"各層がIII族窒化物半導体から成り、n型層側クラッド層、発光層、p型層側クラッド層を少なくとも有するIII族窒化物半導体発光素子において、前記n層側クラッド層は、InyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層の周期構造から成る超格子層であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。前記AlxGa1xN0<x<1層の厚さは、電子がトンネル可能であり、正孔を閉じ込める範囲の厚さであることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記AlxGa1xN0<x<1層の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下であることを特徴とする請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記AlxGa1xN0<x<1層のAlの組成比xは、0.05以上、1より小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記p層側クラッド層は、AlzGa1zN0<z<1層を含む超格子層から成り、前記n層側クラッド層の前記AlxGa1xN0<x<1層の組成比xは、前記p層側クラッド層の前記AlzGa1zN0<z<1層の組成比zの1/2以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n層側クラッド層を構成するInyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層のうち少なくとも1つの層には、Siが添加されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記発光層は、前記n層側クラッド層に接した直上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記p層側クラッド層は、InwGa1wN層とAlzGa1zN0<z<1層の周期構造から成る超格子層であることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。前記n層側クラッド層の周期構造は、前記InyGa1yN0<y<1層と前記AlxGa1xN0<x<1層との間に、第2のGaN層を有した4層の周期構造から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。しかしながら、特許文献1のように、発光層には、直接接合していない第2の層を、AIGaNとGaNの超格子、又はAIGaNとInGaNの超格子とした場合には、駆動電圧の低下は、実現しない。また、電子に対してAIGaN層が障壁となるので、電子に対する抵抗の低下、正孔の発光層での閉じ込めの向上についは、図られていない。特許文献2は、発光層の結晶性を向上させるものの、発光層における正孔の閉じ込め、電子に対する抵抗の低下は図られていない。これらのことから、駆動電圧を低下させて、且つ、発光効率を向上させることができなかった。本発明は、この課題を解決するために成されたものであり、その目的は、電子に対する電気抵抗を増大させることなく、正孔を発光層に効率良く閉じ込めることで、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させることである。第1の発明は、各層がIII族窒化物半導体から成り、n層側クラッド層、発光層、p層側クラッド層を少なくとも有するIII族窒化物半導体発光素子において、n層側クラッド層は、InyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層の周期構造から成る超格子層であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。この発明において、超格子層の最初の層と、最終層は、InyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaNのうちの1層であれば良く、必ずしも、最初の層発光層に対して最も遠い位置に存在する層をInyGa1yN0<y<1層とし、最後の層発光層に対して最も近い位置に存在する層を、GaN層とする必要はない。また、周期構造における層の順序は、発光層に向けて、InyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、GaN層の順で、任意の層から開始した周期構造であっても、InyGa1yN0<y<1層、GaN層、AlxGa1xN0<x<1層の順で、任意の層から開始した周期構造であっても良い。