"陰極と、前記陰極上に形成されたフッ化カルシウムを有する電子注入層と、前記電子注入層上に形成された電子輸送層と、前記電子輸送層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された陽極と、を有する発光素子において、前記電子輸送層は、前記陰極に近い第1の領域と、前記発光層に近い第2の領域を有し、前記第1の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンのいずれかが含まれており、前記第2の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンが含まれていないことを特徴とする発光素子。陽極と、前記陽極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された電子輸送層と、前記電子輸送層上に形成されたフッ化カルシウムを有する電子注入層と、前記電子注入層上に形成された陰極と、を有する発光素子において、前記電子輸送層は、前記陰極に近い第1の領域と、前記発光層に近い第2の領域を有し、前記第1の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンのいずれかが含まれており、前記第2の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンが含まれていないことを特徴とする発光素子。陰極と、前記陰極上に形成されたフッ化カルシウムを有する電子注入層と、前記電子注入層上に形成された電子輸送層と、前記電子輸送層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された陽極と、を有する発光素子において、前記電子輸送層は、前記陰極に近い第1の領域と、前記発光層に近い第2の領域を有し、前記第2の領域は、10nm以上10nmを除くの厚さを有し、前記第1の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンのいずれかが含まれており、前記第2の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンが含まれていないことを特徴とする発光素子。陽極と、前記陽極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された電子輸送層と、前記電子輸送層上に形成されたフッ化カルシウムを有する電子注入層と、前記電子注入層上に形成された陰極と、を有する発光素子において、前記電子輸送層は、前記陰極に近い第1の領域と、前記発光層に近い第2の領域を有し、前記第2の領域は、10nm以上10nmを除くの厚さを有し、前記第1の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンのいずれかが含まれており、前記第2の領域は、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンが含まれていないことを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光素子を用いたことを特徴とする表示装置。しかし、これらの添加物として好適に用いられる多環縮合環を有する物質にはそれ自体が光を発するものが多い。その為、発光層における発光物質のエネルギーギャップが、それら添加物よりも大きい場合、励起された発光物質のエネルギーが電子輸送層に添加された添加物に移動してしまい、添加物の方も励起されて発光してしまう可能性がある。また、発光しなくともエネルギーが移動してしまうことによって発光効率の低下が引き起こされる可能性がある。このように、発光層中の発光物質以外に発光してしまうものがあると色純度が悪くなり好ましくない為、通常、添加物を用いる際は発光層中の発光物質が有するエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する添加物を用いる。特許文献1の実施例1でも、発光層において発光物質としてドーピングされたルブレンよりエネルギーギャップの大きいジフェニルアントラセンを添加物として用いている。しかし、赤の光を発する発光物質であるならエネルギーギャップが小さい為、条件を満たす添加物の選択は容易であるが、より大きいエネルギーギャップを有する発光物質からの発光が求められる場合、その選択肢はどんどん狭まってゆくのが現状である。参考までに上記したルブレンは、電子注入層、電子輸送層に適量ドーピングすることによって良好な電子注入性、電子輸送性を示すが、その発光が黄色であるため、それ以上のエネルギーギャップを有する発光物質緑から紫の発光を呈する物質などが考えられ得るを用いた発光層を有する発光素子には用いることが好ましくないことがわかる。そこで本発明では、駆動電圧の小さい薄膜発光素子を提供することを課題とする。また、本発明は、駆動電圧の小さい構成を有する薄膜発光素子においても、色純度や発光効率の低下が起こらない薄膜発光素子を提供することを課題とする。上記課題を解決する為の薄膜発光素子の一つの構成は、電極間に少なくとも電子輸送層及び発光物質を含む発光層を有しており、電子輸送層は、より電極に近い第1の領域と、より発光層に近い第2の領域を有している。そして、第1の領域は多環縮合環を有する物質が含まれており、第2の領域には前記多環縮合環を有する物質が含まれていないことを特徴とする。上記課題を解決する為の薄膜発光素子の一つの構成は、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第1の領域、及び第2の領域を有しており、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第1の領域との間に前記第2の領域を有している。そして、前記第1の領域は多環縮合環を有する物質が含まれており、前記第2の領域には前記多環縮合環を有する物質が含まれていないことを特徴とする。その他の構成として、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第1の領域、及び第2の領域を有しており、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第1の領域との間に前記第2の領域を有している。そして、前記第1の領域の多環縮合環を有する物質の濃度は前記第2の領域よりも高いことを特徴とする。その他の構成として、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第1の領域、及び第2の領域を有しており、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第1の領域との間に前記第2の領域を有している。そして、前記第1の領域に選択的に多環縮合環を有する物質を添加することを特徴とする。本発明の構成を用いることにより、駆動電圧の小さい薄膜発光素子を提供することができる。また、駆動電圧の小さい構成を有する薄膜発光素子においても、色純度や発光効率の低下を抑制することができる薄膜発光素子を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1図1Aは本発明の薄膜発光素子の構成一例を示したものである。本実施の形態における薄膜発光素子は基板100などの絶縁表面上に形成された陽極電極101、正孔輸送層102、発光物質107を有する発光層103、電子輸送層10、陰極電極106よりなっている。電子輸送層10は層状の二つの領域に分けられるが、二つの領域には少なくとも一種類の共通する電子輸送性材料が用いられている。二つの領域のうち、より陰極電極106に近い第1の領域105には、前記した電子輸送性材料にさらに電子輸送性、電子注入性もしくはその両方を高める為の添加物108がドーピングされており、より発光層103に近い第2の領域104には添加物108はドーピングされていない。なお、第1の領域105には様々な割合で添加物108がドーピングされるが、本発明では第1の領域におけるホスト材料は、第1の領域と第2の領域とに共通する電子輸送性材料を第1の領域のホスト材料とみなす。