少なくとも1個以上の半導体チップが搭載されたチップLEDにおいて、前記半導体チップのうち少なくとも1個は発光素子であり、裏面に裏面金属層を備えている実装基板に表面側から前記裏面側に向けて凹部が形成されていると共に、当該凹部の底面および内壁面に金属層が形成されており、前記発光素子は前記凹部の底面に形成されている前記金属層にダイボンドされていると共に、前記実装基板の表面に形成されている配線パターンにワイヤボンドされ、前記凹部の底面に形成されている金属層は前記実装基板の裏面に形成されている裏面金属層と電気的に導通していて、前記裏面金属層が、前記発光素子で発生した熱が放熱される放熱経路を構成することを特徴とするチップLED。前記凹部の深さが前記発光素子の厚さより大きいことを特徴とする請求項1記載のチップLED。蛍光体を含むシリコーン樹脂で前記凹部を埋め、その外部をエポキシ樹脂で覆ったことを特徴とする請求項1又は2記載のチップLED。請求項1~3のいずれか一項記載のチップLEDをハンダ付けによってメタル基板に搭載する際に、前記裏面金属層が当該メタル基板のメタル部に同時にハンダ付けされていることを特徴とするLEDモジュール。図1を用いて従来の一般的なチップLEDを説明する。両面表面と裏面に銅箔をラミネートしたガラスエポキシ製の基板材14にスルーホールをドリルで穴あけ加工し、無電解で銅をメッキし、パターン形成後、さらに電解或いは無電解で銅NiAu、あるいは、銅NiAgのめっきを施して配線パターン9を形成して実装基板2が準備されている。発光素子1以後、LEDチップというは配線パターン9上に銀ペースト図中では不図示でダイボンドされ、金線10で配線パターン9にワイヤボンドされた後、エポキシ樹脂8でトランスファーモールドされる。このような従来のチップLEDの構造の場合、LEDチップ1で発生した熱はほとんどが銅箔銅NiAu、あるいは、銅NiAgのめっきからなる配線パターン9を通して放熱される。しかし、使用されている銅箔は、メッキ層を含めても、通常36μmと薄いので、放熱効率はあまりよくない。また、青色発光チップに蛍光体を混ぜたエポキシ樹脂で封止し白色系発光のチップLEDを作る場合、短波長の光でエポキシ樹脂が黄変し、光出力が低下する問題がある。光出力が小さいものでは、劣化も少ないので、あまり問題にならないが、光出力を大きくすると劣化が極めて早くなるという問題がある。エポキシ樹脂で封止する前にチップ1の表面をシリコーン樹脂で覆うことで対策する方法もあるが、従来のチップLEDの構造で実施するとシリコーン樹脂が流れて広がり、エポキシ樹脂の接着力を阻害するので、チップLEDにおいては、あまり使用されていなかった。この発明は、上述した従来のチップLEDの問題を解決し、液晶テレビのバックライトや照明用に使用できるチップLEDを提供することを目的にしている。請求項1記載の発明は、少なくとも1個以上の半導体チップが搭載されたチップLEDにおいて、前記半導体チップのうち少なくとも1個は発光素子であり、裏面に裏面金属層を備えている実装基板に表面側から前記裏面側に向けて凹部が形成されていると共に、当該凹部の底面および内壁面に金属層が形成されており、前記発光素子は前記凹部の底面に形成されている前記金属層にダイボンドされていると共に、前記実装基板の表面に形成されている配線パターンにワイヤボンドされ、前記凹部の底面に形成されている金属層は前記実装基板の裏面に形成されている裏面金属層と電気的に導通していて、前記裏面金属層が、前記発光素子で発生した熱が放熱される放熱経路を構成することを特徴とするチップLEDである。請求項2記載の発明は、前記凹部の深さが前記発光素子の厚さより大きいことを特徴とする請求項1記載のチップLEDである。請求項3記載の発明は、蛍光体を含むシリコーン樹脂で前記凹部を埋め、その外部をエポキシ樹脂で覆ったことを特徴とする請求項1又は2記載のチップLEDである。請求項4記載の発明は、請求項1~3のいずれか一項記載のチップLEDをハンダ付けによってメタル基板に搭載する際に、前記裏面金属層が当該メタル基板のメタル部に同時にハンダ付けされていることを特徴とするLEDモジュールである。この発明によれば、液晶テレビのバックライトや照明用に使用できるチップLEDを提供することができる。この発明によれば、チップLEDの生産性、低コストの特徴を生かしたまま、高電力、高光出力のLEDを提供することができる。