0001面から8°以下のオフ角を持つ主面を有するSiC基板を用意するステップと、前記SiC基板の前記主面上に、SiおよびCを含む原料ガスを供給しながら、第1の温度で第1のエピタキシャル層を成長させるステップと、前記第1のエピタキシャル層の上に、SiおよびCを含む原料ガスを供給しながら、前記第1の温度よりも低い第2の温度で第2のエピタキシャル層を成長させるステップとを含むSiCエピタキシャル基板の製造方法。前記第1の温度は、1600°C以上1650°C以下である請求項1に記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。前記第2の温度は、1500°C以上前記第1の温度未満である請求項1または2に記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。前記SiC基板の前記主面は、0001面から4°以下のオフ角を有する請求項1から3のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。前記第1の温度で成長させるステップは、前記第1の温度を第1の時間だけ保持するステップを含み、前記第2の温度で成長させるステップは、前記第2の温度を第2の時間だけ保持するステップを含み、前記第1の時間よりも前記第2の時間の方が長い請求項1から4のいずれかに記載の製造方法。前記第1の温度で成長させるステップと、前記第2の温度で成長させるステップとの間に、前記第1の温度から前記第2の温度へと温度を低下させるステップをさらに有し、前記温度を低下させるステップにおいて、前記原料ガスは前記SiC基板上に供給されない請求項1から5のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。前記第1の温度で成長させるステップは、第1のドーピングガスを供給するステップを含み、前記第2の温度で成長させるステップは、第2のドーピングガスを供給するステップを含み、前記第1のドーピングガスの流量が、前記第2のドーピングガスの流量よりも大きい請求項1から6のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。主面が0001面から8°以下のオフ角を有するSiC基板と、前記SiC基板の前記主面上に設けられ、第1の温度でエピタキシャル成長させることによって形成された第1のエピタキシャル層と、前記第1のエピタキシャル層上に設けられ、前記第1の温度よりも低い第2の温度でエピタキシャル成長させることによって形成された第2のエピタキシャル層とを備えるSiCエピタキシャル基板。前記SiC基板の前記主面は、0001面から4°以下のオフ角を有する請求項8に記載のSiCエピタキシャル基板。前記第2のエピタキシャル層の表面において、三角欠陥密度が0.5個/cm2以下であり、且つ、前記第2のエピタキシャル層の表面粗さRaが0.2nm以下である請求項8または9に記載のSiCエピタキシャル基板。前記第1のエピタキシャル層と前記第2のエピタキシャル層とは、意図的ではなくドープされた同元素の不純物を含んでおり、前記第2のエピタキシャル層に意図的ではなくドープされた不純物の濃度が、前記第1のエピタキシャル層に意図的ではなくドープされた不純物の濃度よりも低い請求項8から10のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板。前記第1のエピタキシャル層の厚さは、0.01μm以上2μm以下である請求項8から11のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板。前記第1のエピタキシャル層のキャリア濃度が、1×1017/cm3以上1×1020/cm3以下である請求項8から12のいずれかに記載のSiCエピタキシャル基板。前記第2のエピタキシャル層のキャリア濃度が、5×1015/cm3以上2×1016/cm3以下である請求項13に記載のSiCエピタキシャル基板。しかしながら、特許文献1の実施例には、三角欠陥密度および表面粗さRa算術平均粗さが、それぞれ、約2個/cm2および約2nm程度発生することが記載されている。これでは、三角欠陥およびステップバンチングの両方をデバイス量産可能なレベルまで低減できているとは言い難い。