第1方向に沿ってそれぞれ延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の略中間に位置し第1方向に沿って延出した補助容量線と、第1方向に交差する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線と同一材料によって形成された画素電極であって、前記補助容量線の上方に位置するとともに第1方向に沿って延出した副画素電極、前記副画素電極の前記第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、前記副画素電極の前記第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記第1ソース配線の上方、及び、前記第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記第1基板は、さらに、半導体層と、前記第1ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、前記半導体層にコンタクトし前記第1ソース配線と電気的に接続されたソース電極と、を備え、前記画素電極は前記半導体層にコンタクトしたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極は、さらに、第1方向に沿って延出し前記前記第1主画素電極と前記第2主画素電極とを接続する接続部を備え、ループ状に形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。第1方向に沿ってそれぞれ延出したゲート配線及び補助容量線と、前記ゲート配線と一体的に形成されたゲート電極と、前記ゲート配線、前記補助容量線、及び、前記ゲート電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され前記ゲート電極の直上に位置する半導体層と、前記絶縁膜上に形成され第1方向に交差する第2方向に沿って延出したソース配線と、前記絶縁膜上において前記ソース配線と一体的に形成され前記半導体層にコンタクトしたソース電極と、前記絶縁膜上に形成され前記半導体層にコンタクトした画素電極であって、画素の略中央部で前記補助容量線の上方に位置するとともに第1方向に沿って延出した副画素電極、前記副画素電極に繋がり第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1主画素電極及び第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記画素電極は、前記ソース電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。前記画素電極は、さらに、第1方向に沿って延出し前記前記第1主画素電極と前記第2主画素電極とを接続する接続部を備え、ループ状に形成され、前記接続部は前記半導体層にコンタクトすることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶表示装置。前記画素電極は、アルミニウムAl、チタンTi、銀Ag、モリブデンMo、タングステンW、銅Cu、クロムCrのうちの少なくとも1つの金属材料またはいずれかを含む合金によって形成されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記画素電極は、第2方向に沿った長さが第1方向に沿った長さよりも長い画素に配置されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記第2基板は、前記第1ゲート配線の上方及び前記第2ゲート配線の上方にそれぞれ位置し前記主共通電極と繋がり第1方向に沿ってそれぞれ延出した副共通電極を備えたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の液晶表示装置。さらに、前記第1基板の外面に配置され第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備え、前記第1吸収軸は、第2方向と略平行であるまたは略直交することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することにある。本実施形態によれば、第1方向に沿ってそれぞれ延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の略中間に位置し第1方向に沿って延出した補助容量線と、第1方向に交差する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線と同一材料によって形成された画素電極であって、前記補助容量線の上方に位置するとともに第1方向に沿って延出した副画素電極、前記副画素電極の前記第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、前記副画素電極の前記第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記第1ソース配線の上方、及び、前記第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本実施形態によれば、第1方向に沿ってそれぞれ延出したゲート配線及び補助容量線と、前記ゲート配線と一体的に形成されたゲート電極と、前記ゲート配線、前記補助容量線、及び、前記ゲート電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され前記ゲート電極の直上に位置する半導体層と、前記絶縁膜上に形成され第1方向に交差する第2方向に沿って延出したソース配線と、前記絶縁膜上において前記ソース配線と一体的に形成され前記半導体層にコンタクトしたソース電極と、前記絶縁膜上に形成され前記半導体層にコンタクトした画素電極であって、画素の略中央部で前記補助容量線の上方に位置するとともに第1方向に沿って延出した副画素電極、前記副画素電極に繋がり第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1主画素電極及び第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数である。液晶表示パネルLPNは、アクティブエリアACTにおいて、n本のゲート配線GG1~Gn、n本の補助容量線CC1~Cn、m本のソース配線SS1~Smなどを備えている。