樹脂被覆された基板上におけるラインのネットワークの電子ビームリソグラフィ法であって、対向する状態において限界ライン端部をそれぞれが有する前記ネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するステップと、前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するステップと、を有する方法であって、いくつかのもの330、340、350のうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するステップと、前記コントラスト強化構造の、前記2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所S1、S2、S3、S4を算出するステップと、前記構造を生成するステップと、前記判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ライン端部の端部との関係において前記構造を配置するステップと、を更に有することを特徴とするリソグラフィ法。前記コントラスト強化構造330は、H字様の構造であり、そのブランチは、それぞれ、約5~50nmの固有寸法を有し、前記限界ラインの方向に垂直であるそのブランチは、約5~50nmの前記限界ラインに平行な方向に沿って前記限界ラインの端部から距離S2において間隙の中央に配置されており、且つ、前記限界ラインの方向に平行であるそのブランチは、約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインの両側に対称的な方式で配置されていることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。前記コントラスト強化構造340、350は、前記限界ラインに垂直の方向に沿って前記間隙内に対称的な方式で配置された2つの平行なバーから構成されており、前記バーのそれぞれは、約5~50nmの固有寸法を有し、約5~100nmの距離S2だけ、離隔しており、且つ、それぞれ、約5~50nmの前記限界ラインに平行な距離S4だけ前記限界ラインの端部から離隔していることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。前記2つの平行なバーは、その端部のそれぞれに、約5~50nmの固有寸法の4つの領域を更に有することを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ法。前記コントラスト強化構造370は、前記ラインの幅Lに実質的に等しい幅の領域から構成され、前記領域は、前記領域が前記限界ラインに平行な距離S4に位置するように算出された高さを有し、前記距離は、実質的に5~50nmであることを特徴とする請求項1に記載のリソフグラフィ法。前記コントラスト強化構造380は、実質的に5~50nmの固有寸法Li、Iiを有する少なくとも2つのCIFCIF1、...CIFi...から構成され、前記パターンは、実質的に5~20nmの前記限界ラインに垂直の距離S5だけ相互に分離されており、前記パターンの数は、外部領域が、約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。前記コントラスト強化構造390は、実質的に5~20nmの固有の寸法の、前記間隙の内部を通過する実質的に正方形の領域の2つの列から構成され、前記2つの列は、実質的に5~50nmの前記限界ラインの方向における距離S5だけ分離され、前記領域の数は、外部領域が、約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ法。前記コントラスト強化構造のタイプ、その寸法、及びその場所は、前記限界ライン及び前記最適なコントラスト強化構造を有するターゲット設計を自動的に判定するためのモデルによって判定されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のリソグラフィー法。前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出する少なくとも1つのステップと、前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における被放射量の調節を算出するステップと、を更に有し、前記計算は、プロセスエネルギー許容度、前記コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、及びこれらと前記プロセスエネルギー許容度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のリソグラフィ法。