"複数のデバイス層を含むOLEDデバイスの共通基板上に、空間的に孤立した発光領域を供給する方法であって、前記複数のデバイス層は、第1電極と第2電極の間に囲まれるアクティブ層を含み、前記方法は:導体パッドと第2電極の孤立領域の間に絶縁ブリッジを付加するステップと、引き続き、導体パッドから第2電極の孤立領域まで導電体を付加するステップであり、前記導体パッドと前記孤立領域との間に電気的接続を形成する、ステップとを有する、方法。前記デバイス層の少なくとも1つの領域を選択的に除去する最初のステップであって、空間的且つ電気的に前記第2電極の領域を孤立する、ステップを含む、請求項1記載の方法。前記デバイス層の物質を選択的に除去するステップは、前記第2電極の物質を除去するステップを含む、請求項2記載の方法。前記デバイス層の物質を選択的に除去するステップは、前記第2電極の除去される領域に対応する領域において、前記アクティブ層の物質を除去するステップを含む、請求項2又は3記載の方法。前記デバイス層の物質は、前記除去される領域にわたってレーザービームを方向付けることによって除去され、そうして当該領域内の物質を除去する、請求項2乃至4のうち何れかに記載の方法。導体パッドと第2電極の孤立領域の間に絶縁ブリッジを付加する前記ステップは、電気的非導電層を付加して、デバイス層物質が除去された露出領域を横断するステップを含む、先行する請求項の何れかに記載の方法。絶縁ブリッジを付加する前記ステップは、前記導体パッドと前記第2電極の孤立領域との間に電気的非導電ストリップをプリントするステップを含む、先行する請求項の何れかに記載の方法。導体パッドから第2電極の孤立領域まで導電体を付加する前記ステップは、電気的導電ストリップを前記絶縁ブリッジ上にプリントするステップを含む、先行する請求項の何れかに記載の方法。電気的導電ストリップを、絶縁ブリッジの端部を越えて、前記孤立領域上にプリントすることにより、電気的接続が導電体と孤立領域との間に形成される、先行する請求項の何れかに記載の方法。電気的接続が、前記導電体と前記孤立領域との間に、前記絶縁ブリッジの端部の開口部を通って形成される、先行する請求項の何れかに記載の方法。前記導電体をアニールするステップを含む、先行する請求項の何れかに記載の方法。共通基板上に多数の空間的に孤立した発光領域を含むOLEDデバイスであって、前記OLEDデバイスの複数のデバイス層は、第1電極と第2電極の間に囲まれるアクティブ層を最初に含み、さらに、前記OLEDデバイスは:少なくとも1つの、前記第2電極の空間的且つ電気的に孤立した領域と;導体パッドと前記第2電極の孤立した領域との間に付加される絶縁ブリッジと;前記絶縁ブリッジ上に付加される導電体であり、前記導体パッドと前記第2電極の孤立した領域とを電気的に接続する、導電体とを含む、デバイス。前記第2電極の複数の空間的に孤立した領域を含み、第1の空間的に孤立した領域が第2の空間的に孤立した領域に取り囲まれるように配置される、請求項11記載のOLEDデバイス。前記導電体は、前記絶縁ブリッジ上にプリントされた銀インクのプリントラインを含む、請求項11又は12に記載のOLEDデバイス。前記絶縁ブリッジ及び/又は前記導電体は透過性物質を有する、請求項11乃至13の何れかに記載のOLEDデバイス。本発明の目的は、請求項1の方法によって、更に、請求項11のOLEDデバイスによって達成される。複数デバイス層を有するOLEDデバイスの共通基板上に、空間的に孤立した発光領域を供給する本発明に従った方法であり、そのデバイス層は第1電極と第2電極との間に囲まれたアクティブ層を含み、その方法は、導体パッドと第2電極の孤立領域の間に絶縁ブリッジを付加するステップと、引き続き、導体パッドから第2電極の孤立領域へ導体を付加し、導体パッドと孤立領域との間に電気的接続を形成するステップを含む。