"下記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物を少なくとも一種含有してなる有機半導体材料。R1及びR1が炭素原子数10~30の無置換アルキル基又は炭素原子数10~30の置換アルキル基を表す請求項1に記載の有機半導体材料。上記無置換アルキル基及び上記置換アルキル基が分岐構造を有する請求項1又は2に記載の有機半導体材料。R1及びR1が上記無置換アルキル基である請求項1~3の何れか一項に記載の有機半導体材料。請求項1~4の何れか一項に記載の有機半導体材料を製膜してなる有機半導体層。請求項5に記載の有機半導体層を少なくとも1層有する有機半導体素子。従って、本発明の目的は、優れた溶解性を有し、且つ高いキャリア移動度を発現できる有機半導体材料、並びにそれを用いた有機半導体層及び有機半導体素子を提供することにある。本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物が優れた溶解性を有しており、該ペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含有してなる有機半導体材料は、塗工プロセスに適していることを見出した。さらに検討を進めた結果、該有機半導体材料が、高いキャリア移動度を示すことを知見し、これを用いて有機半導体素子を製造することにより、上記目的を解決し得ることを知見した。本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、下記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物を少なくとも一種含有してなる有機半導体材料を提供するものである。また、本発明は、上記有機半導体材料を製膜してなる有機半導体層を提供するものである。また、本発明は、上記有機半導体層を少なくとも1層有する有機半導体素子を提供するものである。本発明によれば、優れた溶解性を有し、且つ高いキャリア移動度を発現できる有機半導体材料を提供することができる。本発明の有機半導体材料を用いれば、優れた溶解性により、半導体製造における塗工プロセスが容易になり、且つ、高いキャリア移動度により、素子の高性能化を実現できる。以下、本発明のペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を少なくとも一種含有してなる有機半導体材料、有機半導体層、及び有機半導体素子について、好ましい実施形態に基づき詳細に説明する。本発明の有機半導体材料に用いられるペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物は、上記一般式Iで表される化合物であり、ペリレン骨格が無置換であり、溶解性に優れるものである。上記一般式Iにおいて、R1とR1は同一でもよく、互いに異なっていてもよい。上記一般式IにおけるR1、R1で表される炭素原子数1~30の無置換アルキル基は、直鎖アルキル基でも分岐アルキル基でもよく、また環状アルキル基でもよい。該無置換アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、t-ヘプチル、n-オクチル、イソオクチル、t-オクチル、n-ノニル、n-デシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-へプタデシル、n-オクタデシル、1-エチルヘキシル、2-エチルヘキシル、3-エチルヘキシル、1-ブチルオクチル、2-ブチルオクチル、3-ブチルオクチル、1-ヘキシルデシル、2-ヘキシルデシル、3-ヘキシルデシル、1-デシルテトラデシル、2-デシルテトラデシル、3-デシルテトラデシル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル等が挙げられる。これらの中でも、1-エチルヘキシル、2-エチルヘキシル、3-エチルヘキシル、1-ブチルオクチル、2-ブチルオクチル、3-ブチルオクチル、1-ヘキシルデシル、2-ヘキシルデシル、3-ヘキシルデシル、1-デシルテトラデシル、2-デシルテトラデシル、3-デシルテトラデシル等の分岐アルキル基が好ましい。上記一般式IにおけるR1、R1で表される炭素原子数1~30の置換アルキル基としては、上記無置換アルキル基を置換してなるものが挙げられる。上記無置換アルキル基を置換する置換基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブチルオキシ、第二ブトキシ、第三ブトキシ、イソブトキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、n-オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアルコキシ基;メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソアミルチオ、第三アミルチオ、ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘプチルチオ、第三ヘプチルチオ、n-オクチルチオ、イソオクチルチオ、第三オクチルチオ、2-エチルヘキシルチオ等のアルキルチオ基;フェニル、ナフチル等のアリール基;フェノキシ、ナフチルオキシ等のアリールオキシ基;フェニルチオ、ナフチルチオ等のアリールチオ基;ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ピペリジル、ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、2-ピロリジノン-1-イル、2-ピペリドン-1-イル、2,4-ジオキシイミダゾリジン-3-イル、2,4-ジオキシオキサゾリジン-3-イル等の複素環基;アセチル、2-クロロアセチル、プロピオニル