"インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をON動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のON動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、発熱に対応してその抵抗値が急増する急増抵抗と、前記インタフェイス素子とが直列接続された直列回路が設けられ、前記直列回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されたことを特徴とする遊技機。前記急増抵抗は、その温度変化に対応して可逆的に抵抗値が変化する請求項1に記載の遊技機。インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をON動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のON動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、前記インタフェイス素子への供給電流をバイパスさせて、これをOFF動作させるスイッチング回路が設けられ、前記スイッチング回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されたことを特徴とする遊技機。前記スイッチング回路は、電界効果トランジスタを含んで構成され、その通電端子が前記インタフェイス素子の両端に接続されている請求項3に記載の遊技機。前記他の回路基板には、ON/OFF動作する出力素子と、前記電流制限抵抗とが直列接続された直列回路が設けられている請求項1~4の何れかに記載の遊技機。前記払出指令の信号線とグランド信号の信号線とは、前記接続コネクタにおいて離間して配置されている請求項1~5の何れかに記載の遊技機。払出モータに流れる駆動電流が所定値を超えると、飽和状態への移行動作を開始する正帰還ループを形成した2つのスイッチング素子を設けた請求項1~6の何れかに記載の遊技機。前記2つのスイッチング素子は、NPN型トランジスタとPNP型トランジスタとで構成され、全体としてサイリスタ構造を実現している請求項7に記載の遊技機。前記インタフェイス素子がON状態からOFF状態に遷移するとON動作する短絡素子が、前記払出モータの入力端子間に設けられている請求項1~8の何れかに記載の遊技機。ところが、メダル払出信号PAYがLレベルになると、払出モータが回転を始めるので、この関係を悪用して、接続コネクタの部分でメダル払出信号の信号ラインをグランドに落とす違法行為が懸念されるところである。例えば、一旦、外した接続コネクタに、極細の短絡片を配置した後、再度、元の状態に戻すなどの違法行為が考えられる。ここで、特許文献1に記載の発明も提案されているが、簡易性にかけるので必ずしも適切な対策とはいえない。また、上記した違法行為の問題とは別に、慣性力によるメダルの過払いの問題も懸念されるところである。更にまた、機器異常時にも、適切に動作するメダル払出制御装置の回路構成が強く望まれる。典型的には、過大電流によって払出モータや電子素子の焼損や劣化を未然防止できる構成が望まれる。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、簡易な回路構成でありながら違法行為を防止できる遊技機を提供することを目的とする。また、機器異常時やその他のタイミングでも常に適切に動作する遊技機を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、請求項1に係る発明は、インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をON動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のON動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、発熱に対応してその抵抗値が急増する急増抵抗と、前記インタフェイス素子とが直列接続された直列回路が設けられ、前記直列回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されている。本発明では、直列回路の他端がグランドレベルになると、過大な電流が流れることで、急増抵抗の抵抗値が急増して違法行為を防止する。