プラズマに曝される表面及び該表面と対向する裏面を有し、第1貫通孔が形成された静電チャックと、前記静電チャックの裏面に第1の接着剤によって接合され、前記第1貫通孔に連通され前記第1貫通孔の口径よりも大きい口径の第2貫通孔が形成されたベースと、筒状のスリーブと、を備え、前記スリーブが、第2の接着剤によって、前記第1貫通孔と連通した状態で前記静電チャックの裏面に接合された載置台。前記スリーブが、前記第1貫通孔の口径と同一の内径を有し、前記第1貫通孔と同軸となるように前記静電チャックの裏面に接合された請求項1に記載の載置台。前記第1の接着剤が、前記静電チャックと前記ベースとの接触部分のみに設けられる請求項1又は2に記載の載置台。前記スリーブが、前記第2の貫通孔よりも小さい外径を有する請求項1~3の何れか一項に記載の載置台。前記スリーブ及び前記第2貫通孔によって画成された空間領域に充填された封止剤をさらに備える請求項4に記載の載置台。前記封止剤は、前記空間領域に流し込まれ、その後硬化することにより、前記空間領域に充填される請求項5に記載の載置台。前記封止剤は、硬化前に20000cps以下の粘度を有し、硬化後に1MPa以下のヤング率を有する接着剤である、請求項6に記載の載置台。前記スリーブが、前記静電チャックを構成する絶縁体と同一の絶縁体によって形成された請求項1~7の何れか一項に記載の載置台。前記スリーブが、セラミックにより形成された請求項8に記載の載置台。前記第1の接着剤が、有機系接着剤である請求項1~9の何れか一項に記載の載置台。前記第2の接着剤が、無機系接着剤である請求項1~10の何れか一項に記載の載置台。前記第2の接着剤が、プラズマ又はラジカルに対して前記第1の接着剤よりも高い耐性を有する接着剤である請求項1~11の何れか一項に記載の載置台。プラズマが生成される処理空間を画成する処理容器と、前記処理空間内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理空間に設けられた第1の電極と、前記処理容器内に収容され、基板を載置する載置台と、を備え、前記載置台は、プラズマに曝される表面及び該表面と対向する裏面を有し、第1貫通孔が形成された静電チャックと、前記静電チャックの裏面に第1の接着剤によって接合され、前記第1貫通孔に連通され前記第1貫通孔の口径よりも大きい口径の第2貫通孔が形成されたベースと、筒状のスリーブと、を有し、前記ベースが、第2の電極を構成し、前記スリーブが、第2の接着剤によって、前記第1貫通孔と連通した状態で前記静電チャックの裏面に接合されたプラズマ処理装置。上述したように、載置台は、様々な機能を実現するための構造部材が組み込まれるとともに、プラズマ処理により発生するプラズマ又はラジカルに直接曝される構成となる。一般的に、アクリル系材料からなる耐浸食性断熱材等の部材を接着結合するための接着剤は、プラズマ又はラジカルに曝されると、その組成成分が損傷等を受けるので接着剤の消耗や接着強度の劣化を生ずるおそれがある。特に、静電チャックの接着結合に用いられる接着剤が消耗又は劣化すると、静電チャックに結合された部材への熱伝導の制御が難しくなる。その結果、基板面内にわたる均一かつ正確なプロセス処理ができなくなる。そのため、当技術分野においては、静電チャックの接着結合に用いられる接着剤の劣化を防止することができる載置台、及びそのような載置台を備えるプラズマ処理装置が要請されている。本発明の一側面に係る載置台は、静電チャック、ベース及び筒状のスリーブを備える。静電チャックは、プラズマに曝される表面及び該表面と対向する裏面を有し、第1貫通孔が形成される。ベースは、静電チャックの裏面に第1の接着剤によって接合され、第1貫通孔に連通され第1貫通孔の口径よりも大きい口径の第2貫通孔が形成される。スリーブは、第2の接着剤によって、第1貫通孔と連通した状態で静電チャックの裏面に接合される。本発明の一側面に係る載置台では、ベースに形成された第2貫通孔が静電チャックに形成された第1貫通孔の口径よりも大きな口径とされているので、第1貫通孔と連通させた状態で筒状のスリーブを静電チャックの裏面に接着剤により接合させることができる。このとき、静電チャックとベースとは、第1の接着剤で接着されるとともに、静電チャックとスリーブとは、第2の接着剤により接着される。つまり、第1貫通孔又は第2貫通孔から流入したプラズマ又はラジカルは、スリーブによって遮られるため、第1の接着剤すなわち静電チャックの接着結合に用いられる接着剤が、直接プラズマ又はラジカルに曝露されることを防止することができる。また、スリーブの接合には第2の接着剤が用いられているので、静電チャックとスリーブとを接合する第1の接着剤が、直接プラズマ又はラジカルに曝露されることを防止することができる。