"基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、MnOを含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MnOを含む下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MnOを含む下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MnOを含む下地層が、MgOからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MgOからなる下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。前記MgOからなる下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が請求項1乃至11の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。磁性層を構成するL10型FePt合金の規則度を高め、かつ良好な001配向をとらせることが、高い媒体SNRを示す熱アシスト記録媒体を得る上で重要な課題である。上記課題は、MgO下地層、もしくはTiN下地層を用いることによってある程度は改善できるが、依然として不十分である。よって、新規下地層材料の開発により、FePt合金のL10規則度、001配向性を更に高める必要がある。上記課題は、基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、MnOであることを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体を用いることによって解決できる。すなわち本願発明は下記の発明に関する。1基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む磁気記録媒体において、該下地層の少なくとも一つが、MnOを含むことを特徴とする熱アシスト磁気記録媒体。2前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。3前記MnOを含む下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。4前記MnOを含む下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。5前記MnOを含む下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。6前記MnOを含む下地層が、MgOからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする1に記載の熱アシスト磁気記録媒体。7前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。8前記MgOからなる下地層が、Cr、もしくはCrを主成分とし、Ti、V、Mo、W、Mn、Ruのうちの少なくとも1種類を含有し、更に、B、Cのうちの少なくとも1種類を含有したBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。9前記MgOからなる下地層が、Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。10前記MgOからなる下地層が、B2構造を有するNiAl、もしくはRuAlからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする6に記載の熱アシスト磁気記録媒体。11磁性層がL10構造を有するFePt、もしくはCoPt合金を主成分とし、かつ、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする1乃至10の何れか1項に記載の熱アシスト磁気記録媒体。12磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるための駆動部と、該磁気記録媒体を加熱するためのレーザー発生部と、該レーザー発生部から発生したレーザー光をヘッド先端まで導く導波路と、ヘッド先端に取り付けられた近接場光発生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを移動させるための駆動部と、記録再生信号処理系から構成さる磁気記憶装置において、該磁気記録媒体が1乃至11の何れか1項に記載の熱アシスト媒体であることを特徴とする磁気記憶装置。本発明により、磁性層が良好な規則度と001配向を有し、保磁力の高い熱アシスト記録媒体が実現され、これを用いた磁気記憶装置を提供することができる。本願発明は、基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、L10構造を有する合金を主成分とする磁性層を含む磁気記録媒体において、下地層の少なくとも一つを、MnOを含む構成とすることを特徴とする。本願発明はこのような構成を採用することにより、MnO下地層を100配向させ、この100配向したMnO下地層上に、500-600°C以上の高温でFePt合金からなる磁性層を形成することにより、該FePt合金に良好なL10規則度と、001配向性をとらせることができる。