InP基板上に複数の波長の光を発する発光層を有する半導体素子であって、前記発光層が、InAsの井戸層とInGaAsの障壁層からなる量子井戸構造と、当該量子井戸構造の一部を無秩序化した少なくとも1つの他の量子井戸構造とからなり、無秩序化により、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長を、前記量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長より短波長化したことを特徴とする半導体素子。請求項1に記載の半導体素子において、前記他の量子井戸構造は、前記量子井戸構造の上層に順次形成されたキャップ層及び誘電体膜と共に熱処理を行うことにより、無秩序化されたものであることを特徴とする半導体素子。請求項2に記載の半導体素子において、前記キャップ層の厚さ又は前記誘電体膜の種類の少なくとも一方を変更することにより、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光を所望の波長に短波長化したことを特徴とする半導体素子。請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の半導体素子において、前記量子井戸構造からなる発光層及び前記他の量子井戸構造からなる発光層の各々の単一モード発振波長を、複数のガスの吸収線と一致させたことを特徴とする多波長半導体レーザ。請求項4に記載の多波長半導体レーザを搭載し、出射光軸を1つにしたことを特徴とする多波長半導体レーザモジュール。請求項4に記載の多波長半導体レーザ又は請求項5に記載の多波長半導体レーザモジュールを光源として用いたことを特徴とするガスセンシングシステム。InP基板上にInAsの井戸層とInGaAsの障壁層からなる量子井戸構造を成長させる工程と、前記量子井戸構造の上層にキャップ層を積層する工程と、前記キャップ層の表面の一部に誘電体膜を形成する工程と、前記量子井戸構造を前記キャップ層及び前記誘電体膜と共に熱処理することにより、前記誘電体膜下部の前記量子井戸構造を無秩序化した他の量子井戸構造を形成する工程とを有し、無秩序化により、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長を、前記量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長より短波長化することを特徴とする半導体素子の製造方法。請求項7に記載の半導体素子の製造方法において、前記キャップ層の厚さ又は前記誘電体膜の種類の少なくとも一方を変更することにより、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光を所望の波長に短波長化することを特徴とする半導体素子の製造方法。吸収分光法によるガス検出は、分子選択性に優れることから、多種類のガスが混在している状況下でも所望のガスのみを高感度に検出できる利点がある。そのため、多種類のガスの中から、同時に複数のガスを検出することも可能である。しかしながら、吸収分光法では、ガス種に固有の吸収線を用いるため、ガス毎に発振波長の異なる半導体レーザが必要となる。例えば、同一箇所を測定する場合においても、3種類のガスを検出するためには、発振波長の異なる3つの半導体レーザモジュールが必要となる。更に、それぞれのレーザ光を別々の光路で用いる場合には、それに準じた数の受光器も必要となる。又、複数のレーザ光を1つの受光器で受光する場合においても、複数のレーザ光を合波する機構が必要となる。又、発振波長が異なる複数の半導体レーザチップを1つのモジュール内に搭載する場合においても、レンズ配置などの光学系の複雑化を避けることはできない。つまり、従来の技術では、複数のガスを吸収分光法で検出する場合、半導体レーザや受光器などの部品点数の増加や装置構造の複雑化により、システムが大型かつ高価になってしまうという課題があった。本発明は、上記課題に鑑み提案されたもので、その目的とするところは、多種類のガスの吸収線に一致した、2μm波長帯の複数の波長で発振可能な半導体素子、多波長半導体レーザ、多波長半導体レーザモジュール、ガスセンシングシステム及び半導体素子の製造方法を提供することにある。上記課題を解決する第1の発明に係る半導体素子は、InP基板上に複数の波長の光を発する発光層を有する半導体素子であって、前記発光層が、InAsの井戸層とInGaAsの障壁層からなる量子井戸構造と、当該量子井戸構造の一部を無秩序化した少なくとも1つの他の量子井戸構造とからなり、無秩序化により、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長を、前記量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長より短波長化したことを特徴とする。