このようにして、電圧がOLEDデバイスのアノードとカソードにわたって印加されると、各空間的に孤立した領域は発光することができる。本発明の明らかな効果は、分離した発光領域は所望の如何なる形状をも有することができ、さらに、如何なる制限も受けないことである。また、絶縁ブリッジと導体とは分離した孤立第2電極領域を導体パッドに接続するように使用されるので、第2電極の空間的に孤立した領域は、OLEDデバイスの境界の範囲内のどこに位置することも可能であり、デバイスの端部上のカソードパッドの直接の届く範囲内にある必要はない。本発明に従ったOLEDデバイスは、共通基板上の多数の空間的に孤立した発光領域を含みOLEDデバイスは最初に、第1電極層と第2電極層との間に囲まれたアクティブ層を有する、そのOLEDデバイスは、少なくとも1つの空間的に且つ電気的に孤立した第2電極の領域を含み、その孤立した領域は、第2電極の孤立領域の周りのデバイス層の選択的に除去された領域によって電気的に孤立される;導体パッドと第2電極の孤立領域の間に付加される絶縁ブリッジ;及び、絶縁ブリッジ上に適応される導体であって、導体パッドと第2電極の孤立領域とを電気的に接続する。従属請求項と以下の説明は、詳しくは、本発明の有利な実施形態群と特徴群を開示する。実施形態群の特徴群は適切に組み合わされてもよい。以下において、明確性の目的で、第1電極は単にアノードとして言及されてもよく、第2電極は単にカソードとして言及されてもよく、いずれにしても本発明を制限するものではない。デバイスが動作しているときは、電流は基本的にアノードからカソードへ流れる。発光領域の形状は、第2電極により規定される。というのも、アクティブ層は、アノードとカソードの間でサンドウィッチされると、電気を導くことができるだけで、そうして、光が、そのままの第2電極領域の下の、アクティブ層の領域で発光されるだけだろう。それ故、本発明の特に好ましい実施形態では、本方法はデバイス層の領域を選択的に除去するステップを有し、そして空間的且つ電気的に第2電極の領域を孤立する。その後、第2電極の除去領域の形状や輪郭は、発光する残りの領域の形状を決定するだろう。分離した発光領域は、異なる層の蒸着の間、シャドーマスクを用いて作成することができる。しかし、好ましい方法では、空間的に孤立した領域は、後蒸着即ちポストデポステップで、デバイスから選択的に領域を除去することにより形成され、そこでは層はすでに全て蒸着されている。従って、最初のデバイス層スタックは、如何なる特定のパターニングのシャドーマスクを必要とせずにアクティブな第2電極層を単に蒸着することにより、直接的な方法で製造することができる。本発明の好ましい実施形態では、第2電極の特定領域を孤立するために、デバイス層の物質を選択的に除去するステップは、第2電極の物質を除去するステップを含む。これは、電流だけがアノードから、アクティブ層を通って、第2電極のその領域に流れ、その領域は、第2電極の周囲部分が除去された後もとどまり、アクティブ層をそのままにし、デバイスの表面トポロジーは相対的に均一である。しかし、或る領域内の第2電極のみを除去することは困難なことがある。というのも、その第2電極は通常はとても薄い層だからである。従って、本発明の更なる好ましい実施形態では、デバイス層物質を選択的に除去するステップは、第2電極の除去領域に対応する領域内のアクティブ層の物質を除去するステップも含む。こうして、ポストデポの除去ステップは大きく簡素化することができ、例えば、とても薄い層を除去するよりも、より厚い層を除去するレーザーを構成することの方が容易である。デバイス層の物質を除去するには様々な方法が存在する。例えば、デバイス層は、適切なフライス技術を適用することにより、或る深さまで除去できる。デバイス層は、また、プラズマエッチングプロセスのような適切なエッチングプロセスを用いて、エッチング処理して除去することもできる。