銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板の一方の面に半導体素子が実装され、前記半導体素子が封止樹脂で樹脂封止された半導体装置であって、前記封止樹脂は、第1の封止樹脂と、前記第1の封止樹脂よりも大きな熱膨張係数を有する第2の封止樹脂とを含み、前記第1の封止樹脂は前記半導体素子を覆うように形成され、前記第2の封止樹脂は前記第1の封止樹脂の外側に形成されたことを特徴とする半導体装置。前記放熱板は、前記半導体素子が実装された面の反対側に、金属箔上に形成された絶縁層が接着され、前記放熱板、前記絶縁層、及び前記金属箔は、前記金属箔が露出するように前記封止樹脂で樹脂封止されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記第1の封止樹脂及び前記第2の封止樹脂は、それぞれ同一の樹脂に混入された充填材の充填量が異なることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記第1の封止樹脂及び前記第2の封止樹脂は、それぞれ同一の樹脂に混入された充填材の種類が異なることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。半導体素子を備えた半導体装置が、放熱フィンに固定された半導体装置モジュールであって、前記半導体装置は、露出した金属箔を有し、前記金属箔が露出した側を前記放熱フィンに向けて配置され、前記半導体装置は、請求項2乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置であることを特徴とする半導体装置モジュール。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が実装された放熱板を金型に配置する配置手順と、前記金型に前記封止樹脂を注入する樹脂注入手順と、を含み、前記樹脂注入手順において、前記第2の封止樹脂は、前記第1の封止樹脂が注入される位置よりも上方から注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、上記のように銅/モリブデン/銅の積層構造を有する放熱板は、非常に高価であり、しかも銅放熱板よりも放熱性に劣るという問題がある。したがって、広い温度範囲で動作可能な半導体装置にも適用可能にするためには、放熱性の高い銅放熱板を用いる方が有利となる。特許文献1の放熱板は銅/モリブデン/銅の積層構造にすることで、銅放熱板よりも熱膨張係数を下げていた。放熱板を単に銅放熱板に変更すると、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性が十分ではない場合があるので、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保する工夫が必要である。理由は以下の通りである。半導体素子と半導体素子及び銅放熱板を封止する封止樹脂の熱膨張係数は、銅放熱板の熱膨張係数とは異なる。このため、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するために、半導体素子の熱膨張係数に近い方が良いので、銅放熱板よりも低い熱膨張係数の封止樹脂を用いることが必要となる。半導体素子が放熱性の高い銅等の放熱板に実装された半導体装置は、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保することで、その信頼性を十分高くすることが可能になる。しかしながら、積層構造の放熱板よりも放熱性の高い銅放熱板を使用し、かつ半導体素子の熱膨張係数に近い熱膨張係数の封止樹脂を用いる場合には、封止樹脂を用いて半導体素子及び放熱板を封止した後の成型温度から室温まで冷却した際に、銅放熱板の熱収縮の方が樹脂の熱収縮より大きいことから、半導体装置は下層の銅放熱板が内側になるように湾曲する、いわゆる半導体装置の逆反り凸反りが生じてしまう。一般的に、電力用の半導体装置は、放熱フィン等に固定することが多いので、半導体装置が逆反りすると、放熱フィン等に固定した場合に、半導体装置と放熱フィン等との間に隙間が生じ、熱抵抗が上昇する問題が生じる。