"ナノ平坦精度を有するバイト表面上に、電気化学、光化学または光電気化学的な方法によってエッチング剤を生成すること;エッチング剤と作動溶液中の除去剤との化学反応、又はエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を生成すること;及びエッチング剤液層中のエッチング剤とワークとの化学反応によって、ワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さを達成させることにより、ワークに対するナノ精度の平坦化及びポリシングを実現することを含む、光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。除去剤を用いる場合、エッチングレベリング剤前駆体と除去剤との濃度比は一般的に10:1~1:100の範囲内にある、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。前記エッチング剤とワークとの化学反応は、下記の各項から選ばれた少なくとも1項により行なわれる、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。エッチング剤液層のpHを制御することにより、拘束エッチング剤層内の強酸性物質の濃度を向上させ、ワークと反応させて可溶性塩を生成すること;強酸化特性を有するエッチング剤を生成することにより、ワークと直接に反応させて可溶性化合物を生成すること;酸化性物質を生成することによりワーク表面に酸化物を生成し、それを溶液中の酸性又はアルカリ性物質に溶解させること;作動溶液中に添加剤又は界面活性剤を加え、ワークの金属イオンと錯化反応させること;及び拘束エッチング剤液層内に強酸化剤を生成すると同時に、錯化剤を加えて生成物の溶解度を高めること。用いられる除去剤は、ジスルフィド結合化合物、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、アスコルビン酸、シスチン及びソルビトールのうちから選ばれた少なくとも1種である、請求項3に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。前記作動溶液は、界面活性剤、支持電解質及びpHバッファーのうちから選ばれた少なくとも1種を更に含む、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。前記ナノ平坦精度を有するバイトは、下記の各種製造方法から選ばれた少なくとも1種により製造される、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。1超精密機械加工の方法によってナノレベルの平坦精度を有するプラチナ、金、イリジウム、タングステンなどの金属電極を取得する方法;2各種の膜形成又は結晶体エピタキシャル成長技術によって、表面が原子オーダーの平坦程度を有する基板上に、金属又は半導体を沈着及び成長させ、その表面を導電化させる方法;3溶融のプラチナ、金、イリジウムなどの金属に対して、温度を精確に下げる方法又は引伸ばしなどの方法によって、表面にナノレベルの平坦精度を有するプラチナ、金、イリジウムなどの金属単結晶電極を製造する方法;4CMP技術を電解と結合する方法を用いて、金属多結晶又は単結晶電極表面に対して平坦化及びポリシングを行うことにより、ナノ平坦精度を有する電極表面を取得する方法;5液体金属又は合金が自然的に形成されたナノ平坦精度表面を用いる方法;及び6光触媒反応及び光電気触媒反応に用いるバイトを製造する方法であり、石英非導電光学材料、ITO又はFTO導電光学ガラスを担体とし、表面修飾、InSitu電気化学的成長、又は化学的気相沈着によって、一層のナノ二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステンWO3、酸化第二鉄Fe2O3、セレン化カドミウムCdSe及びその複合光触媒材料を被覆する方法。バイトとワークとの距離がエッチング剤層の厚さより小さくなるように制御することにより、及び又はバイトとワークとの相対運動により、ワーク表面の表面プロファイル精度を向上させてワーク表面の粗さを低減させることを更に含む、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。前記バイトが平面バイトである場合、平面回転運動しながらバイト又はワークを平面振動させることにより、さらにワーク表面の表面プロファイル精度を向上させ、ワーク表面の粗さを低減させる、請求項7に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。ワーク表面とバイトとの距離及び平行度を調整することを更に含む、請求項1に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法。光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法を実現するための装置であって、バイトと、光/電気化学反応制御システムと、作動溶液循環装置と、作動溶液温度調節装置と、自動化制御システムとを含み、前記バイトはナノ平坦精度の表面を有するバイトであり、前記光/電気化学反応制御システムには、ポテンショスタット、光路制御装置、光/電気化学的作動電極、補助電極、参照電極、容器及び作動溶液が配置されており、前記バイトは光/電気化学的作動電極としてポテンショスタット及び又は光路制御装置に接続され、光/電気化学的作動電極、補助電極及び参照電極はいずれも作動溶液を収容する容器中に挿入され、前記容器が更にワークを収容し、前記作動溶液循環装置は、前記電気化学反応制御システム中の作動溶液を循環させ、前記作動溶液温度調節装置は、前記電気化学反応制御システム中の作動溶液を一定の温度に保ち、前記自動化制御システムには、固定台、多次元マイクロ駆動装置、可視化モニター、圧力センサ、平行レーザ光束距離測定装置、電流フィードバック装置及び情報処理コンピュータが配置されており、前記固定台の下部にはバイトが固定され、固定台上部には自動化制御システムの多次元マイクロ駆動装置の垂直軸マイクロ駆動コントローラが接続され、垂直軸マイクロ駆動コントローラには情報処理コンピュータが接続され、前記多次元マイクロ駆動装置の水平軸マイクロ駆動コントローラには前記容器が配置され、可視化モニターはバイトがワークへ接近する過程をモニタリングし、電流フィードバック装置はバイト表面電流をモニタリングし、圧力センサはバイトとワークとが接触したか否かをモニタリングし、平行レーザ光束距離測定装置はバイト表面とワーク表面との距離をモニタリングし、情報処理コンピュータは電流フィードバック装置が提供した電流値、圧力センサが提供した圧力値、及び平行レーザ光束距離測定装置が提供した両平面間の距離値などのフィードバックパラメーターに基づき、多次元マイクロ駆動装置の垂直軸マイクロ駆動コントローラ及び水平軸マイクロ駆動コントローラを駆動し、バイト表面とワーク表面との距離及び平行度を調節し、前記作動溶液は、光/電気化学反応によって前記バイト表面にエッチングレベリング剤を生成し得るエッチングレベリング剤前駆体を含み、生成したエッチング剤自身が減衰できない場合、バイト表面におけるエッチングレベリング剤液層をナノレベルの厚さに拘束し得る除去剤を更に含む、装置。