基板と、前記基板と接続される第1のピラーと、前記基板と接続される第2のピラーと、を有し、前記第2のピラーの径が前記第1のピラーの径よりも大きいことを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記第1のピラーの径が20nm以上50nm未満であり、前記第2のピラーの径が50nm以上150nm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項2記載の太陽電池において、前記第1のピラーの高さと、前記第2のピラーの高さとがともに100nm以上1000nm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項3記載の太陽電池において、前記第1のピラーと前記第2のピラーとの間のギャップが、前記第1のピラーの径の1/5倍以上、かつ、前記第2のピラーの径の5倍以下であることを特徴とする太陽電池。請求項3記載の太陽電池において、前記基板と接続される第3のピラーをさらに有し、前記第3のピラーの径が前記第2のピラーの径を越えることを特徴とする太陽電池。請求項5記載の太陽電池において、前記第1のピラーの径が20nm以上50nm未満であり、前記第2のピラーの径が50nm以上90nm未満であり、前記第3のピラーの径が90nm以上150nm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項6記載の太陽電池において、前記第1のピラーと前記第2のピラーとの間のギャップと、前記第1のピラーと前記第3のピラーとの間のギャップと、前記第2のピラーと前記第3のピラーとの間のギャップとが、いずれも、前記第1のピラーの径の1/5倍以上、かつ、前記第3のピラーの径の5倍以下であることを特徴とする太陽電池。請求項3記載の太陽電池において、前記第2のピラーを介して前記基板と接続される第4のピラーと、前記第2のピラーを介して前記基板と接続される、前記第4のピラーとは異なる第5のピラーと、をさらに有し、前記第2のピラーの径が前記第4のピラーの径を越え、前記第2のピラーの径が前記第5のピラーの径を越えることを特徴とする太陽電池。請求項8記載の太陽電池において、前記第4のピラーの径が20nm以上50nm未満であり、前記第5のピラーの径が20nm以上50nm未満であることを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記第4のピラーと前記第5のピラーとの間のギャップが、前記第4のピラーの径の1/5倍以上、かつ、前記第2のピラーの径の5倍以下であることを特徴とする太陽電池。請求項10記載の太陽電池において、前記第2のピラーの側部に形成される定在波のうち、少なくとも1つの定在波が、前記第1のピラーの上端と、前記第2のピラーの上端との間に存在することを特徴とする太陽電池。請求項4記載の太陽電池において、前記基板は第1導電形を有する基板であり、前記基板の一部と、前記第1のピラーと、前記第2のピラーとに形成され、前記第1導電形とは異なる第2導電形の不純物層をさらに有し、前記基板と前記不純物層とで形成されるpn接合或いはpin接合の境界面が、平坦であることを特徴とする太陽電池。請求項12記載の太陽電池において、前記第1のピラーの高さが500nm以下であり、前記第2のピラーの高さが500nm以下であることを特徴とする太陽電池。pn接合或いはpin接合と、第1の直径を有する第1のピラーと、第1の直径とは異なる第2の直径を有する第2のピラーとを有し、前記第1のピラーと前記第2のピラーとを含むアレイの単位構造が周期的に配列されていることを特徴とする太陽電池。請求項14記載の太陽電池において、前記アレイの単位構造は、第1および前記第2のピラーとは直径の異なる第3のピラーを更に含むことを特徴とする太陽電池。請求項14記載の太陽電池において、前記第1および前記第2のピラーは、内部に含まれる固定電荷量が所定の値となるように設定された電界効果パッシベーション膜で覆われていることを特徴とする太陽電池。次世代太陽電池では更なる光電変換効率アップが望まれているため、発明者等は、反射防止効果向上の観点から、サブ波長構造の中でも、ナノピラーアレイ構造を用いた太陽電池セルに注目し、検討を行なった。ナノピラーアレイ構造とは、図9に示すように、太陽光3の波長よりも微細な径のナノピラー4が、基板1上に、周期的に配列した構造である。以下では、ナノピラー4の形状として円柱を例にとって述べるが、本発明は、角柱など、他の形状の場合にも適用可能である。また、図9に示すように、太陽光3は、ナノピラー4の高さ方向に進行して、空気からナノピラーアレイ構造に対して入射すると仮定するが、本発明は、ナノピラー4の高さ方向と、太陽光3の進行方向とが一致しない場合にも適用可能である。ナノピラーアレイ構造による反射防止効果の特徴を述べる。図10aにSi鏡面の反射率スペクトルを、図10bにSiテクスチャ構造の反射率スペクトルの一例を、図10cにSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの一例を、それぞれ示す。反射率スペクトルは、2次元のFDTD法FiniteDifferentialTimeDomainmethodによる計算結果である。図10aと図10bとを比較すると、表面形状を鏡面からテクスチャ構造へと変更することにより、反射率の絶対値は低減されるが、反射率スペクトルの形状は変化しないことがわかる。一方、図10cを見ると、表面をナノピラーアレイ構造にすることは、反射率の絶対値だけでなく、反射率スペクトルの形状をも変化させるということがわかる。