"a支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程と、b前記第1層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第2層を設ける工程と、c前記工程a、工程bにおいて膜形成用組成物を用いる場合には、前記第1層および/または前記第2層を硬化させる工程と、d前記第2層上に素子を形成する工程と、e素子が形成された積層体から支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第2層を含む基板を得る工程とをこの順で含み、前記工程c後の前記第1層および/または第2層が、下記式2で表される構造単位を含み、かつ、下記式1で表される構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含む、基板の製造方法。式1中、Rは独立に水素原子または一価の有機基を示し、R1は独立に二価の有機基を示し、R2は独立に四価の有機基を示し、nは正の整数を示す。式2中、複数あるR5は各々独立に炭素数1~20の一価の有機基を示し、mは3~200の整数を示す。前記式1において、R1は独立に下記式3で表される群より選ばれる基である、請求項1に記載の基板の製造方法。式3中、R3は独立にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基もしくはシロキサン基を含む基、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基またはスルホ基を示し、このアルキル基およびアルキレン基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、a1は独立に1~3の整数を示し、a2は独立に1または2を示し、a3は独立に1~4の整数を示し、eは0~3の整数を示す。前記式1において、R2は独立に下記式4で表される群より選ばれる基である、請求項1または2に記載の基板の製造方法。式4中、R4は独立に水素原子またはアルキル基を示し、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、bは独立に1または2を示し、cは独立に1~3の整数を示し、fは0~3の整数を示す。前記ポリイミド前駆体中、前記式2で表される構造単位が5~40質量含まれる、請求項1~3のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記式2において、複数あるR5の少なくとも1つがアリール基を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記ポリイミド前駆体が、前記式1に含まれる構造単位の他に、該前駆体の主鎖に、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む単量体に由来する構造単位を、前記ポリイミド前駆体中、さらに0~15質量含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記単量体が、下記式5または式6で表される化合物である、請求項6に記載の基板の製造方法。式5および6中、Aは独立にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む基を示し、R6は独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはニトロ基を示し、アルキル基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、dは独立に1~4の整数を示す。前記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が10000~1000000である、請求項1~7のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記工程aまたは工程bに用いられる膜形成用組成物の少なくとも一方が、前記ポリイミド前駆体および有機溶媒を含む組成物である、請求項1~8のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記ポリイミド前駆体に由来するポリイミドの示差走査熱量測定DSC、昇温速度20°C/分で測定したガラス転移温度が350°C以上である、請求項1~9のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記工程cを、200°C~400°Cの範囲、かつ、前記ポリイミド前駆体に由来するポリイミドのガラス転移温度以下で行う、請求項1~10のいずれか1項に記載の基板の製造方法。前記支持体がシリコンウエハ、無アルカリガラス、金属板である、請求項1~11のいずれか1項に記載の基板の製造方法。請求項1~12のいずれか1項に記載の基板の製造方法により得られる基板。しかしながら、前記従来のポリイミド形成組成物を用いて、シリコンウエハ、無アルカリガラスのような支持体上で成膜を行うと、成膜時の収縮変形に伴い、得られる基板またはフィルム自身に反りが生じる問題が指摘されている。このため、これらのポリイミド形成組成物から、平滑性、屈曲性、柔軟性、寸法安定性が要求される用途、特にフレキシブルプリント基板、フレキシブルディスプレイ基板等のフレキシブル基板を製造することは困難であった。さらに、従来のポリイミドフィルムの成膜を、シリコンウエハ、無アルカリガラス等の支持体上で行うと、得られるフィルムの支持体との密着性および剥離性を両立することが困難であり、改良手段の一つとして支持体とフィルム間に粘着層を設ける必要があった。しかし、支持体上に粘着層を設け、その上に従来のポリイミドからなる層フィルムを設け、該ポリイミドからなる層上に素子を形成することで得られる基板には、大きな反りが生じることがあった。本発明の目的は、反りの発生をより有効に回避できる、簡便な基板の製造方法およびその製造方法で得られる基板を提供することにある。本発明者は、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の製造方法で基板を製造することで、得られる基板の反りの発生をより有効に回避できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の[1]~[13]を提供するものである。[1]a支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程と、b前記第1層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第2層を設ける工程と、c前記工程a、工程bにおいて膜形成用組成物を用いる場合には、前記第1層および/または前記第2層を硬化させる工程と、d前記第2層上に素子を形成する工程と、e素子が形成された積層体から支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第2層を含む基板を得る工程とをこの順で含み、前記工程c後の前記第1層および/または第2層が、下記式2で表される構造単位を含み、かつ、下記式1で表される構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含む、基板の製造方法。式1中、Rは独立に水素原子または一価の有機基を示し、R1は独立に二価の有機基を示し、R2は独立に四価の有機基を示し、nは正の整数を示す。式2中、複数あるR5は各々独立に炭素数1~20の一価の有機基を示し、mは3~200の整数を示す。[2]前記式1において、R1は独立に下記式3で表される群より選ばれる基である、[1]に記載の基板の製造方法。式3中、R3は独立にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基もしくはシロキサン基を含む基、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基またはスルホ基を示し、このアルキル基およびアルキレン基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、a1は独立に1~3の整数を示し、a2は独立に1または2を示し、a3は独立に1~4の整数を示し、eは0~3の整数を示す。[3]前記式1において、R2は独立に下記式4で表される群より選ばれる基である、[1]または[2]に記載の基板の製造方法。式4中、R4は独立に水素原子またはアルキル基を示し、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、bは独立に1または2を示し、cは独立に1~3の整数を示し、fは0~3の整数を示す。[4]前記ポリイミド前駆体中、前記式2で表される構造単位が5~40質量含まれる、[1]~[3]のいずれかに記載の基板の製造方法。[5]前記式2において、複数あるR5の少なくとも1つがアリール基を含む、[1]~[4]のいずれかに記載の基板の製造方法。[6]前記ポリイミド前駆体が、前記式1に含まれる構造単位の他に、該前駆体の主鎖に、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む単量体に由来する構造単位を、前記ポリイミド前駆体中、さらに0~15質量含む、[1]~[5]のいずれかに記載の基板の製造方法。[7]前記単量体が、下記式5または式6で表される化合物である、[6]に記載の基板の製造方法。式5および6中、Aは独立にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む基を示し、R6は独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはニトロ基を示し、アルキル基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、dは独立に1~4の整数を示す。[8]前記ポリイミド前駆体の重量平均分子量が10000~1000000である、[1]~[7]のいずれかに記載の基板の製造方法。[9]前記工程aまたは工程bに用いられる膜形成用組成物の少なくとも一方が、前記ポリイミド前駆体および有機溶媒を含む組成物である、[1]~[8]のいずれかに記載の基板の製造方法。[10]前記ポリイミド前駆体に由来するポリイミドの示差走査熱量測定DSC、昇温速度20°C/分で測定したガラス転移温度が350°C以上である、[1]~[9]のいずれかに記載の基板の製造方法。[11]前記工程cを、200°C~400°Cの範囲、かつ、前記ポリイミド前駆体に由来するポリイミドのガラス転移温度以下で行う、[1]~[10]のいずれかに記載の基板の製造方法。[12]前記支持体がシリコンウエハ、無アルカリガラス、金属板である、[1]~[11]のいずれかに記載の基板の製造方法。[13][1]~[12]のいずれかに記載の基板の製造方法により得られる基板。本発明の基板の製造方法によれば、反りの発生が少ない品質の高い基板を容易に製造することができる。前記第1層およびまたは第2層が、前記特定の構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含んでなることで、シリコンウエハ、無アルカリガラス、金属等の支持体上で層の形成を行っても、層の形成時の収縮変形に伴う、基板に生じ得る反りを抑制することができる。特に、前記第1層が、前記特定の構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含んでなる場合には、支持体としてシリコンウエハ、無アルカリガラスや金属板等を用いた場合であっても、該支持体との密着性と剥離性とを両立することが可能であり、粘着層の付着の無い、反りの発生が少ない基板を製造することができる。また、前記第1層の一部が付着等していないきれいな支持体が得られるため、該支持体を洗浄する等の必要がなく、新たな基板の製造の際に用いる支持体等として利用することができる。なお、本発明において、密着性とは、例えば、前記工程cや工程dにおいて、支持体上に形成される支持体と第1層との層間および第1層と第2層との層間が剥離しにくい性質をいう。本発明において、剥離性とは、例えば、工程eにおいて、剥離面に剥離痕が少なく、支持体と第1層との間、または、第1層と第2層との間で剥離できる性質をいう。≪基板の製造方法≫本発明の基板の製造方法は、a支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程と、b前記第1層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第2層を設ける工程と、c前記工程a、工程bにおいて膜形成用組成物を用いる場合には、前記第1層および/または前記第2層を硬化させる工程と、d前記第2層上に素子を形成する工程と、e素子が形成された積層体から支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第2層を含む基板を得る工程とをこの順で含み、前記工程c後の前記第1層および/または第2層が、下記式2で表される構造単位を含み、かつ、下記式1で表される構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含むことを特徴とする。<ポリイミド>前記工程c後の前記第1層および/または第2層は、下記式2で表される構造単位を含み、かつ、下記式1で表される構造単位を有するポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含む。前記ポリイミドは、剛直な骨格部位と下記式2で表される構造単位以下構造単位2ともいう。を含む柔軟な骨格部位とを有し、該剛直な骨格部位が海部となり、柔軟な骨格部位が島部となるミクロ相分離構造を形成すると考えられる。ポリイミドが、このミクロ相分離構造を形成することにより、残留応力が低減された層が得られると考えられる。なお、本発明において、ミクロ相分離とは、剛直な構造部位からなる海部に柔軟な骨格部位からなる島部が1ナノ~1ミクロン程度のサイズ程度で分散していることをいう。前記式1中、Rは独立に水素原子または一価の有機基を示し、R1は独立に下記式3で表される群より選ばれる基を示し、R2は独立に下記式4で表される群より選ばれる基を示す。nは正の整数を示し、好ましくは1~2500の整数である。前記式2中、複数あるR5は各々独立に炭素数1~20の一価の有機基を示し、mは3~200の整数を示す。