"下記化学式1で表されることを特徴とするシクロデキストリン誘導体。式中、R1~R3は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式aで表わされる基を示す。nは6~8の整数である。また、複数のR1~R3のうちの少なくとも1つは下記式aで表わされる基である。式中、R4は、アルキル基を示す。前記化学式aで表わされる基の含有率が7以上であることを特徴とする請求項1に記載のシクロデキストリン誘導体。下記化学式2で表わされる化合物と、下記化学式3で表わされる化合物とを水酸化ナトリウムの存在下において、化学式2で表わされる化合物における全水酸基1molに対して化学式3で表わされる化合物が0.1mol以上となる条件で反応させることにより、請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を得ることを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。式中、nは6~8の整数である。式中、R4はアルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す。請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を含有してなることを特徴とするレジスト材料。本発明は、以上のような事情を背景とし、極端紫外線を露光光とするフォトリソグラフィー用のレジスト材料としては低分子量の化合物が有用であることに基づいて、発明者らが研究を重ね、低分子量の化合物であって分子中に多数の水酸基を有するシクロデキストリンに対して、特異な特性を有することから種々の用途への利用が試みられているアダマンタン化合物に由来の基を導入することが可能であることを見出した結果、なされたものである。本発明の目的は、アダマンタン化合物に由来の基が導入されてなる新規なシクロデキストリン誘導体およびその製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、高い耐熱性を有すると共に、容易に成膜することができるシクロデキストリン誘導体およびその製造方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は、低LERであり、従って微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することのできるレジスト材料を提供することにある。本発明のシクロデキストリン誘導体は、下記化学式1で表されることを特徴とする。式中、R1~R3は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式aで表わされる基を示す。nは6~8の整数である。また、複数のR1~R3のうちの少なくとも1つは下記式aで表わされる基である。式中、R4は、アルキル基を示す。本発明のシクロデキストリン誘導体においては、前記化学式aで表わされる基の含有率が7以上であることが好ましい。本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法は、下記化学式2で表わされる化合物と、下記化学式3で表わされる化合物とを水酸化ナトリウムの存在下において、化学式2で表わされる化合物における全水酸基1molに対して化学式3で表わされる化合物が0.1mol以上となる条件で反応させることにより、請求項1または請求項2に記載のシクロデキストリン誘導体を得ることを特徴とする。式中、nは6~8の整数である。式中、R4はアルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す。本発明のレジスト材料は、前記のシクロデキストリン誘導体を含有してなることを特徴とする。本発明のシクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン骨格を有する低分子量のものであると共に、アダマンタン化合物に由来の基を有するため、優れた耐熱性が得られると共に、アダマンタン化合物に由来の基の含有率が7以上である場合には、有機溶剤に対する溶解性を有することから容易に成膜することが可能である。また、本発明のシクロデキストリン誘導体は、極端紫外線に対して感度を有するものであり、しかも当該シクロデキストリン誘導体から得られる薄膜が低LERであって微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができるものであることから、極端紫外線を露光光として用いるレジスト材料として有用である。本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法によれば、本発明のシクロデキストリン誘導体を容易に得ることができる。また、本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法においては、水酸化ナトリウムの使用量によって得られるシクロデキストリン誘導体におけるアダマンタンに由来の基の含有率を制御することが可能である。本発明のレジスト材料によれば、本発明のシクロデキストリン誘導体を含有するものであることから、低LERLineEdgeRoughness、すなわち膜面荒れの程度が少なく、従って微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。本発明のシクロデキストリン誘導体は、上記化学式1で表わされる化合物であり、アダマンタン化合物に由来の基を有することを特徴とするものである。この本発明のシクロデキストリン誘導体は、当該シクロデキストリン誘導体を構成する繰り返し単位のすべてが同一の構成を有するものに限られず、各繰り返し単位におけるR1~R3およびR4が、その一部または全部が異なったものであってもよい。本発明のシクロデキストリン誘導体に係る化学式1において、R1~R3は、それぞれ独立に水素原子または上記化学式aで表わされるアダマンタン化合物に由来の基以下、特定アダマンチル基ともいう。であり、また、複数のR1~R3のうちの少なくとも1つは、特定アダマンチル基である。