"支持体上に厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤Aと、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂Bと、有機溶剤Sとを含有し、前記有機溶剤Sが、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと3-メトキシブチルアセテートとを60:40~20:80の質量比で混合した混合溶剤である厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。さらに、アルカリ可溶性樹脂Cを含有する請求項1に記載の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。前記アルカリ可溶性樹脂Cが、ノボラック樹脂C1、ポリヒドロキシスチレン樹脂C2、及びアクリル樹脂C3からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含む請求項2に記載の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。さらに、酸拡散制御剤Dを含有する請求項1から3のいずれか1項に記載の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。支持体と、請求項1から4のいずれか1項に記載の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層とが積層されていることを特徴とする厚膜ホトレジスト積層体。支持体上に、請求項1から4のいずれか1項に記載の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層を積層する積層工程と、前記厚膜ホトレジスト層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、露光後の前記厚膜ホトレジスト層を現像して厚膜ホトレジストパターンを得る現像工程と、を含む厚膜ホトレジストパターンの製造方法。請求項6に記載の厚膜ホトレジストパターン製造方法により得られる厚膜ホトレジストパターンの非レジスト部に、導体からなる接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする接続端子の製造方法。ところが、特許文献3のような厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であっても、30μm以上の膜厚になると、塗布時又は塗布後プリベークの際に泡かみホトレジスト層の表面に泡が生じることが生じやすいという問題があることがわかった。そこで、広い範囲の膜厚で泡かみが抑えられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物が求められた。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、泡かみが抑えられ、良好な厚膜ホトレジストパターンを形成可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、そのような組成物を用いた厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物中の有機溶剤に特定のものを用いると、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。本発明の第一の態様は、支持体上に厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤Aと、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂Bと、有機溶剤Sとを含有し、前記有機溶剤Sが、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと3-メトキシブチルアセテートとを60:40~20:80の質量比で混合した混合溶剤である厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物である。本発明の第二の態様は、支持体と、本発明に係る厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層とが積層されていることを特徴とする厚膜ホトレジスト積層体である。本発明の第三の態様は、支持体上に、本発明に係る厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層を積層する積層工程と、前記厚膜ホトレジスト層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、露光後の前記厚膜ホトレジスト層を現像して厚膜ホトレジストパターンを得る現像工程と、を含む厚膜ホトレジストパターンの製造方法である。本発明の第四の態様は、第三の態様により得られる厚膜ホトレジストパターンの非レジスト部に、導体からなる接続端子を形成する工程を含むことを特徴とする接続端子の製造方法である。本発明によれば、泡かみが抑えられ、かつ良好な厚膜ホトレジストパターンを形成可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、そのような組成物を用いた厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供することができる。≪厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物≫本発明に係る厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物以下、単にホトレジスト組成物という。は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤Aと、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂Bと、有機溶剤Sとを少なくとも含有するものである。このホトレジスト組成物は、回路基板、及び回路基板に実装するCSPチップサイズパッケージ等の電子部品の製造において、バンプやメタルポスト等の接続端子、あるいは配線パターン等の形成に好適に用いられる。以下、本発明に係るホトレジスト組成物に含有される各成分について詳述する。<酸発生剤A>本発明に用いられる酸発生剤Aは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。酸発生剤Aにおける第一の態様としては、下記一般式a1で表される化合物が挙げられる。上記一般式a1中、X1aは、原子価gの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、gは1又は2である。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。R1aは、X1aに結合している有機基であり、炭素数6~30のアリール基、炭素数4~30の複素環基、炭素数1~30のアルキル基、炭素数2~30のアルケニル基、又は炭素数2~30のアルキニル基を表し、R1aは、アルキル、ヒドロキシ、アルコシキ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコシキカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。R1aの個数はghg-11であり、R1aはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、2個以上のR1aが互いに直接、又は-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-NR2a-、-CO-、-COO-、-CONH-、炭素数1~3のアルキレン基、若しくはフェニレン基を介して結合し、X1aを含む環構造を形成してもよい。R2aは炭素数1~5のアルキル基又は炭素数6~10のアリール基である。X2aは下記一般式a2で表される構造である。