"シリコン基板と、前記シリコン基板の主面上に設けられ窒化物半導体層を含む下側歪緩和層と、前記下側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含む中間層と、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体層を含む上側歪緩和層と、前記上側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含む機能層と、を備え、前記中間層は、前記下側歪緩和層の上に設けられ前記下側歪緩和層の前記窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第1下側層と、前記第1下側層の上に設けられ前記第1下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む第1ドープ層と、前記第1ドープ層の上に設けられ前記第1ドープ層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上であり前記第1下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第1上側層と、を含む窒化物半導体ウェーハ。前記第1ドープ層の組成比は、前記第1下側層の組成と異なり前記第1上側層の組成比とも異なり、前記第1ドープ層の前記格子定数は、前記第1下側層の前記格子定数よりも大きく前記第1上側層の格子定数よりも小さい請求項1記載の窒化物半導体ウェーハ。前記不純物は、シリコンSi、マグネシウムMg、マンガンMn、鉄Fe、酸素O及びカーボンCの少なくともいずれかを含む請求項1または2に記載の窒化物半導体ウェーハ。前記中間層は、前記第1上側層の上に設けられ前記第1上側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む第2下側層と、前記第2下側層の上に設けられ前記第2下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む第2ドープ層と、前記第2ドープ層の上に設けられ前記第2ドープ層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上であり前記第2下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第2上側層と、をさらに含む請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化物半導体ウェーハ。前記中間層は、前記第1上側層と前記第2下側層との間に設けられ前記第2下側層の前記窒化物半導体の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む第2歪緩和層をさらに含む請求項4記載の窒化物半導体ウェーハ。前記第1下側層は、Alxa1Ga1-xaN0<xa1≦1を含み、前記第1ドープ層は、Alxb1Ga1-xb1N0<xb1<xa1を含み、前記第1上側層は、Alxc1Ga1-xc1N0≦xc1<xb1を含む請求項1~5のいずれか1つに記載の窒化物半導体ウェーハ。シリコン基板の主面上に形成され窒化物半導体を含む中間層と、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体層を含む上側歪緩和層と、前記上側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含む機能層と、を備え、前記中間層は、前記主面上に形成され窒化物半導体を含む第1下側層と、前記第1下側層の上に設けられ前記第1下側層の前記窒化物半導体の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む第1ドープ層と、前記第1ドープ層の上に設けられ前記第1ドープ層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上であり前記第1下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第1上側層と、を含む窒化物半導体装置。前記機能層は、前記上側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含み第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられ窒化物半導体を含み第1導電形とは異なる第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、を含む請求項7記載の窒化物半導体装置。シリコン基板の主面上に窒化物半導体を含む下側歪緩和層を形成し、前記下側歪緩和層の上に前記下側歪緩和層の前記窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第1下側層を形成し、前記第1下側層の上に前記第1下側層の窒化物半導体の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む第1ドープ層を形成し、前記第1ドープ層の上に前記第1ドープ層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上であり前記第1下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む第1上側層を形成して、中間を形成し、前記中間層の上に窒化物半導体層を含む上側歪緩和層を形成し、前記上側歪緩和層の上に窒化物半導体を含む機能層を形成する窒化物半導体結晶の成長方法。本発明の実施形態は、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。本発明の実施形態によれば、シリコン基板と、下側歪緩和層と、中間層と、上側歪緩和層と、機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。前記下側歪緩和層は、前記シリコン基板の主面上に設けられ窒化物半導体層を含む。前記中間層は、前記下側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記上側歪緩和層は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体層を含む。前記機能層は、前記上側歪緩和層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。