一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第1導波管線路と、一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第2導波管線路と、一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第3導波管線路と、を備え、前記第3導波管線路は、前記第3導波管線路の前記磁界面の一方に形成された第1結合窓と、前記第3導波管線路の前記電界面の一方に形成された第2結合窓と、前記第3導波管路の両端を閉塞する第1および第2短絡面と、を有し、前記第1結合窓は、前記第1導波管線路の前記電界面が前記第3導波管線路の前記電界面と平行になるように、前記第1導波管線路の一端を前記第3導波管線路に結合し、前記第2結合窓は、前記第2導波管線路の前記電界面が前記第1導波管線路の前記磁界面と平行になるように、前記第2導波管線路の一端を前記第3導波管線路に結合する導波管接続構造。一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第4導波管線路をさらに備え、前記第3導波管線路は、前記第3導波管線路の前記電界面の他方に形成された第3結合窓を有し、前記第3結合窓は、前記第4導波管線路の電界面が前記第1導波管線路の前記磁界面と平行になるように、前記第4導波管線路の一端を前記第3導波管線路に結合し、前記第4導波管線路は、前記第4導波管線路の他端を閉塞する短絡面を有することを特徴とする請求項1に記載の導波管接続構造。前記第2導波管線路の前記電界面、前記第3導波管線路の前記第1および第2短絡面と前記電界面は、両面が金属膜で覆われた誘電体基板に形成された複数のスルーホールによって形成され、前記第2導波管線路の前記磁界面、および前記第3導波管線路の前記磁界面は、前記複数のスルーホールで囲まれた、前記誘電体基板の両面の金属膜であり、前記第1結合窓は、前記両面のうち一方の面の金属膜に形成された開口であることを特徴とする請求項1に記載の導波管接続構造。前記第3導波管線路および前記第2導波管線路は、金属板により一体形成されていることを特徴とする請求項1に記載の導波管接続構造。請求項1に従った導波管接続構造を備えたことを特徴とするアンテナ装置。請求項5に従った複数のアンテナ装置と、前記複数のアンテナ装置で受信した信号を周波数変換して変換信号を得るダウンコンバートを含む処理を行うRFモジュール部と、前記変換信号をアナログディジタル変換してディジタル信号を得るアナログディジタル変換部と、前記ディジタル信号を用いて、目標物の位置を推定するモノパルスDBF部と、を備えたレーダ装置。従来の導波管ベンド構造では、管軸方向が異なる二つの導波管線路のE面もしくはH面が平行になるように配置されている。しかしながら、一方の導波管線路のH面と他方の導波管線路のE面が平行になるように接続した場合、一方の導波管線路からTE10モードの高周波信号を入れると、他方の導波管線路に対しては、この高周波信号は管軸方向に電界成分を持つTMモードとなる。つまり、この高周波信号は、他方の導波管線路に対しては高次モードとなって遮断され、結合できないという問題がある。この発明の一側面は、一方の導波管線路の磁界面と他方の導波管線路の電界面が平行になるように接続される構造において、両線路間で高周波信号を結合させることを目的とする。本発明の一態様としての導波管接続構造は、一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第1導波管線路と、一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第2導波管線路と、一対の電界面と一対の磁界面とで囲まれた第3導波管線路と、を備える。前記第3導波管線路は、前記第3導波管線路の前記磁界面の一方に形成された第1結合窓と、前記第3導波管線路の前記電界面の一方に形成された第2結合窓と、前記第3導波管路の両端を閉塞する第1および第2短絡面と、を有する。前記第1結合窓は、前記第1導波管線路の前記電界面が前記第3導波管線路の前記電界面と平行になるように、前記第1導波管線路の一端を前記第3導波管線路に結合する。前記第2結合窓は、前記第2導波管線路の前記電界面が前記第1導波管線路の前記磁界面と平行になるように、前記第2導波管線路の一端を前記第3導波管線路に結合する。以下、図面を参照しながら、本実施の形態について詳細に説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係わる導波管接続構造の斜視図である。