"光導波路ファイバにおいて、前記光ファイバが、波長1550nmにおいて100μm2から160μm2の有効面積を有し、α値が12≦α≦200である、無Geコアであって、中心線から径方向に外向きに半径r0まで拡がり、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ0を有し、-01<Δ0<01である中心コア領域であり、最大相対屈折率Δ0最大を有する中心コア領域と、前記中心コア領域を囲んで前記中心コア領域に直接に接し、外半径r1まで拡がり、48μm<r1<10μmであって、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ1及び最小相対屈折率Δ1最小を有しており、半径r=25μmにおいて測定される相対屈折率が、-015<Δ1<0及びΔ0最大≧Δ1,である、第1の環状コア領域と、前記第1の環状コア領域を囲んで前記第1の環状コア領域に直接に接し、半径13μm<r2<30μmまで拡がり、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ2を有しており、最小相対屈折率Δ2最小が、Δ2最小<Δ1及び-05<Δ2最小<-027,である、フッ素がドープされた第2の環状コア領域と、を有する無Geコア、及び前記コアを囲み、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔCを有し、ΔC=Δ2最小±03である、クラッド層、を有し、前記光ファイバの相対屈折率プロファイルは波長1550nmにおいて0175dBkmをこえない減衰を与えるように選ばれ、前記光ファイバが、10MPaより小さいヤング率を有する一次被覆、及び1200MPaより大きいヤング率を有する二次被覆、をさらに有し、前記光ファイバが115μm2より大きい有効面積を有する、ことを特徴とする光導波路ファイバ。前記中央コア領域の少なくとも一部が純シリカで作製される、または前記無Geコアが100μm2と160μm2の間の有効面積を有し、前記フッ素がドープされた第2の環状コア領域が007重量から16重量のフッ素を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路ファイバ。-05<Δ2最小<-025,及び/または-01<Δ1<0,であることを特徴とする請求項1に記載の光導波路ファイバ。前記光ファイバが、20mm径マンドレル上20ターンに対して、10dBm未満の1550nmにおけるマイクロベンド損失を有することを特徴とする請求項1に記載の光導波路ファイバ。前記フッ素がドープされた第2の環状コア領域が001重量から16重量のフッ素を有する、及び/または前記光ファイバが、前記コアに500ppmより多くの塩素を有し、前記クラッド層に10000ppmより多くの塩素を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路ファイバ。前記コアが、中心線から径方向に外側に半径0<r0<2μmまで拡がる前記中央コア領域、を有し、前記光ファイバの前記相対屈折率プロファイルが、波長1550nmにおいて015dBkmと0175dBkmの間の減衰を与えるように選ばれ、Δ0=0,-007<Δ1<0,r2r1が27<r2r1<57,及びr2<30であり、前記光導波路ファイバが、18psnmkm<D<25psnmkmの波長1550nmにおける分散D、1245nm<λ0<1290nmのλ0及び、20mm径マンドレル上20ターンに対して、10dBm未満の1550nmにおけるマイクロベンド損失を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路ファイバ。前記コアの少なくとも一部がアルカリ元素を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光導波路ファイバ。前記アルカリ元素がNa,KまたはRbを含むことを特徴とする請求項7に記載の光導波路ファイバ。前記光ファイバが、18<D<25psnmkmの波長1550nmにおける分散D、好ましくは19<D<23psnmkmの波長1550nmにおける分散D、及び1245nm<λ0<1290nmの、ゼロ分散波長λ0、の内の少なくとも1つを有することを特徴とする請求項1または7に記載の光導波路ファイバ。残念なことに、従来の光ファイバでは有効面積が大きくなるほど、マクロベンド損失が大きくなる傾向にある。