スピン波が進行するスピン波導波路に局部的に有効磁場の変化を誘発してスピン波の位相を変化させることを特徴とするスピン波位相制御方法。漂遊電磁場、弾性変形、磁気異方性、他の磁性物質との交換結合、電流及びスピントルクのうちいずれか一つにより前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。前記スピン波導波路に垂直に伸びる磁場印加導線と、磁壁が移動でき、前記磁場印加導線を包みつつ両端が前記スピン波導波路に連結された磁区壁導波路と、を利用して、前記磁場印加導線に電流を流して、前記磁場印加導線の周辺に形成されたエルステッドフィールドにより、前記磁壁を移動させて前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。磁壁が移動でき、前記スピン波導波路に両端を除外した中間部分が連結された磁壁導波路と、前記磁壁導波路の両端のうちいずれか一端に連結された電源部と、を利用して、前記磁壁導波路に電流を流して、前記磁壁を移動させて前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。磁壁が移動でき、前記スピン波導波路に両端を除外した中間部分が連結された磁壁導波路と、前記磁壁導波路の両端のうちいずれか一端に連結された追加のスピン波発生部と、を利用して、前記追加のスピン波発生部でスピン波を発生させて前記磁壁導波路に伝播させることによって、前記磁壁を移動させて前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。前記スピン波導波路を横切って磁壁が移動できる磁壁導波路をさらに備え、前記磁壁を利用してストレイフィールドを発生させ、前記磁壁を移動させて前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。前記スピン波導波路を垂直あるいは水平方向に二股に形成し、前記二股の間に前記スピン波導波路と垂直あるいは一定角をなしつつ水平に伸びる方向に電流が流れる導線を位置させて、エルステッドフィールドを形成することによって前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。前記スピン波導波路の下部から水平に伸びる第1導線と、前記スピン波導波路の上部から水平に伸びる第2導線と、をさらに備え、前記第1及び第2導線に電流を流して、前記スピン波導波路の局部的領域にスピン偏光された電流により発生したトルクの作用により前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。前記スピン波導波路と第1導線との間、または前記スピン波導波路と第2導線との間に圧電体をさらに備え、前記第1及び第2導線に流れる電圧による前記圧電体の弾性変形により前記有効磁場を変化させることを特徴とする請求項1に記載のスピン波位相制御方法。本発明が解決しようとする技術的課題は、スピン波を利用した情報処理素子で要求されるレベル、すなわち、数nmから数百nmサイズの局所的領域に数μmから数μmに至る波長と、数百MHzから数十GHzの周波数帯とを持つ大きい振幅の双極子-交換スピン波を発生させる方法を提供することであり、かつ、スピン波発生と同時にスピン波と同じ周波数の電磁気波を発生させる方法を提供することである。本発明が解決しようとする他の技術的課題は、本発明によるスピン波発生方法を実現するための構成を持つスピン波発生素子を提供することである。本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、本発明によるスピン波発生方法により発生したスピン波を利用して論理演算を行うように構成した情報処理スピン波素子を提供することである。本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、多様な情報処理スピン波素子を具現できるように、スピン波の位相を制御する方法を提供することである。前記技術的課題を達成するための本発明によるスピン波発生方法では、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造がそれぞれ単独あるいは共同で存在する磁性体にエネルギーを供給し、前記エネルギー供給によって前記磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から、あるいは二つの渦巻きが衝突して消えつつ局所的にスピン波を発生させる。本発明によるスピン波発生方法は、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造がそれぞれ単独あるいは共同で存在する磁性体にエネルギーを供給するステップと、前記エネルギー供給によって前記磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から、あるいは二つの渦巻きが衝突して消えつつ局所的にスピン波を発生させると同時に、生成されたスピン波と同じ周波数を持つ電磁気波を発生させるステップと、を含む。前記他の技術的課題を達成するための本発明によるスピン波素子は、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が単独あるいは共同で存在する磁性体からなるスピン波発生部と、前記スピン波発生部にエネルギーを供給するエネルギー供給部と、前記エネルギー供給によって前記磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から発生したスピン波を前記スピン波発生部から伝播させるためのスピン波導波路と、を備える。本発明による素子において、前記磁性体は、前記磁気渦巻き、磁気反渦巻きが単独あるいは共同で存在するようにする形状及び寸法を持っている。前記エネルギー供給部は、磁場、電場、電圧、電流、電磁波、音、熱、磁気弾性エネルギー及びこれらの組み合わせからなる群から選択されたいずれか一つのエネルギーを供給する。前記磁性体及び/あるいはスピン波導波路は、現存するあらゆる磁性体でありうる。その中でも例えば、強磁性体、反強磁性体、フェリ磁性体、合金系磁性体、酸化物系磁性体、CMR系磁性体、ホイスラー合金系磁性体、磁性半導体及びその複合構造からなる群から選択されたいずれか一つである。前記さらに他の技術的課題を達成するための本発明によるスピン波素子は、前記スピン波発生部及びエネルギー供給部で形成されたユニットを複数個備え、前記ユニットの間は、前記スピン波導波路により連結されているが、前記ユニットが前記スピン波の波動因子を信号として利用して論理演算を行うように連結されていることが特徴である。本発明では、ナノサイズのスピン波導波路の局部的領域に磁性物質の固有定数と、導波路の外形的特性を変化させてスピン波導波路を進行させるスピン波の波動因子とを制御する方法と、これを構成して論理演算を行うように構成した情報処理スピン波素子も提供する。本発明はまた、スピン波が進行するスピン波導波路に局部的に有効磁場の変化を引き起こしてスピン波の位相を変化させるスピン波位相制御方法も提供する。ここで、エルステッドフィールド、ストレイフィールド、弾性変形、他の磁性物質との交換結合、電流及びスピントルクのうちいずれか一つにより前記有効磁場を変化させる。本発明によるスピン波発生方法によれば、nmスケールの波長を持って数十GHzの高周波、そして大きい振幅を持つ双極子-交換スピン波を素子内で数十nmサイズの領域に局所的に発生させうる。また、このような方法を利用すれば、超高集積化及び超小型化の可能なスピン波素子を形成できる。このスピン波素子は処理速度が非常に速いという長所を持ち、CMOS基盤の情報処理方法を代替できる。