"透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜が、記載順に積層され、対向基板との間に液晶層を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板において、データ配線及びドレイン電極の下の半導体層と、ソース電極の下の半導体層を切り離したことを特徴とする液晶表示装置用トランジスタ基板。前記パッシベーション膜の上に、平坦化層、画素電極が記載順に形成され、前記画素電極は、前記平坦化層及び前記パッシベーション膜を貫くコンタクトスルーホールを介して前記ドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記パッシベーション膜の上に、凹凸層、反射電極が記載順に形成され、前記反射電極は、前記凹凸層及び前記パッシベーション膜を貫くコンタクトスルーホールを介して前記ドレイン電極に接続されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記凹凸層を、前記透明絶縁性基板の上に複数本突設された、前記ゲート絶縁膜、前記半導体層、前記パッシベーション膜を積層したベース柱を覆って形成したことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記パッシベーション膜の上に、遮光層及びカラーフィルタ層を設けたことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記半導体層及び前記パッシベーション膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を内包するように、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の外側に位置することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記パッシベーション膜、前記半導体層、前記ゲート絶縁膜による積層構造をテーパ状に形成したことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。前記透明絶縁性基板の上に形成されて前記ゲート絶縁膜に覆われたゲート側の引き出し配線、及び前記半導体層の上に形成されて前記パッシベーション膜に覆われたデータ側の引き出し配線と、前記透明絶縁性基板の上に形成されたゲート端子、及び前記半導体層の上に形成され一部露出した状態で前記パッシベーション膜に覆われたデータ端子とを有することを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の液晶表示装置用トランジスタ基板。透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜が、記載順に積層され、対向基板との間に液晶層を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板上に、ゲート配線、前記ゲート電極及びゲート端子を形成する第1のパターニング工程と、前記ゲート絶縁膜、前記半導体層、及びオーミックコンタクト層を連続的に積層した後、前記ソース電極、ソース配線、前記ドレイン電極、及びデータ端子を形成する第2のパターニング工程と、前記ソース電極、前記ソース配線、前記ドレイン電極、及び前記データ端子を覆うように、前記パッシベーション膜を成膜し、前記ドレイン電極と画素電極とのコンタクトをとるコンタクトスルーホールを形成した後、同ーのマスクを用いて不要な半導体層を除去することにより、前記パッシベーション膜のパターニングと前記半導体層のパターニングを同一工程で行う第3のパターニング工程とからなることを特徴とする液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法。前記パッシベーション膜の成膜後、オーバーコート層を形成しコンタクトスルーホールを開口する第4のパターニング工程と、前記オーバーコート層の上に前記画素電極を成膜する第5のパターニング工程とを有することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法。前記パッシベーション膜の成膜後、前記パッシベーション膜の上に凹凸層を形成し、その後コンタクトスルーホールを開口する第4のパターニング工程と、前記凹凸層の上に反射電極となる反射膜を成膜する第5のパターニング工程とを有することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法。