さらに、減衰が大有効面積ファイバにおける信号の劣化への主要な寄与要因になり得る。本発明の一実施形態は、波長1550nmにおいて約90μm2から約160μm2の有効面積を有し、α値が12≦α≦200である、無Geコアであって、中心線から半径r0まで径方向に外向きに拡がり、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ0を有する中心コア領域であり、最大相対屈折率Δ0最大を有する中心コア領域と、中心コア領域を囲んで中心コア領域に直接に接し、外半径r1まで拡がり、48μm≦r1≦10μmであって、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ1及び最小相対屈折率Δ1最小を有しており、半径r=25μmにおいて測定される相対屈折率が、-015≦Δ1≦0及びΔ0最大≧Δ1,である、第1の環状コア領域と、第1の環状コア領域を囲んで第1の環状コア領域に直接に接し、半径13μm≦r2≦30μmまで拡がり、純シリカに対して測定される、単位の相対屈折率プロファイルΔ2を有しており、最小相対屈折率Δ2最小が、Δ2最小<Δ1及び-07≦Δ2最小≦-028,である、フッ素がドープされた第2の環状コア領域と、を有する無Geコア、及びコアを囲み、純シリカに対して測定される、単位の、相対屈折率プロファイルΔ3を有する、クラッド層、を有する光ファイバであり、光ファイバの相対屈折率プロファイルは波長1550nmにおいて0175dBkmより小さい減衰を与えるように選ばれる。本明細書に説明される実施形態にしたがえば、Δ3≧Δ2最小であることが好ましい。いくつかの実施形態において、Δ3=Δ2最小±3である。また、少なくともいくつかの実施形態にしたがえば、0μm≦r0≦2μmである。いくつかの実施形態例にしたがえば、中心コア領域の少なくとも一部は純シリカでつくられる。本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、ある程度は、当業者にはその説明から容易に明らかであろうし、あるいは以下の詳細な説明及び添付される特許請求の範囲を含み、添付図面も含む、本明細書に説明されるように本発明を実施することによって認められるであろう。上記の全般的説明及び以下の詳細な説明のいずれもが本発明の実施形態を提示し、特許請求されるような本発明の本質及び特質の理解のための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。添付図面は本発明のさらに深い理解を提供するために含められ、本明細書に組み入れられて本明細書の一部をなす。図面は本発明の様々な実施形態を示し、記述とともに本発明の原理及び動作の説明に役立つ。屈折率プロファイルは屈折率または相対屈折率と導波路ファイバ半径の間の関係である。相対屈折率は、と定義される。ここで、nは、別途に指定されない限り、ファイバの中心線から半径距離rにおける屈折率であり、nsは1550nmの波長におけるシリカの屈折率である。本明細書に用いられるように、相対屈折率はΔで表され、その値は、別途に指定されない限り、単位で与えられる。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より低い場合、相対屈折率は負であり、陥没屈折率を有すると称され、別途に指定されない限り、屈折率が最も負である点において計算される。ある領域の屈折率がシリカの屈折率より高い場合、相対屈折率は正であり、その領域は盛り上げられているまたは正屈折率を有すると称することができ、別途に指定されない限り、相対屈折率が最も正である点において計算される。アップドーパントは本明細書において、アンドープ純SiO2に対して屈折率を高めるような性質を有するドーパントであると見なされる。ダウンドーパントは本明細書において、アンドープ純SiO2に対して屈折率を低めるような性質を有するドーパントであると見なされる。アップドーパントは、アップドーパントではない1つないしさらに多くの他のドーパントがともなう場合、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在することができる。同様に、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に、アップドーパントではない1つないしさらに多くの他のドーパントが存在することができる。