"LEDをその上に取り付けるための構造体であって、セラミック材料と、前記セラミック材料上のリードフレーム構造体と、を含み、前記リードフレーム構造体は、該リードフレーム構造体を前記セラミック材料と一体化するその一部分を含む、ことを特徴とする構造体。前記リードフレーム構造体を前記セラミック材料と一体化する該リードフレーム構造体の前記部分は、該リードフレーム構造体において該セラミック材料の中に延びる導電性バイアを含むことを特徴とする請求項1に記載の構造体。前記セラミック材料は、同時焼成セラミック材料を含み、前記リードフレーム構造体を前記セラミック材料と一体化する該リードフレーム構造体の前記部分は、該セラミック材料と共に同時焼成される、ことを特徴とする請求項1に記載の構造体。前記リードフレーム構造体を前記セラミック材料と一体化する該リードフレーム構造体の前記部分は、該セラミック材料の上面上及び対向する下面上に連続的に延びる該リードフレーム構造体のリードを含むことを特徴とする請求項1に記載の構造体。前記セラミック材料は、低温同時焼成セラミックLTCC材料を含み、前記リードフレーム構造体を前記LTCC材料と一体化する該リードフレーム構造体の前記部分は、該LTCC材料と共に同時焼成される、ことを特徴とする請求項1に記載の構造体。LEDをその上に取り付けるための構造体であって、セラミック材料と、前記セラミック材料上のリードフレーム構造体と、前記リードフレーム構造体において前記セラミック材料の中に延びて該リードフレーム構造体を該セラミック材料と一体化する導電性バイアと、を含むことを特徴とする構造体。前記リードフレーム構造体は、前記セラミック材料の第1の表面上の第1のリードフレーム構造体を含み、前記構造体は、前記第1のリードフレーム構造体上のLEDと、前記第1の表面と反対側の前記セラミック材料の第2の表面上の第2のリードフレーム構造体と、を更に含む、ことを特徴とする請求項6に記載の構造体。前記導電性バイアは、前記セラミック材料を通って前記第2のリードフレーム構造体まで更に延びることを特徴とする請求項7に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記セラミック材料の第1の表面上にあり、前記構造体は、前記第1の表面の反対側である前記セラミック材料の第2の表面上のLED、を更に含む、ことを特徴とする請求項6に記載の構造体。前記セラミック材料は、前記リードフレーム構造体の第1の表面上の第1のセラミック材料を含み、前記構造体は、前記第1のセラミック材料上のLEDと、前記第1の表面と反対側の前記リードフレーム構造体の第2の表面上の第2のセラミック材料と、を更に含む、ことを特徴とする請求項6に記載の構造体。前記導電性バイアは、前記第1のセラミック材料において前記リードフレーム構造体を通って前記第2のセラミック材料の中に更に延びることを特徴とする請求項10に記載の構造体。LEDをその上に取り付けるための構造体であって、セラミック材料と、前記セラミック材料の第1及び第2の対向する表面上に連続的に延びるリードフレーム構造体のリードを含む該セラミック材料上のリードフレーム構造体と、を含むことを特徴とする構造体。前記リードフレーム構造体の前記第1の側面の中央部分上のLED、を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の構造体。電子デバイスをその上に取り付けるための構造体であって、低温同時焼成セラミック材料と、前記低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成されたリードフレーム構造体と、を含むことを特徴とする構造体。前記低温同時焼成セラミック材料は、素地状態セラミック材料を含むことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、金属を含むことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成された前記リードフレーム構造体は、その接合部で該リードフレーム構造体の前記金属と該低温同時焼成セラミック材料との混合物を含むことを特徴とする請求項16に記載の構造体。前記混合物は、前記接合部での前記リードフレーム構造体の前記金属と前記低温同時焼成セラミックとの成分間の化学結合を含むことを特徴とする請求項17に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミック材料内に引っ込んだ前記リードフレーム構造体の突き抜け部分、を更に含む、ことを特徴とする請求項17に記載の構造体。前記突き抜け部分は、前記低温同時焼成セラミック材料と前記リードフレーム構造体との温度係数の差を補償するのに十分な距離で互いに離間することを特徴とする請求項19に記載の構造体。前記突き抜け部分は、前記温度係数の前記差を補償するように互いに対して位置決めされることを特徴とする請求項19に記載の構造体。前記リードフレームの離間した突き抜け部分の間の前記低温同時焼成セラミック材料の表面上にあって該突き抜け部分を電気的に接続する導電性インク、を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の構造体。前記低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料を含み、リードフレーム構造体が、前記比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入され、そのために該リードフレーム構造体の一部分が、該表面より下に引っ込み、かつ残りの部分が、該表面より上に突出する、ことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料を含み、リードフレーム構造体が、前記比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入され、そのために該リードフレーム構造体の一部分が、該表面より下に引っ込み、かつ残りの部分が、該表面より上に突出する、ことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入された前記リードフレーム構造体の圧搾非穿刺部分、を更に含む、ことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体と前記低温同時焼成セラミック材料は、少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成されることを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体と前記低温同時焼成セラミック材料は、少なくとも摂氏約1000度の高温で同時焼成されることを特徴とする請求項26に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成され、該リードフレーム構造体と該低温同時焼成セラミック材料との接合部を横切るかつ該リードフレーム構造体内の側方の熱伝達を容易にすることを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミック材料の表面の上に圧搾された粗化面を有することを特徴とする請求項28に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、直接に隣接するリードフレーム構造体を分離する前記低温同時焼成セラミック材料内に引っ込んだ該リードフレーム構造体の突き抜け縁部部分を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミックの第1の表面に接続した第1のリードフレーム構造体を含み、前記構造体は、前記第1の表面と反対側の前記低温同時焼成セラミックの第2の表面に接続した第2のリードフレーム構造体、を更に含む、ことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記低温同時焼成セラミックを通って延びて前記第1及び第2のリードフレーム構造体を接続し、導電材料が堆積された複数のバイア孔、を更に含むことを特徴とする請求項31に記載の構造体。