入力された信号光を増幅する前置半導体光増幅器と、入力されたプローブ光を2つに分配する第1の光分波器と、前記前置半導体光増幅器から出力された信号光及び前記第1の光分波器から分配された一方のプローブ光を合波する第1の光合波器と、前記第1の光合波器により合波された信号光及び一方のプローブ光を増幅する第1の半導体光増幅器と、前記第1の光分波器により分配された他方のプローブ光を増幅する第2の半導体光増幅器と、前記第1及び第2の半導体光増幅器の出力光を合波して波長変換光として出力する第2の光合波器と、前記波長変換光を2つに分配する第2の光分波器と、前記第2の光分波器により分配された他方の波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオードと、前記フォトダイオードから出力された電流が最大値となるように、前記前置半導体光増幅器のバイアス電流を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする光波長変換器。前記制御回路は、前記前置半導体光増幅器に印加するバイアス電流を時間的に常に微小に変化させ、前記フォトダイオードの電流の変化を読み取ることにより前記フォトダイオードの電流を最大値にすることを特徴とする請求項1記載の光波長変換器。前記制御回路は、バイアス電流を発生するバイアス電流源と、前記バイアス電流源の電圧を測定する電圧測定部とを有し、前記前置半導体光増幅器に印加するバイアス電流及び前記電圧測定部により測定された電圧を記録し、バイアス電流と測定された電圧の関係からバイアス電流を制限することを特徴とする請求項1記載の光波長変換器。しかしながら、従来の光波長変換器の制御においては次のような問題点があった。すなわち、フォトダイオードで波長変換光をモニタするために、位相調整導波路を複数用意する必要があり、光合分波器を設ける必要があり、またフォトダイオードの電流値から直流成分と交流成分を分離する回路が必要であるなど、構成が複雑である。また、一定の変調度をモニタするためには位相調整導波路に印加する変調バイアス電流を精密に制御する必要があり、経時変化等に対する変動を制御することが難しいという問題点もある。更には、測定された変調度を基に前置SOAを制御する必要もあるなど、制御系も複雑であった。本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、簡単な構成の制御系により、常に最適な動作点に制御することができる光波長変換器を得ることを目的とする。本発明に係る光波長変換器は、入力された信号光を増幅する前置半導体光増幅器と、入力されたプローブ光を2つに分配する第1の光分波器と、前記前置半導体光増幅器から出力された信号光及び前記第1の光分波器から分配された一方のプローブ光を合波する第1の光合波器と、前記第1の光合波器により合波された信号光及び一方のプローブ光を増幅する第1の半導体光増幅器と、前記第1の光分波器により分配された他方のプローブ光を増幅する第2の半導体光増幅器と、前記第1及び第2の半導体光増幅器の出力光を合波して波長変換光として出力する第2の光合波器と、前記波長変換光を2つに分配する第2の光分波器と、前記第2の光分波器により分配された他方の波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオードと、前記フォトダイオードから出力された電流が最大値となるように、前記前置半導体光増幅器のバイアス電流を制御する制御回路とを備えるものである。本発明に係る光波長変換器によれば、簡単な構成の制御系により、常に最適な動作点に制御することができる。以下、本発明の光波長変換器の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。実施の形態1.この発明の実施の形態1に係る光波長変換器について図1から図7までを参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る光波長変換器の構成を示す図である。なお、以降では、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。図1において、この発明の実施の形態1に係る光波長変換器は、信号光入力端子1と、プローブ光入力端子2と、波長変換光出力端子3と、光導波路4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h、4iと、前置半導体光増幅器前置SOA5と、光合波器第1の光合波器6aと、光合波器第2の光合波器6bと、半導体光増幅器SOA第1の半導体光増幅器7と、光分波器第1の光分波器8aと、光分波器第2の光分波器8bと、半導体光増幅器SOA第2の半導体光増幅器9と、フォトダイオードPD10と、フォトダイオード電流測定端子11と、前置SOA制御回路制御回路12と、前置SOAバイアス制御端子13とが設けられている。なお、前置SOA制御回路12を除く、他の構成要素である前置半導体光増幅器前置SOA5等は、インジウムと燐の化合物結晶で形成された半導体基板InP基板100に設けられている。