ダウンドーパントは、ダウンドーパントではない1つないしさらに多くの他のドーパントがともなう場合、正の相対屈折率を有する光ファイバの領域に存在することができる。同様に、負の相対屈折率を有する光ファイバの領域に、ダウンドーパントではない1つないしさらに多くの他のドーパントが存在することができる。導波路ファイバの、別途に注記されない限り本明細書では分散と称される、色分散は材料分散、導波路分散及びモード間分散の総和である。単一モード導波路ファイバの場合、モード間分散はゼロである。2モード方式における分散値は、モード間分散がゼロであると仮定している。ゼロ分散波長は分散がゼロ値を有する波長である。分散勾配は波長に対する分散の変化率である。有効面積は、と定義される。ここで積分範囲は0から∞までであり、fは導波路内を伝搬する光にともなう電場の横成分である。本明細書に用いられるように、有効面積またはA有効は、別途に注記されない限り、1550nmの波長における光学的有効面積を指す。語句αプロファイルは、rを半径として、式:にしたがう、単位で表されるΔによって表される、相対屈折率プロファイルを指す。ここで、r0はΔが最大になる点であり、r1はΔがゼロである点であり、rはri≦r≦rfの範囲にあり、Δは上で定義され、riはαプロファイルの始点であり、rfはαプロファイルの終点であって、αは実数の指数である。モードフィールド径はピーターマンII法を用いて測定される。ここで、2w=MFDであって、であり、積分範囲は0から∞までである。導波路ファイバの曲がり抵抗は規定された試験条件の下で誘起される減衰によって評価することができる。曲げ試験の一タイプは横荷重マイクロベンド試験である。このいわゆる横荷重試験においては、規定された長さの導波路ファイバが2枚の平プレートの間におかれる。70番ワイアメッシュが一方のプレートに取り付けられる。既知の長さの導波路ファイバがプレートの間に挟み込まれ、プレートが30Nの力で押し合わされている間に、基準減衰が測定される。次いで70Nの力がプレートにかけられて、dBm単位で減衰の増加が測定される。この減衰の増加が導波路の横荷重ワイアメッシュ減衰である。曲がりに対する導波路ファイバの相対抵抗を比較するために、ピンアレイ曲げ試験が用いられる。この試験を実施するため、基本的に誘起曲がり損失がない状態にある導波路ファイバについて減衰損失が測定される。次いで、導波路ファイバがピンアレイを巡って編まれて、再び減衰が測定される。曲りによって誘起される損失は2つの減衰測定値間で異なる。ピンアレイは、一列に配置され、平表面上の垂直方向の固定位置に保持された、10本一組の円柱ピンである。ピンの中心間隔は5mmである。ピン径は067mmである。試験中、導波路をピン表面の一部にならわせるに十分な張力がかけられる。与えられたモードに対する、理論ファイバカットオフ波長または理論ファイバカットオフまたは理論カットオフは、誘導される光がそれより長い波長ではそのモードで伝搬することができない波長である。数学的定義は、ジュノム著,単一モード光ファイバ,,マーセルデッカー,1990年,p39~44に見ることができ、外層クラッドにおいてモード伝搬定数が平面波伝搬定数に等しくなる波長として理論ファイバカットオフが説明されている。実効ファイバカットオフは、曲げ及び/または機械的圧力により誘起される損失のため、理論カットオフより短波長側にある。この文脈において、カットオフは高次のLP11モード及びLP02モードに関わる。LP11及びLP02は一般に測定では弁別されないが、いずれもスペクトル測定においてステップとして明白に表れる。すなわち、測定されるカットオフより長い波長ではそのモードにおいてパワーが全く見られない。実ファイバカットオフは、2mファイバカットオフまたは測定カットオフとしても知られる、ファイバカットオフ波長を得るための標準2mカットオフ試験、FOTP80によって測定することができる。FOTP80標準試験は、制御された大きさの曲げを用いて高次モードを取り除くため、またはファイバのスペクトル応答を多モードファイバのスペクトル応答に規格化するために実施される。ケーブルカットオフ波長またはケーブルカットオフは一般に、ケーブル環境における高レベルの曲げ及び機械的圧力のため、測定ファイバカットオフより短波長側にある。実ケーブル条件は、EIATIA光ファイバ規格、すなわち、より普通にはFOPTとして知られる、米国電子工業会米国電気通信工業会光ファイバ規格の一部である、EIA455光ファイバ試験手順に説明されるケーブルカットオフ試験によって近似することができる。