"下記一般式1で表されるナフタレン誘導体。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。下記一般式2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。下記式3で示されるケトン化合物と、下記式4で示される1,1’-ビ-2-ナフトール、式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。及びベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フェニルナフタレン、フェニルアントラセン、フェニルフェナントレン、フェニルピレン、ビナフチル、ナフチルアントラセン、ナフチルフェナントレン、ナフチルピレン、ビアントラセン、アントラセニルフェナントレン、アントラセニルピレン、ビフェナントレン、フェナントレニルピレン、ビピレン、ジフェニルエーテル、フェニルナフチルエーテル、フェニルアントラセニルエーテル、フェニルフェナントレニルエーテル、フェニルピレニルエーテル、ジナフチルエーテル、ナフチルアントラセニルエーテル、ナフチルフェナントレニルエーテル、ナフチルピレニルエーテル、ジアントラセニルエーテル、アントラセニルフェナントレニルエーテル、アントラセニルピレニルエーテル、ジフェナントレニルエーテル、フェナントレニルピレニルエーテル、ジピレニルエーテルの各種位置異性体、及び下記式4a式中、Xは単結合、又は炭素数1~20のアルキレン基又はアラルキレン基を表す。mは0又は1を表す。で表される化合物、並びに上記芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭素数1~20の一価炭化水素基、水酸基、炭素数1~20のアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基で置換された化合物から選ばれる縮合可能な化合物とを脱水縮合反応させることによって得られ、前記式2の部分構造を有する請求項2に記載のナフタレン誘導体。下記式3で示されるケトン化合物と下記式4で示される1,1’-ビ-2-ナフトールとを脱水縮合反応させることを特徴とする下記一般式1で表されるナフタレン誘導体の製造方法。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。下記式3で示されるケトン化合物と、下記式4で示される1,1’-ビ-2-ナフトール、式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。及びベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フェニルナフタレン、フェニルアントラセン、フェニルフェナントレン、フェニルピレン、ビナフチル、ナフチルアントラセン、ナフチルフェナントレン、ナフチルピレン、ビアントラセン、アントラセニルフェナントレン、アントラセニルピレン、ビフェナントレン、フェナントレニルピレン、ビピレン、ジフェニルエーテル、フェニルナフチルエーテル、フェニルアントラセニルエーテル、フェニルフェナントレニルエーテル、フェニルピレニルエーテル、ジナフチルエーテル、ナフチルアントラセニルエーテル、ナフチルフェナントレニルエーテル、ナフチルピレニルエーテル、ジアントラセニルエーテル、アントラセニルフェナントレニルエーテル、アントラセニルピレニルエーテル、ジフェナントレニルエーテル、フェナントレニルピレニルエーテル、ジピレニルエーテルの各種位置異性体、及び下記式4a式中、Xは単結合、又は炭素数1~20のアルキレン基又はアラルキレン基を表す。mは0又は1を表す。で表される化合物、並びに上記芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭素数1~20の一価炭化水素基、水酸基、炭素数1~20のアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基で置換された化合物から選ばれる縮合可能な化合物とを脱水縮合反応させることを特徴とする下記一般式2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体の製造方法。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。請求項1乃至3のいずれか1項に記載のナフタレン誘導体、又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料。更に、有機溶媒を含有する請求項6に記載のレジスト下層膜材料。更に、架橋剤及び酸発生剤を含有する請求項6又は7に記載のレジスト下層膜材料。リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、請求項6乃至8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、そのコーティングしたレジスト下層膜材料を100°Cを超え600°C以下の温度で、10~600秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。スピンコート法で基板上にコーティングすることを特徴とする請求項9に記載のレジスト下層膜形成方法。リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項9又は10に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、そのレジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記レジスト中間層膜をエッチングし、得られたレジスト中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項9又は10に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項9又は10に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜を形成し、その有機反射防止膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記有機反射防止膜と上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。無機ハードマスク中間層膜が、CVD法あるいはALD法によって形成されることを特徴とする請求項12又は13に記載のパターン形成方法。レジスト上層膜材料が、珪素原子含有ポリマーを含まず、上記中間層膜をマスクにして行うレジスト下層膜のエッチングを酸素ガス又は水素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行うことを特徴とする請求項12乃至14のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜材料として好適なナフタレン誘導体、それを用いたレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法を提供することを目的とするものであって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を実現する手段を提供する。本発明は、下記一般式1で表されるナフタレン誘導体を提供する。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。また、本発明は、下記一般式2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体を提供する。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。この場合、上記式2の部分構造を有するナフタレン誘導体として、好適には、下記式3で示されるケトン化合物と、下記式4で示される1,1’-ビ-2-ナフトール、式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。及びベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フェニルナフタレン、フェニルアントラセン、フェニルフェナントレン、フェニルピレン、ビナフチル、ナフチルアントラセン、ナフチルフェナントレン、ナフチルピレン、ビアントラセン、アントラセニルフェナントレン、アントラセニルピレン、ビフェナントレン、フェナントレニルピレン、ビピレン、ジフェニルエーテル、フェニルナフチルエーテル、フェニルアントラセニルエーテル、フェニルフェナントレニルエーテル、フェニルピレニルエーテル、ジナフチルエーテル、ナフチルアントラセニルエーテル、ナフチルフェナントレニルエーテル、ナフチルピレニルエーテル、ジアントラセニルエーテル、アントラセニルフェナントレニルエーテル、アントラセニルピレニルエーテル、ジフェナントレニルエーテル、フェナントレニルピレニルエーテル、ジピレニルエーテルの各種位置異性体、及び下記式4a式中、Xは単結合、又は炭素数1~20のアルキレン基又はアラルキレン基を表す。