"nドープGaNで形成されたn側クラッド層、nドープInGaNで形成されたn側導波路層、活性領域、pドープInGaNで形成されたp側導波路層及びpドープGaNで形成されたp側クラッド層を有するIII族元素窒化物ベースレーザダイオードにおいて、前記活性領域が前記n側クラッド層と前記p側クラッド層の間に挟み込まれ、前記n側クラッド層と前記p側クラッド層に実質的に平行に拡がる、前記活性領域が、光子の電気ポンピング誘導放出を生じ、510nmから580nmのレーザ発振波長において光利得を有する、1つ以上のInGaN量子井戸を有する、前記n側導波路層が前記活性領域と前記n側クラッド層の間に挟み込まれる、前記n側導波路層が1nmから300nmのn側導波路層厚を有する、前記p側導波路層が前記活性領域と前記p側クラッド層の間に挟み込まれる、前記p側導波路層が3×1017cm-3未満のp側導波路層アクセプタ濃度及び100nm未満のp側導波路層厚を有する、前記p側導波路層厚が前記n側導波路層厚より小さい、前記p側クラッド層が第1厚さ領域及び第2厚さ領域を有し、前記第1厚さ領域は前記第2厚さ領域と前記p側導波路層の間に挟み込まれる、前記p側クラッド層の前記第1厚さ領域が20nmから200nmの第1領域厚及び3×1017cm-3未満の第1領域アクセプタ濃度を有する、及び前記p側クラッド層の前記第2厚さ領域が3×1017cm-3より高い第2領域アクセプタ濃度を有する、ことを特徴とするIII族元素窒化物ベースレーザダイオード。前記p側導波路層厚が1nmから50nmであり、前記p側導波路層厚と前記n側導波路層厚が150nmから200nmの総導波路厚を定めることを特徴とする請求項1に記載のIII族元素窒化物ベースレーザダイオード。前記p側導波路層または前記n側導波路層が、あるいはいずれもが、それぞれが分布インジウム濃度を有する組成分布InGaN層である、それぞれの前記分布インジウム組成が前記それぞれの導波路層において前記活性領域に隣接する富インジウム領域を定める、それぞれの前記富インジウム領域が前記それぞれの導波路層厚の01から75の厚さを有する、前記富インジウム領域が5から50の平均インジウム濃度を有する、前記それぞれの導波路層の前記富インジウム領域の外側の残余領域が0から10の平均インジウム濃度を有する、及び、前記それぞれの導波路層の前記富インジウム領域の前記インジウム濃度と前記残余領域の前記インジウム濃度の差が少なくとも3であるように、前記それぞれの導波路層の前記富インジウム領域の前記平均インジウム濃度が前記残余領域の平均インジウム濃度より高い、ことを特徴とする請求項1に記載のIII族元素窒化物ベースレーザダイオード。前記p側クラッド層がアルミニウムの組成分布を有する、0から5の第1のアルミニウム濃度が前記p側クラッド層の第1の領域を定める、20までの第2のアルミニウム濃度が前記p側クラッド層の第2の領域を定める、前記第1の領域が、前記p側クラッド層の前記p側導波路層との界面から延び、約20nmから約200nmの厚さを有する、及び前記第2の領域が前記第1の領域の直上に配される、ことを特徴とする請求項1に記載のIII族元素窒化物ベースレーザダイオード。nドープGaNで形成されたn側クラッド層、nドープInGaNで形成されたn側導波路層、活性領域、pドープInGaNで形成されたp側導波路層及びpドープGaNで形成されたp側クラッド層を有するIII族元素窒化物ベースレーザダイオードにおいて、前記活性領域が前記n側クラッド層と前記p側クラッド層の間に挟み込まれ、前記n側クラッド層と前記p側クラッド層に実質的に平行に拡がる、前記活性領域が、光子の電気ポンピング誘導放出を生じ、510nmから580nmのレーザ発振波長において光利得を有する、1つ以上のInGaN量子井戸を有する、前記n側導波路層が前記活性領域と前記n側クラッド層の間に挟み込まれる、前記n側導波路層が約3から約11のn側導波路層インジウム濃度を有する、前記p側導波路層が前記活性領域と前記p側クラッド層の間に挟み込まれる、前記p側導波路層が3×1017cm-3未満のp側導波路層アクセプタ濃度及び約0から約9のp側導波路層インジウム濃度を有する、前記p側導波路層インジウム濃度が前記n側導波路層インジウム濃度より低い、前記p側クラッド層が第1厚さ領域及び第2厚さ領域を有し、前記第1厚さ領域は前記第2厚さ領域と前記p側導波路層の間に挟み込まれる、前記p側クラッド層の前記第1厚さ領域が、20nmから200nmの第1領域厚及び3×1017cm-3未満の第1領域アクセプタ濃度を有する、及び前記p側クラッド層の前記第2厚さ領域が3×1017cm-3より高い第2領域アクセプタ濃度を有する、ことを特徴とするIII族元素窒化物ベースレーザダイオード。低内部光損失、高光利得、低直列抵抗及び減じられた活性領域近傍におけるミスフィット欠陥の発生が得られる緑色レーザダイオード構成が未だに必要とされ続けている。特に、電力変換効率を高めるに最適な、材料、層構造及び層構造内のドーパントプロファイルの決定が未だに必要とされている。本明細書に説明される実施形態にしたがうIII族元素窒化物ベースレーザダイオードは、nドープGaNで形成されたn側クラッド層、nドープInGaNで形成されたn側導波路層、活性領域、pドープInGaNで形成されたp側導波路層、及びpドープGaNで形成されたp側クラッド層を有することができる。活性領域はn側クラッド層とp側クラッド層の間に挟み込まれ、n側クラッド層とp側クラッド層に実質的に平行に拡がる。活性領域は、活性領域が510nmから580nmのレーザ発振波長において光利得を生じるような光子の電気的ポンピング誘導放射のために構成された、1つ以上のInGaN量子井戸を有する。n側導波路層は活性領域とn側クラッド層の間に挟み込まれる。n側導波路層は1nmから300nmのn側導波路層厚を有する。