極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる電場生成手段と、を有することを特徴とする極紫外露光マスク用防塵装置。前記電場生成手段は、前記極紫外露光マスクに照射される極紫外光の光子エネルギから前記防塵部材の仕事関数を減じて得られる値を電荷素量で除して得られる値以上の電圧を、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に、前記防塵部材が正となるように印加することを特徴とする請求項1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。前記電場生成手段は、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に位置し、前記防塵部材よりも低電位が付与される電極を有することを特徴とする請求項1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。極紫外露光マスクに対する防塵部材を設ける工程と、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる工程と、前記防塵部材を介して前記極紫外露光マスクに極紫外光を照射する工程と、を有することを特徴とする露光方法。前記電場を生成する工程は、前記極紫外光の光子エネルギから前記防塵部材の仕事関数を減じて得られる値を電荷素量で除して得られる値以上の電圧を、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に、前記防塵部材が正となるように印加する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に電極を設けておき、前記電場を生成する工程は、前記電極に前記防塵部材よりも低電位を付与する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。本発明の目的は、EUVリソグラフィ時のEUV露光マスクの表面での炭素系薄膜及び酸化物の生成を抑制することができる極紫外露光マスク用防塵装置及び露光方法を提供することにある。極紫外露光マスク用防塵装置の一態様には、極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる電場生成手段と、が設けられている。露光方法の一態様では、極紫外露光マスクに対する防塵部材を設け、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせ、前記防塵部材を介して前記極紫外露光マスクに極紫外光を照射する。上記の極紫外露光マスク用防塵装置等によれば、所望の電場が生成されるため、この電場の作用により、EUV露光マスクの表面での炭素系薄膜及び酸化物の生成を抑制することができる。本願発明者らは、EUVリソグラフィにおいてペリクルを用いた場合に、ペリクルを用いない場合と比較して、露光マスクの表面に炭素系薄膜及び酸化物が生成しやすくなる原因について検討を行った。ここで、炭素系薄膜及び酸化膜が生成する機構について説明する。炭素系薄膜は、以下に示す機構で生成する。先ず、炭化水素等が露光マスクの表面に吸着された状態でEUV光が照射されると、炭化水素等の分子が光化学分解を起こす。そして、この光化学分解に伴って炭素系薄膜が生成する。また、詳細は後述するが、EUV光が露光マスクに照射されると露光マスクの表面から光電子及び二次電子が放出される。このため、炭化水素等が露光マスクの表面に吸着された状態でEUV光が照射されると、露光マスクの表面から放出された光電子及び二次電子によって炭化水素等の分子が分解反応を起こす。そして、この分解反応に伴って炭素系薄膜が生成する。このような機構で、炭素系薄膜が生成するのである。酸化物の生成も、このようなEUV光の照射、及びEUV光の照射によって放出された電子によって引き起こされている。更に、ペリクルが用いられた場合には、ペリクルからも光電子及び二次電子が放出され、これらが露光マスクの表面に到達することがあることが判明した。そして、これら電子が露光マスクの表面に到達すると、露光マスクから電子が放出された場合と同様に、炭素系薄膜及び酸化物が生成することが判明した。つまり、ペリクルを用いた場合には、炭素系薄膜及び酸化物の生成が促進されるのである。ここで、露光マスクからの電子の放出について説明する。図1は、露光マスクの一例を示す模式図である。この露光マスク11には、基板12、基板12上の反射層13、及び反射層13上のSiキャップ層14が含まれている。