電子部品を搭載するための搭載領域を有する基体と、前記基体の上面から下面にかけて設けられた、前記電子部品に電気的に接続される接続導体と、前記基体の下面に設けられた、一方の端部が前記接続導体に電気的に接続されるとともに、他方の端部が前記基体の側方に引き出された配線導体と、前記基体の下面に設けられた、前記配線導体と共にコプレーナ線路を形成する接地導体とを備え、前記配線導体の下面が、前記接地導体の下面よりも上方に位置していることを特徴とする電子部品収納用部品。前記接地導体は、下面視したときに、前記基体と重なり合う第1の領域と、前記基体の側面よりも外側に位置する第2の領域とを有していることを特徴とする請求項1に記載の電子部品収納用部品。前記接地導体が、前記実装基板に取り付けるための孔を前記第2の領域に備えていることを特徴とする請求項2に記載の電子部品収納用部品。前記接地導体の前記第2の領域が、下面視したときに、前記第1の領域に隣接する第3の領域と、該第3の領域よりも前記基体の外側に位置する第4の領域とを有し、該第4の領域と前記配線導体との間隔が、前記第3の領域と前記配線導体との間隔よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の電子部品収納用部品。前記接地導体の前記第3の領域が、下面視したときに、前記基体から離れるにしたがって前記配線導体との間隔が大きくなっていることを特徴とする請求項4に記載の電子部品収納用部品。請求項1に記載の電子部品収納用部品と、該電子部品収納用部品の前記搭載領域に搭載された電子部品とを備えた電子モジュール。請求項6に記載の電子モジュールと、該電子モジュールが取りつけられた実装基板とを備えた電子装置。以下、本発明のいくつかの実施形態の例について図面を参照して説明する。なお、以下の例においては、電子部品として光半導体素子を用いているが、特にこれに限定されるものではなく、集積回路等を用いてもよい。図1A、図1Bおよび図2に示すように、本発明の第1の実施形態の電子部品収納用部品以下、電子部品収納用パッケージとも、あるいは単にパッケージともいう。1は、電子部品2を搭載するための搭載領域を有する基体11と、搭載領域を囲むように基体11の上面に設けられた枠体13と、基体11の上面から下面にかけて設けられた、電子部品2に電気的に接続される接続導体3と、基体11の下面に設けられた、一方の端部が接続導体3に電気的に接続されるとともに、他方の端部が基体11の側方に引き出された配線導体4と、基体11の下面に設けられた、下面視したときに、基体11と重なり合う内側領域92と、基体11の側面よりも外側に位置する、実装基板15に取り付けるための孔91を備えた外側領域93とを有する取付け部材9と、基体11の下面に設けられた、配線導体4と共にコプレーナ線路を形成する接地導体5とを備えている。そして、配線導体4の下面が、接地導体5の下面よりも上方に位置している。具体的には、基体11の下面に対して垂直な方向における接地導体5の厚みが、配線導体4の厚みよりも大きい。これにより、パッケージ1を実装基板に実装する際に、インピーダンスのマッチングを容易に行なうことができる。具体的には、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域の周囲の誘電率を配線導体4のうち基体11の側方に引き出された領域の周囲の誘電率に近づけることができる。これは、配線導体4のうち基体11の側方に引き出された領域を実装基板に接続部材等で接着することによってパッケージ1を実装基板に実装する際に、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域と実装基板との間に生じる隙間を大きくすることができるためである。その結果、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域の周囲の誘電率を、配線導体4から見て上下方向の片側にのみ誘電体がある場合に近づけることができる。このため、これらの領域の間でインピーダンスのマッチングを行なうことが容易となる。具体的には、配線導体4および実装基板がアルミナAl2O3セラミックスから成る場合であれば、配線導体4および実装基板の比誘電率は約10であり、隙間に存在している空気の比誘電率は約1である。すなわち、配線導体4のうち基体11の側方に引き出された領域の周囲において、配線導体4から見て上側の誘電率が約1であり、下側の誘電率が約10である。また、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域の周囲において、配線導体4から見て上側の誘電率が約10であり、下側には約1の誘電率である隙間が位置することになる。なお、具体的な接地導体5の厚みおよび配線導体4の厚みに関する詳細な説明は後述する。