第1の領域105における添加物108の割合は1wt以上であれば良く、第1の領域の構成として添加物108が100wt、すなわち第1の領域が添加物108のみで形成される場合も含むこととする。また、第1の領域が添加物108のみで形成されている場合、ホスト材料は第2の領域を構成する材料を指すこととする。また、発光層103のホスト材料に関しては、発光層103を構成する物質の構成比が最も大きいものを言う。発光層103のホスト材料は、図1Bのように電子輸送層10のホスト材料と同じ材料としても良いし、図1Aのように異なるホスト材料であっても良い。さらに、図1Cのように発光層103は発光層自体が発光物質107で構成され、発光層103自体が発光する構成であっても良い。電子輸送層10に用いることのできるホスト材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。発光層103のホスト材料としては9,10-ジフェニルアントラセン、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、2-t-ブチル-9,10-ビス[2-ナフチルフェニル]アントラセン、2-t-ブチル-9,10-ビス[2-フェニルフェニル]アントラセン、4,4’2,2-ジフェニルビニルビフェニルなどの芳香族化合物が好ましい。あるいはビス2-メチル-8-キノリノナト-4-ヒドロキシ-ビフェニリル-アルミニウムなど典型金属錯体を用いても良い。電子輸送層10、発光層103に共通して用いることのできる材料としてはトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。等を用いることができる。また、これらに添加され、発光中心となる発光物質107としては、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イル-エテニル-4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-t-ブチル-6-2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル-4H-ピラン略称:DCJTB、ペリフランテン、2,5-ジシアノ-1,4-ビス2-10-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニルベンゼン、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6、クマリン545T、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,9’-ビアントリル、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAや9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン略称:TBP等が挙げられる。また発光物質107のみで発光層103を構成することのできる材料としては、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなどがある。電子輸送層の第1の領域にドーピングされている添加物108は、多環縮合環を有する物質を用いれば良く、その中でも第1の領域のホスト材料より電子注入性又は電子輸送性の高い物質を選択する。また、好ましくは電子注入性と電子輸送性のどちらも高い物質であることが望ましい。なお、電子注入性の高い材料とは、第1の領域の主構成材料よりLUMO準位の低い材料であると言える。具体的にはルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレン及びこれらの誘導体を用いることが可能である。このような構成を有する本発明の薄膜発光素子は、第1の領域にドーピングされた添加物108により電子注入性又は電子輸送性もしくはその両方が向上するため、電流を流しやすくなり、結果として駆動電圧の小さい薄膜発光素子となる。また、電子輸送層に添加物108がドーピングされていない第2の領域104が形成されていることで、発光層103内の発光物質107と添加物108の距離が少なくとも第2の領域104の膜厚分以上離れることとなる。励起種間のエネルギー移動の効率は距離の6乗に比例して小さくなってゆくとされていることから、励起された発光物質107から添加物108へのエネルギー移動が大幅に抑制されると考えられ、添加物108からの発光を大きく減少させることが可能となる。また、添加物108からの発光がおこらない場合であっても、励起した発光物質107から添加物108へエネルギー移動が起こり、本来ならば発光していたはずの発光物質107が失活し、発光しなくなってしまい電流効率が低下している場合もある。この場合も、本発明の構成を有する発光素子とすることで、発光物質107から添加物108へのエネルギー移動が大幅に減少するため発光効率の低下を抑制することが可能となる。これにより、本発明の薄膜発光素子は、目的の発光物質107からの発光以外の発光を大幅に減少させることができる為、非常に良好な色純度を有する薄膜発光素子となる。なお、第2の領域104の膜厚に関しては充分に励起種間のエネルギー移動を抑制することができる距離として5nm以上、好ましくは10nm以上であることが望ましい。また、本発明の薄膜発光素子の構成は、励起種間のエネルギー移動を大幅に減少させることが可能である為、電子輸送層の第1の領域にドーピングされている添加物108のエネルギーギャップが発光物質107のエネルギーギャップより小さかったとしても、色純度や発光効率の悪化を招くこと無く用いることが可能となる。またこのことから、発光層にドーピングされた発光物質が有するエネルギーギャップの大小によって、電子輸送層に添加する添加物の選択に差が生じることがなくなり、より電子注入性、電子輸送性もしくはその両方が良好な物質を添加物108として発光色に関係なく用いることが可能となる。また、発光物質107が発する光が燐光である時、添加物108の有するエネルギーギャップが発光物質107のエネルギーギャップより小さい場合であっても、添加物108へのエネルギー移動が起こってしまう場合がある。このような際も、本発明の薄膜発光素子の構成をとることによって発光物質107から添加物108へのエネルギー移動が抑制され、色純度の低下や発光効率の低下を抑制することが可能となる。なお、図1Bには陽極電極101の上に正孔注入層109が形成されているが、このように正孔注入層109を形成しても良いし、図1A、Cのように形成しなくとも良い。また、図1Cの用に電子注入層113を設けても良い。さらに正孔注入層、電子注入層の両方が設けられていても良い。本実施の形態に示した発光素子の構成は適宜組み合わせて用いることが可能である。図2は従来の薄膜発光素子の例である。図2の薄膜発光素子には本発明における第2の領域に相当する構成を有しておらず、電子輸送層110中の添加物と発光層103中の発光物質との距離が近い。このため、励起された発光物質112からエネルギーが電子輸送層に含まれる添加物111に移動し、その一部が発光してしまう。そのため、外部に射出する光は発光物質107から発する光と添加物111から発する光とが混ざった光となり、色純度が悪化してしまう。また、発光物質112からエネルギーが移動した添加物111が発光しなかったとしても発光効率が低下してしまう構成であった。実施の形態2本実施の形態では、本発明の表示装置の作製方法について図3、図4を参照しながら説明する。なお、本実施の形態ではアクティブマトリクス型の表示装置を作成する例を示したが、パッシブマトリクス型の表示装置であっても本発明の薄膜発光素子を適用することができるのはもちろんである。まず、基板50上に第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bを形成した後、さらに半導体層を第2の下地絶縁層51b上に形成する。図3A基板50の材料としては透光性を有するガラス、石英やプラスチックポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど等を用いることができる。