例えば、数十アンペア級のパワーデバイスのチップサイズは5mm角程度であり、デバイスの歩留りを90程度確保するには、三角欠陥密度は0.5個/cm2以下であることが好ましく、且つ、ステップバンチングを発生させない目安として表面粗さRaは0.2nm以下であることが好ましい。さらに、特許文献1に記載の製造方法では、比較的高い温度でエピタキシャル成長させているので、CVD装置の反応容器を構成するパーツからの不可避的なガスパーツに吸着していた窒素分子や酸素分子、あるいは、パーツを構成する金属を含むガスであり、デガス、アウトガスとも呼ばれるが増加する。その結果、エピタキシャル層に意図的でなく取り込まれる不純物が多くなり、デバイスの信頼性を損なわせるという懸念もある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、8°以下特に4°以下の低オフ角のSiC基板上において、エピタキシャル層表面の三角欠陥およびステップバンチングの発生を抑制する、SiCエピタキシャル基板の製造方法およびその方法によって得られるSiCエピタキシャル基板を提供することである。本発明のSiCエピタキシャル基板の製造方法は、0001面から8°以下のオフ角を持つ主面を有するSiC基板を用意するステップと、前記SiC基板の前記主面上に、SiおよびCを含む原料ガスを供給しながら、第1の温度で第1のエピタキシャル層を成長させるステップと、前記第1のエピタキシャル層の上に、SiおよびCを含む原料ガスを供給しながら、前記第1の温度よりも低い第2の温度で第2のエピタキシャル層を成長させるステップとを包含する。ある実施形態において、前記第1の温度は、1600°C以上1650°C以下である。ある実施形態において、前記第2の温度は、1500°C以上前記第1の温度未満である。ある実施形態において、前記SiC基板の前記主面は、0001面から4°以下のオフ角を有する。ある実施形態において、前記第1の温度で成長させるステップは、前記第1の温度を第1の時間だけ保持するステップを含み、前記第2の温度で成長させるステップは、前記第2の温度を第2の時間だけ保持するステップを含み、前記第1の時間よりも前記第2の時間の方が長い。ある実施形態において、上記のSiCエピタキシャル基板の製造方法は、前記第1の温度で成長させるステップと、前記第2の温度で成長させるステップとの間に、前記第1の温度から前記第2の温度へと温度を低下させるステップをさらに包含し、前記温度を低下させるステップにおいて、前記原料ガスは前記SiC基板上に供給されない。ある実施形態において、前記第1の温度で成長させるステップは、第1のドーピングガスを供給するステップを含み、前記第2の温度で成長させるステップは、第2のドーピングガスを供給するステップを含み、前記第1のドーピングガスの流量が、前記第2のドーピングガスの流量よりも大きい。本発明のSiCエピタキシャル基板は、主面が0001面から8°以下のオフ角を有するSiC基板と、前記SiC基板の前記主面上に設けられ、第1の温度でエピタキシャル成長させることによって形成された第1のエピタキシャル層と、前記第1のエピタキシャル層上に設けられ、前記第1の温度よりも低い第2の温度でエピタキシャル成長させることによって形成された第2のエピタキシャル層とを備える。ある実施形態において、前記SiC基板の前記主面は、0001面から4°以下のオフ角を有する。ある実施形態において、前記第2のエピタキシャル層の表面において、三角欠陥密度が0.5個/cm2以下であり、且つ、前記第2のエピタキシャル層の表面粗さRaが0.2nm以下である。ある実施形態において、前記第1のエピタキシャル層と前記第2のエピタキシャル層とは、意図的ではなくドープされた同元素の不純物を含んでおり、前記第2のエピタキシャル層に意図的ではなくドープされた不純物の濃度が、前記第1のエピタキシャル層に意図的ではなくドープされた不純物の濃度よりも低い。ある実施形態において、前記第1のエピタキシャル層の厚さは、0.01μm以上2μm以下である。ある実施形態において、前記第1のエピタキシャル層のキャリア濃度が、1×1017/cm3以上1×1020/cm3以下である。ある実施形態において、前記第2のエピタキシャル層のキャリア濃度が、5×1015/cm3以上2×1016/cm3以下である。本発明のSiCエピタキシャル基板の製造方法によれば、エピタキシャル成長シーケンスが、高温で第1のエピタキシャル層を成長させる第1のステップと、第1のステップよりも低温でエピタキシャル層を成長させる第2のステップとを含む。