"基板上に複数の線状パターンを含む金属層を形成し、前記線状パターンの金属層上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで線状パターンのグラフェンを形成し、前記基板をエッチング溶液内に含浸させて前記線状パターンの金属層を選択的に除去することで、前記基板から前記線状パターンのグラフェンを分離して前記エッチング溶液中に複数の線状グラフェンを分散させ、及び前記分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出してグラフェンファイバーgraphenefiberを形成することを含む、グラフェンファイバーの製造方法。前記エッチング溶液は、水、エッチャント及び有機溶媒を含むものである、請求項1に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記エッチャントは、過硫酸アンモニウム[NH42S2O8]、酸acid、BOE、FeNO33、塩化鉄FeCl3、CuCl2及びこれらの組合でなる群から選択される化合物を含むものである、請求項2に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記有機溶媒は、新水性基を有することで前記水と混合されることができることを特徴とする請求項2に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記有機溶媒は、前記エッチング溶液の全体溶媒100体積に対して、20体積以上である、請求項2に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記グラフェンファイバーは、前記エッチング溶液中に分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出すと同時に、回転させて捩って形成されるものである、請求項1に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記金属層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むものである、請求項1に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記線状パターンの金属層の線幅は、1nm乃至100mである、請求項1に記載のグラフェンファイバーの製造方法。前記グラフェンファイバーの直径は、前記線状パターンの金属層の線幅に応じて調節されることである、請求項1に記載のグラフェンファイバーの製造方法。複数の線状グラフェンが連結されて形成されたグラフェンファイバーであって、請求項1~請求項9のいずれか一項によって製造されるものである、グラフェンファイバー。前記グラフェンファイバーは、絶縁性物質を含むコア上に巻かれているものである、請求項10に記載のグラフェンファイバー。請求項10によるグラフェンファイバー、及び前記グラフェンファイバーを囲む絶縁体を含む、グラフェン電線。前記グラフェンファイバーは、絶縁性物質を含むコア上に巻かれているものである、請求項12に記載のグラフェン電線。前記絶縁体は、エナメル、フォトレジスト樹脂、PMMA[Polymethylmethacrylate]、PETPolyethyleneTerephthalate、PVApolyvinylalcohol、PIpolyimide及びこれらの組合でなる群から選択されることを含むものである、請求項12に記載のグラフェンファイバー。グラフェンを含むコアcore伝導体、前記コア伝導体を囲む絶縁体、前記絶縁体を囲む外部伝導体、及び前記外部伝導体を囲む外被部を含む、同軸ケーブル。前記グラフェンは、請求項10によるグラフェンファイバーである、請求項15に記載の同軸ケーブル。前記コア伝導体は、金属部材の表面に前記グラフェンが形成されたことである、請求項15に記載の同軸ケーブル。前記金属部材は、金属管または金属ワイヤを含むことである、請求項17に記載の同軸ケーブル。前記金属部材上に形成された前記グラフェンは、化学気相蒸着法によって形成されたものである、請求項17に記載の同軸ケーブル。前記金属部材を形成する金属は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むものである、請求項17に記載の同軸ケーブル。前記金属部材上の前記グラフェンは、ロールツーロール工程によって形成されるものである、請求項17に記載の同軸ケーブル。前記ロールツーロール工程は、ロールツーロール方式によって第1ローラーから帯状bandまたは線状lineの前記金属部材を前処理部に供給して表面処理するステップ、前記前処理部を通過した前記帯状bandまたは線状lineの金属部材を合成部に移動させて前記金属部材上にグラフェンを合成と同時にコーティングするステップ、及び前記合成部を通過した前記帯状bandまたは線状lineの金属部材をロールツーロール方式によって第2ローラーに巻いて回収するステップを含むことである、請求項21に記載の同軸ケーブル。