窒化ケイ素研磨用組成物であって、1コロイダルシリカと、2リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤と、を含むことを特徴とする窒化ケイ素研磨用組成物。前記リン酸系化合物は、リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1記載の窒化ケイ素研磨用組成物。前記コロイダルシリカの平均粒子径は、15nm以上80nm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の窒化ケイ素研磨用組成物。酸化剤をさらに含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化ケイ素研磨用組成物。窒化ケイ素研磨用組成物であって、1コロイダルシリカと、2リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤と、3酸化剤とを含み、前記酸化剤の含有量および前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第1選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第2選択比を制御可能に構成されることを特徴とする窒化ケイ素研磨用組成物。請求項5記載の窒化ケイ素研磨用組成物を用いた選択比の制御方法であって、前記酸化剤の含有量に応じて前記第1選択比を制御し、前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて前記第2選択比を制御することを特徴とする選択比の制御方法。本発明の目的は、半導体プロセスにおいて窒化ケイ素膜のCMPによる研磨速度を向上することができる窒化ケイ素研磨用組成物を提供することである。本発明の他の目的は、窒化ケイ素膜の研磨速度に基づく選択比を容易に制御することが可能な選択比の制御方法を提供することである。本発明は、窒化ケイ素研磨用組成物であって、1コロイダルシリカと、2リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤と、を含むことを特徴とする窒化ケイ素研磨用組成物である。また本発明は、前記リン酸系化合物は、リン酸、ピロリン酸およびポリリン酸から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする。また本発明は、前記コロイダルシリカの平均粒子径は、15nm以上80nm以下であることを特徴とする。また本発明は、酸化剤をさらに含むことを特徴とする。また本発明は、窒化ケイ素研磨用組成物であって、1コロイダルシリカと、2リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤と、3酸化剤とを含み、前記酸化剤の含有量および前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第1選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第2選択比を制御可能に構成されることを特徴とする窒化ケイ素研磨用組成物である。また本発明は、上記の酸化剤を含む窒化ケイ素研磨用組成物を用いた選択比の制御方法であって、前記酸化剤の含有量に応じて前記第1選択比を制御し、前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて前記第2選択比を制御することを特徴とする選択比の制御方法である。本発明によれば、コロイダルシリカと、リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤とを含むことにより、窒化ケイ素膜の研磨速度を向上することができる。また本発明によれば、前記リン酸系化合物として、リン酸、ピロリン酸およびポリリン酸から選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましい。また本発明によれば、前記砥粒として、シリカを用いることが好ましい。また本発明によれば、酸化剤をさらに含むことにより、金属膜の研磨が可能となり、酸化剤の含有量によって窒化ケイ素膜の研磨速度を変化させることなく金属膜の研磨速度を制御することも可能となる。また本発明によれば、コロイダルシリカと、リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤と、酸化剤とを含む。このとき、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第1選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第2選択比は、前記酸化剤の含有量および前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて制御可能に構成される。