"配線基板と、該配線基板上に配設される光導波路部材と、を備え、前記光導波路部材は、第1クラッド層と、該第1クラッド層よりも配線基板側に配置される第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層との間に介在された複数のコア層と、厚み方向に貫通する貫通電極と、を有し、前記貫通電極は、前記第1クラッド層側の幅が前記第2クラッド層側の幅よりも小さい光配線基板。請求項1に記載の光配線基板において、前記貫通電極は、前記第2クラッド層の前記配線基板側の表面と平坦面をなす光配線基板。請求項1に記載の光配線基板において、前記配線基板は、前記貫通電極に電気的に接続された配線導体を有する光配線基板。請求項1に記載の光配線基板において、前記貫通電極は、前記第2クラッド層側から前記第1クラッド層側へのレーザ加工で形成された貫通孔内に配されている光配線基板。請求項1に記載の光配線基板と、前記貫通電極に電気的に接続される光半導体素子と、を備えた光配線モジュール。従来技術の光導波路部材の製造方法では、コア層の傾斜面を形成するには、異方性のエッチングを用いる必要があり、傾斜面の形状を制御することが困難である。それ故、光導波路部材の製造工程が複雑になる。本発明の目的は、上記問題点を解決した、光導波路部材、光導波路部材が含まれる光配線基板、光配線基板と光半導体素子とを含む光配線モジュール、及び光導波路部材が含まれる表示装置、並びに、光導波路部材および光配線基板の製造方法を提供することである。本発明の一形態に係る光配線基板は、配線基板と、該配線基板上に配設される光導波路部材と、を備え、前記光導波路部材は、第1クラッド層と、該第1クラッド層よりも配線基板側に配置される第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層との間に介在された複数のコア層と、厚み方向に貫通する貫通電極と、を有し、前記貫通電極は、前記第1クラッド層側の幅が前記第2クラッド層側の幅よりも小さい。本発明の一形態に係る光配線モジュールは、上記光配線基板と、前記貫通電極に電気的に接続される光半導体素子と、を備える。本発明によれば、光配線基板や光配線モジュールを形成する際に、光導波路部材を配線基板に転写することにより、光導波路部材のコア層に設けられる傾斜面の形成が容易となり、生産性向上に貢献できる。以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。また実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。第1の実施形態図1Aは、第1の実施形態に係る光配線モジュール1を示す斜視断面図である。光配線モジュール1は、大略的に、光配線基板2と、該光配線基板2上に搭載される光半導体素子としての発光素子3と、を備えた構成を有している。また、光配線基板2は、配線基板としての支持基板5と、支持基板5上に配設され、表面に発光素子3が搭載される光導波路部材4によって構成される。光配線モジュール1は、支持基板5より供給される電気信号を、光導波路部材4を介して発光素子3に供給し、その電気信号に基づいて発光素子3を発光させる。そして、発光素子3の光を光信号として光導波路部材4を介して光ファイバ等の外部接続部材に伝送する。光配線基板2は、大略的に長方形状であって板状に形成されている。以下では、光配線基板2の厚み方向図1A~図1Dの上下方向をZ1方向とし、長手方向図1A~図1Dの左右方向をX1方向とし、Z1方向およびX1方向に垂直な方向図1A~図1Dの奥行き方向をY1方向と称する。支持基板5は、配線導体を有する配線基板であり、たとえば、樹脂、アルミナ系セラミックまたはガラスセラミック等の絶縁材料により形成された絶縁基板と、該絶縁基板上に銅、金、銀またはアルミニウム等の導電材料からなる配線導体と、を有した構成を有している。支持基板5の配線構造は、単層配線でも多層配線であっても良い。このような支持基板5は、その上面で光導波路部材4を支持するとともに、配線導体が光導波路部材4に設けられる貫通電極10を介して発光素子3に電気信号を供給する。なお、光配線モジュール1がコンピュータ等の計算機器に組み込まれる場合、支持基板5の配線導体は、中央演算処理装置CentralProcessingUnit:略称CPUなどのIC回路に電気的に接続される。