圧電体層および該圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動波形を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記駆動波形が、前記圧電体層の抗電圧以上の第一電圧を引加して分極状態とする分極工程と、前記第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させる緩和工程と、該逆極性の電圧の印加状態から前記第一電圧より大きな電圧を印加して液体を吐出する吐出工程と、を有することを特徴とする液体噴射装置。前記第一電圧が、前記圧電素子の待機状態において印加される中間電圧であることを特徴とする液体噴射装置。液体を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層および該圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動波形を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記駆動波形が、前記圧電体層の抗電圧以上の第一電圧を印加して分極状態とする分極工程と、前記第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは同極性で大きな電圧を印加する工程と、前記大きな電圧の印加状態から当該電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させて液体を吐出する吐出工程とを有することを特徴とする液体噴射装置。しかしながら、このような非鉛又は鉛の含有量を抑えた複合酸化物からなる圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛PZTと比較すると変位量が十分ではないので、変位量の向上が求められている。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つ変位量が高い液体噴射装置を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層および該圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動波形を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記駆動波形が、前記圧電体層の抗電圧以上の第一電圧を引加して分極状態とする分極工程と、前記第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させる緩和工程と、該逆極性の電圧の印加状態から前記第一電圧より大きな電圧を印加して液体を吐出する吐出工程と、を有することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、抗電圧以上の第一電圧を引加して分極状態とする分極工程と、前記第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させる緩和工程とを付与することにより、分極緩和を促進し、その状態から第一電圧より大きな電圧を印加することにより、大きな変位量を得ることができる。また、圧電材料を、非鉛系、すなわち、鉛を含有しないまたは鉛含有の少ないものとしているため、環境への負荷が小さい。また、前記第一電圧が、前記圧電素子の待機状態において印加される中間電圧であるのが好ましい。これによれば、分極状態を安定して維持することができる。本発明の他の態様は、液体を吐出するノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層および該圧電体層に設けられた電極を備えた圧電素子と、前記圧電素子を駆動する駆動波形を前記圧電素子に供給する駆動手段と、を有する液体噴射装置であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記駆動波形が、前記圧電体層の抗電圧以上の第一電圧を印加して分極状態とする分極工程と、前記第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは同極性で大きな電圧を印加する工程と、前記大きな電圧の印加状態から当該電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させて液体を吐出する吐出工程とを有することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、抗電圧以上の第一電圧を引加して分極状態とする分極工程と、第一電圧とは同極性で大きな電圧を印加する工程とに続いて、前記大きな電圧の印加状態から当該電圧とは逆極性の電圧を印加して圧電体層の分極を緩和させることにより、分極緩和を促進し、大きな変位を得ることができる。実施形態1図1は、本発明にかかる液体噴射装置の一例であるインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図1に示すように、インクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動可能に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。