、オクタノイル、アクリロイル、メタクリロイル、フェニルカルボニルベンゾイル、フタロイル、4-トリフルオロメチルベンゾイル、ピバロイル、サリチロイル、オキザロイル、ステアロイル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、t-ブトキシカルボニル、n-オクタデシルオキシカルボニル、カルバモイル等のアシル基;アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基;アミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、シクロペンチルアミノ、2-エチルヘキシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、N-メチル-アニリノ、ジフェニルアミノ,ナフチルアミノ、2-ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、カルバモイルアミノ、N,N-ジメチルアミノカルボニルアミノ、N,N-ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t-ブトキシカルボニルアミノ、n-オクタデシルオキシカルボニルアミノ、N-メチル-メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、スルファモイルアミノ、N,N-ジメチルアミノスルホニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ等の置換されていてもよいアミノ基;フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;スルホンアミド基、スルホニル基、カルボキシル基、シアノ基、スルホ基、水酸基、ニトロ基、メルカプト基、イミド基、カルバモイル基、ビニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基が挙げられ、好ましくはハロゲン原子である。尚、炭素原子を有する置換基で置換される場合は、該置換基を含めたR1、R1で表される基全体の炭素原子数が30以下の範囲を満たすものとする。また、置換アルキル基の場合も、分岐構造を有するものであることが好ましい。上記一般式Iで表されるペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の中でも、R1が下記一般式II~IVのいずれかで表されるアルキル基であり且つR1’が下記一般式II~IVのいずれかで表されるアルキル基である化合物が好ましい。更に、下記一般式II~IV中のRa及びRb並びに下記一般式II~IV中のRa及びRbが置換基を有しないものは、原料の入手が容易であるためより好ましい。また、上記一般式IにおけるR1及び/又はR1’が1以上のフッ素原子で置換されたアルキル基であるものは、有機半導体素子にしたときの素子の大気中における安定性が高いため好ましい。また、上記一般式IにおけるR1及びR1’の炭素原子数が10~30、特に10~25の化合物は、有機半導体素子にしたときのキャリア移動度にとりわけ優れるため好ましい。また、上記一般式IにおけるR1及びR1’が無置換アルキル基であるものは、結晶性の向上と分子間相互作用の増大の観点から好ましい。上記一般式Iで表される、本発明に用いられるペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の具体例としては、下記化合物No.1~No.26が挙げられるが、これらの化合物に制限されない。上記一般式Iで表されるペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物は、何れも、その製造方法に制限されず、周知一般の反応を利用した方法で得ることができる。例えば、下記反応ルートの如く、ペリレンテトラカルボン酸二無水物とアミンとの反応で製造可能である。本発明の有機半導体材料は、上記ペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を少なくとも一種含有していれば良い。即ち、本発明の有機半導体材料は、一種又は二種以上の上記ペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物のみからなっていてもよいし、上記ペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物に加えて、必要に応じて一種又は二種以上の溶媒等を含有してもよい。上記溶媒としては、特に制限されないが、例えば、水、アルコール系溶剤、ジオール系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、脂肪族又は脂環族炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、シアノ基を有する炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素系溶剤、その他の溶剤等が挙げられる。上記アルコール系溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、1-ブタノール、イソブタノール、2-ブタノール、第3ブタノール、ペンタノール、イソペンタノール、2-ペンタノール、ネオペンタノール、第3ペンタノール、ヘキサノール、2-ヘキサノール、ヘプタノール、2-ヘプタノール、オクタノール、2―エチルヘキサノール、2-オクタノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロヘプタノール、メチルシクロペンタノール、メチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘプタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングルコールモノエチルエーテル、ジエチレングルコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、2-N,N-ジメチルアミノエタノール、3N,N-ジメチルアミノプロパノール等が挙げられる。