"放射線源の焦点から放射される放射線を部分的に透過して縞画像を形成するグリッド部と、前記グリッド部よりも薄く低剛性であり、前記グリッド部の両端に形成された分割部とを有し、同一の放射線透過性基板から形成され、前記放射線透過性基板を前記分割部で分割して形成された複数の小グリッドと、前記放射線透過性基板が貼り合わせられ、前記小グリッドの各前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲して前記放射線透過性基板を前記分割部で分割し、前記小グリッドを保持する保持基板と、を備えることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド。前記グリッド部は、前記放射線透過性基板で形成された複数の凸部及び凹部を有し、前記分割部の間に前記凸部及び前記凹部が交互に配列して形成され、前記分割部に隣接する最も端の前記凸部を含む全ての前記凸部が、同じ幅であることを特徴とする請求項1記載の放射線画像撮影用グリッド。前記凹部には、放射線透過性の材料が充填されていることを特徴とする請求項2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記凹部には、前記放射線を吸収する放射線吸収材が埋めこまれていることを特徴とする請求項2記載の放射線画像撮影用グリッド。前記分割部の底部には、前記放射線透過性基板の分割をガイドする溝が設けられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記保持基板には、前記分割部に対応する位置に低剛性部が設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記分割部には、前記保持基板の湾曲形状を維持する充填剤が充填されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド。前記保持基板は、形状記憶材料を用いた基板であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド。放射線透過性基板上にレジストパターンを形成する工程であり、前記レジストパターン内の隙間よりも長い所定間隔をあけて複数の前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記放射線透過性基板をドライエッチングすることにより、前記放射線透過性基板の表面に前記レジストパターンに対応する幅の溝を有するグリッド部を形成するとともに、前記所定間隔に対応して前記グリッド部の溝よりも幅が広く深い分割部を形成するエッチング工程と、前記グリッド部及び前記分割部が形成された前記放射線透過性基板を、前記グリッド部及び前記分割部が形成されていない表面で、平行平板状の保持基板に貼り合わせる貼合工程と、前記保持基板を湾曲させることにより前記分割部で前記放射線透過性基板を前記分割部で分割し、前記グリッド部を放射線源の焦点に向ける保持基板湾曲工程と、を備えることを特徴とする放射線画像撮影用グリッド製造方法。前記放射線透過性基板は、さらに導電性を有し、前記エッチング工程において前記放射線透過性基板の表面に形成された前記グリッド部及び前記分割部に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程により前記グリッド部で薄く、かつ、前記分割部で厚く形成された前記絶縁膜を均等にエッチングすることにより、前記分割部では前記絶縁膜の一部を残し、前記グリッド部の底部の前記絶縁膜を除去して前記放射線透過性基板を露呈させる絶縁膜除去工程と、前記放射線透過性基板をメッキ液に浸漬して導通することにより、前記グリッド部の溝に放射線を吸収する放射線吸収材を析出させるメッキ工程と、を備え、前記メッキ工程後に前記貼合工程及び前記保持基板湾曲工程を行うことを特徴とする請求項9記載の放射線画像撮影用グリッド製造方法。前記分割部の底部に、前記放射線透過性基板の分割位置をガイドするための溝を形成する溝形成工程を含むことを特徴とする請求項9または10記載の放射線撮影用グリッド製造方法。前記保持基板に低剛性部を形成する低剛性部形成工程を備えることを特徴とする請求項9~11のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド製造方法。前記保持基板湾曲工程の後に、前記保持基板の湾曲形状を維持する充填剤を前記分割部に充填する形状維持処理工程を備えることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載の放射線画像撮影用グリッド製造方法。放射線源から放射された放射線を透過させて縞画像を生成する第1グリッドと、前記縞画像に強度変調を与える第2グリッドと、前記第2グリッドにより強度変調された縞画像を検出する放射線画像検出器とを有し、前記放射線画像検出器により検出された縞画像から位相コントラスト画像を生成する放射線画像撮影システムにおいて、前記第1グリッドまたは前記第2グリッドの少なくとも一方は、前記放射線を部分的に透過して縞画像を形成する複数のグリッド部と、複数の前記グリッド部間に形成され、前記グリッド部よりも薄く低剛性の分割部とを有する放射線透過性基板と、各々の前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲し、前記放射線透過性基板を前記分割部で分割して保持する保持基板と、を備えることを特徴とする放射線画像撮影システム。