Coを主成分とする金属と非金属無機材料粒子からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、飽和磁化の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。飽和磁化の異なる複数の金属相のうち最も飽和磁化の高い金属相が分散質として、それ以外の金属相が分散媒としての形態を有することを特徴とする請求項1の強磁性材スパッタリングターゲット。前記最も飽和磁化の高い金属相の大きさが30μm以上250μm以下であり、平均アスペクト比が1:2~1:10であることを特徴とする請求項2に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。前記非金属無機材料粒子が、Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb、Bから選択した1成分以上の酸化物、窒化物、珪化物若しくは炭化物、又は炭素であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値が、0.4以上であることを特徴とする寸法と形状を備えている請求項1~4のいずれか一項に記載のターゲット。一般に、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性体であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が小さくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。この問題を解決するには、スパッタリングターゲットの製造工程で30~150μm程度の金属粗粒を投入し、ターゲットの組織を意図的に不均一にすることが知られている。しかし、この場合、金属粗粒の割合が多くなると、母相材中に占める非金属無機材料粒子の割合が大きくなり、非金属無機材料粒子が凝集しやすくなる。非金属無機材料粒子の凝集部分ではスパッタ時に異常放電が生じパーティクル基板上に付着したゴミが発生するという問題がある。また、金属相と母相とのエロージョンスピードに差があるため、その境界に異常放電が生じてパーティクル発生の原因となることがある。このように、従来では、マグネトロンスパッタリングの場合であっても、スパッタリングターゲットの比透磁率を小さくして、漏洩磁束を大きくすることより、安定的な放電を得ることができたが、スパッタ時にパーティクルが増加する傾向にあった。本発明は上記問題を鑑みて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られるとともに、スパッタ時のパーティクル発生が少ない、漏洩磁束を向上させた強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きく、かつ、パーティクル発生の少ないターゲットが得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1Coを主成分とする金属と非金属無機材料粒子からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、飽和磁化の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、2前記飽和磁化の異なる複数の金属相のうち最も飽和磁化の高い金属相が分散質として、それ以外の金属相が分散媒としての形態を有することを特徴とする請求項1の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、3前記最も飽和磁化の高い金属相の大きさが30μm以上250μm以下であり、平均アスペクト比が1:2~1:10であることを特徴とする請求項2に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、4前記非金属無機材料粒子が、Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb、Bから選択した1成分以上の酸化物、窒化物、珪化物若しくは炭化物、又は炭素であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、5スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値が、0.4以上であることを特徴とする寸法と形状を備えている請求項1~4のいずれか一項に記載のターゲットを提供する。なお、上記飽和磁化の異なる複数の金属相には、合金層も当然含まれる。スパッタリングターゲットの漏洩磁束を大きくすることより、安定的な放電を得ることが可能であり、またマグネトロンスパッタ装置において、安定した放電が得られるとともに、スパッタ時のパーティクル発生が少ない強磁性材スパッタリングターゲットを得ることができるという、優れた効果を有する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、Coを主成分とする金属と非金属無機材料粒子からなる焼結体スパッタリングターゲットである。飽和磁化の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子を分散させることにより、高い漏洩磁束を維持できると共に、パーティクルの発生を低減できる強磁性材スパッタリングターゲットを得ることができる。前記飽和磁化の異なる複数の金属相には、合金層も当然含まれる。好ましい本発明の強磁性材スパッタリングターゲットとしては、Crが5mol以上20mol以下、残余がCoである組成の金属と、非金属無機材料粒子からなる焼結体スパッタリングターゲットが推奨される。金属成分を、Crが5mol以上20mol以下、残余をCoである組成の金属とするのは、Crが5mol未満又は20molを超えると、非金属無機材料粒子分散型強磁性材としての特性が低下するからである。また他の好ましい本発明のスパッタリングターゲットとしては、Crが5mol以上20mol以下、Ptが5mol以上30mol以下、残余がCoである組成の金属と、非金属無機材料粒子からなる焼結体スパッタリングターゲットが推奨される。金属成分を、Crが5mol以上20mol以下、Ptが5mol以上30mol以下、残余がCoである組成とするのは、Crが5mol未満又は20molを超え、またPtが5mol未満30molを超える場合には、非金属無機材料粒子分散型強磁性材としての特性が低下するからである。また本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、前記飽和磁化の異なる複数の金属相のうち最も飽和磁化の高い金属相を分散質として、それ以外の金属相を分散媒とすることができる。