"第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアとを有する第1の絶縁層と、少なくとも前記第1のビア内に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されたp側配線層と、前記p側配線層に対して離間して、前記第1の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面に設けられ、且つ前記第2のビア内に設けられ、前記n側電極と電気的に接続されたn側配線層と、少なくとも前記p側配線層と前記n側配線層との間に設けられた第2の絶縁層と、を備え、前記p側配線層は、前記第1の面及び前記第2の面と異なる面方位の第3の面で、前記第2の絶縁層から露出されたp側外部端子を有し、前記n側配線層は、前記p側外部端子と同じ前記第3の面で、前記第2の絶縁層から露出されたn側外部端子を有することを特徴とする発光装置。前記p側配線層は前記第3の面以外で前記第2の絶縁層から露出された部分をさらに有し、前記n側配線層は、前記第3の面以外で前記第2の絶縁層から露出された部分をさらに有することを特徴とする請求項1記載の発光装置。前記p側配線層は、少なくとも前記第1のビア内に設けられたp側再配線層と、前記p側再配線層における前記第1のビアとの接触部および前記配線面に対して反対側の面に設けられたp側金属ピラーと、を有し、前記n側配線層は、前記第2のビア内および前記配線面に設けられたn側再配線層と、前記n側再配線層における前記第2のビアとの接触部および前記配線面に対して反対側の面に設けられたn側金属ピラーと、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。前記第3の面で露出する前記p側外部端子と前記n側外部端子との間の距離は、前記配線面上での前記p側再配線層と前記n側再配線層との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項3記載の発光装置。前記p側再配線層の平面サイズは、前記p側金属ピラーの平面サイズよりも大きいことを特徴とする請求項3または4に記載の発光装置。前記p側再配線層は、複数の前記第1のビアを介して、前記p側電極と接続されていることを特徴とする請求項3~5のいずれか1つに記載の発光装置。前記p側金属ピラーは、前記p側再配線層よりも厚いことを特徴とする請求項3~6のいずれか1つに記載の発光装置。前記第1の面上に設けられ、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体をさらに備えたことを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の発光装置。前記透明体は、透明樹脂と、前記透明樹脂に分散された蛍光体とを含むことを特徴とする請求項8記載の発光装置。前記透明体の側面に設けられ、前記発光層からの放出光に対して反射性を有する反射膜をさらに備えたことを特徴とする請求項8または9に記載の発光装置。前記反射膜は、前記第1の絶縁層の側面にも設けられたことを特徴とする請求項10記載の発光装置。前記第3の面は、前記第1の面に対して垂直であることを特徴とする請求項1~11のいずれか1つに記載の発光装置。前記第3の面は、前記第1の面に対して傾いていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1つに記載の発光装置。実装面にパッドを有する実装基板と、前記p側外部端子及び前記n側外部端子を前記パッドに接合させて、前記実装面に実装された請求項1~13のいずれか1つに記載の発光装置と、を備え、前記第3の面を下に向けた姿勢で、前記発光装置の前記第1の面は横方向を向いていることを特徴とする発光モジュール。第1の面とその反対側に形成された第2の面と発光層とをそれぞれが含み、ダイシング領域を隔てて分断された複数の半導体層と、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられたp側電極と、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられたn側電極と、前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと前記n側電極に通じる第2のビアとを有する第1の絶縁層と、を有する積層体の少なくとも前記第1のビア内に、p側配線層を形成する工程と、前記配線面及び前記第2のビア内に、前記p側配線層に対して離間させて、n側配線層を形成する工程と、前記p側配線層及び前記n側配線層を覆う第2の絶縁層を形成する工程と、前記ダイシング領域で、前記第2の絶縁層と前記p側配線層の一部と前記n側配線層の一部とを含む領域を切断し、前記第1の面及び前記第2の面と異なる面方位の第3の面に前記p側配線層の一部及び前記n側配線層の一部を露出させる工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。前記p側配線層の一部及び前記n側配線層の一部を、前記第3の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域上に張り出させて形成することを特徴とする請求項15記載の発光装置の製造方法。前記第3の面に沿った方向に延びる前記ダイシング領域の幅方向の両側に、前記p側配線層及び前記n側配線層の張り出した部分が存在することを特徴とする請求項16記載の発光装置の製造方法。前記半導体層は基板上に成長され、前記第2の絶縁層の形成後、前記基板を除去して前記第1の面を露出させる工程と、露出された前記第1の面上に、前記発光層からの放出光に対して透明な透明体を形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする請求項15~17のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。前記透明体の側面に、前記発光層からの放出光に対して反射性を有する反射膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項18記載の発光装置の製造方法。前記反射膜を形成する工程は、前記第2の絶縁層を切断する前に、前記ダイシング領域上の位置で前記透明体を切断し、前記透明体を複数に分断する溝を形成する工程と、前記溝の内壁及び前記透明体の上面に、前記反射膜を形成する工程と、前記透明体の前記上面に形成された前記反射膜を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項19記載の発光装置の製造方法。小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、p側電極と、n側電極と、第1の絶縁層と、p側配線層と、n側配線層と、第2の絶縁層と、を備えている。前記半導体層は、第1の面と、その反対側に形成された第2の面と、発光層とを含む。