"表面を有する基板、前記基板の表面に隣接した選択可能な中間層、前記基板の表面または前記選択可能な中間層が存在する場合にはその中間層に隣接したアンダーカット可能な層、および前記アンダーカット可能な層に隣接したイメージング層を有するウェハスタックを用意し、パターンを生じるように前記イメージング層をパターン形成し、前記パターンを前記アンダーカット可能な層に転写し、その転写は、前記基板の表面上または前記基板の表面上にある中間層の上に第1の複数のT字状構造体を生じ、選択的エッチング可能な組成物を第1のセットのアンダーカットエリアに充填し、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層の上に第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じるように、前記複数のT字状構造体を取り除くマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法であって、前記複数のT字状構造体は、それぞれ、前記基板の表面に対して略垂直な対向する複数の垂直側壁によって接合された上側部分および下側部分を有する直立したレッグであって、前記下側部分は、前記基板の表面または前記中間層に接触するレッグと、前記上側部分に隣接し、前記複数の垂直側壁に対して略垂直である略水平なセクションであって、前記略水平なセクションは、対向する複数の端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、前記複数の垂直側壁のそれぞれおよび前記下側表面は、協同で前記第1のセットのアンダーカットエリアを定義する略水平なセクションと、を有するマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記パターン形成では、前記イメージング層の露光部分を生じるように前記イメージング層を露光させ、前記露光部分を取り除くために露光後に前記イメージング層を現像液と接触させる請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカット可能な層は、現像液可溶性であり、前記接触は、前記T字状構造体を生じるように、前記イメージング層の前記露光部分に隣接した前記アンダーカット可能な層の複数の一部を取り除く請求項2に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカットエリアは、それぞれ、前記垂直側壁から各端部壁によって定義された平面までの最大距離として定義された約100nm未満の幅を有する請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカットが形成されたフィーチャは、それぞれ、約1nmから約100nmまでの幅を有する請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカットが形成されたフィーチャは、それぞれ、約20nm未満の幅を有する請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカットが形成されたフィーチャは、それぞれ、約1nmから約100nmまでの高さを有する請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記充填では、前記スタックに対して前記選択的エッチング可能な組成物を塗布し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記アンダーカットエリアに流れ込み、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層をコーティングし、前記直立したレッグは、高さを有し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記T字状構造体の前記略水平なセクションの前記下側表面に接触するように、実質的に前記高さ以上の平均的厚さで塗布され、前記選択的エッチング可能な組成物をエッチングし、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記アンダーカットエリア以外の前記基板の表面から実質的に取り除かれる請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記アンダーカット可能な層は、溶媒システムの中で分散されたかまたは溶解された化合物を含む組成物から形成され、前記化合物は、ポリアミド酸、アクリル酸塩、メタクリル酸塩、ポリエステル、およびそれらの混合物のポリマーおよびオリゴマーから成る群から選択される請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記選択的エッチング可能な組成物は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含み、溶媒システムの中で分散されるかまたは溶解される請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。さらに、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した第2のアンダーカット可能な層を、実質的に前記第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャの前記高さ以上の平均的厚さで形成し、前記第2のアンダーカット可能な層および第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャの上に前記第2のイメージング層を形成し、第2のパターンを生じるように前記第2のイメージング層をパターン形成し、前記第2のパターンを前記第2のアンダーカット可能な層に転写し、その転写は、前記基板の表面上または前記基板の表面上にある中間層の上に第2の複数のT字状構造体を生じるマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法であって、前記第2の複数のT字状構造体のそれぞれは、前記基板の表面に対して略垂直な対向する複数の垂直側壁によって接合された上側部分および下側部分を有する直立したレッグであって、コアは、前記第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャに対応し、前記下側部分は、前記基板の表面または前記中間層に接触するレッグと、前記上側部分に隣接し、前記複数の垂直側壁に対して略垂直である略水平なセクションであって、前記略水平なセクションは、対向する複数の端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、前記複数の垂直側壁のそれぞれおよび前記下側表面は、協同で第2のセットのアンダーカットエリアを定義する略水平なセクションと、を有する請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。さらに、選択的エッチング可能な組成物を前記第2のセットのアンダーカットエリアに充填し、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層の上に前記第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャおよび第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じるように、前記第2の複数のT字状構造体のそれぞれにある前記複数の垂直側壁および略水平なセクションを取り除く請求項11に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記第2のセットのアンダーカットエリアの前記充填では、前記スタックに対して前記選択的エッチング可能な組成物を塗布し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記第2のセットのアンダーカットエリアに流れ込み、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層をコーティングし、前記直立したレッグは、高さを有し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記第2の複数のT字状構造体の前記略水平なセクションの前記下側表面に接触するように、実質的に前記高さ以上の平均的厚さで塗布され、前記選択的エッチング可能な組成物をエッチングし、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記第2のセットのアンダーカットエリア以外の前記基板の表面から実質的に取り除かれる請求項12に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記スタックは、さらに、前記イメージング層と前記アンダーカット可能な層との間の中間層を有し、前記中間層は、反射防止膜、下塗層、エッチマスク層、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項1に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。表面を有する基板、前記基板の表面に隣接した選択可能な中間層、および前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層の中および/または上に形成された第1のパターンを有するスタックであって、前記第1のパターンは、前記基板の表面または前記中間層の上に形成された複数の初期フィーチャを有し、前記基板の表面または前記中間層の上に形成された前記複数の初期フィーチャは、各々高さを有するスタックを用意し、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層に隣接したアンダーカット可能な層を、実質的に前記初期フィーチャの前記高さ以上の平均的厚さで形成し、前記アンダーカット可能な層および初期フィーチャの上にイメージング層を形成し、第2のパターンを生じるように前記イメージング層をパターン形成し、前記第2のパターンを前記アンダーカット可能な層に転写し、その転写は、前記基板の表面上または前記基板の表面上にある中間層の上に複数のT字状構造体を生じるマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法であって、前記複数のT字状構造体のそれぞれは、前記基板の表面に対して略垂直な対向する複数の垂直側壁によって接合された上側部分および下側部分を有する直立したレッグであって、コアは、前記初期フィーチャに対応し、前記下側部分は、前記基板の表面または前記中間層に接触するレッグと、前記上側部分に隣接し、前記複数の垂直側壁に対して略垂直である略水平なセクションであって、前記略水平なセクションは、対向する複数の端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、前記複数の垂直側壁のそれぞれおよび前記下側表面は、協同で1セットのアンダーカットエリアを定義する略水平なセクションと、を有するマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。さらに、選択的エッチング可能な組成物を前記1セットのアンダーカットエリアに充填し、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層の上に前記複数の初期フィーチャおよび複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じるように、前記第2の複数のT字状構造体のそれぞれにある前記複数の垂直側壁および略水平なセクションを取り除く請求項15に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。前記充填では、前記スタックに対して前記選択的エッチング可能な組成物を塗布し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記セットのアンダーカットエリアに流れ込み、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層をコーティングし、前記直立したレッグは、高さを有し、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記複数のT字状構造体の前記略水平なセクションの前記下側表面に接触するように、実質的に前記高さ以上の平均的厚さで塗布され、前記選択的エッチング可能な組成物をエッチングし、前記選択的エッチング可能な組成物は、前記セットのアンダーカットエリア以外の前記基板の表面から実質的に取り除かれる請求項16に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。さらに、前記アンダーカット可能な層と前記イメージング層との間に中間層を形成し、前記中間層は、反射防止膜、下塗層、エッチマスク層、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項15に記載のマイクロエレクトロニクス構造体の形成方法。表面および前記表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板と、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した複数のアンダーカットが形成されたフィーチャと、を有し、前記アンダーカットが形成されたフィーチャは、約20nm未満の幅を有し、選択的エッチング可能な組成物を含み、前記選択的エッチング可能な組成物は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、またはそれらの組み合わせを含むマイクロエレクトロニクス構造体。表面および前記表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板と、前記基板の表面または前記中間層が存在する場合にはその中間層の上にある複数のT字状構造体と、第1のセットのアンダーカットエリアを満たし、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、またはそれらの組み合わせを含む選択的エッチング可能な組成物と、を有し、前記複数のT字状構造体は、それぞれ、前記基板の表面に対して略垂直な対向する複数の垂直側壁によって接合された上側部分および下側部分を有する直立したレッグであって、前記下側部分は、前記基板の表面または前記中間層に接触するレッグと、前記上側部分に隣接し、前記複数の垂直側壁に対して略垂直である略水平なセクションであって、前記略水平なセクションは、対向する複数の端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、前記複数の垂直側壁のそれぞれおよび前記下側表面は、協同で前記第1のセットのアンダーカットエリアを定義する略水平なセクションと、を有するマイクロエレクトロニクス構造体。従って、現在のArFリソグラフィ技術を使用して、通常、単にEUV光源を使用してパターン形成することが可能なフィーチャを作製する技術の技術的ニーズがある。これは、EUVツール用の設備投資を削除し、製造メーカの途方もない金額を節約し、既存のロジスティクスおよび材料を使用してより多くの金銭および資源を節約するという特徴を有するであろう。