基板電極の上に、Snを含む第1金属間化合物層と、Snを含む第3金属間化合物部およびSnを含む相で構成された第3の層と、Snを含む第2金属間化合物層とが、順に積層されている上に、半導体素子の電極が載置された半導体接合構造体であり、前記第1金属間化合物層と前記第2金属間化合物層とは、前記第3金属間化合物部で層間接合している一部を有する、半導体接合構造体。前記第3金属間化合物部は、棒状の形態である、請求項1に記載の半導体接合構造体。前記第1金属間化合物層が、Cu-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第2金属間化合物層が、Cu-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第3金属間化合物部が、Au-SnとAg-Snのいずれか一方からなる金属間化合物で構成され、前記Snを含む相が、AuとAgのいずれか一方を含む構成である、請求項1に記載の半導体接合構造体。前記第1金属間化合物層が、Ag-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第2金属間化合物層が、Ag-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第3金属間化合物部が、Au-Snからなる金属間化合物で構成され、前記Snを含む相が、AuとAgのいずれか一方を含む構成である、請求項1に記載の半導体接合構造体。半導体素子の電極表面に、Snと金属間化合物を形成する金属膜を形成する、半導体素子表面の金属膜形成工程と、基板電極表面に、Snと金属間化合物を形成する金属膜を形成する、電極表面の金属膜形成工程と、前記金属膜が形成された半導体素子の電極面、および前記金属膜が形成された基板電極の面とを対向させ、対向された面の間をSnを含むはんだ材料で接合する際、前記基板電極の面に形成される第1金属間化合物層と、前記半導体素子の電極面に形成される第2金属間化合物層とが、前記Snを含むはんだ材料によって形成される第3金属間化合物部によって、一部で層間接合させる接合工程とを備えた、半導体接合構造体の製造方法。前記半導体素子の表面に形成する金属膜の材料は、Ag、Cuのいずれか一つ又はAgとCuの組合せであり、前記電極の表面に形成する金属膜の材料は、Au、Agのいずれか一つ又はAgとAuの組合せであり、前記Snを含むはんだ材料は、Sn-3wtAg-0.5wtCuである、請求項5に記載の半導体接合構造体の製造方法。しかしながら、特許文献1のCuSn化合物の接合材料は、はんだ材料としてSnとCuの混合粉末を用いて、十分時間を掛けて接合すると、図7のように、SnとCuの金属間化合物化により、パワー半導体モジュールが基板へ実装される際にかかる熱に対する接合部504の耐熱性、つまり一般的なリフロー温度である260°C雰囲気下での耐熱性を有するものの、パワー半導体モジュールの使用時に接合部504にクラック、剥離などが生じてしまう可能性がある。これは、接合部504の殆どの部分が、SnとCuの金属間化合物化により、接合部504の延性が失われ、パワー半導体モジュール使用時に生じる熱応力を受け、その応力を緩和することができないことが理由として考えられる。一方、十分には時間を掛けずに接合すると、図8のように、SnとCuとが完全には金属間化合物化せずに、Snの部分が相当量残存して接合部の延性を保つが、パワー半導体モジュール501が基板へ実装される際にかかる熱に対する接合部の耐熱性、つまり一般的なリフロー温度である260°C雰囲気下での耐熱性が失われる。これは、SnとCuを完全に金属間化合物化せずに、Snが残ることにより、例えばSnが層状に残存した場合、リフロー時に再溶融し、半導体素子と電極がずれる等の不具合が生じる可能性がある為である。なお、金属間化合物は生成されることはあるが、球状の金属間化合物が少しの量、離散的に出来るに止まる。従って、前記特許文献1の接合材料による接合構造体では、応力緩和性と耐熱性を両立しなければならないという課題を有している。本発明は、従来の上記課題を考慮し、耐熱性と、応力緩和性とを両立させた、半導体接合構造体等を提供することを目的とする。第1の本発明は、基板電極の上に、Snを含む第1金属間化合物層と、Snを含む第3金属間化合物部およびSnを含む相で構成された第3の層と、Snを含む第2金属間化合物層とが、順に積層されている上に、半導体素子の電極が載置された半導体接合構造体であり、前記第1金属間化合物層と前記第2金属間化合物層とは、前記第3金属間化合物部で層間接合している一部を有する、半導体接合構造体である。第2の本発明は、前記第3金属間化合物部は、棒状の形態である、第1の本発明の半導体接合構造体である。