具体的には、図10aと図10bによれば、表面形状が鏡面あるいはテクスチャ構造のときの反射率スペクトルでは、波長360nm付近に反射率の極大点が存在するものの、それ以外の波長域では、波長が長いほど反射率が低いという単調な振舞いが見られる。一方、図10cによれば、表面形状がナノピラーアレイ構造のときの反射率スペクトルには、反射率の極大点および極小点が複数存在しており、反射率が波長に対して非単調に変化するという特徴がある。ナノピラーアレイ構造では光の回折が起こり、回折条件が反射率の値に影響する。回折条件を満たす光の波長が離散的な値をとるために、反射率スペクトルが、複数の極大点と極小点とをもつ、非単調な振舞いを示すと考えられている。ナノピラーアレイ構造を特徴付ける寸法パラメータは、ナノピラーの直径、高さ、及びナノピラー間ギャップの3つである。ナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルは、上記の寸法パラメータに依存して変化することが、特許文献1に開示されている。これは、上記の回折条件が、ナノピラーアレイ構造の寸法パラメータに依存して変化するためである。ナノピラーアレイ構造を、太陽電池セルの表面反射防止構造として用いるには、上記の寸法パラメータの調整により、太陽光の波長域での反射率を低減することが必要である。ナノピラーアレイ構造の太陽電池セルへの適用例としては、太陽電池セル表面の透明電極にサブ波長の凹凸形状を設ける方法が特許文献2に、テクスチャ構造上にさらにサブ波長構造を設ける方法が特許文献3に、それぞれ開示されている。しかし、上述のように、ナノピラーアレイ構造の反射率は、離散的な波長でのみ極小となり、それら極小点の間の波長では、反射率の値の増大が避けられない。上記の寸法パラメータの調整のみによって、太陽光のように、幅広い波長域にわたる光の反射防止が可能なナノピラーアレイ構造を実現することは困難である。一方、ナノピラーアレイ構造の回折条件が、上記の寸法パラメータに依存することを利用して、寸法パラメータが変調されたナノピラーアレイ構造によって、幅広い波長域で回折効率の高い回折格子を実現する方法が、特許文献1に開示されている。しかし、寸法パラメータのうち、ナノピラーの直径、高さ、ナノピラー間ギャップが、それぞれ反射防止にどのような役割を果たしているかは明らかにされておらず、そのために、幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造の実現方法は、従来は確立されていなかった。本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、表面構造として、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することを目的とする。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち代表的なものを簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、太陽電池であって、基板と、前記基板と接続される第1のナノピラーと、前記基板と接続される第2のナノピラーと、を有し、前記第2のナノピラーの直径が前記第1のナノピラーの直径よりも大きいことを特徴とする。本発明によると、直径の異なるナノピラーを備えることにより、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することができる。図1は、本発明の実施例1に係る太陽電池セルの表面構造の断面図である。一般的に、太陽電池セルは、pn接合、パッシベーション膜、電極などから構成されるが、図1にはこれらを明示せず、基板1と表面構造のみを示してある。本実施例1の構造の特徴は、基板1上に形成された、直径の異なる二種類のナノピラー11、12から構成されるナノピラーアレイ構造21を有する点にある。図1には、直径D1のナノピラー11と、直径D2のナノピラー12とから構成されるナノピラーアレイ構造21を示してある。なお、本実施例では、ナノピラーの直径の関係を、D1<D2とした。また、ピラー高さHについては、直径D1のナノピラー11、直径D2のナノピラー12ともに同一の値とした。また、図1に示すように、ピラー間のギャップGが、面内のいたるところで一定の値をもつ構成とした。後述のように、本実施例1の構造によって、幅広い波長域での反射防止を行うことが可能である理由としては、直径の異なる複数のナノピラーを用いることが本質的であり、ナノピラー間のギャップGの値が、面内で複数の値をとることは必須ではない。しかし、後述の図3および図4に示すように、ナノピラーの配列パターンによっては、ナノピラー間のギャップGの値を、面内のいたるところで一定とすることが不可能な場合もある。そのため、本実施例1の構造としては、ナノピラー間のギャップGの値が、面内で複数の値をとる構造を含むものとする。図1に示す構造は、公知のホトリソグラフィー技術を用いて直径の異なるレジストパターンを形成後、レジストパターンをマスクとして公知のドライエッチングを行うことにより作製することができる。なお、図1における破線A1と破線B1との間の領域は、ナノピラーアレイ構造の単位構造を示す。図2は、本実施例1に係る太陽電池セルの表面構造の第1の上面図である。基板1は示されていない。図2には、直径D1のナノピラー11と、直径D2のナノピラー12とが、市松模様状に配列された構造を示してあるが、配列パターンは、三角格子など、他の種類でもよい。