"キャパシタンスダイアフラム圧力計であって、以下:前表面および後表面を有する、本体構造体;該本体構造体を通して位置決めされた少なくとも1つの電極であって、該電極は、該前表面と実質的に同一面である前面を有する、電極;ならびに第一の表面および第二の表面を有するダイアフラムであって、該第一の表面は、所定厚さだけ、該本体構造体の該前表面から間隔を空けてある、ダイアフラム、を備え、前記電極の後部側周面と本体構造体との間には絶縁体が配されているとともに、前記電極の前部側周面と本体構造体との間には隙間が設けられている、キャパシタンスダイアフラム圧力計。前記絶縁体がガラスである請求項1記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計。該本体構造体の該前表面上に位置決めされた厚さを有するリング形状シムをさらに具備し、前記ダイアフラムの第一の表面は、該シム上に位置決めされ、そして該シムの厚さだけ、該本体構造体の該前表面から間隔を空けており、該ダイアフラムの該第一の表面は、張力下で該シムに固定されており、該ダイアフラムの該第二の表面は、完全に平滑であり、そして妨害されていない露出表面である請求項1記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計。請求項3記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計を構築する方法であって、以下:電極アセンブリを、本体構造体の前表面から後表面へと延びる穴に通して設置する工程;外径を有するリング形状のシムを、該本体構造体の前表面上に位置決めする工程であって、該シムが、厚さを有する、工程;ダイアフラムを、該シム上に位置決めする工程であって、該ダイアフラムは、第一の表面および第二の表面を有し、該第一の表面は、該シムと接触し、そして該シムの厚さだけ、該本体構造体の該前表面から間隔を空ける、工程;該ダイアフラムを加熱して、該ダイアフラムを膨張させる工程;該ダイアフラムを膨張させながら、該ダイアフラムの該第一の表面の外周を、該シムに溶接し、そして該シムを、該本体構造体の該前表面に溶接する工程であって、該ダイアフラムの該第一の表面の外周が、これによって、該シムの外径に対応する大きさに制限される、工程;ならびに該ダイアフラムを冷却して、該ダイアフラムを収縮させ、そして該シムによって、該ダイアフラムの該第一の表面の該外周に付与される制限により、予め張力をかける、工程、を包含する、方法。キャパシタンスダイアフラム圧力計であって、以下:前表面および後表面を有する本体構造体であって、該前表面は、実質的に平坦な中心部分を有し、そして隆起外周部分と境界を接し、該隆起外周部分は、該平坦な中心部分に対して垂直に厚さを有する、本体構造体;該本体構造体を通して位置決めされる、少なくとも1つの電極であって、該電極は、該前表面と実質的に同一面の前面を有する、電極;および第一の表面および第二の表面を有するダイアフラムであって、該第一の表面は、該隆起外周部分で位置決めされ、そして該隆起周囲部分の厚さだけ、該本体構造体の前表面から間隔を空けて位置決めされた、ダイアフラム、を備え、前記電極の後部側周面と本体構造体との間には絶縁体が配されているとともに、前記電極の前部側周面と本体構造体との間には隙間が設けられている、キャパシタンスダイアフラム圧力計。前記ダイアフラムの第一の表面は、張力下で該隆起外周部分に固定されており、該ダイアフラムの第二の表面は、完全に平滑であり、そして妨害されていない露出表面である請求項5記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計。前記隆起外周部分が、リング形状のシムを備え、そして前記ダイアフラムが該隆起外周部分に固定される場合、該隆起外周部分が、前記本体構造体の前表面に固定される、請求項6に記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計。