前記式1中、Rにおける、一価の有機基としては、溶剤への溶解性向上や導入の容易さという観点から、炭素数1~20の一価の有機基が好ましい。なお、炭素数1~20は、炭素数1以上、炭素数20以下を示す。本発明における同様の記載は同様の意味を示す。前記Rにおける炭素数1~20の一価の有機基としては、炭素数1~20の一価の炭化水素基等を挙げることができる。炭素数1~20の炭化水素基としては、炭素数1~20のアルキル基等が挙げられる。炭素数1~20のアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。前記Rとしては、前駆体の合成やイミド化反応の容易さおよび脱離成分種が低分子でかつ分子量が小さいため、該前駆体をイミド化する際の重量ロスが小さいという観点から、水素原子であることが好ましい。前記式1中、R1における、二価の有機基としては、炭素数1~40の二価の有機基が好ましい。炭素数1~40の二価の有機基としては、炭素数6~40の二価の芳香族炭化水素基が好ましく、6~20の二価の芳香族炭化水素基がより好ましい。前記脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基には、環構造を2以上含む場合、環同士が1個以上の結合を共有する多環式構造、スピロ炭化水素構造、およびビフェニルのように環と環とを単結合等の結合基で結合した構造等が含まれる。前記結合基としては、前記単結合の他にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基等が挙げられる。前記二価の有機基が水素原子を含む場合、任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい。前記二価の有機基としては、得られる層の耐熱性の向上や線膨張率を低くできるという観点から、下記式3で表される群より選ばれる基であることがより好ましい。また、R1における二価の有機基が、下記式3で表される群より選ばれる基であると、前記海部はより剛直な骨格を有する構造となる。よって、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層を得ることができるため好ましい。前記式3中、R3は独立にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基もしくはシロキサン基を含む基;水素原子;ハロゲン原子;アルキル基;ヒドロキシ基;ニトロ基;シアノ基;またはスルホ基を示し、このアルキレン基を含む基およびアルキル基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、a1は独立に1~3の整数を示し、a2は1または2を示し、a3は独立に1~4の整数を示し、eは0~3の整数を示す。前記エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基もしくはシロキサン基を含む基としては、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を含む炭素数1~10の有機基が挙げられる。R3としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基またはスルホ基が好ましく、水素原子またはアルキル基が好ましい。前記式3中、R3におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~20のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらのアルキル基における任意の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換されてもよい。前記式3中、R3およびDにおけるアルキレン基としては、メチレン基または炭素数2~20のアルキレン基等が挙げられ、このアルキレン基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい。前記炭素数2~20のアルキレン基としては、炭素数2~10のアルキレン基であることが好ましく、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、イソプロピリデン基、フルオレン基およびこれらのアルキレン基における任意の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。Dとしては、前記式3で表される基を含む、前記前駆体の原料となる化合物の入手性、得られる層の耐熱性の観点からスルフォニル基が好ましい。eは、0~2の整数が好ましく、0または1がより好ましく、前記前駆体の溶解性、着色性の観点から、0がさらに好ましい。前記式3で表される基としては、例えば、以下3-1~3-3で表される基等が挙げられる。前記式3で表される群より選ばれる基としては、下記式3で表される群より選ばれる基であることが、耐熱性、低線膨張率かつ残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得ることができるため好ましい。また、前記第1層が前記ポリイミドを含んでなる層である場合、前記R1が下記式3で表される群より選ばれる基であると、該第1層は、支持体との密着性および剥離性に優れる。前記式3中、R3は独立に前記式3中のR3と同義である。前記式1中、R2は独立に、四価の有機基を示し、四価の有機基としては、炭素数1~40の四価の有機基が好ましい。炭素数1~40の四価の有機基としては、炭素数3~40の四価の脂環式炭化水素基または炭素数6~40の四価の芳香族炭化水素基が好ましい。前記脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基には、環構造を2以上含む場合、環同士が1個以上の結合を共有する多環式構造、スピロ炭化水素構造、およびビフェニルのように環と環とを単結合等の結合基で結合した構造等が含まれる。前記結合基としては、前記単結合の他にエーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基等が挙げられる。R2としては、得られる層の耐熱性を向上させ線膨張率を低くできるという観点から、下記式4で表される群より選ばれる基であることがより好ましく、下記式4’で表される群より選ばれる基であることがより好ましい。R2における四価の有機基が、下記式4で表される群より選ばれる基、特に下記式4’で表される群より選ばれる基であると、前記ポリイミド前駆体から得られるポリイミドは、剛直な骨格を有する構造となり、ミクロ相分離構造を形成しやすくなるため、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得ることができる等の点で好ましい。前記式4中、R4は独立に水素原子またはアルキル基を示し、アルキル基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、Dは、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基またはシロキサン基を示し、bは独立に1または2を示し、cは独立に1~3の整数を示し、fは0~3の整数を示す。前記式4中、R4におけるアルキル基としては、前記式3中、R3におけるアルキル基と同様の基等が挙げられ、R4としては水素原子が好ましい。Dとしては、スルフォニル基が好ましく、fは、0~2の整数が好ましく、0または1がより好ましく、0がさらに好ましい。前記式4で表される群より選ばれる基は、下記式4で表される群より選ばれる基であることが、耐熱性、低線膨張性、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得ることができるため好ましい。前記構造単位1には、構造単位2が含まれる。該構造単位2は、前記構造単位1中の複数あるR1およびR2からなる群より選ばれる少なくとも1つの基に含まれてもよく、前記構造単位1の末端に含まれてもよいが、複数あるR1およびR2からなる群より選ばれる少なくとも1つの基に含まれることが好ましい。なお、複数あるR1およびR2からなる群より選ばれる少なくとも1つの基は、下記式2で表される構造単位を含むとは、nが2以上の場合には、R1およびR2はそれぞれ2以上構造単位1中に存在するが、これらの複数あるR1およびR2のうち、少なくとも1つが下記式2で表される構造単位を含むことを意味する。前記ポリイミドは、構造単位2を含むため、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得ることができる。前記式2中、複数あるR5は各々独立に炭素数1~20の一価の有機基を示し、mは3~200の整数を示す。前記式2中、R5における炭素数1~20の一価の有機基としては、炭素数1~20の一価の炭化水素基および炭素数1~20の一価のアルコキシ基等を挙げることができる。前記R5における炭素数1~20の一価の炭化水素基としては、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、または炭素数6~20のアリール基等が挙げられる。前記炭素数1~20のアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。前記炭素数3~20のシクロアルキル基としては、炭素数3~10のシクロアルキル基であることが好ましく、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。前記炭素数6~20のアリール基としては、炭素数6~12のアリール基であることが好ましく、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。前記R5における炭素数1~20の一価のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基およびシクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。前記式2における複数あるR5の少なくとも1つは、アリール基を含むことが、前記柔軟な骨格部位からなる島部が前記剛直な構造部位からなる海部との親和性に優れ、1ナノ~1ミクロン程度のサイズで均一分散ミクロ相分離しやすくなるため好ましい。より具体的には、複数あるR5は、炭素数1~10のアルキル基および炭素数6~12のアリール基であることが好ましい。この場合、構造単位2中の全てのR5のうち、炭素数1~10のアルキル基のモル数iと炭素数6~12のアリール基のモル数iiとの比但し、iii=100は、好ましくはi:ii=90~0:10~100であり、より好ましくはi:ii=85~15:15~85であり、さらに好ましくはi:ii=85~65:15~35である。構造単位2中の全てのR5のうち、アルキル基のモル数iとアリール基のモル数iiとの比が前記範囲を外れると、前記ポリイミドがミクロ相分離構造を形成することができないおそれがある。アルキル基のモル数iとアリール基のモル数iiとの比が前記範囲にあると、ミクロ相分離構造単位2を含む骨格部位がナノ分散可能となり、耐熱性、低線膨張係数および低残留応力、低そり性等を有する層、基板を得ることができる。前記炭素数1~10のアルキル基は、好ましくはメチル基であり、前記炭素数6~12のアリール基は、好ましくはフェニル基である。前記ポリイミド前駆体全体を100質量とした場合、前記構造単位2の含有量の下限は、好ましくは5質量であり、より好ましくは8質量であり、さらに好ましくは9質量であり、前記構造単位2の含有量の上限は、好ましくは40質量であり、より好ましくは30質量であり、さらに好ましくは25質量であり、特に好ましくは23質量である。ポリイミド前駆体中に含まれる構造単位2の割合が前記範囲を超える場合であって、前記第1層が前記ポリイミドを含む層である場合、ガラス板等の支持体から、該第1層を剥離することが困難となる傾向がある。また、ポリイミド前駆体中に含まれる構造単位2の量が前記範囲を下回ると、前記ポリイミドを含む第1層および/または第2層の残留応力が高くなり、得られる基板に反りが発生するおそれがある。前記式2中のmは3~200の整数であり、好ましくは10~200、より好ましくは20~150、さらに好ましくは30~100、特に好ましくは35~80の整数である。mが2以下であると、前記ポリイミドがミクロ相分離構造を形成しにくくなる場合があり、mが200を超えると、構造単位2を含む骨格部位からなる島部の大きさが1μmを超え、得られる層の白濁化や機械強度が低下するなどの問題が生じる場合がある。前記ポリイミド前駆体は、該ポリイミド前駆体100質量中、前記構造単位1を好ましくは60質量以上、より好ましくは77質量以上、さらに好ましくは79質量、さらに好ましくは85~100質量、さらに好ましくは90~100質量、さらに好ましくは91~100質量、特に好ましくは92~100質量含む。ポリイミド前駆体中、前記構造単位1の割合が前記範囲にあると、残留応力が小さく、反りが生じにくい層、基板を得ることができる。なお、ポリイミド前駆体100質量中、前記構造単位1を60質量以上含むとは、構造単位-NH-R1-NH-、構造単位-NH-R1-NH2、構造単位-CO-R2COOR2-CO-、構造単位-CO-R2COOR2-COOH、構造単位2、および、構造単位-SiR52-Om-SiR52-R10-R11等のR1、R2および構造単位2を含む構造単位の合計が60質量以上であることを意味する。なお、R1、R2およびRは前記式1中のR1、R2およびRと同義であり、R5は前記式2中のR5と同義であり、R10およびR11は下記式7および8中のR10およびR11と同義である。また、前記ポリイミド前駆体は、構造単位1の一部がイミド化していてもよい。前記ポリイミド前駆体は、所望の用途および層の形成条件等に応じて、前記式1に含まれる構造単位の他に、該前駆体の主鎖に、エーテル結合、チオエーテル基、ケトン基、エステル結合、スルフォニル基、アルキレン基、アミド基およびシロキサン基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む単量体以下単量体Iともいう。に由来する構造単位以下構造単位5、6ともいう。を含んでいてもよい。前記アルキレン基としては、前記式3中、R3におけるアルキレン基と同様の基等が挙げられる。