p側導波路層は活性領域とp側クラッド層の間に挟み込まれる。p側導波路層は3×1017cm-3より低いp側導波路層アクセプタ濃度及び、p側導波路層厚がn側導波路層厚より小さくなるような、100nmより小さいp側導波路層厚を有する。p側クラッド層は第1厚さ領域及び第2厚さ領域を有し、第1厚さ領域は第2厚さ領域とp側導波路層の間に挟み込まれる。一実施形態にしたがえば、p側クラッド層の第1厚さ領域は20nmから200nmの第1領域厚及び3×1017cm-3より低い第1領域アクセプタ濃度を有する。p側クラッド層の第2厚さ領域は3×1017cm-3より高い第2領域アクセプタ濃度を有する。別の実施形態が説明される。本発明の上記及びその他の特徴、態様及び利点は、以下の説明、添付される特許請求の範囲及び添付図面を参照することにより、一層よく理解されるであろう。本明細書は、本発明を特定的に指し示し、明示的に特許請求する、特許請求の範囲で完結するが、本発明は添付図面とともになされる以下の説明によって一層よく理解されるであろう。本発明の特徴及び利点を、特定の実施形態を時折参照して、ここで説明する。しかし、本発明は異なる態様で具現化することができ、本明細書に述べられる実施形態に限定されると解されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が綿密で完璧であろうように、また当業者に本発明の範囲を完全に伝達するであろうように、提供される。本明細書で用いられるように、デバイスまたはデバイス層に関する用語III族元素窒化物ベースはデバイスまたはデバイス層がIII族元素窒化物の基板上に作製されることを意味する。III族元素窒化物には、二元窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム及び窒化インジウムガリウムのような三元合金及び窒化アルミニウムインジウムガリウムのような四元合金があるが、これらには限定されない。様々なIII族元素窒化物を表す化学式における括弧は選択的に含められる元素を表し、括弧の外側の元素は与えられた合金内に必要であると見なされるべきである。例えば、表記InGaNは、アルミニウム、さらに詳しくはAlNが,選択的に含められる、InGaNを含む合金に対応する。したがって、表記InGaNは‘InGaNまたはAlInGaN’と等価である。同様に、表記GaNは、AlNとしてアルミニウム及びInNとしてインジウムのいずれもが合金要素として選択的に用いられる、GaNを含む合金に対応する。したがって、‘GaN’は‘GaN,AlGaN,InGaNまたはAlInGaN’と等価である。組成または化学量論に関して別に条件を付けずに用いられる場合には、AlGaNまたはAlInGaNのような化学式は、化学式がそれぞれ、0<x<1及び0<y<1であり、さらにxy<1であるとして、AlxGa1-xNまたはAlxInyGa1-x-yNの形で書かれているかのように、有効組成範囲の全体を包含すると理解されるべきである。同様に、InGaNは、0≦x<1及び0<y<1で、xy<1であるとして、AlxInyGa1-x-yNと等価であると理解されるべきである。化学式GaNは、0≦x<1及び0≦y<1で、xy<1であるとして、AlxInyGa1-x-yNと等価であると理解されるべきである。これらの組成範囲から明らかであろうように、選択的に用いられる元素に対応する添字に与えられる値はそれぞれ可能性としてゼロを含むが、必要な元素に対する値が可能性としてゼロを含むことはない。汎化学式例えば、AlGaNまたはGaNまたは範囲化学式例えば、AlxGa1-xNまたはAlxInyGa1-x-yNにしたがって説明されるいずれの与えられた層も、汎化学式または範囲化学式にしたがう特定の、また基本的に一様な、組成を有するバルク層、汎化学式または範囲化学式にしたがう平均組成を有する超格子、汎化学式または範囲化学式にしたがう平均組成を有する周期構造、または汎化学式または範囲化学式にしたがう平均組成を有する複数の領域を含む組成分布構造とすることができる。特にIII族元素のアルミニウム、インジウム及びガリウムに関し、III族元素窒化物の化学式に含まれないいずれのIII族元素も、化学式で表されるIII族元素窒化物に自然不純物レベルより高レベルでは存在しないと見なされる。例えば、‘AlGaN’はAlNとGaNの合金として表され得ると一般に理解されるが、GaNの層のような用語の叙述はx=0及びy=0とした、AlxInyGa1-x-yNの層と等価であると解されるべきである。いずれの層の組成に関しても、アルミニウム濃度、インジウム濃度、等のような用語は、層内のそれぞれの元素の平均濃度を指し、窒素原子数に対するIII族元素の総原子数の比を1:1として、III族元素だけに関する濃度を指す。別途に言明されない限り、層内の特定のIII族元素の濃度は、×100と理解されるべきである、モルで与えられる。デバイス内の層の機能に影響を与えずに、非化学量論のような組成変動が層内でおこり得ることは理解されるであろう。上述の定義とは矛盾せずに、GaN層が10のアルミニウム濃度を有するのような言明は、0≦y<09とする、Al01InyGa09-yNのような層に対する経験的分子式の叙述と等価である。別の態様で表せば、AlGaN層が10のアルミニウム濃度を有するは10モルのAlNと90モルのGaNからなるAlGaN合金層を表す。そのような経験的分子式の叙述が平均組成を表すこと及び化学式に挙げられる材料に内在する組成変動を包含することも理解されるであろう。そうではないことが明白に言明されている場合を除き、窒化物合金のそれぞれは、例えばマグネシウムIII族元素窒化物半導体に対するp型ドーパントまたはシリコンIII族元素窒化物半導体に対するn型ドーパントのような、1つ以上のドーパントをドープすることができる。