本発明の概要本発明は、マイクロエレクトロニクス構造体の形成方法およびその結果として得られる構造体に広く関する。マイクロエレクトロニクス構造体の形成方法が示される。その方法は、ウェハスタックを用意することを含み、そのスタックは、表面を有する基板、基板の表面に隣接した選択可能な中間層、基板の表面、または選択可能な中間層が存在する場合にはその中間層に隣接したアンダーカット可能な層、およびアンダーカット可能な層に隣接したイメージング層を有する。イメージング層がパターン形成され、パターンを生じる。アンダーカット可能な層にパターンが転写され、基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある第1の複数のT字状構造体を生じる。T字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直でありかつ対向する端部壁によって接合された上側表面と下側表面を有する略水平なセクションをそれぞれ有する。垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第1のセットのアンダーカットエリアを定義する。第1のセットのアンダーカットエリアは、選択的エッチング可能な組成物で満たされる。T字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じる。さらに、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法が示される。その方法は、スタックを用意することを含み、そのスタックは、表面を有する基板、基板の表面に隣接した選択可能な中間層、および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の中および/または上に形成された第1のパターンを有する。第1のパターンは、基板の表面または中間層の上に形成された複数の初期フィーチャを有し、基板の表面または中間層の上に形成された初期フィーチャは、それぞれの高さをそれぞれ有する。アンダーカット可能な層は、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接する位置に、実質的に初期フィーチャの高さ以上の平均的厚さで形成される。イメージング層は、アンダーカット可能な層および初期フィーチャ上に形成され、パターン形成され、第2のパターンを生じる。アンダーカット可能な層に第2のパターンが転写され、基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある複数のT字状構造体を生じる。T字状構造体のそれぞれは、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分、および初期フィーチャに対応するコアを有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションを有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で1セットのアンダーカットエリアを定義する。本発明は、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法を示す。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第1の複数のT字状構造体を有する。第1の複数のT字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第1のセットのアンダーカットエリアを定義する。第1のセットのアンダーカットエリアは、第1の選択的エッチング可能な組成物で満たされ、第2の複数のT字状構造体は、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接する位置に形成される。第2の複数のT字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第2のセットのアンダーカットエリアを定義する。第2のセットのアンダーカットエリアは、第2の選択的エッチング可能な組成物で満たされる。第1と第2の複数のT字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上に第1と第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じる。第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャは、第1の選択的エッチング可能な組成物に対応し、第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャは、第2の選択的エッチング可能な組成物に対応する。マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法が示される。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある第1の複数のT字状構造体を有する。T字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第1のセットのアンダーカットエリアを定義する。第1の選択的エッチング可能な組成物は、プレカーソル構造体に塗布され、選択的エッチング可能な組成物は、第1のセットのアンダーカットエリアに流れ込み、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層をコーティングする。選択的エッチング可能な組成物は、第1の複数のT字状構造体の略水平なセクションの下側表面に接触するように、実質的に第1の複数のT字状構造体の直立したレッグの高さ以上平均的厚さで塗布される。第2の複数のT字状構造体は、第1の選択的エッチング可能な組成物上に形成される。第2の複数のT字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第2のセットのアンダーカットエリアを定義する。第2のセットのアンダーカットエリアは、第2の選択的エッチング可能な組成物で満たされ、第1と第2の複数のT字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第1と第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを生じる。第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャは、第1の選択的エッチング可能な組成物に対応し、第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャは、第2の選択的エッチング可能な組成物に対応する。本発明は、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法を示す。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある複数のT字状構造体を有する。T字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第1のセットのアンダーカットエリアを定義する。第1のセットのアンダーカットエリアは、第1の選択的エッチング可能な組成物で満たされる。第1のコンフォーマル層共形層は、T字状構造体および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接する位置に形成される。第2のコンフォーマル層は、第1のコンフォーマル層に隣接する位置に形成され、T字状構造体および第1と第2のコンフォーマル層の一部が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上に、複数のアンダーカットが形成されたフィーチャおよび複数のコンフォーマルに共形に形成されたフィーチャを生じる。さらに、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法が示される。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した第1のエッチ転写層、第1のエッチ転写層に隣接した第1のハードマスク、ならびに第1のパターンを定義するハードマスクに隣接した第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを有する。第1のパターンは、第1のハードマスクに転写され、第1のパターン形成されたハードマスクを生じる。プレカーソル構造体上に、パターン形成されたハードマスクを覆うようにコーティングする第2のエッチ転写層が形成される。第2のハードマスク層は、第2のエッチ転写層に隣接する位置に形成される。第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャは、第2のハードマスク層に隣接する位置に作成され、第2のパターンを生じる。第2のハードマスク層に第2のパターンが転写され、第2のパターン形成されたハードマスクを生じ、第1と第2のパターン形成されたハードマスクをエッチングストップとして使用して、第1と第2のパターンが第1と第2のエッチ転写層にエッチングされる。さらに、マイクロエレクトロニクス構造体が示される。構造体は、表面を有する基板、表面に隣接した選択可能な中間層、および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した複数のアンダーカットが形成されたフィーチャを有する。アンダーカットが形成されたフィーチャは、約20nm未満の幅を有し、選択的エッチング可能な組成物を含む。選択的エッチング可能な組成物は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、あるいはそれらの組み合わせを含む。さらに、さらなるマイクロエレクトロニクス構造体が示される。構造体は、表面を有する基板、表面に隣接した選択可能な中間層、および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある複数のT字状構造体を有する。T字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第1のセットのアンダーカットエリアを定義し、選択的エッチング可能な組成物は、アンダーカットエリアを満たす。選択的エッチング可能な組成物は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、あるいはそれらの組み合わせを含む。詳細な説明本発明の方法本発明の方法の一形態では、図1Aに示されているように、ウェハスタック10が用意される。スタック10は、従来のあらゆるマイクロエレクトロニクス基板であることが可能な基板12を含む。好ましい基板は、シリコン、SiGe、SiO2、Si3N4、SiON、アルミニウム、タングステン、タングステンケイ化物、ガリウムヒ化物、ゲルマニウム、タンタル、タンタル窒化物、サンゴ、石炭、リンまたはボロンドープグラス、Ti3N4、ハフニウム、HfO2、ルテニウム、インジウムリン化物、および前述のものの混合物から成る群から選択されたものを含む。基板は、平面的であるかまたは空間配置のフィーチャ例えば、ビアホール、トレンチ、コンタクトホール、隆起フィーチャ、ラインなど図示せずを含むことが可能な表面12aを有する。本書で使用される空間配置は、基板の表面または基板の表面上に存在するかもしれない中間層の中または上にある構造の高さまたは深さを指す。アンダーカットの可能な組成物は、アンダーカット可能な層14を形成するために、基板12に塗布される。いつくかの実施形態では、アンダーカット可能な層14は、基板の表面12aに直接隣接する位置に形成される即ち、アンダーカット可能な層14と基板12との間に中間層を形成せずに。他の実施形態では、中間層は、アンダーカット可能な層14と基板12図示せずとの間に存在する。アンダーカット可能な層14としての使用に適した組成物は、より詳細に以下に説明される。組成物は、あらゆる公知の塗布方法によって塗布されることが可能であり、1つの好ましい方法は、約500rpmから約5,000rpmまで好ましくは約1,000rpmから約3,000rpmまでの速度で、約15秒から約90秒まで好ましくは約30秒から約60秒までの間、組成物をスピンコートするものである。組成物が塗布された後、組成物は、好ましくは約160°Cから約200°Cまで、より好ましくは約170°Cから約190°Cまでの温度で、約15秒から約90秒まで好ましくは約45秒から約60秒までの間、加熱される。アンダーカット可能な層14の形成に使用される組成物に応じて、さらに、ベーキングが層14を硬化させるための架橋形成反応を開始させることが可能である。次に、ベーキングプロセスは、約10°Cから約25°Cまで好ましくは約19°Cから約23°Cまでの温度で、約10秒から約90秒までの間、冷却プレートを使用して急冷されることが可能である。以下に記載される層の形成に使用されるベーキングステップのそれぞれでは、冷却プレート19°C~23°Cを使用して、スタックの後続プロセスの実行を継続する前に、ベーキングプロセスを急冷することが可能であることが、当業者によって認識されるであろう。アンダーカット可能な層14の平均的厚さベーキング後に決定されたは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまでである。基板の表面12aが空間配置を含む場合には、アンダーカット可能な層14は、実質的に基板の空間配置を覆い、かつ空間配置を覆う上述の平均的厚さを達成するのに十分な厚さで塗布されるのが好ましい。アンダーカット可能な層14より詳細に下に以下議論されたの形成に使用される組成物に応じて、乾燥されたかまたは架橋形成されたアンダーカット可能な層14は、使用波長例えば、最も好ましい193nmおよび248nmを含めて、365nm、248nm、193nm、157nm、または13.5nmで約0.1から約2.5まで、より好ましくは約1から約2まで、より一層好ましくは約1.6から約1.8までの屈折率n値を有することが可能である。さらに、乾燥されたかまたは架橋形成されたアンダーカット可能な層14は、使用波長例えば、最も好ましい193nmおよび248nmを含めて、365nm、248nm、193nm、157nm、または13.5nmで約0から約1まで、より好ましくは約0.3から約0.6まで、より一層好ましくは約0.4から約0.5までの吸光係数k値を有することが可能である。いくつかの実施形態での乾燥されたかまたは架橋形成されたアンダーカット可能な層14は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルEL、プロピレングリコールn-プロピルエーテルPnP、ガンマブチロラクトンGBL、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸n-ブチル、メチルイソブチルカルビノールMIBC、およびそれらの混合物のような、多層のスタックでの後続層の形成に使用される通常の有機溶媒に実質的に不溶性であろう。従って、剥離テストを受けると、アンダーカット可能な層14は、約5未満、好ましくは約1未満、より好ましくは約0の剥離率を有するであろう。剥離テストは、まず、層の異なる5つの位置での測定の平均値をとることによって、厚さを決定することを必要とする。これが、平均膜厚の初期値である。