X線を照射するX線源と、撮像対象被検体を透過したX線を検出する検出器と、X線源と検出器の間に配置された撮像対象被検体を回転並進させる機構と、検出器で計測されたX線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるX線CT装置を用いたX線CT画像再構成方法において、前記検出器から得られるX線透過量データに基づいて画像を再構成するプロセスに、前記検出器毎のX線透過量データから、隣接する検出器による漏れ放射線量を除去する処理を含んだことを特徴とするX線CT画像再構成方法。X線を照射するX線源と、撮像対象被検体を透過したX線を検出する検出器と、X線源と検出器の間に配置された撮像対象被検体を回転並進させる機構と、検出器で計測されたX線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるX線CT装置を用いたX線CT画像再構成方法において、前記検出器から得られるX線透過量データに基づいて画像を再構成するプロセスに、前記検出器毎のX線透過量データから、隣接する検出器による漏れ放射線量を除去する処理と、透過シミュレーションによる検出器入射スペクトルを計算する処理と、前記検出器入射スペクトルから隣接検出器への漏れ放射線量を計算する処理とを含んだことを特徴とするX線CT画像再構成方法。X線を照射するX線源と、撮像対象被検体を透過したX線を検出する検出器と、X線源と検出器の間に配置された撮像対象被検体を回転並進させる機構と、検出器で計測されたX線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるX線CT装置において、前記検出器から得られるX線透過量データに基づいて画像を再構成する手段に、前記検出器毎のX線透過量データから、隣接する検出器による漏れ放射線量を除去する処理手段と、透過シミュレーションによる検出器入射スペクトルを計算する処理手段と、前記検出器入射スペクトルから隣接検出器への漏れ放射線量を計算する処理手段とを備えたことを特徴とするX線CT装置。上述した既存の産業用X線CT装置を用いた工業製品の非破壊検査における内部計測では、被検体の構造強度や性能特性に影響を与えるサイズの欠陥を検出する必要がある。鋳造物を対象とした場合は、これらの致命的な鋳造欠陥は既存のCT装置で検出可能であるが、さらに、これらの欠陥の周辺に存在するより小さい欠陥を検出するには、さらなる分解能の向上が必要となる。また、X線CT装置で撮像した画像から対象被検体の寸法を計測したり、元のCADデータとの3次元形状精度を計測するニーズも高まっている。これらの寸法計測においても、元の画像の分解能向上が必要となっている。従来の産業用X線CT装置では、検出器には、シンチレータや化合物半導体等の放射線検出器が用いられてきた。特に、非特許文献1に示されたように、半導体化合物材料を用いた検出器は、高エネルギーX線に対する感度が高く、シンチレータに比較して厚みを薄くすることが可能であり、検出器アレイにおける検出器間隔を狭く設定することが可能である。検出器間隔の狭隘化により画像生成のための投影データのサンプリング間隔が小さくなり、高分解能画像が得られる。一方、非特許文献1に示された半導体検出器では、透過したX線を検出するための半導体部材の他に、検出器間の漏れ電子クロストークを抑制するための遮蔽板が設置されていた。そのため、検出器厚みを薄くした検出器アレイの稠密化に限界があり、X線CT装置としての分解能の向上にも限界があった。画像分解能を向上させるために検出器を稠密化するには、X線受感部を薄くするか、遮蔽板を取り除く必要がある。X線受感部を薄くした場合は、入射X線量が従来より減少するため、SN比が低下し画像分解能が悪化する。一方、遮蔽板を取り除いた場合は、着目検出器に入射したX線のコンプトン散乱、電子対生成により着目検出器に隣接する検出器に漏れ放射線が発生する。これらの漏れ放射線量は、隣接検出器に対しては、本来のX線計測値に対するノイズ信号として作用し、前章で述べた既存の画像再構成手法を用いて画像化した場合、撮像被検体の境界がボケ、画像分解能が低下する。また、この漏れ放射線は、各検出器に入射するX線のエネルギースペクトル分布に影響される。