"平坦化剤の塗布により基体主表面の凸凹でこぼこを埋めた上で、最表面には所望の凹凸パターンが形成されている平坦化剤層を有することを特徴とするインプリント用モールド。前記基体は円筒型基板であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント用モールド。前記平坦化剤層はポリシラザンからなることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント用モールド。平坦化剤の塗布により基体主表面の凸凹でこぼこを埋めて前記基体を平坦化する平坦化剤層を前記基体上に形成する平坦化剤層形成工程と、前記平坦化剤層自体の主表面に所望の凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。前記基体は円筒型基板であることを特徴とする請求項4に記載のインプリント用モールドの製造方法。前記平坦化剤層はポリシラザンからなることを特徴とする請求項4又は5に記載のインプリント用モールドの製造方法。特許文献4の場合、平坦化層の上に、アモルファスカーボンからなる微細パターンが形成されている例が挙げられている。ただ、この場合、微細パターンを形成するためのエッチングの際に、微細パターンの凸部を形成するアモルファスカーボン膜が平坦化層から剥離してしまうおそれもある。ただ、特許文献4の場合、アモルファスカーボン膜が平坦化層から剥離したとしても、残りのアモルファスカーボン膜を剥がした上で、再度、新たなアモルファスカーボン膜を形成し、パターニングを行うことも可能である。つまり、特許文献4の場合、アモルファスカーボン膜を微細パターンの基として使用しているためエッチングが比較的容易であり、更には、微細パターンを上記の手法で容易に再生できる。とはいえ、微細パターンが平坦化層から剥離するたびに上記の再生処理を行っていたのでは、微細パターンの転写を中断せざるを得なくなってしまう。その結果、ナノインプリント技術の利点である微細構造を安価に大量に作製という利点が損なわれてしまうおそれがある。その一方、特許文献3のように、円筒型基板の主表面に銅を直接メッキする技術においては、円筒型基板の種類によっては銅をメッキさせることができない。また、幅は小さいけれど深い傷が円筒型基板の主表面に存在する場合、メッキ処理後、傷の部分が空洞となり、銅が円筒型基板の主表面から剥離しやすくなるおそれも考えられる。また、傷が大きい場合、その傷の形状に沿って銅が堆積されることになり、相当の厚みの銅膜を形成しないと、銅膜に微細パターンを形成したとしても、微細パターンの形状が傷の形状の影響を受けてしまうおそれも考えられる。本発明の目的は、基体からの剥離のおそれがほとんどない、高い精度の凹凸パターンを有するインプリント用モールド及びその製造方法を提供することにある。上述した目的達成のために本発明者は、自らが開発した技術特許文献4を再検討した。先にも述べたように、特許文献4においては、基体に対して平坦化層を設け、その上にパターン層を設けている。そしてこのパターン層が平坦化層から剥離してしまうことにより、上記の課題が生じている。この再検討の結果、基体からの剥離のおそれを解消するためには、そもそもパターン層を別途設けないようにすれば良いのではないかと考えた。つまり、平坦化層自体にパターンを形成してしまえば、そもそも剥離のおそれ自体が解消されるのでは、と考えた。詳しく言うと、平坦化層に対して2つの機能、即ち、機能1平坦化層が基体と接触する部分においては、基体主表面にある傷などの凸凹でこぼこを埋めて基体を平坦な状態に変える。機能2平坦化層が基体と接触する部分と対向する部分雰囲気と接触する部分、即ち最表面においては、被転写体に転写されるべき凹凸パターンを形成する。という機能を兼ね備えさせるという知見を得た。本発明は、上述した本願発明者による新たな知見に基づいてなされたものである。本発明の第1の態様は、平坦化剤の塗布により基体主表面の凸凹でこぼこを埋めた上で、最表面には所望の凹凸パターンが形成されている平坦化剤層を有することを特徴とするインプリント用モールドである。