"p型半導体層とn型半導体層と、該p型半導体層と該n型半導体層を覆う第1の絶縁膜とを備え、該第1の絶縁膜が前記p型半導体層に電流を入力させるp側の開口部、及び前記n型半導体層から電流を引き出すn側の開口部を有する半導体発光素子において、前記p側の開口部で前記p型半導体層と接続するp側の中間配線、又は前記n側の開口部で前記n型半導体層と接続するn側の中間配線と、前記p側の中間配線を介して前記p型半導体層と接続するp側の接続電極、又は前記n側の中間配線を介して前記n型半導体層と接続するn側の接続電極とを備え、前記p側の開口部と前記p側の接続電極、又は前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする半導体発光素子。前記p側の中間配線及び前記n側の中間配線と、前記p側の中間配線と接続するp側の接続電極及び前記n側の中間配線と接続するn側の接続電極とを備え、前記p側の開口部と前記p側の接続電極並びに前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第1の絶縁膜が有機膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。前記中間配線上の開口部を除き、前記中間配線を覆う第2の絶縁膜を備えていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。前記第2の絶縁膜が有機膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。特許文献1のLEDチップ1LED素子では、接続用部材である半田31上に第2p電極18が積層し、第2p電極18上にp電極用開口16bがあった。いっぱんにフリップチップ用のLED素子では、接続用電極が保護膜絶縁膜の開口部と積層し、開口部において薄い金属層を介して半導体層と接続している。このLED素子を回路基板に実装したとき、回路基板の反りや、回路基板とLED素子の熱膨張率の違いなどにより応力が発生し、この応力が接続電極から半導体層に向かう。このとき保護膜の界面でズレが発生しやすいこと、及び薄い金属層が変形しづらいことにより、接続電極から伝わってくる応力が保護膜の開口部に集中し、開口部において様々な界面で剥離することがある。そこで本発明は、この課題を解決するため、外部回路との接続用の電極に応力がかかってきても絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明の半導体発光素子は、p型半導体層とn型半導体層と、該p型半導体層と該n型半導体層を覆う第1の絶縁膜とを備え、該第1の絶縁膜が前記p型半導体層に電流を入力させるp側の開口部、及び前記n型半導体層から電流を引き出すn側の開口部を有する半導体発光素子において、前記p側の開口部で前記p型半導体層と接続するp側の中間配線、又は前記n側の開口部で前記n型半導体層と接続するn側の中間配線と、前記p側の中間配線を介して前記p型半導体層と接続するp側の接続電極、又は前記n側の中間配線を介して前記n型半導体層と接続するn側の接続電極とを備え、前記p側の開口部と前記p側の接続電極、又は前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないことを特徴とする。上記構成の半導体発光素子は、p側又はn側の接続電極が中間配線を介してp型半導体層又はn型半導体層と接続し、さらにp側又はn側の接続電極がp側又はn側の開口部と積層していない。回路基板など外部から応力がかかってきたとき、まず応力が接続電極から中間配線に伝わる。このとき中間配線は比較的厚いため伸縮して応力を緩和できる。また接続配線と開口部が積層していないため応力が直接的に開口部に伝わることもない。この結果、開口部に応力が集中しなくなり、開口部において剥離が起きにくくなる。前記p側の中間配線及び前記n側の中間配線と、前記p側の中間配線と接続するp側の接続電極及び前記n側の中間配線と接続するn側の接続電極とを備え、前記p側の開口部と前記p側の接続電極並びに前記n側の開口部と前記n側の接続電極とが平面的に重ならないようにしても良い。前記第1の絶縁膜が有機膜であっても良い。前記中間配線上の開口部を除き、前記中間配線を覆う第2の絶縁膜を備えても良い。前記第2の絶縁膜が有機膜であっても良い。以上のように本発明の半導体発光層素子は、回路基板など外部から応力がかかっても第1の絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい。以下、添付図1~8を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態添付図1~4を参照して本発明の第1実施形態を詳細に説明する。図1は本実施形態のLED素子10半導体発光素子の電極面を示す底面図である。