"強磁性構造体4であって、シンクロサイクロトロンの中心軸1に対して同軸上に配置され、正中面2に対して平行で実質的に対称なディスク状の二つのシリンダーヘッドプレート16、16’、半径Rの略円形の断面を有し、前記正中面2の両側に配置され、前記中心軸1上に中心があり、キャビティ9を形成する空隙によって離隔されている一対のポール5、5’、及び前記ポール5、5’を取り囲み、前記二つのシリンダーヘッドプレート16、16’を接続するフローリターン部17を備えた強磁性構造体4と、少なくとも二つの磁気誘導コイル3を含む冷質量構造体であって、前記フローリターン部17によって取り囲まれ、前記ポール5、5’を取り囲む冷質量構造体と、前記キャビティ9の半径Rよりも小さくて且つ前記中心軸1上に原点のある半径R1の円形の断面を有する第一の領域6内において前記キャビティ9内に配置された粒子源11とを備えたシンクロサイクロトロンであって、前記キャビティ9を形成する空隙が、前記正中面2に対して実質的に対称なプロファイルを有し、前記空隙の高さが半径方向において変化して、前記空隙のプロファイルが、前記中心軸1から順に、前記中心軸1上に中心のある半径R2の円形の断面を有し、中心における空隙の高さがHcenterに等しい第一の部分6、7であって、高さが半径R2における最大高さHmaxに向けて徐々に増大する環状サブ部分7を備えた第一の部分6、7と、環状の断面を有し、前記第一の部分6、7を取り囲む第二の部分8であって、前記空隙の高さが前記ポール5、5’の縁における高さHedgeに向けて徐々に減少する第二の部分8とを含み、前記空隙の高さHcenterが10cmよりも大きくて、前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.1から1.5の間であることを特徴とするシンクロサイクロトロン。前記第一の部分6、7が、前記中心軸1上に中心のあるR2よりも小さな半径R1の中心サブ部分6であって、前記空隙の高さが一定であり高さHcenterである中心サブ部分6を備えることを特徴とする請求項1に記載のシンクロサイクロトロン。前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.2から1.5の間であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシンクロサイクロトロン。前記最大高さHmax対前記高さHcenterの比が1.2から1.4の間であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシンクロサイクロトロン。前記ポール5、5’が、前記中心軸1上に中心のある一組の傾斜環状表面を備え、各表面が、隣接する表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度を成していることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記中心サブ部分6が、前記キャビティの半径Rの20よりも小さな半径R1にわたって延伸していて、前記第一の部分6、7の前記環状サブ部分7が、前記半径R1と、前記キャビティ9の半径Rの95よりも小さな半径R2との間で延伸していることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記中心サブ部分6が、前記キャビティ9の半径Rの略10の半径R1にわたって延伸していて、前記第一の部分7の前記環状サブ部分7が、前記半径R1と、前記キャビティ9の半径Rの略70の半径R2との間で延伸していることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記粒子源11が、前記中心サブ部分6内に配置されていて、前記正中面2に実質的に平行に前記キャビティ9内に挿入された支持体によって保持されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記ポール5の各々が中実であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記磁気誘導コイル3がNbTi製であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。前記磁気誘導コイル3及び前記強磁性構造体4によって前記キャビティ9に発生する平均磁場が4Tから7Tの間であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のシンクロサイクロトロン。