"ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とするエッチング量検出方法。前記エッチング量検出ステップでは、非接触式厚み測定器を用いて前記耐エッチング部材を介して前記未エッチング領域の厚みを測定する請求項1記載のエッチング量検出方法。前記エッチングステップでのエッチングはプラズマエッチングから構成される請求項1又は2記載のエッチング量検出方法。しかし、上述したダミーウエーハを用いた従来のエッチング量の管理方法では、エッチング装置に何らかのトラブル例えばエッチャントの供給が停止した等が発生した場合、エッチング量の異常に気付くまで複数枚のウエーハを処理してしまうという問題がある。全てのウエーハのエッチング量を測定したいという要望があるが、エッチングを施す全てのウエーハの厚みを事前に測定し、エッチング後に全てのウエーハの厚みを再度測定するのでは、工程が煩雑になってしまう。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。本発明によると、ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とするエッチング量検出方法が提供される。好ましくは、エッチング量検出ステップでは、非接触式厚み測定器を用いて耐エッチング部材を介して未エッチング領域の厚みを測定する。好ましくは、エッチングステップでのエッチングはプラズマエッチングから構成される。本発明によると、ウエーハのエッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設し、その後ウエーハにエッチングが施されるため、耐エッチング部材が配設された領域はエッチング前の厚みのまま残存する。従って、ウエーハにエッチングを施した後に、未エッチング領域に残存しているエッチング前の厚みとエッチング後の厚みを測定でき、ウエーハ毎のエッチング量を正確に検出することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のエッチング量検出方法で使用するのに適したプラズマエッチング装置2の一部断面図が示されている。プラズマエッチング装置2は密閉空間4を画成するハウジング6を具備している。ハウジング6は、底壁6aと、上壁6bと、左右側壁6c,6dと、後ろ側壁6eと、図示しない前側側壁から構成されており、右側側壁6dには被加工物搬出入用の開口8が設けられている。開口8の外側には、開口8を開閉するためのゲート10が上下方向に移動可能に配設されている。このゲート10はゲート作動手段12によって作動される。ゲート作動手段12は、エアシリンダ14と、エアシリンダ14内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド16とから構成されている。エアシリンダ14はブラケット18を介してハウジング6の底壁6aに取り付けられており、ピストンロッド16の先端がゲート10に連結されている。ゲート作動手段12によってゲート10を開けることにより、被加工物としての半導体ウエーハ11を開口8を通して密閉空間4に搬出入することができる。また、ハウジング6を構成する底壁6aには排気口20が設けられており、排気口20はガス排出手段22に接続されている。ハウジング6によって画成される密閉空間4内には、下部電極24と上部電極26が対向して配設されている。下部電極24は導電性の材料によって形成されており、円板状の被加工物保持部28と、被加工物保持部28の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部30とから構成されている。このように被加工物保持部28と円柱状の支持部30とから構成された下部電極24は、支持部30がハウジング6の底壁6aに形成された穴32を挿通して配設され、絶縁体34を介して底壁6aにシールされた状態で支持されている。ハウジング6の底壁6aに支持された下部電極24は、支持部30を介して高周波電源36に電気的に接続されている。下部電極24を構成する被加工物保持部28の上部には、上方が開放された円形状の嵌合凹部38が設けられており、嵌合凹部38にポーラスセラミックス材によって形成された円板状の吸着保持部材40が嵌合されている。嵌合保持部38における吸着保持部材40の下側に形成されるチャンバー42は、被加工物保持部28及び支持部30に形成された連通路44によって吸引手段46に連通されている。従って、吸着保持部材40上に被加工物を載置して吸引手段46を作動し、連通路44を負圧源に連通することによりチャンバー42に負圧が作用し、吸着保持部材40上に載置された被加工物が吸引保持される。また、吸引手段46を作動して連通路44を大気に開放することにより、吸着保持部材40上に吸引保持された被加工物の吸引保持が解除される。