実施例で、前記スピン波発生部及びスピン波導波路を支持する基板をさらに備え、前記エネルギー供給部は、前記スピン波発生部下の前記基板両側に形成された磁場印加導線と、前記磁場印加導線に電流を流して前記スピン波発生部の一部あるいは全体に磁場を加える電源部と、を備える。他の実施例で、前記エネルギー供給部は、レーザー光源と、前記レーザー光源のビームを前記スピン波発生部に集束して熱を加える集束レンズと、を備える。さらに他の実施例で、前記エネルギー供給部は、前記スピン波発生部の下部から水平に伸びる第1導線と、前記第1導線と所定の角度をなして前記スピン波発生部の上部から水平に伸びる第2導線と、前記第1及び第2導線に電流を流して、前記スピン波発生部にスピン偏光された電流により発生したトルクの作用によりスピン波を発生させる電源部と、を備える。ここで、前記エネルギー供給部は、前記第1及び第2導線に流れる電圧により弾性変形されて、前記スピン波発生部に磁気弾性エネルギーを供給する圧電体をさらに備える。さらに他の望ましい実施例によるスピン波素子は、前記スピン波発生部及びエネルギー供給部で形成されたユニットを複数個備え、前記ユニットの間は、前記スピン波導波路により連結されている。このとき、スピン波の伝達効率を高めるために、前記スピン波導波路のうち、直線ではない部分は曲線形態をなしている。前記スピン波導波路に前記スピン波導波路と異種あるいは同種の磁性物質からなる導波管を挿入したスピン波素子も構成できる。この時、挿入された前記導波管の形状、寸法及び磁性物質のうち、少なくともいずれか一つを変化させて進行するスピン波の周波数を選択的にろ過させることができる。挿入された前記導波管の形状、寸法及び磁性物質のうち少なくともいずれか一つを変化させて進行するスピン波の波長、振幅、位相及びこれらの組み合わせのうちいずれか一つを変化させることもできる。本発明による素子において、前記波動因子は、前記スピン波の周波数、波長、振幅、位相及びこれらの組み合わせからなる群から選択されたいずれか一つであり、特に前記スピン波の重畳、反射、屈折、透過、放射、回折、干渉のいずれか一つあるいは複合的な作用を利用して、前記波動因子の変化で論理演算を行うように構成したものである。実施例本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照するに明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現され、但し、本実施例は本発明の開示を完全にし、当業者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものである。第1実施例図1は、本発明によるスピン波発生方法を説明するためのフローチャートである。図1を参照するに、本発明によるスピン波発生方法では、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が単独あるいは共同で存在する磁性体にエネルギーを供給するステップS1。エネルギー供給によって磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から局所的にスピン波を発生させるステップS2。この時、磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から、あるいは二つの渦巻きが衝突して消えつつ局所的にスピン波を発生させると同時に、生成されたスピン波と同じ周波数を持つ電磁気波を発生させうる。磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造及びスピン波が発生する具体的な原理については後述する。本発明によるスピン波発生方法のように、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が単独あるいは共同で存在する磁性体にエネルギーを供給すれば、スピン構造の中心部に局部的に強いトルクが引き起こされる。このトルクにより大きい振幅を持つ双極子-交換スピン波を発生させうる。磁気渦巻きや磁気反渦巻きスピン構造中心部の大きさは10~20nm程度であるため、本発明によれば、数十nmサイズの局所的領域からスピン波を発生させることができる。このスピン波は双極子及び交換相互作用に優れた双極子-交換スピン波である。また、生成されたスピン波と同じ周波数を持つ電磁気波を発生させうる。本発明によるスピン波発生方法でのステップS1前に、磁気渦巻き、磁気反渦巻きが単独あるいは共同で存在するように磁性体の形状及び寸法を決定するステップをさらに含むことが望ましい。そして、スピン波及び/または電磁気波の波動因子、例えば、周波数、波長、振幅、位相などを制御するために磁性体の種類、形状及び寸法、またはエネルギー供給方式及び供給エネルギーの量を調節する。磁性体の種類を変化させれば、飽和磁化、磁気異方性定数、交換結合定数、減少係数が変わるので、スピン波の波動因子を制御できるようになる。そして、磁性体に供給するエネルギーとして、磁場、電場、電圧、電流、電磁波、音、熱、磁気弾性エネルギーのうちいずれか一つまたはこれらの組み合わせを利用してスピン波の波動因子を制御できる。図2は、このようなスピン波発生方法を実現するための本発明によるスピン波素子の一例である。図2に示したスピン波素子は、スピン波発生部101、エネルギー供給部102及びスピン波導波路103を備え、これらは基板104により支持されている。スピン波発生部101は、磁性体からなっており、内部のスピン構造は後述する磁気渦巻き、磁気反渦巻きを単独あるいは共同で持つことができる形状及び寸法を持ち、その中心部には局部的に強いトルクがかかる。スピン波発生部101は、後述する形状を持つことができる。エネルギー供給部102は、スピン波発生部101にエネルギーを供給して強いトルクを引き起こす。スピン波導波路103は、エネルギー供給によって磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きスピン構造の中心部から発生したスピン波がスピン波発生部101から伝えられて伝播する部分である。スピン波発生部101及び/またはスピン波導波路103は現存するあらゆる磁性体でありうる。その中でも例えば、強磁性体、反強磁性体、フェリ磁性体、合金系磁性体、酸化物系磁性体、CMR系磁性体例えば、ペロブスカイトperoveskiteマンガン酸化物La1-xAxMnO3A=Sr、Ba、Ca及びNd0.5Pb0.5MnO3、ホイスラー合金系磁性体約50のCu、25のMn、25のSnで構成されている。SnはAl、As、Sb、Bi、Bに代替でき、CuはAgに代替できる。、磁性半導体及びその複合構造からなる群から選択されたいずれか一つでありうる。磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造及びスピン波の発生原理以下、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造及びスピン波が発生する具体的な原理について説明する。磁性体からなる薄膜でスピン方向の分布は色々なエネルギーにより決定されるが、主に静磁気エネルギー、交換エネルギー、異方性エネルギーにより決定される。数百nmから数μmサイズの直径を持つパターニングされた強磁性体薄膜で主に観察できる磁気渦巻きは、このようなエネルギーにより決定される平衡状態での磁気微細構造である。パターニングされた強磁性体薄膜で大部分のスピンは、形状異方性エネルギーにより薄膜面に平行した方向に向かう。また近距離で作用する交換エネルギーにより隣接したスピンは同じ方向に向かおうとするが、有限なサイズの磁性体でこのようにスピンがいずれも同じ方向に向かうならば、磁性体の終端部分に自由極が生じて静磁気エネルギーが増加するので、このエネルギーを減らすためにスピンは互いに相次いで繋がる磁気渦巻き形状になる。