基板上に、酸化物導電材料を用いて集電体を形成し、前記集電体の表面のぬれ性を高める処理を行って、ぬれ性の高い領域を形成し、前記集電体上にマスクを形成した後、前記集電体の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成し、前記マスクを除去することで、ぬれ性の高い領域を露出し、前記ぬれ性の高い領域に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後、前記シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を焼成して、活物質を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項1において、前記集電体の表面のぬれ性を高める処理を行って、ぬれ性の高い領域を形成した後であって、前記集電体の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成する前において、前記集電体にマスクを形成した後、前記集電体をエッチングして、凹凸状の集電体を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項1において、前記基板上に集電体を形成する前に、前記基板上に分離された絶縁部材を形成した後、前記絶縁部材上に前記集電体を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記集電体の表面のぬれ性を高める処理は、酸素プラズマを前記集電体に照射する処理であることを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記集電体の表面のぬれ性を高める処理は、前記集電体を活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を前記集電体に照射する処理であることを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記酸化物導電材料は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物であることを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。基板上に、集電体を形成し、前記集電体の表面を酸化して、光触媒として機能する金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層上にマスクを形成した後、前記金属酸化物層の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成し、前記マスクを除去した後、前記金属酸化物層に光を照射して、ぬれ性の高い領域を形成し、前記ぬれ性の高い領域に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後、前記シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を焼成して、活物質を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項7において、前記集電体の表面を酸化して、光触媒として機能する金属酸化物層を形成した後であって、前記金属酸化物層の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成する前において、前記集電体にマスクを形成した後、前記集電体をエッチングして、凹凸状の集電体を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項7において、前記基板上に集電体を形成する前に、前記基板上に分離された絶縁部材を形成した後、前記絶縁部材上に前記集電体を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項7乃至請求項11のいずれか一項において、前記集電体は、チタン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、タングステン、スズ、インジウム、またはバナジウムで形成されることを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。基板上に、集電体を形成し、前記集電体上に光触媒として機能する金属酸化物層を形成し、前記金属酸化物層上にマスクを形成した後、前記金属酸化物層の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成し、前記マスクを除去した後、前記金属酸化物層に光を照射して、ぬれ性の高い領域を形成し、前記ぬれ性の高い領域に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後、前記シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を焼成して、活物質を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項11において、前記集電体上に光触媒として機能する金属酸化物層を形成した後であって、前記金属酸化物層の表面をフッ素を含むプラズマに曝して、ぬれ性の低い領域を形成する前において、前記金属酸化物層にマスクを形成した後、前記集電体及び前記金属酸化物層をエッチングして、凹凸状の集電体及び金属酸化物層を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項11において、前記基板上に集電体を形成する前に、前記基板上に分離された絶縁部材を形成した後、前記絶縁部材上に前記集電体を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。