"酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂成分Aおよび露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分Aが、フッ素原子を含有する樹脂A1と、アクリル酸から誘導される構成単位a’を有し、かつフッ素原子を含有しない樹脂A2とを含有し、前記樹脂成分A中の前記樹脂A1の含有量が、0.1~20質量の範囲内であり、前記樹脂A1が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有するアクリル酸から誘導される構成単位を有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂成分Aが、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂である請求項1記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A1が、側鎖部に、フッ素化されたヒドロキシアルキル基と、単環または多環式の脂肪族環式基とを有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位a0を有する請求項1または2記載の液浸露光用レジスト組成物。前記構成単位a0が、下記一般式a0-1~a0-3からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位を含む請求項3記載の液浸露光用レジスト組成物。[式中、Rは水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基であり;R21はe1価の脂肪族環式基であり;R22、R23はそれぞれ独立に水素原子または1価の脂肪族環式基であって、R22およびR23の少なくとも1つは脂肪族環式基であり;a、d、fはそれぞれ独立に0~5の整数であり;b、cはそれぞれ独立に1~5の整数であり;eは2または3である。]前記樹脂A1が、酸解離性溶解抑制基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有する請求項1~4のいずれか一項に記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A1が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2を有する請求項5記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A1が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有する請求項5または6記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A2が、フッ素原子を有さず、かつ酸解離性溶解抑制基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’1を有する請求項1~7のいずれか一項に記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A2が、さらに、フッ素原子を有さず、かつラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’2を有する請求項8記載の液浸露光用レジスト組成物。前記樹脂A2が、さらに、フッ素原子を有さず、かつ極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’3を有する請求項8または9記載の液浸露光用レジスト組成物。含窒素有機化合物Dを含有する請求項1~10のいずれか一項に記載の液浸露光用レジスト組成物。請求項1~11のいずれか一項に記載の液浸露光用レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、前記レジスト膜を現像しレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。しかし、液浸露光にはまだまだ未知な点が多く、微細なパターンを実際に使用できるレベルで形成することは、実際には困難である。たとえば、液浸露光においては、上述のように、浸漬露光時にレジスト膜やレンズに液浸媒体が接触する。そのため、レジストに含まれる物質が液浸媒体中へ溶出する等によりレジスト膜が変質してその性能が低下したり、溶出した物質によって液浸媒体の屈折率を局所的に変化したり、溶出した物質がレンズ表面を汚染する等により、リソグラフィー特性に悪影響を与えることが考えられる。すなわち、感度が劣化したり、得られるレジストパターンがT-トップ形状となったり、レジストパターンの表面荒れや膨潤が生じる等の問題が予想される。このような問題を解決する手段として、たとえば、レジスト膜の液浸媒体に対する耐性液浸媒体耐性を高めることが考えられる。現在、液浸媒体としては、主に水等の水性溶剤が検討されていることから、レジスト膜の疎水性を高めることが液浸媒体耐性向上に有効ではないかと推測される。しかしながら、レジスト膜の疎水性を高めるためにレジストの組成を変更することは、通常、リソグラフィー特性を悪化させてしまうため、液浸媒体耐性とリソグラフィー特性との両立は困難である。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、優れた液浸媒体耐性およびリソグラフィー特性を両立できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、アクリル系樹脂と、特定の配合量のフッ素原子含有樹脂とを併用することにより上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂成分Aおよび露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分Aが、フッ素原子を含有する樹脂A1と、アクリル酸から誘導される構成単位a’を有し、かつフッ素原子を含有しない樹脂A2とを含有し、前記樹脂成分A中の前記樹脂A1の含有量が、0.1~20質量の範囲内であり、前記樹脂A1が、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有するアクリル酸から誘導される構成単位を有することを特徴とする液浸露光用レジスト組成物である。また、本発明の第二の態様は、第一の態様の液浸露光用レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、前記レジスト膜を現像しレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。なお、本発明において、構成単位とは重合体樹脂を構成するモノマー単位を意味する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。低級アルキル基は、炭素原子数1~5のアルキル基である。露光とは光の照射のみならず、電子線の照射等の放射線の照射全体を包括する概念とする。本発明により、優れた液浸媒体耐性およびリソグラフィー特性を両立できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供される。以下、本発明をより詳細に説明する。≪液浸露光用レジスト組成物≫本発明の液浸露光用レジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂成分A以下、A成分という。および露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下、B成分という。とを含むものである。本発明においては、A成分が、フッ素原子を含有する樹脂A1と、アクリル酸から誘導される構成単位a’を有し、かつフッ素原子を含有しない樹脂A2とを含有し、A成分中の前記樹脂A1の含有量が0.1~50質量の範囲内であることが必要である。本発明の液浸露光用レジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であることが好ましい。本発明の液浸露光用レジスト組成物がネガ型レジスト組成物である場合、A成分は、アルカリ可溶性樹脂であり、さらに当該レジスト組成物に架橋剤Cが配合される。かかるネガ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時に露光によりB成分から酸が発生すると、当該酸が作用してアルカリ可溶性樹脂と架橋剤との間で架橋が起こり、アルカリ不溶性へ変化する。アルカリ可溶性樹脂としては、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の低級アルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。架橋剤Cとしては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤を用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤Cの配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部の範囲が好ましい。本発明の液浸露光用レジスト組成物がポジ型レジスト組成物である場合、A成分は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂が用いられる。かかるポジ型レジスト組成物は、レジストパターン形成時に、露光によりB成分から酸が発生すると、当該酸が前記酸解離性溶解抑制基を解離させることにより、A成分がアルカリ可溶性となる。