"第1支持部材と、前記第1支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第2支持部材と、前記第2支持部材上に、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、前記第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第1電極と、を含む、発光素子アレイ。前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも1~10μm内側に位置する、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記接合層は、前記第1支持部材上の表面に凹凸を含む、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記それぞれの発光素子の第2支持部材は、金属層によって互いに連結された、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記金属層は、前記第2支持部材と少なくとも一部の組成が同一である、請求項4に記載の発光素子アレイ。前記金属層は、前記接合層と一部の組成が同一である、請求項4に記載の発光素子アレイ。前記金属層は、前記発光構造物と一部の組成が同一である、請求項4に記載の発光素子アレイ。前記第2導電型半導体層と第2支持部材との間にオーミック層をさらに含む、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記オーミック層と第2支持部材との間に反射層をさらに含む、請求項8に記載の発光素子アレイ。前記オーミック層と第2支持部材との間に結合層をさらに含む、請求項9に記載の発光素子アレイ。前記第2支持部材は、導電性支持基板であって、前記導電性支持基板は、Mo、Si、W、Cu及びAlで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金、Au、CuAlloy、Ni-nickel、Cu-W及びキャリアウエハのうち少なくとも一つを含む、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記オーミック層は、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfのうち少なくとも一つを含む、請求項8に記載の発光素子アレイ。前記反射層は、Al、Ag、Pt、Rhのうち一つを含む合金と、Al、Ag、Ni、Pt及びRhのうち少なくとも一つを含む、請求項9に記載の発光素子アレイ。前記結合層は、Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni及びCuで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金を含む、請求項10に記載の発光素子アレイ。前記第1支持部材は、PVC、PAT及びPPTのうちいずれか一つを含む、請求項1に記載の発光素子アレイ。前記第1支持部材は、エポキシ樹脂をさらに含む、請求項15に記載の発光素子アレイ。パッケージボディーと、前記パッケージボディー上に具備され、少なくとも一つの接合層と、前記それぞれの接合層上に導電性支持基板、及び前記それぞれの導電性支持基板上に、第2導電型半導体層と活性層と第1導電型半導体層からなる発光構造物を含む発光素子と、前記パッケージボディー上に具備され、前記発光素子とそれぞれ連結される第1電極と第2電極と、前記発光素子を取り囲む充填材と、を含む、発光素子パッケージ。前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも1~10μm内側に位置する、請求項17に記載の発光素子パッケージ。前記接合層は、前記パッケージボディー上の表面に凹凸が形成された、請求項17に記載の発光素子パッケージ。前記それぞれの発光素子の導電性支持基板は、金属層によって互いに連結された、請求項17に記載の発光素子パッケージ。本発明は、発光素子のダイDieとワイヤーボンディング工程などを容易にすることを目的とする。本発明は、第1支持部材と、前記第1支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第2支持部材と、前記第2支持部材上に、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、前記第1導電型半導体層と第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第1電極と、を含む発光素子アレイを提供する。前記接合層の周縁は、前記発光構造物の周縁よりも1~10μm内側に位置することができる。前記接合層は、前記第1支持部材上の表面に凹凸を含むことができる。前記それぞれの発光素子の第2支持部材は、金属層によって互いに連結されることができる。前記金属層は、前記第2支持部材と少なくとも一部の組成を同一にすることができる。前記金属層は、前記接合層と一部の組成を同一にすることができる。前記金属層は、前記発光構造物と一部の組成を同一にすることができる。前記第2導電型半導体層と第2支持部材との間にオーミック層をさらに含むことができる。前記オーミック層と第2支持部材との間に反射層をさらに含むことができる。前記オーミック層と第2支持部材との間に結合層をさらに含むことができる。前記第2支持部材は、導電性支持基板であって、前記導電性支持基板は、Mo、Si、W、Cu及びAlで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金、Au、CuAlloy、Ni-nickel、Cu-W及びキャリアウエハのうち少なくとも一つを含むことができる。前記オーミック層は、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfのうち少なくとも一つを含むことができる。