"一面と他面とを有する絶縁性の板体を備え、該板体の少なくとも一面に導電性のパターンを形成した基板と、前記基板の一面から他面まで貫通する貫通穴と、前記貫通穴の一部分に埋め込まれた伝熱部材と、前記伝熱部材の上に接合部材を介して実装されたパワー半導体と、前記パワー半導体とパターンを電気接続し、パワー半導体との接続部分がパターンの表面よりも貫通穴の内方に配置された配線部材と、前記貫通穴内において、伝熱部材の上からパワー半導体と配線部材の接合部分までを覆う第1の封止部材と、前記第1の封止部材の上から配線部材を覆い、基板および第1の封止部材よりもヤング率の小さい第2の封止部材と、を備えたパワーモジュール。前記伝熱部材が導体を含む請求項1のパワーモジュール。前記基板の他面に取り付けられた放熱器を備える請求項1または2のパワーモジュール。前記第1の封止部材がエポキシ系樹脂を含み、第2の封止部材がシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂を含む請求項1から3のいずれかのパワーモジュール。前記配線部材が、導電性のワイヤ、導電性のテープ、または導電性の板よりなる請求項1から4のいずれかのパワーモジュール。本発明は、安価で高い放熱性能を実現し、基板の反りを防止して接合の信頼性の高いパワーモジュールを提供することを目的とする。本発明のパワーモジュールは、絶縁性の基板に貫通穴が設けられており、貫通穴の一部分に伝熱部材が埋め込まれている。伝熱部材の上には接合部材によってパワー半導体が接合されている。パワー半導体と基板表面の導電性のパターンとが配線部材によって電気接続されている。配線部材のパワー半導体との接続部分は、パターンよりも貫通穴の内方に配置される。第1の封止部材が、貫通穴内において、伝熱部材の上からパワー半導体と配線部材の接合部分までを覆う。第2封止部材が、第1の封止部材の上から配線部材を覆う。第2封止部材は、基板および第1の封止部材よりもヤング率の小さい前記伝熱部材が導体を含む。前記基板の他面に取り付けられた放熱器を備える。伝熱部材がパワー半導体の熱を拡散し、放熱器に熱を伝導させる。前記第1の封止部材がエポキシ系樹脂を含み、第2の封止部材がシリコーン系樹脂またはウレタン系樹脂を含む。第1の封止部材がパワー半導体と配線部材の接合部分を保護する。第2の封止部材は配線部材を保護し、基板の反りを防止する。前記配線部材が、導電性のワイヤ、導電性のテープ、または導電性の板である。大電流に耐える配線をおこなう。本発明は、2種類の封止部材を使用しており、パワー半導体などの保護と基板の反りを防止できる。基板の反りが防止できるため、放熱性能を低下させず、信頼性が高くなる。本発明のパワーモジュールについて図面を用いて説明する。図1に示すパワーモジュール10は、導電性のパターン12が形成された基板14、基板14を貫通する貫通穴16、貫通穴16に埋め込まれた伝熱部材18、伝熱部材18の上に実装されたパワー半導体20、パワー半導体20とパターン12とを接続する配線部材22、パワー半導体20を覆う第1の封止部材24、および第1の封止部材24の上から配線部材22を覆う第2の封止部材26を備える。基板14は絶縁性の板体28およびその板体28の表面に形成された導電性のパターン12を備える。絶縁性の板体28は、例えばガラスクロス含浸エポキシ樹脂などの樹脂基板である。導電性のパターン12は、銅や銅合金などの導体箔である。パターン12によって、配線やパッドが構成されている。貫通穴16は基板14の一面から他面まで貫いている。図面において、基板14の上側を一面、下側を他面として説明する。貫通穴16はパワー半導体20が入る大きさである。貫通穴16は四角形や円形などの種々の形状が可能である。真円であれば、製造時に方向を考慮せずに貫通穴16を形成することができる図2a。パワー半導体20は四角形であり、貫通穴16を四角形にすることによって伝熱部材18も四角形になり、放熱性能が高くなる図2b。貫通穴16の内壁には、メッキ処理によって導電性の薄膜30を形成する。伝熱部材18は貫通穴16に埋め込まれる。貫通穴16の全部に埋め込まれるのではなく、基板14の厚み方向における一部分に埋め込まれる。図面では基板14の他面側のパターン表面から基板14の途中まで埋め込まれている。伝熱部材18は柱状であり、その断面は貫通穴16の形状と同じで四角形や円形である。伝熱部材18の材料は、銅、銅合金、アルミニウム、またはアルミニウム合金などの熱伝導の良い材料である。従来のヒートスプレッダと同様に、伝熱部材18はパワー半導体20の熱を放熱のために拡散し、伝熱する。伝熱部材18は導電性も有しており、電流の経路にすることもできる。パワー半導体20は、駆動時に高発熱となる電子部品である。パワー半導体20として、インバータに用いられるIGBTやFWDなどのベアチップが挙げられる。半田などの導電性の接合部材32によって、パワー半導体20が伝熱部材18に取り付けられる。