"複数の空隙部11を有する金属製の空隙配置構造体1と、前記空隙配置構造体1を支持する支持基材と、からなる測定構造体であって、被測定物が保持された前記測定構造体に電磁波を照射して、前記測定構造体を透過した電磁波、または、前記測定構造体から反射された電磁波の周波数特性を検出することにより、被測定物の特性を測定する測定方法に用いられ、前記空隙配置構造体1の前記支持基材2側の主面10bの少なくとも一部は、前記支持基材2と接合されており、前記空隙配置構造体1の空隙部11の主面11a,11bのうち、前記支持基材2側の主面11bの少なくとも一部が、前記支持基材2とは接触していないことを特徴とする測定構造体。前記支持基材2はシリコンまたはシリコン化合物を主成分とした材料からなる、請求項1に記載の測定構造体。請求項1または2に記載の測定構造体の製造方法であって、板状またはフィルム状の支持基材2の表面に、複数の空隙部11を有する金属製の空隙配置構造体1を形成するステップと、前記空隙配置構造体1の空隙部11を介したエッチングにより、前記支持基材2を厚み方向に切削して凹部21,22を形成するステップとを含む、測定構造体の製造方法。請求項1または2に記載の測定構造体の前記空隙部11に被測定物を保持し、前記被測定物が保持された前記測定構造体に対して電磁波を照射して、前記測定構造体を透過した電磁波、または、前記測定構造体から反射された電磁波の周波数特性を検出することにより、被測定物の特性を測定する測定方法。本発明は、被測定物の量が微量である場合にも、高感度高効率な被測定物の特性測定を実現できる測定構造体、その製造方法、および、それを用いた測定方法を提供することを目的とする。本発明は、複数の空隙部を有する金属製の空隙配置構造体と、上記空隙配置構造体を支持する支持基材と、からなる測定構造体であって、被測定物が保持された上記測定構造体に電磁波を照射して、上記測定構造体を透過した電磁波、または、上記測定構造体から反射された電磁波の周波数特性を検出することにより、被測定物の特性を測定する測定方法に用いられ、上記空隙配置構造体の上記支持基材側の主面の少なくとも一部は、上記支持基材と接合されており、上記空隙配置構造体の空隙部の主面のうち、上記支持基材側の主面の少なくとも一部が、上記支持基材とは接触していないことを特徴とする測定構造体である。上記支持基材はシリコンまたはシリコン化合物を主成分とした材料からなることが好ましい。また、本発明は、上記の測定構造体の製造方法であって、板状またはフィルム状の支持基材の表面に、複数の空隙部を有する金属製の空隙配置構造体を形成するステップと、上記空隙配置構造体の空隙部を介したエッチングにより、上記支持基材を厚み方向に切削して凹部を形成するステップとを含む、測定構造体の製造方法にも関する。また、本発明は、上記の測定構造体の上記空隙部に被測定物を保持し、上記被測定物が保持された上記測定構造体に対して電磁波を照射して、上記測定構造体を透過した電磁波、または、上記測定構造体から反射された電磁波の周波数特性を検出することにより、被測定物の特性を測定する測定方法にも関する。本発明によれば、最も検出感度の高い、空隙配置構造体の主面近傍領域を何もない状態とすることで、検出感度が向上する。また、空隙配置構造体の主面近傍領域の両面ともに被測定物の保持に使用することができるため、結果的に検出感度を上げることができる。これらにより、被測定物の量が微量である空隙配置構造体の表面からの厚みが薄い場合にも、高感度高効率な被測定物の特性測定を実現できる。また、本発明の測定構造体は、空隙配置構造体の空隙部を介したエッチングにより、基材を厚み方向に切削するステップで作製できるため、MEMSMicroElectroMechanicalSystem技術等の汎用技術を用いて簡便に製造することができる。さらに、本発明の測定構造体は、支持基材の空隙配置構造体側に凹部空隙配置構造体の空隙部の主面のうち、上記支持基材側の主面と接触していない部分を有するため、被測定物検体が液体である場合、被測定物を収容する容器としてこの凹部を利用できるため都合がよい。