"熱硬化性樹脂及びフィラを含有する第1の樹脂組成物からなる第1の層と、フラックス剤を含有する第2の樹脂組成物からなる第2の層と、を備え、前記第2の樹脂組成物全量に対する前記第2の樹脂組成物中のフィラの質量比率が、前記第1の樹脂組成物全量に対する前記第1の樹脂組成物中のフィラの質量比率より小さい、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物。前記第2の樹脂組成物が、熱可塑性樹脂をさらに含有する、請求項1に記載の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物。複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体チップと、複数の電極が設けられた電極面を有する基板と、を備える半導体装置の製造方法であって、請求項1又は2に記載の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、前記第1の層に対して前記第2の層が前記基板側に配置されるように、前記基板の前記電極面上に貼付する第1の工程と、前記第1の工程を経た前記基板と前記半導体チップとを、前記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を介して前記電極面と前記バンプ形成面とが対向するように配置して、前記基板の電極と前記半導体チップのバンプとが電気的に接続するように加熱加圧する第2の工程と、を備え、前記第2の工程で接続される前記電極及び前記バンプのうち少なくとも一方の表面に、スズ又ははんだが存在する、半導体装置の製造方法。複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体チップと、複数の電極が設けられた電極面を有する基板と、を備える半導体装置の製造方法であって、複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体ウェハの該バンプ形成面上に、請求項1又は2に記載の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、前記第2の層に対して前記第1の層が前記半導体ウェハ側に配置されるように貼付する第1の工程と、前記第1の工程を経た前記半導体ウェハを個片化して、前記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップを得る第2の工程と、前記第2の工程で得られた前記半導体チップと前記基板とを、前記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を介して前記バンプ形成面と前記電極面とが対向するように配置して、前記半導体チップのバンプと前記基板の電極とが電気的に接続するように加熱加圧する第3の工程と、を備え、前記第3の工程で接続される前記電極及び前記バンプのうち少なくとも一方の表面に、スズ又ははんだが存在する、半導体装置の製造方法。請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置。しかし、従来の先供給方式では、封止樹脂の熱膨張係数を低減するために配合されたフィラーがバンプと基板電極との間に挟まれてトラッピングと呼ばれる接続不良が発生し、導電不良が起きたり、挟まれたフィラーを起点にしてバンプや基板電極にクラックが生じて接続信頼性が低下するという問題がある。本発明は、先供給方式のための封止樹脂として用いた場合に、トラッピングの発生を十分に抑制でき、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を得ることが可能な半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する第1の樹脂組成物からなる第1の層と、フラックス剤を含有する第2の樹脂組成物からなる第2の層と、を備え、上記第2の樹脂組成物全量に対する上記第2の樹脂組成物中のフィラーの質量比率が、上記第1の樹脂組成物全量に対する上記第1の樹脂組成物中のフィラーの質量比率より小さい、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を提供する。本発明によれば、バンプと基板電極との間のフィラーの挟み込みが防止され、良好な接続部の形成が可能となる。すなわち、本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、先供給方式においてトラッピングの発生を十分に抑制でき、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を得ることができる。また、本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、半導体チップと基板とを接続する際の加熱加圧で第1の樹脂組成物が硬化し、硬化した第1の樹脂組成物がバンプと基板電極との接続部を補強する。これにより、接続終了後の冷却過程において、半導体チップと基板との熱膨張係数差に起因する熱応力が接続部に集中し、クラックなどの接続不良が生じることを、十分に抑制することができる。すなわち、このような半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、接続信頼性に一層優れる半導体装置が得られる。本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、上記第2の樹脂組成物が熱可塑性樹脂をさらに含有することが好ましい。かかる半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、第2の樹脂組成物からなる第2の層の表面タック力が低くなる。そのため、例えば、後述する半導体の製造方法において、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体ウェハを半導体チップに個片化する際に生じた切削屑が、第2の層の表面に付着することを防止する効果がある。本発明はまた、複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体チップと、複数の電極が設けられた電極面を有する基板と、を備える半導体装置の製造方法であって、上記本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、上記第1の層に対して上記第2の層が上記基板側に配置されるように、上記基板の上記電極面上に貼付する第1の工程と、上記第1の工程を経た基板と上記半導体チップとを、上記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を介して上記電極面と上記バンプ形成面とが対向するように配置して、上記基板の電極と上記半導体チップのバンプとが電気的に接続するように加熱加圧する第2の工程と、を備え、上記第2の工程で接続される上記電極及び上記バンプのうち少なくとも一方の表面に、スズ又ははんだが存在する、半導体装置の製造方法を提供する。このように本発明のフィルム状樹脂組成物を基板表面に配置することによって、半導体チップのバンプと基板の電極とがフィラーの質量比率がより小さい第2の層中で接触することとなり、フィラーの挟み込みを抑制できるとともに、第2の層中のフラックス剤によって、バンプ先端の酸化膜が還元除去され、基板電極との金属接合が容易となる。本発明はまた、複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体チップと、複数の電極が設けられた電極面を有する基板と、を備える半導体装置の製造方法であって、複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体ウェハの該バンプ形成面上に、上記本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、上記第2の層に対して上記第1の層が上記半導体ウェハ側に配置されるように貼付する第1の工程と、上記第1の工程を経た上記半導体ウェハを個片化して、上記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップを得る第2の工程と、上記第2の工程で得られた上記半導体チップと上記基板とを、上記半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を介して上記バンプ形成面と上記電極面とが対向するように配置して、上記半導体チップのバンプと上記基板の電極とが電気的に接続するように加熱加圧する第3の工程と、を備え、上記第3の工程で接続される上記電極及び上記バンプのうち少なくとも一方の表面に、スズ又ははんだが存在する、半導体装置の製造方法を提供する。このように本発明のフィルム状樹脂組成物を半導体チップ表面に配置することによって、半導体チップのバンプと基板の電極とがフィラーの質量比率がより小さい第2の層中で接触することとなり、フィラーの挟み込みを抑制できるとともに、第2の層中のフラックス剤によって、バンプ先端の酸化膜が還元除去され、基板電極との金属接合が容易となる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、上記本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いているのでトラッピングの発生が十分に抑制され、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を製造することができる。本発明はさらに、上記本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置を提供する。かかる半導体装置は、上記本発明の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物により封止充てんされているため、トラッピングの発生による接続不良やクラックの発生が抑えられており、良好な導電性及び接続信頼性を有する。本発明によれば、先供給方式のための封止樹脂として用いた場合に、トラッピングの発生を十分に抑制でき、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を得ることが可能な半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。本発明の好適な実施形態について以下に説明する。本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、フィラーを含有する第1の樹脂組成物からなる第1の層と、フラックス剤を含有する第2の樹脂組成物からなる第2の層と、を備え、第2の樹脂組成物全量に対する第2の樹脂組成物中のフィラーの質量比率が、第1の樹脂組成物全量に対する第1の樹脂組成物中のフィラーの質量比率より小さいものである。