"基板と、該基板上に互いに間隔をあけて設けられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上に設けられた第1の導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に設けられた前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の下部電極層および前記第2の半導体層を電気的に接続する接続導体と、前記第1の下部電極層および前記第2の下部電極層の間に介在する前記第1の導電型を有する第1導電型半導体部材と、該第1導電型半導体部材の前記第2の下部電極層側の側面に接合している前記第2の導電型を有する第2導電型半導体部材とを具備することを特徴とする光電変換装置。前記第2導電型半導体部材は前記第2の下部電極層よりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記第1導電型半導体部材は前記第1の半導体層が延在されて成るものであることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。光電変換装置には光電変換効率の向上が常に要求される。上記光電変換装置において、光電変換効率を高める1つの方法として、下部電極層間の間隔を小さくして光電変換に寄与する部位の面積を高めることが考えられる。しかし、下部電極層間の間隔を小さくすると隣接する下部電極層間でリーク電流が生じやすく、十分に光電変換効率を高めることが困難である。本発明の一つの目的は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることにある。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に互いに間隔をあけて設けられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上に設けられた第1の導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に設けられた前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の下部電極層および前記第2の半導体層を電気的に接続する接続導体と、前記第1の下部電極層および前記第2の下部電極層の間に介在する前記第1の導電型を有する第1導電型半導体部材と、該第1導電型半導体部材の前記第2の下部電極層側の側面に接合している前記第2の導電型を有する第2導電型半導体部材とを具備する。本発明によれば、隣接する下部電極層間のリーク電流を低減し、光電変換効率を向上できる。以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。<光電変換装置の構成>図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。また、図3は図1の光電変換装置を上面側から見た透視図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1~3においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に二次元的に配設されていてもよい。図1~3において、基板1上に複数の下部電極層2が平面配置されている。隣接する下部電極層2のうち、一方の下部電極層2a以下、第1の下部電極層2aともいう上から他方の下部電極層2b以下、第2の下部電極層2bともいう上にかけて、第1の半導体層3および第1の半導体層3とは異なる導電型の第2の半導体層4が設けられている。そして、第2の下部電極層2b上において、接続導体7が第2の下部電極層2bと第2の半導体層4とを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層2第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b、第1の半導体層3、第2の半導体層4および接続導体7を少なくとも含むことによって、1つの光電変換セル10が構成される。そして、隣接する光電変換セル10同士が第2の下部電極層2bによって電気的に接続されており、このような構成によって、隣接する光電変換セル10同士が直列接続された光電変換装置11となる。なお、本実施形態における光電変換装置11は、第1の半導体層3に対して第2の半導体層4側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスを用いることができる。下部電極層2第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bは、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm~1μm程度の厚みに形成される。第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bの間隔は、例えば、20~200μmとされ得る。第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bの間には第1の半導体層3と同じ第1の導電型を有する第1導電型半導体部材6aが介在している。さらに、この第1導電型半導体部材6aの第2の下部電極層2b側の側面に第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2導電型半導体部材6bが接合している。つまり、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの隙間において、第1の下部電極層2a側の第1導電型半導体部材6aと第2の下部電極層2b側の第2導電型半導体部材6bとでダイオードが形成されている。このように第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b間に、第1導電型半導体部材6aおよび第2導電型半導体部材6bがダイオードを構成するように設けられていることにより、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの間におけるリーク電流を低減できる。よって、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの間隔を小さくして、光電変換セルの光電変換に寄与する部位の面積を大きくすることができる。その結果、光電変換装置11の光電変換効率が高められる。第1導電型半導体部材6aとしては、後述するような、第1の半導体層3に用いられる第1の導電型の半導体材料が用いられ得る。応力を有効に低減するという観点から、第1導電型半導体部材6aは第1の半導体層3と同じ材料が用いられてもよい。