この発明によれば、放熱性がよく、温度サイクルに対して強い高信頼性のLEDモジュールを提供することができる。以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図2aに示すごとく、両面表面と裏面に銅箔をラミネートしたガラスエポキシ製の基板材14を用いる。基板材14の裏面側に配備されている裏面金属層6に到達する凹部3を表面側から形成する図2c。凹部3の底面及び内壁面に金属層5を形成する図2e。金属層5は、例えば、メッキによって形成する。チップLEDはスルーホール11も必要なので、スルーホール11と凹部3の底面及び内壁面に金属層5を同時に形成するのが効率的である図2e。メッキ後、写真食刻法などによってパターンを形成したものをチップLED用の実装基板2として使用する。凹部3の底面に形成されている金属層5にLEDチップ1を銀ペーストでダイボンドする図3a。実装基板2の表面に形成されている配線パターンにワイヤボンドした後、樹脂封止を行って、図3a、b図示の本発明のチップLEDとする。図3a、b図示の本発明のチップLEDの裏面金属層6を、回路基板12にハンダ付けして本発明のチップLEDを回路基板12に実装すると、図4のごとく、LEDチップ1がダイボンドされた金属層5及び、金属層5の裏面側に位置する裏面金属層6が放熱用に利用される。すなわち、裏面金属層6が、LEDチップ1で発生した熱が放熱される放熱経路を構成する。これによって、LEDチップ1で発生した熱が主に裏面金属層6を通して放熱される点に本発明の特徴がある。このような本発明のチップLEDによれば、従来に比べ数十倍の放熱効果を得ることができる。また、青色チップを使用する場合に発生する樹脂の黄変の問題も凹部3を設けたことにより、当該凹部3に短波長で変色し難いシリコーン樹脂7を充填することが可能になり、これにより樹脂の黄変問題も大幅に改善することが可能になる。以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明するが本発明は上述した好ましい実施の形態及び、以下の実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々に変更可能である。従来のチップLEDと同じように、両面表面と裏面に銅箔をラミネートしたガラスエポキシ製の基板材14を用いる図2a。LEDチップ1を搭載する側の面表側の面の銅箔13をフォトエッチングにより開口する。次に、開口して露出したガラスエポキシ製の基板材14を、銅箔13をマスクにしてレーザー加工で削り、凹部3を形成する。凹部3はLEDの光の反射を考え、凹部3の深さはLEDチップ1の厚みより大きく、且つ開口部に向かって広がるように傾斜を設けた形状にすることが望ましい。また、凹部3の底面4は基板材14の裏面の銅箔、すなわち、裏面金属層6に達していることが重要である。プラズマ処理で凹部3の底面4の裏面金属層6の表面側図中、上側をクリーニングした後、必要に応じて裏面金属層6の表側図中、上側の面の平滑処理を行う。凹部3の底面4は裏面金属層6を形成している電解銅箔の凹凸面なので、この凹凸がダイボンド時、問題になることがあるためである。このような時、キリンス処理等の銅表面の平滑処理を施せばよい。次に、ドリル加工でスルーホール11用の孔を形成し図2d、銅の無電解メッキによりスルーホール11の側面と、凹部3の底面4及び傾斜面に形成されている内壁面15にメッキが施される。上述したように凹部3はLEDの光の反射を考慮することが望ましいので、内壁面15にメッキにより形成される金属層5は光の反射率が良い金属で形成することが望ましい。例えば、凹部3の傾斜面に形成されている内壁面15の表面を銀メッキ仕上げにすれば青色などの短波長に対する反射率がよくなり、光の取り出し効率を改善できる。その後、フォトエッチングでパターンを形成し、銅NiAuまたは銅NiAgメッキを施す。こうにして、図2eに示す、本発明に使用する実装基板2が完成する。なお、Agメッキは青色光に対する光の反射率がよいので、発光効率の点でメッキ表面はAuよりAgの方がよい。ただしAgはマイグレーションを起こし易いのと、硫化ガスと反応し黒く変色して、反射率が著しく低下するので、この点の考慮が必要になる。マイグレーションに関しては、必要に応じて銀メッキ時にPdを少量添加することで改善可能である。使用前の硫化に関しては、梱包をドライ窒素ガス封入したアルミパック梱包とすることで改善できる。