透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜が、記載順に積層され、対向基板との間に液晶層を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板上に、ゲート配線、前記ゲート電極及びゲート端子を形成する第1のパターニング工程と、前記ゲート絶縁膜、前記半導体層、及びオーミックコンタクト層を連続的に積層した後、前記ソース電極、ソース配線、前記ドレイン電極、及びデータ端子を形成する第2のパターニング工程と、前記ソース電極、前記ソース配線、前記ドレイン電極、及び前記データ端子を覆うように、前記パッシベーション膜を成膜し、前記ドレイン電極と画素電極とのコンタクトをとるコンタクトスルーホールを形成すると共に、ベース柱を形成した後、同ーのマスクを用いて不要な半導体層を除去することにより、前記パッシベーション膜のパターニングと前記半導体層のパターニングを同一工程で行う第3のパターニング工程と前記ベース柱及び前記パッシベーション膜の上に凹凸層を形成し、その後コンタクトスルーホールを開口する第4のパターニング工程と、前記凹凸層の上に反射電極となる反射膜を成膜する第5のパターニング工程とからなることを特徴とする液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法。前記第1のパターニング工程で、ゲート側の引き出し配線及びゲート端子を形成し、前記第2のパターニング工程で、前記ゲート側の引き出し配線を覆う前記ゲート絶縁膜、前記半導体層、データ側の引き出し配線及びデータ端子を形成し、前第3のパターニング工程で、前記半導体層、前記データ側の引き出し配線、及び一部露出させて前記データ端子を覆う前記パッシベーション膜を形成することを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載の液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法。しかしながら、有機層間分離技術によるアクティブマトリクス基板の製造方法においては、平坦化層を形成するための1工程分だけパターニング工程が多くなる。このため、製造工程が複雑化してコストアップをもたらし、生産性の低下が避けられない。これは、カラーフィルタオンTFT技術や凹凸反射板形成技術においても同様であり、それぞれカラーフィルタ層やオーバーコート層形成工程、凹凸層形成工程分だけ、製造工程が複雑化し生産性が低下してしまう。この発明の目的は、トランジスタ基板に有機膜を設けて性能を高めた液晶表示装置を、より少ない製造工程数により製造することができ、生産性を向上させることができる液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。上記目的を達成するため、この発明に係る液晶表示装置用トランジスタ基板は、透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜が、記載順に積層され、対向基板との間に液晶層を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板において、データ配線及びドレイン電極の下の半導体層と、ソース電極の下の半導体層を切り離したことを特徴としている。上記構成を有することにより、透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜を積層して形成された液晶表示装置用トランジスタ基板は、データ配線及びドレイン電極の下の半導体層と、ソース電極の下の半導体層が切り離された構造を有することになる。これにより、トランジスタ基板に有機膜を設けて性能を高めた液晶表示装置を、より少ない製造工程数により製造することができ、生産性を向上させることができる。また、この発明に係る液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法により、上記液晶表示装置用トランジスタ基板を実現することができる。以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。第1の実施の形態図1は、この発明の第1の実施の形態に係る液晶表示装置の表示パネルの概略平面図である。