これにより、三角欠陥とステップバンチングの両方を低減したSiCエピタキシャル基板が得られる。さらには、比較的低温でエピタキシャル層を成長させることが可能であるため、CVD装置内において不可避的に発生する不純物ガスによるエピタキシャル層への不純物の取り込みを抑制することができ、高純度のエピタキシャル層を得ることができる。まず、本発明の概要を説明する。従来から、エピタキシャル層を高温で成長させることで三角欠陥の発生を抑制できることが知られていたが、従来の方法では基板を高温に保持したままエピタキシャル成長が行われていた図10参照。三角欠陥の発生を抑制するためには、2次元核成長を抑制することが可能な温度条件を維持したまま成長させることが好ましいと考えられていたからである。しかし、本発明者が実験を行ったところ次のことが分かった。すなわち、エピタキシャル成長の初期の段階で比較的高温例えば、1600°C以上でエピタキシャル成長を行えば、エピタキシャル層における初期段階に成長した層初期成長層の表面に、結晶構造の欠陥が少ない面を形成することができる。この場合には、初期成長層の上に、より低温例えば、1600°C未満でエピタキシャル層を成長させたときにも三角欠陥は発生しにくい。以下、図1a~cを参照しながら、SiC基板のエピタキシャル成長中に発生する三角欠陥の分析結果を説明する。本発明者らは、三角欠陥が発生したSiCエピタキシャル基板を、断面TEM透過電子顕微鏡を用いて観察した。図1a~cは、この断面TEM像を示す。図1aはSiC基板11とエピタキシャル層12とを全体的に示し、図1bは図1aの点線で囲む領域の部分拡大図であり、図1cは図1bの点線で囲む領域の部分拡大図である。観察の結果、発生した三角欠陥のほぼ直下に位置するようにして、SiC基板11とSiCエピタキシャル層12との界面付近に、3C-SiC積層欠陥が発生していることがわかった。また、3C-SiC積層欠陥上には、4H-SiC層が積層されていることがわかった。このことから、3C-SiC積層欠陥は、エピタキシャル成長初期に発生しやすく、この3C-SiC積層欠陥がエピタキシャル層表面における三角欠陥の発生に大きく寄与することが判明した。3C-SiC積層欠陥が成長初期に発生しやすい理由としては、エピタキシャル層を成長させる前のSiC基板の表面には、研磨傷やピットによる凹凸や、異物および不純物などが付着している場合が多いことが挙げられる。基板表面上に凹凸や異物などが存在すると、原料ガスから基板表面に吸着された分子の表面マイグレーションが阻害され、吸着原子がトラップされることで2次元核成長が生じやすくなる。その結果、例えば1600°未満の比較的低温で成長させた場合には、低温で安定な異種ポリタイプである3C-SiC積層欠陥が発生し、成長したエピタキシャル層の表面に三角欠陥が発生するものと考えられる。また、本発明者の実験によれば、初期成長層において3C-SiC積層欠陥がひとたび発生すると、その後、より高温でのエピタキシャル成長を行ったとしても、エピタキシャル層の表面から三角欠陥を消滅させることが困難であることがわかった。これは、初期成長層の表面形状表面モホロジーの影響を受けながら、エピタキシャル層が成長するからであると考えられる。したがって、三角欠陥の発生を防止するためには、エピタキシャル成長の初期の段階で高温でのエピタキシャル成長を行うことが望ましい。本発明者らは、以上の分析および推察に基づいて、エピタキシャル層の全てを高温で成長させるのではなく、成長初期のみを高温でエピタキシャル成長させ、成長初期以降は、より低い温度でエピタキシャル成長を行うことを考え、発明を完成させるに至った。このようにすれば、2次元核成長が比較的生じやすい8°以下特に、4°以下のオフ角を有するSiC基板においても、三角欠陥の発生を抑制しながら、より低温例えば、1600°C未満でのエピタキシャル成長を適切に行うことが可能である。また、成長初期以外のエピタキシャル成長を低温で行うことで、ステップバンチングの発生を抑制できるので、エピ層の表面粗さの悪化を防止することができる。また、成長初期以外は低温でエピタキシャル成長を行うので、反応容器内において意図的でなく発生した不純物ガスがエピタキシャル層に不純物として取り込まれることを抑制することができる。したがって、低オフ角基板を用いる場合にも、エピタキシャル層の品質を向上させることができ、高品位のデバイスMISFETなどを作製することが可能になる。