まず、本発明の測定方法の一例の概略を図1を用いて説明する。図1は、本発明の測定方法に用いられる測定装置の全体構造を模式的に示す図である。この測定装置は、レーザ7例えば、短光パルスレーザから照射されるレーザ光を半導体材料に照射することで発生する電磁波例えば、20GHz~120THzの周波数を有するテラヘルツ波パルスを利用するものである。図1の構成において、レーザ7から出射したレーザ光を、ハーフミラー70で2つの経路に分岐する。一方は、電磁波発生側の光伝導素子77に照射され、もう一方は、複数のミラー71同様の機能のものは付番を省略を用いることで、時間遅延ステージ76を経て受信側の光伝導素子78に照射される。光伝導素子77、78としては、LT-GaAs低温成長GaAsにギャップ部をもつダイポールアンテナを形成した一般的なものを用いることができる。また、レーザ7としては、ファイバー型レーザやチタンサファイアなどの固体を用いたレーザなどを使用できる。さらに、電磁波の発生、検出には、半導体表面をアンテナなしで用いたり、ZnTe結晶の様な電気光学結晶を用いたりしてもよい。ここで、発生側となる光伝導素子77のギャップ部には、電源80により適切なバイアス電圧が印加されている。発生した電磁波は放物面ミラー72で平行ビームにされ、放物面ミラー73によって、周期的構造体1に照射される。周期的構造体1を透過したテラヘルツ波は、放物面ミラー74,75によって光伝導素子78で受信される。光伝導素子78で受信された電磁波信号は、アンプ84で増幅されたのちロックインアンプ82で時間波形として取得される。そして、算出手段を含むPCパーソナルコンピュータ83でフーリエ変換などの信号処理された後に、平板状の周期的構造体1の透過率スペクトルなどが算出される。ロックインアンプ82で取得するために、発振器81の信号で発生側の光伝導素子77のギャップに印加する電源80からのバイアス電圧を変調振幅5V乃至30Vしている。これにより同期検波を行うことでS/N比を向上させることができる。以上に説明した測定方法は、一般にテラヘルツ時間領域分光法THz-TDSと呼ばれる方法である。THz-TDSの他に、フーリエ変換赤外分光法FT-IRを用いても良い。図1では、電磁波の透過率を測定する場合を示しているが、本発明においては、電磁波の反射率を測定してもよい。好ましくは、0次方向の透過における透過率や、0次方向の反射における反射率が測定される。なお、一般的に、回折格子の格子間隔をs、入射角をi、回折角をθ、波長をλとしたとき、回折格子によって回折されたスペクトルは、ssini-sinθ=nλ...1と表すことができる。上記0次方向の0次とは、上記式1のnが0の場合を指す。sおよびλは0となり得ないため、n=0が成立するのは、sini-sinθ=0の場合のみである。従って、上記0次方向とは、入射角と回折角が等しいとき、つまり電磁波の進行方向が変わらないような方向を意味する。本発明の測定方法で用いられる電磁波は、好ましくは波長λが0.3μm~15mm周波数:20GHz~1PHzの電磁波テラヘルツ波である。より高感度な測定を行うためには、空隙配置構造体に照射する電磁波の波長λを短くすることが好ましく、波長λを300μm以下周波数:1THz以上とすることが好ましい。具体的な電磁波としては、例えば、短光パルスレーザを光源として、ZnTe等の電気光学結晶の光整流効果により発生するテラヘルツ波が挙げられる。また、例えば、短光パルスレーザを光源として、光伝導アンテナに自由電子を励起し、光伝導アンテナに印加した電圧によって瞬時に電流が発生することによって生じるテラヘルツ波が挙げられる。また、例えば、高圧水銀ランプや高温セラミックから発せられるテラヘルツ波が挙げられる。また、具体的な電磁波としては、例えば、半導体レーザやフォトダイオードから出射する可視光が挙げられる。