"基板と、該基板上に設けられ、互いに間隙を空けて配置された一対の電極と、前記間隙内および前記一対の電極上に設けられた光電変換層と、を積層してなる積層体を含み、前記一対の電極のそれぞれは、前記間隙に沿って交互に配置された、前記間隙に沿った直線状部および該直線状部から前記間隙に向かって突出した先端面が曲面状の第1突出部を有する光電変換装置。前記第1突出部は、前記間隙に沿って一定の間隔で複数形成されている請求項1に記載の光電変換装置。前記一対の電極のそれぞれの前記第1突出部は、互いに対向している請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。前記一対の電極のそれぞれは、互いに対向する端部において、前記間隙の配置方向に沿って連続的に、前記積層体の積層方向に突出する第2突出部を有する請求項1~請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。前記第1突出部の突出長aと前記先端面の曲率bとの関係がa/b=0.33~1である請求項1~請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。前記第1突出部の幅cと前記直線状部の長さdとの関係がc/d=0.23~0.8である請求項1~請求項5のいずれかに記載の光電変換装置。前記間隙の幅eと前記第1突出部の突出長aとの関係がe/a=15~50である請求項1~請求項6のいずれかに記載の光電変換装置。前記間隙の幅eと前記直線状部の長さdとの関係がe/d=1.4~5である請求項1~請求項7のいずれかに記載の光電変換装置。前記第2突出部の突出長fと前記電極の厚さgとの関係がf/g=0.3~3.5である請求項4に記載の光電変換装置。基板上に電極層を形成する工程と、前記電極層をレーザーで分割し、間隙を空けて一対の電極を形成するレーザー分割工程と、前記間隙内および前記一対の電極上に光電変換層を形成する工程と、を備え、前記レーザー分割工程では、略矩形状のスポットを有するレーザーを前記スポットの一部が互いに重なるようにずらしながら前記電極層に繰り返し照射する光電変換装置の製造方法。前記レーザーは、トップハット型のエネルギー分布を有する請求項10に記載の光電変換装置の製造方法。前記スポットの一部が互いに重なるラップ率が5~15である請求項10または請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。前記光電変換層を形成する工程では、前記間隙内および前記一対の電極上に、カルコパイライト系の光電変換層の原料が含まれたペーストを塗布して、前記光電変換層となる皮膜を形成した後、該皮膜を熱処理する請求項10~請求項12のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。本発明の実施形態に係る光電変換装置およびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。本発明の実施形態に係る光電変換装置1は、図1に示すように、基板2と、該基板2上に設けられた裏面電極3と、該裏面電極3上に設けられた光電変換層4と、該光電変換層4上に設けられたバッファ層5と、表面電極に相当する窓層6と、を備えている。なお、本実施形態では、カルコパイライト系化合物からなる光電変換層4と、該光電変換層4にヘテロ接合されたバッファ層5と、を別のものとして表現しているが、光電変換層4にバッファ層5が含まれていてもよい。また、基板2、裏面電極3および光電変換層4は、図1に示すように、積層方向Yに沿って積層されてなる積層体1’を構成している。基板2は、裏面電極3、光電変換層4、バッファ層5および窓層6を支持する機能を有している。このような基板2には、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、金属などの板状のものが使用可能である。基板2としては、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスが光電変換効率の向上や強度、コスト面で好適に用いられる。裏面電極3は、光電変換層4、バッファ層5および窓層6で生成されたキャリアを収集する機能を有している。このような裏面電極3には、例えば、厚さ0.2~1μm程度のモリブデン、チタン、タンタル等の金属薄膜、または上述した金属の積層構造体が用いられる。裏面電極3の形成方法としては、例えば、スパッタリング法や蒸着法がある。光電変換層4は、光吸収層として機能し、p型の導電形を呈する半導体である。また、光電変換層4は、カルコパイライト系化合物で構成されている。そして、光電変換層4は、例えば、厚さ1~3μm程度のカルコパイト構造半導体薄膜を含む。具体的には、このような光電変換層4としては、例えば、二セレン化銅インジウム、二セレン化銅インジウムガリウム、二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、二イオウ化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜が挙げられる。