また、Siキャップ層14上には、パターン化された吸収層15が設けられている。反射層13には、複数の屈折率が相違する物質の層の積層体が含まれている。Siキャップ層14の厚さは、例えば11nm程度である。吸収層15には、EUV光を吸収する物質が含まれている。露光マスク11の吸収層15が存在しない領域に入射したEUV光16は、Siキャップ層14で一部吸収されつつ反射層13に侵入する。そして、反射層13に含まれる層で若干の吸収を受けつつ反射される。反射層13で反射されたEUV光17は、Siキャップ層14で一部吸収されつつ外部に出射する。このように、入射から出射までの間にEUV光はSiキャップ層14及び反射層13による吸収を受ける。そして、結果的に、反射率は60~70程度となっている。このようなEUV光の吸収に伴ってSiキャップ層14及び反射層13中に電子が励起される。そして、Siキャップ層14の表面の極近傍で励起された電子は光電子18としてSiキャップ層14の表面から放出される。また、光電子18として放出されない程度の位置、例えばSiキャップ層14の表面から数nm程度より深い位置で励起された電子19は、Siキャップ層14又は反射層13中を通過するうちに他の電子にエネルギを与え、二次電子20を発生させる。この二次電子20が十分なエネルギを持っていれば他の電子にエネルギを与え、更に多くの二次電子20を発生させる。そして、二次電子20のうち、Siキャップ層14の表面のポテンシャル障壁を超えるだけのエネルギを持ったものはSiキャップ層14の表面から放出される。このようにして、光電子及び二次電子が露光マスクから放出されるのである。なお、Siキャップ層14の表面から比較的深い位置で発生した二次電子20は、表面に到達するまでにエネルギを失うため、一般的に表面から10nm程度より浅い位置で発生した二次電子20のみが放出され得る。表面から放出される光電子18及び二次電子20の総量は、概数として、表面から二次電子20が脱出できる限界の深さである10nm程度の範囲で吸収されるEUV光子の数に比例する。EUV光の照射でどれだけの光電子及び二次電子が放出されるか実測した例は少ないが、銅、金、白金等については一応の測定が行われており、これらでは入射したEUV光子1個あたりの放出電子の総数は約20個程度である。つまり、図2に示すように、銅、金、白金等の金属21ではEUV光22は10nmで50程度吸収されるので、深さ10nmまでで吸収されたEUV光子入射光子の約半分の約40倍の個数の電子23が金属21の表面から放出されていることになる。次に、ペリクルを用いない場合に、どの程度の電子が露光マスクから放出されるかについて説明する。ここでは、投影光学系に向かうEUV光の強度が1となるように照明光学系からEUV光が照射されるとする。Siキャップ層14の表面には、図3に示すように、厚さが2nm~3nm程度の自然酸化膜31が存在する。この露光マスクに照明光学系からのEUV光16が入射すると、その一部が自然酸化膜31で吸収される。その後、図1に示す例と同様の反射及び吸収が生じ、Siキャップ層14から出射される際に、EUV光17の一部が自然酸化膜31で吸収される。また、自然酸化膜31での吸収によっても光電子18及び二次電子20の放出が引き起こされる。このような一連の流れにおいて、露光マスクの各部位に入射するEUV光の強度、各部位から出射されるEUV光の強度、各部位で吸収されるEUV光によって生成され表面から放出される電子の量等を図4に示す。図4には、投影光学系に向かうEUV光の強度を1とした場合の相対値を示してある。また、放出される電子の数は、表面から10nmの範囲で吸収されるEUV光の吸収量に40を乗じることにより算出した。図4の表には、左から、図3中の層の番号107~113、層等の部位の名称、材質、密度、厚さ、吸収率、EUV光の進行方向、界面でのEUV光の強度、EUV光の吸収量、吸収されたEUV光によって生成され表面から放出される電子の数、及び備考を記載した。ここで、界面でのEUV光の強度は、番号が小さい層から大きい層へと入射する場合の強度である。また、反射層の反射率は70吸収率は30とし、Siキャップ層に関する数値には、非特許文献4のデータを用いた。更に、具体的な値の計算にはCXROTheCenterforXrayOpticsのウェブサイトを利用した。なお、数値間の大小関係や層間での増減を示すため少数点以下1桁又は2桁まで記入しているが、これらは絶対値としては有効数字が1桁もない程度の見積もりである。