上記一般式a2中、X4aは炭素数1~8のアルキレン基、炭素数6~20のアリーレン基、又は炭素数8~20の複素環化合物の2価の基を表し、X4aは炭素数1~8のアルキル、炭素数1~8のアルコキシ、炭素数6~10のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。X5aは-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、-NR2a-、-CO-、-COO-、-CONH-、炭素数1~3のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。h1個のX4a及びh個のX5aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R2aは前述の定義と同じである。X3a-はオニウムの対イオンであり、下記一般式a17で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオン又は下記一般式a18で表されるボレートアニオンが挙げられる。上記一般式a17中、R3aは水素原子の80以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。jはその個数を示し、1~5の整数である。j個のR3aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。上記一般式a18中、R4a~R7aは、それぞれ独立にフッ素原子又はフェニル基を表し、該フェニル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。上記一般式a1で表される化合物中のオニウムイオンとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ-p-トリルスルホニウム、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、ビス[4-ジフェニルスルホニオフェニル]スルフィド、ビス4-{ビス[4-2-ヒドロキシエトキシフェニル]スルホニオ}フェニルスルフィド、ビス{4-[ビス4-フルオロフェニルスルホニオ]フェニル}スルフィド、4-4-ベンゾイル-2-クロロフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウム、7-イソプロピル-9-オキソ-10-チア-9,10-ジヒドロアントラセン-2-イルジ-p-トリルスルホニウム、7-イソプロピル-9-オキソ-10-チア-9,10-ジヒドロアントラセン-2-イルジフェニルスルホニウム、2-[ジフェニルスルホニオ]チオキサントン、4-[4-4-tert-ブチルベンゾイルフェニルチオ]フェニルジ-p-トリルスルホニウム、4-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2-ナフチルメチル1-エトキシカルボニルエチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、フェニル[4-4-ビフェニルチオフェニル]4-ビフェニルルスルホニウム、フェニル[4-4-ビフェニルチオフェニル]3-ビフェニルスルホニウム、[4-4-アセトフェニルチオフェニル]ジフェニルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ-p-トリルヨードニウム、ビス4-ドデシルフェニルヨードニウム、ビス4-メトキシフェニルヨードニウム、4-オクチルオキシフェニルフェニルヨードニウム、ビス4-デシルオキシフェニルヨードニウム、4-2-ヒドロキシテトラデシルオキシフェニルフェニルヨードニウム、4-イソプロピルフェニルp-トリルヨードニウム、又は4-イソブチルフェニルp-トリルヨードニウム、等が挙げられる。上記一般式a1で表される化合物中のオニウムイオンのうち、好ましいオニウムイオンとしては下記一般式a19で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。上記一般式a19中、R8aはそれぞれ独立に水素原子、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアリール、アリールカルボニル、からなる群より選ばれる基を表す。X2aは、上記一般式a1中のX2aと同じ意味を表す。上記一般式a19で表されるスルホニウムイオンの具体例としては、4-フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、4-4-ベンゾイル-2-クロロフェニルチオフェニルビス4-フルオロフェニルスルホニウム、4-4-ベンゾイルフェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム、フェニル[4-4-ビフェニルチオフェニル]4-ビフェニルルスルホニウム、フェニル[4-4-ビフェニルチオフェニル]3-ビフェニルスルホニウム、[4-4-アセトフェニルチオフェニル]ジフェニルスルホニウム、が挙げられる。上記一般式a17で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、R3aはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素数は1~8、さらに好ましい炭素数は1~4である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基;イソプロピル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル等の分岐アルキル基;さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、80以上、好ましくは90以上、さらに好ましくは100である。フッ素原子の置換率が80未満である場合には、上記一般式a1で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。特に好ましいR3aは、炭素数が1~4、かつフッ素原子の置換率が100の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、CF3、CF3CF2、CF32CF、CF3CF2CF2、CF3CF2CF2CF2、CF32CFCF2、CF3CF2CF3CF、CF33Cが挙げられる。R3aの個数jは、1~5の整数であり、好ましくは2~4、特に好ましくは2又は3である。好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、[CF3CF22PF4]-、[CF3CF23PF3]-、[CF32CF2PF4]-、[CF32CF3PF3]-、[CF3CF2CF22PF4]-、[CF3CF2CF23PF3]-、[CF32CFCF22PF4]-、[CF32CFCF23PF3]-、[CF3CF2CF2CF22PF4]-、又は[CF3CF2CF23PF3]-が挙げられ、これらのうち、[CF3CF23PF3]-、[CF3CF2CF23PF3]-、[CF32CF3PF3]-、[CF32CF2PF4]-、[CF32CFCF23PF3]-、又は[CF32CFCF22PF4]-が特に好ましい。上記一般式a18で表されるボレートアニオンの好ましい具体例としては、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート[BC6F54]-、テトラキス[トリフルオロメチルフェニル]ボレート[BC6H4CF34]-、ジフルオロビスペンタフルオロフェニルボレート[C6F52BF2]-、トリフルオロペンタフルオロフェニルボレート[C6F5BF3]-、テトラキスジフルオロフェニルボレート[BC6H3F24]-等が挙げられる。これらの中でも、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート[BC6F54]-が特に好ましい。