"化合物半導体層と、開口を有し、前記化合物半導体層上を覆う、窒化珪素の保護膜と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に形成された電極とを含み、前記保護膜は、その下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有することを特徴とする化合物半導体装置。前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態よりも高く、上層に向かうほどストイキオメトリ状態に近づく構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態比で50以下であることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体装置。前記保護膜は、前記下層部分が多結晶シリコンで構成されており、上層に向かうほどストイキオメトリ状態の窒化珪素膜に近づく構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。前記保護膜は、前記張出部が酸化していることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。前記保護膜は、下層部分の厚みが2nm~5nmの範囲内の値とされていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。化合物半導体層上に窒化珪素の保護膜を形成する工程と、前記保護膜に開口を形成する工程と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に電極を形成する工程とを含み、前記開口を形成する工程において、前記保護膜の下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有する構造を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態よりも高く、上層に向かうほどストイキオメトリ状態に近づく構造を持つことを特徴とする請求項7に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記保護膜は、前記下層部分がシリコン多結晶で構成されており、上層に向かうほどストイキオメトリ状態の窒化珪素膜に近づく構造を持つことを特徴とする請求項7に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記開口を形成する工程において、前記保護膜の前記下層部分が他の部分よりもエッチングレートが遅い条件でウェットエッチングし、前記開口と共に前記張出部を形成することを特徴とする請求項7~9のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。AlGaN/GaNHEMT等の高出力高周波用の窒化物半導体装置では、高い出力を得るために動作電圧の高電圧化が必要である。しかしながら、動作電圧の増大を図れば、ゲート電極の周辺における電界強度が増大し、デバイス特性の劣化化学的物理的変化を引き起こすという問題がある。高出力の窒化物半導体装置における信頼性を向上させるには、ゲート電極の周辺における高電界によるデバイス特性の劣化を抑制することが必須である。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。化合物半導体装置の一態様は、化合物半導体層と、開口を有し、前記化合物半導体層上を覆う、窒化珪素の保護膜と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に形成された電極とを含み、前記保護膜は、その下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有する。化合物半導体装置の製造方法の一態様は、化合物半導体層上に窒化珪素の保護膜を形成する工程と、前記保護膜に開口を形成する工程と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に電極を形成する工程とを含み、前記開口を形成する工程において、前記保護膜の下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有する構造を形成する。上記の諸態様によれば、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置が得られる。以下、諸実施形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の諸実施形態では、化合物半導体装置の構成について、その製造方法と共に説明する。なお、以下の図面において、図示の便宜上、相対的に正確な大きさ及び厚みに示していない構成部材がある。第1の実施形態本実施形態では、化合物半導体装置としてショットキー型のAlGaN/GaNHEMTを開示する。図1~図3は、第1の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、図1aに示すように、成長用基板として例えば半絶縁性のSiC基板1上に、化合物半導体の積層構造である化合物半導体層2を形成する。化合物半導体層2は、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを有して構成される。AlGaN/GaNHEMTでは、電子走行層2bの電子供給層2d正確には中間層2cとの界面近傍に2次元電子ガス2DEGが生成される。詳細には、SiC基板1上に、例えば有機金属気相成長MOVPE:MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy法により、以下の各化合物半導体を成長する。