また本願発明では、MnO下地層に100配向をとらせるため、MnO下地層を100配向したCr、もしくはCr合金下地層の上に形成するのが望ましい。Cr合金としては、CrTi、CrV、CrMo、CrW、CrMn、CrRu等を用いることができる。また、これらの合金にB、Cを添加してもよい。これにより、反転磁界分散SFDを大幅に低減できる。上記Cr、もしくはCr合金下地層は、例えば、Ni-50atTaやNi-50atTi等の非晶質合金からなるシード層上に、150°C以上の高温で形成するのが望ましい。これによって、Cr、もしくはCr合金下地層に良好な100配向をとらせることができる。上記、非晶質シード層は、Co-50atTi、Co-50atTa、Cr-50atTi合金等、非晶質合金であれば特に制限はない。また、100配向したB2構造を有するNiAl合金、もしくはRuAl合金下地層上にMnO下地層を形成してもよい。この場合もエピタキシャル成長により、MnOは100配向をとる。NiAl下地層、RuAl下地層についても、Cr下地層と同様、非晶質合金下地層上に形成することによって、100配向をとらせることができる。この場合、基板加熱はなくてもよいが、良好な100配向をとらせるには、150°C以上の基板加熱を行うのが望ましい。MnOをMo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有するBCC構造の合金からなる100配向した下地層上に形成してもよい。この場合、上記BCC合金の格子定数は0.3nm以上とすることが望ましい。これにより、MnO下地層を介して磁性層中のL10型FePt合金に引っ張り応力を導入でき、規則度を更に高めることができる。上記Mo、W、Ta、Nb、もしくはこれらを含有する格子定数が0.3nm以上のBCC合金からなる下地層を以後、応力導入層と記す。応力導入層は、100配向をとっている必要があるため、100配向したCr下地層、Cr合金下地層、NiAl下地層、RuAl下地層の上に形成することが望ましい。更に、MnO下地層を100配向したMgO下地層の上に形成してもよい。MgO下地層に100配向をとらせるには、MgO下地層を、上記100配向したCr下地層、Cr合金下地層、NiAl下地層、RuAl下地層の上に形成すればよい。また、MgO下地層と、100配向したCr下地層、Cr合金下地層、NiAl下地層、RuAl下地層の間に、上記応力導入層を形成しても良い。この場合も、MgO下地層と、その上に形成されたMnO下地層を介して磁性層中のL10型FePt合金に引っ張り応力を導入でき、規則度を更に高めることができる。本願発明のMnO下地層は、Mnをアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気中で形成してもよいし、Mn-50atO複合ターゲットを用いてもよい。MnO下地層はNaCl構造をとっていることが望ましいが、MnO下地層上に形成されたL10型FePtのエピタキシャル成長を大幅に阻害しない程度あれば、ひずみがはいって正方晶、斜方晶、三方晶等になったMnO結晶が混在していてもよい。MnOが正方晶、もしくは斜方晶構造緒をとっている場合、010面や001面は、100面と区別されるべきであるが、MnOに関しては、便宜上これらの面指数は全て100面と記す。また、L10型FePtのエピタキシャル成長を大幅に阻害しない程度あれば、MnO膜形成時の過剰酸素によって生成されるMnO2、Mn3O3、Mn3O4が混在していてもよい。熱アシスト記録では、記録時に加熱された磁性層の冷却速度が遅いと、磁化遷移幅が広がりSNRが劣化するため、磁性層は速やかに冷却される必要がある。このため、熱伝導率の高い材料からなるヒートシンク層を形成するのが望ましい。ヒートシンク層としては、Cu、Ag、Al、Au、もしくはこれらの元素を主成分とする合金を用いることができる。また、軟磁性下地層を形成しても良い。軟磁性下地層には、CoTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeTaZr等の非晶質合金、FeTaC、FeTaN等の微結晶合金、NiFe等の多結晶合金を用いることが出来る。軟磁性下地層は、上記合金からなる単層膜でもよいし、適切な膜厚のRu層を挟んで反強磁性結合した積層膜でもよい。磁性層には、L10型のFePt合金、もしくはL10型のCoPt合金を用いるのが望ましい。また、結晶粒間の交換結合を低減するため、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、Cを粒界相材料として添加するのが望ましい。実施例1図1に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。本実施例では、ガラス基板上101に、5nmのNi-37atTa接着層102、50nmのCu-0.5atZrヒートシンク層103、5nmのNi-50atTi下地層104を形成し、220°Cまで基板加熱を行った。その後、10nmのCr-5atTi下地層105、3nmのMnO下地層106を形成し、再度、480-640°Cまで基板加熱を行った後、15nmのFe-47atPt-3atCu-50atC磁性層107、5nmのCo-20atCr-16atPt-10atBキャップ層108を形成した。