"電圧印加により抵抗値が変化する抵抗スイッチ、及び当該抵抗スイッチと直列に接続された発光部をそれぞれ有し、マトリクス状に配列された複数の有機ELデバイスと、前記複数の有機ELデバイスそれぞれの前記抵抗スイッチ及び前記発光部に電圧を印加可能な電圧印加手段と、所定の入力信号に基づいて前記抵抗スイッチの抵抗値を設定する書き込み制御、及び、当該書き込み制御で設定された前記抵抗スイッチの抵抗値に対応した輝度で前記発光部を発光させる発光制御を、前記電圧印加手段を制御することにより行う制御手段と、を備えることを特徴とする表示照明装置。前記複数の有機ELデバイスの各行に配線され、前記発光部の電極のうち前記抵抗スイッチが接続された一方の電極とは反対側の電極と接続された複数の陰極バイアス線と、前記複数の有機ELデバイスの各列に配線され、前記抵抗スイッチの電極のうち前記発光部が接続された一方の電極とは反対側の電極と接続された複数の陽極バイアス線と、を備え、前記電圧印加手段は、前記複数の陰極バイアス線及び前記複数の陽極バイアス線を介して、前記複数の有機ELデバイスそれぞれの前記抵抗スイッチ及び前記発光部に電圧を印加可能であることを特徴とする請求項1に記載の表示照明装置。前記制御手段は、所定行の複数の有機ELデバイスに前記書き込み制御を行うときに、予め当該行の陰極バイアス線の電圧をGND電位にしつつ全ての陽極バイアス線に負のパルス電圧を印加して、当該行の全ての抵抗スイッチの抵抗値を低抵抗に設定しておき、各列の有機ELデバイスにおいて、陽極バイアス線の電圧を段階的に昇圧させて抵抗スイッチの抵抗値を変化させ、当該抵抗値が所定値となったことを検知したときに、陽極バイアス線の電圧の昇圧を停止させることを特徴とする請求項2に記載の表示照明装置。前記制御手段は、抵抗スイッチの抵抗値を変化させるときに、陽極バイアス線の電圧を階段状に昇圧させることを特徴とする請求項3に記載の表示照明装置。前記制御手段は、抵抗スイッチの抵抗値を変化させるときに、ピーク電圧値が徐々に大きくなる複数の正のパルス電圧を陽極バイアス線に印加して、当該陽極バイアス線の電圧をパルス電圧印加の毎にGND電位に戻しつつ段階的に昇圧させることを特徴とする請求項3に記載の表示照明装置。前記複数の有機ELデバイスの各行に配線され、前記発光部の電極のうち前記抵抗スイッチが接続された一方の電極とは反対側の電極と接続された複数の陰極バイアス線と、前記複数の有機ELデバイスの各列に配線され、前記抵抗スイッチの電極のうち前記発光部が接続された一方の電極とは反対側の電極と接続された複数の陽極バイアス線と、前記複数の有機ELデバイスの各行に配線され、前記抵抗スイッチの前記一方の電極と接続された複数の信号線と、を備え、前記電圧印加手段は、前記複数の陽極バイアス線及び前記複数の信号線を介して、前記複数の有機ELデバイスそれぞれの前記抵抗スイッチに電圧を印加可能であるとともに、前記複数の陰極バイアス線及び前記複数の陽極バイアス線を介して、前記複数の有機ELデバイスそれぞれの前記抵抗スイッチ及び前記発光部に電圧を印加可能であることを特徴とする請求項1に記載の表示照明装置。前記制御手段は、所定行の複数の有機ELデバイスに前記書き込み制御を行うときに、予め全ての陽極バイアス線の電圧をGND電位にしつつ当該行の信号線に正のパルス電圧を印加して、当該行の全ての抵抗スイッチの抵抗値を低抵抗に設定しておき、各列の有機ELデバイスにおいて、発光部が発光する所定電圧未満の電圧を陽極バイアス線に印加した状態で、当該行の信号線の電圧を段階的に降圧させて抵抗スイッチの抵抗値を変化させ、当該抵抗値が所定値となったことを検知したときに、信号線の電圧の昇圧を停止させることを特徴とする請求項6に記載の表示照明装置。前記制御手段は、抵抗スイッチの抵抗値を変化させるときに、ピーク電圧の絶対値が徐々に大きくなる複数の逆のこぎり波状の負のパルス電圧を信号線に印加して、当該信号線の電圧をパルス電圧印加の毎にGND電位に戻しつつ段階的に降圧させることを特徴とする請求項7に記載の表示照明装置。前記複数の陽極バイアス線それぞれに流れる電流値を検出可能な電流計を備え、前記制御手段は、前記書き込み制御を行うときに、前記電流計が検出した電流値に基づいて、前記抵抗スイッチの抵抗値が所定値となったことを検知することを特徴とする請求項3~5,7,8の何れか一項に記載の表示照明装置。