"チョクラルスキー法により窒素ノンドープにてV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、前記作製したウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。チョクラルスキー法により窒素ノンドープにてV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、前記作製したウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする工程と、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの製造方法。しかしながら、特許文献3に記載の技術は、少なくとも1300°C近傍の温度で熱処理するため、スリップ転位が発生しやすくなる。更に、特許文献4に記載の技術は、COP及びボイドのサイズを縮小させることを目的として窒素をドープしているが、窒素をドープしたウェーハは、結晶内に窒素のas-grown析出核が多く形成されるため、この窒素を核としてサーマルドナーが発生し、抵抗値が不安定となりやすい問題がある。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができ、サーマルドナーの発生も抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第1の態様は、チョクラルスキー法により窒素ノンドープにてV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、前記作製したウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする工程と、を備えることを特徴とする。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の第2の態様は、チョクラルスキー法により窒素ノンドープにてV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、前記シリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、前記作製したウェーハの表裏面を平坦化処理する工程と、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する工程と、前記エッチング処理されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする工程と、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備えることを特徴とする。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることが好ましい。本発明によれば、シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができ、サーマルドナーの発生も抑制することができるシリコンウェーハの製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法は、図1に示すように、引き上げ工程S101、スライス工程S102、平坦化処理工程S103、鏡面研磨工程S104、熱処理工程S105を備える。引き上げ工程S101では、CZ法により窒素ノンドープにてV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する。具体的には、周知の単結晶引上装置を用いて、窒素ノンドープにてシリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら種結晶を引き上げてネック部及び所望の直径まで拡径する拡径部を形成後、所望の直径を維持しながら、V-リッチ領域となるようにV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を所定値例えば、0.25~0.35mm2/°Cminに制御して直胴部を形成し、その後、所望の直径から縮径する縮径部を形成してシリコン融液から切り離すことで行う。なお、本発明にいう窒素ノンドープとは、シリコン単結晶インゴットの育成時に、故意に窒素ドープ例えば、石英ルツボ中へのポリシリコン積載時に窒化膜が形成されたシリコンウェーハ片を同時に積載を行わないことをいう。また、前記育成するシリコン単結晶インゴットの酸素濃度の調整は、石英ルツボの回転数や炉内圧力、ヒータ温度などを調整することによって行うことができる。図2は、V/G値と育成されるシリコン単結晶インゴット中の点欠陥分布との関係を模式的に示す概念図である。図2に示すように、ネック部2を形成した後、シリコン単結晶インゴット1の引き上げ速度V値を拡径部3側から縮径部4側にかけて漸減していくと、V/G値も減少し、これに伴って、シリコン単結晶インゴット1中の欠陥分布も変化する。