周期的な配置が望ましい。以上、直径の異なる二種類のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造21を有する太陽電池セルについて述べたが、本実施例1は、直径の異なる三種類以上のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにも適用可能である。以下、直径の異なる三種類のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルとして、ナノピラーアレイ構造の配列パターンの異なる例を2つ挙げる。図3は、本実施例1に係る太陽電池セルの表面構造の第2の上面図である。図3に示す太陽電池セルの表面構造の特徴は、直径D3のナノピラー13と、直径D4のナノピラー14と、直径D5のナノピラー15という、直径の異なる三種類のナノピラーから構成される第1のナノピラーアレイ構造22を有する点にある。なお、各ナノピラーの直径の関係を、D3<D4<D5とした。上述の通り、図3に示す配列パターンでは、ナノピラー間ギャップGの値は、面内で一定ではなく、例えば、直径D3のナノピラー13と、直径D4のナノピラー14とのナノピラー間ギャップG34は、直径D4のナノピラー14と、直径D5のナノピラー15とのナノピラー間ギャップG45よりも小さい。図4は、本実施例1に係る太陽電池セルの表面構造の第3の上面図である。図4に示す太陽電池セルの表面構造の特徴は、直径D6のナノピラー16と、直径D7のナノピラー17と、直径D8のナノピラー18という、直径の異なる三種類のナノピラーから構成される第2のナノピラーアレイ構造23を有する点にある。なお、各ナノピラーの直径の関係を、D6<D7<D8とした。図4に示す配列パターンにおいても、ナノピラー間ギャップGの値は、面内で一定ではなく、例えば、直径D6のナノピラー16と、直径D7のナノピラー17とのナノピラー間ギャップG67は、直径D6のナノピラー16と、直径D8のナノピラー18とのナノピラー間ギャップG68よりも大きい。本実施例1によれば、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することができる。以下、その理由を説明する。まず、ナノピラーアレイ構造の寸法パラメータを変化させたときに、ナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルに現れる変化を示す。図11aは、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの計算結果である。反射率は、波長460nmにおいて極小値をとる。このナノピラーアレイ構造において、ナノピラー間ギャップのみを変化させた、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの計算結果を図11bに示す。反射率の極小点は波長420nmであり、上述の、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造の場合と比べると、40nmだけ短波長側にシフトする。一方、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造から、直径のみを変化させた、直径120nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルは、図11cに示すように、波長560nmに、反射率の極小点をもつスペクトルとなる。図11aと図11bとの比較から、ナノピラー間ギャップを80nm変化させたときの、反射率の極小点のシフト量が40nmであるのに対して、図11aと図11cとを比較すると、直径を80nm変化させたときの、反射率の極小点のシフト量は100nmである。つまり、ナノピラー間ギャップを変化させるよりも、直径を変化させるほうが、反射率の極小点のシフトが顕著である。さらに、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造から、直径とナノピラー間ギャップとをともに変化させた、直径120nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの計算結果は、図11dのようになり、反射率の極小点は、波長620nmに存在する。図11cと図11dとの比較から、ナノピラー間ギャップを80nm変化させたときの、反射率の極小点のシフト量が60nmであるのに対して、図11bと図11dとを比較すると、直径を80nm変化させたときの、反射率の極小点のシフト量は200nmである。これより、上記の、図11a、図11b、および、図11cの比較から得られた、ナノピラー間ギャップを変化させるよりも、直径を変化させるほうが、反射率の極小点のシフトが顕著であるという傾向が再確認された。また、図11aと図11cとの比較、および、図11bと図11dとの比較から、直径を増加させると、反射率の極小点は長波長側にシフトするという傾向がわかる。一方、図11aと図11bとの比較では、ナノピラー間ギャップを増加させると、反射率の極小点が短波長側にシフトするのに対して、図11cと図11dとの比較では、ナノピラー間ギャップを増加させると、反射率の極小点が長波長側にシフトする。このことから、ナノピラー間ギャップの変化と、反射率の極小点のシフトとは、互いに単調増加あるいは単調減少の関係ではないといえる。