"光電変換素子と、前記光電変換素子が搭載された素子搭載面と、前記素子搭載面と隣接し前記素子搭載面から延出されたリードフレームの接続端子が露出された端子面と、前記端子面と反対側の基板対向面とを有し、前記素子搭載面に開口するファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、前記基板対向面が対向した状態で前記フェルールが取り付けられた基板と、接着剤を介して前記ファイバ挿通孔に固定された光ファイバと、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、前記端子面と前記素子搭載面とのなす角度が、前記基板対向面と前記素子搭載面とのなす角度よりも小さくなるように前記フェルールを形成するフェルール形成工程と、前記接着剤を前記ファイバ挿通孔へ導入する接着剤導入工程と、前記光ファイバを、前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に挿通し、前記接着剤により前記フェルールに固定するファイバ固定工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法。前記接着剤は熱硬化性樹脂であり、前記ファイバ固定工程において、前記基板対向面を前記端子面よりも高温となるように温度勾配を与えながら前記接着剤を硬化させることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記ファイバ固定工程において、前記端子面に向かって送風することにより温度勾配を与えることを特徴とする請求項2に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面の表面粗さが前記端子面の表面粗さよりも大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記フェルール形成工程において、前記開口と前記端子面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さが、前記開口と前記基板対向面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さより大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記フェルール形成工程において、前記開口と前記端子面との間の前記素子搭載面の領域が、前記開口と前記基板対向面との間の前記素子搭載面の領域よりも大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の開口側端部が前記第2電極の開口側端部よりも前記開口から離間した前記リードフレームを形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の露出面積が前記第2電極の露出面積より大きい前記リードフレームを形成することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。前記素子搭載工程において、前記開口と前記端子面との間に、前記開口と前記基板対向面との間より多くのバンプを形成し、前記光電変換素子を前記バンプを介して前記リードフレームに搭載することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。光電変換素子と、前記光電変換素子が搭載された素子搭載面と、前記素子搭載面と隣接し前記素子搭載面から延出されたリードフレームの接続端子が露出された端子面と、前記端子面と反対側の基板対向面とを有し、前記素子搭載面に開口するファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、前記基板対向面が対向した状態で前記フェルールが取り付けられた基板と、接着剤を介して前記ファイバ挿通孔に固定された光ファイバと、を有し、前記端子面と前記素子搭載面とのなす角度が、前記基板対向面と前記素子搭載面とのなす角度よりも小さいことを特徴とする光電変換モジュール。前記素子搭載面において、前記開口と前記端子面との間の領域は、前記開口と前記基板対向面との間の領域よりも大きいことを特徴とする請求項10に記載の光電変換モジュール。前記素子搭載面の表面粗さは、前記端子面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項10または11に記載の光電変換モジュール。前記開口と前記端子面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さが、前記開口と前記基板対向面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さより大きいことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。