ケーブルカットオフ測定は、EIA455170パワー伝送による単一モードファイバのケーブルカットオフ波長、すなわちFOTP170に説明されている。本明細書において別途に注記されない限り、光学特性はLP01モードについて報告される。導波路ファイバ遠距離通信リンク、または単にリンクは、光信号の送信器、光信号の受信器及び、送信器と受信器の間で光信号を伝搬させるためにそれぞれの末端が送信器及び受信器に光学的に接続されている、ある長さの1本ないし複数本のファイバで構成される。この長さの導波路ファイバは、直列構成で相互に末端と末端がスプライスまたは接続される、より短いファイバで構成することができる。リンクはさらに、光増幅器、光減衰器、光アイソレータ、光スイッチ、光フィルタ、あるいは多重化デバイスまたは分派デバイスのような光コンポーネントを備えることができる。相互の結合されたリンク群を遠距離通信システムと表すことができる。本明細書に用いられるように、光ファイバのスパンは、光デバイス間を、例えば2つの光増幅器の間、または多重化デバイスと光増幅器の間を延びる、1本の光ファイバまたは、相互に直列に融着接続された、複数本の光ファイバを含む。スパンは、本明細書に開示されるように1つないしさらに多くの光ファイバ区間を含むことができ、あるいは、例えば所望のシステム性能またはスパンの末端における残留分散のようなパラメータを達成するために選ばれるような、1つないしさらに多くの他のファイバ区間をさらに含むことができる。本発明の実施形態ここで、それぞれの例が添付図面に示される、本発明の現在の実施形態を詳細に参照する。可能であれば必ず図面を通して同じ参照数字が同じかまたは同様の要素を指して用いられる。本発明の光ファイバの一実施形態が図1Aに示され、全体として参照数字10で示される。導波路ファイバ10は、波長1550nmにおける有効面積が約90μm2以上であり、α値が12≦α≦200のコア12,及びコアを囲むクラッド層20を有する。本明細書に説明されるファイバ実施形態例におけるα値の代表的範囲は14から20,例えば15≦α≦17である。しかし、より大きいα値をプラズマ化学気相成長法によって達成することができる。このファイバの屈折率プロファイルが図1Bに簡略に示される。コア12は無Geであり、中心コア領域14,中心コア領域14を囲んで中心コア領域14に直接に接する第1の環状コア領域16及び第1の環状コア領域を囲んで第1の環状コア領域16に直接に接する第2の環状コア領域18を有する。中心コア領域14は中心線から径方向に外側に半径0μm≦r0≦2μmまで拡がり、純シリカに対して単位で測定される相対屈折率プロファイルΔ0を有し、-01≦Δ0≦015である。いくつかの実施形態においては、-01≦Δ0≦01である。いくつかの実施形態においては、-01≦Δ0≦0である。例えば、いくつかの実施形態において、-0075≦Δ0≦0である。中心コア領域14は最大相対屈折率Δ0最大も有する。本明細書に説明される実施形態例において、Δ0最大はファイバの中心線にある。第1の環状コア領域16は外半径r1まで拡がり、48μm≦r1≦10μmであって、純シリカに対して単位で測定される相対屈折率プロファイルΔ1を有し、最小相対屈折率Δ1最小及び最大相対屈折率Δ1最大を有し、半径r=25μmにおいて測定された相対屈折率Δ1は、-015≦Δ1≦0,及びΔ0最大≧Δ1,である。いくつかの実施形態において、Δ1最大=Δ1である。第2の環状コア領域18はフッ素ドープされ、第1の環状ロア領域16を囲んで第1の環状コア領域16に直接に接する。一般に、本明細書に説明される実施形態にしたがえば、第2の環状コア領域18は01~2重量のフッ素、例えば、01~16重量または04~2重量のフッ素を含有する。第2の環状コア領域18は半径r2まで拡がり、13μm≦r2≦30μmであって、純シリカに対して単位で測定される負の相対屈折率プロファイルΔ2を有し、Δ2最小<Δ1,及び/または-07≦Δ2最小≦-027,である最小相対屈折率Δ2最小を有する。Δ2は、Δ2最大<Δ1及びΔ2最大≧Δ2最小である、最大相対屈折率Δ2最大も有する。いくつかの実施形態において、-05<Δ2最小<-027である。例えば、Δ2最小は、-029,-03,-035,-038,-04,-047または-05とすることができ、あるいはこれらの間のいかなる数値もとることができる。別の実施形態において、-04<Δ2最小<-027である。