"一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子であって、前記他端側に向けて前記光束を伝播させる第1コアと、前記第1コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、前記近接場光発生部は、前記伝播方向に沿う前記第1コアの一側面上に配置された基部と、前記基部から前記第1コアよりも前記伝播方向に沿う前記他端側に向けて延びる延在部と、を有し、前記延在部の前記他端側は、外部に露出するとともに、前記第1コアの前記一側面の面方向に交差する方向に向けて突出する頂部を有し、前記第1コアにおける前記他端側に位置する端面は、前記一側面とのなす角度が鋭角となるように傾斜していることを特徴とする近接場光発生素子。前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側から前記第1コアを覆う第2コアを備え、前記伝播方向から見て前記第2コアと前記基部との界面の延在方向において、前記第2コアの外側端部が、前記基部の外側端部よりも外側に位置していることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生素子。前記第2コアは、前記第1コアよりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項2記載の近接場光発生素子。前記第1コアの前記一側面と前記近接場光発生部との間には、前記第1コアよりも屈折率の小さい第3コアが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の近接場光発生素子。前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側には、遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の近接場光発生素子。前記頂部は、前記伝播方向から見て前記第1コア側に向けて突出していることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか1項に記載の近接場光発生素子。前記近接場光発生部に対して前記第1コアの反対側から前記近接場光発生部を覆うとともに、前記第1コアよりも屈折率の小さいクラッドを備え、前記頂部は、前記伝播方向から見て前記クラッド側に向けて突出していることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか1項に記載の近接場光発生素子。一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、請求項1記載の近接場光発生素子と、前記スライダに固定され、前記一端側から前記第1コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴とする近接場光ヘッド。前記主磁極は、遮光性を有する材料により構成されるとともに、前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側に配置されていることを特徴とする請求項8記載の近接場光ヘッド。請求項8記載の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する2軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。ところで、記録媒体のさらなる高密度化を図るためには、近接場光のスポットサイズを縮小して、磁気記録媒体の磁気記録層をより局所的に加熱し、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制する必要がある。近接場光のスポットサイズを縮小するためには、金属膜の幅レーザ光の伝播方向から見てコアとの界面の幅を縮小することが考えられる。しかしながら、金属膜及びコアは、非常に微細なパターンそれぞれ寸法が数十nm程度であるため、それぞれの位置合わせをした上で、更なる微細化を図ることに限界があった。そこで、本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、近接場光のスポットサイズを縮小できる近接場光発生素子、近接場光ヘッド、及び情報記録再生装置を提供することである。本発明は、上述した課題を解決するために以下の手段を提供する。本発明に係る近接場光発生素子は、一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するとともに、近接場光に生成した後に外部に発する近接場光発生素子であって、前記他端側に向けて前記光束を伝播させる第1コアと、前記第1コアにおける前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿って配置され、前記光束から前記近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有し、前記近接場光発生部は、前記伝播方向に沿う前記第1コアの一側面上に配置された基部と、前記基部から前記第1コアよりも前記伝播方向に沿う前記他端側に向けて延びる延在部と、を有し、前記延在部の前記他端側は、外部に露出するとともに、前記第1コアの前記一側面の面方向に交差する方向に向けて突出する頂部を有し、前記第1コアにおける前記他端側に位置する端面は、前記一側面とのなす角度が鋭角となるように傾斜していることを特徴としている。この構成によれば、第1コア内を伝播する光束が、近接場光発生部に入射することで近接場光発生部に表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、近接場光発生部上を他端側に向けて伝播する。そして、近接場光発生部上を伝播する表面プラズモンが延在部まで伝播すると、頂部において光強度の強い近接場光となって外部に漏れ出す。このように、延在部に頂部を形成することで、光束の伝播方向から見て第1コアとの界面の幅よりも狭いスポットサイズを有する近接場光を発生させることができる。さらに、第1コアにおける他端側に位置する端面が、一側面とのなす角度が鋭角となるように傾斜しているため、端面に入射した光束の導入方向が近接場光発生素子を向くように反射される。これにより、例えば、第1コアの他端側に位置する端面を第1コアの一側面に直交する平坦面等に形成した場合に比べて、光束が第1コアの他端側に位置する端面から外部に漏れるのを抑制できる。すなわち、第1コア内を伝播した光束が効率的に近接場光発生部に入射することになるので、近接場光発生部に入射する光量を確保して、近接場光の発生効率を向上させることができる。前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側から前記第1コアを覆う第2コアを備え、前記伝播方向から見て前記第2コアと前記基部との界面の延在方向において、前記第2コアの外側端部が、前記基部の外側端部よりも外側に位置していることを特徴としている。この構成によれば、第2コアにおける外側端部が、基部の外側端部よりも外側に位置することで、第1コア及び第2コアを含めたコア全体の一側面の幅が近接場光発生部の幅に比べて広く形成されることになる。そのため、第1コア及び第2コア内を伝播する光束の伝播効率の低下を抑制した上で、近接場光のスポットサイズの縮小化を図ることができる。これにより、光量を確保した上で、近接場光のスポットサイズを縮小できる。また、前記第2コアは、前記第1コアよりも屈折率が小さいことを特徴としている。この構成によれば、第1コア及び第2コアを伝播する光束を、徐々に中心第1コアに向けて集光できるので、光束の伝播効率を向上できる。また、前記第1コアの前記一側面と前記近接場光発生部との間には、前記第1コアよりも屈折率の小さい第3コアが設けられていることを特徴としている。この構成によれば、第1コア、第1コアよりも屈折率の小さい第3コア、及び近接場光発生部が順に配置された、いわゆるオットー配置を実現できる。このようにオットー配置を利用した近接場光発生素子では、第1コアよりも屈折率の小さい第3コアが、第1コアと近接場光発生部との間で緩衝部として機能するので、第1コアを伝播する光束の波数に大きな影響を与えることなく近接場光発生部に表面プラズモンを励起することが可能になる。また、前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側には、遮光膜が形成されていることを特徴としている。この構成によれば、第1コアに対して近接場光発生部の反対側に遮光膜を形成することで、第1コアに入射した光束が外部に漏れるのを抑制し、遮光膜と第1コアとの界面で反射されながら伝播する。これにより、光束を効率的に近接場光発生部に入射させることができ、近接場光の発生効率を向上できる。また、前記頂部は、前記伝播方向から見て前記第1コア側に向けて突出していることを特徴としている。この構成によれば、第1コアを伝播した光束が近接場光発生部に入射すると、近接場光発生部における第1コア側の表面で表面プラズモンが励起される。これにより、励起された表面プラズモンが、近接場光発生部上を伝播することで、頂部において光強度の強い近接場光を発生させることができる。また、前記近接場光発生部に対して前記第1コアの反対側から前記近接場光発生部を覆うとともに、前記第1コアよりも屈折率の小さいクラッドを備え、前記頂部は、前記伝播方向から見て前記クラッド側に向けて突出していることを特徴としている。