このような構造にすることで、さらに高い漏洩磁束を実現することができる。また本発明は、分散質となる最も飽和磁化の高い金属相の大きさを30μm以上250μm以下とし、平均アスペクト比が1:2~1:10とすることができる。この構造は、特に漏洩磁界が大きくなり、かつパーティクルが発生しにくいという特徴を有する。従って、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電を可能とし、パーティクルの発生の低減に特に有益である。前記非金属無機材料粒子としては、Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb、Bから選択した1成分以上の酸化物、窒化物、珪化物若しくは炭化物、又は炭素を用いることができる。上記非金属無機材料粒子の添加量は合計量としてターゲット中に占める体積比で50未満とすることが望ましい。本発明のターゲット組織は、非金属無機材料粒子はその外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値が、0.41/μm以上である寸法と形状を備えていることを特徴とする。一般的に非金属無機材料粒子は金属に比べ電気抵抗が高いため、スパッタリング中に電荷が蓄積されやすく、アーキングの発生原因になる。非金属無機材料粒子の外周長をその面積で割った値が、0.41/μm以上の寸法と形状を非金属無機材料粒子が備える場合、電荷が蓄積されにくく、アーキングの発生の低減さらにはパーティクルの発生の低減に特に有益である。非金属無機材料粒子の外周長と面積は、ターゲットの任意の切断面を研磨し、その研磨面を光学顕微鏡や電子顕微鏡で観察したときの画像を解析して求められる。このときの観察視野は10000μm2以上とすることで、観察場所によるバラつきを少なくすることができる。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは粉末焼結法によって作製される。まず非金属無機材料粒子が金属素地中に分散した複合粒子粉末を複数組成作製する。このとき各々の複合粒子粉末の飽和磁化が異なるようにする。そしてこれらを所望のターゲット組成になるように秤量混合し、焼結用の粉末とする。これをホットプレス等で焼結し、本発明のスパッタリングターゲット用焼結体は作製される。出発原料としては金属粉末と非金属無機材料粉末を用いる。金属粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、単元素の金属粉末だけでなく、合金粉末を用いることもできる。その場合も最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。一方、粒径が小さ過ぎると、金属粉末の酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.5μm以上とすることがさらに望ましい。また、非金属無機材料粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。なお、粒径が小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。以下の手順で、組成の異なる数種類の複合粒子粉末を準備し、これらを混合する。まず、上記の金属粉末と非金属無機材料粉末を秤量する。このとき秤量組成の異なる組を複数用意する。次にそれぞれの組について、秤量した金属粉末と非金属無機材料粉末をボールミル等の既知の方法で粉砕混合する。さらにこれらの混合粉末を仮焼し、金属素地中に非金属無機材料粒子が分散した焼成体を得る。仮焼は、焼成炉を用いてもよいし、ホットプレスで加圧焼成してもよい。次にこの焼成体を粉砕機で粉砕し、非金属無機材料粒子が金属素地中に分散した複合粒子粉末を得る。粉砕する際、複合粒子粉末の平均粒径は20μm以上になるようにすることが望ましい。こうして作製された複数組成の複合粒子粉末から所望のターゲット組成になるように秤量し、これらをミキサーで混合する。このとき複合粒子粉末が粉砕されないように、粉砕力の高いボールミルは使用しない。複合粒子を微細粉砕しないことで、焼結の際に複合粒子粉末間の拡散を抑えることができ、飽和磁化の異なる複数の金属相を有する焼結体を得ることができる。また、上記以外に、複合粒子粉末と混合粉末金属粉末と非金属無機材料粒子粉末の混合粉末を混ぜて、ターゲットとすることもできる。こうして得られた焼結用粉末をホットプレスで成型焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域で最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、900~1300°Cの温度範囲にある。以上の工程により、強磁性材スパッタリングターゲット用焼結体を製造することができる。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1実施例1では金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末を用意した。これらの粉末を以下の組成比で秤量した。組成1-1:92Co-8SiO2mol組成1-2:68Co-24Cr-8SiO2mol次に組成1-1と組成1-2について、各々、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。組成1-1と組成1-2について、各々の混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。各々の焼結体をジョークラッシャーと石臼型粉砕機を用いて粉砕した。さらに各々の粉砕粉を目開きが20μmと53μmの篩を用いて篩別し、粒径が20~53μmの範囲にある組成1-1と組成1-2の各々の複合粒子粉末を得た。次に組成1-1と組成1-2について、各々の複合粒子粉末を、ターゲット全体の組成が80Co-12Cr-8SiO2molとなるように秤量し、ボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合し焼結用粉末を得た。このようにして得た焼結用粉末をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。漏洩磁束の測定はASTMF2086-01StandardTestMethodforPassThroughFluxofCircularMagneticSputteringTargetsMethod2に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、0度、30度、60度、90度、120度と回転させて測定した漏洩磁束密度を、ASTMで定義されているreferencefieldの値で割り返し、100を掛けてパーセントで表した。