測定すべき発電機の電圧又は電流に比例する電流が循環する金属測定線4、5に連結された、電圧又は電流を測定すべき発電機に接続する第1及び第2端子1、2と、測定線4、5内を循環する電流によって遠隔で作られる、磁場を測定する少なくとも2つの磁気抵抗31、32、33、34とを含む、電流を介して電圧又は磁気抵抗に基づき電流を測定する集積化センサであって、金属測定線が、測定線を閉鎖するための部分3に連結された、電流が反対方向に循環する、少なくとも第1及び第2の細長く、かつ平行な区間4、5を含み、金属測定線3、4、5のアセンブリが、1500V以上の電圧に関して集積化ガルバニック絶縁層8の面の一方に配置され、集積化ガルバニック絶縁層8自体が、検出集積回路部分の上に配置され、検出集積回路部分が、少なくとも2つの磁気抵抗31、32、33、34を含み、2つの磁気抵抗自体が、測定線を循環する電流によって作られる場への感度を有するように、金属測定線の細長い区間4、5の一方に、基本的に重ねられる高感度部分を各々有すること、及び金属測定線の第1及び第2の細長い区間4、5の各々が、第1及び第2端子1、2の側で、接地接点41に連結するトラックに重ねられた領域の隣接領域に収縮部6、7を含み、収縮部6、7が、過電圧ピークによって作られる絶縁不足の場合に集積化ヒューズの役目を果たすことを特徴とする集積化センサ。金属測定線3、4、5のアセンブリが、集積化ガルバニック絶縁層8の面の一方に直接堆積され、かつこの集積化ガルバニック絶縁層8の他方の面に直接堆積された磁気抵抗の高感度部分と向かい合い、この絶縁層の厚さだけ測定線が高感度部分から分離するようにすることを特徴とする請求項1に記載の集積化センサ。磁気抵抗が、巨大磁気抵抗であることを特徴とする請求項1又は2に記載の集積化センサ。磁気抵抗が、トンネル磁気抵抗であることを特徴とする請求項1又は2に記載の集積化センサ。検出集積回路部分が、磁気抵抗ブリッジ30と、少なくとも1つのバイアス電圧接点Vcc42、接地接点41、並びに差動出力電圧の陰極Vin-及び陽極Vinの接点43、44と連結するトラックとを含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の集積化センサ。磁気抵抗31、32、33、34は、各々がC字形を有し、測定線を循環する電流によって作られる場への感度を有するように、金属測定線の細長い区間4、5の一方に基本的に重ねられた高感度部分を構成する長手方向中央分岐を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の集積化センサ。各巨大磁気抵抗31、32、33、34が、100~500マイクロメートルの長さと、2~8マイクロメートルの幅とを有することを特徴とする請求項3に記載の集積化センサ。各トンネル磁気抵抗31、32、33、34が、40~150pmの長さ及び2~8μmの幅のC字形の自由層61;62と、300オーム~10キロオームの抵抗を得るために大きさが調整される、1又は2つの接触片70;71、72から形成される硬質層とを有することを特徴とする請求項4及び6に記載の集積化センサ。金属測定線3、4、5が、30~100オームの抵抗を有することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の集積化センサ。金属測定線3、4、5の第1及び第2の細長い区間4、5が、磁気抵抗31、32、33、34の高感度部分の幅に匹敵する幅を有することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の集積化センサ。ガルバニック絶縁層8が、平坦であり、かつ5~15マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の集積化センサ。ガルバニック絶縁層8が、硬化樹脂の堆積物によって構成され、かつポリイミド又はビスベンゾシクロテンBCBを含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の集積化センサ。ガルバニック絶縁層8が、セラミック絶縁体の堆積物によって構成され、かつSi3N4又はAl2O3の層を含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の集積化センサ。0~1.3Vの出力電圧を有する燃料電池から構成される発電機の電圧又は電流の測定に応用されることを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の集積化センサ。発電機の電圧又は電流を測定する診断システムであって、電流を介して電圧を測定するか、又は同じ接続板100上に集積された、請求項3又は請求項3及び請求項5から14のいずれか一項に記載の巨大磁気抵抗111~118での電流を測定する複数のセンサを含む、少なくとも1つのハイブリッド測定モジュールと、複数のセンサ111~118によって送出される信号を受信する複数の増幅器201~208を含む増幅モジュール200と、多重化モジュール300と、連結装置401、402と、分離したデジタル処理モジュール400とを含むことを特徴とするシステム。