この構成によれば、第1コア、近接場光発生部、及び第1コアよりも屈折率の小さいクラッドが順に配置された、いわゆるクレッチマン配置を実現できる。このようにクレッチマン配置を利用した近接場光発生素子では、第1コアを伝播した光束が近接場光発生部に入射すると、近接場光発生部におけるクラッド側の表面で表面プラズモンが励起される。これにより、励起された表面プラズモンが、近接場光発生部上を伝播することで、頂部において光強度の強い近接場光を発生させることができる。また、本発明に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、上記本発明の近接場光発生素子と、前記スライダに固定され、前記一端側から前記第1コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴としている。この構成によれば、上記本発明の近接場光発生素子を備えているので、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。また、前記主磁極は、遮光性を有する材料により構成されるとともに、前記第1コアに対して前記近接場光発生部の反対側に配置されていることを特徴としている。この構成によれば、遮光性を有する材料により主磁極を構成することで、別に遮光膜を設けることなく、第1コアに入射した光束がクラッド側に漏れるのを抑制できる。そのため、製造コストの低下、及び製造効率の向上を図ることができる。さらに、近接場光発生素子と主磁極とを可能な限り接近させることができるため、近接場光発生部で発生する近接場光と、主磁極による磁界と、を可能な限り接近させた状態で発生させることができる。これにより、磁気記録媒体への記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。また、本発明に係る情報記録再生装置は、上記本発明の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する2軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光束伝播素子に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする。この構成によれば、上記本発明の近接場光ヘッドを備えているので、書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。本発明に係る近接場光発生素子によれば、近接場光のスポットサイズを縮小できる。本発明に係る近接場光ヘッド及び情報記録再生装置によれば、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置1は、垂直記録層d2を有するディスク磁気記録媒体Dに対して、近接場光Rと記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクDに記録再生を行う装置である図2参照。第1実施形態情報記録再生装置図1は情報記録再生装置の構成図である。本実施形態の情報記録再生装置1は、図1に示すように、キャリッジ11と、キャリッジ11の先端側に支持されたヘッドジンバルアセンブリHGA12と、ヘッドジンバルアセンブリ12をディスク面D1ディスクDの表面に平行なXY方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ5と、ディスクDを所定の方向に向けて回転させるスピンドルモータ6と、情報に応じて変調した電流をヘッドジンバルアセンブリ12の記録再生ヘッド近接場光ヘッド2に対して供給する制御部8と、これら各構成品を内部に収容するハウジング9と、を備えている。ハウジング9は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部9aが形成されている。また、このハウジング9には、凹部9aの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部9aの略中心には、スピンドルモータ6が取り付けられ、スピンドルモータ6に中心孔を嵌め込むことでディスクDが着脱自在に固定される。なお、本実施形態では、3枚のディスクDがスピンドルモータ6に固定されている場合を例に挙げて説明している。但し、ディスクDの数は3枚に限定されるものではない。凹部9aの隅角部には、アクチュエータ5が取り付けられている。このアクチュエータ5には、ピボット軸10を介してキャリッジ11が取り付けられている。キャリッジ11は、基端部から先端部に向けてディスク面D1に沿って延設されたアーム部14と、基端部を介してアーム部14を片持ち状に支持する基部15とが、削り出し加工等により一体形成されたものである。基部15は、直方体形状に形成されたものであり、ピボット軸10まわりを回動可能に支持されている。つまり、基部15はピボット軸10を介してアクチュエータ5に連結されており、このピボット軸10がキャリッジ11の回転中心となっている。アーム部14は、基部15におけるアクチュエータ5が取り付けられた側面15aと反対側の側面隅角部の反対側の側面15bにおいて、基部15の上面の面方向XY方向と平行に延出する平板状のものであり、基部15の高さ方向Z方向に沿って3枚延出している。具体的には、アーム部14は、基端部から先端部に向かうにつれ先細るテーパ形状に形成され、各アーム部14間に、ディスクDが挟み込まれるように配置されている。つまり、アーム部14とディスクDとが、互い違いになるように配されており、アクチュエータ5の駆動によってアーム部14がディスクDの表面に平行な方向XY方向に移動可能とされている。なお、キャリッジ11及びヘッドジンバルアセンブリ12は、ディスクDの回転停止時にアクチュエータ5の駆動によって、ディスクD上から退避するようになっている。ヘッドジンバルアセンブリヘッドジンバルアセンブリ12は、後述する近接場光発生素子光束伝播素子26を有する近接場光ヘッドである記録再生ヘッド2を支持するものである。図2は、記録再生ヘッドを上向きにした状態でサスペンションを記録再生ヘッド側から見た斜視図である。図3は、記録再生ヘッドを上向きにした状態でジンバルを見た平面図である。図4は図3のA-A線に沿う断面図であり、図5は記録再生ヘッドの拡大断面図である。図2~5に示すように、本実施形態のヘッドジンバルアセンブリ12は、上述した記録再生ヘッド2をディスクDから浮上させる機能を有しており、記録再生ヘッド2と、金属性材料により薄い板状に形成され、ディスク面D1に平行なXY方向に移動可能なサスペンション3と、記録再生ヘッド2を、ディスク面D1に平行で且つ互いに直交する2軸X軸、Y軸回りに回動自在な状態、すなわち2軸を中心として捻れることができるようにサスペンション3の下面に固定させるジンバル手段16と、を備えている。サスペンション図2~4に示すように、上述したサスペンション3は、上面視略四角状に形成されたベースプレート51と、ベースプレート51の先端側にヒンジ板52を介して連結された平面視略三角状のロードビーム53と、で構成されている。ベースプレート51は、ステンレス等の厚みの薄い金属材料によって構成されており、基端側には厚さ方向に貫通する開口51aが形成されている。そして、この開口51aを介してベースプレート51がアーム部14の先端に固定されている。ベースプレート51の下面には、ステンレス等の金属材料により構成されたシート状のヒンジ板52が配置されている。このヒンジ板52は、ベースプレート51の下面の全面に亘って形成された平板状の板材であり、その先端部分はベースプレート51の先端からベースプレート51の長手方向X方向に沿って延出する延出部52aとして形成されている。この延出部52aは、ヒンジ板52の幅方向Y方向両端部から2本延出しており、その先端部分にロードビーム53が連結されている。ロードビーム53は、ベースプレート51と同様にステンレス等の厚みの薄い金属材料によって形成されており、その基端がベースプレート51の先端との間に間隙を有した状態でヒンジ板52に連結されている。これにより、サスペンション3は、ベースプレート51とロードビーム53との間を中心に屈曲して、ディスク面D1に垂直なZ方向に向けて撓み易くなっている。また、サスペンション3上には、フレクシャ54が設けられている。このフレクシャ54は、ステンレス等の金属材料により形成されたシート状のものであり、シート状に形成されることで厚さ方向に撓み変形可能に構成されている。また、このフレクシャ54は、ロードビーム53の先端側に固定され、外形が上面視略五角形状に形成されたジンバル17と、ジンバル17より幅狭に形成され、ジンバル17の基端からサスペンション3上に沿って延在する支持体18と、で構成されている。ジンバル17は、中間付近から先端にかけてディスク面D1に向けて厚さ方向に僅かながら反るように形成されている。そして、この反りが加わった先端側がロードビーム53に接触しないように、基端側から略中間付近にかけてロードビーム53に固定されている。また、この浮いた状態のジンバル17の先端側には、周囲がコ形状に刳り貫かれた切欠部59が形成され、この切欠部59に囲まれた部分には連結部17aによって片持ち状に支持されたパッド部17bが形成されている。つまり、このパッド部17bは、連結部17aによってジンバル17の先端側から基端側に向けて張出し形成されており、その周囲に切欠部59を備えている。これにより、パッド部17bはジンバル17の厚さ方向に撓みやすくなっており、このパッド部17bのみがサスペンション3の下面と平行になるように角度調整されている。そして、このパッド部17b上に上述した記録再生ヘッド2が載置固定されている。