図3Aないし図3Cに、このような磁気渦巻き形状に関するシミュレーション結果が提示されているが、直径250nm、厚さ20nmである円形のパーマロイ磁性薄膜の安定化した形状を、微小磁気学シミュレーションを利用して得た図である。薄膜面上の方向をx、y方向とし、薄膜面に垂直の方向をz方向とする時、図3Aは、xy平面でのスピンの方向を矢印で表している。図3Bは、xy平面でのスピンの垂直方向成分、すなわち、Mz値の分布を面の高低と白黒の明暗サイズによって表している。この時、渦巻き中心部の磁化方向は上あるいは下に向かう。図3Cは、図3AのV1-V1’線に位置したスピンのz方向成分の飽和磁化に対する比率を表すが、これより磁気渦巻き中心vortexcore:vcを確認することができる。また、これと相応する形状として、磁気反渦巻きスピン構造がある。この構造は、磁気渦巻きスピン構造と同じく静磁気エネルギーを減らすために、スピンの方向は薄膜面に平行して隣接したスピン同士で互いに相次いで繋がる形状を持っているが、これは、磁気渦巻き形状ではなく図4Aのようにクロスブロック線の形状をなしている。図4Aないし図4Cは、ピーナッツ状のパーマロイ磁性薄膜の安定化した形状を微小磁気学シミュレーションを利用して得た結果のうち、磁気反渦巻きが形成された部分についてのものである。図4Aは、xy平面でのスピンの方向を矢印で表している。図4Bは、xy平面でのスピンの垂直方向成分、すなわち、Mz値の分布を面の高低と白黒の明暗サイズによって表している。この時、反渦巻き中心部の磁化方向は、上あるいは下に向かう。図4Cは、図4AのV2-V2’線に位置したスピンの飽和磁化に対するz方向成分の比率を表すが、これより磁気反渦巻きスピン構造も、薄膜面に垂直の方向に向かう磁気反渦巻き中心antivortexcore:acを持っていることが確認できる。一般的に磁性体に磁場のようなエネルギーが加えられれば、トルクが発生して個々のスピンが摂動し始める。前記で説明した磁気渦巻きあるいは磁気反渦巻きスピン構造にエネルギーが加えられれば、やはりトルクが発生する。この時、磁性体全体に均一なエネルギーが加えられても、磁気渦巻きと磁気反渦巻きの中心部にはその周辺部とは異なって非常に大きいトルクが発生して、薄膜面に垂直する中心部スピン方向の急激な変化あるいは磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造の移動を誘発し、これにより局所的領域の中心部から大きい振幅のスピン波が発生して放射することを本発明者らが見出した。この時に発生するスピン波は、磁気渦巻きあるいは磁気反渦巻きスピン構造をなしている磁性体の飽和磁化、磁気異方性定数、交換結合定数、減少係数、磁性体の形状及び寸法のような固有特性によって、そしてエネルギー供給方式によって波動因子、例えば、周波数、波長、振幅、位相などが決定される。図5Aは、図2に図示したスピン波素子に対する微小磁気学シミュレーション結果を示す図であり、図5Bは、図5Aの結果のうち、スピン波導波路部分に対する結果であり、経時的な垂直成分の磁化方向を示す図である。ここでスピン波発生部101は円形ディスクのパーマロイ磁性体薄膜であり、磁気渦巻きスピン構造を単独で持つ場合に想定した。図5Aは、スピン波発生部101にサイン波形態のパルス磁場を印加、磁気渦巻き中心部の方向の急激な変化を誘発して発生させたスピン波を経時的に示す。経時的に、円形ディスク内に強いスピン波が渦巻き中心部から放射されていることが分かる。図5Bは、スピン波発生部101で発生したスピン波が経時的にスピン波導波路103を通じて伝播されることを示す。図6は、スピン波発生部101に磁気渦巻き構造、磁気反渦巻き構造が共に存在する例であり、ピーナッツ状のパーマロイ磁性薄膜の安定化した形状を微小磁気学シミュレーションで得た結果である。図6で実線及び小さな矢印は、平面に平行したスピン方向の空間的分布を表し、面の高低及び明暗はスピンの垂直方向成分、すなわち、Mz値の空間的分布を意味する。このように磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が共に存在する磁性体からなるスピン波発生部101に対してエネルギーを加えれば、次いで図7Aないし図7Eを参照して説明するように二スピン構造は移動し、結局には互いに合って消滅するが、消滅する瞬間、二つの構造の中心部が合う局所的な領域で大きいトルクが発生し、これにより大きい振幅のスピン波が発生して放射する。この時に発生するスピン波磁気渦巻き、反渦巻きスピン構造をなしている磁性体の飽和磁化、磁気異方性定数、交換結合定数、減少係数、磁性体の形状及び寸法のような固有特性によって、そしてエネルギー供給方式によって波動因子が決定される。図7Aないし図7Eは、前述した磁気渦巻き/磁気反渦巻きスピン構造の経時的な移動及び消滅によるスピン波の発生に対して、本発明者がパーマロイ磁性薄膜をモデルとして実施した微小磁気学シミュレーション結果である。図7Aないし図7Eで面の高低及び明暗は、図6のように平面に垂直するスピン方向成分の空間的分布を意味する。まず図7Aは、磁場を加えて190psが経過した時、磁気渦巻きスピン構造の移動により発生するスピン波を示す。図7Bは、544ps経過後に磁気渦巻きと磁気反渦巻き構造が互いに合って消滅する瞬間のスピン方向の空間的分布を示す。図7C及び図7Dは、磁気渦巻きと磁気反渦巻き構造が消滅した以後に発生したスピン波を示すものであり、それぞれ583ps、654ps経過後の空間的分布を示す。図7Eは、図7Bに示す消滅瞬間のトルクサイズの空間的分布であり、磁気渦巻きと磁気反渦巻きスピン構造の中心部が合う局所的部分に強いトルクが形成されていることを示す。図8Aは、図6のように磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造を共に持つスピン波発生部を備えるスピン波素子に対するシミュレーション結果を示す図であり、図8Bは、図8Aの結果のうち、スピン波導波路部分に対する結果を示す図である。図8Aは、磁気渦巻きスピン構造を持つスピン波発生部101に特定サイズの静的な磁場を印加し、磁気渦巻きと磁気反渦巻きスピン構造の移動を誘発し、二つの構造の消滅を通じて発生させたスピン波を経時的に示す。図8Bは、スピン波発生部101で発生したスピン波が経時的にスピン波導波路103を通じて伝播されることを示す。なお、スピン波素子を構成する各部分についての細部的な説明及びこれらに関する望ましい実施例をさらに説明する。第2実施例図2に示したスピン波素子でスピン波発生部101は円形の薄膜形状をなしている。しかし、本発明によるスピン波素子でのスピン波発生部101の形状が必ずこれに限定されるものではない。ただし、スピン波発生部101の形状及び寸法を決定する時には、前述した磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造を単独あるいは共同で安定した状態に存在させねばならない。図9は、本発明によるスピン波素子でのスピン波発生部の形状として可能な形状を例示的に示している。図9に示したように、スピン波発生部形状の例は方形、円形、三角形、角が円弧型に掘られた方形、角がラウンド処理された三角形、長方形、ピーナッツ型、アレイ型、左右が円弧型に拡張された長方形などがある。第3実施例エネルギー供給部102は、スピン波発生部101にエネルギーを供給する部分であり、ここでのエネルギーは、磁場、電場、電圧、電流、電磁波、音、熱、磁気弾性エネルギーのうちいずれか一つが単独あるいは複合的にスピン波発生部101に作用して局部的トルクの形成を誘発する。エネルギー供給部102は、加えるエネルギーの形態によって多様な構造及び材料を持つことができる。まず図10Aは、エネルギー供給部102が磁場エネルギーを供給する場合についての実施例の図である。