ゲート配線G及び補助容量線Cは、例えば、第1方向Xに沿って略直線的に延出した信号配線に相当する。これらのゲート配線G及び補助容量線Cは、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿って間隔をおいて隣接し、交互に並列配置されている。ここでは、第1方向Xと第2方向Yとは互いに略直交している。ソース配線Sは、ゲート配線G及び補助容量線Cと交差している。ソース配線Sは、第2方向Yに沿って略直線的に延出した信号配線に相当する。なお、ゲート配線G、補助容量線C、及び、ソース配線Sは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。これらのゲートドライバGD及びソースドライバSDの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ARに形成され、コントローラを内蔵した駆動ICチップ2と接続されている。各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CEなどを備えている。保持容量Csは、例えば補助容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。補助容量線Cは、補助容量電圧が印加される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。なお、本実施形態においては、液晶表示パネルLPNは、画素電極PEがアレイ基板ARに形成される一方で共通電極CEの少なくとも一部が対向基板CTに形成された構成であり、これらの画素電極PEと共通電極CEとの間に形成される電界を主に利用して液晶層LQの液晶分子をスイッチングする。画素電極PEと共通電極CEとの間に形成される電界は、第1方向Xと第2方向Yとで規定されるX-Y平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界である。スイッチング素子SWは、例えば、nチャネル薄膜トランジスタTFTによって構成されている。このスイッチング素子SWは、ゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子SWの半導体層は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコンによって形成されていても良い。画素電極PEは、各画素PXに配置され、スイッチング素子SWに電気的に接続されている。このような画素電極PEは、不透明な導電材料、あるいは、遮光性あるいは反射性を有する導電材料によって形成されている。一例として、画素電極PEは、アルミニウムAl、チタンTi、銀Ag、モリブデンMo、タングステンW、銅Cu、クロムCrのうちの少なくとも1つの金属材料またはいずれかを含む合金によって形成されている。共通電極CEは、液晶層LQを介して複数の画素PXの画素電極PEに対して共通に配置されている。このような共通電極CEは、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどの光透過性を有する導電材料によって形成されていても良いし、上記の不透明な導電材料によって形成されていても良い。アレイ基板ARは、共通電極CEに電圧を印加するための給電部VSを備えている。この給電部VSは、例えば、アクティブエリアACTの外側に形成されている。対向基板CTの共通電極CEは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、図示しない導電部材を介して、給電部VSと電気的に接続されている。図2は、図1に示したアレイ基板ARを対向基板側から見たときの一画素PXの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、X-Y平面における平面図を示している。アレイ基板ARは、ゲート配線G1、ゲート配線G2、補助容量線C1、ソース配線S1、ソース配線S2、スイッチング素子SW、画素電極PE、第1配向膜AL1などを備えている。図示した例では、画素PXは、破線で示したように、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。ゲート配線G1及びゲート配線G2は、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置され、それぞれ第1方向Xに沿って延出している。補助容量線C1は、ゲート配線G1とゲート配線G2との間に位置し、第1方向Xに沿って延出している。ソース配線S1及びソース配線S2は、第1方向Xに沿って第2ピッチで配置され、それぞれ第2方向Yに沿って延出している。図示した画素PXにおいて、ソース配線S1は左側端部に配置され、ソース配線S2は右側端部に配置されている。厳密には、ソース配線S1は当該画素PXとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線S2は当該画素PXとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。つまり、画素PXの第1方向Xに沿った長さは、ソース配線間の第2ピッチに相当する。また、画素PXにおいて、ゲート配線G1は上側端部に配置され、ゲート配線G2は下側端部に配置されている。厳密には、ゲート配線G1は当該画素PXとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ゲート配線G2は当該画素PXとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さは、ゲート配線間の第1ピッチに相当する。第1ピッチは、第2ピッチよりも大きい。また、図示した画素PXにおいては、補助容量線C1は、ゲート配線G2とゲート配線G1との略中間に位置している。つまり、補助容量線C1とゲート配線G1との第2方向Yに沿った間隔は、補助容量線C1とゲート配線G2との第2方向Yに沿った間隔と略同一である。スイッチング素子SWは、図示した例では、ゲート配線G2及びソース配線S1に電気的に接続されている。このスイッチング素子SWは、画素PXの下側においてソース配線S1とソース配線S2との略中間の領域に設けられている。このようなスイッチング素子SWは、ゲート配線G2と電気的に接続されたゲート電極WG、ゲート電極WGの直上に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層SC、及び、ソース配線S1と電気的に接続され半導体層SCにコンタクトしたソース電極WSを備えている。