自身の表面に超電導物質の膜を形成させる超電導膜形成用圧延銅箔であって、700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度I0に対し、I/I0≧50であり、前記700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaが002μm以上01μm以下である、超電導膜形成用圧延銅箔。700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度I0に対し、I/I0≧50であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離れた3本の直線上で測定した凹凸プロファイルにおいて、オイルピットの最大深さに相当する各プロファイルの厚み方向の最大高さと最小高さとの差diの平均値dが2μm以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaが002μm以上01μm以下である、超電導膜形成用圧延銅箔。銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離れた3本の直線上で測定した凹凸プロファイルにおいて、オイルピットの最大深さに相当する各プロファイルの厚み方向の最大高さと最小高さとの差diの平均値dが2μm以下である、請求項1記載の超電導膜形成用圧延銅箔。コンフォーカル顕微鏡で測定したときのオイルピットの面積率が6以上15以下である、請求項1乃至3のいずれか記載の超電導膜形成用圧延銅箔。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、総加工度が900~995である、請求項1~4のいずれか記載の超電導膜形成用圧延銅箔。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、最終パス前の段階で、Raが002μm以上005μm以下である請求項1~5のいずれか記載の超電導膜形成用圧延銅箔。しかしながら、自身の表面に直接又は間接的に超電導膜を形成させるための銅箔において、立方体方位への配向度は未だ十分とはいえず、超電導膜の特性臨界電流密度等も十分でないという問題がある。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、銅箔の立方体方位への配向度を改善し、その表面に形成される超電導膜の特性が向上する超電導膜形成用圧延銅箔の提供を目的とする。本発明者らは種々検討した結果、高加工度で冷間圧延した銅箔につき、銅箔表面のオイルピットの性状を特定の状態に制御することで、再結晶後の立方体方位への配向度以下、単に配向度とも記すがさらに向上し、その表面に形成される超電導膜の特性が改善されることを知見した。オイルピットの最適な性状は、コンフォーカル顕微鏡像を用いオイルピットの最大深さおよび面積を測定することによりマクロ的に評価できた。また、上記オイルピットの制御と同時に、銅箔の表面粗さを適正範囲に調整することにより、支持体との十分な接合強度を得ることもできた。上記の目的を達成するために、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔は、自身の表面に超電導物質の膜を形成させる超電導膜形成用圧延銅箔であって、700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度I0に対し、I/I0≧50であり、前記700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaが002μm以上01μm以下である。なお、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔の表面には、直接又は間接的に超電導物質の膜が形成される。又、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔は、700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度I0に対し、I/I0≧50であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離れた3本の直線上で測定した凹凸プロファイルにおいて、オイルピットの最大深さに相当する各プロファイルの厚み方向の最大高さと最小高さとの差diの平均値dが2μm以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaが002μm以上01μm以下である。