基板に形成された整列マークを検出するための検出部と、前記基板に配置される基準露光マスクに関する基準座標データ及び基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数が保存されている保存部と、前記検出部により検出された整列マークに関する実際座標データを算出し、前記算出された実際座標データと前記基準座標データとを比較して基板変形量を演算し、前記基板変形量とマッチされる露光領域分割数を前記保存部から抽出して、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成する制御部と、前記制御部により生成された露光マスクを利用して露光を行う露光部と、を含む露光システム。前記基板が載置されるステージstageをさらに含む請求項1に記載の露光システム。前記制御部の制御により前記ステージをX方向及びY方向に移動させる駆動部をさらに含む請求項2に記載の露光システム。前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を含む請求項1に記載の露光システム。前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離との差である距離差異値を含む請求項1に記載の露光システム。前記制御部は、前記基板変形量を基板製品毎にマッチさせて前記保存部に保存する請求項1に記載の露光システム。前記露光領域分割数は、前記基板変形量に比例する請求項1に記載の露光システム。前記検出部は、撮像素子を備えるカメラ装置を含む請求項1に記載の露光システム。前記撮像素子は、CCDChargeCoupledDeviceである請求項8に記載の露光システム。前記制御部は、前記整列マークが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して前記実際座標データを算出する請求項1に記載の露光システム。前記制御部は、前記抽出された露光領域分割数だけ前記基板の露光領域を分割し、前記基板に形成された整列マークと分割された各露光領域毎の整列マークとを整合させた露光マスクを生成して、前記露光部に伝送する請求項1に記載の露光システム。露光装置に整列マークを有する基板が提供される段階と、前記露光装置が前記整列マークを検出し、検出された整列マークに関する実際座標データを算出する段階と、前記算出された実際座標データと前記基板に配置される基準露光マスクに関する基準座標データとを比較して基板変形量を演算する段階と、既保存された情報から前記演算された基板変形量にマッチされる露光領域分割数を抽出し、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成する段階と、前記露光マスクを利用して前記基板に露光を行う段階と、を含む露光方法。前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データの各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を演算する段階を含む請求項12に記載の露光方法。前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データの各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離との差である距離差異値を演算する段階を含む請求項12に記載の露光方法。前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データと基準座標データとを比較して、基準露光マスクを実際座標データに応じて変形させた変形露光マスクを生成する段階をさらに含む請求項12に記載の露光方法。前記変形量を演算する段階の後、前記演算された基板変形量を基板製品毎にマッチさせて保存する段階をさらに含む請求項12に記載の露光方法。前記露光領域分割数は、前記基板変形量に比例する請求項12に記載の露光方法。前記実際座標データを算出する段階は、前記検出された整列マークが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して行われる請求項12に記載の露光方法。前記露光マスクを生成する段階は、前記露光領域分割数だけ前記基板の露光領域を分割した露光マスクを前記基板上に配置させる段階と、前記基板に形成された整列マークと前記露光マスクの分割領域毎の整列マークとを整合させる段階と、を含む請求項12に記載の露光方法。本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明の一側面は、基板露光時、偏心発生を最小化することができる露光システム及び露光方法を提供することである。本発明の他の側面は、基板製品毎の変形量を予測して、適切な露光領域分割数を予め適用して露光することができる露光システム及び露光方法を提供することである。本発明による露光システムは、基板に形成された整列マークを検出するための検出部と、前記基板に配置される基準露光マスクに関する基準座標データ及び基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数が保存されている保存部と、前記検出部により検出された整列マークに関する実際座標データを算出し、前記算出された実際座標データと前記基準座標データとを比較して基板変形量を演算し、前記基板変形量とマッチされる露光領域分割数を前記保存部から抽出して、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成する制御部と、前記制御部により生成された露光マスクを利用して露光を行う露光部と、を含む。