最後に、直径120nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造から、高さのみを変化させた、直径120nm、高さ600nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルを図11eに示す。図11dと図11eとを比較すると、高さを増加させることで、反射率の極小点の数が増加するという特徴がわかる。また、波長300nmから800nmで単純平均された反射率の値は、図11dと図11eのいずれの場合においても13であることから、高さを変化させても、反射率の平均値は変化しないことがわかる。図11aから図11eに示された反射率スペクトルから、ナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルにおける、寸法パラメータの役割をまとめると、以下のようになる。直径の変化は、反射率の極小点のシフトをもたらす。具体的には、直径の増加に伴い、反射率の極小点は長波長側にシフトする。また、高さの変化は、反射率の極小点の数の変動をもたらす。具体的には、高さの増大に伴い、反射率の極小点の数は増大する。但し、高さの変化は、反射率の平均値の変化をもたらさない。最後に、ナノピラー間ギャップの変化は、反射率の極小点の数には影響せず、また、反射率の極小点のシフトをもたらすが、そのシフトの大きさは、直径の変化によるシフトに比べて小さい。さらに、ナノピラー間ギャップの変化による、反射率の極小点のシフトは、長波長側へのシフトか、それとも短波長側へのシフトかが、単調に定まらない。上述の、直径、高さ、ナノピラー間ギャップのそれぞれの役割から、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を実現するには、直径の異なる複数のナノピラーを用いる方法が有効であることが予想される。すなわち、直径の異なるナノピラーアレイ構造は、反射率の極小点も異なるため、それらを組み合わせることで、幅広い波長域にわたって反射率の極小点が存在するナノピラーアレイ構造を実現することができると予想される。以下、この予想を検証する。図12は、図1に示す構造において、D1=40nm、D2=120nm、H=200nm、G=40nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの計算結果である。反射率は、波長440nmと波長620nmという2つの極小点をもつ。前者の波長は、図11aおよび図11bにおける反射率の極小点とほぼ一致することから、直径40nmのナノピラーに起因する反射率の極小点であることがわかる。一方、後者の波長は、図11cおよび図11dにおける反射率の極小点とほぼ一致することから、直径120nmのナノピラーに起因する反射率の極小点であることがわかる。このことから、直径の異なる複数のナノピラーを組み合わせることで、それぞれの直径に起因する反射率の極小点を兼ね備えた、幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造が実現されるという予想が裏付けられた。本実施例1の効果を、太陽光の光子数スペクトルで重みづけ平均された反射率の値で示すと、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造の平均反射率が16.0、直径120nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造の平均反射率が13.3であるのに対して、図1に示す構造において、D1=40nm、D2=120nm、H=200nm、G=40nmのSiナノピラーアレイ構造の平均反射率は11.5、図3に示す構造において、D3=40nm、D4=60nm、D5=120nm、H=200nm、G=40nmのSiナノピラーアレイ構造の2次元のFDTD法により計算された平均反射率は9.2であり、従来のナノビラーに比し、反射防止効果を向上できることが分かった。また、ナノピラー等のサブ波長構造は、光閉じ込めの効果をも有するため、太陽電池セルの光吸収の確保と、光吸収層の厚さの低減とを両立することが可能である。光吸収層の厚さの低減は、材料コストを低減するだけでなく、太陽電池セル内部のキャリア移動距離を短縮することで、再結合を抑制し、太陽電池セルの出力電圧増大が可能である。以上が、本実施例1によって、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することができることの理由である。本実施例1の構造において、特に好適な寸法パラメータの数値範囲を記す。直径の異なる二種類のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造の場合は、直径20~50nm50nm未満のナノピラーと、直径50~150nmのナノピラーとを組み合わせるのが望ましい。直径の異なる三種類のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造の場合は、直径20~50nm50nm未満のナノピラーと、直径50~90nm90nm未満のナノピラーと、直径90~150nmのナノピラーとを組み合わせるのが望ましい。高さは、反射防止の実現のために100nm以上であるのが望ましく、また、作製可能性の観点から、1000nm以下であることが望ましい。ナノピラー間ギャップは、上述のように、反射率の極小点のシフトに与える影響が、直径に比べて小さいとはいえ、まったく任意の値でよいわけではない。