"入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする光干渉素子の測定方法。さらに、前記第2の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第2の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を実施し、前記4つのステップで得られた出力カプラの出力状態を用いて、前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差を得るステップと、を含むことを特徴とする請求項1記載の光干渉素子の測定方法。前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差を小さくするための初期バイアス値を取得するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2記載の光干渉素子の測定方法。前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差に基づいて、前記第1の半導体アームにDATA信号を入力しかつ前記第2の半導体アームに前記DATA信号と差動の関係を有するBAR信号を入力する際に、前記DATA信号ON入力時に前記第1の半導体アームを通過した光と前記第2の半導体アームを通過した光との位相差が2nπであり、前記DATA信号OFF入力時に前記第1の半導体アームを通過した光と前記第2の半導体アームを通過した光との位相差が2n1πになるように、前記DATA信号および前記BAR信号のセンターバイアスを取得するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2記載の光干渉素子の測定方法。前記光干渉素子は、マッハツェンダ変調器であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光干渉素子の測定方法。前記光吸収特性は、前記光透過状態に比べて20dB以上の光吸収率であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光干渉素子の測定方法。前記光透過状態は、前記アームを無バイアス状態とすることで実現するものであることを特徴とする請求項1~6いずれかに記載の光干渉素子の測定方法。入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームを含む複数の半導体アームと、前記複数の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームを光透過状態にせしめ、前記第1および第2の半導体アーム以外のアームを光吸収状態にせしめた後に、前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームおよび前記第1および第2のアーム以外のアームを光吸収状態にせしめた後に前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする光干渉素子の測定方法。前記光吸収状態は、前記光透過状態に比べて20dB以上の光吸収率であることを特徴とする請求項8に記載の光干渉素子の測定方法。前記光透過状態は、前記アームを無バイアス状態とすることで実現するものであることを特徴とする請求項8または9いずれかに記載の光干渉素子の測定方法。入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記複数の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、第1の半導体アームを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で、前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記複数の半導体アームのうち、第2の半導体アームが無バイアスの状態で、前記複数の半導体アームのうち、第1の半導体アームと第2の半導体アームを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で、前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする光干渉素子の測定方法。入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームに、前記光吸収特性を生じるバイアスを印加した場合よりも20dB以上ロスが少ない状態を実現するバイアスを印加した状態で、前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする光干渉素子の測定方法。光干渉素子のアームは全く同じ光学長を有していることが理想であるが、実際には製造バラツキに起因して個体差が生じている。このようなバラツキを把握してアームの光学特性を得ることは、光干渉素子の駆動条件の設定工数などの簡略化に寄与する。