使用後の硫化に関しては、封止樹脂にガス透過率の低いエポキシ樹脂を使用することにより改善できる。また、Agの変わりにAlを使用することも可能である。Alは蒸着でつけるので、スパッタリングを用いることができる。この場合、前記のCu-Ni-Auの換わりにCu-Niメッキ後、Al蒸着を行うか、或いはCuメッキ後、Ti-Al蒸着を行うようにすることができる。上述したように凹部3をレーザー加工で形成することにより、凹部3の形状は様々なものにすることができる。例えば、図3は、平面視で円状の凹部3に正方形のLEDチップ1を搭載したものである。図5は、平面視で楕円状の凹部3に長方形のLEDチップ1を搭載し、図6は、平面視で楕円状の凹部3に正方形のLEDチップ1を2個搭載したものである。また、小型にするために、図7のごとく、LEDチップ1と同じ平面視で四角の凹部3にすることも可能である。図8は青色のLEDチップ1に蛍光体を載せたものと、赤色のLEDチップ1 ́を載せた2in1パッケージのチップLEDの例である。暖色系照明の場合、従来、青色チップに黄色と赤の蛍光体を載せているが、赤の蛍光体は価格が高く、また効率があまり良くない。赤の蛍光体の換わりに、図8図示のように、赤色のLEDチップを使用した方が発光効率よくなる。すなわち、青色のLEDチップ1は蛍光体で覆い、赤色のLEDチップ1 ́は蛍光体で覆わない構造にしたものが図8に例示したものである。この場合、青色のLEDチップに黄色蛍光体で白色系にして、さらに赤色のLEDチップで暖色系にする方法と、青色のLEDチップに緑の蛍光体を載せ、更に、赤色のLEDチップで、白色系、或いは暖色系にする方法がある。このように青色と赤色の2チップを使用すれば、各々に流す電流を変化させることにより、照明の色温度を変えることが可能になります。なお、赤色を凹部のない部分に組み立てることも可能であるが、凹部に組み立てることにより、放熱性が良くなり赤色チップの温度上昇を抑えることが出来る。赤色は青色に比べ、高温での発光効率が悪くなるので、色バランスが崩れやすい問題があった。本発明によれば、赤色の温度上昇を抑えることにより、この点も改善可能である。図3~図8に応用例を示したが、必要に応じて、静電気対策としてツェナーダイオードチップをチップLED内に実装することが当然に可能である。照明は100Vや200VのAC電源で使われる。LEDの順方向電圧以後、Vfというは、青色で約3V、赤色で約2Vである。電力効率を上げるためにはLEDを直列に並べVfを大きくする必要がある。1つのチップ内に沢山のダイオードを形成すればVfをあげることが出来る。例えば、台湾Epistar社製HV-LEDはこのように1チップ内に沢山のLEDを直列に形成して、Vfが45Vの製品を作っている。このようにすれば小さいスペースでLED照明の光源部分が作ることができる。また、InGaN系の青色チップはどうしてもVfのバラツキが大きくなるが、例えば1チップ45V品の場合、14個のダイオードを直列につないだものである。14個も直列につなぐとVfのバラツキは大きくなる。Vfの差が大きいと流れる電流も変わり、明るさにもバラツキが生じる。このような問題を緩和するため、例えば図9に示すごとく、予め1個のダイオードの両端を配線17でショートさせ、電気的テスト時に必要に応じて、ショートした配線17をレーザートリミング等によりカットし、Vfを1ダイオード分上げて、バラツキを調整することが出来る。本発明のチップLEDは液晶テレビや照明に使用される。図4に示すごとく、ハンダ19を介して、回路基板12にハンダ付けされる。なお、回路基板には、一般的に、アルミニウムまたは銅をベースとしたメタル基板18が使用される。ハンダ付けはハンダペーストを使用したリフロー法によって行われるが、本発明のチップLEDをハンダ付けによってメタル基板18に搭載する際に、LEDチップの裏面金属層6も同時に当該メタル基板18のメタル部にハンダ付けすれば非常に放熱性の良いLEDモジュールが完成する。さらに、本発明のチップLEDにおけるガラスエポキシ基板の熱膨張係数は14~16×10-6であって、メタル基板18が銅の場合、その熱膨張係数は16.8×10-6、アルミニウムの場合、その熱膨張係数は23×10-6である。そこで、本発明のチップLEDとメタル基板18の熱膨張係数の差は小さく、上述した構造からなる本発明のLEDモジュールは、温度サイクルに対し強い高信頼性のものとなる。