"測定電流が流れる一次巻線と、該一次巻線から電気的に絶縁された磁気コアにより前記一次巻線と磁気的に結合されている二次巻線とを備えた電流検知装置であって、設定した閾値に応じて、前記磁気コアを飽和状態又はその近傍の状態で、前記二次巻線に供給する励磁電流の向きを反転させる矩形波電圧を発生する発振手段と、該発振手段から出力される前記矩形波電圧のデューティ変化に基づいて前記測定電流を検知する電流検知手段と、前記発振手段から出力される矩形波電圧の周波数を検知する周波数検知手段と、該周波数検知手段で検知した周波数に基づいて前記発振手段の閾値を設定する閾値設定手段と、前記励磁電流を供給する二次巻線の巻数を複数段階に選択可能として電流検出特性を変化させる巻数選択手段とを備えたことを特徴とする電流検知装置。前記巻数選択手段は、前記二次巻線の異なる複数の巻数位置に個別に接続した複数の引出線と、該複数の引出線が個別に接続された複数の固定端子及び該複数の固定端子中の1つを選択する可動端子を有する選択スイッチとを備えていることを特徴とする請求項1に記載の電流検知装置。前記閾値設定手段は、前記周波数検知手段で検知した前記矩形波電圧の周波数が所定の設定値より小さい場合に、前記閾値を前記励磁電流の波高値が小さくなるように設定し、検知した前記矩形波電圧の周波数が前記所定の設定値より高い場合に、前記閾値を前記励磁電流の波高値が大きくなるとともに、前記矩形波電圧の周波数が前記所定の設定値よりも低くなるように設定すること特徴とする請求項1又は2に記載の電流検知装置。しかしながら、上記特許文献1に記載された従来例にあっては、2つのコア101及び102を使用するため、実際にはコア101及び102の磁気特性を完全に一致させることは困難であり、磁気特性の違いにより励磁電流Iexによる電圧が完全に打ち消されることなく発生してしまう。これが2次高調波成分に対応した検出電圧のS/N比を悪化させ、微小電流の検知が難しいという未解決の課題がある。また、少なくとも2つのコアを使用するので、小型化や低コスト化を実現し難いという未解決の課題もある。さらに、コア101,102を飽和領域まで励磁する必要があるので、大きな励磁電流が必要となり、センサの消費電流が大きいという未解決の課題がある。そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、周囲環境条件により影響を受けることが少なく、小型、低コスト、低消費電流で、微小電流の検知を行うことができる電流検知装置を提供することを目的としている。上記目的を達成するために、本発明に係る電流検知装置の第1の態様は、測定電流が流れる一次巻線と、該一次巻線から電気的に絶縁された磁気コアにより前記一次巻線と磁気的に結合されている二次巻線とを備えた電流検知装置であって、設定した閾値に応じて、前記磁気コアを飽和状態又はその近傍の状態で、前記二次巻線に供給する励磁電流の向きを反転させる矩形波電圧を発生する発振手段と、該発振手段から出力される前記矩形波電圧のデューティ変化に基づいて前記測定電流を検知する電流検知手段と、前記発振手段から出力される矩形波電圧の周波数を検知する周波数検知手段と、該周波数検知手段で検知した周波数に基づいて前記発振手段の閾値を設定する閾値設定手段と、前記励磁電流を供給する二次巻線の巻数を複数段階に選択可能として電流検出特性を変化させる巻数選択手段とを備えている。この構成によると、発振手段で設定した閾値に応じて、励磁コイルに矩形波電圧を印加することにより、励磁コイルのインダクタンスで決まる鋸歯状波となる励磁電流が流れ、その励磁電流の向きが切り換わる電流を、電流が零のときに磁気コアのインダクタンスが飽和電流と一致させることにより、導線を流れる測定電流に応じて磁化電流の向きが切り換わる電流幅が変化し、これに応じて矩形波電圧の立ち下がりを変化させる。また、矩形波電圧の周波数を周波数検知手段で検知し、検知した周波数に応じて前記閾値を変化させることにより、励磁電流を低減して、低消費電流化を図る。さらに、巻数選択手段によって、磁気コアに巻装する二次巻線の巻数を切換えることができるので、所望の電流検出特性を選択することができる。