前記リードフレームは、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の開口側端部は、前記第2電極の開口側端部よりも、前記開口から離間していることを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。前記リードフレームは、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の露出面積が、前記第2電極の露出面積より大きいことを特徴とする請求項10から14のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。前記光電変換素子は前記リードフレームにバンプによって固定されており、前記開口と前記端子面との間に形成される前記バンプの前記リードフレームに対する接触面積は、前記開口と前記基板対向面との間に形成される前記バンプの前記リードフレームに対する接触面積よりも大きいことを特徴とする請求項10から15のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。ところで、特許文献1に記載の光電変換モジュールでは、図9に示すように、フェルール110に貫通形成された挿通孔112に接着剤170を塗布して光ファイバ130を挿入し、所定位置まで光ファイバ130を挿入させたら接着剤170を硬化させて光ファイバ130をフェルール110に固定している。光電変換素子120はバンプ121を介してリードフレーム140に固定されており、リードフレーム140はフェルール110の素子搭載面111に取り付けられている。このリードフレーム140は、素子搭載面111から素子搭載面111に隣接する面113まで延出され、この延出された面113に制御回路200と接続するための接続端子141が形成されている。このようにして、光電変換素子120はリードフレーム140を介して制御回路200と電気的に接続されている。この光電変換モジュールにおいて、図9のように素子搭載面111から一側面113に向かってリードフレーム140が延設され、制御回路200と接続される接続端子141が形成されている。このような接続端子141は、フェルール110の一方側からのみ配線することで配線作業を容易にすべく、フェルール110の一側面113に集中して設けられている。したがって、素子搭載面111においても挿通孔112の開口112aから接続端子141側に多数のリードフレーム140が形成されている。このような光電変換モジュールにおいて、光ファイバ130をフェルール110に接着剤170を用いて固定する際に、接着剤170が挿通孔112から素子搭載面111に流れ出て、そこからリードフレーム140を伝って接続端子141を汚染する虞があった。接続端子141が接着剤170に汚染されると、光電変換素子120と制御回路200との導通不良を引き起こす虞がある。液状の接着剤170は、樹脂製のフェルール110よりも金属製のリードフレーム140の方が濡れ性が高いので、リードフレーム140に付着しやすい。また毛細管現象によって、光電変換素子120、バンプ121及び素子搭載面111との間の微小な隙間を接着剤170が伝って、接着剤170が接続端子141まで広がってしまう虞があった。特に、図9の如く、素子搭載面111の片側にリードフレーム140が集中しているフェルール110においては、接着剤170がリードフレーム140の集中している側に流れやすい。そこで本発明は、接着剤によってリードフレームの接続端子が汚染される虞の少ない光電変換モジュール、及びその製造方法を提供することを目的とする。上記課題に鑑み、本発明によれば以下が提供される。1光電変換素子と、前記光電変換素子が搭載された素子搭載面と、前記素子搭載面と隣接し前記素子搭載面から延出されたリードフレームの接続端子が露出された端子面と、前記端子面と反対側の基板対向面とを有し、前記素子搭載面に開口するファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、前記基板対向面が対向した状態で前記フェルールが取り付けられた基板と、接着剤を介して前記ファイバ挿通孔に固定された光ファイバと、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、前記端子面と前記素子搭載面とのなす角度が、前記基板対向面と前記素子搭載面とのなす角度よりも小さくなるように前記フェルールを形成するフェルール形成工程と、前記接着剤を前記ファイバ挿通孔へ導入する接着剤導入工程と、前記光ファイバを、前記素子搭載面の反対側から前記ファイバ挿通孔に挿通し、前記接着剤により前記フェルールに固定するファイバ固定工程と、を有する光電変換モジュールの製造方法。