なお、前記式1に含まれる構造単位とは、構造単位-NH-R1-NH-、構造単位-NH-R1-NH2、構造単位-CO-R2COOR2-CO-、構造単位-CO-R2COOR2-COOH、構造単位2、および、構造単位-SiR52-Om-SiR52-R10-R11等のR1、R2および構造単位2を含む構造単位のことをいうなお、R1、R2およびRは前記式1中のR1、R2およびRと同義であり、R5は前記式2中のR5と同義であり、R10およびR11は下記式7および8中のR10およびR11と同義である。。構造単位5、6は、前記ポリイミド前駆体の主鎖に含まれる、前記構造単位1中のR1およびR2で表される基ならびに構造単位2を含まない、テトラカルボン酸二無水物およびこれらの誘導体またはイミノ形成化合物に由来する構造単位のことをいう。前記ポリイミド前駆体の主鎖とは、前記構造単位1のR1やR2が含まれる鎖を意味し、例えば、構造単位1における-COORは、主鎖ではなく、側鎖である。前記ポリイミド前駆体に構造単位5、6が含まれると、得られる層の線膨張係数が上昇し、所望に応じて伸ばすことが可能な層が得られる。前記ポリイミド前駆体は、構造単位5、6の含有量および/または構造単位2の含有量を増加させると線膨張係数は大きくなるため、前記第1層が前記ポリイミドを含む層である場合であって、前記支持体としてCuを含む支持体やSiを含む支持体上などを用いる場合には、これらの支持体に応じて構造単位5、6および/または構造単位2の配合量を変化させればよい。具体的には、Cuの線膨張係数は16.8ppm/Kであるため、Cuからなる支持体を用いる場合には、前記ポリイミド前駆体は、構造単位5、6を含むことが好ましく、Siの線膨張係数は3ppm/Kであるため、Siからなる支持体を用いる場合には、前記ポリイミド前駆体は、構造単位5、6を含まないことが好ましい。その他、クロムの線膨張係数は8.2ppm/K、ガラスの線膨張係数は9ppm/K、ステンレスSUS430の線膨張係数は10.4ppm/K、ニッケルの線膨張係数は12.8ppm/Kであるため、これらからなる支持体を用いる場合には、前記ポリイミド前駆体は、ポリイミド前駆体100質量中、構造単位5、6を0~15質量含むことが好ましい。素子として上記の材料を用いる場合も同様である。前記単量体Iとしては、下記式5で表される化合物以下化合物5ともいう。または式6で表される化合物以下化合物6ともいう。であることが好ましい。前記式5および6中、Aは独立にエーテル結合-O-、チオエーテル基-S-、ケトン基-C=O-、エステル結合-COO-、スルフォニル基-SO2-、アルキレン基-R7-、アミド基-C=O-NR8-およびシロキサン基-SiR92-O-SiR92-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を含む基を示し、R6は独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはニトロ基を示し、アルキル基の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよく、dは独立に1~4の整数を示す。なお、前記R8およびR9は各々独立に水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を示し、このアルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい。前記R6、R8およびR9におけるアルキル基としては、前記式3中、R3におけるアルキル基と同様の基等が挙げられる。前記ハロゲン原子としては、塩素原子またはフッ素原子が好ましい。前記Aとしては、エーテル基が好ましく、前記R6としては水素原子が好ましい。前記式5および6中、Aにおけるアルキレン基-R7-としては、前記式3中、R3におけるアルキレン基と同様の基等が挙げられ、これらの中でも、メチレン基、イソプロピリデン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびフルオレン基が好ましい。前記化合物5および6としては、例えば、下記化合物群5-1~6-9に記載の化合物が挙げられる。前記ポリイミド前駆体が構造単位5、6を含む場合、ポリイミド前駆体は、ポリイミド前駆体100質量中、構造単位5、6を好ましくは0~15質量含み、より好ましくは0~10質量含み、さらに好ましくは0~9質量含み、特に好ましくは0~8質量含む。構造単位5、6の含有量が15質量を超えると、前記剛直な構造部位の弾性率が低くなり、残留応力を前記柔軟な構造部位に移行させ難くなるため、得られる層、基板に反りが生じやすくなる場合がある。また、構造単位5、6の含有量が前記範囲にあると、反りの発生が抑制されたまま、伸びやすい層、基板を得ることができる。なお、前記ポリイミド前駆体が、構造単位5、6を含む場合、該構造単位5、6を含むポリイミド前駆体は、i前記式1におけるR1やR2に構造単位5、6が含まれる構造で表される場合、および、iiポリイミド前駆体中の、構造単位1以外の部分に構造単位5、6が含まれる構造で表される場合がある。前記iの場合、前記ポリイミド前駆体が前記式1中のR1に化合物5に由来する構造単位を含むとすると、前記ポリイミド前駆体は、例えば下記式5Aのように表される。この場合、ポリイミド前駆体100質量中、構造単位5、6を好ましくは0~15質量含むとは、ポリイミド前駆体100質量中、繰り返し単位n2中の2個の-NH-間にはさまれた構造両端の-NH-を含むで表される構造単位を0~15質量含むことを意味する。また、前記iの場合、構造単位5、6は、前記構造単位1中の複数あるR1およびR2からなる群より選ばれる少なくとも1つの基に含まれてもよく、前記構造単位1の末端に含まれてもよい。前記式5A中、R、R1およびR2は各々独立に前記式1中のR、R1およびR2と同義であり、A、R6およびdは各々独立に前記式5中のA、R6およびdと同義であり、n1n2=nである。前記ポリイミド前駆体の重量平均分子量Mwは好ましくは10,000~1,000,000であり、より好ましくは10000~200000であり、さらに好ましくは20000~150000である。数平均分子量Mnは5000~500000、好ましくは5000~400000、特に好ましくは10000~300000である。ポリイミド前駆体の重量平均分子量ないし数平均分子量が前記下限未満であると、得られる層の強度が低下してしまうことがある。さらに、得られる層の線膨張係数が必要以上に上がる場合がある。一方、ポリイミド前駆体の重量平均分子量ないし数平均分子量が前記上限を超える場合であって、前記膜形成用組成物として該前駆体を含む組成物を用いる場合には、該膜形成用組成物の粘度が上がる。このため、該膜形成用組成物を用いて層を形成する場合には、膜形成用組成物に配合できるポリイミド前駆体の量が少なくなるため、得られる層の平坦性等の層の厚み精度が悪化する場合がある。前記ポリイミド前駆体の分子量分布Mw/Mnは好ましくは1~10、より好ましくは2~5である。なお、前記重量平均分子量、数平均分子量および分子量分布は、東ソー製HLC-8220型GPC装置を用いて測定した値である。前記ポリイミドは、示差走査熱量測定DSC、昇温速度20°C/分で測定したガラス転移温度が好ましくは350°C以上であり、より好ましくは400°C以上である。ポリイミドのガラス転移温度が前記範囲にあることで、得られる層、基板は、優れた耐熱性を示す。また、前記ポリイミドのイミド基濃度は、イミド化率が100モルであると仮定した場合に、2.5~7.5mmol/gであることが好ましく、3.0~6.0mmol/gであることがより好ましく、3.5~5.5mmol/gであることがさらに好ましい。ポリイミド前駆体の合成方法前記構造単位1を有するポリイミド前駆体は、好ましくは、テトラカルボン酸二無水物およびこの反応性誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物を含む成分以下A成分ともいう。と、イミノ形成化合物を含む成分以下B成分ともいう。とを反応させることで得られる。但し、前記ポリイミドの合成の際には、前記構造単位2を含む化合物を用いることが好ましい。この反応によれば、用いる原料化合物の構造に応じたポリイミド前駆体を得ることができ、また、用いる原料化合物の使用量に応じた量で該化合物に由来する構造単位を有するポリイミド前駆体を得ることができる。この場合、A成分として構造単位2を含むアシル化合物以下化合物A-2ともいう。を用いること、あるいはB成分として構造単位2を含むイミノ形成化合物以下化合物B-2ともいう。を用いることが好ましい。また、化合物A-2と化合物B-2とを両方用いることもできる。[A成分]A成分は、テトラカルボン酸二無水物およびこれらの反応性誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物である。好ましくは、前記化合物A-2、および化合物A-2以外のアシル化合物A-1からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む。前記アシル化合物A-1としては、例えば芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物、脂環族テトラカルボン酸二無水物、前記化合物6およびこれらの反応性誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物等が挙げられる。具体例としては、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5-トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,5,6-トリカルボキシノルボルナン-2-酢酸二無水物、2,3,4,5-テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b-ヘキサヒドロ-5-テトラヒドロ-2,5-ジオキソ-3-フラニル-ナフト[1,2-c]-フラン-1,3-ジオン、5-2,5-ジオキソテトラヒドロフラル-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物あるいは脂環族テトラカルボン酸二無水物、およびこれらの反応性誘導体;4,4’-オキシジフタル酸二無水物、ピロメリット酸二無水物PMDA、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5-フランテトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルスルホン二無水物、4,4’-ビス3,4-ジカルボキシフェノキシジフェニルプロパン二無水物、3,3’,4,4’-パーフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビスフタル酸フェニルホスフィンオキサイド二無水物、p-フェニレン-ビストリフェニルフタル酸二無水物、m-フェニレン-ビストリフェニルフタル酸二無水物、ビストリフェニルフタル酸-4,4’-ジフェニルエーテル二無水物、ビストリフェニルフタル酸-4,4’-ジフェニルメタン二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物、およびこれらの反応性誘導体を挙げることができる。これらの化合物は1種を単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記反応性誘導体としては、テトラカルボン酸、該テトラカルボン酸の酸エステル化物、該テトラカルボン酸の酸クロライドなどが挙げられる。これらのうち、得られる層の優れた透明性、必要により用いられる反応溶媒への化合物の良好な溶解性の観点からは、脂肪族テトラカルボン酸二無水物あるいは脂環族テトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。また、得られる層、基板の耐熱性、低線膨張係数寸法安定性、低吸水性の観点からは、芳香族テトラカルボン酸二無水物が好適に用いられる。また、前記アシル化合物A-1としては、前記式4または式4で表される群より選ばれる基を有する化合物であることが、弾性率の高い前記海部中に前記柔軟な骨格部位を極めて小さな1ナノ~1ミクロン程度のサイズで均一分散可能ミクロ相分離構造となり、層内部に発生しうる応力を前記柔軟な骨格部位で効率よく吸収することができるため、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得る点からより好ましい。このような化合物として、具体的には、ピロメリット酸二無水物PMDA、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物CBDA、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物PMDAH、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物s-BPDA、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物および下記群4-1で表わされる化合物等が挙げられ、これらの中でも芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましく、より好ましくはピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物であり、特に好ましくはピロメリット酸二無水物である。これらの化合物は1種を単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記化合物A-1の配合量は特に制限されず、全アシル化合物A成分の全量を100質量とした場合に、100質量であってもよいが、A成分に下記化合物A-2および/または化合物6が含まれる場合には、100質量からこれらの化合物それぞれの好ましい配合量を引いた量で配合すればよい。前記化合物A-2としては、具体的には前記式2で表わされる構造単位を有するテトラカルボン酸二無水物およびこの反応性誘導体より選ばれる少なくとも1種のアシル化合物等が挙げられ、好ましくは下記式7で表わされる化合物以下化合物7ともいう。、下記式7で表わされる化合物以下化合物7ともいう。、下記式8で表わされる化合物以下化合物8ともいう。および下記式8で表わされる化合物以下化合物8ともいう。からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物等を挙げることができる。前記反応性誘導体としては、前記式2で表わされる構造単位を有するテトラカルボン酸、該テトラカルボン酸の酸エステル化物、該テトラカルボン酸の酸クロライドなどが挙げられる。