図示した例では、ゲート電極WGはゲート配線G2と一体的に形成され、ソース電極WSはソース配線S1と一体的に形成されている。また、ソース電極WSのうち半導体層SCにコンタクトしている部分については、第1方向Xに沿って延出している。画素電極PEは、隣接するソース配線S1とソース配線S2との間に位置するとともに、ゲート配線G1とゲート配線G2との間に位置している。つまり、画素電極PEは、ソース配線S1及びソース配線S2と、ゲート配線G1及びゲート配線G2とで囲まれた内側に位置している。このような画素電極PEは、半導体層SCにコンタクトし、スイッチング素子SWのドレイン電極としての機能を兼ね備えている。画素電極PEは、主画素電極PA及び副画素電極PBを備えている。また、この画素電極PEは、接続部PDを備えている。これらの主画素電極PA、副画素電極PB、及び、接続部PDは、互いに電気的に接続されている。このような主画素電極PA、副画素電極PB、及び、接続部PDは、一体的あるいは連続的に形成され、互いに電気的に接続されている。副画素電極PBは、画素PXの略中央部に位置し、第1方向Xに沿って延出している。このような副画素電極PBは、第2方向Yに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。主画素電極PAは、1個の画素電極PEに2本以上備えられている。このような主画素電極PAは、副画素電極PBからそれぞれ第2方向Yに沿って延出している。このような主画素電極PAは、第1方向Xに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、2本の主画素電極PA1及び主画素電極PA2を備えている。主画素電極PA1は、副画素電極PBのソース配線S1側に位置している。この主画素電極PA1は、副画素電極PBのソース配線S1側に繋がっている。主画素電極PA2は、副画素電極PBのソース配線S2側に位置している。この主画素電極PA2は、副画素電極PBのソース配線S2側に繋がっている。主画素電極PA1及び主画素電極PA2のそれぞれは、副画素電極PBから画素PXの上側端部つまり、ゲート配線G1側及び下側端部つまり、ゲート配線G2側に向かってそれぞれ第2方向Yに沿って直線的に延出している。主画素電極PA1について、副画素電極PBからゲート配線G1側に向かって延出した長さと、副画素電極PBからゲート配線G2側に向かって延出した長さとは略同一である。同様に、主画素電極PA2について、副画素電極PBからゲート配線G1側に向かって延出した長さと、副画素電極PBからゲート配線G2側に向かって延出した長さとは略同一である。つまり、副画素電極PBは、主画素電極PA1の略中間の位置と主画素電極PA2の略中間の位置とを繋いでいる。接続部PDは、第1方向Xに沿って延出し、主画素電極PAの各々を接続している。このような接続部PDは、第2方向Yに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、画素PXのゲート配線G1の側において、接続部PD1は、主画素電極PA1と主画素電極PA2のそれぞれの一端部を接続している。また、画素PXのゲート配線G2の側において、接続部PD2は、主画素電極PA1と主画素電極PA2のそれぞれの他端部を接続している。副画素電極PBは、接続部PD1と接続部PD2との略中間に位置している。接続部PD2は、半導体層SCにコンタクトし、スイッチング素子SWのドレイン電極と同等の機能を兼ね備えている。図示した例では、接続部PD2のうち半導体層SCにコンタクトしている部分については、第1方向Xに沿って延出しており、ソース電極WSの半導体層SCにコンタクトしている部分と平行である。このような構成の画素電極PEは、8の字形である。つまり、画素電極PEは、ループ状に形成されている。但し、接続部PD1は省略しても良い。このような画素電極PEにおいて、副画素電極PBは、画素PXの略中央部で補助容量線C1の上方に位置している。すなわち、このような画素電極PEは、副画素電極PBにおいて、補助容量線C1と対向し、画素PXでの画像表示に必要な容量を形成している。なお、より大きな容量を形成するために、副画素電極PBに加えて、主画素電極PAの一部が補助容量線C1の上方に位置していても良い。なお、アレイ基板ARは、さらに、共通電極CEの一部を備えていても良い。このようなアレイ基板ARにおいては、画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1には、液晶層LQの液晶分子を初期配向させるために、第1配向処理方向PD1に沿って配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理がなされている。第1配向膜AL1が液晶分子を初期配向させる第1配向処理方向PD1は、主画素電極PAの延出方向である第2方向Yと略平行である。ここで、寸法の一例について述べると、ゲート配線Gの第1ピッチつまりゲート配線G1とゲート配線G2との第2方向Yに沿った間隔は150μm~180μmであり、ソース配線Sの第2ピッチつまりソース配線S1とソース配線S2との第1方向Xに沿った間隔は50μm~60μmであり、ゲート配線G及び補助容量線Cの第2方向Yに沿った幅が5μmであり、主画素電極PAの第1方向Xに沿った幅が5μmであり、ソース配線Sの第1方向Xに沿った幅が3μmである。なお、ゲート配線G及び補助容量線Cは同一層に形成されており、電気的に絶縁する必要があるため、両者の間に例えば10μmのマージンを確保している。また、ソース配線S及び画素電極PEは同一層に形成されており、電気的に絶縁する必要があるため、両者の間に例えば10μmのマージンを確保している。図3は、図1に示した対向基板CTにおける一画素PXの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、X-Y平面における平面図を示している。なお、ここでは、説明に必要な構成のみを図示し、また、アレイ基板に備えられた画素電極PE、ソース配線S、ゲート配線Gなどを破線で示している。共通電極CEは、対向基板CTに主共通電極CAを備えている。図示した例では、共通電極CEは、さらに、対向基板CTに副共通電極CBを備えている。これらの主共通電極CA及び副共通電極CBは、互いに電気的に接続されている。但し、副共通電極CBは省略しても良い。