"シース2内に超伝導コア1を含んでなる複数のフィラメント4を有し、該フィラメント4はマトリックス3内に埋設され、前記超伝導コア1が二ホウ化マグネシウムMgB2からなると共に前記シース2がニオブNbからなる、第1及び第2の超伝導線7を接続する方法であって、前記マトリックス3を所定長20除去して前記フィラメント4を露出させ、該露出フィラメント4を溶融スズSn24,54に浸して前記シース2のニオブをニオブ-スズNb3Snに変化させ、前記第1の超伝導線7のフィラメント4の超伝導コア1の間に、前記フィラメント4の前記Nb3Snシース2を経て前記第2の線7の前記コア1へ達する超伝導経路を設ける、ことを含む方法。前記露出フィラメントを溶融スズに浸すときに、少なくとも600°Cの温度のスズを使用する、請求項1に記載の方法。前記露出フィラメントを溶融スズに浸すときに、接続有効部分において前記溶融スズ24,54に対する前記コア1の露出を防止して行う、請求項1に記載の方法。前記溶融スズに浸す前に前記超伝導線7を曲げ、前記シース2の端部32が前記溶融スズに漬からないようにする、請求項3に記載の方法。前記溶融スズに浸す間、保持クリップ22により前記曲げた超伝導線を一定の相対位置に維持する、請求項4に記載の方法。前記溶融スズに浸す前に前記シース2の端部42を封止し、前記フィラメント4のコア1が前記溶融スズに漬からないようにする、請求項2に記載の方法。前記第1の超伝導線7のフィラメント4の超伝導コア1の間にあって、前記フィラメント4の前記Nb3Snシース2を経て前記第2の超伝導線7の前記コア1へ達する前記超伝導経路は、前記第1及び第2の超伝導線の前記フィラメントを超伝導鋳造物質30内に埋めることにより設ける、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記溶融スズ54に浸す間、前記第1及び第2の超伝導線7の前記フィラメント4を圧着具46内に保持し、続く前記シース2のNb3Snへの変化で、当該フィラメントのNb3Snシース間に電気的及び機械的接触を生じさせる、請求項1に記載の方法。前記圧着具内に保持する際に、前記超伝導線7の前記フィラメント4を近接させ、該フィラメントの周りに筒形圧着具46を配置し、該圧着具を機械的に圧着47して前記フィラメントを加圧し互いに接触させる、ことを含む、請求項8に記載の方法。前記圧着具がニオブで裏打ち52されており、前記圧着実行時に加圧されて前記フィラメントと接触し、その裏地52が、前記溶融スズに浸されている間に少なくとも部分的にNb3Snに変化し、前記フィラメント間のさらなる超伝導経路を提供する、請求項9に記載の方法。前記溶融スズの周囲に不活性雰囲気を提供して前記スズの酸化を防止する、請求項2に記載の方法。シース2内に超伝導コア1を含んでなる複数のフィラメント4を有し、該フィラメント4はマトリックス3に入れてあり、前記シース2がニオブNbからなる、第1及び第2の超伝導線7の間の接続部であって、前記マトリックス3の除去により所定長20を露出させた前記フィラメントと、前記所定長20にわたりニオブ-スズNb3Snにした前記シース2と、前記第1の超伝導線7のフィラメント4の超伝導コア1の間に設けられた、前記フィラメント4の前記Nb3Snシース2を経て前記第2の超伝導線7の前記コア1へ達する超伝導経路と、を備えた接続部。前記超伝導コア1は、二ホウ化マグネシウムMgB2からなる、請求項12に記載の接続部。前記シース2の端部が封じされている、請求項12又は請求項13に記載の接続部。前記第1及び第2の超伝導線の前記フィラメントは、超伝導鋳造物質30に埋められており、この超伝導鋳造物質30により、前記第1の超伝導線7のフィラメント4の超伝導コア1の間にあって、前記フィラメント4の前記Nb3Snシース2を経て前記第2の超伝導線7の前記コア1へ達する前記超伝導経路が提供されている、請求項12~14のいずれか1項に記載の接続部。