密であり且つ気体を通さないアニオン伝導性電解質403両側に、多孔質のカソード404及び多孔質のアノード402を含む、高温蒸気電解槽又はHTSEのセルを含む水素生成セルであって、前記高温蒸気電解槽のセルが、密であり且つ気体を通さないプロトン伝導性電解質407の両側に、多孔質のアノード406及び多孔質のカソード408を含む電気化学ポンプのセルと、前記高温蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404で、及び前記電気化学ポンプの前記アノード406で、連続して直接連結している水素生成セル。前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404、及び前記電気化学ポンプの前記アノード406が、開放気孔率を有する多孔質の厚い層405を介して組み立てられる請求項1に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、容量で20~90の、好ましくは容量で30~70の開放気孔率を有する請求項1又は2に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層が、0.05mm~5mmの、好ましくは0.5mm~5mmの厚さを有する請求項2又は3に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404と同じ材料から成り、又は前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404の前記材料と同等の材料から成り、又は前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404の前記材料と化学的に適合する材料から成り、又は前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404と同一の電子伝導性材料から成る請求項1から4の何れか一項に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404の前記空隙率より大きい空隙率を有する請求項1から5の何れか一項に記載のセル。前記蒸気電解槽の前記セルの前記カソード404が、容量で20~40の開放気孔率を有する請求項1から6の何れか一項に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記電気化学ポンプの前記アノード406の前記材料と異なる材料から成る請求項1から7の何れか一項に記載のセル。前記開放気孔率を有する多孔質の厚い層405が、前記電気化学ポンプの前記アノード406の前記空隙率より大きい空隙率を有する請求項1から8の何れか一項に記載のセル。前記電気化学ポンプの前記アノード406が、容量で20~40の開放気孔率を有する請求項1から9の何れか一項に記載のセル。平面形状を有する請求項1から10の何れか一項に記載のセル。-バイポーラプレート又は内部インターコネクタ、-前記高温蒸気電解槽の前記セルの多孔質のアノード、-前記高温蒸気電解槽の前記セルの、密であり気体を通さないアニオン伝導性電解質、-前記高温蒸気電解槽の多孔質のカソード、-開放気孔率を有する多孔質の厚い層、-前記電気化学ポンプの多孔質のアノード、-前記電気化学ポンプの、密であり気体を通さないプロトン伝導性電解質、-前記電気化学ポンプの多孔質のカソード、-バイポーラプレート又は外部インターコネクタ、以上の、連続した層の積層体を含む請求項11に記載のセル。チューブ状の形状を有する請求項1から10の何れか一項に記載のセル。金属チューブ401を含み、以下の層、-前記高温蒸気電解槽の前記セルの多孔質のアノード402、-前記高温蒸気電解槽の前記セルの、密であり気体を通さない電解質403、-前記高温蒸気電解槽の多孔質のカソード404、-開放気孔率を有する多孔質の厚い層405、-前記電気化学ポンプの多孔質のアノード406、-前記電気化学ポンプの、密であり気体を通さない電解質407、-前記電気化学ポンプの多孔質のカソード408、409、-外部金属チューブ410、が、前記金属チューブ401の前記外部側面の周りに連続して位置し、同心のチューブを形成する請求項13に記載のセル。前記チューブの前記長手方向の端部の内の一つは閉じられ、前記チューブの長手方向の端部の内の他方は封止手段が設けられている請求項11に記載のセル。