イオン注入システムであって、プロセスチャンバ内に配置された被加工物に、複数のイオンを注入するように設計されたイオン注入装置と、上記被加工物に上記複数のイオンが注入されている期間に亘り、上記プロセスチャンバ内の被加工物を支持するように設計された周囲温度以下の温度を有するチャックと、上記プロセスチャンバと操作可能に接続され、上記プロセスチャンバに関連したプロセス環境を、外部環境から隔離するように設計されたロードロックチャンバと、上記ロードロックチャンバの内部に上記被加工物が留まることに伴い、1つ以上の所定の波長の電磁放射を、上記被加工物に対して照射するように設計された光源と、を備えており、上記周囲温度以下の温度を有するチャックは、さらに、上記被加工物をプロセス温度に冷却するように設計されており、上記外部環境の温度は、上記プロセス温度よりも高温の外部温度であり、上記ロードロックチャンバは、上記プロセスチャンバと上記外部環境との間において上記被加工物を移動させる期間に亘り、上記被加工物を支持するように設計されたワークピースサポートを備えており、上記1つ以上の所定の波長は、上記被加工物における最大の放射エネルギーの吸収範囲に関連しており、上記光源は、上記被加工物を選択的に加熱するように設計されていることを特徴とするイオン注入システム。上記光源は、ハロゲンランプ、アーク放電ランプ、蒸気放電ランプ、白熱ランプ、蛍光ランプ、および発光ダイオードアレイのうちの1つ以上を備えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記プロセス環境は、概ね真空状態にあり、上記外部環境の圧力は、概ね大気圧であることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記1つ以上の所定の波長は、赤外光スペクトル、可視光スペクトル、および紫外光スペクトルのうちの1つ以上に含まれることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記プロセスチャンバ、ロードロックチャンバ、および外部環境の間において、上記被加工物を移動させるように設計された搬送装置をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記イオン注入装置は、イオンビームを形成するように設計されたイオン源と、上記イオンビームに対して質量分析を行うように設計されたビームラインアセンブリと、上記プロセスチャンバを備えたエンドステーションと、を備えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記周囲温度以下の温度を有するチャックは、上記外部環境の周囲露点よりも低い温度に、上記被加工物を冷却するように設計された静電チャックを備えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記ロードロックチャンバは、上記被加工物の温度を測定するように設計された、ワークピース温度監視デバイスをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。上記外部環境は、上記プロセス環境の温度よりも高温の露点を有しており、上記システムは、二次的な監視デバイスと、上記被加工物が、上記ロードロックチャンバから上記外部環境へ移された時、上記被加工物に結露が発生しない上記被加工物の温度を決定するように設計された制御器と、をさらに備えており、上記二次的な監視デバイスは、少なくとも、上記外部環境の上記外部温度を測定するために設計されており、上記制御器における決定は、少なくとも部分的には、上記ワークピース温度監視デバイスおよび二次的な温度監視デバイスからのデータに基づきなされることを特徴とする請求項8に記載のシステム。上記二次的な監視デバイスは、さらに、上記外部環境の相対湿度を測定するように設計されていることを特徴とする請求項9に記載のシステム。上記ワークピース温度監視デバイスは、上記ワークピースサポートの表面に取り付けられた熱電対を備えていることを特徴とする請求項8に記載のシステム。上記ワークピース温度監視デバイスは、上記ワークピースサポートの表面に取り付けられた光学的な温度測定装置を備えていることを特徴とする請求項8に記載のシステム。上記ワークピースサポートは、上記ワークピース温度監視デバイスに取り付けられたシュラウドを備えており、上記被加工物が上記ワークピースサポートに留まっている時、上記ワークピース温度監視デバイスは、上記1つ以上の所定の光の波長から概ね遮蔽されていることを特徴とする請求項8に記載のシステム。