半導体発光デバイス;前記半導体発光デバイスがマウントされた支持基板;及び開口を有するキャリアであり、前記支持基板が前記開口内に配置され、且つ前記支持基板が、前記支持基板の頂面及び前記支持基板の側面のうちの少なくとも一方を介して当該キャリアに機械的に接続されている、キャリア;を有する構造体。前記支持基板はセラミックである、請求項1に記載の構造体。前記支持基板は、前記支持基板及び前記キャリアの頂面に形成されたワイヤボンドによって前記キャリアに電気的に接続されている、請求項1に記載の構造体。前記支持基板は、前記支持基板の頂面に配設された電気接続部によって前記キャリアに電気的に接続されている、請求項1に記載の構造体。前記支持基板は、前記支持基板の少なくとも1つの側面に配設された電気接続部によって前記キャリアに電気的に接続されている、請求項1に記載の構造体。前記キャリアの底面は、前記支持基板の底面より高い高さ位置に配置されている、請求項1に記載の構造体。前記半導体発光デバイス上に配設されたレンズを更に有し、前記レンズの底面は前記キャリアと接触している、請求項1に記載の構造体。前記レンズは前記支持基板より大きい横方向の広がりを有する、請求項7に記載の構造体。前記レンズは前記キャリアに取り付けられている、請求項7に記載の構造体。前記レンズは、前記半導体発光デバイス、前記支持基板及び前記キャリアの上にモールド形成されている、請求項7に記載の構造体。前記レンズは、前記支持基板を前記キャリアに機械的に接続している、請求項10に記載の構造体。前記キャリア内に更なる開口を有し、前記更なる開口は、前記キャリアの表面をアンダーカットしており、モールド処理において前記更なる開口内にレンズ材料が配設される、請求項10に記載の構造体。前記支持基板は、前記半導体発光デバイスから前記支持基板の底面への熱伝導路を有するように構成されている、請求項1に記載の構造体。前記開口は、前記キャリアの厚さ全体を貫通して延在している、請求項1に記載の構造体。前記半導体発光デバイスに波長変換素子が取り付けられており;且つ前記波長変換素子の頂面は、前記キャリアの頂面より高い高さ位置に配置されている;請求項1に記載の構造体。支持基板上にマウントされた半導体発光デバイスを用意し;キャリアの開口内に前記支持基板を位置付け;且つ前記支持基板の頂面及び前記支持基板の側面のうちの少なくとも一方を介して前記支持基板に前記キャリアを機械的に接続する;ことを有する方法。前記支持基板に前記キャリアを機械的に接続することは、前記支持基板に前記キャリアを接着することを有する、請求項16に記載の方法。前記支持基板に前記キャリアを機械的に接続することは、前記キャリアと前記支持基板との上にレンズをモールド形成することを有する、請求項16に記載の方法。本発明の1つの目的は、光源用のキャリア担体を提供することである。本発明の実施形態において、支持基板上に半導体発光デバイスがマウントされる。支持基板はキャリアの開口内に配置される。一部の実施形態において、支持基板はセラミックタイルであり、キャリアは、当該キャリア上にモールド形成されるか付着されるかするレンズを支持するのに十分な横方向の広がりを有する低コスト材料である。本発明の実施形態において、例えばLEDなどの発光デバイスが、例えばセラミックタイルなどの支持基板上にマウントされる。セラミックタイルは、LEDを機械的に支持し、別の構造体へのLEDの電気接続を提供し、且つLEDからの熱を拡げるスプレッドする熱経路を提供する、のに必要な最小限のサイズとし得る。セラミックタイルは、キャリア内に位置付けられてキャリアに取り付けられ得る。キャリアは、LED及びセラミックタイルを衝撃から保護するのに十分な堅牢性を有した、低コストのモールド可能材料とし得る。キャリア材料は、セラミックタイルをキャリアに取り付けること、及びレンズ若しくはその他の構造をLED上に形成あるいは付着させること、に必要な条件に耐えるように選択され得る。例えば、セラミックタイルは、はんだ付け、ワイヤボンディング、微細はんだ付けマイクロソルダリング、微細溶接マイクロウェルディング、例えば一組の金属バンプなどの規格準拠の接合構造、超音波ボンディング若しくは熱超音波ボンディングによって形成される金-金インターコネクト、例えば銀エポキシを用いた接合、例えばバネ力による締め付けなどの機械的クランピング、又は表面実装によってキャリアに取り付けられ得る。