"上から見て少なくとも領域毎にストライプ状の磁気抵抗薄膜系10を有する磁気抵抗センサ素子であって、前記磁気抵抗薄膜系10は、GMR効果に基づいて作動し、且つ、スピンバルブ方式により構成されており、前記磁気抵抗薄膜系10は、当該磁気抵抗薄膜系10に作用する外部磁場の方向から近似的に作用を受けない磁化方向の基準薄膜35を有しており、前記センサ素子5は、作動時に、測定信号を形成し、該測定信号は、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している、前記外部磁場の磁場強度の成分と、前記基準薄膜35の磁化方向との間の測定角度の関数として変化し、該測定信号から測定角度を求めることができ、上から見てストライプ状の磁気抵抗薄膜系10に関して、外部磁場がない状態での前記基準薄膜35の磁化方向と、前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の長手方向との間の角度が、所定の動作範囲から選択された磁場強度を有する外部磁場が作用する時に、前記磁気抵抗薄膜系10の角度誤差が、当該角度と磁場強度との関数として少なくとも近似的に最小であるように調整されており、前記角度誤差は、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している外部磁場の磁場強度の成分と、外部磁場が無視し得る程度に弱い場合での前記基準薄膜35の磁化方向の成分との角度aと、前記測定信号から求めることができ、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している前記外部磁場の可能な全ての方向に亘る前記外部磁場の磁場強度の成分と、前記基準薄膜35の磁化方向の成分との測定角度bとの間の最大偏差|a-b|として定義され、前記ストライプ状の薄膜系10は、第1の固着薄膜35と第2の固着薄膜33とを有する人工的な反強磁性体40を有しており、前記第1の固着薄膜35と前記第2の固着薄膜33とは、中間薄膜34を介して相互に分離されており、前記基準薄膜35は、前記第1の固着薄膜35であり、該第1の固着薄膜35は、第1の強磁性材料製とりわけCoFe合金製であり、前記第2の固着薄膜33は、第2の強磁性材料製とりわけCoFe合金製であり、前記中間薄膜34は、非磁性材料製とりわけルテニウム製である磁気抵抗センサ素子において、前記第1の固着薄膜35の厚みは、第2の固着薄膜33の厚みよりも0.2nm~0.8nmだけ小さいことを特徴とする磁気抵抗センサ素子。上から見て前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10に関して、外部磁場がない場合での前記基準薄膜35の磁化方向と、前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の長手方向との間の角度および前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の幅が、所定の動作範囲から選定された磁場強度を有する外部磁場が作用する時に、前記磁気抵抗薄膜系10の角度誤差が、当該角度、前記磁場強度および前記磁気抵抗薄膜系10の幅の関数として少なくとも近似的に最小であるように相互に合わせて調整されている請求項1記載の磁気抵抗センサ素子。外部磁場の磁場強度は、0.8kA/m~80kA/mの動作範囲から選択されており、前記外部磁場がない場合での前記基準薄膜35の磁化方向と、前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の長手方向との間の角度は、少なくとも近似的に0°又は90°又は180°又は270°である請求項1または2記載の磁気抵抗センサ素子。前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の幅は、1μm~100μmの範囲から選定されている請求項1から3までのいずれか1項記載の磁気抵抗センサ素子。前記第2の固着薄膜33は、反強磁性薄膜32またはPtMn合金製薄膜に隣接している請求項1から4までのいずれか1項記載の磁気抵抗センサ素子。前記第1の固着薄膜35は金属化薄膜36に隣接しており、前記金属化薄膜36は、検出薄膜41に隣接しており、該検出薄膜は、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している、外部磁場の磁場強度の成分の方向に対して常に少なくとも近似的に平行であるような磁化方向を有している請求項1から5までのいずれか1項記載の磁気抵抗センサ素子。