二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部とを含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、前記分離された一方の前記発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光分離部によって分離された他方の発振光を受光する受光素子と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号のタイミングに基づいて記録信号を生成して、前記記録信号に対応する前記ゲイン電流を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に注入する記録信号生成部と、前記自励発振半導体レーザの発振期間において、前記マスタークロック信号の周期に合わせて変動する前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加して、前記発振光の発振周波数を制御する制御部と、を含む記録装置。前記自励発振半導体レーザの非発振期間の少なくとも一部の期間において、前記ゲイン電流はゼロである請求項1に記載の記録装置。前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記負のバイアス電圧を変化させ、前記発振光のピークパワーを制御する請求項2に記載の記録装置。前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記ゲイン電流を変化させ、前記発振光のピークパワーを制御する請求項2に記載の記録装置。前記自励発振半導体レーザは、活性層、GaInNガイド層、p型AlGaN障壁層、p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層及びp型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層を備え、前記活性層の一方の表面上に、前記GaInNガイド層、前記p型AlGaN障壁層、前記p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層及び前記p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層がこの順に積層された請求項3または4に記載の記録装置。前記自励発振半導体レーザは、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層を備え、活性層の他方の表面上に、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層がこの順に積層された請求項5に記載の記録装置。二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、前記光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号のタイミングに基づいて所定の電流信号を生成して、前記所定の電流信号に対応した前記ゲイン電流を前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する信号生成部と、前記自励発振半導体レーザの発振期間において、前記マスタークロック信号の周期に合わせて変動する前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加して、前記発振光の発振周波数を制御する制御部と、を含む光発振装置。こうした高出力かつパルス幅の狭い光源は、例えば二光子吸収記録媒体への記録光源や、非線形光学生体イメージング、マイクロマシニング等の、様々な分野への応用が期待される。他にも近年においては、信号転送の高速化のために、シリコン電子デバイス間を光配線で接続し、光で信号転送を行う光回路も提案されている。将来、光回路による演算処理を可能とするためには、電子回路のマスタークロック信号を発生させる光発振子が必要となる。こうした光発振子として自励発振型のレーザを用いる場合には、用途に応じて特定の周波数のものを用意しなければならない。また、記録再生装置においては、光記録媒体から読み取ったウォルブ信号や、光記録媒体を回転させるスピンドルモータからの回転同期信号に同期させた記録信号を光源から出射させる必要がある。しかし、自励発振型のレーザの周波数は、一般的にその構造によって特有のパルス光周波数に決まってしまう。このため、用途毎にそれぞれ自励発振型のレーザを製造する必要がある上に、非常に高い製造精度も必要とする。したがって、コストは高くなる。上述の点を鑑みて、本技術は、所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本技術による光発振装置は、二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザを含む。