真空チャンバの隔壁に設けられたマイクロ波導入窓に対向配置される、一方向に長手の導波管を備え、この導波管は、そのマイクロ波導入窓との対向面に所定間隔で開設された複数のスリットを有するマイクロ波導入装置において、前記スリットからマイクロ波導入窓に向かう方向を下とし、スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し進退自在に設けたアース接地の導体を更に備えることを特徴とするマイクロ波導入装置。前記導体は、マイクロ波の波長の4分の1の間隔を存して設けられたことを特徴とする請求項1記載のマイクロ波導入装置。本発明は、以上の点に鑑み、プラズマ処理装置に適用したときに、一方向に長手の導波管下面に列設されたスリット直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができ、しかも処理室内のマイクロ波の電磁場強度の再調整を簡単に行うことが可能なマイクロ波導入装置を提供することをその課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、真空チャンバの隔壁に設けられたマイクロ波導入窓に対向配置される、一方向に長手の導波管を備え、この導波管は、そのマイクロ波導入窓との対向面に所定間隔で開設された複数のスリットを有するマイクロ波導入装置において、前記スリットからマイクロ波導入窓に向かう方向を下とし、スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し進退自在に設けたアース接地の導体を更に備えることを特徴とする。本発明によれば、スリットの直上に位置する導波管の内部空間に対し導体を進入させると、導体が進入した部分の内部空間が狭くなり、この狭くなった内部空間のマイクロ波の電磁場強度は低くなる。このため、本発明のマイクロ波導入装置をプラズマ処理装置に適用したときに、当該スリットの直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度が低くなる一方で、その周辺の空間の電磁場強度が高くなる。このため、処理室内でマイクロ波の電磁場強度が高い部分の直上に位置するスリットを特定し、特定したスリットの直上に位置する導波管の内部空間に導体を進入させ、その他の導体を退避させれば、各スリット直下に位置する処理室内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができる。しかも、導波管に設けられた導体を一旦進退させた後に、処理室内のマイクロ波の電磁場強度の微調整が必要であれば、上記と同様にして導体を再度進退させるという簡単な操作によって処理室内の電磁場強度の再調整を行うことができる。尚、本発明のマイクロ波導入装置は、酸素プラズマによる有機物のアッシング処理を行うアッシング装置に適用する場合に適している。この場合、予めアッシング速度を測定しておき、その測定結果から電磁場強度が高い部分の直上に位置するスリットを特定でき、進入させる導体を決定することができる。本発明において、導体をマイクロ波の波長の4分の1の間隔を存して設けることが好ましい。導波管内ではマイクロ波の波長の4分の1の間隔で電磁場強度のピークが現れるため、電磁場強度のピークが現れる位置に導体が設けられることとなり、マイクロ波の電磁場強度を精度良く調整することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態のマイクロ波導入装置について、プラズマ処理装置たるアッシング装置の真空チャンバ内にマイクロ波を導入する場合を例に説明する。図1及び図2に示すアッシング装置AMは、マイクロ波導入装置Mを備える。マイクロ波導入装置Mは、マイクロ波電源1と、発振器2と、アイソレータ3と、方向性結合器4と、3Eチューナ5と、コーナ導波管6と、導波管7とから構成される。発振器2は、図示省略のマグネトロン及びランチャーを有し、マイクロ波電源1からマグネトロンに電力が供給されると、マグネトロンが発振してマイクロ波を出力し、このマイクロ波をランチャーが効率良く取り出してアイソレータ3に出力するようになっている。アイソレータ3は、発振器2からのマイクロ波を負荷である真空チャンバ11に送出すると共に、負荷で反射されたマイクロ波反射電力を減衰させるように構成されている。方向性結合器4は、2つのポート4a、4bを有し、順方向に進行するマイクロ波進行波に対応する信号Rfと、逆方向に進行するマイクロ波反射波に対応する信号Rrとを取り出すことができるようになっている。3Eチューナ5は、インピーダンス整合を行うことで、反射波を低減するように構成されている。コーナ導波管6は、例えばEコーナ導波管であり、そのフランジ6aが導波管7のフランジ7aと接続されている。導波管7は、一方向に長手のものであり、真空チャンバ11の上壁11aに設けられたマイクロ波導入窓12に対向配置されている。導波管7の一端の開口はコーナ導波管6に連通し、閉塞された他端はショート板7bを構成する。