そのような1つ以上のドーパントが様々な合金についての化学式に見られることはないが、例えば、与えられた合金がnドープまたはpドープされていると叙述することによるように、個別に叙述される。アンドープ、nドープ、pドープ、またはこれらの内の2つのいずれかの組合せとして明確に叙述されていない限り、それぞれの窒化物合金は、アンドープ、nドープまたはpドープであり得る。図1Aを参照すれば、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1は、n側クラッド層20,n側導波路層60,活性領域40,p側導波路層70,及びp側クラッド層30を有する。活性領域40は、n側クラッド層20とp側クラッド層30の間に挟み込まれ、n側クラッド層20及びp側クラッド層30に実質的に平行に拡がる。n側導波路層60は活性領域40とn側クラッド層20の間に挟み込まれる。p側導波路層70は活性領域40とp側クラッド層30の間に挟み込まれる。n側クラッド層20はnドープGaNの層である。例示実施形態において、GaNの層はAlxInyGa1-x-yNであり、ここで0≦x<02及び0≦y<03である。n側クラッド層20はいかなる厚さとすることもでき、十分な導電度を与えるに適するいかなるドナー濃度も有することができる。一般に、n側クラッド層20の厚さは05μmから約2μmとすることができる。n側クラッド層20のキャリア濃度は一般に、例えば、シリコンのようなn型ドーパントの1017cm-3~1019cm-3の範囲にある。しかし一般にn型ドーパントは光損失源ではないから、キャリア濃度は、十分な導電度を保証するだけで、厳密に最適化されることはない。いくつかの実施形態においては、n側クラッド層20はnドープGaNの層であることが好ましいであろう。いくつかの実施形態においては、GaNがAlGaN,InGaNまたはAlInGaNより有利であろうと考えられる。例えば、GaNは二元合金であるから、層に組成変動が導入され難いであろうし、また、一般に三元または四元の合金より熱伝導度が高いであろう。二元合金のこれらの性質は一般に、三元または四元の合金と比較して、光損失を低減し得る。n側導波路層60はnドープInGaNの層である。例示の実施形態において、InGaNの層はAlxInyGa1-x-yNであり、ここで0≦x<02及び0<y<03である。いくつかの実施形態において、n側導波路層はnドープInGaNの層であることが好ましいであろう。n側導波路層は、300nm未満、200nm未満、120nm未満、または1nmから120nmの、n側導波路層厚を有する。好ましい実施形態において、n側導波路層厚は、125nmから300nm、125nmから200nm、125nmから150nmまたは50nmから120nmである。n側導波路層60のキャリア濃度は一般に、例えば、シリコンのようなn型ドーパントの1017cm-3~1019cm-3の範囲にある。活性領域40は光子の電気ポンピング誘導放出を生じる1つ以上のInGaN量子井戸を有する。活性領域40は、一般に510nmから580nmの波長を有する光として定義される可視電磁スペクトルの緑色領域にあるレーザ発振波長における光利得も生じる。それぞれのInGaN量子井戸は2つのAlInGaN量子井戸障壁の間に挟み込むことができる。活性領域40の層構造が図1Bに一層詳細に示される。図1Bにおいて活性領域40は、量子井戸層の必要に応じる反復を示すため、分解組立図として示される。活性領域40の全ての層は連続複層として相互に積み重ねられるが、連続複層が、図1Bに示される層の間に挟み込まれる、図1Bには示されていない追加層を有し得ることは理解されるであろう。追加層には、例えば、活性領域40の性能を最適化するために存在し得るが活性領域40が機能するには必要ではない、スペーサを含めることができる。一般に、量子井戸50Aは第1の量子井戸障壁55Aと第2の量子井戸障壁55Bの間に挟み込まれる。それぞれの量子井戸50A,50Bは、厚さが一般に約1nmから約20nmであり、図示されるように単層とするかまたは複層図示せずとすることができる。それぞれの量子井戸50A,50Bは1つないしそれより多くのInGaNの層とすることができる。量子井戸50A,50BのInGaNは、例えば20から40の、インジウム濃度を有することができる。同様に、量子井戸障壁55A,55B,55Cは個々に、図示されるように単層とするかまたは複層図示せずとすることができる。量子井戸障壁55A,55B,55Cはそれぞれ、例えば、AlInGaNの層とすることができ、約1nmから約50nmの厚さを有することができる。特定の組成の例として、量子井戸障壁55A,55B,55CのAlInGaNは、約0から約20のインジウム濃度及び約0から約20のアルミニウム濃度を有することができる。活性領域40は1つの量子井戸を有することができ、あるいは複数の量子井戸を有することができる。図1Bには、反復ユニット57が追加量子井戸50B及び追加量子井戸障壁層55Cとして、反復ユニット57が第2の量子井戸障壁55Bの上のように、既存の量子井戸障壁の上に積み重ねられ、第1の量子井戸の上部障壁層本図では第2の量子井戸障壁55Bが追加量子井戸50Bの下部障壁層にもなるように、示される。活性領域40はn個の反復ユニットを有し、ここでnは単井戸活性領域においてはゼロとすることができ、あるいは複井戸活性領域においては、1から20,1から10,1から5または1から3の、整数とすることができる。図1A及び1Bを参照すれば、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1はさらに、正孔遮断層80または電子遮断層90を、あるいはこれらのいずれも、有することができる。