半導体基板の第1の主面側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、前記半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面を光入射面として当該第1の主面から第2の主面に至るように形成された光電変換領域を有する半導体イメージセンサを少なくとも具備し、前記半導体イメージセンサが透明基板上に、該半導体イメージセンサの第2の主面と該透明基板とが対向するように固定され、前記半導体イメージセンサの第1の主面側の面上に支持基板が貼り合わせられ、前記支持基板を貫通し、配線層側の絶縁膜を介する導電プラグに接続するように当該支持基板の表面上に電極パッドが形成された半導体イメージセンサモジュール。前記半導体イメージセンサと前記透明基板との間に窓枠スペーサを挟持した請求項1記載の半導体イメージセンサモジュール。前記半導体イメージセンサの第2の主面側の面上にオンチップマイクロレンズを設けた請求項1記載の半導体イメージセンサモジュール。前記電極パッドと前記透明基板に形成された導電パターンとが電気的に接続されている請求項1または2に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記電極パッド上にバンプが設けられた請求項1または2記載の半導体イメージセンサモジュール。前記透明基板上に、前記半導体イメージセンサから出力された画像信号を処理する信号処理チップが搭載され、かつ前記半導体イメージセンサの前記電極パッドに接続された接続手段と前記透明基板に形成された導電パターンとを介して、前記半導体イメージセンサと前記信号処理チップとが電気的に接続されている請求項1または2に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記半導体イメージセンサが裏面照射型のCMOS固体撮像素子である請求項1または2に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記第1の主面にはトランジスタが形成されている請求項1~7の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュール。前記電極パッドと前記導電パターンとが金属細線を介して電気的に接続されている請求項4に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記金属細線は光照射面に向かって伸びている請求項9に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記導電パターンは前記透明基板の光照射面側とは逆側の面に設けられている請求項4、9または10の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュール。前記電極パッドは前記窓枠スペーサの光照射面とは逆側に設けられている請求項2~5の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュール。前記電極パッドは樹脂コーティングで覆われている請求項1~12の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュール。前記金属細線は樹脂コーティングで覆われている請求項9または10に記載の半導体イメージセンサモジュール。前記導電パターンに接続されるパッド部が前記窓枠スペーサの外側に設けられている請求項6~14に記載の半導体イメージセンサモジュール。半導体基板の第1の主面側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、前記半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面を光入射面として当該第1の主面から第2の主面に至るように形成された光電変換領域を有する半導体イメージセンサを形成することと、透明基板に前記半導体イメージセンサの第2の主面を対向させた状態で、該透明基板上に該半導体イメージセンサを固定することと、前記半導体イメージセンサの第1の主面側の面上に支持基板を貼り合わせることと、前記支持基板を貫通し、配線層側の絶縁膜を介する導電プラグに接続するように当該支持基板の表面上に電極パッドを形成することとを含む半導体イメージセンサモジュールの製造方法。前記透明基板上に、前記半導体イメージセンサから出力された画像信号を処理する信号処理チップを搭載し、前記半導体イメージセンサの前記電極パッドに接続された接続手段と前記透明基板に形成された導電パターンとを介して、前記半導体イメージセンサと前記信号処理チップとを電気的に接続する請求項16に記載の半導体イメージセンサモジュールの製造方法。