被処理基板に対して複数の電子ビームにより描画データを描画する電子ビーム描画装置であって、前記描画を実施する際に前記被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズと、前記電子レンズに付着した分解生成物に対して活性種を放出し、該活性種と前記分解生成物とを反応させることで該分解生成物を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段と、を備え、前記洗浄手段は、前記活性種が前記電子レンズに形成された前記電子ビームが通過する複数の孔の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部を有することを特徴とする電子ビーム描画装置。前記開口部は、前記孔と同軸に形成されることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム描画装置。前記洗浄手段は、前記電子レンズに対向する面が前記電子レンズを支持する固定部に接続可能に開かれた本体部を備え、前記本体部は、前記面に、前記複数の開口部を有する開口アレイを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の電子ビーム描画装置。前記洗浄手段は、前記孔の位置に対して前記開口部の位置を合わせるように、前記開口アレイを駆動する駆動機構を備えることを特徴とする請求項3に記載の電子ビーム描画装置。前記被処理基板を載置し、描画位置を基準として移動可能とする基板保持部と、前記基板保持部、および前記洗浄手段の動作を制御する制御部と、を備え、前記洗浄手段は、前記本体部を支持し、該本体部を前記固定部に向けて移動可能とする支柱部を備え、前記制御部は、前記活性種の放出の際には、前記描画位置から前記基板保持部を移動させた後に、前記支柱部を前記固定部に向けて移動させて前記本体部と前記固定部とを接続させることを特徴とする請求項3または4に記載の電子ビーム描画装置。前記本体部と前記固定部とを接続させたとき、前記開口部から前記電子レンズの最奥部までの距離は、前記開口部から前記電子レンズを含む領域での最大圧力における前記活性種の平均自由行程よりも短いことを特徴とする請求項3~5のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。前記開口部の数は、前記孔の数と等しい、または前記孔の数よりも多いことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の電子ビーム描画装置。請求項1~7のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、特許文献1に示す描画装置では、その内部の微細なアパーチャでは、コンダクタンスが小さいためにラジカルが失活し、また、ラジカルがコンタミネーションに十分に到達しないため、十分に洗浄できない場合がある。本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、被処理基板に対して複数の電子ビームにより描画データを描画する電子ビーム描画装置であって、描画を実施する際に被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズと、電子レンズに付着した分解生成物に対して活性種を放出し、該活性種と分解生成物とを反応させることで該分解生成物を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段と、を備え、洗浄手段は、活性種が電子レンズに形成された電子ビームが通過する複数の孔の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部を有することを特徴とする。本発明によれば、電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。第1実施形態まず、本発明の第1実施形態に係る電子ビーム描画装置以下、単に描画装置と表記するについて説明する。以下、各実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビームを偏向させ、電子ビームの照射のON/OFFを個別に制御することで、所定の描画データをウエハ被処理基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式を採用するものとする。図1は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。また、以下の図においては、被処理基板に対する電子ビームの照射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。描画装置1は、まず、電子銃2と、該電子銃2のクロスオーバ3から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系4と、ウエハ8を保持する基板ステージ5と、描画装置1の各構成要素の動作などを制御する制御部6とを備える。