酸発生剤Aにおける第二の態様としては、2,4-ビストリクロロメチル-6-ピペロニル-1,3,5-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-2-フリルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-5-メチル-2-フリルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-5-エチル-2-フリルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-5-プロピル-2-フリルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3,5-ジメトキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3,5-ジエトキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3,5-ジプロポキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3-メトキシ-5-エトキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3-メトキシ-5-プロポキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-[2-3,4-メチレンジオキシフェニルエテニル]-s-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-3,4-メチレンジオキシフェニル-s-トリアジン、2,4-ビス-トリクロロメチル-6-3-ブロモ-4-メトキシフェニル-s-トリアジン、2,4-ビス-トリクロロメチル-6-2-ブロモ-4-メトキシフェニル-s-トリアジン、2,4-ビス-トリクロロメチル-6-2-ブロモ-4-メトキシスチリルフェニル-s-トリアジン、2,4-ビス-トリクロロメチル-6-3-ブロモ-4-メトキシスチリルフェニル-s-トリアジン、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-[2-2-フリルエテニル]-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-[2-5-メチル-2-フリルエテニル]-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-[2-3,5-ジメトキシフェニルエテニル]-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-[2-3,4-ジメトキシフェニルエテニル]-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-3,4-メチレンジオキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、トリス1,3-ジブロモプロピル-1,3,5-トリアジン、トリス2,3-ジブロモプロピル-1,3,5-トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、並びにトリス2,3-ジブロモプロピルイソシアヌレ-ト等の下記一般式a3で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。上記一般式a3中、R9a、R10a、R11aは、それぞれ独立にハロゲン化アルキル基を表す。また、酸発生剤Aにおける第三の態様としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロフェニルアセトニトリル、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、並びにオキシムスルホネ-ト基を含有する下記一般式a4で表される化合物が挙げられる。上記一般式a4中、R12aは、1価、2価、又は3価の有機基を表し、R13aは、置換若しくは未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族性化合物基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。上記一般式a4中、芳香族性化合物基とは、芳香族化合物に特有な物理的化学的性質を示す化合物の基を示し、例えば、フェニル基、ナフチル基等のアリール基や、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を1個以上有していてもよい。また、R13aは、炭素数1~6のアルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。特に、R12aが芳香族性化合物基であり、R13aが炭素数1~4のアルキル基である化合物が好ましい。上記一般式a4で表される酸発生剤としては、n=1のとき、R12aがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、R13aがメチル基の化合物、具体的にはα-メチルスルホニルオキシイミノ-1-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-p-メトキシフェニルアセトニトリル、2-プロピルスルホニルオキシイミノ-2,3-ジヒドロキシチオフェン-3-イリデンo-トリルアセトニトリル等が挙げられる。n=2のとき、上記一般式a4で表される酸発生剤としては、具体的には下記式で表される酸発生剤が挙げられる。また、酸発生剤Aにおける第四の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩が挙げられる。このナフタレン環を有するとは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも2つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基、水酸基、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、1価基遊離原子価が1つであっても、2価基遊離原子価が2つ以上であってもよいが、1価基であることが望ましいただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする。ナフタレン環の数は1~3が好ましい。このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記一般式a5で表される構造が好ましい。上記一般式a5中、R14a、R15a、R16aのうち少なくとも1つは下記一般式a6で表される基を表し、残りは炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表す。あるいは、R14a、R15a、R16aのうちの1つが下記一般式a6で表される基であり、残りの2つはそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。上記一般式a6中、R17a、R18aは、それぞれ独立に水酸基、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基、又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R19aは、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。l及びmは、それぞれ独立に0~2の整数を表し、lmは3以下である。ただし、R17aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。また、R18aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。上記R14a、R15a、R16aのうち上記一般式a6で表される基の数は、化合物の安定性の点から好ましくは1つであり、残りは炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、上記2つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて3~9員環を構成する。環を構成する原子硫黄原子を含むの数は、好ましくは5~6である。