超薄膜を熱的に処理するための方法であって、超薄膜の上部に2つの吸収トレースをパターン化するステップであって、前記薄膜は、基板の上部に位置する、ステップと、少なくとも1つの電磁パルスで前記2つの吸収トレースを照射し、前記2つの吸収トレースを加熱するステップと、前記2つの吸収トレースからの熱によって、前記超薄膜を熱的に処理するステップと、を備える、方法。前記基板は、450°C未満の最大作業温度を有する、請求項1に記載の装置。前記2つの吸収トレースは、前記超薄膜よりも前記電磁パルスに吸収性である材料から作製される、請求項1に記載の方法。前記2つの吸収トレースは、金属から作製される、請求項1に記載の装置。前記2つの吸収トレースは、セラミックから作製される、請求項1に記載の方法。前記超薄膜と前記基板との間に、熱拡散層を提供するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記電磁パルスは、閃光灯から提供される、請求項1に記載の方法。前記電磁パルスは、指向性プラズマアークから提供される、請求項1に記載の方法。薄膜トランジスタを加工するための方法であって、超薄膜に隣接する2つの吸収トレースをパターン化するステップであって、前記薄膜は、基板の上部に位置する、ステップと、少なくとも1つの電磁パルスで前記2つの吸収トレースを照射し、前記2つの吸収トレースを加熱し、前記2つの吸収トレースからの熱によって、前記超薄膜を熱的に処理するステップと、前記2つの吸収トレースおよび前記超薄膜上に誘電層を蒸着させるステップと、前記誘電層の上部に伝導性トレースを蒸着させることによって、ゲートを形成するステップと、を備える、方法。前記基板は、450°C未満の最大作業温度を有する、請求項9に記載の方法。、前記2つの吸収トレースは、前記超薄膜よりも前記電磁パルスに吸収性である材料から作製される、請求項9に記載の方法。前記2つの吸収トレースは、金属から作製される、請求項9に記載の方法。前記2つの吸収トレースは、セラミックから作製される、請求項9に記載の方法。前記超薄膜と前記基板との間に、熱拡散層を提供するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記熱拡散層と前記基板との間に、高温低熱伝導性膜を提供するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。前記電磁パルスは、閃光灯から提供される、請求項9に記載の方法。前記電磁パルスは、指向性プラズマアークから提供される、請求項9に記載の方法。発明の要旨本発明の好ましい実施形態によると、離間した2つの吸収トレースが、基板の上部に位置する薄膜と接触される。パルス放射が、2つの吸収トレースを加熱するために利用され、2つの吸収トレースからの熱が、続いて、薄膜の平面において、2つの吸収トレース間の薄膜へと伝導され、薄膜を熱的に処理する。前述のプロセスは、薄膜トランジスタTFTを加工するために使用されてもよい。例えば、金属またはセラミックから成り得る、2つの吸収トレースは、TFTのソースおよびドレインを形成するために使用することができ、半導体薄膜は、TFTの活性チャネルを形成するために使用することができる。本発明のすべての特徴および利点は、以下に詳述される説明において、明白となるであろう。本発明自体、ならびにその好ましい使用形態、さらなる目的、および利点は、付随の図面と併せて熟読されることによって、例証的実施形態の以下の発明を実施するための形態を参照することによって、最も理解されるであろう。好ましい実施形態の詳細な説明パルス放射熱処理技法を使用して、基板上の薄膜を熱的に処理する時、閃光灯、指向性プラズマアークDPA;directedplasmaarc、レーザ、マイクロ波、誘導加熱器、または電子ビームから放出されるパルス放射は、その基板にわたって、薄膜を選択的に加熱する能力を有する。加えて、基板の熱容量は、薄膜のものより遥かに大きく、加熱時間は、基板の熱平衡時間より遥かに短いため、基板は、熱処理直後に薄膜を急速冷却するために、放熱板としての役割を果たすことができる。パルス放射熱処理は、その基板が、通常、熱平衡時に耐えることができるものより遥かに高い温度まで薄膜を加熱可能にするが、そのような熱処理技法は、概して、薄膜を加熱するために使用される放射を吸収する薄膜の能力に依存する。