そのため、レジストパターンの形成において、基板上に塗布されたレジスト組成物に対して選択的に露光すると、露光部のアルカリ可溶性が増大し、アルカリ現像することができる。[樹脂A1]樹脂A1としては、フッ素原子を含む樹脂であれば特に限定されず、たとえば、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂として提案されている一種または二種以上のアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性となり得る樹脂を使用することができる。前者を用いる場合はいわゆるネガ型、後者を用いる場合はいわゆるポジ型のレジスト組成物となる。樹脂A1は、本発明の効果に優れることから、ポジ型、ネガ型のいずれの場合にも、フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有することが好ましい。フッ素化されたヒドロキシアルキル基は、アルキル基の水素原子の一部がヒドロキシ基で置換されたヒドロキシアルキル基において、当該ヒドロキシアルキル基中の、残りの水素原子アルキル基の、ヒドロキシ基で置換されていない水素原子の一部または全部がフッ素によって置換されているものである。当該フッ素化されたヒドロキシアルキル基においては、フッ素化によってヒドロキシ基の水素原子が遊離しやすくなっている。フッ素化されたヒドロキシアルキル基において、アルキル基は直鎖または分岐鎖状であることが好ましい。当該アルキル基の炭素数は特に限定するものではないが、1~20が好ましく、4~16がより好ましく、4~12であることが最も好ましい。ヒドロキシ基の数は特に限定するものではないが、1つであることが好ましい。中でも、フッ素化されたヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシ基が結合した炭素原子ここではヒドロキシアルキル基のα位の炭素原子を指すに、フッ素化アルキル基及び/またはフッ素原子が結合しているものが好ましい。特に、当該α位に結合するフッ素化アルキル基が、アルキル基の水素原子の全部がフッ素で置換されたパーフルオロアルキル基であることが好ましい。本発明においては、特に、樹脂A1が、下記一般式Iで表される基を有することが好ましい。[式中、xは0~5の整数であり、yおよびzはそれぞれ独立して1~5の整数である。]式中、xは、好ましくは0~3の整数であり、0または1が特に好ましい。yおよびzは、好ましくは1~3の整数であり、1が最も好ましい。樹脂A1は、ポジ型、ネガ型のいずれの場合にも、アクリル酸から誘導される構成単位aを含有することが好ましい。ここで、本明細書および特許請求の範囲において、アクリル酸は、狭義のアクリル酸CH2=CHCOOH、及びその水素原子の一部または全部が他の基または原子で置換された誘導体を含む概念とする。アクリル酸の誘導体としては、たとえば、狭義のアクリル酸のα位の炭素原子に置換基水素原子以外の原子または基が結合しているα置換アクリル酸、これらのアクリル酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換されたアクリル酸エステル等が挙げられる。アクリル酸エステルにおける有機基としては、特に限定されず、たとえば後述する構成単位a0~a4等において挙げた構成単位において、アクリル酸エステルのエステル側鎖部に結合した基フッ素化されたヒドロキシアルキル基と、単環または多環式の脂肪族環式基とを有する基、酸解離性溶解抑制基、ラクトン環を有する基、極性基含有脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基等が挙げられる。アクリル酸のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。α置換アクリル酸の置換基としては、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基等が挙げられる。α位の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。α位の置換基としての低級アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。アクリル酸のα位に結合しているのは、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、低級アルキル基またはフッ素化低級アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。アクリル酸から誘導される構成単位とは、アクリル酸のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。構成単位aとしては、下記一般式aで表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、Xは水素原子または1価の有機基である]Rのハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基は、上記α位の置換基としてのハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基と同様のものが挙げられる。Xの有機基としては、上述したアクリル酸エステルにおける有機基と同様のものが挙げられる。樹脂A1は、構成単位aを、当該樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対し、50~100モルの割合で含有することが好ましく、70~100モル含有することがより好ましい。特に、本発明の効果に特に優れることから、樹脂A1は、アクリル酸から誘導される構成単位aのみからなるものであることが好ましい。ここで、構成単位aのみからなるとは、樹脂A1の主鎖が、構成単位aのみから構成されており、他の構成単位を含まないことを意味する。本発明において、樹脂A1は、側鎖部に、フッ素化されたヒドロキシアルキル基と、単環または多環式の脂肪族環式基とを有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位a0を有することが好ましい。ここで、本明細書および特許請求の範囲において、側鎖部とは、主鎖を構成しない部分を意味し、構成単位a0としては、上記一般式aのXが、フッ素化されたヒドロキシアルキル基と、単環または多環式の脂肪族環式基との両方を有する基である構成単位が例示できる。脂肪族環式基における脂肪族とは、芳香族性に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。脂肪族環式基は、単環であっても多環であってもよい。単環式の脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基であることを意味し、多環式の脂肪族環式基は、芳香族性を持たない多環式基であることを意味する。脂肪族環式基は、炭素及び水素からなる炭化水素基脂環式基、および該脂環式基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロ環式基等が含まれる。脂肪族環式基としては、脂環式基が好ましい。脂肪族環式基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、ArFエキシマレーザー等に対する透明性が高く、解像性や焦点深度幅DOF等にも優れることから、飽和であることが好ましい。脂肪族環式基の炭素数は5~15であることが好ましい。脂肪族環式基の具体例として、単環式基としては、シクロアルカンから、フッ素化されたヒドロキシアルキル基で置換されている水素原子を含めて以下、同様、2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられ、シクロヘキサンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。さらに具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。なお、この様な多環式基は、例えばArFエキシマレーザープロセス用のポジ型ホトレジスト組成物用樹脂において、酸解離性溶解抑制基を構成するものとして多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。工業上入手しやすいことから、単環式基としては、シクロヘキサンが好ましく、多環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、テトラシクロドデカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、特にノルボルナンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。本発明においては、特に、構成単位a0が、下記一般式a0-1~a0-3からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位を含むことが好ましい。[式中、Rは水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基であり;R21はe1価の脂肪族環式基であり;R22、R23はそれぞれ独立に水素原子または1価の脂肪族環式基であって、R22およびR23の少なくとも1つは脂肪族環式基であり;a、d、fはそれぞれ独立に0~5の整数であり;b、cはそれぞれ独立に1~5の整数であり;eは2または3である。]