"黒鉛化指数が7.0以下である六方晶炭窒化ホウ素。炭化ホウ素を、窒素を含む雰囲気中で、2300°C以上2500°C以下で加熱することを特徴とする六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。前記窒素を含む雰囲気の圧力が、0.1MPa以上1MPa以下であることを特徴とする請求項2に記載の六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。前記炭化ホウ素は、レーザー回折散乱法における平均粒径D50が30μm以下である粉末であることを特徴とする請求項2又は3に記載の六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。前記炭化ホウ素は、レーザー回折散乱法における平均粒径D50が5μm以下である粉末であることを特徴とする請求項4に記載の六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。樹脂及び/又はゴムに請求項1に記載の六方晶炭窒化ホウ素を含有させてなることを特徴とする組成物。本発明は、かかる従来の常圧相炭窒化ホウ素の製造方法が有する問題に対処するためになされたものであり、新規な高結晶性の六方晶炭窒化ホウ素及びそれを高い反応率で効率的に製造する方法を提供するものである。すなわち、本発明は上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。1黒鉛化指数GIが7.0以下である六方晶炭窒化ホウ素。2炭化ホウ素を、窒素を含む雰囲気中で、2300°C以上2500°C以下で加熱することを特徴とする、六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。3窒素を含む雰囲気の圧力が、0.1MPa以上1MPa以下であることを特徴とする、前記2に記載の六方晶炭窒化ホウ素の製造方法。4樹脂及び/又はゴムに前記1に記載の六方晶炭窒化ホウ素を含有させてなることを特徴とする組成物。本発明の六方晶炭窒化ホウ素h-B4CN4は、従来の常圧相炭窒化ホウ素とは異なり高い結晶性を有することから、優れた熱伝導性を有する。特に電子材料分野において、本発明の混合物が配合された樹脂及び/又はゴム組成物は、電子部品から発生する熱を効率よく放出させるための絶縁放熱シート等として用いることができる。以下、更に詳しく本発明について説明する。先ず、本発明の物質について説明する。本発明の物質は、高結晶性の六方晶炭窒化ホウ素h-B4CN4である。結晶性の乏しい乱層構造炭窒化ホウ素t-B4CN4及び低結晶性のh-B4CN4は既知の物質であるが、本発明の高結晶性h-B4CN4は新規物質である。本発明の物質が高い結晶性を有することは、粉末X線回折測定法における結晶性の指標である黒鉛化指数GI=GraphitizationIndexを用いて確認することができる。GIは、X線回折図の100、101及び102線の積分強度比、すなわち面積比を次式によって算出して求めるJ.Thomas,et.al,J.Am.Chem.Soc.84,46191962。GIの値が小さいほど、高結晶性である。GI=面積{100101}/面積102本発明のh-B4CN4のGIは7.0以下である。GIが7.0を超えると熱伝導性、化学的安定性、固体潤滑性、耐熱衝撃性及び電気絶縁性等の優れた特性を発揮することができないため、本発明には適さない。次に、本発明の物質の製造方法について説明する。本発明のh-B4CN4は、炭化ホウ素B4Cを、窒素を含む雰囲気中で、2300°C以上2500°C以下で加熱することによって得られる。従来のB4Cを窒素雰囲気中で加熱する方法は、加熱温度が2250°C以下であるため、生成物がh-BNとC黒鉛の混合物であったり特許文献4、結晶性の乏しいt-B4CN4又はGIが7.0を超える低結晶性のh-B4CN4であったり非特許文献1するため、何れも本発明には適さない。本発明者等は、B4Cを、窒素を含む雰囲気中、2300°C以上2500°C以下という特定範囲の温度で加熱することによってのみ、従来法の有する上記問題点が解消され、優れた特性を有する高結晶性のh-B4CN4が得られることを知得し、本発明を完成するに至った。本発明に用いる原料であるB4Cは、一般的なもので良く、例えば市販のB4C粉末を用いることができる。B4C粉末は、粒径が小さいほど反応しやすくなるため、例えばレーザー回折散乱法における平均粒径D50が30μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。原料をh-BN製又は黒鉛製の反応容器に充填後、電気炉内に配置し、炉内を窒素を含む雰囲気にして2300°C以上2500°C以下で加熱することで、B4CとN2が下式により反応してh-B4CN4が生成する。B4C2N2→h-B4CN4反応の促進及び、上式の逆反応によるB4Cの再析出防止のため、雰囲気の圧力は常圧よりも高い方が好ましく、0.1MPa以上1MPa以下が好ましく、特に0.5MPa以上1MPa以下が好ましい。温度が2500°Cを超えると上式の逆反応によるB4Cの再析出が顕著になるため本発明には適さない。なお、窒素を含む雰囲気の形成は、純粋な窒素ガスN2で炉内を充満することの他、必要に応じてN2をアルゴン等の不活性ガスで希釈することや、高温で分解してN2を発生するアンモニアNH3を使用することによっても可能である。