基板上の被エッチング層上で、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有する第1オーバーレイバーニアマスクパターンと、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上に配置され、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンと、を含むことを特徴とする半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記被エッチング層は、アモルファスカーボン層ACL及びシリコン酸窒化SiON層を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、ポリシリコン層からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部は、ボックス形状からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第2開口部は、前記第1開口部の各辺と並んで配置されるバー形状からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、スピンオンコーティングSOCによって形成された絶縁層を含むことを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの一部は、前記第1開口部と第2開口部との間の第1オーバーレイバーニアマスクパターンと重なるように配置されることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイバーニアマスクパターン。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、前記第1領域内に配置されることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイバーニアマスクパターン。セル領域及びオーバーレイバーニア領域を有する基板と、前記基板上に配置される被エッチング層と、前記セル領域の被エッチング層上に交互に配置される第1セルマスクパターン及び第2セルマスクパターンと、前記オーバーレイバーニア領域の被エッチング層上で、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有する第1オーバーレイバーニアマスクパターンと、前記オーバーレイバーニア領域の第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上に配置され、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンと、を含むことを特徴とする半導体素子。前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、同じ物質層パターンからなることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、ポリシリコン層パターンからなることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。前記第2セルマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、同じ物質層パターンからなることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。前記第2セルマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、SOC層パターンを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。ダブルパターニング工程の第1パターニング工程を行い、基板上の被エッチング層上に第1オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有するようにするステップと、前記ダブルパターニング工程の第2パターニング工程を行い、第2オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上で前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有するようにするステップと、を含むことを特徴とする半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターンの形成方法。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部は、ボックス構造に形成し、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第2開口部及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、バー構造に形成することを特徴とする請求項14に記載の半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターンの形成方法。セル領域及びオーバーレイバーニア領域を有する基板上に被エッチング層を形成するステップと、前記被エッチング層上に第1マスク層を形成するステップと、ダブルパターニング工程の第1パターニング工程により前記第1マスク層をパターニングし、前記セル領域及びオーバーレイバーニア領域にそれぞれ第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有するようにするステップと、前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンの上に第2マスク層を形成するステップと、前記ダブルパターニング工程の第2パターニング工程により前記第2マスク層をパターニングし、前記セル領域には、第1セルマスクパターンと交互に配置される第2セルマスクパターンが形成されるようにし、前記オーバーレイバーニア領域には、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンが形成されるようにするステップと、前記第1セルマスクパターン、第2セルマスクパターン、第1オーバーレイバーニアマスクパターン、及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンをエッチングマスクとして前記被エッチング層の露出部分を除去し、前記セル領域及びオーバーレイバーニア領域にそれぞれセルマスクパターン及びオーバーレイバーニアパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。