"Aレジスト組成物を用いて膜を形成することと、B前記膜を露光することと、C有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像して、ネガ型のパターンを形成することとを含んだパターン形成方法であって、前記レジスト組成物は、a酸の作用により分解する樹脂であって、下記式1により表されるΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂と、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、c溶剤とを含有しているパターン形成方法。式中、SPIは、分解前の前記樹脂の溶解パラメータを表す。SPFは、分解後の前記樹脂の溶解パラメータを表す。前記SPFが24.2MPa1/2以上である請求項1に記載のパターン形成方法。前記SPIが23.0MPa1/2以下である請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記現像液の溶解パラメータが15.0MPa1/2以上であり且つ23.0MPa1/2より小さい請求項1乃至3の何れか1項に記載のパターン形成方法。前記樹脂は下記一般式AIにより表される繰り返し単位を含んでいる請求項1乃至4の何れか1項に記載のパターン形成方法。式AI中、Xa1は、水素原子、メチル基、又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1乃至Rx3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx1乃至Rx3のうち少なくとも2つが互いに結合して、シクロアルキル基を形成していてもよい。前記樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んでいる請求項1乃至4の何れか1項に記載のパターン形成方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載のパターン形成方法に使用可能なレジスト組成物であって、a酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液への溶解度が減少する樹脂であって、下記式1により表されるΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂と、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、c溶剤とを含有したレジスト組成物。式中、SPIは、分解前の前記樹脂の溶解パラメータを表す。SPFは、分解後の前記樹脂の溶解パラメータを表す。前記SPFが24.2MPa1/2以上である請求項7に記載のレジスト組成物。前記SPIが23.0MPa1/2以下である請求項7又は8に記載のレジスト組成物。前記樹脂は下記一般式AIにより表される繰り返し単位を含んでいる請求項7乃至9の何れか1項に記載の組成物。式AI中、Xa1は、水素原子、メチル基、又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1乃至Rx3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx1乃至Rx3のうち少なくとも2つが互いに結合して、シクロアルキル基を形成していてもよい。前記樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んでいる請求項7乃至9の何れか1項に記載の組成物。請求項7乃至11の何れか1項に記載の組成物を用いて形成されたレジストパターン。請求項1乃至6の何れか1項に記載のパターン形成方法を含んだ半導体デバイスの製造方法。請求項13に記載の方法により製造された半導体デバイス。本発明の目的は、露光ラチチュードEL及びデフォーカス余裕度DOFに優れたパターンを形成可能とするパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供することにある。本発明は、例えば、以下の通りである。なお、ここで溶解パラメータとは、Hansenの溶解パラメータ計算値を意味している。1Aレジスト組成物を用いて膜を形成することと、B前記膜を露光することと、C有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像して、ネガ型のパターンを形成することとを含んだパターン形成方法であって、前記レジスト組成物は、a酸の作用により分解する樹脂であって、下記式1により表されるΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂と、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、c溶剤とを含有しているパターン形成方法。式中、SPIは、分解前の前記樹脂の溶解パラメータを表す。SPFは、分解後の前記樹脂の溶解パラメータを表す。2前記SPFが24.2MPa1/2以上である1に記載のパターン形成方法。3前記SPIが23.0MPa1/2以下である1又は2に記載のパターン形成方法。4前記現像液の溶解パラメータが15.0MPa1/2以上であり且つ23.0MPa1/2より小さい1~3の何れかに記載のパターン形成方法。5前記樹脂は下記一般式AIにより表される繰り返し単位を含んでいる1~4の何れかに記載のパターン形成方法。式AI中、Xa1は、水素原子、メチル基、又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1乃至Rx3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx1乃至Rx3のうち少なくとも2つが互いに結合して、シクロアルキル基を形成していてもよい。6前記樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んでいる1~4の何れかに記載のパターン形成方法。71~6の何れかに記載のパターン形成方法に使用可能なレジスト組成物であって、a酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液への溶解度が減少する樹脂であって、下記式1により表されるΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂と、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、c溶剤とを含有したレジスト組成物。式中、SPIは、分解前の前記樹脂の溶解パラメータを表す。SPFは、分解後の前記樹脂の溶解パラメータを表す。8前記SPFが24.2MPa1/2以上である7に記載のレジスト組成物。9前記SPIが23.0MPa1/2以下である7又は8に記載のレジスト組成物。10前記樹脂は下記一般式AIにより表される繰り返し単位を含んでいる7~9の何れかに記載の組成物。式AI中、Xa1は、水素原子、メチル基、又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1乃至Rx3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rx1乃至Rx3のうち少なくとも2つが互いに結合して、シクロアルキル基を形成していてもよい。11前記樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んでいる7~9の何れかに記載の組成物。127~11の何れかに記載の組成物を用いて形成されたレジストパターン。131~6の何れかに記載のパターン形成方法を含んだ半導体デバイスの製造方法。1413に記載の方法により製造された半導体デバイス。本発明によると、露光ラチチュードEL及びデフォーカス余裕度DOFに優れたパターンを形成可能とするパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。<レジスト組成物>まず、本発明に係るレジスト組成物について説明する。このレジスト組成物は、典型的には、ネガ型の現像、即ち有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像に用いられる。即ち、本発明に係る組成物は、典型的には、ネガ型のレジスト組成物である。本発明に係るレジスト組成物は、a酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうと、b活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、酸発生剤ともいうと、c溶剤とを含有している。また、このレジスト組成物は、d塩基性化合物、e疎水性樹脂、f界面活性剤、及びgその他の添加剤の少なくとも1つを更に含有していてもよい。以下、これら各成分について、順に説明する。a酸分解性樹脂本発明に係るレジスト組成物は、酸分解性樹脂を含んでいる。この酸分解性樹脂は、酸の作用により分解して、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂である。酸分解性樹脂は、典型的には、酸の作用により分解して極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを備えた繰り返し単位を含んでいる。この繰り返し単位は、酸分解性基を、主鎖及び側鎖の一方に備えていてもよく、これらの両方に備えていてもよい。酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基によって保護された構造を有していることが好ましい。この極性基としては、例えば、フェノール性ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコール性ヒドロキシ基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、及びトリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。好ましい極性基としては、例えば、カルボキシ基、アルコール性ヒドロキシ基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、及びスルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの極性基の水素原子を、酸の作用により脱離する基で置換した基である。酸の作用により脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、及び-CR01R02OR39が挙げられる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R01~R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。好ましい酸分解性基としては、例えば、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基、及びアルコール性ヒドロキシ基が挙げられる。特に好ましい酸分解性基としては、例えば、第3級アルキルエステル基及びアルコール性ヒドロキシ基が挙げられる。この酸分解性樹脂は、酸の作用により分解することにより、その溶解パラメータが変化する。より具体的には、この酸分解性樹脂は、下式により表されるΔSPが2.5MPa1/2以上である。式1中、SPIは、分解前の酸分解性樹脂の溶解パラメータを表す。SPFは、分解後の酸分解性樹脂の溶解パラメータを表す。なお、樹脂の溶解パラメータは、当該樹脂を構成している各繰り返し単位の溶解パラメータを、各繰り返し単位の組成比質量比に応じて加重平均した値を意味している。また、分解後の酸分解性樹脂の溶解パラメータSPFは、酸の作用による分解反応が100進行した場合の値を意味している。そして、上記現像液が複数の溶剤を含んでいる場合、現像液の溶解パラメータ以下、SPDともいうは、各溶剤の溶解パラメータを、各溶剤の混合比質量比に応じて加重平均した値を意味している。溶解パラメータは、溶媒に対する溶質の溶解度を予測する際の目安となる。即ち、溶質の溶解パラメータと溶媒の溶解パラメータとの差が小さいほど、上記溶媒に対する上記溶質の溶解度が大きいことが経験的に知られている。上記式1により表されるΔSPは、SPFとSPIとの差である。したがって、この値が大きいほど、酸の作用による分解によって、樹脂の極性が大きく変化することが推測できる。即ち、この値が大きいほど、有機溶剤を含んだ現像液に対する酸分解性樹脂の溶解度がより大きく減少することが推測できる。即ち、この値が大きいほど、有機溶剤を含んだ現像液に対する酸分解性樹脂の溶解コントラストが大きいことが推測できる。ΔSPは、上述した通り、2.5MPa1/2以上である。ΔSPが2.5MPa1/2より小さいと、露光ラチチュードEL及びデフォーカス余裕度DOFが不十分となる可能性がある。