"第一基板と、前記第一基板と互いに対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた第一電極、および前記第二基板に設けられて前記第一電極と互いに対向する第二電極を備えた静電アクチュエーターと、を具備し、前記第二基板は、前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、円形状に設けられ、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記第一電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分電極および第二部分電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出電極と、第二部分電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出電極とが設けられ、前記第二電極は、前記平面視において、前記第一部分電極に重なる第一対向領域と、前記第二部分電極に重なる第二対向領域とを備え、前記可動部の中心点を中心とした円環状であり、前記第一部分電極および前記第二電極の前記第一対向領域の間で構成された第一部分アクチュエーターは、前記平面視において、前記仮想円に沿って同幅寸法となり、前記第二部分電極および前記第二電極の前記第二対向領域の間で構成された第二部分アクチュエーターは、前記平面視において、前記仮想円に沿って同幅寸法となることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載に波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一部分電極は、第一仮想円に沿う円環形状であり、前記第二部分電極は、前記第一仮想円よりも径寸法が大きい第二仮想円に沿う円弧形状であることを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一部分電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記第二部分電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分電極と点対称となる位置に設けられたことを特徴とする波長可変干渉フィルター。請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、を具備したことを特徴とする光モジュール。請求項4に記載の光モジュールと、前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、を具備したことを特徴とする光分析装置。ところで、上記特許文献2の波長可変干渉フィルターでは、可動ミラーに矩形状の浮遊電極が形成されている。このような構成では、光透過部の中心に対して、円周方向に沿って作用する静電引力にムラが生じる。例えば、光透過部の中心から浮遊電極の矩形頂点方向に向かう直線領域では、制御電極に対向する長さが長く、静電引力が大きく作用する。一方、光透過部の中心から浮遊電極の矩形の辺の中点に向かう直線領域では、制御電極に対向する長さが短く、静電引力が小さくなる。つまり、光透過部の中心点に対して周方向に静電引力のバランスをみると、光透過部の中心から矩形頂点方向に向かう領域での静電引力が大きく、その他の領域での静電引力が小さくなり、静電引力にムラが生じてしまう。また、静電引力は、電極間の距離が小さくなればなるほど大きな力が作用する。したがって、電圧を印加するほど、光透過部の中心から浮遊電極の矩形頂点方向に向かう直線領域で作用する静電引力と、光透過部の中心から浮遊電極の矩形の辺の中点に向かう直線領域で作用する静電引力との差が大きくなり、可動ミラーに撓みを生じさせるおそれがある。この場合、波長可変干渉フィルターの分解能が低下してしまうという問題がある。本発明は上述のような問題に鑑みて、簡単な構成で、反射膜間のギャップ寸法を変化させた場合でも分解能の低下を抑制でき、かつ容易に配線を接続可能な波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板と互いに対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた第一電極、および前記第二基板に設けられて前記第一電極と互いに対向する第二電極を備えた静電アクチュエーターと、を具備し、前記第二基板は、前記第一基板および前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、円形状に設けられ、前記第二反射膜が設けられた可動部と、前記可動部を前記第一基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備え、前記第一電極は、前記平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円に沿って設けられた第一部分電極および第二部分電極を備え、前記第一基板には、前記第一部分電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第一引出電極と、第二部分電極から前記第一基板の外周縁に向かって延出する第二引出電極とが設けられ、前記第二電極は、前記平面視において、前記第一部分電極に重なる第一対向領域と、前記第二部分電極に重なる第二対向領域とを備え、前記可動部の中心点を中心とした円環状であり、前記第一部分電極および前記第二電極の前記第一対向領域の間で構成された第一部分アクチュエーターは、前記平面視において、前記仮想円に沿って同幅寸法となり、前記第二部分電極および前記第二電極の前記第二対向領域の間で構成された第二部分アクチュエーターは、前記平面視において、前記仮想円に沿って同幅寸法となることを特徴とする。