固有弾性率と呼ばれる第1のヤング率および固有密度と呼ばれる第1の密度を有する材料の層を含む音響構造において、前記層が、前記第1のヤング率および前記第1の密度を有する少なくとも1個の第1の領域Z1と、前記材料の層の体積内に埋め込まれていて、前記層の体積内に原子を注入および/または拡散することにより得られる第2のヤング率および/または第2の密度を有する少なくとも1個の第2の領域Z2を含むことを特徴とする音響構造。前記第2のヤング率および/または前記第2の密度が、前記注入および/または拡散による、前記第2の領域における新相の生成および/または含有物から生じることを特徴とする、請求項1に記載の音響構造。前記材料が圧電材料であって、前記構造が音響波を生成すべく前記層の表面上に電極Es、Esiを含むことを特徴とする、請求項1または2のいずれか1項に記載の音響構造。弾性波の導波路GZ2を生成すべく含有物および/または新相が埋め込まれた副層を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の音響構造。少なくとも1個の第1の上側電極および1個の第2の上側電極を含み、前記第2の領域が、バルクSMR型の波共振器を画定すべく、埋め込みブラッグミラー構造MRを画定する含有物および/または新相の周期的な副層を含むことを特徴とする、請求項3に記載の音響構造。前記第2の領域が、フォノニック結晶構造を画定すべく含有物および/または新相の周期的構造を含むことを特徴とする、請求項1に記載の音響構造。前記共振器間の結合を最適化すべく第2のヤング率および/または第2の密度の第2の領域により分離された結合共振器構造を画定する上側電極ES1、ES2を更に含むことを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の音響構造。前記2個の結合共振器の外縁に含有物および/または新相を含む第3のヤング率および/または第3の密度の第3の領域Z3を更に含んでいることにより前記第3の領域における圧電材料内の横方向音響波の伝搬が前記第2の領域におけるよりも大幅に減少し、前記第3の領域内の含有物の密度および/または性質および/または相が前記第2の領域のそれらとは異なることを特徴とする、請求項7に記載の音響構造。前記材料がニオブ酸リチウムLiNbO3であって、前記第2の領域が水素原子の注入および/または拡散により形成された新相を含み、前記第2の領域が前記第2のヤング率を有するHxLi1-xNbO3型の材料を含むことを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載の音響構造。請求項1~9のいずれか1項に記載の音響構造の製造方法において、以下のステップ、すなわち-前記第1の領域から前記第2の領域を分離すべくマスクを生成するステップと、-新相および/または含有物を生成することにより前記マスクを介して前記第2の領域を画定すべく原子を注入および/または拡散するステップを含むことを特徴とする方法。電極を生成する少なくとも1個のステップを更に含み、前記構造が音響波共振器であることを特徴とする、請求項10に記載の音響構造製造方法。原子を注入および/または拡散するステップの後にアニーリングステップを含むことを特徴とする、請求項10または11に記載の音響構造製造方法。第2の連続的な注入および/または拡散領域を生成すべく同様のエネルギーで原子を注入および/または拡散する逐次的動作を含むことを特徴とする、請求項10~12のいずれか1項に記載の音響構造製造方法。従って、本発明の主題の一つは、固有弾性率と呼ばれる第1のヤング率および固有密度と呼ばれる第1の密度を有する材料の層を含む音響構造であって、当該層が、前記第1のヤング率および前記第1の密度を有する少なくとも1個の第1の領域と、前記材料の層の体積内に埋め込まれていて、前記層の体積内に原子を注入および/または拡散することにより得られる第2のヤング率および/または第2の密度を有する少なくとも1個の第2の領域を含むことを特徴とする。このように元の材料内に形成された第2の材料で作られ、自身の圧電性の一部を失った第2の領域は従って、表面電極とは接触しない。本発明の一変形例によれば、第2のヤング率および/または第2の密度は、前記注入および/または拡散による、第2の領域における新相の生成および/または含有物から生じる。