"第1半導体層と、該第1半導体層の上に堆積される第2半導体層と、前記第2半導体層との層境界にて前記第1半導体層の中に形成される、ガイドチャネル内の2次元電子ガスと、横方向に互いに離間配置された、前記ガイドチャネルに導電的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、を有するHEMT構造の半導体デバイスにおいて、前記ガイドチャネルの層抵抗は、前記ソース電極と前記ゲート電極の間の電流方向において不均一になっており、前記ガイドチャネルの層抵抗は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記ガイドチャネルの部分区間において、前記部分区間の両側に位置するガイドチャネルの隣接領域に比べて高められている、ことを特徴とするデバイス。前記部分区間における層抵抗は、前記隣接領域における平均的な層抵抗よりも少なくとも4だけ、とりわけ少なくとも8だけ高い、ことを特徴とする請求項1記載のデバイス。前記ソース電極の方向に位置する隣接領域における層抵抗は、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の範囲内での最小値をとる、ことを特徴とする請求項1または2記載のデバイス。前記部分区間は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間におけるガイドチャネルの長さよりも短い、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間におけるガイドチャネルの長さの60未満、とりわけ40未満である、ことを特徴とする請求項4記載のデバイス。前記部分区間の長さは、前記ゲート電極とドレイン電極の間におけるガイドチャネルの長さの少なくとも10、とりわけ少なくとも20である、ことを特徴とする請求項4または5記載のデバイス。前記部分区間は、前記ドレイン電極よりも前記ゲート電極の近傍に位置する、ことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間は、前記ゲート電極の位置とオーバーラップする、ことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘る第2半導体層の層厚は、前記隣接領域に亘る第2半導体層の層厚よりも薄い、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘る第2半導体層の層厚は、前記隣接領域に亘る第2半導体の層厚よりも少なくとも5だけ、とりわけ少なくとも10だけ薄い、ことを特徴とする請求項9記載のデバイス。前記層厚が低減された領域は、前記ゲート電極に対して横方向に前記ドレイン電極の方向にシフトされて配置されている、ことを特徴とする請求項9または10記載のデバイス。前記ソース電極と前記ドレイン電極の間における前記第2半導体の最大層厚は、30nm未満、とりわけ少なくとも25nm未満である、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘る第2半導体層は、前記第2半導体層の堆積後にイオン注入によって該第2半導体層に供給される付加的な構成要素を含む、ことを特徴とする請求項1から12のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘る第2半導体層は、前記イオン注入によって生じた格子欠陥を有する、ことを特徴とする請求項13記載のデバイス。前記付加的な構成要素として、元素O,H,Ar,N,および/またはZnが、イオン注入によって供給されている、ことを特徴とする請求項13または14記載のデバイス。前記第2半導体層に亘って、最も上の半導体層として別の半導体層が堆積されている、ことを特徴とする請求項1から15のいずれか一項記載のデバイス。前記別の半導体層は、前記部分区間には存在していない、ことを特徴とする請求項16記載のデバイス。最も上の半導体層の上に、パッシベーション層として誘電性の層が堆積されている、ことを特徴とする請求項1から17のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘るパッシベーション層は、前記隣接領域に亘るパッシベーション層とは、組成および/または堆積プロセスのパラメータが異なっている、ことを特徴とする請求項18記載のデバイス。前記部分区間に亘るパッシベーション層は、前記隣接領域に亘るパッシベーション層に対して付加的な構成要素を含む、ことを特徴とする請求項19記載のデバイス。前記パッシベーション層は、少なくとも大部分が窒化ケイ素によって形成されている、ことを特徴とする請求項18から20のいずれか一項記載のデバイス。前記部分区間に亘るパッシベーション層は、元素O,Arのうちの少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項21記載のデバイス。前記第1半導体層はGaNからなる、ことを特徴とする請求項1から22のいずれか一項記載のデバイス。前記第2半導体層は、AlxGa1-xNからなる、ことを特徴とする請求項23記載のデバイス。前記Al成分xは、最大でもx=0.3、とりわけ最大でもx=0.25である、ことを特徴とする請求項24記載のデバイス。前記第2半導体層はドーピングされていない、ことを特徴とする請求項1から25のいずれか一項記載のデバイス。"