前記リードフレーム構造体は、前記低温同時焼成セラミックの第1の表面に接続され、前記構造体は、低温同時焼成セラミック材料を通ってその前記第1の表面から対向する第2の表面まで延び、導電材料が堆積された複数のバイア孔と、前記複数のバイア孔に接続した複数の導電接点と、を更に含む、ことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記電子デバイスは、発光ダイオードLEDを含むことを特徴とする請求項14に記載の構造体。前記リードフレーム構造体の一部分が、前記低温同時焼成セラミックの表面の凹部と同じ場所に位置付けられた反射器凹部を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の構造体。低温同時焼成セラミック材料と、前記低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成されたリードフレーム構造体と、前記リードフレーム構造体上にあって該リードフレームに結合されたワイヤを有するLEDチップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードLED。前記LEDチップは、前記リードフレーム構造体にその間のサブマウント構造体なしに接続されることを特徴とする請求項36に記載のLED。前記LEDチップは、前記リードフレーム構造体に接続したプラスチックパッケージ本体の具備なしに封入体に収容されることを特徴とする請求項37に記載のLED。電子デバイスのための取り付け構造体を形成する方法であって、リードフレーム構造体を低温同時焼成セラミックセラミック材料の表面に付加する段階と、前記低温同時焼成セラミック材料と前記リードフレームとを一緒に同時焼成する段階と、を含むことを特徴とする方法。リードフレーム構造体を付加する段階は、前記低温同時焼成セラミック材料の前記表面内に前記リードフレーム構造体を圧入する段階、を含む、ことを特徴とする請求項39に記載の方法。前記表面内に前記リードフレーム構造体を圧入する段階は、前記リードフレーム構造体を突き抜け加工し、前記低温同時焼成セラミック材料と該リードフレーム構造体との温度係数の差を補償するのに十分な距離で互いに離間した該リードフレームの各部分を該低温同時焼成セラミック材料内に引っ込ませる段階、を更に含む、ことを特徴とする請求項40に記載の方法。前記引っ込んだ部分は、前記温度係数の前記差を補償するように互いに対して位置決めされることを特徴とする請求項41に記載の方法。前記リードフレームの前記離間した部分の間の前記低温同時焼成セラミック材料の前記表面に該離間した部分を電気的に接続する導電性インクを付加する段階、を更に含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。前記低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料を含み、前記リードフレーム構造体を前記表面内に圧入する段階は、前記リードフレーム構造体の一部分が前記表面より下に引っ込み、かつ残りの部分が該表面より上に突出するように、該リードフレーム構造体を前記比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の該表面内に圧入する段階、を更に含む、ことを特徴とする請求項42に記載の方法。前記リードフレーム構造体を前記表面内に圧入する段階は、前記リードフレーム構造体の非穿刺部分を前記低温同時焼成セラミック材料の前記表面内に圧入する段階、を更に含む、ことを特徴とする請求項39に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料に異なるエネルギ源を印加しながら、該リードフレーム構造体及び該低温同時焼成セラミック材料を低温で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料に異なるエネルギ源を印加しながら、該リードフレーム構造体及び該低温同時焼成セラミック材料を少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項46に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料を少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料を少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料を摂氏約1000度の高温で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項49に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料を摂氏約850度未満の温度で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。同時焼成する段階は、前記リードフレーム構造体及び前記低温同時焼成セラミック材料を摂氏約1000度よりも高い温度で同時焼成する段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。前記低温同時焼成セラミック材料は、セラミックスラリーを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。前記低温同時焼成セラミック材料は、セラミック湿潤ペーストを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。電子デバイスのための取り付け構造体を形成する方法であって、リードフレーム構造体を低温同時焼成セラミック材料の表面に付加する段階と、前記低温同時焼成セラミック材料と前記リードフレームを一緒に同時焼成する段階と、を含むことを特徴とする方法。発光ダイオードLEDを形成する方法であって、LEDリードフレーム構造体と共に同時焼成された低温同時焼成セラミック材料を含む構造体上にLEDを取り付ける段階と、前記LEDリードフレーム構造体からのワイヤを前記LEDの端子に結合する段階と、前記LEDの上に封入体を形成する段階と、を含むことを特徴とする方法。本発明による実施形態は、リードフレーム及び低温同時焼成セラミック材料を有する固体発光ダイオードパッケージ、並びにこのパッケージを形成する方法を提供することができる。これらの実施形態により、電子デバイスをその上に取り付けるための構造体は、セラミック材料とこのセラミック材料上のリードフレーム構造体とを含むことができ、リードフレーム構造体は、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分を含む。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分は、リードフレーム構造体内をセラミック材料の中に延びる導電性バイアを含む。