パワー半導体20は1個に限られず、複数のパワー半導体20が1つの伝熱部材18に取り付けられても良い。配線部材22は、パワー半導体20の表面の端子から基板14のパターン12に電気接続をおこなう。配線部材22は、図1と図2に示す導電性のワイヤの他に、導電性のフィルム22b図3、または導電性の板体22c図4が挙げられる。配線部材22は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などで形成される。ボンディングなどによって配線部材22がパワー半導体20や基板14のパターン12に接続される。配線部材22のパワー半導体20との接続部分は、基板14の一面側にあるパターン12よりも基板14の内部側に配置されるようにする。第1の封止部材24は、絶縁性の樹脂である。第1の封止部材24は貫通穴16の中に入り、基板14の一面のパターン12からはみ出さない。パワー半導体20と配線部材22の接合部分において、配線部材22の上部まで第1の封止部材24が入る。すなわち、第1の封止部材24は、伝熱部材18とパワー半導体20の接合部分、パワー半導体20、およびパワー半導体20と配線部材22の接合部分を覆う。貫通穴16の中であれば、配線部材22のさらに上方にも第1の封止部材24が形成されても良い。第1の封止部材24の材料は、エポキシ系樹脂を含む。第1の封止部材24は貫通穴16に入っており、従来に比べて量も少なくなるため、第1の封止部材24の熱膨張または収縮で基板14を変形させにくい。伝熱部材18とパワー半導体20の接合部分、パワー半導体20、およびパワー半導体20と配線部材22の接合部分を覆うのであれば、第1の封止部材24の上面は平らである必要はない。例えば、第1の封止部材24をドーム状にしても良い。第2の封止部材26は、第1の封止部材24の上から配線部材22を覆う絶縁性の樹脂である。配線部材22は基板14のパターン12に接続されているため、第2の封止部材26は、第1の封止部材24上から基板14の上にかけて形成される。第2の封止部材26は、基板14および第1の封止部材24の上で配線部材22を封止して、機械的に保護し、防塵防水をおこなう。第2の封止部材26は、基板14および第1の封止部材24よりも熱硬化後のヤング率が小さい。第2の封止部材26は熱硬化後にゲル状になるソフトレジンである。例えば、第2の封止部材26は、シリコーン系樹脂やウレタン系樹脂などである。ヤング率を小さくすることによって、第2の封止部材26による基板14の変形を防止する。本発明は2種類の封止部材24,26を使用している。第1の封止部材24は貫通穴16の内部で硬化されており、パワー半導体20やパワー半導体20と配線部材22の接続部分の疲労破壊を防止し、接続部分を保護できる。従来に比べて第1の封止部材24の量が少ないため、熱膨張率の違いによる基板14の変形も小さくなる。第2の封止部材26は基板14および第1の封止部材24よりも柔らかいため、第2の封止部材26が熱によって膨張または収縮しようとしても基板14および第1の封止部材24によって膨張または収縮できず、基板14の反りを防止できる。貫通穴16の中にパワー半導体20を実装するため、配線部材22の高さが低くなり、第2の封止部材26の量を少なくすることができる。基板14の他面側には絶縁層34を介して放熱器36を取り付ける。基板14と一緒に、伝熱部材18にも絶縁層34を介して放熱器36が取り付けられ、パワー半導体20の放熱をおこなう。冷媒冷却をおこなう放熱器36であれば、冷媒が通る配管、配管に熱を伝えるための冷媒ジャケットが備えられる。冷媒ジャケットの中に配管が埋め込まれても良いし、冷媒ジャケットの一部に配管が接するようにしても良い。冷媒ジャケットが絶縁層34を介して基板14および伝熱部材18に取り付けられる。絶縁層34は、半硬化のシート状の樹脂を基板14の他面側に熱圧着により形成しても良いし、液体樹脂を印刷または塗布し、硬化させて形成しても良い。さらに放熱器34は、空冷をおこなう放熱フィンやファンを備えた放熱器であっても良い。本発明は、上記のように基板14の反りを防止できるため、基板14から放熱器36の間に隙間を生じない。基板14が反らないため、伝熱部材18から放熱器36の間に隙間を生じない。伝熱部材18から放熱器36に効率よく熱伝導される。パワーモジュール10は、放熱性能を低下させず、信頼性が高い。以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明のパワーモジュール10は、空気調和機の室外電装品のインバータに使用できる。放熱器36は空気調和機の冷媒を使用した放熱器になる。1枚の基板14に設けられる伝熱部材18は1つに限られない。1枚の基板14に複数の貫通穴16を形成し、各貫通穴16に伝熱部材18とパワー半導体20を実装し、第1の封止部材24と第2の封止部材26で封止する。その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。"