前記複数の有機ELデバイスは、それぞれの前記抵抗スイッチの前記一方の電極と前記複数の信号線との間にキャパシターを有していることを特徴とする請求項6~8の何れか一項に記載の表示照明装置。前記キャパシターは、前記複数の陽極バイアス線と前記複数の信号線とを絶縁させる絶縁層を用いて構成されていることを特徴とする請求項10に記載の表示照明装置。ところで、上記従来の有機ELデバイスを用いた表示装置として、いわゆるアクティブマトリクス方式によって駆動させるものが知られている。このアクティブマトリクス方式では、有機ELデバイスを有する各画素にTFTThinFilmTransistor等のスイッチング素子を配置して、このスイッチング素子の駆動を制御することにより各画素有機ELデバイスの発光部を発光させている。しかしながら、このアクティブマトリクス方式を用いた表示照明装置では、各画素に少なくとも2つのスイッチング素子を必要とする複雑な構造となるため、コストが高くなり歩留まりも上げにくい等の問題があった。本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、従来に比べ、簡便な構造で好適に駆動することができる表示照明装置の提供を課題とする。上記課題を解決するために、本発明の表示照明装置は、電圧印加により抵抗値が変化する抵抗スイッチ、及び当該抵抗スイッチと直列に接続された発光部をそれぞれ有し、マトリクス状に配列された複数の有機ELデバイスと、前記複数の有機ELデバイスそれぞれの前記抵抗スイッチ及び前記発光部に電圧を印加可能な電圧印加手段と、所定の入力信号に基づいて前記抵抗スイッチの抵抗値を設定する書き込み制御、及び、当該書き込み制御で設定された前記抵抗スイッチの抵抗値に対応した輝度で前記発光部を発光させる発光制御を、前記電圧印加手段を制御することにより行う制御手段と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、抵抗スイッチの抵抗値を設定することで発光部への通電を制御して当該発光部の発光を制御することができるので、各有機ELデバイスにTFT等のスイッチング素子が必要であった従来のアクティブマトリクス方式のものに比べ、各有機ELデバイスを発光部と抵抗スイッチとが直列に接続されただけのものとすることができ、ひいては、構造を簡便なものとすることができる。また、書き込み制御で抵抗スイッチの抵抗値を設定し、当該書き込み制御で設定された抵抗スイッチの抵抗値に対応した輝度で発光部を発光させることにより、各画素発光部の階調を制御して、好適に駆動を行うことができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。[第一の実施形態]<表示照明装置の構成>図1は、本発明の第一の実施形態における表示照明装置1の概略構成を示すブロック図である。この図に示すように、表示照明装置1は、表示照明パネル部以下、単にパネル部という2と、陰極線ドライバー3と、陽極線ドライバー4と、制御部6とを備えている。このうち、パネル部2には、複数の有機ELデバイス20,...が、行方向X及び列方向Yに沿ってマトリクス状二次元状に配列されている。これら有機ELデバイス20,...は、赤色R緑色G青色Bの各色を発光する3つの当該有機ELデバイス20が1組となって1つの画素を構成している。各有機ELデバイス20は、発光部21と、電圧印加により抵抗値が変化する抵抗スイッチ22とを有しており、回路構成としては、抵抗スイッチ22が発光部21の陽極と直列に接続されたものとなっている。この有機ELデバイス20の具体構成構造については、後述する。また、パネル部2には、有機ELデバイス20,...の各行に配線されて当該各行の発光部21,...の陰極と接続された複数の陰極バイアス線24,...と、有機ELデバイス20,...の各列に配線されて当該各列の抵抗スイッチ22,...と接続された複数の陽極バイアス線25,...とが設けられている。陰極線ドライバー3及び陽極線ドライバー4は、陰極バイアス線24,...及び陽極バイアス線25,...と接続されており、制御部6からの信号に基づいて、当該陰極バイアス線24,...及び陽極バイアス線25,...を所定の電位に設定できるように構成されている。