請求項6記載のキャパシタンスダイアフラム圧力計を構築する方法であって、以下:電極アセンブリを、本体構造体の前表面から後表面へと延びる穴に通して設置する工程であって、該本体構造体の前表面は、実質的に平坦な中心部分を有し、そして隆起外周部分と境界を接しており、該隆起外周部分は、該中心部分に対して垂直な厚さを有し、そして外径を有する、工程;ダイアフラムを、該隆起外周部分上で位置決めする工程であって、該ダイアフラムは、第一の表面および第二の表面を有し、該第一の表面は、該隆起外周部分と接触し、そして該隆起外周表面の厚さだけ、該本体構造体の前表面から間隔を空けている、工程;該ダイアフラムを加熱して、該ダイアフラムを膨張させる工程;該ダイアフラムを膨張させながら、該ダイアフラムの第一の表面の外周を、該隆起外周部分に溶接する工程であって、これによって、該ダイアフラムの第一の表面の外周が、該隆起外周部分の外径に対応する大きさまで制限される、工程;および該ダイアフラムを冷却して、該ダイアフラムを収縮させ、そして該隆起外周部分によって該ダイアフラムの第一の表面の外周に付与される制限により、予め張力をかける、工程、を包含する、方法。キャパシタンスダイアフラム圧力計であって、以下:前表面および後表面を有する本体構造体であって、該前表面は、実質的に平坦な中心部分を有し、そして隆起外周部分と境界を接し、該隆起外周部分は、該平坦な中心部分に対して垂直に厚さを有する、本体構造体;該本体構造体を通して位置決めされる第一の電極であって、該第一の電極は、前面が該前表面と実質的に同一面である円柱形本体を有し、該第一の電極が、該前表面のおよそ中心に位置し、該第一の電極の前面が、大きさおよび形状を有する、第一の電極;該本体構造体を通して位置決めされる第二の電極であって、該第二の電極は、前面が該前表面と実質的に同一面である円柱形本体を有し、該第二の電極が、該前表面の外周の近くに位置し、該第二の電極の前面が、該第一の電極の大きさおよび形状と実質的に同じ大きさおよび形状を有する、第二の電極;ならびに第一の表面および第二の表面を有するダイアフラムであって、該第一の表面は、該隆起外周部分上で位置決めされ、そして該隆起外周部分の厚さだけ、該本体構造体の前表面から間隔を空けたダイアフラム、を備え前記各電極の後部側周面と本体構造体との間には絶縁体が配されているとともに、前記各電極の前部側周面と本体構造体との間には隙間が設けられている、キャパシタンスダイアフラム圧力計。発明の要旨本発明に従う実施形態は、低いヒステリシス特徴を有するフラッシュダイアフラムを有する、キャパシタンスダイアフラムゲージCDGを提供する。このCDGは、利用可能な様式で再現性よく製造され得る、単純な構造体を有する。本発明に従う実施形態の1つの局面は、CDGの本体に設置されたフラッシュダイアフラムを有する、キャパシタンスダイアフラムゲージCDGであり、この設置は、ダイアフラムの材料の最終的な強度の大きさのおよそ半分の大きさを有する非常に高い予備張力をダイアフラムに対して生じる技術による。このような予備張力は、許容可能な応力に対してダイアフラムの屈曲応力を最小にする、最適な作用点であることが示され得る。このダイアフラムに対する屈曲応力は、ヒステリシスの主な原因であるので、このヒステリシスが、この技術によって、最小にされる。具体的には、本明細書中に記載される実施形態において、このダイアフラムをCDG本体に溶接する前に、熱が、このダイアフラムに付与される。この溶接が完了した後に、このダイアフラムは、冷却の間にこのダイアフラムが収縮するので、予備張力を与えられる。好ましい実施形態において、このダイアフラムは、高強度の放射線で照射される。例えば、この放射線は、レーザーまたは他の適切な源によって生じられ得る。1つの具体的な実施形態において、この放射線は、このダイアフラムの面を照射するために適切に位置決めされた、ハロゲンランプによって発生される。この放射線源は、溶接プロセスの数秒前にオンにされ、そして溶接プロセスの間はオンのままである。この放射線は、このダイアフラムの、その周囲に対する放射率を上昇させることによって、このダイアフラムを選択的に加熱し、この放射線の吸収を増加されるように、発生される。このダイアフラムの温度を、CDG本体の周囲の材料に対して上昇させることによって、このダイアフラムは、溶接プロセスの前に、この周囲の材料に対して膨張する。このダイアフラムは、これが膨張している間に溶接されて、溶接が完了した後に、このダイアフラムが冷却される場合に予備張力を与えられる。