タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であり、フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、フォトセンサとを有し、前記フォトセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第2のトランジスタと、第3のトランジスタとを有し、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続されることを特徴とする電子機器。請求項1において、前記第2のトランジスタの酸化物半導体層は、読み出し信号線とゲート絶縁層を介して重なり、前記読み出し信号線は、前記反射電極と重なることを特徴とする電子機器。タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であり、フレキシブル基板上に第1の反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、第2の反射電極と電気的に接続する第2のトランジスタと、フォトセンサとを有し、前記フォトセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第3のトランジスタと、第4のトランジスタとを有し、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続され、前記第4のトランジスタの酸化物半導体層は、前記第1の反射電極と重なり、前記フォトセンサ基準信号線は、前記第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。請求項3において、前記第3のトランジスタの酸化物半導体層は、読み出し信号線とゲート絶縁層を介して重なり、前記読み出し信号線は、前記第1の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。請求項3または請求項4において、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の反射電極と重なり、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器。ガラス基板などの硬質な基板に代えて、フレキシブルフィルムを基体に用いることによって、耐衝撃性を向上し、軽量化、フレキシブル化した電子機器を提供することを課題の一つとする。また、電力の限られた携帯情報端末などの電子機器の省エネルギー化に有利なドライバ回路を構成することも課題の一つとする。また、使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接触れる、またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することも課題の一とする。使用者が、情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに触れることにより情報を入力できる電子機器を実現するため、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と画素電極面積を共に広くする画素構成とすることも課題の一つとする。また、キーボード表示などの静止画モードと、動画モードの両方を1つの画面で実現する新規の電子機器を提供することも課題の一とする。また、静止画モードにおいて、ある表示領域の一部に静止画を表示した後は、その表示領域の表示素子への電力の供給を停止し、その後もその静止画を視認可能な状態を長時間維持することで消費電力を抑えることも課題の一つとする。外光を利用して画像表示を行う表示部を有する電子機器において、表示部にはフォトセンサを用いるタッチ入力機能を有し、表示部の少なくとも一部にキーボードのボタンを表示し、使用者が所望のキーをタッチすることにより情報を入力して表示部に所望のキーに対応した表示を行う。フォトセンサは、表示部に入射する外光を検出するとともに、使用者が指先で表示部の所望位置を指し示した時に生じる外光の局所的陰影を検出する。入力処理部は、外光の局所的陰影を検出したフォトセンサの表示部における位置をタッチ入力座標位置として処理する。タッチ入力座標位置に対応するデータ、即ちキー情報を映像信号処理部により表示部に画像データとして出力する。また、使用者が表示部に表示されたキーボードを用いて入力をしている期間において、キーボードを表示している第1の表示領域は、静止画を表示しており、入力時においてタッチされたキーに対応する文字や数字などが次々に書き込まれている期間、または文字変換されている期間の第2の表示領域は動画を表示している。本明細書で開示する本発明の一態様は、表示部の第1画面領域をタッチ入力する画面領域、或いは出力表示する画面領域に切り換える映像信号処理部を有する電子機器である。また、この電子機器は、表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。特に走査線駆動回路としてデコーダ回路を用いることが好ましい。また、従来のアクティブマトリクス型の表示装置が有するスイッチングトランジスタはオフ電流が大きく、オフ状態であっても画素に書き込んだ信号がトランジスタを介して漏れて消失してしまうという問題があった。本発明の一態様は、スイッチングトランジスタに酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、極めて低いオフ電流、具体的にはチャネル幅1μmあたりのオフ電流密度を室温下において10aA1×10-17A/μm以下にすること、さらには、1aA1×10-18A/μm以下、さらには10zA1×10-20A/μm以下を実現し、画素においては画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。従って、酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とする期間を長くすることで、さらに消費電力の節約ができる。また、上記電気機器を実現するデバイスに関する他の発明の態様は、タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であり、フレキシブル基板上に画素電極である反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、フォトセンサとを有し、フォトセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第2のトランジスタと、第3のトランジスタとを有し、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第3のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、第3のトランジスタのソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続される。上記構成は、上記課題の少なくとも一つを解決する。また、上記構成において、第2のトランジスタの酸化物半導体層は、読み出し信号線とゲート絶縁層を介して重なり、読み出し信号線は、画素電極である反射電極と重なる。反射電極の下方に、読み出し信号線や、第3のトランジスタを配置する画素構成とすることで、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と画素電極面積以下、反射電極面積と呼ぶとを効率よく利用することができる。