また、1単位の周期構造の最初の層発光層に対して最も遠い位置に存在する層は、InyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層のうちの何れか1つとすれば良く、必ずしも、InyGa1yN0<y<1層とする必要はない。また、本発明の半導体発光素子は、通常は、n型クラッド層の下方には、n電極を形成するためのn型コンタクト層、p層側クラッド層の上には、p電極を形成するためのp型コンタクト層が、存在する。また、本発明の半導体発光素子は、これ以外の層が存在してもかまわない。また、発光層は、単一量子構造、多重量子構造であっても良い。第2の発明は、AlxGa1xN0<x<1層の厚さは、電子がトンネル可能であり、正孔を閉じ込める範囲の厚さであることを特徴とする。周期構造を構成するInyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層の周期構造のうちで、AlxGa1xN0<x<1層は、発光層における正孔に対して、障壁として機能し、正孔を発光層に閉じ込める作用をする。しかし、電子がn層側クラッド層の下方にあるn型コンタクト層から発光層に注入されるときに、AlxGa1xN0<x<1層が障壁として作用する。そこで、電子のドブロイ波長は、正孔のドブロイ波長よりも長いので、電子のトンネル長は、正孔のトンネル長よりも長くなる。この結果、AlxGa1xN0<x<1層の厚さを、電子はトンネルでき、正孔はトンネルできない厚さに設定することができる。このようにすれば、n型コンタクト層から電子を発光層に効果的に注入することができ、p型コンタクト層から発光層に注入された正孔に対しては、AlxGa1xN0<x<1層を障壁層として機能させることができ、正孔を発光層に効果的に閉じ込めることができる。この結果、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させることができる。第3の発明は、上記の発明において、AlxGa1xN0<x<1層の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下としたことである。この厚さ範囲の時に、電子をトンネルさせ、正孔をブロックさせることができる。第4の発明は、上記の発明において、AlxGa1xN0<x<1層のAlの組成比xは、0.05以上、1より小さくしたことである。Alの組成比が大きい程、障壁の高さは大きくなり、層の厚さを薄くする必要がある。この組成比の範囲において、厚さを適正に設定することで、電子をトンネルさせ、正孔をブロックさせることができる。第5の発明は、p層側クラッド層は、AlzGa1zN0<z<1層を含む超格子層から成り、n層側クラッド層のAlxGa1xN0<x<1層の組成比xは、p層側クラッド層のAlzGa1zN0<z<1層の組成比zの1/2以上としたことである。この構成を採用する場合に、正孔はp層側クラッド層を通過し、n層側クラッド層のAlxGa1xN0<x<1層の障壁によりブロックされる。また、電子は、n層側クラッド層を通過し、p層側クラッド層によりブロックされる。これにより、駆動電圧を上昇させることなく、発光層における電子と正孔の閉じ込め効率が大きくなり、発光効率が向上する。第6の発明は、上記の全発明において、n層側クラッド層を構成するInyGa1yN0<y<1層、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層のうち少なくとも1つの層には、Siが添加されていることが望ましい。もちろん、n層側クラッド層を構成する全ての層に、Siが添加されていても良い。また、AlxGa1xN0<x<1層、及び、GaN層に、Siが添加されており、InyGa1yN0<y<1層は、不純物無添加としても良い。また、InyGa1yN0<y<1層、及び、GaN層にSiが添加されており、AlxGa1xN0<x<1層を不純物無添加としても良い。また、AlxGa1xN0<x<1層、及び、InyGa1yN0<y<1層に、Siが添加されており、GaN層は、不純物無添加としても良い。第7の発明は、上記の発明において、発光層は、n層側クラッド層に接した直上に形成したことである。これにより、電子の発光層への注入と、正孔の発光層での閉じ込めを効率良く行うことができる。第8の発明は、上記の発明において、p層側クラッド層は、InwGa1wN層とAlzGa1zN0<z<1層の周期構造から成る超格子層としたことである。