レーザー、ハロゲンランプまたは他の放射線源からの放射強度は、再現性のある温度を生じさせて、予備張力が、最終的な応力のおよそ半分の再現性のある応力を生じるように、十分に制御され得る。通常の金属は、非常に低い放射率を有し、従って、非常に低い吸収を有する。入射放射線の実質的に全てが反射され、そして少量の保持された放射線が、その温度を不十分な量で上昇させる。さらに、この温度上昇は、再現性のある結果を生じないようである。特に好ましい実施形態によれば、このダイアフラムの表面の放射率は、炭素または別の適切な基材でその表面をコーティングすることによって、上昇される。好ましくは、このダイアフラムの表面は、溶接プロセスが完了した後に、このダイアフラムが容易に清浄化されることを可能にする様式で、コーティングされる。例えば、カーボンブラック例えば、すすは、放射率を増加させるために適切であること、および処理が完了した後に容易に除去され得ることが見出されている。1つの特定の実施形態において、カーボンブラックは、このダイアフラムの圧力表面を、ブタンの酸化火炎例えば、ライターなどからに曝露することによって、適用される。この酸化火炎は、炭素の薄膜を、圧力表面に堆積させる。この薄い炭素の層は、放射線を吸収して、このダイアフラムを迅速に加熱し、一方で、他の構成要素は、比較的冷たいままである。この炭素の層は、腐食性の清浄化の必要なしに、容易に洗浄除去される。本明細書中に記載される技術は、別個の、薄い、機械加工されていないダイアフラムを有するCDGを製造するために使用される。これらのダイアフラムは、最適な特性のために容易に熱処理され、このことは、このダイアフラムおよび支持体を1つの片から機械加工し、次いで、機械加工後に、このダイアフラムを収縮させずにこのダイアフラムを熱処理しようと試みる、非常に高価なプロセスと対照的である。本明細書中に記載されるプロセスは、ダイアフラムが、費用効果的な最適の様式で支持体に取り付けられることを可能にし、そしてダイアフラムのたわみ特徴に関して、顕著な性能を提供する。具体的には、このダイアフラムは、低いヒステリシスを有する。シムが本体構造体の一部分として形成された、1片の本体構造体を有する以前のデバイスとは異なり、本発明に従う実施形態は、別個のシムを備え、このシムは、別個に熱処理され得る。ダイアフラムと同様に、このシムは、機械加工される必要がない。従って、このシムは、いずれの様式でも、収縮もその厚さの変化も起こさない。従って、最適な性能が、再現性のある特徴を有する、容易に製造される低い費用の部品を用いて得られ得る。その結果、本明細書中に記載される実施形態に従う支持構造体例えば、CDGの本体は、単純な大量生産可能な部品である。このダイアフラムが加熱されている間に溶接する目的で、これらのダイアフラムおよびシムは、加熱されているダイアフラムおよびシムがCDG本体に溶接されている間に、液圧式アーバプレスの上部圧力ノーズと下部支持表面との間に固定される。非同一面のダイアフラムの構成において、外側支持リングがまた、同じプロセスの間に溶接され、そしてCDGの一部分として残る。本明細書中に記載される実施形態に従う、フラッシュダイアフラムを得る目的で、このダイアフラムは、溶接プロセスの間、再使用可能な支持ジグ上に載る。この支持ジグは、アーバプレスの下部支持表面上で位置決めされ、そして上部圧力ノーズは、CDG本体の後表面に押し付けられる。このアーバプレスからの圧力は、溶接プロセスの間、このダイアフラムをCDG本体に固定する。この支持ジグは、高温例えば、耐熱性材料を含み、この材料は、溶接プロセスの間融解せず、従って、このダイアフラムに取り付けられない。例示的な耐熱性材料例えば、タンタルおよび炭化ケイ素が、支持ジグのために好ましい。本発明に従う代替の実施形態は、2片の電極を備え、この電極は、過去における公知の1片電極設計とは対照的に、種々の温度の下で、安定なキャパシタンスを提供する。温度に応答する電極の膨張が、静止キャパシタンスを上昇させる。この静止キャパシタンスの上昇は、ダイアフラムと電極との間の間隔を増加させることによって、相殺され得る。この増加された間隔は、単一の電極の正味の膨張を、シムを通過する支持体より小さくすることによって、提供され得る。