次に、膜は、約30秒間、溶剤例えば、乳酸エチルで洗浄された後、溶剤を取り除くために、約500rpm~3,000rpmで約20秒~60秒の間、スピン乾燥される。偏光解析法を使用して、ウェハ上のその5ポイントで厚さが再測定され、これらの測定の平均値が決定される。これが、平均膜厚の最終値である。剥離量は、平均膜厚の初期値と最終値との間の差異である。剥離率は、以下の通りである。いくつかの実施形態でのアンダーカット可能な層14は、通常、有機溶媒に不溶性であるが、従来の水溶性現像液例えば、フォトレジスト現像液に可溶性であるかまたは可溶性にすることができる。特に好ましい現像液は、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、水酸化カリウムKOH、水酸化ナトリウム、およびそれらの混合物から成る群から選択される。いくつかの実施形態では、アンダーカット可能な層14は、感光性であり、かつ放射線例えば、光を照射した時だけ現像液に可溶性になる。例えば、硬化されたアンダーカット可能な層14が使用される場合も同様に、層14は、層14を架橋除去するための放射線を照射されるまで、通常の現像液に不溶性である。他の実施形態では、アンダーカット可能な層14は、感光性ではない例えば、約1J/cm2照射される場合には、層の中にパターンを定義することができない。即ち、アンダーカット可能な層14は、放射線例えば、光の照射中に物理的にも化学的にも全く変化しない。従って、現像液に可溶性にするために、アンダーカット可能な層14に放射線を照射する必要はない。従って、いくつかの実施形態では、ドライエッチング例えば、反応性イオンエッチングをせずにプロセス実行中にアンダーカット可能な層14を取り除くことが可能であるという特徴を有し、いくつかの実施形態では、ドライエッチングをせずに本発明より詳細に以下に説明されるのT字状構造体を形成するのが好ましい。他の実施形態では、ドライエッチングに適した組成物を使用して、アンダーカット可能な層14を形成することが可能である。次に、アンダーカット可能な層14に隣接する位置にイメージング層16が形成される。適切なイメージング組成物は、市販のフォトレジスト例えば、TOK社、川崎市、神奈川日本からのTArFPi6-001、JSRマイクロ社、サニーヴェール、CAからのARX3001、ARX3340J、AM2073J、およびK1-FM592Y、信越社、東京日本からのSAIL-X-181のようなあらゆる感光性組成物、または感光性反射防止組成物を含む。結果として得られるスタック10は、図1Aに示されている。イメージング層16は、あらゆる公知の塗布方法によって形成されることが可能であり、1つの好ましい方法は、約500rpmから約5,000rpmまで好ましくは約1,000rpmから約2,000rpmまでの速度で、約30秒から約120秒まで好ましくは約45秒から約60秒までの間、スピンコートする方法である。次に、イメージング層16は、少なくとも約90°C、好ましくは約90°Cから約130°Cまでの温度で、約30秒から約120秒まで好ましくは45秒から約60秒までの間、塗布後ベーキングPABされる。イメージング層16の厚さベーキング後は、好ましくは約1nmから約500nmまで、より好ましくは約50nmから約300nmまで、より一層好ましくは約100nmから約200nmまでである。次に、図1Aに示されているように、イメージング層16は、適切な波長例えば、13.5nmEUV、193nm、248nm、または365nmの露光によってパターン形成されることが可能である。さらに具体的に言うと、イメージング層16は、イメージング層16の上方に配置されたマスク18を使用して露出される。マスク18は、放射線hvがマスク18を通り抜けてイメージング層16に接触することができるように設計された開放エリア18aを有する。マスク18の残りの連続部分18bは、放射線が特定のエリアのイメージング層16に接触するのを防ぐように設計されている。当業者は、イメージング層16、および究極的には基板12に形成されるべき所望のパターンに基づいて、開放エリア18aおよび連続部分18bの配置が設計されていることを直ぐに理解するであろう。露出後、イメージング層16は、好ましくは約80°Cから約130°Cまで、より好ましくは約100°Cから約120°Cまでの温度で、約45秒から約90秒までの間、露出後ベーキングPEBされる。次に、イメージング層16が現像され、結果として得られたパターンがアンダーカット可能な層14に転写され、パターン形成されたスタック10’を生じる。さらに具体的に言うと、露出時に放射線を照射されたイメージング層16の一部は、水溶性現像液に可溶性になる。次に、図1Bに示されているように、上述のプロセスによって可溶性になったイメージング層16の露出部分は、露出部分を取り除くために水溶性現像液に接触し、イメージング層16に所望のパターン20を形成する。次に、イメージング層16の露出部分に隣接したアンダーカット可能な層14の一部が取り除かれる。一実施形態では、アンダーカット可能な層14は、溶剤または水溶性現像液を使用して取り除かれることが可能である例えば、現像液を使用してイメージング層16の露出部分を取り除く。別の一実施形態では、アンダーカット可能な層14は、ドライエッチングプロセスおよびマスクとしてのイメージング層16を使用して取り除かれることが可能である。例えば、適切なエッチングガスアンダーカット可能な層14の化学的性質に応じてを使用するRIEを使用して、アンダーカット可能な層14にパターンを転写することが可能である。実施形態にかかわらず、パターン転写プロセスでは、イメージング層16の非露光部分の真下にあるアンダーカット可能な層14の側面をエッチングする。層の形成に使用される組成物に応じて変化するであろうが、いくつかの実施形態でのアンダーカット可能な層14は、好ましくは約0.1nm/秒から約10nm/秒まで、より好ましくは約1nm/秒から約5nm/秒まで、より一層好ましくは約2nm/秒から約4nm/秒までのエッチング速度または現像速度を有するであろう。アンダーカット可能な層14およびイメージング層16は、同じエッチング速度または現像速度を有しても良いし、異なるエッチング速度または現像速度を有しても良い。エッチング速度または現像速度が同じである場合には、アンダーカット可能な層14およびイメージング層16は、実質的に同時にエッチングまたは現像され、全くアンダーカットせずに垂直側壁を有する構造体を生じるであろう。次に、適切な溶剤、現像液、またはドライエッチングプロセスを使用して、イメージング層16の非露出部分の端部の下方にあるアンダーカット可能な層14の一部を取り除くことが可能である。アンダーカット可能な層14およびイメージング層16は、異なるエッチング速度または現像速度を有しても良い。この形態では、アンダーカット可能な層14は、アンダーカットエリアがエッチングまたは現像の単一ステップで形成されるように、イメージング層16よりも高い速度でエッチングまたは現像するのが好ましい。アンダーカット可能な層14の形成に使用される組成物に応じて、ウェットまたはドライエッチング時間の増加につれて、側面のエッチング量の増加が可能であることが認識されるであろう。架橋性のアンダーカット可能な層14を使用した実施形態では、パターン転写中の層の現像速度がより速くなるように架橋形成温度を低下させることによって、側面のエッチング量を変化させることが可能である。感光性のアンダーカット可能な層14について、PEBの温度または時間を変更して、層の中の酸拡散速度を変化させることが可能である。当業者は、本開示および従来技術の知識に基づいて、露出および/または現像プロセスに対してなされるかもしれない追加修正がアンダーカット可能な層14の側面のエッチングの程度に影響を与えることを直ぐに認識するであろう。現像液との接触またはドライエッチング後に、支えなしで立っているT字状構造体22は、基板12の表面12a、または表面12aに含まれるあらゆる中間層の上に残留する。T字状構造体22は、それぞれ、直立したレッグ24第1の材料で形成された、および略水平なセクション26第2の材料で形成されたを有し、それらは共同でアンダーカットエリア23a、23bを定義する。レッグ24は、ベーキング後に、アンダーカット可能な層14と化学的に同一であり、対向する垂直側壁32a、32bによって接合された上側部分および下側部分28、30を含む。側壁32a、32bは、互いに略平行であり、かつ基板の表面12aに対して略垂直であり、下側部分30は、表面12a、または表面12a上に存在するかもしれないあらゆる中間層に接触する。即ち、垂直側壁32aまたは32b、および基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層によって形成された角度Aは、約70°から約110°まで、より好ましくは約80°から約100°まで、より一層好ましくは約85°から約95°までである。セクション26は、ベーキング後に、イメージング層16の非露出部分と化学的に同一であり、それぞれの上側表面および下側表面34a、34b、および端部壁36a、36bを含む。各セクション26は、端部壁36a、36bの間で測定された最長距離である長さLを有する。Lは、好ましくは約10nmから約1,000nmまで、より好ましくは約20nmから約100nmまで、最も好ましくは約38nmから約45nmまで変動するであろう。上側表面および下側表面34a、34bは、互いおよび表面12aに略平行である一方、端部壁36a、36bは、互いおよび側壁32a、32bに略平行でありかつ表面12aに対して略垂直である。セクション26の下側表面34bは、レッグ24の上側部分28に隣接する。直立したレッグ24は、それぞれ、基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層および下側表面34bの間の最長距離によって定義される高さHを有する。この高さHは、上述されたアンダーカット可能な層14の厚さに略対応し、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。アンダーカットエリア23aは、側壁32a、および端部壁36aによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Waを有する。同様に、アンダーカットエリア23bは、側壁32b、および端部壁36bによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wbを有する。このプロセスは、幅Wa、Wbをコントロールし、エッチングまたは他のプロセス実行中にレッグ24の高さ全体を全く失わずに相対的に小さくすることができるという特徴を有する。本発明のプロセスは、結果として約1nmから約100nmまで、好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでのWaまたはWbを得ることが可能である。WaまたはWbは、好ましくはセクション26の長さLの約0.5から約49まで、より好ましくはLの約10から約40まで、より一層好ましくはLの約20から約35までである。本発明の方法を使用して形成されたフィーチャの中にわずかな変更があっても良く、また、比率の小さい各フィーチャタイプ例えば、アンダーカットエリア、アンダーカットが形成されたフィーチャ、T字状構造体などは、本発明の範囲から逸脱せずに上述のパラメータの範囲外でも良いことが認識されるであろう。従って、本書に記載された各寸法について、各フィーチャタイプのそれぞれのフィーチャの少なくとも約50、好ましくは少なくとも約75、より好ましくは少なくとも約90が、その定義された範囲に適合するであろうことが理解されるであろう。図1Cに示されているように、選択的エッチング可能な組成物38は、T字状構造体22を有するパターン形成されたスタック10’上に塗布され、その組成物がT字状構造体22の側壁32a、32bおよび必要に応じて下側表面34bに接触するように、アンダーカットエリア23a、23bを満たす。選択的エッチング可能な組成物38は、あらゆる適切な方法を使用して塗布されることが可能であり、1つの好ましい方法は、約100rpmから約5,000rpmまで好ましくは約500rpmから約3,000rpmまでの速度で、約15秒から約90秒まで好ましくは約30秒から約60秒までの間、組成物をスピンコートすることである。組成物が塗布された後、その組成物は、溶剤を蒸発させるために、好ましくは約50°Cから約300°Cまで、より好ましくは約80°Cから約120°Cまでの温度に、約15秒から約90秒まで好ましくは約30秒から約60秒までの間、加熱される。選択的エッチング可能な組成物38は、組成物38がT字状構造体22の側壁32a、32bおよび必要に応じて下側表面34bに接触するように、アンダーカットエリア23a、23bを満たすのに十分な平均的厚さで塗布されるのが好ましい。いくつかの場合には、選択的エッチング可能な組成物38は、T字状構造体22を覆うようにコーティングするであろう。選択的エッチング可能な組成物38の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約1,000nmまで、より好ましくは約1nmから約100nmまで、最も好ましくは約1nmから約50nmまで変動するであろう。本発明での使用に適した選択的エッチング可能な組成物は、より詳細に以下に説明される。次に、図1Dに示されているように、選択的エッチング可能な組成物38は、T字状構造体22をマスクとして使用して、選択的に取り除かれ、アンダーカットエリア23a、23bの中だけに選択的エッチング可能な組成物38を残す。CF4、CHF3、O2、HBr、Cl2、SF6、C2F6、C4F8、CO、CO2、N2、H2、C4H8、Ar、N2H2、He、CH2F2、またはそれらの混合物の反応性イオンプラズマを使用して、選択的エッチング可能な組成物38を選択的に取り除くために、RIEが使用されるのが好ましい。エッチング時間は、スタック10で使用される材料に応じて変化するであろうが、その時間は、一般的に、約1秒から約120秒まで、好ましくは約15秒から約90秒まで、より一層好ましくは約30秒から約60秒まで変動するであろう。次に、図1Eに示されているように、イメージング層16およびアンダーカット可能な層14即ち、略水平なセクション26および直立したレッグ24のそれぞれは、溶剤、現像液、ドライエッチング、またはそれらの組み合わせを使用して取り除かれる。一実施形態では、CF4、CHF3、O2、HBr、Cl2、SF6、C2F6、C4F8、CO、CO2、N2、H2、C4H8、Ar、N2H2、H2、CH2F2、またはそれらの混合物の反応性イオンプラズマを使用したさらなるドライエッチングステップを用いて取り除くことが可能であり、その場合には、アンダーカット可能な層14およびイメージング層16を取り除くのに使用されるエッチングガスは、上述の選択的エッチング可能な組成物38を選択的に取り除くのに使用されるエッチングガスとは異なる。さらに、N-メチルピロリドンNMP、MIBC、PGME、PGMEA、EL、シクロヘキサノン、PnP、GBL、2-ヘプタノン、および酢酸n-ブチルのような溶剤、または水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、水酸化カリウムKOH、およびあらゆる適切な無機アルカリ性溶液のような現像液を使用して、アンダーカット可能な層14およびイメージング層16を取り除くことが可能である。溶剤または現像液は、層を溶解させるのに十分な時間例えば、約1秒から約120秒まで、好ましくは約30秒から約60秒まで、スタックの表面上に溜め置きされた後、洗浄およびスピン乾燥されることが可能である。