それで、本願は、化学気相蒸着法によって線状グラフェンを形成し、これを利用してグラフェンファイバーを製造する方法を提供する。また、前記言及した方法によって形成されるグラフェンファイバーを含み、電気的性質に優れたグラフェン電線または同軸ケーブルを提供する。しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で記述した課題に限らず、記述されなかったまた他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。前記のような目的を達成するために、本願の一側面は、基板上に複数の線状パターンを含む金属層を形成し、前記線状パターンの金属層上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで線状パターンのグラフェンを形成し、前記基板をエッチング溶液内に含浸させて前記線状パターンの金属層を選択的に除去することで、前記基板から前記線状パターンのグラフェンを分離して前記エッチング溶液中に複数の線状グラフェンを分散させ、及び前記分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出してグラフェンファイバーgraphenefiberを形成することを含む、グラフェンファイバーの製造方法を提供する。本願の他の側面は、前記言及した方法によって製造された複数の線状グラフェンが連結されて形成されたグラフェンファイバーを提供する。本願のまた他の側面は、本願による前記グラフェンファイバー、及び前記グラフェンファイバーを囲む絶縁体を含むグラフェン電線を提供する。本願のまた他の側面は、グラフェンを含むコアcore伝導体、前記コア伝導体を囲む絶縁体、前記絶縁体を囲む外部伝導体、及び前記外部伝導体を囲む外被部を含む同軸ケーブルを提供する。本願は、化学気相蒸着法によって線状グラフェンを形成し、これを利用してグラフェンファイバーを製造することで、良質のグラフェンファイバーを低費用で製造することができる。また、本願の方法によって製造されたグラフェンファイバーは、金属電線より非常に柔軟でかつ軽いだけでなく、電気伝導度及び熱伝導度が優れているので、前記グラフェンファイバーを利用した電線及び同軸ケーブルは、熱発生による損失を最小化して電力輸送効率及び用量を極大化することができるだけでなく、高周波においても優れた信号伝達効率を示す。以下、添付した図面を参照して、本願が属する技術分野で通常の知識を持った者が容易に実施することができるように本願の実施形態具体例及び実施例を詳しく説明する。しかし、本願は、様々な異なる形態で具現されることができ、ここで説明する具体例及び実施例に限らない。そして、図面で本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似した部分に対しては、類似した図面符号を付けた。本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を含むとすると、これは、特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。本明細書において使用される程度の用語約、実質的になどは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される時、その数値でまたはその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、正確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。本願の明細書全体において使用される程度の用語~するステップまたは~のステップは、~のためのステップを意味していない。本願の明細書全体において、帯とは、幅が細く長さが長い形状でなった物体を意味する。本願の一側面によるグラフェンファイバーの製造方法は、基板上に複数の線状パターンを含む金属層を形成し、前記線状パターンの金属層上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで線状パターンのグラフェンを形成し、前記基板をエッチング溶液内に含浸させて前記線状パターンの金属層を選択的に除去することで、前記基板から前記線状グラフェンを分離して前記エッチング溶液中に複数の線状グラフェンを分散させ、前記分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出してグラフェンファイバーgraphenefiberを形成することを含む。