また、本技術の光発振装置は、自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、を含む。さらに、本技術の光発振装置は、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、マスタークロック信号のタイミングに基づき所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応するゲイン電流を自励発振半導体レーザのゲイン部に注入する信号生成部も含む。そして、本技術の光発振装置は、自励発振半導体レーザの発振期間においては、マスタークロック信号の周期に合わせて変動する負のバイアス電圧を自励発振半導体レーザの過飽和吸収体部に印加して、発振光の発振周波数を制御する制御部を含む。また、本技術による記録装置は、上述の光発振装置において、信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部を設け、さらに、上述の光分離部によって分離された他方の発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズを設けたものである。本技術の光発振装置及び記録装置によれば、自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部に印加する逆バイアス電圧を、マスタークロック信号の周期に合わせて変動させる。これにより、この逆バイアス電圧の変動の周期に合わせて、自励発振半導体レーザを強制的に発振させることが可能である。したがって、マスタークロック信号の周波数を変えることにより、自励発振半導体レーザの発振周波数を任意にかつ容易に制御することができる。本技術の光発振装置及び記録装置によれば、任意の発振周波数の発振光を容易に得ることができる。以下、本技術を実施するための最良の形態の例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。説明は以下の順序で行う。1.自励発振半導体レーザの構成2.第1の実施形態発振光のピークパワーをゲイン電流で制御する例3.第2の実施形態発振光のピークパワーを逆バイアス電圧で制御する例まず初めに、本技術において用いる自励発振半導体レーザ1の構成について説明する。図1は、本技術における自励発振半導体レーザ1を示す概略構成図である。この自励発振半導体レーザ1は、上述の非特許文献1において示されている自励発振半導体レーザである。自励発振半導体レーザ1は、過飽和吸収体部2と、第1のゲイン部3と、第2のゲイン部4とによって構成されるTripleSectional型の自励発振半導体レーザである。図1に示すように、過飽和吸収体部2は、第1のゲイン部3と、第2のゲイン部4とに挟まれるように位置する。過飽和吸収体部2を設けると、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収体の吸収率が低下し、強度の大きいパルスしか吸収体を透過できないため、より狭いパルスが得られる。また、第1のゲイン部3及び第2のゲイン部4にはゲイン電流が注入される。n型GaN基板6の0001面上には、GaInN/GaN/AlGaN材料で構成された二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造が形成されている。すなわち、n型GaN基板6の一方の表面上に、n型GaN層7、n型AlGaNクラッド層8、n型GaNガイド層9及び二重量子井戸活性層10がこの順で積層して形成される。さらに、二重量子井戸活性層10上には、GaInNガイド層11、p型AlGaN層12、p型AlGaN障壁層13及び、p型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14がこの順で積層して形成される。このヘテロ構造は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって形成することができる。このp型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14の中央部には、図1に示すようにリッジ構造が形成され、リッジ上面には、p型GaNコンタクト層16が形成される。また、リッジ側面や、p型AlGaN/GaN超格子第一クラッド層14のリッジが形成されていない部分の上には、SiO2/Si絶縁層15が形成される。p型GaNコンタクト層16及びSiO2/Si絶縁層15上には、p型電極である第1の主電極17、第2の主電極18並びに副電極19がオーミックコンタクトにより形成される。具体的には、第1のゲイン部3上には第1の主電極17が形成され、過飽和吸収体部2上には副電極19が形成される。また、第2のゲイン部4上には、第2の主電極18が形成される。これらの電極は、溝状の分離部20によって分離されており、互いに電気的に分離される。また、n型GaN基板6のn型GaN層7とは反対側の面には、n型の下部電極5がオーミックコンタクトにより形成される。