"複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板の製造方法であって、前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで、導体部を露出させる開口部を形成する穴あけ工程と、前記穴あけ工程後、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程と、前記デスミア工程後、前記最外層の樹脂絶縁層の表面において露出している前記フィラーを減少させるフィラー減少工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。前記導体部は、ICチップを接続するための接続端子であることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。前記接続端子上には、その一部が前記最外層の樹脂絶縁層から突出するように柱状端子が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。前記フィラー減少工程では、前記最外層の樹脂絶縁層の表面に対して、水圧が100kgf/cm2以上の高圧水洗処理を施すことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。前記フィラー減少工程では、前記最外層の樹脂絶縁層の表面に対して超音波洗浄処理を施すことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。前記樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂を用いて形成されるものであり、前記フィラー減少工程後、前記最外層の樹脂絶縁層を加熱して硬化させる熱キュア工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、前記最外層の樹脂絶縁層において前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板。ところが、最上層の樹脂絶縁層にシリカフィラーが含まれる場合、その樹脂絶縁層の表面にシリカフィラーが露出するため、アンダーフィル材の流れ性が悪くなる。詳しくは、樹脂絶縁層は疎水性の材料であり、シリカフィラーは親水性の材料である。また、樹脂絶縁層の表面に流し込むアンダーフィル材も疎水性の材料であるため、樹脂絶縁層の表面にて露出するシリカフィラーの存在量が多いと、シリカフィラーが抵抗となってアンダーフィル材が流れ難くなる。このため、樹脂絶縁層とICチップとの隙間全体にアンダーフィル材が充填されるまでの時間が長くなったり、その隙間にボイドが発生したりするといった問題が生じてしまう。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、最外層の樹脂絶縁層とICチップとの隙間をアンダーフィル材にて確実に封止することができる多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。そして上記課題を解決するための手段手段1としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板の製造方法であって、前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで、導体部を露出させる開口部を形成する穴あけ工程と、前記穴あけ工程後、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程と、前記デスミア工程後、前記最外層の樹脂絶縁層の表面において露出している前記フィラーを減少させるフィラー減少工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。従って、手段1に記載の発明によると、穴あけ工程にて最外層の絶縁樹脂層に開口部が形成され、デスミア工程にてその開口部内のスミアが除去される。その後、フィラー減少工程により、最外層の樹脂絶縁層の表面において露出しているフィラーの一部が除去されるため、そのフィラーの存在量が減少する。このように、最外層の樹脂絶縁層の表面において、フィラーを減少させることにより、アンダーフィル材の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層とICチップとの隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材による封止を短時間で確実に行うことができる。具体的には、フィラー減少工程において、最外層の樹脂絶縁層の表面に対して、水圧が100kgf/cm2以上の高圧水を用いた高圧水洗処理を施してもよく、超音波を用いた超音波洗浄処理を施してもよく、アルカリ洗浄を施してもよい。例えば高圧水洗処理と超音波洗浄処理とを併用、即ち高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄処理を実施してもよい。このような処理によって、樹脂絶縁層の表面に露出しているフィラーを洗い落とすことができ、樹脂絶縁層の表面のフィラーを減少させることができる。さらには、高圧水洗処理とアルカリ洗浄とを併用したり、超音波洗浄処理とアルカリ洗浄とを併用したり、高圧水洗処理と超音波洗浄処理とアルカリ洗浄とを併用したりすることもできる。これらの場合には、物理的な処理と化学的な処理とが同時に行われることになるため、フィラー減少処理の効果を増すことができる。なお、高圧水としては、水圧が300kgf/cm2以上であることがより好ましい。また、フィラーを確実に減少させるためには、常温で1分以上継続して高圧水洗処理を行うことが好ましい。