ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタから成る差動対と定電流源とを有する温度補償回路と、を備え、前記第1のトランジスタは、前記定電流源と前記ダイオードのアノード端子との間に接続され、ゲート電極が前記基準電圧回路の第1のノードに接続され、前記第2のトランジスタは、前記定電流源と基準電位点との間に接続され、ゲート電極が前記基準電圧回路の第2のノードに接続され、前記第1のノードの電圧の温度依存性は、前記第2のノードの電圧の温度依存性よりも大きいことを特徴とする温度補償型基準電圧回路。前記第2のノードの電圧は、抵抗分圧、容量分圧またはトランジスタによる分圧によって生成されることを特徴とする、請求項1に記載の温度補償型基準電圧回路。前記基準電圧回路は、前記出力電圧を出力する出力端子と前記ダイオードのアノード端子との間に接続された第1の抵抗素子と、前記出力端子と前記第2のノードとの間に接続された第2の抵抗素子と、前記第2のノードと基準電位点との間に接続された第3の抵抗素子と、を備えていることを特徴とする、請求項1または2に記載の温度補償型基準電圧回路。前記温度補償回路は、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタから成る差動対と第2の定電流源とをさらに有し、前記第3のトランジスタは、前記第2の定電流源と前記ダイオードのアノード端子との間に接続され、ゲート電極が前記第1のノードに接続され、前記第4のトランジスタは、前記第2の定電流源と基準電位点との間に接続され、ゲート電極が前記基準電圧回路の第3のノードに接続され、前記第1のノードの電圧の温度依存性は、前記第3のノードの電圧の温度依存性よりも大きいことを特徴とする温度補償型基準電圧回路。前記第2のノードおよび前記第3のノードの電圧は、抵抗分圧、容量分圧またはトランジスタによる分圧によって生成されることを特徴とする、請求項4に記載の温度補償型基準電圧回路。前記基準電圧回路は、前記出力電圧を出力する出力端子と前記ダイオードのアノード端子との間に接続された第1の抵抗素子と、前記出力端子と前記第2のノードとの間に接続された第2の抵抗素子と、前記第2のノードと前記第3のノードとの間に接続された第3の抵抗素子と、前記第3のノードと基準電位点との間に接続された第4の抵抗素子と、を備えていることを特徴とする、請求項4または5に記載の温度補償型基準電圧回路。以下の分析は、本発明者によってなされたものである。特許文献1に記載された温度補償型基準電圧回路図8によると、基準電圧回路400の出力電圧VBGの温度係数が大きいという問題がある。その理由は、Pchトランジスタ404を含んで構成される定電流源から電流I3を抵抗素子408に流し込んで一定電圧を生成することでアンプ402の非反転入力の電圧を生成しているため、抵抗素子408の絶対ばらつきでアンプ402の非反転入力の電圧がばらつき、その影響で補正する電流I3が流れる温度を制御できず、基準電圧回路400の出力電圧VBGの温度係数を制御できないからである。図9ないし図11を参照して、さらに詳細に説明する。図9は、Pchトランジスタ404を経由して定電流源から電流I3を抵抗素子408に流し込んで生成した電圧R0×I3、すなわち、アンプ402の非反転入力に接続された電圧の波形と、基準電圧回路400を構成するダイオード304のアノード側の電圧、すなわち、アンプ402の反転入力に接続された電圧の波形を示す。抵抗素子408がセンタ値より大きくばらついた変動した場合には、アンプ402の非反転入力は電圧の高い方向にシフトする。一方、抵抗素子408がセンタ値より小さくばらついた場合には、アンプ402の非反転入力は電圧の低い方向にシフトする。基準電圧回路400を構成するダイオード304のアノード側の電圧は抵抗素子408の絶対ばらつきの影響を受けないため、アンプ402の反転入力の電圧は約-2mV/°Cの温度依存の変化をする。すなわち、抵抗素子408の絶対ばらつきにより、アンプ402の非反転入力とアンプ402の反転入力のクロスポイントアンプ402の出力が温度依存を持つ。