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記基体は円筒型基板であることを特徴とする。本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様に記載の発明において、前記平坦化剤層はポリシラザンからなることを特徴とする。本発明の第4の態様は、平坦化剤の塗布により基体主表面の凸凹でこぼこを埋めて前記基体を平坦化する平坦化剤層を前記基体上に形成する平坦化剤層形成工程と、前記平坦化剤層自体の主表面に所望の凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法である。本発明の第5の態様は、第4の態様に記載の発明において、前記基体は円筒型基板であることを特徴とする。本発明の第6の態様は、第4又は第5の態様に記載の発明において、前記平坦化剤層はポリシラザンからなることを特徴とする。本発明によれば、基体からの剥離のおそれがほとんどない、高い精度の凹凸パターンを有するインプリント用モールド及びその製造方法を提供できる。以下、本発明を実施するための形態を説明する。なお、<実施の形態1>においては、以下の順番で説明する。1.インプリント用モールド及びその製造方法A基板の準備B平坦化剤の塗布平坦化剤層形成工程C凹凸パターンの形成凹凸パターン形成工程aマスク層の形成bレジスト層の形成cパターン露光d現像レジストパターンの形成eリンス処理乾燥fマスクパターンの形成g平坦化剤層への凹凸パターンの形成hマスクパターン及びレジストパターンの除去i洗浄等2.実施の形態による効果なお、<実施の形態1>においては、平坦化剤層の上にマスク層、レジスト層を順に設ける場合について説明する。また、<実施の形態2>においては、平坦化剤層上にマスク層を設けない場合について説明する。また、<実施の形態3>においては、上記の実施の形態で述べた以外の変形例について説明する。なお、本実施形態において平坦とは基体の表面粗さを示すものであり、キズ等がないはずの部分の表面の幾何学的平面からのずれの大きさを示すものである。平坦を示す指標としては平坦度真円度又は平面度があり、これはJISB0182にて定義される指標である。また、本実施形態においては、本来は平坦化層として用いられていたものに凹凸パターンを形成している。故に、本来は平坦化層として用いられていたものは、少なくとも最表面においては平坦となっていない。そのため、本実施形態においては、基体の主表面に対する平坦化機能を有し且つ凹凸パターンを主表面に形成されている層のことを平坦化剤層と言う。また、基体主表面の平坦化を阻害する要因例えばキズや凹みによって主表面に生ずる段差を、凸凹でこぼこと言う。これは、将来的に平坦化剤層の主表面に形成される所望の凹凸パターンとは異なるものである。<実施の形態1>1.インプリント用モールド及びその製造方法以下、本実施形態について、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態におけるインプリント用モールド1以降、単にモールド1とも言う。の製造工程を概略的に示す図である。図1aはモールド1の基となる基体本実施形態においてはモールド基板2以降、単に基板2とも言う。を示し、図1bは基板2に平坦化剤よりなる平坦化剤層6を設けた様子を示す。更に、図1cはその平坦化剤層6の上にマスク層8、レジスト層9を順に形成した様子を示し、図1dはこのレジスト層9に対して所望のパターンを描画現像してレジストパターン9’を形成した様子を示す。そして図1eはマスク層8に対してエッチングを行ってマスクパターン8’を形成した様子を示し、図1fは平坦化剤層6に対してエッチングを行って凹凸パターン6’を形成した様子を示す。そして、図1gは、エッチング後に洗浄を行い、マスクパターン8’及びレジストパターン9’を除去し、モールド1を完成させた様子を示す図である。本実施形態におけるモールド1の断面概略図であって、図1gを拡大した図である図2に示すように、基板2上に平坦化剤層6が設けられ、平坦化剤層6自体の主表面に所望の凹凸パターン6’が設けられたモールド1が得られる。