前記第1下側層は、前記下側歪緩和層の上に設けられ、前記下側歪緩和層の前記窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。前記第1ドープ層は、前記第1下側層の上に設けられる。前記第1ドープ層は、前記第1下側層の前記窒化物半導体の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む。前記第1上側層は、前記第1ドープ層の上に設けられる。前記第1上側層は、前記第1ドープ層の前記窒化物半導体の前記格子定数以上であり前記第1下側層の前記窒化物半導体の前記格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施の形態第1の実施形態は、窒化物半導体ウェーハに係る。窒化物半導体ウェーハには、例えば、半導体装置の少なくとも一部、または、半導体装置の少なくとも一部となる部分が設けられる。この半導体装置は、例えば、半導体発光素子、半導体受光素子、及び、電子デバイスなどを含む。半導体発光素子は、例えば、発光ダイオードLED及びレーザダイオードLDなどを含む。半導体受光素子は、フォトダイオードPDなどを含む。電子デバイスは、例えば、高電子移動度トランジスタHEMT、ヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT、電界トランジスタFET及びショットキーバリアダイオードSBDなどを含む。図1は、第1の実施形態に係る窒化物半導体ウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図1に表したように、本実施形態に係る窒化物半導体ウェーハ110は、シリコン基板50と、下側歪緩和層51と、中間層55と、上側歪緩和層52と、機能層40と、を含む。シリコン基板50は、主面50aを有している。シリコン基板50は、例えばSi111基板である。ただし、実施形態はこれに限らず、シリコン基板50の面方位は、任意である。下側歪緩和層51は、シリコン基板50の主面50aの上に設けられる。下側歪緩和層51は、窒化物半導体を含む。下側歪緩和層51には、例えば、AlNが用いられる。さらに具体的には、下側歪緩和層51には、低温成長のAlN層が用いられる。下側歪緩和層51は、シリコン基板50の主面50aに設けられる核形成層としての機能を有することができる。下側歪緩和層51の厚さは、例えば、10ナノメートルnm以上200nm以下である。中間層55は、下側歪緩和層51の上に設けられる。中間層55は、窒化物半導体を含む。上側歪緩和層52は、中間層55の上に設けられる。上側歪緩和層52は、窒化物半導体層を含む。上側歪緩和層52には、例えば、Alz0Ga1-z0N0<z0≦1が用いられる。上側歪緩和層52には、例えばAlNまたは、AlGaNが用いられる。機能層40は、上側歪緩和層51の上に設けられる。機能層40は、窒化物半導体を含む。機能層40は、例えば、半導体発光素子の発光機能を有する層を含む。機能層40は、例えば、半導体受光素子の受光機能を有する層を含む。機能層40は、例えば、電子デバイスの整流、スイッチング及び増幅の少なくともいずれかの機能を有する層を含む。機能層40の構成の例については後述する。中間層55は、第1下側層LA1、第1ドープ層LB1及び第1上側層LC1を含む。第1下側層LA1は、下側歪緩和層51の上に設けられる。第1下側層LA1は、窒化物半導体を含む。第1下側層LA1に含まれる窒化物半導体は、下側歪緩和層51の窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する。本願明細書において、格子定数は、a軸方向の格子定数であるものとする。第1ドープ層LB1は、第1下側層LA1の上に設けられる。第1ドープ層LB1は、窒化物半導体を含む。第1ドープ層LB1に含まれる窒化物半導体は、第1下側層LA1の格子定数以上の格子定数を有する。第1ドープ層LB1は、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する。第1上側層LC1は、第1ドープ層LB1の上に設けられる。第1上側層LC1は窒化物半導体を含む。第1上側層LC1に含まれる窒化物半導体は、第1ドープ層LB1の窒化物半導体の格子定数以上であり第1下側層LA1の窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する。中間層55は、第1積層膜SL1を有する。第1積層膜SL1は、上記の第1下側層LA1、第1ドープ層LB1及び第1上側層LC1を含む。ただし、後述するように、中間層55は、複数の積層膜の構成を有していても良い。ここで、第1下側層LA1から第1上側層LC1に向かう方向を積層方向Z軸方向とする。積層方向は、シリコン基板50から機能層40に向かう方向に対して平行である。第1積層膜SL1において、積層方向に向かって第1下側層LA1から第1上側層LC1に向かう方向において、格子定数が大きくなる。第1下側層LA1の格子定数をa1とし、第1ドープ層LB1の格子定数をb1とし、第1上側層LC1の格子定数をc1とすると、a1<c1であり。そして、a1<b1<c1、または、a1≦b1<c1、または、a1<b1≦c1である。例えば、第1下側層LA1は、Alxa1Inya1Ga1-xa1-ya1N0≦xa1<1、0≦ya1<1、xa1ya≦1を含む。第1ドープ層LB1は、Alxb1Inyb1Ga1-xb1-yb1N0≦xb1<1、0≦yb1<1、xb1yb1≦1を含む。第1上側層LC1は、Alxc1Inyc1Ga1-xc1-yc1N0≦xc1<1、0≦yc1<1、xc1yc1≦1を含む。例えば、第1下側層LA1は、Alxa1Ga1-xaN0<xa1≦1を含む。第1ドープ層LB1は、Alxb1Ga1-xb1N0<xb1<xa1を含む。第1上側層LC1は、Alxc1Ga1-xc1N0≦xc1<xb1を含む。例えば、第1ドープ層LB1の組成比は、第1下側層LA1の組成と異なり、第1上側層LC1の組成比とも異なる。第1ドープ層LB1の格子定数は、第1下側層LA1の格子定数よりも大きく、第1上側層LC1の格子定数よりも小さい。第1下側層LA1には、例えば、Al0.5Ga0.5N層が用いられる。第1ドープ層LB1には、例えばAl0.2Ga0.8N層が用いられる。第1上側層LC1には、例えば、GaN層が用いられる。第1下側層LA1の厚さは、例えば100nm以上500nm以下である。第1ドープ層LB1の厚さは、例えば、20nm以上150nm以下である。第1上側層LC1の厚さは、100nm以上500nm以下である。第1ドープ層LB1が含有する不純物は、例えば、シリコンSi及びマグネシウムMgの少なくともいずれかを含む。さらに、不純物は、例えば、Si、Mg、マンガンMn、鉄Fe、酸素O及びカーボンCの少なくともいずれかを含むこともできる。