又は薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜が挙げられる。このような光電変換層4は、例えば、スパッタリング法や蒸着法、印刷法で形成される。バッファ層5は、光電変換層4との間にヘテロ接合を形成するためのものである。このようなバッファ層5には、例えば、厚さ0.01~0.1μm程度の硫化カドニウムCdS、硫化インジウムInSまたは硫化亜鉛ZnS等の化合物半導体が用いられる。また、このようなバッファ層5は、例えば、溶液成長法CBD法により形成される。窓層6は、n型の導電型を呈する半導体であるとともに、光電変換層4、バッファ層5および窓層6で生成されたキャリアを収集する機能を有している。なお、本実施形態では、裏面電極3で正孔を収集し、窓層6で電子を収集している。また、光電変換装置1では、窓層6側から光が入射されるため、窓層6は透光性を有している。このような窓層6は、厚さ1~2μm程度の酸化亜鉛ZnOを含む化合物半導体、またはアルミニウムやボロン、ガリウム、インジウム、フッ素などを含む酸化亜鉛の化合物半導体、または錫を含んだ酸化インジウムITOまたは酸化錫SnO2を含む化合物半導体が用いられる。このような窓層6は、例えば、スパッタリング法や有機金属気相成長法MOCVD法などで成膜する。なお、窓層6は光電変換装置1における一方の電極表面電極としても機能する。また、光電変換装置1は、窓層6上に形成された透明導電膜をさらに有していてもよく、窓層6と透明導電膜とを合わせた電極を有していてもよい。光電変換装置1は、加えて、さらにキャリアの集電効果を高めるべく、透明導電膜上に形成され且つ銀等の低抵抗の材質からなる集電電極を有していてもよい。本実施形態のようなカルコパイライト系化合物からなる光電変換層4を具備する光電変換装置1は、さらに出力電圧を向上させる必要がある。そのために、1つの基板2上に形成された光電変換装置内で、複数の光電変換ユニットを直列接続することによって、集積化が行われる。このような光電変換装置の集積化は以下のような工程で行われる。まず基板2上に成膜した裏面電極3を短冊状に分離するための分離溝P1を形成する。次に、基板2、裏面電極3および分離溝P1上に光電変換層4およびバッファ層5を形成する。次いで、分離溝P1と近接する位置で光電変換層4およびバッファ層5を分離する分離溝P2を形成する。最後に、バッファ層5上に窓層6透明導電膜電極を形成し、分離溝P2と近接する位置で窓層6、バッファ層5および光電変換層4を分離する分離溝P3を形成する。このように、光電変換装置1は、互いに隣接する複数の光電変換ユニット光電変換ユニット1a、光電変換ユニット1bに分割される。そして、分離溝P2の部分で隣接する光電変換ユニットが直列に接続されている。具体的には、この隣接する光電変換ユニット1aと光電変換ユニット1bとは、図1に示すように、光電変換ユニット1aの窓層6と、光電変換ユニット1aおよび光電変換ユニット1bが共有する裏面電極3とが電気的に接続されることによって、直列接続されている。次に、上述した光電変換装置1の集積化において形成された分離溝P1について詳述する。図2aは、裏面電極3に分離溝P1を形成したときの様子を示す。分離溝P1は、レーザーを照射することによって形成される。裏面電極3に分離溝P1が形成されることにより、裏面電極3は、互いに対を成す一対の裏面電極3a、3bに分割される。なお、本実施形態を示す図2aでは、分離溝P1において、一対の裏面電極3a、3bの間に配される間隙を間隙10とし、分離溝P1の端部裏面電極3a、3bの端部を端部11とする。また、図2aでは、レーザーのスポット形状をレーザースポット12とし、一対の裏面電極3a、3bのうち、間隙10に向かって突出する部分を第1突出部13a、13bとする。さらに、図2aでは、間隙10の配置方向を、矢印14で示している。なお、この第1突出部13の無い部分での間隙10の幅は、30μm~70μm程度である。上述したように、本実施形態の光電変換装置は、基板と、該基板上に設けられ、互いに間隙を空けて配置された一対の電極と、間隙内および一対の電極上に設けられた光電変換層と、を積層してなる積層体を含む。そして、一対の電極のそれぞれは、間隙に沿って交互に配置された、間隙に沿った直線状部および直線状部から間隙に向かって突出した先端面が曲面状の第1突出部を有する。すなわち、裏面電極3のうち、分離溝P1の間隙10に向かって突出する第1突出部13の先端面が曲面状である。そのため、第1の突出部13における光電変換層4の応力の集中を低減し、第1の突出部13におけるクラックの発生を低減することができる。また、第1突出部13の先端面が曲面状であることによって応力が分散されるので、分割溝P1の端部11に沿ってクラックが伝播していくことを低減することができる。