太陽電池の処理方法であって、バッチ処理用に構成された縦型炉を用意するステップであって、前記炉は、互いに離隔された集積回路処理用の円形半導体ウェーハの配列を受容するようになっている、鉛直方向に延在する、ほぼ円筒形のプロセスチャンバを備える、ステップと、処理対象の第1の表面を有する太陽電池用基板用にプロセスチャンバ装填構成を構成するステップであって、前記第1の表面に沿って延在する前記太陽電池用基板のサイズは前記円形半導体ウェーハの対応サイズより小さく、前記装填構成は、太陽電池用基板の配列を複数含み、各配列はほぼ鉛直に向けられてほぼ水平方向に離隔された複数の太陽電池用基板を含み、前記それぞれの配列は前記縦型炉内の前記プロセスチャンバの中心軸に沿って位置する複数のレベルに配置され、前記プロセスチャンバ内に収容可能な太陽電池用基板の数は円形半導体ウェーハの数より大幅に多い、ステップと、前記太陽電池用基板を前記プロセスチャンバ内に装填するステップと、前記太陽電池用基板を前記プロセスチャンバ内で処理にかけるステップと、を含む方法。前記プロセスチャンバ内の前記太陽電池用基板は、薄膜を前記太陽電池用基板の表面に設けるために、原子層堆積ALDプロセスにかけられる、請求項1に記載の方法。前記配列は互いに離隔されてほぼ平行に配置された複数の太陽電池用基板から成るスタックである、請求項1または2に記載の方法。1つの配列の各太陽電池用基板の中心点は、前記太陽電池の表面に対してほぼ直角に延在する仮想線上に位置付けられ、前記それぞれの配列の前記仮想線は一定の相互間距離で、好ましくはほぼ平行に、延在する、請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法。前記プロセスチャンバの前記中心軸に沿って前記複数のレベルに配置された前記複数の配列は共に第1の配列セットを形成し、前記装填構成は、少なくとも第2の配列セットをさらに含み、前記第2のセットも前記中心軸に沿って位置する複数のレベルに配置された複数の配列を備え、前記第1のセットおよび前記第2のセットは、互いに水平方向にずらされる、請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。各配列は放射状構成を有し、各基板、少なくとも各基板の処理対象面、は前記それぞれの基板の前記中心点を通る前記仮想線がほぼ円形の形状を有するように、ほぼ半径方向に向けられる、請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。第1の配列の太陽電池用基板が隣接する第2の配列内の隣接する2つの太陽電池用基板の間に少なくとも一部延在するように、前記装填構成内の隣接配列同士が一部重なり合う、請求項1乃至6に記載の方法。配列内の隣接太陽電池用基板間の間隔は5mmより小さく、例えば3mmより小さく、好ましくは約2mmである、請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法。太陽電池用基板の配列は、前記プロセスチャンバ位置から水平方向に離れた位置においてボートに装填され、複数の基板が装填された複数のボートがその後に前記プロセスチャンバ内に装填される、請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法。前記ボートはラック内に配置されるか、または別のボートの上に積み重ねられる、請求項9に記載の方法。前記太陽電池用基板は円形または正方形の形状を有する、請求項1乃至10の何れか1項に記載の方法。