なお、この場合は、G値はほとんど変化しない。引き上げ速度V値が大きい、すなわち、V/G値が大きいときは、原子空孔COPが多く取り込まれたV-リッチ領域5が形成される。このV-リッチ領域5が消滅する臨界V/G値以下では、まず、酸化誘起積層欠陥OxidationinducedStackingFault:以下、OSFと略記するがリング状に発生するリングOSF領域6が形成され、次に、空孔と格子間シリコン濃度との均衡により、原子の不足や余分の少ない無欠陥領域7が形成される。V/G値がさらに減少すると、格子間シリコンが多く取り込まれたI-リッチ領域8が形成される。このように本発明では、V/G値を制御してV-リッチ領域を含む直胴部を有するシリコン単結晶インゴットを育成するため、無欠陥領域からなるシリコン単結晶インゴットを育成するよりも、引き上げ速度V値の高速化を図ることができる。従って、育成効率を低下させることなく、シリコン単結晶インゴットを育成することができる。また、シリコン単結晶インゴットの育成を窒素ノンドープにて行うため、窒素のas-grown析出核の発生を抑制することができる。従って、窒素を核としたサーマルドナーの発生を抑制することができる。なお、シリコン単結晶インゴットの育成を窒素ドープにて行った場合でも、後に熱処理工程を設けることでウェーハの表層部の窒素を外方拡散させることが可能である。しかしながら、この場合であってもウェーハの内部であるバルク部の窒素は、外方拡散されにくいため、熱処理後も当該バルク部に残存する。従って、シリコン単結晶インゴットの育成を窒素ノンドープにて行うことが好ましい。スライス工程S102では、周知の切断装置ワイヤソー等を用いて、前記シリコン単結晶インゴットを切断してV-リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する。なお、ここでいうV-リッチ領域からなるとは、前述したリングOSF領域を排除するものではなく、V-リッチ領域及びリングOSF領域の両方を有する場合も含まれる。平坦化処理工程S103では、周知の平坦化処理装置ラッピング装置、研削装置等を用いて、前記作製したウェーハの表裏面を平坦化処理する。鏡面研磨工程S104では、周知の研磨装置を用いて、前記平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する。熱処理工程S105では、周知の熱処理装置縦型熱処理装置等を用いて、前記鏡面研磨されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする。図3及び図4は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法におけるウェーハの表層部とバルク部のCOP及びBMDが低減するメカニズムを説明するための概念図であり、図3は前記第1の熱処理における低減メカニズムaがCOP、bがBMD、図4は前記第2の熱処理における低減メカニズムaがCOP、bがBMDをそれぞれ示す。図3及び図4を用いて、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法におけるCOP及びBMDが低減するメカニズムを説明する。本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、最初に、不活性ガス含有雰囲気中で前記最高到達温度及び保持時間の第1の熱処理がなされるため、ウェーハの表層部の酸素は、ウェーハ表面から外方拡散され、更に、ウェーハのバルク部に内方拡散される。従って、表層部の酸素濃度は低下するため、表層部に存在するCOPの内壁酸化膜は溶解し、内壁酸化膜が除去されたCOP以下、ボイドというが形成される。その後、シリコン原子の再配列によって、このボイドが消滅すると考えられる図3a表層部。なお、バルク部においては、前述したように、酸素濃度が低濃度0.8×1018atoms/cm3以下であるシリコン単結晶インゴットを用いているため、バルク部に存在するCOPの内壁酸化膜も溶解し、ボイドが形成されると考えられる。しかしながら,再配列で消費される格子間Si量は限りが有り、早期に再配列が生じる表層部のCOP消滅に優先的に消費されるため,バルク中のボイドは残留するものと考えられる図3aバルク部。また、シリコン単結晶インゴット育成時に発生したBMD核は、表層部においては、前述したように、ウェーハ表面からの酸素の外方拡散等により酸素濃度が低下するため、ウェーハ内に溶解して消滅すると考えられる図3b表層部。なお、バルク部においては、表層部とは異なり、酸素が外方拡散されにくく、更に、表層部からの酸素の内方拡散もあるため、酸素濃度が低下しにくい。従って、バルク部に存在するBMD核は残存すると考えられる。ただし、前述したように酸素濃度が低濃度0.8×1018atoms/cm3以下であるため、ウェーハの表層部からの酸素の内方拡散があったとしてもBMD核の析出や成長は微少なものとなると考えられる図3bバルク部。