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、アームの光学特性を得ることができる光干渉素子の測定方法を提供することを目的とする。本発明に係る光干渉素子の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。本発明に係る光干渉素子の測定方法によれば、アームの光学特性を得ることができる。上記測定方法は、さらに、前記第2の半導体アームを光透過状態にせしめた後に前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第2の半導体アームを前記光透過状態に比べて大きな光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を実施し、前記4つのステップで得られた出力カプラの出力状態を用いて、前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差を得るステップと、を含んでいてもよい。前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差を小さくするための初期バイアス値を取得するステップをさらに含んでいてもよい。上記測定方法は、前記第1および第2の半導体アームの光学特性の差に基づいて、前記第1の半導体アームにDATA信号を入力しかつ前記第2の半導体アームに前記DATA信号と差動の関係を有するBAR信号を入力する際に、前記DATA信号ON入力時に前記第1の半導体アームを通過した光と前記第2の半導体アームを通過した光との位相差が2nπであり、前記DATA信号OFF入力時に前記第1の半導体アームを通過した光と前記第2の半導体アームを通過した光との位相差が2n1πになるように、前記DATA信号および前記BAR信号のセンターバイアスを取得するステップをさらに含んでいてもよい。前記光干渉素子は、マッハツェンダ変調器としてもよい。前記光吸収特性は、前記光透過状態に比べて20dB以上の光吸収率としてもよい。前記光透過状態は、前記アームを無バイアス状態とすることで実現してもよい。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームを含む複数の半導体アームと、前記複数の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームを光透過状態にせしめ、前記第1および第2の半導体アーム以外のアームを光吸収状態にせしめた後に、前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームおよび前記第1および第2のアーム以外のアームを光吸収状態にせしめた後に前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法によれば、アームの光学特性を得ることができる。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記複数の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、第1の半導体アームを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で、前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記複数の半導体アームのうち、第2の半導体アームが無バイアスの状態で、前記複数の半導体アームのうち、第1の半導体アームと第2の半導体アームを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で、前記第1の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法によれば、アームの光学特性を得ることができる。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された第1および第2の半導体アームと、前記第1および第2の半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の測定方法であって、前記第1の半導体アームに光吸収特性を生じるバイアスを印加した状態で前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、前記第1の半導体アームに、前記光吸収特性を生じるバイアスを印加した場合よりも20dB以上ロスが少ない状態を実現するバイアスを印加した状態で、前記第2の半導体アームのバイアスをスイープし、前記出力カプラの出力状態を得るステップと、を含むことを特徴とする。本発明に係る光干渉素子の他の測定方法によれば、アームの光学特性を得ることができる。本発明に係る光干渉素子の測定方法によれば、アームの光学特性を得ることができる。以下、本発明を実施するための形態を説明する。図1aは、実施例1に係る測定方法の対象とする光干渉素子100の上面模式図の例である。本実施例においては、光干渉素子100は、一例としてマッハツェンダ変調器である。