ここで、ダイオードの温度非直線性について説明する。図10は、ダイオード温度非直線性を示す。図10において、横軸は温度を示し、縦軸はダイオードのアノードカソード間電圧VFを示す。図10を参照すると、ダイオードに流す電流IFが小さい程温度係数が大きく、温度が高くなるに従って温度係数が大きくなる。図9のクロスポイントTa、Tb、Tcの温度を超えると、Pchトランジスタ406から電流I4を流してダイオード306の温度非直線性を補正する。すなわち、電流I4をダイオード306に流すことにより、ダイオード306の温度係数を小さくする。このとき、出力電圧VBGは図11に示すように3次曲線のような特性を示す。図11は、先に説明したアンプ402の非反転入力とアンプ402の反転入力のクロスポイントの温度が抵抗素子の抵抗値の絶対ばらつきで変わることによる基準電圧回路400の出力電圧VBGの温度依存を示す。抵抗素子408がセンタ値よりも高抵抗側に変動した場合には、クロスポイントが低温側Taに移動するため、ダイオード温度非直線性を補正する温度も低温側Taにシフトし、基準電圧回路の出力電圧VBGの温度係数を悪化させる。一方、抵抗素子の抵抗値がセンタ値よりも低抵抗側に変動した場合には、クロスポイントが高温側Tcに移動するのため、ダイオード温度非直線性を補正する温度も高温側Tcにシフトし、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を悪化させる。そこで、ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオードの温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすることが課題となる。本発明の第1の視点に係る温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタから成る差動対と定電流源とを有する温度補償回路と、を備え、前記第1のトランジスタは、前記定電流源と前記ダイオードのアノード端子との間に接続され、ゲート電極が前記基準電圧回路の第1のノードに接続され、前記第2のトランジスタは、前記定電流源と基準電位点との間に接続され、ゲート電極が前記基準電圧回路の第2のノードに接続され、前記第1のノードの電圧の温度依存性は、前記第2のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。本発明に係る温度補償型基準電圧回路によると、ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオードの温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすることができる。はじめに、本発明の概要について説明する。なお、この概要に付記する図面参照符号は、専ら理解を助けるための例示であり、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではない。図1を参照すると、本発明の温度補償型基準電圧回路は、基準電圧回路16と温度補償回路17を備え、温度補償回路17は差動入力回路6、7を有し、差動入力回路の一方の入力は基準電圧回路内の温度依存があるノード例えば、ダイオードD1のアノード側であるノードAと接続し、他方の入力は基準電圧回路内の温度依存がないノード例えば、基準電圧回路出力の抵抗分圧ノードであるノードBに接続される。図1を参照すると、温度補償型基準電圧回路は、ダイオードD3のアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路16と、第1のトランジスタ6および第2のトランジスタ7から成る差動対と定電流源5とを有する温度補償回路と17、を備え、第1のトランジスタ6は、定電流源5とダイオードD3のアノード端子との間に接続され、ゲート電極が基準電圧回路16の第1のノードノードAに接続され、第2のトランジスタ7は、定電流源5と基準電位点GNDとの間に接続され、ゲート電極が基準電圧回路16の第2のノードノードBに接続され、第1のノードノードAの電圧の温度依存性は、第2のノードノードBの電圧の温度依存性よりも大きい。