"所定の媒体内を伝播した光の受光に伴って放出された光電子を増倍して光検出信号を出力する光検出器に対して高電圧の電力を供給する光検出器用高電圧回路であって、複数の光発電素子が電気的に直列に接続されて構成されて、この光発電素子によって発電した高電圧の電力を前記光検出器に供給する光発電部と、前記光発電部に対して所定の波長を有する光を出射する光源部とを備えたことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1に記載した光検出器用高電圧回路において、さらに、前記光源部から前記光発電部への光路内に設けられて前記光源部から出射された光の光量を検出する光量検出部と、前記光量検出部によって検出された前記光量を用いて前記光源部から出射される光の光量を制御する光量制御部とを備えたことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1又は請求項2に記載した光検出器用高電圧回路において、少なくとも前記光発電部及び前記光源部を内包し、前記光源部が出射した光の外部への漏洩を遮光する遮光カバーを備えたことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1ないし請求項3のうちのいずれか一つに記載した光検出器用高電圧回路において、前記光発電部を構成する前記複数の光発電素子は複数の太陽電池セルであり、前記光源部は所定の波長を有する光を出射する発光ダイオードであることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項4に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光発電部を構成する前記複数の太陽電池セルを一つの半導体上に一体的に形成し、前記光源部の発光ダイオードを前記一つの半導体上に一体的に形成したことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項5に記載した光検出器用高電圧回路において、前記複数の太陽電池セルを一つの半導体上に直線状に形成したことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項5に記載した光検出器用高電圧回路において、前記複数の太陽電池セルを一つの半導体上に円状に形成したことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項5に記載した光検出器用高電圧回路において、前記複数の太陽電池セルを1つの半導体上にて前記光源部から出射されて入射する光に対して層状に形成したことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1ないし請求項8のうちのいずれか一つに記載した光検出器用高電圧回路において、前記光検出器は、陰極と陽極とを有しており、前記陰極と前記陽極との間にて、前記光発電部から供給された高電圧の電力を用いて受光に伴って前記陰極から前記陽極に向けて放出された光電子を増倍する複数段のダイノードを備える光電子増倍管であることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項9に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光発電部は、前記電気的に直列に接続された前記複数の光発電素子の所定の位置から所定の高電圧の電力を取り出すための接続端子を備えており、前記接続端子と前記光電子増倍管におけるそれぞれの前記ダイノードとが電気的に接続されて、それぞれの前記ダイノードに所定の高電圧の電力を供給することを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項9に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光電子増倍管におけるそれぞれの前記ダイノードごとに所定の高電圧の電力を供給する前記光発電部を設けたことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項11に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光電子増倍管におけるそれぞれの前記ダイノードごとに所定の高電圧の電力を供給する前記光発電部のそれぞれに対応して前記光源部を設けるとともに、前記ダイノードごとに、前記光源部から前記光発電部への光路内に設けられて前記光源部から出射された光の光量を検出する光量検出部と、前記光量検出部によって検出された前記光量を用いて前記光源部から出射される光の光量を制御する光量制御部とを設け、少なくとも前記光発電部、前記光源部及び光量検出部を内包し、前記光源部が出射した光の外部への漏洩を遮光する遮光カバーを前記ダイノードごとに備えたことを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項12に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光量制御