本実施形態におけるモールド1は、平坦化剤層6が単層でありながら、平坦化剤層6が基板2と接触する部分においては、基板2の主表面にある傷などの凸凹でこぼこ4を埋めて基板2を平坦な状態に変えている。その上で、平坦化層が基板2と接触する部分と対向する部分雰囲気と接触する部分、即ち最表面においては、凹凸パターン6’が形成されている。このモールド1を元型モールドとして被転写体に凹凸パターン6’を転写する際、平坦化剤層6の最表面が被転写体との接触部分となる。このモールド1を元型モールドとして使用する際の概観図を、図3に示す。図3は本実施形態におけるモールド1の概略図であり、aは斜視図、bは正面図、cはbのA-A’部分の断面図である。以下、図1~図3に基づいて、本実施形態に係るインプリント用モールド及びその製造方法について詳述する。A基体の準備まず図1aに示すように、モールド1のための基体である基板2を用意する。なお、本実施形態における基体とは、本明細書に示すような基板、その基板の上にハードマスクが設けられたものを含む。まとめると、基板を含む物質であって、平坦化剤層6が設けられるべき対象となる物質そのものを指すものとする。この基体は、モールド1として用いることができるのならばどのような組成のものでも良い。工業用としての耐久性を考慮すると、金属又はステンレス鋼のような合金製基板が挙げられる。この他にも、石英基板などのガラス基板、SiC基板、シリコンウエハ基板、更にはシリコンウエハ基板上にSiO2層を設けたもの、グラファイト基板、グラッシーカーボン基板、カーボンファイバー強化プラスチックCFRPのカーボン系基板等が挙げられる。また、基板2の形状についてであるが、モールド1として用いることができるのならば形状は制限されない。例えば、基板2の形状として、円盤形状や、円筒型状などが挙げられる。円盤形状であれば、平坦化剤等を塗布する際、円盤基板2を回転させながら平坦化剤等を均一に塗布することができる。また、円筒型状であれば、ローラー方式でのインプリントが可能となることから、大量生産に適している。なお、基板2の型状は円盤形状以外であっても良く、矩形、多角形、半円形状であっても良い。また、円筒型状以外には、基板2の型状として、円柱や三角柱や四角柱のような多角形形状が挙げられるが、円柱又は円筒型の方が連続的かつ均一に被転写材に凹凸パターンを転写できるため、より好ましい。なお、本実施形態においては、基板2がどのような型状であっても、インプリント用モールド製造の基礎として用いられる基体を基板とも言うこととする。本実施形態においては、中心部分が空洞である円筒型状のステンレス鋼基板2を用いて説明する。図3に示すように、この基板2は左右両側モールド端面、モールド外周面20、物質的には形成されていない回転軸3を有している。B平坦化剤の塗布平坦化剤層形成工程上述の通り、モールド1に用いられる基板にはミクロンオーダーの傷が存在するおそれがあり、このミクロンオーダーの傷が凹凸パターンの再現性に大きな影響を与えるおそれがある。そのため、本実施形態においては、従来のように基板2の主表面に直接に凹凸パターンを形成したり、凹凸パターンを有する層を別途設けたりするのではなく、平坦化剤により基板主表面が平坦化された平坦化剤からなる層以降、平坦化剤層6とも言う。を基板2上に形成する。以下、この平坦化剤層形成工程について詳述する。まず、平坦化剤の選定を行う。本実施形態における平坦化剤は、基体の主表面に対して塗布できるものであり、基体の主表面に存在する平坦化阻害要因凸凹でこぼこを解消することができるものならば良い。この平坦化剤の具体例としては、従来使用される液体状の平坦化膜化剤が挙げられるが、具体的にはポリシラザン、メチルシロキサン、金属アルコキシドなどが挙げられる。凹凸パターンを形成する際の容易性や、平坦化剤層6の凹凸パターン6’が毀れた際に平坦化剤層を除去して新たな平坦化剤層6を形成する際の容易性を考えると、ポリシラザンが好ましい。