一般式a0-1で表される構成単位以下、構成単位a0-1という。は、特定のフッ素化されたヒドロキシアルキル基[-CH2a-CCbF2b1CcF2c1-OH]を1つ有するノルボルニル基を含有する構成単位である。かかる構成単位a0-1を有することにより、本発明の効果がさらに向上する。式a0-1中、Rとしては、上述した式a中のRと同様のものが挙げられる。一般式a0-1におけるRは、好ましくは水素原子またはアルキル基であり、特に水素原子またはメチル基が好ましく、水素原子であることが最も好ましい。aは、0~5の整数であり、好ましくは1~3の整数であり、1が最も好ましい。bおよびcは、それぞれ独立して1~5の整数であり、好ましくは1~3の整数であり、1が最も好ましい。構成単位a0-1は、-CH2a-CCbF2b1CcF2c1-OHがノルボルニル基の5位または6位に結合した2-ノルボルニル基を有することが好ましく、特に、Rが水素原子またはメチル基であり、a、bおよびcが全て1である構成単位が、効果の点、及び合成が容易で、かつ高エッチング耐性が得られる点からも好ましい。一般式a0-2で表される構成単位以下、構成単位a0-2という。は、2または3個の-CH2d-CCbF2b1CcF2c1-OHを有する脂肪族環式基を含有する構成単位である。かかる構成単位a0-2を有することにより、アルカリ現像液に対する溶解性を向上でき、本発明の効果がさらに向上する。一般式a0-2におけるRは前記一般式a0-1におけるRと同様である。一般式a0-2におけるRは、好ましくは水素原子またはアルキル基であり、特に水素原子またはメチル基が好ましく、メチル基であることが最も好ましい。b、cとしては、上記式a0-1中のb、cと同様である。dは0~5の整数であり、0または1が好ましく、0が最も好ましい。eは2または3であり、2が最も好ましい。R21はe1価の脂肪族環式基である。ここで、e1価の脂肪族環式基は、脂肪族環式基の環骨格を構成する炭素原子に結合した水素原子をe1個除いた基を意味する。R21としての脂肪族環式基は、上記脂肪族環式基で挙げたものと同様のものが挙げられ、単環式であっても多環式であってもよく、特に、本発明の効果に優れることから、単環式であることが好ましい。R21は、炭素数が3~20であることが好ましく、4~15であることがより好ましい。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等からe1個の水素原子を除いた基が挙げられる。本発明においては、特に、R21がシクロヘキサンからe1個の水素原子を除いた基であることが好ましい。一般式a0-3で表される構成単位以下、構成単位a0-3という。は、メチル基の水素原子が、1または2個の-CH2f-CCbF2b1CcF2c1-OHと、1個の脂肪族環式基とで置換された基を有する構成単位である。かかる構成単位a0-3を有することにより、本発明の効果がさらに向上する。一般式a0-3におけるRは前記一般式a0-1におけるRと同様である。一般式a0-3におけるRは、好ましくは水素原子またはアルキル基であり、特に水素原子またはメチル基が好ましく、メチル基であることが最も好ましい。b、cとしては、上記式a0-1中のb、cと同様である。fは、好ましくは1~5の整数であり、より好ましくは1~3の整数であり、1が最も好ましい。R22、R23はそれぞれ独立に水素原子または1価の脂肪族環式基であって、R22およびR23の少なくとも1つは脂肪族環式基である。R22、R23における脂肪族環式基は、上記脂肪族環式基で挙げたものと同様のものが挙げられ、単環式であっても多環式であってもよく、特に、本発明の効果に優れることから、多環式であることが好ましい。R22、R23における脂肪族環式基は、炭素数が5~15であることが好ましく、6~12であることがより好ましい。なかでも、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、特にノルボルナンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。本発明においては、特に、R22、R23の一方が水素原子であり、他方が脂肪族環式基であることが好ましい。構成単位a0は1種または2種以上を混合して用いることができる。樹脂A1中、構成単位a0の割合は、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、5~80モルが好ましく、5~70モルがより好ましく、10~60モルが最も好ましい。上記範囲の下限値以上であることにより、構成単位a0を含有することによる効果が充分に得られ、上限値以下であることにより他の構成単位とのバランスが良好である。構成単位a1本発明の液浸露光用レジスト組成物がポジ型のレジスト組成物である場合、樹脂A1は、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有することが好ましい。構成単位a1における酸解離性溶解抑制基は、解離前は樹脂A1全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、解離後はこの樹脂A1全体をアルカリ可溶性へ変化させるものであれば、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸のカルボキシ基と、環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、または環状または鎖状のアルコキシアルキルエステルを形成する基などが広く知られている。なお、メタアクリル酸エステルとは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-CO-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断される。なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基という。また、環状または鎖状のアルコキシアルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子がアルコキシアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-CO-O―の末端の酸素原子に前記アルコキシアルキル基が結合している構造を示す。このアルコキシアルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子とアルコキシアルキル基との間で結合が切断される。構成単位a1としては、下記一般式a1-0-1で表される構成単位と、下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いる事が好ましい。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;X1は酸解離性溶解抑制基を示す。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;X2は酸解離性溶解抑制基を示し;Y2はアルキレン基または脂肪族環式基を示す。一般式a1-0-1において、Rのハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基については上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよいハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基と同様である。X1は、酸解離性溶解抑制基であれば特に限定することはなく、例えばアルコキシアルキル基、第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基が好ましい。第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基、脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が挙げられる。構成単位a1における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化低級アルキル基、酸素原子=O、等が挙げられる。脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。好ましくは多環式基である。このような脂肪族環式基の具体例としては、例えば、低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。そして、脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基等が挙げられる。また、脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には2-メチル-2-アダマンチル基や、2-エチル-2-アダマンチル基等が挙げられる。あるいは、下記一般式で示す構成単位の様に、アダマンチル基の様な脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。[式中、Rは上記と同じであり、R15、R16はアルキル基直鎖、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1~5であるを示す。]また、前記アルコキシアルキル基としては、下記一般式p1で示される基が好ましい。式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐状または環状のアルキル基である。または、R17とR19の末端が結合して環を形成していてもよい。