二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層とを備えた固体撮像装置。前記透明材料層は、前記オンチップレンズを覆って表面平坦化された第1中間層と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置された第2中間層とを備えた請求項1記載の固体撮像装置。前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0-n1|>|n0-n2|である請求項2記載の固体撮像装置。前記第2中間層の膜厚は、前記第1中間層の膜厚よりも厚い請求項2記載の固体撮像装置。前記オンチップレンズの焦点距離は、前記光電変換部が配置された各画素のサイズよりも小さい請求項1記載の固体撮像装置。二次元配列された光電変換部の上方に当該各光電変換部に対応して配置されたオンチップレンズと、当該オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されるマイクロレンズとの間に挟持される透明材料層を、前記光電変換部および前記オンチップレンズが形成された基板上、または前記マイクロレンズが形成された基板上に形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法。前記透明材料層を形成する工程は、前記オンチップレンズを覆った状態で表面平坦化された第1中間層を形成する工程と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置される第2中間層を形成する工程とを含む請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0-n1|>|n0-n2|である請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。前記光電変換部とこの上部の前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層および前記第2中間層をこの順に形成する工程と、前記第2中間層の上部に前記マイクロレンズを形成する工程とを含む請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層を形成する工程と、前記マイクロレンズが形成された基板上に、前記第2中間層を形成する工程と、前記第1中間層と前記第2中間層とを対向させて前記2つの基板を張り合わせる工程とを含む請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。前記マイクロレンズが形成された基板上に、当該マイクロレンズを覆って表面平坦化された前記第2中間層を形成する工程と、前記第2中間層上に前記オンチップレンズを反転させたレンズ形状を表面に有する前記第1中間層を形成する工程と、前記第1中間層上に、当該第1中間層のレンズ形状を埋め込んで表面平坦化された前記オンチップレンズを形成する工程と、前記光電変換部が形成された基板と、前記オンチップレンズが形成された基板とを、当該光電変換部と当該オンチップレンズとを対向させて張り合わせる工程とを含む請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層と、前記マイクロレンズに入射光を導く光学系と、前記光電変換部からの出力信号を処理する信号処理回路とを備えた電子機器。ところがこのような構成の複眼系の固体撮像装置では、マイクロレンズアレイと撮像ユニットとが空間部を介して配置されている。このため、例えば高温または高温高湿の使用環境下において、マイクロレンズアレイと撮像ユニットとの間の熱膨張係数差により、光軸ずれ等が発生し、シェーディング及び画質ムラなどの画質劣化が引き起こされる。そこで本開示は、マイクロレンズアレイと撮像ユニットとの間の光軸ずれに起因する画質劣化を抑えることが可能で、これにより使用環境によらずに高画質での撮像が可能な複眼系の固体撮像装置を提供することを目的とする。また本開示は、このような固体撮像装置の製造方法、およびこの固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。このような目的を達成するための本開示の固体撮像装置は、二次元配列された光電変換部と、各光電変換部に対応して当該各光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、複数のオンチップレンズ毎に対向配置されたマイクロレンズとを備えている。そして特に、オンチップレンズとマイクロレンズとの間に挟持された透明材料層を備えたことを特徴としている。このような構成の固体撮像装置では、オンチップレンズとマイクロレンズとの間に透明材料層を挟持させたことにより、光電変換部からマイクロレンズまでが空間部を介することなく一体化される。これにより、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズとマイクロレンズとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。また本開示はこのような固体撮像装置の製造方法でもあり、オンチップレンズとマイクロレンズとの間に挟持される透明材料層を、光電変換部およびオンチップレンズが形成された基板上、またはマイクロレンズが形成された基板上に形成する工程を含む。さらに本開示は、このような固体撮像装置を用いた電子機器でもあり、固体撮像装置のマイクロレンズに入射光を導く光学系と、固体撮像装置の光電変換部からの出力信号を処理する信号処理回路とを備えている。以上説明したように本開示によれば、オンチップレンズとこの上部のマイクロレンズとの間の熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなるため、使用環境によらずに複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。