MOVPE法の代わりに、分子線エピタキシーMBE:MolecularBeamEpitaxy法等を用いても良い。SiC基板1上に、AlN、iインテンショナリアンドープ-GaN、i-AlGaN、n-AlGaN,及びn-GaNを順次堆積し、バッファ層2a、電子走行層2b、中間層2c、電子供給層2d、及びキャップ層2eを積層形成する。AlN、GaN、AlGaN、及びGaNの成長条件としては、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムガス、トリメチルガリウムガス、及びアンモニアガスの混合ガスを用いる。成長する化合物半導体層に応じて、Al源であるトリメチルアルミニウムガス、Ga源であるトリメチルガリウムガスの供給の有無及び流量を適宜設定する。共通原料であるアンモニアガスの流量は、100sccm~10LM程度とする。また、成長圧力は50Torr~300Torr程度、成長温度は1000°C~1200°C程度とする。GaN、AlGaNをn型として成長する際には、n型不純物として例えばSiを含む例えばSiH4ガスを所定の流量で原料ガスに添加し、GaN及びAlGaNにSiをドーピングする。Siのドーピング濃度は、1×1018/cm3程度~1×1020/cm3程度、例えば5×1018/cm3程度とする。ここで、バッファ層2aは膜厚0.1μm程度、電子走行層2bは膜厚3μm程度、中間層2cは膜厚5nm程度、電子供給層2dは膜厚20nm程度で例えばAl比率0.2~0.3程度、表面層2eは膜厚10nm程度に形成する。続いて、図1bに示すように、素子分離構造3を形成する。詳細には、化合物半導体層2の素子分離領域に例えばアルゴンArを注入する。これにより、化合物半導体層2及びSiC基板1の表層部分に素子分離構造3が形成される。素子分離構造3により、化合物半導体層2上で活性領域が画定される。なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTIShallowTrenchIsolation法を用いて行っても良い。続いて、図1cに示すように、ソース電極4及びドレイン電極5を形成する。詳細には、先ず、化合物半導体層2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置のキャップ層2eに、電極溝2A,2Bを形成する。化合物半導体層2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置を開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、キャップ層2eをドライエッチングして除去する。これにより、電極溝2A,2Bが形成される。ドライエッチングには、Ar等の不活性ガス及びCl2等の塩素系ガスをエッチングガスとして用いる。ここで、キャップ層2eを貫通して電子供給層2dの表層部分までドライエッチングして電極溝を形成しても良い。電極材料として例えばTi/Alを用いる。電極形成には、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体層2上に塗布し、電極溝2A,2Bを開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、Ti/Alを堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、庇構造のレジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において550°C程度で熱処理し、残存したTi/Alを電子供給層2dとオーミックコンタクトさせる。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。続いて、図2aに示すように、化合物半導体層2の表面を保護するパッシベーション膜6を形成する。詳細には、化合物半導体層2の全面に窒化珪素シリコン窒化物を、プラズマCVD法等により例えば50nm程度の厚みに堆積し、パッシベーション膜6を形成する。シリコン窒化物は、安定した絶縁体であるため、化合物半導体層2の表面の保護膜として適している。パッシベーション膜6を一部拡大した様子を図4に示す。パッシベーション膜6は、化合物半導体層2の表面に接する下層部分6aの窒素N空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態Si3N4よりも高く、上層に向かうほど急激且つ連続的にストイキオメトリ状態に近づく構造に形成される。なお、下層部分6aの他部分との境界を便宜上破線で図示するが、明確な境界が存在するものではない。本実施形態では、窒化珪素のN空孔率が高いという場合、Si組成率が高いことを意味する。下層部分6aのN空孔率は、ストイキオメトリ状態比で50以下Si3NXで、Xが2以下となる。パッシベーション膜6の厚み方向において、N空孔率が50である部位から下方を下層部分6aと定義すると、下層部分6aの厚みは2nm程度~5nm程度となる。下層部分6aの厚みが2nmよりも薄いと、後述する下層部分の存在による効果を十分に発揮することができない。5nmよりも厚いと、ゲートリーク電流が増大する。従って、下層部分6aの厚みを2nm程度~5nm程度とすることで、ゲートリーク電流が増大することなく後述する下層部分の存在による効果を十分に発揮することができる。本実施形態では、下層部分6aは、N空孔率がストイキオメトリ状態比で例えば50程度で例えば3nm程度の厚みに形成される。パッシベーション膜6を形成するには、放電前のプラズマCVDの成膜チャンバ内に、例えば、SiH4ガスを5sccmの流量で、N2ガスを100sccmの流量でそれぞれ供給する。