mは0又は1を表す。で表される化合物、並びに上記芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭素数1~20の一価炭化水素基、水酸基、炭素数1~20のアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基で置換された化合物から選ばれる縮合可能な化合物とを脱水縮合反応させることによって得られ、前記式2の部分構造を有するナフタレン誘導体を提供する。更に、本発明は、下記に示すケトン化合物3と1,1’-ビ-2-ナフトール4とを脱水縮合反応させることを特徴とする一般式1で表されるナフタレン誘導体又は2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体の製造方法を提供する。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。この場合、上記式2の部分構造を有するナフタレン誘導体の製造方法として、特に下記式3で示されるケトン化合物と、下記式4で示される1,1’-ビ-2-ナフトール、式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。及びベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フェニルナフタレン、フェニルアントラセン、フェニルフェナントレン、フェニルピレン、ビナフチル、ナフチルアントラセン、ナフチルフェナントレン、ナフチルピレン、ビアントラセン、アントラセニルフェナントレン、アントラセニルピレン、ビフェナントレン、フェナントレニルピレン、ビピレン、ジフェニルエーテル、フェニルナフチルエーテル、フェニルアントラセニルエーテル、フェニルフェナントレニルエーテル、フェニルピレニルエーテル、ジナフチルエーテル、ナフチルアントラセニルエーテル、ナフチルフェナントレニルエーテル、ナフチルピレニルエーテル、ジアントラセニルエーテル、アントラセニルフェナントレニルエーテル、アントラセニルピレニルエーテル、ジフェナントレニルエーテル、フェナントレニルピレニルエーテル、ジピレニルエーテルの各種位置異性体、及び下記式4a式中、Xは単結合、又は炭素数1~20のアルキレン基又はアラルキレン基を表す。mは0又は1を表す。で表される化合物、並びに上記芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭素数1~20の一価炭化水素基、水酸基、炭素数1~20のアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基で置換された化合物から選ばれる縮合可能な化合物とを脱水縮合反応させることを特徴とする上記一般式2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体の製造方法を提供する。本発明は、上記一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体、又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料を提供する。この場合、レジスト下層膜材料は、有機溶媒や架橋剤、酸発生剤を含有することができる。また、本発明は、リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、上記一般式1又は2のナフタレン誘導体又はそれらを含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料を基板上にスピンコート法等の方法でコーティングし、そのコーティングしたレジスト下層膜材料を100°Cを超え600°C以下の温度で、10~600秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法を提供する。また、本発明は、リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に上記下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、そのレジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記レジスト中間層膜をエッチングし、得られたレジスト中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。また、本発明は、リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に上記レジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。また、本発明は、リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に上記レジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上に珪素酸化膜、珪素窒化膜及び珪素酸化窒化膜から選ばれる無機ハードマスク中間層膜を形成し、その無機ハードマスク中間層膜の上に有機反射防止膜を形成し、その有機反射防止膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、上記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して上記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして上記有機反射防止膜と上記無機ハードマスク中間層膜をエッチングし、得られた無機ハードマスク中間層膜パターンをエッチングマスクにして上記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法を提供する。なお、無機ハードマスク中間層膜は、CVD法あるいはALD法によって形成することができる。また、レジスト上層膜材料が、珪素原子含有ポリマーを含まず、上記中間層膜をマスクにして行うレジスト下層膜のエッチングを酸素ガス又は水素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行うことが好ましい。本発明の上記一般式1又は2のナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料を用いた少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適なn、k値と埋め込み特性、優れたエッチング耐性を有し、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、特には60nmよりも細い高アスペクトラインにおける基板のエッチング中によれが生じないレジスト下層膜を形成することが可能となる。更に、本発明であるスピンコート法を用いて形成されたレジスト下層膜の上にCVD法により無機ハードマスクを形成する際、無機ハードマスク中間層膜形成時の高温処理にも耐えうる高い耐熱性を有するレジスト下層膜を形成できるため、スピンコート法で得られたレジスト下層膜とCVD法で得られた無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法を提供することができる。以下、本発明についてより具体的に説明する。なお、以下の説明中、化学式で表される構造によっては、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれらの異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。なお、エナンチオ異性体enantiomerには不斉炭素が存在する場合もあるし、軸不斉のように不斉炭素が存在しない場合もある。本発明のナフタレン誘導体は、下記一般式1で表されるものである。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。nはゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。また、本発明のナフタレン誘導体は、下記一般式2で表される部分構造を有するものである。式中、環構造Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。上記一般式1及び2において、Ar1、Ar2はベンゼン環又はナフタレン環を表す。即ち、部分構造として具体的には、下記に示す部分構造等を好ましく例示できる。フルオレン環構造、ベンゾフルオレン構造は特に好ましい。また、これらの基中の水素原子はハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換されていてもよい。上記部分構造における下記式で示される基のビナフトール構造に対する結合位置としては、下記一般式における結合位置、即ち、1,1’-ビ2-ナフトールにおける6位、6’位が好ましいが、この位置に限定されない。上記一般式1において、nは分子量が100,000以下となるような任意の自然数を表す。