カルコパイライト型化合物からなる発光層を有するカルコパイライト型太陽電池の特性評価方法であって、カルコパイライト型太陽電池に対して第1の光を照射する光予備照射工程と、規格された疑似太陽光を前記カルコパイライト型太陽電池に対して照射しながら、該カルコパイライト型太陽電池の出力を測定する出力測定工程と、を有し、前記第1の光として250nm~800nmの波長を含む光を採用するとともに、該光を積算光子数が10000以上となるまで照射することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の特性評価方法。請求項1記載の特性評価方法において、前記第1の光の強度を1W/cm2以上に設定することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の特性評価方法。本発明は特許文献1記載の技術に関連してなされたもので、カルコパイライト型太陽電池の出力特性を正確に評価し得る特性評価方法を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明は、カルコパイライト型化合物からなる発光層を有するカルコパイライト型太陽電池の特性評価方法であって、カルコパイライト型太陽電池に対して第1の光を照射する光予備照射工程と、規格された疑似太陽光を前記カルコパイライト型太陽電池に対して照射しながら、該カルコパイライト型太陽電池の出力を測定する出力測定工程と、を有し、前記第1の光として250nm~800nmの波長を含む光を採用するとともに、該光を積算光子数が10000以上となるまで照射することを特徴とする。このような光が照射されたカルコパイライト型太陽電池では、該カルコパイライト型太陽電池の光吸収層に存在する欠陥準位の略全てが電荷によって埋められる。本出願人によれば、光照射効果は、欠陥準位の影響によって発現すると推察されるが、本発明では、光予備照射工程において欠陥準位を電荷で埋めるようにしているので、この時点で光照射効果が略飽和する。この状態で出力特性を測定すると、上記したように欠陥準位が既に埋められているため、光照射効果が発現することが回避される。従って、カルコパイライト型太陽電池の出力特性を高精度に評価することが可能となる。なお、太陽光の強度は、およそ100mW/cm2である。そこで、前記第1の光は、1W/cm2以上の強度を有するものであることが好ましい。このような光を用いることで、短時間で光照射効果を飽和させることができる。本発明によれば、光予備照射工程において照射する第1の光として、所定範囲の波長を含む光を積算光子数が一定数以上となるまで照射するようにしているので、光吸収層に存在する欠陥準位の略全てが電荷によって埋められる。その結果、光照射効果が略飽和するので、続く出力特性測定時に光照射効果が発現することが回避される。このため、カルコパイライト型太陽電池を長期間にわたって屋外に設置することなく、出力特性を正確に評価することが可能となる。以下、本発明に係るカルコパイライト型太陽電池の特性評価方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。先ず、カルコパイライト型太陽電池につき概略説明する。図1は、カルコパイライト型太陽電池10の概略縦断面図である。カルコパイライト型太陽電池10は、ガラス基板12上に積層体14が積層されることによって設けられる。ここで、積層体14は、ガラス基板12側から、Moからなる第1電極16と、CIGSからなる光吸収層18と、ZnOAlからなる透明な第2電極20とを有し、光吸収層18と第2電極20との間には、光吸収層18と第2電極20との熱膨張係数の相違を緩和するためのバッファ層22が介装されている。なお、本実施の形態において、バッファ層22は、InSからなる。第1電極16の一部は露呈しており、この露呈した部位には、第1リード部28が設けられる。その一方で、第2電極20の上部には、第2リード部30が設けられている。このように構成されたカルコパイライト型太陽電池10は、複数個が電気的に接続され、さらに、図示しない樹脂材で封止されることでモジュール化されるのが一般的である。樹脂材としては、例えば、EVAが選定される。このモジュールの出力特性を評価するに際しては、図2にフローチャートを示す特性評価方法が実施される。この特性評価方法は、モジュールカルコパイライト型太陽電池10に対して第1の光を照射する光予備照射工程S1と、該モジュールに対して疑似太陽光を照射しながら出力を測定する出力測定工程S2とを有する。先ず、モジュールに対し、光予備照射工程S1において、250nm~800nmの波長を含む第1の光、すなわち、250nm~800nmまで連続的なスペクトルを有する第1の光を照射する。このような範囲の波長の光を発する光源としては、例えば、キセノンランプが挙げられる。なお、照射は、積算光子数が10000以上となるまで、すなわち、250nm~800nmまでの任意の波長で積算光子数が10000以上となるまで継続して行う。