上記課題を解決する第2の発明に係る半導体素子は、上記第1の発明に記載の半導体素子において、前記他の量子井戸構造は、前記量子井戸構造の上層に順次形成されたキャップ層及び誘電体膜と共に熱処理を行うことにより、無秩序化されたものであることを特徴とする。上記課題を解決する第3の発明に係る半導体素子は、上記第2の発明に記載の半導体素子において、前記キャップ層の厚さ又は前記誘電体膜の種類の少なくとも一方を変更することにより、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光を所望の波長に短波長化したことを特徴とする。更に、前記熱処理の温度を変更しても所望の波長に短波長化可能である。上記課題を解決する第4の発明に係る多波長半導体レーザは、上記第1~第3のいずれか1つの発明に記載の半導体素子において、前記量子井戸構造からなる発光層及び前記他の量子井戸構造からなる発光層の各々の単一モード発振波長を、複数のガスの吸収線と一致させたことを特徴とする。上記課題を解決する第5の発明に係る多波長半導体レーザモジュールは、第4の発明に記載の多波長半導体レーザを搭載し、出射光軸を1つにしたことを特徴とする。上記課題を解決する第6の発明に係るガスセンシングシステムは、第4の発明に記載の多波長半導体レーザ又は第5の発明に記載の多波長半導体レーザモジュールを光源として用いたことを特徴とする。上記課題を解決する第7の発明に係る半導体素子の製造方法は、InP基板上にInAsの井戸層とInGaAsの障壁層からなる量子井戸構造を成長させる工程と、前記量子井戸構造の上層にキャップ層を積層する工程と、前記キャップ層の表面の一部に誘電体膜を形成する工程と、前記量子井戸構造を前記キャップ層及び前記誘電体膜と共に熱処理することにより、前記誘電体膜下部の前記量子井戸構造を無秩序化した他の量子井戸構造を形成する工程とを有し、無秩序化により、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長を、前記量子井戸構造からなる発光層の発する光の波長より短波長化することを特徴とする。上記課題を解決する第8の発明に係る半導体素子の製造方法は、上記第7の発明に記載の半導体素子の製造方法において、前記キャップ層の厚さ又は前記誘電体膜の種類の少なくとも一方を変更することにより、前記他の量子井戸構造からなる発光層の発する光を所望の波長に短波長化することを特徴とする。本発明によれば、ガスセンシングに適した2μm波長帯において、1つのレーザ素子から複数の波長で発振可能な半導体レーザを容易に提供することができ、吸収分光法を用いたガス検出システムの小型化、低価格化に極めて有用である。本発明の好適な実施例を以下に説明する。[実施例1]本発明の第1の実施例として、2μm波長帯の複数波長で発振可能な半導体レーザについて説明する。ここでは、図2乃至図13を参照して説明するが、まず、図2及び図3を参照して本実施例の製造工程を説明する。本発明では、結晶成長として、反応炉を50Torrに減圧したMOVPE法を用いた。III族原料としてはトリメチルインジウムTMIn、トリエチルガリウムTEGaを用い、V族原料としてはホスフィンPH3、アルシンAsH3を使用した。p型不純物となるZnの原料には、ジエチル亜鉛DEZn、n型不純物となるSiの原料には、モノシランSiH4を用いた。試料の構造的特性の評価にはPhilips社製のエックス線回折装置を用いた。光学的特性の評価には波長532nmのレーザを光源としたフォトルミネセンスPL:photoluminescence測定を室温25°Cで行った。図2に、作製したレーザの活性層発光層となる分離閉じ込め型多重量子井戸構造を示す。n型InP100基板11上に、Siを1×1018cm3の濃度にドーピングしたn型InPクラッド層12膜厚:500nmを成長し、続いて、ノンドープのバンドギャップ波長λg=1.3μmのInGaAsP光閉じ込め層13膜厚:100nm、6層のInAs井戸層膜厚:5nmと7層のInGaAs障壁層膜厚:20nmからなるInAs/InGaAs多重量子井戸構造MQW14a、ノンドープのバンドギャップ波長λg=1.3μmのInGaAsP光閉じ込め層15膜厚:100nm、ノンドープのバンドギャップ波長λg=1.1μmのInGaAsP光閉じ込め層16膜厚:100nm、Znを5×1017cm3の濃度にドーピングしたp型InPキャップ層17膜厚:50nmを、順次、結晶成長により形成する。上記層構造を結晶成長した後、MOVPE成長炉から取出し、室温の硫酸に1分間浸してp型InPキャップ層17の表面を洗浄してから、スパッタ800Wにより300nmのSiO2層18をウエハ全面に形成する。その後、図3に示すように、フォトリソグラフィを用いてSiO2層18のパターニングを行う。