前記p側電極は、前記第2の面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記n側電極は、前記第2の面における前記発光層を含まない領域に設けられている。前記第1の絶縁層は、前記第2の面側に設けられ、前記第p側電極に通じる第1のビアと、前記n側電極に通じる第2のビアとを有する。前記p側配線層は、少なくとも前記第1のビア内に設けられ、前記p側電極と電気的に接続されている。前記n側配線層は、前記p側配線層に対して離間して、前記第1の絶縁層における前記半導体層に対する反対側に形成された配線面に設けられ、且つ前記第2のビア内に設けられ、前記n側電極と電気的に接続されている。前記第2の絶縁層は、少なくとも前記p側配線層と前記n側配線層との間に設けられている。前記p側配線層は、前記第1の面及び前記第2の面と異なる面方位の第3の面で、前記第2の絶縁層から露出されたp側外部端子を有する。前記n側配線層は、前記p側外部端子と同じ前記第3の面で、前記第2の絶縁層から露出されたn側外部端子を有する。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。なお、製造工程を表す図面においては、複数の半導体層15チップを含むウェーハの一部の領域を表している。第1実施形態図1aは、第1実施形態の発光装置10aの模式斜視図である。図1bは、図1aにおけるA-A断面図である。図1cは、図1aにおけるB-B断面図である。発光装置10aは半導体層15を有する。半導体層15は、第1の面15aと、その反対側に形成された第2の面を有する。第2の面側に電極及び配線層が設けられ、その反対側の第1の面15aから主として光が外部に放出される。半導体層15は、第1の半導体層11と第2の半導体層12を有する。第1の半導体層11及び第2の半導体層12は、いずれも例えば窒化物半導体を含む。第1の半導体層11は、例えば下地バッファ層、n型層などを含み、n型層は電流の横方向経路として機能する。第2の半導体層12は、発光層活性層13を、n型層とp型層とで挟んだ積層構造を有する。半導体層15の第2の面側は凹凸形状に加工されている。その第2の面側に形成された凸部は発光層13を含む。その凸部の表面である第2の半導体層12の表面には、p側電極16が設けられている。p側電極16は、発光層13を有する領域に設けられている。半導体層15の第2の面側において凸部の横には、第2の半導体層12がない領域が設けられ、その領域の第1の半導体層11の表面に、n側電極17が設けられている。n側電極17は、発光層13を含まない領域に設けられている。図5bに示すように、半導体層15の第2の面側において、発光層13を含む第2の半導体層12の面積は、発光層13を含まない第1の半導体層11の面積よりも広い。また、図6bに示すように、ひとつの半導体層15において、発光層13を含む領域に設けられたp側電極16の方が、発光層13を含まないn側電極17よりも面積が広い。これにより、広い発光領域が得られる。なお、図6bに示すp側電極16及びn側電極17のレイアウトは一例であって、これに限らない。半導体層15の第2の面側には、第1の絶縁層以下、単に絶縁層と言う18が設けられている。絶縁層18は、半導体層15、p側電極16及びn側電極17を覆っている。また、絶縁層18と半導体層15との間に別の絶縁膜例えばシリコン酸化膜が設けられることもある。絶縁層18は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層18としてシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機物を用いてもよい。絶縁層18は、半導体層15に対する反対側に配線面18cを有する。その配線面18cには、p側再配線層21とn側再配線層22とが互いに離間して設けられている。p側再配線層21は、p側電極16に達して絶縁層18に形成された第1のビア18a内にも設けられ、p側電極16と電気的に接続されている。なお、p側再配線層21は必ずしも絶縁層18上に形成されなくてもよい。例えば、p側電極16上にだけp側再配線層21が設けられた構造であってもよい。n側再配線層22は、n側電極17に達して絶縁層18に形成された第2のビア18b内にも設けられ、n側電極17と電気的に接続されている。p側再配線層21においてp側電極16に対する反対側の面には、p側金属ピラー23が設けられている。p側再配線層21及びp側金属ピラー23は、本実施形態におけるp側配線層を構成する。n側再配線層22においてn側電極17に対する反対側の面には、n側金属ピラー24が設けられている。n側再配線層22及びn側金属ピラー24は、本実施形態におけるn側配線層を構成する。絶縁層18の配線面18c上には、第2の絶縁層として樹脂層25が設けられている。樹脂層25は、p側再配線層21及びn側再配線層22を覆っている。ただし、図1aに示すように、p側再配線層21の一部の側面21aと、n側再配線層22の一部の側面22aは、樹脂層25で覆われずに露出している。また、樹脂層25は、p側金属ピラー23におけるp側再配線層21に対する反対側の端面およびn側金属ピラー24におけるn側再配線層22に対する反対側の端面を覆っている。さらに、樹脂層25は、p側金属ピラー23の側面の一部およびn側金属ピラー24の側面の一部を覆っている。図1a及びcに示すように、p側金属ピラー23の一部の側面は、半導体層15の第1の面15a及び第2の面と異なる面方位の第3の面30で、樹脂層25から露出されている。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのp側外部端子23aとして機能する。ここで、第3の面30は、第1の面15a及び第2の面に対して略垂直な面である。樹脂層25は、例えば矩形状の4つの側面を有し、そのうちの相対的に長辺を有する側面のひとつが第3の面30となっている。その同じ第3の面30で、n側金属ピラー24の一部の側面が樹脂層25から露出している。その露出された面は、外部の実装基板に実装するためのn側外部端子24aとして機能する。また、図1aに示すように、p側再配線層21の一部の側面21aも、第3の面30で樹脂層25から露出され、p側外部端子として機能する。同様に、n側再配線層22の一部の側面22aも、第3の面30で樹脂層25から露出され、n側外部端子として機能する。図1a~cに示される第1実施形態では、p側金属ピラー23において、第3の面30で露出しているp側外部端子23a以外の部分は、樹脂層25で覆われている。さらに、n側金属ピラー24において、第3の面30で露出しているn側外部端子24a以外の部分は、樹脂層25で覆われている。なお、本実施形態の構造は一例であって、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24を、第3の面30以外においても一部露出させてもかまわない。また、図1a~cに示される第1実施形態では、p側再配線層21において、第3の面30で露出している側面21a以外の部分は、樹脂層25で覆われている。さらに、n側再配線層22において、第3の面30で露出している側面22a以外の部分は、樹脂層25で覆われている。