また、パッケージ1を実装基板15に実装する際に、配線導体4よりも接地導体5の方が実装基板15に先に接触する。そのため、配線導体4が実装基板15から受ける押圧力を小さくできる。その結果、この押圧力に起因する配線導体4の変形を抑制することができるので、配線導体4による信号の伝送特性を良好に保つこともできる。第1の実施形態の例のパッケージ1における基体11は、上面、下面ならびに上面および下面の間に位置する複数の側面を有している。具体的には、基体11は、平面視した場合の形状が四角形状であり、その上面には、後述する端子接続導体101を備えた段差部121が、枠体13の内周面と接するようにして形成されている。また基体11は、その上面に電子部品2がサブマウント21を介して搭載される搭載領域を有している。基体11の上面の搭載領域には電子部品2が搭載されることから、基体11としては、少なくとも電子部品2が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。第1の実施形態にかかる基体11としては、例えば、アルミナAl2O3セラミックス、窒化アルミニウムAlNセラミックスまたはムライト3Al2O32SiO2セラミックス等の誘電体材料を用いることができる。第1の実施形態における枠体13は、搭載領域を囲むように基体11の上面に位置している。枠体13としては、基体11と同様に、誘電体材料を用いることができる。また、枠体13としては、例えば、鉄Fe、銅Cu、ニッケルNi、クロムCr、コバルトCoまたはタングステンWのような金属部材、あるいはこれらの金属からなる合金を用いてもよい。枠体13は複数の側面を有しており、その側面の1つである第1の側面111に外周面および内周面に開口する貫通孔131を有している。そして、第1の実施形態のパッケージ1は、この枠体13の貫通孔131に取り付けられた光ファイバ取付け部8を有している。第1の実施形態における光ファイバ取付け部8は、円筒形状の部材である。光ファイバ取付け部8は、一方の端部が枠体13の内側に位置するとともに、他方の端部が枠体13の外側に位置するように枠体13に固定されている。光ファイバ取付け部8によって光ファイバ23を固定することで、光ファイバ23の位置決めを図ることができる。また、電子部品2として光半導体素子を用いる場合には、光半導体素子と光ファイバ23との間での光の伝達を、この円筒形状である光ファイバ取付け部8の中空部分に光ファイバ23を固定することによって行なうことができる。光ファイバ取付け部8は、少なくとも光ファイバ23を固定できる程度の強度を有していることが好ましい。具体的には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルトまたはタングステンのような金属材料によって形成することができる。なお、枠体13と基体11とは別々に形成されてもよく、また、一体的に形成されてもよい。第1の実施形態における接続導体3は、基体11の上面から下面にかけて設けられている。接続導体3は、電子部品2が発した電気信号を基体11の上面から下面に伝送する機能を、もしくは外部から入力された電気信号を基体11の下面から上面に伝送する機能を有している。接続導体3の一方の端部は基体11の上面に露出している。接続導体3および電子部品2は、基体11の上面に配設される配線を介して電気的に接続される。この電気的な接続の代表的な接続方法は、ワイヤーボンディング30である。また、接続導体3の他方の端部は基体11の下面に露出している。接続導体3としては、例えばタングステン、モリブデンMoまたはマンガンMn等の金属材料を用いることができる。接続導体3の形成方法としては、基体11の上面および下面の間を貫通する貫通孔を形成するとともに、この貫通孔に金属ペーストを配設する方法が挙げられる。貫通孔に金属ペーストを配設する方法としては、周知の吸引法等を用いればよい。接続導体3は、金属材料が貫通孔の内部全体に充填されるようにして形成されてもよい。また、貫通孔の内壁を覆うように形成されて内周側に空洞が形成されるように配設されてもよい。配線導体4は、基体11の下面に設けられている。第1の実施形態のパッケージ1においては、配線導体4として帯状の金属部材を用いている。配線導体4の一方の端部が接続導体3に電気的に接続されるとともに、配線導体4の他方の端部が基体11の側面の1つである第2の側面112よりも基体11の外側に引き出されている。配線導体4は、例えば銅等の金属材料によって形成されている。配線導体4の基体11の下面への取付けは、接続導体3および配線導体4を接続部材等によって接合することによって行なわれる。本例のパッケージ1は、基体11の上面に配設された内部接地導体6をさらに備えている。内部接地導体6は、基体11の上面において、接続導体3の一方の端部を囲むように配設されている。接続導体3と内部接地導体6とが短絡することのないように、接続導体3および内部接地導体6の間には所定の間隔が確保されている。