これら基板は必要に応じてCMP等により研磨してから使用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bは基板50中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設ける。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒素を含む酸化ケイ素、酸素を含む窒化ケイ素などを用いることができる。本実施の形態では第1の下地絶縁層51aを窒化ケイ素で、第2の下地絶縁層51bを酸化ケイ素で形成する。本実施の形態では、下地絶縁層を第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bの2層で形成したが、単層で形成してもかまわないし、2層以上の多層であってもかまわない。また、基板からの不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。続いて形成される半導体層は本実施の形態では非晶質ケイ素膜をレーザ結晶化して得る。第2の下地絶縁層51b上に非晶質ケイ素膜を25~100nm好ましくは30~60nmの膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧CVD法またはプラズマCVD法などが使用できる。その後、500°Cで1時間の加熱処理を行い水素出しをする。続いてレーザ照射装置を用いて非晶質ケイ素膜を結晶化して結晶質ケイ素膜を形成する。本実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質ケイ素膜に照射することで結晶質ケイ素膜とし、半導体層として用いる。非晶質ケイ素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、錫、鉛、コバルト、白金、どう、金などが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板50を熱に強い石英基板などにすればよい。続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールする為に微量の不純物添加、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にN型もしくはP型を呈する不純物リン、ボロンなどをイオンドーピング法などにより添加する。その後、図3Aに示すように半導体層を所定の形状にパターニングし、島状の半導体層52を得る。パターニングは半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをすることにより行われる。続いて半導体層52を覆うようにゲート絶縁層53を形成する。ゲート絶縁層53はプラズマCVD法またはスパッタ法を用いて膜厚を40~150nmとしてケイ素を含む絶縁層で形成する。本実施の形態では酸化ケイ素を用いて形成する。次いで、ゲート絶縁層53上にゲート電極54を形成する。ゲート電極54はTa、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶ケイ素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、本実施の形態ではゲート電極54は単層で形成されているが、下層にタングステン、上層にモリブデンなどの2層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わせも適宜選択すればよい。ゲート電極54の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用し、エッチングをして行う。続いて、ゲート電極54をマスクとして半導体層52に高濃度の不純物を添加する。これによって半導体層52、ゲート絶縁層53、及びゲート電極54を含む薄膜トランジスタ70が形成される。なお、薄膜トランジスタの作製工程については特に限定されず、所望の構造のトランジスタを作製できるように適宜変更すればよい。本実施の形態では、レーザ結晶化を使用して結晶化した結晶性シリコン膜を用いたトップゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体はケイ素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は0.01~4.5atomic程度であることが好ましい。また非晶質半導体中に0.5nm~20nmの結晶を粒観察することができる微結晶半導体膜セミアモルファス半導体を用いてもよい。また0.5nm~20nmの結晶を粒観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタルμcとも呼ばれている。セミアモルファス半導体であるセミアモルファスシリコンSASとも表記するは、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、SiH4であり、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることができる。この珪化物気体を水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでSASの形成を容易なものとすることができる。希釈率は10倍~1000倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は0.1Pa~133Paの範囲の圧力で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は1MHz~120MHz、好ましくは13MHz~60MHzの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は300度以下が好ましく、100~250度の基板加熱温度が好適である。このようにして形成されたSASはラマンスペクトルが520cm1よりも低波数側にシフトしており、X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる111、220の回折ピークが観測される。未結合手ダングリングボンドの終端化として水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019/cm3以下、好ましくは1×1019/cm3以下とする。TFTにしたときのμ=1~10cm2/Vsecとなる。また、このSASをレーザでさらに結晶化して用いても良い。続いて、ゲート電極54、ゲート絶縁層53を覆って絶縁膜水素化膜59を窒化ケイ素により形成する。絶縁膜水素化膜59を形成したら480°Cで1時間程度加熱を行って、不純物元素の活性化及び半導体層52の水素化を行う。続いて、絶縁膜水素化膜59を覆う第1の層間絶縁層60を形成する。第1の層間絶縁層60を形成する材料としては酸化ケイ素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、Iow-k材料等をもちいるとよい。本実施の形態では酸化ケイ素膜を第1の層間絶縁層として形成した。なお、シロキサンは、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造で構成され、置換基として、少なくとも水素を含む有機基例えばアルキル基、アリール基を有する材料である。シロキサンが有する置換基としては、フッ素を有していてもよく、水素を含む基とフッ素の両方を有していてもよい。図3B次に、半導体層52に至るコンタクトホールを開口する。コンタクトホールはレジストマスクを用いて、半導体層52が露出するまでエッチングを行うことで形成することができ、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチングの両方を用いても良い。図3Cそして、当該コンタクトホールや第1の層間絶縁層60を覆う導電層を形成する。当該導電層を所望の形状に加工し、接続部61a、配線61bなどが形成される。この配線はアルミニウム、銅等の単層でも良いが、本実施の形態では基板側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層構造とする。