このことは、好ましい実施形態において、2片の電極を使用して達成される。高圧測定のために適切な2片の電極は、チタンまたはチタン合金を含有する外側部分を備える。このチタンまたはチタン合金材料は、高圧CDGに対して独特の過剰の圧力の大きい力に耐える、高い強度の結合特徴を有する。2片の電極の内側部分は、溶接によってまたはこれらの片をこれらが溶接されたかのように接合する、別の適切な様式によって外側部分に接合される。例えば、300系のステンレス鋼は、内側部分として使用するために適切であることが見出されている。本明細書中に記載される実施形態において、この内側部分は、有利には、ニッケルを含有する。あるいは、適切な性能は、チタンまたはチタン合金を含有する、単一片の電極によって、達成され得る。本発明に従うさらなる実施形態は、ダイアフラムの周囲の近くに位置する、第二の電極を備え、第二のキャパシタンス測定信号を生じることによって、電極とダイアフラムとの間の間隔の膨張を、補償する。この信号は、この膨張の影響を相殺するように、処理され得る。本発明の実施形態の上記および他の特徴は、添付の図と組み合わせて、以下に記載される。好ましい実施形態の詳細な説明図1A、1B、2A、2B、3および4は、キャパシタンスダイアフラムゲージCDG100の実施形態を図示する。図1Aに示されるように、CDG100は、本体構造体110を備え、この本体構造体は、前表面112図4を参照のことおよび後表面114図4を参照のことを有する。本明細書中に図示される実施形態において、本体構造体110は、ほぼ円筒形であり、そして前表面112および後表面114は、円形の形状を有する。好ましい実施形態において、前表面112の面積は、後表面114の面積より小さく、そして本体構造体110の、前表面112に近い前方円筒形部分116は、後表面114に近い後方円筒形部分118より小さい直径絵を有し、従って、本体構造体110は、前部分116から後部分118への段状の移行部を有し、これが、前部分116の周りにリップ119を形成する。リップ119は、CDG100が特定の適用で設置される場合に、使用され得る。フラッシュダイアフラム120は、本体構造体110の本体の前表面112の近くに設置され、そして円形シム図2A、2Bおよび4により明瞭に示されているによって、前表面112から間隔を空けている。ダイアフラム120は、約1インチ2.54cmの直径を有し、そして0.001インチ0.025mm~0.015インチ0.38mmの範囲であり得る厚さを有する。好ましくは、ダイアフラム120は、Inconel750または別の適切な材料を含む。円形のシム122は、薄いリングとして形成されたInconel750を備える。このリングは、約1インチ2.54cmの外径および約0.98インチ2.49cmの内径を有する。好ましい実施形態において、シム122は、約0.003インチ0.08mmの厚さを有する。従って、ダイアフラム120は、約0.003インチだけ、前表面112から間隔を空ける。好ましい実施形態において、シム122は、図に図示されるように、別個のユニットである。シム122は、本体構造体110の平坦な前表面112と境界を接する、隆起外周部分を形成する。代替の実施形態において、シム122は、前表面112の実質的に平坦な中心部分の周りに隆起外周部分を形成するための、機械加工または他の適切な技術によって、本体構造体110から離して形成され得る。この隆起外周部分は、前表面112の中心部分に対して垂直に測定された有効厚さを有し、この厚さは、上で議論されたように、シム122の厚さに対応する。図2Aおよび4により明瞭に示されるように、円筒形ボア124は、本体構造体110を通って、前表面112から後表面114まで延び、そして両方の表面に対してほぼ中心を合わせられる。電極アセンブリ130は、円筒形ボア124を通って延びる。電極アセンブリ130は、同心状の電極シールド134によって囲まれた、円筒形の電極132を備える。電極アセンブリ130は、図2Aおよび4に示されるように、電極132の前表面136および電極シールド134の前表面138が、本体構造体110の前表面112と実質的に同一面になるように、円筒形ボア124を通して位置決めされる。