ただ、上記以外の物質、例えば置換ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジスト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリブタジエン、ポリ酢酸ビニル及びポリビニルブチラール等を用いても良い。また、良好な平坦性を維持できるのならば、平坦化剤層6を構成する物質として上記の物質のみを用いても良いし、上記に例示した物質を混合したものを用いても構わない。次に、回転軸3を水平にした状態で基板2を保持し、基板2下方に平坦化剤入り容器を用意する。その後、基板2を下方に降ろし、基板2の外周面の一部と平坦化剤とを接触させる。そして、基板2の一部を平坦化剤に浸漬させる。ここでは、平坦化剤に対して、基板2を回転軸方向に対して平行に接触させるのが好ましい。平行に接触させることにより、基板2における浸漬部分において、左右両側モールド端面の間で塗布の程度に差異が生じることを防止することができる。その結果、平坦化剤の塗布にムラを生じさせないことになる。このように、平坦化剤と基板2とを回転軸方向に対して平行に接触させた状態で、基板2を複数のローラー107により回転させて、モールド外周面20に平坦化剤を塗布する図1b。なお、図3aに示すように、基板2をローラー107により回転させるための部分を、基板2に別途設けても良い。このときの回転速度及び回転数は、平坦化剤を基板2に十分塗布することができるように設定する。上記のような手法を行い、基板2に対して平坦化剤を塗布する。こうすることにより、基板2の主表面上を平坦にすることができる。なお、この平坦化は、図2に示すように、平坦化剤の塗布により基体主表面の凸凹でこぼこ4を埋めて基板2を平坦化している。この凸凹でこぼこを埋めてというのは、最低でも凹ぼこを埋めている状態のことを言う。その一方、キズや凹みを埋めるのみならず、凸でことなっている部分、更には、キズや凹みが元々存在していなかった部分も平坦化剤層によって埋められている状態のことも含み、好ましくはこの状態である。C凹凸パターンの形成凹凸パターン形成工程本実施形態においては、上述のように塗布された平坦化剤からなる平坦化剤層6自体に凹凸パターンを形成することになる。以下、本実施形態においては、凹凸パターンを形成する一例について述べる。aマスク層の形成凹凸パターンを形成するため、平坦化剤層6の上に、マスク層8を積層する。その後、マスク層8の上に、レジスト層9を積層する図1c。このマスク層8としては、ハードマスクとしての機能を有するものであればどのようなものを用いても構わない。なお、本実施形態におけるハードマスクは、単一又は複数の層からなり、基板上へのエッチングに用いられる層状のもののことを指すものとする。マスク層8を構成する物質としては、ハードマスクとしての機能を発揮可能な物質であればどのようなものを用いても構わないが、マスク層8は不透明層であることが好ましい。更に、マスク層8の波長405nmにおける透過率は適度な範囲内にあるのが好ましい。そうすることにより、図4aに示すように、マスク層8が積層された基板2の上部からレーザー光109を照射する際、パターン描画の際のレーザー光109のフォーカスをこのマスク層8上に確実に合わせることができる。より詳しく言うと、図4bに示すような事態を抑制、即ち、平坦化剤層6により折角基板2を平坦化したにも拘わらず、凹凸パターン描画の際のレーザー光109のフォーカスが、平坦化剤層6を通り越して粗表面基板上の傷108の部分に合わせられるのを抑制できる。なお、本実施形態における不透明層とは、マスク層8が積層された基板2上からパターン描画のフォーカス合わせを行ったときに、このマスク層8上でフォーカス合わせが行われる程度に不透明である層のことをいう。もちろん、マスク層8そのものが不透明層であっても良いし、不透明層を基板2上に別途設けても良い。ここで挙げたマスク層8の一例としては、酸化クロム層CrOx、窒化クロム層CrNx、酸化窒化クロム層CrOxNy、クロム及びその化合物に炭素が含まれるものCrOxNyCz、アモルファスカーボン、アモルファスカーボンナイトライドなど又はそれらの組み合わせが具体的に挙げられる。