"下記一般式1で表されることを特徴とするスルホン酸誘導体。式1において、Rは置換もしくは非置換の炭素数1~30の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基を示す。Mは対カチオンを表す。前記Mが、水素イオン、金属イオン又はオニウムイオンであることを特徴とする請求項1に記載のスルホン酸誘導体。請求項1又は2に記載のスルホン酸誘導体からなることを特徴とする光酸発生剤。本発明はこのような事情に鑑み、異物を生じず且つ発生する酸が十分な酸の強度をもち、レジスト材料に用いられる光酸発生剤及び光発生酸として好適なスルホン酸誘導体を提供することを課題とする。上記課題を解決する本発明の態様は、下記一般式1で表されることを特徴とするスルホン酸誘導体にある。式1において、Rは置換もしくは非置換の炭素数1~30の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数6~30のアリール基を示す。Mは対カチオンを表す。本発明の第2の態様は、前記Mが、水素イオン、金属イオン又はオニウムイオンであることを特徴とする第1の態様に記載のスルホン酸誘導体にある。本発明の第3の態様は、第1又は2の態様に記載のスルホン酸誘導体からなることを特徴とする光酸発生剤にある。本発明スルホン酸誘導体は、上記一般式1で示されるように、α位の全部とβ位を部分的にフッ素置換した特定の構造を有する化合物であり、十分な酸強度を有する酸を発生する酸発生剤として有用である。また、フォトレジストとして使用するとアルカリ現像後又はレジストの剥離時において異物もほとんど生じないという効果を有する。以下、本発明について詳細に説明する。本発明のスルホン酸誘導体は、上記一般式1で表される。なお、スルホン酸誘導体とはスルホン酸及びその塩をいう。また、本発明の上記一般式1で表されるスルホン酸誘導体は、光学活性でも不活性でもよい。上記一般式1のRの非置換の炭素原子数1~30、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状の一価の炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、n-オクチル基、i-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基や、ノルボルネン骨格を有する基、トリシクロデカン骨格を有する基、テトラシクロドデカン骨格、アダマンタン骨格を有する基等を挙げることができる。また、上記炭化水素基の置換基としては、アリール基、アルケニル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む有機基等を挙げることができる。置換基で置換された炭素原子数1~30、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状の一価の炭化水素基の具体例としては、ベンジル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、フェノキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、アセチルメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、トリクロロメチル基、2-フルオロプロピル基、トリフルオロアセチルメチル基、トリクロロアセチルメチル基、ペンタフルオロベンゾイルメチル基、アミノメチル基、シクロヘキシルアミノメチル基、ジフェニルホスフィノメチル基、トリメチルシリルメチル基、2-フェニルエチル基、3-フェニルプロピル基、2-アミノエチル基等を挙げることができる。非置換の炭素数6~30、好ましくは6~10のアリール基の具体例としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、1-フェナントリル基等を挙げることができる。また、上記アリール基の置換基としては、アルキル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む有機基等を挙げることができる。置換基で置換された炭素数6~30のアリール基の具体例としては、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、p-メトキシフェニル基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル基、p-フルオロフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、p-ブロモフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ヨードフェニル基等を挙げることができる。そして、スルホン酸と塩を形成するカチオンMとしては、具体的には、水素イオン、金属イオン、オニウムイオンが挙げることができる。さらに具体的な金属イオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン等の第1属元素による一価の陽イオン、マグネシウムイオンII、カルシウムイオンII等の第2属元素による二価の陽イオン、鉄イオンII、鉄イオンIII、銅イオンI、銅イオンII、ニッケルイオンII、ニッケルイオンIII等の遷移金属イオン、鉛イオンII等の重金属イオンが挙げられ、これら金属イオンが配位子と錯体を形成していてもよい。また、オニウムイオンとしては、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、リン原子等により構成されるオニウム塩が挙げられる。