以下、本発明のチップLEDの良好な放熱効率について、図1に図示した、従来のチップLED3215タイプと比較して説明する。前記で3215は外形サイズを示す。これを、図10を用いて説明する。図10は図1bを略して、寸法等を付加したものである。配線パターン9の寸法を図10に示すようにした場合、LEDチップ1での発熱はほとんど配線パターン9を形成している銅箔を通して放熱される。LEDチップ1は銅箔からなる配線パターン9、封止用のエポキシ樹脂8と、ガラスエポキシ製の基板材14に囲まれているが、熱伝導率の比較をすると銅=398W/mk、樹脂がエポキシの場合0.21W/mk、ガラスエポキシが0.42W/mkであることから、実際、図11の矢印ごとく、熱は、銅箔からなる配線パターン9を伝わってほとんど放熱される。簡易的に発熱源の中心をLEDチップ1の中心Y-Y ́線とし、封止樹脂、ガラスエポキシの放熱を無視して計算すると以下のようになる。メッキ層を含む銅箔配線パターン9の膜厚:36μm、0.5mm2のLEDチップ1を使用し、1Wの電力を流した場合、ハンダ付け部b点の温度とLEDチップ1の温度との差はab=98.7°Cになる。LEDチップ1の中心とa点の温度差={1.0×10-3/36×10-6×1.0×10-3}×1/398=69.8°Ca点とb点の温度差={0.6×10-3/36×10-6×1.5×10-3}×1/398=27.9°C本発明のチップLEDは、従来と同様、熱は銅箔配線パターン9を通して流れる。裏面金属層6を形成する銅箔の厚みが18μm、追加したメッキ厚が18μmとした場合、全体の銅箔の厚さは従来と同様に36μmになる。本発明のチップLEDにおいては、図12の矢印のごとく熱はダイボンドした銅箔の真下を通して流れるので、LEDチップの中心とハンダ付け部c点の温度差は次のようになる。チップ中心とc点の温度差={36×10-6/0.5×0.5×10-6}×1/398=0.36°C周囲温度が25°Cとすると従来品はLEDチップの温度は97.725=122.7°C、本発明の構造は250.36=約26°Cとなる。チップ温度はLEDの寿命や発光効率に大きな影響を与える。また発光波長も変化するので、TV用のバックライト光源用途では大きな問題となる。またチップの接合温度の最大値は120°C前後で規定されているので、従来品では1Wの電力は流せないという結論になる。以上は概算であるが、本発明の効果は明らかである。実際のLEDチップの発熱は接合で発熱し、銀ペースト→銀または金メッキ層→ニッケルメッキ層→銅メッキ層→銅箔を伝わって流れるが、ここでの温度上昇は3°C以下であり、微少である。また、前述したようにガラスエポキシおよび封止樹脂を通しての放熱も微々たるものであるので、ここでは省略した。白色LEDへの適用白色LEDは青色発光素子を、蛍光体を含む樹脂で覆い白色を出しているのが一般的である参考:特許文献2。従来から、通常、LEDの封止樹脂にはエポキシ樹脂が用いられている。エポキシ樹脂は青色の短波長の光で劣化し変色することで寿命が短くなる。そこで、一般的に、変色し難いシリコーン樹脂でLEDチップの表面をまず覆っている。しかし、従来のチップLEDの構造では、LEDチップを予めシリコーン樹脂で覆おうとすると、シリコーン樹脂が流れて広がってしまい使用困難であった。そこで、従来は、蛍光体をエポキシ樹脂中に混ぜて使用していたが、青色の短波長光による樹脂変色を避けるため、小電力低光度のLEDにしか適用できなかった。本発明のチップLEDでは、図3に示すごとく、凹部3に蛍光体を混ぜたシリコーン樹脂7を充填してLEDチップ1を覆うことが出来る。更に、エポキシ樹脂8でトランスファーモールドできる。そこで、チップ表面の樹脂変色の問題を改善できる。凹部3の金属層5の表面を銀メッキ仕上げにすれば青色などの短波長に対する反射率がよくなりで、光の取り出し効率を改善できる。また、エポキシ樹脂8とシリコーン樹脂7の二重樹脂封止により信頼性の優れたものになる。すなわち、エポキシ樹脂8は吸湿するが透湿せず、シリコーン樹脂7は透湿するが吸湿しないというそれぞれの欠点が補完され、特徴が生かさる。上述したように、銀メッキは硫黄と反応し、硫化銀という黒色の物質に変化し、光度を大幅に減少させる問題があるが、シリコーン樹脂のみで封止した場合、シリコーン樹脂はガスを通すので硫化ガスが入り問題を起こす可能性がある。これに対して、エポキシ樹脂との二重封止であればエポキシ樹脂がガスを通さないので、この問題を改善できる。