前記第1の主面にトランジスタを形成する請求項16または17に記載の半導体イメージセンサモジュールの製造方法。前記電極パッドと前記透明基板に形成された導電パターンとを金属細線を介して電気的に接続する請求項17~18の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュールの製造方法。前記半導体イメージセンサと前記透明基板との間に窓枠スペーサを挟持させ、前記電極パッドを、前記窓枠スペーサの光照射面とは逆側に形成する請求項1~19の何れかに記載の半導体イメージセンサモジュールの製造方法。しかし乍ら、図7に示す半導体イメージセンサモジュール10においては、半導体イメージセンサ1の受光部1aに対してワイヤボンディングにより電気的接続を行っているので、小型化に限界があった。また、空間フィルタ7は空間フィルタ固定モールド体6をAl等の放熱板8にビス止めして固定しているので、更に大型化する不都合があった。一方、図6に示す半導体イメージセンサモジュール20は、図7のものに比べて小型化が飛躍的に向上する。しかし、この半導体イメージセンサモジュール20では、半導体イメージセンサ1と金バンプ12の接合圧力と位置関係のみで、半導体イメージセンサ1とガラス基板13の光学的位置関係が決定され、半導体イメージセンサモジュール20の良品歩留りが金バンプ接合技術に大きく依存せざるを得ない。本開示は、上述の点に鑑み、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラあるいはカメラ付携帯電話などの撮像機能を備えた電子機器を更に小型軽量化することができる、超小型の半導体イメージセンサモジュールを提供するものである。本開示に係る半導体イメージセンサモジュールは、半導体基板の第1の主面側に信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、前記半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面を光入射面として当該第1の主面から第2の主面に至るように形成された光電変換領域を有する半導体イメージセンサを少なくとも具備する。半導体イメージセンサが透明基板上に、該半導体イメージセンサの第2の主面と該透明基板とが対向するように固定され、前記半導体イメージセンサの第1の主面側の面上に支持基板が貼り合わせられ、前記支持基板を貫通し、配線層側の絶縁膜を介する導電プラグに接続するように当該支持基板の表面上に電極パッドが形成されている。また本開示は、このような半導体イメージセンサモジュールの製造方法でもある。本開示の半導体イメージセンサモジュールでは、半導体イメージセンサの光入射面の第2の主面と透明基板とが対向するように、半導体イメージセンサを透明基板に対して固定し、半導体イメージセンサの第1の主面側の面上に形成した電極パッドと透明基板に形成された導電パターンとを接続手段を介して電気的に接続した構成であるので、従来のバンプによる電気的接続に比べて、バンプの電気的接続と半導体イメージセンサの位置関係の両方を満たす必要がない。また、本開示に係る半導体イメージセンサモジュールは、上記半導体イメージセンサモジュールにおいて、透明基板上に更に半導体イメージセンサから出力された画像信号を処理する信号処理チップが搭載され、かつ半導体イメージセンサの電極パッドに接続された接続手段と透明基板に形成された導電パターンとを介して、半導体イメージセンサと信号処理チップとが電気的に接続されていることを特徴とする。本開示の半導体イメージセンサモジュールでは、透明基板上に半導体イメージセンサと共にさらに信号処理チップを搭載し、上記接続手段を介して半導体イメージセンサと信号処理チップとを電気的に接続した構成であるので、画像処理機能を付加しても半導体イメージセンサモジュールの超小型化が可能になる。上述の半導体イメージセンサとしては、裏面照射型のCMOS固体撮像素子を用いることが好ましい。本開示に係る半導体イメージセンサモジュールによれば、透明基板と半導体イメージセンサの光入射面が対向するように、透明基板上に半導体イメージセンサを直接固定し、しかも従来のバンプによる電気的接続と半導体イメージセンサの位置関係の両方を満たす必要がないので、半導体イメージセンサモジュールの超小型化と、安定した良品歩留りを実現することができる。また、本開示に係る半導体イメージセンサモジュールによれば、透明基板上にさらに信号処理チップを搭載し、接続手段を介して半導体イメージセンサと信号処理チップを電気的に接続することにより、画像処理機能を付加した半導体イメージセンサモジュールの更なる超小型化を実現することができる。