一具現例において、前記エッチング溶液は、水、エッチャント及び有機溶媒を含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記エッチャントは、過硫酸アンモニウム[NH42S2O8]、BOE、FeNO33、塩化鉄IronIIIChloride、FeCl3、CuCl2、酸acid及びこれらの組合でなる群から選択される化合物を含むことができるが、これに限らない。他の具現例において、前記酸は、有機酸または無機酸を含むことができ、例えば、HFのようなフッ素-含有酸を含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記有機溶媒は、親水性基を有するもので、前記親水性基によって前記水と混合されることができるものを含むことができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記有機溶媒は、前記エッチング溶液の全体溶媒100体積に対して20体積以上であることができる。また他の具現例において、前記グラフェンファイバーは、前記エッチング溶液中に分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出すと同時に、回転させて捩って形成されることができるが、これに限らない。また他の具現例において、本願のグラフェンファイバーの製造方法は、前記線状パターンの金属層上に前記線状パターンのグラフェンを形成した後、これを冷却させる工程を追加含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記線状パターンの金属層上に形成された線状グラフェンの厚さは、前記反応時間、前記金属層の厚さ、前記冷却の速度及びこれらの組合でなる群から選択される条件を調節して制御されることができる。また他の具現例において、前記金属層は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記線状パターンの金属層の線幅は、約1nm乃至約100mmであることができるが、これに限らない。また、他の具現例において、前記グラフェンファイバーの直径は、前記線状パターンの金属層の線幅に応じて調節されることができるが、これに限らない。本願の他の側面によるグラフェンファイバーは、前記言及した本願の製造方法によって形成された複数の線状グラフェンが連結されて形成されたものを含む。一具現例において、前記グラフェンファイバーは、絶縁性物質を含むコア上に巻かれているものであることができるが、これに限らない。前記コアを形成する絶縁性物質は、当業界で通常的に使用することができるものであれば特に制限されることなく使用可能であり、例えば、絶縁性ポリマーを使用することができるが、これに限らない。前記絶縁性物質を含むコアは、グラフェンファイバー形成のための一種の支持体の役割をすることができ、前記グラフェンファイバーが前記絶縁性物質を含むコア上に巻かれている形態は、前記グラフェンファイバーのみで形成された場合より機械的強度などの特性が向上されることができる。本願のまた他の側面によるグラフェン電線は、本願による前記グラフェンファイバー及び前記グラフェンファイバーを囲む絶縁体を含む。一具現例において、前記絶縁体は、エナメル、フォトレジスト樹脂、PMMA[Polymethylmethacrylate]、PETPolyethyleneTerephthalate、PVApolyvinylalcohol、PIpolyimide、PVDFPolyvinylidenefluoride及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。他の具現例において、前記グラフェンファイバーは、絶縁性物質を含むコア上に巻かれているものであることができるが、これに限らない。前記グラフェンファイバー及び前記グラフェン電線は、前記言及したグラフェンファイバーの製造方法に記述された内容を全て含むことができ、便宜上重複記載を省略する。本願のまた他の側面による同軸ケーブルは、グラフェンを含むコアcore伝導体、前記コア伝導体を囲む絶縁体、前記絶縁体を囲む外部伝導体、及び前記外部伝導体を囲む外被部を含む。一具現例において、前記グラフェンは、前記言及した本願のグラフェンファイバー製造方法によって製造されたグラフェンファイバーであることができるが、これに限らない。他の具現例において、前記コア伝導体は、金属部材の表面に前記グラフェンが形成されたものであることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記金属部材は、金属管または金属ワイヤを含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記金属部材上に前記グラフェンを形成することは、化学気相蒸着法によって行うことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記金属部材を形成する金属は、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むことができるが、これに限らない。