前記第1及び第2の超伝導線7の前記フィラメント4は、圧着具46内に保持されていて、前記フィラメントのNb3Snシース間に電気的及び機械的接触が提供されている、請求項12~15のいずれか1項に記載の接続部。前記圧着具は、ニオブで裏打ち52されて少なくとも部分的にNb3Snに変化しており、前記フィラメント間のさらなる超伝導経路を提供する、請求項16に記載の接続部。以上に鑑みて本発明は、特許請求の範囲に定義されるように、MgB2コア又はNbTiコアを有するニオブシース超伝導線間の超伝導接続部を形成する方法と、当該本発明の方法により形成することの可能な接続部を、提案する。上記及びその他の、本発明の目的、特徴、利点は、次の図面を伴った以下に示す本発明の実施形態の説明から、より明らかになる。本発明は、ニオブシース超伝導線を接続する方法及び当該方法により用意可能な接続部を提案する。本発明によれば、ニオブシース超伝導フィラメント4を液体スズSnに浸し、ニオブシースをスズと反応させてNb3Snを生成する。従来において、Nb3Sn超伝導フィラメントは、長くて高温の反応工程においてニオブのフィラメント中にスズを拡散させることにより、用意されている。同様の工程が、本発明に係るニオブシース線を接続するために使用される。Nb3Snは、ニオブ4Kで~0.5Tよりずっと高い磁場許容度4Kで~18Tと、おおよそ18Kの高い臨界温度Tcをもつ超伝導体である。Nb3Snはまた、反応したシースとMgB2超伝導体粒又は粉末との間の無損失電流伝送を可能にする、大きなコヒーレンス長を有する。コヒーレンス長は、超伝導体間に存在し得るけれども、該超伝導体間に超伝導がなお存在する、ギャップのサイズを示す。大きいコヒーレンス長を備えたNb3Snのようなシース物質があることにより、シース物質と内包されたMgB2粒との間の超伝導が維持される。したがって、超伝導線中のニオブシースをNb3Snに変えることができれば、接続部の磁場許容度が実質的に増加し、MgB2粒とシース物質との間の伝送電流が改善される。MgB2コア線を接続する既知の方法において、電流のほとんどは、一方の線のコアから他方の線のコアまで直接的にではなくて、シース物質を通過すると考えられる。本発明は、格別有益なシース物質を提案し、そのような電流伝送がより有効であるようにする。フィラメント4の反応したシース2は、超伝導物質により接続される。本発明によれば、MgB2粒を露出させずに済み、これらの間の機械的接続を行う必要がない。加熱スズに対するMgB2の暴露は、汚染物質となる望ましくない化合物を生成する可能性があると考えられる。これは、接合部位の達成可能な品質を悪化させる可能性がある。本発明に係る接続部は、比較的高い磁場許容度と比較的高い臨界温度Tcを有する。本発明の方法に従い形成される接続部は、接続した線の超伝導フィラメント間の良好な電気的及び機械的接続品質、同様の線間の従来技術による接続部と比較して改善された接続部の磁場許容度、そして、機械的ダメージに対する保護、を提供すると考えられる。図2は、本発明の接続方法における初期工程を図示する。接続すべき2つの導体12,14は、所定の長さにわたってチャンネル5を剥ぎ取って線7を露出させてある。例えばステンレス鋼線の結束具18が2つの導体の剥ぎ取りしてない領域に巻き付けてあり、導体を機械的に一緒に保持している。導体12,14のチャンネル5は、剥ぎ取られていない領域で、機械的安定性を上げるために互いにはんだ付けされる。各線7の剥き出し領域の所定長20は、半径rで曲げられる。該半径は、小さく選択されるべきであるが、ただし、MgB2超伝導体の品質を落とすリスクがあるまでは小さくしない。現在のMgB2では、約80mm~100mmの半径が好ましい。曲げる角度はθまでで、好適には45°~90°の範囲とする。図3は、本発明の方法における次の工程を示し、保持クリップ22が、線7の曲げ部分20を一定の位置に保つために適用される。剥き出し線7の曲げ領域は、槽26内のエッチャント24中に浸される。