"上側と下側強磁性シールドの間に挟まれ、第一と第二の側部を有する膜面垂直通電CPPトンネル磁気抵抗TMRまたは巨大磁気抵抗GMR読み取りセンサと、前記読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上の絶縁層と、前記絶縁層上で、これと接触する縦バイアス層と、を含む読み取りヘッド。前記絶縁層は、厚さが1~5nmの非磁性アモルファスAl2O3アルミナ膜で形成される、請求項1に記載の読み取りヘッド。前記縦バイアス層は、Pt含有量が40~54atであり、厚さが10~40nmの硬磁性多結晶Fe-Pt膜で形成される、請求項1に記載の読み取りヘッド。前記縦バイアス層上のキャップ層をさらに含み、前記キャップ層は、厚さが1~10nmの非磁性多結晶Pt、RhまたはRu膜で形成される、請求項1に記載の読み取りヘッド。下側強磁性シールドを形成するステップと、前記下側強磁性シールド上にCPP読み取りセンサを堆積させるステップと、前記CPP読み取りセンサに前端と後端を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサに第一と第二の側部を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上に絶縁層を堆積させるステップと、前記絶縁層上に硬磁性Fe-Pt膜で形成される縦バイアス層を堆積させるステップと、上側強磁性シールドを形成するステップと、を含む、読み取りヘッドを作製する方法。前記読み取りヘッドを、高真空炉の中で、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に垂直な50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間、アニーリングするステップと、前記読み取りヘッドを、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に平行な50,000Oeの磁界中で再磁化するステップと、をさらに含む、請求項5に記載の方法。下側と上側の強磁性シールドの間に挟まれ、第一と第二の側部を有する膜面垂直通電CPP読み取りセンサと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上の絶縁層と、縦バイアス積層構造であって、前記絶縁層上のシード層と、前記シード層上のFe-Ptを含む縦バイアス層と、前記縦バイアス層上のキャップ層と、を含む縦バイアス積層構造と、を含む読み取りヘッド。前記絶縁層は、厚さが1~5nmの非磁性アモルファスAl2O3アルミナ膜で形成される、請求項7に記載の読み取りヘッド。前記シード層は、厚さが1~4nmの非磁性多結晶Ru膜で形成される、請求項7に記載の読み取りヘッド。前記縦バイアス層は、Pt含有量が40~54atで、厚さが10~40nmの硬磁性多結晶Fe-Pt膜で形成される、請求項7に記載の読み取りヘッド。前記キャップ層は、厚さが1~10nmの非磁性多結晶Pt、RhまたはRu膜で形成される、請求項7に記載の読み取りヘッド。下側強磁性シールドを形成するステップと、前記下側強磁性シールド上にCPP読み取りセンサを堆積させるステップと、前記CPP読み取りセンサに前端と後端を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサに第一と第二の側部を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上に絶縁層を堆積させるステップと、前記絶縁層上に非磁性多結晶Ru膜で形成されるシード層を堆積させるステップと、前記シード層上に硬磁性Fe-Pt膜で形成される縦バイアス層を堆積させるステップと、前記縦バイアス層上に非磁性Pt、RhまたはRu膜で形成されるキャップ層を堆積させるステップと、上側強磁性シールドを形成するステップと、を含む、読み取りヘッドを作製する方法。前記読み取りヘッドを、高真空炉の中で、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に垂直な50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間、アニーリングするステップと、前記読み取りヘッドを、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に平行な50,000Oeの磁界中で再磁化するステップと、をさらに含む、請求項12に記載の方法。下側と上側の強磁性シールドの間に挟まれ、第一と第二の側部を有する膜面垂直通電CPP読み取りセンサと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上の絶縁層と、縦バイアス積層構造であって、前記絶縁層上の電気絶縁シード層と、前記電気絶縁シード層上の縦バイアス層と、前記縦バイアス層上のキャップ層と、を含む縦バイアス積層構造と、を含む読み取りヘッド。