支持基板5上に搭載される光導波路部材4は、発光素子3側に配置される第1クラッド層6と、支持基板5に接する第2クラッド層8と、第1クラッド層6と第2クラッド層8との間に介在され、傾斜面13を有する複数のコア層7と、傾斜面13に被着される反射膜14と、発光素子3と支持基板5の配線導体とを電気的に接続するための貫通電極10と、を有している。また光導波路部材4は、Z1方向の厚みが50μm以上100μm以下に形成されている。なお、光導波路部材1の両主面、すなわち、第1クラッド層6の表面と、第2クラッド層8の表面は平坦状に形成されている。複数のコア層7は、X1方向に延びる帯状に形成され、互いに間隔をあけてY1方向に沿って配設されている。各コア層の断面形状Y1軸とZ1軸に平行な断面の形状は、長方形状もしくは正方形状に形成されている。また、コア層7のX1方向一端部には、傾斜面13が形成されている。傾斜面13は、第1クラッド層6側に位置するコア層7の表面40と傾斜面13との間の傾斜角度αが90度よりも小さくなるようにX1方向に対して傾斜している。この傾斜面13の傾斜角度αは、41度以上49度以下が好ましい本実施形態では、傾斜角度αは45度に設定されている。傾斜角度αが41度以上49度以下であると、発光素子3の光をコア層7に向かって良好に伝送でき、光信号の伝送損失を良好に低減できる。ただし、傾斜角が41度以上49度以下の範囲以外の傾斜面であっても構わない。また、傾斜面13は、必ずしもコア層7の一端部に形成されている必要はない。またこの傾斜面13には、アルミニウム、ニッケル、クロム等の光を反射させることが可能な材料からなる反射膜14が形成されている。第1クラッド層6、コア層7および第2クラッド層8は、透光性材料により形成されており、第1および第2クラッド層6,8は、コア層7と異なる屈折率を有する透光性材料から成る。コア層7は、第1および第2クラッド層6,8の屈折率より高く、第1および第2クラッド層6,8と同じ透光性材料から成る。透光性材料としては、たとえばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン、ポリシラザン系樹脂またはガラスが用いられる。ただし、コア層7、第1クラッド層6、および第2クラッド層8は、互いに同一の透光性材料から成ることに限定されず、コア層7の屈折率が第1および第2クラッド層6,8の屈折率よりも高ければ、互いに異なる透光性材料によって形成されてもよい。一方、貫通電極10は、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム、鉄、タングステンまたはモリブデン等の導電材料により円柱状に形成され、Y1方向にわたって複数個配列されている。ここで、貫通電極10は、室温25°Cにおける熱伝導率が100W/mK以上であり、かつ電気抵抗率が1.0×10-7Ωm以下を満たすような材料により形成されることが好ましい。この場合、光導波路部材4に実装され、貫通電極10に対して電気的に接続される発光素子4や他の電子素子は、動作中に発する熱が貫通電極10を介して良好に放熱されることとなる。それ故、発光素子4や他の電子素子を安定的に動作させることが可能となる。上述した貫通電極10の材料であれば、銅、銀、金、アルミニウム、モリブデン、タングステンが好ましい。例えば、銅熱伝導率:395W/mK、電気抵抗率:1.69×10-8Ωm、アルミニウム熱伝導率223W/mK、電気抵抗率:2.66×10-8Ωm、金熱伝導率:293W/mK、電気抵抗率:2.44×10-8Ωm、モリブデン熱伝導率:147W/mK、電気抵抗率:5.78×10-8Ωm、タングステン熱伝導率:167W/mK、電気抵抗率:5.5×10-8Ωmである。また、貫通電極10は、コア層7と同一材料から成る電極形成層28に設けられた貫通孔16の内部に設けられており、XY平面に平行な断面における断面積が発光素子3側よりも支持基板5側で大きくなっている。なお、電極形成層28は、発光素子3側の表面は一部が第1クラッド層6より露出しており、支持基板5側の表面は第2クラッド層8及び貫通電極10で被覆された形に形成されている。すなわち、光導波路部材4の発光素子3側の表面は、第1クラッド層6、電極形成層28及び貫通電極10の表面が露出しており、該露出面は略平坦に形成されている。また、光導波路部材4の支持基板5側の表面は、第2クラッド層8及び貫通電極10が露出しており、該露出面は略平坦に形成されている。一方、光導波路部材4の第1クラッド層6上に搭載される複数の発光素子3は、例えば、面発光型半導体レーザVerticalCavitySurfaceEmittingLaser:略称VCSELにより構成されている。