光/電気化学反応制御システムにおける電極電位、光波の波長及び強度、光触媒層のパラメーター、並びに作動溶液の配合、温度及び循環のパラメーターを制御することにより、エッチングレベリング剤液層の厚さを調整制御する、請求項10に記載の光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法を実現するための装置。定義本文に記載の光/電気化学という技術用語は、光化学、電気化学及び光電気化学を含むと理解されるべきである。本文に記載のエッチング剤またはエッチングレベリング剤という技術用語は、いずれもワーク表面と反応してワーク表面をエッチングすることのできる物質、又は溶液中のエッチングレベリング剤の化学的エッチング速度を向上させることのできる触媒のことをいう。エッチング剤前駆体という技術用語は、光/電気化学的反応の誘導でエッチング剤を発生させ得る物質という。本文に記載の拘束エッチング剤層という技術用語は、光/電気化学的誘導でエッチング剤前駆体から生成されたナノレベルの厚さを有するエッチングレベリング剤液層のことをいい、一般的には、前記エッチングレベリング剤液層の厚さは100nm以下に制御されることができ、且つより精密な平坦化及びポリシングプロセスにおいて20nm以下に制御されることができる。拘束という技術用語は、ワークの平坦化及びポリシング過程において、エッチングレベリング剤液層の厚さがいつもナノレベルの厚さに保持されることをいう。本文に記載の除去剤という技術用語は、バイトの表面上に発生されたエッチング剤と迅速に反応することにより、エッチングレベリング剤液層の厚さをナノレベルの厚さに拘束する物質のことをいう。本文に記載の拘束エッチングシステム、作動溶液という技術用語は、いずれもエッチング剤前駆体、除去剤、及びエッチング対象による界面活性剤、支持電解質、pHバッファーなどを含むシステムのこと、或いは、エッチング剤前駆体、及びエッチング対象による界面活性剤、支持電解質、pHバッファーなどを含むシステムのことをいう。拘束エッチングシステムのマスバランスという技術用語は、拘束エッチングシステムに含まれる各成分の組成比を合理的な範囲内に維持することをいう。本発明の第1の面は、光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法を提供し、拘束エッチング剤層を用いることを特徴とする。即ち、表面がナノ平坦精度であるバイトの表面にナノレベルの厚さを有するエッチングレベリング剤層を生成させ、エッチング剤とワークとの化学反応によってワーク表面にナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さナノ精度を達成させることにより、ワークに対する平坦化ポリシングを実現する。その基本原理は以下の通りである。1電気化学、光化学または光電気化学の方法により、即ちシステムの化学反応特性に基づき、適切な電位及び又は光波波長及び強度などを選択し、エッチング剤前駆体をバイト表面において反応させてエッチング剤を発生させる。エッチング剤は常規の化学物質であってもよく、ラジカル基であってもよい。そのバイト表面における化学反応を下記に示すことができる。R→One又はRhv→O式中、Rはエッチング剤前駆体を表し、Oは発生されたエッチング剤を表す。2作動溶液に含まれる除去剤はバイト表面液層内のエッチング剤と化学反応し、エッチング剤層の厚さをナノ寸法に拘束する。ラジカル基のエッチング剤が生成される場合、ラジカル基のエッチング剤は除去剤によって拘束の効果を実現してもよく、その自身の減衰によって拘束の効果を実現してもよい。OS→RY又はO→Y式中、Sは除去剤を表し、Yはエッチング剤Oと除去剤との反応生成物、又はエッチング剤O自身の減衰による生成物を表す。拘束エッチング剤層の厚さは、1と2の反応速度、及びエッチング剤前駆体と除去剤との濃度比に決められる。理論上の計算によると、除去剤の濃度がエッチング剤前駆体の濃度より遥かに大きい場合、拘束エッチング剤層の極限厚さμは下式によって計算されることができる。μ12式中、k2は除去反応2の準一次反応速度定数であり、DRはエッチング剤前駆体の作動溶液における拡散係数である。実際のエッチング過程において、エッチング剤前駆体と除去剤との濃度比を調整することにより、拘束エッチング剤層の厚さを調整制御する、即ち平坦化及びポリシングの精度を調整制御することができる。拘束エッチング剤層がナノレベルの厚さに達しているが、拘束エッチング剤層内部において、エッチング剤は安定な濃度分布を保っている。3自動制御システムによって、拘束エッチング剤層をワーク表面に接触させると、ワークに対する平坦化及びポリシングが始まる。OM→RP式中、Mはワークの材質を表し、Pはワークとエッチング剤との反応生成物を表す。ワーク表面の除去率は反応3の速度に決められ、速度が速いほど加工効率が高い。ワーク表面とエッチング剤層との接触部分が除去されると、エッチング剤層がワークと分離し、エッチングは終了する。そして、自動制御システムにより、ナノ精度の平坦化及びポリシングが完成するまでに、引続きエッチング剤層をワークに接近させる。具体的には、本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法は、下記のステップを含む。1表面にナノ平坦精度を有するバイトを製造し、光/電気化学的作動電極とすることにより、電気化学、光化学または光電気化学の方法によってエッチング剤を生成する。2表面がナノ平坦精度であるバイトを固定台上に固定し、ワークを容器底部に配置する。或いは、ワークを固定台又は作業台上に固定し、表面がナノ平坦精度であるバイトを容器底部に配置する。3エッチングレベリング剤前駆体及び/又は除去剤と、溶剤と、界面活性剤、支持電解質、及びpHバッファーなどの成分から選ばれた少なくとも1種とを含む作動溶液を容器中に注入する。4バイト又はワークを作動溶液に浸し、バイトを光/電気化学的作動電極とし、更に容器中に補助電極と参照電極を設け、光/電気化学制御システムを起動し、電気化学、光化学または光電気化学反応によってバイト表面にエッチング剤を生成させ、エッチング剤と溶液中の除去剤との化学反応により、又はラジカル基のエッチング剤の場合、ラジカル基のエッチング剤自身の減衰により、バイト表面にナノレベルの厚さを有する拘束エッチング剤層を形成する。5自動化制御システムによって多次元マイクロ駆動装置を駆動し、バイト又はワークをワーク又はバイトに徐々に接近させることにより、被加工ワーク表面とバイトとの距離及び平行度を調整制御すると共に、可視化モニターを介して原位置でリアルタイムで観測する。