最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで露出する導体部としては種々のものがあり特に限定されないが、例えば、ICチップを接続するための接続端子が好適例として挙げられる。導体部はICチップ以外の電子部品チップコンデンサ等を接続するための接続端子であってもよい。このような接続端子上には、その一部が最外層の樹脂絶縁層から突出するように柱状端子が形成されていてもよい。なお、導体部は電子部品との電気的接続を目的とするものに限られず、電気的接続を目的としないもの例えば位置合わせ用導体部などであってもよい。フィラー減少工程後には、最外層の樹脂絶縁層を加熱して硬化させる熱キュア工程が行われる。ここで、熱キュア工程をフィラー減少工程の前に行うと、樹脂絶縁層の硬化によってフィラーが固定されてしまう。このため、高圧水洗処理や超音波洗浄処理等にて樹脂絶縁層の表面からフィラーを洗い落とすことが困難となる。これに対して、本発明では、熱キュア工程の前にフィラー減少工程を行っているので、樹脂絶縁層が比較的軟らかく、その表面におけるフィラーを確実に減少させることができる。上記製造方法によって製造される多層配線基板では、最外層の樹脂絶縁層の表面において露出しているフィラーの一部が除去され、そのフィラーの残量が少なくなる。つまり、最外層の樹脂絶縁層においてチップ搭載面側の表面におけるフィラーの残量存在量は、最外層の樹脂絶縁層の内部におけるフィラーの残量存在量よりも少なくなっている。また、最外層の樹脂絶縁層における開口部は、レーザ穴加工で形成されるため、その壁面におけるフィラーの突出量は、樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの突出量よりも少なくなっている。従って、フィラー減少工程にて洗い落とされるフィラーの量は、開口部の壁面よりも樹脂絶縁層の表面の方が多くなる。従って、最外層の樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの残量存在量は、開口部の壁面におけるフィラーの残量存在量よりも少なく、開口部の壁面におけるフィラーの残量存在量は、裏面におけるフィラーの残量存在量よりも少なくなる。さらに、最外層の樹脂絶縁層において、フィラーが脱落して形成された凹部がその表面に残存して露出しているフィラーの個数に対して50以上の割合で存在することが好ましい。このようにすると、最外層の樹脂絶縁層の表面においてアンダーフィル材の流れ性を十分に確保することができる。積層構造体を構成する複数の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。各樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、樹脂絶縁層に含まれるフィラーとしては、シリカ、チタニア、アルミナなどの無機酸化物からなるフィラーが挙げられる。特に、シリカフィラーは誘電率が低く、線膨張率が低いため、樹脂絶縁層にシリカフィラーを添加すると、多層配線基板の品質をより高めることができる。そして上記課題を解決するための別の手段手段2としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、前記最外層の樹脂絶縁層において前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記最外層の樹脂絶縁層の内部における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板がある。従って、手段2に記載の発明によると、最外層の樹脂絶縁層の表面におけるフィラーの存在量が同層内部に比べて相対的に少ないことから、アンダーフィル材の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層とICチップとの隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材による封止を短時間で確実に行うことができる。以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図1に示されるように、本実施の形態の半導体パッケージ10は、多層配線基板11とICチップ12とからなるBGAボールグリッドアレイである。なお、半導体パッケージ10の形態は、BGAのみに限定されず、例えばPGAピングリッドアレイやLGAランドグリッドアレイ等であってもよい。多層配線基板11は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした樹脂絶縁層21,22,2324,25と銅からなる導体層26とを交互に積層して多層化した配線積層部30積層構造体を有している。各樹脂絶縁層21~25は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。また、各樹脂絶縁層21~25には、シリカフィラーが添加されている。多層配線基板11において、配線積層部30の上面31チップ搭載面側には、ICチップ12を接続するための複数の接続端子41がアレイ状に配置されている。配線積層部30において上面31側の最外層となる樹脂絶縁層25は、ソルダーレジストとして機能する絶縁層である。この樹脂絶縁層25には、複数の接続端子41を露出させるための開口部43が形成されている。接続端子41の表面上には、複数のはんだバンプ44が配設されている。各はんだバンプ44は、ICチップ12の面接続端子28に電気的に接続されている。なお、配線積層部30の上面31において、各接続端子41及び各はんだバンプ44が形成される領域は、ICチップ12を搭載可能なICチップ搭載領域29である。一方、配線積層部30の下面32上には、マザーボード接続用の複数の接続端子45がアレイ状に配置されている。