"第1主面側が光反射面となっている絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と第2主面とを導通させる導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記導電部と接続する導電部用導体パターンと、を有し、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分が、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載される発光素子とワイヤボンディング接続可能に構成されていることを特徴とする発光素子搭載用配線基板。前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通し、前記発光素子を収容可能に構成される収容穴と、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出するように前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、露出部分に前記発光素子を搭載可能に構成される搭載用導体パターンと、を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用配線基板。前記光反射面の光の全反射率は、波長が450nmの光に対して80以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子搭載用配線基板。前記光反射面は、略白色であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板。前記絶縁基板は、前記絶縁基板の前記第2主面側に配置される基材と、前記絶縁基板の前記第1主面側に配置され、前記絶縁基板の前記光反射面を構成する白色絶縁材と、を有することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板。前記基材は、厚さが4μm以上75μm以下の、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂からなり、前記絶縁基板は、曲率半径が50mm以下に折り曲げ可能であることを特徴とする請求項5に記載の発光素子搭載用配線基板。前記収容穴の側壁面には、反射塗膜が形成されていることを特徴とする請求項2~6のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板。前記搭載用導体パターンの前記収容穴から露出した部分及び前記導電部の前記第1主面側に露出した部分には、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫のいずれかの元素を含むメッキが施されていることを特徴とする請求項2~7のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板。第1主面側が光反射面となっている絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と第2主面とを導通させる導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記導電部と接続する導電部用導体パターンと、を有する発光素子搭載用配線基板を備え、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分には、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載された発光素子がワイヤボンディング接続されていることを特徴とする発光装置。前記発光素子搭載用配線基板は、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通し、前記発光素子が収容された収容穴と、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出するように前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、露出部分に前記発光素子が搭載された搭載用導体パターンと、を有し、前記発光素子は、封止材により前記収容穴内に封止されていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。前記搭載用導体パターンに搭載された前記発光素子は、前記導電部にワイヤボンディング接続されると共に、前記搭載用導体パターンにダイボンディング接続されていることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。