EUV放射線を照射すると二次電子を放出する高反射性コーティングを有する基板を含む反射光学素子と、荷電粒子を前記反射光学素子2に付与できるよう配置した荷電粒子源3とを備え、該荷電粒子源3は唯一の電荷キャリア補償手段として電子を前記反射光学素子2に付与するフラッドガンである、EUVリソグラフィ用の光学システム。請求項1に記載の光学システムにおいて、前記フラッドガン3を、前記反射光学素子2の前記高反射性コーティング22の境界24のみに電子を付与するよう配置した光学システム。請求項1又は2に記載の光学システムにおいて、前記フラッドガン3を、前記反射光学システム2の前記高反射性コーティング22の前記境界24のみに完全に電子を付与するよう配置した光学システム。請求項1~3のいずれか1項に記載の光学システムにおいて、前記フラッドガン3を、表面法線に対して45°よりも大きな角度で前記反射光学システム2の表面に電子を付与するよう配置した光学システム。請求項1~4のいずれか1項に記載の光学システムにおいて、前記フラッドガンは、発熱体31、31’を有する熱電子フラッドガン3、3’、3’’であり、前記発熱体は面状素子31’である光学システム。請求項1~5のいずれか1項に記載の光学システムにおいて、前記高反射性コーティング22は多層系に基づく光学システム。請求項1~6のいずれか1項に記載の光学システムにおいて、少なくとも1つのさらなる反射光学素子122及び/又は少なくとも1つのさらなる反射光学素子3aを含む光学システム。請求項1~7のいずれか1項に記載の光学システム1を備えるEUVリソグラフィ用の照明システム。請求項1~7のいずれか1項に記載の光学システム1を備えるEUVリソグラフィ用の投影システム。請求項1~7のいずれか1項に記載の光学システム1を備えるEUVリソグラフィ用のEUVリソグラフィ装置。本発明の目的は、長期間に及ぶ使用で十分に高い最大反射率を確保する、EUVリソグラフィ用の光学システムを提供することである。この目的は、EUV放射線を照射すると二次電子を放出する高反射性コーティングを有する基板を含む反射光学素子と、荷電粒子を反射光学素子に付与できるよう配置した荷電粒子源とを備え、荷電粒子源が、唯一の電荷キャリア補償手段として電子を反射光学素子に付与するフラッドガンである、EUVリソグラフィ用の光学システムにより達成される。電荷キャリア源は、いわゆるフラッドガンであり、フラッドソースと呼ばれることもあり、EUV放射線の影響下で反射光学素子の照射面が放出する二次電子により生じる電荷差を補償する。フラッドガンは、様々な形態で市販されている特殊構成の電子源であり、電子エネルギー及び電子流の両方を全体として0eV~100eVの範囲で、場合によってはそれを超えて非常に精密に調整することができる。さらに、フラッドガンは、EUV放射線で照明した表面にできる限り完全且つ均一に荷電粒子を付与するために、非集束電子ビームを放出する。これらの手段により、表面に引き付けられるか又は表面に向けて加速される荷電反応性断片に起因した局所帯電効果、したがって局所スパッタリング効果を効果的に防止できることで、EUV放射線での照射時に反応光学素子から放出される二次電子のさらなる電荷キャリア補償手段が必要ない。電荷キャリア源は、低エネルギー荷電粒子源として構成されるので、これは、導入された荷電粒子がそれを付与される反射光学素子の表面に衝突した際に荷電粒子自体がスパッタリング効果をもたらし得る可能性を減らす。フラッドガンにより供給された電子のエネルギーは、最大限でそれぞれの場合に用いられるEUV放射線のエネルギーに対応するよう調整されることが有利である。0eV~100eVの範囲のエネルギーは、約13.5nmの領域、すなわちEUVリソグラフィで最も一般に用いられる波長範囲でのEUV放射線の使用に対応する。したがって、エネルギー範囲は、例えば約7nm等のより短い波長にも許容可能である。好ましくは、荷電粒子は、スパッタリング効果を効果的に低減すると同時に十分な電荷キャリア補償を提供するために、約10eV~40eV又はそれ以下の範囲のエネルギーを有する。荷電粒子源としてフラッドガンを用いる主な利点は、非集束粒子ビームを提供することである。好ましくは、粒子ビームは、電荷キャリア補償のために、荷電粒子を反射光学素子のEUV放射線を照射した表面の最大限の部分に付与できるよう拡大される。さらに別の変形形態では、表面にわたってできる限り均一な電荷キャリア補償を達成するために、照射面を粒子により走査する。これらの手段により、そうしなければ反応性断片に起因したスパッタリング効果につながり得る局所電荷を回避することができる。