各発光素子3は、一対の貫通電極10に対してバンプ24を介して電気的に接続されている。一方、各発光素子3が光導波路部材4に対して傾くことを防止するため、バンプ24に対応させて一対のダミーバンプ25が設けられている。なお、バンプ24およびダミーバンプ25は、たとえば金Auや半田等の導電材料により形成されている。このような発光素子3は、そのレーザ光が光導波路部材4の傾斜面13に入射可能な位置例えば、傾斜面13の直上位置に配置されている。そして、支持基板5より貫通電極10を介して電気信号が発光素子3に供給されると、該電気信号に基づいて発光素子3がレーザ光を傾斜面13に向けて出射し、そのレーザ光が傾斜面13に形成される反射膜14でX1方向に向かって反射される。反射されたレーザ光はコア層7内を光信号として伝播することにより、電気信号が光信号へと変換されることとなる。本実施の形態では、VCSELを発光素子3として用いているが、必ずしもVCSELに限定されない。たとえば端面発光型レーザダイオードでもよく、レーザ光を照射可能なものであればよい。また発光素子3に代えて、受光素子42を光配線基板2に配設してもよい。なお、受光素子42を配設する場合、光導波路部材4から伝播した光信号が受光素子42によって電気信号に変換される。すなわち、コア層7を伝播した光が傾斜面13に入射し、該入射光が反射膜14で受光素子42に向かって反射される。反射された光は受光素子42に入射され、該入射光に基づいて受光素子42が貫通電極10を介して支持基板5に電気信号を供給する。その結果、光信号が電気信号に変換されることとなる。図2は、上述した光配線モジュール1の製造方法の各工程のフローチャートを示す図である。図3A~図3Nは、各工程で製造される部材を示す斜視断面図である。以下では、このようにして構成される光配線モジュール1の製造方法について図2に示すフローチャートに沿って説明する。ステップs1は、まず、図3Aに示す長方形状の転写部材26を準備する。なお、以下では、転写部材26の厚み方向をZ2方向図3A~図3Fにおいて、上下方向とし、その長手方向をX2方向図3A~図3Fにおいて左右方向とし、Z2方向とX2方向とに垂直な方向をY2方向図3A~図3Fにおいて奥行き方向と称する。転写部材26は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、プラスチック、ステンレス、ニッケル合金、アルミニウム、またはチタン等からなる転写シート26a上に銅等の導電性材料から成る金属膜26bを形成した構成を有しており、転写シート26aと金属膜26bとが互いに剥離可能な接着力で接着されている。両者を剥離させやすくするためには、転写シート26aと金属膜26bとの間に離型材を介在させても良い。このような転写部材26を用いて、転写部材26の上に積層された光導波路部材4を支持基板5に転写する際、まず、転写部材26と共に光導波路部材4を支持基板5に接着させる。次に、転写部材26を構成する転写シート26aを金属膜26bより剥離させる。そして、金属膜26bをエッチングにより除去することによって光導波路部材4が支持基板5に転写される。なお、転写シート26a上の金属膜26bは、エッチングによる除去を容易にするため、3μm~35μmの厚みが望ましい。また、図3Nに示すように、転写シート26aは、前記金属膜26bと接する面に銅等の導電材料からなる第2金属膜26a’を有していても良い。この場合、金属膜26bと第2金属膜26a’とが互いに剥離されることとなるため、両金属膜26b、26a’間に離型材を介在させても良い。ステップs2においては、図3Bに示すように、転写部材26の金属膜26b上に、第1クラッド層6を形成する。第1クラッド層6は、次のような工程を経て製作される。すなわち、まず、透光性材料を溶剤に溶かした液体が、スピンコーター、バーコーター、ドクターブレード、ダイコーターまたはディップコーターなどを用いて金属膜26b上に塗布される。次に、塗布された液体を乾燥させて第1クラッド材料層を転写部材26にZ2方向一方図3A~図3Fにおいて上方に積層する。この積層体をフォトリソグラフィ技術やエッチング等によって所定パターンに加工することにより、第1クラッド層6が形成される。なお、第1クラッド層6は、上述の第1クラッド材料層を型に入れて成形する方法等の種々の加工方法を使用できる。ステップs3では、図3Cに示すように、第1クラッド層6上に複数のコア材料層27および複数の電極形成層28を形成する工程である。