入射された光信号を2つに分岐する分岐部と、この分岐部によって分岐された第1の光信号を伝搬する第1の光導波路と、前記分岐部によって分岐された第2の光信号を伝搬する第2の光導波路と、前記第1の光導波路に設けられ、前記第1の光信号の位相をシフトする第1の位相変調部と、前記第2の光導波路に設けられ、前記第2の光信号の位相をシフトする第2の位相変調部と、前記第1の光導波路を伝搬した前記第1の光信号と前記第2の光導波路を伝搬した前記第2の光信号とを合波して出射する結合部とを備え、前記第1の位相変調部による前記第1の光信号の位相のシフトに依存しない前記第1の光導波路の光伝搬損失と、前記第2の位相変調部による前記第2の光信号の位相のシフトに依存しない前記第2の光導波路の光伝搬損失とが互いに異なることを特徴とする光位相変調器。請求項1に記載された光位相変調器において、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路の少なくとも1つは、当該光導波路の光伝搬損失を調整する損失調整部を備えることを特徴とする光位相変調器。請求項2に記載された光位相変調器において、前記損失調整部は、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路の部分であって、光信号の伝搬方向に垂直な当該光導波路の断面の面積および形状の少なくとも一つが前記伝搬方向に沿って変化する部分であることを特徴とする光位相変調器。請求項2に記載された光位相変調器において、前記損失調整部は、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路の一部に形成され、当該光導波路を所定の曲率半径で屈曲させた屈曲部であることを特徴とする光位相変調器。請求項2に記載された光位相変調器において、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路は、シリコンからなるコアを有し、前記損失調整部は、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路の前記コアの少なくとも一部に不純物が導入された不純物導入部であることを特徴とする光位相変調器。請求項1に記載された光位相変調器において、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路の光信号の伝搬方向に垂直な断面の面積および形状の少なくとも一つは、互いに異なることを特徴とする光位相変調器。請求項1乃至6のいずれか一つに記載された光位相変調器において、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路は、それぞれ半導体からなるコアを有し、前記第1の位相変調部および前記第2の位相変調部は、それぞれ前記コアに注入されるキャリアの供給源となるn型半導体およびp型半導体の少なくとも一つと、前記コアへのキャリアの注入を制御する電極とを備え、キャリアプラズマ分散効果により光信号の位相をシフトすることを特徴とする光位相変調器。しかしながら、キャリア密度を変調すると、キャリアプラズマ分散効果によって屈折率変化と吸収率変化とが同時に変調されてしまう。例えば、シリコン光変調器では、波長1.55μmにおけるキャリアプラズマ分散効果による屈折率変化と吸収率変化は、キャリア密度の変化に対する屈折率変化と吸収率変化として、経験的に次の式1と式2でそれぞれ表される非特許文献4参照。ただし、Δnは屈折率変化、Δαは吸収率変化、ΔNeは電子キャリア密度変化、ΔNhは正孔キャリア密度変化である。一方、屈折率変化Δnに伴う位相シフトΔφは次の式3によって表される。ただし、Lは位相シフタの導波路長、λは波長である。一方、吸収率変化は、光伝搬損失変化となって表れる以下、本明細書においては、光伝搬損失および光伝搬損失変化をそれぞれ伝搬損失および伝搬損失変化という。。なお、本明細書においては、特に断らない限り、伝搬損失および伝搬損失変化とは、それぞれ単位長さ当たりの伝搬損失および単位長さ当たりの伝搬損失変化を意味するものとする。上述したように、電気光学効果を利用する従来のマッハツェンダ干渉型光位相変調器においては、ビット遷移時においても2つの変調器アームの伝搬損失は等しい。しかしながら、キャリアプラズマ分散効果を利用するマッハツェンダ干渉型光位相変調器においては、プッシュプル動作を行うべく、一方の位相シフタを順バイアスとし他方の位相シフタを逆バイアスとすると、2つの位相シフタにおけるキャリア密度の変化は、その符号が互いに逆となり、かつその値も不等となる。