相対的に高エネルギー成分比率が高い場合には、漏れ放射線量が大きくなる。このX線のエネルギースペクトル分布は、撮像対象の被検体の材質サイズで変化する。そのため、各検出器で発生する漏れ放射線量は、対象被検体の材料サイズで変化するため、画像分解能を悪化させるノイズとしての漏れ放射線量を精度よく評価して取り除く必要がある。本発明の目的は、上記のような事情を背景になされたものであり、産業用X線CT画像装置において検出器厚みを従来より薄くし検出器アレイを稠密化した場合に発生する隣接検出器への漏れ放射線量を評価予測し、除去することにより、撮像画像の高い空間分解能が得られるX線CT撮像方法および装置を提供することにある。本発明は、前記検出器から得られるX線透過量データに基づいて画像を再構成するプロセスに、前記検出器毎のX線透過量データから、隣接する検出器による漏れ放射線量を除去する処理を含んだことを特徴とする。本発明によれば、産業用X線CT画像装置において検出器厚みを従来より薄くし検出器アレイを稠密化した場合に発生する隣接検出器への漏れ放射線量を評価予測し、除去することにより、撮像画像の高い空間分解能が得られる。以下、本発明の実施例を、画像再構成処理フローと装置構成図および全体システム構成図を用いて説明する。本発明の一実施例である産業用X線CT装置の画像再構成方法の処理フローを図1に示す。また、図2には再構成するためのX線透過量データを取得するX線CT装置の概要を、図3にはX線CT装置を構成する検出器アレイ構造を示した。図1における撮像投影データは、図2のX線CT装置により得られる。図2に示したように産業用X線CT装置はX線源1と検出器2が対向されて設置され、両者の間にターンテーブル6が置かれターンテーブル6上に撮像対象被検体8が設置される。X線源1から照射されたX線7は撮像対象被検体8を透過して減衰し、対向する位置の検出器2に入射する。検出器2には、化合物半導体検出器やシンチレータが用いられる。これらの検出器2は、水平方向に一定間隔で各検出器素子が並ぶラインアレイセンサまたは水平方向と垂直方向の2次元に一定間隔で各検出器素子が並ぶ平面アレイセンサを用いる。これらの検出器2に入射したX線は、検出器内で入射X線量に相当する電気信号に変換される。得られた各検出器素子の電気信号は、検出器ピクセル積算処理機構5により指定された各検出器素子数の信号を加算処理する。処理された信号は信号処理回路3に伝送され増幅、ビット変換された後、画像再構成装置4に伝送される。被検体全体の画像を再構成するには、ターンテーブル6を回転させ一定角度ピッチ毎に全検出器で検出されたX線減衰量データ撮像投影データと呼ぶを1回転分収集する。一定角度ピッチ毎の投影データは順次、画像再構成装置4に伝送、格納され、1回転分が得られた時点で画像再構成演算を実行し、再構成画像が得られる。得られた再構成画像は、CT画像表示装置11に伝送されディスプレイ上に表示される。図3には、現在のX線CT装置で使用されているアレイ検出器構造を示した。従来の検出器では、X線を検出する半導体部材12がFPC基板13に装着され、これらに遮蔽板14が設けられている。図3aには、複数個の検出器2を示し、図3bには、これらの検出器を水平方向に一定間隔で並べた検出器アレイを示した。図3cには、従来の検出器から遮蔽板14を削除した検出器アレイを示した。遮蔽板14の削除により、検出器間間隔を従来より狭めることが可能である。一方、図4に図3cの検出器アレイの中央の検出器にX線を入射した場合の散乱状況を解析した結果を示した。図4から分かるように隣接する検出器まで散乱したX線が到達している。このように、図3cの検出器アレイを用いた場合、隣接検出器への漏れ放射線クロストークと呼ぶが発生し、ノイズとなる。図4には、図3cの検出器アレイの中央部の検出器にX線が入射した場合にコンプトン散乱や電子対生成で発生する放射線の軌跡の解析結果を示した。解析には、実績があり精度のよい光子モンテカルロシミュレーションを実施している。同図から分かるように中央部の検出器のみだけでなく隣接する検出器にも発生放射線が及んでいることが分かる。これが漏れ放射線量クロストークである。