請求項1に記載のシンクロサイクロトロンを製造するための方法であって、前記中心軸の近傍における前記ポール間の空隙の高さHcenterを10cmより大きくなるように設定するステップと、前記空隙の最大高さHmaxを、前記高さHcenterの少なくとも1.1倍よりも大きくて、且つ前記高さHcenterの1.5倍よりも小さくなるように設定するステップと、粒子加速キャビティを形成する前記ポールを取り囲む磁気誘導コイル3内の磁場を設定するステップと、前記ポール間の空隙が磁場集束指標-r/B×dB/drによって設定される条件に合致するような前記ポール間の粒子加速キャビティが得られるように、前記Hceter及び前記Hmax並びに前記磁場コイルを考慮して、前記ポールのプロファイル並びに前記磁気誘導コイル3の寸法及び位置を最適化するステップとを備え、rが粒子の軌道半径であり、前記軌道半径の原点が前記中心軸上の点を通り、Bが前記軌道半径における磁場であり、nが厳密に0から0.2の間である、方法。粒子源からの粒子の抽出の問題を最少化して、シンクロサイクロトロンの製造コストを低下させるため、シンクロサイクロトロンの二本のポール間に設けられた空隙内の磁場を最少化する一方で、シンクロサイクロトロンのサイズを最少化する必要がある。また、ポールのプロファイルが磁場集束指標によって設定される条件に合致して、機械加工の簡単なシンクロサイクロトロンを製造することも望まれている。また、二本のポール間の空隙が粒子源及び高周波振動回路の簡単な挿入を可能にして、従来技術のシンクロサイクロトロンにおける問題を回避することができるシンクロサイクロトロンを製造することも望まれている。本発明は、強磁性構造体、冷質量構造体及び粒子源を備えたシンクロサイクロトロンに関する。強磁性構造体は一般的に、中心軸に対して同軸上に配置され、正中面に対して平行で実質的に対称なディスク状の二つのシリンダーヘッドプレートと、半径Rの略円形の断面を有し、正中面の両側に配置され、中心軸上に中心があり、キャビティを形成する空隙によって離隔された一対のポールと、ポールを取り囲み、二つのシリンダーヘッドプレートを接続するフローリターン部とを備える。冷質量構造体は一般的に、少なくとも二つの磁気誘導コイルを含み、フローリターン部によって取り囲まれ、ポールを取り囲む。粒子源は一般的に、キャビティの半径Rよりも小さな半径R1の第一の円形領域内においてキャビティ内に配置され、その半径R1の原点は中心軸上の点である。キャビティの空隙は通常、正中面に対して実質的に対称なプロファイルを有し、その高さは半径方向において変化する。空隙のプロファイルは、中心軸から順に、中心軸上に中心のある半径R2の円形断面を有し、その中心における空隙の高さがHcenterに等しく、その高さが半径R2における最大高さHmaxに向けて徐々に増大する第一の部分と、第一の部分を取り囲み、その空隙の高さがポールの縁における高さHedgeに向けて徐々に減少する環状断面の第二の部分第二の環状領域とも称されるとを含む。本発明の第一の側面によると、空隙の高さHcenterは10cmよりも大きく、最大高さHmax対高さHcenterの比は1.1から1.5の間であり、有利には1.2から1.5の間であり、好ましくは1.2から1.4の間である。エアギャップのこのプロファイルでは、コイル及び強磁性構造体によってキャビティ内に生成される平均磁場が4Tから7Tの間となり得る点に留意されたい。好ましくは、第一の部分は、中心軸上に中心のあるR2よりも小さな半径R1を有し、その空隙の高さが一定で高さHcenterである中心サブ部分領域6とも称されるを備える。ポールは、有利には、中心軸上に中心のある一組の傾斜環状表面を備え、その各表面は、それに隣接する表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度αを成す。好ましくは、中心サブ部分中心領域は、キャビティの半径Rの20よりも小さな直径R1にわたって延伸し、環状サブ部分第一の環状領域は、半径R1と、キャビティ9の半径Rの95よりも小さな半径R2との間で延伸する。好ましい一実施形態では、中心サブ部分中心領域は、キャビティの半径Rの略10の半径R1にわたって延伸し、第一の環状サブ部分は、その半径R1と、キャビティの半径Rの略70の半径R2との間で延伸する。粒子源は有利には、中心サブ部分内に配置されて、正中面に実質的に平行にキャビティ内に挿入された支持体によって保持される。空隙の比較的大きな高さHcenterのため、粒子源が空隙の中心領域内に半径方向に導入可能であるので、ポールは有利には中実であり得る点に留意されたい。また、比較的弱い磁場のため、磁気誘導コイルがNbTi製となり得る点にも留意されたい。