主共通電極CAは、X-Y平面内において、主画素電極PA1及び主画素電極PA2のそれぞれを挟んだ両側で主画素電極PAの延出方向と略平行な第2方向Yに沿って直線的に延出している。あるいは、主共通電極CAは、ソース配線Sの上方、及び、主画素電極PA間にそれぞれ1本ずつ配置されるとともに主画素電極PAの延出方向と略平行な第2方向Yに沿って延出している。このような主共通電極CAは、第1方向Xに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。図示した例では、主共通電極CAは、第1方向Xに間隔をおいて3本平行に並んでいる。すなわち、一画素あたり、3本の主共通電極CAが第1方向Xに沿って等ピッチで配置されている。画素PXにおいて、主共通電極CALは左側端部に配置され、主共通電極CARは右側端部に配置され、主共通電極CACは画素中央部に配置されている。厳密には、主共通電極CALは当該画素PXとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、主共通電極CARは当該画素PXとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。主共通電極CALはソース配線S1の上方に位置し、主共通電極CARはソース配線S2の上方に位置し、主共通電極CACは主画素電極PA1と主画素電極PA2との間に位置している。主共通電極CAL及び主共通電極CACは、主画素電極PA1を挟んだ両側に位置している。同様に、主共通電極CAC及び主共通電極CARは、主画素電極PA2を挟んだ両側に位置している。換言すると、画素中央部に配置された主共通電極CACは、主画素電極PA1と主画素電極PA2との略中間に位置している。つまり、X-Y平面において、第1方向Xに沿って主共通電極CAと主画素電極PAとが交互に並んでおり、図示した例では、主共通電極CAL、主画素電極PA1、主共通電極CAC、主画素電極PA2、主共通電極CARがこの順に並んでいる。なお、主画素電極PA1と主共通電極CACとの間の第1方向Xに沿った電極間距離、及び、主共通電極CACと主画素電極PA2との間の第1方向Xに沿った電極間距離は略同等である。また、主共通電極CALと主画素電極PA1との間の第1方向Xに沿った電極間距離、及び、主画素電極PA2と主共通電極CARとの間の第1方向Xに沿った電極間距離は略同等である。副共通電極CBは、X-Y平面内において、画素電極PEを挟んだ両側で第1方向Xに沿って直線的に延出している。あるいは、副共通電極CBは、ゲート配線Gの上方にそれぞれ位置するとともに主共通電極CAと繋がり第1方向Xに沿って直線的に延出している。このような副共通電極CBは、第2方向Yに沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。また、このような副共通電極CBは、主共通電極CAと一体的あるいは連続的に形成され、主共通電極CAと電気的に接続されている。つまり、対向基板CTにおいては、共通電極CEは格子状に形成されている。図示した例では、副共通電極CBは、第2方向Yに間隔をおいて2本平行に並んでおり、画素PXの上下両端部にそれぞれ配置されている。すなわち、一画素あたり、2本の副共通電極CBが配置されている。図示した画素PXにおいて、副共通電極CBUは上側端部に配置され、副共通電極CBBは下側端部に配置されている。厳密には、副共通電極CBUは当該画素PXとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置され、副共通電極CBBは当該画素PXとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。副共通電極CBUはゲート配線G1の上方に位置し、副共通電極CBBはゲート配線G2の上方に位置している。このような対向基板CTにおいては、共通電極CEは、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2には、液晶層LQの液晶分子を初期配向させるために、第2配向処理方向PD2に沿って配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理がなされている。第2配向膜AL2が液晶分子を初期配向させる第2配向処理方向PD2は、第1配向処理方向PD1とは互いに平行であって、互いに同じ向きあるいは逆向きである。図示した例では、第2配向処理方向PD2は、第2方向Yと平行であり、X-Y平面内において、第1配向処理方向PD1とは互いに平行であって、互いに同じ向きである。図4は、図2のA-B線で切断したアレイ基板ARの断面構造を概略的に示す断面図である。アレイ基板ARは、光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10においてスイッチング素子SW、補助容量線C1、画素電極PE、第1絶縁膜11、第1配向膜AL1などを備えている。スイッチング素子SWのゲート電極WGは、ゲート配線G2の一部であり、第1絶縁基板10の内面10Aに形成されている。補助容量線C1は、第1絶縁基板10の内面10Aに形成されている。これらのゲート電極WG、ゲート配線G及び補助容量線Cは、同一材料によって形成されている。これらのゲート配線G2と一体のゲート電極WG及び補助容量線C1は、第1絶縁膜11によって覆われている。スイッチング素子SWの半導体層SCは、第1絶縁膜11の上に形成され、ゲート電極WGの直上に位置している。スイッチング素子SWのソース電極WSは、ソース配線S1の一部であり、第1絶縁膜11の上に形成され、半導体層SCにコンタクトしている。画素電極PEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。この画素電極PEの一部である接続部PD2は、半導体層SCにコンタクトしている。また、画素電極PEの一部である副画素電極PBは、補助容量線C1の直上に位置している。すなわち、副画素電極PBは、第1絶縁膜11を介して補助容量線C1と対向している。これらのソース電極WS及び画素電極PEは、ソース配線と同一材料によって形成されている。第1配向膜AL1は、スイッチング素子SWを構成する半導体層SC、ソース電極WS、画素電極PEなどを覆っており、第1絶縁膜11の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成されている。なお、これらのスイッチング素子SWや画素電極PEは、パッシベーション膜などの他の絶縁膜で覆われていても良い。