"フォトマスクとガラス基板とを隙間を介して対向配置し、前記フォトマスクのパターンを前記ガラス基板に転写する液晶露光装置において、ガラス基板をフォトマスクに対して相対的に移動するステージ機構と、該ステージ機構に支持されて前記ガラス基板を保持するチャックと、該ガラス基板を保持するチャックの裏面に配置されたひずみ測定手段と、を備え、前記ひずみ測定手段の出力を用いて前記フォトマスクのパターンをガラス基板に転写することを特徴とする液晶露光装置。請求項1記載の液晶露光装置において、前記フォトマスクのパターンをガラス基板に転写する条件として、前記ひずみ測定手段で測定したひずみ値と当該ひずみ値の時間微分値を用いることを特徴とする液晶露光装置。請求項2記載の液晶露光装置において、前記ひずみ測定手段で測定したひずみ値が予め設定したひずみ値以下で、前記ひずみ値の時間微分値が負の値であることを条件に転写することを特徴とする液晶露光装置。請求項1記載の液晶露光装置において、前記ひずみ測定手段は、前記チャックの裏面に複数個設け、それぞれが前記ガラス基板上に転写されるパターンの範囲内に設置することを特徴とする液晶露光装置。請求項1記載の液晶露光装置において、前記ひずみ測定手段は、前記チャックを支えて凸凹調整するために用いるピンの側面に設置することを特徴とする液晶露光装置。請求項1記載の液晶露光装置において、前記ひずみを測定手段は、複数の不純物拡散抵抗で構成されるブリッジ回路を有する半導体単結晶基板で構成し、前記フォトマスクとガラス基板との間隔を調整するときの圧力変動を測定することを特徴とする液晶露光装置。図2に最近考えられている液晶露光装置の代表的な構成を示す。尚、外側カバーや各種支持構造等は省略している。水銀ランプ501からの光は、集光鏡503で集光しフライアイレンズ505を通して強度分布を均一化する。フライアイレンズ505から出た光は、シャッター529を透過し、集光鏡507で平行な光にして平面鏡509でフォトマスク511に垂直に入射する。この光により、フォトマスク511の下面のパターン図示省略をガラス基板513に転写する。ガラス基板513は、チャック515で支持されており、ステージ517、519でステージ521上でXY方向に位置決めされる。フォトマスク511は、ホルダー523に支持される。ホルダー523は、モーター525によってフォトマスク511とガラス基板513が平行かつ数十から数百ミクロンメートルの間隔になるよう調整される。尚、図2では、説明のためフォトマスク511とガラス基板513の間隔を大きく表示している。また、モーター525は4個であるが、うち一つは平面鏡509で隠されている。このような図2の液晶露光装置において、フォトマスク511のパターンをガラス基板513に転写する一連の動作は次の通りである。1搬送ロボット図示省略が、ガラス基板513をチャック515上に置く。その後、ガラス基板513をチャック515に真空吸着するこれに係わる構成は図示省略。2ステージ517、519がステージ521上で所定のXY位置に移動する。3モーター525は、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513が平行かつ数十から数百ミクロンメートルの間隔になるよう調整する。なお、ステージ517と519がガラス基板513を搭載して移動する際には、移動中の振動や予期しないステージ517または519の変形によってフォトマスク511とガラス基板513が接触しないよう、その間隔を数百ミクロンメートルから1ミリメートル程度まで広げておく。4シャッター529は、所定時間水銀ランプ501の光を透過させ、フォトマスク511の下面のパターンを直下にあるガラス基板513に転写する。5モーター525は、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513が数百ミクロンメートルから1ミリメートルの間隔になるよう調整する。6ステージ517、519がステージ521上で次の転写位置のXY位置に移動する。この後、ガラス基板513上に複数の転写をするときには、3456を繰り返えす。7ガラス基板513をチャック515に固定する真空吸着を解除する。8搬送ロボットが、ガラス基板513をチャック515から取り上げ、これに換わるガラス基板をチャック515上に置く。このような露光動作におけるフォトマスクの変形について、図3を参照して説明する。モーター525が、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513の間隔が数百から数十ミクロンメートルになるよう調整する途中で、フォトマスク511とガラス基板513の間にある空気の圧力が高まる。この空気圧によって、図3に示すようにフォトマスク511が変形する。