なお、理解を容易にするため、後述の絶縁膜16図2、図3参照は図示していない。LED素子10の電極面にはp側突起電極17p側の接続電極とn側突起電極18n側の接続電極がある。さらにp側突起電極17と垂直に交差するようにp側の中間配線19が2本ある。各p側の中間配線19の右側には開口部19ap側の開口部があり、左側には開口部19b中間配線上の開口部がある。開口部19aは絶縁膜14第1の絶縁膜が開口したものであり、開口部19aにおいてp型半導体層13図3参照がp側の中間配線19と接続する。開口部19bは絶縁膜16第2の絶縁膜、図3参照が開口したものであり、開口部19bにおいてp側の中間配線19がp側突起電極17と接続する。また図中、透視部を点線で示した。同様にn側突起電極18と垂直に交差するようにn側の中間配線15がある。このn側の中間配線15の左側には開口部15an側の開口部があり、右側には開口部15b中間配線上の開口部がある。開口部15aは絶縁膜14が開口したものであり、開口部15aにおいてn型半導体層12図2参照がn側の中間配線15と接続する。開口部15bは絶縁膜16図2参照が開口したものであり、開口部15bにおいてn側の中間配線15がn側突起電極18と接続する。図2,3によりLED素子10の積層構造を説明する。図2は図1のAA線に沿って描いたLED素子10の断面図である。サファイア基板11の下面にはn型半導体層12が形成され、さらにn型半導体層12の下面にはp型半導体層13が形成されている。なおp型半導体層13は、図では開口部15aにより二つに分断されているように見えるが、平面的には連続した一枚の層である。p型半導体層13の上面及び側面並びにn型半導体層12の左右の露出部は絶縁膜14で被覆されている。絶縁膜14には開口部15aがあり、開口部15aにおいてn型半導体層12がp型半導体層13から露出し、n型半導体層12とn側の中間配線15が接続している。n側の中間配線15は絶縁膜16で覆われ、絶縁膜16の開口部15b図1参照ではn側の中間配線15とn側突起電極18が接続している。なお開口部15aとn側突起電極18は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜16の下面に形成されたp側突起電極17は本図では電気的な接続はない。図3は図1のBB線に沿って描いたLED素子10の断面図である。図2との主な違いは、p型半導体層13が一枚の層で示されていることと、p側の中間配線19がp型半導体層13とp側突起電極17とを接続していることである。絶縁膜14の開口部19a図1参照ではp型半導体層13とn側の中間配線19が接続しており、絶縁膜16の開口部19b図1参照ではp側の中間配線19とp側突起電極17が接続している。なお開口部19aとp側突起電極17は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜16の下面に形成されたn側突起電極18は本図では電気的な接続はない。サファイア基板11は透明絶縁基板であり厚さが80~120μmである。n型半導体層12はGaNバッファ層とn型GaN層からなり厚さが5μm程度である。p型半導体層13は、反射や原子拡散防止などさまざまな機能に対応する金属多層膜とp型GaN層からなり厚みが1μm程度である。図示していないが発光層はp型半導体層13とn型半導体層12の境界部にあり、平面形状はp型半導体層13とほぼ等しい。絶縁膜14,16はSiO2やポリイミドからなり厚さが数100nm~1μm程度である。p側突起電極17及びn側突起電極18はAu又はCuをコアとするバンプであり、厚さが10~30μmである。p側及びn側の中間配線19,15はAl層からなり厚さが1μm程度である。またp型半導体層13及びn型半導体層12とp側及びn側の中間配線19,15との間に接続性を改善するための金属層を設けることがある。図4により本実施形態のLED素子10の製造工程を説明する。図4はLED素子10の製造工程の説明図であり、a~dは各工程の特徴的な状態におけるLED素子10の電極面を示している。なおLED素子10は、多数のLED素子10が連結して配列したウェハー状態で加工されるが、説明のため単個のLED素子10により製造工程を示している。また透視部については点線で示している。aは、絶縁膜14に開口を形成する工程である。図中、絶縁膜14には上下の辺側に2個の開口部19aがあり、開口部19aからp型半導体層13が見える。また図中、絶縁膜14の中央に1個の開口部15aがあり、開口部15aからn型半導体層12が見える。このウェハーは、洗浄液、純水、ブラシなどで洗われる。bは、p側及びn側の中間配線19,15を形成する工程であり、絶縁膜14上に形成されたp側及びn側の中間配線19,15を示している。p側及びn側の中間配線19,15はそれぞれ開口部19a,15aを覆っている。製造に際し、まずウェハー全面にAl層をスパッタ法で形成し、ホトリソグラフィ法でAl層をp側及びn側の中間配線19,15にパターニングする。