他の側面によると、本発明は、以下のステップを備えたシンクロサイクロトロンの製造方法に関する:‐中心軸の近傍におけるポール間の空隙の高さHcenterを10cmよりも大きくなるように設定するステップと、‐空隙の最大高さHmaxを、高さHcenterの少なくとも1.1倍よりも大きくて、且つ高さHcenterの1.5倍よりも小さくなるように設定するステップと、‐粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、‐ポール間の空隙が磁場集束指標-r/B×dB/drによって設定される条件に合致するようにポール間に粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びに磁場コイルを考慮して、ポールのプロファイル並びに磁気誘導コイル3の寸法及び位置を最適化するステップとを備え、ここで、rは、粒子の軌道半径であり、その半径の中心は中心軸上の点を通過して、Bはその半径における磁場であり、nは厳密に0から0.2の間である必要がある。以下、添付図面を参照して、一例として本発明の実施形態を説明する。図1及び図2は、本発明に係るシンクロサイクロトロンを概略的に示す。シンクロサイクロトロンの一部が図面を煩雑にしないために図示されていない点に留意されたい。本発明を非限定的に例示するために図面に示されるシンクロサイクロトロンは、‐強磁性構造体4であって、○シンクロサイクロトロンの中心軸1に対して同軸上に且つ正中面2に対して平行で実質的に対称に配置されたディスク状のシリンダーヘッドプレート16、16’と称される二枚のベースプレート、○半径Rの略円形の断面を有し、シンクロサイクロトロンの正中面2の両側に配置され、中心軸1上に中心が置かれて、且つキャビティ9を形成する空隙で離隔されている一対のポール5、5’、及び○ポール5、5’を取り囲み且つ二つのシリンダーヘッド16、16’を接続するフローリターン部17を備えた強磁性構造体4と、‐フローリターン部17によって取り囲まれ且つポール5、5’を取り囲む少なくとも二つの磁気誘導コイル3を含む冷質量構造体と、‐キャビティ9の半径Rよりも小さい半径R1を有し、その半径の原点が中心軸1上の点である円形断面を有する第一の領域6内においてキャビティ9内に配置された粒子源11図2を参照と、‐フローリターン部17の外側に配置された高周波電圧源14図2を参照と、‐高周波電圧源14に結合された加速電極図2を参照であって、実質的に半円形であり、ギャップによって互いに離隔されていて、キャビティ9内に配置されていて、正中面2の両側に対して平行で対称的に延伸していて、且つ、粒子源に向き合っている一対の平行プレート12を備えた加速電極と、‐加速電極12を取り囲み且つ電極12から特定の距離に配置された伝送線13とを備える。好ましい一側面によると、シンクロトロンのポール5,5’間の空隙内に発生させる磁場は以下のように選択される:‐200MeVから250MeVの間のエネルギーで粒子を加速させるのに十分高いように;‐過度に高い磁場の作用の下で粒子源から出て行く粒子が粒子源上に戻るのを防止するように;且つ‐シンクロトロンのサイズを最少化するように。ポール間の空隙内に発生させる磁場は、有利には、4Tから7Tの間、好ましくは4Tから6Tの間である。このような磁場の発生には、Nb3Sn超電導コイルを使用する必要がない点に留意されたい。実際、NbTi超伝導コイルが、3Tから5Tの間の磁場を生成するように適合されて、これが、一般的には略2Tである強磁性構造体4によって発生させられる磁場と組み合わされる。NbTi製の超電導コイルは、Nb3Sn製のコイルよりも安価であり実施が容易である。好ましい一側面によると、ポール5によって形成されたキャビティ9は、半径Rを有し、その半径Rの原点は中心軸1上の点を通り、その半径の端はポール5の縁10と一致する。空隙の高さは、磁場集束指標nによって設定される条件に合致するように半径の関数として変化する。好ましくは、空隙は、中心軸から始まってポールの縁に向かう以下の三つの領域6、7及び8を備える:‐有利には平坦でありこれは本発明にとって必須の限定ではない、キャビティの半径Rよりも小さい半径R1の円形であり、その半径R1の原点が中心軸1上の点と一致し、中心軸1近くに配置され、ポール5間の空隙が高さHcenterを有する、中心領域6;‐半径R1の円とキャビティの半径よりも小さい半径R2の第二の円との間に設けられた第一の環状領域7であって、その原点が半径R1の原点と一致し、ポール5間の空隙の高さが、最大高さHmaxまで徐々に増大して、正中面2における粒子の集束を保証するように磁場を徐々に減少させる、第一の環状領域7;‐半径R2の円とポールの縁10との間に設けられた第二の環状領域8であって、ポール間の空隙がポールの縁10において最小高さHminになるように徐々に減少して、磁場を再び増大させて、平衡軌道の周りを軸方向に振動する粒子が同じ平衡軌道の周りで半径方向に振動する粒子と共鳴し始める限界値に磁場集束指標nが達する前に、磁場集束指標nを減少させる、第二の環状領域8。好ましい一側面によると、空隙の最大高さHmaxと中心軸付近での空隙の高さHcenterとの間の比は、厳密に1よりも大きくて且つ1.5よりも小さくて、ポール内部の機械加工を容易にする一方で、磁場集束指標によって設定される条件に合致するようにする。