前記最高到達温度及び保持時間の第2の熱処理では、酸化性ガス雰囲気中で熱処理されるため、ウェーハの表層部に大量の格子間シリコン図中では、i-Siと称するが注入される。この注入された格子間シリコンがバルク部まで拡散し、バルク部に存在するボイド内に注入される。従って、前記第1の熱処理で残存したボイドは、この第2の熱処理で消滅すると考えられる図4a。また、前記第1の熱処理で残存したバルク部のBMD核は、前述したようにウェーハの酸素濃度が低濃度0.8×1018atoms/cm3以下であり、また、第1の熱処理におけるBMD核の析出又は成長が微少なものであるため、前記第2の熱処理においてウェーハ内に溶解し消滅すると考えられる図4b。以上より、前記第1及び第2の熱処理を行うことで、ウェーハの表層部及びバルク部においてもCOPやBMD等の欠陥を低減させることができる。また、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットを切断したウェーハに対して熱処理を行うため、現状の周知の熱処理装置を用いることができるため、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止することができる。更に、前記第1の熱処理の最高到達温度が1100°C以上1250°C以下であり、前記第2の熱処理の最高到達温度が1150°C以上1200°C以下であるため、1300°C近傍で行うよりも熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができる。更に、熱処理時に使用するウェーハを保持する熱処理部材がSiCに限定されることがなく、Siボート等も用いることができる。従って、熱処理時における不純物汚染を抑制することができる。なお、SiCボートを用いたとしても1300°C近傍で行うよりも不純物汚染を抑制することができる。前記シリコン単結晶インゴットにおける酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3を超える場合には、ウェーハのバルク部の酸素濃度が高い状態となるため、第1の熱処理において、バルク部に存在するCOPの内壁酸化膜が溶解されにくくなり、第1の熱処理後、内壁酸化膜が存在する状態でバルク部にCOPが残存する。また、その後の第2の熱処理においても、バルク部では酸素濃度が高い状態となるため、前記COPの内壁酸化膜が溶解しきれず、第2の熱処理後もバルク部にCOPが残存する。更に、BMDにおいては、ウェーハの酸素濃度が高くなるため、第1の熱処理では、バルク部のBMD核の析出及び成長が促進され、第1の熱処理後においてバルク部のBMD核のサイズ及び密度が大きく増加する。また、バルク部の酸素濃度は高く、第1の熱処理によってBMD核のサイズ及び密度が増加しているため、第2の熱処理を行った場合でも溶解によりBMD核を消滅させることが難しい。以上より、前記シリコン単結晶インゴットにおける酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3を超える場合には、ウェーハのバルク部にCOP及びBMDが残存するため好ましくない。前記第1の熱処理の最高到達温度が1100°C未満である場合には、温度が低温であるため、COPの内壁酸化膜やBMD核の溶解が発生しにくくなり、第1の熱処理後、表層部においても、COPやBMDが残存する。前記最高到達温度が1250°Cを超える場合には、温度が高温となるため、スリップ転位の発生を抑制することが難しい。前記第2の熱処理の最高到達温度が1150°C未満である場合には、温度が低温であるため、ウェーハのバルク部に残存するBMD核を溶解させることが難しい。前記最高到達温度が1200°Cを超える場合には、温度が高温となるため、スリップ転位の発生を抑制することが難しい。前記第1の熱処理における最高到達温度の保持時間が30分未満である場合には、熱処理時間が少ないため、十分にCOPの内壁酸化膜の溶解、消滅を図ることが難しい場合がある。前記保持時間が2時間を越える場合には、生産性が低下すると共に、スリップ転位が発生しやすくなり、その他、不純物汚染等の他の不具合も発生する場合がある。前記第2の熱処理における最高到達温度の保持時間が5分未満である場合には、熱処理時間が少ないためCOP及びBMD核の消滅を図ることが難しい場合がある。前記保持時間が10時間を越える場合には、生産性が低下すると共に、スリップ転位が発生しやすくなり、その他、不純物汚染等の他の不具合も発生する場合がある。前記第1の熱処理が酸化性ガス雰囲気でされる場合には、ウェーハの表層部に酸素が内方拡散するため、当該表層部の酸素濃度が増加する。従って、第1の熱処理において当該表層部に存在するCOPの内壁酸化膜を溶解させることが難しい。また、第2の熱処理も同様である。従って、第2の熱処理後において表層部のCOPを低減させることが難しい。前記第1の熱処理が水素ガス雰囲気でされる場合には、前述したような不活性ガス含有雰囲気とほぼ同様の効果を得ることができる。