"基板上に堆積された第1層における所定数の被加工範囲内の各々に、前記被加工範囲と一対一の対応関係となるように前記所定数と同数の第1レーザヘッドを使用して複数の第1分離溝を形成し、前記所定数の前記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける第1レーザスクライブ工程と、複数の前記第1分離溝が形成された前記第1層の上に第2層を成膜する成膜工程と、前記第2層に、複数の第2レーザヘッドを使用して、複数の第2分離溝を形成する第2レーザスクライブ工程と、を備え、前記第2レーザスクライブ工程においては、1つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第2分離溝が形成される、薄膜太陽電池の製造方法。前記第1レーザスクライブ工程において使用される前記第1レーザヘッドの数よりも、前記第2レーザスクライブ工程において使用される前記第2レーザヘッドの数の方が少ない、請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1層に形成される前記第1分離溝の数よりも、前記第2層に形成される前記第2分離溝の数の方が少ない、請求項1または2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。複数の前記第2分離溝が形成された前記第2層の上に第3層を成膜する他の成膜工程と、前記第3層に、複数の第3分離溝を形成する第3レーザスクライブ工程とをさらに備え、前記第3レーザスクライブ工程においては、1つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの前記被加工範囲内に設定された前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第3分離溝が形成される、請求項1から3のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。基板上に堆積された第1層における所定数の被加工範囲内の各々に、前記被加工範囲と一対一の対応関係となるように使用されることによって複数の第1分離溝を形成し、前記所定数の前記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける前記所定数と同数の第1レーザヘッドと、複数の前記第1分離溝が形成された前記第1層の上に第2層を成膜する成膜装置と、前記第2層に複数の第2分離溝を形成する複数の第2レーザヘッドと、を備え、複数の前記第2分離溝が形成される際には、1つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第2分離溝が形成される、薄膜太陽電池の製造装置。前記第1レーザヘッドの数よりも、前記第2レーザヘッドの数の方が少ない、請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造装置。前記第1層に形成される前記第1分離溝の数よりも、前記第2層に形成される前記第2分離溝の数の方が少ない、請求項5または6に記載の薄膜太陽電池の製造装置。複数の前記第2分離溝が形成された前記第2層の上に第3層を成膜する他の成膜装置と、前記第3層に、複数の第3分離溝を形成する複数の第3レーザヘッドと、をさらに備え、複数の前記第3分離溝が形成される際には、1つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第3分離溝が形成される、請求項5から7のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造装置。従来では、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に複数の分離溝を形成する際、各レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度の違い、使用される複数のレーザヘッド毎のレーザ加工線数の違い、または、各レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド個数の違いなどに起因して、各層に形成された複数の溝の位置精度が低下し、その結果、薄膜太陽電池の出力特性にばらつきが生じるということがあった。本発明は、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。本発明に基づく薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に堆積された第1層における所定数の被加工範囲内の各々に、上記被加工範囲と一対一の対応関係となるように上記所定数と同数の第1レーザヘッドを使用して複数の第1分離溝を形成し、上記所定数の上記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける第1レーザスクライブ工程と、複数の上記第1分離溝が形成された上記第1層の上に第2層を成膜する成膜工程と、上記第2層に、複数の第2レーザヘッドを使用して、複数の第2分離溝を形成する第2レーザスクライブ工程と、を備え、上記第2レーザスクライブ工程においては、1つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第2分離溝が形成される。好ましくは、上記第1レーザスクライブ工程において使用される上記第1レーザヘッドの数よりも、上記第2レーザスクライブ工程において使用される上記第2レーザヘッドの数の方が少ない。好ましくは、上記第1層に形成される上記第1分離溝の数よりも、上記第2層に形成される上記第2分離溝の数の方が少ない。好ましくは、本発明に基づく上記の薄膜太陽電池の製造方法は、複数の上記第2分離溝が形成された上記第2層の上に第3層を成膜する他の成膜工程と、上記第3層に、複数の第3分離溝を形成する第3レーザスクライブ工程とをさらに備え、上記第3レーザスクライブ工程においては、1つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの上記被加工範囲内に設定された上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第3分離溝が形成される。本発明に基づく薄膜太陽電池の製造装置は、基板上に堆積された第1層における所定数の被加工範囲内の各々に、上記被加工範囲と一対一の対応関係となるように使用されることによって複数の第1分離溝を形成し、上記所定数の上記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける上記所定数と同数の第1レーザヘッドと、複数の上記第1分離溝が形成された上記第1層の上に第2層を成膜する成膜装置と、上記第2層に複数の第2分離溝を形成する複数の第2レーザヘッドと、を備え、複数の上記第2分離溝が形成される際には、1つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第2分離溝が形成される。好ましくは、上記第1レーザヘッドの数よりも、上記第2レーザヘッドの数の方が少ない。好ましくは、上記第1層に形成される上記第1分離溝の数よりも、上記第2層に形成される上記第2分離溝の数の方が少ない。好ましくは、本発明に基づく上記の薄膜太陽電池の製造装置は、複数の上記第2分離溝が形成された上記第2層の上に第3層を成膜する他の成膜装置と、上記第3層に、複数の第3分離溝を形成する複数の第3レーザヘッドと、をさらに備え、複数の上記第3分離溝が形成される際には、1つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第1分離溝の各々に沿うように、この1つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第3分離溝が形成される。本発明によれば、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ることができる。本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。薄膜太陽電池100以下、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置について説明する。まず、その製造方法および製造装置によって製造される薄膜太陽電池100について説明する。図1は、薄膜太陽電池100を示す平面図である。図2は、図1中のII-II線に沿った矢視断面図である。図3は、図1中のIII-III線に沿った矢視断面図である。図1~図3に示すように、薄膜太陽電池100は、透明基板10、透明電極層11、半導体光電変換層12、裏面電極層13、および、電極14を備える。透明基板10上には、透明電極層11、半導体光電変換層12、および裏面電極層13が、この順序で積層される。透明基板10は、たとえばガラス製の基板である。透明基板10は、x方向図1参照およびy方向図1参照の各々に平行な辺を有する長方形の形状を有している。図3に示すように、透明電極層11には、複数の第1分離溝1が形成される。複数の第1分離溝1は、半導体光電変換層12によって埋められる。複数の第1分離溝1は、x方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延在する。複数の第1分離溝1が透明電極層11に設けられることによって、透明電極層11は複数の領域に分離される。半導体光電変換層12には、複数の第2分離溝2コンタクトラインともいうが形成される。複数の第2分離溝2は、裏面電極層13によって埋められる。複数の第2分離溝2は、x方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延在する。複数の第2分離溝2が半導体光電変換層12に設けられることによって、半導体光電変換層12は複数の領域に分離される。半導体光電変換層12および裏面電極層13には、複数の第3分離溝3が形成される。複数の第3分離溝3および裏面電極層13の表面は、樹脂図示せずなどによって必要に応じて封止される。複数の第3分離溝3は、x方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延在する。