単結晶インゴットの直径を測定する直径測定センサと、前記直径測定センサからの測定データから短周期ノイズを除去するローパスフィルタと、前記ノイズが除去されたデータを現在データとして、引上速度を制御することで単結晶インゴットの直径を制御するADCセンサと、を含む単結晶インゴットの直径制御システム。前記ローパスフィルタは、前記測定データから短周期ノイズまたはスパイクノイズを除去することを特徴とする請求項1に記載の単結晶インゴットの直径制御システム。前記短周期の範囲は3~20秒であり、前記スパイクノイズの周期は075~5秒であることを特徴とする請求項2に記載の単結晶インゴットの直径制御システム。前記ローパスフィルタの時定数τfは1~15秒であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶インゴットの直径制御システム。前記短周期ノイズを除去した後引上速度を制御する時は、データ平均値個数を考慮してインゴットの直径を制御することを特徴とする請求項1に記載の単結晶インゴットの直径制御システム。請求項1ないし5のいずれか1項に記載の単結晶インゴットの直径制御システムを含むことを特徴とする単結晶インゴットの成長装置。本発明は、単結晶インゴットの直径および引上速度を精密に制御できる単結晶インゴットの直径制御システムおよびこれを含む単結晶インゴットの成長装置を提供しようとする。本発明の単結晶インゴットの直径制御システムは、単結晶インゴットの直径を測定する直径測定センサと、前記直径測定センサからの測定データから短周期ノイズを除去するローパスフィルタと、前記ノイズが除去されたデータを現在データとして引上速度を制御することで単結晶インゴットの直径を制御するADCセンサと、を含むことができる。また、本発明の単結晶インゴットの成長装置は、前記単結晶インゴットの直径制御システムを含むことができる。本発明の単結晶インゴットの直径制御システムおよびこれを含む単結晶インゴットの成長装置によれば、引上速度を精密に制御して単結晶インゴットの直径を精密に制御することができる。また、本発明によれば、単結晶インゴットの直径に対するRAWデータをセンシングした後、ローパスフィルタによって前処理過程を経ることで、短周期ノイズを除去することができる。例えば、本発明によれば、短周期、例えば6秒周期の測定誤差信号を除去することができ、ノードによる6秒4ごとに発生するスパイクノイズを除去でき、約6秒とそれ以下の残りのノイズ信号も除去することができる。また、本発明によれば、ローパスフィルタによって短周期信号の振幅を減少させることで、単結晶インゴットの直径を精密に制御することができる。例えば、実際の引上速度の変動幅を既存より約50以上減少させることができる。また、本発明によれば、直径の変動幅を既存より約30以上減少させることができる。また、本発明によれば、ターゲットの直径を精密に制御することができる。また、本発明によれば、振幅を減少させるために、データ平均値個数を制御することができる。本発明によれば、AVEが適用された場合に振幅がより減少したことが分かる。また、本発明によれば、ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲が増加して情報の損失を防止することができる。実施例の説明において、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などが、各ウェハ、装置、チャック、部材、部、領域または面などの上または下に形成されると記載される場合、上と下は直接または他の構成要素を介在して形成されるものも含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。なお、図面における各構成要素の大きさは、説明の便宜を図り誇張図示される場合もあるが、実際に適用される大きさを意味するものではない。図1は、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを含む単結晶インゴットの成長装置の例示図である。まず、実施例に係る単結晶製造方法が適用される単結晶成長装置について説明する。実施例に係るシリコン単結晶成長装置は、チャンバ110、ルツボ120、ヒータ130、引上手段150等を含むことができる。例えば、実施例に係る単結晶成長装置は、チャンバ110と、前記チャンバ110の内部に設けられ、シリコン融液を収容するルツボ120と、前記チャンバ110の内部に設けられ、前記ルツボ120を加熱するヒータ130と、シードSが一端に連結された引上手段150とを含むことができる。前記チャンバ110は、半導体などの電子部品素材として用いられるシリコンウェハ用の単結晶インゴットを成長させるための所定の工程が行われる空間を提供する。前記チャンバ110の内壁には、ヒータ130の熱が前記チャンバ110の側壁部に放出されないようにする輻射断熱体140を設置することができる。前記ルツボ120は、シリコン融液を収容できるように前記チャンバ110の内部に設けられ、石英材質からなることができる。前記ルツボ120の外部には、ルツボ120を支持できるように黒鉛からなるルツボ支持台125を設けることができる。前記ルツボ支持台125は、回転軸127上に固定設置されてこの回転軸127によって回転され、前記ルツボ120を回転および昇降運動させながら固液界面が同じ高さを維持するようにする。