この際、前記基板が載置されるステージstageをさらに含むことができ、前記制御部の制御により前記ステージをX方向及びY方向に移動させる駆動部をさらに含むことができる。また、前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を含むことができる。また、前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離との差である距離差異値を含むことができる。また、前記制御部は、前記基板変形量を基板製品毎にマッチさせて前記保存部に保存することが好ましい。前記露光領域分割数は、前記基板変形量に比例することが好ましい。前記検出部は撮像素子を備えるカメラ装置を含むことができ、前記撮像素子はCCDChargeCoupledDeviceであることができる。また、前記制御部は、前記整列マークが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して前記実際座標データを算出することができる。また、前記制御部は、前記抽出された露光領域分割数だけ前記基板の露光領域を分割し、前記基板に形成された整列マークと分割された各露光領域毎の整列マークとを整合させた露光マスクを生成して、前記露光部に伝送することができる。また、本発明による露光方法は、露光装置に整列マークを有する基板が提供される段階と、前記露光装置が前記整列マークを検出し、検出された整列マークに関する実際座標データを算出する段階と、前記算出された実際座標データと前記基板に配置される基準露光マスクに関する基準座標データとを比較して基板変形量を演算する段階と、既保存された情報から前記演算された基板変形量にマッチされる露光領域分割数を抽出し、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成する段階と、前記露光マスクを利用して前記基板に露光を行う段階と、を含む。この際、前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データの各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を演算する段階を含むことができる。また、前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データの各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離との差である距離差異値を演算する段階を含むことができる。また、前記変形量を演算する段階は、前記実際座標データと基準座標データとを比較して、基準露光マスクを実際座標データに応じて変形させた変形露光マスクを生成する段階をさらに含むことができる。また、前記変形量を演算する段階の後、前記演算された基板変形量を基板製品毎にマッチさせて保存する段階をさらに含むことができる。この際、前記露光領域分割数は、前記基板変形量に比例することが好ましい。この際、前記実際座標データを算出する段階は、前記検出された整列マークが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して行われることができる。また、前記露光マスクを生成する段階は、前記露光領域分割数だけ前記基板の露光領域を分割した露光マスクを前記基板上に配置させる段階と、前記基板に形成された整列マークと前記露光マスクの分割領域毎の整列マークとを整合させる段階と、を含むことができる。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明の一側面によると、実際基板の座標と基準座標とを比較して算出した変形量に応じて基板の露光領域を適切に分割して露光することによって、より精密に露光がなされ、偏心発生を最小化することができる効果がある。本発明の他の側面によると、基板の変形量が大きい場合には露光領域分割数を増加させ、変形量が小さい場合には露光領域分割数を減少させて適用して露光することにより、整合力を向上させるとともに、作業時間を効率的に管理することができる効果がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第1、第2などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。露光システム図1は、本発明の好ましい一実施例による露光システムの構成を説明するために概略的に示した構成図である。以下、これを参照して、本発明の好ましい実施例による露光システムを説明すると次のとおりである。図1を参照すると、本発明による露光システム100は、露光部140と、検出部130と、保存部160と、制御部150と、を含む。露光部140は、露光対象基板120上に光を照射するための構成であり、光源を含んでいる。本実施例においては、前記光源としてUV光及びレーザーダイオードLaserDiodeを利用することができるが、特にこれに限定されるものではない。また、本実施例による露光部140は、前記光源、例えば、レーザーダイオードを含む露光ヘッド不図示が複数個備えられることができ、複数個の露光ヘッド不図示が一定間隔だけ互いに離隔された状態で配置されることができるが、特にこれに限定されるものではない。また、本実施例における露光部140は、前記露光ヘッド不図示を露光パターンに応じてX方向またはY方向に移動させることができる別の移動手段をさらに含むことができる。検出部130は、露光対象基板120と露光部140との間に配置され、露光対象基板120上に形成された整列マーク120aを検出するための構成である。本実施例における検出部130は、撮像素子を備えるカメラを含むことができ、前記撮像素子はCCDChargeCoupledDeviceであることができるが、特にこれに限定されず、映像が得られる手段であれば全て適用することができる。