この発明では、第一基板に形成された第一電極は、互いに絶縁された第一部分電極および第二部分電極を備え、第一部分電極には第一引出電極、第二部分電極には第二引出電極がそれぞれ接続されている。また、第二基板に形成された第二電極は、第一部分電極に対向する第一対向領域、および第二部分電極に対向する第二対向領域を備えた円環形状に形成されている。このような構成では、第一引出電極および第二引出電極間に電圧を印可すると、第一部分電極および第二電極の第一対向領域の間、第二部分電極および第二電極の第二対向領域の間に、それぞれ電圧が印可される。これにより、これらの電極間で発生する静電引力により、第一基板および第二基板のうち少なくともいずれか一方を、他方の基板に向かって撓ませることが可能となり、第一反射膜および第二反射膜間のギャップの間隔寸法を変更させることができる。そして、第一引出電極および第二引出電極は、第一基板に形成されているので、波長可変干渉フィルターを、センサー本体等の光モジュールに組み込む際でも、第一基板に形成された各引出電極に対して配線作業を実施するだけでよく、作業効率を向上させることができる。また、例えば、第一基板および第二基板の双方に引出電極が形成され、第一基板を光モジュールの固定部に固定した状態で、これらの引出電極に配線作業を実施する場合、第二基板の引出電極に配線を接続する際に、第二基板を第一基板から引き離す方向に応力が加わる場合がある。この場合、第一基板および第二基板が剥離したり、応力により、基板が撓んで反射膜間のギャップが変動したりするおそれもあり、剥離や基板の撓みを防止するために弱い力で配線を実施すると、配線信頼性が低下してしまうおそれもある。これに対して、本実施形態では、第一基板にのみ第一引出電極および第二引出電極が形成されているため、例えば光モジュールの固定部に第一基板を固定して配線作業を行う場合、第二基板に対して応力が加わらず、剥離や基板撓み等の不都合を防止することができ、十分な配線信頼性をも得ることができる。また、第一部分電極と第二電極の第一対向領域により構成された第一部分アクチュエーター、および第二部分電極と第二電極の第二対向領域により構成された第二部分アクチュエーターは、それぞれ、仮想円の円周方向に沿って同一幅寸法に形成されているため、円周方向に沿って静電引力にムラが生じることがない。したがって、可動部を変位させた際に、静電引力のムラによる可動部の傾斜や撓みを防止でき、波長可変干渉フィルターにおける分解能を高精度に維持することができる。さらに、第二電極は、可動部の中心点を中心とした円環形状に形成されているため、第二電極の膜応力が保持部に及ぼす影響が周方向に沿って均一となり、第二電極の膜応力による保持部の撓みや可動部の傾斜を防止できる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一部分電極は、第一仮想円に沿う円環形状であり、前記第二部分電極は、前記第一仮想円よりも径寸法が大きい第二仮想円に沿う円弧形状であることが好ましい。この発明では、第一電極は、第一仮想円に沿った円環状の第一部分電極と、第二仮想円に沿った円弧状の第二部分電極とを備えている。ここで、第二部分電極は、第一引出電極を引き回すために円弧状に形成されるものであり、第一引出電極が通る隙間だけ端部間が開口したC字状に形成されていることがより好ましい。このような構成では、第一部分アクチュエーターにおいて発生する静電引力を、第一仮想円の全周において、均一にすることができ、より確実に静電引力のムラを防止することができる。また、第二部分アクチュエーターにおいて発生する静電引力においても、ほぼ全周において、均一にすることができ、静電引力のムラを防止することができる。したがって、静電引力ムラによる可動部の撓みや傾斜をより確実に防止することができる。本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一部分電極は、第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記第二部分電極は、前記第一仮想円に沿う円弧形状であり、前記平面視において、前記第一部分電極と同一形状に形成され、かつ、前記可動部の中心点に対し、前記第一部分電極と点対称となる位置に設けられたことが好ましい。この発明では、第一部分電極および第二部分電極は、同一の第一仮想円上に沿い、互いに点対称となる位置に設けられている。このような構成では、第一部分アクチュエーターおよび第二部分アクチュエーターにおいて発生する静電引力を同値にすることができる。このため、例えば初期状態において、保持部に測定精度に影響しない程度の傾斜があり、電極間のギャップが第一部分アクチュエーターと第二部分アクチュエーターとで異なっていたとしても、その差が大きくなることなく、可動部を平行に第一基板側に移動させることができる。本発明の光モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部と、を具備したことを特徴とする。この発明では、光モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターを備えている。波長可変干渉フィルターは、上記のように、光モジュールの組み込む際に容易に配線作業を実施でき、配線信頼性も向上させることができる。したがって、光モジュールにおいても、波長可変干渉フィルターを容易に組み込むことができ、製造効率を向上させることができ、かつ配線信頼性も向上させることができる。また、波長可変干渉フィルターの分解能の低下をも抑えることができるため、光モジュールにおいても、高分解能で取り出された光により、測定対象となる光の正確な光量を測定することができる。本発明の光分析装置は、上述したような光モジュールと、前記光モジュールの前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部と、を具備したことを特徴とする。ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。この発明では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、高い配線信頼性を有するため、このような光モジュールを備えた光分析装置においても、高い信頼性を得ることができる。また、光モジュールにより測定対象光の正確な光量を測定できるので、この測定された光量により、精度の高い光分析処理を実施することができる。第一実施形態以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。1.測色装置の全体構成図1は、本発明に係る実施形態の測色装置光分析装置の概略構成を示す図である。この測色装置1は、本発明の光分析装置であり、図1に示すように、測定対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を測定対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Aの色を分析して測定する装置である。2.光源装置の構成光源装置2は、光源21、複数のレンズ22図1には1つのみ記載を備え、測定対象Aに対して白色光を射出する。複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば測定対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。3.測色センサーの構成測色センサー3は、本発明の光モジュールを構成する。この測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光して検出する検出部31と、波長可変干渉フィルター5に駆動電圧を印可する電圧制御部32と、を備えている。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、測定対象Aで反射された反射光検査対象光を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部31にて受光する。検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。3-1.波長可変干渉フィルターの構成図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、波長可変干渉フィルター5の断面図である。波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明の第一基板である固定基板51、および本発明の第二基板である可動基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される接合部513,523が、例えば常温活性化接合やプラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより、接合されることで、一体的に構成されている。固定基板51には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜56が設けられ、可動基板52には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜57が設けられている。ここで、固定反射膜56は、固定基板51の可動基板52に対向する面に固定され、可動反射膜57は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜56および可動反射膜57は、ギャップを介して対向配置されている。さらに、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。この静電アクチュエーター54は、固定基板51側に設けられる本発明の第一電極としての固定電極541と、可動基板52側に設けられる本発明の第二電極としての可動電極542とを備えている。3-1-1.固定基板の構成図4は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における固定基板51を可動基板52側から見た平面図である。固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極形成溝511および反射膜固定部512が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極541および可動電極542間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極541の内部応力による固定基板51の撓みはない。電極形成溝511は、図4に示すように、平面視で、固定基板51の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部512は、前記平面視において、電極形成溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。また、固定基板51には、電極形成溝511から、固定基板51の外周縁の頂点C1,C3方向に向かって延出する一対の電極引出溝514が設けられている。そして、固定基板51の電極形成溝511の溝底部である電極形成面511Aには、固定電極541が形成されている。この固定電極541は、図4に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上に配置される円弧状の一対の固定部分電極本発明の第一部分電極を構成する第一固定部分電極543A,本発明の第二部分電極を構成する第二固定部分電極543Bにより構成されている。これらの固定部分電極543A,543Bは、それぞれ、基板厚み方向から見た平面視における平面形状が同一で、略半円形状となる円弧状に形成され、かつ同一厚み寸法に形成されている。