前記絶縁層は、厚さが1~5nmの非磁性アモルファスAl2O3アルミナ膜で形成される、請求項14に記載の読み取りヘッド。前記電気絶縁シード層は、厚さが1~4nmの非磁性多結晶MgO膜で形成される、請求項14に記載の読み取りヘッド。前記縦バイアス層は、Pt含有量が40~54atで、厚さが10~40nmの硬磁性多結晶Fe-Pt膜で形成される、請求項14に記載の読み取りヘッド。前記キャップ層は、厚さが1~10nmの非磁性多結晶Pt、RhまたはRu膜で形成される、請求項14に記載の読み取りヘッド。下側強磁性シールドを形成するステップと、前記下側強磁性シールド上にCPP読み取りセンサを堆積させるステップと、前記CPP読み取りセンサに前端と後端を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサに第一と第二の側部を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上に絶縁層を堆積させるステップと、前記絶縁層上に、非磁性多結晶MgO膜で形成された電気絶縁シード層を堆積させるステップと、前記電気絶縁シード層上に、硬磁性Fe-Pt膜で形成された縦バイアス層を堆積させるステップと、前記縦バイアス層上に、非磁性Pt、RhまたはRu膜で形成されたキャップ層を堆積させるステップと、上側強磁性シールドを形成するステップと、を含む、読み取りヘッドを作製する方法。前記読み取りヘッドを、高真空炉の中で、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に垂直な50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間、アニーリングするステップと、前記読み取りヘッドを、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に平行な50,000Oeの磁界中で再磁化するステップと、をさらに含む、請求項19に記載の方法。下側と上側の強磁性シールドの間に挟まれ、第一と第二の側部を有する膜面垂直通電CPP読み取りセンサと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上の絶縁層と、縦バイアス積層構造であって、前記絶縁層上の電気絶縁シード層と、前記電気絶縁シード層上の導電シード層と、前記導電シード層上の縦バイアス層と、前記縦バイアス層上のキャップ層と、を含む縦バイアス積層構造と、を含む読み取りヘッド。前記絶縁層は、厚さが1~5nmの非磁性アモルファスAl2O3アルミナ膜で形成される、請求項21に記載の読み取りヘッド。前記電気絶縁シード層は、厚さが1~4nmの非磁性多結晶MgO膜で形成される、請求項21に記載の読み取りヘッド。前記導電シード層は、厚さが1~4nmの非磁性多結晶Ru膜で形成される、請求項21に記載の読み取りヘッド。前記縦バイアス層は、Pt含有量が40~54atで、厚さが10~40nmの硬磁性多結晶Fe-Pt膜で形成される、請求項21に記載の読み取りヘッド。前記キャップ層は、厚さが1~10nmの非磁性多結晶Pt、RhまたはRu膜で形成される、請求項1に記載の読み取りヘッド。下側強磁性シールドを形成するステップと、前記下側強磁性シールド上にCPP読み取りセンサを堆積させるステップと、前記CPP読み取りセンサに前端と後端を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサに第一と第二の側部を形成するステップと、前記CPP読み取りセンサの第一と第二の側部上及び前記下側強磁性シールドの一部上に電気絶縁層を堆積させるステップと、前記絶縁層上に、非磁性多結晶MgO膜で形成される電気絶縁シード層を堆積させるステップと、前記電気絶縁シード層上に、非磁性多結晶Ru膜で形成される導電シード層を堆積させるステップと、前記導電シード層上に、硬磁性Fe-Pt膜で形成される縦バイアス層を堆積させるステップと、前記縦バイアス層上に、非磁性Pt、RhまたはRu膜で形成されるキャップ層を堆積させるステップと、上側強磁性シールドを形成するステップと、を含む、読み取りヘッドを作製する方法。前記読み取りヘッドを、高真空炉の中で、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に垂直な50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間、アニーリングするステップと、前記読み取りヘッドを、前記CPP読み取りセンサの前端と後端に平行な50,000Oeの磁界中で再磁化するステップと、をさらに含む、請求項27に記載の方法。