よって、本発明の一側面に係る載置台によれば、静電チャックの接着結合に用いられる接着剤の劣化を防止することができる。一実施形態では、スリーブが、第1貫通孔の口径と同一の内径を有し、第1貫通孔と同軸となるように静電チャックの裏面に接合されてもよい。このように構成することで、第1貫通孔及びスリーブによって、接合部分が連続的な貫通孔を形成することができるので、例えば貫通孔を抵抗損失の少ないガス流路として構成することが可能となる。一実施形態では、第1の接着剤が、静電チャックとベースとの接触部分のみに設けられてもよい。このように構成することで、第2貫通孔と対向する静電チャックの裏面部分には第1の接着剤が設けられていないため、静電チャックの裏面に接合させるスリーブの接合位置に自由度を持たせることができるとともに、第1の接着剤が直接プラズマ又はラジカルに曝露されることを一層防止することができる。一実施形態では、スリーブが、第2の貫通孔よりも小さい外径を有してもよい。このように構成することで、スリーブを第2の貫通孔に適切に配置することができる。ここで、一実施形態では、スリーブ及び第2貫通孔によって画成された空間領域に充填された封止剤をさらに備えてもよい。このように構成することで、スリーブを回り込み、スリーブ及び第2貫通孔によって画成された空間領域に進入するラジカルを、封止剤により遮ることができるため、ラジカルによる第1の接着剤の劣化を確実に防止することが可能となる。一実施形態では、封止剤は、スリーブ及び第2貫通孔によって画成された空間領域に流し込まれ、その後硬化することにより、該空間領域に充填されてもよい。この場合には、空間領域へ封止剤を容易に充填することができる。一実施形態では、封止剤は、硬化前に20000cps以下の粘度を有し、硬化後に1MPa以下のヤング率を有する接着剤であってもよい。この場合には、硬化前には、スリーブ及び第2貫通孔によって画成された空間領域に容易に封止剤を充填することができる。また、封止材は、硬化後には、ベース及びスリーブの熱膨張に追従して変形しつつ、空間領域に確実に留まることが可能となる。一実施形態では、スリーブが、静電チャックを構成する絶縁体と同一の絶縁体によって形成されてもよい。このように構成することで、スリーブが静電チャックと同様にプラズマ又はラジカルに対して高い耐性を有する構成とすることができる。一実施形態では、スリーブが、セラミックにより形成されてもよい。一実施形態では、第1の接着剤が、有機系接着剤であってもよい。このように構成することで、弾性を有する第1の接着剤により静電チャックとベースとの変形量差を吸収しつつ、静電チャックとベースとを接着結合することができる。一実施形態では、第2の接着剤が、無機系接着剤であってもよい。無機接着剤は、耐熱性を有することから、絶縁スリーブの接着結合に用いられる接着剤の劣化を防止することができる。第2の接着剤が、プラズマ又はラジカルに対して第1の接着剤よりも高い耐性を有する接着剤であってもよい。このように構成することで、絶縁スリーブの接着結合に用いられ、直接プラズマ又はラジカルに曝露される接着剤の劣化を防止することができる。本発明の他の側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、第1の電極、及び載置台を備える。処理容器は、プラズマが生成される処理空間を画成する。ガス供給部は、処理空間内に処理ガスを供給する。第1の電極は、処理空間に設けられる。載置台は、処理容器内に収容され、基板を載置する。ここで、載置台は、静電チャック、ベース及び筒状のスリーブを備える。静電チャックは、プラズマに曝される表面及び該表面と対向する裏面を有し、第1貫通孔が形成される。ベースは、静電チャックの裏面に第1の接着剤によって接合され、第1貫通孔に連通され第1貫通孔の口径よりも大きい口径の第2貫通孔が形成される。スリーブは、第2の接着剤によって、第1貫通孔と連通した状態で静電チャックの裏面に接合される。このプラズマ処理装置によれば、上述したように静電チャックの接着結合に用いられる接着剤の劣化を防止することができる載置台を備えているので、安定動作するプラズマ処理装置を実現することができる。本発明の種々の側面及び一実施形態によれば、静電チャックの接着結合に用いられる接着剤の劣化を防止することができる。以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図1では、一実施形態に係るプラズマ処理装置の断面が示されている。図1に示すプラズマ処理装置10は、平行平板型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置10は、処理容器12を備えている。処理容器12は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Sを画成している。