また、本実施例における検出部130は、図1に図示したように、複数個のカメラ装置が一列に備えられることができるが、これに特に限定されるものではない。また、本実施例における検出部130は、前記カメラ装置を移動させることができる別の移動手段をさらに含むことができる。保存部160は、露光対象基板120に配置される基準露光マスクに関する基準座標データと、基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数に関する情報とが保存されている構成である。ここで、前記基準露光マスクとは、図1に図示したように、変形が発生していない元状態の露光対象基板120の露光領域120bと一致するスケールを有する露光マスクであり、前記基準露光マスクに関する基準座標データは、予め基板製品毎にマッチされて保存部160に保存されていることが好ましい。また、前記基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数に関する情報は、基板が変形された量に応じて前記露光領域120bをいくつの領域に分割するかに関する情報を示す。詳細な内容は後述する。制御部150は、検出部130により検出された各整列マーク120aに関する実際座標データを算出し、前記算出された実際座標データと前記基準座標データとを比較して基板変形量を演算し、保存部160から前記基板変形量にマッチされる露光領域分割数を抽出して、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成し、生成された前記露光マスクを露光部140に伝送する。ここで、前記実際座標データは、整列マーク120aが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して算出することができ、このように基準点と移動距離を利用して座標を算出することは公知された技術であるため、詳細な説明は省略する。また、前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を含むことができる。前記座標差異値は、例えば、図3を参照すると、露光対象基板120の実際座標a ́、b ́、c ́、d ́と夫々対応する基準座標a、b、c、dとの間の座標距離を意味する。例えば、実際座標a ́とこれに対応する基準座標a、実際座標b ́とこれに対応する基準座標b、実際座標c ́とこれに対応する基準座標c、実際座標d ́とこれに対応する基準座標dとの間の座標距離を意味する。前記座標距離は、一般的に公知された座標間距離を求めるための式を利用して求めることができる。前記座標差異値は、具体的に基板のどの部分で変形が発生したかを把握するために有用なデータである。また、前記基板変形量は、前記実際座標データの各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離との差である距離差異値を含むことができる。前記距離差異値は、例えば、図3を参照すると、実際座標間の距離であるR1a ́からb ́までの距離、R2a ́からc ́までの距離、R3c ́からd ́までの距離、R4b ́からd ́までの距離、R5a ́からd ́までの距離、R6b ́からc ́までの距離とこれに夫々対応する基準座標間の距離であるS1aからbまでの距離、S2aからcまでの距離、S3cからdまでの距離、S4bからdまでの距離、S5aからdまでの距離、S6bからcまでの距離との差、即ち、R1-S1、R2-S2、R3-S3、R4-S4、R5-S5、R6-S6を演算することにより得られる。前記実際座標間の距離及び基準座標間の距離も、上述した公知された座標間距離を求めるための式を利用して求めることができる。前記距離差異値は、基板の全体スケールがどのような形態に変形されたかをモニタリングするために有用なデータである。この際、前記制御部150は、前記座標差異値及び距離差異値を含む変形量を前記保存部160に基板製品毎にマッチさせて保存することが好ましい。前記露光領域分割数とは、露光対象基板120で露光が行われる露光領域120bを分割した数を示し、図4に図示したように、例えば、露光対象基板120の変形量がA、B、Cに分類される場合、変形量がA以上B以下である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は4分割、変形量がB以上C以下である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は8分割、変形量がC以上である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は16分割を割り当てることができる。この際、前記4分割、8分割、16分割は、理解を容易にするための例示であり、露光領域分割数がこれに限定されるものではない。また、露光領域が4分割、8分割、16分割に分割された例示は、夫々図5から図7に図示しており、このように、前記分割は、露光対象基板120上に形成された整列マーク120aを基準に行われることができるが、特にこれに限定されるものではない。図4に図示したように、基板変形量が小さいほど露光領域分割数は、少なくなって整合力が多少弱いが、分割された領域数が少ないため整合時間が短くなり、これにより作業時間が減少するため、作業効率が高いという長所がある。また、基板変形量が大きいほど露光領域分割数は多くなって整合力がよくなるが、分割された領域数が多いため整列時間が長くなり、これにより作業時間が増加するため、作業効率が多少低下するという欠点がありえる。従って、前記変形量に応じて最適の露光領域分割数を割り当てることにより、整合力に優れ、且つ、作業効率が向上するようにすることが重要である。