本発明の目標は、とりわけこれらの必要性を満たす高温蒸気電解槽を提供することである。本発明の目標はさらに、先行技術の高温蒸気電解槽の欠点、欠陥、制限及び短所を有さない高温蒸気電解槽を提供し、従来技術の高温蒸気電解槽によって課せられる問題の全てを解決することである。この目標、及びさらに他の目標が、本発明によると、密であり且つ気体を通さないアニオン伝導性電解質403の両側に多孔質のカソード404及び多孔質のアノード402を含む高温蒸気電解槽又はHTSEのセルを含む水素生成セルによって達成され、蒸気高温蒸気電解槽のセルは、多孔質のアノード406及び多孔質のアノード408を含む電気化学ポンプと、高温蒸気電解槽のセルのカソード404で、つまり電気化学ポンプのアノード406で、順次直接連結される。一般的にセルは、純水な水の流れ、又は水と水素との混合物の流れをセルに供給するための供給手段と、純水な酸素の流れ、及び純水な水素の流れをセルから取り出すための手段とをさらに含む。記載全般において指定しておくことは、密な電解質によって、より一般的には、密な層又は材料によって意味するものが、容積の空隙率が7未満である電解質、又は材料の層であるということである。有利には、蒸気電解槽のセルのカソード404、及び電気化学ポンプのアノード406は、開放気孔率405を持つ多孔質の厚い層を介して組み立てられる。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、容量で20から90の、好ましくは容量で30から70の開放気孔率を有する。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、0.05mmから5mmの、好ましくは0.5mmから5mmの厚さを有する。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、蒸気電解槽のセルのカソード404と同一の材料から成る。又は、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、蒸気電解槽のセルのカソード404の材料と同等のつまり、実質的に類似した電子伝導のための近い化学組成を持つ材料から成る。又は、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、蒸気電解槽のセルのカソード404の材料と化学的に適合する材料から成る。又は、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、蒸気電解槽のセルのカソード404と同一の電子伝導性材料から成る。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、蒸気電解槽のセルのカソード404の空隙率より大きな空隙率を有する。有利には、蒸気電解槽のセルのカソード404は、容量で20から40の開放気孔率を有する。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、電気化学ポンプのアノード406の材料と異なる材料から成る。有利には、開放気孔率を持つ多孔質の厚い層405は、電気化学ポンプのアノード406の空隙率より大きな空隙率を有する。有利には、電気化学ポンプのアノード406は、容量で20から40の開放気孔率を有する。本発明によるセルは、第一実施形態では、平面形状を有し得る。有利には、平面形状を備えるこのようなセルは、以下の連続した層の積層体を含み得る。-バイポーラプレート、又は内部インターコネクタ-高温蒸気電解槽のセルの多孔質のアノード-高温蒸気電解槽のセルの、密であり気体を通さないアニオン伝導性電解質-高温蒸気電解槽の多孔質のカソード-開放気孔率を備える多孔質の厚い層-電気化学ポンプの多孔質のアノード-電気化学ポンプの、密であり気体を通さないプロトン伝導性電解質-電気化学ポンプの多孔質カソード-バイポーラプレート、又は外部インターコネクタ本発明によるセルは、第二実施形態では、チューブ状の形状を有し得る。有利には、チューブ状の形状を備えるこのようなセルは、金属チューブ401、及び蒸気金属チューブ401の外部表面の周りに連続的に配された以下の層を含み得、同心のチューブを形成する。