プラズマ処理装置10は、処理容器12内に、略円板形状のベース14を備えている。ベース14は、処理空間Sの下方に設けられている。ベース14は、例えばアルミニウム製であり、第2の電極を構成している。ベース14は、プロセスにおいて後述する静電チャック50の熱を吸熱して、静電チャック50を冷却する機能を有する。ベース14の内部には、冷媒流路15が形成されており、冷媒流路15には、冷媒入口配管、冷媒出口配管が接続される。そして、冷媒流路15の中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、ベース14及び静電チャック50を所定の温度に制御可能な構成とされている。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、筒状保持部16及び筒状支持部17を更に備えている。筒状保持部16は、ベース14の側面及び底面の縁部に接して、ベース14を保持している。筒状支持部17は、処理容器12の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部16を介してベース14を支持している。プラズマ処理装置10は、この筒状保持部16の上面に載置されるフォーカスリング18を更に備えている。フォーカスリング18は、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。一実施形態においては、処理容器12の側壁と筒状支持部17との間には、排気路20が形成されている。排気路20の入口又はその途中には、バッフル板22が取り付けられている。また、排気路20の底部には、排気口24が設けられている。排気口24は、処理容器12の底部に嵌め込まれた排気管28によって画成されている。この排気管28には、排気装置26が接続されている。排気装置26は、真空ポンプを有しており、処理容器12内の処理空間Sを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器12の側壁には、被処理基体基板Wの搬入出口を開閉するゲートバルブ30が取り付けられている。ベース14には、プラズマ生成用の高周波電源32が整合器34を介して電気的に接続されている。高周波電源32は、所定の高周波数例えば27MHz以上の高周波電力を第2の電極、即ち、ベース14に印加する。プラズマ処理装置10は、更に、処理容器12内にシャワーヘッド38を備えている。シャワーヘッド38は、処理空間Sの上方に設けられている。シャワーヘッド38は、電極板40及び電極支持体42を含んでいる。電極板40は、略円板形状を有する導電性の板であり、第1の電極を構成している。電極板40には、プラズマ生成用の高周波電源35が整合器36を介して電気的に接続されている。高周波電源35は、所定の高周波数例えば27MHz以上の高周波電力を電極板40に印加する。高周波電源32及び高周波電源35によってベース14及び電極板40に高周波電力がそれぞれ与えられると、ベース14と電極板40との間の空間、即ち、処理空間Sには高周波電界が形成される。電極板40には、複数のガス通気孔40hが形成されている。電極板40は、電極支持体42によって着脱可能に支持されている。電極支持体42の内部には、バッファ室42aが設けられている。プラズマ処理装置10は、ガス供給部44を更に備えており、バッファ室42aのガス導入口25にはガス供給導管46を介してガス供給部44が接続されている。ガス供給部44は、処理空間Sに処理ガスを供給する。ガス供給部44は、例えば、CF系のエッチングガス等を供給し得る。電極支持体42には、複数のガス通気孔40hにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室42aに連通している。したがって、ガス供給部44から供給されるガスは、バッファ室42a、ガス通気孔40hを経由して、処理空間Sに供給される。一実施形態においては、処理容器12の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構48が設けられている。この磁場形成機構48は、処理空間Sにおける高周波放電の開始プラズマ着火を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。一実施形態においては、ベース14の上面に静電チャック50が設けられている。静電チャック50は、略円板状の部材であって、プラズマに曝される表面及び該表面と対向する裏面を有する。この静電チャック50は、電極52、並びに、一対の絶縁膜54a及び54bを含んでいる。絶縁膜54a及び54bは、セラミック等の絶縁体により形成される膜である。