第2の環状コア領域18が、Δ2最大-Δ2最小<003である、比較的平坦な屈折率プロファイルを有する場合、半径r1は、第2の環状領域が最初に到達する、Δ1とΔ2最小の間の中点に対応する半径と定義されることに注意されたい。すなわちr1は、Δ=Δ1Δ2最小2,になる半径である。同様に、環状コア領域18の外半径r2は、最初に到達する、Δ2最小とΔ3=Δ3最大の間の中間値に対応する半径と定義される。すなわち、r2は、Δ=Δ2最小Δ3最大2,になる半径である。第2の環状コア領域18が比較的平坦な屈折率プロファイルをもたない、すなわちΔ2最大-Δ2最小≧003であり、Δ2がクラッド層の近くになってΔ2最小に到達するような場合、半径r1は、第2の環状領域が最初に到達する、Δ1とΔ2最大の間の中間値に対応する半径と定義される。すなわち、r1は、Δ=Δ1Δ2最大2,になる半径である。半径r2は、ここでも、第2の環状領域が最初に到達する、Δ2最小とΔ3最大の間の中間値に対応する半径と定義される。すなわち、r2は、Δ=Δ2最小Δ3最大2,になる半径である。いくつかの実施形態において、比r2r1は2と6の間である。比は21≦r2r1≦575であることが好ましく、例えば215≦r2r1≦57である。r2≦30μmであることが好ましく、例えば14μm≦r2≦29μmである。与えられたΔ2及びΔ1に対し、比r2r1が小さければ、MFDが大きくなり、λ0が短波長になり、1550nmにおける分散Dが大きくなる、比r2r1が大きすぎると、MFDが小さくなりすぎ、λ0が長波長側にシフトし、1550nmにおける分散Dが小さくなり得る。クラッド層20がコア12を囲み、純シリカに対して単位で測定される相対屈折率プロファイルΔ3を有し、Δ3≧Δ2最小である。いくつかの実施形態例において、コア12及びクラッド層20はダウンドーパントとしてFを含む。これらの実施形態において、第1の環状領域16及び第2の環状領域18に存在するFの量は中央コア領域14に存在するフッ素の量より多い。いくつかの実施形態例において、コア12は少なくとも1つの酸化アルカリ金属ドーパント、例えば、アルカリ金属がK,Na,Li,Cs及びRbである、酸化アルカリ金属ドーパントも含む。いくつかの実施形態例において、コア12はKの重量で20ppmから1000ppmの量のK2Oを含む。ファイバ10は塩素を含むこともできる。塩素の量は、コアにおいては重量で500ppmより多く、クラッド層20においては重量で10000ppmより多いことが好ましい。語句ppmは、別途に特に注記されない限り、重量でパーツパーミリオン、すなわち重量ppmを指し、重量単位の測定値は係数10000を乗じることでppm単位に変換できることに注意されたい。光ファイバ10の相対屈折率プロファイルは1550nmの波長λにおいて0175dBkmをこえない、例えば1550nmの波長λにおいて0145dBkmから017dBkmの減衰を与えるように選ばれる。減衰値は1550nmの波長λにおいて、0145dBkmから017dBkmまたは015dBkmから0165dBkm、すなわち、例えば、015dBkm,0155dBkm,016dBkm,0165dBkmまたは017dBkmとすることができる。本発明は以下の実施例によってさらに明解になるであろう。実施例1~15説明のための一組のファイバ実施形態の実施例1~15の特性を表1~2に挙げてある。図2~16はそれぞれ、実施例1~15に対応する屈折率を示す。実施例1~15のこれらの光ファイバ実施形態においては、-05≦Δ0≦0及びΔ0最大≦0,-0065≦Δ1≦0,-0065≦Δ1最大≦00,-05≦Δ2最小≦-027,-04≦Δ3≦-02であり、r2r1は217≦r2r1≦57であって、r2<30である。しかし、他の実施形態においては、アップドーパントまたはダウンドーパントが中央コア領域14に存在するか否かに依存して、r0を0より若干大きくまたは小さくできることに注意されたい。光ファイバ10のいくつかの実施形態は12と25の間のα値を有するが、実施例1~9の光ファイバ実施形態は13~15の範囲にあるα値を有する。実施例10~15の光ファイバ実施形態は約20のα値を有する。これらのファイバ実施例のモデル化プロファイルパラメータを表1Aにまとめてある。r3に対する値はクラッド層の外径に対応し、これらの実施例においてr3は625μmとした。いくつかのファイバ実施例においては、Δ2=Δ3である。したがって、これらの実施形態では環状コア領域16と18の間に明白な屈折率変化がないことからr2値は指定された範囲内にあるとして与えられる。