"セラミック層と、当該セラミック層の間に位置する内部電極層を有するセラミック多層構成素子を製造する方法であって、前記セラミック層を製造するためにセラミック質量体を使用し、前記内部電極層を製造するために、化学的に活性の添加物の成分を有する金属ペーストを使用し、前記化学的に活性の添加物は、少なくとも、前記金属ペーストの金属成分を除いた自身の周辺の成分と化学的に反応する、ことを特徴とする、セラミック多層構成素子を製造する方法。前記化学的に活性の添加物として、化学的に活性のセラミック粉体を使用する、請求項1記載の方法。酸素、少なくともセラミック質量体の構成部分および金属ペーストまたはセラミック質量体内に含まれている結合剤または溶剤から前記周辺の成分を選択する、請求項1または2記載の方法。鉛含有セラミック質量体を使用し、前記化学的に活性な添加物とその周辺との間の化学的な反応の結果、酸素が遊離される、および/またはPbおよび/またはCuが結合される、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記化学的に活性な添加物として、Zr,TiO2,MgOおよびBaO2から選択された少なくとも1つの添加物を使用する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記金属ペースト内で、金属成分として卑金属を使用する、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。前記金属ペーストの金属成分として、CuまたはNiを使用する、請求項6記載の方法。従って本発明の課題は、外部コンタクトの接着強度が充分に高い、内部電極と内部電極の接触接続のための外部コンタクトを有するセラミック多層構成素子を提供すること、並びに、セラミックが還元されず、内部電極も外部電極も酸化されない、セラミック多層構成素子の製造方法を提供することである。本発明の課題は、冒頭に記載した形式の構成素子において、セラミック層と、当該セラミック層の間に位置する内部電極層を有するセラミック多層構成素子を製造する方法であって、前記セラミック層を製造するためにセラミック質量体を使用し、前記内部電極層を製造するために、化学的に活性の添加物の成分を有する金属ペーストを使用し、前記化学的に活性の添加物は、少なくとも、前記金属ペーストの金属成分を除いた自身の周辺の成分と化学的に反応する、ことを特徴とする、セラミック多層構成素子を製造する方法によって解決される。本発明は、セラミック層と、内部電極として用いられている銅含有電極層とを交互に有する積層体を有するセラミック多層構成素子を提供する。ここで内部電極は、外部コンタクトに接続されている。外部コンタクトは、積層体の相互に対向している外面に、層配置に対して垂直に配置されている。ここで、異なる外部コンタクトに対して接続されている内部電極は相互に噛み合っている。多層構成素子は、外部コンタクトが金属的銅を含んでおり、積層体での外部コンタクトの接着強度が少なくとも50Nになることを特徴とする。セラミック層は有利にはセラミックグリーンシートから成る。ここでこのグリーンシートは、熱加水分解によって除去可能な結合剤を含有している。さらに一般的な組成ABO3、殊にPZTタイプのPbZrxTi1-xO3を伴う強誘電ペロフスカイト型セラミックを含有することが可能である。本発明はさらに、本発明に相応する構成素子の製造方法を提供する。ここで結合剤除去は300°以下の温度で行われる、ないし完全に終了される。結合剤除去は、窒素流において水蒸気を加えて行われる。ここで水蒸気分圧は次のように調整される。すなわち、この水蒸気分圧に相当する酸素分圧が、所与の温度で、Cu/Cu2Oの平衡点と、PbTiO3/Pbの平衡点の間にあるように調整される。平衡点はこの種の酸素分圧に相当し、ここでは還元された金属も、この金属に相当する金属合金も、熱力学的に安定しており、共存可能である。しかも相互に混ざりあわない。本発明では、ペースト結合剤が、例えば10-2paを下回る還元された雰囲気において、300°以下の比較的低い温度で完全に分解される。