これら陰極線ドライバー3及び陽極線ドライバー4は、本第一の実施形態においては、本発明に係る電圧印加手段であり、陰極バイアス線24及び陽極バイアス線25を介して各有機ELデバイス20の発光部21及び抵抗スイッチ22に電圧を印加可能に構成されている。また、陽極線ドライバー4に接続された陽極バイアス線25,...には、電流計41がそれぞれ設けられている。この電流計41は、陽極バイアス線25に流れる電流値を検出して、制御部6へ出力するように構成されている。制御部6は、陰極線ドライバー3及び陽極線ドライバー4と接続されており、入力される画像信号画像情報及び同期信号に基づいて、これら各部の同期を取りつつ当該各部の動作を制御する。具体的には、制御部6は、後述するように、抵抗スイッチ22の抵抗値を設定する書き込み制御や、当該書き込み制御で設定された抵抗値に対応した輝度で発光部21を発光させる発光制御等を行う。続いて、有機ELデバイス20の具体構成について説明する。図2は、パネル部2の拡大図であり、図3は、図2のII-II線での断面のうち、1つの有機ELデバイス20の断面を示す断面図である。これらの図に示すように、有機ELデバイス20は、パネル部2の基板27上に積層された絶縁層81を有している。絶縁層81上には、アルミニウム等の金属線からなる上述の陽極バイアス線25が、列方向Yに沿って延在するように配設されている。絶縁層81及び陽極バイアス線25上には、第一電極82,抵抗スイッチ本体部83及び第二電極84が、この順に積層されている。これら第一電極82,抵抗スイッチ本体部83及び第二電極84は、上述の抵抗スイッチ22を構成しており、したがって、第一電極82及び第二電極84が抵抗スイッチ22の両電極となっている。このうち、第一電極82は、例えば窒化チタンTiNで構成されている。また、第一電極82は、陽極バイアス線25に接続される部分の近傍に凹部82aを有するように設けられている図2参照。このような凹部82aを設けることにより、製造プロセスにおいて第一電極82と第二電極84との相対位置が設計値からずれた場合であっても、抵抗スイッチ本体部83を介した第一電極82と第二電極84との接合面積の変化を最小限に抑えることができ、ひいては、当該接合面積の変化に依存する抵抗スイッチ22の抵抗値の変化設計値からの変化を抑制することができる。また、第一電極82のエッジ部が絶縁層81及び陽極バイアス線25から切り立った状態に形成されていると、その上方に積層される抵抗スイッチ本体部83が第一電極82のエッジ部に対応する部分で段切れを生じてしまい、電流が流れにくくなる恐れがあるため、当該エッジ部はテーパー状に形成されていることが好ましい。抵抗スイッチ本体部83は、厚さが数nm~数十nm例えば20nm程度の薄膜状に形成され、第一電極82を覆うように積層されている。この抵抗スイッチ本体部83は、抵抗スイッチ22の両電極、つまり第一電極82及び第二電極84に電圧が印加されることにより当該抵抗スイッチ22内に形成される電界によって抵抗値が変化する材料で構成されており、本実施形態ではチタン酸化物TiOxで構成されている。但し、抵抗スイッチ本体部83の構成材料としては、チタン酸化物以外にも、公知の種々の材料を用いることが可能であり、好ましくは、例えばCu、Ni、Fe、Al、Hf、Zr、Ba、Sr、Ta、La、Si、Y等の遷移金属の酸化物等や、酸素欠陥を有するものが用いられる。また、それらの金属酸化物と、含有する酸素O等の比率が異なる金属酸化物とを混合したり、或いはそれらを2層に分けて形成したりすることも可能である。第二電極84は、抵抗スイッチ22の一方の電極として機能するとともに、後述するように、発光部21の陽極としても機能するものである。そのため、第二電極84は、第一電極82や抵抗スイッチ本体部83よりも広く形成され、発光部21と同等の面積を有している。この第二電極84は、発光部21の陽極として機能する他、抵抗スイッチ22内で遊離した酸素原子O等が発光部21側に入り込むことを阻止するバリアとしても機能するようになっているため、窒化チタンTiNや白金Pt、金Au、タングステンW等の酸素に不活性な材料で形成されている。以上の構成を具備する抵抗スイッチ22は、本実施形態においては、バイポーラ型のものであり、図4に示すような抵抗変化特性を有している。