また本発明によれば、上記の酸化剤を含む窒化ケイ素研磨用組成物を用いた選択比の制御方法であり、前記酸化剤の含有量に応じて前記第1選択比を容易に制御し、前記窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて前記第2選択比を容易に制御することができる。以下図面を参考にして本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。窒化ケイ素シリコンナイトライドは、Si3N4の構造を有し、焼結体の曲げ強度が高温でも大きく、耐摩耗性に優れた材料である。半導体プロセスにおいては、絶縁膜、エッチングマスク、セルフアラインコンタクト用保護膜として有用であるが、機械的強度が高いために研磨速度が得られない。本発明は、このような窒化ケイ素膜の研磨に特に好適であり、さらには、窒化ケイ素膜と同時に研磨することになる金属膜の研磨に十分に対応可能である。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、コロイダルシリカと、リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる研磨助剤とを含むことを特徴とし、これらを含むことで、窒化ケイ素膜の研磨速度を向上することができる。以下、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物について詳細に説明する。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物に含まれるリン酸系化合物としては、リン酸、ピロリン酸およびポリリン酸およびこれらの塩から選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましく、ピロリン酸が特に好ましい。リン酸系化合物および硫酸系化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種からなる研磨助剤を含むことにより、窒化ケイ素膜の研磨速度が向上し、特にピロリン酸、その塩、および/または硫酸を用いることでさらに研磨速度が向上する。シリカの平均粒子径は、特に限定されないが、光散乱法を用いた粒度分布測定により求められる平均粒子径が15nm以上80nm以下であるコロイダルシリカが好ましく、30nm以上70nm以下がより好ましい。平均粒子径を15nm以上80nm以下とすることで、窒化ケイ素膜の研磨速度を顕著に向上させることができる。平均粒子径がこの範囲外であっても研磨速度の向上効果は発揮されるが、範囲内に比較するとその向上効果は低くなる。平均粒子径を30nm以上70nm以下とすることで、窒化ケイ素膜の研磨速度をより顕著に向上させることができる。窒化ケイ素研磨用組成物のpHは、有機酸または無機酸などのpH調整剤の添加によって調整され、たとえば硝酸、塩酸、酢酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、マロン酸などが挙げられる。これらの中でも硝酸が特に好ましい。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物には、上記の組成に加えてさらに、添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、クエン酸、乳酸、フタル酸水素カリウムなどが挙げられる。これらの添加剤をさらに含むことで、窒化ケイ素膜の研磨速度はさらに向上する。他の添加剤としては、研磨用組成物の好ましい特性を損なわない範囲で、従来からこの分野の研磨用組成物に常用される各種の添加剤の1種または2種以上を含むことができる。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物には、さらに酸化剤を含むことも有効である。上述のように、窒化ケイ素膜は、タングステンなどの配線金属およびチタンなどのバリアメタル層と同時に研磨される場合があるため、窒化ケイ素研磨用組成物としては、金属膜の研磨速度も十分に有することが好ましい。前記金属膜等の研磨速度を向上させるために、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物には、さらに酸化剤を含むことができる。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物に含まれる酸化剤としては、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過硫酸化合物およびそれらの塩、ならびに過酸化水素と硝酸鉄の組み合わせが挙げられる。塩としては、カリウム塩、ナトリウム塩、カルシウム塩が好ましい。酸化剤としては特に、アルカリまたはアルカリ土類金属の汚染を避ける観点からヨウ素酸および過ヨウ素酸が好ましい。また、酸化剤の添加により、窒化ケイ素膜および二酸化ケイ素膜などの酸化絶縁膜の研磨速度は全く影響を受けないことがわかっており、酸化剤の添加量を変化させた場合、窒化ケイ素膜および二酸化ケイ素膜の研磨速度は変化せず、金属膜の研磨速度のみが変化する。