さらに、バイトとワークとの距離をエッチング剤層の厚さにより小さいように制御することにより、及び又はバイトとワークとの相対運動平行移動と回動を含むを制御することにより、作動溶液のマスバランスを改善して、エッチングによる平坦化及びポリシングの均一性を向上させ、即ちワーク表面の表面プロファイル精度を向上させ、ワーク表面の粗さを低減させる。6垂直方向においてバイト又はワークを絶えずにワーク表面又はバイト表面に移動させることにより、バイト表面の拘束エッチングレベリング剤液層をワーク表面に接触させ、化学エッチングによる平坦化反応が絶えずに行なわれるようにする。同時に、被加工ワーク表面全体のエッチングによる平坦化及びポリシングが完了するまで、XY二次元平面方向においてバイト又は被加工ワークを移動させることができる。ステップ4において、前記エッチングレベリング剤液層の厚さの調整制御は、電極電位、光波波長及びその強度、ならびに作動溶液の配合、温度及び循環を制御することにより実現されるものである。前記拘束エッチング剤層の厚さは100nm以下に制御されることができ、<20nmに制御されることが好ましい。具体的な実験において、一般的にはエッチング剤の生成反応の極限拡散電位、励起光の波長及び強度等のパラメーターを選択する。これらパラメーターの選択は、エッチングレベリング剤の量を制御するのに用いられ、拘束エッチング剤層の厚さ及び表面除去効率に直接の影響を与える。前記極限拡散電位は、この電位において、光/電気化学による電流が最大の一定値を維持することを表す。例えば、酸性条件下でシリコン材料を加工する場合、臭素イオンが酸化されてエッチング剤である臭素を生成する極限拡散電位は09V以上である。前記表面除去効率は、化学エッチング反応が単位時間内に除去するワークの質量gmin、又は単位時間内に除去するワークの厚さμmminを指す。例えば、臭素を用いてガリウムヒ素をエッチングする場合、表面除去効率は02μmminに達することができる。ステップ5において、前記被加工ワーク表面とバイトとの距離及び平行度に対する調整制御として、電流センサ、圧力センサ及び平行レーザ光束距離測定装置が提供するフィードバックパラメーターに基づき、被加工ワーク表面とバイトとの距離及び平行度を調整制御することができる。本発明に記載のバイト光/電気化学的作動電極はナノレベルの平坦の表面精度を有し、その表面がXY二次元平面方向において大きい寸法を有してもよく、一次元方向において大きい寸法を有してもよい。その製造方法は、従来技術におけるナノレベルの平坦の表面精度を有するバイトを製造するための一般的方法であってもよく、本発明者が新たに提出した製造方法であってもよい。このような製造方法として、例えば下記の方法が挙げられる。1超精密機械加工例えばナノフライス切削の方法によってナノレベルの平坦精度を有するプラチナ、金、イリジウム、タングステンなどの金属電極を取得する;2各種の膜形成技術例えば電子ビーム蒸着、マグネトロンスパッタリング、電気メッキ、化学メッキなど又は結晶体エピタキシャル成長技術によって、表面が原子オーダーの平坦程度を有する基板上に金属又は半導体を沈着及び成長させ、その表面を導電化させる;3溶融のプラチナ、金、イリジウムなどの金属に対して、温度を精確に下げる方法又は引伸ばしなどの方法によって、表面にナノレベルの平坦精度を有するプラチナ、金、イリジウムなどの金属単結晶電極を製造する;4CMP技術を電解と結合する方法を用いて、金属多結晶又は単結晶電極表面に対して平坦化及びポリシングを行うことにより、ナノ平坦精度を有する電極表面を取得する;5液体金属又は合金が自然的に形成されたナノ平坦精度表面を用いる;及び6光触媒反応及び光電気触媒反応に用いるバイトを製造し、石英非導電光学材料、ITO及びFTO導電光学ガラスを担体とし、表面修飾、InSitu電気化学的成長、又は化学的気相沈着によって一層のナノ二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステンWO3、酸化第二鉄Fe2O3、セレン化カドミウムCdSe及びその複合光触媒材料を被覆する。加工過程において、バイト表面に電気化学、光化学または光電気化学的反応によって生成される物質は、その自身によってワーク表面に対して直接的に化学エッチングを行うエッチングレベリング剤であってもよく、溶液中のエッチングレベリング剤の化学エッチング速度を向上させる触媒であってもよく、又は両者であってもよい。本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法は、エッチングレベリング剤が、異なる加工対象に基づいて広範に選択されることができる。一般的には、ワークの材質に基づいてエッチングレベリング剤を選択し、エッチングレベリング剤に基づいて適切なエッチングレベリング剤前駆体及び対応の除去剤を選択し、且つ選択済みのエッチングレベリング剤前駆体及び除去剤をそれぞれ作動溶液中に添加する。本発明に係る方法の平坦化及びポリシングの対象は、金属材料ワーク例えばUSLI上のCuであってもよく、半導体材料ワーク例えばSi基板であってもよく、絶縁材料ワーク例えばSiO2ガラスであってもよい。且つ、本発明は、金属、半導体及び絶縁体の表面に対して、大面積ロット化でナノ精度の平坦化及びポリシング加工を行うことができる。例えば、加工対象が金属材料である場合、エッチング剤層のpHを制御することにより、拘束エッチング剤層内の硝酸、硫酸などのような強酸性物質の濃度を向上させ、金属と反応させて可溶性塩を生成する。或いは、酸素、フッ素、塩素、臭素、フェロセン、鉄シアン化物、金属錯体などのような強酸化特性を有するエッチング剤を生成することにより、金属と直接的に反応させて可溶性化合物を生成する。或いは、過酸化水素、酸素、オゾン、酸素含有ラジカル基などのような酸化性物質を生成することにより金属表面に酸化物を生成し、それを溶液中の硫酸、硝酸、塩酸、蓚酸などのような酸性物質と溶解反応させて除去目的を達する。用いられる除去剤は、シスチンのようなジスルフィド結合化合物、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、アスコルビン酸、ソルビトール、又はそれらの混合物などである。溶液における金属イオンの溶解度を向上させるために、溶液中に、ハロゲンイオン、アンモニア水、シアンイオンcyanideion、チオシアンイオンthiocyanideion、クラウンエーテル系超分子化合物、アルキルスルホン酸ナトリウム、ポリエーテルポリオキシエチレンが好ましい、アゾール系化合物などのような添加剤又は界面活性剤を加え、金属イオンと錯化反応させる。