ここで、第2の樹脂組成物は、フィラーを含有していても含有していなくてもよい。すなわち、第2の樹脂組成物全量に対する第2の樹脂組成物中のフィラーの質量比率は0質量であってもよい。本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、先供給方式において、トラッピングの発生が十分に抑制される。そのため、本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いることで、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を得ることができる。第1の層第1の層は、フィラーを含有する第1の樹脂組成物からなる層である。フィラーとしては、無機フィラーを用いることが好ましい。無機フィラーを用いると、第1の樹脂組成物又はその硬化物の熱膨張係数が一層低下するため、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物により封止充てんされた半導体装置の接続信頼性が、一層良好になる。無機フィラーとしては、ガラス、二酸化ケイ素シリカ、酸化アルミニウムアルミナ、酸化チタンチタニア、酸化マグネシウムマグネシア、カーボンブラック、マイカ、硫酸バリウムなどが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を混合して用いることができる。また、無機フィラーとしては、2種以上の金属を含む複合酸化物2種以上の金属酸化物を単に混合したものではなく、金属酸化物同士が化学的に結合して分離不能な状態となっているものを用いることもできる。このような無機フィラーとしては、例えば、ケイ素、チタン、アルミニウム、ホウ素及びマグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも2種の元素を含む複合酸化物が挙げられる。より具体的には、例えば、二酸化ケイ素と酸化チタンとの複合酸化物、二酸化ケイ素と酸化アルミニウムとからなる複合酸化物、酸化ホウ素と酸化アルミニウムとからなる複合酸化物、二酸化ケイ素と酸化アルミニウムと酸化マグネシウムとからなる複合酸化物、などが挙げられる。これらの複合酸化物は、単独で又は2種以上を混合して用いることができ、上記の無機フィラーと混合して用いることもできる。また、本実施形態においては、ボイド抑制効果や応力緩和を目的に、フィラーとしてボイド無機フィラーと有機フィラーとを組み合わせて用いることもできる。有機フィラーとしては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエンゴム、ポリエステル、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、ポリアリレート、ポリメチルメタクリレート、アクリルゴム、ポリスチレン、NBR、SBR、シリコーン変性樹脂等の樹脂成分からなるフィラーが挙げられる。有機フィラーとしては、分子量が100万以上の樹脂を含む有機微粒子又は三次元架橋構造を有する有機微粒子が好ましい。このような有機微粒子は樹脂組成物への分散性が高い。また、このような有機微粒子を含むフィルム状樹脂組成物は、接着性と硬化後の応力緩和性に一層優れる。なお、ここで三次元架橋構造を有するとは、有機微粒子を構成する樹脂のポリマー鎖が三次元網目構造を有していることを示し、このような構造を有する樹脂は、例えば、反応点を複数有するポリマーを当該反応点と結合しうる官能基を二つ以上有する架橋剤で処理することで得られる。分子量が100万以上の樹脂を含む有機微粒子及び三次元架橋構造を有する有機微粒子は、いずれも溶媒への溶解性が低い点で好ましい。溶媒への溶解性が低いこれらの有機微粒子は、上述の効果を一層顕著に得ることができる。また、上述の効果を一層顕著に得る観点からは、上記有機微粒子は、メタアクリル酸アルキル-シリコーン共重合体、シリコーン-メタアクリル共重合体又はこれらの複合体からなる有機微粒子であることが好ましい。有機フィラーとしては、コアシェル型の構造を有し、コア層とシェル層で組成が異なる有機微粒子を用いることもできる。コアシェル型の有機微粒子として、具体的には、シリコーン-アクリルゴムをコアとしてアクリル樹脂をグラフトした粒子、ブタジエンゴムをコアとしてアクリル樹脂やスチレン樹脂をグラフトした粒子、等が挙げられる。有機フィラーとして、分子量が100万以上の樹脂を含む有機微粒子又は三次元架橋構造を有する有機微粒子を用いる場合、有機溶剤への溶解性が低いことから、容易に粒子形状を維持したままでフィルム状樹脂組成物中に含有させることができる。これにより、フィルム状樹脂組成物中に有機微粒子を島状に分散させることができ、硬化後のフィルム状樹脂組成物の強度を一層向上させることができる。フィラーの形状は、特に限定されないが、破砕状、針状、リン片状、球状などが挙げられる。これらのうち、フィラーの形状は球状であることが好ましい。球状のフィラーは樹脂組成物中への分散性が良好であるため、フィラーが樹脂組成物の特定の箇所に集中してバンプと基板電極との間に挟み込まれる易くなることを防止することができ、接続信頼性に一層優れる半導体装置が得られるようになる。また、フィラーが球状であると、樹脂組成物の粘度制御が容易となる傾向がある。なお、ここで球状とは、必ずしも真球である必要はなく、略球状であればよい。フィラーのサイズは、フリップチップ接続する際の半導体チップと基板との間の空隙よりも小さいものであればよい。フィラーの平均粒径は、充てん密度を高くすることができ、樹脂組成物の粘度制御が容易となるという観点から、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがより好ましく、3μm以下であることがさらに好ましい。なお、フィラーの平均粒径の下限値は特に限定されるものではないが、例えば、平均粒径が0.01μm以上のフィラーを用いることができる。また、本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物における効果良好な導電性及び接続信頼性が一層顕著に得られることから、フィラーの平均粒径は0.05~0.9μmとすることができ、0.1~0.8μmとすることもできる。なお、ここでいう、平均粒径はレーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置でメジアン径として求めることができるものである。メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が50となる粒子径D50の値を示す。第1の樹脂組成物全量に対する第1の樹脂組成物中のフィラーの質量比率は、第1の樹脂組成物又はその硬化物の熱膨張係数が一層低下する観点からは20質量以上であることが好ましく、第1の樹脂組成物又はその硬化物の機械的強度が一層向上する観点からは30質量以上であることがより好ましく、第1の樹脂組成物又はその硬化物の吸水率が一層低下する観点からは40質量以上であることがさらに好ましい。第1の樹脂組成物全量に対する第1の樹脂組成物中のフィラーの質量比率の上限値は、特に限定されるものではないが、例えば、70質量以下とすることができ、60質量以下とすることもできる。70質量を超えると第1の樹脂組成物が脆くなり、取り扱い性が低下する場合がある。有機フィラーと無機フィラーとを併用する場合、有機フィラーの質量比率は第1の樹脂組成物全量に対して1~10質量であることが望ましい。1質量以上であると、有機フィラーによるボイド抑制効果や応力緩和効果が顕著に得られるようになり、10質量以下であると樹脂組成物の増粘が抑制され、フィルム状樹脂組成物表面の凹凸が低減され、ボイドの発生が一層抑制され、接着性が一層向上する。第1の樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。これにより、半導体チップと基板とを接続する際の加熱加圧で第1の樹脂組成物が硬化し、硬化した第1の樹脂組成物がバンプと基板電極との接続部を補強することができるようになる。そのため、接続終了後の冷却過程において、半導体チップと基板との熱膨張係数差に起因する熱応力が接続部に集中してクラックなどの接続不良が生じることが、十分に抑制される。すなわち、第1の樹脂組成物が熱硬化性樹脂を含有することで、得られる半導体装置の接続信頼性が一層優れるものとなる。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、アクリレート樹脂、メタクリレート樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。耐熱性に優れること及び作業性が良好となることから、第1の樹脂組成物は熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、2官能以上のエポキシ樹脂分子中に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が用いられる。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ジフェニルスルフィド骨格含有エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型多官能エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有多官能エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格含有多官能エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、その他各種多官能エポキシ樹脂などを用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち、樹脂組成物の低粘度化が容易に実現できること、樹脂組成物又はその硬化物の吸水率が低下して寸法変化等が一層生じ難くなること、樹脂組成物又はその硬化物の耐熱性が一層向上すること、などの観点からは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有多官能エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格含有多官能エポキシ樹脂などを用いることが好ましい。エポキシ樹脂の性状としては、25°Cで液状でも固形でも構わない。また、これらのエポキシ樹脂は単独または2種以上を混合して用いてもよい。第1の樹脂組成物は、硬化剤をさらに含有していてもよい。