シリコン基板の受光面側に形成された受光面拡散層と、前記受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション膜と、前記受光面パッシベーション膜上に形成された、前記受光面拡散層の導電型と同じ導電型の不純物を含む反射防止膜とを有し、前記反射防止膜は、リン酸チタンを含むチタン酸化物である太陽電池。前記受光面拡散層のシート抵抗が、100Ω/□以上250Ω/□未満である請求項1に記載の太陽電池。前記反射防止膜に含まれる不純物は、リン酸化物として15wt~35wt含有する請求項1または2に記載の太陽電池。シリコン基板の受光面側に受光面拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、前記シリコン基板の受光面に、前記受光面拡散層に含まれる不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し窒素雰囲気で熱処理することにより前記受光面拡散層と反射防止膜とを形成する第1工程と、前記シリコン基板の受光面に、熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する第2工程とを備え、前記第2工程の熱処理は、酸素雰囲気で行われる太陽電池の製造方法。前記第2工程の熱処理は、処理温度が850°Cより高い温度である請求項4に記載の太陽電池の製造方法。前記第2工程において、前記シリコン基板の裏面に裏面パッシベーション膜が形成される請求項4または5に記載の太陽電池の製造方法。前記第1工程と前記第2工程とを、一連の熱処理によって行う請求項4~6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。しかしながら、さらに近年、反射防止膜として、特許文献1に記載の酸化チタンよりも、より耐久性、耐候性に優れた膜を切望していた。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐久性、耐候性に優れた反射防止膜を有する太陽電池を提供することにある。本発明の太陽電池は、シリコン基板の受光面側に形成された受光面拡散層と、受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション膜と、受光面パッシベーション膜上に形成された、受光面拡散層の導電型と同じ導電型の不純物を含む反射防止膜とを有し、反射防止膜は、リン酸チタンを含むチタン酸化物である。ここで、本発明の太陽電池は、受光面拡散層のシート抵抗が、100Ω/□以上250Ω/□未満であることが好ましい。また、本発明の太陽電池は、反射防止膜に含まれる不純物は、リン酸化物として15wt~35wt含有することが好ましい。本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板の受光面側に受光面拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、シリコン基板の受光面に、受光面拡散層に含まれる不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し窒素雰囲気で熱処理することにより受光面拡散層と反射防止膜とを形成する第1工程と、シリコン基板の受光面に、熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する第2工程とを備え、第2工程の熱処理は、酸素雰囲気で行われる。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、第2工程の熱処理は、処理温度が850°Cより高い温度であることが好ましい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2工程において、シリコン基板の裏面に裏面パッシベーション膜が形成されてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第1工程と第2工程とを、一連の熱処理によって行ってもよい。本発明によれば、反射防止膜は、耐久性、耐候性に優れたリン酸チタンを含むので、太陽電池の耐久性、耐候性を向上させることができる。図1、図2は、受光面と反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の一例の太陽電池を表す図である。図1は、太陽電池1の裏面側から見た図であり、太陽電池1の裏面には、n型用電極2およびp型用電極3がそれぞれ帯状に交互に形成されている。図2は、図1で示したA-A′の断面を表す図である。単結晶シリコン基板であるn型シリコン基板4の受光面にはテクスチャ構造である凹凸形状5が形成されている。この凹凸は数μm~数十μmオーダーである。受光面全面には受光面拡散層6であるn層がFSFFrontSurfaceField層として形成され、受光面拡散層6上には受光面パッシベーション膜13が形成されている。さらに、受光面パッシベーション膜13上には反射防止膜12が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜13は酸化シリコン膜で、その膜厚は5nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは5nm以上60nm以下である。また、反射防止膜12はチタン酸化物からなる膜で形成されている。膜厚は、たとえば、10nm以上400nm以下である。さらに、反射防止膜12にはリン酸チタンが含まれており、リンの濃度はリン酸化物として15wt以上35wt以下含有することが好ましい。なお、リン酸化物として反射防止膜12の15wt以上35wt以下含まれるとは、反射防止膜12中のリン酸化物の含有量が反射防止膜12全体の15wt以上35wt以下であることを意味する。