さらに、本発明の超電導膜形成用圧延銅箔は、700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度Iが、微粉末銅のX線回折で求めた面の回折ピーク積分強度I0に対し、I/I0≧50であり、前記700°Cで30分間焼鈍して再結晶組織に調質した状態において、銅箔表面を電解研磨後にEBSDで観察した場合に、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離れた3本の直線上で測定した凹凸プロファイルにおいて、オイルピットの最大深さに相当する各プロファイルの厚み方向の最大高さと最小高さとの差diの平均値dが2μm以下であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaが002μm以上01μm以下であることが好ましい。コンフォーカル顕微鏡で測定したときのオイルピットの面積率が6以上15以下であることが好ましい。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、総加工度が900~995であることが好ましい。鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延工程において、最終パス前の段階で、Raが002μm以上005μm以下であることが好ましい。本発明によれば、銅箔の立方体方位への配向度を改善し、その表面に形成される超電導膜の特性が向上する超電導膜形成用圧延銅箔が得られる。以下、本発明の実施形態に係る超電導膜形成用圧延銅箔について説明する。なお、本発明においてとは、特に断らない限り、質量を示すものとする。図1は、本発明の実施形態に係る超電導膜形成用圧延銅箔4を支持体2に積層してなる超電導膜形成用配向板10、及び超電導膜形成用配向板10の表面超電導膜形成用圧延銅箔4側の面に超電導膜8を形成してなる超電導材100を示す。支持体2は、超電導膜形成用配向板10の強度を確保するためのものであり、非磁性金属材料例えば、ステンレス鋼、ニッケル合金が好ましい。圧延銅箔4には再結晶熱処理が施され、その際に立方体方位が発達する。この熱処理の温度は、200°C以上、かつ純銅の融点以下とすることが好ましい。200°C未満の熱処理では、十分な配向組織が得られない場合がある。より好ましい熱処理温度は800°C以下であり、さらに好ましい熱処理温度は300~700°Cである。また、熱処理時間は、1~30分とするのが好ましい。熱処理温度が700°Cより高い、又は熱処理時間が30分より長い場合には、結晶粒界のグルーヴ溝が深くなることがあり、配向処理後にこれを除去するための研磨を要することがある。この銅箔4の熱処理は、銅箔4を支持体2に積層する前に行っても良いし、銅箔4を支持体2に積層した後に行っても良い。圧延銅箔4を支持体2に積層する方法としては、両者の接合面を乾式エッチングによって清浄化した後、両者を無加圧又は加圧して積層し、表面の原子間力によって接合する表面活性化接合を用いることができる特許文献2参照。超電導膜8を構成する超電導物質とは、その物質が特定の温度臨界温度以下に冷やされた時に電気抵抗が0になる物質をいう。特に、実用上の観点から、臨界温度が液体窒素の沸点-196°C以上である高温超電導物質が好ましい。高温超電導物質としては、例えば、イットリウム系超電導体YBCO、Y123、希土類元素系酸化物超電導体R123、銅酸化物高温超電導体が挙げられるがこれらに限定されない。なお、図1の例では、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面に、Niめっき層等からなるバリア層6が形成されている。これは、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面に超電導膜8を直接形成すると、成膜時に超電導膜8の成分酸化物等が銅箔4側へ拡散して酸化銅を形成したり、成膜時の高温によって銅箔4が酸化し易いからである。従って、超電導膜形成用圧延銅箔4の表面にバリア層6を形成することが好ましい。バリア層6としては、ニッケル又はニッケル合金が好適に用いられる。又、図1の例では、支持体2の片面に超電導膜形成用圧延銅箔4を形成しているが、支持体2の両面にそれぞれ超電導膜形成用圧延銅箔4を形成してもよい。次に、本発明の技術思想について説明する。本発明者らは、高加工度の冷間圧延により製造される、従来の超導電膜の基板用銅箔に対し、再結晶後の立方体方位への配向度をさらに改善する方法を鋭意研究した。