硬化剤は、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、第1の樹脂組成物が熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する場合、硬化剤としては、イミダゾール類、酸無水物類、アミン類、フェノール類、ヒドラジド類、ポリメルカプタン類、ルイス酸-アミン錯体などを用いることができる。これらの硬化剤のうち、樹脂組成物の低粘度化が容易に実現できること、保存安定性に優れること、樹脂組成物の硬化物の耐熱性が一層向上すること、などの観点から、イミダゾール類、酸無水物類、アミン類、フェノール類が好適に用いられる。また、硬化剤として、ポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されるために好ましい。上記イミダゾール類としては、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、などが挙げられる。また、これらのイミダゾール類にエポキシ樹脂を付加させた化合物を用いることもできる。これらのイミダゾール類としては、例えば、2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PHZ、2MA-OK、2PZ-OKいずれも四国化成工業株式会社製、製品名などを用いることができる。また、上記イミダゾール類は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。第1の樹脂組成物におけるイミダゾール類の配合量は、第1の樹脂組成物中のエポキシ樹脂の総量100質量部に対して、0.1~10質量部であることが好ましく、0.5~10質量部であることがより好ましく、1~10質量部であることがさらに好ましい。配合量が0.1質量部以上であると、エポキシ樹脂の硬化が十分に進行して、上述の効果接続信頼性が一層優れること、等がより確実に奏される。また、配合量を10質量部以下とすることで、保存安定性が一層良好になる。上記酸無水物類としては、例えば、マレイン酸無水物、コハク酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、フタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、メチルハイミック酸無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ポリアゼライン酸無水物、アルキルスチレン-マレイン酸無水物共重合体、3,4-ジメチル-6-2-メチル-1-プロペニル-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1-イソプロピル-4-メチル-ビシクロ[2.2.2]オクト-5-エン-2,3-ジカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテート、などを用いることができる。これらのうち、樹脂組成物又はその硬化物の耐熱性及び耐湿性が一層良好になるという観点からは、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、3,4-ジメチル-6-2-メチル-1-プロペニル-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1-イソプロピル-4-メチル-ビシクロ[2.2.2]オクト-5-エン-2,3-ジカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテートなどを用いることが好ましい。これらは単独または2種以上を混合して使用することもできる。第1の樹脂組成物における酸無水物類の配合量は、第1の樹脂組成物中のエポキシ樹脂が有するエポキシ基の数N1と、第1の樹脂組成物に配合された酸無水物から発生し得るカルボキシル基の数N2との比N1/N2が、0.5~1.5となるような配合量であることが好ましい。上記比N1/N2は、0.7~1.2であることがより好ましい。比N1/N2が0.5より小さいと、カルボキシル基が過剰に樹脂組成物の硬化物中に残存することとなり、樹脂組成物の硬化物の耐湿信頼性が低下する場合がある。すなわち、比N1/N2が0.5以上であると、樹脂組成物の硬化物の耐湿信頼性が一層良好になる。また、比N1/N2が1.5以下であると、エポキシ樹脂の硬化が十分に進行して、上述の効果接続信頼性が一層優れること、等がより確実に奏される。上記アミン類としては、1級又は2級アミノ基を分子内に少なくとも一つ以上有している化合物が挙げられる。アミン類としては、保存安定性に優れること、樹脂組成物の硬化物の耐熱性が一層良好になること等の観点から、芳香族アミン類を用いることが好ましい。芳香族アミン類としては、例えば、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド、メタキシレンジアミン、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’,5,5’-テトラエチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、2,2-ビス-[4-4-アミノフェノキシフェニル]-ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス4-アミノフェニル-ヘキサフルオロプロパン、2,4-ジアミノトルエン、1,4-ジアミノベンゼン、1,3-ジアミノベンゼン、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルトルエンジアミン、アニリン類、アルキル化アニリン類、N-アルキル化アニリン類、などを用いることができる。これらは単独または2種以上を混合して使用することもできる。第1の樹脂組成物におけるアミン類の配合量は、第1の樹脂組成物中のエポキシ樹脂が有するエポキシ基の数N1と、第1の樹脂組成物に配合されたアミン類のアミノ基上の活性水素の数N3との比N1/N3が、0.5~1.5となるような配合量であることが好ましい。上記比N1/N3は、0.7~1.2であることがより好ましい。比N1/N3が0.5より小さいと、アミノ基上の活性水素が過剰に樹脂組成物の硬化物中に残存することとなり、樹脂組成物の硬化物の耐湿性が低下する場合がある。すなわち、比N1/N3が0.5以上であると、樹脂組成物の硬化物の耐湿信頼性が一層良好になる。また、比N1/N3が1.5以下であると、エポキシ樹脂の硬化が十分に進行して、上述の効果接続信頼性が一層優れること、等がより確実に奏される。上記フェノール類としては、ビスフェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、アリル化フェノールノボラック樹脂、ビフェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性ナフトールノボラック樹脂、各種多官能フェノール樹脂等を使用することができる。これらは1種を単独で又は2種以上の混合体として使用することができる。第1の樹脂組成物におけるフェノール類の配合量は、第1の樹脂組成物中のエポキシ樹脂が有するエポキシ基の数N1と、第1の樹脂組成物に配合されたフェノール類が有するフェノール性水酸基の数N4との比N1/N4が、0.5~1.5となるような配合量であることが好ましい。上記比N1/N4は、0.7~1.2であることがより好ましい。比N1/N4が0.5より小さいと、フェノール性水酸基が過剰に樹脂組成物の硬化物中に残存することとなり、樹脂組成物の硬化物の耐湿性が低下する場合がある。すなわち、比N1/N4が0.5以上であると、樹脂組成物の硬化物の耐湿信頼性が一層良好になる。また、比N1/N4が1.5以下であると、エポキシ樹脂の硬化が十分に進行して、上述の効果接続信頼性が一層優れること、等がより確実に奏される。なお、酸無水物類、アミン類及びフェノール類のうち2種以上を併用する場合には、比[N1/N2N3N4]が0.5~1.5となるように配合されることが好ましく、0.7~1.2となるように配合されることがより好ましい。酸無水物類、アミン類、フェノール類を硬化剤として用いる場合、さらに硬化促進剤を併用してもよい。例えば、上記イミダゾール類は、硬化促進剤として、酸無水物類、アミン類、フェノール類とともに用いることができる。また、硬化促進剤としては、3級アミン類;1,8-ジアザビシクロ5.4.0ウンデセン-7や1,5-ジアザビシクロ4.3.0ノネン-5などの環状アミン類;3級アミン類や環状アミン類のテトラフェニルボレート塩;トリブチルホスフィンなどのトリアルキルホスフィン類;トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィン類;テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレートやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスホニウム塩;などを用いることができる。硬化促進剤の配合量は、ゲル化時間や保存安定性を考慮して適宜設定される。第1の樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂を含有することでフィルム形成性が向上する。熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらのうち、耐熱性及びフィルム形成性に優れることから、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂等が望ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂がより好ましい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、5000以上であることが好ましく、10000以上であることがより好ましく、20000以上であることが更に好ましい。重量平均分子量が5000以上であると、フィルム形成性が向上するという効果を十分に得ることができる。なお、ここで重量平均分子量は、GPCGelPermeationChromatographyを用いて、ポリスチレン換算で測定した値である。また、これらの熱可塑性樹脂は単独又は2種以上の混合体や共重合体として使用することもできる。第1の樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有するとき、その含有量は、第1の樹脂組成物の全量基準で、1~50質量であることが好ましく、1~40質量であることがより好ましく、5~30質量であることがさらに好ましい。含有量が50質量を超えると、樹脂組成物の硬化物の耐熱性が低下する場合がある。第1の樹脂組成物には、上記以外の成分として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、酸化防止剤、レベリング剤、イオントラップ剤などの添加剤が配合されていてもよい。