図2は、本発明の実施の形態の製造方法によって作製されるSiCエピタキシャル基板の構造を示す。SiC基板21の主面上には、高温で成長させる第1のエピタキシャル層高温成長層または初期成長層22と、より低温で成長させる第2のエピタキシャル層低温成長層23とが積層されている。以下、本発明のSiCエピタキシャル基板の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。まず、図3を参照しながら、SiCエピタキシャル成長に使用するCVD装置10を説明する。CVD装置10は、反応容器1を備えており、反応容器1内には基板6を保持するサセプタ4が収容されている。CVD装置10はまた、原料ガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを反応容器1内に供給するガス供給ライン2と、反応容器1からガスを排気するガス排気ライン3とを備えている。原料ガスには、Si系ガスとC系ガスとを含むガスが用いられる。Si系ガスとしては、モノシランガスSiH4、四塩化シリコンガスSiCl4等が挙げられる。C系ガスとしては、プロパンガスC3H8、アセチレンガスC2H2等が挙げられる。また、n型のドーピングガスには、窒素やアンモニアガス、フォスフィンPH3などが用いられ、p型のドーピングガスには、トリメチルアルミニウムやジボランB2H6などが用いられる。キャリアガスには水素ガス、アルゴンガスなどが用いられる。CVD装置10は、さらに、原料ガスを十分に熱分解できる温度にまで加熱することができるヒーター8と、ヒーター8を制御して反応容器1内の温度を調節する温度制御装置図示せずとを備えている。また、サセプタ4に保持された基板6の温度を測定するために用いられる温度測定装置41、51を備えている。サセプタ4は、サセプタ4に取り付けられた回転機構9により回転させることができる。ヒーター8としては、例えば、サセプタ4と、サセプタ4に対向して配置された天板5とを加熱するように配置された高周波誘導コイルが好適に用いられる。この場合、基板6の温度は、高周波誘導コイルに流す電流の大きさを制御することで調節可能である。なお、本実施形態で用いるCVD装置は、上記に説明した形態に限定されない。SiCエピタキシャル層の形成に適した種々のCVD装置を利用することができる。実施の形態次に、本実施の形態によるSiCエピタキシャル成長方法を説明する。本実施の形態では、原料ガスとしてモノシランガスSiH4とプロパンガスC3H8とを用い、n型ドーパントガスとして窒素を用い、キャリアガスとして水素を用いる。また、SiC基板としては、その主面が、0001面から4°のオフ角を有する4H-SiC基板を用い、0001Si面上にSiCエピタキシャル層を成長させる。図4は、本発明の実施の形態におけるエピタキシャル成長シーケンスを示すグラフであり、この成長シーケンスによって図2に示した構成を有するSiCエピタキシャル基板が作製される。グラフにおいて、横軸は、経過時間を表わし、縦軸は、CVD装置10図3参照内に収容されたSiC基板6の温度を表す。また、ガス導入タイミングについてもグラフ下に示している。図4から分かるように、本実施の形態におけるエピタキシャル成長シーケンスは、反応容器1およびSiC基板6を加熱する昇温のステップ31と、比較的高温第1の温度T1でSiCエピタキシャル層を成長させる第1のエピタキシャル成長高温成長のステップ32と、高温から低温に温度を切り替える温度切替えのステップ33と、比較的低温第2の温度T2でSiCエピタキシャル層を成長させる第2のエピタキシャル成長低温成長のステップ34と、SiC基板6の温度を降下する降温のステップ35とを含んでいる。まず、昇温のステップ31を説明する。このステップ31は、反応容器1内にSiC基板6を設置した後、サセプタ4およびSiC基板6をエピタキシャル成長に適した成長温度まで昇温していくステップである。昇温時はキャリアガスである水素を流しながら一定圧力に減圧して昇温をする。このようにすれば、昇温時に基板の表面を軽度に水素エッチングすることが可能である。また、昇温時から水素を流しておくことで、次のエピタキシャル成長のステップ32でガスの流れを乱さないようにできる。なお、図中には示していないが、所定の温度例えば、1400°C~1500°Cに達した後、温度の安定化やSiC基板表面の水素エッチングのために、数秒間から数分間だけ一定温度で保持してもよい。