図2Aに示されるように、電極132は、電極132と電極シールド134との間に位置決めされた、第一の同心状絶縁体140によって、電極シールド134から絶縁される。同様に、電極シールド134は、電極シールド134と円筒形ボア124の壁との間に位置決めされた、第二の同心状絶縁体142によって、ボア124の壁から絶縁され、従って、本体構造体110から絶縁される。図3に図示されるように、第一の同心状絶縁体140は、有利には、第一の複数のリング形状のガラスプレフォーム140a、140bを、電極132の一部分の周りに配置し、電極シールド134を、第一の複数のガラスプレフォーム140a、140bを覆って位置決めすることによって、形成される。第二の同心状絶縁体142は、有利には、第二の複数のガラスプレフォーム142a、142b、142c、142dを、電極シールド134の周りに配置し、次いで、電極シールド134を、円筒形ボア124の内部に位置決めすることによって、形成される。ガラスプレフォーム140a、140bは、電極シールド134内で電極132とほぼ中心を合わせるような大きさにされ、そしてガラスプレフォーム142a、142b、142c、142dは、円筒形のボア124内で、電極シールド134とほぼ中心を合わせるような大きさにされる。これらの構成要素は、整列設備図示せずに記載されるように位置決めされる。電極132の前表面136は、有利には、小さい開口部144を備え、この開口部は、この整列設備におけるピン図示せずと係合可能である。同様に、整列設備における穴図示せずは、電極132の後表面148から延びる接触ピン146と係合可能である。開口部144およびピン146は、電極132を、ガラスプレフォーム140a、140b、142a、142b、142c、142dが電極132および電極シールド134の周りを流れるために十分に加熱され、引き続いて冷却されるまで、電極シールド134内で、実質的に同心状位置に維持する。特定の好ましい実施形態において、ガラスプレフォーム140a、140b、142a、142b、142c、142dは、有利には、ホウケイ酸ガラスを含有し、このガラスは、約700°Cで十分に軟化して、これらの構成要素の周りで流れ、そして永続的な絶縁結合を形成する。本体構造体110が冷却された後に、本体構造体110の前表面112は、ラッピングlappingまたは他の適切な方法によって平滑にされ、その結果、電極132の前表面136は、前表面112と同一面にくる。好ましい実施形態において、電極132は、前部分132aおよび後部分132bを備える。後部分132bは、有利には、チタンを含有し、これは、温度に応答する低い膨張係数を有する。従って、温度が上昇してガラスプレフォームを流動させ、そして引き続いて低下されて永続的結合を形成する際に、後部分132bの直径は、後部分132bの周りに形成されるガラス結合が、このガラスが硬化する際にインタクトなままであるように十分に、一定のままである。好ましい実施形態において、ダイアフラム120、シム122および本体構造体110は、Inconel750または他の適切な材料を含有する。電極132の前部分132aは、有利には、ニッケルを含有する。前部分132aは、本体構造体110、ダイアフラム120およびシム122と類似の、温度に応答する膨張係数を有する。従って、前部分132aは、他の構成要素に実質的に比例して膨張および収縮し、これによって、ダイアフラム120に対して比較的一定した間隔を維持する。電極シールド134もまた、有利には、類似の膨張係数を有するように、ニッケルを含有する。図5は、ダイアフラム120およびシム122を本体部材110に設置するためのシステムを図示する。電極132および電極シールド134が、上に記載されたように、互いにおよび本体構造体110に結合された後に、シム122およびダイアフラム120は、ダイアフラム120に予備張力を与える様式で、本体構造体の前表面112に溶接される。具体的には、シム122は、シム122の外周が、前表面112の外周と実質的に一致するように、前表面112上で位置決めされる。次いで、円形ダイアフラム120が、シム122上で位置決めされる。次いで、再使用可能なリング形状のツーリングジグ支持ジグ170が、ダイアフラム120の上に位置決めされる。