R17、R18において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1~5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。R19が環状の場合は炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。また、上記式においては、R17及びR19がそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。一般式a1-0-2において、Rについては上記と同様である。X2については、式a1-0-1中のX1と同様である。Y2は好ましくは炭素数1~4のアルキレン基又は2価の脂肪族環式基である。Y2は2価の脂肪族環式基である場合、水素原子が2個以上除かれた基が用いられる以外は、前記構成単位a1においての脂肪族環式基の説明と同様のものを用いることができる。構成単位a1として、より具体的には、下記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位が挙げられる。[上記式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基を表し、Yは炭素数1~5の低級アルキル基、または脂肪族環式基を表し;nは0~3の整数を表し;mは0または1を表し;Rは前記と同じであり、R1’、R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5の低級アルキル基を表す。]前記R1’、R2’は好ましくは少なくとも1つが水素原子であり、より好ましくは共に水素原子である。nは好ましくは0または1である。X’は前記X1において例示した第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基と同様のものである。Yの脂肪族環式基については、上述の脂肪族環式基の説明において例示したものと同様のものが挙げられる。以下に、上記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位の具体例を示す。構成単位a1としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。その中でも、一般式a1-1で表される構成単位が好ましく、具体的にはa1-1-1~a1-1-6またはa1-1-35~a1-1-41で表される構成単位から選ばれる少なくとも1種を用いることがより好ましい。さらに、構成単位a1としては、特に式a1-1-1~式a1-1-4の構成単位を包括する下記一般式a1-1-01で表されるものや、式a1-1-35~a1-1-41の構成単位を包括する下記一般式a1-1-02も好ましい。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、R11は低級アルキル基を示す。式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、R12は低級アルキル基を示す。hは1~3の整数を表す一般式a1-1-01において、Rについては上記と同様である。R11の低級アルキル基はRにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましい。一般式a1-1-02において、Rについては上記と同様である。R12の低級アルキル基はRにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましく、エチル基が最も好ましい。hは1又は2が好ましく、2が最も好ましい。本発明において好ましく用いられる構成単位として、さらに、上述した構成単位a0において、そのフッ素化されたヒドロキシアルキル基の水酸基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換された構成単位も挙げられる。より具体的には、たとえば下記一般式a1-5~a1-7で表される構成単位が挙げられ、これらの中でも、式a1-6で表される構成単位が好ましい。式中、R,a,b,c,d,e,fは上記式a0-1~a0-3中のR,a,b,c,d,e,fと同様である。式中、X3は、上記式a1-0-1中のX1と同様である。X3としては、アルコキシアルキル基が好ましく、特に、上記一般式p1で示される基が好ましく、メトキシメチル基が最も好ましい。樹脂A1中、構成単位a1の割合は、樹脂A1を構成する全構成単位に対し、10~80モルが好ましく、20~70モルがより好ましく、25~60モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a2樹脂A1は、構成単位a1に加えて、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2を有することが好ましい。ここで、ラクトン含有環式基とは、-O-CO-構造を含むひとつの環ラクトン環を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。構成単位a2のラクトン環式基は、樹脂A1をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、現像液との親水性を高めたりするうえで有効なものである。構成単位a2としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2の例として、より具体的には、下記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、R’は水素原子、低級アルキル基、または炭素数1~5のアルコキシ基であり、mは0または1の整数である。]一般式a2-1~a2-5におけるRは前記構成単位a1におけるRと同様である。R’の低級アルキル基としては、前記構成単位a1におけるRの低級アルキル基と同じである。一般式a2-1~a2-5中、R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。以下に、前記一般式a2-1~a2-5の具体的な構成単位を例示する。これらの中でも、一般式a2-1~a2-5から選択される少なくとも1種以上を用いることが好ましく、一般式a2-1~a2-3から選択される少なくとも1種以上を用いることが好ましい。具体的には、化学式a2-1-1、a2-1-2、a2-2-1、a2-2-2、a2-3-1、a2-3-2、a2-3-9及びa2-3-10から選択される少なくとも1種以上を用いることが好ましい。樹脂A1において、構成単位a2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂A1中の構成単位a2の割合は、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、5~70モルが好ましく、10~60モルがより好ましく、15~60モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a3樹脂A1は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3ただし、構成単位a0に分類される構成単位は除くを有することが好ましい。構成単位a3を有することにより、樹脂A1の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状または分岐状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。構成単位a3としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状または分岐状の炭化水素基のときは、上記式aにおけるXが鎖状直鎖または分岐鎖のヒドロキシアルキル基である構成単位が好ましい。また、前記炭化水素基が多環式基のときは、下記式a3-1で表される構成単位、a3-2で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。式中、Rは前記に同じであり、jは1~3の整数であり、kは1~3の整数である。式a3-1中、jは1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。jは1であることが好ましく、特に水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。式a3-2中、kは1であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。構成単位a3としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂A1中、構成単位a3の割合は、当該樹脂A1を構成する全構成単位に対し、5~50モルであることが好ましく、5~40モルがより好ましく、5~25モルがさらに好ましい。構成単位a4樹脂A1は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a0~a3以外の他の構成単位a4を含んでいてもよい。構成単位a4は、上述の構成単位a0~a3に分類されない他の構成単位であれば特に限定するものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a4としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位a1の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種以上であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖又は分岐状のアルキル基で置換されていてもよい。