電極52は、導電膜であり、絶縁膜54aと絶縁膜54bの間に設けられている。この電極52には、スイッチSWを介して直流電源56が接続されている。直流電源56から電極52に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基体Wが静電チャック50上に吸着保持される。静電チャック50の内部には、加熱素子であるヒータ53が埋め込まれ、被処理基体Wを所定温度に加熱できるようになっている。ヒータ53は、配線を介してヒータ電源に接続される。ベース14及び静電チャック50は、載置台70を構成している。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、ガス供給ライン58及び60、並びに、伝熱ガス供給部62及び64を更に備えている。伝熱ガス供給部62は、ガス供給ライン58に接続されている。このガス供給ライン58は、静電チャック50の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給部62は、例えばHeガスといった伝熱ガスを、静電チャック50の上面と被処理基体Wとの間に供給する。また、伝熱ガス供給部64はガス供給ライン60に接続されている。ガス供給ライン60は、静電チャック50の上面まで延びて、当該上面においてガス供給ライン58を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給部64は、例えばHeガスといった伝熱ガスを、静電チャック50の上面と被処理基体Wとの間に供給する。一実施形態においては、プラズマ処理装置10は、制御部66を更に備えている。この制御部66は、排気装置26、スイッチSW、高周波電源32、整合器34、高周波電源35、整合器36、ガス供給部44、並びに、伝熱ガス供給部62及び64に接続されている。制御部66は、排気装置26、スイッチSW、高周波電源32、整合器34、高周波電源35、整合器36、ガス供給部44、並びに、伝熱ガス供給部62及び64のそれぞれに制御信号を送出する。制御部66からの制御信号により、排気装置26による排気、スイッチSWの開閉、高周波電源32からの電力供給、整合器34のインピーダンス調整、高周波電源35からの電力供給、整合器36のインピーダンス調整、ガス供給部44による処理ガスの供給、伝熱ガス供給部62及び64それぞれによる伝熱ガスの供給が制御される。このプラズマ処理装置10では、ガス供給部44から処理空間Sに処理ガスが供給される。また、電極板40とベース14との間、即ち処理空間Sにおいて高周波電界が形成される。これにより、処理空間Sにおいてプラズマが発生し、処理ガスに含まれる元素のラジカル等例えば、酸素ラジカルにより、被処理基体Wのエッチングが行われる。以下、載置台70の構成について詳細に説明する。図2は、図1に示す載置台70のガス供給ライン58の形成位置における一部端面図である。図2に示すように、載置台70では、静電チャック50の下面が、ベース14の上面に第1の接着剤71により接着されて接合されている。第1の接着剤71は、静電チャック50とベース14との接触部分接触面のみに設けられてもよい。第1の接着剤71は、異なる線膨張係数を有するベース14及び静電チャック50の変形量の差を吸収する機能を有している。このために、第1の接着剤71は、高い弾力性を有している。また、第1の接着剤71は、静電チャック50の熱をベース14に伝導する機能、及び静電チャック50とベース14とを電気的に絶縁する機能を有している。このために、第1の接着剤71は、高い熱伝導率及び電気抵抗率を有している。この第1の接着剤71としては、例えばシリコーン系材料、アクリルベースもしくはアクレラートベースのアクリル系材料、又はポリイミドシリカ系材料を含む有機系接着剤を用いることができる。また、第1の接着剤71は、以下に示される物性値を有することとしてもよい。1接着力:1~10MPa程度室温、0.5~5MPa程度150°C2弾性率:100~300MPa程度室温、0.1~2MPa150°C3熱伝導率:0.2W/mK以上4体積抵抗率:1e13Ωcm以上室温、1e8Ωcm以上150°Cガス供給ライン58は、載置台70において、静電チャック50の厚さ方向に貫く上部ガス供給ライン58a及び下部ガス供給ライン58bを含んでいる。静電チャック50には、厚さ方向に貫通した口径R1の第1貫通孔が形成されており、該第1貫通孔が上部ガス供給ライン58aを構成する。一方、ベース14には、厚さ方向に貫通した口径R2の第2貫通孔が形成されており、該第2貫通孔が、下部ガス供給ライン58bを構成する。静電チャック50及びベース14は、第1貫通孔及び第2貫通孔が連通するように配置される。これにより、上部ガス供給ライン58a及び下部ガス供給ライン58bは、貫通孔を構成している。