また、本発明の測定方法において空隙配置構造体に照射される電磁波は、直線偏光の電磁波であることが好ましい。直線偏光の電磁波は、無偏光、円偏光などの光源から出射された電磁波が直線偏光子を通過した後の直線偏光の電磁波であってもよく、偏光光源から出射された直線偏光の電磁波であってもよい。直線偏光子としては、ワイヤーグリッドなどを用いることができる。本発明において、被測定物の特性を測定するとは、被測定物となる化合物の定量や各種の定性などを行うことであり、例えば、溶液中等の微量の被測定物の含有量を測定する場合や、被測定物の同定を行う場合が挙げられる。具体的には、例えば、被測定物の溶解した溶液に空隙配置構造体を浸漬し、被測定物を空隙配置構造体の表面に付着させた後に溶媒や余分な被測定物を洗浄し、空隙配置構造体を乾燥してから、後述のような測定装置を用いて被測定物の特性を測定する方法が挙げられる。本発明において、被測定物の量を求める場合は、あらかじめ様々な量の被測定物を測定して得られた周波数特性を基に作成した検量線と比較することにより、被測定物の量を算出することが好ましい。<測定構造体>空隙配置構造体本発明の測定構造体を構成する空隙配置構造体は、主面に垂直な方向に貫通した複数の空隙部を有する空隙配置構造体である。全体の形状は、通常、平板状またはフィルム状である。本発明で用いられる空隙配置構造体は、主面に垂直な方向に貫通した複数の空隙部が上記主面上の少なくとも一方向に周期的に配置された構造体である。ただし、空隙配置構造体の全体にわたって空隙部が周期的に配置されている必要はなく、少なくとも一部において空隙部が周期的に配置されていればよい。空隙配置構造体は、好ましくは準周期構造体や周期構造体である。準周期構造体とは、並進対称性は持たないが配列には秩序性が保たれている構造体のことである。準周期構造体としては、例えば、1次元準周期構造体としてフィボナッチ構造、2次元準周期構造体としてペンローズ構造が挙げられる。周期構造体とは、並進対称性に代表される様な空間対称性を持つ構造体のことであり、その対称の次元に応じて1次元周期構造体、2次元周期構造体、3次元周期構造体に分類される。1次元周期構造体は、例えば、ワイヤーグリッド構造、1次元回折格子などが挙げられる。2次元周期構造体は、例えば、メッシュフィルタ、2次元回折格子などが挙げられる。これらの周期構造体のうちでも、2次元周期構造体が好適に用いられ、より好ましくは空隙部が縦方向および横方向に規則的に配列方形配列された2次元周期構造体が用いられる。空隙部が方形配列された2次元周期構造体としては、例えば、図3に示すようなマトリックス状に一定の間隔で空隙部11が配置された板状構造体格子状構造体が挙げられる。図3に示す空隙配置構造体1は、その主面10a側からみて正方形の一部に突起部101を有する形状の空隙部11が、該正方形の各辺と平行な2つの配列方向図3中の縦方向と横方向に等しい間隔で設けられた板状構造体である。空隙部はこのような形状に限定されず、例えば長方形や円や楕円などでもよい。また方形配列であれば、2つの配列方向の間隔は等しくなくてもよく、例えば長方形配列でもよい。また、空隙配置構造体の厚みtは、測定に用いる電磁波の波長λの数分の1以下であることが好ましい。例えば、照射する電磁波の波長λが300μmである場合、tは150μm以下であることが好ましい。構造体の厚みがこの範囲よりも大きくなると、透過または反射する電磁波の強度が弱くなって信号を検出することが難しくなる場合がある。また、空隙配置構造体の空隙部のサイズは、測定に用いる電磁波の波長λの10分の1以上、10倍以下であることが好ましい。空隙部のサイズがこの範囲以外になると、透過する電磁波の強度が弱くなって信号を検出することが難しくなる場合がある。また、空隙部の格子間隔ピッチは、測定に用いる電磁波の波長の10分の1以上、10倍以下であることが好ましい。空隙部の格子間隔がこの範囲外になると、透過が生じにくくなる場合がある。