ここで、このようなインクジェット式記録装置IIに搭載されるインクジェット式記録ヘッドについて、図2~図4を参照して説明する。なお、図2は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図3は、図2の平面図であり、図4は図3のA-A′線断面図である。図2~図4に示すように、本実施形態の流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14及び連通路15を介して連通されている。連通部13は、後述する保護基板のマニホールド部31と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられていることになる。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに、この密着層56上には、第1電極60と、厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、第2電極80とが、積層形成されて、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧力発生手段としての圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50や密着層56を設けなくてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、本実施形態においては、圧電体層70を構成する圧電材料は、ビスマスBi、鉄Fe、バリウムBa及びチタンTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物である。ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe及びTiが位置している。このようなBi、Fe、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物、または、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体としても表される。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマスや、チタン酸バリウムは、単独では検出されないものである。ここで、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムは、それぞれペロブスカイト構造を有する公知の圧電材料であり、それぞれ種々の組成のものが知られている。例えば、鉄酸ビスマスやチタン酸バリウムとして、BiFeO3やBaTiO3以外に、元素Bi、Fe、Ba、TiやOが一部欠損する又は過剰であったり、元素の一部が他の元素に置換されたものも知られているが、本発明で鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムと表記した場合、欠損過剰により化学量論の組成からずれたものや元素の一部が他の元素に置換されたものも、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウムの範囲に含まれるものとする。また、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの比も、種々変更することができる。このようなペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70の組成は、例えば、下記一般式1で表される混晶として表される。また、この式1は、下記一般式1’で表すこともできる。ここで、一般式1及び一般式1’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成のずれは勿論、元素の一部置換等も許容される。例えば、化学量論比が1とすると、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFeO3-xBaTiO310<x<0.40Bi1-xBaxFe1-xTixO31’0<x<0.40また、本実施形態の圧電体層70を構成する複合酸化物は、Bi、Fe、Ba及びTi以外の元素をさらに含んでいてもよい。他の元素としては、例えば、Mn、Co、Crなどが挙げられる。これら他の元素を含む複合酸化物である場合も、ペロブスカイト構造を有することが好ましい。圧電体層70が、Mn、CoやCrを含む場合、Mn、CoやCrはペロブスカイト構造のBサイトに位置した構造の複合酸化物である。例えば、Mnを含む場合、圧電体層70を構成する複合酸化物は、鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムが均一に固溶した固溶体のFeの一部がMnで置換された構造、又は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物として表され、基本的な特性は鉄酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶のペロブスカイト構造を有する複合酸化物と同じであるが、リーク特性が向上することがわかっている。