前記被エッチング層は、アモルファスカーボン層、第1シリコン酸窒化層、第1ポリシリコン層、及び第2シリコン酸窒化層を順次に積層して形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の形成方法。前記第1マスク層は、前記第2シリコン酸窒化層と十分なエッチング選択比を有する物質で形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の形成方法。前記第1マスク層は、第2ポリシリコン層で形成することを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の形成方法。前記第2マスク層は、前記第2シリコン酸窒化層と十分なエッチング選択比を有する物質で形成することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の形成方法。前記第2マスク層は、アモルファスカーボン層を含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体素子の形成方法。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部及び第2開口部は、それぞれボックス構造及びバー構造からなることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の形成方法。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、バー構造からなることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の形成方法。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部と重なることを特徴とする請求項16に記載の半導体素子の形成方法。本発明が解決しようとする課題は、ダブルパターニング技術を適用して三重キーの方法を利用する場合、下部の第1オーバーレイバーニアマスクパターンによる第1オーバーレイバーニアパターンと、上部の第2オーバーレイバーニアマスクパターンによる第2オーバーレイバーニアパターンとが正常に形成されるようにする半導体素子のオーバーレイバーニアマスクパターンとその形成方法を提供することである。本発明が解決しようとする他の課題は、オーバーレイバーニアパターンを含む半導体素子とその形成方法を提供することである。本発明の一形態にかかるオーバーレイバーニアマスクパターンは、基板上の被エッチング層上で、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有する第1オーバーレイバーニアマスクパターンと、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上に配置され、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンと、を含む。前記被エッチング層は、アモルファスカーボン層ACL及びシリコン酸窒化SiON層を含むことができる。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、ポリシリコン層からなることができる。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部は、ボックス形状からなることができる。この場合、第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第2開口部は、第1開口部の各辺と並んで配置されるバー形状からなることができる。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、スピンオンコーティングSOCによって形成された絶縁層を含むことができる。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの一部は、第1開口部と第2開口部との間の第1オーバーレイバーニアマスクパターンと重なるように配置可能である。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、第1領域内に配置可能である。本発明の一形態にかかる半導体素子は、セル領域及びオーバーレイバーニア領域を有する基板と、前記基板上に配置される被エッチング層と、前記セル領域の被エッチング層上に交互に配置される第1セルマスクパターン及び第2セルマスクパターンと、前記オーバーレイバーニア領域の被エッチング層上で、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有する第1オーバーレイバーニアマスクパターンと、前記オーバーレイバーニア領域の第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上に配置され、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンと、を含む。前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、同じ物質層パターンからなることができる。前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、ポリシリコン層パターンからなることができる。前記第2セルマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、同じ物質層パターンからなることができる。前記第2セルマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、SOC層パターンを含むことができる。