MEMS素子30を駆動制御する方法500であって、当該方法は前記MEMS素子30のカットオフ周波数ωgの下方にある信号周波数でデジタル駆動制御信号を供給するステップと、前記カットオフ周波数ωgの二倍よりも大きいサンプリング周波数で、前記デジタル駆動制御信号をオーバーサンプリングするステップと、前記オーバーサンプリング時に生じたノイズを、前記カットオフ周波数ωgの上方の周波数領域23bにシフトさせることによって、前記オーバーサンプリングされたデジタル駆動制御信号をノイズシェーピングするステップと、前記オーバーサンプリングされたデジタル駆動制御信号で、前記MEMS素子30を駆動するステップとを有する、ことを特徴とする、MEMS素子30を駆動制御する方法500。前記オーバーサンプリングステップおよび前記ノイズシェーピングステップを、ΔΣ変調器によって行う、請求項1記載の方法500。前記ΔΣ変調器の積分器の伝達関数の零点を、前記カットオフ周波数ωgの下方の周波数領域23aにおける前記MEMS素子30の共振モードの周波数に設定する、請求項2記載の方法500。MEMS素子30用の制御回路300であって、前記MEMS素子は請求項1から3までのいずれか1項記載の方法を実行し、前記MEMS素子30用のデジタル駆動制御信号を形成するように構成されている波形発生器2と、前記デジタル駆動制御信号をオーバーサンプリングして、ノイズシェーピングを与え、オーバーサンプリングされかつノイズシェーピングされたデジタル駆動制御信号を出力するように構成されている変調器3と、前記オーバーサンプリングされかつノイズシェーピングされたデジタル駆動制御信号で、前記MEMS素子30を準静的モードにおいて駆動するように構成されているデジタル駆動装置4とを有している、ことを特徴とする、MEMS素子30用の制御回路300。前記変調器3はΔΣ変調器である、請求項4記載の制御回路300。前記MEMS素子30は容量性アクチュエーター、殊にマイクロミラーアクチュエーターである、請求項4または5記載の制御回路300。前記ΔΣ変調器の積分器は、前記MEMS素子30の共振モードの周波数に、伝達関数の零点を有している、請求項5記載の制御回路300。前記駆動制御信号は、いずれの時点でも、前記MEMS素子30、殊に前記アクチュエーターの共振モードの周波数に相応する周波数成分を有していない、請求項5または6記載の制御回路300。図面では、同一のおよび同じ機能を有する素子、特徴およびコンポーネントには、そうでないということが記載されていない限りは、それぞれ同じ参照番号が付与されている。図面におけるコンポーネントおよび素子は、見やすくするために、および分かりやすくするために、必ずしも相互に縮尺通りには再現されていない、ということに留意されたい。MEMS素子には、本発明では、殊にMEMSアクチュエーターが含まれている。アクチュエーターは、制御信号を介して駆動制御される。これによって、入力信号は、接続されている機械部品の機械的な動作、殊に回転、傾斜および線形の移動に変換される。ーの1つの例は、マイクロミラーアクチュエーターである。これによって、マイクロミラーが、1つまたは複数の回転軸、傾斜軸または移動軸に沿って回転されるまたは動かされる。MEMS部品のリニア駆動制御時には、MEMS素子の共振モードが励起されないように試みられる。すなわち、準静的動作を可能にすることが試みされる。図1には、MEMSアクチュエーター100の等価回路図が示されている。MEMSアクチュエーター100は、ここで第1の入力抵抗14を含んでいる。この入力抵抗は、第1の容量16と、第2の容量17と、第2の抵抗18とから成る並列回路と直列に接続されている。MEMSアクチュエーター100の入力側12には、制御信号が印加される。この制御信号は、まずは入力抵抗14を通って案内される。これは通常は低抵抗であり、アクチュエーター100の全ての線路抵抗RLeitungをあらわす。アクチュエーター100の容量Cは、第1の容量16と第2の容量17とに分けられる。第1の容量16はMEMSアクチュエーター100の有効容量CNであり、第2の容量17はMEMSアクチュエーター100の寄生容量CPである。通常、MEMSアクチュエーター100の有効容量CNは、MEMSアクチュエーター100の寄生容量CPに比べて小さい。これは通常は、アクチュエーター100の機械的な状態に依存して、動的である。MEMSアクチュエーター100の図1の等価回路図は、慣性のばね質量系に対して代表的なものであり、一次近似的に、二次のローパスを表す。従ってMEMSアクチュエーターは、本発明では、ローパス特性を有する。図2は、MEMSアクチュエーターの周波数応答200を、ボード線図の振幅部分で示している。ここで、横軸上には周波数ωがKHzで記載され、縦軸上にはdBで振幅が記載されている。