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料は、同時焼成セラミック材料を含み、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分は、セラミック材料と共に同時焼成される。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分は、セラミック材料の上面上及び反対側下面上に連続的に延びるリードフレーム構造体のリードを含む。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料は、低温同時焼成セラミックLTCC材料を含み、リードフレーム構造体をLTCC材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分は、LTCC材料と共に同時焼成される。本発明による一部の実施形態では、LEDをその上に取り付けるための構造体は、セラミック材料とセラミック材料上のリードフレーム構造体とを含むことができ、リードフレーム構造体は、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させるリードフレーム構造体の一部分を含む。導電性バイアが、リードフレーム構造体内をセラミック材料の中に延び、リードフレーム構造体をセラミック材料と一体化させる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、セラミック材料の第1の表面上の第1のリードフレーム構造体を含み、この構造体は、第1のリードフレーム構造体の上のLEDと、セラミック材料の第1の表面と反対側の第2の表面上の第2のリードフレーム構造体とを更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、導電性バイアが、セラミック材料を通って第2のリードフレーム構造体まで更に延びる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、セラミック材料の第1の表面上に存在し、この構造体は、セラミック材料の第1の表面と反対側の第2の表面上にLEDを更に含む。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料は、リードフレーム構造体の第1の表面上の第1のセラミック材料を含み、この構造体は、第1のセラミック材料上のLEDと、リードフレーム構造体の第1の表面と反対側の第2の表面上の第2のセラミック材料とを更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、導電性バイアは、第1のセラミック材料においてリードフレーム構造体を通って第2のセラミック材料内に更に延びる。本発明による一部の実施形態では、LEDをその上に取り付けるための構造体は、セラミック材料と、このセラミック材料上のリードフレーム構造体とを含み、このリードフレーム構造体は、セラミック材料の第1及び第2の対向する表面上に連続的に延びるリードフレーム構造体のリードを含む。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、素地状態セラミック材料とすることができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、金属とすることができる。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成されるリードフレーム構造体は、その接合部でリードフレーム構造体の金属と低温同時焼成セラミック材料との混合物とすることができる。本発明による一部の実施形態では、この混合物は、接合部でのリードフレーム構造体の金属の成分と低温同時焼成セラミック材料との間の化学結合とすることができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、低温同時焼成セラミック材料内に引っ込んだリードフレーム構造体の突き抜け部分を更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、突き抜け部分は、低温同時焼成セラミック材料とリードフレーム構造体との温度係数の差を補償するのに十分な距離で互いに離間している。本発明による一部の実施形態では、突き抜け部分は、温度係数の差を補償するように互いに対して位置決めされる。本発明による一部の実施形態では、この構造体は、リードフレームの離間突き抜け部分の間の低温同時焼成セラミック材料の表面上に導電性インクを含むことができ、リードフレームの離間突き抜け部分を電気的に接続することができる。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料とすることができ、リードフレーム構造体は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入され、それによってリードフレーム構造体の一部分がこの表面より下に引っ込み、残りの部分はこの表面より上に突出する。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料とすることができ、リードフレーム構造体は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入され、それによってリードフレーム構造体の一部分がこの表面より下に引っ込み、残りの部分はこの表面より上に突出する。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入された圧搾非穿刺部分を更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体及び低温同時焼成セラミック材料は、少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成される。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体及び低温同時焼成セラミック材料は、少なくとも摂氏約1000度の高温で同時焼成される。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、リードフレーム構造体と低温同時焼成セラミック材料との接合部を横断する熱伝達及びリードフレーム構造体内の側方の熱伝達を容易にするように同時焼成される。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、低温同時焼成セラミック材料の表面上に圧搾された粗化面を含む。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、直接隣接するリードフレーム構造体を分離する低温同時焼成セラミック材料内に引っ込んだリードフレーム構造体の突き抜け縁部部分を更に含む。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、低温同時焼成セラミックの第1の表面に接続した第1のリードフレーム構造体を含むことができ、この構造体は、第1の表面に対向する低温同時焼成セラミックの第2の表面に接続した第2のリードフレーム構造体を更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、この構造体は、低温同時焼成セラミックを通って延びて第1及び第2のリードフレーム構造体を接続する導電材料が内部に堆積した複数のバイア孔を更に含むことができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、低温同時焼成セラミックの第1の表面に接続され、この構造体は、低温同時焼成セラミック材料をその第1の表面から反対側の第2の表面まで通過して延びる導電材料が内部に堆積した複数のバイア孔を更に含むことができる。