このSiH4ガス及びN2ガスの導入開始の例えば30秒後に、13.56MHzで50WのRFをシャワーヘッドから投入する。SiH4ガスの導入開始から2秒以内に、N2ガスを200sccmの流量で供給する先行して供給されている100sccmと合わせて200sccmとなる。。続いて、図2bに示すように、パッシベーション膜6に開口6bを形成する。詳細には、先ず、パッシベーション膜6の全面にレジストを塗布する。レジストに紫外線法により例えば600nm幅の開口用露光を行い、レジストを現像する。これにより、開口10aを有するレジストマスク10が形成される。次に、レジストマスク10を用いて、パッシベーション膜6をウェットエッチングする。このウェットエッチングは、パッシベーション膜6の下層部分6aが他部分よりもエッチングレートが遅くなる条件で行う。ここでは、エッチング液としてフッ酸/フッ化アンモニウム混合緩衝液を用いる。このウェットエッチングにより、パッシベーション膜6の開口10aから露出する部位がエッチングされ、パッシベーション膜6には開口6bが形成される。パッシベーション膜6の開口6bを拡大した様子を図5に示す。パッシベーション膜6は、ウェットエッチングにより等方的にエッチングされて、側面が順テーパ状に開口6bが形成される。開口6bでは、下層部分6aのエッチングレートが他部分よりも遅いため、下層部分6aが開口6bの側面から張り出した張出部6cが形成される。張出部6cは、上記のエッチングレートに応じて、例えば10nm程度の幅に形成される。張出部6cは下層部分6aの一部であり、N空孔率が大きいため、酸化されて窒化酸化珪素となる。レジストマスク10は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。続いて、図2cに示すように、ゲート形成用のレジストマスク13を形成する。詳細には、先ず、下層レジスト11例えば、商品名PMGI米国マイクロケム社製及び上層レジスト12例えば、商品名PFI32A8住友化学社製をそれぞれ例えばスピンコート法により全面に塗布形成する。紫外線露光により例えば1.5μm長程度の開口12aを上層レジスト12に形成する。次に、上層レジスト12をマスクとして、下層レジスト11をアルカリ現像液でウェットエッチングし、下層レジスト11に開口11aを形成する。以上により、開口11aを有する下層レジスト11と、開口12aを有する上層レジスト12とからなるレジストマスク13が形成される。レジストマスク13において、開口11a及び開口12aが連通する開口を13aとする。続いて、図3aに示すように、ゲート電極7を形成する。詳細には、レジストマスク13をマスクとして、開口13a内を含む全面にゲートメタルNi:膜厚10nm程度/Au:膜厚300nm程度を蒸着する。これにより、パッシベーション膜6の開口6b内をゲートメタルで埋め込み化合物半導体層2の表面とショッチキー接触する、ゲート電極7が形成される。続いて、図3bに示すように、レジストマスク13を除去する。詳細には、SiC基板1を80°Cに加温したNメチルピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク13及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。ゲート電極7は、下部が開口6bで化合物半導体層2の表面とショットキー接触し、上部が開口6bよりも幅広のオーバーハング形状に形成される。しかる後、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極7の電気的接続等の諸工程を経て、ショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが形成される。以下、本実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTの奏する諸効果について説明する。従来のパッシベーション膜は、化合物半導体層との界面から当該パッシベーション膜の上面に至るまで均一な元素組成で構成されている。また、ゲート電極が形成されるパッシベーション膜の開口は、単調な側面形状を持ち、且つ均質な元素組成とされている。本実施形態によるAlGaN/GaNHEMTでは、化合物半導体層2の表面に接触するように、N空孔の多いストイキオメトリ状態比で50以上窒化珪素の極薄5nm以下の下層部分6aを有するパッシベーション膜6が形成される。パッシベーション膜6は、下層部分6aのN空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態Si3N4よりも高く、上層に向かうほど急激且つ連続的にストイキオメトリ状態に近づく構造とされる。N空孔の多い窒化珪素膜、即ちプラスチャージを多く含んだ窒化珪素膜である下層部分6aにより、化合物半導体層2の表面の伝導帯が押し下げられ、アクセス抵抗が低減する。また、この伝導帯の押し下げ効果により、化合物半導体層2の表面における電子トラップの影響がスクリーニングされ、電流コラプスの低減効果を発揮する。ショットキー電極であるゲート電極7が形成されるパッシベーション膜6の開口6bにおいては、N空孔の多い極薄の下層部分6aの低いエッチングレートのため、下層部分6aの一部が開口6bの側面からショットキー界面に張り出した張出部6cが形成される。張出部6cは、更に、N空孔が多く化学的に活性なために酸化の影響を極めて受け安く、容易に窒化酸化珪素膜となり高い絶縁性能を呈する。この張出部6cの存在により、ゲート電極7の端部における電界集中が緩和され、高電界によるゲート電極7の破壊が抑止され、デバイスの信頼性向上に寄与する。