ハイブリッド測定モジュールが、センサ接続板100及び増幅モジュール200を含む第1プリント回路と、多重化モジュール300を含む第2プリント回路とを含み、信号交換トラックが、プリント回路の部片上に形成され、かつ第1及び第2プリント回路は、組み立てられ、成形され、かつプリント回路の部片上に形成され、かつ連結装置401、402に接続される信号交換トラックに連結された入力-出力接続端子によってカプセル化されることを特徴とする請求項15に記載のシステム。処理モジュール400が、少なくとも1つの処理ユニット405と、アナログ入力と、アナログ-デジタルコンバータ403とを含み、オールオアナッシングタイプの入力-出力TOR404及びプリント回路は、アセンブリにハイブリッド測定モジュールと、処理モジュール400との間の連結を確実に得させることを特徴とする請求項15又は16に記載のシステム。巨大磁気抵抗で電圧又は電流を測定する各集積化センサが、電圧又は電流を測定すべき発電機の個別のセルに接続する第1及び第2端子1、2と、金属測定線4、5とを含み、金属測定線は、測定線を閉鎖するための部分3に連結された、電流が反対方向に循環する、第1及び第2の細長く、かつ平行な区間4、5を含み、金属測定線3、4、5のアセンブリは、ガルバニック絶縁層8上に配置され、ガルバニック絶縁層自体は、巨大磁気抵抗ブリッジ30と、少なくとも1つのバイス電圧接点Vcc42、接地接点41、並びに差動出力電圧の陰極Vin-及び陽極Vinの接点43、44と連結するトラックとを含む集積回路部分上に配置され、巨大磁気抵抗31、32、33、34自体は、C字形を有し、金属測定線の細長い区間4、5の一方に基本的に重ねられた磁気抵抗の高感度部分を構成する長手方向中央分岐を有することを特徴とする請求項15から17のいずれか一項に記載のシステム。発電機の各セルの測定点と、センサ接続板100の対応する入力端子との間に配置される抵抗121~128を更に含むことを特徴とする請求項15から18のいずれか一項に記載のシステム。各接続板100が、巨大磁気抵抗での電圧又は電流を測定する8つのセンサ111~118を含み、増幅モジュール200が、同様に8つの増幅器201~208を含み、かつ多重化モジュール300が、3つの選択信号S1、S2、S3によって起動される7つの多重化基本セルを有する少なくとも3つのステージを含むことを特徴とする請求項15から19のいずれか一項に記載のシステム。初期偏りの補償回路が、各増幅器201~208に結合されることを特徴とする請求項15から20のいずれか一項に記載のシステム。浮動接地を決定するバイアス点の補償回路63が、各増幅器201~208に結合されることを特徴とする請求項15から20のいずれか一項に記載のシステム。巨大磁気抵抗のGMRGiantMagnetoresistiveeffect効果及びTMRTunnelMagnetoresistiveEffect効果は、強磁性及び非強磁性体の層から構成される金属薄膜において観察される。磁場の存在下で、これらの構造の電気抵抗の大きな変動によって現れる。磁気抵抗の通常の形状は、磁場に感度を有さない硬質層及び磁場で回転自在である自由層から構成されるスピンバルブである。このシステムの抵抗は、硬質層と、自由層との間の角度に応じて変化する。GMRの場合に、両方の層は、金属層によって分離され、かつ測定接点は、層全体の上部に受けられる。TMRの場合に、両方の層は、絶縁層によって分離され、かつ測定接点は、層全体の下及び上に受けられる。本発明の場合において使用されるセンサに関して、好ましい形状は、ブロック層の方向に垂直な自由層の磁場なしでの配向を有することである。このことは、一方でセンサの形を使用して、他方で制御されたバイアス磁場バイアスを適用して行われる。ブロック層の方向は、概して260°Cかつ0.1Tで数分間の、強磁場での焼きなましによって得られる。図1は、スピンバルブ構造を有し、かつ例えば特許文献3に記載されたGMRタイプの磁気抵抗センサ10を構成する、この薄膜組み立ての一代表例を示す。スピンバルブは、概して硬質又はブロック層22、すなわち外部磁場に対する感度が低い層と、磁場に対して高感度である軟質又は自由層21とを含む。硬質層22は、強い保磁力を有する強磁性層の組み立てか、強磁性層に結合される、人工又は非人工の反強磁性層の混合で形成できる。軟質層は、非常に軟質の磁性体で形成される。例として、図1の磁気抵抗センサ10は、自由表面から、タンタル製保護層11と、NiFe層12と、CoFe層13とを含む軟質磁気層21とを含むことができる。この軟質層21は、外部磁界の方向に配向される。