前記基板変形量毎にマッチされる最適の露光領域分割数は、当業者が数回の試験を経て得られたデータに基づいて算出することが好ましく、基板変形量毎にマッチされる露光領域分割数に関する情報は、保存部160に予め保存しておくことが好ましい。また、制御部150は、前記演算された基板変形量にマッチされる露光領域分割数を保存部160から抽出し、前記抽出された露光領域分割数だけ前記露光対象基板120の露光領域120bを分割した後、前記露光対象基板120に形成された整列マークと各分割された露光領域毎の整列マークとを整合させた露光マスク不図示を生成し、露光部140に伝送する。露光部140は、制御部150から送信された前記露光マスク不図示を利用して露光対象基板120に露光を行う。このように、露光領域を分割し、分割された領域毎に整列マーク整合をさらに行うことによって、より精密に露光工程を行うことができる。本実施例による露光システム100は、図1に示すように、露光対象基板120が載置されるステージ110stageをさらに含むことができる。また、制御部150の制御により、前記ステージ110をX方向またはY方向に移動させる駆動部170をさらに含むことができる。本実施例においては、図1に示すように、検出部130がステージ110の上部に配置されており、露光対象基板120がステージ110上に載置されると、検出部130は固定された状態でステージ110をX方向またはY方向に移動させながら、載置された露光対象基板120をX方向またはY方向に移動させて、検出部130が露光対象基板120上の全ての整列マーク120aを検出するようにする。しかし、これと反対に、ステージ110は固定された状態で、検出部130をX方向またはY方向に移動させながら露光対象基板120上の整列マーク120aを検出することも可能である。また、本実施例においては、図1に示すように、露光部140が露光対象基板120の上部に配置されており、露光部140は、固定された状態でステージ110をX方向またはY方向に移動させながら、露光対象基板120が設定された露光パターンに沿って動くようにする。これもまた、露光対象基板120が載置されたステージ110は、固定された状態で、露光部140をX方向またはY方向に露光パターンに沿って移動させながら、露光対象基板120上の被露光層に露光工程を行うようにすることも可能である。即ち、検出部130と露光部140は、固定された状態でステージ110のみが移動するように具現してもよく、反対に、ステージ110は、固定された状態で検出部130及び露光部140が移動するように具現してもよく、または、検出部130と露光部140及びステージ110が全部移動するように具現してもよい。また、露光対象基板120は、一般的に、図1に図示したように、多数の基板ユニット125aが配置された複数のストリップ125を含む。この際、基板ユニット125aが配置されたストリップ125領域を含む領域が、露光が行われる露光領域120bであり、整列マーク120aは、露光領域120b以外の基板領域に形成されることが好ましい。また、本実施例による露光システム100は、露光工程を行うための命令が入力できる入力部不図示と、露光工程の進行状況を表示するための出力部不図示と、をさらに含むことができ、入力部不図示と出力部不図示が一体化された入出力部不図示を含むこともできるが、特にこれに限定されるものではない。露光方法図2は、本発明の好ましい一実施例による露光方法を説明するためのフローチャートである。以下、これを参照して、本発明の好ましい実施例による露光方法を説明すると次のとおりである。図2を参照すると、まず、露光対象基板120を提供するS201。前記提供される露光対象基板120上には、整列マーク120aが形成されている。本実施例における整列マーク120aは、図1に図示したように、露光対象基板120で露光が行われるストリップ125を除く領域に形成されることが好ましい。前記露光対象基板120は、図1に図示したように、多数の基板ユニット125aが配置されたストリップ125を複数個含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。前記露光対象基板120は、印刷回路基板または半導体基板であることができるが、特にこれに限定されるものではない。次に、前記提供された露光対象基板120上に形成された整列マーク120aを検出するS203。本実施例における整列マーク120aの検出は、撮像素子を備えるカメラ装置を利用して行われることができ、前記撮像素子は、CCDであることができるが、特にこれに限定されるものではない。この際、整列マーク120aの検出時、前記カメラ装置は、固定された状態で露光対象基板120を移動させてもよく、または、露光対象基板120は、固定された状態で前記カメラ装置を移動させてもよく、または、露光対象基板120及びカメラ装置両方を移動させてもよい。次に、前記検出された各整列マーク120aに関する実際座標データを算出しS205、算出された実際座標データと基準露光マスクに関する基準座標データとを比較して、基準露光マスクを実際座標データに応じて変形させた露光マスクを生成するS207。この際、前記実際座標データは、前記検出された整列マーク120aが既設定された基準点から移動した距離情報を利用して算出されることができる。このように、基準点と移動距離とを利用して座標を算出することは公知された技術であるため、詳細な説明は省略する。ここで、前記基準露光マスクは、変形が発生していない元状態の露光対象基板120で露光が行われる露光領域120bと一致するスケールを有する露光マスクを意味する。前記基準露光マスクは、予め基板製品毎の基準座標データとして、図1に図示した保存部160に保存されていることが好ましい。