図1に示した本発明の実施例1の画像再構成方法では、図3cの検出器を用いた図2の構成のX線CT装置から得られる各検出器のX線減衰量データ101撮像投影データと呼ぶとクロストーク発生係数初期データ102を用いて、撮像投影データからのクロストーク除去処理103を実施する。クロストーク除去は、基礎試験および詳細試験により、着目検出器に入射するX線総量から、隣接検出器に漏洩するX線量の比率を求め、この量を計測された各検出器の投影データから取り除く処理を実施する。この処理により得られる補正後投影データ104を用いて、画像再構成処理105を実施し、画像データ106を生成する。また、本発明によるX線CT画像再構成方法の第2の実施例を図5に示した。本実施例では、図3cの検出器を用いた図2の構成のX線CT装置から得られる各検出器のX線減衰量データ101撮像投影データと呼ぶとクロストーク発生係数初期データ102を用いて、撮像投影データからのクロストーク除去処理103を実施する。この処理により得られる補正後投影データ104を用いて、画像再構成処理105を実施した後に、X線源エネルギーやX線CT装置の幾何構成サイズなどの撮像条件107と画像再構成処理105により得られた画像データ106を用いて、透過シミュレーションによる各検出器のX線入射スペクトルを計算する。得られた各検出器のX線入射スペクトルから各検出器のクロストーク発生係数を算出する。図6には、本発明の画像再構成方法を用いるときのX線CT装置構成と撮像時の投影パス毎における検出器に入射するX線スペクトル分布の概念図を示した。透過パス17と透過パス18では、ターンテーブル上の被検体を通過する長さが異なる。そのため図6bに示したように透過パス17を計測した検出器のX線スペクトル分布は分布19となり、透過パス18を計測した検出器のX線スペクトル分布は対象被検体を通過する長さが透過パス17より長くなるためX線の低エネルギー成分が減少した分布20となる。そのため、X線スペクトル分布が異なり隣接検出器への漏れ放射線量発生量も異なってくる。本発明の画像再構成方法では、撮像被検体のサイズや材質で発生するX線スペクトル分布の検出器毎の隣接検出器への漏れ放射線量発生量の差異をクロストーク発生係数として評価する。最初の撮像投影データからのクロストーク除去処理103のプロセスで用いていたクロストーク発生係数と透過シミュレーションによる各検出器のX線入射スペクトルから評価したクロストーク発生係数を比較し、設定値ε以上であれば、クロストーク発生係数を修正し、再度、撮像投影データのクロストーク除去処理103から順次、前回と同じプロセス104~110を実施する。これらの処理を、新旧のクロストーク発生係数の差が設定値ε以下になるまで繰り返す。本発明によるX線CT画像再構成方法を実施する装置の実施例を図7に示した。本実施例では、入力手段C17より、それぞれの処理プロセスで必要となる条件を、クロストーク発生初期係数指定手段C11、クロストーク除去条件指定手段C12、画像再構成条件指定手段C13、入射スペクトル計算条件指定手段C14により各処理プロセスに入力する。図1のX線CT装置を用いて得られる撮像投影データC1は撮像投影データ記憶手段C2に格納され、これを用いてクロストーク除去手段C3により補正後投影データが得られる。得られた補正後投影データは補正後投影データ記憶手段C4に格納される。この補正後投影データを画像再構成条件D9の下で画像再構成手段C5により画像を生成する。得られた画像は再構成画像データ記憶手段C6に記憶される。次に、再構成画像から入射スペクトル計算条件D10を用いて、被検体に対する透過シミュレーションを実施する検出器入射スペクトルを評価する。ここで得られた入射X線スペクトルからクロストーク発生係数をクロストーク発生係数評価手段C8により求める。ここでは、あらかじめ各エネルギー毎に計算したクロストーク発生量テーブルを用いる。判定手段C10では、C5からC7のプロセスで得られたクロストーク発生係数D5とそれ以前のクロストーク発生係数を比較し、設定値ε以上であれば、新しいクロストーク発生係数D7を用いてC3のクロストーク除去、C5の画像再構成プロセスを繰り返し実行する。設定値ε以下であれば、再構成画像データD12を表示手段C18で表示する。また、補正後投影データD2、クロストーク発生係数データD14も表示手段C18で表示される。