前記反射層は、Al、Ag、Pt、Rhのうち一つを含む合金と、Al、Ag、Ni、Pt及びRhのうち少なくとも一つを含むことができる。前記結合層は、Au、Sn、In、Al、Si、Ag、Ni及びCuで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金を含むことができる。前記第1支持部材は、PVC、PAT及びPPTのうちいずれか一つを含むことができる。前記第1支持部材は、エポキシ樹脂をさらに含むことができる。他の実施例は、パッケージボディーと;前記パッケージボディー上に具備され、少なくとも一つの接合層と、前記それぞれの接合層上に導電性支持基板、及び前記それぞれの導電性支持基板上に、第2導電型半導体層と活性層と第1導電型半導体層からなる発光構造物を含む発光素子と;前記パッケージボディー上に具備され、前記発光素子とそれぞれ連結される第1電極と第2電極と;前記発光素子を取り囲む充填材と;を含む発光素子パッケージを提供する。実施例による発光素子、その製造方法及び発光素子パッケージは、素子特性及び製造工程上の効率を向上させることができる。以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の好適な実施例を、添付の図面を参照して説明する。上記の各実施例の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッドまたはパターンの上onにまたは下underに形成されると記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは別の層を介在してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下は、図面を基準にして説明する。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。図1及び図2は、実施例による発光素子及び発光素子アレイを示す図である。以下、図1及び図2を参照して実施例による発光素子及び発光素子アレイについて説明する。実施例による発光素子アレイは、第1支持部材上に接合層170bondinglayerを通じてそれぞれの発光素子が接合されている。好ましくは、前記第1支持部材は、ベースシート230であり、前記ベースシート230は、前記発光素子アレイを支持することができる。前記ベースシート230は、UVテープやSi処理されたテープの形状であってもよく、レーザースクライブlaserscribe工程が可能なように優れた耐熱性を有さなければならない。前記ベースシート230は、PVC、PAT及びPPTのうちいずれか一つに、接着性のあるエポキシ樹脂が混合されることができる。そして、それぞれの発光素子の第2支持部材は、金属層160aを通じて連結されて側面において互いに固定可能である。好ましくは、前記第2支持部材は、導電性支持基板160であり、前記金属層160aは、後述のように、レーザーによって溶融した後、再凝固されたものである。また、図2には、2個の発光素子が並列に連結されているが、3個以上の発光素子が並列に金属層160aを通じて連結されることもできる。そして、前記接合層170は、下記の発光構造物の周縁より1~10μm内側に形成されることができる。そして、前記接合層170は、発光素子の幅よりも狭くパターニングされることができ、ここで、前記発光素子の幅は発光構造物の幅のことを意味する。そして、前記接合層170は、必ず発光構造物と同一の形状でなくても良く、前記導電性支持基板160を後述するベースシート230などに固定できれば、円形や四角形または他の多角形形状であっても良い。また、前記接合層170の微細構造は、表面に凹凸が形成されて不均一な厚さを有することがある。前記ベースシート230は、後述する工程においてそれぞれの導電性支持基板160が素子単位に分離された後、それぞれの発光素子が互いに分離されないように支持することができる。前記導電性支持基板160は、電極の役割をすることができるので、優れた電気電導度を有する金属を使用することができ、素子が作動するとき発生する熱を十分に発散させるために、熱伝導度が高い金属を使用することができる。前記導電性支持基板160は、モリブデンMo、シリコンSi、タングステンW、銅Cu及びアルミニウムAlで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金からなることができ、また、金Au、銅合金CuAlloy、ニッケルNi-nickel、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例:GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe、Ga2O3等などを選択的に含むことができる。また、前記導電性支持基板160は、全体窒化物半導体に反りをもたらすことなく、スクライビングscribing工程及び切断breaking工程を通じて別個のチップによく分離できる程度の機械的強度を有さなければならない。前記導電性支持基板160上には反射層146とオーミック層143が形成されることができる。前記反射層146と前記導電性支持基板160との結合のために反射層146が結合層adhesionlayerの機能を果たすか、又は、結合層150が形成されることができる。前記結合層150は、金Au、錫Sn、インジウムIn、アルミニウムAl、シリコンSi、銀Ag、ニッケルNi及び銅Cuで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金によって形成することができる。前記反射層146は、約2500Åの厚さとすることができる。