図2は、当該構造の上面図z軸方向の上から見た図、図3は、当該構造の正面図y軸方向から見た図、図4は、当該構造の側面図x軸方向から見た図である。なお各図のスケールは一致していない。図1の導波管接続構造は、第1導波管線路101と、第2導波管線路102と、第3導波管線路103とを備える。第1導波管線路101と第2導波管線路102と第3導波管線路103は、それぞれ管軸方向が異なっており、本例では互いに直交している。導波管線路101~103は、一対の電界面E面と、一対の磁界面H面とにより囲まれている。図5に示すように、管軸方向に沿って幅の広い面がH面、狭い面がE面に相当する。導波管線路101~103は、たとえば銅などの金属板により形成されている。第1導波管線路101および第2導波管線路102は、第1導波管線路101の磁界面H面と第2導波管線路102の電界面E面が互いに平行になるように、配置されている。また、第1導波管線路101と第3導波管線路103とは、第1導波管線路101のE面と第3導波管線路103のE面とが互いに平行になるように配置されている。第3導波管線路103の両端は、図2に示すように、短絡面106A、106Bによって閉塞されているなお、短絡面106Bは第2導波管線路102のE面の一方と連続している。また、第3導波管線路103には、結合窓104A、104Bが設けられている。図2に示すように、結合窓104Bは、第3導波管線路103のE面の一方に設けられている。第2導波管線路102の一端は、結合窓104Bを介して、第3導波管線路103と結合されている。このとき第2導波管線路102のE面が、第1導波管線路101のH面と平行になっている。つまり結合窓104Bは、第2導波管線路102のE面と、第1導波管線路101のH面とを平行に結合する。第2導波管線路102の他端は、開放され、高周波信号の出力口となっている。本例では、第2導波管線路102と第3導波管線路103は物理的に一体形成されている。第2導波管線路102と第3導波管線路103は、一枚の金属板により形成されてもよいし、金属板を接着して形成してもよい。第2導波管線路102のH面と、第3導波管線路103のH面は、同じ高さに位置して、連続しており、第3導波管線路103は、第2導波管線路102とHベンド構造を形成している。結合窓104Aは、第3導波管線路103のH面下側に形成されている。なお、本例では結合窓104Aの一部が、第2導波管線路102のH面にも少しかかって形成されているが、結合窓104Aは、第1および第3導波管線路同士の結合を実現するためのものであり、少なくとも第3導波管線路103のH面に含まれればよい。結合窓104Aは、短絡面106Aに平行な辺のサイズが、垂直な辺よりも長くなっている。第1導波管線路101の一端は、結合窓104Aを介して、第3導波管線路103と結合される。このとき、第1導波管線路101のE面と第3導波管線路103のE面とが互いに平行になっている。結合窓104は、第1導波管線路101のE面と第3導波管線路103のE面とを互いに平行に結合する。第1導波管線路101の一端は、結合窓104Aの形状に合わせるため、その開口が狭まっている。第1導波管線路101の他端は、開放され、高周波信号の入力口となっている。なお、結合窓104Aのサイズを、第1導波管線路101の線路幅に合わせるのであれば、第1導波管線路101の開口を狭める必要はない。本例では第1導波管線路101と第3導波管線路103を別体のものとして構成し、位置合わせにより結合しているが、第1導波管線路101と第3導波管線路103を物理的に一体形成してもよい。ここで、各導波管線路101~103の磁界面H面おける管幅は、基本モードであるTE10モードのみが伝搬可能となるために、光速c、周波数f0、導波管を構成する誘電体の比誘電率εrに対して、となっている。図1の導波管接続構造は、第1導波管線路101と第2導波管線路102との間に、第3導波管線路103を介在させたことにより、第1導波管線路101から第2導波管線路102への、高周波信号の伝達を可能としたことをその大きな特徴としている。その動作を以下に示す。第1導波管線路101からTE10モードの高周波信号を入れると、この高周波信号は管軸方向に電界成分を持つTMモードとなり、第2導波管線路102に対しては高次モードとなり遮断される。一方、E面が平行に配置された第3導波管線路103に対しては、高周波信号が結合される。第3導波管線路103に結合した高周波信号は、短絡面106Aで、反射する。