この液晶表示装置は、XYマトリクスの交点の画素毎に、能動素子としての非晶質シリコン薄膜トランジスタa-SiTFTが設けられたアクティブマトリクス型液晶表示装置である。図1に示すように、表示パネル10は、対向配置された一対の透明ガラス基板からなるTFT基板11と対向基板12の間隙に、液晶層を充填して形成されている。TFT基板11の対向表面側には、a-SiTFT、画素電極、平坦化層及び各種配線等が設けられ、対向基板12の対向表面側には、共通電極、カラーフィルタ層及び遮光幕等が設けられている。TFT基板11の周縁部には、ゲート端子13或いはデータ端子14が設けられており、各端子13,14は、それぞれ引き出し配線15を介して表示用の外部信号処理基板図示しないに接続される。そして、TFT基板11の画素電極と対向基板12の共通電極との間に、画像信号電圧を印加することにより、両電極間の液晶層の電気光学的状態を制御して表示パネル10の光透過状態を変化させ、表示部10aに所定の画像を表示する。図2は、図1のTFT基板の平面図である。図は、単位画素分を示す。図2に示すように、a-SiTFT16は、格子状に配置されたゲート配線17とデータ配線ソース配線18の交点の画素毎に設けられ、ゲート電極図示しない、及びゲート電極の上に半導体層19を介して対向配置されたソース電極20とドレイン電極21を有している。ドレイン電極21は、そのほぼ半分が、ゲート配線17に並設されたストレージ配線22の上に重なり合うように、L字状に形成されている。このドレイン電極21はコンタクトスルーホール23を介して画素電極24に、ゲート電極はゲート配線17に、ソース電極20はデータ配線18に、それぞれ接続されている。a-SiTFT16には、ゲート配線17、ゲート電極を通してスイッチング信号が、データ配線18、ドレイン電極21を通して映像信号が、それぞれ入力され、画素電極24への書き込みが行われる。図3は、図2の各部断面構造を示し、aはA-A線に沿う断面図、bはB-B線に沿う断面図、cはC-C線に沿う断面図、dはD-D線に沿う断面図である。図3aに示すように、a-SiTFT16の透明絶縁性基板25の上には、ゲート電極26が形成され、このゲート電極26を覆ってゲート絶縁膜27が、更にゲート絶縁膜27の上に半導体層19が形成されている。半導体層19の上には、半導体層19の中央部上方に設けたa-SiTFT16のバックチャネルで隔てられた、ソース電極20とドレイン電極21が形成されている。ソース電極20とドレイン電極21は、オーミックコンタクト層図示しないを介して半導体層19に接続される。オーミックコンタクト層は、ソース電極20とドレイン電極21間がエッチング除去され、ソース電極20及びドレイン電極21と半導体層19の間にのみ形成される。これらソース電極20、ドレイン電極21及び半導体層19は、パッシベーション膜28に覆われ、このパッシベーション膜28の上には、厚膜の有機膜からなる平坦化層29が形成される。平坦化層29の上には、ドレイン電極21の上方に位置して、画素電極24となる透明導電膜が形成されている。透明絶縁性基板25上の画素電極24迄の積層構造によりTFT基板11が形成され、このTFT基板11との間に液晶層30を介して、液晶層30に向かう透明絶縁性基板31の下に遮光層32と共通電極33が記載順に積層された対向基板12が形成される。図3bに示すように、a-SiTFT16の半導体層19、ドレイン電極21及びパッシベーション膜28は、ストレージ保持容量電極34の上まで延ばされている。ストレージ電極34は、透明絶縁性基板25の上に形成されゲート絶縁膜27に覆われている。ストレージ電極34上方の、a-SiTFT16に続くパッシベーション膜28及び平坦化層29には、これらを貫くコンタクトスルーホール23、35が開けられている。このコンタクトスルーホール23、35を介して、画素電極24とドレイン電極21が接続される。また、対向基板12の遮光層32は、ストレージ電極34上方手前でカラーフィルタ層36に接しており、ストレージ電極34上方の対向基板12は、透明絶縁性基板31の下にカラーフィルタ層36と共通電極33が記載順に積層された構造を有している。即ち、半導体層19及びパッシベーション膜28は、ソース電極20及びドレイン電極21を内包するように、ソース電極20及びドレイン電極21の外側に位置している。また、パッシベーション膜28、半導体層19、ゲート絶縁膜27による積層構造を、上向きのテーパ状に形成している。