ここで、スピン波発生部101及びスピン波導波路103は基板104上に支持されている。エネルギー供給部102は、具体的にスピン波発生部101下の基板104の両側に金属線で形成された磁場印加導線201及び電源部202を備える。ここでは、電源部202を利用して磁場印加導線201に電流を流して、スピン波発生部101一部あるいは全体に磁場を加える。次いで、図10Bは、エネルギー供給部102が熱エネルギーを供給する場合についての実施例の図であり、エネルギー供給部102は、レーザー光源203、及び集束レンズ204を備える。ここでは、集束レンズ204を使用してレーザー光源203のビームをスピン波発生部101に集束してスピン波発生部101に熱を加える。図10Cは、スピン偏光された電子のスピントルクによるエネルギーあるいはトルク作用を利用するエネルギー供給部102を持つスピン波素子についての図であり、エネルギー供給部102は、スピン波発生部101の下部から水平に伸びる第1導線205、第1導線205と所定の角度をなしてスピン波発生部101の上部から水平に伸びる第2導線206、及び電源部207を備える。ここでは、電源部207を利用して第1及び第2導線205、206に電流を流して、スピン波発生部101にスピン偏光された電流によるトルク作用によるエネルギーを加える。図面には、二つの電源部207がそれぞれ第1及び第2導線205、206に連結されたことと図示したが、電源部207の構成がこれからいくらでも変わりうるということを当業者ならば理解できるであろう。図10Dは、磁気弾性エネルギーを加えるエネルギー供給部102を持つスピン波素子についての図である。図10Dを参照するに、図10Cと同じ構造に圧電体208をさらに備え、圧電体208はスピン波発生部101の下部に接合されている。電源部207を利用して第1及び第2導線205、206に電流を流して圧電体208に電圧を印加すれば、圧電体208に弾性変形が起き、これを通じてスピン波発生部101に磁気弾性エネルギーを供給できるようになる。この他に、エネルギー供給部102が電場、電圧、電流、電磁波、音などのエネルギーをスピン波発生部101に供給するように構成でき、その時の細部的な構成は当業者により容易に実施、変更されうるので、詳細な説明は省略する。第4実施例スピン波導波路103は、スピン波発生部101で発生したスピン波を空間的に伝達させる媒体の役割を行う。スピン波発生部101に一つあるいは複数のスピン波導波路103の一端を連結し、他端は他のスピン波素子と連結すれば、スピン波発生部101で発生したスピン波が他のスピン波素子に伝達されるように構成できる。図11は、このような実施例によるスピン波素子の例を示す。図11に示したスピン波素子は、スピン波発生部及びエネルギー供給部で形成されたユニットを複数個備えるものであり、例として図示されたものは、正方形のスピン波発生部を備える第1ユニット301、他の正方形のスピン波発生部を備える第2ユニット302及び円形のスピン波発生部を備える第3ユニット303である。これら第1ないし第3ユニット301、302、303の間は、スピン波導波路103によりスピン波発生部101に互いに連結されている。例えば、スピン波発生部101で発生したスピン波は、スピン波発生部101と第1ユニット301との間のスピン波導波路103により第1ユニット301に伝達される。スピン波の伝達効率を高めるために、スピン波導波路103のうち一部は曲線のようないろいろな形態が可能である。超高速情報処理素子としてのスピン波素子本発明によるスピン波発生方法により発生させたスピン波はその速度が非常に速いために、図11を参照して説明したように、スピン波発生部及びエネルギー供給部で形成された複数のユニット間をスピン波導波路により連結して情報処理素子に具現する時、情報処理速度が非常に速くなる。したがって、超高速情報処理用素子として適している。この時、各ユニットは、スピン波の波動因子を信号として利用して論理演算を行うように連結され、その連結関係を適切に変形させてORゲート、XORゲート、NORゲート、ANDゲート、NANDゲート、インバータなどの論理演算手段及びこれらの組み合わせを具現できる。波動因子は、スピン波の周波数、波長、振幅、位相及びこれらの組み合わせからなる群から選択されたいずれか一つであり、スピン波の重畳、反射、屈折、透過、放射、回折、干渉のいずれか一方あるいは複合的な作用を利用して、波動因子の変化で論理演算を行うように構成する。まず、スピン波の波動的性質を説明する。図12Aないし図12D、図13Aないし図13Eは、本発明で提案した方法で発生させたスピン波の波動的性質を調べるために、本発明者等が磁性薄膜をモデルとして行った微小磁気学シミュレーション結果である。まず、図12Aないし図12Dの実施例を通じてスピン波の伝播、反射、透過特性を説明する。シミュレーション方法は次の通りである。図12Aのように、左側にパーマロイで構成されたスピン波発生部101からスピン波を発生させ、スピン波発生部101で発生したスピン波をパーマロイからなるスピン波導波路103に注入した。この時、パーマロイからなるスピン波導波路103内部にFeからなる導波管105を挿入させれば、Fe導波管105はパーマロイとは異種の磁性物質であるため、パーマロイとは異なる固有定数飽和磁化、磁気異方性定数、交換結合定数、減少係数などを持つ。このためにパーマロイスピン波導波路103とは異なるエネルギー障壁を形成し、エネルギー障壁からスピン波の反射、透過、トンネリングが起きる。したがって、進行するスピン波の周波数を選択的にろ過するか、進行するスピン波の波長、振幅、位相及びこれらの組み合わせのうちいずれか一つを変化させるようになる。図12Bは、異種磁性物質からなる導波管の挿入時に周波数によるスピン波の反射、透過、トンネリングを示す図である。図12Bを説明するに、y軸は周波数であり、x軸はスピン波発生部101の中心からの距離xである。パーマロイスピン波導波路103の内部では14GHz以上のスピン波が存在できるが、x=300~400nm領域にFe導波管105を挿入すれば、Fe導波管105の内部にスピン波の入射時、25GHz以下のスピン波は内部に進入できずに反射し、25GHz以上のスピン波はFe導波管105を透過後に伝播される。図12C及び図12Dは、時間が1nsである時、20GHzA-A’、26GHzB-B’スピン波を、その伝播方向を基準に分けてこれらの分布を示したものである。図12Cを参照するに、パーマロイスピン波導波路103の内部から前方に伝播する20GHzのスピン波は、Fe導波管105に合ってその振幅が減衰し、これ以上は進行できず、後方にいずれも反射されるが、図12Dを参照するに、26GHzのスピン波は、Fe導波管105に合って一部は反射され、一部は透過されることが観察できる。このように、図12Aのように異種の磁性物質の組み合わせからなる導波路は、図12Bに示したように周波数ろ過作用が可能であり、これを利用すれば、スピン波フィルターとして適用できる。図13Aないし図13Eは、前述したスピン波の伝播、反射、透過を利用してスピン波の干渉特性を調べるために、本発明者らが磁性薄膜をモデルで実施した微小磁気学シミュレーション結果である。図13Aのように、左側にパーマロイで構成されたスピン波発生部101からスピン波を形成し、B、C部分に同じ位相を持って伝えられるように、Y形態の対称形パーマロイスピン波導波路103を形成した。スピン波導波路103は、前述したように、曲線の形態で形成して伝達効率を高め、またパーマロイ以外にFe導波管105を挿入して一定領域以下の周波数帯域のスピン波をろ過した。このように互いに同じ特性を持つスピン波が、図13B及び図13Cに示したように、互いに密着した状態でB、C地点upperpath、lowerpathに到達すれば、同じ波動因子のスピン波がB、C地点から右側の大きいパーマロイ強磁性薄膜106に放射する。