この図に示すように、バイポーラ型の抵抗スイッチ22は、当該抵抗スイッチ22に印加される電圧の向き極性を正負で逆転させることで、その抵抗値が高抵抗の状態と低抵抗の状態との間で遷移する。具体的には、例えば、抵抗スイッチ22に正の電圧を印加してその電圧値を増加させていくと、電圧値の増加に伴って抵抗値が変化しつつ電流値も増加していった後、この電圧値が所定のリセット電圧Vrs以上となったときに、抵抗スイッチ22の抵抗値が高抵抗の状態に遷移して電流値が小さくなる。また、抵抗スイッチ22に負の電圧を印加してその電圧値を減少させていくと、この電圧値が所定のセット電圧Vst以下となったときに、抵抗スイッチ22の抵抗値が低抵抗の状態に遷移して電流値絶対値が大きくなる。第二電極84の上方には、図2及び図3に示すように、発光部本体部85及び第三電極86が、この順に積層されている。これら第二電極84,発光部本体部85及び第三電極86は、上述の発光部21を構成しており、したがって、第二電極84及び第三電極86が発光部21の陽極及び陰極となっている。また、第二電極84を発光部21と抵抗スイッチ22との共通の電極とすることにより、抵抗スイッチ22が発光部21の陽極と直列に接続されるようになっている。発光部本体部85は、図示は省略するが、下側から順に、正孔注入層HoleInjectionLayer:HIL、正孔輸送層HoleTransportLayer:HTL、発光層EmittingLayer:EML、電子輸送層ElectronTransportLayer:ETL、電子注入層ElectronInjectionLayer:EILの各層が蒸着等の方法により積層されて形成されている。このような発光部本体部85を有することにより、発光部21は、電極間の電位差により生じる正孔と電子の注入電荷量に応じて輝度が変化する有機発光ダイオードとして構成されている。この発光部21において、第一電極82や抵抗スイッチ22を介して第二電極84側から正孔が注入され、また、第三電極86側から電子が注入されると、各電極から注入された正孔と電子がそれぞれの輸送層HTL、ETLを介して発光層EMLで結合する。そして、結合する際に生じるエネルギーによって発光層の有機分子が励起され、これが失活する時に放出するエネルギーの一部が光として取り出される。このようにして、発光部21の発光層で発光が生じるようになっている。第三電極86は、例えばITOIndiumTinOxide等の透明電極として形成されている。そのため、発光部21では、発光部本体部85から第三電極86を介して光が発光されるすなわちいわゆるトップエミッション。発光部本体部85及び第三電極86の上方には、スパッタリング等の方法により、例えば窒化シリコンSiN等からなる絶縁層87が形成され、当該絶縁層87により抵抗スイッチ22や発光部21等が被覆されている。そして、絶縁層87のうち、第三電極86の上方に位置する部分に、コンタクトホールHが形成されている。絶縁層87の上方には、アルミニウム等の金属線からなる上述の陰極バイアス線24が、コンタクトホールHを通りつつ行方向Xに沿って延在するように配設され、当該陰極バイアス線24が、コンタクトホールHを介して第三電極86に接続される。なお、図2では、陰極バイアス線24が、抵抗スイッチ本体部83の直上に形成されたコンタクトホールHを介して第三電極86と接続されている状態を示したが、陰極バイアス線24の配線位置やコンタクトホールHの形成位置はこれに限定されるものではない。<表示照明装置の動作>続いて、表示照明装置1の動作について説明する。図5は、パネル部2に画像を表示させる際の表示照明装置1の各部の電圧値のタイミングチャートである。まず、制御部6は、最小画素有機ELデバイス20の発光部21毎に、入力された画像信号の第1フレームにおける輝度を設定するとともに、この輝度に対応する抵抗スイッチ22の抵抗値、つまり、当該輝度で発光部21を発光させることのできる抵抗スイッチ22の抵抗値を特定する。すなわち、制御部6は、抵抗スイッチ22の抵抗値を、発光部21の所望の輝度に対応した値に設定することにより、階調制御を行う。本実施形態においては、制御部6は、抵抗スイッチ22の抵抗値を256段階に設定できるように構成されており、これにより256階調を表現できるようになっている。