複数の第3分離溝3が半導体光電変換層12および裏面電極層13に設けられることによって、裏面電極層13および半導体光電変換層12は、複数の領域に分離される。複数の領域に分離された透明電極層11、半導体光電変換層12、および裏面電極層13によって、複数複数段の太陽電池セル15が形成される。隣り合う太陽電池セル15同士は、第2分離溝2コンタクトラインを通して電気的に直列接続されている。電極14は、直列接続された複数複数段の太陽電池セル15の出力端子として、両端に位置する裏面電極層13上にそれぞれ設けられる。薄膜太陽電池100は、以上のように構成される。薄膜太陽電池100の製造方法および製造装置次に、実施の形態における薄膜太陽電池100の製造方法および製造装置について説明する。図4は、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。図4に示すように、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法は、工程ST1~ST11を備える。以下、工程ST1~ST11について、図4に加えて図5~図27も参照しつつ順に説明する。工程ST1:透明基板の準備工程図4~図6を参照して、工程ST1においては、透明基板10基板が準備される。透明基板10は、たとえばガラス製の基板である。透明基板10は、x方向図5参照およびy方向図5参照の各々に平行な辺を有する長方形の形状を有している。透明基板10の長辺の寸法はたとえば1.4mであり、透明基板10の短辺の寸法はたとえば1.0mである。工程ST2:透明電極層の形成工程図4、図7および図8を参照して、工程ST2においては、たとえばCVDChemicalVaporDeposition法またはスパッタリング法を使用することによって、透明基板10上に第1層としての透明電極層11が堆積される。透明電極層11の材料は、たとえば、SnO2酸化スズ、ITOIndiumTinOxide、またはZnO酸化亜鉛である。透明基板10上に堆積された透明電極層11には、所定数ここでは5つの被加工範囲31A~31Eが規定される。被加工範囲31A~31Eとは、次述する工程ST3において複数の第1分離溝1がその各々の内部に形成されることが予定されている範囲である。第1レーザスクライブ工程工程ST3:第1分離溝の形成工程図4および図9を参照して、工程ST3図4参照においては、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの第1レーザスクライブ処理装置20A図9参照が使用される。図9に示すように、薄膜太陽電池の製造装置20は、順に並べられた第1レーザスクライブ処理装置20A、成膜装置20B、および、第2レーザスクライブ処理装置20Cを含む。透明電極層11が堆積された透明基板10は、搬送手段27によって、第1レーザスクライブ処理装置20Aの内部、成膜装置20Bの内部、および、第2レーザスクライブ処理装置20Cの内部に、搬送方向ARに沿って順に搬送される。透明基板10の搬送方向は一直線に限られず、透明基板10が搬送される途中、透明基板10の搬送経路がたとえば90度~270度回転するように構成されてもよい。この場合、後述する各処理装置20A、20B、および20Cの構造は、搬送される透明基板10の向きに応じて適宜回転したものとすれば良い。透明電極層11には、第1レーザスクライブ処理装置20Aの内部において、複数の第1分離溝1が形成される詳細は図11~図14を参照して後述する。図10を参照して、第1レーザスクライブ処理装置20Aは、所定数ここでは5つの第1レーザヘッド21A~21E、画像認識手段23A~23E、および、XYロボット25A~25Eを有する。画像認識手段23A~23Eの各々は、第1レーザヘッド21A~21Eの各々に一対一の対応関係で設けられる。XYロボット25A~25Eの各々も、第1レーザヘッド21A~21Eの各々に一対一の対応関係で設けられる。第1レーザスクライブ処理装置20Aの内部においては、搬送手段27によって搬送経路28が形成される。第1レーザヘッド21A~21Eは、搬送経路28に沿って搬送される透明基板10に対向するように配置される。第1レーザヘッド21A~21Eの各々は、透明電極層11に規定された被加工範囲31A~31E図7参照の各々に一対一の対応関係となるように設けられている。第1レーザヘッド21A~21Eは、透明電極層11にレーザ光を照射することによって、透明電極層11に対して複数の第1分離溝1を形成する。画像認識手段23A~23Eは、たとえばCCDChargeCoupledDeviceカメラからそれぞれ構成される。画像認識手段23A~23Eは、所望の位置に第1分離溝1図11~図14参照を形成するために、透明基板10およびその上に形成された透明電極層11を画像認識する。画像認識手段23A~23Eは、第1レーザヘッド21A~21Eの各々にそれぞれ固定されていることが好ましい。画像認識手段23A~23Eと第1レーザヘッド21A~21Eとの相対位置が固定され、相対位置の変動に伴うアライメント誤差の発生を防止することが可能となる。なお、画像認識手段23A~23Eは、必要に応じて設けられるとよい。XYロボット25A~25Eは、xyz直交座標系において透明基板10の厚さ方向をz方向とすると、x方向およびy方向に移動可能に構成される。XYロボット25A~25Eは、搬送経路28上の透明基板10に対してx方向およびy方向の各々に相対的に変位することができる。第1レーザヘッド21A~21Eは、XYロボット25A~25Eにそれぞれ支持される。第1レーザヘッド21A~21Eは、XYロボット25A~25Eの各々に駆動されることによって、互いに独立した状態で、搬送経路28上の透明基板10透明電極層11に対してx方向およびy方向の各々に相対的に変位することができる。図11および図12を参照して、工程ST3においては、透明電極層11に規定された所定数ここでは5つの被加工範囲31A~31Eの各々に対して、被加工範囲31A~31Eと一対一の対応関係となるように所定数と同数ここでは5つの第1レーザヘッド21A~21Eが使用される。具体的には、まず、第1レーザヘッド21Aから出射されたレーザ光が、透明電極層11の被加工範囲31A内の所定の部分に対して略直線状に照射される。透明電極層11の被加工範囲31A内の一部が除去されることによって、被加工範囲31A内に1本の第1分離溝1が形成される。第1レーザヘッド21Aから出射されたレーザ光が透明電極層11に対して照射されるのと併せて、第1レーザヘッド21B~21Eから出射されたレーザ光も、透明電極層11の被加工範囲31B~31E内の所定の部分に対して略直線状にそれぞれ照射される。透明電極層11の被加工範囲31B~31E内の一部が除去されることによって、被加工範囲31B~31E内に1本の第1分離溝1がそれぞれ形成される。図13を参照して、その後、第1レーザヘッド21Aから出射されたレーザ光は、透明電極層11の被加工範囲31A内の他の所定の部分に対して略直線状に照射される。図11および図12を参照して説明した場合と同様に、透明電極層11の被加工範囲31A内の他の一部が除去されることによって、被加工範囲31A内に他の1本の第1分離溝1が形成される。これと併せて、第1レーザヘッド21B~21Eから出射されたレーザ光も、透明電極層11の被加工範囲31B~31E内の他の所定の部分に対して略直線状にそれぞれ照射される。透明電極層11の被加工範囲31B~31E内の他の一部が除去されることによって、被加工範囲31B~31E内に他の1本の第1分離溝1がそれぞれ形成される。図14に示すように、工程ST3第1分離溝の形成工程においては、以上のようなレーザスクライブが計4回行なわれることによって、被加工範囲31A内に計4本の第1分離溝1が形成される。同様に、被加工範囲31B~31E内にも、計4本の第1分離溝1がそれぞれ形成される。透明電極層11の全体としては、計20本4×5の第1分離溝1が形成される。工程ST3におけるレーザスクライブは、たとえば透明電極層11に透明基板10を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ST3におけるレーザスクライブは、透明基板10を通さず透明電極層11に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第1分離溝1の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば1064nmである。それぞれの第1分離溝1は、x方向に沿って並び、かつx方向と交差するy方向に沿って各々が延在するように形成される。第1分離溝1の数および隣り合う第1分離溝1同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。工程ST4:アライメント部の形成工程図4および図15を参照して、工程ST4においては、複数の第1分離溝1が形成された透明電極層11に対して、アライメント部MA~ME,NA~NEが形成される。具体的には、透明電極層11内のy方向における一方の端部近傍において、x方向に沿って延びるようにアライメント溝1Mが形成される。アライメント溝1Mは、被加工範囲31A~31Eの各々の内部における少なくとも1つの第1分離溝1の一方の端部と交差するように形成される。同様に、透明電極層11のy方向における他方の端部近傍において、x方向に沿って延びるようにアライメント溝1Nが形成される。アライメント溝1Nは、被加工範囲31A~31Eの各々の内部における少なくとも1つの第1分離溝1の他方の端部と交差するように形成される。アライメント溝1M,1Nは、第1レーザヘッド21A~21E図10参照のうちのいずれかを用いて形成されてもよいし、他のレーザヘッド図示せずを用いて形成されてもよい。アライメント溝1M,1Nの形成によって、被加工範囲31A内の1つの第1分離溝1とアライメント溝1Mとが互いに交差する部分に、アライメント部MAが構成され、被加工範囲31A内の1つの第1分離溝1とアライメント溝1Nとが互いに交差する部分に、アライメント部NAが構成される。同様に、被加工範囲31B~31Eの各々の内部における1つの第1分離溝1とアライメント溝1Mとが互いに交差する部分に、アライメント部MB~MEがそれぞれ構成され、被加工範囲31B~31Eの各々の内部における1つの第1分離溝1とアライメント溝1Nとが互いに交差する部分に、アライメント部NB~NEがそれぞれ構成される。