これにより、差動入力回路の2入力は任意の温度でクロス交差する特性を持ち、高温側では基準電圧回路16のダイオードD3に対して電流を流し、ダイオードD3の温度非直線性を補正し、基準電圧回路16の出力電圧Vrefの温度係数を小さくすることができる。ここで、第2のノードノードBの電圧は、抵抗分圧、容量分圧またはトランジスタによる分圧によって生成されることが好ましい。また、図1を参照すると、基準電圧回路16は、出力電圧を出力する出力端子VrefとダイオードD3のアノード端子との間に接続された第1の抵抗素子R2と、出力端子Vrefと第2のノードノードBとの間に接続された第2の抵抗素子R3と、第2のノードノードBと基準電位点GNDとの間に接続された第3の抵抗素子R4と、を備えていてもよい。さらに、図6を参照すると、温度補償回路391は、第3のトランジスタ28および第4のトランジスタ29から成る差動対と第2の定電流源25とをさらに有し、第3のトランジスタ28は、第2の定電流源25とダイオードD3のアノード端子との間に接続され、ゲート電極が第1のノードノードAに接続され、第4のトランジスタ29は、第2の定電流源25と基準電位点GNDとの間に接続され、ゲート電極が基準電圧回路390の第3のノードノードCに接続され、第1のノードノードAの電圧の温度依存性は、第3のノードノードCの電圧の温度依存性よりも大きいことが好ましい。ここで、第2のノードノードBおよび第3のノードノードCの電圧は、抵抗分圧、容量分圧またはトランジスタによる分圧によって生成されることが好ましい。また、図6を参照すると、基準電圧回路390は、出力電圧を出力する出力端子VrefとダイオードD3のアノード端子との間に接続された第1の抵抗素子R2と、出力端子Vrefと第2のノードノードBとの間に接続された第2の抵抗素子R3と、第2のノードノードBと第3のノードノードCとの間に接続された第3の抵抗素子R8と、第3のノードノードCと基準電位点GNDとの間に接続された第4の抵抗素子R9と、を備えていてもよい。実施形態1第1の実施形態に係る温度補償型基準電圧回路について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態の温度補償型基準電圧回路の構成を示す回路図である。図1を参照すると、本実施形態の温度補償型基準電圧回路は、基準電圧回路16と温度補償回路17を備えている。基準電圧回路16は、Pchトランジスタ1~4と、アンプ8と、ダイオードD1~D3と、抵抗素子R1~R4を有する。また、温度補償回路17は、Pchトランジスタ5~7を有する。Pchトランジスタ1のソースが電源に接続され、Pchトランジスタ1のドレインがダイオードD1のアノード側とアンプ8の反転入力とPchトランジスタ6のゲートノードAとする。に接続され、ダイオードD1のカソード側はGNDに接続される。また、Pchトランジスタ2のソースが電源に接続され、ドレインが抵抗素子R1の一端とアンプ8の非反転入力に接続され、抵抗素子R1の他端がダイオードD2のアノード側に接続され、ダイオードD2のカソード側はGNDに接続される。さらに、Pchトランジスタ3のソースが電源に接続され、Pchトランジスタ3のドレインが基準電圧回路16の出力電圧Vrefと抵抗素子R2の一端と抵抗素子R3の一端に接続され、抵抗素子R3の他端は抵抗素子R4の一端と温度補償回路17のPchトランジスタ7のゲートに接続ノードBとする。され、抵抗素子R4の他端がGNDに接続される。また、Pchトランジスタ4のソースが電源に接続され、Pchトランジスタ4のドレインが抵抗素子R2の他方とダイオードD1のアノード側とPchトランジスタ6のドレインに接続され、ダイオードD3のカソード側はGNDに接続される。