SiO2層18のパターニング後、再度、室温の硫酸に1分間浸してp型InPキャップ層17の表面を洗浄した後、MOVPE成長炉に導入し、PH3雰囲気中で680°C、1時間の熱処理を行う。これにより、SiO2層18が形成されている箇所の下方の多重量子井戸構造14bの無秩序化が起こり、発光波長が短波長化する。図4に無秩序化前後の量子井戸構造のX線回折測定結果を示す。無秩序化前の量子井戸構造においては、量子井戸層の圧縮歪量は3.2であり、量子井戸層がInAsであることを示している。それに対し、無秩序化された量子井戸構造においては、量子井戸層の圧縮歪量が1.9まで減少している。これは、量子井戸構造の井戸層と障壁層間でIII族原子具体的にはGa原子の相互拡散が生じ、InAs井戸層内にGaが拡散することにより、歪量が小さくなったことを示している。この井戸層と障壁層間においてIII族原子の相互拡散が起こり、量子井戸構造の特性が変化することを無秩序化と呼ぶ。SiO2層18を形成して熱処理することにより無秩序化が起こるメカニズムについて説明する。SiO2層18を半導体上に形成する際に、SiO2層18と半導体の界面に結晶欠陥であるIII族空孔が発生する。このIII族空孔が熱処理によって量子井戸構造まで拡散し、井戸層/障壁層間のIII族原子の相互拡散を引き起こすのである。本実施例では、InP表面からのリン抜けに起因した結晶欠陥によるレーザ特性の劣化を防ぐために、PH3雰囲気であるMOVPE成長炉内で熱処理を行ったが、熱処理としては、ラピッドサーマルアニーリングRTAを用いることも可能である。図5に、SiO2層18を形成して熱処理した箇所とSiO2層18を除去して熱処理した箇所のPLスペクトルを示す。参考までに、結晶成長直後熱処理前のウエハのPLスペクトルも併記する。SiO2層18を除去した箇所、つまり、多重量子井戸構造14aの領域のPLピーク波長は2350nmであり、熱処理前とほとんど変化していない。それに対し、SiO2層18を形成して熱処理した箇所、つまり、多重量子井戸構造14bの領域のPLピーク波長は2050nmであり、300nm短波長化していることがわかる。比較のため、材料が異なる多重量子井戸構造に対する無秩序化前後の変化を図6、図7に示す。ここで、図6は、InP基板上に作製された圧縮歪量1のInGaAsP井戸層と無歪のInGaAsP障壁層からなる多重量子井戸構造バンドギャップ波長:1532nm、InPキャップ層膜厚:100nmに、上記と同様の処理SiO2を形成して熱処理を行った結果である。又、図7は、InP基板上に作製された圧縮歪量1のInGaAlAs井戸層と無歪のInGaAlAs障壁層からなる多重量子井戸構造バンドギャップ波長1519nm、InPキャップ層膜厚:100nmに、上記と同様の処理SiO2を形成して熱処理を行った結果である。図6、図7に示すように、InGaAsP/InGaAsP多重量子井戸構造、InGaAlAs/InGaAlAs多重量子井戸構造の波長シフト量は、それぞれ20nm、4nmであり、100nm以上に大きく波長シフトしないことを示している。図8に、上記InAs井戸層からなる量子井戸構造の試料を用いて、熱処理温度を変化させた際のPLピーク発光波長をプロットしたグラフを示す。熱処理温度を高くすることにより、発光波長のシフト量が大きくなっていることがわかる。熱処理温度620°Cでは150nm、680°Cでは300nm、720°Cでは400nm、800°Cでは470nmの波長シフトが得られる。しかしながら、800°Cを超える温度では、発光が得られない。このことから、熱処理温度としては、600°Cから800°Cの範囲内が有効であると言える。図9に、熱処理条件を同一680°C、1時間とし、上記層構造のp型InPキャップ層17の厚さを変化させた場合のPLピーク発光波長をプロットしたグラフを示す。InPキャップ層17の厚さを薄くすることにより発光波長のシフト量が大きくなっていることがわかる。大きな波長シフト量を得る場合には、InPキャップ層17は薄い方が望ましい。しかしながら、300nm以下であれば十分な波長シフト量を得ることが可能である。又、SiO2層18の厚さを変化させた場合については、発光波長のシフト量に大きな差は見られない。そのため、SiO2層18の厚さは300nmに限定されるものではなく、SiO2層18としての強度を保ち、かつ、パターニングの精度が保たれる50nm~1000nmの範囲としても問題はない。又、本実施例ではSiO2層18を量子井戸無秩序化のマスクとして用いたが、SiNxやTiO2などの誘電体膜を用いることも可能である。又、本実施例では、誘電体膜となるSiO2層18の形成にスパッタを用いたが、プラズマCVDなど、そのほかの方法で形成しても問題ない。従来、光通信に用いられる1.55μm帯のInGaAsP系、InGaAlAs系の歪量の少ない半導体レーザにおいては、量子井戸無秩序化によって発光波長を300nm以上の広範囲にわたって制御するためには、800°C程度の高温で熱処理を行う必要があった。