代替的には、本発明の好ましい実施形態では、デバイス層の物質は、レーザービームをその領域にわたって向けることにより、除去され、その領域内の物質を除去する。除去された物質の深さは、周波数やパルス幅等の適切なレーザーのパラメータを用いてレーザーを駆動することにより、コントロールできる。絶縁ブリッジは、最終的には導電パッドと空間的に孤立した領域との間で伸び、その絶縁ブリッジは、絶縁ブリッジによって覆われるデバイス層を電気的に絶縁するように機能すべきである。従って、本発明の更なる好ましい実施形態では、導体パッドと第2電極の孤立領域との間に絶縁ブリッジを付加するステップは、電気的非導電層を、物質が除去された露出領域に付加するステップを含む。特定の孤立領域に届くため、絶縁ブリッジは、カソードパッドと特定の孤立領域の間に横たわる第2電極の他の空間的孤立領域を通り越すか、又は横断することができる。絶縁ブリッジは如何なる適切な物質を用いても、如何なる適切な技術を用いても適用付加されることができる。例えば、絶縁ブリッジは蒸着され、又は付加されることができ、除去された領域を大きくカバーする。そうしたアプローチでは、絶縁ブリッジは付加されるか、又は、カバーされる領域上に吹き付けられることもできる。代替的に、好ましい実施形態では、絶縁ブリッジは、ほんの数ミリメータまでの幅を有する細いストリップとして付加されることができる。例えば、非導電物質の薄いストリップが、カソードパッドと孤立領域との間のデバイス面に接着剤で付けられてもよい。代替的に、電気的非導電性物質が、適切なシャドーマスクを用いて、蒸着プロセスを用いて、蒸着されてもよい。しかし、特に好ましい直接的な方法では、絶縁ブリッジを付加するステップは、導体パッドと第2電極の孤立領域との間に、電気的非導電性の細いストリップをプリントするステップを含む。インクジェット技術のようなプリント技術は、特には適切であり、こうして、薄く、精密な物質層を付加する。この絶縁ブリッジを付加する予備的ステップの後、カソードパッドと特定の孤立領域は、相互に電気的に接続されることができる。それ故、本発明の好ましい実施形態では、電気的な導体が、カソードパッドと特定の孤立領域との間に付加される。如何なる適切な電気的導体も使用できる。例えば、好ましい電気的導体特性を有する薄いワイヤが、カソードパッドと孤立領域とにはんだ付けされ、そうして、そのワイヤは絶縁ブリッジを横断する。そのワイヤは、絶縁ブリッジにも接着されることができる。しかし、本発明の特に好ましい実施形態では、導体パッドから第2電極の孤立領域へ導体を付加するステップは、電気的導電性物質のストリップ又はラインを絶縁ブリッジ上にプリントするステップを含む。再び、インクジェットプリンティングのような如何なるプリント技術も使用することができ、薄く、電気的導電性なストリップを絶縁ブリッジ上にプリントする。本発明の好ましい実施形態では、電気的導体は、銀インクで絶縁ブリッジ上に直接プリントされたプリントラインを含む。好ましくは、電気的導体は可能な限り細く、その幅は、伝えられる電流や電気的導体の物質の導電性等の幾つかのファクタに依存するだろう。電気的導体の幅は、例えば、ほぼ100μm-200μm程度であってよい。代替的に、導体パッドと特定の孤立領域との間の単一の広いプリントラインの代わりに、それぞれがほぼ数十μm以下の細いラインが、導体パッドと特定の孤立領域との間に付加されることができる。第1電極、又は、カソードパッドと孤立領域との間のアクティブ層の如何なる残余部分も電気的導体によって接触されないことを確保するため、電気的導体は好ましくは、絶縁ブリッジの外側の間又は端部の間にある。電気的導体の一方の側面上の数百μmのボーダーは、これが絶縁ブリッジの下で、デバイス層から電気的に絶縁していることを確実にする。絶縁ブリッジの何れかの端で、電気的導体は、カソードパッド又は孤立領域への接点をなすべきである。