cは、絶縁膜16を形成する工程であり、絶縁膜16及びその開口部19b,15bを示している。開口部19b,15bからそれぞれp側及びn側の中間配線19,15が見える。まず絶縁膜16がSiO2層ならスパッタ法、ポリイミド層なら塗布法により、ウェハー全面に絶縁膜16を製膜し、その後ホトリソグラフィ法で開口部19b,15bを形成する。dは、p側及びn側の突起電極17,18を形成する工程であり、絶縁膜16上にp側及びn側の突起電極17,18を形成した様子を示している。p側及びn側の突起電極17,18はそれぞれ開口部19b、15bを覆っている。p側及びn側の突起電極17,18は電解メッキ法とホトリソグラフィ法を組合せて形成する。最後にウェハーを切断しLED素子10を得る。本実施形態のLED素子10では、電極面において絶縁膜14の開口部19a,15aとp側及びn側突起電極17,18が、ともに平面的に重なっていなかった。しかしながらp側及びn側において両方とも同時にこの条件を満足しなくても良い。例えばn側の開口部とn側突起電極が平面的に重なり、p側の開口部とp側突起電極が平面的に重ならなくても、p側だけは応力による剥離を軽減できる。この場合、後述するように第1又は第2の絶縁膜を有機膜にしたり、n側に中間配線を設けたりすると良い。本実施形態のLED素子10は第2の絶縁膜16を備えていた。第2の絶縁膜16は、中間配線の保護や外部回路との短絡を防止するためのものなので、応力の緩和に関して必ずしも備えなくても良い。例えば回路基板に第2の絶縁膜のないLED素子をフリップチップ実装し、電極面とともにLED素子を樹脂で封止してしまえば信頼性や短絡に係わる問題は発生しにくくなる。本実施形態のLED素子10において第1及び第2の絶縁膜14,16は、SiO2のような無機膜でも、ポリイミドのような有機膜でも良かった。しかしながら応力の緩和に関して第1又は第2の絶縁膜14,16は有機材料であることがより好ましい。例えばLED素子10において絶縁膜16を有機膜とした場合、有機膜は柔軟性が比較的大きいため、p側及びn側の突起電極17,18の直下において絶縁膜16が応力を分散するので、開口部19a,15aにおける金属-金属間界面への剥離力が大きく低減される。本実施形態のLED素子10は接続電極としてp側及びn側の突起電極17,18を備えていた。しかしながら接続電極は突起電極に限定されない。例えばLED素子10において開口部19b,15bに半田との接続性が良好な薄膜金属層を形成し、これを接続電極としても良い。この場合、回路基板やマザー基板の電極とこの接続電極とは半田等により接続する。第2実施形態第1実施形態のLED素子10は、図1に示したようにn型半導体層12から電流を取り出す部位開口部15aが電極面の中央一箇所にあった。LED素子10のサイズが比較的小さく電極面が正方形であれば、電流を等方的に分布させるのにn側の開口部15aを電極面の中央部に配置すれば良い。なおp型半導体層13は金属多層膜を備えているため全体的に低抵抗化できるので開口部19aの位置は比較的自由に決められる。これに対し最近ではLED素子サイズが大型化し、また電極面が長方形のものが入手できるようになってきおり、このような場合はn側の開口部を複数備えることがある。また第1実施形態のLED素子10は、p側突起電極17とp側の開口部19a、並びにn側突起電極18とn側の開口部15aがともに平面的に重ならないようにしていた。しかしながらp側突起電極とp側の開口部、又はn側突起電極とn側の開口部の一方が平面的に重ならなくても、他方だけは開口部における応力による剥離を緩和できる。そこで図5~8により第2実施形態として、電極面が長方形であり、複数のn側の開口部を備え、n側の開口部の一部がn側突起電極と平面的に重なるLED素子50半導体発光素子を説明する。図5は本実施形態のLED素子50の電極面を示す底面図である。なお、理解を容易にするため、後述の絶縁膜56図6、7参照は図示していない。LED素子50の電極面にはp側突起電極57p側の接続電極とn側突起電極58n側の接続電極がある。いっぱんにLED素子のサイズが0.8mm×0.4mm程度になると、チップマウンター等の実装器で取り扱い易くなり、さらに突起電極のピッチをマザー基板の配線ピッチに合わせられるようになる。LED素子50も、中間配線を利用して接続用のp側及びn側突起電極57,58の配置や形状を単純化し、サイズを比較的大きくすることにより、直接的にマザー基板に実装できるようにしている。すなわち、いったん回路基板インターポーザともいうに実装してから、この回路基板をマザー基板に実装するという手間を省いている。図5において、LED素子50の電極面にはp側突起電極57と垂直に交差するようにp側の中間配線59が2本ある。各p側の中間配線59の右側には開口部59ap側の開口部があり、左側には開口部59b中間配線上の開口部がある。