更に、複数の導電接点を複数のバイア孔に接続することができる。本発明による一部の実施形態では、電子デバイスは、発光ダイオードLEDを含む。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体の一部分は、低温同時焼成セラミックの表面内の凹部と同じ場所に位置付けられた反射器凹部を更に含む。本発明による一部の実施形態では、発光ダイオードLEDは、低温同時焼成セラミック材料と、低温同時焼成セラミック材料と共に同時焼成されたリードフレームとを含むことができる。LEDチップは、リードフレーム構造体上に存在し、リードフレームに結合されたワイヤを含む。本発明による一部の実施形態では、LEDチップは、リードフレーム構造体にそれらの間のサブマウント構造体なしに接続される。本発明による一部の実施形態では、LEDチップは、リードフレーム構造体に接続したプラスチックパッケージ本体の具備なしに封入体に収容される。本発明による一部の実施形態では、電子デバイスのための取り付け構造体を形成する方法は、リードフレーム構造体を低温同時焼成セラミックセラミック材料の表面に付加する段階と、低温同時焼成セラミック材料とリードフレームとを一緒に同時焼成する段階とによって提供することができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレームを付加する段階は、低温同時焼成セラミック材料の表面にリードフレーム構造体を圧入する段階によって提供することができる。本発明による一部の実施形態では、この表面にリードフレーム構造体を圧入する段階は、低温同時焼成セラミック材料とリードフレーム構造体との温度係数の差を補償するのに十分な距離で互いに離間したリードフレームの部分を低温同時焼成セラミック材料内に引っ込ませるように突き抜け加工する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、この凹部は、温度係数の差を補償するように互いに対して位置決めされる。本発明による一部の実施形態では、この構造体は、リードフレームのこの離間部分の間の低温同時焼成セラミック材料の表面上に導電性インクを付加し、この離間部分を電気的に接続する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料とすることができ、リードフレーム構造体をこの表面に圧入する段階は、リードフレーム構造体を比較的軟質状態の低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入し、それによってリードフレーム構造体の一部分がこの表面より下に引っ込み、残りの部分がこの表面より上に突出する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体をこの表面に圧入する段階は、リードフレーム構造体の非穿刺部分を低温同時焼成セラミック材料の表面に圧入する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、同時焼成する段階は、リードフレーム構造体と低温同時焼成セラミック材料とを少なくとも摂氏約850度の低温で同時焼成する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、同時焼成する段階は、リードフレーム構造体と低温同時焼成セラミック材料とを少なくとも摂氏約1000度の高温で同時焼成する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、同時焼成する段階は、リードフレーム構造体と低温同時焼成セラミック材料とを摂氏約850度未満の温度で同時焼成する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、同時焼成する段階は、リードフレーム構造体と低温同時焼成セラミック材料とを摂氏約1000度よりも高い温度で同時焼成する段階によって更に提供することができる。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、セラミックスラリーを含む。本発明による一部の実施形態では、低温同時焼成セラミック材料は、セラミック湿潤ペーストとすることができる。本発明による一部の実施形態では、電子デバイスのための取り付け構造体を形成する方法は、リードフレーム構造体を低温同時焼成セラミックセラミック材料の表面に付加する段階と、低温同時焼成セラミック材料とリードフレームとを一緒に同時焼成する段階とによって提供することができる。本発明による一部の実施形態では、発光ダイオードLEDを形成する方法は、LEDリードフレーム構造体と共に同時焼成された低温同時焼成セラミック材料を含む構造体上にLEDを取り付ける段階と、LEDリードフレーム構造体からのワイヤをLEDの端子に結合する段階とによって提供することができる。封入体は、LEDの上に形成することができる。以下、本発明の実施形態を示す添付図面を参照して本発明に関してより完全に説明する。しかし、本発明は、多くの異なる形で具現化することができ、本明細書で説明する実施形態に制限されると解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本発明の開示を徹底的かつ完全なものとして当業者に本発明の範囲を十分に伝えるように提供するものである。添付図面において、説明を明確にするために、層及び領域のサイズ及び相対サイズは誇張している場合がある。全体を通じ、同様の要素は同じ番号によって示している。層、領域、又は基板のような要素が、別の要素上に存在している、又はの上に延びるとして参照される場合、この要素は他の要素の上に直接存在し、又は他の要素の上に直接延びる場合もあれば、又は介在要素が存在する場合もあると理解すべきである。対照的に、要素が別の要素上に直接存在し、又は別の要素の上に直接延びるとして参照される場合、介在要素は存在しない。要素が別の要素に接続されている、又は結合されているとして参照される場合、この要素は他の要素に直接接続又は結合している場合もあり、又は介在要素が存在する場合もあることも理解すべきである。対照的に、要素が別の要素に直接接続されている、又は直接結合されているとして参照される場合、介在要素は存在しない。本明細書では、下方、上方、上側、下側、水平、側方、垂直のような相対語を使用して、図に示すような要素、層、又は領域同士の関係を説明することがある。これらの用語は、図に示す方向に加えて、デバイスの異なる方向を含むことを意図されたものであると理解すべきである。本明細書では、様々な要素、構成要素、領域、層、及び/又は区域を説明するために第1、第2のような用語を使用するが、これらの要素、構成要素、領域、層、及び/又は区域をこれらの用語によって制限すべきではないと理解すべきである。これらの用語は、1つの要素、構成要素、領域、層、及び/又は区域を別の領域、層、及び/又は区域と区別するために使用するものに過ぎない。従って、以下で説明する第1の要素、構成要素、領域、層、又は区域は、本発明の教示から逸脱することなく第2の要素、構成要素、領域、層、又は区域と呼ぶことができる。