以下本開示の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。1.本開示の固体撮像装置の概略構成例2.第1実施形態凸型のオンチップレンズ凸型のマイクロレンズを用いた例3.第2実施形態凸型のオンチップレンズ凹型のマイクロレンズを用いた例4.第3実施形態凹型のオンチップレンズ凹型のマイクロレンズを用いた例5.第4実施形態電子機器の実施形態尚、各実施形態および変形例において共通の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪1.固体撮像装置の概略構成例≫図1に、本開示の各実施形態の製造方法を適用して作製される固体撮像装置の一例として、MOS型の固体撮像装置の概略構成を示す。この図に示す固体撮像装置1は、基板2の一面上に光電変換部を含む複数の画素3が規則的に2次元的に配列された画素領域を有している。各画素3には、光電変換部と、電荷蓄積部と、複数のトランジスタいわゆるMOSトランジスタおよび容量素子等で構成された画素回路とが設けられている。尚、複数の画素で画素回路の一部を共有している場合もある。以上のような画素領域の周辺部分には、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、水平駆動回路6、およびシステム制御回路7などの周辺回路が設けられている。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動線8を選択し、選択された画素駆動線8に画素を駆動するためのパルスを供給し、画素領域に配列された画素3を行単位で駆動する。すなわち、垂直駆動回路4は、画素領域に配列された各画素3を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、画素駆動線8に対して垂直に配線された垂直信号線9を通して、各画素3において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、画素3の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素3から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路5は、画素固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリングCDS:CorrelatedDoublesamplingや、信号増幅、アナログ/デジタル変換AD:AnalogDigitalConversion等の信号処理を行う。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を出力させる。システム制御回路7は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置1の内部情報などのデータを出力する。すなわち、システム制御回路7では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、および水平駆動回路6などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、および水平駆動回路6等に入力する。以上のような各周辺回路4~7と、各画素3に設けられた画素回路とで、各画素を駆動する駆動回路が構成されている。尚、周辺回路4~7は、画素領域に積層される位置に配置されていても良い。以上の構成において、画素3の上部には、複数の画素3毎に1つのマイクロレンズ10を設けたことにより、複眼系の固体撮像装置1が構成されている。ここでは一例として、3×3で配列された9つの画素3毎に、1つのマイクロレンズ10が設けられた例を図示している。≪2.第1実施形態凸型のオンチップレンズ凸型のマイクロレンズを用いた例≫[第1実施形態の固体撮像装置の構成]図2は、第1実施形態の固体撮像装置1aの要部断面図である。この図に示す固体撮像装置は、いわゆる複眼系の固体撮像装置LightFieldCameraであって、以下のように構成されている。複眼系の固体撮像装置1aは、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側を受光面とし、受光面側の表面層には、不純物領域からなる光電変換部21が二次元的に配列形成されている。この光電変換部21は、画素3毎に設けられている。このような基板2の受光面上には、保護絶縁膜23を介してカラーフィルタ層25が設けられている。このカラーフィルタ層25は、画素3毎にパターニングされた各色カラーフィルタによって構成されている。以上までの構成は、通常の固体撮像装置と同様であって良く、各画素3に配置される各部材の構成が限定されることはない。すなわち、光電変換部21は、図示したように基板2における受光面側となる一主面側のみに設けられるか、または一主面側から他の主面側にかけて設けられていても良い。また基板2には、必要に応じてここでの図示を省略した素子分離やフローティングディフュージョンなどの他の不純物領域が配置されていることとする。また、光電変換部21を含む不純物領域が設けられた基板2上には、ここでの図示を省略したゲート絶縁膜やゲート電極等が配置されていても良い。この場合、ゲート絶縁膜やゲート電極を覆う状態で、保護絶縁膜23が配置されていることとする。また、ゲート絶縁膜やゲート電極を含む画素回路は、基板2における受光面とは反対側の面に配置されていても良い。このようなカラーフィルタ層25上に、本開示に特徴的な各層が設けられている。すなわち、カラーフィルタ層25上には、Aオンチップレンズ27a、B第1中間層29、C第2中間層31、およびDマイクロレンズ10aがこの順に設けられている。以下、基板2側から順に詳細な構成を説明する。Aオンチップレンズ27aは、各画素3および各光電変換部21に対応して配置されており、ここでは例えば光入射方向に対して凸となる凸型のレンズであることとする。このようなオンチップレンズ27aは、光電変換部21で光電変換する波長の光に対して透過性を有する材料以下、透明材料と記すで構成され、屈折率n0の材料で構成されていることとする。