次に、第1のエピタキシャル成長高温成長のステップ32を説明する。このステップ32は、三角欠陥を抑制するために、高温T1でエピタキシャル成長を行うステップである。ヒーター8の温度を制御し、比較的高温の状態でモノシランガスSiH4およびプロパンガスC3H8をSiC基板6上に流すことで、SiC基板6上に第1のエピタキシャル層高温成長層を成長させる。ここで、高温成長ステップ32において成長温度をどのような範囲に設定するかについて説明する。図5は、成長温度SiC基板6の温度と、成長したSiCエピタキシャル層の表面に発現する三角欠陥の密度との関係を示すグラフである。なお、図5は、エピタキシャル成長中の基板温度を一定に保持するという条件で、エピタキシャル層を約10μmの厚さまで成長させたときのデータを示している。また、三角欠陥密度の評価は金属顕微鏡を用いて行っている。図5に示す5つのデータの成長温度は、それぞれ、1550°C、1575°C、1600°C、1625°C、および1650°Cである。グラフから分かるように、三角欠陥の発生は、成長温度を1600°C以上に設定することで大きく減少する。したがって、三角欠陥を抑制するためには、高温成長時の成長温度T1を1600°C以上に設定することが好ましく、1625°C以上に設定することがより好ましい。また、三角欠陥の発生が、0.5個/cm2以下となるように高温成長温度T1を選択することが好ましい。また、成長温度の上限温度は1650°C以下とすることが好ましい。成長温度が1650°Cを超えると、短時間であってもエピタキシャル層の表面に大きなステップバンチングを発生させる可能性が高まるからである。また、第1のエピタキシャル層高温成長層の膜厚は、0.01μm以上2μm以下であることが好ましい。第1のエピタキシャル層を厚く成長しすぎると、高温での成長時間が長くなることで、ステップバンチングが発生してしまうからである。ただし、ごく短い時間であれば、より高温例えば1700°C以上にまで加熱されてもよい。この高温成長ステップ32において、第1のエピタキシャル層高温成長層にはSiC基板と同じ導電型の不純物をドープしても良い。その場合、エピタキシャル層のキャリア濃度が1×1017/cm2から1×1020/cm2になるように、ドーピングガス例えば窒素の流量を調整して供給することが好ましい。これにより、初期の成長層として、高濃度の不純物を含むエピタキシャル層を形成することができる。このようにして形成された高不純物濃度エピタキシャル層は、例えば、MISFETを作製したときのバッファ層102a図12参照として好適に利用される。次に、温度切替えのステップ33を説明する。このステップ33は、第1のエピタキシャル層高温成長層の成長温度T1から低温成長層の成長温度T2へと基板温度を低下させるステップである。図示するように、温度切替えのステップ33において、モノシランガスSiH4およびプロパンガスC3H8を継続して流すことにより、エピタキシャル成長を継続して行っても良い。また、図6に示す成長シーケンスのように、モノシランガスおよびプロパンガスの供給を一旦止めて、エピタキシャル成長を一時的に停止しても良い。温度切替えのステップ53においてモノシランガスおよびプロパンガスの供給を止めることにより、この後に行われる低温成長ステップ34が開始される前に、高温成長ステップ32で発生した不可避的な不純物ガス反応容器1のパーツからのガスを排気することができる。これにより、低温成長層への意図しない不純物の混入を抑制することが可能である。なお、図6に示す成長シーケンスは、温度切替えステップ53において原料ガスの供給を停止することを除いて、図4に示すステップと同様のステップから構成されているので、同じ参照符号を付すとともに説明を省略する。次に、再び図4を参照して、第2のエピタキシャル成長低温成長のステップ34を説明する。低温成長ステップ34では、高温成長ステップ32における成長温度T1よりも低い成長温度T2にSiC基板6の温度を設定した状態で、モノシランガスおよびプロパンガスをSiC基板6上に流すことによって、第1のエピタキシャル層の上に第2のエピタキシャル層低温成長層を成長させる。低温成長ステップ34において、より低い温度T2でエピタキシャル成長を行うので、ステップバンチングの発生を抑制することができる。