前記ヒータ130は、ルツボ120を加熱するようにチャンバ110の内部に設けることができる。例えば、前記ヒータ130は、ルツボ支持台125を取り囲む円筒形状を有することができる。このようなヒータ130は、ルツボ120内に搭載された高純度の多結晶シリコンの塊り溶融させてシリコン融液にすることになる。前記ヒータ130は、電源134により電力が供給され、前記電源134と前記ヒータ130との間にはパワーを変更させるための電極132が介在され、前記ヒータ130の温度はヒータ温度センサ136により測定される。実施例は、チャンバ110内部の融液対流を調整することにより乱流制御とインゴットの成長品質を改善するためにマグネット170を設けることができる。例えば、300mmインゴットの成長に水平型超伝導マグネットを用いることができるが、これに限定されるものではない。前記引上手段150はインゴットIGを引上および回転させることができる。実施例は、シリコン単結晶インゴットを成長させるための製造方法としては、単結晶であるシードSをシリコン融液に浸漬した後、ゆっくり引き上げながら結晶を成長させるCZ法を採用することができる。この方法によれば、シード結晶から細長い結晶を成長させるネッキング工程と、結晶を直径方向に成長させて目標直径とするショルダーリング工程と、一定の直径を有する結晶に成長させるボディグローイング工程と、一定の長さにボディグローイングが進んだ後、結晶の直径を徐々に減少させて最終的に溶融シリコンと分離させるテーリング工程を順に経ることで、単結晶インゴットの成長が完了する。実施例は、単結晶インゴットの直径および引上速度を精密に制御できる単結晶インゴットの直径制御システムおよびこれを含む単結晶インゴットの成長装置を提供しようとする。このために、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システム200は、単結晶インゴットIGの直径を測定する直径測定センサ210と、前記直径測定センサ210からの測定データから短周期ノイズを除去するローパスフィルタ220と、ノイズが除去されたデータを現在データとして引上速度の制御によって単結晶インゴットの直径を制御するADCセンサ230を含むことができる。前記直径測定センサ210は、単結晶インゴットIGの直径に対するRAWデータをセンシングするように設けられ、赤外線センサ、CCDカメラまたは高温計中の少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記直径測定センサ210のアナログ電流値は、ADコンバータによりデジタル値に変換され、変換されたデータをフィルタリングした後、データを一定周期毎に平均化して、この数値をPID制御部で現在値として用いることができる。実施例では、現在値と目標値の偏差と、前記偏差の変化をPID制御部で演算して、単結晶引上速度を調節するための変化量を出力することができる。単結晶の引上速度の変化に応じて単結晶の直径は変化し、このような演算が繰り返し行われることで、均一な直径制御を実行することができる。図2は、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムにおけるデータサンプリングの例示図である。実施例は、PIDコントローラーを含み、PIDコントローラーはADCセンサ230により測定されたデータを利用して単結晶引上速度に対するPIDロジックを演算することができる。この時、PIDコントローラーによって行われる単結晶直径に係る測定データをリーディングする段階では、図2に図示されたように、あらかじめ設定されたサンプリング周期とサンプリング個数に応じてデジタルRAWデータをサンプリングするデータ前処理過程が実施される。図2で、測定データのリーディング間隔は、例えば、02秒に設定され、サンプリング周期は、例えば14秒に設定され、サンプリング個数は、例えば5個に設定される。サンプリングされたデータは、平均化過程を経てPID演算ロジックに用いられる。PID演算過程ではサンプリングされた測定値と目標値の偏差およびまたは偏差変化を演算して単結晶引上に関与する引上手段のモータ速度などを変化させることで、単結晶の引上速度を制御することができる。図3は、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムにおける直径に対するRAWデータの例示図である。具体的に、図3は直径に対するRAWデータとして、単結晶インゴット成長中RAWデータに高周波ノイズが含まれた例示図である。実施例は、シードの回転周期による測定誤差信号を除去しようとする。例えば10rpmでシードを回転させる場合、回転一周期は6秒が必要とされ、回転周期による短周期測定誤差を除去しようとする。また、実施例は、Si単結晶を100方向に成長させる場合110方向にノードが発生し、4つのノードが発生するのでスパイク信号が発生する。例えば、100面方向に成長するSi単結晶に4つのノードが発生し、発生したノードが10rpmで回転する場合、スパイク信号は64秒に一回ずつ発生する。また、実施例は、回転周期とその以下のノイズ信号などを除去しようとする。例えば、図3は直径RAWデータとして、リーディング間隔を02秒にしてサンプリングした例であり、6秒の周期的ノイズと、6秒4周期のスパイクノイズが制御許容範囲である、100ptに比べて約100pt以上超過しており、非常に大きい揺れが発生している。