それ故、更なる好ましい本発明の実施形態では、絶縁ブリッジの端を越えて伸びる電気的導電性ストリップを、孤立領域にプリントすることにより、電気的導体は、カソードパッドと孤立領域の間に形成される。使用されるインクのタイプに応じて、孤立領域内の第2電極の表面への付着、又は、カソードパッドの表面への付着は、検討を要してもよい。例えば、第2電極表面の湿潤性が使用されるインクが充分に接着しないような場合、代替的なアプローチが使用されてもよい。それ故、本発明の他の好ましい実施形態では、電気的接続が、絶縁ブリッジ終端の開口部を通って、導電体と孤立領域との間に形成される。この目的のため、小さい開口部又は貫通孔が、絶縁ブリッジの1つ又は両方の端に設けられてもよい。従って、これらの開口部又は貫通孔にわたって付加される電気的導体は、カソードパッドと孤立領域との間に充分な電気的接続を与えることができる。上述したタイプの、電気的導電性インク又はメタルペーストは、プリント又はディスペンスするものであり、金属の小さい粒子や小球体を含み、通常は、ポリマーシェル内にカプセル化され、適切な溶媒内に浮遊している。プリントされた電気的導体の電気的導電性を改善するため、本発明の方法は、好ましくは、プリントされた導体をアニーリングするステップを含む。アニーリングの間、メタルペーストは高温度で効果的にベイクされ、カプセル化は或る程度溶解又は分解し、如何なる溶媒も蒸発し、メタル小球体を一緒に加えて、導電性ネットワークを形成する。これは、プリントされたラインと基礎をなす物質との間の接触を向上し、この例では、絶縁ブリッジ、カソードパッドの表面、及び、孤立領域の表面である。良好なアニーリングプロセスに必要な温度は、使用されるメタルペーストに依存する。しかし、高温度は、アクティブ層の機能性に対して不利であることがある。従前のアニーリングプロセスでは、アニーリングのステップは通常オーブンの中で行われて、OLEDデバイスの全体が高温度に晒される。しかし、電気的導電性のラインをプリントするのに、銀ナノインクや銀メタル前駆インクを使用するときは、130°C又は90°Cの有利に低い温度が充分にプリントされたラインをアニーリングする。90°Cと130°Cの間で、短い期間、OLEDを熱処理することは、デバイスの性能に影響を及ぼさずに可能である。より高い温度で、OLEDデバイスにダメージを与えず良好にアニーリングするために例えば異なるメタルペーストを使用するとき、電気的導体をアニーリングするステップは、電気的導体の物質内のエネルギーの局所的な蒸着デポジションを含むことができ、そうして、効果的に、電気的導体だけが加熱され、OLEDの残余は熱に直接的には晒されない。熱エネルギーの如何なる適切なソース、例えば、UV又はIR光源を使用することができる。しかし、好ましい実施形態では、アニーリングステップは、レーザー光ビームを電気的導体に向けるステップを含み、電気的導体の物質だけを実質的に加熱する。レーザーパラメータが選択され、レーザー光エネルギーは本質的に電気的導体にのみ吸収される。このようにして、熱の暴露は、電気的導体のすぐ近くの領域に限定される。既に上述したように、本発明による方法は、如何なる形状又はデザインの分離した発光領域の実現をも可能にする。それ故、本発明のOLEDデバイスの好ましい実施形態では、第2電極の複数の空間的に孤立した領域は、配置され、第1の空間的に孤立した領域は、第2の空間的に孤立した領域に取り囲まれる。即ち、分離したネスト化した領域、例えば分離した同心状の領域が実現されることができる。これは、出口標識、非常用標識、又は、シンボルや文字からなる会社のロゴといった応用例においてたいへん望ましいことになる。OLEDは、底発光即ち、OLEDは基板を通して発光し、その基板は通常は透過的なガラスやプラスチック層であるや頂上発光その場合、第2電極は透過的であるとして実現することが可能である。底発光OLEDの場合は、絶縁ブリッジと電気的導体の物質の選択は、如何なる透過的制限をも受けない。