反射率の極小点のシフトを抑制するために、ナノピラー間ギャップの大きさは、直径の1/5~5倍の範囲内であるのが望ましい。また、ナノピラー形成の際には、通常、ナノピラーの形状にテーパーが発生する。ナノピラー間ギャップが小さい場合には、隣接するナノピラーのテーパーが接することで、所望の高さのナノピラーが得られない懸念もある。ナノピラー間ギャップの大きさを設定する際には、その点も考慮に入れる必要がある。本実施例1の構造において、ナノピラーを構成する材料は、太陽電池セルの光吸収層に用いられる半導体材料、あるいは、パッシベーション膜やバッファ層に用いられる半導体材料あるいは絶縁体材料、あるいは、透明導電膜材料、あるいは、これらの材料の積層物である。太陽電池セルの光吸収層に用いられる半導体材料は、Si、CdTe、CuInGaSe、InP、GaAs、Geなどであり、これらは単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスなど種々の構造をとりうる。これら半導体層は、基板1そのものでもよいし、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により形成してもよい。パッシベーション膜やバッファ層に用いられる半導体材料あるいは絶縁体材料は、SiO2、SiN窒化シリコン、アモルファスSi、CdSなどである。これら半導体材料あるいは絶縁体材料の形成は、上記の、太陽電池セルの光吸収層に用いられる半導体材料の酸化、窒化などにより行ってもよいし、あるいは、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法により形成してもよい。透明導電膜材料は、In、Zn、Sn、Gaなどの元素を含む酸化物およびそれらの複合酸化物であり、これにフッ素などの添加物を加えてもよい。これら透明導電膜材料の形成は、スパッタ法、CVD法、塗布法、印刷法などにより行う。また、上記工程に加えて、各々の膜の結晶性や膜質の改善のため、あるいは隣接膜との界面の質を向上させるための熱処理、プラズマ処理などを適宜追加してもよい。本実施例1の構造の製造方法としてホトリソグラフィーとドライエッチングを用いたが、基板1の平坦表面、あるいは、基板1の平坦表面上に形成された膜に対して、電子線描画などのリソグラフィーとエッチング、ナノインプリント、ナノ粒子をマスクにしたエッチングなどの加工を施す公知の方法や、基板1の平坦表面上に、VLSVapor-Liquid-Solid法などにより、ナノピラーを成長させる公知の方法を用いることもできる。リソグラフィーとエッチングによる製造方法においては、特に、ナノピラーの高さ/直径すなわちアスペクト比が2以上の場合には、基板1上にまずハードマスクを形成し、その後、レジストを塗布してリソグラフィーを行うのが望ましい。特に、基板1がSiの場合には、ハードマスクとして、基板1に近い側から順にSiO2、アモルファスSiという二層構造を用いるのが望ましい。その場合、アモルファスSiと、Si基板とを、HBrを主成分とするガスを用いたドライエッチングで、SiO2を、CHF3を主成分とするガスを用いたドライエッチングで、それぞれ加工するのが望ましい。VLS法による製造方法においては、必要に応じて、ナノピラーの成長に必要な触媒効果を有する物質を形成するのが望ましい。上述の方法により、図2~図4に示す構成のナノピラーを備えた太陽電池を製造した結果、良好な特性が得られた。以上、本実施例によれば、直径の異なるナノピラーを備えることにより、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能な太陽電池を提供することができる。第2の実施例について、図5、図6、図13を用いて説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図5は、本発明の実施例2に係る太陽電池セルの表面構造の断面図である。実施例1との違いを述べると、実施例1の構造が、直径の異なる複数のナノピラーから構成されることを特徴とするのに対して、本実施例2の構造は、直径と高さとがいずれも異なる複数のナノピラーから構成されることを特徴とする。図5には、直径DD1かつ高さHH1のナノピラー31と、直径DD2かつ高さHH2のナノピラー32との二種類のナノピラーから構成されるナノピラーアレイ構造41を示す。なお、本実施例ではナノピラーの直径の関係を、DD1<DD2、かつ、高さの関係を、HH1<HH2とした。また、図5には、ナノピラー間ギャップGGが、面内のいたるところで一定の値をもつ構成としたが、実施例1の場合と同様に、本実施例2の構造としては、ナノピラー間ギャップGGの値が、面内で複数の値をとる構造も含むものとする。図6は、本実施例2に係る太陽電池セルの表面構造の上面図である。図6には、直径DD1かつ高さHH1のナノピラー31と、直径DD2かつ高さHH2のナノピラー32とが、市松模様状に配列された構造を示してあるが、三角格子など、他の配列パターンからなる構造でもよい。本実施例2によれば、実施例1と同様に、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することができ、かつ、実施例1の構造よりも低い反射率を実現することができる。まず、前者の効果について述べる。図13aは、図5に示す構造において、DD1=40nm、DD2=120nm、HH1=200nm、HH2=600nm、GG=40nmのSiナノピラーアレイ構造の反射率スペクトルの計算結果である。