本実施形態によるAlGaN/GaNHEMTの3端子特性について、上記の従来のパッシベーション膜を有する従来構造のAlGaN/GaNHEMTとの比較に基づいて調べた。その結果を図6に示す。aが従来構造の場合を、bが本実施形態の場合をそれぞれ示す。このように、本実施形態では、従来構造の場合と比較して、電流コラプスの大幅な改善が確認された。更に、高温通電試験においてゲート電流の変化が少なく、且つ破壊が生じないことが確認された。以上説明したように、本実施形態によれば、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが得られる。第2の実施形態以下、第2の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTについて説明する。本実施形態では、パッシベーション膜の構成が第1の実施形態と異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTと同様の構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。図7は、第2の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTの製造方法における主要工程を示す概略断面図である。先ず、第1の実施形態の図1a~図1cの諸工程を経て、化合物半導体層2にソース電極4及びドレイン電極5を形成する。続いて、図7aに示すように、化合物半導体層2の表面を保護するパッシベーション膜21を形成する。詳細には、化合物半導体層2の全面に窒化珪素シリコン窒化物を、プラズマCVD法等により例えば50nm程度の厚みに堆積し、パッシベーション膜21を形成する。シリコン窒化物は、安定した絶縁体であるため、化合物半導体層2の表面の保護膜として適している。パッシベーション膜21を一部拡大した様子を図8に示す。パッシベーション膜21は、化合物半導体層2の表面に接する下層部分21aが多結晶シリコンで構成されており、上層に向かうほど急激且つ連続的にストイキオメトリ状態Si3N4に近づく構造に形成される。なお、下層部分21aの他部分との境界を便宜上破線で図示するが、明確な境界は存在しない場合もある。下層部分21aの厚みは2nm程度~5nm程度となる。下層部分21aの厚みが2nmよりも薄いと、後述する下層部分の存在による効果を十分に発揮することができない。5nmよりも厚いと、ゲートリーク電流が増大する。従って、下層部分21aの厚みを2nm程度~5nm程度とすることで、ゲートリーク電流が増大することなく後述する下層部分の存在による効果を十分に発揮することができる。本実施形態では、下層部分21aは例えば3nm程度の厚みに形成される。パッシベーション膜6を形成するには、放電前のプラズマCVDの成膜チャンバ内に、例えば、SiH4ガスを5sccmの流量で供給する。このSiH4ガスの導入開始の例えば30秒後に、13.56MHzで50WのRFをシャワーヘッドから投入する。SiH4ガスの導入開始から2秒以内に、N2ガスを200sccmの流量で供給する。続いて、図7bに示すように、パッシベーション膜21に開口21bを形成する。詳細には、先ず、パッシベーション膜21の全面にレジストを塗布する。レジストに紫外線法により例えば600nm幅の開口用露光を行い、レジストを現像する。これにより、開口20aを有するレジストマスク20が形成される。次に、レジストマスク20を用いて、パッシベーション膜21をウェットエッチングする。このウェットエッチングは、パッシベーション膜21の下層部分21aが他部分よりもエッチングレートが遅くなる条件で行う。ここでは、エッチング液としてフッ酸/フッ化アンモニウム混合緩衝液を用いる。このウェットエッチングにより、パッシベーション膜21の開口20aから露出する部位がエッチングされ、パッシベーション膜21には開口21bが形成される。パッシベーション膜21の開口21bを拡大した様子を図9に示す。パッシベーション膜21は、ウェットエッチングにより等方的にエッチングされて、側面が順テーパ状に開口21bが形成される。開口21bでは、下層部分21aのエッチングレートが他部分よりも遅いため、下層部分21aが開口21bの側面から張り出した張出部21cが形成される。張出部21cは、上記のエッチングレートに応じて、例えば10nm程度の幅に形成される。張出部21cは下層部分21aの一部であり、酸化し易い多結晶シリコンであるため、酸化されて酸化珪素となる。レジストマスク20は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。続いて、第1の実施形態の図2c~図3bの諸工程を経て、図7cの構造を得る。しかる後、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極7の電気的接続等の諸工程を経て、ショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが形成される。以下、本実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaNHEMTの奏する諸効果について説明する。本実施形態によるAlGaN/GaNHEMTでは、化合物半導体層2の表面に接触するように、多結晶シリコンからなる極薄5nm以下の下層部分21aを有するパッシベーション膜21が形成される。パッシベーション膜21は、多結晶シリコンの下層部分21aから上層に向かうほど急激且つ連続的にストイキオメトリ状態に近づく構造とされる。多結晶シリコンの下層部分21aにより、化合物半導体層2の表面の伝導帯が押し下げられ、アクセス抵抗が低減する。また、この伝導帯の押し下げ効果により、化合物半導体層2の表面における電子トラップの影響がスクリーニングされ、電流コラプスの低減効果を発揮する。