つまり、記録再生ヘッド2は、パッド部17bを介してロードビーム53にぶら下がった状態となっている。また、図3,4に示すように、ロードビーム53の先端には、パッド部17b及び記録再生ヘッド2の略中心に向かって突出する突起部19が形成されている。この突起部19の先端は、丸みを帯びた状態となっている。そして突起部19は、記録再生ヘッド2がディスクDから受ける風圧によりロードビーム53側に浮上したときに、パッド部17bの表面上面に点接触するようになっている。つまり、突起部19は、ジンバル17のパッド部17bを介して、記録再生ヘッド2を支持するとともに、ディスク面D1に向けてZ方向に向けて記録再生ヘッド2に荷重を付与するようになっている。なお、これら突起部19とパッド部17bを有するジンバル17とが、ジンバル手段16を構成している。記録再生ヘッド図6は記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。記録再生ヘッド2は、ディスクDとサスペンション3との間に配置された状態で、サスペンション3の下面にジンバル17を挟んで支持されている。具体的に、記録再生ヘッド2は、図5,6に示すように、レーザ光Lから生成した近接場光Rを利用して回転するディスクDに各種の情報を記録再生するヘッドである。記録再生ヘッド2は、ディスク面D1から所定距離Hだけ浮上した状態でディスクDに対向配置されたスライダ20と、ディスクDに情報を記録する記録素子21と、ディスクDに記録されている情報を再生する再生素子22と、レーザ光Lを集光しながら伝播するとともに、近接場光R図12参照に生成した後に外部に発する近接場光発生素子26と、近接場光発生素子26に向けてレーザ光Lを出射するレーザ光源29と、を備えている。スライダ20は、石英ガラス等の光透過性材料や、AlTiCアルチック等のセラミック等によって直方体状に形成されている。このスライダ20は、ディスクDに対向する対向面20aを有しており、後述するレーザマウント43を介して上述したパッド部17bに支持されている。また対向面20aには、回転するディスクDによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部20bが形成されている。この凸条部20bは、長手方向X方向に沿って延びるように形成され、レール状に並ぶように間隔を空けて左右Y方向に2つ形成されている。但し、凸条部20bはこの場合に限定されるものではなく、スライダ20をディスク面D1から離そうとする正圧と、スライダ20をディスク面D1に引き付けようとする負圧と、を調整して、スライダ20を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部20bの表面はABSAIRBEARINGSURFACE20cと呼ばれている。そしてスライダ20は、この2つの凸条部20bによってディスク面D1から浮上する力を受けている。一方、サスペンション3はディスク面D1に垂直なZ方向に撓むようになっており、スライダ20の浮上力を吸収している。つまり、スライダ20は、浮上した際にサスペンション3によってディスク面D1側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ20は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面D1から所定距離H離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ20は、ジンバル手段16によってX軸回り及びY軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。なお、ディスクDの回転に伴って生じる空気流は、スライダ20の流入端側サスペンション3のX方向基端側から流入した後、ABS20cに沿って流れ、スライダ20の流出端側サスペンション3のX方向先端側から抜けている。以下、スライダ20の流入端側リーディングエッジ側、つまり図5におけるX方向右側を後方とし、スライダ20の流出端側トレイリングエッジ側、つまり図5におけるX方向左側を前方とする。また、記録再生ヘッド2に対してディスク面D1側、つまり図5におけるZ方向下側を下方とし、その反対側、つまり図5におけるZ方向上側を上方とする。記録素子21は、図5に示すディスク面D1に対向する対向面21aから記録磁界を発生させ、その記録磁界をディスクDに作用させて情報を記録する素子であり、図6に示すように、スライダ20の前方の端部に保持されている。この記録素子21には、スライダ20の前方の端面前端面に固定された補助磁極31と、補助磁極31の前方に配設されて磁気回路32を介して補助磁極31に接続された主磁極33と、磁気回路32を中心として磁気回路32の周囲を螺旋状に巻回するコイル34と、が備えられている。つまり、スライダ20の前端面から前方に向かって、補助磁極31、磁気回路32、コイル34、及び主磁極33の順で並べて配置されている。両磁極31,33及び磁気回路32は、磁束密度が高い高飽和磁束密度Bs材料例えば、CoNiFe合金、CoFe合金等により形成されている。また、コイル34は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路32との間、両磁極31,33との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体35によってモールドされている。そして、コイル34は、情報に応じて変調された電流が制御部8図1参照から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路32及びコイル34は、全体として電磁石を構成している。また、上述した主磁極33、補助磁極31及び絶縁体35のディスク面D1に対向する各対向面33a,31a,35aZ方向端面は、スライダ20のABS20cとそれぞれ面一に形成されている。上述した構成の記録素子21では、コイル34に電流が供給されることで、磁力線が主磁極33の対向面33aから出て補助磁極31の対向面31aに入る記録磁界が発生する。図6に示すように、近接場光発生素子26は、ディスク面D1に対向する対向面26aから近接場光Rを発生させる素子であり、記録素子21の前方図6に示す主磁極33に対する補助磁極31と反対側に配設されている。この近接場光発生素子26は、先端をディスク面D1に向けて上下に延設されたコア第1コア23と、コア23の下端部における主磁極33側の側面側面23gに密着して配置された金属膜近接場光発生部71と、コア23の下端部を被覆する遮光膜27と、コア23の側面に密着してコア23を封止するクラッド24と、を備えている。図7はコア及び金属膜の斜視図、図8はコア及び金属膜の断面図であり、aは図7のB-B線、bは図7のC-C線、cは図6のD-D線に沿う断面図である。図7,8に示すように、コア23は、上端側一端側から入射されたレーザ光Lを下端側他端側に向けて集光しながら伝播させる光束伝播部材である。このコア23は、上端側から下端側にかけて漸次絞り成形され、レーザ光Lを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に説明すると、コア23は、上側から光束集光部23aと、近接場光生成部23bと、を有している。光束集光部23aは、上端側から下端側に向かうZ方向に直交する断面積XY方向の断面積が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Lを集光させながら下方に向けて伝播させている。つまり、光束集光部23aに導入されたレーザ光Lのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。具体的に、光束集光部23aは、上端側においてZ方向から見た断面形状入射側端面が台形状に形成された台形部41図8c参照と、台形部41の下端部に一体的に連設されZ方向から見た断面形状が三角形状に形成された三角形部42図8b参照と、で構成されている。図7,図8cに示すように、台形部41は、左右方向を長手方向Y方向、前後方向X方向を短手方向とした扁平形状に形成されている。具体的に、台形部41は、後側の側面23gと、側面23gの左右両端縁Y方向両端から再生素子22に向かって先細るように延在する一対の側面23kと、側面23gと平行に延在するとともに、一対の側面23k同士を架け渡す側面23jと、で構成されている。台形部41は、下端側に向かうに従い両底面後側の側面23g及び前側の側面23jの長さY方向における幅が漸次減少するように形成されている。また、台形部41の上端面41aコア23の上端面は、スライダ20の上面と面一に形成され、外部に向けて露出している。図7,図8bに示すように、三角形部42は、底面及び一対の斜面が上述した側面23g及び側面23kにより構成されている。三角形部42は、下端側に向けて底面側面23gの長さ、及び斜面側面23kの長さが漸次減少するように形成されている。図9は図7のE部拡大図である。また、図10は図6の要部拡大図であり、図11は図10のF矢視図である。図7~11に示すように、近接場光生成部23bは、光束集光部23aにおける三角形部42の下端部から下方に向けてさらに絞り成形された部分である。近接場光生成部23bはZ方向から見た断面形状が三角形状に形成されており、そのうち底面が上述した側面23gにより構成され、一対の斜面が側面23dにより構成されている。具体的に、側面23gは、下方に向けて先細る三角形状に形成され、主磁極33の先端部分33bに密着している。