したがって、ビット遷移時には、式1および式2に示すように、屈折率変化Δnのみならず伝搬損失変化Δαplasmaまでもが同時に変調されてしまい、しかも、このときの上側アームの伝搬損失変化Δα1plasmaの変化の方向と、下側アームの伝搬損失変化Δα2plasmaの変化の方向とは、式4および式5に表されるように、互いに逆向きとなる。ただし、α1は上側アームの全伝搬損失、α2は下側アームの全伝搬損失、α1propはキャリアプラズマ分散効果の影響を受けていない状態での上側アームの伝搬損失変化、α2propはキャリアプラズマ分散効果の影響を受けていない状態での下側アームの伝搬損失変化、Δα1plasmaは上側アームのキャリアプラズマ分散効果による伝搬損失変化、Δα2plasmaは下側アームのキャリアプラズマ分散効果による伝搬損失変化をそれぞれ示す。なお、一般的には上側アームと下側アームとは対称に形成されるので、キャリアプラズマ分散効果の影響を受けていない状態での伝搬損失α1prop、α2propは、上側アームと下側アームとの間で等しくなり、α1prop=α2prop=αpropと表すことができる。2つの位相シフタを有するマッハツェンダ干渉型光位相変調器の出力光の複素電界振幅は次の式6で表される。ただし、Eoutは出力複素電界振幅、aは入力光分岐比率、bは出力光結合比率、Aは入力光電界振幅、Δφ1は上側アームによる位相シフト第1の位相シフタによる位相シフト、Δφ2は下側アームによる位相シフト第2の位相シフタによる位相シフト、α1は上側アームの伝搬損失、α2は下側アームの伝搬損失、tは時間、Lは導波路長である。なお、キャリアプラズマ分散効果の影響を受けて変化する位相シフトΔφ1、Δφ2、および伝搬損失α1、α2は、時間の関数となるが、本明細書においては、簡単のため、Δφ1、Δφ2、α1、α2と表す。ここで、キャリアプラズマ分散効果を利用するマッハツェンダ干渉型位相変調器について、ビット遷移時に各変調器アームからそれぞれ出力される光信号の強度および位相の変化をIQ平面におけるビット遷移図を図8Aに示す。すると、位相シフタ632によって変調され第1の変調器アーム630から出力される光信号の位相が、軌跡801に示すように、反時計回りに0度から180度変化し、位相シフタ642によって変調され第2の変調器アーム640から出力される光信号の位相が、軌跡802に示すように、時計回りに0度から180度変化するようにしても、式2ならびに式4および式5からもわかるように、位相シフタ632では伝搬損失α1が減少するために第1の変調器アーム630から出力される光信号の振幅は大きくなり軌跡801、位相シフタ642では伝搬損失α2が増加するために第2の変調器アーム640から出力される光信号の振幅は小さくなる軌跡802。したがって、位相変調された光信号における信号0803と信号1804間の遷移はI軸とQ軸の双方にまたがることがわかる。図8Bに示す数値計算結果も、ビット遷移時にQ軸成分が生じることを示している。このように、キャリアプラズマ分散効果を利用して光位相変調を行えば、光位相変調器の光信号出力の信号0803と信号1804との間のビット遷移時に周波数変化が連続的に発生する。その結果、この周波数変化がいわゆる周波数チャープとして残存し、特に長距離伝送時においては位相変調特性の劣化の原因となる。そこで、本発明は、光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制することを目的とする。上述した目的を達成するために、本発明に係る光位相変調器は、入射された光信号を2つに分岐する分岐部と、この分岐部によって分岐された第1の光信号を伝搬する第1の光導波路と、前記分岐部によって分岐された第2の光信号を伝搬する第2の光導波路と、前記第1の光導波路に設けられ、前記第1の光信号の位相をシフトする第1の位相変調部と、前記第2の光導波路に設けられ、前記第2の光信号の位相をシフトする第2の位相変調部と、前記第1の光導波路を伝搬した前記第1の光信号と前記第2の光導波路を伝搬した前記第2の光信号とを合波して出射する結合部とを備え、前記第1の位相変調部による前記第1の光信号の位相のシフトに依存しない前記第1の光導波路の伝搬損失と、前記第2の位相変調部による前記第2の光信号の位相のシフトに依存しない前記第2の光導波路の伝搬損失とが互いに異なることを特徴とする。