本発明の一形態にかかるオーバーレイバーニアマスクパターンの形成方法は、ダブルパターニング工程の第1パターニング工程を行い、基板上の被エッチング層上に第1オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有するようにするステップと、前記ダブルパターニング工程の第2パターニング工程を行い、第2オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び被エッチング層の上で前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有するようにするステップと、を含む。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部は、ボックス構造に形成し、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第2開口部及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、バー構造に形成することができる。本発明の一形態にかかる半導体素子の形成方法は、セル領域及びオーバーレイバーニア領域を有する基板上に被エッチング層を形成するステップと、前記被エッチング層上に第1マスク層を形成するステップと、ダブルパターニング工程の第1パターニング工程により前記第1マスク層をパターニングし、前記セル領域及びオーバーレイバーニア領域にそれぞれ第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンを形成するが、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、前記被エッチング層の第1領域を露出させる第1開口部、及び前記第1領域から離隔する第2領域を露出させる第2開口部を有するようにするステップと、前記第1セルマスクパターン及び第1オーバーレイバーニアマスクパターンの上に第2マスク層を形成するステップと、前記ダブルパターニング工程の第2パターニング工程により前記第2マスク層をパターニングし、前記セル領域には、第1セルマスクパターンと交互に配置される第2セルマスクパターンが形成されるようにし、前記オーバーレイバーニア領域には、前記第2開口部を露出させ、かつ前記第1領域内の被エッチング層の一部を露出させる開口部を有する第2オーバーレイバーニアマスクパターンが形成されるようにするステップと、前記第1セルマスクパターン、第2セルマスクパターン、第1オーバーレイバーニアマスクパターン、及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンをエッチングマスクとして前記被エッチング層の露出部分を除去し、前記セル領域及びオーバーレイバーニア領域にそれぞれセルマスクパターン及びオーバーレイバーニアパターンを形成するステップと、を含む。前記被エッチング層は、アモルファスカーボン層、第1シリコン酸窒化層、第1ポリシリコン層、及び第2シリコン酸窒化層を順次に積層して形成することができる。前記第1マスク層は、前記第2シリコン酸窒化層と十分なエッチング選択比を有する物質で形成することができる。この場合、前記第1マスク層は、第2ポリシリコン層で形成することができる。前記第2マスク層は、前記第2シリコン酸窒化層と十分なエッチング選択比を有する物質で形成することができる。この場合、前記第2マスク層は、アモルファスカーボン層を含むことができる。前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部及び第2開口部は、それぞれボックス構造及びバー構造からなることができる。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、バー構造からなることができる。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部は、前記第1オーバーレイバーニアマスクパターンの第1開口部と重なることができる。本発明によれば、第1オーバーレイバーニアマスクパターンの開口部と第2オーバーレイバーニアマスクパターンとが重ならず、さらに、第1オーバーレイバーニアマスクパターンと第2オーバーレイバーニアマスクパターンとが重ならないため、オーバーレイバーニアパターン形成のためのエッチングが正常に行われることが可能になるという利点がある。本発明にかかるオーバーレイバーニアマスクパターンは、第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンを含む。第1オーバーレイバーニアマスクパターンは、ダブルパターニング技術DPTを用いたパターニングを行うにあたり、1回目のパターニング時に形成されたパターンであり、第2オーバーレイバーニアマスクパターンは、2回目のパターニング時に形成されたパターンである。したがって、第1オーバーレイバーニアマスクパターンが先に形成された後に、第2オーバーレイバーニアマスクパターンが形成される。第1オーバーレイバーニアマスクパターンの平面構造が図1に示されており、第2オーバーレイバーニアマスクパターンの平面構造は図2に示されている。そして、図3は、図1の切断線A-A’断面図であって、第1オーバーレイバーニアマスクパターンのみを示す断面図である。また、図4は、図2の切断線A-A’断面図であって、第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンの両方を示す断面図である。第1オーバーレイバーニアマスクパターン210は、図1及び図3に示すように、下部層130の第1領域210aを露出させる第1開口部211、及び下部層130の第2領域210bを露出させる第2開口部212を有する。ここで、第1オーバーレイバーニアパターンが形成される領域が第2領域210bであり、第1領域210aは、第2オーバーレイバーニアパターンが形成される領域を含む領域である。一例において、第1領域210aを露出させる第1開口部211は、ボックスbox形状を有し、第2領域210bを露出させる第2開口部212は、バーbar形状を有する。第2開口部212は、第1開口部211の各辺に沿って長く配置され、第1開口部211とは一定間隔離隔する。