金属製の基材と、該基材上に設けられた単層または複数層からなる中間層と、該中間層上に設けられた酸化物超電導層と、を備え、前記中間層を構成する全ての層が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする酸化物超電導導体。前記電気伝導性の酸化物が、ペロブスカイト構造を有することを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導導体。前記電気伝導性の酸化物が、LaNiO3、SrFeO3のいずれかあるいは両方であることを特徴とする請求項1または2に記載の酸化物超電導導体。前記中間層を構成する少なくとも1層が、イオンビームアシスト蒸着法により形成されてなることを特徴とする請求項1~3のいずれか一層に記載の酸化物超電導導体。前記中間層が、イオンビームアシスト蒸着法により形成された配向層と、該配向層上に形成されたキャップ層と、から構成されることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体。前記酸化物超電導層上に導電性の安定化層を備え、該安定化層がAgまたはAg合金のみからなることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の酸化物超電導導体。図4に示すように、従来の酸化物超電導導体100にあっては、酸化物超電導層105上に厚さ数~十数μmの銀の安定化層106を形成し、その上に厚さ50~100μm程度の銅などの厚い安定化層107を設けた2層構造の安定化層を積層する構造が採用されている。銀の安定化層106は、酸化物超電導層105を酸素熱処理する際に酸素量の変動を調節する目的、水分が酸化物超電導層105に浸入することを防止する目的にも設けられている。また、銀の安定化層106と銅の安定化層107は、図5に示すように、酸化物超電導層105の一部において超電導状態から常電導状態に遷移しようとして臨界電流Icの低い部分が発生したときに、酸化物超電導層105の電流を転流させるバイパスとして機能させるための目的で設けられている。酸化物超電導導体100を超電導コイルなどに加工して各種超電導機器に応用するためには、酸化物超電導導体100の薄型化が求められている。しかしながら、銀の安定化層106と銅の安定化層107は、酸化物超電導層105を電気的に安定化する機能を果たすために、上述の如き厚さで形成される必要がある。酸化物超電導層105の電流を、安定化層106、107側だけでなく、基材101側にも逃がすことができれば安定化層106、107の厚さを薄くすることが可能であると考えられるが、従来知られている拡散防止層102、中間薄膜103、キャップ層104はいずれも絶縁体より構成されており、基材101側に酸化物超電導層105の電流を逃がすことはできない。本発明は、以上のような従来の実情に鑑みなされたものであり、酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移クエンチしようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の酸化物超電導導体は、金属製の基材と、該基材上に設けられた単層または複数層からなる中間層と、該中間層上に設けられた酸化物超電導層と、を備え、前記中間層を構成する全ての層が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。本発明の酸化物超電導導体は、中間層を構成する全ての層が電気伝導性の酸化物より構成されていることにより、酸化物超電導層の一部が超電導状態から常電導状態へと遷移クエンチしようとした場合にも酸化物超電導層の電流を、中間層を介して金属製の基材へ転流させることができる。これにより、酸化物超電導層上に積層される安定化層を薄膜化でき、酸化物超電導導体を薄型化できる。本発明の酸化物超電導導体において、前記電気伝導性の酸化物が、ペロブスカイト構造を有することが好ましい。この場合、中間層がペロブスカイト型酸化物より構成されることにより、中間層の上に成膜される酸化物超電導層の結晶配向性を向上でき、良好な超電導特性を発現させることができる。本発明の酸化物超電導導体において、前記電気伝導性の酸化物が、LaNiO3、SrFeO3のいずれかあるいは両方であることが好ましい。