ニッケル-クロムを含むシード層を基板の上に蒸着する工程と、前記シード層に接触する非磁性材料を蒸着する工程と、前記非磁性材料と接触する磁性材料を蒸着する工程と、を含む磁気書き込みヘッドの作製方法であって、書き込みヘッドのエアベアリング面は前記シード層と、前記非磁性材料と、前記磁性材料とを含む、方法。前記磁性材料は、ニッケル-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、コバルト-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含む、請求項1に記載の方法。前記シード層はルテニウムを含み、前記シード層の厚さは50ナノメートル未満である、請求項1に記載の方法。前記非磁性材料は、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。前記非磁性材料はルテニウムである、請求項4に記載の方法。i高コントラスト材料が前記シード層と前記基板との間に蒸着され、ここで前記高コントラスト材料が前記シード層に接触するように、およびii高コントラスト材料が前記磁性材料、前記非磁性材料および前記シード層と接触するように、の少なくとも1つとなるように、前記磁性材料に対する高CDSEMコントラストを有する高コントラスト材料を蒸着する工程、をさらに含む請求項1に記載の方法。前記高コントラスト材料はアルミナである、請求項6に記載の方法。前記基板の上に第1の遮蔽層を蒸着する工程と、前記第1の遮蔽層と接触する犠牲層を蒸着する工程と、前記犠牲層と接触する第2の遮蔽層を蒸着する工程と、前記第1の遮蔽層を露出させるために前記第2の遮蔽層と犠牲層を介し凹部をエッチングする工程、をさらに含む請求項1に記載の方法であって、前記シード層は前記露出した第1の遮蔽層と接触し、前記磁性材料の少なくとも一部が前記凹部内に蒸着される、方法。前記基板の上に遮蔽層を蒸着する工程と、前記遮蔽層と接触するギャップ層を蒸着する工程と、前記ギャップ層と接触する主磁極を蒸着する工程と、前記主磁極と前記ギャップ層を介し少なくとも2つの凹部をエッチングする工程と、をさらに含む請求項1に記載の方法であって、前記シード層は前記遮蔽層と前記主磁極の両方に接触する、方法。遮蔽層と、ニッケル-クロムを含む遮蔽層の上のシード層と、前記シード層と接触する非磁性ギャップ層と、前記ギャップ層と接触する主磁極と、を含む磁気書き込みヘッド。前記シード層は前記遮蔽層と接触する、請求項10に記載の書き込みヘッド。前記主磁極は、ニッケル-鉄、コバルト-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含む、請求項10に記載の書き込みヘッド。前記シード層、前記ギャップ層および前記主磁極と接触するコントラスト層であって、前記主磁極に対する高CDSEMコントラストを有する材料であるコントラスト層をさらに含む請求項10に記載の書き込みヘッド。前記コントラスト層はアルミナである、請求項13に記載の書き込みヘッド。前記非磁性ギャップ層は、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金のうちの少なくとも1つを含む、請求項10に記載の書き込みヘッド。前記シード層はルテニウムを含み、前記シード層の厚さは50ナノメートル未満である、請求項10に記載の書き込みヘッド。第1のギャップ層と、前記第1のギャップ層と接触する主磁極と、ニッケル-クロムを含む前記主磁極の上のシード層と、前記シード層と接触する非磁性第2のギャップ層と、前記第2のギャップ層と接触する磁気遮蔽層と、を含む磁気書き込みヘッド。遮蔽層は、ニッケル-鉄、コバルト-鉄、コバルト-ニッケル-鉄、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される強磁性合金を含む、請求項17に記載の磁気書き込みヘッド。前記シード層と接触し、前記主磁極とシード層との間にあるコントラスト層であって、前記遮蔽層に対する高CDSEMコントラストを有する材料であるコントラスト層、をさらに含む請求項17に記載の磁気書き込みヘッド。