さらに、アンプ8の出力はPchトランジスタ1のゲートとPchトランジスタ2のゲートとPchトランジスタ3のゲートとPchトランジスタ4のゲートとPchトランジスタ5のゲートに接続される。また、Pchトランジスタ5のソースが電源に接続され、Pchトランジスタ5のドレインがPchトランジスタ6のソースとPchトランジスタ7のソースに接続される。さらに、Pchトランジスタ7のドレインは、GNDに接続される。図1において、基準電圧回路16の出力電圧Vrefは、式1で示される。Vref=R3R4/R2R3R4×[R2/R1KT/qlnNVFD3]1式1において、KT/qは熱電圧であり、常温で約26mVである。また、Kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷量、NはダイオードD1とD2のアノード面積比、VFD3はダイオードD3のアノードカソード間の電圧を表す。また、抵抗素子R1~R4の抵抗値を、それぞれ、同一の記号R1~R4で表した。本実施形態の温度補償型基準電圧回路の動作について、さらに詳細に説明する。図2は、図1のノードAおよびノードBにおける電圧の波形を示す。温度補償回路17のPchトランジスタ7に流れる電流をI1とし、Pchトランジスタ6に流れる電流をI2とする。Pchトランジスタ6、7のゲートの2入力がクロスする温度Tdでは、Pchトランジスタ6と7のゲートソース間電圧が等しくなり、電流I1=電流I2となる。Pchトランジスタ6、7のゲートの2入力がクロスする温度Tdより低温側では、Pchトランジスタ7のゲートソース間電圧がPchトランジスタ6のゲートソース間電圧に対して大きいので、電流I1>電流I2となり、GNDへの電流I1が増加し、ダイオードD3への電流I2は減少する。Pchトランジスタ6、7のゲートの2入力がクロスする温度Tdより高温側では、Pchトランジスタ6のゲートソース間電圧がPchトランジスタ7のゲートソース間電圧に対して大きいので、電流I1<電流I2となり、GNDへの電流I1が減少し、ダイオードD3への電流I2は増加する。ノードAの温度係数はダイオードD1のカソード電圧によるものであり、およそ-2mV/°Cの特性となる。一方、ノードAに対してノードBの温度依存は小さい。したがって、ある温度TdでPchトランジスタ6、7のゲートの入力電圧はクロスする。なお、ノードAとノードBの電圧がある温度Tdでクロスするように、抵抗値R3と抵抗値R4の比でノードBの電圧を調整しておく。また、ノードBは抵抗値R3と抵抗値R4の比で決まるものであり、抵抗素子R2~R4の抵抗値の絶対値ばらつきの影響を受けないため、ノードAとのクロスポイントも1点しかない。図3は、図1の基準電圧回路16を基準電圧回路54に変更した温度補償型基準電圧回路の構成を示す回路図である。一方、図4は、図1の基準電圧回路16を基準電圧回路75に変更した温度補償型基準電圧回路の構成を示す回路図である。図3および図4を参照すると、基準電圧回路54、75の温度依存があるノード例えば、ダイオードD1のアノード側と基準電圧回路54、75の温度依存がないノード例えば、基準電圧回路出力の抵抗分圧ノードを温度補償回路17に入力し、温度補償回路17の出力電流I2を基準電圧回路54、75の出力電圧Vrefを発生するダイオードD3に出力する。これにより、温度係数の小さい基準電圧回路を実現することができる。なお、温度に依存した電圧の発生回路は基準電圧回路内に限定するものではなく、別の回路で発生させてもよい。また、温度に依存しない電圧の発生回路も基準電圧回路内に限定するものではなく、別の回路で発生させてもよい。図3の基準電圧回路54の出力電圧Vrefの式は、式1において、抵抗値R2を抵抗値R5、抵抗値R3を抵抗値R6、抵抗値R4を抵抗値R7に置き換えたものと同じである。また、図4の基準電圧回路75の出力電圧Vrefの式は、式1において、抵抗値R2を抵抗値R5、抵抗値R3を抵抗値R6、抵抗値R4を抵抗値R7に置き換えたものと同じである。したがって、これらの基準電圧回路における出力電圧については、説明を省略する。