基板を処理するための処理液を製造する製造装置であって、第1の気体を液体に溶解させる溶解手段と、この溶解手段によって第1の気体が溶解された液体に、上記第1の気体よりも上記液体に溶解し易い第2の気体を供給し、上記液体に溶解した上記第1の気体を微小気泡として放出させる放出用気体供給手段とを具備したことを特徴とする処理液の製造装置。上記溶解手段は、大気圧よりも高い圧力下で上記液体に上記第1の気体を溶解させることを特徴とする請求項1記載の処理液の製造装置。上記溶解手段によって第1の気体を溶解した液体が供給される送液管を有し、この送液管には、上記液体に上記第2の気体を供給する上記放出用気体供給手段が接続されているとともに、この放出用気体供給手段よりも下流側には上記第1の気体を溶解した上記液体の圧力を維持する圧力維持手段が設けられ、上記液体は上記圧力維持手段を通過することで大気圧に開放されることを特徴とする請求項2記載の処理液の製造装置。上記放出用気体供給手段によって供給される第2の気体を上記液体よりも高い温度に加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載された処理液の製造装置。上記第2の気体はアンモニアガスであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載された処理液の製造装置。上記アンモニアガスは、上記液体の水素イオン指数pHが7よりも大きく、11を超えない範囲の量で供給されることを特徴とする請求項5記載の処理液の製造装置。基板を処理するための処理液を製造する製造方法であって、第1の気体を液体に溶解させる工程と、第1の気体が溶解された液体に、上記第1の気体よりも上記液体に溶解し易い第2の気体を供給して上記液体に溶解した上記第1の気体を微小気泡として放出させる工程とを具備したことを特徴とする処理液の製造方法。上記第1の気体を液体に溶解させる工程は大気圧よりも高い圧力下で行われ、上記第2の気体が供給されて上記液体に溶解した上記第1の気体を微小気泡として放出させる工程は大気圧下で行われることを特徴とする請求項7記載の処理液の製造方法。基板を処理液によって洗浄処理するための洗浄処理装置であって、上記処理液を製造する処理液の製造装置と、この製造装置によって製造された処理液で上記基板を洗浄する洗浄処理部とを備え、上記処理液の製造装置は請求項1に記載された構成であることを特徴とする洗浄処理装置。ところで、上述したように加圧状態で処理液に気体を溶解させ、処理液を大気圧に開放させることで、過飽和となった気体を微細気泡として発生させるようにすると、微細気泡の発生量は、処理液に気体を溶解させたときの圧力と、この処理液が大気開放されたときとの圧力差によって決定されてしまう。つまり、処理液に溶解された気体のうちの、処理液中の過飽和となった気体だけが微細気泡として取り出されるだけであるため、十分な量の微細気泡が得られず、基板の洗浄効果にも限界が生じるということがあった。この発明は、液体に溶解された気体をより効率よく微細気泡として取り出すことができるようにした処理液の製造装置、製造方法、及び洗浄処理装置を提供することにある。この発明は、基板を処理するための処理液を製造する製造装置であって、第1の気体を液体に溶解させる溶解手段と、この溶解手段によって第1の気体が溶解された液体に、上記第1の気体よりも上記液体に溶解し易い第2の気体を供給し、上記液体に溶解した上記第1の気体を微小気泡として放出させる放出用気体供給手段とを具備したことを特徴とする処理液の製造装置にある。この発明は、基板を処理するための処理液を製造する製造方法であって、第1の気体を液体に溶解させる工程と、第1の気体が溶解された液体に、上記第1の気体よりも上記液体に溶解し易い第2の気体を供給して上記液体に溶解した上記第1の気体を微小気泡として放出させる工程とを具備したことを特徴とする処理液の製造方法にある。この発明は、基板を処理液によって洗浄処理するための洗浄処理装置であって、上記処理液を製造する処理液の製造装置と、この製造装置によって製造された処理液で上記基板を洗浄する洗浄処理部とを備え、上記処理液の製造装置は請求項1に記載された構成であることを特徴とする洗浄処理装置にある。この発明によれば、第1の気体を溶解した液体に、第1の気体よりも溶解され易い第2の気体を溶解させるようにしたことで、液体に溶解した第1の気体が第2の気体と置換され、置換された第1の気体が微細気泡として放出されるから、液体に溶解された気体を効率よく微細気泡として取り出すことが可能となる。以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。図1は基板Wを洗浄処理するための処理液Sを製造するための製造装置1を示している。