また他の具現例において、前記金属部材上の前記グラフェンは、ロールツーロール工程によって形成されることができるが、これに限らない。例示的具現例において、前記ロールツーロール工程は、ロールツーロール方式によって第1ローラーから帯状bandまたは線状lineの前記部材を前処理部に供給して表面処理するステップ、前記前処理部を通過した前記帯状bandまたは線状lineの金属部材を合成部に移動させて前記金属部材上にグラフェンを合成と同時にコーティングするステップ、及び前記合成部を通過した前記帯状bandまたは線状lineの金属部材をロールツーロール方式によって第2ローラーに巻いて回収するステップを含むことができるが、これに限らない。前記同軸ケーブルは、前記言及したグラフェンファイバーの製造方法に記述された内容を全て含むことができ、便宜上重複記載を省略する。以下、図面を参照して本願のグラフェンファイバーの製造方法、これによって形成されるグラフェンファイバー及びこれを含む同軸ケーブルに対して具体的に説明する。しかし、本願はこれに限らない。図1は、金属層120上に化学気相蒸着法によって線状パターンのグラフェン140が形成される過程を示す図面である。先ず、基板100上に金属層を形成する。ここで、前記基板100は、ガラス、プラスチック、またはシリコーン基板であることができるが、これに限らず、化学気相蒸着法によって金属層またはグラフェンがコーティングされることができる基板であれば、いずれでも構わない。必要な場合、前記金属層120のコーティングを容易にするために、前記基板の表面に絶縁層110を追加含むことができる。前記絶縁層110は、通常の絶縁物質をコーティングして形成することができ、例えば、前記基板100がシリコーン基板である場合は、前記絶縁層110は、酸化シリコーンSiO2層であることができる。前記基板100または前記絶縁層110上に前記金属層120を形成する方法は、当業界で金属層を形成する方法として通常的に使用されるものであれば、特に制限なく使用可能であり、例えば、熱蒸着装置thermalevaporator、電子ビーム蒸着装置e-beamevaporator、スパッタリングsputteringまたは電気メッキelectro-plating方法などを利用して、前記金属層120を形成することができる。前記金属層120は、シリコーン、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅whitebrass、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むことができるが、これに限らない。次いで、前記金属層上に線状パターンのグラフェンを形成する。前記金属層上に線状パターンのグラフェンを形成する方法は、前記金属層を線状にパターニングし、前記線状パターンの金属層上に前記グラフェンを成長させる方法によるか、前記金属層上に前記グラフェンを成長させ、前記グラフェンを線状にパターニングする方法によって形成されることができる。下記では、図1のように、前記金属層を線状にパターニングし、前記線状パターンの金属層上に前記グラフェンを成長させる方法に対して記述するが、これに限らず、金属層上に前記グラフェンを先に成長させた後、前記成長したグラフェンをパターニングして前記言及した線状のグラフェンを形成することができる。前記金属層を線状にパターニングする方法は、当該技術分野に公知された多様な方法が利用されることができ、例えば、典型的なフォトリソグラフィphotolithographyあるいは電子-ビームリソグラフィe-beamlithographyを利用することができる。前記線状パターンの金属層を形成する非制限的な具体例として、前記金属層120上にパターニングされたフォトレジスト層130を形成した後、フォトレジスト工程を通じて前記金属層をパターニングした後、エッチングによって前記パターニングされたフォトレジスト層を除去する工程によって前記金属層120を複数の線状パターン形態に形成することができる。前記パターニング工程以後、複数の線状パターンを有する金属層120を反応器に入れて、加熱しながら水素ガスを流し、前記パターニングされた金属層上の酸化層及び不純物を除去する工程を追加で行うことができる。次いで、前記複数の線状パターンを有する金属層120上にグラフェン140を成長させる。基材上にグラフェンを形成する方法は、当業界でグラフェンの成長のために使用される方法であれば制限なく使用可能であり、例えば、高温化学気相蒸着RapidThermalChemicalVapourDeposition;RTCVD、誘導結合プラズマ化学気相蒸着InductivelyCoupledPlasma-ChemicalVaporDeposition;ICP-CVD、低圧化学気相蒸着LowPressureChemicalVaporDeposition;LPCVD、常圧化学気相蒸着AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition;APCVD、金属有機化学気相蒸着MetalOrganicChemicalVaporDeposition;MOCVD、または、プラズマ化学気相蒸着Plasma-enhancedchemicalvapordeposition;PECVDを含むことができるが、これに限らない。