"IR通過可視遮断層、IRエントリー透過性電極、IR感作層、発光ダイオードLED層、及び可視イグジット透過性電極を含む積み重ね層構造を有するアップコンバージョンデバイスにおいて、前記IR通過可視遮断層がIR放射源と前記LED層との間に置かれ、前記IR通過可視遮断層が、前記LED層によって発せられる波長での可視光の通過を許さないが、前記IR感作層へのNIR放射線の通過を許すことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記IR通過可視遮断層が、異なる屈折率の材料の多様な2つの交互フィルムを含む複合構造体であることを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項2に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記2つの交互フィルムが、Ta2O5とSiO2との複合材料またはLiFとTeO2との複合材料を含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記IR通過可視遮断層が、Si、CdS、InP、及び/またはCdTeの1つ以上のフィルムを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記IRエントリー透過性電極が、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウムスズ酸化物ATO、アルミニウム亜鉛酸化物AZO、カーボンナノチューブ、または銀ナノワイヤを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記可視イグジット透過性電極が、インジウムスズ酸化物ITO;インジウム亜鉛酸化物IZO;アルミニウムスズ酸化物ATO;アルミニウム亜鉛酸化物AZO;カーボンナノチューブ;銀ナノワイヤ;Mg:Ag;またはMg:Ag及びAlq3スタックを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項6に記載の可視イグジット透過性電極において、前記Mg:Ag層が、10:1比及び30nm未満の厚さを有することを特徴とする可視イグジット透過性電極。請求項6に記載の可視イグジット透過性電極において、前記Alq3層が、200nm未満の厚さを有することを特徴とする可視イグジット透過性電極。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記LED層が、電子輸送層ETL、発光層、及び正孔輸送層HTLを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項9に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記ETLが、トリス[3-3-ピリジル-メシチル]ボラン3TPYMB、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhen、及びトリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項9に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記発光層が、トリス-2-フェニルピリジンイリジウム、Irppy3、ポリ-[2-メトキシ,5-2’-エチル-ヘキシルオキシフェニレンビニレン]MEH-PPV、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、またはイリジウムIIIビス-[4,6-ジ-フルオロフェニル-ピリジネート-N,C2’]ピコリネートFIrpicを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項9に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記HTLが、1,1-ビス[ジ-4-トリルアミノフェニル]シクロヘキサンTAPC、N,N’-ジフェニル-N,N’2-ナフチル-1,1’-フェニル-4,4’-ジアミンNPB、及びN,N’-ジフェニル-N,N’-ジm-トリルベンジジンTPDを含むことを特徴とするアップコンバージョンデバイス。請求項1に記載のアップコンバージョンデバイスにおいて、前記IR通過可視遮断層が、IR放射源と前記IRエントリー透過性電極との間に置かれることを特徴とするアップコンバージョンデバイス。本発明の実施形態は、発生した可視光のアウトプットが、IR光が入る表面からの放射を制限される、IR-可視アップコンバージョンデバイスを指向する。図1に示されるように、典型的なアップコンバージョンデバイスでは、IR感作層は、図1においてアノードとして示される、電極の一面上に置かれ、そこで、IR感作層は、電荷キャリア、電子か正孔かのどちらかを発生させる。デバイスのバイアス下に、電荷キャリアは、図1で有機LEDOLED層として示される、発光デバイスLED層に導かれ、そこで、それはその補充電荷キャリアと結合して可視光を発生させる。LEDによって発生した光は、LEDからすべての方向に放射される。図1に示されるようにアップコンバージョンデバイスは、発生した可視光がデバイスの両面を通って伝播される、2つの透過性電極から構成される。軍の暗視などの、アップコンバージョンデバイスの幾つかの潜在的用途向けには、デバイスは、デバイスで用いられる意図される可視光検出器以外の、歓迎されない目などの、可視光検出器によって観察されないままであることが好ましい。それ故、可視光が検出されることを意図される面へ以外のあらゆる方向に可視光が導かれるのを阻止すること、特に、光がIRエントリー面を通って放射されるのを阻止することが望ましい。本発明の実施形態においては、IR通過可視遮断層は、近IRの高い割合がデバイスに入ることを可能にし、例えば、IR通過可視遮断層は、1.8μm未満のNIRの少なくとも一部において少なくとも50透過性であり、そして光が背景光を超えて容易に検出できない程度にIRエントリー面を通っての可視光の透過を阻止することを可能にする。本発明の実施形態による、アップコンバージョンデバイスは図2に示され、図2で、IR通過可視遮断層をIRエントリー面とIR感作層との間に含めることによって、IR通過可視遮断層が、IRエントリー面を通っての可視光損失を可能にするよりもむしろ内部で可視光を吸収する及び/または反射するので、デバイスは、IRエントリー面で可視光を通さなくなる。