ΔSPは、3.0MPa1/2以上であることがより好ましく、4.0MPa1/2以上であることが更に好ましく、5.0MPa1/2以上であることが特に好ましい。こうすると、露光ラチチュードEL及び/又はデフォーカス余裕度DOFを更に向上させることが可能となる。ΔSPの上限値には特に制限はないが、ΔSPは、例えば18.0MPa1/2以下とし、典型的には12.0MPa1/2以下とする。溶解パラメータSPは、下記表1に示す数値を用いて、次式により算出する。なお、表1に示していない構成については、JBrandrupEHImmergutandEAGrulkePolymerHandbook4theditionAWileyintersciencepublicationJohnWileySonsIncのVII685及び686頁Table3及び4、RFFedorsPolymEngSci14p147p472、及びDWvanKrevelenPropertiesofPolymers3rdedElsevierNewYork1990Ch7に記載されている数値を用いて算出する。式中、Fdiはi番目の構成単位の分散項であり、Fpiはi番目の構成単位の極性項であり、Ehiはi番目の構成単位の水素結合項であり、Vは、各構成単位のモル体積の総和である。ここで、各構成単位の分散項、極性項、水素結合項及びモル体積は、下記表1に示す通りである。表1中、CyHexは、シクロヘキシル構造を意味している。Ph1は無置換のフェニル基を意味し、Ph2は、置換基を1つ有するフェニル基を意味している。ring≧5は、5員環以上の脂環構造を意味している。以下に、溶解パラメータの計算例を示す。まず、現像液の溶解パラメータの計算例を説明する。例1-1:現像液一例として、現像液として酢酸ブチルを用いる場合を考える。この場合、現像液の溶解パラメータSPDは、以下のようにして算出する。表1及び式3より、V/cm3mol=335×2161×318×11333δd/MPa12=153δp/MPa12=√368δh/MPa12=√1333√525。式2より、SP/MPa12=√222√173。したがって、現像液として酢酸ブチルを用いる場合、その溶解パラメータは、SPD=17.3MPa1/2である。例1-2:現像液他の例として、現像液として、酢酸ブチルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAとの混合溶剤質量比=60:40を用いる場合を考える。この場合、現像液の溶解パラメータSPDは、以下のようにして算出する。酢酸ブチルの溶解パラメータは、上述した通り、17.3である。PGMEAの溶解パラメータは、例1-1において説明したのと同様にして計算すると、18.1である。したがって、現像液として上記の混合溶剤を用いる場合、その溶解パラメータは、SPD=17.3MPa1/2×60/10018.1MPa1/2×40/100=17.6MPa1/2である。次いで、樹脂の溶解パラメータの計算例を説明する。例2:樹脂酸分解性樹脂として、下式により表されるポリマーを用いる場合を考える。このポリマーは、下式に示す通り、繰り返し単位AMw;2473及びBMw;1823を、30:70のモル比で含んでいる。なお、この場合、繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとの質量比は、以下のようにして計算できる。wt2473×301001823×701002018wt2473×0320180368wt1823×0720180632。以上の場合、分解前の酸分解性樹脂の溶解パラメータSPIは、以下のようにして算出する。まず、各繰り返し単位の溶解パラメータを、例1-1において説明したのと同様にして計算する。この際、を付した部位については、上記のFd、Fp及びFh並びにVの計算に当たっては、水素原子などは補わずに計算している。繰り返し単位Aの溶解パラメータSPIA、及び、繰り返し単位Bの溶解パラメータSPIBは、以下の通りである:SPIA=25.7MPa1/2;SPIB=19.6MPa1/2。次に、これら値を、各繰り返し単位の質量比に応じて加重平均することにより、溶解パラメータSPIを得る:SPI=SPIA×0368SPIB×0632=21.8MPa1/2。また、上記の場合、分解後の酸分解性樹脂の溶解パラメータSPFは、以下のようにして算出する。分解後の上記樹脂の構造は、以下の通りである。即ち、この樹脂では、酸の作用による分解反応により、繰り返し単位Bが繰り返し単位B’Mw861へと変換される。繰り返し単位Aと繰り返し単位B’との質量比は、以下のようにして計算できる。wt1344wt055wt045。繰り返し単位Aの溶解パラメータSPFA、及び、繰り返し単位B’の溶解パラメータSPFB’は、以下の通りである:SPFA=25.7MPa1/2;SPFB’=24.5MPa1/2。よって、溶解パラメータSPFは、以下の通りである。SPF=SPFA×055SPFB’×045=25.1MPa1/2。したがって、式1より、ΔSPは、以下のように求められる。ΔSP=SP2-SP1=SPF-SPD-SPI-SPD=SPF-SPI=25.1MPa1/2-21.8MPa1/2=3.3MPa1/2。よって、この場合、ΔSP≧2.5MPa1/2の関係が満たされている。以上の説明から明らかなように、ΔSPを大きな値とするための設計指針としては、例えば、以下の1、2及び/又は3が挙げられる:1酸の作用により分解して脱離する構成単位の溶解パラメータへの寄与を小さくすること即ち、SPIを小さくすること;2酸の作用による分解により溶解パラメータへの寄与が大きな構成単位が形成される構造を採用すること即ち、SPFを大きくすること;3酸の作用により分解して構造が変化する繰り返し単位の含有量をより多くすること。溶解パラメータSPIは、23.0MPa1/2以下であることが好ましく、22.7MPa1/2以下であることがより好ましく、22.3MPa1/2以下であることが更に好ましい。溶解パラメータSPIは、溶解パラメータSPDと比較してより大きいことが好ましい。溶解パラメータSPFは、24.2MPa1/2以上であることが好ましく、25.0MPa1/2以上であることがより好ましく、25.5MPa1/2以上であることが更に好ましい。また、溶解パラメータSPFは、溶解パラメータSPDと比較してより大きいことが好ましい。なお、溶解パラメータSPFの上限値に制限はないが、溶解パラメータSPFは、例えば、35MPa1/2以下とする。なお、溶解パラメータSPDは、例えば、15.0MPa1/2以上且つ23.0MPa1/2未満とする。こうすると、例えば、上述した樹脂に対して、画像形成が可能な溶解コントラストを保障することが可能となる。上述した通り、本発明者らは、ΔSPが2.5MPa1/2以上である酸分解性樹脂を用いることにより、露光ラチチュードEL及びデフォーカス余裕度DOFを更に向上させ得ることを見出している。このような酸分解性樹脂としては、例えば、下記繰り返し単位R1及びR2の少なくとも一方を含んだ樹脂が挙げられる。<繰り返し単位R1>繰り返し単位R1は、第3級アルキルエステル基を備えている。繰り返し単位R1は、例えば、下記一般式AIにより表される。式中、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、各々独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成していてもよい。上記一般式AIにより表される繰り返し単位は、酸の作用により分解して、下記一般式AI’により表される繰り返し単位へと変換される。式中、Xa1及びTは、一般式AIにおける各々と同義である。一般式AIにより表される繰り返し単位が一般式AI’により表される繰り返し単位へと変換されることにより、樹脂の溶解パラメータが変化する。この変化の大きさは、例えば、一般式AIにおける各基特にはRx1~Rx3により表される基の構成、及び、樹脂の全繰り返し単位に対する一般式AIにより表される繰り返し単位の含有量に依存する。一般式AIにおけるXa1及びTは、典型的には、酸の作用による分解の前後で変化しない。したがって、これら基は、一般式AIにより表される繰り返し単位に必要な性質に応じて及び/又は上記ΔSPの微調整のために、適宜選択することができる。Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。ここで、R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。このR9としては、例えば、アシル基又は炭素数5以下のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Xa1は、好ましくは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tの2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、-COO-Rt-基、及び-O-Rt-基が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基又は-CH23-基がより好ましい。酸分解性樹脂のΔSPを大きくするためには、Rx1~Rx3により表される基は、溶解パラメータSPIへの寄与が小さいことが好ましい。即ち、Rx1~Rx3により表される基は、上記の分散項、極性項、及び水素結合項が小さいことが好ましく、上記のモル体積が大きいことが好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。これらのうち、炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。特には、Rx1がメチル基またはエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基好ましくは炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、下記一般式Iにより表される繰り返し単位及び下記一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んでいることがより好ましい。式IおよびII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5及びR6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、R2が結合している炭素原子と共に脂環構造を形成するために必要な原子団を表す。R1は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5または6である。R3は好ましくは水素原子またはメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5及びR6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5及びR6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式1における各々と同義である。また、一般式IIにより表される繰り返し単位は、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、一般式IIにおけるものと同義である。酸分解性樹脂は、繰り返し単位R1を2種類以上含んでいてもよい。例えば、酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んでいてもよい。酸分解性樹脂が繰り返し単位R1を含んでいる場合、その合計としての含有率は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~90molであり、更に好ましくは30~85molであり、とりわけ好ましくは30~80molである。特に、ΔSPを大きくする観点からは、一般式AIで表される繰り返し単位の含有率は、好ましくは50mol以上、より好ましくは60mol以上、更に好ましくは65mol以上、とりわけ好ましくは70mol以上である。これらの場合、上限値は特に限定されないが、好ましくは90mol、より好ましくは85mol、更に好ましくは80molである。ここで、繰り返し単位R1の含有率が高い場合には、ΔSPを本願発明の範囲内としつつ、脱保護部位が比較的炭素数の少ない構造を採用することが好ましい。より具体的には、例えば、一般式AIにおける-CRx1Rx2Rx3に対応する部分の炭素数が、4~8であることが好ましく、4~7であることがより好ましい。脱保護部位が比較的炭素数の少ない構造を採用することにより、露光~現像時における膜のシュリンクを更に抑制することができる。なお、樹脂aが、一般式AIで表される繰り返し単位を2種以上含む場合には、一般式AIで表される繰り返し単位の全量中、好ましくは50mol以上、より好ましくは60mol以上、更に好ましくは70mol以上が、上記のような炭素数の少ない脱保護部位を備えている。