"第1のヒートスプレッダと、前記第1のヒートスプレッダ上に実装された第1の半導体素子と、第2のヒートスプレッダと、前記第2のヒートスプレッダ上に実装された第2の半導体素子と、一端が前記第1のヒートスプレッダ又は前記第1の半導体素子に接合され、他端が前記第2のヒートスプレッダ又は前記第2の半導体素子に接合されたリード端子と、前記第1のヒートスプレッダの一部と前記第1の半導体素子を封止する第1のモールド樹脂と、前記第1のモールド樹脂とは分離され、前記第2のヒートスプレッダの一部と前記第2の半導体素子を封止する第2のモールド樹脂とを備える半導体パッケージ。モールド樹脂の硬化収縮により、隣り合うヒートスプレッダの境界部分でパッケージに折れ曲がりが発生する。このため、パッケージと冷却器との間の放熱グリスの厚みが大きくなり、熱抵抗が増大して、放熱性が悪くなる。折れ曲がった半導体パッケージを冷却器に密着させるには、折れ曲がりを矯正するように加圧する必要がある。しかし、この加圧により、半導体素子とリード端子との接合部やヒートスプレッダとリード端子との接合部にストレスが発生する。このため、冷熱サイクル、高温雰囲気、又は高温での動作時の信頼性が低下する場合がある。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は信頼性を向上することができる半導体パッケージを得るものである。本発明に係る半導体パッケージは、第1のヒートスプレッダと、前記第1のヒートスプレッダ上に実装された第1の半導体素子と、第2のヒートスプレッダと、前記第2のヒートスプレッダ上に実装された第2の半導体素子と、一端が前記第1のヒートスプレッダ又は前記第1の半導体素子に接合され、他端が前記第2のヒートスプレッダ又は前記第2の半導体素子に接合されたリード端子と、前記第1のヒートスプレッダの一部と前記第1の半導体素子を封止する第1のモールド樹脂と、前記第1のモールド樹脂とは分離され、前記第2のヒートスプレッダの一部と前記第2の半導体素子を封止する第2のモールド樹脂とを備える。本発明により、信頼性を向上することができる。本発明の実施の形態に係る半導体パッケージについて図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。実施の形態1.図1は、3相ハーフブリッジ回路を示す図である。3相ハーフブリッジ回路は、モータ等の負荷のインバータ制御などに用いられる。トランジスタとダイオードを一組として上下に二組が接続されている。上側の組合せは電源のP側に接続され、下側の組合せは電源のN側に接続される。この上下の組み合わせが3つU相、V相、W相設けられている。上下の組み合わせの接続点がそれぞれ負荷のU端子、V端子、W端子に接続される。図2は、本発明の実施の形態1に係る半導体パッケージを示す上面図である。図3は図2のA-A ́に沿った断面図である。実施の形態1の半導体パッケージは、図1のU相UP及びUN、V相VP及びVN、W相WP及びWNの何れかのトランジスタとダイオードの組み合わせに相当する。従って、実施の形態1の半導体パッケージを3個組み合わせることによって、図1の3相ハーフブリッジ回路を構成することができる。ヒートスプレッダ1a上に半導体素子2aとダイオード3aが半田により実装されている。ヒートスプレッダ1b上に半導体素子2bとダイオード3bが半田により実装されている。ヒートスプレッダ1a,1bは、放熱を目的とするため、厚み2mm以上の銅などの剛性の高い金属からなる。例えば半導体素子2a,2bはIGBTInsulatedGateBipolarTransistorである。ヒートスプレッダ1aと半導体素子2aをモールド樹脂4aが封止している。ヒートスプレッダ1bと半導体素子2bをモールド樹脂4bが封止している。モールド樹脂4bはモールド樹脂4aとは分離されている。リード端子5aは半導体素子2aとダイオード3aの上面に半田6aにより接合されている。リード端子5bの一端はモールド樹脂4a内のヒートスプレッダ1aに半田により接合され、リード端子5bの一部はモールド樹脂4a,4bの外部を通り、リード端子5bの他端はモールド樹脂4b内の半導体素子2bの上面に半田6bにより接合されている。リード端子5cの一部はモールド樹脂4a内を通り、更にモールド樹脂4a,4bの外部を通り、リード端子5cの一端はモールド樹脂4b内でヒートスプレッダ1bに半田により接合されている。半導体素子2a,2bの制御端子には、素子の動作を制御するための制御信号が入力される信号用リード端子7a,7bがそれぞれワイヤにより接続されている。リード端子5a,5b,5cはモールド樹脂4a,4bの外部に導出され、ねじ止め等によりバスバー等図示しないに接続される。ヒートスプレッダ1a,1bは、下面に樹脂やセラミック等の絶縁物8a,8bがそれぞれ貼付され、放熱グリス9を介して冷却器10に実装されている。続いて本実施の形態の効果について比較例と比較して説明する。図4は、比較例に係る半導体パッケージを冷却器に弱い加圧で実装した状態を示す断面図である。比較例では、1つのモールド樹脂4内に、剛性の高いヒートスプレッダ1a,1bの両方が存在する。このため、モールド樹脂4の硬化収縮により、隣り合うヒートスプレッダ1a,1bの境界部分でパッケージが折れ曲がる。弱い加圧では折れ曲がりを矯正できないため、パッケージと冷却器10との間の放熱グリス9の厚みが大きくなり、放熱性が悪くなる。図5は、比較例に係る半導体パッケージを冷却器に強い加圧で実装した状態を示す断面図である。強い加圧により半導体パッケージの折れ曲がりは矯正されるが、リード端子5bとヒートスプレッダ1aや半導体素子2bとの接合部にストレスが発生し、信頼性が低下する。一方、本実施の形態では、モールド樹脂4a,4b内に、剛性の高いヒートスプレッダ1a,1bがそれぞれ1つだけ存在する。このため、モールド樹脂4a,4bが硬化収縮してもパッケージは折れ曲がらない。従って、パッケージと冷却器10との間の放熱グリス9の厚みが小さくなり、放熱性が向上する。