"PWMの各相デューティ指令値に基づいて、FETブリッジで成るインバータによりモータを駆動制御し、操舵系をアシスト制御するようになっている電動パワーステアリング装置において、前記FETブリッジの上段FETを駆動するための昇圧電源電圧を生成するチャージポンプ回路及びブートストラップ回路を具備し、高い方の電圧を前記昇圧電源電圧とすることを特徴とする電動パワーステアリング装置。前記チャージポンプ回路の故障を判定し、前記故障が判定されたときに前記ブートストラップ回路により生成された電圧を用いて前記FETブリッジの上段FETを駆動し、前記アシスト制御を継続する請求項1に記載の電動パワーステアリング装置。前記チャージポンプ回路の故障の判定を、システム電圧と前記チャージポンプ回路の出力電圧とに基づいて行う請求項2に記載の電動パワーステアリング装置。前記チャージポンプ回路の故障が判定されたときに、前記上段FETの各相デューティ指令値を制限するようになっている請求項2又は3に記載の電動パワーステアリング装置。しかしながら、特許文献1のように、チャージポンプ回路の電圧を上段FETの駆動電源に用いる場合には、チャージポンプ回路が単一的に故障若しくは異常となって昇圧電源を生成できない場合、全てのアームの上段FETを駆動できなくなる。電動パワーステアリング装置におけるチャージポンプ回路の故障異常ではインバータをON/OFF制御できなくなるため、モータに電流が流れず、アシスト制御停止の状態になってしまうという問題がある。また、特許文献2のブートストラップ回路は、下段FETがONになることでブートストラップコンデンサに電圧が充電され、下段FETがOFF、上段FETがONするときに、ブートストラップコンデンサの充電電圧を使用して、上段FETを駆動する構成である。そのため、一定時間内に下段FETをONさせないと、上段FETをONする時間が長くなることによりブートストラップコンデンサの充電電圧が低下し、上段FETを駆動できなくなるという問題がある。具体的には、20KHzでFETをPWM駆動する場合には、上段FETは90以下下段FETは10以上で使用することが望ましくコントローラの駆動部の抵抗値やFETのキャパシタ容量から90以下に制限するのが良い、デューティ指令値の制限が発生する。つまり、デューティ指令値を制限すると、電動パワーステアリング装置のモータに印加できる最大電圧が100から例えば90になるため、最大電圧が10低下してしまい、モータ出力が低下するという問題がある。上記チャージポンプ回路が単一故障したことにより昇圧電源が生成できない場合、全てのアームの上段FETを駆動できなくなることを防止するため、例えば特開2009-220766号公報特許文献3に開示されるように、チャージポンプ回路を二重化し、2つのチャージポンプ回路の高い方の電圧を昇圧電源として使用することで、チャージポンプ回路の一方が単一故障しても昇圧電源を確保し、アシスト制御を継続することが提案されている。しかしながら、特許文献3に記載の装置では、チャージポンプ回路を二重化しているのでコストアップとなり、回路規模が大きくなってしまう問題がある。また、電動パワーステアリング装置では同じモードの故障が発生する可能性が高いので、チャージポンプ回路の二重化は技術的な効果が少ないという問題もある。本発明は上述のような事情からなされたものであり、本発明の目的は、インバータのFETの駆動を簡易な構成と制御で安定的に行い得るようにした電動パワーステアリング装置を提供することにある。本発明は、PWMの各相デューティ指令値に基づいて、FETブリッジで成るインバータによりモータを駆動制御し、操舵系をアシスト制御するようになっている電動パワーステアリング装置に関し、本発明の上記目的は、前記FETブリッジの上段FETを駆動するための昇圧電源電圧を生成するチャージポンプ回路及びブートストラップ回路を具備し、高い方の電圧を前記昇圧電源電圧とすることにより達成される。また、本発明の上記目的は、前記チャージポンプ回路の故障を判定し、前記故障が判定されたときに前記ブートストラップ回路により生成された電圧を用いて前記FETブリッジの上段FETを駆動し、前記アシスト制御を継続することにより、或いは前記チャージポンプ回路の故障の判定を、システム電圧と前記チャージポンプ回路の出力電圧とに基づいて行うことにより、或いは前記チャージポンプ回路の故障が判定されたときに、前記上段FETの各相デューティ指令値を制限するようになっていることにより、より効果的に達成される。