なお、本発明における急増には、例えば、発熱によって抵抗体が溶断して、その抵抗値が無限大となるヒューズ動作も含まれる。但し、好ましくは、可逆的な抵抗変化をすべきである。また、請求項3に係る発明は、インタフェイス素子に供給される直流電圧と、前記インタフェイス素子をON動作させる払出指令と、グランド信号とを、接続コネクタを通して受ける払出制御部を有し、前記払出制御部が、前記インタフェイス素子のON動作に対応して払出モータを駆動して遊技者に有価物を払出す遊技機であって、前記払出制御部には、前記インタフェイス素子への供給電流をバイパスさせて、これをOFF動作させるスイッチング回路が設けられ、前記スイッチング回路の一端に、前記直流電圧を受ける一方、その他端に、他の回路基板に配置された電流制限抵抗を通して前記払出指令を受けるよう構成されている。前記スイッチング回路は、好ましくは、電界効果トランジスタを含んで構成され、その通電端子が前記インタフェイス素子の両端に接続されている。通電端子とは、ドレイン端子及びソース端子である。電界効果トランジスタは、好ましくはMOS型トランジスタであるが、Nチャンネル型であってもPチャンネル型であっても良い。上記各発明では、好ましくは、前記他の回路基板には、ON/OFF動作する出力素子と、前記電流制限抵抗とが直列接続された直列回路を設けるべきである。また、前記払出指令の信号線とグランド信号の信号線とは、前記接続コネクタにおいて離間して配置すると防犯上有効である。また、上記各発明は、好ましくは、払出モータに流れる駆動電流が所定値を超えると、飽和状態への移行動作を開始する正帰還ループを形成した2つのスイッチング素子を設けるべきである。この場合、前記2つのスイッチング素子は、NPN型トランジスタとPNP型トランジスタとで構成され、全体としてサイリスタ構造を実現しているのが効果的である。上記何れの発明でも、前記インタフェイス素子がON状態からOFF状態に遷移するとON動作する短絡素子が、前記払出モータの入力端子間に設けられていると制動効果が高まる。上記した本発明によれば、機器異常時や違法行為時にも適切に動作を継続する遊技機を実現することができる。以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図1~図4は、実施例に係るスロットマシンSLを図示したものである。本スロットマシンSLは、矩形箱状の本体ケース1と、各種の遊技部材を装着した前面パネル2とが、ヒンジ3を介して連結され、前面パネル2が本体ケース1に対して開閉可能に構成されている図2。そして、図1は前面パネル2の正面図、図2はスロットマシンSLの右側面図aと平面図b、図3は前面パネル2の背面図、図4は本体ケース1の内部正面図を示している。図4に示す通り、本体ケース1の略中央には、3つの回転リール4a~4cを備える図柄回転ユニット4が配置され、その下側に、メダル払出装置5が配置されている。各回転リール4a~4cには、BB図柄、RB図柄、各種のフルーツ図柄、及びリプレイ図柄などが描かれている。メダル払出装置5には、メダルを貯留するメダルホッパー5aと、払出モータMOと、メダル払出制御基板55と、払出中継基板63と、払出センサSE図5などが設けられている。ここで、メダルは、払出モータMOの回転に基づいて、払出口5bから図面手前に向けて導出される。なお、限界量を越えて貯留されたメダルは、オーバーフロー部5cを通して、補助タンク6に落下するよう構成されている。上記のメダル払出装置5に隣接して電源基板62が配置され、また、図柄回転ユニット4の上部に主制御基板50が配置され、主制御基板50に隣接して回胴設定基板54が配置されている。なお、図柄回転ユニット4の内部には、回胴LED中継基板58と回胴中継基板57とが設けられ、図柄回転ユニット4に隣接して外部集中端子板56が配置されている。図1に示すように、前面パネル2の上部には液晶表示ユニット7が配置され、その下部には、回転リール4a~4cに対応する3つの表示窓8a~8cが配置されている。表示窓8a~8cを通して、各回転リール4a~4cの回転方向に、各々3個程度の図柄が見えるようになっており、合計9個の図柄の水平方向の三本と、対角線方向の二本が仮想的な停止ラインとなる。このような表示窓8aの左側には、遊技状態を示すLED群9が設けられ、その下方には、遊技成果として払出されるメダル数を表示する払出表示部10や、クレジット状態のメダル数を表示する貯留数表示部11が設けられている。