また、上記一般式2の部分構造を有するナフタレン誘導体では全体の分子量が100,000以下であることが望ましい。ここで、分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにおけるポリスチレン換算の分子量のことであり、その重量平均分子量Mwが100,000以下であればよいが、特に700~50,000、とりわけ2,000~30,000の範囲であるようなnが好ましい。なお、縮合反応等で合成した場合、本発明のナフタレン誘導体はnが種々の値をとる分子量分布を有する混合物となる。また、式2の構造を有するナフタレン誘導体の分子量も上記と同様の値であることが好ましい。本発明の一般式1で表されるナフタレン誘導体の製造方法は、下記ケトン化合物3と1,1’-ビ-2-ナフトール4との脱水縮合反応によることを特徴とする。反応は通常、無溶媒又は溶媒中で酸又は塩基を触媒として用いて、室温又は必要に応じて冷却又は加熱下に行う。用いられる溶媒として、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセロール、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロフォルム、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等の塩素系溶剤類、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン等の炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、アセトン、エチルメチルケトン、イソブチルメチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのエステル類、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒類が例示でき、これらを単独あるいは2種類以上を混合して用いることができる。用いられる酸触媒として、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ヘテロポリ酸等の無機酸類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸類、三塩化アルミニウム、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、四塩化錫、四臭化錫、二塩化ジブチル錫、ジブチル錫ジメトキシド、ジブチル錫オキシド、四塩化チタン、四臭化チタン、チタンIVメトキシド、チタンIVエトキシド、チタンIVイソプロポキシド、酸化チタンIV等のルイス酸類を用いることができる。用いられる塩基触媒として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の無機塩基類、メチルリチウム、n-ブチルリチウム、塩化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム等のアルキル金属類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシド等のアルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N-ジメチルアニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン等の有機塩基類を用いることができる。反応温度は-50°C~溶媒の沸点程度が好ましく、室温~100°Cが更に好ましい。また、本発明の一般式2で表される部分構造を有するナフタレン誘導体の製造方法は、上記本発明の一般式1で表されるナフタレン誘導体の製造方法、即ち、ケトン化合物3と1,1’-ビ-2-ナフトール4との脱水縮合反応において縮合可能な化合物を共存させることにより実現できる。共存させる縮合可能な化合物として、芳香族炭化水素及び酸素官能基を有する芳香族化合物が挙げられ、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレン、ビフェニル、フェニルナフタレン、フェニルアントラセン、フェニルフェナントレン、フェニルピレン、ビナフチル、ナフチルアントラセン、ナフチルフェナントレン、ナフチルピレン、ビアントラセン、アントラセニルフェナントレン、アントラセニルピレン、ビフェナントレン、フェナントレニルピレン、ビピレン等の芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換された化合物の各種位置異性体化合物等、ジフェニルエーテル、フェニルナフチルエーテル、フェニルアントラセニルエーテル、フェニルフェナントレニルエーテル、フェニルピレニルエーテル、ジナフチルエーテル、ナフチルアントラセニルエーテル、ナフチルフェナントレニルエーテル、ナフチルピレニルエーテル、ジアントラセニルエーテル、アントラセニルフェナントレニルエーテル、アントラセニルピレニルエーテル、ジフェナントレニルエーテル、フェナントレニルピレニルエーテル、ジピレニルエーテル等の芳香族エーテルの芳香族化合物中の水素原子がハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換された各種位置異性体化合物等を挙げることができる、特に好ましい例としてはフェノール性水酸基をもつ2,2’-ビフェノール、2,4’-ビフェノール、4,4’-ビフェノール等のビフェノール類、ヒドロキシフェニルナフトール類、6,6’-ビ-2,2’-ナフトール、1,6’-ビ-2,2’-ナフトール、4,4’-ビ-1,1’-ナフトール等のビナフトール類、1,2-ジヒドロキシナフタレン、1,3-ジヒドロキシナフタレン、1,4-ジヒドロキシナフタレン、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、1,8-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類、1,1’-ジナフチルエーテル、1-ナフチル2-ナフチルエーテル、2,2’-ジナフチルエーテル等のジナフチルエーテル類、1,2-ジメトキシキシナフタレン、1,3-ジメトキシナフタレン、1,4-ジメトキシナフタレン、1,5-ジメトキシナフタレン、1,6-ジメトキシナフタレン、1,7-ジメトキシナフタレン、1,8-ジメトキシナフタレン、2,3-ジメトキシナフタレン、2,6-ジメトキシナフタレン、2,7-ジメトキシナフタレン等のジアルコキシナフタレン類を例示でき、また、下記化合物4a式中、Xは単結合、又は炭素数1~20のアルキレン基又はアラルキレン基を表す。mは0又は1を表す。で表される化合物を例示できる。式4aとして具体的には、下記の化合物が挙げられる。これらの縮合可能な化合物の中でジナフチルエーテル構造、ジナフトフラン構造、ジナフトピラン構造、14-アルキル-14-H-ジベンゾキサンテン構造、14-アリール-14-H-ジベンゾキサンテン構造は特に好ましい。本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体の設計思想Designconceptについて述べる。本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体は、リソグラフィーで用いられる少なくとも三層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の材料である。上述の通りレジスト下層膜に対する要求特性、特にエッチング耐性、耐熱性、基板のエッチング中によれの発生がない等の特性の実現のためには、炭素原子密度が高く水素原子密度が低い膜が必要とされる。そのため用いる下層膜材料も炭素原子密度が高い水素原子密度が低いことが望まれる。比較のためのレジスト下層膜に用いられるナフタレン誘導体の例として、例えば、下記式5で表される2-ナフトールとフルオレノンの縮合体、いわゆる、ビスナフトールフルオレン以下、化合物5と呼ぶの例が特開2007-99741号公報に示されている。この化合物5を高分子化する方法としてノボラック化の手法が知られており、ホルムアルデヒドを用いてノボラック化した樹脂として、例えば、下記式5’で表される繰り返し単位を有する樹脂以下、樹脂5’と呼ぶが考えられる。式中、nは自然数を表す。化合物5や樹脂5’と比較して、本発明のナフタレン誘導体1又は2は下記に示すような種々の構造上の利点を有する。1本発明のナフタレン誘導体は、化合物5のナフトール単位から水素H2を除去して炭素-炭素結合を形成した構造をなしており、除かれた水素だけ樹脂の炭素密度が高くなっている。2化合物5は単量体Monomerであり、下層膜材料として使用するためにはノボラック化などの手法により高分子Polymer化することが必須であるが、本発明のナフタレン誘導体はこの炭素-炭素結合により既に高分子となっており、ノボラック化等の高分子化をせずにそのまま樹脂として用いることができる。3ノボラック化された樹脂5’ではノボラック架橋-CH2-のために炭素密度が低下する水素密度が上昇するが、本発明のナフタレン誘導体にはこのような不利益がない。4本発明のナフタレン誘導体は、必要があれば重縮合可能なモノマーとノボラック化等の方法により分子間架橋させることもできる。