これは、光の波動性を証明するために行ったヤングYoungの二重スリット実験と同じ実験であり、スピン波の波動性を示すシミュレーション結果となる。図13D及び図13Eは、図13Aに点線ボックス表示されたA領域の内部で時間が1nsである時の37GHzMz値の分布を示すものであり、放射された二つのスピン波の重畳現象によって生じる干渉紋を確認することができる。次いで、スピン波の波動因子を制御する原理及び方法についてさらに詳細に説明する。前述したように、スピン波は、各個別スピンの摂動がスピン間の相互作用により現れる波動的挙動を称する言葉である。これは、各個別スピンの摂動を決定する有効磁場、固有定数とスピンとの相互作用がスピン波の波動因子を決定するということを意味する。有効磁場と各スピンとの相互作用に影響を及ぼす要因としては、エルステッドフィールド、ストレイフィールド、弾性変形、他の物質との交換結合、電流、スピントルクのような外部的要因と交換結合力、磁気異方性定数のような固有定数と導波路の外形的特性などがある。本発明では、このような要素を制御してスピン波の波動因子、特に位相を制御する方法を提供する。図14Aないし図14Dは、導波路の固有定数と外形的特性、有効磁場によるスピン波の分散関係変化を示す。スピン波の分散関係は、スピン波導波路を進行させるスピン波の波長と周波数との関係を表すが、これより、所定周波数のスピン波が所定条件ここでは、スピン波導波路の固有定数と外部的要因に対していかなる波長を持つかが分かる。まず、図14Aは、スピン波導波路の磁性体固有定数による分散関係変化結果を示す。図14Aを参照するに、固有定数である飽和磁化値Msと交換結合定数aとによって周波数及び波数が変わることが分かる。スピン波導波路を通る時に周波数は固定されているので、固有定数が変わる部分では波数が変わる。すなわち、波長位相が変わる。図14Aをさらに説明すれば、Msは同じであるが、Aが減少する場合には波数が増加し、Msは同じであるが、Aが増加する場合には波数が減少する。Aは同じであるが、Msが増加する場合にも波数が減少する。図14Bは、スピン波導波路に及ぶ有効磁場の大きさ及び方向による分散関係変化結果を示す。図14Bを参照するに、有効磁場によって周波数及び波数が変わることを示している。有効磁場が正に増加する場合には波数が減少し、有効磁場が負に増加する場合には波数が増加する。したがって、有効磁場によって波長位相を制御できることが分かる。図14C及び図14Dは、スピン波導波路の形状による分散関係変化を図示する。まず図14Cを参照するに、スピン波導波路の幅によって周波数及び波数が変わることを示しており、特に幅が増加するほど波数が増加する。図14Dを参照するに、スピン波導波路の厚さによって周波数及び波数が変わることが分かり、周波数20GHz以上では、厚さが増加するほど波数が増加する。図14Aないし図14Dから、進行するスピン波の局部的領域に導波管を挿入して、その導波管の形状、寸法及び磁性物質のうち少なくともいずれか一つを変化させるか、あるいは外部要因の変化で有効磁場を変化させて、スピン波の波長、振幅、位相及びこれらの組み合わせのうちいずれか一つを変化ないし制御できることが分かる。図15Aは、本発明の実施例によってスピン波導波路の局部的領域に有効磁場変化が発生した状態の図である。図15Aを参照するに、スピン波が進行するスピン波導波路103の局部的領域221に、スピン波導波路103と異なる固有定数を持つ導波管が挿入されているか、あるいは形状の異なる導波管が挿入されているか、あるいは他の方法により有効磁場が変化されている部分を含む。スピン波導波路103と異なる固有定数を持つ異種磁性物質からなる導波管105を挿入した例は、図12Aないし図12Dを参照して既に説明した。既に説明したように、このような異種導波管105の挿入によってスピン波フィルターへの適用が可能なだけでなく、ここで説明するように、スピン波の位相制御が可能である。導波管105は磁性体からなっており、スピン波導波路を構成している磁性体とは異なる固有定数を持っていなければならない。図14Aの分散関係から分かるように、所定周波数のスピン波に対する波長は飽和磁化値、交換結合定数により変わることが確認できる。また当業者ならば、磁気異方性定数もスピン波の挙動に同じ効果を与えられるということが分かる。導波管105の挿入以外の方法で有効磁場を変化させるのは、エルステッドフィールド、ストレイフィールド、弾性変形、他の磁性物質との交換結合、電流、スピントルク及び磁壁の存在のうちいずれか一つにより可能であり、それぞれの実施例については後述する。次いで、図15Bは、図15Aに示す導波管を通るスピン波の伝播、導波管を通らないスピン波の伝播及び導波管をすぎるスピン波と過ぎないスピン波の伝播を比較するために同時に示した実施例の図である。図15Bでaは、スピン波導波路103を進行させるスピン波が前述した局部的領域221を通過する時にスピン波の波長が変わることを示す。局部的領域221を通過した後に進行するスピン波の場合、元来の波長を回復するが、前記の局部的領域221が存在しないスピン波導波路の場合には、波長がbのように一定であって、aとbとで位相差が発生する。したがって、cに示したように、位相差が180°になるようにこの二つのスピン波を重畳する素子を構成すれば、二つのスピン波は前述したスピン波の波動的性質のうち、重畳の原理により互いに消滅干渉を起こして消えてしまう。これは、前述したスピン波因子のうち、スピン波の振幅を信号とする時、スピン波の波長、結果的に位相を制御してスピン波の重畳原理を利用して信号を制御する一つの実施例となる。なお、異種導波管105の他の挿入以外の方法で有効磁場が変化されている部分を含むことによって、局部的領域でスピン波の波長変化を通じて位相を変化させうる方法についての具体的実施例を説明すれば、次の通りである。図16は、本発明の実施例によってスピン波導波路に導波管の形状変化でスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図16を参照するに、スピン波導波路103より幅及び厚さが狭くなった導波管105aを挿入して、スピン波導波路の形状変化を利用してスピン波の波動因子、特に位相を制御する。図14C及び図14Dの分散関係を参照すれば、所定周波数のスピン波に対する波長は、導波管の厚さ及び幅によって変わる。図16を参照するに、導波管105aの厚さや幅あるいは両方ともスピン波導波路103と異ならせることによって、スピン波導波路103を通過するスピン波の位相を制御する。すなわち、挿入された導波管105aの形状あるいは寸法を変化させて進行するスピン波の波長、振幅、位相、またはこれらの組み合わせのうちいずれか一つを変化させることができる。導波管105aは、スピン波導波路103と同種の磁性物質であってもよい。図17は、本発明の実施例によってスピン波導波路に他の磁性物質を接合して、その界面との交換結合力によりスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図17を参照するに、スピン波導波路103の局部的領域221に接合されている磁性層223の界面との交換結合力によりスピン波の位相を変化させる。交換結合力は局部的領域221の有効磁場の変化をもたらし、これは、前述したように進行するスピン波の位相を変化させる。磁性層223は、強磁性体、反強磁性体、フェリ磁性体、合金系磁性体、酸化物系磁性体、CMR系磁性体、ホイスラー合金系磁性体、磁性半導体及びその複合構造からなる群から選択されたいずれか一つでありうる。前述した位相制御方法は、導波管の固有性質や形状を利用するものであり、後述する位相変調装置のうち、静的位相変調装置に応用できる。次いで、前記の方法と異なって入力する信号によってスピン波の位相変化を制御する方法を説明する。