"基板上に、アルカリ金属ケイ酸塩但し、アルカリ金属はナトリウム以外と、ケイ酸ナトリウムとを含むアルカリ金属ケイ酸塩層を有することを特徴とする光電変換素子用基板。前記アルカリ金属ケイ酸塩が、ケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムであることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子用基板。前記アルカリ金属ケイ酸塩層のケイ素に対する前記リチウムまたは前記カリウムのモル比が0.001以上1以下であることを特徴とする請求項2記載の光電変換素子用基板。前記ケイ素に対する前記リチウムまたは前記カリウムのモル比と、前記ケイ素に対する前記ナトリウムのモル比との和が1以下であることを特徴とする請求項3記載の光電変換素子用基板。前記アルカリ金属ケイ酸塩層がホウ素またはリンを含むことを特徴とする請求項1~4いずれか1項記載の光電変換素子用基板。前記アルカリ金属ケイ酸塩層の厚さが2μm以下であることを特徴とする請求項1~5いずれか1項記載の光電変換素子用基板。前記基板が金属基板であることを特徴とする請求項1~6いずれか1項記載の光電変換素子用基板。前記金属基板の表面に陽極酸化アルミニウム皮膜を形成したものであることを特徴とする請求項7記載の光電変換素子用基板。前記金属基板がアルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材であることを特徴とする請求項8記載の光電変換素子用基板。前記陽極酸化アルミニウム皮膜がポーラス型陽極酸化アルミニウム皮膜であって、該ポーラス型陽極酸化アルミニウム皮膜が圧縮応力を有することを特徴とする請求項9記載の光電変換素子用基板。請求項1~10いずれか1項記載の光電変換素子用基板上に形成されたものであることを特徴とする光電変換素子。上記のように、従来、光電変換半導体層を形成する際に、ナトリウム供給層からナトリウムが光電変換半導体層に拡散することによって発電効率が向上するという知見がごく一般的なものであったが、ナトリウム供給層を設けても想定している以上には発電効率が高くならないことがわかった。その原因は、ナトリウムが電極のモリブデンと反応するために不純物が生成していること、集積化された太陽電池の製造工程では電極成膜後のスクライブ実施後に、水洗を行う必要が出てくるが、この水洗によってナトリウムが溶出し、ロスにつながっていることが判明した。本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、アルカリ金属イオンを光電変換半導体層に対して効率よく拡散することが可能であって、光電変換素子の光電変換効率を高くすることができる光電変換素子用基板、並びにこの光電変換素子用基板を用いた光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明の光電変換素子用基板は、基板上に、アルカリ金属ケイ酸塩但し、アルカリ金属はナトリウム以外と、ケイ酸ナトリウムとを含むアルカリ金属ケイ酸塩層を有することを特徴とするものである。前記アルカリ金属ケイ酸塩は、ケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムであることが好ましい。前記アルカリ金属ケイ酸塩層のケイ素に対する前記リチウムまたは前記カリウムのモル比は0.001以上1以下であることが好ましい。前記ケイ素に対する前記リチウムまたは前記カリウムのモル比と、前記ケイ素に対する前記ナトリウムのモル比との和は1以下であることが好ましい。前記アルカリ金属ケイ酸塩層はホウ素またはリンを含むことが好ましい。前記アルカリ金属ケイ酸塩層の厚さは2μm以下であることが好ましい。前記基板は金属基板であることが好ましい。前記金属基板の表面に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成されていることが好ましい。前記金属基板はアルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材であることが好ましい。前記陽極酸化アルミニウム皮膜はポーラス型陽極酸化アルミニウム皮膜であって、該ポーラス型陽極酸化アルミニウム皮膜が圧縮応力を有することが好ましい。本発明の光電変換素子は上記の光電変換素子用基板上に形成されたものであることを特徴とするものである。