図5は、図3のC-D線で切断した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す断面図である。液晶表示パネルLPNを構成するアレイ基板ARの背面側には、バックライト4が配置されている。バックライト4としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARにおいて、第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の内面10A、つまり、対向基板CTと対向する側に形成され、ソース配線S1及びソース配線S2は、第1絶縁膜11の上に形成され、第1配向膜AL1によって覆われている。画素電極PEの主画素電極PA1及び主画素電極PA2は、第1絶縁膜11の上に形成され、第1配向膜AL1によって覆われている。主画素電極PA1及び主画素電極PA2は、ソース配線S1及びソース配線S2から離間し、これらの間に位置している。第1配向膜AL1は、アレイ基板ARの対向基板CTと対向する面に配置され、アクティブエリアACTの略全体に亘って延在している。対向基板CTは、光透過性を有する第2絶縁基板20を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板20の内側、つまり、アレイ基板ARと対向する側において、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、共通電極CE、第2配向膜AL2などを備えている。なお、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する内面20Aには、各画素PXを区画するブラックマトリクスが配置されても良い。カラーフィルタCFは、各画素PXに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の内面20Aに配置されている。第1方向Xに隣接する画素PXにそれぞれ配置されたカラーフィルタCFは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタCFは、赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタは、緑色画素に対応して配置されている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。このオーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの表面の凹凸の影響を緩和する。共通電極CEの主共通電極CAL、主共通電極CAC、及び、主共通電極CAR、図示しない副共通電極CBなどは、オーバーコート層OCのアレイ基板ARと対向する側に形成されている。主共通電極CALは、ソース配線S1の直上に位置している。主共通電極CARは、ソース配線S2の直上に位置している。主共通電極CACは、主共通電極CALと主共通電極CARとの間あるいは主画素電極PA1と主画素電極PA2との間に位置している。画素電極PEと共通電極CEとの間の領域、つまり、主共通電極CALと主画素電極PA1との間の領域、主共通電極CACと主画素電極PA1との間の領域、主共通電極CACと主画素電極PA2との間の領域、及び、主共通電極CARと主画素電極PA2との間の領域は、バックライト光が透過可能な透過領域に相当する。第2配向膜AL2は、対向基板CTのアレイ基板ARと対向する面に配置され、アクティブエリアACTの略全体に亘って延在している。この第2配向膜AL2は、共通電極CEやオーバーコート層OCなどを覆っている。このような第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、それぞれの第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップ、例えば2~7μmのセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のセルギャップが形成された状態で、アクティブエリアACTの外側のシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に形成されたセルギャップに保持され、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に配置されている。このような液晶層LQは、例えば、誘電率異方性が正ポジ型の液晶材料によって構成されている。尚、主画素電極PAと主共通電極CAとの第1方向Xに沿った間隔は、液晶層LQの厚さよりも大きく、主画素電極PAと主共通電極CAとの間隔は、液晶層LQの厚さの2倍以上の大きさを持つ。アレイ基板ARの外面、つまり、アレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10の外面10Bには、第1光学素子OD1が接着剤などにより貼付されている。この第1光学素子OD1は、液晶表示パネルLPNのバックライト4と対向する側に位置しており、バックライト4から液晶表示パネルLPNに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第1光学素子OD1は、第1偏光軸あるいは第1吸収軸AX1を有する第1偏光板PL1を含んでいる。なお、第1偏光板PL1と第1絶縁基板10との間に位相差板などの他の光学素子が配置されても良い。対向基板CTの外面、つまり、対向基板CTを構成する第2絶縁基板20の外面20Bには、第2光学素子OD2が接着剤などにより貼付されている。この第2光学素子OD2は、液晶表示パネルLPNの表示面側に位置しており、液晶表示パネルLPNから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第2光学素子OD2は、第2偏光軸あるいは第2吸収軸AX2を有する第2偏光板PL2を含んでいる。なお、第2偏光板PL2と第2絶縁基板20との間に位相差板などの他の光学素子が配置されていても良い。第1偏光板PL1の第1偏光軸AX1と、第2偏光板PL2の第2偏光軸AX2とは、略直交する位置関係クロスニコルにある。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が主画素電極PAあるいは主共通電極CAの延出方向と略平行または略直交するように配置されている。つまり、主画素電極PAあるいは主共通電極CAの延出方向が第2方向Yである場合、一方の偏光板の吸収軸は、第1方向Xと略平行であるつまり、第2方向Yと略直交する、あるいは、第1方向Xと略直交するつまり、第2方向Yと略平行である。