これらの添加剤は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。添加剤の配合量は、各添加剤の効果が発現するように調整すればよい。また、第1の樹脂組成物は、後述するフラックス剤を含んでいてもよい。第2の層第2の層は、フラックス剤を含有する第2の樹脂組成物からなる層である。第2の樹脂組成物には、はんだなどの金属の表面酸化膜を還元除去して、金属接合による良好な接続部を形成するために、フラックス剤が必須成分として配合されている。また、第2の樹脂組成物全量に対する第2の樹脂組成物中のフィラーの質量比率は、第1の樹脂組成物全量に対する第1の樹脂組成物中のフィラーの質量比率より小さい。このような構成を有することにより、先供給方式において、トラッピングの発生が十分に抑制される。なお、第2の樹脂組成物は、フィラーを含有していても含有していなくてもよい。第2の樹脂組成物は、フィラーの質量比率が小さいこと以外、第1の樹脂組成物と同様の成分を含有していてもよく、各成分の配合量は上述の第1の樹脂組成物における好ましい配合量と同様であってもよい。第2の樹脂組成物全量に対する第2の樹脂組成物中のフィラの質量比率は、0質量以上20質量未満であることが好ましく、0~15質量であることがより好ましく、0~10質量であることがさらに好ましい。フィラの含有量が少ないことによって、第2の樹脂組成物及び第2の層の光透過性が向上する。これにより、後述する半導体装置の製造方法において半導体ウェハに張り合わせた際に、第2の層を介してバンプ先端部を視認することが可能となり、ダイシング時の位置合わせや、接続時の基板との位置合わせが容易になるという効果が得られる。なお、このようなバンプ先端部の認識を可能にするためには、第2の層の光透過率が555nmの可視光に対して10以上であることが望ましく、20以上であることがより望ましく、40以上であることがさらに望ましい。また、光透過率は、550nmの可視光に対して、95以下でよく、90以下であってもよい。第2の樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。第2の樹脂組成物が熱可塑性樹脂を含有すると、第2の層の表面タック力が低くなる傾向がある。そのため、例えば、後述する半導体の製造方法において、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体ウェハを半導体チップに個片化する際に生じる切削屑が、第2の層の表面に付着することを防止するという効果が奏される。かかる効果が一層顕著に得られるという観点からは、第2の樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、第2の樹脂組成物の全量基準で、5~99.9質量であることが好ましく、10~95質量であることがより好ましい。また、同様の観点から、第2の樹脂組成物中の熱可塑性樹脂及びフラックス剤の合計含有量は、第2の樹脂組成物の全量基準で、5質量以上であることが好ましく、10質量以上であることがより好ましい。また、第2の樹脂組成物は熱可塑性樹脂及びフラックス剤のみからなるものであってもよい。第2の樹脂組成物におけるフラックス剤の配合量は、第2の樹脂組成物の全量を基準として、0.1~10質量であることが好ましく、光透過性が一層向上する観点から0.5~7質量であることがより好ましく、保存安定性が一層向上する観点から1~5質量であることがさらに好ましい。配合量が0.1質量以上であると、フラックス剤による酸化膜除去効果が一層顕著に奏されるため、接続信頼性が一層向上する。また、フラックス剤が過剰に存在すると樹脂組成物の絶縁性が低下する場合があるが、配合量を10質量以下とすることでこのような絶縁性の低下を防ぎ、絶縁信頼性に優れる樹脂組成物が得られる。フラックス剤としては、樹脂組成物中への分散性に優れる観点から、アルコール類、フェノール類及びカルボン酸類からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を用いることが好ましい。上記アルコール類としては、分子内に2つ以上のアルコール性水酸基を有する化合物が挙げられる。このようなアルコール類としては、1,3-ジオキサン-5,5-ジメタノール、1,5-ペンタンジオール、2,5-フランジメタノール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール、1,2,6-ヘキサントリオール、3-メチルペンタン-1,3,5-トリオール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、エリトリトール、ペンタエリトリトール、リビトール、ソルビトール、2,4-ジエチル-1,5-ペンタンジオール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、1,3-ブチレングリコール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、N-ブチルジエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルイソプロパノールアミン、ビス2-ヒドロキシメチルイミノトリスヒドロキシメチルメタン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、1,1’,1’’,1’’’-エチレンジニトリロテトラキス2-プロパノールなどを用いることができる。これらのアルコール類のうち、3級窒素原子を有する化合物、例えば、N-ブチルジエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N,N-ビス2-ヒドロキシエチルイソプロパノールアミン、ビス2-ヒドロキシメチルイミノトリスヒドロキシメチルメタン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、1,1’,1’’,1’’’-エチレンジニトリロテトラキス2-プロパノールなどは、その他の化合物に比較して、良好なフラックス活性を示すことから好ましい。良好なフラックス活性を示す詳細な理由は明らかではないが、アルコール性水酸基による酸化膜還元能と、3級窒素原子上の不対電子に由来する電子供与性による還元能が併せて作用することに起因していると推測される。なお、これらのアルコール類は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記フェノール類としては、分子内に2つ以上のフェノール性水酸基を有する化合物が挙げられる。このようなフェノール類としては、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキシハイドロキノン、ピロガロール、メチリデンビフェノールビスフェノールFとも称される。、イソプロピリデンビフェノールビスフェノールAとも称される。、エチリデンビフェノールビスフェノールADとも称される。、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシアセトフェノン、ポリp-ビニルフェノールなどが挙げられる。また、分子内に2つ以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、分子内にフェノール性水酸基を有する化合物Aと、該化合物Aと重縮合し得る化合物Bと、の重縮合物を用いることもできる。ここで化合物Bとしては、ジビニルベンゼン;アルデヒド類;分子内にハロメチル基、アルコキシメチル基又はヒドロキシメチル基を2つ以上有する芳香族化合物;などが挙げられる。なお、これらのフェノール類は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記化合物Aとしては、例えば、フェノール、アルキルフェノール、ナフトール、クレゾール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキシハイドロキノン、ピロガロール、メチリデンビフェノールビスフェノールF、イソプロピリデンビフェノールビスフェノールA、エチリデンビフェノールビスフェノールAD、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシアセトフェノン、ポリp-ビニルフェノールなどが挙げられる。上記アルデヒド類としては、ホルムアルデヒドその水溶液としてホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ヘキサメチレンテトラミンなどが挙げられる。分子内にハロメチル基、アルコキシメチル基又はヒドロキシルメチル基を2つ以上有する芳香族化合物としては、例えば、1,2-ビスクロロメチルベンゼン、1,3-ビスクロロメチルベンゼン、1,4-ビスクロロメチルベンゼン、1,2-ビスメトキシメチルベンゼン、1,3-ビスメトキシメチルベンゼン、1,4-ビスメトキシメチルベンゼン、1,2-ビスヒドロキシメチルベンゼン、1,3-ビスヒドロキシメチルベンゼン、1,4-ビスヒドロキシメチルベンゼン、ビスクロロメチルビフェニル、ビスメトキシメチルビフェニルなどが挙げられる。すなわち、上記重縮合物としては、例えば、フェノールとホルムアルデヒドとの重縮合物であるフェノールノボラック樹脂、クレゾールとホルムアルデヒドとの重縮合物であるクレゾールノボラック樹脂、ナフトール類とホルムアルデヒドとの重縮合物であるナフトールノボラック樹脂、フェノールと1,4-ビスメトキシメチルベンゼンとの重縮合物であるフェノールアラルキル樹脂、ビスフェノールAとホルムアルデヒドとの重縮合物、フェノールとジビニルベンゼンとの重縮合物、クレゾールとナフトールとホルムアルデヒドとの重縮合物などが挙げられ、これらの重縮合物をゴム変性したものや分子骨格内にアミノトリアジン骨格やジシクロペンタジエン骨格を導入したものでもよい。さらに、フラックス剤としては、これらのフェノール類をアリル化することによって液状化したものとして、アリル化フェノールノボラック樹脂、ジアリルビスフェノールA、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビフェノールなどを用いることもできる。これらの化合物は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記カルボン酸類としては、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸のいずれであってもよく、25°Cで固体状のものが好ましい。