構成単位a4として、具体的には、下記一般式a4-1~a4-5の構造のものを例示することができる。式中、Rは前記と同じである。かかる構成単位a4を樹脂A1に含有させる際には、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位a4を1~30モル、好ましくは10~20モル含有させると好ましい。本発明において、樹脂A1は、少なくとも構成単位a0およびa1を有する共重合体であることが好ましく、係る共重合体としては、たとえば、上記構成単位a0および構成単位a1からなる共重合体、構成単位a0、a1およびa2からなる共重合体、上記構成単位a0、a1、a2およびa3からなる共重合体等が例示できる。本発明おいて、樹脂A1としては、特に下記一般式A1-11~A1-15に示す組み合わせで2~4種の構成単位を含む共重合体が好ましい。式中、X3は、上記式a1-6中のX3と同様である。R,a,b,c,d,e,fは上記式a0-1~a0-3中のR,a,b,c,d,e,fと同様である。R9の低級アルキル基は、Rの低級アルキル基と同様であり、メチル基またはエチル基が好ましく、エチル基が最も好ましい。樹脂A1は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNや、ジメチル-2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。また、樹脂A1には、上記重合の際に、たとえばHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-CCF32-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLERラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸の低減に有効である。樹脂A1の質量平均分子量Mw;ゲルパーミエーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算質量平均分子量は、特に限定するものではないが、2000~30000が好ましく、2000~10000がより好ましく、3000~7000がさらに好ましい。この範囲とすることにより、アルカリ現像液に対する良好な溶解速度が得られ、高解像性の点からも好ましい。分子量は、この範囲内において、低い方が、良好な特性が得られる傾向がある。また、分散度Mw/Mnは、1.0~5.0程度、好ましくは1.0~2.5である。本発明においては、A成分中の樹脂A1の含有量が、0.1~50質量の範囲内である必要がある。樹脂A1の含有量が、0.1質量以上であることにより液浸媒体に対する耐性が充分なものとなり、50質量以下であることにより、樹脂A2とのバランスが良好となって、充分なリソグラフィー特性が得られる。A成分中の樹脂A1の含有量は、0.1~25質量がより好ましく、0.1~20質量がさらに好ましく、0.1~10質量が最も好ましい。[樹脂A2]樹脂A2としては、アクリル酸から誘導される構成単位a’を有し、かつフッ素原子を含有しない樹脂であれば特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂として提案されている、一種または二種以上のアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性となり得る樹脂を使用することができる。前者の場合はいわゆるネガ型、後者の場合はいわゆるポジ型のレジスト組成物である。構成単位a’としては、上記樹脂A1において構成単位aとして挙げたものの内、フッ素原子を含まないものが挙げられる。樹脂A2は、構成単位a’を、当該樹脂A2を構成する全構成単位の合計に対し、50~100モルの割合で含有することが好ましく、70~100モル含有することがより好ましい。特に、本発明の効果に特に優れることから、樹脂A2は、アクリル酸から誘導される構成単位a’のみからなるものであることが好ましい。ここで、構成単位a’のみからなるとは、樹脂A2の主鎖が、構成単位a’のみから構成されており、他の構成単位を含まないことを意味する。構成単位a’1本発明の液浸露光用レジスト組成物がポジ型のレジスト組成物である場合、樹脂A2は、フッ素原子を有さず、かつ酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’1を有することが好ましい。構成単位a’1としては、上述した構成単位a1のうち、フッ素原子を含まないものが利用できる。樹脂A2において、構成単位a’1としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂A2中、構成単位a’1の割合は、樹脂A2を構成する全構成単位に対し、10~80モルが好ましく、20~70モルがより好ましく、30~60モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a’2樹脂A2は、構成単位a’1に加えて、フッ素原子を有さず、かつラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’2を有することが好ましい。構成単位a’2としては、上述した構成単位a2のうち、フッ素原子を含まないものが利用できる。樹脂A2において、構成単位a’2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂A2中の構成単位a’2の割合は、樹脂A2を構成する全構成単位の合計に対して、5~70モルが好ましく、10~60モルがより好ましく、20~50モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a’3樹脂A2は、構成単位a’1に加えて、または構成単位a’1およびa’2に加えて、フッ素原子を有さず、かつ極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位a’3を有することが好ましい。構成単位a’3としては、上述した構成単位a3のうち、フッ素原子を含まないものが利用できる。構成単位a’3としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂A2中、構成単位a’3の割合は、当該樹脂A2を構成する全構成単位に対し、5~50モルであることが好ましく、5~40モルがより好ましく、5~25モルがさらに好ましい。構成単位a’4樹脂A2は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a’1~a’3以外の他の構成単位a’4を含んでいてもよい。構成単位a’4は、フッ素原子を含んでおらず、かつ上述の構成単位a’1~a’3に分類されない他の構成単位であれば特に限定するものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a’4としては、上述した構成単位a4のうち、フッ素原子を含まないものが利用できる。構成単位a’4としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。構成単位a’4を樹脂A2に含有させる際には、樹脂A2を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位a’4を1~30モル、好ましくは10~20モル含有させると好ましい。本発明において、樹脂A2は、少なくとも構成単位a’1、a’2およびa’3を有する共重合体であることが好ましく、係る共重合体としては、たとえば、上記構成単位a’1、a’2およびa’3からなる共重合体、上記構成単位a’1、a’2、a’3およびa’4からなる共重合体等が例示できる。本発明おいて、樹脂A2としては、特に下記一般式A2-11に示す3種の構成単位を含むものが好ましい。[式中、Rは水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子、低級アルキル基、またはフッ素原子以外のハロゲン原子で水素原子が置換された低級アルキル基ハロゲン化低級アルキル基であり、R10は低級アルキル基である。]式A2-11中、Rの低級アルキル基は、上記Rの低級アルキル基と同様である。Rとしては、水素原子または低級アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が好ましい。R10の低級アルキル基は、Rの低級アルキル基と同様であり、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。樹脂A2は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。樹脂A2の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定するものではないが、2000~50000が好ましく、3000~30000がより好ましく、5000~20000が最も好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。また分散度Mw/Mnは1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。A成分中、樹脂A2は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。A成分中の樹脂A2の含有量は50~99.9質量の範囲内であることが好ましく、80~99.9質量がより好ましく、90~99.9質量がさらに好ましい。