そして、本実施形態に係る光電変換装置1では、図2bに示すように、一対の裏面電極3a、3bの間隙10に向かって突出する第1突出部13の先端面が曲面状である。すなわち、本実施形態では、間隙10に対向する第1突出部13の先端面が曲面状である。そのため、後の工程で裏面電極3a、3b上に光電変換層4を成膜した場合、裏面電極3a、3bと光電変換層4の熱膨張係数の違いにより応力が発生しても、分離溝P1の第1突出部13の近傍にある光電変換層4に作用する応力を分散することができる。これにより、特定の箇所における応力集中を低減できるため、第1突出部13を起点として分離溝P1の間隙10に配される光電変換層4に発生するクラックを低減できる。なお、上述したような先端面が曲面状である第1突出部13a、13bの形成方法については、後述する。また、第1突出部13は、分割溝P1の間隙10に対向する先端面だけでなく、該先端面を除く外周面も曲面状であってもよい。この場合、より応力集中を低減する効果を高めることができる。さらに本実施形態においては、第1突出部は間隙に沿って一定の間隔で複数形成されていてもよい。これにより図6aおよび図6bに示されるように、第1突出部13において、分割溝P1の端部11における応力を分散して開放することができる。さらに本実施形態においては、一対の電極のそれぞれに設けられた第1突出部は、互いに対向していてもよい。これにより、一対の電極のそれぞれに設けられた第1突出部13同士の間にて、最短距離でクラックを伝播させることができるので、大規模なリーク電流の発生を低減できる。すなわち、図2aに示すように、間隙10の配置方向14に沿った両側の分離溝P1の端部11において、一対の裏面電極3a、3bの第1突出部13a、13bが、互いに対向するように設けられていてもよい。このような形態であれば、仮に第1突出部13a、13bに大きな応力が作用した場合、第1突出部13aと第1突出部13bとが比較的近い位置にあるため、第1突出部13aと第1突出部13bとをつなぐクラックを誘導しやすくなる。すなわち、このような間隙10内に形成されるクラックを誘導することによって、裏面電極3と窓層6とをつなぐクラックの発生を低減できる。換言すれば、このような形態では、光電変換装置1の特性に影響を与えにくいクラックを生じさせることにより、光電変換装置1の特性に影響を与えやすいクラックの発生を低減することができる。さらに本実施形態においては、一対の電極のそれぞれは、図4に示すように、互いに対向する端部において、間隙の配置方向に沿って連続的、且つ積層体の積層方向に突出する第2突出部を有していてもよい。これにより、応力を裏面電極3の厚さ方向にも分散することができるので、応力集中をさらに低減することができる。すなわち、図4に示すように、一対の裏面電極3が互いに対向する端部11において、間隙10の配置方向に沿って連続的に、且つ積層方向Yに突出する第2突出部15が形成されていてもよい。この第2突出部15は、光電変換層4の内部に入り込むように形成されている。このような形態によれば、裏面電極3の一部である第2突出部15が光電変換層4の内部に入り込んでいるため、裏面電極3と光電変換層4の密着強度を高めることができる。その結果、裏面電極3と光電変換層4との剥離を低減できる。この第2突出部15の裏面電極3の上面からの高さfは、0.2μm以上1.4μm以下とできる。すなわち第2突出部15の裏面電極3の上面からの高さfが、0.2μm以上とすることで裏面電極3を構成する金属薄膜の剥離を低減する効果が十分に得られる。また、第2突出部15の裏面電極3の上面からの高さfが1.4μm以下であると裏面電極3と窓層6との距離が小さくなって完成した光電変換装置1のリーク電流が大きくなることを低減することができる。なお、第2突出部15は、積層方向Yにおいて、第2突出部15の高さfが光電変換層4の厚みよりも小さくなるように設けられる。さらに本実施形態においては、第1突出部13の突出長aと先端面の曲率bとの関係がa/b=0.33~1であってもよい。これにより第1突出部13の突出長aに対して先端面の曲率bが小さすぎてクラックが発生し易くなることを低減でき、また、先端面の曲率bが大きすぎて応力の分散が不十分になることを低減できる。さらに本実施形態においては、第1突出部13の幅cと直線状部の長さdとの関係がc/d=0.23~0.8であってもよい。これにより応力を分散させることができる第1突出部13を必要なだけ確保することができるとともに、余計な応力集中箇所を増やすことを低減できる。さらに本実施形態においては、間隙10の幅eと第1突出部13の突出長aとの関係がe/a=15~50であってもよい。これにより分離溝P1の間隙10の幅eに合わせた適度な第1突出部13の突出長aとすることができる。すなわち、第1突出部13の間でのクラックの伝播を最短距離にすることが容易になるとともに、第1突出部13同士で電気が短絡することも低減できる。さらに本実施形態においては、間隙10の幅eと直線状部の長さdとの関係がe/d=1.4~5であってもよい。