前記コントラスト層はアルミナである、請求項19に記載の磁気書き込みヘッド。前記シード層はルテニウムを含み、前記シード層の厚さは50ナノメートル未満である、請求項17に記載の磁気書き込みヘッド。前記第2の非磁性ギャップ層はロジウム、ルテニウム、イリジウム、白金のうちの少なくとも1つを含む、請求項17に記載の磁気書き込みヘッド。本発明の実施形態は一般的には、磁気ディスクへデータを書き込むための高磁気モーメント材料の製造に関し、具体的には、対応するシード層を有するギャップ層から成長される高磁気モーメント材料の製造方法に関する。本発明の一実施形態は磁気書き込みヘッドの製造方法を提供する。本方法は通常、ニッケル-クロムを含むシード層を基板の上に蒸着する工程と、続いて、シード層と接触する非磁性材料と、非磁性材料と接触する磁性材料と、を蒸着する工程と、を含み、書き込みヘッドのエアベアリング面はシード層と、非磁性材料と、磁性材料とを含む。別の実施形態では、磁気書き込みヘッドが開示される。書き込みヘッドは遮蔽層を含む。書き込みヘッドは、ニッケル-クロムを含む遮蔽層の上のシード層と、シード層と接触する非磁性ギャップ層と、を含む。書き込みヘッドはまたギャップ層と接触する主磁極を含む。別の実施形態では磁気書き込みヘッドが開示される。書き込みヘッドは第1のギャップ層を含む。書き込みヘッドはまた、第1のギャップ層と接触する主磁極と、ニッケル-クロムを含む主磁極の上のシード層と、を含む。非磁性の第2のギャップ層は、第2のギャップ層と接触する磁気遮蔽層を有するシード層と接触する。本発明の上記特徴が詳細に理解され得るように、上で簡単に纏めた本発明のより詳しい説明は実施形態によって参照することができ、その一部は添付の図面に示されている。しかし添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すだけであり、したがって本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることができるので、その範囲の限定とみなすべきではないことに留意されたい。次に、本発明の実施形態を参照する。但し、本発明は特定の記載実施形態に制限されないということを理解すべきである。その代りに、以下の特徴と要素の任意の組み合わせもまた、異なる実施形態に関係するしないにかかわらず本発明を実施し実行するように想定されている。さらに、本発明の実施形態は他の可能な解決法を越えるおよび/または先行技術を越える利点をもたらすことができるが、特定の利点が所与の実施形態により得られるかどうかが本発明を制限するものではない。したがって、以下の態様、特徴、実施形態、利点は、単に例示的であって、請求項に明示的に記載しない限り添付の特許請求範囲の要素または制限と考えてはならない。同様に、本発明への言及は、本明細書に開示される任意の本発明の主題の一般化と解釈してはならず、請求項に明示的に記載しない限り添付の特許請求範囲の要素または制限と考えてはならない。本発明の実施形態は一般的には磁気書き込みヘッドに関し、具体的には、対応するニッケル-クロムシード層を有するギャップ層から磁極または遮蔽層を製造するための方法に関する。書き込みヘッドのこれら3つの要素はABS上に露出されてもよい。次に図1を参照すると、本発明を具現するディスク駆動装置100が示されている。図1に示すように、少なくとも1つの回転可能な磁気ディスク112がスピンドル114上に支持され、ディスク駆動モータ118により回転される。各ディスク上の磁気記録は、磁気ディスク112上の同心データトラック図示せずの環状パターンの形式である。それぞれが1つまたは複数の磁気ヘッドアセンブリ121を支持する少なくとも1つのスライダ113が磁気ディスク112の近くに配置される。磁気ディスクが回転すると、スライダ113は、所望のデータが書き込まれている磁気ディスクの異なるトラックを磁気ヘッドアセンブリ121がアクセスするように、ディスク面122の上を半径方向に移動する。