図1aに示すように、光干渉素子100は、半導体基板上のメサ状の光導波路の経路を組み合わせて構成される。なお、図1aにおいては、各光導波路が透過して見えている。図1bは、図1aのA-A間の断面模式図の例であり、図1cは、図1aのB-B間の断面模式図の例である。図1bを参照して、光導波路は、半導体基板41上に形成されている。光導波路は、半導体基板41上において、下クラッド層42a、コア43、上クラッド層42bがこの順にメサ状に積層された構造を有している。半導体基板41の上面、光導波路の上面および側面には、パッシベーション膜44および絶縁膜45が順に積層されている。半導体基板41は、InPなどの半導体からなる。下クラッド層42aおよび上クラッド層42bは、InPなどの半導体からなる。コア43は、下クラッド層42aおよび上クラッド層42bよりもバンドギャップエネルギが小さい半導体からなり、InGaAsP系バルク層、AlGaInAsP系量子井戸構造層などである。コア43を通過する光は、下クラッド層42aおよび上クラッド層42bによって閉じ込められる。パッシベーション膜44は、InPなどの半導体からなる。絶縁膜45は、SiNなどの絶縁体からなる。図1aを参照して、光干渉素子100には、第1入力端31aに接続された第1入力光導波路32aが設けられ、第2入力端31bに接続された第2入力光導波路32bが設けられている。第1入力光導波路32aおよび第2入力光導波路32bは、入力カプラ33で合流し、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bに分岐する。光干渉素子100の長手方向を対称軸とした場合に、第1半導体アーム34aは第1入力端31aと同じ側に配置され、第2半導体アーム34bは第2入力端31bと同じ側に配置されている。本実施例においては、入力カプラ33は、2×2のMMIMaltiModeInterferenceである。第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bは出力カプラ35で合流し、第1出力端37aに接続された第1出力光導波路36aと、第2出力端37bに接続された第2出力光導波路36bとに分岐する。光干渉素子100の長手方向を対称軸とした場合に、第1出力端37aは第2半導体アーム34bと同じ側に配置され、第2出力端37bは第1半導体アーム34aと同じ側に配置されている。本実施例においては、出力カプラ35は、2×2のMMIである。第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bのそれぞれには、位相調整用電極46および変調用電極47が設けられている。位相調整用電極46および変調用電極47は、互いに離間している。位相調整用電極46および変調用電極47の位置関係は特に限定されるものではないが、本実施例においては、位相調整用電極46は変調用電極47よりも光入力端側に配置されている。図1cを参照して、変調用電極47は、上クラッド層42b上において、コンタクト層49を介して配置されている。コンタクト層49は、InGaAsなどの半導体からなる。なお、上クラッド層42bとコンタクト層49との間には、パッシベーション膜44および絶縁膜45は設けられていない。また、位相調整用電極46および変調用電極47は、Auなどの金属からなる。位相調整用電極46も、変調用電極47と同様に、上クラッド層42b上においてコンタクト層49を介して配置されている。各位相調整用電極46および各変調用電極47に電圧が印加されると、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bにおいてコア43の屈折率が変化し、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bを通過する光の位相が変化する。光干渉素子100を変調器として用いる場合には、各変調用電極47に差動信号DATA信号およびBAR信号が入力され、各位相調整用電極46には第1半導体アーム34aを通過した光と第2半導体アーム34bを通過した光との位相差を調整するためのDC電圧が印加される。光干渉素子100を使用するにあたって、クロスポイント調整を行う必要がある。通常のクロスポイント調整では、出力カプラに2×2MMIを利用している場合、出力カプラの2つの出力光強度が等しくなるように、各位相調整用電極46へのバイアス電圧を調整する。具体的には、出力カプラの2つの出力光強度を検知しつつ、各位相調整用電極46に対するバイアス電圧を変化させる。まず、両アームの位相調整用電極ともゼロバイアスとし、そのときに得られる2つの出力光強度の大小関係を得ることによって調整対象のアームを決定し、徐々に当該アームの位相調整用電極46の値を調整する。すなわち、通常のクロスポイント調整は実測しながらのチューニングであるため、精度を上げるには時間のかかる作業になる。そこで、本実施例においては、効率よくアームの光学特性を得ることによって、クロスポイント調整などの初期状態チューニングを容易とする測定方法について説明する。