前記検出薄膜41は、少なくとも2つの部分薄膜37,38から構成されており、前記金属化薄膜36に隣接している第1の部分薄膜37は、CoFe合金製であり、第2の部分薄膜38は、NiFe合金製である請求項6記載の磁気抵抗センサ素子。前記反磁性薄膜32は、20nm~40nmの厚みを有しており、前記第2の固着薄膜33は、2nm~4nmの厚みを有しており、前記中間薄膜34は、0.6nm~0.8nmの厚みを有しており、前記第1の固着薄膜35は、1nm~3.5nmの厚みを有しており、前記金属化薄膜36は、1nm~4nmの厚みを有しており、前記第1の部分薄膜37は、0.5nm~2nmの厚みを有しており、前記第2の部分薄膜38は、1.5nm~5nmの厚みを有している請求項1から7までのいずれか1項記載の磁気抵抗センサ素子。前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10は、領域毎に平行に延在しているストライプ部分をし、かつメアンダ状に形成されており、前記ストライプ部分の基準薄膜35の磁化方向は、少なくとも近似的に相互に平行に配向されている請求項1から8までのいずれか1項記載の磁気抵抗センサ素子。前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10は、ストライプ区間に対して垂直方向に延在しているストライプ部分を有しており、良導電性導体薄膜11またはアルミニウム製のコーティング部が設けられており、前記良導電性導体薄膜11または前記コーティング部は、前記ストライプ部分の上または前記ストライプ部分の下に平行に延在して、当該ストライプ部分を少なくとも近似的に電気的に短絡または橋絡しているか、または前記ストライプ部分は、良導電性材料またはアルミニウムから形成されている請求項9記載の磁気抵抗センサ素子。磁気抵抗センサ素子の角度誤差の低減方法であって、該磁気抵抗センサ素子は、上から見て少なくとも領域毎にストライプ状であり、且つ、GMR効果に基づいて作動し、且つ、スピンバルブ方式により構成された磁気抵抗薄膜系10を有しており、前記磁気抵抗薄膜系10は、当該磁気抵抗薄膜系10に作用する外部磁場の方向から近似的に作用を受けない磁化方向の基準薄膜35を有しており、前記センサ素子5は、作動時に、測定信号を形成し、該測定信号は、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している、外部磁場の磁場強度の成分と、前記基準薄膜35の磁化方向との間の測定角度の関数として変化し、該測定信号から測定角度を求めることができ、上から見てストライプ状の前記磁気抵抗薄膜系10に関して、外部磁場がない状態での前記基準薄膜35の磁化方向と、前記ストライプ状の薄膜系10の長手方向との間の角度が、所定の動作範囲から選択された磁場強度を有する外部磁場が作用する時に、前記薄膜系10の角度誤差が、当該の角度と磁場強度の関数として少なくとも近似的に最小であるように調整されており、前記角度誤差は、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している外部磁場の磁場強度の成分と、外部磁場が無視し得る程度に弱い場合での前記基準薄膜35の磁化方向の成分との角度aと、前記測定信号から求めることができ、前記磁気抵抗薄膜系10の面内に位置している、前記外部磁場の可能な全ての方向に亘る前記外部磁場の磁場強度の成分と、前記基準薄膜35の磁化方向の成分との測定角度bとの間の最大偏差|a-b|として定義され、前記ストライプ状の薄膜系10は、第1の固着薄膜35と第2の固着薄膜33とを有する人工的な反強磁性体40を有しており、前記第1の固着薄膜35と前記第2の固着薄膜33とは、中間薄膜34を介して相互に分離されており、前記基準薄膜35は、前記第1の固着薄膜35であり、該第1の固着薄膜35は、第1の強磁性材料製とりわけCoFe合金製であり、前記第2の固着薄膜33は、第2の強磁性材料製とりわけCoFe合金製であり、前記中間薄膜34は、非磁性材料製とりわけルテニウム製である磁気抵抗センサ素子の角度誤差の低減方法において、前記第1の固着薄膜35の厚みは、第2の固着薄膜33の厚みよりも0.2nm~0.8nmだけ小さく選択されていることを特徴とする磁気抵抗センサ素子の角度誤差の低減方法。