尚、図3では説明のため、フォトマスク511とガラス基板513の間隔と変形を大きく表示している。フォトマスク511とガラス基板513の間隔が数百ミクロンメートル以下と狭く、空気の粘性が高いため、圧力は数十キロパスカルに達する。この圧力により、フォトマスク511は変形し、その中央では0.1ミリメートルに達する。図4は、モーター525が、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513の間隔が数百から数十ミクロンメートルになるよう調整した後、フォトマスク511の自重により変形する様子を示したものである。尚、図4でも説明のため、フォトマスク511とガラス基板513の間隔と変形を大きく表示している。32インチ液晶パネル用のフォトマスク511であると、中央の変形たわみは数ミクロンメートルであるが、65インチ液晶パネル用のフォトマスク511になると数十ミクロンメートルに達する。前記特許文献1では、図4に示した自重変形による転写パターンの変形を抑えることはできるが、図3の状態から図4の状態になるまでに十分な待ち時間が必要である。待ち時間は、65インチ液晶パネル用のフォトマスク511になると数秒を要することになる。そして、この待ち時間は、フォトマスク511の実変形に沿ったものではなく、予めフォトマスク511の変形と時間の関係を測定しておき、それが再現されるとの前提で待ち時間を設定している。このため、フォトマスク511とガラス基板513の位置関係で、両者が平行でない場合があると変形と時間との関係がくずれ、待ち時間が大きくなるだけでなく、フォトマスク511が変形したまま転写するおそれもある。本発明はこのような現象に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、フォトマスクの変形に伴うガラス基板上のパターンの変形を避けて液晶パネルの品質を向上させると共に、フォトマスクとガラス基板間の圧力変動によって生じるマスク変形が小さくなるまで待つことなく露光開始可能とすることで生産性をも向上することの出来る液晶露光装置を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明はフォトマスクとガラス基板とを隙間を介して対向配置し、前記フォトマスクのパターンを前記ガラス基板に転写する液晶露光装置において、その特徴とするところは、ガラス基板をフォトマスクに対して相対的に移動するステージ機構と、該ステージ機構に支持されて前記ガラス基板を保持するチャックと、該ガラス基板を保持するチャックの裏面に配置されたひずみ測定手段とを備え、前記フォトマスクのパターンをガラス基板に転写する条件として前記ひずみ測定手段の出力を用いることで、ひずみ値を考慮した転写を可能にすることにある。更には、転写条件としての前記ひずみ値の用い方、ひずみ測定手段の設置及び構造についても特徴を有するが、それらについては以下述べる発明の実施の形態の中で明らかにする。本発明によれば、フォトマスクの変形をひずみ測定手段で検出して転写することができるので、フォトマスクパターンの転写精度が向上し、特に大型液晶パネルの製造でその品質を向上することが出来る。また、フォトマスク変形が目標となる転写精度内におさまる最短の時間で転写可能となるので、液晶パネルの生産性も向上させることができる。図1は、本発明による液晶露光装置の一実施例を示したものである。水銀ランプ501からの光は、集光鏡503で集光しフライアイレンズ505を通して強度分布を均一化する。フライアイレンズ505から出た光は、シャッター529を透過し、集光鏡507で平行な光にして平面鏡509でフォトマスク511に垂直に入射する。この光は、フォトマスク511の下面のパターン図示省略を直下にあるガラス基板513に転写する。ガラス基板513は、チャック515で支持され、ステージ521上のステージ519、517でXY方向に位置決めされる。フォトマスク511は、ホルダー523に支持される。ホルダー523は、モーター525によってフォトマスク511とガラス基板513が平行かつ数十から数百ミクロンメートルの間隔になるよう調整される。尚、図では、説明のためフォトマスク511とガラス基板513の間隔を大きく表示している。また、モーター525は4個であるが、そのうち2つのみを表示している。図1の液晶露光装置において、フォトマスク511のパターンをガラス基板513に転写する一連の動作は次の通りである。1搬送ロボットが、ガラス基板513をチャック515上に置く。この後、ガラス基板513をチャック515に真空吸着するこれに関わる構成は図示省略。2ステージ517、519がステージ521上で所定のXY位置に移動する。