本発明において、第1の位相変調部による第1の光信号の位相のシフトに依存しない第1の光導波路の伝搬損失と、第2の位相変調部による第2の光信号の位相のシフトに依存しない第2の光導波路の伝搬損失とを互いに異ならせるにあたっては、例えば、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路の少なくとも1つに、当該光導波路の伝搬損失を調整する損失調整部を設けてもよいし、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路の光信号の伝搬方向に垂直な断面の面積および形状の少なくとも1つを、互いに異なるようにしてもよい。ここで損失調整部を設ける場合は、損失調整部は、例えば、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路の部分であって、光信号の伝搬方向に垂直な当該光導波路の断面の面積および形状の少なくとも1つが前記伝搬方向に沿って変化する部分としてもよいし、また、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路の一部に形成され、当該光導波路を所定の曲率半径で屈曲させた屈曲部としてもよい。本発明に係る光位相変調器において、前記第1の光導波路および前記第2の光導波路は、それぞれ半導体からなるコアを有し、前記第1の位相変調部および前記第2の位相変調部は、それぞれ前記コアに注入されるキャリアの供給源となるn型半導体およびp型半導体の少なくとも1つと、前記コアへのキャリアの注入を制御する電極とを備え、キャリアプラズマ分散効果により光信号の位相をシフトするものであってもよい。本発明によれば、第1の位相変調部における位相のシフトに依存しない第1の光導波路の伝搬損失と、第2の位相変調部における位相のシフトに依存しない第2の光導波路の伝搬損失とが互いに異なるように損失調整を行うことによって、第1、第2の位相変調部によって位相シフトされる各光導波路の光信号の軌跡を独立に調整できるので、第1の位相変調部において第1の光信号の位相を第1の方向にシフトすることによって生じる光伝搬損失の変化と、第2の位相変調部において第2の光信号の位相を第2の方向にシフトすることによって生じる光伝搬損失の変化とが互いに異なっても、ビット間遷移時の周波数チャープを緩和することができる。すなわち、第1の光導波路の伝搬損失のうちの第1の位相変調部における位相のシフトに依存しない伝搬損失と、第2の光導波路の伝搬損失のうちの第2の位相変調部における位相のシフトに依存しない伝搬損失とを互いに異ならせることによって、位相変調に伴う吸収率変化伝搬損失変化の影響を相殺して、光位相変調における信号0と信号1との間のビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制することができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。<第1の実施の形態>本発明の第1の実施の形態に係る光位相変調器は、マッハツェンダ干渉型光位相変調器であって、変調器アームの伝搬損失を調整する手段として、導波路の断面構造または形状を調整して、2つの変調器アーム間に非対称性を設けるものである。<基本的な考え方>本発明の実施の形態に係る光位相変調器は、2つの変調器アームの伝搬損失のうち、光信号の位相のシフトに依存しない伝搬損失、すなわち、屈折率と吸収率伝搬損失間におけるKramers-Kronig関係とは独立した、導波路の構造に由来する伝搬損失を調整し、2つの変調器アーム間に非対称性を設けるものである。このとき、2つの変調器アームの伝搬損失は、式4および式5においてキャリアプラズマ分散効果の影響による伝搬損失変化を補正するために新たな損失調整項をそれぞれ加えた式7および式8のように表すことができる。ただし、α1は上側アームの全伝搬損失、α2は下側アームの全伝搬損失、αprop=α1prop=α2propはキャリアプラズマ分散効果の影響を受けていない状態での上側アームおよび下側アームの伝搬損失、Δα1plasmaは上側アームのキャリアプラズマ分散効果による伝搬損失変化、Δα2plasmaは下側アームのキャリアプラズマ分散効果による伝搬損失変化、Δα1adjustは上側アームの構造調整による伝搬損失変化、Δα2adjustは下側アームの構造調整による伝搬損失変化を示す。<光位相変調器の構成>図1A乃至図1Dに本実施の形態に係る光位相変調器の構成を示す。