繰り返し単位R1の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。酸分解性樹脂が複数の繰り返し単位R1を含んでいる場合、それらの組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。<繰り返し単位R2>繰り返し単位R2は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位である。酸分解性樹脂がこのような繰り返し単位を含んでいる場合、樹脂の反応性が向上すると共に、樹脂のΔSPを更に大きくすることが可能となる。即ち、この場合、酸分解性基の分解による上記樹脂の極性変化が大きくなり、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストが更に向上する。また、この場合、露光後加熱PEB時の膜厚の低下を更に抑制することができる。なお、上記の基が酸の作用により分解して生じ得るアルコール性ヒドロキシ基のpKaは、例えば12以上であり、典型的には12以上且つ20以下である。このpKaが過度に小さいと、酸分解性樹脂を含んだ組成物の安定性が低下し、レジスト性能の経時変動が大きくなる場合がある。なお、ここでpKaとは、富士通株式会社製ACD/pKaDBを用いて、カスタマイズをしていない初期設定のもとで計算した値である。繰り返し単位R2は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を2つ以上備えていることが好ましい。こうすると、樹脂のΔSPを更に大きくし、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。繰り返し単位R2は、下記一般式I-1乃至I-10からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。この繰り返し単位は、下記一般式I-1乃至I-3からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1により表されることが更に好ましい。式中、Raは、各々独立に、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。ここで、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。R1は、n1価の有機基を表す。R2は、m≧2の場合は各々独立に、単結合又はn1価の有機基を表す。OPは、各々独立に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる前記基を表す。n≧2及び/又はm≧2の場合、2以上のOPが互いに結合して、環を形成していてもよい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。n及びmは、1以上の整数を表す。なお、一般式I-2、I-3又はI-8においてR2が単結合を表す場合、nは1である。lは、0以上の整数を表す。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。Rは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R0は、水素原子又は有機基を表す。L3は、m2価の連結基を表す。RLは、m≧2の場合は各々独立に、n1価の連結基を表す。RSは、p≧2の場合は各々独立に、置換基を表す。p≧2の場合、複数のRSは、互いに結合して環を形成していてもよい。pは、0~3の整数を表す。Raは、水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2により表される基を表す。Raは、水素原子又は炭素数が1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はメチル基であることがより好ましい。Wは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Wは、メチレン基又は酸素原子であることが好ましい。R1は、n1価の有機基を表す。R1は、好ましくは、非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R1は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1は、より好ましくは、脂環状炭化水素基である。R2は、単結合又はn1価の有機基を表す。R2は、好ましくは、単結合又は非芳香族性の炭化水素基である。この場合、R2は、鎖状炭化水素基であってもよく、脂環状炭化水素基であってもよい。R1及び/又はR2が鎖状炭化水素基である場合、この鎖状炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。また、この鎖状炭化水素基の炭素数は、1~8であることが好ましい。例えば、R1及び/又はR2がアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基又はsec-ブチレン基であることが好ましい。R1及び/又はR2が脂環状炭化水素基である場合、この脂環状炭化水素基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。この脂環状炭化水素基は、例えば、モノシクロ、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を備えている。この脂環状炭化水素基の炭素数は、通常は5以上であり、6~30であることが好ましく、7~25であることがより好ましい。この脂環状炭化水素基としては、例えば、以下に列挙する部分構造を備えたものが挙げられる。これら部分構造の各々は、置換基を有していてもよい。また、これら部分構造の各々において、メチレン基-CH2-は、酸素原子-O-、硫黄原子-S-、カルボニル基-C=O-、スルホニル基-S=O2-、スルフィニル基-S=O-、又はイミノ基-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基によって置換されていてもよい。例えば、R1及び/又はR2がシクロアルキレン基である場合、R1及び/又はR2は、アダマンチレン基、ノルアダマンチレン基、デカヒドロナフチレン基、トリシクロデカニレン基、テトラシクロドデカニレン基、ノルボルニレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロデカニレン基、又はシクロドデカニレン基であることが好ましく、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、テトラシクロドデカニレン基又はトリシクロデカニレン基であることがより好ましい。R1及び/又はR2の非芳香族性の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~4のアルコキシ基、カルボキシ基、及び炭素数2~6のアルコキシカルボニル基が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシ基が挙げられる。L1は、-COO-、-OCO-、-CONH-、-O-、-Ar-、-SO3-又は-SO2NH-により表される連結基を表す。ここで、Arは、2価の芳香環基を表す。L1は、好ましくは-COO-、-CONH-又は-Ar-により表される連結基であり、より好ましくは-COO-又は-CONH-により表される連結基である。Rは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、好ましくは1~6であり、より好ましくは1~3である。Rは、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。R0は、水素原子又は有機基を表す。有機基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキニル基、及びアルケニル基が挙げられる。R0は、好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、より好ましくは、水素原子又はメチル基である。L3は、m2価の連結基を表す。即ち、L3は、3価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、n1価の連結基を表す。即ち、RLは、2価以上の連結基を表す。このような連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基及び後掲の具体例における対応した基が挙げられる。RLは、互いに結合して又は下記RSと結合して、環構造を形成していてもよい。RSは、置換基を表す。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子が挙げられる。nは、1以上の整数である。nは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。また、nを2以上とすると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることが可能となる。従って、こうすると、限界解像力及びラフネス特性を更に向上させることができる。mは、1以上の整数である。mは、1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。lは、0以上の整数である。lは、0又は1であることが好ましい。pは、0~3の整数である。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Ra及びOPは、一般式I-1乃至I-3における各々と同義である。また、複数のOPが互いに結合して環を形成している場合、対応する環構造は、便宜上O-P-Oと表記している。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-1~II-4からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。式中、R3は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R4は、各々独立に、1価の有機基を表す。R4は、互いに結合して、環を形成していてもよい。R3とR4とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。少なくとも2つのR5は、互いに結合して、環を形成していてもよい。但し、3つの前記R5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りの前記R5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、下記一般式II-5~II-9からなる群より選択される少なくとも1つにより表されることも好ましい。式中、R4は、一般式II-1~II-3におけるものと同義である。R6は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、互いに結合して、環を形成していてもよい。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基は、一般式II-1乃至II-3から選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、一般式II-1又はII-3により表されることが更に好ましく、一般式II-1により表されることが特に好ましい。R3は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R3は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましい。R3のアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。R3のアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~3であることがより好ましい。R3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、及びn-ブチル基が挙げられる。R3のシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。R3のシクロアルキル基の炭素数は、3~10であることが好ましく、4~8であることがより好ましい。R3のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。また、一般式II-1において、R3の少なくとも一方は、1価の有機基であることが好ましい。