ここに、本発明のシクロデキストリン誘導体においては、当該シクロデキストリン誘導体を構成する複数の繰り返し単位うちの少なくとも1つの繰り返し単位に係るR1~R3のうちの少なくとも1が特定アダマンチル基であればよい。特定アダマンチル基に係る化学式aにおいて、R4は、アルキル基である。化学式aにおけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数1~4のアルキル基が挙げられる。化学式aにおいては、R4は、メチル基であることが好ましい。また、化学式1において、nは6~8の整数であり、好ましくは7である。本発明のシクロデキストリン誘導体においては、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率によって示される特定アダマンチル基の含有率が、7以上であることが好ましく、更に好ましくは10以上である。ここに、特定アダマンチル基の含有率は、1H-NMRスペクトルに基づいて求めることができる。このような構成の本発明のシクロデキストリン誘導体は、原料化合物としてのシクロデキストリン化合物と、特定アダマンチル基を有する化合物とを反応させることにより得ることができる。ここに、原料化合物としてのシクロデキストリン化合物の具体例としては、α-シクロデキストリン、β-シクロデキストリンおよびγ-シクロデキストリンが挙げられる。具体的には、本発明のシクロデキストリン誘導体は、上記化学式2で表わされるシクロデキストリン化合物以下、原料化合物1ともいう。と、上記化学式3で表わされる特定アダマンチル基を有する化合物以下、原料化合物2ともいう。とを、水酸化ナトリウムの存在下において反応させることにより得ることができる。ここに、原料化合物2に係る化学式3において、Xはハロゲン原子である。この化学式3に係るXとしては、例えば臭素原子、塩素原子およびヨウ素原子などが挙げられる。原料化合物1と、原料化合物2との使用量は、原料化合物1中の水酸基1molに対して原料化合物2が0.1mol以上とされ、好ましくは0.1~5.0mol、更に好ましくは0.5~1.0molである。水酸化ナトリウムの使用量は、原料化合物1中の水酸基1molに対して0.1~2.0molであることが好ましく、更に好ましくは0.3~1.0molである。水酸化ナトリウムの使用量が過小および過大である場合には、いずれの場合においても、得られるシクロデキストリン誘導体において、特定アダマンチル基の含有率を制御することができなくなるおそれがある。水酸化ナトリウムの存在下における原料化合物1と原料化合物2との反応は、適宜の溶媒中において、適宜の触媒を用いることによって行うことができる。溶媒としては、例えばN-メチル-2-ピロリドンNMP、ジメチルスルフィドDMS、ジメチルホルムアミドDMF、ジメチルアセトアミドDMAcなどを用いることができる。また、触媒としては、例えばテトラブチルアンモニウムブロミドTBAB、テトラブチルアンモニウムクロライド、テトラフェニルアンモニウムブロマイド、テトラブチルフォスフォニウムブロマイドなどを用いることができる。触媒の使用量は、0.5~1.0molであることが好ましい。また、反応条件としては、例えば反応温度が0~100°Cであり、反応時間が1~72時間である。本発明のシクロデキストリン誘導体の合成プロセスの一例を、下記反応式1に示す。式中、R1~R3は、それぞれ独立に水素原子または下記化学式aで表わされる基を示し、nは6~8の整数である。また、複数のR1~R3のうちの少なくとも1つは下記式aで表わされる基である。R4は、アルキル基を示し、Xは、ハロゲン原子を示す。以上のような本発明のシクロデキストリン誘導体は、シクロデキストリン骨格を有する低分子量のものであると共に、アダマンタン化合物に由来の基を有するため、優れた耐熱性が得られると共に、特定アダマンタン基の含有割合が7以上である場合には、有機溶剤に対する溶解性を有することから容易に成膜することが可能である。また、本発明のシクロデキストリン誘導体は、極端紫外線に対して感度を有するものであり、しかも当該シクロデキストリン誘導体から得られる薄膜が低LERであって微細なパターンを高精度に、かつ安定して形成することができるものであることから、極端紫外線を露光光として用いるレジスト材料として有用である。本発明のレジスト材料は、本発明のシクロデキストリン誘導体を含有することを特徴とするものである。具体的には、例えば本発明のシクロデキストリン誘導体と共に、極端紫外線などの放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、当該感放射線性発生剤から生じる酸のレジスト膜レジスト被膜中における拡散現象を制御するための酸拡散制御剤と、有機溶剤と、必要に応じて例えば界面活性剤および増感剤などの任意成分を含有するものである。ここに、本発明のレジスト材料は、当該レジスト材料を構成する本発明のシクロデキストリン誘導体が1種単独または2種以上が組み合わされてなるものであってもよい。本発明のレジスト材料において、本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合は、1~30質量であることが好ましい。本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合が過小である場合には、薄膜が形成不能になるおそれがある。一方、本発明のシクロデキストリン誘導体の含有割合が過大である場合には、均一な薄膜が形成不能になるおそれがある。前記感放射線性発生剤は、電子線および極端紫外線等の放射線などの光を照射したときに、本発明のレジスト材料中において酸を発生する物質であり、本発明のレジスト材料に光を照射した場合には、当該本発明のレジスト材料を構成する本発明のシクロデキストリン誘導体における、酸解離性を有する特定アダマンチル基が解離することとなる。感放射線性発生剤としては、酸発生効率および耐熱性の観点から、例えばオニウム塩、ジアゾメタン化合物、スルホンイミド化合物およびその他の非イオン性酸発生剤などが好適に用いられる。これらの化合物は、単独で用いることもでき、また2種以上を組み合わせて用いることもできる。