しかしながら、前記第2の熱処理が酸化性ガス雰囲気でされるため、前記第1の熱処理と前記第2の熱処理を、同一の熱処理装置内で連続して行う場合には、その切り替え時に、水素ガスと酸化性ガスの混合ガス雰囲気となる場合があり、爆発の危険性があるため好ましくない。また、前記第1の熱処理が窒素ガス雰囲気でされる場合には、第1の熱処理後、ウェーハの表面に窒化膜が形成される場合があり、窒化膜を除去する工程を新たに増やす必要があり、生産性が低下する場合がある。前記第2の熱処理が不活性ガスや水素ガス雰囲気でされる場合には、表層部からバルク部への酸素の内方拡散を促してしまうため、ウェーハのバルク部に残存するBMD核を溶解させることが難しい。また、この場合、前記第2の熱処理において更に表層部の酸素を外方拡散させてしまうため、表層部の酸素濃度が大きく低下し、酸素のスリップ転位に対するピンニング力が低下する。従って、後の半導体デバイス形成熱処理において、スリップ転位が発生しやすくなる。また、前記第2の熱処理が窒素ガス雰囲気でされる場合には、前述したのと同様に、ウェーハの表面に窒化膜が形成される場合があり、生産性が低下する。前記育成されたシリコン単結晶インゴット中の窒素濃度は、6.0×1013atoms/cm3以下であることが好ましい。このような窒素濃度の範囲とすることで、確実にサーマルドナーの発生を抑制することができる。前記第1の熱処理における不活性ガス含有雰囲気は、アルゴンガスが好適に用いられる。前記第1の熱処理の不活性ガス含有雰囲気における不活性ガスの分圧は、95以上100以下であることが好ましい。このように、不活性ガス以外のガス例えば、酸素ガスや窒素ガスを5未満とすることで、上述した効果を確実に得ることができるため好ましい。前記第2の熱処理の酸化性ガス雰囲気における酸素ガスの分圧は、1以上100以下であることが好ましい。前記酸素分圧が1未満である場合には、ウェーハの表面に注入される格子間シリコンの発生量が低下するため、第2の熱処理において、バルク部のCOP欠陥の低減を十分に図ることができない場合がある。前記酸化性ガスおける酸素ガス以外のガスはアルゴンガスが好適に用いられる。このように、酸素ガス以外のガスとしてアルゴンガスを用いることにより、窒化膜等の他の膜の形成や化学的反応等が生じることがなく、第2の熱処理を行うことができる。なお、前述した平坦化処理工程S103は、周知のラッピング処理や両面研削処理が含まれる。また、鏡面研磨工程S104は、周知の両面研磨処理が含まれる。すなわち、本実施形態における平坦化処理工程S103は、スライス工程S102で切断されたウェーハの表裏面をラッピング処理した後に両面研削処理を行う工程であってもよく、ラッピング処理を行わず両面研削処理を行う工程であってもよい。なお、この場合は、鏡面研磨工程S104は、両面研磨処理を行うことが好ましい。また、平坦化処理工程S103と鏡面研磨工程S104の間に、エッチング処理工程後述を設けてもよい。すなわち、スライス工程S102で切断されたウェーハの表裏面を平坦化処理し、続いて、エッチング処理し、更に、エッチング処理されたウェーハに対して、鏡面研磨を行っても良い。第2の実施形態図5は、本発明の第2の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程フロー図である。本実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法は、図5に示すように、引き上げ工程S201、スライス工程S202、平坦化処理工程S203、エッチング処理工程S204、熱処理工程S205、酸化膜除去工程S206、鏡面研磨工程S207を備える。なお、引き上げ工程S201、スライス工程S202、平坦化処理工程S203においては、第1の実施形態で説明した引き上げ工程S101、スライス工程S102、平坦化処理工程S103のそれぞれと同様であるため、説明を省略する。エッチング処理工程S204では、周知のエッチング装置を用いて、前記平坦化処理されたウェーハの表裏面をエッチング処理する。具体的には、弗酸HF、硝酸HNO3、酢酸CH3COOH及び水H2Oを一定の比率で混合した酸エッチング溶液中に、前記平坦化処理されたウェーハの全面を浸漬させて行う。熱処理工程S205では、周知の熱処理装置縦型熱処理装置等を用いて、前記エッチング処理されたウェーハに対して、不活性ガス含有雰囲気中、1100°C以上1250°C以下の最高到達温度で、30分以上2時間以下保持する第1の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、1150°C以上1200°C以下の最高到達温度で5分以上10時間以下保持する第2の熱処理をする。なお、この工程におけるガス雰囲気、最高到達温度、その保持時間等の構成及びその効果は、第1の実施形態において説明したのと同様であるため説明を省略する。酸化膜除去工程S206では、周知の洗浄装置やエッチング装置を用いて、前記熱処理されたウェーハの酸化膜を除去する。