"炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位aを主成分とし、前記構成単位aが、酸解離性溶解抑制基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1、ラクトン含有単環式基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2-1、及び、親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基又は親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有し、前記構成単位a1が、下記一般式a1-1[式中、Rは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基を表し、R11は、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基を表す]で表される炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-1を有することを特徴とするレジスト用樹脂。前記構成単位a1-1が、下記一般式a1-2[式中、Rは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基を表し、R12は炭素数1~5のアルキル基を表し、XはR12が結合する炭素原子とともに単環式の脂肪族炭化水素基を形成する基を表す]で表される構成単位a1-2を有する請求項1記載のレジスト用樹脂。前記構成単位aが、さらに、前記構成単位a2-1及びa3以外の、多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a4を有する請求項1に記載のレジスト用樹脂。A酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するレジスト用樹脂成分、及びB露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記A成分が、請求項1に記載のレジスト用樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。さらに含窒素有機化合物を含有する請求項4に記載のポジ型レジスト組成物。請求項4に記載のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該ポジ型レジスト膜に対して選択的に露光処理を行った後、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位aを主成分とし、前記構成単位aが、酸解離性溶解抑制基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1、ラクトン含有単環又は多環式基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2、及び、親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基又は親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有し、前記構成単位a1が、下記一般式a1-1-1[式中、R11は、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基を表す]で表されるメタクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-1-1を有することを特徴とするレジスト用樹脂。前記構成単位a1-1-1が、下記一般式a1-2-1[式中、R12は炭素数1~5のアルキル基を表し、XはR12が結合する炭素原子とともに単環式の脂肪族炭化水素基を形成する基を表す]で表される構成単位a1-2-1を有する請求項7記載のレジスト用樹脂。前記構成単位aが、さらに、前記構成単位a2及びa3以外の、多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a4を有する請求項7に記載のレジスト用樹脂。A酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するレジスト用樹脂成分、及びB露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記A成分が、請求項7に記載のレジスト用樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。さらに含窒素有機化合物を含有する請求項10に記載のポジ型レジスト組成物。請求項10に記載のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該ポジ型レジスト膜に対して選択的に露光処理を行った後、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。現在、レジスト材料には、上述したような半導体素子の微細化に対応するため、さらなる解像性や焦点深度幅DOFの向上が求められている。しかし、本発明者らの検討によれば、ベース樹脂として、上述したような多環式の脂肪族炭化水素基を保護基として含有する樹脂を用いたレジストは、解像性や焦点深度幅において不十分である。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、優れた解像性及び焦点深度幅を有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられるレジスト用樹脂、該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記課題を解決する本発明の第1の態様は、炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位aを主成分とし、前記構成単位aが、酸解離性溶解抑制基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1、ラクトン含有単環式基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2-1、及び、親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基又は親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有し、前記構成単位a1が、下記一般式a1-1[式中、Rは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基を表し、R11は、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基を表す]で表される炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-1を有することを特徴とするレジスト用樹脂である。