また、低温成長ステップ34では、高温成長ステップ32で形成した高温成長層よりも厚いエピタキシャル層を形成するため、高温成長ステップ32よりも長い時間エピタキシャル成長を行う。ここで、低温成長ステップ34において成長温度T2をどのような範囲に設定するかについて説明する。図7は、成長温度SiC基板温度と、SiCエピタキシャル基板の表面粗さRaとの関係を示すグラフである。なお、図7は、エピタキシャル成長中の温度を一定に保持するという条件で、エピタキシャル層を約10μmの厚さまで成長させたときのデータを示している。また、表面粗さRaの評価はAFMを用いて行っている。図7に示す5つのデータの成長温度は、それぞれ、1550°C、1575°C、1600°C、1625°C、および1650°Cである。グラフから分かるように、表面粗さRaは、成長温度を1600°C以下に設定したときに大きく減少する。したがって、ステップバンチングを抑制するためには、低温成長時の成長温度T2を1600°C以下に設定することが好ましく、1575°C以下に設定することがより好ましい。また、表面粗さRaが0.2nm以下となるように、低温成長温度T2を選択することが好ましい。ただし、温度が低すぎると、エピタキシャル層の成長速度が低下しすぎるため好ましくない。また、1500°C未満の低温で成長させたとしても、形成されたエピタキシャル層の表面粗さRaをさらに改善することは難しい。このため、低温成長時の成長温度T2は1500°C以上に設定することが好ましい。最後に、降温のステップ35について説明する。このステップ35は、エピタキシャル成長を終了し、リアクタ反応容器およびSiC基板を冷却していくステップである。降温時はモノシランガスおよびプロパンガスの供給を止め、キャリアガスである水素ガスを流しながら降温する。以上のステップで、本実施の形態のエピタキシャル成長シーケンスが完了となる。ただし、本発明に係るエピタキシャル成長シーケンスは上記の形態に限られるものではない。例えば、図8に示すように、高温成長ステップ52において、高温T1でエピタキシャル層を成長させた後、高温T1から温度が漸減するように、より低い温度での成長ステップ54を行っても良い。なお、本明細書においては、このように連続的に温度が減少するような成長ステップ54であっても、初期に行う高温成長ステップ52での成長温度よりも低い温度での成長を行う場合には、低温成長ステップと称する。なお、図8に示す昇温のステップ31および降温のステップ35については、図4に示すステップと同様のステップであるので、同じ参照符号を付すとともに説明を省略する。エピタキシャル成長の成長温度以外の成長条件については、表面粗さの観点から、成長圧力を50~250mbarに設定することが好ましい。また、C/Si比は、0.8~1.2に設定することが好ましく、0.9~1.1に設定することがより好ましい。本発明の実施形態では、C/Si比を変化させずにエピタキシャル成長を行っている。このように、エピタキシャル層の成長中にC/Si比を一定に維持することで、成長するエピタキシャル層におけるキャリア濃度を調整することがより容易になり、設計通りのデバイスを作製しやすい。ただし、必要に応じて、高温成長時と低温成長時とでC/Si比を変化させても良い。以下、本発明の実施例と比較例とを説明する。比較例1および比較例2では、下記に示すように従来の方法により成長温度を一定に保持したままエピタキシャル成長を行ってSiCエピタキシャル基板を作製した。また、実施例1および実施例2では、本発明の実施の形態の方法により成長温度を変化させてエピタキシャル成長を行ってSiCエピタキシャル基板を作製した。比較例1、2および実施例1、2のそれぞれについて、エピタキシャル層の表面に発生した三角欠陥の発生密度、エピタキシャル層表面の表面粗さRa、および、バックグラウンドキャリア濃度残留キャリア濃度を測定した。なお、ここでの成長温度とは、SiC基板の温度を意味している。また、三角欠陥密度の評価は金属顕微鏡を用いて行い、表面粗さRaの評価はAFMを用いて行っている。ここで、バックグラウンドキャリア濃度とは、ドーピングガスたとえば窒素やトリメチルアルミニウムを供給しないときのSiCエピタキシャル膜のキャリア濃度のことを指す。バックグラウンドキャリア濃度は、水銀プローブCV法によって測定しており、エピタキシャル層の最表面から1μmの深さのキャリア濃度をバックグラウンドキャリア濃度としている。比較例1および2では、図9に示すように、SiC基板81上に単層のエピタキシャル層82を成長させている。