本発明は、放熱板に半導体素子が実装された半導体装置において、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することを目的とする。銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板の一方の面に半導体素子が実装され、半導体素子が封止樹脂で樹脂封止された半導体装置であって、封止樹脂は、第1の封止樹脂と、第1の封止樹脂よりも大きな熱膨張係数を有する第2の封止樹脂とを含み、第1の封止樹脂は半導体素子を覆うように形成され、第2の封止樹脂は第1の封止樹脂の外側に形成された。本発明によれば、第1の封止樹脂により半導体素子を覆い、第1の封止樹脂の外側に第2の封止樹脂が形成されるので、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することができる。実施の形態1.図1は、実施の形態1による半導体装置を示す図である。図1は、半導体装置を上面から見た透視図である。図2は図1のA-Aにおける断面図であり、図3は図1のB-Bにおける断面図である。図1乃至図3を用いて、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の全体構成について説明する。半導体装置20は、トランスファーモールド型電力用半導体装置である。銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3上の所定位置に2つの半導体素子パワー半導体チップ1a、1bが、導電性の接合材2を用いて固定されるとともに電気的に接続される。半導体素子11a、1bにおける放熱板3と反対側の面である表面に、図示しない電極表面電極が形成されている。表面電極は、アルミワイヤ5等の配線部材を用いて、ワイヤボンディングによりリードフレーム44aと電気的に接続される。アルミワイヤ5が接続されたリードフレーム4aは、外部との電気的な接続を行う。放熱板3は、外部との電気的な接続を行うリードフレーム44bが接続される。放熱板3における半導体素子1が固定実装されていない面は、銅箔6とで2層構造になっている絶縁層7と接着している。放熱板3に実装された半導体素子1a、1bは、アルミワイヤ5やリードフレーム4を含めて封止樹脂8で銅箔6が露出するように封止されている。ただし、リードフレーム44a、4bは、外部との電気的接続を行うために一部が封止樹脂8から露出している。封止樹脂8は、熱膨張係数が異なる2つの封止樹脂8a、8bにより構成されている。封止樹脂8の下層には熱膨張係数が小さい封止樹脂8aが配置され、封止樹脂8の上層には封止樹脂8aよりも熱膨張係数が大きな封止樹脂8bが配置される。なお、図2及び図3では明確に境界を示しているが、後述する樹脂注入手順工程において、封止樹脂8a及び封止樹脂8bは、同一の金型内に共に注入されるので、実際には明確な境界は存在しない。半導体素子1は、シリコンウエハを基材とした一般的な素子でも良いが、本発明においては炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaN系材料、またはダイヤモンドといったシリコンSiと較べてバンドギャップが広い、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を適用したときに好適な構造を目指しており、特に炭化珪素を用いた半導体素子に好適である。デバイス種類としては、特に限定する必要はないが、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorのようなスイッチング素子、またはダイオードのような整流素子が考えられる。MOSFETの場合、半導体素子1の放熱板3側の面には裏面電極となるドレイン電極が形成されている。そして、ドレイン電極と反対側図で上側の面には、表面電極となるゲート電極やソース電極が、領域を分けて形成されている。説明を簡単にするため、上側の面には、例えば大電流が流れるソース電極のみが形成されているとして説明する。なお、ドレイン電極の表面には接合材2との接合を良好とするための複合金属膜が形成されている。ソース電極の表面にも、図示しない厚さ数μmの薄いアルミニウムなどの電極膜やチタン、モリブデン、ニッケル、金などの薄膜層が形成されている。接合材2としては、はんだや、例えば銀を主成分とする焼結性フィラーやろう材といった、導電性の接合材料が適用できる。