下部電極24の被加工物保持部28の下部には、冷却通路48が形成されている。冷却通路48の一端は支持部30に形成された冷媒導入通路50に連通され、冷却通路48の他端は支持部30に形成された冷媒排出通路52に連通されている。冷媒導入通路50及び冷媒排出通路52は、冷媒供給手段54に連通されている。従って、冷媒供給手段54が作動すると、冷媒が冷媒導入通路50、冷却通路48及び冷媒排出通路52を通して循環される。その結果、後述するプラズマ処理時に発生する熱は下部電極24から冷媒に伝達されるので、下部電極24の異常昇温が防止される。上部電極26は導電性の材料によって形成されており、円板状のガス噴出部56と、ガス噴出部56の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部58とから構成されている。このようにガス噴出部56と円柱状の支持部58とからなる上部電極26は、ガス噴出部56が下部電極24を構成する被加工物保持部28と対向して配設され、支持部58がハウジング6の上壁6bに形成された穴60を挿通し、穴60に装着されたシール部材62によって上下方向に移動可能に支持されている。支持部58の上端部には作動部材64が取り付けられており、この作動部材64が昇降駆動手段66に連結されている。尚、上部電極26は支持部58を介して接地されている。上部電極26を構成する円板状のガス噴出部56には、下面に開口する複数の噴出口68が設けられている。この複数の噴出口68は、ガス噴出部56に形成された連通路70及び支持部58に形成された連通路72を介してガス供給手段74に連通されている。ガス供給手段74は、CF4、SF6等のフッ素系ガスと酸素を主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給する。また、上部電極26を構成する円板状のガス噴出部56には、その下面に複数の噴出口68を囲繞して下方に突出する環状の隔壁76が設けられている。この環状の隔壁76は、下部電極24の被加工物保持部28に保持された被加工物に対応した大きさに形成され、その高さが5mm程度に形成されており、その内周面76aが先端下方に向けて外側に広がるように形成されている。プラズマエッチング装置2は、ゲート作動手段12、ガス排出手段22、吸引手段46、高周波電源36、冷媒供給手段54、昇降駆動手段66、ガス供給手段74を制御する制御手段78を具備している。制御手段78には、ガス排出手段22からハウジング6によって形成される密閉空間4内の圧力に関するデータが、冷媒供給手段54から冷媒温度即ち電極温度に関するデータが、ガス供給手段74からガス流量に関するデータが入力され、これらのデータに基づいて制御手段78は上述した各手段に制御信号を出力する。図2を参照すると、裏面11bが研削された半導体ウエーハ11の裏面11bに耐エッチングテープ23を配設する状態の斜視図が示されている。半導体ウエーハ11はその表面11aに格子状に形成された複数の分割予定ラインストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。半導体ウエーハ11は、その表面11aに複数のデバイス15が形成されたデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19とを備えている。半導体ウエーハ11は、表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、裏面11bの研削に先立って表面11aに表面保護テープ21が貼着される。半導体ウエーハ11の裏面11bの研削は研削砥石による微細な脆性破壊によって進行されるため、研削面11bには複数の微細な歪マイクロクラックが発生して、半導体ウエーハ11から分割された半導体チップデバイス15の抗折強度が低下するという問題がある。そこで、研削後の半導体ウエーハ11の裏面研削面11bは、ドライエッチング又はウエットエッチングによって例えば数μm前後エッチングされ、研削によって生成された研削歪が除去される。本実施形態のエッチング量検出方法では、エッチングを実施する前に、耐エッチングテープ23を外周余剰領域19に対応するウエーハ裏面11bのエッチング不要領域25上に貼付する。耐エッチングテープ23としては、CF4、SF6等のフッ素系ガスを使用するプラズマエッチングの場合には、耐熱性ポリマーのポリイミドやポリエチレンテレフタレート等のテープを使用することができる。或いは、耐エッチングテープ23としてレジスト膜を使用するようにしてもよい。一方、ウエットエッチングを実施する場合には、耐エッチングテープ23はエッチャントに応じて適宜選択する。耐エッチングテープ23がエッチング不要領域25上に貼付された状態の断面図が図3に示されている。