被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、前記窒化シリコン膜を前記被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、前記被処理体の表面上に前記窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成することを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。1被処理体を処理室内に搬入する工程と、2前記処理室内にアミノシラン系ガスを導入し、前記被処理体の表面上にシリコンを吸着させる工程と、3前記処理室内にアンモニアを含むガスを導入し、前記シリコンが吸着された前記被処理体の表面上にシード層を形成する工程と、4前記処理室内に窒化シリコンを成膜する成膜ガスを導入し、前記シード層上に窒化シリコン膜を形成する工程とを具備することを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。前記3の工程で、前記処理室内の温度を前記窒化シリコン膜の成膜温度に上昇させることを特徴とする請求項2に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記2工程と前記3工程とを繰り返すことを特徴とする請求項2に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記2工程と前記3工程とを繰り返した後、前記4工程の前に、5前記処理室内をパージしながら、前記処理室内の温度を前記窒化シリコン膜の成膜温度に上昇させる工程を備えることを特徴とする請求項4に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記4工程が、シリコンを含むガスと窒化剤を含むガスとを交互に供給し、前記シード層上に、窒化シリコンを堆積させていく工程であることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記4工程が、シリコンを含むガスと窒化剤を含むガスとを同時に供給し、前記シード層上に、窒化シリコンを堆積させていく工程であることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれか一項に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記被処理体の表面に、少なくともシリコンを主体とする領域と、金属を主体とする領域とが含まれていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。前記アミノシラン系ガスが、BASブチルアミノシランBTBASビスターシャリブチルアミノシランDMASジメチルアミノシランBDMASビスジメチルアミノシランTDMASトリジメチルアミノシランDEASジエチルアミノシランBDEASビスジエチルアミノシランDPASジプロピルアミノシランDIPASジイソプロピルアミノシランヘキサキスエチルアミノジシラン1NnSi2H6nmm2NHnSi2H6nmm3NnSi2H6nmm4NHnSi2H6nmmの少なくとも一つを含むガスから選ばれることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の窒化シリコン膜の成膜方法。ただし、1、2式において、n:アミノ基の数、m:アルキル基の数、3、4式において、n:アミノ基の数、m:塩素の数、1~4式において、n=1~6の整数、m=0、1~5の整数、R1、R2、R3=CH3、C2H5、C3H7R1=R2=R3、または同じでなくても良い。窒化シリコン膜を成膜する成膜装置であって、被処理体を収容する処理室と、前記処理室内に、アミノシラン系ガス、アンモニアを含むガス、及び窒化シリコンを成膜する成膜ガスを供給するガス供給機構と、を備え、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の窒化シリコン膜の成膜方法を、前記処理室内において実行されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。窒化シリコン膜の成膜においては、インキュベーション時間が存在する。このため、成膜初期段階では、窒化シリコン膜が一様に付かず、窒化シリコンがアイランド状に点在することになる。このため、極薄膜状態の窒化シリコン膜は、例えば、段差被覆性が良くない、膜厚や膜質が均一でない、といった物理的な特性や、絶縁性などの電気的な特性も良くない、という事情がある。この発明は、極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜可能な窒化シリコン膜の成膜方法、及びその成膜方法を実施することが可能な成膜装置を提供する。