2前記接着剤は熱硬化性樹脂であり、前記ファイバ固定工程において、前記基板対向面を前記端子面よりも高温となるように温度勾配を与えながら前記接着剤を硬化させることを特徴とする1に記載の光電変換モジュールの製造方法。3前記ファイバ固定工程において、前記端子面に向かって送風することにより温度勾配を与えることを特徴とする2に記載の光電変換モジュールの製造方法。4前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面の表面粗さが前記端子面の表面粗さよりも大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする1から3のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。5前記フェルール形成工程において、前記開口と前記端子面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さが、前記開口と前記基板対向面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さより大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする1から4のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。6前記フェルール形成工程において、前記開口と前記端子面との間の前記素子搭載面の領域が、前記開口と前記基板対向面との間の前記素子搭載面の領域よりも大きくなるように、前記フェルールを形成することを特徴とする1から5のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。7前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の開口側端部が前記第2電極の開口側端部よりも前記開口から離間した前記リードフレームを形成することを特徴とする1から5のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。8前記フェルール形成工程において、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の露出面積が前記第2電極の露出面積より大きい前記リードフレームを形成することを特徴とする1から7のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。9前記素子搭載工程において、前記開口と前記端子面との間に、前記開口と前記基板対向面との間より多くのバンプを形成し、前記光電変換素子を前記バンプを介して前記リードフレームに搭載することを特徴とする1から8のいずれか一項に記載の光電変換モジュールの製造方法。また、本発明によれば以下が提供される。10光電変換素子と、前記光電変換素子が搭載された素子搭載面と、前記素子搭載面と隣接し前記素子搭載面から延出されたリードフレームの接続端子が露出された端子面と、前記端子面と反対側の基板対向面とを有し、前記素子搭載面に開口するファイバ挿通孔が貫通形成されたフェルールと、前記基板対向面が対向した状態で前記フェルールが取り付けられた基板と、接着剤を介して前記ファイバ挿通孔に固定された光ファイバと、を有し、前記端子面と前記素子搭載面とのなす角度が、前記基板対向面と前記素子搭載面とのなす角度よりも小さいことを特徴とする光電変換モジュール。11前記素子搭載面において、前記開口と前記端子面との間の領域は、前記開口と前記基板対向面との間の領域よりも大きいことを特徴とする10に記載の光電変換モジュール。12前記素子搭載面の表面粗さは、前記端子面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする10または11に記載の光電変換モジュール。13前記開口と前記端子面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さが、前記開口と前記基板対向面との間の領域の前記素子搭載面の表面粗さより大きいことを特徴とする10から12のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。14前記リードフレームは、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の開口側端部は、前記第2電極の開口側端部よりも、前記開口から離間していることを特徴とする10から13のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。15前記リードフレームは、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記端子面側に位置する第1電極と、前記素子搭載面に設けられ前記開口に対して前記基板対向面に位置する第2電極とを有し、前記第1電極の露出面積が、前記第2電極の露出面積より大きいことを特徴とする10から14のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。16前記光電変換素子は前記リードフレームにバンプによって固定されており、前記開口と前記端子面との間に形成される前記バンプの前記リードフレームに対する接触面積は、前記開口と前記基板対向面との間に形成される前記バンプの前記リードフレームに対する接触面積よりも大きいことを特徴とする10から15のいずれか一項に記載の光電変換モジュール。本発明に係る光電変換モジュール及びその製造方法によれば、端子面と素子搭載面とのなす角度が、基板対向面と素子搭載面とのなす角度よりも小さくなるように素子搭載面が傾斜されている。したがって、挿通孔に導入された接着剤が光ファイバの挿入に伴い開口から素子搭載面に流れ出しても、接着剤が更に素子搭載面から端子面に流れることを抑制できる。よって、端子面に露出されたリードフレームの接続端子を接着剤による汚染から保護することができる。以下、本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールを、図面を参照して説明する。<全体構造>図1は光電変換モジュールの断面図である。図1に示したように、光電変換モジュールは、樹脂製のフェルール10と、フェルール10に搭載された光電変換素子20と、フェルール10に挿入されて固定された光ファイバ30と、光電変換素子20と導通するリードフレーム40と、フェルール10が取り付けられた基板50とを備えている。フェルール10は略直方体状の部材であり、一側面には光電変換素子20が搭載される素子搭載面11が形成されている。この素子搭載面11には、長手方向に貫通し光ファイバ30が挿通される挿通孔12の開口12aが形成されており、また、導通部材であるリードフレーム40が設けられている。この素子搭載面には、光電変換素子20が受発光面を光ファイバ30の先端面と対向させて搭載されている。この光電変換素子20はバンプ21を介して素子搭載面11上のリードフレーム40に固定され、また、電気的に接続されている。この光電変換素子20には、フォトダイオード等の受光素子や、VCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLaser等の発光素子を用いることができる。素子搭載面11に隣接する面には、端子面13が形成されている。端子面13には、素子搭載面11に設けられたリードフレーム40が延出され、図示せぬ光電変換素子20を駆動するICまたはTIATransimpedanceAmplifierといった制御回路と接続される接続端子41が形成されている。フェルール10の面のうち、素子搭載面11に隣接し、かつ、端子面13の反対側の面は基板対向面14とされている。フェルール10は、基板対向面14が基板50に対向した状態で、接着剤等の固定手段によりガラスエポキシ樹脂等からなる基板50に取り付けられている。基板50上には基板電極51が形成されており、光電変換素子20へ電気信号を送受信する図示せぬ制御回路と接続されている。基板電極51とリードフレーム40の接続端子41とはワイヤ52により電気的に接続されており、制御回路と光電変換素子20との電気的接続が確立されている。これらフェルール10の素子搭載面11、端子面13及び基板対向面14のうち、端子面13及び基板対向面14は光ファイバ30の長手方向と略並行に形成されている。また、素子搭載面11は挿通孔12の長手方向図1の左右方向と垂直な方向から傾斜されており、端子面13と素子搭載面11のなす角度が基板対向面14と素子搭載面11のなす角度よりも小さくされている。また、フェルール10には、端子面13に開口する接着剤導入孔15が挿通孔12と連通するように形成されている。詳しくは後述するが、この接着剤導入孔15から接着剤70を導入することにより、挿通孔12に光ファイバ30を固定する。以上の如く構成された光電変換モジュールにおいて、光電変換素子20が発光素子の場合、制御回路から基板電極51、ワイヤ52、リードフレーム40を介して電気信号が光電変換素子20に入力されると、その電気信号に応じて光電変換素子20が光信号を発生させ、光信号は光ファイバ30を通じて外部機器に伝達される。