その結果、最終冷間圧延において、例えば粗度の低いロールを用いて圧延することで、発達したせん断帯を伴う深いオイルピットの形成が抑制され、該配向度がさらに上昇することを見出した。この配向度の上昇はEBSD測定による特定のパラメータ値により検出できるものであり、このパラメータ値は超導電膜の基板特性に顕著な影響を及ぼした。しかし、上記方法で圧延すると銅箔表面の粗さが小さくなりすぎ、銅箔と支持体との接合強度が低下する等の弊害が生じた。そして、深いオイルピットの抑制と適度な粗さの確保という、相反する課題の解決策として、最終冷間圧延の最終パスの手前では銅箔の表面を平滑に仕上げ例えば、粗度の低いロールで圧延し、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を粗くする例えば、粗いロールで圧延する方法を知見した。この場合、低粗度のロールを用いることで、最終パス以前のパスにおけるオイルピットの成長が抑制され、最終パスで粗いロールを用いても発達したせん断帯を伴う深いオイルピットは生成しない。同時に最終パスロールの表面粗さが材料表面に転写されることで適度な表面粗さも得られる。この方法で得られた銅箔を用いたときの超電導膜の特性例えば、臨界電流密度Jcは、圧延加工度のみで立方体方位を作り込んだ従来の銅箔と比較し明らかに向上していた。また、銅箔と支持体との接合強度を始めとする他の特性についても、従来銅箔に遜色ないものが得られた。又、本発明者は、上記したオイルピットの性状を、コンフォーカル顕微鏡像を用いてマクロ的に評価し、超電導膜の特性が向上する条件を見出した。従来から用いられている表面粗さの値だけではオイルピットの情報を明確に捉えることができない。つまり、圧延銅箔表面を観察すると、圧延直角方向TDに沿ってオイルピットの発生が観察されるが、図2に示すように、オイルピットの断面形状には、TD方向の長さが短い三角形のもの図2の符号P1の他、台形状のもの図2の符号P2も存在する。また、オイルピットの深さは同じでも、RD方向にピットの開き度合いが広いものと狭いものがある。これらのオイルピットの形状の違いは、銅箔表面のうねり測定において一般的に用いられるRa、Rz、RzJIS、RSm等の表面粗さパラメータでは、十分に反映できないことがある。これに対し、コンフォーカル共焦点顕微鏡を用い、オイルピットの最大深さの平均値およびオイルピットに相当する画像領域の割合面積率を求めることにより、銅箔表面に形成される超電導膜の特性に対応した差異を得ることができる。なお、オイルピットの面積率は、コンフォーカル顕微鏡で撮像したZ軸の高度差を所定の閾値の前後で2値化し、この閾値より深い部分をオイルピット部分として抽出し、その面積割合を求めるものである。次に、本発明の圧延銅箔及びその製造方法の規定について説明する。1銅箔の立方体方位への配向度超導電膜の基板として用いられる銅箔には、再結晶熱処理後に、立方体方位が発達することが求められる。立方体方位の評価方法として、圧延面のX線回折で求めた200面の回折ピーク強度Iの微粉末銅のX線回折で求めた200面の回折ピーク強度I0に対する比I/I0を測定する方法がある。前述したように、上記再結晶熱処理は、超電導膜形成用配向板の製造プロセスにおいて、銅箔を立方体方位に配向させるために行なわれるものであり、熱処理温度は200°C~純銅の融点の範囲が好ましく、より好ましくは800°C以下、さらに好ましくは300~700°Cである。また、熱処理時間は、1~30分とするのが好ましい。銅箔が十分に再結晶すれば、熱処理の温度または時間が上記範囲で変化しても、I/I0値に及ぼす影響は無視できる程度である。本発明者らの検討によると、特許文献2等で開示されている高加工度の冷間圧延で製造された銅箔は、上記再結晶熱処理を模擬し700°Cで30分間の焼鈍を施すことにより、50以上の非常に高いI/I0値を発現した。I/I0値が50未満になると、超電導膜の特性が著しく低下する。そこで、I/I0値を50以上に規定する。I/I0値は好ましくは60以上、さらに好ましくは80以上である。一方、I/I0値の上限値については、超電導膜の特性の点からは規制されず、一般的に高ければ高いほど良いが、後述の工程で製造される本発明の銅箔ではI/I0値が200を超えることはない。本発明者らは、この50以上のI/I0値を発現する銅箔について、EBSD法を用い結晶方位を解析することにより、その結晶方位を超電導膜の特性に対し最適化した。ここで、EBSDElectronBackScatterDiffraction:電子後方散乱回折とは、SEMScanningElectronMicroscope:走査電子顕微鏡内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子菊池線回折菊池パターンを利用して結晶方位を解析する技術である。