反射防止膜12にリン酸チタンが含まれるので、反射防止膜12は耐久性、耐候性に優れる。また、n型シリコン基板4の裏面には、n型シリコン基板4側から、第2裏面パッシベーション膜8、第1裏面パッシベーション膜11の2層からなる裏面パッシベーション膜14が形成されている。n型シリコン基板4の裏面側にはn型半導体領域であるn領域9とp型半導体領域であるp領域10とが交互に隣接して形成されており、n領域9の表面は、n領域9以外の表面よりも凹状になっている。ここで、図2に示す凹状の深さdは数十nmのオーダーである。さらに、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成されている。n型シリコン基板4の裏面の最も外側には、電極が形成されていない、すなわち、電極に接触していない半導体領域であるp領域71が形成されている。また、n領域9上の裏面パッシベーション膜14とp領域10上の裏面パッシベーション膜14とに膜厚差があり、n領域9上の裏面パッシベーション膜14の方が厚くなっている。ここで、n領域9とp領域10とが交互に隣接して形成されていることより、太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、部分的に電圧がかかることがなく、局所的なリーク電流による発熱をさけることができる。なお、n型不純物濃度は、n型シリコン基板4、受光面拡散層6であるn層、n領域9の順に高くなる。図3は、太陽電池1からn型用電極2とp型用電極3とを除去し、さらに裏面パッシベーション膜14を除去した場合に、n領域9とp領域10とを裏面側から見た図である。n型シリコン基板4の裏面の外周縁には、電極に接触していない半導体領域であるp領域71が形成されている外周縁に形成された、電極に接触していない半導体領域を、以下外周縁半導体領域という。。n領域9の周囲に、n領域9とは導電型の異なる外周縁半導体領域であるp領域71を形成することで、太陽電池1のエッジ部等に半導体領域ができたとしても、その半導体領域と、n領域9およびp領域10とは、電気的に分離できている。また、外周縁には、電極に接触していない半導体領域があるので、太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、外周縁を通して発生するリーク電流を抑えることができる。なお、図3では、n領域9は全てつながって1つの半導体領域を形成しているが、必ずしも全部がつながっていなくてもよい。さらに、図3では、p領域10は複数に分離して形成しているが、つながっている箇所があってもよい。なお、太陽電池の各辺の最も外側の電極が同じ導電型なので、形成した電極を回転対称構造にすることが可能になり、太陽電池を複数並べる太陽電池モジュールを作製する際、例えば、図1に示す太陽電池の上下が反対になっても問題ない。以下に、本発明の太陽電池の製造方法の一例を示す。図4は、図1、および図2に示す本発明の太陽電池の製造方法の一例である。図4に示すように模式的断面図を参照して説明する。まず、図4aに示すように、100μm厚のn型シリコン基板4の受光面となる面以下n型シリコン基板の受光面という。の反対側の面である裏面以下n型シリコン基板の裏面という。に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図4bに示すように、n型シリコン基板4の受光面にテクスチャ構造である凹凸形状5をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70°C以上80°C以下に加熱した溶液により行われる。次に、図4cを用いて次工程を説明する。図4cは、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。図4cに示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。その後、n型シリコン基板4の裏面において、n領域9を形成しようとする箇所以外に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク23を形成し、POCl3を用いた気相拡散によって、n型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散してn領域9が形成される。次に、図4dに示すように、n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22、23、および拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜24を形成する。この際、図4dに示すように、n型シリコン基板4の裏面のn領域9上の酸化シリコン膜24が厚くなる。本実施の形態では、900°Cで水蒸気による熱酸化を行い、n領域9上以外の酸化シリコン膜24の膜厚が70nm以上90nm以下、n領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は250nm以上350nm以下になった。ここで、熱酸化前のn領域9のリンの表面濃度は、5×1019/cm3以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、たとえば、酸素による熱酸化で800°C以上1000°C以下、水蒸気による熱酸化で800°C以上950°C以下である。熱酸化時に、酸化シリコン膜の厚さが異なる理由は次の通りである。熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度は、シリコン基板に拡散されている不純物の種類と濃度により異なる。