次に、前記算出された実際座標データと基準座標データを利用して、基板変形量を演算するS209。この際、前記基板変形量を演算する段階は、前記実際座標の各座標とこれに対応する基準座標との間の座標距離である座標差異値を演算する段階を含むことができる。前記座標差異値は、例えば、図3を参照すると、露光対象基板120の実際座標a ́、b ́、c ́、d ́とこれに夫々対応する基準座標a、b、c、dとの間の座標距離を意味する。即ち、実際座標a ́とこれに対応する基準座標a、実際座標b ́とこれに対応する基準座標b、実際座標c ́とこれに対応する基準座標c、実際座標d ́とこれに対応する基準座標dとの間の座標距離を意味する。例えば、図3において、前記実際座標a ́とこれに対応する基準座標aとの間の座標距離は、下記の式1を利用して求めることができる。他の実際座標と基準座標との間の座標距離も、下記の式1に該当座標を代入して求めることができる。上述のように求められる前記座標差異値は、具体的に基板のどの部分で変形がどの程度発生したかを把握するために有用なデータである。また、前記基板変形量を演算する段階は、前記実際座標データで各座標間の距離とこれに対応する基準座標間の距離の差である距離差異値を演算する段階を含むことができる。前記距離差異値は、例えば、図3を参照すると、実際座標間の距離であるR1a ́からb ́までの距離、R2a ́からc ́までの距離、R3c ́からd ́までの距離、R4b ́からd ́までの距離、R5a ́からd ́までの距離、R6b ́からc ́までの距離と、これに夫々対応する基準座標間の距離であるS1aからbまでの距離、S2aからcまでの距離、S3cからdまでの距離、S4bからdまでの距離、S5aからdまでの距離、S6bからcまでの距離との差、即ち、R1-S1、R2-S2、R3-S3、R4-S4、R5-S5、R6-S6を演算することにより得られる。前記各実際座標間の距離及び基準座標間の距離も、上述の式1に該当座標を代入して求めることができる。前記距離差異値は、基板の全体スケールがどのような形態に変形されたかをモニタリングするために有用なデータである。次に、前記基板変形量にマッチされる露光領域分割数を前記保存部160から抽出し、前記露光領域分割数だけ分割された露光マスクを生成するS211。前記露光領域分割数とは、露光対象基板120で露光が行われる露光領域を分割した数を示し、図4に図示したように、例えば、露光対象基板120の変形量がA、B、Cに分類される場合、変形量がA以上B以下である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は4分割、変形量がB以上C以下である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は8分割、変形量がC以上である露光対象基板120に適用される露光領域分割数は16分割を割り当てることができる。この際、前記4分割、8分割、16分割は、理解を容易にするための例示であり、露光領域分割数がこれに限定されるものではない。前記露光領域が4分割、8分割、16分割に分割された例示は、夫々図5から図7に図示している。図5から図7に図示したように、前記分割は、露光対象基板120上に形成された整列マーク120aを基準に行われることができるが、特にこれに限定されるものではない。この際、前記露光マスクを生成する段階は、前記露光領域分割数だけ前記露光対象基板120の露光領域を分割した露光マスクを前記露光対象基板120上に配置させる段階と、前記露光対象基板120に形成された整列マークと前記露光マスクの分割領域毎の整列マークとを整合させる段階と、を含むことができる。即ち、前記露光マスクの分割領域毎の整列マークを、夫々該当する露光対象基板120の整列マークと整合させることによって、より精密に整合することができる。例えば、図4に図示したように、基板変形量が小さいほど露光領域分割数は少なくなって整合力が多少弱いが、分割領域の数が少ないため整列時間が短くなり、これにより作業時間が減少するため、作業効率が高いという長所がある。また、基板変形量が大きいほど露光領域分割数は多くなって整合力がよくなるが、分割領域の数が多いため整列時間が長くなり、これにより作業時間が増加するため、作業効率が多少低下するという欠点がありえる。従って、前記基板変形量に応じて最適の露光領域分割数を割り当てることにより、整合力に優れ、且つ、作業効率が向上されるようにすることが重要である。前記基板変形量毎の最適の露光領域分割数は、当業者が数回の試験を経て得られたデータに基づいて算出することが好ましく、算出された基板変形量に対する最適の露光領域分割数は、前記基板変形量毎にマッチさせて保存部160に予め保存しておくことが好ましい。また、上記のように演算された座標差異値及び距離差異値を含む前記基板変形量も、露光対象基板120製品毎にマッチさせて保存部160に保存することが好ましい。上述したように、基板製品毎に基板変形量をマッチさせて保存し、基板変形量毎の露光領域分割数をマッチさせて保存しておくことにより、以後の同一製品の基板露光工程時、新たに変形量を算出せずに、保存されている履歴に基づいてマッチされる最適の露光領域分割数を抽出して、直ちに適用することができる。次に、前記生成された露光マスクを利用して露光工程を行うS213。露光工程は、既に当業界において公知された技術であるため、これについての詳細な説明は省略する。露光工程が行われた後には、現像工程などの追後工程が進められることができる。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による露光システム及び露光方法は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。