具体的には、例えば、アンモニウムイオン、メチルアンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、トリメチルアンモニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオン、フェニルアンモニウムイオン、ジフェニルアンモニウムイオン、トリフェニルアンモニウムイオン、ジメチルフェニルアンモニウムイオン、トリメチルフェニルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン、アルキルピリジニウムイオン、フルオロピリジニウムイオン、クロロピリジニウムイオン、ブロモピリジニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオン、イミダゾリウムイオン、キノリニウムイオンなどの窒素原子により構成されるオニウム塩、トリメチルスルホニウムイオン、トリブチルスルホニウムイオン、ジメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、ビス2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムイオン、10-カンフェノイルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、2-ノルボルニルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、トリフェニルスルホニウムイオン、ジフェニルトリルスルホニウムイオン、ジフェニルキシリルスルホニウムイオン、メシチルジフェニルスルホニウムイオン、t-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、オクチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ビフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ヒドロキシメチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、メトキシメチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、アセチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ベンゾイルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ヒドロキシカルボニルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、メトキシカルボニルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、トリフルオロメチルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、フルオロフェニルジフェニルスルホニウムイオン、クロロフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ブロモフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ヨードフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ペンタフルオロフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムイオン、メトキシフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムイオン、アセチルオキシフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ベンゾイルオキシフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ジメチルカルバモイルフェニルジフェニルスルホニウムイオン、アセチルアミドフェニルジフェニルスルホニウムイオン、フェニルジトリルスルホニウムイオン、フェニルジキシリルスルホニウムイオン、ジメシチルフェニルスルホニウムイオン、ビスt-ブチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスオクチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスシクロヘキシルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ジビフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスヒドロキシメチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスメトキシメチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスアセチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスベンゾイルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスヒドロキシカルボニルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスメトキシカルボニルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビストリフルオロメチルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスフルオロフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスクロロフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスブロモフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスヨードフェニルフェニルスルホニウムイオン、ジペンタフルオロフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスヒドロキシフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスメトキシフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスブトキシフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスアセチルオキシフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスベンゾイルオキシフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスジメチルカルバモイルフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスアセチルアミドフェニルフェニルスルホニウムイオン、トリストリルスルホニウムイオン、トリスキシリルスルホニウムイオン、トリスメシチルフェニルスルホニウムイオン、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムイオン、トリスオクチルフェニルスルホニウムイオン、トリスシクロヘキシルフェニルスルホニウムイオン、トリビフェニルスルホニウムイオン、トリスヒドロキシメチルフェニルスルホニウムイオン、トリスメトキシメチルフェニルスルホニウムイオン、トリスアセチルフェニルスルホニウムイオン、トリスベンゾイルフェニルスルホニウムイオン、トリスヒドロキシカルボニルフェニルスルホニウムイオン、トリスメトキシカルボニルフェニルスルホニウムイオン、トリストリフルオロメチルフェニルスルホニウムイオン、トリスフルオロフェニルスルホニウムイオン、トリスクロロフェニルスルホニウムイオン、トリスブロモフェニルスルホニウムイオン、トリスヨードフェニルスルホニウムイオン、ジペンタフルオロフェニルスルホニウムイオン、トリスヒドロキシフェニルスルホニウムイオン、トリスメトキシフェニルスルホニウムイオン、トリスブトキシフェニルスルホニウムイオン、トリスアセチルオキシフェニルスルホニウムイオン、トリスベンゾイルオキシフェニルスルホニウムイオン、トリスジメチルカルバモイルフェニルスルホニウムイオン、トリスアセチルアミドフェニルスルホニウムイオン、メチルジフェニルスルホニウムイオン、エチルジフェニルスルホニウムイオン、ブチルジフェニルスルホニウムイオン、ヘキシルジフェニルスルホニウムイオン、オクチルジフェニルスルホニウムイオン、シクロヘキシルジフェニルスルホニウムイオン、2-オキソシクロヘキシルジフェニルスルホニウムイオン、ノルボルニルジフェニルスルホニウムイオン、カンフェノイルジフェニルスルホニウムイオン、ピナノイルジフェニルスルホニウムイオン、ナフチルジフェニルスルホニウムイオン、アントラニルジフェニルスルホニウムイオン、ベンジルジフェニルスルホニウムイオン、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムイオン、メトキシカルボニルメチルジフェニルスルホニウムイオン、ブトキシカルボニルメチルジフェニルスルホニウムイオン、ベンゾイルメチルジフェニルスルホニウムイオン、メチルチオフェニルジフェニルスルホニウムイオン、フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムイオン、アセチルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムイオン、ジメチルフェニルスルホニウムイオン、ジエチルフェニルスルホニウムイオン、ジブチルフェニルスルホニウムイオン、ジヘキシルフェニルスルホニウムイオン、ジオクチルフェニルスルホニウムイオン、ジシクロヘキシルフェニルスルホニウムイオン、ビス2-オキソシクロヘキシルフェニルスルホニウムイオン、ジノルボルニルフェニルスルホニウムイオン、ジカンフェノイルフェニルスルホニウムイオン、ジピナノイルフェニルスルホニウムイオン、ジナフチルフェニルスルホニウムイオン、ジベンジルフェニルスルホニウムイオン、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムイオン、ビスメトキシカルボニルメチルフェニルスルホニウムイオン、ビスブトキシカルボニルメチルフェニルスルホニウムイオン、ジベンゾイルメチルフェニルスルホニウムイオン、ビスメチルチオフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスフェニルチオフェニルフェニルスルホニウムイオン、ビスアセチルフェニルチオフェニルフェニルスルホニウムイオン、ジメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、ビス2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムイオン、10-カンフェノイルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、2-ノルボルニルメチル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムイオン、トリメチルスルホニウムイオン、トリエチルスルホニウムイオン、トリブチルスルホニウムイオン、ジヘキシルメチルスルホニウムイオン、トリオクチルスルホニウムイオン、ジシクロヘキシルエチルスルホニウムイオン、メチルテトラヒドロチオフェニウムイオン、メチルテトラヒドロチオフェニウムイオン、トリフェニルオキソスルホニウムイオン、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィド-ビスイオン等の硫黄原子により構成されるオニウム塩、テトラフェニルホスホニウムイオン等のりん原子により構成されるオニウム塩などがある。ハロニウム塩としては、ジフェニルヨードニウムイオン、ビス-t-ブチルフェニルヨードニウムカチオン、メトキシフェニルフェニルヨードニウムイオン、ブトキシフェニルフェニルヨードニウムイオン、トリフルオロエチルフェニルヨードニウムイオン、ペンタフルオロフェニルフェニルヨードニウムイオン等が挙げられ、好ましくは、スルホニウムイオン、ヨードニウムイオンである。上記一般式1で表されるスルホン酸誘導体は、α位の全部とβ位を部分的にフッ素置換し、特定の構造を有する化合物なので、KrFエキシマーレーザー光、ArFエキシマーレーザー光、F2エキシマーレーザー光、電子線、X線及びEUV等の活性放射線の照射により効率よく分解し十分な酸強度を有する酸を発生する酸発生剤として有用であり、また、感光性樹脂組成物フォトレジストとして使用すると副反応が起こらないため、アルカリ現像後又はレジストの剥離時において異物も生じない。ここで、上記特許文献3のスルホン酸誘導体はα位及びβ位の全部をフッ素で置換しフッ素を4つ有する化合物であるため、酸強度が強すぎるためか、アルカリ現像後やレジストの剥離時に異物が発生してしまう。なお、特許文献3においては、α位の全部とβ位を部分的にフッ素置換した本発明の上記一般式1で表されるスルホン酸誘導体についての思想はない。