したがって、薄膜が、非常に薄いおよび/または幾分透明である時、超薄膜は、典型的には、最小放射を吸収するため、パルス放射熱処理技法によって、超薄膜を直接熱的に処理することは、非常に困難である。その結果、改良された方法が、超薄膜を熱的に処理するために要求される。次に、図面、特に、図1a-1bを参照すると、本発明の一実施形態による、超薄膜上にパルス放射熱処理を提供するための方法が、描写される。最初に、超薄膜12が、周知の真空技法を介して、基板14上に蒸着される。超薄膜12はまた、基板14上にコーティングまたは印刷されてもよい。超薄膜12は、高密度膜または微粒子膜であることができる。超薄膜12の厚さは、好ましくは、10ミクロン未満である。次に、吸収トレース11が、超薄膜12上部に蒸着され、図1aに示されるように、薄膜積層10を形成する。吸収トレース11は、好ましくは、超薄膜12よりパルス放射の吸収性がある、材料から作製される。吸収トレース11の実施例として、金属またはセラミックが挙げられる。薄膜積層10が、光源15によって、過渡的にすなわち、パルス放射を介して照射されると、吸収トレース11は、超薄膜12の前に、選択的に加熱される。光源15は、閃光灯、指向性プラズマアークDPA、レーザ、マイクロ波発生器、誘導加熱器、または電子ビームであることができる。その結果、吸収トレース11の真下およびそれに隣接して位置する、超薄膜12および基板14内の面積陰影面積は、図1bに示されるように、加熱された吸収トレース11によって熱的に処理される。熱的に処理さされる超薄膜12内の距離d1は、数十ミクロンであり得る。次に、図2a-2bを参照すると、本発明の別の実施形態による、超薄膜上にパルス放射熱処理を提供するための方法が、例証される。最初に、超薄膜23が、周知の真空技法を介して、基板24上に蒸着される。超薄膜23はまた、基板24上にコーティングまたは印刷することができる。超薄膜23は、高密度膜または微粒子膜であることができる。超薄膜23の厚さは、好ましくは、10ミクロン未満である。次に、吸収トレース21、22が、超薄膜23上に蒸着され、図2aに示されるように、薄膜積層20を形成する。図1aにおける吸収トレース11と同様に、吸収トレース21、22は、好ましくは、超薄膜23よりパルス放射の吸収性がある材料から作製される。吸収トレース21、22の実施例として、金属またはセラミックが挙げられる。吸収トレース21、22は、超薄膜23の上部に形成されるように示されるが、吸収トレース21、22は、代わりに、超薄膜23の真下に形成することができる。光源25からのパルス放射への暴露に応じて、吸収トレース21、22は、超薄膜23にわたって、選択的に加熱される。吸収トレース21、22からの熱は、次いで、図2bに示されるように、吸収トレース21、22の真下および/またはそれに隣接する超薄膜23の面積に伝導される。図2bでは、吸収トレース21、22間に位置する超薄膜23内の面積d2が、熱的に処理されることになる。吸収トレース21と22との間すなわち、面積d2で熱的に処理することができる間隙距離は、概して、2つの吸収トレース21、22によって伝導される熱の重複がああるため、図1bからのd1より大きく、好ましくは、100ミクロン未満である。さらに、吸収トレース21と22との間に位置する超薄膜23内の面積は、2つの吸収トレース21、22から伝導される熱の重複によって、熱的に処理されるため、超薄膜23は、1つのみの吸収トレース図1bにおけるようにに隣接する薄膜の面積より均位置に処理される傾向となる。図1a-1bにおける基板14および図2a-2bにおける基板24は、好ましくは、高温基板である。しかしながら、超薄膜の熱処理はまた、吸収トレースの適用前または後に、熱拡散膜を適用することによって、低温基板すなわち、150°C以下の最大作業温度上で行なうことができる。熱拡散膜の熱伝導性は、低温基板のものより高いため、熱は、吸収トレースが加熱された後、低温基板の代わりに、超薄膜および熱拡散膜の平面において、選択的に伝導される。熱拡散膜はまた、低温基板を保護するための熱遮蔽層としても作用する。加えて、超薄膜の平面における熱の選択的伝導は、吸収トレースを相互に載置することができる距離を増加させる。