周波数コム光信号COを生成するように、また前記周波数コム光信号COをモードロックレーザーダイオード周波数コム光源FCSから受信し複数の個別光信号Ciへと前記周波数コム光信号を逆多重化するように構成されたマルチプレクサ/デマルチプレクサMUXへと前記周波数コム光信号COを入力するように構成された前記モードロックレーザーダイオード周波数コム光源FCSと、複数の反射型変調器Miとを備えることによって特徴づけられ、前記複数の反射型変調器のうちの少なくともいくつかは、それぞれ、前記逆多重化された個別の光信号Ciのうちのそれぞれの信号を受信するように、前記受信された個別の光信号を変調するように、また前記変調された光信号Cimを前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXへと反射して戻すように構成されており、前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXは、さらに、前記受信された変調済みの光信号Cimを多重化された出力光信号へと多重化するように構成されている、光集積回路トランスミッタ。複数の可変光減衰器VOAをさらに備える、請求項1に記載のトランスミッタ。複数の半導体光増幅器SOAをさらに備える、請求項1または2のいずれか1項に記載のトランスミッタ。前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXは、アレイ導波路回折格子である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のトランスミッタ。前記反射型変調器Mは、反射モード電界吸収型変調器、または反射モード半導体光増幅器、あるいはマッハ-チェンダー干渉計である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のトランスミッタ。直接に変調された注入ロックレーザーのバレットをさらに備える、請求項1に記載のトランスミッタ。光信号を送信するための方法であって、モードロックレーザーダイオード周波数コム光源FCSを用いて周波数コム光信号COを生成するステップと、前記モードロックレーザーダイオード周波数コム光源FCSからマルチプレクサ/デマルチプレクサMUXへと前記周波数コム光信号COを入力するステップと、前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXにより、前記モードロックレーザーダイオード周波数コム光源FCSから前記周波数コム光信号COを受信し、前記コム光信号COを複数の個別の光信号Ciへと逆多重化するステップと、それぞれの反射型変調器Mを用いて前記逆多重化された個別の光信号Ciのうちのそれぞれの信号を受信し、前記受信された個別の光信号Ciを変調し、前記変調された光信号Cimを前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXへと反射して戻すステップと、前記マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXを用いて前記受信された変調済みの光信号Cimを多重化された出力光信号へと多重化するステップとを備える方法。半導体光増幅器SOAを用いて前記変調された光信号を増幅するステップをさらに備える、請求項7に記載の方法。可変光減衰器VOAを用いて前記変調された光信号の上で均等化するプロセスを備える、請求項7または8のいずれか1項に記載の方法。光集積回路のそのような使用についての一例は、WDMトランスミッタにおけるものである。しかしながら、そのようなトランスミッタは、一般的に、いくつかの、すなわちN個の、レーザー光源を使用して、N個のWDMチャネルをサーブするserve。図1は、その図において一般参照記号CWLによって表される複数のレーザー光源、例えば、連続波レーザーダイオードのアレイを使用したPICトランスミッタアーキテクチャについての知られている解決法の概略表現である。PICトランスミッタは、送信されるべき信号を変調する、図において一般参照記号Mによって表される変調器のアレイと、送信されるべき信号を増幅する、図において一般参照記号SOAによって表される半導体光増幅器のアレイと、すべてのチャネルからのパワーを等しくする、図において一般参照記号VOAによって表される可変光減衰器のアレイとをさらに備える。次いで、それらのチャネルは、伝送のためのマルチプレクサMUXにおいて多重化される。一般的に、各レーザーは、1つの独立した電流によってバイアスされ、またレーザーの波長は、一般的に、例えば、1つの個別のオーム性ヒーターOhmicheaterを経由して正確に制御される必要があるので、そのようなコンフィギュレーションは、PICの使用にもかかわらず、依然としてパワーを消費してしまう。複数のレーザー光源を使用することについての問題を克服するために、いくつかの知られている解決法は、モードロックレーザーベースのmode-lockedlaserbased周波数コム光源frequencycombsourceFCSを使用することに向けられている。図2は、この種類の例示のトランスミッタについての概略表現である。図2のトランスミッタは、多重化されて、またデマルチプレクサDEMUXへと、一般的には、前記多重化された波長を個別のチャネルへと逆多重化することを担うアレイ導波路回折格子ArrayedWaveguideGratingAWGへと、供給される複数の波長を生成するFCSを備える。