したがって、酸化剤の添加量を変化させることで、窒化ケイ素膜および二酸化ケイ素膜の研磨速度と、金属膜の研磨速度との比で表わされる選択比を制御することが可能となる。したがって、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物における酸化剤の含有量は、金属膜の研磨速度、または選択比を考慮して適宜決定すればよい。また、窒化ケイ素研磨用組成物のpHを変化させた場合、窒化ケイ素膜および金属膜の研磨速度は全く影響を受けないことがわかっており、窒化ケイ素研磨用組成物のpHを変化させた場合、窒化ケイ素膜および金属膜の研磨速度は変化せず、二酸化ケイ素膜の研磨速度のみが変化する。したがって、pHを変化させることで、窒化ケイ素膜および金属膜の研磨速度と、二酸化ケイ素膜の研磨速度との比で表わされる選択比を制御することが可能となる。このように、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、酸化剤の含有量および窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて、窒化ケイ素膜の研磨速度に対する金属膜の研磨速度の比である第1選択比、および窒化ケイ素膜の研磨速度に対する酸化絶縁膜の研磨速度の比である第2選択比を容易に制御することが可能な窒化ケイ素研磨用組成物である。以下では、酸化剤の含有量に応じて第1選択比を制御し、窒化ケイ素研磨用組成物のpHに応じて第2選択比を制御する選択比の制御方法について説明する。酸化剤を含む本発明の窒化ケイ素研磨用組成物を用いて、窒化ケイ素膜、金属膜および酸化絶縁膜を研磨したとき、窒化ケイ素膜の研磨速度をR1とし、金属膜の研磨速度をR2とし、酸化絶縁膜の研磨速度をR3とするとき、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対する金属膜の研磨速度R2の比を、第1選択比R2/R1、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対する酸化絶縁膜の研磨速度R3の比を、第2選択比R3/R1とする。ここで、酸化剤の含有量を変化させることで、金属膜の研磨速度R2のみを変化させることができる。窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であるので、第1選択比R2/R1は、金属膜の研磨速度R2のみで定まることになる。すなわち、酸化剤の含有量を変化させるだけで第1選択比R2/R1を変化させることができ、容易に選択比の制御が可能となる。また、窒化ケイ素研磨用組成物のpHを変化させることで、酸化絶縁膜の研磨速度R3のみを変化させることができる。窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であるので、第2選択比R3/R1は、酸化絶縁膜の研磨速度R3のみで定まることになる。すなわち、窒化ケイ素研磨用組成物のpHを変化させるだけで第2選択比R3/R1を変化させることができ、容易に選択比の制御が可能となる。金属膜をポリシリコン膜としたき、酸化剤の含有量を0~0.17重量まで変化させると、窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であり、金属膜の研磨速度R2のみが変化する。このとき、第1選択比R2/R1は、0.29~1.77となり、第1選択比を1よりも小さい値にも、1以上にも制御できる。酸化絶縁膜をTEOS膜としたき、窒化ケイ素研磨用組成物のpHを2.5~5.5まで変化させると窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であり、酸化絶縁膜の研磨速度R3のみが変化する。このとき、第2選択比R3/R1は、0.63~1.41となり、第2選択比を1よりも小さい値にも、1以上にも制御できる。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物の残部は水であり、用いられる水としては特に制限はないが、半導体デバイスなどの製造工程での使用を考慮すると、たとえば、純水、超純水、イオン交換水、蒸留水などが好ましい。本発明の窒化ケイ素研磨用組成物の製造方法については、既存の研磨用組成物の製造方法を用いることができる。なお、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、使用する際に任意の濃度に希釈できる。実施例以下では、本発明の実施例および比較例について説明する。本発明の実施例および比較例を以下のような組成で作製した。