5本発明のナフタレン誘導体は、下層膜加熱形成時に、例えば下記式に示す脱水5員環形成反応により更なる炭素密度向上を期待することができる。これらの利点による下層膜の特性の向上については、実施例で詳しく述べる。比較のためのレジスト下層膜に用いられるナフタレン誘導体の別な例として、例えば、化合物5を酸化的カップリング反応により高分子化した下記式5’’で表される繰り返し単位を有する樹脂以下、樹脂5’’と呼ぶが考えられる。製造条件等の詳細な記載はないが、例えば、特開2010-122656号公報に示されている。式中、nは自然数を表す。樹脂5’’は、本発明のナフタレン誘導体1と同様に化合物5のナフトール単位から水素H2を除去して炭素-炭素結合を形成した構造をなしており、除かれた水素だけ樹脂の炭素密度が高くなっているが、1単量体Monomer化合物5を酸化的カップリングにより高分子Polymer化するには特殊な金属触媒の使用や空気酸素存在下高温で加熱する等の条件を必要とし、金属の混入を嫌う用途には不向きであり、高温による目的外の炭素-炭素結合の開裂により分解が起こったりして、工業的には実施し難く、この酸化的カップリングを完全に完結させることは非常に困難である。この点、本発明のナフタレン誘導体の製造方法では2-ナフトールの酸化的カップリング二量体である1,1’-ビ-2-ナフトール4は工業的に入手可能であり、これを原料として高分子化するのでこれらの難点を回避できる。また、2下層膜用途としてのフォーミュレーション溶剤への溶解性や成膜や熱処理による硬化の際の機能部位反応部位と考えられるナフトール単位が、本発明のナフタレン誘導体1ではフルオレン誘導体:ナフトールの比がn:2n2であるのに対し、5’’ではn:2nとなっており、1ではnがいかなる値であっても単位分子量あたりのナフトール密度を高くすることができる。3前述の脱水5員環形成反応を考えた場合、本発明のナフタレン誘導体1ではすべての水酸基が脱水5員環形成反応に寄与できる可能性があるのに対し、5’’では両末端の水酸基は構造上、脱水5員環形成反応による炭素密度向上に寄与できず不利であると考えられる。また、本発明のナフタレン誘導体1又は2を重縮合可能なモノマーと重縮合させて更に高分子化してレジスト下層膜材料として用いることができる。具体的には、インデン、アセナフチレン、ビフェニル、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、5-ビニルノルボルナ-2-エン、α-ピネン、β-ピネン、リモネン等の不飽和炭化水素類、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-フェニルフェノール、3-フェニルフェノール、4-フェニルフェノール、3,5-ジフェニルフェノール、2-ナフチルフェノール、3-ナフチルフェノール、4-ナフチルフェノール、4-トリチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、カテコール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、3-イソプロピルフェノール、4-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール、1-ナフトール、2-ナフトール、2-メチル-1-ナフトール、4-メトキシ-1-ナフトール、7-メトキシ-2-ナフトール、1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,6-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、2,3-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン、2,7-ジヒドロキシナフタレン、3-ヒドロキシナフタレン-2-カルボン酸メチル、4-トリチルフェノール、ヒドロキシアントラセン、ジヒドロキシアントラセン、トリヒドロキシアントラセン、ヒドロキシピレン、ビスフェノール、トリスフェノール等、ヒドロキシインデン等のフェノール類ナフトール類、ベンゾフラン等の酸素を含むヘテロ芳香族類、4,4’-ビスフェノールフルオレン、6,6’-ビスナフトールフルオレン等のフルオレン-フェノール縮合体類等が挙げられる。また、これらの基中の水素原子はハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換されていてもよい。三元以上の共重合体であっても構わない。ナフタレン誘導体1又は2と重縮合可能なモノマーとの重縮合による高分子化の例として、他の成分との縮合によりノボラック化する方法について説明する。ノボラック化反応に用いられるアルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、プロピオンアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピオンアルデヒド、β-フェニルプロピオンアルデヒド、1-ナフトアルデヒド、2-ナフトアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。また、これらのアルデヒド化合物中の水素原子はハロゲン原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等で置換されていてもよい。これらのうち、特にホルムアルデヒド及びその等価体、ベンズアルデヒド、1-ナフトアルデヒド、2-ナフトアルデヒド、及びその置換体を好適に用いることができる。これらのアルデヒド化合物は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。ノボラック化反応においては触媒を用いてもよい。特に酸触媒が好ましい。酸触媒として、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ヘテロポリ酸等の無機酸類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機酸類、三塩化アルミニウム、アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、四塩化錫、四臭化錫、二塩化ジブチル錫、ジブチル錫ジメトキシド、ジブチル錫オキシド、四塩化チタン、四臭化チタン、チタンIVメトキシド、チタンIVエトキシド、チタンIVイソプロポキシド、酸化チタンIV等のルイス酸類を用いることができる。具体的には塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、カンファースルホン酸、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸性触媒を挙げることができる。反応方法としては、各種モノマー、アルデヒド化合物、触媒を一括で仕込む方法や、任意の成分を滴下していく方法がある。反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を130~230°Cにまで上昇させ、1~50mmHg程度で揮発分を除去することができる。上記重縮合樹脂のポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量Mwが1,000~200,000、特に2,000~50,000であることが好ましい。分子量分布は1.2~7の範囲内が好ましく用いられる。モノマー成分、オリゴマー成分又は分子量Mw1,000以下の低分子量成分をカットして分子量分布を狭くした方が架橋効率が高くなり、またベーク中の揮発成分を抑えることによりベークカップ周辺の汚染を防ぐこともできる。また、上記本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物に縮合芳香族、あるいは脂環族の置換基を導入することができる。ここで導入可能な置換基は、具体的には下記に挙げることができる。これらの中で248nm露光用には、多環芳香族基、例えばアントラセンメチル基、ピレンメチル基が最も好ましく用いられる。193nmでの透明性向上のためには脂環構造を持つものや、ナフタレン構造を持つものが好ましく用いられる。一方、波長157nmにおいてベンゼン環は透明性が向上するウィンドウがあるため、吸収波長をずらして吸収を上げてやる必要がある。フラン環はベンゼン環よりも吸収が短波長化して157nmの吸収が若干向上するが、効果は小さい。ナフタレン環やアントラセン環、ピレン環は吸収波長が長波長化することによって吸収が増大し、これらの芳香族環はエッチング耐性も向上する効果もあり、好ましく用いられる。上記置換基の導入方法としては、上記本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物に上記置換基の結合位置が水酸基になっているアルコール化合物を酸触媒存在下に導入する方法が挙げられる。酸触媒の例としては、上記ノボラック化反応において例示したものを挙げることができる。これらは、上記ノボラック化反応と同時に進行させることもできる。193nmにおける透明性を向上させるために、本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物に水素添加を行うことができる。