その結果、より低いエネルギー光パルスを使用して、超薄膜を処理することができ、したがって、プロセスは、低温基板により影響を持たなくなる。熱拡散膜は、概して、超薄膜より厚く、概して、吸収トレースを加熱するために使用される光に対して透過性である。次に、図3a-3bを参照すると、本発明の一実施形態による、低温基板上で超薄膜を熱的に処理するための方法が、例証される。最初に、熱拡散膜35が、周知の真空技法を介して、基板34上に蒸着される。熱拡散膜35は、基板34上にコーティングまたは印刷されてもよい。超薄膜33は、次いで、周知の真空技法を介して、熱拡散膜35の上部に蒸着される。超薄膜33は、熱拡散膜35上にコーティングまたは印刷されてもよい。超薄膜33は、高密度膜または微粒子膜であることができる。超薄膜33の厚さは、好ましくは、10ミクロン未満である。次に、吸収トレース31、32が、超薄膜33上に蒸着され、図3aに示されるように、薄膜積層30を形成する。図2aにおける吸収トレース21、22同様に、吸収トレース31、32は、好ましくは、超薄膜33よりパルス放射の吸収性がある材料から作製される。吸収トレース31、32の実施例として、金属またはセラミックが挙げられる。吸収トレース31、32は、超薄膜33の上部に形成されるように示されるが、吸収トレース31、32は、超薄膜33の真下に形成することができる。熱拡散膜35は、超薄膜33の真下に形成するように示されるが、熱拡散膜35は、超薄膜33または吸収トレース31、32の上部に形成することができる。光源35からのパルス放射への暴露に応じて、吸収トレース31、32は、超薄膜33および熱拡散膜35にわたって、選択的に加熱される。吸収トレース31、32からの熱は、次いで、図3bに示されるように、吸収トレース31、32の真下および/またはそれに隣接する超薄膜33および熱拡散膜35の面積に伝導される。図3bでは、吸収トレース31、32間に位置する超薄膜33および熱拡散膜35内の面積d3が、熱的に処理されることになる。吸収トレース31と32との間で熱的に処理することができる間隙距離は、好ましくは、100ミクロン未満である。熱拡散膜35に好適な数多くの材料が存在する。PET等の低温基板に対しては、それらの材料として、高温ポリマーポリイミド等あるいはスパッタ金属酸化物またはスピンオンガラスSOG等の無機コーティングが挙げられ得る。ポリイミド等のより高温の基板に対しては、熱拡散膜35のためのより好適な材料として、スパッタ金属酸化物またはSOG等の無機コーティングが挙げられる。熱拡散膜35は、超薄膜の透過性を維持するために、幾分、透過性であって、依然として、選択的加熱を生じさせることが好ましい。熱拡散膜35の要求される厚さは、その熱特性、下層低温基板の厚さおよび熱特性、超薄膜33の所望の処理温度、吸収トレース31、32の寸法および間隔、ならびに入力放射加熱プロファイルの関数である。熱拡散膜を高温基板に適用するアプローチの1つは、最初に、高温基板より低い熱伝導性を有するポリマーコーティングを高温基板に適用後、熱拡散膜を適用するものである。本実践は、熱伝導性基板内への熱の拡散を妨害し、超薄膜を処理可能にする。ポリマーコーティングの代替は、熱処理の間、より高い温度に耐えることができるように、高温低熱伝導性無機膜を使用するものである。高温低熱伝導性無機膜を達成するための方法の1つは、SOGを使用することによって、無機膜を多孔性にし、それを多孔性粒子で装填するものである。例えば、そのような無機膜は、SOG内に装填されたシリカエアロゲルナノ粒子を使用することによって、作製することができる。結果として生じた無機膜は、ほぼPETすなわち、0.24W/m-°K程度または、それよりさらに低い熱伝導性を有すると考えられる。エアロゲル粒子は、SOGマトリクスを有するため、無機膜は、典型的エアロゲル膜より遥かに耐性がある。超薄膜の熱処理は、パルス放射の電力および長さを変動させることによって、調整することができる。複数のパルスは、パルス反復周波数を調節するのに伴って、同様に使用することができる。パルスの形状は、パルス幅変調を使用して変更され、加熱プロファイルをさらに調節することができる。パルス長が、低温基板の熱平衡時間より短い、すなわち、低温基板の平面に垂直である時、より強い熱勾配およびより高いピーク温度を生成することができ、それによって、吸収トレースに隣接する超薄膜を選択的に加熱する。