放射線吸収半導体構造を製造する方法において、シリコン基板の表面の複数の位置の各々を、50フェムト秒から50ピコ秒の範囲内の期間を有する複数の照射パルスで照射すると同時に、前記表面をある物質に露出して、前記基板に前記物質の成分を組み込む表面層を生成する過程と、前記基板を、高温で、かつ、ある期間に亘って、焼き鈍しする過程であって、前記焼き鈍しされた基板が、1050nmから3500nmの範囲内の波長を有する放射線への前記表面層の露出に応答して、0.1A/Wから100A/Wの範囲内の光応答度を示すようにする、焼き鈍しする過程と、を具備する、方法。請求項1に記載の方法において、前記照射パルスが、1kJ/m2から8kJ/m2の範囲内にあるフルエンスを有する、方法。請求項1に記載の方法において、前記焼き鈍しの温度が、500Kから1100Kまたはそれより高い温度の範囲内にある、方法。請求項1に記載の方法において、前記焼き鈍し期間が、数秒から数時間の範囲内にあり、好適には1分間から30分間の範囲内にある、方法。請求項1に記載の方法において、前記照射パルスは、200nmから1200nmの範囲内の中心波長、好適には200nmから800nmの範囲内の中心波長を有する、方法。請求項1に記載の方法において、前記焼き鈍しされた基板が、0.1Vから15Vの範囲内で前記シリコン基板に亘って逆バイアスを加えたときに、前記光応答度を示す、方法。請求項1に記載の方法において、前記照射する過程は、位置の各々を、2から2000の範囲内の個数のレーザーパルスに、露出する過程、をさらに具備する、方法。請求項1に記載の方法において、前記照射する過程は、前記表面の位置の各々に、1kHzから1MHzの範囲内にある繰り返し数で連続してレーザーパルスを施すこと、を含む、方法。請求項1に記載の方法において、前記物質は、SF6、H2S、塩素Cl2、窒素N2、および、空気、のうちのいずれかを含む、方法。請求項1に記載の方法において、前記高温および期間が、前記表面層内の担体電子の濃度を増強するように、前記表面層内の原子結合の再配置を引き起こすように選択されている、方法。請求項1に記載の方法において、前記高温および期間が、前記表面層内の電子担体密度を、焼き鈍しする前のレベルに比べて、10から200の範囲内だけ、増強するように選択されている、方法。請求項1に記載の方法において、前記高温および期間は、前記表面層が下側のシリコン基板とダイオード接合を形成するように、選択されている、方法。請求項1に記載の方法において、前記表面層内に組み込まれた前記成分の濃度が、ほぼ0.5原子パーセントから約5原子パーセントの範囲内にあるように、前記パルスのフルエンス、および、前記物質の分圧を、選択する過程、をさらに具備する、方法。請求項1に記載の方法において、前記焼き鈍しする過程が、不活性雰囲気中で実行される、方法。請求項1に記載の方法において、前記成分は、電子供与性の成分である、方法。実施の態様この発明の具体的な実施態様は以下の通りである。1放射線吸収半導体構造を製造する方法において、シリコン基板の表面の複数の位置の各々を一つ以上のフェムト秒レーザーパルスで照射すると同時に、前記表面を、硫黄を含有する物質に露出して、前記基板の表面層に複数の硫黄含有物を生み出す過程と、前記基板を、ほぼ数秒からほぼ数時間までの範囲内の期間に亘って、ほぼ500Kからほぼ1100Kまでの範囲内の温度で、焼き鈍しする過程と、を具備する、方法。2実施態様1に記載の方法において、前記レーザーパルスの各々のパルス期間を、ほぼ50フェムト秒からほぼ500フェムト秒までの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。3実施態様1に記載の方法において、前記パルスのフルエンスが、ほぼ1kJ/m2からほぼ15kJ/m2までの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。4実施態様1に記載の方法において、前記レーザーパルスの中心波長が、ほぼ200nmからほぼ800nmまでの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。5実施態様1に記載の方法において、前記位置の各々を、2からほぼ500までの範囲内の個数のレーザーパルスに、露出する過程、をさらに具備する、方法。6実施態様1に記載の方法において、前記表面の前記位置の各々を、ほぼ1マイクロ秒からほぼ1ミリ秒までの範囲内の時間間隔で互いに隔てられた連続するレーザーパルスに当てる過程、をさらに具備する、方法。7実施態様1に記載の方法において、前記焼き鈍しする過程を、不活性雰囲気中または低圧雰囲気中で実行する過程、をさらに具備する、方法。