なお、抵抗素子R5~R7の抵抗値を、それぞれ、R5~R7とした。本実施形態によると、抵抗素子の抵抗値の絶対ばらつきの影響を受けず、基準電圧回路16の出力電圧Vrefの温度係数を小さくすることができる。その理由は、温度補償回路は差動入力回路より構成され、差動入力回路の一方の入力は基準電圧回路内の温度依存があるノード例えば、ダイオードのアノード側と接続し、他方の入力は基準電圧回路内の温度依存がないノード例えば、基準電圧回路出力の抵抗分圧ノードに接続し、差動入力回路の2入力は任意の温度でクロスする特性を持ち、高温側では基準電圧回路のダイオードに対して電流を流し、ダイオード温度非直線性を補正することで、高温側で生じるダイオードの温度非直線性を補正させる動作を行うからである。したがって、本実施形態の温度補償型基準電圧回路によると、出力電圧Vrefを補正する温度が抵抗素子の抵抗値の絶対ばらつきの影響を受けず、出力電圧Vrefの温度係数を小さくすることができる。基準電圧回路16は、式1のR2/R1KT/qlnNで求まるプラスの温度係数と、ダイオードD3のマイナスの温度係数とを相殺させ、出力電圧Vrefの温度係数を小さくする。ここで、ダイオードD3のアノードカソード間電圧の温度係数が低温側と高温側で異なるため、基準電圧回路16の出力電圧Vrefは任意の電圧で凸の曲線となる。ダイオードの温度係数は高温側で大きく、ダイオードに流す電流が小さい程温度係数は大きくなる。したがって、高温側で電流を多く流す回路構成にすると、基準電圧回路16の出力電圧Vrefの温度係数が小さくなる。式1を温度Tで微分すると、ΔVref/ΔT=R3R4/R2R3R4×[R2/R1K/qlnNΔVFD3/ΔT]2式2において、R2/R1K/qlnNはプラスの温度係数を持ち、ΔVFD3/ΔTはマイナスの温度係数を持つため、出力電圧Vrefの温度係数を打ち消しあう。しかし、上述のように、ΔVFD3/ΔTは、ダイオードの温度非直線性の影響で温度係数が一定ではなく、高温側で温度係数が小さくなる負の温度係数の絶対値が大きくなるため、出力電圧Vrefの温度係数は高温側で負の温度係数となる。この問題を解決するために、前述した温度補償回路17にて高温側でダイオードD3に流す電流I2を増やし、出力電圧Vrefの温度係数を小さくしている。上述のとおり、図10はダイオード温度非直線性を示したグラフであり、横軸は温度を表し、縦軸はダイオードのアノードカソード間電圧VFを表している。図10を参照すると、ダイオードに流す電流IFが小さくなるにしたがって、温度係数が大きくなる。すなわち、本実施形態では、高温側でダイオードD3に電流を多く流し込むことで、温度係数を小さくしている。このような動作をすることで、ダイオードの温度非直線性を補正するため、基準電圧回路16の出力電圧Vrefの温度係数を小さくすることができる。つまり、式1で言えば、ダイオードD3の温度係数ΔVFD3/ΔTを補正するように動作する。図5は、本実施形態の温度補償型基準電圧回路の出力電圧Vrefの温度依存性を示す。式2から、抵抗値の絶対ばらつきの影響を受けないため、温度係数はばらつかない。なお、抵抗値の絶対ばらつきで出力電圧Vrefが上下にシフトしているのは、ダイオードD3に流れる電流が変わるためであるが、温度係数には影響を及ぼさない。実施形態2第2の実施形態に係る温度補償型基準電圧回路について、図面を参照して説明する。図6は、本実施形態の温度補償型基準電圧回路の構成を示す回路図である。図6を参照すると、本実施形態の温度補償型基準電圧回路は、基準電圧回路390と温度補償回路391を備えている。図6を参照すると、本実施形態と第1の実施形態との違いは、温度補償回路391が2段構成になっている点であり、温度補償回路391にPchトランジスタ25、28、29が追加されている。Pchトランジスタ25のソースが電源に接続され、Pchトランジスタ25のドレインがPchトランジスタ28のソースとPchトランジスタ29のソースに接続され、Pchトランジスタ25のゲートがアンプ8の出力に接続される。また、Pchトランジスタ29のドレインはGNDに接続される。