超薄膜内の温度は、吸収トレースからより離れた領域と比較して、吸収トレース近傍において、より極端に処理される。さらに、パルス放射は、ピーク処理温度を基板の最大平衡作業温度より大きくする。例えば、150ミクロン厚のPETは、約35msにおけるその厚さにわたって、熱的に平衡化する。したがって、より強い熱処理勾配ならびにより高いピーク温度は、10msパルスによってより、300μsパルスによって、低温基板に損傷を及ぼすことなく、生成することができる。100msパルスは、依然として、吸収トレース間に位置する超薄膜を加熱することができるが、維持することができるピーク温度は、150°Cのその最大平衡作業温度に非常に近い。要するに、より長いパルスの低温基板に損傷を及ぼすことなく、超薄膜内で達成することができる最大ピーク温度は、短いパルスのもの未満であるが、側方処理長も、対応して、より長くなる。超薄膜の熱処理は、通常、性質上、アレニウス的である、すなわち、熱処理は、概して、処理温度×時間の指数関数に関連するため、より短いパルスは、低温基板に損傷を及ぼすことなく、より長いパルスより効果的に超薄膜を処理することができる。吸収トレースの厚さ、幅、および間隔ならびに超薄膜と下層の厚さおよび熱特性もまた、パルス放射による暴露に応じて、超薄膜によって見られる加熱プロファイルに寄与する。本発明の方法は、特に、放射吸収性ではない、超薄膜を処理することができる。これは、特に、その低コストおよび高性能のため、非常に望ましい、薄膜トランジスタTFTの加工に関連する。次に、図4を参照すると、前述のパルス放射熱処理技法によって製造されたTFT40が、描写される。示されるように、薄誘電層44が、超薄膜43に隣接して位置する、2つの吸収トレース41および42の上部に載置される。伝導性トレース45は、誘電層44ならびに吸収トレース41および42の上部に位置する。吸収トレース41、42は、電気的に伝導性であって、それぞれ、TFTのソースおよびドレインを形成する。伝導性トレース45は、TFTのゲートを形成する。熱的に処理された超薄膜43内の吸収トレース41と42との間に位置する面積は、TFTの活性チャネルを形成する、半導体である。図4に示されるように、硬化面積陰影面積は、ゲート酸化物およびゲートを含む。しかしながら、ゲート酸化物およびゲートは両方とも、超薄膜43の硬化後に適用される。超薄膜43は、主に、吸収トレース41と42との間に硬化される。したがって、ソースおよびドレインは、非常に大きな面積上に、パターン化または、印刷することができ、超薄膜43はさらに、基板46全体にわたって、コーティングすることができる。硬化半導体は、概して、非硬化物より高い伝導性を有する、すなわち、半導体が、主に、TFTのチャネル内に硬化されることになるという事実のため、半導体の寄生容量は、低減される。位置合わせおよび限界寸法に対する必要性の低減は、ひとまとめにして、前述のTFTを完全に印刷することができることを意味する。TFT40等のTFTを作製するための方法の実施例は、以下に説明される。TFTを作製する時、マイクロ結晶シリコンμx-Siは、より高い移動性を有し、したがって、TFTのより高速切替を可能にするため、非晶質シリコンa-Siより半導体として望ましい。通常、a-Siを蒸着後、熱焼き鈍しを行い、a-Siをμx-Siに変換する方が、μx-Siを直接蒸着するより容易である。例えば、500μmホウケイ酸ウエハ上のa-Siの200nm膜は、650Vの閾値電圧および100μsのパルス長において、PulseForge登録商標3300システムNovaCentrixAustin、Texas製からの光パルスを使用することによって、μx-Siに変換することができるN2パージを伴う。光パルスは、約3.5J/cm2の放射暴露に対応する、約35kW/cm2の強度を有する。次に、図5を参照すると、前述の光パルスに暴露される前および後、ホウケイ酸ガラス上に電子ビームスパッタコーティングされた200nma-Si膜のラマンスペクトルが、例証される。a-Si膜は、光パルスによって焼き鈍しされ、μx-Siに変換される。光パルスは、200nma-Siコーティングが、放出された光の一部のみ吸収するという事実を克服する必要がある。同一のホウケイ酸ウエハが、金接点ソース/ドレインラインによってパターン化され、種々の幅5~50μmおよび分離5~50μmの最終的TFTを形成する。