また、光電変換素子20が受光素子の場合は、光ファイバ30を通じて光信号が光電変換素子20に入力されると、その光信号に応じて光電変換素子20が電気信号を発生させ、電気信号がリードフレーム40、ワイヤ52、基板電極51を介して制御回路に伝達される。<製造方法>上述のように構成される光電変換モジュールの製造方法を図2から図6を参照して説明する。フェルール形成工程まず、図2aに示すように上金型61、下金型62、第1横金型63、第2横金型64からなり、内部にキャビティ60a図2b参照が形成される金型60を用意する。金型60のキャビティ60aはフェルール10の外形となる形状に設定されている。上金型61が形成するキャビティ60aの内壁は端子面13を形成し、下金型62はが形成するキャビティ60aの内壁は基板対向面14を形成する。また、上金型61の内壁には、フェルール10の接着剤導入孔15を形成する突起61aがキャビティ60a内に突出するように設けられている。更に、フェルール10の挿通孔12を形成する突起64aが第2横金型64のキャビティ60a内に突出するように設けられている。また、第1横金型63はフェルール10の素子搭載面11を形成する。第1横金型63の内壁は第2横金型64の挿通孔12を形成する突起64aの突出方向と垂直な方向から傾いて傾斜されており、挿通孔12の長手方向と垂直な方向から傾いた素子搭載面11を形成する。次に、第1横金型63と上金型61及び下金型62の間にリードフレーム40となる平板状の金属板40aをセットし、第1横金型63により金属板40aを上金型61及び下金型62に押し付けてリードフレーム40を形成する。なお金型60内にセットされる金属板40aには予め、図3に示すように、素子搭載面11の配線パターンに対応する形状に打ち抜き加工が施されている。なお、図3はリードフレーム40となる金属板40aの正面図であり、図3中の二点鎖線は金属板40aがフェルール10に取り付けられた後のフェルール10の外形及び挿通孔12の開口12aを示している。本実施形態においては、図3に示すように、配線パターンとして金属板40aには、端子面13側及び基板対向面14側から挿通孔12の開口12aに向かって延びるようにそれぞれ形成された第1,2電極42,43と、端子面13側と基板対向面14側とを結び第1,2電極42,43と平行に延びる第3電極44が形成されている。なお、本実施形態においては第1電極42が端子面13に形成された接続端子41と連続されている。次に、図2bに示すように、第1横金型63を上金型61及び下金型62に向けて接近させ、金属板40aを素子搭載面11に沿うように折り曲げ形成しながら金型60を密閉し、キャビティ60aを形成する。次に、第1横金型63により金属板40aを上下金型61,62に押し付けてキャビティ60aを密閉した状態で樹脂をキャビティ60a内に流し込み、金属板40aとともにフェルール10をインサート成型する。キャビティ60a内に流し込む樹脂には、ポリフェニレンサルファイド樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂に、溶融石英等のフィラーを添加したものを用いることができる。キャビティ60a内の樹脂が硬化したら、第1,2横金型63,64を横方向にスライドさせ、上下金型61,62を上下に開いてフェルール10を金型60から取り出す。このようにして、図4aに示すようなリードフレーム40と一体化されたフェルール10を形成する。このようにフェルール10をインサート成型するにあたり、第1横金型63の内壁は上金型61の内壁と鋭角をなし、また、下金型62の内壁と鈍角をなすように構成されている。これにより、金型60により形成されるフェルール10において、端子面13と素子搭載面11とのなす角度は、基板対向面14と素子搭載面11とのなす角度よりも小さく形成される。つまり、素子搭載面11と端子面13とのなす角度が鋭角、素子搭載面11と基板対向面14とのなす角度が鈍角となるようにフェルール10が形成される。さらに、取り出したフェルール10から金属板40aの第1~3電極42~44間をつなぐブリッジ部46図3参照等の余分な部分を切断して第1~3電極42~44を離間させる。この金属板40aから余分な部分を切断する時、ブリッジ部46と第1電極42との間の余長部分45は少し長めに残しておき、この残した余長部分45を端子面13に沿って折り曲げて接続端子41を形成すると、接続端子41を容易に形成することができる。このように、第1~3電極42~44がブリッジ部46により一体に接続された金属板40aを金型60内にセットし、インサート成型後に余分な部分を切断することにより、小片に分割された第1~3電極42~44をそれぞれ金型60内にセットする必要がないので、製造が容易となるとともに、第1~3電極42~44の素子搭載面11への位置決め精度が向上する。