これらの15の実施形態例において、コア12はシリカベースであり、フッ素がドープされている。以下の表2は、コア領域16,18及びクラッド層20について、フッ素Fの量を重量で与える。表1の実施例1~9に対応する光ファイバ実施形態においてはΔ0最大=Δ1最大であり、中央コア領域14及び第1の環状領域16の組成は同じであることに注意されたい。したがって、実施例1~9においてはコア領域14と16の間に明白な遷移がないから、表1ではr0が0μmであると指定されているがr0=2μmと指定することもできるであろう。これらのファイバ実施例において、コア領域14は純シリカであるから、Δ0最大は0である。さらに詳しくは、表1の実施例2~5に対応する光ファイバ実施形態は、屈折率Δ0=Δ1を有する第1の環状コア領域16で囲まれた中央セグメント14を含み、第1の環状コア領域16が、続いて、屈折率Δ2最小を有する第2の環状コア領域18に対応するモート領域で囲まれる、コア屈折率プロファイルを有する。このモートは屈折率Δ3>Δ2最小を有するクラッド層20で囲まれる。実施例1~5に対応する光ファイバ実施形態において、-038≦Δ3≦-026,-0412≦Δ2≦-0290である。表1の実施例6~9に対応する光ファイバ実施形態は、相対屈折率Δ0=Δ1=0を有する第1の環状コア領域16で囲まれた純シリカコア領域14を含むコア屈折率プロファイルを有する。これらのファイバ実施例において、第1の環状領域16は相対屈折率Δ2<Δ1を有する第2の環状コア領域18で囲まれる。相対屈折率がΔ2の第2の環状コア領域18は屈折率Δ3=Δ2を有するクラッド層20で囲まれる。実施例6,7及び9に対応する光ファイバ実施形態において、第2の環状コア領域18とクラッド層20の組成が同等である。しかし、他の実施形態において第2の環状コア領域18とクラッド層20の組成は同等ではない、すなわち、Δ3≠Δ2最小またはΔ3>Δ2最小である。実施例6~9に対応する光ファイバ実施形態において、-0382≦Δ2≦-0292及び-0382≦Δ3≦-0315である。表1の実施例10~15に対応する光ファイバ実施形態は、第1の環状コア領域16で囲まれた、相対屈折率Δ0最大=0を有する純シリカコア領域14を含むコア屈折率プロファイルを有する。第1の環状コア領域16は相対屈折率-01≦Δ1≦0を有し、屈折率Δ2最小を有する第2の環状コア領域18に対応するモート領域で囲まれる。実施例10~15に対応する光ファイバ実施形態において、第2の環状コア領域18は-05≦Δ2最小≦-027の屈折率Δ2最小を有し、例えばΔ2最小は、-029,-03,-035,-038,-04または-047とすることができ、あるいはこれらの間のいかなる値とすることもできる。モートは、相対屈折率Δ3>Δ2最小を有する第3の環状コア領域18で囲まれる。実施例10~15に対応する光ファイバ実施形態において、-038≦Δ3≦-026である。光ファイバの実施形態のいくつかは以下のモデル値、1321nmと1580nmの間のファイバカットオフ波長λC,90μm2≦A有効≦160μm2の1550nmにおける有効面積、18psnmkmと25psnmkmの間、さらに好ましくは19psnmkmと235psnmkmの間の1550nmにおける分散D、及び1550nmにおいて0175dBkm未満、例えば0165dBkmと0175dBkmの間の減衰を有する。表1のファイバ実施例はモデル化され、モデル化光学属性を表2A及び2Bに挙げてある。表2A及び2Bにおいて、勾配1310及び勾配1550はそれぞれ、波長1310nm及び1550nmにおける分散勾配をpsnm2km単位で表し、MFD1310及びMFD1550はそれぞれ、波長1310nm及び1550nmにおけるモードフィールド径をμm単位で表し、A有効1310及びA有効1550はそれぞれ、波長1310nm及び1550nmにおけるファイバの有効面積をμm2で表し、D1625は波長1625nmにおける分散をpsnmkm単位で表し、減衰1550は1550nmにおける減衰をdBkmで表し、ラムダ0またはλ0はゼロ分散波長をnmで表す。ファイバ実施例16~23本発明の光ファイバ10の2つの実施形態のモデル化した屈折率プロファイルが図17に示される。光ファイバは、波長1550nmにおいて約110μm2の有効面積を有するコア12及びコアを囲むクラッド層20を有する。