このとき、移動中の振動や予期しないステージ517または519の変形によってフォトマスク511とガラス基板513が接触しないよう、その間隔を数百ミクロンメートルから1ミリメートル程度まで広げておく。3モーター525は、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513が平行かつ数十から数百ミクロンメートルの間隔になるよう調整する。4ひずみ測定手段601は、チャック515裏面であって、ステージがXY方向にステップ移動したときにフォトマスク511中央下に位置するよう設置する。モーター525が、フォトマスク511とガラス基板513の間隔を調整すると、両者の間の圧力が変化しフォトマスク511とガラス基板513を変形させる。ガラス基板513の変形はこれを保持するチャック515に伝えられる。ひずみ測定手段601はこのチャック裏面のひずみを検出し、ブリッジ回路603はその信号を増幅する。5ブリッジ回路603から出た信号は2分割し、ひとつはシャッター開閉回路607に入力する信号Aとする。もうひとつは、時間微分演算回路605で時間経過でのひずみ変化量を計算しシャッター開閉回路607に入力する信号Bとする。6図5は、シャッター開閉回路607において、前出信号AとBをもとにシャッター529の開閉条件および制御方法を説明したものである。図5上段は、チャック515裏面ひずみの時間変化前出信号Aを示したものである。横軸は、時間であるがひずみ発生から終了までの相対時間を示している。縦軸は、ひずみであるがこれの発生から終了までの相対値を示している。ひずみ値の初期値は、ステージ517、519がXY方向にステップ移動終了後であって、フォトマスク511とガラス基板513を所定の間隔に設定する時刻とする。図5中段は、同上段の時間範囲で時間経過でのひずみ変化量前出信号Bを示したものである。図5下段は、シャッター529の開閉を示したもので、ここでは、時間1.95から同2.8までシャッター529が開いて水銀ランプ501の光を透過している。シャッター529が開く時間1.95は、図5上段のグラフからひずみ値がε1以下となる時間範囲であって、かつ、図5中段のグラフからひずみの変化量が負の値となる範囲図中両端矢印範囲、時間1.6から2.2を満たす時間として決定する。その後、次の動作を行う。7シャッター529を時間0.85経過後閉じる。8モーター525は、フォトマスク511を支持するホルダー523を、フォトマスク511とガラス基板513が数百ミクロンメートルから1ミリメートルの間隔になるよう調整する。9ステージ517、519がステージ521上で次の転写位置のXY位置に移動する。この後、ガラス基板513上に複数の転写をするときには、上記3456789の動作を繰り返えした後、次の動作を行う。10ガラス基板513をチャック515に固定する真空吸着を解除する。11搬送ロボットが、ガラス基板513をチャック515から取り上げ、これに換わるガラス基板図示省略をチャック515上に置く。ここで、図5上段中、ひずみ値ε1にフォトマスク511が変形する許容値を対応させておくことにより、フォトマスク511の変形が許容値以下となる状態で転写が可能となり、液晶パネルの品質の向上が可能となる。また、フォトマスク511の変形を実時間で検出できるため、フォトマスク511とガラス基板513の間の空気が逃げ遅れた時であっても、これを検知しフォトマスク511の変形が許容値以下となる状態で転写が可能となり、歩留まりを向上させることができる。さらに、図5下段で、シャッター529を開く時間1.95とフォトマスク511の変形が許容値となる時間を一致させることができるため、フォトマスク511の変形が十分小さくなる時間、たとえば時間2.2まで待ってからシャッター529を開く従来の方法より一連の露光操作時間を短縮でき液晶パネルの生産性を向上させることができる。本実施例ではさらに、フォトマスク511の変形をチャック515の裏面から検出できるため、前記特許文献1で示された方式がフォトマスク511の上方であって水銀ランプ501の光をさえぎるように設置したフォトマスク511とガラス基板513のギャップを検出する機構を、転写の際に退避させる時間が必要なくなり、液晶パネルの生産性をさらに向上させることができる。図6は、本発明による液晶露光装置の他の実施例を示したもので、図1におけるステージ521からガラス基板513に相当する部分を示し、水銀ランプ501からフォトマスク511に相当する部分は省略している。図6の実施例では、ガラス基板513に対して、フォトマスク511のパターン転写を4回繰り返すことを示しており、その転写されたパターンは破線で示す701a、701b、701c、701dである。この実施例では、転写パターンの中央であってチャック515の裏面にひずみ検出手段601a、601b、601c、601dを配置している。