前記放射線源と前記第1グリッドとの間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数のライン上の放射線を形成する線源グリッドをさらに備え、前記線源グリッドは、前記放射線を部分的に透過して縞画像を形成する複数のグリッド部と、複数の前記グリッド部間に形成され、前記グリッド部よりも薄く低剛性の分割部とを有する放射線透過性基板と、各々の前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲し、前記放射線透過性基板を前記分割部で分割して保持する保持基板と、を備えることを特徴とする請求項14記載の放射線画像撮影システム。しかしながら、特許文献1に記載のように、X線の広がりに合わせて小グリッドを非平面上に配置する場合、各小グリッドの配置や傾きを高精度に位置合わせする必要がある。しかし、特許文献1は、小グリッドを非平面上に配列するときに、各小グリッドを高精度に位置合わせする具体的な方法までは開示していない。このため、実際の撮影に用いることが可能な程度に高精度に、小グリッドを円筒面状や球面状に配置することは困難である。また、フレキシブル基板は、熱膨張率が大きく、変形容易であるため、特許文献2に記載されているように、フレキシブル基板上にグリッドを形成すると、フレキシブル基板の熱膨張により、グリッド自体の精度が悪化するという問題がある。さらに、特許文献1,2を組み合わせれば、小グリッドをフレキシブル基板上に貼り付けて、フレキシブル基板を湾曲させることが考えられる。この場合、フレキシブル基板上に小グリッドを配置する目安となるアライメントマークを設けておき、このアライメントマークに合わせて小グリッドを配置することになる。しかし、フレキシブル基板の熱膨張率や変形容易性のために、アライメントマークの間隔等が変化しやすいので、アライメントマークを高精度に形成することが難しい。このため、フレキシブル基板上に小グリッドを配置する場合、精度の悪いアライメントマークを基準にしなければならないので、高精度な配置が難しいという問題が残る。本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、高精度な湾曲グリッド及びこれを用いた放射線画像撮影システムを提供することを目的とする。本発明の放射線画像撮影用グリッドは、放射線源の焦点から放射される放射線を部分的に透過して縞画像を形成するグリッド部と、前記グリッド部よりも薄く低剛性であり、前記グリッド部の両端に形成された分割部とを有し、同一の放射線透過性基板から形成され、前記分割部で分割して形成された複数の小グリッドと、前記放射線透過性基板が貼り合わせられ、前記小グリッドの各前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲して前記放射線透過性基板を前記分割部で分割し、前記小グリッドを保持する保持基板と、を備えることを特徴とする。前記グリッド部は、前記放射線透過性基板で形成された複数の凸部及び凹部を有し、前記分割部の間に前記凸部及び前記凹部が交互に配列して形成され、前記分割部に隣接する最も端の前記凸部を含む全ての前記凸部が、同じ幅であることが好ましい。前記凹部には、放射線透過性の材料が充填されていることが好ましい。前記凹部には、前記放射線を吸収する放射線吸収材が埋めこまれていることが好ましい。前記分割部の底部には、前記放射線透過性基板の分割をガイドする溝が設けられていることが好ましい。前記保持基板には、前記分割部に対応する位置に低剛性部が設けられていることが好ましい。前記分割部には、前記保持基板の湾曲形状を維持する充填剤が充填されていることが好ましい。前記保持基板は、形状記憶材料を用いた基板であることが好ましい。本発明の放射線画像撮影用グリッド製造方法は、放射線透過性基板上にレジストパターンを形成する工程であり、前記レジストパターン内の隙間よりも長い所定間隔をあけて複数の前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記放射線透過性基板をドライエッチングすることにより、前記放射線透過性基板の表面に前記レジストパターンに対応する幅の溝を有するグリッド部を形成するとともに、前記所定間隔に対応して前記グリッド部の溝よりも幅が広く深い分割部を形成するエッチング工程と、前記グリッド部及び前記分割部が形成された前記放射線透過性基板を、前記グリッド部及び前記分割部が形成されていない表面で、平行平板状の保持基板に貼り合わせる貼合工程と、前記保持基板を湾曲させることにより前記分割部で前記放射線透過性基板を前記分割部で分割し、前記グリッド部を放射線源の焦点に向ける保持基板湾曲工程と、を備えることを特徴とする。前記放射線透過性基板は、さらに導電性を有し、前記エッチング工程において前記放射線透過性基板の表面に形成された前記グリッド部及び前記分割部に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程により前記グリッド部で薄く、かつ、前記分割部で厚く形成された前記絶縁膜を均等にエッチングすることにより、前記分割部では前記絶縁膜の一部を残し、前記グリッド部の底部の前記絶縁膜を除去して前記放射線透過性基板を露呈させる絶縁膜除去工程と、前記放射線透過性基板をメッキ液に浸漬して導通することにより、前記グリッド部の溝に放射線を吸収する放射線吸収材を析出させるメッキ工程と、を備え、前記メッキ工程後に前記貼合工程及び前記保持基板湾曲工程を行うことが好ましい。前記分割部の底部に、前記放射線透過性基板の分割位置をガイドするための溝を形成する溝形成工程を含むことが好ましい。