また、本発明に係る電流検知装置の第2の態様は、前記巻数選択手段が、前記二次巻線の異なる複数の巻数位置に個別に接続した複数の引出線と、該複数の引出線が個別に接続された複数の固定端子及び該複数の固定端子中の1つを選択する可動端子を有する選択スイッチとを備えている。この構成によると、選択スイッチで複数の接続端子中の1つを選択することにより、磁気コアに巻装された二次巻線の巻数を調整することができる。さらに、本発明に係る電流検知装置の第3の態様は、前記閾値設定手段が、前記周波数検知手段で検知した前記矩形波電圧の周波数が所定の設定値より小さい場合に、前記閾値を前記励磁電流の波高値が小さくなるように設定し、検知した前記矩形波電圧の周波数が前記所定の設定値より高い場合に、前記閾値を前記励磁電流の波高値が大きくなるとともに、前記矩形波電圧の周波数が前記所定の設定値よりも低くなるように設定する。この構成によると、待機時や測定電流が小さい場合は閾値電流低く設定することが可能となり、励磁電流の低減が可能となる。本発明によれば、磁気コアのインダクタンスが飽和電流付近で急に消失する特性が内部を貫通する導線の電流によってシフトすることを利用して、励磁手段で、二次巻線に、矩形波電圧を印加して、磁気コアを飽和状態又はその近傍の状態とする励磁電流を供給し、二次巻線に磁気コアのインダクタンス消失に応じた電流変化を生じさせ、この電流変化で設定された閾値に従って矩形波電圧の立ち下がりを変化させる。このため、矩形波電圧のデューティを検出することにより、導線に流れる測定電流を検知する。このため、電流検知装置を1つの磁気コアを用いて構成することができ、磁気コアの材料特性の違いによりS/N比が低下することがなく、微小電流を高精度で検出することができる。また、電流検知装置を1つの磁気コアと1つの巻線とで構成できるので、小型、低コスト化が可能となる。さらに、磁気センサ等を使用しないので、堅牢で、周囲環境条件により影響を受けることが少ない電流検知装置を提供できる。しかも、発振手段の閾値を矩形波電圧の周波数に応じて変更するので、励磁電流を抑制して、消費電流を低減することができる。また、巻数選択手段によって、磁気コアに巻装した二次巻線の巻数を選択できるので、検出範囲は狭くても高感度で微小電流を検出したい場合や、感度は低くても広範囲の電流を検知した場合等の使用条件に応じて電流検出特性の設定を行うことができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る電流検知装置の一実施形態を示す構成図である。図中、1は電流検知装置であって、例えば漏電検知等の対象物に設けられた例えば10A~800Aの往復の電流Iが流れる導線2a,2bの微小な差異電流を検知する。ここで、健全状態では導線2a,2bに流れる電流の和はゼロであるが、漏電や地絡などでは導線2a,2bに流れる電流の和が零にならず、検出対象とする例えば15mA~500mA程度の微小な差異電流が流れる。これら導線2a,2bの回りには導線2a,2bを一次巻線とするようにリング状の磁気コア3が配設されている。つまり、磁気コア3内に導線2a,2bが一次巻線として挿通されている。磁気コア3には、二次巻線としての励磁コイル4が所定巻数で巻回されている。この励磁コイル4は巻数選択手段としての巻数選択部5を介して発振回路6に接続されている。巻数選択部5は、励磁コイル4の異なる複数の巻数位置に接続された例えば4本の接続線L1~L4と、各接続線L1~L4の他端が接続された選択スイッチSWとを備えている。接続線L1は励磁コイル4の例えば巻き始め側に接続され、接続線L4は、励磁コイル4の巻き終わりに接続されている。選択スイッチSWは、図2に示すように、接続線L1~L4が接続される固定端子Ts1~Ts4と、これら固定端子Ts1~Ts4中の一つを選択する可動端子Tmとを備えている。そして、選択スイッチSWの可動端子Tmが発振回路6の一方の出力端子to1に接続され、励磁コイル4の巻き始めが発振回路6の他方の出力端子to2に接続されている。発振回路6は、図3に示すように、コンパレータとして動作するオペアンプ11を備えている。