第3の本発明は、前記第1金属間化合物層が、Cu-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第2金属間化合物層が、Cu-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第3金属間化合物部が、Au-SnとAg-Snのいずれか一方からなる金属間化合物で構成され、前記Snを含む相が、AuとAgのいずれか一方を含む構成である、第1の本発明の半導体接合構造体である。第4の本発明は、前記第1金属間化合物層が、Ag-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第2金属間化合物層が、Ag-Snからなる金属間化合物で構成され、前記第3金属間化合物部が、Au-Snからなる金属間化合物で構成され、前記Snを含む相が、AuとAgのいずれか一方を含む構成である、第1の本発明の半導体接合構造体である。第5の本発明は、半導体素子の電極表面に、Snと金属間化合物を形成する金属膜を形成する、半導体素子表面の金属膜形成工程と、基板電極表面に、Snと金属間化合物を形成する金属膜を形成する、電極表面の金属膜形成工程と、前記金属膜が形成された半導体素子の電極面、および前記金属膜が形成された基板電極の面とを対向させ、対向された面の間をSnを含むはんだ材料で接合する際、前記基板電極の面に形成される第1金属間化合物層と、前記半導体素子の電極面に形成される第2金属間化合物層とが、前記Snを含むはんだ材料によって形成される第3金属間化合物部によって、一部で層間接合させる接合工程とを備えた、半導体接合構造体の製造方法である。第6の本発明は、前記半導体素子の表面に形成する金属膜の材料は、Ag、Cuのいずれか一つ又はAgとCuの組合せであり、前記電極の表面に形成する金属膜の材料は、Au、Agのいずれか一つ又はAgとAuの組合せであり、前記Snを含むはんだ材料は、Sn-3wtAg-0.5wtCuである、第5の本発明の半導体接合構造体の製造方法である。以上のように、本発明によれば、パワー半導体モジュールの使用時における温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性を確保し、同時に、パワー半導体モジュールが基板へ実装される際にかかる熱に対する接合部の耐熱性を確保して、応力緩和性と耐熱性を両立することにより、半導体素子と電極とを品質良く接合して接合信頼性を上げることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるパワー半導体モジュール100の断面図である。半導体素子102は、接合材料104により、基板電極103以後単に電極103と表記するに接合され接合構造体105を形成し、その接合構造体105が基板101に実装されている。次に、この形成された接合構造体105について詳細に説明する。図2は、本発明の実施の形態における実施例1の接合構造体の製造工程フロー図である。図2aは、電極103にはんだ材料203を供給する工程図である。ここで用いるCu合金で構成された電極103には、予め電解めっき法により、厚み3μmのAg層202、及び、前記Ag層202の上に厚み3μmのAu層201を成膜させている。はんだ材料203を供給するに際しては、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、260°Cに加熱した状態の電極103を用いる。このAu層201の上に、長さ500~800μm、直径φ1.0mmのワイヤーの形状のSn-3wtAg-0.5wtCu以後単にSn-3Ag-0.5Cuと表記する融点:217°Cのはんだ材料203を供給する。次にはんだ材料203の上に半導体素子102を載置する。図2bは、半導体素子102をはんだ材料203の上に載置する工程図である。ここで用いるGaNで構成され、厚み0.3mm、4mm×5mmの大きさの半導体素子102には、予め電解めっき法により、厚さ10μmのCu層206、及び前記Cu層206に上に厚み5μmのAg層205を成膜させている。半導体素子102を載置するに際しては、前述のはんだ材料203の供給工程と同様に、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、260°Cに加熱した状態の電極103を用いている。このAg層205がはんだ材料203に接するように、半導体素子102を50gf~150gf程度の荷重で、電極103に供給されたはんだ材料203の上に載置する。