尚、各光電変換部21上には複数個のオンチップレンズが積層されている場合もあるが、ここでのオンチップレンズ27aは最上層のオンチップレンズであることとする。ここでオンチップレンズ27aを構成する材料は、次の第1中間層29で説明するように、第1中間層29との屈折率差が大きい材料が用いられることが好ましい。特にここではオンチップレンズ27aが凸型のレンズであるため、透明材料の中でも屈折率が大きな材料が用いられることとする。ここでは一例として、窒化シリコン屈折率n0=1.9を用いてオンチップレンズ27aが構成されていることとする。またこのような凸型のオンチップレンズ27aを構成する材料としては、窒化シリコンの他に、窒化酸化シリコン屈折率n0=185、酸化チタン分散ポリシロキサン樹脂屈折率n0=18、酸化チタン分散アクリル樹脂屈折率n0=18等が例示される。尚、屈折率n0および以下で示す屈折率は、撮像波長である可視光の中心付近の波長λ=550nmに対する屈折率であることとする。B第1中間層29は、透明材料層として設けられた層であって、オンチップレンズ27aのレンズ形状を埋め込んで表面平坦に形成されている。この第1中間層29は、オンチップレンズ27aによる光電変換部21への集光特性が維持できる程度に、オンチップレンズ27aの屈折率n0との差が十分に大きい屈折率n1の材料で構成されていることが重要である。ここでは、オンチップレンズ27aが凸型のレンズであるため、透明材料の中でも屈折率が小さい材料を用いて第1中間層29が形成され、オンチップレンズ27aの屈折率n0と第1中間層29の屈折率n1とはn1<n0である。また、第1中間層29は、オンチップレンズ27aのレンズ形状が埋め込まれ、表面平坦に形成される程度の膜厚でれば良く、以降に説明するマイクロレンズ10aの焦点距離を考慮する必要はない。下記表1には、オンチップレンズ27aの屈折率n0と第1中間層29の屈折率n1との屈折率差a|n0-n1|、およびオンチップレンズ27aの焦点距離bを示す。さらに第1中間層29を大気屈折率n=1.0に置き換えた場合のオンチップレンズ27aの焦点距離を基準値=0とした場合の焦点距離差cを示す。また図3は、上記屈折率差aと焦点距離差cとの関係を示すグラフである。尚、オンチップレンズ27aは、窒化シリコン屈折率n0=1.9を用いて構成され、画素サイズ1.4μmに適用して形成したものであり、第1中間層29の屈折率n1を変化させることによって得たグラフである。上記表1およびグラフに示すように、各オンチップレンズ27aは、光の入射方向に隣接して配置される第1中間層29との屈折率差が小さくなると、焦点距離が大きくなる。オンチップレンズ27aの焦点距離が長くなると、オンチップレンズ27a-光電変換部21間の距離を大きくする必要があるため斜め光入射感度の悪化などが想定される。このため、オンチップレンズ27aには、第1中間層29を大気と置き換えた場合と同程度に小さい焦点距離が求められ、屈折率差|n0-n1|≧0.4となるように、第1中間層29を構成する材料が選択される。より好ましくは、オンチップレンズ27aの焦点距離が画素3のサイズよりも小さくなることとする。以上のような第1中間層29を構成する材料の選択に際しては、第1中間層29の膜厚t1の厚膜化を考慮する必要はない。具体的には、オンチップレンズ27aが窒化シリコン屈折率n0=1.9を用いて構成されている場合であれば、第1中間層29は、屈折率n1=1.5以下の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、フッ素含有ポリシロキサン樹脂屈折率n1=1.42、フッ素含有アクリル樹脂屈折率n1=142、中空シリカ粒子含有ポリシロキサン樹脂屈折率n1=135が例示される。C第2中間層31は、透明材料層として設けられた層であって、表面平坦に形成されている。この第2中間層31は、マイクロレンズ10aによるオンチップレンズ27aへの集光特性が維持できる程度の膜厚t2を有していることが重要である。このため、第2中間層31の膜厚t2と第1中間層29の膜厚t1とは、t2>t1となる。例えば、1つのマイクロレンズ10aが3×3画素に対応して配置され、画素サイズが1.4μmであり、最も焦点距離が短い半球のレンズ形状である場合、マイクロレンズ10aの焦点距離は[15×14μm×32/151]=6.3μmである。したがって、この場合の第2中間層31の膜厚t2は、マイクロレンズ10aの焦点距離6.3μmから第1中間層29の膜厚t1を引いた値に設定されることになる。しかしながら、例えばメルトフロー法を適用してマイクロレンズ10aを形成する場合であれば、オンチップレンズ27aと比較して体積が大きいマイクロレンズ10aを、半球に近い大きな曲率で形成することは困難である。このため、マイクロレンズ10aの焦点距離は、さらに大きくなる傾向にある。したがって、先の例では、半球と仮定したマイクロレンズ10aの焦点距離6.3μmから第1中間層29の膜厚t1を引いた値よりも、第2中間層31の膜厚t2はさらに大きく設定されることになる。このような第2中間層31を構成する材料の屈折率n2は、オンチップレンズ27aの屈折率n0、第1中間層29の屈折率n1に対して、|n0-n1|>|n0-n2|であって良い。また、第1中間層29と第2中間層31との界面での光反射を防止する観点からは、屈折率n1≒屈折率n2であることが好ましい。以上のような第2中間層31を構成する材料としては、アクリル樹脂屈折率n2=1.5、ポリシロキサン樹脂屈折率n2=15、ポリスチレン樹脂屈折率n2=16が例示される。これらの材料は、例えば乳酸エチルを溶剤として用いた場合、この溶剤中に多量に溶解可能である。このため、成膜時に高粘度の塗布溶液を形成可能であり、厚膜に塗布することができる。Dマイクロレンズ10aは、複数のオンチップレンズ27a毎に配置されており、ここでは例えば3×3で二次元配列された9画素のオンチップレンズ27a毎に、1つのマイクロレンズ10aが配置されていることとする。