部が、外部から前記光源部による光の出射動作に関する外部指示信号を入力するための入力部を備えることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項13に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光量制御部の前記入力部には、前記外部指示信号としての変調信号を出力する変調器が接続されるようになっており、前記変調信号が周波数変調信号又はスペクトラム拡散信号であることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項14に記載した光検出器用高電圧回路において、前記変調器が所定の媒体内に向けて光を出射する光源に対しても前記変調信号を出力するものであり、前記光源は前記変調器から出力された前記変調信号に基づいて変調した変調光を前記所定の媒体内に出射することを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項15に記載した光検出器用高電圧回路において、前記光源が前記変調光を出射する前記所定の媒体は、生体であることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1ないし請求項8のうちのいずれか一つに記載した光検出器用高電圧回路において、前記光検出器は、前記光発電部から供給された高電圧の電力を用いて受光に伴って放出された光電子を増倍するアバランシェフォトダイオードであることを特徴とする光検出器用高電圧回路。請求項1ないし請求項17のうちのいずれか一つに記載した光検出器用高電圧回路において、前記光検出器と同一の半導体上に一体的に形成したことを特徴とする光検出器用高電圧回路。a.第1実施形態以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係り、光検出器用高電圧回路10以下、単に高電圧回路10とも称呼する。及びこの高電圧回路10と電気的に接続されて高電圧の電力が供給される光検出器としての光電子増倍管20以下、PMT20とも称呼する。の構成を概略的に示している。高電圧回路10は、図1に示すように、光発電部11と光源部12とを備えている。光発電部11は、複数の光発電素子、具体的には、太陽電池セル11aが半導体基板11b上にて電気的に直列に接続されて形成されるものである。ここで、光発電部11に関しては、受光に伴って発電可能な構造であれば特に限定されるものではないが、例えば、図2に示すような構造を採用することができる。すなわち、光発電部11は、Si基板及びSiO2層からなる、所謂、SOI基板である半導体基板11bと、この半導体基板11bのSi層に形成したPN接合すなわち太陽電池セル11aと、形成された太陽電池セル11aを保護するSiO2膜の保護層とを有するように構成される。なお、このような構造の場合、Si層に形成される各PN接合に対応する各太陽電池セル11aは、例えば、アルミニウム等を用いて形成される逆接合短絡電極により互いに接合される。これにより、Si層にp型領域とn型領域とがpnp...npnのように連続して形成されても逆接合短絡電極によって個々のPN接合すなわち個々の太陽電池セル11aが連続的に直列状にすなわち電気的に直列に形成される。なお、このように、太陽電池セル11aが連続的に直列状に形成される場合には、図2に示すように、Si層に形成される最初のp型領域が外部への接続端子である極となり、Si層に形成される最後のn型領域が外部への接続端子である-極となる。このように形成される光発電部11においては、PMT20にて必要とされる電圧に応じて、極と-極との間における太陽電池セル11aすなわちSi層のPN接合の数を変更することにより、容易に高電圧が得られる。例えば、PMT10に対して1000Vの電圧を供給する場合、各太陽電池セル11aの出力電圧が1Vであれば、太陽電池セル11aすなわち、PN接合を1000個直列状に形成すれば良いことになる。このとき、PN接合の間隔すなわち太陽電池セル11aの幅寸法が、例えば、10μm程度であれば、光発電部11の幅寸法としては10mm程度とすることができる。光源部12は、図示しない電源回路から供給される電力を利用して点灯し、例えば、1500nm~300nm程度の波長を有する光である赤外光、可視光、紫外光を発光するものである。そして、光源部12は、輝度調整用可変抵抗13を調整することにより、その輝度が適宜変更可能とされている。ここで、光源部12としては、点灯可能であれば特に限定されるものではないが、例えば、LEDや有機EL等、半導体化が容易な光源が好ましい。又、光源部12の構造としては、点光源であってもよいし、複数の点光源を集合させてもよい。このように構成される高電圧回路10においては、輝度調整用可変抵抗13が調整されることにより光源部12が所定の輝度の光を出射すると、出射された光は光発電部11によって受光される。光発電部11においては、各太陽電池セル11aが光を受光することにより発電し、それぞれ、所定の電圧を出力する。そして、各太陽電池セル11aが電気的に直列に接続されているため、形成された太陽電池セル11aの数に応じた電圧が接続端子と電気的に接続されたPMT20に対して出力される。