これにより分離溝P1の間隙10の幅eに合わせた適度な直線状部の長さdとすることができる。すなわち、第1突出部13の間でのクラックの伝播を最短距離にすることが容易になるとともに、第1突出部13同士で電気が短絡することも低減できる。さらに本実施形態においては、第2突出部15の突出長fと電極の厚さgとの関係がf/g=0.3~3.5であってもよい。これにより第2突出部15の突出長fを裏面電極3の厚さに好適に合わせることができる。すなわち、裏面電極層3の膨張収縮による応力を積層方向に分散することができるとともに、第2突出部15がバッファ層5に至ってリーク電流を発生させてしまうことを低減することができる。次に、本発明の実施形態に係る光電変換装置の製造方法について説明する。本実施形態は、基板上に電極層を形成する工程と、前記電極層をレーザーで分割し、間隙を空けて一対の電極を形成するレーザー分割工程と、前記間隙内および前記一対の電極上に光電変換層を形成する工程と、を備え、前記レーザー分割工程では、略矩形状のスポットを有するレーザーを、該スポットの一部が互いに重なるようにずらしながら前記電極層に繰り返し照射する。以下、各工程について、具体的に説明する。まず、純水などで超音波洗浄した基板2の略全面に、裏面電極3として、モリブデンで形成された電極層をスパッタリング法等で成膜する。次いで、レーザーを用いて電極層に分離溝を形成して裏面電極3をパターニングする。このレーザー分割工程では、略矩形状のスポットを有するレーザーを、スポットの一部が互いに重なるようにずらしながら電極層3に繰り返し照射する。このレーザー分割工程において、裏面電極3のパターニングに用いられるレーザーは、図2aに示すようにレーザー発振器より射出されるレーザーの光路に垂直な断面のレーザースポット12の形状が略矩形状であるものを用いることができる。そして、本実施形態では、この略矩形状のレーザースポット12を有するレーザーを、該レーザースポット12が互いに重なるようにずらしながら電極層3に繰り返し照射しながら、電極層上を走査して分離溝の間隙10を形成している。上述のようなレーザー分割工程によって形成される分離溝P1の端部11の形状は、レーザースポット12の形状が円形のものに比べ平滑なものになる。加えて、レーザースポット12と隣接するスポットの交点に位置する第1突出部13は、レーザー照射による熱影響によりその先端部が曲面状である。また、略矩形状のレーザースポット12を有するレーザーを、該レーザースポット12が互いに重なるようにずらしながら電極層3に繰り返し照射することにより、一対の裏面電極3a、3bの第1突出部13a、13bが、互いに対向するように設けられる。そして、レーザー照射による熱影響によって第2突出部15を間隙10の配置方向に沿って連続的に設けることも可能となる。なお、本実施形態において、レーザーは、トップハット型のエネルギー分布を有していてもよい。このように、レーザーが、トップハット型のエネルギー分布を有するものであれば、基板および電極層に与える熱エネルギーを略均一にすることができる。そのため、熱エネルギーの不均一性に伴って生じる基板のクラックや電極層の変質等を低減できる。さらに、本実施形態においては、レーザースポットの一部が互いに重なるラップ率が5~15であってもよい。これによって、図5で示されるように、ラップ率h/iが低すぎて第1突出部13の突出長aが大きすぎたり、先端面の曲率bが大きすぎたり、第1突出部13の幅cが大きすぎたり、直線状部16の長さが長すぎたりすることを低減することができる。また、ラップ率h/iが高すぎて第1突出部13の突出長aが小さすぎたり、先端面の曲率bが小さすぎたり、第1突出部13の幅cが小さすぎたり、直線状部16の長さdが短すぎたり、することを低減することができる。さらにラップ率が高すぎることによる裏面電極13へのダメージによる剥離を低減することができる。なお、ここでラップ率とは、図3aおよび図3bで示されるように、レーザースポット12同士が重なり合うオーバーラップする幅をh、レーザースポット径をiとしたとき、h/iで表されるものである。次に、裏面電極3上にカルコパイライト系化合物から成る光電変換層4をスパッタ法や蒸着法、印刷法などを用いて形成する。本実施形態の製法では、特に、光電変換層4を形成する工程において、カルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストを塗布した後、熱処理することで光電変換層4を形成してもよい。すなわち、本実施形態では、光電変換層4を形成する工程では、前記間隙内および前記一対の電極上に、カルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストを塗布して、前記光電変換層となる皮膜を形成した後、該皮膜を熱処理する。このように光電変換層4の形成に熱処理が伴う場合は、カルコパイライト系の光電変換層4に熱による収縮などが起こりやすく、光電変換層4にクラックが発生しやすい傾向にある。