図18Aは、スピン波導波路に形成された磁区壁でスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図18Aを参照するに、スピン波導波路103に磁区壁225を存在させる。磁区壁225は、90度、180°、360°磁区壁、ブロックBloch、ニールNeel形態の磁区壁及びこれらの組み合わせからなる群から選択されたいずれか一つでありうる。磁区壁225を通過するスピン波の波長は、磁区壁225に形成された有効磁場により変形される。本発明は、単純な磁区壁225の利用に過ぎず、磁区壁225をスピン波導波路103に挿入または除去することによって有効磁場を変化させる方法も提案する。図18Bは、本発明の実施例によって導線に流れる電流によるエルステッドフィールドで磁区壁をスピン波導波路に挿入及び除去して、スピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図であり、図18Cは、本発明の実施例によって磁区壁導波路に流れる電流により磁区壁をスピン波導波路に挿入及び除去して、スピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図であり、図18Dは、本発明の実施例によって磁区壁導波路に強いスピン波を入射させて、磁区壁をスピン波導波路に挿入及び除去してスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。まず図18Bを参照するに、スピン波導波路103に磁区壁225が移動できる磁区壁導波路227の両端を連結して、磁区壁225をスピン波導波路103に挿入または除去できるようにして、後述する動的位相変換装置として使用可能にする。磁区壁225を移動するためには、スピン波導波路103に垂直に伸張して電流が流れる磁場印加導線230をさらに備え、磁区壁導波路227がこれを包むようにスピン波導波路103に両端を連結する。磁場印加導線230に電流を流して、磁場印加導線230の周辺にエルステッドフィールドを形成させて磁区壁225を移動させる。他の方法では、図18Cのように磁区壁225が移動でき、スピン波導波路103に両端を除外した中間部分が連結された磁区壁導波路227を置き、磁区壁導波路227の両端のうちいずれか一端に電源部232を連結して、磁区壁導波路227に電流を流して磁区壁225を移動させることがある。また図18Dに示したように、磁区壁225が移動でき、スピン波導波路103に両端を除外した中間部分が連結された磁区壁導波路227を置き、磁区壁導波路227の両端のうちいずれか一端あるいは両端に追加のスピン波発生部101aを連結して、追加のスピン波発生部101aで発生した強いスピン波を磁区壁導波路227に伝播させることによって磁区壁225を移動させる方法も可能である。以上の図18Bないし図18Dのように、磁区壁225をスピン波導波路103に挿入して進行するスピン波の位相を変化させるか、磁区壁225を除去して位相を変化させない。このように、電源部232や磁場印加導線230の電流、スピン波発生部101aを入力信号として、スピン波導波路103を進行させるスピン波の位相変化を制御できるため、動的位相変換装置に応用が可能である。図19は、本発明の実施例によって局部的領域にエルステッドフィールドをスピン波導波路に印加してスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図19を参照するに、スピン波導波路103の局部的領域221にエルステッドフィールドを印加して有効磁場の変化をズームでスピン波の位相を制御する。具体的に、電源部234を利用してスピン波導波路103を横切る磁場印加導線236に電流が流れれば、スピン波導波路103の局部的領域221にエルステッドフィールドが強く印加されつつ有効磁場が変化される。すると、スピン波の波長は、図14Bの分散関係変化から確認できるように、有効磁場の強度及び方向によって所定周波数のスピン波に対する波長が変わる。これより、電流の強度及び方向を調節することによって前述したようにスピン波の位相が制御される。また電源部234を入力信号とする動的位相変換装置に応用できる。図20は、本発明の実施例によって局部的領域に磁区壁によるストレイフィールドをスピン波導波路に印加してスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図20を参照するに、磁区壁225の周囲に形成されたストレイフィールドによる有効磁場の変化でスピン波の位相を制御する。具体的に、磁区壁225の近くではその周辺とは異なって非常に強いストレイフィールドが局所的に形成される。本発明では、このように形成されたストレイフィールドをスピン波導波路103の局部的領域221に印加して、有効磁場を変化させてスピン波の位相を制御する。ここで磁区壁225は、スピン波導波路103の下にスピン波導波路103と所定の角度をなして水平に伸びる磁区壁導波路227に沿って動くが、動く方法は、図18B、図18C及び図18Dに記述した方法と同一に外部磁場を加えるか、電流を流すか、強いスピン波を発生させて行う。すなわち、磁区壁225によるストレイフィールドは局部的領域221でのみ形成されるので、磁区壁225をスピン波導波路103の近くに位置させるか、外すかによってスピン波導波路103を進行させるスピン波の位相変化が制御できて、動的位相変換装置として利用できる。図21は、本発明の実施例によってスピントルクを利用してスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図21を参照するに、スピン波導波路103の下部から水平に伸びる第1導線240とスピン波導波路103の上部から水平に伸びる第2導線242とに電流を流す。すると、スピン波導波路103の局部的領域221にスピン偏光された電子のスピントルクによる有効磁場変化あるいはトルク作用によりスピン波の位相を変化させる。ここで、スピン波の位相変化程度及び如何は、第1及び第2導線240、242に流れる電流の量及び方向から制御でき、動的位相変換装置として利用できる。図22は、本発明の実施例によって弾性変形を利用してスピン波の位相を変化させる素子の核心部分を示す図である。図22に示すように、図21のような構造に圧電体244をさらに備える。スピン波導波路103と第1導線240との間またはスピン波導波路103と第2導線242との間に圧電体244を備えることができる。すなわち、スピン波導波路103の局部的領域221に圧電体244を挿入しておき、第1及び第2導線240、242に電圧を加えることによって圧電体244の弾性変形を起こして、この変形から局部的領域221の弾性変形を誘発すれば、逆磁歪効果inversemagnetostrictionにより局部的領域221の磁気異方性及び磁化方向が変わる。そして、これは固有定数変化のような原理で、局部的有効磁場変化をもたらしてスピン波の位相変化をもたらす。第1及び第2導線240、242に加えられる電圧を調節して圧電体244の弾性変形を制御できて、加える電圧を入力信号としてスピン波の位相変化を制御する動的位相変換装置として利用できる。基本的に本発明のように発生させたスピン波が存在する場合の状態を1とし、スピン波のない時の状態を0として0と1とを区分でき、スピン波のない時の状態はスピン波をまったく発生させないか、前述した方法でスピン波の波動因子を制御して位相差が180°である二つのスピン波を、図13Aないし図13Eに示したように重畳で消滅させることによって作ることができる。以下では、本発明のスピン波素子を利用してORゲート、XORゲート、NORゲート、ANDゲート、NANDゲート、インバータなどの論理演算手段を構成する例を説明する。このような論理演算手段を適切に組み合わせれば、いかなる論理演算も可能になる。