この構成により、電子を発光層に効果的に閉じ込め、正孔を発光層に効果的に注入することができる。この結果、発光効率が向上する。第9の発明は、上記の発明において、n層側クラッド層の周期構造は、InyGa1yN0<y<1層とAlxGa1xN0<x<1層との間に、第2のGaN層を有した4層の周期構造から成ることを特徴とする。この構造により、隣接する層間の格子定数の差を小さくでき、AlxGa1xN0<x<1層やInyGa1yN0<y<1層の結晶性を改善することができる。また、隣接する層の間に、AlxGa1xyInyN0<x<1,0<y<1,0<xy<1が形成されることが防止される。これにより、発光素子の特性を向上させることができる。上記の発明おいて、III族窒化物半導体とは、一般式Alx1Gay1Inz1Nx1y1z1=1、0≦x1、y1、z1≦1で表される化合物半導体であり、Al、Ga、Inの一部を他の第13族元素であるBやTlで置換したもの、Nの一部を他の第15族元素であるP、As、Sb、Biで置換したものをも含むものとする。通常は、Gaを必須とするGaN、AlGaN、InGaN、AlGaInNを示す。発光層は、単一量構造、多重量子構造を用いることができる。多重量子構造としては、任意組成比のAlGaN/GaNの多重量子構造、任意組成比のInGaN/GaNの多重量子構造、任意組成比のAlGaN/InGaNの多重量子構造、任意組成比のAlGaN/GaN/InGaNの多重量子構造の他、GaN/Al組成比の高いAlGaN/Al組成比の低いAlGaN/InGaNの多重量子構造を用いることができる。本半導体発光素子は、その他、n型コンタクト層、p型コンタクト層等、その他の層を有していても良い。また、基板とn型コンタクト層との間に、静電耐圧改善層ESD層を有していても良い。その他、層構成は任意である。以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。図1は、実施例1の発光素子1の構成を示した図である。発光素子1は、サファイア基板100上にAlNからなるバッファ層120を介して、III族窒化物半導体からなるn型コンタクト層101、ESD層静電耐圧改善層102、n層側クラッド層以下、n型クラッド層という103、発光層104、ノンドープクラッド層105、p層側クラッド層以下、p型クラッド層という106、p型コンタクト層107、が積層され、p型コンタクト層107上にp電極108が形成され、p型コンタクト層107側から一部領域がエッチングされて露出したn型コンタクト層101上にn電極130が形成された構造である。サファイア基板100の表面には、光取り出し効率を向上させるために凹凸加工が施されている。サファイア以外にも、SiC、ZnO、Si、GaNなどを成長基板として用いてもよい。n型コンタクト層101は、Si濃度が1×1018/cm3以上のn-GaNである。n電極130とのコンタクトを良好とするために、n型コンタクト層101をキャリア濃度の異なる複数の層で構成してもよい。ESD層102は、n型コンタクト層101側から第1ESD層110、第2ESD層111、第3ESD層112、第4ESD層113の4層構造である。第1ESD層110は、Si濃度が1×1016~5×1017/cm3のn-GaNである。第1ESD層110の厚さは200~1000nmである。また、第1ESD層110の表面110aには、貫通転位に起因して少数のピットが生じているが、そのピット密度は、1×108/cm2以下である。第2ESD層111は、SiがドープされたGaNであり、Si濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3である。たとえば、第2ESD層111の厚さを30nmとする場合にはSi濃度は3.0×1018~1.2×1019/cm3である。第3ESD層112は、ノンドープのGaNである。第3ESD層112の厚さは50~200nmである。第3ESD層112の表面112aにもピットが生じており、そのピット密度は2×108/cm2以上である。第3ESD層112はノンドープであるが、残留キャリアによりキャリア濃度が1×1016~1×1017/cm3となっている。なお、第3ESD層112には、キャリア濃度が5×1017/cm3以下となる範囲でSiがドープされていてもよい。第4ESD層113は、SiがドープされたGaNであり、Si濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3である。たとえば、第4ESD層113の厚さを30nmとする場合にはSi濃度は3.0×1018~1.2×1019/cm3である。