フラッドガン等の専用の荷電粒子源を設けることで、荷電粒子を反射光学素子に制御下で適時に付与することが可能となることが分かった。特に二次電子及び/又は残留ガス雰囲気中の荷電反応性断片に起因した帯電プロセスを、こうして打ち消すことができる。EUV放射線の照射と同時又はほぼ同時に、制御下で反射光学素子に電子を付与することにより、電子の付与は、反射光学素子の表面に対するイオン化残留ガス等の荷電断片によるスパッタリング効果を防止するのに十分な電荷キャリア補償を確保することができる。反射光学素子の高く均一な反射率を、EUVリソグラフィプロセスに関する長い動作期間にわたりこうして確保することができる。本明細書中、電荷キャリア補償は、基板又は高反射性コーティングの材料特性とは無関係である。したがって、提案する光学システムは、特に、1kΩよりも高い抵抗率の材料の基板を有する反射光学素子を有することができ、この抵抗率は、例えば、ガラスセラミック又はチタンドープ石英ガラスに基づく幅広く用いられる基板材料の場合と同様である。特に、例えば電気接地等のさらなる電荷キャリア補償手段が不要であるので、様々なEUVリソグラフィ装置に取り付けやすい極めて単純で小型の光学システムが提供される。好ましい実施形態では、高反射性コーティングは多層系に基づく。高反射性コーティングは、5nm~20nmの波長範囲のサブレンジに対して50以上の最大反射率を提供する一方で、上記サブレンジ内にない5nm~20nmの範囲の波長に対しては実質的により小さな最大反射率を示すコーティングであることに留意されたい。特に、約13.5nmのサブレンジでは、EUV放射線の垂直入射に最適化した、また多層系、例えばシリコン及びモリブデンを繰り返し交互に配置した層に基づく高反射性コーティングで、60よりも高い、特に65よりも高い最大反射率にさえ達するのが一般的である。1nm~12.5nm又は15nm及び20nmの波長では、高反射性コーティングが示す最大反射率はゼロに近い。多層系は本質的に、EUVリソグラフィを実行する波長において、屈折率の実部が大きい材料のいわゆるスペーサ層と、屈折率の実部が小さい材料のいわゆるアブソーバ層との複数の反復スタックからなる。これは本質的に結晶を模倣したものであり、アブソーバ層が結晶内の格子面に相当し、アブソーバ層間の距離は各スペーサ層により画定され、ここで入射EUV放射線のブラッグ反射が生じる。材料の様々な組み合わせを有する多層系を利用することで、EUV波長範囲内の任意の波長に最適化した高反射性コーティングを提供することができる。好ましくは、フラッドガンを、EUV放射線に主に曝される反射光学素子の高反射性コーティングの境界のみに電子が付与されるよう配置する。例えば放射線の効果により二次電子を放出し得る高反射コーティングを有する反射光学素子の表面の境界に電子を付与することにより、すでにリソグラフィプロセス中にEUV照射を妨げることのない弱い粒子流で、効率的な荷電キャリア補償を達成することができる。さらに、フラッドガンが供給した電子で高反射性コーティングを劣化させる危険がさらに最小化される。有利には、フラッドガンを、反射光学システムの高反射性コーティングの境界のみに完全に電子を付与して、高反射性コーティングに関して最も効率的で迅速且つ均一な電荷キャリア補償を提供するよう配置する。好ましい実施形態では、フラッドガンを、表面法線に対して45°よりも大きな角度で反射光学システムの表面に電子を付与するよう配置する。電子のこの斜入射により、電子を付与される表面に大きな照射領域footprintを発生させることができる。これにより、フラッドガンが供給する非集束電子ビームの効果が高くなる。さらに、非集束ビームは、必要であれば、EUV放射線で照明した表面にできる限り完全且つ均一に荷電粒子を付与するために、例えば電磁場によりさらに拡大することができる。フラッドガンは、2つの異なる原理に基づいて電子ビームを生成することができる。熱電子フラッドガンは、発熱体、例えばタングステン又は六ホウ化ランタン等の耐火材料のフィラメントの加熱により電子放出を示す。電界放出フラッドガンは、引出電圧を何らかの材料に印加することにより電子放出を示す。好ましい実施形態では、フラッドガンは、発熱体を有する熱電子フラッドガンであり、発熱体は面状素子である。2次元に延びる発熱体を設けることで、電子を均一に反射光学素子に付与する可能性が高まる。有利には、光学システムは、好ましくは粒子源からの荷電粒子を同じく付与されることができる少なくとも1つのさらなる光学素子、及び/又は電子をより均一に反射光学素子に付与する少なくとも1つのさらなる反射光学素子を備える。