あるいは、スタックは、層を溶解させるのに十分な時間、溶剤または現像液に浸された後、スピン乾燥されることが可能である。実施形態にかかわらず、イメージング層16およびアンダーカット可能な層14を取り除いた後、アンダーカットが形成されたフィーチャ40は、基板の表面12a、または表面12a上に存在するかもしれない中間層の上に残留する。アンダーカットが形成されたフィーチャ40は、アンダーカットエリア23a、23bに堆積された、乾燥されたかまたは硬化された選択的エッチング可能な組成物38と化学的に同一である。アンダーカットが形成されたフィーチャ40は、アンダーカットエリア23a、23bの幅Wa、Wbに実質的に対応する幅wをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットが形成されたフィーチャ40の幅wは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約5nmから約30nmまで、最も好ましくは約10nmから約20nmまで変動するであろう。アンダーカットが形成されたフィーチャ40の高さhは、直立したレッグ24の高さHに実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットが形成されたフィーチャ40の高さhは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。w:hの比率は、好ましくは約10:1から約1:10まで、より好ましくは約1:1から約1:5まで、より一層好ましくは約1:1から約1:3までであろう。アンダーカット可能な層14の厚さを調節することによって、最後のアンダーカットが形成されたフィーチャ40の高さhを調節することが可能である一方、アンダーカットまたはアンダーカット形成に使用されるエッチングプロセスの量を調節することによって、幅wをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。本書に記載されたもののように、パターンのライン幅を調節することによって、または多重パターン形成のアプローチを使用することによって、アンダーカットが形成されたフィーチャのピッチを変更することが可能である。本発明のさらなる実施形態は、図2に示されている。図2Aに関して、パターン形成されたスタック10’が用意される。パターン形成されたスタック10’は、基板の表面12a、または基板の表面12a上に存在するかもしれない中間層図示せずの中および/または上に第1のパターンを形成するために、本書に開示されたパターン形成方法を含むあらゆる適切な方法例えば、従来のリソグラフィ、現像、およびエッチングを使用して形成されることが可能である。パターンは、基板の表面12aまたは中間層上に形成された複数の初期フィーチャ40を含み、各初期フィーチャ40は、それぞれの幅wおよび高さhを有するであろう。図2Bでは、パターン形成されたスタック10’上にアンダーカット可能な層44が形成された後、上述されるように、イメージング層46が形成される。アンダーカット可能な層44の平均的厚さベーキング後は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまで変動するであろう。アンダーカット可能な層44は、初期フィーチャ40の高さhと実質的に等しい、またはその高さhよりもわずかに高い平均的厚さで形成されるのが好ましい例えば、初期フィーチャの高さhの±30。イメージング層46ベーキング後は、好ましくは約1nmから約500nmまで、より好ましくは約50nmから約300nmまで、最も好ましくは約100nmから約200nmまで変動する平均的厚さを有するであろう。次に、図2Bに示されているように、層にパターンを転写し、アンダーカット可能な層44を横方向にエッチングするために、イメージング層46の上方に配置されたマスク18を使用して、適切な波長の露光によってイメージング層46をパターン形成した後、上述されるように、ウェットまたはドライエッチングすることが可能である。このパターン形成プロセスは、初期パターンに位置合わせされるのが好ましく、最後のフィーチャ以下に説明されるの間の一定ピッチを維持するために、第1のパターンよりも狭い開口部を有するマスクを使用して実行されるのが好ましい。しかしながら、個別の幾何学的必要条件が所望のピッチおよびライン寸法に依存するであろうことが認識されるであろう。パターン転写の後、T字状構造体52は、図2Cに示されているように、基板12の表面12a、または表面12a上に含まれるあらゆる中間層の上に残留する。T字状構造体52は、直立したレッグ54および略水平なセクション56をそれぞれ有し、アンダーカットエリア53a、53bを定義する。レッグ54は、対向する互いに略平行な垂直側壁62a、62bによって接合された上側部分および下側部分58、60を有する。パターンが初期フィーチャ40に位置合わせされた場合には、図2Cに示されているように、レッグ54は、初期フィーチャ40と化学的に同一なコア63を含み、側壁62a、62bによって定義されたレッグ54の外側部分は、ベーキング後のアンダーカット可能な層44と化学的に同一である。レッグ54は、基板の表面12aに対して略垂直であり、下側部分60は、表面12a、または表面12a上に存在するかもしれないあらゆる中間層に接触する。即ち、垂直側壁62aまたは62bから基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層まで測定される角度Aは、約70度から約110度まで、より好ましくは約80度から約100度まで、より一層好ましくは約85度から約95度までである。セクション56は、ベーキング後のイメージング層46の非露出部分と化学的に同一であり、それぞれの上側表面および下側表面64a、64b、および端部壁66a、66bを有する。セクション56は、端部壁36a、36bの間で測定された最長距離である長さL’をそれぞれ有する。L’は、好ましくは約30nmから約1,000nmまで、より好ましくは約50nmから約200nmまで、最も好ましくは約65nmから約100nmまで変動するであろう。上側表面および下側表面64a、64bは、互いおよび表面12aに略平行である一方、端部壁66a、66bは、互いおよび側壁62a、62bに略平行でありかつ表面12aに対して略垂直である。セクション56の下側表面64bは、レッグ54の上側部分58に隣接する。直立したレッグ54は、基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層および下側表面64bの間の最長距離によって定義される高さH’を有する。この高さH’は、上述された第2のアンダーカット可能な層44の平均的厚さに略対応し、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまで変動するであろう。アンダーカットエリア53aは、側壁62a、および端部壁66aによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wa’を有する。同様に、アンダーカットエリア53bは、側壁62b、および端部壁66bによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wb’を有する。このプロセスは、Wa’、Wb’をコントロールし、エッチングまたは他のプロセス実行中にレッグ54の高さ全体を全く失わずに相対的に小さくすることができるという特徴を有する。本発明のプロセスは、結果として約1nmから約100nmまで、好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでのWa’またはWb’を得ることが可能である。Wa’またはWb’は、好ましくはL’の約0.5から約49まで、より好ましくはL’の約10から約40まで、より一層好ましくはL’の約20から約35までである。図2Dに示されているように、選択的エッチング可能な組成物68は、T字状構造体52上に塗布され、アンダーカットエリア53a、53bを満たす。選択的エッチング可能な組成物68は、あらゆる適切な方法を使用して塗布されることが可能であり、1つの好ましい方法は、約100rpmから約5,000rpmまで好ましくは約500rpmから約3,000rpmまでの速度で、約15秒から約90秒まで好ましくは約30秒から約60秒までの間、組成物をスピンコートすることである。選択的エッチング可能な組成物68が塗布された後、その組成物は、溶剤を蒸発させるために、好ましくは約50°Cから約300°Cまで、より好ましくは約80°Cから約120°Cまでの温度に、約15秒から約90秒まで好ましくは約30秒から約60秒までの間、加熱される。選択的エッチング可能な組成物68は、組成物68がT字状構造体52の側壁62a、62bおよび必要に応じて下側表面64bに接触するように、アンダーカットエリア53a、53bを満たすのに十分な平均的厚さで塗布されるのが好ましい。いつくかの場合には、選択的エッチング可能な組成物68は、T字状構造体52を覆うようにコーティングするであろう。基板の上方で測定されるような、硬化されたかまたは乾燥された選択的エッチング可能な組成物68の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約1,000nmまで、より好ましくは約1nmから約100nmまで、最も好ましくは約1nmから約50nmまで変動するであろう。次に、図2Eに示されているように、第2の選択的エッチング可能な組成物68は、T字状構造体52をマスクとして使用して、選択的に取り除かれ、アンダーカットエリア53a、53bの中だけに第2の選択的エッチング可能な組成物68を残す。CF4、CHF3、O2、HBr、Cl2、SF6、C2F6、C4F8、CO、CO2、N2、H2、C4H8、Ar、N2H2、He、CH2F2、またはそれらの混合物の反応性イオンプラズマを使用して、第2の選択的エッチング可能な組成物68を選択的に取り除くために、RIEが使用さるのが好ましい。エッチング時間は、スタック10で使用される材料に応じて変化するであろうが、その時間は、一般的に、約1秒から約120秒まで、好ましくは約15秒から約90秒まで、より一層好ましくは約30秒から約60秒まで変動するであろう。次に、図2Fに示されているように、上述された第2のイメージング層46即ち、セクション56および第2のアンダーカット可能な層44即ち、レッグ部分54が取り除かれ、以前に基板の表面12aまたは中間層存在する場合には上に形成された初期フィーチャ40を、アンダーカットが形成された複数のフィーチャ40’と共に残す。アンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア53a、53bに堆積された選択的エッチング可能な組成物68乾燥または硬化後と化学的に同一である。アンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア53a、53bの幅Wa’、Wb’に実質的に対応する幅w’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットが形成されたフィーチャ40’の幅w’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約5nmから約30nmまで、最も好ましくは約10nmから約20nmまで変動するであろう。アンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、直立したレッグ54の高さH’に実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。アンダーカット可能な層44の厚さを調節することによって、第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’を調節することが可能である一方、アンダーカットおよび/または使用されたエッチングプロセスの量を調節することによって、幅w’をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。本書に記載されたもののように、パターンのライン幅を調節することによって、または多重パターン形成のアプローチを使用することによって、アンダーカットが形成されたフィーチャのピッチを変更することが可能である。図3は、本発明のさらなる実施形態を示す。図3Aに関して、アンダーカットエリア23a、23bが充填された第1の複数のT字状構造体22は、図1A~Dに関して上述されるような基板の表面12a、または存在するかもしれない中間層図示あり上に形成される。しかしながら、第1のアンダーカット可能な層14および第1のイメージング層16は、第1の選択的エッチング可能な組成物38と共に基板12上に残留する。スタック10上に第2のアンダーカット可能な層44が形成された後、上述されるように、第2のイメージング層46が形成される。第2のアンダーカット可能な層44は、第1の複数のT字状構造体22を覆うようにコーティングするのに十分な平均的厚さで形成されるのが好ましい。さらに具体的に言うと、ベーキング後の最も高いフィーチャの上端の上方で測定されるような、第2のアンダーカット可能な層44の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまで変動するであろう。イメージング層46ベーキング後は、好ましくは約1nmから約500nmまで、より好ましくは約50nmから約300nmまで、最も好ましくは約100nmから約200nmまで変動する平均的厚さを有するであろう。第2のアンダーカット可能な層44および第2のイメージング層46を、所望の空間配置に応じて、第1のアンダーカット可能な層14および第1のイメージング層16と同じまたは異なる材料で形成することが可能であることが認識されるであろう。次に、図3Cに示されているように、第2の複数のT字状構造体22’を形成するために、第2のイメージング層46およびアンダーカット可能な層44が上述されるようにパターン形成される。T字状構造体22’は、直立したレッグ24’および略水平なセクション26’をそれぞれ有し、アンダーカットエリア23a’、23b’を定義する。レッグ24’は、ベーキング後の第2のアンダーカット可能な層44と化学的に同一であり、対向する垂直側壁32a’、32b’によって接合された上側部分および下側部分28’、30’を含む。側壁32a’、32b’は、互いに略平行であり、さらに、基板の表面12aに対して略垂直であり、下側部分30’は、表面12a、または表面12a上に存在するかもしれないあらゆる中間層に接触する。即ち、垂直側壁32a’または32b’、および基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層によって形成された角度A’は、約70°から約110°まで、より好ましくは約80°から約100°まで、より一層好ましくは約85°から約95°までである。セクション26’は、ベーキング後の第2のイメージング層46の非露出部分と化学的に同一であり、それぞれの上側表面および下側表面34a’、34b’、および端部壁36a’、36b’を含む。上側表面および下側表面34a’、34b’は、互いおよび表面12aに略平行である一方、端部壁36a’、36b’は、互いおよび側壁32a’、32b’に略平行でありかつ表面12aに対して略垂直である。セクション32’は、端部壁36a’、36b’の間で測定された最長距離である長さL’を有する。