ここで、図1に示すように、高電圧回路10においては、光発電部11がPMT20と閉ループを描いて接続されており、光源部12に接続される外部電源とは光接続によって遮断されている。すなわち、高電圧を発生させる光発電部11と外部電源の接続される光源部12とが、所謂、ホトアイソレーション状態にあるため、極めて容易にかつ確実に高電圧保護が行いやすく、特に、医療向け機器に使用する場合には安全保護の面で極めて有効となる。PMT20は、図1に示すように、受光面21、陰極22、集束電極23、複数段例えば、5~15段程度のダイノード24及び陽極25を備えた既知の構造を有するものである。なお、PMT20の構造については、周知のとおりであるため、その説明を省略する。又、このPMT20に対しては、高電圧回路10から供給される電力を用いてPMT20を作動させるための作動回路30が接続される。作動回路30は、PMT20の各ダイノード24に接続されて高電圧回路10から供給される高電圧を必要な電圧に分割するブリーダ抵抗31、PMT20の陽極25側に接続される負荷抵抗32及び増幅器33を備えた既知の構造を有するものである。したがって、作動回路30の構造についても、周知のとおりであるため、その説明を省略する。このように構成されるPMT20においては、高電圧回路10から出力された高電圧が陰極22と作動回路30の負荷抵抗32を経由して陽極25の間に印加される。なお、このPMT20においては、陽極25側がグランド電位とされている。又、各ダイノード24においては、それぞれに接続された作動回路30のブリーダ抵抗31を経由して陰極22側から順に高電圧回路10からの高電圧が必要電圧に分割されて供給される。この状態において、PMT20の受光面21に光が到達すると、到達した光光信号は光電変換されて陰極22から真空空間とされたPMT20内に飛び出した僅かな光電子として現れ、集束電極23によってダイノード24方向に導かれる。そして、光電子は、各ダイノード24により、次々と2次電子放出効果によって増倍され、この2次電子流が陽極25に集められて作動回路30の負荷抵抗32の両端にて電気信号として捕えられる。このように、負荷抵抗32の両端にて捕えられた電気信号は増幅器33によって電気的に増幅される。以上の説明からも理解できるように、上記第1実施形態によれば、高電圧回路10を半導体上で構成可能な程度まで小型化することができるとともに、極めて容易に高電圧の電力を安定してPMT20に供給することができる。又、外部から電力の供給される光源部12と高電圧を発生する光発電部11とをホトアイソレーション状態とすることができるため、高電圧を極めて容易にかつ確実に分離することができる。b.第2実施形態上記第1実施形態においては、PMT20を作動させるための作動回路30が複数のブリーダ抵抗31を備えていて、このブリーダ抵抗31を介してPMT20の各ダイノード24に高電圧回路10から供給される高電圧を供給することにより、各ダイノード24に必要な電圧に分割するように実施した。この場合、高電圧回路10から供給される電力が作動回路30の各ブリーダ抵抗31によって無駄に消費される可能性がある。したがって、この第2実施形態においては、作動回路30におけるブリーダ抵抗31を省略して実施する。なお、この第2実施形態を説明するにあたり、上記第1実施形態と同一部分に同一の符号を付し、その説明を省略する。この第2実施形態においては、図3に示すように、上記第1実施形態にてPMT20の各ダイノード24に接続された作動回路30のブリーダ抵抗31を省略し、代わりに、高電圧回路10の光発電部11を各ダイノード24に対して直接的に接続する。より具体的に説明すると、この第2実施形態においては、高電圧回路10の光発電部11が、PMT20の各ダイノード24が必要とする電圧を発生するように分割されて直接各ダイノード24に電気的に接続されている。なお、光発電部11を分割するに当たっては、上述したように、各太陽電池セル11aの出力電圧に基づいて、各ダイノード24が必要とする電圧となるように太陽電池セル11aの数を調整すればよい。このように、この第2実施形態においては、高電圧回路10の光発電部11を各ダイノード24が必要とする電圧に応じて分割して直接的に接続することにより、作動回路30から各ブリーダ抵抗31を省略して実施することが可能となる。これにより、高電圧回路10からPMT20の各ダイノード24に電力を供給するときに、各ブリーダ抵抗31によって無駄な電力が消費されることがなくなり、各ダイノード24が適切に2次電子放出効果を発揮することができる。又、作動回路30において、ブリーダ抵抗31を省略することができるため、例えば、半導体上にPMT20を形成する場合において、熱影響を排除して高電圧回路10及び作動回路30を一体的に成形し易くすることができ、よりコンパクト化を達成することができる。b-1.第2実施形態の変形例上記第2実施形態においては、高電圧回路10を構成する光発電部11をPMT20の各ダイノード24に直接的に接続するために分割するように実施した。