MEMSアクチュエーターの周波数領域は、それぞれ2つの帯域幅を有する2つの領域に分けられる。カットオフ周波数ωg22の下方には、領域23aが位置する。これは左を指している破線矢印によって示されている。これは、MEMSアクチュエーターの有効領域を表している。この有効領域では、MEMSアクチュエーターは、周波数応答の周波数領域21において、準静的に駆動制御される。周波数領域21はここで殊に、MEMSアクチュエーターの共振モードを有している周波数領域にはない。例えば図2では周波数応答における振幅上昇を伴う3つの共振モード24a、24b、24cが示されている。しかしここでアクチュエーターに応じて、より多くの、またはより少ない共振モードが生じ得る。これらの共振モードは種々の周波数において、有効領域23a内に生じる。共振モード24a、24b、24cは極めて容易に励起可能であり、励起時に、振幅増幅によって、MEMSアクチュエーターの不安定な駆動制御を生じさせることがある。従って、準静的モードにおいて、MEMSアクチュエーターのための駆動制御信号が、いずれの時点でも、共振モード24a、24b、24cの周波数に相応する周波数成分を有していないことが望ましい。カットオフ周波数ωg22の上方には、領域23bが位置する。これは右を指している破線矢印によって示されている。これは、MEMSアクチュエーターの減衰占有領域を表している。この領域では、図に示されたばね質量系として形成されているMEMSアクチュエーターの慣性が占領している。この領域では同様に共振モード25a、25b、25cが存在しているが、これらのモードは、MEMSアクチュエーターのシステム慣性のために、強く減衰されるので、容易に励起されない。図3は、本発明のある実施形態に従ったMEMS素子30のデジタル駆動制御のための制御回路300を示している。制御回路300は、ここで波形発生器2と、変調器3と、デジタル駆動装置4とを有している。波形発生器2、変調器3およびデジタル駆動装置は、ここで集積回路1内に配置される。この集積回路は例えばASICチップ等である。波形発生器2は、変調器3の入力側と結合されている。変調器3の出力側は、同様に、デジタル駆動装置4の入力側と結合されている。デジタル駆動装置4の出力側は、MEMS素子30の制御入力側と結合されている。波形発生器2は、MEMS素子30用のデジタル駆動制御信号を形成するように構成されている。デジタル駆動制御信号はここで1つまたは複数の有効信号周波数を有している。これはMEMS素子30の有効領域内にあり、例えば図2に示された領域23a内にあり、殊に、参照番号21で示された領域内の周波数にある。この有効信号周波数は例えば、10Hz~1KHzの領域、殊に数10Hz~数100Hzの領域内にある。有効信号周波数は次のように設計されている。すなわち、これがMEMS素子30の共振モードの周波数と一致しないように、例えば図2に示されている共振モード24a、24b、24cと一致しないように設計されている。デジタル駆動制御信号は、ここで例えば、集積回路1上で形成される。しかし、デジタル駆動制御信号が、集積回路上のメモリから読み出されるように設定されてもよい。この場合にはメモリは、多数の所定の駆動制御信号を含んでおり、それぞれ1つの所定の駆動制御信号がメモリからダウンロードされる。これによって、MEMS素子30が駆動制御される。変調器3は、デジタル駆動制御信号をオーバーサンプリングし、ノイズシェーピングを与え、オーバーサンプリングされ、かつノイズシェーピングされたデジタル駆動制御信号を、デジタル駆動装置4に出力するように構成されている。殊に変調器3は、ΔΣ変調器であり得る。ΔΣ変調器は2つの特性を有している。これらは有利には、デジタル駆動制御信号の所望の信号形成の実現に使用される:一方では、ΔΣ変調器は、高いオーバーサンプリングレートで動作する。この高いオーバーサンプリングレートは、ここで、MEMS素子30のカットオフ周波数ωgの少なくとも二倍のサンプリング周波数を有している。変調器3によるデジタル駆動制御信号の量子化時に生じる量子化ノイズは一様に、周波数0からサンプリング周波数の半分に達する周波数領域にわたって分配される。ここでこの周波数領域にわたって分配された全体的なノイズエネルギーは、一定である。すなわち、サンプリング周波数が高くなるほど、量子化ノイズが分配されている周波数領域が大きくなり、この周波数領域内の個々の周波数に対する信号-ノイズ-間隔が高くなる。図2の領域23aは、量子化ノイズに対して役割を果たす、MEMS素子30の有効領域である。変調器3のサンプリング周波数が上昇するとともに、領域23a内の量子化ノイズの相対的な成分は、量子化ノイズが分布している全周波数領域と比較して低減する。従って、高いサンプリング周波数にわたって、デジタル駆動制御信号のオーバーサンプリング時に、信号-ノイズ-間隔は、MEMS素子30の関連した有効領域において高く保たれる。