本発明の一変形例によれば、当該材料は圧電材料であって、前記構造は音響波を生成すべく前記層の表面上に電極を含んでいる。第1の領域では当該材料は依然として圧電性であるが、注入が実行された後で、第2の領域では必ずしもそうではない点に注意されたい。本発明の一変形例によれば、当該音響構造は、弾性波の導波路を生成すべく含有物および/または新相が埋め込まれた副層を含んでいる。本発明の一変形例によれば、当該音響構造は、少なくとも1個の第1の上側電極および1個の第2の上側電極を含み、第2の領域は、バルクSMR型の波共振器を画定すべく、埋め込みブラッグミラー構造を画定する含有物および/または新相の周期的な副層を含んでいる。本発明の一変形例によれば、第2の領域は、フォノニック結晶構造を画定すべく含有物および/または新相の周期的構造を含んでいる。本発明の一変形例によれば、当該音響構造は更に、前記共振器間の結合を最適化すべく第2のヤング率および/または第2の密度の第2の領域により分離された結合共振器構造を画定する上側電極を含んでいる。本発明の一変形例によれば、当該音響構造は更に、2個の結合共振器の外縁に含有物および/または新相を含む第3のヤング率および/または第3の密度の第3の領域を含んでいることにより前記第3の領域における圧電材料内の音響波の横方向への伝搬が前記第2の領域におけるよりも大幅に減少し、第3の領域内の含有物の密度および/または性質および/または相が第2の領域のそれらとは異なる。本発明の一変形例によれば、当該材料は、ニオブ酸リチウムLiNbO3であって、第2の領域は水素原子の注入および/または拡散により形成された新相を含み、第2の領域は前記第2のヤング率を有するHxLi1-xNbO3型の材料を含んでいる。本発明の別の主題は、本発明による音響構造の製造方法であって、以下のステップ、すなわち-前記第1の領域から前記第2の領域を分離すべくマスクを生成するステップと、-新相および/または含有物を生成することにより当該マスクを介して前記第2の領域を画定すべく原子を注入および/または拡散するステップとを含むことを特徴としている。本発明の一変形例によれば、本方法は更に、電極を生成する少なくとも1個のステップを含み、前記構造は音響波共振器である。本発明の一変形例によれば、本方法は、原子を注入および/または拡散するステップの後にアニーリングステップを含んでいる。本発明の一変形例によれば、本方法は、第2の連続的な注入および/または拡散領域を生成すべく同様のエネルギーで原子を注入および/または拡散する逐次的動作を含んでいる。本発明の一変形例によれば、本方法は、副構造、特にブラッグミラーを生成するための第2の不連続領域を生成すべく充分に異なる注入および/または拡散エネルギーを有する原子を注入および/または拡散させる逐次的動作を含んでいる。より一般的には、フォノニック結晶を形成するためにm本発明は、-新物質新相または前記材料内での伝搬波長より寸法が小さい含有物を含む前記材料を形成すべく圧電材料内に原子を注入するステップ、または-材料内へ化学物質を拡散させるプロセスを実行し、その結果再び新物質を形成するステップのいずれかを含む任意のプロセスのいずれかを用いてよい。添付図面を参照しながら以下の非限定的な記述を精査することにより本発明に対する理解が深まり、他の利点が明らかになろう。一般に、本発明の弾性構造はこのように第1のヤング率および/または第1の密度の材料の層内に、機械的特性、または特に音響伝搬を用いるアプリケーションに合わせた電子機械的特性をも利用可能にすべく少なくとも局所的に第2のヤング率および/または第2の密度を有する層を設けるべく原子注入または化学物質の拡散により前記ヤング率および/または前記密度が改善している少なくとも1個の領域を含んでいる。従って、本発明によれば、弾性、従って特に音響特性が改善可能であるという事実により、例えば、従来から存在した多層構造音響導波路、ブラッグミラー等に類似した構造を簡単に、しかし多くの層の堆積を必要とせずに形成することができる。注入技術注入物質および注入エネルギーの選択または拡散技術拡散物質の発生源、反応の温度および時間の選択の柔軟性により、元の媒体を異なる深さで異なる厚さにわたり異なる方法水素、ヘリウムまたは炭素の含有、または新規化合物の形成で改善することができる。