支持基板は、頂面又は側面を介して、あるいは、支持基板とキャリアとの上に形成あるいは付着されたレンズを介して、キャリアに機械的に取り付けられることができ、支持基板の底面は、例えばユーザにより供されるPCボードなどの別の構造体との電気的且つ/或いは熱的な接触を作り出すのに利用可能に残される。LEDと支持基板とキャリアとを含むデバイスは、例えばPCボードなどの別の構造体に取り付け可能にされ得る。好適なキャリアの例には、所望形状にスタンピング加工屈曲され得るシートメタル、及び例えばポリフタルアミドPPAなどのプラスチックが含まれる。例えば、PPA、その他の好適種類のプラスチック若しくはポリマー、又は誘電絶縁体、に貼り付けられたシートメタルなど、複数の材料が使用されてもよい。予備的事項として、以下の例では発光デバイスはIII族窒化物薄膜フリップチップLEDであるが、例えばIII-V族材料、III族窒化物材料、III族リン化物材料、III族ヒ化物材料、II-VI族材料及びIV族材料などのその他の材料系から製造されるLED又はその他の半導体デバイスを含むその他の発光デバイスが使用されてもよい。従来のIII族窒化物LED10は、先ず成長基板上に半導体構造を成長させることによって形成される。典型的に、先ずn型領域が成長される。このn型領域は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含み得る。該複数の層は、例えば、n型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層と、後の基板の除去リリース若しくは基板除去後の半導体構造の薄化を容易にするように設計されるリリース層と、発光領域が効率的に光を放射するのに望ましい特定の光学特性若しくは電気特性に合わせて設計されるn型若しくはp型のデバイス層とを含む。n型領域上に、発光領域又は活性領域が成長される。好適な発光領域の例には、単一の厚い、あるいは薄い発光層や、バリア層によって分離された複数の薄い、あるいは厚い量子井戸発光層を含んだマルチ量子井戸発光領域が含まれる。発光領域上に、p型領域が成長される。上記n型領域と同様に、このp型領域は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を含むことができ、意図的にはドープされていない層又はn型層を含んでいてもよい。n型層への電気的なアクセスを得るために様々な技術が使用される。メタライゼーションのためにn型層を露出させるよう、p型層及び活性層の一部がエッチング除去され得る。斯くして、pコンタクト及びnコンタクトは、チップの同じ側にあり、好適なマウントマウント上のコンタクトパッドに直接、電気的に取り付けられることができる。光は、デバイスの頂面すなわち、コンタクトが形成される表面から、あるいはデバイスの底面すなわち、成長方向に対して裏返される少なくとも1つの反射性コンタクトを備えたデバイスであるフリップチップデバイスにおいてから取り出され得る。フリップチップにおいて、成長基板は、半導体構造薄膜デバイスから除去されてもよいし、完成したデバイスの一部として残されてもよい。基板の除去後、半導体構造は薄化されてもよく、また、基板を除去することによって露出されたn型領域の表面が、例えば粗面加工又はフォトニック結晶構造を形成することによって、光抽出を改善するようにテクスチャ加工され得る。縦方向注入型のLEDにおいては、半導体構造の一方側にnコンタクトが形成され、半導体構造の他方側にpコンタクトが形成される。pコンタクト又はnコンタクトの一方への電気コンタクトは、典型的に、ワイヤ又は金属ブリッジを用いて為され、他方のコンタクトは、支持基板のコンタクトパッドに直接的に接合される。以下の例は薄膜フリップチップデバイスを含むものであるが、如何なる好適なデバイス構造も用いられ得る。LEDは支持基板12上にマウントされ得る。以下の例では支持基板12はセラミックタイルであるが、如何なる好適な支持基板12も用いられ得る。