次に、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、260°Cに加熱した状態の電極103のままで、半導体素子102をはんだ材料203の上に載置してから約10分間放置させた後、自然冷却させることにより、電極103と半導体素子102とを接合させる接合部212を形成させ、接合構造体105を製造する。ここで、電極103と半導体素子102とを接合させる接合部212について説明する。図3aは、半導体素子102を、電極103上に供給されたはんだ材料203に載置した直後の模式図である。図2bで示したAg層205とはんだ材料203との間での拡散反応、Au層201とAg層202とはんだ材料203との間での拡散反応により、図3aのように、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209とが混在した棒状金属間化合物部209後述する第3金属間化合物部の一例に対応が形成し始める。ここで、棒状とは、核となる結晶が成長して、縦横比の異なる柱状を意味する。また同時に、前述の棒状金属間化合物部209を形成しながら、図2bで示したCu層206とはんだ材料203との間での拡散反応が起こり、図3aのように、CuSn金属間化合物層208後述する第2金属間化合物層の一例に対応、CuSn金属間化合物層207後述する第1金属間化合物層の一例に対応が形成し始める。図3bは図3aから10分間放置した模式図である。260°Cで加熱した状態で10分間放置することで、図3aで形成した棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209とが混在した棒状金属間化合物部209や、CuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207が成長する。図2cつまりその詳細図である図3cは、図3bを自然冷却させ、接合構造体を完成させた模式図である。接合部212において、図3bの状態で形成した、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が混在した棒状金属間化合物部209と、Sn/Au/Ag混在組織の応力吸収部である、Snを含む相210とが、CuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207に挟まれ、さらに、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が、上下のCuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207と層間接合した状態で凝固する。以上により、電極103と半導体素子102とが接合部212により、すなわち、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が混在した棒状金属間化合物部209と、Sn/Au/Ag混在組織の応力吸収部である、Snを含む相210とが、CuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207に挟まれ、さらに、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が、上下のCuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207と層間接合した状態で凝固した接合部212により、接合される。図4は、図3の接合状態を、材料を一般化した上位概念化した用語で説明した図である。ここで、第1金属間化合物層207‘は、上記CuSn金属間化合物層207の一般化であり、第2金属間化合物層208‘は、上記CuSn金属間化合物層208の一般化である。さらに、棒状金属間化合物部209‘は、上記棒状AgSn金属間化合物部209、棒状AuSn金属間化合物部209の一般化であって、本発明の第3金属間化合物部の一例である。なお、この第3金属間化合物部の一例である棒状金属間化合物部209と、Snを含む相210とで、本発明の第3の層300が構成されている。この第3金属間化合物部の他の例としては、柱状、針状などの金属間化合物部がある。上記の事例実施例1の接合時間が10分の場合により完成させた接合構造体を使用して、ワイヤボンディング、封止を実施し、パワー半導体モジュールを形成させ、接合構造体の接合部のクラック、剥離の確認のため、製品歩留まりを確認した。製品歩留まりの確認方法は、低温側が-45°C、高温側が125°Cの温度サイクル試験300サイクル後に製品を超音波映像で観察し、接合構造体の接合部のクラック、剥離を判定し、接合部の表面積に対してクラック、剥離が20未満の製品歩留まりN数=20を算出した。