この発明の第1の態様に係る窒化シリコン膜の成膜方法は、被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、前記窒化シリコン膜を前記被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、前記被処理体の表面上に前記窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成する。この発明の第2の態様に係る窒化シリコン膜の成膜方法は、1被処理体を処理室内に搬入する工程と、2前記処理室内にアミノシラン系ガスを導入し、前記被処理体の表面上にシリコンを吸着させる工程と、3前記処理室内にアンモニアを含むガスを導入し、前記シリコンが吸着された前記被処理体の表面上にシード層を形成する工程と、4前記処理室内に窒化シリコンを成膜する成膜ガスを導入し、前記シード層上に窒化シリコン膜を形成する工程とを具備する。この発明の第3の態様に係る成膜装置は、窒化シリコン膜を成膜する成膜装置であって、被処理体を収容する処理室と、前記処理室内に、アミノシラン系ガス、アンモニアを含むガス、及び窒化シリコンを成膜する成膜ガスを供給するガス供給機構と、を備え、上記第1の態様に係る窒化シリコン膜の成膜方法を、前記処理室内において実行されるように構成されている。この発明によれば、極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜可能な窒化シリコン膜の成膜方法、及びその成膜方法を実施することが可能な成膜装置を提供できる。第1の実施形態図1はこの発明の第1の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法の一例を示す流れ図、図2は図1に示す一例中の被処理体の断面例を示す断面図である。図1中のステップ1に示すように、被処理体を成膜装置の処理室内に搬入する。本例では被処理体は半導体ウエハ、例えば、シリコンウエハである。シリコンウエハの断面例を図2Aに示す。本例では被処理体の一例として、シリコン基板1の表面上に、例えば、酸化シリコンSiO2膜2が形成されたシリコンウエハWを使用した。即ち、窒化シリコン膜が形成される下地は、本例では酸化シリコン膜2である。なお、下地としては、酸化シリコン膜2に限られることはなく、表面に自然酸化膜を有したシリコンや、表面に自然酸化膜を有した金属、表面に自然酸化膜を有していない金属等であっても良い。被処理体を成膜装置の処理室内に搬入した後、処理室内の温度をシリコン吸着温度処理温度に上昇させる。本例では、シリコン吸着温度を450°Cに設定した。次に、図1中のステップ2に示すように、シリコン吸着温度とされた処理室内にアミノシラン系ガスを導入し、酸化シリコン膜2の表面上にシリコンを吸着させる。これにより、図2Bに示すように、酸化シリコン膜2の表面上には、シリコン吸着層3が形成される。本例では、アミノシラン系ガスとして、ジイソプロピルアミノシランガスDIPASを用いた。また、本例で用いた処理条件は、DIPAS流量:150sccm処理時間:60sec処理温度:450°C処理圧力:532Pa4Torrである。処理終了後、処理室内を、不活性ガスを用いてパージするステップ3。本例では、不活性ガスとして窒素N2ガスを用いた。次に、図1中のステップ4に示すように、処理室内にアンモニアNH3を含むガスを導入する。これにより、シリコン吸着層3にアミノ基例えば、NH2を結合させ、図2Cに示すように、酸化シリコン膜2の表面上にシード層4を形成する。本例で用いた処理条件は、NH3流量:5000sccm処理時間:25min処理温度:処理の間に450°Cから630°Cへ上昇処理圧力:66.7Pa0.5Torrである。また、本例では、処理室内にアンモニアガスを導入しながら、処理室内の温度を450°Cから窒化シリコン成膜温度、本例では630°Cまで上昇させていった。このように温度を高くしていくことにより、処理室内の温度をシリコン吸着温度から変えない場合に比較して、シリコン吸着層3とアンモニアガスとの反応をより促進させることができる。処理終了後、処理室内を、不活性ガスを用いてパージするステップ5。本例では、不活性ガスとして窒素ガスを用いた。次に、図1中のステップ6に示すように、窒化シリコン成膜温度とされた処理室内に窒化シリコンを成膜する成膜ガスを導入し、図2Dに示すように、シード層4上に窒化シリコン膜5を形成する。本例では、窒化シリコン膜5の形成に、シリコンを含むガスと窒化剤を含むガスとを交互に供給し、シード層4上に、窒化シリコンを堆積させる成膜手法を採用した。この成膜手法は、ALDAtomicLayerDeposition法、又はMLD法と呼ばれる成膜手法である。本例では、シリコンを含むガスとしてシラン系ガス、例えば、ジクロロシランDCS:SiH2Cl2、窒化剤を含むガスとしてアンモニアを含むガスを用いた。窒化シリコン膜5の形成は、まず、処理室内にDCSを導入し、シード層4上にシリコンを吸着させる。次いで、処理室内を不活性ガス、例えば、窒素ガスでパージし、シリコン以外の不純物を処理室内から排出する。次いで、処理室内にアンモニアを含むガスを導入し、吸着されたシリコンを窒化する。次いで、処理室内を不活性ガス、例えば、窒素ガスでパージし、不純物を処理室内から排出する。