この製造装置1は、図示しない液体供給部から供給される、たとえば純水などの液体Lに、図示しない第1の気体供給部より加圧供給されるたとえば酸素、窒素、水素或いはオゾンガスなどの第1の気体G1を溶解させる溶解手段としての処理タンク3を備えている。この処理タンク3には、上記液体Lを供給する第1の給液管4と、上記第1の気体G1を供給する第1の給気管5とが接続されている。上記第1の給液管4には液体Lを加圧して上記処理タンク3に供給する加圧手段としての加圧ポンプ6が設けられている。上記給気管5にはフィルタ7、圧力計8、逆止弁9及び開閉弁10が順次設けられている。上記処理タンク3には公知の中空糸膜などの溶解膜図示せずが内蔵されていて、上記第1の気体G1は上記溶解膜を透過することで上記加圧ポンプ6によって加圧されて上記処理タンク3に供給された上記液体Lに加圧溶解されるようになっている。溶解手段としては処理タンク3に溶解膜を設けた溶解膜方式に代わり、加圧タンク方式やバブリング方式などであってもよく、上記液体Lとしては脱気純水や純水を用いることが好ましい。とくに、溶解膜方式や加圧タンク方式の場合には脱気純水を用いることが好ましく、バブリング方式の場合にはバブリング時に純水に含まれる気体が脱気されるから、脱気純水ではなく、通常の純水であってもよい。上記第1の気体としては後述するように微細気泡となったときに基板Wの洗浄効果を高めることができる気体が好ましく、上述した気体の他に、アルゴンやヘリウムなどを用いることもある。図2は第1の気体G1の圧力Pと、その溶解量Mとの関係を示したグラフであって、同図に直線Aで示すように、圧力Pと、溶解量Mは比例している。このことはヘンリーの法則からも知られている。したがって、上記加圧ポンプ6によって大気圧Pa以上の圧力である圧力P1に加圧されて上記処理タンク3に供給された上記液体Lには、第1の気体G1が同図にM1で示す量で溶解されることになる。なお、上記処理タンク3に供給される上記第1の気体G1は、この処理タンク3内における圧力、すなわち処理タンク3に加圧供給される液体Lの圧力条件下においては飽和溶解量を超えない範囲で供給される。それによって、液体Lに第1の気体G1が溶解されずに、ナノバブルやマイクロナノバブルなどの微細気泡よりも大きな気泡となって存在するのが防止される。上記処理タンク3で第1の気体G1を溶解した液体Lは、図1に示すように上記処理タンク3に接続された第2の給液管11に流出する。この第2の給液管11を流れる液体Lの圧力は、第2の給液管11に設けられた圧力維持手段としてのオリフィス12によって維持されるようになっていて、このオリフィス12を通過することで大気圧まで減圧されるようになっている。上記第2の給液管11の上記オリフィス12よりも上流側、つまりオリフィス12の直前には、上記液体Lに溶解した第1の気体G1を微細気泡にして放出させる、放出用気体供給手段としての第2の給気管13が接続されている。上記第2の給気管13には、上記第1の気体G1に比べて上記液体Lに対して溶解度が十分に高い第2の気体G2、たとえばアンモニアガスがフィルタ14、圧力計15、加熱器16、逆止弁17及び開閉弁18を介して供給される。上記加熱器16は上記第2の気体G2を上記液体Lよりも高い温度に加熱して上記第2の給気管13に供給する。たとえば、上記液体Lが20度の温度で上記処理タンク3に供給される場合、上記第2の気体G2は上記加熱器16によってたとえば30~40度に加熱されて供給される。上記第2の気体G2の温度が上記液体Lの温度よりも高いことで、上記第2の気体G2の温度が上記液体Lに伝わって温度が上昇し、第1の気体G1が微細気泡としてより放出され易くなる。なお、上記第2の気体G2であるアンモニアガスの溶解度溶媒水1mlに溶ける気体の体積mlは6127000である。これに対して第1の気体G1として用いられる酸素の溶解度は002850、水素の溶解度は001750、窒素の溶解度は001470である。つまり、第2の気体G2は、第1の気体G1に対して溶解度が十分に大きな気体が用いられている。これらの溶解度は液温が常温25度のときの値である。第1の気体G1を溶解した液体Lに第2の気体G2を供給すると、第1の気体G1よりも液体Lに溶解され易い第2の気体G2が上記液体Lに溶解される。つまり、第2の気体G2の分子が上記液体Lの分子間に入り込む。そのため、それまで液体Lの分子間に溶解していた第1の気体G1が微細気泡となって液体L中に生成される。つまり、第1の気体G1を溶解した液体Lに、この第1の気体G1よりも液体Lに溶解され易い第2の気体G2を供給することで、微細気泡となった第1の気体G1を含む液体Lが生成されることになる。ここで、微細気泡となった第1の気体G1を含む液体Lを上記処理液Sとする。