また、上記アルキレン基が有していてもよい置換基としては、酸素原子この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する、水酸基等が挙げられる。また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、炭素数1~6の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。これらのカチオン部として好適なものとしては、下記式a7、a8で表されるもの等を挙げることができ、特に下記式a8で表される構造が好ましい。このようなカチオン部としては、ヨ-ドニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。したがって、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。このような酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンである。フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素数1~20の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素数1~10であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短いため好ましい。また、安価に合成可能なことから、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を好ましいものとして挙げることができる。アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素数6~20のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられる。特に、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。好ましいものの具体例として、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。上記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは10~100、より好ましくは50~100であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パ-フルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。これらの中でも、好ましいアニオン部として、下記一般式a9で表されるものが挙げられる。上記一般式a9において、R20aは、下記一般式a10、a11で表される基や、下記式a12で表される基である。上記一般式a10中、xは1~4の整数を表す。また、上記一般式a11中、R21aは、水素原子、水酸基、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、yは1~3の整数を表す。これらの中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。また、アニオン部としては、下記一般式a13、a14で表される窒素を含有するものを用いることもできる。上記一般式a13、a14中、Xaは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは3~5、最も好ましくは炭素数3である。また、Ya、Zaは、それぞれ独立に少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは1~7、より好ましくは1~3である。Xaのアルキレン基の炭素数、又はYa、Zaのアルキル基の炭素数が小さいほど有機溶剤への溶解性も良好であるため好ましい。また、Xaのアルキレン基又はYa、Zaのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、より好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記式a15、a16で表される化合物が挙げられる。また、酸発生剤Aにおける第五の態様としては、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類;p-トルエンスルホン酸2-ニトロベンジル、p-トルエンスルホン酸2,6-ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレ-ト、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体;ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、N-メチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-フェニルスルホニルオキシマレイミド、N-メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル類;N-ヒドロキシフタルイミド、N-ヒドロキシナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類;ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、p-tert-ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩類;ベンゾイントシラート、α-メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類;その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。この酸発生剤Aは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸発生剤Aの含有量は、本発明に係るホトレジスト組成物の全質量に対し、0.1~10質量とすることが好ましく、0.5~3質量とすることがより好ましい。上記の範囲とすることにより、十分な感度が得られる様になり、有機溶剤に対する溶解性がよく、均一な溶液が得られ、保存安定性が向上する。<樹脂B>酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂Bとしては、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。その中でも、ノボラック樹脂B1、ポリヒドロキシスチレン樹脂B2、及びアクリル樹脂B3からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含有することが好ましい。[ノボラック樹脂B1]ノボラック樹脂B1としては、下記一般式b1で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。上記一般式b1中、R1bは、酸解離性溶解抑制基を示し、R2b、R3bは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。上記R1bで表される酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式b2、b3で表される基、炭素数1~6の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基、ビニルオキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。上記一般式b2、b3中、R4b、R5bは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R6bは、炭素数1~10の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、R7bは、炭素数1~6の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、oは0又は1を表す。上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、上記環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。