また、CoやCrを含む場合も、Mnと同様にリーク特性が向上するものである。なお、X線回折パターンにおいて、鉄酸ビスマス、チタン酸バリウム、鉄酸マンガン酸ビスマス、鉄酸コバルト酸ビスマス、及び、鉄酸クロム酸ビスマスは、単独では検出されないものである。また、Mn、CoおよびCrを例として説明したが、その他遷移金属元素の2元素を同時に含む場合にも同様にリーク特性が向上することがわかっており、これらも圧電体層70とすることができ、さらに、特性を向上させるため公知のその他の添加物を含んでもよい。このようなBi、Fe、Ba及びTiに加えてMn、CoやCrも含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる圧電体層70は、例えば、下記一般式2で表される混晶である。また、この式2は、下記一般式2’で表すこともできる。なお一般式2及び一般式2’において、Mは、Mn、CoまたはCrである。ここで、一般式2及び一般式2’の記述は化学量論に基づく組成表記であり、上述したように、ペロブスカイト構造を取り得る限りにおいて、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。例えば、化学量論が1であれば、0.85~1.20の範囲内のものは許容される。また、下記のように一般式で表した場合は異なるものであっても、Aサイトの元素とBサイトの元素との比が同じものは、同一の複合酸化物とみなせる場合がある。1-xBiFe1-yMyO3-xBaTiO320<x<0.40、0.01<y<0.10Bi1-xBaxFe1-yMy1-xTixO32’0<x<0.40、0.01<y<0.10このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号駆動信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、密着層56、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図5~図9を参照して説明する。なお、図5~図9は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図5aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図5bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッターリング法や熱酸化等で形成する。次に、図6aに示すように、密着層56の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム又はこれらの積層構造等からなる第1電極60をスパッターリング法や蒸着法等により全面に形成する。次に、図6bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、この第1電極60上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、気相法、液相法や固相法でも圧電体層70を製造することができる。圧電体層70を化学溶液法で形成する場合の具体的な形成手順例としては、まず、図6cに示すように、第1電極60上に、金属錯体、例えば、本実施形態においては、Bi、Fe、Ba及びTiを含有する金属錯体を含むMOD溶液やゾルからなる圧電体膜形成用組成物前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成により圧電体層70を構成する複合酸化物を形成しうる金属錯体、例えば本実施形態においては焼成によりBi、Fe、Ba及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体を、混合し、該混合物を有機溶媒に溶解または分散させたものである。各金属錯体の混合割合は、各金属が所望のモル比となるように混合すればよい。金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄、トリスアセチルアセトナト鉄などが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Coを含む有機金属化合物としては、例えば2-エチルヘキサン酸コバルト、コバルトIIIアセチルアセトナートなどが挙げられる。Crを含む有機金属化合物としては、2-エチルヘキサン酸クロムなどが挙げられる。勿論、金属を二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、前駆体溶液の溶媒としては、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、オクタン、デカン、シクロヘキサン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸、オクチル酸などが挙げられる。