"キレート剤と酸化剤と界面活性剤とを少なくとも含み、該キレート剤が、α,ω-ジアミン酢酸、α,ω-ジアミンコハク酸、α,ω-ジアミンプロピオン酸、1,2-ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする酸化銅用エッチング液。前記酸化剤が、過酸化水素、過マンガン酸塩、塩素酸塩、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、過臭素酸、過臭素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、二クロム酸、二クロム酸塩、四酸化オスミウム、メタクロロ過安息香酸、過硫酸塩、及び塩化鉄からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1に記載の酸化銅用エッチング液。前記界面活性剤が、アニオン系界面活性剤又はノニオン系界面活性剤を少なくとも含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化銅用エッチング液。前記キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩、及びクエン酸三ナトリウム塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含み、かつ、前記酸化剤は過酸化水素を含み、前記界面活性剤はアニオン性界面活性剤を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の酸化銅用エッチング液。前記キレート剤の全エッチング液に対する割合が0.00001重量以上10重量以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の酸化銅用エッチング液。基材上に酸化銅のエッチング層を形成する工程1と、請求項1から請求項5のいずれかに記載の酸化銅用エッチング液を用いて前記エッチング層をエッチングする工程2と、を含むことを特徴とするエッチング方法。前記エッチング層を洗浄する工程と、エッチング後の前記基材及び前記エッチング層を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする請求項6記載のエッチング方法。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供することを目的とする。本願発明者らは、かかる課題を解決すべき鋭意検討し実験を重ねた結果、特定のキレート剤及びその塩を少なくとも含むエッチング液を用いることにより、異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させられることを見出し本発明を完成するに至った。本発明の酸化銅用エッチング液は、α,ω-ジアミン酢酸、α,ω-ジアミンコハク酸、α,ω-ジアミンプロピオン酸、1,2-ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、バソクプロインジスルホン酸、グリシン、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種以上のキレート剤を含むことを特徴とする。本発明の酸化銅用エッチング液においては、さらに酸化剤を含むことが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング液においては、さらに界面活性剤を含むことが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング液においては、前記酸化剤が、過酸化水素、過マンガン酸塩、塩素酸塩、臭素酸塩、ヨウ素酸塩、過塩素酸、過塩素酸塩、過臭素酸、過臭素酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸塩、二クロム酸、二クロム酸塩、四酸化オスミウム、メタクロロ過安息香酸、過硫酸塩、及び塩化鉄からなる群より選ばれた少なくとも一種以上を含むことが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング液においては、前記界面活性剤が、アニオン系界面活性剤又はノニオン系界面活性剤を少なくとも含むことが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング液においては、前記キレート剤が、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、クエン酸、バソクプロインジスルホン酸、グリシン及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング液においては、前記キレート剤の全エッチング液に対する割合が0.00001重量以上10重量以下であることが好ましい。本発明の酸化銅用エッチング方法は、上記酸化銅用エッチング液を作用させる際の液吐出圧が、0.005MPa以上0.15MPa以下であることを特徴とする。本発明の酸化銅用エッチング方法は、基材上に酸化銅のレジスト層を形成する工程1と、上記酸化銅用エッチング液を用いて前記レジスト層をエッチングする工程2とを含むことを特徴とする。本発明の酸化銅用エッチング方法においては、前記レジスト層を洗浄する工程と、エッチング後の前記基材及び前記レジスト層を洗浄する工程と、を含むことが好ましい。本発明によれば、酸化数の異なる酸化銅が混在した状態において、特定の酸化数を持つ酸化銅のみを選択的にエッチングすることができる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供することができる。本発明に係る酸化銅用エッチング液のエッチング対象は酸化銅であり、特に酸化数の異なる酸化銅が混在した状態において、特定の酸化数を持つ酸化銅のみをエッチングする際に適している。本発明に係る酸化銅用エッチング液は、特定のキレート剤及びその塩を少なくとも含む。酸化銅IIは露光による熱で分解温度に達すると酸素を放出し、酸化銅IIより小さい酸化数の酸化銅に変化する。本発明に係る酸化銅用エッチング液において、キレート剤は、酸化銅と反応して錯形成することにより、酸化銅を溶解させるために使用される。