脂肪族カルボン酸としては、例えば、マロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、アリルマロン酸、2,2’-チオジ酢酸、3,3’-チオジプロピオン酸、2,2’-エチレンジチオジ酢酸、3,3’-ジチオジプロピオン酸、2-エチル-2-ヒドロキシ酪酸、ジチオジグリコール酸、ジグリコール酸、アセチレンジカルボン酸、マレイン酸、リンゴ酸、2-イソプロピルリンゴ酸、酒石酸、イタコン酸、1,3-アセトンジカルボン酸、トリカルバリン酸、ムコン酸、β-ヒドロムコン酸、コハク酸、メチルコハク酸、ジメチルコハク酸、グルタル酸、α-ケトグルタル酸、2-メチルグルタル酸、3-メチルグルタル酸、2,2-ジメチルグルタル酸、3,3-ジメチルグルタル酸、2,2-ビスヒドロキシメチルプロピオン酸、クエン酸、アジピン酸、3-tert-ブチルアジピン酸、ピメリン酸、フェニルシュウ酸、フェニル酢酸、ニトロフェニル酢酸、フェノキシ酢酸、ニトロフェノキシ酢酸、フェニルチオ酢酸、ヒドロキシフェニル酢酸、ジヒドロキシフェニル酢酸、マンデル酸、ヒドロキシマンデル酸、ジヒドロキシマンデル酸、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸、スベリン酸、4,4’-ジチオジ酪酸、けい皮酸、ニトロけい皮酸、ヒドロキシけい皮酸、ジヒドロキシけい皮酸、クマリン酸、フェニルピルビン酸、ヒドロキシフェニルピルビン酸、カフェ酸、ホモフタル酸、トリル酢酸、フェノキシプロピオン酸、ヒドロキシフェニルプロピオン酸、ベンジルオキシ酢酸、フェニル乳酸、トロパ酸、3-フェニルスルホニルプロピオン酸、3,3-テトラメチレングルタル酸、5-オキソアゼライン酸、アゼライン酸、フェニルコハク酸、1,2-フェニレンジ酢酸、1,3-フェニレンジ酢酸、1,4-フェニレンジ酢酸、ベンジルマロン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、ウンデカン二酸、ジフェニル酢酸、ベンジル酸、ジシクロヘキシル酢酸、テトラデカン二酸、2,2-ジフェニルプロピオン酸、3,3-ジフェニルプロピオン酸、4,4-ビス4-ヒドロキシフェニル吉草酸、ピマール酸、パラストリン酸、イソピマル酸、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ネオアビエチン酸、アガト酸などが挙げられる。芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、2-ヒドロキシ安息香酸、3-ヒドロキシ安息香酸、4-ヒドロキシ安息香酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、2,5-ジヒドロキシ安息香酸、2,6-ジヒドロキシ安息香酸、3,4-ジヒドロキシ安息香酸、2,3,4-トリヒドロキシ安息香酸、2,4,6-トリヒドロキシ安息香酸、3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸、1,2,3-ベンゼントリカルボン酸、1,2,4-ベンゼントリカルボン酸、1,3,5-ベンゼントリカルボン酸、2-[ビス4-ヒドロキシフェニルメチル]安息香酸、1-ナフトエ酸、2-ナフトエ酸、1-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、2-ヒドロキシ-1-ナフトエ酸、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、1,4-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,5-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、2,3-ナフタレンジカルボン酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、2-フェノキシ安息香酸、ビフェニル-4-カルボン酸、ビフェニル-2-カルボン酸、2-ベンゾイル安息香酸などが挙げられる。これらのカルボン酸類のうち、保存安定性に優れ、入手が容易であるという観点からは、コハク酸、リンゴ酸、イタコン酸、2,2-ビスヒドロキシメチルプロピオン酸、アジピン酸、3,3’-チオジプロピオン酸、3,3’-ジチオジプロピオン酸、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸、スベリン酸、セバシン酸、フェニルコハク酸、ドデカン二酸、ジフェニル酢酸、ベンジル酸、4,4-ビス4-ヒドロキシフェニル吉草酸、アビエチン酸、2,5-ジヒドロキシ安息香酸、3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸、1,2,4-ベンゼントリカルボン酸、1,3,5-ベンゼントリカルボン酸、2-[ビス4-ヒドロキシフェニルメチル]安息香酸などを用いることが好ましい。なお、これらのカルボン酸類は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。フラックス剤は、室温例えば25°Cで液状であっても固体状であってもよいが、第2の樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有する場合には、室温で固体状のフラックス剤を用いることが好ましい。フェノール類中に存在するフェノール性水酸基やカルボン酸類中に存在するカルボキシル基がエポキシ樹脂と反応し得るため、液状のフラックス剤を用いて、エポキシ樹脂とフラックス剤とが均一に相溶した状態になると、保存安定性が低下するおそれがある。第2の樹脂組成物は、金属粒子等の導電粒子を含有していてもよいが、バンプと基板電極との金属接合によって優れた接続信頼性を得る観点からは、導電粒子の含有量は、第2の樹脂組成物の全量を基準として0~10質量であることが好ましく、0~5質量であることがより好ましく、0質量すなわち導電粒子を含有しないであることがさらに好ましい。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、例えば、第1の層を構成する成分及び第2の層を構成する成分を、それぞれ有機溶媒中でプラネタリミキサやビーズミルを用いて混合してワニスを作製し、そのワニスを、ナイフコーターやロールコーターを用いて、離型処理が施された樹脂フィルム基材上に塗布した後、有機溶媒を乾燥除去することによって、第1の層となるフィルム状樹脂組成物及び第2の層となるフィルム状樹脂組成物をそれぞれ作製し、それらをラミネーターを用いて貼り合わせることによって製造することができる。また、第1の層を構成する成分及び第2の層を構成する成分のいずれか一方の成分を含むワニスを、離型処理が施された樹脂フィルム基材上に塗布して乾燥した後、他方の成分を含むワニスを再度塗布して乾燥することによって、製造することもできる。上記有機溶媒としては、酢酸エチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、N-メチルピロリドンなどが挙げられる。また、上記樹脂フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラール、ポリオレフィンなどが挙げられる。本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物において、第2の層の厚さは、第1の層の厚さより小さいことが好ましい。このような半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、熱膨張係数が小さくなり接続信頼性が一層向上する。第2の層の厚さは、第1の層の厚さの0.8倍以下であることが好ましく、0.7倍以下であることが好ましい。第2の層の厚さの下限は特に限定されないが、第1の層の厚さの0.05倍以上とすることができ、第1の層の厚さの0.1倍以上とすることもできる。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の厚さは、半導体チップと基板との間の空隙を充てんするために必要な樹脂量に応じて適宜設定することができる。例えば、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の厚さは、接続前のバンプの高さの0.5~1.5倍であることが好ましく、0.6~1.3倍であることがより好ましく、0.7~1.2倍であることがさらに好ましい。厚さがバンプの高さの0.5倍以上であると、樹脂の未充てんによるボイドの発生を十分に抑制することができ、接続信頼性に一層優れるようになる。また、厚さが1.5倍を超えると、接続時にチップ接続領域から多くの樹脂組成物が押し出されることとなり、不要な部分に樹脂組成物が付着するおそれがある。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を後述する準備工程Aを備える製造方法に用いる場合には、例えば、第一の層の厚さを5~25μm、第二の層の厚さを1~20μmより好ましくは5~15μmとすることができる。このような半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、準備工程Aを備える製造方法においてトラッピングの発生が一層防止され、より優れた導電性及び接続信頼性を有する半導体装置が得られる。また、第一の層及び第二の層の厚さが上記範囲内であるとき、フィラーの平均粒径を0.1~0.8μmとすることで、準備工程Aを備える製造方法における上記効果を一層顕著に得ることができる。また、第一の層及び第二の層の厚さが上記範囲内であるとき、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、バンプ高さが40μm程度のチップを接続するのに好適である。また、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を後述する準備工程Bを備える製造方法に用いる場合には、例えば、第一の層の厚さを20~90μmより好ましくは30~80μm、第二の層の厚さを1~20μmより好ましくは5~15μmとすることができる。このような半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物によれば、準備工程Bを備える製造方法においてトラッピングの発生が一層抑制され、より優れた導電性及び接続信頼性を有する半導体装置が得られる。また、第一の層及び第二の層の厚さが上記範囲内であるとき、フィラーの平均粒径を0.1~0.8μmとすることで、準備工程Bを備える製造方法における上記効果を一層顕著に得ることができる。また、第一の層及び第二の層の厚さが上記範囲内であるとき、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、バンプ高さが70μm程度のチップを接続するのに好適である。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の250°Cにおけるゲル化時間は、3~30秒であることが好ましく、3~20秒であることがより好ましく、3~15秒であることがさらに好ましい。