このSiナノピラーアレイ構造は、直径40nm、高さ200nm、ナノピラー間ギャップ40nmのSiナノピラーアレイ構造と、直径120nm、高さ600nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造とから構成される。前者の反射率スペクトルは図11aに、後者の反射率スペクトルは図11eに、それぞれ示されている。図13aに示す反射率スペクトルは、図11aおよび図11eに示す反射率スペクトルにみられる反射率の極小点を兼ね備えていることがわかる。このことから、本実施例2の構造によって、実施例1と同様に、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現することができることが示された。但し、本実施例2の構造によって、実施例1と同様に、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現するためには、以下の条件がある。図13bは、直径120nm、高さ600nm、ナノピラー間ギャップ120nmのSiナノピラーアレイ構造に、波長460nmの光が、図9に示す方向で入射されたときの、ナノピラー間ギャップの領域における光強度分布である。一般に、ナノピラーアレイ構造に光が入射されると、ナノピラー間ギャップの領域に、定在波が発生する。ナノピラーの高さ方向をz方向とすると、定在波は、z=Z1、Z2、Z3...と、空間的に飛び飛びに発生する。ただし、ナノピラーの上面をz=0、ナノピラーの高さをH、ナノピラーと基板1との境界面をz=Hとすると、0<Z1<Z2<Z3<...<Hである。図13bにおいては、Z1=60nm、Z2=270nm、Z3=480nmである。ここで、z=Z1、Z2、...で発生する定在波を、第1の定在波、第2の定在波、...とそれぞれ呼ぶことにする。0<H<Z1のときは、定在波が存在せず、Z1<H<Z2のときには、第1の定在波のみが存在し、Z2<H<Z3のときには、第1の定在波と第2の定在波とが存在する。ナノピラーアレイ構造による反射防止を行うためには、少なくとも、第1の定在波が存在することが必要である。本実施例2の構造においては、図5に示すように、直径DD2かつ高さHH2のナノピラー32のナノピラー間ギャップ領域に、直径DD1かつ高さHH1のナノピラー31が形成される。その際、直径DD2かつ高さHH2のナノピラー32上の直径DD1かつ高さHH1のナノピラー31の上面をz=0、直径DD2かつ高さHH2のナノピラー32と基板1との境界面をz=HH1HH2、定在波の発生位置をz=Z1、Z2、Z3...とすると、上述の、少なくとも第1の定在波が存在するという条件を満たすには、Z1<HH2であることが必要である。従って、本実施例2の構造によって、実施例1と同様に、太陽光の幅広い波長域で反射防止の可能なナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルを実現するための条件をまとめると、本実施例2の構造を構成する、複数のナノピラーの間の高さの差が、少なくとも、当該のナノピラー間ギャップ領域に、第1の定在波が存在することができる程度に、大きい必要がある、ということになる。次に、本実施例2の構造の効果のうち、実施例1の構造よりも低い反射率を実現することができるという点について述べる。上述の通り、実施例1の構造の場合、図1においてD1=40nm、D2=120nm、H=200nm、G=40nmのSiナノピラーアレイ構造の平均反射率は11.5であった。これに対して、本実施例2の構造の場合、図5においてDD1=40nm、DD2=120nm、HH1=200nm、HH2=600nm、GG=40nmのSiナノピラーアレイ構造の平均反射率は7.1であった。すなわち、二種類の直径の値が同じであっても、実施例1の構造よりも、本実施例2の構造のほうが、平均反射率が低い。この理由は、ナノピラーアレイの単位構造に含まれる、ナノピラーの数の差に起因する。ナノピラーアレイの単位構造は、実施例1の構造の場合、図1における破線A1と破線B1との間の領域を指し、本実施例2の構造の場合、図5における破線A2と破線B2との間の領域を指す。これらの単位構造に含まれるナノピラーの数に注目すると、直径の大きいナノピラーは、実施例1、本実施例2、いずれの構造においても1本であるが、直径の小さいナノピラーは、実施例1の構造では1本のみであるのに対して、本実施例2の構造では3本である。上述の通り、ナノピラーアレイ構造においては、ナノピラー間ギャップに定在波が発生するため、ナノピラーの側部で顕著な光吸収が起こる。従って、ナノピラーの本数を増やすことは、吸収される光量の増加、すなわち外部へ反射される光量の低減をもたらすことで、反射防止効果を高めることにつながる。以上をまとめると、本実施例2の構造は、直径の異なる複数のナノピラーから構成されるという点では、実施例1の構造と差はないが、単位構造に含まれるナノピラーの本数を、実施例1の構造よりも増やすことによって、より低い反射率を実現することができる。本実施例2の構造の製造方法としては、実施例1の構造の製造方法と同様、基板1の平坦表面に対して、電子線描画などのリソグラフィーとエッチング、ナノインプリント、ナノ粒子をマスクにしたエッチングなどの加工を施す方法と、基板1の平坦表面上に、VLSVapor-Liquid-Solid法などにより、ナノピラーを成長させる方法とがある。本実施例2においては、高さの異なる複数のナノピラーを形成するために、例えば、リソグラフィーとエッチングを複数回にわたって実施するなどの方法をとる必要がある。