なお、本実施形態の構造は一例であって、p側再配線層21とn側再配線層22を、第3の面30以外においても一部露出させてもかまわない。p側再配線層21における第3の面60で露出する側面21aと、n側再配線層22における第3の面60で露出する側面22aとの間の距離は、絶縁層18の配線面18c上でのp側再配線層21とn側再配線層22図8b参照との間の距離よりも大きい。絶縁層18の配線面18c上で樹脂層25に覆われたp側再配線層21とn側再配線層22との間の距離を小さくすることで、p側再配線層21の面積の拡大を図れる。p側再配線層21の平面サイズは、p側金属ピラー23の平面サイズよりも大きい。p側再配線層21は、例えば銅などの低抵抗金属を用いて形成することができる。このため、p側再配線層21の面積が広いほど第2の半導体層12に対して、より均一な分布で電流を供給することが可能となる。さらに、p側再配線層21の熱伝導率も高くすることができ、第2の半導体層12で発生した熱を効率的に逃がすことも可能となる。p側電極16は、発光層13を含む領域に広がっている。したがって、複数の第1のビア18aを介してp側再配線層21とp側電極16とを接続することで、発光層13への電流分布が向上し、且つ発光層13で発生した熱の放熱性も向上できる。p側再配線層21における第3の面60で露出する側面21aと、n側再配線層22における第3の面60で露出する側面22aとは、実装基板への実装時にはんだ等の接合剤によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。n側再配線層22とn側金属ピラー24とが接触する面積は、n側再配線層22とn側電極17とが接触する面積より大きい。また、n側再配線層22の一部は、絶縁層18の配線面18c上を、発光層13の下に重なる位置まで延在している。これにより、広い領域にわたって形成された発光層13によって高い光出力を得つつ、発光層13を含まない狭い領域に設けられたn側電極17から、n側再配線層22を介して、より広い引き出し電極を形成できる。なお、p側再配線層21とp側金属ピラー23とが接触する面積は、p側再配線層21とp側電極16とが接触する面積より大きい場合もあるし、小さい場合もある。第1の半導体層11は、n側電極17及びn側再配線層22を介してn側金属ピラー24と電気的に接続されている。発光層13を含む第2の半導体層12は、p側電極16及びp側再配線層21を介してp側金属ピラー23と電気的に接続されている。p側金属ピラー23はp側再配線層21よりも厚く、n側金属ピラー24はn側再配線層22よりも厚い。このため、半導体層15を支持する基板がなくても、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24およびそれらの間を充填した樹脂層25によって、発光装置10aの機械的強度を高めることができる。p側再配線層21、n側再配線層22、p側金属ピラー23、およびn側金属ピラー24の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。樹脂層25は、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を補強する。樹脂層25は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層25として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。半導体層15の第1の面15a上には、発光層13からの放出光に対して透明な透明体として、レンズ26及び蛍光体層27が設けられている。レンズ26は第1の面15a上に設けられ、そのレンズ26を覆うように蛍光体層27が設けられている。半導体層15の第2の面側に設けられた前述した各要素を含む積層体の平面サイズと、蛍光体層27の平面サイズとは略同じである。レンズ26及び蛍光体層27は、第3の面30側に出っ張っていないため、発光装置10aの実装基板上への実装を阻害しない。蛍光体層27は、透明樹脂と、透明樹脂に分散された蛍光体とを含む。蛍光体層27は、発光層13からの放出光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため、発光装置10aは、発光層13からの光と、蛍光体層27における波長変換光との混合光を放出可能である。例えば、発光層13が窒化物半導体、蛍光体が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、発光層13からの青色光と、蛍光体層27における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層27は、複数種の蛍光体例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体を含む構成であってもよい。発光層13から発光された光は、主に、第1の半導体層11、第1の面15a、レンズ26および蛍光体層27を進んで、外部に放出される。なお、蛍光体層27の上にレンズ26を設けてもよい。図2は、前述した発光装置10aを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。実装基板100上に実装される発光装置10aの数は任意であり、単数でも複数でもよい。また、複数の発光装置10aが、ある一方向に沿って配列されて線状光源を構成してもよい。発光装置10aは、第3の面30を実装基板100の実装面103に向けた姿勢で実装されている。第3の面30で露出しているp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装面103に形成されたパッド101に対してはんだ102を介して接合されている。実装基板100の実装面103には配線パターンも形成されており、パッド101はその配線パターンに接続されている。第3の面30は、光の主な放出面である第1の面15aに対して略垂直である。したがって、第3の面30を下方の実装面103側に向けた姿勢で、第1の面15aは実装面103の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面103を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置10a及び発光モジュールが得られる。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のそれぞれの厚み図1bにおいて上下方向の厚みは、半導体層15、p側電極16、n側電極17および絶縁層18を含む積層体の厚みよりも厚い。各金属ピラー23、24のアスペクト比平面サイズに対する厚みの比は1以上であることに限らず、その比は1よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー23、24は、その平面サイズよりも厚みが小さくてもよい。