このオペアンプ11の出力側及び反転入力側に出力端子to1及びto2が接続されている。また、オペアンプ11の反転入力側は抵抗12を介してグランドに接続され、オペアンプ11の非反転入力側は、オペアンプ11の出力側及びグランド間に直列に接続された分圧抵抗13、14及び15における分圧抵抗13及び14間に接続されている。また、抵抗14と並列にアナログスイッチ回路16が接続され、このアナログスイッチ回路16が後述する周波数検出回路8から出力される周波数検知信号Sfが例えばローレベルであるときにアナログスイッチ回路16がオフ状態に制御され、周波数検知信号Sfがハイレベルであるときにアナログスイッチ回路16がオン状態に制御される。ここで、抵抗14及びアナログスイッチ回路16で閾値設定手段としての閾値設定回路17が構成されている。そして、オペアンプ11の出力側と出力端子to1との接続点に外部出力端子toが接続されている。このため、発振回路6では、巻数選択部5の選択スイッチSWで、可動端子Tmが固定端子Ts1~Ts4の何れか1つを選択している状態で、分圧抵抗13及び14の接続点Eの閾値電圧Vthがオペアンプ11の非反転入力側に供給されている。このとき、アナログスイッチ回路16がオフ状態であるときには、閾値電圧Vth1は抵抗13の抵抗値をR1、抵抗14の抵抗値をR2及び抵抗15の抵抗値をR3としたときに下記1式で表される。Vth1={R1/R1R2R3}Va............1また、アナログスイッチ回路16がオン状態であるときには、閾値電圧Vth2は下記2式で表される。Vth2={R1/R1R3}Va............2したがって、アナログスイッチ回路16がオフ状態であるときの閾値Vth1に比較してアナログスイッチ回路16がオン状態であるときの閾値Vth2が大きな値となる。このため、今、アナログスイッチ回路16がオフ状態であるものとすると、このときの閾値電圧Vth1と励磁コイル4及び抵抗12との接続点Dの電圧Vdとが比較されて、その比較出力が図4aに示す矩形波の出力電圧Vaとして出力側から出力される。今、図4aに示すように、時点t1で、オペアンプ11の出力側の出力電圧Vaがハイレベルとなると、これが励磁コイル4に印加される。このため、励磁コイル4を出力電圧Vaと抵抗12の抵抗値R12とに応じた励磁電流Ibで励磁する。このとき、励磁電流Iexは、図4bに示すように、出力電圧Vaの立ち上がり時点から比較的急峻に立ち上がり、その後緩やかに増加する放物線状となる。このとき、オペアンプ11の非反転入力側に出力電圧Vaを分圧抵抗13及び14の接続点Eで得られる分圧抵抗13、14及び15の抵抗値R1、R2及びR3で分圧された比較的小さな閾値電圧Vth1が入力されている。一方、オペアンプ11の反転入力側の励磁コイル4及び抵抗12の接続点Dの電圧Vdは、励磁コイル4の励磁電流Iexの増加に応じて増加し、その後励磁電流Iexが再度急峻に増加して、電圧Vdが時点t2で図4bのF点で非反転入力側の閾値電圧Vth1を上回ると、オペアンプ11の出力電圧Vaが図4aに示すように、ローレベルに反転する。これに応じて励磁コイル4を流れる励磁電流Ibの向きが反転し、励磁電流Iexが最初は比較的急峻に低下し、その後緩やかに低下する放物線状に減少する。このとき、閾値電圧Vthは、出力電圧Vaがローレベルとなっていることにより、閾値電圧Vth1も低い電圧-Vth1となっている。そして、オペアンプ11の反転入力側の励磁コイル4及び抵抗12の接続点Dの電圧Vdが、励磁コイル4の励磁電流Ibの減少に応じて減少し、この電圧Vdが時点t3で非反転入力側の閾値電圧-Vth1を下回ると、オペアンプ11の出力電圧Vaが図4aに示すように、時点t1と同様にハイレベルに反転する。このため、出力電圧Vaは、図4aに示すように、ハイレベル及びローレベルを繰り返す矩形波電圧となり、発振回路6が非安定マルチバイブレータとして動作する。そして、励磁コイル4の励磁電流Iexは、図4bに示すように増加及び減少を繰り返す波形となる。ところで、磁気コア3は、図5aに示すように角型比の大きな磁束密度Bと磁界の強さHとの関係を表すB-H特性を有し、高透磁率材料の非線型な特性を有する。