n型電極と、前記n型電極の下面に形成され、表面に光散乱構造である第1表面凹凸構造を有するn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成され、前記活性層と接していない表面に光散乱構造である第2表面凹凸構造を有するp型窒化ガリウム層と、前記第2表面凹凸構造を有するp型窒化ガリウム層の下面に形成されたp型反射電極と、前記p型反射電極の下面に形成された構造支持層と、を備え、前記第1及び第2表面凹凸構造は不規則なパターンを有することを特徴とする垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記第2表面凹凸構造は光散乱構造である多角形の凹凸形状を有し、前記第2表面凹凸構造をなす多角形が、それと隣接する多角形と前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きい間隔だけ互いに離間していることを特徴とする請求項1に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記n型電極と接する前記n型窒化ガリウム層の表面に、光散乱構造である多角形の凹凸形状の第1表面凹凸構造を有し、前記第1表面凹凸構造をなす多角形が、それと隣接する多角形と前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きい間隔だけ互いに離間していることを特徴とする請求項2に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記n型電極が、前記第1表面凹凸と重ならないことを特徴とする請求項3に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記発光源の波長は、400nmから500nmであることを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記n型電極が、前記n型窒化ガリウム層の中央部に位置することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。前記p型反射電極と前記構造支持層との間の界面に接触層を更に備えることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光側のn型窒化ガリウム層の表面及び反射側のp型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である所定形状の表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系LED素子を提供することにある。上記目的を達成すべく、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系LED素子によれば、n型電極と、前記n型電極の下面に形成されているn型窒化ガリウム層と、前記n型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成され、前記活性層と接していない表面に所定形状の第1表面凹凸構造を有するp型窒化ガリウム層と、前記第1表面凹凸構造を有するp型窒化ガリウム層の下面に形成されたp型反射電極と、前記p型反射電極の下面に形成された構造支持層と、を備える。また、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記n型電極と接触する前記n型窒化ガリウム層の表面に所定形状の第2表面凹凸構造を有することが好ましい。更に、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記第1及び第2表面凹凸が、規則性を有する凹凸構造または不規則性を有する凹凸構造からなることが好ましい。また、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記規則性を有する凹凸構造が、多角形の凹凸構造、回折凹凸構造、網状の凹凸構造及びそれらが2つ以上混合された凹凸構造で構成される群の中から選択されたいずれかの凹凸構造からなることが好ましく、前記回折凹凸構造及び前記網状の凹凸構造が、1つ以上のラインからなり、前記ラインが、直線、曲線及び単一閉曲線からなる群の中から選択されたいずれかのラインからなることが好ましい。更に、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記多角形の凹凸構造をなす多角形は、それと隣接する多角形及びLEDから放出される光の屈折特性を向上させるために、前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きい間隔だけ互いに離間していることが好ましい。また、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記回折凹凸構造及び前記網状の凹凸構造をなすラインの端部幅が、LEDから放出される光の屈折特性を向上させるために、前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きいことが好ましい。更に、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記n型電極が、前記回折凹凸構造の表面凹凸と重ならない部分に形成することが好ましい。