これらの工程を、窒化シリコン膜5が所望の厚みとなるまで繰り返すことで、窒化シリコン膜5が形成される。なお、窒化シリコン膜5の形成には、シリコンを含むガスと窒化剤を含むガスとを同時に供給し、シード層4上に、窒化シリコンを堆積させていく成膜手法、いわゆるCVDChemicalVaporDeposition法を採用することも可能である。このような第1の実施形態によれば、窒化シリコン膜5を、下地、本例では酸化シリコン膜2上に成膜するのに際し、酸化シリコン膜2の表面に、アミノシラン系ガスを用いてシリコンを吸着させてシリコン吸着層3を形成し、このシリコン吸着層3に、アンモニアを含むガスを用いてアミノ基を結合させ、シリコン吸着層3をシード層4に変える。この後、シード層4上に、窒化シリコン膜5を形成する。この構成を備えることにより、詳しくは後述するが、酸化シリコン膜2上に直接、窒化シリコン膜5を形成する場合に比較して、インキュベーション時間を短縮できる。インキュベーション時間を短縮できる結果、極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れた窒化シリコン膜が得られる、という利点を得ることができる。特に、第1の実施形態によれば、段差被覆性、膜厚や膜質の均一性が良く、電気的な絶縁性にも優れた極薄膜状態の窒化シリコン膜が得られる。また、第1の実施形態によれば、窒化シリコン膜5のインキュベーション時間を短縮できるので、例えば、半導体集積回路装置の製造にあたり、特に、窒化シリコン膜の成膜工程のスループットを向上できる、という利点についても併せて得ることができる。第2の実施形態図3はこの発明の第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法の一例を示す流れ図である。なお、一例中の被処理体の断面例は、図2A~図2Dを代用する。第2の実施形態が、第1の実施形態と、特に、異なるところは、下地表面上へのシリコン吸着層3の生成、及びシリコン吸着層3のシード層4への変換を、アミノシラン系ガスの導入とアンモニアを含むガスの導入とを所定の回数繰り返すことで行うようにしたことである。まず、図3中のステップ11に示すように、被処理体、本例では、第1の実施形態と同様に、シリコン基板1の表面上に、例えば、酸化シリコンSiO2膜2が形成されたシリコンウエハ図2A参照を成膜装置の処理室内に搬入する。被処理体を成膜装置の処理室内に搬入した後、処理室内の温度をシリコン吸着温度処理温度に上昇させる。本例では、シリコン吸着温度を、第1の実施形態よりも高い550°Cに設定した。この理由を以下に説明する。第1の実施形態では、下地表面上にシリコンを吸着させた後、処理室内の温度を窒化シリコン成膜温度まで上昇させながら、アンモニアを含むガスを導入させた。対して、第2の実施形態は、アミノシラン系ガスの導入とアンモニアを含むガスの導入とを所定の回数繰り返す。このため、アンモニアを含むガスを導入するごとに処理室内の温度を、例えば、窒化シリコン成膜温度まで上昇させたり、アミノシラン系ガスを導入するごとに処理室内の温度をシリコン吸着温度に下降させたりしてしまうと、処理時間が長くなる。処理時間を短縮するために、本例では、処理室内の温度を、アミノシラン系ガスの導入時とアンモニアを含むガスの導入時とで等しくする。これにより、処理室内の温度を変化させる必要がなくなり、処理室内の温度を変化させる場合に比較して、処理時間を短縮することができる。また、処理室内の温度をシリコン吸着温度から変化させない場合、シリコン吸着層3とアンモニアガスとの反応が進み難くなることも予想される。このため、本例では、シリコン吸着層3とアンモニアガスとの反応促進を考慮し、シリコン吸着温度を、第1の実施形態よりも高い550°Cに設定した。次に、図3中のステップ12に示すように、シリコン吸着温度とされた処理室内にアミノシラン系ガスを導入し、酸化シリコン膜2の表面上にシリコンを吸着させる図2B。これにより、酸化シリコン膜2の表面上には、シリコン吸着層3が形成される。本例では、アミノシラン系ガスとして、トリジメチルアミノシランガスTDMASを用いた。また、本例で用いた処理条件は、TDMAS流量:150sccm処理時間:15sec処理温度:550°C処理圧力:532Pa4Torrである。処理終了後、処理室内を、不活性ガスを用いてパージするステップ13。本例では、不活性ガスとして窒素ガスを用いた。次に、図3中のステップ14に示すように、処理室内にアンモニアNH3を含むガスを導入する。これにより、シリコン吸着層3にアミノ基例えば、NH2を結合させる。本例で用いた処理条件は、NH3流量:5000sccm処理時間:20sec処理温度:550°C処理圧力:53.2Pa0.4Torrである。次に、図3中のステップ15に示すように、アミノシラン系ガスの導入とアンモニアを含むガスの導入との繰り返し回数が設定回数に達したか否かを判断する。設定回数に達していない場合No.、ステップ16に進み、処理室内の温度を維持したまま、不活性ガス、本例では窒素ガスを用いてパージする。続いて、ステップ12、13、14を繰り返す。