このようなマイクロレンズ10aは、例えば光入射方向に対して凸となる凸型のレンズであり、大気の屈折率n=1との差が十分に大きい屈折率n3を有する透明材料で構成されていることとする。ここではマイクロレンズ10aが凸型のレンズであるため、大気の屈折率n=1よりも大きな屈折率n3を有する材料が用いられる。またこのようにオンチップレンズ27aと比較して大型のマイクロレンズ10aを構成する材料としては、加工性も考慮した材料が選択して用いられる。このような材料としては、例えばポリヒドロキシスチレン系レジスト材料屈折率n3=15、窒化シリコン屈折率n3=1.9、アクリル系レジスト材料屈折率n3=15等の無機ガラス系または有機透明樹脂材料系材料が例示される。マイクロレンズ10aとして、屈折率n3が大きい材料を用いるほど、第2中間層31の膜厚t2が薄膜化される。[第1実施形態の固体撮像装置の製造方法]図4および図5は、第1実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図2に示した第1実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。[図4A]先ず図4Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側の各画素3に、マスク上からのイオン注入とその後の熱処理によって不純物領域からなる光電変換部21を形成する。また必要に応じて基板2の内部に他の不純物領域を形成し、さらに基板2上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。その後、基板2上に保護絶縁膜23を成膜する。この際、保護絶縁膜23は、以降に形成するオンチップレンズの焦点距離を考慮し、オンチップレンズの焦点が光電変換部21内に位置するように調整された膜厚で形成される。その後、保護絶縁膜23上部における各画素3に、各色のカラーフィルタをパターン形成する。これにより、保護絶縁膜23上にカラーフィルタ層25を形成する。[図4B]次に図4Bに示すように、カラーフィルタ層25上に、オンチップレンズ27aを形成する。ここでは、先に説明したように、窒化シリコン屈折率n0=1.9からなるオンチップレンズ27aを形成する。この際、先ずカラーフィルタ層25上に窒化シリコン膜を成膜し、この上部の各画素部分に対応させて独立した島状のレジストパターンを形成する。次に、メルトフロー法を適用し、熱処理を行うことによりレジストパターンを流動させ、表面張力によって凸型のレンズ形状に整形する。その後、凸型のレンズ形状を有するレジストパターンの上部から、レジストパターンと共に窒化シリコン膜をエッチングし、レジストパターンの曲面形状を窒化シリコン膜に転写する。これにより、窒化シリコンからなる凸型のオンチップレンズ27aを、各光電変換部21上に形成する。[図4C]次いで図4Cに示すように、オンチップレンズ27aのレンズ形状を埋め込む状態で、第1中間層29を成膜する。ここでは、オンチップレンズ27aを構成する窒化シリコンに対して、十分な屈折率差を有する透明材料を用いる。このような材料として、ここではフッ素含有ポリシロキサン樹脂屈折率n1=1.42を用い、スピンコート法を適用して第1中間層29を成膜する。この際、先ず溶媒としてプロプレングリコールモノメチルエーテルアセテ-トPEGMEAにフッ素含有ポリシロキサン樹脂を溶解させた溶液を、オンチップレンズ27a上にスピンコートする。この際、PEGMEAに対するフッ素含有ポリシロキサン樹脂の飽和溶解量は小さく、溶液は極めて低粘度である。このため、オンチップレンズ27a上へのスピンコートによる溶液の塗布膜厚には限界がある。しかしながら、ここではオンチップレンズ27aのレンズ形状が埋め込まれて表面平坦に溶液が塗布されれば良く、塗布膜厚の厚膜化が要求されることはなく、例えばオンチップレンズ27aの頂部から1μm程度の塗布膜厚で溶液を塗布する。尚、このような飽和溶解量が小さい溶液用いたスピンコート法においては、溶液が極めて低粘度であるため、オンチップレンズ27aの埋め込み性が良好となり、ボイド起因による画質欠陥が少ない良好な画質を提供することができる。その後、例えば120°C、1分の熱処理を行うことによって、オンチップレンズ27a上に塗布した溶液中の溶媒を乾燥除去し、引き続き230°C、5分の熱処理を行うことによってフッ素含有ポリシロキサン樹脂を十分に硬化させる。これにより、オンチップレンズ27aのレンズ形状が埋め込まれ、表面平坦に整形されたフッ素含有ポリシロキサン樹脂からなる第1中間層29を成膜する。この第1中間層29は、オンチップレンズ27aの頂部から1μm以下の膜厚t1となる。[図4D]次に、図4Dに示すように、第1中間層29上に第2中間層31を成膜する。ここでは、ある程度の厚膜で成膜可能な透明材料を用いて第2中間層31を成膜する。このような材料として、ここではアクリル樹脂屈折率n2=1.50を用い、スピンコート法を適用して第2中間層31を成膜する。この際、先ず溶媒としてPEGMEAにアクリル樹脂を溶解させた溶液を、第1中間層29上にスピンコートする。この際、PEGMEAに対するアクリル樹脂の飽和溶解量は、フッ素含有ポリシロキサン樹脂よりも大きく、溶液は高粘度である。したがって、スピンコートによる溶液の塗布膜厚は、厚膜化が可能である。ここでは、第2中間層31の必要膜厚に応じて、例えば塗布膜厚6.0μm程度に溶液を塗布する。その後、例えば120°C、1分の熱処理を行うことによって溶液中の溶媒を乾燥除去し、引き続き230°C、5分の熱処理を行うことによってアクリル樹脂を十分に硬化させる。これにより、第1中間層29上に、膜厚t2=6μm程度に厚膜化された第2中間層31を成膜する。尚、第2中間層31の形成は、スピンコート法の適用に限定されることはなく、印刷のような他の塗布法や、次の第2実施形態で説明する樹脂シートの貼り合わせを適用しても良い。[図5A]次に図5Aに示すように、リソグラフィー法を適用して第2中間層31上にレジストパターン35を形成する。