ただし、空隙配置構造体や空隙部の形状や寸法は、測定方法や、空隙配置構造体の材質特性、使用する電磁波の周波数等に応じて適宜設計されるものであり、その範囲を一般化することは難しく、上記の範囲に限定されるものではない。空隙配置構造体は金属からなる。金属としては、ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基などの官能基を有する化合物の官能基と結合することのできる金属や、ヒドロキシ基、アミノ基などの官能基を表面にコーティングできる金属、ならびに、これらの金属の合金を挙げることができる。具体的には、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム、シリコン、ゲルマニウムなどが挙げられ、好ましくは金、銀、銅、ニッケル、クロムであり、さらに好ましくはニッケル、金である。金、ニッケルを用いた場合、特に被測定物がチオール基-SH基を有する場合に該チオール基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。また、ニッケルを用いた場合、特に被測定物がヒドロキシ基―OHやカルボキシル基―COOHを有する場合に該官能基を空隙配置構造体の表面に結合させることができるため有利である。かかる空隙配置構造体は、種々公知の方法で作製することができるが、板状またはフィルム状の支持基材の表面に、パターン形成により形成することが好ましい。パターン形成は、通常の半導体上電極作製工程例えば、レジスト塗布、パターン印刷、レジストパターン形成、金属蒸着、レジスト除去などにより行うことができる。本発明において、空隙配置構造体に被測定物を保持する方法としては、種々公知の方法を使用することができ、例えば、空隙配置構造体に直接付着させてもよく、支持膜等を介して付着させてもよい。測定感度を向上させ、測定のばらつきを抑えることにより再現性の高い測定を行う観点からは、空隙配置構造体の表面に直接被測定物を付着させることが好ましい。空隙配置構造体に被測定物を直接付着させる場合としては、空隙配置構造体の表面と被測定物との間で直接的に化学結合等が形成される場合だけでなく、予め表面にホスト分子が結合された空隙配置構造体に対して、該ホスト分子に被測定物が結合されるような場合も含まれる。化学結合としては、共有結合例えば、金属―チオール基間の共有結合など、ファンデルワールス結合、イオン結合、金属結合、水素結合などが挙げられ、好ましくは共有結合である。また、ホスト分子とは、被測定物を特異的に結合させることのできる分子などであり、ホスト分子と被測定物の組み合わせとしては、例えば、抗原と抗体、糖鎖とタンパク質、脂質とタンパク質、低分子化合物リガンドとタンパク質、タンパク質とタンパク質、一本鎖DNAと一本鎖DNAなどが挙げられる。支持基材支持基材は、上記空隙配置構造体を張力を持たせた状態で保持することのできる部材である。張力を持たせた状態とは、たわみのない状態であればよい。該支持基材は、空隙配置構造体とは別の部材である。支持基材の材料としては、例えば、半導体、樹脂、セラミックス、ガラス、石英などが挙げられ、使用する電磁波に対して透過率が高い材料が好ましい。テラヘルツ波や赤外光の電磁波に対して好ましくは、半導体である。半導体としては、例えば、IV族半導体Si、Geなどや、II-VI族半導体ZnSe、CdS、ZnOなど、III-V族半導体GaAs、InP、GaNなど、IV族化合物半導体SiC、SiGeなど、I-III-VI族半導体CuInSe2などなどの化合物半導体、有機半導体が挙げられ、好ましくはシリコンSiである。支持基材がシリコンからなる場合、MEMS技術等の汎用の半導体技術を用いることで簡便に所望の形状を有する支持基材を作製することができる。近赤外光や可視光の電磁波に対して好ましくは、セラミックス、ガラス、石英が挙げられる。