各スライダ113はサスペンション115を経由してアクチュエータアーム119に取り付けられる。サスペンション115は、スライダ113をディスク面122に対し付勢するわずかなバネ力を与える。各アクチュエータアーム119はアクチュエータ手段127に取り付けられる。アクチュエータ手段127は図1に示すようにボイスコイルモータVCMであってよい。VCMは固定磁場内で可動なコイルを含み、コイル動作の方向と速度は制御装置129により供給されるモータ電流信号により制御される。ディスク記憶システムの動作中、磁気ディスク112の回転は、スライダ113とディスク面122間にスライダ113に上向きの力または揚力を与えるエアベアリングを生成する。こうしてエアベアリングは、サスペンション115のわずかなバネ力と釣り合い、通常動作中、小さいほぼ一定の間隔だけスライダ113をディスク112表面の上にわずかに離して支持する。ディスク記憶システムの様々な部品は、アクセス制御信号、内部クロック信号等の制御装置129により生成される制御信号により動作中制御される。通常、制御装置129はシーケンス制御回路、記憶手段、マイクロプロセッサを含む。制御装置129は、線123上の駆動モータ制御信号、線128上のヘッド位置およびシーク制御信号等の様々なシステム動作を制御するための制御信号を生成する。線128上の制御信号は、ディスク112上の所望のデータトラックにスライダ113を最適に移動し配置するための所望の電流プロファイルを与える。書き込み信号と読み込み信号は、記録チャネル125を経由して書き込みヘッドと読み込みヘッド121へ伝達される。図2を参照すると、スライダ113内の磁気ヘッド121の配向をさらに詳細に見ることができる。図2はスライダ113のABS視図であり、図に示すように、誘導性書き込みヘッドと読み込みセンサを含む磁気ヘッドはスライダ113の後縁に配置される。典型的な磁気ディスク記憶装置システムの上記説明と図1の添付図は表示目的のためだけである。ディスク記憶システムが多数のディスクとアクチュエータを含み、各アクチュエータが多くのスライダを支持してもよいことは明白である。本発明の実施形態は、遮蔽層と、対応するシード層を有するギャップ層と、高磁気モーメント磁芯と、を含む書き込みヘッドの製造に焦点を合わせる。通常、対応する結晶方位でギャップ材料を成長できるようにするシード層が最初に蒸着される。したがって磁性材料がギャップ材料上に蒸着される場合、磁性材料はまた高磁気モーメント材料を生じる結晶方位を採用する。好ましいギャップ層材料としては、耐腐食性でありかつ遷移金属例えば、コバルトと鉄のものと異なる原子数を有するRh、Ru、Ir、Pt、または他のPt族金属が挙げられる。しかしながら、これらの材料は単独では、化学的不活性のために貧弱な粘着性を有することが多い。したがって主要なギャップ材料の粘着性を改善するために最初にシード層が蒸着されてもよいが、適切なシード材料の選択は蒸着される磁性材料だけでなく下流製造工程にも影響を与える。具体的には、シード材料の粒度と結晶方位が高磁気モーメント磁心例えばCoFeの軟性を決定する。通常、シード材料は、低い面内保磁力および残留磁気を実現可能な高磁気モーメント材料の適切な成長を容易にする結晶方位を有する非磁性金属材料である。書き込みヘッドが形成されると、シード材料はまた、後工程のスライダABS形成が磁極先端突起PTRを生じないように同様なイオンエッチング速度を有しなければならない。ABSを形成する材料が異なるエッチング速度を有すると、結果として生じたPTRは動作中の低飛行高度と信号空間分解能とを妨げる。従来、Ruは、クロムCrまたはタンタルTaの薄い粘着層すなわちシード層を有するギャップ層として使用されてきた。一例では、CrまたはTaの薄層を有するRuがCoFe主磁極の上に成長され、厚いRu層で覆われた。CoFeの別の層遮蔽層として機能するがRuキャップの上に成長された。別の例では、電気メッキされた主磁極例えばCoFeが、TaまたはCrのシード層と共に蒸着されたRuから直接成長された。