一部の実施形態において、支持基板は、III族窒化物構造が上に成長される成長基板である。このような実施形態において、LEDはキャリアに、付加的な支持基板を用いることなく直接的に接続される。LED上に、例えば蛍光体又は染料などの、1つ以上の波長変換材料が配設されてもよい。1つ以上の波長変換材料と組み合わされたLEDは、白色光、又はその他の色の単色光を作り出すために使用され得る。LEDによって放出された光の全部、又は一部のみが、波長変換材料によって変換され得る。未変換の光は、そうである必要はないが、光の最終的なスペクトルの一部を為す。一般的な組み合わせの例には、黄色蛍光体と組み合わされた青色LED、緑色及び赤色の蛍光体と組み合わされた青色LED、青色及び黄色の蛍光体と組み合わされたUV放出LED、並びに、青色、緑色及び赤色の蛍光体と組み合わされたUV放出LEDが含まれる。好適な波長変換層の例には、LEDに接着あるいは接合されるプリフォームされたセラミック蛍光体層、又は、ステンシル、スクリーン印刷、スプレー塗布、蒸着、沈殿、ディスペンス、スピンコート若しくはその他の方法でLED上に位置付けられる、例えばシリコーンなどの透明カプセル材料内に配設された粉末蛍光体が含まれる。異なる複数種類の波長変換層が用いられてもよい。複数の波長変換材料は、混合されて単一の層に形成されてもよいし、別々の層として形成されてもよい。図14は、本発明の実施形態に従ったデバイスを例示している。支持基板12上にマウントされたLEDの上に、波長変換材料14が位置付けられている。支持基板はキャリア16の開口内に位置付けられている。図14に示したキャリアは、スタンピング加工され且つ屈曲されたシートメタルから形成され得る。図2-4は、LED10がマウントされたセラミックタイル12の底面を通ってLED10への電気コンタクトが構築される、本発明の実施形態に係るデバイスを例示している。図2は、3つの、セラミックタイル12上にマウントされたLED10を示している。LED10は、例えばはんだ又は金などの好適なインターコネクトによって、セラミックタイル12の頂部のコンタクトに電気的且つ物理的に接続されている。波長変換部材14がLED10の頂面に配設されている。各セラミックタイル12は、キャリア16内に形成されたスロット穴内に取り付けられている。セラミックタイル12は、当該セラミックタイル12の側面でキャリア16にはんだ付けされ得る。各LED10上にレンズ22がモールド形成され得る。レンズ22は、LED10と、セラミックタイル12と、キャリア16の全て又は一部とを覆っている。他の例では、プリフォームされたレンズが、LED10を覆うようにキャリア16に取り付けられてもよい。セラミックタイル12の底面の電気コンタクト20が、図2に示されていない例えばユーザのPCボードなどの別の構造体へのLED10の電気接続を可能にする。電気コンタクト20は、例えば、セラミックタイル12内に形成された、金属などの導電材料で充填されたビアによって、セラミックタイル12上の頂部コンタクトに電気的に接続され得る。図3は、PCボードに接続された後の、図2のデバイスのうちの1つの上面図である。図4は、図3に示す軸に沿った、図3の構造の断面図である。PCボード17は、市販のPCボードとすることができ、例えばAl若しくはCuなどのヒートスプレッディング金属コア28と、例えば誘電体などの絶縁層26と、絶縁層26によって互いに電気的に分離された正側及び負側の電気配線24a及び24bとを含んでいる。LED10、必要に応じての波長変換素子14、セラミックタイル12、コンタクト20及びキャリア16にレンズ22を加えたものを含む構造体15が、別個に製造されて、単一の構造体としてPCボード17に取り付けられ得る。セラミックタイル12上のnコンタクト及びpコンタクト20a及び20bが、PCボード17上の電気配線24a及び24bに、はんだ付け、あるいは接合され得る。他の例では、ヒートスプレッディング層28が、nコンタクト又はpコンタクト20a又は20bの何れかに電気的あるいは物理的に接続されて、電気配線24a又は24bとともに、あるいは電気配線24a又は24bの代わりに用いられてもよい。