請求項11乃至請求項13のいずれか一項において、前記集電体は、ステンレス、銅、またはニッケルであることを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法。本発明の一態様では、充放電による劣化の少ない蓄電装置用電極を作製することを課題とする。または、本発明の一態様では、容量が大きく、且つ耐久性の高い蓄電装置を作製することを課題とする。本発明の一態様は、集電体の一表面にぬれ性の高い領域及びぬれ性の低い領域を形成し、ぬれ性の高い領域に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後焼成して、集電体表面に分離した活物質を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法である。また、本発明の一態様は、集電体の表面に光触媒層を形成し、光触媒層の一部にぬれ性の低い領域を形成した後、光触媒層に光を照射して、ぬれ性の低い領域以外の光触媒層を活性化させて、ぬれ性の高い領域を形成し、当該ぬれ性の高い領域に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後焼成して、集電体表面に分離した活物質を形成することを特徴とする蓄電装置用電極の作製方法である。なお、集電体は凹凸状であってもよく、凸部に活物質を形成してもよい。または、基板上に分離された絶縁部材を形成し、当該絶縁部材上に上記集電体を形成してもよい。上記集電体は、負極集電体であり、上記活物質は負極活物質である。本発明の一態様は、正極、負極、及び電解質を有する蓄電装置の作製方法であって、上記本発明のいずれかを用いて負極を作製する蓄電装置の作製方法である。本発明の一態様により、充放電による劣化の少ない蓄電装置用電極を作製することができる。また、本発明の一態様により、容量が大きく、且つ耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。本発明の実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。なお、説明中に図面を参照するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。また、同様のものを指す際には同じハッチパターンを使用し、特に符号を付さない場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である蓄電装置用電極及びその作製方法について説明する。本実施の形態の蓄電装置用電極の構造について図1を用いて説明する。図1Aは、蓄電装置の電極負極の一形態であり、集電体103と、集電体103の一表面上に設けられたぬれ性の低い領域113、ぬれ性の低い領域113の間に位置するぬれ性の高い領域115と、ぬれ性の高い領域115上に形成される活物質119とを有する。なお、集電体103は基板101上に形成されている。ぬれ性の高い領域115の外縁にぬれ性の低い領域113が形成される。即ち、集電体103表面においてぬれ性の高い領域115は分散して位置する。基板101は、ガラス、石英、アルミナ等のセラミック、プラスチックを用いることができる。なお、プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルム、またはアクリル樹脂フィルム等を用いることができる。または、基板101としてチタン、銅、ニッケル、タングステン、モリブデン等の金属シートを適宜用いることができる。集電体103は、導電性を有する材料であり、且つ表面処理によりぬれ性を高めることが可能な材料を用いて形成する。このような材料の代表例としては、酸化物導電材料があり、酸化物導電材料の代表例としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等がある。集電体103の厚さは、100nm以上10μm以下が好ましい。ぬれ性の低い領域113は、集電体103の表面処理によりぬれ性が低減された領域であり、集電体103の表面にフッ素基を有する領域である。集電体103の表面にフッ素基を有する領域では、流動性を有する組成物がはじかれる。ぬれ性の高い領域115は、集電体103の表面処理、代表的には酸素プラズマ処理によりぬれ性が高められた領域であり、集電体103の表面に水酸基を有する。集電体103の表面に水酸基を有する領域では、流動性を有する組成物が広がる。または、ぬれ性の高い領域115は集電体103の表面処理、代表的には集電体103を活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を適宜選択して照射することにより、酸化物導電材料の表面において光化学反応が生じ、ぬれ性が高められた領域である。このため、当該領域において流動性を有する組成物が広がる。なお、被形成面のぬれ性は、被形成面の化学的性質の影響を受ける。流動性を有する組成物に対して、ぬれ性が低い表面を有する領域をぬれ性の低い領域といい、逆に流動性を有する組成物に対して、ぬれ性の高い表面を有する領域をぬれ性の高い領域という。ぬれ性の高い領域では、流動性を有する組成物の接触角が小さいため、表面上で流動性を有する組成物は広がる。また、ぬれ性の低い領域は、流動性を有する組成物の接触角が大きいため、流動性を有する組成物をはじく。