前記発光素子搭載用配線基板は、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と前記第2主面とを導通させる他の導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記他の導電部と接続する他の導電部用導体パターンと、を有し、前記搭載用導体パターンに搭載された前記発光素子は、前記導電部にワイヤボンディング接続されると共に、前記他の導電部の前記第1主面側に露出した部分に、ワイヤボンディング接続されていることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。第1主面側が光反射面となっている絶縁基板に、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記絶縁基板の第2主面上に、前記貫通孔を覆うように導体層を形成する導体層形成工程と、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記貫通孔内に導電材を充填し、前記絶縁基板の前記第1主面と前記第2主面とを導通させる導電部を形成する導電部形成工程と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成した前記導体層をエッチングして、前記導電部と接続する導電部用導体パターンを形成するエッチング工程と、を有し、前記導電部形成工程では、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分を、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載される発光素子とワイヤボンディング接続可能に構成することを特徴とする発光素子搭載用配線基板の製造方法。前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通させ、前記発光素子を収容可能に構成される収容穴を前記絶縁基板に形成する収容穴形成工程を有し、前記エッチング工程では、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成した前記導体層をエッチングして、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出し、露出部分に前記発光素子を搭載可能なように搭載用導体パターンを形成し、前記収容穴形成工程は、少なくとも前記導電部形成工程よりも後に行うことを特徴とする請求項13に記載の発光素子搭載用配線基板の製造方法。しかしながら、上述のようなAgメッキは、メッキ加工時におけるムラや色調などの外観の管理が難しく、また、発光装置の製造後においても硫化などにより変色し、発光素子搭載面側からの光の反射量が低下し易いという欠点がある。本発明の目的は、絶縁基板の発光素子搭載面側からの光の反射量を高め、良好な反射特性を有する発光素子搭載用配線基板、発光装置および発光素子搭載用配線基板の製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様によれば、第1主面側が光反射面となっている絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と第2主面とを導通させる導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記導電部と接続する導電部用導体パターンと、を有し、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分が、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載される発光素子とワイヤボンディング接続可能に構成されている発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第2の態様によれば、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通し、前記発光素子を収容可能に構成される収容穴と、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出するように前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、露出部分に前記発光素子を搭載可能に構成される搭載用導体パターンと、を有する第1の態様に記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第3の態様によれば、前記光反射面の光の全反射率は、波長が450nmの光に対して80以上である第1又は第2の態様に記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第4の態様によれば、前記光反射面は、略白色である第1~第3の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第5の態様によれば、前記絶縁基板は、前記絶縁基板の前記第2主面側に配置される基材と、前記絶縁基板の前記第1主面側に配置され、前記絶縁基板の前記光反射面を構成する白色絶縁材と、を有する第1~第4の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第6の態様によれば、前記基材は、厚さが4μm以上75μm以下の、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂からなり、前記絶縁基板は、曲率半径が50mm以下に折り曲げ可能である第5の態様に記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第7の態様によれば、前記収容穴の側壁面には、反射塗膜が形成されている第2~第6の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第8の態様によれば、前記搭載用導体パターンの前記収容穴から露出した部分及び前記導電部の前記第1主面側に露出した部分には、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫のいずれかの元素を含むメッキが施されている第2~第7の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用配線基板が提供される。本発明の第9の態様によれば、第1主面側が光反射面となっている絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と第2主面とを導通させる導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記導電部と接続する導電部用導体パターンと、を有する発光素子搭載用配線基板を備え、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分には、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載された発光素子がワイヤボンディング接続されている発光装置が提供される。本発明の第10の態様によれば、前記発光素子搭載用配線基板は、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通し、前記発光素子が収容された収容穴と、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出するように前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、露出部分に前記発光素子が搭載された搭載用導体パターンと、を有し、前記発光素子は、封止材により前記収容穴内に封止されている第9の態様に記載の発光装置が提供される。本発明の第11の態様によれば、前記搭載用導体パターンに搭載された前記発光素子は、前記導電部にワイヤボンディング接続されると共に、前記搭載用導体パターンにダイボンディング接続されている第10の態様に記載の発光装置が提供される。本発明の第12の態様によれば、前記発光素子搭載用配線基板は、前記絶縁基板を貫通するように形成され、前記絶縁基板の前記第1主面と前記第2主面とを導通させる他の導電部と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成され、前記他の導電部と接続する他の導電部用導体パターンと、を有し、前記搭載用導体パターンに搭載された前記発光素子は、前記導電部にワイヤボンディング接続されると共に、前記他の導電部の前記第1主面側に露出した部分に、ワイヤボンディング接続されている第10の態様に記載の発光装置が提供される。本発明の第13の態様によれば、第1主面側が光反射面となっている絶縁基板に、貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記絶縁基板の第2主面上に、前記貫通孔を覆うように導体層を形成する導体層形成工程と、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記貫通孔内に導電材を充填し、前記絶縁基板の前記第1主面と前記第2主面とを導通させる導電部を形成する導電部形成工程と、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成した前記導体層をエッチングして、前記導電部と接続する導電部用導体パターンを形成するエッチング工程と、を有し、前記導電部形成工程では、前記導電部の前記第1主面側に露出した部分を、前記絶縁基板の前記第1主面側から外部に向けて光を発するように搭載される発光素子とワイヤボンディング接続可能に構成する発光素子搭載用配線基板の製造方法が提供される。本発明の第14の態様によれば、前記絶縁基板の前記第1主面側から前記第2主面側に向かって内径が小さくなるように前記絶縁基板を貫通させ、前記発光素子を収容可能に構成される収容穴を前記絶縁基板に形成する収容穴形成工程を有し、前記エッチング工程では、前記絶縁基板の前記第2主面上に形成した前記導体層をエッチングして、前記収容穴から前記第1主面側へ向かって一部が露出し、露出部分に前記発光素子を搭載可能なように搭載用導体パターンを形成し、前記収容穴形成工程は、少なくとも前記導電部形成工程よりも後に行う第13の態様に記載の発光素子搭載用配線基板の製造方法が提供される。