あるいは、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向つまり第1配向処理方向PD1あるいは第2配向処理方向PD2と平行または直交するように配置されている。初期配向方向が第2方向Yと平行である場合、一方の偏光板の偏光軸は、第1方向Xと平行、あるいは、第2方向Yと平行である。図3において、aで示した例では、第1偏光板PL1は、その第1偏光軸AX1が主画素電極PAの延出方向あるいは液晶分子LMの初期配向方向第2方向Yに対して直交するつまり、第1方向Xに平行となるように配置され、また、第2偏光板PL2は、その第2偏光軸AX2が主画素電極PAの延出方向あるいは液晶分子LMの初期配向方向に対して平行となるつまり、第2方向Yと平行となるように配置されている。また、図3において、bで示した例では、第2偏光板PL2は、その第2偏光軸AX2が主画素電極PAの延出方向あるいは液晶分子LMの初期配向方向第2方向Yに対して直交するつまり、第1方向Xに平行となるように配置され、また、第1偏光板PL1は、その第1偏光軸AX1が主画素電極PAの延出方向あるいは液晶分子LMの初期配向方向に対して平行となるつまり、第2方向Yと平行となるように配置されている。次に、上記構成の液晶表示パネルLPNの動作について、図2乃至図5を参照しながら説明する。すなわち、液晶層LQに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態OFF時では、液晶層LQの液晶分子LMは、その長軸が第1配向膜AL1の第1配向処理方向PD1及び第2配向膜AL2の第2配向処理方向PD2を向くように配向している。このようなOFF時が初期配向状態に相当し、OFF時の液晶分子LMの配向方向が初期配向方向に相当する。なお、厳密には、液晶分子LMは、X-Y平面に平行に配向しているとは限らず、プレチルトしている場合が多い。このため、ここでの液晶分子LMの初期配向方向とは、OFF時の液晶分子LMの長軸をX-Y平面に正射影した方向である。以下では、説明を簡略にするために、液晶分子LMは、X-Y平面に平行に配向しているものとし、X-Y平面と平行な面内で回転するものとして説明する。ここでは、第1配向処理方向PD1及び第2配向処理方向PD2は、ともに第2方向Yと略平行な方向である。OFF時においては、液晶分子LMは、図3に破線で示したように、その長軸が第2方向Yと略平行な方向に初期配向する。図示した例のように、第1配向処理方向PD1及び第2配向処理方向PD2が平行且つ同じ向きである場合、液晶層LQの断面において、液晶分子LMは、液晶層LQの中間部付近で略水平プレチルト角が略ゼロに配向し、ここを境界として第1配向膜AL1の近傍及び第2配向膜AL2の近傍において対称となるようなプレチルト角を持って配向するスプレイ配向。このように液晶分子LMがスプレイ配向している状態では、基板の法線方向から傾いた方向においても第1配向膜AL1の近傍の液晶分子LMと第2配向膜AL2の近傍の液晶分子LMとにより光学的に補償される。したがって、第1配向処理方向PD1及び第2配向処理方向PD2が互いに平行、且つ、同じ向きである場合には、黒表示の場合に光漏れが少なく、高コントラスト比を実現することができ、表示品位を向上することが可能となる。なお、第1配向処理方向PD1及び第2配向処理方向PD2が互いに平行且つ逆向きである場合、液晶層LQの断面において、液晶分子LMは、第1配向膜AL1の近傍、第2配向膜AL2の近傍、及び、液晶層LQの中間部において略均一なプレチルト角を持って配向するホモジニアス配向。バックライト4からのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸AX1と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態によって変化するが、OFF時においては、液晶層LQを通過した直線偏光の偏光状態はほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光は、第1偏光板PL1に対してクロスニコルの位置関係にある第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。一方、液晶層LQに電圧が印加された状態、つまり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成された状態ON時では、画素電極PEと共通電極CEとの間に基板と略平行な横電界あるいは斜め電界が形成される。液晶分子LMは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにX-Y平面と略平行な平面内で回転する。図3に示した例では、画素PX内において、主画素電極PA1と主共通電極CACとの間の下側の領域内では、液晶分子LMは、第2方向Yに対して反時計回りに回転し図中の右下を向くように配向し、上側の領域内では、液晶分子LMは、第2方向Yに対して時計回りに回転し図中の右上を向くように配向する。また、主画素電極PA2と主共通電極CACとの間の下側の領域内では、液晶分子LMは、第2方向Yに対して時計回りに回転し図中の左下を向くように配向し、上側の領域内では、液晶分子LMは、第2方向Yに対して反時計回りに回転し図中の左上を向くように配向する。このように、各画素PXにおいて、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成された状態では、液晶分子LMの配向方向は、主画素電極PAと重なる位置あるいは主共通電極CAと重なる位置を境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素PXには、複数のドメインが形成される。このようなON時には、バックライト4から液晶表示パネルLPNに入射したバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸AX1と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。例えば、第1方向Xに平行な直線偏光が液晶表示パネルLPNに入射すると、液晶層LQを通過する際に第1方向Xに対して45°-225°方位あるいは135°-315°方位に配向した液晶分子LMによりλ/2の位相差の影響を受ける但し、λは液晶層LQを透過する光の波長である。これにより、液晶層LQを通過した光の偏光状態は、第2方向Yに平行な直線偏光となる。