前面パネル2の垂直方向中央には、メダルを投入するメダル投入口12が設けられ、これに隣接して、メダル投入口12に詰まったメダルを返却させるための返却ボタン13が設けられている。また、クレジット状態のメダルを払出すクレジット精算ボタン14と、メダル投入口12へのメダル投入に代えてクレジット状態のメダルを擬似的に一枚投入する投入ボタン15と、クレジット状態のメダルを擬似的に三枚投入するマックス投入ボタン16とが設けられている。これらの遊技部材の下方には、回転リール4a~4cの回転を開始させるスタートレバー17と、回転中の回転リール4a~4cを停止させるためのストップボタン18a~18cが設けられている。その他、前面パネル2の下方には、メダルを蓄える横長の受け皿19と、払出装置5の払出口5bに連通するメダル導出口20とが設けられている。なお、メダル導出口20の左右にはスピーカSPが配置されている。図3に示すように、前面パネル3の裏側には、メダル投入口12に投入されたメダルの選別を行うメダル選別装置21と、メダル選別装置21により不適正と判別されたメダルをメダル導出口20に案内する返却通路22とが設けられている。また、前面パネル3の裏側上部には、演出制御基板51、演出インタフェイス基板52、及び液晶制御基板61などを収容する基板ケース23が配置されている。そして、メダル選別装置21の上部には、図1に示す各種の遊技部材と主制御基板50との間の信号を中継する遊技中継基板53が設けられている。図5は、実施例に係るスロットマシンSLの回路構成を示すブロック図である。図示の通り、このスロットマシンSLは、回転リール4a~4cを含む各種の遊技部材の動作を制御する主制御基板50と、主制御基板50から受けた制御コマンドに基づいて演出動作を実現する演出制御基板51と、交流電圧24Vを直流電圧5V,12V,24Vに変換して装置各部に供給する電源基板62とを中心に構成されている。主制御基板50は、演出制御基板51に対して、スピーカSPによる音声演出、LEDランプや冷陰極線管放電管によるランプ演出、及び、液晶表示ユニット7による図柄演出を実現するための制御コマンドを出力している。そして、演出制御基板51は、演出インタフェイス基板52を通して、液晶制御基板61に接続されており、液晶制御基板61は、液晶表示LCDユニット7における図柄演出を実現している。演出制御基板51は、演出インタフェイス基板52と共に、LED基板59やインバータ基板60や回胴LEDドライブ基板58を経由して、各種のLEDや冷陰極線管放電管におけるランプ演出を実現している。また、演出制御基板51は、演出インタフェイス基板52を通してスピーカSPを駆動して音声演出を実現している。主制御基板50は、遊技中継基板53を通して、スロットマシンの各種遊技部材に接続されている。具体的には、スタートレバー17の始動スイッチ、ストップボタン18a~18cの停止スイッチ、投入ボタン15,16の投入スイッチ、清算ボタン14の清算スイッチ、投入枚数判定部21dを構成するフォトインタラプタPH1,PH2、投入メダル返却部21cを構成するブロッカーソレノイド31、及び、各種LED素子9~11などに接続されている。また、主制御基板50は、回胴中継基板57を経由して、回転リール4a~4cを回転させる3つのステッピングモータ、及び、回転リール4a~4cの基準位置を検出するためのインデックスセンサに接続されている。そして、ステッピングモータを駆動又は停止させることによって、回転リール4a~4cの回転動作と、目的位置での停止動作を実現している。主制御基板50は、払出中継基板63を通してメダル払出装置5にも接続されている。メダル払出装置5には、メダル払出制御基板55と、メダル払出センサSEと、払出モータMOとが設けられており、メダル払出制御基板55は、主制御基板50からのメダル払出信号PAYに基づいて払出モータMOを回転させて、所定量のメダルを払出している。なお、払出モータMOは、ブラシモータなどのDCモータであり、DC24Vを受けている限り回転を継続する。その他、主制御基板50は、外部集中端子板56と、回胴設定基板54にも接続されている。外部集中端子板56は、例えばホールコンピュータHCに接続されており、主制御基板50は、外部集中端子板56を通して、メダルの投入枚数やメダルの払出枚数などを出力している。また、回胴設定基板54は、係員が設定した確率的なメダル払出枚数のランク設定値を示す設定キー信号などを出力している。