設定回数に達した場合Yes.、シード層4の形成が完了する図2C。この場合、ステップ17に進み、処理室内の温度をシリコン吸着温度から窒化シリコン成膜温度、本例では630°Cに上昇させながら、不活性ガス、本例では窒素ガスを用いてパージする。次に、図3中のステップ18に示すように、窒化シリコン成膜温度とされた処理室内に窒化シリコンを成膜する成膜ガスを導入し、シード層4上に窒化シリコン膜5を形成する。窒化シリコン膜5の成膜手法は、第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様にALD法又はMLD法と呼ばれる手法であり、成膜条件も第1の実施形態のステップ6と同じである。なお、第2の実施形態においても、成膜手法はALD法又はMLD法に限られることはなく、CVD法が採用されても良い。このような第2の実施形態においても、シード層4上に、窒化シリコン膜5が形成される。このため、第1の実施形態と同様に、酸化シリコン膜2上に直接、窒化シリコン膜5を形成する場合に比較して、窒化シリコン膜5のインキュベーション時間を短縮できる、という利点を得ることができる。インキュベーション時間次に、第1の実施形態、及び第2の実施形態のインキュベーション時間を、比較例と比較しながら説明する。図4は、インキュベーション時間を示す図である。縦軸は窒化シリコン膜5の膜厚、横軸はALDサイクル数を示している。図4中の線Iは第1の実施形態により窒化シリコン膜5を成膜した場合、線IIは第2の実施形態により窒化シリコン膜5を成膜した場合である。線IIIは比較例である。比較例は、下地酸化シリコン膜2表面上に直接、窒化シリコン膜5をALD法又はMLD法と呼ばれる手法を用いて形成した例である。成膜条件は、第1の実施形態のステップ6の処理条件と同じである。窒化シリコン膜5の膜厚は、ALDサイクルが30回の時、50回の時、70回の時にそれぞれ測定した。線I~IIIは、測定された3つの膜厚を最小二乗法で直線近似した直線であり、式は次の通りである。線I:y=08996x-17113...1線II:y=09265x-14181...2線III:y=09159x-21846...3上記1、2、3式をy=0、即ち、窒化シリコン膜5の膜厚を0としたときのALDサイクルは次のようになる。線I:19サイクル第1の実施形態線II:15サイクル第2の実施形態線III:24サイクル比較例つまり、比較例ではALDサイクルを24回繰り返した後に窒化シリコン膜5が成長しだす。対して、第1の実施形態ではALDサイクルを19回繰り返した後に窒化シリコン膜5が成長しだし、第2の実施形態ではALDサイクルをさらに速い15回繰り返した後に窒化シリコン膜5が成長しだす。このように、第1、第2の実施形態は、双方ともが比較例よりも速い段階から窒化シリコン膜5が成長しだすことが明らかとなった。したがって、窒化シリコン膜5を、被処理体の表面上、第1、第2の実施形態では酸化シリコン膜2の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、シリコンウエハWの表面上に窒化シリコン膜5のシードとなるシード層4を形成する第1、第2の実施形態によれば、酸化シリコン膜2上に直接、窒化シリコン膜5を形成する場合に比較して、窒化シリコン膜5のインキュベーション時間を短縮できることが裏付けられた。第3の実施形態第3の実施形態は、上記第1、第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の一例に関する。図5は、第1、第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。図5に示すように、成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室101を有している。処理室101の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室101内の天井には、石英製の天井板102が設けられている。処理室101の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は処理室101の下端を支持している。マニホールド103の下方からは、被処理体として複数枚、例えば、50~100枚の半導体ウエハ、本例では、シリコンウエハWを多段に載置可能な石英製のウエハボート105が処理室101内に挿入可能となっている。ウエハボート105は複数本の支柱106を有し、支柱106に形成された溝により複数枚のシリコンウエハWが支持されるようになっている。ウエハボート105は、石英製の保温筒107を介してテーブル108上に載置されている。テーブル108は、マニホールド103の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部109を貫通する回転軸110上に支持される。回転軸110の貫通部には、例えば、磁性流体シール111が設けられ、回転軸110を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部109の周辺部とマニホールド103の下端部との間には、例えば、Oリングよりなるシール部材112が介設されている。