本発明の光電変換素子用基板は、アルカリ金属ケイ酸塩但し、アルカリ金属はナトリウム以外と、ケイ酸ナトリウムとを含むアルカリ金属ケイ酸塩層を有し、ナトリウムと別のアルカリ金属を併用することによって、アルカリ金属ケイ酸塩層上にモリブデンからなる電極を形成しても、ナトリウムとモリブデンとが反応して不純物が生成したり、水洗によってナトリウムが溶出したりすることが抑制されるので、アルカリ金属ケイ酸塩層のナトリウムを効率よく光電変換半導体層に拡散することができ、光電変換素子の発電効率を向上させることが可能である。ナトリウムと別のアルカリ金属を併用することによって、このような効果が得られるその作用機序は必ずしも明らかではないが、ナトリウムに比べると別のアルカリ金属、とりわけリチウムやカリウムは吸湿性が低く、アルカリ金属ケイ酸塩層にリチウムやカリウムが含まれることによって、アルカリ金属ケイ酸塩層の含まれる水分が絶対的に減る結果、水分に起因して生じる酸化反応が起こりにくくなるために、不純物の生成が抑制され、また、水洗によるナトリウム溶出が軽減されるものと推測される。本発明の光電変換素子用基板について詳細に説明する。本発明の光電変換素子用基板におけるアルカリ金属ケイ酸塩層は、アルカリ金属ケイ酸塩但し、アルカリ金属はナトリウム以外と、ケイ酸ナトリウムとを含むものである。アルカリ金属ケイ酸塩但し、アルカリ金属はナトリウム以外は、複数の種類を含んでいてもよい。アルカリ金属ケイ酸塩アルカリ金属はナトリウム以外は、特に、ケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムが好ましく、ケイ酸リチウムとケイ酸カリウムはその両方を含むものであってもよい。アルカリ金属ケイ酸塩がケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムである場合、アルカリ金属ケイ酸塩層のケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比は0.001以上1以下であることが好ましく、より好ましくは0.01以上1以下、さらに好ましくは0.02以上1以下、特に好ましくは0.05以上0.5以下が望ましい。ケイ素はアルカリ金属ケイ酸塩層に含まれる全ケイ素ケイ酸ナトリウム由来のケイ素も含むであり、ケイ酸リチウムとケイ酸カリウムの両方を含む場合には、ケイ酸リチウム由来、ケイ酸カリウム由来、およびケイ酸ナトリウム由来のケイ素に対するリチウムとカリウムの和のモル比を意味する。ケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比が1よりも大きくなるとリチウムまたはカリウムが多くなりすぎて、ケイ酸塩として固化しにくくなる。一方で、ケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比が0.001未満では、リチウムまたはカリウムが少なすぎて添加効果が得られず、光電変換素子の光電変換効率が高くならない。アルカリ金属ケイ酸塩がケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムである場合、アルカリ金属ケイ酸塩層に含まれる全ケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比と、アルカリ金属ケイ酸塩層に含まれる全ケイ素に対するナトリウムのモル比との和は1以下であることが好ましく、より好ましくは0.8以下であることが望ましい。リチウムまたはカリウムが含まれないと絶縁性が低くなるほか、一般的に裏面電極に用いられているモリブデンを成膜した際に不純物を形成するため、発電効率が低くなる。これはナトリウムの吸水性が高いためであると推定される。一方で、リチウムまたはカリウムだけでは発電効率を上げることはできない。また、ケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比と、ケイ素に対するナトリウムのモル比との和が1より大きくなると、ケイ酸塩として固化しにくく、またケイ素の量が少ないために基板との密着性が低下する。ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムの製法は、湿式法、乾式法などが知られており、酸化ケイ素を、それぞれ水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウムで溶解するなどの手法によって作製することができる。また、種々のモル比のアルカリ金属ケイ酸塩が市販されており、これを利用することもできる。ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムとしては、種々のモル比のケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムが市販されている。ケイ素とアルカリ金属の割合を示す指標として、SiO2/A2OA:アルカリ金属のモル比がしばしば用いられている。例えば、ケイ酸リチウムとしては、日産化学工業株式会社のリチウムシリケート35、リチウムシリケート45、リチウムシリケート75などがある。ケイ酸カリウムとしては、1号ケイ酸カリウム、2号ケイ酸カリウムなどが市販されている。ケイ酸ナトリウムとしては、オルトケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、1号ケイ酸ナトリウム、2号ケイ酸ナトリウム、3号ケイ酸ナトリウム、4号ケイ酸ナトリウムなどが知られ、ケイ素のモル比を数十まで高めた高モルケイ酸ナトリウムも市販されている。上記のケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムを、それぞれ水と任意の比率で混合することにより、任意の濃度の溶液を得ることができる。ケイ素に対するリチウムまたはカリウムの比率は、これらのアルカリ金属ケイ酸塩の混合により変化させることができるほか、各種のケイ酸ナトリウムを任意の比率で混合することによって変化させることができる。水の添加量を変更することにより塗布液の粘度を調整し、適切な塗布条件を定めることができる。塗布液を基板上に塗布する方法としては特に限定はなく、例えば、ドクターブレード法、ワイヤーバー法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法等の手法を用いることができる。なお、アルカリ金属ケイ酸塩層のケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムおよびケイ酸ナトリウムは、作製時の供給源が必ずしもケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムおよびケイ酸ナトリウムである必要はない。例えばアルカリ金属ケイ酸塩層がケイ酸リチウムとケイ酸ナトリウムを含む場合には、ケイ酸リチウムと水酸化ナトリウムあるいは、水酸化リチウムとケイ酸ナトリウムとを、アルカリ金属ケイ酸塩層がケイ酸カリウムとケイ酸ナトリウムを含む場合には、水酸化カリウムとケイ酸ナトリウムあるいは、ケイ酸カリウムと水酸化ナトリウムとを、それぞれ水と任意の比率で混合することによっても、ケイ酸リチウムとケイ酸ナトリウムあるいはケイ酸カリウムとケイ酸ナトリウムを含むアルカリ金属ケイ酸塩層を作製することができる。また、供給源として、それぞれ、リチウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩を添加してもよい。例えば、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、リン酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物などが用いられる。ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム以外のアルカリ金属ケイ酸塩の塗布液は、所望のアルカリ金属の硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、リン酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物などを、ケイ酸ナトリウム溶液に対して添加することによって簡便に得ることができる。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液に、ホウ素を含む化合物、またはリンを含む化合物を添加してもよい。これらを添加することにより、さらにMo成膜適性と発電効率を向上させることができる。詳細は必ずしも明らかではないが、ホウ素またはリンが、アルカリ金属ケイ酸塩に添加されることによって、ガラスのミクロな構造が変化し、ガラス中でのアルカリ金属イオンの安定性が向上するために、アルカリ金属イオンの遊離が抑制され、Mo成膜適性が向上し、発電効率が向上するものと推定される。ホウ素源としては、ホウ酸、四ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩が好ましく挙げられる。