樹脂A2の含有量が、50質量以上であることにより良好なリソグラフィー特性が得られ、99.9質量以下であることにより、樹脂A1とのバランスが良好となって、充分な液浸媒体耐性が得られる。<B成分>B成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-0で表される酸発生剤が挙げられる。[式中、R51は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表し;R52は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基であり;R53は置換基を有していてもよいアリール基であり;u’’は1~3の整数である。]一般式b-0において、R51は、直鎖、分岐鎖若しくは環状のアルキル基、または直鎖、分岐鎖若しくは環状のフッ素化アルキル基を表す。前記直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~12であることが好ましく、炭素数5~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、該フッ化アルキル基のフッ素化率アルキル基中全水素原子の個数に対する置換したフッ素原子の個数の割合は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。R51としては、直鎖状のアルキル基またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。R52は、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、直鎖若しくは分岐鎖状のアルキル基、直鎖若しくは分岐鎖状のハロゲン化アルキル基、または直鎖若しくは分岐鎖状のアルコキシ基である。R52において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子が好ましい。R52において、アルキル基は、直鎖または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1~5、特に1~4、さらには1~3であることが望ましい。R52において、ハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。ここでのアルキル基は、前記R52におけるアルキル基と同様のものが挙げられる。置換するハロゲン原子としては上記ハロゲン原子について説明したものと同様のものが挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、水素原子の全個数の50~100がハロゲン原子で置換されていることが望ましく、全て置換されていることがより好ましい。R52において、アルコキシ基としては、直鎖状または分岐鎖状であり、その炭素数は好ましくは1~5、特に1~4、さらには1~3であることが望ましい。R52としては、これらの中でも水素原子が好ましい。R53は置換基を有していてもよいアリール基であり、置換基を除いた基本環母体環の構造としては、ナフチル基、フェニル基、アントラセニル基などが挙げられ、本発明の効果やArFエキシマレーザーなどの露光光の吸収の観点から、フェニル基が望ましい。置換基としては、水酸基、低級アルキル基直鎖または分岐鎖状であり、その好ましい炭素数は5以下であり、特にメチル基が好ましいなどを挙げることができる。R53のアリール基としては、置換基を有しないものがより好ましい。u’’は1~3の整数であり、2または3であることが好ましく、特に3であることが望ましい。一般式b-0で表される酸発生剤の好ましいものは以下の様なものを挙げることができる。また、一般式b-0で表される酸発生剤の他のオニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-1またはb-2で表される化合物が挙げられる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;R4は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表し;R1~R3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R5~R6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]式b-1中、R1~R3はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R1~R3のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R1~R3のすべてがアリール基であることが最も好ましい。R1~R3のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていても良いアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていても良いハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。R1~R3のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。これらの中で、R1~R3は、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが最も好ましい。R4は、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す。前記直鎖のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、前記R1で示したような環式基であって、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、該フッ化アルキル基のフッ素化率アルキル基中のフッ素原子の割合は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。R4としては、直鎖または環状のアルキル基、またはフッ素化アルキル基であることが最も好ましい。式b-2中、R5~R6はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R5~R6のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R5~R6のすべてがアリール基であることが最も好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。これらの中で、R5~R6はすべてフェニル基であることが最も好ましい。式b-2中のR4としては上記式b-1のR4と同様のものが挙げられる。式b-1、b-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。また、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を下記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数またはY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基またはY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖、分岐または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖、分岐または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。][式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p’’は2または3である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは70以上、さらに好ましくは90以上フッ素化されていることが好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントラセルanthracyl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましく、部分的にフッ素化されたアルキル基が最も好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、より好ましくは70以上、さらに好ましくは90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。p’’は好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、WO2004/074242A265~85頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。上記例示化合物の中でも、下記の4つの化合物が好ましい。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明においては、中でもB成分としてフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩を用いることが好ましい。本発明の液浸露光用レジスト組成物におけるB成分の含有量は、A成分100質量部に対し、0.5~30質量部、好ましくは1~10質量部とされる。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。