このB-H特性を有する磁気コア3のインダクタンスは、導線2a,2bの差電流が零であるときに、図5bに示すように飽和電流付近Gで急激に消失する。磁気コア3を貫通する導線2a,2bに任意の検出対象となる微小な差電流Cが生じると、図5bのB-H特性は、破線図示のように差電流Cに応じて磁界の強さHの正方向にシフトしてインダクタンスが消失するタイミングが変化する。このため、電流が零のときにインダクタンスが飽和する電流図5のGと励磁電流Iexの向きが切り換わる電流図4のFとを一致させる。そうすると、インダクタンスが飽和する電流図5のJが導線2a,2bの差電流の電流値Cに応じて変化するので、励磁電流Iexの向きが切り換わる電流図4bのHも同様に変化することになる。この励磁電流Iexの向きが切り換わる電流値が変化することにより、励磁コイル4と抵抗12との接続点Dの電圧Vdが閾値電圧Vth1を上回るタイミングが遅れることになる。このため、オペアンプ11から出力される出力電圧Vaの立ち下がり時点が導線2a,2bの差電流の電流値Cに応じて図4aで破線図示のように遅れる。この結果、出力電圧Vaの矩形波電圧のデューティ比が導線2a,2bの差電流の電流値Cに応じて変化する。したがって、発振回路6の外部出力端子toにデューティ比を検出する電流検知手段としてのデューティ検出回路7を接続する。このデューティ検出回路7で、出力電圧Vaのハイレベル状態を維持している時間とローレベル状態を維持している時間とを計測することにより、デューティ比を検出することができ、検出したデューティ比に基づいて導線2a,2bの微小差電流の電流値Cを検知することができる。また、発振回路6の外部出力端子toから出力される矩形波電圧Vaは、周波数検知手段としての周波数検出回路8にも供給されている。この周波数検出回路8は、図6に示すように、発振回路6からの出力電圧Vaが入力される周波数-電圧変換回路81と、この周波数-電圧変換回路81の出力電圧Vfが非反転入力端子に、反転入力端子に基準電圧源82からの基準電圧Vrefが入力された比較回路83とで構成されている。ここで、基準電圧源82から出力される基準電圧Vrefは、周波数-電圧変換回路81からの出力電圧Vfに対応させて検出したい電流値Cに応じたデューティ変化を励磁電流Iexに生じさせる値に設定される。したがって、周波数-電圧変換回路81の出力電圧Vfが基準電圧Vref以下であるときには比較回路83から出力される周波数検知信号Sfがローレベルを維持するが、出力電圧Vfが基準電圧Vrefを超えると比較回路83から出力される周波数検知信号Sfがハイレベルとなる。一方、発振回路6の接続点Eにおける閾値電圧Vthが前述した分圧抵抗13、14及び15の抵抗値R1、R2及びR3で決定される閾値電圧Vth1で固定されているものとすると、閾値電流±Ith1を超える電流値C2が励磁コイル4に通電された場合の励磁電流波形と閾値電流との関係を模式的に表すと図7に示すようになる。この図7から明らかなように、電流値C2が励磁コイル4に通電された場合には、破線図示のように磁気コア3の飽和により励磁電流Iexの傾きが閾値電流±Ith1に向かって急峻に変化し始める前に図7の点H2で閾値電流±Ith1に到達してしまうため、実線図示の電流値C=0の場合と比較すると、発振周波数が高くなるとともに、デューティ比の変化が略零となる。しかしながら、発振回路6から出力される出力電圧Vaの周波数を周波数検出回路8で検出し、周波数-電圧変換回路81から出力される出力電圧Vfが基準電圧Vrefを上回った時点で、比較回路83から出力される周波数検知信号Sfがハイレベルとなると、これに応じてアナログスイッチ回路16がオン状態となる。このため、抵抗14がアナログスイッチ回路16でバイパスされるので、接続点Eの閾値電圧Vhが前述した2式で表される閾値電圧Vth2となって、閾値電圧Vth1より大きな閾値電圧となり、これに応じて閾値電流が図8に示すように閾値電流±Ith1より大きな閾値電流±Ith2となる。このため、上述した電流値C2が励磁コイル4に通電された場合に、励磁電流が図8で破線図示のように、図7における点H2を超えて緩やかに増加し、その後急峻に増加して閾値電流Ith2に達することになる。