上記ジオール系溶剤としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,2-ブタンジオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、イソプレングリコール3-メチル-1,3-ブタンジオール、1,2-ヘキサンジオール、1,6-ヘキサンジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、1,2-オクタンジオール、オクタンジオール2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、2-ブチル-2-エチル-1,3-プロパンジオール、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール、1,2-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、メチルヘキシルケトン、エチルブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等が挙げられる。上記エステル系溶剤としては、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸第2ブチル、酢酸第3ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸第3アミル、酢酸フェニル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピオン酸第2ブチル、プロピオン酸第3ブチル、プロピオン酸アミル、プロピオン酸イソアミル、プロピオン酸第3アミル、プロピオン酸フェニル、2-エチルヘキサン酸メチル、2-エチルヘキサン酸エチル、2-エチルヘキサン酸プロピル、2-エチルヘキサン酸イソプロピル、2-エチルヘキサン酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノ第2ブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、ブチレングリコールモノ第3ブチルエーテルアセテート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、オキソブタン酸メチル、オキソブタン酸エチル、γ-ラクトン、マロン酸ジメチル、コハク酸ジメチル、プロピレングリコールジアセテート、δ-ラクトン等が挙げられる。上記エーテル系溶剤としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、モルホリン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、ジオキサン等が挙げられる。上記脂肪族又は脂環族炭化水素系溶剤としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカリン、ソルベントナフサ、テレピン油、D-リモネン、ピネン、ミネラルスピリット、スワゾール310コスモ松山石油株、ソルベッソ100エクソン化学株等が挙げられる。上記芳香族炭化水素系溶剤としては、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、ジエチルベンゼン、クメン、イソブチルベンゼン、シメン、テトラリン等が挙げられる。上記シアノ基を有する炭化水素溶剤としては、アセトニトリル、1-シアノプロパン、1-シアノブタン、1-シアノヘキサン、シアノシクロヘキサン、シアノベンゼン、1,3-ジシアノプロパン、1,4-ジシアノブタン、1,6-ジシアノヘキサン、1,4-ジシアノシクロヘキサン、1,4-ジシアノベンゼン等が挙げられる。上記ハロゲン化炭化水素系溶媒としては、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等が挙げられる。上記その他の有機溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、アニリン、トリエチルアミン、ピリジン、2硫化炭素等が挙げられる。これらのうちでも、好ましい溶媒としては、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等が挙げられる。本発明の有機半導体材料に上記溶媒を含有させる場合、その含有量は、該有機半導体材料を用いた有機半導体層の形成に支障が生じない限り特に制限されるものではないが、例えば、上記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物100質量部に対し100質量部以上の範囲から適宜選択することができ、500~1000000質量部の範囲から選択することが望ましい。しかしながら、上記ペリレンカルボン酸ジイミド化合物は溶解性が高いため、溶媒の含有量が比較的少量であっても、塗工性が良好で且つ有機半導体層の作製効率の良い有機半導体材料とすることができる。この観点からすると、上記溶媒の含有量は、上記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物100質量部に対し、好ましくは100~100000質量部、さらに好ましくは7000~20000質量部の範囲から選択することが望ましい。本発明の有機半導体材料には、さらに任意成分として、有機半導体素子における有機半導体層の形成に使用可能な成分を特に制限なく使用することができる。