そのため、p型ドーパントであるZn原子が量子井戸構造まで拡散し、オージェ再結合や価電子帯間吸収を引き起こし、レーザ特性を劣化させる要因となる。図6、図7に示すように、Zn拡散を抑制できる680°Cという低温700°C以下の熱処理では、発振波長を制御シフトできない。しかしながら、本発明においては、量子井戸層に圧縮歪量の大きいInAsを用いていることで、700°C以下の熱処理温度で300nm以上の広範囲での波長制御を可能としている。そのため、従来問題となるZnの拡散を抑制することが可能である。オージェ再結合や価電子帯間吸収は、発光波長が長いほど大きくなるため、2μm波長帯半導体レーザにおいて、Znの拡散を抑制することは、レーザ特性の劣化を防ぐ上で非常に重要である。又、本実施例では、活性層に5nm厚のInAs量子井戸層を用いたため、熱処理前の波長は2350nmであったが、波長を長くするためには、InAs量子井戸層の厚さを厚くすれば良い。InAs量子井戸層の厚さを7nmとすると2.5μm、10nmとすると2.7μmでの発光を得ることができる。又、量子井戸無秩序化による波長シフト量は量子井戸層の膜厚に依らないため、量子井戸層厚を変化させても、図8と図9と同様の傾向を持つことは明らかである。適用例1量子井戸無秩序化を用いて、半導体レーザのチップ内に2μm波長帯で異なる発光波長を有する活性層発光層を作製し、リッジ型ファブリペローFPレーザを作製する。一例として、図10を用いて波長2350nmと波長2050nmの2波長で発振するリッジ型FPレーザの作製手順を説明する。活性層及び光閉じ込め層は上述したものと同様の構造を用いており、同様の構造には同じ符号を付している。まず、図2に示した多重量子井戸構造と同様に、n型InP基板11上に、n型InPクラッド層12、InGaAsP光閉じ込め層13、InAs/InGaAs多重量子井戸構造14a、InGaAsP光閉じ込め層15、InGaAsP光閉じ込め層16、p型InPキャップ層17を、順次、結晶成長により形成する図10a。次に、レーザ光の出射方向に対して平行に、チップとなる領域の半分、例えば、チップ幅800μmであれば400μmの領域にSiO2層18を形成する図10b。その後、熱処理による量子井戸無秩序化により量子井戸構造14bの発光波長を短波長化させる図10c。このときのp型InPキャップ層17は50nmとし、熱処理条件は680°C、1時間とした。このとき、SiO2層18の無い領域のPLピーク波長は2346nm、SiO2層18を形成した領域のPLピーク波長は2053nmであった。その後、SiO2層18をフッ酸により除去する図10d。その後、MOVPE成長炉に導入して、p型InPクラッド層19、p型InGaAsPコンタクト層20を順次、結晶成長により形成する図10e。その後、SiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングを併用して、2346nmの領域ストライプ1と2053nmの領域ストライプ2にそれぞれ1本ずつ2.0μm幅のメサストライプ構造を作製する図10f。2本のストライプ間隔は400μmとした。その後、ストライプ脇にSiO2膜21を形成し、それぞれp型電極22を蒸着する。裏面のn型電極23は、2つのレーザで共通とした図10g~h。その後、共振器長900μmに劈開することで、図11に示すような、それぞれ発振波長の異なる2本のストライプを有するリッジ型FPレーザ構造が作製される。図11に示すレーザは、室温連続動作において、ストライプ1では波長2344nm、ストライプ2では波長2052nmでのマルチモード発振が得られ、しきい値電流は、いずれも30mA程度であり、光出力は5mW程度である。適用例2レーザ光の波長を変化させてガスの吸収線を検出する場合、レーザ光には、ガスの吸収線よりも狭い線幅が求められる。半導体レーザにおいては、分布帰還型DFB:DistributedFeedback構造や分布反射型DBR:DistributedBraggReflector構造などを採用することにより、単一縦モード発振が可能となり、吸収線よりも狭い線幅を容易に実現することができる。そこで、量子井戸無秩序化を用いて、半導体レーザのチップ内に2μm波長帯で異なる発光波長を有する活性層発光層を作製し、単一モード発振するリッジ型DFBレーザを作製する。一例として、図12を用いて波長2350nmと波長2050nmの2波長で発振するリッジ型DFBレーザの作製手順を説明する。活性層及び光閉じ込め層は上述したものと同様の構造を用いており、同様の構造には同じ符号を付している。