"還元性を有するレダクトン類A0.01~10重量と水を含有し、1重量に希釈したときの25°Cでの表面張力が50mN/m以下である界面活性剤Bの含有量が0.01重量未満であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。該レダクトン類AがL-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸およびこれらの塩からなる群から選ばれる1種以上である請求項1記載の電子材料用洗浄剤。さらにキレート剤Cを含有する請求項1または2に記載の電子材料用洗浄剤。該電子材料が、磁気ディスク基板である請求項1~3のいずれかに記載の電子材料用洗浄剤。請求項1~4のいずれかに記載の電子材料用洗浄剤を用いて電子材料を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法該電子材料が磁気ディスク基板である請求項5記載の電子材料の製造方法。しかし、近年の洗浄に求められるレベルが一段と厳しくなり、特許文献1と2の磁気ディスク基板用の洗浄剤では不十分なレベルとなってきている。発明者らが汚れの内容を解析した結果、ごく微量の界面活性剤が洗浄後の基板表面に残留することがわかった。すなわち、洗浄液で洗浄後、リンス時間が短いなどの理由でリンスが不十分であるときには、洗浄液中の成分が基板表面に残留する場合がある。また、同じ理由で砥粒が基板上に多数残留する場合がある。この詳細なメカニズムは不明であるが、洗浄液中の界面活性剤が、洗浄中に基板に物理吸着し、少量のリンスでは基板表面上にその一部が残留する。その後、洗浄工程中に砥粒が、基板上に物理吸着して残留している界面活性剤に物理吸着するため、その結果、砥粒に対する洗浄性にも悪影響を及ぼすものと考えられる。ところで、比較的表面張力が低い界面活性剤の使用は、洗浄剤の有機物に対する親和性や基板への濡れ性を向上させ、その結果洗浄性が向上することがある一方で、前述した界面活性剤の残留は、たとえ微量であっても基板表面の濡れ性を変えるため、例えば磁性膜のスパッタリングの不均一性や、縞模様スポットの発生等の重大な悪影響を与え、高記録密度化を困難にする。そこで、砥粒に対する洗浄性が非常に高く、かつ、悪影響を及ぼす界面活性剤などの有機物の基板表面の残留が極めて少ない電子材料用洗浄剤、または悪影響を及ぼす界面活性剤を含有せずに非常に高い洗浄性を発揮する電子材料用洗浄剤および電子材料の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、特定の種類の還元剤を用いることで砥粒に対する高い洗浄性が得られ、さらに比較的表面張力が低い界面活性剤の含有量を特定濃度以下に制限することで、洗浄剤成分の基板への残留を極めて少なくできることがわかった。その結果、界面活性剤の残留による濡れ性に由来する磁性膜のスパッタリングの均一性への悪影響を避けることができることを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明は、還元剤としてのレダクトン類Aと水を必須成分として含み、1重量に希釈したときの25°Cでの表面張力が50mN/m以下である界面活性剤Bの含有量が0.01重量未満である電子材料用洗浄剤である。本発明の電子材料用洗浄剤および電子材料の製造方法は、特に磁気ディスク基板特に磁気ディスク用ガラス基板及びNi-Pメッキを施された磁気ディスク用アルミニウム基板の製造工程において問題となる微細な砥粒に対する洗浄性に優れる。また、リンス時間が短い場合でも基板への残留が少ない。そのため、高記録密度化で要求され、例えば、磁性膜を均一にスパッタリングするために要求される清浄度の高い電子材料を提供することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、還元性を有するレダクトン類A0.01~10重量と水を含有し、1重量に希釈したときの25°Cでの表面張力が50mN/m以下である界面活性剤Bの含有量が0.01重量未満の電子材料用洗浄剤である。本発明において、電子材料とは特に限定されるものではなく、磁気ディスク基板ガラス基板、アルミニウム基板及びNi-Pメッキが施されたアルミニウム基板、半導体基板半導体素子及びシリコンウェハ等、化合物半導体基板SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等、サファイヤ基板LED等、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、微小電気機械システムMEMS並びに水晶振動子等が挙げられ、洗浄性の観点で磁気ディスク基板などが好ましい。特に本発明の電子材料用洗浄剤は、磁気ディスク用のガラス基板やアルミニウム基板の洗浄剤として有用である。本発明の電子材料用洗浄剤の必須成分である還元性を有するレダクトン類Aとしては、分子内に下記一般式1で表されるケトエンジオール基を有する化合物であればよい。L-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、L-アスコルビン酸のエステル開環化合物;これらのエステルL-アスコルビン酸硫酸エステル、L-アスコルビン酸リン酸エステル、L-アスコルビン酸パルミチン酸エステル、L-アスコルビン酸テトライソパルミチン酸エステル、L-アスコルビン酸イソパルミチン酸エステル、イソアスコルビン酸リン酸エステル、イソアスコルビン酸パルミチン酸エステル、イソアスコルビン酸テトライソパルミチン酸エステル;これらの塩例えばナトリウム塩、カリウム塩、アミン塩等等が挙げられる。