該任意成分の例としては、金属酸化物等が挙げられる。これらの任意成分を含有させる場合、特に制限されるものではないが、有機半導体層の機能を損ねない観点から、上記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物100質量部に対し30質量部以下の範囲とすることが好ましい。本発明の有機半導体材料は、有機電界発光素子、光電変換素子、有機薄膜トランジスタOFET素子等の半導体素子における有機半導体層の形成に有用である。本発明の有機半導体層は、本発明の有機半導体材料を製膜してなる薄膜である。本発明の有機半導体層は、その形成に本発明の有機半導体材料を使用する点以外は、従来の有機半導体層と同様とすることができる。本発明の有機半導体層の形成は、通常、支持体上で行われる。本発明の有機半導体層は、支持体上に形成されたままであってもよいし、また、任意に支持体を取り除き有機半導体層の単独層とされていても良い。尚、本発明の有機半導体材料が上記溶媒を含む場合は、本発明の有機半導体層は、溶媒を取り除く工程を経た層である。本発明の有機半導体層を製造する方法としては、例えば、蒸着法、物理気相成長法PVD、化学気相成長法CVD、原子層堆積法ALD、原子層エピタキシー法ALE、分子線エピタキシー法MBE、気相エピタキシー法VPE、スパッタ法、プラズマ重合法等のドライプロセス;ディップコート法、キャスト法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スピンコート法、LB法、印刷法、インクジェット法或いはエクストルージョンコート法等のウェットプロセスによって支持体上に塗膜形成する方法が挙げられる。スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、インクジェット法、印刷法等は、簡便に有機半導体層を製造できるため好ましい。尚、上記ドライプロセスにおいては、上記一般式Iで表されるペリレンカルボン酸ジイミド化合物そのもの又は該化合物を上記溶媒中に溶解若しくは分散した溶液の形態の本発明の有機半導体材料が適宜用いられる。上記ウェットプロセスにおいては、上記溶液の形態の本発明の有機半導体材料が用いられる。本発明の有機半導体層の膜厚は特に制限されないが、一般的に1nm~100μmであり、更に好ましくは1nm~500nmである。膜厚が1nmより小さい場合、膜に欠陥が生じやすくなり、100μmより大きい場合、リーク電流が増加するため好ましくない。本発明の有機半導体層は常法によりドーピング処理されていても良く、有機半導体層の形成時又は形成後にドーパントを導入してもよい。上記ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、金属酸化物、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン等のドナー性ドーパント、ハロゲン化合物、遷移金属化合物、電解質アニオン等のアクセプター性ドーパントが挙げられる。上記支持体としては、特に限定されないが、例えば、ガラス、樹脂基板、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等が挙げられる。本発明の有機半導体素子は、本発明の有機半導体層を少なくとも1層有していれば特に限定されるものではなく、この点を除いては従来の有機半導体素子と同様とすることができる。本発明の有機半導体素子の構成例を、図1及び図2に断面図として示す。図1aはボトムゲート-トップコンタクト型を表し、図1bはボトムゲート-ボトムコンタクト型を表し、図1c及びdはトップゲート-ボトムコンタクト型を表し、図1e及びfはボトムゲート-トップボトムコンタクト型を表し、図1gは縦型静電誘導トランジスタSIT:StaticInductionTransistorを表す。図2は、図1aのボトムゲート-トップコンタクト型の変形例である。図1及び図2において、11が本発明の有機半導体層である。ゲート電極15としては、白金、金、銀等の貴金属材料;銅、アルミニウム等の金属材料;炭素等の導電性材料;ITO、酸化錫、フッ素ドープされた酸化錫等の透明導電材料;ドーピング処理された導電性ポリマー;高濃度にn型ドープされたシリコンウェハー、高濃度にp型ドープされたシリコンウェハー等が挙げられ、これらは単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。ゲート電極15層の厚みは、特に限定されないが、好ましくは500nm以下であり、より好ましくは100nm以下である。絶縁層14としては、各種の絶縁膜を用いることができるが、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、酸化タンタル、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、酸化チタン、酸化イットリウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。絶縁層14の厚みは、特に限定されないが、500nm以下であり、より好ましくは300nm以下である。絶縁層14は薄膜であるほど良く、100nm以下であることが特に好ましい。尚、12はドレイン電極、13はソース電極、16は基板である。以下、合成例、実施例及び比較例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。合成例1~合成例8は本発明の有機半導体材料に用いられるペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の合成例である。実施例1~8及び比較例1~3においては、合成例1~8で得られた化合物又は比較化合物を用いて溶液状の有機半導体材料を調製し、該有機半導体材料を用いて有機半導体層及び有機半導体素子を作成し、素子の評価を行った。