まず、図2に示した多重量子井戸構造と同様に、n型InP基板11上に、n型InPクラッド層12、InGaAsP光閉じ込め層13、InAs/InGaAs多重量子井戸構造14a、InGaAsP光閉じ込め層15、InGaAsP光閉じ込め層16、p型InPキャップ層17を、順次、結晶成長により形成する図12a。次に、レーザ光の出射方向に対して平行に、チップとなる領域の半分、例えば、チップ幅800μmであれば400μmの領域にSiO2層18を形成する図12b。その後、熱処理による量子井戸無秩序化により量子井戸構造14bの発光波長を短波長化させる図12c。このときのp型InPキャップ層17は50nmとし、熱処理条件は680°C、1時間とした。このとき、SiO2層18の無い領域のPLピーク波長は2346nm、SiO2層18を形成した領域のPLピーク波長は2053nmであった。その後、SiO2層18をフッ酸により除去する図12d。更に、全面のp型InPキャップ層17も塩酸とリン酸を混合したエッチャントにより除去する。その後、バンドギャップ波長1.1μmのInGaAsP光閉じ込め層16に、電子ビーム露光及びウェットエッチングを用いて回折格子24を形成する図12e。このとき、無秩序化を行った場所と行わない場所で、回折格子24の周期を変えており、それぞれ318nm、366nmの周期とした。その後、MOVPE成長炉に導入して、p型InPクラッド層19キャリア濃度:5×1017cm3、p型InGaAsPコンタクト層201×1019cm3を順次、結晶成長により形成する図12f。その後、SiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングを併用して、2346nmの領域ストライプ1と2053nmの領域ストライプ2にそれぞれ1本ずつ2.0μm幅のメサストライプ構造を作製する図12g。2本のストライプ間隔は400μmとした。その後、ストライプ脇にSiO2膜21を形成し、それぞれp型電極22を蒸着する。裏面のn型電極23は、2つのレーザで共通とした図12h~i。その後、共振器長900μmに劈開することで、図13に示すような、それぞれ発振波長の異なる2本のストライプを有するリッジ型DFBレーザ構造が作製される。図13に示すレーザにおいて、その室温連続動作における単一モード発振波長は、ストライプ1では2337nm、ストライプ2では2052nmであり、線幅はガスの吸収線よりも狭く、しきい値電流はいずれも30mA程度、光出力はいずれも5mW程度である。又、いずれのレーザにおいても注入電流と動作温度の制御により、それぞれ10nm以上の波長変化が可能である。これらの2波長は、それぞれ一酸化炭素と二酸化炭素の吸収線に一致し、吸収分光法によるガスセンサ用光源として有用である。本実施例の2波長レーザの発振波長は、2350nmと2050nm近傍であるが、InAs量子井戸層の厚さや量子井戸無秩序化条件を選択することで、1900nmから2700nmの任意の波長を実現できることは明らかである。本実施例のチップ内メサストライプ間隔は400μmであるが、量子井戸無秩序化しない領域と無秩序化される領域との界面近傍5μmの領域は量子井戸構造の組成が均一にならないため活性層に用いることが困難であるものの、その界面から5μm以上離れた領域では均一な組成となるため、メサストライプ間隔は無秩序化しない領域と無秩序化される領域の界面から5μm以上離れていれば、任意の間隔とすることができる。又、SiO2層18の幅は、SiO2層18両端5μm幅の組成の不均一領域を避けるために、10μm以上の幅とすることが望ましい。ここでは、リッジ構造のDFBレーザを作製したが、本発明は、活性層の発光波長が制御できていれば良く、その効果はレーザの構造に依らないことは明らかである。すなわち、p型InPとn型InPで交互に埋め込んだpn埋め込み構造や、半絶縁性InPで埋め込んだ埋め込み構造DFBレーザでも適用できることは明らかである。又、本実施例では直線導波路を用いたが、各レーザの出射端を近接させた湾曲した導波路や別途導波路層を設けて合波器カプラにより、単一の出射端1つの出射光軸とする構造でも適用できることは明らかである。[実施例2]実施例1では、レーザ光の出射方向に対して並列に複数のストライプを作製したが、本実施例では、一本のストライプを用いて直列にレーザを接続することを特徴とする。本実施例では、レーザ素子そのものの出射端が単一、つまり、1つの出射光軸となっている。以下、図14を用いて本実施例で作製したレーザについて説明する。活性層及び光閉じ込め層は実施例1に記載したものと同様の構造を用いており、同様の構造には同じ符号を付している。まず、図2に示した多重量子井戸構造と同様に、n型InP基板11上に、n型InPクラッド層12、InGaAsP光閉じ込め層13、InAs/InGaAs多重量子井戸構造14a、InGaAsP光閉じ込め層15、InGaAsP光閉じ込め層16、p型InPキャップ層17を、順次、結晶成長により形成する。