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。但し、画素電極あるいは共通電極と重なる位置では、液晶分子が初期配向状態を維持しているため、OFF時と同様に黒表示となる。このような本実施形態によれば、画素電極PEは、インジウムInを使用しない導電材料によって形成されている。このため、画素電極PE及び共通電極CEの双方をITOやIZOによって形成した場合と比較して、インジウムの使用量を低減することが可能となる。また、画素電極PEのみならず共通電極CEについても、インジウムInを使用しない導電材料によって形成された場合には、インジウムフリーを実現することが可能となる。また、画素電極PE上あるいは共通電極CE上では、OFF時は勿論のこと、ON時においても、横電界がほとんど形成されないあるいは、液晶分子LMを駆動するのに十分な電界が形成されないため、液晶分子LMは、OFF時と同様に初期配向方向からほとんど動かない。このため、ON時において、画素電極PE及び共通電極CEがITOなどの光透過性の導電材料によって形成されていたとしても、これらの領域ではバックライト光がほとんど透過せず、ON時において表示にほとんど寄与しない。つまり、本実施形態のように、画素電極PE及び共通電極CEが上記の不透明な導電材料によって形成されていても、画素電極PE及び共通電極CEが透明な導電材料によって形成された場合と比較して、ON時における透過率の低減、あるいは、実質的に表示に寄与する透過領域の面積の低減を抑制することが可能となる。また、画素電極PEが上記の不透明な導電材料によって形成された本実施形態において、液晶表示パネルLPNに入射した直線偏光は、画素電極PEのエッジの延出方向と略平行であるあるいは略直交する。また、上記のような不透明な導電材料によって形成されているゲート配線G、補助容量線C、及び、ソース配線Sの延出方向は、液晶表示パネルLPNに入射した直線偏光と略平行であるあるいは略直交する。また、共通電極CEも上記の不透明な導電材料によって形成されている場合もあり、共通電極CEの延出方向は、液晶表示パネルLPNに入射した直線偏光と略平行であるあるいは略直交する。このため、画素電極PEや共通電極CE、ゲート配線G、補助容量線C、及び、ソース配線Sのエッジで反射された直線偏光は、その偏光面が乱れにくく、偏光子である第1偏光板PL1を透過した際の偏光面を維持することができる。したがって、OFF時において、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光は、検光子である第2偏光板PL2で十分に吸収されるため、光漏れを抑制することが可能となる。つまり、黒表示の際に十分に透過率を低減することができ、コントラスト比の低下を抑制することが可能となる。また、画素電極PEや共通電極CEの周辺での光漏れ対策のためにブラックマトリクスの幅を拡張する必要がなく、透過領域の面積の低減、ON時の透過率の低減を抑制することが可能となる。したがって、表示品位の劣化を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、画素電極PEは、同一層に形成されるソース配線Sと同一材料によって形成可能である。このため、ソース配線Sを形成する工程で、画素電極PEを同時に形成することが可能となる。つまり、画素電極PEをスイッチング素子SWのドレイン電極と別個に形成する工程などを省略することが可能となる。したがって、製造コストの削減が可能となる。また、本実施形態によれば、画素電極PEは、絶縁膜のコンタクトホールを介することなく半導体層SCに直接コンタクトし、スイッチング素子SWのドレイン電極として機能する。このため、コンタクトホールの凹凸に起因した液晶分子LMの配向乱れの発生を抑制することが可能となる。これにより、OFF時における光漏れを抑制することが可能となり、コントラスト比を向上することが可能となる。また、本実施形態によれば、画素PXの略中央部を横切る補助容量線C1を備え、画素電極PEの副画素電極PBは、画素PXの略中央部において補助容量線C1の直上に位置している。そして、副画素電極PB及び接続部PDに繋がった主画素電極PAと主共通電極CAとの間に形成される電界を利用して液晶分子が駆動される。このため、一画素PXにおいて副画素電極PBを挟んだ上下の領域つまりゲート配線G1側の領域及びゲート配線G2側の領域において、表示に寄与する透過領域を形成することが可能となる。したがって、一画素PXにおいて、表示に利用できない無駄なスペースを少なくすることができる。比較例として、副画素電極PBをスイッチング素子SWに近接させたレイアウトでは、副画素電極PBの直下に位置する補助容量線Cがスイッチング素子SWのゲート電極WGあるいはゲート配線Gに近接するが、両者は同一層に形成され且つ電気的に絶縁されることが要求されるため、両者の間に十分な隙間上記の例では10μm以上のマージンを確保する必要がある。このため、スイッチング素子SWと副画素電極PBあるいは画素電極PEとの間に、ほとんど表示に利用できない無駄なスペースができてしまう。本実施形態によれば、このような比較例のレイアウトと比較して、一画素PXの面積が同一であっても、実質的に表示に寄与する透過領域の面積を拡大することが可能となる。また、本実施形態によれば、画素電極PEの接続部PD2において、半導体層SCにコンタクトしたコンタクト位置から主画素電極PAの各々までの距離を同等とすることができ、主画素電極PA間での抵抗差などに起因した表示品位の劣化を抑制することが可能となる。このようなコンタクト位置は、ソース配線S1及びソース配線S2の双方から等距離にあるため、ソース配線S間の第2ピッチが仕様毎に変更された場合であっても、コンタクト位置から主画素電極PAの各々までの距離に偏りが発生することはなく、種々の画素ピッチの製品を提供することが可能となる。また、本実施形態によれば、第1絶縁膜11を介して対向する補助容量線C1と画素電極PEとの間で容量を形成している。つまり、補助容量線C1と画素電極PEとのギャップは、第1絶縁膜11の膜厚に相当する。このため、本実施形態の構成は、補助容量線C1と画素電極PEとの間に複数の絶縁膜が介在した状態で容量を形成する場合と比較して、より大きな容量を形成することが可能となる。また、本実施形態によれば、画素電極PEはループ状に形成されているため、冗長性を向上することが可能となる。すなわち、例え画素電極PEの一部で断線が発生したとしても、副画素電極PBを介したパス、接続部PD1を介したパス、及び、接続部PD2を介したパスによっていずれの主画素電極PAにも画素電位を供給することが可能となる。