しかし、幾つかの照明応用例では、OLEDは電源がオフになると透過的であるべきである。それ故、本発明のOLEDの更に好ましい実施形態では、基板、第1電極、アクティブ層、及び、第2電極は、透過性物質を用いて実現され、また、絶縁ブリッジは、クリアなフォトレジストのような透過性物質を含む。透過的なOLEDに対しては、絶縁ブリッジが、OLED全体領域を実質的にカバーする層として適応されることができる。こうして、OLEDが電源オフになったとき、かすかにさえ認識できるようエッジは存在しないだろう。このアプローチでは、効果的に、1つの絶縁‘ブリッジ’だけが必要とされ、導体パッドと如何なる孤立領域との電気的接続もこの絶縁層に付加することができる適切な貫通孔を用いて、各孤立領域上の第2電極の表面にアクセスする。導体パッドと孤立領域との間の導電体が、透過的OLEDに対して可能な限り認識できないことを確実にするため、その導電体は一群の狭いラインとして付加されてもよく、それにより各ラインは導体パッドと孤立領域との間の電気的接続を形成する。電気的導電体が、シルバーインクを上述のようにプリントすることによって、付加されるとき、非常に薄いそしてそれ故に実質的に認識できないプリントされたラインの導電性は充分であってもよい。明らかに、より広い電気的導電体が望ましい場合は、透過性物質が電気的導電体に使用されることが可能であろう。例えば、ITOや酸化亜鉛が導電体に使用できるだろうし、電気的導電ラインはバキュームチャンバー内に、公知の方法で付加することができる。図1は、既知の技術を用いて製造されたOLEDデバイス10の一断面図を示す。ここで、第1電極層12はガラス又はプラスチック基板11に付加される。第1電極12の物質は、構造化され、分離した領域12は基板11上に蒸着デポジットされる。外側エッジでは、カソード導体パッド13と他の導体パッド14とが蒸着される。続きのステップでは、アクティブ層15有機物質の1つ以上の層が通常は蒸着プロセスにおいて付加される。その後、カソード層16がアクティブ層15の上に蒸着され、カソード導体パッド13を少なくとも部分的にカバーする。デバイス10は最終ステップでカプセル化され図示せず、アノードとカソードの導体パッド13、14が、デバイス層を湿気から保護するためシールする間、露出状態におく。デバイス10を発光させるため、電圧がカソード導体パッド13とアノード電圧パッド14を横断して印加され、電流がアクティブ層15を通って流れることを可能にし、こうして発光を生ずる。光は、基板11を通って、及び/又は、カソード16を通って、発光され、これらの1つ又は両方が透過性物質で作られているかどうかに依存する。何れの場合も、電圧がアノード12とカソード16を横断して印加されると、全体のアクティブ層15は、活性化されて、全体のアクティブ層は発光する。デバイス層の相対的厚さは、原寸通りには示されない。一般的には、電極層12,16はおおよそ80nm乃至300nmの厚さを有してもよく、一方、アクティブ層は80nmから500nmまでの厚さを有することができる。図2は、カソード層を有する従前のOLED20の平面図を示し、構造化されて、分離した発光領域160を可能にしている。このため、カソード層は、適切な形状の開口部を有するシャドーマスクを用いて、蒸着されて、カソード物質は、互いに空間的に分離した領域160においてだけ蒸着される。デバイス20をこれらの領域160で発光させるため、これらの領域160の各々は、OLEDデバイス20の側面で、カソードパッド13と電気的に接触していなければならない。このことは、分離した発光領域の実現に対して、考慮すべき制限を課す。というのも、各々がカソードパッド13へ何らかの方法で接続されなければならないからである。さらに、蒸着ステップでのシャドーマスクの使用は、デバイスの全体コストを押し上げる。また、シャドーマスクの既知の制限は、分離したカソード領域160が規則的な幾何形状を有するようにしか実現されることができないことを意味する。