硬質磁気層22は、銅製分離層14によって軟質層21から分離される。硬質磁気層22は、分離層14から、CoFe層15と、IrMn層16とを含むことができる。硬質層22は、製造の際に固定された磁化方向を持つ。タンタル層17は、回路を利用するために加えられる上層の成長の前駆物質の役目を果たすことができる。例として、図1のシートの組み立ては、約30nmの厚さを有することができ、他方でセル全体の寸法は、典型的に200μm30μm5μmであっても良い。非特許文献1で説明されるように、C字形のセンサの使用により、磁気ノイズを大きく減少させることが可能になる。その上、長手方向磁場の適用は、各GMRセンサの応答を完全に制御できるようにする。従って、確保されるのは、これらの最適化された形状である。図2は、形及びバイアス磁場が、最適化されない場合曲線A及び最適化される場合曲線Bにおける、適用される場Hに応じたスピンバルブの典型的な応答出力電圧を示す。図3A及び図3Bは、トンネル磁気抵抗の測定の形状を示す。図3Aは、唯一の磁気抵抗接触片70を有する形状に対応し、他方で図3Bは、2つの磁気抵抗接触片71、72を有する形状に対応する実施形態を示す。2つの接触片を有する形状は、磁気抵抗の端子に許容可能な電圧を二倍にでき、かつ従って2倍の感度を有することができるので好適である。図3Aに、下部接点に対応するTMRの自由層内のC字形のヨーク61と、接触片70のレベルで上部に位置するTMRの第2測定接点63とが見られる。図3Bに、接点のないTMRの自由層内のC字形のヨーク62と、接触片71のレベルで上部に位置するTMRの第1測定接点64と、接触片72のレベルで上部に位置するTMRの第2測定接点63とが見られる。図4及び図5は、個別のセンサ111~118であっても良い、本発明によるセンサにおいて、GMRの集積化のために考慮される原理を示し、個別のセンサ自体は、図7に示すように接続板100内に集積される。本願の場合において、直流電圧Vccと、接地との間での定電圧の供給源によって、バイアスが加えられる。GMRセル30は、ブリッジに取り付けられた4つのGMR31、32、33、34を含む。ブリッジの各分岐の電流は、GMRの抵抗に比例し、従って場の存在下でのその変動に比例し、このことはセル電圧測定のまさに原理である。図4は、4つのGMRの完全なブリッジ30と、ガルバニック絶縁層8と、電圧又は電流を測定する発電機に接続する第1及び第2端子1、2を有する金属測定線とを有するGMRセルの例を表し、金属測定線は、第1及び第2の細長い区間4、5を含み、第1及び第2区間は、第1及び第2区間4、5に対して横方向に配置され、かつ測定線を閉鎖するためにある部分3に連結される。測定線3、4、5のアセンブリは、ガルバニック絶縁層8上に配置され、ガルバニック絶縁層自体は、巨大磁気抵抗のブリッジ30と、少なくとも1つのバイアス電圧接点Vcc42、接地接点41、並びに差動出力電圧の陰極Vin-及び陽極Vinの接点43、44と連結するトラック52、51、53、54とを含む検出集積回路部分の上に配置される。巨大磁気抵抗31、32、33、34自体は、C字形を有し、金属測定線の前記細長い区間4、5の一方に基本的に重ねられた長手方向中央分岐を有する。全てのGMRが、外部磁場に同じように応答し、それにより外部磁場摂動がブリッジの平衡を失わせないようになることに注目することが重要である。反対に、金属測定線は、反対方向の電流が巡るGMRと位置合わせされた2つのセグメントを含むので、その作用は、反対であり、かつ従って金属測定線内の電流の出現が、ブリッジの不均衡を作る。図4は、繰り返す寄生磁場地球、環境等から解放されて、最適な精度を保証するために本発明において利用されるようなブリッジの電気的組み立てを示す。図5は、ブリッジでの動作形態を示す。ここでシステムの応答の計算に関する幾つかの考察を与える。電池セル電圧VPILEは、式Ibias=Vpile/Rlignedecourantに従って、電流IBIASを作る。Ibiasから、GMRセンサによって見られる磁場を決定できる。次のように書き表される:式中、パラメータαは、GMR抵抗の大きさ、電線の大きさ、及びGMR抵抗と、電線との間の距離によって決まる。感度は、GMR抵抗RGMRから決定される。第一近似として、磁場の存在下での抵抗変動ARGMRは、この磁場の線形関数である。変動は、概して次の通りである:式中、Bは、mTで表現される。図5に示すようなブリッジの取付の際に、差動出力電圧は、以上に与えた値から計算される。GMR抵抗は、できるだけ均質であるように設計される。GMR抵抗は、反対の磁場によって感度が高められ得るように、電線の上に配置される。このことにより、ブリッジの感度を向上でき、かつ環境寄生磁場地球磁場等を除去できるようになる。抵抗の変動RGMRが、均質であり、かつΔRGMRに等しいと仮定すると、伝達方程式は、次のように書き表される:Vin-Vin-=VccARgmr/Rgmr様々な伝達係数は、第一近似で線形か、又は準線形であるので、そこからVin-Vin-が、電池セル電圧VPILEに比例すると推論できる。