この光波長変換器は、半導体光増幅器7及び半導体光増幅器9が光導波路4上に配置されているマッハツェンダー干渉計を用いるものである。図2は、この発明の実施の形態1に係る光波長変換器の前置SOA制御回路の構成を示す図である。図2において、前置SOA制御回路12は、制御部121と、バイアス電流を発生するバイアス電流源122とが設けられている。つぎに、この実施の形態1に係る光波長変換器の動作について図面を参照しながら説明する。信号光は、信号光入力端子1から入力され、光導波路4aを通って前置半導体光増幅器5で増幅された後、光導波路4b及び光合波器6aを通って半導体光増幅器7へ入力される。一方、プローブ光は、プローブ光入力端子2から入力され、光導波路4eを通り、光分波器8aを通って2つに分配され、光導波路4f、4gをそれぞれ通って半導体光増幅器7及び9へそれぞれ入力される。光合波器6aは、前置半導体光増幅器5の出力光信号光と、光分波器8aにより分配された一方のプローブ光とを合波して半導体光増幅器7へ出力する。半導体光増幅器7及び9の出力光は、光導波路4d、4hをそれぞれ通って光合波器6bで合波され、光導波路4dを通って波長変換光出力端子3へ出力される。半導体光増幅器7では、信号光とプローブ光との相互位相変調によりプローブ光が位相変調された後、光合波器6bで半導体光増幅器9からのプローブ光と干渉し、位相から振幅変調された波長変換光に変換される。更に、この波長変換光は、光分波器8bで2つに分配され、他方の波長変換光が光導波路4iを通ってフォトダイオード10に入力される。フォトダイオード10は、動作速度が遅いため、波長変換光の時間平均電力に応じた電流をフォトダイオード電流測定端子11から出力する。フォトダイオード電流測定端子11から出力された電流は、前置SOA制御回路12へ入力され、前置SOA制御回路12からの制御信号は前置SOAバイアス制御端子13へフィードバックされる。前置SOA制御回路12では、制御部121にフォトダイオード10の電流が入力され、その電流値を基に制御部121がバイアス電流源122を制御する。続いて、この実施の形態1に係る光波長変換器の動作原理について説明する。半導体光増幅器SOA7では、信号光とプローブ光の相互位相変調により、信号光の振幅に応じてプローブ光の位相が変調され、位相変調されたプローブ光と変調されていないプローブ光が光合波器6bで干渉するが、半導体光増幅器7での位相変調は信号光の大きさに比例して位相変調される。しかしながら、半導体光増幅器7では相互位相変調と共に相互強度変調も発生しており、位相が回転すると共に強度も変化することになる。図3は、相互位相変調と相互強度変調された半導体光増幅器7の光出力と半導体光増幅器9の光出力とが光合波器6bで干渉し、出力される様子を図示したものであり、横軸を実軸、縦軸を虚軸とした複素平面を考えた場合、ベクトル長さが振幅、角度が位相として表される。図3において、光合波器6bの出力は、点線で示す一定出力の半導体光増幅器9の出力光と、実線で示す位相と強度が変動する半導体光増幅器7の出力光のベクトルの和となる。半導体光増幅器7の出力光ベクトルは、信号光の大きさに応じて位相が回転すると共に振幅も減少するため、ベクトルの軌跡は渦巻状となる。図4は、図3を別の軸で見たものであり、横軸を信号光の強度、縦軸を波長変換光の強度とした場合の関係を示したものである。図4において、ベクトルの大きさを表す点Aでは信号光の強度に応じて最も強めあうが、ベクトルの大きさを表す点B、Cとなるに従って半導体光増幅器7の出力光ベクトル振幅が小さくなるため、干渉も弱くなり、ベクトルの大きさを表す点Eでは半導体光増幅器7の出力光と半導体光増幅器9の出力光の位相が揃っているにも係らず振幅が異なるため、干渉光の大きさも小さくなることがわかる。また、図4において、ベクトルの大きさを表す点Aが最も位相、振幅が揃っており、点Aまでの信号光の強度となるようにすれば、最も波長変換光のSN比を確保することが可能である。従って、信号光の強度が変動する場合や、光波長変換器の各部での経時変化があった場合でも点Aの位置となるよう前置半導体光増幅器5の利得を調整するなどすれば常に最適な振幅の信号光が半導体光増幅器7に入力される。光波長変換はこの特性を用いて行う。図5及び図6は、波長変換光と信号光との関係を示す。図5は図4における点Aでの動作状態を示し、図6は図4における点Cでの動作状態を示す。パルス状の信号光が入力された場合、図5に示すように、信号光のハイレベルが図4における点Aと等しいとき、点Aをハイレベルとする波長変換光が出力される。このように信号光波形に合わせて波長変換光が出力されるが、図6に示すように、信号光のハイレベルが図4における点Cと等しいとき、波長変換光は点Aを通り越して点Cに到達するため、信号光の立上り若しくは立下りにオーバーシュートが発生して信号光波形とは異なる波長変換光波形となる。また、ハイレベルは点Aと比較して低い点Cとなる。フォトダイオードPD10の電流値は、パルス状の高速動作に反応しないため、波長変換光のハイレベルとローレベルの時間平均となるが、ハイレベルが点Cで動作している場合のフォトダイオード10の電流値と比較して、ハイレベルが点Aで動作している場合の電流値の方が大きく、最大値を取る。