前記グラフェンを成長させる工程は、常圧、低圧または真空下で行うことができる。例えば、常圧条件下において前記工程を行う場合、ヘリウムHeなどをキャリアガスとして使用することで、高温で重いアルゴンArとの衝突によって生じるグラフェンの損傷damageを最小化することができる。また、常圧条件下において前記工程を行う場合、低費用で簡単な工程によって大面的のグラフェンを製造することができるという利点がある。また、前記工程が低圧または真空条件で行われる場合、水素H2を雰囲気ガスとして使用し、温度を上げながら処理すると、金属触媒の酸化した表面を還元させることで、高品質のグラフェンを合成することができる。前記のグラフェンの成長工程は、成長したグラフェンを冷却させる工程を含む。但し、前記冷却工程は、別途の冷却装置を使用して前記グラフェンを冷却させる場合だけでなく、前記グラフェンを常温で冷却させる場合も含む。このような冷却工程を通じて、前記線状の金属層120に吸収された充分な量の炭素が前記線状の金属層から分離され、表面に出て結晶化し、その量に応じて多様な厚さの線状パターンのグラフェン140を形成することができる。前記線状パターンのグラフェン140の厚さは、反応時間、金属層の厚さ、または冷却速度を変えて調節することができる。次いで、前記基板をエッチング溶液内に含浸させ、前記金属層120を選択的に除去することで、前記複数の線状グラフェン140を前記基板から分離して前記エッチング溶液中に分散させることができる。前記エッチング溶液は、前記金属層を選択的に除去するか、前記グラフェンから前記金属層を分離させることができる溶液であって、当業界で通常的に使用されるものであれば、特に制限なく使用可能である。前記エッチング溶液の非制限的な例として、前記エッチング溶液は、多様な酸、過硫酸アンモニウム[NH42S2O8]、BOE、FeNO33、塩化鉄IronIIIChloride、FeCl3または、CuCl2及びこれらの組合でなる群から選択される化合物を含む水溶液と有機溶媒とを含むことができる。前記エッチング溶液は、前記エッチング溶液の疎水性の程度を調節するために、前記エッチング溶液中の有機溶媒の量を調節することができる。前記エッチング溶液として普通の水のみを溶媒で使用した場合は、グラフェンの疎水性hydrophobicityのため、前記グラフェンが溶液表面に浮び、ファイバー構造のグラフェンよりはフィルム構造のグラフェンが優勢に形成される。しかし、前記エッチング溶液にアルコール、アセトンなどのように水と混合されることができる有機溶媒を添加することで、前記エッチング溶液の疎水性hydrophobicityを増加させることができ、これにより、前記形成されたグラフェンが溶液表面に浮遊することなく、溶液中にファイバー状で分散することができる。例えば、前記有機溶媒が前記エッチング溶液内で20以上になる場合、複数の線状グラフェンは表面に浮ばず、前記エッチング溶液中に分散した形態を示すことができる。一具現例において、前記エッチング溶液として05MFeCl3水溶液及びエチルアルコールが11で混合されたエッチング溶液を使用することができるが、これに限らない。前記エッチングによって前記線状金属層から分離され、前記エッチング溶液中に分散させた複数の線状グラフェンは、前記エッチング溶液の界面上で自己組立現象によってファイバー状に組立てられる。より具体的に、前記エッチング溶液中に分散している前記複数の線状グラフェンの一部領域を前記エッチング溶液の外部に引き出すと、前記複数の線状グラフェンは、前記溶液の表面張力及び前記グラフェンの疎水性によって細い糸状に変わり、このような方法によってグラフェンファイバーを収得することができる。前記グラフェンファイバーの形成過程は、図2のように、装置を使用して連続的に行うことができ、前記グラフェンファイバーの直径は、パターニングされた線状グラフェンの線幅に応じて変化させることができる。図2を参照すると、前記グラフェンファイバーの放射は、前記分散した複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液の外部に引き出すと同時に、回転させて捩ることであってもよく、このような過程にモータを使用することができる。図3は、本願の一実施例によって製造されたグラフェンファイバーを使用して織造された纎維を表す織物を示す。図4及び図5は、本願の一実施例により、多様な方法によって形成されたグラフェンファイバーの断面の電子顕微鏡写真及び線状グラフェンの線幅によるファイバーの直径を示すグラフ図5である。