上記の反応は少なくとも本明細書記載の条件下においては一次反応で進行するが、露光後の酸化銅を溶解させる際の活性化エネルギーは露光前の酸化銅を溶解させる際の活性化エネルギーよりも小さいために、露光後の酸化銅の溶解速度が露光前の酸化銅の溶解速度よりも大きくなる。このため、露光後の酸化銅と露光前の酸化銅が混在した状態において、露光後の酸化銅を選択的に溶解させることができる。また、本発明に係る酸化銅用エッチング液においては、酸化剤の添加により、酸化銅の電位を調整することができる。このため、酸化剤の添加量を調節することにより反応速度や反応の選択性を制御することができる。本発明における特定のキレート剤及びその塩とは、同一分子内に複数のカルボン酸を有する有機酸、銅を包接する化合物、もしくはその塩のことであり、具体例としてはエチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸、1,3-プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、1,2-ジアミノプロパン四酢酸、エチレンジアミン二コハク酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン一コハク酸、1,3-プロパンジアミン二コハク酸、トリエチレンテトラミン三コハク酸、1,2-ジアミノプロパン二コハク酸、エチレンジアミン四プロピオン酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三プロピオン酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二プロピオン酸、1,3-プロパンジアミン四プロピオン酸、ジエチレントリアミン五プロピオン酸、トリエチレンテトラミン六プロピオン酸、1,2-ジアミノプロパン四プロピオン酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、バソクプロインスルホン酸、グリシン及びこれらの酸のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、ポリアルキルアンモニウム塩、ポリアリールアンモニウム塩である。塩としては分子中に含まれる全てのカルボン酸及びスルホン酸が塩になっていてもよく、一部のカルボン酸およびスルホン酸のみが塩になっていてもよい。本発明における特定のキレート剤及びその塩は、これらのキレート剤及びその塩の内少なくとも1種類を含んでいることを特徴とする。これらのキレート剤の中でも、入手の容易さ、水への溶解性という観点から、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸、1,3-プロパンジアミン四酢酸、クエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、バソクプロインスルホン酸、グリシンとそれらの塩が好ましく、さらに、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、クエン酸、バソクプロインジスルホン酸、グリシン、及びこれらの塩がもっとも好ましい。上記キレート剤には銅のエッチング液として用いられているものも存在するが、銅のエッチング液として使用できるものでも、本発明の効果を満たさないものも存在する。例えば、銅アンミン錯体を含有するエッチング液などは銅のエッチング液として用いることができるが、同様のエッチング液では、酸化数の混在した酸化銅を選択的にエッチングすることは困難である。本発明における酸化剤は、一般的に用いられる酸化剤ならば特に制限はなく、具体例としては、過酸化水素、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸アンモニウム、過マンガン酸カルシウム、過マンガン酸マグネシウム、過マンガン酸銀、過マンガン酸バリウム、塩素酸リチウム、塩素酸ナトリウム、塩素酸カリウム、塩素酸アンモニウム、臭素酸リチウム、臭素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、臭素酸アンモニウム、ヨウ素酸リチウム、ヨウ素酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウム、ヨウ素酸アンモニウム、過塩素酸、過塩素酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、過塩素酸アンモニウム、過塩素酸カルシウム、過塩素酸銀、過臭素酸、過臭素酸リチウム、過臭素酸ナトリウム、過臭素酸カリウム、過臭素酸アンモニウム、過臭素酸カルシウム、過臭素酸銀、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸リチウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸アンモニウム、過ヨウ素酸カルシウム、過ヨウ素酸銀、二クロム酸、二クロム酸リチウム、二クロム酸ナトリウム、二クロム酸カリウム、二クロム酸カルシウム、二クロム酸マグネシウム、四酸化オスミウム、メタクロロ過安息香酸、過硫酸リチウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、塩化鉄を挙げることができる。本発明においては、酸化剤は、これらの酸化剤の内少なくとも1種類を含んでいることを特徴とする。これらの酸化剤の中でも、入手の容易さ、安全性、環境負荷の面から、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、過硫酸リチウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、塩化鉄が好ましく、さらに、過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、塩化鉄がもっとも好ましい。本発明における界面活性剤は、濡れ性、浸透性を向上させるものであれば特に制限はなく、市販のものをそのまま用いてもよく、合成してもよい。界面活性剤はアニオン系、カチオン系、ノニオン系、両性の四種が挙げられるが、このうちアニオン系、ノニオン系、両性のものが好ましく、さらにアニオン系、ノニオン系が特に好ましい。これらの界面活性剤は単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。