積層配線としては基板側からチタン、アルミニウム、チタンやチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった構造でも良い。図3Dその後、接続部61a、配線61b、第1の層間絶縁層60を覆って第2の層間絶縁層63を形成する。第2の層間絶縁層63の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポリイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを第2の層間絶縁層63として用いる。図3E続いて第2の層間絶縁層63上に窒化ケイ素などで絶縁層を形成してもよい。これは後の画素電極のエッチングにおいて、第2の層間絶縁層63が必要以上にエッチングされてしまうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第2の層間絶縁層のエッチングレートの比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第2の層間絶縁層63を貫通して接続部61aに至るコンタクトホールを形成する。そして当該コンタクトホールと第2の層間絶縁層63もしくは絶縁層を覆って、透光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子の陽極電極64第1の電極を形成する。ここで陽極電極64第1の電極は接続部61aと電気的に接触している。陽極電極64第1の電極の材料としてはインジウム錫酸化物ITO:IndiumTinOxideや酸化ケイ素を含有するITOITSO:IndiumTinSiliconOxide、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛を含有したIZOIndiumZincOxideもしくは酸化亜鉛そのもの、そして酸化亜鉛にガリウムを含有したGZOGaliumZincOxide等を用いるとよい。本実施の形態ではITSOを陽極電極64第1の電極として用いた。図4A次に第2の層間絶縁層63もしくは絶縁層及び陽極電極64第1の電極を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層は陽極電極64第1の電極の一部が露出するように加工し、隔壁65を形成する。隔壁65の材料としては、感光性を有する有機材料アクリル、ポリイミドなどが好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわない。隔壁65の第1の電極に向かう端面は曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい。図4B次に、隔壁65から露出した陽極電極64第1の電極を覆う発光積層体66を形成する。発光積層体66は蒸着法等により形成すればよいが、本発明では少なくとも電子輸送層と発光層を有し、当該電子輸送層は電流を流しやすくする為の多環縮合環を有する物質による添加物を含む第1の領域と、当該添加物が含まれていない第2の領域を有する。なお、第2の領域の膜厚に関しては充分に励起種間のエネルギー移動を抑制することができる距離として5nm以上、好ましくは10nm以上形成する。電子輸送層の第1の領域に電流を流しやすくする為の添加物をドーピングする際には電子輸送層のホスト材料と共蒸着することにより形成することができる。なお、添加物がドーピングされていない第2の領域の材料と添加物がドーピングされている第1の領域のホスト材料は同一であるため、発光層と添加物がドーピングされた電子輸送層との間に他の材料によりホールブロッキング層などを設けるよりは、本発明の構成は簡便にタクト良く得ることが可能である。図4C電子輸送性が比較的高く、電子輸送層のホスト材料として用いることのできる物質としては、例えばトリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]-キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。本発明の構成を適用することで、電子輸送層にさらに大きな電子輸送性を持たせることが可能となり、薄膜発光素子の駆動電圧を低下させることができる。電子輸送層に添加する添加物としては、ルブレン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペンタセン、ペリレンなど多環縮合環を有する物質が挙げられる。その中でも第1の領域のホスト材料より電子注入性又は電子輸送性の高い物質を選択する。また、好ましくは電子注入性と電子輸送性のどちらも高い物質であることが望ましい。なお、電子注入性の高い材料とは、第1の領域の主構成材料よりLUMO準位の低い材料であると言える。本発明の構成を適用することで、発光層の発光物質のエネルギーギャップに関わらずこれら添加物を選択することが可能となる。発光物質には様々な材料があり、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル-4H-ピラン略称:DCJT、4-ジシアノメチレン-2-t-ブチル-6-2-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニル-4H-ピランDCJTB、ペリフランテン、2,5-ジシアノ-1,4-ビス2-10-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチルジュロリジン-9-イルエテニルベンゼン、N,N’-ジメチルキナクリドン略称:DMQd、クマリン6、クマリン545T、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq3、9,9’-ビアントリル、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAや9,10-ビス2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン略称:TBP等を用いることができる。また、この他の物質でもよい。発光積層体66にはこのほかに電子注入層、正孔輸送層、正孔注入層などの層を設けても良い。正孔輸送性の高い物質としては、例えば4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:NPBや4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-ビフェニル略称:TPDや4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ]-トリフェニルアミン略称:MTDATAや4,4-ビスN-4-N,N-ジ-m-トリルアミノフェニル-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPDなどの芳香族アミン系即ち、ベンゼン環-窒素の結合を有するの化合物が挙げられる。また、電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Alq3のような電子輸送性の高い物質とマグネシウムMgのようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物MoOxやバナジウム酸化物VOx、ルテニウム酸化物RuOx、タングステン酸化物WOx、マンガン酸化物MnOx等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPC等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。発光層は、発光波長帯の異なる発光素子を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、R赤、G緑、B青の各色に対応した発光素子を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルター着色層を設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化映り込みの防止を図ることができる。