アライメント溝1Mおよびアライメント溝1Nのy方向における位置は、互いに異なる。このため、アライメント部MA~MEおよびアライメント部NA~NEは、y方向における位置が互いに異なる。好ましくは、アライメント溝1Mおよびアライメント溝1Nの各々が、同じ第1分離溝1に交差するように形成される。この場合、アライメント部MA~MEの各々からアライメント部NA~NEの各々に向かう方向は、y方向に対して平行となる。本実施の形態においては、アライメント溝1Mは、被加工範囲31A~31Eの各々の内部における複数の第1分離溝1本実施の形態においては、被加工範囲31A~31Eの各々の内部におけるすべての第1分離溝1と交差する。アライメント溝1Mと被加工範囲31A~31Eの各々の内部における複数の第1分離溝1とが互いに交差した部分を、複数のアライメント部として用いてもよい。本実施の形態においては、アライメント溝1Nは、被加工範囲31A~31Eの各々の内部における複数の第1分離溝1本実施の形態においては、被加工範囲31A~31Eの各々の内部におけるすべての第1分離溝1と交差する。アライメント溝1Nと被加工範囲31A~31Eの各々の内部における複数の第1分離溝1とが互いに交差した部分を、複数のアライメント部として用いてもよい。アライメント溝1Mおよびアライメント溝1Nは、第1分離溝1の形成前に形成されてもよい。アライメント溝1Mおよびアライメント溝1Nは、第1分離溝1の形成中に、第1分離溝1と合わせて形成されてもよい。アライメント溝1Mは、連続した1本の溝から形成されていていなくてもよく、互いに独立した複数の溝から形成されていてもよい。アライメント溝1Nも、連続した1本の溝から形成されていていなくてもよく、互いに独立した複数の溝から形成されていてもよい。図16に示すように、アライメント部としては、第1分離溝1とは別体として形成されていてもよい。図16に示す場合においては、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に、第1分離溝1とは別個に、アライメント部KA~KEがそれぞれ形成される。アライメント部KA~KEとしては、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に1つずつ設けられていてもよく、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に複数ずつ設けられていてもよい。また、アライメント部としては、アライメント部MA~ME図15参照およびアライメント部NA~NE図15参照の代わりに、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に形成された第1分離溝1そのものを用いてもよい。この場合、たとえば被加工範囲31Aについては、第1分離溝1上におけるアライメント部MAに対応する部分とアライメント部NAに対応する部分との間に位置する任意の箇所好ましくは3以上の箇所に、アライメント部として使用する部分を規定する。1つの第1分離溝1上の任意の3箇所たとえば両端部および中央部にアライメント部を規定することによって、第1分離溝1のX方向における変位第1分離溝1の曲がりに対しても精度良くアライメントを行なうことが可能となる。第1分離溝1そのものがアライメント部として用いられる場合、本実施の形態におけるアライメント部MAおよびアライメント部NAは、アライメントのためには用いられなくなる。この場合、本実施の形態における工程ST4アライメント部の形成工程は、工程ST3をもって代用することが可能となる。また、被加工範囲31A内に形成された1つの第1分離溝1そのものをアライメント部として用いるという態様に限られず、被加工範囲31A内に形成された複数の第1分離溝1を上記と同様にアライメント部として使用してもよい。1つまたは複数の第1分離溝1上の任意の部分をアライメント部として規定し、1つまたは複数の第1分離溝1のそのものをアライメント部として用いるという態様については、被加工範囲31B~31E内のアライメント部を規定する場合にも同様である。アライメント部を規定する工程としては、以上のように例示される各態様の中から、実施される製造装置および製造方法に応じて最適なものが選択されるとよい。本実施の形態においては、複数の第1分離溝1を形成する工程ST3図4参照と、アライメント部MA~ME,NA~NEを形成する工程ST4図4参照とによって、本発明における第1レーザスクライブ工程が構成されている。工程ST5:洗浄工程図4を再び参照して、工程ST5においては、複数の第1分離溝1およびアライメント部MA~ME,NA~NEが形成された透明基板10が洗浄される。当該洗浄によって、工程ST3および工程ST4において生じたダストが除去される。洗浄工程としての工程ST5は、工程ST3および工程ST4の各工程の完了後に実施される場合に限られず、工程ST3と同時に洗浄工程が実施されてもよいし、工程ST4と同時に洗浄工程が実施されてもよいし、工程ST3および工程ST4の双方の工程と同時に洗浄工程が実施されてもよい。工程ST6:半導体光電変換層の形成工程成膜工程図4、図9、図17、および図18を参照して、工程ST6においては、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの成膜装置20B図9参照が使用される。上記のように複数の第1分離溝1およびアライメント部MA~ME,NA~NEが形成された透明電極層11の上に、第2層としての半導体光電変換層12図17および図18参照が成膜される。半導体光電変換層12は、たとえばCVD法を使用することによって、非晶質シリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層が順次積層されることによって形成される。図17および図18に示すように、複数の第1分離溝1の内部は、半導体光電変換層12によって埋められる。第2レーザスクライブ工程工程ST7:アライメント部の検出工程図4および図9を再び参照して、工程ST7図4参照においては、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの第2レーザスクライブ処理装置20C図9参照が使用される。半導体光電変換層12が成膜された透明基板10は、搬送手段27によって、第2レーザスクライブ処理装置20Cの内部に搬送される。図19を参照して、第2レーザスクライブ処理装置20Cは、所定数ここでは5つの第2レーザヘッド22A~22E、画像認識手段24A~24E、および、XYロボット26A~26Eを有する。画像認識手段24A~24Eの各々は、第2レーザヘッド22A~22Eの各々に一対一の対応関係で設けられる。XYロボット26A~26Eの各々も、第2レーザヘッド22A~22Eの各々に一対一の対応関係で設けられる。第2レーザスクライブ処理装置20Cの内部においては、搬送手段27によって搬送経路28が形成される。第2レーザヘッド22A~22Eは、搬送経路28に沿って搬送される透明基板10に対向するように配置される。第2レーザヘッド22A~22Eは、半導体光電変換層12にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層12に対して複数の第2分離溝2を形成する詳細は図20~図23を参照して後述する。画像認識手段24A~24Eは、たとえばCCDChargeCoupledDeviceカメラからそれぞれ構成される。画像認識手段24A~24Eは、所望の位置に第2分離溝2図20~図23参照を形成するために、アライメント部MA~ME,NA~NE図20参照の位置を画像認識する。画像認識手段24A~24Eは、第2レーザヘッド22A~22Eの各々にそれぞれ固定されていることが好ましい。画像認識手段24A~24Eと第2レーザヘッド22A~22Eとの相対位置が固定され、相対位置の変動に伴うアライメント誤差の発生を防止することが可能となる。XYロボット26A~26Eは、xyz直交座標系において透明基板10の厚さ方向をz方向とすると、x方向およびy方向に移動可能に構成される。XYロボット26A~26Eは、搬送経路28上の透明基板10に対してx方向およびy方向の各々に相対的に変位することができる。第2レーザヘッド22A~22Eは、XYロボット26A~26Eにそれぞれ支持される。第2レーザヘッド22A~22Eは、XYロボット26A~26Eの各々に駆動されることによって、互いに独立した状態で、搬送経路28上の透明基板10半導体光電変換層12に対してx方向およびy方向の各々に相対的に変位することができる。図4、図17および図19を再び参照して、工程ST7アライメント部の検出工程においては、まず、画像認識手段24A図19参照によって、被加工範囲31A図17参照内のアライメント部MA,NA図17参照の位置が検出される。透明基板10の表面上において、第2レーザヘッド22A図19参照の加工基準位置が認識される。同様に、画像認識手段24B~24E図19参照によって、被加工範囲31B~31E図17参照内のアライメント部MB~ME,NB~NE図17参照の位置が検出される。透明基板10の表面上において、第2レーザヘッド22B~22E図19参照の加工基準位置が認識される。工程ST8:第2分離溝の形成工程図20および図21を参照して、工程ST8においても、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの第2レーザスクライブ処理装置20C図9参照が使用される。工程ST8においては、複数ここでは5つの第2レーザヘッド22A~22Eが使用される。第2レーザヘッド22A~22Eが半導体光電変換層12にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層12に対して複数の第2分離溝2が形成される。具体的には、まず、工程ST7において検出されたアライメント部MA,NAの位置を基準として第2レーザヘッド22Aの位置が制御された状態で、第2レーザヘッド22Aが半導体光電変換層12に対して走査される。同様に、工程ST7において検出されたアライメント部MB~ME,NB~NEの位置を基準として第2レーザヘッド22B~22Eの位置が制御された状態で、第2レーザヘッド22B~22Eが半導体光電変換層12に対してそれぞれ走査される。