具体的には、フッ酸溶液HF又はバッファードHF溶液NH4FHFに、前記熱処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を接触させて行う。鏡面研磨工程S207では、周知の研磨装置を用いて、前記酸化膜が除去されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する。すなわち、本実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法は、第1の実施形態で説明した熱処理工程S105を、エッチング処理後、鏡面研磨前に行う。このような方法とすることで、第1の熱処理においては酸素の外方拡散の効果を、第2の熱処理においては、格子間シリコンの注入の効果を高めることができる。すなわち、エッチング処理後のウェーハの表面は、鏡面研磨後の表面より表面粗さが大きいため、熱処理時のガス雰囲気との接触面積が大きくなるため、先述した効果を高めることができる。従って、ウェーハの表層部及びバルク部のCOPやBMD等の欠陥の低減効果を高めることができる。なお、前記熱処理工程S205を平坦化処理工程S203後、エッチング処理工程S204前に行う場合は、更に、ウェーハの表面粗さを大きくすることができる場合平坦化処理工程S203がラッピング処理の場合があるが、清浄度という観点から金属不純物等の問題があるため好ましくない。また、スライス工程S202後、平坦化処理工程S203前に行う場合も同様である。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。試験1:実施例1~2、比較例1~2図1に示す工程フロー図に基づいて、サンプルを作製した。具体的には、石英ルツボの回転数や炉内圧力を調整してCZ法により窒素ノンドープにてV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を0.28~0.32mm2/°Cminに制御して直胴部がV-リッチ領域を有するN-type、面方位100、酸素濃度0.8×1018atoms/cm3old-ASTMであるシリコン単結晶インゴットを育成後、該インゴットの直胴部を切断してV-リッチ領域からなる窒素濃度が6.0×1013/cm3以下である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。この酸素濃度及び窒素濃度は、二次イオン質量分析装置SIMSを用いて測定したウェーハのデバイス形成面側の表面から深さ1μmまで平均濃度である以下同じ。試験2:実施例3~4、比較例3~4CZ法により酸素濃度を制御して、その他は試験1と同様な条件にて、酸素濃度が0.4×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度が6.0×1013/cm3以下である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。試験3:比較例5~8CZ法により酸素濃度を制御して、その他は試験1と同様な条件にて、酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度が6.0×1013/cm3以下である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。試験4:比較例9~12CZ法により窒素をドープして、その他は試験1と同様な条件にて、酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度が1.0×1015/cm3である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。次に、試験1から4で得られたスライスウェーハに対して、ラッピング処理及び両面研削処理を行った後、両面研磨した。次に、両面研磨したウェーハを、アルゴン100ガス雰囲気中、1200°Cの最高到達温度で、60分保持する第1の熱処理を行い、その後、酸素100ガス中、最高到達温度を各々変化させて60分間保持する第2の熱処理を行った。この熱処理においては、各条件とも、縦型ボートであるシリコンボートに前記ウェーハを枚葉で10枚ずつ保持して行った。得られた熱処理後のウェーハに対してHF処理を行って、表裏面の酸化膜を除去した後に、半導体デバイス形成面となる表面の欠陥密度を評価した。更に、表面の欠陥密度を評価後、該表面の研磨処理を行って表面から深さ50μm及び100μmにおけるバルク部の欠陥密度を評価した。これらの欠陥密度の評価は、レイテックス社製LSTDスキャナMO601を用いて、測定表面から深さ5μmまでの領域の欠陥数を検出することで行った。また、酸化膜除去後のウェーハに対して、ウェーハ裏面に発生するスリップ長をX線トポグラフィ株式会社リガク製XRT300にて評価し、10枚におけるスリップ長の平均値を算出した。