これにより処理室101内のシール性が保持されている。回転軸110は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム113の先端に取り付けられている。これにより、ウエハボート105および蓋部109等は、一体的に昇降されて処理室101内に対して挿脱される。成膜装置100は、処理室101内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構114と、処理室101内に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構115と、を有している。処理ガス供給機構114は、アミノシラン系ガス供給源117、成膜ガス供給源118、アンモニアを含むガス供給源119を含んでいる。成膜ガスは、例えば、シラン系ガスである。不活性ガス供給機構115は、不活性ガス供給源120を含んでいる。不活性ガスは、パージガス等に利用される。アミノシラン系ガス供給源117は、流量制御器121a及び開閉弁122aを介して、分散ノズル123に接続されている。分散ノズル123は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル123の垂直部分には、複数のガス吐出孔124が所定の間隔を隔てて形成されている。有機系シリコンガスは、各ガス吐出孔124から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。また、成膜ガス供給源118もまた、流量制御器121b及び開閉弁122bを介して、例えば、分散ノズル123に接続される。アンモニアを含むガス供給源119は、流量制御器121c及び開閉弁122cを介して、分散ノズル125に接続されている。分散ノズル125は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル125の垂直部分には、複数のガス吐出孔126が所定の間隔を隔てて形成されている。アンモニアを含むガスは、各ガス吐出孔126から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。不活性ガス供給源120は、流量制御器121d及び開閉弁122dを介して、ノズル128に接続されている。ノズル128は、マニホールド103の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に処理室101内に向けて吐出させる。処理室101内の、分散ノズル123及び125と反対側の部分には、処理室101内を排気するための排気口129が設けられている。排気口129は処理室101の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室101の排気口129に対応する部分には、排気口129を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材130が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材130は、処理室101の側壁に沿って上方に延びており、処理室101の上方にガス出口131を規定している。ガス出口131には、真空ポンプ等を含む排気機構132が接続される。排気機構132は、処理室101内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理室101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。処理室101の外周には筒体状の加熱装置133が設けられている。加熱装置133は、処理室101内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室101内に収容された被処理体、例えば、半導体基板、本例ではウエハWを加熱する。成膜装置100の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、成膜装置100は、コントローラ150の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ150の制御のもと、上記第1の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法のステップ1~ステップ6に従った処理、又は第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法のステップ11~18を順次実行する。上記第1、第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法は、図5に示すような成膜装置100によって、実施することができる。第4の実施形態第4の実施形態は、第1、又は第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を利用した半導体装置の一成膜工程例に関する。