ここで、マスク層8が酸化クロム層を含む場合、酸化クロム層の厚さは100nmより大きくし、かつ、マスク層8全体の厚さは100nmより大きく1μm以下であれば、なお好ましい。100nm以上ならば、酸化クロム層上にて十分フォーカスあわせを行うことができる。1μm以上ならば、パターン転写の際の実用に堪えることができる。また、マスク層8が窒化クロム層を含む場合、窒化クロム層の厚さは20nm以上であり、かつ、マスク層8全体の厚さは20nm以上であり1μm以下であるのが好ましい。なお、窒化クロム層の厚さは30nm以上であるのがより好ましい。更に、マスク層8が酸化クロム層及び窒化クロム層からなる場合、窒化クロム層の厚さは20nm以上であり、マスク層8全体の厚さは20nm以上であり1μm以下であるのが好ましい。なお、酸化クロム層及び窒化クロム層以外にも、アモルファスカーボンを用いても良い。アモルファスカーボンだと、酸化クロム層ほど高い透明性を有さないが故に、凹凸パターン描画の際に、基板2に焦点が合ってしまうということを防止することができる。アモルファスカーボンの場合、アモルファスカーボンの厚さは50nmより大きくし、かつ、マスク層8全体の厚さは50nmより大きく1μm以下であるのが好ましい。ここで挙げた各物質からなる層の厚さが上記範囲にあれば、平坦化剤層6表面に形成されたマスク層8に、確実にレーザー光109のフォーカスを合わせることができる。また、マスク層8全体の厚さが上記範囲にあれば、マスク層8に確実にフォーカスを合わせることができるとともに、適切なアスペクト比を有する凹凸パターンを形成することができる。なお、マスク層8の製法としては、スパッタリング法など、公知の方法を用いれば良い。bレジスト層の形成次に、マスク層8の主表面に対してレジストを塗布する。塗布方法としては、本実施形態においては所定の回転数にて回転させつつ基板2の上方からレジストを塗布するスピンコート法を用いる。このようにレジストを塗布した後、ベークを行うことにより、レジスト層9をマスク層8上に形成する。なお、レジストの種類としては、公知のもので良いし、化学増幅レジストであっても良い。エネルギビームを照射したときに反応性を有するものであれば良い。具体的には、現像処理を行う必要のあるレジストであれば良い。本実施形態においては、電子線描画によるパターン露光が行われる際に用いるポジ型レジストを用いる場合について述べる。なお、酸化タングステンWOxを用いる場合は、レーザー描画を行えば良い。なお、レジスト層9がポジ型レジストからなるものであるならば、後述する電子線による描画にてパターン露光を行った箇所の現像剤に対する溶解度が向上し、現像処理後に形成される凹凸からなるレジストパターン9’の凹部となり、ひいてはその箇所が平坦化剤層6に形成される凹凸パターン6’における凹の位置に対応する。一方、レジスト層9がネガ型レジストからなるものであるならば、パターン露光を行った箇所が硬化し、現像剤に対する溶解度が減少する。その結果、ポジ型レジストの凹凸関係とは逆の対応関係のパターンが形成される。なお、平坦化剤層6とマスク層8の間、及びマスク層8とレジスト層9の間、又はそのいずれかに密着層7を設けても良い。密着層7として用いられるものとしては、アモルファスシリコンが挙げられる。もちろん、平坦化剤層6、マスク層8及びレジスト層9を形成する際に良好に接着することができるならば、密着層7を設けなくとも良い。cパターン露光本実施形態におけるパターン露光は、電子線描画やリソグラフィー等、公知のパターン露光であれば良い。また、パターンの形状についても限定はなく、線状点状ドットパターンそれらの混合等形状等であっても良い。一例を挙げるとすれば、電子線描画機を用いて、レジスト層9に対して、ビットパターンドメディアBPM製造用の所望の微細パターンを描画することが挙げられる。この微細パターンはミクロンオーダーであっても良いが、近年の電子機器の性能という観点からはナノオーダーであっても良いし、パターン付き基体などにより作製される最終製品の性能を考えると、その方が好ましい。