図1に示すように、この自励発振半導体レーザ1では、副電極19によって、過飽和吸収体部2に逆バイアス電圧負の値のバイアス電圧を加える。そしてこの時、第1のゲイン部3及び第2のゲイン部4に対してそれぞれ第1の主電極17及び第2の主電極18から電流ゲイン電流を注入することにより、レーザ光が出射される。本提案者らは、この自励発振半導体レーザ1に対し、上述のゲイン電流の変化よって発振光を変調し、かつ、上述の逆バイアス電圧を変化させる発振期間において周期電圧を印加することにより発振周波数を制御できることを見出した。例えば、図2に、本技術の自励発振半導体レーザ1において、発振時の逆バイアス電圧直流電圧を一定にし、ゲイン電流を変化させたときの発振光の発振周波数を測定した結果を示す。横軸はゲイン電流Igainであり、縦軸は、発振周波数である。なお、逆バイアス電圧Vsaは、0Vから-6.0Vまで、1.0V刻みで変化させ、それぞれの電圧値における発振周波数の変化を調べた。図2に示すように、逆バイアス電圧Vsaが一定であるとき、ゲイン電流Igainを大きくすると、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数は大きくなることがわかる。したがって、自励発振半導体レーザ1の発振時において、ゲイン電流直流電流の値を変化させることで、発振周波数を制御することが可能である。一方で、図3は、ゲイン電流Igainを一定にし、自励発振半導体レーザ1の発振時における逆バイアス電圧発振時において値一定の直流電圧の変化に対する発振周波数の変化を調べたものである。横軸は逆バイアス電圧Vsaであり、縦軸は、発振周波数である。なお、ゲイン電流は、80mAから200mAまで、20mA刻みで変化させ、それぞれの電流値における発振周波数の変化を調べた。図3に示すように、ゲイン電流Igainが一定であるとき、逆バイアス電圧Vsaを負の方向に大きくすると、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数は小さくなることがわかる。すなわち、自励発振半導体レーザ1の発振時発振期間において、逆バイアス電圧直流電圧の値を変化させることで、発振周波数を制御することが可能である。また、図4は、逆バイアス電圧Vsaを一定にしたときの自励発振半導体レーザ1に印加したゲイン電流Igainと、自励発振半導体レーザ1からの発振光のピークパワーとの関係を示す図である。横軸はゲイン電流Igainであり、縦軸は、ピークパワーである。逆バイアス電圧Vsaは、0Vから-7.0Vまで1.0V刻みで変化させ、それぞれの電圧値におけるピークパワーを調べた。図4からわかるように、ゲイン電流Igainが小さいときには、自励発振半導体レーザ1は発振しない。また、ゲイン電流Igainが所定の値よりも大きくなると自励発振半導体レーザ1は発振を始め、それ以降は、ゲイン電流Igainが大きくなるほど発振光のピークパワーも大きくなる。このように、ゲイン電流の値によって、ピークパワーの値が変化するので、ゲイン電流によりピークパワーを制御することが可能である。また、図5は、自励発振半導体レーザ1に注入したゲイン電流と、自励発振半導体レーザ1からの発振光のピークパワーとの関係において、逆バイアス電圧を-5.0Vから-6.5Vまで0.5V刻みで変化させた場合について、それぞれ調べたものである。図5に示すように、逆バイアス電圧が例えば-5.0Vから-6.5Vまでの範囲において、ゲイン電流が約100mAよりも小さいときには、自励発振半導体レーザ1の発振が停止する。一方で、例えばゲイン電流が250mAの場合には、自励発振半導体レーザ1から3000mW以上のピークパワーの発振光が得られる。したがって、例えば、図5の線L1に示すゲイン電流が250mAの時の状態を自励発振半導体レーザ1のオン発振状態とし、線L2に示すゲイン電流が0mAの時の状態を自励発振半導体レーザ1のオフ非発振状態とすることができる。すなわち、例えばゲイン電流を、250mAと0mAとで切り替えを行うことにより、自励発振半導体レーザ1のオン発振とオフ非発振を制御することができる。このように、ゲイン電流の制御を行うことで、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の変調を行うことが可能である。また、図6は、ゲイン電流Igainを一定にしたときの自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧Vsaと、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光のピークパワーとの関係を示す図である。なお、ゲイン電流Igainは、60mAから200mAまで20mA刻みで変化させ、それぞれのゲイン電流値におけるピークパワーを調べた。横軸は逆バイアス電圧Vsaであり、縦軸は、ピークパワーである。この図6からわかるように、逆バイアス電圧Vsaが約-7.0Vよりも負の方に大きいときには、自励発振半導体レーザ1は発振しない。