以下、図1に示したプラズマエッチング装置2を使用して、図2に示した半導体ウエーハ11の裏面11bをプラズマエッチングドライエッチングする例について説明する。所定の厚さに研削されたらウエーハ11の裏面11bのエッチング不要領域25上に耐エッチングテープ23が貼着された半導体ウエーハ11をプラズマエッチングするには、まずゲート作動手段12を作動してゲート10を図1において下方に移動し、ハウジング6の右側側面に6dに設けられた開口8を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって半導体ウエーハ11の裏面11bを上側にして、開口8からハウジング6によって画成された密閉空間4に半導体ウエーハ11を搬送し、下部電極24を構成する被加工物保持部28の吸着保持部材40上に載置する。このとき、昇降作動手段66を作動して上部電極26は上昇しておく。そして吸引手段46を作動してチャンバー42内に負圧を作用することにより、吸着保持部材40上に載置された半導体ウエーハ11を吸引保持する。半導体ウエーハ11が吸着保持部材40上に吸引保持されたならば、ゲート作動手段12を作動してゲート10を上方に移動し、ハウジング6の右側側面に6dに設けられた開口8を閉鎖する。そして、昇降駆動手段66を作動して上部電極26を下降させ、上部電極26を構成するガス噴出部56の下面と下部電極24を構成する被加工物保持部28に保持された半導体ウエーハ11の裏面11bとの間の距離を、プラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。尚、この所定の電極間距離は例えば10mm程度に設定される。次に、ガス排出手段22を作動してハウジング6によって形成される密閉空間4内を真空排気する。密閉空間4内を真空排気したならば、ガス供給手段74を作動してフッ素系ガスと酸素ガスの混合ガスをプラズマ発生用ガスとして上部電極26に供給する。ガス供給手段74から供給された混合ガスは、支持部58に形成された連通路72及びガス噴出部56に形成された連通路70を通して、複数の排出口68から下部電極24の吸着保持部材40上に保持された半導体ウエーハ11の裏面11bに向けて噴出される。そして、密閉空間4内を所定のガス圧力に維持する。このようにプラズマ発生用の混合ガスを供給した状態で、高周波電源36から下部電極24と上部電極26との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極24と上部電極26との間の空間にプラズマ放電が発生し、このプラズマ放電により生じる活性物質の作用により、半導体ウエーハ11の裏面11bがエッチングされる。プラズマエッチング処理は、半導体ウエーハ11の厚さが目標厚さになるまで継続して行われる。プラズマエッチング処理により、研削加工によって半導体ウエーハ11の裏面に生じたマイクロクラック等の研削歪が除去される。このマイクロクラックは通常3~5μmの深さで生成されるため、半導体ウエーハ11を目標厚さよりマイクロクラックを超えるドライエッチング代だけ厚い寸法に研削し、その後ドライエッチング代分だけプラズマエッチング処理して除去することにより、目標厚さまで加工された状態では、マイクロクラックは完全に除去される。本発明のエッチング量検出方法では、エッチング終了後、エッチング量検出ステップを実施する。このエッチング量検出ステップでは、図5に示すように、好ましくは、非接触式厚み測定器80で耐エッチングテープ23を介して未エッチング領域27の厚みを測定する。非接触式厚み測定器80としては、例えば超音波式厚み測定器、光干渉式厚み測定器、レーザ厚み測定器等を用いることができる。非接触式厚み測定器80として超音波式厚み測定器を用いた場合には、超音波式厚み測定器80から超音波を発生して、耐エッチングテープ23を透過して未エッチング領域27の表面で反射された反射波と、ウエーハ11を透過してウエーハ11の表面11aで反射された反射波との到着時間差を取ることにより、未エッチング領域27の厚みを測定することができる。未エッチング領域27の厚みを測定後、超音波式厚み測定器80を矢印A方向に移動して、エッチング領域29の裏面11bで反射された反射波と、ウエーハ11の表面11aで反射された反射波との到着時間差を取ることにより、ウエーハ11のエッチング領域29の厚みを測定することができる。未エッチング領域27の厚みからエッチング領域29の厚みを減ずることにより、エッチングで除去された厚みエッチング量t1を検出することができる。エッチング量の検出には、非接触式厚み測定器80に代わって接触式厚み測定器を使用するようにしてもよい。この場合には、耐エッチングテープ23を除去して、未エッチング領域27の厚みとエッチング領域29の厚みを測定し、両者の差をとることによりエッチング量t1を検出することができる。"