プログラムコード命令を有するコンピュータプログラムであって、前記プログラムコード命令は、前記プログラムがコンピュータ上において実行された際に請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電子ビームリソグラフィ法を実行するように構成されており、対向する状態において限界ライン端部をそれぞれが有する前記ネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するためのモジュールと、前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するためのモジュールと、を有するコンピュータプログラムであって、いくつかのもの330、340、350のうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するためのモジュールと、前記コントラスト強化構造の、前記2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所S1、S2、S3、S4を算出するためのモジュールと、前記構造を生成するためのモジュールと、前記判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ライン端部の端部との関係において前記構造を配置するためのモジュールと、を更に有することを特徴とするコンピュータプログラム。前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出するためのモジュールと、前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における非放射量の調節を算出するためのモジュールと、を更に有し、前記計算は、プロセスエネルギー許容度、前記コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、及びこれらと前記プロセスエネルギー許容度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連していることを特徴とする請求項10に記載のコンピュータプログラム。本発明は、コントラスト改善パターンコントラスト改善形状又はCIFContrastImprovementFeatureの算出と、その後のエッチング対象のラインのネットワークへのその挿入と、を実現することにより、この問題を解決している。この目的のために、本発明は、対向した状態において限界ライン端部をそれぞれが有するネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するステップと、前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するステップと、を有する樹脂被覆された基板上におけるラインのネットワークの電子ビームリソグラフィ法を提供し、前記方法は、いくつかのもののうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するステップと、前記コントラスト強化構造の2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所を算出するステップと、前記構造を生成するステップと、判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ライン端部の端部との関係において前記構造を配置するステップと、更に有することを特徴としている。有利には、前記コントラスト強化構造は、H字様の構造であり、そのブランチは、それぞれ、約5~50nmの固有寸法を有し、前記限界ラインの方向に垂直であるそのブランチは、約5~50nmの前記限界ラインに平行な方向に沿った前記限界ラインの端部から距離S2において間隙の中央に配置され、且つ、前記限界ラインの方向に平行であるそのブランチは、約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において前記限界ラインの両側に対称的な方式で配置されている。有利には、前記コントラスト強化構造は、前記限界ラインに垂直の方向に沿って間隙内に対称的な方式で配置された2つの平行なバーから構成され、バーのそれぞれは、約5~50nmの固有寸法を有し、約5~100nmの距離S2だけ、離隔し、且つ、それぞれ、約5~50nmの前記限界ラインに垂直の距離S4だけ、前記限界ラインの端部から離隔している。有利には、前記2つの平行なバーは、その端部のそれぞれに、約5~50nmの固有寸法の4つの領域を更に有する。有利には、前記コントラスト強化構造は、ラインの幅Lに実質的に等しい幅の領域から構成されており、この領域は、前記領域が前記限界ラインに平行な距離S4に位置するように算出された高さを有し、前記距離は、実質的に5~50nmである。有利には、前記コントラスト強化構造は、実質的に5~50nmの固有寸法Li、Iiを有する少なくとも2つのCIFCIF1、...CIFi...から構成され、前記パターンは、実質的に5~20nmの限界ラインに垂直の距離S5だけ、相互に分離されており、パターンの数は、外部領域が、約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されている。