また、Siキャップ層に関して、厚さの設計値が11nmであり、そのうちの1nmが酸化して厚さが2nmの自然酸化膜が形成されている都合で12nm厚と仮定した。更に、表面から10nmより深い部分に位置するSiキャップ層の厚さが2nmの部分では、EUV光の吸収量がわずかである上に表面からの二次電子の放出にも寄与しないので、省略してある。ここで、光励起反応と電子線誘起反応とを比較すると、一般的には、電子線誘起反応の断面積の方が何桁も大きい場合が多いが、EUV光の場合には光励起反応断面積が非常に大きい。このため、炭素系薄膜及び酸化物の生成についての光子及び電子の効果は、互いにほぼ同程度であると考えられる。図4に示す表では、露光マスクの表面におけるEUV光の強度は行き入射及び帰り出射の合計で2.51であり、放出電子の数は3.2である。従って、EUV光、並びに光電子及び二次電子の炭素系薄膜及び酸化物の生成に寄与する割合はほぼ同程度と考えることができる。以上が、ペリクルが用いられていない露光マスクについての解析である。次に、ペリクルを用いた場合に、どの程度の電子が露光マスクから放出されるかについて説明する。ここでも、投影光学系に向かうEUV光の強度が1となるように照明光学系からEUV光が照射されるとする。EUVリソグラフィにおいて使用されるペリクルは、EUV光を吸収する。これは、EUV光に対して透明な材料が存在しないためである。そこで、ペリクルを用いた場合には、この吸収に伴う損失を補填するために、ペリクルを用いない場合よりも高い強度でEUV光を照射するか、露光時間を長くする。この結果、光化学分解が生じやすくなると共に、電子が放出されやすくなって分解反応が生じやすくなる。図5に、ペリクルが用いられた露光マスクの一例を示す。この例では、露光マスクのパターン面側にペリクル151が配置されている。ペリクル151には、Si層152及びその両面に形成された自然酸化膜153が含まれている。ここでは、各自然酸化膜153の厚さが2nmであるとし、Si層152の厚さが96nmであるとする。照明光学系からのEUV光154がペリクル151を透過する際、及び露光マスクから反射されてきたEUV光がペリクル151を透過してEUV光155として投影光学系に向かう際に、ペリクル151の露光マスク側の面から電子156が放出される。そして、露光マスクの構造が図3に示すものと同様であるとして、図4のような計算を行うと、図6に示す表が得られる。ここでは、ペリクル151から投影光学系に向かうEUV光の強度を1とした場合の相対値を示してある。図6に示すように、投影光学系に向かうEUV光の強度を1とすると、露光マスク表面でのEUV光の強度は出射側のペリクル151で吸収される分だけ大きくする必要があり、ペリクルなし場合の2.51から3.08へと20程度大きくなる。また、これに伴って、露光マスクの表面から放出される電子も20程度多くなって、3.2から4.4露光マスク入射側及び露光マスク出射側の合計となる。更に、ペリクル151を透過するEUV光によってペリクル151の表面から放出される電子のうち、露光マスク側の面から放出された電子156は露光マスクの表面へと降り注ぐ。その量は、露光マスクへ入射光による2.4、露光マスクからの反射光による1.6の合計で4.0となる。これは露光マスクの表面から放出される電子の量4.4とほぼ同等である。つまり、露光マスクの表面から放出される電子と同程度の量の電子が、ペリクルから露光マスクの表面に到達するのである。そして、合計で8.4もの電子が、露光マスクの表面に存在する物質の分子と衝突し得る。このように、ペリクルが用いられると、ペリクルの吸収分だけ照射するEUV光の強度を高めるか、露光時間を長くする必要があり、それによって20程度も炭素系薄膜及び酸化物が生成しやすくなる。更に、それだけでなく、ペリクルから放出される電子が重畳されることにより、炭素系薄膜及び酸化物が2倍程度にまで生成しやすくなる。これまで、ペリクルを用いた場合のこのような問題点は認識されておらず、その解決策は検討されていない。本願発明者は、このようにして突き止めた原因を解消して、炭素系薄膜及び酸化物の生成を抑制すべく鋭意検討を行い、以下の種々の実施形態に想到した。第1の実施形態ここで、第1の実施形態について説明する。図7は、第1の実施形態に係る防塵装置を示す図である。図7aは斜視図であり、bは断面図である。第1の実施形態に係る防塵装置51は、極紫外露光マスクEUV露光マスク61のマスクパターンが形成されたパターン面61a上に配置される。EUV露光マスク61には、図8に示すように、基板62、基板62上の反射層63、及び反射層63上のキャップ層64が含まれている。