アニオン系界面活性剤としては、カルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型、リン酸エステル型等を挙げることができる。また、ノニオン系界面活性剤としては、ポリエチレングリコール型、ポリアルキレングリコール型、多価アルコール型、アセチレン型等を挙げることができる。具体的には、アニオン系界面活性剤としてオレフィンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、アルキル硫酸エステル、アルキルエーテル硫酸エステル、アルキルカルボン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸及びこれらの塩等が挙げられ、ノニオン系界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエーテル、グリセリン脂肪酸エステル、アセチレンジオール、アセチレングリコール等が挙げられる。酸化銅用エッチング液の発泡性が高いと泡によるエッチングムラが生じやすくなるため、界面活性剤としては発泡性の低いものを用いたり、消泡作用のあるものを同時に添加したりするのも有効である。本発明に係る酸化銅用エッチング液は、キレート剤の濃度を調整することによってエッチング速度を制御することができる。すなわち、酸化剤、界面活性剤の濃度をそのままに、キレート剤の濃度を高くすればエッチング速度は速くなり、逆にキレート剤の濃度を低くすればエッチング速度は遅くなる。速度が速すぎてエッチングムラの原因となるようなら濃度を低くし、速度が遅すぎて効率が悪ければ濃度を高くするなど、レジストの厚みや所望の均一性、効率等から適切な濃度を選択すればよい。上記のような観点から、キレート剤の濃度は全エッチング液に対して0.00001重量以上10重量以下が好ましく、0.00001重量以上1重量以下がさらに好ましく、0.01重量以上1重量以下が最も好ましい。また、本発明における酸化剤は、酸化銅用エッチング液の電位調整に用いられ、その濃度が低すぎるとエッチングが進行しづらくなり、高すぎるとエッチングの選択性を低下させる要因となる。上記のような観点から、酸化剤の濃度は全エッチング液に対して0.01重量以上1重量以下であることが好ましく、0.1重量以上1重量以下であることがさらに好ましい。本発明における界面活性剤は、酸化銅用エッチング液の濡れ性、浸透性向上に用いられる。極端に少量では効果が薄く、逆に濃度が高すぎると発泡が顕著になり、エッチングムラ等の原因になる。上記のような観点から、界面活性剤の濃度は全エッチング液に対して0.00001重量以上1重量以下が好ましく、0.0001重量以上0.1重量以下がさらに好ましく、0.01重量以上0.1重量以下が最も好ましい。本発明に係る酸化銅用エッチング液のpHはキレート剤の種類によって概ね1以上11以下の値をとるが、任意の酸、アルカリを添加してこの範囲内においてpHを変化させても効果は損なわれない。ただし、錯形成を促進あるいは阻害する酸やアルカリ、電位を大きく変化させる酸化、還元作用のある酸やアルカリを用いた場合は、所望の効果が得られなくなる場合がある。また、pH1以上11以下の範囲を大きく外れた場合、異なるメカニズムでエッチングが進行し、所望の効果が得られなくなる場合がある。上記の条件を満たす好ましい酸、アルカリとしては、塩酸、硫酸、硝酸、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムを挙げることができ、この中でも塩酸、硫酸、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムが特に好ましい。酸化銅用エッチング液をレジストなどに作用させる酸化銅用エッチング方法は特に限定されず、酸化銅用エッチング液にレジストを浸漬させてもよく、酸化銅用エッチング液をレジストに噴射してもよい。酸化銅用エッチング液にレジストを浸漬させる際に液を循環、あるいはレジストを動作させることにより、単位時間当たりにレジストに当たる液の量を増加させると、エッチング速度を上げることができる。また、酸化銅用エッチング液をレジストに噴射する際に液の吐出圧を上げることで、エッチング速度を上げることができるが、吐出圧が大きすぎるとエッチングの選択性、均等性が低下する場合がある。また、吐出圧が小さすぎると噴霧する液が均等に作用しなくなるため、エッチングの均等性が低下する場合がある。これらの点を鑑みると吐出圧は0.005MPa以上0.15MPa以下が好ましく、0.01MPa以上0.10MPa以下が特に好ましく、0.01MPa以上0.05MPa以下が最も好ましい。酸化銅用エッチング液をレジストに噴射させる場合は、ノズルを移動させる、レジストを回転させる等の方法を単独で用いる、または併用すると、エッチングが均一に進行するため、好ましい。噴射に用いるノズルの種類は任意のものが使用可能であり、例えばラインスリット、フルコーンノズル、ホローコーンノズル、フラットノズル、均一フラットノズル、ソリッドノズル等を挙げることができ、レジストや基材の形状に合わせて選択できる。また、当然のことであるが、複数のノズルを並べて用いても構わないし、ノズルは一流体ノズルでも二流体ノズルでも構わない。酸化銅用エッチング液をレジストに作用させる際の温度を制御することでエッチング速度を変化させることが可能である。温度は酸化銅用エッチング液が凍結、沸騰、極端に濃度が変化する速度での揮発、あるいは酸化銅用エッチング液中の成分やレジストの分解を引き起こす範囲を避ければ任意に設定することが可能である。上記の理由から、温度範囲は0°C以上80°C以下が好ましく、10°C以上60°C以下がさらに好ましく、10°C以上40°C以下が最も好ましい。酸化銅用エッチング液をレジストに作用させる際に、不溶性の微粉末等の不純物が酸化銅用エッチング液中に存在すると、特に微細なパターンをエッチングする際にムラの原因となる恐れがあるので、エッチング液を事前にろ過しておくことが好ましい。ろ過に用いるフィルターの材質は酸化銅用エッチング液と反応しないものなら任意に選択でき、例えばPFA、PTFE等を挙げることができる。フィルターの目の粗さはパターンの微細度合いに応じて選択すればよいが、一般には0.2μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。