太陽電池の処理方法であって、バッチ処理用に構成された縦型炉を用意するステップであって、前記炉は、互いに離隔された複数の集積回路処理用の円形半導体ウェーハから成る配列を受容するようになっている、ほぼ円筒形のプロセスチャンバを備える、ステップと、処理対象の第1の表面を有する前記太陽電池用基板のためのプロセスチャンバ装填構成を構成するステップであって、前記第1の表面に沿って延在する前記太陽電池用基板のサイズは前記円形半導体ウェーハの対応サイズより小さく、前記装填構成は太陽電池用基板の配列を複数含み、各配列はほぼ水平に向けられてほぼ鉛直方向に離隔された複数の太陽電池用基板を含み、前記それぞれの配列は、前記縦型炉内の前記プロセスチャンバの中心軸にほぼ平行な方向に延在し、前記プロセスチャンバ内に収容可能な太陽電池用基板の数は円形半導体ウェーハの数より大幅に多い、ステップと、前記太陽電池用基板を前記プロセスチャンバ内に装填するステップと、前記太陽電池用基板を前記プロセスチャンバ内で処理にかけるステップと、を含む方法。第1の配列の太陽電池用基板が隣接する第2の配列内の隣接する2つの太陽電池用基板の間に少なくとも一部延在するように、前記装填構成内の隣接配列同士が一部重なり合う、請求項12に記載の方法。上記の最新技術の各文献は、相対的に小さな太陽電池用基板を多数含む大きな装填サイズを縦型炉内で処理するために特に適した装填構成を開示していない。太陽電池などの薄型の半導体基板の需要が増加していることから、このような縦型炉における基板の処理量の向上が望まれている。したがって、本発明の目的は、太陽電池などの薄型の平板状半導体基板を公知の炉で処理するための改良された方法を提供することである。特に、本発明の目的は、太陽電池を縦型炉でより高い処理量で処理する方法を提供することである。本発明の1つの局面によると、太陽電池を処理する方法が提供される。本方法は、バッチ処理用に構成された縦型炉を用意することを含みうる。この縦型炉は、集積回路処理用の円形半導体ウェーハの配列を受容するようになっている、鉛直方向に延在する、ほぼ円筒形のプロセスチャンバを備えうる。本方法は、処理対象の第1の面を有する太陽電池用基板に適したプロセスチャンバ装填構成を構成することをさらに含みうる。互いに離隔された複数の太陽電池用基板の複数の配列をプロセスチャンバ内に収容できるように、上記第1の面に沿って延在する太陽電池用基板のサイズは上記円形半導体ウェーハの対応サイズより小さい。この装填構成は、太陽電池用基板の複数の配列を含みうる。この場合、各配列は、ほぼ鉛直に向けられ、かつほぼ水平方向に離隔された複数の太陽電池用基板を含み、それぞれの配列は、縦型炉内のプロセスチャンバの中心軸に沿って位置する複数のレベルに配置される。プロセスチャンバ内に収容可能な太陽電池用基板の数は、円形半導体ウェーハの数より大幅に多くなりうる。本方法は、太陽電池用基板を縦型炉のプロセスチャンバに装填することをさらに含みうる。その後、太陽電池用基板をプロセスチャンバ内で処理にかけうる。提案されている方法を太陽電池用基板の処理に用いると、工業用の大型縦型炉は、水平に向けられて鉛直方向に離隔された集積回路処理用の半導体ウェーハの単一配列の処理にのみ適しているという先入観が覆される。公知の縦型炉内に配置された鉛直方向に延在するプロセスチャンバに、驚くべきことに、太陽電池用基板の複数の配列を1回で処理しうるように装填しうるので、縦型炉の利点を維持しながら、同時に処理可能な基板表面の数を増やしうる。したがって、提供される本方法を用いると、単純な方法で自動化可能な炉を用いて費用効率の高い方法で太陽電池を製造しうる。本発明の上記および他の特徴および利点は、添付図面と組み合わせて以下に記載されている本発明の特定の実施形態についての詳細説明からより深く理解されるであろう。これらの図面は、例示を目的としたものであり、本発明を限定するものではない。なお、さまざまな図面において同一の、または対応する、要素は同一の、または対応する、参照符号で示されていることに留意されたい。図1には、集積回路処理用の円形半導体ウェーハのバッチ処理用の縦型炉1の一例が示されている。このような縦型炉1は、ほぼ円筒形のプロセスチャンバ10を備える。プロセスチャンバ10の中心軸11は、縦型炉1の中心軸2とほぼ一致する。