リン源としては、リン酸、ペルオキソリン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、二リン酸、三リン酸、ポリリン酸、シクロ三リン酸、シクロ四リン酸、二ホスホン酸、およびこれらの塩、などがあり、例えば、リン酸リチウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸水素リチウム、リン酸アンモニウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カルシウム、リン酸水素アンモニウム、リン酸二水素リチウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸二水素カルシウム、リン酸二水素アンモニウム、ピロリン酸ナトリウム、三リン酸ナトリウムなどが好ましく挙げられる。塗布液を基板上に塗布した後、熱処理を行うことによりアルカリ金属ケイ酸塩層を作製することができる。熱重量分析、および昇温脱ガス分析の手法を用いて発明者らが脱水温度を測定したところ、脱水は200°C~300°C程度で起こることがわかった。200°Cよりも低温では、塗布液を十分に乾燥させることができず、耐水性の高いアルカリ金属ケイ酸塩層が形成されないため、好ましくない。また、300°C以下の熱処理では、アルカリ金属ケイ酸塩層の残留水分が多く、大気中の二酸化炭素などと反応して表面に炭酸塩などの不純物が形成したり、Mo電極スパッタ時にモリブデン酸ナトリウムなどが生成したり、といった問題が発生する。したがって、熱処理温度は、200°C以上が好ましく、300°C以上がさらに好ましく、400°C以上が特に好ましい。このようなより高温での熱処理を実施することから、本発明に用いられる基板は、アルミニウムと異種金属を複合し、アルミニウム表面に陽極酸化皮膜を形成したクラッド基板を用いることが好ましい。クラッド基板については後述するが、400°C以上の高温でも、陽極酸化皮膜のクラックなどが発生せず、高い耐熱性を有していることが知られている。また、基板をあらかじめ300°C以上で熱処理することによって陽極酸化皮膜に圧縮応力を付与することができ、さらに耐熱性を向上させ、絶縁性の長期信頼性を確保できることが知られている。この処理をアルカリ金属ケイ酸塩層の塗布後に実施することにより、アルカリ金属ケイ酸塩層の脱水に必要な熱処理と、陽極酸化皮膜の圧縮応力化に必要な熱処理を兼ねることが可能である。一方で、600°Cを超える温度では、アルカリ金属ケイ酸塩のガラス転移温度を超えるため好ましくない。熱処理後のアルカリ金属ケイ酸塩層の厚さは0.01~2μm、好ましくは0.05~1.5μm、さらには0.1~1μmであることが好ましい。アルカリ金属ケイ酸塩層の厚さが2μmよりも厚くなると、熱処理時のアルカリ金属ケイ酸塩の収縮量が大きくなってクラックが発生しやすくなるため、好ましくない。本発明の光電変換素子用基板を用いた光電変換素子について説明する。図1は、光電変換素子の一実施の形態を示す概略断面図である。なお、視認しやすくするため、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。光電変換素子1は、図1に示すように、基板10上に、陽極酸化により形成された陽極酸化膜20と、アルカリ金属ケイ酸塩層30と、下部電極40と、光吸収により正孔電子対を発生する光電変換半導体層50と、バッファ層60と、透光性導電層透明電極70と、上部電極グリッド電極80とが順次積層された構成となっている。なお、図1では基板10上に、陽極酸化により形成された陽極酸化膜20と、アルカリ金属ケイ酸塩層30とが形成された光電変換素子を示しているが、図2に示すように、基板10上に、アルカリ金属ケイ酸塩層30が形成された態様であってもよいなお、図2において、図1中の構成要素と同等の構成要素には同番号を付している。基板10としては、セラミックス基板無アルカリガラス、石英ガラス、アルミナなど、金属基板ステンレス、チタン箔、シリコンなど、高分子基板ポリイミドなどを問わず用いることができる。耐熱性軽量性の観点からは、特に金属基板が好ましい。とりわけ、陽極酸化により金属基板表面上に生成する金属酸化膜が絶縁体となる材料を利用することができる。具体的には、アルミニウムAl、鉄Fe、ジルコニウムZr、チタンTi、マグネシウムMg、銅Cu、ニオブNbおよびタンタルTaの中から選ばれる少なくとも1つの金属を含有する基板、あるいは上記金属の合金が好ましい。