なぜなら、前記回折凹凸構造の表面凹凸と重なる部分に形成されると、n型電極の接触面が表面凹凸によりラフネスを有することにより、電気的な特性が低下する、すなわち、n型電極を介してn型窒化ガリウム層に流れ込まれる電流の抵抗が増加するという問題が生じるからである。また、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記n型電極は、前記n型窒化ガリウム層の中央部に位置することが好ましい。これは、n型電極を介して下部半導体層に伝達される電流の分配を均一にさせるためである。また、前記本発明の垂直構造の窒化ガリウム系半導体LED素子において、前記p型反射電極と構造支持層との間の界面に接触層を更に備えて、前記p型反射電極と構造支持層との接着力を向上させることが好ましい。このように、本発明は外部量子効率を向上させるための表面凹凸を発光側の窒化ガリウム層と反射側の窒化ガリウム層とにそれぞれ備えることで、すなわち、n型電極と接するn型窒化ガリウム層の表面及びp型反射電極と接するp型窒化ガリウム層の表面にそれぞれ備えて、LEDの外部量子効率を極大化することが可能である。本発明によれば、垂直構造の窒化ガリウム系LED素子において、発光側の窒化ガリウム層の表面及び反射側の窒化ガリウム層の表面に所定形状からなる表面凹凸をそれぞれ形成することで、活性層で生成された光子の散乱特性を向上させて外部量子効率を極大化できるという効果を奏する。したがって、本発明は、垂直構造の窒化ガリウム系LED素子の外部量子効率を大きく向上させることができるので、垂直構造の窒化ガリウム系LED素子及びそれを用いた製品の品質向上に大きく貢献することができる。以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づいて詳細に説明する。図において複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して表した。明細書の全体において類似の構成要素については同一の符号を付している。以下では、本発明の一実施形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系LED素子について、図5、図6、図7A~7F、図8A~8E、図9A~9G、及び図10を参照して詳細に説明する。まず、図5及び図6を参照して、本発明の一実施形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系LED素子について詳細に説明する。図5は、本発明の一実施形態に係る垂直構造の窒化ガリウム系LED素子の構造を示す斜視図であり、図6は、図5に示した垂直構造の窒化ガリウム系LED素子の表面凹凸が配置された構造を示す平面図である。図5及び図6を参照すれば、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系LED素子の最上部には、Ti/Alなどからなるn型電極106が形成されている。前記n型電極106の下面には、n型窒化ガリウム層102が形成されており、前記n型窒化ガリウム層102は、n型導電形不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層であってもよい。また、前記n型電極106は、下部n型窒化ガリウム層102のどの部分に形成されても構わないが、前記n型電極106を介して下部n型窒化ガリウム層102に伝達される電流の分配を均一にするためには、n型窒化ガリウム層102の中央部に形成することが好ましい。特に、本実施形態では、前記n型電極106と接するn型窒化ガリウム層102の表面、すなわち、発光側の窒化ガリウム層の表面上に、図5に示すように、前記n型窒化ガリウム層102の表面の一部が所定形状に突出している第1表面凹凸300aが形成されている。前記第1表面凹凸300aは、後述する活性層で生成された光子の散乱特性を向上させて光子を外部へ効率よく放出させるためのものであり、規則性を有する凹凸構造または不規則性を有する凹凸構造で形成することができる。特に、規則性のある凹凸構造を有する場合は、多角形の凹凸構造、回折凹凸構造、網状の凹凸構造及びそれらが2つ以上混合された凹凸構造で構成される群の中から選択されたいずれかの凹凸構造からなることが好ましい。また、前記回折凹凸構造及び前記網状の凹凸構造は、1つ以上のラインからなっており、前記ラインは、直線、曲線及び単一閉曲線からなる群の中から選択された何れかのラインからなることが好ましい。また、本発明の実施形態では、ラインの端部側面の形状を四角形にしたが、これは四角形に限定されるものではなく、半球型または三角形などの多様な形状に実現できる。次に、所定形状に突出している第1表面凹凸300aの構造の具体的な種類について、図7A~7F、図8A~8E、図9A~9G及び図10を参照して説明する。<第1の変形例>図7A~7Fを参照して、本実施形態の第1の変形例に係る第1表面凹凸について詳細に説明する。図7A~7Fはそれぞれ、本実施形態の第1の変形例に係る第1表面凹凸が配置された構造の一例を示す平面図である。本発明の第1の変形例に係る第1表面凹凸300aは、図6に示すように、前記n型電極106と接するn型窒化ガリウム層102の表面に1つ以上の多角形が一定間隔を隔てて周期的に配列されるように形成された多角形の凹凸構造で形成されている。特に、前記多角形の凹凸構造をなす多角形は、それと隣接する多角形及びLEDから放出される光の屈折特性を向上させるために、前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きい間隔だけ互いに離間して配置することが好ましい。