これらのうち、好ましいのは、L-アスコルビン酸およびL-アスコルビン酸の塩である。これらのうち、砥粒の洗浄性と入手容易性の観点で、L-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸;およびこれらの塩が好ましく、さらに好ましくはL-アスコルビン酸とその塩である。Aは単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、レダクトン類の塩としては、最初からL-アスコルビン酸のナトリウム塩を配合してもよいし、系内のL-アスコルビン酸と例えば水酸化ナトリウムが洗浄液中で塩を形成してもよい。本発明の電子材料用洗浄剤中のレダクトン類Aの含有量は、0.01~10重量、好ましくは0.1~5重量である。また、本発明の電子材料用洗浄剤は使用する際にさらに水で希釈してもよく、使用時のレダクトン類Aの含有量は、0.001~5重量であり、洗浄性の観点で好ましくは0.01~1重量である。本発明の電子材料用洗浄剤のもう1つの必須成分である水は、超純水、イオン交換水、RO水、蒸留水が挙げられ、清浄度の観点から超純水が好ましい。表面張力が50mN/m以下の界面活性剤Bを0.01重量以上含む場合は、流水リンスで除去しにくくなり、基板に残留する恐れがある。その結果として磁性膜のスパッタリングが不均一となるため好ましくない。本発明の電子材料用洗浄剤中の界面活性剤Bの含有量は0.01未満であり、好ましく0.005未満、さらに好ましくは0.003未満であるが、悪影響のある界面活性剤は極力含まないことが好ましい。本発明における界面活性剤Bとは、1重量に希釈したときの25°Cでの表面張力が50mN/m以下の界面活性剤である。表面張力は、表面張力計を使用し、Wilhelmy法に基づき、白金プレートを用いて測定する。本発明における界面活性剤Bとしては、例えば、イオン性界面活性剤、ノニオン界面活性剤のうち、1重量水溶液の表面張力が50mN/m以下のものが挙げられる。イオン性界面活性剤としては、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、石鹸、アルファオレフィンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキル硫酸エステル、アルキルエーテル硫酸エステル、スルホコハク酸、硫酸化油、エーテルカルボン酸、第4級アンモニウム、イミダゾリニウムベタイン系、アミドプロピルベタイン系、アルキルアミン、アルキルアミド等のうち、1重量水溶液の表面張力が50mN/m以下のものが挙げられる。また、ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレングリコールエーテル、ポリオキシアルキレンポリアルキルアリールエーテル、脂肪酸エステル、アルキルアミンエチレンオキシド付加体、アルキルアミドエチレンオキシド付加体、アルキルアミンオキシド等のうち、1重量水溶液の表面張力が50mN/m以下のものが挙げられる。本発明の電子材料用洗浄剤には、洗浄性を向上させるために、さらに、キレート剤Cを含有することが好ましい。キレート剤Cとしては、アミノポリカルボン酸塩{例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸塩EDTA、ジエチレントリアミンペンタ酢酸塩DTPAなど}、ヒドロキシカルボン酸塩例えば、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸塩など、ホスホン酸塩{例えば、1-ヒドロキシエチリデン-1、1-ジホスホン酸塩HEDPなど}および縮合リン酸塩例えばトリポリリン酸塩などなどが挙げられる。これらのうち、洗浄性の観点でHEDP、DTPAが好ましい。本発明の電子材料用洗浄剤中のキレート剤Cの使用時の含有量は、0.001~5重量であり、洗浄性の観点で好ましくは0.01~0.5重量である。本発明の洗浄剤は、還元性のレダクトン類A、水、界面活性剤Bおよびキレート剤C以外に、さらに酸、アルカリを含有もしてもよい。酸としてはスルファミン酸等の無機酸、およびフィチン酸等の有機酸が挙げられる。アルカリとしては水酸化ナトリウム等の無機アルカリおよびジエタノールアミン等のアミンが挙げられる。本発明の電子材料用洗浄剤の使用時のpHは1~12であり、液の安定性の観点から、好ましくは3~10、特に好ましくは4~8である。本発明の別の実施態様は、上記の電子材料用洗浄剤を用いて、研磨工程後の電子材料を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法であり、特に磁気ディスク基板の製造方法に特に適している。しかし、磁気ディスク基板に限定するものではなく、砥粒のスラリーや研磨屑を除去する必要がある電子材料の製造であれば、広く電子材料の製造に有用である。本発明の電子材料用洗浄剤を磁気ディスク基板の製造に用いる場合、サブストレート工程の1段階目の研磨後や2段階目の研磨後、あるいはメディア工程で用いることができる。本発明の洗浄剤を用いた磁気ディスク基板の製造工程サブストレート工程の一部の一例を、ハードディスク用ガラス基板を例にとり、以下に述べる。1ガラス基板をラッピング後、流水ですすいでガラス基板を作成する。2基板を研磨装置にセットし、酸化セリウムを含む研磨スラリーで基板を研磨する。3研磨後の基板を流水ですすいだ後に基板を研磨装置から取り出し、本発明の洗浄剤を用いてディップもしくはスクラブ洗浄した後再度流水ですすぐ。4その後、本発明の洗浄剤を用いてスクラブ洗浄した後、再度流水ですすぐ。