太陽電池の製造方法であって、通常動作中に太陽放射を受けるように太陽に面する前面を有する太陽電池基板の、前記前面と反対側の裏面上に、ポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層の上に、印刷可能なインクを含む第1のドーパント源を印刷する工程と、前記第1のドーパント源からのドーパントを前記ポリシリコン層に拡散させて、前記ポリシリコン層に第1の拡散領域を形成するべく、前記第1のドーパント源を硬化させる工程と、前記第1のドーパント源を硬化する工程の間に、前記第1のドーパント源からのドーパントの、第2のドーパント源へのカウンタードープを防止する工程と、前記太陽電池基板の前記前面上に形成される表面をテクスチャ化する工程とを備える太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源からのドーパントの、前記第2のドーパント源へのカウンタードープを防止する工程が、前記第1のドーパント源で熱的に安定なインクを使用することを含む請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源を硬化する工程は、前記第2のドーパント源からのドーパントを拡散させて、前記ポリシリコン層に第2の拡散領域を形成するべく、前記第2のドーパント源も硬化させることを含む、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源からのドーパントの、前記第2のドーパント源へのカウンタードープを防止する工程が、前記第1のドーパント源の上にキャッピング層を形成することを含む請求項1から3の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源からのドーパントの、前記第2のドーパント源へのカウンタードープを防止する工程が、前記第2のドーパント源を3000オングストロームを超える厚さに形成することを含む請求項1から3の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源からのドーパントの、前記第2のドーパント源へのカウンタードープを防止する工程が、前記第1のドーパント源を硬化させる工程の間に、前記第1のドーパント源からのドーパントをチャンバの外にパージすることを含む請求項1又は3に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源を硬化させる工程の間に、前記第1のドーパント源からのドーパントを前記チャンバの外にパージすることは、不活性ガスを前記チャンバに流すことを含む請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源を硬化させる工程の間に、前記第1のドーパント源からのドーパントを前記チャンバの外にパージすることは、前記第1のドーパント源を、チャンバ内で真空下で硬化させることを含む請求項6に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のドーパント源及び前記第2のドーパント源が、インクジェット印刷により印刷される請求項1から8の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記第1及び第2のドーパント源が、インクジェット印刷プロセスのシングルパス方式で印刷される請求項1から8の何れか一項に記載の太陽電池の製造方法。太陽電池構造体であって、通常動作中に太陽放射を受けるように太陽に面する前面と、当該前面と反対側の裏面とを有する太陽電池基板と、前記太陽電池基板の前記裏面上に設けられたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の上に形成され、印刷可能なインクを含む第1のドーパント源及び第2のドーパント源とを備え、前記第1のドーパント源はホウ素燐ケイ酸塩ガラスBPSGを含む太陽電池構造体。太陽電池構造体であって、通常動作中に太陽放射を受けるように太陽に面する前面と、当該前面と反対側の裏面とを有する太陽電池基板と、前記太陽電池基板の前記裏面上に形成されるポリシリコン層と、前記ポリシリコン層の上に形成され、印刷可能なインクを含み、逆の導電型を有する第1のドーパント源及び第2のドーパント源とを備え、前記第2のドーパント源が、3000オングストロームを超える厚さを有する太陽電池構造体。