図示の縦型炉1のプロセスチャンバ10は、集積回路処理用の複数の円形半導体ウェーハが処理されてこれらのウェーハの少なくとも片面に薄膜が設けられるように、円形半導体ウェーハの配列を受容するようになっている。したがって、プロセスチャンバ10は、受容開口部12をプロセスチャンバ10の第1の端部13に備える。一般的な縦型炉において、円形半導体ウェーハの配列は、単一のウェーハスタックを含み、これらのウェーハ、または少なくとも処理対象面、はプロセスチャンバ10の中心軸11に対してほぼ直角に延在する。縦型炉は、少なくとも横型炉よりは、容易に自動化されうる。さらに、縦型炉は、横型炉より占有面積が小さい。太陽電池の需要の増加と縦型炉の自動化が可能であるという事実とにより、太陽電池用基板6を公知の縦型炉1で処理する方法が望まれている。太陽電池用基板6の寸法は、集積回路処理用の上記ウェーハの寸法より小さい。本方法は、縦型炉1のプロセスチャンバ10の内部空間9を最適に使用できるように、太陽電池用基板6に適した装填構成14を構成することを提供する。太陽電池用基板6は、ほぼ円形または正方形の形状を有しうる。図1には、提案される方法による第1の装填構成例14が示されている。装填構成14は、互いに離隔された複数の太陽電池用基板6から成る配列16を複数含みうる図2および図3も参照。単一配列16内の各太陽電池用基板Sの中心点Cが、これらの太陽電池用基板の処理対象面7に対してほぼ直角に延在する仮想線17上に位置付けられるように、各配列16を配置する。さらに、それぞれの配列16の仮想線17は、相互間距離dでほぼ平行に延在することが好ましい。換言すると、装填構成14は、太陽電池用基板6の配列16を複数備えうる。各配列16は、ほぼ鉛直に向けられてほぼ水平方向に離隔された複数の太陽電池用基板6を含む。それぞれの配列16は、縦型炉1内のプロセスチャンバ10の中心軸11に沿って位置する複数のレベルに配置される。提供される装填構成14により、これら複数の配列16をプロセスチャンバ10内に同時に収容できるため、一回に処理される太陽電池用基板6の数は、縦型炉1内で通常一回で処理される集積回路処理用ウェーハの数より大幅に多くなる。驚くべきことに、プロセスチャンバ10内に同時に配置される太陽電池用基板6の数が相対的に多いにも拘らず、これら基板6を所望の方法で処理可能であるため、所定の厚さおよび品質の薄膜が太陽電池用基板表面7に設けられる。仮想線17は、図1~図3の例に示されているように、ほぼ直線でもよい。なお、本願明細書全体にわたって、用語仮想線は、さまざまな種類の線を指しており、例えば、ほぼ直線あるいは、ほぼ弧状または輪状線など、ほぼ曲線を指していることに留意されたい。したがって、用語仮想線は、広義に解釈されるべきであり、直線だけに限定されるものではない。さらに、2つの線が平行に配置されている場合、それぞれの線は、ほぼ同様の方向に一定の相互間距離で延在していると理解されたい。図2に示されているように基板ラック20を用いて装填構成14を設けることもできる。基板ラック20は、複数の太陽電池用基板6を含む単一ボート24をそれぞれ受容するように配置された複数の受容位置22を含みうる図3を参照。ラック20は、ラック20がプロセスチャンバ10内に容易に収まるように相互に連結された複数のロッド26から成る組み立て体を含みうる。複数の太陽電池用基板6をボート24に挿入し、次にそれぞれのボート24をラック20に挿入する。その後、複数の太陽電池用基板6が装填されたボート24を複数含むラック20全体を挿入用開口部12からプロセスチャンバ10に挿入する。この装填構成14により、プロセスチャンバの位置から水平方向に離れた位置において、例えば前の処理ステップにおいて、および/または縦型炉から遠く離れた別の製造場所において、複数の基板6を個々のボート24に装填可能である。したがって、時間効率の良い方法で複数の基板6をラック20に装填することができる。各ボート24は、複数の受容開口部図示せずを有する、例えば相互に連結された複数のロッドから成る、枠25を備える。