実施例1砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:ピロリン酸0.25重量実施例2砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:硫酸0.25重量実施例3砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:ピロリン酸カリウム0.25重量実施例4砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:リン酸0.25重量実施例5砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:ポリリン酸0.25重量実施例6砥粒:コロイダルシリカ6.0重量研磨助剤:ピロリン酸0.25重量研磨助剤:硫酸0.25重量比較例砥粒:コロイダルシリカ6.0重量実施例1~6および比較例のコロイダルシリカは、平均粒子径が34nmのものを用いた。実施例1~6、および比較例は、硝酸を用いてpH1.5に調整した。実施例1~5は、リン酸系化合物の種類を変えたものであり、実施例6は、リン酸系化合物であるピロリン酸と硫酸系化合物である硫酸とを併用したものであり、比較例は、研磨助剤を含まないこと以外は実施例と同様である。上記の実施例1~6および比較例を用いて、窒化ケイ素膜の研磨速度を測定した。研磨条件、および研磨速度の評価方法は以下に示す通りである。[研磨条件]被研磨基板:シリコンナイトライド基板研磨装置:エコメット3BUEHLER社製研磨パッド:IC1400-K-grv.研磨定盤回転速度:120rpmキャリア回転速度:40rpm研磨荷重面圧:345hPa半導体研磨用組成物の流量:30mlmin研磨時間:60s[研磨レート]研磨レートは、単位時間当たりに研磨によって除去された各膜の厚みÅ/minで表される。研磨によって除去された膜厚みは、研磨前の膜厚みから研磨後の膜厚みを引く事で算出した。金属膜の膜厚みは、KLA-Tencor社製のOmniMapRS35cを用いて測定し、非金属膜の膜厚みは、NANOMETRICS社製のNanospec/AFT5100を用いて測定した。図1は、実施例1~6および比較例の窒化ケイ素膜の研磨速度を示すグラフである。縦軸は、窒化ケイ素膜の研磨速度Å/minを示す。グラフからわかるように、リン酸系化合物を含む実施例1~6は、含まない比較例よりも研磨速度が向上した。特に、ピロリン酸を含む実施例1、硫酸を含む実施例2の研磨速度が高く、ピロリン酸と硫酸とを併用した実施例6がさらに高くなった。[ピロリン酸含有量]研磨助剤として、リン酸系化合物であるピロリン酸を用い、含有量について検討した。実施例1の組成を基にピロリン酸含有量を、0.0重量~2.0重量まで変化させて、それぞれの窒化ケイ素膜の研磨速度を測定した。研磨条件などは上記と同様である。なお、ピロリン酸含有量0重量は、すなわち比較例である。図2は、窒化ケイ素膜の研磨速度に対するピロリン酸の含有量の影響を示すグラフである。横軸は、ピロリン酸含有量重量を示し、縦軸は窒化ケイ素膜の研磨速度Å/minを示す。ピロリン酸を含有するだけで窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることができるが、0.1重量以上含有することでその向上効果は顕著になる。[シリカ平均粒子径]コロイダルシリカの平均粒子径について検討した。実施例1の組成を基にコロイダルシリカの平均粒子径を、16nm、33nm、67nm、77nmまで変化させて、それぞれの窒化ケイ素膜の研磨速度を測定した。研磨条件などは上記と同様である。コロイダルシリカの平均粒径は、光散乱法を用いた粒度分布測定大塚電子株式会社製、粒径測定システムELS-Z2により求めた。図3は、窒化ケイ素膜の研磨速度に対するコロイダルシリカの平均粒子径の影響を示すグラフである。横軸は、コロイダルシリカの平均粒子径nmを示し、縦軸は窒化ケイ素膜の研磨速度Å/minを示す。コロイダルシリカの平均粒子径は、15nm以上80nm以下とすることで、窒化ケイ素膜の研磨速度を顕著に向上させることができ、30nm以上70nm以下とすることで、より顕著に向上させることができる。また15nm以上80nm以下の範囲外であっても研磨速度の向上効果は発揮されることがわかった。[添加剤の影響]添加剤として、クエン酸、乳酸、フタル酸水素カリウムを添加したときの研磨速度について検討した。実施例7は、添加剤としてさらにクエン酸を添加したこと以外は実施例1と同様とした。実施例8は、添加剤としてさらに乳酸を添加したこと以外は実施例1と同様とした。実施例9は、添加剤としてさらにフタル酸水素カリウムを添加したこと以外は実施例1と同様とした。添加剤の含有量は、いずれの実施例も0.25重量とした。図4は、実施例7~9の窒化ケイ素膜の研磨速度を示すグラフである。縦軸は、窒化ケイ素膜の研磨速度Å/minを示す。比較のために、実施例1の研磨速度を合わせて示す。添加剤として、クエン酸、乳酸、およびフタル酸水素カリウムを添加した実施例7~9は、実施例1より研磨速度がさらに向上した。[エッチングの影響]ここで、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物による窒化ケイ素の除去がエッチングによるものでないことを確認するために、エッチングレートを測定した。エッチングレートの測定は、窒化ケイ素膜を研磨用組成物に浸漬させて浸漬前の膜厚みから浸漬後の膜厚みを引いた値を浸漬時間分で割ることによって算出した。