本発明によれば、絶縁基板の発光素子搭載面側からの光の反射量を高め、良好な反射特性とすることが可能となる。<本発明の第1実施形態>1発光素子搭載用配線基板の構造まずは、本発明の第1実施形態に係る発光素子搭載用配線基板の構造について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る発光素子搭載用配線基板の一部を示す図であって、aは発光素子搭載用配線基板の第1主面側の上面図であり、bは発光素子搭載用配線基板の第2主面側の上面図であり、cはaのA-A断面図である。図1aに示すように、発光素子搭載用配線基板は、例えば450nm付近にピーク波長を有する発光素子としての青色LEDチップ100を、絶縁基板10の第1主面10a側に搭載可能に構成されている。具体的には、発光素子搭載用配線基板は、図1cに示すように、第1主面10a側が光反射面12aとなっている絶縁基板10を有する。すなわち、絶縁基板10は、例えば第2主面10b側に配置される基材11と、第1主面10a側に配置され、絶縁基板10の光反射面12aを構成する白色絶縁材12とを有している。また、絶縁基板10は、第2主面10b側、つまり、基材11の白色絶縁材12とは反対側の面上に、接着材13を有している。基材11は、可撓性を有する樹脂、例えば厚さが4μm以上75μm以下の、ポリイミドPI、ポリアミドイミドPAI、ポリエチレンナフタレートPEN、エポキシ、アラミド等のいずれかの樹脂からなり、絶縁基板10は、例えば曲率半径が50mm以下に折り曲げ可能に構成されている。白色絶縁材12は、例えば後に搭載される青色LEDチップ100のピーク波長と略同一の、波長が450nmの光に対して80以上の全反射率を有する白色系の反射塗膜等である。ここで、全反射率とは、正反射率鏡面反射率と拡散反射率様々な方向に反射された光の反射率との合計である。接着材13は、例えば熱硬化性のエポキシ系接着材等であり、TABTapeAutomatedBondingテープ用又はフレキシブル配線基板用の接着材や、カバーレイ用接着材等を用いることができる。このように、青色LEDチップ100が搭載される第1主面10a側に光反射面12aを設けたので、青色LEDチップ100から発せられ、乱反射した光等を、効率よく第1主面10a側から外部に向けて反射させることができる。また、発光素子搭載用配線基板は、絶縁基板10を貫通するように形成され、絶縁基板10の第1主面10aと第2主面10bとを導通させる導電部20vを有している。導電部20vは、例えば電気メッキ等で形成された銅Cuメッキ等の導電材からなる。図1cに示すように、導電部20vの、絶縁基板10の第1主面10a側に露出した部分は、例えば絶縁基板10の第1主面10aと高さを揃えて形成されている。導電部20vの第1主面10a側に露出した部分は、後に搭載される青色LEDチップ100が有する図示しない表面電極等と、ワイヤ110によりワイヤボンディング接続可能に構成されている。また、発光素子搭載用配線基板は、絶縁基板10の第1主面10a側から第2主面10b側に向かって内径が小さくなるように絶縁基板10を貫通し、青色LEDチップ100を収容可能に構成される収容穴50hを有する。すなわち、収容穴50hは、例えばテーパ形状を有し、導電部20vにワイヤボンディング接続される青色LEDチップ100を収容穴50h内に収容可能に構成されている。収容穴50hのテーパ角、すなわち、絶縁基板10の第2主面10bと収容穴50hの側壁面50wとに挟まれる角度は、例えば90°未満となっている。また、収容穴50hの側壁面50wには、反射塗膜52が形成されている。反射塗膜52は、白色系の樹脂等であり、例えばエポキシ、アクリル、シリコーン等のいずれかの樹脂を含む熱硬化型の白色系ソルダレジスト等を用いることができる。このように、青色LEDチップ100が収容可能に構成される収容穴50hをテーパ形状とし、光の反射量の少ない基材11や接着材13で構成される側壁面50wに反射塗膜52を形成したので、青色LEDチップ100から横方向或いは下方へと発せられた光等を、いっそう効率よく第1主面10a側から外部に向けて反射させることができる。また、発光素子搭載用配線基板は、絶縁基板10の第2主面10b上に形成され、導電部20vと接続する導電部用導体パターン31pを有する。また、発光素子搭載用配線基板は、収容穴50hから第1主面10a側へ向かって一部が露出するように絶縁基板10の第2主面10b上に形成され、露出部分に青色LEDチップ100を搭載可能に構成される搭載用導体パターン32pを有する。具体的には、導電部用導体パターン31p及び搭載用導体パターン32pは、例えば18μm以上70μm以下の厚さで、絶縁基板10の第2主面10b上に形成されている。導電部用導体パターン31pは、導電部20bと接続され、例えば後に搭載される青色LEDチップ100に電力を供給する配線として構成されている。搭載用導体パターン32pは、収容穴50hから露出した部分に青色LEDチップ100を搭載し、青色LEDチップ100が有する図示しない裏面電極等とダイボンディング接続可能な配線として構成されている。