なお、抵抗スイッチ22の抵抗値の特定にあたっては、発光部21の輝度から抵抗スイッチ22の抵抗値を求める演算式を用いてもよいし、或いは、発光部21の輝度と抵抗スイッチ22の抵抗値との対応テーブルなどを予め設定しておいて用いてもよい。次に、制御部6は、抵抗スイッチ22の抵抗値を上述の特定値に設定する書き込み制御を、有機ELデバイス20の行毎に行う。この書き込み制御では、制御部6は、図5に示すように、まず、当該書き込み制御を行う第1行y1用の陰極バイアス線24の陰極電圧Vcを0GND電位にするとともに、当該書き込み制御を行わない他の行の陰極バイアス線24,...の陰極電圧Vcをフローティングにする。次に、制御部6は、全ての陽極バイアス線25,...に負のパルス電圧を印加して、当該陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを降圧させ、第1行の各抵抗スイッチ22の両端電極第一電極82と第二電極84に印加される実効電圧Vswを当該抵抗スイッチ22のセット電圧Vst以下として、第1行の全ての抵抗スイッチ22,...の抵抗値を低抵抗に設定する。次に、制御部6は、陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを階段状に昇圧させつつ、各陽極バイアス線25に流れる電流値を電流計41により検出する。すると、陽極電圧Vaの昇圧に伴って、抵抗スイッチ22の実効電圧Vswも段階的に昇圧し、当該抵抗スイッチ22の抵抗値が変化する。そして、制御部6は、電流計41が検出した陽極バイアス線25の電流値に基づいて、抵抗スイッチ22の抵抗値が上述の特定値に設定されたことを検知すると、陽極バイアス線25の陽極電圧Vaの昇圧を停止させる。制御部6は、この操作を列毎に並行して行うことにより、第1行の書き込み制御が終了する。なお、陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを昇圧させるときには、上述のように階段状に昇圧させなくともよく、図6に示すように、ピーク電圧値が徐々に大きくなる複数の正のパルス電圧を陽極バイアス線25に印加して、当該陽極バイアス線25の陽極電圧Vaをパルス電圧印加の毎にGND電位に戻しつつ、段階的に昇圧させてもよい。次に、制御部6は、図5に示すように、第2行y2以降の有機ELデバイス20に対しても、第1行のときと同様の書き込み制御を順次行う。こうして、最終行第n行までの全ての行の書き込み制御が終了することにより、全ての抵抗スイッチ22,...の抵抗値が第1フレームにおける各特定値に設定される。次に、制御部6は、発光部21,...を発光させる発光制御を行う。この発光制御では、制御部6は、全ての陰極バイアス線24,...の陰極電圧VcをGND電位とするとともに、全ての陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを正の所定電圧にする。すると、各有機ELデバイス20において、抵抗スイッチ22及び発光部21に電圧が印加されるため、書き込み制御で設定された抵抗スイッチ22の抵抗値に応じた量の電流が発光部21に流れる結果、この電流量に応じた輝度で発光部21が発光する。つまり、抵抗スイッチ22の抵抗値が低く設定された有機ELデバイス20ほど、発光部21が高い輝度で発光する。なお、この発光制御時には、抵抗スイッチ22の実効電圧Vswがリセット電圧Vrsを超えないように構成されている。こうして、第1フレームの発光制御が終了する。次に、制御部6は、第2フレーム以降についても、第1フレームのときと同様にして、抵抗スイッチ22の抵抗値の特定、書き込み制御及び発光制御を順次行う。以上のように、第一の実施形態における表示照明装置1によれば、各有機ELデバイス20が、電圧印加により抵抗値が変化する抵抗スイッチ22と、当該抵抗スイッチ22と直列に接続された発光部21とを有しており、抵抗スイッチ22の抵抗値を設定することで発光部21への通電を制御して当該発光部21の発光を制御することができるので、各有機ELデバイスにTFT等のスイッチング素子が必要であった従来のアクティブマトリクス方式のものに比べ、各有機ELデバイス20を発光部21と抵抗スイッチ22とが直列に接続されただけのものとすることができ、ひいては、構造を簡便なものとすることができる。