図6は、主制御基板50と、払出中継基板63と、メダル払出制御基板55との接続関係を図示した概略図である。図示の通り、メダル払出制御基板55は、払出中継基板63を経由して、主制御基板50から、メダル払出信号PAYと、DC5Vと、DC24Vとを受けている。ここで、接続コネクタCN3,CN4において、メダル払出信号PAYの隣に、DC5Vが配置されており、グランドラインGNDは配置されていない。なお、当然ながら、メダル払出制御基板55のグランドラインGNDは、主制御基板50と共通である。メダル払出信号PAYは、払出すべきメダル枚数に対応するパルス幅τを有し、出力トランジスタQaと、出力トランジスタQaのコレクタに接続されたコレクタ抵抗Raとを経由して主制御基板50から出力される。コレクタ抵抗Raは、メダル払出制御基板55に配置されたフォトカプラPC、抵抗R1、及びポリスイッチRT1を経由して、電源電圧Vcc=5Vに接続されている図7。ここで、ポリスイッチは、ポリマー系のPTCPositiveTemperatureCoefficientサーミスタであり、素子温度が所定値より上昇すると、正常状態では1Ω以下の抵抗値が、急激に増加して104Ω~106Ω程度になる特性を有している。図7は、メダル払出制御基板55の回路構成を具体的に図示したものである。図6に関して説明した通り、メダル払出制御基板55は、コネクタCN4を通して払出中継基板63に接続され、主制御基板50から、DC24V、DC5V、及びメダル払出信号PAYを受けている。そして、メダル払出制御基板55のコネクタCN5には、払出モータMOが接続されて、メダル払出信号PAYがアクティブレベルであれば、払出モータMOがDC24Vを受けて連続して回転するようになっている。メダル払出制御基板55には、フォトカプラPCによる信号伝送回路81と、バイポーラトランジスタQ3,Q4による電流制限回路82と、MOSトランジスタQ5による駆動制御回路83と、MOSトランジスタQ6による動作禁止回路84とが設けられている。信号伝送回路81は、ポリスイッチRT1と、電流制限抵抗R1と、フォトカプラPCとの直列回路で構成されている。そして、ポリスイッチRT1と、電流制限抵抗R1と、フォトカプラPCの発光ダイオードDpと、主制御基板の電流制限抵抗Raと、出力トランジスタQaとで、DC5Vを受ける電流閉回路が構成される。そのため、出力トランジスタQaがON動作すると、フォトカプラPCの発光ダイオードDpには、Ion=5-VF-VCE/R1RaRT1の順方向電流が流れ、メダル払出信号PAYの電圧レベルは、IonRaVCE[V]となる。ここで、VCEは、出力トランジスタQaのコレクタ-エミッタ間の飽和電圧であり、0.3V程度である。また、VFは、発光ダイオードDpの順方向電圧降下であり、1.2V程度である。抵抗Ra,R1は、トランジスタQaとフォトカプラPCに対する電流制限抵抗であり、この電流制限状態では、ポリスイッチRT1の抵抗値は低く、R1Ra>>RT1≒0Ωである。したがって、出力トランジスタQaがON動作時、フォトカプラPCの発光ダイオードDpには、Ion≒3.5/R1Ra程度のオン電流Ionが流れることになる。ここで、違法行為者がコネクタCN1~CN4の部分を悪用して、メダル払出信号PAYを、グランド電位に落とした場合を考える。この場合には、電流制限抵抗Raが短絡されるために、フォトカプラPCの発光ダイオードDpには、Ion=5-VF/R1RT1の短絡電流が流れる。電流制限抵抗R1は、このような違法行為時にも、フォトカプラの発光ダイオードDpが焼損しない程度の必要最小限の値に設定されている。具体的には、発光ダイオードDpの最大定格電流値がIMAXの場合、電流制限抵抗R1は、例えば、R1≒<3.8/IMAXに設定される。何れにしても、フォトカプラの発光ダイオードDpや、ポリスイッチRT1には、本来のオン電流Ion≒3.5/R1Raより十分に高い、短絡電流IMAXが流れる。そのため、メダル払出信号PAYの信号線を、グランドラインGNDに接触させる違法行為時、最初は、フォトカプラPCがON動作して払出モータMOが回転するものの、短絡電流IMAXによってポリスイッチRT1が加熱されることで、やがてフォトカプラPCがOFF状態となり、違法行為によるメダルの払出動作を成功させることはない。