本発明の目的のためには、IRエントリー面に最も近い電極は、高度に、少なくとも約50透過率までIR透過性でなければならず、可視検出面に最も近い電極は、高度に、可視光がLEDから発せられる波長範囲にわたって少なくとも約50透過率まで可視光を通さなければならない。IR通過可視遮断層が反射面を有するとき、デバイスの光検出面に導かれる可視光の割合の増加が、層なしまたは無反射IR通過可視遮断層と比べて可能である。積み重ね層に垂直のアップコンバージョンデバイスの表面は、不透過性コーティングでカバーする、またはさもさければ可視光がデバイスの側面に失われないように吸収面及び/または反射面である不透過性表面に隣接させることができる。IR通過可視遮断層の位置は、図2に示されるように、基材とアノードとの間であり得る。この層はまた、アノードと反対の基材の表面上に置くことができる、または、両層がデバイスにおける相互接続層としてかもしくは活性層として働くのに適切な電子的特性を有するときには、IR通過可視遮断層は、デバイスに用いられるLEDのIRエントリー側上のデバイスの任意の層間に置くことができる。本発明の実施形態による、アップコンバージョンデバイスに使用されるIR通過可視遮断層は、図3に示されるような多誘電性積み重ね層を用いることができる。IR通過可視遮断層は、交互フィルムが異なる屈折率を有する状態で誘電性層の積み重ねであって、高い屈折率を有するフィルムが著しくより低い屈折率のフィルムと互い違いになる積み重ねを使用する。本発明の実施形態においては、フィルムは、材料の連続層であり、任意の特定の順番または方法で形成される必要がない。積み重ねは、高い屈折率を有する1つ以上の材料のフィルムと、低い屈折率を有する1つ以上の材料のフィルムとを含むことができる。例示的なIR通過可視遮断層において、この層は、交互のTa2O5フィルムRI=2.1とSiO2フィルムRI=1.45との複合体から構成される。本発明の他の実施形態においては、交互のTiO2フィルムとSiO2フィルムとの複合体、及び交互のLiFフィルムとTeO2フィルムとの複合体を含む他の材料を使用することができる。本発明の他の実施形態においては、IR通過可視遮断層は、高いIR透過性を本質的に有するが、可視光を通さない1つ以上のフィルム、例えばSi、CdS、InP、またはCdTeを含むことができる。当業者によって十分に理解され得るように、材料または複合材料は可視において幾らかの透過性を有することができるが、この材料は、アップコンバージョンデバイスが使用されている周囲光条件下で外部可視検出器に有効に不透過性であるために用いられるLEDによって発せられる波長の可視放射線を反射するかまたは吸収しなければならない。アップコンバージョンデバイスの幾つかの使用向けには、この吸収または反射は完全無欠である必要はない。本発明の実施形態においては、IR感作層は、混合PbSeQDまたは混合PbSQDを含む幅広い吸収IR感作層であり得る。本発明の他の実施形態においては、IR感作層は、PbSe、PbS、InAs、InGaAs、Si、Ge、またはGaAsの連続薄膜を含む。本発明の実施形態においては、IR感作層は、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸-3,4,9,10-二酸無水物PTCDA;スズIIフタロシアニンSnPc;SnPc:C60、アルミニウムフタロシアニンクロリドAlPcCl;AlPcCl:C60;チタニルフタロシアニンTiOPc;及びTiOPc:C60を含むが、それらに限定されない材料を含む有機もしくは有機金属である。本発明の実施形態においては、LED層は、515nmで緑色光を発するfac-トリス2-フェニルピリジンイリジウムIrppy3を含むOLEDであり得る。本発明の実施形態において用いることができる他のLED材料としては、ポリ-[2-メトキシ,5-2’-エチル-ヘキシルオキシフェニレンビニレン]MEH-PPV、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3、及びイリジウムIIIビス-[4,6-ジ-フルオロフェニル-ピリジネート-N,C2’]ピコリネートFIrpicが挙げられる。LED層は、任意の個別の波長の光、波長の混合物、または狭いもしくは幅広いスペクトルの光を発することができる。多数のLED材料をLED層に含めることができ、LED層は、複数の異なるLED層であり得る。図2においてアノードとして示される、IRエントリー透過性電極で用いることができる透過性電極は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウムスズ酸化物ATO、アルミニウム亜鉛酸化物AZO、カーボンナノチューブフィルム、または銀ナノワイヤを含む。図2においてカソードとして示される、可視イグジット透過性電極は、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウムスズ酸化物ATO、アルミニウム亜鉛酸化物AZO、カーボンナノチューブ、銀ナノワイヤ;Mg:Ag層、またはMg:Ag及びAlq3スタック層であり得る。例えば、30nm未満の厚さの10:1Mg:Ag層を、200nm以下の厚さを有するAlq3層と積み重ねることができる。IRエントリー透過性電極及び/または可視イグジット透過性電極は、任意の適切なガラスまたはポリマー材料であり得る、それぞれ、ITスペクトル及び可視スペクトルに対して透過性である基材上に形成することができる。方法及び原材料IR通過可視遮断材は、下の表1に示されるようにTa2O5RI=2.1とSiO2RI=1.45との多数の交互フィルムから構成された。IR通過可視遮断材は、約1μmの厚さを有し、それが575nmよりも小さい、そして450nmよりも大きい波長で殆ど透過率なしのシャープカットオフを示すので、515nm光を発するOLEDを使用するアップコンバージョンデバイスでの使用に好適であった。図4は、IR通過可視遮断材の透過率スペクトルを示す。本明細書で言及されるまたは引用されるすべての特許、特許出願、仮出願、及び刊行物は、すべての図及び表を含む、それらの全体を、それらが本明細書の明確な教示に矛盾しない程度に参照により援用される。本明細書に記載される実施例及び実施形態が例示目的のみのためであること、ならびにそれを踏まえた様々な修正及び変更が当業者に暗示されるだろうし、本出願の精神及び範囲内に包含されることになることは理解されるべきである。"