しかしながらシード層としてCrまたはTaを使用すると重大な障害をもたらす。Taの原子数は、CoFe主磁極との大きな測長SEMCDSEM:criticaldimension-scanningelectronmicroscopyコントラストを与える、すなわち高磁気モーメント主磁極の成長を容易にする。しかしながらTaシード層は後続の書き込みヘッド製造に悪影響を与える。図3に示すように、TaはABSにおいて露出した他の金属より遅いエッチング速度でエッチングする。例えば、60度のエッチング角ではTaは最低のエッチング速度を有する。したがって、Taシード層が後工程のABS形成中に突出するすなわち他の露出金属は速くエッチングするので、ABSの空気動力学はうまくいかなくなる。理想的には、ABSに見られる材料はすべて同様な速度でエッチングしなければならない。一方、Crの使用は最小PTRを提供するがCoFeとの低いCDSEMコントラストをもたらすすなわち、所望の磁気特性を有する高磁気モーメント主磁極の成長を容易にする正しい結晶方位と微細構造を提供しない。図3に示すように、Crは55~75度のイオンビームエッチング角ではABS上に露出した金属と同様のエッチング速度を有し、これによりPTRを防止する。しかしながら、図4は、Cr/Ruを含む積層ギャップ層とシード層が主磁極例えば、少数ドーパントであるNiを有するCoFeNiに硬保磁力を与えることを示す。したがってCr/Ru積層の上に蒸着された磁性材料は所望の軟磁気特性を欠く。より良い代替の積層は、選択された高磁気モーメント磁芯材料の成長に適合し、かつ良いコントラストを維持しなければならなく、さらにPTRが最小化されるように、ABSに見られる他の材料と同様のエッチング速度を有しなければならない。ニッケルクロムとルテニウムNiCr/Ruの積層はこれらの要件を満たす。図3に示すように、NiCrは、約55~75度のエッチング角において、ABSに見られる他の材料と同様の速度でエッチングし、これによりPTRを回避する。図4に示すように、NiCr/Ru積層は、軟磁気特性を有するCoFeNiを成長させ、これを高磁気モーメント主磁極または遮蔽層に適するようにする。また、酸化アルミニウム例えば、アルミナの薄層が、NiCrとCoFe合金のCDSEMコントラストを増加するために蒸着されてもよい。高磁気モーメント材料を成長させるNiCr/Ru積層を作製する処理は、以下の2つの実施形態:電解メッキによるダマシン主磁極形成DamasceneMainPoleFormationと、サブトラクティブ法subtractiveprocessによるすなわち、マスクとミル平らな基板表面上の薄膜からの主磁極形成、において検討される。サブトラクティブ法による主磁極形成は、湿式メッキダマシン主磁極形成処理とは対照的に乾式磁極処理Dry-PoleProcessと呼ばれることがある。ダマシン主磁極形成図5A~図5Hに、本発明の実施形態によるギャップ層を形成するためにシード層を使用するダマシン主磁極形成を示す。図5Aに示すように、第1の反応性イオンエッチングRIE:reactiveionetching停止層504が、通常の真空蒸着処理、あるいは電気メッキまたは無電解メッキ等の電着法を使用して基板502上に蒸着される。基板502は単一層または単一成分に限定されない。本明細書で使用されるように、基板は、開示された処理の開始層を指す一般用語である。一実施形態では、基板502は磁気書き込みヘッドの形成に使用されるであろう他の層と材料を含む。明確にするために、これらの追加層とそれらの関連処理は省略される。次に、犠牲層506が、以下に明らかになるように少なくとも書き込み磁極の所望厚とギャップ厚と同程度になるように蒸着される。犠牲層506は、アルミナAl2O3、二酸化ケイ素SiO2、窒化シリコン、または他の反応性イオンエッチング可能RIE可能材料を含んでよく、様々な標準的な技術を使用することにより蒸着され形成されてよい。当業者は、犠牲層を除去し変更するために他の除去技術が使用され得ることを認識するだろう。