より具体的に、図4の上段にある写真は、前記複数の線状グラフェンを回転させて捩る過程なしに、前記エッチング溶液の外部に引いて製造したファイバーであり、下段にある写真は、図2のように、モータを利用して前記複数の線状グラフェンを回転させて捩ると同時に、前記エッチング溶液の外部に引き出して製造したグラフェンファイバーに対するものである。図5を参照すると、図4のように、前記線状グラフェンを回転させて捩ると同時に、前記エッチング溶液の外部に引き出して製造したグラフェンファイバーの直径が前記捩る過程なしに形成されたグラフェンファイバーの直径より大きくなることが分かった。前記グラフェンファイバーは、それ自体として電線で使用されることができるが、実際、電気素子などに使用される場合には、前記グラフェンファイバー以外にも、前記グラフェンファイバー上に絶縁体を形成して使用されることができる。この場合、前記絶縁体は、エナメル、フォトレジスト樹脂、ポリオレフィン、フェノール樹脂、PMMA、PET、PVA、PI及びこれらの組合でなる群から選択されるものを含むことができるが、これに限らない。図6は、前記言及した方法によって形成されるグラフェンファイバー及びグラフェン電線の多様な形態を示す。図6のように、前記グラフェンファイバーは、グラフェンファイバーのみで存在するか、絶縁性物質を含むコア上に巻かれている形態であることができる。また、グラフェン電線も、図6cのように、グラフェンファイバー及び前記グラフェンファイバーを囲む絶縁体のみで存在することができるが、図6dのように、前記グラフェンファイバーが絶縁性物質を含むコアを囲む形態であることもできる。前記グラフェンファイバー乃至前記絶縁体を含むグラフェン電線は、既存の金属電線に比べて単位重さ当たり最高3倍以上改善された伝導度を示すだけでなく、金属電線に比べて非常に柔軟で軽いので、軽量電線を要する移動式動力装置などの多様な分野に適用が可能である。例えば、図7は、本願の一実施例によって製造されたグラフェン電線の機械的強度を示すグラフであり、図7を参照すると、アルミニウム電線の強度が70GPaであることに対し、グラフェン電線は51GPaを示した。また、銅を主に使用する金属電線の場合、表面効果skineffectという現象のため、高周波であるほど抵抗抵抗率が増加し、信号伝達効率が低下することに対し、前記グラフェンファイバー及び前記グラフェン電線は、これと違って、高周波でも信号伝達効率が落ちない。さらに、このようなグラフェンの優れた電気伝導性は、優秀な熱伝導性まで誘発させ、卓越な熱放出の特性を有し、これによって、熱発生による電力損失を最小化して、電力輸送効率及び用量を極大化することができる。下記の表1は、グラフェン電線の抵抗率、電気伝導度、密度、および電気伝導度/密度につき、他の物質銀Ag、銅Cu、金Au、アルミニウムAl、炭素ナノチューブCNTファイバーから構成されてなる電線と比較分析した表である。より具体的に、表1を参照すると、密度を考慮する場合、銀Agや銅Cuの電線より、グラフェン電線が優れた電気伝導度を示すことを確認することができる。例えば、グラフェンファイバーの電気的/機械的特性を分析した結果、機械的強度は、アルミニウムAlと類似しており、電気伝導度は、密度を考慮する場合、銀Agよりも優れていることが測定された。このような特性は、今後の合成過程の最適化を通じてさらに改善されることができ、例えば、伝導性高分子、有無期化合物との複合体形成を通じて機械/電気的性質を改善するか、化学的ドーピングを通じて伝導度を向上させることができる。例えば、図8は、銅Cuのみから形成された銅電線と、銅-グラフェン複合電線の電気伝導度とを比較した結果である。図8のように、銅-グラフェン複合電線を製造した場合、銅Cuのみから形成された銅電線に比べて、約3倍の伝導度効果が改善されたことが分かった。本願の同軸ケーブルは、グラフェンを含むコアcore伝導体、前記コア伝導体を囲む絶縁体、前記絶縁体を囲む外部伝導体、及び前記外部伝導体を囲む外被部を含む。ここで、前記グラフェンは、前述した方法によって製造されたグラフェンファイバーのみで形成されることができるが、これに限らない。前記コア伝導体は、グラフェンのみで形成されるか、前記グラフェン上に絶縁体が形成されている形態であることができるが、これに限らず、例えば、前記コア伝導体は、金属部材の表面上に直接グラフェンを形成することで製造することができる。このように、金属部材の表面にグラフェンを直接的に形成して同軸ケーブルを製造した場合、前記グラフェンが前記金属部材に対する酸化防止膜の役割も同時にすることができ、前記同軸ケーブルのインタコネクト接触特性及び寿命を大きく向上させることができ、エッチング及び加工のような別途の工程が必要ない。前記金属部材の形態は、当業界で通常的に同軸ケーブルのコアを形成することができる形態であれば、特に制限なく使用可能であり、その形態は、金属管または金属ワイヤであることができるが、これに限らない。前記金属部材上に前記グラフェンを形成する方法として、化学気相蒸着法を使用することができる。