図6A~図6Eは、第1、又は第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を利用した半導体装置の一成膜工程例を示す断面図である。本一成膜工程例は、半導体装置、特に、半導体集積回路装置のゲート電極の側壁上に、窒化シリコン膜5からなる側壁スペーサを形成する例である。また、本例は、第1の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を採用した例で説明するが、第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法を採用できることは、もちろんである。図6Aには、窒化シリコン膜5の成膜前の断面例が示されている。即ち、シリコン基板1上にはゲート絶縁膜11、ポリシリコン層12、金属層13が順次形成されてなるゲート電極14が形成されている。ゲート絶縁膜11は、例えば、酸化シリコンSiO2、金属層13は、例えば、タングステンWである。図6Aに示す構造体を含む被処理体を、例えば、図5に示した成膜装置100の処理室101内に搬入する。次いで、処理室101内の温度をシリコン吸着温度、例えば、450°Cに上昇させる。次に、図6Bに示すように、シリコン吸着温度とされた処理室101内にアミノシラン系ガスを導入し、ゲート電極14の側壁及び上面、並びにシリコン基板例えば、露出面に図示せぬ自然酸化膜が有るシリコン基板1の表面上にシリコンを吸着させ、シリコン吸着層3を形成する。本例では、アミノシラン系ガスとして、ジイソプロピルアミノシランガスDIPASを用いた。この後、処理室101内を不活性ガス、例えば、窒素ガスを用いてパージする。次に、図6Cに示すように、処理室101内にアンモニアNH3を含むガスを導入し、シリコン吸着層3にアミノ基例えば、NH2を結合させ、ゲート電極14の側壁及び上面、並びにシリコン基板1の表面上にシード層4を形成する。このとき、処理室101内の温度をシリコン吸着温度から窒化シリコン成膜温度まで上昇させる。この後、処理室101内を不活性ガス、例えば、窒素ガスを用いてパージする。次に、図6Dに示すように、窒化シリコン成膜温度とされた処理室101内に窒化シリコンを成膜する成膜ガスを導入し、図2Dに示すように、シード層4上に窒化シリコン膜5を形成する。本例では、窒化シリコン膜5を、成膜ガスとしてシリコンを含むガスと窒化剤を含むガスとを交互に供給し、シード層4上に、窒化シリコンを堆積させることで形成する。本例では、シリコンを含むガスとしてシラン系ガス、例えば、DCS、窒化剤を含むガスとしてアンモニアを含むガスを用いた。ここまでの工程を、例えば、図5に示した成膜装置100の処理室101内で行う。次に、図6Eに示すように、図6Dに示す構造体となったシリコンウエハWを、処理室101から搬出し、異方性エッチング装置の処理室に移送する。ここで、窒化シリコン膜5を異方性エッチングすることで、ゲート電極14の側壁上に、窒化シリコン膜5からなる側壁スペーサ15が形成される。このように、第1、第2の実施形態に係る窒化シリコン膜の成膜方法は、半導体集積回路装置の製造工程、例えば、ゲート電極14の側壁上への側壁スペーサ15の形成工程等に利用することが可能である。以上、この発明をいくつかの実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。例えば、上記実施形態においては、アミノシラン系ガスとして、ジイソプロピルアミノシランガスDIPAS、又はトリジメチルアミノシランガスTDMASを用いたが、アミノシラン系ガスとしては、DIPAS、TDMASの他、下記のアミノシラン系ガスを使うことができる。BASブチルアミノシランBTBASビスターシャリブチルアミノシランDMASジメチルアミノシランBDMASビスジメチルアミノシランDEASジエチルアミノシランBDEASビスジエチルアミノシラン、及びDPASジプロピルアミノシランまた、アミノシラン系ガスとしては、分子式中のシリコンSiが1つとなるものに限られるものではなく、分子式中のシリコンが2つとなるもの、例えば、ヘキサキスエチルアミノジシランC12H36N6Si2なども用いることができる。さらに、ヘキサキスエチルアミノジシランの他、下記の式1~4により表示される物質も用いることができる。1NnSi2H6nmm...n:アミノ基の数m:アルキル基の数2NHnSi2H6nmm...n:アミノ基の数m:アルキル基の数1、2式において、R1、R2、R3=CH3、C2H5、C3H7R1=R2=R3、または同じでなくても良い。n=1~6の整数m=0、1~5の整数3NnSi2H6nmm...n:アミノ基の数m:塩素の数4NHnSi2H6nmm...n:アミノ基の数m:塩素の数3、4式においてR1、R2=CH3、C2H5、C3H7R1=R2、または同じでなくても良い。n=1~6の整数m=0、1~5の整数その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。