第1半導体アーム34aに印加する電圧を0V無バイアスに設定し、第2半導体アーム34bに印加する電圧を掃引することによって、第1半導体アーム34aを通過した光と第2半導体アーム34bを通過した光の位相差に起因する干渉効果と、電圧印加で生じるロス損失に起因する電界振幅の変化の効果とが相互に加わって第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの光出力が変化する。一方、第1半導体アーム34aに十分に大きい逆バイアスを印加して第1半導体アーム34aに光を吸収させ、第2半導体アーム34bに印加する電圧を掃引することによって、光干渉素子100の干渉効果が排除される。それにより、光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの光出力において、第2半導体アーム34bに印加される印加電圧とロスとの関係が得られる。これら2つの工程で得られる関係を比較することによって、Fitting関数を仮定することなく、第1半導体アーム34aにおける印加電圧とロスとの関係、印加電圧と位相との関係などが得られる。第2半導体アーム34bに対しても同様の2工程を実施することによって、Fitting関数を仮定することなく、第2半導体アーム34bにおける印加電圧とロスとの関係、印加電圧と位相との関係などが得られる。また、これらの4つの工程で得られる関係を比較することによって、各アームからの寄与比などを算出することができる。以下、具体的な数式を用いて説明する。まず、光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの光出力のうち、第1半導体アーム34aを通って出力される電界E1V1は、下記式1のように表される。式1において、V1は、第1半導体アーム34aに印加される電圧を示す。E01は、V1=0Vとした場合の電界振幅を示す。α1V1は、第1半導体アーム34aに電圧V1を印加した場合のロスを示す。したがって、α10V=0である。θ1V1は、第1半導体アーム34aに電圧V1を印加した場合の位相変化量を示す。したがって、θ10V=0である。同様に、第2半導体アーム34bを通って出力される電界E2V2は、下記式2のように表される。式2において、V2は、第2半導体アーム34bに印加される電圧を示す。E02は、V2=0Vとした場合の電界振幅を示す。α2V2は、第2半導体アーム34bに電圧V2を印加した場合のロスを示す。したがって、α20V=0である。θ2V2は、第2半導体アーム34bに電圧V2を印加した場合の位相変化量を示す。したがって、θ20V=0である。以上のことから、第1半導体アーム34aに電圧V1を印加しかつ第2半導体アーム34bに電圧V2を印加した場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力の電界EoutV1,V2は、下記式3のように表される。したがって、第1半導体アーム34aに電圧V1を印加しかつ第2半導体アーム34bに電圧V2を印加した場合の光干渉素子100の出力光強度PoutV1,V2は、下記式4のように表される。以上のことから、光干渉素子100の特性を検査するためには、E01,α1V1,E02,α2V2,およびθ1V1-θ2V2の5個のパラメータが把握されればよい。ところで、半導体アームに逆バイアスを印加することによって、当該半導体アームに光を吸収させることができる。図2は、半導体アームに印加する逆バイアスと、半導体アームを通過した光の光強度との関係を示す。図2に示すように、半導体アームに十分に大きい逆バイアス例えば-10Vを印加することによって、半導体アームにおける光吸収を-30dB程度にすることができる。したがって、第1半導体アーム34aに十分に大きい逆バイアスV1=-10Vを印加した場合、exp-α1V1≒0のように近似することができる。したがって、Pout-10V,V2は、下記式5のように表すことができる。以上のことから、上記5個のパラメータのうち、E02およびα2V2については、V1を-10Vに固定し、V2を0Vから-10Vまでスイープした場合の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの光出力の測定値Pout-10V,V2を用いて、下記式6および下記式7のように表すことができる。同様に、E01,α1V1については、V2を-10Vに固定し、V1を0Vから-10Vまでスイープした場合の光出力の測定値PoutV1,-10Vを用いて、下記式8および下記式9のように表すことができる。上記式6~9を用いれば、上記5個のパラメータのうち残りのθ1V1-θ2V2は、測定値PoutV1,V2を用いて下記式10のように表すことができる。θ1V1は、V2を0Vにして無バイアス、V1をスイープ例えば0V~-10Vすることによって測定値から導出することができる。θ2V2は、V1を0Vにして無バイアス、V2をスイープ例えば0V~-10Vすることによって測定値から導出することができる。