ボンディングにより配線される配線部材には、アルミワイヤ5の他に、銅ワイヤや金ワイヤを用いてもよい。さらに、銅やアルミニウムのリード、リボン等を用いてもよく、ワイヤボンディング以外の接合方法で接合しても構わない。放熱板3は、例えば熱伝導率の高い銅の板材で構成されている。銅が主成分であればよく、銅以外の金属を含有していても構わない。封止樹脂8との密着性を上げるように表面に凹凸を設けてもよい。また、化学結合を強固にするためにプライマー等の表面処理を実施してもよい。リードフレーム4は、導電性を有する材料であればよいが、中でも導電性の高い銅材がよい。絶縁層7は、銅箔6面上に配置され、放熱板3における半導体素子1を接合している面と反対側の面に接着している。絶縁層7は、エポキシ樹脂等からなる熱硬化性の樹脂に、高熱伝導性の絶縁性のセラミック粒子、例えば、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等を充填材として混入したものである。封止樹脂8を構成するいわゆる封止樹脂としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に、溶融シリカ等のセラミック粒子を充填材として混入し、熱膨張係数や弾性率を調整した材料を用いる。封止樹脂8は、下層を構成する熱膨張係数が小さい封止樹脂8aと、上層を構成する封止樹脂8aよりも熱膨張係数が大きい封止樹脂8bの2つの樹脂で構成されている。この封止樹脂8aと封止樹脂8bは、同一のエポキシ樹脂で構成されており、充填材の量の違いで熱膨張係数が異なるようにする。例えば、熱膨張係数の小さい封止樹脂8aの熱膨張係数としては、放熱板3の熱膨張係数より半導体素子1の熱膨張係数に近い7~10ppm/°Cがよい。また、熱膨張係数の大きな封止樹脂8bの熱膨張係数としては、半導体素子1の熱膨張係数より放熱板3の熱膨張係数に近い11~20ppm/°Cのものがよい。封止樹脂8は、銅箔金属箔6を露出するようにトランスファ成型にて形成される。つぎに、本実施の形態1にかかる電力用の半導体装置20の製造方法について説明する。図4は、本発明の実施の形態1による半導体装置の製造方法を説明する図である。図4は、図1のA-Aにおける断面を工程毎に示したものである。図4aに示すように、放熱板3の所定位置に半導体素子11a、1bを導電性の接合材2を用いて固定する。図4bに示すように、外部との接続のためと放熱板3の固定のためにリードフレーム44bと放熱板3とを導電性の接合材を用いて固定する。リードフレーム4a及び4bは製造中には分離されずに一体となっている。放熱板3とリードフレーム44bとは金属間の接合であるので、溶接や超音波接合で接合してもよい。図4cに示すように、半導体素子1の表面に形成された電極と、リードフレーム44a間をアルミワイヤ5により、電気的に接続する。図4cに示す中間構造体を、図5乃至図7に示す金型15を用いて、トランスファ成型プロセスを行う。図4dでは金型15は省略した。金型15上に銅箔6を配置し、この銅箔6の上に絶縁層7を配置する。絶縁層7の上に前記中間構造体を配置し、絶縁層7と放熱板3とが接するように、前記中間構造体のリードフレーム4を金型15に固定する配置手順。配置手順により前記中間構造体の配置が終了した後に、封止樹脂8a、8bを金型15に注入する樹脂注入手順を行う。トランスファ成型で放熱板3を覆うと共に、銅箔6が露出するように封止樹脂8を形成する。封止樹脂8は前述したように、熱膨張係数の小さな封止樹脂8aを下側の金型樹脂注入口10a図6参照から注入し、熱膨張係数の大きな封止樹脂8bを金型樹脂注入口10bより上側の金型樹脂注入口10b図7参照から注入する。トランスファ成型前の絶縁層7は未硬化であり、トランスファ成型プロセスにて放熱板3との接着と硬化が同時に完了する。図4eに示すように、2層構造の封止樹脂8により、放熱板3に実装された半導体素子1a、1bは、アルミワイヤ5やリードフレーム4を含めて、銅箔6が露出するように封止される。トランスファ成型プロセスが終了すると、リードフレーム4a及び4bを所定の形状に切断し、分離する。トランスファ成型時の封止樹脂8の注入方法を図5乃至図7を用いて、詳しく説明する。図5は、本発明の実施の形態1による半導体装置の樹脂封止方法を説明する図である。