存在する場合に、正孔遮断層80は、活性領域40とn側導波路層60の間に挟み込むことができ、約10nmから約20nmの厚さを有し得る。存在する場合に、電子遮断層90は活性領域40とp側導波路層70の間に挟み込むことができる。図示されない別の実施形態において、電子遮断層はp側導波路層とp側クラッド層の間に挟み込むことができる。存在する場合、電子遮断層90は、AlGaN層、AlInGaN層、またはAlGaN層とAlInGaN層の複合層とすることができて、電子遮断層90は約5nmから約50nmの厚さを有する。電子遮断層90は、電子遮断層90が隣接する層より広いバンドギャップを有することが好ましく、少なくとも1018cm-3の、または1018cm-3から1021cm-3の、アクセプタ濃度まで重ドープされることが好ましい。電子遮断層90内のアクセプタ種は、例えばマグネシウムとすることができる。理論に束縛されるつもりはなく、隣接層よりバンドギャップが広い極薄電子遮断層の選択により、電子遮断層90の重ドープによって生じる内部光損失の増加が防止されると考えられる。これは正孔、特にポテンシャルの揺らぎまたはアクセプタレベルに局在化された正孔の、電子遮断層90から抜け出し、隣接層内で散逸することができる能力の結果であり得る。さらに、電子遮断層90内のイオン化したアクセプタは、正孔輸送を促進し、電子輸送を抑制する、電場を与えることができる。したがって、電子遮断層90を重ドープすれば、内部光損失の増大を付随させずに、電子遮断層90の効率を高めることができ、正孔放出効率を高めることができ、デバイスの直列抵抗を低めることができると考えられる。p側導波路層70はpドープInGaNの層である。いくつかの実施形態において、p側導波路層70はpドープInGaNの層であることが好ましいであろう。例示実施形態において、p側導波路層70は、xが004から015,006から011,好ましくは約010の、InxGa1-xNの層とすることができる。p側導波路層70はn側導波路層60と同じかほぼ同じ例えば、±003モル内のインジウム濃度を有することが好ましいであろう。p側導波路層70とn側導波路層60の組成類似により、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1内の歪緩和を最適化することができる。例えば、導波路層とそれぞれのクラッド層の間のミスフィット欠陥の形成によって歪緩和が達成される場合、材料品質の劣化に煩わされずに最適光閉込めを達成するには、導波路層が約6から約11、さらに詳しくは約7から約9の、インジウム濃度を有することが好ましいであろう。他方で、導波路層及びクラッド層が歪緩和を意図して形成されていなければ、約3から約6のような、さらに低いインジウム濃度が望ましいであろう。p側導波路層70は、3×1017cm-3未満、1×1015cm-3から3×1017cm-3、好ましくは1×1016cm-3から3×1017cm-3のp側導波路層アクセプタ濃度を有することができる。一般に、p側導波路層アクセプタ濃度は、光モードがp側導波路層70に重なる場合の光内部光損失を避けるに十分に低くすべきである。しかし、p側導波路層アクセプタ濃度は、おこり得るドーピング保証に打ち勝ち、よって高直列抵抗を、さらにはサイリスタ挙動を防止するに十分に高くすべきである。別の実施形態において、p側導波路層70はn側導波路層60より低いインジウム濃度を有することができる。そのような実施形態において、p側導波路層70は約0から約9または約0から約7のインジウム濃度を有することができ、n側導波路層60は約3から約11または約3から約9のインジウム濃度を有することができる。p側導波路層70のインジウム濃度はn側導波路層60のインジウム濃度より低いことが好ましい。導波路層のインジウム濃度がモルで表されている場合、高い方のn側導波路層60のインジウム濃度から低いほうのp側導波路層70のインジウム濃度を差し引くと、2以上のインジウム濃度差が得られることが好ましい。p側導波路層70がn側導波路層60より低いインジウム濃度を有する場合に、p側導波路層厚及びn側導波路層厚はほぼ等しくすることができるが、n側導波路層厚がp側導波路層厚より大きいことが好ましいであろう。特定の例として、n側導波路層厚は125nmから300nmとすることができ、p側導波路層厚は100nm未満とすることができる。一般に、p側導波路層70は、100nm未満、50nm未満、40nm未満、1nmから50nmまたは20nmから50nmの、p側導波路層厚を有することができる。好ましい実施形態において、p側導波路層厚はn側導波路層厚より小さい。例えば、p側導波路層厚は、1nmからn側導波路層厚の約10まで、1nmからn側導波路層厚の約20まで、1nmからn側導波路層厚の約25まで、1nmからn側導波路層厚の約30まで、1nmからn側導波路層厚の約35まで、1nmからn側導波路層厚の約40まで、1nmからn側導波路層厚の約45まで、1nmからn側導波路層厚の約50まで、1nmからn側導波路層厚の約60まで、1nmからn側導波路層厚の約75まで、とすることができる。特に好ましい実施形態において、n側導波路層厚とp側導波路層厚の和すなわち、総導波路厚は約150nmから約200nmである。p側導波路層厚とn側導波路層厚の間の関係を、特に以下で一層詳細に説明されるドーピングプロファイルとともに、選択することは、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1の内部光損失の有益な低減に大きく寄与すると考えられる。例えば、光モードは活性領域40からの距離に対して指数関数的に減衰するから、p側クラッド層30の重pドープ領域から離れる光モードの若干のシフトは光モードの重pドープ領域との重なりの指数関数的減少を生じ得る。