このトランスデューサによって送出される差動電圧は、低いままであり、かつ2つの主たるパラメータ、いかなる電圧も電池セルによって送出されない時のブリッジの分岐間の偏りオフセットと呼ばれる、及び電池セルの端子での電圧の存在から生じる磁場の存在下でトランスデューサの感度に由来する力学を特徴とする。偏りは、ブリッジを形成する4つの抵抗の不均質性によって基本的に導入され、力学自体は、トランスデューサの材料技術に更に結び付けられる。GMRセルの典型的な感度は、1.3Vの電圧に関してブリッジの端子で50mVである。1よりも良好な線形性を有する。オフセットは、製造の質によって決まるが、好ましくは20mV未満でなければならない。センサの大きさ及び形の最適化後のシステム雑音は、主にGMR要素の低周波数雑音に関係する。直流から100Hzの周波数に及ぶ帯域に組み込まれた雑音は、概して50nVRMSであり、1.4pVRMSの測定レベルで電圧雑音を与える。ここでセンサの大きさ及び形の最適化原理を示す。電圧が測定される燃料電池のセル、又は同じタイプの他のあらゆる発電機に接続された金属測定線3、4、5は、自動車用途に必要なガルバニック絶縁、すなわち1500Vを保証するために最適化された絶縁層8によってGMR測定ブリッジ30から分離される。従ってブリッジ30の供給は、安定化した外部源によって得ることができる。3.3V又は5Vの使用が、標準的電子回路との直接の適合性を有するためにしばしば使用される。このセンサが、本発明の応用にとって根本的な2つの機能性を確保することに注目できる:-測定された燃料電池のセルの電圧に比例する値を直接与える、測定ブリッジVin-Vin-の従来の出力を利用して、トランスデューサの役割を確実に行うこと、-先行技術の装置とは反対に、時間-周波数変換及びオプトカプラを例えば利用せねばならない、1500Vのガルバニック絶縁を保証するために、特定の信号条件付けステージを獲得連鎖に組み込むことを回避して、測定のできるだけ厳密なガルバニック絶縁を、確実に行うこと。その上、金属測定線の設計は、測定セルのレベルでの過剰な電流の場合に、この電線が燃料電池セルを自動保護するヒューズ機能を確実に行う、図6に示され、かつ以下に記載する非常に好適な実施応用例に適する。自動ヒューズ機能は、過電圧ピークによって作られる絶縁不足の場合にヒューズの役目を果たす少なくとも1つの収縮部又はマイクロ狭窄部6、7を測定線中に集積することによって確実に行われる。接地からの供給線51は、図4及び図6に示すように、金属線の下を通過する。この通過点に隣接して、金属線の細長い区間4、5は、接続端子1、2の方向で僅かに偏った収縮部6、7を含む。絶縁破壊及びそれ故に電池の供給源と、ブリッジ30の低圧回路との間の連結の危険を開始する過電圧ピークの場合に、偏った収縮部6、7は、気化し、その場合に自動ヒューズの役目を果たした測定部品を絶縁する。幾つかのパラメータは、線形性及び本発明による集積化センサに関して探求される力学を有するために最適な構造を定義できるようにするGMRの大きさ及び形の最適化は、次の幾つもの基準に基づく:-ブリッジのアーム当たり約500オームの探求される抵抗。GMR積層の平方面積当たりの抵抗が、約12オームであると知っているので、このことは、5μmの幅に関して、約200μmのGMRの長さを定める。TMRの場合に、接触片の面積が、抵抗を定める。同様に500オームの抵抗が、対象とされる。-GMR又はTMRの幅が、好ましくは4pm~8μmから選択される。このことは、バイアス磁場の適用前に十分な応答線形性を確保するが、測定する電圧が更に高いならば、更に小さい幅を選択することが可能である。-磁気雑音が、測定領域で減少するように、磁気抵抗の形が、C字である図3A及び図3Bを参照。重要な点は、1未満のブリッジオフセットを確実にしなければならないGMR製造の均質性である。GMR及びTMR磁気抵抗の固有の応答が、温度範囲に対して約8の感度変動を有することに注目すべきである。この感度変動は、例えば長手方向安定化場が、所望の温度範囲において、同じ次元の場での減少を有する永久磁石によって作られるならば、長手方向安定化場の寸法を決めて補償できる。電線の大きさ及び厚さの選択は、次の基準によって行われる;-金属測定線の抵抗は、1.5Vの電圧が、例えば20mAを送出するために調整されねばならない。このことは、75オームの抵抗に対応する。バッテリから引き出される電流を最小限に抑え、かつ所望の分解能に対して十分な感度を残しながら、構成部品内で放散される電力を最小限に抑えるという基準に従って、5~30mAの電流の値が好ましくは選択される。-線の抵抗は、その幅及びその厚さによって与えられる。好適には、磁気抵抗の幅に匹敵し、かつ磁気抵抗の幅よりも大きい線の幅が選択される。小さすぎる幅3μm未満は、抵抗の低い再現性を誘発する。