上述の方法により、図5に示す構成のナノピラーを備えた太陽電池を製造した結果、良好な特性が得られた。以上、本実施例によれば、実施例と同一の効果を得ることができる。また、直径の大きなナノピラー上の周辺に小さいナノピラーの直径と同じ幅で、高さが小さいナノピラーの高さと同じリングを配置することにより、ナノピラーアレイ構造の単位構造を、実施例1の場合よりも低い反射率を実現することができる。第3の実施例について図7、図8、図15及び図16を用いて説明する。なお、実施例1又は2に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図7は、本発明の実施例3に係る太陽電池セルの表面構造および不純物層の断面図である。図7に示す構造は、実施例1に係る太陽電池セルの表面構造に対して、不純物層2を形成したものであり、n形半導体基板1とp形不純物層2とのpn接合の境界面が、面内にわたって平坦であることを特徴とする。本実施例では基板をn形、不純物層をp形としたが、基板をp形、不純物層をn形とすることもできる。なお、pin接合の場合は、pin接合の境界面が平坦である。また、後述する本実施例3の効果を得るために、ナノピラーの高さが500nm以下であることを特徴とする。また、図7には、太陽電池セルの表面構造が実施例1の構造である場合を示しているが、本実施例3の効果を得るには、太陽電池セルの表面構造は、実施例2の構造であってもよい。その場合、実施例2の構造における、高さの異なる複数のナノピラーのうち、少なくとも1つのナノピラーにおいて、基板1と不純物層2とのpn接合の境界面が平坦であり、かつ、少なくとも1つのナノピラーの高さが500nm以下であることを特徴とする。本実施例3によれば、表面にナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにおいて、不純物層2の横方向抵抗が、表面が平坦面の太陽電池セルの場合と同一であり、かつ、不純物層2で発生する光キャリア数が、表面が平坦面の太陽電池セルの場合の1~1.33倍の範囲内とすることができる。以下、これらの効果について説明する。不純物層2は、太陽電池セルのpn接合あるいはpin接合を構成する不純物層としての役割を担う。一般に、太陽電池セル内部では、光吸収により電子正孔対が発生し、その後、電子と正孔とが分離し、互いに異なる電極へと移動することで電力が発生する。それらの過程のうち、電子と正孔とが互いに異なる電極へと移動する際に、不純物層2がn型半導体の場合は電子が、不純物層2がp型半導体の場合は正孔が、それぞれ不純物層2の中を横方向に移動する。このときの、電子または正孔の横方向の移動に伴う電気抵抗を、不純物層2の横移動抵抗と呼ぶ。不純物層2の横移動抵抗は、太陽電池セルの直列抵抗の一部となる。太陽電池の特性低下を防ぐには、直列抵抗低減が必要であり、そのためには、不純物層2の横移動抵抗は低いほうが望ましい。不純物層2の横移動抵抗は、不純物層2の膜厚を増加させることにより、低減することができる。しかしながら、不純物層2の膜厚の増加は、不純物層2の中で発生して再結合する光キャリアの数の増加をもたらし、太陽電池セルの特性低下をもたらす。従って、不純物層2の横移動抵抗と、不純物層2で発生する光キャリア数とは、互いにトレードオフの関係にあり、その中で、太陽電池の特性を最適化するように、不純物層2の膜厚を設定する必要がある。表面にナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにおける不純物層2の形状は、以下の二通りである。一つは、図7に示す、本実施例3の構造であり、もう一つは、図8に示す構造である。以下、図8に示す太陽電池セルの構造を、本実施例3の他の太陽電池セルの構造と呼ぶ。他の太陽電池セルの構造は、実施例1に係る太陽電池セルの表面構造に対して、p形不純物を等方拡散することによりp形不純物層2を形成したものであり、n形基板1とp形不純物層2とのpn接合の境界面が、ナノピラーアレイ構造の表面形状に沿って形成されることを特徴とする。図7に示す太陽電池セルの構造と、図8に示す他の太陽電池セルの構造とは、ナノピラーが存在しない領域の不純物層2の膜厚は等しい。以下、図7に示す太陽電池セルの構造において、ナノピラーが存在しない領域の不純物層2の膜厚をLDと記す。図7に示す太陽電池セルの構造と、図8に示す他の太陽電池セルの構造との違いは、ナノピラー内部の不純物層2の形状である。図7に示す太陽電池セルの構造では、不純物層2は、ナノピラー全体を包含し、さらに、ナノピラー下部の領域に、深さLDにわたって形成される。一方、図8に示す他の太陽電池セルの構造では、不純物層2は、ナノピラーアレイ構造の表面形状に沿って、深さLDにわたって形成され、ナノピラー内部には、不純物層2以外の領域が存在する。なお、図7に示す太陽電池セルの構造は、不純物層2の膜厚LDの値によらず実現可能であるが、図8に示す他の太陽電池セルの構造は、LD<D/2、かつ、LD<Hの場合にのみ実現可能である。図7に示す太陽電池セルの構造と、図8に示す他の太陽電池セルの構造における、不純物層2の横移動抵抗と、不純物層2で発生する光キャリア数とが、表面が平坦面の太陽電池セル構造の場合に比べて、どう変化するかを述べる。ここで、表面が平坦面の太陽電池セルにおいては、面内にわたって、深さLDの不純物層2が形成されているものとする。上述の通り、図7に示す太陽電池セルの構造では、基板1と不純物層2とのpn接合の境界面が、面内にわたって平坦となるため、電子または正孔が不純物層2の中を横方向に移動する際の移動距離、すなわち、不純物層2の横移動抵抗は、表面が平坦面の太陽電池セルの場合と同一となる。