また、上述したようにフェルール10をインサート成型した後に、リードフレーム40の第1~3電極42~44が確実に外部に露出するように素子搭載面11の表面を切削するダイシング加工を施してもよい。確実に第1~3電極42~44を外部に露出させることにより、光電変換素子20とリードフレーム40とを確実に導通させることができる。素子搭載工程次に、図4bに示すように、光電変換素子20を受発光面が開口12aと対向するように素子搭載面11に搭載する。この素子搭載工程においては、はんだ付けにより光電変換素子20を素子搭載面11上のリードフレーム40に搭載してもよい。もっとも、バンプ21を光電変換素子20の所定位置リードフレーム40の第1~3電極42~44に対応する位置に形成し、超音波等の振動溶着や加熱融着等を用いたフリップチップ実装により、バンプ21によりリードフレーム40に固定してもよい。バンプ21による固定は工程が容易であり、また、位置決め精度が高いからである。本実施形態では、図3に示すように、第1電極42の開口12a側の先端42aと、第3電極44の上に2箇所、バンプ21を形成している。バンプ21には、はんだボールや金ボール等、既知のいかなるものを用いてもよい。なお、この素子搭載工程は、後述する基板取付工程や接着剤導入工程の前に行うことが好ましい。フェルール10を基板50に取り付ける前であれば、簡単に光電変換素子20を素子搭載面11上のリードフレーム40に搭載することができる。また、接着剤70を導入する前であれば、接着剤70が付着していない清浄なリードフレーム40の表面に光電変換素子20を搭載することで、光電変換素子20とリードフレーム40とを確実に電気的に接続することができる。基板取付工程次に、図5aに示すように、フェルール10の基板対向面14を基板50に対向させた状態でフェルール10を基板50に取り付ける。フェルール10の基板50への取付方法は、既知のいかなる手段を用いてもよいが、素子搭載工程の位置決め精度ほど高精度の位置決め精度は要求されないので、接着剤を用いた固定が簡便で好適である。またフェルール10は、端子面13と素子搭載面11とのなす角度が、基板対向面14と素子搭載面11とのなす角度よりも小さくされている。したがって、基板対向面14が基板50と接触した状態でフェルール10を基板50に取り付けると、フェルール10を端子面13が基板50に接触した状態で基板50に取り付ける場合に比べて、端子面13の先端に設けた接続端子41を基板電極51に近づけることができる。したがって、接続端子41と基板電極51とを接続するワイヤ52図1参照の長さを短くすることができるので、光電変換素子20の高速伝送特性を向上することができる。接着剤導入工程次に、図5bに示すようにフェルール10の接着剤導入孔15から挿通孔12に液状の接着剤70を導入する。接着剤70にはエポキシ接着剤等を用いることができる。なお、図示の例では接着剤導入孔15は端子面13及び素子搭載面11の対向面に開放するように形成されているが、その形状は特に限定されない。素子搭載面11側への光ファイバ30の挿入動作に伴って光ファイバ30と挿通孔12との間に接着剤70が塗布されるように、接着剤導入孔15は素子搭載面11以外の面に開口するように形成されていればよい。ファイバ固定工程次に、図6に示すように光ファイバ30の先端が光電変換素子20の受発光面の近傍に位置するまで光ファイバ30を素子搭載面11の反対側から挿通孔12に挿入する。また、この光ファイバ30の挿通孔12への挿入により、挿通孔12内に導入された接着剤70を開口12aから溢れ出させ、光電変換素子20とフェルール10との隙間に充填させる。これにより、光電変換素子20をフェルール10に確実に固定するとともに、光電変換素子20と光ファイバ30との間に異物が侵入しないようにする。光ファイバ30の挿通孔12への挿入により開口12aから溢れ出した接着剤70は、フェルール10と光電変換素子20との隙間を充填した後、更に素子搭載面11に沿って流れ出す。このとき、フェルール10の素子搭載面11は挿通孔12の長手方向図1の左右方向と垂直な方向から傾斜されており、端子面13と素子搭載面11のなす角度が基板対向面14と素子搭載面11のなす角度よりも小さくされている。したがって、開口12aから流れ出した接着剤70は、端子面13と素子搭載面11との境界で留まりやすく、素子搭載面11から端子面13側に流れ出す虞が少ない。所定位置まで光ファイバ30を挿入したら、熱硬化性樹脂の接着剤70によりフェルール10に固定する。熱硬化性樹脂の接着剤70は所定温度以上に加熱すると重合して硬化するが、所定温度以下の温度領域においては、高温で流動性が高く、低温で流動性が低いという性質を有する。