そのエッチャント剤と温度は、物質及び関係するトポロジーに関連して選択される。該エッチャントは、マトリックス3物質を取り除いてフィラメント4のシース2を露出させるべく選択される。一例において、マトリックス3は銅合金であり、シース2はニオブである。硝酸のエッチャント24が、銅はエッチングする一方でニオブはあまり冒さないので、最適と思われる。他の例では、温度が300°C程度の溶融スズSnが適していると思われる。Cu及び銅合金は加熱スズに容易に溶ける。この場合、一つの工程においてスズが銅マトリックスをエッチングすると同時にNbSnを生成する。好ましくは加熱スズが使用され、加熱スズとあまり反応しないシース物質又はスズで除去するのに時間がかかるシース物質に対してのみ、好ましくは酸エッチを使用する。槽26には、エッチャント24に耐性をもつものを選ぶ。加熱スズの場合の槽はるつぼである。撹拌器28が、線7の周り及びその間とシース2をもつフィラメント4の周り及びその間にエッチャント24を循環させるために設けられる。エッチングが終了すると、シース2物質の反応を実施する。図3の工程において使用されるようなるつぼ槽であり得るるつぼにおいて、温度を600°C程度にした加熱スズSnに曲げ領域20を浸す。シース2の元素ニオブNbが拡散により加熱スズSnと反応してNb3Sn、超伝導体となる。Nb中に拡散するSnの割合は、溶融Snの温度に大きく依存する。したがって、スズの最高可能温度が好ましい。不活性ガス又は真空雰囲気をスズの酸化防止に提供可能である。図4A~図4Cは、シース2をもつフィラメント4の1個に関して3つの断面図を示し、それぞれが反応の進行を説明する。図4Aにおいて、MgB2コア1は、Sn槽24に浸された未反応のNbシース2の中に包含されている。図4Bにおいて、シース2が反応し始め、該シースの外側部分がNb3Snへ変わっていくが、シースの内側部分は元素Nbとして残っている。反応は、図4Cに示すようにシース2が完全にNb3Snへ変わるまで、拡散によって続く。MgB2コア1は、未反応を維持する。次に線7は、るつぼから取り出される。図5は、上記行程後のフィラメント4の1個について部分断面を示す。MgB2コア1は反応していない。シース2は、今や全体的にNb3Snであり、るつぼでのSn湿潤から薄いSnコーティングがシース上にある。コア内のMgB2の粒が示されている。フィラメントの製造方法に起因して、MgB2粒は、シースの物質のすぐ近くにある。この距離は、ほぼNb3Snのコヒーレンス長以下であり、シース2のNb3Sn物質を通して、永久的な超伝導接続部をMgB2コア間に形成する。図6は、本発明に係る方法における次の工程を図示する。今やNb3Snシース内のMgB2コアからなる線7の曲げ部分20は、別のるつぼ又は型28の中に配置される。あるいは、適切な構造であれば、同じるつぼを使用することもできる。ウッドメタルやPbBiなどの超伝導鋳造物質30がるつぼ又は型28に加えられ、これによってフィラメント4の曲げ部分20を埋没させる。鋳造中の機械的アライメントを補助するため、保持クリップ22を定位置に残しておくことができる。完成接続部の機械的強度を得るため、線7の隣接部品も鋳造物質30内に鋳込むことができる。鋳造物質は冷却、硬化させられる。形成された接続部40が、図7に示すように、るつぼ又は型28から取り出される。フィラメントの端部32が、エッチャント、超伝導鋳造物質に浸っておらず、MgB2コアのダメージ又は汚染が防止されている点が重要である。図8は、図7に図示した接続部40の部分断面を示す。各線のフィラメント4が示され、まだ互いにグループ化されている。フィラメント4は、超伝導鋳造物質30の中に埋め込まれている。図9は、IXで示す図8中の部分の拡大図である。各フィラメント4のMgB2コア1は、超伝導Nb3Snシース層2及び超伝導鋳造物質30を通して、互いに機械的にくっつけられ、電気的に接続される。