前記保持基板に低剛性部を形成する低剛性部形成工程を備えることが好ましい。前記保持基板湾曲工程の後に、前記保持基板の湾曲形状を維持する充填剤を前記分割部に充填する形状維持処理工程を備えることが好ましい。本発明の放射線画像撮影用システムは、放射線源から放射された放射線を透過させて縞画像を生成する第1グリッドと、前記縞画像に強度変調を与える第2グリッドと、前記第2グリッドにより強度変調された縞画像を検出する放射線画像検出器とを有し、前記放射線画像検出器により検出された縞画像から位相コントラスト画像を生成する放射線画像撮影システムにおいて、前記第1グリッドまたは前記第2グリッドの少なくとも一方は、前記放射線を部分的に透過して縞画像を形成する複数のグリッド部と、複数の前記グリッド部間に形成され、前記グリッド部よりも薄く低剛性の分割部とを有する放射線透過性基板と、各々の前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲し、前記放射線透過性基板を前記分割部で分割して保持する保持基板と、を備えることを特徴とする。前記放射線源と前記第1グリッドとの間に配置され、前記放射線源から照射された放射線を領域選択的に遮蔽して多数のライン上の放射線を形成する線源グリッドをさらに備え、前記線源グリッドは、前記放射線を部分的に透過して縞画像を形成する複数のグリッド部と、複数の前記グリッド部間に形成され、前記グリッド部よりも薄く低剛性の分割部とを有する放射線透過性基板と、各々の前記グリッド部が前記焦点を向くように湾曲し、前記放射線透過性基板を前記分割部で分割して保持する保持基板と、を備えることが好ましい。本発明によれば、高精度な湾曲グリッド及びこれを用いた放射線画像撮影システムを提供することができる。[第1実施形態]図1に示すように、X線画像撮影システム10は、X線照射方向であるZ方向に沿って、X線源11、線源グリッド12、第1グリッド13、第2グリッド14、及びX線画像検出器15を備える。X線源11は、回転陽極型のX線管図示せずと、X線の照射野を制限するコリメータ図示せずとを有し、被検体HにX線を放射する。線源グリッド12は、X線を吸収する吸収型グリッドであり、X線源11から照射されたX線を領域選択的に遮蔽して多数のライン状のX線を形成する。第1グリッド13は、X線の位相を変調する位相型グリッドであり、線源グリッド12から入射する各ライン状のX線を位相変調して透過させる。第1グリッド13を透過したX線は、タルボ干渉効果により、第1グリッド13からタルボ距離だけ離れた位置に第1グリッド13自身と同じパターンを有する縞画像以下、自己像というを形成する。線源グリッド12と第1グリッド13とは、いわゆるタルボロー条件を満たす位置に配置されており、線源グリッド12により形成された各ライン状のX線により形成される自己像は、第1グリッド13からタルボ距離だけ離れた位置で重なり合う。第2グリッド14は、吸収型グリッドであり、第1グリッド13の自己像が形成される位置例えば、最小のタルボ距離の位置に配置される。第2グリッド14は、第1グリッド13の自己像を領域選択的に遮蔽することにより、第1グリッド13の自己像が強度変調された縞画像を生成し、X線画像検出器15に投影する。線源グリッド12、第1グリッド13及び第2グリッドは、いずれも格子線がX方向に沿うように配置されているとともに、Z方向においてX線源に対向配置されている。さらに、線源グリッド12、第1グリッド13及び第2グリッドは、X線源11から照射されるX線がコーンビーム状に拡散して照射されることに合わせて、Y方向に湾曲した円筒状になっている。被写体Hは、線源グリッド12と第1グリッド13の間に配置される。このため、第1グリッド13が形成する自己像や第2グリッド14によってX線画像検出器15上に形成される縞画像上には、被検体Hの透過位相情報に応じた変調が生じる。X線画像検出器15は、半導体回路を用いたフラットパネル検出器であり、第2グリッド14の背後に配置されている。X線画像検出器15は、第2グリッド14によって生成される縞画像を検出する。X線画像撮影システムの作用について説明する。X線源11から放射されたX線は、線源グリッド12のX線吸収部によって部分的に遮蔽されることにより、Y方向に関する実効的な焦点サイズが縮小され、Y方向に配列された多数のライン状のX線が形成される。各ライン状のX線は、被検体Hを通過する際に位相が変化する。この各X線が第1グリッド13を通過することにより、被検体Hの屈折率と透過光路長とから決定される被検体Hの透過位相情報を反映した自己像が形成される。各ライン状のX線により生成された自己像は、第2グリッド14に投影され、第2グリッド14の位置で重なり合う。第2グリッド14の位置で重なり合った第1グリッド13の自己像は、第2グリッド14により部分的に遮蔽されることにより強度変調され、縞画像が生成される。本実施形態では、縞走査法を用い、第1グリッド13に対して第2グリッド14を、間欠移動させるとともに、その停止中に、X線源11から被検体HにX線を照射してX線画像検出器15により縞画像の撮影を行う。この間欠移動は、格子ピッチを等分割例えば、5分割した一定の走査ピッチでY方向に行う。X線画像検出器15の各画素の画素データの強度変化を表す強度変調信号の位相ズレ量被検体Hがある場合とない場合とでの位相のズレ量を算出することにより、位相微分画像が得られる。位相微分画像は、被検体HでのX線の屈折角度の分布に対応する。この位相微分画像をX方向に沿って積分することにより、位相コントラスト画像が得られる。以下、第1グリッド13について、位相型グリッドの構造を説明する。