なお、構造単位2が、前記構造単位1中の複数あるR2の少なくとも1つの基に含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、化合物7および/または8を用いることが好ましく、前記構造単位1の末端に含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、好ましくは化合物7および/または8を用いることが好ましい。前記式7、7、8および8中、R5およびmは各々独立に、前記式2中のR5およびmと同義である。R10は独立に単結合または炭素数1~20の二価の有機基を示す。前記式7および8中、R11は独立に水素原子、または炭素数1~20の一価の有機基を示し、この炭素数1~20の一価の有機基としては、前記式2中、R5における炭素数1~20の一価の有機基と同様の基等が挙げられる。前記R10における炭素数1~20の二価の有機基としては、メチレン基、炭素数2~20のアルキレン基、炭素数3~20のシクロアルキレン基、または炭素数6~20のアリーレン基等が挙げられる。前記炭素数2~20のアルキレン基としては、炭素数2~10のアルキレン基であることが好ましく、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられる。前記炭素数3~20のシクロアルキレン基としては、炭素数3~10のシクロアルキレン基であることが好ましく、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基等が挙げられる。前記炭素数6~20のアリーレン基としては、炭素数6~12のアリーレン基であることが好ましく、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。前記化合物A-2としては、耐熱性高ガラス転移温度および耐水性に優れた層、基板を得る観点から数平均分子量が200~10,000であることが好ましく、500~10,000であることがより好ましく、特に好ましくは500~6000である。アミン価は100~5000であることが好ましく、より好ましくは250~5,000、さらに好ましくは1000~3000である。前記化合物7、7、8および8における重合度mは前記式2と同様であり、好ましい範囲も同様である。前記式7、7、8および8中、R5はメチル基またはフェニル基が好ましく、複数あるR5のうち、少なくとも1つはフェニル基が好ましい。複数あるR5のすべてがメチル基またはフェニル基であり、その少なくとも1つはメチル基であり、その少なくとも1つはフェニル基である場合、メチル基のモルとフェニル基のモルとの比メチル基のモルフェニル基のモル=100は、好ましくはメチル基:フェニル基=5~95:95~5であり、より好ましくはメチル基:フェニル基=15~85:85~15であり、さらに好ましくはメチル基:フェニル基=85~65:15~35である。前記式7、7、8および8中の少なくとも1つのR5がフェニル基でないと、前記海部と島部との相溶性が悪化して、島部の分散サイズが1ミクロンを超え、耐熱性、強度に劣る層、基板が得られる場合がある。前記化合物A-2としては、具体的には、ゲレスト社製DMS-Z21数平均分子量600~800、アミン価300~400、m=4~7などを挙げることができる。なお、化合物A-2は1種を単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記A成分に前記化合物A-2が含まれる場合には、全原料化合物A成分B成分の全量を100質量とした場合に、前記化合物A-2の配合量は、反りの発生しにくい層、基板を得る点から、好ましくは5~40質量であり、より好ましくは5~23質量であり、さらに好ましくは8~22質量であり、特に好ましくは9.5~21質量である。但し、前記化合物A-2の好ましい配合量は、ポリイミド前駆体を合成する際に、前記化合物B-2を用いない場合であり、ポリイミド前駆体を合成する際に、その原料として、化合物A-2および化合物B-2を用いる場合には、使用する化合物A-2および化合物B-2の合計量が前記化合物A-2の好ましい配合量と同程度になるようにすることが好ましい。また、前記A成分には、得られる層、基板の伸びを改良する点から、所望の用途に応じて、化合物6および/または下記式6で表わされる化合物以下化合物6ともいう。が含まれてもよい。なお、ポリイミド前駆体の主鎖末端を除くに構造単位5、6が含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、化合物6を用いることが好ましく、ポリイミド前駆体の主鎖末端に構造単位5、6が含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、好ましくは化合物6を用いることが好ましい。前記式6中、Aは前記式5および6中のAと同義であり、R12は、水素原子または炭素数1~20の一価の有機基を示す。この炭素数1~20の一価の有機基としては、前記式2中、R5における炭素数1~20の一価の有機基と同様の基が挙げられる。前記A成分に前記化合物6および/または化合物6が含まれる場合には、全原料化合物A成分B成分の全量を100質量とした場合に、前記化合物6および/または化合物6の配合量は、反りの発生しにくい層、基板を得る点から、好ましくは0~15質量であり、より好ましくは0~10質量であり、さらに好ましくは0~9質量であり、特に好ましくは0~8質量である。但し、前記化合物6および/または化合物6の好ましい配合量は、ポリイミド前駆体を合成する際に、前記化合物5および/または下記化合物5を用いない場合であり、ポリイミド前駆体を合成する際に、その原料として、化合物6および/または化合物6ならびに化合物5および/または化合物5を用いる場合には、使用する化合物6および/または化合物6ならびに化合物5および/または化合物5の合計量が前記化合物6および/または化合物6の好ましい配合量と同程度になるようにすることが好ましい。[B成分]B成分は、イミノ形成化合物である。ここで、イミノ形成化合物とは、前記A成分と反応してイミノ基を形成する化合物をいい、具体的には、ジアミン化合物、ジイソシアネート化合物、ビストリアルキルシリルアミノ化合物等を挙げることができる。B成分としては、好ましくは、前記化合物B-2、および化合物B-2以外のイミノ形成化合物B-1からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む。前記化合物B-1としては、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミンおよび脂環族ジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物および前記化合物5等が挙げられる。前記化合物B-1としては、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノトルエン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテルODA、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルo-トリジン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルm-トリジン、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビストリフルオロメチルビフェニル、3,7-ジアミノ-ジメチルジベンゾチオフェン-5,5-ジオキシド、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ビス4-アミノフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノベンズアニリド、1,n-ビス4-アミノフェノキシアルカン、1,3-ビス[2-4-アミノフェノキシエトキシ]エタン、9,9-ビス4-アミノフェニルフルオレン、9,9-ビス4-アミノフェノキシフェニルフルオレン、56-アミノ-1-4-アミノメチル-1,3、3-トリメチルインダン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-Q、1,3-ビス4-アミノフェノキシベンゼンTPE-R、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼンAPB、2,5-ビス4-アミノフェノキシビフェニルP-TPEQ、4,4’-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、4,4’-ビス3-アミノフェノキシビフェニル、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン、2,2-ビス4-アミノフェノキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホン、2,2-ビス[4―4-アミノフェノキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、ベンジジン、3,3-ジメトキシ-4,4-ジアミノビフェニル、2,2’-ジクロロ-4,4’-ジアミノ-5,5’-ジメトキシビフェニル、2,2’,5,5’-テトラクロロ-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレン-ビス2-クロロアニリン、9,10-ビス4-アミノフェニルアントラセン、o-トリジンスルホン等が挙げられる。これら芳香族ジアミンは、1種単独であるいは2種以上混合して用いることができる。前記脂肪族ジアミンとしては、炭素数2~30の脂肪族ジアミン等が挙げられ、その具体例としては、エチレンジアミン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,5-ヘプタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,7-ヘプタンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン、1,12-ドデカンジアミン等のアルキレンジアミン;オキシジ2-アミノエタン、オキシジ2-アミノプロパン、2-2-アミノエトキシエトキシアミノエタン等のオキシアルキレンジアミンが例示される。これら脂肪族ジアミンは、1種単独でまたは2種以上を混合してイミド化反応に供することができる。また、前記脂環族ジアミンとしては、分子内に少なくとも1個の脂環基を有するものを用いることができ、脂環基としては単環、多環、縮合環のいずれの基であってもよい。前記脂環族ジアミンとしては、炭素数4~30の脂環族ジアミンが好適に用いられ、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルシクロヘキシルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’,5,5’-テトラメチルシクロヘキシルメタン、1,3-ジアミノシクロヘキサン、1,4-ジアミノシクロヘキサン、1-アミノ-3-アミノメチル-3,5,5-トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス4,4’-ジアミノシクロヘキシルプロパン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、1,4-ビスアミノメチルシクロヘキサン、2,3-ジアミノビシクロ2.2.1ヘプタン、2,5-ジアミノビシクロ2.2.1ヘプタン、2,6-ジアミノビシクロ2.2.1ヘプタン、2,7-ジアミノビシクロ2.2.1ヘプタン、2,5-ビスアミノメチル-ビシクロ2.2.1ヘプタン、2,6-ビスアミノメチル-ビシクロ2.2.1ヘプタン、2,3-ビスアミノメチル-ビシクロ2.2.1ヘプタン、34,89-ビスアミノメチル-トリシクロ5.2.1.026デカン等が挙げられる。これら脂環族ジアミンは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。また、前記化合物B-1としては、前記式3、3-1~3-3および3で表わされる群より選ばれる基を有する化合物であることが、弾性率の高い前記海部中に前記柔軟な骨格部位を極めて小さな1ナノ~1ミクロン程度のサイズで均一分散可能ミクロ相分離構造となり、層内部に発生しうる応力を前記柔軟な骨格部位で効率よく吸収することができるため、残留応力が小さく、反りの発生が抑制された層、基板を得る点から好ましい。このような化合物として、具体的には、p-フェニレンジアミンPDA、m-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノトルエン、ベンジジン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルo-トリジン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルm-トリジン,mTB、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビストリフルオロメチルビフェニルTFMB、3,3-ジメトキシ-4,4-ジアミノビフェニル、2,2’-ジクロロ-4,4’-ジアミノ-5,5’-ジメトキシビフェニル、2,2’,5,5’-テトラクロロ-4,4’-ジアミノビフェニル等が挙げられ、これらの中でも2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルが好ましい。前記化合物B-1の配合量は特に制限されず、全イミド形成化合物B成分の全量を100質量とした場合に、100質量であってもよいが、B成分に下記化合物B-2および/または化合物5が含まれる場合には、100質量からこれらの化合物それぞれの好ましい配合量を引いた量で配合すればよい。前記化合物B-2としては、構造単位2を含むイミノ形成化合物であれば特に制限されないが、好ましくは下記式9で表わされる化合物以下化合物9ともいう。および下記式9で表わされる化合物以下化合物9ともいう。等を挙げることができる。なお、構造単位2が、前記構造単位1中の複数あるR1およびR2からなる群より選ばれる少なくとも1つの基に含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、化合物9を用いることが好ましく、前記構造単位1の末端に含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、好ましくは化合物9を用いることが好ましい。