シフトされた光モードの活性領域40との重なりは、光モードがこの態様でシフトされていないときに一般に存在するであろうより若干小さいであろうが、シフトされた光モードの重pドープ材料との重なりの指数関数的減少は総合光損失をかなり低減し得ると考えられる。最適総導波路厚は最小光モード拡張を得ることによって光閉込めを最大化する。総導波路厚が最適総導波路厚より大きいと、光モードがレーザダイオードの一層広い導波路領域を占めるから、レーザダイオードの光モード広がりの程度は一層大きくなる。しかしまた、総導波路厚が最適総導波路厚より小さいときも、導波路層とクラッド層の間の減じられた総合屈折率コントラストが一層弱い光閉込めを与えるから、レーザダイオードの光モード広がりの程度は一層大きくなる。p型材料重なりによる光損失は、p側導波路層厚を減じ、n側導波路層厚を大きくすることによって、与えられた総導波路厚に対して軽減することができる。p側導波路層厚が、特にn側導波路層厚に対して、減じられると、光モードはp型材料よりn型材料を大きく占める。光モードのp型材料との重なりの減少は、続いて、光損失を低減する。この光損失の有益な低減は、n側導波路層厚を最適レベルより大きくすることで生じ得る光閉込め係数のいかなる不利益な減少よりも顕著である。限定の目的ではなく説明のための例として、上述した実施形態のいずれかにしたがって第1のレーザダイオード及び第2のレーザダイオードを作製することができ、いずれのレーザダイオードも160nmの総導波路厚を有するように作製される。第1のレーザダイオードは120nmのn側導波路層厚及び40nmのp側導波路層厚を有することができる。第2のレーザダイオードは130nmのn側導波路層厚及び30nmのp側導波路層厚を有することができる。理論的に、第2のレーザダイオードの光閉込め係数は第1のレーザダイオードが有するであろう光閉込め係数より小さいであろう。そうであっても、第1のレーザダイオードの場合より少ない第2のレーザダイオードにおけるp型材料との光モード重なりを有することによる光損失の低減は、第1のレーザダイオードと第2のレーザダイオードの間での光閉込め係数の減少より大きいであろう。そうであれば、第2のレーザダイオードは第1のレーザダイオードより高い電力変換効率を有すると期待されるであろう。したがって、与えられた総導波路厚に対し、内部損失に対するモード利得の比はn側導波路層厚の増加にともなって高くなると考えられる。p側クラッド層30はpドープGaNの層である。例示実施形態において、GaNの層はAlxInyGa1-x-yNであり、ここで0≦x<02及び0≦y<03である。p側クラッド層30は第1厚さ領域35及び第2厚さ領域37からなる。第1厚さ領域35は第2厚さ領域37とp側クラッド層30のp側導波路層70との界面の間に挟み込まれる。p側クラッド層30の第1厚さ領域35は200nm以下、詳しくは1nmから200nm、好ましくは20nmから200nmの第1領域厚さxを有する。p側クラッド層の総厚は一般に、例えば、約05μmから約15μmである。p側クラッド層の総厚の上限は厳密ではないが、厚すぎるp側クラッド層は望ましくないデバイス導電度の低下をもたらし得る。一実施形態において、第1厚さ領域35が3×1017cm-3未満の第1領域アクセプタ濃度を有し、第2厚さ領域37が3×1017cm-3より高い第2領域アクセプタ濃度を有するような、分布ドーピングプロファイルをもつp側クラッド層30が作製される。第1領域アクセプタ濃度は、幾分かはp側クラッド層30内のアクセプタへの光モードの暴露を減じるために、第2領域アクセプタ濃度より低い。III族元素窒化物ベースレーザダイオード1の通常の動作条件の下で、光モードはp側クラッド層30内に若干広がると考えられ得る。アクセプタへの光モードの暴露は一般に光損失をもたらす。光モードは一般にはp側クラッド層30の全体にわたって有意に広がることはないから、p側クラッド層30全体についてアクセプタ濃度を減じる必要はない。p側クラッド層30の分布ドーピングプロファイルは、第1厚さ領域35と第2厚さ領域37の間に明確な界面を定めるようなアクセプタ濃度の急激な変化の結果生じ得るが、その必要はない。例えば、アクセプタ濃度が3×1017cm-3に達するかまたはこれをこえると、第1厚さ領域35が終わり、第2厚さ領域37が始まるように、p側クラッド層の下面から上面まで全厚にかけて徐々にアクセプタ濃度を高めることができる。第2厚さ領域37は第1厚さ領域との境界において約3×1017cm-3のアクセプタ濃度を有し得るが分布配ドーピングプロファイルは第2厚さ領域37の厚さにかけて高くなり続けることができる。第2厚さ領域37の各部分領域は、1×1018cm-3をこえるか、1×1019cm-3をこえるか、または約3×1017cm-3から約1×1020cm-3までの、アクセプタ濃度を有することができる。p側導波路層70及びp側クラッド層30のp型ドーピングプロファイルに関しては一般に、光損失は価電子帯ポテンシャル揺らぎ内またはアクセプタにトラップされた局在正孔の優勢に帰因させ得ると考えられる。活性化正孔は層の導電度に寄与するが、局在正孔は寄与しない。したがって、局在正孔が存在するようであれば、導電度の低下を補償するため、層はさらに重ドープされなければならない。局在正孔の優勢は、約170meV以下の活性化エネルギーを有するドーパント種を選ぶことによるか、あるいはマグネシウムのような与えられたドーパント種が約170meV以下の活性化エネルギーを有する材料をデバイス層に選ぶことによって軽減され得る。この態様における活性化エネルギーの選択は、光損失を一定レベルに維持しながら、導電度を高めることができる。