感放射線性発生剤の具体例としては、例えば下記一般式B-1で表わされるスルホニルオキシイミド化合物が挙げられる。上記式中、R5は、アルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基、シクロアルキレン基、不飽和結合を有する環状骨格を含むシクロアルキレン基等の2価の基を示し、R6はハロゲン原子、シクロアルキル基で置換されていてもよいアルキル基、アルキル基、エステル結合を有する基で置換されていてもよいシクロアルキル基、ハロゲン原子またはアルキル基で置換されていてもよいアリール基を示す。本発明において、スルホニルオキシイミド化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。スルホニルオキシイミド化合物の具体例としては、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-4-トルエンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-{5-メチル-5-カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルスルホニルオキシ}スクシンイミドなどを挙げることができる。前記他の非イオン性酸発生剤としては、スルホニルジアゾメタン化合物が好ましい。スルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、下記一般式B-2で表される化合物を挙げることができる。上記式中、各R7は、相互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の1価の基を示す。スルホニルジアゾメタン化合物の具体例としては、ビストリフルオロメタンスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキサンスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4―ジメチルベンゼンスルホニルジアゾメタン、ビス4-t-ブチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-クロロベンゼンスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル4-トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル4-トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキサンスルホニル1,1-ジメチルエタンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエタンスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルエタンスルホニルジアゾメタン、ビス3,3-ジメチル-1,5-ジオキサスピロ[5.5]ドデカン-8―スルホニルジアゾメタン、ビス1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-7-スルホニルジアゾメタンなどを挙げることができる。前記オニウム塩としては、フッ素原子で置換されてもよいベンゼンスルホン酸を発生するものを使用できる。前記オニウム塩化合物の具体例としては、下記一般式B-3および一般式B-4で表される化合物を挙げることができる。上記式B-3中、R8およびR9は、相互に独立に、置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6~18のアリール基であるか、あるいは、R8およびR9が相互に結合して式中のヨウ素原子とともに環状構造を形成していてもよい。上記式B-4中、R10、R11およびR12は、相互に独立に、置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6~18のアリール基であるか、あるいは、R10、R11およびR12のいずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子とともに環状構造を形成しており、残りの1つが置換されていてもよい炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよい炭素数6~18のアリール基であってもよい。また、一般式B-3および上記一般式B-4中、X’はR13-SO3-またはR14-COOH-を示し、R13およびR14はそれぞれ独立にフッ素原子、水酸基、アルコキシル基およびカルボキシル基で置換されてもよいアルキル基または芳香族誘導体に由来の基を示す。一般式B-3および上記一般式B-4に係る好ましいR13-SO3-としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、10-カンファースルホネート、2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルエタンスルホネートを挙げることができる。感放射線性発生剤の含有割合は、本発明のシクロデキストリン誘導体100質量部に対して0.1~20質量部であることが好ましい。前記酸拡散制御剤は、本発明のレジスト材料を構成する感放射線性発生剤から生じる酸のレジスト膜レジスト被膜中における拡散現象を制御することによって非露光領域において化学反応が生じることを抑制する作用を有するものである。酸拡散制御剤としては、含窒素有機化合物または感光性塩基性化合物などが好適に用いられる。これらの化合物は、単独で用いることもでき、また2種以上を組み合わせて用いることもできる。前記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式C-1で表される化合物以下、含窒素化合物iという。、下記一般式C-2で表される同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物iiという。