また、酸化膜除去後のウェーハに対して、2段階熱処理780°Cで3時間熱処理した後、1000°Cで16時間熱処理を施した後のウェーハ表面、深さ50μm及び100μmにおけるBMD密度をIRトモグラフィ株式会社レイテックス製MO-411にて評価した。更に、酸化膜除去後のウェーハに対して、450°Cで1時間の低温熱処理を行い、熱処理前後のウェーハの抵抗率の変化サーマルドナーの発生の有無を評価した。この評価は、熱処理前後の抵抗率の変化が5未満である場合は無とし、5を超える場合には有とした。本試験における試験条件及び評価結果を表1に示す。表1を見てもわかるように、窒素ノンドープであり、酸素濃度が0.8×1018atoms/cm3以下であり、第2の熱処理の最高到達温度が1150°Cから1200°Cである場合実施例1~4は、欠陥密度、BMD密度、スリップ長も低く、抵抗率の変化も無いことが認められる。なお、第2の熱処理の最高到達温度が1100°Cである場合比較例1、3には、バルク部深さ50μm、100μmの欠陥密度やBMD密度の低減効果が低い特に、BMD密度ことが認められる。また、第2の熱処理の最高到達温度が1250°Cである場合比較例2、4には、スリップ長が長くなることが認められる。また、酸素濃度が1.2×1018atoms/cm3である場合比較例5~8には、欠陥密度及びBMD密度が高くなることが認められる。更に、窒素ドープを行った場合比較例9~12には、抵抗率の変化が有ることが認められる。試験5第1の熱処理の最高到達温度を1100°Cとして、その他は、実施例1から4と同様な条件にて、第2の熱処理を行った。得られた熱処理後のウェーハに対して、表裏面の酸化膜を除去した後に、試験1と同様に、表面及びバルク部の欠陥密度、スリップ長、BMD密度、抵抗率の変化を評価した。その結果を表2に示す。表2を見てもわかるように、第1の熱処理の最高到達温度を1100°Cとした場合実施例5~8でも、欠陥密度、BMD密度、スリップ長も低く、抵抗率の変化も無いことが認められる。試験6第1の熱処理の最高到達温度を1000°Cとして、その他は、実施例1から4と同様な条件にて、第2の熱処理を行った。得られた熱処理後のウェーハに対して、表裏面の酸化膜を除去した後に、試験1と同様に、表面及びバルク部の欠陥密度、スリップ長、BMD密度、抵抗率の変化を評価した。その結果を表3に示す。表3を見てもわかるように、第1の熱処理の最高到達温度を1000°Cとした場合比較例13~16は、表面及びバルク部共に欠陥密度が高いことが認められる。試験7第1の熱処理の最高到達温度を1300°Cとして、その他は、実施例1から4と同様な条件にて、第2の熱処理を行った。得られた熱処理後のウェーハに対して、表裏面の酸化膜を除去した後に、試験1と同様に、表面及びバルク部の欠陥密度、スリップ長、BMD密度、抵抗率の変化を評価した。その結果を表4に示す。表4を見てもわかるように、第1の熱処理の最高到達温度を1300°Cとした場合比較例17~20は、スリップ長が大きくなることが認められる。試験8図5に示す工程フロー図に基づいて、サンプルを作製した。具体的には、石英ルツボの回転数や炉内圧力を調整してCZ法により窒素ノンドープにてV/G値V:引き上げ速度、G:シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を0.28~0.32mm2/°Cminに制御して直胴部がV-リッチ領域を有するN-type、面方位100、酸素濃度0.8×1018atoms/cm3old-ASTMであるシリコン単結晶インゴットを育成後、該インゴットの直胴部を切断してV-リッチ領域からなる窒素濃度が6.0×1013/cm3以下である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。また、同様な方法によりV-リッチ領域を有する酸素濃度が0.4×1018atoms/cm3old-ASTM、窒素濃度が6.0×1013/cm3以下である直径200mmの円板状のスライスウェーハを得た。得られたスライスウェーハに対して、ラッピング処理及び両面研削処理を行って、該ウェーハの表裏面を平坦化処理した後、フッ酸濃度49:硝酸濃度69:酢酸:水=1:15:3:1の酸エッチング溶液に浸漬させて、該ウェーハの表裏面をエッチング処理した。その後、エッチング処理したウェーハに対して、アルゴン100ガス雰囲気中、1200°Cの最高到達温度で、60分保持する第1の熱処理を行い、その後、酸素100ガス中、最高到達温度を1150°C、1200°Cの2条件にて各々60分間保持して第2の熱処理を行った。得られた熱処理後のウェーハに対してHF処理を行って、表裏面の酸化膜を除去した後に、両面研磨研磨取代片面:約20μmを行った。得られたウェーハに対して、試験1と同様に、表面及びバルク部の欠陥密度、スリップ長、BMD密度、抵抗率の変化を評価した。その結果を表5に示す。表5を見てもわかるように、図5に示す工程フローにて行った場合には、図1に示す工程フローよりも欠陥密度が良化する傾向があることが認められる。"