前記反射層146は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、白金Pt、ロジウムRh、又は、AlやAgやPtやRhを含む合金を、含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは、活性層130から発生された光を効果的に反射して、発光素子の光抽出効率を大きく改善させることができる。前記オーミック層143は、約200Åの厚さとすることができる。そして、前記オーミック層143は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち少なくとも一つを含んで形成されることができるが、これらの材料に限定されるものではない。前記オーミック層143上には、第1導電型半導体層120と活性層130及び第2導電型半導体層140を含む発光構造物が形成されることができる。前記第1導電型半導体層120は、第1導電型ドーパントがドーピングされた3族5族化合物半導体で具現されることができ、前記第1導電型半導体層120がN型半導体層である場合、前記第1導電型ドーパントは、N型ドーパントとして、Si、Ge、Sn、Se、Teを含むことができるが、これに限定されない。前記第1導電型半導体層120は、AlxInyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。そして、前記第1導電型半導体層120は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、InPのうち一つ以上で形成されることができる。前記活性層130は、第1導電型半導体層120を通じて注入される電子と、以後形成される第2導電型半導体層140を通じて注入される正孔とが、互いに結合し活性層発光層物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。前記活性層130は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子細線Quantumwire構造、または量子ドットQuantumdot構造のうち少なくとも一つで形成されることができる。例えば、前記活性層130は、トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて、多重量子井戸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記活性層130の井戸層/障壁層は、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs、GaPAlGaPのうち一つ以上のペア構造で形成されることができるが、これに限定されない。前記井戸層は、前記障壁層のバンドギャップよりも低いバンドギャップを有する物質によって形成されることができる。前記活性層130の上又は/及び下には、導電型クラッド層図示せずが形成されることができる。前記導電型クラッド層は、AlGaN系半導体で形成されることができ、前記活性層130のバンドギャップよりは高いバンドギャップを有することができる。前記第2導電型半導体層140は、第2導電型ドーパントがドーピングされた3族5族化合物半導体、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第2導電型半導体層140がP型半導体層である場合、前記第2導電型ドーパントは、P型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどを含むことができる。本実施例で、前記第1導電型半導体層120はP型半導体層として、前記第2導電型半導体層140はN型半導体層として具現することができる。また、前記第2導電型半導体層140上には、前記第2導電型と極性が異なる半導体、例えば、前記第2導電型半導体層がP型半導体層である場合、N型半導体層図示せずを形成することができる。これによって、発光構造物は、N-P接合構造、P-N接合構造、N-P-N接合構造、P-N-P接合構造のうちいずれか一つの構造として具現できる。そして、前記第1導電型半導体層120上に第1電極190が形成されている。前記第1電極190は、モリブデンMo、クロムCr、ニッケルNi、金Au、アルミニウムAl、チタンTi、白金Pt、バナジウムV、タングステンW、鉛Pb、銅Cu、ロジウムRh及びイリジウムIrのうち選択されたいずれか一つの金属、又は前記各金属の合金からなる。図2に示すように、それぞれの発光素子の導電性支持基板160のうち互いに連結された部分を除去すると、それぞれの素子に分離される。前記分離された各素子は、ベースシート230に接合層170を通じて弱く固定されており、前記ベースシート230から分離して個別発光素子として使用することができる。そして、前記ベースシート230から分離した発光素子の第1電極190は、パッケージボディーとワイヤーボンディングされて電源を供給することができる。図3乃至図10は、発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。以下、図3乃至図10を参照して実施例による発光素子の製造方法について説明する。まず、図3に示すように、基板100上に、バッファ層110及び第1導電型半導体層120、活性層130及び第2導電型半導体層140を含む発光構造物を成長させる。前記基板100は、伝導性基板または絶縁性基板を含み、例えば、サファイアAl2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、そしてGa2O3のうち少なくとも一つを使用することができる。前記基板100上には凹凸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記基板100に対して湿式洗浄を行い、表面の不純物を除去することができる。前記発光構造物と基板100との間には、バッファ層110を成長させることができ、それは材料の格子不整合及び熱膨張係数の差を減らすためである。