太陽電池構造体であって、通常動作中に太陽放射を受けるように太陽に面する前面と、当該前面と反対側の裏面とを有する太陽電池基板と、前記太陽電池基板の前記裏面上に形成されるポリシリコン層と、印刷可能なインクを含み、逆の導電型を有し、前記ポリシリコン層の上に形成される第1のドーパント源及び第2のドーパント源と、前記第1のドーパント源の上のキャッピング層とを備える太陽電池構造体。前記太陽電池基板の前記前面上に、テクスチャ化された表面を更に備える請求項11から13の何れか一項に記載の太陽電池構造体。前記第1のドーパント源がN型であり、前記第2のドーパント源がP型である請求項11から14の何れか一項に記載の太陽電池構造体。前記第2のドーパント源がホウ素を含む請求項11から15の何れか一項に記載の太陽電池構造体。添付の図面において、異なる図面間で使用されている同一の符号は、同一又は類似の構成要素を表す。本開示において、装置、プロセスパラメーター、材料、プロセス工程、及び、構造の例等、多くの具体的な詳細が提供されることにより、本発明の実施形態の十分な理解が可能となる。しかしながら、当業者であれば、本発明はこれらの具体的な詳細のうちの1つ以上を欠いても実施できることは理解されよう。他の例では、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の詳細については図示又は説明をしていない。図1~図5は、本発明の実施形態による太陽電池の製造を概略的に示す断面を示している。図1~図5、更には図7及び図8の例では、太陽電池のP型及びN型拡散領域、並びに対応する金属コンタクトフィンガーが、太陽電池用基板の裏面上に形成されるという点で、製造される太陽電池は裏面コンタクト太陽電池である。図1~図5は、次のプロセス工程を含むプロセスを概略的に示している。aダメージエッチング工程、bポリシリコンの堆積、cドーパント源の印刷、d硬化工程、eトレンチ形成、fテクスチャ化工程である。この例では、上述のプロセス工程は示された順番で実施される。本発明の理解に必要ない他のプロセス工程は、明確化のために省略されていることに留意する。例えば、P型及びN型拡散領域への金属接点の形成といった他のプロセス工程がテクスチャ化工程の後に続き、太陽電池の製造が完了する。図1は、裏面102と前面103とを有する太陽電池基板101を示す。前面103は太陽に面し、通常動作中に太陽放射を収光する。裏面102は、前面103の反対側である。基板101を準備し、太陽電池に加工するためにダメージエッチング工程を行う。この例では、基板101はN型シリコンウエハを構成し、典型的には、インゴットから基板101をスライスするためにウエハ供給業者が用いる切断工程のため、損傷表面を有した状態で入手される。ウエハ供給業者から入手した時点の基板101の厚さは、約100~200マイクロメートルであり得る。一実施形態において、ダメージエッチング工程は、水酸化カリウムを含むウェットエッチングプロセスにより、基板101の両側から約10~20μmを除去することを伴う。ダメージエッチング工程は、金属汚染を除去するために基板101を清浄することも含み得る。基板101の前面及び裏面表面上に、薄い誘電体層標示しないが形成される。薄い誘電体層は、基板101の両面上で20オングストローム以下例えば、16オングストロームの厚さに熱成長される二酸化ケイ素を含み得る。基板101の前面表面及びその上に形成される物質は、通常動作中に太陽に面して太陽放射を受けることから、太陽電池の前面にあるとも称される。同様に、基板101の裏面表面及びその上に形成される物質は、前面の反対側である太陽電池の裏面にあるとも称される。図2では、基板101の裏面102の薄い誘電体層の上にポリシリコン層104が形成されている。製造プロセスのこの段階ではドープされていないポリシリコン層104は、LPCVD法により約2200オングストロームの厚さに形成され得る。図3では、ドーパント源105及び106がポリシリコン層104の上に印刷されている。以下で更に明らかとなるように、ドーパント源105及び106は、太陽電池の裏面のポリシリコン層104の中に拡散領域を形成するためのドーパントを提供する。任意の所与の太陽電池のためにいくつかのドーパント源105及び106が形成されるが、図示を明確にするために、それぞれ1つだけが図3に示されている。印刷可能なインクを含むドーパント源105及び106は、異なる導電型を有する。図3の例では、ドーパント源105はP型ドーパント源であり、ドーパント源106はN型ドーパント源である。