逆バイアス電圧Vsaが約-7.0Vよりも正の方向に大きくなると自励発振半導体レーザは発振を始め、逆バイアス電圧Vsaが正の方向に大きくなるほど発振光のピークパワーは大きくなる。そして、逆バイアス電圧Vsaが所定の値においてピークパワーが最大となり、その後さらに、逆バイアス電圧Vsaが正の方向に大きくなるほど発振光のピークパワーが小さくなる。このように、逆バイアス電圧Vsaの値によっても発振光のピークパワーが変化するので、逆バイアス電圧Vsaによって自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを制御することが可能である。なお、この図4、5、6で示すピークパワー値は光出力の平均パワーモニター値と高速フォトディテクタ40GHzで測定したパルス幅から換算している。ディテクタの帯域不足で光ストリークカメラで測定した実際のパルス幅15ps最小に対して40ps程度までしか検出できていないため、ピーク値が低めに表示されている。自励発振半導体レーザ1の上述した特性は、図7A、図7Bを用いて以下のように説明できる。図7Aは、自励発振半導体レーザ1に注入したゲイン電流と、電流の注入により自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度の関係を示す図であり、図7Bは、このときに自励発振半導体レーザ1から出射される光の波形を示す図である。なお、このとき、逆バイアス電圧は一定の値としている。図7Aにおいて、特性L3は、自励発振半導体レーザ1に注入したゲイン電流の電流値であり、特性L4は、そのときに自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度以下、電荷密度というである。矢印A1に示すように、ゲイン電流を大きくすると、自励発振半導体レーザ1内に蓄積された電荷の密度が高くなる。そして、この電荷密度が特性L5に示す発光閾値に到達すると、図7Bに示すパルス光Pu1が放出される。このとき、パルス光の放出により電荷が消費され、矢印A2に示すように、自励発振半導体レーザ1内の電荷密度は低下する。そして再びゲイン電流によって自励発振半導体レーザ1内に電荷が蓄積され、電荷密度が特性L5の発光閾値に到達するとパルス光を放出する。こうした過程を繰り返すことによって、自励発振半導体レーザ1はパルス光の連続発振を行う。ところで、自励発振半導体レーザ1に蓄積される電荷は、パルス光の放出によって消費される以外に、自励発振半導体レーザ1から自然に流出する消費されることでも失われる。したがって、ゲイン電流が小さいときには、電荷を自励発振半導体レーザ1に蓄積させることができず、電荷密度が発光閾値に到達しない。このため、図5に示したように、ゲイン電流をある所定の値よりも小さくすると、自励発振半導体レーザ1は発振しなくなる。このことによって自励発振半導体レーザ1のオン発振とオフ非発振とを切り替えることができる。また、特性L5に示す、電荷密度に対する発光閾値は、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧の値によって変化する。例えば、逆バイアス電圧を負の方向に大きくすると、特性L5に示す電荷密度に対する発光閾値は、矢印A3に示すように大きくなる。このため、電荷密度が発光閾値に到達するまでの時間が長くなるので、パルス光が放出される間隔は長くなり、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は小さくなる。すなわち、この原理により、自励発振半導体レーザ1の発振周波数を逆バイアス電圧によって制御することができる。また、逆バイアス電圧を負の方向に大きくすることにより発光閾値が大きくなると、レーザ光の発振に必要とされる電荷密度が大きくなり、発振時に消費される電荷量も大きくなるので、放出されるパルス光のエネルギーも大きくなる。このため、バイアス電圧によって、自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを制御することができる。また、ゲイン電流の値が大きくなると、電荷密度が特性L5に示す発光閾値に到達するまでの時間が短くなる。このため、パルス光が放出される間隔は短くなり、自励発振半導体レーザ1の発振周波数は大きくなる。すなわち、この原理により、自励発振半導体レーザ1の発振周波数をゲイン電流によって制御することができる。また、逆バイアス電圧の制御によって、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数制御が可能となる原理について、図8A~図8Cをもとに以下に説明する。図8Aに示すように、例えば自励発振半導体レーザ1の発振光を用いて、0、1、1、0、0の順に二値信号を表現する場合を考える。また、図8Bは自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧の波形特性L6、発光閾値特性L7、自励発振半導体レーザに注入したゲイン電流の波形特性L8、自励発振半導体レーザ1に蓄えられる電荷密度特性L9を示す図である。