各固定部分電極543A,543Bの幅寸法円弧の内径部と外径部との距離は均一となっている。そして、これらの固定部分電極543A,543Bは、平面視において、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して互いに点対称となるように配置されている。また、固定基板51には、第一固定部分電極543Aから延出する第一引出電極545と、第二固定部分電極543Bから延出する第二引出電極546と、を備えている。第一引出電極545は、第一固定部分電極543Aの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C1方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第一電極パッド545Pが設けられている。また、第二引出電極546は、第二固定部分電極543Bの外周縁から、図4における固定基板51の頂点C3方向に延出した電極引出溝514に沿って形成され、その先端部には、電圧制御部32に接続される第二電極パッド546Pが設けられている。さらに、これらの固定部分電極543A,543B上には、固定電極541および可動電極542の間の放電を防止するための絶縁膜図示略が積層されている。反射膜固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸上で、電極形成溝511よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、反射膜固定部512の可動基板52に対向する反射膜固定面512Aが、電極形成面511Aよりも可動基板52に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面511Aおよび反射膜固定面512Aの高さ位置は、反射膜固定面512Aに固定される固定反射膜56、および可動基板52に形成される可動反射膜57の間のギャップの寸法、固定電極541および可動電極542の間の寸法、固定反射膜56や可動反射膜57の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面511Aと反射膜固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極形成面511Aの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。そして、反射膜固定面512Aには、円形状に形成される固定反射膜56が固定されている。この固定反射膜56としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にAg合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばAg合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をTiO2、低屈折層をSiO2とした誘電体多層膜を用いることができる。さらに、固定基板51は、可動基板52に対向する面とは反対側の面において、固定反射膜56に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。3-1-2.可動基板の構成図5は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における可動基板52を固定基板51側から見た平面図である。可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、可動基板52は、図2、図5に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する保持部522と、を備えている。また、可動基板52は、図2および図5に示すように、第一電極パッド545Pおよび第二電極パッド546Pに対向する位置に、切欠部524を備えている。このような構成では、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から見た面に電極パッド545P、546Pが露出する。可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、反射膜固定部512に平行な可動面521Aを備え、この可動面521Aに、固定反射膜56とギャップを介して対向する可動反射膜57が固定されている。ここで、この可動反射膜57は、上述した固定反射膜56と同一の構成の反射膜が用いられる。さらに、可動部521は、可動面521Aとは反対側の面において、可動反射膜57に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成され、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。このため、保持部522は可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された可動反射膜57の撓みも防止できる。そして、この保持部522の固定基板51に対向する面には、固定電極541と、初期状態において約1μmの隙間を介して対向する、本発明の第二電極を構成する可動電極542が形成されている。この可動電極542は、図5に示すように、仮想円Qに沿い、内径寸法と外形寸法との差である幅寸法が仮想円Qの円周方向に沿って同一幅寸法となる円環状に形成されている。ここで、可動電極542は、図2に示すような基板厚み方向から見た平面視において、第一固定部分電極543Aと重なり合う第一対向領域544A、および第二固定部分電極543Bと重なり合う第二対向領域544Bを含む円環状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aと、可動電極542の第一対向領域544Aとにより、第一部分アクチュエーター55Aが構成され、第二固定部分電極543Bと、可動電極542の第二対向領域544Bとにより、第二部分アクチュエーター55Bが構成される。