム48図7との出力電圧の変動により、2方向の磁束密度の検出が可能となる。磁石40図3は、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbの膜面に対し直交する方向に着磁しており、各アーム46,48を構成する磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbのパターンに対して、第1バスバー30または第2バスバー32の電流により発生する磁束の方向と平行で、かつ第1磁気抵抗素子MRXa、MRXb同士、及び第2磁気抵抗素子MRYa、MRYb同士で、互いに逆向きとなるバイアス磁束がかけられている。また、電流検出装置10の出力リード部から出力した第1出力電圧Vout1及び第2出力電圧Vout2とは、図1の制御部18を構成する駆動制御部22が有する第1電圧取得部58と第2電圧取得部60とに入力される。すなわち、第1電圧取得部58は、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbの中点である、第1アーム46図7の中点に接続され、第2電圧取得部60は、各第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbの中点である、第2アーム48図7の中点に接続されている。さらに、駆動制御部22図1は、第1電流取得部62と第2電流取得部64とを有する。第1電流取得部62は、第1電圧取得部58の取得電圧である第1出力電圧Vout1から第1バスバー30を流れる電流値を取得する、すなわち算出する。また、第2電流取得部64は、第2電圧取得部60の取得電圧である第2出力電圧Vout2から前記第2バスバー32を流れる電流値を取得する、すなわち算出する。また、第1出力電圧Vout1と電流値との関係を表すデータを記憶部に記憶させ、第1出力電圧Vout1から対応する電流値を取得することもできる。同様に、第2出力電圧Vout2から対応する電流値を取得することもできる。このような電流検出装置10によれば、1つの電流検出装置10で2つのバスバーである第1バスバー30及び第2バスバー32を流れる電流によって発生する2つの方向の磁束が感度よく検出可能となる。すなわち、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbを直列接続した第1アーム46の中点から取り出した第1出力電圧Vout1の取得値と、各第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbを直列接続した第2アーム48の中点から取り出した第2出力電圧Vout2の取得値とから、互いに直交する方向の磁束である磁束密度をそれぞれ取得、すなわち検出でき、それぞれの磁束密度の取得値から対応するバスバー30または32を流れる電流値をそれぞれ取得できる。また、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbに対応する出力電圧の取得値に、別の直交する方向に配置された磁気抵抗素子で検出される磁束が影響を及ぼすことがない。このため、1つの電流検出装置10で第1バスバー30及び第2バスバー32を流れる電流によって発生する2つの方向の磁束が感度よく検出可能となる。この結果、電流検出装置10全体の小型化及び省スペース化を図れる。次に、これを詳しく説明する。なお、以下の説明では、図1~10に示した要素と同一の要素には同一の符号を付して説明する。まず、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbのブリッジ回路である第1アーム46と、各第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbのブリッジ回路である第2アーム48とのうち、第1アーム46の動作で説明する。図11aに示すように、各バスバー30,32に電流が流れていない状態では、磁石40により、各第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbに均等にバイアス磁界が作用している。これに対して、図11bに示すように、第1バスバー30にだけ電流が流れた場合では、磁石40のバイアス磁界にこの電流による磁界が合成される。このため、図11bのU1位置で示す片側の第1磁気抵抗素子MRXaに対応する位置では、磁束密度Bの絶対値が大きくなり、同図のU2位置で示す他側の第1磁気抵抗素子MRXbに対応する位置では、磁束密度Bの絶対値が小さくなる。このため、図12で示すように、磁束密度の絶対値|B|と電気抵抗Rとを考えた場合に、aからbのように変化する。図12aは、第1バスバー30に電流が流れていない状態に対応し、両側の第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbを流れる磁束の磁束密度Bが、正負は逆になるが大きさが同じになっている。このため、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXb同士の電気抵抗Rは同じ大きさとなっている。図12bでは、第1バスバー30に電流が流れている状態に対応し、片側の第1磁気抵抗素子MRXaに流れる磁束の磁束密度Bの絶対値|B|が大きくなることで、片側の第1磁気抵抗素子MRXaの電気抵抗Rが小さくなっている。また、他側の第1磁気抵抗素子MRXbに流れる磁束の磁束密度Bの絶対値|B|が小さくなることで、他側の第1磁気抵抗素子MRXbの電気抵抗Rが大きくなっている。このため、両第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbの電気抵抗差dRが大きくなり、dRに両磁気抵抗素子MRXa、MRXbを流れる電流Iを乗じた第1出力電圧Vout1=dR×Iが、大きくなるように変動する。したがって、図13に示すように、第1バスバー30を流れる電流によって発生する磁束の磁束密度Baが大きくなるほど、第1アーム46の中点から出力される第1出力電圧Vout1が例えば直線的に大きくなる。このことから、第1出力電圧Vout1から第1バスバー30を流れる電流による磁束密度Baを検出でき、この磁束密度Baの検出値から第1バスバー30を流れる電流を算出、すなわち検出することが可能となる。次に、図14に示すように、第2バスバー32にだけ電流が流れる状態を考える。図14aは、図11aと同じく各バスバー30,32に電流が流れていない状態である。これに対して、図14bに示すように、第2バスバー32にだけ電流が流れた場合では、磁石40のバイアス磁界にこの電流による磁界が合成される。このため、図14bのU1位置、U2位置で示す両側の第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbに対応する位置で、磁束方向が逆のままで、磁束密度Bの絶対値の大きさが同じになる。この場合、第2バスバー32の電流により、図15のaからbに示すように、両方の第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbを流れる磁束の磁束密度Bの絶対値|B|が変化した場合でも、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXb同士で、磁束密度Bの絶対値|B|が同じとなる。このため、両方の第1磁気抵抗素子MRXa、MRXの電気抵抗Rも同じとなる、すなわち電気抵抗差が0となる。したがって、図16に示すように、第2バスバー32に流れる電流によって発生する磁束の磁束密度Baが変化した場合でも、第1アーム46の中点から出力される第1出力電圧Vout1は一定値であるn/2Vのままとなる。以上は、第1磁気抵抗素子MRXa、MRXbの場合で説明したが、第2磁気抵抗素子MRYa、MRYbの場合も同様である。このように本実施の形態によれば、各磁気抵抗素子MRXa、MRXb、MRYa、MRYbに対応する出力電圧Vout1、Vout2の取得値に、別の直交する方向に配置された磁気抵抗素子で検出される磁束が影響を及ぼすことがない。このため、2方向の磁束の検出精度を高くできる。しかも、各方向で2つの磁気抵抗素子MRXa、MRXbまたはMRYa、MRYbを使用し、さらに逆方向のバイアス磁束をかけているので、磁束密度に対して出力電圧を大きく変化させることができ、より磁束の検出精度を高くでき、より各バスバー30,32を流れる電流の検出精度を高くできる。なお、上記では駆動制御部22が、第1電圧取得部58と第2電圧取得部60と第1電流取得部62と第2電流取得部64とを有する場合を説明したが、電流検出装置10自体に、第1電圧取得部と第2電圧取得部と第1電流取得部と第2電流取得部とをそれぞれ設けることもできる。例えば、これらの取得部は、ハード的構成やソフト的構成により実現することができる。例えば、電流検出装置10にこれらの取得部を有する制御部を設けることもできる。"