d現像レジストパターンの形成描画済みのレジスト層9を有する基板2に対して現像を行うことにより、図1dに示すように、所望の凹凸からなるレジストパターン9’が得られる。なお、本実施形態における現像処理についても、公知のやり方であれば良い。なおその際、bレジスト層の形成にて述べた通り、マスク層8上に青色レーザー描画用のレジスト層9を成膜していても良い。青色レーザー描画用のレジスト層9としては、熱変化によって状態変化する感熱材料であって、その後のエッチング工程に適するものであっても良い。また、感光材料であっても良い。このとき、組成傾斜させた酸化タングステンWOxからなる無機レジスト層であれば、解像度向上という点から尚好ましい。eリンス処理乾燥レジストパターン9’を有する基板2に対し、必要に応じてリンス処理を行った後、乾燥処理ベーク等を行う。fマスクパターンの形成その後、レジストパターン9’が存在する状況でマスク層8をエッチングし、マスクパターン8’を形成する図1e。なお、このエッチングの方法においては、マスク層8の物質に応じて決定すれば良く、ドライエッチングやウェットエッチング等をマスク層8の種類に応じて使用すれば良い。例えば、マスク層にアモルファスカーボンを用いた場合は、O2ガスを用いたドライエッチングを行えば良い。また、必要に応じて密着層7に対してもエッチングを行う。g平坦化剤層への凹凸パターンの形成そして、マスクパターン8’が存在する状況で平坦化剤層6をエッチングする。その結果、所望の凹凸パターン6’を平坦化剤層6に形成することができる図1f。なお、このエッチング方法としては、平坦化剤の種類に応じて決定すれば良い。例えば平坦化剤としてポリシラザンを用いた場合は、一例として挙げるとすると、Ar及びCHF3ガスにてドライエッチングを行えば良い。なお、ウェットエッチングを行う場合は、バッファードフッ酸を用いることも考えられる。なお、所望の凹凸パターン微細パターンとは、ナノオーダーからマイクロオーダーまでの範囲のパターンであっても良いが、数nm~数100nmのナノオーダーの周期構造であれば、なお良い。具体的に一例を挙げるとすれば、複数の微細な凹凸からなっている微細突起構造である。その断面形状としては、1次元周期構造の場合、三角、台形、四角等が挙げられる。2次元周期構造の場合、微細突起の形状は、正確な円錐母線が直線や角錐稜線が直線のみならず、インプリント後の抜き取りを考慮して先細りとなっている限り、母線や稜線形状が曲線をなし、側面が外側に膨らんだ曲面であるものであっても良い。具体的な形状としては、釣り鐘、円錐、円錐台、円柱等が挙げられる。更には、成形性や耐破損性を考慮して、先端部を平坦にしたり、丸みをつけたりしても良い。更に、この微細突起は一方向に対して連続的な微細突起を作製しても良い。hマスクパターン及びレジストパターンの除去その後、残存したレジストパターン9’を除去する。同様に、マスク層の物質に応じた手法を用い、残存したマスクパターン8’を除去する。なお、本実施形態のようにレジストパターン9’がWOxからなる場合、ポリシラザンに対する上記のドライエッチングの際に、レジストパターン9’を除去する。また、マスクパターン8’については、マスクパターン8’に対するドライエッチングと同様、O2ガスを用い、マスクパターン8’を除去する。i洗浄等以上の工程を経た後、必要があれば基板2の洗浄等を行う。このようにして、凹凸パターンを主表面に有する平坦化剤層6を形成し、モールド1を完成させる図1g。2.実施の形態による効果以上のように、本実施形態に係るインプリント用モールドが構成される。実施の形態によれば、以下の効果を奏する。即ち、凹凸からなる微細なパターンの層を平坦化層の上に別途設けるのではなく、平坦化層自体にパターンを形成することにより、そもそも凹凸パターンの剥離のおそれ自体が発生しないようにしている。そして、別途設けていた凹凸パターンを省略する代わりに、平坦化剤層に対して以下の2つの機能を兼務させている。機能1平坦化剤層が基体と接触する部分においては、基体主表面にある傷などの凸凹でこぼこを埋めて基体を平坦な状態に変える。