また、図8Cは、このときに自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の波形を示す図である。なお、図8Cに示すように、自励発振半導体レーザ1から出射するパルス光2個分が、二値信号の‘1’に対応するものとする。また、二値信号の‘0’及び‘1’は、互いに等しい周期で表現されるものとする。まず、二値信号の‘0’を自励発振半導体レーザ1によって表現するときには、図8Bに示す期間T1非発振期間において特性L8に示すゲイン電流の値は低く設定される。このため、電荷密度は、特性L7に示す発光閾値を超えない。したがって、期間T1においては、自励発振半導体レーザ1は発振しない。一方、二値信号の‘1’を自励発振半導体レーザ1によって表現するときには、図8Bに示す期間T2発振期間において、特性L8に示すゲイン電流を大きくする。これにより、矢印A5に示すように電荷密度は上昇する。このとき、特性L6に示す逆バイアス電圧は、期間T2内においては、その電圧値が負の範囲内において期間T1の電圧値から周期的に正の方向に大きくなるような周期電圧にする。このため、特性L7に示す発光閾値も、逆バイアス電圧の変化に対応して周期的に変化する。すなわち、期間T2においては、発光閾値が期間T1における発光閾値から周期的に低下する。発光閾値が低下したこのタイミングにおいて、自励発振半導体レーザ内に蓄積される電荷密度が該発光閾値に到達することにより、図8Cに示すパルス光Pu2が放出される。パルス光Pu2の放出により電荷が消費されることで、図8Bの矢印A6に示すように、電荷密度は低下する。一方、特性L8に示すゲイン電流は、期間T2発振期間において、所定の値まで上昇するとその後は一定に維持される発振期間においてほぼ一定値の直流電流。このため、再び自励発振半導体レーザ1には電荷が蓄えられ、矢印A7に示すように電荷密度が上昇する。また、このとき特性L6に示す逆バイアス電圧は、矢印A8に示すように負の方向に変化した後非発振期間の電圧値に戻った後、矢印A9に示すように、負の値の範囲内で再び正の方向に大きくなる。これにより、特性L7に示す発光閾値は再び低下して、特性L9に示す電荷密度が発光閾値に到達する。そしてこのときに、図8Cに示すパルス光Pu3が放出され、二値信号の‘1’が放出される。また、二値信号の‘1’から‘0’へ切り替わるときには、図8Bの期間T3非発振期間に示すように、特性L8のゲイン電流を例えば0mAまで低下させるとともに、特性L6に示す逆バイアス電圧を期間T1の値に戻し、その後はその電圧値を一定とする。これにより、期間T3においては、特性L9に示す電荷密度が発光閾値に到達しなくなる。このため、自励発振半導体レーザ1は発振せずに停止状態となり、期間T3では二値信号の‘0’が表現される。特に、非発振期間におけるゲイン電流の値を0mAに設定すると、自励発振半導体レーザ1の消費電力を低減できるので好ましい。このように、本技術では、発振期間における逆バイアス電圧を周期的に正の方向に大きくすることで、発光閾値を周期的に小さくする。そして、この発光閾値が小さくなったタイミングにおいて、電荷密度を発光閾値に到達させることにより、自励発振半導体レーザ1がパルス光を放出する。すなわち、発光させたいタイミングにおいて発光閾値を下げることにより、強制的に電荷密度を発光閾値に到達させる。したがって、自励発振半導体レーザ1がパルス光を放出するタイミングを制御することができるので、発振周波数を制御することが可能である。また、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のピークパワーは、矢印A10に示すように、正の方向に大きくしたときの逆バイアス電圧Vsaの値以下、逆バイアス電圧のピーク値と呼ぶを変化させることにより、制御することも可能である。すなわち、逆バイアス電圧のピーク値を変化させることにより、それに対応して発光閾値が変化するので、発光閾値への到達に必要な電荷密度の値が変化する。発振光のピークパワーは、電荷密度に応じて変化する。それゆえ、逆バイアス電圧のピーク値を変化させることにより、発振光のピークパワーを制御することができる。また他にも、矢印A11に示すように、発振期間T2におけるゲイン電流Igainを変化させることにより、発振光のピークパワーを制御することも可能である。この自励発振半導体レーザ1の変調動作の確認実験を行った結果を図9A~図9Cに示す。図9Aは、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光の波形を示す図であり、図9Bは、自励発振半導体レーザ1に印加した逆バイアス電圧の波形を示す図である。また、図9Cは、自励発振半導体レーザ1に注入したゲイン電流の波形を示す図である。なお、ゲイン電流は、期間T6において170mAとし、期間T7において0mAとした。また、逆バイアス電圧の電圧値は、図9Bに示すように-7.0Vと-5.0Vとの間で周期的に変化させた。