フィルター着色層を設けることで、従来必要であるとされていた円偏光板などを省略することが可能となり、発光素子から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部表示画面を見た場合に起こる色調の変化を低減すことができる。また、発光素子は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、画素の光放射側に特定の波長の光を透過するフィルター着色層を設けた構成としてカラー表示を可能にすることができる。白色に発光する発光層を形成するには、例えば、Alq3、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたAlq3、Alq3、p-EtTAZ、TPD芳香族ジアミンを蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。さらに、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られることはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の8~10属に属する元素を有する化合物を用いることも可能である。以上に掲げる発光層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。発光積層体の層構造は変化しうるものであり、特定の電子注入領域や発光領域を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において許容されうるものである。上記のような材料で形成した発光素子は、順方向にバイアスすることで発光する。発光素子を用いて形成する表示装置の画素は、単純マトリクス方式、若しくはアクティブマトリクス方式で駆動することができる。いずれにしても、個々の画素は、ある特定のタイミングで順方向バイアスを印加して発光させることとなるが、ある一定期間は非発光状態となっている。この非発光時間に逆方向のバイアスを印加することで発光素子の信頼性を向上させることができる。発光素子では、一定駆動条件下で発光強度が低下する劣化や、画素内で非発光領域が拡大して見かけ上輝度が低下する劣化モードがあるが、順方向及び逆方向にバイアスを印加する交流的な駆動を行うことで、劣化の進行を遅くすることができ、発光装置の信頼性を向上させることができる。続いて発光積層体66を覆う第2の電極陰極67を形成する。これによって陽極電極64第1の電極と発光積層体66と第2の電極陰極67とからなる発光素子93を作製することができる。その後、プラズマCVD法により窒素を含む酸化ケイ素膜を第2のパッシベーション膜として形成する。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でSiH4、N2O、NH3から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはSiH4、N2Oから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはSiH4、N2OをArで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。また、第1のパッシベーション膜としてSiH4、N2O、H2から作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、第2のパッシベーション膜905は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化ケイ素膜の代わりに形成してもよい。続いて電界発光素子を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するように貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を形成しても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥剤やギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、表示装置が完成する。以上のように作製した表示装置の構成の1例を図5参照しながら説明する。なお、形が異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もある。本実施の形態では、LDD構造を有する薄膜トランジスタ70が接続部61aを介して発光素子93に接続している。図5Aは陽極電極64第1の電極が透光性を有する導電膜により形成されており、基板50側に発光積層体66より発せられた光が取り出される構造である。なお94は対向基板であり、発光素子93が形成された後、シール材などを用い、基板50に固着される。対向基板94と素子との間に透光性を有する樹脂88等を充填し、封止することによって発光素子93が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂88が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂88中に透光性の高い乾燥剤89を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。図5Bは陽極電極64第1の電極と第2の電極92両方が透光性を有する導電膜により形成されており、基板50及び対向基板94の両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、この構成では基板50と対向基板94の外側に偏光板90を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板90の外側には保護フィルム91を設けると良い。なお、表示機能を有する本発明の表示装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の発光表示装置及びその駆動方法は、上記した駆動方法のうちどれを用いてもよい。本実施の形態のような方法で形成された本発明の表示装置は駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率の良い表示装置である。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一形態に相当する発光装置のパネルの外観について図6を用いて説明する。図6は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板4006との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図6Bは図6Aの断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光素子の構造は陽極電極、正孔輸送層、発光物質を有する発光層、電子輸送層、陰極電極よりなっており、電子輸送層は層状の二つの領域に分けられ、より陰極に近い第1の領域には多環縮合環よりなる添加物がドーピングされており、より発光層に近い第2の領域には多環縮合環よりなる添加物はドーピングされていない構成となっている。基板4001上に設けられた画素部4002と信号線駆動回路4003と走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また、画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004の上に対向基板4006が設けられている。よって画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とは基板4001とシール材4005と対向基板4006とによって充填材4007と共に密封されている。また、基板4001上に設けられた画素部4002と信号線駆動回路4003と走査線駆動回路4004とは薄膜トランジスタを複数有しており、図6Bでは信号線駆動回路4003に含まれる薄膜トランジスタ4008と、画素部4002に含まれる薄膜トランジスタ4010とを示す。