内部接地導体6は、例えばメタライズ法によって形成することができる。内部接地導体6は、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の金属材料からなる。内部接地導体6は、接続導体3によって高周波信号を伝送する際の誘電損失を低減するために設けられる。本例のパッケージ1は、基体11の下面に設けられた接地導体5外部接地導体5を備えている。本例においては、外部接地導体5として帯状の金属板を用いている。外部接地導体5は、配線導体4を挟むようにして位置して、基体11の下面の2箇所に設けられている。外部接地導体5と配線導体4との間には、外部接地導体5および配線導体4が電気的に短絡することのないように所定の間隔が確保されている。これにより、外部接地導体5は、配線導体4と共にコプレーナ線路を形成している。外部接地導体5としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、配線導体4と同様の金属材料によって形成すればよい。外部接地導体5の基体11の下面への取付けは、後述する接地接続導体7および外部接地導体5を接続部材等によって接合することによって行なわれる。また、好ましくは、外部接地導体5の弾性率が、配線導体4の弾性率よりも大きいことが望ましい。これにより、配線導体4と外部接地導体5の両方が押圧力を受ける場合に、外部接地導体5に力が集中しやすくなる。その結果、さらに配線導体4の変形を抑制することができるので、信号の伝送特性の低下を抑制することができる。本例のパッケージ1は、基体11の上面から下面にかけて設けられた、内部接地導体6および外部接地導体5を電気的に接続する接地接続導体7を備えている。具体的には、接地接続導体7は、基体11の上面から下面にかけて、2つの外部接地導体5および内部接地導体6にそれぞれ対応するように2箇所に設けられており、接続導体3を挟んで位置している。接地接続導体7および接続導体3の間には、これらの導体が短絡することのないように、所定の間隔が確保されている。接地接続導体7の一方の端部は基体11の上面に露出するとともに、他方の端部は基体11の下面に露出している。接地接続導体7の形成方法としては、接続導体3と同様に、基体11の上面および下面の間を貫通する貫通孔を形成するとともに、この貫通孔に金属ペーストを配設する方法が挙げられる。なお、ここでいう内部接地導体6、外部接地導体5および接地接続導体7における接地とは、いわゆるアース電位としての外部の基準電位図示せずに電気的に接続されていることを意味しており、基準電位としては必ずしも電位が0Vである必要はない。本例のパッケージ1は、基体11の下面に配設された取付け部材としての複数のネジ止め部9を有している。それぞれのネジ止め部9は、基体11の下面に設けられた、基体11を下面視したときに、基体11と重なり合う内側領域92と、基体11の側面よりも外側に位置する外側領域93とを有する。それぞれのネジ止め部9は、長方形状の部材であり、外側領域93の一方の主面から他方の主面にかけて孔91が設けられている。これらのネジ止め部9においてパッケージ1および後述する実装基板15をネジ止めによって取り付けることにより、パッケージ1を実装基板15に固定することができる。ネジ止め部9は、例えば銅などの金属板によって形成されている。ネジ止め部9と基体11との接合は、基体11の下面に金属膜をメタライズ法によって別途形成して、その金属膜およびネジ止め部9を接続部材等を用いて接合することによって行なわれる。なお、基体11の下面に対して垂直な方向におけるネジ止め部9の厚みは、基体11の下面に対して垂直な方向における配線導体4の厚みよりも大きく、また電子部品収納用パッケージ1を実装基板15に取り付ける際の電子部品収納用パッケージ1の安定性を考えると、基体11の下面に対して垂直な方向における外部接地導体5の厚みと同一であることが望ましい。なお、ここでいう同一とは、製造上不可避な程度の誤差を含むものである。本実施形態の例におけるパッケージ1は、基体11における段差部121の上面から基体11の下面にかけて貫通して引き出される複数の端子接続導体101を備えている。図示はしていないが、端子接続導体101は、例えばワイヤーボンディングによって電子部品2に電気的に接続されている。リード端子102は、端子接続導体101と外部配線とを電気的に接続するための部材である。リード端子102は、帯状の部材であって、基体11の下面に複数並んで設けられている。リード端子102は、端子接続導体101のうち基体11の下面に位置する端部にそれぞれの一端が接合されており、他端は、基体11の側方に引き出されている。リード端子102は、例えば銅等の金属材料によって形成されている。一般的に、接続導体3および配線導体4が、高周波信号を伝送するために用いられるのに対して、端子接続導体101およびリード端子102は、電子部品2に電力を供給するために用いられる。