-高温蒸気電解槽セルの多孔質のアノード402-高温蒸気電解槽のセルの、密であり気体を通さない電解質403-高温蒸気電解槽の多孔質のカソード404-開放気孔率を持つ多孔質厚い層405-電気化学ポンプの多孔質のアノード406-電気化学ポンプの、密であり気体を通さない電解質407-電気化学ポンプの多孔質のカソード408、409-外部金属チューブ410有利には、本発明によるチューブ状の形状を有するセルでは、チューブの長手方向の端部の内の一つは閉じられ、チューブの長手方向の端部の内の他方は封止手段が設けられている。本発明によるセルは、アニオン伝導性電解質又は固体酸化物型電解セル、SOECを含む高温蒸気電解槽セルHTSE、及びプロトン伝導性電解質を含むセルから成る電気化学ポンプと順次連結する。言い換えると、本発明によるセルは、アニオン伝導性材料を備えるセル、及びプロトン伝導性材料を備えるセルと連結する。アニオン伝導性材料を備えるセルとプロトン伝導性材料を備えるセルとの間の、このような一連の連結、このような接合、接続は、先行技術で記載されていないし、提案されてもいない。高温蒸気電解槽HTSEセルと、電気化学ポンプとの間での、連結、接合、接続は、高温蒸気電解槽HTSEのセルのカソード、つまりアニオン伝導性セルのカソードで、且つ電気化学ポンプのアノード、つまりプロトン伝導性セルのアノードで確保される。この一連の組み込みは、両セルに関して共通の電力供給を使用する可能性が与えられ、従って結果として省エネルギーを保証する。本発明によるセルでは、高温蒸気電解槽HTSEのセルで形成される水素は、製造された際に電気化学的にくみ上げられる。より具体的には、HTSEカソードで製造された水素は、電気化学ポンプのアノードで、拡散移動することになるプロトンへと酸化され、水がない純水な水素へと還元されることになる電気化学ポンプのカソードまでプロトン膜を通過する。こうして、本発明によるセルでは、反応平衡を水素の形成に向かわせることができる。本発明による水素生成セルは、異なるタイプの二つのセルを連続して相乗的に関連付け、単一で且つ同一のコンパクトな、一つのブロックの一体の装置に統合し、サイズ、従って装置のコストに関して大きな進歩をもたらす。本発明によるセルは、先行技術のセルの欠点、欠陥、限界及び短所を有さず、且つ先行技術のセルによって課せられる問題に対する解決法を提供する。形成された水素が、製造されると電気化学的に組み上げられる本発明によるセルは、先行技術のセルにおいて課せられた問題に対して、統合され且つ経済的に有利な解決法を提供することであると特に考えられ得る。電気化学ポンプの概念は、触媒の分野で働く様々なチームの研究者たちによってすでに言及されてきた。これらの研究の概略は、CKokkofitisetalSolidStateIonics178507513に示される。この文献に示される装置では、プロトン伝導性電気化学ポンプは、触媒チャンバーに直接関連付けられ、個別の電力供給の恩恵を受ける。そして、多孔質の触媒支持体及びその表面で分散した触媒から成る触媒チャンバーは、電気化学ポンプのアノードの拡張として現れ、且つ膜の周りに二つの反応区画のみ、つまりカチオンの区画及びアノードの区画が形成される。このようなシステムでは、印加する電流を制御することによって、触媒層で起こる反応の平衡をシフトさせ、収率を向上させることが可能である。これらのシステムは、本発明のセルとは非常に異なる。実際に、後者は二つの電気化学システム、つまりアニオンのシステム及びプロトンのシステムを順次、電気的に及び物理的に連結する。その結果、本発明によるセルでは、四つの異なる反応領域が三つの区画において形成され、注入された水を見事に、水を含まない純粋な水素と酸素とに分離することが可能である。実際に、水は、電解槽のカソードで、水素と酸素イオンとに分離される。後者は、電解槽の、電解質/アニオン伝導性の密な膜を介して、酸素の形状に酸化されるアノードに向かって拡散する。開放された水素は、それに関して、電気化学ポンプのアノードで、プロトンの形状に酸化され、電気化学ポンプの、電解質/プロトン伝導性の密な膜を介して、純粋な水素に還元されるポンプのカソードに向かって拡散する。ここで、本発明のセルの優位点の一つは、高い純度で酸素及び水素を生成し、それゆえそれらの製造の最後で任意の分離、精製処理を必要としないことである。実際、本発明によるセルは、電気化学ポンプに他ならない、統合されたH2/H2O分離段階において、この分離、精製を達成する。従って、先行技術のセルと異なり、本発明によるセルは、分離、精製手段がセルの一部に統合されているため、大型でコストのかかる分離、精製設備と関連付ける必要がない。従って、スペースとコストに関して実質的に節約できることになる。