本発明は、読み取りヘッドにおける膜面垂直通電CPPトンネル磁気抵抗TMRまたは巨大磁気抵抗GMR読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を提供する。縦バイアス積層構造は、2つの側部領域の各々において、Al2O3絶縁層によってCPP読み取りセンサから分離され、Al2O3絶縁層とCPP読み取りセンサとともに、読み取りヘッドの下側および上側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Fe-Pt縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、先行技術で用いられているようなAl2O3絶縁層とシード層の合計の厚さではなく、Al2O3絶縁層の厚さによって、縦バイアス層とCPP読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないFe-Pt縦バイアス層は、アニーリング後に優れた膜面内硬磁性を呈し、間隔が狭い、この安定化方式は有効である。本発明の代替実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Fe-Pt縦バイアス層を含み、Al2O3絶縁層の一部に代わる絶縁MgOシード層を有する。MgOシード層を持つFe-Pt縦バイアス層は、アニーリング後により優れた膜面内硬磁性を呈し、間隔が狭いままであるため、この安定化方式はさらに有効である。本発明の上記およびそれ以外の特徴と利点は、添付の図面を参照しながら、好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことにより明らかとなるであろう。図面全体を通じて、同様の参照番号は同様の要素を示す。本発明の性質と利点ならびに好ましい使用形態をよりよく理解するために、以下の詳細な説明を、添付の図面を参照しながら読むべきである。以下の説明は、本発明を実施するために現時点で予測される最良の実施形態に関する。この説明は、本発明の一般的原理を説明することを目的としており、本願で特許請求する発明概念を限定するものではない。まず、図1を参照すると、本発明を実施した磁気ディスクドライブ100が示されている。図1に示されているように、少なくとも1つの回転可能な磁気ディスク112がスピンドル114で支持され、ディスクドライブモータ118によって回転される。各磁気ディスク上への磁気記録は、磁気ディスク112の上の同心円状のデータトラック図示せずの環状パターンで行われる。少なくとも1つのスライダ113が磁気ディスク112の付近に設置され、各スライダ113は、1つの読書きヘッドアセンブリ121を支持する。磁気ディスク112が回転すると、スライダ113はディスク表面122の上方で半径方向に内外に移動し、読書きヘッドアセンブリ121は磁気ディスク112の上の異なるデータトラックにアクセスできる。各スライダ113は、アクチュエータ119によって支持されるサスペンションアーム115に装着される。サスペンションアーム115は軽いスプリング力を提供し、これがスライダ113をディスク表面122に向かって付勢する。各アクチュエータ119はアクチュエータ手段127に取り付けられており、このアクチュエータ手段はボイスコイルモータVCMであってもよい。VCMは、固定磁場内で移動可能なコイルを有し、コイルの運動の方向と速度はコントローラ129によって供給されるモータ電流信号によって制御される。磁気ディスクドライブ100の動作中、磁気ディスク112の回転によってスライダ113とディスク表面122の間に空気軸受が生成され、これがスライダ113に上昇力または浮上力を与える。したがって、空気軸受はサスペンションアーム115の軽いスプリング力と釣り合い、センサの動作中、スライダ113をディスク表面122から、小さな略一定の間隔だけ離れた、少し上方の位置に支持する。磁気ディスクドライブ100の各種の構成要素は、動作中、制御ユニット129により発生される制御信号、たとえばアクセス制御信号および内部クロック信号によって制御される。一般に、制御ユニット129は、論理制御回路、記憶手段およびマイン路プロセッサを備える。制御ユニット129は、配線123上のドライブモータ制御信号や配線128上のヘッド位置およびシーク制御信号等、各種のシステム動作を制御するための制御信号を発生する。配線128上の制御信号は、スライダ113を磁気ディスク112の上の所望のデータトラックへと最適に移動させ、位置づけるための、所望の電流プロファイルを提供する。読書き信号は、記録チャネル125によって読書きヘッドアセンブリ121と通信される。