これらの開口部は、単一ボート24内の1つの配列16のそれぞれの太陽電池用基板6がほぼ鉛直に向けられて互いに水平方向に離隔された状態で、これらの太陽電池用基板6をそれぞれの開口部に受容できるように、配置される。基板6の片面7のみを処理する必要がある場合は、一対の太陽電池用基板6を背中合わせに、すなわち太陽電池用基板6の被覆不要な面を互いに接触させて、各ボート24に装填することができる。このようなボート24内で隣接する太陽電池用基板6間、または背中合わせに装填する場合は基板対間、のピッチpは、小さくてよく、例えば約2mmでよく、例えば2.38mmでもよい。図示の例のラック20には、6つのボート24を配置しうる。それぞれのボート24の仮想線17が鉛直距離dを置いて互いにほぼ平行に延在するように、それぞれのボート24は互いに鉛直方向に離されている。各ボート24は約200の太陽電池用基板6を収容しうる。したがって、約1200の太陽電池用基板6をプロセスチャンバ10内に同時に収容しうる。ここではこれらのボートがラックによって支持されるように図示されているが、一代替設計においては、これらのボートを互いに縦に積み重ねることもできる。この場合、1つのボートはその直下のボートに接触して支持され、一番下のボートはベース上に支持される。提案される方法は、太陽電池用基板6を原子層堆積ALDプロセスにかけることを含みうる。ただし、縦型炉1内に設けられた太陽電池用基板6をPOCl3プレデポジションステップまたは焼鈍処理ステップなど他の処理にかけることも可能でありうる。ALDによって被膜層を太陽電池用基板6に設ける場合は、隣接基板6間の間隔pを制限可能である。ALDによる堆積では、薄膜層を精密に制御された方法で堆積可能である。ALDは、化学吸着によって一度に1つの原子層を、処理対象面が飽和するまで、堆積させる堆積プロセスであるという事実により、間隔pは、例えば5mmより狭くてもよく、例えば3mmより狭くてもよく、約2mmでもよい。したがって、提案される方法による装填構成14では、最大数の太陽電池用基板6を配置しうる。約2mmの間隔pを用いると、多少湾曲しうる比較的薄い太陽電池用基板6でも所望の方法で扱いうる。図4および図5は、提供される方法によるさらに別の装填構成例114において放射状構成に配置されている配列116の太陽電池用基板6を示す。明解にするために、ここでは、図1~図3によって図示および説明したような例とは異なる要素のみを詳細に説明する。基板6の複数の配列116が単一ボート120内に配置される。ボート120はさまざまなレベルを含み、各レベルは基板6の1つの配列116を受容するように構成される。これらの基板6は、それぞれの基板6の中心点Cが仮想環状線117上に位置するように配置される。したがって、各基板の処理対象面7は半径方向に向けられてほぼ鉛直方向に延在する。これは、図5に明確に示されている。図示されている第2の装填構成例114においては、5つの配列116が同時に配置される。それぞれの配列116の仮想線17が鉛直距離dを置いて互いにほぼ平行に延在するように、それぞれの配列116は互いに鉛直方向に離される。比較的多数の太陽電池用基板6を処理するためにこの装填構成114を用いると、一回に約1200の太陽電池用基板6を処理しうる。第1および第2の例に関して言及した太陽電池用基板6の数は、ウェーハの直径が300mmであり、太陽電池の形状が156×156mmの正方形である場合の、集積回路処理用の円形半導体ウェーハの処理用に設計された反応炉を有する縦型炉1に関する値である。450mmのウェーハを処理するために設計された反応炉を設けると、縦型炉1のプロセスチャンバ10内に同時に最大3000の太陽電池用基板6を配置しうる。さらに、中心のガス供給路と放射状のガス流パターンとを有する、第2の例による太陽電池用基板6の放射状構成は、高速パージを可能にする。一代替実施形態においては、単一ボート120の代わりに、互いに積み重ねられた複数の独立ボートによってさまざまなレベルを形成しうる。