合成例1化合物No.1の合成ステップ12-エチル-1-ヘキサノール13.0g100.0mmol、ピリジン45mlを仕込んだ溶液に、氷冷下p-トルエンスルホニルクロリド22.8g120.0mmolを加え、同温度で1時間反応させた。塩酸、トルエンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更にこの抽出液を超純水にて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-酢酸エチル、トシル体淡黄色透明油状物を収率68で得た。ステップ2上記トシル体19.3g68.0mmol、ジメチルホルムアミド57ml、フタルイミドカリウム13.9g74.8mmolを仕込み、120°Cまで昇温し3時間反応させた。超純水、トルエンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更に水層を再抽出後、同様に洗浄し合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-酢酸エチル、フタルイミド体である無色透明油状物質を収率64で得た。ステップ3上記フタルイミド体11.3g44.0mmol、メタノール220mlを仕込んだ溶液に、ヒドラジン一水和物10.4g131.0mmolを滴下した。反応温度を80°Cまで昇温した後、2時間反応させ、クロロホルム、10水酸化カリウム水溶液を加え、油水分離し有機層を抽出した。水層を再抽出後、有機層と合わせ、更にこの抽出液を10水酸化カリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、2-エチル-1-ヘキシルアミンである無色透明油状物質を収率99で得た。この2-エチル-1-ヘキシルアミンは精製せずに、次のステップの反応に使用した。ステップ4窒素雰囲気下、ペリレンテトラカルボン酸二無水物500mg1.3mmol、n-ブタノール/超純水36ml体積比=1/1を仕込み、15分間、超音波照射した。この溶液にステップ3で得られた2-エチル-1-ヘキシルアミン1.5g6.4mmolを加え、90°Cで8時間反応させた。室温まで冷却し、濃塩酸及びトルエンを加え油水分離した。有機層を超純水で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、減圧濃縮、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製展開溶媒:トルエンし、赤色結晶を630mg収率:59得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.684H、d、J=7.9Hz、8.614H、d、J=7.9Hz、4.164H、dq、J=22.1、6.7Hz、1.982H、s、1.43-1.3316H、m、0.9312H、dt、J=25.0、7.3Hz合成例2化合物No.2の合成合成例1のステップ1で用いた2-エチル-1-ヘキサノールを2-ブチル-1-オクタノールに変更した以外は合成例1と同様の手法で赤色結晶を400mgステップ4の収率:57得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.678H、dd、J=23.2、7.9Hz、4154H、d、J=7.3Hz、2.022H、s、1.3036H、m、0.90-0.8312H、m合成例3化合物No.3の合成合成例1のステップ1で用いた2-エチル-1-ヘキサノールを2-ヘキシル-1-デカノールに変更した以外は合成例1と同様の手法で赤色結晶を630mgステップ4の収率:47得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.674H、d、J=8.5Hz、8.604H、d、J=7.9Hz、4.154H、d、J=7.3Hz、2.022H、s、1.3150H、dd、J=48.8、15.9Hz、0.86-0.8312H、m合成例4化合物No.13の合成ステップ1窒素雰囲気下、臭化銅546mg3.8mmol、塩化リチウム322mg7.6mmol、テトラヒドロフラン70mlを仕込んだ溶液に、氷冷下、オクテン酸メチル5.9g38.0mmol、トリメチルシリルクロリド4.5g41.2mmolを加え、更にブチルマグネシムブロミド25.5ml51.0mmol;テトラヒドロフラン溶液、2mol/Lを滴下し、同温度で1時間反応させた。塩化アンモニウム水溶液、ヘキサン、酢酸エチルを加え油水分離し、有機層を抽出した。更にこの抽出液を塩化ナトリウムにて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-酢酸エチル、3-ブチルオクタン酸メチル淡黄色透明油状物を収率99で得た。ステップ2窒素雰囲気下、水素化アルミニウムリチウム2.7g70.0mmol、テトラヒドロフラン69mlを仕込み、上記3-ブチルオクタン酸メチル7.5g35.0mmolのテトラヒドロフラン25ml溶液を滴下し、90°Cまで昇温し5時間反応させた。硫酸ナトリウム、テトラヒドロフランを加え、30分間攪拌し、ろ過後、残渣をテトラヒドロフランで洗浄した。合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、アルコール体淡黄色透明油状物質を収率99で得た。このアルコール体は精製せずに、次のステップの反応に使用した。ステップ3上記アルコール体6.2g33.3mmol、ピリジン15mlを仕込んだ溶液に、氷冷下p-トルエンスルホニルクロリド7.6g40.0mmolを加え、同温度で1時間反応させた。