そしてこれら5点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度とした。実施例1のターゲットの平均漏洩磁束密度は52であった。またこのターゲットの組織を観察したところ、組成の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散していることを確認した。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は6個であった。実施例2実施例2では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末を用意した。これらの粉末を以下の組成比になるようにそれぞれ秤量した。組成2-1:92Co-8SiO2mol組成2-2:68Co-24Cr-8SiO2mol次に組成2-1について、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。この焼結体をジョークラッシャーと石臼型粉砕機を用いて粉砕した。さらにこの粉砕粉を目開きが75μmと150μmの篩を用いて篩別し、粒径が75~150μmの範囲にある複合粒子粉末を得た。次に組成2-2について、秤量したCo粉末とCr粉末とSiO2粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この組成2-2については、焼成による複合粒子化はおこなわなかった。得られた組成2-1の複合粒子粉末と組成2-2の混合粉末を、ターゲット全体の組成が80Co-12Cr-8SiO2molとなるように秤量し、ボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合し焼結用粉末を得た。このようにして得た焼結用粉末をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は54であった。また、このターゲットの組織を観察したところ、組成の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散していることを確認した。そして最も飽和磁化が高いと考えられるCo含有量の最も高い金属相が、分散質としてマトリックス中に存在することを確認した。また最も飽和磁化の高いと考えられる金属相の大きさは75μm以上150μm以下であり、平均アスペクト比がおよそ1:4であることを確認した。なお、スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値は、0.4以上であった。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は6個であった。比較例1比較例1では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、粒径が75~150μmの範囲にあるCo球形粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が80Co-12Cr-8SiO2molとなるように秤量した。このときのCo粉末とCo球形粉末の調合比率は3:7とした。次に、Co粉末とCr粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo球形粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は53であった。また、このターゲット組織はCo球形粉末に対応する、非金属無機材料粒子が分散していない金属相が散見された。この組織は本発明の範囲外である。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は17個であった。比較例2比較例2では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が80Co-12Cr-8SiO2molとなるように秤量した。そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工し直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は46であった。また、このターゲットの組織は、均一な合金相に非金属無機材料粒子が分散した組織であった。なお、スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値は、0.4未満であった。次にこのターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は5個であった。これら実施例と比較例の結果を比較すると、比較例1では平均漏洩磁束密度は実施例1、2とほぼ同等であるものの、スパッタ時のパーティクル数が増加している。また、比較例2はパーティクル数に関しては実施例1、2とほぼ同等であるものの、平均漏洩磁束密度が小さく、ターゲットライフを長くするためにターゲットの厚みを増したときに、スパッタリングが安定しないといった問題が生じることが予測される。実施例3実施例3では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径2μmのPt粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末を用意した。これらの粉末を以下の組成比で秤量した。組成3-1:45.71Co-45.71Pt-8.58Cr2O3mol組成3-2:45.45Co-45.45Cr-9.10SiO2mol組成3-3:93.02Co-6.98SiO2mol次に組成3-1、組成3-2、組成3-3について、各々、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。組成3-1、組成3-2、組成3-3について、各々の混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。各々の焼結体をジョークラッシャーと石臼型粉砕機を用いて粉砕した。さらに各々の粉砕粉を目開きが20μmと53μmの篩を用いて篩別し、粒径が20~53μmの範囲にある各々の複合粒子粉末を得た。次に組成3-1、組成3-2、組成3-3について、各々の複合粒子粉末を、ターゲット全体の組成が66Co-10Cr-16Pt-5SiO2-3Cr2O3molとなるように秤量し、ボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合し焼結用粉末を得た。