さらに、Pchトランジスタ28のドレインはダイオードD3のアノード側に接続され、Pchトランジスタ28のゲートはダイオードD1のアノード側ノードAに接続される。また、Pchトランジスタ29のゲートは抵抗素子R8と抵抗素子R9の接続ノードノードCとする。に接続される。抵抗素子R8と抵抗素子R9は、図1の抵抗素子R4との間で、抵抗値R4=抵抗値R8抵抗値R9の関係を満たす。ここで、抵抗素子R8、R9の抵抗値を、それぞれR8、R9とした。温度範囲が高温側に広くなった場合には、1段構成の温度補償回路によると高温側でダイオードのアノードカソード間電圧の温度依存が大きくなり、温度補償が困難となる。そこで、本実施形態では、温度補償回路を2段構成とすることで、高温側でダイオードD3に流す電流をさらに多くして温度補償する。かかる構成によると、Pchトランジスタ29のゲート電位をPchトランジスタ28のゲート電位より低い電位にし、より高温側でダイオードの温度非直線性を補正することができる。図7は、本実施形態の温度補償型基準電圧回路の動作を示す図である。ノードAの温度係数はダイオードD1のカソード電圧によるものであり、約-2mV/°Cの特性となる。一方、ノードAに対してノードBの温度依存は小さい。したがって、ある温度TdでPchトランジスタ6、7のゲートの入力電圧はクロスする。また、ノードAに対してノードCの温度依存は小さいので、ある温度TeでPchトランジスタ28、29のゲートの入力電圧はクロスする。なお、ノードAとノードB、ノードCの電圧がそれぞれクロスするよう、抵抗値R3、抵抗値R8、抵抗値R9の比でノードB、ノードCの電圧を調整しておく。また、ノードB、ノードCは抵抗値R3、抵抗値R8、抵抗値R9の比で決まるものであり、抵抗素子R1~R3、抵抗抵抗R8~R9の抵抗値の絶対値ばらつきの影響を受けないため、ノードAとのクロスポイントもそれぞれ1点しかない。Pchトランジスタ6、7の動作は第1の実施形態の動作で説明したので省略するが、温度範囲が高温側に広くなった場合には、クロスポイントが温度Tdのみでは温度補償しきれない。その理由は、Pchトランジスタ6、7のソースが定電流源5から供給されているために一定電流しか流せず、補正電流に限界があるからである。ここで、温度補償回路391のPchトランジスタ29に流れる電流をI3、Pchトランジスタ28に流れる電流をI4とおく。ゲートの2入力がクロスする温度Teでは、Pchトランジスタ29と28のゲートソース間電圧が等しくなり、電流I3=電流I4となる。Pchトランジスタ29、28のゲートの2入力がクロスする温度Teよりも低温度側では、Pchトランジスタ29のゲートソース間電圧がPchトランジスタ28のゲートソース間電圧よりも大きい。したがって、電流I3>電流I4となり、GNDへの電流I3が増加し、ダイオードD3への電流I4は減少する。一方、Pchトランジスタ29、28のゲートの2入力がクロスする温度Teよりも高温側では、Pchトランジスタ28のゲートソース間電圧がPchトランジスタ29のゲートソース間電圧に対して大きい。したがって、電流I3<電流I4となり、GNDへの電流I3が減少し、ダイオードD3への電流I4は増加する。すなわち、クロスポイントの温度Tdのみでは、高温側の温度範囲が広くなった場合に温度補償しきれなくなるが、クロスポイントの温度Teを設けることで、より多くの電流をダイオードD3に流し込むことができる。本実施形態における出力電圧Vrefの理論式は、第1の実施形態における式1と同一であることから、説明を省略する。本実施形態の温度補償型基準電圧回路によると、温度範囲が高温側に広くなった場合でも、高温側でダイオード温度非直線性を補正し、出力電圧Vrefの温度係数を小さくすることができる。なお、上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示請求の範囲を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。