上記課題を解決する本発明の第2の態様は、炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位aを主成分とし、前記構成単位aが、酸解離性溶解抑制基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1、ラクトン含有単環又は多環式基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2、及び、親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の炭化水素基又は親水性を高め、アルカリ現像液との親和性を高める極性基を含有する多環式の脂肪族炭化水素基を含有する炭素数1~5のα-アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有し、前記構成単位a1が、下記一般式a1-1-1[式中、R11は、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基を表す]で表されるメタクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-1-1を有することを特徴とするレジスト用樹脂である。上記課題を解決する本発明の第3の態様は、A酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するレジスト用樹脂成分、及びB露光により酸を発生する酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記A成分が、前記第1又は第2の態様のレジスト用樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。上記課題を解決する本発明の第4の態様は、前記第3の発明のポジ型レジスト組成物を用いて基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該ポジ型レジスト膜に対して選択的に露光処理を行った後、アルカリ現像してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法である。なお、本発明において、α-低級アルキルアクリル酸エステルとは、α-低級アルキルアクリル酸エステルと、アクリル酸エステルの総称である。また、α-低級アルキルアクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルのα炭素原子に結合した水素原子が低級アルキル基で置換されたものを意味する。また、構成単位とは、重合体を構成するモノマー単位を意味する。また、α-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、α-低級アルキルアクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。本発明のレジスト用樹脂を含有するポジ型レジスト組成物によれば、解像性及び焦点深度幅に優れたレジストパターンを形成することができる。以下、本発明をより詳細に説明する。レジスト用樹脂本発明のレジスト用樹脂以下、樹脂A1ということがあるは、α-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位aを主成分とする。構成単位aを主成分とすることにより、例えばArFエキシマレーザー等の200nm以下の波長を用いるプロセス用のレジストに用いるのに充分な透明性が得られる。なお、ここで、構成単位aを主成分とするとは、樹脂A1を構成する全構成単位中、構成単位aの割合が最も多いことを意味し、該構成単位aの割合は50モル以上が好ましく、80モル以上がより好ましく、100モルが最も好ましい。構成単位a以外の構成単位としては、一般に、レジスト用樹脂に用いられているものであれば特に限定せずに用いることができる。その例として、ヒドロキシスチレン又はα-メチルヒドロキシスチレンから誘導される構成単位、スチレン又はα-メチルスチレンなどから誘導される構成単位等が挙げられる。<構成単位a1>構成単位aは、酸解離性溶解抑制基を含有するα-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1を有する。構成単位a1における酸解離性溶解抑制基は、露光前の樹脂A1全体をアルカリ不溶とするアルカリ溶解抑制性基を有すると同時に、露光後は、B成分から発生する酸の作用により該抑制基を解離することにより、樹脂A1全体のアルカリ可溶性を増大させる。[構成単位a1-1及びa1-1-1]構成単位a1は、上記一般式a1-1又はa1-1-1で表される、α-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-1第1の態様又はa1-1-1第2の態様を有する。式a1-1中、Rは水素原子又は低級アルキル基を表し、該低級アルキル基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、好ましくは炭素数1~5のアルキル基、より好ましくは炭素数1のメチル基が挙げられる。R11は、単環式の脂肪族炭化水素基以下、単環式基ということがあるを含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基以下、多環式基ということがあるを含有しない酸解離性溶解抑制基を表す。R11の炭素数は、好ましくは4~11、さらに好ましくは5~10、より好ましくは5~8である。R11は、R11が結合している酸素原子に隣接する炭素原子が、第3級炭素原子であり、例えば熱や露光により後述するB成分から酸が発生すると、その酸の作用により、該酸素原子との結合が切れて、単環式の脂環式基を含む部分が解離する。R11としては、例えば、後述する一般式I、IIのような従来の酸解離性溶解抑制基を有する構成単位において、アダマンチル基等の多環式基を単環式基に置換したものなどが挙げられる。すなわち、第3級炭素原子は、単環式基上に形成されていてもよいし、R11が結合している酸素原子と単環式基との間に形成されていてもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等の炭素数4~8のシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。