図6は図5のC-Cにおける断面図であり、図7は図5のD-Dにおける断面図である。図5は、前記中間構造体のリードフレーム4が金型15に固定された状態を上面から見た透視図である。なお、図6及び図7において、アルミワイヤ5は省略した。金型15の内部には、金型キャビティ9が形成され、金型樹脂注入口10a、10bが金型キャビティ9に貫通するように形成されている。図5では、3つの金型樹脂注入口10bと、2つの金型樹脂注入口10aが形成された例を示した。金型樹脂注入口10aは熱膨張係数の小さな封止樹脂8aを金型キャビティ9に注入するものであり、金型樹脂注入口10bは熱膨張係数の大きな封止樹脂8bを金型キャビティ9に注入するものである。金型樹脂注入口10bは、半導体素子11a、1bが配置される位置よりも上側になる位置であって、金型樹脂注入口10aよりも上側に形成される。1回のトランスファ成型プロセスにおける封止樹脂注入工程手順では、封止樹脂8を硬化させる前に、金型キャビティ9内に封止樹脂8a及び封止樹脂8bが共に注入される。封止樹脂8a及び封止樹脂8bを注入するタイミングや注入速度や注入量は、多くのバリエーションがある。少なくとも、放熱板3に実装された半導体素子11a、1bが熱膨張係数の小さな封止樹脂8aで覆われるように、すなわち熱膨張係数の小さな封止樹脂8aが半導体素子11a、1bの周辺に形成されるように、金型キャビティ9内に封止樹脂8a及び封止樹脂8bが注入される。一例として、1回のトランスファ成型プロセス中で2種類の樹脂である封止樹脂8a及び封止樹脂8bを同時に注入する。2種類の樹脂を同時に注入することで、図4eに示すように、半導体素子11a、1bの周辺を含む半導体装置20の下層側、すなわち半導体装置20の銅箔6側に、封止樹脂8aが形成される。封止樹脂8bは封止樹脂8aの上層側、すなわち封止樹脂8aの外側外方側に形成される。封止樹脂8a及び封止樹脂8bは流動性があるので、図2、図3や図4eに示すような水平面状の明確な封止樹脂8aと8bの境界面は存在しない。また、封止樹脂8a及び封止樹脂8bの境界付近は、多少互いに混ざり合うので、明確な封止樹脂8aと8bの界面は存在しない。他の例として、封止樹脂8a及び封止樹脂8bの注入タイミングをずらしてもよい。封止樹脂8aを封止樹脂8bよりも先に注入し、所定時間経過後に封止樹脂8bを注入する。封止樹脂8a及び封止樹脂8bの注入タイミングずらすことで、封止樹脂8a及び封止樹脂8bの境界面の形状制御を行うことができ、図2、図3や図4eに示すような水平面状に近い境界面が形成できる。また、封止樹脂8a及び封止樹脂8bの境界面の形状は、図2、図3や図4e以外にも、図8aや図8bのような半導体素子11a、1bや放熱板3を覆う台形形状でも構わない。図8は、本発明の実施の形態1による他の半導体装置を示す図である。封止樹脂8のトランスファ成型プロセスに用いる金型15には、封止樹脂8を注入する金型樹脂注入口10a、10bが段差を設けて配置される。すなわち、金型15には、配置高さが互いに異なる位置に、封止樹脂8を注入する金型樹脂注入口10a、10bが設けられる。下側に位置する金型樹脂注入口10aからは放熱板3の熱膨張係数よりも半導体素子11a、1bの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する封止樹脂8aを注入する。また、金型樹脂注入口10aよりも上側に位置する金型樹脂注入口10bからは、封止樹脂8aよりも大きな熱膨張係数を有する封止樹脂8bを注入する。これにより、確実に半導体素子11a、1b近傍を、封止樹脂8bよりも熱膨張係数が低い、半導体素子11a、1bの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する封止樹脂8aで覆うことができる。つぎに半導体装置20の動作について説明する。電力用の半導体装置20を駆動させると、半導体素子1をはじめとする半導体装置20内に実装された様々な素子に電流が流れ、その際、電気抵抗分の電力ロスが熱へと変換され、発熱が生ずる。半導体素子1で発生した熱は放熱板3を経由し、絶縁層7、銅箔6を介して外部に放熱されることになるが、半導体装置20の温度は上昇する。このとき半導体素子1に、SiCのような高性能の半導体材料を用いると電流が大きく、動作時の温度は300°Cにまで達する。