全ての点において、光モードのpドープ材料との重なりはアクセプタ濃度が高くなるにつれて光損失を高めることがわかっているから、pドープ層におけるp型ドーピングプロファイルは、p側導波路層70及びp側クラッド層30の第1厚さ領域35において、光モードが最も強い活性領域の近傍におけるアクセプタ濃度が最小限に維持されることが好ましい。上述したGaNベースレーザダイオードのいくつかの動作原理を説明するため、一例のGaNベースレーザダイオードの誘導光モード強度が図2にグラフとして与えられる。図2において、光モード曲線100は深さ座標d単位:nmに対する規格化光モード密度ββ0をプロットしている。ここで、0nmはレーザダイオードの上面に対応し、β0は深さプロファイル全体における最大光モード密度である。屈折率線150は同じ深さ座標dに対する相対屈折率RIをプロットしている。垂直破線はGaNベースレーザダイオードの機能層の深さ位置を示す。英文字A~Fはそれぞれ機能層に対応する深さプロファイル領域を示す。Aはp側クラッド層の重ドープ第2厚さ領域であり、Bはp側クラッド層の軽ドープ第1厚さ領域であり、Cはp側導波路層であり、Dは活性領域であり、Eはn側導波路層であり、Fはn側クラッド層である。いずれの導波路層C及びEもクラッド層A,B及びFより高い屈折率を有する。活性領域Dは高屈折率を有する。n側導波路層Eはp側導波路層Cより厚く、したがって、光モード曲線100のピーク120の中心はn側導波路層E上にある。p側クラッド層の第1厚さ領域Bとp側クラッド層の第2厚さ領域Aの間の境界は約475nmの深さにある。この境界の位置において、光モード強度はピーク120における光モード強度の、第1厚さ領域Bとp側導波路層Cの間の境界における40を若干こえる強度と比較して、約10である。第1厚さ領域Bは軽ドープ領域であるから、光モードの第1厚さ領域B内にある部分はp側クラッド層内のアクセプタとの重なりによる光損失を受け難い。図1Aに戻って参照すれば、いくつかの実施形態において、p側クラッド層30はpドープGaNの層であることが好ましく、また、必要に応じて、n側クラッド層20はnドープGaNの層であることが好ましい。理論に束縛されるつもりはなく、AlGaNに対して低いGaN材料の光吸収係数が、光閉込め係数も減じられ得るとしても、出力光損失を低減すると考えられる。例えば、クラッド層がGaNのレーザダイオードは、クラッド層が、AlGaNのレーザダイオードの光閉込め係数の67でしかない、低い光閉込め係数を有し得るが、同じGaNクラッド層により、光損失が、クラッド層がAlGaNのレーザダイオードが示す光損失の50の、レーザダイオードを得ることができる。そのようなデバイスにおいては、光損失の減少が光閉込め係数の低下を上回るから、GaNクラッド層により、AlGaNクラッド層に優る高められた電力変換効率を得ることができる。さらに、pドープGaNはAlGaNより低いマグネシウムアクセプタ活性化エネルギーを有する。p側クラッド層30における低められたアクセプタ活性化エネルギーは、活性化エネルギーが低められるとあらかじめ定められた導電度を得るに必要なアクセプタ濃度も低められるから、光損失を減じ得ると考えられる。別の実施形態において、p側クラッド層30はアルミニウムの組成勾配を有するGaNの層である。組成分布において、p側クラッド層30内のアルミニウム濃度は、活性領域からの距離が大きくなるにつれて高められ得る。組成分布はp側クラッド層30内に2つ以上の領域を定めることができる。例えば、0から5のアルミニウム濃度は、p側クラッド層30の活性領域40に最も近い第1の領域を定めることができる。第1の領域はp側導波路層70との界面から延び、p側導波路層70の上の、約20nmから約200nmのp側クラッド層30の第1の厚さを含むことができる。20までの、すなわち5から20の高められたアルミニウム濃度は、第1の領域の直上の、p側クラッド層30の第2の領域を定めることができる。第1の領域及び第2の領域におけるアルミニウム濃度は一様である必要はない。アルミニウム濃度は、p側クラッド層30の厚さにわたり、p側導波路層70からの距離が大きくなるにつれて高くなることが好ましい。第1の領域と第2の領域の総厚は約200nmから約500nmとすることができる。第2の領域の直上の、p側クラッド層30の第3の領域はいかなるアルミニウム濃度も有することができ、無アルミニウムとすることさえできる。アルミニウム組成分布の説明に関するp側クラッド層30の領域の指定は、上述したような、両者が合わせてアクセプタ濃度分布を定める、第1厚さ領域35及び第2厚さ領域37と相互に関連させることができるが、その必要はない。p側導波路層70及び活性領域40の最も近くに低レベルのアルミニウムを有するアルミニウム組成分布は、アルミニウム濃度が低い場合、例えば約5未満である場合、与えられたアクセプタ濃度に対して導電度を高めることができる、低められたアクセプタ活性化エネルギーを与えると考えられる。すなわち、存在するアクセプタの濃度を低くして、与えられた導電度を維持することができる。したがって、p側クラッド層にアルミニウム組成分布が存在すれば、ドーパントプロファイルに関して、上で定義した、第1厚さ領域35が第2厚さ領域37の第2領域アクセプタ濃度より低い第1領域アクセプタ濃度を有することが好ましい。特定の例の1つにおいて、第1領域アクセプタ濃度は3×1017cm-3から3×1018cm-3とすることができ、第2領域アクセプタ濃度は3×1018cm-3より高くすることができる。p側クラッド層30内にアルミニウム組成分布が存在すれば、p側導波路層70及びn側導波路層60のいずれもが、実質的に無アルミニウムである、InGaN層であるか、あるいはアルミニウム濃度が、5未満、1未満あるいは01未満のInGaN層であることが好ましいであろう。また別の実施形態において、GaNベースレーザダイオードは受動量子井戸構造または受動多重量子井戸構造をさらに有することができる。