上から見て前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10に関して、外部磁場がない場合での前記基準薄膜35の磁化方向と、前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の長手方向との間の角度および前記ストライプ状の磁気抵抗薄膜系10の幅が、所定の動作範囲から選定された磁場強度を有する外部磁場が作用する時に、前記磁気抵抗薄膜系10の角度誤差が、当該角度、前記磁場強度および前記磁気抵抗薄膜系10の幅の関数として少なくとも近似的に最小であるように相互に合わせて調整する請求項11記載の方法。本発明の課題は、従来技術よりも角度誤差が低減された磁気抵抗センサ素子を提供し、このような磁気抵抗センサ素子を、自動車の精確な角度センサとして使用することができるようにすることにある。本発明の磁気抵抗センサ素子、および本発明の磁気抵抗センサ素子の角度誤差の低減方法が従来技術に対して有する利点は、外部磁場がない場合での基準薄膜の磁化方向と、ストライプ状の薄膜系の長手方向との角度の関数としての薄膜系の角度誤差、ならびに外部から作用する磁場の磁場強度が、少なくとも近似的に最小であるという点にある。角度誤差は、0.5°よりも小さく、ことに、0.2°よりも小さくすることができる。本発明の有利な実施例は、従属請求項に記載した手段から分かる。特に有利には、外部磁場がない場合に基準薄膜内の磁化方向と、ストライプ状薄膜系の長手方向との間の角度、ならびに角度誤差を最小化するための外部磁場の磁場強度を適切に選択する他に、ストライプ状の薄膜系の幅も変化させ、前述の角度およびストライプ状の薄膜系の幅を、各々、センサ素子の作動時に当該センサ素子に作用する、所定の動作範囲から選択された磁場強度に相互に合わせるとよい。従って、角度誤差は、これらの量の関数として最小化される。このやり方は、微視的なエネルギ状態Energietermeを適切に利用することによって、スピンバルブ方式による磁気抵抗センサ素子で生じる、測定誤差の原因となる固有の効果を最小にすることができるという技術認識に基づく。そのような効果乃至エネルギ寄与は、磁気抵抗薄膜系の構造化の際にストライプ内に生じる形状異方性である。従って、磁気抵抗薄膜系の角度誤差は、例えば、個別のストライプ状区間からなるメアンダ状の導体路の形状異方性と、このストライプ状領域内の薄膜系の基準薄膜のピンニング方向とを適切に選択して組み合わせることにより、ならびに作動時にセンサ素子に作用する外部磁場強度を考慮することにより最小にすることができる。上から見た磁気抵抗薄膜系のレイアウトを、ストライプ状薄膜系区間の幅、および基準薄膜の磁化方向、すなわちこれらストライプ状薄膜系区間におけるピンニング方向に関して適切に組み合わせ、それと同時に、磁気抵抗センサ素子に作動時に作用する外部磁場の値を考慮すれば、特に角度誤差を小さくすることができる。有利には、1μm~20μmの領域内に有利な幅を有するストライプ状部分で磁気抵抗薄膜系を構造化することによって、ストライプの長手方向と、外部磁場がない場合での基準薄膜のピンニング方向乃至磁化方向との間の角度において、または無視し得る程度に弱い外部磁場において、形状異方性のエネルギ成分が角度誤差にポジティブな影響を有する。特に有利には、外部磁場がない場合の磁化方向と、ストライプ状の薄膜系の長手方向との間の角度は、少なくとも近似的に0°または90°、または180°または270°であり、その際、更に有利には、外部磁場の磁場強度は、0.8kA/m~80kA/m、ことに、8kA/m~30kA/mの動作範囲から選択されている。この関連で有利な磁気抵抗センサ素子のレイアウトでは、上から見て薄膜系の全てのストライプ状部分が、この領域内のストライプ状薄膜系の長手方向と、ピンニング方向との間に共通の方向を1つだけ有している。有利には、この条件を充足しない磁気抵抗センサ素子の部分を、良導電性導体薄膜またはアルミニウムのコーティングによって橋絡乃至電気的に短絡する。または、磁気抵抗センサ素子のこの部分が、相応に良導電部分から構成されている。更に有利には、上から見てストライプ状薄膜系は、領域毎に平行に延在しているストライプ部分でメアンダの形に構成されており、平行なストライプ部分の基準薄膜の磁化方向は、少なくとも近似的に相互に平行に配向されている。