測定により、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物による窒化ケイ素膜のエッチングレートは2分間の浸漬で0であることがわかった。このことから、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物による窒化ケイ素の除去がエッチングによるものではなく、CMPによるものであることが確認された。[酸化剤添加]酸化剤として、ヨウ素酸、過ヨウ素酸および過酸化水素と硝酸鉄の混合物を添加したときの金属膜タングステン、TEOS膜、窒化ケイ素膜の研磨速度について検討した。研磨条件は、上記の研磨条件のうち、被研磨基板としてタングステン基板、TEOS基板、窒化ケイ素基板を用いたことだけが異なっている。実施例10は、ヨウ素酸を0.15重量さらに添加した以外は実施例1と同様とした。実施例11は、過ヨウ素酸を0.19重量さらに添加した以外は実施例1と同様とした。実施例12は、過酸化水素4.0重量と硝酸鉄0.02重量の混合物をさらに添加した以外は実施例1と同様とした。図5は、実施例10~12の金属膜タングステン、TEOS膜、窒化ケイ素膜の研磨速度を示すグラフである。縦軸は、各膜の研磨速度Å/minを示す。グラフは、実施例ごとに左から順にタングステン膜の研磨速度、TEOS膜の研磨速度、窒化ケイ素膜の研磨速度をそれぞれ示す。図5より、酸化剤を含む本発明の窒化ケイ素研磨用組成物を用いることで、金属膜タングステン、TEOS膜、窒化ケイ素膜を同時に研磨することが可能である。[酸化剤含有量]さらに、酸化剤の含有量の影響について検討した。実施例10の組成を基に、酸化剤の含有量を0.05重量実施例13、0.1重量実施例14、0.175重量実施例15および0.25重量実施例16に変化させて、それぞれの金属膜タングステン、TEOS膜、窒化ケイ素膜の研磨速度を測定した。図6は、各膜の研磨速度に対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフである。横軸は、酸化剤の含有量重量を示し、左縦軸は各膜の研磨速度Å/minを示し、右縦軸は選択比を示す。グラフは、実施例ごとに左から順にタングステン膜の研磨速度、窒化ケイ素膜の研磨速度、TEOS膜の研磨速度をそれぞれ示す。また選択比は、タングステン膜の研磨速度に対するTEOS膜の研磨速度の比である。選択比=1.0は、TEOS膜とタングステン膜との研磨速度が同じことである。グラフからわかるように、酸化剤の含有量を変化させても、窒化ケイ素膜の研磨速度、TEOS膜の研磨速度はほとんど変化しないことがわかった。そして、タングステン膜の研磨速度は、酸化剤の含有量によって変化し、含有量の増加に伴い研磨速度が増加することがわかった。したがって、酸化剤の含有量を変化させることで、窒化ケイ素膜の研磨速度、TEOS膜の研磨速度を固定したまま、金属膜の研磨速度を変化させ、選択比を制御することが可能であることがわかった。さらに選択比は、1よりも小さい値にも、1以上にも制御できることがわかった。選択比の制御についてさらに検討した。酸化剤として、ヨウ素酸を用いたときの窒化ケイ素膜の研磨速度R1、金属膜の研磨速度R2、酸化絶縁膜TEOS膜の研磨速度R3について測定し、第1選択比および第2選択比の制御について検討した。[第1選択比]まず、酸化剤含有量を変化させたときの、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対する金属膜の研磨速度R2の比である第1選択比R2/R1の制御について検討した。第1選択比を検討した金属膜は、ポリシリコン膜、タングステン膜およびチタン膜である。第1選択比の検討では、実施例6の組成を基に、酸化剤としてヨウ素酸を添加した組成を用いた。酸化剤の含有量を0.04重量実施例17、0.08重量実施例18、0.17重量実施例19に変化させて、窒化ケイ素膜の研磨速度R1、ポリシリコン膜の研磨速度R2sおよびTEOS膜の研磨速度R3を測定した。研磨条件は以下に示す通りである。[研磨条件]研磨装置:EPO222DEbara社製研磨パッド:IC1000-050-A2/S400パーフォレートニッタハース株式会社製研磨定盤回転速度:80rpmキャリア回転速度:83rpm研磨荷重面圧:240hPa半導体研磨用組成物の流量:150mlmin研磨時間:60s図7は、ポリシリコン膜の研磨速度R2sに対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフであり、図8は、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフであり、図9は、TEOS膜の研磨速度R3に対する酸化剤の含有量の影響を示すグラフである。横軸は、酸化剤の含有量重量を示し、縦軸は、研磨速度Å/minを示す。ポリシリコン膜の研磨速度R2sは、実施例17が、577Å/minであり、実施例18が、887Å/minであり、実施例19が1331Å/minであり、図7のグラフからわかるように、酸化剤濃度が高くなると研磨速度R2sも高くなった。