このレジストパターン35は、先に説明したマイクロレンズの形成位置に対応して形成され、例えば3×3で二次元配列された9個のオンチップレンズ27a毎に対応して独立した島状に形成される。レジスト材料としては、ノボラック樹脂系レジスト材料屈折率n3=16を用い、先ずスピンコート法によって、第2中間層31上に未硬化のレジスト材料を膜厚1.5μm程度で塗布成膜する。次いで120°C、1分の熱処理を行うことで塗布成膜したレジスト膜中の溶媒を乾燥除去する。次に、レジスト膜に対してi線露光装置を用いたパターン露光を行う。その後、パターン露光されたレジスト膜に対して、2.38wtのテトラメチルアンモニウムハイドライドTMAHの水溶液を用いた現像処理を行うことにより、第2中間層31上にレジストパターン35を形成する。[図5B]次に、図5Bに示すように、メルトフローおよび硬化のためのポストエクスポージャベイク処理を行う。ここでは、例えば200°C、5分の熱処理を行うことにより、レジストパターン35を流動させ、表面張力によって凸状の曲面形状に整形すると共に、整形されたレジストパターン35を硬化させる。これによって、レジストパターン35をレンズ形状に整形してなるマイクロレンズ10aを形成する。以上により、図2を用いて説明した第1実施形態の固体撮像装置1aが得られる。尚、マイクロレンズ10aを、窒化シリコンのような無機材料で形成する場合には、次の第2実施形態で説明するマイクロレンズの形成方法を適用することができる。[第1実施形態の効果]以上説明した第1実施形態によれば、オンチップレンズ27aと、この上部において複数のオンチップレンズ27a毎に対応して配置されたマイクロレンズ10aとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより、オンチップレンズ27a下の光電変換部21からマイクロレンズ10aまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10aとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1aは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。また特に本第1実施形態では、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10aとの間に挟持させた透明材料層を、オンチップレンズ27a側の第1中間層29と、マイクロレンズ10a側の第2中間層31との積層構造とした。これにより、径が大きいマイクロレンズ10aの焦点距離に合わせた厚膜化が可能な材料を用いて第2中間層31を構成する一方、オンチップレンズ27aの集光性能のみを考慮した屈折率を有する材料を用いて第1中間層29を構成することが可能である。この結果、複眼系の固体撮像装置1aにおいて、径の大きいマイクロレンズ10aの焦点距離を確保しつつも、オンチップレンズ27a-光電変換部21間の距離を小さくして、隣接する画素3からの斜め入射光の侵入による感度の低下を防止することが可能になる。≪3.第2実施形態凸型のオンチップレンズ凹型のマイクロレンズを用いた例≫[第2実施形態の固体撮像装置の構成]図6は、第2実施形態の固体撮像装置1bの要部断面図である。この図に示す複眼系の固体撮像装置が第1実施形態の固体撮像装置と異なるところは、マイクロレンズ10bが凹型で構成されているところにあり、他の構成は同様であることとする。すなわち複眼系の固体撮像装置1bは、光電変換部21上に保護絶縁膜23およびカラーフィルタ層25を介してAオンチップレンズ27a、B第1中間層29、C第2中間層31、およびDマイクロレンズ10bがこの順に設けられている。このうち、Aオンチップレンズ27a、B第1中間層29、およびC第2中間層31は、第1実施形態と同様の構成である。Dマイクロレンズ10bの構成は以下の様である。Dマイクロレンズ10bは、光入射方向に対して凹となる凹型のレンズであって、第2中間層31側に凸となっている。このようなマイクロレンズ10bは、第2中間層31の屈折率n2との差が十分に大きい屈折率n3を有する透明材料で構成されていることとする。特にここではマイクロレンズ10bが凹型のレンズであるため、第2中間層31の屈折率n2よりも大きな屈折率n3を有する材料が用いられることとする。このため、第2中間層31の屈折率n2とマイクロレンズ10bの屈折率n3とはn2<n3である。さらにマイクロレンズ10bは、複数のオンチップレンズ27a毎に配置されていることは、第1実施形態と同様であり、ここでは例えば3×3で二次元配列された9画素のオンチップレンズ27a毎に、1つのマイクロレンズ10bが配置されていることとする。以上のように、第2中間層31との屈折率差が大きく、かつオンチップレンズ27aと比較して大型のマイクロレンズ10bを構成する材料としては、加工性も考慮した材料が選択して用いられる。ここで、第2中間層31は、アクリル樹脂屈折率n2=1.5、ポリシロキサン樹脂屈折率n2=15、ポリスチレン樹脂屈折率n2=16等で構成される。この場合、マイクロレンズ10bを構成する材料としては、例えば窒化シリコン屈折率n3=1.9、窒化酸化シリコン屈折率n3=1.85等が例示される。したがって、第2中間層31を構成する材料の屈折率n2は、オンチップレンズ27aの屈折率n0、第1中間層29に対して、|n0-n1|>|n0-n2|であって良い。また、第1中間層29と第2中間層31との界面での光反射を防止する観点からは、屈折率n1≒屈折率n2であることが好ましいことは、第1実施形態と同様である。さらに、第2中間層31の膜厚t2と第1中間層29の膜厚t1とは、t2>t1となる。尚、マイクロレンズ10bの上部には、以降に説明する製造工程において用いた透明基板41が設けられていても良い。[第2実施形態の固体撮像装置の製造方法]図7および図8は、第2実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図6に示した第2実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。