また、溶出した成分の析出、再付着を防ぐためには、浸漬より噴射が好ましく、さらに、酸化銅用エッチング液をレジストに噴射する場合は酸化銅用エッチング液を循環させず、使い捨てにするほうがより好ましい。本発明に係る酸化銅用エッチング液を作用させるレジストの基材となるものは、材質、形状について特に制限を受けない。しかし、表面平滑性、加工性に優れる材質であった方が好ましく、そのような材質としては、ガラス、シリコン、二酸化ケイ素、アルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、及びそれらのめっきを施したもの等を挙げることができ、この中でもガラス、シリコン、二酸化ケイ素、アルミニウム、チタニウム、銅、及びそれらのめっきを施したものが特に好ましい。また、形状としては平板のような二次元状であっても構わないし、ロールのような三次元状であっても構わない。以下、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明するが、本発明はこの実施例により制限されるものではない。実施例150mmφのガラス平板基板上に、スパッタリング法を用いて、下記の条件にて酸化銅を製膜した。ターゲット:酸化銅II3インチφ電力W:RF100ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス比率9:1圧力Pa:0.5膜厚nm:20この酸化銅膜を以下の条件にて露光した。露光用半導体レーザー波長:405nmレンズ開口数:0.85露光レーザーパワー:1mW~10mW送りピッチ:260nm露光中にレーザーの強度を変調させることで、さまざまな形状やパターンを作製できるが、実験ではエッチング後の界面を評価しやすくするために、パターンとして連続の溝形状を使用した。形成する形状は目的とする用途によっては孤立した円形、楕円形状等でも構わず、本発明は露光形状によって何ら制限を受けるものではない。次に、露光により価数の混在した酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。なお、アデカトールSO-135は、アデカ社製のノニオン性界面活性剤である。酸化銅用エッチング液のpHは4.6だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩1.7g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.30g水300gエッチングは23°Cにおいて8分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅膜のAFM原子間力顕微鏡像を、キーエンス社製VN-8000を用いて測定した図1。その結果、平均溝深さ16.5nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は100nmであった。以上より、露光により酸化数の変化した酸化銅のみが選択的にエッチングされ、露光されなかった酸化銅IIはエッチングされないことを示す結果となった。実施例2実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは7.5だった。クエン酸三ナトリウム塩1.4g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて30分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した図2。その結果、溝深さ20.0nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は82nmであった。実施例3実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは6.0だった。グリシン1.6g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて16分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ20.0nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は100nmであった。実施例4実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を、下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは4.6だった。クエン酸三ナトリウム塩1.4g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300g塩酸pH4.6になるまで加えるエッチングは23°Cにおいて30分間、エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ20.0nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は92nmであった。実施例5実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは5.3だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩0.017g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて90分間、エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ15.2nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は110nmであった。実施例6実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは4.0だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩17g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて10分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ13.2nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は155nmであった。