例えば、第1貫通孔の軸線M1中心軸と、第2貫通孔の軸線M2中心軸とが一致するように、すなわち同軸となるように静電チャック50及びベース14が配置される。第1貫通孔の口径R1は、第2貫通孔の口径R2よりも若干小さく形成されている。すなわち、上部ガス供給ライン58aの径は、下部ガス供給ライン58bの径よりも若干小さく形成されている。下部ガス供給ライン58b内には、ベース14の側壁14A方向に延在する絶縁スリーブ80が設けられている。すなわち、絶縁スリーブ80は、ベース14の第2貫通孔に収容されている。絶縁スリーブ80は、静電チャックを構成する絶縁体と同一の絶縁体から構成されてもよく、例えばセラミック等の絶縁体からなる。絶縁スリーブ80は、筒状を呈し、ここでは略円筒状の部材が用いられる。絶縁スリーブ80の内径R4は、第1貫通孔の口径R1と同一とされていてもよい。また、絶縁スリーブ80の外径R3は、第2貫通孔の口径R2と同一又は小さくされていてもよい。絶縁スリーブ80の軸線方向の長さは、ベース14の厚さと略等しくなるように形成されている。絶縁スリーブ80の一端は、静電チャック50の下面であって、上部ガス供給ライン58aの周縁部に、第2の接着剤72により接着されて取り付けられている。このとき、絶縁スリーブ80の一端は、絶縁スリーブ80の軸線M3と第1貫通孔の軸線M1中心軸とが一致するように、すなわち絶縁スリーブ80と第1貫通孔とが同軸となるように、取り付けられていてもよい。第2の接着剤72は、プラズマ又はラジカルに対して第1の接着剤71よりも高い耐性を有している。具体的には、第2の接着剤72は、セラミックと同程度の耐プラズマ消耗性及び耐ラジカル例えば、酸素ラジカル消耗性を有し、セラミックと同程度の耐プラズマ透過性及び耐ラジカル透過性を有している。第2の接着剤72としては、例えばセラミック系材料を含む無機系接着剤を用いることができる。無機系接着剤としては、例えば無機酸化物又は無機系フッ化物を含むものを用いることができる。図に示すように、絶縁スリーブ80の外径R3が第2貫通孔の口径R2よりも小さい場合には、絶縁スリーブ80及び第2貫通孔の内壁ベース14の側壁14Aによって空間領域Gが画成される。すなわち、絶縁スリーブ80は、ベース14の側壁第2貫通孔の内壁14Aに対して所定の間隔だけ離間させて配置された構成となる。空間領域Gの大きさは、絶縁スリーブ80を構成する材料及びベース14を構成する材料の線膨張係数及びプロセス温度に応じて定まるものである。例えば、ベース14がアルミニウムにより形成され、絶縁スリーブ80がセラミックにより形成され、プロセス温度を150°Cとすると、ベース14と絶縁スリーブ80との間に0.3mm程度の熱膨張による変形量差が生じる。この場合には、絶縁スリーブ80を、ベース14の側壁14Aに対して0.3mm以上離間させて配置させることとする。一実施形態においては、図2に示すように、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間、すなわち空間領域Gに、封止剤73が介在していてもよい。封止剤73は、空間領域Gを封止することで、第1の接着剤71を雰囲気から遮断する。すわなち、封止剤73は、処理空間Sから流入して絶縁スリーブ80を回り込み、第1の接着剤71に接触することにより第1の接着剤71を劣化させるラジカルを遮断するように機能する。封止剤73は、空間領域Gへの充填時すなわち硬化前には、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に流し込むことができるような流動性を有している。封止剤73は、その後硬化することにより、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に留まり、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間すなわち空間領域Gを封止する。封止剤73は、硬化後においても、第2の接着剤72よりも高い弾力性を有しており、ベース14及び絶縁スリーブ80の熱膨張に追従して変形する。例えば、封止剤73は、硬化前に20000cps以下の粘度が望ましく、硬化後に1MPa以下のヤング率を有することが望ましい。封止剤73としては、例えば、アクリルビニル系材料、アクリル酸エステル系材料又はスチレンブタジエンゴム系材料を有する有機系接着剤が用いられる。なお、封止剤73として、熱硬化性樹脂もしくは注型用樹脂すなわち注入可能なプラスチック又はエラストマー化合物、又はエラストマー等を用いてもよい。次に、本実施形態の載置台70の作用効果を説明する。本実施形態の載置台70の作用効果を説明するにあたり、まず、従来の載置台90について説明する。図3は、従来の載置台の一般的な構成を示している。