図2-4に示したデバイスにおいて、熱は、LED10から除かれるように、セラミックタイル12の底面のコンタクト20を介して導かれる。正側と負側との電気コンタクト20間に必要な電気的アイソレーションによって、熱を導くために利用可能なセラミックタイル12の底面の面積が小さくなり、それにより、LED10から除かれるように導かれることが可能な熱量が低減されてしまい得る。図5-8に示すデバイスにおいては、LED10への電気コンタクトは、セラミックタイル12の頂面を介して構築されており、それにより、セラミックタイル12の底面全体が、LED10から除くように熱を導くことに利用可能にされている。セラミックタイル12は、セラミックタイル12とキャリア16との間の電気接続によって、セラミック12とキャリア16との間に配設される例えばシリコーン、はんだ若しくはエポキシなどの接着剤又は接着材によって、あるいは、セラミックタイル12とキャリア16との上にモールド形成あるいは付着されたレンズによって、キャリア16に機械的に接続され得る。レンズがセラミックタイル12をキャリア16に接続する場合、キャリアとセラミックタイルとが互いに接触する必要はない。図5-7のデバイスは、PCボードにマウントされて示されている。図5-8に示すデバイスにおいて、キャリア16の2つの側部16a及び16bは、例えば、キャリア16の必要に応じての絶縁素子16cに接続されることによって、互いに電気的に分離され得る。他の例では、セラミックタイル12が、共に接続される複数のキャリアのシートの開口内に位置付けられ得る。そして、セラミックタイル12とキャリア16との間の電気接続が形成される。レンズが、キャリア16とセラミックタイル12との上にモールド形成されて、キャリア16とセラミックタイル12とを機械的に接続してもよく、あるいは、キャリア16とセラミックタイル12との間の機械的な接続が、電気的な接続と同じであってもよい。そして、キャリア16の2つの側部16a及び16bは、これら2つの側部が分離されるように複数のキャリアのシートから個々のキャリアをスタンピング加工することによって、互いに電気的に分離される。上述のように、LED10、セラミックタイル12、必要に応じての波長変換素子14、キャリア16及びレンズ22を含む構造体15が別個に形成され得る。構造体15は、ユーザによって、PCボード17又はその他の好適な構造体に、単一の部品としてマウントされる。図5のデバイスにおいて、セラミックタイル12は、図5に示すようにワイヤボンド30a及び30bによって、あるいは、マイクロソルダリング、マイクロウェルディング又はフレックスフォイルによって、キャリア16に電気的に接続される。ワイヤボンド30aは、LED10のnコンタクト及びpコンタクトのうちの一方に、セラミックタイル12の頂面のコンタクトによって電気的に接続され得る。ワイヤボンド30bは、LED10のnコンタクト及びpコンタクトのうちの他方に、セラミックタイル12の頂面のコンタクトによって電気的に接続され得る。支持基板12へのワイヤボンド30a及び30bを介してLEDに電気的に接続されるキャリア16の側部16a及び16bは、例えばはんだによって、配線24a及び24bを介してPCボード17に物理的且つ電気的に接続され得る。配線24a及び24bは、絶縁層26によって互いに電気的に分離されている。セラミックタイル12の底面は、例えばはんだなどの熱伝導材料27によって、PCボードのヒートスプレッディング層28に直接的に接続され得る。セラミックタイル12及び熱伝導材料27は、LED10から除くように熱を導く熱経路を形成する。ワイヤボンド30a及び30bがLED10への電気接続を提供するので、熱伝導材料27は導電性である必要はない。図6のデバイスにおいて、セラミックタイル12は、当該セラミックタイル12の側面の電気接続部32a及び32bによって、キャリア16に電気的に接続される。電気接続部32a及び32bは、例えば、セラミックタイル12の頂面及び側面の配線、又は導電材料で充填されたセラミックタイル12内のビアによって、LED10がマウントされるセラミックタイルの頂面のコンタクトに電気的に接続されている。