支持基材がガラスや石英などのシリコン化合物を主成分とする材料からなる場合、MEMS技術等の汎用技術を用いることで簡便に所望の形状を有する支持基材を作製することができる。本発明の測定構造体においては、空隙配置構造体の主面のうち、支持基材側の主面の少なくとも一部は支持基材と接合されており、且つ、空隙配置構造体の空隙部の主面のうち、上記支持基材側の主面の少なくとも一部は、上記支持基材とは接触していない。ここで、空隙配置構造体の主面は、平面を意味する用語ではなく、空隙配置構造体の外周面のうち、空隙部の配列方向と平行な部分を意味する例えば、図2に示される主面10a,10b。このうち、支持基材側の主面は、例えば図2に示される主面10bである。また、空隙配置構造体の空隙部の主面とは、空隙部を空隙配置構造体の主面を含む平面と空隙配置構造体の内部側面で囲まれる部材と考えたときの主面であり、言い換えれば、空隙配置構造体の主面を含む平面のうち、空隙配置構造体の主面以外の部分であって、該平面方向における空隙配置構造体よりも外側の部分を除いた部分を意味する例えば、図2に示される主面11a,11b。このうち、支持基材側の主面は、例えば図2に示される主面11bである。空隙配置構造体の主面のうち、支持基材側の主面の少なくとも一部が支持基材と接合される形態としては、例えば、空隙配置構造体の支持基材側の主面の周辺部のみが支持基材と接合されている場合が挙げられるが、これに限定されず、空隙配置構造体の支持基材側の主面の全体が支持基材に接合されていてもよい。このような構造を有する支持基材は、上述のように板状またはフィルム状の支持基材の表面に空隙配置構造体を形成した後、上記空隙配置構造体の空隙部を介したエッチングにより、支持基材を厚み方向に切削して凹部を形成するステップを含む製造方法によって作製される。空隙部を介したエッチングとしては、空隙配置構造体をマスクとして用いる種々公知のエッチング法が挙げられ、MEMS技術等の汎用技術を用いることができる。なお、かかるエッチングによれば、図8に示すような空隙部11に対応する位置のみに凹部22が形成された支持基材2を形成できるだけでなく、適当な化学エッチング法等を用いることにより、図2に示すように空隙部11に対応する位置以外例えば、図2の空隙配置構造体1の主面10bと支持基材2の間にも凹部21を形成することができる。なお、本発明の支持基材は、両主面が平行である形状に限定されず、空隙配置構造体が保持された状態において、空隙配置構造体の空隙配置部の主面に対して一方の主面が一定の角度で傾斜するような形状であってもよい。空隙配置構造体に入射角電磁波の進行方向と空隙配置構造体の主面とのなす角度を有する状態で電磁波を入射する場合には、このような形状とすることが有利である。<測定方法>本発明の測定方法によって得られる透過率スペクトルなどの周波数特性においては、ディップ波形が出現することが好ましい。ここで、ディップ波形とは、通常、透過率スペクトルなどにおいて電磁波の透過率が高い周波数領域バンドパス領域に見られる局部的な逆ピークである。周波数特性に生じるディップ波形は、空隙配置構造体のTE11モード共振各空隙部を導波管とみなしたときにより生じたものであることが好ましい。あるいは、空隙配置構造体のTE10モード共振各空隙部を導波管とみなしたときの減少により生じたものであることが好ましい。周波数特性に出現するディップ波形がシャープとなり、被測定物の測定感度が向上するからである。ディップ波形を生じさせるためには、空隙配置構造体を電磁波の進行方向および偏光方向に対して傾けることが好ましい。これ以外にも、空隙配置構造体の空隙部の形状を、電磁波の偏光面と直交する仮想面に対して鏡映対称とならない形状とすることにより、TE11モード共振によるディップ波形を生じさせることができる。この場合は、空隙配置構造体を電磁波の進行方向に垂直に配置しても、TE11モード共振によるディップ波形が生じる。かかる空隙部の形状としては、周期的構造体の空隙部を形成する部分に、突起部または切欠部を有する形状が挙げられる。