側面23dは、コア23の下端面となる部分であり、レーザ光Lの光軸Z方向に対して傾斜した状態で延在している。具体的に、各側面23dは、上述した側面23gのY方向の両端に位置する端縁下端縁全体から、再生素子22に向かって前方に向かって延設されている。また、各側面23dは、側面23gとのなす角度がそれぞれ鋭角になるように傾斜しており、側面23dに入射したレーザ光Lの導入方向が金属膜71を向くように反射される。したがって、近接場光生成部23bは、下方及び前方に向けて尖形した状態となっている。そして、近接場光生成部23bの下端は、スライダ20のABS20cよりも上方に位置しており、クラッド24により覆われて、外部には露出していない。このように、コア23において、台形部41の上端面41aがレーザ光源29から出射されるレーザ光Lの入射端を、近接場光生成部23bの下端部がレーザ光Lの出射端を構成している。クラッド24は、図6,7に示すように、コア23よりも屈折率が低い材料で形成され、側面23d,23g,23j,23kに密着して、コア23を封止するモールド部材である。また、クラッド24は、コア23の上端面41aを外部に露出させる一方、コア23の下端を内部に封止している。具体的に、クラッド24は、コア23と記録素子21主磁極33との間でコア23を後側から覆うように形成された第1クラッド24aと、コア23と再生素子22との間でコア23を前側から覆うように形成された第2クラッド24bと、を備えている。このように、第1クラッド24a及び第2クラッド24bがコア23の側面23d,23g,23j,23kに密着しているので、コア23とクラッド24との間に隙間が生じないようになっている。なお、クラッド24及びコア23として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英SiO2でコア23を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド24を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Lの波長が400nmのときに、コア23の屈折率が1.47となり、クラッド24の屈折率が1.47未満となるので好ましい組み合わせである。また、ゲルマニウムをドープした石英でコア23を形成し、石英SiO2でクラッド24を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Lの波長が400nmのときに、コア23の屈折率が1.47より大きくなり、クラッド24の屈折率が1.47となるのでやはり好ましい組み合わせである。特に、コア23とクラッド24との屈折率差が大きいほど、コア23内にレーザ光Lを閉じ込める力が大きくなるので、コア23に酸化タンタルTa2O5:波長が550nmのときに屈折率が2.16を用い、クラッド24に石英やアルミナAl2O3等を用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Lを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコンSi:屈折率が約4でコア23を形成することも有効である。図7~11に示すように、コア23と第1クラッド24aとの間には、金属膜71が形成されている。金属膜71は、コア23内を伝播してきたレーザ光Lから近接場光Rを発生させ、近接場光Rを近接場光発生素子26の下端側とディスクDとの間に局在化させるものであり、例えば金Auや白金Pt等により構成されている。また、金属膜71における後側の側面71a図10参照は、第1クラッド24aから露出する主磁極33の先端部分33bに接している。ここで、金属膜71は、コア23における近接場光生成部23bの側面23g上に配置された基部72と、基部72から下方に向けて延在する延在部73と、を有している。基部72は、X方向から見て三角形状のものであり、Y方向における幅がコア23よりも広く形成された第1基部74と、第1基部74の中央部から段差部78を介して前方コア23側に向けて立設された第2基部75と、が連設されている。第1基部74は、図7,9に示すように、Z方向において、上端側が近接場光生成部23bと光束集光部23aとの境界部分に位置するとともに、下端側がコア23の下端と同位置に位置している。また、第1基部74は、前方に向かうに従いY方向における幅が漸次小さくなるように形成されている。具体的に、第1基部74におけるY方向両側の側面74a図9参照は、コア23の側面23dと平行な傾斜面に形成されている。すなわち、第1基部74におけるY方向両端部の角度側面71aと側面74aとのなす角度は、近接場光生成部23bにおけるY方向両端部の角度側面23gと側面23dとのなす角度と同等に形成されている。段差部78は、XY方向に沿う平坦面であり、そのY方向の内側に第2基部75が形成されている。第2基部75は、Z方向における長さが第1基部74と同等に形成されるとともに、Y方向における幅が第1基部74よりも小さく形成され、XY方向における外形が近接場光生成部23bの側面23gと同等に形成されている。また、第2基部75は、前方に向かうに従いY方向における幅が漸次小さくなるように形成されている。具体的に、第2基部75におけるY方向両側の側面75a図9参照は、コア23の側面23dと同一面上に配置された傾斜面に形成されている。すなわち、第2基部75におけるY方向両端部の角度側面71aと側面75aとのなす角度は、近接場光生成部23bにおけるY方向両端部の角度側面23gと側面23dとのなす角度と同等に形成されている。図7~11に示すように、延在部73は、X方向における厚さが第1基部74と同等に形成され、第1基部74の下端部第1基部74の頂部から下方に向けて延在するX方向から見て長方形状のものであり、その下端部が近接場光発生素子26の対向面26aにおいて外部に露出している。すなわち、延在部73は、Z方向において、上端部が近接場光生成部23bの下端と同位置に配置され、下端部がスライダ20のABS20cと面一に形成されている。また、延在部73は、Y方向における幅が主磁極33の先端部分33bよりも狭く形成されている。延在部73におけるY方向の中央部には、前方コア23側に向けて立設された突起部76が形成されている。突起部76は、Z方向から見て前方に向かうに従い先細る三角形状に形成され、その頂部77の位置が上述したコア23の後側の側面23gとX方向において同位置に配置されている。また、突起部76は、Z方向において、延在部73の全域に亘って形成されている。具体的に、突起部76は、上端部が第2基部75の下端部に連設されるとともに、下端部がスライダ20のABS20cと面一に形成されて、外部に露出している。したがって、上述した頂部77は、第2基部75の下端部からZ方向に沿って稜線状に延在している。また、頂部77の稜線は、X方向から見て近接場光生成部23bの稜線側面23d同士のなす稜線と同一直線上に配置されている。遮光膜27は、外部から近接場光生成部23bに入射される光を遮断するとともに、コア23内を伝播するレーザ光Lがコア23から漏れるのを防止するためのものであり、アルミニウムAl等の高反射率の材料からなる。この遮光膜27は、近接場光生成部23bの側面23dを覆うように形成されている。すなわち、近接場光生成部23bは、側面23gが上述した金属膜71に覆われ、側面23dが遮光膜27に覆われている。すなわち、上述した金属膜71は、X方向から見て基部72が遮光膜27に覆われており、延在部73は遮光膜27の下端部よりも下方に延在している。なお、遮光膜27は、X方向から見て金属膜71の全域を覆うように形成しても構わない。図5,6に示すように、再生素子22は、ディスクDの垂直記録層d2図5参照から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、近接場光発生素子26を間に挟んで記録素子21とは反対側のクラッド24第2クラッド24bの前端面に形成されている。この再生素子22には、後述する電気配線56を介して制御部8からバイアス電流が供給されている。これにより制御部8は、ディスクDから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。図5,6に示すように、上述した記録再生ヘッド2のスライダ20には、レーザ光源29が搭載されている。レーザ光源29は、スライダ20の上面に固定されたレーザマウント43と、レーザマウント43の前端面43aに固定された半導体レーザチップ44と、を有している。レーザマウント43は、例えばスライダ20と同一材料により構成され、XY方向における外形がスライダ20と同等に形成された板状の部材であり、上面側がジンバル17の後述するパッド部17bに固定されている。すなわち、スライダ20は、パッド部17bとの間にレーザマウント43を挟持した状態でパッド部17bに固定されている。なお、図示しないがレーザマウント43には、後述する電気配線56図5参照が固定されており、レーザマウント43の前端面43aに形成された図示しない電極パッドに電気的に接続されている。半導体レーザチップ44は、レーザマウント43の前端面43aに形成された図示しない電極パッド上に実装されている。この場合、半導体レーザチップ44は、レーザ光Lの出射側端面44aを下方に向けた状態で、かつコア23の台形部41の上端面41aに対向するように配置されている。なお、本実施形態の半導体レーザチップ44は、スポット形状がX方向を短軸方向、Y方向を長軸方向とした楕円形状のレーザ光Lを出射する。