電気接続部32a及び32bは例えばはんだとし得る。セラミックタイル12の各側面とキャリア16との間の接続は、単一の電気的且つ物理的な接続にて、あるいは別々の電気的接続及び物理的接続にて達成され得る。図5においてのように、キャリア16は、配線24a及び24bを介してPCボード17に電気的且つ物理的に接続されることができ、また、セラミックタイル12は、熱伝導材料27によってPCボード17のヒートスプレッディング層28に直接的に接続され得る。図7のデバイスにおいて、セラミックタイル12は、当該セラミックタイル12の頂面の接続部34a及び34bを介して、キャリア16に電気的に接続される。接続部34a及び34bは例えば、はんだとすることができ、該はんだは、キャリア16の2つの電気的に分離された部分16a及び16bをセラミックタイル12の頂面のコンタクトに直接的に接続する。図5においてのように、キャリア16は、配線24a及び24bを介してPCボード17に電気的且つ物理的に接続されることができ、また、セラミックタイル12は、熱伝導材料27によってPCボード17のヒートスプレッディング層28に直接的に接続され得る。一部の実施形態において、接続部34a及び34bは、支持基板12及びキャリア16の頂面に接触するようにLED10上に取り付けられるプリフォームレンズの底面に形成される。図8のデバイスにおいて、キャリア16は外部コンタクト38a及び38bを含んでいる。外部コンタクト38a及び38bは、例えばはんだによって、セラミックタイル12上の頂部コンタクトに電気的に接続される。セラミックタイル12は、例えば当該セラミックタイル12の側面にて、外部コンタクト38a及び38bへの接続によって、あるいは別個の接続によって、キャリア16に物理的に接続され得る。外部コンタクトは、例えば、ねじ、クリップ、又はフレックスフォイルによって、例えばPCボードなどの構造体に電気的に接続され得る。セラミックタイル12は、PCボード又はその他の好適な構造体の一部とし得るヒートスプレッディング層28に、熱伝導材料27によって接続される。キャリア16は、例えばはんだ又はその他の好適接続によって、ヒートスプレッディング層28に物理的に接続され得る。キャリア16を適切な高さに位置付けるため、必要に応じて、ヒートスプレッディング層28とキャリア16との間にシム36が配設され得る。一部の実施形態において、図4-8に示したように、キャリアは、波長変換素子14又はLED10の頂面がキャリアの頂面より高い高さ位置にあり、且つ/或いは支持基板の底面がキャリアの底面より低い高さ位置にあるのに十分な薄さにされ得る。一部の実施形態において、キャリアの底面と支持基板の底面との高低差は、例えばPCボードなどの構造体に適合するように選定される。例えば、図5-7に示したように、PCボードは、メタルコア28と、絶縁層26と、配線24a及び24bとを含む。キャリアの底面と支持基板の底面との高低差は、支持基板がメタルコア上にありながら、あるいはメタルコアに容易に接続されながら、キャリアが配線上にあるように、あるいは例えばはんだ又はその他の好適な導電接続によって配線に容易に接続されるように選定される。図9-13は、本発明の実施形態に係るデバイスの形成法を例示している。図9にて、成長基板40上にLED10が成長される。ウェハスケールでのLED10の処理、例えば、フリップチップの場合の、n型領域の一部を露出させるメサを形成するエッチング、及びn型及びp型のコンタクトの形成などが、この段階で実行され得る。図9に示したウェハが個々のLEDへとダイシングされ得る。図10にて、例えばセラミックタイルなどの支持基板12のウェハ上に、例えばはんだ付け又は金-金インターコネクトの熱超音波ボンディングによって、LEDがマウントされる。LED10を支持基板12上にマウントする前又は後に、例えば貫通ビア又は電気コンタクトなど、支持基板12上に必要な構造42が形成され得る。図11にて、LED10上に波長変換素子14が配設される。波長変換素子14は、例えば、LED10に接着あるいは接合されるプリフォームされたセラミック蛍光体シートとし得る。