例えば、加工対象が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、遷移金属二元及び三元化合物などのような半導体、並びに石英、ガラス、サファイア、酸化マグネシウム、テルリウムカドミウム水銀、リン酸二水素カリウムなどの無機結晶体のような絶縁体材料である場合、拘束エッチング剤層内に酸素、フッ素、塩素、臭素、過マンガン酸イオン、重クロム酸イオン、過塩素酸イオン、硝酸イオン、酸素含有ラジカル基などのような強酸化剤を生成すると同時に、ハロゲンイオン、アンモニア水、シアンイオン、チオシアンイオン、クラウンエーテル系超分子化合物、アルキルスルホン酸ナトリウム、ポリエーテルポリオキシエチレンが好ましい、アゾール系化合物などのような錯化剤を加えて生成物の溶解度を高めることにより、平坦化及びポリシングの目的を達する。用いられる除去剤は、還元性質を有するシスチンのようなジスルフィド結合化合物、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、アスコルビン酸、ソルビトール、又はそれらの混合物などである。用いられる溶剤は、水、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、NN’ジメチルホルムアミド、並びに、第4級アンモニウムイオン、第4級ホスホニウムイオン、イミダゾリウムイオン、及びピロリウムイオンなどを陽イオンとするイオン液体であってもよい。且つ、上述の通り、本発明における拘束エッチング剤液層の厚さは、さらにエッチング剤と除去剤との濃度比に決められる。一般的には、この濃度比は101~1100であり、11~120であることが好ましい。例えば、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、溶存酸素、臭化物、フッ化物、アルキルアミン系化合物のうちから選ばれた少なくとも1種を含むエッチングレベリング剤前駆体を用いる場合、その濃度範囲は0001~10moldm3であり、電気化学的反応によって、ワーク表面を化学エッチングし得るエッチングレベリング剤を発生させる。発生されたエッチングレベリング剤と、ジスルフィド結合化合物、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩のうちの少なくとも1種からなる除去剤とは高速化学反応を行うことにより、エッチングレベリング剤の寿命を短縮させることができる。エッチングレベリング剤は寿命が短縮されたため、溶液中において非常に短い距離しか拡散することができない。したがって、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチングレベリング剤液層を形成し、ワーク表面で非常に高い解像度でエッチングすることができる。また、バイトとワークとの間にはエッチングレベリング剤液層が存在し、実質的な機械的接触がないため、バイト表面にナノ平坦精度が保たれる。本発明において、溶存酸素、オゾン、過酸化物、超酸化物、酸窒化物oxynitrides、次亜塩素酸塩、亜硝酸塩、過硫酸塩、アルキル過酸化物のうちの少なくとも1種を含むエッチング剤前駆体を用いる場合、一般的には、その濃度範囲は0001~10moldm3であり、光化学、電気化学又は光電気化学的反応によってラジカル基のエッチング剤を発生させ、ワーク表面に対して化学的エッチングする。ラジカル基のエッチング剤は寿命が短いため、溶液中における拡散距離が非常に短い。したがって、バイト表面にナノレベルの厚さを有するエッチング剤液層を形成し、ワーク表面で非常に高い解像度で化学的エッチングすることができる。また、バイトとワークとの間にはエッチングレベリング剤液層が存在し、実質的な機械的接触がないため、バイト表面にナノ平坦精度が保たれる。これから分かる通り、本発明における溶液の配合は下記の要求を満たしている。1溶液にエッチング剤前駆体が含まれ、電気化学、光化学又は光電気化学的反応によってエッチングレベリング剤を発生させ、ワーク材料と化学的エッチング反応を行うことができ、且つ反応速度が十分に高く、除去率が10nmmin以上である。2エッチングレベリング剤のワーク材料に対する化学的エッチング作用は、等方性でなければならない。3エッチングによる平坦化過程において、難溶又は不溶の物質が発生してはならない。4除去剤拘束剤はエッチングレベリング剤と高速反応し、且つバイト表面にエッチングレベリング剤をナノレベルの厚さに拘束することができる。5溶液システム全体は安定しなければならない。CMP技術に比べて、本発明は以下の際立ったメリットを有する。1バイトとワーク表面とが実際の機械的接触を有しないため、ワーク表面とサブ表面には機械損傷がなく、残存応力もない。2エッチングによる平坦化及びポリシングの過程において、ほかの沈殿し易い金属イオンが導入されていないため、金属イオンの汚染問題が存在しない。3化学エッチングによる平坦化反応の発生は、ワーク表面とエッチングレベリング剤液層とを接触するか否かに決められ、典型的な自己終止型の過程である。即ち、エッチングによる平坦化反応の進行を伴い、ワーク表面が徐々に溶けてなくなり、最終的にエッチングレベリング剤液層から離脱し、エッチング反応もそれに従って終了するため、平坦化及びポリシングの終点が制御され易い。本発明の第2の面は、光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法を実現するための装置を提供する。前記光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法を実現するための装置には、バイトと、光/電気化学反応制御システムと、溶液循環装置と、溶液温度調節装置と、自動化制御システムとが配置されている。前記バイトは、表面にナノ平坦精度を有する金属バイトであり、その材質がプラチナ、金、イリジウム、タングステン、チタンなどの金属及びその合金;二酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、酸化タングステンWO3、酸化第二鉄Fe2O3、セレン化カドミウムCdSeなど及びその複合光触媒半導体材料である。或いは、前記バイトは、ガラス化カーボン、高温分裂分解黒鉛、ホウ素ドーピングダイヤモンドなどの非金属材料からなる、表面にナノ平坦精度を有するバイトである。バイトの形状は特に制限されず、フライス状、リニアスクレーパ状、平面ディスク状、及び流体動圧設計に基づく溝状などであることができる。バイトの形状を合理的に設計し、且つバイトとワークとの相対的運動方式又はバイトの送り方式を制御することにより、加工されるワークの形状が平面、円柱面、円錐面、球面及び非球面にすることができ、さらにワーク表面の表面プロファイル精度を向上させ、ワーク表面の粗さを低減させることができる。例えば、前記バイトがディスク状バイトである場合、平面回転運動しながらバイト又はワークを平面振動させることにより、さらにワーク表面の表面プロファイル精度を向上させ、ワーク表面の粗さを低減させる。