ここで、図20に示すように、工程ST7における最初の走査においては、第2レーザヘッド22Aからはレーザ光が出射されない。工程ST7における最初の走査においては、第2レーザヘッド22B~22Eからのみレーザ光が出射される。アライメント部MB,NBの位置を基準として第2レーザヘッド22Bの位置が制御された状態で、第2レーザヘッド22Bから半導体光電変換層12に対してレーザ光が照射される。第2レーザヘッド22Bから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31B内に位置する1本の第1分離溝1に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層12には、被加工範囲31B内に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。第2レーザヘッド22Bから出射されたレーザ光が半導体光電変換層12に対して照射されるのと併せて、アライメント部MC~ME,NC~NEの位置を基準として第2レーザヘッド22C~22Eの位置がそれぞれ制御された状態で、第2レーザヘッド22C~22Eから半導体光電変換層12に対してレーザ光が照射される。第2レーザヘッド22C~22Eから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31C~31E内に位置する1本の第1分離溝1に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層12には、被加工範囲31C~31Eの各々の内部に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2がそれぞれ形成される。すなわち、工程ST8第2分離溝の形成工程における最初の走査においては、アライメント部MB,NBの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22Bによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31B内に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。アライメント部MC,NCの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22Cによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31C内に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。同様に、工程ST8第2分離溝の形成工程における最初の走査においては、アライメント部MD,NDの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22Dによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31D内に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。アライメント部ME,NEの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22Eによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31E内に位置する1本の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。図22および図23を参照して、工程ST8第2分離溝の形成工程における2回目~4回目の走査においては、第2レーザヘッド22A~22Eのすべてからレーザ光が出射される。第2回目の走査においては、アライメント部MA,NAの位置を基準として第2レーザヘッド22Aの位置が制御された状態で、第2レーザヘッド22Aから半導体光電変換層12に対してレーザ光が照射される。第2レーザヘッド22Aから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31A内に位置する1本の第1分離溝1に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層12には、被加工範囲31A内に位置する1本の第1分離溝1図22中の被加工範囲31A内に位置する左から2番目の第1分離溝1に沿うように、1本の第2分離溝2が形成される。同様に、第2回目の走査においては、第2レーザヘッド22Aから出射されたレーザ光が半導体光電変換層12に対して照射されるのと併せて、アライメント部MB~ME,NB~NEの位置を基準として第2レーザヘッド22B~22Eの位置がそれぞれ制御された状態で、第2レーザヘッド22B~22Eから半導体光電変換層12に対してレーザ光が照射される。第2レーザヘッド22B~22Eから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31B~31E内に位置する他の1本の第1分離溝1に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層12には、被加工範囲31B~31Eの各々の内部に位置する1本の第1分離溝1図22中の被加工範囲31B~31Eの各々の内部に位置する左から2番目の第1分離溝1に沿うように、他の1本の第2分離溝2がそれぞれ形成される。第3回目の走査においては、第2回目の走査と同様に、アライメント部MA~ME,NA~NEの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22A~22Eによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に位置するさらに他の1本の第1分離溝1に沿うように、さらに他の1本の第2分離溝2が形成される。第4回目の走査においても、第3回目の走査と同様に、アライメント部MA~ME,NA~NEの位置を基準として位置制御された第2レーザヘッド22A~22Eによって、半導体光電変換層12には、被加工範囲31A~31Eの各々の内部に位置する残りの1本の第1分離溝1に沿うように、最後の1本の第2分離溝2が形成される。すなわち、工程ST8第2分離溝の形成工程におけるレーザスクライブにおいては、1つの被加工範囲31A内に形成された複数の第1分離溝1の各々ここでは3本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31A内に形成されたアライメント部MA,NAの位置に基づいて、複数の第1分離溝1の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは3本の第2分離溝2が第2レーザヘッド22Aによって形成される。1つの被加工範囲31B内に形成された複数の第1分離溝1の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31B内に形成されたアライメント部MB,NBの位置に基づいて、複数の第1分離溝1の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第2分離溝2が第2レーザヘッド22Bによって形成される。同様に、工程ST8第2分離溝の形成工程におけるレーザスクライブにおいては、1つの被加工範囲31C内に形成された複数の第1分離溝1の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31C内に形成されたアライメント部MC,NCの位置に基づいて、複数の第1分離溝1の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第2分離溝2が第2レーザヘッド22Cによって形成される。1つの被加工範囲31D内に形成された複数の第1分離溝1の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31D内に形成されたアライメント部MD,NDの位置に基づいて、複数の第1分離溝1の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第2分離溝2が第2レーザヘッド22Dによって形成される。1つの被加工範囲31E内に形成された複数の第1分離溝1の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31E内に形成されたアライメント部ME,NEの位置に基づいて、複数の第1分離溝1の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第2分離溝2が第2レーザヘッド22Eによって形成される。図22に示すように、工程ST8第2分離溝の形成工程においては、以上のようなレーザスクライブが行なわれることによって、被加工範囲31Aに対応する半導体光電変換層12の範囲内に、計3本の第2分離溝2が形成される。同様に、被加工範囲31B~31Eの各々に対応する半導体光電変換層12の範囲内に、計4本の第2分離溝2がそれぞれ形成される。半導体光電変換層12の全体としては、計19本34×4の第2分離溝2が形成される。工程ST8におけるレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換層12に透明基板10および透明電極層11を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ST8におけるレーザスクライブは、透明基板10を通さず半導体光電変換層12に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第2分離溝2の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば532nmである。それぞれの第2分離溝2は、x方向に沿って並び、かつx方向と交差するy方向に沿って各々が延在するように形成される。第2分離溝2の数および隣り合う第2分離溝2同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。