前記式9および9中、R5およびmは各々独立に、前記式2中のR5およびmと同義であり、R10は各々独立に前記式7、7’、8および8’中のR10と同義であり、R11は各々独立に前記式7および8中のR11と同義である。前記化合物B-2としては、前記柔軟な骨格部位を前記剛直な骨格部位からなる海部にナノ~ミクロン程度のサイズで微分散させることができ、耐熱性高ガラス転移温度および耐水性が優れた層、基板を得る観点から、数平均分子量が500~12,000であることが好ましく、1,000~8,000であることがより好ましく、3,000~6,000であることがさらに好ましい。アミン価は250~6,000であることが好ましく、500~4,000であることがより好ましく、1,500~3,000であることがさらに好ましい。前記式9および9における重合度mは前記式2と同様であり、好ましい範囲も同様である。前記式9および9中、R5はメチル基またはフェニル基が好ましく、複数あるR5のうち、少なくとも1つはフェニル基であることが好ましい。複数あるR5のすべてがメチル基またはフェニル基であり、その少なくとも1つはメチル基であり、その少なくとも1つはフェニル基である場合、メチル基のモルとフェニル基のモルとの比メチル基のモルフェニル基のモル=100は、好ましくはメチル基:フェニル基=5~95:95~5であり、より好ましくはメチル基:フェニル基=15~85:85~15であり、さらに好ましくはメチル基:フェニル基=85~65:15~35である。前記式9および9中の少なくとも1つのR5がフェニル基でないと、前記海部と島部との相溶性が悪化して、島部の分散サイズが1ミクロンを超え、耐熱性および強度に劣る層、基板が得られる場合がある。前記化合物B-2としては、具体的には、両末端アミノ変性メチルフェニルシリコーン信越化学社製;X22-1660B-3数平均分子量4,400重合度m=41、フェニル基:メチル基=25:75mol、X22-9409数平均分子量1,300、両末端アミノ変性ジメチルシリコーン信越化学社製;X22-161A数平均分子量1,600、重合度m=20、X22-161B数平均分子量3,000、重合度m=39、KF8012数平均分子量4400、重合度m=58、東レダウコーニング製;BY16-835U数平均分子量900、重合度m=11などが挙げられる。なお、前記イミノ形成化合物B-2は1種を単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、重合度mは例えば以下の式により算出することができる。両末端がアミノプロピル基の場合、前記式2中のR5のすべてがメチル基またはフェニル基である化合物の場合m=数平均分子量-両末端基アミノプロピル基の分子量116.2/74.15×メチル基のmol×0.01198.29×フェニル基のmol×0.01前記B成分に前記化合物B-2が含まれる場合には、全原料化合物A成分B成分の全量を100質量とした場合に、前記化合物B-2の配合量は、基板との剥離性に優れ、反りの発生しにくい層、基板を得る点から、好ましくは5~40質量であり、より好ましくは5~23質量であり、さらに好ましくは8~22質量であり、特に好ましくは9.5~21質量である。但し、前記化合物B-2の好ましい配合量は、ポリイミド前駆体を合成する際に、前記化合物A-2を用いない場合の量である。また、前記B成分には、得られる層、基板の伸びを改良する点から、所望の用途に応じて、化合物5および/または下記式5で表わされる化合物以下化合物5ともいう。が含まれてもよい。なお、ポリイミド前駆体の主鎖末端を除くに構造単位5、6が含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、化合物5を用いることが好ましく、ポリイミド前駆体の主鎖末端に構造単位5、6が含まれるポリイミド前駆体を合成したい場合には、好ましくは化合物5を用いることが好ましい。前記式5中、Aは前記式5および6中のAと同義であり、R12は、前記式6中のR12と同義である。前記B成分に前記化合物5および/または化合物5が含まれる場合には、全原料化合物A成分B成分の全量を100質量とした場合に、前記化合物5および/または化合物5の配合量は、反りの発生しにくい層、基板を得る点から、好ましくは0~15質量であり、より好ましくは0~10質量であり、さらに好ましくは0~9質量であり、特に好ましくは0~8質量である。但し、前記化合物5および/または化合物5の好ましい配合量は、ポリイミド前駆体を合成する際に、前記化合物6および/または化合物6を用いない場合の量である。前記ポリイミド前駆体は、A成分とB成分とを、使用割合仕込み量比として、A成分とB成分とのモル比A成分/B成分が0.8~1.2となる範囲で反応させることが好ましく、0.90~1.0となる範囲で反応させることがより好ましい。A成分とB成分とのモル比が、0.8当量未満、または1.2当量を超えると、分子量が低くなり前記ポリイミドを含む層を形成することが困難となることがある。前記A成分とB成分との反応は、通常、反応溶媒中で行う。前記反応溶媒としては、有機溶媒が挙げられ、該有機溶媒は脱水したものが好ましい。前記有機溶媒としては、下記混合溶媒を用いることが、得られる層、基板の性質ヘイズ、反り等の点から好ましい。A成分とB成分とを反応させる具体的な方法としては、少なくとも1種のBイミノ形成化合物を有機溶媒に溶解させた後、得られた溶液に、少なくとも1種のAアシル化合物を添加し、0~100°Cの温度で、1~60時間撹拌する方法等が挙げられる。なお、反応液中のA成分とB成分との合計量は、反応液全量の3~60質量であることが好ましく、より好ましくは5~40質量、さらに好ましくは10~40質量であり、特に好ましくは10~30質量である。反応液中のA成分とB成分との合計量が前記範囲にあると、得られる組成物中のポリイミド前駆体の濃度が下記好ましい範囲にある組成物を得ることができるため好ましい。なお、前記ポリイミド前駆体は、部分的にイミド化された前駆体であってもよい。この部分的にイミド化された前駆体は、脱水剤を用いる方法化学的部分イミド化や、溶液で160~220°C程度で熱処理する方法熱的部分イミド化で合成され、より低温での加熱によって部分環化を行うことができることなどから、化学イミド化などの化学的部分イミド化されたものが好ましい。前記脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、もしくはこれらの化合物に対応する酸クロライド類、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物などが挙げられる。なお、化学的部分イミド化の際には、60~120°Cの温度で加熱することが好ましい。熱的部分イミド化の場合には、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を共沸除去することが好ましい。また、部分イミド化の際には、必要に応じて、ピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、N,N-ジメチルアミノピリジン、イミダゾール等の塩基触媒を用いることができる。前記脱水剤または塩基触媒は、前記A成分1モルに対し、それぞれ0.1~8モルの範囲で用いることが好ましい。なお、部分イミド化を行う場合には、部分イミド化は、前駆体中の-CO-NH-や-CO-OH等の環化反応に寄与する官能基100モルの少なくとも一部、具体的にはアミック酸構造およびイミド環構造の合計100モル中、イミド環構造の割合以下閉環率ともいう。が好ましくは5~70モル、より好ましくは10~60モル、特に好ましくは20~50モルとなるように行われる。<基板の製造方法>本発明に係る基板の製造方法は、下記工程a~eをこの順で含む。a支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程b前記第1層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第2層を設ける工程c前記工程a、工程bにおいて膜形成用組成物を用いる場合には、前記第1層および/または前記第2層を硬化させる工程d前記第2層上に素子を形成する工程e素子が形成された積層体から支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第2層を含む基板を得る工程この方法で基板を製造することにより、反りの発生が少ない品質の高い基板を容易に製造することができる。[工程a]前記工程aは、支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する、または、支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程である。この第1層は、仮固定部材としての役割や、得られる基板のベース基材としての役割を果たす。1.支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する工程前記膜形成用組成物としては、特に制限されないが、前記ポリイミド前駆体および有機溶媒を含むポリイミド系膜形成用組成物であることが好ましい。このようなポリアミド前駆体を含む組成物を用いることにより、支持体や第2層に対する密着性と剥離性とのバランス、および反りのない平滑性に優れた基板を得ることができる。また、支持体としてシリコンウエハ、無アルカリガラスや金属板等を用いた場合であっても、該支持体との密着性と剥離性とを両立することが可能であり、粘着層または第1層の付着の無い、反りの発生が少ないきれいな基板を製造することができる。また、前記第1層の一部が付着等していないきれいな支持体が得られるため、該支持体を洗浄する等の必要がなく、新たな基板の製造の際に用いる支持体等として利用することができる。その他の膜形成用組成物としては、ポリアミド系、ポリベンゾオキサゾール前駆体系、ポリベンゾイミダゾール前駆体系組成物が挙げられる。1-1.ポリイミド系膜形成用組成物前記ポリイミド系膜形成用組成物は、前記ポリイミド前駆体と有機溶媒とを含む。なお、前記ポリイミド系膜形成用組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、酸化防止剤、紫外線吸収剤、界面活性剤などの添加剤を配合してもよい。前記ポリイミド系膜形成用組成物は、平滑性、屈曲性、柔軟性、寸法安定性が要求される用途、特にフレキシブルプリント基板、ディスプレイ基板等のフレキシブル基板の製造に適している。前記ポリイミド前駆体の合成方法において、反応溶媒として有機溶媒を用いた場合には、前記反応で得られたポリイミド前駆体と有機溶媒とを含む組成物は、そのまま前記ポリイミド系膜形成用組成物として使用することが好ましいが、前記ポリイミド系膜形成用組成物は、前記反応で得られたポリイミド前駆体を固体分として単離した後、下記有機溶媒に再溶解させることで得ることもできる。ポリイミド前駆体を単離する方法としては、ポリイミド前駆体および有機溶媒等を含む溶液を、メタノールやイソプロパノール等のポリイミド前駆体に対する貧溶媒に投じてポリイミド前駆体等を沈殿させ、濾過洗浄乾燥等によりポリイミド前駆体を固体分として分離する方法等が挙げられる。前記有機溶媒としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、アセトニトリルおよびエチレングリコールモノエチルエーテル等の非プロトン系極性溶媒;クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール等のフェノール系溶媒;などが挙げられる。中でも、N,N-ジメチルイミダゾリジノン、γ-ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、アセトニトリルおよびエチレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。また、N,N-ジメチルイミダゾリジノン、γ-ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドおよびエチレングリコールモノエチルエーテルから選ばれる少なくとも一種の溶媒を、用いる有機溶媒全量100重量に対して50重量以上、好ましくは70~100重量含むことが好ましい。これらの溶媒は1種単独で、あるいは2種以上混合して使用することができる。前記有機溶媒としては、アミド系溶媒とエーテル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒およびエステル系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の非アミド系溶媒との混合溶媒を用いることが、得られる第1層の支持体や第2層に対する密着性、剥離性および残留応力等の点からより好ましい。また、前記混合溶媒を用いると、層形成時の乾燥速度が上がり、層の性質が低下せず、前記ポリイミドを含む層の生産性に優れ、前記ポリイミド前駆体の濃度の高い組成物を得ることができる。前記非アミド系溶媒としては、下記真空乾燥中に選択的に蒸発し、支持体上に形成された塗膜からほぼ完全に除去される溶媒であることが好ましく、沸点が40~200°Cの範囲にある溶媒が好ましく、100~170°Cの範囲にある溶媒がより好ましい。このような溶媒を用いると、ポリイミド系膜形成用組成物から第1層を形成する際の溶媒の除去が容易となるために、生産性に優れる組成物を得ることができる。本発明において、沸点とは、大気中、1atm下における沸点のことをいう。また、前記非アミド系溶媒としては、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒およびニトリル系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒を含むことが好ましいと考えられる。これらの溶媒は、比較的極性が高いため、保存安定性に優れる組成物を得ることができる傾向がある。前記エーテル系溶媒としては、炭素数3以上10以下のエーテル類であることが好ましく、炭素数3以上7以下のエーテル類であることがより好ましい。好ましいエーテル系溶媒としては、具体的には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのモノもしくはジアルキルエーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフランTHFなどの環状エーテル類、アニソールなどの芳香族エーテル類等を挙げることができる。