本実施形態によれば、半導体層15が薄く、なおかつ半導体層15を支持する基板がなくても、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24および樹脂層25を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、発光装置10aを実装基板100に実装した状態で、はんだ102を介して半導体層15に加わる応力を、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が吸収することで緩和することができる。なお、はんだ102の代わりとして、はんだ以外の他の金属あるいは導電性材料を用いてもよい。次に、図3a~図14bを参照して、本実施形態の発光装置10aの製造方法について説明する。工程を表す図面においては、ウェーハ状態における一部の領域を表す。図3aは、基板5の主面上に、第1の半導体層11及び第2の半導体層12を形成した積層体を示す。図3bは、図3aにおける下面図に対応する。基板5の主面上に第1の半導体層11が形成され、その上に発光層13を含む第2の半導体層12が形成される。第1の半導体層11及び第2の半導体層12が例えば窒化物系半導体の場合、それらは例えばサファイア基板上にMOCVDmetalorganicchemicalvapordeposition法で結晶成長させることができる。例えば、第1の半導体層11は、下地バッファ層、n型GaN層を含む。第2の半導体層12は、発光層活性層13、p型GaN層を含む。発光層13は、青、紫、青紫、紫外光などを発光するものを用いることができる。第1の半導体層11における基板5に接する面が、半導体層15の第1の面15aであり、第2の半導体層12の表面が半導体層15の第2の面15bである。次に、図示しないレジストを用いた例えばRIEReactiveIonEtching法で、図4a及びその下面図である図4bに示すように、ダイシング領域d1、d2に、半導体層15を貫通して基板5に達する溝を形成する。ダイシング領域d1、d2は、ウェーハ状態の基板5上で例えば格子状に形成される。ダイシング領域d1、d2に形成された溝も格子状に形成され、半導体層15を複数のチップに分離する。なお、半導体層15を複数に分離する工程は、後述する第2の半導体層12の選択的除去後、あるいは電極の形成後に行ってもよい。次に、図示しないレジストを用いた例えばRIE法で、図5a及びその下面図である図5bに示すように、第2の半導体層12の一部を除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。第1の半導体層11が露出された領域は、発光層13を含まない。次に、図6a及びその下面図である図6bに示すように、第2の面にp側電極16とn側電極17を形成する。p側電極16は、第2の半導体層12の表面に形成される。n側電極17は、第1の半導体層11の露出面に形成される。p側電極16及びn側電極17は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成される。p側電極16とn側電極17は、どちらを先に形成してもよいし、同じ材料で同時に形成してもよい。p側電極16は、発光層13からの放出光に対して反射性を有する、例えば、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等を含む。また、p側電極16の硫化、酸化防止のため、金属保護膜を含む構成であってもよい。また、p側電極16とn側電極17との間や、発光層13の端面側面にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をCVDchemicalvapordeposition法で形成してもよい。また、各電極と半導体層とのオーミックコンタクトをとるための活性化アニールなどは必要に応じて実施される。次に、図7aに示すように、基板5の主面上の露出している部分すべてを絶縁層18で覆った後、例えばウェットエッチングにより絶縁層18をパターニングし、絶縁層18に選択的に第1のビア18aと第2のビア18bを形成する。第1のビア18aは、p側電極16に達する。第2のビア18bは、n側電極17に達する。絶縁層18としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテンBenzocyclobuteneなどの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁層18に対して直接露光及び現像が可能である。あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁層18として使用してもよい。無機膜の場合、レジストをパターニングした後のエッチングによって所望の形状が得られる。次に、絶縁層18における半導体層15に対する反対側の面である配線面18cに、図7bに示すように、シードメタル19を形成する。シードメタル19は、第1のビア18aの内壁及び底部と、第2のビア18bの内壁及び底部にも形成される。シードメタル19は、例えばスパッタ法で形成される。シードメタル19は、例えば、絶縁層18側から順に積層されたチタンTiと銅Cuとの積層膜を含む。次に、図7cに示すように、シードメタル19上に選択的にレジスト41を形成し、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図8a及びその下面図である図8bに示すように、絶縁層18の配線面18c上に、選択的にp側再配線層21とn側再配線層22が形成される。p側再配線層21及びn側再配線層22はメッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。p側再配線層21は、第1のビア18a内にも形成され、シードメタル19を介してp側電極16と電気的に接続される。n側再配線層22は、第2のビア18b内にも形成され、シードメタル19を介してn側電極17と電気的に接続される。ここで、ダイシング領域d2は、前述した第3の面に露出されるp側再配線層21の側面21aおよびn側再配線層22の側面22aに沿った方向図8bにおいて横方向に延びている。そして、側面21a及び側面22aを、そのダイシング領域d2上に張り出させる。なお、図8bにおける1点鎖線e1及びe2のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。p側再配線層21におけるn側再配線層22側であって且つ側面21a側の部分には切欠き21bが形成されている。切欠き21bは、側面21aと側面22aとの間に存在する。このため、ダイシング後に外部に露出される側面21aと側面22aとの間の離間距離を、実装時のはんだ等による短絡を回避するのに十分な距離にすることができる。切欠き21bが形成されていない部分では、p側再配線層21は、プロセス上の限界まで、n側再配線層22に近づけることができ、p側再配線層21の面積を広くできる。この結果、p側再配線層21とp側電極16とを複数の第1のビア18aを通じて接続させることができ、電流分布及び放熱性を向上できる。