本発明によるデバイスは、二つの電気化学セル、つまり一方では高温蒸気電解槽<HTSE>セルと、他方では電気化学ポンプセルとの物理的結合を含む。これらのセルは両方とも、それらの連結、組立を可能にするため、同一の形態又は形状を有する。こうして、セルは両方とも、2D二次元の形態若しくは形状を有し得、又はセルは両方とも3D三次元の形態若しくは形状を有し得る。2D形態は、平面形態である。本発明によるデバイスは、以下において、まずは簡略化のため、そしてこれは本発明の全ての優位点を最大限に活かす可能性を付与する形状であるので、3D形態で及びチューブ状のバージョンで記載される。当業者は、チューブ状のバージョンでの3D形態の記載を元に、本発明によるデバイスの他の形態及びバージョンを設計することは難しくない。さらに、平面形態は、供給連結管及び二つの排出連結管をさらに備えて、円筒形態の半径を無限に拡張したもの、及び円筒セルを無限に入れ子にしたものへの拡張である。封止は電気活性であるので、他方では高温部であり、ガラスガスケット又は金のガスケットを備えるSOFCで従来用いられるものと同一の技術であろう。本発明によるこの3Dチューブ状の形態のデバイスは、異なるチューブから成り、それらの端部の内の一つで閉じており、他方では包まれている。セラミックチューブは、静水圧プレス成形、ディップコーティング、押し出し成形、注入、ラピッドプロトタイピング、キャリブレーション、シェルキャスティング隙間キャスティング等の専門的なセラミックを適用する又はしないことに関する異なる技術によって作製され得る。図4に記載される本発明によるデバイスはまず、金属チューブ401を含み、その側壁は、有用な高さ、つまり電解反応器の電極の高さにわたって透かし細工がされる。従って、図4では、水平方向は電極の高さ方向であることに留意すべきである。この透かし細工がされた金属チューブ401は、電流が高温蒸気電解槽のアノード402に到達できるようにする。言い換えると、この透かし細工された金属チューブ401は、アノード電流を供給する。この透かし細工された金属チューブ401は、その端部の内の一つ、つまり電解領域に位置する端部で閉じており、且つ電解オーブンの外側に限り、冷温部におけるその端部の他側に伸びる。こうしてこのチューブは長さを自由に延長する。金属チューブ401は、密な、つまり一般的に理論的密度の93以上の密度を備え、又はさらに7未満の空隙率を備えるセラミックで形成されたチューブ403に包まれる。このセラミックは、アニオン伝導性であり気体を通さないセラミック403であり、且つ高温蒸気電解槽の電解質を構成する。アニオン伝導性であり気体を通さない密なセラミック403は、一般的に8YSZ型イットリア安定化ジルコニア、3YSZ型イットリア安定化ジルコニア、ScZ型スカンジア安定化ジルコニア、ScCeZ型スカンジア安定化及びセリア安定化ジルコニア、YbZ型イッテルビア安定化ジルコニア、又はScAlZ型スカンジア安定化及びアルミナ安定化ジルコニアの電解質から作製される。チューブ403は、その内部側壁に、気体が自由に通過可能な開放気孔率を有する多孔質のアノード402が設けられている。多孔質のアノード402は、例えばLSMストロンチウム置換ランタンマンガナイト、LSCMストロンチウム置換ランタンクロモ-マンガナイト、LSCFストロンチウム置換ランタンコバルトフェライト、PSCFストロンチウム置換プラセオジムコバルトフェライト、Nd2NiO4ネオジムニッケレート、Pr2NiO4プラセオジムニッケレート、La2NiO4ランタンニッケレートに基づくものである。チューブ403の外部側壁は、気体が自由に通過可能な開放気孔率を有する多孔質カソード404を有する。カソード404は、例えばサーメット型の材料から作製される。このサーメットは一般的に、8YSZ、3YSZ、ScZ、ScCeZ、YbZ、ScAlZ、GDC酸化ガドリニウムGd2O3でドープされたセリア、YDC酸化イットリウムY2O3でドープされたセリア等のアニオン伝導性セラミックと、ニッケルと、任意で銅とから成る。サーメットは、触媒の役割を果たす一つ又は複数の他の金属を任意に含み得、例えばIr、Ru及びPtから選択される。カソード404は、その外側に、多孔質の収集領域405を含む。この多孔質の収集領域405は、サーメットの金属、又は条件及び接触する媒体に適合する電子伝導性金属から成り得る。この多孔質の収集領域405は、例えば0.05mm~5mm、好ましくは、0.5mm~5mmの厚さで、厚く記載され得る収集領域のことである。