通常、電子線は銅合金表面に照射され、このとき得られる情報は電子線が侵入する数10nmの深さまでの方位情報、すなわち極表層の方位情報である。その結果、本発明の一態様では、700°Cで30分間の再結晶焼鈍後に、[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率以下、Se値が20以下であることを特徴とする組織を発現させれば、超電導膜の特性が著しく向上することが明らかになった。Se値が20未満であれば、銅箔表面の結晶粒同士の方位差が小さく、均一な組織の中に結晶方位の異なる結晶粒が単独で存在する割合が少なくなるためと考えられる。なお、上記I/I0値の場合と同様、700°Cで30分間の焼鈍は超電導膜形成工程における銅箔の再結晶配向化熱処理工程を模擬したものであり、銅箔が十分に再結晶すれば、熱処理の温度または時間が上記範囲で変化しても、Se値に及ぼす影響は無視できる程度である。2オイルピットの深さd金属材料は圧延加工されるとすべり変形を起こすが、高加工度で圧延すると塑性不安定による不均一変形がおこり、せん断帯が発生する。せん断帯とは、圧延板面に対して30~60度傾いた、薄い面状の組織を言う例えば鉄と鋼第70年1984第15号P18。せん断帯は周囲の母相とほぼ類似の結晶方位を持っているが、密なセル組織を持っており、再結晶核生成が起こりやすい。このため、せん断帯近辺の結晶方位は、母相の方位立方体方位からずれてしまう。最終圧延後の銅箔の表面にはオイルピットが観察され、その中の深いオイルピットは、発達したせん断変形帯を伴っている。したがって、深いオイルピットが存在する部位は、再結晶後に、立方体方位からずれた方位に配向する。本発明の一態様では、オイルピットの最大深さの平均値以下、dを2μm以下に制御することで、200面のI/I0が50以上の銅箔に対し、Se値を20以下に調整できる。ここでオイルピットの最大深さの平均値dの測定においては、最終圧延後再結晶熱処理前の銅箔表面において、コンフォーカル顕微鏡を用い、図3に示すように、圧延平行方向RDに175μmの長さを有しかつ圧延直角方向TDにそれぞれ50μm以上離れた3本の直線L1~L3に沿って、表面の凹凸プロファイルを測定する。次に、各プロファイル上で最大高さHMと最小高さHSとの差diオイルピットの最大深さに相当を求める。そして、L1~L3の各diの平均を算出し、これをdとする。dの下限は、例えば0.3μmとすることができる。3銅箔の表面粗さRa最終圧延後再結晶熱処理前の銅箔の表面粗さRaが002μm未満になると、銅箔と支持体2との接合強度が低下する。Raの上限値については、該接合強度の点からは制限されないが、通常01μm未満である。ここで、本発明のRaとは、銅箔表面の凹凸プロファイルからJISB0601に準じて算出される中心線平均粗さである。ただし、銅箔表面の微小な凹凸を検出するために、該凹凸プロファイルは、一般的な接触粗さ計を用いて求めるのではなく、コンフォーカル顕微鏡を用いて求める。プロファイルの測定方向はRD、測定長さは175μmとする。4オイルピット面積率So上記d値とRa値を同時に満足する銅箔表面では、コンフォーカル顕微鏡で測定したときのオイルピットの面積率以下Soが6~15となる。Soが6未満の表面では、Raが002μm未満である。Soが15超の表面では、dが2μm超である。5組成銅箔としては、純度99.9質量以上のタフピッチ銅、無酸素銅を用いることができ、又、要求される強度や導電性に応じて公知の銅合金を用いることができる。無酸素銅はJISH3510合金番号C1011、JISH3100合金番号C1020に規格され、タフピッチ銅はJISH3100合金番号C1100に規格されている。公知の銅合金としては、例えば、0.001~0.3質量の錫入り銅合金より好ましくは0.001~0.02質量の錫入り銅合金;0.01~0.05質量の銀入り銅合金;0.005~0.02質量のインジウム入り銅合金;0.005~0.02質量のクロム入り銅合金;錫、銀、インジウム、及びクロムの群から選ばれる一種以上を合計で0.05質量以下含む銅合金等が挙げられ、中でも、導電性に優れたものとして002質量銀入り銅がよく用いられる。6銅箔の製造方法次に、本発明の圧延銅箔の製造方法の一例について説明する。まず、銅及び必要な合金元素、さらに不可避不純物からなる鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で所定厚みに仕上げる。