図2に示すように、第1グリッド13は、5枚の小グリッド17~21を備える。これらの小グリッド17~21は、いずれも同様に形成されており、外形はX方向に伸びた細長い矩形状であり、格子線もX方向に沿って設けられている。図3に示すように、小グリッド17~21は、フレキシブル基板26上に貼りつけられている。小グリッド17~21は、製造時には、各々所定間隔で平行になるように一体形成され、フレキシブル基板26が平行平板状の時にフレキシブル基板26上に貼り付けられる。そして、フレキシブル基板26がX線画像検出器15側に凸になるように円筒面状に湾曲されることによって、各小グリッド17~21に分割される。このため、小グリッド17~21は、フレキシブル基板26の表面に沿って互いに等間隔に設けられており、かつ、X方向に平行である。一方、小グリッド17~21は、フレキシブル基板26の湾曲に合わせて、Y方向には各々異なる角度をなすように配置されている。具体的には、第1グリッド13をX線源11側Z方向からみると、フレキシブル基板26の中央に配置された小グリッド19は、X線源11のほぼ正面にX方向に沿って配置される。また、小グリッド18,20は中央の小グリッド19に対して、Y方向に所定角度傾斜して配置される。小グリッド17,21は小グリッド18,20に対してY方向にさらに所定角度傾斜して配置される。したがって、小グリッド17~21は、その各表面が、X線源11のX線焦点11aを向き、X線の入射方向に対してほぼ垂直である。すなわち、第1グリッド13はいわゆる収束構造に近似し、小グリッド17~21の各グリッド部後述する凸部31a及び凹部31bを延長すれば、全ての小グリッド17~21のグリッド構造の延長線がX線焦点11aにほぼ収束するようになっている。フレキシブル基板26は可撓性であり、かつ、X線画像検出器15で検出するX線画像にほぼ影響がない程度にX線の吸収率が低い以下、X線透過性という基板である。フレキシブル基板26は、例えば、ポリイミドやポリエチレンテレフタレートPET、ポリカーボネートPC、ドライフィルム、パリレン、アクリル系樹脂等で形成される。図4に示すように、小グリッド17~21は、シリコン等のX線透過性を有するX線透過性基板から形成され、それぞれグリッド部31を有する。また、各小グリッド17~21は、グリッド部31の両端隣接する小グリッドとの間に、分割部32が形成されている。なお、小グリッド17~21の全体がX線透過性基板である。グリッド部31は凸部31a及び凹部31bを備える。凸部31aはX線透過性基板からなり、凹部31bはX線透過性基板に設けられた溝であり、X線透過性の材料例えば、空気が充填されている。凸部31aと凹部31bは、各々X方向に直線状に形成され、Y方向には交互に配列されている。各小グリッド17~21には、表面に対してほぼ垂直にX線が照射されるため、凸部31aと凹部31bとでは、X線がシリコンを透過する距離が異なる。凸部31aを透過するX線と、凹部31bを透過するX線には、πまたはπ/2の位相差が生じ、タルボ干渉効果が生じる。凸部31aの幅W1及びピッチP1は、線源グリッド12と第1グリッド13との距離等によって決定される。凸部31aの厚み凹部31bの深さT1は、X線にπまたはπ/2の位相差が生じるように決定される。各小グリッド17~21は、グリッド部31は、同一のX線透過性基板に形成され、分割部32は、各小グリッド17~21に対応する各グリッド部31の間に形成される。分割部32は、グリッド部31のよりも薄くなるように切削されているために、低剛性になっている箇所であり、後述するように、X線透過性基板上にグリッド部31を形成する工程で同時に形成される。なお、グリッド部31の厚さとは、グリッド部31において、X線透過性基板が最も薄い箇所の厚さを言う。また、小グリッド17~21は、グリッド部31及び分割部31が形成されたX線透過性基板が分割部31において分割されることによって形成される。上述の各小グリッド17~21は、接着剤を用いてフレキシブル基板26に接着されている。ここで用いる接着剤は、X線透過性と接着性を有するものであれば良く、レジストやパリレン、ポリイミド等を用いても良い。接着剤の厚さは概ね10μm程度である。また、フレキシブル基板26は、平行平板の状態でグリッド部31及び分割部31が形成されたX線透過性基板が貼り付けられ、第1グリッド13の製造工程において湾曲されることにより、貼り付けられたX線透過性基板を分割部32で分割して、小グリッド17~21を形成する。X線透過性基板は、小グリッド17~21に分割された後も、フレキシブル基板26によって湾曲した表面上に保持される。線源グリッド12及び第2グリッド14は、第1グリッド13と同様に複数の小グリッドをフレキシブル基板に貼り合わせ、フレキシブル基板を湾曲させることにより形成されている。但し、線源グリッド12及び第2グリッド14は、前述のように吸収型グリッドであるため、上述の第1グリッド13の各小グリッド17~21において、凸部31aをX線透過部とし、凹部31bにはX線吸収材例えば、金を充填してX線吸収部としたものである。線源グリッド12や第2グリッド14を形成する小グリッドのX透過部やX線吸収部の幅やピッチは、線源グリッド12や第2グリッド14の配置や、第1グリッド13との位置関係等によって決まり、第1グリッド13の凸部31a凹部31bの幅やピッチとは異なる。以下、第1グリッド13を例にして、位相型グリッドの製造方法について説明する。なお、吸収型グリッドである線源グリッド12に用いられる吸収型グリッドの製造方法については後述する。