さらに、多孔質の収集領域405は一般的に、カソード404の開放気孔率より大きな開放気孔率を示し、多孔質の伝導層が気体供給として用いられることを可能にする。多孔質の収集領域405の空隙率は一般的に、容量で20~90、好ましくは容量で30~70に含まれる。多孔質の収集領域405の外部表面は、一般的に容量で20~40の開放気孔率を示し、気体が自由に通過可能な、他の一つの多孔質の機能領域406を有する。この他の多孔質の機能領域406は、例えばBZY91、BCZYBaCe、Zr、YO3-δ、BCY、BaInxTi1-xO3、SrZrxEr1-xO3等のプロトン伝導性セラミック及びニッケルから成るサーメット型の材料から作製される。この他の多孔質の伝導領域406は、電気化学ポンプのアノードの役割を果たす。層405は、電解セルと電気化学ポンプに共通のものであり、アニオンのセルとプロトンのセルとの間の連続性を確保して、これら両方のセルの物理的な組み立てを促進するものであると考えられ得る。実際に、層405は、特定の要素から構成されてもよく、或いはこの層は電解セル又は電気化学ポンプに統合されてもよい。言い換えると、本発明の電気化学システム、つまり本発明のセルは、HTSEカソードの一部及び電気化学ポンプのアノードの一部を、つまり中間サーメットの収集部分を、共通で有する二つの電気化学反応器を順次配置することを含むと記載することができる。この共通部分は、図4で示される層405に他ならない。他の多孔質の機能領域406は、その外部表面を介して、密であり気体を通さないプロトン伝導性電解質407に結合される。この電解質407は、例えばBZY91、BaInxTi1-xO3、BCZY、BCY、SrZrxEr1-xO3タイプの電解質である。多孔質機能領域406と同様に電解質407は、円筒型であり、その外側表面上に電極408を有し、例えばBZY91、BaInxTi1-xO3、BCZY、BCY、SrZrxEr1-xO3等のプロトン伝導性セラミックと、ニッケルとから成るサーメットタイプの材料から作製される。この電極408は、カソードの役割を果たし、またそれ自身が、気体、より具体的にはデバイスで形成される気体、つまり水素H2が自由に通過可能な開放気孔率を示す多孔質の厚い収集領域409を含む。最後の金属チューブ410は、サーメットから作製される多孔質の厚い収集領域409の外部表面上に存在し、電気化学システムを閉じることになる。この金属チューブ410は、電気化学ポンプのカソードに電流を供給する可能性を与える。3Dチューブ状の形態では、デバイスの封止は、図4の右側に位置する、高温部の外側、チューブの自由端で形成される。結果として、封止は、チューブの自由端にて、従来のいわゆる<冷たい>技術で簡単に作製され得る。自由端は、電極を有しておらず、それゆえ電気化学的に活性でないため、実際に他の端部よりも冷たくなり得る。温度レベルに応じて、一般的に300°C未満の温度で適用される従来のガスケット技術又はセラミックファイバー技術が適用され得る。さらに、生成された水素は原則として自動的に水素区画に移動し、チューブの自由端は、<生産の外の>領域に位置する。結果として、これらの領域における気体は、水素側で蒸気であり、酸素側で酸素であろう。従って、酸素でのわずかな蒸気の漏れは、リスク、つまり酸素又は水素の損失が生産収率に悪い影響を与えることにはならないであろう。これは、いわゆる<冷たい>技術によって、単純且つ信頼できる方法で封止を確保できるという、本発明によるセルの追加の優位点である。参考となる、標準的なアニオンの反応器又は蒸気電解槽は、LSM//YSZ//Ni-YSZである。参考となるプロトンの反応器は、Ni-BZY91//BZY91//Ni-BZY91である。本発明によるセルは一般的に、例えば10barより大きい高圧下、且つ例えば300°C~700°Cの中間温度下で動作する。セルは層405で、一般的に容量でセルには純水な水が供給され得るという意味の0~50の水素、例えば容量で10の水素を含む、水と水素の混合物が与えられる図4の矢印411。排気口では、100純粋な水素が、図4の右側でチューブ409の自由端を介して集められ矢印412、100純粋な酸素が、図4の右側でチューブ401の自由端を介して集められる矢印413。以下では、本発明によるセルの準備、製造は、まずはチューブ状の3D形状形態で記載される。