なお、ウエハ8は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理体であり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。電子銃2は、熱や電界の印加により電子ビーム荷電粒子線を放出する機構であり、図1ではクロスオーバ3から放出された電子ビームの軌道9を点線で示す。光学系4は、電子銃2から基板ステージ5に向けて順に、コリメーターレンズ10、アパーチャアレイ11、第1静電レンズ12、ブランキング偏向器13、ストッピングアパーチャアレイ14、偏向器15、および第2静電レンズ16を備える。コリメーターレンズ10は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ3で発散した複数の電子ビームを平行ビームとする光学素子である。アパーチャアレイ11は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ10から入射した電子ビームを複数の電子ビームに分割する機構である。第1静電レンズ12は、円形状の開口を有する3枚の電極板図中、3枚の電極板を一体で示しているから構成され、ストッピングアパーチャアレイ14に対して電子ビームを結像させる光学素子である。ブランキング偏向器ブランカー13およびストッピングアパーチャアレイ14は、共にマトリクス状に配置され、各電子ビームの照射のON/OFF動作を実施する機構である。特に、ストッピングアパーチャアレイ14は、第1静電レンズ12が最初に電子ビームのクロスオーバを形成する位置に配置される。偏向器ディフレクター15は、基板ステージ5上に載置されたウエハ8の表面上の像をX方向に偏向する機構である。さらに、第2静電レンズ16は、ストッピングアパーチャアレイ14を通過した電子ビームをウエハ8に結像させる光学素子である。この第2静電レンズ16は、描画工程ではウエハ8に対向する場所に位置する。基板ステージ5は、ウエハ8を、例えば静電吸着により保持し、かつ、XY平面内を電子ビームの照射位置に対して移動可能とする基板保持部である。さらに、制御部6は、描画装置1の各構成要素の動作および調整等を制御しうる。制御部6は、例えば、コンピュータ等で構成され、描画装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラム等にしたがって各構成要素の制御を実行しうる。ここで、電子ビームは、大気圧雰囲気下ではすぐに減衰する性質を有する。そこで、描画装置1は、高電圧による放電を防止する意味もかねて、電子銃2および光学系4を取り囲む真空チャンバーである鏡筒部17を備える。この鏡筒部17の内部は、不図示の真空排気系により第1排気口18を介して、例えば10-5Pa以下の高い真空度に保たれている。一方、描画装置1は、基板ステージ5および後述する洗浄機構を取り囲む、鏡筒部17に連設したステージチャンバー19を備える。このステージチャンバー19の内部は、上記の真空排気系とは独立した別の真空排気系により、第2排気口20を介して真空排気されるが、真空度は、鏡筒部17の内部の真空度よりも低く設定してもよい。なお、本実施形態では、鏡筒部17とステージチャンバー19との内部圧力を異ならせる構成としているが、1つの真空排気系により同一の内部圧力としてもよい場合もある。また、一般に、ウエハ8上のレジストに対して電子ビームが照射されると、レジストから有機成分のガスが放出され、同時に2次電子も放出される。したがって、これに起因して、特にレジスト面に近い第2静電レンズ電子レンズ16には、その表面だけでなくレンズのアパーチャ孔の側面にも、ガスのコンタミネーション分解生成物が付着する。このコンタミネーションは、カーボンを主成分とする場合が多い。そこで、本実施形態の描画装置1は、ステージチャンバー19の内部に、コンタミネーションを除去する洗浄機構21を備える。図2は、鏡筒部17に内包された第2静電レンズ16と、ステージチャンバー19に内包された洗浄機構21とを模式的に示す図である。この図2は、特に、第2静電レンズ16に付着したコンタミネーションに起因して光学系4の特性が変化し、描画精度が基準よりも悪化する前に、洗浄機構21により第2静電レンズ16を洗浄する際の状態を示す。具体的には、制御部6が、描画工程を一旦停止して基板ステージ5を描画位置から図1中のX1方向に退避させ、基板ステージ5の下部に退避していた洗浄機構21を図1中のZ1方向上部に移動させて、第2静電レンズ16の固定部22に結合させた状態である。ここで、図2では、説明のために、鏡筒部17の内部には第2静電レンズ16の構成のみを記載する。この第2静電レンズ16は、図2に示すように、詳細には複数の電子ビームが通過する孔開口30を有する導体で形成された3つの電極第1電極31、第2電極32、および第3電極33を含む。