塩酸、トルエンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更にこの抽出液を超純水にて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-酢酸エチル、トシル体淡黄色透明油状物を収率56で得た。ステップ4上記トシル体6.1g18.0mmol、ジメチルホルムアミド14ml、フタルイミドカリウム4.0g21.6mmolを仕込み、150°Cまで昇温し3時間反応させた。超純水、トルエンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更に水層を再抽出後、同様に洗浄し合わせた有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、次いで、ろ過、減圧濃縮を行い、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-酢酸エチル、フタルイミド体である無色透明油状物質を収率93で得た。ステップ5上記フタルイミド体5.1g16.4mmol、メタノール80mlを仕込んだ溶液に、ヒドラジン一水和物2.5g49.3mmolを滴下した。反応温度を100°Cまで昇温した後、2時間反応させ、クロロホルム、10水酸化カリウム水溶液を加え、油水分離し有機層を抽出した。水層を再抽出後、有機層と合わせ、更にこの抽出液を10水酸化カリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、3-ブチル-オクチルアミンである無色透明油状物質を収率88で得た。この3-ブチル-オクチルアミンは精製せずに、次のステップの反応に使用した。ステップ6ペリレンテトラカルボン酸二無水物1.0g2.6mmol、酢酸亜鉛370mg2.0mmol、イミダゾール10.4g153.0mmolおよびステップ5で得られた3-ブチル-オクチルアミン1.2g6.4mmolを仕込み、160°Cで2時間反応させた。室温まで冷却し、クロロホルムを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-アセトン、赤色結晶を260mg収率:14得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.624HddJ=7.92.4Hz,8.524H,d,J=7.9Hz,4.19-4.154H,m,1.71-1.652H,m,1.49-1.484H,m,1.37-1.2428H,m,0.93-0.8512H,m合成例5化合物No.23の合成ステップ17-トリデカノン3.2g16.0mmol、ヒドロキシルアミン塩酸塩2.2g32.0mmol、エタノール46ml、ピリジン23mlを仕込んだ溶液を、70°Cで2時間反応させた。塩酸、ヘキサンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更にこの抽出液を塩酸、超純水にて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、ケトオキシム体淡黄色透明油状物を収率86で得た。このケトオキシム体は精製せずに、次のステップの反応に使用した。ステップ2窒素雰囲気下、上記ケトオキシム体2.9g14.0mmol、トルエン91mlを仕込み、水素化ビス2-メトキシエトキシアルミニウムナトリウム9.5ml34mmolを滴下し、100°Cまで昇温し2時間反応させた。超純水、ヘキサンを加え油水分離し、有機層を抽出した。更に、この有機層を5水酸化ナトリウム水溶液にて洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた後、ろ過、減圧濃縮を行い、アミン体1-ヘキシル-ヘプチルアミンである無色透明油状物質を収率88で得た。このアミン体は精製せずに、次のステップの反応に使用した。ステップ3ペリレンテトラカルボン酸二無水物1.0g2.5mmol、酢酸亜鉛370mg2.0mmol、イミダゾール5.2g76.5mmolおよびステップ2で得られた1-ヘキシルーヘプチルアミン1.3g6.4mmolを仕込み、160°Cで2時間反応させた。室温まで冷却し、クロロホルムを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し展開溶媒:ヘキサン-トルエン、赤色結晶を1.2g収率:63得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.66-8.638H,m,5.21-5.132H,m,2.25-2.204H,m,1.84-1.824H,m,1.34-1.2032H,m,0.8112H,t,J=6.7Hz合成例6化合物No.24の合成合成例5のステップ1で用いた7-トリデカノンを9-ヘプタデカノンに変更した以外は合成例5と同様の手法で赤色固体を1.6gステップ3の収率:72得た。赤色固体が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.61-8.588H,m,5.16-5.092H,m,2.20-2.164H,m,1.80-1.784H,m,1.26-1.1548H,m,0.726H,t,J=6.7Hz合成例7化合物No.25の合成合成例4のステップ1で用いたオクテン酸メチルとブチルマグネシムブロミドを、デセン酸エチルとヘキシルマグネシウムブロミドに変更した以外は合成例4と同様の手法で赤色結晶を400mgステップ6の収率:97得た。赤色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.624H,d,J=7.9Hz,8.544H,d,J=7.9Hz,4.20-4.154H,m,1.71-1.652H,m,1.53-1.494H,m,1.35-1.2844H,m,0.88-0.8512H,m合成例8化合物No.26の合成窒素雰囲気下、ペリレンテトラカルボン酸二無水物500mg1.3mmol、n-ブタノール/超純水25ml体積比=1/1を仕込み、15分間、超音波照射した。