また、他の発明の態様は、タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であり、フレキシブル基板上に第1の反射電極と電気的に接続する第1のトランジスタと、第2の反射電極と電気的に接続する第2のトランジスタとフォトセンサとを有し、フォトセンサは、フォトダイオードと、該フォトダイオードと電気的に接続するゲート信号線を有する第3のトランジスタと、第4のトランジスタとを有し、第3のトランジスタのソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第4のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、第4のトランジスタのソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線に電気的に接続され、第4のトランジスタの酸化物半導体層は、第1の反射電極と重なり、フォトセンサ基準信号線は、第2の反射電極と重なることを特徴とする電子機器である。上記構成において、画素構造を上方から見た場合に、2つの反射電極の間に1つのフォトセンサの受光領域が配置されるように設計し、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と反射電極面積とを効率よく利用することができる。また、上記構成において、第3のトランジスタの酸化物半導体層は、読み出し信号線とゲート絶縁層を介して重なり、読み出し信号線は、第1の反射電極と重なる。第1の反射電極の下方に、読み出し信号線や、第4のトランジスタを配置する画素構成とすることで、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と反射電極面積とを効率よく利用することができる。また、上記構成において、第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の反射電極と重なり、第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の反射電極と重なる。このような画素構成とすることで、単位面積当たりのフォトセンサの受光面積と反射電極面積とを効率よく利用することができる。また、上記構成において、第1の反射電極または第2の反射電極と重なる位置にカラーフィルタを有し、フルカラーの表示を行うこともできる。また、反射型の液晶表示装置とすることで、バックライトがなくても太陽光などの外光や照明光があれば表示内容を視認することができ、省エネルギー化に有利である。1画面内に動画と静止画を表示する携帯情報端末を実現でき、動画表示の画面領域と静止画表示の画面領域とで異なる駆動、及び異なる信号供給を行い、動画表示よりも静止画表示の消費電力を低減する。また、反射型の液晶表示装置であるため、電気泳動型の表示装置よりも広範囲の中間調表示ができる。また、使用者は、フレキシブル基板を用いることによって軽量化された携帯情報端末を用い、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードにタッチ入力でき、キーボードを表示している同一画面内にその入力結果を表示することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、外光を利用して画像表示を行う表示部を有する電子機器の一例を図1A及び図1Bに示す。電子機器1030の表示部1032はフォトセンサを用いるタッチ入力機能を有し、図1Aに示すように表示部の領域1033にキーボードのボタン1031が複数表示される。表示部1032は表示領域全体を指しており、表示部の領域1033を含む。そして、使用者が所望のキーボードのボタンをタッチ入力し、表示部1032に入力結果の表示を行う。表示部の領域1033は静止画を表示しているため、書き込み時以外の期間では表示素子制御回路を非動作とすることで消費電力の節約ができる。電子機器1030を使用している様子の一例を示す。例えば、表示部の領域1033に表示されているキーボードボタンを使用者の指を用いて順次触れる、または非接触で文字入力を行い、その結果表示される文章を表示部の領域1033以外の領域に表示する。使用者が画面のキーボードから指をはずし、フォトセンサの出力信号の検出されない期間が一定時間経つと自動的に表示部の領域1033に表示されていたキーボード表示が消され、表示部の領域1033にも入力された文章の表示が行われ、画面一杯に入力された文章を使用者は確認することができる。再度入力する場合には、表示部1032に使用者の指を用いて触れる、または非接触でフォトセンサの出力信号を検出させることで再び表示部の領域1033にキーボードボタンを表示し、文字入力を行うことができる。また、自動的ではなく、使用者が切り換えスイッチ1034を押すことによって、キーボード表示をなくし、図1Bに示すように表示部1032の全体を静止画とすることもできる。また、電源スイッチ1035を押して電源を切っても、静止画を長時間維持することができる。また、キーボード表示スイッチ1036を押すことによってキーボードを表示し、タッチ入力可能な状態とすることができる。また、切り換えスイッチ1034、電源スイッチ1035、及びキーボード表示スイッチ1036は、表示部1032にそれぞれスイッチボタンとして表示し、表示されたスイッチボタンに触れることで、各操作を行ってもよい。また、表示部の領域1033は静止画を表示することに限定されず、一時的、または部分的に動画表示してもよい。例えば、キーボードボタンの表示位置を使用者の好みに合わせて一時的に変更する、または非接触で入力した場合に入力されたかどうかが分かるように対応するキーボードボタンのみに部分的に表示の変化を与えてもよい。また、電子機器1030は少なくともバッテリーを有し、データ情報を保存するためのメモリFlashMemory回路、SRAM回路、DRAM回路など、CPU中央演算処理回路やLogic回路を備えた構成とすることが好ましい。CPUやメモリを備えることにより、様々なソフトウェアのインストールが行え、パーソナルコンピュータの機能の一部または全部の機能を持たせることができる。また、電子機器1030に対して、ジャイロスコープ、または3軸加速度センサなどの傾き検出部を設け、傾き検出部からの信号に応じて、電子機器1030で使用する機能、特に表示部での表示及び入力に係る機能を、演算回路により切り替えることができる。そのため、備え付けの操作キーのように入力キーの種類、大きさ、または配置が予め定まったものとは異なり、使用者の利便性を向上させることができる。次に表示部1032を構成する表示パネルの一例について、図2を参照して説明する。表示パネル100は、画素回路101、表示素子制御回路、及びフォトセンサ制御回路を有する。画素回路101は、行列方向にマトリクス状に配置された複数の画素103、104及びフォトセンサ106を有する。画素104、103は、1つの表示素子をそれぞれ有する。本実施の形態では、画素103と画素104の間に、1つのフォトセンサ106を配置し、フォトセンサの数が画素数の半分とする例を示したが特に限定されず、フォトセンサの数が画素数と同じになるように、画素毎にそれぞれ1つのフォトセンサを有する構成としてもよく、フォトセンサの数が画素数の3分の一となる構成としてもよい。表示素子105は、トランジスタ、保持容量、及び液晶層を有する液晶素子などを有する。トランジスタは、保持容量への電荷の注入もしくは保持容量からの電荷の排出を制御する機能を有する。保持容量は、液晶層に印加する電圧に相当する電荷を保持する機能を有する。