これらの各電極31~33は、それぞれに形成された孔30を全て同軸上に配置しつつ、それぞれ鏡筒部17の一部分である固定部22の内部に支持される。洗浄機構21は、ラジカル活性種:例えば水素ラジカルHを第2静電レンズ16に向けて射出し、第2静電レンズ16に付着したコンタミネーション34と反応させることで、コンタミネーション34を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段である。この洗浄機構21は、1つの面が第2静電レンズ16を支持する固定部22に対向し、接続可能に開かれた箱型の本体部35と、この本体部35を支持し、垂直方向Z方向に移動可能とする支柱部36とを備える。また、洗浄機構21は、ステージチャンバー19の外部に、ラジカルHを生成するラジカル生成部活性種生成部50と、このラジカル生成部50に原料ガス例えば水素ガスを供給する原料ガス供給部51とを備える。本実施形態では、ラジカル生成部50で生成されたラジカルHは、支柱部36の内部空間を通じて本体部35に供給される。なお、支柱部36の内部の材質は、水素ラジカルの失活が少ない材料である石英としてもよい。ラジカル生成部50は、その内部にタングステン製のホットフィラメント52を備え、このホットフィラメント52は、導線53を介して不図示の電源に接続されており、ラジカル生成時には、電源から供給される電流により、およそ1700°Cに加熱される。このラジカル生成部50では、内部に供給された水素分子が高温のタングステンの触媒作用により分解されて水素ラジカルHとなる。一般に、鏡筒部17の温度が上昇すると、第2静電レンズ16に含まれる孔30に位置ずれが発生して描画精度が劣化する可能性があるため、洗浄工程後には通常の温度に回復するのを待つ必要がある。これに対して、本実施形態では、ラジカル生成部50が鏡筒部17から離れた位置に設置されているので、ラジカル生成時に発生する熱は、鏡筒部17には伝わりづらい。したがって、洗浄工程時の鏡筒部17の温度上昇が抑えられるので、描画装置1のスループットへの影響を抑えることができる。さらに、洗浄機構21は、本体部35の第2静電レンズ16に向かう面に設置される、複数のアパーチャ開口部37aを有するアパーチャアレイ開口アレイ37を有する。ここで、アパーチャアレイ37におけるアパーチャ37aの形成位置は、第2静電レンズ16の各電極31~33における孔30の形成位置に垂直方向に向かう位置とする。特に、アパーチャ37aと孔30との形成位置は、垂直方向において同軸とすることが望ましい。ここで、鏡筒部17は、本体部35が接続される固定部22の位置に、本体部35が接続されたときに孔30の位置に対してアパーチャ37aの位置を決定するための位置決め機構38を備える。この位置決め機構38としては、突き当てによる機械的な機構でもよいし、位置計測センサーやCCDなどによる検出器としてもよい。なお、固定部22と本体部35とが接続する際の接触部はめ込み部には、内部の原料ガスが洩れないように密閉シールを設置することが望ましい。次に、描画装置1の作用について説明する。描画工程では、まず、制御部6は、電子銃2により電子ビームを照射しつつ、基板ステージ5を駆動させることによりウエハ8をX方向に連続的に移動させる。このとき、制御部6は、不図示のレーザー測長器による実時間での測長結果を基準として、偏向器15によるY方向への偏向と、ブランキング偏向器によるブランキングとを適宜実施させることにより、ウエハ8上のレジスト面に所望の潜像を形成する。このような描画工程がある程度実施されると、上述のとおり、第2静電レンズ16にはコンタミネーションが付着する。そこで、制御部6は、洗浄機構21による洗浄工程コンタミネーション除去工程を実行する。洗浄工程では、まず、制御部6は、図2に示すように洗浄機構21を鏡筒部17の固定部22に設置し、第1排気口18より真空排気を実施させる。以下、この洗浄機構21の設置状態において、本体部35内における支柱部36からアパーチャアレイ37までの空間を第1領域40とし、アパーチャアレイ37と第2静電レンズ16とに挟まれた空間を第2領域41と定義する。同様に、鏡筒部17内における第2静電レンズ16が設置された空間を第3領域42と定義する。次に、制御部6は、原料ガス供給部51およびラジカル生成部50を起動し、生成されたラジカルHを第1領域40から第2領域41に向けてアパーチャ37aより放出する。ここで、本実施形態のアパーチャ37aは、各電極31~33の孔30の形成位置に垂直方向に向かう位置に配置されている。したがって、アパーチャ37aから放出されたラジカルHは、第3電極33の下面だけでなく、図2に示すように適切な進入角度を持って最奥部の孔30まで侵入し、各電極31~33の孔30の側面に付着したコンタミネーション34に到達する。このとき、ラジカルHとコンタミネーション34とが反応することで、コンタミネーション34は、還元されて揮発性ガスとなって第1排気口18から排気され、コンタミネーション34の除去が終了する。