ここでは平行でなく、例えば、このストライプ部分に対して垂直方向に延在するストライプ部分をこの導体薄膜に設けてもよい。特に有利には、基準薄膜の磁化方向を安定化するために、ストライプ状の磁気抵抗薄膜系が、人工的な反強磁性体を有するようにしてもよい。こうすることによって、基準薄膜の磁化方向を、特に良好に安定化することができるようになる。図4は、上から見て少なくとも領域毎に、ことに完全に、ストライプ状に構造化された磁気抵抗薄膜系10を示す。通常の基板30上に、成長層乃至バッファ層31が設けられており、このバッファ層31上に、反強磁性薄膜32が設けられている。この薄膜32上に、第1の固定薄膜35、すなわちスピンニング薄膜または基準薄膜、中間薄膜34および第2の固定薄膜33を有している人工的な反強磁性体40の形式で薄膜系が設けられている。人工的な反強磁性体40上に、更に金属薄膜36が設けられており、この金属薄膜36の上に、第1の部分薄膜37と第2の部分薄膜38とから構成された検出薄膜41が設けられている。検出薄膜41上には、最後に通常の被覆薄膜39,例えば、タンタル製の薄膜が形成されている。第1の固着薄膜35は、第1の強磁性材料、有利には、CoFe合金、例えば、Co90Fe10製にすると有利である。第2の固着薄膜33は、第2の強磁性材料製、有利には、同様にCoFe合金製、例えば、Co90Fe10製である。中間薄膜34は、非磁性材料、有利には、ルテニウム製である。第1の固着薄膜35の厚みは、0.2nm~0.8nm、有利には、0.2nm~0.4nmだけ第2の固着薄膜33の厚みよりも小さい。反強磁性薄膜32は、有利には、PtMn合金、例えば、Pt50Mn50製である。金属薄膜36は、有利には、銅薄膜である。金属薄膜36に対して隣の、検出薄膜41の第1の部分薄膜37は、有利には、CoFe合金製、例えば、Co90Fe10製であり、第2の部分薄膜38は、有利には、NiFe合金製、例えば、Fe19Ni81製である。特に有利には、反強磁性薄膜32は、厚み20nm~40nm、ことに、30nmを有しており、第2の固着薄膜33は、厚み2nm~4nm、殊に、2.4nmを有しており、中間薄膜34は、厚み0.6nm~9.8nm、殊に、0.7nmを有しており、第1の固着薄膜35は、厚み1nm~3.5nm、殊に、2nmを有しており、金属薄膜36は、厚み1nm~4nm、殊に、2nmを有しており、第1の部分薄膜37は、厚み0.5nm~2nm、殊に、1nmを有しており、第2の部分薄膜38は、厚み1.5nm~5nm、殊に、3nmを有している。総体的に、図4の薄膜構造によって、磁場が所定の動作範囲から選択されている場合に、基準薄膜35は、当該基準薄膜35に作用する外部磁場の方向によって少なくとも近似的に作用を受けない磁化方向を有しているようにすることができる。更に、検出薄膜41は、薄膜系10の面内に位置している、外部磁場の磁場強度の成分の方向に対して平行である磁化方向を少なくとも近似的に常に有している。図3は、図4を上から見た図を示す。ストライプ状の薄膜系10が、領域毎に平行に延在しているストライプ部分を有するメアンダの形に構成されていることが分かる。更に、この平行に延在している個別ストライプ部分の基準薄膜35の磁化方向も、同様に少なくとも近似的に相互に平行に配向されている。その他に、ストライプ状薄膜系10は、領域毎に平行に延在しているストライプ部分に対して垂直方向に延在している、導電薄膜11で被覆されたストライプ部分を有している。この導電薄膜11は、電気的に特に良好に導電性の薄膜であり、ことに、アルミニウム製のコーティングであって、当該ストライプ部分に対して平行に延在していて、従って、当該、ストライプ部分を電気的に短絡または橋絡している。択一的に、このストライプ部は、導電薄膜11の材料から形成されており、その結果、このストライプ部は、図3と同様に相互に並列されて延在しているストライプ部分を領域毎に結合する。図3には、記入された矢印によって、平行に相互に延在しているストライプ状の薄膜系10での基準薄膜35の統一的な磁化方向が示されている。図3の構成は、世界知的所有権機関特許公開第00/79298A2号公報記載の技術内容による、ホイートストンブリッジ回路の形式で接続されて、角度センサを構成するように接続することができる磁気抵抗センサ素子5を形成する。