L’は、好ましくは約10nmから約1,000nmまで、より好ましくは約20nmから約100nmまで、最も好ましくは約38nmから約45nmまで変動するであろう。セクション26’の下側表面34b’は、レッグ24’の上側部分28’に隣接する。直立したレッグ24’は、基板の表面12aまたは中間層が存在する場合にはその任意の中間層および下側表面34bの間の最長距離によって定義される高さH’を有する。この高さH’は、上述された第2のアンダーカット可能な層44の平均的厚さに略相当し、第1の複数のT字状構造体22の直立したレッグ24の高さHよりも高いのが好ましい。第2の複数のT字状構造体のレッグの高さH’は、より好ましくは約1nmから約150nmまで、より好ましくは約20nmから約80nmまで、最も好ましくは約30nmから約60nmまで変動するであろう。アンダーカットエリア23a’は、側壁32a’、および端部壁36a’によって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wa’を有する。同様に、アンダーカットエリア23b’は、側壁32b’、および端部壁36b’によって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wb’を有する。このプロセスは、Wa’またはWb’をコントロールし、エッチングまたは他のプロセス実行中にレッグ44の高さ全体を全く失わずに相対的に小さくすることができるという特徴を有する。本発明のプロセスは、結果として約1nmから約100nmまで、好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでのWa’またはWb’を得ることが可能である。Wa’またはWb’は、好ましくはL’の約0.5から約49まで、より好ましくはL’の約10から約40まで、より一層好ましくはL’の約20から約35までである。図3Dに示されているように、第2の選択的エッチング可能な組成物38’は、第1と第2の複数のT字状構造体22、22’を有するパターン形成されたスタック10’上に塗布され、第2の複数のT字状構造体22’のアンダーカットエリア23a’、23b’を満たす。第2の選択的エッチング可能な組成物38’は、上述されるようなあらゆる適切な方法を使用して塗布されることが可能である。第2の選択的エッチング可能な組成物38’は、第2の複数のT字状構造体22’を覆うようにコーティングせずに、第1の複数のT字状構造体22を覆うようにコーティングするのに十分な平均的厚さで塗布されるのが好ましい。さらに具体的に言うと、ベーキング後の最も高いフィーチャ即ち、第1の複数のT字状構造体の上端の上方で測定されるような、第2の選択的エッチング可能な組成物38’の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまで変動するであろう。次に、図3Eに示されているように、第1と第2のT字状構造体22、22’をマスクとして使用して、第2の選択的エッチング可能な組成物38’が選択的に取り除かれ、アンダーカットエリアの中だけに第1と第2のエッチングの可能な組成物38、38’を残す。次に、図3Fに示されているように、第1と第2のイメージング層16、46即ち、略水平なセクション26および26’および第1と第2のアンダーカット可能な層14、44即ち、直立したレッグ24および24’が本書に記載されているように取り除かれ、第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40および第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’を残す。第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40は、アンダーカットエリア23a、23bに堆積された選択的エッチング可能な組成物38と化学的に同一である。第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア23a’、23b’に堆積された選択的エッチング可能な組成物38’と化学的に同一である。第1のアンダーカットが形成されたフィーチャ40は、図1に関して上述されるように、アンダーカットエリア23a、23bの幅Wa、Wbに実質的に対応する幅wをそれぞれ有するであろう。第1のアンダーカットが形成されたフィーチャ40の高さhは、図1に関して上述されるように、直立したレッグ24の高さHに実質的に対応するであろう。第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア23a’、23b’の幅Wa’、Wb’に実質的に対応する幅w’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の幅w’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、最も好ましくは約1nmから約20nmまで変動するであろう。第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、直立したレッグ24’の高さH’に実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、最も好ましくは約20nmから約50nmまで変動するであろう。w’:h’の比率は、好ましくは約1:10から約10:1まで、より好ましくは約1:1から約1:5まで、より一層好ましくは約1:1から約1:3までであろう。アンダーカット可能な層14、44の厚さを調節することによって、最後のアンダーカットが形成されたフィーチャ40、40’の高さを調節することが可能である一方、アンダーカットおよび/または使用されたエッチングプロセスの量を調節することによって、幅をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。さらなる代替実施形態は、図4に示されている。第1のイメージング層16および最後のアンダーカット可能な層14がパターン形成され、図1に関して上述されるように、アンダーカットエリアを有する第1の複数のT字状構造体22を生じた。次に、図4Aに示されているように、パターン形成されたスタック10’上に、第1の選択的エッチング可能な組成物38が堆積された。第1の選択的エッチング可能な組成物38は、第1のT字状構造体22を覆うようにコーティングせずに、アンダーカットエリア23a、23bを満たしかつ基板の表面12aを覆うのに十分な平均的厚さで塗布された。第1の選択的エッチング可能な組成物38は、図4Aに示されているように、その組成物が第1のT字状構造体22の側壁32a、32bおよび必要に応じて下側表面34bに接触するように、第1のアンダーカット可能な層14の平均的厚さと実質的に等しい換言すれば、第1のT字状構造体22のレッグ24の高さと実質的に等しい平均的厚さで塗布されるのが好ましい。第1の選択的エッチング可能な組成物38の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。次に、図4Bに示されているように、第2の複数のT字状構造体22’が、第1の選択的エッチング可能な組成物38上に形成される。第2の複数のT字状構造体22’を形成するために、第2のアンダーカット可能な層44および第2のイメージング層46が、スタック10’図示せず上に形成された。第2のアンダーカット可能な層44は、第1のイメージング層16の平均的厚さと実質的に等しい換言すれば、第1のT字状構造体22の略水平部分26の平均的厚さと実質的に等しい平均的厚さで形成されるのが好ましい。第2のアンダーカット可能な層44の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。第2のアンダーカット可能な層44および第2のイメージング層46を、所望の空間配置に応じて、第1の複数のT字状構造体22の形成に使用されるアンダーカット可能な層14およびイメージング層16と同じまたは異なる材料で形成することが可能であることが認識されるであろう。第2のイメージング層46の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約500nmまで、より好ましくは約50nmから約300nmまで、最も好ましくは約100nmから約200nmまで変動するであろう。次に、第2の複数のT字状構造体22’を形成するために、第2のイメージング層46およびアンダーカット可能な層44が上述されるようにパターン形成される。第2の複数のT字状構造体22’は、直立したレッグ24’および略水平なセクション26’をそれぞれ有し、アンダーカットエリア23a’、23b’を定義する。レッグ24’は、ベーキング後の第2のアンダーカット可能な層44と化学的に同一であり、対向する垂直側壁32a’、32b’によって接合された上側部分および下側部分28’、30’を有する。側壁32a’、32b’は、互いに略平行であり、さらに、表面38aに対して略垂直であり、下側部分30’は、第1の選択的エッチングの可能な層38の表面38aに接触する。即ち、垂直側壁32aまたは32b’、および表面38aによって形成された角度A’は、約70°から約110°まで、より好ましくは約80°から約100°まで、より一層好ましくは約85°から約95°までである。図4Bに示されているように、セクション26’は、ベーキング後の第2のイメージング層46の非露出部分と化学的に同一であり、それぞれの上側表面および下側表面34a’、34b’および端部壁36a’、36b’を有する。セクション32’は、端部壁36a’、36b’の間で測定された最長距離である長さL’を有する。L’は、好ましくは約10nmから約1,000nmまで、より好ましくは約20nmから約100nmまで、最も好ましくは約38nmから約45nmまで変動するであろう。上側表面および下側表面34a’、34b’は、互いおよび表面38aに略平行である一方、端部壁36a’、36b’は、互いおよび側壁32a’、32b’に略平行でありかつ表面38aに対して略垂直である。セクション26’の下側表面34b’は、レッグ24’の上側部分28’に隣接する。直立したレッグ24’は、表面38aおよび下側表面34b’の間の最長距離によって定義される高さH’を有する。この高さH’は、第2のアンダーカット可能な層44の平均的厚さに略対応するであろう。第2の複数のT字状構造体22’のレッグ高さH’は、より好ましくは約1nmから約500nmまで、より好ましくは約50nmから約200nmまで、最も好ましくは約100nmから約200nmまで変動するであろう。アンダーカットエリア23a’は、側壁32a’、および端部壁36a’によって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wa’を有する。同様に、アンダーカットエリア23b’は、側壁32b’、および端部壁36b’によって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Wb’を有する。このプロセスは、幅Wa’、Wb’をコントロールし、エッチングまたは他のプロセス実行中にレッグ24’の高さ全体を全く失わずに相対的小さくすることができるという特徴を有する。本発明のプロセスは、結果として約1nmから約100nmまで、好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでのWa’またはWb’を得ることが可能である。Wa’またはWb’は、好ましくはL’の約0.5から約49まで、より好ましくはL’の約10から約40まで、より一層好ましくはL’の約20から約35までである。次に、図4Cに示されているように、第2の選択的エッチング可能な組成物38’が、スタック10’に塗布され、アンダーカットエリア23a’、23b’を満たす。図4D~Fに示されているように、第1と第2の選択的エッチング可能な組成物38、38’は、第1と第2のT字状構造体22、22’をマスクとして使用して、選択的に取り除かれ、アンダーカットエリアの中、および第2の複数のT字状構造体22’の下だけに第1と第2のエッチングの可能な組成物38、38’を残す。次に、一連のエッチングおよび/または現像のステップを使用して、第1と第2のアンダーカット可能な層14、44、および第1と第2のイメージング層16、46を、第2の複数のT字状構造体22’の直立したレッグ24’の真下にある第1の選択的エッチング可能な組成物38の残部と共に取り除き、図4Gに示されているように、第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40および第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’を残すことが可能である。第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40は、アンダーカットエリア23a、23bに堆積された第1の選択的エッチング可能な組成物38と同一である。第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア23a’、23b’に堆積された第2の選択的エッチング可能な組成物38’と同一である。第1のアンダーカットが形成されたフィーチャ40は、図1に関して上述されるように、アンダーカットエリア23a、23bの幅Wa、Wbに実質的に対応する幅wをそれぞれ有するであろう。第1のアンダーカットが形成されたフィーチャ40の高さhは、図1に関して上述されるように、直立したレッグ24の高さHに実質的に対応するであろう。第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、アンダーカットエリア23a’、23b’の幅Wa’、Wb’に実質的に対応する幅w’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットが形成されたフィーチャ40’の幅w’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、最も好ましくは約1nmから約20nmまで変動するであろう。第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、第1の選択的エッチング可能な組成物38および第2のアンダーカット可能な層44の合計の平均的厚さに実質的に対応するであろう換言すれば、第1の選択的エッチング可能な組成物38の平均的厚さプラス第2の複数のT字状構造体22’の直立したレッグ24’の高さと実質的に等しい。さらに具体的に言うと、第2のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’の高さh’は、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約20nmから約60nmまで、最も好ましくは約30nmから約50nmまで変動するであろう。w’:h’の比率は、好ましくは約10:1から約1:10まで、より好ましくは約1:1から約1:5まで、より一層好ましくは約1:1から約1:3まで変動するであろう。アンダーカット可能な層14、44の厚さを調節することによって、最後のアンダーカットが形成されたフィーチャ40、40’の高さを調節することが可能である一方、アンダーカットおよび/または使用されるエッチングプロセスの量を調節することによって、幅をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。