光位相変調器100は、入力導波路110より入射された光信号を2つに分岐する分岐部分波器120と、分岐部120によって分岐された第1の光信号を伝搬する第1の光導波路以下、第1の変調器アームまたは上側アームという。130と、分岐部120によって分岐された第2の光信号を伝搬する第2の光導波路以下、第2の変調器アームまたは下側アームという。140と、上側アーム130を伝搬した第1の光信号と下側アーム140を伝搬した第2の光信号とを合波して出力導波路160に出射する結合部合波器150とから構成されている。これらは、SOI基板上に形成されたシリコン導波路である。このうち、上側アーム130と下側アーム140の光路長は等しくなるように形成されている。また、上側アーム130と下側アーム140の光導波路コアの光信号の伝搬方向に垂直な断面の形状および大きさも、後述する損失調整部141’の部分を除き、互いに等しく形成されている。上側アーム130には、上側アーム130を伝搬する第1の光信号の位相をシフトする第1の位相シフタ第1の位相変調部132が設けられている。この位相シフタ132は、光導波路131および光導波路133を介して、分岐部120および結合部150にそれぞれ接続されている。同様に、下側アーム140には、下側アーム140を伝搬する第2の光信号の位相をシフトする第2の位相シフタ第2の位相変調部142が設けられている。この位相変調部142は、光導波路141および光導波路143を介して、分岐部120および結合部150にそれぞれ接続されている。以下、第1の位相シフタ132および第2の位相シフタ142を単に位相シフタと総称することがある。図1Bに、第1の位相シフタ132のI-I線図1A参照。における断面図を示す。第1の位相シフタ132は、シリコン層171および酸化シリコン層172からなるSOI基板上に形成されたシリコン導波路コア175と、このコア175に注入されるキャリアの供給源となるキャリア供給源となる不純物領域173a、173bと、これらの不純物領域173a、173bにそれぞれ電気的に接続された第1の電極176および第2の電極177を備えている。シリコン導波路コア175は、酸化シリコン層172上に形成されたシリコン層173の厚さをステップ状に変化させることによって形成され、このシリコン導波路コア175を含むシリコン層173は、酸化シリコンからなるオーバークラッド層174に覆われている。また、キャリア供給源となる不純物領域173a、173bは、シリコン導波路コア175の近傍のシリコン層173内に形成されている。本実施の形態においては、シリコン導波路コア175の一方の片側にn型領域173aが、他方の片側にp型領域173bが形成されている。クラッド層174に形成されたビアホールが形成され、そのビアホール内に形成された第1の電極176および第2の電極177が、それぞれn領域173aおよびp領域173bにそれぞれ電気的に接続されている。位相シフタ142もまた、位相シフタ132と同様に構成されている。位相シフタ132、142は、第1、第2の電極間に外部から制御バイアスを加えることによって、シリコン導波路コア175内のキャリア濃度を変調し、光信号の位相をシフトさせることができる。本実施の形態において、シリコン導波路コア175にキャリアを注入する際には、位相シフタ132と位相シフタ142とはそれぞれは順バイアスと逆バイアスとなるよに制御電圧が印加される。なお、本実施の形態において、位相シフタ132、142は、いわゆるPIN構造を有するものとして説明したが、本発明において、位相変調部の構成は、シリコン導波路コア175内にキャリアを注入できれば、PIN構造に限定されるものではなく、例えば、PN接合を形成してもよいし、シリコン導波路コア175近傍にn型シリコン領域またはp型シリコン領域の少なくともいずれか一方を形成してもよい。特にチャープ抑制が重要となる位相変調部の構成は、高速動作が可能なPN接合構造逆バイアスを掛けキャリアを引き抜く空乏型であり、例えば、P型P型N型N型のような構造である。また、位相シフタの構成例については、非特許文献4にも開示されている。本実施の形態に係るマッハツェンダ干渉型光位相変調器100においては、下側アーム140に、下側アーム140の伝搬損失を調整する損失調整部141’が設けられている。図1Cおよび図1Dは、それぞれ損失調整部141’を拡大した平面図および断面図である。図1Cに示すように、損失調整部141’は、下側アーム140のシリコン導波路141のコア幅を部分的に広くしたものである。