一般的な読み取りヘッド200において、図2に示されるように、膜面垂直通電CPPトンネル磁気抵抗TMRまたは巨大磁気抵抗GMR読み取りセンサ201は、2つの側部領域で、絶縁層202によって縦バイアス積層構造204から電気的に絶縁され、検知電流が2つの側部領域で短絡することを防止しているが、下側および上側強磁性シールド206、208とは電気的に接続され、検知電流はCPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201の膜面に対して垂直方向に流れることができる。一般的なCPPTMR読み取りセンサ201は、下側および上側センサ積層構造212、214の間に挟まれる電気的絶縁層210を含む。バリア層210は、厚さ0.4から1nmの範囲の非磁性酸素ドープMgMg-O、Mg酸化物MgOまたはMg-O/MgO/Mg-OMgOx膜で形成される。検知電流がMg-O、MgOまたはMgOxバリア層210で量子跳躍すると、CPPTMR読み取りセンサ201の抵抗変化はTMR効果によって検出される。一般的なCPPGMR読み取りセンサ201は、下側および上側センサ積層構造212、214の間に挟まれた導電スペーサ層210を含む。スペーサ層210は、厚さ1.6から4nmの範囲の非磁性Cuまたは酸素ドープCuCu-O膜で形成される。検知電流がCuまたはCu-Oスペーサ層210の中を流れると、CPPGMR読み取りセンサの抵抗変化はGMR効果によって検出される。下側センサ積層構造212は、厚さ2nmの非磁性Ta膜で形成されるバッファ層216と、厚さ2nmの非磁性Ru膜で形成されるシード層218と、厚さ6nmの反強磁性23.2Ir-76.8Mn膜組成は原子パーセントで形成されるピン止め層220と、キーパ層構造222と、厚さ0.8nmの非磁性Ru膜で形成される反平行結合層226と、基準層構造224を含む。キーパ層222は、厚さ1.6nmの72.5Co-27.5Fe膜で形成される第一のキーパ層と、厚さ0.6nmの64.1Co-35.9Fe膜で形成される第二のキーパ層を含む。キーパ層構造222の厚さは、飽和モーメントが0.32memu/cm22枚のCu膜の間に挟まれた厚さ4.6nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応になるように選択される。基準層構造224は、厚さ0.6nmの64.1Co-35.9Fe膜で形成される第一の基準層と、厚さ0.6nmの75.5Co-24.5Hf膜で形成される第二の基準層と、厚さ1.2nmの65.5Co-19.9Fe-14.6B膜で形成される第三の基準層と、厚さ0.3nmの46.8Co-53.2Fe膜で形成される第四の基準層を含む。基準層構造224の厚さは、飽和モーメントが0.30memu/cm22枚のCu膜の間に挟まれた厚さ4.3nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応となるように選択される。上側センサ積層構造214は、検知層構造228と、厚さ6nmの非磁性Ru膜で形成されるキャップ層230を含む。検知層構造228は、厚さ0.4nmの強磁性87.5Cu-12.5Fe膜で形成される第一の検知層と、厚さ1.6nmの強磁性79.3Co-4.0Fe-16.7B膜で形成される第二の検知層と、厚さ2.8nmの強磁性87.1Co-12.9Hf膜で形成される第三の検知層を含む。検知層構造228の厚さは、飽和モーメントが0.42memu/cm22枚のCu膜の間に挟まれた厚さ6nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応となるように選択される。各側部領域の一般的な絶縁層202は、厚さ3nmの非磁性アモルファスAl2O3膜で形成される。各側部領域の一般的な縦バイアス積層構造204は、厚さ4nmの非磁性Cr膜で形成されるシード層232と、厚さ24nmの硬磁性82Co-18Pt膜で形成される縦バイアス層234と、厚さ10nmの非磁性Cr膜で形成されるキャップ層236を含む。Co-Pt縦層234の厚さは、MRδLBが2.1memu/cm22枚のCu層に挟まれた厚さ30nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれ、または検知層228の飽和モーメントの5倍に対応となるように選択される。読み取りヘッド200の製造工程においては、CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201をウェハ上に、スバッタリングシステムで、厚さ1μmの強磁性80Ni-80Fe膜で形成される下側強磁性シールド206とともに堆積させ、高真空炉の中で、50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間アニーリングする。CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201を光リソグラフィ工程によってパターニングし、センサの前方および後方縁辺を形成し、次いで、別の写真工程でパターニングし、2つの側部領域にセンサ尾部を形成する。続いて、2つの端部領域に、Al2O3絶縁層202、Crシード層232、Co-Pt縦バイアス層234、Crキャップ層236を逐次的に堆積させる。次に、フォトレジストを除去し、化学機械研磨工程を実行する。図2からわかるように、CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201は、Al2O3絶縁層202によって縦バイアス積層構造204から分離される。その後、CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201、Al2O3絶縁層202、縦バイアス積層構造204を、厚さ1μmの強磁性80Ni-20Fe膜で形成される上側強磁性シールド208、次に厚さ1μmの強磁性Al2O3膜で形成されるギャップによって被覆する。読み取りヘッド製造工程完了後に、書き込みヘッドの製造工程が開始する。Al2O3絶縁層202は、各側部領域において、CPP読み取りセンサ201の尾部を均一に被覆して、厚さはCPP読み取りセンサ201とCo-Pt縦バイアス積層構造204の間が完全に絶縁されるようにするのに十分でなければならない。その一方で、Al2O3絶縁層202は、CPP読み取りセンサ201とCo-Pt縦バイアス積層構造204の間の間隔をできるだけ小さくし、CPP読み取りセンサ201とCo-Pt縦バイアス積層構造204の間の静磁気相互作用を向上させるために、十分に薄くなければならない。Al2O3絶縁層202が最適な厚さ、約3nmであれば、CPP読み取りセンサ201の中に検知電流を十分に封じ込めることができ、Co-Pt縦バイアス層234が検知層構造228を安定化しやすくなる。Crシード層232は、各側部領域において、CPP読み取りセンサ201の尾部を均一に被覆し、また、体心立方格子bcc{011}がAl2O3絶縁層202とCrシード層232との界面に平行になるようにその多結晶粒が自由に成長できるように十分に厚くなければならない。この好ましい結晶集合組織により、Co-Pt縦バイアス層234の多結晶粒が、六方最密格子hcp{0110}または{0111}平面がCrシード層232とCo-Pt縦バイアス層234の間の界面に平行となる状態で成長しやすく、その結果、c軸磁化容易軸が界面付近に位置するように方向づけられ、MRとHC等の膜面内硬磁性が改善される。その反面、Crシード層232は、CPP読み取りセンサ201とCo-Pt縦バイアス層234の間の間隔を最小限にして、CPP読み取りセンサ201とCo-Pt縦バイアス層234の間の静磁気相互作用を向上させるように十分に薄くなければならない。Crシード層232が最適な厚さ、約4nmであれば、Co-Pt縦バイアス層234の膜面内硬磁性を向上させることができ、Co-Pt縦バイアス層234が検知層構造228を安定化しやすくなる。検知層構造214を安定化させるためにMRδLBとHCを高くする必要があることに加え、Co-Pt縦バイアス層234は、各側部領域において、CPP読み取りセンサ201の尾部を均一に被覆し、検知層構造214の磁化の反転によって発生するサイドリーディングを防止できる高さのMRδLBとなるように十分に厚くなければならない。これに対して、縦バイアス層234は、高い読み取り感度を保持できるようにMRδLBを低くするのに十分に薄くなければならない。縦バイアス層234が最適な厚さ、約24nmであれば、MRδLBは2.1memu/cm22枚のCu膜に挟まれた厚さ30nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれまたは、検知層228の飽和モーメントの5倍に対応となり、したがって、高い読み取り感度を維持しながら、検知層構造214を安定化できる。しかしながら、絶縁層202と縦バイアス積層構造204の合計の厚さは41nmはCPP読み取りセンサ201の厚さ27.3nmよりはるかに大きいため、その上に上側強磁性シールド208が堆積されることになる表面形状は急峻すぎるようになる。このように表面形状が急峻であると、読み取り解像度が低下する。したがって、絶縁層202、シード層232、縦バイアス層234の最適厚さを最小限にすることが重要である。特に縦バイアス層234については、MRδLBを変えないようにしなければならないため、δLBは、MRを最大限にすることによってのみ最小化できる。