本開示の半導体イメージセンサモジュールにおいて、半導体イメージセンサとして裏面照射型のCMOS固体撮像素子を用いるときは、裏面照射型でカラー撮像に適した超小型の半導体イメージセンサモジュールを提供することができる。以下、図面を参照して本開示による半導体イメージセンサモジュールの実施の形態を説明する。図1~図4に、本開示に係る半導体イメージセンサモジュールの一実施の形態を示す。本実施の形態に係る半導体イメージセンサモジュール31は、図1に示すように、上面に所要の配線パターン32を形成した透明基板33と、半導体イメージセンサ34と、半導体イメージセンサ34から出力された画像信号を信号処理するための信号処理チップ、例えばDPSデジタル信号処理回路35やメモリIC36と、半導体イメージセンサ34を透明基板33に対して所要の空間を置いて配置するための窓枠スペーサ37と、フレキシブル配線基板38とから成る。透明基板33は、本例では透明ガラス基板で形成される。この透明基板33上には、金属ペースト、例えば金ペーストを印刷し、焼成して所要の導電パターン、すなわち厚膜配線パターン32が形成されると共に、この配線パターン32にパッド部41411、412、413が形成される。配線パターン32のパッド部41は、半導体イメージセンサ34と電気的に接続されるパッド部411と、DSP35と電気的に接続されるパッド部412と、メモリIC36と接続されるパッド部413とを有している。透明基板33の端辺には配線パターン32に接続されフレキシブル配線基板38が接続される端子32aが形成される。半導体イメージセンサ34は、裏面照射型の固体撮像素子を用いる。この裏面照射型の固体撮像素子としては、例えばCMOS固体撮像素子、CCD固体撮像素子などで形成することができる。また、これらの半導体イメージセンサ34としては、本例では後述するように受光面側の最上層に各画素に対応して集光機能をもつオンチップマイクロレンズが形成される図4参照。そして、図2及び図4に示すように、半導体イメージセンサいわゆる固体撮像チップ34は、その受光面34aが透明基板33側に向くように窓枠スペーサ37を介して透明基板3の配線パターン32が形成された面上の所定位置、すなわちパッド部411が形成された領域に配置し、例えば紫外線硬化樹脂などの接着剤により透明基板33に接着固定される。透明基板33に接着固定された状態で半導体イメージセンサ34は、その受光面光照射面34aと反対側のチップ裏面が表側に現れる。このとき、半導体イメージセンサ34のオンチップマイクロレンズ43は、窓枠スペーサ37により、直接透明基板33に接触することがない。また、例えばDSP35やメモリIC36等の信号処理チップが、そのチップ裏面を透明基板33側に向くように配線パターン32が形成された面上の所定位置、すなわちパッド部412及び413が形成された領域にそれぞれ配置され固定される。DSP35及びメモリIC36と配線パターン32との電気的接続は、金属細線44によるワイヤボンディングを介して行う。各DSP35及びメモリIC36は、透明基板33上に固定された状態でそのチップ表面が表側を向いている。半導体イメージセンサ34と配線パターン32との電気的接続は、例えば図4に示すように、半導体イメージセンサ34の受光面34aと反対側のチップ面上に形成した電極パッド45にと透明基板33側の配線パターン32のパッド部411間を金属細線44によるワイヤボンディングを介して行う。あるいは図示せざるも、半導体イメージセンサ34の受光面34aと反対側に形成した電極パッド45上にバンプを形成し、フレキシブル配線基板を介して電気的に接続してもよい。このときの構造は、受光面側にバンプを形成していないので、バンプの電気的接続と半導体イメージセンサの位置関係の両方を満たす必要はなく安定した良品歩留りが得られる。透明基板33に搭載された半導体イメージセンサ34、DSP35及びメモリIC36の各チップ間は、透明基板33上に形成した配線パターン32により相互に電気的に接続される。一方、透明基板33の端辺の端子部32aにはフレキシブル配線基板38が接続される。そして、フレキシブル配線基板38の接続端子部32a、半導体イメージセンサ34、DSP35及びメモリIC36を被覆するように透明基板33上に、例えば黒樹脂コーティング層46が形成されて図3及び図4に示す本実施の形態の半導体イメージセンサモジュール31が構成される。図5に、半導体イメージセンサ34となる例えば、裏面照射型のCMOS固体撮像チップの概略構成を示す。この裏面照射型CMOS固体撮像チップ341は、半導体基板の第1の主面側に後述の光電変換領域からの信号電荷を読み出す手段の形成領域を有し、半導体基板の第1の主面と反対側の第2の主面に光入射面を有する光電変換領域を有してなる。