このように、本実施形態に係る窒化物半導体ウェーハ110においては、中間層55が積層膜例えば第1積層膜SL1を有しており、第1積層膜SL1においては、積層方向に沿って格子定数が大きくなる。これにより、第1積層膜SL1において圧縮歪が印加される。これにより、クラックが抑制される。第1積層膜SL1においては、積層方向に向かって、圧縮歪みが大きくなる。さらに、第1積層膜SL1において、格子定数が小さい第1下側層LA1と、格子定数が大きい第1上側層LC1と、の間に、不純物がドープされた第1ドープ層LB1が配置される。これにより、転位が減少する。実施形態によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハが提供できる。すなわち、転位密度とクラック密度とが同時に低減される。図2は、第1の実施形態に係る窒化物半導体ウェーハの一部の構成を例示する模式的断面図である。図2は、窒化物半導体ウェーハ110が、半導体発光素子に応用される場合における機能層40の構成を例示している。図2に表したように、この例では、機能層40は、第1半導体層10と、第2半導体層20と、発光部30と、を含む。第1半導体層10は、上側歪緩和層52の上に設けられる。第1半導体層10は、窒化物半導体を含み、第1導電形である。第2半導体層20は、第1半導体層10の上に設けられる。第2半導体層20は、窒化物半導体を含み、第1導電形とは異なる第2導電形である。例えば、第1導電形はn形であり、第2導電形はp形である。第1導電形がp形で、第1導電形がn形でも良い。発光部30は、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられる。発光部30は、複数の障壁層31と、複数の障壁層31の間に設けられた井戸層32と、を含む。井戸層32の数は、1つでも良く、複数でも良い。すなわち、発光部30は、SQWSingleQuantumWell構造、または、MQWMultiQuantumWell構造を有することができる。障壁層31のバンドギャップエネルギーは、井戸層32のバンドギャップエネルギーよりも大きい。井戸層32には、例えば、InGaNが用いられる。障壁層31には、GaNが用いられる。障壁層31にInGaNが用いられる場合は、障壁層31におけるIn組成比は、井戸層32におけるIn組成比よりも小さい。発光部30から放出される光のピーク波長は、例えば200nm以上1300nm以下である。本願明細書において、第1層の上に第2層が設けられる状態は、第1層の上に第1層に接して第2層が配置される状態の他に、第1層の上に第3層が挿入され第3層の上に第2層が配置される状態も含む。窒化物半導体ウェーハ110は、例えば、以下のようにして作製される。シリコン基板50の主面50a上に、下側歪緩和層51を形成し、その上に第1下側層LA1を形成し、その上に第1ドープ層LB1を形成し、その上に第1上側層LC1を形成する。さらに、その上に上側歪緩和層52を形成し、その上に機能層40を形成する。具体的には、シリコン基板50の主面50a上に、例えば、MOVPE法を用いて以下の結晶層を形成する。まず、下側歪緩和層51となる低温成長AlN層を形成する。下側歪緩和層51の形成温度は、例えば、900°C以下である。下側歪緩和層51の形成温度は、例えば約700°Cである。下側歪緩和層51の厚さは、例えば30nmである。さらに、その上に、第1下側層LA1となるAl0.5Ga0.5N層を形成する。第1下側層LA1の形成温度は、例えば1100°Cである。第1下側層LA1の厚さは、例えば、約300nmである。さらに、その上に、第1ドープ層LB1となるAl0.2Ga0.2N層を形成する。第1ドープ層LB1の形成温度は、例えば、約1100°Cである。第1ドープ層LB1には、例えば、高濃度でMgがドーピングされる。第1ドープ層LB1におけるMgの濃度は、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満である。さらに、その上に、第1上側層LC1となるGaN層を形成する。第1上側層LC1の形成温度は、例えば1120°Cである。第1上側層LC1の厚さは、例えば600nmである。さらに、この上に、上側歪緩和層52となる低温成長AlN層を形成する。上側歪緩和層52には、低温成長のAlGaN層を用いても良い。上側歪緩和層52の形成温度は、例えば、900°C以下である。上側歪緩和層52の形成温度は、例えば約700°Cである。上側歪緩和層52の厚さは、例えば、15nmである。さらに、上側歪緩和層52の上に、第1半導体層10となるn形GaN層を形成する。第1半導体層10の形成温度は、例えば1100°Cである。第1半導体層10には、例えばSiがドープされる。第1半導体層10の厚さは、例えば、2マイクロメートルμmである。さらに、この上に、井戸層32となるIn0.15Ga0.85N層と、障壁層31となるGaN層と、を例えば750°Cで積層して、発光部30を形成する。さらにこの上に、第2半導体層20となるp形GaN層を形成する。第2半導体層20には、Mgがドーピングされる。第2半導体層20の形成温度は、例えば950°Cである。これにより、本実施形態に係る窒化物半導体ウェーハ110が形成される。さらに、この後、p側電極及びn側電極を形成した後、個別の素子に分断することで半導体発光素子が形成される。本実施形態に係る窒化物半導体ウェーハにおいては、中間層55の積層膜例えば第1積層膜SL1において、積層方向に沿って格子定数が大きくなるため、第1積層膜SL1において圧縮歪が印加される。これにより、クラックが抑制される。また、ウェーハの反りが軽減される。さらに、第1積層膜SL1において第1ドープ層LB1が配置されることにより、3次元的に結晶が成長することで、転位が減少する。例えば、第1積層膜SL1に第1ドープ層LB1が設けられることで、第1ドープ層LB1及びその上に形成される第1上側層LC1の表面に凹凸が大きくなり、再び平坦化する際に転位が減少する。実施形態によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハが提供できる。すなわち、転位密度とクラック密度とが同時に低減される。窒化物半導体装置を形成するための基板として、サファイア基板が多く用いられている。また、シリコンカーバイト基板、または、シリコン基板を用いることも検討されている。シリコン基板においては、サファイア基板及びシリコンカーバイト基板に比べて、切断または切削可能が容易である。また、シリコン基板は、低コスト化が容易である。また、シリコン基板は導電性を有することができ、シリコン基板を電流通路として使用することができる。