液晶層に電圧を印加することで偏光方向が変化することを利用して、液晶層を透過する光の明暗階調を作ることで、画像表示が実現される。液晶層を透過する光には、外光太陽光または照明光を利用して液晶表示装置の表面から照射される光を用いる。液晶層としては、特に限定されず、公知の液晶材料代表的には、ネマチック液晶材料やコレステリック液晶材料を用いれば良い。例えば、高分子分散型液晶PDLCPolymerDispersedLiquidCrystal、高分子分散液晶、ポリマー分散型液晶ともいう又は高分子ネットワーク型液晶PNLCPolymerNetworkLiquidCrystalを液晶層に用いて、液晶による光の散乱光を利用して白表示明表示を行ってもよい。PDLCやPNLCを液晶層に用いると、偏光板を必要とせず、紙面に近い表示が実現でき、使用者の目に優しく、疲労感を低減させることができる。また、表示素子制御回路は、表示素子105を制御するための回路であり、ビデオデータ信号線などの信号線ソース信号線ともいう。を介して表示素子105に信号を入力する表示素子駆動回路107と、走査線ゲート信号線ともいう。を介して表示素子105に信号を入力する表示素子駆動回路108を有する。例えば、走査線側の表示素子駆動回路108は、特定の行に配置された画素が有する表示素子を選択する機能を有する。また、信号線側の表示素子駆動回路107は、選択された行の画素が有する表示素子に任意の電位を与える機能を有する。なお、走査線側の表示素子駆動回路108により高電位を印加された表示素子では、トランジスタが導通状態となり、信号線側の表示素子駆動回路107により与えられる電荷が供給される。また、フォトセンサ106は、フォトダイオードなど、受光することで電気信号を発する機能を有する受光素子と、トランジスタとを有する。フォトセンサ制御回路は、フォトセンサ106を制御するための回路であり、フォトセンサ出力信号線、フォトセンサ基準信号線等の信号線側のフォトセンサ読み出し回路109と、走査線側のフォトセンサ駆動回路110を有する。走査線側のフォトセンサ駆動回路110は、特定の行に配置された画素が有するフォトセンサ106に対して、後述するリセット動作と選択動作とを行う機能を有する。また、信号線側のフォトセンサ読み出し回路109は、選択された行の画素が有するフォトセンサ106の出力信号を取り出す機能を有する。本実施の形態では、画素103と、フォトセンサ106と、画素104の回路図について、図3を用いて説明する。画素103は、トランジスタ201、保持容量202及び液晶素子203を有する表示素子105を有する。また、フォトセンサ106は、フォトダイオード204、トランジスタ205及びトランジスタ206を有する。また、画素104は、トランジスタ221、保持容量222及び液晶素子223を有する表示素子125とを有する。トランジスタ201は、ゲートがゲート信号線207に、ソース又はドレインの一方がビデオデータ信号線210に、ソース又はドレインの他方が保持容量202の一方の電極と液晶素子203の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量202の他方の電極は、容量配線214に電気的に接続され、一定の電位に保たれている。また、液晶素子203の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子203は、一対の電極と、該一対の電極の間の液晶層を含む素子である。トランジスタ201は、ゲート信号線207にHHighの電位が印加されると、ビデオデータ信号線210の電位を保持容量202と液晶素子203に印加する。保持容量202は、印加された電位を保持する。液晶素子203は、印加された電位により、光の透過率を変更する。フォトダイオード204は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線208に、他方の電極がトランジスタ205のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ205は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線212に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ206のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ206は、ゲートが読み出し信号線209に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線211に電気的に接続されている。また、トランジスタ221は、ゲートがゲート信号線227に、ソース又はドレインの一方がビデオデータ信号線210に、ソース又はドレインの他方が保持容量222の一方の電極と液晶素子223の一方の電極に電気的に接続されている。保持容量222の他方の電極は、容量配線224に電気的に接続され、一定の電位に保たれている。また、液晶素子223の他方の電極は一定の電位に保たれている。液晶素子223は、一対の電極と、該一対の電極の間の液晶層を含む素子である。次に、フォトセンサ読み出し回路109の構成の一例について、図3及び図4を用いて説明する。一例として、表示部は、1024行768列の画素で構成され、表示素子は各行各列の画素に1個、フォトセンサは2行各列の画素間に1個、を有する構成とする。すなわち、表示素子は1024行768列、フォトセンサは512行768列で構成される。また、フォトセンサ出力信号線は2列を1組として表示装置外部に出力する例を示す。すなわち、2行2列の画素4個に挟まれるフォトセンサ計2個から出力を1個取得する。図3は、画素の回路構成で、2行1列分の2つの画素と、1つのフォトセンサを示している。表示素子を1画素に1個、フォトセンサを2画素間に1個、有する。図4は、フォトセンサ読み出し回路109の回路構成で、説明のため、一部のフォトセンサも示している。図4に示すように、フォトセンサの走査線駆動回路は、同時に画素4行分すなわちフォトセンサ2行分を駆動し、選択行を画素2行分に相当するフォトセンサ1行分ずつシフトさせていく駆動方法を行う例を考える。ここで、各行のフォトセンサは、走査線駆動回路が選択行のシフトを2回行う期間、連続して選択されることになる。このような駆動方法を用いることで、フォトセンサによる撮像のフレーム周波数を向上させることが容易になる。特に、大型の表示装置の場合に有利である。なお、フォトセンサの出力信号線211には、同時に2行分のフォトセンサの出力が重畳されることになる。また、選択行のシフトを512回繰り返すことで、全フォトセンサを駆動することができる。フォトセンサ読み出し回路109は、図4に示すように、画素24列に1個ずつセレクタを有する。セレクタは、表示部におけるフォトセンサの出力信号線211について2列分を1組とする12組から1組を選択して出力を取得する。すなわち、フォトセンサ読み出し回路109全体で、セレクタを32個有し、同時に32個の出力を取得する。各々のセレクタによる選択を12組全てに対して行うことで、フォトセンサ1行分に相当する合計384個の出力を取得することができる。セレクタによる12組の選択を、フォトセンサの走査線駆動回路が選択行をシフトさせる都度行うことで、全フォトセンサの出力を得ることができる。本実施の形態では、図4に示すように、信号線側のフォトセンサ読み出し回路109は、アナログ信号であるフォトセンサの出力を表示装置外部に取り出し、表示装置外部に設けたアンプを用いて増幅した後にAD変換器を用いてデジタル信号に変換する構成を考える。勿論、表示装置と同一基板上にAD変換器を搭載し、フォトセンサの出力をデジタル信号に変換した後、表示装置外部に取り出す構成とすることも可能である。