したがって、高精細化の要求に伴って画素電極PEの幅が極めて細くなったとしても、画素PX内での画素電極PEの一部の断線に起因した表示不良など表示品位の劣化を抑制することが可能となる。また、本実施形態によれば、画素電極PEと共通電極CEとの間の電極間隙において高い透過率を得ることが可能となる。また、一画素あたりの透過率を十分に高くするためには、主画素電極PAと主共通電極CAとの間の電極間距離を拡大することで対応することが可能となる。また、画素ピッチが異なる製品仕様に対しては、主画素電極PAと主共通電極CAとの電極間距離を変更することで、透過率分布のピーク条件を利用することが可能となる。つまり、本実施形態の表示モードにおいては、比較的画素ピッチが大きな低解像度の製品仕様から比較的画素ピッチが小さい高解像度の製品仕様まで、微細な電極加工を必ずしも必要とせず、電極間距離の設定により種々の画素ピッチの製品を提供することが可能となる。また、本実施形態によれば、共通電極CEと重なる領域では、透過率が十分に低下している。これは、ゲート配線G及びソース配線Sの直上に位置する共通電極CEの位置よりも当該画素の外側に電界の漏れが発生せず、また、隣接する画素間で不所望な横電界が生じないため、共通電極CEと重なる領域の液晶分子LMがOFF時あるいは黒表示時と同様に初期配向状態を保っているためである。したがって、隣接する画素間でカラーフィルタCFの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。また、アレイ基板ARと対向基板CTとの合わせずれが生じた際に、画素電極PEを挟んだ両側の共通電極CEとの電極間距離に差が生じることがある。しかしながら、このような合わせずれは、全ての画素PXに共通に生じるため、画素PX間での電界分布に相違はなく、画像の表示に及ぼす影響はきわめて小さい。また、例えアレイ基板ARと対向基板CTとの間で合わせズレが生じたとしても、隣接する画素への不所望な電界の漏れを抑制することが可能となる。このため、隣接する画素間でカラーフィルタCFの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。また、一画素PXをX-Y平面で見た場合に、対向基板CTに配置された共通電極CEの内側にアレイ基板AR上に画素電極PEが配置されている。言い換えれば、1画素PXにおいて画素電極PEは共通電極CEによって囲まれている。このように配置することによって、一画素内で電気力線の始点と終点をもち、自画素の電気力線が隣接画素に漏れることが無い。このため、例えば、第1方向Xに隣接した画素PX間において液晶層LQに印加される電界が互いに影響を受けることがない。したがって、隣接画素からの電界の影響によって自画素の液晶分子LMが動くことが無く、表示品位の劣化を抑制することができる。また、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。図3に示した例では、一画素内に4つのドメインを形成することが可能となり、しかも、4つのドメインが略同等の面積であるため、更なる視野角補償が可能となる。なお、上記の例では、液晶分子LMの初期配向方向が第2方向Yと平行である場合について説明したが、液晶分子LMの初期配向方向は、第1方向X及び第2方向Yを斜めに交差する斜め方向であっても良い。また、上記の例では、液晶層LQが正ポジ型の誘電率異方性を有する液晶材料によって構成された場合について説明したが、液晶層LQは、誘電率異方性が負ネガ型の液晶材料によって構成されていても良い。また、ON時においても、画素電極PE上あるいは共通電極CE上ではバックライト光がほとんど透過しないため、画素電極PEの一部と補助容量線Cとが重なって容量を形成する構成であっても、実質的な透過領域の面積を低減することはない。つまり、主画素電極PA及び副画素電極PBと補助容量線Cとによって容量を形成する本実施形態によれば、透過領域の面積を低減することなく、画素PXにおいて表示に必要な容量を確保することが可能となる。また、一部の主共通電極CAは、表示に寄与しないソース配線Sの上方に位置しているため、実質的な透過領域の面積を低減することはない。また、上記の例では、1個の画素電極PEが2本の主画素電極PAを備える構成について説明したが、この例に限らない。1個の画素電極PEが備える主画素電極PAの本数をa本とした場合、1画素あたりに配置される主共通電極CAはa1本となり、隣接する主共通電極CAの間に1本の主画素電極PAが配置される但し、aは正数である。また、上記の例では、補助容量線C1は、副画素電極PBの直下に位置しているが、主画素電極PAの直下に延在していても良いし、さらに、接続部PDの直下に位置し、画素電極PEの直下においてループ状に形成されても良い。この場合、補助容量線C1が画素電極PEからはみ出さないレイアウトとすることにより、透過領域の面積を低減することなく、より大きな容量を形成することが可能となる。また、画素電極PEの直下で補助容量線をループ状に形成することにより、補助容量線C1についても冗長性を向上することが可能となり、補助容量線C1の一部で断線が発生したとしても、補助容量線C1の全体に補助容量電圧を印加することが可能となる。したがって、同一の補助容量線Cに接続された各画素PXにおいて表示不良など表示品位の劣化を抑制することが可能となる。なお、本実施形態において、画素PXの構造は、上記の例に限定されるものではない。図6は、図1に示したアレイ基板を対向基板側から見たときの一画素の他の構造例を概略的に示す平面図である。ここに示した構造例は、図2に示した構造例と比較して、スイッチング素子SWの構造が相違している。すなわち、ソース配線S1と一体的なソース電極WSは、第2方向Yに沿って延出し、半導体層SCと2箇所でコンタクトしている。ドレイン電極としての機能を兼ね備えた画素電極PEは、接続部PD2と一体的なコンタクト部PCを備えている。このコンタクト部PCは、第2方向Yに沿って延出し、ソース電極WSの間で半導体層SCとコンタクトしている。このような構造のスイッチング素子SWを適用した場合であっても、上記の構造例と同様の効果が得られる。以上説明したように、本実施形態によれば、コストの削減が可能であるとともに、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することが可能となる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。