また、搭載用導体パターン32pは、青色LEDチップ100の駆動時に生じる熱を放散させる機能を有する。これにより、放熱特性に優れた発光素子搭載用配線基板とすることができる。図1bに、導電部20bの導電部用導体パターン31pとの接続位置、及び青色LEDチップ100の搭載用導体パターン32pへの搭載位置を、それぞれ破線にて示す。また、少なくとも搭載用導体パターン32pの収容穴50hから露出した部分、および導電部20vの上面、つまり、第1主面10a側に露出した部分には、例えば金Au、銀Ag、パラジウムPd、ニッケルNi、錫Sn等のいずれかの元素を含む図示しないメッキが施されている。また、好ましくは、導電部用導体パターン31p及び搭載用導体パターン32pの上記以外の露出した表面の略全面にも、係るメッキが施されている。このように、本実施形態では、青色LEDチップ100が搭載される第1主面10a側には、主に導電部20vの上面を露出させるのみとし、青色LEDチップ100の搭載面とは反対側の第2主面10b上に、導体パターン31p,32pを設けている。これにより、光反射面12aでの光の反射が導体パターン31p,32pにより妨げられることを抑制することができる。また、第1主面10a側に露出させる導電部20vの直径を、青色LEDチップ100とワイヤボンディング接続可能な程度に調整することで、導電部20vの露出面積を低減させることができる。したがって、搭載面に設けた光反射面12aの露出面積を大きくとることができる。以上により、青色LEDチップ100の搭載面である第1主面10a側からの光の反射量を高め、良好な反射特性とすることができる。また、絶縁基板の表面及び裏面に配線パターンが形成された、上述の従来例に係る発光装置のように、発光素子搭載用配線基板を両面配線基板とする場合に比べ、本実施形態に係る発光素子搭載用配線基板は、片面配線基板として構成されており、低コスト化を図るうえで有利である。また、本実施形態では、第1主面10a側への導体パターン31p,32pや導電部20vの露出面積を抑えつつ、少なくとも第1主面10a側に露出した搭載用導体パターン32pや導電部20vにはメッキを施して、反射量をさらに高めている。特に、搭載用導体パターン32pの露出部分にメッキを施すことで、青色LEDチップ100から下方へと発せられた光等を、いっそう効率よく第1主面10a側から外部に向けて反射させることができる。2発光装置の構造次に、本発明の第1実施形態に係る発光装置の構造について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係る発光装置の一部を示す図であって、図1aのA-A断面と同方向側の断面図である。図2に示すように、発光装置は、図1の発光素子搭載用配線基板に、例えば450nm付近にピーク波長を有する発光素子としての青色LEDチップ100が搭載されたLEDモジュールとして構成されている。具体的には、導電部20vの、絶縁基板10の第1主面10a側に露出した部分には、青色LEDチップ100の図示しない表面電極等が、ワイヤ110によりワイヤボンディング接続されている。また、導電部20vに接続され、収容穴50hに収容された青色LEDチップ100は、搭載用導体パターン32pの露出部分に搭載され、封止材120により収容穴50h内に封止されている。また、搭載用導体パターン32pに搭載された青色LEDチップ100の図示しない裏面電極等は、例えば導電性材料としての銀Agペースト105を介して、搭載用導体パターン32pにダイボンディング接続されている。封止材120は、例えば蛍光体樹脂121及びパッケージ封止樹脂122から構成される。蛍光体樹脂121には、ピーク波長を450nm付近とする青色LEDチップ100が発する青色光を、白色光に波長変換する蛍光体が混入されている。これにより、青色LEDチップ100は、搭載面である絶縁基板10の第1主面10a側から外部に向けて白色光を発するように構成されている。なお、封止材120は、1つの収容穴50hごとに設けられていてもよく、複数の収容穴50hごとに設けられていてもよい。また、蛍光体樹脂とパッケージ封止樹脂とを兼用する封止材を用いることも可能である。なお、本実施形態に係る発光装置を、青色LEDチップ100が搭載された収容穴50hを1個又は複数個含むように発光素子搭載用配線基板を個片化したLEDパッケージとすることも可能である。3発光素子搭載用配線基板の製造方法次に、本発明の第1実施形態に係る発光素子搭載用配線基板の製造方法について、図3を用いて説明する。図3は、本実施形態に係る発光素子搭載用配線基板の製造方法の各工程を、図1aのA-A断面と同方向側の断面図で示す工程図である。以下に説明する発光素子搭載用配線基板の製造工程には、例えばTABテープ向けの製造工程が適用される。貫通孔形成工程まず、図3aに示すように、第2主面10b側に配置される基材11と、第1主面10a側に配置され、絶縁基板10の光反射面12aを構成する白色絶縁材12とを有する絶縁基板10を用意する。また、絶縁基板10は、第2主面10b側、つまり、基材11の白色絶縁材12とは反対側の面上に、接着材13を有している。