好ましい水素添加の割合は、芳香族基の80モル以下、特に60モル以下である。以上述べた本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物は、本発明の三層プロセス用レジスト下層膜形成方法で用いるレジスト下層膜材料として用いることができる。これらの化合物は、四級炭素を有し、また炭素密度の割合が90前後の高い値であるために非常に高い耐熱性を有する。レジスト下層膜上にCVD法等で珪素酸化膜、珪素窒化膜、珪素窒化酸化膜等のハードマスクを形成する場合、特に窒化膜系の膜においては300°C以上の高温が必要であり、レジスト下層膜としても高耐熱性が要求される。また、これらの化合物は、ベンゼン環の縮合炭化水素であるために吸収シフトによって波長193nmにおける吸収が比較的小さく、三層プロセスを用いたときに特に100nm以上の膜厚で良好な反射防止効果が期待される。また、化合物は、通常のm-クレゾールノボラック樹脂よりも、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングに対するエッチング耐性が高く、芳香族の数が増えた分だけ水素原子が減ってエッチング耐性、とりわけエッチング中のパターンよれの発生を抑えることができる。更に300°Cを超える温度でベークをすることによって、更に高いエッチング耐性、耐溶媒性を有し、基板エッチング中のパターンよれの発生を抑えることができる。本発明のレジスト下層膜形成方法で用いるレジスト下層膜材料は、A上記一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を必須成分とし、B有機溶剤を含むものであるが、スピンコート特性、段差基板の埋め込み特性、膜の剛性や耐溶媒性を上げるためにCブレンド用化合物又はブレンド用ポリマー、D架橋剤、E酸発生剤を加えてもよい。本発明のレジスト下層膜形成方法に用いるレジスト下層膜材料において使用可能な有機溶剤Bとしては、上記のA~Eやその他の添加剤が溶解するものであれば特に制限はない。具体的には、特開2008-65303号公報中の0120~0121段落に記載されている溶剤を添加することができる。上記レジスト下層膜材料は、有機溶剤を含有することが好ましい。更に、スピンコート特性、段差基板の埋め込み特性、膜の剛性や耐溶媒性を上げるために、架橋剤及び酸発生剤を含むことが好ましい。ベースポリマーCとして、他のポリマーや化合物をブレンドすることもできる。ブレンド用化合物又はブレンド用ポリマーとしては、上記一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物と混合し、スピンコーティングの成膜性や、段差基板での埋め込み特性を向上させる役割を持つ。また、炭素密度が高くエッチング耐性の高い材料が選ばれる。このようなブレンド材料とは、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-フェニルフェノール、3-フェニルフェノール、4-フェニルフェノール、3,5-ジフェニルフェノール、2-ナフチルフェノール、3-ナフチルフェノール、4-ナフチルフェノール、4-トリチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、カテコール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、3-イソプロピルフェノール、4-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、ピロガロール、チモール、イソチモール、4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジメチル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジアリル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジフルオロ-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジフェニル-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,2’ジメトキシ-4,4’-9H-フルオレン-9-イリデンビスフェノール、2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、3,3,3’,3’-テトラメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、3,3,3’,3’,4,4’-ヘキサメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-5,5’-ジオール、5,5’-ジメチル-3,3,3’,3’-テトラメチル-2,3,2’,3’-テトラヒドロ-1,1’-スピロビインデン-6,6’-ジオール、1-ナフトール、2-ナフトール、2-メチル-1-ナフトール、4-メトキシ-1-ナフトール、7-メトキシ-2-ナフトール及び1,5-ジヒドロキシナフタレン、1,7-ジヒドロキシナフタレン、2,6-ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン、3-ヒドロキシ-ナフタレン-2-カルボン酸メチル、インデン、ヒドロキシインデン、ベンゾフラン、ヒドロキシアントラセン、アセナフチレン、ビフェニル、ビスフェノール、トリスフェノール、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、4-ビニルシクロヘキセン、ノルボルナジエン、5-ビニルノルボルナ-2-エン、α-ピネン、β-ピネン、リモネンなどのノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルカルバゾール、ポリインデン、ポリアセナフチレン、ポリノルボルネン、ポリシクロデセン、ポリテトラシクロドデセン、ポリノルトリシクレン、ポリメタアクリレート及びこれらの共重合体が挙げられる。また、特開2004-205658号公報に記載のノルトリシクレン共重合体、特開2004-205676号公報に記載の水素添加ナフトールノボラック樹脂、特開2004-205685号公報に記載のナフトールジシクロペンタジエン共重合体、特開2004-354554号公報、特開2005-10431号公報に記載のフェノールジシクロペンタジエン共重合体、特開2005-128509号公報に記載のフルオレンビスフェノールノボラック、特開2005-250434号公報に記載のアセナフチレン共重合、特開2006-53543号公報に記載のインデン共重合体、特開2006-227391号公報に記載のフェノール基を有するフラーレン、特開2006-259249号公報、特開2006-293298号公報、特開2007-316282号公報に記載のビスフェノール化合物及びこのノボラック樹脂、特開2006-259482号公報に記載のジビスフェノール化合物及びこのノボラック樹脂、特開2006-285095号公報に記載のアダマンタンフェノール化合物のノボラック樹脂、特開2007-171895号公報に記載のヒドロキシビニルナフタレン共重合体、特開2010-122656号公報に記載のビスナフトール化合物及びこのノボラック樹脂、特開2008-26600号公報に記載のROMP、特開2008-96684号公報に記載のトリシクロペンタジエン共重合物に示される樹脂化合物、特開2006-227391号公報、特開2008-158002号公報に記載のフラーレン類樹脂化合物をブレンドすることもできる。上記ブレンド用化合物又はブレンド用ポリマーの配合量は、本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物100質量部に対して0~1,000質量部、好ましくは0~500質量部である。反射防止膜機能を含むレジスト下層膜に要求される性能の一つとして、レジスト下層膜の上に形成される、珪素を含有するレジスト中間層及びレジスト上層膜とのインターミキシングがないこと、レジスト上層膜及びレジスト中間層膜ヘの低分子成分の拡散がないことが挙げられるProc.SPIEvol.2195、p225-2291994。これらを防止するために、一般的に反射防止膜のスピンコート後のベークで熱架橋するという方法が採られている。そのため、反射防止膜材料の成分として架橋剤を添加する場合、ポリマーに架橋性の置換基を導入する方法が採られることがある。架橋剤を特に添加していない場合でも、本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物の場合は、300°Cを超える加熱によって後述の反応機構によって架橋させることができる。本発明のレジスト下層膜形成方法に用いられる本発明の上記一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物は、耐熱性が非常に高いため、これを300°Cを超える高温でベークしても熱分解が殆ど起きない。