次に、真空蒸着処理を使用することによりあるいは電解メッキ処理により第2のRIE停止層507が犠牲層506の上に蒸着される。一実施形態では、第1と第2のRIE停止層504、507は、反応性イオンエッチングされても不活性な様々な材料を含んでもよい。別の実施形態では、第1と第2のRIE層504、507は、遮蔽層等の書き込みヘッド装置にとって機能的に有用な材料、例えば、ニッケル-鉄合金、コバルト-鉄合金、コバルト-ニッケル-鉄合金およびそれらの組み合わせからなる群から選択される磁性材料であってよい。図5Bは、任意の通常のリソグラフィリフトオフ法を使用することにより生成され得るトレンチ508を示す。一実施形態では、第2のRIE停止層507は、以下に検討される処理工程においてトレンチ508を拡張するためのマスクとして機能する。図5Cに示すように、トレンチ508は次にRIEマスク507開口を介し犠牲層506内にへこませられる。一実施形態では、犠牲層506をエッチング除去するためにRIE処理が使用される。好適には、犠牲層506としてRIE可能材料を使用することで第1のRIE停止層504例えばNiFeに影響を及ぼすこと無く犠牲層を除去することが可能となる。RIE作用処理は、台形形状が犠牲層506内に生成されるように操作されてもよい。図5Dは、イオンビーム蒸着IBD:ionbeamdeposition、物理的蒸着PVD:physicalvapordeposition処理、または原子層蒸着ALD:AtomicLayerDepositionを使用した好ましくは20nm未満である蒸着厚さを有するコンフォーマルシード層510の蒸着を示す。通常、シード層510は非磁性でありかつギャップ材料の粘着性を改善しなければならない。NiCrはABSに見られる他の材料と同様のエッチング速度を有するだけでなくこれらの要件も満たすので好適である。また、NiCr/Ru積層は高磁気モーメント材料の成長を可能にする。例えば、薄いNiCrシード層をNiCr/Ru積層の代わりに使用することで、小粒度と体心立方構造の<110>テキスチャとを有するCoFe主磁極を得る。一実施形態では、シード層510を形成するためにRuの薄層がNiCrと共に蒸着されてもよい。好適には、NiCrの薄層を蒸着した後、RuまたはPt族の他の好ましい金属の層は、次に検討されるギャップ層の成長を容易にするためにPVDを使用して蒸着される。通常、NiCrとRuとの組み合わせ薄層は20nm未満例えば、10nm未満のNiCrと10nmのRuであってよい。図5Dはシード層510を別個の層として示すが、シード層510は通常は約100ナノメートルであるギャップ層512の一部と見なすに十分に薄く例えば、数十ナノメートルてよい。図5Eでは、コンフォーマルギャップ層512が、ALD、PVDまたはスパッタリングを使用してシード層510の上に蒸着される。一実施形態では、上に検討した実施形態においてPVDを使用してシード層510内にRuの薄層を蒸着する場合、ALDを使用してRuのギャップ層512を成長することができるので好適である。それにもかかわらず、ギャップ層512材料は耐腐食性でありかつ遷移金属例えばコバルトと鉄のものと異なる原子数を有するRh、Ru、Ir、Ptから選択されてもよい。CoFeとのその大きなCDSEMコントラストおよび他のABS材料と同様な反応性エッチング速度のために、Ruが使用されることが好ましい。しかしながら当業者は様々な材料が同様のコントラストとエッチング速度を与え得ることを認識するであろう。したがって本発明はPt族の元素に限定されない。別の実施形態では、ギャップ層512はトレンチ508の側面と底部を均等に被覆してもよい。これにより、後で蒸着される磁心材または主磁極が遮蔽層から等距離であることを保証する。また、ギャップ層512の蒸着は、生成された主磁極の大きさを決定する。別の言い方をすると、ギャップ層512蒸着は、基板502上に生成される複数の主磁極が、別の主磁極に実行される蒸着と同じ寸法を有することを保証する。図5Fは、電解メッキまたは真空蒸着のいずれかを使用した高磁気モーメント主磁極514の蒸着を示す。