図3に示すように、従来の載置台90は、ベース92、静電チャック94、及び絶縁スリーブ96を備えており、ベース92、静電チャック94、及び絶縁スリーブ96が有機接着剤98により接着されている。静電チャック94の内部には加熱素子であるヒータ95が埋め込まれている。ベース92の内部には、冷媒が循環する冷媒流路93が形成されている。また、載置台90において、静電チャック94の厚さ方向に貫く上部ガス供給ライン99a及びベース92の厚さ方向に貫く下部ガス供給ライン99bが形成されている。静電チャック94には、厚さ方向に貫通した口径P1の貫通孔が形成されており、該貫通孔が上部ガス供給ライン99aを構成する。一方、ベース92には、厚さ方向に貫通した口径P2の貫通孔が形成されており、該貫通孔が、下部ガス供給ライン99bを構成する。静電チャック94及びベース92は、それぞれの貫通孔が連通するように配置される。例えば、口径P1の貫通孔の軸線M1中心軸と、口径P2の貫通孔の軸線M2中心軸とが一致するように、すなわち同軸となるように静電チャック94及びベース92が配置される。上部ガス供給ライン99aの径P1は、下部ガス供給ライン99bの径P2よりも若干小さく形成されている。下部ガス供給ライン99b内には、ベース92の側壁方向に延在する絶縁スリーブ96が設けられている。絶縁スリーブ96の内径P4は、口径R1よりも大きく、絶縁スリーブ96の外径P3は、口径R2よりも小さい。絶縁スリーブ96の一端は、絶縁スリーブ96の軸線M3と口径P1の貫通孔の軸線M1中心軸とが一致するように取り付けられている。このような載置台90では、有機接着剤98が、上部ガス供給ライン99a及び絶縁スリーブ96下端部付近において、貫通孔内側に露出している。ところで、エッチングプロセス処理通常1~5分程度後には、処理容器内壁及び静電チャック94周辺部の副生成物の堆積物を除去することを目的として、被処理基体Wを除去した状態でプラズマを生成するウエハレスドライクリーニング通常1~3分程度を行う。この際、載置台90はプラズマに直接晒され、プラズマやラジカルが貫通孔内部に流入することになる。そして、有機接着剤98が貫通孔内側に露出された構造を有する載置台90では、流入したプラズマやラジカルにより有機接着剤98が損傷を受けることになる。特に高温環境下でのプロセスでは、有機接着剤98の劣化及び消耗が促進される。図4に示すように、プラズマやラジカルにより有機接着剤98が損傷を受けて消耗すると、ベース14と静電チャック94との間に空間接着剤消耗領域Kが生じることとなる。そのため、ヒータ95により生じる熱の冷媒流路93への移動が阻害される。実際のプラズマ処理時には、プラズマ空間から入熱される大きな熱量が冷媒流路93へ移動することになるため、接着剤消耗領域Kでの熱移動阻害に起因する局所的温度上昇は顕著となる。図5は、有機接着剤98としてシリコーン接着剤を用いた場合における、有機接着剤98の消耗量と静電チャック94の温度変化ΔTとの関係を表すグラフである。図5に示すグラフにおいて、横軸は有機接着剤98の静電チャック94の径方向における消耗量であり、縦軸は静電チャック94の温度変化ΔTである。なお、消耗量は、静電チャック94の径方向において、絶縁スリーブ96の内壁から有機接着剤98の外縁までの長さmmで評価している。図5に示すように、有機接着剤98の消耗が進むと、静電チャック94の温度が上昇する。具体的には、有機接着剤98が3.0mm消耗すると、静電チャックの温度が5°C上昇する。これは、有機接着剤98の消耗により静電チャック94からベース92への熱伝導が阻害され、ベース92の放熱量が低下するためである。図6は、ヒータ95を加熱してプロセスステップ時の発熱条件としたときの静電チャック94の温度分布を模式的に表したものである。有機接着剤98としてシリコーン接着剤を用いた。図6aは、未使用の載置台90を用いた場合の静電チャック94の温度分布であり、図6bは、ウエハレスドライクリーニングの実施時間の合計が120時間となるプラズマ処理を行った載置台90を用いた場合の静電チャック94の温度分布である。図6bに示すように、合計120時間の間、プラズマに直接晒された載置台90を用いてヒータ95を加熱した場合には、図6aに示す未使用の載置台90を用いてヒータ95を加熱した場合と比較して、上部ガス供給ライン99aの周縁部において、静電チャック94の温度が上昇している。これは、有機接着剤98が、処理空間Sから上部ガス供給ライン99aを介して流入するプラズマ及びラジカルに曝露されることで、上部ガス供給ライン99a周縁部の有機接着剤98が消耗し、接着剤消耗領域Kが形成されたことに起因したものである。このように、従来の載置台90を用いたプラズマ処理装置では、使用に応じて貫通孔周囲の冷却性が低下していく場合がある。