円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記シリコンウェーハを回転テーブルで保持し、該回転テーブルで保持した前記シリコンウェーハを回転させながら前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しつつ前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによって前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。前記純水を供給する流量を前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整して前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸化膜の形成方法。円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成装置であって、前記シリコンウェーハを保持するための回転軸周りに回転可能な回転テーブルと、前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給するためのオゾン水供給孔と、前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給するための純水供給孔とを具備し、前記回転テーブルで保持した前記シリコンウェーハを回転させながら前記シリコンウェーハ表面の外周部分に前記オゾン水供給孔からオゾン水を供給しつつ前記シリコンウェーハ表面の中央部分に前記純水供給孔から純水を供給することによって前記シリコン酸化膜を形成するものであることを特徴とするシリコン酸化膜の形成装置。前記純水供給孔から前記純水を供給する流量を前記オゾン水供給孔から前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整して前記シリコン酸化膜を形成するものであることを特徴とする請求項3に記載のシリコン酸化膜の形成装置。円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成し、前記シリコンウェーハ表面を研磨布に摺接させて研磨するシリコンウェーハの研磨方法において、前記シリコン酸化膜の形成は、前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しながら前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによって行い、その後、前記シリコンウェーハ表面を研磨することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。前記シリコン酸化膜の形成において、前記純水を供給する流量を前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整することを特徴とする請求項5に記載のシリコンウェーハの研磨方法。前記シリコンウェーハの研磨において、前記シリコン酸化膜の形成を仕上げ研磨の直前に行うことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のシリコンウェーハの研磨方法。しかし、コート膜として樹脂膜を用いる場合は、研磨時における不純物汚染などのような樹脂膜による悪影響が懸念される。そのため、コート膜としては、不純物汚染の観点から、シリコン酸化膜を用いることが好ましいが、ここで述べられている方法でシリコン酸化膜を形成する場合、CVDChemicalVaporDeposition処理によりウェーハ表面にシリコン酸化膜を形成した後、中央部分のシリコン酸化膜を除去するためにマスキング処理、エッチング処理を行う必要があり、工数が増え生産性が悪化してしまう。本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、より短時間で簡単にシリコンウェーハの外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を形成できるシリコン酸化膜の形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。また、高生産性でSFQRとESFQRとを共に改善できるシリコンウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によれば、円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記シリコンウェーハを回転テーブルで保持し、該回転テーブルで保持した前記シリコンウェーハを回転させながら前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しつつ前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによって前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。このようなシリコン酸化膜の形成方法であれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のための複数の処理を行う必要もなく、より短時間で簡単にシリコン酸化膜を形成でき、工程時間を低減できるとともに、酸化膜を形成するのに熱処理を行わないのでウェーハを汚染することも抑制される。このとき、前記純水を供給する流量を前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整して前記シリコン酸化膜を形成することが好ましい。