また、各接続端子45の表面上には、複数のはんだバンプ47が配設されており、はんだバンプ47により、多層配線基板11は図示しないマザーボード上に実装される。各樹脂絶縁層21~24には、それぞれビア穴33及びビア導体34が設けられている。各ビア穴33は、円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層21~25に対してレーザ加工を施すことで形成される。各ビア導体34は、上面31側に行くに従って拡径した導体であって、各導体層26、接続端子41及び接続端子45を相互に電気的に接続している。また、本実施の形態の多層配線基板11において、最外層の樹脂絶縁層25とICチップ12との隙間にアンダーフィル材49が充填され、ICチップ12の接続部分接続端子41、はんだバンプ44、及び面接続端子28がアンダーフィル材49で封止されている。さらに、多層配線基板11では、最外層の樹脂絶縁層25においてシリカフィラーが表面から露出している。本実施の形態では、樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラーの存在量が内層側のシリカフィラーの存在量よりも少なくなっており、最外層の樹脂絶縁層25の表面におけるアンダーフィル材49の流れ性が確保されている。以下、本実施の形態における多層配線基板11の製造方法について説明する。先ず、十分な強度を有する支持基板ガラスエポキシ基板などを準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層21~25及び導体層26をビルドアップして配線積層部30を形成する。詳述すると、図2に示されるように、支持基板50上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層51を形成することにより、支持基板50及び下地樹脂絶縁層51からなる基材52を得る。そして、基材52の下地樹脂絶縁層51の上面に、積層金属シート体54を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層51上に積層金属シート体54を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体54が下地樹脂絶縁層51から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体54は、2枚の銅箔55,56一対の金属箔を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっきを介して銅箔55、銅箔56が配置された積層金属シート体54が形成されている。その後、基材52上において、積層金属シート体54を包むようにシート状の樹脂絶縁層21を配置し、樹脂絶縁層21を貼り付ける図3参照。この樹脂絶縁層21は、積層金属シート体54と密着するとともに、積層金属シート体54の周囲領域において下地樹脂絶縁層51と密着することで、積層金属シート体54を封止する。そして、例えばエキシマレーザやUVレーザやCO2レーザなどを用いてレーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層21の所定の位置にビア穴33を形成する図4。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴33内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばO2プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴33内にビア導体34を形成する。さらに、従来公知の手法例えばセミアディティブ法によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層21上に導体層26をパターン形成する図5参照。また、他の樹脂絶縁層22~25及び導体層26についても、上述した樹脂絶縁層21及び導体層26と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層21上に積層していく図6参照。そして、最外層の樹脂絶縁層25に対してレーザ穴加工を施すことにより、ICチップ12を接続するための接続端子41を露出させる開口部43を形成する穴あけ工程。次いで、過マンガン酸カリウム溶液やO2プラズマなどにて各開口部43内のスミアを除去するデスミア工程を行う図7参照。このデスミア工程を行うと、最外層の樹脂絶縁層25の表面や開口部43の壁面が粗化されて微細な凹凸からなる粗化面となる。また、樹脂絶縁層25の表面や開口部43の壁面には、シリカフィラー57が露出している。デスミア工程後、最外層の樹脂絶縁層25の表面において露出しているシリカフィラー57を減少させるフィラー減少工程を実施する。具体的には、図8に示されるように、樹脂絶縁層25の表面に対して高圧水W1を吹き付けて洗浄する高圧水洗処理を行う。なお、高圧水W1の水圧は500kgf/cm2であり、常温にて2分程度継続して洗浄処理を行う。この結果、図9に示されるように、樹脂絶縁層25の表面や開口部43の壁面から露出しているシリカフィラー57が洗い落とされる。ここでは、表面がより多く露出表面積の半分以上が露出しているシリカフィラー57が除去され、樹脂絶縁層25に埋まり込んでいるシリカフィラー57については樹脂絶縁層25に残る。また、樹脂絶縁層25の表面には、シリカフィラー57が脱落することで凹部58が形成される。フィラー減少工程後、樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラー57の存在量残量は、樹脂絶縁層25の内部におけるシリカフィラー57の存在量残量よりも少なくなる。