ただし、図9Aと図9Cの時間軸のずれは、検出器によって発生する遅延によるものであり、パルス光を検出した後、そのパルス光を電気変換して出力するまでに要する時間等に起因するものである。実際には、図9Aにおけるパルス光の発振期間T4と図9Cの期間T6とはほぼ同時刻であり、また、図9Aに示すパルス光は、図9Bにおいて逆バイアス電圧が-5.5Vとされた時刻に対応して発振している。この例では、ゲイン電流が170mAの期間T6に対応して、期間T4に示す発振期間が生じ、この期間において自励発振半導体レーザ1が発振している。また、ゲイン電流が0mAの期間T7に対応して、自励発振半導体レーザ1には、期間T5に示す非発振期間が生じている。これらの結果から、ゲイン電流を170mAと0mAとで切り替えることにより、自励発振半導体レーザ1のオン状態発振期間とオフ状態非発振期間との切り替えが可能であることがわかる。すなわち、ゲイン電流を制御することで、自励発振半導体レーザ1が出射する発振光の変調を行うことができる。2.第1の実施形態ゲイン電流によって発振光のピークパワーを制御する例上述の特性を有する自励発振半導体レーザ1を用いて構成した記録装置について、以下に説明する。図10は、第1の実施形態に係る記録装置100を示す概略構成図である。本実施形態の記録装置100は、光発振部110と、光発振部110から出射した発振光を光記録媒体43上に集光する対物レンズ41とを有する。また、本実施形態の記録装置100は、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光を対物レンズ41に導くミラー40と、光記録媒体43を光記録面の面内方向に回転させるスピンドルモータ42とを備える。光発振部110は、光源となる上述の自励発振半導体レーザ1と、自励発振半導体レーザ1からの光をコリメートするコリメータレンズ31と、コリメータレンズ31を透過した光を分離する光分離部32とを備える。また、光発振部110は、光分離部32によって分離された一方の光を集光する集光レンズ33と、集光レンズ33によって集光された光を受光する受光素子34とを備える。またさらに、光発振部110は、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部36と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて、記録信号を生成する記録信号生成部39とを備える。また、本施形態の光発振部110は、受光素子34が受光した光の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流を制御する制御部38とを備える。まず、記録信号生成部39は、基準信号生成部36によって生成されるマスタークロック信号のタイミングに合わせて、例えば光ディスク等の光記録媒体に記録する記録信号二値信号を生成する。そして、記録信号生成部39は、この記録信号に対応するゲイン電流を自励発振半導体レーザ1のゲイン部に対して注入する。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光に対して、記録信号に対応した変調が行われる。また、制御部38は、基準信号生成部36によって生成されたマスタークロック信号にタイミングを合わせて、発振期間において負の値の範囲内で周期的に電圧値が変化する逆バイアス電圧を自励発振半導体レーザ1の過飽和吸収体部に印加する。また、非発振期間においては、自励発振半導体レーザ1が発振しない範囲内において、逆バイアス電圧を例えば値一定の直流電圧とする。ただし、非発振期間においても同様に負の値の範囲内で逆バイアス電圧を周期的に変化させてもよい。これにより、マスタークロック信号のタイミングに合わせて、自励発振半導体レーザ1を強制的に発振させることができ、自励発振半導体レーザ1の発振周波数をマスタークロック信号のそれと同一になるように制御することができる図8参照。記録信号に応じて変調された自励発振半導体レーザ1からの発振光は、コリメータレンズ31によってコリメートされた後、光分離部32に入射する。光分離部32は、例えばビームスプリッタ等によって構成され、自励発振半導体レーザ1から出射した光を二つの光束に分離する。二つに分離された光束のうち、例えば、光分離部32によって反射された光束は、集光レンズ33によって受光素子34上に集光される。この受光素子34には、例えばフォトダイオード等が用いられる。なお、制御部38は、受光素子34において受光された自励発振半導体レーザ1からの発振光の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流の値発振期間における電流値の制御も行う。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のピークパワーが制御される。一方で、光分離部32を透過した自励発振半導体レーザ1からの発振光は、ミラー40に入射する。そして、この発振光はミラー40によって反射されて光路を変え、対物レンズ41に入射する。対物レンズ41に入射した発振光は、光記録媒体43上に集光される。