MR=SMSSは直角度、MSは飽和磁化であるため、MRを最大にするには、SまたはMRを最大にすればよい。図3は、先行技術に係るas-deposited状態の82Co-18Pt24/Cr10、Cr4/82Co-18Pt24/Cr10、80Cr-20Mo4/82Co-18Pt24/Cr10膜厚さはnmの磁化容易軸の応答を示す。シード層がない状態で、Co-Pt縦バイアス層234は、Sが0.52と低く、MSは、強磁性80Ni-20Fe膜のそれ700memu/cm3と比較して1,084memu/cm3と高く、HCは1,241Oeと高い。Sが低いのは、Co-Pt縦バイアス層234のc軸がAl2O3絶縁層202とCo-Pt縦バイアス層234との界面に垂直方向に向いていることによるものであり、その結果、MRδLBは1.37memu/cm2と低くなる。これに対して、CrとCr-Moシード層232がある場合、Co-Pt縦バイアス層234は、Sがそれぞれ0.84と0.82と高く、HCがそれぞれ1,438と1,795Oeと高い。Sが高いのは、Co-Pt縦バイアス層234のc軸がCrシード層232とCo-Pt縦バイアス層234の界面に略平行な方向であることによるものであり、その結果、MRδLBは約2.1memu/cm2と高くなる。これに対して、HCも、好ましい結晶集合組織から高くなる。MoをCr原子に加えることによってHCがさらに高くなるのは、Cr-Moシード層232とCo-Pt縦バイアス層234の格子整合が改善されるからである。図4は、先行技術に係る82Co-18Pt24/Cr10、Cr4/82Co-18Pt24/Cr10、80Cr-20Mo4/82Co-18Pt24/Cr10膜を280°Cで5時間アニーリングした後の磁化容易軸の応答を示す。シード層を持たないCo-Pt縦バイアス層234は、Sが0.33と低く、HCは1.177Oeと高い。CrとCr-Moシード層232があると、Co-Pt縦バイアス層234は、Sがそれぞれ0.84と0.82と高く、HCはそれぞれ1,521、1,841Oeと低い。したがって、アニーリング後は、シード層がまったくないとSとHCは若干低下するが、CrとCr-Moシード層232があると、若干増加する。図5は、先行技術に係るCr/82Co-18Pt24/Cr10、80Cr-20Mo/82Co-18Pt24/Cr10膜を280°Cで5時間アニーリングする前と後のHCとシード層の厚さδSの関係を示す。as-deposited状態とアニーリング後の状態のCr/Co-Pt/Cr膜の両方に関して、HCは、Crシード層232の厚さが0から2nmに増大すると、約1,200から約880Oeに低下し、その後、厚さが3nmを超えると、上昇して1,400Oeを超える。as-deposited状態とアニーリング後の状態のCr-Mo/Co-Pt/Cr膜の両方に関して、HCは、Cr-Moシード層232の厚さが0から2nmに増大すると、約1,200から約660Oeに低下し、その後、厚さが3nmを超えると、上昇して1,700Oeを超える。図5は、したがって、CrとCr-Moシード層232のHCに対する影響が、アニーリングの影響よりはるかに大きく、CrとCr-Moシード層232が好ましい結晶集合組織を得るのに十分な厚さである時のみ、好ましいことを示している。図6は、本発明の好ましい実施形態に係る読み取りヘッド600を示しており、各側部領域における改良された縦バイアス積層構造604が提案されている。読み取りヘッド600において、CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201は、図2に示されるものと同じまたはそれより小さく、2つの側部領域において、縦バイアス積層構造604から絶縁層202によって電気的に絶縁され、検知電流が2つの側部領域を通じて短絡することが防止されているが、下側および上側強磁性シールド206、208とは電気的に接続されているため、検知電流はCPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201の膜面に垂直な方向に流れる。縦バイアス積層構造604は、厚さ20nmの硬磁性Fe-Pt膜で形成され、Pt含有量が44から50atである縦バイアス層634と、厚さ60nmの非磁性Ru膜で形成されるキャップ層636を含む。Fe-Pt縦層634の厚さは、MRδLBが1.68memu/cm22枚のCu膜に挟まれた厚さ24nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応となるように選択される。シード層232をなくすことにより、Al2O3絶縁層202の厚さ3nmだけで間隔が決まる。