いずれの処理でも、主磁極514材料は、主磁極514材料が軟磁気特性を有することを保証するシード層とギャップ層510、512の配向を採用する。主磁極材料はCoFeNi等のコバルト-鉄またはその合金であってよい。図4に示すように、NiCr/Ru積層は低保磁力すなわち軟磁気特性を有するCoFeNiの成長を容易にする。これは部分的には、NiCrシード層510の小粒度と最適化配向と、Ru合金とCoFe合金との大きなCDSEMコントラストとによる。図5Gは、図5Fに示す構造から余分な高磁気モーメント主磁極514、ギャップ層512、シード層510、第2のRIE停止層507を除去することを示す。具体的には、犠牲層506の上方の材料を除去するために化学機械研磨CMPとイオンビームミリングの組み合わせを使用してもよい。図5Hは、犠牲層506の除去を示す。具体的には、犠牲層506例えばアルミナを選択的に除去する任意のエッチング技術を使用してよい。台形構造と共に残りの主磁極514、ギャップ層512、シード層510が磁気書き込みヘッドのための低保磁力高磁気モーメント主磁極514を実現する。磁気書き込みヘッドを作製するために、いくつかの他の処理工程図示せずが上に検討した処理の後に続いてもよい。さらに、視野内の面はABSの典型的な面である。したがって図5Hに描かれた書き込みヘッド構造の一部が図2に示す磁気ヘッドアセンブリ121内に含まれてもよい。したがって磁気ヘッドアセンブリ121は、シード層510、ギャップ層512、および主磁極514を形成する材料を含んでもよい。ABSは次に、書き込みヘッドを含む記録ヘッド装置に必要な空気力学特徴を生成するためにエッチングされてもよい図示せず。図7Aは、本発明の実施形態による、図5A~5Hに示すダマシン処理を使用して開発された磁気書き込みヘッドを示す。図示のように、主磁極514、ギャップ層512、およびシード層510を含む書き込みヘッドの周囲にコントラスト層702が蒸着されている。一実施形態では、ギャップ層512はNiCrシード層510に対し十分に薄いので、NiCrシード層510の厚さはCDSEM計測法により把握される必要があるかもしれないすなわち、シード層は、ギャップ層512の厚さの低下のため、CDSEMコントラストを最小化する。このような場合、コントラスト層702は蒸着されてもよい。Ni、Cr、Co、Feの原子数は比較的似ているので、コントラスト層702の必要性が生じる。主磁極514または周囲遮蔽層図示せずはこれらの材料を含んでよく、これによりコントラスト層702はより大きなCDSEMコントラストを与えることができる。通常、コントラスト層702は、主磁極514に高CDSEMコントラストを与える任意の材料であってよい。具体的には、コントラスト層702としてアルミナを使用することにより、主磁極514としてCoFeを使用する場合にこのようなコントラストを実現することができる。上に検討した積層材料を使用することにより、一実施形態では結果として生じる積層はAl2O3/NiCr/Ruである。図3に示すように、アルミナはTaと同じエッチング速度問題に悩まされなくすなわち、ABSにおけるPTRを回避する、しかもNiCrシード層510と周囲遮蔽層または主磁極514とのCDSEMコントラストをさらに増加するので好都合である。しかしながら、ギャップ層512がシード層510より実質的に厚い例えば、100nmを越えるいくつかの実施形態では、コントラスト層702は必要ではないかもしれない。乾式磁極処理図6A-6Fは、本発明の実施形態によるギャップ層を形成するためにシード層を使用する乾式磁極処理dry-poleprocessを示す。図6Aに示すように、基板602は基板602の上に蒸着された基層604を含む。一般的に基板602は単一層または単一成分に限定されない。本明細書で使用されるように、基板は、開示された処理の開始層を指す一般用語である。一実施形態では、基板602は磁気書き込みヘッドの形成に使用されるであろう他の層と材料を含む。明確にするために、これらの追加層とそれらの関連処理は省略される。一実施形態では、基層604は、後の材料を蒸着するための平坦面を提供する。