本体構造体110、シム122、ダイアフラム120およびツーリングジグ170は、液圧アーバプレス172これの一部分が、部分断面図として図5に示されている内で位置決めされる。ツーリングジグ170は、ダイアフラム120、シム122および本体構造体110がツーリングジグ170の上に載った状態で、アーバプレス170の円筒形下部支持表面174上に載る。アーバプレス172の円筒形上部圧力ノーズ176が、本体構造体110の後表面114上で位置決めされる。変化する力が、アーバ172の圧力ノーズ176に、液圧シリンダ図示せずまたは他の従来の設備によって適用され、これによって、ダイアフラム120およびシム122を、前表面112の周囲とツーリングジグ170との間で絞る。図5にさらに示されるように、放射エネルギーの供給源180が、ダイアフラム120の下方に位置決めされる。例えば、ハロゲンランプ180は、有利には、図示される実施形態において、放射エネルギーを提供する。この放射エネルギーは、ダイアフラム120の方へと方向付けられて、このダイアフラムを加熱し、そしてこのダイアフラムを膨張させる。ダイアフラム120は、Inconelこれは、一般に、高反射性であるを含有するので、ダイアフラム120にランプ180から入射する放射エネルギーのかなりの部分が、通常、反射される。この放射エネルギーの吸収を増強する目的で、このダイアフラムは、高放射率の材料でコーティングされる。なぜなら、高反射率材料はまた、放射エネルギーを容易に吸収するからである。他方で、多くの高放射率コーティングは、表面から除去することが困難である。ダイアフラム120の露出表面上に残るいずれの汚染物質も、このダイアフラムの性能に影響を与えるようである。好ましい実施形態において、ダイアフラム120の露出表面は、ランプブラック例えば、煤182でコーティングされる。例えば、1つの実施形態において、ランプブラック182は、ブタン火炎図示せずを曝露表面の近くに位置決めすることによって、ダイアフラム120上に形成される。シム122およびダイアフラム120を本体構造体110に永続的に固定した後に、以下に記載されるように、ランプブラック182は、水または穏やかな清浄化溶液を使用して、ダイアフラム120を損傷し得る研磨剤または力を使用せずに、このダイアフラムから容易に除去される。最初に、本体構造体110、シム122およびダイアフラム120の相対位置を維持するために充分な力が、本体構造体110の後表面114に付与され、同時に、ダイアフラム120が、ランプブラック182によって吸収される放射エネルギーによって加熱され、これによって、ダイアフラム120が膨張される。次いで、全圧力が、この組み立てられた構成要素に付与されて、ダイアフラム120を膨張構成にひずませる。溶接ヘッド190が作動されて、ダイアフラム120およびシム122を、本体構造体110の前表面112に融合させる。溶接ヘッド190は、従来の様式例えば、電気アーク溶接、レーザー溶接、電子ビーム溶接、または他の適切な結合プロセスにおいて、ダイアフラムの外周の周りで回転し、ダイアフラム120の外周全体の周りに、連続的な溶接部を形成する。ダイアフラム120およびシム122は、本体構造体110に固定され、これによって、ダイアフラムの内側表面と、本体構造体の前表面112との間に、密封された空洞を形成する。ツーリングジグ170は、本体構造体110、シム122およびダイアフラム120のために使用されるInconel750材料よりはるかに高い融点を有する、耐熱性金属または他の適切な材料例えば、タンタルまたは炭化ケイ素を含有する。従って、ツーリングジグ170は、溶接プロセスによって影響を受けず、そして他の構成要素と融合しない。溶接された構成要素は、ツーリングジグ170から容易に除去され、そして同じツーリングジグ170が、複数回使用され得る。ランプ180がオフにされると、ダイアフラム120は、次第に冷却され、そして収縮する。しかし、ダイアフラム120の外周は、本体構造体110これは、放射エネルギーによっていかなる有意な程度にも加熱されなかったにしっかりと固定されているので、ダイアフラム120の表面は、効果的に伸長し、そしてこれが冷却されるにつれて、予備張力を与えられる。上記組み立て方法によって導入された予備張力に起因して、ダイアフラム120は、非常に小さいヒステリシスを有する。