n型クラッド層103は、厚さ4nmのノンドープのIn0077Ga0923N層131、厚さ0.8nmのノンドープのAl02Ga08N層132、厚さ1.6nmのSiドープのn-GaN層133の3層を順に積層させたものを1単位として、この単位構造を15回繰り返し積層させた超格子構造である。ただし、n型クラッド層103は、最初に形成する層、すなわち、第4ESD層113に接する層をIn0077Ga0923N層131とし、最後に形成する層、すなわち、発光層104に接する層をn-GaN層133としている。n型クラッド層103の全体の厚さは、96nmである。ここで、In0077Ga0923N層131の厚さは、1.5nm以上、5.0nm以下とすることができる。Al02Ga08N層132の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。n-GaN層133の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。発光層104活性層ともいうは、厚さ2.4nmのAl005Ga095N層141、厚さ3.2nmのIn02Ga08N層142、厚さ0.6nmのGaN層143、厚さ0.6nmのAl02Ga08N層144の4層を順に積層させたものを1単位として、この単位構造を8回繰り返し積層させたMQW構造である。ただし、最初に形成する層、すなわち、n型クラッド層103に接する層をAl005Ga095N層141、最後に形成する層、すなわち、ノンドープクラッド層105に接する層をAl02Ga08N層144としている。発光層104の全体の厚さは54.4nmである。発光層104の全ての層は、ノンドープである。発光層104とp型クラッド層106との間に、厚さ2.5nmのノンドープのGaN層151と厚さ3nmのノンドープのAl015Ga085N152とから成るノンドープクラッド層105が設けられている。ノンドープクラッド層105は、その上層に添加されているMgが発光層104へ拡散するのを防止するための層である。p型クラッド層106は、厚さ1.7nmのp-In005Ga095N層161、厚さ3.0nmのp-Al03Ga07N層162を順に積層させたものを1単位として、この単位構造を7回繰り返し積層させた構造である。ただし、最初に形成する層、すなわち、ノンドープクラッド層105に接する層をp-In005Ga095N層161とし、最後に形成する層、すなわち、p型コンタクト層107に接する層をp-Al03Ga07N層162としている。p型クラッド層106の全体の厚さは32.9nmである。p型不純物にはMgを用いている。p型コンタクト層107は、Mgをドープしたp-GaNである。p電極とのコンタクトを良好とするために、p型コンタクト層107をキャリア濃度の異なる複数の層で構成してもよい。発光素子1は、ESD層102を上記のような構成としたことで、良好な静電耐圧特性が得られ、かつ、発光効率、信頼性が向上し、電流リークが減少している。以下、ESD層102を上記のように構成した理由について説明する。まず、ESD層102では、ピットの形成されない第1ESD層110を形成し、その第1ESD層110上に第2ESD層111を形成し、その第2ESD層111上に、密度2×108/cm2以上のピットを有した第3ESD層112を形成し、そのピットが形成された第3ESD層112上に第4ESD層113を形成した構成としている。このような構成により良好な静電耐圧特性が得られ。しかし、ピット径は第3ESD層112の厚さに依存していて、第3ESD層112の厚さとピット径とを独立に制御することができないので、第3ESD層112を厚くしてより良好な静電耐圧特性を得ようとすると、ピット径が拡大してしまい、発光面積が狭くなって発光効率が低下してしまい、また電流リークの増大や信頼性が低下してしまう。すなわち、静電耐圧特性と電流リーク、信頼性、および発光効率がトレードオフの関係にあった。そこで、ピット密度が1×108/cm2以下の良質な結晶の第1ESD層110を導入し、第1ESD層110上に第2ESD層111と第3ESD層112を形成する構成とし、第1ESD層110の厚さと第3ESD層112の厚さを制御することで、第1ESD層110と第3ESD層112の合計の厚さとピット径とを独立に制御することができるようにした。そして、第3ESD層112の厚さを50~200nmとして、静電耐圧特性、発光効率が低下せず、電流リークが増大しないピット径となるようにし、第3ESD層112を薄くした分の厚さを補うために、第1ESD層110の厚さを200~1000nmとすることで、良好な静電耐圧特性が得られるようにした。