前記バッファ層110の材料は、3族5族化合物半導体、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNのうち少なくとも一つで形成されることができる。前記バッファ層110上には、非ドープundopedの半導体層が形成されることができるが、これに限定されない。そして、前記発光構造物は、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition、MBEMolecularBeamEpitaxy、HVPEHydrideVaporPhaseEpitaxy法などの気相蒸着法により成長されることができる。前記第1導電型半導体層120の組成は、上述した通りであり、化学蒸着方法CVD、又は分子線エピタキシーMBE、又はスパッタリング、又は水素化物蒸気相エピタキシーHVPEなどの方法を用いてN型GaN層を形成することができる。また、前記第1導電型半導体層120は、チャンバにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びシリコンSiのようなn型不純物を含むシランガスSiH4が注入されて形成されることができる。前記活性層130の組成は、上述した通りであり、例えば、前記トリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、及びトリメチルインジウムガスTMInが注入されて、多重量子井戸構造が形成されることができるが、これに限定されない。前記第2導電型半導体層140の組成は、上述した通りであり、チャンバにトリメチルガリウムガスTMGa、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2及びマグネシウムMgのようなp型不純物を含むビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムEtCp2MgMgC2H5C5H42が注入されて、p型GaN層が形成されることができるが、これに限定されない。そして、図4に示すように、前記第2導電型半導体層140上にオーミック層143と反射層146を形成する。すなわち、前記第2導電型半導体層140は、不純物のドーピング濃度が低くいので接触抵抗が高く、よって、オーミック特性が良くない。したがって、このようなオーミック特性を改善させるために、オーミック層143として透明電極を前記第2導電型半導体層140上に形成することができる。透明電極としては、Ni/Auの二重層で構成された透明電極が広く使われており、Ni/Auの二重層で構成された透明電極は、電流注入面積を増加させながらオーミックコンタクトを形成して順方向電圧Vfを低下させる。また、約60~70の低い透過率を有する前記Ni/Auの二重層の代わりに、透過率が約90以上であると知られているTCOTransparentConductiveOxide層をオーミック層143として形成することもできる。前記オーミック層143は、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IZONIZONitride、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfのうち少なくとも一つを含んで形成されることができ、これらの材料に限定されない。そして、前記オーミック層143は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法によって形成されることができる。そして、前記反射層146を約2500Åの厚さとすることができる。前記反射層146は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、白金Pt、ロジウムRh、又は、Al、Ag、Pt、Rhのうち一つを含む合金を、含む金属層からなることができる。アルミニウムや銀などは、前記活性層130から発生された光を効果的に反射して、発光素子の光抽出効率を大きく改善させることができる。そして、図5に示すように、前記反射層146上に導電性支持基板160を形成することができる。前記導電性支持基板160の組成は、上述した通りであり、電気化学的な金属蒸着方法や共晶金属を用いたボンディング方法などによって形成することができる。そして、前記反射層146と前記導電性支持基板160との結合のために、前記反射層146が結合層の機能を行ったり、金Au、錫Sn、インジウムIn、アルミニウムAl、シリコンSi、銀Ag、ニッケルNi及び銅Cuで構成される群から選択される物質、又はこれらの合金で結合層150を形成することができる。前記導電性支持基板160は、熱伝導度の良い軟金属と前記各金属とが、結晶構造及び結晶格子定数がほぼ同一であるので、合金時、内部応力の発生を最小化することができ、かつ機械的強度を大きくすることができる。そして、図6に示すように、前記導電性支持基板160上に接合層170とダミー基板180Dummysubstrateを形成する。ダミー基板180は、図示のように、接合層170の形成後、除去されることができる。接合層170は、Au、Sn、Nb、Pb、In及びMoからなる群から選択された物質、又はこれらの合金で形成されることができる。前記接合層170は、発光素子の幅よりも狭くパターニングすることができ、このとき、前記発光素子の幅は、発光構造物の幅のことを意味する。そして、前記接合層170は、必ず窒化物半導体素子と同一の形状でなくてもよく、前記導電性支持基板160を後述するベースシート230などに固定できれば、円形や四角形または他の多角形形状であっても良い。このとき、前記接合層170のパターニングは、前記接合層170の材料上にマスクを覆ってエッチングしてなることができる。そして、前記接合層170は、発光素子に対応する発光構造物の両側周縁においてそれぞれ1~10μm以内の大きさだけ狭くパターニングされることができる。前記接合層170の幅が大きすぎると、レーザースクライビングLaserscribing工程において、発光構造物を分離するときバリburrが発生して吸着することがある。