5再び基板を研磨装置にセットし、コロイダルシリカを含む研磨スラリーで基板を研磨する。6研磨後の基板を超純水で流水リンスしてすすいだ後に基板を研磨装置から取り出し、本発明の洗浄剤を用いてディップもしくはスクラブ洗浄した後再度流水ですすぐ。また、ハードディスク用アルミ基板の場合は、上記の2の工程で、酸化セリウムの代わりに一般にアルミナが使用される。以下、実施例および比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、は重量、部は重量部を示す。[製造例1]撹拌装置及び温度制御装置付きの容積1リットルのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコール200部1.1モル部及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド以下、TMAHと略記の25水溶液10部0.027モル部を仕込み、100°C、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。EO430部9.8モル部を、反応温度を100°Cに制御しながら、3時間かけて滴下した後、100°Cで3時間熟成し、粗生成物を得た。この粗生成物を2.6kPa以下の減圧下に、150°Cで2時間保持して、残存するTMAHを分解及び除去し、比較例3と5の配合のためのノニオン性界面活性剤であるラウリルアルコールEO9モル付加物630部を得た。[製造例2]撹拌装置及び温度制御装置付きの容積1リットルのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミン185部1.0モル部及び25TMAH水溶液3.6部0.01モル部を仕込み、100°C、4kPa以下の減圧下で30分間脱水した。EO264部6.0モル部を、反応温度を100°Cに制御しながら、3時間かけて滴下した後、100°Cで3時間熟成し、粗生成物を得た。この粗生成物を2.6kPa以下の減圧下、150°Cで2時間保持して、残存するTMAHを分解及び除去し、ノニオン性界面活性剤であるラウリルアミンEO6モル付加物445部を得た。[製造例3]温調及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール300部及び超純水100部を仕込み、反応容器内を窒素で置換後、75°Cに昇温した。30rpmで撹拌下、アクリル酸の75水溶液407部及びジメチル2,2’-アゾビスイソブチレートの15イソプロピルアルコール溶液95部を3.5時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、75°Cで5時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液を、DBU450部でpHが7.0になるまで中和し、減圧乾燥することにより、ポリアクリル酸DBU塩を得た。[製造例4]温調及び還流が可能な攪拌装置付き反応容器にエチレンジクロライド100部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に90°Cまで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン120部と、予め2,2’-アゾビスイソブチロニトリル1.7部をエチレンジクロライド20部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に6時間かけて反応容器内に同時に滴下し、滴下終了後更に1時間重合を行った。重合後、窒素シール下で20°Cに冷却した後、温度を20°Cにコントロールしながら無水硫酸105部を10時間かけて滴下し、滴下終了後更に3時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水345部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を25TMAH水溶液約400部でpHが7になるまで中和し、乾燥することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸TMAH塩を得た。表1中の下記の化合物は以下のものを使用した。その他の化合物は市販の試薬を用いた。ポリカルボン酸ナトリウム塩:三洋化成工業製キャリボンL-400ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム塩:三洋化成工業製サンモリンOT-70実施例1~11、および比較例1~7表1に記載の組成となるように、各成分を配合し、25°C、マグネチックスターラーで40rpm、20分間攪拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤を得た。上記洗浄剤をさらに超純水で50倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。洗浄剤の洗浄性、基板への残留性の砥粒の種類や基板材料の異なる各種性能評価試験は下記の方法で行った。なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス1,000FED-STD-209D、米国連邦規格、1988年のクリーンルーム内で実施した。<洗浄性試験-1>研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリーフジミインコーポレイテッド製COMPOL80粒径約80nmを用いて3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板を以下条件で研磨した。