ところで、メダル払出信号PAYの信号線を、直接、グランドラインGNDに接触させるのではなく、電流制限抵抗Raに対応する抵抗体を介して、メダル払出信号PAYの信号線をグランドラインGNDに接触させた場合には、違法行為が成功するとも思われる。しかしながら、一旦、離脱させたコネクタCN4を元の状態に戻さない限り、払出モータMOへの通電が実現されないところ、コネクタCN4の中に極細の短絡片を配置することはできても、抵抗体をコネクタCN4の中に配置することは事実上不可能であるので、違法行為を成功させることはできない。しかも、本実施例では、メダル払出信号PAYの信号線とグランドラインGNDとが離間して配置されているので尚更である。さて、電流制限回路82は、PNP型トランジスタQ3と、コレクタ抵抗R4、バイアス抵抗R10と、払出モータMOの電流検出抵抗R13と、バイアス抵抗R5と、コンデンサC1と、NPN型トランジスタQ4と、電流制限抵抗R8と、逆方向電流阻止用のダイオードD2とで構成されている。トランジスタQ3のエミッタ端子は、フォトカプラのトランジスタTrのエミッタ端子と、電流制限抵抗R8とに接続されている。そして、トランジスタQ3のエミッタ端子とベース端子の間には、電流制限抵抗R8とダイオードD2とが直列接続され、ダイオードD2のカソード端子が、トランジスタQ3のベース端子に接続されている。また、ダイオードD2のカソード端子は、トランジスタQ4のコレクタ端子に接続され、そのエミッタ端子はグランドに接続されている。トランジスタQ4のベース端子は、並列接続されたコンデンサC1及び抵抗R5を通して、グランドに接続されている。また、トランジスタQ4のベース端子は、抵抗R10を通して、NチャンネルMOSトランジスタQ5のソース端子に接続されている。NチャンネルMOSトランジスタQ5のソース端子とグランドとの間に、抵抗R13が接続されて、払出モータMOの駆動電流を監視している。なお、電流検出抵抗R13は、0.51Ω程度である。駆動制御回路83は、NチャンネルMOSトランジスタQ5と、バイアス抵抗R9と、コンデンサC3とで構成されている。ここで、MOSトランジスタQ5のドレイン端子は、払出モータMOの-端子に接続されている。そして、ベース端子とソース端子との間には、並列接続された抵抗R9及びコンデンサC3が接続されている。動作禁止回路84は、PチャンネルMOSトランジスタQ6と、分圧用のバイアス抵抗R11,R12,R6,R7と、コンデンサC2と、逆方向電流阻止用のダイオードD1と、ポリスイッチRT2とで構成されている。PチャンネルMOSトランジスタQ6のソース端子とドレイン端子は、各々、払出モータMOの端子と-端子に接続されている。したがって、PチャンネルMOSトランジスタQ6がON動作すると払出モータMOの駆動が禁止されることになる。一方、MOSトランジスタQ6のソース端子とゲート端子間には抵抗R11が接続され、ゲート端子とグラントとの間には、バイアス抵抗R12,R6,R7が直列接続されている。そして、抵抗R12と抵抗R6の接続点には、ダイオードD1のカソード端子が接続されている。一方、ダイオードD1のアノード端子は、フォトカプラPCのトランジスタTrのエミッタ端子と、抵抗R8とに接続されている。ポリスイッチRT2は、PチャンネルMOSトランジスタQ2のドレイン端子と払出モータMOの端子との間に接続されている。したがって、例えば、払出モータMOの配線の短絡などによって過大電流が流れる場合には、DC24Vの電源ラインを開放状態にする役目を果たす。なお、このポリスイッチRT2は、電流制限回路82が機能しないようなトラブル時に大きな意義がある。続いて、主制御部50において実行されるメダル払出処理について図8のフローチャートに基づいて説明する。先ず、遊技者に払出すべきメダル払出枚数が0か否か判定されST10、メダル払出枚数≠0であれば、クレジット数が上限値例えば50枚に達するまでは、クレジット数を増加させることで払出処理を実行するST11~ST13。一方、このようにしてクレジット数が上限値に達するか、或いは、もともと上限値に達している場合には、メダル払出信号PAYをONレベルアクティブレベルにするST15。具体的には、主制御部50の出力トランジスタQaをON動作させて、メダル払出制御基板55のフォトカプラPCをON動作させる。この結果、払出モータMOが回転を開始してメダルの払出が開始される。そこで、次に、払出センサSE図5がメダル払出を検出したか否か判定されST16、所定の待機時間、メダルの払出が検出されるのを待つST18。