しかし、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置20では、半導体素子1や放熱板3を封止樹脂8により拘束し、しかも、半導体素子1の周囲に存在する封止樹脂8aの熱膨張係数を半導体素子1の熱膨張係数に近づけるよう小さくしているので、半導体素子1と封止樹脂8aとの界面に発生する熱応力を小さくすることができる。そのため、温度変化に対するヒートサイクル信頼性試験において、半導体素子1と封止樹脂8aとの界面での剥離が発生するようなことがなくなる。すなわち、半導体素子1と半導体素子1及び放熱板3を封止する封止樹脂8aとの密着性を確保することができる。半導体素子1と封止樹脂8aとの界面の剥離が発生すると、剥離部分を通じて外部から水分等が侵入し、半導体素子1の絶縁性の低下を招く可能性がある。また、剥離部分を通じて外部から侵入する水分等により、半導体素子1とアルミワイヤ5との接合部に腐食が起こり、アルミワイヤ5との接合部の劣化破断の至る可能性がある。しかし、実施の形態1の半導体装置20は、ヒートサイクル信頼性試験において、半導体素子1と封止樹脂8aとの界面での剥離が発生しないので、半導体装置20の長期間の動作によっても半導体素子1と半導体素子1及び放熱板3を封止する封止樹脂8aとの密着性を確保することができる。実施の形態1の半導体装置20は、長期間の動作によっても半導体素子1と半導体素子1及び放熱板3を封止する封止樹脂8aとの密着性を確保されるので、半導体素子1の絶縁性の低下やアルミワイヤ5の接合部の劣化破断に至ることがなく、正常な動作を長く保つことができ、半導体装置20の長寿命化を達成することができる。したがって、実施の形態1の半導体装置20は、信頼性を高めることができる。さて、熱膨張係数の小さな封止樹脂8aのみで成型しても上記信頼性を確保することができる場合はある。しかし、図9に示すように電力用の半導体装置20は、放熱フィン11に固定して使用する。図9は、本発明の実施の形態1による半導体装置モジュールを示す図である。図9aは放熱フィン11の垂直板がそれぞれ見える状態の側面図であり、図9bは図9aの左側から見た側面図である。ただし、図9aにおける半導体装置20は、その内部構造として図2の断面構造を破線で示した。半導体装置モジュール30は、電力用の半導体装置20と、放熱フィン11と、押さえ板12と、固定ネジ13を有する。半導体装置20は、銅箔6面と放熱フィン11との間は熱伝導性の良い放熱グリースや放熱シートを介して、放熱フィン11に配置される。半導体装置20は、押さえ板12と固定ネジ13を用いて、放熱フィン11に固定されている。半導体装置モジュール30を組み立てる際に、放熱フィン11に配置される半導体装置において逆反り凸反りがある場合には、最も放熱性が要求される中央部の放熱グリース厚が厚くなり、熱抵抗が上昇する問題がある。熱膨張係数の小さな封止樹脂8aのみで封止して成型した半導体装置21の場合、成型温度から室温まで冷却した際に、銅の熱収縮の方が封止樹脂の熱収縮硬化収縮の含むより大きいことから、半導体装置21は逆反りになる。一方、実施の形態1の半導体装置モジュール30を構成する半導体装置20は、封止樹脂8として熱膨張係数の異なる2種類の封止樹脂8a、8bを使用している。封止樹脂8は、熱膨張係数の小さな封止樹脂8aの上側に、封止樹脂8aよりも大きな熱膨張係数の封止樹脂8bが配置されるので、封止樹脂8によって封止した後の冷却によっても、半導体装置20は、下側の放熱板3、絶縁層7、銅箔6が内側になるように湾曲する、いわゆる半導体装置の逆反り凸反りが生じることを防ぐことが可能となる。したがって、実施の形態1の半導体装置モジュール30は、半導体装置20と放熱フィン11との間の接合部、特に最も放熱性が要求される中央部の放熱グリース厚を薄くするこことができる。したがって、実施の形態1の半導体装置モジュール30は、半導体装置20と放熱フィン11との間の接合による熱抵抗の上昇を最小限にとどめることが可能となり、優れた放熱特性が得られる。以上のように、実施の形態1の半導体装置20は、銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3に実装された半導体素子1を、放熱板3の熱膨張係数よりも半導体素子1の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する封止樹脂8aで覆うように形成され、さらに封止樹脂8aの上層部は、封止樹脂8aより大きな熱膨張係数の封止樹脂8bで覆うように形成される。