a-SiTFT16には、ゲート配線17、ゲート電極26を通してスイッチング信号が、データ配線18、ドレイン電極21を通して映像信号が、それぞれ入力され、画素電極24への書き込みが行われる。図3cに示すように、データ配線18は、透明絶縁性基板25上に、ゲート絶縁膜27、半導体層19、データ配線18、パッシベーション膜28の順に積層されて形成され、更に、平坦化層29に覆われている。図3dに示すように、ゲート配線17は、透明絶縁性基板25上に形成され、平坦化層29に覆われている。図4は、図1の引き出し配線及び端子部の各断面構造を示し、aは引き出し配線の断面図、bは端子部の断面図である。図4aに示すように、引き出し配線15は、透明絶縁性基板25上に、ゲート側の引き出し配線15a、ゲート絶縁膜27、半導体層19、パッシベーション膜28の順に積層されて形成され、また、透明絶縁性基板25上に、ゲート絶縁膜27、半導体層19、データ側の引き出し配線15b、パッシベーション膜28の順に積層されて形成される。図4bに示すように、端子部は、透明絶縁性基板25上に、ゲート端子13が形成され、また、透明絶縁性基板25上に、ゲート絶縁膜27、半導体層19、データ端子14、データ端子14を一部露出させたパッシベーション膜28の順に積層されて形成される。図5は、図1のTFT基板の製造方法を薄膜トランジスタ部について示す工程図である。図5に示すように、先ず、ガラス等の透明絶縁性基板25上に、スパッタリング装置により、例えばアルミニウムAl、モリブデンMo、クロムCr等からなる導電層を、約100~400nmの厚さで堆積する。その後、フォトリソグラフィ工程により、ゲート配線図示しない、ゲート電極26及びゲート端子13を形成する、第1のパターニングを行うa参照。次に、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜27、アモルファスシリコンからなる半導体層19、及びnアモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層図示しないを、プラズマCVDによって、それぞれ約400nm、約300nm、約50nm程度の厚さで連続的に積層する。積層後、更に、これらを覆うように、スパッタリング装置によって、Mo,Cr等からなる導電層を約100~200nmの厚さで堆積する。堆積後、フォトリソグラフィ工程により、ソース電極20、ソース配線18、ドレイン電極21、及びデータ端子部図4b参照を形成する第2のパターニングを行う。この第2のパターニングと共に、a-SiTFT16のチャネル部となるソース電極20とドレイン電極21の下部以外の、不要なオーミックコンタクト層を除去するb参照。次に、a-SiTFT16のバックチャネル、ソース電極20、ソース配線データ配線18、ドレイン電極21、及びデータ端子14を覆うように、プラズマCVDによリ、シリコン窒化膜等の無機膜からなるパッシベーション膜28を、約100~200nm程度の厚さで成膜する。成膜後、ドレイン電極21と画素電極24とのコンタクトをとるためのコンタクトスルーホール23を形成し、データ端子14上の不要なパッシベーション膜28と、ゲート端子13上の不要なゲート絶縁膜27及びパッシベーション膜28を除去する。その後、レジストを剥離することなく同ーのマスクを用いて、データ配線18ドレイン電極21の下の半導体層19とソース電極20の下の半導体層19を切り離すための不要な半導体層19や、ゲート配線17上の不要な半導体層19を除去する。このように、パッシベーション膜28のパターニングと半導体層19のパターニングを同一工程で行う、第3のパターニングを行うc参照。ここで、パッシベーション膜28と半導体層19のエッチングは、例えば、バッファードフッ酸BHFを用いて、パッシベーション膜28をウェットエッチングによりオーバーエッチング気味に行い、レジストから後退させた後、反応性のドライエッチングRIEにより半導体層19ゲート絶縁膜27層のエッチングを行う。これにより、良好なテーパ形状を得ることができる。また、エッチング条件を調節してドライエッチングを行うことにより、パッシベーション膜28、半導体膜28及びゲート絶縁膜27を一括してエッチングしてもよい。次に、オーバーコート層を形成する。具体的には、アクリル樹脂等からなる透明な感光性レジストをスピンコート法で塗布した後、フォトリソグラフィ工程によりオーバーコート層平坦化層29にコンタクトスルーホール35を開口する、第4のパターニングを行うd参照。最後に、オーバーコート層29の上に画素電極24となる透明導電膜をスパッタリング装置で成膜し、第5のパターニングを行うe参照。