まず図23Aは、A、Bを入力、outを出力とするORゲートの概念図であり、図23Bは、このようなORゲートを具現するための本発明によるスピン波素子の実施例の図である。図23Aを参照するに、ORゲートは周知のように、A、Bの対が1、1である時、1、0である時、そして0、1である時にoutが1になり、A、Bの対が0、0である時にoutは0になる。次いで図23Bを参照するに、スピン波発生部及びエネルギー供給部例えば、図10Aで説明したように、磁場印加導線と電源部で形成された第1ユニット401と第2ユニット402との間が、二つの曲線型スピン波導波路103及びこれらが統合された結合スピン波導波路403により連結されている。二つのスピン波導波路103は互いに同じ長さを持つ。第1ユニット401と第2ユニット402とはスピン波信号入力部になり、スピン波導波路403の端部にはスピン波信号出力部404がある。第1ユニット401及び第2ユニット402でエネルギー供給によりスピン波を発生させれば、スピン波はスピン波導波路103を通じて進行し、結合スピン波導波路403で波動特性である重畳の原理により論理演算を行う。前述したように0と1との出力信号は、スピン波信号出力部404でのスピン波存否を示すが、図23Bに図示した素子で第1ユニット401と第2ユニット402とに同時にエネルギー供給による信号1が入力されれば、それぞれでスピン波が発生してスピン波導波路103を経て結合スピン波導波路403に進行する。この時、二つのスピン波導波路103の長さが同一であるので、各スピン波導波路103を通じて進行された二つのスピン波は、結合スピン波導波路403で同じ位相を持って重畳される。したがって、結合スピン波導波路403にスピン波が存在するので、スピン波信号出力部404から1の信号を出力する。入力信号が一側のみ1である場合、すなわち、第1ユニット401と第2ユニット402のうちいずれか1側でのみスピン波が発生した場合には、結合スピン波導波路403で重畳なしにスピン波が存在するので、やはり1の信号を出力する。入力信号のない0の場合、すなわち、第1ユニット401と第2ユニット402どちらでもスピン波が発生しないので0を出力する。このようにして本素子はORゲートになる。図24は、インバータすなわち、NOTゲートの概念図である。円は連続的にスピン波を発生させる素子501であり、黒い三角形は動的位相変換装置505であり、両方向からのスピン波注入のみによってスピン波の位相が180°変換される。すなわち、動的位相変換装置505は、刺激になる信号をここに印加して始めて、この部分を通るスピン波の位相が180°変換される。前述したスピン波位相変換方法を応用して動的位相変換装置505を構成できることを、当業者ならば理解できるであろう。図24で連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられて、一つは動的位相変換装置505を通る。この時、入力Aに1の信号を与える場合望ましくは、本発明のようにスピン波発生部及びエネルギー供給部で形成されたユニットを利用して発生させたスピン波を入力信号として利用する。、動的位相変換装置505を通るスピン波の位相が180°変換されるので、二股のスピン波が合わせられて出る時は0の状態となる。一方、入力Aが0である場合、動的位相変換装置505を通るスピン波の位相が変換されないので、二股のスピン波が合わせられて出る時は1の状態となる。本発明によるスピン波素子を応用してこのようなインバータを実際に具現するのは、複数のユニットをスピン波導波路に連結して容易に行えるということを当業者ならば理解でき、図24で連続的にスピン波を発生させる素子501は、スピン波発生部及びエネルギー供給部例えば、図10Aで説明したように磁場印加導線と電源部で形成された第1ユニット、実線はスピン波導波路、入力Aは第2ユニットに対応すると見ればよい。図25Aは、本発明の実施例によってエルステッドフィールドによるスピン波の位相変化を利用したインバータゲートの実施例を示す図であり、これに対する微小磁気シミュレーション結果が次の図25Bないし図25Eに提示されている。まず図25Aを見れば、連続的に発生したスピン波が水平の二股に分けられるスピン波導波路103を通過するが、二股のスピン波導波路103の間にスピン波導波路103と垂直に電流が流れる磁場印加導線230を置いて、磁場印加導線230に電流が流れる場合図24で、入力Aに信号が入力された場合と同一に、磁場印加導線230の周辺に円形でエルステッドフィールドが形成され、これは、二股のスピン波導波路103に他の方向の外部磁場が印加される役割を行って、二つのスピン波導波路103を進行したスピン波の位相差を効果的に与える。したがって、適正な電流強度を通じて二つのスピン波の位相差を180°に与えることができ、合わせて出たスピン波は互いの相殺干渉により消滅されて0の状態となる。一方、二股のスピン波導波路103の中央に位置した磁場印加導線230に電流が流れない場合、連続的に発生したスピン波が二股のスピン波導波路103を通過する時にも位相が変換されないので、二股のスピン波が合わせられて出る時は補強干渉により1の状態となる。図25Bは、エルステッドフィールドを利用したスピン波インバータゲートの駆動をシミュレーションするためのモデル構造の図であり、実際にこの形状を利用してシミュレーションを実施した。図25Cは、エルステッドフィールドの大きさ分布及び方向についての結果を示す実施例の図である。図25Cを見れば、磁場印加導線230に電流が流れる時に形成されるエルステッドフィールドの強度及び方向分布が分かる。図25Dは、導線に加えられる電流の大きさによってスピン波の位相が変わることを表す実施例の図である。図25Dを参照するに、図25Bでそれぞれ二股のスピン波導波路103の中央に位置した地点AとBでの経時的なスピン波の振幅変化を示す。これより二股のスピン波導波路103を進行させるスピン波が電流の強度によっていかなる位相差を示すかが分かる。図25Eは、スピン波インバータゲートの出力信号が電流入力信号によってスピン波の干渉を調節してインバータゲート動作を行う実施例の図である。図25Eを参照するに、二股のスピン波導波路103に沿って進行したそれぞれのスピン波が合わせられて進行する地点であるCで、経時的なスピン波の振幅変化を示すグラフに電流が流れる時に相殺干渉が起き、スピン波の電流が流れない時に補強干渉が起きることが分かる。図25Fは、インバータゲートの他の構造を示す実施例であり、上下に分けられる二股のスピン波導波路103を介して、その間にスピン波導波路103と特定角をなして水平に伸びる方向に電流が流れる磁場印加導線203を置いて、磁場印加導線230に電流が流れる場合に、磁場印加導線230の周辺に円形にエルステッドフィールドを形成させるものである。形成されたエルステッドフィールドは、二股のスピン波導波路103に他の方向の外部磁場が印加される役割を行って、二つのスピン波導波路103を進行したスピン波の位相差を効果的に与える。この構造は素子の製作時に前記の垂直に伸びる磁場印加導線の構造よりさらに容易である。図26は、A、Bを入力、outを出力とするNORゲートの概念図である。図26を見れば、NORゲートは図23AのORゲートと図24のインバータとの順次的配列であることが分かる。図26でA、Bの対が1、1である時、1、0である時、そして0、1である時、動的位相変換装置505に刺激信号1を与えることができる。連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられて、一つは動的位相変換装置505を通るので、このスピン波は180°位相変換される。他の分岐のスピン波は位相変化がないので、この二つが合わせられた出力は0になる。