この場合、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体との格子定数が近いLaNiO3、SrFeO3より中間層が形成されるため、中間層上に形成される酸化物超電導層の結晶配向性をさらに向上でき、より良好な超電導特性の酸化物超電導導体となる。本発明の酸化物超電導導体において、前記中間層を構成する少なくとも1層が、イオンビームアシスト蒸着法により形成されてなることが好ましい。この場合、中間層の結晶配向性を向上させることができる。本発明の酸化物超電導導体において、前記中間層が、イオンビームアシスト蒸着法により形成された配向層と、該配向層上に形成されたキャップ層と、から構成されることもできる。この場合、結晶配向性が良好な中間層上に形成されるキャップ層の結晶配向性も良好となり、このキャップ層上に形成される酸化物超電導層の結晶配向性も良好となる。したがって、超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供できる。本発明の酸化物超電導導体において、前記酸化物超電導層上に導電性の安定化層を備え、該安定化層がAgまたはAg合金のみからなるもできる。本発明の酸化物超電導導体は、中間層を構成する全ての層が電気伝導性の酸化物より構成されているため、酸化物超電導層の一部でクエンチが発生した場合にも、酸化物超電導層の電流を、安定化層のみならず、中間層を介して基材へも転流させることができる。したがって、従来の酸化物超電導積層体において必要とされていたよりも薄い膜厚の安定化層としても、酸化物超電導層を電気的に安定化することができる。そのため、従来の酸化物超電導導体のように、銅の安定化層を用いずに、銀または銀合金からなる安定化層のみとすることが可能である。このように安定化層を薄膜化することができるため、酸化物超電導導体を薄型化することが可能となる。本発明によれば、酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移クエンチしようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体を提供できる。以下、本発明に係る酸化物超電導導体の実施形態について図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る第1実施形態の酸化物超電導導体を模式的に示す概略断面斜視図である。本実施形態の酸化物超電導導体10は、テープ状の基材1上に、配向層21とキャップ層22からなる中間層2と、酸化物超電導層3と、安定化層5がこの順に積層されて構成されている。金属製の基材1は、通常の酸化物超電導導体の基材として使用することができ、高強度であれば良く、長尺のケーブルとするためにテープ状やシート状あるいは薄板状であることが好ましく、耐熱性の金属からなるものが好ましい。例えば、ステンレス鋼、ハステロイ等のニッケル合金等の各種耐熱性金属材料、もしくはこれら各種金属材料上にセラミックスを配したもの、等が挙げられる。各種耐熱性金属の中でも、ニッケル合金が好ましい。なかでも、市販品であれば、ハステロイ米国ヘインズ社製商品名が好適であり、ハステロイとして、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。また、基材1としてニッケル合金などに集合組織を導入した配向Ni-W基板のような配向金属基板を用いてもよい。基材1の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10~500μmの範囲とすることができる。中間層2は、イオンビームアシスト蒸着法IBAD法により形成された配向層21上に、成膜法により形成されたキャップ層22が積層されて構成されている。なお、キャップ層22を省略し、中間層2を配向層21の単層から構成してもよい。本実施形態の酸化物超電導導体10において、基材1と酸化物超電導層3との間に配される中間層2を構成する全ての層配向層21およびキャップ層22は、電気伝導性の酸化物より構成されている。ここで、本発明において、中間層2を構成する材料は、25°Cにおける電気抵抗率が10mΩcm以下であることが好ましい。