開口部59aは絶縁膜54第1の絶縁膜が開口したものであり、開口部59aにおいてp型半導体層53図7参照がp側の中間配線59と接続する。開口部59bは絶縁膜56第2の絶縁膜、図7参照が開口したものであり、開口部59bにおいてp側の中間配線59がp側突起電極57と接続する。また図中、透視部を点線で示した。p側の中間配線59と同様に、n側突起電極58と垂直に交差するn側の中間配線55はあるが、p側の中間配線59と異なり、n側の中間配線55では両端に開口部55an側の開口部があり、右側の開口部55aに隣接して開口部55b中間配線上の開口部がある。開口部55aは絶縁膜54が開口したものであり、開口部55aにおいてn型半導体層52図6参照がn側の中間配線55と接続する。開口部55bは絶縁膜56図6参照が開口したものであり、開口部55bにおいてn側の中間配線55がn側突起電極58と接続する。図6,7によりLED素子50の積層構造を説明する。図6は図5のCC線に沿って描いたLED素子50の断面図である。サファイア基板51の下面にはn型半導体層52が形成され、さらにn型半導体層52の下面にはp型半導体層53が形成されている。なおp型半導体層53三つに分断されているように見えるが、実際には平面的に連続した一枚の層である。p型半導体層53の上面及び側面並びにn型半導体層52の左右の露出部は絶縁膜54で被覆されている。絶縁膜54には開口部55aがあり、開口部55aにおいてn型半導体層52がp型半導体層53から露出し、n型半導体層52とn側の中間配線55が接続している。n側の中間配線55は絶縁膜56で覆われ、絶縁膜56の開口部55b図5参照ではn側の中間配線55とn側突起電極58が接続している。なお図1に示したLED素子10と異なり、右側の開口部55aとn側突起電極58は平面的に重なっている。絶縁膜56の下面に形成されたp側突起電極57は本図では電気的な接続はない。図7は図5のDD線に沿って描いたLED素子50の断面図である。図6との主な違いは、p型半導体層53が一枚の層で示されていることと、p側の中間配線59がp型半導体層53とp側突起電極57とを接続していることである。絶縁膜54の開口部59a図5参照ではp型半導体層53とp側の中間配線59が接続しており、絶縁膜56の開口部59b図5参照ではp側の中間配線59とp側突起電極57が接続している。なお図1に示したLED素子10と同様に、開口部59aとp側突起電極57は平面的に重ならないようにしている。絶縁膜56の下面に形成されたn側突起電極58は本図では電気的な接続はない。サファイア基板51、n型半導体層52、p型半導体層53、p側及びn側の突起電極57,58、並びにp側及びn側の中間配線59,55の材質及び厚さは図1で示したLED素子10の場合と同じである。絶縁膜54,56はポリイミド等の有機膜を使用する。有機膜は無機膜に比べ柔軟性が高いので、本実施形態のように一方の突起電極本実施形態ではn側突起電極58と開口部本実施形態では開口部55bが平面的に重なっても、突起電極から伝達される応力が絶縁膜の柔軟性により分散される。図8により本実施形態のLED素子50の製造工程を説明する。図8はLED素子50の製造工程の説明図であり、a~dは各工程の特徴的な状態におけるLED素子50の電極面を示している。なおLED素子50は、多数のLED素子50が連結して配列したウェハー状態で加工されるが、説明のため単個のLED素子50により製造工程を示している。また透視部については点線で示している。aは、絶縁膜54を形成する工程である。図中、絶縁膜54には上下の辺側に2個の開口部59aがあり、開口部59aからp型半導体層53が見える。また図中、絶縁膜54には左右方向の中心線図示せず上に2個の開口部55aがあり、開口部55aからn型半導体層52が見える。このウェハーは、洗浄液、純水、ブラシなどで洗われる。bは、p側及びn側の中間配線59,55を形成する工程であり、絶縁膜54上に形成されたp側及びn側の中間配線59,55を示している。p側及びn側の中間配線59,55はそれぞれ開口部59a,55aを覆っている。製造に際し、まずウェハー全面にAl層をスパッタ法で形成し、ホトリソグラフィ法でAl層をp側及びn側の中間配線59,55にパターニングする。cは、絶縁膜56を形成する工程であり、絶縁膜56及びその開口部59b,55bを示している。開口部59b,55bからそれぞれp側及びn側の中間配線59,55が見える。まずポリイミドをウェハー全面に塗布し、その後ホトリソグラフィ法で開口部59b,55bを形成する。dは、p側及びn側の突起電極57,58を形成する工程であり、絶縁膜56上にp側及びn側の突起電極57,58を形成した様子を示している。p側及びn側の突起電極57,58はそれぞれ開口部59b、55bを覆っている。p側及びn側の突起電極57,58は電解メッキ法とホトリソグラフィ法を組合せて形成する。最後にウェハーを切断しLED素子50を得る。"