これらの中でも、入手の容易さ等の点から、シクロヘキサンから1個の水素原子を除いた基シクロヘキシル基が好ましい。また、多環式の脂肪族炭化水素基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等から1個の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。構成単位a1-1又はa1-1-1として、より具体的には、下記一般式a1-2で表される構成単位a1-2又は一般式a1-2-1で表される構成単位a1-2-1がそれぞれ挙げられる。構成単位a1-2及びa1-2-1中のエステル部分、すなわち、R12、R12が結合する炭素原子及びXによって構成される部分は、酸解離性溶解抑制基である。[上記式a1-2中、Rは水素原子又は低級アルキル基を表す。上記式a1-2及びa1-2-1中、R12は低級アルキル基を表し、XはR12が結合する炭素原子とともに単環式の脂肪族炭化水素基を形成する基を表す]上記式a1-2中、Rの低級アルキル基は前記と同じ意味である。上記式a1-2及びa1-2-1中、R12の低級アルキル基としては、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは1~4の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。工業上の理由等から、エチル基またはメチル基が、特にはエチル基が好ましい。R12が結合する炭素原子とともに形成する単環式の脂肪族炭化水素基としては、構成単位a1-2及びa1-2-1のR11で説明したのと同様のものを挙げることができ、中でもシクロペンタン又はシクロヘキサンから1個の水素原子を除いた基シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が好ましく、シクロヘキシル基が最も好ましい。樹脂A1において、構成単位a1中に占める前記構成単位a1-1又はa1-1-1の割合は、本発明の効果のためには、50モル以上が好ましく、80モル以上がより好ましい。最も好ましくは100モルである。[構成単位a1-1又はa1-1-1以外の構成単位]本発明においては、構成単位a1は、上記構成単位a1-1又はa1-1-1以外の、酸解離性溶解抑制基を含有するα-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a1-3を有していてもよい。構成単位a1-3の酸解離性溶解抑制基としては、従来、化学増幅型レジスト用の樹脂に用いられているものを任意に使用可能である。特に、耐ドライエッチング性が良好であることから、上述したような、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が好ましく用いられる。この様な多環式基は、例えばArFエキシマレーザーのレジスト組成物用の樹脂成分において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。その中でもアダマンチル基、ノルボルニル基、テトラシクロドデカニル基が工業上好ましい。構成単位a1-3として、より具体的には、下記一般式I、II又はIII等が挙げられる。式中、Rは前記に同じであり、R1は低級アルキル基である。式中、Rは前記に同じであり、R2、R3はそれぞれ独立に低級アルキル基である。式中、Rは前記に同じであり、R4は第3級アルキル基である。式中、R1としては、炭素数1~5の低級の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。中でも、炭素数2以上、好ましくは2~5のアルキル基が好ましく、この場合、メチル基の場合に比べて酸解離性が高くなる傾向がある。なお、工業的にはメチル、エチル基が好ましい。前記R2、R3は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数1~5の低級アルキル基であると好ましい。このような基は、2-メチル-2-アダマンチル基より酸解離性が高くなる傾向がある。より具体的には、R2、R3は、それぞれ独立して、上記R1と同様の低級の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。中でも、R2、R3が共にメチル基である場合が工業的に好ましく、具体的には、2-1-アダマンチル-2-プロピルメタアクリレートから誘導される構成単位を挙げることができる。前記R4は、tert-ブチル基やtertアミル基のような第3級アルキル基であり、tert-ブチル基である場合が工業的に好ましい。また、基-COOR4は、式中に示したテトラシクロドデカニル基の3または4の位置に結合していてよいが、これらは異性体が混合していることから、結合位置を特定できない。また、メタアクリレート構成単位のカルボキシル基残基も同様に式中に示した8または9の位置に結合するが、結合位置の特定はできない。本発明の樹脂A1において、構成単位a1は、樹脂A1の全構成単位の合計に対して、解像性に優れることから、20~60モルが好ましく、30~50モルがより好ましい。<構成単位a2及びa2-1>樹脂A1において、構成単位aは、構成単位a1に加えてさらに、ラクトン含有単環又は多環式基を含有するα-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a2を有する本発明の第2の態様。或いは構成単位aは、構成単位a1に加えて更にラクトン含有単環式基を含有するメタクリル酸エステルから誘導される構成単位a2-1を有する本発明の第1の態様。これにより、レジスト膜と基板との密着性を高められ、微細なレジストパターンにおいても膜剥がれ等が起こりにくくなる。また、樹脂A1全体の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。構成単位a2としては、α-低級アルキルアクリル酸エステルのエステル側鎖部にラクトン環からなる単環式基またはラクトン環を有する脂肪族多環式基が結合した構成単位が挙げられる。なお、このときラクトン環とは、-O-CO-構造を含むひとつの環を示し、これをひとつの目の環として数える。したがって、ここではラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。そして、構成単位a2におけるラクトン含有環として、具体的には、例えば、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた単環式基や、ラクトン環含有ポリシクロアルカンから水素原子を1つを除いた多環式基などが挙げられる。