本発明者は、フィラー減少工程の前後で樹脂絶縁層25の表面のSEM写真を撮影し、それらSEM写真に基づいて、シリカフィラー57の存在量が減少していることを確認した。具体的には、樹脂絶縁層25表面のSEM写真59図10参照において対角線L1を引き、その対角線L1上にて占めるシリカフィラー57の長さ対角線L1上に重なる各シリカフィラー57の幅を加算した距離を測定する。その測定結果に基づいて、シリカフィラー57の存在量が減少していることを確認した。なお、フィラー減少工程を行う前では、樹脂絶縁層25の表面と内部とにおけるシリカフィラー57の存在量は等しい。また、フィラー減少工程後には、樹脂絶縁層25の表面側のみシリカフィラー57の存在量が減少する。従って、樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラー57の存在量は、内部におけるシリカフィラー57の存在量よりも少なくなる。ここでは、樹脂絶縁層25の表面でのアンダーフィル材49の流れ性の良否を判定する指標として、樹脂絶縁層25の表面に対するアンダーフィル材49の接触角を用いた。この接触角が小さくなるほど、アンダーフィル材49が樹脂絶縁層25の表面と馴染みやすくなり、アンダーフィル材49が濡れ広がりやすくなる。本実施形態において実際に測定したところ、フィラー減少工程前では、樹脂絶縁層25の表面及び内部におけるシリカフィラー57の存在量は約83であり、接触角は約24°であった。これに対し、フィラー減少工程後では、樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラー57の存在量は約37に減少し、接触角も約11°に減少した。なお、上述した高圧水洗処理において高圧水W1の水圧、温度、時間等の諸条件を適宜変更し、フィラー減少工程後の樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラー57の存在量を調整した。そして、樹脂絶縁層25とICチップ12との隙間にボイドを発生させない程度の好適な流れ性を得るためには、当該存在量を約30以上約70以下の範囲に設定すればよいという結果を得た。このような好適範囲における接触角は、約10°以上約20°以下であった。フィラー減少工程後、各樹脂絶縁層21~25を加熱加圧して硬化させる熱キュア工程を実施する。なお、本実施の形態では、各樹脂絶縁層21~25について、各層を形成する度に、ある程度硬化させるプリキュア工程を行った上で、熱キュア工程で最終的に硬化させている。上述したビルドアップ工程によって、基材52上に積層金属シート体54、樹脂絶縁層21~25及び導体層26を積層した配線積層体60を形成する。なお図11に示されるように、配線積層体60において積層金属シート体54上に位置する領域が、多層配線基板11の配線積層部30となる部分である。ビルドアップ工程後、配線積層体60をダイシング装置図示略により切断し、配線積層部30の周囲領域を除去する。この際、図11に示すように、配線積層部30とその周囲部61との境界図11では矢印で示す境界において、配線積層部30の下方にある基材52支持基板50及び下地樹脂絶縁層51ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層21にて封止されていた積層金属シート体54の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部61の除去によって、下地樹脂絶縁層51と樹脂絶縁層21との密着部分が失われる。この結果、配線積層部30と基材52とは積層金属シート体54のみを介して連結した状態となる。ここで、図12に示されるように、積層金属シート体54における一対の銅箔55,56の界面にて剥離することで、配線積層部30から基材52を除去して配線積層部30樹脂絶縁層21の下面32上にある銅箔55を露出させる。そして、図13に示されるように、配線積層部30樹脂絶縁層21の下面32上にある銅箔55に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、樹脂絶縁層21上に接続端子45を形成する。続くはんだバンプ形成工程では、樹脂絶縁層24上に形成された複数の接続端子41上に、ICチップ接続用のはんだバンプ44を形成する図14参照。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各接続端子41上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各接続端子41上にはんだバンプ44を形成する。同様に、樹脂絶縁層21上に形成された複数の接続端子45上に、はんだバンプ47を形成する。以上の工程を経て、多層配線基板11が製造される。その後、多層配線基板11のICチップ搭載領域29にICチップ12を載置する。このとき、ICチップ12側の面接続端子28と、多層配線基板11側のはんだバンプ44とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各はんだバンプ44をリフローすることにより、面接続端子28とはんだバンプ44とが接合され、多層配線基板11にICチップ12が搭載される。さらに、最外層の樹脂絶縁層25とICチップ12との隙間に、液状硬化性樹脂であるアンダーフィル材49を流し込む。このとき、樹脂絶縁層25の表面には、アンダーフィル材49の流動抵抗となるシリカフィラー57が少なくなっているので、樹脂絶縁層25とICチップ12との隙間全体に効率よく充填される。この結果、図1に示されるように、多層配線基板11とICチップ12との接続部がアンダーフィル材49によって封止された半導体パッケージ10が製造される。従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。