"バナジウム酸化物を含有する異なる極性の半導体ガラス同士が接合されたことを特徴とする半導体接合素子。請求項1において、前記半導体ガラスの少なくとも一部が結晶化されていることを特徴とする半導体接合素子。請求項2において、異なる結晶化率の半導体ガラス同士が接合されたことを特徴とする半導体接合素子。バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと、該半導体ガラスと異なる極性の単体半導体あるいは化合物半導体とが接合されたことを特徴とする半導体接合素子。バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと、金属とが接合されたことを特徴とするショットキー接合素子。半導体ガラス表面を酸化あるいは還元させることを特徴とする半導体接合素子の製造方法。バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと、単体半導体や化合物半導体、あるいは金属とを陽極接合により接合することを特徴とする半導体接合素子の製造方法。請求項1乃至4のいずれかに記載された半導体接合素子を用いたことを特徴とする太陽電池セル。請求項1乃至4のいずれかに記載された半導体接合素子を用いたことを特徴とする熱電変換素子。請求項1乃至4のいずれかに記載された半導体接合素子を用いたことを特徴とするダイオード。請求項1乃至4のいずれかに記載された半導体接合素子を用いたことを特徴とするトランジスタ。本発明の目的は、有毒元素や希少金属元素を使用しない酸化物の半導体ガラスから構成される半導体接合素子およびそれを用いた各種デバイスを提供することにある。本発明は、バナジウム酸化物を含有する異なる極性の半導体ガラス同士が接合されたことを特徴とする。また、前記半導体ガラスの少なくとも一部が結晶化されていることを特徴とする。本発明によれば、バナジウム酸化物からなる半導体ガラスは低融点であるため、薄膜化,複雑形状への成形が容易であり、加工性にも優れているため、種々の形態の半導体接合素子を作製することができる。以下、本発明を詳細に説明する。バナジウム酸化物からなる半導体ガラスは、有毒元素や希少金属元素を含有せず、バナジウムイオンの価数調整により、半導体極性を制御することができる。具体的には、4価のバナジウムイオンを相対的に多くすると、p型半導体になり、5価のバナジウムイオンを相対的に多くすると、n型半導体になる。本発明の半導体接合素子は、バナジウム酸化物を含有する異なる極性の半導体ガラス同士が接合されている。また、バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと該半導体ガラスと異なる極性の単体半導体あるいは化合物半導体とが接合されている。更には、バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと金属とが接合されている。半導体ガラス同士の接合素子の製造方法は、半導体ガラス表面を酸化あるいは還元させることを特徴とする。一方、前記半導体ガラスと、単体半導体や化合物半導体、あるいは金属との接合素子は、陽極接合により製造されることを特徴とする。これにより、更に、製造プロセスの簡素化による低コスト化が可能である。本発明の半導体接合素子は、太陽電池セル,熱電変換素子,各種ダイオード,各種トランジスタに適用することができる。以下、本発明の実施例を説明する。半導体ガラス同士の接合素子の作製1Sb2O3、V2O5、P2O5、Fe2О3をそれぞれ重量比で、28、50、12、10となるように配合混合した混合粉末200gを白金ルツボに入れ、電気炉を用いて5~10°C/min°C/分の昇温速度で1100°Cまで加熱して2時間保持した。保持中は均一なガラスとするために攪拌した。次に、白金ルツボを電気炉から取り出し、予め150~200°Cに加熱しておいたステンレス板上に流し込んだ。凝固物はガラス光沢を呈していた。このガラスにおける4価のバナジウムイオンV4と5価のバナジウムイオンV5の比率を酸化還元滴定法により評価した結果、V4/V5<1であった。この結果より、このガラスはp型半導体であることを確認した。このガラスを約10×10×3mm3のサイズに加工して試料片とした。次に、このガラス表面へ大気中でマイクロ波照射シングルモード方式を行い、表面のみを酸化させた。具体的には、反射板で一方を塞いだ導波管にマグネトロン発振器から245GHzのマイクロ波を導入し、導波管内でマイクロ波をTE10モードで伝播させ、導波管内に置かれた試料片へシングルモードのマイクロ波照射を行った。なお、特定の試料位置における電場,磁場の独立制御を可能とするために、マイクロ波を2つの系統から照射できるようにした。すなわち、1系統目の照射で、試料位置に強電場を作り、2系統目の照射で同位置に強磁場を形成し、これら2つの系統の出力を個々に調整することにより、試料位置での電場,磁場の出力比を変化させた。なお、マイクロ波照射モードはマルチモード方式でもよく、特に限定されない。マイクロ波照射面を研磨により平坦化した後、このガラス両面に電極を形成し、研磨面に負電圧が印加されるように、両面に電圧を印加してゆくと、急激に電流が流れ始めた。逆に、研磨面に正電圧が印加されるように、両面に電圧を印加しても電流は流れず、整流作用が認められた。