図5に示すSnコーティングは、超伝導鋳造物質において溶液に溶けている。電流iは、MgB2のコア1の一方から、Nb3Snのシース2、超伝導鋳造物質30の間隔、他方のNb3Snのシースを通って、他方のフィラメント4のMgB2コア1へ流れることができる。このようにして、本発明の超伝導接続部が実現される。超伝導線に機械的負荷をかける必要がなく、機械的加圧を必要とする従来の接続方法と比較して、超伝導フィラメントにダメージを与えるリスクが低減される。本発明に係る超伝導接続部を形成する方法のバリエーションに関し、図10を参照して説明する。この実施形態においては、線を曲げる必要がなく、さらにコンパクトな末端接続部ができる。図10は、接続すべき第1の線の端部を示す。銅又はMONELなどのマトリックス物質3は、例えば酸を使用したエッチングで端部から剥がされており、露出したNbシース2付きのフィラメントが残されている。フィラメントの先端42は、るつぼ内スズへ浸す前に封止される。封止は、マトリックス物質の溶接や機械的圧着により行える。圧着工程中、近隣のMgB2粒子が砕かれてフィラメントから落ち、圧着により封止される空のシースの長さを残す。あるいは、溶接、ロウ付け、又は600°CのスズSnにより影響を受けない物質を同様に使用して、フィラメントの先端を封止してもよい。このような封止は、MgB2粒子が溶融スズと接触することを防ぐ目的をもつ。図3~図7の方法においては、エッチャント、スズ及び超伝導鋳造物質にシースの開放端が漬からないように、線の曲げが提供されている。図10に示すような封止端を備えた直線状線を使用することにより、シースの開放端のエッチャント又は鋳造物質に対する暴露を防止できる。図10に示す線を接続部へと鋳造するるつぼは、例えば細い円筒など、図7に示すものよりもかなり小さくてよい。細い円筒形状としてるつぼを作るのは難しく、使用で壊れやすいので、当該接続部用のモールディングキャビティを形成するべくマルチパートモールドを使用することもできる。上述したように形成される超伝導接続部は、極低温冷凍装置によって約10Kの温度まで冷却されるドライマグネットの生産における応用に適していると考えられる。このような構成において、超伝導接続部は、該接続部の効果的冷却を確保すべく冷凍装置の近くに配置される。超伝導接続部を形成する別の方法について、図11及び図12を参照して説明する。この方法も、フィラメントのニオブシースをスズと反応させてNb3Sn超伝導シースを形成する特徴をもつ。しかしながら、得られる接続部は、超伝導物質内に鋳込まれるのではなく、互いに圧着されている。図11iは、本発明の方法に従って互いに接続される2つの線7を示す。該線の先端は、例えば、加熱スズに耐性をもつ物質を使用した、圧着、ロウ付け又は溶接により44で封止されている。図11iiに示すように、マトリックス3が端部の所定長にわたり剥がされる。これによりフィラメント4が露出する。封止44の物質は、シースの物質を剥がすべく使用されるエッチャントに対する耐性をもつ。封止44は、エッチャントに対するMgB2コアの暴露を防止する。図11iiiに示すように、例えばニオブを裏打ちした銅管の筒形金属圧着具46をフィラメントの周りに配置する。ニオブの裏地は、銅圧着具内側のコーティングとすることができる。あるいは、フィラメントをニオブ箔で包み、この箔の上に銅圧着具を配置することでも可能である。圧着具を嵌めたときにフィラメントへダメージを与えないように、圧着具は、ぴったりしているがきつくはないものとする。矢印47で概略的に示すように、機械的圧着工程が次いで実施される。これにより、圧着具のニオブ裏地が加圧されてフィラメントのニオブシースと接触し、また、フィラメントが加圧されて互いに接触する。フィラメント4の機械的加圧が若干必要であるが、MgB2コア1はNbシース2の中に包み込まれたままであり、大半の従来方法と比べて、機械的加圧中のコアに対するダメージのリスクは低減される。