研磨装置:ナノファクター製NFD-4BLスラリー供給速度:50mL/分荷重:30g重/cm2回転数:定盤30rpm、ギア20rpm研磨時間:5分基板を研磨した後、超純水で表面を1分間流水リンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を調製した。作製した汚染基板を上記調製した各サンプル液1,000部が入った1Lガラス製ビーカーに浸漬し、超音波洗浄機200kHzで、30°C、5分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で再び1分間リンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し評価用基板を得た。アルミ基板表面を表面検査装置ビジョンサイテック社製Micro-MaxVMX-7100で観察し、画像解析ソフトSigmascanを用いてパーティクル付着数を数えた。なお、通常の洗浄性試験ではリンスを十分に行う例えば5分間以上必要があるが、本願発明の洗浄剤は、近年の高度な洗浄性が要求されるため、敢えて1分間という短時間でもパーティクルの除去が十分か否かを判定するために厳しい条件とした。また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。その際のブランクのパーティクル付着数は850個であった。以下の判断基準で洗浄性試験を判定し、判定結果を表1に示した。洗浄性試験の判断基準5:パーティクル付着数がブランクの1/100未満4:パーティクル付着数がブランクの1/100~1/203:パーティクル付着数がブランクの1/20~1/52:パーティクル付着数がブランクの1/5~1/21:パーティクル付着数がブランクの1/2以上<洗浄性試験-2>コロイダルシリカの代わりに、市販のアルミナスラリーフジミインコーポレイテッド製WA20000、粒径約0.4μmを用いた以外は、洗浄性試験-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル付着数は350個であった。<洗浄性試験-3>コロイダルシリカの代わりに、市販のダイヤモンドスラリーナノファクター製1/10PCS-WB2、粒径約100nmを用いた以外は、洗浄性試験-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル付着数は420個であった。<洗浄性試験-4>3.5インチのNi-Pメッキされた磁気ディスク用アルミ基板の代わりに、2.5インチの市販の磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、洗浄性試験-1と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル付着数は650個であった。<洗浄性試験-5>市販のコロイダルシリカスラリーの代わりに市販のセリアスラリーAGCセイミケミカル製CES-303、粒径約0.4μmを用いた以外は、洗浄性試験-4と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル付着数は450個であった。<洗浄性試験-6>市販のコロイダルシリカスラリーの代わりに市販のダイヤモンドスラリーナノファクター製1/10PCS-WB2、粒径約100nmを用いた以外は、洗浄性試験-4と同様の操作と判断基準で評価した。なお、ブランクのパーティクル付着数は550個であった。<残留防止性試験-1>アルミ基板を、性能試験サンプル液に30°C、5分間浸漬し、1分間超純水で流水リンスした後、窒素気流のブローにより乾燥した。乾燥後のアルミ基板表面を微分干渉顕微鏡Nikon社製、OPTIPHOT-2、倍率400倍で観察し、以下の判定基準で残留防止性の判定をおこなった。洗浄剤が残留した基板を顕微鏡で観察すると、残留した部分が、縞模様となって見える。そのため、縞模様の有無で、残留防止性を評価できる。また、ブランクとして超純水で同様に試験した。その際のブランクには縞模様が現れない。結果を表1に示す。残留防止性試験の判定基準○:ブランクと同等で、残留物の縞模様がない×:ブランクと比較して、残留物の縞模様が明らかに見られる<残留防止性試験-2>アルミ基板に代えて上記ガラス基板でおこなった以外は残留防止性試験-1と同様の操作と判断基準で評価し判定した。表1より、還元性を有するレダクトン類を含み、界面活性剤の濃度が一定濃度未満の実施例1~11の洗浄液は、アルミ基板およびガラス基板上に付着する砥粒の残存が少なく、洗浄性能が高いことがわかる。また、短いリンス時間であっても、洗浄液のアルミ基板、ガラス基板に対する残留防止性が高いことがわかる。一方、還元性を有しないレダクトン類のみを用いた比較例1の洗浄剤は砥粒に対する洗浄性がブランクと変わらない。還元性を有するレダクトン類および一定濃度以上の界面活性剤を含む比較例2、3の洗浄剤は砥粒に対する洗浄性は多少向上するものの、高容量化を満足する残存レベルではなく、また、基板への残留が多いため磁性膜スパッタにおいて歩留まりが著しく低下する可能性がある。また、表面張力が50mN/m以上であるポリアクリル酸ナトリウムのみからなる従来の比較例4の洗浄剤は、砥粒に対する洗浄性が悪い。ジアルキルスルホコハク酸ナトリウムを含む従来の比較例5の洗浄剤は、砥粒に対する洗浄性、基板に対する残留性ともに悪い。表面張力が50mN/m以下である界面活性剤を一定濃度以上含む比較例6、7の洗浄剤は、砥粒に対する洗浄性、基板に対する残留性ともに悪い。"