図3Bも参照して、導波管7の下面には、その長手方向に延びるスリット70aと、長手方向に直交する方向に延びるスリット70bとがそれぞれ複数開設されている。本実施形態では、長手方向に位相角60度の所定間隔で設けられた8個のスリット70aからなる列が2つ形成され、これら2つのスリット70aの列の間に、長手方向に所定間隔で4個のスリット70bが形成されている。そして、これらのスリット70a、70bからマイクロ波導入窓12を通して真空チャンバ11内処理室10にマイクロ波が導入されるようになっている。図3A及びCを参照して、導波管7の上面には、スリット70a、70bの直上に位置する導波管7の内部空間に対し進退自在な複数本本実施形態では21本の導体71が、導波管7の長手方向に所定間隔を存して設けられている。本実施形態では、導波管7内でマイクロ波の電磁場強度のピークが現れる位置に導体71が位置するように、導体71の間隔をマイクロ波の波長の4分の1に設定している。各導体71は、例えば、アース接地された直径5mmのSUS製のボルトで構成され、導波管7上面にナット72を介して設けられている。導体71を一方向に回転させると、導体71の先端が導波管7内に進入して内部空間を狭くでき、狭くなった内部空間のマイクロ波の電磁場強度を低くできる。一方、導体71を反対方向に回転させると、導体71の先端が導波管7内から退避できるようになっている。導体71にはナット73が設けられ、このナット73が導波管7上面のナット72に当たると、導体71の進入が停止するようになっている。導体71の先端が所定長例えば5mmだけ導波管7内に進入した位置で停止するように、導体71に対するナット73の取り付け位置が調整されている。なお、導波管7からコーナ導波管6を取り外し、導波管7の上壁の内面に常磐を押し当てた状態で、この常磐に導体71の先端が当たるまで導体71を回転させることで、導体71を退避位置に調整することができる。アッシング装置AMは、処理室10を画成する上記真空チャンバ11を備える。真空チャンバ11の上壁11aには、マイクロ波導入窓12の輪郭と略一致の中央開口11bが形成され、中央開口11bの下端にはその内方に向かって延出する延出部11cが形成されている。そして、中央開口11bにマイクロ波導入窓12を落とし込むと、マイクロ波導入窓12が延出部11cで保持される。マイクロ波導入窓12は、例えば、石英等の誘電体で形成されている。延出部11cの上面に形成された溝にはOリング13が嵌め込まれ、マイクロ波導入窓12との間で真空シールできるようになっている。真空チャンバ11の側壁には、ターボ分子ポンプやロータリポンプ等からなる真空排気手段に通じる排気管14が接続され、処理室10内を所定の真空度まで真空引きできるようになっている。また、真空チャンバ11の底部には、絶縁部材15を介してステージ16が配置されている。ステージ16の上面には、図外の搬送ロボットにより搬送される処理対象物Wを位置決め保持できるようになっている。処理室10の上部には、ステージ16に対向させてシャワープレート17が配置されている。シャワープレート17は、真空チャンバ11の上壁から処理室10内に突設した支持壁18の下端で保持されている。そして、支持壁18とシャワープレート17とで画成された空間19にプロセスガスを導入することができるように、ガス導入管20が真空チャンバ11の上壁11aに接続されている。以下、上記アッシング装置AMを用いたアッシング方法について、ガラス基板W上に形成された有機物膜を酸素プラズマでアッシングする場合を例に説明する。先ず、処理室10が所定の真空度例えば、5Paに達した状態で、有機EL用の公知の有機金属錯体からなる有機物膜が形成されたガラス基板Wを図外の搬送ロボットにより搬送し、ステージ16上に位置決め保持する。次に、ガス導入系20からプロセスガスとして少なくとも酸素ガスを含むガスを空間19内に導入する。本実施形態では、酸素ガスと共に、反応促進作用を得るためのフッ素系ガス及び窒素ガスも空間19内に導入する。ここで、空間19内に導入する酸素ガスの流量は200~3000sccmの範囲とし、フッ素系ガスの流量は10~200sccmの範囲とし、窒素ガスの流量は40~600sccmの範囲とする。これに併せて、マイクロ波電源1から発振部2に電力を供給する。ここで、発振部2に供給する電力は、周波数2.45GHz、1kW~2kWの範囲とする。電力供給された発振部2はマイクロ波を出力し、この出力されたマイクロ波は、導波管7に送出され、導波管7のスリット70a、70bとマイクロ波導入窓12とを介して処理室10内に導入される。これにより、処理室10内の導波管7下方に局所的にプラズマが形成され、このプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルがガラス基板W表面に入射して、有機物膜がアッシングされる有機物が水と二酸化炭素として排気管14から排気される。