なお、本発明において、配向層21とはIBAD法により形成された層を表し、IBAD法により形成された配向層21と、IBAD法以外の成膜法で形成されたキャップ層22とが同一の材質で構成される場合もあり、この場合は、配向層21とキャップ層22の2層構成であるものとする。中間層2の厚さは100~1000nm程度とされる。配向層21は、電気伝導性の酸化物より構成されており、その上に積層されるキャップ層22および酸化物超電導層3の結晶配向性を制御するために以下に説明するIBAD法により成膜される。配向層21を構成する電気伝導性の酸化物としては、ペロブスカイト型酸化物が挙げられる。IBAD法によりペロブスカイト型酸化物を成膜することにより、形成される配向層21は2軸配向したペロブスカイト型酸化物の中間薄膜から形成される。一例として、配向層21は、基材1上に複数の結晶粒が粒界を介し接合された多結晶薄膜として構成され、各結晶粒の内部においては、それら結晶粒を構成するペロブスカイト結晶が、それらの結晶軸のc軸を基材1の表面に対し個々に垂直に向け、ペロブスカイト結晶の結晶軸のa軸をほぼ一方向に揃えて配置されている。この配向層21をIBAD法により良好な結晶配向性で成膜するならば、その上に形成するキャップ層22の結晶配向性を良好な値とすることができ、これによりキャップ層22の上に成膜する酸化物超電導層3の結晶配向性を良好なものとして、より優れた超電導特性を発揮できる酸化物超電導層3を得るようにすることができる。上述のペロブスカイト型酸化物の多結晶薄膜からなる配向層21は、IBAD法における結晶配向度を表す指標である結晶軸分散の半値幅ΔφFWHMの値を小さくできるため、特に好適である。配向層21を構成する電気伝導性を有するペロブスカイト型酸化物としては、LaNiO325°Cにおける電気抵抗率:35μΩcm、SrFeO325°Cにおける電気抵抗率:1500μΩcm、ReO325°Cにおける電気抵抗率:12μΩcm、CaFeO3、SrCoO3、SrRuO3、CaRuO3、CaNbO3、SrNbO3、SrMoO3、CaMoO3が挙げられる。これらのペロブスカイト構造の酸化物より配向層21が形成されることにより、電気伝導性を有し、且つ、結晶配向性も良好な配向層21とすることができる。配向層21の厚さは20~500nmとされ、配向性と生産性の観点から、30~200nmの範囲とすることが好ましい。配向層21の厚さが薄すぎると配向度が悪化するおそれがあり、配向層21の厚さが厚すぎると生産性が低下するおそれがある。キャップ層22は、電気伝導性の酸化物より構成されており、配向層21の表面に対してエピタキシャル成長し、その後、成膜面方向に粒成長して、結晶粒が面内方向に選択成長するという過程を経て形成されたものが好ましい。キャップ層22は、配向層21よりも高い面内配向度が得られる可能性がある。キャップ層22を構成する電気伝導性の酸化物としては、前記した配向層21と同様にペロブスカイト型酸化物が挙げられ、具体的には、LaNiO325°Cにおける電気抵抗率:35μΩcm、SrFeO325°Cにおける電気抵抗率:1500μΩcm、ReO325°Cにおける電気抵抗率:12μΩcm、CaFeO3、SrCoO3、SrRuO3、CaRuO3、CaNbO3、SrNbO3、SrMoO3、CaMoO3が挙げられる。これらのペロブスカイト構造の酸化物よりキャップ層22が形成されることにより、電気伝導性を有し、且つ、結晶配向性も良好なキャップ層22とすることができる。キャップ層22は、PLD法パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが好ましい。PLD法によるキャップ層22の成膜条件としては、基材温度約400~850°C、約1~120Paの酸素ガス雰囲気中で行うことができる。キャップ層22の厚さは50~800nmとされ、良好な配向度が得られるため、100~400nmの範囲とすることが好ましい。本実施形態の酸化物超電導導体10は、中間層2を構成する全ての層配向層21、キャップ層22が電気伝導性の酸化物より構成されていることにより、酸化物超電導層5の一部が超電導状態から常電導状態へと遷移クエンチしようとした場合にも、図3に示す如く、酸化物超電導層3の電流を、安定化層5のみならず、中間層2を介して基材1へも転流させることができる。