スピンバルブ方式によるGMR効果に基づく磁気抵抗薄膜系の角度誤差はこの角度誤差は、薄膜系の面内に位置している、外部磁場の成分と、無視し得る程度に弱い外部磁場での薄膜系の基準薄膜の磁化方向の成分の角度aと、測定信号から求められた、薄膜系の面内に位置している外部磁場の成分と、基準薄膜の磁化方向の成分の角度bとの間の測定角度との差として定義される、薄膜系10の個別薄膜の微視的なエネルギ条件によって左右される。理想的な場合、角度誤差は、0°であり、基準薄膜35の磁化方向は、外部磁場によって完全に影響を受けず、検出薄膜41の磁化方向は、この外部磁場に常に完全に従う必要があり、この外部磁場に対して平行に配向されている。しかし、実際には、検出薄膜41の異方性、ならびに、検出薄膜41と基準薄膜35との間の強磁性または反強磁性残留結合により、検出薄膜41が外部磁場から全く影響を受けないわけではない。特に、形状異方性は、角度誤差を低減するための主要なパラメータである。つまり、薄膜系10での個別ストライプの幅を選択することによって、この異方性の強度を調整することができ、このストライプの長手方向と基準薄膜の磁化方向との角度によって、この形状異方性の方向依存度を調整することができる。ストライプ幅および所定磁場でのストライプの長手方向と基準薄膜の磁化方向との間の角度を変化させることによって、エネルギ条件を各々の薄膜系10に最適に適合させることができる。形式的には、前述のエネルギ条件は、磁化のシュトーナーウォールファールスモデルStoner-Wohlfahrth-Modellに統合することができ、0.8kA/m1mTに相応~80kA/m100mTに相応、ことに、8kA/m~30kA/mの領域内の磁気抵抗センサ素子用の通常の動作範囲から選択された所定の外部磁場で算出される。図3の構造での図4の薄膜系では、図4乃至図3の薄膜系で示したような、図1および図2に形状異方性乃至AMR誤差を算入して計算される。図1には詳細に、x軸上にストライプ状の薄膜系10の幅が、μm単位で0μm~80μmの領域内で示されている。y軸上には算出された最大角度誤差が、センサ素子5の外部磁場の可能な全ての角度に亘って、0°、すなわち、理想的な場合と、5°との間の角度で示されている。更に、12kA/m15mTに相応するの磁場強度の外部磁場が示されている。図1は、先ず、図3乃至図4の薄膜系10に基づいて行われた第1のシミュレーション20を示す。ここで外部磁場は、強度12kA/mを有しており、薄膜系10に亘って、薄膜系10の面内に位置している、この外部磁場の磁場強度の成分に関して、1回完全に360°回転している。有利には、外部磁場は、できる限り完全に、前述のように構成されている薄膜系10の面内に位置しているように回転される。シミュレーション20では、外部磁場がない場合に、基準薄膜35の磁化方向が、ストライプ状薄膜系10の長手方向に対して垂直方向に配向されており、相応の角度は90°または270°である。更に、シミュレーション20では、単に固有の効果だけが考慮されているにすぎず、図示のような角度誤差が生じてしまい、その際、付加的な磁気抵抗効果、すなわちAMR誤差は考慮されない。このAMR誤差は、強磁性薄膜で生じ、磁化方向と電流方向またはストライプ方向のcos2依存性を示す。このAMR誤差は、GMR効果に重畳し、一般的には、GMR効果の5~30の強度を有している。第1のシミュレーション20で、実際には、既存の発信器マグネットによって固定して形成される所定磁場でのストライプ幅が約7μmの場合、既述のように、ストライプ状の薄膜系10の長手方向と、基準薄膜35の磁化方向との間の角度を調整すれば、ほぼ0°である最小角度誤差を生じることが分かる。図1は、更に第2のシミュレーション21を示しており、この第2のシミュレーションでは、シミュレーション20に対して付加的に前述のAMR誤差も考慮されている。このAMR誤差は、第1のシミュレーション20に対する、第2のシミュレーション21の重要な変化を生じない。この場合でも、所定の磁場およびストライプ状薄膜系の長手方向に対して垂直方向に基準薄膜35の磁化方向が所定のように配向されていれば、最大角度誤差の最小化に関して、最も良好に、約7μmのストライプ幅を選択することができる。図1には、更に、第1のシミュレーション20に相応する第3のシミュレーション22が示されている。しかし、所定の磁場での基準薄膜35の磁化方向は、ストライプ状の薄膜系の長手方向に対して平行に、すなわち0°または、180°の角度で調整されている。新たに、第3のシミュレーション22では、AMR誤差は先ず無視される。このAMR誤差が考慮されると、それ以外の同じパラメータで、第4のシミュレーション23が得られる。