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、150~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば、350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図7aに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72からなる圧電体層70を形成することで、図7bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70を形成する。例えば、塗布溶液の1回あたりの膜厚が0.1μm程度の場合には、10層の圧電体膜72からなる圧電体層70全体の膜厚は約1.1μm程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。圧電体層70の最下層にバッファー層を設ける場合は、第1電極60上にバッファー層を設け、このバッファー層上に圧電体膜を積層すればよい。バッファー層の製造方法は特に限定されず、上記の圧電体層70と同様の方法で製造することができ、例えば、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなるバッファー層を得るMOD法やゾル-ゲル法等の化学溶液法、その他、レーザーアブレーション法、スパッターリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、気相法、液相法や固相法でも製造できる。なお、バッファー層を化学溶液法で形成する場合の原料である金属錯体は、圧電体層70の製造方法において記載したものと同様の化合物が挙げられる。このように圧電体層70を形成した後は、図8aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッターリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、例えば、600~850°Cの温度域でアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を高くすることができる。次に、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図8cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図9aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図9bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図2に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。図10は、このようなインクジェット式記録装置の制御構成例を示すブロック図である。図10を参照して、本実施形態のインクジェット式記録装置の制御について説明する。本実施形態のインクジェット式記録装置は、図10に示すように、プリンターコントローラー511とプリントエンジン512とから概略構成されている。プリンターコントローラー511は、外部インターフェース513以下、外部I/F513というと、各種データを一時的に記憶するRAM514と、制御プログラム等を記憶したROM515と、CPU等を含んで構成した制御部516と、クロック信号を発生する発振回路517と、インクジェット式記録ヘッドIへ供給するための駆動信号を発生する駆動信号発生回路519と、駆動信号や印刷データに基づいて展開されたドットパターンデータビットマップデータ等をプリントエンジン512に送信する内部インターフェース520以下、内部I/F520というとを備えている。外部I/F513は、例えば、キャラクターコード、グラフィック関数、イメージデータ等によって構成される印刷データを、図示しないホストコンピューター等から受信する。また、この外部I/F513を通じてビジー信号BUSYやアクノレッジ信号ACKが、ホストコンピューター等に対して出力される。RAM514は、受信バッファー521、中間バッファー522、出力バッファー523、及び、図示しないワークメモリーとして機能する。そして、受信バッファー521は外部I/F513によって受信された印刷データを一時的に記憶し、中間バッファー522は制御部516が変換した中間コードデータを記憶し、出力バッファー523はドットパターンデータを記憶する。なお、このドットパターンデータは、階調データをデコード翻訳することにより得られる印字データによって構成してある。また、ROM515には、各種データ処理を行わせるための制御プログラム制御ルーチンの他に、フォントデータ、グラフィック関数等を記憶させてある。制御部516は、受信バッファー521内の印刷データを読み出すと共に、この印刷データを変換して得た中間コードデータを中間バッファー522に記憶させる。また、中間バッファー522から読み出した中間コードデータを解析し、ROM515に記憶させているフォントデータ及びグラフィック関数等を参照して、中間コードデータをドットパターンデータに展開する。そして、制御部516は、必要な装飾処理を施した後に、この展開したドットパターンデータを出力バッファー523に記憶させる。さらに、制御部516は、波形設定手段としても機能し、駆動信号発生回路519を制御することにより、この駆動信号発生回路519から発生される駆動信号の波形形状を設定する。