これにより、後述する安定化層5を薄膜化でき、酸化物超電導導体10を薄型化できる。また、中間層2が前記したペロブスカイト型酸化物より構成されることにより、中間層2の上に成膜される酸化物超電導層3の結晶配向性を向上でき、良好な超電導特性を発現させることができる。酸化物超電導層3は通常知られている組成の酸化物超電導体からなるものを広く適用することができ、REBa2Cu3OyREはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素を表すなる材質のもの、具体的には、Y123YBa2Cu3Oy又はGd123GdBa2Cu3Oyを例示することができる。また、その他の酸化物超電導体、例えば、Bi2Sr2Can-1CunO42nδなる組成等に代表される臨界温度の高い他の酸化物超電導体からなるものを用いても良いのは勿論である。酸化物超電導層3は、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、電子ビーム蒸着法等の物理的蒸着法;化学気相成長法CVD法;塗布熱分解法MOD法等で積層でき、なかでもレーザ蒸着法PLD法が好ましい。酸化物超電導層3の厚みは、0.5~5μm程度であって、均一な厚みであることが好ましい。酸化物超電導層3の上に積層される安定化層5は、酸化物超電導層3の一部領域が常電導状態に遷移しようとした場合に、電流のバイパス路として機能することで、酸化物超電導層3を安定化させて焼損に至らないようにする、主たる構成要素である。安定化層5は、導電性が良好な金属からなるものが好ましく、具体的には、銀又は銀合金、銅などからなるものが例示できる。安定化層5は1層構造でも良いし、2層以上の積層構造であってもよい。安定化層5は、公知の方法で積層できる。安定化層5が1層構造の場合は、銀層をメッキやスパッタ法で形成する方法が挙げられる。また、安定化層5が2層構造の場合は、銀層をメッキやスパッタ法で形成し、その上に銅テープなどを貼り合わせるなどの方法を採用できる。安定化層5の厚さは、通常、3~300μmの範囲とすることができる。本実施形態の酸化物超電導導体10においては、前述の如く中間層2を構成する全ての層21、22が電気伝導性の酸化物より構成されているため、酸化物超電導層5の一部が超電導状態から常電導状態へと遷移クエンチ使用とした場合にも、図3に示す如く、酸化物超電導層3の電流を、安定化層5のみならず、中間層2を介して基材1へも転流させることができる。したがって、従来の酸化物超電導積層体において必要とされていたよりも薄い膜厚の安定化層5としても、酸化物超電導層3を電気的に安定化することができる。そのため、本実施形態の酸化物超電導線材10においては、安定化層5の厚さを2~100μmの範囲と薄膜化することができ、安定化層5として図4に示す従来の酸化物超電導導体100のように、銅の安定化層107を用いずに、銀または銀合金からなる安定化層106のみとすることも可能である。このように安定化層5を薄膜化することができるため、酸化物超電導導体10を薄型化することが可能となる。本実施形態の酸化物超電導導体10に設けられるIBAD法による配向層21は、例えば図2に示す装置により成膜される。図2に示す装置は、テープ状の基材1を保持する基材ホルダ35と、テープ状の基材1をその長手方向に走行するための走行系図示略と、その表面が基材1の表面に対して斜めに向いて対峙するようにターゲットホルダ31Aに支持されたターゲット31と、ターゲット31にイオンを照射するスパッタビーム照射装置32と、基材1の表面に対して斜め方向からイオン希ガスイオンと酸素イオンの混合イオンを照射するイオン源33とを有しており、これらの各装置は真空容器図示略内に配置されている。本実施形態で用いる真空容器は、外部と成膜空間とを仕切る容器であり、気密性を有するとともに、内部が高真空状態とされるため耐圧性を有するものとされる。この真空容器には、真空容器内にキャリアガスおよび反応ガスを導入するガス供給手段と、真空容器内のガスを排気する排気手段が接続されているが、図2ではこれら供給手段と排気手段を略し、各装置の配置関係のみを示している。また、イオン源33の一例構成として、容器の内部に、引出電極とフィラメントとArガス等の導入管とを備えて構成され、容器の先端から希ガス等のイオンをビーム状に平行に照射できる装置を用いることができる。