これに対し、本実施形態に係る載置台70では、絶縁スリーブ80が、ベース14と静電チャック50とを貫く貫通孔の内部に、ベース14の側壁14Aに対して離間して配置される。この絶縁スリーブ80は、静電チャック50の下面にプラズマ又はラジカルに対して第1の接着剤71よりも高い耐性を有する第2の接着剤72により接着される。つまり、絶縁スリーブ80は、ベース14の側壁14Aよりも貫通孔の内側に配置されるため、貫通孔から流入したプラズマ又はラジカルは絶縁スリーブ80によって遮られ、第1の接着剤71が直接プラズマ又はラジカルに曝露されることが防止される。また、絶縁スリーブ80に用いられる第2の接着剤72は、プラズマ又はラジカルに対して高い耐性を有しているため、プラズマ又はラジカルによる劣化の影響は小さい。よって、本実施形態に係る載置台70によれば、第1の接着剤71及び第2の接着剤72の劣化を防止することができる。また、高温環境下例えば、150°C以上でのプロセスであっても、第1の接着剤71及び第2の接着剤72の劣化を適切に防止できる。また、本実施形態に係る載置台70は、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に介在する封止剤73を備えている。このため、絶縁スリーブ80を回り込み、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に進入するラジカルを封止剤73により遮ることができるため、ラジカルによる第1の接着剤71の劣化を確実に防止することができる。また、本実施形態に係る載置台70では、封止剤73により第1の接着剤71がプラズマ又はラジカルに晒されないため、第1の接着剤71としてプラズマ又はラジカルに対して耐性が要求されない。すなわち、本実施形態に係る載置台70では、プラズマ又はラジカルに対する耐性を考慮して接着剤の材料を選択する必要がないため、第1の接着剤71の材料選定の自由度を高めることができる。つまり、プラズマ又はラジカルに対する耐性の有無を問わず、他の物性値接着力、弾性率、熱伝導率、体積抵抗率に優れた材料を第1の接着剤71として採用することが可能となる。なお、第1の接着剤71に熱弾性に優れた材料を採用した場合には、載置台70の熱膨張に対する設計許容値を広げることができる。また、本実施形態に係る載置台70では、封止剤73は、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に流し込まれ、その後硬化することにより、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間を封止する。このため、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に形成される隙間に封止剤73を容易に充填することができる。その後、封止剤73がラジカルの影響により消耗した場合においても、封止剤73を容易に再充填することができる。また、本実施形態に係る載置台70では、封止剤73は、硬化前に20000cps以下の粘度を有し、硬化後に1MPa以下のヤング率を有する接着剤である。このため、硬化前には、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に形成される隙間に封止剤73を容易に充填することができる。また、硬化後には、ベース14及び絶縁スリーブ80の熱膨張に追従して変形しつつ、ベース14の側壁14Aと絶縁スリーブ80との間に形成される隙間に封止剤73を確実に留まることができる。さらに、本実施形態に係るプラズマ処理装置10では、第1の接着剤71の劣化を防止することができる載置台70を備えているので、安定動作するプラズマ処理装置を実現することができる。また、プラズマ処理装置10の高寿命化を図ることができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、封止剤73、絶縁スリーブ80等が、伝熱ガスを静電チャック50の上面と被処理基体Wとの間に供給するための貫通孔であるガス供給ライン58に設置されているが、封止剤73、絶縁スリーブ80等が、ガス供給ライン60に設置されてもよい。また、封止剤73、絶縁スリーブ80等が、ガス供給ライン58及び60とは異なる貫通孔に設置されてもよい。例えば、載置台70から被処理基体Wを持ち上げるリフトピンを嵌挿するための貫通孔に封止剤73、絶縁スリーブ80等が設置されていてもよい。また、上記実施形態では、絶縁スリーブ80の長さは、ベース14の厚さと略等しくなるように形成されているが、絶縁スリーブ80の長さは、任意である。例えば、処理空間S側から流入するプラズマの流入深さよりも下方まで延在するように、絶縁スリーブ80を形成してもよい。