次いで、個別のチャネルのそれぞれは、送信されるべき信号を変調する、図において一般参照記号Mによって表される変調器のアレイと、送信されるべき信号を増幅する、図において一般参照記号SOAによって表される半導体光増幅器のアレイと、すべてのチャネルからのパワーを等しくする、図において一般参照記号VOAによって表される可変光減衰器のアレイとからそれぞれの変調器へと入力される。次いで、それらのチャネルは、伝送のためのマルチプレクサMUXの中で多重化される。N一般的に8または10個のレーザーが、1つのレーザー光源FCSによって置き換えられるので、図2のトランスミッタは、消費電力の節約をもたらす、FCSを使用する利点を有する。さらに、各光源のために使用されるべき、かなりの数の独立した温度コントローラが、たった1つの温度コントローラによって置き換えられるので、ITU-TグリッドITU-T規格によって定義されるようなの上の波長の整合alignmentは、コム光源の場合にはより簡単である。しかしながら、図2に示されるアーキテクチャは、それが、個別の変調器に波長を分配するデマルチプレクサDEMUXと、トランスミッタの出力においてすべての符号化されたチャネルを再結合させるマルチプレクサMUXとの使用を必要とするという点において欠点を有する。マルチプレクサ機能と、デマルチプレクサ機能とは、一般的に、かなりのサイズのデバイスであるアレイ導波路回折格子AWGを用いて提供されることが可能である。それゆえに、説明された利点にもかかわらず、上記の知られている解決法は、一般的には、フットプリントをかなり低減させることができず、またはそれらは、以前に知られている技術を使用して達成されたものよりも大きなフットプリントをもたらす可能性さえある。それに応じて、いくつかの実施形態は、周波数コム光信号を生成するように構成されたレーザー光源と、レーザー光源から周波数コム光信号を受信するように、また前記コム光信号を複数の個別の光信号へと逆多重化するように構成されたマルチプレクサ/デマルチプレクサと、複数の反射型変調器とを備える光集積回路トランスミッタを特徴づけており、そこでは、前記複数の反射型変調器の少なくともいくつかは、それぞれ、前記逆多重化された個別の光信号のうちのそれぞれの信号を受信するように、前記受信された個別の光信号を変調するように、また変調された光信号をマルチプレクサ/デマルチプレクサへと反射して戻すように構成されており、前記マルチプレクサ/デマルチプレクサは、さらに、受信された変調済みの光信号を多重化された出力光信号へと多重化するように構成されている。レーザー光源は、モードロックレーザーダイオードであることが好ましい。トランスミッタは、複数の可変光減衰器をさらに備えることが好ましい。トランスミッタは、複数の半導体光増幅器をさらに備えることが好ましい。いくつかの実施形態は、レーザー光源を用いて周波数コム光信号を生成するステップと、マルチプレクサ/デマルチプレクサを用いて、レーザー光源から周波数コム光信号を受信し、前記コム光信号を複数の個別の光信号へと逆多重化するステップと、それぞれの反射型変調器を用いて、前記逆多重化された個別の光信号のうちのそれぞれの信号を受信し、前記受信された個別の光信号を変調し、変調された光信号をマルチプレクサ/デマルチプレクサへと反射して戻すステップと、マルチプレクサ/デマルチプレクサを用いて、受信された変調済みの光信号を多重化された出力光信号へと多重化するステップとを備える、光信号を送信するための方法を特徴づける。本発明についてのこれらの特徴および利点と、さらなる特徴および利点とは、添付の図面の助けを受けて、特許請求の範囲においてと同様に、以下の説明において、例示の目的のために、また限定する目的のためではなく、より詳細に説明される。図3においては、いくつかの実施形態によるトランスミッタの例示の概略表現が、示されている。図3のトランスミッタTは、図において参照記号FCSによって表される、光信号の周波数コムを生成するように構成されたレーザー光源を備える。とりわけ、周波数コムは、図において参照記号COによって表されるように多重化される複数の波長を備える。この非限定的な例においては、レーザー光源は、光信号の前記周波数コムを生成する能力を有するモードロックレーザーダイオードであるように仮定される。多重化されたコム光信号COは、マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXへと、好ましくはアレイ導波路回折格子AWGへと入力され、このマルチプレクサ/デマルチプレクサは、前記多重化された波長を複数の個別のチャネルへと逆多重化するように構成されている。次いで、個別のチャネルCiは、図において一般参照記号Mによって表される変調器のアレイに含まれるそれぞれの反射型変調器Miへと入力される。反射型変調器Miは、受信された個別の光チャネルCiを変調し、また変調されたチャネルCimを伝送するためにマルチプレクサ/デマルチプレクサMUXに向かって反射して戻す。変調器Miから反射される変調されたチャネルCimは、図において一般参照記号SOAによって表される半導体光増幅器のアレイのうちからそれぞれの半導体光増幅器SOAiへと入力されることが好ましい。半導体光増幅器SOAiは、変調されたチャネルCimを増幅するように構成されている。