この場合、上記第1実施形態にて説明したように、太陽電池セル11aが連続的に形成された光発電部11において、図4に示すように、PMT20のダイノード24が必要とする電圧に応じて、適宜、ダイノード極を設けて、このダイノード極とPMT20のダイノード24とを直接的に接続して実施することも可能である。この場合には、光発電部11を一体的に形成することができるため、第2実施形態のように光発電部11を各ダイノード24に合わせて分割する場合に比して、よりコンパクト化を達成することができるとともに光発電部11の生産性を向上させることができる。c.第3実施形態上記各実施形態及び変形例においては、高電圧回路10を構成する光源部12は、輝度調整用可変抵抗13を調整することにより、調整された所定の輝度を出射するように実施した。すなわち、上記各実施形態及び変形例においては、光源部12は、一旦設定された輝度によって継続して光を光発電部11に向けて出射するように実施した。この場合、光発電部11を形成する各太陽電池セル11aの発電効率の安定化、言い換えれば、高電圧回路10から電力が供給されるPMT20の作動安定化より具体的には、ゲイン安定化を目的として、光源部12から出射される光より詳しくは、光量を調整可能に実施することも可能である。以下、この第3実施形態を詳細に説明するが、上記各実施形態及び変形例と同一部分に同一の符号を付し、その説明を省略する。この第3実施形態においては、高電圧回路10の光源部12が、図5に示すように、上述した輝度調整用可変抵抗13に代えて、光量検出部14と光量制御部15とを備えている。光量検出部14は、光源部12から光発電部11への光路内に設けられて、光源部12によって出射された光すなわち光量を検出するものである。光量制御部15は、光量検出部14によって検出された光量を取得し、この取得した光量に基づいて光源部12が出射する光光量を制御するものである。なお、光量制御部15による光量制御に関しては、如何なるものであってもよく、例えば、周知のPID制御や周知のデジタル制御に基づいて、光源部12が出射する光光量を制御することができる。このように構成される第3実施形態における高電圧回路10においては、まず、光源部12から光発電部11に向けて出射されるとともに、出射された光光量が光量検出部14によって参照受光されて検出される。このように光量検出部14によって検出された光量は光量制御部15によって取得され、光量制御部15は、例えば、予め設定されている基準光量と取得した光量とを比較して光源部12から基準光量となる光が出射されるように制御信号を作成し、この制御信号を光源部12に対して出力する。これにより、光源部12は、出力された制御信号に従い、LEDや有機EL等の光源の点灯状態を制御し、光発電部11に向けて出射する光光量を変化させる。したがって、この第3実施形態においては、光源部12から出射される光光量を状況に応じて変更して調整することができるため、光発電部11を形成する各太陽電池セル11aの発電効率を安定化させることができる。その結果、高電圧回路10から高電圧の電力が供給されるPMT20においては、例えば、各ダイノード24による2次電子放出効果が安定化し、2次電子の放出状態すなわち増倍ゲインを安定化させることができる。その他の効果については、上記各実施形態及び変形例と同様である。d.第4実施形態本発明における光検出器用高電圧回路である高電圧回路10は、上記各実施形態及び変形例において説明したように、光発電部11が光源部12によって出射された光を電力に変換することにより、光検出器であるPMT20が必要とする電力を供給する。すなわち、PMT20が必要とする電力は光を変換することによって得られる。ところで、光検出器であるPMT20は、微弱な光を検出するものである。このため、電力を得るために必要である光源部12からの光が、本来、微弱な光を検出する光検出器PMT20に対して影響を与えてはならない。したがって、この第4実施形態においては、高電圧回路10が電力を発電するために必要な光、すなわち、光源部12によって出射される光がPMT20の光検出に影響を及ぼさないように実施する。以下、この第4実施形態を上記第3実施形態における高電圧回路10を用いて具体的に説明する。この第4実施形態においては、図6に示すように、高電圧回路10のうち、光発電部11、光源部12より詳しくは、発光部分及び光量検出部14の全体が遮光カバー16によって覆われている。遮光カバー16は、光を遮光する材料から箱状に形成されるものである。このように、遮光カバー16によって、少なくとも、光発電部11及び光源部12より詳しくは、発光部分を覆うことにより、光源部12から出射された光が漏洩してPMT20の受光面21に届くことを効果的に防止することができる。これにより、電力を得るために光源部12から出射される光がPMT20に対して影響を与えることがなく、PMT20は正確に微弱な光を検出することができる。d-1.第4実施形態の変形例上記第4実施形態においては、PMT20の各ダイノード24に合わせて分割された光発電部11及び1つの光源部12より詳しくは、発光部分の全体を1つの遮光カバー16によって覆うように実施した。