そして、制御部6は、洗浄工程終了後、または洗浄工程が終了して所定の時間が経過した後、原料ガスの供給を停止してラジカルHの生成を終了させる。その後、制御部6は、洗浄機構21をZ2方向に退避させ、鏡筒部17およびステージチャンバー19の内部をそれぞれ排気し、所定の圧力以下になった後に描画工程を再開する。次に、洗浄工程における鏡筒部17とステージチャンバー19との内部の圧力および寸法について具体的に説明する。なお、原料ガスは、水素とする。図2において、第2領域41と第3領域42との最大圧力が水素分子と水素原子水素ラジカルとの混合系における水素ラジカルの平均自由行程よりも小さければ、アパーチャ37aから放出した水素ラジカルは、第2静電レンズ16に向けて直線的に進む。したがって、水素ラジカルは、第2静電レンズ16の洗浄対象部に直接到達し、コンタミネーション34が効率良く除去される。この場合、水素ラジカルの平均自由行程は、数1で表される。ただし、daは、水素ラジカル水素原子の原子半径cmであり、dbは、水素分子の分子半径cmであり、naは、水素ラジカルの原子密度であり、nbは、水素分子の分子密度である。さらに、Maは、水素ラジカルの質量数であり、Mbは、水素分子の質量数である。ここで、da=6.20E-9、およびdb=1.24E-8とし、水素ラジカルの濃度を1として考えると、50Paの圧力下での水素ラジカルの平均自由行程は、λa=2.3mmとなる。すなわち、第2および第3領域41、42の圧力を50Pa以下とし、アパーチャ37aから第2静電レンズ16の最奥部までの距離43が2.3mm以下であれば、水素ラジカルHの大多数は、第2静電レンズ16の最内部に位置する第1電極31まで到達する。ここで、例えば、制御部6は、水素ラジカル1を含んだ水素ガスを流量Q=2.1Pam3/secで支柱部36から導入させ、その水素ガスを第1領域40から第3領域42の経路を経て第1排気口18より排気させる。このとき、制御部6は、第1電極31の出口側第3領域42側での排気速度が0.1m3/secとなるように、第1排気口18における排気速度を調節する。これにより、第1排気口18から排出される水素ガスの流量は、支柱部36から導入される水素ガスの流量とほぼ同じとなる。さらに、本実施形態では、第2静電レンズ16の各電極31~33の孔30の直径を120μm、厚さを300μmとしている。これに対して、アパーチャ37aの直径は、40μmであり、厚さは、300μmである。また、アパーチャ37aと、第2静電レンズ16の1つの電極に形成される孔30とは、共に130×130個16900個正方配列されている。この場合、第1領域40の圧力は、163Paとなり、第2領域41の圧力は、36Paとなり、また第3領域42の圧力は、21Paとなる。なお、ここではアパーチャ37aの設置数は、孔30と等しい数としているが、孔30の数よりも多くてもよい。以上のような条件により、アパーチャ37aより放出された水素ラジカルHの大多数は、第1~第3電極31~33の孔30に向けて直進し、効率良くコンタミネーション34を除去することができる。さらに、洗浄機構21は、このような構成により第1領域40の圧力を高く設定できるので、十分なラジカル量を確保することができる。以上、原料ガスとして水素ガスを使用するものとして説明したが、例えば、アンモニア、酸素、オゾンなど、コンタミネーション34の除去に有効なラジカルを生成可能であれば、他のガスを採用してもよい。次に、第2静電レンズ16の各電極31~33の孔30に対する洗浄機構21のアパーチャ37aの軸のずれの許容量について説明する。上述のとおり、アパーチャ37aが孔30の軸上に位置すれば、洗浄機構21は、十分な洗浄効果を得ることができる。これに対して、アパーチャ37aの軸と孔30の軸とに、孔30の直径の半分程度のずれがあったとしても、洗浄機構21は、孔30に付着したコンタミネーション34を除去できる。例えば、上記条件を適用した洗浄機構21では、孔30の軸とアパーチャ37aの軸とのずれの許容量は、40μmである。ここで、アパーチャ37aの軸と孔30の軸とのずれ量が上記許容量から外れている場合に対応するために、例えば、洗浄機構21にアパーチャアレイ37の水平方向X、Y方向の位置を調整する駆動機構を設置する構成もあり得る。図3は、各電極31~33の孔30とアパーチャ37aとの位置関係と、アパーチャアレイ37に設置された駆動機構45を模式的に示す斜視図である。この場合、駆動機構45は、アパーチャアレイ37をX方向に駆動可能とする第1駆動部46と、Y方向に駆動可能とする第2駆動部47とを含む。なお、この駆動機構45は、アパーチャアレイ37のみを駆動する構成としてもよいし、または、洗浄機構21の本体部35を駆動することでアパーチャアレイ37の位置を変化させる構成としてもよい。なお、孔30の軸とアパーチャ37aの軸とのずれ量は、不図示であるが、洗浄機構21または鏡筒部17に設置する、孔ずれ検出装置により検出するものとする。この孔ずれ検出装置としては、例えば、顕微鏡、CCDカメラ、または、これらと画像処理装置を組み合わせたものなどが採用可能である。