"半導体受光素子であって、導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板と、前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上方において、AlN層からなる第1の光感受層とGaN層からなる第2の光感受層とを少なくとも1層ずつ交互に積層させることにより形成した第1の光感受層と第2の光感受層との超格子構造よりなる光感受層と、受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなることを特徴とする受光素子。前記結晶基板がn型SiCからなり、前記バッファ層がn型AlyGa1-yN0≦y≦1からなることを特徴とする請求項1に記載の受光素子。前記光感受層は、前記第1の光感受層と前記第2の光感受層それぞれの積層厚を調整することにより、カットオフ波長のチューニングが行われることを特徴とする請求項1または2に記載の受光素子。前記ショットキー電極が、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜からなり、前記受光面略全面を被覆する様に形成されていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の受光素子。前記他方側の電極がオーミック電極であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の受光素子。ところで、上記各光感受層を備えた紫外線センサのS/N比について見てみると、AlNセンサやGaNセンサではS/N比が約4桁を実現できているのに対し、従来のAlGaNセンサでは3桁程度のS/N比しか実現できておらず、応用分野や形態が限定されていた。したがって本発明は、4桁程度の高S/N比を有する紫外線センサを、より安価かつ容易に製造可能な半導体センサ、特に、個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能な半導体センサを提供することが可能なAlGaNセンサとして実現し、広範な事業領域で普及させ得るようにすることを課題とする。上記課題を解決すべく種々検討を重ねた結果、本願発明者は、光感受層をAlN層とGaN層とを交互に多層に積層させるAlN/GaNマルチレイヤーで構成することにより、高S/N比のAlGaN紫外線センサを実現可能なこと、具体的には、上記AlN/GaNマルチレイヤーにより量子的にバンドギャップをコントロールすることにより高S/N比のAlGaN紫外線センサを実現可能なことを見い出し、本発明を完成させた。上記課題を解決可能な本発明の受光素子は、1半導体受光素子であって、導電性を示すSi系半導体からなる結晶基板と、前記結晶基板の一方側の面上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上方において、AlN層からなる第1の光感受層とGaN層からなる第2の光感受層とを少なくとも1層ずつ交互に積層させることにより形成した第1の光感受層と第2の光感受層との超格子構造よりなる光感受層と、受光面となる前記光感受層の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極と、前記結晶基板の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極と、からなることを特徴とするものである。なお、本発明に至った背景につき説明すると、これまでAlNセンサやGaNセンサではS/N比が約4桁を実現できているのに対し、従来のAlGaNセンサではS/N比は約3桁に留まっていた。そして検討の結果、これはAlGaNの物性に起因する不純物準位が原因と考えられた。今回、本願発明者はAlGaNセンサのS/N比の向上につき種々研究を重ねた結果、上記の通り、AlN/GaNマルチレイヤーにより量子的にバンドギャップをコントロールすることにより、高S/N比紫外線センサを実現するに至った。上記の受光素子は、好ましくは、2前記結晶基板がn型SiCからなり、前記バッファ層がn型AlyGa1-yN0≦y≦1からなる。上記1、2の受光素子は、好ましくは、3前記光感受層が、前記第1の光感受層と前記第2の光感受層それぞれの積層厚を調整することにより、カットオフ波長のチューニングが行われる構成からなっている。上記1~3の受光素子は、より好ましくは、4前記ショットキー電極が、検出対象とする光の波長に対して透明な透光性の金属薄膜からなり、前記受光面略全面を被覆する様に形成されている。上記1~4の受光素子においては、5前記他方側の電極がオーミック電極であることが好ましい。なお、本明細書において超格子構造とは、ヘテロ接合を数~数10原子層厚の一定周期で繰り返して形成される人工的な構造を言う。