特にn型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、n型シリコン基板4よりもn型不純物濃度が高いn領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚の方がn型シリコン基板4上よりも厚くなる。酸化シリコン膜24は、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、n領域9の表面は、n領域9が形成されていない領域の表面よりも凹状になる。なお、酸化シリコン膜24を、p領域形成時のn領域の拡散マスクとして使用するには、n領域9上とn領域9上以外との酸化シリコン膜24の膜厚差は、60nm以上必要となる。次に、図4eに示すように、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜24および裏面のn領域9上以外の酸化シリコン膜24をエッチングにより除去する。裏面では、上記に示したように、酸化シリコン膜24がn領域9上に厚く形成されており、さらにn領域9上の酸化シリコン膜24とn領域9上以外の酸化シリコン膜24とのエッチングレートの差により、n領域9上だけ酸化シリコン膜24が残るようにする。例えば、900°C30分の水蒸気による熱酸化で酸化シリコン膜24を形成し、n領域9上以外の酸化シリコン膜24を除去するためにフッ化水素酸処理をした場合、n領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は120nm程度となる。先述したように60nm以上あればp領域形成時の拡散マスクとして機能する。さらに、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク25を形成し、その後、n型シリコン基板4の裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理によりn型シリコン基板4の裏面の露出した箇所にp型不純物であるボロンが拡散してp領域が形成される。この際、p領域10とp領域71とが形成される。次に、図4fを用いて次工程を説明する。図4fは、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。図4fに示すように、n型シリコン基板4に形成した酸化シリコン膜24、拡散マスク25、および酸化シリコン膜24、拡散マスク25にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。その後、n型シリコン基板4の裏面にたとえば厚さ50nm以上100nm以下の酸化シリコン膜等の拡散マスクを兼ねた第1裏面パッシベーション膜11を、CVD法により形成、またはSOGスピンオングラスを塗布し焼成することにより形成する。その後、n型シリコン基板4の受光面に受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12を形成するため、n型シリコン基板4の受光面にリン化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む混合液27の塗布を行い、乾燥する。ここで、混合液27のリン化合物としては五酸化リン、チタンアルコキシドとしてはテトライソプロピルチタネート、およびアルコールとしてはイソプロピルアルコールを用いる。次に、図4gに示すように、熱処理によりn型不純物であるリンが拡散して受光面側全面に受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12が形成される。この熱処理は、窒素雰囲気で行い、処理温度は、たとえば850°C以上1000°C以下である。n型シリコン基板4の裏面に酸化シリコン膜による第2裏面パッシベーション膜8を形成するため、酸素による熱酸化を行う。この際、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜8である酸化シリコン膜が形成されながら、図4jに示すように、n型シリコン基板4の受光面全面にも、酸化シリコン膜が形成される。この受光面全面に形成された酸化シリコン膜は、受光面拡散層6と反射防止膜12との間に形成され、受光面パッシベーション膜13となる。受光面拡散層6と反射防止膜12との間に受光面パッシベーション膜13が形成される理由としては、受光面の凹凸形状5の凹部における反射防止膜12の膜厚が厚くなって反射防止膜12にクラックが生じ、そのクラックが生じている箇所から酸素が入り込んで受光面パッシベーション膜13である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。また、受光面の凹凸形状5の凸部では反射防止膜12の膜厚が薄いため、酸素が透過し、受光面パッシベーション膜である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。さらに、n型シリコン基板4の裏面と第1裏面パッシベーション膜11との間に第2裏面パッシベーション膜8が形成される理由としては、n型シリコン基板4の裏面の第1裏面パッシベーション膜11はCVD法等で形成した膜であるため、第1裏面パッシベーション膜11の内部に酸素が透過し、これにより、第2裏面パッシベーション膜8である酸化シリコン膜が成長すると考えられる。なお、受光面パッシベーション膜13の厚さは、たとえば100nm以上200nm以下であり、第2裏面パッシベーション膜8の厚さは、たとえばn領域9上においては30nm以上100nm以下であり、p領域上においては10nm以上40nm以下である。また、第2裏面パッシベーション膜8と受光面パッシベーション膜13との形成は、受光面拡散層6および反射防止膜12を形成する熱処理に引き続き、ガスを切り替えて酸素による熱酸化を行うことによっても可能である。すなわち、受光面拡散層6であるn層および反射防止膜12を形成する熱処理と、受光面パッシベーション膜13を形成する熱処理とを、一連の熱処理によって形成することにより、工程数を減らすことができる。