前記光/電気化学反応制御システムは、エッチングレベリング剤液層の厚さをナノ寸法に精確に制御し、一般的に100nm以下に制御し、さらに精密な平坦化及びポリシングプロセスにおいて20nm以下に制御し得る光/電気化学反応制御システムである。前記光/電気化学反応制御システムには、ポテンショスタット及び又は光路制御装置と、光/電気化学的作動電極と、補助電極と、参照電極と、容器と、作動溶液とが配置されている。前記作動溶液循環装置には、循環ポンプ、流量コントローラ及び液槽が配置されている。前記作動溶液温度調節装置には、測温器、ヒータ、クーラ及び液槽が配置されている。前記自動化制御システムには、固定台、多次元即ち三次元以上マイクロ駆動装置、可視化モニター、圧力センサ、平行レーザ光束距離測定装置、電流フィードバック装置及び情報処理コンピュータが配置されている。前記バイトは固定台下部に固定され、固定台上部には自動化制御システムの多次元マイクロ駆動装置の垂直軸マイクロ駆動コントローラが接続され、垂直軸マイクロ駆動コントローラには情報処理コンピュータが接続されている。バイトは光/電気化学的作動電極として、固定台を介してポテンショスタット及び又は光路制御システムに接続されている。補助電極及び参照電極は作動溶液に挿入され、作動溶液は温度調節装置により一定の温度に調節された後、容器に注入され、且つ作動溶液循環装置を介して、容器と定温液槽との間の作動溶液の循環を実現する。前記容器は、多次元マイクロ駆動装置の水平軸マイクロ駆動コントローラに配置される。ワークは容器中に配置され、可視化モニターはバイトがワークへ接近する過程をモニタリングし、電流フィードバック装置はバイト表面電流をモニタリングし、圧力センサはバイトとワークとの接触をモニタリングし、平行レーザ光束距離測定装置はバイト表面とワーク表面との距離をモニタリングし、情報処理コンピュータは電流フィードバック装置が提供した電流値、圧力センサが提供した圧力値、及び平行レーザ光束距離測定装置が提供した両平面間の距離値などのフィードバックパラメーターに基づき、多次元マイクロ駆動装置の垂直軸マイクロ駆動コントローラ及び水平軸マイクロ駆動コントローラを駆動し、バイト表面とワーク表面との距離及び平行度を調節する。多次元マイクロ駆動装置は、バイトとワークとの相対的運動方式を制御すること、及びバイトの送り方式を調整することにも用いられる。前記作動溶液は、エッチングレベリング剤前駆体及び/又は除去剤と溶剤とを含み、さらに界面活性剤、支持電解質、pHバッファーなどを任意に含むことができる。前記溶剤は水、有機溶剤又はイオン液体などであってもよい。前記有機溶剤は、アセトニトリルCH3CN、ジメチルスルホキシドdimethylsulphoxide,DMSO、NN’ジメチルホルムアミドNN’dimethylformamide,DMFなどのうちの少なくとも1種であってもよい。前記イオン液体は、第4級アンモニウムイオン、第4級ホスホニウムイオン、イミダゾリウムイオン、及びピロリウムイオンなどを陽イオンとする。イオン液体に含まれる添加剤は、尿素urea、アセトアミドacetamide、チオ尿素thiourea、トリクロロ酢酸trichloroaceticacid、フェニル酢酸phenylaceticacid、マロン酸malonicacid、蓚酸oxalicacid、pトルエンスルホン酸ptoluenesulfonicacid、mクレゾールmcresol、pクレゾールpcresol、oクレゾールocresol、及びフルクトースfructoseなどのうちから選ばれる少なくとも1種であってもよい。前記添加剤の濃度は、前記溶液の総質量に対して、質量で5~95である。前記エッチングレベリング剤前駆体はフェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、溶存酸素、臭化物、フッ化物、アルキルアミン系化合物等のうちから選ばれた少なくとも1種であってもよく、前記エッチングレベリング剤前駆体の濃度は0001~10moldm3であり、001~01moldm3であることが好ましい。前記除去剤は、メルカプト化合物、フェロセン及びその誘導体、過硫酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩等のうちから選ばれた少なくとも1種であってもよく、前記除去剤の濃度は005~10moldm3であり、01~10moldm3であることが好ましい。前記界面活性剤はアルキルスルホン酸塩、第4級アンモニウム塩、ポリエーテル、ベンゾトリアゾール等のうちから選ばれた少なくとも1種であってもよく、前記界面活性剤の濃度は0001~10moldm3であり、001~01moldm3であることが好ましい。作動溶液に用いられる支持電解質は溶液の導電性を保証するためのものであり、その濃度は具体的に加工対象によって決められ、一般的には001~1molLである。作動溶液中に用いられるpHバッファーは酸性又はアルカリ性であってもよい。本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工装置におけるマイクロ駆動装置、情報処理コンピュータ及び電気化学反応制御システムなどは、既に本出願人の中国特許ZL03101271Xにおいて説明されている。本発明はそれに基づき、マイクロ駆動装置を三次元から多次元に拡張した。このような変化は、特に複雑な表面プロファイルの加工に適する。同時に、光路制御装置を増やし、光化学及び光電気化学的調整を行うようにする。拘束エッチング剤層技術を採用し、バイト表面に電気化学的に生成されたエッチングレベリング剤層の厚さがナノ寸法にあるため、特に大面積ワークに対して平坦化及びポリシングを行う場合、バイトとワークとの平行度は非常に重要である。本発明は、中国特許ZL03101271Xにおける感圧方式によってワークとバイトとの距離を調整するほか、さらに平行レーザ光束検証の方法によってワークとバイトとの距離及び平行度を調整する。また、本発明は自動化制御システムを増設し、該システムはバイト表面電流フィードバック、バイト表面とワーク表面との接触圧力、及び平行レーザ光束装置により、多次元マイクロ駆動装置を自動的に微調整し、バイトをワーク表面に精確に移動させる。バイト表面のエッチングレベリング剤液層がワーク表面と接触すると、エッチングによる平坦化加工が開始され、エッチングによる平坦化の進行を伴い、ワーク表面が徐々に溶けてなくなる。自動制御システムは絶えずに多次元マイクロ駆動装置を駆動してバイトを移動させ、エッチングによる平坦化及びポリシング反応を絶えずに進行させると共に、可視化モニターを介してプロセス過程をリアルタイムでモニタリングする。平坦化及びポリシング過程におけるマスバランス及び除去剤の補充を確保し、エッチング反応の速度を調整制御するために、本発明は作動溶液循環装置及び温度制御装置を増設した。加工過程において、ワーク表面には機械的応力、内部損傷、金属汚染が発生しなく、且つ平坦化及びポリシング終点は制御され易い。同時に、金属、半導体及び絶縁体などのような異なる材質の表面に対して、大面積、ロット化の平坦化及びポリシングを行うことができる。