あるいは、波長変換素子14は、LED10上に電気泳動的に堆積され、スプレー塗布され、沈殿され、蒸着され、あるいはスパッタリングされる粉末蛍光体、または、LED10上にステンシルされ、スクリーン印刷され、スプレー塗布され、沈殿され、スピンコートされ、あるいは堆積される透明なバインダ材料と混合された粉末蛍光体とし得る。必要な場合、例えば、波長変換素子14及びLED10の側面を介して逃げる光の量を低減するため、波長変換素子14及びLED10に、必要に応じてのサイド側面コーティングが形成され得る。図10及び11に示した支持基板12のウェハは、その後、個々のデバイスへとダイシングされ得る。単一の支持基板上に複数のLEDが形成され得る。各支持基板12が、キャリアの1つの開口内に位置付けられる。支持基板は、必要に応じて、例えば支持基板12の側面に配設されるはんだ又は接着剤によって、キャリアに直接的に接続され得る。単一のキャリアに複数の支持基板を接続することができる。LED10への電気接続が形成される。図12に示す電気接続はワイヤボンド30a及び30bであるが、例えば図2-8を参照して説明した電気接続など、如何なる好適な電気接続が用いられてもよい。一部の実施形態において、キャリア16を支持基板12に取り付けるために使用される例えばシリコーンなどの接着剤が作業面に付着することを防止するため、支持基板12は、例えばテフロン登録商標などの非接着性の作業面上でキャリア16に取り付けられる。一部の実施形態において、図5-8に例示して上述したように、支持基板12の底面をキャリア16の底面より低い高さ位置に位置付けるため、支持基板12と整列する刻み目インデンテーションが作業面に形成され得る。図13にて、レンズ22がLED10上にモールド形成され、あるいはプリフォームされたレンズがLED10上に取り付けられる。レンズ22は、例えば、先出の特許文献1に記載されるようなオーバーモールディングによって形成され得る。一部の実施形態において、オーバーモールドされたレンズが、キャリアを支持基板に取り付ける。複数のレンズが、単一のキャリア上に配置された複数のLED上に形成され得る。レンズ22は、好適な如何なる形状であってもよく、1つのレンズ22が複数のLEDを覆ってもよい。一部の実施形態において、レンズ22は、LEDと当該レンズとの間に間隙空気で充たされることが多いが設けられるように取り付けられる。一部の実施形態においては、LED10を保護するためにレンズではない構造体がLED10上にモールド形成あるいは付着され、あるいは、LED10、支持基板12及びキャリア16の上に、如何なる構造体もレンズも設けられない。一部の実施形態において、図15に示すように、オーバーモールドされたレンズの密着性を改善する形状がキャリア16に含められ得る。例えば、キャリア16の頂面が、造形部48を有するように粗面加工あるいはパターン形成され得る。キャリア16内にアンダーカット逃げ溝開口46が形成されてもよい。モールドプロセス中にレンズ材料がアンダーカット開口46を充填し、それにより、モールド形成されたレンズをキャリア16に固定し得る。本発明の実施形態は、その他の光源に対して利点を有し得る。支持基板は一般的に、キャリアより高価である。本発明の実施形態においては、支持基板のサイズが縮小され、それにより、デバイスのコストが低減され得る。LEDへの電気接触が支持基板の頂面を介して為される実施形態において、支持基板の底面は、LEDから逃がすように光を導く熱経路として利用可能であり、それにより、デバイスの光出力が向上され得る。キャリア、支持基板及びLED、並びにレンズは、後にユーザによって例えばPCボード上にマウントされることが可能な単一のユニットに形成される。例えばワイヤボンドなどの頂面コンタクト及びレンズは、ユーザによってではなく、しっかり制御可能な条件下で形成されることができ、それにより、コンタクトへの損傷が防止され得るとともに、ユーザが設けたレンズによって引き起こされるデバイス放出光の色バラつきが防止され得る。本発明を詳細に説明してきたが、当業者に認識されるように、本開示を受けて、本発明には、ここで説明した独創的な概念の精神を逸脱することなく、変更が為され得る。故に、本発明の範囲は、図示して説明した具体的な実施形態に限定されるものではない。