このとき、第1のパターニング工程で、ゲート側の引き出し配線15a及びゲート端子13を形成し、第2のパターニング工程で、ゲート側の引き出し配線15aを覆うゲート絶縁膜27、半導体層19、データ側の引き出し配線15b及びデータ端子14を形成し、第3のパターニング工程で、半導体層19、データ側の引き出し配線15b、及び一部露出させてデータ端子14を覆うパッシベーション膜28を形成する。上述したように、第1の実施の形態においては、バッシベーション膜28の形成と半導体層19の形成を、同一のパターニング工程で行ったことにより、従来の有機層間分離型のアクティブマトリクス基板の製造方法に比べ、パターニング工程を1工程削減することができる。これにより、製造工程を簡略化することができ、低コスト高スループットで表示性能のよい、アクティブマトリクス型液晶表示装置を製造することができる。また、前述の通り、平坦化層29を兼ねるオーバーコート膜が、一括ドライエッチングにより成膜されることで、データ配線18やa-SiTFT16の段差を被覆できると同時に、ゲート配線17を直接保護することができる。また、オーバーコート膜なしでは、半導体層19の側面が剥き出しとなるためサイドリーク等が懸念されるのに対し、オーバーコート膜を設けたことにより、半導体層19の側面を保護することができる。更に、一括ドライエッチングにより、パッシベーション膜28半導体層19ゲート絶縁膜27が良好なエッチング形状とならなかった場合にも、オーバーコート膜がそれらを平坦化してしまうため、喩えエッチング形状が劣化したとしても製造不良となることが少ない。この第1の実施の形態では、オーバーコート膜として感光性のアクリル膜を用いたが、非感光性のアクリルを用い、パターニングをエッチングにより行ってもよい。また、半導体層19のサイドリークを抑制するために、オーバーコート膜として、感光性や非感光性のポリシラザン、シロキサン、ベンゾシクロプテンBCB等のSi系の有機膜を用いてもよい。第2の実施の形態図6は、この発明の第2の実施の形態に係る液晶表示装置のTFT基板の平面図である。図は、単位画素分を示す。この液晶表示装置は、反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置である。図6に示すように、能動素子としてのa-SiTFT16は、ゲート配線17とデータ配線18に囲まれた空間に合わせて、ほぼ矩形状に形成されたドレイン電極37を有している。このドレイン電極37は、コンタクトスルーホール23,35を介して、後述する反射電極41に接続される。また、半導体層19は、ドレイン電極37に対応して形成されている。その他の構成及び作用は、図2に示すTFT基板と同様である。図7は、図6の各部断面構造を示し、aはA-A線に沿う断面図、bはB-B線に沿う断面図である。図7に示すように、a-SiTFT16の透明絶縁性基板25の上には、ゲート電極26が形成され、このゲート電極26を覆ってゲート絶縁膜27が、更にゲート絶縁膜27の上に半導体層19が形成されている。半導体層19の上には、半導体層19の中央部上方に設けたa-SiTFT16のバックチャネルで隔てられた、ソース電極20とドレイン電極37が形成されているa参照。ソース電極20とドレイン電極37は、オーミックコンタクト層図示しないを介して半導体層19に接続される。オーミックコンタクト層は、ソース電極20とドレイン電極37間がエッチング除去され、ソース電極20及びドレイン電極37と半導体層19の間にのみ形成される。これらソース電極20、ドレイン電極37及び半導体層19は、パッシベーション膜28に覆われており、このパッシベーション膜28を覆って、厚膜の凹凸層39が形成されている。この凹凸層39は、パッシベーション膜28の上に突設された複数のベース柱40をベースにして形成されるb参照。更に、凹凸層39の上には、反射電極41となる反射膜が形成されており、この反射電極41は、凹凸層39を貫くコンタクトスルーホール35、及びパッシベーション膜28を貫くコンタクトスルーホール23を介して、ドレイン電極37に接続されているb参照。このa-SiTFT16には、ゲート配線17、ゲート電極25を通してスイッチング信号が、データ配線18、ドレイン電極37を通して映像信号が、それぞれ入力され、反射電極41への書き込みが行われる。図8は、図6のTFT基板の製造方法を薄膜トランジスタ部について示す工程図である。ここで、パッシベーション膜28を形成する工程a~c参照までは、第1の実施の形態と同様なので、説明を省略する。