ゲル化時間が上記範囲であると、生産性に優れるとともに、接続信頼性に一層優れるようになる。なお、250°Cにおけるゲル化時間とは、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、250°Cに設定した熱板上に置き、スパチュラなどで撹拌し、撹拌不能になるまでの時間を示す。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、所定の大きさに切り出したもの半導体チップ、半導体ウェハ、基板等に貼り付けることによって供給することができる。半導体装置の製造方法本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、電極を有する基板と、バンプが形成された半導体チップと、基板又は半導体チップに貼付された半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物と、を準備する準備工程と、基板の電極と半導体チップのバンプとを電気的に接続する接続工程と、を備える。ここで、基板の電極及び半導体チップのバンプのうち少なくとも一方の表面には、はんだ又はスズが存在する。そのため、特許文献5に記載の方法のように、バンプと基板電極との間のトラッピングを防止しようとして、バンプ先端を樹脂組成物から露出させると、露出したはんだ又はスズが酸化膜を形成して接続不良を招くおそれがある。これに対して本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、基板電極とバンプとの接合部が第2の層内に位置するため、はんだ又はスズの酸化膜による接続不良を防止することができ、且つ、トラッピングを十分に抑制することができる。また、基板の電極及び半導体チップのバンプのうち少なくとも一方の表面にはんだ又はスズが存在するため、基板の電極と半導体チップのバンプとの電気的接続は、通常、はんだ又はスズによる金属接合によってなされる。すなわち、はんだ又はスズが接続時の加熱によって溶融することで、基板の電極と半導体チップのバンプとがはんだ又はスズを介して接合される。このような金属接合を行うことで、優れた導電性及び接続信頼性が得られる。半導体チップとしては、複数の電極上に複数のバンプが形成された半導体チップを用いることができる。半導体チップの材質としては、特に限定はないが、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体;ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体;等、各種半導体を用いることができる。半導体チップに形成されているバンプとしては、例えば、銅バンプ、金バンプ、はんだバンプ、銅ピラーの先端にはんだまたはスズ層が形成された構造のバンプ、などが挙げられる。はんだとしては、Sn-37Pb融点183°Cを用いてもよいが、環境への影響を考慮して、Sn-3.5Ag融点221°C、Sn-2.5Ag-0.5Cu-1Bi融点214°C、Sn-0.7Cu融点227°C、Sn-3Ag-0.5Cu融点217°C、Sn-92Zn融点198°Cなどの鉛フリーはんだを用いることが好ましい。また、微細接続化への対応という観点からは、銅ピラー先端にはんだまたはスズ層が形成された構造のバンプが好適である。基板は、複数の電極が設けられた電極面を有する。基板としては、通常の回路基板を用いることも、バンプを有しない半導体チップを用いることもできる。回路基板としては、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミックなどの絶縁基板表面に形成された銅などの金属層の不要な個所をエッチング除去して電極を含む配線パターンが形成されたもの;絶縁基板表面に銅めっきなどによって電極を含む配線パターンを形成したもの;絶縁基板表面に導電性物質を印刷して電極を含む配線パターンを形成したもの;などを用いることができる。基板の電極の表面には、金層、はんだ層、スズ層及び防錆皮膜層から選ばれる少なくとも1種の表面処理層が形成されていることが好ましい。金層及びスズ層は、無電解めっきまたは電解めっきによって形成することができる。また、はんだ層は、めっきによって形成してもよいし、はんだペーストを印刷によって塗布して加熱溶融する方法や、微細なはんだ粒子を配線パターン上に配置して加熱溶融する方法で形成することも可能である。防錆皮膜層は、プリフラックスとも呼ばれ、専用の薬液中に基板を浸漬することによって、銅などで形成された配線パターン表面の酸化膜を除去するとともに、該表面に有機成分からなる防錆皮膜を形成することによって設けることができる。このような防錆皮膜層は、はんだやスズに対する良好な濡れ性を確保可能であることと、微細接続化への対応が容易であることから、好適である。上述の金属接合を行うために、半導体チップのバンプが銅バンプ、金バンプなどのはんだ又はスズを表面に有しないバンプである場合には、基板の電極としては、表面にはんだ層またはスズ層が形成された電極が選択される。また、基板の電極の表面にはんだ又はスズが存在しない場合、半導体チップのバンプとしては、はんだバンプ、銅ピラーの先端にはんだ又はスズ層が形成された構造のバンプ、などが選択される。準備工程としては、例えば、基板と、該基板に貼付された半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物と、半導体チップと、を準備する準備工程A;半導体チップと、該半導体チップに貼付された半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物と、基板と、を準備する準備工程B;などが挙げられる。準備工程A準備工程Aでは、第2の層が基板側に配置されるように、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、基板の電極面上に貼付する。基板の電極面上に半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付する方法としては、例えば、ホットロールラミネーターや真空ラミネーターを用いる方法が挙げられる。準備工程B準備工程では、複数のバンプが形成されたバンプ形成面を有する半導体ウェハの該バンプ形成面上に、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、第2の層に対して第1の層が半導体ウェハ側に配置されるように貼付する貼付工程と、第1の工程を経た半導体ウェハを個片化して、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップを得る個片化工程とが実施される。準備工程Bは、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップを、一括で複数個作製することができるため、生産性に優れる。半導体ウェハのバンプ形成面上に半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付する方法としては、例えば、ホットロールラミネーターや真空ラミネーターを用いる方法が挙げられる。ここで、上記のように第2の樹脂組成物全量に対する第2の樹脂組成物中のフィラの質量比率が少ない例えば、20質量未満と、第2の層が光透過性に優れるため、第2の層を介してバンプ先端を認識することが可能となる。このため、個片化工程や、後述する接続工程において、バンプの先端を基準として位置合わせをすることが可能となり、作業性が向上する。半導体ウェハの個片化は、例えば、ブレードダイシング、レーザーダイシング、ステルスダイシングなどによって行うことができる。このとき、半導体ウェハは、半導体ウェハのバンプ形成面と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせてダイシング装置に固定してもよいし、半導体ウェハに貼付されている半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物にダイシングテープを貼り合わせてダイシング装置に固定してもよい。準備工程Bでは、バックグラインド加工によって予め所定の厚さに薄化加工された半導体ウェハに、半導体封止充てん用フィルム状組成物を貼付してもよい。また、バックグラインド加工が施される前の半導体ウェハに半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付した後、バックグラインドテープを半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物と接するように貼りあわせて、バンプ形成面と反対側の面をバックグラインド加工して所定の厚さに薄化加工してもよい。また、準備工程Bでは、バックグラインド加工が施される前の半導体ウェハについてダイシングラインに沿ってダイシング装置によるハーフ加工を行い溝を形成した後、バンプ形成面に半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付してもよい。この場合、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物と接するようにバックグラインドテープを貼りあわせて、バンプ形成面と反対側の面からバックグラインドによって上記溝を露出させて、半導体ウェハを薄化するとともに、半導体チップを個片化することができる。接続工程では、基板の電極と半導体チップのバンプとを電気的に接続する。接続工程は、例えば、半導体チップと基板とを、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を介して対向配置し、はんだ又はスズの融点以上の温度で加熱しながら加圧することによって、行うことができる。これにより、はんだ又はスズの表面酸化膜が第2の層又は、第2の層及び第1の層に含まれるフラックス時によって除去されるとともに、はんだ又はスズが速やかに溶解して、半導体チップのバンプと基板の電極とが金属接合される。ここで、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物は、第1の層が半導体フィルム側に、第2の層が基板側に、それぞれ位置するように配置されている。これにより、トラッピングの発生が十分に抑制され、良好な導電性及び接続信頼性を有する半導体装置を製造することができる。加熱加圧時間は、0.1~20秒であることが好ましく、0.1~15秒であることがより好ましく、0.1~10秒であることがさらに好ましい。加熱加圧時間を0.1秒以上とすることで、バンプと電極との間から樹脂組成物が十分に排除されるとともに、はんだ又はスズの表面酸化膜が均一に除去されるため、接続信頼性が一層向上する傾向がある。