なぜなら、比較的高い結合剤除去温度では、有機結合剤内に含まれる炭素の燃焼のための不十分な酸素が部分的にセラミックの格子構造から引き出されるからである。これはセラミック層の特性を侵害する。有機成分は本発明では次のことによって完全に分解される。すなわち、結合剤除去が窒素流内で、水蒸気を加えて行われることによって分解される。ここでは、加水分解式分解が生じる。水蒸気を添加することによって、酸素分圧が熱力学的に制限されて低下する。しかしここで酸素分圧は、セラミックが還元的に降下し始める、ある程度の値を下回らない。他方では、酸素分圧が、所与の温度で、金属銅が酸化し始める特定の値を上回ることもない。すなわち、セラミック内での還元プロセスがまだ充分に阻止され、同時に金属ペースト内に含まれている銅が酸化しないように、酸素分圧が低く選択されている。酸素分圧は、結合剤除去プロセス時だけでなく、金属ペーストの焼付け時にも次のように選択される、ないしは各時点で温度に相応して次のように整合される。すなわち酸素分圧がPTダイヤグラムにおいて、各プロセス温度で、Cu/Cu2Oの平衡点と、Pb/PbOの平衡点との間にあるように選択ないし整合される。金属ペースト内の銅成分は有利には70を上回る。有機ペースト結合剤として有利には、アクリル樹脂結合剤が使用される。本発明によって、有機ペースト結合剤を有する銅含有金属ペーストを外部コンタクト製造のために、銅含有内部電極を伴う圧電セラミック構成素子内で使用することが可能になる。外部コンタクトを製造するために、有利には銅含有金属ペーストが使用される。これは、70mを上回る、例えば78mの銅含有量と、ガラスフリットと、有機結合剤、例えばアクリル樹脂結合剤を有する。ガラスフラックスガラスフリットは有利には実質的に、PbOおよびSiO2から成る。しかし、他の構成部分、例えばNaO2、Al2O3およびBaOを有していてもよい。金属ペースト内のガラスフラックスの成分は有利には5mよりも小さい。ガラスフラックスの組成および成分は次のように選択される。すなわち、外部コンタクトの金属ペースト内に含まれているガラスフリットが、部分的にセラミック内に内方拡散し、これによって積層体面での外部コンタクトの接着強度が高められるように選択される。まずは、それ自体公知の方法で積層体が製造される。この積層体は相互に重なって位置している電極層とセラミック材料から成る層を有している。ここでこの電極層は完成された構成部分において内部電極に相応する。この電極層は、銅含有金属ペーストから成り、例えばシルクスクリーン印刷方法で、セラミック材料から成る層の上に被着される。さらに銅含有金属ペーストが、例えばシルクスクリーン方法で、内部電極とセラミック層が相互に重なっている積層体の相互に対向している面に被着される。金属ペーストは、気密性炉内で湿気を有する雰囲気内で、300°以下の温度で結合剤除去され、引き続きより高い温度で焼結される。銅含有金属ペーストの焼付けは有利には700~860°Cの間で行われる。セラミック内に含まれている一酸化鉛の還元を阻止するために、本発明による構成素子の製造時には、金属銅から成る格子ベースが使用される、これは同時にゲッター材料として使用される。以下で本発明を実施例および実施例に属する図面に基づいてより詳細に説明する。図は、概略的であり、かつ縮尺通りでない図に基づいて、本発明の異なる実施例を示している。同じ部分または同じ作用を有する部分には同じ参照番号が付与されている。図1には、本発明に相応する銅含有外部コンタクトAK1およびAK2を有するセラミック構成素子が概略的に示されている。第1の外部コンタクトAK1には、第1の銅含有内部電極IE1が接続されている。第2の外部コンタクトAK2には、第2の銅含有内部電極IE2が接続されている。これらの内部電極は相互にセラミック層KSによって分断されている。セラミック層KSは有利には圧電特性を有しており、例えばPZTタイプのセラミックをベースにして製造されている。図示された構成素子は、殊に圧電アクチュエータを実現する。相互に重なって積層された電極層とセラミック層はピエゾスタックと称される。