また、4011は発光素子に相当し、薄膜トランジスタ4010と電気的に接続されている。また、引き回し配線4014は画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とに、信号、または電源電圧を層供給すると目の配線に相当する。引き回し配線4014は、引き回し配線4015a及び引き回し配線4015bを介して接続端子4016と接続されている。接続端子4016はフレキシブルプリントサーキットFPC4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。なお、充填材4007としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテートを用いる事ができる。なお、本発明の表示装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルにICが実装されたモジュールとをその範疇に含む。本実施の形態のような構成のパネル及びモジュールは、駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率の良いパネル及びモジュールである。実施の形態4実施の形態3にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図7に示す。図7Aは発光表示装置でありテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターなどがこれに当たる。筐体2001、表示部2003、スピーカー部2004等を含む。本発明の発光表示装置は表示部2003の駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率が良い。画素部にはコントランスを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ1/4λ板、1/2λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設けてもよい。図7Bは携帯電話であり、本体2101、筐体2102、表示部2103、音声入力部2104、音声出力部2105、操作キー2106、アンテナ2108等を含む。本発明の携帯電話は表示部2103の駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率が良い。図7Cはコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。本発明のコンピュータは表示部2203の駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率が良い。図7Cではノート型のコンピュータを例示したが、ハードディスクと表示部が一体化したデスクトップ型のコンピュータなどにも適用することが可能である。図7Dはモバイルコンピュータであり、本体2301、表示部2302、スイッチ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。本発明のモバイルコンピュータは表示部2302の駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率が良い。図7Eは携帯型のゲーム機であり、筐体2401、表示部2402、スピーカー部2403、操作キー2404、記録媒体挿入部2405等を含む。本発明の携帯型ゲーム機は表示部2402の駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率が良い。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。実施の形態5図8には下面発光、両面発光、上面発光の例を示した。実施の形態2に作成工程を記載した構造は図8Cの構造に相当する。図8A、Bは図8Cにおける第1の層間絶縁層を自己平坦性を有する材料で形成し、薄膜トランジスタの配線と発光素子の第1の電極を同じ絶縁層上に形成した場合の構成である。図8Aは発光素子の第1の電極のみを透光性を有する材料で形成し、発光装置の下部に向かって光が射出する下面発光の構成、図8Bは第2の電極の下にLiを含む材料を薄く透光性を有する程度に形成し、ITOやITSO、IZOなど透光性を有する材料を第2の電極として形成することで図8Bのように両面より光を取り出すことのできる両面発光の発光表示装置を得ることが可能となる。なお、アルミニウムや銀など厚膜で形成すると非透光性であるが、薄膜化すると透光性を有するようになるため、アルミニウムや銀の透光性を有する程度の薄膜で第2の電極を形成すると両面発光とすることができる。ところで、両面発光や上面発光の場合に用いられる透明電極であるITOやITSOは蒸着による成膜が難しいため、スパッタ法による成膜が行われる。第2の電極904をスパッタリング法により形成する場合、電子注入層の表面もしくは電子注入層と電子輸送層の界面にスパッタリングによるダメージが入ってしまうことがあり、発光素子の特性に悪影響を及ぼす可能性がある。これを防ぐためには、スパッタリングによるダメージを受けにくい材料を第2の電極904に最も近い位置に設けるとよい。このようなスパッタダメージを受けにくい材料で、発光積層体903に用いることができる材料としては酸化モリブデンMoOxが挙げられる。しかし、MoOxは正孔注入層として好適な物質であるため、第2の電極904に接して設けるには第2の電極904を陽極とする必要がある。このように陰極を第1の電極、陽極を第2の電極とする素子を仮に逆積みの素子を呼んでいる。そこで、この逆積み素子場合は図9のように基板100上や基板100上に形成された絶縁膜上などの絶縁表面上に第1の電極を陰極電極106として形成し、その後順に、電子注入層略、電子輸送層10、発光層103、正孔輸送層102、正孔注入層109MoOx、陽極電極101第2の電極と形成する。また、アクティブマトリクス型の表示装置の場合、画素の駆動用薄膜トランジスタはNチャネル型とする必要がある。MoOxは蒸着法により形成し、x=3以上のものが好適に使用できる。また、MoOx層は銅フタロシアニンCuPcなどの有機金属錯体や有機物と共蒸着することで有機、無機の混合層としても良い。逆積み素子を用いた場合、画素部の薄膜トランジスタはもともとN型であるa-Si:Hを半導体層としたトランジスタを用いると工程が簡略化されて好適である。駆動回路部が同一基板上に形成されている場合は駆動回路部のみレーザ等を照射することで結晶化して用いるとよい。なお、陽極形成時のスパッタダメージが問題にならないようであったらMoOxを使わずに逆積みで素子を形成してもかまわない。なお、図9A~Cは図1A~Cそれぞれに対応する逆積み素子の例である。本発明はこのような逆積み素子にも用いることができ、有効に機能し、低駆動電圧化を実現した上で色純度と電流効率の悪化を招かない発光素子を提供することができる。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態3で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護回路及びそれらの動作について説明する。なお、図3、図4に示してきた断面図は駆動用TFT1403と発光素子1405の断面図となっている。図10Aに示す画素は、列方向に信号線1410及び電源線1411、1412、行方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、電流制御用TFT1404、容量素子1402及び発光素子1405を有する。図10Cに示す画素は、駆動用TFT1403のゲート電極が、行方向に配置された電源線1412に接続される点が異なっており、それ以外は図10Aに示す画素と同じ構成である。つまり、図10ACに示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、行方向に電源線1412が配置される場合図10Aと、列方向に電源線1412が配置される場合図10Cとでは、各電源線は異なるレイヤーの導電膜で形成される。