この際、光記録媒体43は、スピンドルモータ42によって光記録面の面内方向に回転している。また、レーザ光の集光スポットは、図示しないスレッドモータ等によって光記録媒体43の径方向に随時移動する。これにより、自励発振半導体レーザ1からの発振光は、光記録媒体43の光記録面に対して渦巻き状、もしくは同心円状に照射され、発振光に載せられた記録情報が、光記録媒体43に記録される。このように、本実施形態の記録装置100では、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光を、自励発振半導体レーザ1に注入するゲイン電流によって変調する。このゲイン電流は、記録信号に対応して生成されるので、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光に対して、記録情報を載せることができる。さらに、本実施形態の記録装置100では、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧をマスタークロック信号のタイミングに合わせて周期的に変動させる。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光の発振周波数をマスタークロック信号に合わせることが可能である。また、マスタークロック信号の周波数を任意の周波数とすることにより、任意の発振周波数で自励発振半導体レーザ1を発振させることが可能である。また、自励発振半導体レーザ1からの発振光に載せる信号は、記録信号に限らず任意の信号であってよい。すなわち、記録信号生成部39の代わりに、任意の信号を生成する信号生成部を設けることにより、任意の信号が載った発振光を出射する光発振装置として光発振部110を構成することも可能である。また、ここでは自励発振半導体レーザ1には、二つのゲイン部を有するTripleSectional型の自励発振半導体レーザを用いたが、ゲイン部が一つであるbiSectional型の自励発振半導体レーザを用いても、同様の作用、効果を得ることができる。3.第2の実施形態逆バイアス電圧によって発振光のピークパワーを制御する例第1の実施形態においては、自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを、発振期間におけるゲイン電流の値によって制御した。しかし、図6において示したように、自励発振半導体レーザ1のピークパワーは、逆バイアス電圧の値によっても変化する。ここでは、自励発振半導体レーザ1の発振光のピークパワーを、逆バイアス電圧によって制御する記録装置の例について説明する。図11は、第2の実施形態に係る記録装置200を示す概略構成図である。なお、第1の実施形態図10参照と対応する部位には同一符号を付し、重複した説明を避ける。本実施形態の記録装置200は、光発振部210と、光発振部210から出射した発振光を光記録媒体43上に集光する対物レンズ41と、を有する。また、本実施形態の記録装置200は、自励発振半導体レーザ1から出射した発振光を対物レンズ41に導くミラー40と、光記録媒体43を光記録面の面内方向に回転させるスピンドルモータ42とを備える。本実施形態の記録装置200は、光発振部210において、制御部45の動作が、第1の実施形態図10の制御部38と異なること以外は、第1の実施形態の記録装置100と同様である。まず、基準信号生成部36から出力したマスタークロック信号のタイミングに合わせて記録信号生成部39により生成された記録信号電流信号は、自励発振半導体レーザ1に対してゲイン電流として注入される。既述のように例えば、図8A~図8C、図9参照、本実施形態では、ゲイン電流の値によって自励発振半導体レーザ1の発振期間と非発振期間とを切り替えることが可能である。すなわち、本実施形態においても、例えば二値信号による記録信号ゲイン電流の‘1’と‘0’とを、自励発振半導体レーザ1の発振期間と非発振期間とにそれぞれ対応させる。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光を、記録信号に応じて変調させることができる。また、制御部45は、基準信号生成部36からのマスタークロック信号にタイミングを合わせて、自励発振半導体レーザ1の発振期間において負の値の範囲内で周期的に変動する逆バイアス電圧を自励発振半導体レーザ1に印加する。また、非発振期間においては、逆バイアス電圧は、自励発振半導体レーザ1が発振しない範囲内で一定の電圧とする。さらにこのとき、制御部45は、受光素子34によって受光された自励発振半導体レーザ1からの発振光の強度に基づいて、自励発振半導体レーザ1に印加する逆バイアス電圧例えば発振期間における逆バイアス電圧のピーク値図8参照の値を制御する。これにより、自励発振半導体レーザ1から出射する発振光のピークパワーを制御することができる。このように、本実施形態においても、記録信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ1に注入するので、記録信号に応じて発振光を変調させることができる。