さらに、上述したもの等の光学システムを有するEUVリソグラフィ用の照明システム又はEUVリソグラフィ用の投影システムにより、またEUVリソグラフィ装置により、目的が達成される。これらには、効果的な電荷キャリア補償を提供することによりその反射光学素子の1つ又は複数の帯電を防止し、且つ反射光学素子の表面に対するスパッタリング効果の危険を大幅に低減する光学システムが設けられるので、これらが示す光学機能の安定性は、特に反射光学素子の反射率に関して、長い動作期間にわたってより良好である。これらの手段により、関連のリソグラフィプロセスの処理量を、より長い動作期間にわたってより高いレベルに保つことができる。有利な実施形態を従属請求項に記載する。本発明を、好ましい例示的な実施形態を参照してより詳細に説明する。図1は、EUVリソグラフィ装置100の例を概略的に示す。重要なコンポーネントは、ビーム整形システム110、照明システム120、フォトマスク130、及び投影システム140である。さらに他の変形形態では、ビーム整形システム110は、照明システム120に完全に又は部分的に組み込むことができる。プラズマ源又はシンクロトロンが、5nm~20nmの波長範囲のビーム源111として働き得る。放出された放射線を、最初にコレクタミラー112により集束させる。さらに、所望の作動波長を、モノクロメータ113を用いて入射角を変えることにより除去する。上述の波長範囲では、コレクタミラー112及びモノクロメータ113を通常は反射光学素子として形成する。ビーム整形システム110において波長及び空間分布に関して処理した作動ビームを、照明システム120に導入する。図1に示す実施例では、照明システム120は、本実施例では多層系に基づく高反射性コーティングを基板上に備える多層膜ミラーとして形成した2つのミラー121、122を有する。ミラー121、122は、ウェーハ150に結像される構造を有するフォトマスク130へビームを案内する。フォトマスク130も、EUV波長範囲用の反射光学素子であり、製造プロセスに応じて交換される。投影システム140を用いて、フォトマスク130が反射したビームをウェーハ140に投影することで、フォトマスクの構造をウェーハに結像する。図示の実施例における投影システム140は、本実施例では同じく多層膜ミラーとして形成した2つのミラー141、142を有する。投影システム140及び照明システム120の両方が、1つ、3つ、4つ、5つ、又はそれ以上の数のミラーを有することもできることに留意されたい。図1に示す実施例では、照明システム120及び投影システム140の両方がEUVリソグラフィ用の光学システムを備え、該光学システムは、高反射性コーティングを有する基板を備える光学素子と、荷電粒子を反射光学素子に付与できるよう配置した荷電粒子源とを有し、荷電粒子源は、唯一の電荷キャリア補償手段として電子を反射光学素子に付与するフラッドガンである。図1に示す実施例では、照明システム120は、粒子源としてのフラッドガン123、124と反射光学素子121、122とを備える2つの光学システムを有する。ここに示す実施例では、粒子源123を、電荷キャリア補償のためにEUV放射線で照明したミラー121の表面に電子等の荷電粒子を付与できるよう配置する一方で、粒子源124を、ミラー122に荷電粒子を付与できるよう配置する。本実施例では、粒子源123、124を、10eV~40eV又はそれ以下の範囲のエネルギーを有する低エネルギー電子を供給するフラッドガンとして構成する。電荷状態を測定するためのセンサが、ミラー121、122にあり得る。これらのセンサを粒子源123、124に結合できることにより、放出電子の流れを各ミラー121、122の電荷状態に応じて変えることができる。これらの手段により、そうしなければ多少の二次電子又は光電子の発生につながり得るEUVビームの強度変動を補償することができる。これにより、電子を付与され得るミラー121、122において、各フラッドガン123、124のみにより特に制御下で適時の電荷キャリア補償が得られる。ここに示す実施例における投影システム140では、粒子源143としてのフラッドガンを設け、これは、荷電粒子としての電子を放出してEUV放射線で照明したミラー141の表面に衝突させるよう配置する。ここに示す実施例では、粒子源143が可動に配置したフラッドガンであることにより、必要であればミラー142に対する電荷キャリア補償も達成するために、粒子源143の向きを必要に応じて変えて荷電粒子をミラー142の照明面にも付与できるようにすることができる。