前記化学気相蒸着法を利用してグラフェンを形成する非制限的な具体例として、金属ワイヤを触媒基板としてキャリアガスと共に炭素ソース及び熱を提供して反応させた後、前記金属ワイヤを冷却してこれの表面上にグラフェンを形成することができる。ここで、前記金属ワイヤは、Ni、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Mo、Rh、Si、Ta、Ti、W、U、V、Zr、黄銅brass、青銅bronze、白銅、ステンレススチールstainlesssteel及びGeからなるグループから選択された一つ以上の金属または合金を含むことができるが、これに限らない。このように、グラフェン-金属の複合体をコア伝導体として含む同軸ケーブルは、単純にグラフェンのみでコア伝導体を形成する場合に比べて、電気伝導度が向上されることができ、これは、前記言及した図8のグラフを通じて確認することができる。図9は、金属部材上にグラフェンを直接形成するためのグラフェンロールツーロールコーティング装置の概念図である。前記のようなコーティング装置を使用すると、常圧または低圧基盤の化学気相蒸着を連続的に行い、金属部材の表面に良質のグラフェンを大量及び低費用でコーティングすることができる。前記グラフェンロールツーロールコーティング装置を使用して金属部材上にグラフェンを形成する場合、前記金属部材は、帯状bandまたは線状lineのものを使用することができるが、これに限らない。前記ロールツーロールコーティング装置は、金属線または金属帯をロールツーロール方式で供給するための第1ローラー250、前記第1ローラーを通じて供給された金属部材の表面処理のための前処理部400、前記前処理された金属部材の表面にグラフェンを合成と同時にコーティングするためのグラフェン合成部500、及び前記グラフェン合成部を通過したグラフェンがコーティングされた金属部材をロールツーロール方式で回収するための第2ローラー300を含むことができる。また、前記ロールツーロールコーティング装置は、金属線が巻かれているローラーの駆動方向と関係なくガスを安定して供給することができるガス導入部を具備するローラーを含むことができる。前記グラフェンの合成とコーティングとは、グラフェン合成部内のガスノズル510を通じて炭素ソースを含む反応ガスが注入され、前記グラフェン合成部で前記金属線または前記金属帯の表面に化学気相蒸着法によってグラフェンが合成されてコーティングされることができる。必要な場合、前記金属部材が高温で変形が激しいという問題点を補完するために、前記ロールツーロール装置を垂直または水平に配置して、反り現象及び熱の勾配を安定して維持することができる。このような方法によって製造されたコア伝導体を含む同軸ケーブルは、前記言及したグラフェン電線と同一の電気的特性を有する。即ち、前記同軸ケーブルは、耐化学/耐腐食の特性が卓越であり、電気抵抗が改善され、高周波信号の伝達特性が優れているだけでなく、発熱特性が向上されることができる。以下、実施例を利用して本願に対して具体的に説明するが、本願はこれに限らない。[実施例1]1.ニッケルNi薄膜上に大面的グラフェンの成長シリコーン基板上にSiO2絶縁層を形成し、前記絶縁層上にニッケル薄膜を蒸着した。フォトレジストを利用したリソグラフィ工程を通じて前記ニッケル薄膜を複数の線状パターンに形成し、線状パターンの線幅が1、2、3、4、5mmである場合をそれぞれ製造した。次に、前記ニッケル薄膜が形成された基板を反応チャンバ内に導入し、180mTorrで10sccmH2を流しながら前記基板を1,000°Cに加熱した。前記基板の温度が1,000°Cに到逹した後、前記水素の流れ及び圧力を維持しながら30分間アニーリングした。次に、炭素ソースを含むガス混合物CH4H2=3010sccmを1.6Torrで15分間供給し、グラフェンを前記線状パターンのニッケル薄膜上に成長させた後、180mTorr圧力下でH2を流しながら短時間に~10°C/sの速度で室温に冷却することで、前記線状パターンのニッケル薄膜上に成長した線状パターンのグラフェンを収得した。2.グラフェンファイバーの製造上記の工程によって製造された線状パターンのグラフェンが形成された基板を0.5MFeCl3水溶液及びエチルアルコールが11の体積で混合されたエッチング溶液内に含浸させ、前記ニッケル薄膜を選択的に除去することで、複数の線状グラフェンを前記エッチング溶液中に分散させた。以後、ピンセットを使用して線状グラフェンの一部領域を取り、これを前記エッチング溶液の外部に引き出すことでグラフェンファイバーを製造した。図4を参照すると、本実施例によって製造されたファイバー状のグラフェン電線の電子顕微鏡写真を確認することができる。以上、実施例を挙げて本願を詳しく説明したが、本願は、前記実施例に限らず、様々な多様な形態で変形されることができ、本願の技術的思想内で当分野で通常の知識を持った者によって様々な多くの変形が可能であることが明らかである。"