8実施態様1に記載の方法において、前記硫黄を含有する物質を、SF6およびH2Sのいずれかであるように選択する過程、をさらに具備する、方法。9実施態様1に記載の方法において、前記半導体構造が、ほぼ0.25マイクロメートルからほぼ10マイクロメートルまでの範囲内の波長成分を有する放射線を吸収する、方法。10実施態様1に記載の方法において、前記半導体構造が、ほぼ0.35マイクロメートルからほぼ2.5マイクロメートルまでの範囲内の波長成分を有する放射線を吸収する、方法。11実施態様1に記載の方法において、前記半導体構造が、ほぼ1.2マイクロメートルからほぼ2.5マイクロメートルまでの波長成分に対して実質的に均一な吸収度を示す、方法。12光検出器を製造する方法において、ほぼ0.25マイクロメートルからほぼ3.5マイクロメートルまでの範囲内の波長の放射線を吸収し、前記範囲内の波長でダイオード的な電流電圧特性を示す、半導体構造を形成する過程、を具備し、前記形成する過程が、シリコン基板の表面の一つ以上の位置を短いパルス幅を有する一つ以上のレーザーパルスで照射すると同時に、前記表面を、硫黄を含む気体に露出して、硫黄含有物を有するミクロ構造化された層を生み出す過程と、前記基板を、ほぼ数秒からほぼ数時間までの範囲内の期間に亘って、ほぼ500Kからほぼ1000Kまでの範囲内の温度で焼き鈍しする過程と、前記半導体構造の選択された部分に複数の金属製の接触部を堆積し、前記半導体構造に逆バイアス電圧を加えることができるようにする過程と、を含む、方法。13実施態様12に記載の方法において、前記パルス幅が、ほぼ数十フェムト秒からほぼ数十ナノ秒までの範囲内にあるように選択される、方法。14実施態様12に記載の方法において、前記硫黄を含む物質が、SF6およびH2Sのいずれかであるように選択する過程、をさらに具備する、方法。15実施態様12に記載の方法において、前記焼き鈍しする過程を、不活性雰囲気中で実行する過程、をさらに具備する、方法。16実施態様12に記載の方法において、前記堆積する過程が、一つ以上の選択された金属を前記半導体構造の前記選択された部分に熱蒸着する過程、を含む、方法。17実施態様12に記載の方法において、前記金属製の接触部の厚みを、ほぼ5nmからほぼ100nmまでの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。18実施態様16に記載の方法において、前記堆積する過程が、前記半導体構造の選択された部分に、クロム層を熱蒸着し、その後、金層を熱蒸着して、少なくとも一つの前記金属接触部を生み出す過程、を含む、方法。19実施態様18に記載の方法において、前記クロム層の厚みを、ほぼ1nmからほぼ5nmまでの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。20実施態様19に記載の方法において、前記金層の厚みを、ほぼ4nmからほぼ100nmまでの範囲内にあるように選択する過程、をさらに具備する、方法。21実施態様12に記載の方法において、前記金属接触部を、前記ミクロ構造化された層の少なくとも一部が外部の放射線を受け取ることができるようにしておくよう、構成する過程、をさらに具備する、方法。22半導体構造を製造する方法において、シリコン基板の表面の複数の位置を、ほぼ50フェムト秒からほぼ500フェムト秒までの範囲内のパルス幅を有する一つ以上のレーザーパルスで照射すると同時に、前記表面を、電子供与性の成分を有する物質に露出して、前記電子供与性の成分を組み込んだ含有物を含むミクロ構造化された表面層を生み出す過程と、前記基板を、選択された期間に亘って、ほぼ500Kからほぼ1100Kまでの範囲内の高温で焼き鈍しする過程と、を具備する、方法。23実施態様22に記載の方法において、前記電子供与性の成分を、塩素Cl2、窒素N2、および、空気、のうちのいずれかであるように選択する過程、をさらに具備する、方法。24実施態様22に記載の方法において、前記照射する過程が、前記表面に実質的に垂直な向きに沿って前記レーザーパルスを前記表面に指向する過程、をさらに含む、方法。25実施態様22に記載の方法において、前記選択された焼き鈍し期間が、ほぼ数秒からほぼ数時間までの範囲内にある、方法。26実施態様22に記載の方法において、前記焼き鈍しする過程が、不活性雰囲気中で実行される、方法。27放射線吸収半導体ウェハーを製造する方法において、シリコン基板の表面の少なくとも一つの位置を複数の一時的な短いレーザーパルスで照射すると同時に、前記位置を、電子供与性の成分を有する物質に露出して、所定の濃度の前記電子供与性の成分を組み込んだ、実質的に不規則な表面層を生み出す過程と、前記基板を、前記実質的に不規則な表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された、高温で、かつ、所定の期間に亘って、焼き鈍しする過程と、を具備する、方法。