かかる制御部516は、後述する駆動回路図示なしなどと共に本発明の駆動手段を構成する。また、インクジェット式記録ヘッドIを駆動する液体噴射駆動装置としては、この駆動手段を少なくとも具備するものであればよく、本実施形態では、プリンターコントローラー511を含むものとして例示してある。そして、インクジェット式記録ヘッドIの1行分に相当するドットパターンデータが得られたならば、この1行分のドットパターンデータは、内部I/F520を通じてインクジェット式記録ヘッドIに出力される。また、出力バッファー523から1行分のドットパターンデータが出力されると、展開済みの中間コードデータは中間バッファー522から消去され、次の中間コードデータについての展開処理が行われる。プリントエンジン512は、インクジェット式記録ヘッドIと、紙送り機構524と、キャリッジ機構525とを含んで構成してある。紙送り機構524は、紙送りモーターとプラテン8等から構成してあり、記録紙等の印刷記憶媒体をインクジェット式記録ヘッドIの記録動作に連動させて順次送り出す。即ち、この紙送り機構524は、印刷記憶媒体を副走査方向に相対移動させる。キャリッジ機構525は、インクジェット式記録ヘッドIを搭載可能なキャリッジ3と、このキャリッジ3を主走査方向に沿って走行させるキャリッジ駆動部とから構成してあり、キャリッジ3を走行させることによりインクジェット式記録ヘッドIを主走査方向に移動させる。なお、キャリッジ駆動部は、上述したように駆動モーター6及びタイミングベルト7等で構成されている。インクジェット式記録ヘッドIは、副走査方向に沿って多数のノズル開口21を有し、ドットパターンデータ等によって規定されるタイミングで各ノズル開口21から液滴を吐出する。そして、このようなインクジェット式記録ヘッドIの圧電素子300には、図示しない外部配線を介して電気信号、例えば、後述する駆動信号COMや記録データSI等が供給される。このように構成されるプリンターコントローラー511及びプリントエンジン512では、プリンターコントローラー511と、駆動信号発生回路519から出力された所定の駆動波形を有する駆動信号を選択的に圧電素子300に入力するラッチ532、レベルシフター533及びスイッチ534等を有する駆動回路図示なしとが圧電素子300に所定の駆動信号を印加する駆動手段となる。なお、これらのシフトレジスターSR531、ラッチ532、レベルシフター533、スイッチ534及び圧電素子300は、それぞれ、インクジェット式記録ヘッドIの各ノズル開口21毎に設けられており、これらのシフトレジスター531、ラッチ532、レベルシフター533及びスイッチ534は、駆動信号発生回路519が発生した吐出駆動信号や緩和駆動信号から駆動パルスを生成する。ここで、駆動パルスとは実際に圧電素子300に印加される印加パルスのことである。このようなインクジェット式記録ヘッドIでは、最初に発振回路517からのクロック信号CKに同期して、ドットパターンデータを構成する記録データSIが出力バッファー523からシフトレジスター531へシリアル伝送され、順次セットされる。この場合、まず、全ノズル開口21の印字データにおける最上位ビットのデータがシリアル伝送され、この最上位ビットのデータシリアル伝送が終了したならば、上位から2番目のビットのデータがシリアル伝送される。以下同様に、下位ビットのデータが順次シリアル伝送される。そして、当該ビットの記録データの全ノズル分が各シフトレジスター531にセットされたならば、制御部516は、所定のタイミングでラッチ532へラッチ信号LATを出力させる。このラッチ信号により、ラッチ532は、シフトレジスター531にセットされた印字データをラッチする。このラッチ532がラッチした記録データLAToutは、電圧増幅器であるレベルシフター533に印加される。このレベルシフター533は、記録データが例えば1の場合に、スイッチ534が駆動可能な電圧値、例えば、数十ボルトまでこの記録データを昇圧する。そして、この昇圧された記録データは各スイッチ534に印加され、各スイッチ534は、当該記録データにより接続状態になる。そして、各スイッチ534には、駆動信号発生回路519が発生した駆動信号COMも印加されており、スイッチ534が選択的に接続状態になると、このスイッチ534に接続された圧電素子300に選択的に駆動信号が印加される。このように、例示したインクジェット式記録ヘッドIでは、記録データによって圧電素子300に吐出駆動信号を印加するか否かを制御することができる。例えば、記録データが1の期間においてはラッチ信号LATによりスイッチ534が接続状態となるので、駆動信号COMoutを圧電素子300に供給することができ、この供給された駆動信号COMoutにより圧電素子300が変位変形する。また、記録データが0の期間においてはスイッチ534が非接続状態となるので、圧電素子300への駆動信号の供給は遮断される。この記録データが0の期間において、各圧電素子300は直前の電位を保持するので、直前の変位状態が維持される。なお、上記の圧電素子300は、撓み振動モードの圧電素子300である。この、撓み振動モードの圧電素子300を用いると、圧電体層70が電圧印加に伴い電圧と垂直方向31方向に縮むことで、圧電素子300および振動板が圧力発生室12側に撓み、これにより圧力発生室12を収縮させる。