図1は、本発明に係る拘束化学的エッチングによる平坦化及びポリシング加工方法の実施装置の一つの実例の組成模式図である。加工バイトとして、表面がナノ平坦精度であるプラチナ金属ディスク状バイト5を採用する。バイト5は金属固定台4の下部に固定され、バイト外側に固定される平行レーザ光束距離測定装置17の光ファイバプローブ16も金属固定台4の下部に固定される。平行レーザ光束距離測定装置17は情報処理コンピュータ3に接続される。金属固定台4は、直径が異なる2つの円柱からなることができ、その上部に駆動装置のZ軸垂直軸マイクロ駆動コントローラ2が接続され、Z軸マイクロ駆動コントローラ2は情報処理コンピュータ3に接続される。電気化学システムには、ポテンショスタット1、補助電極8、参照電極9、容器10、及び溶液11などが配置されている。プラチナ金属ディスク状バイト5は、金属固定台4を介してポテンショスタット1に接続され、電気化学的作動電極となる。補助電極8及び参照電極9は作動溶液11に挿入され、作動溶液11は定温槽13を経て定温された後、容器10に注入され、且つ作動溶液循環装置12を介して、容器10と定温液槽13との間における作動溶液の循環を実現する。容器10は、情報処理コンピュータ3に接続される圧力センサ15上に設けられる。容器10及び圧力センサ15は、いずれも駆動装置のxy軸水平軸マイクロ駆動コントローラ7に配置される図1に示されていない。ワーク6は容器10に配置される。可視化モニター14により、バイトとワークとの接触をモニタリングする。図2は、本発明に係る拘束化学的エッチングによる平坦化及びポリシング加工方法の実施装置の別の実例の組成模式図である。同様に、本実例もバイトと、光/電気化学反応制御システムと、作動溶液循環装置と、作動溶液温度調節装置と、自動化制御システムとを含む。図2に示すように、光/電気化学反応制御システムは光路装置3及び/又は電気化学的作動ステーション9を含み、自動化制御システムには、情報処理コンピュータ1、多次元マイクロ駆動システム、作業台図1における固定台に相当及び可視化モニター14が含まれる。情報処理コンピュータ1は加工装置の中枢であり、多次元マイクロ駆動システムバイトディスク運動コントローラ2及びワークディスク運動コントローラ8を含む、光路装置3、電気化学的作動ステーション9、溶液循環装置12、温度調節装置13及び可視化モニター14にそれぞれ接続し、指令発信及び情報フィードバックの役割を果たし、プロセスパラメーター及び加工進捗をリアルタイムでモニタリングする。バイトディスク運動コントローラ2は超安定回転の作業台であり、作業台にはバイト4を固定し、その動作パラメーターが情報処理コンピュータ1に調整制御される。ワーク6はワークディスク7に固定され、ワークディスク7はワークディスク運動コントローラ8に接続され、情報処理コンピュータ1からの指令に基づいて垂直接近及び水平振動をする。電気化学的誘導の拘束化学エッチング反応の場合には、電気化学的作動ステーション9、参照電極15及び補助電極16を配置し、且つバイト4を作動電極とする必要がある。作動溶液10は容器11に注入され、容器11は溶液循環装置12及び温度調節装置13に接続されている。作動電極バイトの電位を制御し、電気化学的反応によって拘束エッチング剤層5を発生させる。光化学又は光電気化学的誘導の拘束化学エッチング反応の場合には、バイト表面に光触媒を修飾する必要があり、光路装置3を起動すると、励起光が触媒表面に入射して光触媒又は光電気化学反応を引起し、ラジカル基のエッチング剤層5を発生させる。ワークディスク運動コントローラ8を起動し、平坦化及びポリシングプロセスを完成するまでにワークを拘束エッチング剤層と接触させる。圧力センサ17及びレーザ距離測定プローブ18はワークディスク7に内蔵され17及び18は図2に示されていない、光/電気化学反応制御システムと組合わせ、圧力、距離、電流などのフィードバックデータによりワークとバイトとの距離及び平行度を調整する。図1及び図2に示す本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法に用いられる装置は、その基本的な作動原理が以下の通りである。作動溶液において、電気化学、光化学又は光電気化学的反応によって、表面がナノ平坦精度であるバイト作動電極21表面にエッチングレベリング剤液層22を生成する図3aに示される。作動溶液にはエッチングレベリング剤と高速化学反応を行なえる除去剤が予め添加されたため、エッチングレベリング剤の寿命は大幅に短縮され、拘束エッチングレベリング剤液層23はバイト21表面から外部へ長距離拡散できず、ナノ寸法を達し得る図3bに示されるように、図3bにおいて、24はめっき層であり、25は誘電体である。バイト表面のエッチングレベリング剤液層が加工ワークに接触すると、エッチングによる平坦化の化学反応が始まる。バイト表面がエッチングされるにつれて、拘束エッチングレベリング剤液層が引続きワーク表面に接触し、所望の程度までにエッチングするように、精密駆動装置は絶えずにバイトをワークへ移動させる必要がある図3cに示される。拘束エッチング剤層は非常に薄く且つ安定した濃度分布を有し、厚さが20nm以下に達することができるため、バイト表面の平坦度を維持し、エッチング終了後に、ワーク表面はバイト表面のナノ平坦精度に達し得る図3dに示される。本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ表面プロファイル精度及びナノ粗さの平坦化及びポリシング加工方法は、大面積の平坦化及びポリシング加工を実現し得るとともに、二次元平面のワーク表面、円柱状ワーク表面、非正規曲面ワーク表面などに対して加工を行うことができる。図4に示すように、ナノ平坦精度の平面バイト31、即ち二次元平面方向において大きい寸法を有するバイトを用い、バイトをワーク32に徐々に接近させる方法によって、ワークに対して化学エッチングによる平坦化及びポリシングを行う。自動制御システムによりバイトディスク運動コントローラ2を駆動し、表面がナノレベルの厚さのエッチング剤液層に被覆されたバイトをワーク表面に徐々に接近させる。バイト表面のエッチングレベリング剤液層がワーク表面の最も突出点に接触すると、化学エッチング反応が始まり、ワーク表面に対して化学エッチングによる平坦化及びポリシングを行う。エッチング反応の進行につれて、ワーク表面の最も突出点が溶けてなくなってエッチング液層から徐々に離れた場合には、再びバイトをワーク表面に接近させる。所望の平坦化及びポリシング精度に達するまでに、前記工程を繰返す。33は、超精密機械的加工方法によって製造された平面バイトである。図5に示すように、ナノ平坦精度の線形バイト41、即ち一次元方向において大きい寸法を有するバイトを用い、XY二次元平面方向においてバイトとワークとを相対的に移動させることにより、ワークに対して化学エッチングによる平坦化及びポリシングを行う。