前記スパイクノイズは、単結晶インゴットの結晶方向によるノードによって、インゴットが回転しながら発生し、例えば1回転に4回スパイクノイズが発生し得る。このような高周波ノイズはADC制御に悪影響を及ぼす。例えば、このような短周期ノイズは、ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントを狭く持っていくしかないようにし、これは約50以上の正常な情報切り捨てる結果を招来し、結局ADC制御器に誤った情報が提供されるので、ADC制御器の誤動作を招来することになる。実施例によれば、単結晶インゴットの直径に対するRAWデータをセンシングした後、ローパスフィルタによって前処理過程を経ることで、短周期ノイズを除去することができる。図4は実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムで採用するLPF回路の例示図であり、図5は実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを適用した時に制御された直径の例示図である。例えば、実施例によれば、短周期、例えば6秒周期の測定誤差信号を除去することができ、ノードによる6秒4ごとに発生するスパイクノイズを除去でき、約6秒とそれ以下の残りのノイズ信号も除去することができる。例えば、シード回転速度が10rpmで、インゴットのノードが4つであれば、1分に40個のノード周期性を持つことになり、ノードの1周期は60秒4015秒の周期を持つ。このような場合、SRの速度に応じて短周期が決定され、例えば短周期の範囲は約3秒~約20秒となり、スパイク信号周期は約075秒~約5秒となるが、これに限定されるものではない。数学式1はローパスフィルタに対する伝達関数であり、ローパスフィルタの時定数はRCと表現することができる。実施例で、R値の増加で時定数を増加させると、既存信号のドロップ現象を発生させる。これに、R値はADカードの負荷抵抗の約05以内に制御できるが、これに限定されるものではない。例えば、負荷抵抗が1MΩであれば、LPFのRは5kΩ以下である。これによって、実施例でローパスフィルタの時定数の範囲は約1秒~約15秒であり、ローパスフィルタの時定数値として1秒ないし96秒の値を例示するが、これに限定されるものではない。例えば、R1が1000Ωで、C1が1000μFである場合、時定数は10secの値を有し、R2が1000Ωで、C1が3200μFである場合、時定数は32secの値を有し、R3が3000Ωで、C3が3200μFである場合、時定数は96secの値を有することができる。数学式2は入力振幅に対する式であり、数学式3は出力振幅に対する式として、実施例の適用により短周期信号の振幅が減少することになる。例えば、図5によれば、ローパスフィルタを適用すると、時定数が32secの値を有する場合、6秒の短周期測定誤差信号を除去することができ、ノードによって6秒4ごとに発生するスパイクノイズを除去でき、約6秒とそれ以下の残りのノイズ信号も除去することができる。また、実施例によれば、ローパスフィルタによって短周期信号の振幅を減少させることで、単結晶インゴットの直径を精密に制御することができる。例えば、実際の引上速度の変動幅を既存より約50以上減少させることができる。また、実施例によれば、直径の変動幅を既存より約30以上減少させることができる。また、実施例によれば、ターゲットの直径を精密に制御することができる。例えば、既存の300mmインゴットに対するターゲットの直径が約308mmに設定されたとすれば、実施例の適用によってターゲットの直径が約306mmに減少し、ターゲットの直径をより精密に制御することができる。一方、従来技術によれば、移動平均フィルタを利用してRAWデータの散布が減少するが、このような効果は非周期的なノイズに対して除去効果があったが、周期的なノイズに対してはノイズ除去効果がなかった。そこで、実施例により周期的なノイズを除去する必要がある。図6は、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを適用した時に制御された直径の例示図である。実施例によれば、振幅を減少させるためにデータ平均値個数を制御することができる。例えば、実施例では、ローパスフィルタを利用して短周期かつスパイク性ノイズであり、6秒とそれ以下に現れるノイズをハードウェア的的に除去した後、データを処理する時データ平均値個数、サンプリングタイムなどを考慮することで、精密な直径制御が可能となる。前記データ平均値個数は、センシングされるデータの正倍数を使用してサンプリングデータの個数を設定することができるが、これに限定されるものではない。例えば、シード回転周期とデータ平均値個数の関係は正倍数であってもよく、半周期の関係であってもよい。例えば、データ平均値個数RAWデータ測定間隔と定義することができる。周期は60秒シードの目標速度とすることができる。例えば、データ平均値個数は02であるが、これに限定されるものではない。実施例によれば、AVEが適用された場合に振幅がより減少したことが分かる。すなわち、実施例によれば、サンプリング個数を正倍数または半周期の関係である場合、単結晶の回転と共に強く発生する信号を効果的に周期的に除去することができる。実施例で、AVE値は105~195の範囲を有することができるが、これに限定されるものではない。