ここで、スリット70a、70bの直下に位置する処理室10内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度が夫々異なると、基板面内で有機物膜のアッシング速度の差が大きくなり、最も低いアッシング速度に合わせてアッシング時間を長く設定しなければならなくならず、生産性が低下する。しかも、アッシング時間を長く設定すると、配線間の絶縁膜もアッシングしてしまい、配線間の絶縁不良を引き起こす。有機EL表示デバイスの製造に用いられる基板のように大型基板の処理を行う場合、真空チャンバ11も大型化し、これに伴いマイクロ波導入窓12や導波管7も長くなり、上記の如くスリット70a、70bの数も多くなるため、処理室10内のマイクロ波の電磁場強度を均一にすることが一層困難になる。そこで、本実施形態では、導波管7上面にスリット70a、70bの直上に位置する導波管7の内部空間に対し進退自在に複数の導体71を設けた。そして、スリット70a、70bの直下に位置する処理室10内の空間においてマイクロ波の電磁場強度が高い部分を特定する。例えば、図4に示すような処理室10内のマイクロ波の電磁場強度分布が得られた場合、電磁場強度の高い数箇所図中で丸印で囲む2箇所を特定する。尚、処理室10内のマイクロ波の電磁場強度は、アッシング速度と相関を有するため、予めアッシング速度を測定しておき、アッシング速度の高い部分を特定すればよい。そして、電磁場強度が高い部分の直上に位置するスリットを特定し、特定したスリットの直上に位置する導波管の内部空間に導体71を進入させる。導体71を進入させた内部空間は狭くなり、この狭くなった内部空間のマイクロ波の電磁場強度が低くなる。このため、当該スリットの直下に位置する処理室10内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度が低くなる一方で、その周辺の空間の電磁場強度が高くなる。その結果、各スリット直下に位置する処理室10内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度を均一にすることができる。これにより、アッシング速度の均一性を向上させることができる。更に、アッシング速度の均一性が良いと、アッシング時間を短く設定できるため、デバイスの生産性が向上し、デバイス基板に与えるプラズマダメージを低減できるという効果も得られる。しかも、導体71を一旦進退させた後に、経時変化等の理由により処理室10内のマイクロ波の電磁場強度の微調整が必要となる場合がある。この場合、上記と同様にして導体71を再度進退させるという簡単な操作によって、処理室10内のマイクロ波の電磁場強度の再調整を行うことができる。以上の効果を確認するために、780×1280mmの大きさのガラス基板の表面全体に有機金属錯体からなる有機物膜を形成し、マイクロ波導入窓12の直下に配置される有機物膜以外をアルミナマスクで覆ったものを処理対象物Wとし、上記アッシング装置AMを用いて、次の発明実験を行った。本発明実験では、アッシングガスとして酸素ガスとフッ素系ガスと窒素ガスとからなる混合ガスを用い、その流量を1500:20:200sccmとし、アッシング時の処理室10の圧力を20Paとし、マイクロ波電源1からの供給電力を2.45GHz、1.5kWとし、1分間アッシングを行った。ここで、アッシング前に、導波管7の導入ポート側フランジ7a側から数えて10、11及び15番目の3本の導体71を導波管7の内部空間に夫々5mm進入させた。この発明実験でのアッシング速度の測定結果を図5に示す。アッシング速度の均一性は±3であった。これによれば、各スリット直下に位置する処理室10内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度が均一であることが確認された。尚、図5の横軸は、有機物膜のアッシング速度測定位置膜厚測定位置を示し、導波管7の開口の直下に位置する部分からの距離mmで表している図6も同様。上記発明実験に対する比較実験を行った。本比較実験では、上記発明実験と同じアッシング条件とし、全ての導体71を導波管7の内部空間から退避させた状態でアッシングを行った。比較実験でのアッシング速度の測定結果を図6に示す。アッシング速度の均一性は±20であった。これによれば、スリットの輪郭や配置だけでは、各スリット直下に位置する処理室10内の空間におけるマイクロ波の電磁場強度が不均一であることが確認された。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、マイクロ波導入装置Mをアッシング装置AMに適用した場合について説明したが、例えばエッチング装置のように処理室内に局所的にプラズマを発生させるプラズマ処理装置に適用することができる。また、上記実施形態では、導波管7の上面に導体71を設けているが、導波管7の側面に導体71を設けてもよい。この場合も導体71を進入させた内部空間が狭くなるため、この内部空間のマイクロ波の電磁場強度を低くすることができ、結果として、導波管7内のマイクロ波の電磁場強度を均一にできる。