製品歩留まりの判定は、80以上を○、50以上80未満を△、50未満を×と区別するようにし、80以上○を良品としている。上記の事例により完成させた接合構造体のパワー半導体モジュールの製品歩留まりは100であったことから、○とし、良品と判定できる。このことから、接合部のクラック、剥離は認められなかった。このパワー半導体モジュールにおける接合構造体の接合部のクラック、剥離が起こらない理由としては、以下のことが推察される。接合構造体の接合部212において、金属間化合物と比較して延性を有するSn/Au/Ag混在組織が存在し、温度サイクル試験で生じる熱応力に対して、Sn/Au/Agの混在組織がひずむことにより、応力緩和性が発現した為と考えられる。さらに、接合構造体をパワー半導体モジュールとして使用するための耐熱性を確認したところ、リフロー温度を想定した260°Cの雰囲気下で接合構造体の半導体素子と電極のせん断方向からの接合強度が30gf以上であった。これは、CuSn金属間化合物層207、CuSn金属間化合物層208、及び棒状AgSn金属間化合物部209、棒状AuSn金属間化合物部209の形成により金属間化合物層と棒状金属間化合物部が繋がる層間接合ことにより、260°Cの耐熱性を有すると推定される。なお、ここにCuSn金属間化合物層207、208の融点は約415°Cであり、棒状AuSn金属間化合物部209、棒状AgSn金属間化合物部209の融点は約260°C、約480°Cと何れも260°C以上であることからも、金属間化合物層と棒状金属間化合物部が繋がることにより、260°Cの耐熱性を有するといえる。かかる構成によれば、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が混在した棒状金属間化合物部209と、Sn/Au/Ag混在組織の応力吸収部であるSnを含む相210とが、CuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207に挟まれ、さらに、棒状AgSn金属間化合物部209と棒状AuSn金属間化合物部209が、上下のCuSn金属間化合物層208、CuSn金属間化合物層207と層間接合した状態で凝固した接合部212により、半導体素子と電極とを接合することで、従来技術で得られなかった温度サイクルで生じる熱応力に対する応力緩和性とパワー半導体モジュールが基板へ実装される際にかかる熱に対する接合部の耐熱性の確保を両立することにより、半導体素子と電極とを品質良く接合して接合信頼性を上げることができる。これにより、本発明の実施の形態における接合構造体は、従来の課題を解決したものと言える。次に、電極と半導体素子にあらかじめ成膜した層の材料構成と厚みを変化させて、応力緩和性、耐熱性を確認した。ここで、各層の名称を次のように定めて説明する。図5のように、電極に電解めっき法により成膜した膜の名称を電極の面に接する方から電極表面第2処理層402、電極表面第1処理層401とし、次に半導体素子に電解めっき法により成膜した膜の名称を素子の面に接する方から素子表面第2処理層406、素子表面第1処理層405とし、膜の構成と厚みを変化させて接合部を形成させた。表1は本発明実施の形態で検討した構成の実施例を示す。表1の縦軸は、電極に成膜した膜の構成と厚みを示し、横軸は半導体素子に成膜した膜の構成と厚みを示す。例えば、実施例1では、電極の面に接する方から電極表面第2処理層402としてAg3μm、電極表面第1処理層401としてAu3μmを2層で成膜した電極と、半導体素子の面に接する方から素子表面第2処理層406としてCu10μ、素子表面第1処理層405としてAg5μmを成膜した半導体素子をはんだ材料により接合し、接合部を形成させた。なお、接合の為のはんだ材料は、実施例ではSn-3Ag-0.5Cuとし、従来例ではSnとCuとの混合粉末を用いた。次に、表2は表1の各実施例1~9から得られた接合構造体の接合部の組成についてまとめたものである。なお、従来例の場合は接合の加熱時間が60分の場合である。実施例1~9の場合は接合の加熱時間が10分~60分である。なお、表2における各実施例及び従来例の接合部の組成はEDXエネルギー分散型蛍光X線分析装置を用いて調べた。但し、従来例は従来技術のSnとCu混合粉により接合部をCuSn化合物のみで形成した構成である。表3は、表1の各実施例1~9の電極と半導体素子を用い、半導体素子をはんだ材料が供給された電極上に載置してから自然冷却開始までの時間を10分、20分、30分、60分と変化させた接合構造体の製品歩留まりと耐熱性を示す。製品歩留まりは、表1の各実施例1~9で得られた接合構造体を用いて、ワイヤボンディング、封止を実施し、パワー半導体モジュールを形成させ、接合構造体の接合部のクラック、剥離の確認のため、製品歩留まりを確認した。