このとき、導波路コア断面積の急激な変化は光の反射や散乱を招くため、図1Cに示すように、損失調整部141’の導波路コアの幅は、連続的断面の屈折率変化を可能な限り抑えるように変化するものとする。上述したような損失調整部141’は、シリコン導波路に代表される高屈折率差構造による強閉じ込め系であるゆえ、断面形状や寸法の調整により精密かつ再現性良く伝搬損失を調整することが可能である。例えば、電子線露光または紫外線露光を用いることにより、分解能が10nm以下の導波路コアの幅の調整は可能であり、その再現性についても確認されている。図1Dに示すような構造を有する光導波路は、SOI層を公知のエッチング手法を用いて選択的にエッチングしてシリコンコアを形成すればよい。更にシリコンコアの上に酸化シリコン層を製膜することでオーバークラッドを形成してもよい。また、SOI基板上の酸化シリコン層BOX層をアンダークラッドとしてもよい。なお、本実施の形態においては、シリコン導波路141のコアの高さは、その長さ方向にわたって一定である。図2は、シリコン導波路コア高さを200nmと固定したときの、コア幅Corewidthに対する伝搬損失Propagationlossの依存性を示す図であり、非特許文献3から引用したものである。図2からもわかるように、コア幅が大きくなると、伝搬損失は減少する。この特徴を活用すれば、変調器アームの片方または両方の導波路コア断面積を縮小または拡大することによって伝搬損失を調整し、2つの変調器アームの伝搬損失に非対称性を与えることができる。本実施の形態に係る光位相変調器は、一方のアームの導波路コアの断面積を一部拡大することで伝搬損失を調整し、周波数チャープの発生を抑制するものである。すなわち、損失調整部141’としてシリコン導波路141のコア幅を部分的に広く形成することによって、下側アーム140の伝搬損失は上側アーム130の伝搬損失よりも小さくなり、上側アーム130と下側アーム140との間に伝搬損失の非対称性を与えることとなる。本実施の形態では、構造の簡略化を図ることに加えて、過剰損失を防ぐために導波路コア断面積の縮小を行わず、下側アーム140において導波路幅調整によるコア断面積の拡大のみ行っている。これは、式7におけるΔα1adjustを0とし、式8におけるΔα2adjustのみを追加するものである。<光位相変調器の動作>次に、本実施の形態に係る光位相変調器100の動作について説明する。この位相変調器100では、入力導波路110に入射された光は分岐器120で2本の光に等分される。上側アーム130において、光は導波路131を伝搬して位相シフタ132に入射し、導波路133を伝搬して結合部150に至る。一方、下側アーム140においては、導波路141の損失調整領域141’を経て位相シフタ142によって屈折率変化による位相シフトを受けたのち、導波路143を伝搬して結合部150に至る。このようにして上側の変調アーム130から入射された光信号と下側の変調アーム140から入射された光信号とは、結合部150内で干渉し、光信号出力として出力導波路160を介して出力される。このようなマッハツェンダ干渉型光位相変調器において、光信号出力の信号0と信号1との間を遷移する際には、プッシュプル動作により、一方の位相シフタ132を順バイアスとし、他方の位相シフタ142を逆バイアスとすると、式1および式2に示すように、キャリアプラズマ分散効果によって屈折率変化Δnと伝搬損失変化Δαplasmaが同時に変調され、このときの上側アームの伝搬損失変化Δα1plasmaの変化の方向と、下側アームの伝搬損失変化Δα2plasmaの変化の方向とは、式7および式8に示すように、互いに逆向きとなる。しかしながら、導波路141に損失調整部141’を設けたことによって、下側アーム140の伝搬損失α2は、上側アーム130の伝搬損失α1よりも低減されている。このときのIQ平面におけるビット遷移図を図3Aおよび図3Bに示す。例えば、光位相変調器100の光信号出力が信号0303から信号1304に遷移する場合に、上側アーム130を伝搬する光信号の位相は位相シフタ132によって変調されて反時計回りに0度から180度変化する軌跡301一方、下側アーム140を伝搬する光信号の位相は位相シフタ142によって変調されて、時計回りに0度から180度変化する軌跡302。このとき、下側アーム140に損失調整部141’を設けて、-Δα2adjustを追加したので式8参照。