しかし、シリコン基板と窒化物半導体との間の格子定数の差が大きいため、シリコン基板上に窒化物半導体を形成すると、サファイア基板上に形成したときよりも、転移密度が高くなり易い。また、シリコン基板と窒化物半導体との熱膨張係数差が大きいため、クラックが発生し易い。一方、シリコン基板の上に不純物を含む第1の層と、不純物を含まない第2の層と、を交互に積層する構成第1参考例がある。この構成においては、第2の層の組成は、第1の層の組成と同じである。この場合、第1の層と第2の層とにおいて、組成が同じであるため、これらの層における格子定数も同じである。このため、これらの層により、圧縮応力が発生することはない。このような第1参考例においては、シリコン基板と窒化物半導体層との間において、大きな熱膨張係数差に起因して、成長温度から室温に降温する際、窒化物半導体層にクラックが発生し易い。一方、シリコン基板上に、核形成層、Al組成傾斜層、第1窒化物半導体層及び歪緩和中間層及び第2窒化物半導体層をこの順で積層し、第1窒化物半導体層と歪緩和中間層との間にSiN層またはMgN層を配置する構成第2参考例がある。この構成により、マスク効果により第2窒化物半導体層の転位を低減することを試みている。しかしながら、本願発明者の実験によると、中間層55の第1ドープ層LB1として、SiまたはMgを一定以上の高い濃度でドープすると、SiNまたはMgNが形成され易い。SiN層またはMgN層が形成されると、転位を十分に低減することが困難である。第1ドープ層LB1においてIII族窒化物半導体結晶のIII族元素の位置を不純物が置換して格子位置に入ることにより、結晶状態が維持され、結晶内に不連続な部分が発生しない。結晶内に連続しない部分が発生すると、そこから新たな転位欠陥が発生する可能性がある。SiおよびMgなどの不純物濃度が高いときには、不純物が格子位置に入らずに格子間位置に現れ、不純物が窒素原子と直接結合を形成し、Si-NまたはMg-Nなどの異物が結晶内に発生する可能性がある。不純物濃度を1×1021cm-3未満にすることで、結晶内に異物が発生することが抑制できる。本実施形態においては、第1ドープ層LB1における不純物濃度は、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満である。第1ドープ層LB1においては、ドープした不純物元素例えば、Si、Mg、Mn、Fe、O及びCの少なくともいずれかは、第1ドープ層LB1の窒化物半導体の格子位置に配置される。不純物元素は、格子位置に入る元素を置換する程度に導入される。例えば、導入された不純物により、SiNまたはMgNなどの化合物は形成されない。ドープされた不純物により、第1ドープ層LB1及びその上に形成される第1上側層LC1において、3次元的に結晶が成長し、表面の凹凸が大きくなる。これにより、転位刃状転位:edgedislocation、及び、螺旋転位:screwdislocationの密度が減少する。図3a~図3dは、窒化物半導体ウェーハの一部の構成を例示する原子力間顕微鏡写真像である。これらの図は、本願発明者が行った実験結果の例を示している。図3a~図3dは、それぞれ、第1~第4試料S01~S04に対応する。第1試料S01は、第1ドープ層LB1を形成しない試料である。第2試料S02は、第1ドープ層LB1の形成の際に、Siを8.9×10-3μモル/分で導入した試料に相当する。第2試料S02におけるSiの濃度は、4×1019cm-3に相当する。第3試料S03は、第1ドープ層LB1の形成の際に、Siを8.9×10-2μモル/分で導入した試料に相当する。第3試料S03におけるSiの濃度は、4×1020cm-3に相当する。第4試料S04は、第1ドープ層LB1の形成の際に、Mgを5.8×10-1μモル/分で導入した試料に相当する。第4試料S04におけるMgの濃度は、5×1018cm-3に相当する。図3a~図3dは、第1~第4試料S01~S04において、第1上側層LC1この例ではGaN層の上面を原子力間顕微鏡AFMで観察した層を例示している。図3aに表したように、第1ドープ層LB1を設けない第1試料S01においては、表面は平坦である。表面粗さRa算術平均粗さは、0.34nmである。図3bに表したように、第2試料S02においては、第1上側層LC1この例ではGaN層において、表面に凹凸が形成される。すなわち、GaN層が島状に形成される。第2試料S02における表面粗さRaは、3.77nmである。図3cに表したように、Si濃度が高い第3試料S02においては、GaN層の島状形成がさらに促進される。第3試料S03における表面粗さRaは、38.7nmである。このように、第1ドープ層LB1における不純物濃度を高めることで、GaN層の島状成長が促進され、GaN層の表面凹凸の高さが、著しく増大する。図3dに表したように、Mgをドープした第4試料S04においても、GaN層が島状に形成され、GaN層の表面に凹凸が形成される。第4試料S04における表面粗さRaは、13.2nmである。このように、不純物をドープした第1ドープ層LB1を設けることで、その上に形成する第1上側層LC1の表面に凹凸が形成され、3次元的な島状の結晶が得られる。表面に凹凸が形成されることにより、形成された転位は、横方向Z軸方向に対して垂直な成分を有する方向に沿って進み、例えば他の転位と繋がる。これにより、Z軸方向に進んで延びる転位の密度が減少する。第1ドープ層LB1にドープする不純物の種類により、第1ドープ層LB1上の第1上側層LC1の凹凸に及ぼす影響が異なる。また、凹凸の大きさは、成長条件によっても影響を受ける。しかし、転位密度の低減効果をもたらす不純物濃度は、おおむね、1×1018cm-3以上、1×1021cm-3未満の範囲である。図4a及び図4bは、窒化物半導体ウェーハの特性を例示するグラフ図である。これらの図は、第1ドープ層LB1にドープする不純物としてSiを用いた時のSiの濃度と転位密度との関係を示している。また、図4a及び図4bには、第1ドープ層LB1を設けない参考例の半導体発光素子190の特性も示している。図4aの縦軸は、刃状転位密度EDDである。図4bの縦軸は、螺旋転位密度SDDである。これらの図の横軸は、第1ドープ層LB1における不純物濃度CSiである。図4aに表したように、第1ドープ層LB1を設けない半導体発光素子190においては、刃状転位密度EDDは、約1.3×1010cm-2と高い。これに対して、Siをドープした第1ドープ層LB1を設けた場合この例では不純物濃度CSiは4×1019/cm3~4×1020/cm3は、刃状転位密度EDDは、約1.3×109cm-2~約4.1×109cm-2と著しく減少している。一方、図4bに表したように、第1ドープ層LB1を設けない半導体発光素子190においては、螺旋転位密度SDDは、約3.3×108cm-2と大きい。