これにより、想定する周期的構造の形成だけでなく、極めて不均質な構造の形成も可能になる。最後に、注入または拡散反応は、マスクの組注入または拡散された物質の侵入を止めるレジストその他の材料で作られたを介して実行することができるため、上述の構造を所定の特徴内にのみ形成することができる。その結果、多数のマスクおよび多数の異なる注入および/または拡散を組み合せることにより3次元構造を形成することが可能になる。従来の音響構造と局所的に改善した領域を組み合せることにより、特に有利な構造を設計することが可能であり、そのいくつかについて非網羅的な例として以下に述べる。SMR型のバルク弾性波共振器構造の例一般に、SMR型バルク波共振器は、圧電材料の厚い層、2個の上側電極、およびブラッグミラー副構造を含んでいる。図3に、原子注入により生成された埋込み層によりブラッグミラー構造が形成された、本発明によるSMR型共振器を示す。より正確には、第1のヤング率および/または第1の密度の材料M1内に、第2のヤング率および/または第2の密度を有する材料M2の層が注入により生成されていて、前記層は各々の深さh1、h2、...、hNにおいて生成され、深さhiと深さhi1の距離は、ブラッグミラー副構造を有する積層の配列を設けるべく例えば半波長に等しく、2個の上側電極E1、E2は第1のヤング率の材料の表面に生成されている。本発明によれば、ブラッグミラー副構造は、ニオブ酸リチウムの基板に比較的容易に生成することができる。この特定のケースにおいて、水素の注入によりリチウム原子と注入原子の間に置換反応が生じることがある。従って、HxLi1-xNbO3相は、元のニオブ酸リチウムとは大幅に異なる機械的特性を形成する。図4に、本発明による弾性構造における注入材料内の濃度分布を示し、深さh1において、充分な注入分量を有する第2のヤング率の材料の層を画定可能であることを示す。従って、この濃度分布と同様のまたは反対の音響特性弾性および密度の分布が得られる。一例として、ニオブ酸リチウムへの水素の注入により、8×1016原子/cm2の分量に対して130ナノメートルの厚さが得られ、または1.3×1015原子/cm2の分量に対して202ナノメートルの厚さが得られる。従って、任意選択で、当該分布を広げるために、異なるエネルギーでの多数の注入により、図5に示すように、異なる深さh1、h2を中心とする別々の分布を重ね合わせることにより濃度が更に広がった濃度分布を形成することができる。当該動作を異なるエネルギーで何度も繰り返すことにより、図6に示すように、深さh1、h2、h3およびh4で周期的な濃度分布が得られる。この結果、音響特性の周期的変化が生じ、音響波を反射するブラッグミラーが形成される。分布の幅および周期性を調整することにより、所望の周波数で動作する音響ミラーが得られる。当該ミラーの透過率に関しては、生じた周期の数により設定される。当該アプリケーションの場合、波反射効果を生じるのは構造の周期性であるため、音響特性、従って注入物質の濃度の大きい勾配は必須ではない点に注意されたい。元の材料と形成された新相との低い音響コントラスト、従って、多くの異なる注入を適用することにより補償できる。マスクを用いてこれらの注入を生成することは充分可能であるため、ミラーを共振器だけに合わせて画定し、他の場所では元の材料を変更する必要がない点に注意されたい。例示的なプロセスについて、図7a~7dを参照しながら以下に述べる。-予め洗浄されたニオブ酸リチウムの基板Sから始めて、図7aに示すような注入マスクMasqを画定すべくフォトリソグラフィ動作を実行する。-図7bに示すように、図6に示すものなどの周期的注入分布を形成すべくエネルギーを減少させながら、且つブラッグミラー副構造MRを画定可能としながら水素注入動作を逐次実行する。-次に、図7cに示すようにレジストマスクMasqを除去して均質化アニーリングステップを実行する。-最後に、図7dに示すように、例えばアルミニウム製の上側電極Es1、Es2を画定すべく、金属に続いて別のマスキングレジスト層を堆積し、フォトリソグラフィ動作を実行し、エッチングを実行してレジストを除去する。電極は、LFE用の2個の対向する電極、または導波構造用の互いにかみ合う櫛の形状であってよい。図8a、8bは、上側電極Eiおよび注入領域Z2が第2のヤング率および/または第2の密度の材料に対応しているLFE型共振器の一例の上面図を示す。