半導体素子1の近傍は、熱膨張係数が半導体素子1に近い封止樹脂8aで覆われているため、半導体素子1と封止樹脂8aの間に発生する応力は小さくなり、半導体装置20の動作で発生する熱による熱応力のストレスが小さくなり信頼性が向上する。さらに、封止樹脂8aの上層部を熱膨張係数の大きな封止樹脂8bで覆うことにより半導体装置20が逆反りすることを最小限にとどめることができ、あるいは防止できる。このため、半導体装置20の熱を放熱する放熱フィン11との接続の際の熱抵抗上昇を最小限にとどめることができ、あるいは防止することができる。放熱フィン11に固定した際の熱抵抗上昇を最小限にとどめ、あるいは防止するので、信頼性および放熱性に優れた電力用の半導体装置20を得ることが可能となる。また、封止樹脂8aの熱膨張係数及び封止樹脂8bの熱膨張係数は、それぞれ7~10ppm/°C及び11~20ppm/°Cがよいことを一例として示したが、その理由を詳しく述べる。封止樹脂8aの上層部を覆う封止樹脂8bの熱膨張係数を、封止樹脂8aより大きくし、かつ放熱板3の熱膨張係数に近いものにすることにより、半導体装置20が逆反りすることが防止できると共に、半導体装置20の下面である銅箔6の水平度を向上させることができる。この場合、半導体装置20の上層部となる封止樹脂8bの熱膨張や熱収縮は、半導体装置20の内部の放熱板3の熱膨張や熱収縮と同等になるので、半導体装置20の熱膨張や熱収縮による変形が小さくなる。したがって、半導体装置20が放熱フィン11に固定された半導体装置モジュール30は、半導体装置20の変形による固定ネジ13の緩みを低減することができる。したがって、半導体装置モジュール30を長期間動作させても、半導体装置20は放熱フィン11に強固に固定されるので、半導体装置モジュール30の放熱特性を高いままに長期に渡って維持することができる。また、封止樹脂8aと封止樹脂8bは同じトランスファ成型プロセスにて成型させることから両樹脂は界面近傍では混じり合い明確な樹脂界面は存在しない。封止樹脂8aと封止樹脂8bとの間に発生する応力は小さくなり、半導体装置20の信頼性が向上する。また、トランスファ成型の際に、下側の金型樹脂注入口10aから封止樹脂8aを注入するタイミングに対して上側の金型樹脂注入口10bから封止樹脂8bを注入するタイミングを遅らせることで、半導体素子1近傍に確実に熱膨張係数の小さな封止樹脂8aを行き渡らすことが可能となる。また、下側の金型樹脂注入口10aは、図5に示すように、金型樹脂注入口10bよりも半導体素子1の中心に近い位置に配置することが好適である。これにより、半導体素子1近傍に確実に熱膨張係数の小さな封止樹脂8aを行き渡らすことが可能となる。半導体素子1が実装された放熱板3は、露出された銅箔6上に形成された絶縁層7であって、有機物に無機充填材を含有した絶縁層7に接着されるので、放熱板3は絶縁層7によって銅箔6から絶縁される。放熱板3には半導体装置20に供給される電圧が印加されるが、実施の形態1の半導体装置20は、半導体装置モジュール30を構成した際の半導体装置20と放熱フィン11との絶縁を確保することができる。前述したように、半導体素子1は、シリコンウエハを基材とした一般的な素子でもよいが、本発明においては炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaN系材料、またはダイヤモンドといったシリコンと較べてバンドギャップが広い、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を適用できる。たとえば、スイッチング素子や整流素子として機能する半導体素子1に、炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaN系材料又はダイヤモンドを用いた場合、従来から用いられてきたシリコンSiで形成された素子よりも電力損失が低いため、電力用半導体装置等の半導体装置の高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、半導体装置の小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、半導体装置モジュールの一層の小型化が可能になる。