前記ラクトン含有単環又は多環式基には炭素数1~5のアルキル基が結合していても良い。具体的には、構成単位a2は例えば以下の構造式IV~VIIで表される構成単位が好ましい。式中、Rは前記に同じであり、mは0又は1である。式中、Rは前記に同じである。式中、Rは前記に同じである。式中、Rは前記に同じである。構成単位a2-1としては、α-低級アルキルアクリル酸エステルのエステル側鎖部にラクトン環からなる単環式基が結合した構成単位が挙げられる。構成単位a2-1におけるラクトン含有環として、具体的には、例えば、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた単環式基を挙げることができる。前記ラクトン含有単環式基には炭素数1~5のアルキル基が結合していても良い。具体的には、構成単位a2-1は例えば上記構造式VIIで表される構成単位が好ましい。構成単位a2又はa2-1は、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、20~60モル、特には20~50モル含まれていると好ましい。<構成単位a3>樹脂A1において、構成単位aは、構成単位a1及び構成単位a2若しくはa2-1に加えて、極性基含有脂肪族炭化水素基を含有するα-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有することが好ましい。これにより、樹脂A1全体の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。極性基としては、水酸基、シアノ基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の炭化水素基アルキレン基や、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基が挙げられる。該多環式基としては、構成単位a1において例示したものと同様の多数の多環式基から適宜選択して用いることができる。構成単位a3としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状又は分岐状の炭化水素基のときは、α-低級アルキルアクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記一般式VIIIで表される構成単位が好ましいものとしてあげられる。式中、Rは前記に同じであり、nは1~3の整数である。これらの中でも、nが1であり、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。構成単位a3は、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、10~50モル、好ましくは20~40モル含まれていると好ましい。<構成単位a4>樹脂A1は、さらに、構成単位a2及びa3以外の、多環式の脂肪族炭化水素基を含有するα-低級アルキルアクリル酸エステルから誘導される構成単位a4を含むものであってもよい。ここで、構成単位a2及びa3以外とは、これらと重複しないという意味であり、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基としては、前記構成単位a2、a3におけるものと同様な多数の多環式基が挙げられる。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基から選ばれる少なくとも1種以上であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。構成単位a4として、具体的には、下記IX~XIの構造のものを例示することができる。式中、Rは前記に同じである。式中、Rは前記に同じである。式中、Rは前記に同じである。構成単位a4は、樹脂A1を構成する全構成単位の合計に対して、1~25モル、好ましくは10~20モル含まれていると好ましい。<構成単位a5>樹脂A1は、構成単位a1~a4以外の他の構成単位a5を含むものであってもよい。構成単位a5は、上述の構成単位a1~a4に分類されない他の構成単位であれば特に限定するものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFポジエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。樹脂A1の樹脂の質量平均分子量ゲルパーミネーションクロマトグラフィによるポリスチレン換算基準は、特に限定するものではないが、5000~30000が好ましく、6000~20000がより好ましい。樹脂A1は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。ポジ型レジスト組成物本発明のポジ型レジスト組成物は、A酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するレジスト用樹脂成分以下、A成分という、及びB露光により酸を発生する酸を発生する酸発生剤成分以下、B成分というを含有するものである。<A成分>本発明のポジ型レジスト組成物は、A成分として、上述した本発明のレジスト用樹脂樹脂A1を含有することを特徴とするものである。A成分中、樹脂A1の含有量は、好ましくは50質量以上、より好ましくは80~100質量であり、最も好ましくは100質量である。50質量以上含有することにより、高い解像性向上効果が得られる。本発明においては、A成分として、樹脂A1に加えて、一般にレジスト用樹脂として用いられている多数の樹脂を適宜選択して用いることができる。そのような樹脂としては、例えば、上述した樹脂A1において、構成単位a1-1又はa1-1-1以外の構成単位a1-3を有し、任意に上記構成単位a2~a5を有する樹脂等が挙げられる。<B成分>B成分としては、従来、化学増幅型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート類系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。該酸発生剤のなかでもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。オニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロンメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。これらのうち、スルホニウム塩が更に好ましく、特にはそのノナフルオロブタンスルホネート塩が好ましい。