とりわけ、アルミニウム、ステンレスまたは鉄鋼板の片面あるいは両面をアルミニウム板で一体化したクラッド材が陽極酸化の形成が簡易であること、耐久性が高いという観点からより好ましい。両面をアルミニウム板で挟んだ一体化したクラッド材の場合、アルミニウムと酸化膜Al2O3との熱膨張係数差に起因した基板の反り、及びこれによる膜剥がれ等を抑制することができるため、より好ましい。基板は、必要に応じて洗浄処理研磨平滑化処理等、例えば付着している圧延油を除く脱脂工程、アルミニウム板の表面のスマットを溶解するデスマット処理工程、アルミニウム板の表面を粗面化する粗面化処理工程が施されたものを用いることが好ましい。陽極酸化により形成された陽極酸化膜20は、陽極酸化により複数の細孔を有する絶縁性酸化膜が形成されたものであり、これによって高い絶縁性が確保される。陽極酸化は基板10を陽極とし陰極と共に電解質に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することで実施することができる。陰極としてはカーボンやアルミニウム等が使用される。陽極酸化条件は使用する電解質の種類にもより、特に制限されない。条件としては例えば、電解質濃度0.1~2mol/L、液温5~80°C、電流密度0.005~0.60A/cm2、電圧1~200V、電解時間3~500分の範囲にあれば適当である。電解質としては特に制限されず、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、マロン酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、およびアミドスルホン酸等の酸を、1種又は2種以上含む酸性電解液が好ましく用いられる。かかる電解質を用いる場合、電解質濃度0.2~1mol/L、液温10~80°C、電流密度0.05~0.30A/cm2、および電圧30~150Vが好ましい。陽極酸化膜はバリア層部分とポーラス層部分からなり、ポーラス層部分が室温で圧縮歪みを有するものであることが好ましい。一般にはバリア層は圧縮応力、ポーラス層は引張応力を有しているため、数μm以上の厚膜においては、陽極酸化膜全体が引張応力になることが知られている。一方、前述のクラッド材を用い、例えば後述の加熱処理を実施した場合、圧縮応力を有するポーラス層を作製することができる。そのため、数μm以上の厚膜にしても、陽極酸化膜全体を圧縮応力とすることができ、成膜時の熱膨張差によるクラックの発生がなく、また、室温付近での長期信頼性に優れた絶縁性膜とすることができる。この場合、上記圧縮歪みの大きさは、0.01以上であることが好ましく、0.05以上であることがさらに好ましく、0.10以上であることが特に好ましい。また、0.25以下であることが好ましい。圧縮歪みが0.01未満では、圧縮歪みではあるものの、不充分であり、耐クラック性の効果が得られない。そのため、最終製品形態において曲げ歪みを受けたり、長期にわたって温度サイクルを経たり、外部から衝撃、または応力を受けたりした場合に、絶縁層として形成された陽極酸化膜にクラックが生じて、絶縁性の低下にいたる。一方、圧縮歪みが大きすぎると、陽極酸化膜が剥離したり、陽極酸化膜に強い圧縮歪みが加わることにより、クラックが発生したり、陽極酸化膜が盛り上がって平坦性が低下したり、剥離したりするため、絶縁性が決定的に低下する。そのため、圧縮歪みは0.25以下であることが好ましい。なお、陽極酸化膜のヤング率は、50~150GPa程度であることが知られており、したがって、上記圧縮応力の大きさは、5~300MPa程度が好ましい。陽極酸化処理の後、加熱処理を実施してもよい。加熱処理を実施することによって、陽極酸化膜に圧縮応力が付与され、耐クラック性が高まる。よって、耐熱性、絶縁信頼性が向上し、絶縁層つき金属基板としてさらに好適に用いることができるようになる。加熱処理温度は、150°C以上が好ましい。前述のクラッド材を用いた場合、300°C以上での熱処理が好ましい。あらかじめ熱処理を実施しておくことにより、多孔質陽極酸化膜に含まれる水分量を減少させることができ、絶縁性を向上させることができる。従来のアルミニウムのみからなる基板においては、300°C以上での加熱処理を実施すると、アルミニウムが軟化して基板としての機能を喪失したり、アルミニウムと陽極酸化膜の熱膨張率の差によって、陽極酸化膜にクラックが発生して絶縁性を喪失したり、といった問題があったが、アルミニウムと異種金属のクラッド材を用いることによって、300°C以上の温度での加熱が可能になる。