参考として酸化剤の含有量が0のときのポリシリコン膜の研磨速度R2sは、221Å/minであった。窒化ケイ素膜の研磨速度R1については、実施例13~16を用いた上記の図6に示した結果と同様であるが、改めて図8のグラフに示す。また、実施例17~19を用いてTEOS膜の研磨速度R3を測定した結果を図11のグラフに示す。図8からわかるように窒化ケイ素膜の研磨速度R1は、酸化剤の含有量が変化してもほぼ一定であった。また、図9からわかるようにTEOS膜の研磨速度R3も酸化剤の含有量が変化してもほぼ一定であった。このように、酸化剤の含有量を変化させても窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であるので、第1選択比R2s/R1は、ポリシリコン膜の研磨速度R2sで調整することができる。酸化剤の含有量を0~0.17重量まで変化させると第1選択比R2s/R1は、0.29~1.77まで変化した。ここで、窒化ケイ素膜の研磨速度R1は、750Å/minとした。第1選択比R2s/R1は、酸化剤の含有量のみを変化させれば0.29~1.77の間で所望の値に容易に制御することができることがわかった。さらに、タングステン膜の研磨速度R2wおよびチタン膜の研磨速度R2tについて検討する。タングステン膜の研磨速度R2wについては、実施例13~16を用いた上記の図6に示した結果と同様であるが、改めて図10のグラフとして示す。また、実施例13~16を用いてチタン膜の研磨速度R2tを測定した結果を図11のグラフに示す。タングステン膜の研磨速度R2wは、実施例13が、307Å/minであり、実施例14が、496Å/minであり、実施例15が900Å/minであり、実施例16が1294Å/minであった。チタン膜の研磨速度R2tは、実施例13が、733Å/minであり、実施例14が、1231Å/minであり、実施例15が1421Å/minであり、実施例16が2166Å/minであった。図10および図11からわかるように、酸化剤濃度が高くなるとタングステン膜の研磨速度R2wおよびチタン膜の研磨速度R2tも高くなった。酸化剤の含有量を変化させても窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であるので、第1選択比R2w/R1は、タングステン膜の研磨速度R2wで調整することができる。酸化剤の含有量を0.05~0.25重量まで変化させると第1選択比R2w/R1は、0.39~1.71まで変化した。第1選択比R2w/R1は、酸化剤の含有量のみを変化させれば0.39~1.71の間で所望の値に容易に制御することができることがわかった。また、第1選択比R2t/R1は、チタン膜の研磨速度R2tで調整することができる。酸化剤の含有量を0.05~0.25重量まで変化させると第1選択比R2t/R1は、0.94~2.87まで変化した。第1選択比R2t/R1は、酸化剤の含有量のみを変化させれば0.94~2.87の間で所望の値に容易に制御することができることがわかった。[第2選択比]次に、pHを変化させたときの、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対するTEOS膜の研磨速度R3の比である第2選択比R3/R1の制御について検討した。第2選択比の検討では、実施例6の組成を基に、酸化剤としてヨウ素酸を0.08重量添加した組成を用いた。研磨用組成物のpHを2.5実施例20、3.5実施例21、4.2実施例22および5.5実施例23に変化させて、窒化ケイ素膜の研磨速度R1、TEOS膜の研磨速度R3を測定した。研磨条件は、上記の第1選択比の検討における条件と同様である。図12は、TEOS膜の研磨速度R3に対するpHの影響を示すグラフであり、図13は、窒化ケイ素膜の研磨速度R1に対するpHの影響を示すグラフである。横軸は、研磨用組成物のpHを示し、縦軸は、研磨速度Å/minを示す。TEOS膜の研磨速度R3は、実施例20が、1215Å/minであり、実施例21が、1024Å/minであり、実施例22が902Å/minであり、実施例23が、511Å/minであり、図12のグラフからわかるように、pHが大きくなると研磨速度R3は低くなった。図13からわかるように窒化ケイ素膜の研磨速度R1は、酸化剤のpHが変化してもほぼ一定であった。このように、pHを変化させても窒化ケイ素膜の研磨速度R1はほぼ一定であるので、第2選択比R3/R1は、TEOS膜の研磨速度R3で調整することができる。pHを2.5~5.5まで変化させると第2選択比R3/R1は、0.63~1.41まで変化した。第2選択比R3/R1は、pHのみを変化させれば0.63~1.41の間で所望の値に容易に制御することができることがわかった。以上のように、本発明の窒化ケイ素研磨用組成物は、酸化剤の添加量を変化させるだけで容易に第1選択比R2/R1を1よりも小さい値にも、1以上にも制御できる。また、pHを変化させるだけで容易に第2選択比R3/R1を1よりも小さい値にも、1以上にも制御できる。本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。