一方電圧を減少させることにより圧電体層70が31方向に伸びることで、圧電素子300および振動板が圧力発生室12の逆側に撓み、これにより圧力発生室12を膨張させる。このようなインクジェット式記録ヘッドIでは、圧電素子300に対する充放電に伴って対応する圧力発生室12の容積が変化するので、圧力発生室12の圧力変動を利用してノズル開口21から液滴を吐出させることができる。ここで、圧電素子300に入力される本実施形態の駆動信号COMを表す駆動波形について説明する。なお、図11は、本実施形態の駆動信号を示す駆動波形である。圧電素子300に入力される駆動波形は、共通電極第1電極60を基準電位本実施形態ではVbsとして、個別電極第2電極80に印加されるものである。すなわち、駆動波形によって個別電極第2電極80に印加される電圧は、基準電位Vbsを基準としての電位として示される。本実施形態の基準となる駆動波形は、図11に示すように、駆動波形200を入力する準備状態駆動待機状態となると、中間電位Vmが印加された状態となる。この中間電位Vmを維持する工程は、圧電体層70を分極状態とする分極工程P01であり、これに続いて、中間電位Vmを維持した状態から中間電圧とは逆極性の最小電位V1まで降下させて圧電体層70の分極を緩和する詳細は後述すると共に圧力発生室12を膨張させる第1の電圧変化工程P02と、最小電位V1を一定時間維持する第1のホールド工程P03と、最小電位V1から最小電位V1とは逆極性の最大電位V2まで上昇させて圧力発生室12を収縮させる第2の電圧変化工程P04と、最大電位V2を一定時間維持する第2のホールド工程P05と、最大電位V2から中間電位Vmまで下降させて圧力発生室12を膨張させる第3の電圧変化工程P06と、中間電位Vmを維持する分極工程P07とで構成されている。本発明のBi、Fe、Ba及びTiに加えてMn、CoやCrも含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる所定の圧電体層70は、電源オフの状態では、分極が維持されておらず、非分極状態極一部は分極が維持されているが、実質的に非分極状態といえる場合を含むであり、上述した駆動波形200が圧電素子300に出力される準備状態駆動待機状態になると、中間電位Vmが印加された状態となり、圧電体層70が分極状態となる。そして、上述した駆動波形200が入力されると、第1の電圧変化工程P02によって中間電位Vmから逆極性の最小電位V1まで電位が変化し、圧電体層70の分極が緩和される。これと同時に圧電素子300が圧力発生室12の容積を膨張させる方向に変形して、ノズル開口21内のメニスカスが圧力発生室12側に引き込まれる。次いで、第2の電圧変化工程P04によって、圧電素子300が圧力発生室12の容積を収縮させる方向に変形することにより、ノズル開口21内のメニスカスが圧力発生室12側から大きく押し出され、ノズル開口21から液滴が吐出される。本発明は、上述した所定の圧電材料からなる圧電体層70を具備する圧電素子300を駆動する場合、駆動波形が、抗電圧以上の第一電圧を引加して分極状態とする分極工程と、第一電圧の印加状態から当該第一電圧とは逆極性の電圧を印加して前記圧電体層の分極を緩和させる緩和工程と、逆極性の電圧の印加状態から前記第一電圧より大きな電圧を印加して液体を吐出する吐出工程とを有するようにすることで、大きな変位量を確保するという効果を奏するものである。ここで、上述した駆動波形と対応させると、第一電圧は中間電位Vmに対応し、分極工程は分極工程P01に対応し、緩和工程は第1の電圧変化工程P02に対応し、吐出工程は第2の電圧変化工程P04に対応する。なお、抗電圧以上の第一電圧とは、低い周波数例えば66Hz~1kHzで圧電体層70のヒステリシスカーブを描いたときの抗電圧の電圧以上の電圧のことをいい、本実施形態では、10V以上となる。かかる本発明を完成するにあたって、まず、Bi、Fe、Ba及びTiに加えてMn、CoやCrも含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなる所定の圧電体層70は、分極状態を維持できず、電界を受けて分極して歪んだ状態から、電界が除去されると時間と共に分極緩和が生じて歪がない状態となることを知見した。この知見からすると、アクチュエーターとして大きな歪を得るためには分極緩和状態から分極状態への移行する際の変形を利用するのがよいが、電界が開放された後、分極緩和するまでに数msecの時間が必要であるので、液体噴射ヘッドの高周波数駆動には対応できない。しかしながら、分極状態から所定の電圧変化工程を付与すると、分極緩和が電界により促進され、短時間で分極緩和状態となり、その後、大きな変位が得られることを知見した。本発明はこのような知見に基づいて完成されたものである。かかる本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、駆動により大きな歪を確保するために、まず、吐出準備工程において、圧電体層70を分極状態にする点に特徴がある。本実施形態では、待機状態で圧電素子300に印加される中間電位Vmを圧電体層70の抗電圧以上の十分に高い電圧として、分極を維持する分極工程P01としている。