3-1-3.静電アクチュエーターの構成図6は、第一実施形態の静電アクチュエーター54の配線図である。静電アクチュエーター54は、上述したように、第一固定部分電極543Aおよび可動電極542の第一対向領域544Aにより構成される第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動電極542の第二対向領域544Bにより構成される第二部分アクチュエーター55Bと、を備えている。このような静電アクチュエーター54では、第一引出電極545の第一電極パッド545Pと、第二引出電極546の第二電極パッド546Pとの間に駆動電圧Vが印可されると、各部分アクチュエーター55A,55Bには、容量リアクタンスに応じた分圧V1,V2が印可される。また、各部分アクチュエーター55A,55Bは、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、同一形状に形成され、仮想円Q上で等角度間隔180度に配置されている。したがって、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける電極間の寸法電極間ギャップをそれぞれd1、d2、第一及び第二固定部分電極543A,543B、第一対向領域544A、および第二対向領域544Bの面積をS、誘電率をεとすると、各部分アクチュエーター55A,55Bの静電容量C1,C2はそれぞれ、以下の式1~2で表される。数1C1=εS/d1...1C2=εS/d2...2ここで、各部分アクチュエーター55A,55Bは、電気的に直列接続されているため、これらの部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qは同値となり、以下の式3が成立する。数2Q=C1V1=C2V2...3一方、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、各部分アクチュエーター55A,55Bの電極間の電界E1,E2と、各部分アクチュエーター55A,55Bで保持される電荷量Qとの積E1Q,E2Qとなる。したがって、静電引力F1,F2は、上記式1~3を代入すると、以下の式4~5のように表せる。数3F1=E1Q=Q2/εS...4F2=E2Q=Q2/εS...5すなわち、上記式4~5に示されるように、各部分アクチュエーター55A,55Bに作用する静電引力F1,F2は、部分電極間ギャップd1、d2の値によらず同値となる。したがって、例えば、初期ギャップにおいて、電極間ギャップd1、d2の値に、例えば測定精度に影響しない程度の僅かな差があり、静電アクチュエーター54に電圧を印可した場合であっても、これらの電極間ギャップd1、d2の差が開くことがなく、保持部522を均一に撓ませることができる。3-1-4.波長可変干渉フィルターへの配線図7は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造を示す図である。図8は、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込んだ際の配線構造の他の例を示す図である。波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む場合、一般には、測色センサー3に設けられたフィルター固定基板に直接波長可変干渉フィルター5を固定したり、ケースに波長可変干渉フィルター5を保持し、ケースをフィルター固定基板に固定したりする。そして、波長可変干渉フィルター5の電極パッド545P,546Pと、測色センサー3の電圧制御部32とを接続する場合、波長可変干渉フィルター5が固定部33に固定された状態で配線が施される。この時、波長可変干渉フィルター5への配線としては、例えば、電極パッド545P,546P上に溶融状態のAgペースト等の導電性部材35を設け、導電性部材35が固化する前に、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から、リード線36を接続する。この場合、配線作業を、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から容易にリード線36を接続することができる。また、波長可変干渉フィルター5への配線としては、例えばFPC37FlexiblePrintedCircuitsを、異方性導電フィルムACF:AnisotropicConductiveFilmまたは、異方性導電ペーストACP:AnisotropicConductivePaste等の異方性導電層38を介して接続してもよい。この場合、電極パッド545P,546P上に異方性導電層38を形成し、FPC37を被せた後、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側からFPC37を押圧する。この場合でも、可動基板52に応力が加わらないため、固定基板51と可動基板52との剥離や、可動基板52の撓みなどがなく、波長可変干渉フィルター5の性能を維持することができる。3-2.電圧制御手段の構成電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54に印加する電圧を制御する。4.制御装置の構成制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、測定対象Aの色度を分析する。5.本実施形態の作用効果上述したように、上記実施形態の波長可変干渉フィルター5は、固定電極541が互いに絶縁された第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bにより構成され、可動電極542は、第一固定部分電極543Aに対向する第一対向領域544Aおよび第二固定部分電極543Bに対向する第二対向領域544Bを含むリング状に形成されている。