そして、前記接合層170の幅が小さすぎると、発光構造物を結合するのに充分でない。前記接合層170は、図示のように、ダミー基板180を除去した後、パターニングすることができるが、接合層170の蒸着時にマスクなどを用いて上述した幅でパターニングすることもできる。上述した工程で、導電性支持基板160の大きさよりも小さく形成された接合層170は、後述するレーザースクライビング工程において側面のバリの発生が減少するので、素子の特性を向上させることができる。また、従来の銀Ag系列の接合材料を用いたボンディング方式よりは接合材料の剥離が減少する。そして、図7に示すように、基板100を第1導電型半導体層120から分離させる。基板100の除去は、エキシマレーザーなどを用いたレーザーリフトオフLaserLiftOff:LLO、乾式及び湿式エッチング方法によって行うことができる。特に、基板100の除去は、レーザーリフトオフ方法によって行われることができ、基板100に一定領域の波長を有するエキシマレーザー光をフォーカシングfocusing;集光して照射すると、基板100と第1導電型半導体層120との境界面に熱エネルギーが集中される。したがって、第1導電型半導体層120の界面が、ガリウムと窒素分子に分離されながら、レーザー光が通過する部分において瞬間的に基板100の分離が発生する。このとき、バッファ層110も共に分離されることができる。次いで、図8に示すように、前記発光構造物を素子単位にダイシングdicingする。そして、分離されたそれぞれの発光構造物の第1導電型半導体層120上に第1電極190を形成する。第1電極190は、n型電極として作用し、アルミニウムAl、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、銅Cu、金Auのうち少なくとも一つを含み、単層または多層構造で形成されることができる。図8では、前記接合層170の幅が、前記発光構造物の幅よりも狭くパターニングされている。図9は、図8の‘A’部分の拡大図である。図示のように、前記導電性支持基板160上に接合層170は屈曲がある凹凸形状となっている。前記接合層170の表面は、図示のように、尖状ではなく、丸みを帯びた形状の凹凸形状からなることもできる。また、前記接合層170表面の凹凸は、規則的であっても良く、不規則的であっても良い。すなわち、前記接合層170の厚さが一定でなく不規則であれば良い。このとき、接合層170の表面積が増加して、後述する工程においてベースシート230との接着力が強くなる。そして、図10に示すように、接合層170が形成された導電性支持基板160上に保護層200を形成する。このとき、第1電極190が形成された窒化物半導体上にも保護層210を形成することができる。前記保護層200、210は、後述するチップの分離工程などにおいてそれぞれの発光素子を保護する役割を果たす。そして、前記保護層210上にベースシート220を形成することができる。前記ベースシート220は、後述する工程においてそれぞれの導電性支持基板160が、チップ単位に分離された後、それぞれの発光素子が互いに分離されないように支持する役割を果たす。次いで、図11に示されたように、それぞれの発光素子を分離する。すなわち、図示のように、レーザースクライビング方法laserscribingによって、前記導電性支持基板160と結合層150と反射層146及びオーミック層143を、それぞれの発光構造物に対応して分離させる。そして、前記レーザースクライビング工程の後、溶融された金属の一部が再凝固されて金属層160aをなして、前記分離された導電性支持基板160を連結することができる。また、レーザースクライビング工程において導電性支持基板160の一部を残存させて金属層160aを形成することもできる。前記金属層160aは、再凝固工程において、前記接合層170や発光構造物の組成が一部含まれることができる。そして、図示されていないが、それぞれの発光構造物の周りのパッシベーション層の材料が前記金属層160aに含まれることもできる。そして、図12に示すように、ベースシート230上に前記発光素子を接合する。このとき、ベースシート230上に、それぞれの発光素子の接合層170が接合された状態で固定される。ベースシート230は、図10におけるベースシート220と同一であるが、発光素子を支持する位置が互いに異なる。図示のように、それぞれの発光素子の下面は、接合層170を通じてベースシート230に固定され、それぞれの発光素子の導電性支持基板160は、再凝固された金属層160aを通じて側面において互いに固定される。そして、図12に示すように、それぞれの発光素子を連結する金属層160aを除去して、それぞれの素子に分離する。このとき、除去工程を行う前に、それぞれの発光素子の上部に保護層図示せずを形成することもできる。上述した工程による発光素子アレイは、ベースシート230上に接合層170を通じて複数個の発光素子が固定されている。それぞれの素子単位に分離されたそれぞれの発光素子は、ベースシート230に接合層170を通じて固定されており、切断breaking工程等によって前記ベースシート230から分離して個別発光素子として使用することができる。そして、前記ベースシート230から分離した発光素子の第1電極190は、パッケージボディーとワイヤーボンディングして発光素子パッケージを製造することができる。上述した工程のうち、ダミー基板180下端の接合層の一部が除去されて、レーザースクライビング工程において金属バリが発生せず、したがって、チップ特性が正確になり、パッケージ工程においてダイ/ワイヤーボンディング工程が容易になる。そして、接合層170の表面が凹凸となっており、素子の接着力を増大させることができ、Au、Sn、Nb、Pb、In及びMoなどを接合材料として使用して、従来のAg系列の接合材料を用いたボンディング方式より接合材料の剥離が減少する。図13は、発光素子パッケージの一実施例の断面図である。