28実施態様27に記載の方法において、前記高温および期間が、前記表面層内の担体電子の濃度を増強するように、前記表面層内の原子結合の再配置を引き起こすように選択されている、方法。29実施態様27に記載の方法において、前記高温および期間が、前記表面層内の電子担体密度を、焼き鈍しする前のレベルに比べて、ほぼ10からほぼ200までの範囲内だけ、増強するように選択されている、方法。30実施態様27に記載の方法において、前記高温および期間は、前記表面層が下側のシリコン基板とダイオード接合を形成するように、選択されている、方法。31実施態様27に記載の方法において、前記高温および期間は、前記焼き鈍しされた基板が、前記表面層をほぼ250nmからほぼ1100nmまでの範囲内の波長を有する放射線に露出し、ほぼ0.1Vからほぼ15Vまでの範囲内の逆バイアスを前記ウェハーに加えたときに、ほぼ1A/Wからほぼ200A/Wまでの範囲内の応答度を示すように、選択されている、方法。32実施態様27に記載の方法において、前記高温は、ほぼ500Kからほぼ1100Kまでの範囲内にあるように選択されている、方法。33実施態様27に記載の方法において、前記期間は、ほぼ数秒からほぼ数時間までの範囲内にあるように選択されている、方法。34実施態様27に記載の方法において、前記短いレーザーパルスを、ほぼ数十フェムト秒からほぼ数十ナノ秒までの範囲内のパルス幅を有するように選択する過程、をさらに具備する、方法。35実施態様27に記載の方法において、前記表面層内に組み込まれた前記電子供与性の成分の濃度が、ほぼ0.5原子パーセントから約5原子パーセントまでの範囲内にあるように、前記パルスのフルエンス、および、前記電子供与性の成分を有する物質の分圧を、選択する過程、をさらに具備する、方法。36放射線吸収半導体ウェハーを製造する方法において、シリコン基板の表面の少なくとも一つの位置を一時的な短いレーザーパルスで照射すると同時に、前記基板を、電子供与性の成分を有する物質に露出して、前記電子供与性の成分を含む含有物を有するミクロ構造化された表面層を生み出す過程と、前記基板を、前記ミクロ構造化された表面層に入射するほぼ250nmからほぼ1100nmまでの範囲内の少なくとも一つの波長を有する放射線に対する前記ミクロ構造化された基板の応答度が、少なくともほぼ10倍だけ増強されるように選択された、高温で、および、所定の期間に亘って、焼き鈍しする過程と、を具備する、方法。37実施態様27に記載の方法において、前記焼き鈍し温度が、ほぼ700Kからほぼ900Kまでの範囲内にある、方法。放射線吸収に適したミクロ構造化されたシリコンウェハーを生み出すための例示的な実施の形態のさまざまな過程を示すフロー図である。本発明のある態様に基づくシリコンウェハーをミクロ構造化するための例示的な装置の模式図である。800nmの中心波長およびほぼ5kJ/m2のフルエンスを有する100フェムト秒パルスでシリコン表面を照射した後の、シリコン表面に対して45度の角度で得られた、シリコン表面の走査電子顕微鏡画像の図である。本発明の教示に基づいてミクロ構造化されたシリコンサンプルの応答度およびホール効果の測定を行うための例示的なセットアップを示す図である。SF6が存在する状態でウェハーをミクロ構造化するために用いられた、一つの位置当り100レーザーショット8kJ/m2の平均値を関数とするプロトタイプのミクロ構造化されたシリコンウェハーの波長吸収率のグラフを示す図である。プロトタイプのシリコンウェハーを複数のフェムト秒レーザーパルスでミクロ構造化した後にさまざまな温度で焼き鈍しされた室温300Kのデータは焼き鈍しされていないウェハーに相当する複数のプロトタイプのシリコンウェハーの吸収率の波長依存性のグラフを示す図である。ほぼ30分に亘って875Kで熱的に焼き鈍しされる前と焼き鈍しされた後の、例示的なフェムト秒レーザーで形成されたミクロ構造化されたシリコンウェハーとナノ秒レーザーで形成されたミクロ構造に対する吸収率の波長依存性のグラフを示す図である波長の関数として構造化されてないシリコン基板の吸光度も比較目的で示されている。焼き鈍しなしで、さまざまな気体が存在する状態で、500レーザーショットのフェムト秒パルス8KJ/m2のフルエンスに露出することによってミクロ構造化された複数のプロトタイプのシリコンウェハーに対する波長を関数とする吸収率のグラフグラフで示された真空は、ほぼ0.1パスカル106バールより低いベース圧力での真空チャンバ内でミクロ構造化されたウェハーに関連する。を示す図である。