B4CがN2と反応した後に電気炉を冷却して反応容器を取り出し、容器内の生成物を回収することによって本発明の物質を得ることができる。その後粉末X線回折法にてGIを測定することによって、本発明の物質の結晶性を確認することができる。次に、本発明の高結晶性h-B4CN4の用途である樹脂及び/又はゴム組成物について説明する。本発明のh-B4CN4が、本発明の樹脂及び/又はゴム組成物を占める含有率としては、樹脂及び/又はゴムの種類と用途によって異なるが、20体積以上97体積以下、好ましくは40体積以上90体積以下である。含有率が20体積未満であると、h-B4CN4が少ないため含有の効果が顕著ではなくなる。一方、97体積を越えると成形性が損なわれ、未充填部やボイドが発生し、電気絶縁性や信頼性が損なわれる。本発明で使用される樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール、ポリキノキサリン、ポリキナゾリンジオン、ポリベンズオキサジノン、ポリインドロン、ポリキナゾロン、ポリインドキシル、シリコン樹脂、シリコン-エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル、ポリアミノビスマレイミド、ジアリルフタレート樹脂、フッ素樹脂、メチルペンテンポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、66-ナイロン及びMXD-ナイロン、アモルファスナイロン等のポリアミド、ポリブチレンテレフタレート及びポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、変性ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、全芳香族ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、マレイミド変性樹脂、ABS樹脂、AASアクリロニトリルアクリルゴムスチレン樹脂、AESアクリロニトリル-エチレンプロピレンジエンゴム-スチレン樹脂等があげられる。エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール系硬化剤、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルヘキサヒドロフタル酸等の酸無水物系硬化剤等をあげることができる。その使用量は、エポキシ樹脂100質量部に対し30質量部以上90質量部以下が好ましい。本発明で使用されるゴムとしては、天然ゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコーンゴム、ポリエステルエラストマー、ポリブタジエン等の合成ゴムである。更に、本発明の樹脂及び/又はゴム組成物には、必要に応じて以下の硬化促進剤、触媒、加硫剤、滑剤離型剤、安定剤、光安定剤、着色剤、難燃剤、カップリング剤等を配合することもできる。硬化促進剤としては、ベンゾグアナミン、2,4-ジヒドラジノ-6-メチルアミノ-S-トリアジン、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、弗化ホウ素の各種アミン錯体、トリスジメチルアミノメチルフェノール、1,8-ジアザビシクロ5,4,0-ウンデセン-7,ベンジルジメチルアミン等の第3級アミン化合物、ジシアンジアミド、ビスフェノール型エポキシ樹脂もしくはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とアンモニアとの反応により得られるアミノアルコール化合物、アジピン酸ヒドラジド等の含窒素硬化促進剤、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、1,2-ビスジフェニルホスフィノエタン、ビスジフェニルホスフィノメタン等の有機ホスフィン系硬化促進剤等をあげることができる。触媒としては、ビス-トリブチル錫オキシド、ジオクテン酸錫、オクタン酸アンチモン、酪酸錫、一酸化鉛、硫化鉛、炭酸鉛等の硬化触媒、白金化合物等の重合触媒等をあげることができる。加硫剤としては、ベンゾイルペルオキシド、ジクミルペルオキシド等をあげることができる。滑剤離型剤としては、カルナバワックス、モンタナワックス、ポリエステルオリゴマー、シリコン油、低分子量ポリエチレン、パラフィン、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エステル等をあげることができる。安定剤としては、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、1,3,5-トリス2-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェノールブタン、ジステアリルチオジプロピオネート、トリノニルフェニルホスファイト、トリデシルホスファイト等をあげることができる。光安定剤については、2,2’-ジヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン、22’-ヒドロキシ-5-メチルフェニルベンゾトリアゾール、4-t-ブチルフェニルサリチレート、エチル-2-シアノ-3,3-ジフェニルアクリレート等をあげることができる。着色剤としては、ベンガラ、カーボンブラック等をあげることができる。