まず、コア層7を構成する透光性材料を溶剤に溶かした液体が、スピンコーター、バーコーター、ドクターブレード、ダイコーターまたはディップコーターなどを用いて、転写部材26および第1クラッド層6に塗布される。次に、塗布した液体を乾燥させることによって透光性材料層29が形成される。次に、透光性材料層29をフォトリソグラフィ技術やエッチング等を用いて所定パターンに加工することにより、複数のコア材料層27および複数の電極形成層28が形成される。ステップs4では、図3Dに示すように、コア材料層27を加工してコア層7を形成する工程である。まずコア材料層27のX2方向一端部を砥石やダイヤモンド等の硬質材料からなる工具32で押圧することによって、傾斜面13を形成する。これによって傾斜面13を容易に形成することができる。工具32は、図3Dの仮想線で示すように、傾斜面13に対応した先端形状を有している。工具32は、具体的には、ナノインプリント、またはマイクロエンボスによって実現できる。なお、工具32でコア材料層27を押圧する時、コア材料層27は完全硬化状態でも半硬化状態でもよいが、コア材料層27は、完全硬化させた状態で工具32を圧入すると、コア材料層27にクラックが発生する場合があるため、コア材料層27は半硬化状態で加工することが好ましい。ここで、半硬化状態とは、25以上80以下の樹脂が重合反応した状態である。なお、本実施の形態では、傾斜面13が機械加工によって形成されているけれども、必ずしもこれに限定されない。たとえばレーザ加工であってもよく、またエッチングであってもよい。またエッチングも、フォトリソグラフィ技術に限定されることなく、プラズマエッチングであってもよく、イオンビームによって除去させてもよい。ステップs5では、傾斜面13に反射膜14を形成する工程である。物理蒸着PhysicalVaporDeposition:略称PVD法等の薄膜形成技術を用いて、傾斜面13にアルミニウム、ニッケル、クロムなどの反射材料を蒸着し、傾斜面13に反射膜14を形成する。ステップs6では、電極形成層28に貫通孔16を形成する工程である。貫通孔16は、使用する光導波路材料の特性に合わせてフォトリソグラフィ技術、金型加工、エッチング技術等を採用することにより形成される。本実施の形態では、ステップs6はステップs5の後に行なっているが、ステップs6はステップs4とステップs5との間、ステップs3とステップs4の間、またはステップs7とステップs8との間にレーザを用いて加工を行なっても良い。フォトリソグラフィ技術や金型加工技術を用いると光導波路に対する貫通孔16の位置精度を維持できる。また、レーザを用いて加工する方法は細く長い貫通孔16を容易に加工できる特長がある。ステップs7では、図3Eに示すように、第1クラッド層6およびコア層7に第2クラッド層8を積層する工程である。第2クラッド層の構成材料である透光性材料を溶剤に溶かした液体がスピンコーター、バーコーター、ドクターブレード、ダイコーターまたはディップコーターなどを用いて、第1クラッド層6、コア層7および電極形成層28に塗布される。次に、塗布した液体を乾燥させて第2クラッド材料層が形成される。次に、第2クラッド材料層を所定パターンに加工することによって第2クラッド層8が形成される。第2クラッド材料層は表面を平坦化するために研磨してもよく、研磨方法としては、たとえばアルミナ、炭化ケイ素またはダイヤモンドなどの砥粒を含む砥石を用いて研磨する方法、前記砥粒を表面部に付着させ、ブラシによって研磨する方法、またはバフを用いて研磨する方法が用いられる。またダイヤモンドから成る切削具を用いて削り取る方法によって、第2クラッド層前駆体の前記表面部を平坦状に形成してもよい。ステップs8では、図3Fに示すように、貫通孔16内に貫通電極10を形成する工程であり、貫通電極10の形成によって転写部材26上に光導波路部材4に相当する積層体が形成される。貫通電極10は、銅等からなる導電材料を電気めっきにより貫通孔16に充填させることにより形成される。この場合、転写部材26を構成する金属膜26bの表面を光導波路部材4より露出させておくことにより、該露出させた金属膜26bの表面より電気めっきのための通電を行なうことで、貫通電極10の形成を容易に行える。ステップs9では、図3Gに示すように、支持基板5に転写部材26上に形成された光導波路部材4を転写する工程である。具体的には、第2クラッド層8が支持基板5に対して接するように、光導波路部材4を、接着剤を介して支持基板5に固着する。このとき、光導波路部材4の貫通電極10と支持基板5に配設される配線導体とが電気的に接続されるようにする。