製品歩留まりの確認方法は、低温側が-45°C、高温側が125°Cの温度サイクル試験300サイクル後に製品を超音波映像で観察し、接合構造体の接合部のクラック、剥離を判定し、接合部の表面積に対してクラック、剥離が20未満の製品歩留まりN数=20を算出した。製品歩留まりの判定は、80以上を○、50以上80未満を△、50未満を×と区別するようにし、80以上○を良品としている。また、耐熱性は、接合構造体をパワー半導体モジュールとして使用するため、リフロー温度を想定した260°Cでの耐熱性を確認した。260°C耐熱性は、260°Cの雰囲気下で接合構造体の半導体素子と電極のせん断方向からの接合強度が30gf以上とならば260°C耐熱性を有していると判定している。つまり、260°Cの雰囲気下で接合強度が30gf以上であれば、棒状金属間化合物部209‘が第1金属間化合物層207‘と第2金属間化合物層208‘の両方と接して層間接合することにより、260°Cの耐熱性を有すると推定している。表3の結果より、製品歩留まりに関しては、接合時間10~20分では実施例1~9、従来例共に判定○で良品であり、接合時間30分では実施例3、6、7~9が判定○で良品であり、接合時間60分では実施例1~9、従来例共に判定×であり、接合時間が長くなるとクラック、剥離の発生の程度が増している。本発明の実施の形態における実施例の接合構造体での工程時間30分で一部、60分で全ての製品歩留まりの判定が△、×となっているが、これに関しては、工程時間が進むことにより金属間化合物層、棒状金属間化合物の成長が進み過ぎ、SnとAu或いはAgよりなるSnを含む相が存在しなくなり、温度サイクル試験で生じる熱応力に対する応力緩和性が発現しなくなったと考えられる。さらに、表3の結果より、260°Cにおける耐熱性に関しては、接合時間10分では実施例1のみがOKであり、接合時間20分では実施例1、2、4、5、7、8が良判定であり、接合時間30分では実施例1~9が良判定であり、接合時間60分では実施例1~9、従来例共に良判定であり、接合時間が長くなると耐熱性が増している。その理由は、棒状金属間化合物部209‘が第1金属間化合物層207‘と第2金属間化合物層208‘の両方と接して繋がる程度が増していったからである。以上の結果から、応力緩和性を有する製品歩留まり判定○と耐熱性を有する260°C耐熱性良判定の両方を兼ね備えた領域をみると、実施例1では接合時間10分、20分であり、実施例2では接合時間20分の領域である。実施例3では30分、実施例4では20分、実施例5では20分、実施例6では30分、実施例7では20~30分、実施例8では20~30分、実施例9では30分である。それに対して従来例では、製品歩留まりと260°Cの耐熱性の確保との良判定を両立する領域が存在しないとがわかる。その理由は、従来例の260°Cの耐熱性を確保する接合構造体で、30分と60分で接合構造体の製造歩留まりが△と×判定であったことに関しては、延性の低い脆弱なCuSn金属間化合物部のみで接合されることにより、温度サイクル試験で生じる熱応力に対する応力緩和性が得られず接合構造体の接合部のクラック、剥離が発生した為と考えられる。それに対して本発明の実施の形態における実施例の接合構造体では、金属間化合物と比較して延性を有するSnを含む相が存在し、温度サイクル試験で生じる熱応力に対してSnを含む相がひずむことにより応力緩和性が発現し、かつ、棒状金属間化合物部209‘が第1金属間化合物層207‘と第2金属間化合物層208‘の両方と接して繋がることにより、260°Cの耐熱性が発現し、応力緩和性と耐熱性の両立を実現できたものと考えられる。従って、本発明実施の形態では、温度サイクル試験の製品歩留まりと260°Cの耐熱性の確保の良判定を両立する領域が確保出来ている。本発明の実施の形態では、半導体素子102と接合部212との境界部分及び基板電極103と接合部212との境界部分に、CuSn化合物またはAgSn化合物よりなる金属間化合物層207’、208‘を形成させ、それ以外の接合部は、AuSn化合物とAgSn化合物が混在した棒状金属間化合物部209’と、Sn、Au、Agよりなる、Snを含む相210との第3の層300を形成させることにより、応力緩和性と耐熱性の両立を実現した。そのような構造を実現するため、例えば実施例1では、電極表面処理層、半導体素子表面処理層の、はんだ材料と接する順が近い部分にはんだ材料中のSnと棒状金属間化合物部を形成し得るAu或いはAgを配置し、遠い部分にはんだ材料中のSnと金属間化合物層を形成し得るAg或いはCuを配置した。