全トレースは、5mm長である。金パターン化後、ホウケイ酸ウエハにわたって、前述の200nmのa-Siの同一の散布電子ビームスパッタ蒸着が行なわれる。ホウケイ酸ウエハは、次いで、遥かに低い電圧すなわち、250μsに対して550Vにおいて、前述のPulseForge登録商標3300システムを介して、処理される。放射電力は、24kW/cm2、であって、放射暴露は、5.9J/cm2であった。本レベルの電力は、a-Siをμx-Siに変換するための前述の閾値強度を下回ることに留意されたい。金は、光パルスを非常に吸収するため、より多くのエネルギーが、それらの場所で吸収される。次に、図6を参照すると、本発明のパルス放射熱処理方法の選択性が、例証される。グラフは、2つの異なる金ライン対幅50μmおよび20μmと、金トレース間の同一間隔50μmとの間の薄シリコン膜のラマンスペクトルの比較を示す。グラフは、50μmトレース間の幅が、μx-Siに変換された一方、20μm幅トレース間の空間は、変換されていないことを示す。同様に、ウエハの残り上のシリコン膜も、変換されていない。本技法は、金パターン化トレース間のみ、a-Siをμx-Siに変換し、その他のいずれの場所においても、自動位置合わせを達成しない。吸収トレース間のa-Siからμx-Siへの選択的変換が達成された後、TFT素子は、誘電層として、スピンオンチタン酸バリウムストロンチウムBSTセラミックを使用して、加工することができる。本誘電材料は、比較的に高誘電定数k約300を有し、低ゲート電圧において、高電場をTFTの電界効果チャネルに付与可能にする。銀ゲート金属が、BSTゲート誘電層上に真空蒸着され、TFTを完成させる。電気試験は、ドレイン電流が、正のゲート電圧を印加することによって、向上することができる可動化を判定するために、TFT上で行なうことができる。μx-Siは、若干、n-型であるため、正のゲート電圧は、チャネル内の電子濃度を向上させ、増加したドレイン電流Idをもたらすはずである。次に、図7を参照すると、図4からのTFT40のためのドレイン電流Id対ドレイン-ソース電圧Vdsを示す、グラフが、例証される。正のゲート電圧Vgでは、ドレイン電流Idは、向上され、電界効果TFTに対して予想される、飽和形状を有することに留意されたい。負のゲート電圧において観察される線形I-V特色は、TFT40が、負のゲート電圧が印加される時、通常のレジスタのように挙動していることを示す。この理由は、本時点では分かっていないが、ソースおよびドレイン接点からの正孔注入によるものであり得る。本効果は、存在する場合、通常、正孔注入を阻止するために、接点領域を好適にドープすることによって、低減/排除される。要約すると、側方に位置付けられた金属ソース-ドレイン接点による、a-Si薄膜のパルス光焼き鈍しの使用は、ソース-ドレイン接点間の領域内において、マイクロ結晶状態まで閾値下焼き鈍しを行なうことができる。マイクロおよび、ナノ結晶シリコン膜は、薄膜素子の性能を向上させる、高キャリア移動度および他の望ましい特徴を有するため、これは、マイクロ電子機器産業にとって、大きな利益を有する。さらに、ソース/ドレイン接点間の領域内のa-Siのみ変換することができるため、a-Siの周囲領域を高抵抗非晶質状態のまま残し、したがって、素子速度を制限し、電力損失を増加させる、寄生容量として、そのような悪影響を制限するために、パターン化、または別様に、絶縁を要求しない。説明されたように、本発明は、低温基板上で薄膜を熱的に処理するための方法を提供する。本発明の方法はまた、最小位置合わせによって、TFTをトップゲート構成すなわち、上部にゲートにおいて製造可能にする。2つの吸収トレースは、TFTのソースおよびドレインを形成する。ゲート酸化物およびゲートの適用前に、薄膜材料が、選択的に、2つの吸収トレース間で熱的に処理される。本発明の方法は、TFTのチャネル内に材料を精密に蒸着させる必要なく、薄膜材料を選択的に硬化させる効果を有する。本発明は、特に、好ましい実施形態を参照して、図示および説明されたが、当業者は、発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細に、種々の変更を行ってもよいことを理解するであろう。