このようにすれば、ウェーハ表面の中心部分にオゾン水が供給されるのを確実に防ぐことができ、目的のシリコン酸化膜をより確実に形成できる。また、本発明によれば、円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成装置であって、前記シリコンウェーハを保持するための回転軸周りに回転可能な回転テーブルと、前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給するためのオゾン水供給孔と、前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給するための純水供給孔とを具備し、前記回転テーブルで保持した前記シリコンウェーハを回転させながら前記シリコンウェーハ表面の外周部分に前記オゾン水供給孔からオゾン水を供給しつつ前記シリコンウェーハ表面の中央部分に前記純水供給孔から純水を供給することによって前記シリコン酸化膜を形成するものであることを特徴とするシリコン酸化膜の形成装置が提供される。このようなシリコン酸化膜の形成装置であれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のための複数の処理を行う必要もなく、簡単な構成でより短時間でシリコン酸化膜を形成でき、工程時間を低減できるとともに、ウェーハの汚染も生じない装置となる。このとき、前記純水供給孔から前記純水を供給する流量を前記オゾン水供給孔から前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整して前記シリコン酸化膜を形成するものであることが好ましい。このようなものであれば、ウェーハ表面の中心部分にオゾン水が供給されるのを確実に防ぐことができ、目的のシリコン酸化膜をより確実に形成できるものとなる。また、本発明によれば、円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜を前記シリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともに前記シリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成し、前記シリコンウェーハ表面を研磨布に摺接させて研磨するシリコンウェーハの研磨方法において、前記シリコン酸化膜の形成は、前記シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しながら前記シリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによって行い、その後、前記シリコンウェーハ表面を研磨することを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法が提供される。このようなシリコンウェーハの研磨方法であれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のための複数の処理を行う必要もなく、より短時間で簡単にシリコン酸化膜を形成でき、工程時間を低減できる。そのため生産性を向上できる。また、ウェーハの外周部の研磨レートを実質的に遅らせることができ、外周部が過剰に研磨されて外周ダレが生じるのを抑制できるとともに、外周ハネの発生も抑制でき、その結果、高生産性でSFQRとESFQRとを共に改善できる。このとき、前記シリコン酸化膜の形成において、前記純水を供給する流量を前記オゾン水を供給する流量より大きくなるように調整することが好ましい。このようにすれば、シリコン酸化膜の形成の際に、ウェーハの中心部分にオゾン水が供給されるのを確実に防ぐことができ、目的のシリコン酸化膜をより確実に形成できる。その結果、ウェーハの研磨の際により確実にSFQRとESFQRとを共に改善できる。またこのとき、前記シリコンウェーハの研磨において、前記シリコン酸化膜の形成を仕上げ研磨の直前に行うことが好ましい。このようにすれば、SFQRとESFQRとを共に改善された最終鏡面シリコンウェーハを得ることができる。本発明では、シリコン酸化膜の形成装置において、シリコンウェーハを回転させながらシリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水供給孔からオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水供給孔から純水を供給することによってシリコン酸化膜を形成するので、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のための複数の処理を行う必要もなく、より短時間で簡単にシリコン酸化膜を形成でき、生産性を向上できる上に、ウェーハの汚染も抑制できる。また、シリコンウェーハの研磨において、シリコンウェーハに上記のようにしてより短時間でシリコン酸化膜を形成して研磨するので、高生産性でSFQRとESFQRとを共に改善できる。以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。従来、シリコンウェーハの研磨において、ウェーハの中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出し、ウェーハの外周部分のみにシリコン酸化膜を形成してウェーハ中心と外周部の研磨レートを変えるようにして研磨することで、SFQRとESFQRとを共に改善する方法が知られている。しかし、シリコン酸化膜を形成する際に、CVDによりウェーハ表面にシリコン酸化膜を形成した後、ウェーハ中央部分のシリコン酸化膜を除去するためにマスキング処理、エッチング処理を行う必要があり、工数が増え生産性が悪化してしまう。