粒子源143及び2つのミラー141、142を備える光学システムのこの特殊変形形態の機能を最適化するために、ミラー141、142それぞれの現電荷状態を判定するためのセンサを各ミラー141、142に取り付けることができ、このセンサを粒子源143の制御装置に結合し、制御装置は、所定の電荷閾値を超えるミラー141、142に荷電粒子を選択的に付与するよう粒子源143の向きを調整する。衝突するEUV放射線強度は、図1に示す実施例におけるビーム経路で1つのミラーから次のミラーへ進むにつれて低下するので、ミラー142よりもビーム経路の上流のミラー141によって早くこのような閾値に達する。したがって、粒子源143からの粒子流が一定であれば、平均してミラー141の方に長く荷電粒子が付与される。照明システム及び投影システムの両方において、各ミラーに独自のフラッドガンを任意に設けて、これを用いて電子を2つ、3つ、4つ、又はそれ以上の数のミラーに付与してもよく、又はここで述べた光学システムに加えてビーム経路に配置されるが荷電粒子を付与されないミラーを設けてもよいことに留意されたい。さらに、ビーム整形システム110の光学素子112、113、又はマスク130にも、1つ又は複数の粒子源を設けて電荷キャリア補償を提供することができる。また、特に大きな照明面積を有するミラーに2つ以上の粒子源を設けて、表面にできる限り均一に荷電粒子を供給することを確実にすることができる。図2aは、反射光学素子2と、本実施例では電子源として形成した荷電粒子源3とを備える、光学システム1を例示的に示す。反射光学素子2は、1kΩよりも高い抵抗率の特に低い熱膨張係数を有するガラスセラミックの基板21を備える。この基板21において、EUVリソグラフィに関してEUV放射線4に主に曝される側には、多層系に基づく高反射性コーティング22を設ける。高反射性コーティング22の多層系は、EUVリソグラフィを実行する波長において、屈折率の実部が大きい材料のいわゆるスペーサ層と、屈折率の実部が小さい材料のいわゆるアブソーバ層との複数の反復スタックからなる。これは本質的に結晶を模倣したものであり、アブソーバ層が結晶内の格子面に相当し、アブソーバ層間の距離は各スペーサ層により画定され、ここで入射EUV放射線のブラッグ反射が生じる。図2aに示す実施例では、高反射性コーティング22は、衝突する放射線4に面した反射光学素子2の全表面にわたって延びる。変形形態では、図2cに示すように、この表面の一部のみに反射光学コーティング22を設けてもよい。有利には、高反射性コーティング22の表面積は、EUV放射線で照明される面積と少なくとも同じ大きさである。制御下での電荷キャリア補償を達成するために、本実施例では図2aに示す光学システム1は電子源3を有し、電子源3は、EUV放射線4を照射した高反射性コーティング22に電子源3からの電子を付与するよう反射光学素子2に対して配置する。好ましくは、電子源3が放出した電子ビームを、放出二次電子又は光電子により生じる帯電を最高精度で補償するよう調整する。これに必要な電子ビームは、特に二次電子の発生のためのEUV放射線強度及び有効断面積を考慮して、試験測定及び/又は計算から得ることができる。照射面にわたってできる限り均一な電荷キャリア補償を達成するために、電子ビームを、ここに示す実施例では拡大し、高反射性コーティング22の表面法線に対して45°よりも大きな角度で付与する。場合によっては、第2電子源3a点線を追加して、高反射性コーティング22に対する電子の付与の均一性を改善することができる。電荷状態を確かめるために、図2aに示す実施例では、電荷状態を測定するためのセンサを反射光学素子に設け、これは例えば、反射光学素子のEUV放射線4に曝される高反射性コーティング22を有する表面が基板21に対して帯電する強度を測定するための、電圧計23の形態である。電圧計23は、電子源3からの電子流を現電荷状態に応じて増減させるために、電子源3の制御デバイス図示せずに結合することができる。このようにして電荷状態を監視する利点は、特に、そうしなければ光電子の放出速度の相違につながり得るEUV放射線の強度変動をよりよく補償できることである。電子源3は、いわゆるフラッドガンであり、フラッドソースと呼ばれることもある。これらは、様々な形態で市販されている特殊構成の電子源であり、電子エネルギー及び電子流の両方を全体として0eV~100eVの範囲で、場合によってはそれを超えて非常に精密に調整することができる。さらに、これらは、EUV放射線で照明した表面にできる限り完全且つ均一に荷電粒子を付与するために、必要であれば例えば電磁場によりさらに拡大することができる非集束電子ビームを放出する。これらの手段により、表面に引き付けられるか又は表面に向けて加速される荷電反応性断片に起因した局所帯電効果、したがって局所スパッタリング効果を、フラッドガン3のみによって防止することができる。