本発明に係る電動パワーステアリング装置によれば、チャージポンプ回路とブートストラップ回路とを上段FETゲート駆動部の昇圧電源電圧として設け、電圧の高い方を昇圧電源として用いるようにしている。そして、どちらか一方の回路が故障等で上段FETゲート駆動部の電源電圧を生成できなくなった場合でも、他方の回路により昇圧電圧を継続的に供給することができる。そのため、単一故障によりFET駆動ができなくなるということを防止でき、電動パワーステアリング装置のアシスト制御を安定的に継続することができる。また、本発明の電動パワーステアリング装置によれば、チャージポンプ回路の故障異常を含むを判定し、チャージポンプ回路の故障判定時にデューティ指令値に対して最大値を制限するようにしている。そのため、デューティ指令値が大きくなることによりブートストラップによる電圧生成ができず、上段FETを駆動できなくなるような不具合の発生を防止でき、アシスト変動を防止することができる。本発明では、昇圧電源回路としてチャージポンプ回路及びブートストラップ回路の両方を設け、いずれか高い方の電圧を昇圧電源として使用するようにしている。そして、チャージポンプ回路又はブートストラップ回路のどちらか一方が単一故障異常を含むした場合でも、他方で昇圧電源を生成して継続供給できるようにしている。そのため、チャージポンプ回路又はブートストラップ回路のどちらか一方が単一故障した場合でも、アシスト制御を安定的に継続することができる。また、チャージポンプ回路はスイッチング回路とコンデンサ、ダイオードとで成り、コンデンサとダイオードで構成される簡易なブートストラップ回路に対して回路規模が大きくなるため、チャージポンプ回路を二重化するよりも回路規模を低減することができるメリットがある。以下に、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。本発明の構成例は、図2に対応させて示す図4のようになっており、上段FETゲート駆動部120の昇圧電源回路として、チャージポンプ回路130及びブートストラップ回路140を設けていると共に、デューティ演算部105Aで演算されるデューティ指令値D1~D3に最大値の制限をかけるためのデューティ制御部150を設けている。上段FETゲート駆動部120はU相上段ゲート駆動部121、V相上段ゲート駆動部122及びW相上段ゲート駆動部123で構成されており、U相上段ゲート駆動部121の昇圧電源電圧部にはダイオードD11及びD12が逆方向に接続され、V相上段ゲート駆動部122の昇圧電源電圧部にはダイオードD13及びD14が逆方向に接続され、W相上段ゲート駆動部123の昇圧電源電圧部にはダイオードD15及びD16が逆方向に接続されている。そのため、U相上段ゲート駆動部121にはダイオードD11又はダイオードD12の昇圧電圧の高い方から電圧が印加され、V相上段ゲート駆動部122にはダイオードD13又はダイオードD14の昇圧電圧の高い方から電圧が印加され、W相上段ゲート駆動部123にはダイオードD15又はダイオードD16の昇圧電圧の高い方から電圧が印加される。また、チャージポンプ回路130はスイッチング回路131と、ダイオードD21~D23の直列回路と、スイッチング回路131及びダイオードD21~D23の直列回路に並列接続されたコンデンサC21~C24とで構成されている。チャージポンプ回路130にはバッテリ電圧Vbから供給されるシステム電圧Vbsが印加され、出力電圧Vcpが上段FETゲート駆動部120内のダイオードD11,D13,D15に印加されると共に、電圧監視のためにスイッチング回路131に入力されている。ブートストラップ回路140は、システム電圧Vbsとインバータ106のU~W相の上下接続点との間にそれぞれ接続されたダイオードD31及びコンデンサC31の直列接続、ダイオードD32及びコンデンサC32の直列接続及びダイオードD33及びコンデンサC33の直列接続で、各相毎に構成されている。そして、コンデンサC31~C33の充電電圧がそれぞれ上段FETゲート駆動部120内のダイオードD12,D14,D16に印加されている。チャージポンプ回路130はバッテリ13から生成されたシステム電圧Vbsをスイッチング回路131により、並列接続されたコンデンサC21~C23へ充電、放電することでインバータ106のFET1~FET6の駆動に関わらず昇圧電圧Vcpを生成する。本実施形態のチャージポンプ回路130ではバッテリ電圧Vbを約3倍に昇圧することが可能な構成となっており、出力電圧Vcp=3×Vbs-Vfの電圧生成が可能である。