ここで単層とはエピタキシャル層中で成長温度が一定であることを意味する。図10は、そのエピタキシャル成長シーケンスを示しており、昇温のステップ91と、エピタキシャル成長のステップ92と、降温のステップ93とから構成されており、エピタキシャル成長のステップ92において温度が一定に保持されている。比較例10001面から8°以下ここでは4°のオフ角を有する4H-SiC基板を用意した。CVD装置を用いて、このSiC基板の0001Si面上に、成長温度1625°Cで10μmの厚さのエピタキシャル層を成長させた。その他の成長条件としては、成長圧力を200mbarとし、モノシランガスとプロパンガスと水素ガスの供給量をそれぞれ30sccm、10sccm、90slmとした。この時の成長速度はおよそ5μm/hである。比較例20001面から8°以下ここでは4°のオフ角を有する4H-SiC基板を用意した。CVD装置を用いて、このSiC基板の0001Si面上に、成長温度1550°Cで10μmの厚さのエピタキシャル層を成長させた。その他の成長条件としては、成長圧力を200mbarとし、モノシランガスとプロパンガスと水素ガスの供給量をそれぞれ30sccm、10sccm、90slmとした。この時の成長速度はおよそ5μm/hである。実施例10001面から8°以下ここでは4°のオフ角を有する4H-SiC基板を用意した。CVD装置を用いて、このSiC基板の0001Si面上に、成長温度1625°Cで0.5μmの厚さの第1のエピタキシャル層高温成長層を成長させ、さらにその上に成長温度1550°Cで10μmの厚さの第2のエピタキシャル層低温成長層を成長させた。その他の成長条件としては、成長圧力を200mbarとし、モノシランガスとプロパンガスと水素ガスの供給量をそれぞれ30sccm、10sccm、90slmとした。この時の低温成長層の成長速度はおよそ5μm/hである。実施例20001面から8°以下ここでは4°のオフ角を有する4H-SiC基板を用意した。CVD装置を用いて、このSiC基板の0001Si面上に、成長温度1625°Cで0.5μmの厚さの第1のエピタキシャル層高温成長層を成長させ、さらにその上に成長温度1500°Cで10μmの厚さの第2のエピタキシャル層低温成長層を成長させた。その他の成長条件としては、成長圧力を200mbarとし、モノシランガスとプロパンガスと水素ガスの供給量をそれぞれ30sccm、10sccm、90slmとした。この時の成長速度はおよそ5μm/hであった。下記表1に、比較例1、2および実施例1、2の測定結果を示す。表1からわかるように、比較例1成長温度:1625°C一定では発生した三角欠陥の密度は良好であるが、表面粗さRaが大きい。また、比較例2成長温度:1550°C一定では表面粗さRaは良好であるが、三角欠陥密度が高い。つまり、三角欠陥密度と表面粗さRaとの間には、成長温度に関してトレードオフの関係があることがわかる。一方、実施例1成長温度:1625°C→1550°Cおよび実施例2成長温度:1625°C→1500°Cでは、三角欠陥密度と表面粗さRaとの両方が良好であることがわかる。このように、本発明の実施例によれば、三角欠陥密度を0.5個/cm2以下とし、且つ、表面粗さRaを0.2nm以下とすることができることがわかる。図11は、実施例2の条件で成長させたエピタキシャル層の最表面のAFM像を示す。図からわかるように、三角欠陥が抑制されているとともに、ステップバンチングが発生しておらず、良好なエピタキシャル層が得られた。また、表1からわかるように、成長温度を低く設定するほど、バックグラウンドキャリア濃度が低下するという結果が得られた。これは、低温での成長になることで、CVD装置のリアクタパーツから基板に到達する不可避的なガス窒素などが抑制されたためであると考えられる。また、窒素以外の金属不純物等のエピタキシャル層への取り込みも低減することができ、不純物濃度を低く抑えることができた。このようにして意図的でなくドープされた不純物としては、窒素や酸素が挙げられ、また、意図的でなくドープされた金属不純物としては、Al、Ti、Fe、Ni、Cr、V等が挙げられる。本発明の実施形態に係るSiCエピタキシャル基板では、高温で成長させた第1のSiCエピタキシャル層の不純物濃度が高くなり、低温で成長させた第2のSiCエピタキシャル層の不純物濃度が低くなる傾向を有する。