第3のパターニングにより、パッシベーション膜28を成膜した後、パッシベーション膜28の上にベース柱40を形成し、凹凸層39を形成する。凹凸層39は、ベースとなるアクリル樹脂等からなる透明な感光性レジストを、スピンコート法で塗布露光現像焼成により形成する。感光性レジスト形成後、それらを覆うように、ベースの凹凸層39より薄い膜からなる感光性のオーバーコート膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程によりコンタクトスルーホール35を開口する。このような2層プロセスを経て、凹凸層39を形成するための第4のパターニングを行うd参照。また、凹凸層39を形成するための第4のパターニングは、凹凸層39とコンタクトスルーホール35を、グレイトーンマスク等を用いて、凹凸層39の感光量とコンタクトスルーホール35の露光量を変えることにより形成する、1層プロセスで行ってもよい。最後に、凹凸層39の上に、反射電極41となる反射膜を、アルミニウムAlや銀Ag等をスパッタリング装置で成膜する、第5のパターニングを行うe参照。第3の実施の形態図9は、この発明の第3の実施の形態に係る液晶表示装置のTFT基板の平面図である。図は、単位画素分を示す。この液晶表示装置は、反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置である。図9に示すように、能動素子としてのa-SiTFT16は、そのほぼ半分が、ゲート配線17に並設されたストレージ配線22の上に重なり合うように、L字状に形成されたドレイン電極21を有している。また、凹凸層39のベースとなる角柱状の複数のベース柱42が設けられている。その他の構成及び作用は、図6に示すTFT基板と同様である。図10は、図9の各部断面構造を示し、aはA-A線に沿う断面図、bはB-B線に沿う断面図である。図10に示すように、コンタクトスルーホール23,35は、ストレージ電極34の上に設けられている。透明絶縁性基板25の上には、パッシベーション膜28の上に突設されたベース柱40の代わりに、ゲート絶縁膜27、半導体層19、パッシベーション膜28が記載順に積層されて形成された、角柱状のベース柱42が突設されているb参照。このベース柱42の上には、オーバーコート層が設けられ、a-SiTFT16等の段差を被覆すると共に、ベース柱42をベースとして凹凸層39が形成されるa,b参照。更に、凹凸層39の上には、反射電極41となる反射膜が、凹凸層39を貫くコンタクトスルーホール35、及びパッシベーション膜28を貫くコンタクトスルーホール23を介して、ドレイン電極21に接続されているb参照。その他の構成は、図7に示す各部断面構造と同様である。図11は、図9のTFT基板の製造方法を薄膜トランジスタ部について示す工程図である。ここで、第3のパターニングc参照におけるa-SiTFT16の形成時に、ゲート絶縁膜27、半導体層19及びパッシベーション膜28からなる積層構造を有するベース柱42を形成し、第4のパターニングd参照において、このベース柱42をベースにする凹凸層39を形成する他は、図8に示す製造工程と同様なので、説明を省略する。この第3の実施の形態に示す製造方法の場合、第2の実施の形態に示す製造方法よりも、更にプロセス数を削減することができる。第4の実施の形態図12は、この発明の第4の実施の形態に係る液晶表示装置のTFT基板の平面図である。図は、単位画素分を示す。この液晶表示装置は、カラーフィルタオンTFTCOT型のアクティブマトリクス型液晶表示装置である。図12に示すように、能動素子としてのa-SiTFT16は、そのほぼ半分が、ゲート配線17に並設されたストレージ配線22の上に重なり合うように、L字状に形成されたドレイン電極21を有しており、図2に示すTFT基板と同様である。図13は、図12の各部断面構造を示し、aはA-A線に沿う断面図、bはB-B線に沿う断面図である。図13に示すように、TFT基板11と対向基板12は、対向配置された一対の透明ガラス基板からなり、両基板11,12の間隙には、液晶層30が充填されている。TFT基板11の透明ガラス基板透明絶縁性基板25の対向表面側には、a-SiTFT16、画素電極24、遮光層32、カラーフィルタ層36、オーバーコート層平坦化層43、及び各種配線図示しない等が設けられ、対向基板12の透明ガラス基板透明絶縁性基板31の対向表面側には、共通電極33が設けられている。