本実施の形態においては、アライメント部を検出する工程ST7図4参照と、複数の第2分離溝2を形成する工程ST8図4参照とによって、本発明における第2レーザスクライブ工程が構成されている。工程ST9:裏面電極層の形成工程他の成膜工程図4、図24、および図25を参照して、工程ST9においては、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの他の成膜装置図示せずが使用される。上記のように複数の第2分離溝2が形成された半導体光電変換層12の上に、第3層としての裏面電極層13図24および図25参照が成膜される。裏面電極層13は、たとえばCVD法またはスパッタリング法を使用することによって形成される。裏面電極層13は、たとえばZnO層とAg銀層との積層体である。図24および図25に示すように、複数の第2分離溝2の内部は、裏面電極層13によって埋められる。第2分離溝2が形成されていた位置には、コンタクトラインが形成される。第3レーザスクライブ工程工程ST10:第3分離溝の形成工程図4、図26、および図27を参照して、工程ST10図4参照においては、薄膜太陽電池の製造装置20図9参照のうちの他のレーザスクライブ処理装置図示せずが使用される。裏面電極層13が成膜された透明基板10は、搬送手段27によって、他のレーザスクライブ処理装置の内部に搬送される。なお、工程ST10第3分離溝の形成工程においては、上述の工程ST8において使用された第2レーザスクライブ処理装置20Cが再び使用されてもよい。本実施の形態においては、透明基板10が1つの搬送経路28製造ライン上に沿って順次搬送されつつ連続的に処理されるため、当該工程ST10においては第2レーザスクライブ処理装置20Cとは異なる他のレーザスクライブ処理装置が使用される。当該工程ST10において使用される他のレーザスクライブ処理装置は、上述の工程ST8において使用される第2レーザスクライブ処理装置20Cと略同一の構成を有するものが用いられる。図26を参照して、工程ST10において使用される他のレーザスクライブ処理装置は、所定数ここでは5つの第3レーザヘッド29A~29Eを有する。第3レーザヘッド29A~29Eの各々には、画像認識手段およびXYロボットが、上述の第2レーザスクライブ処理装置20Cと同様に設けられる。第3レーザヘッド29A~29Eが半導体光電変換層12および裏面電極層13にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13に対して複数の第3分離溝3が形成される。具体的には、工程ST10においては、まず、第3レーザヘッド29Aに対応する画像認識手段によって、被加工範囲31A内のアライメント部MA,NAの位置が検出される。透明基板10の表面上において、第3レーザヘッド29Aの加工基準位置が認識される。アライメント部MA,NAの位置としては、上述の第2レーザスクライブ工程における工程ST7で検出されたアライメント部MA,NAの位置データがそのまま当該工程ST10に流用されてもよい。この場合、第3レーザヘッド29Aに対応する画像認識手段は設けられなくてもよいこととなる上に、製造工程の簡素化が図れる。同様に、第3レーザヘッド29B~29Eの各々に対応する画像認識手段によって、被加工範囲31B~31E内のアライメント部MB~ME,NB~NEの位置が検出される。透明基板10の表面上において、第3レーザヘッド29B~29Eの加工基準位置が認識される。アライメント部MB~ME,NB~NEの位置としては、上述の第2レーザスクライブ工程における工程ST7で検出されたアライメント部MB~ME,NB~NEの位置データがそのまま当該工程ST10に流用されてもよい。この場合、第3レーザヘッド29Aに対応する画像認識手段は設けられなくてもよいこととなる上に、製造工程の簡素化が図れる。アライメント部MA,NAの位置を基準として第3レーザヘッド29Aの位置が制御された状態で、第3レーザヘッド29Aが半導体光電変換層12および裏面電極層13に対して走査される。同様に、アライメント部MB~ME,NB~NEの位置を基準として第3レーザヘッド29B~29Eの位置が制御された状態で、第3レーザヘッド29B~29Eが半導体光電変換層12および裏面電極層13に対してそれぞれ走査される。工程ST10における最初の走査においては、図20を参照して上述した場合と同様に、第3レーザヘッド29Aからはレーザ光が出射されない。工程ST10における最初の走査においては、第3レーザヘッド29B~29Eからのみレーザ光が出射される。アライメント部MB,NBの位置を基準として第3レーザヘッド29Bの位置が制御された状態で、第3レーザヘッド29Bから半導体光電変換層12および裏面電極層13に対してレーザ光が照射される。第3レーザヘッド29Bから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31B内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31B内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。第3レーザヘッド29Bから出射されたレーザ光が半導体光電変換層12および裏面電極層13に対して照射されるのと併せて、アライメント部MC~ME,NC~NEの位置を基準として第3レーザヘッド29C~29Eの位置がそれぞれ制御された状態で、第3レーザヘッド29C~29Eから半導体光電変換層12および裏面電極層13に対してレーザ光が照射される。第3レーザヘッド29C~29Eから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31C~31E内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31C~31Eの各々の内部平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3がそれぞれ形成される。すなわち、工程ST10第3分離溝の形成工程における最初の走査においては、アライメント部MB,NBの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29Bによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31B内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。アライメント部MC,NCの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29Cによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31C内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。同様に、工程ST10第3分離溝の形成工程における最初の走査においては、アライメント部MD,NDの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29Dによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31D内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。アライメント部ME,NEの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29Eによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31E内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。工程ST10第3分離溝の形成工程における2回目~4回目の走査においては、第3レーザヘッド29A~29Eのすべてからレーザ光が出射される。第2回目の走査においては、アライメント部MA,NAの位置を基準として第3レーザヘッド29Aの位置が制御された状態で、第3レーザヘッド29Aから半導体光電変換層12および裏面電極層13に対してレーザ光が照射される。第3レーザヘッド29Aから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31A内平面視に位置する1本の第2分離溝2に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31A内平面視に位置する1本の第2分離溝2図26中の被加工範囲31A内に位置する左から2番目の第2分離溝2に沿うように、1本の第3分離溝3が形成される。同様に、第2回目の走査においては、第3レーザヘッド29Aから出射されたレーザ光が半導体光電変換層12および裏面電極層13に対して照射されるのと併せて、アライメント部MB~ME,NB~NEの位置を基準として第3レーザヘッド29B~29Eの位置がそれぞれ制御された状態で、第3レーザヘッド29B~29Eから半導体光電変換層12および裏面電極層13に対してレーザ光が照射される。第3レーザヘッド29B~22Eから出射されたレーザ光によって、被加工範囲31B~31E内平面視に位置する他の1本の第2分離溝2に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31B~31Eの各々の内部平面視に位置する1本の第2分離溝2図26中の被加工範囲31B~31Eの各々の内部に位置する左から2番目の第2分離溝2に沿うように、他の1本の第3分離溝3がそれぞれ形成される。第3回目の走査においては、第2回目の走査と同様に、アライメント部MA~ME,NA~NEの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29A~29Eによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31A~31Eの各々の内部平面視に位置するさらに他の1本の第2分離溝2に沿うように、さらに他の1本の第3分離溝3が形成される。第4回目の走査においても、第3回目の走査と同様に、アライメント部MA~ME,NA~NEの位置を基準として位置制御された第3レーザヘッド29A~29Eによって、半導体光電変換層12および裏面電極層13には、被加工範囲31A~31Eの各々の内部平面視に位置する残りの1本の第2分離溝2に沿うように、最後の1本の第3分離溝3が形成される。