これらの中でもテトラヒドロフランが好ましい。なお、これらエーテル系溶媒は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記ケトン系溶媒としては、炭素数3以上10以下のケトン類であることが好ましく、沸点およびコストの点等から、炭素数3以上6以下のケトン類であることがより好ましい。好ましいケトン系溶媒としては、具体的には、アセトンbp=57°Cメチルエチルケトンbp=80°C、メチル-n-プロピルケトンbp=105°C、メチル-iso-プロピルケトンbp=116°C、ジエチルケトンbp=101°C、メチル-n-ブチルケトンbp=127°C、メチル-iso-ブチルケトンbp=118°C、メチル-sec-ブチルケトンbp=118°C、メチル-tert-ブチルケトンbp=116°Cなどのジアルキルケトン類、シクロペンタノンbp=130°C、シクロヘキサノンCHN,bp=156°C、シクロヘプタノンbp=185°Cなどの環状ケトン類等を挙げることができる。これらの中でもシクロヘキサノンが、乾燥性、生産性等に優れる組成物を得ることができること、下記真空乾燥中に選択的に蒸発し、支持体上に形成された塗膜からほぼ完全に除去される溶媒であること等の点でから好ましい。なお、これらケトン系溶媒は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記ニトリル系溶媒としては、炭素数2以上10以下のニトリル類であることが好ましく、炭素数2以上7以下のニトリル類であることがより好ましい。好ましいニトリル系溶媒としては、アセトニトリルbp=82°C、プロパンニトリルbp=97°C、ブチロニトリルbp=116°C、イソブチロニトリルbp=107°C、バレロニトリルbp=140°C、イソバレロニトリルbp=129°C、ベンズニトリルbp=191°C等が挙げられる。これらの中でも、低沸点の点等から、アセトニトリルが好ましい。なお、これらニトリル系溶媒は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記エステル系溶媒としては、炭素数3以上10以下のエステル類であることが好ましく、炭素数3以上6以下のエステル類であることがより好ましい。好ましいエステル系溶媒としては、酢酸エチルbp=77°C、酢酸プロピルbp=97°C、酢酸-i-プロピルbp=89°C、酢酸ブチルbp=126°C、などのアルキルエステル類、β-プロピオラクトンbp=155°C、γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類等を挙げることができる。なお、これらエステル系溶媒は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記アミド系溶媒としては、炭素数3以上10以下のアミド類であることが好ましく、炭素数3以上6以下のアミド類であることがより好ましい。これらの中でも、工程aにおいて、1次乾燥溶媒の除去、次いで、2次乾燥イミド化することで前記ポリイミドを含む層を得る場合、1次乾燥温度以上の沸点を有するアミド系溶媒が得られる層の平坦性等の点から好ましく、具体的には、沸点が200°C以上のアミド系溶媒が好ましい。好ましいアミド系溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミドDMAcなどのアルキルアミド類、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N-メチル-2-ピロリドンNMPなどの環状アミド類等を挙げることができる。これらの中でも、N-メチル-2-ピロリドンおよびN,N-ジメチルアセトアミドが非アミド系溶媒を蒸発させた真空乾燥や1次乾燥溶媒の除去後に残存し、200°C~500°Cで行う2次乾燥イミド化の際に塗膜の表面の平滑性を維持できる蒸発速度で揮発することなどからより好ましく、環境汚染等を考慮すると、N-メチル-2-ピロリドンがより好ましい。なお、これらアミド系溶媒は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。前記混合溶媒は、乾燥性および生産性等の点から、N-メチル-2-ピロリドンとシクロヘキサノンとの混合溶媒、N,N-ジメチルアセトアミドとシクロヘキサノンとの混合溶媒、N-メチル-2-ピロリドンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましく、N-メチル-2-ピロリドンとシクロヘキサノンとの混合溶媒が特に好ましい。前記混合溶媒は、混合溶媒100質量部に対して、前記アミド系溶媒を5~95質量部含むことが好ましく、25~95質量部含むことがより好ましく、得られる層の物性を考慮すると35~65質量部含むことがさらに好ましい。さらに前記混合溶媒は、混合溶媒100質量部に対して、前記アミド系溶媒を40~60質量部含むことが特に好ましく、混合溶媒中に前記アミド系溶媒がこの量で含まれていると、乾燥速度が速く、生産性に優れる組成物となるのみならず、さらに、白濁が起こりにくく、引張り強度等の層の性質および保存安定性等に優れ、支持体との密着剥離性に優れる反りの生じにくい層を得ることができる。アミド系溶媒の量が5質量部未満であると、前記ポリイミド前駆体が溶解せず、ポリイミド系膜形成用組成物を得ることができない場合があり、アミド系溶媒の量が95質量部を超えると、層を形成する際の乾燥速度が遅くなり、生産性が劣る場合がある。前記ポリイミド系膜形成用組成物の粘度は、用いるポリイミド前駆体の分子量や濃度にもよるが、通常、500~50,000mPas、好ましくは1,000~30,000mPasである。ポリイミド系膜形成用組成物の粘度が前記範囲にあると、層形成中の該組成物の支持体上への滞留性に優れ、層の厚みの調整が容易となるため、層の成形が容易となる。なお、前記ポリイミド系膜形成用組成物の粘度は、E型粘度計東機産業製、粘度計MODELRE100を用いて、大気中、25°Cで測定した値である。前記ポリイミド系膜形成用組成物中のポリイミド前駆体の濃度は、組成物の粘度が前記範囲となるよう調整することが好ましく、ポリイミド前駆体の分子量にもよるが、通常、3~60質量、好ましくは5~40質量、より好ましくは5~35質量、特に好ましくは5~30質量である。ポリイミド系膜形成用組成物中の前記ポリイミド前駆体の濃度が前記範囲にあると、厚膜化可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れる層を形成することができる。前記ポリイミド系膜形成用組成物の粘度および該組成物中の前駆体の濃度が前記範囲にあると、生産性等に優れるスリットコート法を用いて、該組成物を支持体上に塗布することができ、層の厚みの精度等に優れる層を生産性良く短時間で形成することができる。1-2.支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する方法支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する方法としては、特に制限されない。以下、膜形成用組成物として、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて第1層を形成する方法について説明する。前記第1層の形成方法としては、前記ポリイミド系膜形成用組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜から前記有機溶媒を除去する工程1次乾燥と、必要により、前記前駆体をイミド化する工程2次乾燥をこの順で含む方法等が挙げられる。得られる基板の反りをより抑制する等の点から、前記工程aでは、前記前駆体をイミド化する工程を行わないことが好ましい。つまり、工程aでは、前記ポリイミド系膜形成用組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜から前記有機溶媒を蒸発させる工程を行い、下記工程bを行うことで、第1層と第2層との密着性に優れ、反りが抑制された基板を得ることができる。この方法は、素子が形成された第2層と第1層とからなる基板を製造する際に好適な方法である。なお、下記工程bにおいて、フィルムの貼合により第2層を設ける場合には、塗膜を形成した後、前記1次乾燥工程を行うことなく工程bを行ってもよい。前記ポリイミド系膜形成用組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、スリットコート法、ディッピング法およびドクターブレード、ダイス、コーター、スプレー、ハケ、ロールなどを用いて塗布する方法等が挙げられる。なお、塗布の繰り返しにより塗膜の厚みや表面平滑性などを制御してもよい。これらの中でも、得られる層の平滑性、均一性、大面積化の点から、スリットコートやスピンコート法が好ましい。前記塗膜の厚さは、所望の用途に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば0.5~100μmであり、好ましくは0.5~80μmであり、より好ましくは0.5~50μmであり、さらに好ましくは0.5~30μmであり、特に好ましくは0.5~10μmである。前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレートPETフィルム、ポリエチレンナフタレートPENフィルム、ポリブチレンテレフタレートPBTフィルム、ナイロン6フィルム、ポリイミドフィルム、ナイロン6,6フィルム、ポリプロピレンフィルム等の樹脂製フィルム;ポリテトラフルオロエチレン製ベルト;シリコンウエハ;ガラスウエハ;ガラス板石英、ソーダガラス、強化ガラス等;無アルカリガラス板;および金属板Cu板、SUSSteelUseStainless板等が挙げられる。これらの中でも、素子形成時の寸法変化を低減することや第1層が前記ポリイミド系膜形成用組成物で形成される場合の該第1層との密着および剥離性の両立という観点からは、支持体は、シリコンウエハ、無アルカリガラスまたは金属板であることが好ましい。特に、前記ポリイミド系膜形成用組成物は、これらの支持体との密着性および剥離性に優れるため、シリコンウエハ、ガラスウエハ、ガラス板、SUS板、およびCu板への薄膜形成が可能となる。なお、無アルカリガラスとは、カリウムやナトリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスのことである。本発明の基板の製造方法によれば、シリコンウエハや無アルカリガラス板や金属板等の支持体を用いて製造することができる。このような支持体は、加熱条件下で高寸法安定性を有するため、工程aや工程cにおいて、熱をかけても、寸法変化が少ない。このため、該支持体上に設けられる第1層も寸法変化が少なくなり、素子を所望の位置に容易に形成することができる。また、このような支持体を用いることで、該支持体を取り除いた後の基板の反りを低減することができる。このため、このような支持体上で第1層を形成し、さらに素子を形成することが好ましい。また、塗膜から前記有機溶媒を除去する工程1次乾燥は、具体的には塗膜を真空乾燥や加熱することにより行うことができる。なお、この1次乾燥では、用いるポリイミド系膜形成用組成物に含まれる全ての溶媒を除去する必要はなく、例えば、ポリイミド系膜形成用組成物に前記混合溶媒が含まれる場合、1次乾燥後に該混合溶媒のうちの高沸点溶媒が塗膜中に残存していてもよい。前記加熱の条件は、溶媒が蒸発すればよく、溶媒の蒸発とともに前記ポリイミド前駆体が部分的にイミド化することが好ましく、用いる支持体やポリイミド前駆体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度が60°C~350°Cであることが好ましい。また、加熱時間としては、1分~2時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、例えば、60~250°Cの温度で1分~2時間乾燥後、100°C~350°C、好ましくは100~300°C、より好ましくは100~250°Cでさらに1分~2時間加熱するなどである。また、必要に応じて、減圧下にて乾燥を行ってもよい。加熱雰囲気は、特に制限されないが、大気下または不活性ガス雰囲気下等であることが好ましく、不活性ガス雰囲気下であることが特に好ましい。不活性ガスとしては、着色性の観点から窒素、アルゴン、ヘリウムなどが挙げられるが、窒素であることが好ましい。なお、1次乾燥における部分イミド化は、アミック酸構造およびイミド環構造の合計100モル中、イミド環構造の割合が、好ましくは0モル以上、75モル未満、さらに好ましくは0~65モル、特に好ましくは0~60モルとなるように行われる。工程aにおける部分イミド化の程度が前記範囲にあることで、反りおよび残留応力が小さく、第1および第2層間の密着性の高い基板が得られるため好ましい。なお、前記工程aでは、前記加熱を行う前または加熱の代わりに、真空乾燥を行うことにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去してもよい。該真空乾燥では、支持体上に形成された塗膜に熱風などを吹き付けることなく塗膜から溶媒を容易に除去することができるため、平坦性に優れる層を形成することができ、また、前記塗膜の表面から固定化されるので、平坦性に優れ、均一な層を再現性よく形成することができる。前記真空乾燥では、支持体付塗膜を入れた装置内の圧力減圧度が760mmHg以下、好ましくは100mmHg以下、より好ましくは50mmHg以下、特に好ましくは1mmHg以下になるまで、装置内の圧力を減少させることが望ましい。760mmHgを超えると、真空乾燥後の塗膜からさらに溶媒を除去させる際の蒸発速度が著しく遅くなり、生産性が悪化する場合がある。また、真空乾燥は、圧力が所定の値まで下がった時を0分とし、0~60分、好ましくは0~30分、より好ましくは0~20分間行うことが望ましい。0分未満では乾燥が十分でなく、塗膜の表面から固定化されない表面における流動性が高いままの状態が維持されることがあり、均一な層を得難い場合がある。一方、60分を越えると、層の生産性が悪化する場合がある。前記前駆体をイミド化する工程は、1次乾燥後の塗膜を、例えば160°C~400°Cで熱処理することにより脱水環化する熱イミド化ことで行うことができる。