更にこれらの化合物は、300°Cを超える高温ベークによって、溶媒等の蒸発が促進され、膜の炭素密度、緻密性が高くなる性質を持ち、エッチング耐性が向上することを見出した。このエッチング耐性向上には前述の脱水5員環形成反応による炭素密度向上も寄与しているものと考えられる。また、300°Cを超えるベークによって、高い耐溶媒性を有し、基板のエッチング中に発生するよれを防止できることを見出した。耐熱性の低い材料を、300°Cを超える高温でベークした場合は、熱分解が起きるために必ずしも炭素密度が高くなるとは限らず、むしろ劣化する場合もある。本発明で使用可能な架橋剤は、特開2008-65303号公報中の0075~0080段落に記載されている材料を添加することができる。本発明においては、熱による架橋反応を更に促進させるための酸発生剤を添加することができる。酸発生剤は熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも添加することができる。具体的には、特開2008-65303号公報中の0081~0111段落に記載されている材料を添加することができる。更に、本発明のレジスト下層膜形成方法に用いるレジスト下層膜材料には、保存安定性を向上させるための塩基性化合物を配合することができる。塩基性化合物としては、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。このような塩基性化合物としては、具体的には特開2008-65303号公報中の0112~0119段落に記載されている材料を添加することができる。本発明のパターン形成方法に用いる下層膜形成材料においてスピンコーティングにおける塗布性を向上させるために界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤は、特開2008-111103号公報中の0165~0166段落に記載のものを用いることができる。本発明のレジスト下層膜形成方法では、上記のレジスト下層膜材料を、フォトレジストと同様にスピンコート法などで被加工基板上にコーティングする。スピンコート法などを用いることで、良好な埋め込み特性を得ることができる。スピンコート後、溶媒を蒸発し、レジスト上層膜やレジスト中間層膜とのミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークを行う。ベークは100°Cを超え600°C以下の範囲内で行い、10~600秒、好ましくは10~300秒の範囲内で行う。ベーク温度は、より好ましくは250°C以上500°C以下である。デバイスダメージやウエハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウエハープロセスでの加熱できる温度の上限は600°C以下、好ましくは500°C以下である。前述のSPIEvol.469p721984に記載されるように、本発明のレジスト下層膜形成方法に用いられる本発明の一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物は、加熱によってラジカルが生じ架橋反応が進行する。この反応はラジカル的反応なので、脱離する分子が生じないために耐熱性が高い材料であれば架橋による膜収縮は起こらない。ベーク中の雰囲気としては空気中でも構わないが、酸素を低減させるためにN2、Ar、He等の不活性ガスを封入しておくことは、レジスト下層膜の酸化を防止するために好ましい場合がある。酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールする必要がある場合には、1,000ppm以下、より好ましくは100ppm以下である。ベーク中のレジスト下層膜の酸化を防止すると、吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることがないため好ましい。反面、酸化的カップリングによる分子架橋を意図する場合には空気又は高酸素濃度の気体中でのベークが好ましい場合もある。レジスト下層膜の厚さは適宜選定されるが、30~20,000nm、特に50~15,000nmとすることが好ましい。レジスト下層膜を作製した後、三層プロセスの場合はその上に珪素を含有するレジスト中間層膜、珪素を含まないレジスト上層膜を形成することができる。本発明のパターン形成方法は、本発明の上記一般式1又は2で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料を基板上にコーティングしてレジスト下層膜を形成し、そのレジスト下層膜の上にレジスト中間層膜を介してフォトレジスト組成物のレジスト上層膜を形成し、このレジスト上層膜の所用領域に放射線等を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをマスクにしてレジスト中間層膜をエッチングし、得られたレジスト中間層パターンをマスクにしてレジスト下層膜及び基板を加工するものである。レジスト下層膜の上に無機ハードマスク中間層膜を形成する場合は、CVD法やALD法等で、珪素酸化膜、珪素窒化膜、又は珪素酸化窒化膜SiON膜が形成される。窒化膜の形成方法としては、特開2002-334869号公報、国際公開第2004/066377号パンフレットに記載されている。無機ハードマスクの膜厚は5~200nm、好ましくは10~100nmであり、中でも反射防止膜としての効果が高いSiON膜が最も好ましく用いられる。SiON膜を形成する時の基板温度は300~500°Cとなるために、下層膜として300~500°Cの温度に耐える必要がある。本発明の一般式1で表されるナフタレン誘導体又は該ナフタレン誘導体を繰り返し単位の一部として含有する高分子化合物を用いたレジスト下層膜材料は、高い耐熱性を有しており300~500°Cの高温に耐えることができるため、CVD法あるいはALD法で形成された無機ハードマスクと、スピンコート法で形成されたレジスト下層膜の組み合わせが可能である。このようなレジスト中間層膜の上にレジスト上層膜としてフォトレジスト膜を形成してもよいが、レジスト中間層膜の上に有機反射防止膜BARCをスピンコートで形成して、その上にフォトレジスト膜を形成してもよい。レジスト中間層膜としてSiON膜を用いた場合、SiON膜とBARC膜の二層の反射防止膜によって1.0を超える高NAの液浸露光においても反射を抑えることが可能となる。BARCを形成するもう一つのメリットとしては、SiON直上でのフォトレジストパターンの裾引きを低減させる効果があることである。三層プロセスの珪素含有レジスト中間層膜としてはポリシルセスキオキサンベースの中間層も好ましく用いられる。レジスト中間層膜に反射防止膜として効果を持たせることによって、反射を抑えることができる。具体的には特開2004-310019号公報、特開2005-15779号公報、特開2005-18054号公報、特開2005-352104号公報、特開2007-65161号公報、特開2007-163846号公報、特開2007-226170号公報、特開2007-226204号公報に示されるシルセスキオキサンベースの珪素化合物を含む材料が挙げられる。特に193nm露光用としては、レジスト下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、k値が高くなり、基板反射が高くなるが、レジスト中間層膜で反射を抑えることによって基板反射を0.5以下にすることができる。反射防止効果があるレジスト中間層膜としては、248nm、157nm露光用としてはアントラセン、193nm露光用としてはフェニル基又は珪素-珪素結合を有する吸光基をペンダントし、酸あるいは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられる。なお、レジスト中間層膜の厚さは、7~200nmが好ましい。CVD法よりもスピンコート法による珪素含有レジスト中間層膜の形成の方が簡便でコスト的なメリットがある。三層レジスト膜におけるレジスト上層膜は、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよく、通常用いられているフォトレジスト組成物と同じものを用いることができる。上記フォトレジスト組成物により単層レジスト上層膜を形成する場合、上記レジスト下層膜を形成する場合と同様に、スピンコート法が好ましく用いられる。フォトレジスト組成物をスピンコート後、プリベークを行うが、60~180°Cで10~300秒の範囲が好ましい。その後常法に従い、露光を行い、ポストエクスポジュアーベークPEB、現像を行い、レジストパターンを得る。なお、レジスト上層膜の厚さは特に制限されないが、30~500nm、特に50~400nmが好ましい。また、露光光としては、波長300nm以下の高エネルギー線、具体的には248nm、193nm、157nmのエキシマレーザー、3~20nmの軟X線、電子ビーム、X線等を挙げることができる。次に、得られたレジストパターンをマスクにしてエッチングを行う。三層プロセスにおけるレジスト中間層膜、特に無機ハードマスクのエッチングは、フロン系のガスを用いてレジストパターンをマスクにして行う。次いでレジスト中間層膜パターン、特に無機ハードマスクパターンをマスクにして酸素ガス又は水素ガスを用いてレジスト下層膜のエッチング加工を行う。