なお、実施例1~9において、それらの厚みに関しては、はんだ材料の量と相関して決める必要がある。つまり、本発明実施の形態では、GaNで構成された厚み0.3mm、4mm×5mmの大きさの半導体素子を対象として、接合部の厚みが25~35μmとなるようにはんだ材料の量を決定した。長さ500~800μm、直径φ1.0mmのワイヤーの形状のSn-3Ag-0.5Cu融点:217°Cのはんだ材料203を供給した。このはんだ材料の量に対して、半導体素子102と接合部212との境界部分及び電極103と接合部212との境界部分のCuSn化合物或いはAgSn化合物よりなる金属間化合物層207‘、208‘に対して、AuSn化合物、AgSn化合物よりなる棒状金属間化合物部209‘が、半導体素子と電極が繋がる必要があり、かつ、SnとAu或いはAgよりなるSnを含む相210が存在するように、電極表面処理層、半導体素子表面処理層の各層の厚みを決める必要がある。つまり、Snと化合物を形成するCu、Ag、Auの供給量が過多な場合、SnとAu或いはAgよりなるSnを含む相が存在しなくなる可能性が生じ、Snを含む相が存在しない場合温度サイクル試験で生じる熱応力に対する応力緩和性が発現しなくなる。また、Snと化合物を形成するCu、Ag、Auの供給量が過少な場合、半導体素子102と接合部212との境界部分及び電極103と接合部212との境界部分のCuSn化合物或いはAgSn化合物よりなる金属間化合物層207’、208’と、AuSn化合物、AgSn化合物よりなる棒状金属間化合物部209‘が繋がらない可能性が生じ、金属間化合物層207’、208’と棒状金属間化合物部209‘が繋がらない場合、260°Cの耐熱性が発現しなくなる。なお、実施例1における、Au-Ag層の順は配置が逆でもよい。すなわち、実施例1では、電極表面処理層Auはんだ材料側/Ag電極側については、はんだ材料中のSnに対しての拡散速度は、Auの方がAgよりも速い為、はんだ材料に先に接する側がAu、そしてAuの次に接する側にAgを載置している。Agはんだ材料側/Au電極側と層の順を入れ替えると、はんだ材料へのAgの拡散が律速になり、耐熱性を確保するまでの時間が遅くなる可能性が生じるものの、金属間化合物形成による耐熱性の確保は可能である。他方、素子表面処理層Agはんだ材料側/Cu素子側については、棒状金属間化合物部としてAgSn化合物、層状金属間化合物としてCuSn化合物を形成させる必要がある。仮にCuはんだ材料側/Ag素子側のように層の順を入れ替えると、層状金属間化合物CuSn化合物が先に形成される為、棒状金属間化合物部AgSn化合物がはんだ材料中に形成されにくくなる。従って、素子表面処理層はAgはんだ材料側/Cu素子側の順である必要がある。なお、電極表面処理層の構成と素子表面処理層の構成とは入れ替えても構わない。また、接合中の温度については、上述したように260°Cが望ましい。一般的なはんだ付け温度は、はんだ材料の融点30°Cが望ましいとされている。本実施の形態においては、はんだ付け時にはんだ材料中にAu、Ag、Cuといった元素の拡散によりはんだ材料の溶融粘度が上がる為、はんだ材料の濡れ性が低下する。その為、はんだ材料の融点より約40°Cさらに10°C上げるにすることで、はんだ材料の濡れ性を確保している。高温に上げすぎると、電極の反りの問題が生じる。また、はんだ材料については、鉛フリーはんだであれば任意の材料でよい。一般的な鉛フリーはんだは、SnAg系Sn3.5Ag、Sn3.5Ag0.5Bi6In、CuSn系Sn0.7Cu0.05Ni、SnAgCu系Sn3Ag0.5Cu、SnBi系Sn58Biが知られる。本実施の形態では、半導体素子、電極側からはんだ材料中のSnに対してAu、Ag、Cuといった元素を拡散させることにより金属間化合物を形成し、かつSnを含む相を形成しなければならない為、はんだ材料中のSnの量が多いことが望ましい。従ってはんだ材料は、Sn3Ag0.5Cuだけではなく、Sn3.5Ag、Sn3.5Ag0.5Bi6In、Sn0.7Cu0.05Niといった鉛フリーはんだであればよく、Sn単体でも良い。また、処理層の厚さについては、3μm、5μm、10μmが望ましい。すなわち、はんだ材料:直径φ1.0mmのワイヤーの形状のSn-3Ag-0.5Cu、長さ500~800μmに対して、電極表面処理層Ag3μm、素子表面処理層Cu5μmの構成した場合実施例9では、電極表面処理層のAg及び素子表面処理層のCuは全てはんだ材料中に拡散した上で30分、耐熱性を確保することができる。従って最低限、電極表面処理層Ag3μm、素子表面処理層Cu5μmが必要である。また、実施例7のように、例えば電極表面処理層としてAu3μmを付与すると、プロセス時間の短縮を図ることができる。