さらに、特許文献3に記載された製造方法を元にして、例えば原料を変える等しても、本発明のスルホン酸誘導体を製造することはできない。また、α位等にフッ素を2つ有するスルホン酸誘導体では、酸強度が十分ではない。さらに、一般的には、3つのフッ素原子を有するスルホン酸誘導体では、通常アルカリ現像後やレジストの剥離時において異物が生じてしまうという問題があるが、本発明の上記一般式1で表される特定の構造のスルホン酸誘導体とすることにより、十分な酸強度をもち且つ異物の発生も無いものとすることができる。なお、本発明のスルホン酸誘導体は、通常の感光性樹脂組成物、具体的には、酸との反応により分解してアルカリ可溶性となる基を有する樹脂及び光酸発生剤からなる2成分系や、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤、及び酸分解性基を有し、アルカリ可溶性樹脂に対して不溶化能を有する溶解阻止化合物からなる3成分からなるポジ型の感光性樹脂組成物、及び、アルカリ可溶性樹脂と酸によりアルカリ可溶性樹脂を架橋させる作用を有する架橋剤から成るネガ型の感光性樹脂組成物の光酸発生剤として使用することができる。ここで、本発明の上記一般式1のスルホン酸誘導体は、例えば次のような反応経路により合成することができる。まず、4-ブロモ-1,1,2-トリフルオロ-1-ブテンを酢酸ナトリウムによるアセチル化と、その後の塩基等による加水分解、更に亜硫酸水素塩を用いたスルホン化により、スルホン酸塩として得る。そして、この塩を上述したMと常法に基づき塩交換する。その後、さらに酸無水物又は酸ハライド等でエステル化することにより上記一般式1で表されるスルホン酸を得ることができる。以下に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。実施例1実施例1-1ナトリウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネートの合成:<第一工程>4-ブロモ-1,1,2-トリフルオロ-1-ブテン36.9g、酢酸ナトリウム65.4gを酢酸156.5gに溶解し、115°Cまで昇温した。そして、40時間撹拌し、反応液を90°Cに冷却し、蒸留水626gを加えた。その後、室温まで冷却し、t-ブチルメチルエーテル128gを用いて2回抽出した。次いで、炭酸ナトリウム水溶液165gを用いて洗浄し、残存する酸を除去した。その後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去し、4-アセトキシ-1,1,2-トリフルオロ-1-ブテンを得た。クルード状態で25.6gであった。この物質の1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3δ2.07s,3H,263d、t、d、d,2H,424t,2H<第二工程>4-アセトキシ-1,1,2-トリフルオロ-1-ブテン25.0g、炭酸カリウム40.3gをメタノール49g、蒸留水49gに溶解した。そして、室温で15時間撹拌し、濾過により反応で析出した固形分を取り除いた後、ジクロロメタンで目的物を抽出した。その後、蒸留精製することにより、3,4,4-トリフルオロ-3-ブテン-1-オール13.8gを得た。この物質の1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3δ2.2s,1H,2.55d,t,d,d,2H,3.83t,2H<第三工程>3,4,4-トリフルオロ-3-ブテン-1-オール11.9g、亜硫酸水素ナトリウム29.5g、亜硫酸ナトリウム14.3gを蒸留水214gに溶解し、その後90°Cまで昇温した。そして、15時間撹拌し、反応液を25°C以下に冷却した。次いで、トルエン24gで水層を洗浄した。その後、ロータリーエバポレーターで溶剤を留去することによりナトリウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート18.46gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3δ1.9-2.4m,2H,3.5-3.7m,2H,4.9-5.2m,1H実施例1-2トリフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの合成:<第一工程>ナトリウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート17.6g、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート34.4gを水106g、ジクロロメタン360gに加え、3時間撹拌した。分液後、有機層をロータリーエバポレーターで溶剤を留去することにより、トリフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート32.4gを得た。この物質の1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,CDCl3δ1.9-2.4m,2H,3.5-3.7m,2H,4.9-5.2m,1H,7.66-7.80m,15H<第二工程>トリフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート27.4g、トリエチルアミン7.07g、N,N,N ́,N ́-テトラメチルエチレンジアミン0.7gをジクロロメタン137gに溶解した。その後15°C以下でシクロヘキサンカルボニルクロリド10.2gを添加し20°Cまで昇温した。そして、3時間撹拌し、反応液を15°C以下に冷却した。8炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、反応を停止した。その後、ジクロロメタン68gを加え攪拌し、ジクロロメタン層に目的物を抽出した。次いで、分離した水層のpHが7になるまで蒸留水で有機層の洗浄を繰り返した。