これら複数の端子接続導体101は、互いに電気的に短絡することのないように所定の間隔をあけて配設されている。端子接続導体101は、接続導体3と同様の方法で形成することができる。なお、図3Aおよび図3Bに示すように、外部接地導体5は、下面視したときに、基体11と重なり合う第1の領域51だけでなく、基体11の外側に位置する第2の領域52を有していることが望ましい。これにより、基体11の直下から基体11の外側にかけての、配線導体4と外部接地導体5とによって形成されるコプレーナ線路のインピーダンスの変化を小さくすることができ、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。さらに、図3Aおよび図3Bに示すように、外部接地導体5は、ネジ止めによって実装基板15に取り付けるための孔520を第2の領域52に有していることが好ましい。この孔520が設けられた外部接地導体5および孔91が設けられたネジ止め部9を用いて、パッケージ1を実装基板15にネジ止めすることにより、より強固な固定を行なうことができる。孔520としては、外部接地導体5の上面から下面にかけて貫通孔が設けられたものでもよく、また、外部接地導体5を下面視したときに、外部接地導体5の端部に開口部が設けられたものでもよい。なお、孔520およびネジ込まれるネジによる外部接地導体5および配線導体4の間の寄生容量への影響を考慮すると、パッケージ1を下面視したときに、外部接地導体5の外周の辺のうち、配線導体4と対向している辺の反対側に位置する辺に開口するように、孔520が設けられることが好ましい。これにより、外部接地導体5および配線導体4の間の寄生容量の変化が低減される。従って、高周波信号の伝送特性への影響が低減される。また、図4に示すように、外部接地導体5は、下面視したときに、第2の領域52が、第1の領域51に隣接する第3の領域53と、第3の領域53よりも基体11の外側に位置する第4の領域54とを有しており、第4の領域54と配線導体4との間隔が、第3の領域53と配線導体4との間隔よりも大きいことが望ましい。これにより、配線導体4と外部接地導体5とによって形成される伝送回路におけるインピーダンスを段階的に変化させることができるため、伝送特性をさらに向上させることができる。なお、外部接地導体5に孔520を形成する場合は、第4の領域54に形成することが望ましい。これにより、孔520を用いてネジ止めを行なう際に配線導体4に加わる押圧力をさらに低減することができる。例えば、第3の領域53と配線導体4との間隔が500~700μmであれば、第4の領域54と配線導体4との間隔は1000~1200μmに設定することができる。さらに、図5に示すように、外部接地導体5における第3の領域53が、下面視したときに、基体11から離れるに従って配線導体4との間隔が大きくなることが望ましい。これにより、配線導体4と外部接地導体5とによって形成される伝送回路におけるインピーダンスの変化をより滑らかなものにできるため、高周波信号の伝送特性をさらに向上させることができる。また、図6に示すように、2つの外部接地導体5が、例えば基体11の下面においてつながっていることによって、一体的に形成されていることが好ましい。この場合、外部接地導体5は、例えば、3方向から配線導体4の一方の端部を囲むような形状をしている。このように外部接地導体5を一体的に形成することによって、外部接地導体5の強度を向上させながら、配線導体4の両側における外部接地導体5の電位差をより低減することができる。これにより、基準電位としての信頼性をさらに向上させることができる。その結果、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。さらに、図7に示すように、外部接地導体5およびネジ止め部9が一体的に形成されていることが好ましい。これにより、ネジ止めの際にネジ止め部9に生じる応力を外部接地導体5に分散させることができる。そのため、ネジ止め部9において安定してネジ止めをすることができる。したがって、電子部品収納用パッケージ1の信頼性を向上させることができる。また、外部接地導体5およびネジ止め部9が一体的に形成されていることにより、部品点数を減らすこともできる。次に、本発明の第2の実施形態の例の電子部品収納用パッケージ10について説明する。なお、本例の各構成において、第1の実施形態と同様の機能を有する部材については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。図8Aおよび図8Bに示すように、第2の実施形態の例の電子部品収納用パッケージ10は、第1の実施形態の例の電子部品収納用パッケージ1と同様に、配線導体4を備えている。