しかしながら、中間電位Vmは抗電圧より低い又は抗電圧より高いが抗電圧近傍で、圧電体層70を分極状態には保持できないか又は一部が分極している状態として上述した分極緩和を行う第2の電圧変化工程P04の前に、中間電位Vmより高くて十分に分極させる電圧に上昇させて当該電圧を保持する工程を付与してもよい。ただしその場合、再度、中間電位Vmにもどったときには、十分な電圧でないため、時間による振動板の経時変化を考慮する必要がある。この時間は中間電位Vmと圧電体層によって決定され、数μsec~msecオーダーである。また、本発明は、中間電位Vmを維持した分極工程P01の後に、中間電位Vmとは逆極性の最小電位V1まで降下させて圧電体層70の分極を緩和する第1の電圧変化工程P02を付与する点に特徴がある。これは、圧電体層70に中間電位Vmと逆極性で十分に大きな低電圧逆極性として十分に高い電位を印加することにより、圧電体層70の分極状態の緩和を促進するものである。このように緩和を促進して分極緩和させた状態から、これに続く第2の電圧変化工程P04を付与することによって、圧電素子300の圧力発生室12の容積を収縮させる方向への変形を著しく大きくしている。ここで、このような本発明の原理を説明する試験について説明する。試験例1下記実施例1の組成の圧電体層70を具備する圧電素子300に、図12に示す駆動波形を基本として用い、当該駆動波形のΔV=35Vと一定として、Vm及びVminを変化させた波形を、200ms間隔と十分なディレイタイムをとった状態で印加し、圧電素子300の変位量を求めた結果を図13に示す。変位量は、グラフテック社製のレーザードップラー振動計で計測した速度データを、デクロイ社製のオシロスコープにて時間積分することにより、算出している25°C。測定サンプルは図3の形状に加工され、キャビティーが形成されているセグメントを使用し、各駆動波形を印加して測定した。なお、各変量は、VmおよびVmin=0の場合を100として規格化して表した。この結果、実施例1の圧電体層70を具備する圧電素子300では、Vm=0の場合、Vminをマイナス側に大きくしていくと、変位量が低下していくが、Vm=15V、Vm=20V、Vm=25Vの場合には、Vminをマイナス側に大きくしていくほど、変位量が向上し、ある電圧で飽和することがわかった。比較のため、圧電体層をPZTからなるもの下記比較例とした場合を同様に行った結果も同じく図13に示す。この結果、圧電材料がPZTの場合、分極処理を行えば、分極状態が維持され、分極緩和は生じないため、Vm=0の場合にも、Vminをマイナス側に大きくしていっても、変位量の向上が見られた。また、圧電体層がPZTの場合に、Vmが何れの電圧であっても、Vminがマイナス側に大きくなればなるほど変位量が向上するのは、分極反転の起きない領域で、かつ飽和の起きないマイナス側を使用しているためである。逆に、このことから、本発明の場合、Vm=0の場合、Vminをマイナス側に大きくしていくと、変位量が低下していくのは、圧電体層70がVminにより分極変化が起きないため、単純にVmaxからVminを引いた電圧分しか変位に寄与していないことを示している。実施例1まず、110単結晶シリコンSi基板の表面に熱酸化により膜厚1200nmの酸化シリコンSiO2膜を形成した。次に、SiO2膜上にDCスパッター法により膜厚400nmのジルコニウム膜を作成し、これを酸素雰囲気下で熱処理RTAすることによりジルコニア層を形成した。このジルコニア層に密着層としてDCスパッタ法によりジルコニウムを40nmを形成した後、同じくDCスパッタ法により111面に配向し厚さ100nmの白金膜第1電極60を形成した。次いで、第1電極60上に圧電体膜を積層し、圧電体層70とした。その手法は以下のとおりである。まず、2-エチルヘキサン酸ビスマス、2-エチルヘキサン酸鉄、2-エチルヘキサン酸マンガン、2-エチルヘキサン酸バリウム及び2-エチルヘキサン酸チタンの各n-オクタン溶液を、各元素がモル比でBi:Ba:Fe:Ti:Mn=75:25:71.25:25:3.75となるように混合してBFO:BT=75:25、前駆体溶液を調製した。そしてこの前駆体溶液を、第1電極が形成された基板上に滴下し、3000rpmで基板を回転させて圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、ホットプレート上で、180°Cで2分間乾燥した乾燥工程。次いで、350°Cで4分間脱脂を行った脱脂工程。次に、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で、750°Cで5分間焼成を行って圧電体膜を形成した焼成工程。この塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程の一連の工程を12回繰り返し、12層の圧電体膜からなる、全体で厚さ900nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてスパッター法により厚さ50nmのイリジウム膜第2電極80を形成することで、Bi、Fe、Mn、Ba及びTiを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物を圧電体層70とする圧電素子300を形成した。