すなわち、工程ST10第3分離溝の形成工程におけるレーザスクライブにおいては、1つの被加工範囲31A内平面視に形成された複数の第2分離溝2の各々ここでは3本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31A内に形成されたアライメント部MA,NAの位置に基づいて、複数の第2分離溝2の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは3本の第3分離溝3が第3レーザヘッド29Aによって形成される。1つの被加工範囲31B内平面視に形成された複数の第2分離溝2の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31B内に形成されたアライメント部MB,NBの位置に基づいて、複数の第2分離溝2の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第3分離溝3が第3レーザヘッド29Bによって形成される。同様に、工程ST10第3分離溝の形成工程におけるレーザスクライブにおいては、1つの被加工範囲31C内平面視に形成された複数の第2分離溝2の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31C内に形成されたアライメント部MC,NCの位置に基づいて、複数の第2分離溝2の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第3分離溝3が第3レーザヘッド29Cによって形成される。1つの被加工範囲31D内平面視に形成された複数の第2分離溝2の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31D内に形成されたアライメント部MD,NDの位置に基づいて、複数の第2分離溝2の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第3分離溝3が第3レーザヘッド29Dによって形成される。1つの被加工範囲31E内平面視に形成された複数の第2分離溝2の各々ここでは4本の各々に沿うように、この1つの被加工範囲31E内に形成されたアライメント部ME,NEの位置に基づいて、複数の第2分離溝2の各々と一対一の対応関係となるように複数のここでは4本の第3分離溝3が第3レーザヘッド29Eによって形成される。図26に示すように、工程ST10第3分離溝の形成工程においては、以上のようなレーザスクライブが行なわれることによって、被加工範囲31Aに対応する半導体光電変換層12および裏面電極層13の範囲内に、計3本の第3分離溝3が形成される。同様に、被加工範囲31B~31Eの各々に対応する半導体光電変換層12および裏面電極層13の範囲内に、計4本の第3分離溝3がそれぞれ形成される。半導体光電変換層12および裏面電極層13の全体としては、計19本34×4の第3分離溝3が形成される。工程ST10におけるレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換層12および裏面電極層13に透明基板10および透明電極層11を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ST10におけるレーザスクライブは、透明基板10および透明電極層11を通さず半導体光電変換層12および裏面電極層13に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第3分離溝3の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば532nmである。それぞれの第3分離溝3は、x方向に沿って並び、かつx方向と交差するy方向に沿って各々が延在するように形成される。第3分離溝3の数および隣り合う第3分離溝3同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。以上の各工程によって複数の領域に分離された透明電極層11、半導体光電変換層12、および裏面電極層13によって、複数複数段の太陽電池セル15が形成される。隣り合う太陽電池セル15同士は、第2分離溝2コンタクトラインを通して電気的に直列接続されている。工程ST11:電極の形成工程図4および図1、図3を再び参照して、工程ST11においては、x方向の両端の裏面電極層13の表面上に、y方向に延在する電極14が形成される。その後、樹脂封止、端子箱の取り付け、および枠体の取り付けなどが行なわれることによって、図1~図3に示す薄膜太陽電池100が得られる。作用効果上述のとおり、本実施の形態においては、透明電極層11に形成される第1分離溝1の数16本よりも、半導体光電変換層12に形成される第2分離溝2の数15本および第3分離溝3の数15本の方が少ない。特開2010-118694号公報特許文献2および特開2010-251664号公報特許文献3にも開示されるように、第1分離溝1の数よりも第2分離溝2の数および第3分離溝の数の方が少なくなる場合がある。比較例A図28は、上述の実施の形態に対する比較例Aに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図28に示すように、第1レーザスクライブ工程において、レーザヘッド21A~21Eが使用される。各レーザヘッド21A~21Eは、透明電極層11図14参照中の被加工範囲31A~31E図14参照の各々の内部に、4本ずつレーザスクライブを行なう。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1図14参照の加工段数は、計20段である。比較例Aの第2レーザスクライブ工程においては、レーザヘッド22A~22Eが使用されるとともに、計19段の第2分離溝2が形成される。具体的には、レーザヘッド22A~22Dの各々によって、4段の第2分離溝2計16段の第2分離溝2が半導体光電変換層12に形成され、レーザヘッド22Eによって3段の第2分離溝2が半導体光電変換層12に形成される。ここで、レーザヘッド22Aは、レーザヘッド21Aによって被加工範囲31A図14参照内に形成されたアライメント部MA,NA図14参照の位置に基づいて、加工段数が2~5段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド22Bは、レーザヘッド21Bによって被加工範囲31B図14参照内に形成されたアライメント部MB,NB図14参照の位置に基づいて、加工段数が6~9段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。同様に、レーザヘッド22Cは、レーザヘッド21Cによって被加工範囲31C図14参照内に形成されたアライメント部MC,NC図14参照の位置に基づいて、加工段数が10~13段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド22Dは、レーザヘッド21Dによって被加工範囲31D図14参照内に形成されたアライメント部MD,ND図14参照の位置に基づいて、加工段数が14~17段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。すなわち、レーザヘッド22Aによって形成される4本の第2分離溝2のうち、加工段数が5段目である第1分離溝1に対応する第2分離溝2は、レーザヘッド21Aによって被加工範囲31A図14参照内に形成されたアライメント部MA,NA図14参照の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が5段目である第1分離溝1は、レーザヘッド21Bによって被加工範囲31B図14参照内に形成されるものである。レーザヘッド22Bによって形成される4本の第2分離溝2のうち、加工段数が9段目である第1分離溝1に対応する第2分離溝2は、レーザヘッド21Bによって被加工範囲31B図14参照内に形成されたアライメント部MB,NB図14参照の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が9段目である第1分離溝1は、レーザヘッド21Cによって被加工範囲31C図14参照内に形成されるものである。レーザヘッド22Cによって形成される4本の第2分離溝2のうち、加工段数が13段目である第1分離溝1に対応する第2分離溝2は、レーザヘッド21Cによって被加工範囲31C図14参照内に形成されたアライメント部MC,NC図14参照の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が13段目である第1分離溝1は、レーザヘッド21Dによって被加工範囲31D図14参照内に形成されるものである。同様に、レーザヘッド22Dによって形成される4本の第2分離溝2のうち、加工段数が17段目である第1分離溝1に対応する第2分離溝2は、レーザヘッド21Dによって被加工範囲31D図14参照内に形成されたアライメント部MD,ND図14参照の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が17段目である第1分離溝1は、レーザヘッド21Eによって被加工範囲31E図14参照内に形成されるものである。以上の態様については、第3レーザスクライブ工程におけるレーザヘッド29A~29Eについても同様である。比較例Aにおいては、第2および第3レーザスクライブ工程においてレーザスクライブの基準となるアライメント部が、一部の分離溝の形成においては隣の被加工範囲内に形成されたものが使用されている。換言すると、比較例Aの第2レーザスクライブ工程においては、第1レーザスクライブ工程における一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部によって位置合わせをしつつ、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように、いくつかの第2分離溝2が形成される。