なお、VfはダイオードD21~D23の電圧降下成分である。一般的にFETを駆動する場合、FETを確実にONさせるためには、ゲートソース間の電圧は10V以上が望ましい。そのため、スイッチング回路130は出力電圧Vcpを監視しており、出力電圧VcpがVbs12Vとなるようにスイッチング回路131をスイッチング動作させる。つまり、Vb12V以上の場合はスイッチング動作を止め、Vb12Vより小さい場合はスイッチング動作を行い、出力電圧VcpがVbs12Vとなるように動作する。一方、ブートストラップ回路140はU相を例にとると、インバータ106の下段FET6がONのときにダイオードD31を介してコンデンサC31にシステム電圧Vbsが充電される。つまり、上段FET1~FET3のソース電圧に対してダイオードD31の降下成分Vfだけ小さい電圧がコンデンサC31に充電される。そして、下段FET6がOFF、上段FET3がONした場合には、コンデンサC31の充電電圧はソース電圧、つまりシステム電圧Vbsとなる。上述のようにチャージポンプ回路130により生成された出力電圧Vcpと、ブートストラップ回路140により生成された出力電圧=2Vbs-Vrのいずれか高い方の電圧が、ダイオードD11及びD12の導通及び遮断作用により、安定的にU相上段FETゲート駆動部121の昇圧電源に供給される。Vrはダイオードの降下電圧である。他のV相、W相についても全く同様である。このように本発明では、チャージポンプ回路130又はブートストラップ回路140の高い方の電圧が昇圧電源電圧として使用されると共に、どちらか一方の昇圧電源回路が上段FETゲート駆動部121~123の昇圧電源電圧を生成できなくなった場合でも、他方の回路により昇圧電源電圧を供給することができるため、単一故障によりFET駆動ができなくなるということを防止でき、電動パワーステアリング装置のアシスト制御を安定的に継続することができる。ブートストラップ回路140を用いる場合、一定時間内に下段FET4~FET6をONさせないと、上段FET1~FET3をONする時間が長くなることによりブートストラップコンデンサの充電電圧が低下し、上段FET1~FET3を駆動することができなくなり、モータ20で電流を流すことができなくなる。そのため電流が変動し、アシスト変動となる可能性があるため、デューティ指令値D1~D3の制限が必要となる。しかしながら、チャージポンプ回路130はFET1~FET6のON/OFF動作に関わらず昇圧電圧Vcpを生成できるため、デューティ指令値D1~D3を制限する必要はない。本発明ではデューティ指令値D1~D3の最大値を制限するために、デューティ制御部150を設けている。即ち、デューティ制御部150はシステム電圧Vbsとチャージポンプ回路130の出力電圧Vcpとを入力し、チャージポンプ回路130が正常か否かを監視しており、チャージポンプ回路130が故障異常を含むと判定された場合には、デューティ制限指令Ldをデューティ演算部105Aに入力し、デューティ演算部105Aはデューティ指令値D1~D3の最大値を制限例えば最大90するようにしている。図5はデューティ制御部150の動作例を示しており、先ずシステム電圧Vbsとチャージポンプ回路130の出力電圧Vcpとを入力しステップS1、出力電圧VcpがVbs12Vより小さいか否かを判定するステップS2。出力電圧VcpがVbs12Vより小さい場合はFETを正常に駆動することができないので、チャージポンプ回路130の故障と判定するステップS3。チャージポンプ回路130が正常な場合には、デューティ指令値の制限が発生することはない。しかしながら、チャージポンプ回路130が故障の場合には上述のようにデューティ指令値の制限が必要になるので、デューティ制御部150はチャージポンプ回路130の故障を判定した場合には、デューティ制限指令Ldをデューティ演算部105Aに入力し、デューティ指令値D1~D3の最大値を制限例えば最大90するステップS4。このようにチャージポンプ回路130の故障を判定し、チャージポンプ回路130の故障時にデューティ指令値の制限をかけることにより、デューティ指令値が大きくなることによりブートストラップによる電圧生成ができず、上段FETが駆動できなくなることを防止できるため、アシスト変動を防止することができる。なお、上述では3相モータについて説明したが、本発明は2相その他のモータについても同様に適用することができる。また、上述では補償部が設けられた電動パワーステアリング装置を説明しているが、補償部は必ずしも必要なものではない。"