一方、AVEが大き過ぎると直径の測定エラーが除去されるが、ADC制御器の対応速度を遅くし、AVEが小さすぎるとADC制御器の対応速度は速くなるが、直径の測定エラーは除去できない問題がある。実施例によれば、データ平均値個数の制御によって振幅が30倍ないし70倍以上に減少される。例えば、ローパスフィルタを適用し、時定数が32secの値を有し、AVE値が105である場合、振幅が約38倍以上減少され、定数が32secの値を有し、AVE値が195である場合、振幅が約71倍以上減少される。また、実施例によれば、ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲が増加して情報の損失を防止することができる。例えば、既存ではADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲が55に設定されて非常に狭くなることで、多くの正常情報を切り捨てる問題があった。そこで、実施例によれば、ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲を約1010にして情報損失を除去でき、これによって、長周期信号はそのまま通過して正常信号を生かすことができる。実施例で、前記ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲は、情報損失を除去するために時定数によって変わり、約66~8080に設定できるが、これに限定されるものではない。図7は従来技術によるインゴットの長さ別の引上速度制御の例示図であり、図8は実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを適用した時の引上速度制御の例示図である。図7および図8には引上速度のRAWデータに対する値が表示されておらず、引上速度上限、引上速度下限、ターゲットの引上速度および平均引上速度のみが表現されている。X軸はインゴットの長さであるが、これに限定されるものではなく、インゴット固化率であってもよく、Y軸は引上速度を表す。従来技術によれば、インゴットの長さ別の引上速度に関しては、引上速度上限と引上速度下限を基準としてターゲットの引上速度が設定されているが、平均引上速度がターゲットの引上速度に及ばないと、引上速度上限と引上速度下限の範囲から逸脱する場合が多く存在することがわかる。反面、実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを適用した時は、平均引上速度がターゲットの引上速度と実質的に一致するプロフィールが現れることがわかる。実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムを適用した時、ターゲットの引上速度に対する実際の引上速度の精密制御が効果的に具現されることを確認ことができる。このような精密制御によれば、Pband、FPD、LDPのような欠陥がなくボディ全領域にわたり無欠陥領域を有するシリコン単結晶インゴットを製造することができる。実施例に係る単結晶インゴットの直径制御システムおよびこれを含む単結晶インゴットの成長装置によれば、引上速度を精密に制御して単結晶インゴットの直径を精密に制御することができる。実施例によれば、単結晶インゴットの直径に対するRAWデータをセンシングした後、ローパスフィルタによって前処理過程を経ることで、短周期ノイズを除去することができる。例えば、実施例によれば、短周期例えば、6秒周期の測定誤差信号を除去することができ、ノードによって6秒4ごとに発生するスパイクノイズを除去でき、約6秒とそれ以下の残りのノイズ信号も除去することができる。また、実施例によれば、ローパスフィルタによって短周期信号の振幅を減少させることで、単結晶インゴットの直径を精密に制御することができる。例えば、実際の引上速度の変動幅を既存より約50以上減少させることができる。また、実施例によれば、直径の変動幅を既存より約30以上減少させることができる。また、実施例によれば、ターゲットの直径を精密に制御することができる。また、実施例によれば、振幅を減少させるためにデータ平均値個数を制御することができる。実施例によれば、AVEが適用された場合に振幅がより減少したことができる。また、実施例によれば、ADCデジタルフィルタの下部ポイントと上部ポイントの範囲が増加して情報の損失を防止することができる。以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも1つの実施例に組合せることができ、必ず1つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示した特徴、構造、効果などは、当業者であれば、別の実施例に組合せたり変形して実施可能であり、このような組合と変形も本発明の範囲内に含まれるものであると解釈されるべきである。また、以上では実施例を中心に本発明を説明したが、これは例示であり、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、当業者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることは自明である。例えば、実施例に具体的に開示された各構成要素は、変形して実施可能であり、このような変形と応用に係る差異点も、添付された特許請求の範囲の範囲内に含まれるものであると解釈されるべきである。