特に定めがない限り、本明細書で使用する全ての用語技術用語及び科学用語を含むは、本発明が属する技術の当業者が一般的に理解している意味と同じ意味を有する。本明細書で使用する用語は、本明細書及び当業技術との関連におけるこれらの意味に従う意味を有すると解釈すべきであり、本明細書で明確に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味で解釈されないことは更に理解されるであろう。本明細書では、本発明の理想的な実施形態及び中間構造の概略図である断面図を参照して本発明の実施形態を説明する。説明を明確にするために、図面内の層及び領域の厚みは誇張している場合がある。また、例えば、製造技術及び/又は製造公差の結果として形状が説明図のものとは異なることが予想される。従って、本発明の実施形態は、本明細書に示す領域の特定の形状に制限されると解釈すべきではなく、例えば、製造に起因する形状の変動を含むと解釈すべきである。本明細書で用いられる用語半導体発光ダイオードは、発光ダイオード、レーザダイオード、及び/又はシリコン、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、及び/又は他の半導体材料を含むことができる1つ又はそれよりも多くの半導体層と、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、及び/又は他のマイクロ電子基板を含むことができる基板と、金属及び/又は他の導電層を含むことができる1つ又はそれよりも多くの接点層とを含む他の半導体デバイスを含むことができる。一部の実施形態では、紫外、青色、及び/又は緑色発光ダイオードLEDを提供することができる。赤色及び/又は橙色LEDも提供することができる。半導体発光ダイオードの設計及び製造は当業者に公知であり、本明細書での詳細説明は要しない。本発明の実施形態による半導体発光ダイオードパッケージは、ノースカロライナ州ダラム所在のCree,Inc.によって製造かつ販売されているデバイスのようなシリコンカーバイド基板上に製造された窒化ガリウムベースのLED又はレーザとすることができる。本発明の実施形態による半導体発光ダイオードパッケージは、例えば、図3-図6に示すように構成することができる。特に、図3は、活性領域415上に形成されたP型領域410上の第1の接点405を含み、時に2トップサイド水平型又は横型LED400と呼ばれるものを示している。活性領域415は、第1の接点405から側方に離間した第2の接点430をその上に含むN型領域420上に位置する。N型領域420は、サファイア材料425上に位置することができる。一部の実施形態では、図4に示すように、図3での配列を反転することができ、それによって接点はうつ伏せ状態になる。図5は、活性領域615上に形成されたP型領域610上の第1の接点605を含み、時に1トップサイド垂直型LED600と呼ばれるものを示している。活性領域615は、N型領域620の上に位置し、その全てはシリコンカーバイド基板625上にあり、デバイス内の空洞内に取り付けることができる。図6は、うつ伏せ状態にあるP型領域710を有する時にフリップチップLED700構成と呼ぶものを示している。下側接点730がP型領域710の下に位置し、活性領域715がその上に形成される。上側接点705をその上に有するN型領域720が、活性領域715上に存在する。本明細書で用いられる用語セラミックは、アルミナ、ジルコニアなどを含む酸化物のような無機結晶性酸化物材料、炭化物、硼化物、窒化物、珪化物などを含む非酸化物、及び酸化物と非酸化物との複合材料を含む。例えば、セラミック材料は、Al2O3、AlN、ZnOなどとすることができる。このリストは、本発明による一部の実施形態に使用することができる材料の例を含み、こうしたセラミック材料の網羅的なリストではない。用語セラミックは、プラスチック又は熱硬化性材料を含むようには意図されない。本明細書に説明するように、本発明による様々な実施形態は、セラミック材料上のリードフレームを含むことができるLEDをその上に取り付けるための構造体を提供することができ、リードフレーム構造体は、セラミック材料とリードフレーム構造体とが互いに一体化することを可能にする部分を含む。例えば、本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体内の導電性バイアがセラミック材料の中に延びてその一体化を提供する。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、セラミック材料の上面と対向するその下面の両方の上に延びてこの一体化を提供する。本発明による更に別の実施形態では、この一体化は、リードフレームと共に同時焼成されるセラミック材料として同時焼成セラミックを例えばリードフレーム構造体の構成材料と同時焼成セラミックとが互いに混合することができるように使用することによって提供することができる。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料は低温同時焼成セラミックLTCC材料とすることができる。図7は、本発明によるその上にリードフレーム構造体100を有するセラミック材料200を含むLEDパッケージの断面図である。特に、LED190は、リードフレーム構造体100の上面の上に位置し、リードフレーム構造体100の一部分に接合するワイヤ193を含む。LEDパッケージは、リードフレーム構造体100と下側セラミック材料200の間の接着を強化することができる特徴部215を更に含む。セラミック材料200の反対側は、その上に形成されセラミック材料200を通って延びてリードフレーム構造体100に電気的に接触するバイア205に電気的に接続するいくつかの導電接点210を含む。バイア205は、リードフレーム構造体100と接点210の間の導電性を提供するように導電材料で満たされていることは理解されるであろう。更に、バイア205内の導電材料及び接点210は、例えば、電気鍍金処理によって形成することができる。バイア205は、リードフレーム構造体100を下側のセラミック材料200に一体化することができ、特徴部215によって提供される接着に加えてそれらの間の接着を強化することは理解されるであろう。リードフレーム構造体100は、信号をLED190に提供することができ、かつセラミック材料200内に延びるバイア205に接続するようにワイヤ193が接続することができるフレームワークを提供する金属構造体とすることができることは理解されるであろう。リードフレーム構造体100は、LEDパッケージの組立の間でのLED190への機械的支持を提供することができる。リードフレーム構造体100は、金、銀などのような金属で製造することができることは理解されるであろう。リードフレーム構造体100とのセラミック材料200の一体化は、図7での矢印に示すように、LED190から出てリードフレーム100に入りセラミック材料200に達する熱伝達、及び構造体及び材料それら自体内での側方の熱伝達を容易にすることができる。図8は、本発明による一部の実施形態における第1及び第2のリードフレーム100、300とそれらの間に挟まれたセラミック材料200とを含むLEDパッケージの断面図である。特に、第1のリードフレーム構造体100は、図7に関して上述したように、セラミック材料200の上面の上に形成される。第2のリードフレーム構造体300は、第1のリードフレーム構造体100と面してセラミック材料200の反対側表面上に形成される。第2のリードフレーム300は、導電材料で満たされた導電性バイア305を受け取る位置でのセラミック材料200の下面への第2のリードフレーム構造体300の接着を強化する特徴部310を含む。