熱イミド化の温度としては、前記1次乾燥有機溶媒を除去するを加熱により行う際の温度よりも高い温度であり、得られる基板の支持体や第1層に対する剥離性の観点から200~400°Cであることが好ましく、250~400°Cであることがより好ましく、250~350°Cであることがさらに好ましい。さらに、熱イミド化の温度としては、得られる基板の支持体や第1層に対する剥離性の観点から、第1層のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。なお、イミド化は、アミック酸構造およびイミド環構造の合計100モル中、イミド環構造の割合が、好ましくは75モル以上、さらに好ましくは85モル以上、特に好ましくは90モル以上となるように行われる。イミド環構造の割合が75モル未満であると、得られる第1層の吸水率が高くなることや、耐久性が低下することがある。前記前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて形成される第1層は、ガラス転移温度Tgが、350°C以上であることが好ましく、400°C以上であることがより好ましい。このようなガラス転移温度を有することにより、優れた耐熱性を有する。前記膜形成用組成物を用いて形成された第1層の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは0.1~50μm、より好ましくは0.5~40μm、特に好ましくは1~35μmである。2.支持体上に粘着層を設けることで第1層を形成する工程前記粘着層は、特に制限されないが、一般的なアクリル系、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系、イソシアナート系粘着剤等を用いることで形成することができる。これらの中でも、得られる層、基板の耐熱性の点においては、シリコーン系、ポリイミド系粘着剤が優れており有効であり、好ましい。前記粘着層としては、本発明の基板の製造方法が工程cを含む場合、該工程cを行う温度以上の耐熱性を有する層であることが好ましい。シリコーン系粘着剤としては、特開2007216615号公報、特開平07052326号公報、または特開平03200885号公報に記載の粘着剤等が挙げられる。また、ポリイミド系粘着剤としては、特開2007324612号公報の[0049]、[0050]に記載されている粘着剤等が挙げられる。支持体上に粘着層を設ける方法としては、特に制限されないが、前記粘着剤を支持体に塗布する方法が挙げられる。前記粘着剤を支持体に塗布する方法としては、前記ポリイミド系膜形成用組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法と同様の方法等が挙げられる。また、支持体としては、前記と同様の支持体が挙げられる。前記粘着層の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは0.1~30μm、より好ましくは0.1~25μm、特に好ましくは0.1~20μmである。[工程b]工程bでは、前記第1層上にフィルムの貼合により、または、膜形成用組成物を用いて第2層を設ける。なお、前記第2層は、1種の層からなってもよく、2種以上の層からなってもよい。前記第2層が2種以上の層からなる場合には、同一の層が2層以上積層されてもよく、異なる層が2層以上積層されてもよい。2種以上の第2層を形成するには、i2種類以上のフィルムまたは2枚以上の同種のフィルムを第1層上に貼合する方法、ii2種類以上の膜形成用組成物を用いて第2層を設ける方法、iii膜形成用組成物を用いて層を形成した後、同様の膜形成用組成物を用いて形成した層の上にさらに層を形成する方法、ivフィルムと膜形成用組成物とを用いて第2層を形成する方法等が挙げられる。前記フィルムを貼合する方法としては、特に制限されないが、前記第1層上にフィルムを乗せ、面内に均一な力がかかるように圧着する方法等が挙げられる。圧着方法として一般的なプレス、ロールプレスなどを用いることができる。この際、第2層のフィルム表面に傷等が生じないように接触部位の材質を考慮する必要がある。前記フィルムとしては、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、一般的にポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエチレンテレフラレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルケトンPEK、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリカーボネートPC、環状オレフィンポリマー等の樹脂からなるフィルムを用いることができ、特に耐熱性の高い、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPESからなるフィルムを用いることが好ましい。前記樹脂からなるフィルムとしては、所望の樹脂製フィルムに対応する樹脂またはその前駆体および溶媒を含む組成物を用いて形成されるフィルムが挙げられ、好ましくは、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて形成されたフィルムが挙げられる。該樹脂からなるフィルムの形成方法は、例えば、前記樹脂またはその前駆体を含む組成物を、前記樹脂製フィルム、ポリテトラフルオロエチレン製ベルト、シリコンウエハ、ガラスウエハ、ガラス板、無アルカリガラス板、金属板等の基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜から前記溶媒を除去する工程1次乾燥と、前記1次乾燥後のフィルムを硬化させ基材付フィルムを形成する工程2次乾燥と、基材付フィルムから基材を剥離する工程とをこの順で含む方法等が挙げられる。該塗膜を形成する工程、1次乾燥工程、2次乾燥工程は、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて第1層を形成する方法に記載の工程と同様の方法で行うことができる。なお、前記樹脂からなるフィルムは、2次乾燥後のフィルムを用いることが好ましいが、2次乾燥前のフィルムであってもよい。つまり、前記2次乾燥工程は、下記工程cで行ってもよい。また、前記工程bに用いられ得る膜形成用組成物としては、特に制限されないが、前記ポリイミド系膜形成用組成物、ポリアミド系組成物、ポリベンゾオキサゾール前駆体系組成物、ポリベンゾイミダゾール前駆体系組成物等が挙げられる。工程bに用いられ得る膜形成用組成物としては、工程aで用いられ得る膜形成用組成物と同様の組成物であってもよいし、異なる組成物であってもよい。ただし、工程aまたは工程bの少なくとも一方では、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いることが、反りが生じにくい基板を得る点で好ましい。前記膜形成用組成物を用いて第2層を設ける方法としては、前記膜形成用組成物を第1層上に塗布して塗膜を形成する工程と、必要により該塗膜から前記溶媒を除去する工程1次乾燥とを含む方法等が挙げられる。塗膜を形成する工程、および溶媒を除去する工程としては、前記支持体上に膜形成用組成物を用いて第1層を形成する方法で挙げた、塗膜を形成する工程、および溶媒を除去する工程と同様の工程等が挙げられる。[工程c]次いで、工程cでは、前記工程a、工程bにおいて膜形成用組成物を用いる場合には、前記第1層および/または前記第2層を硬化させる。工程c後の前記第1層および/または第2層は、前記ポリイミド前駆体に由来するポリイミドを含む。前記第1層および/または第2層を形成する際に、膜形成用組成物を用いる場合には、工程cを設けることが好ましい。特に、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて第1層を形成する場合には、工程bの後に工程cを設けることで、第1層と第2層との密着性に優れる基板を得ることができる。前記工程cは、例えば、第1層および/または第2層を加熱することで行うことができる。具体的には、例えば160°C~400°Cで熱処理する方法が挙げられる。第1層および/または第2層の形成に、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いる場合には、例えば160°C~400°Cで熱処理することにより脱水環化する熱イミド化ことが好ましい。熱イミド化の温度としては、前記工程aにおける乾燥有機溶媒を蒸発させるを加熱により行う際の温度よりも高い温度であり、得られる基板の剥離性の観点から200~400°Cであることが好ましく、250~400°Cであることがより好ましく、250~350°Cであることがさらに好ましい。さらに、熱イミド化の温度としては、剥離性の観点から、ポリイミドを含む層のガラス転移温度以下であることが特に好ましい。なお、イミド化は、アミック酸構造およびイミド環構造の合計100モル中、イミド環構造の割合が、好ましくは75モル以上、さらに好ましくは85モル以上、特に好ましくは90モル以上となるように行われる。イミド環構造の割合が75モル未満であると、ポリイミドを含む層の吸水率が高くなることや、線膨張率が上がったり、耐薬品性や耐久性が低下することがある。前記第2層の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは5~200μm、より好ましくは10~150μm、特に好ましくは10~125μmである。前記第2層が複数の層からなる場合には、複数の層の合計の厚みが前記範囲にあることが好ましい。[工程d]続いて、工程dでは、前記工程c後の第2層上に、素子を形成する。形成する素子としては、有機エレクトロルミネッセンスEL素子、薄膜トランジスタTFT素子等の発光素子、金属配線、導電性樹脂配線、半導体集積回路等のモジュールなどが挙げられる。前記第2層上に有機EL素子、TFT素子等の発光素子などを形成した場合には、フレキシブルディスプレイ基板などとして用いることができる。また、金属配線、半導体集積回路等のモジュールを形成した場合には、フレキシブル配線用基板などとして用いることができる。TFT素子を形成する方法としては、例えば、以下のi~vの工程を含む方法が挙げられる。i前記第2層上にスパッタ法等で金属や金属酸化物などの膜を形成した後にエッチングするなどして、ゲート電極を設ける。スパッタ法等で金属や金属酸化物などの膜を形成する際の温度は、前記第2層、支持体や形成する素子に応じて適宜選択すればよいが、210°C~400°Cであることが好ましく、220~370°Cであることがより好ましく、230~350°Cであることが好ましい。ii次に、例えば、ゲート電極を設けた第2層上にプラズマCVD法等で窒化珪素膜等のゲート絶縁膜を形成する。iiiさらに、ゲート絶縁膜上にプラズマCVD法などにより有機半導体などからなる活性層を形成する。プラズマCVD法等でゲート絶縁膜や有機半導体などの膜を形成する際の温度は、前記第2層、支持体や形成する素子に応じて適宜選択すればよいが、210°C~400°Cであることが好ましく、220~370°Cであることがより好ましく、230~350°Cであることが好ましい。iv次に活性層の上にスパッタ法などで金属や金属酸化物などの膜を形成した後にエッチングするなどして、ソース電極およびドレイン電極を設ける。v最後に必要に応じてプラズマCVD法等で窒化珪素膜等を形成し、保護膜とすることにより、第2層上にTFT素子を形成することができる。前記では、ボトムゲート型のTFT素子を説明したが、前記TFT素子はこの構造に限定されず、トップゲート型等であってもよい。ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極は、導電性材料で形成されれば特に制限されない。導電性材料としては、金属や金属酸化物などを挙げることができる。金属の例としては、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびこれらの合金が挙げられ、金属酸化物の例としては、ITO、IZO、ZnOおよびIn2O3が挙げられる。このほかにも、前記第2層との接着性を考慮して、前記導電性材料として、導電性ポリマーを用いてもよい。これらの中でも金属酸化物を用いると、透明電極を形成することができるため好ましい。また、有機EL素子を形成する方法としては、例えば、前記第2層上に、第2層側から順に、絶縁層、第1の電極、有機半導体層、第2の電極および保護層を形成する方法が挙げられる。さらに、金属配線を形成する方法としては、例えば、ラミネート法、メタライジング法等により前記第2層上に銅層を設け、該銅層を公知の方法で処理することで金属配線を設けることができる。ラミネート法の場合には、例えば、前記第2層上に銅箔等の金属箔を熱プレスすることで、銅層を設けることができる。メタライジング法の場合には、例えば、蒸着法またはスパッタリング法によって、前記第2層と結合するNi系の金属からなるシード層を形成する。そして、湿式めっき法等により所定の膜厚の銅層を設けることができる。なお、メタライジング法を用いる場合には、金属との親和性を発現させるために予め前記第2層の表面改質を行っておくことも可能である。前記ポリイミドを含む第2層は、耐熱性に優れ、該層上に素子を形成する際に、所望の温度特に高温をかけることができるため、性能に優れる基板を得ることができる。[工程e]次に、工程eでは、素子が形成された積層体から前記支持体を取り除いて、少なくとも素子が形成された第2層を含む基板を得る。得られる基板は、少なくとも素子が形成された第2層を含めばよく、第1層および素子が形成された第2層を含む基板であってもよく、実質的に素子が形成された第2層からなる基板であってもよい。つまり、支持体を取り除く際には、素子が形成された積層体から、実質的に支持体のみを取り除いてもよく、支持体および第1層を取り除いてもよい。前記第1層が、前記ポリイミド系膜形成用組成物を用いて形成された層である場合、素子が形成された積層体から実質的に支持体のみを取り除くことが好ましい。前記ポリイミド系膜形成用組成物から得られた第1層は、支持体との剥離性に優れるため、容易に基板を支持体から全面剥離することができる。また、前記第1層が粘着層である場合、素子が形成された積層体から支持体および第1層を取り除くことが好ましい。剥離の方法としては、支持体の端部に予めマスキングテープを貼り付け、前記工程aからdを実施した後、マスキングテープをはがすことを起点として支持体を剥離する方法や、支持体と第1層の間、または第1層と第2層の間の端部に切り込みを入れて起点を作り剥離する方法、水やアルコールなどの溶剤に浸漬して剥離する方法等が挙げられる。