このため、発振回路6から出力される出力電圧Vaがハイレベルからローレベルに変化し、これに応じて励磁電流Iexが急峻に減少を開始し、電流値C=0と略同様の時点で下限側の閾値電流-Ith2に達する。このため、発振回路6の出力電圧Vaがハイレベルに反転し、励磁コイル4に供給される励磁電流Iexが急峻に増加する。このため、発振回路6の発振周波数は変わらずに、電流値C2に応じたデューティ変化が得られる。このため、デューティ検出回路7で検出されるデューティ比が電流値C2に応じたものとなり、正確な電流検知を行うことができる。以上のように、発振回路6の発振周波数を検出することにより、測定する電流値に応じて閾値電流を切り換えることができ、待機時や測定電流が小さい場合の閾値電流を低く設定できるので、励磁電流の低減が可能となる。測定電流と閾値電流との関係を纏めると下記1表に示すようになる。ところで、励磁コイル4の巻数Nと電流検出感度及び電流検出範囲との関係は、図9に示すようになる。すなわち、電流検出感度は、図9で実線図示の双曲線状の特性線L11で表されるように、励磁コイル4の巻数Nが少ない領域では感度が高く、励磁コイル4の巻数Nが増加するにつれて徐々に双曲線状に減少する。逆に、電流検出範囲は、図9で点線図示の双曲線状の特性線L12で表されるように、励磁コイル4の巻数Nが少ない領域では、電流検出範囲が狭く、励磁コイル4の巻数Nが増加するにつれて徐々に電流検出範囲が広くなる。したがって、電流検出範囲が狭くて良いが、電流検出感度を高めたいときには、巻数Nが小さくなるように巻数選択部5の選択スイッチSWにおける可動端子Tmで固定端子Ts1を選択する。これによって、励磁コイル4の巻数Nが少なくなり、電流検出感度を高めることできる。逆に、電流検出感度は低くて良いが、電流検出範囲は広くしたときには、巻数Nが大きくなるように巻数選択部5の選択スイッチSWにおける可動端子Tmで固定端子Ts4を選択する。これによって、励磁コイル4の巻数Nが多くなり、電流検出範囲を広くすることができる。つまり、巻数選択部5の選択スイッチSWの可動端子Tmで固定端子Ts1、Ts2、Ts3及びTs4の順に選択することにより、電流検出感度は高感度状態から低感度状態に徐々に切換わり、逆に電流検出範囲は、狭い範囲から広範囲に徐々に切換わることになる。したがって、1つの電流検知装置で、電流検出感度重視の電流検出特性と電流検出範囲重視の電流検出特性との双方を選択することができ、巻数選択部5によって微小電流の検出特性を使用者の使用条件に応じた所望特性に設定することができる。なお、上記実施形態においては、巻数選択部5で励磁コイル4の巻数Nを4段階に選択する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、励磁コイル4への接続線数を2以上の任意本数とし、選択スイッチSWの固定端子数を接続線に対応する個数とすることにより、励磁コイル4の巻数の選択を2段階以上の任意段階に設定することができる。また、上記実施形態においては、1つの励磁コイル4の巻数Nを選択スイッチSWで選択する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、巻数の異なる複数の励磁コイルを磁気コア3に巻装し、複数の励磁コイルを選択スイッチで選択するようにしてもよい。また、上記実施形態においては、発振回路6の閾値電圧Vthを2段階に切り換える場合について説明したが、これに限定されるものではなく、周波数検出回路8の比較回路83としてウィンドコンパレータを適用するとともに、抵抗14を省略してアナログスイッチ回路と異なる抵抗値の抵抗との直列回路を3つ並列に接続することにより、閾値を出力電圧Vaの周波数に応じて3段階に切り換えたり、さらには3段階以上に切り換えたりすることもできる。また、上記実施形態においては、2本の導線2a及び2bの差電流を検知する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、1本の導線に流れる微小電流を検出することもできる。"