B成分として、1種の酸発生剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。B成分の使用量は、A成分100質量部に対し、0.5~30質量部、好ましくは1~10質量部とされる。0.5質量部未満ではパターン形成が十分に行われないおそれがあり、30質量部を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。<C成分>本発明のポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤C以下、C成分というに溶解させて製造することができる。C成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種又は2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは9:1~1:9、より好ましくは8:2~2:8の範囲内とする。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は好ましくは8:2~2:8、より好ましくは7:3~3:7である。また、C成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。また、C成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEも好ましい。使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度2~20質量、好ましくは5~15質量の範囲内とされる。<D成分>本発明のポジ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性postexposurestabilityofthelatentimageformedbythepatternwiseexposureoftheresistlayerなどを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物D以下、D成分というを配合させることができる。このD成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いれば良いが、アミン、特に第2級低級脂肪族アミンや第3級低級脂肪族アミンが好ましい。ここで、低級脂肪族アミンとは炭素数5以下のアルキルまたはアルキルアルコールのアミンを言い、この第2級や第3級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられるが、特にトリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンのような第3級アルカノールアミンが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~2.0質量部の範囲で用いられる。<E成分>また、前記D成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体E以下、E成分というを含有させることができる。なお、D成分とE成分は併用することもできるし、いずれか1種を用いることもできる。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ‐n‐ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸‐ジ‐n‐ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。E成分は、A成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。<その他の任意成分>本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。本発明のポジ型レジスト組成物は、優れた解像性を有する。また、本発明のポジ型レジスト組成物を用いることにより、ラインエッジラフネスLERの良好なレジストパターンを形成できる。またトレンチパターンの焦点深度幅に優れる。その理由は、明らかではないが、例えば次のように考えられる。ArFエキシマレーザーを用いたプロセスにおいて、従来のレジスト用樹脂としては、耐ドライエッチング性を充分なものとするために、一般的に、アダマンチル基等の多環式の脂肪族多環式基を含有する酸解離性溶解抑制基保護基を有するものが用いられてきた。しかし、このような保護基は嵩高いため、該保護基を解離させた後に生じる脱離物の沸点が高く、レジスト膜中に残りやすいと考えられる。そして、このような脱離物が、レジスト膜中で可塑剤として働き、レジスト膜を軟化させることにより、レジスト膜中で発生した酸の拡散長を伸ばしてしまい、これが解像力の向上を妨げていたと考えられる。これに対し、本発明のレジスト用樹脂は、上記構成単位a1-1を有しているため、すなわち、保護基として、単環式の脂肪族炭化水素基を含有し、かつ多環式の脂肪族炭化水素基を含有しない酸解離性溶解抑制基を用いる。このため、このレジスト用樹脂は、ある程度の耐ドライエッチング性を確保しつつ、脱離物がレジスト膜中に残りにくくなり、酸の拡散をより正確に制御できるようになり、解像性が向上していると考えられる。また、酸の拡散をより正確に制御できることから、形成されるレジストパターン側壁の形状も良好になり、LERも改善されると考えられる。さらに、本発明のポジ型レジスト組成物は、MEFマスクエラーファクターが良好である。MEFとは、線幅や口径の異なるマスクパターンを、同じ露光量で、どれだけ忠実に再現できるかを示すパラメーターであり、下記式により求められる値である。MEFは1に近いほど好ましい。MEF=|CDx-CDy|/|MDx-MDy|上記式中、MDx、MDyはそれぞれ異なったマスクパターンのサイズnmであり、CDx、CDyはそれぞれ該マスクパターンを用いて形成されたレジストパターンのサイズnmである。レジストパターン形成方法本発明のレジストパターン形成方法は例えば以下の様にして行うことができる。すなわち、まずシリコンウェーハのような基板上に、上記ポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80~150°Cの温度条件下、プレベークを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。