すなわち、裏面照射型CMOS固体撮像チップ341は、薄膜化された半導体基板51、例えばシリコン半導体基板の撮像領域に1つの光電変換領域となるフォトダイオードPDとこのフォトダイオードPDの信号電荷を読み出す手段となる複数のMOSトランジスタTrとで構成された単位画素がマトリックス状に複数配列され、周辺領域にCMOSトランジスタからなる周辺回路部図示せずが形成されて成る。フォトダイオードPDは、薄膜化された半導体基板51の裏面第2の主面に光入射面を有するように、表面第1の主面51a側から裏面第2の主面51b側に至るように形成される。単位画素のMOSトランジスタTr及び周辺回路を構成するCMOSトランジスタは、半導体基板51の表面51a側に形成される。半導体基板51の表面51a上には層間絶縁膜52を介して多層配線53を形成した多層配線層54が形成され、さらにこの多層配線層54上に固体撮像チップの機械的強度を保持するための、例えばシリコン基板等による支持基板55が貼り合わされる。多層配線53に接続される電極パッド45は、支持基板55を貫通する導電プラグ56に接続するようにして支持基板55の表面55a上に形成される。一方、半導体基板51の裏面51b側には、パシベーション膜57を介してカラーフィルタ58及びその上に各画素に対応したオンチップマイクロレンズ43が形成される。このCMOS固体撮像チップ341においては、基板裏面51b側からオンチップマイクロレンズ43を通してフォトダイオードPDに対して光が照射されるようになされる。固体撮像チップ341の周辺回路には、例えば、アナログフロントエンドAFE、タイミング発生回路、電源回路、メモリ回路などが含まれている。上述した本実施の形態に係る半導体イメージセンサモジュール31によれば、透明基板33上、本例ではガラス基板上に半導体イメージセンサ34を直接接着するように配置し、半導体イメージセンサ34を黒樹脂コーティング層46で被覆して構成することにより、半導体イメージセンサモジュール31を超小型化することができる。このとき、受光面34a側にバンプを形成していないので、バンプの電気的接続と半導体イメージセンサの位置関係との両方を満たす必要がなく、安定した良品歩留りが得られる。黒樹脂コーティング層46により半導体イメージセンサ34の受光面34a以外が遮光されるので、半導体イメージセンサモジュール31の品質が向上する。また、本実施の形態の半導体イメージセンサモジュール34においては、透明基板であるガラス基板33上に半導体イメージセンサ34から出力された画像信号を処理する信号処理チップであるDSP35やメモリIC36が搭載され、かつ半導体イメージセンサ34の表面から取り出された電極パッド45に接続された金属細線ボンディングワイヤ44とガラス基板33に形成された配線パターン32を介して半導体イメージセンサ34とDSP35、メモリIC36とが電気的に接続される。このような構成により、画像処理機能を付加しても半導体イメージセンサモジュール31のサイズを超小型化することができる。上記実施の形態では、半導体イメージセンサ34として、受光面側に集光機能をもつオンチップマイクロレンズを形成した半導体イメージセンサを適用し、直接オンチップマイクロレンズとガラス基板33が接触しないように、窓枠スペーサ37を介して半導体イメージセンサ34とガラス基板33とを固定して構成した。しかし、オンチップマイクロレンズを形成しない半導体イメージセンサを適用することも可能である。このときには、窓枠スペーサ37を省略して直接半導体イメージセンサ34とガラス基板33とを接着剤により固定するように構成することができる。なお、オンチップマイクロレンズを省略した半導体イメージセンサを、窓枠スペーサ37を介して配置することもできる。半導体イメージセンサ34として裏面照射型のCMOS固体撮像素子を用いるときは、カラー撮像に適した裏面照射型の半導体イメージセンサモジュールを提供することができる。上例の半導体イメージセンサモジュール31では、半導体イメージセンサ34として裏面照射型のCMOS固体撮像素子を用いたが、その他、裏面照射型のCCD固体撮像素子を用いて構成することもできる。裏面照射型のCCD固体撮像素子の場合も、薄膜化された半導体基板の表面第1の主面側に電荷転送レジススタを形成し、半導体基板の裏面第2の主面側を受光面とした光電変換部を形成するフォトダイオードを形成して構成さる。また、半導体基板の表面側に層間絶縁膜を介して貼り合せた例えばシリコン基板による支持基板の表面上に転送電極に接続された電極パッドが形成され、この電極パッドとCCD固体撮像素子がマウントされた透明基板上の配線パターンのパッド部とがワイヤボンディングで接続される。