活物質119は、シリコン、ゲルマニウム、スズ等を適宜用いることができる。シリコン及びゲルマニウムの結晶構造は、非晶質構造、多結晶構造、単結晶構造、微結晶構造を適宜用いることができる。活物質119として、シリコン、ゲルマニウム、スズ等を用いることで、蓄電装置の容量を非常に大きくすることが可能である。活物質119の高さは1μm以上10μm以下が好ましい。図1Bは、蓄電装置の電極負極の一形態であり、集電体103aと、集電体103aの一表面上に設けられたぬれ性の低い領域113a、ぬれ性の低い領域113aの間に位置するぬれ性の高い領域115aと、ぬれ性の高い領域115a上に形成される活物質119とを有する。ぬれ性の高い領域115aの外縁にぬれ性の低い領域113aが形成される。即ち、集電体103a表面においてぬれ性の高い領域115aは分散して位置する。集電体103aは、導電性を有する材料であり、且つ酸化処理により光触媒作用を有する酸化物半導体となる材料を用いて形成する。このような材料の代表例としては、チタン、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、タングステン、スズ、インジウム、バナジウム等がある。集電体103aの厚さは、100nm以上10μm以下が好ましい。また、集電体103aは箔状、板状、網状であってもよい。このような形状の場合、集電体103a単独で形状保持できるため、図1Dに示すように、基板101を用いる必要はない。ぬれ性の低い領域113aは、集電体103aが酸化された金属酸化物であって、且つ表面にフッ素基を有する領域である。集電体103aが酸化された金属酸化物としては、酸化物半導体である酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化バナジウム等がある。酸化チタンの結晶構造としては、アナターゼ型、ルチル型、またはこれらの混合物を用いることができる。ぬれ性の高い領域115aは、集電体103aが酸化された金属酸化物で形成される領域である。集電体103aが酸化された酸化物半導体である、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化バナジウム等は、光の照射により、表面のぬれ性が高くなる。図1Cは、蓄電装置の電極負極の一形態であり、集電体103bと、集電体103bの一表面上に設けられた光触媒層127と、光触媒層127の表面に形成されるぬれ性の低い領域113b、複数のぬれ性の低い領域113bの間に位置するぬれ性の高い領域115bと、ぬれ性の高い領域115b上に形成される活物質119とを有する。ぬれ性の高い領域115bの外縁にぬれ性の低い領域113bが形成される。即ち、光触媒層127表面においてぬれ性の高い領域115bは分散して位置する。集電体103bは、負極の集電体として用いることが可能な導電性材料を適宜用いて形成する。負極の集電体として用いることが可能な導電性材料としては、ステンレス、銅、ニッケル等があるが、これに限定されない。集電体103bの厚さは、100nm以上10μm以下が好ましい。また、集電体103bは箔状、板状、網状であってもよい。このような形状の場合、集電体103a単独で形状保持できるため、基板101を用いる必要はない。光触媒層127は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化スズ、チタン酸ストロンチウムなどのチタン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩、硫化カドミウム、硫化亜鉛ZnS、セレン化カドミウムCdSe、タンタル酸カリウム等がある。酸化チタンの結晶構造としては、アナターゼ型、ルチル型、またはこれらの混合物を用いることができる。また、光触媒層として、金属や窒素をドーピングした酸化チタンを用いることができる。金属としては、白金、銅、クロム、銀、バナジウム、コバルト、亜鉛、ロジウム、パラジウム、金等がある。金属や窒素をドーピングした酸化チタンを用いて光触媒層を形成することにより、紫外線ではなく、可視光、代表的には太陽光を用いて光触媒層127を活性化することが可能である。光触媒層127は酸化物半導体であるため、光触媒層127の膜厚を薄くすることで、負極の電気伝導度を低減することができる。光触媒層127の厚さは、50nm以上100nm以下が好ましい。ぬれ性の低い領域113bは、光触媒層127の表面処理によりぬれ性が低減された領域であり、光触媒層127の表面にフッ素基を有する領域である。ぬれ性の高い領域115bは、光触媒層127において光が照射された、表面のぬれ性の高い領域である。図1に示すように、集電体上にぬれ性の低い領域及びぬれ性の高い領域を形成し、ぬれ性の高い領域において、選択的に活物質を形成することで、充電によりリチウムイオンが活物質に挿入され、リチウム及び活物質の合金が形成され、体積が膨張しても、活物質同士が接触しにくくなり、活物質の剥れやしわを低減することができる。この結果、蓄電装置の充放電サイクル特性の悪化を低減することができ、耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。次に、図1に示す蓄電装置の電極の作製方法について、図2乃至図4を用いて説明する。はじめに、図1Aに示す蓄電装置の電極の作製方法について、図2を用いて説明する。図2Aに示すように、基板101上に集電体103を形成する。集電体103は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法、CVD法等を適宜用いて形成することができる。