図5Aに示すように、シリコン等により形成されたX線透過性基板41の表面に、レジストパターン42をフォトリソグラフィにより形成する。レジストパターン42は、Y方向に所定幅及び所定ピッチでレジストが残されたパターンである。また、レジストパターン42はX方向に直線状に延伸している。レジストパターン42の幅及びピッチは、グリッド部31の凸部31aの幅W1及びピッチP1に対応している。また、レジストパターン42は、小グリッド17~21の各グリッド部31に対応して、Y方向に所定間隔Δ1を開けて5つ設けられる。各レジストパターン42の間隔Δ1は、分割部32に対応するものであり、レジストパターンの幅W1よりも大きいW1<Δ1。次に、形成したレジストパターン42をマスクにして、X線透過性基板41をエッチングする。ここで行うエッチングはボッシュプロセス、クライオプロセス等の深堀用のドライエッチングであり、X線透過性基板41は等方的に切削される。また、ドライエッチングによれば、レジストパターン42の間隔が広い箇所程、深く切削される。このため、図5Bに示すように、X線透過性基板41を、レジストパターン42をマスクとしてドライエッチングすることにより、X線透過性基板41の表面には、レジストパターン42に対応する箇所では浅く溝が形成され深さT1、レジストパターン42間の箇所では深く溝が形成される深さD1。これにより、各レジストパターン42に対応する箇所にはグリッド部31が形成され、各レジストパターン42間には分割部32が形成される。なお、図示を省略するが、グリッド部31及び分割部32を形成する上述のエッチングの後、凸部31a上にレジストパターン42が残っている場合には、これをアッシング等により除去する。図5Cに示すように、グリッド部31及び分割部32が形成されたX線透過性基板41を、平行平板状のフレキシブル基板26上に、接着剤を用いて貼り付けられる。そして、図5Dに示すように、第1グリッド13のX線源11に対する位置や照射されるX線の広がり具合等に応じて、フレキシブル基板26をY方向に円筒面状に湾曲させる。グリッド部31と分割部32が形成されたX線透過性基板41は、分割部32の底部で最も薄くなっているので、フレキシブル基板26の湾曲による応力は分割部32の底部に集中する。このため、フレキシブル基板26の湾曲により、X線透過性基板41は分割部32の底部に亀裂42が生じて分割され、小グリッド17~21が形成される。但し、各小グリッド17~21は、フレキシブル基板26によって一体になっている。上述のように、グリッド部31と分割部32を形成したX線透過性基板41を平行平板状のフレキシブル基板26に貼り付け、フレキシブル基板26を円筒面状に湾曲させることにより、分割部32でX線透過性基板41を分割して、小グリッド17~21を形成すると、各小グリッド17~21は円筒面状に湾曲したフレキシブル基板26に沿って、相互に高精度に位置決めされる。例えば、予め円筒面状に湾曲した面上に小グリッド17~21を配置しようとすると、各小グリッドの位置や向きを調節しなければならないが、上述の実施形態のように、小グリッド17~21を一体に形成しておき、分割部32で分割すると、小グリッド17~21間の位置合わせは不要である。このため、上述の実施形態によれば、円筒面状に小グリッド17~21が相対的に高精度に配置された第1グリッド13を容易に製造することができる。また、フレキシブル基板26上にグリッド部31を直接形成する場合、フレキシブル基板26の拡縮により、凸部31aや凹部31bの幅W1やピッチP1が変化しやすいが、上述の実施形態のように、小グリッド17~21単位でグリッドを形成しておくことにより、凸部31aや凹部31bの幅W1やピッチP1の精度はフレキシブル基板26の拡縮に殆ど影響されず、一定である。このため、上述の実施形態のようにして形成されたグリッドは安定した性能を発揮することができる。さらに、上述の実施形態のように、ドライエッチングによってX線透過性基板41を切削するときに、レジストパターン42の間隔幅W1,ピッチP1と、レジストパターン42間の間隔幅Δ1の相違によって切削される深さが異なることを利用してグリッド部31及び分割部32を形成すると、図6Aに示すように、グリッド部31では凸部31aは、分割部32に隣接する最も端の凸部31aまで全て同じ幅W1の凸部31aが形成される。一方、分割部32に対応する箇所をグリッド部31と同時に形成せずに、X線透過性基板41上にグリッド部31を形成した後、グリッド部31間をダイシングにより切削して分割部32を形成する事も考えられる。しかし、この手順で分割部32を形成すると、分割部32に隣接するグリッド部31の最も端の凸部31aはダイシング時に用いる水の圧力等により、破損して倒れてしまう。さらに、ダイシング位置の精度や切削幅のばらつきも考慮しておく必要がある。こうしたことから、ダイシングにより分割部32を形成するときには、図6Bに示すように、分割部32に隣接するグリッド部31の最も端の凸部31cを他の凸部31aよりも厚くせざるを得ない。このため、ダイシングにより分割部32を形成する場合、グリッドとして機能しない凸部31cができてしまい、画像の得られない領域が広がってしまう。この点、上述の実施形態のように、グリッド部31及び分割部32をドライエッチングにより同時形成すると、前述のように、グリッド部31は分割部32に隣接する最も端の凸部31aまで全て同じ幅W1の凸部31aで形成されるので、グリッドとして機能する領域を効率良く得ることができ、小グリッド17~21の性能を高めることができる。