次に、チップとなる領域において、レーザ光出射側の領域にSiO2層18図3、図10、図12参照を形成し、その後、熱処理による量子井戸無秩序化により量子井戸構造14bの発光波長を短波長化させる。このときのp型InPキャップ層17図2、図10、図12参照は50nmとし、熱処理条件は680°C、1時間とした。このとき、SiO2層18の無い領域のPLピーク波長は2349nm、SiO2層18を形成した領域のPLピーク波長は2051nmであった。その後、SiO2層18をフッ酸により除去する。更に、全面のp型InPキャップ層17も塩酸とリン酸を混合したエッチャントにより除去する。その後、バンドギャップ波長1.1μmのInGaAsP光閉じ込め層16に、電子ビーム露光及びウェットエッチングを用いてλ/4シフト回折格子24を形成する。このとき、PLピーク波長の異なる領域で、回折格子24の周期を変えている。回折格子24の周期は、無秩序化を行った場所と行わない場所で、それぞれ318nm、366nmとした。その後、MOVPE成長炉に導入して、p型InPクラッド層19、p型InGaAsPコンタクト層20を順次、結晶成長により形成する。その後、SiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングを併用して、2349nmの領域と2051nmの領域を跨ぐように、2.0μm幅のメサストライプ構造を作製する。その後、ストライプ脇にSiO2膜21を形成し、2349nmの領域と2051nmの領域にそれぞれp型電極22を蒸着する。裏面のn型電極23は、共通とした。その後、全長1200μmに劈開する。このとき、2349nmの領域と2051nmの領域は600μmずつ等しくなるように設計した。劈開後、両端面に無反射膜コーティングを施した。以上で、図14に示すような、発振波長の異なるレーザが集積された1本のストライプからなるリッジ型DFBレーザ構造が作製される。本実施例のレーザにおいて、室温連続動作における単一モード発振波長は、レーザ光の出射側を動作させると2049nmであり、もう一方側を動作させると2340nmである。又、発振波長2350nmでのDFBレーザのしきい値電流は、30mA程度、2050nmでは、50mA程度である。光出力は、いずれも5mW程度である。又、いずれのレーザにおいても注入電流と動作温度の制御により、それぞれ6nm以上の波長変化が可能である。これらの2波長は、それぞれ一酸化炭素と二酸化炭素の吸収線に一致し、吸収分光法によるガスセンサ用光源として有用である。本実施例では、発振波長を2350nm、2050nmとしたが、InAs量子井戸層の厚さや量子井戸無秩序化条件を選択することで、1900nmから2700nmの任意の波長を実現できることは明らかである。[実施例3]本実施例では、1つの素子で3つの波長で発振可能な多波長レーザについて、図15を用いて説明する。活性層及び光閉じ込め層は実施例1に記載したものと同様の構造であり、同様の構造には同じ符号を付している。まず、図2に示した多重量子井戸構造と同様に、n型InP基板11上に、n型InPクラッド層12、InGaAsP光閉じ込め層13、InAs/InGaAs多重量子井戸構造14a、InGaAsP光閉じ込め層15、InGaAsP光閉じ込め層16、p型InPキャップ層17を、順次、結晶成長により形成する図15a。ここで、p型InPキャップ層17の厚さは300nmである。次に、チップとなる領域の一部ここではチップ幅の1/3程度の領域のp型InPキャップ層17上にSiO2などからなるマスク25を形成し、p型InPキャップ層17をウェットエッチングにより50nmまで薄膜化する図15b。p型InPキャップ層17の薄い領域と、薄くしていない領域の一部にSiO2層18a、18bを形成する図15c。その後、MOVPE装置内で、680°C、1時間の熱処理を行う。このような構造で熱処理を行うことにより、量子井戸構造14b、14cの発光波長を短波長化すると共に、図9のグラフに示したように、p型InPキャップ層17が薄い領域の量子井戸構造14bが最も発光波長が短波長化する。その結果、発光波長が異なる3つの領域を同一素子内に作製することができる。本実施例で作製した3つの領域の発光波長は、2050nm、2200nm、2350nmである。その後、SiO2層18a、18bをフッ酸により除去する図15d。更に、全面のp型InPキャップ層17も塩酸とリン酸を混合したエッチャントにより除去し、その後、バンドギャップ波長1.1μmのInGaAsP光閉じ込め層16に、電子ビーム露光及びウェットエッチングを用いて回折格子24を形成する図15e。このとき、回折格子24の周期は、発光波長2050nm、2200nm、2350nmの領域で、それぞれ318nm、343nm、366nmの周期とした。その後、MOVPE成長炉に導入して、p型InPクラッド層19キャリア濃度:5×1017cm3、p型InGaAsPコンタクト層201×1019cm3を順次、結晶成長により形成する図15f。