焼付けされた外部コンタクトAK1,AK2は有利には10~20μmの厚さであり、例えば15μmの厚さである。しかし他の厚さの外部コンタクトも選択可能である。外部コンタクトおよび/または内部電極は有利には、50mm=質量パーセントを下回る特定のセラミック成分を有しており、本発明の有利な形態ではこれは10~50mの間であり、殊に40mである。セラミック成分はここで、特定の粒径を有するセラミック粒子を有している。例えば平均粒径は0.2~0.6μmの間である。金属ペースト内のセラミック成分は殊に、ピエゾスタックの外部コンタクトの亀裂形成および剥離を阻止する。これはセラミック材料の膨張係数と金属銅の膨張特性が異なることが原因で生じる。PZTタイプのセラミックの熱膨張係数は、室温とキュリー温度との間では、約1.5~2.0ppm/Kであり、金属銅は相応する温度領域において、約19ppm/Kの格段に高い熱膨張係数を有している。金属ペースト内にセラミック成分を混ぜることによって、外部コンタクトの膨張特性はセラミックペーストの膨張特性に整合され、構成素子の処理中にも、例えば-50°C~150°Cでの詳細に述べられた温度領域における後でのその使用の間ここでは例えば電界を印加することによって、構成素子の変形が生じるも整合される。熱膨張係数を整合させるために有利には、例えば39mの高いSiO2成分を有するガラスフリットが使用される。なぜならSiO2は、PZTタイプのセラミックに対する高い親和力を有しているからである。銅含有金属ペーストの準備時には、まず、例えば0.4μmの平均粒度を有するセラミック粉体が、溶剤によって分散液の形で製造される。引き続き、セラミック粉体分散液は、上述した組成の銅含有金属ペースト内で攪拌され、三本ロール機によって均質化される。金属ペーストの粘性は有利には10~20Pasの間である。ピエゾスタックの側面上に、完成した金属ペーストをピエゾスタックの側面に載せた後に、ペーストは約80~140°Cで空気雰囲気内で乾燥される。さらに、本発明に相応して設定された条件のもとで、結合剤除去と焼結が行われる。ここでは一方では金属銅の酸化が阻止され、他方ではPbOまたはPbTiO3の還元が阻止される。ここでは殊に、結合剤除去温度の選択および結合剤除去の持続時間に関して次のことに留意されるべきである。すなわち結合剤除去処理中に、金属ペーストから結合剤成分だけでなく、溶剤残分も完全に焼いて除去されるということに留意されるべきである。金属ペースト内に含有されているガラスフリットは部分的に非常に強く、セラミック内で内方拡散し、ここで焼結されたセラミック層内に中空空間が残されるので、ガラス添加物の侵入が内部電極の領域内でのみ行われるように、焼結温度は低く例えば765°C選択される。顕微鏡検査によって次のことが証明されている。すなわち、このように選択された焼結温度では、ガラス成分殊に酸化珪素が、外部コンタクトに接している狭いセラミック層領域内でのみ確認可能であることが証明されている。外部コンタクトは固着し、50Nを超える大きな力を用いないとピエゾスタックから剥離されない。外部コンタクを強制的に剥離する場合には、セラミック材料部分が崩れる。これはピエゾスタックでの外部コンタクトの高い接着強度に相応する。セラミック成分は有利には、金属ペーストの固体含有量に関して40mである。この金属ペーストは、基本的には、内部に位置する電極層にも使用可能である。本発明の枠内では、電極金属化部内に有利には、以下でセラミック添加物とも称される化学的に活性のセラミック粉体または他の化学的に活性の添加材料を設けることもできる。これは特定の条件下で、化学的に、電極金属、有機結合剤、セラミックおよび/またはこれらの反応生成物と反応可能である、ないしは特定の成分と化合可能である。さらに、このセラミック添加物は処理雰囲気と反応する。例えば処理雰囲気に酸素を提供するまたは酸素を吸収する。これによって、少なくとも局部的ないし過渡的に酸素分圧が安定される。安定した酸素分圧によって、殊に、内部に位置する電極層ないしは外部コンタクトが酸化に対して保護され、セラミック層が還元に対して保護される。