また、半導体レーザチップ44の出射側端面44aと、台形部41の上端面41aとの間に間隔Kを有しているが、この間隔K内にコア23と同等の屈折率を有するオイル等を介在させても構わない。なお、上述した台形部41の上端面41aの形状は、半導体レーザチップ44から出射されて上端面41aに入射する時点のレーザ光Lのスポット形状に合わせて形成されている。なお、本実施形態のディスクDは、図5に示すように、ディスク面D1に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層d2と、高透磁率材料からなる軟磁性層d3との少なくとも2層で構成される垂直2層膜ディスクDを使用する。このようなディスクDとしては、例えば、基板d1上に、軟磁性層d3と、中間層d4と、垂直記録層d2と、保護層d5と、潤滑層d6とを順に成膜したものを使用する。基板d1としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。軟磁性層d3は、高透磁率層である。中間層d4は、垂直記録層d2の結晶制御層である。垂直記録層d2は、垂直異方性磁性層となっており、例えばCoCrPt系合金が使用される。保護層d5は、垂直記録層d2を保護するためのもので、例えばDLCダイヤモンドライクカーボン膜が使用される。潤滑層d6は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。ところで、図1に示すように、キャリッジ11の基部15における側面15cには、ターミナル基板55が配置されている。このターミナル基板55は、ハウジング9に設けられた制御部8と記録再生ヘッド2とを電気的に接続する際の中継点となるものであり、その表面には、各種制御回路不図示が形成されている。制御部8とターミナル基板55とは、可撓性を有するフラットケーブル4により電気的に接続されている一方、ターミナル基板55と記録再生ヘッド2とは、電気配線56により接続されている。この電気配線56は、各キャリッジ11毎に設けられた記録再生ヘッド2に対応して3組設けられており、フラットケーブル4を介して制御部8から出力された信号に情報に応じて変調した電流が、電気配線56を介して記録再生ヘッド2に供給されるようになっている。電気配線56は、ターミナル基板55の表面からアーム部14の側面を通って、アーム部14上に引き回されている。具体的には、図2~4に示すように、電気配線56は、アーム部14及びサスペンション3上において、フレクシャ54の支持体18上に配置されており、支持体18を間に挟んだ状態でサスペンション3の先端まで引き回されている。そして、電気配線56は、サスペンション3の先端ジンバル17の中間位置において再生素子22及び記録素子21に電流を供給するための第1電気配線57と、レーザ光源29に電流を供給するための第2電気配線58と、に分岐している。具体的に、第1電気配線57は、電気配線56の先端側における分岐地点において、ジンバル17の外周部分に向けて屈曲されており、ジンバル17の外周部分切欠部59の外側から引き回されている。そして、切欠部59の外側から引き回された第1電気配線57は、連結部17a上を通って記録再生ヘッド2の前端面側に接続されている。すなわち、第1電気配線57は、スライダ20の前端面側に設けられた再生素子22と記録素子21とのそれぞれに対して、記録再生ヘッド2の外部から直接接続されている。一方、第2電気配線58は、上述した分岐地点からジンバル17の長手方向X方向に沿って延在しており、ジンバル17の切欠部59を跨いで記録再生ヘッド2の後端面側から、レーザマウント43に直接接続されている。そして、第2電気配線58は、レーザマウント43の前端面43aに形成された電極パッドに接続され、この電極パッドを介して半導体レーザチップ44に電流を供給するようになっている。また、第2電気配線58は、分岐地点においてジンバル17の下面から離間されており、分岐地点から記録再生ヘッド2の前端面側に向かうにつれ、パッド部17bとジンバル17との間を架け渡すように僅かながら浮いた状態で延在している。つまり、ジンバル17の下面において、第2電気配線58は略直線的曲率半径が略無限大に延在した状態で、記録再生ヘッド2の幅方向Y方向中央部から記録再生ヘッド2の後側に引き回されている。情報記録再生方法次に、このように構成された情報記録再生装置1により、ディスクDに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。まず、図1に示すように、スピンドルモータ6を駆動させてディスクDを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ5を作動させて、キャリッジ11を介してサスペンション3をXY方向にスキャンさせる。これにより、ディスクD上の所望する位置に記録再生ヘッド2を位置させることができる。この際、記録再生ヘッド2は、スライダ20の対向面20aに形成された2つの凸条部20bによって浮上する力を受けるとともに、サスペンション3等によってディスクD側に所定の力で押さえ付けられる。記録再生ヘッド2は、この両者の力のバランスによって、図2に示すようにディスクD上から所定距離H離間した位置に浮上する。また、記録再生ヘッド2は、ディスクDのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、サスペンション3によってZ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル17によってXY軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、記録再生ヘッド2を安定した状態で浮上させることができる。図12,13は情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図12は図6に相当する図であり、図13は図11に相当する図である。ここで、情報の記録を行う場合、図12,13に示すように、制御部8はレーザ光源29を作動させてレーザ光Lを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル34に供給して記録素子21を作動させる。まず、レーザ光源29からレーザ光Lを出射し、このレーザ光Lをコア23の上端面41aからコア23の光束集光部23a内に入射させる。光束集光部23aを伝播するレーザ光Lは、ディスクD側に位置する下端側に向かってコア23とクラッド24との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア23の側面23k,23dにはクラッド24が密着しているので、コア23の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Lを無駄にすることなく絞りながら下端側に伝播させて、近接場光生成部23bに入射させることができる。この際、コア23は、Z方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Lは光束集光部23a内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。スポットサイズが小さくなったレーザ光Lは、続いて、近接場光生成部23bに入射する。この近接場光生成部23bは、下端側に向けてさらに絞り成形されており、光の波長以下のサイズとされている。この場合、近接場光生成部23bの2つの側面23dは、遮光膜27によって遮光されている。よって、近接場光生成部23bに入射したレーザ光Lは、第2クラッド24b側に漏れることなく、遮光膜27と近接場光生成部23bとの界面で反射されながら伝播する。ここで、本実施形態では、コア23の近接場光生成部23bにおける下端面側面23dは、側面23gとのなす角度が鋭角となるように傾斜しているため、側面23dに入射したレーザ光Lの導入方向が金属膜71を向くように反射される。これにより、例えば、コア23の下端面をコア23の延在方向に直交するXY方向に沿う平坦面に形成した場合に比べて、レーザ光Lがコア23の下端面から外部に漏れるのを抑制できる。すなわち、コア23内を伝播したレーザ光Lが効率的に金属膜71に入射することになるので、金属膜71に入射する光量を確保して、近接場光Rの発生効率を向上させることができる。そして、近接場光生成部23bを下端側まで伝播したレーザ光Lは、金属膜71に入射する。すると、金属膜71には、表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、金属膜71上を下方に向けて伝播する。そして、金属膜71上を伝播する表面プラズモンが延在部73まで伝播すると、突起部76の頂部77において光強度の強い近接場光Rとなる。そして、頂部77で発生した近接場光Rは、頂部77を下方に向かって伝播した後、下端近接場光発生素子26の対向面26aで外部に漏れ出す。つまり、近接場光発生素子26の下端側とディスクDとの間に近接場光Rを局在化させることができる。するとディスクDは、この近接場光Rによって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。一方、制御部8によってコイル34に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路32内に磁界が発生するので、主磁極33と補助磁極31との間にディスクDに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極33側から発生した磁束が、ディスクDの垂直記録層d2を真直ぐ通り抜けて軟磁性層d3に達する。