即ち、自動制御システムによりバイトディスク運動コントローラ2を駆動し、表面がナノレベルの厚さのレベリング剤液層に被覆されたバイトをワーク42表面に徐々に接近させる。バイト表面のレベリング剤液層がワーク表面の最も突出点に接触すると、ワーク表面に対して平坦化及びポリシングが始まる。エッチング反応の進行につれて、ワーク表面の最も突出点が溶けてなくなって、徐々にワークがエッチング液層から離れた場合には、バイトがワーク表面全体に至るように、XY二次元平面方向においてバイト又はワークを相対的に移動させる。所望のポリシング及び平坦化の精度に達するまでに、前記工程を繰返す。図6に示すように、ナノ平坦精度の線形バイト53を用いて円柱状ワークの表面に対して平坦化及びポリシングを行う。即ち、自動制御システムによりバイトディスク運動コントローラ2を駆動し、表面がナノレベルの厚さのレベリング剤液層52が被覆されたバイトを、中軸周りを回転するワーク51表面に徐々に接近させる。バイト表面のレベリング剤液層がワーク表面の最も突出点に接触すると、ワーク表面に対して平坦化及びポリシングが始まる。エッチング反応の進行につれて、ワーク表面の最も突出点が溶けてなくなり、ワークがエッチング液層から徐々に離れる。この場合には、バイトがワーク表面全体に至るように、バイトの送り量を制御する。所望のポリシング及び平坦化の精度に達するまでに、前記工程を繰返す。図7に示すように、ナノ平坦精度のフライス状バイト62を用いて非正規曲面ワークの表面に対して平坦化及びポリシングを行う。即ち、まず非正規曲面に対してデジタル化処理を行い、バイトの運動軌跡をプログラム化する。そして、自動化制御システムによりバイト表面の拘束エッチング剤層をワークに接触させ、事前に設定されたプログラム化運動軌跡に沿って非正規曲面ワークに対して加工を行う。61はバイトのプログラム化運動軌跡であり、63はバイトの電極電位を制御するための補助電極であり、64は非正規曲面ワークである。以下、図面の実施例を参照しながら本発明を更に説明する。これらの実施例は説明的なものに過ぎず、本発明の範囲を制限するためのものではない。実施例実施例1図2に示す装置を用い、ワークである銅の表面に対して平坦化及びポリシングを行った。加工条件:循環流動する作動溶液は、酢酸pH5501moldm3と、ベンゾトリアゾール2mgdm3と、チオ硫酸ナトリウムNa2S2O810mmoldm3と、Nアセチルシステイン01moldm3とを含む;エッチング平坦化全過程において、その温度は25°Cに保持される;電気化学的エッチング反応制御システムを起動させた後、プラチナ金属ディスク表面においてNa2S2O8を電解してSO4●ラジカルのエッチングレベリング剤を発生させる;除去剤は、エッチング溶液に添加されるNアセチルシステインである;平坦化及びポリシング全過程において、定電位法によってバイト金属プラチナディスク電極の電極電位を05V飽和甘汞電極の電位に対してに保持する。その中、プラチナ金属ディスクの表面はCMP技術によってポリシングされてその平坦化精度が60nmを超えると共に、図2に示すバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定された。自動制御システムを起動すると、システムは、電流フィードバック装置、圧力センサ及び平行レーザ光束距離測定装置が提供するフィードバック電流、圧力及び平行度などのパラメーターに基づき、ワークディスク運動コントローラ8を自動的に駆動し、ワークをバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定されるバイトに精確に移動させた。バイト表面を被覆するエッチングレベリング剤液層が銅表面に接触すると、エッチング平坦化加工を開始した。エッチング平坦化の進行につれて、銅表面は徐々に溶けてなくなった。自動制御システムは絶えずにバイトを送り、エッチング平坦化の化学反応を絶えずに行なわせた。ワークが超安定低速回転1rminし、且つ拘束エッチングレベリング剤層の厚さが非常に薄くその厚さが50nm以下に拘束される、層流層内にあるため、バイト又はワークは移動する過程においてエッチングレベリング剤液層の表面平坦に影響を与えない。加工時間は、ワーク材料及び拘束化学的エッチングシステムに関係があり、即ち表面除去率に決められる。銅の平坦化及びポリシング実験において、バイトの送り時間は15minであり、その後に自動制御システムを切断してバイトを送らないようにし、5min後に電気化学的システムを切断してバイトを持ち上げた。得られたワーク表面の光学顕微鏡OlympusBX51、OlympusCo製画像は図8に示される。原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製の結果によると、ポリシング後の表面粗さは120nmであった。実施例2図2に示す装置を用い、ワークであるシリコンの表面に対して平坦化及びポリシングを行った。加工条件:循環流動する作動溶液は、フッ化アンモニウムNH4F01moldm3と、臭化テトラメチルアンモニウム4NBr1mmgdm3と、Lシスチン001moldm3と、硫酸H2SO405moldm3とを含む;エッチング平坦化全過程において、その温度は30°Cに保持される;電気化学的エッチング反応制御システムを起動した後、プラチナ金属ディスク表面において臭素イオンBr-を電解酸化して臭素Br2のエッチングレベリング剤を発生させる;除去剤はシスチンである;平坦化及びポリシング全過程において、定電位法によってバイト金属プラチナディスク電極の電極電位を09V飽和甘汞電極の電位に対してに保持する。その中、プラチナ金属ディスクの表面はCMP技術によってポリシングされて、その平坦化の精度が60nmを超えると共に、図2に示すバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定された。自動制御システムを起動すると、システムは、電流フィードバック装置、圧力センサ及び平行レーザ光束距離測定装置が提供するフィードバック電流、圧力及び平行度などのパラメーターに基づき、ワークディスク運動コントローラ8を自動的に駆動し、ワークをバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定されるバイトに精確に移動させた。バイト表面を被覆するエッチングレベリング剤液層その厚さが20nm以下に拘束されるがシリコン表面に接触すると、エッチング平坦化加工を開始した。エッチング平坦化の進行につれて、シリコン表面は徐々に溶けてなくなった。自動制御システムは絶えずにバイトを送り、エッチング平坦化の化学反応を絶えずに行なわせた。本実験において、10min後に自動制御システムを切断してバイトを送らないようにし、さらに3min後に電気化学的システムを切断してバイトを持ち上げた。得られるワーク表面の走査電子顕微鏡FESEMLEO1530、LEOCo製画像は図9に示される。