、Δα2plasmaがΔα2ADJUSTによって相殺されて、下側アームの全伝搬損失α2に対するΔα2plasmaの影響を相対的に小さくなるので、下側アーム140を伝搬する光信号の強度と位相の軌跡302は、Q軸方向図3Aの下側方向に膨らむ。その結果、上側アーム130から結合部150に入射される光信号と下側アーム140から結合部150に入射される光信号とが干渉することによって得られる光信号出力の信号0303と信号1304との間のビット遷移時において、光信号出力のI軸からQ軸に沿って離れる成分を小さくすることができる。例えば、α1=α2とすればよく、式7および式8より、上側アームの伝搬損失変化や下側アーム140の損失調整部141’による伝搬損失変化を望ましくは、Δα1adjustΔα2adjust=Δα1plasmaΔα2plasmaと設定することで、ビット遷移における光信号出力の軌跡は、ほぼI軸上のみと見なすことが可能である。ただし、キャリア密度やその他条件によっては、位相が0とπにおける電界振幅比が大きく異なる場合もあるため、伝搬損失変化は、それらの条件も考慮し、設定されるべきである。より具体的な例として、正孔キャリアを用いたシリコン変調器の伝搬損失制御によるチャープ抑制方法の数値解析結果を図3Bおよび図8Bに示す。なお、図8Bは損失調整部の付与前、図3Bは損失付与後にそれぞれ対応する。ここでは、入力分岐比率a=0.51/2、出力分岐比率b=0.51/2、波長λ=1.550nm、位相シフタの導波路長L=10mmのとき、下側アームの構造調整による伝搬損失変化Δα2adjust=0.6dB/cmとすることで、図3Bに示すように、周波数チャープはほぼI軸上を遷移した。この結果、周波数チャープを持った光強度は1/6以下に抑えることができることが理解される。なお、正孔キャリアではなく電子キャリア密度変化を利用した変調器、もしくは、両キャリア密度変化を利用した変調器では、式1と式2の関係により更に顕著なチャープ抑制効果が予想される。以上のように、本実施の形態に係る光位相変調器によれば、一方の変調器アームのみ導波路断面積を増やす構造とし、各変調器アームの軌跡を独立に調整することで、変調器の挿入損失が低減することから過剰損失を増加させることなく周波数チャープが抑制できる。すなわち、一方の変調器アーム下側アーム140に、そのシリコン導波路の一部のコア幅を変化させることによって損失調整部141’を設け、キャリアプラズマ分散効果の影響により変調される下側アーム140の変調器142の伝搬損失変化Δα2plasmaの影響を相対的に低減することによって、ビット遷移の際の下側アームから結合部150に入射される光信号のIQ平面上での軌跡は、図3Aに示すように下方に膨らむので、上側アーム130から結合部150に入射される光信号と下側アーム140から結合部150に入射される光信号とが干渉することによって得られる光信号出力のビット遷移時の周波数チャープを抑制できる。<第2の実施の形態>次に、本発明の第2の実施の形態について、図4A、図4B、図5を参照して説明する。なお、上述した第1の実施の形態と共通する構成要素については、同一の名称および同一の参照符号を用い、その説明は省略する。<光位相変調器の構成>第2の実施の形態に係る光位相変調器は、損失調整を行う手段として、マッハツェンダ干渉型位相変調器の変調器アームのシリコン導波路に屈曲部を設けたものである。すなわち、伝搬損失変化Δαadjustの調整は、シリコン導波路の曲げ半径を調整し、曲げ損失を増加または減少させることによって実現される。図4Aは、本実施の形態に係る非対称マッハツェンダ干渉型シリコン位相変調器の概要を示す図である。光位相変調器200は、入力導波路110より入射された光信号を2つに分岐する分岐部120と、分岐部120によって分岐された第1の光信号を伝搬する第1の変調器アームまたは上側アーム130と、分岐部120によって分岐された第2の光信号を伝搬する第2の変調器アームまたは下側アーム240と、上側アーム130を伝搬した第1の光信号と下側アーム240を伝搬した第2の光信号とを合波して出力導波路160に出射する結合部150とから構成されている。これらは、SOI基板上に形成されたシリコン導波路である。このうち、第2の変調器アーム240を構成するシリコン導波路コア241には、損失調整部として屈曲部Bが設けられている。図4Bは、屈曲部Bの拡大図である。図4Bに示すように、屈曲部Bでは、導波路コア241に数μmオーダーの曲げ半径rが付与されて略90°屈曲されている。