このとき、制御部6は、孔ずれ検出装置によるずれの検出量に基づいて駆動機構45を駆動し、軸ずれが最小限となるようにアパーチャ37の位置を調整する。これにより、描画装置1は、アパーチャ37aの軸と孔30の軸とのずれを容易に修正することができる。したがって、描画装置1は、例えば、アパーチャ37aと孔30との相対位置の経時変化にも即座に対応することができ、また、固定部22に対して洗浄機構21を接続する接続機構などの機械精度を緩和することもできる。以上のように、本実施形態によれば、洗浄対象部である孔30の奥にまで付着したコンタミネーション34を効率良く洗浄することができる。さらに、アパーチャ37aを用いない洗浄機構と比較して、鏡筒部17内の圧力を低くすることができるので、洗浄工程後の真空排気時間が短くなり、洗浄処理に伴うダウンタイムを短くすることができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係る描画装置について説明する。図4は、本実施形態に係る洗浄機構60の構成を示す図である。なお、図4において、図2に示す第1実施形態の洗浄機構21と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態の描画装置の特徴は、第1実施形態の洗浄機構21に相当する洗浄機構60が、本体部61の内部にてラジカルHを生成する点にある。この場合、本体部61は、その内部第1領域40にタングステン製のホットフィラメント62と内部冷却機構63とを備え、また、その外部には、外部冷却機構64を備える。また、本体部61は、支柱部36を介して不図示の原料ガス供給部に接続され、第1領域40には支柱部36の内管を介して原料ガスが供給される。ホットフィラメント62は、導線65を介して不図示の電源に接続されている。内部冷却機構63は、冷却板66と、アパーチャアレイ冷却機構67とを有する。この冷却板66とアパーチャアレイ冷却機構67とは、ステージチャンバー19の外部に設置された不図示の冷媒供給機構から延びる冷媒導管68に接続されている。また、外部冷却機構64は、本体部61の外周部に張り巡らされた冷却導管である。洗浄機構60は、この冷媒導管68および外部冷却機構64に冷媒を循環させることで、本体部61およびアパーチャアレイ37を冷却する。これにより、洗浄機構60は、本体部61をラジカル生成部としても、このような冷却機構を備えることにより、ホットフィラメント62で発生した熱を鏡筒部17側に伝わるのを防止することができる。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態に係る描画装置について説明する。図5は、本実施形態に係る洗浄機構70の構成を示す図である。なお、図5において、図2に示す第1実施形態の洗浄機構21と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態の描画装置の特徴は、第1および第2実施形態の洗浄機構がホットフィラメントによりラジカルHを生成するのに対して、本実施形態の洗浄機構70ではマイクロ波発生器71によりラジカルHを生成する点にある。この場合、本体部72は、支柱部36を介してマイクロ波発生器71に接続され、また、支柱部36とは別の導管73を介して原料ガス供給部74に接続される。支柱部36の内管は、本実施形態ではマイクロ波を導く導波管であり、この導波管の出口部と本体部72とは、石英窓75を介して接続される。この石英窓75は、支柱部36とマイクロ波発生器71との内部空間が真空である必要はないために、真空シールを施して設置することで、本体部72内に外部の気体が進入しないようにするものである。この洗浄機構70では、制御部6は、まず、原料ガス供給部74から本体部72内の第1領域40に原料ガス水素ガスを導入する。次に、制御部6は、マイクロ波発生器71にて発生したマイクロ波を、石英窓75を介して第1領域40へ入射させる。このとき、第1領域40では、マイクロ波が原料ガスに作用し、ラジカルHが生成される。なお、この構成では、第1領域40にプラズマが発生して高速のイオンが生成される。したがって、このイオンが第2静電レンズ16に衝突することで、ダメージを与える場合がある。そこで、洗浄機構70は、アパーチャ37に対して正の電位を印加するバイアス印加装置76を備える。このとき、バイアス印加装置76が印加する電圧は、例えば10から100V程度でよい。この電圧の印加により、発生したプラスイオンが押し戻されるので、ダメージを防止できる。一方、マイナスイオンが発生する場合には、さらに第2静電レンズ16に負の電圧を印加するような構成を取ればよい。この場合の印加電圧は、例えば-10から-100V程度となる。この電圧の印加により、マイナスイオンも押し戻され、ダメージを防止できる。物品の製造方法本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。