これにより、従来の有機ELデバイスでは、TFTを形成するために成膜やレジスト塗布、露光、現像、ポストベーク、エッチング、レジスト剥離等の種々の工程からなるPEPPhotoEtchingProcessを繰り返し行う必要があったところ、本実施形態に係る有機ELデバイス20では、マスクを用いた比較的簡易な方法により抵抗スイッチ22等の積層を行うことができる。また、書き込み制御で抵抗スイッチ22の抵抗値を設定し、当該書き込み制御で設定された抵抗スイッチ22の抵抗値に対応した輝度で発光部21を発光させることにより、各画素発光部21の階調を制御して、好適に駆動を行うことができる。[第二の実施形態]続いて、本発明の第二の実施形態について説明する。なお、上記第一の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。<表示照明装置の構成>図7は、本発明の第二の実施形態における表示照明装置1Aの概略構成を示すブロック図である。この図に示すように、表示照明装置1Aは、上記第一の実施形態におけるパネル部2に代えてパネル部2Aを備える他、上記第一の実施形態と同様に構成された陰極線ドライバー3,陽極線ドライバー4及び制御部6に加えて、信号線ドライバー5を備えている。パネル部2Aは、行方向X及び列方向Yに沿ってマトリクス状二次元状に配列された複数の有機ELデバイス20A,...を有している。各有機ELデバイス20Aは、上記第一の実施形態における有機ELデバイス20と同様に発光部21及び抵抗スイッチ22を有する他、一方の電極が発光部21の陽極と接続されたキャパシター23を有している。この有機ELデバイス20Aの具体構成構造については、後述する。また、パネル部2Aには、上記第一の実施形態と同様に配線された複数の陰極バイアス線24,...及び複数の陽極バイアス線25,...が設けられている他、有機ELデバイス20A,...の各行に配線されて当該各行のキャパシター23,...の他方の電極と接続された複数の信号線26,...が設けられている。信号線ドライバー5は、信号線26,...と接続されており、制御部6からの信号に基づいて、当該信号線26,...を所定の電位に設定できるように構成されている。この信号線ドライバー5と、陰極線ドライバー3及び陽極線ドライバー4とは、本第二の実施形態においては、本発明に係る電圧印加手段であり、各有機ELデバイス20Aの発光部21及び抵抗スイッチ22に電圧を印加可能に構成されている。具体的には、陽極線ドライバー4及び信号線ドライバー5が、陽極バイアス線25及び信号線26を介して各有機ELデバイス20Aの抵抗スイッチ22に電圧を印加可能に構成されており、陰極線ドライバー3及び陽極線ドライバー4が、陰極バイアス線24及び陽極バイアス線25を介して各有機ELデバイス20Aの発光部21及び抵抗スイッチ22に電圧を印加可能に構成されている。続いて、有機ELデバイス20Aの具体構成について説明する。図8は、パネル部2Aの拡大図であり、図9は、図8のIII-III線での断面のうち、1つの有機ELデバイス20Aの断面を示す断面図であり、図10は、図8のIV-IV線での断面図である。図8及び図9に示すように、有機ELデバイス20Aは、上記第一の実施形態における有機ELデバイス20とほぼ同様に構成されている。但し、有機ELデバイス20Aでは、図8及び図10に示すように、抵抗スイッチ本体部83から離間した位置であって第二電極84に覆われた位置に、金属線からなる上述の信号線26が、基板27と絶縁層81との間において行方向Xに沿って延在するように配設されている。したがって、信号線26の一部は、絶縁層81を介して第二電極84と対向するような位置に配置されている。また、絶縁層81は、第二電極84と信号線26との間に設けられた上述のキャパシター23を構成している。つまり、陽極バイアス線25と信号線26とを絶縁させる層間絶縁膜としての絶縁層81を、キャパシター23用の誘電体として利用した構成となっている。そして、信号線26と、第一電極82に接続された陽極バイアス線25とにより、抵抗スイッチ22に電圧を印加可能となっている。<表示照明装置の動作>続いて、表示照明装置1Aの動作について説明する。図11は、パネル部2Aに画像を表示させる際の表示照明装置1Aの各部の電圧値のタイミングチャートである。