チューブ状の形態で二つの電気化学セルから成るこのシステムを生産するために、最初に静水圧プレス成形によって電気化学ポンプの電解質407を準備することが可能である。この電解質はその後、高温で、例えばBZY91の場合は1650°C~1700°Cで3時間焼結される。その後、還元後に電気化学ポンプのアノード及びカソードを形成することを目的とする複合材料が、この電解質/プロトン伝導性膜407の両側に堆積される。一般的に、同一の複合材料、例えばNiO/BZY91が、電解質の両側に堆積される。これらの堆積は、例えばディップコーティングによって同時に作製され得る。同様に、材料、例えば続く還元後に電荷の移動及び気体の自由な通過を確保する責任を負う層409及び405を形成することを目的とする複合材料は、還元によってカソード408を与えることになる複合材料上に、及び還元によってアノード406を与えることになる複合材料上にそれぞれ堆積される。この材料は、例えばNiO、又は他にはNiOとセラミックとの複合材料であり得る。層409又は405がNiから作製され、サーメットから作製されないことは、電気<回収>の観点から見ると、有利でさえある。層409又は405がセラミック-ニッケルサーメットから作製されるとき、後者は一般的に、セラミックを少量、例えば質量で1~10含み、そしてセラミックは主にニッケル金属を固定し、温度によって合体することを制限するためのものとして用いられる。これらの堆積は、例えばディップコーティングによって同時に達成され得る。電気化学ポンプに組み込まれるための、個別のサイズ調整方法直径/長さにおいて、高温蒸気電解槽HTSE403のセルのアニオン伝導性電解質、例えば8YSZは、静水圧プレス成形によって作製される。この電解質は、その後、例えばYSZの場合、3時間1550°Cの高温で焼結される。次いで、アニオン伝導性電解質403の外部表面上に複合材料が堆積され、還元によって高温蒸気電解槽HTSEのセルのカソード404を形成することを目的とする。この複合材料は例えばNiO/8YSZである。この複合材料の堆積は、例えばディップコーティングによって達成され得る。還元処理による複合材料は、HTSEカソードを構成する材料を与えるであろう。こうして、例えば、NiO/8YSZ複合材料は、Ni/8YSZサーメットを与える。HTSEカソード404の堆積が実行されるとすぐに、HTSEカソード404を外部表面上に備えるHTSE電解質403から成るチューブは、電気化学ポンプのプロトン伝導性電解質407と、層405、406、408及び409とから成るチューブに包まれる。その後、すべてが、例えば1200°C~1400°Cの温度で3時間焼結される。焼結されたアニオン伝導性電解質の内部表面上に、その後LSM等の材料が堆積され、高温蒸気電解槽セルのアノード402を構成することを目的とする。この材料は、例えばディップコーティング又はスプレーコーティングによって堆積され得る。堆積された層はその後、LSMの場合、1050°Cで3時間焼結される。次に、水素又は例えば2~5の希釈水素下で、一度の同時の且つ制御された還元処理が、実行される。この熱還元処理は、一般的に400°C~1000°Cの温度で、30分から10時間の間で観測されるプラトーを含む。こうして、例えばNiOの全ての還元に適応され、且つ600°C~1000°Cに位置するプラトーを観測することが可能である。この還元は、電気化学ポンプのカソード408及びアノード406を構成する材料、及び層409及び405を構成する材料の形成につながる。また、この還元は、高温蒸気電解槽のセルのHTSEカソード404を構成する材料を得るという可能性を与える。こうして、複合材料NiO/BZY91の還元は、Ni/BZY91サーメットを与え、且つNiOの還元は、金属ニッケルを与え、一方複合材料NiO及びセラミックの還元は、Ni/セラミックサーメットを与え、複合材料NiO/8YSZの還元は、Ni/8YSZサーメットを与える。層409及び405の組成に関係するセラミックの実施例は、すでに上記で提供された。還元が、還元されるべきでない層に影響を与えないことを保障するという意味では、還元は制御されている。従って、LSMから作製されるならば、高温蒸気電解セルのアノード402は還元されるべきでない。一方、Nd2NiO4から作製されるならば、還元は何も影響を与えない。特定の層が還元されることを回避することは、実際に可能である。なぜなら、それらが異なる区画に位置し、それ故互いに分離され得るからである。