そして、第一固定部分電極543Aには第一引出電極545が形成され、第二固定部分電極543Bには第二引出電極546が形成されている。このような構成では、第一引出電極545の第一電極パッド545Pと、第二引出電極546の第二電極パッド546Pとの間に駆動電圧を印可することで、第一固定部分電極543Aおよび可動電極542の第一対向領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび可動電極542の第二対向領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bを駆動させることができる。そして、第一引出電極545、第一電極パッド545Pおよび第二引出電極546は、固定基板51上に形成され、それぞれ固定基板51の外周縁に形成された第一電極パッド545P、および第二電極パッド546Pに接続されている。このため、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む際、Agペーストなどの導電性部材35を介してリード線36を接続する際でも、異方性導電層38を介してFPC37を接続する際でも、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から配線作業を簡単に実施できる。また、配線により、固定部33に固定される固定基板51に対して応力が加わることがあったとしても、可動基板52には応力が加わらないので、固定基板51および可動基板52の剥離や、可動基板52の傾斜が発生せず、波長可変干渉フィルターの性能低下を防止できる。また、固定基板51の各電極パッド545P,546Pに対して確実に配線することができるので、配線信頼性が向上し、測色センサー3や測色装置1の信頼性をも向上させることができる。また、可動基板52には、電極パッド545P,546Pの位置に対応して切欠部524が形成されている。このため、配線作業時に、可動基板52が邪魔になることがない。また、可動基板52に応力を加えることなく配線を実施できる。また、各部分アクチュエーター55A,55Bにおける、仮想円Qの周方向および基板厚み方向に対して直交する幅寸法は、均一に形成されている。このため、各部分アクチュエーター55A,55Bにおいて、周方向に沿った静電引力のムラがなく、可動部521を精度よく変位させることができる。そして、固定電極541の第一固定部分電極543Aおよび第二固定部分電極543Bは、平面視において同一形状に形成されており、仮想円Qの円周上で、中心点Oに対して点対称となる位置に配置されている。また、第一固定部分電極543Aおよび第一対向領域544Aにより構成された第一部分アクチュエーター55Aと、第二固定部分電極543Bおよび第二対向領域544Bにより構成された第二部分アクチュエーター55Bとは、電気的に直列に接続されている。このため、静電アクチュエーター54に駆動電圧を印可した際に、各部分アクチュエーター55A,55Bに同一大きさの静電引力が作用する。したがって、固定反射膜56および可動反射膜57間のギャップを変動させた場合でも、固定反射膜56および可動反射膜57の平行性を維持することができ、分解能の低下を抑えることができる。さらに、可動電極542は、可動基板52の保持部522上で、仮想円Qの円周に沿うリング状に形成されている。すなわち、可動部521の中心点に対して点対称となる形状に形成されている。さらには、可動基板52には、可動電極542から延出する引出電極等が不要であり、引出電極による膜応力なども発生しない。このため、保持部522に作用する可動電極542の膜応力が均一となり、保持部522の応力バランスを均一に保つことができ、可動部521の傾斜を抑えることができる。したがって、反射膜56,57間のギャップ寸法を均一にすることができ、波長可変干渉フィルター5の分解能を高精度に維持することができる。第二実施形態次に、本発明の第二実施形態について図面に基づいて説明する。第二実施形態は、上記第一実施形態の測色装置1における波長可変干渉フィルター5を変形したものである。したがって、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aについて、以下説明する。図9は、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aの概略構成を示す平面図である。図10は、波長可変干渉フィルター5Aの固定基板51を可動基板52側から見た平面図である。図11は、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52を固定基板51側から見た平面図である。図12は、波長可変干渉フィルター5Aの断面図である。なお、上記第一実施形態と同一の構成については同符号を付し、その説明を省略または簡略する。上述した第一実施形態の波長可変干渉フィルター5では、1つの仮想円Qに沿って、2つの部分アクチュエーター55A,55Bが配置される例を示した。これに対して、第二実施形態では、中心点Oに対して同心円となる2つの仮想円Q1、Q2に沿って、部分アクチュエーター55C,55Dが配置される。以下、その構成について詳述する。6.波長可変干渉フィルターの構成6-1.固定基板の構成波長可変干渉フィルター5Aの固定基板51には、第一実施形態と同様に、エッチングにより電極形成溝511および反射膜固定部512が形成されている。電極形成溝511には、第一固定部分電極543Cおよび第二固定部分電極543Dを備えた固定電極541が形成されている。ここで、第一固定部分電極543Cは、図9および図10に示すように、固定反射膜56の中心点Oを中心とした仮想円Q1に沿ったリング状に形成され、その幅寸法は同一寸法均一に形成されている。また、固定基板51には、第一固定部分電極543Cから頂点C1方向に向かって延出する第一引出電極545が設けられている。