半導体光増幅器から出力される増幅された変調されたチャネルCimは、図において一般参照記号VOAによって表される可変光減衰器のアレイのうちからそれぞれの可変光減衰器VOAiへと入力されることが好ましい。可変光減衰器VOAiは、送信されるべきすべてのチャネルに関してそれぞれの変調されたチャネルCimにおけるパワーを等しくするように構成されている。次いで、変調されたチャネルCimは、マルチプレクサ/デマルチプレクサMUXにおいて多重化されて、伝送回線TXの上で伝送するための1つのWDM変調された符号化された信号を生成する。本明細書において説明されるような反射モードオペレーションにおいては、AWGは、DeMuxと、Muxとの両方の機能を有する。それゆえに、それらのVOAと、それらのSOAとはまた、二重の機能を有する。これは、FCSに由来するCW信号では、それらのVOAと、それらのSOAとは、それぞれパワーの事前均等化と、事前増幅との機能を有し、また反射型変調器から反射される符号化された信号では、それらのSOAは、パワー増幅器機能を有し、またそれらのVOAは、最終的なパワー均等化機能を有することを意味する。信号が、VOAデバイスおよびSOAデバイスを2回反射のために、通過するときに、そのときには、必要とされる均等化のためのSOAの利得と減衰とは、一般的に伝送モードにおいて必要とされる値よりも小さく、このようにして、より小さな消費電力さえも、もたらしている。これは、それでもやはり、本明細書において説明される解決法において使用される反射モードのさらなる利点である。反射型変調器Mは、電界吸収型変調器electro-absorptionmodulatorsEAMとすることができる。EAMを使用して、ゼロ復帰RZや非ゼロ復帰NRZなど、典型的なOOKオンオフキーイングon-offkeying変調フォーマットを提供する。代わりに、より進化した位相シフトキーイングx-PSKフォーマットを提供するために、インジウムリンInP-集積マッハ-チェンダーMach-Zehnder変調器が、使用されることも可能である。反射モードオペレーションは、光が、それらの中で2回、すなわち順方向と、逆方向とに、伝搬するので、より短いデバイスの利点を提供するEAMと、MZ変調器との両方の場合に、可能である。反射型変調器はまた、反射モード半導体光増幅器reflective-modesemiconductoropticalamplifiersR-SOAとすることもできる。トランスミッタは、寄生光フィードバックをFCSへと抑制するために集積光アイソレータをさらに備えることが好ましい。変調されたチャネルCimの変調レートは、例えば、約10Gbpsにあるようにすることができる。このようにして、トランスミッタは、低減されたフットプリントと、低減された消費電力従来のトランスミッタに比べてとを伴って製造されることが可能であり、これは主として、レーザー光源のアレイの代わりに、ただ1つの周波数コム光源の使用に起因しており、このようにして、個別のレーザー光源の数の減少と、放散されるべき熱の低減された量との両方を通して、省電力をもたらしている。フットプリントの節約はまた、入力コム信号を逆多重化する機能と、次いで伝送のために符号化された変調されたチャネルを多重化する機能との両方を実行するように構成された単一のマルチプレクサ/デマルチプレクサコンポーネントの使用に起因して、全体のサイズにおいても達成される。実際に、反射型変調器Miまたは一般にMによって提供される反射性は、1つの単一のマルチプレクサ/デマルチプレクサコンポーネントを使用する可能性を与える。さらに、ただ1つの温度コントローラが、単一の周波数コムジェネレータの場合に必要とされるので、各レーザー光源の温度を独立して制御するための必要性これは、いくつかの従来のトランスミッタにおいて当てはまるは、取り除かれる。特許請求の範囲の手段に対応する構造のリストは、網羅的なものではないこと、および当業者は、同等の構造が、本発明の範囲を逸脱することなく列挙された構造のために代用され得ることを理解することに注意すべきである。例えば、反射モードの電界吸収型変調器reflective-modeelectro-absorptionmodulatorR-EAMは、上記に説明されるような反射モード半導体光増幅器R-SOAまたは反射型マッハ-チェンダー干渉計によって置換されることが可能である。さらに、図3に関連して説明されるような反射型変調器とSOAとは、反射モードにおける直接に変調された注入ロックレーザーinjection-lockedlasersのバレットbarretteによって置換されることが可能であり、この注入ロックレーザーは、波長が発生され、または注入され、またこのようにしてFCSに由来する光信号のコムCOによって制御され、さらなる省電力をもたらす。これは、変調が注入ロックレーザーの中で直接に起こるので、パワーを増幅するための余分なキャビティ変調器についての必要性と、SOAについての必要性とが存在しないことに起因している。対応する特許請求の範囲の中で説明され、また列挙されるような本発明の方法のステップについての順序は、提示され、また説明されるような順序だけには限定されず、また本発明の範囲を逸脱することなく変更することができることにも注意すべきである。本明細書における任意のブロック図は、本発明の原理を実施する例示の回路についての概念図を表すことが、当業者によって理解されるべきである。