また、個々のフォトセンサの動作は、リセット動作、累積動作、及び選択動作を繰り返すことで実現される。リセット動作とは、フォトダイオードリセット信号線208の電位をHとする動作である。リセット動作を行うと、フォトダイオード204が導通し、トランジスタ205のゲートが接続されたゲート信号線213の電位がHとなる。また、累積動作とは、リセット動作の後にフォトダイオードリセット信号線208の電位をLLowの電位にする動作である。また、選択動作とは、累積動作の後に読み出し信号線209の電位をHにする動作である。累積動作時に、フォトダイオード204に照射する光が強いほど、トランジスタ205のゲートが接続されたゲート信号線213の電位が下がり、トランジスタ205のチャネル抵抗が増大する。そのため、選択動作時に、トランジスタ206を介してフォトセンサ出力信号線211に流れる電流は小さくなる。一方、累積動作時に、フォトダイオード204に照射する光が弱いほど、選択動作時に、トランジスタ206を介してフォトセンサ出力信号線211に流れる電流は大きくなる。本実施の形態においては、全フォトセンサのリセット動作、累積動作、及び選択動作を実行することで、外光の局所的陰影を検出することができる。また、検出した陰影について適宜画像処理など行うことにより、指やスタイラスペンなどが表示装置に接触した位置を知ることができる。あらかじめ、接触した位置に対応する操作、例えば文字入力であれば文字の種類を規定しておくことで、所望の文字の入力を行うことができる。なお、本実施の形態における表示装置では、フォトセンサにより外光の局所的陰影を検出する。そのため、指やスタイラスペンなどが表示装置に物理的に接触しなくても、非接触で近接することにより陰影が形成されれば検出が可能である。以下、指やスタイラスペンなどが表示装置に接触するとは、非接触で近接することも含むものとする。上記構成により、表示部1032にタッチ入力機能を持たせることができる。タッチ入力を行う際には、キーボードのような静止画を一部に含む画像を表示し、表示されたキーボードの所望の文字の位置に指やスタイラスペンを接触することで、入力を行う構成の表示装置とすると操作性が向上する。このような表示装置を実現する場合には、次のようにして、表示装置における消費電力を著しく低減することが可能である。すなわち、表示部の静止画を表示する第1画面領域については、静止画を表示した後は、当該領域の表示素子への電力の供給を停止し、その後もその静止画を視認可能な状態を長時間維持することが有効である。そして、表示部の残りの第2画面領域については、例えば、タッチ入力による入力結果を表示する。第2画面領域の表示画像の更新を行う時以外の期間では表示素子制御回路を非動作とすることで、電力の節約ができる。このような制御を可能にする駆動方法について、以下説明する。例えば、表示素子が1024行768列で配置された表示部を有する表示装置における、走査線駆動回路のシフトレジスタのタイミングチャートについて図5に示す。図5中の期間61はクロック信号の1周期期間64.8μsecであり、期間62は第2画面領域に相当する表示素子の第1行から第512行まで書き込むまでに要する期間8.36msecであり、期間63は1フレーム期間16.7msecにそれぞれ相当する。ここで、走査線駆動回路のシフトレジスタは、第1のクロック信号CK1~第4のクロック信号CK4で動作する4相クロック形式のシフトレジスタとする。また、第1のクロック信号CK1~第4のクロック信号CK4は、互いに4分の1周期期間ずつずれた信号とする。スタートパルス信号GSPをHとすると、第1行目のゲート信号線G1~第512行目のゲート信号線G512は、4分の1周期期間ずつ遅れながら順にHとなる。また、各ゲート信号線は、2分の1周期期間Hとなり、連続する行のゲート信号線は、各々4分の1周期期間同時にHとなる。ここで、各行の表示素子は、走査線駆動回路が選択行のシフトを2回行う期間、連続して選択されることになる。表示画像のデータを、当該行における表示素子が選択されている期間の内、後半の期間に入力すれば表示画像を更新できる。ここで、第2画面領域に相当する表示素子の第1行から第512行までの表示画像を更新する期間を除く期間については、表示素子制御回路を非動作とする。すなわち、第1画面領域に相当する表示素子の第513行から第1024行までは表示画像の更新を行わず、表示素子制御回路を非動作としている。表示素子制御回路を非動作とするには、図5に示したように、クロック信号を停止Lのままとするすることで実現できる。また、同時に、電源電圧の供給を停止することも有効である。また、第2画面領域に相当する表示素子が選択されていない期間、すなわち、表示画像の更新を行わない期間は、ソース側の駆動回路も同様にクロック信号とスタートパルス信号を停止させてもよい。こうすることでさらなる電力の節約ができる。また、走査線駆動回路のシフトレジスタに代えてデコーダを用い、電力の節約も可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1に示した図2及び図3に対応する画素構造に関して、図6、図7、及び図8を用いて以下に説明する。なお、図2及び図3と同じ箇所には、同じ符号を用いて図6、図7、及び図8を説明する。図6は、図3の回路図に対応する画素平面図の一例である。また、図8Aは、フォトダイオードの電極を形成する前の状態を示している。なお、図6中の鎖線A-Bで切断した断面図、及び鎖線C-Dで切断した断面図が図8Aにそれぞれ対応している。まず、基板230上に導電膜を形成した後、1枚目の露光マスクを用いる第1のフォトリソグラフィ工程により、ゲート信号線207、213、227、容量配線224、フォトダイオードリセット信号線208、読み出し信号線209、フォトセンサ基準信号線212を形成する。本実施の形態では基板230としてガラス基板を用いる。下地膜となる絶縁膜を基板230と導電膜との間に設けてもよい。下地膜は、基板230からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、導電膜は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。次いで、これらの配線を覆う絶縁層を形成し、2枚目の露光マスクを用いる第2のフォトリソグラフィ工程により、後に形成される配線と交差する部分にのみ絶縁層231を残して選択的にエッチングを行う。本実施の形態では、絶縁層231は膜厚600nmの酸化窒化珪素膜を用いる。次いで、ゲート絶縁層232及び酸化物半導体膜を形成し、3枚目の露光マスクを用いる第3のフォトリソグラフィ工程により、ゲート絶縁層232を介してゲート信号線207、213、227及び読み出し信号線209とそれぞれ重なる第1の酸化物半導体層233、第2の酸化物半導体層253、第3の酸化物半導体層255、及び第4の酸化物半導体層256を形成する。本実施の形態では、ゲート絶縁層232として膜厚100nmの酸化窒化珪素膜を用い、酸化物半導体膜として膜厚30nmのIn-Ga-Zn-O膜を用いる。また、第1の酸化物半導体層233、第2の酸化物半導体層253、第3の酸化物半導体層255、及び第4の酸化物半導体層256は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される酸化物薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。また、上記酸化物薄膜にSiO2を含んでもよい。