最終冷間圧延では、材料を繰り返し圧延機に通板パスすることで所定の厚みに仕上げる。最終圧延での総加工度を90以上とすることで、再結晶熱処理後に200面のI/I0値が50以上となる。ここで、総加工度rは、最終冷間圧延における板厚減少率であり、r=t0-t/t0×100t0:最終冷間圧延前の厚み、t:最終冷間圧延後の厚みで与えられる。なお、最終冷間圧延の直前の焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が5~20μmになるよう焼鈍条件を調整すると、高いI/I0値がより安定して得られる。最終冷間圧延の総加工度は995以下とすることが好ましく、より好ましくは990以下であり、さらに好ましくは980以下である。総加工度を低くすることで、オイルピットの深さを抑制できる。総加工度が99.5を超えると、dを2μm以下に調整することが難しくなる。また、最終圧延での総加工度は90以上とすることが好ましい、総加工度が90未満になると再結晶熱処理後の200面のI/I0値が50未満になることがある。該総加工度はより好ましくは93以上、さらに好ましくは95以上である。この最終冷間圧延において、上記のように、最終パスの手前では銅箔の表面を平滑に仕上げ、最終パスで銅箔の表面を粗く仕上げることで、10.1≧Ra≧002μm、かつSe≦20、及び/又は20.1≧Ra≧002μm、かつd≦2μmの表面が得られる。又、この最終冷間圧延において、上記のように、最終パスの手前では銅箔の表面を平滑に仕上げ、最終パスで銅箔の表面を粗く仕上げることで、d≦2μm、0.1≧Ra≧002μm、So=6~15の表面をも得られる。最終冷間圧延のすべてのパスにおいて、銅箔表面を平滑に仕上げると、d≦2μm、Ra<002μm、So<6となる。この場合、深いオイルピットが生成せず配向度が向上するが、銅箔の表面粗さが小さくなり過ぎ支持体との十分な接合強度が得られない。最終冷間圧延のすべてのパスにおいて、銅箔表面を粗く仕上げると、d>2μm、Ra>01μm、So>15となる。この場合、銅箔の表面粗さが大きいため支持体との十分な接合強度は得られるが、深いオイルピットが生成し配向度が低下する。従来は、この条件で最終圧延が行われる傾向にあった。これは、銅箔の表面粗さを小さくするために例えばロールの表面粗さを小さくすると、ロール表面と被圧延材との間でスリップが発生しやすくなり圧延速度を上げられなくなる効率が低下する等の問題が生じるためである。最終冷間圧延の最終パスの手前で銅箔の表面を粗くし、最終冷間圧延の最終パスで銅箔の表面を平滑に仕上げると、d>2μm、Ra<0.02μm、So=6~15となる。この場合、最終パスで粗度の低いロールを用いることで、最終パスの手前で形成されたオイルピットのうち銅箔表面に近い部分が最終パスで広げられて平らに近づき、表面粗さが小さくなる。しかし、オイルピット内部の狭い谷部分はそのまま残る。従って、オイルピットの表面部分の開口は狭くなってオイルピットの面積率自体は最終パスにも粗いロールを用いた場合よりも小さくなるが、最終パスの手前では粗いロールを用いているため、オイルピットにはせん断変形帯が発達してしまい、最終パス後の表面にはせん断帯を伴う深いオイルピットが残留する。このため高い配向度が得られない。なお、上記のように最終冷間圧延の各パスにおいて銅箔の表面粗さを適正化する方法として、最終パス以前のパスでは粗さが小さい表面粗さRaが例えば005μm以下ロールを用い、最終冷間圧延の最終パスでは粗さが大きいRaが例えば006μm以上ロールを用いる方法があげられる。これにより、d≦2μm、0.1≧Ra≧002μm、So=6~15の表面が得られる。ここで、ロール表面のRa中心線平均粗さは接触表面粗さ計小坂研究所製SE-3400を用い、ロールの回転軸平行方向に測定した値である。一方、最終パス以前のパスで粗さが小さいRaが例えば005μm以下ロールを用い、最終パスでも粗さが小さいRaが例えば006μm未満ロールを用いると、d≦2μm、Ra<002μm、So<6となる。最終パス以前のパスで粗さが大きいRaが例えば005μm超ロールを用い、最終パスでも粗さが大きいRaが例えば006μm以上ロールを用いると、d>2μm、Ra>01μm、So>15となる。最終パス以前のパスで粗さが大きいRaが例えば005μm超ロールを用い、最終パスで粗さが小さいRaが例えば006μm未満ロールを用いると、d>2μm、Ra<002μm、So=6~15となる。ここで、最終冷間圧延工程の最終パスより前のパスにおいて、粗さが小さい表面粗さRaが例えば005μm以下ロールを用いることで、最終冷間圧延の銅箔表面が平滑となる。