また、第1ESD層110にはSiをドープしてSi濃度1×1016~5×1017/cm3とし、第1ESD層110の導電性を第3ESD層112の導電性に合わせ、順方向電圧の上昇を防止した。なお、さらに静電耐圧特性、発光効率、および信頼性を向上させ、電流リークを減少させるためには、ESD層102の構成を以下のようにすることが望ましい。第1ESD層110の厚さは300~700nm、Si濃度は5×1016~5×1017/cm3、ピット密度は1×107/cm2以下とすることが望ましい。また、第2ESD層112の特性値は、1.5×1020~3.6×1020nm/cm3、厚さは25~50nmであることが望ましい。また、第3ESD層112の厚さは50~200nm、ピット密度は2×108~1×1010/cm2とすることが望ましい。また、第4ESD層113の特性値は、1.5×1020~3.6×1020nm/cm3、厚さは25~50nmであることが望ましい。次に、発光素子1の製造方法について図2を参照に説明する。ただし、図2では、図1で示された超格子の周期構造の表示は省略されている。用いた結晶成長方法は有機金属化合物気相成長法MOCVD法である。ここで用いられたガスは、キャリアガスは水素と窒素H2又はN2を用い、窒素源には、アンモニアガスNH3、Ga源には、トリメチルガリウムGa3:以下TMGと書く。、In源には、トリメチルインジウムIn3:以下TMIと書く。、Al源には、トリメチルアルミニウムAl3:以下TMAと書く。、n型ドーパントガスには、シランSiH4、p型ドーパントガスには、シクロペンタジエニルマグネシウムMgC5H52:以下CP2Mgと書く。を用いた。まず、サファイア基板100を水素雰囲気中で加熱してクリーニングを行い、サファイア基板100表面の付着物を除去した。その後、MOCVD法によって、基板温度を400°Cにして、サファイア基板100上にAlNからなるバッファ層120を形成した。次に、水素ガスキャリアガスとアンモニアガスを流しながら基板温度を1100°Cまで上昇させ、基板温度が1100°Cになったら直ちに、原料ガスにTMG、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用いて、Si濃度が4.5×1018cm3のGaNよりなるn形コンタクト層101を、バッファ層120上に形成した図2a。次に、以下のようにしてESD層102を形成した。まず、n型コンタクト層101上に、MOCVD法によって厚さ200~1000nm、Si濃度1×1016~5×1017/cm3のn-GaNである第1ESD層110を形成した。成長温度は900°C以上とし、ピット密度が1×108/cm2以下の良質な結晶が得られるようにした。成長温度は1000°C以上とすると、さらに良質な結晶となり望ましい。次に、第1ESD層110上に、MOCVD法によってSi濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3のn-GaNである第2ESD層111を形成した。成長温度は800~950°Cとした。次に、第2ESD層111の上に、MOCVD法によって厚さ50~200nmのノンドープGaNである第3ESD層112を形成した。成長温度は800~950°Cとし、キャリア濃度5×1017/cm3以下、ピット密度2×108/cm2以上の結晶が得られるようにした。成長温度は800~900°Cとするとよりピット密度が増加し好ましい。次に、第3ESD層112上に、MOCVD法によってSi濃度/cm3と膜厚nmの積で定義される特性値が0.9×1020~3.6×1020nm/cm3のn-GaNである第4ESD層113を形成した。成長温度は800~950°Cとした。以上の工程により、n型コンタクト層101上にESD層102を形成した図2b。次に、ESD層102上に、MOCVD法によってn型クラッド層103を形成した。n型クラッド層103の各層である厚さ4nmのノンドープのIn0077Ga0923N層131、厚さ0.8nmのノンドープのAl02Ga08N層132、厚さ1.6nmのSiドープのn-GaN層133から成る周期構造を15周期、繰り返して形成した。In0077Ga0923N層131の形成は、基板温度を830°Cにして、シランガス、TMG、TMI、アンモニアを供給して行った。Al02Ga08N層132の形成は、基板温度を830°Cとし、TMA、TMG、アンモニアを供給して行った。n-GaN層133の形成は、基板温度を830°Cにして、TMG、アンモニアを供給して行った。次に、n型クラッド層103の上に、発光層104を形成した。