、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体以下、これらをまとめて含窒素化合物iiiという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物などを挙げることができる。上記式中、複数のR15は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状もしくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示す。上記式中、複数のR16は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示し、L’は単結合若しくは炭素数1~6のアルキレン基、エーテル基、カルボニル基またはアルコキシカルボニル基を示す。含窒素化合物iとしては、ジシクロアルキルアミン類、トリシクロアルキルアミン類、トリアルコールアミン等の置換アルキルアミン類、アニリン類等の芳香族アミン類を挙げることができる。含窒素化合物iiiとしては、例えば、トリアジン類、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。前記アミド基含有化合物としては、例えば、下記一般式C-3で表される化合物を挙げることができる。上記式中、複数のR17は、相互に独立に、水素原子、置換されていてもよい、直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示し、複数のR17は互いに結合し複素環式構造を形成してもよい。R18は置換基を有してもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、置換されていてもよいアリール基、または置換されていてもよいアラルキル基を示す。前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール類、ピリジン類、ピペラジン類、ピペリジン類、トリアジン類、モルホリン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等を好適例として挙げることができる。酸拡散制御剤の含有割合は、本発明のシクロデキストリン誘導体100質量部に対して15質量部以下であることが好ましい。前記有機溶剤としては、本発明のレジスト材料を構成する他の構成要素を溶解可能なものが用いられる。有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸i-プロピル等の乳酸エステル類;ぎ酸n-アミル、ぎ酸i-アミル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸i-アミル、プロピオン酸i-プロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、2-ペンタノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ブチロラクン等のラクトン類;などが挙げられる。有機溶剤の含有割合は、レジスト材料における全固形分濃度が5~70質量となる量であることが好ましい。このような構成の本発明のレジスト材料は、例えば本発明のシクロデキストリン誘導体と共に、感放射線性酸発生剤、酸拡散制御剤、および必要に応じて任意成分を、適宜の溶媒に溶解し、好ましくは得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターによってろ過することによって製造することができる。また、このようにして得られた本発明のレジスト材料は、例えば、レジスト材料を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布などの適宜の塗布方法によって、シリコンウエハーなどの基板上に塗布することによってレジスト膜レジスト被膜を形成し、そのレジスト膜に対して極端紫外線などの露光によって所期のレジストパターンを形成し、適宜の現像液によって現像処理をする、フォトリソグラフィープロセスに好適に用いられる。以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1シクロデキストリン誘導体の合成例容量50mLのナスフラスコに、化学式2においてnが7の化合物であるβ-シクロデキストリン以下、β-CDともいう。0.23g0.2mmolと、N-メチル-2-ピロリドン以下、NMPともいう。10mLとを仕込み、β-CDをNMPに溶解させた。この溶液に、水酸化ナトリウム0.1gβ-CD中の水酸基4.2mmolに対して当量と、テトラブチルアンモニウムブロミド以下、TBABともいう。0.058gβ-CDの水酸基に対して5mol、と、化学式3においてXが臭素原子であってR4がメチル基の化合物であるアダマンチルブロモアセテート以下、BMAともいう。1.2gβ-CD中の水酸基4.2mmolに対して当量とを添加し、温度40°Cの条件で20時間撹拌することによって反応させた。反応が完了した後、反応溶液をクロロホルムで希釈し、0.1N塩酸で1回、水道水で2回洗浄し、有機相を回収した。その後、回収した有機相を乾燥剤として無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥処理した。乾燥剤をろ別し、減圧留去後、貧溶媒としてエーテルを用いて沈殿させ、沈殿を回収し、室温にて24時間かけて減圧乾燥することにより、反応生成物0.0822gを得た。なお、得られた反応生成物の質量は、NMPを含むものである。得られた反応生成物は、IR分析および1H-NMR分析の結果から、下記化学式1-1で表される化合物以下、シクロデキストリン誘導体1ともいう。であることが確認された。このシクロデキストリン誘導体1において、特定アダマンタン基の含有率β-CDにおける全水酸基に対するエーテル化率は39であることが確認された。また、シクロデキストリン誘導体1について、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量Mnは1200であり、分子量分布Mw/Mnは1.06であった。