次に、集電体103の表面を酸素プラズマ105に曝す。この結果、集電体の表面に水酸基が結合し、図2Bに示すように、集電体103の表面にぬれ性の高い領域107を形成することができる。なお、酸素プラズマ105の代わりに集電体103を活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を適宜選択して照射しても、ぬれ性の高い領域107を形成することができる。次に、図2Cに示すように、のちに、活物質を形成したい領域にマスク109を形成する。マスク109は、フォトリソグラフィ、インクジェット法、印刷法等適宜用いて形成することができる。次に、集電体103の表面をフッ素プラズマ111に曝す。集電体103の表面には、ぬれ性の高い領域107が形成されているが、ぬれ性の高い領域107のうちマスク109で覆われていない領域がフッ素プラズマ111に曝されることにより、当該領域の集電体103の表面にフッ素基が結合する。この結果、フッ素プラズマ111に曝された領域はぬれ性の低い領域113となる図2D参照。次に、マスク109を除去することで、ぬれ性の高い領域115が露出される。次に、ぬれ性の高い領域115にシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出する。シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物は、インクジェット法により吐出することができる。シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物は、代表的には、シリコン粒子、ゲルマニウム粒子、またはスズ粒子が溶媒に分散された組成物、水素及びシリコンからなる高次シラン化合物または水素及びゲルマニウムからなる高次ゲルマン化合物を有機溶剤に溶解させた組成物等がある。次に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を焼成して、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物に含まれる溶媒を蒸発すると共に、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを溶融して活物質119を形成することができる図2E参照。。以上の工程により、図1Aに示す蓄電装置の電極を作製することができる。次に、図1Bに示す蓄電装置の電極の作製方法について、図3を用いて説明する。図3Aに示すように、基板101上に集電体103aを形成する。集電体103aは、集電体103と同様の作製方法を適宜用いて形成する。または、箔状、板状、網状等の集電体103aを用いることができる。次に、集電体103aの表面を酸素プラズマ105に曝す。この結果、集電体の表面が酸化され、金属酸化物層が形成される。当該金属酸化物層は酸化物半導体で形成され、光触媒層121として機能する図3B参照。。次に、図3Cに示すように、のちに、活物質を形成したい領域にマスク109を形成する。次に、光触媒層121の表面をフッ素プラズマ111に曝す。フッ素プラズマ111に曝されることにより、マスク109で覆われていない領域の光触媒層121の表面にフッ素基が結合する。この結果、フッ素プラズマ111に曝された領域はぬれ性の低い領域113aとなる図3D参照。次に、図3Eに示すように、マスク109を除去することで、フッ素プラズマ111に曝されていない光触媒層121が露出される。次に、光触媒層121に光123を照射して、ぬれ性の高い領域115aを形成する。なお、光123は、光触媒層121を活性化させることが可能な波長の光を適宜選択すればよい。また、光触媒層121を活性化させることが可能な波長のレーザ光を照射してもよい。代表的には、光触媒層121が酸化チタンで形成される場合は、光123として紫外線を用いればよい。また、光触媒層121がCdSの場合は、光123として可視光を用いればよい。次に、図3Fに示すように、ぬれ性の高い領域115aにシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出する。この後、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を、焼成して、活物質119を形成することができる。以上の工程により、図1Bに示す蓄電装置の電極を作製することができる。次に、図1Cに示す蓄電装置の電極の作製方法について、図4を用いて説明する。図4Aに示すように、基板101上に集電体103bを形成する。または、箔状、板状、網状等の集電体103bを用いることができる。次に、集電体103b上に光触媒層127を形成する。光触媒層127は、スパッタリング法、プラズマCVD法、蒸着法、ゾルゲル法、逆相ミセル法、電気泳動法、スプレー法等を適宜用いて形成する。次に、図4Bに示すように、のちに、活物質を形成したい領域にマスク109を形成する。次に、光触媒層127の表面をフッ素プラズマ111に曝す。フッ素プラズマ111に曝されることにより、マスク109で覆われていない領域の光触媒層127の表面にフッ素基が結合する。この結果、フッ素プラズマ111に曝された領域はぬれ性の低い領域113bとなる図4C参照。次に、図4Dに示すように、マスク109を除去することで、フッ素プラズマ111に曝されていない光触媒層127が露出される。次に、光触媒層127に光123を照射して、ぬれ性の高い領域115bを形成する図4E参照。次に、ぬれ性の高い領域115bにシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出する。