難燃剤としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、トリフェニルスチビン、水和アルミナ、フェロセン、ホスファゼン、ヘキサブロモベンゼン、テトラブロモフタル酸無水物、トリクレジルホスフェート、テトラブロモビスフェノールA、臭素化エポキシ誘導体等をあげることができる。カップリング剤については、ビニルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N-β-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリインステアロイルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビスジオクチルパイロホスフェートオキシアセテートチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート等のチタン系カップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系カップリング剤等をあげることができる。以下、実施例及び比較例により、本発明に係る高結晶性六方晶炭窒化ホウ素h-B4CN4、その製造方法及び組成物をさらに詳細に説明する。しかし、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。実施例1B4C粉末電気化学工業製、1200、平均粒径0.8μm10gを黒鉛製のルツボに充填した後、電気炉富士電波工業製、ハイマルチ5000内に配した。炉内を真空排気した後、窒素ガスを圧力0.1MPaまで充填した。次いで10°C/分の速度で加熱昇温し、2300°Cに達してから1時間保持した。その後、加熱を止めて冷却し、温度が100°C以下まで下がった時点で炉体を開放して黒鉛ルツボを取り出し、生成物を回収した。反応前後の質量変化は窒素の付加によるものと見なし、質量増加分から次式により反応率x:0~1を算出したところ、0.84であった。B4C2xN2→xB4CN41-xB4C次いで生成物をメノウ乳鉢で解砕して得た粉末を用い、X線回折装置日本電子製、JDX-3500にて以下の条件にて粉末X線回折測定を行った。管球:Cu回転対陰極CuKα;λ=1.54056Å出力:40kV-300mA検出器:シンチレーションカウンターフィルター:モノクロメータスリット条件:ソーラースリット5°入射、受光DS-SS-RS=1°-1°-0.2mmScan条件:ステップスキャン法ステップ幅;0.02°計数時間;0.5秒測定範囲:2θ=10~70°得られたX線回折パターンからは、h-B4CN4に帰属される回折線が認められ、生成物がh-B4CN4であることが分かった。さらに、X線回折図の100、101及び102線の積分強度比すなわち面積比より黒鉛化指数GIを算出したところ、6.6であった。実施例2~7表1に示す条件の他は実施例1と同様にして窒素を含む雰囲気下での加熱を行った。得られた生成物の質量から反応率を算出し、さらに粉末X線回折法によって生成物の結晶相を同定し、GIを算出した。これらの結果は表2にまとめて示した。比較例1加熱時の保持温度を2250°Cとした他は実施例1と同様にして、表1に示す条件にて窒素を含む雰囲気下での加熱を行った。得られた生成物の質量から反応率を算出したところ0.75であった。さらに粉末X線回折法によって生成物の結晶相を同定したところ、生成物は、低結晶性のh-B4CN4であり、GIを算出したところ8.3であった。これらの結果は表2にまとめて示した。比較例2加熱時の保持温度を2250°Cとした他は実施例2と同様にして、表1に示す条件にて窒素を含む雰囲気下での加熱を行った。得られた生成物の質量から反応率を算出したところ0.78であった。さらに粉末X線回折法によって生成物の結晶相を同定したところ、生成物は、低結晶性のh-B4CN4であり、GIを算出したところ7.6であった。比較例3加熱時の保持温度を2550°Cとした他は実施例1と同様にして、表1に示す条件にて窒素を含む雰囲気下での加熱を行った。得られた生成物の質量から反応率を算出したところ0.37であった。さらに粉末X線回折法によって生成物の結晶相を同定したところ、生成物は、h-B4CN4とB4Cの混合物であった。またB4Cの生成により、h-B4CN4本来の固体潤滑性は損なわれていた。実施例8~9、比較例4~5実施例1~2で得られた高結晶性h-B4CN4、又は比較例1~2で得られた低結晶性h-B4CN4の何れかの粉末100質量部と液状シリコーンゴム東レダウコーニングシリコーン社製商品名CF-311050質量部の混合物にトルエン100質量部と加硫剤東レダウコーニング製RC-40.5質量部を加えてスラリーを調製し、自動塗工装置テスター産業製PI-1210を用いてグリーンシートに成形した後、加熱加硫し、厚み0.20mm0.0002mの絶縁放熱シートを製造した。これをTO-3型銅製ヒーターケースと銅板の間にはさみ、締め付けトルク5kgf-cmでセットした後、ヒーターケースに電力15Wをかけて5分間保持した後ヒーターケースと銅板の温度差を測定し、熱抵抗°C/W=温度差°C/電力Wにより、絶縁放熱シートの厚さ方向の熱抵抗を算出した。更に、ヒーターケースと銅板の伝熱面積を6cm2=0.0006m2と仮定して、熱伝導率W/mK=電力W×シート厚さ0.0002m÷伝熱面積0.0006m2÷温度差°Cにより、絶縁放熱シートの厚さ方向の熱伝導率を算出した。これらの結果は表3にまとめて示した。実施例と比較例の対比から、本発明の六方晶炭窒化ホウ素は高い結晶性と優れた熱伝導性を示している。"