大きすぎる幅は、センサの応答を損なう。4μm~20pmの幅が、優先的に選択される。所望の分解能は、磁気抵抗のブリッジ30の雑音によって決定される。低周波では、磁気抵抗のブリッジは1/fのスペクトル密度を有する抵抗の揺らぎが支配的である。以上に定義した大きさ及び形の基準に従って設計したブリッジに関して、雑音は、約25nTRMSである。狭窄部の幅に等しい電線の幅、及び5pmの絶縁の厚さにより、このことは、10μAの電流検出可能性に対応する。ガルバニック絶縁層8の質及び平面性は、装置の性能における決定的な点である。層は、必要なガルバニック絶縁1500V~3000Vを確保するために十分に厚く、かつ外部世界への連結接続端子1、2及び測定線3、4、5の増加が実現可能であるために、十分に平坦でなければならない。この絶縁体の集積化性を考慮すると、電線は、その一方の面に直接堆積され、かつC字形磁気抵抗は、他方の面に堆積され、その高感度部分は、直接向かい合って設置される。このようにして、ガルバニック絶縁は、支持体の材料の絶縁能力によって支持体の厚さを増大させて直接得られる。例えば、非常に平坦かつ良好な誘電的挙動を持つ層を与える、好ましい実施形態において、アルゴン酸素の蒸気下での陰極微粉化によって堆積されるAl2O3層を使用する。ガルバニック絶縁は、堆積される1pm当たり400Vである。その上、集積化ガルバニック絶縁及び8pm以下の厚さの二重の特性は、集積化を考慮すると、電線/磁気抵抗の距離も最大8pmであるということになる。同様に、6μmの支持体は、3200Vの理論的絶縁、及び2000Vを超える実際的な絶縁を確保する。この技術は、非常に良質な層を得られるようにするが、堆積時間が比較的長い。代替案は、同様に良好な結果を更に短い堆積時間と共に与える、他の技術、プラズマ促進気相蒸着システム又はPECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionによってAl2O3を堆積することからなる。硬化樹脂例えばポリイミド、BCBビスベンゾシクロテンの堆積物、又はセラミック絶縁体例えばSi3N4、Al2O3の堆積物に基づく絶縁体支持体も検討できる。これらの材料の誘電特性及び支持体の厚さを知っていれば、その誘電的挙動が直ちに生じる。磁気抵抗に基づく電流センサの開発は、非常に総合的な、かつ匹敵するもののない分解能を有する解決法を検討できるようにする。特に、集積化ガルバニック絶縁は、10μAの分解能を達成できるようにし、他方で自動車分野に適した既存のセンサは、mA又は10mAの分野に位置し、かつ更には、自動ヒューズの機能の利用を可能にしない。本発明によれば、センサのC字形、及び電線/磁気抵抗のこの短い距離の組み合わせは、信号の雑音に対する比を極めて大きく改善する、2つの特性を決定し、かつその組み合わせは、特に好適である。その上、この集積化絶縁が、自動ヒューズを可能にすることをすでに以上において示した。更に一般的には、この集積化が、強い絶縁及び電線と、磁気抵抗との間の非常に短い距離を同時に得られるようにすることに注目できる。一見して矛盾するこれら2つの特性を両立させることによって、先行技術の実施よりも遙かに高いS/N信号の雑音に対する比が可能になる。自動車分野に応用されるようなGMR及びTMR技術は、特に次の利益を有する:-概して10mVの高い精度及び較正原理によって確実にされる正確さを有する、正及び負の電圧測定のために開発された技術、-本質的に電流測定を可能にする技術、-磁気抵抗によって本質的に確実に行われる電池診断装置の動作の確実性、-センサ自体によって確実に行われるガルバニック絶縁、-過電流の場合に、センサがヒューズの安全機能を確実に行う、-測定の精度:電流測定に専用の唯一の競合部品である、ホール効果を有するセンサと比較して弱い電流の測定に非常に適した技術、-技術のコンパクトさ、特に内蔵用途のための集積化が容易、-燃料電池に集積された部品を直接接続する可能性、-電磁気擾乱を伴う厳しい環境においても、測定の堅牢性、-大量生産を検討できるようにする非常に広い応用分野によってもたらされる、部分的に競合する技術に対して、製造コストが低いチップに集積化できる技術、-低いエネルギー消費ブリッジ当たり<1mA、消費が必要に応じて調整できる、分極抵抗3内の電線の消費の範囲外、-電圧を測定する自律センサは、機能を実施するための付属部品を必要としない外部電線、ケーブル等、-応用範囲が、特に広範であり、かつ電気及びハイブリッド熱/電気等自動車が到来する自動車業界にとって興味深く、本発明によるセンサは、発電機の電流又は電圧のあらゆる測定に適する、-バッテリ充電又は超コンデンサの管理への応用、-燃料電池のセルの個別の電圧の監視、-電解槽への応用、-電流/電圧測定を必要とするあらゆる電気工学技術に関する計装/診断。上記の、図4に表したようなセンサの基本セルは、幾つかの測定手段を統合するために、同じ支持体上に複製できる。