コア12は、中心線から径方向に外側に半径0≦r0≦2μmまで拡がる純シリカ中央コア領域14及び外半径r1まで拡がる第1の環状コア領域16を有し、r1は約5μmである。第2の環状コア領域18が第1の環状コア領域16を囲み、第1の環状コア領域に対してダウンドープされている。第2の環状コア領域は外半径r2まで拡がり、r2は、ファイバ実施例16において約17μm、ファイバ実施例17において約25μmである。下の表3Aにファイバ実施例16及び17の光学パラメータを挙げてある。下の表3Bに、説明のための別の一組のファイバ実施形態の特性を挙げてある。図18はファイバ実施例22の屈折率プロファイルを示す。本ファイバは110μm2のA有効測定値を有し、その1550nmにおける減衰は0167dBkmであった。下の表4a及び4bはファイバ実施例22についての光学パラメータを与える。ファイバ実施例23の屈折率プロファイルが図19に示される。プロファイル1屈折率プロファイルを測定した。本ファイバは110μm2のA有効測定値を有し、その1550nmにおける減衰は017dBkm未満であった。下の表5a及び5bはファイバ実施例23についての光学パラメータを与える。実施例24,25及び12~34表6Aに別の2つの実施例24及び25の測定した特性が挙げられ、図20にファイバ実施例24の測定した屈折率プロファイルが示される。表6Bに、本発明にしたがって作製された、500kmより長い、光ファイバの測定した属性の平均値、最大値及び最小値をまとめてある。表6A及び6Bに対応する光ファイバ実施形態は、アルカリ元素がドープされた第1のコア12及びフッ素がドープされた第2の環状コア領域18を有する。これらのファイバは、100μm2より大きく、好ましくは110μm2より大きく、さらに好ましくは115μm2より大きく、さらに一層好ましくは120μm2より大きい、有効面積A有効を有する。これらのファイバ実施形態のケーブルカットオフは、1520nmより短く、さらに好ましくは1500nmより短く、さらに一層好ましくは1450nmより短い。これらのファイバ実施形態の代表的な減衰は、017dBkmより小さく、さらに好ましくは016dBkmより小さく、さらに一層好ましくは0155dBkmより小さい。説明のための別の一組のファイバ実施形態の実施例26~34のプロファイルパラメータ及びモデル特性を挙げてある。図21は、有効面積が115μm2より大きい、本発明の別の2つのファイバ実施形態の屈折率プロファイルのグラフである。有効面積が115μm2より大きいファイバ実施形態において、ヤング率が10MPaより小さい一次被覆及びヤング率が1200MPaより大きい二次被覆を光ファイバが有することが、表7のファイバ実施形態例の共通パラメータである。実施例26~34は、0.175dBkmより小さく、好ましくは017dBkmより小さい、1550nm減衰、<1500nm,好ましくは、1450nmのケーブルカットオフ、及び>110μm2,好ましくは>120μm2,さらに好ましくは>130μm2の有効面積を有する。横荷重ワイアメッシュマイクロベンド損失は、<5dB,好ましくは<4dB,さらに好ましくは<3dBである。LP11カットオフ波長は、好ましくは1350nmと1500nmの間に、さらに好ましくは1380nmと1420nmの間にある。実施形態26~34においては、-02≦Δ0≦02,-0065≦Δ1≦0,-0065≦Δ1最大≦00,-05≦Δ2最小≦-027,-04≦Δ3≦-02,及び02≦r2r1≦03であり、r2<30である。第2の環状コア領域18の体積は、好ましくは-40μm2より小さく、さらに好ましくは-50μm2より小さく、ここで、プロファイル体積はクラッド層の屈折率に対する第2の環状コア領域18の屈折率の半径で重みを付けた差の積分、によって計算される。光パワーをコアに閉じ込め、よってマイクロベンド損失を最小限に抑え、大有効面積と低減衰の組合せを可能にするに役立たせるためにはさらに負のプロファイル面積が望ましい。実施形態26~34において、第2の環状コア領域18の外半径に対する第1の環状コア領域16の外半径の比r1r2は、04より小さく、好ましくは03より小さく、さらに好ましくは02と03の間にある。表7に与えられるマイクロベンド性能指数、はマイクロベンドと分散の間の関係を表すパラメータである。ここで、Dは1550nmにおけるファイバ分散であり、Cは被覆によるマイクロベンド低減の尺度であって、LP11はLP11モードの理論カットオフ波長である。