また、キャップ層64上には、パターン化された吸収層65が設けられている。なお、キャップ層64の表面には自然酸化膜が存在する。基板62は、例えば石英基板である。反射層63には、複数の屈折率が相違する物質の層の積層体、例えばMo層及びSi層の積層体が含まれている。キャップ層64は、例えば厚さが11nm程度の導電層、例えばSi層又はRu層である。吸収層65には、EUV光を吸収する物質が含まれている。なお、吸収層65とキャップ層64との間にバッファ層が設けられていてもよい。また、吸収層65上に、深紫外光を用いたパターン検査のために酸化物系の絶縁性の低反射層が設けられていてもよい。防塵装置51には、EUV露光マスク61に対する防塵部材52、及び防塵部材52をEUV露光マスク61上に支持する枠体53が含まれる。枠体53には、その内側の空間を外部と連通する通気孔が形成されている。これは、EUV露光の際に枠体53の内側をも真空にするためである。図7b等では、吸収層65を省略してある。防塵部材52としては、例えばシリコンペリクル膜等の導電部材が用いられる。一方、枠体53としては、例えば絶縁部材が用いられる。更に、本実施形態では、枠体53の外側に電池54、及び電池54に接続された昇圧回路55が設けられている。例えば、昇圧回路55にはインバータが含まれている。また、昇圧回路55の極は配線56を介して防塵部材52に接続され、-極は配線57を介してEUV露光マスク61のキャップ層64に接続される。つまり、本実施形態では、電場生成部58に、電池54、昇圧回路55、配線56及び配線57が含まれる。このように構成された防塵装置51を用いてEUV露光を行うと、照明光学系からのEUV光66及び投影光学系へのEUV光67の透過により、防塵部材52から電子が放出される。このとき、防塵部材52からEUV露光マスク61とは逆側に放出された電子68がEUV露光マスク61の表面に到達することはない。また、電場生成部58により防塵部材52とキャップ層64との間に、防塵部材52側が正となる電場が生成されているため、防塵部材52からEUV露光マスク61側に放出された電子69は防塵部材52側に引き寄せられる。従って、電子69のEUV露光マスク61の表面への到達が抑制される。このため、第1の実施形態によれば、EUV露光マスク61の表面における炭素系薄膜及び酸化物の生成を著しく抑制することが可能となる。なお、昇圧回路55により印加される電圧が、電子69が持つエネルギを電荷素量で除して得られる値よりも大きければ、電子69はEUV露光マスク61の表面へ到達できない。一般的に、EUVリソグラフィで用いられるEUV光のエネルギは約92eVであり、Siの仕事関数は数eVであるため、防塵部材52の材料としてSiが用いられている場合、防塵部材52から放出される電子のエネルギは高々90eV程度である。従って、昇圧回路55からそれよりも大きい電圧、例えば100V程度の電圧が出力されれば、防塵部材52から放出された電子69のEUV露光マスク61の表面への到達を阻止できる。また、防塵部材52からEUV露光マスク61に流れる電流はわずかであり、電池54及び昇圧回路55は小型のものでかまわない。また、防塵部材52の形状は特に限定されず、例えば、膜状又は網状のものを用いることができる。更に、電池54として充電池を用い、電磁誘導によって充電池の充電を行うようにしてもよい。この場合には、電池54の交換頻度を著しく低減することが可能である。従って、電池54の交換の際に生じ得る汚染、位置ずれ等を著しく低減することが可能である。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。図9は、第2の実施形態に係る防塵装置を示す図である。第2の実施形態に係る防塵装置71には、第1の実施形態における電池54に代えて整流回路72が設けられている。整流回路72には、受電コイル73が接続されている。受電コイル73は、例えば枠体53に巻き付けられている。この防塵装置71には、更に、RFradiofrequency電源74、及びRF電源74に接続された送電コイル75が含まれている。つまり、本実施形態では、電場生成部78に、整流回路72、受電コイル73、RF電源74、送電コイル75、配線56及び配線57が含まれる。他の構成は第1の実施形態と同様である。このように構成された第2の実施形態によれば、電池の交換を不要とすることができる。第3の実施形態次に、第3の実施形態について説明する。図10は、第3の実施形態に係る防塵装置を示す図である。