図2b及び図2cは、光学システム1の実施形態の第2実施例を側部図2b及び上部図2cから見た断面図として示す。本実施例のフラッドガン3’は、従来の熱フィラメント又は面状熱フィラメントを反射光学素子2の周りにリングとして配置し、グレージング角で基板21上の高反射性コーティング22の境界24のみに完全に電子を付与するよう最適化した、熱電子フラッドガンである。したがって、電子は、EUV放射線4での高反射性コーティング22の照明を妨げることなく最も均一に付与される。図2cに示す変形形態では、高反射性コーティング22は基板21を完全に覆わない。したがって、フラッドガン3’から電子を付与される境界24は、部分的に基板21であり部分的に高反射性コーティング22である。図3a及び図3bは、フラッドガンとして構成した電子源3の可能な構造の第1実施例を示す。図示の実施例では、電子をフィラメント31によって白熱発光により発生させる。電子ビームの強度に影響を及ぼすために、円筒電極32を白熱フィラメント31の極近傍に配置し、フィラメント31に関して負の電位を与える。フィラメント31に対するこの電圧を調整することにより、電位差を埋めるbridgethepotentialことができる電子の数が変わる。これらの手段により、電子ビームの強度を制御することができる。負電極32が放出した電子は、フィラメント31及び第1電極32に対して正の電位を有するさらに別の電極33により加速されることにより、接地したハウジング34から所定のエネルギーで放出される。正電極33も円筒形とすることができる。最初に負電極21、続いて正電極33という順序は、電子ビームを集束させないことを確実にする。正電極33に続いて付加的な電場及び/又は磁場を印加することにより、必要であれば電子ビームをさらに広げることができるので、電子を最大限の表面積に付与できる。さらに、電子流の強度は、フィラメント31における温度又は電圧により影響を及ぼすこともできる。内部の上面図として示す図3bに示すフラッドガン3’’の実施例では、フィラメント31’を2次元に延びる面状発熱体を形成するような形状にする。面状発熱体の形状を、電子を付与される反射光学素子又は高反射性素子の形状に適合させて、最も効果的な電荷キャリア補償を達成するために大きな照射領域で電子の非常に均一な付与を行うことができる。好ましくは、電極32、33及びフィラメント31を、0eV~100eV、いくつかの好ましい実施形態では好ましくは10eV~40eVの特に強いEUV放射線強度で、電子ビームが約1μA~10μA又は最大500μAとなるよう駆動する。他の好ましい実施形態では、例えば、約1μAの最大電流及び約3eV~4eVの電子エネルギーを提供するタングステンフィラメントを有する熱電子フラッドガン、又は約0.5μAの最大電流及び約1.5eV~3eVの電子エネルギーを提供する六ホウ化ランタンフィラメントを有する熱電子フラットガン、又は0.3μAの最大電流及び約0.4eV~1.5eVの電子エネルギーを提供する電界放出フラッドガンを用いることができる。有利には、これら後者のフラッドガンの2つ以上を1つの反射光学素子への電子の付与に用いる。電子ビームは、例えばハウジング34からの出口から40mmの距離で15mm~25mmの直径を有するよう広げることができる。反射光学素子においてさらにより大きな表面がEUV放射線で照明され、したがって二次電子を放出する場合、この表面にわたってできる限り均一な電荷キャリア補償を達成するために、この表面を広がった電子ビームで走査することができる。他に可能なのは、入射角を大きくし、任意に面状発熱体を有する2つ、3つ、4つ、5つ、又はそれ以上の数のフラッドガンを利用することである。フラッドガンは、反射光学素子又は高反射性コーティングの周りのリングとして配置することが有利である。これらの可能性の全てを相互に組み合わせることができる。電子を高反射性コーティングの周りの境界のみに付与する場合、電子を高反射性コーティングの表面全体に付与する場合よりも小さな照射領域で十分である。必要であれば、例示的に図3a又は図3bに示すような電子源を、電子からの衝撃によりイオン化したガスをハウジング34へ導入することによる他の荷電粒子源に変更することもできる。適当な電場及び/又は磁場で、電子のみ又はイオン化粒子のみ又は両方をハウジング34から放出させることを確実にすることができる。さらに、従来の電子ガンを、照明面を走査して均一な電荷キャリア補償を達成できることが有利である電子源又は荷電粒子源として、又は場合によっては、特に低エネルギー電子又は他の荷電粒子を放出する場合に、イオン化されるガスを有する放射性源として用いることができる。