図5は、シリコン導波路の曲げ半径に対する挿入損失の依存性を示す図であり、非特許文献3より引用した。図5によれば、シリコン導波路の曲げ半径が小さくなればなるほど損失が大きくなることが理解される。この特徴を活用し、2本の変調器アームのうち、一方または両方のアームの導波路曲げ損失を曲げ半径の縮小または拡大によって調整し、周波数チャープの発生を抑制することができる。シリコン導波路を電子線露光もしくは紫外線露光を用いて作製することにより、100nmより小さい分解能で曲げ半径rを調整することが現実的に可能である。したがって、シリコン導波路は高屈折率差構造による強閉じ込め系であるゆえ、曲げ半径rを変化させることにより、精密かつ再現性良く損失を調整することが可能である。本実施の形態では、構造を簡略化するため、下側アーム240において、シリコン導波路コア241に屈曲部を設け、曲げ半径調整による曲げ損失を付与した。すなわち、式7におけるΔα1adjustを0とし、式8におけるΔα2adjustを設定した。なお、本実施の形態においては、伝搬損失の調整に用いる曲げ損失が、その構造上、シリコン導波路の屈曲部において生じるものであるため、上述した式7、式8との整合をとるため、伝搬損失変化Δα2adjustは、屈曲部の曲げ半径を調整することによって生じる損失変化を変調器の導波路の長さLによって平均化された値とする。なお、上側アーム130と下側アーム240の光路長は等しくなるように形成されている。また、シリコン導波路コアの断面形状は上述した第1の実施の形態と同一である。<光位相変調器の動作>本実施の形態に係る位相変調器200では、入力導波路110に入射された光は分岐器120で2本の光に等分される。上側アーム130において、光信号は導波路131を伝搬し、位相シフタ132によって屈折率変化による位相シフトを受けたのち、導波路133を伝搬し、結合部150に入射する。一方、下側アーム240では、光信号は、曲げ損失を付与した導波路コア241を伝搬し、位相シフタ142で位相シフトを受けたのち、導波路143を伝搬して、結合部150に入射する。第2の変調器アーム240の損失α2は、屈曲部の曲げ損失を調整したことによって生じた伝搬損失変化Δα2adjustを含む。したがって、屈曲部の導波路曲げ損失を曲げ半径の縮小と拡大によって調整して、キャリアプラズマ分散効果の影響により変調される下側アーム240の変調器142の伝搬損失変化Δα2plasmaの影響を相対的に低減することによって、ビット遷移時の周波数チャープの発生を抑制することができる。本実施の形態によれば、導波路コアの曲げ半径を制御することによって伝搬損失を調整するので、導波路コアの幅を制御する第1の実施の形態に較べると、作製プロセス上の精度が緩和されるという利点がある。<その他の実施の形態>上述した実施の形態においては、シリコン導波路からなるマッハツェンダ干渉型位相変調器を例に説明したが、本発明では、屈折率と独立して損失を調整できる機構であれば、位相変調器の材料と干渉構造に依存しない。また、上述した2つの実施の形態では、それぞれシリコン導波路コアの幅を変えることや、シリコン導波路コアの曲げ半径を制御することによって、伝搬損失を調整するものとして説明したが、本発明における損失調整の手段は、これらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、損失調整部として、少なくとも一方のシリコン導波路コアの少なくとも一部に、不純物をドーピングした不純物導入部を形成してもよい。シリコンは不純物濃度に応じて光吸収を調整することができるので、このような不純物導入部を設けることによって、変調器アームの伝搬損失を調整することができる。このような不純物導入部は、位相シフタ位相変調部を形成するプロセスにおいて、シリコン層の所定の領域に不純物を導入した後にシリコン導波路コアを形成することによって、同時に作製することができる。更には、本発明では、第1の変調器アームにおける光信号の位相のシフトに依存しない伝搬損失と、第2の変調器アームにおける光信号の位相のシフトに依存しない伝搬損失とが互いに異なっていればよく、すなわち、2つの変調器アームの間で位相シフトに依存しない伝搬損失に非対称性を持たせることができればよい。したがって、上述した実施の形態のように、導波路の一部に損失調整部を設けてもよいし、2つの変調器アームの間で、導波路コアの形状またはサイズ光信号の伝搬方向に垂直な断面の面積および形状の少なくとも1つに違いを持たせてもよい。