また、パッケージを冷却器10に密着させる荷重を低減できるので、リード端子5bとヒートスプレッダ1aや半導体素子2bとの接合部へのストレスを低減できる。また、ヒートスプレッダ1a,1b間でモールド樹脂4a,4bが無い部分ができるので、モールド樹脂4a,4bの収縮による接合部へのストレスを低減できる。このため、信頼性を向上することができる。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体パッケージを示す上面図である。図7は図6のB-B ́に沿った断面図である。実施の形態2の半導体パッケージは、図1のN側UN,VN,WNのトランジスタとダイオードの組み合わせに相当する。従って、実施の形態2の半導体パッケージによって、図1の3層ハーフブリッジ回路のN側の回路を構成することができる。ヒートスプレッダ1a,1b,1c上にそれぞれ半導体素子2a,2b,2cとダイオード3a,3b,3cが半田により実装されている。ヒートスプレッダ1a,1b,1cの一部と半導体素子2a,2b,2cをそれぞれモールド樹脂4a,4b,4cが封止している。モールド樹脂4a,4b,4cは互いに分離されている。半導体素子2a,2b,2cの制御端子には、信号用リード端子7a,7b,7cがそれぞれワイヤにより接続されている。ヒートスプレッダ1a,1b,1cは、下面に樹脂やセラミック等の絶縁物8a,8b,8cがそれぞれ貼付され、放熱グリス9を介して冷却器10に実装されている。1枚のリード端子5dが、半導体素子2a,2b,2cの上面に半田6a,6b,6cにより接合されている。リード端子5e,5f,5gはヒートスプレッダ1a,1b,1cに半田により接合されている。リード端子5d,5e,5f,5gはモールド樹脂4a,4b,4cの外部に導出され、ねじ止め等によりバスバー等図示しないに接続される。本実施の形態では、モールド樹脂4a,4b,4c内に、剛性の高いヒートスプレッダ1a,1b,1cがそれぞれ1つだけ存在する。このため、モールド樹脂4a,4b,4cが硬化収縮してもパッケージは折れ曲がらない。従って、パッケージと冷却器10との間の放熱グリス9の厚みが小さくなり、放熱性が向上する。また、パッケージを冷却器10に密着させる荷重を低減できるので、リード端子5dと半導体素子2a,2b,2cとの接合部へのストレスを低減できる。また、ヒートスプレッダ1a,1b,1c間でモールド樹脂4a,4b,4cが無い部分ができるので、モールド樹脂4a,4b,4cの収縮による接合部へのストレスを低減できる。このため、信頼性を向上することができる。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3に係る半導体パッケージを示す上面図である。図9は図8のC-C ́に沿った断面図である。実施の形態3の半導体パッケージは、図1のP側UP,VP,WPのトランジスタとダイオードの組み合わせに相当する。従って、実施の形態3の半導体パッケージによって、図1の3層ハーフブリッジ回路のP側の回路を構成することができる。リード端子5hの一端がヒートスプレッダ1aに半田により接合され、リード端子5hの他端がヒートスプレッダ1bに半田により接合されている。リード端子5iの一端がヒートスプレッダ1bに半田により接合され、リード端子5iの他端がヒートスプレッダ1cに半田により接合されている。リード端子5j,5kはそれぞれヒートスプレッダ1a,1bに半田により接合されている。リード端子5l,5m,5nはそれぞれ半導体素子2a,2b,2cとダイオード3a,3b,3cに半田6a,6b,6cにより接合されている。リード端子5j,5k,5l,5m,5nはモールド樹脂4a,4b,4cの外部に導出され、ねじ止め等によりバスバー等図示しないに接続される。本実施の形態では、1つのモールド樹脂4a,4b,4c内に、剛性の高いヒートスプレッダ1a,1b,1cが1つだけ存在する。このため、モールド樹脂4a,4b,4cが硬化収縮してもパッケージは折れ曲がらない。従って、パッケージと冷却器10との間の放熱グリス9の厚みが小さくなり、放熱性が向上する。また、パッケージを冷却器10に密着させる荷重を低減できるので、リード端子5h,5iとヒートスプレッダ1a,1b,1cとの接合部へのストレスを低減できる。また、ヒートスプレッダ1a,1b,1cの間でモールド樹脂4a,4b,4cが無い部分ができるので、モールド樹脂4a,4b,4cの収縮による接合部へのストレスを低減できる。このため、信頼性を向上することができる。なお、実施の形態1~3において、モールド樹脂4a,4b間を接続するリード端子を2本以上にしてもよい。これにより、リード端子の変形を防止することができ、かつ組付けが容易になる。また、実施の形態2の半導体パッケージの外形と実施の形態3の半導体パッケージの外形を共通化すれば、両者を製造する際のモールド金型を共用化できる。また、トランジスタやダイオードは、珪素によって形成されたものに限らず、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものでもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成されたパワー半導体素子は、耐電圧性や許容電流密度が高いため、小型化できる。この小型化された素子を用いることで、この素子を組み込んだ半導体モジュールも小型化できる。また、素子の耐熱性が高いため、冷却器の放熱フィンを小型化でき、水冷部を空冷化できるので、装置を更に小型化できる。また、素子の電力損失が低く高効率であるため、半導体モジュールを高効率化できる。なお、トランジスタとダイオードの両方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることが望ましいが、何れか一方の素子がワイドバンドギャップ半導体よって形成されていてもよく、本実施の形態に記載の効果を得ることができる。"