これに対して、Siをドープした第1ドープ層LB1を設けた場合は、螺旋転位密度SDDは、約1.5×108cm-2~約2.1×108cm-2と著しく減少している。図5a及び図5bは、窒化物半導体ウェーハの特性を例示するグラフ図である。これらの図は、第1ドープ層LB1にドープする不純物としてMgを用いた時のMgの濃度と転位密度との関係を示している。図5aの縦軸は、刃状転位密度EDDである。図5bの縦軸は、螺旋転位密度SDDである。これらの図の横軸は、第1ドープ層LB1における不純物濃度CMgである。図5aに表したように、半導体発光素子190の刃状転位密度EDDが約1.3×1010cm-2であるのに対して、Mgをドープした第1ドープ層LB1を設けた場合この例では不純物濃度CMgは1.4×1018/cm3~2.8×1018/cm3は、刃状転位密度EDDは、約4.2×109cm-2~約6.8×109cm-2と著しく減少している。図5bに表したように、半導体発光素子190の螺旋転位密度SDDが約3.3×108cm-2であるのに対して、Mgをドープした第1ドープ層LB1を設けた場合は、螺旋転位密度SDDは、約2.1×108cm-2と著しく減少している。実施形態においては、第1ドープ層LB1の形成においては、Si及びMgなどの元素を不純物として第1ドープ層LB1に導入するために、窒化物半導体の原料となるガスと共に、Si及びMgなどの不純物の原料ガスを反応容器中に導入する。例えば、第1ドープ層LB1となるAlGaN層例えば、Alxb1Inyb1Ga1-xb1-yb1N層となるIII族原料ガス及びV族原料ガスと共に、不純物となる原料ガスを導入する。これにより、不純物元素は、窒化物半導体に不純物として取り込まれる。一方、例えば、Gaを含むガスを導入せず、例えば、窒素を含むガスと、不純物元素を含む原料ガスと、を導入した場合は、不純物元素は、SiNまたはMgNなどの化合物を形成する。図6a及び図6bは、第1の実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図6aに表したように、本実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハ111においては、中間層55は、第2下側層LA2と、第2ドープ層LB2と、第2上側層LC2と、をさらに含む。第2下側層LA2は、第1上側層LC1の上に設けられる。第2下側層は、第1上側層LC1の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第2ドープ層LB2は、第2下側層LA2の上に設けられる。第2ドープ層LB2は、窒化物半導体を含む。第2ドープ層LB2に含まれる窒化物半導体は、第2下側層LA2の格子定数以上の格子定数を有する。第2ドープ層LB2に含まれる窒化物半導体は、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する。第2上側層LC2は、第2ドープ層LB2の上に設けられる。第2上側層LC2は、窒化物半導体を含む。第2上側層LC2に含まれる窒化物半導体層は、第2ドープ層LB2の窒化物半導体の格子定数以上であり第2下側層LA2の窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する。このように、中間層55は、第1積層膜SL1と上側歪緩和層52との間に設けられた第2積層膜SL2をさらに含む。第2積層膜SL2は、第2下側層LA2、第2ドープ層LB2及び第2上側層LC2を含む。この例では、中間層55は、第2歪緩和層LD2をさらに含む。すなわち、第2積層膜SL2は、第2歪緩和層LD2をさらに含む。第2歪緩和層LD2は、第1上側層LC1と第2下側層LA2との間に設けられる。第2歪緩和層LD2は、第2下側層LA2の窒化物半導体の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第2歪緩和層LD2には、Alz2Ga1-z2N0<z2≦1が用いられる。第2歪緩和層LD2には、例えば、AlN層が用いられる。例えば、第2歪緩和層LD2がAlGaNを含む場合は、Alの組成比は、第2下側層LA2におけるAlの組成比よりも高い。第2歪緩和層LD2は、第2下側層LA2のうちの最もシリコン基板50側の部分と見なしても良い。例えば、第2下側層LA2は、Alxa2Inya2Ga1-xa2-ya2N0≦xa2<1、0≦ya2<1、xa2ya2≦1を含む。第2ドープ層LB2は、Alxb2Inyb2Ga1-xb2-yb2N0≦xb2<1、0≦yb2<1、xb2yb2≦1を含む。第2上側層LC2は、Alxc2Inyc2Ga1-xc2-yc2N0≦xc2<1、0≦yc2<1、xc2yc2≦1を含む。例えば、第2下側層LA2は、Alxa2Ga1-x2N0<xa2≦1を含む。第2ドープ層LB2は、Alxb2Ga1-xb2N0<xb2<xa2を含む。第2上側層LC2は、Alxc2Ga1-xc2N0≦xc2<xb2を含む。窒化物半導体ウェーハ111においては、第1積層膜SL1において、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。第1積層膜SL1のうちでは、最も上の第1上側層LC1において、印加される応力は大きい。さらに、第1積層膜SL1のうちで最も上の第1上側層LC1の上に、第2下側層LA2または、第2歪緩和層LD2が設けられる。第2下側層LA2または、第2歪緩和層LD2においては、応力が一旦解放され、歪が緩和されている。そして、第2積層膜SL2において、再び、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。このように、複数の積層膜のそれぞれにおいて、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。これにより、クラックの発生が抑制される。そして、第2積層膜SL2中に第2ドープ層LB2が設けられ、これにより、転位密度が低減される。図6bに表したように、本実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハ112においては、中間層55は、第3積層膜SL3第3下側層LA3、第3ドープ層LB3及び第3上側層LC3をさらに含む。この場合も、中間層55第3積層膜SL3は、第3歪緩和層LD2をさらに含むことができる。第3歪緩和層LD3は、第2上側層LC2と第3下側層LA3との間に設けられる。第3歪緩和層LD3は、第3下側層LA3の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第3歪緩和層LD3は、第3下側層LA3のうちの最もシリコン基板50側の部分と見なしても良い。