このようにして図7に、巨大磁気抵抗GMRの測定センサ111~118の8つの基本セルが集積された接続板100を示した。8つのセルの数は、実用的であり、かつマイクロエレクトロニクス部品に類似した製造方法に適合するが、本発明は、当然にかかる数の基本セルに限定されない。例として、8つの測定基本セルを含む、図7の接続板は、4×13mmの面積を有しても良い。しかしながら接続板100の実施に用いられる方法は、電池セルの電圧の不在下で同じGMRセルの分岐間の偏り信号、及びこの偏りに影響を及ぼすセル間の分散の存在を明らかにしたが、電池セル上の電圧の存在下で測定された差動電圧の力学も明らかにした。これらのパラメータは、用いられる技術及びGMRセルの製造方法によって決まる。標的となる用途のために、分岐の偏りに関して/-60mV、及びGMRセルの力学に関して/-80mVの数字を考慮に入れた。電圧V-V-は、このようにして平均して-140mV~140mVで変動し得る。これらのパラメータの安定化及び均質性は、トランスデューサが、電子部品に利用される工業的方法に匹敵する工業的方法によって製造されるならば改善できる。接続板100は、非常に低い振幅のGMRセルに由来するアナログ信号を利用できるようにする。従って、アナログ信号を、内蔵計算機400に適合するデジタルデータに変換する前に、最低でも増幅200及び多重化300のような特殊なステージを加えることが必要である。図8の概観図は、これらの様々な機能ブロック100、200、300及び400を再び取り上げている。図8で、GMRセル111~118、及びその関連した増幅モジュール201~208を再編成する8つの構造からなるGMR接続板100が見分けられる。第一近似で、80mVの力学が、0V~1.3Vの電池セルの電圧変動に対応することが言える。そこから、電池セルの電圧と、1に近い比において匹敵する電圧を送出するために、増幅ステージ200が有さねばならない約10~15の利得を推論する。経路選択モジュール300は、外部モジュール400に向けた読み取りのために、出力経路401に対して接触板100の8つの経路を多重化できるようにする。図9の電子図は、対応するGMRセルによって送出される信号に適した計装増幅器U4からなる増幅セルセル204、但し他のセル201~203及び205~208は、同様であるの例を示すここでセル114は、端子4Vin及び4Vin-によって増幅器U4に連結される。この部品は、現在のCMOS部品の通常の電圧範囲に従って機能する、すなわち考慮される部品に関して、単一電圧0~3.3Vの供給源である。利得Gは、式G=2R11/R10によって定義される。入力VIN及びVIN-は、GMR30のブリッジの差動出力44及び43に対応する。信号AMPLIxは、増幅セルによって増幅される信号である。AMPLIx=GVIN-VIN-によって定義される。先行する増幅器ここでは、図10の第1多重化基本セルU25の増幅器111及び112によって送出される信号に適合する技術において選択される、図10に示した多重化基本セルU25は、2つの経路を1つの経路に向けて多重化する。このことは、図7及び図8のGMR接続板100の8つの経路を読み取るために、選択モジュールが、4つの経路、次に2つの経路、次に1つの経路を選択できるようにする、3つのステージ23、8を与えるを含むことをほのめかしている。図10及び図11が示すように、信号S3は、第1多重化基本セルU25に関して、選択された信号MIに向けられた出力AMPLI1及びAMPLI2を選択できるようにする。選択モジュール300は、従ってここではステージの各々に作用する3つの選択信号Siによって起動される7つの多重化基本セルU25~U31を含む図11。信号S3は、8つの出力AMPLIiの中で、第2ステージの入力を構成する4つの中間信号Mj1≦j≦4を選択できるようにする。信号S2は、信号Mjの中で、第3ステージの入力を構成する2つの中間信号Mk5≦k≦6を選択できるようにする。信号S1は、信号Mkの中で、外部モジュール400に送信される出力AMPLIi最終信号M7を選択できるようにする。多重化基本セルU25~U28は、このようにして第1ステージを構成し、多重化基本セルU29及びU30は、第2ステージを構成し、かつ多重化基本セルU31は、第3ステージを構成する。この実施の応用例は、当初に偏りによって誘発された固有のドリフトを考慮することを可能にする。このように、図12に示した特殊な実施形態によれば、補償信号COMPiは、偏りオフセットの影響を減らす又は取り除くために、増幅された信号AMPLIiに加えられる。この信号は、様々なモジュールVALIMの供給電圧か、外部信号であっても良い、式VREFR2/R2R’2により信号VREFから回路162内で決定される。このように定義されたセルの利得は、式G=2R2//R’2/R1によって補正及び定義される。