これによって、垂直記録層d2の磁化をディスク面D1に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層d3に達した磁束は、軟磁性層d3を経由して補助磁極31に戻る。この際、補助磁極31に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面D1に対向する補助磁極31の面積が、主磁極33よりも大きいので磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極33側でのみ記録を行うことができる。その結果、近接場光Rと両磁極31,33で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うので、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。また、ディスクDに記録された情報を再生する場合には、ディスクDの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子22がディスクDの垂直記録層d2から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子22の電圧が変化する。これにより制御部8は、ディスクDから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部8は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクDに記録されている情報の再生を行うことができる。記録再生ヘッドの製造方法次に、上述した近接場光発生素子26を有する記録再生ヘッド2の製造方法について説明する。図14は近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、コア母材の平面図である。また、図15は図14aのG-G線に沿う断面図である。なお、以下の説明では、記録再生ヘッド2の製造工程のうち、主として近接場光発生素子の製造工程について具体的に説明する。本実施形態では、複数のスライダ20がX方向及びY方向に沿って連なってなる基板120例えば、AlTiCアルチック等を用意し、この基板120における記録再生ヘッド2の各形成領域上にそれぞれ記録素子21、近接場光発生素子26、及び再生素子22を順に形成した後、記録再生ヘッド2の形成領域毎にダイシングすることで、記録再生ヘッド2を製造する。まず図15aに示すように、基板120上に記録素子21図6参照を形成し、絶縁体35でモールドする。その後、絶縁体35上に近接場光発生素子26の母材を成膜する第1クラッド形成工程、及びコア形成工程。具体的には、基板120絶縁体35上に第1クラッド母材124a、金属膜母材171例えば、20nm程度、コア母材123数μm程度の順で成膜する。なお、各母材124a,171,123の成膜後には、CMPChemicalMechanicalPolishing等でそれぞれの表面を研磨して、平坦面とする。また、金属膜母材171は、第1クラッド母材124a上の全面に成膜した後、所定の領域のみ残存するように予めパターニングしておくことが好ましい。この場合、本実施形態では、Z方向において、少なくともコア母材123における光束集光部23a図6参照に相当する領域の金属膜母材171を除去するようにパターニングしている。この場合には、近接場光生成部23bに相当する領域では、コア母材123と第1クラッド母材124aとの間に金属膜母材171が挟持され、それ以外の領域例えば、光束集光部23aに相当する領域では、コア母材123と第1クラッド母材124aとが密着することになる。これにより、少なくとも光束集光部23aに相当する領域では、コア母材123と、金属膜母材171よりもコア母材123との密着性が高い第1クラッド母材124aと、が密着することになる。これにより、製造途中における膜剥がれを抑制できる。なお、金属膜母材171は、上述した金属膜71の形成領域のみに残存するようにパターニングすることが、より好ましい。続いて、図15bに示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、コア母材123を除去すべき領域が開口したマスクパターン不図示をコア母材123上に形成し、このマスクパターンを介して反応性イオンエッチングRIEを行う第1パターニング工程。これにより、マスクパターンが開口した領域のコア母材123が垂直X方向に沿ってにエッチングされ、Z方向から見て矩形状のコア母材123が形成される。また、図14a,15bに示すように、コア母材123は、X方向から見て上端側から下端側にかけて先細る台形状に形成された第1母材123aと、第1母材123aの下端側から下方に向けてさらに先細る第2母材123bと、第2母材123bの下端側から下方に向けて一定幅で延在する第3母材123cと、により構成される。なお、第1パターニング工程においては、マスクパターンが開口した領域のコア母材123は、完全に除去せず僅かに残存させることが好ましい図15b中残存部160参照。次に、図14b,15cに示すように、アルゴンAr等のプラズマ中でコア母材123及び金属膜母材171をスパッタエッチングする第2パターニング工程。第2パターニング工程において、上述した断面矩形状のコア母材123をスパッタエッチングすると、コア母材123の各角部が選択的にエッチングされて斜面が形成される。そして、この状態でさらにエッチングを続けると、斜面が底面図7中側面23gに相当に対して一定の角度を保ちながらエッチングされる。なお、第1母材123aのうち、上側が光束集光部23aの台形部41、下側が光束集光部23aの三角形部42となり、また第2母材123bが近接場光生成部23bとなる。この場合、第3母材123cは、Y方向の両側の角部が除去されてZ方向から見て三角形状に残存している。そして、第2パターニング工程において、エッチングを継続すると、コア母材123は相似形を保ちながら幅Y方向における幅、及び高さX方向における高さが縮小して、コア母材123の外形が縮小する。すると、コア母材123に覆われていた金属膜母材171が露出する。図16は、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、aは図14cのH-H線に沿う断面図、bは図14cI-I線に沿う断面図である。図14c,16に示すように、金属膜母材171が露出した状態からさらにスパッタエッチングを継続すると、コア母材123は相似形を保ったままエッチングされるとともに、金属膜母材171の角部がエッチングされる。ここで、上述したコア母材123コア23に用いる材料例えば、石英と、金属膜母材171金属膜71に用いる材料例えば、金と、は異種材料であるため、スパッタエッチング時におけるエッチングレートに差が生じる。本実施形態の場合、コア母材123に用いる材料は、金属膜母材171に用いる材料に比べてエッチングレートが大きいため、金属膜母材171に比べてコア母材123が積極的にエッチングされることになる。そのため、図14c,16aに示すように、コア母材123と金属膜母材171とがX方向で重なる領域のうち、第2母材123bの領域では、第2母材123bの外周縁Y方向の両側に金属膜母材171が露出する。これにより、第2母材123bの領域では、第2母材123bよりもY方向における幅が広い基部72が形成される。その後、さらにスパッタエッチングを継続することで、基部72は、第2母材123bから露出した部分外周縁の角部から除々にエッチングが行われるため、図9に示すように近接場光生成部23bの側面23dと平行な側面74aを有する第1基部74と、側面23dと同一面上の側面75aを有する第2基部75と、が段差部78を介して形成されることになる。一方で、図14c,16bに示すように、第3母材123c図14b参照の領域では、第3母材123cの外周縁から金属膜母材171が露出する。その後、さらにスパッタエッチングを継続することで、金属膜母材171は、第3母材123cから露出した部分外周縁の角部から内側に向けて除々にエッチングが行われる。そして、最終的には、第3母材123cが完全に除去されることで、第3母材123cに覆われていた金属膜母材171のみが残存する。これにより、第3母材123cの領域では、第3母材123cと同一幅で延びる延在部73が形成される。この際、第3母材123cから露出した金属膜母材171が、外周縁の角部から内側に向けて除々にエッチングされるため、延在部73のうち、第3母材123cにより最後まで覆われていた部分が、頂部77を有する突起部76として残存することになる。以上により、第1クラッド母材124a第1クラッド24a上に、金属膜71及びコア23が一括して形成される。図17は図14cのI-I線に相当する断面図である。次に、図17aに示すように、コア23コア母材123を覆うように遮光膜27を形成する遮光膜形成工程。具体的には、コア23の側面23dにおける近接場光生成部23bに相当する領域に、遮光膜27が残存するようにパターニングする。そして、図17bに示すように、コア23及び遮光膜27を覆うように、第2クラッド24bを形成する第2クラッド形成工程。その後、CMP等で第2クラッド24bの表面を研磨して、平坦面に形成する。そして、第2クラッド24b上に再生素子22を形成する。これにより、基板120上に記録素子21、近接場光発生素子26、及び再生素子22が形成される。続いて、基板120をY方向に沿ってダイシングして、一方向Y方向に沿って複数のスライダ20が連なった状態のバー不図示を形成する。