また、自励発振半導体レーザ1に印加される逆バイアス電圧は、マスタークロック信号にタイミングを合わせて周期的に変動するので、発振光の発振周波数をマスタークロック信号のそれに合わせることができる。それゆえ、マスタークロック信号の周波数を任意の周波数とすることにより、任意の発振周波数で自励発振半導体レーザ1を発振させることが可能である。また、第1の実施形態と同様に、自励発振半導体レーザ1からの発振光により表現する信号は、記録信号に限らず任意の信号であってよい。例えば、記録信号生成部39の代わりに、任意の信号を生成する信号生成部を設けることにより、任意の光信号を出射する光発振装置として光発振部110を構成することができる。また、本実施形態においても、自励発振半導体レーザ1には、一つのゲイン部を有するbiSectional型の自励発振半導体レーザを用いても、同様の作用、効果を得ることが可能である。以上、本技術による光発振装置及び記録装置について説明した。本技術は上記実施形態にとらわれることなく、特許請求の範囲に記載した本技術の要旨を逸脱しない限りにおいて、なお考えられる種々の形態を含むものであることは言うまでもない。また、本技術は、以下のような構成を取ることもできる。1二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧が印加される過飽和吸収体部と、ゲイン電流が注入されるゲイン部とを含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を二つに分離する光分離部と、前記分離された一方の前記発振光を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光分離部によって分離された他方の発振光を受光する受光素子と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて記録信号を生成して、前記記録信号に対応する前記ゲイン電流を前記自励発振半導体レーザのゲイン部に注入する記録信号生成部と、前記自励発振半導体レーザの非発振期間においては、電圧値一定の前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加し、前記自励発振半導体レーザの発振期間においては、前記マスタークロック信号の周期に合わせて変動する前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加して、前記発振光の発振周波数を制御する制御部と、を含む記録装置。2前記非発振期間の少なくとも一部の期間において、前記ゲイン電流はゼロである1に記載の記録装置。3前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記負のバイアス電圧を変化させ、前記発振光のピークパワーを制御する1または2に記載の記録装置。4前記制御部は、前記自励発振半導体レーザの発振期間における前記ゲイン電流を変化させ、前記発振光のピークパワーを制御する1または2に記載の記録装置。5前記自励発振半導体レーザは、活性層、GaInNガイド層、p型AlGaN障壁層、p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層及びp型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層を備え、前記活性層の一方の表面上に、前記GaInNガイド層、前記p型AlGaN障壁層、前記p型GaN/AlGaN超格子第一クラッド層及び前記p型GaN/AlGaN超格子第二クラッド層がこの順に積層された1~4に記載の記録装置。6前記自励発振半導体レーザは、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層を備え、活性層の他方の表面上に、n型GaNガイド層、n型AlGaNクラッド層、n型GaN層がこの順に積層された5に記載の記録装置。7二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含む自励発振半導体レーザと、前記自励発振半導体レーザからの発振光を分離する光分離部と、前記光分離部によって分離された一方の発振光を受光する受光素子と、マスタークロック信号を生成する基準信号生成部と、前記マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、前記所定の電流信号に対応した前記ゲイン電流を前記自励発振半導体レーザの前記ゲイン部に注入する信号生成部と、前記自励発振半導体レーザの非発振期間においては、電圧値一定の前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加し、前記自励発振半導体レーザの発振期間においては、前記マスタークロック信号の周期に合わせて変動する前記負のバイアス電圧を前記自励発振半導体レーザの前記過飽和吸収体部に印加して、前記発振光の発振周波数を制御する制御部と、を含む光発振装置。