この原理は、VREF、利得抵抗又は増幅器161の力学のようなパラメータを最も良好に調整するために使用されるトランスデューサ由来の偏りを相当な精度で知ることを必要とする。各接続板100上に存在するGMRのロットは、ある種の場合に各経路に関して平均補償値を見出すために遙かに高い分散を示し得る。この場合に、出力信号AMPLIiがモジュールの共通接地に対してもはや参照されないが、図4及び図5のようなGMRセルが入る測定ブリッジホイートストンブリッジタイプ163の中間点、又は中間点以外の他のバイアス点によって決定される、浮動接地に対して参照される、浮動接地を導入して、原理を広げることができるが、しかしながら中間点は、特に簡単な実施を可能にする。この実施形態は、図13に示される。偏りの方向及び値は、もはや過度の制約がない。この動作形態を導入する態様は、遭遇する場の方向と無関係にGMRの変動を測定できるようにする。このことにより、GMRがその配置に対して配向される位置決めから解放され得るが、電池セルに対して有効に適用される電圧からも解放され得るようになる。電池セルに対する負電圧の存在は、電池のある種の動作段階の間、特に多くの場合自動車用途において遭遇する、燃料電池の始動反応体の供給の際に現れることが、知られている。抵抗R2及びR’2は等しいので、補償の値COMPiは、VREF/2に固定され、VREFは、外部基準であるか、又は単に異なるモジュールの供給電圧Vccであり得る。それに反して、利得は2で除される。仮定として、-60mV~60mVの偏りオフセット、及び-80mV~80mVの力学を取ると、-140mV~140mVのブリッジの信号偏移に到達する。VREF=VCC=3.3V例として考慮され得る電子技術に共通の電圧と考えるならば、増幅された信号の偏移は、1.65に等しい。その場合、約10~12の利得に近付くが、利得は更に高くても良く、例えば約30であっても良い。本発明のもう1つの重要な態様は、センサ、特に8つの経路を再編成する接続板100の小型化に関する。図8に示される様々な部品のカプセル化されたハイブリッドシステム又はSiPSysteminPackageシステムインパッケージの形での集積化は、第1の技術的小型化ステップである。プリント回路の積層による三次元設計技術を使用し、信号交換は、部片上で行われる。このようにして、GMR接続板100と、計装増幅器201~208とを含む第1プリント回路を実施する。信号トラックの再編成を部片上で行う。切り取られたプリント回路は、金色の枠内に組み入れられる。次に図11のモジュールU25~U31のようなマルチプレクサ300を含む第2プリント回路を実施する。ここでも、信号トラックの再編成が部片上で行われる。切り取られたプリント回路は、同様に金色の枠内に組み入れられる。これら2つのプリント回路は、次に組み立てられ、次に成形され、かつカプセル化される。部片上の信号のトラックは、次に図8の連結装置401、402を構成する入力-出力ピンに連結される。かかる実施は、接続板100の最も近くに計装を配置することを可能にし、主にコネクタに由来する外部雑音源を最小限に抑える。このようにして、計装された8つのGMRセルを有する接続板100の考慮された場合のために8つの電池セルに連結される用意のできたカプセル化されたハイブリッドシステムを利用する。このカプセル化されたハイブリッドシステムは、当然に燃料電池又は複数のセルを含む他のあらゆる発電機の検査にも及び得る。特にこのことは、1秒当たり少なくとも2回変化を知る必要がある、例えば120のセルを含み得る電池に応用できる。GMR接続板の製造に使用される技術は、更に古典的な電子部品の製造に使用される技術と類似している。従って、SiPの他の部品が、離散的部品であるので、この分野を専門とする企業にとって、いかなる大きな困難も示さない小さなシリーズのハイブリッドシステムの製造を、接続板のロットの許容可能な、かつ較正活動によって修正可能な分散により、整えることが可能である。例として、一群の15のハイブリッドシステムは、燃料電池の120の経路をカバーするために支持カードPCB上に設計及び設置された。電子機器の一部は、図8の原理の概説図によりこれらの制約を考慮に入れて、この場合様々なシステムの間で相互的にされうる。ハイブリッドシステムとのデータ交換を確実に行う処理モジュール400は、図8に示され、かつ少なくとも次のものを含む:処理ユニット405、TORタイプ入力-出力404、アナログ入力、アナログ-デジタルコンバータ403、場合により離れている実体に向けた通信ユニット、例えばCANプロトコルでの通信が、自動車用途の場合に可能である、ハイブリッドシステムと、処理ユニットとの間の連結をアセンブリに対して確実に行う多層プリント回路。処理システム400の設置のために考慮される部品は、例えば2つのアナログデジタルコンバータを利用しても良く、かつ各ハイブリッドシステムの要素すなわち15経路のほぼ同時の変換を確実に行う。