その後、ダイシングしたバーの側面切断面を研磨する研磨工程。これにより、基板120とともに近接場光発生素子26におけるZ方向の両端面が平坦面に形成される。その後、各スライダ20ごとの大きさになるようにバーをZ方向に沿って切断するスライダ工程。最後に、スライダ20の上面にレーザ光源29を搭載する。具体的には、半導体レーザチップ44が、レーザ光Lの出射側端面を下方に向けた状態で、かつコア23の台形部41の上端面41aに対向するように配置する。以上により、上述した近接場光発生素子26を有する記録再生ヘッド2が完成する。このように、本実施形態では、金属膜71の基部72からコア23よりも下方に延びる延在部73を形成し、この延在部73に頂部77を有する突起部76を形成する構成とした。この構成によれば、延在部73に突起部76を形成することで、金属膜71の基部72で励起された表面プラズモンが金属膜71上を伝播し、突起部76の頂部77において光強度の強い近接場光Rとなる。そのため、Z方向から見てコア23との界面の幅よりも狭い近接場光Rを発生させることができる。そして、本発明の情報記録再生装置1記録再生ヘッド2は、上述した近接場光発生素子26を備えているので、情報の記録再生を正確且つ高密度に行うことができ、高品質化を図ることができる。また、コア23の側面23dを覆うように遮光膜27を形成することで、コア23に入射したレーザ光Lは、クラッド24側に漏れることなく、遮光膜27とコア23との界面で反射されながら伝播する。これにより、レーザ光を効率的に金属膜71に入射させることができ、近接場光Rの発生効率を向上できる。しかも、本実施形態では、コア23と金属膜71とを一括してパターニングする際に、コア23と金属膜71との構成材料の違いに起因するエッチングレートの差を利用して突起部76を形成する構成とした。この構成によれば、エッチング時間の管理のみで金属膜71を微細パターンに形成することができるため、コア23や金属膜71の微細パターンの形成に高価な装置を用いる必要がない。これにより、製造コストの増加を抑制した上で、近接場光Rのスポットサイズを縮小できる。また、コア23と金属膜71とを一括してパターニングすることで、コア23と金属膜71とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、金属膜71とコア23とを精度良く位置決めすることができる。よって、コア23の下端側まで伝播したレーザ光Lを漏れなく金属膜71の基部72に入射させることができるので、近接場光Rの発生効率を向上させることができる。さらに、コア23よりも下方に延びる延在部73に突起部76を形成することで、コア23の形状やコア23との位置精度に関わらず、延在部73突起部76のみを所望の形状に形成できるため、製造が容易であり、また設計の自由度を向上させることもできる。なお、上述した実施形態の金属膜71は、延在部73に頂部77を有する突起部76を形成する場合について説明したが、これに限らず、図18に示す金属膜71のように、延在部173自体をZ方向から見て前方に向かうに従い先細り、頂部177を有する三角形状に形成しても構わない。この延在部173は、上述した第1実施形態における第2パターニング工程において、延在部73の角部が完全に除去されるまでスパッタエッチングを継続することで形成できる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態について説明する。図19は、第2実施形態における記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図であり、図20のaは図19のM1-M1線に沿う断面図、bは図19のM2-M2線に沿う断面図である。なお、以下の説明では、上述した第1実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明は省略する。本実施形態では、コア23の下端側を2層構造とした点で上述した第1実施形態と相違している。図19,20に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド202近接場光発生素子26におけるコア223の下端側は、Z方向から見て三角形状の第1コア223aと、第1コア223aを金属膜71の反対側から覆う第2コア223bと、で構成されている。この場合、第1コア223aは、上述した第1実施形態のコア23と同様の構成からなり、上端側がスライダ20の上面と面一に形成され、外部に向けて露出している。一方で、第1コア223a近接場光生成部23bの下端側は、スライダ20のABS20cよりも上方に位置しており、クラッド24により覆われて、外部には露出していない。第2コア223bは、第1コア223a及び金属膜71を前方及びY方向に沿う両側から覆うように形成されている。そのため、Z方向から見て、第2コア223bにおけるY方向の外側端部が、第1基部74の外側端部よりも外側に位置することになる。すなわち、本実施形態のコア223全体のY方向における幅は、第1基部74の幅よりも広く形成されている。また、第2コア223bは、Z方向において、第1コア223aの下端側を覆うように形成され、第1コア223aとともに光束集光部23aの下端側、及び近接場光生成部23bを構成している。さらに、第2コア223bは、第1コア223aの下端側よりも下方に向けて延びている。具体的に、第2コア223bは、遮光膜27と金属膜71との間から金属膜71の延在部73を覆うように延在しており、スライダ20のABS20cと面一に形成されて外部に露出している。なお、第2コア223bの形成領域は、上述した範囲に限られず、第1コア223a全体を覆うように形成してもよく、また下端位置を第1コア223aの下端位置と同位置に形成してもよい。また、第2コア223bは、上述した第2パターニング工程図16参照と遮光膜形成工程図17参照との間で、第1コア223a及び金属膜71を覆うようにコア母材をパターニングすることで形成できる。この構成によれば、第1コア223aを覆うように第2コア223bを形成することで、コア223全体第1コア223a及び第2コア223bのY方向における幅を、金属膜71のY方向における幅に比べて広く形成できる。そのため、コア23内を伝播するレーザ光Lの伝播効率の低下を抑制した上で、近接場光Rのスポットサイズの縮小化を図ることができる。これにより、光量を確保した上で、近接場光Rのスポットサイズを縮小できるので、ディスクDをより局所的に加熱することができる。なお、第1コア223a及び第2コア223bを同一材料により形成しても、異種材料により形成しても構わない。異種材料の組み合わせとしては、クラッド24から第2コア223b、第1コア223aにかけて段々と屈折率が大きくなるようなクラッド24、第2コア223b、第1コア223aの順で屈折率が大きくなるような組み合わせが好ましい。この構成によれば、第2コア223bとクラッド24との界面で全反射するレーザ光Lを、徐々に中心第1コア223aに向けて集光できるので、レーザ光Lの伝播効率を向上できる。変形例図21のaは、第2実施形態の変形例を示す記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図であり、bはaのN-N線に沿う断面図である。上述した実施形態では、第1コア223aの前側を覆う第2コア223bを設ける構成について説明したが、これに加えて、第1コア223aと金属膜71との間に第3コア223cを設ける構成にしても構わない。具体的に、第3コア223cは、第1コア223aよりも屈折率の小さい材料からなり、第1コア223aのうち、近接場光生成部23bの側面23gと、金属膜71の基部72と、の間に配設されている。また、第3コア223cの外形は、Z方向から見て近接場光生成部23bと同等に形成されている。したがって、第1コア223a及び第3コア223cの下端面例えば、上述した側面23dは面一に配置され、それら下端面を覆うように上述した第2コア223bが配設される。この構成によれば、第1コア223a、第1コア223aよりも屈折率の小さい第3コア223c、及び金属膜71がY方向に沿って順に配置された、いわゆるオットー配置を実現できる。このようにオットー配置を利用した近接場光発生素子26では、第1コア223aよりも屈折率の小さい第3コア223cが、第1コア223aと金属膜71との間で緩衝部として機能するので、第1コア223aを伝播するレーザ光Lの波数に大きな影響を与えることなく金属膜71に表面プラズモンを励起することが可能になる。なお、第3コア223cの形成領域は、上述した範囲に限られない。また、図22に示すように、第2コア223bを設けず、第3コア223cのみを設けても構わない。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態について説明する。図23は第3実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、図24は記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図である。また、図25は、図24のP1矢視図である。図23~25に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド302は、スライダ20の前端面上にX方向に沿って近接場光発生素子26、記録素子21、及び再生素子22が順に配置されている。近接場光発生素子26は、第1実施形態のコア23に対して前後方向が逆向きに設けられている。