このような構成を採用すると、特に高い感度を達成することができる。R4は、1価の有機基を表す。R4は、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。これらアルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R4のアルキル基は、置換基を有していないか、又は、1つ以上のアリール基及び/又は1つ以上のシリル基を置換基として有していることが好ましい。無置換アルキル基の炭素数は、1~20であることが好ましい。1つ以上のアリール基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~25であることが好ましい。1つ以上のシリル基により置換されたアルキル基におけるアルキル基部分の炭素数は、1~30であることが好ましい。また、R4のシクロアルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、3~20であることが好ましい。R5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。但し、3つのR5のうち1つ又は2つが水素原子である場合は、残りのR5のうち少なくとも1つは、アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基を表す。R5は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。アルキル基が置換基を有していない場合、その炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが好ましい。R6は、上述した通り、水素原子又は1価の有機基を表す。R6は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、水素原子又は置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。R6は、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数1~10であり且つ置換基を有していないアルキル基であることが更に好ましい。なお、R4、R5及びR6のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にR3について説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基の具体例を示す。酸分解性樹脂は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位R2を2種類以上含んでいてもよい。このような構成を採用すると、反応性及び/又は現像性の微調整が可能となり、諸性能の最適化が容易となる。酸分解性樹脂が繰り返し単位R2を含んでいる場合、その合計としての含有量は、酸分解性樹脂の全繰り返し単位に対して、好ましくは10mol~100molの範囲内とし、より好ましくは30mol~90molの範囲内とし、更に好ましくは50mol~80molの範囲内とする。酸分解性樹脂は、酸分解性基を備えた繰り返し単位を2種類以上含んでいてもよい。例えば、酸分解性樹脂は、繰り返し単位R1と繰り返し単位R2との双方を含んでいてもよい。酸分解性基を備えた繰り返し単位の含有量は、酸分解性樹脂の全繰り返し単位に対して、好ましくは10mol~100molの範囲内とし、より好ましくは20mol~90molの範囲内とし、更に好ましくは30mol~80molの範囲内とし、とりわけ好ましくは50mol~80molの範囲内とする。酸分解性樹脂は、ΔSP≧2.5MPa1/2の関係が満たされる範囲内で、他の繰り返し単位を更に含んでいてもよい。このような繰り返し単位としては、例えば、下記繰り返し単位A、B及びCが挙げられる。A極性基を有する繰り返し単位酸分解性樹脂は、極性基を有する繰り返し単位Aを更に含んでいてもよい。こうすると、例えば、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。なお、極性基を有する繰り返し単位Aは、ΔSPを大きくする観点からは、多く存在しすぎない方がよいが、現像液との親和性を調節する目的で、ある程度の量を含有することも好ましい。繰り返し単位Aが含み得る極性基としては、例えば、以下の1~4が挙げられる。なお、以下において、電気陰性度とは、Paulingによる値を意味している。1酸素原子と、酸素原子との電気陰性度の差が1.1以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、ヒドロキシ基などのO-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。2窒素原子と、窒素原子との電気陰性度の差が0.6以上である原子とが、単結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、アミノ基などのN-Hにより表される構造を含んだ基が挙げられる。3電気陰性度が0.5以上異なる2つの原子が二重結合又は三重結合により結合した構造を含む官能基このような極性基としては、例えば、C≡N、C=O、N=O、S=O又はC=Nにより表される構造を含んだ基が挙げられる。4イオン性部位を有する官能基このような極性基としては、例えば、N又はSにより表される部位を有する基が挙げられる。繰り返し単位Aが含み得る極性基は、例えば、Iヒドロキシ基、IIシアノ基、IIIラクトン基、IVカルボン酸基又はスルホン酸基、Vアミド基、スルホンアミド基又はこれらの誘導体に対応した基、VIアンモニウム基又はスルホニウム基、及び、これらの2以上を組み合わせてなる基からなる群より選択される少なくとも1つである。この極性基は、アルコール性ヒドロキシ基、シアノ基、ラクトン基、又は、シアノラクトン構造を含んだ基であることが特に好ましい。酸分解性樹脂にアルコール性ヒドロキシ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の露光ラチチュードELを更に向上させることができる。酸分解性樹脂にシアノ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度を更に向上させることができる。酸分解性樹脂にラクトン基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、酸分解性樹脂を含んだ組成物のドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。酸分解性樹脂にシアノ基を有するラクトン構造を含んだ基を備えた繰り返し単位を更に含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、こうすると、酸分解性樹脂を含んだ組成物の感度、ドライエッチング耐性、塗布性、及び基板との密着性を更に向上させることも可能となる。加えて、こうすると、シアノ基及びラクトン基のそれぞれに起因した機能を単一の繰り返し単位に担わせることが可能となり、酸分解性樹脂の設計の自由度を更に増大させることも可能となる。以下に、極性基が含み得る構造の具体例を挙げる。好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、上記の繰り返し単位R2において、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換したものが挙げられる。このような繰り返し単位Aは、上記一般式I-1乃至I-10の各々において、OPをOHに置換した構造を有していることが好ましい。即ち、この繰り返し単位は、下記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることが好ましい。特には、この繰り返し単位Aは、下記一般式I-1H乃至I-3Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表されることがより好ましく、下記一般式I-1Hにより表されることが更に好ましい。式中、Ra、R1、R2、OP、W、n、m、l、L1、R、R0、L3、RL、RS及びpは、一般式I-1乃至I-10における各々と同義である。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位と、上記一般式I-1H乃至I-10Hからなる群より選択される少なくとも1つにより表される繰り返し単位とを併用すると、例えば、アルコール性ヒドロキシ基による酸拡散の抑制と、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基による感度の増大とにより、他の性能を劣化させることなしに、露光ラチチュードELを改良することが可能となる。上記の繰り返し単位R2において、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を生じる基をアルコール性ヒドロキシ基に置換した繰り返し単位Aの含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~100molが好ましく、より好ましくは10~90mol、更に好ましくは20~80molである。以下に、一般式I-1H乃至I-10Hの何れかにより表される繰り返し単位の具体例を示す。なお、具体例中、Raは、一般式I-1H乃至I-10Hにおけるものと同義である。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位が挙げられる。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。ヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましいヒドロキシ基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、ヒドロキシ基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、ヒドロキシ基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdにより表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~70molが好ましく、より好ましくは5~60mol、更に好ましくは10~50molである。ヒドロキシ基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、ラクトン構造を備えた繰り返し単位が挙げられる。ラクトン構造を備えた繰り返し単位は、5~7員環のラクトン構造を備えていることが好ましく、5~7員環のラクトン構造にビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが更に好ましい。より具体的には、下記一般式LC1-1~LC1-17の何れかにより表されるラクトン構造が挙げられる。好ましいラクトン構造としては、LC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14及びLC1-17が挙げられる。特定のラクトン構造を用いることにより、ラインエッジラフネス及び現像欠陥を更に減少させ得る。式中、Rb2は置換基を表し、n2は0~4の整数を表す。n2は0~2の整数であることが好ましい。Rb2の好ましい例としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、及び後述する酸分解性基が挙げられる。これらのうち、炭素数1~4のアルキル基、シアノ基又は酸分解性基が特に好ましい。なお、n2≧2の場合、複数のRb2は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、これら複数のRb2は、互いに結合して、環を形成していてもよい。ラクトン構造を備えた繰り返し単位としては、例えば、下記一般式AII’により表される繰り返し単位が挙げられる。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、上記一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の好ましい例としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、例えば、パターンプロファイル及び/又は疎密依存性を最適化できる。なお、ラクトン基を備えた繰り返し単位には、通常は光学異性体が存在するが、上述したように、何れの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度が90ee以上であることが好ましく、95ee以上であることがより好ましい。ラクトン基を備えた繰り返し単位は、下記一般式1により表される繰り返し単位であってもよい。