第3導波管線路103と第2導波管線路102は、H面が互いに平行であるため、第3導波管線路の短絡面106Aで反射した高周波信号は、第2導波管線路102と結合可能となる。このようにして、第1導波管線路101を流れてきた高周波信号が、第2導波管線路102に伝搬される。ここでは第1導波管線路101から高周波信号を入力した例を示したが、第2導波管線路102から高周波信号を入力した場合も逆の動作によって、第1導波管線路101へ高周波信号が伝達される。本実施形態の理解を深めるため、図6を示す。図6の導波管接続構造では、第3導波管線路を省いて、第1導波管線路1001を第2導波管線路1002に直接結合している。この構成では、第1導波管線路1001に入力した高周波信号を、第2導波管線路1002に伝達することはできない。図6において、第1導波管線路1001と第2導波管線路1002は、それぞれ管軸方向が異なり直交し、かつ、第1導波管線路1001の磁界面H面と第2導波管線路の電界面E面が平行になるように配置される。第1導波管線路1001は、第2導波管線路1002のH面に設けられた結合窓1004を通じて接続される。第1導波管線路1001と、第2導波管線路1002は、基本モードであるTE10モードのみが伝搬可能となるために、それぞれの管幅H面の幅が、光速c、周波数f0、導波管を構成する誘電体の比誘電率εrに対して、となっている。第1導波管線路1001から伝搬されたTE10モードの電磁波は、第2導波管線路1002に対して、TE20モード、TE40モードなどの反対称な電磁界の形を持つ高次モードとなり、遮断され、第2導波管線路1002と結合しない。逆に、第2導波管線路1002から伝搬されたTE10モードの電磁波は、第1導波管線路1001に対しては、管軸方向に電界成分を持つTMモードとなり、高次モードとして遮断され、第1導波管線路1001と結合しない。よって、第1導波管線路1001と第2導波管線路1002が図のように位置関係で接続された場合、第1導波管線路1001と第2導波管線路1002間で、電磁波を伝搬することが困難となる。以上、本実施形態によれば、第1導波管線路101と第2導波管線路102との間に、第1導波管線路101とE面が平行に結合されるとともに、第2導波管線路102とH面が平行に結合される第3導波管線路103を介在させたことにより、第1導波管線路101から第2導波管線路102への、高周波信号の伝達が可能となる。第2実施形態図7は、第2実施形態に係わる導波管接続構造の斜視図である。図8は当該構造の上面図である。第1実施形態と異なる主な点は、第4導波管線路204が追加された点にある。第4導波管線路204の管軸方向は、第2導波管線路202と同一である。第3導波管線路203には、図8に示すように、結合窓204Cが設けられている。それ以外は、基本的に第1実施形態と同様であり、以下では、第1実施形態と重複する説明は省略する。第3導波管線路203のE面第2導波管線路202と反対側に、結合窓204Cが設けられている。第4導波管線路204の一端は、結合窓204Cを介して、第3導波管線路203と結合されている。このとき第4導波管線路204のE面が、第1導波管線路201のH面と平行になっている。第4導波管線路204の他端は、短絡面206Cにより閉塞されている。本例では、第4導波管線路204と第3導波管線路203は物理的に一体形成されている。第4導波管線路204のH面と、第3導波管線路203のH面は、同じ高さに位置し、連続している。結合窓204B、204Cは、第3導波管線路203の管路を挟んで、互いに対向し、これにより第4および第2導波管線路204、202は、第3導波管線路203を挟んで一直線状に配置される。このようにして、第2、第3、第4導波管線路のH面は、T分岐構造を形成している。第1導波管線路201と結合する結合窓204Aは、このT分岐構造に位置している。上記のような導波管接続構造の動作について説明する。T分岐構造のH面に具備された結合窓204Aにより、第1導波管線路201を流れる基本モードTE10モードの高周波信号が、第3導波管線路203と結合する。第3導波管線路203と結合した高周波信号は、図8に示すように、短絡面206Aで反射され、H面T分岐構造を通じて、第2導波管線路202に結合することができる。より詳細には、短絡面206Aで反射して高周波信号は、第2導波管線路202と第4導波管線路204に分岐するとともに、反射信号の一部は、結合窓204Aに向かう。第4導波管線路204へ分岐した信号は、短絡面206Cで反射し、結合窓204Aへ向かう信号と打ち消し合う。これにより結合窓204Aを経由して第1導波管線路201に逆流する信号は低減されるため、伝送効率を高めることができる。