比較例酢酸鉛3水和物PbCH3COO23H2O、チタニウムイソプロポキシドTi[OCHCH32]4、ジルコニウムアセチルアセトナートZrCH3COCHCOCH34を主原料とし、ブチルセロソルブC6H14O6を溶媒とし、ジエタノールアミンC4H11NO2を安定剤とし、ポリエチレングリコールC2H6O6を増粘剤として混合して得た前駆体溶液を用い、圧電体層を形成した。試験例2前駆体溶液を下記の組成とし、圧電体層70の組成の異なる圧電素子について、試験例1と同様に測定した結果を図14に示す。<前駆体溶液>サンプル1:BFO/BT=79/21サンプル2:BFO/BT=77/23サンプル3:BFO/BT=75/25サンプル4:BFO/BT=73/27サンプル5:BFO/BT=71/29サンプル6:BFO/BT=67/33試験例3第2電極を白金とした以外は、試験例2と同様にしてサンプル1Pt~サンプル5Ptとし、試験例1と同様に測定した結果を図15に示す。試験例2や試験例3の結果、圧電体層70の組成や圧電素子300の構成が異なっても、分極緩和により変位量が向上する傾向は同様であることがわかった。一方、圧電体層70の組成や圧電素子300の構成の違い、或いはどのような液滴を吐出するかなどの設計によって、最適なVmやVminが変化することがわかった。しかしながら、図11の駆動波形においては、Vmは圧電体層70が分極する抗電圧以上の電圧が必要であり、例えば、10V~25Vから選定される。また、最小電位V1は、電源や吐出効率の設計などによって決定されるが、例えば、V1=-3V~-15V、好ましくは、-5V~-12Vから選択される。また、駆動波形は、図11のものに限定されるものではない。例えば、図16に示すように、図11と同様な駆動波形の最大電位V2を一定時間維持する第2のホールド工程P05に続いて、最大電位V2から中間電位Vmまで下降させるまで下降させて圧力発生室12を膨張させる第3の電圧変化工程P06に変わって、最大電位V2から中間電位Vmより少し低い電位V3まで下降させる第4の電圧変化工程P08と、電位V3を一定時間維持する第3のホールド工程P09と、電位V3から中間電位Vmまで電位を上昇させる第5の電圧変化工程P10と、中間電位Vmを維持する分極工程P11とで構成されるようにしてもよい。ここで、最大電位V2から中間電位Vmより少し低い電位V3まで下降させる第4の電圧変化工程P08と、電位V3を一定時間維持する第3のホールド工程P09と、電位V3から中間電位Vmまで電位を上昇させる第5の電圧変化工程P10とは、液滴を吐出した後のメニスカスを安定化させるためのものであり、従来より公知のものである。また、図17に示すように、圧電体層70の分極を緩和させる際に液滴を吐出するような駆動波形としてもよい。すなわち、中間電位Vmを維持して分極状態を維持する分極工程P21から、中間電位Vmより高い最大電位V2まで電圧を上昇させて圧力発生室12を収縮させる第1の電圧変化工程P22と、最大電位V2を一定時間維持する第1のホールド工程23とを付加し、その後、最大電位V2から中間電位Vmとは逆極性の最小電位V1まで降下させる第2の電圧変化工程P24により、圧電体層70の分極を緩和すると共に圧力発生室12を膨張させ、その後、最小電位V1を一定時間維持する第2のホールド工程P25と、最小電位V1から中間電位Vmより少し高い電位V4まで上昇させる第3の電位変化工程P26と、電位V4を一定時間維持する第3のホールド工程P27と、電位V4から中間電位Vmまで電位を降下させる第4の電圧変化工程P28と、中間電位Vmを維持する分極工程P29とで構成されるようにしてもよい。この場合、分極工程P21で圧電体層70の分極を維持し、最大電位V2から中間電位Vmまで下降させるまで下降させることにより、圧電体層70の分極を緩和し且つ圧力発生室12を膨張させる第2の電圧変化工程P24により液滴を吐出させ、その後、最小電位V1から中間電位Vmより少し高い電位V4まで上昇させる第3の電位変化工程P26と、電位V4を一定時間維持する第3のホールド工程P27と、電位V4から中間電位Vmまで電位を降下させる第4の電圧変化工程P28とにより、液滴吐出後のメニスカスを安定化させ、分極工程P29で分極状態を維持するものである。この場合においても、圧力発生室12を膨張させる第2の電圧変化工程P24により、圧電体層70の分極の緩和が促進されているので、変位量が大きくなるという本発明の効果を奏する。なお、以上説明した駆動波形については、正負を逆にしても効果は同じである。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子を具備する液体噴射装置にも本発明を適用することができる。なお、上記各実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを、また液体噴射装置の一例としてインクジェット式記録装置を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射装置全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射装置にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられ、かかる液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置にも適用できる。