有利には、前記コントラスト強化構造は、実質的に5~20nmの固有寸法の、間隙の内部を通過する実質的に正方形の領域の2つの列から構成されており、2つの列は、実質的に5~50nmの限界ラインの方向において距離S5だけ分離されており、領域の数は、外部領域が約5~50nmの前記限界ラインの方向に垂直の距離S3において限界ラインのエッジの両側に対称的な方式で配置されるように、選択されている。有利には、前記コントラスト強化構造のタイプ、その寸法、及びその場所は、限界ライン及び最適なコントラスト強化構造を有するターゲット設計を自動的に判定するためのモデルによって判定される。有利には、本発明の方法は、前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出する少なくとも1つのステップと、前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における被放射量の調節を算出するステップと、を更に有し、前記計算は、プロセスエネルギー許容度processenergylatitude、コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、並びに、これらとプロセスエネルギー許容度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連している。又、この方法を実装するために、本発明は、コンピュータ上において実行された際に本発明の電子ビームリソグラフィ法を実行するように構成されたプログラムコード命令を有するコンピュータプログラムを提供し、前記プログラムは、対向した状態において限界ライン端部をそれぞれが有するネットワークの少なくとも2つの対向したラインを選択するためのモジュールと、前記ラインの端部の形状に適用する補正を判定するためのモジュールと、を有し、前記コンピュータプログラムは、いくつかのもののうちから選択された少なくとも1つのコントラスト強化構造のタイプを判定するためのモジュールと、前記コントラスト強化構造の2つの対向した限界ライン端部の間の間隙内における特性寸法及び場所を算出するためのモジュールと、前記構造を生成するためのモジュールと、判定されたパラメータに基づいて前記対向した限界ラインの端部との関係において前記構造を配置するためのモジュールと、を更に有することを特徴としている。有利には、本発明のプログラムは、前記限界ラインの少なくとも1つの寸法及びコントラスト強化構造の少なくとも1つの寸法を算出するためのモジュールと、前記限界ライン及びコントラスト強化構造上における被放射量の調節を算出するためのモジュールと、を更に有し、前記計算は、プロセスエネルギー許容度、コントラスト強化構造の形状、前記コントラスト強化構造の位置、及びこれらとプロセスエネルギー強度の組合せを有する群から選択された最適化基準と関連している。本発明は、その計算及び配置を自動化してもよい少数のCIFタイプの形状を使用しており、その結果、適切なプログラムをコンピュータ援用設計ツールに統合することにより、標準的なコンポーネントのライブラリの変更が可能である。このコンポーネントのライブラリの変換の自動化を円滑に実行するように、限られた数のCIFが存在しているが、これらのCIFは、多数のパラメータを有しており、これらのパラメータを、適宜、ネットワークのベースパターンのパラメータの変更との組合せにおいて、変更することにより、近接効果の非常に微細な補正と、前記ベースパターンの非常に忠実な再生と、が実現される。いくつかの例示用の実施形態及びその添付図面に関する以下の説明から、本発明についてより理解することが可能であり、その様々な特性及び利点が明らかとなろう。図1は、従来技術のフォトリソグラフィ法におけるLESの補正を伴わない且つLESの補正を伴う再生対象のパターン及び再生されたパターンの図を示している。再生対象のパターン110は、変形したイメージ120の形態において樹脂内に転写される。具体的には、このイメージは、パターンの先端におけるコントラスト低減効果により、ライン端部の短縮LES121と、122などの丸くなった隅部と、を有する。再生対象のパターン130は、ハンマーヘッド131、セリフ133、又は1つ又は複数の散乱バー134などの部分分解パターンを追加することによって変更されている。パターンは、マウスバイト132などの材料の除去であってもよい。これらの部分分解パターンを有する方式によって調節された電子ビームの衝突は、コントラストを改善すると共にこれらの追加及び除去によって変更されたパターンを樹脂内に転写するエネルギー分布をサンプル上に生成し、このパターンは、追加/除去の前の初期パターンと同一のイメージ140を有している。図2は、従来技術の電子ビームリソグラフィ法におけるLESの補正を伴わない且つLESの補正を伴う再生対象のパターン及び再生されたパターンの図を示している。直接書込みによる電子ビームリソグラフィ法においても、ライン端部の短縮LES効果210が明らかである。このLES効果は、220又は230のように、ライン端部を延長させてライン端部の形状を変更することにより、補正してもよい。図3及び図3aは、本発明によるリソグラフィ法によるLESの補正のいくつかの例示用の実施形態を示している。基本的に、対向した状態において位置した2つのライン端部がその間に間隙を構成しているネットワークについて検討する。