しかも、この方法では熱処理を伴うため、ウェーハを汚染してしまう危険もある。そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、シリコンウェーハを回転させながらシリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水供給孔からオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水供給孔から純水を供給すれば、ウェーハの外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を短時間で簡単に形成でき、生産性を向上できる上にウェーハを汚染することもないことに想到した。また、純水供給孔から純水を供給する流量をオゾン水供給孔からオゾン水を供給する流量より大きくなるように調整すれば、より確実に目的のシリコン酸化膜を形成できることを見出し、本発明を完成させた。まず、本発明のシリコン酸化膜の形成装置について説明する。図1ABに示すように、本発明のシリコン酸化膜の形成装置1は、回転テーブル2、オゾン水供給孔3、純水供給孔4を具備している。この回転テーブル2は保持ピン5を有しており、保持ピン5で円形状のシリコンウェーハWの側面を挟んでシリコンウェーハWを保持できるようになっている。また、回転テーブル2は回転軸周りに回転可能であり、保持したシリコンウェーハWを回転させることができる。また、シリコン酸化膜の形成装置1はシリコンウェーハWにオゾン水を供給するための図示しないオゾン水供給手段を有している。このオゾン水供給手段はオゾン水供給孔3からオゾン水を供給する。図1Bに示すように、オゾン水供給孔3はオゾン水が回転テーブル2に保持されたシリコンウェーハWの下面の外周部分に供給されるように回転テーブル2の外周部に設けられている。ここで、オゾン水供給孔3として、例えば図1Bに示すように複数の円形の孔を設ける構成とすることができるが、特にこれに限定されない。例えば、オゾン水供給孔3の形状は楕円形、矩形などでも良く、ウェーハ外周に沿った切り欠き形状とすることもできる。オゾン水供給孔3の大きさは形成するシリコン酸化膜の幅などに応じて適宜設計できる。また、オゾン水供給手段はオゾン水供給孔3から供給するオゾン水の流量を調整することができる。また、シリコン酸化膜の形成装置1はシリコンウェーハWに純水を供給するための図示しない純水供給手段を有している。この純水供給手段は純水供給孔4から純水を供給する。図1Bに示すように、純水供給孔4は純水がシリコンウェーハWの中央部分に供給されるように回転テーブル2の中央部に設けられている。ここで、純水供給孔4の大きさは形成するシリコン酸化膜の幅などに応じて適宜設計できる。純水供給孔4の形状は特に限定されないが、図1に示すように例えば十字形とすることができ、或いは円形、矩形としても良い。また、純水供給手段は純水供給孔4から供給する純水の流量を調整することができる。このような本発明のシリコン酸化膜の形成装置1を用いてシリコンウェーハにシリコン酸化膜を形成する際には、まず、シリコンウェーハWをシリコン酸化膜を形成する表面が下側になるようにして回転テーブル2の保持ピン5で側面を挟んで保持する。そして、回転テーブル2で保持したシリコンウェーハWを回転させながらシリコンウェーハ表面下面の外周部分にオゾン水供給孔3からオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水供給孔4から純水を供給する。このようにすることで、シリコンウェーハ表面の外周部分はオゾン水と接触するため表面が酸化しシリコン酸化膜が形成される。一方、シリコンウェーハ表面の中央部分はオゾン水との接触は起こらずに表面が酸化されないため表面が露出したままとなる。すなわち、シリコン酸化膜をシリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともにシリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成することができる。このような形成装置を用いれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のためのCVD、マスキング処理、エッチング処理などといった処理を行う必要もなく、簡単な構成でより短時間でシリコン酸化膜を形成でき、工程時間を低減できるものとなる。また、熱処理を行わないためウェーハを不純物汚染させる心配も少ないし、さらにこのような装置は非常に低コストである。このとき、オゾン水供給手段及び純水供給手段によって、純水供給孔から純水を供給する流量をオゾン水供給孔からオゾン水を供給する流量より大きくなるように調整してシリコン酸化膜を形成するものであることが好ましい。このようなものであれば、ウェーハ表面の中心部分にオゾン水が供給されて表面の中心部分が酸化してしまうのを確実に防ぎ、目的のシリコン酸化膜を外周部分のみにより確実に形成できるものとなる。図1に示すシリコン酸化膜の形成装置1では、シリコンウェーハWの表面を下側に向けて保持し、シリコンウェーハWの下方に設けられたオゾン水供給孔3及び純水供給孔4からオゾン水及び純水を供給する構成としているが、これに限定されず、オゾン水供給孔3及び純水供給孔4をシリコンウェーハWの上方に設け、シリコンウェーハWの表面を上側に向けて保持するような構成にしても良い。次に、本発明のシリコン酸化膜の形成方法について説明する。ここでは、図1に示すような本発明のシリコン酸化膜の形成装置を用いた場合について説明するが、これに限定されず、例えば、シリコンウェーハWの表面を上側に向けて保持し、シリコンウェーハWの上方からオゾン水及び純水を供給するようにしても良い。