<任意成分>本発明の液浸露光用レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物D以下、D成分というを配合することができる。このD成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、環式アミン、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミンが挙げられる。その具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン等が挙げられる。これらの中でも、アルキルアルコールアミン及びトリアルキルアミンが好ましく、アルキルアルコールアミンが最も好ましい。アルキルアルコールアミンの中でもトリエタノールアミンやトリイソプロパノールアミンが最も好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。本発明の液浸露光用レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体E以下、E成分というを含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられる。E成分は、A成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。本発明の液浸露光用レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。本発明の液浸露光用レジスト組成物は、材料を有機溶剤以下、S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン、メチルイソアミルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類及びその誘導体;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、ELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が2~20質量、好ましくは5~15質量の範囲内となる様に用いられる。材料のS成分への溶解は、例えば、上記各成分を通常の方法で混合、撹拌するだけでも行うことができ、また、必要に応じディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用い分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。本発明の液浸露光用レジスト組成物によれば、優れた液浸媒体耐性およびリソグラフィー特性を両立できる。その理由は明らかではないが、A成分として、樹脂A1およびA2を併用し、樹脂A1とを特定の割合で含有させることにより、レジスト膜表面の性質が変化することによると推測される。すなわち、本発明の液浸露光用レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、A成分としてたとえば樹脂A2のみを用いた場合に比べ、水に対する静的接触角レジスト膜が水平のときの接触角、動的接触角レジスト膜を傾斜させていった際に水滴が転落しはじめたときの接触角。水滴の転落方向前方の端点における接触角前進角と、転落方向後方の端点における接触角後退角とがある。、転落角レジスト膜を傾斜させていった際に水滴が転落しはじめたときのレジスト膜の傾斜角度のバランスが変化する。たとえば、静的接触角以下、本明細書において、単に接触角という場合は静的接触角を意味する。および後退角は大きくなる。一方、転落角は必ずしも、樹脂A1を配合した影響を受けず、大きくなったり、小さくなったり、変化しない場合がある。液浸露光においては、上述のように、浸漬露光時にレジスト膜が水等の液浸溶媒に接触することになる。したがって、物質溶出は、レジスト膜表面の特性たとえば親水性疎水性等により影響を受けると推測される。本発明においては、特定のA成分を用いることにより、これらの特性が変化し、それによって物質溶出が生じにくく、しかも良好なリソグラフィー特性が得られるレジスト膜が形成されていると推測される。ここで、後退角は、図1に示すように、その上に液滴1が置かれた平面2を次第に傾けていった際に、当該液滴1が平面2上を移動落下し始めるときの当該液滴1上端1aが平面2に対してなす角度θ1であり、転落角は、当該液滴1が平面2上を移動落下し始めるときの平面2の傾斜角度θ2である。本明細書において、接触角は以下の様にして測定するものである。まず、直径6インチのシリコン基板の上に、レジスト組成物溶液をスピンコートした後、90°Cの温度条件で90秒間加熱してレジスト膜を形成する。次に、上記レジスト膜に対して、FACE接触角計CA-X150型製品名協和界面科学株式会社製を用い、装置に備え付けられている注射器に前記レジスト膜を接触させ注射器とレジスト膜とが接触した際に、2μLの純水が滴下される、その際の接触角を測定する。本明細書において、後退角および転落角は、上記と同様にレジスト膜を形成した後、AUTOSLIDINGANGLE:SA-30DM協和界面科学社製、AUTODISPENSER:AD-31協和界面科学社製等の市販の測定装置を用いて測定することができる。本発明の液浸露光用レジスト組成物は、当該レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜における接触角の測定値が60度以上であることが好ましく、65度以上であることがより好ましく、60~90度であることが特に好ましい。接触角が60度以上であると、浸漬露光時の物質溶出抑制効果が向上する。その理由は、明らかではないが、主な要因の1つとして、レジスト膜の疎水性との関連が考えられる。つまり、液浸媒体は水等の水性のものが用いられているため、疎水性が高いことにより、浸漬露光を行った後、液浸媒体を除去した際に速やかにレジスト膜表面から液浸媒体を除去できることが影響していると推測される。また、接触角が90度以下であると、本発明の効果が良好である。同様の理由により、本発明の液浸露光用レジスト組成物は、当該レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜における後退角の測定値が45度以上であることが好ましく、50~150度であることがより好ましく、55~130度であることが特に好ましく、60~100度であることが最も好ましい。接触角および後退角の大きさは、液浸露光用レジスト組成物の組成、たとえばA成分中の樹脂A1と樹脂A2との混合比や、構成単位a’3の割合等を調整することにより調整できる。たとえば、A成分中の樹脂A1の割合を1質量以上とすることにより、樹脂A2を単独で用いる場合よりも大幅に後退角が大きくなる。上述のように、本発明においては、液浸溶媒中への物質溶出が抑制される。そのため、レジスト膜の変質や、液浸溶媒の屈折率の変化も抑制できる。したがって、液浸溶媒の屈折率の変化が抑制される等によりパターンのうねりやLER、レジストパターン形状等のリソグラフィー特性が良好で、露光装置のレンズの汚染を低減できる。そのため、これらに対する保護対策を行わなくてもよく、プロセスや露光装置の簡便化に貢献できる。≪レジストパターン形成方法≫次に、本発明のレジストパターンの形成方法について説明する。本発明のレジストパターンの形成方法は、上記本発明の液浸露光用レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程、前記レジスト膜を現像しレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターンの形成方法の好ましい一例を下記に示す。まず、シリコンウェーハ等の基板上に、本発明の液浸露光用レジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベークポストアプライベークPAB処理を行うことにより、レジスト膜を形成する。このとき、基板とレジスト組成物の塗布層との間に、有機系または無機系の反射防止膜を設けて2層積層体とすることもできる。また、レジスト膜上にさらに有機系の反射防止膜を設けて2層積層体とすることもでき、さらにこれに下層の反射防止膜を設けた3層積層体とすることもできる。レジスト膜上に設ける反射防止膜はアルカリ現像液に可溶であるものが好ましい。ここまでの工程は、周知の手法を用いて行うことができる。操作条件等は、使用する液浸露光用レジスト組成物の組成や特性に応じて適宜設定することが好ましい。次いで、上記で得られたレジスト膜に対して、所望のマスクパターンを介して選択的に液浸露光LiquidImmersionLithographyを行う。このとき、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2レーザーなどの放射線を用いて行うことができる。本発明にかかるレジスト組成物は、KrFまたはArFエキシマレーザー、特にArFエキシマレーザーに対して有効である。上記のように、本発明の形成方法においては、露光時に、レジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間に液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う。このとき、液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ液浸露光用レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の有する屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。