この場合、周期的構造体の空隙部を形成する部分のうち、TE11モード様共振が生じた際に電界強度が相対的に強くなる位置に突起部を有するか、あるいは、電界強度が相対的に弱くなる位置に切欠部を有することが好ましい。また、周期的構造体の主面に垂直な方向から見た空隙部の形状を、台形、凸型、凹型、多角形、または、星型などとし、第1の電磁波の偏光面と直交する仮想面に対して鏡映対称とならないように空隙配置構造体を配置してもよい。以上の測定方法に関する説明は、空隙配置構造体を透過した電磁波の周波数特性を検出する場合について説明したが、空隙配置構造体で反射された電磁波の周波数特性を検出する場合、透過スペクトルにおけるディップ波形は、反射スペクトルにおいてはピーク波形となる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1支持基材としてSi半導体基板を用意し、該支持基材上に、通常の半導体上での電極作製工程例えば、レジスト塗布、パターン印刷、レジストパターン形成、金属蒸着、レジスト除去を用いて空隙配置構造体を作製した。さらに、空隙配置構造体の空隙部を介したエッチングにより、上記支持基材を厚み方向に切削して凹部を形成することにより、本発明の測定構造体を得た。測定構造体の断面模式図を図2に示す。支持基材2の材質はSiであり、Z方向の厚み凹部21を含むは300μmである。図2に示されるように、支持基材2の空隙配置構造体1側には、深さ5μmの凹部21が設けられており、支持基材2は空隙配置構造体1の周囲のみと接合されている。空隙配置構造体1の材質はNiであり、厚みは2μmである。ここで、空隙配置構造体1の主面10a,10bのうち、支持基材2側の主面10bの周辺部が支持基材2と接合されており、且つ、空隙配置構造体1の空隙部11の主面11a,11bのうち、支持基材2側の主面11bは全て支持基材2とは接触していない。また、本実施例では、空隙配置構造体1の主面10bの周辺部以外も支持基材2とは接触していない。空隙配置構造体1の部分上面図を図3に示す。測定構造体への入射電磁波はY軸方向に偏光した平面波であり、空隙配置構造体の主面XY面に対して垂直に入射させた。空隙配置構造体の空隙部11の形状は、図3に示すように、主面方向からみて略正方形であるが、正方形の一辺に突起部101を有している。すなわち、空隙部は、6μm四方の正方形の一辺に1μm四方の突起部101を有する形状であり、各部のサイズは図3に示すとおりである。このように、空隙配置構造体の空隙部の形状を、電磁波の偏光面と直交する仮想面に対して鏡映対称とならない形状とすることにより、TE11モード共振によるディップ波形を生じさせることができる。空隙配置構造体は、このような空隙部が格子間隔9μmで縦横に格子状に配置されている。図4に、本実施例の測定構造体について、被測定物が保持されていない場合の透過率スペクトルの計算結果FDTD法Finitedifferencetimedomainmethod:時間領域差分法による電磁界シミュレーションの結果を示す。図4に示されるように、24.068THzに空隙配置構造体に由来したディップ波形が観測される。なお、図4のグラフには、ディップ波形等以外の微小なピークが記録されているが、これは支持基材による干渉で生じるものであり、被測定物の特性を測定する際には無視できるものである他のグラフについも同様。次に、図5に、実施例1の測定構造体における空隙配置構造体の主面支持基材に対向していない主面に、被測定物である誘電体膜厚み500nm、屈折率2を付着させたときの透過率スペクトルの計算結果を示す。図5に示されるように、20.759THzにディップ波形が観測される。図4と比較すると、被測定物の存在によるディップ波形の周波数シフトシフト量3.309THzが生じていることが分かる。これは、本実施例の測定構造体を用いることで、周波数特性の変化に基づいて被測定物を検出できることを意味している。