一般式1中、Aは、エステル結合又はアミド結合を表す。R0は、nS≧2の場合は各々独立に、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はそれらの組み合わせを表す。Zは、nS≧2の場合は各々独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。式中、Rは、例えば、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を備えた1価の有機基を表す。nSは、1~5の整数を表す。nSは、1であることが好ましい。R7は、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。R7は、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。R0は、上述した通り、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はそれらの組み合わせを表す。R0としてのアルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は、1~6であることが好ましく、1~3であることが更に好ましい。このようなアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、及びプロピレン基が挙げられる。R0としてのシクロアルキレン基の炭素数は、3~10であることが好ましく、5~7であることが更に好ましい。このようなシクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、及びシクロヘキシレン基が挙げられる。これらアルキレン基及びシクロアルキレン基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子;メルカプト基;ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基及びベンジルオキシ基のアルコキシ基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基;シアノ基;ニトロ基;スルホニル基;シリル基;エステル基;アシル基;ビニル基;及びアリール基が挙げられる。Zは、上述した通り、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Zは、好ましくはエーテル結合又はエステル結合であり、特に好ましくはエステル結合を表す。R8は、上述した通り、ラクトン構造を備えた1価の有機基を表す。この有機基は、例えば、上記一般式LC1-1~LC1-17の何れかにより表されるラクトン構造を備えている。これらのうち、一般式LC1-4、LC1-5又はLC1-17により表される構造がより好ましく、一般式LC1-4により表される構造が特に好ましい。R8は、無置換のラクトン構造を備えているか、又は、メチル基、シアノ基若しくはアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を備えていることが好ましい。特には、R8は、シアノ基を置換基として有するラクトン構造即ち、シアノラクトン構造を備えた1価の有機基であることが好ましい。以下に、一般式1により表される繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Rは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。一般式1により表される繰り返し単位は、好ましくは、下記一般式2により表される繰り返し単位である。一般式2中、R7、A、R0、Z及びnSは、一般式1における各々と同義である。Rbは、m≧2の場合には各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表す。なお、m≧2の場合、2つ以上のRbが互いに結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。mは、0~5の整数を表す。mは、0又は1であることが好ましい。Rbのアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、及びt-ブトキシカルボニル基が挙げられる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、メトキシ基及びエトキシ基などのアルコキシ基;シアノ基;並びにフッ素原子などのハロゲン原子が挙げられる。Rbは、メチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。m≧1である場合、少なくとも1つのRbは、ラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換していることが好ましい。特には、Rbは、ラクトンのカルボニル基のα位に置換していることが好ましい。Xのアルキレン基としては、例えば、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Xは、酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。以下に、一般式2により表される繰り返し単位の具体例を示す。下記具体例中、Rは、水素原子、アルキル基又はハロゲン原子を表す。このアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rは、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、一般式1から選ばれる2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式1の内、nSが1である繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。ラクトン構造を備えた繰り返し単位の含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~80molであることが好ましく、15~70molであることがより好ましく、20~60molであることが更に好ましい。他の好ましい繰り返し単位Aとしては、例えば、カルボキシ基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、又はα位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール基例えばヘキサフロロイソプロパノール基を備えたものが挙げられる。この繰り返し単位Aは、カルボキシ基を備えていることがより好ましい。上記基を有する繰り返し単位を含有することにより、コンタクトホール用途での解像性が増す。このような繰り返し単位Aとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接上記基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に上記基が結合している繰り返し単位、さらには上記基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。上記基を有する繰り返し単位Aの含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、0~20molが好ましく、より好ましくは3~15mol、更に好ましくは5~10molである。上記基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。B極性基を備えていない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位酸分解性樹脂は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位Bを更に含んでいてもよい。繰り返し単位Bとしては、例えば、一般式IVにより表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.026]デカン、トリシクロ[4.3.1.125]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基はさらに置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されたアミノ基を挙げることができる。保護基としては、例えばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。酸分解性樹脂が繰り返し単位Bを含んでいる場合、その含有率は、酸分解性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~40molが好ましく、より好ましくは1~20molである。繰り返し単位Bの具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。Cその他の繰り返し単位酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3有機溶剤に対する現像性、4膜べり親疎水性、極性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。なお、酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明に係る組成物をArF露光用に用いる場合、ArF光への透明性の点から、酸分解性樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。特には、酸分解性樹脂は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。また、酸分解性樹脂は、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。本発明に係る組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、酸分解性樹脂は、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明の酸分解性樹脂は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感光性組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。本発明の酸分解性樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明において、酸分解性樹脂の組成物全体中の配合率は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。本発明に係る樹脂は、1種で使用してもよいし、複数種を併用してもよい。即ち、本発明に係るレジスト組成物は、ΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂を2種類以上含んでいてもよい。但し、この場合、重量平均分子量が7000以上である樹脂は、1種類のみとすることが好ましい。なお、ここで重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCにより測定されたポリスチレン換算値を意味している。また、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した酸分解性樹脂以外の他の樹脂を併用してもよい。例えば、ΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂と共に、ΔSPが2.5MPa1/2より小さい樹脂を併用してもよい。この場合、ΔSPが2.5MPa1/2以上である樹脂の量と、ΔSPが2.5MPa1/2より小さい樹脂の量とのモル比は、好ましくは50/50以上とし、より好ましくは70/30以上とする。b酸発生剤本発明に係るレジスト組成物は、酸発生剤を含んでいる。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤としては、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。さらに米国特許第3779778号明細書、欧州特許第126712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII又はZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Zは、非求核性アニオンを表す。