これを利用し、基板対向面14を端子面13よりも高温となるように温度勾配を与えながら光ファイバ30をフェルール10に固定するとよい。上記のような条件で熱硬化性の接着剤70を固定するようにすれば、接着剤70は所定の硬化温度まで加熱されるまでの間、高温の基板50側に流れやすく、低温の端子面13側には流れにくくし、接着剤70が接続端子41側に広がることを防止できる。フェルール10に上述したような温度勾配を与えるには、例えば、図6に示すようにヒーター80により基板50を加熱したり、冷却ファン90により端子面13を冷却したり、あるいは加熱と冷却を同時にしてもよい。また本実施形態においては、フェルール10の素子搭載面11は、端子面13とのなす角度が基板対向面14とのなす角度よりも小さくなるように傾斜され、かつ基板対向面14が基板50と対向している。そのため、端子面13を冷却する際、図6に示すように端子面13の上方から端子面13に向かって送風すると、端子面13の素子搭載面11側が庇となり、素子搭載面11の基板50側には気流が当たらない。したがって、基板対向面14側よりも端子面13側が効率よく冷却されるため、好適に基板対向面14を端子面13よりも高温となるように温度勾配を与えることができる。更に、光ファイバ30をフェルール10に固定したら、接続端子41と基板電極51との間をワイヤ52を用いて電気的に接続すると、図1に示すような光電変換モジュールが得られる。このとき、接続端子41が上方基板50と反対側に露出しているので、ワイヤ52が接続端子41と確実に導通されているか否かを簡単に目視で確認できる。一方、端子面13が基板50を向いた状態でフェルール10を基板50に取り付けてしまうと、ワイヤ52と接続端子41との導通を目視で確認できず、X線装置等特別な検査装置が必要となるため好ましくない。なお、前述したフェルール形成工程において、開口12aと端子面13との間の素子搭載面11の領域を、開口12aと基板対向面14との間の素子搭載面11の領域よりも大きく設定することが好ましい。開口12aと端子面13との間の距離を開口12aと基板対向面14との距離よりも長くすることにより、ファイバ固定工程において、開口12aから流れ出した接着剤70を、端子面13より先に基板対向面14に到達させることができるためである。例えば、図3に示したように、素子搭載面11において、複数の開口12aの配列方向A1と端子面13との間の面積が、配列方向A1と基板対向面14との間の面積よりも大きくなるように、フェルール10の挿通孔12を基板対向面14側にずらして形成するとよい。また、表面粗さの大きい表面ほど液状の接着剤70は留まりやすく、表面粗さの小さい表面ほど液状の接着剤70は広がって流れやすい。そこで、フェルール形成工程にて、素子搭載面11の表面粗さを端子面13の表面粗さよりも大きく形成しておくことが好ましい。端子面13に向かって接着剤70が流れにくく、より確実に接続端子41を接着剤70から保護することができるからである。また、素子搭載面11に隣接する全ての面についても同様に、表面粗さを素子搭載面11よりも小さくしておくと、接着剤70が素子搭載面11に留まりやすいので好適である。またフェルール形成工程において、開口12aと端子面13との間の領域の素子搭載面11の表面粗さが、開口12aと基板対向面14との間の領域の素子搭載面11の表面粗さよりも大きくなるようにフェルール10を形成してもよい。開口12aから流れ出た接着剤70を積極的に基板対向面14側に流すことにより、接着剤70が接続端子41に接続された第1電極42に付着することを遅らせることができるためである。なお素子搭載面11は、上述したダイシング工程において、自在に所望の表面粗さの表面を形成することができる。例えば、ダイシングブレードがフェルール10やリードフレーム40の表面を削った切削面の表面粗さは、インサート成型時に形成される平滑なスキン層フィラーが含まれない薄い表面層で覆われた端子面13等の表面粗さよりも大きくなるので、切削面をそのまま粗面化された素子搭載面11とすることができる。また、ダイシング後の切削面を研磨加工したり、ダイシング加工の代わりに研磨加工のみを施すことによっても素子搭載面11を粗面化することができる。また、開口12aから流れ出る接着剤70は、樹脂製のフェルール10よりも金属製のリードフレーム40に対する濡れ性が高い。そのため、接着剤70が一度でもリードフレーム40に付着すると、リードフレーム40に沿って素早く広がってしまう。そこで、図3に示したように素子搭載面11に設けられ開口12aに対して端子面13側に位置する第1電極42の先端開口側端部42aを、素子搭載面11に設けられ開口12aに対して基板対向面14側に位置する第2電極43の先端開口側端部43aよりも開口12aから離間するようにリードフレーム40を形成してもよい。