また、酸化物薄膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用い、In-Ga-Zn-O膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の酸化物ターゲットを用いてもよい。なお、ここで、例えば、In-Ga-Zn-O膜とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その化学量論比はとくに問わない。次いで、酸化物半導体層に第1の加熱処理を行う。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満とする。本実施の形態では、RTARapidThermalAnneal装置を用い、窒素雰囲気下で650°C、6分の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れないように酸化物半導体層の成膜室に移動させて酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。次いで、4枚目の露光マスクを用いる第4のフォトリソグラフィ工程により、ゲート絶縁層232を選択的に除去して、ゲート信号線213に達する開口と、フォトダイオードリセット信号線208に達する開口を形成する。次いで、ゲート絶縁層232、及び酸化物半導体層上に、導電膜を形成する。導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を成分とする金属膜、または上述した元素の窒化物を成分とする合金膜か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。本実施の形態において、導電膜は、膜厚100nmのTi膜と、膜厚400nmのAl膜と、膜厚100nmのTi膜との三層構造とする。そして、5枚目の露光マスクを用いる第5のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って、ビデオデータ信号線210、フォトセンサ出力信号線211、電極層234、235、254、257、258、259を形成する。なお、図3におけるトランジスタ221は、図6に示すように、第1の酸化物半導体層233を有し、電極層234をソース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、図6及び図8Aに示すように、電極層234は、ゲート絶縁層232を誘電体とし、容量配線224と保持容量222を形成する。また、図6に示すように、トランジスタ201は、第2の酸化物半導体層253を有し、電極層254をソース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、図3において、フォトセンサ106を構成する一要素であるトランジスタ206は、図6に示すように、第3の酸化物半導体層255を有し、電極層257をソース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、トランジスタ205は、図6に示すように、第4の酸化物半導体層256を有し、電極層257または電極層258をソース電極層またはドレイン電極層とするトランジスタである。また、図8Aに示すように、ゲート絶縁層232の開口を介してトランジスタ205のゲート信号線213は、電極層236と電気的に接続している。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。本実施の形態では、窒素雰囲気下で300°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域が絶縁層と接した状態で加熱される。次いで保護絶縁層となる絶縁層237を形成し、6枚目の露光マスクを用いる第6のフォトリソグラフィ工程により、電極層235に達する開口、電極層234に達する開口、電極層236に達する開口を形成する。本実施の形態において、絶縁層237は、スパッタ法により得られる膜厚300nmの酸化シリコン膜を用いる。次いで、プラズマCVD法により、p層238、i層239、及びn層240を積層成膜する。本実施の形態では、p層238として膜厚60nmのボロンを含む微結晶シリコン膜を用い、i層239として膜厚400nmのアモルファスシリコン膜を用い、n層240として膜厚80nmのリンを含む微結晶シリコン膜を用いる。そして、7枚目の露光マスクを用いる第7のフォトリソグラフィ工程により、p層238、i層239、及びn層240を選択的にエッチングした後、さらに図8Aに示すようにn層240の周縁部及びi層239の一部を選択的に除去する。この段階までの断面図が図8Aであり、その平面図が図6に相当する。次いで感光性有機樹脂層を形成し、8枚目の露光マスクで開口となる領域を露光し、9枚目の露光マスクで凹凸となる領域を露光し、現像して部分的に凹凸を有する絶縁層241を形成する第8のフォトリソグラフィ工程を行う。本実施の形態では、感光性有機樹脂層として、アクリル樹脂を用い、膜厚を1.5μmとする。次いで、反射性を有する導電膜を成膜し、10枚目の露光マスクを用いる第9のフォトリソグラフィ工程により反射電極層242、接続電極層243を形成する。なお、反射電極層242、接続電極層243を図8Bに示す。反射性を有する導電膜としてはAl、Ag、またはこれらの合金、例えばNdを含むアルミニウム、Ag-Pd-Cu合金等を用いる。本実施の形態において、反射性を有する導電膜は、膜厚100nmのTi膜とその上に設けた膜厚300nmのAl膜の積層を用いる。そして、第9のフォトリソグラフィ工程後に第3の加熱処理、本実施の形態では、窒素雰囲気下250°C、1時間を行う。以上の工程により、同一基板上に反射電極層242と電気的に接続するトランジスタと、ゲート信号線213と接続電極層243を介して電気的に接続するフォトダイオードとを合計10枚の露光マスクを用い、9回のフォトリソグラフィ工程によって作製することができる。なお、フォトダイオードの周縁部の断面写真を図11Aに示す。図11Aには、フォトダイオード204の断面を示しており、その断面模式図を図11Bに示す。そして、反射電極層242を覆う配向膜244を形成する。この段階での断面図が図8Bに相当する。なお、図8Bと図11Bの共通部分には同じ符号を用いている。こうしてアクティブマトリクス基板が作製できる。そして、このアクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板を用意する。対向基板には、遮光層ブラックマトリクスとも呼ぶと、透光性を有する導電膜を形成し、さらに有機樹脂を用いた柱状スペーサを形成する。そして、最後に配向膜で覆う。この対向基板をシール材を用いてアクティブマトリクス基板と貼り合わせ、一対の基板間に液晶層を挟持する。対向基板の遮光層は、反射電極層242の表示領域及びフォトダイオードのセンシング領域に重ならないように設ける。また、対向基板に設けられた柱状スペーサは、電極層251、252と重なるように位置合わせを行う。柱状スペーサは、電極層251、252と重ねることで一対の基板の間隔を一定に保持する。なお、電極層251、252は、電極層234と同一工程で形成することができるため、マスク数を増やすことなく設けることができる。電極層251、252は、どことも電気的に接続しておらず、フローティング状態である。こうして貼り合わせた一対の基板における画素の平面図が図7に相当する。図7において、ブラックマトリクスと重なっていない領域が、フォトセンサの受光領域と、反射電極領域となる。図7に示す1つの単位面積120μm×240μmのうち、反射電極の面積が占める割合は77.8であり、フォトセンサの受光面積は約1140μm2である。