Zとしての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数2~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式BIにより表されるスルホン酸に対応したアリールスルホン酸アニオンも好ましい。式BI中、Arは、芳香族環を表し、A基以外に更に置換基を有してもよい。pは、0以上の整数を表す。Aは、炭素数3以上の炭化水素基を有する基を表す。pが2以上のとき、複数のA基は同一でも異なっていてもよい。一般式BIについて更に詳細に説明する。Arにより表される芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記芳香族環がA基以外に有し得る置換基としては、炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トルイル基等のアシル基等が挙げられる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Aにより表される、炭素原子数が3以上の炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられる。A基としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。A基としての非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。A基としての環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。Aとしての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基の具体例としては以下のものが挙げられる。酸拡散抑制の観点から、上記の中でも下記構造がより好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。A基は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのオルト位o位を置換している事が好ましく、2つのオルト位o位を置換している構造であることがより好ましい。酸発生剤は、一態様において、下記一般式BIIで表される酸を発生する化合物である。式中、Aは一般式BIにおけるAと同様であり、2つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭素原子数が1以上の炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭素原子数が1以上の炭化水素基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。また、好ましいスルホン酸アニオンとして、下記一般式I-Aで表される酸を生じるアニオンも挙げることができる。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、単結合又は2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状構造を有する基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式I-Aについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的にはフッ素原子、CF3が好ましい。R1、R2のアルキル基、並びに、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、CF3が好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基などがあげられる。このなかでも―COO-、-OCO-、-CO-、-O―、―SO2-が好ましく、―COO-、-OCO-、―SO2-がより好ましい。Aの環状構造を有する基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環構造を有する基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む等が挙げられる。これらの基は、環状構造からなる基と2価の連結基とが結合した構成を有していてもよい。この場合、連結基としては、アルキレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環構造を有する基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、又はピペリジン環を有する基が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はピペリジン環を有する基が好ましい。、ピペリジン環が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環が好ましい。また、複素環構造としては、ラクトン構造を有する環構造であってもよい。上記環状構造を有する基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数6~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。上記一般式ZIにおけるR201、R202及びR203の有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3又はZI-4における対応する基を挙げることができる。尚、酸発生剤は、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。該複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基の分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、樹脂HR中の全繰り返し単位に対し、10~100質量であることが好ましく、30~100質量であることがより好ましい。樹脂HRが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有率は、樹脂HRの分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、樹脂HRの全繰り返し単位に対し、10~90質量であることが好ましく、20~80質量であることがより好ましい。樹脂HRの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100000で、より好ましくは1,000~50000、更により好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。レジスト組成物中の樹脂HRの含有率は、レジスト膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~9質量であり、さらに好ましくは0.5~8質量である。樹脂HRは、酸分解性樹脂と同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジストが得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、さらに好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。樹脂HRは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、さらには上述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシ基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。反応の濃度は、通常5~50質量であり、好ましくは30~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、さらに好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外濾過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、さらに好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。尚、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。本発明に係るレジスト組成物から形成された膜について、活性光線又は放射線の照射時に、膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、さらに屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適正、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、さらにレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、有機溶媒を含んだ現像液で剥離できることが好ましい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、さらに液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。さらに、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。f界面活性剤本発明に係るレジスト組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。界面活性剤を含有することにより、波長が250nm以下、特には220nm以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥のより少ないパターンを形成することが可能となる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることが特に好ましい。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップEF301若しくはEF303製;フロラードFC430、431若しくは4430製;メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120若しくはR08大日本インキ化学工業株製;サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105若しくは106旭硝子株製;トロイゾルS-366トロイケミカル株製;GF-300若しくはGF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製;エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802若しくはEF601株ジェムコ製;PF636、PF656、PF6320若しくはPF6520OMNOVA社製;又は、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D若しくは222D株ネオス製を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製も、シリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤は、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる又はオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することができる。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。ポリオキシアルキレン基としては、例えば、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基及びポリオキシブチレン基が挙げられる。また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体及びポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体等の、同じ鎖内に異なる鎖長のアルキレンを有するユニットであってもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体は、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマー及び異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレート等を同時に共重合してなる3元系以上の共重合体であってもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476及びF-472大日本インキ化学工業株製が挙げられる。