特に第1導電型半導体部材6aが第1の半導体層3が延在されて成るものすなわち、第1導電型半導体部材6aと第1の半導体層3が一体化されて成るものであれば、第1の半導体層3の強度が高くなり、クラック等が生じ難くなる。また、第2導電型半導体部材6bとしては、後述するような、第2の半導体層4に用いられる第2の導電型の半導体層材料が用いられ得る。あるいは、第2導電型半導体部材6bは、第1導電型半導体部材6aに他の元素がドーピングされることによって改質されたものであってもよい。第1導電型半導体部材6aおよび第2導電型半導体部材6bは、基板1上に第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bが形成された後、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの間に、例えば、スパッタリング法やケミカルバスデポジッションCBD法、塗布法等を用いて設けられて形成される。あるいは、基板1上に第1導電型半導体部材6aおよび第2導電型半導体部材6bが所望のパターン形状に形成された後、第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bが形成されてもよい。第1の半導体層3は第1導電型の半導体層である。本実施形態では、第1の半導体層3は、例えば1μm~3μm程度の厚みを有するp型半導体層を想定しているが、これに限定されない。第1の半導体層3の材料としては特に限定されず、金属カルコゲナイドや非晶質シリコン等が用いられ得る。比較的高い光電変換効率を有するという観点で、例えば、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物およびII-VI族化合物等の金属カルコゲナイドが第1の半導体層3の材料として用いられてもよい。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVIB族元素16族元素ともいうとの化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISともいう、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSともいう等が挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。I-III-VI族化合物は光吸収係数が比較的高く、第1の半導体層3が薄くても良好な光電変換効率が得られる。I-II-IV-VI族化合物とは、I-B族元素とII-B族元素12族元素ともいうとIV-B族元素14族元素ともいうとVI-B族元素との化合物半導体である。I-II-IV-VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4CZTSともいう、Cu2ZnSnS4-xSexCZTSSeともいう。なお、xは0より大きく4より小さい数である。、およびCu2ZnSnSe4CZTSeともいう等が挙げられる。II-VI族化合物とは、II-B族元素とVI-B族元素との化合物半導体である。II-VI族化合物としてはCdTe等が挙げられる。第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる第2導電型を有する半導体層である。第1の半導体層3および第2の半導体層4が電気的に接続されることにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換層が形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。第1の半導体層3がn型で、第2の半導体層4がp型であってもよい。なお、第1の半導体層3と第2の半導体層4との間に高抵抗のバッファ層が介在していてもよい。また、第2の半導体層4が光吸収層として機能するものであってもよい。第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる材料が第1の半導体層3上に積層されたものであってもよく、あるいは第1の半導体層3の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられる。この場合、第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとを主に含む化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとを主に含む化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとを主に含む化合物をいう。図1、図2のように、第2の半導体層4上にさらに上部電極層5が設けられていてもよい。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。上部電極層5は、例えばITO、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。また、図1~3に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1~3に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。<光電変換装置の他の例>上記一実施形態では、絶縁部材6が下部電極層2と同じ厚みで形成されていたが、これに限られない。例えば、図4、図5のように、第2導電型半導体部材26bが第2の下部電極層2bよりも厚くても良い。なお、図4は他の例である光電変換装置21の斜視図であり、図5は光電変換装置21の断面図である。図4、図5において、図1~3と同じ構成のものには同じ符号が付されている。図4、図5のように第2導電型半導体部材26bが第2の下部電極層2bよりも厚い場合、接続導体7と第1の下部電極層2aとの間におけるリーク電流をも低減でき、光電変換装置21の光電変換効率がより向上する。図4、図5に示す光電変換装置21は、例えば以下のようにして作製される。まず、基板1上に下部電極層2が所望のパターン形状に形成され、下部電極層2上および下部電極層2間第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b間に第1の半導体層3が形成される。そして、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの間隙に対応する第1の半導体層3のうち、第2の下部電極層2bに沿った部位が上面から下面にかけて除去される。そして、この第1の半導体層3の除去された隙間内に第2導電型半導体部材26bが充填される。なお、上記第1の半導体層3のうち、第1の下部電極層2aと第2の下部電極層2bとの間隙内に残存している部分は第1導電型半導体2aとなる。このような方法であれば、容易に第2導電型半導体部材26bが形成可能となり、工程が簡略化され得る。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。"