ここで、上記一般式b2で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、n-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n-ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、tert-ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、1-メトキシ-1-メチル-エチル基、1-エトキシ-1-メチルエチル基等が挙げられる。また、上記一般式b3で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、tert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ-tert-ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素数が1~6のものが挙げられる。[ポリヒドロキシスチレン樹脂B2]ポリヒドロキシスチレン樹脂B2としては、下記一般式b4で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。上記一般式b4中、R8bは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表し、R9bは、酸解離性溶解抑制基を表す。上記炭素数1~6のアルキル基は、例えば炭素数1~6の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基である。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。上記R9bで表される酸解離性溶解抑制基としては、上記一般式b2、b3に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂B2は、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。また、このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2-メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等のメタアクリル酸アルキルエステル類;2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート等のメタアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート等のメタアクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α-メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α-メチルヒドロキシスチレン、α-エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。[アクリル樹脂B3]アクリル樹脂B3としては、下記一般式b5~b7で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。上記一般式b5~b7中、R10b~R17bは、それぞれ独立に水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、フッ素原子、又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表しただし、R11bが水素原子であることはない、Xbは、それが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の炭化水素環を形成し、Ybは、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基を表し、pは0~4の整数を表し、qは0又は1を表す。なお、上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたものである。上記R11bとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素数2~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、上記R13b、R14b、R16b、R17bとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。上記Xbは、それが結合している炭素原子とともに炭素数5~20の脂肪族環式基を形成する。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基さらに置換基を有していてもよいが好ましい。さらに、上記Xbの脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子=O等の極性基や、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子=Oが好ましい。上記Ybは、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基さらに置換基を有していてもよいが好ましい。さらに、上記Ybの脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子=O等の極性基や、炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子=Oが好ましい。また、Ybがアルキル基である場合、炭素数1~20、好ましくは6~15の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-n-プロポキシエチル基、1-イソプロポキシエチル基、1-n-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基、1-tert-ブトキシエチル基、1-メトキシプロピル基、1-エトキシプロピル基、1-メトキシ-1-メチル-エチル基、1-エトキシ-1-メチルエチル基等が挙げられる。上記一般式b5で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式b5-1~b5-33で表されるものを挙げることができる。上記式b5-1~b5-33中、R18bは、水素原子又はメチル基を表す。上記一般式b6で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式b6-1~b6-24で表されるものを挙げることができる。上記式b6-1~b6-24中、R18bは、水素原子又はメチル基を表す。上記一般式b7で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式b7-1~b7-15で表されるものを挙げることができる。上記式b7-1~b7-15中、R18bは、水素原子又はメチル基を表す。さらに、アクリル樹脂B3は、上記一般式b5~b7で表される構成単位に対して、さらにエーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、エーテル結合及びエステル結合を有するメタアクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、具体例としては、2-メトキシエチルメタアクリレート、2-エトキシエチルメタアクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタアクリレート、3-メトキシブチルメタアクリレート、エチルカルビトールメタアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート等が挙げられる。