原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製の結果によると、ポリシング後の表面粗さは06nmであった。実施例3図2に示す装置を用い、ワークであるガリウムヒ素の表面に対して平坦化及びポリシングを行った。加工条件:循環流動する作動溶液は、HBr10moldm3と、Lシスチン10mmoldm3と、H2SO405moldm3とを含む;エッチング平坦化全過程において、その温度は20°Cに保持される;電気化学的エッチング反応制御システムを起動した後、プラチナ金属ディスク表面において臭素イオンBr-を電解酸化して臭素Br2のエッチングレベリング剤を発生させる;除去剤はLシスチンである;平坦化及びポリシング全過程において、定電位法によってバイト金属プラチナディスク電極の電極電位を09V飽和甘汞電極の電位に対してに保持する。その中、プラチナ金属ディスクの表面はCMP技術によってポリシングされてその平坦化の精度が60nmを超えると共に、図2に示すバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定された。自動制御システムを起動すると、システムは、電流フィードバック装置、圧力センサ及び平行レーザ光束距離測定装置が提供するフィードバック電流、圧力及び平行度などのパラメーターに基づき、ワークディスク運動コントローラ8を自動的に駆動し、ワークをバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定されたバイトに精確に移動させた。バイト表面を被覆するエッチングレベリング剤液層がガリウムヒ素表面に接触すると、エッチング平坦化加工を開始した。エッチング平坦化の進行につれて、ガリウムヒ素表面は徐々に溶けてなくなった。自動制御システムは絶えずにバイトを送り、エッチング平坦化の化学反応を絶えずに行なわせた。本実験において、8min後に自動制御システムを切断してバイトを送らないようにし、さらに2min後に電気化学的システムを切断してバイトを持ち上げた。得られるワーク表面の走査電子顕微鏡FESEMLEO1530、LEOCo製画像は図10に示される。原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製の結果によると、ポリシング後の表面粗さは10nmであった。実施例4図2に示す装置を用い、ワークであるSiO2ガラスの表面に対して平坦化及びポリシングを行った。加工条件:用いる溶液は、NH4F01moldm3と、アンモニア水NH4OHpH12と、亜硝酸ナトリウムNaNO210mmoldm3とを含む;エッチング平坦化全過程において、循環流動する作動溶液の温度は30°Cに保持される;電気化学的エッチング反応制御システムを起動した後、プラチナ金属ディスク表面においてNaNO2を電解してHのレベリング剤を発生させ、プラチナ金属ディスク表面に強酸層を発生させ、SiO2が強酸条件においてF-イオンと錯化反応して除去される;除去剤はエッチング溶液におけるOHであり、且つプラチナ金属ディスク表面に形成された強酸層の厚さを20nm以下に拘束する;平坦化及びポリシング全過程において、定電位法によってバイト金属プラチナディスク電極の電極電位を09V飽和甘汞電極の電位に対してに保持する。その中、プラチナ金属ディスクの表面はCMP技術によってポリシングされてその平坦化精度が60nmを超えると共に、図2に示すバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定された。自動制御システムを起動すると、システムは、電流フィードバック装置、圧力センサ及び平行レーザ光束距離測定装置が提供するフィードバック電流、圧力及び平行度などのパラメーターに基づき、ワークディスク運動コントローラ8を自動的に駆動し、ワークをバイトディスク運動コントローラ2の頂部に固定されるバイトに精確に移動させ、エッチング平坦化加工を開始した。エッチング平坦化の進行につれて、SiO2ガラス表面は徐々に溶けてなくなった。自動制御システムは絶えずにバイトを送り、エッチング平坦化の化学反応を絶えずに行なわせた。30min後に自動制御システムを切断してバイトを送らないようにし、更に10min後に電気化学的システムを切断してバイトを持ち上げた。得られたワーク表面の光学顕微画像OlympusBX51、OlympusCo製は図11に示される。原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製の結果によると、ポリシング後の表面粗さは06nmであった。実施例5~32実施例5~13のプロセスステップは上記実施例2と類似し、実施例14~22のプロセスステップは上記実施例1と類似し、実施例23~31のプロセスステップは上記実施例4と類似しているが、エッチング平坦化及びポリシング溶液と除去剤の成分及び含有量が異なる。具体的な成分及びそのエッチング効果は、表1~3に示されている。エッチング効果は、高倍率の光学顕微鏡OlympusBX51、OlympusCo製、走査電子顕微鏡FESEMLEO1530、LEOCo製、原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製によって観察されることができ、表面粗さRaは、原子力顕微鏡タッピングモードNanoscopeIIIa、DigitalInstrumentCo製によって局部走査する結果から分析されることができる。表1から分かる通り、本発明に係わる光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法は、シリコン材質のワークに対する平坦化効果が顕著であり、ワーク表面の表面粗さを20nm以下にすることができる。表2から分かる通り、本発明に係わる光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法は、銅材質のワークに対する平坦化効果が顕著であり、ワーク表面の表面粗さを25nm以下にすることができる。表3から分かる通り、本発明に係る光/電気化学的誘導の拘束化学エッチングによるナノ精度の平坦化及びポリシング加工方法は、SiO2材質のワークに対する平坦化効果が顕著であり、ワーク表面の表面粗さを15nm以下にすることができる。産業上の利用可能性本発明に係る平坦化及びポリシング方法並びに装置にて生産されるワークは、表面がナノレベルの表面プロファイル精度及び粗さナノ精度を実現し得る。且つ、本発明は化学機械的ポリシングCMP技術に比べて、ワーク表面とサブ表面に機械損傷がなく、残存応力がなく、金属イオンの汚染問題がないというメリット、並びに、平坦化及びポリシングの終点が制御され易いメリットを有する。したがって、半導体工業材料、超大規模集積回路、マイクロ機械電気やマイクロ光機械電気システム、現代精密光学デバイス、及び航空宇宙飛行の発動機翼板などの工業分野の平坦化及びポリシングプロセスに特に適用する。"