このようなバー形状の第2開口部212の幅W1は、略0.1μm~3μmの大きさに設定することができる。そして、第2開口部212の長さは、第1開口部211の辺の長さと実質的に等しく設定することができる。第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の下に配置される下部層130は、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210をエッチングマスクとしたエッチング工程により一部が除去され、オーバーレイバーニアパターンが設けられる対象であって、複数の層が積層される構造からなる。下部層130は、パターン対象層120上に配置される。パターン対象層120は、最終的にパターニングされる層であってもよいが、場合によっては、ハードマスク層であってもよい。一例において、パターン対象層120は、ビットラインをパターニングするためのハードマスク層であり得るが、ここで、パターン対象層120と基板110との間には、層間絶縁層図示せず及びビットライン図示せずが配置される。一例において、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210は、ポリシリコン層からなる。第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、図2及び図4に示すように、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210及び下部層130の上に配置される。第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第1開口部211は覆い、かつ第2開口部212は露出させるボックス構造からなる。前記第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、ボックス内において各辺に沿って長く配置されるバー形状の開口部224を有する。したがって、この開口部224は、第1領域210a内に配置され、第1領域210a内で下部層130の一部の表面を露出させる。また、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第2開口部212が露出するように第2オーバーレイバーニアマスクパターン220が配置されることにより、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第2開口部212によって露出した第2領域210bの下部層130の表面は依然露出した状態を維持する。したがって、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210及び第2オーバーレイバーニアマスクパターン220をエッチングマスクとして下部層130に対するエッチング工程を行う場合、第1オーバーレイバーニアパターンが形成される第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第2開口部212による露出部分に対してエッチングが正常に行われる。同様に、第2オーバーレイバーニアパターンが形成される第2オーバーレイバーニアマスクパターン220の開口部224による露出部分に対してもエッチングが正常に行われる。第2オーバーレイバーニアマスクパターン220の開口部224と縁との間の幅W2は、略0.1μm~3μmの大きさに設定することができる。図5は、本発明にかかるオーバーレイバーニアマスクパターンをセルマスクパターンとともに示す断面図である。図5を参照すると、セル領域101及びオーバーレイバーニア領域102を有する基板110上にパターン対象層120及び下部層130が順次に配置される。下部層130は、複数の層が積層される構造からなる。下部層130は、セル領域101に形成される第1セルハードマスクパターン及び第2セルハードマスクパターンと、オーバーレイバーニア領域102に形成される第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンと、をエッチングマスクとして用いたエッチング工程によりエッチングされる被エッチング層である。一例において、下部層130は、アモルファスカーボン層ACL、第1シリコン酸窒化層、第1ポリシリコン層、及び第2シリコン酸窒化層が順次に積層される構造を有する。セル領域101には、第1セルマスクパターン510及び第2セルマスクパターン520が交互に配置される。第1セルマスクパターン510は、ポリシリコン層パターンからなる。第2セルマスクパターン520は、SOC層パターン521及び第3シリコン酸窒化層パターン522が順次に積層された構造からなる。オーバーレイバーニア領域102には、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210及び第2オーバーレイバーニアマスクパターン220が配置される。第1オーバーレイバーニアマスクパターン210は、第1セルマスクパターン510と同じポリシリコン層パターンからなる。第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、第2セルマスクパターン520と同様に、SOC層パターン221及び第3シリコン酸窒化層パターン222が順次に積層された構造からなる。セル領域101の第1セルマスクパターン510とオーバーレイバーニア領域102の第1オーバーレイバーニアマスクパターン210は、ダブルパターニング工程の第1パターニング工程により形成される。そして、セル領域101の第2セルマスクパターン520とオーバーレイバーニア領域102の第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、ダブルパターニング工程の第2パターニング工程により形成される。通常、第1セルマスクパターン510及び第2セルマスクパターン520は、バー形状からなるが、必ずしもこれに限定されるものではない。第1オーバーレイバーニアマスクパターン210及び第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、図1~図4を参照して説明したのと同様の形状からなる。