比較例Aの第3レーザスクライブ工程においても、第1レーザスクライブ工程における一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部によって位置合わせをしつつ、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に対応する第2分離溝2に沿うように、いくつかの第3分離溝3が形成される。一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように形成された第2分離溝2は、位置合わせがずれてしまい、分離溝同士の間隔にはばらつきが生じ易くなる。同様に、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に対応する第2分離溝2に沿うように形成された第3分離溝3も、位置合わせがずれてしまい、分離溝同士の間隔にはばらつきが生じ易くなる。この理由は、各レーザスクライブ工程において使用される複数のレーザヘッドの取付位置には取り付け誤差などが内在していること、各レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド同士の間隔にはばらつきが存在していること、位置合わせのための画像認識手段およびXYロボットなどはそれぞれのレーザヘッドとは別体として設けられていること、経時的な要因によって各レーザヘッドの位置がランダムに変化すること、および、各レーザヘッドの位置変化ばらつきが各レーザスクライブ工程において使用される複数のレーザヘッド毎に生じること、などに起因する。図29を参照して、図28に示す比較例Aに対して、上述の実施の形態の第2および第3レーザスクライブ工程においては、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2および複数の第3分離溝3が形成される。比較例Aの場合とは異なり、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように第2分離溝2および第3分離溝3が形成されることは、いずれのレーザヘッド22A~22E,29A~29Eにおいても行なわれない。したがって、上述の実施の形態における薄膜太陽電池100の製造方法および製造装置においては、第2および第3レーザスクライブ工程における処理レシピ条件が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。比較例B図30は、上述の実施の形態に対する比較例Bに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図30に示すように、第1レーザスクライブ工程において、レーザヘッド1-1~1-6の計6つが使用される。レーザヘッド1-1,1-2は、透明電極層11図14参照中のレーザヘッド1-1,1-2の各々に一対一で対応する被加工範囲の内部に、9本ずつレーザスクライブを行ない、レーザヘッド1-3~1-6は、透明電極層11図14参照中のレーザヘッド1-3~1-6の各々に一対一で対応する被加工範囲の内部に、8本ずつレーザスクライブを行なう。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1図14参照の加工段数は、計50段である。比較例Bの第2レーザスクライブ工程においては、レーザヘッド2-1~2-5が使用されるとともに、計48段の第2分離溝2が形成される。レーザヘッド2-1,2-2は、10本ずつレーザスクライブを行ない、レーザヘッド2-3~2-5は、9本ずつレーザスクライブを行なう。ここで、レーザヘッド2-1は、レーザヘッド1-1によってレーザヘッド1-1に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が3~12段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド2-2は、レーザヘッド1-2によってレーザヘッド1-2に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が13~22段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド2-3は、レーザヘッド1-3によってレーザヘッド1-3に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が23~32段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド2-4は、レーザヘッド1-4によってレーザヘッド1-4に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が33~41段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。レーザヘッド2-5は、レーザヘッド1-5によってレーザヘッド1-5に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が42~50段目である第1分離溝1のそれぞれに対応するように第2分離溝2を形成する。すなわち、本比較例においては、第1レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数6つよりも、第2レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド5つの数の方が少なく構成されることによって、上述の比較例Aにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなっている。これは、第3レーザスクライブ工程におけるレーザヘッド3-1~3-5についても同様である。第1レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数よりも、第2レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数の方が少なくなる理由については種々のものが挙げられるが、たとえば、第1レーザスクライブ工程におけるレーザ加工の対象は、ZnOまたはSnO2などから構成される透明電極層11であるのに対して、第2レーザスクライブ工程におけるレーザ加工の対象は、半導体光電変換層12である。透明電極層11に対するレーザ光の透過率に比べて、半導体光電変換層12に対するレーザ光の透過率は小さい。換言すると、透明電極層11に対して照射されたレーザエネルギーは、透明電極層11においては吸収されにくい。第1レーザスクライブ工程においては、第1分離溝1を形成するために透明電極層11の中の所定箇所が十分に除去される必要があるため、レーザの照射時間としては、第2および第3レーザスクライブ工程に比べて長くなりやすい。したがって、第1レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度は第2および第3レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度に比べて遅く、第1レーザスクライブ工程には、第2および第3レーザスクライブ工程に比べて多くの時間を必要とする。上述の実施の形態のように、各レーザスクライブ処理装置20A,20Cおよび成膜装置20Bなどの複数の処理装置を並べてなる薄膜太陽電池の製造ライン搬送経路28においては、製造する薄膜太陽電池透明基板10が製造ライン上の途中で滞留しないようにすることが、製造効率の向上のためには重要となる。このためには、各工程での処理時間を可能な限り等しくすることが必要となる。したがって、第1レーザスクライブ工程には第2および第3レーザスクライブ工程に比べて多くの時間を必要とするような実情が存在している中では、各工程での処理時間を可能な限り等しくするために、第1レーザスクライブ工程に使用されるレーザヘッドの数を増やして、レーザヘッド一つあたりの加工段数加工線数を低減するということが行なわれる。よって、特に、第1レーザスクライブ工程に使用されるレーザヘッドの数が、第2および第3レーザスクライブと比較して多くなりやすい。その結果として、上述の比較例Aにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなる。比較例C図31は、上述の実施の形態に対する比較例Cに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図31に示すように、第1レーザスクライブ工程においてレーザヘッド1-1~1-7の計7つが使用され、第2レーザスクライブ工程においてレーザヘッド2-1~2-6の計6つが使用され、第3レーザスクライブ工程においてレーザヘッド3-1~3-6の計6つが使用される。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計50段である。一方、第2および第3レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計46段である。図31に示すように、1つの透明基板10内に2つの薄膜太陽電池モジュールを形成する場合には、透明基板10の略中心位置で、第2および第3レーザスクライブが不要となる。このような場合においても、第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数よりも第2および第3レーザスクライブ工程において形成される各分離溝2,3の加工段数の方が少なくなることによって、上述の比較例Aにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなる。実施例A図32は、上述の実施の形態に基づく実施例Aに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図32に示すように、第1レーザスクライブ工程においてレーザヘッド1-1~1-6の計6つが使用され、第2レーザスクライブ工程においてレーザヘッド2-1~2-5の計5つが使用され、第3レーザスクライブ工程においてレーザヘッド3-1~3-5の計5つが使用される。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計50段である。一方、第2および第3レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計48段である。