本発明の液浸露光用レジスト組成物は、特に水による悪影響を受けにくく、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れることから、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒として、水が好ましく用いられる。また、水はコスト、安全性、環境問題および汎用性の観点からも好ましい。次いで、浸漬露光工程を終えた後、露光後加熱ポストエクスポージャーベークPEBを行い、続いて、アルカリ性水溶液からなるアルカリ現像液を用いて現像処理する。そして、好ましくは純水を用いて水リンスを行う。水リンスは、例えば、基板を回転させながら基板表面に水を滴下または噴霧して、基板上の現像液および該現像液によって溶解した液浸露光用レジスト組成物を洗い流す。そして、乾燥を行うことにより、レジスト膜液浸露光用レジスト組成物の塗膜がマスクパターンに応じた形状にパターニングされたレジストパターンが得られる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。下記実施例および比較例で用いた樹脂は、下記モノマー1~7を用いて合成した。すなわち、表1に示す組成のモノマーをテトラヒドロフランTHFに溶解し、ラジカル重合開始剤V-601和光純薬社製を加え、その混合溶液を、別の容器内のTHFに6時間かけて滴下し、重合させた。得られた樹脂についてGPC測定を行い、質量平均分子量Mwおよび分散度を求めた。その結果を表1に併記した。樹脂A-2’については、さらに、クロロメトキシメタンと反応させることにより、樹脂A-2’中の一部の水酸基の水素原子をメトキシメチル基で置換して樹脂A-2を得た。樹脂A-2を、プロトンNMRにより測定したところ、樹脂A-2’の水酸基の40モルがメトキシメチル基で置換されていた。以下に、樹脂A-1~A-11の構造を示す。式中、の右下に付した数字は各構成単位の割合モルを示す。また、式A-2中、Rは水素原子またはメトキシメチル基を表し、樹脂A-2中の全Rの40がメトキシメチル基である。実施例1~40、比較例1~5表2~4に示す各成分を混合し、溶解してポジ型レジスト組成物溶液を調製した。なお、実施例1、11、16、21、26、31及び36は参考例である。表2~4中の各略号は以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部である。B-1:4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート。D-1:トリペンチルアミン。S-1:PGMEA/PGME=6/4質量比の混合溶剤。得られたポジ型レジスト組成物溶液を用いて以下の評価を行った。<接触角の測定>FACE接触角計CA-X150型製品名、協和界面科学株式会社製を用い、下記の手順で接触角、転落角、後退角の測定を行った。まず、ポジ型レジスト組成物溶液を、8インチのシリコンウェーハ上に、スピンナーを用いて塗布したのち、95°Cで90秒間加熱することで膜厚175nmのレジスト膜を形成した。次に、装置に備え付けられている注射器に、水平に配置したレジスト膜を接触させ注射器とレジスト膜とが接触した際に、2μLの純水が滴下される、レジスト膜上の液滴について接触角対水を測定した露光前の接触角。また、上記と同様にしてレジスト膜を形成し、簡易型露光装置VUVES4500リソテックジャパン株式会社製を用いて、ArFエキシマレーザー193nmでオープンフレーム露光マスクを介さないで露光を行ったこと以外は同様にして接触角対水を測定した露光前の接触角。その結果を表2~4に併記する。<後退角および転落角の測定>得られたポジ型レジスト組成物溶液を、スピンナーを用いて直径8インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で110°C、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚175nmのレジスト膜を形成した。該レジスト膜上に純水を1滴50μl滴下させた後、以下に示す装置及び条件で後退角および転落角を測定した露光前の後退角および転落角。また、上記と同様にしてレジスト膜を形成し、簡易型露光装置VUVES4500リソテックジャパン株式会社製を用いて、ArFエキシマレーザー193nmでオープンフレーム露光マスクを介さないで露光を行ったこと以外は同様にして後退角および転落角を測定した露光後の後退角および転落角。その結果を表2~4に併記する。<装置名>AUTOSLIDINGANGLE:SA-30DM協和界面科学社製AUTODISPENSER:AD-31協和界面科学社製<解析ソフト>FAMAS下記結果に示すように、樹脂A2に相当する樹脂A-1と、樹脂A1に相当する樹脂A-2~A-4とを併用した実施例1~10実施例1は参考例である。は、露光前において、樹脂A-1を単独で用いた比較例1に比べて、接触角および後退角が大きく、転落角は比較例1と同等かまたは比較例1よりも小さかった。また、実施例1~10実施例1は参考例である。は、露光後においても、比較例1に比べて、接触角および後退角が大きかった。また、樹脂A2に相当する樹脂A-5と、樹脂A1に相当する樹脂A-6~A-11とを併用した実施例11~40実施例11、16、21、26、31及び36は参考例である。は、露光前後において、樹脂A-5を単独で用いた比較例5に比べて、接触角および後退角が大きかった。転落角は、露光後において、比較例5と同等かまたは比較例5よりも小さかった。<リソグラフィー特性>8インチシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC-29商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚77nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記で得られたポジ型レジスト組成物溶液を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で120°C、90秒間プレベークPABし、乾燥することにより、膜厚175nmのレジスト膜を形成した。ついで、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60,2/3輪帯照明により、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターンを介して選択的に照射した。そして、120°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行って、120nmのラインアンドスペース1:1のレジストパターン以下、L/Sパターンというを形成した。このようにして得られたL/SパターンをSEMにより観察したところ、実施例1~40実施例1、11、16、21、26、31及び36は参考例である。および比較例1については、いずれも同等のリソグラフィー特性を示した。これに対し、A-2のみを用いた比較例2、A-3のみを用いた比較例3のみを用いたポジ型レジスト組成物は、レジストパターンが解像したものの、パターンの膜減りが激しく不良であった。A-4のみを用いた比較例4のポジ型レジスト組成物は、レジストパターンが解像しなかった。<溶出物の測定>実施例8および比較例1のポジ型レジスト組成物溶液を用いて、上記と同様にしてレジスト膜を形成した。次に、VRC310Sエスイーエス株式会社製を用いて、純水一滴150μlを室温下で、ウェーハの中心から円を描くように等線速で液滴を移動させた面積221.56cm2。その後、その液滴を採取して、分析装置Agilent-HP1100LC-MSDAgilentTechnologies社製により分析して、B成分のカチオン部PAGおよびアニオン部PAG-の溶出量mol/cm2を求めた。また、上記と同様にしてレジスト膜を形成し、簡易型露光装置VUVES4500リソテックジャパン株式会社製を用いて、ArFエキシマレーザー193nmで、でオープンフレーム露光マスクを介さないで露光を行った。次に、露光されたレジスト膜を上記と同様に分析して、B成分のカチオン部PAGおよびアニオン部PAG-の溶出量mol/cm2を求めたこれらの結果を表5に示す。上記結果から明らかなように、樹脂A-1と樹脂A-4とを併用した実施例8のポジ型レジスト組成物を用いた場合、露光処理前後の液浸媒体水中へのB成分の溶出が抑制されており、溶出抑制効果が確認できた。一方、樹脂A-1を単独で用いた比較例1のポジ型レジスト組成物を用いた場合、露光処理前後の液浸媒体水中へのB成分の溶出が顕著であった。上記評価において、露光前の溶出量は、選択的露光を施してレジストパターンを形成する際の未露光部における溶出量を評価するためのものであり、露光後の溶出量は、露光部における溶出量を評価するためのものである。したがって、露光前と露光後の両方において、液浸媒体水への物質溶出が少なかったことから、実施例8のポジ型レジスト組成物が、液浸媒体耐性に優れており、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いる液浸露光用として好適に使用できることが確認できた。また、上記の結果から、樹脂A1と樹脂A2とを併用することにより接触角および後退角が増大すること、ならびに接触角および後退角の大きさと、物質溶出の抑制効果との間に相関関係があることは明らかである。したがって、樹脂A1と樹脂A2とを併用し、樹脂A1のA成分中の含有量を0.1~50質量とした本発明のポジ型レジスト組成物が、優れた液浸媒体耐性およびリソグラフィー特性を両立でき、液浸露光用として好適なものであることは明らかである。"