以下、図13を参照して発光素子パッケージの一実施例について説明する。図示のように、実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディー320と、前記パッケージボディー320に設置された第1電極311及び第2電極312と、前記パッケージボディー320に設置されて、前記第1電極311及び第2電極312と電気的に連結される実施例による発光素子300と、前記発光素子300を取り囲む充填材340と、を含む。前記パッケージボディー320は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、前記発光素子300の周囲に傾斜面が形成されて、光抽出効率を高めることができる。前記第1電極311及び第2電極312は互いに電気的に分離され、前記発光素子300に電源を提供する。また、前記第1電極311及び第2電極312は、前記発光素子300から発生された光を反射させて、光効率を増加させることができ、前記発光素子300で発生した熱を外部に排出させる役割を果たすこともできる。前記発光素子300は、前記パッケージボディー320上に設置されても良く、前記第1電極311または第2電極312上に設置されても良い。そして、前記発光素子300は、図1の発光素子アレイにおいてそれぞれの発光素子を連結する金属層160aが除去され、前記ベースシート230から分離された後、前記接合層170を通じてパッケージボディー320上に固定されることができる。前記発光素子300は、前記第1電極311及び第2電極312と、ワイヤー方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうちいずれが一つによって電気的に連結されることができる。前記充填材340は、前記発光素子300を取り囲んで保護することができる。また、前記充填材340には蛍光体が含まれ、前記発光素子300から放出された光の波長を変化させることができる。前記発光素子パッケージは、上記に開示された各実施例の発光素子のうち少なくとも一つ、または複数個で搭載することができるが、これに限定しない。そして、一つの発光素子パッケージに複数個の発光素子が搭載されるとき、前記それぞれの発光素子の導電性支持基板を連結する金属層160aは除去される。実施例による発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、前記発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されることができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。また他の実施例は、上述した実施例に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとして具現されることができ、例えば、照明システムは、ランプ及び街灯を含むことができる。図14は、発光素子パッケージを含む照明装置の一実施例の分解斜視図である。実施例による照明装置は、光を投射する光源600と、前記光源600が内蔵されるハウジング400と、前記光源600の熱を放出する放熱部500と、前記光源600と放熱部500とを前記ハウジング400に結合するホルダー700と、を含んでなる。前記ハウジング400は、電気ソケット図示せずに結合されるソケット結合部410と、前記ソケット結合部410と連結され、光源600が内蔵されるボディー部400とを含む。ボディー部420には、一つの空気流動口430が貫通して形成されることができる。前記ハウジング400のボディー部420上に複数個の空気流動口430が具備されており、前記空気流動口430は、一つの空気流動口からなることもでき、複数個の流動口を、図示のような放射状の配置以外に多様に配置することもできる。そして、前記光源600は、基板610上に複数個の発光素子パッケージ650が具備される。ここで、前記基板610は、前記ハウジング400の開口部に挿入可能な形状とすることができ、後述のように、放熱部500に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができるそして、前記光源600の下部にはホルダー700が具備され、前記ホルダー700はフレームと、また他の空気流動口とを含むことができる。また、図示されていないが、前記光源600の下部には光学部材が具備されて、前記光源600の発光素子パッケージ650から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。実施例による照明装置は、光出力が向上した発光素子パッケージを使用して、照明装置の輝度を増加させることができる。図15は、発光素子パッケージを含むバックライトを示す図である。図示のように、本実施例による表示装置800は、光源モジュール830,835と、ボトムカバー810上の反射板820と、前記反射板820の前方に配置され、前記光源モジュール830,835から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板840と、導光板840の前方に配置される第1プリズムシート850と第2プリズムシート860と、前記第2プリズムシート860の前方に配置されるパネル870と、前記パネル870の前方に配置されるカラーフィルタ880と、を含んでなる。光源モジュールは、基板830上の発光素子パッケージ835を含んでなる。基板830は、PCBなどが使用されることができ、発光素子パッケージ835は、図13で説明した通りである。前記ボトムカバー810は、表示装置800内の各構成要素を収納することができる。そして、前記反射板820は、本図面のように、別途の構成要素として設けられることもでき、導光板840の後面や前記ボトムカバー810の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けられることもできる。