一方で、不純物層2の膜厚は、ナノピラーの存在しない領域ではLD、ナノピラーの存在する領域ではHLDとなる。このうち、ナノピラーの存在する領域においては、表面が平坦面の太陽電池セルと比べて、不純物層2の膜厚が増加し、従って、不純物層2で発生する光キャリア数が増加する。一方、図8に示す他の太陽電池セルの構造では、不純物層2は、ナノピラーアレイ構造の表面形状に沿って、深さLDにわたって存在する。この結果、電子または正孔が不純物層2の中を横方向に移動する際の移動距離は、表面が平坦面の太陽電池セルの場合に比べて長い。このため、不純物層2の横移動抵抗が、表面が平坦面の太陽電池セルの場合に比べて高くなる。一方で、不純物層2の、ナノピラーアレイ構造表面からの厚さは、面内のいたるところでLDである。このため、不純物層2で発生する光キャリア数は、図7に示す太陽電池セルの構造の場合と比べて少ない。但し、図9に示したような、太陽光の入射方向を仮定すると、ナノピラーの側壁部に形成された不純物層2は、ナノピラーの高さHの膜厚に相当することになる。上述の通り、図8に示す他の太陽電池セルの構造ではLD<Hであるので、ナノピラーの側壁部に形成された不純物層2の膜厚がHに相当するということは、ナノピラーの側壁部が、面内の他の領域よりも厚い不純物層であるということを意味する。従って、図8に示す他の太陽電池セルの構造では、不純物層2で発生する光キャリア数は、表面が平坦面の太陽電池セルの場合と同一ではなく、より大きな値となる。以上で述べたことを定量化する。ナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにおける不純物層2の横移動抵抗と、不純物層2で発生する光キャリア数とを、それぞれR、Nとし、表面が平坦面の太陽電池セルにおける不純物層2の横移動抵抗と、不純物層2で発生する光キャリア数とを、それぞれR0、N0とする。2次元モデルを仮定してR/R0とN/N0とを計算した結果を図14と図15とにそれぞれ示す。いずれの図においても、実線は、図7に示す太陽電池セルの構造の場合に、破線は、図8に示す他の太陽電池セルの構造の場合に、それぞれ相当する。上述の通り、図7に示す太陽電池セルの構造の場合においては、図8に示す他の太陽電池セルの構造の場合に比べて、R/R0は小さく、N/N0は大きい。R/R0とN/N0はいずれもナノピラーアレイ構造の寸法パラメータに依存する。具体的には、H/D、つまりナノピラーのアスペクト比が大きいほどR/R0は大きく、Hが大きいほどN/N0は大きい。ここでDはナノピラーの直径であり、図7に示す太陽電池セルや図8に示す他の太陽電池セルの構造のように、直径の異なる複数のナノピラーから構成されるナノピラーアレイを有する太陽電池セルにおいては、D1でもD2でもあり得る。図14から、図7に示す太陽電池セルの構造は、ナノピラーのアスペクト比によらずR/R0=1であり、上述の通り、表面が平坦面の太陽電池セルの場合と比べて、不純物層2の横移動抵抗は増加しない。また、上述の通り、図7に示す太陽電池セルの構造は、ナノピラーの高さHが500nm以下であることを特徴とするため、図15から、1<N/N0<1.33である。すなわち、不純物層2で発生する光キャリア数が、表面が平坦面の太陽電池セルの場合の1~1.33倍の範囲内とすることができる。このように、表面にナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにおいても、図7に示す太陽電池セルの構造を用いることで、表面が平坦面の太陽電池セルの場合と比べて、不純物層2の横移動抵抗と、不純物層2で発生する光キャリア数とに起因する太陽電池特性低下を、最小限に抑制することが可能である。図8に示す他の太陽電池セルにおいても、図15から、従来に比し光キャリア数が多い。但し、図14から横移動抵抗がH/Dに依存する。そこでこの値を小さくする構成とすることにより、図8に示す他の太陽電池セルにおいても、特性の向上が可能である。また、太陽電池セルにおいては、不純物層2の表面にパッシベーション膜を形成するのが通常である。パッシベーション膜の主な役割はダングリングボンドの終端であるが、それに加えて、パッシベーション膜に含まれる固定電荷が、不純物層2の中の少数キャリアにクーロン力を及ぼすことで界面再結合を抑制するという、いわゆる電界効果パッシベーションが、近年、活発に研究されている。表面にナノピラーアレイ構造を有する太陽電池セルにおいては、電界効果パッシベーションの及ぶ距離が、ナノピラーの直径と同等またはそれ以上になるように、固定電荷量を設定することで、表面が平坦面の太陽電池セルの場合に比べて、より効果的な電界効果パッシベーションを実現することができる。不純物層2の形成方法としては、イオン注入、気相拡散法、固相拡散法などの不純物拡散法と、CVD法、スパッタ法、エピタキシー法、蒸着法などの成膜法とがある。前者の方法によれば、不純物層2の材料と基板1の材料とは同一であるが、後者の方法によれば、不純物層2の材料と基板1の材料とは同一でも、異なっていてもよい。図7に示す太陽電池セルの構造を形成する場合には、まず不純物層2を形成し、その後、ナノピラーアレイ構造を、実施例1で述べた加工法により形成するのが望ましい。なお、図8に示す他の太陽電池セルの構造を形成する場合には、まずナノピラーアレイ構造を形成し、その後、不純物層2を不純物拡散法により形成するのが望ましい。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。