[第2実施形態]なお、上述の第1実施形態では、位相型グリッドである第1グリッド13を例にグリッドの製造方法を説明したが、吸収型グリッドである線源グリッド12や第2グリッド14は、以下に説明する第2実施形態により、第1グリッド13とほぼ同様にして製造することができる。吸収型グリッドである第2グリッド14を製造する場合、図7Aに示すように、導電性基板51を用いる。導電性基板51は、X線透過性を有すると同時に、導電性を有する基板であり、例えば、導電性シリコンからなる。導電性基板51の表面には、レジストパターン52が設けられる。レジストパターン52の形成態様は、前述の第1実施形態におけるレジストパターン42と同様であるが、レジストパターン52の幅やピッチは第2グリッド14を構成する小グリッドのグリッド部に対応するように、幅W2,ピッチP2となっている。また、レジストパターン52は、第2グリッド14に用いる小グリッドの個数分設けられ、各々のレジストパターン52は、所定間隔Δ2をあけて設けられる。所定間隔Δ2は、少なくともレジストパターン52の幅W2よりも大きいW2<Δ2。次に、図7Bに示すように、レジストパターン52をマスクとして導電性基板51をドライエッチングすることにより、導電性基板51の表面に、第2グリッド14に用いる小グリッドのグリッド部53と分割部54を形成する。このとき、幅が広い分割部54の方が、グリッド部53の凹部よりも深く切削されることは、前述の第1実施形態と同様である。その後、図7Cに示すように、グリッド部53と分割部54が形成された導電性基板51の表面に、絶縁膜55を形成する。絶縁膜55は、例えば、プラズマCVDPECVDや、酸素や水素あるいは空気雰囲気下での熱酸化等により形成される。ここでは、絶縁膜55は導電性基板51の表面酸化膜であるとする。また、絶縁膜55の厚さは場所によって異なる。例えば、グリッド部53の底部凹部の底に形成される絶縁膜55の膜厚Taと、分割部54の底部に形成される絶縁膜55の膜厚Tbを比較すると、グリッド部53底部の膜厚Taより分割部54底部の膜厚Tbの方が厚いTa<Tb。これは絶縁膜55の形成時に用いるプラズマCVDや熱酸化時に用いるガスの流入しやすさの相違によるものであり、幅が狭いグリッド部53では絶縁膜55の形成に必要なガスの流入量が少ないので、絶縁膜55は薄い。一方、幅が広い分割部54でガスの流入量が多いので、絶縁膜55は厚く形成される。グリッド部53の凹部側面や分割部54の側面についても同様である。また、グリッド部53でも、表面部分凸部の頂部は、絶縁膜55を形成するためのガスとの接触量が多いので、絶縁膜55は厚く形成される。こうして絶縁膜55が形成されると、図7Dに示すように、ドライエッチングによってグリッド部53底部の絶縁膜55が除去される。ドライエッチングによれば、グリッド部53や分割部54の溝の幅や深さによらず、導電性基板51の表面が一様に切削される。このため、前述のように、絶縁膜55が薄いグリッド部53の底部53aでは、導電性基板51の表面が露呈されたときに、絶縁膜55が厚い分割部54の底部54aでは絶縁膜55が残っている。また、グリッド部53の表面部分や凹部側面、分割部54の側面においても、絶縁膜55が残る。このため、前述の絶縁膜55の厚さの違いを利用することにより、グリッド部53の底部53aの絶縁膜55だけを除去することができる。なお、ここでは底部53aにも絶縁膜55が形成されることを前提とし、底部53aの絶縁膜55だけを除去する例を挙げたが、例えば、予め底部53aに絶縁膜55が形成されないように、絶縁膜55の成膜時間を短く調節しても良い。具体的には、ガスが流入しやすい分割部54の底部54aには絶縁膜55が形成され、ガスが流入し難いグリッド部53の底部53aには絶縁膜55が形成されない程度の短時間で絶縁膜55を形成する。こうすると、上述のようにドライエッチングをすることなく、グリッド部53と分割部54の各底部53a,54aに絶縁膜55の有無の違いをつくることができる。上述のようにグリッド部53底部の絶縁膜55だけが除去された導電性基板51は、電流端子が接続され、メッキ液中に浸漬される。そして、導電性基板51と対向させた位置には、もう一方の電極陽極が用意され、電流端子と陽極との間に電流が流される。このとき、導電性基板51の表面で導電性を有するのは、グリッド部53の底部53aだけである。このため、図8に示すように、メッキ液中の金イオンはグリッド部53の底部に析出し、グリッド部53の凹部内に金56が埋め込まれる。一方、分割部54の底部は絶縁膜55が残されており、導電性を有しないので、分割部54には金は埋め込まれない。上述のようにグリッド部53の凹部に金を埋め込んだ導電性基板51は、平行平板状のフレキシブル基板26に貼り付けられる。そして、フレキシブル基板26を湾曲させることにより、図9に示すように、分割部54に亀裂43が生じて分割され、小グリッドが形成され、第2グリッド14になる。第2グリッド14の各小グリッドにおいて、グリッド部53は、導電性基板51で形成され、X線を透過するX線透過部58と、金が埋め込まれていることによりX線を吸収するX線吸収部59が交互に配列された吸収型グリッドになっている。上述のように吸収型グリッドを製造する場合も前述の第1実施形態の位相型グリッドと同様、各小グリッドが相互に高精度に配置されたグリッドにすることができる。なお、上述の第2実施形態では、第2グリッド14を製造する例を説明したが、同じく吸収型グリッドである線源グリッド12も同様に製造することができる。