第3の実施形態に係る防塵装置81には、防塵部材52よりもEUV露光マスク61側に位置する電極82が設けられており、昇圧回路55の-極が、EUV露光マスク61のキャップ層64ではなく、電極82に接続されている。つまり、本実施形態では、電場生成部88に、電池54、昇圧回路55、配線56、配線57及び電極82が含まれる。他の構成は第1の実施形態と同様である。電極82は、例えばSi製である。このように構成された防塵装置を用いてEUVリソグラフィを行った場合、電場生成部88により防塵部材52と電極82との間に、防塵部材52側が正となる電場が生成されるため、防塵部材52からEUV露光マスク61側に放出された電子は防塵部材52側に引き寄せられる。従って、この電子のEUV露光マスク61の表面への到達が抑制される。第1の実施形態では、昇圧回路55の-極を接続する領域をキャップ層64に確保する必要があるが、EUV露光マスク61の構造上、このような領域を確保しにくい場合がある。このような場合であっても、第3の実施形態によれば、防塵部材52から放出された電子のEUV露光マスク61の表面への到達を抑制することができる。電極82の形状は特に限定されないが、十分な電場を生成できる範囲内で、表面積が小さくなっていることが好ましい。例えば、極細の線材を用いた網状であることが好ましい。これは、EUV光の照射によって電極82からも電子が放出され、この電子がEUV露光マスク61の表面に到達するので、その量を低く抑えるためである。第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態では、EUV露光マスクの表面に生成した炭素系薄膜及び酸化物を表面処理により除去する。図11は、第4の実施形態に係るEUV露光マスクの表面処理方法を示す図である。第4の実施形態では、防塵装置51が取り付けられたEUV露光マスク61をチャンバ内に設置した状態で、チャンバ内を真空引きしながら、チャンバに設けておいた処理ガス供給口91からチャンバ内に処理ガス92を供給し、EUV露光マスク61にEUV光66を照射する。チャンバとしては、EUV露光装置のチャンバをそのまま用いることが好ましいが、他のチャンバを用いてもよい。また、処理ガスとしては、例えば酸素分子ガス又は水素分子ガスを用いる。このような処理を行うと、処理ガスはチャンバ内に広がる際に防塵部材52とEUV露光マスク61との間の空間にも入り込む。この空間内で処理ガスの分子にEUV光66又は67が照射されると、種々の活性種が発生する。そして、活性種のうちで正の電荷を帯びているもの、つまり陽イオン93は、電場生成部58により生成された電場により加速されてEUV露光マスク61のパターン面61aに引き付けられ、パターン面61aに生成している炭素系薄膜及び酸化物と反応を起こして分解する。ここで、炭素系薄膜は酸素分子ガスのような酸化系の処理ガスでも水素分子ガスのような還元系処理ガスでも分解可能であるが、酸化物に対しては還元系処理ガスを用いることにより酸素を除去する。このようにして、炭素系薄膜及び酸化物が除去される。本実施形態では、更に、EUV露光マスク61のパターン面61aから放出された電子光電子及び二次電子が、電場生成部58により生成された電場により加速されて、防塵部材52に向けて移動する。そして、この加速に伴って電子のエネルギが上昇する。つまり、防塵部材52とEUV露光マスク61との間の空間に存在する電子のエネルギが上昇する。この結果、EUV露光マスク61との間の空間に存在する処理ガスの分子が電子によって活性化されやすくなり、活性化されて正の電荷を帯びたもの、つまり陽イオン93がEUV露光マスク61のパターン面61aに引き付けられ、パターン面61aに生成している炭素系薄膜及び酸化物と反応を起こして分解する。ここで、炭素系薄膜は酸素分子ガスのような酸化系の処理ガスでも水素分子ガスのような還元系処理ガスでも分解可能であるが、酸化物に対しては還元系処理ガスを用いることにより酸素を除去する。このようにしても、炭素系薄膜及び酸化物が除去される。ここで、EUV露光マスク61から放出された電子のエネルギの分布について説明する。図12は、放出電子のエネルギの分布を示す図である。図12aは電場による加速がない場合の分布を示し、図12bは電場による加速がある場合の分布を示す。電場による加速がない場合、図12aに示すように、EUV露光マスク61から放出される電子のエネルギはEUV光のエネルギからEUV露光マスク61の表面の仕事関数を減じて得られる差からほぼ0eVの電子まで分布する。