本発明の概念は、適切な形状及び場所のコントラスト改善パターン310、320、330、340、350、370、380、390をエッチング対象のネットワークに挿入するというものである。図4~図9を参照し、これらのパターンの形状及び場所を算出する方法について詳述することとする。以下のように、主には、2つのタイプのパターンが使用される。-2つのライン端部の間に位置したゾーン内に進入した部分が存在しないタイプ310及び320のパターン:一般的な規則として、これらのタイプのパターンは、このゾーン360の特性寸法が約10nm未満である際に選択され、更に詳しくは、経験的には、タイプ310のパターンは、寸法360が5nm以下である際に選択され、且つ、タイプ320のパターンは、寸法360が5nm超であるが10nm以下である際に選択される。-ラインに対して垂直であると共に2つのライン端部の間のゾーン内に位置した少なくとも1つの要素が存在しているタイプ330、340、又は350のパターン-単一のパターンが間隙内に挿入されているタイプ370のパターン-それぞれのパターンの最大寸法がネットワークのラインに対して平行であるタイプ380のパターン-ネットワークのラインに垂直にアライメントされた2つの列を構成するいくつかの領域が間隙内に挿入されているタイプ390のパターン本発明の一般的な考え方を逸脱することなしに、その他のタイプのパターンも可能である。ライン端部の狭窄度constrictionは、最も微細な技術の場合に、エッチング対象のパターンに比例して増大する。32~45nmの技術の場合には、狭窄度は、30nm/ラインエッジを達成する。間隔が十分である通常は、10nm超である場合には、構成330、340、350のうちの1つが優先的に選択されることになり、この場合には、間隔内に位置したCIFパターンの各部分に印加される過剰放射により、この方法のエネルギー許容度EnergyLatitude:ELの増大被放射量曲線の傾きの修正が、従って、コントラストの増大が実現される。ライン端部の間の空間が、この間隙内にパターンの一部を挿入することができないほどに限られている場合には、構成310、320のうちの1つが選択される。図4は、本発明の一実施形態に従ってLESの補正を実行するように実装された処理のフローチャートである。当業者には周知の方式により、本発明の方法は、設計を読み取るステップ410によって始まっている。エッチング対象のパターンのレイアウトは、従来通りに、GDSIIGraphicDataSystemversion2又はOASISOpenArtworkSystemInterchangeStandardフォーマットにより、ファイル内において符号化されている。この後に、ステップ420において、パターンのエッチングを必要とする層を選択する。ステップ430において、ゾーン、ライン、及び限界ライン端部を、即ち、特定の処理の主題を形成しなければならないものを識別している。ライン端部がそれ未満においては特定の処理の主題を形成しなければならない閾値は、技術によって左右され、従って、22nmの技術の場合には、限界ライン端部は、約30nm以下の間隙を有するものとなる。一般には、その狭窄度が10超であるすべてのライン端部が処理されることになる。従って、閾値の値は、技術によって左右される。ステップ440において、埋め込み対象のCIFパターンのタイプを処理対象のライン端部の構成に基づいて選択している。ライン端部の空間が5nm未満である場合には、図3のタイプ310のCIFのみが可能である。ライン端部の空間が5~10nmである場合には、タイプ320のCIFが好ましい。タイプ310のCIFも可能であるが、その場合には、コントラストの増大の観点において、性能が低下する。ステップ440からの出力に基づいて、タイプ330、340、350、370、380、又は390のCIFの埋め込みが決定されている場合には、ステップ450において、ラインの収縮を算出し、且つ、実行する。この計算は、図8、図9、図9a、図9b、及び図9cに示されているように実行される。CIFを追加するステップ460については、図5との関連において詳述する。この後に、変更された層をステップ470において検証している。具体的には、ライン端部の空間、可能なCD誤差、割れ欠陥、及び被放射量計算を検証する。この後に、形状突出に基づいたリソグラフィ法を使用する場合には、再生対象の設計を投影対象の基本的な形状に断片化させるステップ480を実行する。ステップ490において、LESの異なる特性の近接効果を、特に、高密度ネットワークのエッジにおいて発生するものを補正している。この目的のためには、ネットワーク内のショットの位置に基づいて放射の被放射量の調節を要求するものなどの従来技術による方法を使用することができる。但し、本出願の出願人が出願した特許出願第1052862号明細書の主題を形成する発明の方法を使用することもできる。この場合には、補正は、ラインのサイズを変更することにより、これらのショットによって放射される被放射量の低減を実現するステップを伴っている。ステップ4A0、4B0、及び4C0において、最終的な設計データをそれぞれ機械フォーマットに変換し、露光装置に転送し、且つ、これを使用して前記装置による露光を実行している。