シード層を持たないFe-Pt縦バイアス層634は、後述のように、HCがアニーリング後に2,400Oeより高く、間隔が3nmと狭くなるため、改良された縦バイアス積層構造604は、これまでになく高い記録密度による磁気記録のためにますます小型化されるCPP読み取りセンサ201の検知層構造を安定化させるのにより有効となるであろう。図7は、as-deposited状態Fe-Pt24膜の磁化容易軸の応答を示す。Pt含有量が35.5、41.4、46.8、52.5、56.9atのとき、Fe-Pt膜は、HCがそれぞれ56.0、43.5、32.8、30.7、38.4Oeと低い。このようなHCの低い数値は、この安定化方式において縦バイアス層634として使用するには低すぎる。図8は、280°Cで5時間、アニーリングした後のFe-Pt24膜の磁化容易軸の応答を示す。Pt含有量が35.5、41.4、46.8、52.5、56.9atのとき、Fe-Pt膜は、HCの数値がそれぞれ140、898、2,687、794、50Oeである。HCは、Pt含有量を約46.8atとし、アリーリングした場合のみ、この安定化方式に十分な高さとなる。さらに、53.2Fe-46.8Pt縦バイアス層634をアニーリングした後、そのSは0.96から0.91に低下し、MSは968から914memu/cm3に減少する。したがって、53.2Fe-46.8Ptの縦バイアス層634をアニーリングすると、高いS、MS、HCは高くなり、この安定化方式の縦バイアス層634として使用することができる。さらに、シード層をなくすと間隔が7から3nmに減少するため、求められるMRδLBを実質的に低減させることができ、HCは実質的に高い。図9は、280°Cで5時間アニーリングする前と後のFe-Pt膜のHCとPt含有量の関係を示す。Pt含有量が40から54atの狭い範囲で選択されたときだけ、アニーリングのHCへの影響は非常に大きくなる。図10は、as-deposited状態とアニーリング後の状態の53.2Fe-46.8Pt膜で撮影されたX線回折パターンを示す。強い反射{111}fccおよび弱い反射{200}fccと{211}fcc反射a=0.3799nmを示す面心立方構造fcc相が、as-deposited状態のFe-Pt膜に見られる。このfcc相が不規則であると、as-deosited状態のFe-Pt膜のHCは低いかもしれない。これに対して、強い反射{111}fcc、分離した反射{200}fctと{211}fct、新たに現れた反射{201}fcta=0.3847nm,c=0.3714nm,c/a=0.9654を示す面心正方構造fct相が、アニーリング後の状態のFe-Pt膜に見られる。このfcc相が等原子比、規則的であると、アニーリングされた状態のFe-Pt膜のHCは非常に高いかもしれない。したがって、アニーリングによりHCが大きく増大するのは、FeとPt含有量が約50atの時だけ、不規則なfccがfct相に変化することに関係があるであろう。図11は、本発明の代替の実施形態に係る読み取りヘッド1100を示しており、各側部域においてさらに改良された縦バイアス積層構造1104が提案されている。読み取りヘッド1100において、CPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201は、図2に示されるものと同じまくたはそれより小さく、2つの側部領域において縦バイアス積層構造1104から絶縁層1102によって電気的に絶縁され、2つの側部領域を通じて検知電流が短絡しないようになっている、下側および上側強磁性シールド206、208とは電気的に接続されて、検知電流がCPPTMRまたはGMR読み取りセンサ201の膜面に垂直な方向に流れる。絶縁層1102は、厚さ1.4nmの非磁性アモルファスAl2O3膜で形成される。縦バイアス積層構造1104は、厚さ1.6nmの非磁性多結晶MgO膜で形成される絶縁シード層1132と、Pt含有量が44から50atの範囲で、厚さ20nmの硬磁性Fe-Pt膜で形成される縦バイアス層634と、厚さ60nmの非磁性Ru膜で形成されるキャップ層636を含む。Fe-Pt縦層の厚さは、MRδLBが1.68memu/cm22枚のCuにより挟まれる厚さ24nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応となるように選択される。MgOシード層1132は、Al2O3絶縁層1102の一部の代わりに使用され、別の絶縁層として機能する。その結果、Al2O3絶縁層1102とMgOシード層1132の厚さの合計3nmによって間隔が決定されるため、間隔は狭いままである。さらに、同じ厚さで、2つの似ていない酸化物膜で形成される間隔は一般に、1枚の酸化物膜だけで形成される間隔より高い絶縁破壊電圧絶縁特性を特徴づけるを示し、これは、堆積中の下側酸化物膜におけるピンホールの成長が、2つの似ていない酸化物膜の間の界面で中断されるからである。