このように製造された従前のOLEDの寸法は、約5cmx5cmのデバイスに制限される。図3は、本発明に従った、孤立した発光領域を備えたOLEDデバイス1を製造する方法のステップを例示する。最初に、図1で示されるタイプのOLEDデバイスが基礎として使用され、基板11、第1電極12例えばアノード12、アクティブ層15、第2電極16例えばカソード16、及び、導体パッド13,14を有する。後堆積除去プロセスで除去されるべき領域A1、A2、A3が、第1ステージS-Iでマークされ、垂直の破線で表される。続きのステージS-IIでは、レーザー光Lのビームが、除去されるA1、A2、A3の各領域に向けられ、そして、これらの領域A1、A2、A3の物質は、最初の層厚さを示す水平破線で表されるように除去される。例えば、第2電極層と基礎のアクティブ層15の物質は、蒸発されてもよい。基礎のアクティブ層15内の除去の深さは、レーザーが駆動される方法に依存することができる。除去の後、ステージS-IIIでは、空間的且つ電気的に孤立した第1及び第2領域R1、R2が形成され、互いに空間的に分離し、デバイス1の端部の導体パッド13とは電気的接触を有しない。それは残って、孤立した領域をデバイスの導体パッドに接続する。ステージS-IVは、孤立ブリッジ20がどのように、デバイス1の端部の導体パッド13と、第1の孤立領域R1との間に付加されるかを示し、それは、2つの孤立領域R1、R2の間の露出したアクティブ層と同様に、他の孤立領域R2を横切るか又は横断する。第5のステージS-Vでは、電気的導電体30が、例えば、インクジェットプリントプロセスを用いてプリントすることにより付加され、デバイス1の端部の導体パッド13と第1の孤立領域R1との間に電気的接続30を形成する。明らかに、図には示されないが、同様の孤立ブリッジ20と導電体30を付加することができ、第2孤立領域R2をデバイス1の端部の導体パッドに接続する。図4は、デバイス1の平面図を示し、そのデバイス1は上述の図3のステップを用いて製造されたものである。ここで、後蒸着除去手順において、第2電極層とアクティブ層の他の‘不所望の’領域A1、A2,A3を除去することによって、3つの空間的且つ電気的に孤立した領域R1,R2,R3が形成されたことが見て取れる。どれだけ多くの物質が除去されたかに応じて、除去領域A1、A2,A3は、アクティブ層及び/又は第1電極層を露出してもよい。この例では、孤立領域R1,R2,R3は同心円R1,R2,R3の形態で示されるが、如何なる形状又は輪郭も可能であることは明らかだろう。その結果、これらの孤立領域R1,R2,R3は発光することもでき、R1,R2,R3と対応する導体パッド13との間の絶縁ブリッジ20の上にプリントされた電気的導電体30によって、各々はデバイス1の端部の導体パッド13に接続される。カソードとアノードの導体パッド図示せずに渡って電圧がかけられると、電流が各孤立領域R1,R2,R3の下のアクティブ層を通って流れ、発光される。デバイスの他のどの部分も発光しないだろう。図では、絶縁ブリッジ20と電気導電体30の相対的幅は、デバイス1の実際の具体化よりもずっと広く図示されている。さらに、OLEDデバイスが、底発光デバイスとして実現される場合、即ち、基板11を通して発光する場合には、絶縁ブリッジ20と電気導電体30とは如何なる場合も認識できないだろう。この技術を使用し、発光領域の興味深いパターンが、大規模OLEDディスプレイ、例えば、装飾イルミネーションの応用例に実現できる。本発明は好ましい実施形態とその変形例の形で開示されたが、様々な追加的な改変や変形が本発明の適用範囲から逸脱することなく為されることが可能であることが理解されるだろう。明確性の目的で、本明細書を通じて1つのは複数形を排除せず、含むは他のステップ又は要素を排除しないことは理解されるべきである。"