その後、ロータリーエバポレーターで溶剤を留去することにより、トリフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート23.7gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,DMSO-d6δ1.1-1.8m,10H,1.9-2.3m,3H,4.0-4.2m,2H,4.8-5.1m,1H,7.7-7.8m,15H[実施例2]トリスp-t-ブチルフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの合成:トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート34.4gをトリスp-t-ブチルフェニルスルホニウムメタンスルホネート48.3gに代えたこと以外は実施例1-2の<第一工程>と同様に合成し、トリスp-t-ブチルフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート44.0gを得た。次いでトリフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート27.4gをトリスp-t-ブチルフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート37.2gに代えたこと以外は実施例1-2の<第二工程>と同様に合成し、トリスp-t-ブチルフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート32.7gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,DMSO-d6δ1.1-1.7m,37H,1.9-2.3m,3H,4.0-4.2m,2H,4.8-5.1m,1H,7.6-7.8m,12H[実施例3]ビスp-t-ブチルフェニルヨードニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの合成:トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート34.4gをビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムメタンスルホネート44.8gに代えたこと以外は実施例1-2の<第一工程>と同様に合成し、ビスp-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート41.3gを得た。次いでトリフェニルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート27.4gをビスp-t-ブチルフェニルヨードニウム1,1,2-トリフルオロ-4-ヒドロキシブタンスルホネート35.0gに代えたこと以外は実施例1-2の<第二工程>と同様に合成し、ビスp-t-ブチルフェニルヨードニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート28.2gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,DMSO-d6δ1.1-1.7m,28H,1.9-2.3m,3H,4.0-4.2m,2H,4.8-5.1m,1H,7.3-8.0m,8H[実施例4]トリフェニルスルホニウム4-p-t-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの合成:シクロヘキサンカルボニルクロリド10.2gをp-t-ブチルベンゾイルクロリド13.7gに代えたこと以外は実施例1-2と同様に合成し、トリフェニルスルホニウム4-p-t-ブチルベンゾイルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート28.3gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,DMSO-d6δ1.3s,9H,2.0-2.3m,2H,4.2-4.4m,2H,4.9-5.2m,1H,7.4-8.1m,19H[実施例5]トリフェニルスルホニウム4-ピバロイルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの合成:シクロヘキサンカルボニルクロリド10.2gをピバロイルクロリド8.4gに代えたこと以外は実施例1-2と同様に合成し、トリフェニルスルホニウム4-ピバロイルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート25.8gを得た。この物質は、1HNMR及びイオンクロマトブラフィによる測定結果から、目的物であることが確認された。1HNMR測定結果を以下に示す。1HNMR400MHz,DMSO-d6δ1.2s,9H,1.9-2.2m,2H,4.0-4.2m,2H,4.8-5.1m,1H,7.6-7.8m,15Hフォトレジストの調製と特性評価実施例1で合成したトリフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートを2重量部、上記一般式2で示される構成単位を有するポリマー100重量部、トリエタノールアミン0.2重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート525重量部に溶解し、PTFEフィルターでろ過し、感光性樹脂組成物溶液を調製した。次いで感光性樹脂組成物溶液をシリコンウエハー上に回転塗布した後ホットプレート上で110°Cで90秒間プレベークし、膜厚500nmのレジスト膜を得た。この膜に、ArFエキシマレーザーステッパー波長193nmにより露光し、次いで110°Cで90秒間ポストベークを行った。その後、2.38のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液に60秒間現像を行い、30秒間純水でリンスした。その結果、良好なパターンが得られ、露光後のパターン上及び剥離後のシリコン基板上を観察した結果、異物がなかった。なお、KLAテンコール社製の表面欠陥観察装置型番:KLA2351を用いて観察した。また、露光により発生する酸が十分な酸強度であることも確認できた。比較として、トリフェニルスルホニウム4-シクロヘキシルカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートの代わりにトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを用いて、レジストを調製し、レジスト膜を得て、露光、ポストベーク、現像を行った。その結果、露光後のパターン上及び剥離後のシリコン基板上の異物が多かった。"