側面21a及び側面22aは、ダイシング領域d2の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域d2の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルである側面21a及び側面22aは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。なお、図8bでは、エッジe1側に存在する側面21a及び側面22aと、エッジe2側に存在する側面21a及び側面22aとが、ダイシング領域d2が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。側面21a及び側面22aが、エッジe1及びエッジe2のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。p側再配線層21及びn側再配線層22のメッキに使ったレジスト41は、溶剤もしくは酸素プラズマを使って、除去される図9a。次に、図9bに示すように、金属ピラー形成用のレジスト42を形成する。レジスト42は、前述のレジスト41よりも厚い。なお、前の工程でレジスト41は除去せずに残し、そのレジスト41にレジスト42を重ねて形成してもよい。そして、レジスト42をマスクに用いて、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図10a及びその下面図である図10bに示すように、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が形成される。p側金属ピラー23は、レジスト42に形成された開口42a内であって、p側再配線層21の表面に形成される。n側金属ピラー24は、レジスト42に形成された開口42b内であって、n側再配線層22の表面に形成される。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24は、メッキ法により同時に形成される例えば銅材料からなる。ダイシング後に前述した第3の面に露出されるp側金属ピラー23のp側外部端子23aおよびn側金属ピラー24のn側外部端子24aを、第3の面に沿った方向に延びるダイシング領域d2上に張り出させる。なお、図10bにおける1点鎖線e1及びe2のそれぞれは、ダイシングブレードの両エッジを表す。p側外部端子23a及びn側外部端子24aは、ダイシング領域d2の幅方向の一方側に偏って存在せず、ダイシング領域d2の幅方向の両側に存在する。すなわち、いずれもメタルであるp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、ダイシングブレードの幅方向の一方のエッジ側に偏って存在していない。このため、ダイシング時にダイシングブレードの幅方向の一方のエッジに過度な負荷がかかり目詰まりや破損等が生じることを抑制することができる。なお、図10bでは、エッジe1側に存在するp側外部端子23a及びn側外部端子24aと、エッジe2側に存在するp側外部端子23a及びn側外部端子24aとが、ダイシング領域d2が延びる方向に見て交互に並んでいるが、このようなレイアウトに限らない。p側外部端子23a及びn側外部端子24aが、エッジe1及びエッジe2のいずれか一方側に偏って存在していなければよい。次に、レジスト42は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される図11a。この後、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24、およびp側金属ピラー23からはみ出しているp側再配線層21の一部をマスクにして、シードメタル19の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図11bに示すように、p側再配線層21とn側再配線層22とのシードメタル19を介した電気的接続が分断される。次に、図12aに示すように、絶縁層18に対して樹脂層25を積層させる。樹脂層25は、p側再配線層21、n側再配線層22、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を覆う。樹脂層25は、絶縁性を有する。また、樹脂層25に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層からの放出光に対して遮光性を付与させてもよい。また、樹脂層25に、発光層からの放出光に対する反射性を有する粉末を含有させてもよい。次に、図12bに示すように、基板5を除去する。基板5は、例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。具体的には、基板5の裏面側から第1の半導体層11に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板5に対して透過性を有し、第1の半導体層11に対しては吸収領域となる波長を有する。レーザ光が基板5と第1の半導体層11との界面に到達すると、その界面付近の第1の半導体層11はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第1の半導体層11がGaNの場合、ガリウムGaと窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板5と第1の半導体層11との間に微小な隙間が形成され、基板5と第1の半導体層11とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板5を除去する。第1の面15a上から基板5が除去されることで、光取り出し効率の向上を図れる。基板5の主面上に形成された前述した積層体は、厚い樹脂層25によって補強されているため、基板5がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。また、樹脂層25も、再配線層、金属ピラーを構成する金属も、半導体層15に比べて柔軟な材料である。そのため、基板5上に半導体層15を形成するエピタキシャル工程で発生した大きな内部応力が、基板5の剥離時に一気に開放されても、デバイスが破壊されることを回避できる。基板5が除去された半導体層15の第1の面15aは洗浄される。例えば、塩酸等で、第1の面15aに付着したガリウムGaを除去する。また、例えば、KOH水酸化カリウム水溶液やTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム等で、第1の面15aをエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第1の面15aに凹凸が形成される図13a。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第1の面15aに凹凸を形成してもよい。第1の面15aに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。