また、接続時間が20秒を超えると、生産性が低下するおそれがある。接続工程は、第2の層に含まれるフラックス剤の活性温度以上、はんだ又はスズの融点以下の温度で加熱加圧する第1加熱工程と、はんだ又はスズの融点以上の温度で加熱加圧して半導体チップのバンプと基板の電極とを金属接合する第2加熱工程と、を含んでいてもよい。第1加熱工程では、加熱によって低粘度化した樹脂組成物がバンプと基板電極の間から排除されるとともに、はんだ又はスズの表面酸化膜がフラックス剤により除去される。第1加熱工程後のはんだ又はスズは、樹脂組成物に被覆されているため再酸化が防止される。また、第1加熱工程では、樹脂組成物中の低分子量成分が揮発又は高分子化する。第1加熱工程によれば、樹脂組成物がバンプと基板電極との間から十分に排除されるため、トラッピングの発生を一層抑制することができる。また、第1加熱工程で樹脂組成物中の低分子量成分が揮発又は高分子化するため、第2加熱工程の高温接続条件下において、低分子量成分が揮発してボイドが発生することを抑制することができる。第1加熱工程の加熱時間は、通常、0.1~20秒であることが好ましく、0.5~15秒であることがより好ましく、1.0~15秒であることがさらに好ましい。加熱時間が0.1秒以上であると、はんだ又はスズの表面酸化膜が均一に除去されるとともに、バンプと基板電極との間の樹脂排除が十分に行われるため、接続信頼性が一層向上する傾向がある。また、加熱時間が20秒を超えると、生産性が低下するおそれがある。但し、第1加熱工程で、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物がゲル化してしまうと、第2加熱工程において、溶融したはんだ又はスズの流動が、ゲル化した樹脂組成物によって阻害され、十分な濡れ性を発揮できないおそれがある。そのため、加熱時間は用いる半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物のゲル化時間に応じて適宜設定することが好ましい。第2加熱工程では、はんだ又はスズを溶融させてバンプと基板電極とを金属接合させる。そのため加熱温度は、はんだ又はスズの融点以上に設定される。第1加熱工程において、はんだ又はスズの表面酸化膜の除去と、バンプと基板電極との間の樹脂排除が完了しているため、第2加熱工程でははんだ又はスズが速やかに溶融して、バンプ及び基板電極の表面に良好な濡れ性を発現することができる。第2加熱工程の加熱時間は、通常、0.1~20秒であること好ましく、より好ましくは0.5~15秒であり、さらに好ましくは1.0~15秒である。加熱時間を0.1秒以上とすることで、はんだ又はスズが、バンプ及び基板電極の表面に十分に濡れるため、接続不良の発生を一層抑えることができる。また、加熱時間が20秒を超えると、生産性が低下するおそれがある。但し、第2加熱工程においては、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物がゲル化することによって、金属接合による接続部が補強される。これにより、接続終了後の冷却過程において半導体チップと基板との熱膨張係数差に起因する熱応力が接続部に集中して、クラックなどの接続不良が発生することを、抑制する効果が期待される。そのため、第2加熱工程の加熱時間は、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が十分にゲル化するように、ゲル化時間に応じて適宜設定することが好ましい。第1加熱工程と第2加熱工程とは、単一の接続装置で連続して行ってもよいが、接続装置を昇温したり冷却したりする必要があることから作業時間が長くなり、生産性が低下する場合がある。一方、第1加熱工程と第2加熱工程とを分離して、別の接続装置でそれぞれ行うことによって、接続装置の設定温度を一定に保ったままで作業可能となり、高い生産性を実現できる。また、昇温や冷却機構パルスヒート機構を備えた接続装置ではなく、一定温度に加熱可能な機構コンスタントヒート機構を備えた接続装置で行うことができるため、設備の簡略化が可能となる。また、第1加熱工程を行う前に、半導体チップと基板との位置合わせを行って、フラックス剤の活性温度より低く、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が粘着性を示す温度より高い温度で、半導体チップと基板とを仮固定する仮固定工程を行ってもよい。このような仮固定工程を設けることによって、複数の半導体チップと基板について、第1加熱工程及び第2加熱工程を一括で行うことが可能となり、高い生産性を実現することができる。さらに、接続信頼性を一層高めるために、半導体チップと基板とを接続した後、加熱オーブンなどで加熱処理し、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の硬化をさらに進行させてもよい。次に、本実施形態に係る製造方法によって製造される半導体装置について説明する。図1は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。半導体装置10は、回路基板7と、半導体チップ5と、回路基板7と半導体チップ5との間に配置された封止樹脂6と、を備える。封止樹脂6は、本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の硬化物からなり、回路基板7と半導体チップ5との間の空隙を封止している。回路基板7は、インターポーザー等の基板と、この基板の一方の面上に設けられた配線4と、を備える。回路基板の配線4と半導体チップ5とは、バンプ3によって電気的に接続されている。また、回路基板7は、配線4が設けられた面と反対側の面に、電極パッド2と、電極パッド2上に設けられたはんだボール1とを有しており、他の回路部材との接続が可能となっている。本発明に係る半導体装置としては、図1に示すように、インターポーザーと呼ばれる基板上に半導体チップが搭載され、樹脂封止されたものが挙げられる。具体的には、CSPチップサイズパッケージやBGAボールグリッドアレイが挙げられる。また、本発明に係る他の半導体装置としては、半導体チップの上に別の半導体チップが搭載された構造のCoCチップオンチップ、シリコン貫通電極によって複数の半導体チップが3次元的に積層された構造の3Dパッケージなどが挙げられる。なお、本実施形態に係る半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法は、上記製造方法に限定されず、例えば、半導体チップのバンプ形成面に第1の層が接するように半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を供給したものを、2つ組み合わせて、バンプ同士を接続させて半導体装置を製造することもできる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例1~10、比較例1~6以下に示す方法で作製したフィルム状樹脂組成物A~Kを、表1~3に示す構成になるように50°Cに加熱したロールラミネータで貼りあわせ、実施例1~10及び比較例1~6の半導体封止充てん用フィルム状組成物を製造した。フィルム状樹脂組成物Aフェノキシ樹脂PKCP80InchemCorporation製、製品名45g、多官能エポキシ樹脂EP1032H60ジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名30g、液状酸無水物YH307ジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名20g、シリカフィラSE2050株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.4~0.6μm100g、アジピン酸シグマアルドリッチ製3g、硬化促進剤TPP-K北興化学工業株式会社製、製品名1gを、メチルエチルケトン溶媒中に分散、溶解してワニスを作製し、このワニスをセパレータフィルムPETフィルム上にナイフコータを用いて塗布した後、70°Cのオーブンで10分間乾燥させることによって、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Aを作製した。フィルム状樹脂組成物Bアジピン酸を配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Aと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物を作製した。フィルム状樹脂組成物CシリカフィラSE2050株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.4~0.6μmの配合量を10gにしたこと以外は、フィルム状樹脂組成物Aと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Cを作製した。フィルム状樹脂組成物Dシリカフィラーを配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Aと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Dを作製した。フィルム状樹脂組成物Eフェノキシ樹脂PKCP80InchemCorporation製、製品名50g、アジピン酸シグマアルドリッチ製3gをメチルエチルケトン溶媒中に分散、溶解してワニスを作製し、このワニスをセパレータフィルムPETフィルム上にナイフコータを用いて塗布した後、70°Cのオーブンで10分間乾燥させることによって、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Eを作製した。フィルム状樹脂組成物Fシリカフィラ及びアジピン酸を配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Aと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Fを作製した。フィルム状樹脂組成物Gフェノキシ樹脂PKCP80InchemCorporation製、製品名50g、シリカフィラSE2050株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.4~0.6μm50gをメチルエチルケトン溶媒中に分散、溶解してワニスを作製し、このワニスをセパレータフィルムPETフィルム上にナイフコータを用いて塗布した後、70°Cのオーブンで10分間乾燥させることによって、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Gを作製した。