さらに、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C6F13基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体、及び、C8F17基を有するアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート若しくはメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート若しくはメタクリレートとの共重合体等が挙げられる。また、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載されているフッ素系及び/又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。これら界面活性剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に係るレジスト組成物が界面活性剤を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0001~1.5質量、更に好ましくは0.0005~1質量である。gその他の添加剤本発明に係るレジスト組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び/又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、又はカルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物を更に含んでいてもよい。本発明に係るレジスト組成物は、溶解阻止化合物を更に含んでいてもよい。ここで溶解阻止化合物とは、酸の作用により分解して有機溶剤を含んだ現像液中での溶解度が減少する、分子量3000以下の化合物である。この溶解阻止化合物としては、波長が220nm以下の光に対する透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE2724355に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体等の、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。この酸分解性基及び脂環構造としては、例えば、先に説明したのと同様のものが挙げられる。なお、本発明に係るレジスト組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか又は電子線で照射する場合には、溶解阻止化合物としては、フェノール化合物のフェノール性ヒドロキシ基を酸分解基で置換した構造を含んだ化合物が好ましい。フェノール化合物としては、フェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、2~6個含有するものが更に好ましい。本発明に係るレジスト組成物が溶解阻止化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に、溶解阻止化合物の具体例を挙げる。分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210号、及び欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、容易に合成することができる。カルボキシ基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物としては、例えば、コール酸、デオキシコール酸及びリトコール酸等のステロイド構造を含んだカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、並びにシクロヘキサンジカルボン酸が挙げられる。<パターン形成方法>本発明に係るパターン形成方法は、A上で説明したレジスト組成物を用いて膜を形成することと、Bこの膜を露光することと、C有機溶剤を含んだ現像液を用いて露光された膜を現像して、ネガ型のパターンを形成することとを含んでいる。この方法は、Dリンス液を用いて、上記ネガ型のパターンをリンスすることを更に含んでいてもよい。製膜後、露光工程の前に、前加熱PB;Prebake工程を含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱PEB;PostExposureBake工程を含むことも好ましい。加熱温度は、PB工程及びPEB工程共に、40~130°Cで行うことが好ましく、50~120°Cで行うことがより好ましく、60~110°Cで行うことが更に好ましい。特に、PEB工程を60~90°Cの低温で行った場合、露光ラチチュードEL及び解像力を顕著に向上させることができる。また、加熱時間は、30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。本発明に係るパターン形成方法において、組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、加熱工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。上記の露光に用いられる光源に制限は無いが、例えば、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nm、F2エキシマレーザー波長157nm、EUV光照射装置波長13.5nm、及び電子線照射装置が挙げられる。なお、本明細書における光には、電子線も含まれる。本発明に係る組成物を用いて形成した膜に対しては、液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を更に向上させることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、上述した疎水性樹脂を組成物に予め添加しておいてもよく、膜を形成した後、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。なお、トップコートに求められる性能及びその使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板には、特に制限はない。この基板としては、IC等の半導体製造工程、液晶及びサーマルヘッド等の回路基板の製造工程、並びにその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。このような基板としては、例えば、シリコン、SiN及びSiO2等の無機基板、並びに、SOG等の塗布系無機基板が挙げられる。更に、必要に応じて、膜と基板との間に、有機反射防止膜を形成させてもよい。有機溶剤を含んだ現像液としては、例えば、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤等の極性溶剤、並びに、炭化水素系溶剤を含んだ現像液が挙げられる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、メチルアミルケトンMAK;2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネートが挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸n-ペンチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、プロピオン酸メチル、3メトキシプロピオン酸メチルMMP、プロピオン酸エチル、3エトキシプロピオン酸エチルEEP、及び、プロピオン酸プロピルが挙げられる。特には、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル及び酢酸アミル等の酢酸アルキルエステル又はプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、及びプロピオン酸プロピルなどのプロピオン酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール;並びに、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテルが挙げられる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記のグリコールエーテルの他、ジオキサン及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及び1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン及びアニソール等の芳香族炭化水素系溶剤、並びに、ペンタン、ヘキサン、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、2種類以上を混合して用いてもよい。また、十分な性能を発揮できる範囲内で、上記以外の溶剤及び/又は水と混合して用いてもよい。但し、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、現像液が実質的に水分を含有しないことがより好ましい。即ち、この現像液は、実質的に有機溶剤のみからなる現像液であることが好ましい。なお、この場合であっても、現像液は、後述する界面活性剤を含み得る。また、この場合、現像液は、雰囲気由来の不可避的不純物を含んでいてもよい。現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、80質量以上100質量以下であることが好ましく、90質量以上100質量以下であることがより好ましく、95質量以上100質量以下であることが更に好ましい。特に、現像液が含んでいる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1つであることが好ましい。有機溶剤を含んだ現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下であることが好ましく、3kPa以下であることが更に好ましく、2kPa以下であることが特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、基板上又は現像カップ内での現像液の蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果として、ウェハ面内の寸法均一性が向上する。5kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、メチルアミルケトンMAK;2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン及びメチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。2kPa以下の蒸気圧を有する現像液の具体例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、メチルアミルケトンMAK;2-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン及びフェニルアセトン等のケトン系溶剤;酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピル等のエステル系溶剤;n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール及びn-デカノール等のアルコール系溶剤;エチレングリコール、ジエチレングリコール及びトリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド及びN,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤;キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤;並びに、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液には、必要に応じて、界面活性剤を適当量添加することができる。この界面活性剤に特に制限はないが、例えば、イオン性又は非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができる。この界面活性剤は、非イオン性であることが好ましい。非イオン性の界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。