例えばMISFETなどの半導体デバイスを作製する場合、ゲート絶縁膜はSiCエピタキシャル基板の最表面に形成されるため、第2のSiCエピタキシャル層の不純物濃度が低いことが望ましい。また、MISFETのソースドレイン間の耐電圧やダイオードの逆方向耐電圧に関しても、空乏層が先に形成される第2のエピタキシャル層において不純物濃度が低いことが好ましい。したがって、本実施形態のように、低温成長により第2のエピタキシャル層の不純物濃度を抑制すれば、デバイスの高耐電圧化に有効である。以下、本発明の実施形態にかかるエピタキシャル基板の製造方法を用いて作製されたMISFETを説明する。図12は、本発明の実施形態にかかる縦型MISFET100の構成を示す断面図である。MISFET100は、複数のユニットセル半導体素子100Uを含んでおり、図にはユニットセル100Uが2個並列に配置された状態が示されている。MISFET100は、低抵抗のn型4H-SiC基板101を備え、SiC基板101の主面上にはSiCエピタキシャル層102が設けられている。SiCエピタキシャル層102は、基板101上に形成されたバッファ層102aと、バッファ層102a上に設けられたドリフト層102bとを含んでいる。バッファ層102aは、高濃度の不純物がドープされたn領域であり、ドリフト層102bは、低濃度の不純物がドープされたn領域である。また、MISFET100は、SiCエピタキシャル層102上に形成されたチャネル層106と、チャネル層106上にゲート絶縁膜107を介して設けられたゲート電極108と、SiCエピタキシャル層102の表面に接するソース電極109と、SiC基板101の裏面上に設けられたドレイン電極110とを備えている。ソース電極109およびドレイン電極110のそれぞれには、上部配線電極112および裏面配線電極113がそれぞれ接続されている。ゲート電極108は、層間絶縁膜111によって覆われており、上部配線電極112とは絶縁されている。なお、ゲート絶縁膜107は、チャネル層106の表面を熱酸化することによって形成された熱酸化膜SiO2膜であってもよい。SiCエピタキシャル層102の表面領域には、SiCエピタキシャル層102とは逆の導電型のp型ボディ領域103が設けられている。また、p型ボディ領域103の内部には、高濃度のn型不純物を含むn型ソース領域104、および、ボディ領域103よりも高い濃度のp型不純物を含むp型コンタクト領域105が形成されている。ボディ領域103、ソース領域104およびコンタクト領域105は、SiCエピタキシャル層102の所定の領域に不純物を注入する工程と、SiCエピタキシャル層102に注入された不純物を活性化させる高温熱処理を行う工程とによって形成される。本実施形態において、SiC基板101には、例えば、不純物濃度1×1020cm3の窒素がドーピングされている。このSiC基板101上に、上述の実施形態の方法例えば、図4に示した成長シーケンスに従って、SiCエピタキシャル層102を成長させる。まず、バッファ層102aを、例えば1625°Cでの高温成長によって形成する。このとき、n型ドーパントガスであるN2の流量を適切に調節することで、バッファ層102aのキャリア濃度は、例えば、1×1017/cm3以上1×1020/cm3以下に設定される。バッファ層102aの厚さは、例えば、0.1μm~1.0μmである。バッファ層102aを形成した後、低温例えば、1600°C未満でドリフト層102bを成長させる。ドリフト層102bの不純物濃度もバッファ層102aと同様にN2の流量を調整することにより制御される。ドリフト層102bのキャリア濃度は、例えば、5×1015/cm3以上2×1016/cm3以下に設定される。ドリフト層102bの厚さは、例えば、0.5μm~10.0μmである。上記には、バッファ層102aを高温成長により形成し、ドリフト層102bを低温成長により形成する形態を説明したが、これに限られるものではない。バッファ層102aは、高温で成長させた初期成長層と、その後、より低温で成長させたエピタキシャル層の一部とを含んでいても良い。不純物ガスの流量を切り替えることで、成長温度に関わらず、任意の厚さで高不純物濃度のバッファ層と低不純物濃度のドリフト層とを設けることができる。このようにして作製されたMISFET100は、エピタキシャル層の表面に発生する三角欠陥が低減され、かつ、ステップバンチングによる表面荒れも抑制されているので、向上した素子特性を有する。