第1の実施形態の例の電子部品収納用パッケージ1においては、1つの配線導体4が設けられているが、本実施形態の例の電子部品収納用パッケージ10においては、複数の配線導体4が設けられている。本例において、外部接地導体5は2つの配線導体4をそれぞれ挟んで位置している。また、2つの配線導体4の間に外部接地導体5が挟まれて位置している。これにより、配線導体4間における電磁的な影響を低減することができる。また、図9Aおよび図9Bに示すように、配線導体4を挟んで位置している外部接地導体5と配線導体4に挟まれて位置している外部接地導体5とが、例えば基体11の下面においてつながっていることによって、一体的に形成されていることが好ましい。これにより、圧力に対する外部接地導体5の強度を向上させつつ、配線導体4を挟んで位置している外部接地導体5と配線導体4に挟まれて位置している外部接地導体5との電位差をより低減することができ、高周波信号の伝送特性を向上させることができる。また、本例の電子部品収納用パッケージ10において、外部接地導体5および取付け部材としてのネジ止め部9は第1の実施形態の例における外部接地導体5よびネジ止め部9と同様に適宜形状を変更することが可能である。本発明の一つの実施形態の例の電子モジュール100は、図10および図11に示されているように、上記の実施形態の例のパッケージ1、10に収納された電子部品2を備えている。本例における電子部品2である光半導体素子は、電子部品搭載領域上にサブマウント21を挟んで搭載されている。光半導体素子は、電気信号を光信号に変換する機能または光信号を電気信号に変換する機能を有している。例示的な光半導体素子としては、レーザーダイオードおよびフォトダイオードがあげられる。光半導体素子は、電子部品搭載領域に直接搭載されてもよいが、サブマウント21上に搭載されるほうが望ましい。これは、サブマウント21によって光半導体素子の高さ位置を調整することができ、光ファイバ23との光学的な結合の精度を向上させることができるためである。本例の電子モジュール100は、光ファイバ取付け部8に設けられた光ファイバ23を備えている。光ファイバ23は光ファイバ取付け部8に基体11の外側から差し込まれて設置されている。光ファイバ23は光半導体素子と光学的に結合されている。本例の電子モジュール100は、透光性部材22を備えている。透光性部材22は、サブマウント21の上面に設けられており、光ファイバ23と光半導体素子との間に位置している。透光性部材22は、光半導体素子から発せられた光を光ファイバ23に集める機能、または光ファイバ23から発せられた光を光半導体素子に集める機能を有する。なお、ここでいう透光性とは、必ずしも光の透過率が100である必要はない。すなわち、上述の機能を満たす程度の透過率があればよい。例えば、80程度の透過率があればよい。透光性部材22は、例えばガラスやプラスチックで形成されたレンズである。本例の電子モジュール100は、蓋体14を備えている。蓋体14は、四角形状の板部材であり、枠体13の上面に設けられる。蓋体14を枠体13に接合することによって、光半導体素子は気密に封止される。これにより、光半導体素子の信頼性を向上させることができる。蓋体14の材料としては、アルミナセラミックス、窒化アルミニウムセラミックスおよびムライトセラミックス等の誘電体材料、鉄、ニッケル、クロム、コバルトおよびタングステンのような金属材料が用いられる。本発明の一つの実施形態の例の電子装置200は、電子モジュール100と、電子モジュール100が取り付けられた実装基板15とを備えている。本実施形態の例における実装基板15は、樹脂またはセラミックス等の誘電体材料によって形成されている。実装基板15の上面には、第1の回路パターン151、第2の回路パターン152および接地パターン153が形成されている。第1の回路パターン151、第2の回路パターン152および接地パターン153は、例えば、モリブデンおよびマンガン等を原料とする金属ペーストを焼結することによって得られる。電子部品収納用パッケージ1、10は、第1の回路パターン151と配線導体4、第2の回路パターン152とリード端子102および接地パターン153と外部接地導体5のそれぞれが電気的に接続されるようにして実装基板15に実装される。具体的には、図12および図13に示されているように、第1の回路パターン151の上面と配線導体4のうち基体11の側方に引き出された領域の下面との間、第2の回路パターン152の上面とリード端子102の下面との間および接地パターン153の上面と外部接地導体5の下面との間に接続部材16を設けることによって行なう。接続部材16としては、例えばSnAgCu半田、SnZnBi半田、SnCu半田またはSnAgInBi半田等を用いることができる。配線導体4の下面が外部接地導体5の下面よりも上方に位置していることにより、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域と実装基板15との間の隙間S1を大きくすることができる。