シクロデキストリン誘導体1のIR分析および1H-NMR分析の結果を下記に示すと共に、IRスペクトルを図1およびNMRスペクトルを図2に示す。○IRKrS,cm1:3465νO-H2914νC-H1741νC=O1145,1092,1031νC-O-C○1HNMR500MHz,DMSO-d6,TMSδppm:1.50-2.18m,195.33,Hh-Hz4.80s,7,Haシクロデキストリン誘導体の特性得られたシクロデキストリン誘導体1について、熱安定性、有機溶剤に対する溶解性および成膜性について下記の手法によって確認をした。1熱安定性耐熱性熱重量分析TGAによって熱安定性耐熱性を確認したころ、Tdiが107.4°Cであり、Td52188.2°Cであり、Td102が191.4°Cであることが確認された。TGAデータを図3に示す。ここに、Tdiとは、熱分解開始温度であり、Td52とは、5重量熱分解損失温度であり、Td102とは、10重量熱分解損失温度である。2有機溶剤に対する溶解性シクロデキストリン誘導体150mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体1の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、ジグライムジエチレングリコールジメチルエーテルおよび乳酸エチルには、室温25°C条件下において溶解し、また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAには、加温条件下において溶解することが確認された。一方、濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムTMAH水溶液には溶解性を有さないことが確認された。3成膜性シクロデキストリン誘導体150mgがプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME1mLに溶解されてなる溶液、シクロデキストリン誘導体150mgがジグライム1mLに溶解されてなる溶液、およびシクロデキストリン誘導体150mgが乳酸エチル1mLに溶解されてなる溶液を調製し、得られた各溶液を用いて下記の手法によって膜を形成することによって成膜性を目視にて確認したところ、膜を均一に形成できることが確認された。ここに、膜の形成は、シリコンウエハー上に溶液をスピンコートする手法によって行った。実施例2実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β-CDの使用量を2mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmol、BMAの使用量を14mmolβ-CD中の水酸基に対して1/3当量とすると共に、TBABの使用量を、β-CDの使用量が変更したことに応じてβ-CDの水酸基に対して5molとなる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。得られた反応生成物は、IR分析および1H-NMR分析の結果から、上記化学式1-1で表され、特定アダマンタン基の含有率β-CDにおける全水酸基に対するエーテル化率が76.9である化合物以下、シクロデキストリン誘導体2ともいう。であることが確認された。また、シクロデキストリン誘導体2について、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量Mnは1404であり、分子量分布Mw/Mnは1.06であった。シクロデキストリン誘導体2のNMRスペクトルを図4に示す。得られたシクロデキストリン誘導体2について、有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。シクロデキストリン誘導体2の有機溶剤に対する溶解性については、シクロデキストリン誘導体250mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体2の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシドDMSO、テトラヒドロフランTHF、エチルアセテート、乳酸エチル、クロロホルム、ジグライムジエチレングリコールジメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEには、室温25°C条件下において溶解し、また、メタノールおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAには、室温25°C条件下においてその一部が溶解することが確認された。一方、エチルエーテルおよび濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムTMAH水溶液には溶解性を有さないことが確認された。また、シクロデキストリン誘導体2は、シクロデキストリン誘導体250mgを水1mLに添加することにより、水には溶解性を有さないことが確認された。実施例3実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β-CDの使用量を4mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmolβ-CD中の水酸基に対して1/3当量、BMAの使用量を42mmolβ-CD中の水酸基に対して当量とすると共に、TBABの使用量を、β-CDの使用量が変更したことに応じてβ-CDの水酸基に対して5molとなる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。得られた反応生成物は、IR分析および1H-NMR分析の結果から、上記化学式1-1で表され、特定アダマンタン基の含有率β-CDにおける全水酸基に対するエーテル化率が39.0である化合物以下、シクロデキストリン誘導体3ともいう。であることが確認された。また、シクロデキストリン誘導体3について、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量Mnは1206であり、分子量分布Mw/Mnは1.06であった。