したがって、Fitting関数を仮定することなく、光干渉素子100の特性を決定する6個のパラメータE01,α1V1,E02,α2V2,θ1V1,θ2V2を、光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度の測定値から求めることができる。したがって、実際の測定値を用いて、光干渉素子100の特性を測定することができる。以上のことから、本実施例において取得すべき測定値は以下の4種類である。1第1半導体アーム34aに十分に大きい逆バイアス例えば-10V程度を印加し、第2半導体アーム34bに印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度。2第1半導体アーム34aに0Vの電圧を印加し無バイアス、第2半導体アーム34bに印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度。3第2半導体アーム34bに十分に大きい逆バイアス例えば-10V程度を印加し、第1半導体アーム34aに印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度。4第2半導体アーム34bに0Vの電圧を印加し無バイアス、第1半導体アーム34aに印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度。図3a~図3dは、上記1~4の出力光強度とスイープした逆バイアスとの関係を示す一例である。図3aは上記1に対応し、図3bは上記2に対応し、図3cは上記3に対応し、図3dは上記4に対応する。以上の4つの測定値から、各半導体アームへ印加される電圧と位相との関係が計算される。図4は、実際の計算例である。このように、各半導体アームへ印加される電圧と位相との関係が求められると、両半導体アームの光学特性の差を得ることができる。この光学特性の差を得ることによって、光干渉素子100を差動駆動する場合のバイアスの設定が容易になる。例えば、上記光学特性の差を小さくするための初期バイアス値を取得しておくことによって、クロスポイント調整が容易となる。図5は、両半導体アームの光学特性の差を得る際のフローの一例を示す図である。図5に示すように、まず、光干渉素子100の第1入力端31aに光を入力するステップS1。次に、第1半導体アーム34aの位相調整用電極46に十分に大きい逆バイアス例えば-10V程度を印加し、第2半導体アーム34bの位相調整用電極46に印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度を測定するステップS2。次に、第1半導体アーム34aの位相調整用電極46を無バイアスとし、第2半導体アーム34bに印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度を測定するステップS3。次に、第2半導体アーム34bの位相調整用電極46に十分に大きい逆バイアス例えば-10V程度を印加し、第1半導体アーム34aの位相調整用電極46に印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度を測定するステップS4。次に、第2半導体アーム34bの位相調整用電極46を無バイアスとし、第1半導体アーム34aの位相調整用電極46に印加する電圧をスイープ例えば0V~-10Vした場合の光干渉素子100の第1出力端37aもしくは第2出力端37bの何れか片方からの出力光強度を測定するステップS5。次に、両半導体アームの光学特性を得るステップS6。なお、以上においては、アームを無バイアスにすることで、光透過状態を実現しているが、ある程度のバイアスを印加することで、光透過状態を実現することも可能である。たとえば、図3aおよび図3bに示すように、-5Vを印加した場合と無バイアス0Vの場合とでは、アームのロスは殆ど変わらず、バイアスを印加している側のアーム-10Vとのロスの差が十分に大きい。したがって、無バイアスにする代わりにある程度の逆バイアスたとえば-5V程度を印加しても、本発明の所期の効果を得ることができる。以上の手順により、第1半導体アーム34aおよび第2半導体アーム34bの光学特性を得ることができる。また、第1半導体アーム34aの光学特性と第2半導体アーム34bの光学特性の差を用いることによって、光干渉素子100を差動駆動する場合のバイアスの設定が容易になる。ここで、DATA側光とBAR側光の位相差に基づく出力光の論理について説明する。図6aは、DATA信号を表す。DATA信号は、DATAONHighとDATAOFFLowとを繰り返す信号である。BAR信号は、DATA信号との間に差動の関係を有している。したがって、一方の半導体アームにHighが入力されるときは他方の半導体アームにはLowが入力され、一方の半導体アームにLowが入力されるときは他方の半導体アームにはHighが入力される。本実施例においては、DATA信号は、第1半導体アーム34aの変調用電極47に入力され、BAR信号は、第2半導体アーム34bの変調用電極47に入力される。また、第1出力端37aから出力される光を出力光として用いる。図6bは、DATA信号が入力された半導体アームの位相変化およびBAR信号が入力された半導体アームの位相変化を示す。