そのため、半導体光増幅器7は、ハイレベルが点Aとして動作するように入力信号光強度を調整すれば最適に動作し、そのためにはフォトダイオード10の電流値が最大となるように前置半導体光増幅器5のバイアス電流値を制御すれば、常に最適な動作状態に保つことが可能となる。図7は、前置半導体光増幅器の電流値とフォトダイオード10の電流値の関係について、信号光の強度が異なる3つの状態について図示したものであり、動作曲線C1は相対的に信号光強度が低い場合、動作曲線C2は中間の信号光強度の場合、動作曲線C3は相対的に信号光強度が高い場合を示す。また、それぞれの動作曲線において黒丸●印は最適動作点を示す。図7は例えば図5において信号光波形のハイレベルが点Aとなる場合にフォトダイオード10の電流も最大になり、その時の条件が黒丸となる。信号光強度が異なる場合でも図7に示すようにフォトダイオード10の電流が最大値となるように前置半導体光増幅器5の電流を調整することにより、最適な動作状態に保つことが可能である。従って、前置SOA制御回路12の制御部121ではフォトダイオード10の電流値が最大となるようにバイアス電流源122を制御すればよい。フォトダイオード10の電流を最大にする手段としてより具体的には、例えば、常に微小な電流変化がバイアス電流源122で発生するように制御部121で制御する。すなわち、バイアス電流源122にて、ある設定したバイアス電流値を中心に微小な電流変調を行う。バイアス電流源122における電流変化は前置半導体光増幅器5の駆動バイアス変化となって前置半導体光増幅器5の光出力信号強度が変化する。それにより結果として波長変換光の強度変化となってフォトダイオード10の電流値の変動として検出することができる。バイアス電流源122の電流変化に対応するフォトダイオード10の電流変化を比較することにより、前置半導体光増幅器5の電流に対するフォトダイオード10の電流変動の傾きを求めることができる。最適動作点にバイアス電流値が設定されていれば、図7から分かるように微小なバイアス電流の変化に対しても、この傾きが0となる。もし、バイアス電流値が最適動作点より小さい場合は傾きが正となり、最適動作点より大きい場合は負となることから、傾きに応じてバイアス電流源122を制御し、傾きが0となるようにすれば最適な動作点とすることが可能となる。このように制御することにより、特に消光比と言ったような波形品質を測定しなくとも簡素な構成及び単純な制御方法で常に最も変換光率が良い最適な動作点に設定することが可能となる。ここではバイアス制御方法として上記のような方式での制御を説明しているが、図7に示す最大値が探知出来る方式であれば何れの方法でも良い。実施の形態2.この発明の実施の形態2に係る光波長変換器について図8を参照しながら説明する。図8は、この発明の実施の形態2に係る光波長変換器の前置SOA制御回路の構成を示す図である。図8において、前置SOA制御回路12は、制御部121と、バイアス電流を発生するバイアス電流源122と、このバイアス電流源122の電圧を測定する電圧測定部123とが設けられている。上記の実施の形態1では、簡素な構成で光波長変換器を最適に動作することが可能なことを説明したが、この実施の形態2では、バイアス電流源122の電圧をモニタすることにより急激な信号光波形の変動にも対応できることを説明する。前置SOA制御回路12の電圧測定部123は、バイアス電流源122の電圧を測定する。前置半導体光増幅器5は電流により制御されるが、前置半導体光増幅器5は、また、入力信号に対して光を吸収し電流を発生する。前置半導体光増幅器5自体は電流制御のため、光吸収による電流が発生すると電流値に対する電圧が変化する。そのため、予め信号が無い場合、特定の信号が入力された場合などで前置半導体光増幅器5の電流と電圧の関係を記録しておき、実際の動作において前置半導体光増幅器5の電流値と電圧値の関係から入力光信号の概略の大きさを求めることが可能となる。図7において、例えば、動作曲線C1から動作曲線C3へ入力信号が変化した場合、通常では動作曲線C1の黒丸の点から動作曲線C2の黒丸の点、それから動作曲線C3の黒丸の点へと動作点が変化するが、制御速度が追随できないほど光信号の強度変化が速い場合、動作曲線C1の黒丸の点から動作曲線C3の白丸○印の極大点へバイアス電流の制御が変化してしまう可能性がある。前置半導体光増幅器5へ入力される信号光の大きさが凡そ分かっていれば、その大きさに応じて前置半導体光増幅器5の制御電流範囲を制限できる。それにより、白丸で示す極大点に誤って収束することなく、動作曲線C3の黒丸の点へ正しく変化することが可能となる。また、ここでは入力信号光の大きさを前置半導体光増幅器5のバイアス電圧値より求めているが、前置半導体光増幅器5の前段に更に光分波器及びフォトダイオードなど光電力検出器を置いて前置半導体光増幅器5のバイアス電流動作範囲を制限しても良い。このような制御により、入力信号が急激に変化した場合でも正しい動作点に調整することが可能となる。