次に、図13bに示すように、第1の面15a上にレンズ26を形成する。レンズ26は、発光層からの放出光に対して透明であり、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いることができる。レンズ26は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングや、インプリント法によって形成することができる。次に、レンズ26を覆うように、第1の面15a上および隣り合う半導体層15間で露出している絶縁層18上に、蛍光体層27を形成する。例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂を、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって供給した後、熱硬化させる。透明樹脂は、発光層からの放出光及び蛍光体が発する光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、液状ガラスなどの材料を用いることができる。次に、図14a及びbに示すように、格子状に形成されたダイシング領域d1、d2の位置で、蛍光体層27、絶縁層18及び樹脂層25を切断し、複数の発光装置10aに個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。このとき、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24において、第3の面30に沿った方向に延びるダイシング領域d2に張り出した部分が切断される。これにより、第3の面30に、p側外部端子23a及びn側外部端子24aが露出する。同様に、p側再配線層21及びn側再配線層22において、ダイシング領域d2に張り出した部分も切断される図8b。これにより、第3の面30に、p側再配線層21の側面21aおよびn側再配線層22の側面22aも露出される。ダイシング時、基板5はすでに除去されている。さらに、ダイシング領域d1、d2には、半導体層15は存在しないため、ダイシング時に半導体層15が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後に、半導体層15の端部側面が樹脂で覆われて保護された構造が得られる。なお、個片化された発光装置10aは、ひとつの半導体層15を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層15を含むマルチチップ構造であってもよい。ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。なお、図15aに示す発光装置10bのように、第1の面15a側にレンズを設けない構造であってもよい。また、図15bに示す発光装置10cのように、第1の面15aに基板5を薄く残してもよい。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いて基板5を研削することができる。基板5は、例えばサファイア基板であり、窒化物半導体系の発光層から放出される光に対して透過性を有する。この場合、蛍光体層がないため、発光層からの放出光と同じ波長の光が、発光装置10cから外部へと放出される。もちろん、基板5上に蛍光体層を形成してもかまわない。基板5を残すことで、機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。ダイシングする際には、樹脂層25側からダイシングブレードでハーフカットした後、基板5をレーザ照射によって分割することができる。あるいは、すべての部分をレーザ照射によって切断してもよい。第2実施形態図16aは、第2実施形態の発光装置10dにおける第3の面30側から見た模式斜視図である。図16bは、同発光装置10dにおける光放出面側から見た模式斜視図である。図17aは、図16aにおけるA-A断面図である。図17bは、図16aにおけるB-B断面図である。本実施形態の発光装置10dは、反射膜51を有する点で、前記第1実施形態の発光装置10aと異なる。反射膜51は、発光層からの放出光および蛍光体が発する光に対して反射性を有し、例えば金属膜である。反射膜51は、蛍光体層27の側面及び絶縁層18の側面に形成されている。蛍光体層27において、第1の面15aの反対側の面には反射膜51は形成されていない。図18は、本実施形態の発光装置10dを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。第1実施形態と同様、発光装置10dは、第3の面30を実装基板100の実装面103に向けた姿勢で実装されている。第3の面30で露出しているp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装面103に形成されたパッド101に対してはんだ102等を介して接合されている。第3の面30は、光の主な放出面である第1の面15aに対して略垂直である。したがって、第3の面30を下方の実装面103側に向けた姿勢で、第1の面15aは実装面103の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面103を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置10d及び発光モジュールが得られる。絶縁層18及び蛍光体層27の側面が反射膜51で被覆されているため、光は横方向に集光されて放出される。次に、図19a~図21bを参照して、本実施形態の発光装置10dの製造方法について説明する。図19aは、基板5が除去され、第1の面15a上に蛍光体層27が形成された状態を表す。この工程までは、前述した第1実施形態と同様に進められる。そして、図19aに示す積層体を、蛍光体層27側からハーフカットダイシングする。具体的には、ダイシング領域d1、d2の位置で、蛍光体層27及び絶縁層18を切断する。例えば、ダイシングブレードあるいはレーザ照射により切断する。これにより、ダイシング領域d1、d2に溝52図19bが形成される。次に、露出面に対して、例えばスパッタ法により反射膜51を形成する。図20aに示すように、反射膜51は、蛍光体層27の上面、溝52の底部及び内壁に形成される。反射膜51として、例えば、銀、アルミニウム、金、シリコン、誘電体多層膜などを用いることができる。あるいは、反射粉末を含む樹脂を反射膜51として用いてもよい。次に、図20bに示すように、蛍光体層27の上面に形成された反射膜51を研削して除去する。例えば、半導体ウェーハ裏面研削用のグラインダーなどを用いることができる。あるいは、RIE法により蛍光体層27の上面に形成された反射膜51を除去してもよい。蛍光体層27の側面及び絶縁層18の側面には、反射膜51が残される。次に、溝52の下の樹脂層25を切断する図21a及びb。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。これにより、複数の発光装置10dに個片化される。