陽極酸化膜は水溶液中で形成される酸化被膜であり、固体内部に水分を保持していることが、例えば、ChemistryLettersVol.34,No.9,2005p1286に記載されているように知られている。この文献と同様の陽極酸化膜の固体NMR測定から、100°C以上で熱処理した場合、陽極酸化膜の固体内部の水分量OH基が減少することが認められ、特に200°C以上で顕著である。従って、加熱によりAl-OとAl-OHの結合状態が変化し、応力緩和アニール効果が生じているものと推定される。また、発明者らによる陽極酸化膜の脱水量測定から、大部分の脱水は、室温~300°C程度までで起こることが明らかになっている。陽極酸化膜を絶縁膜として用いようとする場合、含まれる水分量が多いほど、絶縁性が低下するため、300°C以上で熱処理を行うことは、絶縁性を向上させる観点でも極めて有効である。アルミニウムと異種金属のクラッド材を基材として用い、300°C以上の熱処理と組み合わせることによって、アニール効果を効果的に発現させ、従来技術ではなしえない高い圧縮歪みと、少ない含水量を実現できる。これによって、さらに絶縁信頼性の高い光電変換素子用基板を提供することが可能となる。電気絶縁性の観点からは、陽極酸化膜は厚さが3~50μmであることが好ましい。3μm以上の膜厚を有することによって、絶縁性および室温で圧縮応力を有することによる成膜時の耐熱性、さらに長期の信頼性の両立を図ることができる。膜厚は、好ましくは5μm以上30μm以下、特に好ましくは5μm以上20μm以下である。膜厚が極端に薄い場合、電気絶縁性とハンドリング時の機械衝撃による損傷を防止することができない虞がある。また、絶縁性、耐熱性が急激に低下するとともに、経時劣化も大きくなる。これは、膜厚が薄いことにより、陽極酸化膜表面の凹凸の影響が相対的に大きくなり、クラックの起点となってクラックが入りやすくなったり、アルミニウム中に含まれる金属不純物に由来する陽極酸化膜中の金属析出物、金属間化合物、金属酸化物、空隙の影響が相対的に大きくなって絶縁性が低下したり、陽極酸化膜が外部から衝撃、または応力を受けたときに破断してクラックが入りやすくなったりするためである。結果として、陽極酸化膜が3μmを下回ると、絶縁性が低下するため、可撓性耐熱基板としての用途、またはロールトゥロールでの製造には向かなくなる。また、膜厚が過度に厚い場合には、可撓性が低下する上、陽極酸化に要するコストおよび時間がかかるため好ましくない。また、曲げ耐性や熱歪み耐性が低下する。曲げ耐性が低下する原因は、陽極酸化膜が曲げられた際に、表面とアルミニウム界面での引張応力の大きさが異なるため、断面方向での応力分布が大きくなり、局所的な応力集中が起こりやすくなるためであると推定される。熱歪み耐性が低下する原因は、基材の熱膨張により陽極酸化膜に引張応力がかかった際に、アルミニウムとの界面ほど大きな応力がかかり、断面方向での応力分布が大きくなり、局所的な応力集中が起こりやすくなるためであると推定される。結果として、陽極酸化膜が50μmを超えると、曲げ耐性や熱歪み耐性が低下するため、可撓性耐熱基板としての用途、またはロールトゥロールでの製造には向かなくなる。また、絶縁信頼性も低下する。下部電極裏面電極40の成分としては特に制限されず、Mo,Cr,W,およびこれらの組合せが好ましく、Mo等が特に好ましい。下部電極裏面電極40の膜厚は制限されず、200~1000nm程度が好ましい。光電変換半導体層50は化合物半導体系光電変換半導体層であり、主成分主成分とは20質量以上の成分を意味としては特に制限されず、高光電変換効率が得られることから、カルコゲン化合物半導体、カルコパイライト構造の化合物半導体、欠陥スタナイト型構造の化合物半導体を好適に用いることができる。カルコゲン化合物S、Se、Teを含む化合物としては、II-VI化合物:ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTeなど、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaS,Se2など、I-III3-VI5族化合物:Culn3Se5、CuGa3Se5、Culn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。カルコパイライト型構造および欠陥スタナイト型構造の化合物半導体としては、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaSSe2など、I-III3VI5族化合物:CuIn3Se5、CuGa3Se5、CuIn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。