なお、界面活性剤の使用量は、現像液の全量に対して、通常は0.001~5質量であり、好ましくは0.005~2質量であり、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、及び、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法が挙げられる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は、好ましくは2mL/sec/mm2以下であり、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下であり、さらに好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると、0.2mL/sec/mm2以上であることが好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜及び/又はレジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法、及び、加圧タンクからの供給で圧力を調整することでを変える方法が挙げられる。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。本発明に係るパターン形成方法は、上記の現像工程の後に、リンス工程有機溶剤を含んだリンス液を用いて膜を洗浄する工程を含んでいることが好ましい。リンス工程に用いるリンス液としては、現像後のパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含んだ溶液を使用することができる。リンス液としては、例えば、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものが挙げられる。このリンス液は、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含んだものであり、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含んだものである。このリンス液は、1価アルコールを含んでいることがより好ましく、炭素数5以上の1価アルコールを含んでいることが更に好ましい。これら1価アルコールは、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。これら1価アルコールとしては、例えば、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、及び4-オクタノールが挙げられる。炭素数5以上の1価アルコールとしては、例えば、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、及び3-メチル-1-ブタノールが挙げられる。上記の各成分は、2種類以上を混合して使用してもよく、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。リンス液の含水率は、10質量未満であることが好ましく、5質量未満であることが好ましく、3質量未満であることが更に好ましい。即ち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが特に好ましい。リンス液の含水率を10質量未満にすることにより、更に良好な現像特性を達成し得る。リンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて、0.05kPa以上且つ5kPa以下であることが好ましく、0.1kPa以上且つ5kPa以下であることがより好ましく、0.12kPa以上且つ3kPa以下であることが更に好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上且つ5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上すると共に、リンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。なお、リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。リンス工程においては、現像を行ったウェハを、上記のリンス液を用いて洗浄する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、及び、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法が挙げられる。この中でも、回転塗布法で洗浄処理を行った後、基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。本発明に係るパターン形成方法は、有機溶剤を含んだ現像液による現像工程に加えて、アルカリ現像液を用いた現像工程ポジ型パターンの形成工程を含んでいてもよい。アルカリ現像液を用いた現像工程と、有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像工程との順序に特に制限はないが、アルカリ現像液を用いた現像を有機溶剤を含んだ現像液を用いた現像の前に行うことがより好ましい。また、各現像工程の前に、加熱工程を伴うことが好ましい。アルカリ現像液の種類は特に限定されないが、通常は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が用いられる。アルカリ現像液には、アルコール類及び/又は界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量水溶液を用いることが特に好ましい。アルカリ現像液を用いた現像の後にリンス処理を行う場合、リンス液としては、典型的には純水を使用する。このリンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。<樹脂>下記酸分解性樹脂1~22を、以下に示すようにして合成した。また、疎水性樹脂1b~3bを準備した。下記表3に、樹脂1~22及び1b~3bの重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mn、及び各繰り返し単位の組成比左から順に対応を示す。加えて、表3には、樹脂1~22のSPI、SPF及びΔSPを併せて記載している。合成例1:樹脂9の合成窒素気流下、シクロヘキサノン200gを3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した。このようにして、溶剤1を得た。次に、下記monomer129.7g及びmonomer2を、シクロヘキサノンに溶解させ、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製を、モノマーの合計量に対し66molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン7736g/酢酸エチル859gの混合溶媒に滴下し、析出した粉体をろ取及び乾燥して、73gの樹脂9を得た。得られた樹脂9の重量平均分子量は9800であり、分散度Mw/Mnは1.76であり、13C-NMRにより測定した組成比は40/60であった。合成例2:樹脂1~8及び10~22合成例1において説明したのと同様にして、樹脂1~8及び10~22を合成した。これら樹脂の重量平均分子量、分散度Mw/Mn及び組成比は、上記の表3の通りであった。<酸発生剤>酸発生剤として、下記化合物PAG-1~PAG-10を準備した。<塩基性化合物>塩基性化合物としては、以下のものを用いた。TPI:2,4,5-トリフェニルイミダゾール;PEA:N-フェニルジエタノールアミン;DPA:2,6-ジイソプロピルフェニルアルコール;PBI:2-フェニルベンゾイミダゾール;N-1:ジアザビシクロ4,3,0ノネン。<界面活性剤>界面活性剤としては、以下のものを用いた。W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系;W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素系及びシリコン系;W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系。<溶剤>溶剤としては、以下のものを用いた。A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート;A2:γ-ブチロラクトン;A3:シクロヘキサノン;B1:プロピレングリコールモノメチルエーテル;B2:乳酸エチル。<レジスト組成物の調製>下記表4に示す成分を、下記表4に示す溶剤の溶解させて、固形分濃度4質量の溶液を調製した。その後、これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して、表4に示すレジスト組成物を調製した。表4中、Aの列には、酸分解性樹脂の種類及びその質量gを記載している。Bの列には、併用した酸分解性樹脂の種類及びその質量gを記載している。Cの列には、酸発生剤の種類及びその質量gを記載している。Dの列には、併用した酸発生剤の種類及びその質量gを記載している。Eの列には、塩基性化合物の種類及びその質量gを記載している。Fの列には、併用した塩基性化合物の種類及びその質量gを記載している。Gの列には、界面活性剤の種類及びその質量gを記載している。Hの列には、疎水性樹脂の種類及びその質量gを記載している。Iの列には、溶剤の種類及び質量比を記載している。<レジストパターンの形成>シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚86nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物を塗布し、下記表5に示す条件で、60秒間に亘ってベークPBを行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製;XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、露光マスクライン/スペース=1/1を介して、パターン露光を行った。液浸液としては超純水を用いた。その後、下記表5に示す条件で、60秒間に亘ってベークPEBを行った。次いで、下記表5に示す現像液で30秒間に亘って現像処理を行った。その後、下記表5に示すリンス液で、リンス処理を行った。続いて、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させて、75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを得た。表5中、Jの列には、表4に示したレジスト組成物の種類を記載している。Kの列には、ベークPBの温度を記載している。Lの列には、現像液の種類及び質量比を記載している。Mの列には、ベークPEBの温度を記載している。Nの列には、リンス液の種類及び質量比を記載している。<評価>溶解速度溶解速度Rmaxの評価は、LTJ社製RDAQz3を用いて行った。水晶基板上にレジスト組成物を100nmの膜厚で塗布し、所望のPB温度でベークを行い、その後、所望の現像液に浸漬することで、周波数の変化を解析し、溶解速度を測定した。溶解速度Rminの評価は、以下のようにして行った。まず、ウェハ上にレジスト組成物を100nmの膜厚で塗布し、所望のPB温度でベークした。それを過剰露光及び所望のPEB温度でベークすることで十分に脱保護反応をさせ、現像液に30秒間浸漬した後、残膜の膜厚を測定した。これにより、Rmin=100nm残膜の膜厚30秒を算出した。露光ラチチュードEL75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを形成する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが75nm±10を許容する露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードELが良好である。デフォーカス余裕度DOF75nm1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを形成する露光量及びフォーカスを、それぞれ、最適露光量及び最適フォーカスとし、露光量を最適露光量としたまま、フォーカスを変化デフォーカスさせた際に、パターンサイズが75nm±10を許容するフォーカス幅を求めた。値が大きいほどフォーカス変化による性能変化が小さく、デフォーカス余裕度DOFが良好である。これらの測定結果を、下記表6に示す。表6に示す結果から明らかなように、実施例に係るレジスト組成物は、比較例に係るレジスト組成物と比較して、露光ラチチュードEL及びデフォーカス余裕度DOFに優れていた。このように、本発明に係るパターン形成方法を用いると、良好なレジストパターンを形成することが可能となる。それゆえ、この方法を用いると、良好な性能を有した半導体デバイスを製造することが可能となる。"