ステップs10では、図3Hに示すように、転写部材26を構成する転写シート26aを転写部材26の金属膜26bより剥離する工程である。ステップs11では、図3Iに示すように、第1クラッド層6上に残された転写部材26を構成する金属膜26bをエッチングによって除去する工程である。金属膜26bをエッチングによって除去すると、第1クラッド層6および貫通電極10が露出する。ステップs12では、図3Jに示すように、貫通電極10上に複数の発光素子3を実装する工程である。具体的には、発光素子3をバンプ24を介して貫通電極10に接続するとともに、発光素子3をダミーバンプ25を介して第1クラッド層6に接続する。バンプ24やダミーバンプ25を半田で形成する場合、貫通電極10とバンプ24とのセルフアライメント作用により、高精度で発光素子3が位置決めされて実装される。このようにして発光素子3を実装すると、光配線モジュール1が形成され、光配線モジュール製造処理が終了する。このとき、バンプ24が接続される貫通電極10の表面に凹部を形成すれば、バンプ24やダミーバンプ25が凹部に向かってセルフアライメントされ易くなり、発光素子3の位置決めが容易となる。以下では、このような製造方法が奏する効果について説明する。本実施の形態の製造方法によれば、光導波路部材を転写技術によって形成しているため、傾斜面13の形成が容易である。また、本実施形態のようにコア層7を被覆する第2クラッド層8によって傾斜面13を連続的に被覆することができ、傾斜面13を良好に第2クラッド層で被覆することができる。なお、傾斜面13を第1および第2のクラッド層とは異なる第3のクラッド層で被覆することを排除するものではない。また、本実施形態の製造方法によれば、反射膜14を形成する際に、傾斜面13のみならずコア層7の表面も露出しているため、反射膜14を傾斜面13上に容易に形成でき、光導波路部材4、光配線基板2、及び光配線モジュール1の生産性を高く維持することが可能となる。本実施形態の製造方法によれば、転写部材26上に光導波路部材4を形成した後、光導波路部材4を支持基板5に固着するようにしているため、発光素子3の実装面である光導波路部材4の表面を極めて平坦にすることができる。したがって、発光素子3の実装の位置決め精度が高く、これによっても生産性向上に寄与することが可能となる。なお、発光素子3の光の許容誤差は、光を反射するミラーとなる傾斜面13及び反射膜14に対して±1μm以内とすることが好ましいため、このような許容誤差の範囲内で発光素子3が傾斜面13等に位置合わせされる。本実施形態の製造方法によれば、傾斜面13に対して間隔をあけて貫通電極10が形成されているため、支持基板5の配線導体及び発光素子を容易に電気的に接続することができる。また傾斜面13に対して間隔をあけて貫通電極10が形成されているので、発光素子3または受光素子42を配設する際、貫通電極10を発光素子3の位置決めマーカとして用いることができる。本実施形態の製造方法によれば、貫通電極10と転写部材26を構成する前記金属膜26bとを同一の導電性材料により形成することにより、貫通電極10と金属膜26bとの固着強度を高め、光導波路部材4を支持基板5に対して転写する前に光導波路部材4が転写部材26から離脱することを防止できる。なお、第1の実施形態では、発光素子3と光導波路部材4Dとの間には、空隙が形成されているが、図1Bに示すように、この空隙に発光素子3から出射されるレーザ光の通過領域を取り囲むように遮光部材62を設けても良い。この場合、発光素子3から発せられる光が良好に外部と遮光される。その結果、発光素子3の光が不所望に他の発光素子や受光素子に出射されたりすることが良好に防止される。この遮光部材62は、非光透過性樹脂により形成されている。非光透過性樹脂の一例としては、たとえばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはポリイミド樹脂などにカーボン粉末、グラファイト粉末などを混合した樹脂が考えられる。また、非光透過性樹脂の他の例としては、染色剤や着色剤を用いて黒くした樹脂材料や、エポキシ系樹脂にシリカ系フィラーおよびカーボン粉末を混合した樹脂が考えられる。このような非光透過性樹脂は、使用する波長の光たとえば850nmに対する樹脂1cmあたりの光投入量に対する光透過量の割合光透過量/光投入量が-30dB以下のものであることが好ましく、さらに望ましくは-40dB以下のものが良い。