[第3実施形態]上述の第1,第2実施形態では、分割部32,54の底部がグリッド部31,53よりも薄く形成することで、フレキシブル基板26を湾曲させたときに分割部32,54でX線透過性基板41及び導電性基板51を分割して小グリッドを形成する例を説明したが、分割部32,54の底部における基板の厚さはほぼ一定なので、フレキシブル基板26を湾曲させたときに分割部32に生じる亀裂43の位置は、分割部32,54の幅の分だけ不定である。小グリッド間にある複数の分割部32,54で亀裂43が生じる位置に各々ズレがあると、フレキシブル基板26を同じように湾曲させたとしても、フレキシブル基板26の折れ曲がり位置がズレてしまい、最終的に各小グリッド間の相対位置及び角度にズレが生じる。このため、分割部32,54の亀裂43は、全ての分割部32,54で同じ位置例えば、分割部32,54の中央に生じさせることが好ましい。以下、第3実施形態として、より確実に、全ての分割部32,54において同じ位置に亀裂43を生じさせる態様を説明する。なお、第1実施形態で説明した位相型の第1グリッド13を例に説明するが、吸収型の第2グリッド14,線源グリッド12についても同様であるので、これらの説明は省略する。フレキシブル基板26を湾曲させたときに、全ての分割部32で同じ位置に亀裂43を生じさせるためには、例えば、図10Aに示すように、分割部32の底部中央に、亀裂43が生じる位置をガイドするための溝61をさらに設ける。溝61は、X線透過性基板41上にグリッド部31及び分割部32を形成した後、レーザー照射やフォトリソグラフィによるエッチング等により設ける。こうすると、溝61の位置でX線透過性基板41が最も薄くなる。このため、図10Bに示すように、フレキシブル基板26にX線透過性基板41を貼り付け、フレキシブル基板26を湾曲させると、湾曲による応力は溝61に集中し、X線透過性基板41は溝61で分割される。また、図11Aに示すように、分割部32の位置に対応するように、フレキシブル基板26に低剛性部62を設けても良い。低剛性部62は、フレキシブル基板26の中で剛性が低くなるように処理された箇所であり、例えば、エッチングによって溝を形成したり、レーザーの照射等の局所的な熱処理をしたりすることによって形成される。このように、低剛性部62を設けると、図11Bに示すように、通常のフレキシブル基板26の厚さが最も薄い低剛性部62の深さ方向Lに沿って湾曲の応力が集中する。このため、低剛性部62の深さ方向Lの延長上に、亀裂43を生じさせることができる。低剛性部62は、図11に示すように、分割部32中央の直下に頂部を有する断面形状であることが好ましい。こうすれば、低剛性部62の頂部に対応する分割部32の中央でX線透過性基板41に亀裂43が生じる。但し、低剛性部62の断面におけるエッジ形状は、図11に示すように曲線でなくても良く、例えば、低剛性部62の断面形状は三角形状でも良い。また、図示を省略するが、低剛性部62の断面形状が矩形の場合、低剛性部62の幅を分割部32よりも狭くし、かつ、低剛性部62が分割部32の中央の直下に位置するように設ければ良い。この場合も、低剛性部62の延長上である分割部32の中央にほぼ確実に亀裂43を生じさせることができる。なお、図11では、フレキシブル基板26の裏面に低剛性部62を設ける例を説明したが、低剛性部62は、X線透過性基板41が貼り付けられる表面に設けても良い。また、熱処理による低剛性化等、フレキシブル基板26が分断されない方法であれば、低剛性部62はフレキシブル基板26の全厚に設けられていても良い。また、低剛性部62をフレキシブル基板26に予め設けておき、低剛性部62と分割部32が一致するように、X線透過性基板41とフレキシブル基板26を貼り合わせても良いし、X線透過性基板41とフレキシブル基板26の貼り合わせ後に低剛性部62を形成しても良い。但し、低剛性部62を予めフレキシブル基板26に設けておく場合、低剛性部62と分割部32の位置合わせが必要になるが、温度環境等によってはフレキシブル基板26の拡縮により精度良く位置合せすることが難しいことがある。このため、低剛性部62は、フレキシブル基板26とX線透過性基板41の貼り合わせ後に形成することが好ましい。さらに、低剛性部62は分割部32に沿って、直線状に設けても良いし、破線状に設けても良い。低剛性部62を破線状に設けるとは、分割部32に沿って直線上において、部分的に低剛性部62を形成する箇所と、低剛性部62を形成しない箇所を設けることである。なお、上述の第3実施形態では、分割部32に溝61を設ける例と、フレキシブル基板26に低剛性部62を設ける例を各々別個に説明したが、分割部32に溝61を設け、かつ、フレキシブル基板26に低剛性部62を設けても良い。このように、分割部32に溝61を設け、かつ、フレキシブル基板26に低剛性部62を設ければ、X線透過性基板41は、より確実に、溝61及び低剛性部62に沿って分割される。なお、上述の第1~第3実施形態では、Y方向に円筒面状に湾曲した線源グリッド12,第1グリッド13,第2グリッド14を例に説明したが、これらのグリッド12~14は球面状に湾曲したものであっても良い。このように、グリッド12~14を球面状に湾曲させる場合、図12に示すように、上述の第1~第3実施形態でX方向に延伸し、Y方向に並べて設けていた小グリッド17~21をさらにX方向に分断し、X方向にもグリッド12~14を湾曲させれば良い。この場合、分割部32,54は、上述の第1~第3実施形態と同様にしてY方向に沿って設けておけば良い。なお、上述の第1~第3実施形態では、フレキシブル基板26を湾曲させてグリッドを製造する例を説明したが、以下に説明するように、フレキシブル基板26を湾曲した形状で維持しやすくすることが好ましい。例えば、図13に示すように、フレキシブル基板26を湾曲させて形成した第1グリッド13を、同じ湾曲形状の台座71に接着剤で貼り付けること等により固定する。