反射板820は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタルレートPolyEthyleneTerephtalate;PETを使用することができる。そして、導光板840は、発光素子パッケージモジュールから放出される光を散乱させて、その光が液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布されるようにする。したがって、導光板840は、屈折率と透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタアクリレートPolyMethylMethAcrylate;PMMA、ポリカーボネートPolyCarbonate;PC、又はポリエチレンPolyEthylene;PEなどで形成されることができる。そして、前記第1プリズムシート850は、支持フィルムの一面に、投光性かつ弾性を有する重合体材料によって形成されることができ、前記重合体は、複数個の立体構造が反復的に形成されたプリズム層を有することができる。前記複数個のパターンは、図示のように山と谷が反復的にストライプ状で具備されることができる。そして、前記第2プリズムシート860において、支持フィルムの一面の山と谷の方向は、前記第1プリズムシート850内の支持フィルムの一面の山と谷の方向と垂直とすることができる。これは、光源モジュールと反射シートから伝達された光を前記パネル870の全方向に均一に分散させるためである。そして、図示されていないが、前記それぞれのプリズムシート上には、保護シートが具備されることができ、支持フィルムの両面に光拡散性粒子とバインダーを含む保護層が具備されることができる。また、前記プリズム層は、ポリウレタン、スチレンブタジエン共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートエラストマー、ポリイソプレン、ポリシリコンで構成される群から選択される重合体材料からなることができる。そして、図示されていないが、前記導光板840と第1プリズムシート850との間に拡散シートが配置されることができる。前記拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系の材料からなることができ、バックライトユニットから入射された光を、屈折と散乱を通じて光投射角を最大に広げることができる。そして、前記拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光射出面第1プリズムシート方向と光入射面反射シート方向に形成され、光拡散剤を含まない第1レイヤーと第2レイヤーと、を含むことができる。そして、前記支持層は、メタクリル酸-スチレン共重合体とメタクリル酸メチル-スチレン共重合体が混合された樹脂100重量に対して、1~10μmの平均粒径を有するシロキサン系光拡散剤0.1~10重量、1~10μmの平均粒径を有するアクリル系光拡散剤0.1~10重量が含まれることができる。そして、前記第1レイヤーと第2レイヤーは、メタクリル酸メチル-スチレン共重合体樹脂100重量に対して、紫外線吸収剤0.01~1重量、帯電防止剤0.001~10重量が含まれることができる。前記拡散シートにおいて前記支持層の厚さは、100~10000μmとすることができ、前記それぞれのレイヤーの厚さは、10~1000μmとすることができる。本実施例で、前記拡散シートと第1プリズムシート850と第2プリズムシート860とが光学シートをなし、前記光学シートは他の組合せ、例えば、マイクロレンズアレイからなるか、または、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組合せ、または、一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイの組合せなど、からなることができる。前記パネル870は、液晶表示パネルLiquidcrystaldisplayが配置されることができ、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類のディスプレイ装置が具備されることができる。前記パネル870は、ガラスボディーの間に液晶が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両ガラスボディーに載せた状態となっている。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を持ち、液体のように流動性を有する有機分子である液晶が結晶のように規則的に配列された状態を有するものであって、前記分子配列が外部電界により変化される性質を利用して画像を表示する。表示装置に使用される液晶表示パネルは、アクティブマトリックスActiveMatrix方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスイッチとしてトランジスタを使用する。そして、前記パネル870の前面にはカラーフィルタ880が具備されて、前記パネル870から投射された光を、画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過するので、画像を表現することができる。以上では、実施例を中心にして説明したが、これは例示に過ぎないもので、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者なら、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない多様な変形と応用が可能であることが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は、変形して実施することができる。そして、このような変形と応用と関連した各差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。"