提案されているような方法は、二重バッチシステムを設けることによって太陽電池用基板6の処理量の増加をもたらすことができる。第1のバッチの太陽電池用基板6を処理することができる。処理後、冷却のために第1のバッチの基板6をプロセスチャンバ10から取り出す。これらの基板6が十分に冷却されたら、これらの基板6を取り出し、処理対象の新しい基板6を装填できる。その一方で、第1のバッチの冷却中に処理対象の第2のバッチの基板6をプロセスチャンバ10に挿入し、取り出し、および新しいバッチを装填する。本方法による太陽電池用基板6の処理用の第3の装填構成例214が図6および図7に示されている。明解にするために、ここでは、図1~図3によって図示および説明したような例とは異なる要素のみを詳細に説明する。図6に示されているような装填構成214は、太陽電池用基板6の配列216を複数含む。各配列216は、互いに離隔されてほぼ平行に配置された複数の太陽電池用基板6から成るスタックを備える。ボート220には、10の配列216が5つのレベル225に装填されている。各レベル225は、基板6の配列216を2つ含む。各配列216の太陽電池用基板6は、鉛直の向きに配置されて互いに鉛直方向に離隔されている。各配列216の中心点Cは、ほぼ直線の仮想線217上に位置付けられている。各レベル225において、隣接する2つの配列216の仮想線が水平距離Dを置いて互いにほぼ平行に延在するように、隣接配列216は水平方向に互いにずれている。したがって、図示の例による装填構成214は、配列216の第1のセットを含む。第1のセットは、プロセスチャンバ10の中心軸11に沿って互いに鉛直方向に離して位置付けられた5つの配列216を含む。さらに配列216の第2のセットが設けられる。第2のセットも、中心軸11に沿って位置する5つのレベル225に配置された5つの配列216を含む。したがって、第2のセットのそれぞれの配列216も互いに鉛直方向に離れている。第1のセットおよび第2のセットのそれぞれの配列216の仮想線217が一定の水平距離を置いて互いにほぼ平行に延在するように、第1のセットと第2のセットとは互いに水平方向にずれている。さらに、同じレベル225の隣接配列216同士は、図7にはっきりと見えるように、一部重なり合う。第1の配列の太陽電池用基板6は、第2の配列内の隣接する2つの太陽電池用基板6の間に一部延在する。したがって、重なり合った太陽電池用基板6間のピッチPは、各配列216の太陽電池用基板6間のピッチpより小さい。それぞれのレベル225は、ボート220内で上下に位置する。したがって、第1のレベル225の各配列の仮想線17が第2のレベル225の各仮想線17から鉛直距離dを置いて、好ましくはほぼ平行に、延在するように、それぞれのレベル225の配列216は鉛直方向に互いに離される。図6および図7に示されている例においては、同じレベル225に配置されている2つの配列216の基板6同士が一部重なり合っているが、別の例においては、同じレベル225のそれぞれの配列216を重ね合わせずに互いに隣接させて配置してもよい。上記の各例においては、太陽電池用基板6は常にほぼ鉛直に向けられている。太陽電池用基板6は相対的に薄く、したがって容易に湾曲しうるため、鉛直に向けることによって処理中の太陽電池用基板6の望ましくない破損を防止しうる。太陽電池用基板の処理のために提供される方法の最後の装填構成例314が図8および図9に示されている。明解にするために、ここでは、以前の図によって図示および説明したような例とは異なる要素のみを詳細に説明する。図示の装填構成314は、互いに離隔されてほぼ平行に配置された複数の太陽電池用基板6から成る配列316を4つ含む。各配列316の基板6は、水平に向けられて互いに鉛直方向に離隔されている。各配列316の基板6の中心点Cは、それぞれの仮想線317上に位置付けられている。上記仮想線317は、プロセスチャンバ10の中心軸11にほぼ平行に延在する。