現在のEUVリソグラフィでは主として波長が13.5nmのEUV光が用いられているため、キャップ層がSi層又はRu層の場合、上記の差は、約80数eVである。一方、処理ガス分子の活性化電子衝撃イオン化に有効な電子のエネルギは70eV~100eV程度である。このため、図12aに示すように、処理ガス分子の活性化に有効なエネルギを持った電子は少なく、数としては低エネルギの二次電子の方が圧倒的に多い。一方、電場による加速がある場合、例えば第4の実施形態のように約100V程度の電圧が印加されている場合には、図12bに示すように、EUV露光マスク61から放出された電子は処理ガス分子を効率よく活性化するのに十分なエネルギを得ることができる。この結果、上述のように、処理ガスの分子が電子によって活性化されやすくなるのである。なお、処理ガスをイオン化するために適当なエネルギが100eVであり、最も数が多い、ほぼ0eVの二次電子をEUV露光マスク61と防塵部材52との中間程度の位置でこのエネルギまで加速するのであれば、防塵部材52に印加する電圧は200V程度とすることが好ましい。その一方で、電位差が過剰に大きくなって引き寄せられた陽イオンによってEUV露光マスク61の表面がスパッタ損傷を受ける可能性もあり得る。このような場合には、印加電圧は例えば100V程度に抑えることが望ましい。なお、スパッタが発生し始めるエネルギは、EUV露光マスク61を構成する材料及び処理ガスの種類等に依存する。ここで、活性種の生成について説明する。図13に示すように、処理ガス101中をEUV光102が通過すると、処理ガス分子103を光イオン化させ、最終的に陽イオン及びラジカル等の活性種104を生成する。そして、この活性種104の一部活性種105がEUV露光マスク106に到達すると、EUV露光マスク106の表面に存在する炭素系薄膜等が除去される。一般的に炭素系薄膜の原因となる比較的分子量が大きく沸点の低い炭化水素、及び表面酸化の原因となる水分子はEUV露光マスク106の表面に吸着しやすく、上述のように、これらが表面に滞在した状態でのEUV光化学反応又は二次電子による化学反応で炭素系薄膜及び酸化膜が生成される。これに対し、処理ガス101として用いられる酸素分子ガス及び水素分子ガスでは、処理ガス分子103が炭素系薄膜及び酸化膜と反応するのではなく、主に気相中でEUV光102により活性化された活性種イオンやラジカル等104の一部活性種105が炭素系薄膜及び酸化膜と反応する。これは、酸素分子及び水素分子は分子量が小さくまた非極性であるために表面への吸着エネルギが小さく、それゆえに表面での滞在時間が非常に短く、結果として表面での反応は起こりがたいためである。従って、活性種を用いて処理を行おうとする場合には、上述のように、多くの活性種104を発生させるか、活性種104の多くをEUV露光マスク106の表面に導くことが重要である。そして、多くの活性種104を発生させるためには、処理ガス101を比較的高圧とする必要がある。なぜならば、EUV光の物質との相互作用が大きいといっても、真空中にある程度の密度で分子が存在しなければ、十分な数の活性種を生成することができず、また、活性種104のなかには、EUV露光マスク61の表面に到達することなく滞留したままのものも多数存在するからである。しかしながら、処理ガス101を比較的高圧にすると、種々の問題が生じる。例えば、露光装置に一般的に使用されるターボ分子ポンプでは、処理ガス101を高圧にすると、過負荷の危険性が大きくなり、所定の圧力以上に高圧とすることは困難である。また、処理ガス101の圧力が高くなるほど、EUV光102がEUV露光マスク61に到達する前に吸収されやすくなってしまう。例えば、処理ガス101として酸素分子ガスを用い、その圧力を5×104Torrとした場合、EUV光102は5m進むうちに2~3も吸収される。つまり、EUV光102が無駄に吸収されてしまう。そして、このようなEUV光102の無駄は、直接的に露光又は検査等のスループット及び信号雑音比に影響する。このように、処理ガス101を比較的高圧にして多くの活性種104を発生させようとすると、種々の問題が生じる。また、多くの活性種104を発生させようとしても、真空中に存在する炭化水素類の分圧及び水蒸気分圧、並びにEUV光の強度等によっては、十分に炭素系薄膜及び酸化膜を除去することが困難なことがある。一方、本実施形態では、電場生成部58の作用によって、上述のように、活性化した陽イオン活性種がEUV露光マスク61に引き寄せられ、更に、処理ガスの活性化が活発化するため、処理ガスの圧力を低く抑えても、十分に活性種の多くをEUV露光マスク61の表面に導くことができる。