後述のように、MgOシード層1132を伴うFe-Pt縦バイアス層634では、HCがアニーリング後に3,200Oeを超える程度に高く、間隔が3nmと狭いままであるため、さらに改良された縦バイアス積層構造1104は、さらに高い記録密度での磁気記録のために一段と小型化されたCPP読み取りセンサ201の検知層構造228を安定化させることにおいて、より有効であることが期待される。さらに、本発明の好ましい実施形態と代替の実施形態のどちらにおいても、厚さ1.8nmの非磁性多結晶Ru膜で形成された追加の導電性シード層を、Fe-Pt縦バイアス層634の下に使用することができる。空間が1.8nm大きくなることは望ましくないが、MgOシード層1106と追加のRuシード層を伴うFe-Pt縦バイアス層634では、後述のように、アニーリング後にHCが4,000Oeを超える程度に高くなる。したがって、この方法は、間隔を縮小するという本発明の原理に反しているが、HCが実質的に高いため、依然として容認可能で、魅力的である。図12は、as-deposited状態Fe-Pt20、MgO1.6/Fe-Pt20、MgO1.6/Ru1.8/Fe-Pt20膜の磁化容易軸の応答を示す。MgOとMgO/Ruシード層の使用によって、HCは29.1から、それぞれ25.5と34.2Oeに増大する。したがって、MgOとMgO/Ruシード層がas-deposited状態のFe-Pt膜のHCに対する影響は、まったく魅力的ではない。このように低いHCの数値は、この安定化方式で縦バイアス層634として使用するには低すぎる。図13は、Fe-Pt20、MgO1.6/Fe-Pt20、MgO1.6/Ru1.8/Fe-Pt20膜を280°Cで5時間アニーリングした後の磁化容易軸の応答を示す。MgOとMgO/Ruシード層の使用によって、HCは2,291からそれぞれ3,306と4,010Oeに増大する。したがって、アニーリングがHCに与える影響は非常に大きいだけでなく、アニーリングにより、MgOとMgO/Ruシード層がHCに及ぼす影響も非常に重大となる。このようにHCが非常に高いため、アニーリング後のFe-Pt膜は、MgOとMgO/Ruシード層とともに、この安定化方式での縦バイアス層634として使用することができる。図14は、MgO、MgO1.6/Ru、MgO1.6/Rh、MgO1.6/Ptシード層を伴うFe-Pt20膜のHCとシード層の厚さの関係を示す。HCは、MgOとRuシード層の厚さの増加に伴って増大するが、RhとPtシード層の厚さが増大すると減少する。したがって、Ruシード層は、これら3つの導電シード層の中で最良のものと思われ、より重要な点としては、最大HCを達成するのに、先行技術では厚さが3nm超必要であったのに対し、厚さわずか1.8nmでよい。図15は、Fe-PtとMgO1.6/Fe-Pt膜のHCとFe-Pt膜の厚さの関係を示す。両方ともに、Fe-Pt膜の厚さが増すにつれ、HCが上昇する。HCを2,000Oe超にするには、MgOシード層1132の有無を問わず、Fe-Pt膜の厚さはそれぞれ、12nm、14nmを超えればよい。このようにHCが高ければ、薄いFe-Pt膜を縦バイアス層634として使用し、飽和モーメントを0.28memu/cm22枚のCu膜に挟まれた厚さ4nmの強磁性80Ni-20Fe膜のそれに対応として、検知層構造228を安定化させることができる。さらに、円滑な表面形状も期待できる。注目すべき点として、キャップ層もまた、高いHCを実現する中で重要な役割を果たす可能性がある。表1に、各種のシード層を有するFe-Pt膜のHC値を示す。Ruキャップ層がTaキャップ層の代わりに使用されるほど、HCは実質的に増大する。このことから、非磁性Ru膜でキャップ層を作製することが提案される。さらに、この安定化方式を実行する方法も提案される。読み取りヘッド作製工程終了後に、読み取りヘッド600を高真空炉の中で、センサの前方および後方縁辺に垂直な50,000Oeの磁界中、280°Cで5時間アニーリングし、その後、室温で、センサの前方および後方縁辺に平行な50,000Oeの磁界中で再磁化する。アニーリングと再磁化ステップを行うと、CPP読み取りセンサ201のキーパと基準層222、224の磁化は、センサの前方および後方縁辺に垂直で、相互に反対方向に向き、Fe-Pt縦バイアス層434の磁化は、センサの前方と後方縁辺に対して平行となる。各種の実施形態について説明したが、これらは限定ではなく、例としてのみ提示されたものと理解するべきである。本発明の範囲内に入るその他の実施形態もまた、当業者にとって明らかかもしれない。したがって、本発明の幅と範囲は、上記の実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、以下の特許請求範囲およびその等価物に従ってのみ定義されるべきである。"