このような絶縁基板10は、例えば白色系反射塗膜等の白色絶縁材12を基材11にコートし、接着材13をラミネート加工又は塗工して製造することができる。より具体的には、絶縁基板10として、三井化学製や東洋紡製の白色コートされたポリイミドフィルム等が使用可能である。このような市販品は、例えばTABテープの製造工程を流用できるよう、ロール形態での作業が可能な幅に裁断スリットして用いることができる。また、接着材13としては、巴川製紙所、東レ、有沢製作所等の各メーカーの製品を用いてもよい。次に、図3bに示すように、第1主面10a側が光反射面12aとなっている絶縁基板10に、貫通孔20hを形成する。貫通孔20hには、後に導電材が充填されて導電部20vが形成される。係る貫通孔20hは、例えばプレス加工等で形成することができ、その際に貫通孔20hの開口径を調整することで、後に形成される導電部20vの第1主面10a側の露出面積を調整することができる。なお、貫通孔20hを形成する際、絶縁基板10の搬送用のスプロケットホールやアライメント用ホールいずれも図示せずを共に形成してもよい。導体層形成工程次に、図3cに示すように、絶縁基板10の第2主面10b上に、貫通孔20hを覆うように導体層としての銅箔30を形成する。このとき、例えば厚さが18μm以上70μm以下の銅箔30を使用し、例えば常圧又は減圧環境下のロールラミネータを用いたラミネート等により絶縁基板10に貼り合せることができる。ラミネート終了後、例えば150°C以上の温度で接着材13のポストキュアを行う。ラミネートやポストキュアの条件は、接着材メーカーの推奨値を基準に選定可能である。なお、接着材を用いず、熱圧着により銅箔30を貼り合せたり、導電材を直接的に絶縁基板に成膜したりして、導体層を形成してもよい。導電部形成工程続いて、図3dに示すように、絶縁基板10の第1主面10a側から貫通孔20hに銅Cuなどの導電材を充填し、絶縁基板10の第1主面10aと第2主面10bとを導通させる導電部20vを形成する。導電部20vを構成する導電材は、例えば電気銅メッキ等で貫通孔20h内に埋め込みメッキする。この際、第2主面10b側の銅箔30の表面を、図示しないメッキ用マスキングテープ等でマスキングする。絶縁基板10の第1主面10a側の導電部20vの高さは、例えばメッキ時間等のメッキ条件によって調整することができ、図3dに示すように、例えば絶縁基板10の第1主面10aと高さを揃えて形成することができる。これにより、導電部20vの第1主面10a側に露出した部分を、後に搭載される青色LEDチップ100図1aを参照とワイヤボンディング接続可能に構成する。なお、埋め込みメッキの具体的な手法については、例えば特開2003-124264号公報などに開示される手法を用いることができる。また、電気銅メッキには、例えばエバラユージライト製やアトテック製の銅メッキ液を使用することができ、銅メッキ液の使用方法についても、メーカーからの推奨値を基準とすることができる。電気銅メッキ終了後、銅箔30から図示しないマスキングテープを剥離する。エッチング工程次に、図3eに示すように、絶縁基板10の第2主面10b上に形成した導体層30の上に、例えばエッチング用レジストを塗工し、露光現像してレジストパターン40pを形成する。このとき、エッチング用レジストの代わりにドライフィルム等を用いてもよい。続いて、図3fに示すように、レジストパターン40pをマスクとして、絶縁基板10の第2主面10b上に形成した導体層30をエッチングして、導電部20vと接続する導電部用導体パターン31pを形成する。また、後に形成される収容穴50hから第1主面10a側へ向かって一部が露出する位置に、搭載用導体パターン32pを形成する。この際、第1主面10a上に図示しないマスキングテープ等を貼付し、導電部20vの第1主面10a側の上面をマスキングする。或いは、導電部20vの上面に裏止め材を塗工してもよい。エッチング終了後、レジストパターン40p及びマスキングテープを剥離する。収容穴形成工程次に、図3gに示すように、絶縁基板10の第1主面10a側から第2主面10b側に向かって内径が小さくなるように絶縁基板10を貫通させ、青色LEDチップ100を収容可能に構成される収容穴50hを絶縁基板10に形成する。収容穴50hのこのようなテーパ形状は、例えばレーザ加工により絶縁基板10を貫通させることで得られる。レーザ加工を用いることで、収容穴50hのテーパ角を例えば90°未満とするなど、テーパ形状の制御が容易となる。また、レーザ加工後はスミア除去を行うことが好ましい。このように収容穴50hを形成することで、搭載用導体パターン32pの一部が収容穴50hから第1主面10a側へ向かって露出し、露出部分に青色LEDチップ100を搭載可能となる。また、収容穴形成工程を、少なくとも導電部形成工程よりも後に行うことで、形成した収容穴50hに導電材が充填されてしまうことがない。反射塗膜形成工程次に、図3hに示すように、収容穴50の側壁面50wに反射塗膜52を形成する。すなわち、熱硬化型の白色系ソルダレジスト等から構成される反射塗膜52を、例えばスクリーン印刷等により、収容穴50hの側壁面50w上方の開口部付近をドーナツ状に取り巻くように塗布する。