本発明のさらなる実施形態は、図5に示されている。図5Aに関して、アンダーカットエリアが充填されたT字状構造体22は、まず、図1A~Dについて上述されるような基板の表面12a、または存在するかもしれない中間層図示せず上に形成される。第1のコンフォーマル層70は、図5Aに示されているように、T字状構造体22を覆うように形成される。化学気相堆積法CVD、プラズマ強化CVDPECVD、物理気相堆積法、原子層堆積法、またはスピンコーティングを含むあらゆる適切な方法を使用して、第1のコンフォーマル層70を塗布することが可能である。基板を覆う第1のコンフォーマル層の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでである。第1のコンフォーマル層70は、T字状構造体22の上側表面34aを端部壁36a、36bと共に実質的に覆い、均一にコーティングするのに十分な平均的厚さで塗布されて、構造体の空間配置を覆う上述の平均的厚さを達成するのが好ましい。従って、図5Aに示されているように、第1のコンフォーマル層70は、基板の表面12aに実質的に平行に走る略水平部分70aを、端部壁36a、36bに実質的に平行に走る略垂直部分70bと共に有するであろう。略水平部分70aが基板の表面12aおよびT字状構造体22の上側表面34aに隣接するであろう一方、略垂直部分70bがT字状構造体22の端部壁36a、36bおよび充填されたアンダーカットエリア23a、23bに隣接するであろうことが認識されるであろう。次に、図5Bに示されているように、第1のコンフォーマル層71に隣接する位置に第2のコンフォーマル層72が形成される。第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70と異なる材料で形成されるのが好ましい。コンフォーマル層の形成での使用に適した組成物は、より詳細に以下に説明される。CVD、PECVD、物理気相堆積法、原子層堆積法、またはスピンコーティングを含むあらゆる適切な方法を使用して、第2のコンフォーマル層72を塗布することが可能である。スタックを覆う第2のコンフォーマル層72の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでである。第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70の空間配置を実質的に覆い、均一にコーティングするのに十分な平均的厚さで塗布されて、この空間配置を覆う上述の平均的厚さを達成するのが好ましい。従って、図5Bに示されているように、第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70の略水平部分70aに隣接した略水平部分72aを、第1のコンフォーマル層70の略垂直部分70bに隣接した略垂直部分72bと共に有するであろう。図5Cに示されているように、スタック10’は、第2のコンフォーマル層72の一部を取り除いて、第1のコンフォーマル層70の一部の覆いを除去するための第1のエッチングを受ける。エッチングは、CF4、CHF3、O2、HBr、Cl2、SF6、C2F6、C4F8、CO、CO2、N2、H2、C4H8、Ar、N2H2、He、CH2F2、またはそれらの混合物の反応性イオンプラズマを使用して実行されることが可能である。エッチング時間は、第2のコンフォーマル層72に応じて変化するであろうが、その時間は、一般的に約1秒から約120秒まで、好ましくは約15秒から約90秒まで、より一層好ましくは約30秒から約60秒まで変動するであろう。エッチングすることによって、スタック10’上の略垂直部分72bを残して、第2のコンフォーマル層72の実質的に水平部分72aを取り除くのが好ましい。残りの略垂直部分72bは、上側部分74および下側部分76を有する。図5Dに示されているように、スタック10’は、第1のコンフォーマル層70の覆いを除去された部分を第1のコンフォーマル層70の平均的厚さと実質的に等しい厚さで取り除くための第2のエッチングを受け、T字状構造体22の上側表面34aの覆いを、基板の表面12aの覆いと共に除去する。エッチングは、好ましくは約1秒から約120秒まで、好ましくは約15秒から約90秒まで、より一層好ましくは約30秒から約60秒までの間実行される。従来のエッチングガスの内のいずれを使用しても良いが、第2のエッチングは、第1のエッチングと異なるエッチング液を使用するのが好ましい。第2のエッチングの結果として、第2のコンフォーマル層72の略垂直部分72bの上側部分74が取り除かれる。図5Eに示されているように、スタック10’は、T字状構造体22を、第1のコンフォーマル層70の垂直部分70bと共に取り除くための第3のエッチングを受ける。エッチングは、好ましくは約1秒から約120秒まで、好ましくは約15秒から約90秒まで、より一層好ましくは約30秒から約60秒までの間実行される。従来のエッチングガスの内のいずれを使用しても良いが、第3のエッチングは、第1または第2のエッチングと異なるエッチング液を使用するのが好ましい。第3のエッチング後、アンダーカットが形成されたフィーチャ40は、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78と共に基板の表面上に残留する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ78は、下側部分80および上側部分82を有し、第1のコンフォーマル層70および第2のコンフォーマル層72とそれぞれ化学的に同一である。下側部分80は、基板の表面12a、または存在するかもしれないあらゆる中間層に隣接する一方、上側部分82は、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の下側部分80に隣接する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ78は、第2のコンフォーマル層72の垂直部分72bの平均的厚さに実質的に対応する幅wをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の幅wは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、最も好ましくは約1nmから約20nmまで変動するであろう。コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の高さhは、好ましくは約1nmから約150nmまで、より好ましくは約20nmから約80nmまで、最も好ましくは約30nmから約60nmまで変動するであろう。第1と第2のコンフォーマル層70、72の平均的厚さを、スタック10’上で実行されるエッチングの量と共に変化させることによって、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の高さhおよび幅wをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。図6は、本発明のさらなる実施形態を示す。アンダーカットエリアが充填されたT字状構造体22は、まず、図1A~Dについて上述されるような基板の表面12a、または存在するかもしれないあらゆる中間層の上に形成される。この方法は、コンフォーマル層の堆積の前に、イメージング層16が取り除かれ、アンダーカット可能な層14直立したレッグ24およびアンダーカットエリア23a、23bに堆積された選択的エッチングの可能な材料38を残す以外は、図5について上述されたプロセスに類似する。図6Aに関して、第1のコンフォーマル層70は、直立したレッグ24および選択的エッチングの可能な材料38を覆うように形成される。第1のコンフォーマル層70は、図5について上述されたものを含むあらゆる適切な方法を使用して塗布されることが可能である。基板を覆う第1のコンフォーマル層70の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでである。第1のコンフォーマル層70は、直立したレッグ24および選択的エッチングの可能な材料38を実質的に覆い、均一にコーティングするのに十分な平均的厚さで塗布されて、これらの構造体を覆う上述の平均的厚さを達成するのが好ましい。従って、図6Aに示されているように、第1のコンフォーマル層70は、基板の表面12aに実質的に平行に走る略水平部分70aを、直立したレッグ24と実質的に平行に走る略垂直部分70bと共に有するであろう。略水平部分70aが、基板の表面12a、ならびに直立したレッグ24および選択的エッチングの可能な材料38の上側表面25に隣接するであろう一方、略垂直部分70bが、選択的エッチングの可能な材料38の側壁に隣接するであろうことが認識されるであろう。次に、図6Bに示されているように、第1のコンフォーマル層71に隣接する位置に第2のコンフォーマル層72が形成される。第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70と異なる材料で形成されるのが好ましい。第2のコンフォーマル層72は、図5について上述されたもののようなあらゆる適切な方法を使用して塗布されることが可能である。第2のコンフォーマル層72の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでである。第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70の空間配置を実質的に覆い、均一にコーティングするのに十分な平均的厚さで塗布されて、この空間配置を覆う上述の平均的厚さを達成するのが好ましい。従って、図6Bに示されているように、第2のコンフォーマル層72は、第1のコンフォーマル層70の略水平部分70aに隣接した略水平部分72aを、第1のコンフォーマル層70の略垂直部分70bに隣接した略垂直部分72bと共に有するであろう。図6Cに示されているように、スタック10’は、第2のコンフォーマル層72の実質的に水平部分72aを取り除き、第1のコンフォーマル層70の略水平部分の覆いを除去するための第1のエッチングを受ける。図6Dに示されているように、スタック10は、アンダーカット可能な層14即ち、直立したレッグ24、および第2のコンフォーマル層72によって保護されない第1のコンフォーマル層70の一部即ち、第2のコンフォーマル層72をエッチマスクとして使用することを取り除くための第2と第3のエッチングを受ける。このプロセスは、複数のフィーチャを生じ、そのフィーチャは、アンダーカットエリア23a、23bに最初に堆積された選択的エッチングの可能な材料38に対応する、アンダーカットが形成されたフィーチャ40を、第2のコンフォーマル層72の残部、および残りの第2のコンフォーマル層72の直接下方にある第1のコンフォーマル層70の一部に対応する、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78と共に有する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ78は、実質的に第2のコンフォーマル層72の垂直部分72bの平均的厚さに対応する幅wをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の幅wは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、最も好ましくは約1nmから約20nmまで変動するであろう。コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の高さhは、好ましくは約1nmから約150nmまで、より好ましくは約20mnから約80nmまで、最も好ましくは約30nmから約60nmまで変動するであろう。第1と第2のコンフォーマル層70、72の厚さを、スタック10’上で実行されるエッチングの量と共に変化させることによって、コンフォーマルに形成されたフィーチャ78の高さhおよび幅wをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。図7は、本発明のさらなる実施形態を示す。図7Aに示されているように、第1の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40は、図1に関して上述されるようなスタック10上に形成される。この実施形態では、スタック10は、基板12、基板に隣接した第1のエッチ転写層84、および第1のエッチ転写層84に隣接したハードマスク86を有し、アンダーカットが形成されたフィーチャは、ハードマスク86の表面86aに隣接する。第1のエッチ転写層84の形成に使用される好ましい組成物は、厚い層の形成に適したものであり、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、好ましくは約0.1重量から約70重量まで、より好ましくは約5重量から約40重量まで、より好ましくは約10重量から約30重量までの固形分を有するであろう。特に好ましい組成物は、より詳細に以下に説明されるカーボンリッチ組成物を含む。カーボンリッチ組成物が塗布された後、その組成物は、溶剤を蒸発させるために、好ましくは約100°Cから約300°Cまで、より好ましくは約160°Cから約205°Cまでの温度に、約30秒から約120秒まで好ましくは約45秒から約60秒までの間、加熱される。非常に厚い層14例えば、>500nmのために、まず、約50°Cから約200°Cまで好ましくは約100°Cから約150°Cまでの温度に、約30秒から約120秒まで好ましくは約45秒から約60秒までの間、層を加熱した後、約160°Cから約300°Cまで好ましくは約180°Cから約205°Cまでの温度に、約30秒から約120秒まで好ましくは約45秒から約60秒までの間、層を加熱する2段階ベーキングを使用して、層84の厚さにわたって完全に硬化させることが可能である。第1のエッチ転写層84の平均的厚さベーキング後は、好ましくは約1nmから約1,000nmまで、より好ましくは約20nmから約200nmまで、より一層好ましくは約50nmから約100nmまでである。ハードマスクとしての使用に適したあらゆる耐エッチング性組成物を使用して、第1のハードマスク層86を形成しても良い。本発明の中で使用することが可能な市販のハードマスクは、OptiStackRHM-710ブルーワーサイエンス社、ローラ、MOを含む。第1のハードマスク層86の平均的厚さは、好ましくは約1nmから約100nmまで、より好ましくは約10nmから約80nmまで、より一層好ましくは約20mnから約50nmまでである。次に、図7Bに示されているように、スタック10は、アンダーカットが形成されたフィーチャ40をエッチマスクとして使用して、ハードマスク86にアンダーカットが形成されたフィーチャ40のパターンを転写するための第1のエッチングを受ける。このプロセスの結果として、第1のエッチ転写層84の表面84aに隣接した第1の複数のハードマスクフィーチャ88が得られる。第2のエッチ転写層84’がスタック上に形成され、第1の複数のハードマスクフィーチャ88を覆うようにコーティングした後、第2のハードマスク層86’が形成される。第2の層に使用される材料は、所望の空間配置に応じて、第1のプロセス実行ステップで使用されるものと同じまたは異なることが可能である。図7Dに示されているように、第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’は、図1に関して上述されるような第2のハードマスク層86’の表面86a’上に再形成される。