ここでは、駆動用TFT1403のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図10ACとして分けて記載する。図10ACに示す画素の特徴として、画素内に駆動用TFT1403と電流制御用TFT1404が直列に接続されており、駆動用TFT1403のチャネル長L1403、チャネル幅W1403、電流制御用TFT1404のチャネル長L1404、チャネル幅W1404は、L1403/W1403:L1404/W1404=5~6000:1を満たすように設定するとよい。なお、駆動用TFT1403は、飽和領域で動作し発光素子1405に流れる電流値を制御する役目を有し、電流制御用TFT1404は線形領域で動作し発光素子1405に対する電流の供給を制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましく、本実施の形態ではnチャネル型TFTとして形成する。また駆動用TFT1403には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。上記構成を有する本発明は、電流制御用TFT1404が線形領域で動作するために、電流制御用TFT1404のVgsの僅かな変動は、発光素子1405の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子1405の電流値は、飽和領域で動作する駆動用TFT1403により決定することができる。上記構成により、TFTの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた表示装置を提供することができる。図10A~Dに示す画素において、スイッチング用TFT1401は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用TFT1401がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子1402にそのビデオ信号の電圧が保持される。なお図10ACには、容量素子1402を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、容量素子1402を設けなくてもよい。図10Bに示す画素は、TFT1406と走査線1414を追加している以外は、図10Aに示す画素構成と同じである。同様に、図10Dに示す画素は、TFT1406と走査線1414を追加している以外は、図10Cに示す画素構成と同じである。TFT1406は、新たに配置された走査線1414によりオン又はオフが制御される。TFT1406がオンとなると、容量素子1402に保持された電荷は放電し、電流制御用TFT1404がオフとなる。つまり、TFT1406の配置により、強制的に発光素子1405に電流が流れない状態を作ることができる。そのためTFT1406を消去用TFTと呼ぶことができる。従って、図10BDの構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。図10Eに示す画素は、列方向に信号線1410、電源線1411、行方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、容量素子1402及び発光素子1405を有する。図10Fに示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図7Eに示す画素構成と同じである。なお、図10Fの構成も、TFT1406の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体膜から薄膜トランジスタを形成する場合、駆動用TFT1403の半導体膜を大きくすると好ましい。そのため、上記画素回路において、電界発光層からの光が封止基板側から射出する上面発光型とすると好ましい。このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にTFTが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。本実施の形態では、一画素に各TFTが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、一列毎にTFTが設けられるパッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にTFTが設けられていないため、高開口率となる。発光が電界発光層の両側へ射出する発光装置の場合、パッシブマトリクス型の表示装置を用いる透過率が高まる。これらのような画素回路をさらに有する本発明の表示装置は、駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率の良い上、各々の特徴を有する表示装置とすることができる。続いて、図10Eに示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイオードを設ける場合について説明する。図11には、画素部1500にスイッチング用TFT1401、1403、容量素子1402、発光素子1405が設けられている。信号線1410には、ダイオード1561と1562が設けられている。ダイオード1561と1562は、スイッチング用TFT1401又は1403と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード1561と1562は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させている。ダイオードと接続する共通電位線1554、1555はゲート電極と同じレイヤーで形成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。走査線1414に設けられるダイオードも同様な構成である。このように、本発明によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。このような保護回路を有する本発明の表示装置は、駆動電圧が小さく、また、色純度や発光効率の良い上、表示装置としての信頼性も高めることが可能となる。実施例1では、図1Aに記載されている発光層のホスト材料と第1の領域のホスト材料が異なる構成に正孔注入層109と電子注入層を設けた薄膜発光素子を作製し、測定を行った。本実施例では陽極電極101第1の電極としてITSO、正孔注入層としてDNTPDを50nm、正孔輸送層としてNPBを10nm、発光層103は発光物質107としてTBPが添加されたt-BuDNAを40nm、電子輸送層10の第2の領域104はAlq3を10nm、第1の領域105は添加物108としてルブレンが添加されたAlq3を10nm形成し、その上にさらに電子注入層としてCaF、陰極電極106第2の電極としてアルミニウムを積層して発光素子を形成した。発光層103中の発光物質107であるTBPの量は発光層103のホスト材料であるt-BuDNAが1に対し、0.01の割合で添加し、電子輸送層の第1の領域中の添加物108であるルブレンの量は電子輸送層10のホスト材料であるAlq3が1に対し1の割合で添加した。比較例1としては、第1の領域と第2の領域を設けず、代わりに添加物としてルブレンが添加されたAlq3を20nm形成した。この構成は、図2の構成に正孔注入層と電子注入層を設けた構成となっている。その他の構成は全て実施例1と同様である。また、比較例2は第1の領域と第2の領域を設けず、代わりにルブレンを添加していないAlq3を20nm形成した。その他の構成は全て実施例1と同様である。これら、作製した薄膜発光素子を測定した結果を表1、図12及び図13に示す。尚、表1に記載の電流効率は300cd/m2の場合の効率である。まず、TBPは青色の発光を発する発光物質であるため、黄色の光を発するルブレンよりエネルギーギャップが大きい物質である。なお、蛍光を発する物質の場合、エネルギーギャップは発光色から見積もることが出来、より波長の短い色の発光を呈する物質がより大きなエネルギーギャップを有する物質であると言うことができる。