LEDパッケージは、リードフレーム構造体100と下側セラミック材料200の間の接着をこれも強化することができる特徴部215を更に含むことは理解されるであろう。図8に示すように、バイア305はセラミック材料200を通って第1のリードフレーム構造体100から第2のリードフレーム構造体300に延び、それによって2つのリードフレーム構造体は、互いに電気的に接続することができ、同時にセラミック材料200に電気的に接続することができる。バイア305は、リードフレーム構造体100、300及び挟まれたセラミック材料200の間の一体化を提供し、特徴部215によって提供される接着に加えてそれらの間の接着を強化することができることは理解されるであろう。リードフレーム構造体100、300とのセラミック材料200の一体化は、図8での矢印に示すように、LED190から出てリードフレーム100に入りセラミック材料200及びリードフレーム構造体300に達する熱伝達、及び構造体及び材料それら自体内での側方の熱伝達を容易にすることができる。図9は、本発明による一部の実施形態におけるリードフレーム構造体100の上にセラミック材料200を含むLEDパッケージの断面図である。特に、リードフレーム構造体100は、セラミック材料200の下面に取り付けられ、LED190は、セラミック材料200の下面と反対側のセラミック材料200の上面に取り付けられる。更に、導電性バイア205が、リードフレーム構造体100の中でセラミック材料200の中に延び、セラミック材料200とリードフレーム構造体100との一体化を提供し、それらの間の接着を強化することができる。更に、リードフレーム100内の特徴部215も、セラミック材料200とリードフレーム構造体100の間の接着を強化することができる。リードフレーム構造体100は、リードフレーム構造体100から側方に延びるリード107を含み、その一部分をセラミック材料200によって覆うことができる。リードフレーム構造体100とのセラミック材料200の一体化は、図9での矢印に示すように、LED190から出てセラミック材料200に入りリードフレーム構造体100に達する熱伝達、及び構造体及び材料それら自体内での側方の熱伝達を容易にすることができる。図10は、本発明による一部の実施形態における上側及び下側セラミック材料200、201とそれらの間に挟まれたリードフレーム構造体100とを含むLEDパッケージの断面図である。特に、上側セラミック材料200はリードフレーム構造体100の上面の上に取り付けられ、その中央部分に空洞を含む。図10に示すように、LED190は、上側セラミック材料200の中央部分に配置することができる。下側セラミック材料201は、リードフレーム構造体100のその上面と対向する下面に取り付けられる。導電性バイア205が、上側及び下側セラミック材料200、201の各々の中をリードフレーム構造体100の中に延び、セラミック材料200、201とそれらの間に挟まれたリードフレーム構造体100との一体化を提供し、それらの間の接着を強化することができる。リードフレーム構造体100とのセラミック材料200、201の一体化は、図10での矢印に示すように、LED190から出てセラミック材料200に入りリードフレーム構造体100及びセラミック材料201に達する熱伝達、及び構造体及び材料それら自体内での側方の熱伝達を容易にすることができる。図11は、本発明による一部の実施形態におけるセラミック材料200の上面とその対向する下面の両方の上に延びるリードフレーム構造体100を含むLEDパッケージの断面図である。図11により、リードフレーム構造体100は、セラミック材料200の中央部分上に、かつその上面の外側部分上に延び、セラミック材料200の側部上に、並びにセラミック材料200のその上面と対向する下面上に引き続き延びる。更に、LED190は、リードフレーム構造体100の中央部分に取り付けられ、かつリードフレーム構造体100の一部分にLED190を接続するワイヤ193を含む。その結果、セラミック材料200とリードフレーム構造体100とが、セラミック材料200の対向する上面上と下面上の両方に連続したリードフレーム構造体の延長によって互いに一体化されて接着される。リードフレーム構造体100とのセラミック材料200の一体化は、図11での矢印に示すように、LED190から出てリードフレーム構造体100に入ってセラミック材料200に達する熱伝達、及び構造体及び材料それら自体内での側方の熱伝達を容易にすることができる。図12は、本明細書に説明する実施形態のいずれにも使用することができるリードフレーム構造体100の代替的な実施形態の平面図である。本発明による一部の実施形態では、図7-図11に関して説明したものを含む本明細書に説明するセラミック材料200は、低温同時焼成セラミックLTCCとすることができる。LTCC材料は、Al2O3、AlN、ZnOなどのような本明細書に説明するセラミック材料で形成された素地状態セラミックテープと呼ばれることもあるもので提供することができる。素地状態において、LTCC材料は、様々な形状にプレス成形することができるように展性を有することができる。リードフレーム100は、例えば、LTCC材料200の上面に圧入され、次に一緒に同時焼成することができる。リードフレーム構造体100とLTCC材料200との同時焼成は、リードフレーム構造体100及びLTCC材料200を構成する成分要素を例えばその接合部で互いに混合させることができ、それによってリードフレーム構造体100とLTCC材料200とは一体化するようになる。一部の実施形態では、同時焼成は、その中の材料の互いの化学結合又は共有結合を容易にする。そのような実施形態では、LTCC材料とリードフレーム構造体100とは互いと一緒に同時焼成することができる。例えば、本発明による一部の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とは一緒に圧搾されかつ一緒に加熱されてそれによってLCTT材料200とリードフレーム構造体100との成分要素は、互いの混合により一体化するようになる。本発明による一部の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とは、1000°C未満の温度で同時焼成される。本発明による更に他の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とは、850°Cよりも高く、しかし1000°C未満の温度で同時焼成される。一部の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とは、850°C未満の温度で同時焼成されるが、適切な同時焼成を可能にするためにより長い時間加熱されることがあることは理解されるであろう。一部の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とは、1000°Cよりも高い温度で同時焼成されるが、適切な同時焼成を可能にするためにより短い時間にわたって加熱されることがある。図3-図20に関して本明細書に説明するあらゆる実施形態は、上述の温度で同時焼成のために加熱することができることは理解されるであろう。本発明による他の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とが特定の温度で同時焼成される時に、LTCC材料200とリードフレーム構造体との十分な同時焼成を容易にするために1つ又はそれよりも多くの付加的なエネルギ源を提供することができ、それらの成分材料が互いに一体化するようになる。