一般に、SMR型共振器において、ミラー構造が形成されたならば、基板の表面とミラーの最上部との間に局所化された共振音響空洞が必然的に得られる。Zカットニオブ酸リチウム基板において、当該空洞内を垂直に伝搬する剪断音響波は、水平電場の印加による圧電効果を介して生成される。当該電場は、例えば、横方向電場を介して励起されたLFE共振器を形成すべく、隣接配置された2個の電極を形成することにより得られる。水素注入の結果、注入領域の外では問題が殆ど生じないため、元の材料の圧電性が受ける影響は極く僅かである。この種の共振器は従って、約5GHzの周波数で約56の電子機械的結合係数エネルギーを電気形式から機械形式に、または逆向きに、変換する効率の尺度を有する。上と比較して、窒化アルミニウムの堆積された薄膜に基づく従来のSMR圧電共振器技術では同じ周波数で約6の圧電結合係数しか得られない。本明細書に記述するような要素は従って、例えば、比較的簡単な技術を用いて極めて広い帯域のフィルタを合成可能にする。同一技術により、図8bに示すように、バルク波共振器電極を互いにかみ合う櫛の形状をなす金属化により代替した場合、交互に異なる注入分布ら形成された音響ミラーにより同様に閉じ込められる、横方向に伝搬する波を利用することが可能になる。3次元フォノニック結晶構造の例フォノニック結晶は、フォトニック結晶の弾性類似体である。これらは、固体基材内における含有物の2または3次元配列である。周期的効果は次いで、波の伝搬が大幅に改善するかまたは不可能でありさえするバンドギャップの形成を可能にする。2次元配置は、伝搬媒体に開口をエッチングし、任意選択でそれらを異なる材料で埋めることにより生成することができる。現時点では、従来のマイクロエレクトロニクス技術を用いるミクロンサイズのまたはナノスケールの3次元ネットワークの形成は依然として困難である。本発明により、上述のブラッグミラーの場合のように異なる厚さで注入する技術と、マスク2次元特徴を画定するためを組み合せることにより材料Z1内に3次元構造Z2を形成することが可能になる。当該アプリケーションの場合、含有物は置換または析出効果により得られる。このような結晶を用いて、例えば導波路構造または音響レンズ構成を形成してもよい。これらの結晶を製造する技術は、上述の、および図7a~7cに示すものと同じプロセスステップを用いる。このような結晶を例えば共振器と合わせて用いて、共振空洞内に生じた波を横方向に閉じ込めることができるため、フィルタ型アプリケーションの場合に最終的な要素の品質係数を向上させることができる。具体的には、従来技術では、興味深いフィルタのカテゴリは結合共振器を用いるものであって、これらのフィルタは一般にcoupledresonatorfilter結合共振器フィルタの略語であるCRFと表記される。より正確には、モノリシックフィルタと呼ばれる水晶製の音響フィルタは、共振器間の横方向結合を用いる。この場合、共振器は隣接して配置されている。共振器の外では必然的に一過性である厚さ剪断TS波が次いで励起され、共振器間の距離を変化させることにより、伝導されるエネルギーを変化させ、従ってフィルタの通過帯域の幅を改善することができる。当該フィルタは従って、横方向結合またはモノリシックフィルタと呼ばれる。図9は従って、3次元フォノニック結晶を介した横方向音響結合を有するフィルタの一例の上面図を示し、ブラッグミラー副構造の組成注入領域ZMRおよびフォノニック結晶の組成注入領域ZCPを上側電極Eiと共に示している。図10は従って、注入領域の存在により結合が最適化された横方向結合共振器を含むフィルタの一例を示す。より正確には、結合共振器は、上側電極ES1、ES2と、基板Sの表面に生成された下側電極Ei1、Ei2との間に挿入された第1のヤング率の第1の領域Z1を画定する圧電材料の層から生成されている。共振器間の結合は、原子注入により生成された第2の領域Z2の存在により最適化されていて、前記領域の音響特性を調整可能にすると共に、原子注入によりブラッグミラー副構造MRの生成を可能にする。一体化ミラー構造を有する横方向結合SMR共振器の生成を可能にする製造プロセスの一例を、図11a~11eを参照しながら以下に詳細に述べる。