このことから、マイクロ波照射によりp型の結晶化ガラス表面が酸化され、n型層が形成されたと考えられる。半導体ガラス同士の接合素子の作製2Cu2O、V2O5、Fe2O3、P2O5をそれぞれモル分率で、10、70、10、10となるように配合混合した混合粉末200gを白金ルツボに入れ、電気炉を用いて5~10°C/min°C/分の昇温速度で1100°Cまで加熱して2時間保持した。保持中は均一なガラスとするために攪拌した。次に、白金ルツボを電気炉から取り出し、予め150~200°Cに加熱しておいたステンレス板上に流し込んだ。なお、凝固物はガラス光沢を呈していた。マイクロ波照射面を研磨により平坦化した後、このガラスを約10×10×3mm3のサイズに加工して試料片とし、電気炉を用いて480°C×8時間の熱処理により結晶化させた。なお、このガラスのゼーベック係数は負の値であり、n型半導体であった。次に、この結晶化ガラス表面へ水素雰囲気や水蒸気中等の還元雰囲気中でマイクロ波照射シングルモード方式を行い、表面のみを還元させた。マイクロ波照射方法は上記実施例1と同様である。なお、本実施例においても、マイクロ波照射モードはマルチモード方式でもよく、特に限定されない。このガラス両面に電極を形成し、研磨面に正電圧が印加されるように、両面に電圧を印加してゆくと、急激に電流が流れ始めた。逆に、研磨面に負電圧が印加されるように、両面に電圧を印加しても電流は流れず、整流作用が認められた。このことから、マイクロ波照射によりn型の結晶化ガラス表面が還元され、p型層が形成されたと考えられる。半導体ガラスと単体半導体あるいは化合物半導体との接合素子の作製K2CO3、V2O5、Fe2O3、P2O5をそれぞれモル分率で、10、70、10、10となるように配合混合した混合粉末200gを白金ルツボに入れ、電気炉を用いて5~10°C/min°C/分の昇温速度で1100°Cまで加熱して2時間保持した。加熱保持中は均一なガラスとするために攪拌した。次に、白金ルツボを電気炉から取り出し、予め200~300°Cに加熱しておいたステンレス板上に流し込んだ。なお、凝固物はガラス光沢を呈していた。このガラスを約10×10×05mm3のサイズに加工し、片面を鏡面研磨し、他面に電極を形成した。また、片面に電極を形成したp型Siウエハーを用意した。このガラス鏡面と電極が形成されていないp型Siウエハー面とをクランプを用いて当接させて、ガラスとp型Siウエハーとを接合した状態で、p型Siウエハー面に対し、接合していないガラス表面に負の電界105~106V/mを印加し、大気中で400°Cに加熱した。この際、p型Siウエハー表面とガラス表面間に流れる電流をモニタし、最大電流の5まで電流が低下した時点で、電界印加および加熱を終了とした。この接合法は陽極接合AnodicBondingと呼ばれている。実施例1と同様に、Si表面に正電圧が印加されるように、両面に電圧を印加してゆくと、急激に電流が流れ始めた。逆に、Si表面に負電圧が印加されるように、両面に電圧を印加しても電流は流れず、整流作用が認められた。このことから、ガラスがn型となり、p-n接合体が形成されたと考えられる。Siウエハーの代わりに、化合物半導体や金属と、バナジウム酸化物を含有する半導体ガラスとの接合や、アルカリ金属を含有するバナジウム酸化物を含有する半導体ガラスと、アルカリ金属を含有しないバナジウム酸化物を含有する半導体ガラスとの接合にもこの陽極接合法が適用できる。塗布プロセスによる接合素子の作製本発明におけるバナジウム酸化物を含有する半導体ガラスは、軟化点が低く、低温での焼成が可能であるため、スクリーン印刷法、インクジェット法、スタンプ法、フォトレジストフィルム法等の簡易な厚膜形成法による成膜が可能である。このため、半導体ガラス、単体半導体、化合物半導体の鏡面研磨面上に、これら半導体と逆極性の半導体ガラス粉末と、有機バインダと、有機溶剤とからなるペーストを前記厚膜形成法により塗布し、加熱により脱溶し、その後、ガラスの軟化点以上の温度で加熱保持することにより焼成し、半導体接合素子を作製することができる。その後、さらに結晶化温度で加熱保持して、半導体ガラスを結晶化させることも可能である。なお、半導体ガラスの焼結性が悪い場合には、用いた半導体ガラスよりも低融点のバナジウム酸化物ガラスを添加するとよい。また、金属の鏡面研磨面上に、前記同様の方法により、半導体膜を形成させることで、ショットキー接合素子を簡易に作製することができる。太陽電池セル図1はバナジウム酸化物からなるn型半導体結晶化ガラス103とp型結晶Si基板104とを、前記のいずれかの方法により接合したp-n半導体接合素子を適用した太陽電池セルの断面図である。また、p型結晶Si基板104の代わりに、p型半導体結晶化ガラス基板を用いることも可能である。n型半導体表面には反射防止膜101と表面電極102,p型半導体裏面には裏面電極105が形成されている。なお、本発明のp-n接合素子は、図1に示した構成の太陽電池セルに限らず、受光面に電極の無い裏面電極型バックコンタクト型太陽電池セル等にも適用可能である。熱電発電モジュール図2は前記のいずれかの方法により、n型半導体結晶化ガラス202およびp型半導体結晶化ガラス203を金属電極201にショットキー接合して形成されたΠ文字型熱電変換素子の構造図である。この素子をそれぞれ電気的に並列あるいは直列に接合することにより、熱電発電モジュールを作製することができる。"