剥離する際の温度は、通常0~100°Cであり、好ましくは10~70°Cであり、より好ましくは20~50°Cである。以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、本実施例および比較例で使用された化合物および部材の名称や製造元等を表1に示す。[ワニス1の調製]温度計、窒素導入管および攪拌羽根付を備えた三口フラスコに、25°C、窒素気流下において、ジアミン化合物として、m-トリジンmTB21.34g0.1005molおよび両末端アミノ変性側鎖フェニルメチル型シリコーンX-22-1660B-3[6.735g1.531mmol]を仕込み、ワニス中のポリイミド前駆体の濃度が1400質量となるように、脱水N-メチル-2-ピロリドンNMP3070gを加え、ジアミン化合物が完全に溶解するまで10分間攪拌した。次いで、酸無水物として、ピロメリット酸二無水物PMDA21.92g0.1005molを加えた後、攪拌しながら60分間反応させた。60分経過後、ポリエチレン製フィルターポアサイズ1μmを用いて精密濾過行うことで、ポリイミド前駆体を含むワニス1を調製したPMDAのモル数/mTBのモル数X-22-1660B-3のモル数=0.985当量。ワニス膜形成用組成物1の特性を表3に示す。NMRを用いて測定した結果、得られたワニス1中には、前記構造単位2を含み、前記構造単位1を有するポリイミド前駆体が含まれることが確認された。また、得られたワニス1の粘度は、16000mPasであった。[ワニス2の調製]PMDA、mTBおよびX-22-1660B-3の使用量を表2に示すように変更し、NMP307gの代わりに、NMP153gおよびシクロヘキサノン[CHN]153gを用いた以外は[ワニス1の調製]と同様にして、ワニス2を調製した。ワニス2の特性を表3に示す。NMRを用いて測定した結果、得られたワニス2中には、前記構造単位2を含み、前記構造単位1を有するポリイミド前駆体が含まれることが確認された。[ワニス3の調製]mTB21.34gおよびX-22-1660B-36.735gの代わりに、mTB16.42g、X-22-1660B-38.728gおよび4,4-ジアミノジフェニルエーテル[ODA]3.972gを用い、PMDAの使用量を表2に示すように変更し、ワニス中のポリイミド前駆体の濃度が13質量となるようにNMPを用いた以外は[ワニス1の調製]と同様にして、ワニス3を調製した。ワニス3の特性を表3に示す。NMRを用いて測定した結果、得られたワニス3中には、前記構造単位2を含み、前記構造単位1を有するポリイミド前駆体が含まれることが確認された。[ワニス4の調製]温度計、窒素導入管および攪拌羽根付を備えた三口フラスコに、25°C、窒素気流下において、ジアミン化合物として、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパンBAPP30.85gを仕込み、ワニス中のポリイミド前駆体の濃度が20質量となるように、N,N-ジメチルアセトアミドDMAc200gを加え、ジアミン化合物が完全に溶解するまで10分間攪拌した。次いで、酸無水物として、PMDA9.834gおよび4,4-オキシジフタル酸無水物ODPA9.3212gを加え、攪拌しながら60分間反応させた。60分経過後、ポリエチレン製フィルターポアサイズ1μmを用いて精密濾過行うことで、ワニス4を調製した。ワニス4の特性を表3に示す。[ワニス5の調製]温度計、窒素導入管および攪拌羽根付を備えた三口フラスコに、25°C、窒素気流下において、ジアミン化合物として、1,4-フェニレンジアミンPDA13.44gを仕込み、ワニス中のポリイミド前駆体の濃度が10質量となるように、DMAc450gを加え、ジアミン化合物が完全に溶解するまで30分間攪拌した。次いで、酸無水物として、3,3,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物BPDA36.56gを加え、攪拌しながら60分間反応させた。60分経過後、ポリエチレン製フィルターポアサイズ1μmを用いて精密濾過行うことで、ワニス5を調製した。ワニス5の特性を表3に示す。[測定条件評価条件]ワニスの粘度E型粘度計東機産業社製、MODELRE11型により、回転数0.7rpm、温度25°C条件下で、得られたワニス1~5の粘度mPasを測定した。ポリイミド前駆体の重量平均分子量Mw、数平均分子量Mnおよび分子量分布Mw/Mn得られたワニス1~5に含まれるポリイミド前駆体の、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwおよび数平均分子量Mnを、下記条件でGPCを用いて測定した。また、得られたMwおよびMnから、分子量分布Mw/Mnを算出した。[GPC条件]装置:HLC-8220型GPC装置東ソー製カラム:TSKguardcolumnSuperH-L、TSKgelSuperH2000およびTSKgelSuperH4000何れも東ソー製の順で連結してなる連結カラム溶媒:NMPと、臭化リチウムと燐酸とを含む溶媒なお、臭化リチウムおよび燐酸は、それぞれ30mMおよび60mMの量で含まれる。測定温度:40°C流速:0.5ml/分[実施例1]支持体としての4インチシリコンウエハ上に、ワニス14mLをスピンコートミカサ株式会社製、1H-D7型により塗布1500rpmで10秒し、塗膜を形成した後に、ホットプレート上におき、昇温速度10°C/分で、70°Cまで昇温し、70°Cで20分間静置し、昇温速度10°C/分で、120°Cまで昇温し、さらに120°Cで20分間静置して1次乾燥溶媒除去工程、第1層10μm厚を形成した。なお、1次乾燥後の第1層中のポリイミド前駆体のイミド化率は、30~50であり、熱イミド化反応は一部進行していた。さらに、得られた第1層付支持体の上に、ワニス1を4mLをスピンコート法により塗布1500rpmで10秒した。次いで、昇温速度10°C/分で、70°Cまで昇温し、70°Cで20分間静置し、昇温速度10°C/分で、120°Cまで昇温し、さらに120°Cで20分間静置し1次乾燥、さらに、昇温速度10°C/分で300°Cまで昇温し、300°C、1時間静置した2次乾燥熱イミド化工程後、室温まで冷却して、第2層10μm厚が形成された試験用積層体1を作製した。なお、2次乾燥後において、各層中のポリイミド前駆体のイミド化率は、ほぼ100であり、熱イミド化反応がほぼ完全に進行していた。[実施例2]第1層付支持体の第1層上に、ワニス1の代わりにワニス2を塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体2を作製した。[実施例3]第1層付きの支持体の第1層上に、ワニス1の代わりにワニス3を塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体3を作製した。[実施例4]第1層付きの支持体の第1層上に、ワニス1の代わりにワニス4を塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体4を作製した。[実施例5]第1層付きの支持体の第1層上に、ワニス1の代わりにコンポラセンH851Dを塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体5を作製した。[実施例6]第1層付きの支持体の第1層上に、ワニス1の代わりにワニス5を塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体6を作製した。[実施例7]支持体としての4インチシリコンウエハ上に、ワニス14mLをスピンコートミカサ株式会社製、1H-D7型により塗布1500rpmで10秒し、塗膜を形成した後に、昇温速度10°C/分で70°Cまで昇温し、70°Cで20分間静置し、昇温速度10°C/分で120°Cまで昇温し、120°Cで20分間静置し1次乾燥、昇温速度10°C/分で300°Cまで昇温し、300°Cで1時間静置して2次乾燥第1層10μm厚を形成した。なお、第1層中のポリイミド前駆体のイミド化率は、ほぼ100であり、熱イミド化反応がほぼ完全に進行していた。さらに、得られた第1層付支持体を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体7を作製した。[実施例8]実施例1において、第1層の形成にワニス1の代わりにワニス3を用いたこと、および第2層の形成に、ワニス1の代わりにワニス5を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体8を作製した。[実施例9]支持体として4インチシリコンウエハの代わりに4インチガラス板を用いたこと、および第2層の形成に、ワニス1の代わりにワニス5を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体9を作製した。[実施例10]支持体として4インチシリコンウエハの代わりにSUS306板を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体10を作製した。[実施例11]第1層の形成に、ワニス1の代わりにコンポラセンH851Dを塗布したこと以外は、実施例1と同様にして、試験用積層体11を作製した。[実施例12]支持体としての4インチシリコンウエハ上に、ワニス14mLをスピンコートミカサ株式会社製、1H-D7型により塗布1500rpmで10秒し、塗膜を形成した後に、kapton-Hフィルムを貼合した。次いで、昇温速度10°C/分で、70°Cまで昇温し、70°Cで20分間静置し、昇温速度10°C/分で、120°Cまで昇温し、さらに120°Cで20分間静置し1次乾燥、さらに、昇温速度10°C/分で300°Cまで昇温し、300°C、1時間静置した2次乾燥熱イミド化工程後、室温まで冷却して、試験用積層体12作製した。[比較例1]4インチシリコンウエハの代わりに4インチガラス板を用いたこと、第1層の形成に、ワニス1の代わりにワニス5を用いたこと、および第2層の形成に、kapton-Hフィルムの貼合の代わりにUpilex-Sフィルムを貼合したこと以外は実施例12と同様にして、試験用積層体1を作製した。[比較例2]4インチシリコンウエハの代わりに4インチガラス板を用いたこと、第1層の形成に、ワニス1の代わりにワニス5を用いたこと、および第2層の形成に、ワニス1の代わりにワニス5を用いたこと以外は実施例1と同様にして、試験用積層体2を作製した。[比較例3]支持体としての4インチシリコンウエハ上に、ワニス54mLをスピンコートミカサ株式会社製、1H-D7型により塗布1500rpmで10秒し、塗膜を形成した後に、ホットプレート上におき、昇温速度10°C/分で、70°Cまで昇温し、70°Cで20分間静置し、昇温速度10°C/分で、120°Cまで昇温し、さらに120°Cで20分間静置して1次乾燥溶媒除去工程、試験用積層体3を作製した。[比較例4]第1層の形成に、ワニス5の代わりにコンポラセンH851Dを用いたこと以外は、比較例3と同様にして、試験用積層体4を作製した。[比較例5]4インチシリコンウエハの代わりに4インチガラス板を用いたこと以外は、比較例3と同様にして、試験用積層体5を作製した。[比較例6]4インチシリコンウエハの代わりに4インチガラス板を用いたこと以外は、比較例4と同様にして、試験用積層体6を作製した。密着性各実施例または比較例で作製された試験用積層体を、室温から300°Cまで1時間かけて昇温し、その後、30分で室温まで冷却する工程を、支持体と第1層との間の剥離、および第1層と第2層との間の剥離の有無を目視で観察しながら、10回10サイクル繰り返し、下記評価基準に基づいて試験用積層体の密着性を評価した。なお、第2層が設けられていない積層体の場合は、支持体と第1層との間の剥離の有無のみを目視で観察した。[評価基準][◎]:上記工程を10回繰り返しても、支持体と第1層との間、および第1層と第2層との間の剥離が認められない。[○]:上記工程を5回繰り返した時点では、支持体と第1層との間、および第1層と第2層との間の剥離が認められないものの、上記工程を6~10回繰り返すと、支持体と第1層との間、および第1層と第2層との間の剥離が認められる。[×]:上記工程を1~5回繰り返した時点で、支持体と第1層との間、および第1層と第2層との間の剥離が認められる。剥離性各実施例または比較例で作製された試験用積層体から支持体を、表4の剥離面で記載されているように支持体と第1層との間または第1層と第2層との間において剥離した。支持体および各層の剥離面を目視で観察し、下記評価基準に準じて試験用積層体の剥離性を評価した。[評価基準][◎]:全面剥離が可能で、剥離面に剥離痕が認められない。[○]:全面剥離が可能であるが、剥離面に部分的に剥離痕が認められる。[△]:剥離面に部分的に剥離ができなかった箇所が認められる。[×]:全面剥離が不可能であった。フィルムの反り各実施例または比較例で作製された試験用積層体から支持体を、表4の剥離面で記載されているように支持体と第1層との間または第1層と第2層との間において、剥離して、第1層からなる、または第1層および第2層からなるフィルム基板を得た。このフィルム基板を50mm×50mmの正方形状に切り出して、水平板上にフィルム基板を置いた。次いで、フィルムの各頂点と水平板との間に生じた隙間の距離離間距離を、4点測定し、得られた4点の離間距離の平均値を算出して、下記評価基準に基づいて試験用積層体のフィルムの反りの程度を評価した。[評価基準][◎]:離間距離の平均値が、1.0mm未満である。[○]:離間距離の平均値が、1.0mm以上2.0mm未満である。[△]:離間距離の平均値が、2.0mm以上3.0mm未満である。[×]:離間距離の平均値が、3.0mm以上である。ガラス転移温度Tg各実施例または比較例で作製された試験用積層体から支持体を、表4の剥離面で記載されているように支持体と第1層との間または第1層と第2層との間において、剥離して、第1層からなる、または第1層および第2層からなるフィルムを得た。このフィルムを用いてポリイミドのガラス転移温度を、Rigaku社製8230型DSC測定装置昇温速度:20°C/分を用いて、測定した。線膨張係数CTE各実施例または比較例で作製された試験用積層体から支持体を、表4の剥離面で記載されているように支持体と第1層との間または第1層と第2層との間において、剥離して、第1層からなる、または第1層および第2層からなるフィルムを得た。得られたフィルムを、SeikoInstrumentSSC/5200を用いて、6°C/分の昇温速度で、25°Cから350°Cまで温度を上昇させた。測定結果から100~200°Cにおける線膨張係数を算出した。"