例えば、LTCC材料200とリードフレーム構造体との同時焼成は、圧力をかけて行うことができる。一部の実施形態では、LTCC材料200とリードフレーム構造体との十分な同時焼成を容易にする付加的なエネルギを提供するために超音波エネルギを使用することができる。その結果、LTCC材料200とリードフレーム構造体100とが例えば850°C未満で同時焼成される場合、LTCC材料200とリードフレーム構造体100との十分な同時焼成を容易にするために1つ又はそれよりも多くの付加的なエネルギ源を提供することができ、それらの成分材料が互いに一体化するようになる。図3-図20に関して本明細書に説明するあらゆる実施形態は、上述のような1つ又はそれよりも多くの付加エネルギ源と併せて、上述の温度で同時焼成のために加熱することができることは理解されるであろう。リードフレーム構造体100とLTCC材料200との同時焼成の後、LED190からの熱伝達を容易にするために、同時焼成されたリードフレーム構造体100とLTCC材料200との内部に経路を提供することができる。例えば、図2に示すように、LEDデバイス190から出てリードフレーム構造体100とLTCC材料200との接合部に向いかつそれを横断する熱の伝導、並びにリードフレーム構造体100それ自体の側方の熱の伝導を高めることができる。図2は、熱伝導のための個別の経路を示しているが、多くの経路が提供されることは理解されるであろう。LTCC材料200は、その中に導電性バイア又は他の特徴部を形成するようにパンチ加工、カット加工、及び/又は穿孔することができる。LTCC材料200は、LEDパッケージの組立中のLED190及びリードフレーム構造体100のための機械的支持を提供することができ、かつダイ取り付けパッド、電気トレースのような電気的接続を提供する特徴部、並びに熱エネルギの消散を容易にする特徴部、及び反射器及び/又はレンズのような光学的機能性及び/又は他の機能性を高める特徴部を含むことができる。バイアは、導電材料で鍍金及び/又は充填することができ、かつLTCC材料200、リードフレーム構造体並びにバイアは、LTCC材料を硬化状態に変換するように同時焼成することができる。上述のように、例えば、金属トレースを鍍金及びパターン化することによって形成することができる接点210が、バイア205に電気的に接続される。図13A及び図13Bは、リードフレーム構造体100の平面図と、図13AのA-A’ラインに沿って得られた断面図とをそれぞれ示し、一部の実施形態におけるセラミック材料200としてのLTCC材料の使用が強調されている。リードフレーム100は、中央領域102と、中央領域102から離れて延びる複数のリード104、106とを含む。電気リード104、106は互いに及び/又はリードフレーム構造体100の中央領域102から電気的に分離することができる。それらのリードは、逆の極性型例えば、アノード又はカソードのリードがリードフレーム構造体100の反対側に提供されるように配列することができる。本発明による一部の実施形態では、電気リード104、106は同じ厚みを有することができる。本発明による一部の実施形態では、電気リード104、106は異なる厚みを有することができる。図13Aに示すように、リードフレーム構造体100は、上面102aを更に有する。リードフレーム構造体100の中央部分102は、側壁102cによってリード104、106の下面104b、104cから離間した実質的に平坦な下面102bを有する。中央領域102は、第1の厚みすなわち、リードフレーム構造体100の上面100aと中央領域102の下面102bの間の間隔を有し、電気リード104、106は、第1の厚みよりも薄い第2の厚みすなわち、リードフレーム構造体100の上面100aとそれぞれのリード104、106の下面104b、106bの間の間隔を有する。空洞120が中央領域102内に形成される。本発明による一部の実施形態では、空洞124はリードフレーム構造体100の上面100aから中央領域102の内部に位置する基部124bまで延びる傾斜側壁を含む。空洞124は、任意の周囲形状を有することができる。しかし、図13A及び図13Bに示す実施形態では、空洞124は、ほぼ円形の周囲形状を有する。従って、空洞124の傾斜側壁は、空洞124がそこでリードフレーム構造体100の上面102aと交差するほぼ円形の上側リップ124aを形成することができる。図13A-図13Bに示されている空洞124の側壁は、円錐断面の形状例えば、円錐台を有する。しかし、空洞124の側壁は、例えば、立体放物線断面である他の形状を形成することができる。本発明による一部の実施形態では、空洞120の側壁は、図13Bに示すような傾斜ではなく実質的に垂直である。本発明による一部の実施形態では、空洞124は少なくとも1つの反射性表面を含む。空洞124の基部124bは、中央領域102の幅すなわち、中央領域102の側壁102cの間の間隔よりも小さい直径を有する。更に、空洞124の上側リップ124aは、中央領域102の幅以下とすることができる直径を有する。更に、空洞124の基部124bと中央領域102の下面102bの間の中央領域102の厚みは、電気リード104、106よりも厚い場合がある。LED190は、中央領域102内に空洞基部124b上に位置付けられ、リードフレーム構造体100のリードに接合された端子ワイヤを含む。図13Bに示すように、リードフレーム構造体100は、LTCC材料200上に位置付けられ、かつそれと共に同時焼成され、LTCC材料は、同時焼成の後に比較的軟質な状態から硬化した状態に変化する。複合したリードフレーム構造体100及びLTCC材料200は、LED190は経路194を通じてリードフレーム構造体100とLTCC材料200との接合部に向い、かつリードフレーム100の外側縁部に向う熱の伝導を高める。リードフレーム構造体100とLTCC材料200との同時焼成は、リードフレーム構造体100及びLTCC材料200を構成する成分要素を例えばその接合部で互いに混合させることができ、それによってリードフレーム構造体100とLTCC材料200とは一体化するようになる。図14は、本発明による一部の実施形態におけるタブ510を通じて取り付けられたリードフレーム構造体505のアレイを示す略平面図である。リードフレーム構造体505のアレイは、例えば、銅である金属の単シートから形成することができ、単シートは圧断されて図示のパターンが生成されることは理解されるであろう。リードフレーム構造体505が下側のLTCC材料200に付加される時に、タブ510、並びに個々のリードフレーム構造体505内の他の特徴部は、リードフレーム構造体505の部分のみがLTCC材料200に付加されるように除去することができることは更に理解されるであろう。図15A及び図16Bは、本発明による実施形態におけるLTCC材料を伴うリードフレーム構造体の形成を示す断面図である。図15Aにより、リードフレーム構造体605を、LTCC材料200の上に置くことができる。リードフレーム構造体605は、リードフレーム構造体のアレイ500にまだ接続されている時にすなわち、タブ510によって他のリードフレーム構造体505にまだ接続されている時にLTCC材料200上に置くことができることは理解されるであろう。図15Aに更に示すように、突起615を含むプレス600が、リードフレーム構造体605に接触することができる。その結果、リードフレーム構造体605は、プレス600によって下側のLTCC材料200に付加することができる。