バンドギャップの下での吸収の増強に対する硫黄の組み込みの正の効果を示す、500ショットの100フェムト秒レーザーパルス硫黄ベアリングガスおよび非硫黄ベアリングガスが存在する状態で8kJ/m2のフルエンスに露出することによってミクロ構造化された複数のプロトタイプのシリコンウェハーに対する波長の関数としての吸収率データを示す図である。さまざまな分圧でのSF6が存在する状態でのフェムト秒レーザーパルスによってミクロ構造化された複数のプロトタイプのシリコンウェハーに対する吸収率の波長依存性のグラフを示す図である。熱平衡状態でのPN接合の模式図である。本発明のある実施の形態に基づいて形成された光検出器の斜視図である。図11Aに示された光検出器の側面図である。焼き鈍しを行わない、または、さまざまな焼き鈍し温度での焼き鈍しを行った、フェムト秒レーザーパルスに露出することによってミクロ構造化された複数の例示的シリコンウェハーの電流電圧特性のグラフを示す図である。非常に増強された応答度が、レーザーミクロ構造化が行われたウェハーの賢明な焼き鈍しによって得られることを示す、波長の関数としての焼き鈍しを行わない、または、さまざまな温度での焼き鈍しを行ったSF6の存在する状態でフェムト秒レーザーパルスに露出することによってミクロ構造化された複数のシリコンウェハーの応答度を市販のフォトダイオードの応答度と比較して示したグラフを示す図である。さまざまなレーザーフルエンスでフェムト秒レーザーパルス、および、825Kでの焼き鈍し、によってミクロ構造化された複数の例示的なプロトタイプのシリコンウェハーの電流電圧特性のグラフを示す図である。さまざまなフルエンスのフェムト秒レーザーパルス、および、ほぼ30分間に亘る825Kの焼き鈍し、によってミクロ構造化されたプロトタイプのシリコンウェハーに対する応答度の測定値を比較して示したグラフを示す図である。さまざまなフルエンスのフェムト秒レーザーパルス、および、ほぼ30分間に亘る1075Kの焼き鈍し、によってミクロ構造化されたプロトタイプのシリコンウェハーに対する応答度の測定値を比較して示したグラフを示す図である。6kJ/m2のフルエンスでのフェムト秒レーザーパルスに露出し、続いて、ほぼ30分間に亘る825Kでの焼き鈍しによって、ミクロ構造化されたnドープされた、および、pドープされた、シリコン基板に対する電流電圧特性を示す図である。4kJ/m2のフルエンスでのフェムト秒レーザーパルスに露出し、続いて、ほぼ30分間に亘る1075Kでの焼き鈍しによって、ミクロ構造化されたnドープされた、および、pドープされた、シリコン基板に対する電流電圧特性を示す図である。2つの異なるレーザーフルエンス4kJ/m2および6kJ/m2および、ほぼ30分間に亘る825Kでの焼き鈍しによってミクロ構造化されたプロトタイプの例示的なnドープされた、および、pドープされた、シリコン基板に対する応答度の測定値を示す図である。4kJ/m2のフルエンスでのフェムト秒レーザーパルスおよびほぼ30分間に亘る1075Kでの焼き鈍しによってミクロ構造化されたプロトタイプの例示的なnドープされた、および、pドープされた、シリコン基板に対する応答度の測定値を示す図である。4kJ/m2のフルエンスでのフェムト秒レーザーパルスによる照射および、ほぼ30分間に亘る825Kでの焼き鈍しによってミクロ構造化されたnドープされたシリコン基板に対する逆バイアスの関数として応答度測定は、ほぼ50マイクロワットの電力で白色光源を用いて行われた。を示すグラフを示す図である。4kJ/m2のフルエンスでのフェムト秒レーザーパルスおよび825Kでの焼き鈍しによってミクロ構造化されたnドープされたシリコンサンプルの電流電圧特性を動作温度の関数として示したグラフを示す図である。1064nmの波長を有する入射放射線に対するミクロ構造化されたシリコンウェハーの応答度を動作温度の関数として示したグラフを示す図である。一度太陽光で照らしたまたは太陽光で照らさない、太陽電池として用いることができる応答度の高い1オームメートルより高い応答度ミクロ構造化されたシリコンウェハーに対する電流電圧特性を示す図である。一度太陽光で照らしたまたは太陽光で照らさない、太陽電池として用いることができる応答度の低い例えば、ほぼ0.01オームメートルからほぼ0.1オームメートルまでの範囲内の応答度ミクロ構造化されたシリコンウェハーに対する電流電圧特性を示す図である。本発明の教示に基づいてミクロ構造化されたシリコン基板の電界放射を測定するための、ある例示的なセットアップを示す模式図である。SF6の存在する状態でフェムト秒レーザーパルスに露出することによってミクロ構造化されたシリコンウェハーによって生み出された電界放射電流をシリコンウェハーに印加された電位差の関数として示したグラフを示す図である。