十分に短い周期で半導体超格子を構成したとき短周期超格子、その積層構造は実効的に超格子の寸法で決まる平均組成の混晶とほぼ等しい働きをすることが知られている。本発明によれば、4桁程度の高S/N比を有する紫外線センサを、より安価かつ容易に製造可能な半導体センサ、特に、個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能な半導体センサを提供することが可能なAlGaNセンサとして実現できる。それゆえ、本発明の受光素子は、i太陽光中に僅かに含まれる紫外線成分の測定等のヘルスケア分野やii炎検知分野を含む広範な事業領域に適用することが可能である。以下、本発明の半導体受光素子以下、受光素子というの詳細に付き、一実施例を用いて説明する。なお、以下では、従来例の構成と共通する箇所については、同一の参照符を用いるものとするほか、説明が重複することとなる部分については適宜省略することとする。図1は、本発明の受光素子の一構成例を示す図である。なお、図1aは適当な位置で本実施例の受光素子1を切断したときの端面図で、bはその光感受層の詳細説明図である。図中のハッチングは、電極を識別するために施している。なお、受光素子の性能は、主としてiカットオフ波長と、iiS/N比、により決定されるところ、光感受層がAlN層やGaN層単体の場合には、4桁程度のS/N比を期待出来た。一方、光感受層をAl、Ga、Nの3つの混晶系からなるAlGaN層とした場合では、カットオフ波長から長波長側にだらだら減衰することが影響して、S/N比が3桁程度に止まり、不十分な点が問題となっていた。そこで、本発明では、以下に説明する構成とすることにより、光感受層をAl、Ga、Nの3つの混晶系からなる層とした場合におけるS/N比の向上を実現すると共に、光感受層の構成の調整如何によってカットオフ波長を自由にコントロール出来る様にした。[構成]図1aに、本実施例に係る受光素子の構成を示す。本発明の受光素子1は、図3に示す従来例同様、所謂MIS型の構成を採るPDである。従って、ショットキー電極と、これに対応して設けられる他方の電極とが、受光素子として機能し得る態様で配置される。この他方の電極はオーミック電極であることが好ましい。ショットキー障壁を用いた光検出のメカニズム自体は、従来のショットキー障壁型のPDの場合と同様である。図1aに示す本実施例の受光素子1は、昇華法等で作製したn型Si系基板2上に、必要に応じバッファ層3を形成し、さらにその上に、光感受層10を結晶成長させて構成したものである。本実施例では、上記の積層構造を、公知の手法を導入して有機金属気相成長法MOCVDにより作製した。なお、光感受層10の上には、Ni/Auから成る透明ショットキー電極5が形成されている。又図1に示す通り、n型Si系基板2の裏面には、Ti/Alからなるオーミック電極7が形成される。一方、透明ショットキー電極5の受光面の一部には、Auからなるパッド電極6が形成されている。本実施例の受光素子1では、透明ショットキー電極5側から光紫外線Lが入射すると、キャリアが発生し、電極5,7から光電流が取り出される。次に、光感受層10を構成する絶縁性のIII族窒化物材料に関し、本実施例では、光感受層10はAlN層11とGaN層12との超格子構造AlN層11とGaN層12とを交互に積層する構造。MQWからなっている。具体的には、光感受層10は、図1bに示す通り、AlN層1111’、11’’...11nとGaN層1212’、12’’...12nとが交互に積層される構造となっている。なお、従来例の場合、検出対象とする光の波長帯域に応じてその最適組成が決定され、例えば紫外域にある約340nmの波長の光に対して感度をもつセンサを得るには光感受層4をAlGaNから形成するところ、本実施例では、iAlN層11、GaN層12それぞれの積層厚を調整することにより、またはiiAlの濃度を調整することにより、カットオフ波長のチューニングを行うことが可能である。ここで、検討したところによれば、AlN層11が10Åを超えるとトンネル電流がうまく流れず、紫外線センサとして動作しない可能性がある。したがって、AlN層11の厚さは、10Åまでのなるべく薄い値とすることが好ましい。一方、GaN層12の厚さについては、例えば10~50Åの範囲で変化させて、バンドギャップの値を適宜調整することが好ましい。このように、本実施例に係る受光素子1は、上記の通り、光感受層10の構造が従来例と異なる。本実施例では、ショットキー電極5には透明透光性の金属薄膜電極が用いられる。透明とは、検出対象とする光の波長に対して透明という意味である。ショットキー電極5の材料としては、Au、Pt若しくはTiW、又はそれらの組み合わせNi/Pt、Ni/Au等などが挙げられる。図3に示す従来例同様、この透明ショットキー電極5は、受光面4a略全面を被覆する様に形成されている。