また、反射電極層242は、凹凸を有する感光性有機樹脂層上に設けられているため、図7に示すようなランダムな平面模様を有する。感光性有機樹脂層の表面形状を反映させて反射電極層242の表面にも凹凸を設け、鏡面反射となることを防いでいる。なお、図7において反射電極層242の凹部245も示しており、凹部245の周縁は、反射電極層の周縁よりも内側に位置し、凹部245の下方の感光性有機樹脂層は他の領域よりも薄い膜厚となっている。また、必要があれば、対向基板の外光が入射する面に、位相差を調節するための位相差フィルムや、偏光機能を有するフィルムや、反射防止板や、カラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。また、図12には、実際に作製したパネルに、FPCを介して映像信号を入力して表示を撮影した写真図を示す。パネルの画面半分を静止画とし、もう半分を動画として表示した。パネルの画面半分を静止画とし、もう半分を動画として表示し、消費電力の低減を図ることができる。また、画面に指を触れることによって、図1Aに示すようにキーボードボタンを表示させ、表示されたキーボードボタンの箇所を指でふれることによって情報を入力し、表示領域にキーボードボタンに対応した文字を表示することができる。また、フォトセンサを用いており、指先を画面に近づけた状態で指が画面に触れない非接触状態としても十分に外光があり、指の影をセンシングできるのであれば、非接触の画面操作を行うこともできる。実施の形態3本実施の形態では、カラーフィルタを設け、フルカラー表示が可能な液晶表示モジュールとする一例を示す。図9に液晶表示モジュール190の構成を示す。液晶表示モジュール190は液晶素子がマトリクス状に設けられた表示パネル120と、表示パネル120と重なる偏光板及びカラーフィルタ115を有する。また、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット116a、116bは表示パネル120に設けた端子部と電気的に接続されている。表示パネル120は、実施の形態1の表示パネル100と同様の構成を有する。ただし、フルカラー表示とする場合であるため、赤色表示素子、緑色表示素子、青色表示素子の3つの表示素子を用い、それぞれに異なる映像信号を供給する回路構成とする。また、図9には、外光139が表示パネル120上の液晶素子を透過して反射電極で反射される様子を模式的に示してある。例えば、カラーフィルタの赤色領域と重なる画素においては、外光139がカラーフィルタ115を通過した後、液晶層を通過し、反射電極で反射され、再びカラーフィルタ115を通過して赤色光として取り出される。図9には、3色の光135が矢印R、G、及びBで模式的に示してある。液晶素子を透過する光の強度は、画像信号により変調されるため、観察者は外光139の反射光によって、映像を捉えることができる。また、表示パネル120はフォトセンサを有しており、タッチ入力機能を備えている。フォトセンサの受光領域にもカラーフィルタを重ねることにより可視光センサとして機能させることもできる。また、フォトセンサの光の感度を向上させるためには、入射光を多く取り入れるため、フォトセンサの受光領域と重なる領域にはカラーフィルタに開口を設け、フォトセンサの受光領域とカラーフィルタが重ならない構成としてもよい。本実施の形態は、実施の形態1または実施の形態2と自由に組み合わせることができる。実施の形態4本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図10Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる。太陽電池9633と、表示パネルとを開閉自在に装着しており、太陽電池からの電力を表示パネル、または映像信号処理部に供給する電子書籍である。図10Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図10Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ以下、コンバータ9636と略記を有する構成について示している。表示部9631はフォトセンサを利用したタッチ入力機能を備えた反射型の液晶表示装置であり、比較的明るい状況下で使用するため、太陽電池9633による発電、及びバッテリー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池9633は、筐体9630の表面及び裏面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また図10Aに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図10Bにブロック図を示し説明する。図10Bには、太陽電池9633、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。なお太陽電池9633については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態では、ガラス基板上にトランジスタ及びフォトセンサを形成した後、フレキシブルな基板上にそのトランジスタ及びフォトセンサを転移して搭載する例を示す。なお、ここではトランジスタの断面工程図を図13A、図13B、及び図13Cに示し、実施の形態2と共通する工程およびフォトダイオードなどの構造の詳細な説明は省略し、図8A及び図8Bと同じ箇所には同じ符号を用いて説明する。まず、基板230上に剥離層260をスパッタ法により成膜し、その上に下地膜として機能する酸化物絶縁膜261を形成する。なお、基板230は、ガラス基板、石英基板などを用いる。また、酸化物絶縁膜261は、PCVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、酸化窒化シリコンSiOxNyx>y>0、窒化酸化シリコンSiNxOyx>y>0等の材料を用いて形成する。また、剥離層260は、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造等を用いることができる。金属膜としては、タングステンW、モリブデンMo、チタンTi、タンタルTa、ニオブNb、ニッケルNi、コバルトCo、ジルコニウムZr、亜鉛Zn、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIrから選択された元素または当該元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層または積層して形成する。例えば、金属膜としてスパッタ法やCVD法等によりタングステン膜を設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。他にも、例えば、金属膜例えば、タングステンを形成した後に、当該金属膜上にスパッタ法で酸化珪素等の絶縁膜を設けると共に、金属膜上に金属酸化物例えば、タングステン上にタングステン酸化物を形成してもよい。また、プラズマ処理として、例えば高密度プラズマ装置を用いた高密度プラズマ処理を行ってもよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物膜や金属酸化窒化物膜を用いてもよい。この場合、金属膜に窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。次いで、酸化物絶縁膜261上に導電膜を形成した後、実施の形態2と同様に、1枚目の露光マスクを用いる第1のフォトリソグラフィ工程により、ゲート信号線227、容量配線224、フォトダイオードリセット信号線、読み出し信号線、フォトセンサ基準信号線を形成する。