機能2平坦化剤層の最表面平坦化剤層が基体と接触する部分と対向する面においては、被転写体に転写されるべき凹凸パターンを形成する。こうすることにより、凹凸パターンが平坦化層から剥離するおそれがそもそも存在しなくなるため、凹凸パターンが剥離するたびに行われていた凹凸パターンの再生処理が不要となる。そうなると、インプリント用モールドのパターンの転写を中断する必要がなくなる。その結果、転写作業をスムーズに行うことが可能となり、ナノインプリント技術の利点である微細構造を安価に大量に作製という利点を充分に活かすことができる。更に、当初の目的通り、基体の主表面の平坦化阻害要因である凸凹でこぼこを平坦化剤の塗布により埋めることができ、基体の主表面の上部をひとまず平坦な状態とすることができる。そうすることにより、基体の主表面に凸凹でこぼこ傷が無い部分とある部分が平坦化剤層により埋められることになり、青色レーザーや電子ビームEBなどの電子線描画を行う際に、平坦な部分に焦点を合わせやすくなる。その結果、基体の凸凹でこぼこの影響を受けずに、所望の凹凸パターンを形成することができる。以上の結果より、本実施形態によれば、基体からの剥離のおそれがほとんどない、高い精度の凹凸パターンを有するインプリント用モールド及びその製造方法を提供することができる。<実施の形態2>実施の形態1においては、マスク層8を設けた場合について述べた。本実施形態においては、マスク層8を設けずに、平坦化剤層6の上に直接又は密着層7の上にレジスト層9を設ける場合について述べる。先に述べたように、実施の形態1におけるマスク層8は、レジストパターン9’を平坦化剤層6にパターン転写する役割を担っているが、パターン描画の際のフォーカス合わせの不透明層としての役割も担っている。そこで、本実施形態においては、平坦化剤として不透明性を有する物質を用いる。こうすることにより、マスク層8不透明層を用いなくとも、パターン描画のフォーカスが粗表面の基板上に合うことを抑制することができる。即ち、平坦化剤そのものが不透明であることから、平坦化されている平坦化剤層6の表面に、確実にパターン描画のフォーカスを合わせることができる。不透明性を有する平坦化剤としては、例えば色素添加剤を加えた平坦化剤が挙げられる。<実施の形態3>実施の形態1においては、平坦化剤層6及びマスク層8を形成した後、レジスト層9を形成しこれを利用することによりモールド1を作製する場合について述べた。本実施形態においては、マスク層8にアモルファスカーボンを用いた場合、マスク層8に対して直接描画を行い、マスクパターン8’を得ても良い。更に、平坦化剤層6に対し、電子線等による直接描画により、マスク層8やレジスト層9を介さずに、凹凸パターンを直接形成しても良い。また、実施の形態1においては、円筒型の基板2の主表面全体に平坦化剤を塗布し、平坦化剤層6を形成する場合について述べた。その一方、基板2の主表面全体でなくとも、平坦化剤を部分的に塗布し、基板2の主表面に対し、平坦化剤層6を部分的に形成しても良い。また、その際、基板2の主表面上に平坦化剤層6を複数形成しても良い。以上、本発明に係る実施の形態を挙げたが、上記の開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。本発明の範囲は、上記の例示的な実施形態に限定されるものではない。本明細書中に明示的に記載されている又は示唆されているか否かに関わらず、当業者であれば、本明細書の開示内容に基づいて本発明の実施形態に種々の改変を加えて実施し得る。<実施例1>次に実施例を示し、本発明について具体的に説明する。ステンレス製の円筒型の中空基板2SUS304、直径100mm即ち半径50mm、そのうち中空部分の直径84mm、モールド端面間距離300mmを用意した。次に、平坦化剤を用意した。平坦化剤には、ジブチルエーテル中にポリシラザンを20溶解した溶液を用いた。このポリシラザン溶液が入った平坦化剤容器を基板2下方に配置した。その後、基板2をポリシラザン溶液に接触させた。