図7a及び図7bは、第1の実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図7aに表したように、本実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハ113においては、中間層55は、第4積層膜SL4第4下側層LA4、第4ドープ層LB4及び第4上側層LC4をさらに含む。この場合も、中間層55第4積層膜SL4は、第4歪緩和層LD4をさらに含むことができる。第4歪緩和層LD4は、第3上側層LC3と第4下側層LA4との間に設けられる。第4歪緩和層LD4は、第4下側層LA4の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第4歪緩和層LD4は、第4下側層LA4のうちの最もシリコン基板50側の部分と見なしても良い。このように、中間層55には、複数の積層膜例えば、第1~第4積層膜SL1~SL4などを設けても良い。例えば、図7bに表したように、本実施形態に係る別の窒化物半導体ウェーハ114においては、中間層55は、第1積層膜SL1~第n積層膜SLnnは、2以上の整数であるを含むことができる。第n積層膜SLnは、第n下側層LAnと、第nドープ層LBnと、第n上側層LCnと、を含む。第n下側層LAnは、第n-1上側層LCn-1の上に設けられる。第n下側層は、第n-1上側層LCn-1の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第nドープ層LBnは、第n下側層LAnの上に設けられる。第nドープ層LBnは、第n下側層LAnの格子定数以上の格子定数を有する。第nドープ層LBnは、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む。第n上側層LCnは、第nドープ層LBnの上に設けられる。第n上側層LCnは、第nドープ層LBnの格子定数以上であり第n下側層LAnの格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。このように、中間層55は、第n-1積層膜SLn-1と上側歪緩和層52との間に設けられた第n積層膜SLnをさらに含むことができる。第n積層膜SLnは、第n下側層LAn、第nドープ層LBn及び第n上側層LCnを含む。中間層55第n積層膜SLnは、第n歪緩和層LDnをさらに含むことができる。第n歪緩和層LDnは、第n-1上側層LCn-1と第n下側層LAnとの間に設けられる。第n歪緩和層LDnは、第n下側層LAnの格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第n歪緩和層LDnには、AlznGa1-znN0<zn≦1が用いられる。第n歪緩和層LDnには、AlN層が用いられる。第n歪緩和層LDnがAlGaNを含む場合は、Alの組成比は、例えば、第n下側層LAnにおけるAlの組成比よりも高い。第n歪緩和層LDnは、第n下側層LAnのうちの最もシリコン基板50側の部分と見なしても良い。例えば、第n下側層LAnは、AlxanInyanGa1-xan-yanN0≦xan<1、0<yan≦1、xanyan≦1を含む。第nドープ層LBnは、AlxbnInybnGa1-xbn-ybnN0≦xbn<1、0≦ybn<1、xbnybn≦1を含む。第n上側層LCnは、AlxcnInycnGa1-xcn-ycnN0≦xcn<1、0≦ycn<1、xcnycn≦1を含む。例えば、第n下側層LAnは、AlxanGa1-xnN0<xn1≦1を含む。第nドープ層LBnは、AlxbnGa1-xbnN0<xbn<xanを含む。第n上側層LCnは、AlxcnGa1-xcnN0≦xcn<xbnを含む。窒化物半導体ウェーハ114においては、第n-1積層膜SLn-1において、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。第n-1積層膜SLn-1のうちで最も上の第n-1上側層LCn-1において、印加される応力は大きい。さらに、第n-1積層膜SLn-1のうちで最も上の第n-1上側層LCn-1の上に、第n下側層LAnまたは、第n歪緩和層LDnが設けられる。第n下側層LAnまたは、第n歪緩和層LDnにおいては、応力が一旦解放され、歪が緩和されている。そして、第n積層膜SLnにおいて、再び、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。このように、複数の積層膜のそれぞれにおいて、積層方向に沿って格子定数が増大するように設定される。これにより、クラックの発生が抑制される。そして、第n積層膜SLn中に第nドープ層LBnが設けられ、これにより、転位密度が低減される。図8a及び図8bは、第1の実施形態に係る窒化物半導体結晶の構成を例示するグラフ図である。図8aは、中間層55が5つの積層膜第1~第5積層膜SL1~SL5を有する窒化物半導体ウェーハ115aにおける、不純物濃度プロファイルを示している。この例では、ドープ層の不純物はSiである。図8aの縦軸は、Siの不純物濃度CSiである。図8bは、中間層55が3つの積層膜第1~第3積層膜SL1~SL3を有する窒化物半導体ウェーハ112aにおける、不純物濃度プロファイルを示している。この例では、ドープ層の不純物はMgである。図8bの縦軸は、Mgの不純物濃度CMgである。図8aに表したように、窒化物半導体ウェーハ115aにおいては、中間層55のドープ層第1~第5ドープ層LB1~LB5における不純物濃度CSiは、約6×1019cm-3以上、約9×1019cm-3以下である。図8bに表したように、窒化物半導体ウェーハ112aにおいては、中間層55のドープ層第1~第3ドープ層LB1~LB3における不純物濃度CMgは、約4×1019cm-3以上、約6×1019cm-3以下である。窒化物半導体ウェーハ115a及び112aによれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハが提供できる。第2の実施形態本実施形態は、窒化物半導体結晶の成長方法に係る。本成長方法は、例えば、半導体発光素子、半導体受光素子、及び、電子デバイスなどに用いられる窒化物半導体結晶の成長に適用される。図9は、第2の実施形態に係る窒化物半導体結晶の成長方法を例示するフローチャート図である。図9に表したように、本実施形態に係る窒化物半導体結晶の成長方法においては、シリコン基板50の主面50a上に下側歪緩和層51を形成するステップS110。さらに、中間層55を形成するステップS120。