そして、EUV露光マスク61の表面に存在する炭素系薄膜及び酸化物を除去することができる。また、処理ガスの圧力を低く抑えることができるため、ポンプ等の排気系の負担を軽減すると共にEUV光の余分な吸収を防ぐこともできる。更に、ポンプ等の排気系は排気効率を高く維持するために露光装置の近くに設置されることが多く、この負担が大きい場合には、その発熱が大きくなり、露光装置の温度に影響が及ぶことがある。これに対し、本実施形態によれば、排気系の負担軽減により、露光装置の温度への影響を低減することもできる。なお、第4の実施形態の表面処理は、EUVリソグラフィと並行して行ってもよい。この場合、炭素系薄膜及び酸化物が生成しても直ぐに除去されるため、炭素系薄膜及び酸化物の生成を防止、緩和していると解釈することもできる。また、この表面処理をEUVリソグラフィ後に行ってもよい。この場合、炭素系薄膜及び酸化物の生成によって表面性状が劣化したEUV露光マスクを回復していると解釈することもできる。第5の実施形態次に、第5の実施形態について説明する。第5の実施形態でも、EUV露光マスクの表面に生成した炭素系薄膜及び酸化物を表面処理により除去する。図14は、第5の実施形態に係るEUV露光マスクの表面処理方法を示す図である。第5の実施形態では、防塵部材52及びEUV露光マスク61を貫くように磁場113を発生させるコイル111がチャンバに設けられており、コイル111に電源112が接続されている。そして、表面処理の際には、磁場113発生させた状態で、第4の実施形態と同様に、処理ガス供給口91からチャンバ内に処理ガス92を供給し、EUV露光マスク61にEUV光66を照射する。このような処理を行うと、EUV光114の照射によってEUV露光マスク61のパターン面61aから電子115が放出される。そして、電子115は、電場生成部58により生成された電場の影響により防塵部材52に引き寄せられる。このとき、電子115には磁場113が作用し、電子115はサイクロトロン運動し、らせん状に移動する。このため、磁場113が生成されていない場合と比較して、電子115が防塵部材52に到達するまでに移動する距離が長くなり、電子115が処理ガス92の処理ガス分子116と衝突する確率も高くなる。従って、第4の実施形態と比較して、処理ガス92の分子のイオン化効率が向上して、活性化された処理ガス分子117が生じやすくなり、より高い効率で炭素系薄膜及び酸化物を除去することが可能となる。なお、第5の実施形態のように磁場113を生成して電子光電子及び二次電子の飛行距離を長くする場合には、必ずしも電場生成部58を機能させなくてもよい。つまり、電子の飛行距離が長くなることにより、活性化された処理ガス分子117が増加するため、その作用により、高い効率で炭素系薄膜及び酸化物を除去することができる。また、第4、第5の実施形態に係る表面処理方法は、EUV露光装置のチャンバ内で行う必要はなく、EUV露光装置のチャンバからEUV露光マスクを取り出して実行してもよい。また、表面処理の際には、防塵部材52に代えて他の導電部材を用いて、これが高電位となる電圧を印加してもよい。更に、EUV光で発生した電子を利用するのではなく、独立した電子源を設けても構わない。例えばEUV露光マスクに紫外レーザ又は紫外ランプ等からの紫外光を照射して発生させた光電子等を利用することも可能である。独立した電子源を設けた場合には、更に処理効率を向上させることが可能となり、また、EUV光の非照射時にも処理を行うことが可能となる。第6の実施形態次に、第6の実施形態について説明する。第6の実施形態では、第1~第3の実施形態に係る防塵装置を用いて半導体装置を製造する。図15は、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず、図15aに示すように、シリコン基板等の基板121上に絶縁膜122を形成し、その上に導電膜123を形成する。例えば、絶縁膜122としては、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等を形成し、導電膜123としては、多結晶シリコン膜を形成する。次いで、図15bに示すように、導電膜123上にレジスト膜124を形成する。その後、図15cに示すように、レジスト膜124のパターニングを行う。このパターニングでは、レジスト膜124のEUVリソグラフィ及び現像を行う。また、EUVリソグラフィでは、第1~第3の実施形態に係る防塵装置が設けられたEUV露光マスクを用いる。