最後に、セルの内部の401及び外部の410チューブ状の金属ケースが、層402の内部表面上、及び層409の外部表面上それぞれに追加される。本発明によるセルの準備、製造はここでは、2D平面形態形状で記載される。平面形態で二つの電気化学セルから成る、このシステムを生産するために、まずはテープキャスティングによって電気化学ポンプの電解質407を作製することが可能である。この電解質はその後、例えばBZY91の場合、3時間1650°C~1700°Cの高温で焼結される。次に、続く還元によって電気化学ポンプのアノード406及びカソード408を形成することを目的とする複合材料は、この電解質/プロトン伝導性膜407の両側に堆積される。一般的に、同一の複合材料、例えばNiO/BZY91は、電解質407の両側に堆積される。これらの堆積は、例えばディップコーティング、又は交互のスクリーンプリンティング若しくはスプレーコーティングによって同時に達成され得る。同様に、材料、例えば、続く還元後に電荷の移動及び気体の自由な通過を確保する役割の層409及び405を形成することを目的とする複合材料は、還元によってカソード408を与えることになる複合材料上に、且つ還元によってアノード406を与えることになる複合材料上にそれぞれ堆積される。この材料は、例えばNiO、又は他にはNiOとセラミックとの複合材料であり得る。層409又は405がニッケルから作製され、サーメットから作製されないことは、電気回収の観点から見ると、有利でさえある。層409又は405がセラミック-ニッケルサーメットから作製されるとき、後者は一般的に、セラミックを少量、例えば20~50含み、そしてセラミックは主にニッケル金属を固定し、それによって温度で合体することを制限するためのものとして用いられる。これらの堆積は、例えばディップコーティングによって同時に達成され得る。次に、還元によって高温蒸気電解槽HTSEのセルのカソード404を形成することを目的とする複合材料は、層405上に堆積される。この複合材料は、例えばNiO/8YSZである。この複合材料の堆積は、例えばスクリーンプリンティング又はスプレーコーティングによって達成され得る。高温蒸気電解槽HTSEのセルのアニオン伝導性電解質403、例えば8YSZは、例えば5μm~20μmの厚さを有する薄層として、また例えばスクリーンプリンティングによって、層404上に堆積される。その後、すべては、例えば3時間1200°C~1450°Cの高温で焼結される。高温蒸気電解槽セルのアノード402を形成することを目的とするLSM等の材料は、焼結したアニオン伝導性電解質403の下側表面上に堆積される。この材料は、例えばスクリーンプリンティング又はスプレーコーティングによって堆積され得る。その後、堆積された層は、例えばLSMの場合、3時間、1050°Cで焼結される。次に、水素又は例えば2~5の希釈水素下で、一度の且つ制御された還元処理が実行される。この還元熱処理は、一般的に400°C~1000°Cの温度で、30分から10時間の間で観測されるプラトーを含む。こうして、例えばNiOの全ての還元に適応され、且つ600°C~1000°Cに位置するプラトーを観測することが可能である。この還元は、電気化学ポンプのカソード408及びアノード406を構成する材料、及び層409及び405を構成する材料の形成につながる。また、この還元は、高温蒸気電解槽のセルのHTSEカソード404を構成する材料を得るという可能性を与える。こうして、複合材料NiO/BZY91の還元は、サーメットNi/BZY91を与え、NiOの還元は、ニッケル金属を与え、一方複合材料NiO及びセラミックの還元は、Ni/セラミックサーメットを与え、複合材料NiO/8YSZの還元はNi/8YSZサーメットを与える。層409及び405の組成に関係するセラミックの実施例は、すでに上記で提供された。還元が、還元されるべきでない層に影響を与えないことを保障するという意味では、還元は制御されている。従って、LSMから作製されるならば、高温蒸気電解セルのアノード402は還元されるべきでない。一方、Nd2NiO4から作製されるならば、還元は何も影響を与えない。すでに上記で示唆されたように、特定の層が還元されることを回避するために、例えばガラスガスケットを用いて見出される区画を分離することが可能である。このような進展方法は当業者によく知られるものである。最後に、セルの内部の401及び外部の410、バイポーラプレート又は金属インターコネクタが、層402の内部表面上に、及び層409の外部表面上にそれぞれ追加される。