また、上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2-メトキシエチルメタアクリレート、2-エトキシエチルメタアクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタアクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、アクリル樹脂B3には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含めることができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2-メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート等のメタアクリル酸アルキルエステル類;2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート等のメタアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート等のメタアクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α-メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α-メチルヒドロキシスチレン、α-エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。また、重合性化合物としては、酸非解離性の脂肪族多環式基を有するメタアクリル酸エステル類、ビニル基含有芳香族化合物類等を挙げることができる。酸非解離性の脂肪族多環式基としては、特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が、工業上入手しやすい等の点で好ましい。これらの脂肪族多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。酸非解離性の脂肪族多環式基を有するメタアクリル酸エステル類としては、具体的には、下記式b8-1~b8-5の構造のものを例示することができる。上記式b8-1~b8-5中、R19bは、水素原子又はメチル基を表す。上記樹脂Bの中でも、アクリル樹脂B3を用いることが好ましい。このようなアクリル樹脂B3の中でも、上記一般式b5で表される構成単位と、メタアクリル酸から誘導された構成単位と、メタアクリル酸アルキルエステル類から誘導された構成単位と、メタアクリル酸アリールエステル類から誘導された構成単位とを有する共重合体であることが好ましい。このような共重合体としては、下記一般式b9で表される共重合体であることが好ましい。上記一般式b9中、R20bは、水素原子又はメチル基を表し、R21bは、炭素数2~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、Xbは上記と同義であり、R22bは、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数1~6のアルコキシアルキル基を表し、R23bは、炭素数6~12のアリール基を表す。さらに、上記一般式b9で表される共重合体において、s、t、u、vはそれぞれの構成単位のモル比を表し、sは8~45モルであり、tは10~65モルであり、uは3~25モルであり、vは6~25モルである。樹脂Bのポリスチレン換算質量平均分子量は、好ましくは10000~600000であり、より好ましくは20000~400000であり、さらに好ましくは30000~300000である。このような質量平均分子量とすることにより、支持体との剥離性が低下することなく厚膜ホトレジスト層の十分な強度を保持でき、さらにはメッキ時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を防ぐことができる。また、樹脂Bは、分散度が1.05以上の樹脂であることが好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするメッキに対する応力耐性や、メッキ処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を回避できる。樹脂Bの含有量は、本発明に係るホトレジスト組成物の全質量に対して5~60質量とすることが好ましい。<アルカリ可溶性樹脂C>本発明に係るホトレジスト組成物は、クラック耐性を向上させるため、さらにアルカリ可溶性樹脂Cを含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度20質量の樹脂溶液溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートにより、膜厚1μmの樹脂膜を基板上に形成し、2.38質量のTMAH水溶液に1分間浸漬した際、0.01μm以上溶解するものをいう。アルカリ可溶性樹脂Cとしては、ノボラック樹脂C1、ポリヒドロキシスチレン樹脂C2、及びアクリル樹脂C3からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。[ノボラック樹脂C1]ノボラック樹脂C1は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物以下、単にフェノール類という。とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、p-フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α-ナフトール、β-ナフトール等が挙げられる。上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。なお、o-クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより、ノボラック樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。このノボラック樹脂C1の質量平均分子量は、1000~50000であることが好ましい。[ポリヒドロキシスチレン樹脂C2]ポリヒドロキシスチレン樹脂C2を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、p-ヒドロキシスチレン、α-メチルヒドロキシスチレン、α-エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂C2は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α-メチルスチレン等が挙げられる。このポリヒドロキシスチレン樹脂C2の質量平均分子量は、1000~50000であることが好ましい。[アクリル樹脂C3]アクリル樹脂C3としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、2-メトキシエチルメタアクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタアクリレート、3-メトキシブチルメタアクリレート、エチルカルビトールメタアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有するメタアクリル酸誘導体等を例示することができる。上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2-メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記カルボキシル基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2-メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2-メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2-メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2-メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシル基及びエステル結合を有する化合物;等を例示することができる。