中間層55の形成は、下側歪緩和層51の上に第1下側層LA1を形成しステップS120a1、第1下側層LA1の上に第1ドープ層LB1を形成しステップS120b1、第1ドープ層LB1の上に第1上側層LC1を形成ステップS120c1することを含む。既に説明したように、第1下側層LA1は、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第1ドープ層LB1は、第1下側層LA1の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む。第1上側層LC1は、第1ドープ層LB1の格子定数以上であり第1下側層LA1の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。このように、中間層55の形成は、第1積層膜SL1の形成を含む。さらに、本成長方法においては、中間層55の上に窒化物半導体層を含む上側歪緩和層52を形成するステップS130。さらに、上側歪緩和層52の上に、窒化物半導体を含む機能層40を形成する。本実施形態によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体結晶の成長方法が提供できる。すなわち、転位密度とクラック密度とが同時に低減する成長方法が提供できる。本実施形態においても、第1ドープ層LB1の組成比は、第1下側層LA1の組成と異なり第1上側層LC1の組成比とも異なることができる。すなわち、第1ドープ層LB1の格子定数は、第1下側層LA1の前記格子定数よりも大きく、第1上側層LC1の格子定数よりも小さい。例えば、第1下側層LA1は、Alxa1Inya1Ga1-xa1-ya1N0≦xa1<1、0≦ya1<1、xa1ya≦1を含む。第1ドープ層LB1は、Alxb1Inyb1Ga1-xb1-yb1N0≦xb1<1、0≦yb1<1、xb1yb1≦1を含む。第1上側層LC1は、Alxc1Inyc1Ga1-xc1-yc1N0≦xc1<1、0≦yc1<1、xc1yc1≦1を含む。例えば、第1下側層LA1は、Alxa1Ga1-xaN0<xa1≦1を含む。第1ドープ層LB1は、Alxb1Ga1-xb1N0<xb1<xa1を含む。第1上側層LC1は、Alxc1Ga1-xc1N0≦xc1<xb1を含む。下側歪緩和層51は、例えば、AlNである。上側歪緩和層は、例えば、Alz0Ga1-z0N0<z0≦1である。第1ドープ層LB1に含まれる不純物は、例えば、Si、Mg、Mn、Fe、O及びCの少なくともいずれかである。第1ドープ層LB1の厚さは、20nm以上150nm以下である。中間層55の形成は、複数の積層膜の形成を含んでも良い。図10は、第2の実施形態に係る窒化物半導体結晶の成長方法を例示するフローチャート図である。図10に表したように、中間層55の形成ステップS120は、第1上側層LC1の上に第2下側層LA2を形成しステップS120a2、第2下側層LA2の上に第2ドープ層LB2を形成しステップS120b2、第2ドープ層LB2の上に第2上側層LC2を形成するステップS120c2ことをさらに含む。既に説明したように、第2下側層LA2は、第1上側層LC1の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第2ドープ層LB2は、第2下側層LA2の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む。第2上側層LC2は、第2ドープ層LB2の格子定数以上であり第2下側層LA2の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。図10に表したように、中間層55の形成は、第1上側層LC1と第2下側層LA2との間に設けられる第2歪緩和層LD2をさらに形成するステップS120d2ことをさらに含むことができる。第2歪緩和層LD2は、第2下側層LA2の格子定数よりも小さい格子定数を有する窒化物半導体を含む。第2歪緩和層LD2として、例えば、Alz2Ga1-z2N0<z2≦1を形成する。第2下側層LA2は、Alxa2Inya2Ga1-xa2-ya2N0≦xa2<1、0≦ya2<1、xa2ya2≦1を含む。第2ドープ層LB2は、Alxb2Inyb2Ga1-xb2-yb2N0≦xb2<1、0≦yb2<1、xb2yb2≦1を含む。第2上側層LC2は、Alxc2Inyc2Ga1-xc2-yc2N0≦xc2<1、0≦yc2<1、xc2yc2≦1を含む。例えば、第2下側層LA2は、Alxa2Ga1-x2N0<xa2≦1を含む。第2ドープ層LB2は、Alxb2Ga1-xb2N0<xb2<xa2を含む。第2上側層LC2は、Alxc2Ga1-xc2N0≦xc2<xb2を含む。このように、本実施形態に係る成長方法においては、中間層55の形成は、複数の積層膜を積層して形成することを含む。第3の実施の形態第3の実施形態は、窒化物半導体装置に係る。実施形態に係る窒化物半導体装置は、例えば、半導体発光素子、半導体受光素子、及び、電子デバイスなどを含む。実施形態に係る窒化物半導体装置は、第1の実施形態に係るウェーハを基に製造されることができる。図11は、第3の実施形態に係る窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図11に表したように、本実施形態に係る窒化物半導体装置210は、シリコン基板50の主面50a上に形成され窒化物半導体を含む中間層55と、中間層55の上に設けられ窒化物半導体層を含む上側歪緩和層52と、上側歪緩和層52の上に設けられ窒化物半導体を含む機能層40と、を備える。中間層55は、第1下側層LA1と、第1ドープ層LB1と、第1上側層LC1と、を含む。第1下側層LA1は、シリコン基板50の主面50a上に形成され、窒化物半導体を含む。第1ドープ層LB1は、第1下側層LA1の上に設けられる。第1ドープ層LB1は、第1下側層LB1の窒化物半導体の格子定数以上の格子定数を有し、1×1018cm-3以上1×1021cm-3未満の濃度で不純物を含有する窒化物半導体を含む。第1上側層LC1は、第1ドープ層LB1の上に設けられる。第1上側層LC1は、第1ドープ層LB1の窒化物半導体の格子定数以上であり第1下側層LA1の窒化物半導体の格子定数よりも大きい格子定数を有する窒化物半導体を含む。この例では、窒化物半導体装置210は、下側歪緩和層51をさらに含んでいる。下側歪緩和層51は、シリコン基板50と第1下側層LA1との間に設けられる。下側歪緩和層51の格子定数は、第1下側層LA1の格子定数よりも小さい。この例では、窒化物半導体装置210は、シリコン基板50をさらに含む。ただし、実施形態はこれに限らない。シリコン基板50の上に中間層55、上側歪緩和層52及び機能層40が形成された後に、シリコン基板50が除去されても良い。