この場合、図7に示すように、光源部12を各光発電部11に合わせて、言い換えれば、PMT20の各ダイノード24ごとに合わせて分割し、それぞれの光発電部11、光源部12より詳しくは、発光部分及び光量検出部14を個別に遮光カバー16によって覆うように実施することも可能である。このように、各ダイノード24に直接的に接続される光発電部11、光源部12より詳しくは、発光部分及び光量検出部14を個別に遮光カバー16によって覆うことにより、ダイノード24ごとに供給される電圧を細かくかつ安定して制御することができるとともに、電力を得るために光源部12から出射される光がPMT20に対して影響を与えることがない。又、ダイノード24ごとに供給される電圧を細かくかつ安定して制御することができることにより、例えば、各ダイノード24による2次電子放出効果が安定化し、2次電子の放出状態すなわち増倍ゲインを安定化させることができる。e.第5実施形態上記各実施形態及び変形例においては、高電圧回路10を構成する光源部12は、外部からの指示に基づくことなく、すなわち、外部から入力される光の出射動作に関する外部指示信号に基づくことなく、例えば、予め設定された態様によって光発電部11に向けて光を出射するように実施した。この場合、光発電部11を構成する各太陽電池セル11aは、光源部12から出射される光を電力に変換してPMT20のそれぞれのダイノード24に対して電力を出力するため、光源部12に対して外部から外部指示信号を入力することにより、PMT20のダイノード24に外部指示信号の影響を与えることができる。以下、この第5実施形態を上記第4実施形態の変形例にて説明した高電圧回路10を用いて具体的に説明する。この第5実施形態においては、図8に示すように、それぞれの光量制御部15が外部入力部15aを備えており、この外部入力部15aを介して変調器17が通信可能に接続されている。変調器17は、光量制御部15に対し、外部指示信号として、例えば、変調信号である周波数変調信号やスペクトラム拡散変調信号等を出力して入力するものである。これにより、各光量制御部15においては、それぞれ、変調器17から入力された変調信号に基づき、対応する光源部12に対して制御信号を変調させて出力する。したがって、各光源部12は、光量制御部15から出力された、変調信号に基づいて変調された制御信号に従って、LEDや有機EL等の光源の点灯状態を制御し、光発電部11に向けて光を出射する。このように変調された制御信号に従って出射された光を受光する光発電部11においては、各太陽電池セル11aが変調器17による変調を反映した電力を出力する。このため、光発電部11から電力が供給されるPMT20の各ダイノード24においては、2次電子放出効果に変調器17による変調を反映させて光電子を増倍するため、陽極25に集められて作動回路30の負荷抵抗32の両端にて捕えられる電気信号にも変調器17による変調を反映させることができる。なお、この場合、各ダイノード24に対して、別々の変調信号を加えたり、同一の変調信号を加えたり、何ら変調を与えないようにすることができることは言うまでもない。ここで、この第5実施形態に係る高電圧回路10が接続されたPMT20を、所定の媒体具体的に、例えば、生体である脳内等内部を伝播した光の検出に適用した場合を例示して具体的に説明する。この場合においては、図9に示すように、変調器17は、生体内部に対して光を出射する複数の光源に対して、それぞれ異なる周波数変調信号又はスペクトラム拡散変調信号SIGi,SIGj,SIGk...を出力する。これにより、各光源は、それぞれ、異なる変調光を生体内部に向けて出射し、生体内部に出射された各変調光はそれぞれ吸収散乱の影響を受けてPMT20の受光面21に到達する。なお、この場合、伝播する光の光路の途中に光ファイバーやグラスロッド、フィルタ等が存在していてもよい。一方、変調器17は、光量制御部15に対し、周波数変調信号又はスペクトラム拡散変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnを出力する。これにより、上述したように、各光源部12は、光量制御部15から出力された変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnに基づいて変調された制御信号に従って光発電部11に向けて光を出射し、光発電部11は、各太陽電池セル11aが変調器17による変調を反映した電力を出力する。このため、PMT20の各ダイノード24においては、光発電部11を介して、変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnを取得する。これにより、PMT20の受光面21に各変調光が到達すると、到達した各変調光各光変調信号は、各変調光が有している変調信号SIGi,SIGj,SIGk...に関連付けられて各ダイノード24が取得した変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnの影響を受けることによって、所謂、ヘテロダイン効果を得て、生体内部で生じた吸収散乱の変化を作動回路30の負荷抵抗32の両端にて電気信号として捕えることができる。このことをより具体的に例示して説明すると、例えば、変調信号SIGi,SIGj,SIGk...