側壁面50w上方に塗布された反射塗膜52は、自重により側壁面50hに沿って収容穴50hの穴底へ向かって流れ込むことで側壁面50hに塗工される。このとき、収容穴50hの穴底が反射塗膜52によって塞がれてしまうことのないよう、反射塗膜52の塗布量を調整する。その後、反射塗膜52を加熱して、熱により硬化させる。メッキ形成工程次に、少なくとも搭載用導体パターン32pの収容穴50hから露出した部分及び導電部20vの第1主面10a側に露出した部分に、メッキを施す図示せず。好ましくは、導電部用導体パターン31p及び搭載用導体パターン32pの上記以外の露出した表面の略全面にも、係るメッキを施す。なお、メッキ形成工程を、反射塗膜形成工程の前に実施してもよい。以上により、本実施形態に係る発光素子搭載用配線基板が形成される。4発光装置の製造方法次に、本発明の第1実施形態に係る発光装置の製造方法について、図1を参照して説明する。ダイボンディング工程まずは、例えば450nm付近にピーク波長を有する発光素子としての青色LEDチップ100を、ウエハリング又はウエハトレイに搭載された、ウエハダイシング後の状態で用意する。この青色LEDチップ100を、LED用ダイボンダ等を用い、例えば銀Agペースト105等を介して搭載用導体パターン32pの露出部分にダイボンディングする。その後、銀Agペースト105等のダイボンディング材を、例えばダイボンディング材メーカーの推奨値にしたがい、150°Cで1時間ほど加熱キュアする。クリーニング工程上記のように、ダイボンディング材を加熱キュアすると、発生したデガスにより、青色LEDチップ100の備える図示しない表面電極等のボンディングパッドが汚染される場合がある。そこで、例えば減圧環境下で、アルゴンArガス及び酸素O2ガス等の混合ガスを用いて、汚染されたボンディングパッド等のプラズマクリーニングを行う。ワイヤボンディング工程次に、LED用ワイヤボンダ等を用い、導電部20vの、絶縁基板10の第1主面10a側に露出した部分に、青色LEDチップ100をワイヤボンディング接続する。具体的には、青色LEDチップ100が備える図示しない表面電極上に、ワイヤでバンプを形成する。次に、発光素子搭載用配線基板の導電部20vに、第1ボンディングを行う。さらに、青色LEDチップ100のバンプに第2ボンディングを行う。これにより、温度サイクル試験の耐性が高い、ワイヤボンディング接続を得ることができる。封止工程続いて、青色LEDチップ100を、封止材120により収容穴50h内に封止する。つまり、まずは、収容穴50h内に蛍光体樹脂121を塗工する。収容穴50h内に蛍光体樹脂121を塗工することで、蛍光体樹脂121の流れ出しを抑制することができ、また、塗工膜厚の制御が容易となる。次に、パッケージ封止樹脂122を、収容穴50h上及び収容穴50h周囲の絶縁基板10の第1主面10a上に塗工する。このとき、パッケージ封止樹脂122の流れ出しを抑制するため、例えば図示しない白色系樹脂等を、予め、パッケージ封止樹脂122の塗工領域を囲むように塗工しておいてもよい。具体的には、白色シリコーン樹脂等を、ディスペンサなどを用いて収容穴50hの周囲に枠を描くように吐出する。この枠内にパッケージ封止樹脂122を塗工することで、パッケージ封止樹脂122の流れ出しを抑制することができる。また、所定の反射率を有する白色系樹脂を所定形状に設けることで、白色系樹脂を青色LEDチップ100から発せられた光を反射させる白色系反射塗膜としても機能させることができる。以上により、LEDモジュールとして構成される本実施形態に係る発光装置が形成される。なお、発光装置が備える発光素子搭載用配線基板を、青色LEDチップ100が収容された収容穴50hを1個又は複数個含むように、ダイサやビグ刃を用いて個片化することで、LEDパッケージが得られる。<本発明の第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置及び発光装置が有する発光素子搭載用配線基板について説明する。本実施形態に係る発光装置においては、電極2つが共に片面に形成された発光素子が搭載されている点が、上述の実施形態とは異なる。以下の説明に用いる図4においては、上述の実施形態と同様の機能を有する同様の構成には同一の符号を付して、以下の説明を省略する。図4は、本実施形態に係る発光装置の一部を示す断面図である。1発光素子搭載用配線基板の構造図4に示すように、本実施形態に係る発光装置が備える発光素子搭載用配線基板は、絶縁基板10を貫通するように形成され、絶縁基板10の第1主面10aと第2主面10bとを導通させる導電部221v及び他の導電部222vを有する。導電部221v,222vの第1主面10a側は、例えば450nm付近にピーク波長を有する発光素子としての青色LEDチップ200が有する図示しない2つの電極等と、ワイヤ211,212により、それぞれワイヤボンディング接続可能に構成されている。また、発光素子搭載用配線基板は、絶縁基板10の第2主面10b上に形成され、導電部221v,222vとそれぞれ接続する導電部用導体パターン231p及び他の導電部用導体パターン233pを有する。