1本実施の形態では、フィラー減少工程において、最外層の樹脂絶縁層25の表面にて露出しているシリカフィラー57の一部が除去され、そのフィラー57の存在量が減少される。このように、最外層の樹脂絶縁層25の表面におけるシリカフィラー57を減少させることで、その樹脂絶縁層25の表面でのアンダーフィル材49の流れ性が向上される。この結果、樹脂絶縁層25とICチップ12との隙間にボイドを発生させることなく、アンダーフィル材49による封止を短時間で確実に行うことができる。2本実施の形態では、フィラー減少工程において高圧水洗処理が行われるので、シリカフィラー57を洗い流すのと同時に、樹脂絶縁層25の表面や開口部43の内壁に付着している異物樹脂カスなどを除去することができる。3本実施の形態では、樹脂絶縁層を硬化させる熱キュア工程の前にフィラー減少工程が実施されるので、樹脂絶縁層25が比較的軟らかい状態でその表面のシリカフィラー57を確実に減少させることができる。4本実施の形態の多層配線基板11では、最外層の樹脂絶縁層25が内層側の各樹脂絶縁層22~24と同じビルドアップ材で形成されているので、最外層の樹脂絶縁層25が別の樹脂絶縁材料で形成される場合と比較して、配線積層部30での熱膨張係数差による影響が軽減される。この結果、多層配線基板11の反りを抑えることができる。なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。上記実施の形態では、フィラー減少工程において、高圧水洗処理を行っていたが、この高圧水洗処理の代わりに超音波洗浄処理を行ってもよい。また、高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄処理を実施してもよい。このようにしても、樹脂絶縁層25の表面において、シリカフィラー57を減少させることができ、アンダーフィル材49の流れ性を向上させることができる。上記実施の形態では、コアを有さない多層配線基板11に具体化するものであったが、コア基板の両面にビルドアップ層配線積層部を形成した多層配線基板に本発明を具体化してもよい。本発明は、例えば、図15、図16に示す別の実施の形態における多層配線基板11Aのように具体化してもよい。この多層配線基板11Aでは、導体部の構造が上記実施形態のものと異なっている。即ち、上記実施形態のものにおける導体部は、ソルダーレジストとして機能する樹脂絶縁層25の下に配置された複数の接続端子41であった。複数の接続端子41の表面上に、銅めっきからなる複数の柱状端子61銅ポストが形成されている。これらの柱状端子61は、その一部が開口部43を介して最外層の樹脂絶縁層25から突出している。柱状端子61の外表面はニッケル/金めっき層62によって被覆されている。以下、その製造方法について説明する。まず、上記実施形態の手順に従い、フィラー減少工程までの工程を実施し、さらに熱キュア工程を実施する。ここで、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層25の開口部43内及び樹脂絶縁層25を覆う全面めっき層を形成する。そして、樹脂絶縁層25の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことで、めっきレジストを形成する。この後、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行い、柱状端子61を形成する図15参照。次いで、めっきレジスト及び全面めっき層を除去した後、その上にエッチングレジストを形成してから、ダイシングによる配線積層体60の切断を行う。この後、基材同士の分離、下面32側のパターニング、上面31側のエッチングレジストの除去を行ったうえで、柱状端子61及び接続端子45に対して無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。この結果、柱状端子61及び接続端子45の表面に、それぞれニッケル/金めっき層62を形成し、図16の多層配線基板11Aを完成させる。次に、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。1手段2の多層配線基板の製造方法において、常温で1分以上継続して前記高圧水洗処理を行うことを特徴とすることを特徴とする多層配線基板の製造方法。2手段2の多層配線基板の製造方法において、前記高圧水洗処理では、高圧水に超音波を伝搬させた状態で洗浄することを特徴とする多層配線基板の製造方法。3手段1乃至4のいずれかの多層配線基板の製造方法において、前記フィラーは、シリカフィラーであることを特徴とする多層配線基板の製造方法。4複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板であって、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記チップ搭載面側の表面における前記フィラーの存在量は、前記内層側の樹脂絶縁層と接する裏面における前記フィラーの存在量よりも少ないことを特徴とする多層配線基板。5技術的思想4において、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記ICチップを接続するための接続端子を露出させる開口部が形成され、前記表面における前記フィラーの存在量は、前記開口部の壁面における前記フィラーの存在量よりも少なく、前記開口部の壁面における前記フィラーの存在量は、前記裏面における前記フィラーの存在量よりも少ないこと特徴とする多層配線基板。6技術的思想4または5において、前記最外層の樹脂絶縁層において、前記表面から前記フィラーが脱落して形成された凹部が、前記表面に残存して露出している前記フィラーの個数に対して50以上の割合で存在すること特徴とする多層配線基板。"