として100.000MHzの矩形波を用い、変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnとして100.500MHzの矩形波を用いた場合、作動回路30の負荷抵抗32の両端にて、0.500MHzのヘテロダイン信号を生体内部で生じた吸収散乱の変化を表す電気信号として捕えることができる。又、例えば、変調信号SIGi,SIGj,SIGk...として100.000MHzのスペクトラム拡散変調信号例えば、周期65535、拡散符号系列としてM系列符号を用い、変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnとして100.500MHzのスペクトラム拡散変調信号を用いた場合、作動回路30の負荷抵抗32の両端にて、0.500MHzのヘテロダイン信号を生体内部で生じた吸収散乱の変化を表す電気信号として捕えることができる。このように、この第5実施形態においては、PMT20の内部、より詳しくは、変調信号SIGb,SIGc,...,SIGnの影響を受けた各ダイノード24にてヘテロダイン処理を行うことができる。このため、電気信号になってから信号処理を行う場合に比してSN比の改善を達成することができるとともに、回路の簡略化を達成することができる。本発明の実施にあたっては、上記各実施形態及び各変形例に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施形態及び各変形例においては、太陽電池セル11aを、図2に示した断面形状を有して、例えば、直線状に配置して実施するようにした。しかし、太陽電池セル11aの配置に関しては、直線状に配置することに限定されるものではなく、例えば、図10に示すように、太陽電池セル11aを入射光面側から見て同心円状に配置して実施することも可能である。この場合には、図2に示した断面形状を維持することにより、ダイオードの分離が不要となり耐圧が容易に確保できる。又、上記各実施形態及び各変形例においては、図2に示したように、光発電部11を構成する太陽電池セル11aのPN接合におけるp型領域とn型領域が光源部12からの入射光に対して垂直な同一面上に配置されるように実施した。この場合、例えば、図11に示すように、太陽電池セル11aのPN接合におけるp型領域とn型領域を光源部12からの入射光に対して層状にし、入光面積が大きく確保できるように実施することも可能である。この場合、図11に示すように、PN接合の上下層に対してイオン注入法等を用いて、不純物濃度の高い10e17~10e19cm-3程度p型領域とn型領域とを形成することができる。これにより、不純物濃度が相対的に低い10e14~10e17cm-3程度中間領域であるp型領域又はn型領域との間で濃度勾配を生じさせる。したがって、発生したキャリアがSi-SiO2界面において再結合することを抑制することができるばかりでなく、Si-SiO2界面に不本意に形成される可能性があるチャンネルの発生を抑制できるため、リーク電流も抑制できる。又、上記各実施形態及び各変形例においては、光検出器として光電子増倍管20PMT20を採用して実施した。この場合、光検出器として、アバランシェフォトダイオードを採用し、図12に示すように、高電圧回路10がこのアバランシェフォトダイオードのバイアス電源に高電圧の電力を供給するように実施することも可能である。この場合においても、上記各実施形態および各変形例と同様の効果が期待できる。又、上記各実施形態及び各変形例において説明したように、高電圧回路10は極めて容易に半導体上に形成することができるため、例えば、MEMSによってPMT20が半導体上に形成される場合には、高電圧回路10とPMT20とを同一半導体上に一体的に形成することが可能となる。この場合、装置自体を極めてコンパクトとすることができるとともに、高電圧回路10はPMT20に対して適切に高電圧の電力を供給することができる。したがって、このように超コンパクト化した場合であっても、PMT20による微弱な光の検出精度を損なうことがない。又、上記第4,5実施形態及び変形例においては、遮光カバー16が単に光源部12から出射された光を外部に漏出しないように光を遮光する機能を有するとして実施した。この場合、例えば、遮光カバー16の内側に反射部材を設けて実施することも可能であり、この場合には、光源部12の負担負荷を軽減することができる。又、このように遮光カバー16の内側に反射部材を設けることにより、光源部12から出射された光をより効率よく受光して光発電部11がより効率よく電力を発電することもできる。さらに、上記各実施形態及び各変形例においては、光発電部11を構成する太陽電池セル11aを直列に配置する場合を説明した。しかしながら、必要に応じて、直列状に接続された複数の太陽電池セル11a群を互いに並列に接続して実施可能であることは言うまでもない。又、上記各実施形態及び各変形例においては、光発電部11を構成する太陽電池セル11aを直線状に配置する場合を説明したが、2次元に配置して実施可能であることは言うまでもない。この場合、太陽電池セル11a間は、例えば、内部スイッチで自由に条件に応じて切りかえられたり、ボンディング又はプロセスによって配線を最適化して接続されるとよい。"