このようにして生成された処理液Sは上記オリフィス12を通過して減圧される。それによって、上記オリフィス12の上流側と下流側との圧力差によって、上記液体Lに溶解した状態で残留している第1の気体G1が過飽和により微細気泡となってさらに放出されるから、そのことによっても第1の気体G1の微細気泡の発生量が増大する。しかも、上記処理液Sが上記オリフィス12を通過する直前まで増圧されていることで、上記第2の給液管11を流れる処理液Sに含まれる微細気泡が大きな気泡に成長するのが阻止される。上記第2の気体G2がアンモニアガスの場合、上記液体Lの水素イオン指数pHが7よりも大きく、11を超えないよう上記アンモニア気体の供給量が制御される。それによって、液体Lから作られた処理液Sによって基板Wを後述するように洗浄処理した場合、処理液Sによって除去されたパーティクルが基板Wに再付着するのを防止して基板Wの洗浄効果を向上させることができるばかりか、基板Wの表面が粗面化するなどして損傷するのを防止することができる。上記第2の給液管11の上記オリフィス12よりも下流側には、上記処理液Sを基板Wに噴射供給する管体19aに複数のノズル19aが所定間隔で設けられたノズル体19が接続されている。上記基板Wは、たとえば搬送手段としての搬送ローラ21によって水平に搬送される。上記ノズル体19は基板Wの搬送方向と交差する幅方向全長にわたって処理液Sを噴射供給する。それによって、基板Wは上面全体が上記処理液Sによって洗浄されることになる。なお、詳細は図示はしないが、上記基板Wをスピン処理装置の回転テーブルに保持して回転させ、1つのノズル19bを有するノズル体19を回転駆動される基板Wの上方でアーム体によって往復動させながら処理液Sを噴射させることで、上記基板Wの上面を洗浄処理するようにしてもよい。上述した構成の処理液Sの製造装置1によれば、液体Lに第1の気体G1を溶解させ、さらにその液体Lに第1の気体G1よりも溶解度の高い第2の気体G2を溶解させることで、上記液体Lに溶解された第1の気体G1を第2の気体G2に置換して第1の気体G1を微細気泡にして取り出すようにした。そのため、液体Lに溶解した第1の気体G1を、第1の気体G1を溶解させるときの圧力と、大気に開放した圧力との差によって過飽和を生じさせて微細気泡として取り出す場合に比べ、液体Lに溶解される第2の気体G2の溶解度に応じてより多くの第1の気体G1を微細気泡にして取り出すことが可能となる。図2を参照して説明すると、圧力P1の加圧状態下での液体Lに溶解する第1の気体G1の溶解量をM1とし、大気圧下で液体Lに溶解する第1の気体G1の溶解量をM2とすると、上記液体LをPaで示す大気圧に開放した場合、その圧力差P1-Paに相対する第1の気体G1の溶解量分は過飽和となり、上記液体Lから微細気泡となって放出され、その量は、同図にΔMaで示すM1-M2の量となる。それに対して第1の気体G1を溶解した液体Lに、第1の気体G1よりも溶解され易い第2の気体G2を供給すると、過飽和によって微細気泡となって放出される第1の気体G1の量はΔMaだけでなく、第2の気体G2の溶解度に応じて液体Lから追い出される第1の気体G1の量が加わることになるから、たとえば図2にΔMbで示す、M2-M3の量が追加されることになる。つまり、合計でΔMaΔMbの量の微細気泡を発生させることができる。したがって、従来に比べて微細気泡を多く含む洗浄液Sを基板Wに供給することができるため、基板Wを高い清浄度で洗浄処理することが可能となる。上記一実施の形態では第1の気体が溶解される液体として純水或いは脱気純水を例に挙げて説明したが、基板を処理するために用いられる純水或いは脱気純水以外の液体を用いるようにしてもよい。また、液体を加圧して処理タンクに供給し、ここで液体に第1の気体を溶解させるようにしたが、液体を加圧せずに処理タンクに供給して第1の気体を溶解させるようにしてもよい。そのようにすると、液体の圧力変化による過飽和で微細気泡を取り出すことはできないが、第2の気体が液体に溶解し、それ以前に溶解していた第1の気体と置換されることによって、微細気泡を発生させることができる。また、第1の気体が溶解された液体に第2の気体としてアルカリ性のアンモニアガスを供給するようにしたが、純度が100のアンモニアガスに代わり、他のガス、たとえば酸性の炭酸ガスが含まれる窒素ガスを供給するようにしてもよい。炭酸ガスを含ませれば、その量に応じて液体の水素イオン指数pHを調整することができる。つまり、基板の処理目的に応じた水素イオン指数の液体を供給することができる。上記第2の気体G2は、アンモニアガスとして説明したが、これに限られず、第1の気体G1よりも溶解度が高ければよく、その差が大きい方が好ましい。