A、Bの対I0、0である時にのみ動的位相変換装置505への信号入力が0になる。連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられるが、動的位相変換装置505の刺激信号がない場合であるので、二股のスピン波が合わせられた出力は1になる。本発明によるスピン波素子を応用してこのようなNORゲートを実際具現することも当業者ならば理解できるであろう。図26で連続的にスピン波を発生させる素子501は、スピン波発生部及びエネルギー供給部で形成された第1ユニット、実線はスピン波導波路、入力Aは第2ユニット、入力Bは第3ユニットに対応すると見ればよい。図27は、A、Bを入力、outを出力とするXNORゲートの概念図である。連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられる。入力Aに1の信号を与える場合、これは、上側動的位相変換装置505の刺激信号になるので、上股のスピン波の位相を180°変換させる。これから入力Bに1の信号を与える場合、これは、下側の動的位相変換装置506の刺激信号になるので、下股のスピン波の位相を180°変換させる。したがって、上股のスピン波と下股のスピン波とが同じ位相で重畳されるので、outに1の信号を出力する。入力Aは1であるが、入力Bが0である場合、下股のスピン波は位相変換なしに下股の動的位相変換装置506を通る。したがって、上股のスピン波と下股のスピン波とはその位相が異なるので、重畳で消滅されて出力は0になる。A、Bの対が0、1である場合も同じく、上股のスピン波と下股のスピン波とは位相が異なるので、重畳で消滅されて出力は0になる。二つの入力信号AとBとに0の信号を与えれば、二股のスピン波位相は何の変化もなく、同じ位相で重畳されるのでoutに1の信号を出力する。図28Aは、A、Bを入力、outを出力とするXORゲートの第1概念図、図28Bは、第2概念図であり、図28Cは、このようなXORゲートを具現するための本発明によるスピン波素子を応用したXORゲートの実施例の図である。図28A及び図28Bで円は、図24と同じく連続的にスピン波を発生させる素子501、502であり、白い三角形は静的位相変換装置503であり、この部分を通ればスピン波の位相が180°変換される。黒い三角形は、動的位相変換装置505、506、507である。まず図28Aを参照するに、図27のXNORゲートと図24のインバータとの順次的配列であるということが分かる。左側のXNORゲートにより生成された出力信号は、右側インバータにより信号が反転されてXORゲートとして動作する。図28Bを参照するに、左側に図示された連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられる。上股に進行するスピン波は静的位相変換装置503を通りつつ位相が180°変換される。入力Aに1の信号を与える場合、これは上側動的位相変換装置505の刺激信号になるので、上股の180°位相変換されたスピン波の位相を再び180°変換させる。したがって、上股のスピン波は元来の位相に戻る。なお、入力Bに1の信号を与える場合、これは下側の方動的位相変換装置506の刺激信号になるので、下股のスピン波の位相を180°変換させる。したがって、上股の元来の位相のスピン波と下股の180°位相変換されたスピン波とは位相が逆になって重畳消滅されるため、outからの出力は0になる。入力Aは1であるが、入力Bが0である場合、下股のスピン波は位相変換なしに下側の動的位相変換装置506を通る。したがって、上股のスピン波と下股のスピン波とは位相が同じものであるので、重畳して出る出力は1になる。以上の説明を適用してA、Bの対が0、1である時にoutは1になり、A、Bの対が0、0である時にoutは0になるということが分かる。図28Cに提示された素子は、このようなXORゲートを具現するための簡単な素子の例であって、図23Bに図示した素子の変形例と見なすことができるが、二つのスピン波導波路103のうち、一側に180°位相変換装置405が備えられている。第1ユニット401及び第2ユニット402に1の信号が入れれば、スピン波が発生してスピン波導波路103を経て結合スピン波導波路403に進行するが、この時、スピン波導波路103の長さが同一であり、一側のスピン波導波路103のみに180°位相変換装置405があって、二つのスピン波は結合スピン波導波路403で180°異なる位相を持って重畳するので、スピン波が互いに相殺されて0の信号を出力する。残りの入力信号の場合は図23BのORゲート素子と同一であるので、図28Cに提示された素子はXORゲートとして動作する。図29は、A、Bを入力と、outを出力とするNANDゲートの概念図である。図29で連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられて、一つは動的位相変換装置505を通る。この時、入力Aが1ならば、動的位相変換装置505を通るスピン波の位相が180°変換されるので、二股のスピン波が合わせられて出る時は0の状態となる。一方、入力Bが1である場合、二股に分けられたスピン波のうち、動的位相変換装置506を通るスピン波の位相が180°変換されるので、二股のスピン波が合わせられて出る時は0の状態となる。両側から0が合わせられて出力されるので、出力は0である。Aは1であるが、Bが0である時には動的位相変換装置506を通るスピン波の位相変換がなく、したがって、二股のスピン波が合わせられて出る時は1の状態となる。両側からそれぞれ0と1とが合わせられて出力されるので、出力は1である。以上の説明を適用してA、Bの対が0、1である時、そして0、0である時にもoutが1になることを当業者ならば理解できるであろう。また、本発明によるスピン波素子を応用してこのようなNANDゲートを実際に具現することも当業者ならば理解できるであろう。図30Aは、A、Bを入力、outを出力とするANDゲートの第1概念図であり、図30Bは第2概念図である。まず、図30Aを見れば、図29のNANDゲートと図24のインバータとの順次的配列であることが分かる。すなわち、上側のNANDゲートで発生した信号は下側のインバータにより信号が反転されてANDゲートとして動作する。図30Bでは、右側上段に図示された連続的にスピン波を発生させる素子501で発生したスピン波が二股に分けられて、一つは動的位相変換装置505を通る。この時、入力Aが1ならば、動的位相変換装置505を通るスピン波の位相が180°変換される。他股のスピン波は静的位相変換装置503を通るのでやはり180°位相変換される。したがって、二股のスピン波が合わせられて出る時は、180°位相反転されたスピン波が存在して1の状態となる。その後、他の静的位相変換装置504を再び経るので、位相は再び反転されて元来の位相に戻る。一方、入力Bが1である場合、二股に分けられたスピン波のうち、動的位相変換装置506を通るスピン波の位相が180°変換されるので、二股のスピン波が合わせられて出る時は0の状態となる。両側からそれぞれ1と0とが合わせられて出力されるので、出力は1になる。以上の説明を適用してA、Bの対が1、0である時、0、1である時、そして0、0である時、outは0になることを当業者ならば理解できるであろう。また、本発明によるスピン波素子を応用してこのようなANDゲートを実際具現することも、当業者ならば理解できるであろう。以上のようなORゲート、XORゲート、NORゲート、ANDゲート、NANDゲート、インバータなどの論理演算手段を組み合わせれば、いかなる論理演算素子も設計でき、これよりスピン波を利用した論理演算が可能になる。以上、本発明を詳細に説明したが、本発明の範囲から逸脱しない限度内で色々な変形が可能であるということは、当業者には明らかである。本発明は、請求項の範ちゅうにより定義されるだけである。