例えば、前記活性層103により発光する発光源が青色である場合、青色との波長が約400nm~450nmであるので、ラインの端部幅も同様に、約400nm~450nm以上の幅を有する。このように、前記活性層103から外部へ放出される光が優れた屈折特性を有すれば、光の低い屈折特性によりLED内で乱反射されて、消滅する光の量を最小化できる。また、前記多角形の凹凸構造の第1表面凹凸300aをなす多角形は、円形、四角形、台形または六角形などからなることが可能であり、また、同じ大きさまたは異なる大きさのものの混在したものからなることも可能である。これにより、図7A~7Fに示すように、多様な形態の多角形の凹凸構造を有することができる。<第2の変形例>図8A~8Eを参照して、本実施形態の第2の変形例に係る第1表面凹凸について詳細に説明する。図8A~8Eはそれぞれ、本実施形態の第2の変形例に係る第1表面凹凸が配置された構造の一例を示す平面図である。本発明の第2の変形例に係る第1表面凹凸300aは、図8Aおよび8Bに示すように、1つ以上のライン紐状のものが一方向にのみ一定間隔を隔てて周期的に配列されるように形成された回折凹凸構造で形成されている。このとき、前記回折凹凸構造をなすラインの端部幅は、LEDから放出される光の屈折特性を向上させるために、前記活性層により発光する発光源の波長と同じであるか、それより大きいことが好ましい。また、前記回折凹凸構造の第1表面凹凸300aをなすラインは、直線に限らず、曲線及び単一閉曲線からなることも可能であり、また、図8C~8Eに示すように、同心円状、同心正多角形四角形、六角形などからなることも可能である。これにより、図8A~8Eに示すように、多様な形態の回折凹凸構造を有することができる。<第3の変形例>図9A~9Gを参照して、本実施形態の第3の変形例に係る第1表面凹凸について詳細に説明する。図9A~9Gはそれぞれ、本実施形態の第3の変形例に係る第1表面凹凸が配置された構造の一例を示す平面図である。本発明の第3の変形例に係る第1表面凹凸300aは、同図に示すように、2つ以上のラインが1つ以上の点で交差する多様な形態の網状の凹凸構造で形成することもでき、この網状の凹凸構造をなすラインも、前記回折凹凸構造をなすラインと同様に、直線に限らず、曲線及び単一閉曲線からなることができる。<第4の変形例>図10を参照して、本実施形態の第4の変形例に係る第1表面凹凸について詳細に説明する。同図は、本実施形態の第4の変形例に係る第1表面凹凸が配置された構造を示す平面図である。本発明の第4の変形例に係る第1表面凹凸300aは、同図に示すように、所定形状の凹凸が不規則性を有して配置されており、このとき、凹凸の形状は多角形または曲線及び単一閉曲線で構成されるラインなどからなるものであってもよい。一方、本実施形態に係る前記第1表面凹凸300aは、図示はしないが、前記n型電極106と重ならないn型窒化ガリウム層102の表面に形成することがより好ましい。なぜなら、前記n型電極106が前記第1表面凹凸300aと重なる部分に形成されると、前記n型電極106の接触面が第1表面凹凸300aによりラフネス粗さを有し、それにより、前記n型電極106を介してn型窒化ガリウム層102に流れ込まれる電流の抵抗が増加し、電気的な特性が低下してしまうという問題が生じるからである。そして、前記n型窒化ガリウム層102の下面には、活性層103及びp型窒化ガリウム層104が順次積層されている。このとき、前記p型窒化ガリウム層104は、p型導電形不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層であることができ、前記活性層103はInGaN/GaN層で構成された多重井戸構造Multi‐QuantumWellであってもよい。前記p型窒化ガリウム層104の下面には、p型反射電極107が形成されている。このとき、図示はしないが、前記p型窒化ガリウム層104と前記p型反射電極107との間の界面には、前記p型窒化ガリウム層104と前記p型反射電極107との接着性を高めるための接着層が位置することが好ましい。このような、接着層はp型窒化ガリウム層の実効キャリア濃度を上げられるので、p型窒化ガリウム層をなしている化合物のうち、窒素以外の成分と優先的に反応できる金属からなることが好ましい。特に、本実施形態に係る前記p型反射電極107と接する前記p型窒化ガリウム層104の表面には、前記n型電極106と接する前記n型窒化ガリウム層104の表面に形成された第1表面凹凸図6~図9の300aを参照と同様に前記p型窒化ガリウム層104の表面の一部が所定形状に突出している第2表面凹凸300bが形成されている。前記第2表面凹凸300bは、前記第1表面凹凸300aと同じ役割、すなわち、前記活性層103で生成された光子の散乱特性を向上させて発光側へ光子を効率よく放出させるので、外部量子効率を向上させる役割を果たす。そして、前記p型反射電極107の下面には、構造支持層100が位置して垂直構造の窒化ガリウム系LED素子を支持しており、前記p型反射電極107と構造支持層100との間の界面にも接着層図示せずを備えて前記p型反射電極107と構造支持層100との接着力を向上させる。一方、前述した本実施形態では、所定形状の表面凹凸が前記n型電極と接するn型窒化ガリウム層の表面及び前記p型反射電極と接するp型窒化ガリウム層の表面にいずれも形成されている垂直構造の窒化ガリウム系LED素子について説明しているが、前記n型窒化ガリウム層の表面に形成された表面凹凸は垂直構造の窒化ガリウム系LED素子の特性及び製造工程に応じて省略することができる。上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。