次の被加工基板のエッチングも、常法によって行うことができ、例えば基板がSiO2、SiN、シリカ系低誘電率絶縁膜であればフロン系ガスを主体としたエッチング、p-SiやAl、Wでは塩素系、臭素系ガスを主体としたエッチングを行う。基板加工をフロン系ガスでエッチングした場合、三層プロセスの珪素含有中間層は基板加工と同時に剥離される。塩素系、臭素系ガスで基板をエッチングした場合は、珪素含有中間層の剥離は基板加工後にフロン系ガスによるドライエッチング剥離を別途行う必要がある。本発明のレジスト下層膜形成方法で形成したレジスト下層膜は、これら被加工基板のエッチング耐性に優れる特徴がある。なお、被加工基板としては、被加工層が基板上に成膜される。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α-Si、p-Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工層と異なる材質のものが用いられる。被加工層としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等種々のLow-k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50~10,000nm、特に100~5,000nm厚さに形成し得る。三層プロセスの一例について図1を用いて具体的に示すと下記の通りである。三層プロセスの場合、図1Aに示したように、基板1の上に積層された被加工層2上に本発明によりレジスト下層膜3を形成した後、レジスト中間層膜4を形成し、その上にレジスト上層膜5を形成する。次いで、図1Bに示したように、レジスト上層膜の所用部分6を露光し、PEB及び現像を行ってレジストパターン5aを形成する図1C。この得られたレジストパターン5aをマスクとし、CF系ガスを用いてレジスト中間層膜4をエッチング加工してレジスト中間層膜パターン4aを形成する図1D。レジストパターン5aを除去後、この得られたレジスト中間層膜パターン4aをマスクとしてレジスト下層膜3を酸素プラズマエッチングし、レジスト下層膜パターン3aを形成する図1E。更にレジスト中間層膜パターン4aを除去後、レジスト下層膜パターン3aをマスクに被加工層2をエッチング加工して、基板にパターン2aを形成するものである図1F。無機ハードマスク中間層膜を用いる場合、レジスト中間層膜4が無機ハードマスク中間層膜であり、BARCを敷く場合はレジスト中間層膜4とレジスト上層膜5との間にBARC層を設ける。BARCのエッチングはレジスト中間層膜4のエッチングに先立って連続して行われる場合もあるし、BARCだけのエッチングを行ってからエッチング装置を変えるなどしてレジスト中間層膜4のエッチングを行うことができる。以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、分子量の測定法は具体的に下記の方法により行った。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量Mw、数平均分子量Mnを求め、分散度Mw/Mnを求めた。[合成例1]ナフタレン誘導体Iの合成1-11,1’-ビ-2,2’-ナフトール15.9g5.6mmol、9-フルオレノン10.0g5.6mmol、1,2-ジクロロエタン125mlを3つ口フラスコに加え、オイルバス中で溶解させた。溶解を確認後、3-メルカプトプロピオン酸0.3ml、メタンスルホン酸3.0mlを滴下し、還流下で10時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル300mlで希釈後、分液ロートに移し、水洗分液を行った。水洗を繰り返し、水層が中性になったのを確認後、有機層を減圧濃縮し、残渣にテトラヒドロフランTHF100mlを加え、ヘキサン1,300mlでポリマーを晶出した。晶出したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでナフタレン誘導体Iを得た。ナフタレン誘導体IMw=3,013、Mw/Mn=1.57。IRKBrνmax=3529、3060、2969、1912、1620、1596、1500、1474、1447、1383、1343、1276、1217、1147cm1。n=~6.08Mwから算出、~4.871H-NMRから算出。TG-DTAAir;30→500°C:-23.02、TG-DTAHe;30→500°C:-19.94。[合成例2]ナフタレン誘導体IIの合成式中、二つの括弧右下のx,yはそれぞれの部分構造の割合を表す。1-21,1’-ビ-2,2’-ナフトール7.9g2.8mmol、2,2’-ジナフチルエーテル7.5g2.8mmol、9-フルオレノン10.0g5.6mmol、1,2-ジクロロエタン60mlを3つ口フラスコに加え、オイルバス中で溶解させた。溶解を確認後、3-メルカプトプロピオン酸0.3ml、メタンスルホン酸3.0mlを滴下し、還流下で11時間反応を行った。反応終了後、メチルイソブチルケトン100ml、トルエン100mlで希釈後、分液ロートに移し、水洗分液を行った。水洗を繰り返し、水層が中性になったのを確認後、有機層を減圧濃縮し、残渣にTHF140mlを加え、ヘキサン1,500mlでポリマーを晶出した。晶出したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでナフタレン誘導体IIを得た。ナフタレン誘導体IIMw=7,384、Mw/Mn=2.89。IRKBrνmax=3537、3058、1625、1596、1501、1473、1447、1384、1354、1255、1218、1163cm1。x=~41.2、y=~58.813C-NMRから算出。TG-DTAAir;30→500°C:-17.58、TG-DTAHe;30→500°C:-14.01。[合成例3]ナフタレン誘導体IIIの合成1-31,1’-ビ-2,2’-ナフトール24.87g86.8mmol、9-ベンゾ[b]フルオレノン20.0g86.8mmol、1,2-ジクロロエタン120mlを3つ口フラスコに加え、オイルバス中で溶解させた。溶解を確認後、3-メルカプトプロピオン酸0.60ml、メタンスルホン酸6.0mlを滴下し、還流下で14時間反応を行った。反応終了後、酢酸エチル500mlで希釈し、分液ロートに移し替え、水洗分液を行った。水洗を繰り返して水層が中性になったのを確認後、減圧濃縮した。残渣にTHF200mlを加え、ヘキサン1,500mlでポリマーを晶出した。晶出したポリマーを濾別し、減圧乾燥することでナフタレン誘導体IIIを得た。ナフタレン誘導体IIIMw=3,428、Mw/Mn=1.67。IRKBrνmax=3534、3064、2964、1916、1621、1595、1502、1478、1444、1382、1343、1275、1217、1146cm1。n=~6.34Mwから算出、~5.871H-NMRから算出。TG-DTAAir;30→500°C:-20.38、TG-DTAHe;30→500°C:-17.41。[比較合成例1]polymer7の合成ビス6,6’-9-フルオレニリデン2,2’-ジナフトール112.63g250mmol、ジ-u-ヒドロキソ-ビス[N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン銅II]クロリド1.16g2.5mmolをフラスコに加え、2-メトキシエタノール1,250mlで溶解させた。室温、大気開放系で52時間反応を行い、1規定塩酸水溶液1,000mlで反応を停止した。メチルエチルケトン3600ml、トルエン1,050mlで抽出し、水洗分液を繰り返し行い、水層が中性になったのを確認後、減圧濃縮し、減圧乾燥することでpolymer7を得た。polymer7Mw=3,073、Mw/Mn=1.66。n=~6.68Mwから算出。表1-1に示すように合成例1~3で得られたナフトール誘導体I~IIIのそれぞれをPolymer1~3とし、更に表1-2に示すようにAdditive1及び2、XL1で示される架橋剤、TAG1で示される熱酸発生剤、更に表1-3に示される比較例Polymer4~6、比較合成例1で得られた比較例polymer7を界面活性剤FC-4430住友スリーエム株製を含む溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって表2に示す下層膜材料を調製した。PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートEyL:エチルラクテート屈折率測定上記のように調製したレジスト下層膜溶液をシリコン基板上に塗布して、表3に示す温度で60秒間ベークし、それぞれ膜厚200nmの下層膜を形成した。その後、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーターVASEで波長193nmにおけるUDL-1~15、比較例UDL-16~22の屈折率n,kを求め、結果を表2に併せて示す。溶媒耐性測定;溶媒処理による膜の減少量[実施例1~18、比較例1~7]UDL-1~15、比較例UDL-16~22をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表3に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。