ドーパント源105及び106は、インクジェット印刷又はスクリーン印刷などの印刷によって、ポリシリコン層104の上に形成される。インクジェット印刷により、基板101の上にインクジェットプリンタノズルのシングルパス方式で、ドーパント源105及び106の両方を印刷することが有利に可能となる。ドーパント源105及び106はまた、プロセスによっては別個のパス方式で印刷されてもよい。図4では、硬化工程が行われ、ドーパント源105が架橋結合され、ドーパント源106が架橋結合され、ドーパント源105からのドーパントをポリシリコン層104の中へ拡散させて、ポリシリコン層104にP型拡散領域107を形成し、ドーパント源106からのドーパントをポリシリコン層104の中へ拡散させて、ポリシリコン層104にN型拡散領域108を形成する。ポリシリコン層104上には複数のドーパント源105及び106があるので、複数のP型拡散領域107及びN型拡散領域108がポリシリコン層104に存在する。ドーパント源105の架橋結合及びドーパント源106の架橋結合は、太陽電池のトレンチ及び前面で実施される後続のテクスチャ化工程図5参照にドーパント源105及び106が耐え得るように、これらの耐久性を高めかつ強靭にするべく行われる。プロセス工程の数を減らすために、架橋及び拡散は同じ硬化工程において行われ、それによって太陽電池の製造コストを低減する。硬化工程は、600°C~1100°Cの範囲例えば、950°Cの温度で約30分行われてもよい。太陽電池の性能を改善するため、ドーパント源106からのN型ドーパントがP型ドーパント源105に拡散するのを防止する又は最小限にするように、硬化工程が行われる。本発明者らが実施した研究によれば、硬化工程の間に、ドーパント源106からのN型ドーパントが、ドーパント源105のP型ドーパントをカウンタードープすることが可能であることを示している。本発明者らは、このカウンタードープが、この例ではリンを含むN型ドーパントの、ホウ素を含むP型ドーパント源105への脱ガスに起因することを発見した。場合によっては、結果として生じるリン濃度は、P型ドーパント源105中のホウ素濃度よりも高くなる。本発明者らは、ドーパント源106からのN型ドーパントは、P型拡散領域107とN型拡散領域108との間の領域図4では112と標示をドープすることが可能であることも発見した。カウンタードープ、即ち、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105への拡散は、太陽電池基板101の寿命を低下させ、かつ太陽電池の効率を低下させることにより、太陽電池の性能を低下させる。硬化工程の間に、P型ドーパント源105からのP型ドーパントもN型ドーパント源106の中に拡散される。しかしながら、本発明者らが行った研究によれば、このP型ドーパントの拡散は、N型ドーパント源106からのN型ドーパントのP型ドーパント源105への拡散ほど太陽電池の性能に影響を与えないことを示している。カウンタードープを防止しながら硬化工程を実施することにより、本発明者らが見出した問題に有利に対処することができる。図5に示すように、ポリシリコン層104を貫通してトレンチ115が形成されている。基板101の前面表面は不規則にテクスチャ化されて、テクスチャ化した表面109が形成される。このテクスチャ化プロセスにより、トレンチ115も不規則にテクスチャ化される。一実施形態では、基板101の前面表面及びトレンチ115は、水酸化カリウムとイソプロピルアルコールとを含むウェットエッチングプロセスを用いて、不規則な角錐を有するようにテクスチャ化される。テクスチャ化された表面109は、太陽放射の集光を増加させるのを助ける。エッチングプロセスで使用されるエッチング液は、ドーパント源105及び106を潜在的に劣化させる可能性がある。硬化工程はドーパント源105及び106のそれぞれを架橋し、これらをエッチング液に対してより耐性を持たせる。硬化工程の間に、N型ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105への拡散を防止する又は最小限に抑える工程はまた、テクスチャ化プロセスで使用するエッチング液に対してドーパント源105及び106がより耐性を持たせる。一実施形態において、硬化工程の間の、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105の中への拡散は、熱的に安定なインクを使用することにより防止される又は最小限に抑えられる。