シクロデキストリン誘導体3のNMRスペクトルを図5に示す。得られたシクロデキストリン誘導体3について、有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。シクロデキストリン誘導体3の有機溶剤に対する溶解性については、50mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体3の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシドDMSO、メタノール、テトラヒドロフランTHF、乳酸エチル、クロロホルムおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEには、室温25°C条件下において溶解し、また、アセトン、エチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAおよびジグライムジエチレングリコールジメチルエーテルには、室温25°C条件下においてその一部が溶解することが確認された。一方、エチルエーテル、n-ヘキサンおよび濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムTMAH水溶液には溶解性を有さないことが確認された。また、シクロデキストリン誘導体3は、シクロデキストリン誘導体350mgを水1mLに添加することにより、水には溶解性を有さないことが確認された。実施例4実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β-CDの使用量を6mmol、水酸化ナトリウムの使用量を42mmol、BMAの使用量を42mmolとすると共に、TBABの使用量を、β-CDの使用量が変更したことに応じてβ-CDの水酸基に対して5molとなる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物を得た。得られた反応生成物は、IR分析および1H-NMR分析の結果から、上記化学式1-1で表され、特定アダマンタン基の含有率β-CDにおける全水酸基に対するエーテル化率が36.9である化合物以下、シクロデキストリン誘導体4ともいう。であることが確認された。また、シクロデキストリン誘導体4について、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量Mnは1176であり、分子量分布Mw/Mnは1.06であった。シクロデキストリン誘導体4のNMRスペクトルを図6に示す。参考例1実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例において、β-CDの使用量を5mmol、水酸化ナトリウムの使用量を21mmol、BMAの使用量を21mmolとすると共に、TBABの使用量を、β-CDの使用量が変更したことに応じてβ-CDの水酸基に対して5molとなる量に変更したこと以外は当該実施例1のシクロデキストリン誘導体の合成例と同様にして反応生成物4.633gを得た。なお、得られた反応生成物の質量は、NMPを含むものである。得られた反応生成物は、IR分析および1H-NMR分析の結果から、上記化学式1-1で表され、特定アダマンタン基の含有率β-CDにおける全水酸基に対するエーテル化率が6である化合物以下、シクロデキストリン誘導体5ともいう。であることが確認された。また、シクロデキストリン誘導体5について、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって分子量および分子量分布を確認したところ、数平均分子量Mnは866であり、分子量分布Mw/Mnは1.29であった。シクロデキストリン誘導体5のIR分析および1H-NMR分析の結果を下記に示すと共に、IRスペクトルを図7およびNMRスペクトルを図8に示す。○IRKrS,cm1:3355νO-H2925νC-H1734νC=O1155,1080,1028νC-O-C○1HNMR500MHz,DMSO-d6,TMSδppm:1.50-2.18m,195.33,Hh-Hz4.80s,7,Ha得られたシクロデキストリン誘導体5について、熱安定および有機溶剤に対する溶解性について実施例1と同様の手法によって確認をした。シクロデキストリン誘導体5の熱安定性耐熱性については、熱重量分析TGAによって熱安定性耐熱性を確認したころ、Tdiが107°Cであり、Td52が188°Cであり、Td102が191°Cであることが確認された。TGAデータを図9に示す。シクロデキストリン誘導体5の有機溶剤に対する溶解性については、シクロデキストリン誘導体550mgを有機溶剤1mLに添加することによってシクロデキストリン誘導体5の有機溶剤に対する溶解性を確認したところ、ジメチルスルホキシド、メタノール、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、乳酸エチル、エチルエーテル、クロロホルム、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、n-ヘキサン、ジグライム、プロピレングリコールモノメチルエーテル、濃度2.38質量の水酸化テトラメチルアンモニウムには溶解性を有さないことが確認された。また、シクロデキストリン誘導体5は、シクロデキストリン誘導体550mgを水1mLに添加することにより、水には室温25°C条件下においてその一部が溶解することが確認された。実施例1~実施例4によれば、水酸化ナトリウムの使用量を調整することによって得られるシクロデキストリン誘導体の特定アダマンタン基の含有率シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率を制御することができることが確認された。なお、BMAの使用量によっては得られるシクロデキストリン誘導体の特定アダマンタン基の含有率シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率を制御することができないことが確認された。"