まず、円形状のシリコンウェーハWをシリコン酸化膜を形成する表面が下側になるようにして回転テーブル2で保持する。次に、回転テーブル2で保持したシリコンウェーハWを回転させながらシリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水供給孔3からオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水供給孔4から純水を供給することによってシリコン酸化膜を形成する。このような形成方法であれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のためのCVD、マスキング処理、エッチング処理などといった処理を行ったり高価な装置を用いる必要もなく、簡単により短時間でシリコン酸化膜を形成でき、工程時間及び製造コストを低減できる。このとき、純水を供給する流量をオゾン水を供給する流量より大きくなるように調整してシリコン酸化膜を形成することが好ましい。例えば、直径300mmのシリコンウェーハを用いる場合に、純水を供給する流量を5L/min、オゾン水を供給する流量を0.2L/minとすることができる。このようにすれば、ウェーハ表面の中心部分にオゾン水が供給されて表面の中心部分が酸化してしまうのを確実に防ぎ、目的のシリコン酸化膜を外周部分のみにより確実に形成できる。また、回転テーブル2の回転速度や、オゾン水及び純水を供給する時間などは特に限定されず、酸化が十分に行われ、目的のシリコン酸化膜が形成できるように適宜設定できる。次に、本発明のシリコンウェーハの研磨方法について説明する。一般的に、シリコンウェーハの研磨工程では一次研磨、二次研磨、仕上げ研磨というように複数の段階で研磨し、これら段階毎に使用する研磨布、研磨剤、研磨ヘッドや研磨条件を変更する。各段階の研磨後のシリコンウェーハの表面はベアのシリコンが現れたままとなっているので、研磨ヘッドを変更する際には、シリコンウェーハは一旦水浸けで保管される。本発明のシリコンウェーハの研磨方法では、これら複数段階の研磨のうち全ての又は任意の研磨の開始前にシリコンウェーハ表面の外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を形成してから研磨を行う方法である。特に、最終鏡面シリコンウェーハを得るための仕上げ研磨最終研磨に好適に適用される。このとき、シリコン酸化膜の形成には本発明のシリコン酸化膜の形成装置を用い、シリコンウェーハの研磨に用いる研磨装置の本体は図2に示すような一般的な研磨装置10を用いることができる。まず、円形状のシリコンウェーハは研磨ヘッドの変更の際に水浸けで保管されるが、この際、シリコンウェーハを本発明のシリコン酸化膜の形成装置で保持しながら保管することができる。次に、本発明のシリコン酸化膜の形成装置を用いて、シリコンウェーハにシリコン酸化膜をシリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともにシリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成する。このシリコン酸化膜の形成は、上記本発明のシリコン酸化膜の形成方法と同様に、シリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しながらシリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによって行う。このようにしてシリコン酸化膜を形成すれば、従来行っていたシリコン酸化膜の形成のための複数の処理を行う必要もなく、より短時間で簡単にシリコン酸化膜を形成でき、工程時間及び製造コストを低減できる上に、ウェーハの汚染も発生しにくい。このとき、上記と同様に、シリコン酸化膜の形成において、純水を供給する流量をオゾン水を供給する流量より大きくなるように調整すれば、ウェーハ表面の中心部分にオゾン水が供給されて表面の中心部分が酸化してしまうのを確実に防ぎ、目的のシリコン酸化膜をより確実に形成できる。次に、外周部のみ選択的にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハ表面を研磨装置を用いて研磨する。図2に示すように、研磨装置10はシリコンウェーハWを保持するための研磨ヘッド11、定盤12上に貼り付けられた研磨布13と、研磨布13上に研磨剤15を供給するための研磨剤供給機構14とを有している。このような研磨装置10を用いて、研磨ヘッド11によりシリコンウェーハWを保持し、研磨ヘッド11と定盤12とを回転させ、研磨剤供給機構14から研磨布13上に研磨剤15を供給するとともに、シリコンウェーハWの表面を回転する研磨布13に対して荷重を掛けながら摺接させることによりウェーハ表面を研磨する。このとき、研磨条件は従来と同様とすることができる。このようにしてシリコンウェーハを研磨すれば、シリコン酸化膜をより短時間で形成できるので工程時間を低減して生産性を向上できる。また、ウェーハ外周部の研磨レートを実質的に遅らせることができ、外周部が過剰に研磨されて外周ダレが生じるのを抑制できるとともに、外周部がはね上がる外周ハネの発生も抑制できる。その結果、高生産性でSFQRとESFQRとを共に改善できる。また、上記したように、本発明のシリコンウェーハの研磨方法はシリコンウェーハの仕上げ研磨において好適に適用される。すなわち、シリコン酸化膜の形成を仕上げ研磨の直前に行うことが好ましい。こうすることで、SFQRとESFQRとを共に改善された最終鏡面シリコンウェーハを高生産性で得ることができる。以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例本発明のシリコンウェーハの研磨方法に従って、直径300mm、抵抗率8~12Ωcm、P型のシリコンウェーハの表面を研磨し、研磨後のシリコンウェーハのSFQR及びESFQRを評価した。