上記被加工物が、上記ロードロックチャンバから上記外部環境へ移された時、上記被加工物に結露が発生しない上記被加工物の温度を決定するように設計された制御器をさらに備えており、上記制御器における決定は、少なくとも部分的には、上記ワークピース温度監視デバイスからのデータに基づきなされることを特徴とする請求項8に記載のシステム。上記制御器は、さらに、光源からの上記電磁放射の量を制御するように設計されており、上記制御器における制御は、上記ワークピース温度監視デバイスからのデータにさらに基づいていることを特徴とする請求項14に記載のシステム。上記ロードロックチャンバと流体連通しているガス源をさらに備えており、上記ガス源は、上記ロードロックチャンバに乾燥ガスを流入させるように設計されていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。イオン注入における結露を抑制する装置であって、被加工物にイオンが注入されている期間に亘り、外部環境の外部温度よりも低温である所定の温度に、上記被加工物を冷却するように設計された、周囲温度以下の温度を有する静電チャックと、ロードロックチャンバと、を備えており、上記ロードロックチャンバは、プロセスチャンバから上記被加工物を受け入れ、上記被加工物を上記外部環境へ移動するように設計されており、上記ロードロックチャンバは、上記ロードロックチャンバの内部に上記被加工物が留まることに伴い、1つ以上の所定の波長の電磁放射を、上記被加工物に対して照射するように設計された光源を備えており、上記1つ以上の所定の波長は、上記被加工物における最大の放射エネルギーの吸収範囲に関連していることを特徴とするイオン注入における結露を抑制する装置。上記光源は、所定の時間内に亘り、上記外部環境の周囲露点よりも高い温度に、上記被加工物を加熱するように設計されていることを特徴とする請求項17に記載のイオン注入における結露を抑制する装置。上記光源は、ハロゲン光源、発光ダイオードアレイ、アーク放電ランプ、白熱ランプ、蛍光ランプ、および蒸気ランプのうちの1つ以上を備えていることを特徴とする請求項17に記載のイオン注入における結露を抑制する装置。上記ロードロックチャンバの内部に上記被加工物が留まることに伴い、上記被加工物の温度を測定するように設計されたワークピース温度監視デバイスをさらに備えていることを特徴とする請求項17に記載のイオン注入における結露を抑制する装置。上記被加工物が上記光源に露出されている期間に亘り、上記光源のうちの1つ以上を制御するように設計された制御器をさらに備えており、上記制御器における制御は、少なくとも部分的には、上記外部環境の周囲露点に基づいていることを特徴とする請求項17に記載のイオン注入における結露を抑制する装置。被加工物における結露を抑制するための方法であって、低温イオン注入システムのプロセス環境において、第1の所定の温度に、被加工物を冷却する工程と、1つ以上の所定の波長の電磁放射を照射するように設計された光源を有するロードロックチャンバを備える工程と、上記被加工物を、上記プロセス環境からロードロックチャンバへ移す工程と、外部環境の周囲露点よりも高温である第2の所定の温度に、被加工物を加熱するために、上記被加工物を上記光源に露出させる工程と、上記被加工物を、上記ロードロックチャンバから上記外部環境へ移す工程と、を備えており、上記1つ以上の所定の波長は、少なくとも部分的には、上記被加工物における最大の放射エネルギーの吸収範囲に基づき選択されていることを特徴とする方法。上記光源に上記被加工物が露出されることに伴い、上記被加工物の温度を測定する工程と、上記被加工物の温度が、上記第2の所定の温度に達した後に、上記被加工物を、上記ロードロックチャンバから上記外部環境へ移す工程と、をさらに備えていることを特徴とする請求項22に記載の方法。上記電磁放射は、赤外光、可視光、および紫外光のうちの1つ以上を含んでいることを特徴とする請求項22に記載の方法。上記光源は、ハロゲンランプ、アーク放電ランプ、蒸気放電ランプ、白熱ランプ、蛍光ランプ、および発光ダイオードアレイのうちの1つ以上を備えていることを特徴とする請求項22に記載の方法。上記第1の所定の温度は、上記外部環境の露点よりも低い温度であることを特徴とする請求項22に記載の方法。上記1つ以上の所定の波長は、波長スペクトルを含んでいることを特徴とする請求項22に記載の方法。