その後、SiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングを併用して、2050nmの領域ストライプ1、2200nmの領域ストライプ2、2350nmの領域ストライプ3にそれぞれ1本ずつ2.0μm幅のメサストライプ構造を作製する図15g。ストライプ間隔は200μmとした。その後、ストライプ脇にSiO2膜21を形成し、それぞれp型電極22を蒸着する。裏面のn型電極23は、3つのレーザで共通とした図15h~i。その後、共振器長900μmに劈開することで、それぞれ発振波長の異なる3本のストライプを有するリッジ型DFBレーザ構造が作製される。本実施例のレーザにおいて、その室温連続動作における単一モード発振波長は、ストライプ1では2059nm、ストライプ2では2203nm、ストライプ3では2335nmであり、しきい値電流はいずれも30mA程度、光出力はいずれも5mW程度である。又、いずれのレーザにおいても注入電流と動作温度の制御により、それぞれ10nm以上の波長変化が可能である。これらの3波長は、それぞれ二酸化炭素CO2、亜酸化窒素N2Oと一酸化炭素COの吸収線に一致し、吸収分光法によるガスセンサ用光源として有用である。本実施例では、3波長レーザについて説明したが、p型InPキャップ層17の膜厚が異なる領域を所望の数だけ作製することで、4波長以上の発振波長を有するレーザを作製できることは明らかである。本実施例の3波長レーザの発振波長は、2050nm、2200nm、2350nm近傍であるが、InAs量子井戸層の厚さや量子井戸無秩序化条件を選択することで、1900nmから2700nmの任意の波長を実現できることは明らかである。本実施例では、リッジ構造のDFBレーザを作製したが、本発明は、活性層の発光波長が制御できていれば良く、その効果はレーザの構造に依らないことは明らかである。すなわち、p型InPとn型InPで交互に埋め込んだpn埋め込み構造や、半絶縁性InPで埋め込んだ埋め込み構造DFBレーザでも適用できることは明らかである。又、本実施例では直線導波路を用いたが、各レーザの出射端を近接させた湾曲した導波路や別途導波路層を設けて合波器カプラにより、単一の出射端1つの出射光軸とする構造でも適用できることは明らかである。[実施例4]本実施例では、1つの素子で3つの波長で発振可能であって、実施例3とは無秩序化のための製造方法が異なる多波長レーザについて、図16を用いて説明する。活性層及び光閉じ込め層は実施例1に記載したものと同様の構造であり、同様の構造には同じ符号を付している。まず、図2に示した多重量子井戸構造と同様に、n型InP基板11上に、n型InPクラッド層12、InGaAsP光閉じ込め層13、InAs/InGaAs多重量子井戸構造14a、InGaAsP光閉じ込め層15、InGaAsP光閉じ込め層16、p型InPキャップ層17を、順次、結晶成長により形成する図16a。ここで、p型InPキャップ層17の厚さは50nmである。次に、チップ幅を複数の領域に分割しここでは3分割、3分割した領域のうちの2つの領域のp型InPキャップ層17上に、各々、SiO2層18、SiNx層26を形成する図16b。その後、MOVPE装置内で、680°C、1時間の熱処理を行う。このような構造で熱処理を行うことにより、量子井戸構造14b、14cの発光波長を短波長化すると共に、誘電体膜SiO2層18、SiNx層26の種類によって、半導体層との応力が異なることに起因して、波長シフト量が異なるため、発光波長が異なる3つの領域を同一素子内に作製することができる。本実施例で作製した3つの領域の発光波長は、2050nm、2100nm、2350nmである。その後、誘電体膜SiO2層18、SiNx層26を除去する図16c。更に、全面のp型InPキャップ層17も塩酸とリン酸を混合したエッチャントにより除去し、その後、バンドギャップ波長1.1μmのInGaAsP光閉じ込め層16に、電子ビーム露光及びウェットエッチングを用いて回折格子24を形成する図16d。このとき、回折格子24の周期は、発光波長2050nm、2100nm、2350nmの領域で、それぞれ318nm、326nm、366nmの周期とした。その後、MOVPE成長炉に導入して、p型InPクラッド層19キャリア濃度:5×1017cm3、p型InGaAsPコンタクト層201×1019cm3を順次、結晶成長により形成する図16e。その後、SiO2膜をマスクとして、ドライエッチング及びウェットエッチングを併用して、2050nmの領域ストライプ1、2100nmの領域ストライプ2、2350nmの領域ストライプ3にそれぞれ1本ずつ2.0μm幅のメサストライプ構造を作製する図16f。ストライプ間隔は200μmとした。