ここで、シリコンウェーハとして、両面研磨後のシリコンウェーハに2次研磨を行ったものを用いた。2次研磨の研磨条件を以下に示す。研磨ヘッドとしてリテーナリングが設けられたものを用い、研磨布としてウレタンを含浸させた不織布の表面に溝を形成したものを用いた。シリコンウェーハとリテーナリングへの圧力をそれぞれ20kPa、25kPaとし、研磨ヘッドの回転数を35rpm、定盤の回転数を30rpmとした。また、定盤を揺動させるようにし、その揺動幅を8mm、揺動速度を500mm/minとした。研磨剤としてKOHをベースとしたコロイダルシリカを含有したものを用い、その流量を5L/min、温度を23°Cとした。次に、図1に示すような本発明のシリコン酸化膜の形成装置を用い、本発明のシリコン酸化膜の形成方法に従って上記2次研磨後のシリコンウェーハ表面にシリコン酸化膜を形成した。この際、純水を供給する流量を5L/min、オゾン水を供給する流量を0.2L/minとし、それぞれ供給時間を1分間、温度を23°Cとした。その結果、ウェーハ表面の外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を形成でき、後述する比較例2と比べ工程時間を大幅に短縮できた。このように、本発明のシリコン酸化膜の形成方法及び形成装置は、より短時間で簡単にシリコンウェーハの外周部分のみにシリコン酸化膜を形成できることが確認できた。次に、図2に示すような研磨装置を用い、上記のシリコン酸化膜を形成したシリコンウェーハの仕上げ研磨を行った。仕上げ研磨の研磨条件を以下に示す。研磨ヘッドとしてセラミックプレートの表面にウレタン製のバッキングパッドを貼り付けたものを用い、研磨布としてスエードタイプで表面に溝を形成したものを用いた。シリコンウェーハへの圧力を25kPaとし、研磨ヘッドの回転数を25rpm、定盤の回転数を25rpmとした。また、定盤を揺動させるようにし、その揺動幅を8mm、揺動速度を500mm/minとした。研磨剤としてアンモニア水をベースとしたコロイダルシリカを含有したものを用い、その流量を2L/min、温度を25°Cとした。研磨後はRCA洗浄を行った。この仕上げ研磨の際のウェーハ表面の外周部分における研磨時間に対する研磨取代量を測定した結果を図3に示す。ここで、取代量の算出にはWaferSightKLA-Tencor社製により測定した厚みを用いた。図3に示すように、後述する比較例1の結果と比べ、シリコン酸化膜が形成された実施例の方が取代量が抑えられており、研磨初期において研磨レートが低くなっていることが分かった。25枚のシリコンウェーハの研磨前後のSFQRとESFQRをそれぞれ測定し、変化量を評価した。ここで、SFQRとESFQRの測定にはWaferSightKLA-Tencor社製を用いた。SFQRは、外周部除外領域を2mmとし、サイトのサイズを26mm×8mmとして測定した。ESFQRは、外周部除外領域を1mmとし、サイトのサイズを周方向で5°半径方向に35mmとして測定した。その結果を図4に示す。図4に示すように、SFQRはほとんど変化しておらず、ESFQRの変化量は25.3nmと後述する比較例1の結果43.2nmと比べて小さくなっており、ESFQRの悪化が抑制されていることが分かった。図5に半径130mmの位置におけるウェーハ表面を基準とした、シリコンウェーハの半径方向の表面形状を示す。図5に示すように、実施例は比較例1と比べて、半径144mmから148mmにかけての窪み形状、及び148mmから149mmにかけてのはね上がり形状が小さくなっている。実施例は、特にこの外周端部近傍のはね上がりが小さくなってることから、比較例1と比べてESFQRの悪化が抑制されていると考えられる。このように、本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、高生産性でSFQRとESFQRとを共に改善できることが確認できた。比較例1シリコンウェーハの仕上げ研磨前にシリコン酸化膜を形成しなかった以外、実施例と同様な条件でシリコンウェーハを研磨し、実施例と同様に評価した。その結果を図4、図5に示す。図4に示すように、SFQRの変化量はそれほど大きくなかったものの、ESFQRの変化量が実施例と比べ悪化してしまった。また、図5に示すように、実施例と比べて、半径144mmから148mmにかけての窪み形状、及び148mmから149mmにかけてのはね上がり形状が大きくなっていた。比較例は、特にこの外周端部近傍のはね上がりが大きくなってることから、実施例と比べてESFQRが悪化していると考えられる。比較例2シリコンウェーハの仕上げ研磨前にシリコン酸化膜を形成する工程において、CVD、マスキング処理、エッチング処理を行う従来の方法を用いた以外、実施例と同様な条件でシリコンウェーハを研磨し、実施例と同様に評価した。まず、実施例と同様に2次研磨まで行い、2次研磨後のシリコンウェーハにCVDにより成膜処理してウェーハ表面にシリコン酸化膜を形成した。次に、ウェーハ表面の外周部分をマスキングしてエッチング処理し、中央部分のシリコン酸化膜を除去することにより外周部分のみシリコン酸化膜を残存させた。その結果、実施例に比べて外周部分のみのシリコン酸化膜の形成時間が約20倍と大幅に増加してしまった。その後、実施例と同様にシリコンウェーハを研磨し、SFQRとESFQRを評価したところ、SFQRとESFQR共に実施例と同程度になったものの、上記のようにシリコン酸化膜の形成時間が大幅に増加したことによって生産性が大幅に低下してしまった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。