[図7A]先ず図7Aに示すように、ガラスやプラスチック材料からなる透明基板41上に、マイクロレンズを形成するためのレンズ材料膜43を成膜する。ここでは、例えばプラズマCVDChemicalVaporDeposition法によって、窒化シリコンからなるレンズ材料膜43を成膜する。この際、一例として、成膜ガスとしてシランSiH4、アンモニアNH3、窒素N2の混合ガス種を用い、雰囲気温度400°C、RF電力800Wの条件で窒化シリコンからなるレンズ材料膜43を成膜する。次に、リソグラフィー法を適用してレンズ材料膜43上にレジストパターン45を形成する。このレジストパターン45は、先に説明したマイクロレンズの形成位置に対応して形成され、例えば3×3で二次元配列された9個のオンチップレンズ27a毎に対応して独立した島状に形成される。このようなレジストパターン45の形成方法は、第1実施形態で説明したレジストパターンの形成方法と同様であり、以下のように行う。レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂系レジスト材料を用い、先ずスピンコート法によって、レンズ材料膜43上に未硬化のレジスト材料を膜厚0.5μm程度で塗布成膜する。次いで120°C、1分の熱処理を行うことで塗布成膜したレジスト膜中の溶媒を乾燥除去する。次に、レジスト膜に対してi線露光装置を用いたパターン露光を行う。その後、パターン露光されたレジスト膜に対して、2.38wtのテトラメチルアンモニウムハイドライドTMAHの水溶液を用いた現像処理を行うことにより、レンズ材料膜43上にレジストパターン45を形成する。[図7B]次いで図7Bに示すように、メルトフロー法を適用し、レジストパターン45をレンズ形状に整形する。この際、例えば200°C、5分の熱処理を行うことにより、レジストパターン45を流動させ、表面張力によって凸状の曲面形状に整形すると共に、整形されたレジストパターン45を硬化させる。これによって、レジストパターン45をレンズ形状に整形する。[図7C]次に図7Cに示すように、レンズ形状に整形されたレジストパターン45の上部から、レジストパターン45と共に窒化シリコンからなるレンズ材料膜43をエッチングする。この際、エッチングガスとして四フッ化炭素CF4/酸素O2の混合ガスを用い、バイアス電力150W、ソース電力1000Wに設定したドライエッチングを行う。これにより、レジストパターン45の曲面形状をレンズ材料膜43に転写し、レンズ材料膜43からなるマイクロレンズ10bを形成する。[図7D]次いで図7Dに示すように、マイクロレンズ10bが形成された透明基板41上に、第2中間層31を形成する。この第2中間層31は、次に形成する第1中間層と合わせてマイクロレンズ10bの焦点距離を考慮した膜厚t2で形成されることとする。ここでは、例えば樹脂シートを用いた真空ラミネートにより、マイクロレンズ10bの上部に第2中間層31を貼り合わせる。この際、貼り合わせ後には、窒素N2雰囲気中において、130°C、5分の熱処理を行う。これにより、アクリル樹脂屈折率n2=1.5からなる第2中間層31の貼り合わせ面におけるボイドの除去と、表面平坦化を行う。尚、第2中間層31の形成は、樹脂シートの貼り合わせに限定されることはなく、例えば第1実施形態で説明した樹脂材料のスピンコート、さらには印刷など塗布法を適用しても良い。[図8A]また図8Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側に光電変換部21、保護絶縁膜23、カラーフィルタ層25、オンチップレンズ27a、および第1中間層29を形成しておく。これらの形成方法は、第1実施形態において図4A~図4Cを用いて説明した手順と同様に行う。このように第1中間層29までが形成された基板2と、第2中間層31までが形成された透明基板41とを、第1中間層29と第2中間層31とを対向させて配置する。この際、3×3画素に配置された9個のオンチップレンズ27a毎に、1つのマイクロレンズ10bが対向配置されるように位置合わせを行う。[図8B]次いで図8Bに示すように、基板2と透明基板41とを、第1中間層29-第2中間層31間で貼り合わせる。この際、110°Cの加熱条件下での熱接着を行う。その後、窒素N2雰囲気中において、130°C、5分の熱処理を行う。これによりアクリル樹脂シートからなる第2中間層31を硬化させると共に、例えばフッ素含有ポリシロキサン樹脂屈折率n1=1.42からなる第1中間層29との接着を確実にする。以上により、図6を用いて説明した第2実施形態の固体撮像装置1bが得られる。[第2実施形態の効果]以上説明した第2実施形態では、オンチップレンズ27aと、この上部において複数のオンチップレンズ27a毎に対応して配置されたマイクロレンズ10bとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより第1実施形態と同様に、オンチップレンズ27a下の光電変換部21からマイクロレンズ10bまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、第1実施形態と同様に、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10bとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1bは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。また本第2実施形態でも、オンチップレンズ27aとマイクロレンズ10bとの間に挟持させた透明材料層を、オンチップレンズ27a側の第1中間層29と、マイクロレンズ10b側の第2中間層31との積層構造とした。これにより、径が大きいマイクロレンズ10bの焦点距離に合わせた厚膜化が可能な材料を用いて第2中間層31を構成する一方、オンチップレンズ27aの集光性能のみを考慮した屈折率n1の材料を用いて第1中間層29を構成することが可能である。