まず、制御部6は、上記第一の実施形態と同様に、最小画素有機ELデバイス20Aの発光部21毎に、入力された画像信号の第1フレームにおける輝度を設定するとともに、この輝度に対応する抵抗スイッチ22の抵抗値を特定する。次に、制御部6は、抵抗スイッチ22の抵抗値を上述の特定値に設定する書き込み制御を、有機ELデバイス20Aの行毎に行う。この書き込み制御では、制御部6は、図11に示すように、まず、全ての陰極バイアス線24,...の陰極電圧Vcをフローティング図11では破線で図示にするとともに、全ての陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを0GND電位にする。次に、制御部6は、第1行y1用の信号線26に正のパルス電圧を印加して、当該信号線26の信号電圧Vsigを昇圧させ、第1行の各抵抗スイッチ22の両端電極第一電極82と第二電極84に印加される実効電圧Vswを当該抵抗スイッチ22のセット電圧Vst以下として、第1行の全ての抵抗スイッチ22,...の抵抗値を低抵抗に設定する。このとき、信号線26に印加する正のパルス電圧は、正の方向に変化する時には急峻で0Vに戻る時には時間微分値が小さくなるような逆のこぎり波状のパルス電圧とする。これは、抵抗スイッチ22とキャパシター23とで微分回路が形成されることにより、単純に矩形波状のパルス電圧を印加すると、抵抗スイッチ22に正の電圧が印加されてしまう恐れがあるためである。なお、このときに、陰極バイアス線24の陰極電圧VcをGND電位にすることで、陰極バイアス線24と陽極バイアス線25との間に電荷が流れるようにして、発光部21の蓄積電荷を抜いてもよい。次に、制御部6は、発光部21が発光する閾値電圧未満の電圧を陽極バイアス線25,...に印加し、第1行用の陰極バイアス線24の陰極電圧VcをGND電位にした状態で、第1行用の信号線26の信号電圧Vsigを段階的に降圧させつつ、各陽極バイアス線25に流れる電流値を電流計41により検出する。すると、信号電圧Vsigの降圧に伴って、抵抗スイッチ22の実効電圧Vswが段階的に昇圧し、当該抵抗スイッチ22の抵抗値が変化する。ここで、信号線26の信号電圧Vsigを降圧させるときには、ピーク電圧の絶対値が徐々に大きくなる複数の逆のこぎり波状の負のパルス電圧を信号線26に印加して、当該信号線26の信号電圧Vsigをパルス電圧印加の毎にGND電位に戻しつつ、段階的に降圧させる。このように逆のこぎり波状の負のパルス電圧を印加する理由は、抵抗スイッチ22とキャパシター23とで微分回路が形成されることにより、単純に矩形波状のパルス電圧を印加すると、抵抗スイッチ22に負の電圧が印加されて実効電圧Vswがセット電圧Vst以下となってしまう恐れがあるためである。そして、制御部6は、電流計41が検出した陽極バイアス線25の電流値に基づいて、抵抗スイッチ22の抵抗値が上述の特定値に設定されたことを検知すると、陽極バイアス線25の陽極電圧VaをGND電位まで下げた後にフローティングにする。制御部6は、この操作を列毎に並行して行うことにより、第1行の書き込み制御が終了する。次に、制御部6は、第2行y2以降の有機ELデバイス20Aに対しても、第1行のときと同様の書き込み制御を順次行う。こうして、最終行第n行までの全ての行の書き込み制御が終了することにより、全ての抵抗スイッチ22,...の抵抗値が第1フレームにおける各特定値に設定される。次に、制御部6は、発光部21,...を発光させる発光制御を行う。この発光制御では、制御部6は、全ての陰極バイアス線24,...の陰極電圧VcをGND電位とするとともに、全ての信号線26,...の信号電圧Vsigをフローティングにした状態で、全ての陽極バイアス線25,...の陽極電圧Vaを正の所定電圧にする。すると、各有機ELデバイス20Aにおいて、抵抗スイッチ22及び発光部21に電圧が印加されるため、書き込み制御で設定された抵抗スイッチ22の抵抗値に応じた量の電流が発光部21に流れる結果、この電流量に応じた輝度で発光部21が発光する。つまり、抵抗スイッチ22の抵抗値が低く設定された有機ELデバイス20Aほど、発光部21が高い輝度で発光する。なお、この発光制御時には、抵抗スイッチ22の実効電圧Vswがリセット電圧Vrsを超えないように構成されている。こうして、第1フレームの発光制御が終了する。