更に、保護膜として3.2nmのDLC膜109を形成した。ここで、MnO下地層は、MnターゲットをArと酸素の混合ガス雰囲気中でDC放電させることによって形成した。また、比較例として、MnO下地層の代わりに3nmのMgO下地層を形成した媒体を作製した。本実施例媒体のX線回折測定を行ったところ、全ての媒体の磁性層からは、L10-FePt001ピークと、L10-FePt002ピークとFCC-FePt200ピークの混合ピークのみが観察された。よって、磁性層中のFePt合金は、エピタキシャル成長により良好な001配向をとっていると考えられる。図2に、上記001ピークの積分強度と、002ピークと200ピークの混合ピークの積分強度の比率を、基板温度の関数としてプロットした。尚、上記積分強度比は、磁性層中のL10-FePt合金の規則度を表す指標であり、この値が高い程、規則度が良好であることを示している。尚、同図には比較のため、MgO下地層を形成した比較例媒体の値も示してある。積分強度比は、実施例媒体、比較例媒体共に基板温度の増加に伴って増大しているが、基板温度に依らず実施例媒体が0.15-0.25程度高い値を示した。このことは、実施例媒体の方が、磁性層中のL10-FePt合金がより良好な規則度をとっていることを表している。図3に実施例媒体、及び比較例媒体の保磁力Hcの基板温度依存性を示す。尚、HcはPPMSを用いて、7Tの最大磁界を印加して室温で測定したループから見積もった。Hcは、実施例媒体、比較例媒体共に基板温度の増加に伴って増大しているが、基板温度によらず実施例媒体が3-5kOe程度高い値を示している。特に基板温度を600°C以上で作製した実施例媒体は、30kOe以上の高いHcを示した。以上より、MgOの代わりにMnO下地層を使用することにより、規則度が改善され、よりHcの高い熱アシスト媒体が得られることがわかった。実施例2実施例1と同様な膜構成で、Cr-5at下地層とMnO下地層の間に、応力導入層として、5nmのMo-20atCr実施例2.1、W-20atV実施例2.2、Ta-50atMo実施例2.3、Nb-50atW実施例2.4、Mo実施例2.5、W実施例2.6、Ta実施例2.7、Nb実施例2.8を形成した。ここで、MnO下地層形成後の基板加熱温度は、560°Cとした。本実施例媒体のX線回折測定を行ったところ、全ての媒体の磁性層からは、L10-FePt001ピークと、L10-FePt002ピークとFCC-FePt200ピークの混合ピークのみが観察された。よって、磁性層中のFePt合金は、配向導入層を形成しなかった実施例1で示した媒体と同様、エピタキシャル成長により良好な001配向をとっていると考えられる。表1に、本実施例媒体の001ピークの積分強度と、002ピークと200ピークの混合ピークの積分強度比、及びHcの値を示す。ここでHcは実施例1と同様の手法で見積もった。また、同表には実施例1で示した応力導入層を形成せず、560°Cの基板加熱後に磁性層を形成した媒体実施例媒体1の値も示してある。本実施例媒体実施例媒体2.1~2.8の積分強度は、応力導入層を形成していない比較例媒体よりも高く、Hcも1-5kOe程度高かった。尚、表1には、本実施例で用いた応力導入層の格子定数も示してある。本実施例の応力導入層は5nmと薄く、X線回折プロファイルにおいて明瞭な回折ピークがみられなかった為、格子定数を実験的に見積もることができなかった。よって、応力導入層の格子定数は、Mo、W、Nb、Taについては文献値を、Mo-20atCr、W-20atV、Ta-50atMo、Nb-50atWについては、上記文献値を用いてVegard則により見積もった。Mo-Cr、W-V、Ta-Mo、Nb-Wは全率固溶合金なので、Vegard則により格子定数を見積もることができる。格子定数が0.31nm以上、0.32nm未満である実施例媒体2.2、実施例媒体2.5、実施例媒体2.6が、特に積分強度比が高く、高いHcを示した。これは、MnO下地層を介して磁性層中のFePt合金に適度な引っ張り応力が導入された結果と考えられる。格子定数を0.32nm以上に増加させた実施例媒体2.3、実施例媒体2.4、実施例媒体2.7、実施例媒体2.8の積分強度比がやや低くなっているのは、格子ミスフィットが増大したためと考えられる。但し、これらの媒体でも応力導入層を形成しない実施例媒体1に比べると積分強度比が高く、磁性層中のL10-FePt合金の規則度が良好であることがわかる。以上より、MnO下地層を、格子定数が0.3nm以上のBCC金属、もしくはBCC合金からなる応力導入層の上に形成することにより、磁性層中のFePt合金の規則度が更に改善され、高いHcを示す熱アシスト媒体が得られることがわかった。また、応力導入層の格子定数を0.31nm以上、0.32nm未満とすることにより、特に規則度が改善され、Hcを更に高められることがわかった。実施例3図4に本実施例で作製した磁気記録媒体の層構成の一例を示す。本実施例では、ガラス基板401上に、5nmのCr-50atTi接着層402、40nmのAg-3atPdヒートシンク層403、20nmのFe-8atTa-12atC軟磁性下地層404、5nmのCo-50atTi下地層405を形成したのち、220°Cの基板加熱を行った。その後、10nmのCr-15atMn下地層406、2nmのMgO下地層407、2nmのMnO下地層408を形成し、600°Cの基板加熱を行った。