本明細書に説明されているように、LTCC材料200は展性を有する形態にあることができ、それによって突起615がリードフレーム構造体605に接触する時にリードフレーム構造体605は図5に示すフレームから離され、例えば、LED190がその中に位置することができる基部を提供するように更に成形される。更に、下側のLTCC材料200は、突起615、並びにリードフレーム構造体605の突起615に近接する部分を収容するように変形する。本発明による更に別の実施形態では、LTCC材料200の上面と向い合うリードフレーム構造体100の表面は、それらの付加中のリードフレーム構造体100と下側のLTCC材料200との間の接着を強化するために粗化することができる。図15Bにより、図15Aに示すリードフレーム構造体605は、LTCC材料200の上面に空洞124の形状で圧入される。更に、LTCC材料200及びリードフレーム構造体100は互いと共に同時焼成され、それによってそれらの中の成分要素がリードフレーム構造体100とLTCC材料200の間の接合部で混合して互いに一体化するようになり、それによってLEDから出てリードフレーム構造体100を通ってLTCC材料200に入る熱の伝達を容易にすることができる。図15A及び図15Bは、リードフレーム構造体を下側のLTCC材料に付加することができる処理の一般的な説明を提供することは理解されるであろう。図16-図20は、リードフレーム構造体を下側のLTCC材料に付加することができる一部の代替的な実施形態を示している。特に、図16により、リードフレーム構造体705は、リードフレーム構造体705の穿刺加工によって作成された突き抜け部分715を含む。図17に示すように、リードフレーム構造体705の突き抜け部分800は、LTCC材料200内に引っ込んでいる。リードフレーム構造体705とLTCC材料200との同時焼成は、リードフレーム構造体100とLTCC材料200とを構成する成分要素を例えばそれらの接合部で互いに混合させることができ、それによってリードフレーム構造体100とLTCC材料200とは一体化するようになる。突き抜け部分800が、LTCC材料200の上面の下に引っ込んでいるので、それらの突き抜け部分800は、リードフレーム構造体からLTCC材料200内への更に別の熱伝達を容易にすることができる。図17で更に示すように、突き抜け部分800は、LTCC材料200とリードフレーム構造体705との温度係数の差を補償するのに足りる間隔で互いに離間することができる。特に、LTCC材料とリードフレーム構造体705とは異なる材料で形成され、それによってそれら材料の各々はそれぞれの温度係数を有することになり、これは、加熱中の膨張の異なる程度を説明することになる。その結果、離間突き抜け部分800の間の間隔は、LTCC材料200の比較的低い温度係数と比較してリードフレーム構造体705を形成するのに使用される金属のより大きい温度係数を補償することができる。従って、離間突き抜け部分800の間の間隔は、それらの間の膨脹接合部を提供することができ、それによって加熱中にリードフレーム構造体がLTCC材料200よりも膨張する時に、それら2つの材料は一体のままとすることができ、分離する可能性は低い。更に、突き抜け部分800の間の間隔を導電性インク815で満たすことができ、そのインクは、リードフレーム構造体705の突き抜け部分800の間の導電性を提供すると同時に突き抜け部分800のより大きい膨張も依然として補償することができる。従って、LEDパッケージを提供するために、LED190をリードフレーム構造体705の突き抜け部分上に配置することができることは理解されるであろう。本発明による更に別の実施形態では、突き抜け部分715のパターンは、温度係数の差を更に補償するように構成することができる。例えば、突き抜け部分715は、リードフレーム構造体705内部に様々に位置することができる。図18は、比較的軟質状態にある時のLTCC材料200内に圧入される突起900を含むリードフレーム構造体905の断面図である。特に、リードフレーム構造体905は、LTCC材料200に向い合うその表面上に突起900を含むように形成することができる。リードフレーム構造体905は、次に、突起900がLTCC材料200の上面の下に延びてLTCC材料200内部に引っ込むようにLTCC材料の上面に付加される。その結果、突起900は、LED190から出る熱の伝達を更に容易にすることができる。リードフレーム構造体905とLTCC材料200との同時焼成は、リードフレーム構造体905及びLTCC材料200を構成する成分要素を例えばその接合部で互いに混合させることができ、それによってリードフレーム構造体905とLTCC材料200とが一体化されるようになる。図19は、本発明による実施形態におけるタブ1005によって接続した構造体のアレイの一部とすることができるリードフレーム構造体1000の概略図を示す平面図である。図19で更に示すように、圧搾非穿刺部分1010がリードフレーム構造体1000内に形成される。例えば、圧搾非穿刺部分1010は、図5に示すアレイからリードフレーム構造体1000を分離する時に又はリードフレーム構造体1000をLTCC材料200の上面に付加する時に形成することができる。リードフレーム構造体1000とLTCC材料200との同時焼成は、リードフレーム構造体1000及びLTCC材料200を構成する成分要素を例えばその接合部で互いに混合させることができ、それによってリードフレーム構造体1000とLTCC材料200とが一体化されるようになる。図20は、LTCC材料200に付加された圧搾非穿刺部分100を示す断面図であり、リードフレーム構造体1000の圧搾非穿刺部分はLTCC材料の表面に圧入されているが、リードフレーム構造体は、LTCC材料200への付加の後に連続した材料のままに残る。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料のスラリ又は湿潤ペーストが、LTCC材料200を提供することができる。従って、セラミック材料のスラリ又は湿潤ペーストは、材料の改善した一体化に互いをもたらすように、リードフレーム構造体100との同時焼成を可能にする治具、型、又は他の構造体に提供することができる。本明細書に説明されているように、本発明による様々な実施形態は、セラミックリードフレーム材料上にリードフレームを含むことができるLEDをその上に取り付けるための構造体を提供することができ、リードフレーム構造体は、セラミック材料とリードフレームとが互いに一体化することを可能にする部分を含む。例えば、本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体内の導電性バイアがセラミック材料の中に延びて一体化を提供する。本発明による一部の実施形態では、リードフレーム構造体は、セラミック材料の上面上及び対向する下面上の両方に延びてこの一体化を提供する。本発明による更に別の実施形態では、この一体化は、例えば、リードフレーム構造体及び同時焼成セラミック材料の成分要素が互いに混合することができるように、リードフレーム構造体と共に同時焼成されるセラミック材料として同時焼成セラミックを使用することによって提供することができる。本発明による一部の実施形態では、セラミック材料は、低温同時焼成セラミックLTCC材料とすることができる。添付図面及び本明細書においては、本発明の典型的な好ましい実施形態を開示し、かつ特定の用語が使用されているが、それらは、網羅的及び説明的な意味のみで使用されて制限の目的では用いられず、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲に示されている。"