一実施形態において、N型ドーパント源106は、ホウ素燐ケイ酸塩ガラスBPSGを含む熱的に安定なインクを含む。BPSGのホウ素含有量は、硬化工程の間に、脱ガスではなく、リンをポリシリコン層104に押し込むのを促進するように最適化され得る。例えば、BPSG中のホウ素の成分パーセントは0.1~5の範囲であってもよく、リンの成分パーセントは5~8であってもよい。特定の例として、BPSGは、a5のホウ素及び5のリン、b3のホウ素及び5のリン、又は、c5のホウ素及び8のリンを有していてもよい。BPSG中のホウ素及びリンの成分パーセントは、プロセスにより異なってもよい。広くは、ホウ素の成分パーセントは、N型ドーパント源106をカウンタードープせずに押し込む効果を得るのに十分なだけ低く維持される。BPSGは、印刷に適した形態である。一実施形態において、硬化工程の間の、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105の中への拡散は、硬化時間を短くすることで防止される又は最小限に抑えられる。例えば、図4のサンプルは、急速熱処理によって硬化されてもよい。特定の例として、図4のサンプルは、約1~2分の急速熱処理を受けてもよい。比較的短い硬化時間は、N型ドーパント源106から脱ガスして、P型ドーパント源105の中に拡散するN型ドーパントの量を最小限にする。一実施形態において、硬化工程の間の、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105の中への拡散は、N型ドーパントがP型ドーパント源105中に深く拡散しないように、P型ドーパント源105を適切に厚くすることによって防止される又は最小限に抑えられる。例えば、P型ドーパント源105は、N型ドーパントによるカウンタードープに対する耐性が高まるように、少なくとも3000オングストロームの厚さに形成され得る。一実施形態において、硬化工程の間の、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105の中への拡散は、N型ドーパント源106から脱ガスしたドーパントを、太陽電池が硬化されているチャンバの外にパージすることにより防止される又は最小限に抑えられる。例えば、図6に示されるように、図4のサンプルを硬化させる工程の間に、不活性ガス例えば、窒素をチャンバに流し、ドーパントがドーパント源に拡散する機会を得る前に、脱ガスしたドーパントこの例ではリンをチャンバの外にパージしてもよい。別の例として、ドーパント源105及び106は、チャンバの中で低圧力下で硬化されてもよい。低圧は、脱ガスしたN型ドーパントを、P型ドーパント源105の中に拡散させる代わりにチャンバから引き抜く。一実施形態において、硬化工程の間の、ドーパント源106からのN型ドーパントの、P型ドーパント源105の中への拡散は、硬化工程の前にN型ドーパント源106の上にキャッピング層を形成することにより防止される又は最小限に抑えられる。図7の例では、P型ドーパント源105の上にキャッピング層110が形成され、N型ドーパント源106の上にキャッピング層111が形成されている。キャッピング層110は、例えばケイ酸塩を含んでもよい。硬化工程の間に、キャッピング層110及び111は、ドーパント源のどちらか一方からの脱ガスしたドーパントが他方の中に拡散するのを防止する。用途に応じて、片方又は両方のキャッピング層を使用することができる。キャッピング層110は、チャンバの中のドーパントがP型ドーパント源105の中に拡散するのを阻止する。キャッピング層110はまた、P型ドーパント源105からのドーパントがチャンバの中に脱ガスするのを防止し、場合によっては、太陽電池のN型ドーパント源106又は他の物質をカウンタードープするのを防止する。キャッピング層111は、N型ドーパント源106からのドーパントが脱ガスし、P型ドーパント源105の中に拡散するのを阻止し、また、チャンバ内の他のドーパントがN型ドーパント源106の中に拡散するのを阻止する。図8では、基板101の前面表面及びトレンチ115が、図5と同様に不規則にテクスチャ化されている。カウンタードープ防止を含む太陽電池構造及び製造プロセスが開示された。本発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの追加的実施形態が、本開示を読む当業者にとっては明らかとなろう。