この溶液に合成例3におけるステップ3で得られた2-ヘキシル-1-デシルアミン616mg2.6mmol、1-トリデシルアミン508mg2.6mmolを加え、90°Cで3時間反応させた。室温まで冷却し、濃塩酸及びトルエンを加え油水分離した。有機層を超純水で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥、ろ過、減圧濃縮、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製展開溶媒:トルエン-メタノールし、赤紫色結晶を331mg収率:42得た。赤紫色結晶が目的物であることは1H-NMRにて確認した。結果を次に示す。1H-NMRCDCl3δ:8.694H,dd,J=7.9,1.2Hz,8.624H,d,J=7.9Hz,4.212Ht,J=7.6Hz,4.152H,d,J=7.3Hz,2.03-2.011H,m,1.80-1.732H,m,1.39-1.3044H,m,0.89-0.829H,m実施例1クロロホルム1mlに対し化合物No.1を7mgの割合で溶解して、溶液状の有機半導体材料を得た。この有機半導体材料を用いて、図2に示す層構成を有する有機薄膜トランジスタOTFT素子を、以下の手順で作製した。厚さ300nmのシリコン酸化膜絶縁層14が形成されたn型ドープシリコン基板基板16、ゲート電極15をUVオゾン処理した後、ヘキサメチルジシラザンHMDSで処理し自己組織化膜を作成した以下、自己組織化膜まで形成されたものをSi処理基板と称する。大気中にてSi処理基板上に、化合物No.1を含有する溶液状の上記有機半導体材料を滴下し、スピンコート法により有機半導体層11を厚さ25~30nmとなるように形成した。有機半導体層11の表面にパターニングされたニッケルマスクを重ね、金を真空蒸着することにより、電極となるドレイン電極12及びソース電極13を形成した。このドレイン電極12及びソース電極13は、チャネル幅5mm、チャネル長20μmとした。作製したOTFT素子は、正のゲート電圧を印加するに従い、ドレイン電流が増強するnチャネル-エンハンス型の動作特性を示した。作製したOTFT素子において、I-V特性の飽和領域からキャリア移動度電荷移動度を求め、更にOn/Off比Vd=80Vとし、Vgを0~80Vにした時のドレイン電流値の比を算出した。また、OTFT素子を150°C、30分間の条件下で加熱アニール処理した時の、キャリア移動度及びOn/Off比についても測定した。実施例2~8実施例1で用いた化合物No.1を表1に示す化合物へ変更した以外は実施例1と同様の方法で有機半導体材料を作製し、該有機半導体材料を用いてOTFT素子を作製し、その評価を行った。比較例1実施例1で用いた化合物No.1をN,N’-2-エチルヘキシル-2,7-ジシアノ-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド以下、比較化合物No.1とも呼ぶに変更した以外は実施例1と同様の手法でOTFT素子を作製し、その評価を行った。比較例2実施例1で用いた化合物No.1をN,N’-2-エチルヘキシル-2,7-ジフルオロ-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド以下、比較化合物No.2とも呼ぶに変更した以外は実施例1と同様の手法でOTFT素子を作製し、その評価を行った。比較例3実施例1で用いた化合物No.1をN,N’-[-デヒドロアビエチル]-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド以下、比較化合物No.3とも呼ぶに変更した以外は実施例1と同様の手法でOTFT素子を作製し、その評価を行った。実施例1~8及び比較例1~3の評価結果を表1に示す。表1の結果より、特定の構造を有するペリレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含有する本発明の有機半導体材料を用いて作製したOTFT素子は、比較化合物を含有する有機半導体材料を用いて作製したOTFT素子に比べ、電荷移動度及びOn/Off比に優れることが明らかである。また、アニール後においても、比較化合物を含有する有機半導体材料に対する本発明の有機半導体材料の優位性は変わらなかった。実施例9図2に示す層構成を有する有機薄膜トランジスタOTFT素子を、以下の手順で作製した。Si処理基板上に、有機半導体材料として化合物No.3を高真空下104~103Paにて、蒸着速度0.02nm/secで30nm積層し、有機半導体層11とした。この有機半導体層11の表面にパターニングされたニッケルマスクを重ね、金を用いて真空蒸着することにより、ソース電極13及びドレイン電極12を形成して、OTFT素子とした。このソース電極13及びドレイン電極12は、チャネル幅5mm、チャネル長20μmにて形成した。作製したOTFT素子は、正のゲート電圧を印加するに従い、ドレイン電流が増強するnチャネル-エンハンス型の動作特性を示した。作製したOTFT素子において、I-V特性の飽和領域から電荷移動度を求め、更にOn/Off比Vd=80Vとし、Vgを80~0Vにしたときのドレイン電流値の比を算出したところ、電荷移動度5.3×102cm2/Vs、On/Off比105の値を示した。また、このOTFT素子を70°C、30分間の条件で加熱した後、同様に評価したところ、電荷移動度1.0×101cm2/Vs、On/Off比107の値を示した。実施例1~9の結果から明らかなように、本発明のペリレンカルボン酸ジイミド化合物を少なくとも一種含有してなる有機半導体材料はウェットプロセスによる製膜に適するのみならず、真空蒸着等のドライプロセスによっても製膜が可能であり、何れのプロセスで製膜した有機半導体素子も高いキャリア移動度を示すことは明白である。"