圧力感知適用において使用される場合、圧力の変化によってたわんだ後に、ダイアフラム120の予備張力は、このダイアフラムをその最初のたわんでいない位置に戻す。図1Bおよび3にさらに図示されるように、より小さい貫通ボア150が、前表面112から後表面114まで延びる。CDG100の組み立ての間、排気管152が、ボア150内に設置される。CDG100が完全に組み立てられた後に、非常に低い圧力が排気管152に適用されて、前表面112とダイアフラム120との間に形成された空洞内のあらゆる残留気体を除去する。次いで、排気管152は、ピンチされて、冷たい溶接部を形成し、そして排気管152の過剰の部分が除去されて、図1Bに示されるような切り残しを形成する。後表面114は、ねじ切りされたボア160をさらに備え、このボアは、本体構造体110内へと選択された深さで延びるが、前表面112を超えない。CDG100が圧力感知適用に取り付けられる場合、電気的接続図示せずが、ねじ切りされたボア160とねじ図示せずとを係合させることによって、本体構造体110に取り付け可能であり、これによって、本体構造体110およびシム114を解するダイアフラム120への電気回路が完成する。従って、第一の電気的接続は、ダイアフラム120および電極132の前表面136によって形成される、可変のコンデンサのうちの1つのプレートとして作製される。第二の電気的接続は、ピン146を同軸コネクタ図示せずの中心接触部と係合させることによって、電極132に対してなされる。この同軸状のコネクタのシールド接触は、電極シールド134と係合する。図2Aの断面は、貫通ボア150、排気管152およびねじ切りされたボア160が示されないように選択されていることに注目のこと。いくつかの実施形態において、さらなる貫通ボア図示せずが備えられ、従来のゲッター缶図示せずの取り付けを可能にし得、排気プロセスの後に残っているあらゆる残留気体を、化学的に除去し得る。CDG100の構造およびダイアフラム120に予備張力を与える方法は、CDGが、より広範な圧力感知能力で製造されることを可能にする。例えば、約1インチ2.54cmの直径を有し、そして約0.01インチ0.025mmの厚さを有するダイアフラム120は、0.0001トル~1トルにわたる範囲から、0.001トル~10トルに及ぶ範囲までの圧力を測定するように、製造され得る。同等の厚さおよび直径約2インチ5.08cmを有するダイアフラム120は、0.00001トル~0.1トルまでにわたる範囲から、0.001トル~10トルにわたる範囲までの圧力を測定するように、製造され得る。CDG100の構造およびダイアフラム120に予備圧力を与える方法は、より高い範囲の圧力を、直径に対して比例して厚い、より多くのダイアフラムを使用して測定するための、CDGを製造するために、特に有利である。現在まで、非常に低いヒステリシスを有し、そしてより高い圧力範囲を測定するために充分な厚さを有する、予備張力を与えられたフラッシュダイアフラムを有するCDGは、合理的な費用で得られなかった。本明細書中に記載される実施形態の構造および方法は、低費用の、非常に正確なフラッシュダイアフラムを製造し、これは、種々の適用において使用するために製造され得る。例えば、約0.75インチ1.9cmの直径および0.001インチ0.025mmの厚さを有するダイアフラム120は、0.01トルから100トルにわたる範囲の圧力を測定するように製造され得る。約0.75インチ1.9cmの直径および0.003インチ0.076mmの厚さを有するダイアフラム120は、0.1トルから1,000トルにわたる範囲の圧力を測定するように製造され得る。約0.75インチ1.9cmの直径および0.01インチ0.254mmの厚さを有するダイアフラム120は、1トルから10,000トルにわたる範囲の圧力を測定するように製造され得る。図6は、本発明に従うCDG200の代替の実施形態の断面を図示し、ここで、温度の変化に応答する、ダイアフラムと電極の中心との間の間隔の変化を補償するために、2つの電極が提供されている。図6の実施形態は、より大きい直径のダイアフラム例えば、2インチのオーダーの直径を有するCDGの性能を改善するために、特に有利である。