次に、制御部6は、第2フレーム以降についても、第1フレームのときと同様にして、抵抗スイッチ22の抵抗値の特定、書き込み制御及び発光制御を順次行う。以上のように、第二の実施形態における表示照明装置1Aによれば、上記第一の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、発光部21と抵抗スイッチ22との間に接続された信号線26が設けられているので、抵抗スイッチ22のみに電圧を印加することができ、当該抵抗スイッチ22の抵抗値設定を好適に行うことができる。また、抵抗スイッチ22の第二電極84と信号線26との間にキャパシター23が設けられているので、信号線26に電圧パルスを印加して抵抗スイッチ22の抵抗値を設定するときに、発光部21に電圧が掛かって当該発光部21が発光してしまうことを好適に防止することができる。なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した第一の実施形態及び第二の実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記第一の実施形態及び第二の実施形態では、抵抗スイッチ22が発光部21の陽極に接続されることとしたが、発光部21の陰極に接続されることとしてもよい。この場合には、第二電極84及び第三電極86が発光部21の陰極及び陽極に対応することとなる。またこの場合には、発光部本体部85の各層が上下反転させた順番となり、つまり、下側から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層される。また、第二電極84を発光部21と抵抗スイッチ22との共通の電極とすることとしたが、発光部21と抵抗スイッチ22とが直列に接続されていれば、このような構成でなくともよく、例えば、発光部21と抵抗スイッチ22とで異なる電極をそれぞれ設け、当該電極同士を導線等で接続してもよい。この場合、第二電極84に代えて設けた抵抗スイッチ22の一方の電極図3及び図9の上側のものは、発光部21と同等の面積を有していなくともよい。更に、第二電極84に代えて設けた発光部21の一方の電極図3及び図9の下側のものをITO等の透明電極として形成することによって、いわゆるボトムエミッション図3及び図9の下側に向かって光を発光する構成にしてもよい。また、抵抗スイッチ22の抵抗値を設定する書き込み制御では、抵抗スイッチ22の抵抗値が所定の特定値に設定されたことを、電流計41が検出した陽極バイアス線25の電流値に基づいて検知することとしたが、この検知には電流計41を用いなくともよい。この場合、例えば、抵抗スイッチ22の抵抗値と、段階的に昇圧させる陽極バイアス線25の陽極電圧Va又は、降圧させる信号線26の信号電圧Vsigとの対応関係を予め設定しておき、制御部6が、この対応関係に基づいて、抵抗スイッチ22の抵抗値が所定の特定値となる陽極バイアス線25の陽極電圧Va又は信号線26の信号電圧Vsigを判断するようにすればよい。また、抵抗スイッチ22の抵抗値を設定する書き込み制御では、陽極バイアス線25の陽極電圧Va又は信号線26の信号電圧Vsigを、一旦セット電圧Vst以下とした後にGND電位から段階的に昇圧又は降圧させることとしたが、この電圧変化は正負を逆転させてもよい。具体的には、抵抗スイッチ22として抵抗変化特性を電圧について正負反転させたものを用い、陽極バイアス線25に正のパルス電圧を印加又は信号線26に負のパルス電圧を印加して抵抗スイッチ22,...の抵抗値を低抵抗に設定した後に、この陽極バイアス線25の陽極電圧Va又は信号線26の信号電圧VsigをGND電位から段階的に降圧又は昇圧させてもよい。但し、この場合には、発光部21の発光時に抵抗スイッチ22に印加される電圧によって当該抵抗スイッチ22の抵抗値が低抵抗にセットされてしまわないようにすなわち、当該抵抗スイッチ22の実効電圧Vswがセット電圧Vstを越えないように、設計的な配慮が必要であることは勿論である。また、表示照明装置1,1Aの動作として、所定のフレーム周期で各画素の書き込み及び発光を行う場合の動作例について説明したが、本発明に係る表示照明装置は、このような動作例に限定されず、例えば、不定期なタイミングで変更される画像情報に基づいて各画素の書き込み及び発光を行う場合にも好適に用いることができる。"