スタック10は、第2のハードマスク層86’に第2の複数のアンダーカットが形成されたフィーチャ40’のパターンを転写し、図7Eに示されているように、第2のエッチ転写層84’の表面84a’上に第2の複数のハードマスクフィーチャ88’を生じるための第2のエッチングを受ける。次に、スタック10は、第1と第2の複数のハードマスクフィーチャ88、88’をエッチングストップとして使用して、第1と第2のエッチ転写層84、84’にパターンを転写するための第3のエッチングを受ける。結果として得られるフィーチャ90は、図7Fに示されたように、約1nmから約100nmまで、より好ましくは約1nmから約50nmまで、より一層好ましくは約1nmから約20nmまでの幅w、w’を有するであろう。図1に関して上述されるようなT字状構造体を形成する場合には、アンダーカットの量を調節することによって、フィーチャ90の幅を調節することが可能であることが認識されるであろう。フィーチャh、h’の高さは、第1と第2のエッチ転写層84、84’のそれぞれの厚さに応じて変化するであろうが、通常は、約1nmから約150nmまで、より好ましくは約20nmから約80nmまで、より一層好ましくは約30nmから約60nmまで変動するであろう。埋め込まれたハードマスクを使用することによって、フィーチャ90の構成が、図7Fに示されているように、様々な高さh、h’を有することが可能になるという特徴を有する。いくつかの実施形態では、ハードマスクの使用は、選択可能であり、アンダーカットが形成されたフィーチャ40自体は、このプロセスのエッチングストップとして使用されることが可能である。本書に記載されたプロセスの内のあらゆるものを好きなだけ繰り返して、多数の異なるサイズのフィーチャを形成することが可能であることが認識されるであろう。さらに、これらのプロセスを、他のパターン形成アプローチと共に使用することも可能である。さらに、基板、またはスタックに存在するかもしれないあらゆる中間層または背面層に、本書に記載されたフィーチャを最終的に転写することが可能であることも認識されるであろう。従来の実施形態の内のあらゆるものでは、当業者は、さらに、1つ以上の選択可能な中間層がアンダーカット可能な層およびイメージング層の間に存在することが可能であることを認識するであろう。例えば、本発明の様々な実施形態の中でアンダーカット可能な層の形成に使用される材料に応じて、適切な中間層は、反射防止膜、下塗層、および/またはエッチマスク層を含む。特に、アンダーカット可能な層が反射防止特性を有しない場合には、イメージング層およびアンダーカット可能な層の間に反射防止膜を使用するのが望ましいであろう。同様に、イメージング層が非常に薄い場合には、アンダーカット可能な層およびイメージング層の間にエッチマスク層を用意しても良い。アンダーカット可能な層およびイメージング層の間に1つ以上の中間層が存在するような実施形態では、これらの層は、結果として得られるT字状構造体の略水平なセクションの一部として存在するであろう。従って、図1を実施例として使用すれば、略水平なセクション26は、イメージング層ベーキング後、および存在するかもしれないあらゆる中間層と化学的に同一であろう。上側表面34aが、イメージング層に対応するであろう一方、直立したレッグ24の上側部分28に隣接した下側表面34bが、中間層が存在する場合にはその最も下側の中間層に対応するであろうことが認識されるであろう。この構成は、本書に記載されたT字状構造体の内のあらゆるものに対して同様に適用することができる。本発明の特定の好ましい実施形態が図示され、明細書に記載されているが、そのような開示がほんの一例であることが理解されなければならない。本発明の実施形態は、本発明の理想的な実施形態の模式的な図である断面図を参照して本書に記載されている。例えば生産技術および/または誤差の結果として図の形状から変化しても、変化したものとして考慮されなければならない。本発明の基本理念を開示された特定の実施形態に限定する意図は存在しない。例えば、図面では、層および領域のサイズおよび相対的サイズは、明瞭さのために誇張されるかもしれない。さらに、本発明の実施形態は、本書に示された領域の特定の形状に限定されるように解釈されるべきではないが、結果として例えば生産から得られた形状誤差を含まなければならない。例えば、長方形として図示されたエッチングされた領域が、円形または曲面のフィーチャを有するかもしれない。従って、図示された領域は、本来模式的であり、それらの形状は、必ずしもデバイスの領域の正確な形状を示すように意図されたものではなく、具体的に指示されない限り、本発明の範囲を限定するように意図されたものではない。本発明で使用される組成物1.アンダーカット可能な層本発明の一形態では、現像液可溶性組成物を使用して、アンダーカット可能な層を形成することが可能である。本書で使用される用語現像液可溶性組成物とは、現像液に可溶性であるか、または放射線照射時に現像液可溶性にすることが可能な、従来の反射防止膜、ギャップ充填用組成物、またはカスタム開発された組成物を含むあらゆる適切な組成物を意味する。上述されるように、組成物は、感光性および/または架橋性であることが選択可能である。好ましい組成物は、後の層との混合を防ぐための耐溶剤剥離性を与える部分、ベース可溶性の基またはベース可溶性にすることが可能な基、および必要に応じて脱離基例えば、酸に不安定な基を含むであろう。組成物は、通常、溶媒システムに分散または溶解した化合物を含むであろう。化合物は、一般的に、ポリマー、オリゴマー、およびそれらの混合物から成る群から選択されるであろう。特に好ましい化合物は、ポリアミド酸、アクリル酸塩、メタクリル酸塩、ポリエステル、およびそれらの混合物から成る群から選定される。化合物は、100重量として得られた組成物の中の全成分の全重量に基づいて、好ましくは約0.1重量から約10重量まで、好ましくは約0.5重量から約2重量まで、より好ましくは約0.7重量から約1.5重量までのレベルで組成物の中に存在する。化合物がポリマーである場合には、重量平均分子量は、好ましくは約1,000ダルトン~100,000ダルトンであり、より好ましくは約1,000ダルトン~25,000ダルトンである。化合物がオリゴマーである場合には、重量平均分子量は、好ましくは約500ダルトン~3,000ダルトンであり、より好ましくは約500ダルトン~1,500ダルトンである。いくつかの実施形態における好ましいポリマーは、酸性の官能基を含むであろう。酸性基は、100重量として得られた化合物の全重量に基づいて、好ましくは少なくとも約5重量、好ましくは約5重量~90重量、より一層好ましくは約5重量~50重量のレベルで化合物の中に存在する。好ましい酸性基は、フェノール酸、カルボン酸-COOH、およびそれらの混合物を含むが、いくつかの実施形態では、フェノール酸を含まない。特に好ましいポリアミド酸は、以下の化学式を有する循環モノマーを含む。ここで、XおよびYのそれぞれは、脂肪族基およびアリール基から成る群から個々に選択される。特に好ましいX基およびY基は、置換されたおよび非置換のフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、およびアントリル基、並びに置換されたおよび非置換のC1-C12の脂肪族基好ましくはアルキル基であるから成る群から選択されたものを含む。これらは、二無水物をジアミンと共に重合させることによって形成することができる。これらのポリマーとこれらのポリマーを含む適切な現像液可溶性組成物との合成は、参照によってその全内容が本書に組み込まれた米国特許第7,261、997号および第7,364,835号に記載されている。組成物で使用される特に好ましいポリアミド酸は、以下のものから成る群から選択された循環モノマーを含む。ここで、Xは、-0-、-S-、-CH2-、-CCF32-、および-CCH32-から成る群から選択され、nは、2~8であり、各Rは、-Hおよび-OHから成る群から個々に選択される。さらに本発明の方法では、非共有的に架橋性の例えば、水素結合したポリマーを使用することができる。用語非共有的な架橋形成、非共有的に架橋形成された、または非共有的に架橋性のとは、本書では、共有結合のような、電子対の密接に結合した共有を含まず、むしろ電磁相互作用のより広く分散したバリエーションを含む架橋形成を指すのに使用される。非共有的な架橋形成の好ましい実施例は、水素結合および静電気の分子間引力を含む。一般的に、架橋形成された時点で、これらの化合物は、-OH---O、-OH---N、-NH---O、または-NH---N、および前述のものの組み合わせから成る群から選択された化学式を有する連鎖を含むであろう。特に好ましい非共有的に架橋性のポリマーは、以下の循環モノマーを含むであろう。上記化学式では、nは、0~4であり、x:yのモル比は、約1:3から約3:1までである。R1は、保護基であり、各R2は、アルキル基、ハロゲン、-OH、および多機能性フェノールから成る群から個々に選択される。好適な保護基は、以下のものから成る群から選択される。ここで、R3は、アルキル基から成る群から選択される。反射防止膜およびアンダーカット可能な層に適したギャップ充填用組成物で使用される化合物は、架橋性である。従って、いくつかの実施形態では、組成物は、さらに、化合物と共に溶媒システムに分散または溶解した架橋剤を含むであろう。適切な架橋剤は、アミノ樹脂例えば、両者共サイテックインダストリーズ社からのPOWDERLINKR1174、CYMELR、多機能性エポキシ樹脂例えば、バンティコ社からのCY179MA、チバガイギー社からのMY720、シアヌール酸塩トリエポキシプロピルイソシアヌレート、およびビニルエーテルを含み、ビニルエーテルおよびエポキシ樹脂が特に好ましい。市販のビニルエーテルの一実施例は、VECTomerTMという商品名アルドリッチ社、セントルイス、MOで販売されているものを含む。組成物で使用される特に好ましいビニルエーテル架橋剤は、以下の化学式を有する。ここで、R’は、アリール基好ましくはC6-C14であるおよびアルキル基好ましくはC1-C18であり、より好ましくはC1-C10であるから成る群から選択され、各Xは、アルキル基好ましくはC1-C18であり、より好ましくはC1-C10である、アルコキシル基好ましくはC1-C18であり、より好ましくはC1-C10である、カルボニル基、および前述の2つ以上のものの組み合わせから成る群から個々に選択され、nは、少なくとも2であり、好ましくは2~6である。最も好ましいビニルエーテルは、エチレングリコールビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、1、4-シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、およびそれらの混合物から成る群から選択されたものを含む。別の好ましいビニルエーテルは、以下のものから成る群から選択された化学式を有する。これらの実施形態では、現像液可溶性のアンダーカット可能な層は、ベーキング中に架橋形成を行ない、上述されるような架橋層または硬化層を生じる。硬化層は、現像液可溶性にするために、架橋除去されなければならない。この反応図式は、以下に示されている。アンダーカット可能な層は、この架橋除去が行なわれた後には、現像液可溶性になることが認識されるであろう。架橋除去は、一般的に、フォトアシッドジェネレータPAGまたはサーマルアシッドジェネレータTAGのような、現像液可溶性の組成物の中に存在する触媒によって開始される。適切なPAGは、オニウムの塩類例えば、TPSノナフレート、TPSトリフラートのようなトリフェニルスルホニウムパーフルオロスルフォネート、および全てシグマ-アルドリッチ社から入手可能なトリス4-tert-ブチルフェニルスルホニウムパーフルオロ-1-ブタンスルフォネートアルキル置換TPSノナフレートのようなその置換された形態、オキシムスルホン酸塩例えば、チバ社によってCGIRという名称で販売されているもの、トリアジン例えば、みどり化学株式会社から入手可能なTAZ108R、およびそれらの組み合わせを含む。適切なTAGは、スルホン酸例えば、スルホン酸エステル、p-トルエンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、トリフリン酸、キングインダストリーズ社によって販売されているK-PURERという名称で入手可能なものなどを含む。露光の際に、アシッドジェネレータから酸が生成され、この酸が層の中の化合物を架橋除去する。即ち、酸は、熱的な架橋形成によって化合物と架橋剤との間に形成された結合の破壊に触媒作用を及ぼす。ポリマーまたはオリゴマーが、カルボン酸のような酸性基を含む場合には、架橋除去の結果として、組成物の中に元々存在している同じポリマーまたはオリゴマーが、アルコールおよびアセチルアルデヒドと共に形成される。いくつかの実施形態では、非共有的に架橋性の組成物のような組成物は、架橋剤の助けなしに自己架橋形成する。従って、本発明の他の形態では、非共有的に架橋性の実施形態を非感光性の実施形態と共に含めて、現像液可溶性組成物が実質的に架橋剤を含まないのが好ましい。組成物は、さらに、実質的にアシッドジェネレータ例えば、PAG、TAGなどを含まないことが可能である。実質的に含まないとは、組成物が、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、約0.1重量未満、好ましくは約0.05重量未満、好ましくは約0重量の成分を含むことを意味する。組成物は、さらに、熱的にかまたは露光によるかのいずれかで架橋形成/架橋除去を開始することができる他の化学薬品を実質的に含まないことが可能である。さらに、通常は、反射防止組成物は、使用時に発色団光減衰化合物または部分を含むであろう。発色団は、化合物化合物上の官能基に対して、あるいは直接ポリマーバックボーンまたはオリゴマーコアに対してに接合されることが可能であるか、または、発色団は、単に物理的に組成物に混合されることが可能である。発色団は、組成物が処理される波長に基づいて選択される。例えば、248nmの波長では、好ましい発色団は、ナフタリン例えば、ナフトエ酸メタクリル酸塩、3、7-ジヒドロキシナフトエ酸、複素環発色団、カルバゾール、アントラセン例えば、9-アントラセンメチルメタクリル酸塩、9-アントラセンカルボン酸、および前述の官能基を含む。193nmの波長では、好ましい発色団は、置換されたおよび非置換のフェニル基、複素環発色団例えば、フラン環、チオフェン環、および前述の官能基を含む。組成物の中に存在することが可能な追加成分は、界面活性剤、接着促進剤、または表面改質剤を含む。実施形態にかかわらず、組成物は、適切な溶媒システムの中で、好ましい周囲条件で、および実質的に均一な分散を形成するのに十分な時間、ポリマー、オリゴマー、またはそれらの混合物を単に分散または溶解させることによって形成される。他の成分例えば、架橋剤、PAGは、化合物と共に溶媒システムの中で分散または溶解されるのが好ましい。好ましい溶媒システムは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールメチルエーテルPGME、プロピレングリコールn-プロピルエーテルPnP、乳酸エチル、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトンGBL、およびそれらの混合物から成る群から選択された溶剤を含む。溶媒システムは、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、約80重量~99重量、好ましくは約95重量~99重量のレベルで利用されるべきである。