ただし、上の記載において、In,Ga、S,Seは、それぞれ、In1xGax、S1ySeyただし、x=0~1、y=0~1を示す。光電変換半導体層の成膜方法としては特に制限されない。例えば、Cu,In,Ga,Sを含むCIGS系の光電変換半導体層の成膜では、セレン化法や多元蒸着法等の方法を用いて成膜することができる。光電変換半導体層50の膜厚は特に制限されず、1.0~3.0μmが好ましく、1.5~2.0μmが特に好ましい。バッファ層60は特に制限されないが、CdS、ZnS,ZnS,O及び/又はZnS,O,OH、SnS,SnS,O及び/又はSnS,O,OH、InS,InS,O及び/又はInS,O,OH等の、Cd,Zn,Sn,Inからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む金属硫化物を含むことが好ましい。バッファ層40の膜厚は、10nm~2μmが好ましく、15~200nmがより好ましい。透光性導電層透明電極70は、光を取り込むと共に、下部電極40と対になって、光電変換層50で生成された電流が流れる電極として機能する層である。透光性導電層70の組成としては特に制限されず、ZnO:Al等のn-ZnO等が好ましい。透光性導電層70の膜厚は特に制限されず、50nm~2μmが好ましい。上部電極グリッド電極80としては特に制限されず、Al等が挙げられる。上部電極80膜厚は特に制限されず、0.1~3μmが好ましい。本発明の光電変換素子用基板は、太陽電池等に好ましく使用することができる。光電変換素子1に対して必要に応じて、カバーガラス、保護フィルム等を取り付けて、太陽電池とすることができる。以下、本発明の光電変換素子用基板を実施例によりさらに詳細に説明する。基板の準備基板として3cm角の無アルカリガラス基板実施例1、7および32で使用、SUS430基板厚さ100um、実施例2、5、8、25、27、比較例1、5、6、8で使用、陽極酸化アルミ基板上記以外の実施例および比較例2、3、4、7で使用を準備した。陽極酸化アルミ基板は、次の手法で作製した。厚さ30μmのアルミニウムと厚さ100μmのSUS430からなるクラッド材を、シュウ酸電解液を用いて40Vの定電圧条件で陽極酸化し、10μmの陽極酸化アルミが表面に形成された基板を作製した。塗布液の準備と実施例および比較例リチウム供給源日産化学製、商品名:リチウムシリケート45、リチウムシリケート75、水酸化リチウム、カリウム供給源富士化学製、商品名:1Kケイ酸カリ、2Kケイ酸カリ、ナトリウム供給源昭和化学製、商品名:1号ケイ酸ナトリウム、3号ケイ酸ナトリウム、および、東曹産業製、商品名:4号ケイ酸ナトリウム、高モルケイ酸ソーダ、水酸化ナトリウム、水をそれぞれ表1および3に示す質量比で、さらにホウ素供給源としてホウ素あるいは四ホウ酸ナトリウム、リン酸源としてリン酸を加えたものを表2に示す質量比で混合し、塗布液を調液した。基板上に塗布液を滴下し、スピンコートにてアルカリ金属ケイ酸塩層を形成した。その後、基板に対して450°Cで30分間熱処理を行った。熱処理後、DCスパッタにて、基板上にMoを厚さ800nm形成した。Mo成膜性評価上記で形成したアルカリ金属ケイ酸塩層上のMo表面の不純物量を、光学顕微鏡を用いて表面を観察し、異物の量を観察した。1mm四方あたりの異物の個数に応じて、異物が観察されなかった場合は○、1個以上10個未満の場合は△、10000個以上の場合は×を表3に示した。太陽電池の作製このMo電極上にCIGS太陽電池を成膜した。なお、本実施例では、蒸着源として高純度銅とインジウム純度99.9999、高純度Ga純度99.999、高純度Se純度99.999の粒状原材料を用いた。基板温度モニターとして、クロメル-アルメル熱電対を用いた。主真空チャンバーを106Torr1.3×103Paまで真空排気した後、各蒸発源からの蒸着レートを制御して、最高基板温度530°Cの製膜条件で、膜厚約1.8μmのCIGS薄膜を製膜した。続いてバッファ層として、CdS薄膜を90nm程度溶液成長法で堆積し、その上に、透明導電膜のZnO:A1膜をDCスパッタ法で厚さ0.6μmで形成した。最後に上部電極として、Alグリッド電極を蒸着法で形成し太陽電池セルを作製した。発電効率の測定作製した太陽電池セル面積0.5cm2に、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を照射して、エネルギー変換効率を測定した。