殊に、これによって共振モード24a、24b、24cの領域において、信号-ノイズ-間隔は同様に高くなる。すなわち、準静的動作におけるMEMS素子30の駆動制御時に、共振モードの周波数でのノイズ信号妨害信号の成分は僅かであり、MEMS素子30の駆動制御は安定する。変調器3のサンプリング周波数を二倍にすると、約3dBだけ低減されたノイズレベルが、MEMS素子30の有効領域において生じる。第2に、ΔΣ変調器によって、ノイズシェーピングが行われる。ノイズシェーピングとは、デジタル信号の量子化ノイズを特定の周波数領域において強く集中させ、これによってノイズエネルギーを周波数スペクトルムにおいてシフトさせる方法である。従ってΔΣ変調器によって、量子化ノイズのノイズ信号が、カットオフ周波数ωgの上方の周波数領域23bにシフトされる。この領域23bでは、MEMS素子30の慣性が占領している。従って、図2に示された伝達関数に従って、この周波数領域におけるノイズ信号は、MEMS素子30の内在するローパス特性によってフィルタリングされる。ノイズシェーピングの程度は、例えば、オーバーサンプリング周波数およびΔΣ変調器の次数に依存する。これによって変調器パラメータの選択に応じて、第2の領域23bへの量子化ノイズのシフトが実現される。ΔΣ変調器は自身の前方経路において、次数に応じて少なくとも1つの積分器を有している。この積分器は、信号トランスファー関数を有している。この信号伝達関数は、1つまたは複数の零点を有している。この積分器の信号伝達関数の選択および零点の相応の選択を介して、ΔΣ変調器のノイズ信号伝達関数がこの零点で零に設定される。これによって、この零点に相応する周波数において、ΔΣ変調器の出力信号における量子化ノイズが抑圧される。本発明は、この関係を有利に利用する。これは、ΔΣ変調器の積分器が、自身の伝達関数の零点を、MEMS素子30の共振モードの周波数上に有することによって行われる。これによって、MEMS素子30の相応する共振モードの周波数での周波数成分を有するノイズ信号が効果的に抑圧され、これによってMEMS素子30の駆動制御が、準静的モードにおいて安定する。変調器3の出力制御信号は、駆動装置に供給され、この駆動装置によって、MEMS素子30を駆動するために使用される。ここでこの駆動制御信号は、MEMS素子30の駆動のために有利には、MEMS素子30の有効領域23aの共振モード24a、24b、24cの周波数での周波数成分を有していない、または強く低減されて有している。これによって、準静的モードにおける安定した駆動制御が保証される。図4は、本発明の別の実施形態に即した制御回路400を示している。制御回路400は、ここで殊に、制御回路300の例示的な実施形態であり得る。制御回路400は、Nビットを有するルックアップテーブル42であり得る。ここから、MEMS素子30のデジタル駆動制御のための駆動制御信号波形が供給される。さらに制御回路400は、ΔΣ変調器43を有している。これはデジタル駆動制御信号を、ルックアップテーブル42から受信し、オーバーサンプリングされ、かつノイズシェーピングされたデジタル駆動制御信号を出力する。このオーバーサンプリングされ、かつノイズシェーピングされたデジタル駆動制御信号は、ゲート駆動部44によって受信される。このゲート駆動部は、この駆動制御信号に相応して、2つのトランジスタ45aおよび45b、殊にMOSFETを駆動制御する。その上にルックアップテーブル42、ΔΣ変調器43、ゲート駆動部44並びにトランジスタ45aおよび45bが配置されるASICチップ上の端子46を介して駆動信号が、MEMS素子30内に供給される。図5には、MEMS素子を駆動制御するための方法500が概略的に示されている。方法500の第1のステップ51では、MEMS素子30のカットオフ周波数ωgの下方にある信号周波数を有するデジタル駆動制御信号が供給される。第2のステップ52では、このデジタル駆動制御信号が、カットオフ周波数ωgの二倍を超えるサンプリング周波数でオーバーサンプリングされる。このオーバーサンプリングはここで、ΔΣ変調器によって図3に関連して上述したように行われる。第3のステップ53では、オーバーサンプリングされたデジタル駆動制御信号が、オーバーサンプリング時に生じるノイズを、カットオフ周波数ωgの上方の周波数領域にずらすことによってノイズシェーピングされる。このノイズシェーピングは、ここでΔΣ変調器によって図3に関連して上述したように行われる。第4のステップ54では、MEMS素子30が、オーバーサンプリングされたデジタル駆動制御信号によって駆動される。殊にこの方法500は、容量性アクチュエーター、殊にマイクロミラーアクチュエーターの、準静的モードでの駆動に使用される。