従って、組成物は、通常、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、約1重量~20重量、好ましくは約1重量~5重量の固形分を有する。好適な現像液可溶性組成物は、ARCRDS-K101ブルーワーサイエンス社、ローラ、MO、およびARCRDS-A520ArF感光性反射防止膜;ブルーワーサイエンス社、ローラ、MOを含む。さらに、本発明の方法で使用される追加組成物は、参照によってそれらの全内容が本書に組み込まれた米国特許出願公開第2007-0207406号および第2009/0035590号と同様に、米国特許第6,872,506号、第7,261,997号、第7,364,835号、第7,601,483号、および第7,914,974号に開示されている。2.選択的エッチング可能な組成物本書に記載されているアンダーカットが形成されたフィーチャの形成における使用に適した選択的エッチング可能な組成物は、積極的なエッチング処理に対して非常に小さいフィーチャサイズに分解せずに十分に耐えるほどロバストであるだけでなく、本発明の方法によって形成された極めて小さいアンダーカットエリアを満たすほど十分にデリケートでなければならない。好適な材料は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含むであろう。本発明での使用に適したシリコン含有化合物は、Si3N4、SiO2、SiC、SiON、およびそれらの組み合わせを含む。本発明での使用に適した金属含有化合物は、Hf、Al、Ti、Sb、Ge、Zr、Zn、Mg、Sr、Ba、Pb、Au、Ag、Cu、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含む。化合物は、ナノ粒子、ナノコロイド状材料、または低分子量ポリマーであることが可能である。ナノ粒子およびナノコロイド状材料は、充填されるべきアンダーカットエリアよりも小さい平均粒径を有しなければならない。平均粒径は、好ましくは約0.5nmから約10nmまで、より好ましくは約1nmから約7nmまで、より一層好ましくは約2nmから約5nmまでの範囲であろう。平均粒径は、粒子の最大表面間寸法の平均値を指す。例えば、球状粒子の場合には、平均粒径は、組成物の中の粒子の直径の平均値になるであろう。同様に、低分子量ポリマーは、充填されるべきアンダーカットエリアに流れ込むのに十分小さいチェーンサイズを有しなければならない。組成物で使用される低分子量のシリコン含有ポリマーは、好ましくは約1,000ダルトンから約100,000ダルトンまで、好ましくは約8,000ダルトンから約30,000ダルトンまで、より好ましくは約10,000ダルトンから約25,000ダルトンまでの重量平均分子量を有する。組成物で使用される低分子量金属含有ポリマーは、好ましくは約1,000ダルトンから約100,000ダルトンまで、より好ましくは約2,000ダルトンから約20,000ダルトンまで、より一層好ましくは約2,000ダルトンから約15,000ダルトンまでであろう。選択的エッチング可能な組成物は、適切な溶媒システムの中で、好ましい周囲条件で、および実質的に均一な分散を形成するのに十分な時間、シリコンおよび/または金属の含有化合物を分散または溶解させることによって形成される。好ましい溶媒システムは、水、MIBC、メチレン、およびそれらの混合物から成る群から選択された溶剤を含む。溶媒システムは、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、約90重量から約99.9重量まで、好ましくは約95重量から約99.5重量まで、より好ましくは約98重量から約99重量までのレベルで利用されるべきである。従って、組成物は、通常、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、約0.1重量から約3重量まで、好ましくは約0.5重量から約2.5重量まで、より好ましくは約1重量から約2重量までの固形分を有する。あらゆる追加成分例えば、界面活性剤、フォトアシッドジェネレータPAG、サーマルアシッドジェネレータTAG、光ベースなどは、耐エッチング性化合物を用いた溶媒システムに含まれることが可能である。組成物は、選択的エッチング可能な組成物のために特別に開発されることが可能であるか、またはシリコンハードマスク例えば、OptiStackRHM710ブルーワーサイエンス社、ローラ、MOのような適切な市販のハードマスク組成物は、本発明で使用される所望の固体レベルを達成するために、上述された溶媒システムを使用して薄められることが可能である。3.コンフォーマル層第1のコンフォーマル層の形成における使用に適した組成物は、組成物を含み、その組成物は、平坦化層に対向されるコンフォーマル層即ち、下方にある層および構造体の空間配置の上面および側壁に沿って均一にコーティングする層として堆積されるが、例えば、ウェット現像または酸素アッシングステップの使用によって下方にある構造体を破損せずに容易に取り除かれることが可能である。好適な組成物は、上述された特定の現像液可溶性組成物と共に、カーボンリッチ組成物を含む。本書で使用される用語カーボンリッチとは、100重量として得られた組成物の中の全固形物に基づいて、約50重量よりも多い炭素、好ましくは約70重量よりも多い炭素、より好ましくは約75重量から約80重量までの炭素を含む組成物を指す。適切なカーボンリッチ組成物は、スピンオンカーボン組成物SOCおよびアモルファスカーボン組成物を含む。好適なカーボンリッチ組成物は、一般的に、以下の選択可能な成分、即ち、酸および/またはベース急冷剤、触媒、架橋剤、および表面改質添加物と共に、溶媒システムの中で分散または溶解されたポリマーを含むであろう。好ましい組成物は、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、好ましくは約0.1重量から約10重量まで、より好ましくは約0.5重量から約7重量まで、より好ましくは約1重量から約5重量までの固形分を有するであろう。第2のコンフォーマル層の形成に適した組成物は、コンフォーマル層として堆積されることが可能であるが、耐エッチング性があり、より好ましくは特にフッ素化エッチング液に耐性がある組成物を含む。好適な組成物は、シリコンおよび/または金属の含有化合物、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含む。本発明での使用に適したシリコン含有化合物は、Si3N4、SiO2、SiC、SiON、およびそれらの組み合わせを含む。本発明での使用に適した金属含有化合物は、Hf、Al、Ti、Sb、Ge、Zr、Zn、Mg、Sr、Ba、Pb、Au、Ag、Cu、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含む。第2のコンフォーマル層の形成に使用される好ましい組成物は、100重量として得られた組成物の全重量に基づいて、好ましくは約0.1重量から約10重量まで、より好ましくは約0.5重量から約5重量まで、より好ましくは約1重量から約4重量までの固形分を有するであろう。本書で使用される語句および/またはとは、2つ以上の項目の列記の中で使用される場合には、列記された項目の内の任意の一方を単独で使用することが可能であるか、または、列記された項目の内の2つ以上の任意の組み合わせを使用することが可能であることを意味する。例えば、組成物が構成要素A、B、および/またはCを含むかまたは含まないと記載されている場合には、組成物は、A単独、B単独、C単独、AおよびBの組み合わせ、AおよびCの組み合わせ、BおよびCの組み合わせ、またはA、B、およびCの組み合わせを含むかまたは含まないことが可能である。さらに、本明細書は、本発明の様々な実施形態に関する特定のパラメータを数値化するために、数値範囲を使用する。数値範囲が示されている場合には、単にその範囲の上限値を規定するクレーム限定と共に、単にその範囲の下限値を規定するクレーム限定の記述サポートを示すように、その範囲を解釈しなければならないことが理解されるべきである。例えば、約10から約100までの開示された数値範囲は、約10よりも大きい上限なしにことを規定するクレーム、および約100よりも小さい下限なしにことを規定するクレームの記述サポートを示す。以下の実施例には、本発明に係る方法が記載されている。しかしながら、これらの実施例が説明によって示され、その中のあらゆるものが本発明の範囲全体に関する限定として受け取られるべきでないことを理解しなければならない。アンダーカット形成およびテンプレートの生成シリコンウェハは、TEL製ACT8クリーントラックを使用して、反射防止組成物ARCRDS-K101-307;ブルーワーサイエンス社、ローラ、MOを800rpmで30秒間スピンコートされ、40nmの層を生じた。次に、その反射防止膜が、180°Cで60秒間ベークされた。次に、その反射防止層の上に、フォトレジスト組成物M529Y-4cP;JSR社、サニーヴェール、CAが、1,898rpmで30秒間スピンコートされ、スタックの上部に200nmの層を生じた。次に、フォトレジストが、ポストアプリケーションベークを130°Cで90秒間受けた。以下の表1の中のパラメータに従った露光のために、ASML750スキャナKrFが使用された。次に、フォトレジストが、ポストエクポージャベークを125°Cで90秒間受けた。次に、フォトレジストの露光部分および反射防止層の隣接部分が、水酸化テトラメチルアンモニウムOPD262と45秒間接触することによって現像され、アンダーカットされた。図8は、フォトレジストのアンダーカット形成および反射防止膜の側面部分の除去によって形成された結果として得られるT字状テンプレート構造体を示す、パターン形成されたスタックのSEM画像である。図9は、テンプレート構造体の拡大図である。アンダーカットされたフィーチャの充填およびテンプレートの除去次に、実施例1で準備されたテンプレート構造体のアンダーカットされた部分が、耐エッチング性材料で満たされた。BrewerScienceRCeeRCB200コート/ベークモジュールを使用して、パターン形成されたスタックの上に、実験用のシリカナノ粒子のコロイド状充填材料2nm~10nmの平均粒径;ブルーワーサイエンス社が、1,500rpmで60秒間スピンコートされた後、110°Cで60秒間ベークされた。図10は、テンプレート構造体のアンダーカットされた部分を満たす耐エッチング性材料のSEM画像である。図11は、図10の拡大SEM画像である。次に、アンダーカットされた部分以外のスタックから耐エッチング性材料を取り除くために、オックスフォードエッチング装置を使用して、反応性イオンエッチングが行なわれた。使用されたエッチングガスは、50sccmのCF4であり、ウェハは、100ワットの電力、50mTorrの圧力、および377のDCバイアスで46秒間処理された。図12は、エッチング後のフィーチャのSEM画像であり、その拡大図は、図13に示されている。次に、第2の反応性イオンエッチングが、エッチングガスとして50sccmのO2を使用して、100ワットの電力、60mTorrの圧力、および377のDCバイアスで60秒間行なわれた。T字状構造体の除去後の、アンダーカットされた部分の耐エッチング性材料を残したスタックのSEM画像が図示されている。図14と図15は、150nmの初期T字状構造体によって残されたラインのSEM画像である。図16と図17は、160nmの初期T字状構造体によって残されたラインのSEM画像である。図18と図19は、180nmの初期T字状構造体によって残されたラインのSEM画像である。調査される初期のラインサイズが大きいほど、観察されるフィーチャは小さくなり、テンプレートが作製された時のアンダーカット量を変化させた結果として得られる可能性が高かった。180nmの初期フィーチャは、耐エッチング性材料の30nmの最後のフィーチャを形成した。アンダーカット形成およびテンプレートの生成TEL製ACT8クリーントラックを使用して、反射防止組成物ARCRDS-K101-307;ブルーワーサイエンス社、ローラ、MOの層が、1,500rpmで30秒間シリコンウェハ上に塗布され、70nmの層を生じた。次に、その反射防止膜が、180°Cで60秒間ベークされた。次に、その反射防止層の上に、フォトレジスト組成物M529Y-4cP;JSR社、サニーヴェール、CAが、1,898rpmで30秒間スピンコートされ、スタックの上部に200nmの層を生じた。次に、フォトレジストが、ポストアプリケーションベークを130°Cで90秒間受けた。以下の表2の中のパラメータに従った露光のために、ASML750スキャナKrFが使用された。次に、フォトレジストが、ポストエクスポージャベークを125°Cで90秒間受けた。次に、フォトレジストの露光部分および反射防止層の隣接部分が、水酸化テトラメチルアンモニウムOPD262と45秒間接触することによって現像され、アンダーカットされた。図20は、フォトレジストおよび反射防止膜のアンダーカットによって形成された結果として得られるT字状テンプレート構造体を示す、パターン形成されたスタックのSEM画像である。アンダーカットされたフィーチャの充填およびテンプレートの除去次に、例3で準備されたテンプレート構造体のアンダーカットされた部分が、耐エッチング性材料で満たされた。BrewerScienceRCeeRCB200のコート/ベークモジュールを使用して、パターン形成されたスタックの上に、実験用のシリカナノ粒子のコロイド状充填材料ブルーワーサイエンス社が、500rpmで30秒間スピンコートされた後、100°Cで60秒間ベークされた。図21は、テンプレート構造体のアンダーカットされた部分を満たす耐エッチング性材料のSEM画像である。次に、アンダーカットされた部分以外のスタックから耐エッチング性材料を取り除くために、オックスフォードエッチング装置を使用して、反応性イオンエッチングが行なわれた。使用されたエッチングガスは、50sccmのCF4および30sccmのN2の混合物であり、ウェハは、100ワットの電力、25mTorrの圧力、および377のDCバイアスで120秒間処理された。次に、50sccmのO2を使用して、第2の反応性イオンエッチングが行なわれ、ウェハは、100ワットの電力、60mTorrの圧力、および377のDCバイアスで90秒間処理された。T字状構造体の除去後の、アンダーカットされた部分の耐エッチング性材料を残したスタックのSEM画像が、図22と図23に示されている。アンダーカットされたフィーチャの充填およびテンプレートの除去第2のパターン形成されたスタックが、例3の手順に従って準備された。次に、テンプレート構造体のアンダーカットされた部分が、耐エッチング性材料で満たされた。BrewerScienceRCeeRCB200コート/ベークモジュールを使用して、パターン形成されたスタックの上に、実験用のシリカナノ粒子のコロイド状充填材料ブルーワーサイエンス社が、500rpmで30秒間スピンコートされた後、100°Cで60秒間ベークされた。次に、オックスフォードエッチング装置およびエッチングガスとして50sccmのCF4を使用して、そのスタックの上で反応性イオンエッチングが行なわれた。スタックは、100ワットの電力、10mTorrの圧力、および377のDCバイアスで240秒間処理された。次に、50sccmのO2を使用して、第2の反応性イオンエッチングが行なわれ、ウェハは、100ワットの電力、60mTorrの圧力、および377のDC-バイアスで90秒間処理された。T字状構造体の除去後のアンダーカットされた部分の耐エッチング性材料を残したスタックのSEM画像が、図24と図25に示されている。"