このときも、第1実施形態と同様、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24において、第3の面30に沿った方向に延びるダイシング領域d2に張り出した部分が切断される。これにより、第3の面30に、p側外部端子23a及びn側外部端子24aが露出する。本実施形態においても、樹脂を切断するので容易にダイシングでき生産性を向上できる。また、半導体層15を切断しないため、ダイシング時に半導体層15が受けるダメージを回避することができる。第3実施形態図22aは、第3実施形態の発光装置10eの模式斜視図である。図22bは、図22aにおけるA-A断面図である。図22cは、図22aにおけるB-B断面図である。本実施形態の発光装置10eでは、p側再配線層を設けずに、p側金属ピラー23の一部が第1のビア18a内に設けられている。また、n側再配線層を設けずに、n側金属ピラー24の一部が第2のビア18b内に設けられている。p側再配線層及びn側再配線層を設けないことで、工程削減を図れ、コスト低減を図れる。図23は、本実施形態の発光装置10eを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。本実施形態においても、発光装置10eは、第3の面30を実装基板100の実装面103に向けた姿勢で実装されている。そして、第3の面30で露出しているp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装面103に形成されたパッド101に対してはんだ102等を介して接合されている。第3の面30は、光の主な放出面である第1の面15aに対して略垂直である。したがって、第3の面30を下方の実装面103側に向けた姿勢で、第1の面15aは実装面103の上方ではなく、横方向を向く。すなわち、実装面103を水平面とした場合に横方向に光が放出される、いわゆるサイドビュータイプの発光装置10e及び発光モジュールが得られる。次に、図24a~図29bを参照して、本実施形態の発光装置10eの製造方法について説明する。図24aに示すように、シードメタル19を形成する工程までは、第1実施形態と同様に進められる。そして、図24bに示すように、シードメタル19上に選択的にレジスト42を形成し、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図25a及びその下面図である図25bに示すように、絶縁層18の配線面18c上に、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24が形成される。p側金属ピラー23の一部は、第1のビア18a内にも形成され、シードメタル19を介してp側電極16と電気的に接続される。n側金属ピラー24の一部は、第2のビア18b内にも形成され、シードメタル19を介してn側電極17と電気的に接続される。本実施形態においても、ダイシング後に前述した第3の面に露出されるp側金属ピラー23のp側外部端子23aおよびn側金属ピラー24のn側外部端子24aを、第3の面に沿った方向に延びるダイシング領域d2上に張り出させる。次に、レジスト42は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて除去される図26a。この後、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24をマスクにして、シードメタル19の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図26bに示すように、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24とのシードメタル19を介した電気的接続が分断される。次に、図27aに示すように、絶縁層18に対して樹脂層25を積層させる。樹脂層25は、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24を覆う。次に、図27bに示すように、基板5を除去する。基板5は、例えばレーザーリフトオフ法によって除去される。次に、第1の面15aを洗浄した後、例えば、KOH水酸化カリウム水溶液やTMAH水酸化テトラメチルアンモニウム等で、第1の面15aをエッチングして、第1の面15aに凹凸を形成する図28a。次に、図28bに示すように、第1の面15a上にレンズ26を形成する。さらに、レンズ26を覆うように、第1の面15a上および隣り合う半導体層15間で露出している絶縁層18上に、蛍光体層27を形成する。次に、図29a及びbに示すように、格子状に形成されたダイシング領域d1、d2の位置で、蛍光体層27、絶縁層18及び樹脂層25を切断し、複数の発光装置10eに個片化する。このとき、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24において、第3の面30に沿った方向に延びるダイシング領域d2に張り出した部分が切断される。これにより、第3の面30に、p側外部端子23a及びn側外部端子24aが露出する。第4実施形態図30aは、第4実施形態の発光装置10fの模式斜視図である。図30bは、図30aにおけるA-A断面図である。図30cは、図30aにおけるB-B断面図である。本実施形態の発光装置10fにおける第3の面30は、第1の面15aに対して垂直でも平行でもなく、傾いている。図30aにおけるB-B断面に対応する図30cの断面において、樹脂層25の外形が逆台形状になるように、第3の面30が傾いている。第3の面30に露出するp側金属ピラー23のp側外部端子23a、n側金属ピラー24のn側外部端子24a、p側再配線層21の側面21a、およびn側再配線層22の側面22aも、第3の面30の傾斜に沿って傾いている。図31は、本実施形態の発光装置10fを実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。発光装置10fは、第3の面30を実装基板100の実装面103に向けた姿勢で実装されている。第3の面30で露出しているp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装面103に形成されたパッド101に対してはんだ102等を介して接合されている。本実施形態においても、第1の面15a及びその反対側の第2の面と異なる面方位の第3の面30に、p側外部端子23a及びn側外部端子24aが露出している。このため、実装面を下にした状態で横方向に光が放出されるサイドビュータイプの発光装置10f及び発光モジュールが得られる。さらに、第3の面30は第1の面15aに対して傾いていることから、第3の面30を下方の実装面103側に向けた姿勢で、第1の面15aは斜め上方を向く。すなわち、実装面103を水平面とした場合に斜め上方に光が放出される。次に、図32a~図33bを参照して、本実施形態の発光装置10fの製造方法について説明する。図32bは図32aにおけるA-A断面に対応し、図33bは図33aにおけるA-A断面に対応する。図32aに示すように、蛍光体層27を形成する工程までは、第1実施形態と同様に進められる。