CDG200の構造は、上記CDG100の構造と類似であり、そして以下で具体的に議論されない類似の要素は、図6においては番号を付けられていない。CDG200は、Inconel750を含む本体構造体210を備える。本体構造体210は、CDG100の本体構造体110について上で図示されたように、ほぼ円形である。本体構造体210は、約2インチ5.08cmの直径を有する。本体構造体210は、前表面212および後表面214を有する。ダイアフラム220は、前表面212の近くに位置決めされ、そして円形シム222によって、前表面212から間隔を空ける。ダイアフラム220およびシム222は、上で議論されたように構成される;しかし、これらの直径は、本体構造体210の直径に対応して、より大きい例えば、2インチ5.08cm。第一のボア224aが、本体構造体210を通って、第一の表面212から後表面214の中心へと延びる。第二のボア224bが、本体構造体210を通って、第一のボア224aと平行に延びる。第二のボア224bは、前表面212の外周の近くに位置する。第一の電極アセンブリ230aが、第一のボア224a内に位置決めされ、そして第二の電極アセンブリ230bが、第二のボア224b内に位置決めされる。電極アセンブリ230a、230bの各々は、有利には、電極アセンブリ130に関して上に記載された様式で構成される。具体的には、第一の電極アセンブリ230aは、第一の電極前表面236aを有する第一の電極232aを備え、第二の電極アセンブリ230bは、第二の電極前表面236bを有する第二の電極232bを備える。本体構造体210は、有利には、排気管を収容するための貫通ボア、および電気的接続を受容するためのねじ切りされたボアを備える。これらの要素は、図6には示されていない;しかし、これらの要素は、図3に示される類似の要素に対応する。CDG200は、CDG100に関して上に記載されたように組み立てられ、その結果、ダイアフラム220が、本体構造体210の前表面212にわたって予備張力を与えられ、そしてダイアフラム220の内側表面と前表面212との間の空洞が排気され、そして密封される。CDG200に第二の電極アセンブリ230bを備えることは、より大きい直径のダイアフラムが使用される場合に、特に有利である。CDG200の回りの温度が上昇するにつれて、シム222が膨張して、ダイアフラム220を、第一の電極232aの前表面236aの近くの前表面212から離して移動させる傾向がある。従って、第一の電極232aとダイアフラム220との間のキャパシタンスは、温度と共に変化する。温度によって引き起こされるキャパシタンスの変化は、圧力によって引き起こされるキャパシタンスの変化と容易には区別されないかもしれないので、測定されるキャパシタンスは、圧力を正確には示さないかもしれない。第二の電極アセンブリ230bは、ダイアフラム220がシム222を介して前表面212に固定されている、ダイアフラム220の外周の近くに位置し、ダイアフラム220のこの部分と第二の電極232bの前表面236bとの間の間隔は、圧力の変化に応答して、非常にわずかに変化する。しかし、ダイアフラム220と第二の電極232bの前表面236bとの間の間隔は、温度変化に応答して、ダイアフラム220と、第一の電極232aの前表面236aとの間の間隔と実質的に同じだけ変化する。従って、温度の変化によって引き起こされるキャパシタンスの変化は、両方の電極について実質的に同じである。従って、ダイアフラム220と第一の電極232aとの間でなされるキャパシタンス測定、およびダイアフラム220と第二の電極232bとの間でなされるキャパシタンス測定が、圧力が決定される場合の温度の影響を補償するために使用される。本発明は、本明細書中に記載された本質的な特徴から逸脱することなく、他の特定の形態で実施され得る。上に記載された実施形態は、全ての局面において、例示的であるとのみみなされ、そしていかなる様式でも限定するとはみなされないべきである。本発明の範囲は、上記説明によってではなく、添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲の均等物の意味および範囲内である任意の全ての変化は、特許請求の範囲の範囲内であるとみなされる。"