ワイドバンドギャップ半導体素子の性能を発揮するには、半導体素子1で発生した熱を効率よく放熱する必要がある。そのため、本発明の実施の形態に記載した半導体装置20は、銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3を用いて従来よりも放熱特性が優れるとともに、封止樹脂により封止された半導体装置1の逆反りを低減することができるので、信頼性の高い半導体装置20や半導体装置モジュール30を得ることができる。以上のように実施の形態1の半導体装置20によれば、銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3の一方の面に半導体素子1が実装され、半導体素子1が封止樹脂8で樹脂封止され、封止樹脂8は、第1の封止樹脂8aと、第1の封止樹脂8aよりも大きな熱膨張係数を有する第2の封止樹脂8bとを含み、第1の封止樹脂8aは半導体素子1を覆うように形成され、第2の封止樹脂8bは第1の封止樹脂8aの外側に形成されたので、第1の封止樹脂により半導体素子を覆い、第1の封止樹脂の外側に第2の封止樹脂が形成でき、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することができる。実施の形態1の半導体装置モジュール30によれば、半導体素子1を備えた半導体装置20が、放熱フィン11に固定され、半導体装置20は、露出した金属箔6を有し、金属箔6が露出した側を放熱フィン11に向けて配置され、半導体装置20は、銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板3の一方の面に半導体素子1が実装され、半導体素子1が封止樹脂8で樹脂封止され、封止樹脂8は、第1の封止樹脂8aと、第1の封止樹脂8aよりも大きな熱膨張係数を有する第2の封止樹脂8bと、を含み、第1の封止樹脂8aは半導体素子1を覆うように形成され、第2の封止樹脂8bは第1の封止樹脂8aの外側に形成されたので、半導体装置20と放熱フィン11との間の接合による熱抵抗の上昇を最小限にとどめることが可能となり、優れた放熱特性が得られる。実施の形態1の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子1が実装された放熱板3を金型15に配置する配置手順と、金型15に封止樹脂8を注入する樹脂注入手順と、を含み、樹脂注入手順において、第2の封止樹脂8bは、第1の封止樹脂8aが注入される位置よりも上方から注入されるので、確実に半導体素子1近傍を、封止樹脂8bよりも熱膨張係数が低く、半導体素子1の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する封止樹脂8aで覆うことができる。実施の形態2.実施の形態2にかかる電力用の半導体装置20は、実施の形態1にかかる電力用の半導体装置20と異なる製造方法で製造したものである。最終的な構成については、実施の形態1とほぼ同様であるので、各部材の詳細については説明を省略する。実施の形態2にかかる電力用の半導体装置20の製造方法について説明する。実施の形態1における封止樹脂8の構成として、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂に、溶融シリカ等のセラミック粒子を充填材として混入し、熱膨張係数や弾性率を調整した材料を用いる。この際、封止樹脂8の下層を構成する熱膨張係数が小さい封止樹脂8aと上層を構成する熱膨張係数が大きい封止樹脂8bの2つの樹脂で構成されている点は同じである。この封止樹脂8aと8bは、同一のエポキシ樹脂で構成されており、異なる充填材を用いることで熱膨張係数が異なるようにする。例えば、熱膨張係数が小さな封止樹脂8aでは、充填材として溶融シリカと用い、熱膨張係数が大きな封止樹脂8bでは、結晶シリカまたは溶融シリカ/結晶シリカの混合物を用いることが可能である。実施の形態2にかかる電力用の半導体装置20は、実施の形態1の特性を維持しながら、封止樹脂8bとして結晶シリカを充填材として使用することができ、樹脂のコストダウンに寄与することができる。また、結晶シリカを添加することである一定の充填材量を樹脂に含有させることができ、樹脂の難燃性の向上に寄与することができる。