この結果、複眼系の固体撮像装置1bにおいて、径の大きいマイクロレンズ10bの焦点距離を確保しつつも、オンチップレンズ27a-光電変換部21間の距離を小さくして、隣接する画素3からの斜め入射光の侵入による感度の低下を防止することが可能になる。≪4.第3実施形態凹型のオンチップレンズ凹型のマイクロレンズを用いた例≫[第3実施形態の固体撮像装置の構成]図9は、第3実施形態の固体撮像装置1cの要部断面図である。この図に示す複眼系の固体撮像装置が他の固体撮像装置と異なるところは、オンチップレンズ27bが凹型で構成されているところにある。ここでは、オンチップレンズ27b以外の他の構成は、第2実施形態と同様であることとする。すなわち複眼系の固体撮像装置1cは、光電変換部21上に保護絶縁膜23およびカラーフィルタ層25を介してAオンチップレンズ27b、B第1中間層29、C第2中間層31、およびDマイクロレンズ10bがこの順に設けられている。このうち、B第1中間層29、C第2中間層31、およびDマイクロレンズ10bは、第2実施形態と同様の構成である。Aオンチップレンズ27bの構成は以下の様である。Aオンチップレンズ27bは、光入射方向に対して凹となる凹型のレンズであって、カラーフィルタ層25側に凸となっている。このようなオンチップレンズ27bは、第1中間層29の屈折率n1との差が十分に大きい屈折率n0を有する透明材料で構成されていることとする。特にここではオンチップレンズ27bが凹型のレンズであるため、オンチップレンズ27bの屈折率n0と第1中間層29の屈折率n1とは、n0<n1である。ここで第1中間層29は、第2中間層31と屈折率が近い材料を用いることが好ましく、第1中間層29の屈折率n1と第2中間層31の屈折率n2とがn1≒n2であることは他の実施形態と同様である。例えば、第1中間層29として、屈折率n1=1.5程度の材料を用いた場合、オンチップレンズ27bは、屈折率n0<1.5で、かつ|n0-n1|>|n0-n2|となる材料が用いられる。また、第2中間層31の膜厚t2と第1中間層29の膜厚t1とは、t2>t1となる。[第3実施形態の固体撮像装置の製造方法]図10および図11は、第3実施形態の固体撮像装置の製造手順を示す断面工程図である。以下、これらの図に従って、図9に示した第3実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明する。[図10A]先ず図10Aに示すように、ガラスやプラスチック材料からなる透明基板41上に、マイクロレンズ10bを形成する。マイクロレンズ10bの形成は、一例として第2実施形態において図7A~図7Cを用いて説明した手順と同様に行う。[図10B]先ず図10Bに示すように、マイクロレンズ10bが形成された透明基板41上に、第2中間層31を形成する。この第2中間層31は、次に形成する第1中間層と合わせてマイクロレンズ10bの焦点距離を考慮した膜厚t2で形成されることとする。このような第2中間層31の形成は、第1実施形態において図4Dを用いて説明したスピンコート法、または印刷法のような塗布法、さらには第2実施形態において図7Dを用いて説明した樹脂シートの貼り合わせによって行う。[図10C]先ず図10Cに示すように、第2中間層31上に、表面に凸レンズ形状を有する第1中間層29を形成する。ここでは例えば、例えばメルトフロー法を適用することにより、レジストパターンを凸レンズ形状に形成し、各凸レンズ形状を底部で連続させた第1中間層29を形成する。この際、各マイクロレンズ10bに対して3×3個分の凸レンズ形状を形成する。[図10D]その後、図10Dに示すように、第2中間層31上に、当該第2中間層31の表面に形成した凸レンズ形状を埋め込むと共に表面平坦にレンズ材料膜を成膜することにより、各凸レンズ形状に倣った凹レンズ形状を有するオンチップレンズ27bを形成する。[図11A]また図11Aに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基板2の一主面側に光電変換部21、保護絶縁膜23、およびカラーフィルタ層25を形成しておく。これらの形成方法は、第1実施形態において図4Aを用いて説明した手順と同様に行う。このようにカラーフィルタ層25までが形成された基板2と、オンチップレンズ27bまでが形成された透明基板41とを、カラーフィルタ層25とオンチップレンズ27bとを対向させて配置する。この際、各オンチップレンズ27bと各光電変換部21とが対向配置されるように位置合わせを行う。[図11B]その後、図11Bに示すように、基板2と透明基板41とを、カラーフィルタ層25-オンチップレンズ27b間で貼り合わせる。この際、加熱条件下での熱接着を行う。その後、必要に応じて窒素N2雰囲気中において熱処理を行い、オンチップレンズ27bとカラーフィルタ層25との接着を確実にする。以上により、図9を用いて説明した第3実施形態の固体撮像装置1cが得られる。[第3実施形態の効果]以上説明した第3実施形態であっても、オンチップレンズ27bと、この上部において複数のオンチップレンズ27b毎に対応して配置されたマイクロレンズ10bとの間に、第1中間層29および第2中間層31からなる透明材料層を挟持させた。これにより他の実施形態と同様に、オンチップレンズ27b下の光電変換部21からマイクロレンズ10bまでが、空間部を介することなく一体化された構成となる。このため、他の実施形態と同様に、高温高湿の使用環境下においても、オンチップレンズ27bとマイクロレンズ10bとの間に、熱膨張係数差による光軸ずれが発生し難くなる。この結果、使用環境によらずに、複眼系の固体撮像装置においての撮像画質の向上を図ることが可能になる。またこの固体撮像装置1cは、空間部を介することなく一体化された構造であるため、感度特性に優れ、かつフレアゴーストが低減された良好な画質を提供することが可能である。また本第3実施形態でも、オンチップレンズ27bとマイクロレンズ10bとの間に挟持させた透明材料層を、オンチップレンズ27b側の第1中間層29と、マイクロレンズ10b側の第2中間層31との積層構造とした。