そして、受光面パッシベーション膜13である酸化シリコン膜形成温度を850°Cより高く、より好ましくは900°C以上にすることで、太陽電池1の受光面側の再結合電流を低減することができ、太陽電池特性を向上させることができる。加えて、上記工程で形成された受光面拡散層でのシート抵抗値が、100Ω/□以上250Ω/□未満であれば、太陽電池1の受光面側の再結合電流を低減することができ、太陽電池特性を向上させる傾向にある。上記シート抵抗値の範囲における太陽電池の反射防止膜に含有するリン酸化物の濃度は、15wt以上であった。なお、リン酸化物濃度が35wtを超えると、反射防止膜は白く変色することがある。次に、図4hに示すように、n型シリコン基板4の裏面側に形成されたn領域9、p領域10に電極を形成するため、n型シリコン基板の裏面に形成された裏面パッシベーション膜14にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行われる。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。次に、図4iに示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n領域9にはn型用電極2が形成され、p領域10にはp型用電極3が形成され、太陽電池1を作製した。ここで、反射防止膜を評価するためサンプルを作製して、反射防止膜のX線回折XRD:X-RayDiffraction測定を行った。図5は作製したサンプル81を表す模式的な図である。82はn型シリコン基板、83は受光面拡散層に対応するn層、84はパッシベーション膜である酸化シリコン膜、85は反射防止膜に対応する膜に相当する。図6は、図5のサンプル81の製造方法を示す製造フロー図である。図5に示すサンプル81は、まず、n型シリコン基板82の表面をエッチング等でフラットにするS1。Sはステップを表す。以下同様。。フラットにしたn型シリコン基板82の面に、リン化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む混合液の塗布を行い、乾燥する。ここで、混合液のリン化合物としては五酸化リン、チタンアルコキシドとしてはテトライソプロピルチタネート、およびアルコールとしてはイソプロピルアルコールを用いるS2。熱処理によりn型不純物であるリンが拡散してn層83およびリンを含有したチタン酸化物からなる膜85が形成される。この熱処理は、920°C、窒素雰囲気で行ったS3。熱酸化を行い、酸化シリコン膜84を形成する。この熱処理は、950°Cで行ったS4。ここで、S1からS3までの工程は同じで、S4での熱酸化を、酸素雰囲気で行ったものを実施例1、水蒸気雰囲気で行ったものを比較例とした。図7は、実施例1のXRD測定結果とリファレンスを示したものである。aは、実施例1のXRD測定結果であり、bは、リン酸チタンTiP2O7のXRDパターンJCPDSJointCommitteeforPowderDiffractionStandards-ICDDInternationalCentreforDiffractionData-PDFPowderDiffractionFilesであり、cは、アナタース型の酸化チタンTiO2のXRDパターンJCPDS-ICDD-PDFである。図8は、比較例のXRD測定結果とリファレンスを示したものである。aは、比較例のXRD測定結果であり、bは、アナタース型の酸化チタンTiO2のXRDパターンJCPDS-ICDD-PDFである。図7より、S4の熱酸化を酸素雰囲気で行った場合、反射防止膜に対応する膜は、リン酸チタンと、図7aにおいて矢印で示した47度~48度付近にリン酸チタンと酸化チタンのそれぞれに特有なピークが並んで観察されることから判断して微量の酸化チタンが含まれる結果が得られた。また、図8より、S4の熱酸化を水蒸気雰囲気で行った場合、反射防止膜に対応する膜は、酸化チタンである結果が得られた。したがって、太陽電池作製時において、受光面拡散層であるn層、および反射防止膜作製時の熱処理を窒素雰囲気で行い、その後、受光面パッシベーション膜である酸化シリコン膜を酸素による熱酸化で形成することで、反射防止膜をリン酸チタンを含む膜とすることができ、リン酸チタンを含むことで、反射防止膜は耐久性、耐候性に優れた膜となるため、太陽電池の耐久性、耐候性を向上させることができる。上記では、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板を用いることも可能である。その際、受光面拡散層が存在する場合はp型不純物を用いたp層となり、反射防止膜はp型不純物が含まれた膜となり、他の構造はn型シリコン基板について記載した上記構造と同様である。また、p型シリコン基板を用いる場合は、より高い短絡電流を得るために、シリコン基板の導電型であるp型と異なる導電型であり、電極が形成されたn領域の合計面積のほうが、電極が形成されたp領域の合計面積よりも大きい。この場合、隣接するp領域は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、p領域間はn領域が形成されている。また、n領域が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、n領域間にp領域が形成されている。さらに、本発明の太陽電池の概念には、半導体基板の裏面となる面のみにp型用電極およびn型用電極の双方が形成された構成の太陽電池だけでなく、半導体基板の受光面となる面と、裏面となる面にそれぞれの電極が形成された太陽電池、また、MWTMetalWrapThrough型半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池などの構成の太陽電池等も含まれる。