ショットキー電極であるゲート電極7が形成されるパッシベーション膜21の開口21bにおいては、多結晶シリコンからなる極薄の下層部分21aの低いエッチングレートのため、下層部分21aの一部が開口21bの側面からショットキー界面に張り出した張出部21cが形成される。張出部21cは、更に、多結晶シリコンであるために酸化の影響を極めて受け安く、容易に窒化酸化珪素膜となり高い絶縁性能を呈する。この張出部21cの存在により、ゲート電極7の端部における電界集中が緩和され、高電界によるゲート電極7の破壊が抑止され、デバイスの信頼性向上に寄与する。本実施形態によるAlGaN/GaNHEMTの3端子特性について、上記の従来のパッシベーション膜を有する従来構造のAlGaN/GaNHEMTとの比較に基づいて調べた。その結果を図10に示す。aが従来構造の場合を、bが本実施形態の場合をそれぞれ示す。このように、本実施形態では、従来構造の場合と比較して、電流コラプスの大幅な改善が確認された。更に、高温通電試験においてゲート電流の変化が少なく、且つ破壊が生じないことが確認された。以上説明したように、本実施形態によれば、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のAlGaN/GaNHEMTが得られる。第3の実施形態本実施形態では、第1の実施形態又は第2の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTを備えた電源装置を開示する。図11は、第3の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。本実施形態による電源装置は、高圧の一次側回路31及び低圧の二次側回路32と、一次側回路31と二次側回路32との間に配設されるトランス33とを備えて構成される。一次側回路31は、交流電源34と、いわゆるブリッジ整流回路35と、複数ここでは4つのスイッチング素子36a,36b,36c,36dとを備えて構成される。また、ブリッジ整流回路35は、スイッチング素子36eを有している。二次側回路22は、複数ここでは3つのスイッチング素子37a,37b,37cを備えて構成される。本実施形態では、一次側回路31のスイッチング素子36a,36b,36c,36d,36eが、第1の実施形態又は第2の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTとされている。一方、二次側回路32のスイッチング素子37a,37b,37cは、シリコンを用いた通常のMISFETとされている。本実施形態では、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のAlGaN/GaNHEMTを、高圧回路に適用する。これにより、信頼性の高い大電力の電源回路が実現する。第4の実施形態本実施形態では、第1の実施形態又は第2の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTを適用した高周波増幅器を開示する。図12は、第4の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。本実施形態による高周波増幅器は、ディジタルプレディストーション回路41と、ミキサー42a,42bと、パワーアンプ43とを備えて構成される。ディジタルプレディストーション回路41は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー42aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ43は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1の実施形態又は第2の実施形態によるAlGaN/GaNHEMTを有している。なお図12では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー42bで交流信号とミキシングしてディジタルプレディストーション回路41に送出できる構成とされている。本実施形態では、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のAlGaN/GaNHEMTを、高周波増幅器に適用する。これにより、信頼性の高い高耐圧の高周波増幅器が実現する。他の実施形態第1~第4の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaNHEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaNHEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。その他のHEMT例1本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaNHEMTを開示する。InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上記した第1~第4の実施形態では、電子走行層がi-GaN、中間層がAlN、電子供給層がn-InAlN、キャップ層がn-GaNで形成される。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。本例によれば、上述したAlGaN/GaNHEMTと同様に、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のInAlN/GaNHEMTが実現する。その他のHEMT例2本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaNHEMTを開示する。GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも組成によって格子定数を小さくすることができる化合物半導体である。この場合、上記した第1~第4の実施形態では、電子走行層がi-GaN、中間層がi-InAlGaN、電子供給層がn-InAlGaN、キャップ層がn-GaNで形成される。本例によれば、上述したAlGaN/GaNHEMTと同様に、動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高いショットキー型のInAlGaN/GaNHEMTが実現する。以下、化合物半導体装置及びその製造方法の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1化合物半導体層と、開口を有し、前記化合物半導体層上を覆う、窒化珪素の保護膜と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に形成された電極とを含み、前記保護膜は、その下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有することを特徴とする化合物半導体装置。付記2前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態よりも高く、上層に向かうほどストイキオメトリ状態に近づく構造を持つことを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。付記3前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態比で50以下であることを特徴とする付記2に記載の化合物半導体装置。付記4前記保護膜は、前記下層部分が多結晶シリコンで構成されており、上層に向かうほどストイキオメトリ状態の窒化珪素膜に近づく構造を持つことを特徴とする付記1に記載の化合物半導体装置。付記5前記保護膜は、前記張出部が酸化していることを特徴とする付記1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記6前記保護膜は、下層部分の厚みが2nm~5nmの範囲内の値とされていることを特徴とする付記1~4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記7前記保護膜は、前記開口の側面が順テーパ状とされていることを特徴とする付記1~5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。付記8化合物半導体層上に窒化珪素の保護膜を形成する工程と、前記保護膜に開口を形成する工程と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に電極を形成する工程とを含み、前記開口を形成する工程において、前記保護膜の下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有する構造を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。付記9前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態よりも高く、上層に向かうほどストイキオメトリ状態に近づく構造を持つことを特徴とする付記8に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記10前記保護膜は、前記下層部分の窒素空孔率が窒化珪素のストイキオメトリ状態比で50以下であることを特徴とする付記9に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記11前記保護膜は、前記下層部分がシリコン多結晶で構成されており、上層に向かうほどストイキオメトリ状態の窒化珪素膜に近づく構造を持つことを特徴とする付記8に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記12前記開口を形成する工程において、前記保護膜の前記下層部分が他の部分よりもエッチングレートが遅い条件でウェットエッチングし、前記開口と共に前記張出部を形成することを特徴とする付記8~11のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記13前記保護膜は、前記張出部が酸化することを特徴とする付記8~12のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記14前記保護膜は、下層部分の厚みが2nm~5nmの範囲内の値とされることを特徴とする付記8~13のいずれか1項に記載の化合物半導体装置の製造方法。付記15変圧器と、前記変圧器を挟んで高圧回路及び低圧回路とを備えた電源回路であって、前記高圧回路はトランジスタを有しており、前記トランジスタは、化合物半導体層と、開口を有し、前記化合物半導体層上を覆う、窒化珪素の保護膜と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に形成された電極とを含み、前記保護膜は、その下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有することを特徴とする電源回路。付記16入力した高周波電圧を増幅して出力する高周波増幅器であって、トランジスタを有しており、前記トランジスタは、化合物半導体層と、開口を有し、前記化合物半導体層上を覆う、窒化珪素の保護膜と、前記開口を埋め込むように前記化合物半導体層上に形成された電極とを含み、前記保護膜は、その下層部分が前記開口の側面から張り出した張出部を有することを特徴とする高周波増幅器。"