上記カルボキシル基を有する重合性化合物は、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。このアクリル樹脂C3の質量平均分子量は、50000~800000であることが好ましい。アルカリ可溶性樹脂Cの含有量は、上記樹脂Bと樹脂Cの合計を100質量部とした場合、好ましくは0~80質量部であり、より好ましくは0~60質量部である。アルカリ可溶性樹脂Cの含有量を上記の範囲とすることによりクラック耐性を向上させ、現像時の膜減りを防ぐことができる傾向がある。<酸拡散制御剤D>本発明に係るホトレジスト組成物は、ホトレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上のため、さらに酸拡散制御剤Dを含有することが好ましい。酸拡散制御剤Dとしては、含窒素化合物D1が好ましく、さらに必要に応じて、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体D2を含有させることができる。[含窒素化合物D1]含窒素化合物D1としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3,-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、8-オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6-トリ2-ピリジル-S-トリアジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。含窒素化合物D1は、上記樹脂B及び上記アルカリ可溶性樹脂Cの合計質量100質量部に対して、通常0~5質量部の範囲で用いられ、特に0~3質量部の範囲で用いられることが好ましい。[有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体D2]有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体D2のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、特にホスホン酸が好ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体D2は、上記樹脂B及び上記アルカリ可溶性樹脂Cの合計質量100質量部に対して、通常0~5質量部の範囲で用いられ、特に0~3質量部の範囲で用いられることが好ましい。また、塩を形成させて安定させるために、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体D2は、上記含窒素化合物D1と同等量を用いることが好ましい。<有機溶剤S>本発明に係るホトレジスト組成物は、有機溶剤Sとして、プロピレングリコールモノメチルエーテルと3-メトキシブチルアセテートとを60:40~20:80の質量比で混合した混合溶剤を用いる。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに3-メトキシブチルアセテートを上記の範囲の比で混合することにより、塗布後プリベークの際に泡かみが生じにくく、かつ良好な厚膜ホトレジストパターンの形成が可能となる。有機溶剤Sの含有量は、特に限定されず、例えば、本発明に係るホトレジスト組成物の固形分濃度が30~65質量となる範囲で含有させることができる。<その他の成分>本発明に係るホトレジスト組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。また、本発明に係るホトレジスト組成物は、支持体との接着性を向上させるため、さらに接着助剤を含有していてもよい。また、本発明に係るホトレジスト組成物は、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるため、さらに界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤の具体例としては、BM-1000、BM-1100いずれもBMケミー社製、メガファックF142D、メガファックF172、メガファックF173、メガファックF183いずれも大日本インキ化学工業社製、フロラードFC-135、フロラードFC-170C、フロラードFC-430、フロラードFC-431いずれも住友スリーエム社製、サーフロンS-112、サーフロンS-113、サーフロンS-131、サーフロンS-141、サーフロンS-145いずれも旭硝子社製、SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428いずれも東レシリコーン社製等の市販のフッ素系界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、本発明に係るホトレジスト組成物は、現像液に対する溶解性の微調整を行うため、酸、酸無水物、又は高沸点溶媒をさらに含有していてもよい。酸及び酸無水物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、n-酪酸、イソ酪酸、n-吉草酸、イソ吉草酸、安息香酸、桂皮酸等のモノカルボン酸類;乳酸、2-ヒドロキシ酪酸、3-ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m-ヒドロキシ安息香酸、p-ヒドロキシ安息香酸、2-ヒドロキシ桂皮酸、3-ヒドロキシ桂皮酸、4-ヒドロキシ桂皮酸、5-ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸等のヒドロキシモノカルボン酸類;シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,2-シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4-シクロヘキサントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸等の多価カルボン酸類;無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリタート、グリセリントリス無水トリメリタート等の酸無水物;等を挙げることができる。また、高沸点溶媒の具体例としては、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセタート等を挙げることができる。また、本発明に係るホトレジスト組成物は、感度を向上させるため、増感剤をさらに含有していてもよい。<ホトレジスト組成物の調製>本発明に係るホトレジスト組成物の調製は、上記各成分を通常の方法で混合、撹拌するだけでよく、必要に応じ、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等の分散機を用いて分散、混合してもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。≪厚膜ホトレジスト積層体≫本発明の厚膜ホトレジスト積層体は、支持体上に前記厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層が積層されているものである。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。該基板としては、例えば、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板やガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、ハンダ、クロム、アルミニウム、ニッケル、金等が用いられる。上記のような厚膜ホトレジスト積層体は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、上述したように調製した厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物の溶液を支持体上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の塗膜を形成する。被処理支持体上への塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等の方法を採用することができる。