図11iiiaは、当工程における圧着具断面を示す。圧着具の外側表面48は、圧着加工により機械的変形50を見せる。圧着具46のニオブ裏地52が見えている。圧着具内では、線7のフィラメント4が互いに加圧されて機械的に接触している。圧着加工は、フィラメントのMgB2コアにダメージを与えないように制御される。この工程で、フィラメント4のMgB2コア1は、ニオブ金属シース2及び圧着具のニオブ裏地を通して電気的に接続される。図11ivは、本方法の次の工程を示す。図11iii及び図11iiiaに示すように圧着されたフィラメント4は、るつぼ56内の溶融スズ54に浸される。溶融スズは、約600°C以上の温度とする。この工程は、雰囲気中成分とスズとの反応を防止すべく、真空又は不活性雰囲気中で実施可能である。図4を参照して説明したように、加熱スズにニオブシース2を浸すと、拡散によりニオブがスズと反応し、超伝導ニオブ-スズNb3Snが形成される。好ましくは、この反応は、ニオブシース2が完全にNb3Snへ変わるように、最適温度及び最適時間で実施する。ただし、ニオブ裏地52を完全にNb3Snへ変化させる必要はない。図12は、図11iiiaと同様に、形成された圧着接続部の断面を示す。圧着具の外側表面48は、圧着加工による機械的変形50を見せる。圧着具46の裏地52はNb3Snへ変化している。圧着具内では、線7のフィラメント4のシース2がNb3Snへ変化している。これらは、互いに加圧されて機械的に接触している。フィラメント4のMgB2コア1は、Nb3Snシース及び圧着具のNb3Sn裏地を通して電気的に接続される。Nb3Sn成分は、上述したとおり超伝導であり、ニオブよりもいっそう良好な超伝導特性をもつ。例えば、格段に優れた磁場許容度温度4Kで約18T及びより高い臨界温度約18Kをもつ。また、Nb3Snは、比較的大きなコヒーレンス長をもつ。銅圧着具46は、スズへ浸しても、スズで被覆される以外には影響を受けない。図12に図示した形成構造は、フィラメント4間に入り込んで圧着具を満たすウッドメタルやPbBiなどの溶融超伝導フィラー物質中に浸してもよいが、このような接続物質は含まないほうが好ましい。当該本発明の実施形態により提供される、Nb3SnシースとNb3Sn圧着具裏地との間の機械的及び電気的接触は、必要な超伝導接続部を提供するのに十分である。多くのNb3Sn連結による接続形成は、フィラー物質なしでも、比較的高強度の磁場を許容し、10Kを越える温度で超伝導を維持すると考えられる。このような接続部は、およそ10Kで動作する極低温冷凍装置による熱伝導で冷却されるドライマグネットの生産において有益であると思われる。本発明は、以上のように、超伝導線を接続する方法と該方法により得られる接続部とを提供する。本発明は、MgB2コアをもつ超伝導線、NbTiコアをもつ超伝導線、さらに、MgB2コア線とNbTiコア線との間の接続部、というような、ニオブシースを有するフィラメントの間の接続部に関連する。本発明によれば、ニオブシースを加熱スズSnに浸して、ニオブを、元素ニオブより優れた超伝導体であるNb3Snに変える。得られるNb3Snシースは、MgB2コア線へ電流を伝送する効率の良い優れた導体として機能する。形成される接続部の磁場許容度は、同様の線に関する従来の接続方法と比べて各段に改善される。MgB2コアは、接続形成の間にスズSnに曝されることがなく、MgB2コアの汚染や酸化のリスクが低減される。接続部の有効部分に到達するような程度までスズが線中に侵入しないという条件であれば、加熱スズに対するMgB2コアの若干の露出は許容される。本発明の他の実施形態では、1つのスズ人工物artefactにおいて多数の接続部を形成することもできる。接続部はそれぞれ、2以上の超伝導線からなる。このような実施形態のバリエーションでは、1つのスズ人工物で多数の接続部を形成し、そして、このスズ人工物を個別の接続部を生成するために分割することもできる。"