以降の工程は、実施の形態2に従って、トランジスタ及び反射電極層242を形成する。そして、反射電極層242を水溶性の樹脂層262で覆う。この段階での断面図を図13Aに示す。なお、図13Aでは簡略化のため、反射電極層242の周辺の断面構造を示し、同一基板上に形成されているフォトダイオードは図示しない。次いで、水溶性の樹脂層262を支持基板などに固定した後、剥離層へのレーザ光の照射などにより開口を形成し、基板230からトランジスタを含む層を剥離する。この段階での断面図を図13Bに示す。図13Bに示すように、基板230に形成された剥離層260と酸化物絶縁膜261の界面で分離する。次いで、図13Cに示すように、トランジスタを含む層の面剥離により露出した面に、フレキシブルな基板264を接着層263で貼り合わせる。フレキシブルな基板264としては、プラスチックフィルムや薄いステンレス基板を用いることができる。次いで、水溶性の樹脂層262を除去した後、配向膜244を形成する。そして、対向電極267を有する対向基板268とフレキシブルな基板264とをシール材を用いて貼り合わせる。なお、貼り合わせる前に、対向基板268にも対向電極267を覆う配向膜266を形成する。液晶滴下法を用いる場合には、閉ループのシール材に囲まれた領域に液晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。こうして一対の基板とシール材で囲まれた領域に液晶層265を充填する。対向基板268は、透光性が高く、リタデーションの少ないプラスチックフィルムを用いることで、フレキシブルな液晶パネルを作製することができる。また、上述したフレキシブルな液晶パネルの作製例は一例にすぎず、例えば、基板230及び対向基板268として用いるガラス基板をトランジスタ作製後に研磨などにより薄く加工することでフレキシブルな液晶パネルを作製してもよい。研磨により薄くする場合は、液晶層を充填した後で、基板230及び対向基板268の両方を研磨して薄くする。図14にフレキシブルな液晶パネルを用いた電子書籍の一例を示す。図14は、電子書籍の一例として、液晶パネル4311の一端部に支持部4308を設ける場合を示している。以下に図14を参照して、電子書籍の具体的な構成について説明する。なお、図14Aは電子書籍を横にした状態を示し、図14Bは電子書籍を立てた状態を示している。図14に示す電子書籍は、表示部4301を有するフレキシブルな液晶パネル4311と、液晶パネル4311の一端部に設けられた支持部4308と、表示部4301の表示制御を行う走査線駆動回路4321aと、表示部4301に設けられたフォトダイオードの制御を行うフォトセンサ駆動回路4321bと、表示部4301の表示制御を行う信号線駆動回路4323とを有している。走査線駆動回路4321a、及びフォトセンサ駆動回路4321bは液晶パネル4311の可撓面に設けられ、信号線駆動回路4323は支持部4308の内部に設けられている。支持部4308は、少なくとも液晶パネル4311より曲がりにくい剛性が高い構成とすることが好ましい。一例として、支持部4308を構成する筐体を、液晶パネル4311より厚いプラスチックや金属等で形成することができる。この場合、電子書籍は、支持部4308以外の部分で曲がる湾曲する構成とすることができる。また、支持部4308を設ける場所は特に限定されないが、一例として、液晶パネル4311の一端部に沿って支持部4308を設けることができる。例えば、図14に示すように、液晶パネル4311を矩形状とする場合には、所定の一辺に沿って一辺を固定するように支持部4308を設けることができる。なお、ここでいう矩形状とは、角部が丸まっている場合も含むものとする。また、走査線駆動回路4321aと、フォトセンサ駆動回路4321bと、表示部4301を構成する画素回路を同じプロセスで可撓性を有する基板上に形成することにより、走査線駆動回路4321a、及びフォトセンサ駆動回路4321bの湾曲を可能とすると共に、低コスト化を図ることができる。表示部4301を構成する画素回路及び走査線駆動回路4321a、フォトセンサ駆動回路4321bを構成する素子としては、薄膜トランジスタ等で形成することができる。一方で、信号線駆動回路4323等の高速動作する回路は、シリコン等の半導体基板やSOI基板を用いて形成されたICIntegratedCircuitを用いて形成し、当該ICを支持部4308の内部に設けることができる。液晶パネル4311は、フレキシブル基板を用い、画面が曲がった状態であってもフォトダイオードを用いたタッチ入力であるため問題なく情報入力が行え、他のタッチ入力方式に比べて操作性がよい。なお、本実施の形態では、剥離層として金属層を用いる例を示したが、特に限定されず、レーザ照射によるアブレーションを用いる剥離方法や、有機樹脂を用いた剥離方法などを用いることができる。実施の形態6本実施の形態では、液晶パネルの走査線駆動回路の構成の一例に関して図面を参照して説明する。図15は本実施の形態で説明するドライバ回路のブロック図である。ドライバ回路をVGAのゲートドライバ走査線駆動回路として用いる場合は480本のゲート線を駆動する必要があるので9ビット分のデータ線が必要である。実施の形態では3ビットの例で説明する。ブロック701は1段目のゲート信号を生成する回路、ブロック702は2段目のゲート信号を生成する回路、ブロック703は、3段目のゲート信号を生成する回路、ブロック704は4段目のゲート信号を生成する回路、ブロック705は5段目のゲート信号を生成する回路を示す。VGAの場合、480段目まで続く。Data0a~Data2bはデータ線を示す。信号名の末尾から2つ目の文字0~2はデータが3ビットであることに対応する。信号名の末尾のaとbは、bがaの反転信号に相当するが、完全な反転信号ではなく、データの入力が無い期間は共に0ロー、GNDともいうにする。データ線と各段のブロックを接続する方法は、1段目を2進数で001と表現したとき、Data0aまたはData0bが最下位ビットに相当するとして、1段目の最下位ビットは1なので末尾の文字がbの方、すなわちData0bに接続する。同様に最下位ビットの次のビットは0なので末尾の文字がaのData1aに接続する。図16は各データ線の信号の時間関係を示す。1段目のブロック701を選択する期間1は1を2進数にした001に対応させてData2aを0ロー、Data1aを0ロー、Data0aを1ハイにする。2段目のブロック702を選択する期間2は2を2進数にした010に対応させてData2aを0ロー、Data1aを1ハイ、Data0aを0ローにする。3段目以降も同様にデータを決める。またData0aが0ローのとき対応するData0bは逆論理の1ハイにし、Data0aが1ハイのときData0bは0ローにする。Data1bとData2bも同様にそれぞれData1aとData2aの逆論理とする。但し1段目のブロック701を選択する期間1と2段目のブロック702を選択する期間2の間にData0aとData0bがともに0ローの期間を挿入し、データの入力が無い期間とする。図17はブロック701の内部を構成する回路図である。ブロック702、703、704、705の内部を構成する回路も同じである。図17においても3ビットの例で説明する。図17において図示するN型のトランジスタ群802、トランジスタ803、トランジスタ804、トランジスタ群806は、表示部のトランジスタと同一基板上に形成され、チャネルとして酸化物半導体層を用いる。図15におけるData0と図17におけるData0は対応しており、図15のData0aまたはData0bに電気的に接続する。