光透過量は、例えば、第1及び第2の光ファイバを準備した後、両光ファイバ間に樹脂を介在させ、第1光ファイバから第2光ファイバにレーザやLED等の光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。他方、光投入量の測定方法としては、例えば、第1及び第2の光ファイバ間に樹脂を介在させずに直結させた状態で第1光ファイバから第2光ファイバに光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。そして、この測定によって得られた2つの光量を用いて光投入量に対する光透過量の割合が求められる。また本実施形態において、図1Cに示す如く、発光素子3と光導波路部材4との間に、光透過性樹脂から成る透光部材63を設けてもよい。透光部材63は、たとえば各発光素子3と光導波路部材4との両方に当接するように設けられる。これによって各発光素子3と光導波路部材4とが、より強固に透光部材63によって機械的に接続される。透光部材63とは、使用する波長の光たとえば850nmに対する透光部材1cmあたりの光投入量に対する光の減衰量の割合光減衰量/光投入量が6dB以下のものである。望ましくは3dB以下のものが好適に用いられ、最適には0.5dB以下がよい。この光透過量は、例えば、第1及び第2の光ファイバを準備した上、両光ファイバ間に樹脂を介在させ、第1光ファイバから第2光ファイバにレーザやLED等の光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。一方、光減衰量は、まず、光投入量を求め、光投入量から光透過量を減じることで算出される。光投入量は、第1及び第2の光ファイバ間に樹脂を介在させずに直結させた状態で第1光ファイバから第2光ファイバに光を伝送させ、第2光ファイバからの出射光の光量をパワーメータにて測定することにより求められる。そして、この測定によって得られた2つの光量の比によって光投入量に対する光の減衰量の割合が求められる。このような透光部材63は、たとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂またはシリコン樹脂などをディスペンサーなどで所定量注入して硬化させることにより形成される。さらに本実施形態においては、図1Dに示す如く、傾斜面13に反射膜14を形成しているが、必ずしも形成する必要はない。たとえば反射膜14に代えて、第2クラッド層8と傾斜面13との間に空間Sを形成してもよい。空間Sにおける気体の屈折率がコア層7の屈折率より高い場合、傾斜面13で反射するので、反射膜14を設ける場合と同様の作用効果を奏する。また本実施形態において、貫通電極10の形成をステップs11の後に行っても良い。この場合、配線基板の配線導体と貫通電極10の接続が強固にできるが、貫通電極10を形成するための電気めっきの作業性が悪い場合がある。したがって、この場合は、ステップs11において金属膜26bが除去されることで露出される第1クラッド層6の表面に、無電界めっき法あるいは蒸着法、スパッタ法などにより、銅、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、またはモリブデンなどの導電材料層を被着した後、該導電材料層を介して貫通孔16内に貫通電極10を形成するようにしても良い。このとき、無電界めっきによって第1クラッド層6上に導電材料層を形成することは困難である。したがって、次のような方法により貫通電極10を形成することが好ましい。まず、図3Kに示す如く、第1クラッド層6および貫通孔16内にエポキシ樹脂等からなる樹脂材料層64を積層する。次に、図3Lに示す如く、樹脂材料層64の表面上に無電界めっき法による第1導電材料層65を形成する。続いて、図3Mに示す如く、第1導電材料層65を介して電気めっきにより貫通孔16内に貫通電極10を形成する。このとき、第1導電材料層65層上には貫通電極10と同質材料からなる第2導電材料層66が形成される。そして、必要であれば、樹脂材料層64、第1導電材料層65及び第2導電材料層66をエッチング等により除去したり、あるいは、パターン加工したりしても良い。第2の実施形態図4Aは第2の実施形態に係る光配線基板2Aを示す斜視断面図であり、図4Bは第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aを示す斜視断面図、図4Cは第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aの変形例を示す斜視断面図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。