具体的に、コア23は、前方に位置する側面23gの左右両端Y方向両端から後方スライダ20に向かって先細っており、このコア23の前側が第1クラッド24aに覆われ、後側が第2クラッド24bに覆われている。そして、コア23における近接場光生成部23bの側面23g上には、金属膜71が下方に向けて延在するように形成されている。また、記録素子21は、上述した第1実施形態と同様の構成からなり、主磁極33の先端部分33bが金属膜71の前端面上に配置されている。そして、記録素子21の補助磁極31上に再生素子22が形成されている。また、本実施形態では、スライダ20の上面に光導波路310が設けられており、図示しないレーザ光源から出射されたレーザ光Lが光導波路310を介して近接場光発生素子26コア23に入射するようになっている。なお、本実施形態の場合、レーザ光源は、例えば上述したターミナル基板55上に実装され、光導波路310によりターミナル基板55と近接場光発生素子26との間でレーザ光Lの伝播を行うようになっている。光導波路310は、レーザ光源から出射されたレーザ光Lを全反射条件で導くコア311と、コア311の屈折率より低い屈折率の材料からなり、コア311に密着してコア311を封止するクラッド312と、を有している。光導波路310の先端面は斜めにカットされたミラー面313とされており、ミラー面313まで伝播してきたレーザ光Lを、向きが略90度変わるように反射させている。これにより、ミラー面313で反射されたレーザ光Lが、コア311内に導入されるようになっている。なお、ミラー面313は、少なくともコア311を含む領域にアルミ等からなる反射板を蒸着法等により形成するような構成としても構わない。この構成によれば、スライダ20の前端面上において、金属膜71と主磁極33とを密着させた上で、ディスクDの回転方向に沿って近接場光発生素子26、記録素子21、及び再生素子22が配置されることになる。この場合、ディスクDは、先に近接場光発生素子26から発生した近接場光Rにより加熱された後、保持力が確実に低下した状態で、記録素子21の下方を通過するため、ディスクDへの記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。変形例図26は第3実施形態の変形例を示す記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図であり、図27は図26のP2矢視図である。上述した実施形態では、金属膜71の突起部76がコア23側に向けて突出する構成について説明したが、これに限らず、図26,27に示すように、コア23とは反対側、すなわち主磁極33側に突出する構成にしても構わない。この構成によれば、コア23近接場光生成部23b、金属膜71、及びコア23よりも屈折率の小さい第1クラッド24aがX方向に沿って順に配置された、いわゆるクレッチマン配置を実現できる。このようにクレッチマン配置を利用した近接場光発生素子26では、コア23を伝播したレーザ光Lが金属膜71に入射すると、金属膜71における第1クラッド24a側の表面で表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、金属膜71上を下方に向けて伝播し、突起部76の頂部77において光強度の強い近接場光Rとなる。したがって、近接場光発生素子26による近接場光Rを、より主磁極33に接近した状態で発生させることができるため、ディスクDへの記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態について説明する。図28は第4実施形態における記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、図29は図28のJ矢視図である。また、図30は、記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図28~30に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド402は、記録素子21におけるコイル34と主磁極33との間に近接場光発生素子26が配置されている。本実施形態における記録素子21は、第1クラッド24a内にモールドされた補助磁極31及びコイル34と、第2クラッド24b内にモールドされた主磁極33と、補助磁極31及び主磁極33の間に配置されたヨーク435と、を備えている。補助磁極31は、再生素子22上に配置されるとともに、X方向に沿って延在するヨーク435の一端側が接続されている。コイル34は、ヨーク435を中心としてヨーク435の周囲に螺旋状に形成されている。また、ヨーク435には、Z方向に貫通する貫通孔435aが形成され、この貫通孔435a内を貫通するようにコア223が配置されている。そして、ヨーク435の下端コア223を間に挟んで補助磁極31の反対側には、主磁極33が接続されている。主磁極33の先端部分33bは、コア223の下端面例えば、第1コア23の側面23dを覆うように配置されている。すなわち、本実施形態の主磁極33の先端部分33bは、上述した遮光膜27図7参照と同様の役割も兼ねている。ところで、上述したようにディスクDの回転時において、記録再生ヘッド2が凸条部20bによって浮上する力を受けると、ディスクD上から所定距離H離間した位置に浮上する図5参照。このとき、浮上時のスライダ20の姿勢についてより詳細に説明すると、スライダ20はディスク面D1に対して水平ではなく、僅かに傾いている。具体的には、スライダ20の流出端側がディスクDに最も接近した状態で、ディスク面D1とスライダ20のABS20cとのなす角度が微小角度を保つように傾いている。そこで、本実施形態によれば、スライダ20における最も前端側に、近接場光発生素子26と主磁極33とを配置できるので、近接場光発生素子26による近接場光Rと、主磁極33による磁界をディスクDに最も接近した状態で発生させることができる。これにより、ディスクDへの記録をスムーズ、かつ高精度に行うことができる。さらに、上述したように遮光性を有する材料により主磁極33を構成することで、別に遮光膜を設けることなく、コア223に入射したレーザ光Lがクラッド24側に漏れるのを抑制できる。そのため、製造コストの低下、及び製造効率の向上を図ることができる。なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上述の実施形態では、記録再生ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の記録再生ヘッドは、コンタクトスライダタイプの記録再生ヘッドであっても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。また、上述した実施形態では、本発明の記録再生ヘッド2をディスクDに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクDに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。また、上述した第1パターニング工程において、コア23の残存部160を形成する方法について説明したが、残存部160を残さずにコア23の形成領域以外のコア23を全て除去しても構わない。また、上述した実施形態では、第1コア223a及び第2コア223bの2層によりコア23を構成したが、これに限らず3層以上で構成しても構わない。また、上述した実施形態では、金属膜71における延在部73のZ方向全域に亘って頂部77を有する突起部76を形成したが、これに限らず、頂部77が外部に露出していれば、Z方向における突起部76の形成領域は適宜設計変更が可能である。また、図31,32に示す金属膜571のように、延在部73の下端部にY方向に沿って延在部73よりも広く形成された幅広部573を形成し、この幅広部573の下端部に、頂部577を有する突起部576を形成しても構わない。また、上述した実施形態における近接場光発生素子26図6等参照では、Z方向において金属膜71がコア23における近接場光生成部23bのみと重なるように形成したが、金属膜71の形成範囲は、少なくとも頂部77が外部に露出していれば、これに限られない。例えば、コア23のZ方向の全域光束集光部23a及び近接場光生成部23bに亘って金属膜71を形成しても構わない。但し、光束集光部23aと重なる領域にも金属膜71が形成されていると、光束集光部23aを伝播するレーザ光Lが金属膜71で吸収されて損失となり、レーザ光Lの伝播効率が低下する虞がある。これに対して、上述した実施形態のように、近接場光生成部23bに相当する領域にのみ金属膜71を形成することで、近接場光生成部23bまではコア23とクラッド24との間でレーザ光Lを全反射条件で伝播させることができる。そのため、より多くのレーザ光Lを近接場光生成部23bまで導くことができ、レーザ光Lの伝播効率を向上できる。また、上述した実施形態では、図2,3に示すように、再生素子22及び記録素子21に電流を供給するための2本の第1電気配線57と、レーザ光源29に電流を供給するための第2電気配線58と、に電気配線56を分岐させる構成について説明したが、これに限られない。例えば、図33に示すように、第2電気配線58を設けずに、レーザ光源29に電流を供給するための電気配線を第1電気配線57に設けても構わない。この構成によれば、パッド部17bとジンバル17との間を架け渡す第2電気配線58を設ける必要がないので、ジンバル17に対するパッド部17bの撓み変形の自由度を向上させることができる。"