その後、膜厚を測定し、その上にPGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートをディスペンスし、30秒間放置し、スピンドライ、100°Cで60秒間ベークしてPGMEAを蒸発させ、膜厚を測定してPGMEA処理前後の膜厚差を求めた。結果を表3に示した。CF4/CHF3系ガスでのエッチング試験UDL-1~15、比較例UDL-16~22をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表3に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。それぞれ膜厚350nmの下層膜を形成し、下記条件でCF4/CHF3系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン株製ドライエッチング装置TE-8500を用い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。結果を表3に併せて示す。エッチング条件は下記に示す通りである。チャンバー圧力40.0PaRFパワー1,000WCHF3ガス流量10ml/minCF4ガス流量100ml/minHeガス流量200ml/min時間20sec表3において、比較例1のCF4/CHF3系ガスでのエッチングによって減少した膜厚を100としたときの実施例、比較例のそれぞれの膜減少を比率として表した。その比率が小さいほど、エッチング耐性に優れることが分かる。O2系ガスでのエッチング試験上記と同様にUDL-1~15、比較例UDL-16~22をシリコン基板上に塗布して、空気雰囲気下、表3に示す温度でそれぞれ60秒間ベークした。それぞれ膜厚350nmの下層膜を形成し、下記条件でO2系ガスでのエッチング試験を行った。この場合、東京エレクトロン株製ドライエッチング装置TE-8500を用い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。結果を表3に併せて示す。エッチング条件は下記に示す通りである。チャンバー圧力40.0PaRFパワー100WO2ガス流量30ml/minN2ガス流量70ml/min時間60sec上記と同様に、表3において、比較例1のO2系ガスでのエッチングによって減少した膜厚を100としたときの実施例、比較例のそれぞれの膜減少を比率として表した。その比率が小さいほど、エッチング耐性に優れることが分かる。珪素含有下層膜上中間膜溶液の調製下記式で示される珪素を含有する中間層用ポリマーをFC-4430住友スリーエム株製0.1質量を含む溶媒PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に珪素含有ポリマー2.0質量部、溶媒100質量部の割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、上記例示した下層膜上へ塗布する珪素含有中間膜溶液を調製した。このように調製した珪素含有中間層溶液以下、中間膜をSiL-1と表記する。。レジスト上層材料の調製及び液浸保護膜の調製レジスト上層膜材料としては、表4に示す組成の樹脂、酸発生剤、塩基性化合物をFC-4430住友スリーエム株製0.1質量を含む溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって調製した。表4中において、レジスト上層材料をArF用SLレジストと表記した。表4中、ArF単層レジストポリマー、PAG1、TMMEAは下記のものを用いた。液浸保護膜TC-1としては、表5に示す組成の樹脂を溶媒中に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって調製した。表5中、保護膜ポリマーは下記のものを用いた。パターンエッチング試験[実施例19~33、比較例8~14]下層膜の成膜下層膜材料UDL-1~15、比較例UDL-16~22を、膜厚200nmのSiO2膜が形成された直径300mmSiウエハー基板上に塗布して、後述する表6中、実施例19~33、比較例8~14に示すようなベーク条件でベークして膜厚200nmのレジスト下層膜を形成した。なお、レジスト下層膜のベーク雰囲気は空気雰囲気下で行った。珪素含有レジスト中間層材料SiL-1の成膜その上に上記、珪素含有レジスト中間層材料SiL-1を塗布して200°Cで60秒間ベークして膜厚35nmのレジスト中間層膜を形成した。レジスト上層膜材料ArF用SLレジスト及び保護膜の形成レジスト上層膜材料ArF用SLレジスト溶液を、後述する表6中、実施例19~33、比較例8~14で示す下層膜上に塗布し、105°Cで60秒間ベークして膜厚100nmのレジスト上層膜を形成した。レジスト上層膜に液浸保護膜TC-1を塗布し、90°Cで60秒間ベークして膜厚50nmの保護膜を形成した。液浸露光にパターニング次いで、ArF液浸露光装置株ニコン製;NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度ダイポール偏光照明、6ハーフトーン位相シフトマスクで露光し、100°Cで60秒間ベークPEBし、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間現像し、43nm1:1のポジ型のラインアンドスペースパターンを得た。パターニング後のエッチング試験次いで、東京エレクトロン株製エッチング装置Teliusを用いてドライエッチングによるレジストパターンをマスクにして珪素含有レジスト中間層膜SOGの加工、珪素含有レジスト中間層膜をマスクにしてレジスト下層膜、得られたレジスト下層膜パターンをマスクにしてSiO2膜の加工を行った。エッチング条件は下記に示す通りである。レジストパターンのレジスト珪素含有中間層膜への転写条件。チャンバー圧力10.0PaRFパワー1,500WCF4ガス流量75ml/minO2ガス流量15ml/min時間15sec珪素含有中間膜パターンの下層膜への転写条件。チャンバー圧力2.0PaRFパワー500WArガス流量75ml/minO2ガス流量45ml/min時間120secレジスト下層膜パターンのSiO2膜への転写条件。チャンバー圧力2.0PaRFパワー2,200WC5F12ガス流量20ml/minC2F6ガス流量10ml/minArガス流量300ml/minO260ml/min時間90secそれぞれのパターン断面を株日立製作所製電子顕微鏡S-4700にて観察し、形状を比較し、表6にまとめた。段差基板埋め込み特性[実施例34~36、比較例15,16]Si基板上に厚み500nmで直径が160nmの密集ホールパターンが形成されているSiO2段差基板上に、平坦な基板上で200nmの膜厚になるよう調製されたUDL-1,4,7と比較例UDL-16,17を塗布し、350°Cで60秒間ベークした。基板を割断し、ホールの底まで膜が埋め込まれているかどうかをSEMで観察した。結果を表7に示す。アウトガス測定[実施例37~39、比較例17,18]UDL-1,4,7と比較例UDL-16,17をSi基板上の塗布し、350°Cで60秒間ベークし、膜厚200nmの下層膜を形成できる条件で、350°Cベーク中にホットプレートオーブン中に発生するパーティクルをリオン株製パーティクルカウンターKR-11Aを用いて0.3μmと0.5μmサイズのパーティクル数を測定した。結果を表8に示す。表2に示されるように、本発明のレジスト下層膜形成方法で形成したレジスト下層膜は、液浸リソグラフィー用の3層プロセスのレジスト下層膜としても実用に適する屈折率を有している。表3に示すように、本発明のように350°Cを超える温度でベークして形成すると、溶媒に不溶のレジスト下層膜が形成された実施例1~12。また、表3に示すように、熱酸発生剤TAG1、架橋剤XL1を用いた場合、低温のベークが可能となり、溶媒に不溶のレジスト下層膜が形成された実施例13~18。表3に示すように、本発明の方法で形成したレジスト下層膜のCF4/CHF3ガスエッチングの速度、並びにO2ガスエッチングの速度は、比較例1~7比較例UDL-16~22よりもエッチング速度が遅く、非常に高いエッチング耐性を有する。表6に示すように、本発明の方法で形成したレジスト下層膜は、現像後のレジスト形状、酸素エッチング後、基板加工エッチング後の下層膜の形状が良好で、パターンのよれの発生も見られなかった実施例19~33。表7に示すように、比較例15においては埋め込み不良が発見された。一方、モノマー化合物Additive1、Additive2をレジスト下層膜材料に添加することで、埋め込み特性が更に改善された。しかし、モノマーを添加すると、表8の比較例17,18に示すように、ベーク中にパーティクルが発生し、ホットプレートのオーブンを汚染する。本発明のナフタレン誘導体を含有したレジスト下層膜材料を用いて形成したレジスト下層膜は、モノマーのような低分子を多く添加してもパーティクルの発生がなく、埋め込み特性とパーティクル防止の両方の特性を同時に達成することができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。"