このとき、例えば、下側歪緩和層51の少なくとも一部が除去されても良い。この例では、機能層40は、上側歪緩和層52の上に設けられ窒化物半導体を含み第1導電形例えばn形の第1半導体層10と、第1半導体層10の上に設けられ窒化物半導体を含み第1導電形とは異なる第2導電形例えばp形の第2半導体層20と、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられた発光部30と、を含む。発光部30は、例えば、複数の障壁層31と、複数の障壁層31の間に設けられた井戸層32と、を含む。窒化物半導体装置210は、半導体発光素子である。さらに具体的には、窒化物半導体装置210は、LEDLightEmittingDiodeである。窒化物半導体装置210においては、第1半導体層10の一部の上に発光部30が設けられ発光部30の上に第2半導体層20が設けられている。第1半導体層10の上に第1電極10eが設けられ、第2半導体層20の上に第2電極20eが設けられている。第1電極10eと第2電極20eとの間に電圧を印加すると、発光部30内において正孔と電子とが再結合して、発光部30から、光が放出される。この光は、発光部30からみて第2半導体層20側の面、または、発光部30からみて第1半導体層10側の面から取り出される。窒化物半導体装置210によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体装置が提供できる。転位密度が低減し、クラックが少なくなることで、例えば発光効率が向上する。さらに、信頼性が向上できる。図12は、第3の実施形態に係る別の窒化物半導体装置の構成を例示する模式的断面図である。図12に表したように、実施形態に係る別の窒化物半導体装置220も、中間層55と、上側歪緩和層52と、機能層40と、を含む。この例では、機能層40は、上側歪緩和層52の上に設けられた第1半導体層71と、第1半導体層71の上に設けられた第2半導体層72と、を含む。第2半導体層72のバンドギャップエネルギーは、第1半導体層71のバンドギャップエネルギーよりも大きい。第1半導体層71は、チャネル層となる。第2半導体層72は、バリア層となる。第2半導体層72は、第1半導体層71とヘテロ接合をしている。中間層55、上側歪緩和層52、第1半導体層71及び第2半導体層72は、この順で、シリコン基板50の主面上にエピタキシャル成長されている。第1半導体層71は、例えば、不純物を含まないアンドープのAlαGa1-αN0≦α≦1を含む。第2半導体層72は、例えばアンドープまたはn形のAlβGa1-βN0≦β≦1、α<βを含む。例えば、第1半導体層71にはアンドープのGaN層が用いられ、第2半導体層72にはアンドープまたはn形のAlGaN層が用いられる。上側歪緩和層52には、例えば、AlN層またはAlGaN層が用いられる。第2半導体層72の上には、ソース電極73とドレイン電極74とが互いに離間して設けられている。ソース電極73及びドレイン電極74のそれぞれは、第2半導体層72の表面にオーミック接触をしている。ソース電極73とドレイン電極74との間における第2半導体層72の上には、ゲート電極75が設けられている。ゲート電極75は、第2半導体層72の表面にショットキー接触をしている。第2半導体層72の格子定数は、第1半導体層71の格子定数よりも小さい。これにより、第2半導体層72に歪みが生じて、ピエゾ効果により第2半導体層72内にピエゾ分極が生じる。これにより、第1半導体層71における第2半導体層72との界面付近に2次元電子ガス71gが形成される。窒化物半導体装置220においては、ゲート電極75に印加するゲート電圧を制御することで、ゲート電極75下の2次元電子ガス71gの濃度が増減し、ソース電極73とドレイン電極74との間に流れる電流が制御される。窒化物半導体装置220は、HEMTHighElectronMobilityTransistorである。窒化物半導体装置220によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体装置が提供できる。転位密度が低減し、クラックが少なくなることで、性能が安定し、さらに、信頼性が向上できる。実施形態において、半導体層の成長には、例えば、有機金属気相堆積MetalOrganicChemicalVaporDepositionMOCVD法、有機金属気相成長MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy:MOVPE法、分子線エピタキシーMolecularBeamEpitaxy:MBE法、及び、ハライド気相エピタキシー法HVPE法などを用いることができる。例えば、MOCVD法またはMOVPE法を用いた場合では、各半導体層の形成の際の原料には、以下を用いることができる。Gaの原料として、例えばTMGaトリメチルガリウム及びTEGaトリエチルガリウムを用いることができる。Inの原料として、例えば、TMInトリメチルインジウム及びTEInトリエチルインジウムなどを用いることができる。Alの原料として、例えば、TMAlトリメチルアルミニウムなどを用いることができる。Nの原料として、例えば、NH3アンモニア、MMHyモノメチルヒドラジン及びDMHyジメチルヒドラジンなどを用いることができる。不純物の原料には、例えば、以下を用いることができる。Siの原料ガスとして、例えば、シランSiH4を用いることができる。Mgの原料として、例えば、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用いることができる。Mnの原料として、例えば、トリカルボニルマンガンMMTを用いることができる。Feの原料として、例えば、鉄カルボニルFeCO5、フェロセンCp2Feを用いることができる。酸素Oの原料として、例えば、酸素プラズマを用いることができる。実施形態によれば、シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法が提供される。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。なお、本願明細書において、垂直及び平行は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、窒化物半導体ウェーハまたは窒化物半導体装置に含まれるシリコン基板、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層、機能層、下側層、ドープ層及び上側層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"