そして、レジスト膜124のパターニング後には、図15dに示すように、パターニング後のレジスト膜124をエッチングマスクとして用いて導電膜123及び絶縁膜122をエッチングする。この結果、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される。その後、不純物拡散層及び多層配線等を形成して半導体装置を完成させる。なお、EUV光の光源としては、放射光光源、スズ若しくはキセノン等を媒体とした放電プラズマ、又はレーザ生成プラズマ等が用いられる。また、EUVリソグラフィでは、EUV露光マスクからの反射光が投影光学系によりレジスト膜124に結像される。EUVリソグラフィの結果、防塵装置が用いられていても、EUV露光マスクの表面に炭素系薄膜及び酸化物が形成され得る。そこで、第4又は第5の実施形態により炭素系薄膜及び酸化物を除去する。また、EUVリソグラフィの後に表面処理を行うのではなく、処理ガスの供給を行いながらEUVリソグラフィを行うことにより、EUVリソグラフィと並行して炭素系薄膜及び酸化物を除去してもよい。以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1極紫外露光マスクに対する防塵部材と、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる電場生成手段と、を有することを特徴とする極紫外露光マスク用防塵装置。付記2前記電場生成手段は、前記極紫外露光マスクに照射される極紫外光の光子エネルギから前記防塵部材の仕事関数を減じて得られる値を電荷素量で除して得られる値以上の電圧を、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に、前記防塵部材が正となるように印加することを特徴とする付記1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記3前記電場生成手段は、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に位置し、前記防塵部材よりも低電位が付与される電極を有することを特徴とする付記1に記載の極紫外露光マスク用防塵装置。付記4極紫外露光マスクに対する防塵部材を設ける工程と、前記極紫外露光マスクと前記防塵部材との間の空間に、前記防塵部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる工程と、前記防塵部材を介して前記極紫外露光マスクに極紫外光を照射する工程と、を有することを特徴とする露光方法。付記5前記電場を生成する工程は、前記極紫外光の光子エネルギから前記防塵部材の仕事関数を減じて得られる値を電荷素量で除して得られる値以上の電圧を、前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に、前記防塵部材が正となるように印加する工程を有することを特徴とする付記4に記載の露光方法。付記6前記防塵部材と前記極紫外露光マスクとの間に電極を設けておき、前記電場を生成する工程は、前記電極に前記防塵部材よりも低電位を付与する工程を有することを特徴とする付記4に記載の露光方法。付記7極紫外露光マスクの表面から離間した位置に導電部材を設ける工程と、前記極紫外露光マスクと前記導電部材との間の空間に、前記導電部材側が前記極紫外露光マスク側よりも高電位となる電場を生じさせる工程と、前記空間に処理ガスを供給する工程と、前記空間内の前記処理ガスの分子を活性化させる工程と、を有することを特徴とする極紫外露光マスクの表面処理方法。付記8前記導電部材として、極紫外露光マスクに対する防塵部材を用い、前記処理ガスの分子を活性化させる工程は、前記極紫外露光マスクを用いた露光に使用される極紫外露光を前記処理ガスの分子に照射する工程を有することを特徴とする付記7に記載の極紫外露光マスクの表面処理方法。付記9前記処理ガスの分子を活性化させた状態で前記空間に磁場を生じさせる工程を有することを特徴とする付記7又は8に記載の極紫外露光マスクの表面処理方法。付記10半導体基板上方にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記レジスト膜をマスクとして用いて、被加工部のエッチングを行う工程と、を有し、前記レジスト膜をパターニングする工程は、付記1乃至3のいずれか1項に記載の極紫外露光マスク用防塵装置が取り付けられた極紫外露光マスクを用いて、前記レジスト膜の露光を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。