チャック515がステージ521上でXY方向にステップ移動して、たとえば、パターン701aの位置にフォトマスク511のパターンを転写するときには、図5上段に示すひずみの時間変化はひずみ検出手段601aを採用することにする。本実施例によると、大型のガラス基板513に複数のフォトマスクパターンを転写する時であっても、その転写範囲であってフォトマスク511とガラス基板513の間の圧力変動によるひずみ変化を直近で検出しひずみ検出信号を高い値とすることができ、シャッター529の開閉タイミング誤差を小さくすることができ、歩留まりを向上させることができる。さらに、この構成であっても、ひずみ値の初期値をステージ517、519がXY方向にステップ移動終了後であってフォトマスク511とガラス基板513を所定の間隔に設定する時刻とするため、転写エリア701a、701b、701c、701dでチャック515の温度が異なりひずみ検出手段601a、601b、601c、601dの値が異なっていたとしても、図5で示したシャッター529を開く時間が変化することなく、安定した生産が可能となる。図7は、本発明による液晶露光装置の他の実施例を示したものであり、図1におけるステージ521からステージ517に相当する部分を示し、水銀ランプ501からフォトマスク511、ガラス基板513までの構成を省略している。また、チャック515は、説明の都合上、一部を切り欠いた状態で示してある。図7において、ステージ517上にあって、複数個設置したピン531は、チャック515がこれと対向するフォトマスク511と平行になるようチャックの凸凹調整をするために用いる。本実施例では、このピン531の胴中央に、ひずみ検出手段801を設置する。これにより、ガラス基板513にフォトマスク511のパターン転写を複数回繰り返すときであって、それが4回でも6回でも、回数に依存せずパターン転写範囲にあって最大のひずみ値を示すひずみ検出手段を用いることで、大型のガラス基板513に複数のフォトマスクパターンを転写する時であっても、その転写範囲であってフォトマスク511とガラス基板513の間の圧力変動によるひずみ変化を高い値とすることができ、シャッター529の開閉タイミング誤差を小さくすることができ、歩留まりを向上させることができる。図8および図9は、本発明に特に好適なひずみ測定手段の一実施例を示す。図8および図9は、実施例1または2,3で用いるひずみ検出手段601又は801について、一般的に用いられるひずみが発生したとき抵抗値が変化する方式とは異なり、複数の不純物拡散抵抗で構成されるブリッジ回路を有する半導体単結晶基板で構成した例である。すなわち本実施例は、ひずみ感応部として半導体基板に不純物拡散層を設けたものであり、半導体単結晶の結晶方位とピエゾ抵抗係数の関係を考慮し、不純物拡散抵抗の電流方向とひずみを計測する方向との関係を、所望の特性を得られるように考慮したものである。以下の説明では、単結晶半導体基板801ひずみ検出手段801自体が単結晶半導体基板で構成されるの結晶面や結晶方位の表記には、ミラー指数を用いる。ミラー指数表記においては、マイナス方向を指定する場合、数字の上にバーを付するが、本明細書中においては便宜上バーの付いた数字は-をつけて-110のように表記する。また特定の面や方向を表す場合にはとをそれぞれ用い、単結晶半導体基板内において等価である面や方向を表す場合には、それぞれ{}と<>を用いて表記する。さらに、本明細書においては不純物拡散層の長手方向に電流を流し、電流の流れる方向の抵抗値の変動を計測する。抵抗の長手方向という表記は電流を流し抵抗値変動を計測する方向を意味するものとする。図8において、ピン531の軸方向について、互いに直角となるよう4つのp型不純物拡散抵抗804a、804b、804c、804dを設置する。このとき、不純物拡散層の長手方向、すなわち電流を流す方向は、半導体基板801の結晶方向の<110>の結晶方位と一致するようにする。この4つは、図9に示すように接続してホイートストンブリッジ回路を構成し、ピン531の軸方向のひずみをリード線805aと805b間の電流変化として検出する。この信号は、図5におけるシャッター開閉回路への信号Aと、時間微分演算回路605を介してシャッター開閉回路への信号Bとして用いる。この配置により、ピン531の軸方向のひずみに対して、ピエゾ抵抗効果によって大きな抵抗値の変化が得られる高感度のひずみ検出ができる。このひずみ検出手段801は、半導体製造プロセスを用いて製作するためその内部に微細なブリッジ回路を形成することができ、そのブリッジ回路が小さく内部を磁束が通り抜け難いので、ノイズが載り難いという特徴が有る。よって、前述のステージ517や519をXY移動させる駆動源としてのリニアモータがあった場合でも、これからのノイズを気にすることなく、高精度な測定が可能となる。"