その後、10nmのFe-50atPt-12molSiO2-8molTiO2磁性層409を形成し、更に4nmのCo-12atCr-18atPtキャップ層410、DLC保護膜411を形成した。ここで、MnO下地層は、MnO複合ターゲットを用いてRFスパッタにより形成した。また、比較例として、MnO下地層を形成しない媒体を作製した。本実施例媒体のX線回折測定を行ったところ、全ての媒体の磁性層からは、L10-FePt001ピークと、L10-FePt002ピークとFCC-FePt200ピークの混合ピークのみが観察された。後者の混合ピークの積分強度に対する前者のピークの積分強度比は、2.01であった。一方、MnOを形成しなかった比較例媒体の積分強度比は1.67であった。表2に本実施例媒体、及び比較例媒体の保磁力Hc、及び保磁力分散ΔHc/Hcの値を示す。ここで、ΔHc/Hcは、IEEETrans.Magn.,vol.27,pp4975-4977,1991に記載の方法で測定した。具体的には、7Tの最大磁界を印加して室温で測定したメジャーループ、及びマイナーループにおいて、磁化の値が飽和値の50となるときの磁界を測定し、両者の差分から、Hc分布がガウス分布であると仮定してΔHc/Hcを算出した。ΔHc/Hcは、反転磁界分散に相当するパラメーターであり、この値が低いほど、高い媒体SNRが得られるため、望ましい。MnO下地層を形成した本実施例媒体は、比較例媒体に比べてHcが6.8kOe高く、ΔHc/Hcは16程度低い値を示した。これは上述のように規則度が改善されたためと考えられる。以上より、MnO下地層をMgO下地層上に形成することにより、Hcが高く、かつ、Hc分散が低い熱アシスト媒体が得られることがわかった。尚、本実施例媒体のMgO下地層の直下に実施例2で示した応力導入層を導入した場合でも、磁性層の規則度が改善され、Hcが1~5kOe程度向上した。実施例4実施例3と同一層構成で、MgO下地層の直下の下地層として、Cr-5atTi実施例4.1、Cr-20atV実施例4.2、Cr-12atMo実施例4.3、Cr-10atW実施例4.4、Cr-10atMn実施例4.5、Cr-2atRu実施例4.6、Cr-5atTi-2atB実施例4.7、Cr-5atMo-2atC実施例4.9、Cr-5atMn-2atB実施例4.8、Cr-5atRu-2atC実施例4.10下地層を形成した媒体を作製した。本実施例媒体のX線回折測定を行ったところ、全ての媒体の磁性層からは、L10-FePt001ピークと、L10-FePt002ピークとFCC-FePt200ピークの混合ピークのみが観察された。後者の混合ピークの積分強度に対する前者のピークの積分強度比は、全ての実施例媒体について2以上であった。以上より、本実施例媒体の磁性層中のFePt合金は、良好な001配向をとっており、かつ良好なL10規則度を有していることがわかった。表3に本実施例媒体のHc、及びΔHc/Hcを示す。Cr-12atMo、Cr-10atW下地層を用いた媒体が特に高いHcを示した。また、B、もしくはCを添加したCr-5atTi-2atB、Cr-5atMo-2atC、Cr-5atMn-2atB、Cr-5atRu-2atC下地層を用いた媒体が特に低いΔHc/Hcを示しており、下地層へのB添加、C添加がHc分散低減に効果的であることがわかった。実施例5実施例3で示した媒体実施例媒体3、比較例媒体3、及び実施例4で示した媒体実施例媒体4.1~4.10にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布したのち、図5に示した磁気記憶装置に組み込んだ。本磁気記憶装置は、磁気記録媒体501と、磁気記録媒体を回転させるための駆動部502と、磁気ヘッド503と、ヘッドを移動させるための駆動部504と、記録再生信号処理系505から構成される。図6に磁気ヘッドの詳細を示す。ヘッドは、主磁極601、補助磁極602、磁界を発生させるためのコイル603、レーザーダイオードLD604、LDから発生したレーザー光605を近接場発生素子606まで伝達するための導波路607から構成される記録ヘッド608、及びシールド609で挟まれた再生素子610から構成される再生ヘッド611からなる。近接場光素子から発生した近接場光により媒体501を加熱し、媒体の保磁力をヘッド磁界以下まで低下させて記録できる。表4に1200kFCIの信号を記録し、記録再生特性を評価したときのSNRとオーバーライト特性OWを示す。ここで、記録時のLDパワーは、トラックプロファイルの半値幅と定義した記録トラック幅が70nmとなるように調整した。実施例媒体3、及び実施例媒体4.1~4.10はいずれも16dB以上の高いSNRと、30dB以上の高いOWを示した。一方、比較例媒体3は、前記媒体に比べてSNRが2dB以上低く、OWも30dB以下であった。以上より、MgO下地層上にMnO下地層を積層することにより、SNRが高く、良好なOW特性を示す熱アシスト媒体が得られることがわかった。実施例媒体4.1~4.10の中でも、ΔHc/Hcが特に小さかった実施例媒体4.7~実施例媒体4.10が16.7dB以上の高いSNRを示した。また、実施例媒体4.1、実施例媒体4.5が特に高いOW特性を示した。よって、OW特性を上げる場合は、MnO下地層の直下にCrTi下地層、もしくはCrMn下地層を形成することが望ましいことがわかった。"