本発明の方法においては、例えば、VISTEC商標又はADVANTEST商標という商標名を有する装置などの任意の電子ビームリソグラフィ装置を使用することができる。そのドライブソフトウェアは、前述の様々なステップを実装することができるように適合される。図5は、本発明の2つの実施形態による図4のフローチャートのステップの詳細である。ここで、図4のステップ460について詳述する。このステップは、ライン端部のコントラストに基づいた埋め込み対象のCIFの寸法の算出に存在する。このステップ450は、半自動方式により、又は完全自動方式により、実行してもよい。第1のケースにおいては、このステップ510aにおいて、基板上にオーバーレイする対象のベースパターンと同一の方式によってエッチング対象の新しいパターンを規定している。ステップ511aにおいて、CIFの寸法を算出し、且つ、ステップ512aにおいて、本明細書において更に説明する手順に従って、CIFの場所をライン端部との関係において算出している。次に、ステップ520において、従来の方式により、そのパラメータの判定が以前のステップにおいて完全に完了しているCIFの配置を自動的な方式によって実行している。第2のケースにおいては、ステップ510bにおいて、エッチング対象のラインのネットワークの特性に基づいて、埋め込み対象のCIF構造のモデル化に基づいた方式を使用することにより、CIFの寸法及び場所を完全に自動的な方式によって規定している。ステップ511bにおいて、適用対象のモデルを規定し、且つ、ステップ512bにおいて、ターゲット設計を規定している。このモデル化については、図8及び図9を参照して後述する。一変形実施形態によれば、ステップ513bにおいて、本出願人によって出願された特許出願第1052862号明細書に開示されている方法に従って、CIFの形状、ライン、及び放射される被放射量の調節の統合型最適化法を使用してターゲット設計のサイズの変更を実行することができる。50nm未満の形状のためのリソグラフィ法に固有の近接効果の補正を目的としたこの特許出願に記述されている方法によれば、放射される被放射量をエッチング対象のパターンと畳み込むことにより、又はパラメータの表を使用することにより、CIF及び限界ラインのパターンに対応したショット内において印加される被放射量を算出している。その例が図6を参照して以下に付与されている計算に従って、プロセスエネルギー許容度を保持するように、印加される被放射量の調節及び新しいパターンのサイズの統合型の算出を実行するのである。図6は、本発明の一変形に従ってエッチング対象の形状のサイズを変更する方法を示している。プロセスエネルギー許容度を最適化するように、パターンの形状を少なくとも1つの次元において変更する。更に正確には、受け取った被放射量が0.5において樹脂の感度閾値と等しくなる地点において、受け取った被放射量620の曲線に接する直線640と前記感度閾値の境界を定める直線630の交点を求め、且つ、次いで、この後者の直線と放射された被放射量610のプロファイルの交点に向かう変位を実行することにより、この次元に沿って実行する対象の変位650を算出する。限界ラインのエネルギー許容度又は形状又は位置を最適化するように、パターンの形状及び/又は被放射量を次元の少なくとも1つにおいて変更する。前記形状の漸進的な増分を実行し、且つ、最適化対象の品質2つの又は任意のその他の費用関数の形状又は許容度又は組合せを目標と比較した後に、これらの増分の方向及び値を調節することにより、変位650を算出することができる。変位650は、最適化又はサーボ制御問題において使用される任意のその他の方式を使用して実行することができる。被放射量/パターンの統合型の計算は、2回又は3回にわたって反復してもよい。又、特に、パターン外のショットに対してのみ調節を適用し、その他のショットは、この方法の正規化値において又はこれを30下回るレベルの値において印加される際には、畳込み計算を伴うことなしに、パターンに印加される被放射量の調節をパラメータの表に基づいて算出することもできる。後続の図は、以下に規定されているCIFに対する又はこれらのCIFのメインライン又は、エッチング対象のパターンのラインを寸法設定するためのパラメータに適用される変化を算出するための規則を示しており、-Lメインラインは、エッチング対象のメインラインの幅であり、-Iメインラインは、エッチング対象のメインラインの長さであり、-LCIFは、埋め込み対象のそれぞれのCIFの共通幅であり、-IiCIFは、埋め込み対象のそれぞれのCIFの特徴を示す長さであり、-S1は、2つの対向したメインラインの間の間隙の寸法であり、-S2は、メインラインの方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法であり、-S3は、メインラインに垂直の方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、-S4は、メインラインの方向に沿ったCIFとメインラインの間の間隙の寸法であり、-S5は、メインラインに垂直の方向に沿った2つのCIFの間の間隙の寸法である。