導電部用導体パターン231p,233pは、導電部221v,222vを介して、青色LEDチップ200の2つの電極間に電圧を印加する配線として構成されている。また、発光素子搭載用配線基板は、収容穴50hから第1主面10a側へ向かって一部が露出するように絶縁基板10の第2主面10b上に形成され、露出部分に青色LEDチップ200を搭載可能に構成される搭載用導体パターン232pを有する。搭載用導体パターン232pは、青色LEDチップ200と電気的な導通を有している必要はなく、専ら青色LEDチップ200を搭載し、また、露出部分に施されたAgメッキ等図示せずにより青色LEDチップ200からの光を反射させる働きを有する。上記の発光素子搭載用配線基板は、上述の実施形態と同様の製造方法を用い、導電部形成工程にて導電部221v,222vを共に形成し、エッチング工程にて導電部用導体パターン231p,233pを共に形成することで製造することができる。2発光装置の構造また、図4に示すように、本実施形態に係る発光装置は、上記の発光素子搭載用配線基板に青色LEDチップ200が搭載されたLEDモジュールとして構成されている。具体的には、収容穴50hに収容され、搭載用導体パターン232pに搭載された青色LEDチップ200の図示しない2つ電極のうちの1つが、導電部221vの第1主面10a側と、ワイヤ211によりワイヤボンディング接続されると共に、青色LEDチップ200のもう1つの電極が、他の導電部222vの、絶縁基板10の第1主面10a側に露出した部分と、ワイヤ212によりワイヤボンディング接続されている。上記の発光装置は、上述の実施形態と同様のワイヤボンディング工程において、導電部221v,222vを、それぞれ青色LEDチップ200とワイヤボンディング接続することで製造することができる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態においては、絶縁基板10は、基材11と白色絶縁材12とを有することとしたが、絶縁基板は、絶縁基板の光反射面を構成する白色の基材を有することとしてもよい。この場合、基材自体が光を反射させる機能を有するので、別途、白色絶縁材を設ける必要がない。また、この場合、収容穴50hの側壁面50wに設ける反射塗膜を廃してもよい。このような、反射率の高い絶縁基板の具体例を挙げると、接着材を塗工した有沢製作所製の白色カバーレイ等がある。また、上述の実施形態においては、収容穴50hの側壁面50wに形成される反射塗膜52には、熱硬化型の白色系ソルダレジストを用いることとしたが、例えば光反応型の白色系ソルダレジスト等を用いることもできる。この場合、例えばフォトリソグラフィ方式により、所定位置、つまり、側壁面50wに塗工された反射塗膜を形成することができる。また、上述の実施形態においては、絶縁基板10の第1主面10aや、収容穴50hの側壁面50wに白色系材料を設けることとしたが、材料はこれに限られない。白色系材料を用いた場合、有機系無機系によらず光や熱による劣化が起こり、徐々にではあるが、反射量が次第に低下していくおそれがある。発光効率の経時変化に対して非常にシビアであるなど、発光装置に対する要求仕様によっては、例えば上記材料に黒色系材料を使用し、当初より反射量を抑えた構成とすることも可能である。これにより、発光装置の初期の発光効率は低いながらも、使用環境による発光効率の経時変化を抑えることができる。また、上述の実施形態においては、絶縁基板10の第1主面10a側の導電部20v,221v,222vの高さを、絶縁基板10の第1主面10aの高さと揃えることとしたが、埋め込みメッキ時間等を調整して、青色LEDチップ100,200とワイヤボンディング接続可能な範囲内で、第1主面10aよりも窪ませたり、突出させたりしてもよい。また、導電部を第1主面よりも突出させる場合には、貫通孔20hの開口径よりも大きい径で導電部が突出していてもよい。また、上述の実施形態においては、導電部20v,221v,222vは、銅Cuメッキ等の導電材からなるとしたが、導電ペースト等の他の導電材を使用することも可能である。また、上述の実施形態においては、発光装置は、1つの収容穴50hに1つの青色LEDチップ100が収容された構成であるとしたが、1つの収容穴50hに複数個の青色LEDチップが収容された構成としてもよい。この場合、個片化してLEDパッケージとする際にも、複数個の青色LEDチップが収容された1つの収容穴を有する構成や、複数個の青色LEDチップが収容された複数個の収容穴を有する構成としてもよい。また、上述の実施形態においては、収容穴50hをレーザ加工により形成することとしたが、例えばフォトリソグラフィ方式を用いたポリイミドエッチング等により、収容穴を形成してもよい。ポリイミドエッチングの場合、収容穴の形状等は絶縁基板の材料に依存するところが大きく、レーザ加工に比べて収容穴のテーパ角の制御性は落ちるものの、エッチング条件等を調整することで所定のテーパ形状を得ることができる。また、上述の実施形態においては、TABテープ向けの製造工程を適用して発光素子搭載用配線基板を製造することとしたが、用いる絶縁基板等により、リジット配線基板やフレキシブル配線基板向けの製造工程を適用することも可能である。"