したがって、それぞれの配列316は、上記中心軸11にほぼ平行な方向に延在する。それぞれの配列316のそれぞれの仮想線317が鉛直距離Dを置いて互いにほぼ平行に延在するように、それぞれの配列316は互いに水平方向にずらされている。さらに、それぞれの配列316の基板6は、図9に示されているように、一部重なり合う。この例による構成314では、300mmの反応炉を用いた場合、同時に約1600の太陽電池用基板6をプロセスチャンバ10内に配置しうる。450mmの反応炉を用いた場合、約4400もの太陽電池用基板6を一回に処理しうる。ボート320の第1の端部327から第2の端部328まで延在するロッド326を少なくとも5つ備えたボート324に4つの配列316が配置される。各ロッド326は、ロッド326に沿って一定の相互間距離を置いて配置された複数の受容開口部329を備える。単一配列316のそれぞれの基板6は、隣接する基板6同士が間隔pで離隔されるように、図9から分かるように、少なくとも3つのロッド326の受容開口部329に受容される。これらの基板は、ウェーハの前面と裏面との間にp/n接合が形成される通常の半導体ウェーハでもよい。あるいは、これらの基板は、米国特許出願公開第2004/0097012号に記載されているようなスリバー技術による半導体ウェーハでもよい。この技術においては、一連の半導体条片またはスリバー極細条片を形成するために、複数の細長い平行スロットが半導体ウェーハを少なくとも一部貫通して形成される。スロットの深さと条片の厚さとは、ウェーハの厚さがスロットの深さと条片の厚さの合計より厚くなるように、選択される。この方法によって製造された電池は、両面受光型である。すなわち、これらの電池は、太陽光がどちらの面に当たった場合でも等しく十分に応答する。スリバーの処理は、スリバーがウェーハ内に支持されているときに行われることが好ましい。ALDは、このプロセスの自己限定性により、幅の狭いスロットの下方までスリバーの両側壁面に均一な不動態化層を形成するために適した技術である。このプロセスの完了後、スリバーをウェーハから切り取って平らに並べると、太陽電池の表面積が元の半導体ウェーハより大きくなる。添付図面を一部参照して本発明の例示的実施形態を上で説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことを理解されたい。当業者は、図面、開示、および添付の特許請求の範囲を検討されることにより、開示されている各実施形態の変形例を理解し、特許請求されている本発明の実施に当たって実行できる。例えばボートまたはラックの特定の設計により、あるいは処理対象の太陽電池用基板の種類、形状、および寸法に応じて、例えば複数の配列を異なる構成で配置できることは明らかであろう。さらに、ラックまたはボートを別の構成にしてもよい。例えば、それぞれの太陽電池用基板を受容するようになっている異なる受容開口部と異なる数のロッドとを備えた異なるロッド組み立て体を設けることもできる。さまざまな隣接配列の太陽電池用基板を重ね合わせなくともよく、あるいは少なくとも部分的に重ね合わせることもできる。薄膜を太陽電池用基板の表面に設けるために用いられる処理の種類に応じて、隣接する太陽電池用基板間のピッチまたは間隔を決めてもよい。ボートまたはラックの装填および取り出しは、縦型炉が処理ステップを提供する製造プロセスに応じて、さまざまな方法で行われうる。本明細書全体にわたって1つの実施形態または一実施形態への言及は、その実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体にわたってさまざまな箇所で出現する句1つの実施形態においてまたは一実施形態においては、全てが必ずしも同じ実施形態に言及しているとは限らない。さらに、明示的に記載されていない新規実施形態を形成するために、1つ以上の実施形態の特定の特徴、構造、または特性を何れか適した方法で組み合わせうることに留意されたい。