その後、ストライプ脇にSiO2膜21を形成し、それぞれp型電極22を蒸着する。裏面のn型電極23は、2つのレーザで共通とした図16g~h。その後、共振器長900μmに劈開することで、それぞれ発振波長の異なる3本のストライプを有するリッジ型DFBレーザ構造が作製される。本実施例のレーザおいて、その室温連続動作における単一モード発振波長は、ストライプ1では2059nm、ストライプ2では2103nm、ストライプ3では2335nmであり、しきい値電流はいずれも30mA程度、光出力はいずれも5mW程度である。又、いずれのレーザにおいても注入電流と動作温度の制御により、それぞれ10nm以上の波長変化が可能である。これらの3波長は、それぞれ二酸化炭素CO2、亜酸化窒素N2Oと一酸化炭素COの吸収線に一致し、吸収分光法によるガスセンサ用光源として有用である。本実施例では、3波長レーザについて説明したが、誘電体膜の形成する領域を所望の数だけ作製することで、4波長以上の発振波長を有するレーザを作製できることは明らかである。又、実施例3に示した製造方法と組み合わせ、p型InPキャップ層17の膜厚を変更すると共に誘電体膜の種類も変更して、所望の波長数に応じた多波長レーザを作成してもよい。本実施例の3波長レーザの発振波長は、2050nm、2200nm、2350nm近傍であるが、InAs量子井戸層の厚さや量子井戸無秩序化条件を選択することで、1900nmから2700nmの任意の波長を実現できることは明らかである。本実施例では、リッジ構造のDFBレーザを作製したが、本発明は、活性層の発光波長が制御できていれば良く、その効果はレーザの構造に依らないことは明らかである。すなわち、p型InPとn型InPで交互に埋め込んだpn埋め込み構造や、半絶縁性InPで埋め込んだ埋め込み構造DFBレーザでも適用できることは明らかである。又、本実施例では直線導波路を用いたが、各レーザの出射端を近接させた湾曲した導波路や別途導波路層を設けて合波器カプラにより、単一の出射端1つの出射光軸とする構造でも適用できることは明らかである。[実施例5]本実施例では、実施例1~実施例4で説明した多波長半導体レーザのモジュールについて説明する。従来、多種類のガスをセンシングする光源として用いるためには、検出したいガスの数と同数の単一波長レーザ及び同数のレーザ光を平行光にするためのレンズをモジュール内に組み込む必要があった。例えば、検出したいガスの数が2種類の場合には、図17に示すように、2つの単一波長レーザ31a、32b及び1つのレンズ32a、32bをモジュール30内に組み込む必要があった。これに対し、実施例1~実施例4で説明した多波長半導体レーザを用いる場合には、図18に示すように、1つのレーザ素子41から複数のレーザ光が出射されるため、レーザ光を平行光にするためのレンズ42は1つで済む。更に、レーザ素子41とレンズ42のアライメント光軸合わせが一度で済むため、モジュール40の作製も容易となる。本発明により、レーザモジュール40を作製するための部材数を低減し、更に、作製工程を簡略化できる。[実施例6]本実施例では、実施例5で説明した多波長レーザモジュールを用いたガスセンサシステムについて説明する。発振波長2050nmと2340nmの2波長のレーザモジュールを用いて、一酸化炭素と二酸化炭素を同時に検出するシステムについて、図19を用いて説明する。レーザモジュール40から出射されるレーザ光を、一酸化炭素と二酸化炭素が含まれたガスセル51内を通して、受光器53で受光する。まず、2050nmのレーザを動作させ、制御装置52により動作温度を変化させて発振波長を操作する。その結果、モニタ54には、図20のような透過スペクトルを得ることができる。透過率の小さい波長が二酸化炭素の吸収線と一致しているため、二酸化炭素を検出することができることを示している。その後、2340nmのレーザを同様に動作させることで、図21のような一酸化炭素の吸収線を検出することができる。透過率の小さい波長が一酸化炭素の吸収線と一致する。これより、本発明のシステムにより、複数のガスを容易に検出することができる。更に、本モジュールを用いて、ガスの検出感度向上が可能な波長変調分光法を用いることもできる。波長変調分光法について、図22を用いて説明する。波長変調分光法は、ガスによる微弱な吸収を高感度に検出するために用いられる。この方法において、半導体レーザは注入電流により発振波長が変調される。波長変調により吸収率の変化を透過光強度の変化に変換することができるので、変調周波数を参照信号として受光器出力についてロックイン検波することにより、高感度な吸収スペクトル測定が可能となる。又、波長変調の中心を吸収スペクトルの中心に安定化しておけば、変調周波数fの2倍高調波を参照波として得られる信号2f信号が、吸収ピーク値に比例するので、微弱な吸収を高速高感度に検出できる2f検波法。本発明は、半導体レーザを光源とする吸収分光法に好適である。