短絡面206Aおよび短絡面206Cと、結合窓204Aまでの距離を調節することにより、反射を改善して、この伝送効率をより高めることができる。第3実施形態図9は、第3実施形態に係わる導波管接続構造の斜視図である。この導波管接続構造は、図6に示した導波管接続構造における結合窓を、第2導波管線路の管軸に対して斜めに傾けたものに相当する。第1導波管線路301と第2導波管線路302は、それぞれ管軸方向が異なり、かつ、第1導波管線路301のH面と第2導波管線路302のE面が平行になるように配置される。第2導波管線路302のH面に設置された結合窓303は、第2導波管線路302の管軸に対し、傾けられている。第1導波管線路301の一端は、結合窓303の形状に合わせて、斜めの開口部が設けられている。第1導波管線路301からTE10モードの高周波信号を入れると、結合窓303に、管軸に対して斜め方向の磁界成分が立ち、管軸に対して平行な磁界成分が第2導波管線路302に対して結合可能となり、高周波信号が伝搬される。第2導波管線路に設置された短絡面304と、結合窓303との距離を変えることにより、反射を改善することできる。斜めの結合窓により結合が可能になる理由についてもう少し詳しく述べると以下の通りである。第1導波管線路301から伝搬されたTE10モードの電磁波が、第2導波管線路302の管軸に対して斜めに配置された結合窓303により、第2導波管線路302において、第2導波管線路302の管軸に対して垂直方向に磁界成分を持ち、第2導波管線路302で伝搬可能な基本モードであるTE10モードが現れる。これにより、第1導波管線路301と、第2導波管線路302が結合可能であり、電磁波が伝搬することができる。一方、第2導波管線路302から伝搬されたTE10モードの電磁波に対し、第2導波管線路302の管軸に対して斜めに配置された結合窓303により、第1導波管線路301において、磁界面H面に垂直方向の電界成分が現れる。この電界成分により、第1導波管線路301の管軸方向に磁界成分を持つ、伝搬可能なTE10モードが現れ、第1導波管線路301と結合が可能となる。第4実施形態図10は、第4実施形態に係わる導波管接続構造の斜視図である。この導波管接続構造は、図9に示した第3実施形態に係る導波管接続構造における結合窓をクロス形状にしたことを特徴とする。具体的に、第2導波管線路402の管軸に対して斜めに配置された二つの結合窓が、クロス状に配置されている。以下、本構造の動作を示す。第1導波管線路401から伝搬されたTE10モードの電磁波が、第2導波管線路402の管軸に対して配置されたクロスの結合窓403により、第2導波管線路402において、第2導波管線路402の管軸に対して垂直方向に磁界成分を持ち、第2導波管線路402で伝搬可能な基本モードであるTE10モードが現れる。これにより、第1導波管線路401と、第2導波管線路402が結合可能となり、電磁波が伝搬することができる。一方、第2導波管線路402から伝搬されたTE10モードの電磁波が、第2導波管線路402の管軸に対して斜めに配置されたクロスの結合窓403により、第1導波管線路401において、磁界面H面に垂直方向の電界成分が現れる。この電界成分により、第1導波管線路401の管軸方向に磁界成分を持ち、伝搬可能なTE10モードが現れ、第1導波管線路401と結合が可能となる。第5実施形態図11は、第5実施形態に係る導波管接続構造の斜視図である。この構造は、図7に示した第2実施形態と同様の仕組みを、誘電体基板上で実現したものである。図7に示した第2導波管線路202のE面、第3導波管線路203の短絡面とE面、第4導波管線路204のE面および短絡面が、両面が金属膜で覆われた誘電体基板に形成された複数のスルーホールで実現されている。また第2導波管線路202のH面、第3導波管線路203のH面、第4導波管線路204のH面は、スルーホールで囲まれた領域における基板両面の金属膜によって実現されている。結合窓204Aは、基板両面の内の一方の面の金属膜に形成されている。より詳細に図11において、誘電体基板502の両面は、銅箔膜504により覆われている。誘電体基板502には、両面の銅箔膜504を貫通するスルーホール列503が形成されている。このスルーホール列503と、スルーホール列503に囲まれた基板両面の銅箔膜により、図7に示した第2導波管線路および第4導波管線路、に相当するポスト壁導波路505と、図2に示した第3導波管線路に相当するポスト壁導波路506とが形成されている。基板下側の銅箔膜に開口が、結合窓507として形成されている。第1導波管線路501の一端が、この結合窓507に接続されている。