得られた膜に、例えばArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、PEB露光後加熱を40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いでこれをアルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。なお、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けることもできる。また、露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、特に、ArFエキシマレーザーに対して有効である。以下、本発明を、実施例を示して詳しく説明する。a11:1-エチル-1-シクロヘキシルメタクリレート一般式a1-2において、Rがメチル基で、R12がエチル基で、XがR12が結合する炭素原子とともに形成する基がシクロヘキシル基である構成単位に相当するモノマーa12:1-エチル-1-シクロペンチルメタクリレート一般式a1-2において、Rがメチル基で、R12がエチル基で、XがR12が結合する炭素原子とともに形成する基がシクロペンチル基である構成単位に相当するモノマーa13:2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート一般式Iにおいて、Rがメチル基で、R1がメチル基である構成単位に相当するモノマーa14:2-エチル-2-アダマンチルメタクリレート一般式Iにおいて、Rがメチル基で、R1がエチル基である構成単位に相当するモノマーa21:γ-ブチロラクトンメタクリレート一般式VIIにおいて、Rがメチル基である構成単位に相当するモノマーa22:ノルボルナンラクトンアクリレート一般式VIにおいて、Rが水素原子である構成単位に相当するモノマーa31:3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレート一般式VIIIにおいて、Rがメチル基で、nが1で、ヒドロキシ基がアダマンチル基の3位に結合した構成単位に相当するモノマーa32:3-ヒドロキシ-1-アダマンチルアクリレート一般式VIIIにおいて、Rが水素原子で、nが1で、ヒドロキシ基がアダマンチル基の3位に結合した構成単位に相当するモノマー合成例1前記モノマーa110.1モル、a210.1モル及びa310.05モルの混合物0.25モルを、500mlのメチルエチルケトンMEKに溶解し、これにAIBN0.01molを加えて溶解した。得られた溶液を、65~70°Cに加熱し、この温度を3時間維持した。その後、得られた反応液を、よく撹拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離した。得られた固形物を300mlのMEKに溶解し、よく撹拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離し、乾燥させて、レジスト用樹脂X1を得た。得られたレジスト用樹脂X1を分析したところ、質量平均分子量は、10000で、分散度Mw/Mnは1.7であった。また、カーボン1313CNMR測定の結果、上記a11とa21とa31から誘導される構成単位の割合は、40:40:20モル比であった。これら構成単位を次の式XIIに示す。合成例2前記モノマーa120.1モル、a210.1モル及び前記a310.05モルの混合物0.25モルを、500mlのメチルエチルケトンMEKに溶解し、これにAIBN0.01molを加えて溶解した。得られた溶液を、65~70°Cに加熱し、この温度を3時間維持した。その後、得られた反応液を、よく撹拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離した。得られた固形物を300mlのMEKに溶解し、よく撹拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離し、乾燥させて、レジスト用樹脂X2を得た。得られたレジスト用樹脂X2を分析したところ、質量平均分子量は、10000で、分散度Mw/Mnは1.6であった。また、カーボン1313CNMR測定の結果、上記a12とa21とa31から誘導される構成単位の割合は、40:40:20モル比であった。これら構成単位を次の式XIIIに示す。合成例3前記モノマーa110.1モル、a220.1モル及びa320.05モルの混合物0.25モルを、500mlのメチルエチルケトンMEKに溶解し、これにAIBN0.01molを加えて溶解した。得られた溶液を、65~70°Cに加熱し、この温度を3時間維持した。その後、得られた反応液を、よく撹拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離した。得られた固形物を300mlのMEKに溶解し、よく撹拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離し、乾燥させて、レジスト用樹脂X3を得た。得られたレジスト用樹脂X3を分析したところ、質量平均分子量は、10000で、分散度Mw/Mnは1.7であった。また、カーボン1313CNMR測定の結果、上記a11とa22とa32から誘導される構成単位の割合は、40:40:20モル比であった。これら構成単位を次の式XIVに示す。比較合成例1前記モノマーa130.1モル、a210.1モル及びa310.05モルの混合物0.25モルを、500mlのメチルエチルケトンMEKに溶解し、これにAIBN0.01molを加えて溶解した。得られた溶液を、65~70°Cに加熱し、この温度を3時間維持した。その後、得られた反応液を、よく撹拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離した。得られた固形物を300mlのMEKに溶解し、よく撹拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離し、乾燥させて、レジスト用樹脂Y1を得た。得られたレジスト用樹脂Y1を分析したところ、質量平均分子量は、10000であった。また、カーボン1313CNMR測定の結果、上記a13とa21とa31から誘導される構成単位の割合は、40:40:20モル比であった。これら構成単位を次の式XVに示す。比較合成例2下記モノマーa140.1モル、a220.1モル及びa320.05モルの混合物0.25モルを、500mlのメチルエチルケトンMEKに溶解し、これにAIBN0.01molを加えて溶解した。得られた溶液を、65~70°Cに加熱し、この温度を3時間維持した。その後、得られた反応液を、よく撹拌したイソプロパノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離した。