即ち、遮光層32及びカラーフィルタ層36は、対向基板12ではなくTFT基板11に形成されている。その他の構成及び作用は、図3に示す第1の実施の形態と同様である。パッシベーション膜28の上には、遮光層32とカラーフィルタ層36の一部が形成され、更に、遮光層32及びカラーフィルタ層36を保護するためのオーバーコート層43が形成されている。このオーバーコート層43の上には、画素電極24となる透明導電膜が形成され、画素電極24は、オーバーコート層43を貫くコンタクトスルーホール35、及びパッシベーション膜28を貫くコンタクトスルーホール23を介して、ドレイン電極21に接続されている。この画素電極24と共通電極33との間に画像信号電圧を印加して、両電極24,33間の液晶層30の電気光学的状態を制御することにより、表示パネル10の光透過状態を変化させ、表示部10aに所定の画像を表示する。第4の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法については、遮光層32やカラーフィルタ層36を、通常のフォトリソグラフィ工程によりTFT基板11にパターニング形成する他は、第1の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。上述したように、この発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法においては、半導体層19のパターニングを、ソース電極20形成後のパッシベーション膜28のパターニングと同時に行うため、データ配線19、ドレイン電極21ソース電極20の下に半導体層19が位置する構成となる。ここで、a-SiTFT部、即ち、半導体層19の下にゲート電極26がある領域以外は、半導体層19がフローティング状態となり制御できないので、半導体層19のリークが問題となる。そのため、データ配線19ドレイン電極21とソース電極20が、ゲート電極26のない領域で繋がっている構成では、半導体層19のリークにより、画素電極24に保持されている電荷が逃げてしまうために好ましくない。そこで、ゲート電極26がない領域では、データ配線19ドレイン電極21の下の半導体層19とソース電極20の下の半導体層19は、切り離すようパッシベーション膜28のパターニングを行う。また、ゲート配線17とデータ配線19のショートを防ぐために、データ配線、ドレインソース電極パターンよりも半導体パターンの方を大きくしている。また、ゲート配線17の上a-SiTFT部以外のゲート絶縁膜27半導体層19パッシベーション膜28は、全て除去され、除去後は、オーバーコート層により被覆され保護されている。このオーバーコート層は、TFT基板の段差を被覆し平坦化する機能を有すると共に、ゲート配線17を保護し半導体層19の端部を保護して、a-SiTFT16のサイドリークを抑制する機能も有する。このように、この発明によれば、透明絶縁性基板上にゲート電極を形成した後、ゲート絶縁膜、更に半導体層を全面に形成し、その上にドレイン電極をパターニングして、その上にパッシベーション膜を形成し、その後、トランジスタ領域の分離とコンタクトスルーホールを同時に形成する。つまり、パッシベーション膜、アイランド及びコンタクトを形成するフォトリソグラフィ工程を一つの工程に統合したことにより、平坦化層形成工程、或いはカラーフィルタ層やオーバーコート層形成工程を削減することができるため、製造工程が複雑化せず生産性の低下をもたらさない。よって、アクティブマトリクス基板に有機膜を設けることによって液晶表示装置の性能を高めることができる、有機層間分離型やカラーフィルタオンTFTCOT型或いは反射型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を、低コスト高スループットで作成することができる。以上説明したように、この発明によれば、透明絶縁性基板の上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極及びドレイン電極、パッシベーション膜を積層して形成された液晶表示装置用トランジスタ基板は、データ配線及びドレイン電極の下の半導体層と、ソース電極の下の半導体層が切り離された構造を有することになるので、トランジスタ基板に有機膜を設けて性能を高めた液晶表示装置を、より少ない製造工程数により製造することができ、生産性を向上させることができる。また、この発明に係る液晶表示装置用トランジスタ基板の製造方法により、上記液晶表示装置用トランジスタ基板を実現することができる。"