本実施例の第2および第3レーザスクライブ工程においては、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2および複数の第3分離溝3が形成される。上述の比較例B図30参照の場合とは異なり、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように第2分離溝2および第3分離溝3が形成されることは、いずれのレーザヘッド2-1~2-5,3-1~3-5においても行なわれない。したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第2および第3レーザスクライブ工程における処理レシピ条件が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。実施例B図33は、上述の実施の形態に基づく実施例Bに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図33に示すように、第1レーザスクライブ工程においてレーザヘッド1-1~1-7の計7つが使用され、第2レーザスクライブ工程においてレーザヘッド2-1~2-6の計6つが使用され、第3レーザスクライブ工程においてレーザヘッド3-1~3-6の計6つが使用される。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計50段である。一方、第2および第3レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計46段である。本実施例の第2および第3レーザスクライブ工程においては、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2および複数の第3分離溝3が形成される。上述の比較例C図31参照の場合とは異なり、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように第2分離溝2および第3分離溝3が形成されることは、いずれのレーザヘッド2-1~2-6,3-1~3-6においても行なわれない。したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第2および第3レーザスクライブ工程における処理レシピ条件が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。実施例C図34は、上述の実施の形態に基づく実施例Cに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図34に示すように、第1レーザスクライブ工程においてレーザヘッド1-1~1-6の計6つが使用され、第2レーザスクライブ工程においてレーザヘッド2-1~2-5の計5つが使用され、第3レーザスクライブ工程においてレーザヘッド3-1~3-5の計5つが使用される。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計50段である。一方、第2および第3レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計48段である。本実施例の第2および第3レーザスクライブ工程においては、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2および複数の第3分離溝3が形成される。特に、レーザヘッド2-1については、レーザヘッド1-1に対応する1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2が形成される。次いで、レーザヘッド2-1がレーザヘッド1-2に対応する1つの被加工範囲内に複数の第2分離溝2を形成する際には、レーザヘッド1-2に対応するこの1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2が形成される。1つの被加工範囲内に複数の第2分離溝2を形成する際に、この1つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されることはない。これは、レーザヘッド3-1についても同様である。上述の比較例B図30参照の場合とは異なり、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように第2分離溝2および第3分離溝3が形成されることは、いずれのレーザヘッド2-1~2-5,3-1~3-5においても行なわれない。したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第2および第3レーザスクライブ工程における処理レシピ条件が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。実施例D図35は、上述の実施の形態に基づく実施例Dに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図35に示すように、第1レーザスクライブ工程においてレーザヘッド1-1~1-7の計6つが使用され、第2レーザスクライブ工程においてレーザヘッド2-1~2-6の計6つが使用され、第3レーザスクライブ工程においてレーザヘッド3-1~3-6の計6つが使用される。第1レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計50段である。一方、第2および第3レーザスクライブ工程において形成される第1分離溝1の加工段数は、計46段である。本実施例の第2および第3レーザスクライブ工程においては、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2および複数の第3分離溝3が形成される。特に、レーザヘッド2-1については、レーザヘッド1-1に対応する1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2が形成される。次いで、レーザヘッド2-1がレーザヘッド1-2に対応する1つの被加工範囲内に複数の第2分離溝2を形成する際には、レーザヘッド1-2に対応するこの1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第2分離溝2が形成される。1つの被加工範囲内に複数の第2分離溝2を形成する際に、この1つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されることはない。これは、レーザヘッド3-1およびレーザヘッド2-4,3-4についても同様である。上述の比較例C図31参照の場合とは異なり、一の第1レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第1レーザヘッドが加工した第1分離溝1に沿うように第2分離溝2および第3分離溝3が形成されることは、いずれのレーザヘッド2-1~2-6,3-1~3-6においても行なわれない。したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第2および第3レーザスクライブ工程における処理レシピ条件が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。実験例図36は、上述の実施の形態に基づいて行なった実験例の結果を示す図であり、約90段のレーザスクライブを行なった際の、各加工段の位置における第1分離溝1と第2分離溝2との相対的な位置関係を示している。プロットPLT0で示される黒塗りの菱形形状および白抜きの菱形形状は、透明基板10上の透明電極層11上に形成されたアライメントラインの位置基準位置を示している。プロットPLT1で示される黒塗りの丸型形状および白抜きの丸型形状は、上述の実施の形態と同様に、1つの被加工範囲内に形成された複数の第1分離溝1の各々に沿うように、この1つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて形成された第2分離溝2の位置を示している。一方、プロットPLT2で示される黒塗りの三角形状および白抜きの三角形状は、上述の実施の形態とは異なり、1つの被加工範囲内に複数の第2分離溝2を形成する際に、この1つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されて形成された第2分離溝2の位置を示している。図中の矢印WRで示される範囲は、レーザスクライブ位置のスペックを示す範囲である。図36に示すように、基準となるプロットPLT0の一に対して、上述の実施の形態に基づくプロットPLT1の方が、プロットPLT2よりもばらつきが少ないことがわかる。したがって、上述の実施の形態に基づく薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によれば、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となることがわかる。以上、本発明に基づいた実施の形態、実施例、および実験例について説明したが、今回開示された実施の形態、実施例、および実験例はすべての点で例示であって制限的なものではない。たとえば、上述の実施の形態、実施例、および実験例の説明においては、各レーザスクライブ工程を実施して各層に分離溝またはアライメント部などを形成する際、透明基板10が搬送され、各レーザヘッドに対して透明基板10が移動するという態様に基づき説明したが、本発明はこの態様に限定されるものではない。本発明は、各レーザスクライブ工程を実施して各層に分離溝またはアライメント部を形成する際、透明基板10が固定配置され、その透明基板10に対して各レーザヘッドが移動するという態様にも適用することが可能であるし、さらに、透明基板10および各レーザヘッドの双方が相互に移動するという態様にも適用することが可能である。これらについては、上述の第1~第3の各レーザスクライブ工程および上述のアライメント部の形成工程について共通して言えるものである。したがって、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"