酸化インジウム含有層を製造するための液相法であって、少なくとも1つの酸化インジウム前駆体と、少なくとも1つの溶剤もしくは分散媒体とを含有する混合物から製造可能な被覆組成物を、以下のa~dの順で、a基板上に塗布し、b該基板上に塗布された組成物を電磁波で照射し、c随意に乾燥させ、且つ、d酸化インジウム含有層へと熱により変換する、前記方法であって、酸化インジウム前駆体が、一般式InXOR2[式中、R=アルキル基および/またはアルコキシアルキル基であり且つX=F、Cl、BrまたはIである]のインジウムハロゲンアルコキシドであり、且つ、170~210nmの範囲および250~258の範囲の光線を有意な割合で有する電磁波での照射を実施することを特徴とする前記方法。前記照射を、183~187nmの範囲および250~258nmの範囲の光線を有意な割合で有する電磁波を用いて実施することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記照射を、低圧水銀放電ランプを使用して行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。少なくとも1つのインジウムハロゲンアルコキシドのアルキル基もしくはアルコキシアルキル基が、C1~C15-アルコキシ基またはアルキルオキシアルキル基であることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。前記インジウムハロゲンアルコキシドが、InClOMe2、InClOCH2CH2OCH32、InClOEt2、InClOiPr2またはInClOtBu2であることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。組成物の合計質量に対して0.1~10質量の割合のインジウムハロゲンアルコキシドInXOR2を用いることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。前記組成物が、インジウムハロゲンアルコキシドの他に、さらに他の前駆体、好ましくは他の元素のアルコキシドまたはハロゲンアルコキシド、特に好ましくはB、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、P、Hf、ZnおよびSbのアルコキシドまたはハロゲンアルコキシドを、溶解または分散して有することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。前記少なくとも1つの溶剤または分散媒体が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、tert-ブタノール、酢酸ブチル、メトキシエタノール、1-メトキシ-2-プロパノールまたはトルエンであることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。前記少なくとも1つの溶剤または分散媒体が、組成物の合計質量に対して90~99.9質量の割合で存在することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。段階bにおける照射を、酸素O2の存在下で実施することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。構造化された酸化インジウム含有層を製造するための請求項10に記載の方法であって、段階bにおける照射を、相応の構造が予め備えられたマスクを通じて行うことを特徴とする、前記方法。段階eにおける熱処理の後、照射されていない領域を、水性酸を使用して除去することを特徴とする、請求項11に記載の方法。変換を、500°C未満且つ120°Cより高い温度で熱により行うことを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。請求項1から13までのいずれか1項記載の方法によって製造可能な酸化インジウム含有層。電子素子用の伝導層または半導体層を製造するための、殊にトランジスタ、ダイオード、センサまたは太陽電池用の伝導層または半導体層を製造するための、請求項14に記載の少なくとも1つの酸化インジウム含有層の使用。