実施例、比較例の光電変換素子について、それぞれ、8個のサンプルを作製した。各光電変換素子について上記条件で光電変換効率を測定し、その中での最高値を各実施例、比較例の光電変換素子の変換効率とした。また、変動係数8セルの標準偏差を、平均値で割った値をセルの効率ばらつきとして評価した。ナトリウム濃度の測定実施例および比較例の光電変換素子について、光電変換層CIGS層のナトリウム濃度を測定した。このナトリウム濃度の測定は、SIMS二次イオン質量分析計を用いた。測定のための一次イオン種はCsとし、加速電圧は5.0kVとした。光電変換層CIGS層中のナトリウム濃度は厚さ方向に分布を持つが、積分し平均値を導出し、この平均値をナトリウム濃度の評価に用いた。塗布液の処方とともにMo成膜適性、ナトリウム濃度、発電効率の測定結果を表1、2および3に、実施例および比較例で用いたナトリウム供給源、リチウム供給源、カリウム供給源の質量比を表4,5および6に示す。表1、2および3のモル比はこの質量比からモル比に換算したものであるなお、水酸化ナトリウム、水酸化リチウムは固体。なお、表1中のモル比の和は、ケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比およびケイ素に対するナトリウムのモル比の小数点以下3桁をまるめる前の数値で計算したものである。表1に示すように、ケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムと、ケイ酸ナトリウムとを含むアルカリ金属ケイ酸塩層を設けた実施例1~10は、ケイ酸ナトリウムのみからなるアルカリ金属ケイ酸塩層である比較例5~8に比較して、倍近い発電効率が得られた。これらはいずれも、ナトリウム濃度はほぼ同等程度であり、CIGSへのナトリウム拡散は充分になされていると考えられるが、比較例5~8のMoは不純物のピーク比が高く、これに起因して発電効率が低かったと考えられる。一方で、ケイ酸リチウムのみからなるアルカリ金属ケイ酸塩層である比較例1および2、ケイ酸カリウムのみからなるアルカリ金属ケイ酸塩層である比較例3および4ではMoの成膜適性はよかったものの、ケイ酸ナトリウムを含まないために発電効率は実施例に比べて平均して30近く低かった。アルカリ金属ケイ酸塩層にナトリウムが存在しないため、ナトリウムがCIGSに拡散されず、効率が向上しなかったものと考えられる。このことから、ケイ酸リチウムまたはケイ酸カリウムと、ケイ酸ナトリウムを併用することによって、大きく発電効率を上げることができることがわかる。実施例11はケイ酸ナトリウムに代えてナトリウム供給源として水酸化ナトリウムを用い、ケイ酸リチウムを併用したものである。また、実施例12、13はケイ酸リチウムに代えてリチウム供給源として水酸化リチウムを用い、ケイ酸ナトリウムを併用したものである。この場合でも、得られたアルカリ金属ケイ酸塩は、本発明であるケイ酸ナトリウムとケイ酸リチウムの混合物になる。ただし、実施例11は、実施例1から10に比べると、成膜適性、発電効率がやや低かった。これは、ケイ素に対するリチウムのモル比とケイ素に対するナトリウムのモル比との和が1よりも大きいためと考えられる。また、実施例13は、実施例1から10に比べると、発電効率がやや劣った。これは、ケイ素に対するリチウムのモル比が1より大きいため考えられる。図2は実施例4、比較例1および5のCIGS結晶の電子顕微鏡写真である。この3つのCIGS結晶の電子顕微鏡写真から明らかなように、本発明の光電変換素子用基板である実施例4では、比較例1よりもCIGS結晶の粒径が大きくなり、アルカリ添加効果が確認された。比較例5も粒径が大きく、アルカリ添加効果がみられるが、変換効率が低いのは、Mo成膜適性が低く、Mo/CIGS界面に不純物が形成されているためであると推定される。実施例14~19はナトリウム供給源、リチウム供給源、カリウム供給源の添加量を変えたものである。これらの実施例からケイ素に対するリチウムまたはカリウムのモル比は1以下の範囲で、ケイ素に対するリチウムのモル比とケイ素に対するナトリウムのモル比との和も1以下の範囲で、より良好な発電効率を示していることがわかる。表2に示す実施例23~33はアルカリ金属ケイ酸塩層がさらにホウ素あるいはリンを含むものであるが、一見すると、ホウ素あるいはリンを含まない実施例に比べて発電効率には大きな差はないように見えるが、変動係数が小さいため、作製したセル全てが高い発電効率を有するものとなっており、作製したセル全体の発電効率が上昇していることがわかる。"