こうすると、より確実にフレキシブル基板26の湾曲形状を維持しやすい。また、フレキシブル基板26を湾曲させる時に、台座71に沿って湾曲させるようにすることで、台座71への第1グリッド13の貼り付けと、湾曲形状の確実な固定化を同時に行なっても良い。台座71は、X線透過性であれば材料は任意である。また、図14に示すように、フレキシブル基板26を湾曲させて第1グリッド13を形成した後、小グリッド17~21間に生じる隙間に、充填剤72を入れ、固化しても良い。充填剤72は、エポキシ接着剤や、銀ペースト、金ペースト等、任意の材料からなるものを用いることができる。但し、銀ペーストや金ペースト等、X線吸収性の材料からなる充填剤を用いることが好ましい。X線吸収性の充填剤を用いると、小グリッド17~21間を透過したX線によるアーチファクト等のノイズ成分を低減することができるからである。さらに、図15に示すように、フレキシブル基板26の代わりに形状記憶基板73を用いても良い。形状記憶基板73を用いる場合、記憶する形状を湾曲形状とし、第1グリッド13の作製時には平行平板状にしておく。そして、上述の第1~第3実施形態と同様に、グリッド部や分割部を形成したX線透過性基板41や導電性基板51を貼り合わせた後、形状記憶基板73を記憶形状に戻すための処理例えば熱処理を施し、形状記憶基板73を湾曲させる。こうして形状記憶基板73を用いると、形状記憶基板73の形状記憶作用により、第1グリッド13の適切な湾曲状態を容易に維持することができる。形状記憶基板73は、形状記憶ポリマーや形状記憶合金から形成されたものを用いることができる。形状記憶ポリマーは、例えば、ポリノルボルネン、トランスポリイソプレン、ポリウレタン等である。形状記憶合金は、例えば、NiTi、NiTiCo、NiTiCu等である。同様に、図16に示すように、繊維状にした形状記憶ポリマーや形状記憶合金で形成された形状記憶層74を可撓性樹脂ポリイミド等75に編み込んだ複合基板76を、フレキシブル基板26の代わりに用いても良い。複合基板76も形状記憶基板73とほぼ同様の作用効果を示す。なお、上述の第1~第3実施形態では、5枚の小グリッドを用いる例を説明したが、使用する小グリッドの枚数は5枚に限らない。小グリッドを円筒面状あるいは球面状に配置するためには少なくとも2枚の小グリッドが必要だが、円筒面状球面状により近くするためには、小グリッドの枚数はできるだけ多いほうが良い。なお、上述の第1~第3実施形態では、第1グリッド13が位相型グリッドである例を説明したが、第1グリッド13は、線源グリッド12や第2グリッド14と同様に、吸収型グリッドでも良い。この場合、前述の第2実施形態で説明した方法により第1グリッド13を形成することができる。なお、上述の第1~第3実施形態では、線源グリッド12、第1グリッド13、第2グリッド14が全て円筒面状に湾曲している例を説明したが、これに限らない。少なくとも第1グリッド13または第2グリッド14の一方が円筒面状あるいは球面状に湾曲していれば良い。また、上記実施形態では、被検体HをX線源と第1グリッドとの間に配置しているが、被検体Hを第1グリッドと第2グリッドとの間に配置してもよい。この場合にも同様に位相コントラスト画像が生成される。また、上記実施形態では、線源グリッドを設けているが、線源グリッドを省略してもよい。また、上記各実施形態では、一方向に延伸されかつ延伸方向に直交する配列方向に沿って交互に配置されたX線吸収部及びX線透過部を有する縞状の一次元グリッドを例に説明したが、本発明は、X線吸収部及びX線透過部が直交する2方向に配列された二次元グリッドにも適用が可能である。この場合、複数回の撮影を行う縞走査法により位相コントラスト画像を生成してもよいし、1回の撮影によって位相コントラスト画像を生成してもよい。1回の撮影で位相コントラスト画像を生成するには、例えば、WO2010/050483号公報に記載のように、第1グリッドに市松模様の位相型グリッドを使用し、第2グリッドに網目模様の振幅型グリッドを使用して、撮影を行う。この1枚の撮影画像にフーリエ変換を行い、縦横方向の1次スペクトルをそれぞれ抽出する。これらの1次スペクトルをフーリエ逆変換することで、2方向の位相微分画像が得られる。上記各実施形態は、矛盾しない範囲で相互に組み合わせてもよい。本発明は、医療診断用の放射線画像撮影システムのほか、工業用や、非破壊検査等のその他の放射線撮影システムに適用可能である。また、本発明のグリッドは、X線撮影において散乱線を除去する散乱線除去用グリッドにも適用可能である。更に、本発明は、放射線として、X線以外にガンマ線等を用いる放射線画像撮影システムにも適用可能である。なお、上述の第1~第3実施形態で説明した本発明によれば、特に温度変化及び温度変化による熱膨張を考慮した高品質な位相イメージング用グリッドを提供することができる。例えば、撮影時において、環境温度変化が生じるとグリッドの湾曲度が僅かに変化することがある。このとき、小グリッド17~21の相対的な配置精度が悪いと、小グリッド17~21間の相対的な配置のばらつきに応じて縞画像のコントラストが悪化してしまうことがある。しかし、本発明によれば、小グリッド17~21の相対的配置が正確であるため、環境温度に変化が生じても縞画像のコントラストの悪化を抑えることができる。また、グリッドの製造時には、接着剤を硬化させる等のために加熱することがあり、その熱によってフレキシブル基板26等が熱変形することがあるが、本発明によれば、上述のような熱変形があったとしても小グリッド17~21を相対的に高精度に配置可能である。"