本発明の組成物の塗膜のプレベーク条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は70~150°Cで、好ましくは80~140°Cで、2~60分間程度である。本発明の厚膜ホトレジスト層の膜厚は、10~150μm、好ましくは20~120μm、より好ましくは20~80μmの範囲であることが望ましい。≪厚膜ホトレジストパターンの製造方法≫本発明に係る厚膜ホトレジストパターンの製造方法は、支持体上に本発明に係るホトレジスト組成物からなる厚膜ホトレジスト層を積層する積層工程と、この厚膜ホトレジスト層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、露光後の厚膜ホトレジスト層を現像して厚膜ホトレジストパターンを得る現像工程と、を含むものである。上記のようにして得られた厚膜ホトレジスト積層体を用いてホトレジストパターンを形成するには、得られた厚膜ホトレジスト層に、所定のパターンのマスクを介して、活性光線又は放射線、例えば波長が300~500nmの紫外線又は可視光線を選択的に照射露光する。放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー等を用いることができる。また、放射線には、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、X線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、イオン線等が含まれる。放射線照射量は、本発明に係るホトレジスト組成物の組成や厚膜ホトレジスト層の膜厚等によっても異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、100~10000mJ/cm2である。また、放射線には、酸を発生させるために、酸発生剤Aを活性化させる光線が含まれる。露光後は、公知の方法を用いて加熱することにより酸の拡散を促進させて、露光部分の厚膜ホトレジスト層のアルカリ溶解性を変化させる。次いで、上記現像工程では、例えば所定のアルカリ性水溶液を現像液として用いて、不要な部分を溶解、除去して所定の厚膜ホトレジストパターンを得る。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4,3,0]-5-ノナン等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。現像時間は、本発明に係るホトレジスト組成物の組成や厚膜ホトレジスト層の膜厚等によっても異なるが、通常1~30分間である。現像方法は、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでもよい。現像後は、流水洗浄を30~90秒間行い、エアーガンや、オーブン等を用いて乾燥させる。このようにして、厚膜ホトレジストパターンを製造できる。≪接続端子の製造方法≫上記のようにして得られた厚膜ホトレジストパターンの非レジスト部現像液で除去された部分に、メッキ等によって金属等の導体を埋め込むことにより、バンプやメタルポスト等の接続端子を形成することができる。なお、メッキ処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。メッキ液としては、特にハンダメッキ、銅メッキ、金メッキ、ニッケルメッキ液が好適に用いられる。残っている厚膜ホトレジストパターンは、最後に、定法に従って剥離液等を用いて除去する。以下、本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。<実施例1~12、比較例1~8>表1に示す各成分を有機溶剤に均一に溶解し、孔径1μmのメンブランフィルタを通してろ過し、固形分濃度48質量となるようにホトレジスト組成物を調製した。表1中の内の数値は各成分の質量部を表す。調製したホトレジスト組成物の粘度は4000cPであった。ZA-1:下記式で表される化合物ZA-2:下記式で表される化合物ZA-3:下記式で表される化合物ZB-1:下記式で表されるアクリル樹脂質量平均分子量40000、分散度1.8ZB-2:アクリル樹脂アクリル酸単位:フェニルアクリレート単位:メチルアダマンチルアクリレート単位=10:30:60モル比、分子量20万ZB-3:アクリル樹脂アクリル酸単位:メトキシポリエチレングリコールアクリレート単位:メチルアダマンチルアクリレート単位=10:30:60モル比、分子量5万ZB-4:ノボラック樹脂m/p-クレゾール=6/4とホルムアルデヒド及び酸触媒の存在下で付加縮合して得たノボラック樹脂の水酸基の10をエチルビニルエーテルで保護したもの、分子量2万ZB-5:アクリル樹脂アクリル酸単位:メチルアクリレート単位:メトキシトリエチレングリコールアクリレート単位:シクロヘキシルアクリレート単位:エチルシクロヘキシルアクリレート=10:10:10:30:40モル比、分子量20万ZC-1:ノボラック樹脂m/p-クレゾール=6/4とホルムアルデヒド及び酸触媒の存在下で付加縮合して得たもの、分子量8000ZC-2:ポリヒドロキシスチレン樹脂VP-2500:日本曹達社製、分子量3000PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートMA:3-メトキシブチルアセテートHP:2-ヘプタノンPGME:プロピレングリコールモノメチルエーテルEL:乳酸エチルCH:シクロヘキサノンBA:酢酸ブチルTPA:トリ-n-ペンチルアミン<評価>[泡かみ評価]上記実施例1~12、比較例1~8で調製したホトレジスト組成物を、スピンコーターを用いて8インチのシリコン基板2cm間隔で格子状にスクラブライン加工、80μmの深さ上に塗布し、膜厚50μmの厚膜ホトレジスト層を得た。そして、この厚膜ホトレジスト層を140°Cで5分間プリベークした。プリベーク後、ホトレジスト膜表面全体に発生した100μm径以上の泡の数を目視で数えた。結果を表2に示す。表2からわかるように、有機溶剤としてPGMEAとMAとを60:40~20:80の質量比で混合した混合溶剤を用いた実施例1~12において、泡の発生が少なかった。また、比較例3MA単独及び比較例4HP単独においても泡の発生は少なかった。しかし、有機溶剤としてPGMEA,PGME、EL、CH、BAを単独で用いた他の比較例では、泡が発生しやすかった。[ホトレジストパターン形状]上記実施例1~3、比較例1~4で調製したホトレジスト組成物を、スピンコーターを用いて8インチの銅基板上に塗布し、膜厚50μmの厚膜ホトレジスト層を得た。そして、この厚膜ホトレジスト層を140°Cで5分間プリベークした。プリベーク後、所定ホールパターンのマスクと露光装置PrismaGHIUltratech社製を用いて、ghi線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して80°Cで3分間の露光後加熱PEBを行った。その後、2.38テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH水溶液を厚膜ホトレジスト層に滴下して、23°Cで60秒間放置し、これを3回繰り返して現像した。その後、流水洗浄し、窒素ブローして40μmのコンタクトホールパターンを有する厚膜レジストパターンを得た。このコンタクトホールパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡にて確認した。評価結果は、断面形状が矩形だったものを◎、テーパー形状気味だが、使用には耐えられる形状を○、テーパー形状を×とした。結果を表3に示す。表3からわかるように、有機溶剤としてPGMEAとMAとを60:40~20:80の質量比で混合した混合溶剤を用いた実施例1~3において、良好なホトレジストパターンが得られた。これらのホトレジスト組成物は、泡の発生が少なく、かつ良好なホトレジストパターンの形成が可能な組成物であることがわかる。一方、泡の発生が少なかった比較例3,4のホトレジスト組成物を用いると、ホトレジストパターンの断面形状はテーパー形状となり、使用に適さないことがわかった。比較例1,2のホトレジスト組成物は良好なホトレジストパターンを形成するが、表2のように泡の発生が多く、使用に適さない。"