そして、メダルの払出が検出されれば、払出枚数を減算しST17、残余払出枚数が0になるまで同じ動作を繰返す。一方、所定の待機時間を超えても、払出センサSEがメダルの払出を検出しない場合は、メダルホッパー5aが空であると思われるので、その旨の異常報知処理を実行するST19。そして、ドアセンサの開閉が検出されたら、係員による補給処理が完了したと想定して、エラー報知処理を解除してステップST15の処理に戻る。このような処理を繰返していると、やがて、残余払出枚数が0になるのでST13、メダル払出信号PAYをOFF状態にして処理を終えるST14。具体的には、主制御部50の出力トランジスタQaをOFF動作させ、メダル払出制御基板55のフォトカプラPCをOFF動作させる。この結果、払出モータMOの回転が停止される。続いて、図7に示す実施例について、払出動作時と払出禁止時の動作を、念のため説明する。先ず、主制御部50の出力トランジスタQaがON状態となった場合ST15について、図11に基づいて説明する。この場合には、DC5V→ポリスイッチRT1→抵抗R1→フォトカプラの発光ダイオードDp→抵抗Ra→出力トランジスタQaの経路で、ON電流Ionが流れる。そのため、フォトカプラPCはON状態となり、フォトカプラPCのトランジスタTrを通過する直流電流は、ダイオードD1→抵抗R6→抵抗R7の経路に流れる。また、トランジスタTrを通過する直流電流は、抵抗R8→抵抗R9→抵抗R13の経路と、抵抗R8→抵抗R9→抵抗R10→R5の経路にも流れる。その結果、トランジスタQ5はON状態となり、ポリスイッチRT2→払出モータMO→トランジスタQ5の経路でモータ駆動電流が流れ、払出モータMOが回転する。この時、電流制限回路82は、過大なモータ駆動電流が流れることを防止する負帰還回路として機能する。すなわち、モータ駆動電流は、電流検出抵抗R13に流れるので、仮に、モータ駆動電流が大きく増加すると、トランジスタQ4のベース電位が増加して、抵抗R8→ダイオードD2経路でコレクタ電流が流れる。すると、トランジスタQ4とトランジスタQ3とは、サイリスタ構造を有して接続されているので、トランジスタQ4のコレクタ電流の増加が、トランジスタQ3のコレクタ電流の増加をもたらし、抵抗R5を経由してトランジスタQ4のコレクタ電流を益々増加させることで、2つのトランジスタQ3,Q4は、ON動作に向けた正帰還ループを形成する。一方、トランジスタQ4のコレクタ電流が飽和電流に向けて増加すると、ダイオードD2のアノード端子の電位が降下するので、トランジスタQ5をOFF動作させる向きの負帰還ループが形成される。したがって、トランジスタQ5の動作に基づいて、過大なモータ駆動電流が流れることが防止され、モータ駆動電流が所定範囲に維持される。ところで、払出モータMOが駆動されているタイミングでは、トランジスタQ6は、OFF状態である。それは、抵抗R11→抵抗R12→抵抗R6→抵抗R7の経路で電流が流れると共に、ダイオードD1→抵抗R6→抵抗R7の経路でも電流が流れるので、抵抗R11と抵抗R12の両端電圧が、トランジスタTrの飽和電圧VCEとダイオードの順方向電圧降下VFからVCEVF≒1Vに抑制されるからである。次に、図12に基づいて、主制御部50の出力トランジスタQaがOFF状態となった場合ST13の動作を説明する。この場合には出力トランジスタQaがOFF状態であるので、フォトカプラPCのダイオードDpに電流が流れない。そして、フォトカプラPCがOFF状態であるため、トランジスタQ3,Q4,Q5はON状態とならない。一方、抵抗R11→抵抗R12→抵抗R6→抵抗R7→グランドの経路では電流が流れる。ここで、抵抗R11の両端電圧は、24R11/R11R12R6R7≒3Vとなるよう設定されているので、トランジスタQ6のソース端子とゲート端子間の電圧によってトランジスタQ6はON状態となる。このトランジスタQ6のON動作は、フォトカプラPCのONからOFFへの遷移時に実行されるので、発電機として機能する払出モータMOの出力電流がトランジスタQ6の短絡電流として吸収され、払出モータMOの回転にブレーキがかかる。そのため、本実施例の構成によれば、慣性力によるメダルの過払いが防止される。以上、本発明の実施例について具体的に説明したが、具体的な記載内容は特に本発明を限定する趣旨ではなく、適宜に変更可能である。例えば、先の実施例ではスロットマシンについて説明したが、遊技球の払出処理をDCモータで実現する弾球遊技機においては、本発明が好適に適用される。