図6~図12は、本発明の一形態にかかるオーバーレイバーニアマスクパターンの形成方法と、オーバーレイバーニアマスクパターンを用いてオーバーレイバーニアパターンを形成する方法を説明するための断面図である。図6~図12において、図1~図5と同一の参照符号は同一の要素を表す。まず、図6に示すように、セル領域101及びオーバーレイバーニア領域102を有する基板110上にパターン対象層120を形成する。基板110のセル領域101は、ダブルパターニング技術DPTによって形成されるセルパターンが配置される領域である。基板110のオーバーレイバーニア領域102は、ダブルパターニング技術DPTによって形成されるオーバーレイバーニアパターンが配置される領域である。一例において、パターン対象層120は窒化層であるが、これに限定されるものではない。図示していないが、基板110とパターン対象層120との間には、他の物質層、例えば、ビットライン金属層図示せずが配置されていてもよい。この場合、パターン対象層120は、ビットライン金属層パターニングのためのハードマスク層として用いられる。パターン対象層120を形成した後は、その上に下部層130を形成する。この下部層130は、セル領域101に形成される第1セルハードマスクパターン及び第2セルハードマスクパターンと、オーバーレイバーニア領域102に形成される第1オーバーレイバーニアマスクパターン及び第2オーバーレイバーニアマスクパターンをエッチングマスクとして用いたエッチング工程によりエッチングされる被エッチング層である。下部層130は、複数の層からなるが、本例においては、アモルファスカーボン層ACL131と、第1シリコン酸窒化SiON層132と、第1ポリシリコン層133と、第2シリコン酸窒化SiON層134とが順次に積層される構造として下部層130を形成する。一例において、アモルファスカーボン層ACL131は、略2000Åの厚さに形成する。第1シリコン酸窒化層132と第1ポリシリコン層133は、それぞれ略400Åの厚さに形成する。第2シリコン酸窒化層134は、略300Åの厚さに形成する。下部層130を形成した後は、下部層130上に第1マスク層210’を形成する。第1マスク層210’は、第2シリコン酸窒化層134と十分なエッチング選択比を有する物質で形成する。これは、後続のエッチング工程において、第2シリコン酸窒化層134の露出部分がエッチングされている間、第1マスク層210’がエッチングバッファ層として作用しなければならないからである。一例において、第1マスク層210’は、略300Åの厚さのポリシリコン層で形成する。次に、第1マスク層210’上に第1反射防止層311を形成する。次に、第1反射防止層311上に第1フォトレジストパターン411を形成する。セル領域101に形成された第1フォトレジストパターン411は、セルパターン形成のための第1セルマスクパターンを設けるためのものであり、オーバーレイバーニア領域102に形成された第1フォトレジストパターン411は、第1オーバーレイバーニアマスクパターンを設けるためのものである。第1フォトレジストパターン411は、第1反射防止層311上にフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層に対する露光及び現像を行うことによって形成することができる。次に、第1フォトレジストパターン411をエッチングマスクとして第1反射防止層311及び第1マスク層210’の露出部分を順次にエッチングする。そして、第1フォトレジストパターン411を除去する。フォトレジストパターン411を除去する過程で残る第1反射防止層311もともに除去される。エッチングの結果、図7に示すように、セル領域101には、第1セルマスクパターン510が設けられ、オーバーレイバーニア領域102には、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210が設けられる。セル領域101に形成された第1セルマスクパターン510は、下部の第2シリコン酸窒化層134の一部の表面を露出させる開口部512を有するが、この開口部512によって露出する領域内に後続の第2パターニング工程により形成される第2セルマスクパターンが配置される。また、オーバーレイバーニア領域102に形成された第1オーバーレイバーニアマスクパターン210は、下部の第2シリコン酸窒化層134の一部の表面を露出させる第1開口部211及び第2開口部212を有するが、このうち、第2開口部212とは重ならず、かつ第1開口部211とは重なる領域に後続の第2パターニング工程により形成される第2オーバーレイバーニアマスクパターンが配置される。第1セルマスクパターン510及び第1オーバーレイバーニアマスクパターン210を形成した後は、図8に示すように、全面に第2マスク層220’を形成する。第2マスク層220’は、第2シリコン酸窒化層134と十分なエッチング選択比を有していなければならず、また、第1セルマスクパターン510及び第1オーバーレイバーニアマスクパターン210とも十分なエッチング選択比を有する物質を含まなければならない。これは、後続のエッチング工程において、第2シリコン酸窒化層134の露出部分がエッチングされている間、第2マスク層220’も、第1マスク層210’と同様に、エッチングバッファ層として作用しなければならないからである。また、第2マスク層220’を除去する過程において、第1セルマスクパターン510及び第1オーバーレイバーニアマスクパターン210への影響はほとんどないようにしなければならない。第1セルマスクパターン510及び第1オーバーレイバーニアマスクパターン210をポリシリコン層で形成する場合、第2マスク層220’は、略1000Åの厚さのSOC層221’及び略300Åの厚さの第3シリコン酸窒化層222’が順次に積層された構造に形成することができる。次に、第2マスク層220’上に第2反射防止層312を形成し、その上に第2フォトレジストパターン412を形成する。セル領域101に形成された第2フォトレジストパターン412は、第2セルマスクパターンを形成するためのものであり、オーバーレイバーニア領域102に形成された第2フォトレジストパターン412は、第2オーバーレイバーニアマスクパターンを設けるためのものである。