別の実施形態では、基層604は、電解メッキまたは無電解メッキまたは真空蒸着により蒸着されるNiFeまたはCoFe合金等の磁性材料で構成された遮蔽層である。次に、第1のギャップ層606が、Ta、Ru、Rh、IrまたはPt等の非磁性材料を含む基層604の上に蒸着される。次に、高磁気モーメントまたは高磁気モーメント積層主磁極608が真空蒸着により第1のギャップ層606の上に蒸着される。当業者に知られた通常のリソグラフィプロセスを使用することによりマスク610が主磁極608の上に置かれる。ダマシン処理と区別されるように、乾式磁極処理は金属シード層から主磁極608を成長させるよりむしろ平坦面から主磁極608を成長させることができる。それにもかかわらず、主磁極608の周囲に遮蔽層を効果的に生成するためにニッケル-クロムシード層を使用してもよい。この処理について以下に説明する。図6Bは、マスク610により覆われなかった主磁極608と第1のギャップ層606の部分を除去するイオンビームミリングの結果を示す。台形形状は、イオンビームミリングを掃引/回転することによりあるいは基板602自体を回転することによりのいずれかにより形成されてよい。例えば、基板602は、所望の形状を与えるやり方でミリング動作中に回転する傾斜遊星運動装置tiltedplanetary上に配置されてもよい。1または複数の角度は垂直に対し10°から60°の範囲であってよく、これらの角度が第1のギャップ層606の最下部から外方向に主磁極608の最上部までに付けられてもよい。一実施形態では、第1のギャップ層606と主磁極608を含む台形状構造は、主磁極608の周囲に非磁性材料例えば、アルミナを蒸着することにより物理的に支持されてもよい。図示しないが、支持材料が台形構造に別の処理工程中の安定性をもたらす。図6Cは、IBDおよび/またはPVDを使用したコンフォーマルシード層612の蒸着を示す。通常、シード層612は非磁性でありかつギャップ材料例えば、Ta、Cr、TiまたはNiCrの粘着性を改善しなければならない。NiCrはABSに見られる他の材料と同様なエッチング速度を有するだけでなくこれらの要件も満たすので好適である。また、NiCr/Ru積層は所望の磁気特性を有する高磁気モーメント材料の成長を可能にする。例えば薄いNiCrシード層をNiCr/Ru積層の代わりに使用すると、所望の微細構造を有するCoFe遮蔽層616が得られる。好ましくは、シード層612は20nm未満であるとよい。一実施形態では、Ruの層がNiCrと共に蒸着されてシード層612を形成してもよい。好適には、Ruの層は、次に検討される第2のギャップ層の成長を容易にするためにNiCrの薄層の後にPVDを使用して蒸着される。通常、NiCrとRuとを組み合わせた薄層は20nm未満例えば、10nmのNiCrと10nmのRuであってよい。図6Dでは、第2のギャップ層614がALD、PVDまたはスパッタリングを使用してシード層612の上に蒸着される。一実施形態では、上に検討した実施形態においてシード層612内にPVDRuの薄層を含む場合、ALD処理を使用してRuの第2のギャップ層512を成長することができるので好都合である。第2のギャップ層614材料は、耐腐食性でありかつ遷移金属例えば、コバルトと鉄のものと異なる原子数を有するRh、Ru、Ir、Ptから選択されてもよい。遷移金属Co、Fe、Ni等とのその大きなCDSEMコントラストのために、Ruが使用されることが好ましい。しかしながら本発明はPt族の元素に限定されない。CDSEMコントラストを改善するためには、第2のギャップ層612がシード層612よりはるかに大きい例えば100nmを越えることが好ましい。図6Dはシード層612を別個の層として示すが、この層は本来非磁性であり、通常は数百ナノメートル厚である第2のギャップ層614となる第2のギャップ層614の一部と考えてもよい。図6Eは、電解メッキまたは真空蒸着のいずれかを使用した高磁気モーメント遮蔽層616の蒸着を示す。