比較例空隙配置構造体と支持基材の間に図2に示すような凹部21が設けられていない点以外は、実施例1と同様にして、図14に示すような従来の測定構造体を作製した。図6に、比較例の測定構造体についての透過率スペクトルの計算結果を示す。図4に示した様な、空隙配置構造体に由来したディップ波形は明確に観測されず、全体的に透過率が小さいことが分かる。次に、比較例の測定構造体における空隙配置構造体の主面支持基材に対向していない主面に、被測定物である誘電体膜厚み500nm、屈折率2を付着させたときの透過率スペクトルの計算結果を、図7に示す。図6と図7の比較において、被測定物の存在によるディップ波形の周波数シフトを観測することはできなかった。実施例2図8に示すように、空隙配置構造体と支持基材の間に複数の支柱が周期的に設けられている点以外は、実施例1と同様にして、測定構造体を作製した。支柱の材質は支持基材と同じSiであり、支柱の形状は一辺が3μmの直角柱状である。このような支柱23は、空隙配置構造体1に対して図9に示すような位置に配置されており、支柱23のピッチは格子間隔と同じ9μmである。ここで、空隙配置構造体1の主面10a,10bのうち、支持基材2側の主面10bの周辺部が支持基材2と接合されており、且つ、空隙配置構造体1の空隙部11の主面11a,11bのうち、支持基材2側の主面11bは全て支持基材2とは接触していない。また、本実施例では、空隙配置構造体1の主面10bの一部は上記支柱23の部分で支持基材2と接触している。図10に本実施例の測定構造体についての透過率スペクトルの計算結果を示す。図10に示されるように、23.944THzに空隙配置構造体に由来したディップ波形が観測される他のディップ波形は空隙配置構造体のTE11モード共振各空隙部を導波管とみなしたときに由来したディップ波形ではない。次に、本実施例の測定構造体における空隙配置構造体の主面支持基材に対向していない主面に、被測定物である誘電体膜厚み500nm、屈折率2を付着させたときの透過率スペクトルの計算結果を、図11に示す。図11に示されるように、20.606THzにディップ波形が観測される。図10との比較により、被測定物の存在によるディップ波形の周波数シフトシフト量3.338THzが生じていることが分かる。これは、本実施例の測定構造体を用いることで、周波数特性の変化に基づいて被測定物を検出できることを意味している。実施例3図8に示すように、支持基材2の空隙配置構造体1側に設けられている凹部22が、空隙配置構造体1の空隙部11の形状を支持基材2に投影した形状ザグリ形状である点以外は、実施例1と同様にして、測定構造体を作製した。ここで、空隙配置構造体1の主面10a,10bのうち、支持基材2側の主面10bの周辺部が支持基材2と接合されており、且つ、空隙配置構造体1の空隙部11の主面11a,11bのうち、支持基材2側の主面11bは全て支持基材2とは接触していない。また、本実施例では、空隙配置構造体1の主面10bは全て支持基材2と接触している。図12に、本実施例の測定構造体についての透過率スペクトルの計算結果を示す。図12より、25.918THzに空隙配置構造体に由来したディップ波形が観測されている他のディップ波形は空隙配置構造体に由来したディップ波形ではない。次に、本実施例の測定構造体における空隙配置構造体の主面支持基材に対向していない主面に、被測定物である誘電体膜厚み500nm、屈折率2を付着させたときの透過率スペクトルの計算結果を、図13に示す。図13に示されるように、25.115THzにディップ波形が観測される。図12との比較により、被測定物の存在によるディップ波形の周波数シフトシフト量0.803THzが生じていることが分かる。これは、本実施例の測定構造体を用いることで、周波数特性の変化に基づいて被測定物を検出できることを意味している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"