TBPがルブレンより大きなエネルギーギャップを有していることから、比較例1ではTBPからルブレンにエネルギー移動してしまい、ルブレンが発光してしまっていると考えられる。図12における比較例1のスペクトルには560nm付近にルブレンによる発光と考えられるスペクトル形状の変化が観測されている。また、表2から、比較例1は電流効率も悪化してしまっていることがわかる。比較例2はルブレンが添加されていない為、ルブレンの発光によるスペクトル形状の変化が現れないことはもちろんだが、電子輸送層における第2の領域にルブレンが添加されている実施例1もルブレンの発光起因のスペクトル変化は見受けられない。また、表1における色度に関しても、実施例1、比較例2の色度はほぼ同じであるが、比較例1の色度を見ると白っぽく変化してしまっていることがわかる。この結果から、発光層に添加された発光物質のエネルギーギャップが電子輸送層に添加された添加物のエネルギーギャップより大きい物質であっても、本発明の構成を有するこのような発光素子であれば色純度の悪化がおきないことが証明された。また、図13から、実施例1の発光素子は同じ輝度がより低い電圧で得られており、低駆動電圧化もなされていることがわかる。実施例2では、図1Bに記載されている構成に電子注入層を設けた薄膜発光素子を作製し、測定を行った。本実施例では陽極電極101第1の電極としてITSO、正孔注入層109としてDNTPDを50nm、正孔輸送層としてNPBを10nm、発光層103は発光物質107としてクマリン6が添加されたAlq3を40nm、電子輸送層10の第2の領域104はAlq3を10nm、第1の領域105は添加物108としてルブレンが添加されたAlq3を10nm形成し、その上にさらに電子注入層としてCaF、陰極電極106第2の電極としてアルミニウムを積層して発光素子を形成した。発光層103中の発光物質107であるクマリン6の量は発光層103のホスト材料であるAlq3が1に対し、0.005の割合で添加し、電子輸送層の第1の領域中の添加物108であるルブレンの量は電子輸送層10のホスト材料であるAlq3が1に対し1の割合で添加した。比較例3としては、電子輸送層として、第1の領域と第2の領域を設けず、添加物としてルブレンが添加されたAlq3を20nm形成した。この構成は、図2の構成に正孔注入層と電子注入層を設けた構成となっている。その他の構成は全て実施例1と同様である。また、比較例4は電子輸送層として、添加物であるルブレンを添加していないAlq3を20nm形成した。その他の構成は全て実施例1と同様である。これら、作製した薄膜発光素子を測定した結果を表2、図14及び図15に示す。尚、表2に記載の電流効率は1000cd/m2の場合の効率である。実施例2、比較例3及び比較例4に発光物質107として用いたクマリン6は緑色の発光を呈する発光物質であり、添加物であるルブレンが黄色の発光を呈することからクマリン6の方が大きなエネルギーギャップを有していることが推測できる。ここで、図14のスペクトルデータを見ると、実施例2、比較例3、比較例4の発光スペクトルはほぼ一致しており、添加物であるルブレンからの発光は起きていないことがわかる。しかし、表2の電流効率を見ると、比較例3の電流効率は実施例2と比較して小さくなっており、クマリン6から添加物であるルブレンに励起エネルギーが移動したことでクマリン6が失活し、電流効率が低下したと考えられる。また、ルブレンの添加を行っていない比較例4と添加を行った実施例2との比較を行った場合、図15のグラフより、実施例2の発光素子は同じ輝度がより低い電圧で得られており、本発明の構成を有する実施例2の発光素子は低駆動電圧化もなされていることがわかる。実施例3では、図1Bに記載されている発光層のホスト材料と、第1の領域のホスト材料及び第2の領域の材料が共通である構成に電子注入層を設けた薄膜発光素子を作製し、測定を行った。本実施例では陽極電極101第1の電極としてITSO、正孔注入層109としてDNTPDを50nm、正孔輸送層としてNPBを10nm、発光層103は発光物質107としてビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムアセチルアセトナート略称:IrFdpq2acacが添加されたAlq3を30nm、電子輸送層10である第2の領域104はAlq3を20nm、第1の領域105は添加物108としてルブレンが添加されたAlq3を10nm形成し、その上にさらに電子注入層としてCaF、陰極電極106第2の電極としてアルミニウムを積層して発光素子を形成した。発光層103中の発光物質107であるIrFdpq2acacの量は発光層103のホスト材料であるAlq3が1に対し、0.08の割合で添加し、電子輸送層の第1の領域中の添加物108であるルブレンの量は電子輸送層10のホスト材料であるAlq3に対し質量比で1:1の割合で添加した。また、比較例5は実施例3における第1の領域、第2の領域の代わりに電子輸送層として、添加物であるルブレンを添加していないAlq3を20nm形成した。その他の構成は全て実施例1と同様である。これら、作製した薄膜発光素子を測定した結果を表3、図16及び図17に示す。尚、表3に記載の電流効率は500cd/m2の場合の効率である。実施例3、比較例5に発光物質107として用いたIrFdpq2acacは赤色の発光を呈する発光物質であり添加物であるルブレンよりエネルギーギャップは小さいが、IrFdpq2acacの赤色発光は燐光であるため、添加物であるルブレンが近くに存在するとエネルギー移動により消光してしまう。しかし、実施例3のようにルブレンを添加していない第2の領域を形成することによってそのような消光を防止することができる。表3において実施例3の電流効率が比較例5より減少していないむしろ微増していることからも実施例3の構成ではルブレン起因の消光が起きないことが分かる。図16に実施例3と比較例5の発光スペクトルデータを示す。実施例3と比較例5の発光スペクトルはほぼ一致しており、添加物であるルブレンからの発光は起きていないことがわかる。また図17に実施例3と実施例5の電圧―輝度曲線を示した。実施例3の発光素子は比較例5と比較して同じ輝度がより低い電圧で得られており、本発明の構成を有する実施例3の発光素子は低電圧化がなされている。本実施例で使用した、IrFdpq2acacは新規物質であるので以下に合成例を示す。《合成例1》本合成例は、下記構造式1で表されるビス{2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト}アセチルアセトネートイリジウムIII略称:IrFdpq2acacの合成例である。ステップ1:配位子HFdpqの合成まず、4,4’―ジフルオロベンジル3.71gとo―フェニレンジアミン1.71gを溶媒クロロホルム200mL中で6時間、加熱攪拌した。反応溶液を室温に戻し、1NHClと飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去することにより、配位子HFdpq2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリンを得た淡黄色粉末、収率99。合成スキームおよび配位子HFdpqの構造式を下記式2に示す。ステップ2:複核錯体IrFdpq2Cl2の合成まず、2-エトキシエタノール30mlと水10mlとの混合液を溶媒として、配位子HFdpq2,3-ビス-4-フルオロフェニルキノキサリンを3.61g、塩化イリジウムIrCl3HClH2Oを1.35g混合し、窒素雰囲気下17時間還流することにより、複核錯体IrFdpq2Cl2を得た褐色粉末、収率99。合成スキームおよび複核錯体IrFdpq2Cl2の構造式を下記式3に示す。ステップ3:有機金属錯体IrFdpq2acacの合成さらに、2-エトキシエタノール30mlを溶媒として、上記ステップ2で得られた複核錯体IrFdpq2Cl2を2.00g、アセチルアセトンHacacを0.44ml、炭酸ナトリウムを1.23g混合し、窒素雰囲気下にて20時間還流することにより、前記構造式16で表される本発明の有機金属錯体IrFdpq2acacを得た赤色粉末、収率44。合成スキームを下記式4に示す。以上によりIrFdpq2acacを合成することができる。"