図6bにおいて、実線はDATA信号に対応する位相変化を表し、破線はBAR信号に対応する位相変化を表す。図6cは、光干渉素子100の第1出力端37aから出力される出力光強度を表す。図6bおよび図6cに示すように、入力信号と光出力との論理を一致させるためには、DATAON入力時にDATA信号入力側アームの光とBAR信号入力側アームの光の位相差が2nπnは整数であり、DATAOFF入力時にDATA信号入力側アームの光とBAR信号入力側アームの光の位相差が2n1πnは整数になる必要がある。このように、論理の一致を得るためには、両アームのセンターバイアスを適切に設定する必要がある。なお、図6bの例では、DATAON入力時に第1半導体アーム34aを通過した光と第2半導体アーム34bを通過した光との位相差が0であり、DATAOFF入力時に当該位相差がπになる場合に入力信号と光出力との論理が一致する場合を示している。そこで、各半導体アームの駆動振幅電圧Vppを一定にし、両アームのバイアスを各々設定することによって良好なアイパターンを得る例について説明する。差動駆動する場合のDATA信号のONレベルの電圧VDATA_ONおよびBAR信号のONレベルの電圧VBAR_ONは、振幅電圧VppとDATA信号のセンターバイアス電圧VDATAとBAR信号のセンターバイアス電圧VBARとを用いて、下記式11および下記式12のように表すことができる。同様に、DATA信号のOFFレベルの電圧VDATA_OFFおよびBAR信号のOFFレベルの電圧VBAR_OFFは、下記式13および下記式14のように表すことができる。DATA信号が印加された半導体アームを通過した後の光の位相をθDATAVとし、BAR信号が印加された半導体アームを通過した後の光の位相をθBARVとすると、ONレベルの位相は、それぞれ下記式15および下記式16のように表すことができる。光干渉素子100の出力光は、ONレベルで強めあうため、θDATAVDATA_ON=θBARVBAR_ONとなる。本実施例においては、このONレベルの位相θONを下記式17のように定義する。一方、光干渉素子100の出力光は、OFFレベルで弱めあうため、下記式18が導かれる。以上のことから、各半導体アームにおける印加電圧と位相との関係があらかじめ得られている場合、以下に述べる手順でDATA信号のセンターバイアス電圧VDATAおよびBAR信号のセンターバイアス電圧VBARを求めることができる。それにより、入力信号と光出力との論理を一致させることができる。まず、ある位相をONレベルの位相θONと仮定する。次に、位相θONを得るための各半導体アーム印加電圧と位相との関係から、VDATA_ONおよびVBAR_ONが求まる。次に、VDATA_ONおよびVBAR_ONから、VDATA_OFF=VDATA_ON-VppとVBAR_OFF=VBAR_ONVppとが求まる。それにより、各半導体アームのOFFレベルの位相θDATAVDATA_OFFとθBARVBAR_OFFとが求まる。次に、θDATAVDATA_OFFおよびθBARVBAR_OFFに、θDATAVDATA_OFF-θBARVBAR_OFF=πが成立するようなθONを探す。次に、θDATAVDATA_OFF-θBARVBAR_OFF=πが成立するVDATA_OFFおよびVBAR_OFFから、各半導体アームに印加するセンターバイアス電圧VDATA=VDATA_OFFVpp/2とVBAR=VBAR_OFF-Vpp/2とが求まる。他の例上記実施例においては、初期状態チューニングのうちクロスポイント調整について述べたが、初期状態チューニングには他のチューニングも含まれる。例えば、出力カプラに2×2MMIを用いる場合、片方の出力が最大で他方の出力が最低ゼロを初期状態とするチューニングも含まれる。また、出力カプラに2×1MMIを用いる場合、変調電極を差動駆動する場合は、MMIの出力1本が最大と最低の中間値になるようにするチューニングも含まれる。もちろん、2×1MMIにおいて、出力が最大値あるいは最低値になるように制御された状態を初期状態とする場合もある。本発明は、両アームの光学特性の差が正確に取得できるため、これらの他のチューニングにも本発明を適用することができる。なお、本発明の適用によって得られらるバイアス値を、実際のクロスポイントを確認しながら最適化することもできる。この場合、クロスポイントに近いバイアスからの調整になるため、調整が容易になる。上記実施例においては、光干渉素子としてマッハツェンダ変調器を用いたが、入力カプラと複数の半導体アームと出力カプラとを備える光干渉素子であれば本発明を適用することができる。例えば、光周波数ダブラなどに本発明を適用することができる。さらに2より多いアームを有する光干渉素子においても、本発明を適用することができる。その場合、本発明にしたがって、光透過状態と光吸収状態の制御をなすアーム以外のアームは、全て光吸収状態になるように制御すればよい。また、上記実施例においては、入力カプラおよび出力カプラとしてMMIを用いているが、方向性結合器を用いてもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"