開口12aから流れ出た接着剤70を、端子面13側の接続端子41に接続された第1電極42より先に、基板対向面14側の第2電極43に付着させ、積極的に基板対向面14側に流すことができる。なお、図2bに示すように金属板40aを折り曲げ成型してリードフレーム40をフェルール10とインサート成型で一体的に形成すると、以下の理由により素子搭載面11の片側にのみ接着剤70が流れていきやすい場合がある。例えば、図7に拡大して示すように、平板状の金属板40aの第1電極42は先端42aがキャビティ60a側に変形するように塑性変形される。一方、第2電極43は先端43aが第1横金型63側に変形するように塑性変形される。したがって、キャビティ60a内に樹脂を注入する状態では、第1電極42には、先端42aが第1横金型63に押し付けられるように反発力R1が作用し、第2電極43には、先端43aがキャビティ60a側に変形するように反発力R2が作用する。つまり、第1電極42の先端42aは第1横金型63に押し付けられるので、成形されたフェルール10において第1電極42の先端42aはフェルール10の樹脂内に埋没する虞がない。一方、第2電極43の先端43aは第1横金型63から離間するので、第2電極43の先端43aはフェルール10の樹脂内に埋没する虞がある。その結果、インサート成型されたフェルール10には、図8のリードフレーム40の正面図に示すように、素子搭載面11において、接続端子41に接続される第1電極42の露出面積が、第2電極43の露出面積より大きくなることがある。前述の如く、フェルール10を構成する樹脂よりもリードフレーム40を構成する金属の方が接着剤70に対する濡れ性が高いので、接着剤70はリードフレーム40を伝って広がろうとする。また、一旦、接着剤70がリードフレーム40に付着すると、毛細管現象により接着剤70は素子搭載面11、光電変換素子20及びバンプ21と間の微小な隙間を伝って広がってしまう。したがって、上述の如く第1電極42の方が第2電極43よりも露出面積が大きく形成された素子搭載面11に接着剤70が流れ出すと、接着剤70は第1電極42に付着しやすい。しかし、上述の如く素子搭載面11と端子面13とのなす角度が鋭角であるので、接着剤70は素子搭載面11と端子面13との境界で止まり、接続端子41に付着する虞が少ない。したがって、本発明は特にこのようなリードフレーム40とともにフェルール10をインサート成型する場合に好適である。また本実施形態においては、図3,8に示したようにバンプ21を、第1電極42の先端42a及び第3電極44上の2箇所に形成している。つまり、開口12aと基板対向面14との間よりも開口12aと端子面13との間に多くのバンプ21を形成している。更にいえば、開口12aと端子面13との間に形成されるバンプ21のリードフレーム40に対する接着面積を、開口12aと基板対向面14との間に形成されるバンプ21のリードフレーム40に対する接着面積よりも大きくされている。ところで、光電変換素子20と素子搭載面11との間の空間はバンプ21により狭められているので、接着剤70は多くのバンプ21が形成された領域である、開口12aより端子面13側に流れやすい。しかし、本実施形態によれば、素子搭載面11と端子面13とのなす角度が鋭角であるので、接着剤70は素子搭載面11と端子面13との境界で止まり、接続端子41に付着する虞が少ない。したがって、本発明は特にこのような形状の配線パターン及びバンプ21が形成されたリードフレーム40を用いる場合に好適である。以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができることは、当業者にとって明らかである。例えば、接続端子41は余長部分45を折り曲げて形成する例を挙げて説明したが、金属板40aの切断面を研磨して接続端子41を形成してもよい。切断面を接続端子41としてリードフレーム40全体の長さを短くすることにより、電気信号の伝送経路を短くして光電変換素子20の高周波特性を向上させることができる。また、リードフレーム40で形成する素子搭載面11上の配線パターンやバンプ21の形成位置は上述した形態に限られない。例えば、上述の実施形態では、第2,3電極43,44を端子面13や基板対向面14側に延びるように形成した例を挙げたが、開口12aの周りに円状の電極を設けてもよい。また、バンプ21に接着剤70が付着しやすいことを考慮し、開口12aと基板対向面14との間に、開口12aと端子面13との間よりも、多くのバンプ21を形成してもよい。更に、上述の実施形態では、フェルール10には4本の光ファイバ30が挿入される例を示したが、フェルール10に挿入される光ファイバ30の本数も図示の例に限られない。"