光配線モジュール1Aは、転写部材26を構成する金属膜26bを完全に除去するのではなく、発光素子3の搭載領域や貫通電極10の形成領域に位置する金属膜26bを除去し、その他の金属膜26bを残存させている。したがって、残存させた金属膜26bをエッチング加工することにより、電気配線として使用することができるため、光導波路部材4A上に新たに、めっきなどの方法で電気配線を形成する必要がなく、工数を低減することができる。また、本実施形態において、図4Cに示すように、金属膜26bに対してダミーバンプ25を介して発光素子3を接続するようにしても良いし、ダミーバンプ25を通常のバンプとして機能させ、金属膜26bと発光素子3とを電気的に接続するようにしても構わない。なお、本実施形態の光配線モジュール1Aが、第1実施形態と同様の効果を奏することは勿論である。第3の実施形態図5は、第3の実施形態の光配線モジュール1Bを示す図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。光配線モジュール1Bは、第1の実施形態とは異なり、傾斜面13Bが第2クラッド層8側に突出するように曲面状に湾曲している。したがって、発光素子3が光導波路部材4Bの表面に対して傾いた場合であっても、傾斜面13に入射された発光素子3の光をコア層7に向かって良好に反射させることができる。それ故、発光素子3や受光素子42の配置位置に対する制限を軽減でき、配設位置に対する許容誤差を大きくすることができ、光配線モジュールの生産性を向上させることができる。このような形状を有する傾斜面13Bは、第1実施形態におけるステップs4においてコア材料層27を工具32Bで押圧する際に、図5の仮想線で示すような傾斜面13Bに対応した形状を先端部に有する工具32Bを用いることによって形成される。この工具32Bを曲面にすることで、曲面の加工ができる。また、コア材料層27を構成する樹脂材料の硬化反応が50から90の範囲の場合は、コア材料層27の弾性変形を利用して傾斜面13Bを曲線とすることができる。本実施の形態では、傾斜面13Bが湾曲状に形成されているけれども、必ずしもこのような形状に限定されない。発光素子3からの光をコア層7に良好に反射することができるのであれば、傾斜面の形状は階段状であってもよい。第4の実施形態図6は、第4の実施形態の光配線モジュール1Cを示す図である。ここでは、第1の実施形態と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。また、基本的には、第1の実施形態が有する効果を奏するものとする。光配線モジュール1Cでは、コア層7の一端部ではなく、コア層7の中間部に傾斜面13が形成されている点で第1の実施形態と構成が異なっている。このような場合であっても、第1の実施形態と同様の効果を得られるため、傾斜面13の形成位置の自由度は高い。第5の実施形態図7は、第5の実施形態に係る光導波路部材4Dを示す断面図である。ここでは、第2の実施形態の光導波路部材4Aと異なる構成製造方法についてのみ説明し、共通する構成についてはその説明を省略する。本実施の形態は、第2の実施形態と類似し、光導波路部材4Dは、第1クラッド層6に接する第2金属膜26bを含んで構成されているが、本実施形態は、第2の実施形態とは異なり、第3金属膜52が第2クラッド層8上に被着されている点で他の実施形態とは異なる。すなわち、光導波路部材4Dの両面に金属膜が存在している。第2金属膜26bは、第2の実施形態と同様に転写によって形成しても良いし、あるいは、無電界めっき等を用いて形成しても良い。この場合、第2金属膜26bと第1クラッド層6との密着強度を高めるために、第2金属膜26bを形成する前に、エポキシ樹脂を第1クラッド層6上に形成した上で、第2金属膜26bを形成するための無電界めっきを行なうのが良い。また、第3金属膜52は、第2金属膜26bと同様に、転写によって形成しても良いし、無電界めっき法によって形成しても良い。また、無電界めっきを行なう前に、第3金属膜52を形成する前に、エポキシ樹脂を第2クラッド層8上に形成した方が良い。また、本実施形態の光導波路部材4Dは、支持基板5に搭載しても良いし、搭載しなくても良いが、支持基板5に光導波路部材4Dを搭載しない場合であっても、第2金属膜26bや第3金属膜52を所定パターンに加工することにより、光導波路部材4Dに配線基板としての機能を付加することができる。