また、先の実施例では、違法行為を排除するために、ポリスイッチを使用したが、可逆的に動作する他のヒューズ素子を使用しても良いのは勿論である。なお、簡易的には溶断動作をするヒューズ素子を使用してもよく、更に簡易的には、ポリスイッチRT1及び電流制限抵抗R1を設けない構成を採ることもできる。このような構成を採ると、違法行為時には、発光ダイオードDpに短絡電流が流れ、フォトカプラPCが破損することで、違法行為が防止される。また、必ずしも、信号伝送回路81を遮断状態に制御する必要はなく、フォトカプラPCを短絡させる構成を採っても良い。図9は、その回路構成を示す回路図である。この実施例では、フォトカプラの発光ダイオードDpに並列に、電界効果トランジスタQfのドレイン端子Dとソース端子Sとが接続されている。ここで電界効果トランジスタとは、接合型とMOS型とを含む概念であり、図示例ではNチャンネル型のMOSFETを使用している。トランジスタQfのドレイン端子Dには、電流制限抵抗R1を通して直流5Vが供給されている。また、トランジスタQfのゲート端子Gは、分圧抵抗R2,R3の接続点が接続されている。この実施例では、出力トランジスタQaのON動作時、メダル払出信号PAYの電圧レベルは、例えば、3Vになるよう構成されている。この場合、出力トランジスタQaのON動作時、分圧抵抗R2,R3の両端には、2ボルトの電圧が加わる。そして、ゲート端子Gとソース端子Sとの間の電圧は、2R3/R2R3ボルトであるので、この実施例では、この電圧値2R3/R2R3が、トランジスタQfのOFF状態を維持するレベルに設定されている。つまり、この実施例では、出力トランジスタQaのON動作時にも、トランジスタQfはOFF状態である。したがって、出力トランジスタQaのON動作時には、電流制限抵抗R1→発光ダイオードDp→電流制限抵抗Ra→出力トランジスタQaの経路で、オン電流ION≒3.5/R1Raが流れ、フォトカプラPCがON動作する。なお、分圧抵抗R2,R3は、電流制限抵抗R1より抵抗値が十分に高いので、そこに流れる電流は、オン電流IONとの関係では無視してよい。次に、この回路において、違法行為によって、メダル払出信号PAYの電圧レベルがグランドレベルになった場合を想定する。このような場合には、分圧抵抗R2,R3には、電圧5ボルトが直接加わるので、トランジスタQfのゲート端子Gとソース端子Sとの間の電圧は、5R3/R2R3に増加する。そして、この電圧は、トランジスタQfをON動作させるレベルに設定されているので、ドレイン端子D-ソース端子S間の電圧が降下して、発光ダイオードDpをOFF動作させる。その結果、フォトカプラPCが活性化されないので、払出モータMOが回転せず、違法行為によるメダルの払出動作を成功させない。図10は、更に別の実施例であり、フォトカプラの発光ダイオードDpに並列に、バイポーラ型のトランジスタQのコレクタ端子Cとエミッタ端子Eとが接続されている。図示の通り、ここではNPN型のトランジスタを使用している。トランジスタQのコレクタ端子Cには、電流制限抵抗R1を通して直流5Vが供給され、ベース端子Bには、バイアス抵抗R2を通して直流5Vが供給されている。この実施例では、出力トランジスタQaのON動作時、トランジスタQがリニア動作をして、電流制限抵抗R1から流れ出すオン電流IONが、トランジスタQと発光ダイオードDpに分流されるよう構成されている。但し、トランジスタQのコレクタ電流i1と、発光ダイオードDpの順方向電流i2と合わせた電流が、抵抗R1を通り電圧降下を起こしても、発光ダイオードDpの最低動作電圧を保つように設定されており、フォトカプラPCは問題なくON動作する。次に、違法行為によって、メダル払出信号PAYの電圧レベルがグランドレベルになった場合を想定する。このような場合には、バイアス抵抗R2には、5-VBEの電圧が加わるので、ベース電流IBはIB=5-VBE/R2となる。ここで、VBEは、トランジスタQのベース端子Bとエミッタ端子E間の電圧であり、0.6V程度である。本実施例では、この程度のベース電流値IB=5-VBE/R2において、コレクタ電流が飽和するよう構成されている。つまり、違法行為時には、トランジスタQが飽和状態となってコレクタ端子Cとエミッタ端子Eの間が、例えば、0.3V程度まで降下する。その結果、フォトカプラPCが活性化されないので、払出モータMOが回転せず、この回路においても、違法行為によるメダルの払出動作を成功させることがない。"