ノード801はデータを保持する機能を持つ。容量素子によって保持しても良いが、寄生容量でも構わないので、本実施の形態では保持のための容量素子を省略している。データ線Data0からData2のいずれかが1ハイになると、N型のトランジスタ群802のいずれかがオン状態になりノード801は0ローになる。データ線Data0からData2がすべて0ローのときノード801は1ハイを保持し、このブロックは選択されたとみなす。またデータの入力が無い期間はデータ線Data0からData2がすべて0ローにして、トランジスタ群802はすべてオフ状態とする。ノード801を1ハイにするにはreset信号を1ハイにしてN型トランジスタであるトランジスタ803をオンの状態にする。なおトランジスタ803がオンになってもトランジスタ803のしきい値のためノード801はVDDと全く同じ電位になるとは限らないが構わない。reset信号が1ハイの期間とデータ線Data0からData2のいずれかが1ハイになる期間を重ねないことにより電源VDDからGNDまでの電流が大きくなることを防ぐことができる。データ入力の期間にデータ線が全て0ローのとき、すなわちブロックが選択されたとき、ノード801は1ハイを保持し、N型トランジスタであるトランジスタ804はオン状態になる。更にこのブロックが選択されたとき、ノード801は電源VDDやGNDに電気的に接続されていない状態であり、write信号を0ローから1ハイに変化させると容量805の容量結合によりノード801の電位は上昇する。容量805の回路をブートストラップ回路という。ノード801の上昇後の電位はwrite信号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より高いことが望ましい。ノード801の上昇後の電位がwrite信号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より高くなるならば容量805は不要、または寄生容量で十分な場合もある。ノード801の上昇後の電位がwrite信号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より低い場合、ノードOutの電位はwrite信号の最大の電位まで上がらず、画素への書き込みが間に合わなくなる可能性がある。ノード801がwrite信号の最大の電位にトランジスタ804のしきい値を加えた電位より高くなることにより、write信号を0ローから1ハイに変化させるとノードOutも0ローから1ハイに変化する。ノードOutは画素のゲート線に接続する。次にwrite信号を1ハイから0ローに変化させると容量805の容量結合によりノード801の電位は下がるが、reset信号によって与えられたVDDの電位程度であり、トランジスタ804はオフ状態にならない。すなわちwrite信号の0ローのレベルにトランジスタ804のしきい値を加えた電位よりノード801の電位が高いのでノードOutも0ローになる。データ入力の期間にデータ線のいずれかが1ハイのとき、すなわちブロックが選択されていないとき、ノード801は0ローであり、トランジスタ804はオフ状態になる。write信号を0ローから1ハイに変化させても、トランジスタ群802がオンの状態のため、ノード801の電位は0ローであり、トランジスタ804はオフ状態である。トランジスタ群802の電流を流せる能力が低いと容量805の容量結合によりノード801の電位が上昇するのでノードOutの変化が少なくなるようにトランジスタ群802の電流を流せる能力を決める必要がある。次にwrite信号を1ハイから0ローに変化させても、トランジスタ群802がオンの状態のため、ノード801の電位は0ローであり、トランジスタ804はオフ状態である。トランジスタ群802の電流を流せる能力が低いと容量805の容量結合によりノード801の電位が下降するのでノードOutの変化が少なくなるようにトランジスタ群802の電流を流せる能力を決める必要がある。トランジスタ群806が無い場合、データ入力の期間にデータ線のいずれかが1ハイのとき、すなわちこのブロックが選択されていないとき、ノードOutは電源に電気的に接続していない状態となり、ビデオ信号の影響などを受ける可能性がある。トランジスタ804のソース電極とドレイン電極間の容量結合によってもノードOutの電位は変化する。したがってトランジスタ804がオフ状態の期間にノードOutは0ローに固定しておくことがのぞましい。図18は時刻と各ノードの電位を示す図である。図18を用いて再び図17の回路図の動作を説明する。期間901ではreset信号によってノード801が1ハイになる。期間901でトランジスタ804はオン状態になっているが、write信号が0ローなのでOutの電位も0ローである。次の期間902はreset信号を0ローにして、データ入力を開始するまでの期間である。期間902を設けることによって電源VDDからGNDまでの電流が大きくなることを防ぐことが望ましい。次の期間903はデータを入力してノード801の電位を確定させるのに必要な期間であるが、ここではData0からData2がすべて0ローの場合を示す。次の期間904の初めにwrite信号が1ハイになり、ノード801の電位も上昇する。期間904にノードOutの電位も1ハイになる。次の期間905でwrite信号を0ローにする。ノード801の電位も下降するが、トランジスタ804はオン状態になっているためノードOutの電位は0ローになる。次の期間906でデータ入力の期間を終了し、次の期間907で再びreset信号を1ハイにしてノード801の電位を1ハイにする。以上が1水平期間であり、以後繰り返す。期間903の代わりにデータ線Data0からData2のいずれかを1ハイになる場合を期間908で示す。期間908にデータ線Data0からData2のいずれかを1ハイにするとノード801の電位は0ローになる。もし期間908が短く、トランジスタ804をオフ状態にするほどノード801の電位が十分低くならないうちに次の期間909でwrite信号が1ハイになると、トランジスタ群806だけではノードOutの電位を固定出来ずにノードOutの電位が一時的に高くなる問題が起こる可能性がある。期間908でトランジスタ804がオフ状態になれば次の期間909でwrite信号を1ハイにしてもノードOutは0ローのままである。なおトランジスタ804のソース電極とドレイン電極間の寄生容量のためトランジスタ804がオフ状態であってもノードOutの電位が一時的に上昇しようとする。画素トランジスタがオン状態にならないようトランジスタ群806で調整する必要がある。ゲート線は負荷が大きいためソース電極とドレイン電極間の寄生容量は大きな問題にはならない。本実施の形態では1ハイをVDDの電位、0ローをGNDの電位として説明した。write信号の最大の電位をVDDより低い値にするとブートストラップ回路は不要になるが、外部に2種類の電源を用意することはコストを上げるので望ましくない。本実施の形態は1種類の電源で動作させることが可能である。本実施の形態で示した表示装置のドライバ回路の構成は、本明細書の他の実施の形態に示した構成と自由に組み合わせて実施することができる。本実施の形態で示した表示装置のドライバ回路の構成は、write信号と各データ信号線を0ロー、reset信号を1ハイの状態とすると全ての画素のゲート線は0ローになる。またシフトレジスタ回路を表示装置のドライバ回路に用いる場合と異なり、任意の順番に任意の行の画素のゲート線を1ハイにすることが出来る。本実施の形態はドライバ回路の構成するデコーダ回路の一例であって、本実施の形態で示した表示装置のドライバ回路の構成に限定するものではない。