このとき、平坦化剤の液面から0.3mm以下の距離の深さで、モールド外周面20の一部を平坦化剤に浸漬させた。その状態で、別途設けられた回転軸3によりモールドを回転速度32回転/分で3回転させ、モールド外周面20全面にポリシラザン溶液を塗布した。この際、平坦化剤層6が1.5μmの厚さになるようにポリシラザン溶液を円筒型の基板2上に塗布した。その後、円筒型の基板2と平坦化剤とを引き離し、基板2を回転させながら乾燥させた。次に、塗布された平坦化剤層6の上に、マスク層8、無機レジスト層9をこの順に積層した。なお、本実施例においては、密着層7は設けなかった。マスク層8としてはアモルファスカーボンを200nmの厚さで成膜した。無機レジスト層9としては酸化タングステンWOx層をスパッタ法により、20nmの厚さで成膜した。なお、無機レジスト層9の深さ方向への組成変化については、基板側x=0.95、レジスト最表面側x=1.60の傾斜組成とした。この無機レジスト層9の形成には、イオンビームスパッタ法を用いてAr:O2の流量比を連続的に変化させて無機レジスト層9中の酸素濃度を傾斜させた。また、無機レジスト層9中の組成分析にはラザフォード後方散乱分光法RutherfordBackScatteringSpectroscopy:RBSを使用した。この無機レジスト層9に対し、青色レーザー描画装置波長405nmを用い、周期180nmのラインアンドスペースライン:スペース=1:1のパターンを出力11.8mWにて描画し、現像処理を行い、レジストパターン9’を得た。その後、マスク層8に対してO2ガスにてドライエッチングを行い、マスクパターン8’を得た。その後、ポリシラザンからなる平坦化剤層6に対してAr及びCHF3ガスにてドライエッチングを行い、凹凸パターン6’を得た。なお、マスクパターン8’の除去にもO2ガスにてドライエッチングを用いた。その後、洗浄処理を行い、モールド1を作製した。この際、凹凸パターン6’のエッチング深さは150nmとした。<実施例2~5>実施例1と同様の手法を用い、青色レーザーを描画する際のパターンの周期及び描画出力を変えたモールド1を各々の実施例にて作製した。具体的に言うと、実施例2では周期160nm及び出力11.6mWとし、実施例3では周期140nm及び出力11.4mWとし、実施例4では周期120nm及び出力11.4mWとし、実施例5では周期100nm及び出力11.3mWとした。<比較例1>比較例1においては、基板2に対し、平坦化剤層を設けなかった。つまり、実施例1と同様のステンレス製の円筒型の中空基板2SUS304、直径100mm即ち半径50mm、そのうち中空部分の直径84mm、モールド端面間距離300mmを用意し、その上にマスク層8、無機レジスト層9をこの順に積層した。それ以外は実施例1と同様とし、モールド1を作製した。<結果>実施例1及び比較例1における未パターニングの基板実施例1は密着層7抜きの図1cの状態、即ち平坦化剤層6の上にマスク層8、無機レジスト層9を順次形成した状態である一方、比較例1は平坦化剤層6、マスク層8、無機レジスト層9のいずれも形成していない状態の主表面に対し、外観写真及び光学顕微鏡写真倍率50倍を撮影した。実施例1における平坦化剤塗布後の基板の外観写真を図5a、光学顕微鏡写真を図5bに示す。また、比較例1における基板の外観写真を図6a、光学顕微鏡写真を図6bに示す。この結果を見比べると、外観写真及び光学顕微鏡写真というレベルのスケールにおいても、実施例1の方が、充分な平坦化が実現できていることがわかる。また、実施例1~5について、走査型電子顕微鏡による観察倍率50,000倍を行った。実施例1~5について各々、図7a~eには平面視の写真を示し、図8a~eには断面視の写真を示す。なお、実施例1のスペース部分におけるCDCriticalDimensionは99nm、実施例2のCDは86nm、実施例2のCDは66nm、実施例4のCDは62nmであった。その結果、いずれの実施例においても、モールド1の主表面においては精度の高い凹凸パターンが形成されており、フォーカス異常は生じていないことが確認できた。"