発光層104の各層であるAl005Ga095N層141、In02Ga08N層142、GaN層143、Al02Ga08N層144の4層の周期構造を8回繰り返して形成した。Al005Ga095N層141の成長温度は800~950°Cの範囲の任意の温度とし、In02Ga08N層142、GaN層143及びAl02Ga08N層144の成長温度は、770°Cとした。勿論、各層の成長において、各層を成長させる基板温度は、一定の770°Cにしても良い。それぞれの原料ガスを供給して、発光層104を形成した。次に、発光層104の上に、基板温度を855°Cにして、TMG、アンモニアを供給して、ノンドープのGaN層151を厚さ2.5nmに成長させ、次に、基板温度を855°Cに保持し、TMA、TMG、アンモニアを供給して、ノンドープのAl015Ga085N152を厚さ3nmに成長させた。これにより、ノンドープクラッド層105を形成した。次に、ノンドープクラッド層105の上に、p型クラッド層106を形成した。基板温度を855°Cにして、CP2Mg、TMI、TMG、アンモニアを供給して、p-In005Ga095N層161を厚さ1.7nmに、基板温度を855°Cにして、CP2Mg、TMA、TMG、アンモニアを供給して、p-Al03Ga07N層162を、厚さ3.0nmに形成することを、7回繰り返して積層させた。次に、基板温度を1000°Cにして、TMG、アンモニア、CP2Mgを用いて、Mgを1×1020cm3ドープしたp形GaNよりなる厚さ50nmのp形コンタクト層107を形成した。このようにして、図2cに示す素子構造が形成された。p形コンタクト層107のMg濃度は、1×1019~1×1021cm3の範囲で使用可能である。また、p形コンタクト層107の厚さは、10nm~100nmの範囲としても良い。次に、熱処理によってMgを活性化した後、p型コンタクト層107の表面側からドライエッチングを行ってn型コンタクト層101に達する溝を形成した。そして、p型コンタクト層107の表面にRh/Ti/Aup型コンタクト層107の側からこの順に積層した構造からなるp電極108、ドライエッチングによって溝底面に露出したn型コンタクト層101上にV/Al/Ti/Ni/Ti/Aun型コンタクト層101側からこの順に積層させた構造からなるn電極130を形成した。以上によって図1に示す発光素子1が製造された。図3は、発光素子1のバンド構造を示している。伝導帯において、n型コンタクト層101から発光層104に注入される電子に関して、n型クラッド層103のノンドープのAl02Ga08N層132による電位障壁が最も高い。ところが、Al02Ga08N層132は、厚さが0.8nmと薄いので、この層をトンネルして、発光層104に至ることができる。また、発光層104とp型クラッド層106の間には、p型不純物の添加による電位障壁があるので、p型クラッド層106のp-Al03Ga07N層162により、ブロックされる。したがって、電子は、発光層104に効果的に閉じ込められる。一方、価電子帯において、p型コンタクト層107からp型クラッド層106及びノンドープクラッド層105を介して発光層104に注入された正孔は、n型クラッド層103のノンドープのAl02Ga08N層132をトンネルすることができない。Al02Ga08N層132の厚さは、0.8nmであるが、正孔には、トンネルできない厚さであるので、この層132でブロックされる。したがって、正孔は、発光層104において、効果的に閉じ込められる。この結果、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させることができる。上記実施例において、n型クラッド層103は、n型コンタクト層101の側から、ノンドープのIn0077Ga0923N層131、ノンドープのAl02Ga08N層132、Siドープのn-GaN層133の周期構造としたが、In0077Ga0923N層、GaN層、Al02Ga08N層としても良く、Al02Ga08N層、GaN層、In0077Ga0923N層としても良く、Al02Ga08N層、In0077Ga0923N層、GaN層としても良い。また、In0077Ga0923N層131、又は、Al02Ga08N層132にも、Siをドープして、n型層としても良い。また、GaN層133をノンドープとしても良い。n型クラッド層103は、15周期としたが、この周期数は、任意である。例えば、一例であるが、3以上、30周期以下の範囲とすることができる。また、Al02Ga08N層132の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。GaN層133の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。