なお、イオン源33において、アシストイオンビーム電圧とアシストイオンビーム電流値を適宜調整し、アシストイオンビームのエネルギーを調整することができる。図2に示す装置によって基材1の上に配向層21を形成するには、真空容器の内部を減圧雰囲気とし、スパッタビーム照射装置32及びイオン源33を作動させる。これにより、スパッタビーム照射装置32からターゲット31にイオンを照射し、ターゲット31の構成粒子を叩き出すか蒸発させて基材1上にターゲット構成粒子を堆積させることができる。これと同時に、イオン源33から、希ガスイオンと酸素イオンとの混合イオンによるアシストイオンビームを放射し、基材1の表面に対して所定の入射角度基材上の成膜面の法線に対する入射角度θで照射する。図2に示す装置を用いてIBAD法を実施して配向層21を成膜する場合、アシストイオンビームの入射角度θについては、基材1の成膜面の法線に対し40~75 ゚の範囲に設定することが好ましい。また、アシストイオンビームを照射するイオン源の稼働条件としてイオンビーム電圧を例えば300Vとすると、イオンビーム電流値は300mA~650mAの範囲を選択できる。また、アシストイオンビーム電圧は、200~600Vの範囲が好ましい。アシストイオンビーム電圧をこの範囲とすることで、得られる配向層4の結晶軸分散の半値幅をより小さくすることができる。配向層21を成膜する際の成膜温度については、300~1000°Cの範囲を選択できる。以上説明のように、基材1の表面に、ターゲット31の構成粒子を堆積させつつ、所定の入射角度でイオン照射を行うことにより、形成されるスパッタ膜の特定の結晶軸がイオンの入射方向に固定され、電気伝導性を有するペロブスカイト型酸化物の結晶のc軸が金属基材の表面に対して垂直方向に配向するとともに、ペロブスカイト型酸化物の結晶のa軸どうしあるいはb軸どうしが面内において一定方向に配向する2軸配向する。このため、IBAD法によって基材1上に形成されたペロブスカイト型酸化物の配向層21は、高い面内配向度を得ることができる。次に、中間層2配向層21、キャップ層22が電気伝導性のペロブスカイト型酸化物から構成される場合の特徴について説明する。以下の表1に、酸化物超電導導体の各層を構成する材料の物質名と格子定数Åを示し、各物質と酸化物超電導層3を構成する材料の一例であるGd1Ba2Cu3O7-x以下、GdBCOと略記するとの格子ミスマッチの関係を対比して示す。表1において、GdBCOの格子定数は3.86として計算した正確にはGdBCOは斜方晶であり、a軸とb軸の平均値とした。。また、LaNiO3は立方晶ではないが、準立方晶として格子定数を見積りした。表1の格子ミスマッチ格子不整合は、ae-as/as×100の式ae:エピタキシャル層上層の格子定数、as:基板の下層の格子定数に従い計算した。表1に示す対比結果の如く、GdBCOとの格子ミスマッチは、MgOおよびGZOよりもペロブスカイト型酸化物のLaNiO3、SrFeO3の方が遙かに少なく、IBAD法により良好な結晶配向性で結晶成長させるならば、配向性に優れた配向層21を形成できると想定できる。このように良好な配向性を有する配向層21の上にペロブスカイト型酸化物からなるキャップ層22を形成していると、キャップ層22も良好な配向性を得ることができるとともに、そのキャップ層22上に酸化物超電導層3を形成すると、酸化物超電導層3もキャップ層22の配向性に整合するように結晶化する。よって前記キャップ層22上に形成された酸化物超電導層3は、結晶配向性に乱れが殆どなく、この酸化物超電導層3を構成する結晶粒の1つ1つにおいては、基材1の厚さ方向に電気を流しにくいc軸が配向し、基材2の長さ方向にa軸どうしあるいはb軸どうしが配向している2軸配向している。従って得られた酸化物超電導層3は、結晶粒界における量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣化が殆どないので、基材2の長さ方向に電気を流し易くなり、十分に高い臨界電流が得られる。以上説明の如く形成された酸化物超電導導体1は、IBAD法により成膜された結晶配向性に優れたペロブスカイト型酸化物の配向層21と、配向層21上に形成されたペロブスカイト型酸化物のキャップ層22を介して酸化物超電導層3が形成されていることが好ましく、この場合、結晶配向性に優れた酸化物超電導層3を有するので、優れた超電導特性を発揮する。