いずれの処理でも、遮蔽層616材料は、シード層612と第2のギャップ層614を種とする所望の微細構造を獲得した。これにより、遮蔽層616材料が軟磁気特性を有し主磁極608の閉じ込め遮蔽containingshieldとして動作することを保証する。遮蔽層616材料はCoFeNi等のコバルト-鉄またはその合金であってよい。図4に示すように、NiCr/Ru積層は低保磁力すなわち軟磁気特性を有するCoFeNiの成長を容易にする。これは部分的には、NiCrシード層612を種とする所望の微細構造による。RuとCoFe合金とのCDSEMコントラストが高精度CD測定を保証する。別の実施形態では、遮蔽層616の一部はシード層612と第2のギャップ層614から成長するCoFeまたはその合金を含んでよく、一方遮蔽層616の第2の部分は異なる軟磁性合金であってもよい。別の実施形態では、基層604もまた高磁気モーメント材料を含む。基層604は主磁極608を閉じ込めるために遮蔽層616と組み合わせて使用されてもよい。これによりラップアラウンド遮蔽層WAS:wraparoundshieldを生成する。第1と第2のギャップ層606、614が主磁極608とWASすなわち、基層と遮蔽層604、616の組み合わせ間の一様なギャップ層を生成し得るということにも留意されたい。低保磁力CoFe合金は、磁気書き込みヘッドに好適な高磁気モーメント遮蔽層616を提供する。上に検討した処理から磁気書き込みヘッドを作製するために、いくつかの他の処理工程図示せずが後に続いてもよい。さらに、図6Eの視野内の面はABSの典型的な面である。したがって図6Eに描かれた書き込みヘッド構造の一部が図2に示す磁気ヘッドアセンブリ121内に含まれてもよい。したがって磁気ヘッドアセンブリ121はシード層612と主磁極608と第2のギャップ層614とを生成する材料を含んでもよい。ABSは次に、書き込みヘッドを含む記録ヘッド装置に必要な空気力学特徴を生成するためにエッチングされてもよい図示せず。図7Bは、本発明の実施形態による、乾式磁極処理を使用して開発された磁気書き込みヘッドを示す。図示のように、シード層612を蒸着する前に、コントラスト層704が、図7Aにおいて検討されたコントラスト層702と同様に蒸着されてもよい。Ni、Cr、Co、Feの原子数は比較的似ているので、NiCrシード層612とCoFe遮蔽層616とのCDSEMコントラストは低い。多くの場合、NiCrシード層612とCoFe遮蔽層616との低CDSEMコントラストは、ギャップ層614例えばRuとCoFe遮蔽層616との高CDSEMコントラストのために重要度が低い。NiCrとCoFeとの低コントラストの影響は、はるかに厚いRu何千ナノメートルの層を蒸着する一方で薄い数十ナノメートルのNiCrのシード層だけを蒸着することによりさらに最小化される。しかしながら、コントラスト層704が積層の一部として蒸着される場合、シード層の厚さを増すことができるすなわち、低CDSEMコントラストの影響をさらに最小化することができる。図7Bに示す乾式磁極処理では、これは、シード層612例えば、NiCr、Ti、Cr、またはTaが蒸着される前に図6C行われてもよい。通常、コントラスト層704は主磁極514に高CDSEMコントラストを与える任意の材料であってよい。具体的には、遮蔽層616としてCoFeを使用する場合、コントラスト層704としてアルミナを使用することでこのようなコントラストを与える。上に検討した積層材料を使用して、一実施形態では、結果として生じる積層は、その上に高磁気モーメントCoFe今は遮蔽層として使用されるが次に蒸着されるAl2O3/NiCr/Ruである。図3に示すように、アルミナはTaと同じエッチング速度問題に悩まされなくすなわち、ABSにおけるPTRを回避する、しかもCDSEMコントラストをさらに増加するので好適である。以上の説明は本発明のいくつかの実施形態に関するが、本発明の他の別の実施形態は本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案可能であり、その範囲は以下の特許請求の範囲により決定される。