簡素化された動作原理は、次の通りである:オンデマンドの3つ組の入力-出力<S1、S2、S3>、接続板による信号AMPLIi従ってGMRセル、従って電池セルによって送出される電圧の選択。従って部品の様々なコンバータ上には、15の信号が存在する。存在する15の信号のCA/N403による読み取り及びアナログ-デジタル変換;変換された値の保存;データ全体に対する処理ソフトウェアの適用;読み取られ、かつ処理された120の値を再編成するフレームの形成;CANバス上のフレームの送信。抵抗ブリッジ又はGMR接続板の電線の連続した分散は、各経路の較正を行いながら補正され得る。このために、各セルは、特定された電圧範囲典型的には-1.2~1.2Vにおける基準電圧源によってエミュレートされる。GMRの応答は、準線形なので、理論上、電圧測定範囲の端部で取られる、GMRセルによる2つのキャリブレーション点で十分である。実際上、分散を考慮に入れるが、特に初期の偏りを考慮に入れて、7点が、使用された。このことにより、観測される測定点の線形性を洗練させ、かつ非線形飽和領域を除去できるようになった。-20°C~80°Cの範囲で温度に関連した低い分散を組み入れて最適化することもできる。GMRが線形領域で作動することを考慮すると、較正は、幾つもの対GMRセルに適用される電圧VCELL、アナログ/デジタルコンバータによって変換される2進値VBINの測定からなる。線形外挿法により、これらの測定に対応する係数Ai及びBiを計算する。式は、次のように書き表せる:VCELLi=AIVBINIBiVCELLIとは、復元した電圧値が呼ばれる。120の係数Ai及びBiを再編成する表が作成される。表は次に、処理ソフトウェアに書き込まれる、すなわち外部ファイルに写し直され、処理ソフトウェアによって読み取られる。処理ソフトウェアは、この計算を行い、かつ従って復元された電池セルの電圧を送出する。対象とされる用途に応じて、他の処理が、復元された平均化、閾値化等これらのデータに適用でき、セルの状態に関する診断及びその老朽化を測定するための検査を可能にする。これらの様々な処理は、結果の様々なフレームの発生に至ることがありデータは、セルの状態、復元された電圧等、結果の様々なフレームは、次にCANポートから車両の点検-制御に向けて発信される。以上に示した応用は、負電圧の読み取りを可能にしながら、0~1.2Vの燃料電池から生じた電圧の測定を可能にする。例えばバッテリセルの電圧のような、3.6V周辺、更にはそれ以上6Vでの更に高いセル電圧の読み取りは、これらのハイブリッドシステムを用いて直接可能ではない。GMRセルに関して考慮される技術が、老朽化加速、更には破壊の重大な危険なしに、許可しないからである。これらのレベルの電圧に対応するために、簡易かつ機能的なアプローチが、ハイブリッドシステムに適用され得る。適した抵抗121~128が、図14に示すように、電池電圧の測定点と、ハイブリッドシステムの対応する入力との間に挿入される。電線の抵抗によりディバイダを抵抗性にする。入力ブリッジのこの抵抗の選択は、当然に電池又はバッテリのセルによって送出される測定範囲に適している。いずれにせよ、抵抗の選択は、1.2Vで最大20mAの最大分流電流、すなわち50オーム周辺から定義される線の抵抗、ハイブリッドシステムに関して期待される全体的感度、及びチップの外であるものの抵抗が作り出す熱放散を考慮に入れる。当然に、電線を測定された電圧に適応させて、再定義もできるが、このことは、電圧測定範囲に専用のSIP部品を製作することをほのめかしており、部品の設計において、この状況でチップ内部の全体的な熱放散を考慮に入れる必要であろう。図14の実施形態は、反対に同じ基本ハイブリッドモジュールを保持し、かつ更に高い電池電圧のレベルに、容易に適応させることを可能にする。GMR磁気抵抗に基づく電流センサの開発により、非常に総合的、かつ匹敵するもののない分解能を有する解決法を検討できるようになる。知られている実施が、mA、又は10mAの分野にさえ位置するが、集積化ガルバニック絶縁は、10μAの分解能に達することを可能にし、かつ自動ヒューズ機能は、本発明によって実施され得る好適な特性である。最後に、アドレス復号と多重化を共有する幾つもの経路の、増幅部分の同じモジュール内への集積は、同様に既存のシステムに対する重大な改善である。本発明の場合において条件付けされたようなGMR技術は、GMR及びTMR技術を参照して、以上ですでに列挙されたもの全てに加えて、特に次の利益を特に有する:-燃料電池PACシステムの監視並びにPACシステムの点検制御の最適化及び安全化を可能にする電圧測定カード、-本発明の重要な用途として、対象とされる自動車用途のためのCANネットワークを通して計算機アセンブリによってアクセス可能な知的センサを電池に与えることを可能にするシステム、-GMR電子部品のモジュラリティ1つのSiPGMRは、8つの電圧測定を確実に行う8つのGMRブリッジセルを含む。