具体的には、最終冷間圧延工程の最終パスの1パス前の段階で、表面粗さRaが002μm~005μmであるとよい。Raがこの範囲であるような表面状態のもとで最終パスの圧延を行えば、最終パスで銅箔の表面を粗くしても、形成されたオイルピットにせん断帯が導入され難くなるので好ましい。圧延後の銅箔の表面粗さを小さくする方法として、粗さが小さいロールを用いる以外に、最終冷間圧延における1パス加工度を大きくする方法等もある。圧延後の銅箔の表面粗さを大きくする方法として、粗さが大きいロールを用いる以外に、粘度の高い圧延油を用いる方法等もある。また、上記には、最終の1パスのみで銅箔表面を粗く仕上げる方法を例示したが、最終の2パスで銅箔表面を粗く仕上げることにより、10.1≧Ra≧002μm、かつSe≦20、及び/又は20.1≧Ra≧002μm、かつd≦2μmの表面を得ることも可能であり、さらにd≦2μm、0.1≧Ra≧002μm、So=6~15を得ることも可能である。ただし、最終の1パスのみを調整する方が、条件の調整が容易なため好ましい。一方、最終冷間圧延の最終3パス以前から銅箔表面を粗く仕上げると、d>2μm、So>15となる。表1に示す組成の元素を添加したタフピッチ銅又は無酸素銅を原料としてインゴットを鋳造し、800~900°Cで厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で表1に記載の厚みに仕上げた。なお、表1の組成の欄において、例えば002Ag添加TPCは、JISH3100合金番号C1100のタフピッチ銅TPCに0.02質量のAgを添加したこと意味し、001Ag0005Sn添加OFCはJISH3100合金番号C1020の無酸素銅OFCに0.01質量のAg及び0.005質量のSnを添加したことを意味する。但し、実施例6のみ無酸素銅としてJISH3510合金番号C1011に規格されている無酸素銅OFCを用い、実施例4、5、8、9は無酸素銅としてJISH3100合金番号C1020に規格されている無酸素銅OFCを用いた。なお、最終冷間圧延は10~15パスで行い、表1に示すように、最終パスの手前までのロールの表面粗さ、及び最終パスのロールの表面粗さを変えて圧延を行った。最終圧延の1パス目から最終パスの手前までのロールの表面粗さはすべて同じである。このようにして得られた各銅箔試料について、諸特性の評価を行った。1表面粗さRa中心線平均粗さコンフォーカル顕微鏡レーザーテック社製、型番:HD100Dを用い、最終圧延後の銅箔表面の圧延方向に平行な175μmの長さにつき、表面の凹凸プロファイルを測定した。そして、このプロファイル上でJISB0601に準じRaを算出した。また、最終パス前の銅箔表面についても、上記測定と同様の方法で、Raを求めた。2立方体集合組織得られた各銅箔を、再結晶配向化熱処理を模し95窒素と5水素からなる雰囲気中700°Cで30分間加熱した。その後、圧延面のX線回折で求めた200面回折ピーク強度の積分値Iを求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅関東化学株式会社製、325mesh、>99.5銅粉末の200面回折ピーク強度の積分値I0で割り、I/I0値を計算した。測定装置にはRINT2500株式会社リガク製を用い、X線源にはCoを用いた。3オイルピットの最大深さ平均値dコンフォーカル顕微鏡レーザーテック社製、型番:HD100Dを用い、図3に示すように、最終圧延後の銅箔表面の圧延平行方向RDに長さ175μmで、かつ圧延直角方向TDにそれぞれ50μm以上離れた3本の直線上で、最大高さHMと最小高さHSとの差diをそれぞれ求め、各直線のdiを平均してdとした。4EBSDによる方位差得られた各銅箔を、再結晶配向化熱処理を模し95窒素と5水素からなる雰囲気中700°Cで30分間加熱した。加熱後の銅箔表面を電解研磨した後、EBSD後方散乱電子線回析装置、日本電子株式会社JXA8500Fを用い、加速電圧20kV、電流2×10-8A、測定範囲1000μm×1000μm、ステップ幅5μmの条件で、結晶方位分布を測定した。そして、[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率を画像解析で求めた。なお、図4は実施例1の表面の光学顕微鏡像を示し、図5は比較例3の表面光学顕微鏡像を示す。4オイルピットの面積率試料表面をコンフォーカル顕微鏡レーザーテック社製、型番:HD100Dで300×300μmの測定視野につき測定した。測定視野内で試料を光軸方向に移動させ、銅箔表面から10nmの深さの画像これをFMS画像というを取り込んだ。そして、銅箔表面から10nmより深い部分をオイルピットとみなして、2値化処理をおこなった。