より好ましくは、比Hmax/Hcenterは1.2から1.5の間である。好ましい他の側面によると、ポール5の機械加工を容易にしつつ、第一の環状領域7及び第二の環状領域8を備えた領域が、中心軸1上に中心のある一組の二重環状表面によって特徴付けられて、その各表面が、その隣の表面と、厳密に90°よりも大きい、好ましくは120°よりも大きい、更に好ましくは140°よりも大きい角度αを成す。好ましい更に他の側面によると、中心軸1近くの空隙の高さHcenterは10cmよりも大きく、より好ましくは15cmよりも大きく、より好ましくは18.4cmよりも大きい。従来技術のシンクロサイクロトロンと比較して高い中心軸近くの空隙の高さHcenterによって、粒子源と、加速電極及び伝送線を備えた高周波振動回路との挿入が簡単になる。例えば、空隙を広げることは、加速電極の二枚のプレート12の間のギャップを増大させて、粒子とプレート12との衝突を回避することを可能にする。また、空隙を広げることは、加速電極と伝送線13との間の距離を増大させて、これらの部品間の容量を減少させることができ、電圧源14が少ない電力で加速電極に高周波交流電圧を提供することを可能にする。好ましい追加的な一側面によると、中心軸1に隣接する空隙領域内の高い高さHcenterは、軸方向よりも横方向に粒子源11を挿入することを許容する図2を参照。粒子源11の挿入は、例えば、キャビティ9の外側から延伸し、粒子源内におけるガスの循環用の管と、粒子源を点火するための電気接続部とを備えた支持体15によって行われる。横から粒子源を挿入することによって、シリンダーヘッド16、16’及びポール5、5’に孔を開けることなく、中心軸1に隣接する空隙領域内の磁場集束指標を負の変化を回避して、従来技術のシンクロサイクロトロンよりも大きな直径の粒子源を使用することが可能になる。このようにして、粒子源がより高い粒子流を生成することができる。結果として、中心軸に隣接する空隙領域内における磁場指標の負の変化なしに、粒子源からの出口における粒子のデフォーカシングの問題が最少化されて、従来技術のシンクロサイクロトロンにおいて使用されているような磁場補償リングが任意のものになり、空隙領域を単純化する。本発明に係るシンクロサイクロトロンの非限定的で例示的な一実施形態では、二本のポール間の空隙内の平均磁場は5.6Tである。中心軸に隣接する領域におけるポール間の空隙の高さHcenterは18.4cmであり、最大空隙の高さHmaxは25.3cmである。従って、このシンクロサイクロトロンでは、Hmax/Hcenter比は1.375に等しくなる。ポールの半径rcmの関数として正中面からポールを離隔する距離zcmが表1に与えられている。シンクロサイクロトロンの外半径と高さとはそれぞれ125cm、156cmである。比較可能な磁場に対して、本発明に係るこの実施形態の寸法は、非特許文献1に記載されるサイクロトロンキャビティ内に発生する磁場:5.53T,シンクロサイクロトロンの高さ:173.4cm、シンクロサイクロトロンの外半径:132.3cmよりも小さい。本発明に係る同じ実施形態において、加速電極のプレート間のギャップは2cmであり、これらプレートと伝送線との間のギャップは7.4cmである。当業者であれば、第一の領域における二本のポール間の空隙の高さが10cmよりも大きく、又は最大空隙高さHmax対中心領域における最小空隙の高さHcenterの比が1.1から1.5の間、より好ましくは1.2から1.5の間であるという条件を達成しながら、正中面に対するコイルの位置の関数として、またそのコイルの寸法及び形状によって、ポールのプロファイルを最適化することができる点は留意されたい。上記例では、コイルは、中心軸1上に中心のある55.4cmの内半径、13cmの幅、及び28.1cmの高さを有し、互いに20cm離れている。また、本発明は、空隙によって離隔された二本のポールを備えたシンクロサイクロトロンの製造方法にも関し、その方法は、‐中心軸近くの空隙の高さHcenterを10cmよりも大きく、好ましくは15cmよりも大きく、好ましくは18.4cmよりも大きくて、37cmよりも小さいように設定するステップと、‐空隙の最大高さHmaxを厳密に高さHcenterよりも大きくて、Hcenterの1.8倍よりも小さく設定するステップと、‐粒子加速キャビティを形成するポールを取り囲む磁気誘導コイル内の磁場を設定するステップと、‐ポール間の空隙が磁場集束指標nによって設定される条件に合致するようにポール間に設けられる粒子加速キャビティが得られるように、Hcenter及びHmax並びにコイル内の磁場を考慮して、ポールのプロファイル並びに磁場誘導コイルの寸法及び位置を最適化するステップとを備える。"