受動量子井戸構造はレーザ発振波長における受動量子井戸の高屈折率を助長するように構成することができる。詳しくは、受動量子井戸は、構造の吸収端波長はレーザ発振波長より短いが、レーザ発振波長と受動量子井戸吸収端の間のスペクトル間隔が小さくなるように、構成することができる。構造の吸収短波長がレーザ発振波長より短ければ、受動量子井戸はレーザ発振光を吸収しない。また別の実施形態において、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1は、n側導波路層60はインジウムを含有するが、p側導波路層70及びp側クラッド層30はインジウムを含有しないような、非対称とすることができる。例えば、n側導波路層60は、バルクInGaNで形成することができ、あるいはInGaN超格子または受動InGaN多重量子井戸構造として構成することができる。いくつかの実施形態において、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1が非対称である場合、p側導波路層70をp側クラッド層30から分離する必要はなく、したがってp側導波路層70はゼロの厚さを有すると見なすことができる。受動多重量子井戸構造は、n側導波路層60内の光閉込めを強めるため、レーザ発振波長に近い吸収端を有するように構成することができる。非対称レーザダイオードの光モードはデバイスのn側にシフトされるが、光閉込め係数が大きく減じられることはない。非対称構造は、p側導波路層としてpドープInGaN層を独立p側クラッド層とともに有する代わりにpドープGaN層がp側クラッド層30として用いられる場合は特に、p型導電度のより良い制御を与えることができる。また別の実施形態において、p側導波路層70またはn側導波路層60は、あるいはいずれも、活性領域10に隣接する富インジウム領域における導波路層のインジウム濃度がそれぞれの導波路層の残余領域におけるより高くなるような、分布インジウム濃度をそれぞれが有する、適する導電型の組成分布InGaN層とすることができる。この手法についでは、構造に歪緩和を全く有していないことが好ましいであろう。理論に束縛されるつもりはなく、インジウム濃度の関数としての屈折率の超線形依存性は、高められたインジウム濃度が導波路層の一方または両方に存在する場合、光閉込めを向上させることができる。特に、活性領域40の周りの光モード局在化を強めるためには、活性領域に隣接する導波路層の一方または両方の高インジウム領域において高められたインジウム濃度を確立することが好ましいであろう。この強められた光モード局在化の結果として、活性領域40の光閉込め係数を大きくすることができる。分布インジウム濃度を有する与えられた導波路層において、富インジウム領域は、例えば、活性領域40に隣接し、それぞれの導波路層の総厚の、約01から約75、約01から約50、約01から約25、約01から約10、約1から約25、約10から約25、または約20から約50の厚さを有する、導波路層の領域として定めることができる。導波路層が分布インジウム濃度を有する場合、一方または両方の導波路層の富インジウム領域におけるインジウム濃度は、約5から約50、約5から約40、約5から約30または約10から約30とすることができる。それぞれの導波路層の残余領域におけるインジウム濃度は、それぞれの導波路層の富インジウム領域におけるインジウム濃度が残余領域におけるインジウム濃度より高くなるように、約0から約10または約0から約5とすることができる。ぞれぞれの導波路層の富インジウム領域と残余領域の間のインジウム濃度差は少なくとも1、少なくとも2、少なくとも3、少なくとも5または少なくとも10であることが好ましい。p側導波路層70及びn側導波路層60のいずれもが分布インジウム濃度を有していれば、いずれの導波路層における富インジウム領域も、2つの導波路層の間のインジウム濃度差が±3、±2または±1であるような、あるいは±01でさえあるような、ほぼ同じインジウム濃度を有することが好ましいであろう。導波路層の一方または両方が分布インジウム濃度を有し、p側導波路層厚がn側導波路層厚より小さいことも好ましいであろう。n側導波路層厚に比較して小さいp側導波路層厚はIII族元素窒化物ベースレーザダイオード1のp側への光モード侵入を低減することができ、よって内部光損失を低減できると考えられる、これらの分布インジウム濃度の文脈において、導波路層が複数のInGaN層を含む超格子またはその他の周期構造として形成され得ることは理解されるであろう。したがって、分布インジウム濃度に関して言及されるインジウム濃度の特定の例は、それぞれの層の体積全体にわたる平均インジウム濃度として理解されるであろう。例えば、導波路層が、比較的厚いInGaN層及び比較的薄いAlInGaN層を有する、InGaNAlInGaN超格子として形成されていれば、超格子の平均インジウム濃度はAlInGaN層の平均インジウム濃度よりもInGaN層の平均インジウム濃度に近くなるであろう。同様に、超格子内のInGaN層及びAlInGaN層がともに同じ厚さを有していれば、InGaN層の平均インジウム濃度はAlInGaN層の平均インジウム濃度よりも高いとしても、超格子の平均インジウム濃度は、InGaN層の総体的インジウム濃度とAlInGaN層の総体的インジウム濃度の平均になるであろう。一般に、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1は、活性領域、導波路層及びクラッド層が多層レーザダイオードを形成するように、基板10上に形成することができる。そのような多層ダイオードにおいて、導波路層は活性領域において発生された誘導放出光子を導き、クラッド層は導波路層を通る放出光子の伝搬を促進する。