その画像の例が図6及び図7であり、明るい色の部分がオイルピットである。そして測定視野300×300μmに対して、オイルピットの面積明るい色の面積を市販の画像処理ソフトを用いて面積を求め、オイルピットの面積率を算出した。5銅箔と支持体との接合強度得られた各銅箔を、再結晶配向化熱処理として95窒素と5水素からなる雰囲気中700°Cで30分間加熱した。加熱後の銅箔と支持体SUS316のステンレス鋼、厚み0.1mmとを、所定の真空装置内に設置し、各接合面にアルゴンイオンビームエッチングを施して清浄化した。その後、真空装置内で銅箔と支持体を積層して加圧し、超電導膜形成用配向板を得た。次に、PC-TM-650に準拠し、引張り試験機株式会社島津製作所製オートグラフAGS-Xで常態接合強度を測定し、接合強度が12N/mmを超えたものを◎、12N/mm以下で10N/mmを越えたものを○、10N/mm以下で08N/mmを越えたものを△、08N/mm以下のものを×とした。6超電導膜の特性臨界電流密度Jc上記5で得られた超電導膜形成用配向板の銅箔面に、バリア層としてNiめっき層を2μm電気めっきし、バリア層上にTFAMODMetalOrganicDepositionusingTrifluoroacetates法により、YBCO膜からなる超電導膜を形成した。そして、77K、自己磁界中で直流4端子法により、1μV/cmの電圧基準で臨界電流密度Jcを測定した。なお、Jcが100000A/cm2を超える場合を◎、10000A/cm2を超えて100000A/cm2以下の場合を○、100A/cm2を超えて10000A/cm2以下の場合を△、100A/cm2以下の場合を×として表した。得られた結果を表1に示す。表1から明らかなように、各実施例の場合、I/I0が50以上となり、またdが2μm以下のため[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20以下となり、さらに最終圧延後の銅箔表面のRaが0.02~0.1μmとなったため、超電導膜の特性臨界電流密度が向上し、支持体との接合強度も優れていた。又、オイルピットの面積率は6~15であった。なお、各実施例では、最終圧延において、総加工度を90.0~99.5に調整し、最終パスの手前までRaが0.05μm以下の平滑なロールを用い、最終パスでRaが0.06μm以上の粗いロールを用いた。また、最終パス前の銅箔表面のRaは0.02~0.05μmであった。一方、最終冷間圧延において、最終パスの手前までのロールのRaを0.05μm以下とし最終パスのロールのRaを0.06μm未満としたすべてのパスで平滑なロールを使用した比較例1の場合、最終圧延後の銅箔のRaが0.02μm未満となり、オイルピットの面積率が6未満に低下したため、銅箔表面が平滑になり過ぎ支持体との接合強度に劣った。最終冷間圧延での総加工度が90.0未満である比較例5の場合、I/I0が50未満となり、[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒が20を超えた。このため、超電導膜の特性が低下した。最終冷間圧延において、最終パスの手前までRaが0.05μm超の粗いロールを用い、最終パスでRaが0.06μm未満の平滑なロールを用いた比較例2、4、7の場合、最終パス前の銅箔表面のRaが0.05μmを超え、最終圧延後の銅箔表面のRaが0.02μm未満となり、dが2μmを超え、[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒が20を超えた。特に比較例7は比較例2、4に比べdの値が大きく、I/I0も50未満となった。そのため、比較例2、4、7では、超電導膜の特性が低下し、支持体との接合強度も劣った。最終冷間圧延での圧延加工度が99.5を超えた比較例6の場合、dが2μmを超え、100方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20を超えたため、超電導膜の特性が低下した。最終冷間圧延において、最終パスの手前までのロールのRaを0.05μm超とし最終パスのロールのRaを0.06μm以上としたすべてのパスで粗いロールを使用した比較例3、8の場合、最終パス前の銅箔表面のRaが0.05μmを超え、最終圧延後の銅箔表面のRaが0.1μmを超え、dが2μmを超え、オイルピットの面積率が15を超え、[100]方位からの角度差が15度以上の結晶粒の面積率が20を超えた。特に比較例8は比較例3に比べdの値が大きく、I/I0が50未満となった。そのため、比較例3、8では、超電導膜の特性が低下した。