このセラミック粉体添加物によって、電極金属化におけるプロセス不安定さによって生じる酸化金属が結合される。これによって、セラミック層内でのこの酸化金属の不所望の内方拡散が回避される。例えば金属の焼結を遅延させるために、金属ペースト内で化学的に不活性のセラミック粉体を使用することは、それ自体公知である。しかし本発明ではセラミック粉体は機能的な添加物として使用される。これは、化学的に活性であり、自身の周辺と化学的に反応可能である。この化学的な活性は、例えばPbの結合に向けられる。これは焼結時には鉛を含有するセラミック質量体から遊離される。化学的に活性のセラミック粉体がセラミック質量体の別のコンポーネントを殊に焼結時に結合することも可能である。または化学的に活性のセラミック粉体を特定のコンポーネント例えば酸素をセラミック質量体から遊離させる、またはセラミック質量内または金属ペースト内に含有されている結合剤から遊離させるために用いることが可能である。しかし有利には、セラミック粉体は金属ペーストの金属成分と化学的に反応しない。外部電極で使用されている金属ペーストとは異なり、内部電極層に適している金属ペースト内には有利には、ガラス添加物は使用されていない。化学的に活性のセラミック粉体としては殊に、Zr,TiO2が適している。金属ペーストは、化学的に活性のセラミック粉体の代わりに、他の、化学的に活性の添加物を含むこともできる。または化学的に活性のセラミック粉体に対して付加的に、他の物質の成分も含み得る。これは例えばBaO2および/またはMgOである。内部電極でのセラミック粉体の添加によってさらに、内部電極と、この内部電極を取り囲んでいるセラミック層との間の接着が改善される。ここで、金属粒子間のセラミック粒子が細かく分けられることによって、殊に焼結ネッキング形成が阻止される。焼結ネッキングは内部電極の局部的な中断をあらわす。ここで金属化部はセラミック層から剥離するおよび/または-殊に縁部領域において-引き戻される。これによって、内部電極は網状の構造を取る。その構造は構成部分毎に再現不可能である。均質な内部電極構成が、貴金属または貴金属合金を添加することによっても実現されることは公知である。これに対して、本発明に相応するセラミック粉体の添加は、コストに関して大きな利点を有する。図2には、片対数グラフで、水蒸気を添加して調整する酸素分圧Po2例えば曲線3によって示されているの、温度に対する依存性と、CuおよびCu2Oの数字的に計算された平衡曲線1と、PbとPbTiO3の数字的に計算された平衡曲線2が示されている。平衡曲線1は選択された温度でのO2の分圧を示しており、ここでは金属CuおよびCuO2が同時に存在可能である。金属銅は平衡値を上回らない酸素分圧Po2、すなわち平衡曲線1を下回ってのみ存在する。曲線1の上方ではCuO2のみが安定しているので、選択された温度で平衡値を上回る酸素分圧で、金属銅の不所望な酸化が行われる。平衡曲線2は選択された温度でのO2の分圧を示しており、ここでは金属PbおよびPbTiO3が同時に存在可能である。PbTiO3は、曲線2の上方でのみ存在する。選択された温度で平衡値を下回る酸素分圧Po2では、セラミック内に含有されているPbTiO3は、Pbに還元される。従って少なくとも、本発明によるセラミック多層構成素子製造方法の結合剤除去フェーズにおいて、酸素分圧Po2は水蒸気を添加して次のように調整される。すなわち、それが一方では曲線1によって定められた最大値Pmaxここでは金属的な銅がまだ安定しているを上回らないように調整され、他方では曲線2によって定められた最小値Pminここではチタン酸鉛はまだ還元されないを下回らないように調整される。すなわち、所与の結合温度TEのもとでPmin<Po2<Pmaxである。すなわち酸素分圧の調整のための付加的な領域は曲線1と曲線2の間である。曲線3は温度に応じて、湿気のある雰囲気において調整する、本発明に相応して見い出された最適な酸素分圧を示している。加えられる水蒸気の量は基本的に曲線3から計算される。酸素分圧の降下、水蒸気を添加して手動で、または自動的に次のように制御することができる。すなわち、所定の限界値が犯されないように制御することができる。"