この光予備照射工程S1を行う前のZnOAl/InS/CIGSヘテロ接合のバンド図を図3Aに示すとともに、光予備照射工程S1を行っている最中の前記ヘテロ接合のバンド図を図3B、図3Cに示す。なお、図3Bは照射開始から比較的短時間が経過したときのものであり、図3Cは照射開始から長時間が経過したときのものである。なお、図3A~図3BにおけるEv及びEcは、それぞれ、価電子帯の頂及び伝導帯の底を表す。さらに、ΔEcは、InS/CIGS界面の伝導帯バンド不連続いわゆる伝導帯オフセットである。P型半導体である光吸収層18CIGSとN型半導体であるバッファ層22InSとの接合部近傍では、正孔と電子が互いに結合し、その結果、図3Aに示されるように、電荷が少ない領域としての空乏層が形成される。この時点では、伝導帯オフセットΔEcが大きい。このことは、光励起電子に対する障壁が高いこと、換言すれば、抵抗が大きいことを意味する。また、図3A中に示すように、禁制帯には、白抜きの長方形、黒塗りの長方形で表した欠陥準位が多数存在している。光予備照射工程S1を開始すると、すなわち、第1の光をモジュールに照射すると、価電子帯の電子が光を吸収することによって励起される。励起された電子は、図3Bに示すように、禁制帯を越えて伝導帯に到達し、伝導電子となる。一方、電子が励起前に存在していた箇所には、正孔が残留する。伝導電子が発生すると、伝導電子がInS側に移動し、且つ正孔がCIGS側に移動する。以上の現象が進行する結果、伝導体オフセットΔEcが小さくなる。また、InS/CIGS界面の近傍の欠陥や、禁制帯中の比較的低準位の欠陥に電子や正孔が捕捉される。すなわち、欠陥準位が埋められる。照射される光が250nm~800nmの波長を含むものであるので、InS/CIGS界面の近傍では、禁制帯の略全域にわたって欠陥準位が埋められる。そして、さらに光を照射すると、図3Cに示すように、CIGS光吸収層18の深部の欠陥準位や、禁制帯中の比較的高準位の欠陥準位が埋められる。ここで、積算光子数が10000以上となるまで光の照射を行うと、上記した欠陥準位の略全てが埋められる。以上のように、250nm~800nmの波長を含む光を、積算光子数が10000以上となるまでカルコパイライト型太陽電池10に照射することにより、該カルコパイライト型太陽電池10の欠陥準位の略全てが埋められる。すなわち、カルコパイライト型太陽電池10を、光照射効果に影響を及ぼすと推察される欠陥準位が略存在しない状態とすることができる。このため、カルコパイライト型太陽電池10を、長期間にわたって太陽光に照射された状態に近似することが可能となる。長期間にわたって太陽光に照射されたカルコパイライト型太陽電池10においても、上記と同様に、欠陥準位の略全てが埋められていると推定されるからである。すなわち、光予備照射工程S1を行うことにより、カルコパイライト型太陽電池10に光照射効果が発現することを回避することができる。なお、第1の光の強度を約1W/cm2以上とした場合には、短時間で光照射効果を飽和させることができ、好適である。次に、出力測定工程S2において、前記モジュールに対して疑似太陽光、すなわち、AM1.5、照射強度100mW/cm2の人工光を照射しながら、該モジュールの出力測定を行う。上記したように、光予備照射工程S1によってカルコパイライト型太陽電池10の欠陥準位の略全てが埋められているので、この出力測定の最中、各カルコパイライト型太陽電池10に光照射効果が発現することが回避される。従って、モジュール、ひいては各カルコパイライト型太陽電池10の出力を精度よく評価することができる。なお、出力測定の間、疑似太陽光が照射され続けることに伴ってカルコパイライト型太陽電池10の温度が上昇することがある。この場合、カルコパイライト型太陽電池10の出力が低下し、その結果、正確な出力特性を測定することが容易でなくなる。このような事態が生じることを回避するべく、出力測定工程S2において、出力値に対して温度補正を加えるようにしてもよい。具体的には、カルコパイライト型太陽電池10における様々な温度での出力を測定し、該カルコパイライト型太陽電池10の温度と出力との相関関係を予め求めておく。そして、出力測定工程S2において、カルコパイライト型太陽電池10の温度も同時に測定し、測定開始時の温度と比較する。温度が上昇している場合、予め調べた温度と出力との相関関係から、温度が上昇していない場合との出力差を求める。その出力差を実際の出力値に加えることにより、出力特性を一層正確に評価することができる。なお、本発明は、上記した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、光吸収層20はCIGSに特に限定されるものではなく、CIS等の他のカルコパイライト型化合物であってもよい。いずれにしても、本発明は、光照射効果が起こるカルコパイライト型太陽電池であれば適用することが可能である。