第1の例において、図11aに示すように、ニオブ酸リチウム基板Sを洗浄する動作を実行し、続いてブラッグミラー構造の注入領域の遮蔽を目的とする第1のマスクMasq1を画定するフォトリソグラフィ動作を実行する。次に、図11bに示すように、ブラッグミラー構造MRを得るために周期的注入分布を形成すべくエネルギーを減少させながら水素注入動作を逐次実行する。次に、図11cに示すように、レジストマスクを除去し、次いで新規のフォトリソグラフィ動作を実行して、フォノニック結晶ZCPの組成特徴の領域を画定すべく第2の注入マスクMasq2を画定する。図11dに示すように、次いでマスクMasq2を介した周期的注入分布を形成すべくエネルギーを減少させながら水素注入を逐次実行し、次いでマスクMasq2を除去して均質化アニールを実行する。最後に、図11eに示すように、上側電極Es1、Es2を画定すべく、例えばアルミニウム製の金属層を堆積させ、フォトリソグラフィ動作およびエッチング動作を実行し、次いでレジストを除去することが可能である。音響的に結合したい共振器の間に配置された2次元フォノニック結晶だけを用いて等価な構造を得ることができる。当該2次元フォノニック結晶構造は、上述のプロトン交換プロセスを用いて生成される。ブラッグミラーおよび電極の生成に関して、当該生成は先の例と同一である。この種の構造の生成を可能にする技術ステップは、例えば以下の図に示している。図12aに示すように、圧電性のニオブ酸リチウム基板Sを洗浄する動作を実行し、続いて第1のマスクMasq1および注入領域を画定するフォトリソグラフィ動作を実行する。次に、図12bに示すように、ブラッグミラーMRを生成する周期的注入分布を形成すべくエネルギーを減少させながら水素注入動作を逐次実行する。次に、図12cに示すように、新規のフォトリソグラフィ動作によるレジストマスクの除去によりプロトン交換用の第2のマスクMasq2を画定する。次に、溶融249°Cを超える温度安息香酸C6H5COOHの浴槽内での浸漬を介してプロトン交換を実行する。次いでアルコールによる洗い流しを実行し、続いてレジストの除去を実行してフォノニック結晶構造ZCPを画定することができる。最後に、以下の動作、すなわち図12eに示すように、例えばアルミニウム製の上側電極Es1、Es2を画定すべく、堆積、フォトリソグラフィ、エッチングおよびレジスト除去を実行する。本変形例によれば、各共振器は圧電材料の表面上に一対の上側電極Es1、Es2を含んでいて、所与の電極対は互いに極めて近接して、典型的には数ミクロン未満の距離をあけて配置されており、音響波は再び圧電材料のバルク内を伝搬するが、前記材料の平面に平行な電場により生成される。埋め込み導波路構造の例本発明の第3の可能なアプリケーションは、界面に沿って導かれる波を利用する要素の形成からなる。このような界面は、伝搬媒体内の所与の深さに原子を注入することにより形成されるため、第1のヤング率および/または第1の密度の領域Z1に対応する材料内に第2のヤング率の前記領域を含む導波路Gz2を画定することができる。これらの原子が充分な数だけ注入されると、それらは析出して、所与のラインにおいて局所化されたナノガス含有物を形成する。局所的に、薄いラインに沿って、伝搬速度が周囲媒体の伝搬速度よりも遅い等価な媒体が次いで形成される。これにより波は、表面電極ESiが存在することにより、図13に示すように、界面により導波されたまま元の材料内で一過性であるため、当該界面に沿って伝搬できる。当該要素自体は従って、以下のステップを含む以下のプロセスを用いて生成される。-所望の導波ラインに沿った原子の注入、-析出アニール、および-基板の表面上で互いにかみ合う櫛の形状をなす例えばアルミニウム製の電極の堆積および構造化。置換の生起を意図した注入によって当該界面を生成することもまた可能である点に注意されたい。図14a~14cに、この観点から、そのような埋め込み導波路が得られるプロセスの一例を示す。図14aに示すように、ニオブ酸リチウム基板Sを洗浄し、次いで注入マスクMasqを画定すべくフォトリソグラフィ動作を実行する。次に、図14bに示すように、導波界面GZ2の生成が望まれる深さにヘリウムを注入する動作を実行する。次いでレジストマスクを除去し、析出動作を実行する。最後に、図14cに示すように、例えばアルミニウム製の上側電極Es1、Es2を画定すべく金属層を堆積し、フォトリソグラフィ動作、エッチングおよびレジストの除去を実行する。