このようにして得た焼結用粉末をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は48であった。またこのターゲットの組織を観察したところ、組成の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散していることを確認した。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は5個であった。実施例4実施例4では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径2μmのPt粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末を用意した。これらの粉末を以下の組成比で秤量した。組成4-1:92.31Co-7.69SiO2mol組成4-2:49.18Co-16.39Cr-26.23Pt-3.28SiO2-4.92Cr2O3mol次に組成4-1について、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度800°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得た。この焼結体をジョークラッシャーと石臼型粉砕機を用いて粉砕した。さらにこの粉砕粉を目開きが75μmと150μmの篩を用いて篩別し、粒径が75~150μmの範囲にある複合粒子粉末を得た。次に組成4-2について、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この組成4-2については、焼成による複合粒子化はおこなわなかった。得られた組成4-1の複合粒子粉末と組成4-2の混合粉末を、ターゲット全体の組成が66Co-10Cr-16Pt-5SiO2-3Cr2O3molとなるように秤量し、ボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合し焼結用粉末を得た。このようにして得た焼結用粉末をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は50であった。また、このターゲットの組織を観察したところ、組成の異なる複数の金属相が存在し、それぞれの金属相中に非金属無機材料粒子が分散していることを確認した。そして、最も飽和磁化が高いと考えられるCo含有量の最も高い金属相が、分散質としてマトリックス中に存在することを確認した。また、最も飽和磁化の高いと考えられる金属相の大きさは75μm以上150μm以下であり、平均アスペクト比がおよそ1:4であることを確認した。なお、スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値は、0.4以上であった。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は3個であった。比較例3比較例3では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径3μmのPt粉末、粒径が75~150μmの範囲にあるCo球形粉末を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が66Co-10Cr-16Pt-5SiO2-3Cr2O3molとなるように秤量した。このときのCo粉末とCo球形粉末の調合比率は1:2とした。次に、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Cr2O3粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo球形粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は48であった。また、このターゲット組織はCo球形粉末に対応する、非金属無機材料粒子が分散していない金属相が散見された。この組織は本発明の範囲外である。次に、このターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は18個であった。比較例4比較例4では、金属原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉を、非金属無機材料粒子粉末として平均粒径1μmのSiO2粉、平均粒径3μmのPt粉末を用意した。これらの粉末をターゲット組成が66Co-10Cr-16Pt-5SiO2-3Cr2O3molとなるように秤量した。そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工し直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットの平均漏洩磁束密度は41であった。また、このターゲットの組織は、均一な合金相に非金属無機材料粒子が分散した組織であった。なお、スパッタリングターゲットの切断面において、非金属無機材料粒子の外周長を該非金属無機材料粒子の面積で割った値は、0.4未満であった。次にこのターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置に取り付けスパッタリングを行った。スパッタ条件は、スパッタパワー1kW、Arガス圧1.5Paとし、2kWhrのプレスパッタを実施した後、4インチ径のシリコン基板上へ目標膜厚1000nmでスパッタした。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのシリコン基板上のパーティクル数は3個であった。これら実施例と比較例の結果を比較すると、比較例3では平均漏洩磁束密度は実施例3、4とほぼ同等であるものの、スパッタ時のパーティクル数が大幅に増加している。また、比較例4はパーティクル数に関しては実施例3、4とほぼ同等であるものの、平均漏洩磁束密度が小さく、ターゲットライフを長くするためにターゲットの厚みを増したときに、スパッタリングが安定しないといった問題が生じることが予測される。本願発明品は、2相以上の組織を有し1相に無機物が分散するスパッタリングターゲットと比べたとき、PTF漏洩磁界は同程度同一組成であれば若干高いであるが、パーティクルが非常に少ない。又、2相以上の組織を有しないスパッタリングターゲットと比べたとき、当然、高いPTF漏洩磁界を有し、パーティクルは同程度である。すなわち、本発明は、パーティクル低減と高い漏洩磁界を実現したところに、本願発明品の優位性がある。