また、電気伝導性のペロブスカイト型酸化物LaNiO3、SrFeO3により中間層2が構成されていることにより、酸化物超電導層3の結晶配向性を良好としつつ、酸化物超電導層3の一部でクエンチが発生した場合に、酸化物超電導層3の電流を安定化層5側だけでなく、中間層2を介して基材1側へと転流させることができる。従って、安定化層5を従来の酸化物超電導導体よりも薄くすることができるので、薄型で良好な超電導特性の酸化物超電導導体10を提供できる。以上、本発明の酸化物超電導導体について説明したが、上記実施形態において、酸化物超電導導体の各部は一例であって、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ1000mmのテープ状の表面平滑な基材を用意した。次に、図2に示す構造のイオンビームアシスト蒸着装置を用いてイオンビームアシスト蒸着法IBAD法を行い、テープ基材の表面に厚さ250nmのLaNiO3の配向層を形成した。なお、IBAD法による配向層の形成は、LaNiO3のターゲットを用い、アシストイオンビームの電圧300V、電流値550mAとし、アシストイオンビームの入射角度は、テープ状基材成膜面の法線に対して55 ゚に設定し、成膜温度を750°Cとして行った。次に、得られた配向層の上に、膜厚400nmのLaNiO3のキャップ層をパルスレーザ蒸着法PLD法により750°Cで積層した。更に、キャップ層上にパルスレーザ蒸着法により825°Cにて、GdBa2Cu3O7-xの組成の厚さ1.2μmの酸化物超電導層を形成した。その後、スパッタ法により酸化物超電導層の上面に厚さ2μmのAgからなる安定化層を形成し、酸素アニールを500°Cで行うことにより、酸化物超電導導体を得た。実施例2ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ1000mmのテープ状の表面平滑な基材を用意した。次に、図2に示す構造のイオンビームアシスト蒸着装置を用いてイオンビームアシスト蒸着法IBAD法を行い、テープ基材の表面に厚さ250nmのLaNiO3の配向層を形成した。なお、IBAD法による配向層の形成は、LaNiO3のターゲットを用い、アシストイオンビームの電圧300V、電流値550mAとし、アシストイオンビームの入射角度は、テープ状基材成膜面の法線に対して55 ゚に設定し、成膜温度を750°Cとして行った。次に、得られた配向層の上に、膜厚420nmのSrFeO3のキャップ層をパルスレーザ蒸着法PLD法により750°Cで積層した。更に、キャップ層上にパルスレーザ蒸着法により825°Cにて、GdBa2Cu3O7-xの組成の厚さ1.2μmの酸化物超電導層を形成した。その後、スパッタ法により酸化物超電導層の上面に厚さ2μmのAgからなる安定化層を形成し、酸素アニールを500°Cで行うことにより、酸化物超電導導体を得た。実施例3ハステロイC276米国ヘインズ社商品名からなる幅10mm、厚さ01mm、長さ1000mmのテープ状の表面平滑な基材を用意した。次に、図2に示す構造のイオンビームアシスト蒸着装置を用いてイオンビームアシスト蒸着法IBAD法を行い、テープ基材の表面に厚さ260nmのSrFeO3の配向層を形成した。なお、IBAD法による配向層の形成は、SrFeO3のターゲットを用い、アシストイオンビームの電圧300V、電流値500mAとし、アシストイオンビームの入射角度は、テープ状基材成膜面の法線に対して55 ゚に設定し、成膜温度を700°Cとして行った。次に、得られた配向層の上に、膜厚420nmのSrFeO3のキャップ層をパルスレーザ蒸着法PLD法により750°Cで積層した。更に、キャップ層上にパルスレーザ蒸着法により825°Cにて、GdBa2Cu3O7-xの組成の厚さ1.2μmの酸化物超電導層を形成した。その後、スパッタ法により酸化物超電導層の上面に厚さ2μmのAgからなる安定化層を形成し、酸素アニールを500°Cで行うことにより、酸化物超電導導体を得た。実施例1~3の酸化物超電導導体試料を液体窒素に浸漬して通電試験を行った。その結果を表2に示す。表2に示すように、実施例1~3のいずれの試料においても臨界電流105~136Aの超電導特性が得られた。