シミュレーション22,23から、最大角度誤差の最小値はストライプ幅の関数としては生じないことが分かる。図1から、総体的に、ストライプ状薄膜系10のストライプの幅とは無関係に、12kA/mの所定の磁場で、基準薄膜35の磁化方向を、ストライプ状薄膜系の長手方向に対して垂直方向に選択することは、常に有利であることが分かる。つまり、ストライプ幅とは無関係に、最大角度誤差を、0°~180°に角度を選択した場合よりも常に小さくすることができるからである。外部磁場がない場合の基準薄膜35の磁化方向と、ストライプ状薄膜系10の長手方向との間の角度を90°または270°に選択すれば、別の角度よりも小さな最大角度誤差を常に達成できる。更に、図1から分かるように、この角度を、その都度の外部磁場を定義する磁場強度に整合することより、最大角度誤差を更に小さくする最適なストライプ幅が得られる。この効果は、基準薄膜の磁化方向と、ストライプ状薄膜系10の長手方向との間の角度を適切に選択することによって得られる効果よりももっと大きい。図2は、図1とほぼ同様状況を示しているが、ここで外部磁場は、24kA/m30mTに相応の磁場強度を有している。ここでも、度数で示した最大角度誤差は、薄膜系10のストライプ幅の関数として図1に相応してμmで示されている。最大角度誤差とは、外部磁場が薄膜系10の面内で360°だけ新たに回転する時に生起する、前述の定義に相応する最大角度誤差のことである。図2には、先ず、図1と同様の図3または図4の薄膜系10乃至センサ素子5での第5のシミュレーション24が示されている。このシミュレーンは、外部磁場が24kA/mであり、外部磁場がない場合での基準薄膜の磁化方向とストライプ状薄膜系10の長手方向との間の角度が90°または270°であるとの仮定のもとで行われた。第5のシミュレーション24では、GMR誤差ならびにAMR誤差形状異方性によって生じるが考慮されている。その他の点では第6のシミュレーション25に相応する第5のシミュレーションの1つはこのAMR誤差を無視する。図2と図1を比較すれば、シミュレーション24,25は、シミュレーション20,21と相違して、最大角度誤差の最小値を示さず、絶対値で見ると大きいことが分かる。図2には、第8のシミュレーション27が示されている。この第8のシミュレーション27が第5のシミュレーション24と異なる点は、基準薄膜35の磁化方向がストライプ状薄膜系10の長手方向に対して平行、すなわち、角度0°または180°に選定されている点にある。第8のシミュレーション27では、GMR誤差の他にAMR誤差も考慮されている。一方、第7のシミュレーション26では、このAMR誤差が無視され、その他の点では第8のシミュレーション27と同じシミュレーション条件である。この場合、外部磁場がない場合での基準薄膜の磁化方向と、0°または180°であるストライプ状薄膜10の長手方向との角度での前述の磁場での最大角度誤差は、対応の角度が90°または270°である場合対して明らかに低減されている。その限りで、図2の仮定された磁場での状況は、図1の場合での状況と全く反対である。その他に、最大角度誤差は、図2の例で約10μmであるような最適なストライプ幅を選定することによって更に低減することができる。従って、図1または図2のシミュレーションの解析から分かるストラテジは、以下の通りである:先ず、センサ素子が作動される前に、所定動作範囲の外部磁場を発生させる。その後、外部磁場がない場合での基準薄膜35の磁化方向とストライプ状薄膜系10の長手方向との間の角度が、最小の最大角度誤差を生じるように調整される。ストライプ幅が、最大角度誤差が更に低減するように最適化される。すなわち最小の最大角度誤差のための最適なストライプ幅を求められる。図1乃至図2のシミュレーションから、更に分かるように、外部磁場がない場合での基準薄膜の磁化方向と、ストライプ状薄膜系の長手方向との間の角度は、有利には、0°または180°、または90°または270°に選定すると有利である。AMR誤差を算入しても、最小角度誤差を見つける際に結果は格段には変化しない。最後に、導体薄膜11を図3の短絡バーの形式で設けると、最大角度誤差を特に著しく低減することができる。更に強調すると、人工的な反強磁性マグネット40では、第2の固着薄膜33は、有利には第1の固着薄膜35、すなわち基準薄膜よりも少し厚い。しかも図4の前述の材料での薄膜形成および薄膜厚は、前述のような角度誤差の最小化に関して特に有利である。"