一方、第二固定部分電極543Dは、第一固定部分電極543Cの外周側に設けられ、仮想円Q1よりも径寸法が大きい仮想円Q2に沿い、第一引出電極545に対応した位置のみが開口するC字状に形成され、その幅寸法は同一寸法均一に形成されている。また、固定基板51には、第二固定部分電極543Dから頂点C3方向に向かって延出する第二引出電極546が設けられている。反射膜固定部512および固定反射膜56の構成は、上記第一実施形態と同様であるため、ここでの説明は省略する。6-2.可動基板の構成波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52は、第一実施形態と同様、エッチングにより形成される可動部521と、保持部522とを備えている。また、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52は、図9および図11に示すように、固定基板51の電極パッド545P、546Pに対応する位置に、それぞれ切欠部524を備えている。これらの切欠部524により、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52側の面に電極パッド545P、546Pが露出する。可動部521、保持部522、および可動反射膜57の構成は、上記第一実施形態と同様であるため、ここでの説明は省略する。そして、可動基板52には、図9、図11、図12に示すように、第一固定部分電極543Cおよび第二固定部分電極543Dよりも、平面視における幅寸法が大きく、第一固定部分電極543Cに対向する第一対向領域544C、および第二固定部分電極543Dに対向する第二対向領域544Dを覆い、周方向に沿って均一幅寸法となる円環形状の可動電極542Aが設けられている。このような波長可変干渉フィルター5Aでは、第一固定部分電極543Cおよび可動電極542Aの第一対向領域544Cにより、幅寸法が均一な円環状の部分アクチュエーター55Cが構成される。また、第二固定部分電極543Dおよび第二電極542Aの第二対向領域544Dにより、幅寸法が均一なC字状の部分アクチュエーター55Dが構成される。7.第二実施形態の作用効果第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aは、上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター5と同様に効果が得られる。すなわち、第一引出電極545の第一電極パッド545Pと、第二引出電極546の第二電極パッド546Pとの間に駆動電圧を印可することで、部分アクチュエーター55C,55Dを駆動させることができる。また、第一電極パッド545Pおよび第二電極パッド546Pは、固定基板51上に形成されているため、波長可変干渉フィルター5Aを測色センサー3に組み込む際、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板52側から配線作業を簡単に実施できる。また、配線時に可動基板52には応力が加わらないので、固定基板51および可動基板52の剥離や、可動基板52の傾斜が発生せず、波長可変干渉フィルター5Aの性能低下を防止できる。また、固定基板51の各電極パッド545P,546Pに対して確実に配線することができるので、配線信頼性が向上し、測色センサー3や測色装置1の信頼性をも向上させることができる。また、第一部分アクチュエーター55Cにおいて、仮想円Q1の全周に亘って均一な静電引力を発生させることができ、また、第二部分アクチュエーター55Dにおいても、仮想円Q2の略全周に亘って均一な静電引力を発生させることができる。したがって、静電引力のムラを軽減でき、可動部521の傾斜を防止することができる。他の実施の形態なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、上記第一および第二実施形態では、ダイヤフラム状の保持部522を例示するが、可動部の中心に対して点対象となる位置に設けられる複数対の梁構造を有する保持部が設けられる構成などとしてもよい。また、上記第一および第二実施形態において、1つの静電アクチュエーター54が設けられる構成としたが、複数の静電アクチュエーターが並列接続される構成としてもよい。また、可動電極542が設けられる位置として、保持部522上としたが、例えば可動部521上に可動電極542が設けられる構成としてもよい。この場合、可動電極542の内部応力の影響を小さくでき、保持部522の撓みを防止できる。さらに、上記第一および第二実施形態では、波長可変干渉フィルター5、5Aとして、第二基板である可動基板52に可動部521が設けられ、可動基板52の可動部521が固定基板51側に向かって変位する例を示したが、これに限らない。例えば、固定基板51にも可動部が設けられ、この可動部が可動基板52側に変位可能な構成などとしてもよい。そして、上記実施形態において、光モジュールとして、測色センサー3を例示し、光分析装置として測色装置1を例示したが、これに限定されない。例えば、本発明の光モジュールを、波長可変干渉フィルター5により取り出された光を受光素子により受光することで、ガス特有の吸収波長を検出するガス検出モジュールとして用いることもでき、光分析装置として、ガス検出モジュールにより検出された吸収波長からガスの種類を判別するガス検出装置として用いることもできる。さらには、例えば、光モジュールは、例えば光ファイバーなどの光伝達媒体により伝送された光から所望の波長の光を抽出する光通信モジュールとしても用いることができる。また、光分析装置として、このような光通信モジュールから抽出された光からデータをデコード処理し、光により伝送されたデータを抽出する光通信装置として用いることもできる。その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。"