フィルム状樹脂組成物Hフェノキシ樹脂ZX1356-2東都化成株式会社製、製品名30g、多官能エポキシ樹脂EP1032H60ジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名45g、ビスF型液状エポキシ樹脂YL983Uジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名10g、柔軟性エポキシ樹脂YL7175-1000ジャパンエポキシレジン株式会社製、製品名5g、2,4-ジアミ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物2MA-OK四国化成工業株式会社製、製品名2g、シリカフィラSE2050株式会社アドマテックス製、製品名、平均粒径0.4~0.6μm75g、コアシェル型有機フィラーEXL-2655ロームアンドハースジャパン株式会社製、製品名10g、アジピン酸シグマアルドリッチ製2gを、メチルエチルケトン溶媒中に分散、溶解してワニスを作製し、このワニスをセパレータフィルムPETフィルム上にナイフコータを用いて塗布した後、70°Cのオーブンで10分間乾燥させることによって、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Hを作製した。フィルム状樹脂組成物Iアジピン酸を配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Hと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Iを作製した。フィルム状樹脂組成物Jシリカフィラー及び有機フィラーを配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Hと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Jを作製した。フィルム状樹脂組成物Kシリカフィラー、有機フィラー及びアジピン酸を配合しないこと以外は、フィルム状樹脂組成物Hと同様にして、所定の厚さのフィルム状樹脂組成物Kを作製した。光透過性の測定フィルム状樹脂組成物A~Kの光透過性を、以下の方法で測定した。光透過率測定方法セパレーター上にフィルム状樹脂組成物A~Kをそれぞれ厚み25μmになるように形成したものとセパレーター単体を準備し、それぞれ30mm×30mmのサイズに切り出した後、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製分光光度計U-3310のサンプル取り付け部にセパレーター上に形成されたフィルム状熱硬化性樹脂組成物を、リファレンス取り付け部にセパレーター単体を設置し、400~800nmの波長領域において、スキャン速度300nm/分で光透過率を測定し、555nmにおける光透過率を読み取った。半導体チップと基板の接続実施例1~10及び比較例1~6の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いて、以下の接続方法1又は接続方法2により半導体チップと基板との接続を行い、半導体装置を製造した。製造した半導体装置について、下記のとおり導電検査、ボイド評価、接続状態評価を行った。結果を表4及び5に示す。接続方法1銅ピラーと該銅ピラーの先端に設けられた鉛フリーはんだ層Sn-3.5Ag、融点221°Cとを有するバンプが形成された半導体チップとして、日立超LSIシステムズ製JTEGPHASE1180サイズ7.3mm×7.3mm、厚み0.55mm、バンプピッチ80μm、バンプ数328ペリフェラル配置、バンプ高さ40μm、商品名を準備した。また、基板として、プリフラックス処理によって防錆皮膜が形成された銅配線パターンを、表面に有するガラスエポキシ基板を準備した。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を、9mm×9mmに切り出し、基板上の半導体チップが搭載される領域に80°C/0.5MPa/5秒の条件で、第2の層が基板表面に接するように貼り付けた後、セパレーターフィルムを剥離した。フリップチップボンダーFCB3パナソニックファクトリーソリューションズ製、製品名の40°Cに設定されたステージ上に、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼り付けられた基板を吸着固定し、半導体チップと位置合わせした後、仮固定工程として、荷重25N、ヘッド温度100°Cで5秒間圧着を行い到達90°C、半導体チップを基板上に仮固定した。次いで、フリップチップボンダーのヘッド温度を290°Cに設定し、荷重25Nで10秒間圧着を行った到達250°C。接続方法2鉛フリーはんだバンプSn-3.0Ag-0.5Cu、融点221°Cが形成された半導体ウエハとして、株式会社ウォルツ製WALTS-TEGFC200JYウエハ厚み725μm、ウエハサイズ8インチ、バンプ高さ80μm、バンプピッチ200μmエリアアレイ配置、1チップ当たりのサイズ10mm×10mm、1チップ当たりのバンプ数2116を準備した。この半導体ウェハに、第1の層が該半導体ウェハのバンプ形成面に接するように、80°Cに加熱したホットロールラミネータで半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼り合せた。次いで、半導体ウエハのバンプ形成面と反対の面に、ダイシングテープを貼り合せて、ウエハリングに半導体ウエハを固定した。半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物のセパレータフィルムを剥離した後、ブレードダイシング装置を用いて、10mm×10mmの半導体チップに個片化し、バンプ形成面に半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップを作製した。続いて、Ni/フラッシュAuめっき処理されたCu配線パターンを有する基板として、株式会社ウォルツ製WALTS-KIT01A200P-10を準備した。フリップチップボンダーFCB3パナソニックファクトリーソリューションズ製、製品名の40°Cに設定されたステージ上に当該基盤を配置し、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物が貼付された半導体チップと位置合わせした後、仮固定工程として、荷重25N、ヘッド温度100°Cで5秒間圧着を行い到達90°C、半導体チップを基板上に仮固定した。次いで、フリップチップボンダーのヘッド温度を220°Cに設定し、荷重20Nで10秒間圧着を行った到達190°C後、ヘッド高さを保持したままヘッド温度を290°Cに上昇させて、さらに10秒間圧着を行った。導通検査デイジーチェーン接続が確認できたものをA、確認できなかったものをBとした。ボイド評価製造した半導体装置を、超音波探傷装置日立建機製FineSATで観察し、チップ面積に対してボイドが占める面積が1以下となるものをAとし、1を超えるものをBとした。接続状態評価製造した半導体装置の接続部を断面研磨することによって露出させ、光学顕微鏡で観察した。接続部にトラッピングが見られず、はんだが配線に十分濡れているものをAとした。また、接続部にトラッピングが見られたもの、又は、はんだが配線に十分に濡れていないものをBとした。実施例1~6、9及び10の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いた場合には、良好なボイド状況と良好な接続部とが実現され、導電性及び接続信頼性に優れる半導体装置が得られた。図2に、実施例3の半導体装置のボイド状況を、超音波探傷装置によって観察した観察像を示す。また、図3に、実施例3の半導体装置の接続部の断面観察写真を示す。また、図4に、実施例6の半導体装置の接続部の断面観察写真を示す。図3及び図4において、半導体チップ12の銅ピラー13と基板11の電極15とは、はんだ14によって金属接合されている。また、基板11と半導体チップ12との空隙が、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の硬化物である封止樹脂16によって、封止重点されている。一方、比較例1及び5のフィルム状樹脂組成物を用いた場合には、はんだが十分に配線基板電極に濡れず、良好な接続部の形成ができなかった。図5に、比較例1の半導体装置の接続部の断面観察写真を示す。図5において、半導体チップ12の銅ピラー13と基板11の電極15との間に、トラッピング17が発生している。また、はんだ14は、基板11の電極15に濡れておらず、十分な金属接合がなされていない。また、比較例2及び6では、接続部にトラッピングが発生した。図6に、比較例2の半導体装置の接続部の断面観察写真を示す。図6において、半導体チップ12の銅ピラー13と基板11の電極15との間に、トラッピング17が発生している。図7に、比較例3の半導体装置のボイド状況を、超音波探傷装置によって観察した観察像を示す。比較例3では、図7と図2との比較から明らかなように、ボイド図7の18が多発している。接続方法2を行うにあたり、実施例7及び8の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いた場合には、バンプ先端が樹脂組成物を突き抜けずに露出していない状態であるにもかかわらず、バンプ先端を十分に認識することができた。そのため、半導体チップと基板との位置合わせを容易に行うことができた。図8に、実施例8の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付した半導体ウェハのバンプ形成面を、走査電子顕微鏡で観察した観察写真を示す。また、図9に、実施例8の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を貼付した半導体ウェハのバンプ形成面を、フリップチップボンダーのカメラで観察した観察写真を示す。また、表4に示すように、実施例7及び8の半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用いた場合には、良好なボイド状況と良好な接続部が実現され、導電性及び接続信頼性に優れる半導体装置が得られた。図10に、実施例8の半導体装置の接続部の断面観察写真を示す。図10において、半導体チップ22のはんだバンプ23と、基板21の電極25とが、はんだの溶融によって金属接合している。そして、基板21と半導体チップ22との空隙が、半導体封止充てん用フィルム状樹脂組成物の硬化物である封止樹脂26によって、封止充てんされている。一方、比較例4のフィルム状樹脂組成物を用いた場合には、バンプ先端が樹脂組成物を突き抜けずに露出していない状態では、バンプ先端を認識することができず、位置合わせができなかった。そのため、半導体装置を製造することができなかった。図11に、比較例4のフィルム状樹脂組成物を貼付した半導体ウェハのバンプ形成面を、フリップチップボンダーのカメラで観察した観察写真を示す。"