得られた固形物を300mlのMEKに溶解し、よく撹拌したメタノール3L中に注ぎ、析出した固形物をろ過により分離し、乾燥させて、レジスト用樹脂Y2を得た。得られたレジスト用樹脂Y2を分析したところ、質量平均分子量は、10000で、であった。また、カーボン1313CNMR測定の結果、上記a14とa22とa32から誘導される構成単位の割合は、40:40:20モル比であった。これら構成単位を次の式XVIに示す。以上の結果を表1にまとめた。合成例1で得られた樹脂X1100質量部に、B成分としてジフェニル-3-メチルフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート以下PAG1と略記する。2.0質量部及びトリtert-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート以下PAG2と略記する。0.8質量部、D成分としてトリエタノールアミン以下AMINE1と略記する。0.25質量部を、γ-ブチロラクトン25質量部、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAと乳酸エチルELとの混合物質量比8:2900質量部に溶解して、ポジ型レジスト組成物を調製した。次いで、有機系反射防止膜組成物ARC-29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で215°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚77nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、上記ポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で115°C、90秒間プレベークし、乾燥することにより、膜厚300nmのレジスト層を形成した。ついで、ArF露光装置NSR-S302ニコン社製;NA開口数=0.60,2/3輪帯により、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターンを介して選択的に照射した。そして、115°C、90秒間の条件でPEB処理し、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間パドル現像し、その後20秒間水洗して乾燥して、レジストパターンを形成した。その結果、実施例1のポジ型レジスト組成物を用いて得られた130nmのマスクが130nmに転写される露光量にて露光したときのトレンチパターンの限界解像力は110nmであった。また、上記と同様にして120nmおよび200nmのLSスペースのマスクパターンを用いてLSパターンを形成し、以下の式からMEFマスクエラーファクターの値を求めた。MEF=|CD200-CD120|/|MD200-MD120|上記式中、CD200、CD120はそれぞれ200nm、120nmのマスクパターンを用いて形成されたLSパターンのレジストパターン幅nmであり、MD200、MD120はそれぞれマスクパターンの幅nmであり、MD200=200、MD120=120である。その結果、MEFは0.96であった。また、上記で形成した120nmのラインアンドスペースLSパターンのLERを示す尺度である3σを求めた。その結果、得られたパターンの3σは4.3nmであった。なお、3σは、側長SEM日立製作所社製,商品名S-9220により、試料のレジストパターンの幅を32箇所測定し、その結果から算出した標準偏差σの3倍値3σである。この3σは、その値が小さいほどラフネスが小さく、均一幅のレジストパターンが得られたことを意味する。また、感度は31mJ/cm2で、130nmのスペース部を形成したトレンチパターンの焦点深度幅は600nmであった。比較例1実施例1において、樹脂X1に代えて、比較合成例1で得た樹脂Y1を用いた以外は実施例1と同様にして、ポジ型レジスト組成物を調製した。次いで、実施例1において、プレベーク温度とPEB温度をそれぞれ130°Cに代えた以外は同様にしてレジストパターンを形成し、実施例1と同様な特性を評価した。その結果、得られた同様のトレンチパターンの限界解像力は120nmであり、MEFは0.66で、3σは6.5nmであった。また、感度は29mJ/cm2で、130nmのスペース部を形成したトレンチパターンの焦点深度幅は400nmであった。上述の結果から、合成例1で得られた樹脂X1を含有する実施例1のポジ型レジスト組成物は、解像性が高いことは明らかである。また、MEFも1に近く、さらに、該ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジストパターンも、LERの小さい良好なものであった。さらに焦点深度においても優れている。実施例2~3、比較例2下記表2に示す組成でポジ型レジスト組成物を調整した後、下記表3に示す実装条件でレジストパターンを形成し、その結果を表4にまとめた。尚、表中の括弧内の数値は、特に断りがない限り質量部を意味する。実施例1~2、比較例1は露光装置:NikonNSR-S302NA=0.6、2/3輪帯照明、実施例3及び比較例2は露光装置:NikonNSR-S302NA=0.6、σ=0.75<感度>実施例1~2、比較例1においては130nmのトレンチパターンを形成した際の感度を求めた。実施例3、比較例2においては口径140nmのデンスコンタクトホールパターンピッチ300nmを形成した際の感度を求めた。<限界解像力>上記感度での限界解像力。実施例1~2、比較例1はトレンチパターンで評価した。実施例3、比較例2においてはデンスコンタクトホールパターンで評価した。<DOF>実施例1~2、比較例1においては130nmのトレンチパターンでの焦点深度幅を測定した。実施例3、比較例2においては口径140nmのデンスコンタクトホールパターンピッチ300nmでの焦点深度幅を測定した。<MEF>実施例1~2、比較例1においては120nm及び200nmのラインアンドスペースパターンを用いて、上述の式からMEFマスクエラーファクターの値を求めた。実施例3、比較例2においては比較例1においては口径140nm及び200nmのデンスコンタクトホールパターンを用いて、上述の式からMEFマスクエラーファクターの値を求めた。<LER>実施例1~2、比較例1においては側長SEM日立製作所社製,商品名S-9220により、120nmのラインアンドスペースパターンの幅を32箇所測定し、その結果から算出した標準偏差σの3倍値3σである。実施例3及び比較例2においては、コンタクトホールパターンのため、LERを数値化することはできないが、断面SEM写真において実施例3と比較例2とを比べると、実施例3のホールパターン内壁の凹凸が低減されていた。"