マイクロベンド性能指数は、<06であることが好ましく、<055であることがさらに好ましく、045と05の間であることがさらに一層好ましい。表8は、表7の実施例29にしたがって作製された2つの光ファイバの測定した特性を与える。表7に対応する光ファイバ実施形態は、アルカリ元素がドープされた第1のコア12及びフッ素がドープされた第2の環状領域18を有する。これらのファイバは、115μm2より大きく、好ましくは120μm2より大きく、さらに好ましくは125μm2より大きい有効面積A有効を有する。これらのファイバ実施形態のケーブルカットオフは、1520nmより短く、さらに好ましくは1500nmより短く、さらに一層好ましくは1450nmより短い。これらのファイバ実施形態の代表的な減衰は、0175dBkmより小さく、さらに好ましくは017dBkmより小さい。モデル化LLWMのMFOM依存性が図2にプロットされている。これらの2つのパラメータの間には極めて良い相関があり、したがってこの新規の測定基準は与えられたファイバ構成のマイクロベンド感受性を評価するための優れた手段である。これにより、分散が低いファイバほど高いマイクロベンド感受性を有する利用も説明される。図22において、上側の曲線は標準の被覆を有して作製された低減衰ファイバが約045までのマイクロベンド性能指数に対して許容できるマイクロベンド損失を有することを示す。このことはファイバ有効面積をほぼ115μm2に制限する。図22における下側の曲線は、さらに高いマイクロベンド耐性を与える被覆により、さらに大きいMFOMが可能になり、これによって最大LLWM値のほぼ4dBまでの拡大が可能になり、続いて、かなり大きな有効面積が可能になることを示す。表7のプロファイル設計とマイクロベンド耐性が優れた被覆の組合せにより、有効面積が140μm2もの大きさの低減衰光ファイバが可能である。発明者等は一次被覆と二次被覆のある組合せがマイクロベンド性能、したがって総減衰を顕著に改善し、≧115μm2まで,好ましくは≧120μm2まで,さらに一層好ましくは≧130μm2までの、ファイバの有効面積の増大を可能にすることを見いだした。有効面積が少なくとも115μm2の光ファイバは、クラッド層20を囲んでクラッド層20に直接に接する一次被覆Pを有することが好ましい。一次被覆Pは、10MPaより小さく、好ましくは09MPaより小さく、好ましい実施形態において08MPaをこえない、ヤング率を有する。この光ファイバはさらに、一次被覆Pに接して一次被覆Pを囲む二次被覆Sを有する。二次被覆Sは1200MPaより大きいヤング率を有することが好ましく、1400MPaより大きいヤング率を有することがさらに好ましい。本明細書に用いられるような、一次被覆の硬化高分子材のヤング率、破断点伸び及び引張強さは、厚さが約0003インチと0004インチの間で、幅が約13cmのフィルムとして整形した材料の試料について、張力試験装置を用い、51cmのゲージ長及び25cm分の試験速度で測定した。この実施形態例において、一次被覆Pは、被覆光ファイバの最低予想使用温度より低いガラス転移温度を有することが望ましい。いくつかの実施形態において、一次被覆Pは、好ましくは-25°Cより低く、さらに好ましくは-30°Cより低い、ガラス転移温度を有する。一次被覆は、光ファイバのコアからの迷光信号の除去を可能にするため、光ファイバのクラッド層より高い屈折率を有することが望ましい。例えば、伝送光ファイバは、波長1550nmにおいて、コア及びクラッド層についてそれぞれ1.447及び1436の屈折率を有し、したがって一次被覆Pの屈折率は1550nmにおいて144より高いことが望ましい。一次被覆Pは、熱エージング及び加水分解エージング中、ガラスファイバへの十分な密着を維持すべきであるが、永久接続目的のためには光ファイバから剥ぎ取られなければならない。一次被覆Pは一般に25~50μmの範囲内の厚さを有し、液体として光ファイバに塗布して硬化させることができる。一次被覆Pは、オリゴマー及び少なくとも1つのモノマーを含む、一次硬化性組成物の硬化品であることが好ましい。一次被覆の形成に用いられる一次硬化性組成物は光重合開始剤を含むことができる。本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。したがって、本発明の改変及び変形が添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に入れば、本発明はそのような改変及び変形を包含するとされる。"