しかしながら、本実施形態では、上述したように裏面電極3に形成される第1突出部13a、13bの先端面が曲面状であるため、上述した熱収縮が生じても、上記したクラックの発生を低減できる。なお、上述した熱処理工程を伴う光電変換層4の形成方法としては、例えば、カルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストを、スピンコート法やスクリーン印刷法を用いて塗布し、450°C~600°C程度の温度で、40分~90分間程度焼成する方法がある。このカルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストは、単一前駆体が溶解したトルエンやアセトンなどの有機溶媒に、インジウムおよびゲルマニウムのうち少なくとも1種のセレン化合物の粉末または硫化物の粉末を添加し、溶解又は混合して調整することができる。ここでの単一前駆体としては、銅CuとイオウSおよびセレンSeのうち少なくとも1種と、インジウムInおよびゲルマニウムGeのうち少なくとも1種とを含むものが挙げられる。次に、バッファ層5を光電変換層4の上に溶液成長法CBD法などを用いて成膜する。メカニカルスクライビングで分離溝P2を形成することによって、この裏面電極3の略全面に成膜したカルコパイライト系化合物からなる光電変換層4とバッファ層5をパターニングする。次いで、窓層6をスパッタ法や有機金属気相成長法MOCVD法などを用いてバッファ層5の略全面に成膜して、メカニカルスクライビングで分離溝P3を形成することにより、窓層6をパターニングする。これによって、光電変換装置1を形成することができる。試料作製基板2としては厚さ1mmの青板ガラスソーダライムガラス、裏面電極3としてはスパッタリングで形成した厚さ1μmのモリブデンの金属薄膜を用いた。この裏面電極3に対する分割溝P1の形成について、実施例では、トップハットビームを用いた。具体的なトップハットビームの条件としては、スポット径iを10~70μm、ラップ幅hを1~70μmで変化させた。このとき、ラップ率h/iを3~20で制御した。なお、比較例では、分割溝P1をガウシアンビームで形成した。なお、表1に示していないが、レーザー周波数を25~100KHz、パルス幅を15~200ns、パワー密度を104~105W/cm2となるよう随時調整して、表1に示す寸法a~gの値を有する試料1~36を作製した。試料1~35については種々の条件のトップハットビームで作製されたものであり、そのうち試料3,8,13,18,23,28,33は同一条件の標準試料である。また試料36はガウシアンビームで作製された比較例である。各試料に対して、分離溝P1形成後、光電変換層4を形成した。このときの光電変換層4の形成方法としては、カルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストを、スピンコート法を用いて塗布し、450°C程度の温度で、40分間程度焼成する方法を用いた。なお、ここで用いたカルコパイライト系の光電変換層4の原料が含まれたペーストは、銅Cu、イオウS、セレンSe、インジウムIn、ゲルマニウムGeを含む前駆体が溶解したトルエンに、インジウム、ゲルマニウムのセレン化合物の粉末と硫化物の粉末とを添加し、溶解して作製した。次に、バッファ層5を溶液成長法CBD法を用いて成膜した。そして、メカニカルスクライビングで分離溝P2を形成することにより裏面電極3の略全面に成膜したカルコパイライト系化合物からなる光電変換層4とバッファ層5をパターニングした。次いで、窓層6をスパッタ法を用いて、バッファ層5の略全面に成膜して、メカニカルスクライビングで分離溝P3を形成することにより、窓層6をパターニングした。これにより、光電変換装置1を形成した。試料評価これら試料の光電変換装置1を用いて、図1に示す光電変換ユニット1a、1bを作製し、光電変換効率を評価した。その結果を表1に示す。第1突出部の突出長aと先端面の曲率bとの関係は、試料1~10によりa/bを0.33~1とするのが好ましいことがわかる。第1突出部の幅cと直線状部の長さdとの関係は、試料11~20によりc/dは0.23~0.8とするのが好ましいことがわかる。間隙の幅eと第1突出部の突出長aとの関係は、試料1~5および資料21~25によりe/aは15~50とするのが好ましいことがわかる。間隙の幅eと直線状部の長さdとの関係は、試料16~25によりe/dは1.4~5とするのが好ましいことがわかる。第2突出部の突出長fと電極の厚さgとの関係は、試料26~35によりf/gは0.3~3.5とするのが好ましいことがわかる。また、ラップ率h/iは、試料1~5および試料11~15により5~15となるように制御するのが好ましいことがわかる。なお、試料36はガウシアンビームで作製したものであり、試料36においては、図7aおよび図7bに示すような鋭角な突出部23を起点としたクラックが発生し、リーク電流による変換効率の低下が確認された。"