次に、例えば幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いて、前述した図10bに示すダイシング領域d2の位置で、樹脂層25を切断する。これにより、図32bに示すように、ダイシング領域d2の下に溝55が形成される。溝55は、樹脂層25を貫通して絶縁層18に達する。溝55は、絶縁層18側から遠ざかるにしたがって漸次幅が広くなっている。本実施形態においても、p側外部端子23a及びn側外部端子24aがダイシング領域d2に張り出している。したがって、p側外部端子23a及びn側外部端子24aが、溝55に露出する。次に、ダイシング領域d2に沿って、溝55の上の絶縁層18及び蛍光体層27を切断する。さらに、ダイシング領域d2に対して直交するダイシング領域d1に沿って、蛍光体層27、絶縁層18及び樹脂層25を切断する。これにより、図33a及びbに示すように、複数の発光装置10fに個片化される。なお、樹脂層25において、ダイシング領域d1に沿った方向についても、幅方向の両側面にテーパーが形成されたブレードを用いてダイシングし、図33aに表される樹脂層25の側面を傾斜させてもよい。第5実施形態図35aは、第5実施形態の発光装置の模式斜視図である。図35bは、この発光装置を実装基板100上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。本実施形態では、p側金属ピラー23におけるp側外部端子23a及びn側金属ピラー24におけるn側外部端子24aとは異なる面23b及び面24bが、ウェーハ状態で露出される。それら面23b及び面24bは、実装基板100の実装面103に向き合わされる第3の面30とは異なる面60で露出される。面60は、光放出面の反対側の面である。ウェーハ状態で、光放出面はウェーハの一方の面に相当し、面60は他方の面に相当する。したがって、ダイシング後に露出されるp側外部端子23a及びn側外部端子24aとは違って、面60はウェーハ状態で露出している。その面60に、p側金属ピラー23の一部の面23bおよびn側金属ピラー24の一部の面24bを露出させることで、それら面23b及び24bをウェーハレベルでの測定用端子として利用することができる。すなわち、互いに極性の異なる面23b及び24bのそれぞれに測定子を接触させて電流を供給することで、発光装置を発光させて、各種検査を行うことができる。取り扱いが容易なウェーハレベルで検査を行える。検査が終わった後、面23b及び24bを、図35bに示す絶縁膜例えば樹脂71で被覆する。絶縁膜71の形成はウェーハ状態で一括して行われる。そして、個片化された本実施形態の発光装置は、図35bに示すように、第3の面30を実装基板100の実装面103に向けた姿勢で実装される。第3の面30で露出しているp側外部端子23a及びn側外部端子24aは、それぞれ、実装面103に形成されたパッド101に対してはんだ102等を介して接合されている。この実装時、前述した面23b及び24bは絶縁膜71で覆われて露出していない。このため、面23b及び24bへのはんだの濡れ上がりを防止できる。結果として、はんだの濡れ上がりによって、発光装置が傾いたり、光放出面を上に向けるように起き上がったりする実装不良を防ぐことができる。図34bは、実施形態の発光モジュールを、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いた具体例の模式図を表す。ここで、実装基板100上に実装された発光装置10は、前述した実施形態のいずれか1つの発光装置を代表して表す。実装基板100は、フレーム151上に設けられている。発光装置10は、サイドビュータイプであるため、実装基板100を下にした状態で、図において白抜き矢印で表すように横方向に光が放出される。実装基板100は、例えば、紙面奥行き方向に延びる矩形板状に形成され、その長手方向に、複数の発光装置10が実装されている。発光モジュールの横には導光板201が設けられている。導光板201は、発光装置10からの放出光に対して透過性を有し、例えば樹脂材料からなる。発光装置10の光放出面は、導光板201の光入射面201aに対向している。導光板201の下方には反射材153が設けられ、導光板201の上方には液晶パネル202が設けられている。また、発光装置10の上方には反射材154が設けられている。反射材153及び154は、発光装置10からの放出光に対する反射性を有する。発光装置10から横方向に放出された光は、導光板201の光入射面201aに入射する。光入射面201aから導光板201に入射した光は、導光板201の面方向に広がり、液晶パネル202に入射する。導光板201から液晶パネル202の反対側に出射した光は、反射材153で反射されて液晶パネル202へと導かれる。ここで、図34aは、比較例の発光モジュールを、光源として用いたバックライトの模式図である。この比較例の発光モジュールにおける発光装置300は、いわゆるトップビュータイプである。すなわち、実装基板100の実装面の上方に光が放出される。したがって、発光装置300の光放出面を導光板201の光入射面201aに対向させるには、実装基板100を、光入射面201aに対向して設けられたフレーム152に支持させる。このため、実装面を光入射面201aに向けた姿勢で、矩形板状の実装基板100を立てて配置することになり、導光板201の厚み、ひいていはバックライトユニット全体の厚みの増大をまねく。これに対して、図34bに示す実施形態では、実装基板100を導光板201の光入射面201aに向き合わせて立てなくてよいので、導光板201ひいてはバックライトユニット全体の薄型化を図れる。前述した蛍光体層としては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体CaAlSiN3:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa1AlSib1Oc1Nd1組成式1MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7を用いることができる。組成式1で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体Sr,Ca,Ba2SiO4:Euを含有することができる。緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体Ba,Ca,Mg10PO46Cl2:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa2AlSib2Oc2Nd2組成式2MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11を用いることができる。組成式2で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体BaMgAl10O17:Euを含有することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"