In0077Ga0923N層131の厚さは、1.5nm以上、5.0nm以下とすることができる。AlxGa1xN層132の組成比xは、の0.05以上、1より小さくすることができる。望ましくは、0.1以上、0.8以下である。さらに、望ましくは、0.2以上、0.6以下である。AlxGa1xN層132をAlNとした場合には、厚さは、0.3nm程度でも、電子をトンネルさせ、正孔をトンネルさせないようにすることができる。また、AlxGa1xN層132をAl005Ga095Nとした場合には、その層132の厚さは2.5nm程度は必要である。したがって、AlxGa1xN層132の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。p型クラッド層106の周期構造の一つの層には、p-Al03Ga07N層162を用いているので、n型クラッド層103のAlxGa1xN層132のAlの組成比xは、0.15以上とするのが望ましい。一般的には、p型クラッド層106の周期構造の一つの層であるAlzGa1zN層162に対して、n型クラッド層103のAlxGa1xN層132のAlの組成比xは、z/2以上とするのが望ましい。本実施例は、図4、5に示すように、上記実施例1におけるn型クラッド層103において、ノンドープのIn0077Ga0923N層131と、ノンドープのAl02Ga08N層132との間に、厚さ1nmのノンドープのGaN層134を挿入している。他の構成は、実施例1と同一である。In0077Ga0923N層131の直ぐ上に、Al02Ga08N層132を成長させると、2つの層の格子定数の差が大きくなり、In0077Ga0923N層131とAl02Ga08N層132との界面に結晶欠陥が発生する可能性がある。また、In0077Ga0923N層131を成長させた時の原料ガスが、配管や結晶成長装置に残留しているため、両層の界面においてAlxGa1xyInyN0<x<1,0<y<1,0<xy<1が形成される可能性がある。この層は、特性を劣化させる可能性があり、急峻なバンド構造が得られない可能性がある。これらのことを防止するために、In0077Ga0923N層131の上に、一旦、ノンドープのGaN層134を形成し、そのGaN層134の上に、Al02Ga08N層132を形成することで、結晶性の改善と、適性なバンド構造を得ることができる。この場合にはGaN層134の成長初期にInが混在していてもIn0077Ga0923N層131と組成とバンド構造が連続し、また、GaN層134の成長周期にAlが混在しても、Al02Ga08N層132と組成とバンド構造が連続することになる。また、Alを含むガスの供給を開始する時には、層のAl組成比は急峻となる。これにより、結晶性の改善や、予期しない特性の4元系のAlxGa1xyInyNの形成を排除することでき、素子特性を向上させることができる。ノンドープのGaN層134の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。また、GaN層134にはSiをドープしても良い。また、実施例1における、ノンドープのIn0077Ga0923N層131、ノンドープのAl02Ga08N層132、Siドープのn-GaN層133の積層順を変化させた場合においても、InGaN層とAlGaN層との間にGaN層を介在させることができる。また、p型クラッド層106においても、同様な問題が発生する。したがって、実施例1のp型クラッド層106において、p-In005Ga095N層161とp-Al03Ga07N層162との間に、厚さ1nmのMgドープのp-GaN層163を設けても良い。この場合も、p-GaN層163の厚さは、0.3nm以上、2.5nm以下とすることができる。GaN層163は、ノンドープとしても良い。また、p-Al03Ga07N層162からp-In005Ga095N層161へ変化する界面にも、Mgドープのp-GaN層が形成されても良い。この場合には、AlGaN層162の両側にMgドープのp-GaN層が形成されることになる。また、この層は、GaN層は、ノンドープGaN層であっても良い。n型クラッド層103の上には、発光層104が形成されるので、特に、n型クラッド層103の結晶性を良くしておく必要がある。これに対して、p型クラッド層106の上には、発光層104は、存在しないために、p型クラッド層106は、n型クラッド層103に比べて、結晶性の改善が要求されない。したがって、InGaN層とAlGaN層との間に介在させるGaN層134、163は、n型クラッド層103に設けることの方が、効果が高く、重要である。"