これにより、径が大きいマイクロレンズ10bの焦点距離に合わせた厚膜化が可能な材料を用いて第2中間層31を構成する一方、オンチップレンズ27bの集光性能のみを考慮した屈折率n1を有する材料を用いて第1中間層29を構成することが可能である。この結果、複眼系の固体撮像装置1cにおいて、径の大きいマイクロレンズ10bの焦点距離を確保しつつも、オンチップレンズ27b-光電変換部21間の距離を小さくして、隣接する画素3からの斜め入射光の侵入による感度の低下を防止することが可能になる。≪5.第4実施形態電子機器の実施形態≫上述の各実施形態で説明した本開示に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能付の小型携帯端末やコンピュータ、さらには撮像機能を備えたロボットビジョンなどの電子機器に適用することができる。図12は、本開示に係る電子機器の一例として、固体撮像装置を用いたカメラの構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。本実施形態例のカメラ91は、固体撮像装置1と、固体撮像装置1の受光センサ部に入射光を導く光学系93と、シャッタ装置94と、固体撮像装置1を駆動する駆動回路95と、固体撮像装置1の出力信号を処理する信号処理回路96とを有する。固体撮像装置1には、上述した各実施形態で説明した固体撮像装置1a~1cが適用される。光学系光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置1内に、一定期間信号電荷が蓄積される。光学系93は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としても良い。シャッタ装置94は、固体撮像装置1への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置1の転送動作及びシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路95から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置1の信号転送を行う。信号処理回路96は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。以上説明した本実施形態に係る電子機器によれば、使用環境によらずに撮像画質の向上が図られた複眼系の固体撮像装置1を用いたことにより、複眼系の固体撮像装置を備えた電子機器の信頼性の向上を図ることが可能になる。尚、本技術は以下のような構成も取ることができる。1二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層とを備えた固体撮像装置。2前記透明材料層は、前記オンチップレンズを覆って表面平坦化された第1中間層と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置された第2中間層とを備えた1に記載の固体撮像装置。3前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0-n1|>|n0-n2|である2に記載の固体撮像装置。4前記第2中間層の膜厚は、前記第1中間層の膜厚よりも厚い2または3に記載の固体撮像装置。5前記オンチップレンズの焦点距離は、前記光電変換部が配置された各画素のサイズよりも小さい1~4の何れかに記載の固体撮像装置。6二次元配列された光電変換部の上部に当該各光電変換部に対応して配置されたオンチップレンズと、当該オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されるマイクロレンズとの間に挟持される透明材料層を、前記光電変換部および前記オンチップレンズが形成された基板上、または前記マイクロレンズが形成された基板上に形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法。7前記透明材料層を形成する工程は、前記オンチップレンズを覆った状態で表面平坦化された第1中間層を形成する工程と、前記第1中間層と前記マイクロレンズとの間に配置される第2中間層を形成する工程とを含む6に記載の固体撮像装置の製造方法。8前記オンチップレンズの屈折率n0、前記第1中間層の屈折率n1、前記第2中間層の屈折率n2とした場合、|n0-n1|>|n0-n2|である7に記載の固体撮像装置の製造方法。9前記光電変換部とこの上部の前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層および前記第2中間層をこの順に形成する工程と、前記第2中間層の上部に前記マイクロレンズを形成する工程とを含む7または8に記載の固体撮像装置の製造方法。10前記オンチップレンズが形成された基板上に、前記第1中間層を形成する工程と、前記マイクロレンズが形成された基板上に、前記第2中間層を形成する工程と、前記第1中間層と前記第2中間層とを対向させて前記2つの基板を張り合わせる工程とを含む7または8に記載の固体撮像装置の製造方法。11前記マイクロレンズが形成された基板上に、当該マイクロレンズを覆って表面平坦化された前記第2中間層を形成する工程と、前記第2中間層上に前記オンチップレンズを反転させたレンズ形状を表面に有する前記第1中間層を形成する工程と、前記第1中間層上に、当該第1中間層のレンズ形状を埋め込んで表面平坦化された前記オンチップレンズを形成する工程と、前記光電変換部が形成された基板と、前記オンチップレンズが形成された基板とを、当該光電変換部と当該オンチップレンズとを対向させて張り合わせる工程とを含む7または8に記載の固体撮像装置の製造方法。12二次元配列された光電変換部と、前記各光電変換部に対応して当該光電変換部の上方に二次元配列されたオンチップレンズと、前記オンチップレンズのうちの複数毎に対向配置されたマイクロレンズと、前記オンチップレンズと前記マイクロレンズとの間に挟持された透明材料層と、前記マイクロレンズに入射光を導く光学系と、前記光電変換部からの出力信号を処理する信号処理回路とを備えた電子機器。