基板10はn型導電度またはp型導電度を有することができる。基板10と同じ導電型を有するクラッド層が、基板10とは逆の導電型を有するクラッド層よりも基板の近くに配される。本明細書に説明される実施形態においては、基板10がn型半導体材料であり、n側クラッド層20がn側導波路層60と基板10の間に挟み込まれて、p側クラッド層30がn側クラッド層20の上方に配置されることが好ましい。基板10として適する材料の例には、GaN,AlN,InN,AlGaN,GaInNまたはAlInGaNのような自立III族元素窒化物材料があるが、これらには限定されない。好ましい実施形態において、基板は自立GaNとすることができる。特に好ましい実施形態において、基板は、例えば、2021,2023,2023,3031または3031から選ばれる方位のような、半極性方位を有する自立GaNとすることができる。n型基板が好ましいが、図示されない実施形態においては、p側クラッド層30がp側導波路層70と基板10の間に挟み込まれるであろうように、またn側クラッド層20がp側クラッド層30の上方に配置されるであろうように、p型基板が用いられ得ることが、十分に考えられる。III族元素窒化物ベースレーザダイオード1は図1Aに示される層のいずれの2つの間にも追加層またはスペーサをさらに有することができる。非限定的例として、p側導波路層70とp側クラッド層30の間、またはn側導波路層60とn側クラッド層20の間に、1つ以上のGaNスペーサ図示せずを挟み込むことができる。III族元素窒化物ベースレーザダイオード1は、n側クラッド層20に電子を導入するように構成された電源図示せずによりn側クラッド層20とp側クラッド層30の間に電気導通状態を確立するために、コンタクト層図示せず及び/または相互接続図示せずをさらに有することができる。例えば、基板10のn側クラッド層20とは逆の側になる裏面上に第1のコンタクト層を形成することができ、p側クラッド層30上に第2のコンタクト層を形成することができる。あるいは、第1のコンタクト層は基板のn側クラッド層20で覆われていない領域上に形成することができる。III族元素窒化物ベースレーザダイオード1の各層は、例えば技術上既知であるかまたは開発されるはずのいずれかの成長手法により、順次に成長させることができる。非限定的例として、有機金属化学的気相成長MOCVD、有機金属気相エピタキシーMOVPE、等のような手法を用いることができる。有機金属成長プロセスは、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウム及びその他の技術上既知の化合物のような前駆体を含むことができる。各層は短周期の超格子とすることができる。上述の各層及び必要に応じて用いられるスペーサを考慮した、III族元素窒化物ベースレーザダイオード1の総厚は一般に約1μmから約4μmの範囲になり得る。上述した実施形態のいずれかにしたがう緑色発光III族元素窒化物ベースレーザダイオードは、レーザダイオードがAlGaNクラッド層を有する場合に、8cm-1より低いレベルの光損失を有し得る。GaNクラッド層を有するレーザダイオードについては、5cm-1より低いレベルの光損失を得ることができる。特定の特性を具現化するように、または特定の態様で機能するように、構成されている本開示のコンポーネントの本明細書における叙述は、目的用途の叙述に対するものとしての、構造叙述であることに注意されたい。さらに詳しくは、コンポーネントが構成される態様への本明細書における言及はコンポーネントの既存の物理的状態を表し、したがってコンポーネントの構造の特徴の限定的叙述ととられるべきである。簡便さのためだけに、本明細書においてデバイス層は上及び下のような用語によって参照される。実施形態のどの1つの範囲内においても、これらの用語は、基板がデバイスの最下部として見なされる構造に関して、デバイス層の順序を表すために用いられる。このこと以外に、用語上及び下に動作中または作成中のデバイスのいずれの好ましい方位も示す意図はない。したがって、用語上方には構造の上側に向かうことを意味し、用語下方には構造の下側に向かうことを意味する。添付される特許請求項の1つ以上が~を特徴とするを転換句として用いていることに注意されたい。本発明を定める目的のために、この用語は構造の一連の特徴の叙述を導入するために用いられる制約の無い転換句として特許請求項に導入されており、より普通に用いられる制約の無い前置句含むと同様の態様で解されるべきであることに注意されたい。別途に定められない限り、本明細書に用いられる全ての技術用語及び科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって普通に理解される意味と同じ意味を有する。本明細書において説明に用いられる術語は、特定の実施形態を説明するだけのためであり、限定は目的とされていない。本明細書及び添付される特許請求の範囲に用いられるように、単数形の冠詞‘a’,‘an’及び‘the’は、そうではないことが文脈に明白に示されていない限り、複数形も含む。本明細書及び特許請求の範囲に用いられる、成分、分子量のような特性、反応及び条件等の量を表す全ての数値は、別途に示されていない限り、全ての場合に、先行詞約で修飾されていると理解されるべきである。したがって、そうではないことが示されていない限り、本明細書及び特許請求の範囲に述べられる数値は、本発明の実施形態を得るために求められる所望の特性に依存して変わり得る近似値である。本発明の広い範囲を述べている数値範囲及びパラメータは近似値であるとしても、特定の例に述べられる数値は可能な限り精確に報告される。当業者であれば、いかなる数値もその値を確定するために用いられる測定法に帰因し得るいくらかの誤差を本質的に含むことを理解するであろう。"