一方、支持基板5に光導波路部材4Dを搭載する場合、光導波路部材4Dを支持基板5に搭載する前に、光半導体素子発光素子または受光素子を光導波路部材4Dに搭載しても良い。第6実施形態図8は、第6の実施形態に係る携帯電話装置105表示装置を示す斜視図である。図9A及び図9Bは、携帯電話装置105の要部の拡大断面図である。なお、図9A,9Bでは、コア層7や貫通電極10、傾斜面13及び反射膜14等の図示を省略している。本実施形態の携帯電話装置105は、表示部106を有する第1筐体107と、操作部108を有する第2筐体109と、第1筐体107と第2筐体109とを接続する接続部110と、を備えている。第2筐体109は、第1筐体107に対して変位可能に構成され、両者は接続部110を介して接続されている。例えば、携帯電話装置105は、第1筐体107と第2筐体109との角度を調整することにより、図9Aに示すように、表示部106と操作部108とを離間させた開状態や、図9Bに示すように、表示部106と操作部108とを対面させた閉状態に調整可能である。これら第1筐体107、第2筐体109および接続部110の内部には、第5の実施形態に係る光導波路部材4Dが収容されており、該光導波路部材4Dによって第1筐体107の表示部106と第2筐体109の操作部108とが光学的に接続されている。この光導波路部材4Dは、後述するように、その両側に発光素子3と受光素子42を有しており、該発光素子3と受光素子42の近傍に、貫通電極10や傾斜面13、反射膜14等を有している。かかる光導波路部材4Dは、可撓性を有しているため、図9Bのように、湾曲した状態であっても、光通信可能に構成される。なお、光導波路部材4Dは、ヤング率が3GPa以下であることが好ましい。また光導波路部材4Dに対して良好な可撓性を付与するためには、第1クラッド層6、コア層7及び第2クラッド層8の合計厚みが90μm以下で、且つ、第1金属膜26b及び第3金属膜52の合計厚みが18μm以下となるように、設定することが好ましい。一方、第2筐体109には、光導波路部材4Dを支持し、操作部108に電気的に接続される配線基板5bと、該配線基板5bからの電気信号に基づいて光を発し、その光を光信号として光導波路部材4Dに伝達する発光素子3と、が収容されている。発光素子3と配線基板5bとは、光導波路部材4Dの貫通電極10を介して電気的に接続されている。また、発光素子3の光は、光導波路部材4Dの傾斜面13や反射膜14を介してコア層7に伝達される。また第1筐体107には、光導波路部材4Dを支持し、表示部106に電気的に接続される配線基板5aと、光導波路部材4Dより伝達された光信号を受光し、該受光した光信号を電気信号に変換して配線基板5aに電気信号を伝達する受光素子42と、が収容されている。受光素子42と配線基板5aとは、光導波路部材4Dの貫通電極10を介して電気的に接続されている。また、受光素子42への光は、光導波路部材4Dの傾斜面13や反射膜14を介してコア層7に伝達される。また、配線基板5a、5bとしては、第1乃至第5実施形態に示された配線基板が使用可能である。操作部108から入力された情報は、第2筐体109内の図示しない電気回路によって配線基板5bに電気信号として伝達され、その電気信号が光導波路部材4Dの貫通電極10を介して発光素子3に供給される。発光素子3によって電気信号が光信号に変換されると、その光信号が光導波路部材4Dの傾斜面13を介してコア層7に伝達される。そして、コア層7に伝達された光信号が光導波路部材4Dの傾斜面13を介して受光素子42に入力される。そして、受光素子42によって光信号が電気信号に変換されると、該電気信号が光導波路部材4Dの貫通電極10を介して配線基板5aに伝達される。そして、配線基板5aを介して表示部106内の駆動ICに電気信号が伝達され、該駆動ICによって画像表示がなされる。このように本実施の形態では、光導波路部材4Dによって、第1筐体107の表示部106と第2筐体109の操作部108とが光学的に接続されるので、表示部106に送信すべき情報が多い場合であっても、高速かつ低電力で送信することができる。これによって利便性の高い携帯電話装置105を実現することができる。なお、本実施形態においては、表示装置の例として携帯電話装置を例に説明したが、例えば、パソコンに適用することも可能である。また、光導波路部材4Dは、DVDプレーヤー、DVDレコーダーまたはビデオデッキ等の再生録画機とテレビとを接続する接続部材、テレビとビデオカメラとを接続する接続部材等のように、複数の電子機器同士を接続する接続部材として用いることも可能である。"