なお、本実施例では、透光性の金属薄膜からなる透明ショットキー電極5と外部との接続を容易にするために、ショットキー電極5の上面に、Auからなるパッド電極6を付加している。オーミック電極7の材料としては、Al/Ti、Au/Ti若しくはTi、又はそれらの組み合わせなどが挙げられる。また、ショットキー電極5側が逆バイアスになるように電圧が印加されるので、オーミック電極7側がショットキー障壁を持っていても大きな問題にはならない。このことは、両電極をショットキー電極で形成していても、受光面の電極に逆バイアスの電圧を印加して使う場合、もう一方の電極には順バイアス状態になり、結果、オーミック電極と同等の働きをすることを意味している。結晶基板2は、III族窒化物材料の結晶成長が可能な、導電性を示すSi系の半導体基板とされる。好適な基板としてはn型SiCやn型Siからなるものが挙げられる。本実施例では、結晶基板2上に、バッファ層3を介して光感受層10を成長させている。一般的に、バッファ層3は、その上方に成長させるIII族窒化物材料の結晶成長温度よりも低温で堆積させたものである。なお、便宜上、n型SiCやn型Siからなる結晶基板2の表面に、III族窒化物結晶との格子定数や熱膨張係数の違いを緩和するためのn型AlyGa1-yN0≦y≦1[n型SiC基板の場合]やn型SiC[n型Si基板の場合]からなるバッファ層3を設けたものを基板とみなしても良く、さらにその上に光感受層4とは別のIII族窒化物結晶の薄膜例えば、基板等とはドーピングの濃度が異なるものを有するものを基板とみなしても構わない。いずれにしても、本実施形態では、光感受層10を境にしてバッファ層3より下の各層バッファ層3、結晶基板2及びオーミック電極7については電極として一体的に取り扱って考えることが可能である。[動作]又以下では、本実施例に係る受光素子1の動作につき説明する。まず、透明ショットキー電極5側に負電圧、n型層側すなわちオーミック電極7に正電圧を印加して、素子を逆バイアス状態とする。図の上方より入射する光Lは、透明ショットキー電極5を透過し、光感受層10に達すると吸収され、伝導帯に電子を、価電子帯に正孔を発生させる。このとき、電子は電界によりn型半導体層である結晶基板2に移動する一方、正孔は透明ショットキー電極5に移動し、電極を通じて光電流として外部に取り出される。換言すれば、電子はオーミック電極7に、正孔はショットキー電極5に導かれ、光電流として外部に取り出される。ここで、逆バイアス電圧を大きくすることにより、アバランシェ効果を起こさせ、電流増幅型素子として用いられることもある。[実験結果]図2に、本実施例に係る受光素子1の実験結果を示す。図2aは、本実施例に係る受光素子1の実験結果を示している。また図2bは、光感受層4をAlN層若しくはGaN層単独からなるもの、またはAlGaN層上記の通り、AlxGayIn1-x-yN0<x<1、0<y<1、xy≦1からなるものとした従来例に係る受光素子1’の実験結果を示している。ここで、図2bには、AlGaN層に関しては、上記xとyの比率を適宜変えた3種類の例が示されている。なお、図2bは本実施例に係る受光素子1の実験結果との比較のため、TerubumiSaitoetalGroupIIInitridesemiconductorSchottkybarrierphotodiodesforradiometricuseintheUVandVUVregionsMetrologia46S272S276より引用したものである。まず、従来例につき説明すると、図2bのグラフを見ると、AlN層またはGaN層単独からなる従来例に係る受光素子1’のS/Nは比較的良い。次に、光受光層をAl、Ga、Nの3つの合金からなるAlGaN層にしたときには、S/N比が悪化している。これについては、3つの混晶系の様な無秩序状態では、バンドギャップより小さいところで光電流がだらだら流れてしまい、それがS/N比の悪化に繋がっているものと考えられる。一方、図2aのグラフに示す本実施例に係る受光素子の場合は、光感受層4をAlN層またはGaN層単独からなるものとした従来例に係る受光素子1’と同様に、4桁のS/N比を実現できている。このように、本発明に係る受光素子は、従来のAlGaNセンサ同様にカットオフ波長のチューニングを行うことが可能である一方で、4桁のS/N比を実現することが可能なものである。それゆえ、本発明の受光素子は、i太陽光中に僅かに含まれる紫外線成分の測定等のヘルスケア分野やii炎検知分野を含む広範な事業領域に十分適用可能であることが明らかとなった。以上、一実施例に基づき本発明に係る受光素子の詳細につき説明したが、本発明に係る受光素子については上記実施例に記載の構成に限定されず、種々の変形実施が可能である。このように、本発明は、個々のニーズに合った波長の光を検出、測定可能であると共に、高S/N比を実現可能な受光素子を提供する新規かつ有用なるものであることが明らかである。"