次に、第2フォトレジストパターン412をエッチングマスクとして第2反射防止層312及び第2マスク層220’の露出部分を順次にエッチングする。そして、第2フォトレジストパターン412を除去する。フォトレジストパターン412を除去する過程で残る第2反射防止層312もともに除去される。エッチングの結果、図9に示すように、セル領域101には、第2セルマスクパターン520が設けられ、オーバーレイバーニア領域102には、第2オーバーレイバーニアマスクパターン220が設けられる。第2セルマスクパターン520は、SOC層パターン521及び第3シリコン酸窒化層パターン522が順次に積層される構造を有する。同様に、第2オーバーレイバーニアマスクパターン220も、SOC層パターン221及び第3シリコン酸窒化層パターン222が順次に積層される構造を有する。セル領域101に形成された第2セルマスクパターン520は、第1セルマスクパターン510とセル領域101内で交互に配置される。第2オーバーレイバーニアマスクパターン220は、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第2開口部212を露出させ、かつ第1オーバーレイバーニアマスクパターン210の第1開口部211と重なる開口部224を有する。次に、第1セルマスクパターン510、第2セルマスクパターン520、第1オーバーレイバーニアマスクパターン210、及び第2オーバーレイバーニアマスクパターン220をエッチングマスクとして第2シリコン酸窒化層134の露出部分を除去することにより、図10に示すように、第2シリコン酸窒化層パターン139を形成する。第2シリコン酸窒化層パターン139が形成される過程において、セル領域101内のSOC層パターン521上にあった第3シリコン酸窒化層パターン522と、オーバーレイバーニア領域102内のSOC層パターン221上にあった第3シリコン酸窒化層パターン222とは除去される。次に、セル領域101内のSOC層パターン521及びオーバーレイバーニア領域102内のSOC層パターン221を除去することにより、図11に示すように、セル領域101内でSOC層パターン521によって覆われていた第2シリコン酸窒化層パターン139を露出させ、同時に、オーバーレイバーニア領域102内でもSOC層パターン221によって覆われていた第1オーバーレイバーニアマスクパターン210及び第2シリコン酸窒化層パターン139を露出させる。次に、図12に示すように、第2シリコン酸窒化層パターン139をエッチングバッファ層としたエッチングを行い、第1ポリシリコン層133の露出部分を除去する。これにより、第2シリコン酸窒化層パターン139の下部には、第1ポリシリコン層パターン138が配置される。第1セルマスクパターン510及び第1オーバーレイバーニアマスクパターン210はいずれもポリシリコン層であるため、第1ポリシリコン層133の露出部分を除去するエッチング過程において、セル領域101内で第2シリコン酸窒化層パターン139上にあった第1セルマスクパターン510と、オーバーレイバーニア領域102内で第2シリコン酸窒化層パターン139上にあった第1オーバーレイバーニアマスクパターン210とはすべて除去される。続いて、第1ポリシリコン層パターン138をエッチングバッファ層としたエッチングを行い、第1シリコン酸窒化層132の露出部分を除去する。これにより、第1ポリシリコン層パターン138の下部には、第1シリコン酸窒化層パターン137が配置される。第1シリコン酸窒化層132の露出部分を除去する過程において、第1ポリシリコン層パターン138の上部にあった第2シリコン酸窒化層パターン139は除去される。続いて、第1ポリシリコン層パターン138及び第1シリコン酸窒化層パターン137をエッチングマスクとしたエッチングによってアモルファスカーボン層131の露出部分を除去し、アモルファスカーボン層パターン136を形成する。これにより、セル領域101には、アモルファスカーボン層パターン136、第1シリコン酸窒化層パターン137、及び第1ポリシリコン層パターン138からなるセルマスクパターン530が形成される。同様に、オーバーレイバーニア領域102には、アモルファスカーボン層パターン136、第1シリコン酸窒化層パターン137、及び第1ポリシリコン層パターン138が順次に積層されたオーバーレイバーニアパターン230が形成される。オーバーレイバーニアパターン230は、第1オーバーレイバーニアマスクパターン図9の210の第2開口部図9の212に対応する開口部231、及び第2オーバーレイバーニアマスクパターン図9の220の開口部図9の224に対応する開口部232を有し、これらの開口部231、232は、それぞれ第1主尺パターン及び第2主尺パターンとして機能する。図13は、本発明により形成されたオーバーレイバーニアパターンを用いてレジストレーションする過程を説明するための図である。図13を参照すると、第1オーバーレイ主尺910は、ダブルパターニング工程の第1パターニング工程により形成される第1オーバーレイバーニアマスクパターン図1の210をエッチングマスクとしたエッチングによって形成されるため、第1オーバーレイバーニアマスクパターン図1の210と同じ形状に形成される。同様に、第2オーバーレイ主尺920は、ダブルパターニング工程の第2パターニング工程により形成された第2オーバーレイバーニアマスクパターン図3の220をエッチングマスクとしたエッチングによって形成されるため、第2オーバーレイバーニアマスクパターン図3の220と同じ形状に形成される。次に、後続工程により上部に形成される他の層のオーバーレイ副尺930は、通常、ボックス形状に形成される。このように、第1オーバーレイ主尺910、第2オーバーレイ主尺920、及びオーバーレイ副尺930をそれぞれ形成した後に、図中の参照符号940で表したように相互重ねることにより、その結果から、各層間の整列関係を把握することができる。すなわち、オーバーレイ副尺930のボックスパターン931と第1オーバーレイ主尺910のバーパターン911との間の間隔を測定するか、またはオーバーレイ副尺930のボックスパターン931と第2オーバーレイ主尺920のバーパターン921との間の間隔を測定することにより、第1パターニング工程及び第2パターニング工程により形成されたパターンの位置を把握することができ、また、後続工程により形成された層との整列関係も把握することができる。