すなわち、外部接地導体5と配線導体4との高さが等しい場合と比較して、外部接地導体5と配線導体4との高さの差だけ、配線導体4と実装基板15との間の隙間を上下方向に大きくすることができる。すなわち、電子装置200は、電子モジュール100と、電子モジュール100が取り付けられた実装基板15とを備えており、外部接地導体5のうち基体11の直下に位置する領域と実装基板15との隙間S2よりも、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域と実装基板15との間の隙間S1が大きい。これにより、パッケージ1、10を実装基板15に実装する際に、インピーダンスのマッチングを容易に行なうことができる。具体的には、配線導体4と実装基板15との間の隙間S1を上下方向に大きくすることによって、配線基板4のうち基体11の直下に位置する領域の周囲の誘電率を、配線導体4のうち基体11の側方に引き出された領域の周囲の誘電率に近づけることができる。このため、これらの領域の間でインピーダンスのマッチングを行なうことが容易となる。また、実装基板15には取付け部材9の孔91と連続するように孔部が設けられている。孔91と孔部を通じてネジを組み込むことによって、電子部品収納用パッケージ1、10を実装基板15により強固に固定することができる。なお、図11に示す電子装置200において10~40GHz程度の周波数の高周波信号を流す場合の寸法の例について説明する。2つの配線導体4の幅を150μm、外部接地導体5のうち2つの配線導体4の間に位置する領域であって、基体11の側面の直下に位置する領域の幅を400μm、この領域と2つの配線導体4との間隔をそれぞれ900μmとする。この場合、配線導体4の厚みを例えば100~500μmに設定することができ、これに合せて隙間S1の高さ方向の大きさが所望の大きさになるように外部接地導体5の厚みを決定する。隙間S1の高さ方向の値を大きく設定するほど、配線導体4のうち基体11の直下に位置する領域と、基体11の側面から引き出された領域との間の誘電率を近づけることができる。しかしながら、過度に隙間S1を大きくすると、隙間S1の内部で高周波信号の共振が生じてしまう場合がある。したがって、上述の条件であれば、隙間S1の高さ方向の大きさは100~500μmに設定することが好ましい。なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組合せを行うことは何等差し支えない。<実施例>実施例として、本発明の第2の実施形態の例の電子部品収納用部品10、電子モジュール100および電子装置200を作製して評価を行なった。作製した電子装置200は、図11に示した電子装置200である。作製した電子装置200の寸法は以下の通りである。2つの配線導体4は、幅が150μm、厚みが100μmである。外部接地導体5は、厚みが200μm、外部接地導体5のうち2つの配線導体4の間に位置する領域であって、基体11の側面の直下に位置する領域の幅が400μmである。この領域と2つの配線導体4との間隔はそれぞれ900μmである。第1の回路パターン151および接地パターン153の厚みは20μmである。接続部材16の厚みは、配線導体4と第1回路パターン151の間に設けられる接続部材16の厚みは150μm、外部接地導体5と接地パターン153との間に設けられる接続部材16の厚みは50μmである。すなわち、隙間S1の高さ方向の大きさは170μmである。次に作製した電子装置200に周波数が10GHz、20GHz、30GHzおよび40Ghzの高周波信号を流し、反射損失の大きさを測定した。なお、比較例として本実施例と配線導体4の厚みおよび配線導体4と第1の回路パターン151の間に設けられる接続部材16の厚みだけが異なる電子装置を準備した。具体的には、配線導体の厚みが200μmであり、配線導体4と第1回路パターン151の間に設けられる接続部材の厚みが50μmである。比較例の電子装置にも同様の測定を行なった。表1に示すように、10GHzの高周波信号を流した場合の反射損失は、実施例が-28dBであり、比較例が-23dBであった。20GHzの高周波信号を流した場合の反射損失は、実施例では-30dBであり、比較例では-21dBであった。30GHzの高周波信号を流した場合の反射損失は、実施例では-22dBであり、比較例では-16dBであった。40GHzの高周波信号を流した場合の反射損失は、実施例では-25dBであり、比較例では-16dBであった。いずれの周波数においても実施例は比較例よりも反射損失が小さかった。これは、実施例の方が比較例と比べてインピーダンスのマッチングがとれていたためである。以上より、本発明の電子装置200を用いることによって、インピーダンスマッチングを容易に行なうことができることが確認できた。