図3のタイプ310及び320の一つにおける本発明の方法のパラメータの算出を示す図7を参照すれば、メインライン及びCIFのパラメータを算出するための規則が示されており、-パラメータLメインライン及びIメインラインは、変更されず、-パラメータS1は、DRMDesignRuleManualの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、-LCIF及びIiCIFは、約5~20nmであり、-S2及びS3は、約5~20nmの値において固定される。有利には、16nmの技術における高密度構造の場合には、プルバックを実行することができる。このプルバックは、微細度の低い技術の場合にこれら2つのタイプのCIF用の標準的な解決策であるプルバックを伴わない解決策との関係において、コントラストの増大を実現することになる。図3のタイプ340及び350の一つにおける本発明の方法のパラメータの計算を示す図8を参照すれば、メインライン及びCIFのパラメータを算出するための規則が示されており、-パラメータLメインラインは、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、-パラメータIメインラインは、変更されず、-パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、-LCIF及びIiCIFは、約5~50nmであり、-S2は、メインラインの収縮に基づいて約5~100nmの値において固定され、-S4は、約5~50nmの値において固定される。図3のタイプ330における本発明の方法のパラメータの算出を示す図9を参照すれば、メインライン及びCIFのパラメータを算出するための規則が示されており、-パラメータLメインラインは、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、-パラメータIメインラインは、変更されず、-パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、-LCIF及びICIFは、約5~50nmであり、-S2は、メインラインの収縮に基づいて約5~100nmの値において固定され、-S3は、約5~50nmの値において固定される。図9a、9b、及び9cは、それぞれ、図3aのタイプ370、380、及び390における本発明の方法のパラメータの算出を示しており、メインライン及びCIFのパラメータを算出するための規則は、以下のとおりである。-パラメータLメインラインは、CIFに基づいて算出された収縮について補正され、-パラメータIメインラインは、変更されず、-パラメータS1は、DRMの最小値によって固定され、22nmのプロセス及び適切な樹脂の場合には、これは、約30nmに等しく、-LCIF及びICIFは、約5~50nmであり、-S2は、メインラインの収縮に基づいて約5~100nmの値において固定され、-S3、S4、及びS5は、約5~50nmの値において固定される。上述の図8、9、9a、9b、及び9cのパラメータは、試行錯誤によって最適化され、その後に、補正を生成するためのモデルによって呼び出されるチャート内に最適な値を収容する。図10a、10b、及び10cは、従来技術のLES補正法の結果を示している。図10aは、図2に図式的に示されているものなどの従来技術のLES補正を適用する電子ビームリソグラフィ法を使用してエッチングされた2つのラインのシミュレーションを示しており、ラインの端部は、制御されておらず、且つ、特に、ライン端部の収縮が過剰に大きく、且つ、多くの場合に、これは、必然的に、この方法によってエッチングされる集積回路にとって致命的である短絡の問題を生成することが明瞭に観察される。図10bは、受け取る被放射量をラインの開始点からの距離に基づいてシミュレートした結果をグラフィカルに示している。図10cは、エッチングされた回路の写真である。図11a、11b、11c、及び11dは、本発明の一実施形態におけるLES補正法の結果を示している。図11aは、本発明の一実施形態に従ってLES補正を適用する電子ビームリソグラフィ法を使用してエッチングされた2つのラインのシミュレーションこの例においては、図11dに示されている図3のタイプ320のものを示しており、ライン端部が、図10a、10b、及び10cに示されている従来技術の方法の適用におけるものよりも格段に良好に制御されており、且つ、設計において目標としたものが正確に得られていることが図11a及び図11cにおいて観察される。この結果は、図11bのシミュレーショングラフによって確認され、ここでは、CIFの効果は、ラインの端部を互いに更に近接した状態にすることにあるという点に留意されたい。以上の記載における例示用の実施形態は、直接書込みによる電子ビームリソグラフィ法のケースについて与えられている。但し、本発明は、電子ビーム放射による書込みのために後で使用されることになるマスクエッチングに適用することも可能である。従って、上述の例は、本発明の特定の実施形態の例示として付与されたものである。これらの例は、添付の請求項によって規定されている本発明の分野を決して限定するものではない。