実施例7実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは4.5だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩1.7g30過酸化水素水0.10gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて60分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ18.5nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は97nmであった。実施例8実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは4.6だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩1.7g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.0010g水300gエッチングは23°Cにおいて60分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ16.0nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は80nmであった。実施例9実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。酸化銅用エッチング液のpHは2.5だった。クエン酸1.4g30過酸化水素水1.9gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチングは23°Cにおいて8分間、酸化銅用エッチング液に価数の混在した酸化銅を浸漬させることで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した図3。その結果、溝深さ20.0nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は85nmであった。実施例10実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を実施例1と同様の条件で作製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。エッチングは23°Cにおいて10分間、エッチング液を酸化銅に対して、ラインスリットノズルを用いて吐出圧0.03MPaで噴射することで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ14.2nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は142nmであった。実施例11長さ100mm、120mmφのアルミニウムロール基板上に、スパッタリング法を用いて、下記の条件にて酸化銅を製膜した。ターゲット:酸化銅II3インチφ電力W:RF100ガス種類:アルゴンと酸素の混合ガス比率9:1圧力Pa:0.5膜厚nm:20この酸化銅膜を以下の条件にて露光した。露光用半導体レーザー波長:405nmレンズ開口数:0.85露光レーザーパワー:1mW~10mW送りピッチ:260nm次に、露光し、価数の混在している酸化銅を実施例1と同様の条件にて調製した酸化銅用エッチング液によってエッチングした。エッチングは23°Cにおいて10分間、酸化銅用エッチング液を価数の混在した酸化銅に対して、ラインスリットを用いて吐出圧0.02MPaで噴射することで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、溝深さ14.8nmの周期的溝形状が観測された。ピッチ260nmに対して、溝幅は135nmであった。比較例1実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製したエッチング液によってエッチングした。硫酸銅五水和物6.6g水300gアンモニア水pH9になるまで加えるエッチングは23°Cにおいて60分間浸漬させることにより行い、AFM像を測定したが、溝形状は観測されず、本エッチング液では酸化数に差のある酸化銅の混合物から一方のみを選択的にエッチングすることはできなかった。比較例2実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製したエッチング液によってエッチングした。エッチング液のpHは6.0だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩0.001g30過酸化水素水1900gアデカトールSO-135400g水300kgエッチングは23°Cにおいて120分間浸漬させることにより行い、AFM像を測定したが、溝形状は観測されず、本エッチング液では酸化数に差のある酸化銅の混合物から一方のみを選択的にエッチングすることはできなかった。比較例3実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を下記条件にて調製したエッチング液によってエッチングした。エッチング液のpHは4.4だった。エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム塩1.7g30過酸化水素水19gアデカトールSO-1350.40g水300gエッチング液に23°Cにおいて5分間浸漬させたところ、酸化銅膜がすべて消失した。AFM像を測定したが溝形状は観測されず、本エッチング液では酸化数に差のある酸化銅の混合物から一方のみを選択的にエッチングすることはできなかった。比較例4実施例1と同様の条件で製膜、露光し、価数の混在している酸化銅を実施例1と同様の条件にて調整したエッチング液によりエッチングした。エッチングは23°Cにおいて2分間、エッチング液を価数の混在した酸化銅に対して、ラインスリットを用いて吐出圧0.3MPaで噴射することで行った。次に、エッチングした酸化銅のAFM像を測定した。その結果、ある場所では溝深さ5.8nmの周期的溝形状が観測されたものの、別の場所では溝形状が観測されず、エッチングの選択性、均等性が低下する結果となった。"