ポスト壁導波路は、誘電体導波路あるいはSubstrateUntegratedWaveguidなどとも呼ばれる。図11の構造の動作は、図7に示した第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。図12に、図11の構造の反射特性および結合特性を示す。中心周波数76.5GHzに対して、広帯域に反射が改善されている。本実施形態では、図7と同様の構造を誘電体基板で実現する例を示したが、図1の構造も同様にして、誘電体基板で実現できる。第6実施形態図13は、第2実施形態に係る導波管接続構造および第2実施形態を一部変形した導波管接続構造を用いた、複数の導波管形状のRFポートを持つRFモジュールの構成例を示す斜視図である。図14は、本RFモジュールに接続されるスロットアレーアンテナの例を示す斜視図である。図13のRFモジュールと図14のスロットアレーアンテナを接続することによりアンテナ装置が形成される。誘電体基板702の両面に、銅箔膜704が形成されている。誘電体基板702には、基板両面の銅箔膜704を貫通するスルーホール群703が形成されている。両面の銅箔膜704とスルーホール群703により、複数のポスト壁導波路706A、706B、706C、706D第2実施形態の第2導波管線路に相当が形成されるとともに、接続構造708A、708B、708C、708D第2実施形態の第3および第4導波管線路に相当が形成されている。接続構造708A~708Dは、RFポート701A~701Dと、ポスト壁導波路706A~706Dとの間を接続する。RFポート701A~701Dは、RFモジュールの出力段に設置されている。接続構造708B、708Cは、第2実施形態の一部変形例に係る。705A~705Dは結合窓を示し、銅箔膜に形成された開口である。図15は、接続構造708Bおよび708Cの説明図である。接続構造708Bおよび708Cは、RFポート801と、ポスト壁導波路802、結合窓803、ステップ構造804を備える。ポスト壁導波路802は、ステップ構造804に接続され、ステップ構造804のH面に設置された結合窓803を通じて、RFポート801からポスト壁導波路802へ高周波信号が伝搬される。接続構造708Bおよび708Cは、RFポート801のE面と、ポスト壁導波路802のE面とが斜めの位置関係にあることを特徴としている。このような斜めの位置関係にあっても、図9または図10に示した構成と同様に、高周波信号を伝送することができる。図13の複数のポスト壁導波路706A~706Dは、図14に示すスロットアレーアンテナに接続される。スロットアレーアンテナは、4つのポスト壁導波路901A~901Dと、各ポスト壁導波路の表面にそれぞれ形成されたスロット902とを具備する。紙面に沿ってポスト壁導波路901A~901Dの下側が、図13のポスト壁導波路706A~706Dに接続される。スロット902を介して電波の放射が行われる。本発明の実施形態により、RFモジュールに近接して複数配置された導波管形状のRFポートと、アンテナ基板上に密に配置された複数のポスト壁導波路図13の706A~706D、図14の901A~901Dを、小面積かつ1層構造で接続することができる。本実施形態に係るアンテナ装置をレーダ装置として使用する場合、モノパルス方式での測角を行うことが考えられる。モノパルス方式で測角を行うレーダ装置の一例を図16に示す。図16はモノパルス方式の受信回路を示しており、本実施形態に係るレーダ装置1000は、アンテナ1001a、1001b、1001c、1001d、RFモジュール部1002、AD変換部1003、モノパルスDBFDigitalBeamForming部1004、を含む。アンテナ1001a~100dが図14のスロットアレーアンテナに相当し、アンテナとRFモジュール部1002の接続部に、図13の構造が用いられる。RFモジュール1002は、サブアレーアンテナであるアンテナ1001a、1001b、1001c、1001dで受信した信号のダウンコンバートを含む処理をおこない、AD変換部1003に送る。AD変換部1003は、RFモジュールより送られた信号をアナログディジタル変換することによりディジタル信号を生成し、生成したディジタル信号をモノパルスDBF1003部に送る。モノパルスDBF部1004は、AD変換部1003から送られたディジタル信号を用いて目標物の位置を推定する。さらなる詳細な動作については公知の技術を用いるためここでの説明は省略する。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。