この後、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を、焼成して、活物質119を形成することができる図4F参照。。以上の工程により、図1Cに示す蓄電装置の電極を作製することができる。本実施の形態では、集電体表面にぬれ性の低い領域に囲まれるようにぬれ性の高い領域を選択的に形成する。次に、ぬれ性の高い領域にシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後、焼成することで、活物質を分散して形成することができる。このため、蓄電装置の充電によるリチウム及び活物質の合金化に伴う体積膨張が生じても、活物質同士が接触しないため、活物質の剥れやしわを低減することができる。この結果、蓄電装置の充放電サイクル特性の悪化を低減することができ、耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1と異なる蓄電装置の電極及びその作製方法について説明する。本実施の形態の蓄電装置用電極の構造について図5を用いて説明する。図5Aは、蓄電装置の電極負極の一形態であり、凸部を有する集電体103cと、集電体103cの一表面上に設けられたぬれ性の低い領域113cと、ぬれ性の低い領域113cの間に位置するぬれ性の高い領域115cと、ぬれ性の高い領域115c上に形成される活物質119とを有する。ぬれ性の高い領域115cは、集電体103cの凸部の上面に形成される。ぬれ性の高い領域115cの外縁にぬれ性の低い領域113cが形成される。即ち、集電体103c表面においてぬれ性の高い領域115cは分散して位置する。なお、ここでは、集電体103cにおいて活物質119が形成されない面を基準としてみているため、活物質119が形成される領域を凸部と示すが、活物質119が形成される面を基準とすると、活物質119が形成されない領域を凹部と示すことができる。集電体103cは、実施の形態1に示す集電体103と同様の材料を用いて形成することができる。ぬれ性の低い領域113cは、集電体103cの表面処理によりぬれ性が低減された領域であり、集電体103cの表面にフッ素基を有する領域である。ぬれ性の高い領域115cは、集電体103cの表面処理によりぬれ性が高められた領域であり、集電体103cの表面に水酸基を有する。または、集電体103cの表面処理、代表的には集電体103cを活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を適宜選択して照射することにより、酸化物導電材料の表面において光化学反応が生じ、ぬれ性が高まる領域である。図5Bは、蓄電装置の電極負極の一形態であり、分散された絶縁部材131と、基板101及び絶縁部材131上に形成される集電体103dと、集電体103dの一表面上に設けられたぬれ性の低い領域113dと、ぬれ性の低い領域113dの間において分散して形成されるぬれ性の高い領域115dと、ぬれ性の高い領域115d上に形成される活物質119とを有する。なお、ぬれ性の高い領域115dは、絶縁部材131と重畳する。絶縁部材131は、酸素化合物、窒素化合物等で形成することができる。また、これらの積層を用いることができる。酸素化合物の代表例としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等がある。窒素化合物の代表例としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等がある。また、ポリイミド、ポリアミド、BCBベンゾシクロブテン、アクリルなどの有機樹脂を用いることができる。また、シロキサン、ポリシラザン等を用いることができる。絶縁部材131の厚さは100nm以上2μmとすることが好ましい。集電体103dは、実施の形態1に示す集電体103と同様の材料を用いて形成することができる。集電体103dの厚さは100nm以上5μm以下とすることが好ましい。ここでは、絶縁部材131により集電体103dを凹凸状にすることができるため、集電体103dの厚さを薄くすることが可能であり、コスト削減ができる。ぬれ性の低い領域113dは、集電体103dの表面処理によりぬれ性が低減された領域であり、集電体103dの表面にフッ素基を有する領域である。ぬれ性の高い領域115dは、集電体103dの表面処理によりぬれ性が高められた領域であり、集電体103dの表面に水酸基を有する。または、集電体103dの表面処理、代表的には集電体103dを活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を適宜選択して照射することにより、酸化物導電材料の表面において光化学反応が生じ、ぬれ性が高まる領域である。次に、図5に示す蓄電装置の電極の作製方法について、図6及び図7を用いて説明する。はじめに、図5Aに示す蓄電装置の電極の作製方法について、図6を用いて説明する。図6Aに示すように、基板101上に集電体103を形成する。ここでは、のちほど集電体103の一部をエッチングするため、集電体103の厚さは厚いほうが好ましく、代表的には、100nm以上10μm以下である。次に、集電体103の表面を酸素プラズマ105に曝して、図6Bに示すように、集電体103の表面にぬれ性の高い領域107を形成する。次に、のちに、活物質を形成したい領域にマスク109を形成する。次に、マスク109を用いて集電体103の一部をエッチングして、図6Cに示すように、凸部を有する集電体103cを形成する。ここでは、集電体103cが分離しないように、且つ凸部が分散するように、集電体103をエッチングする。ここでは、集電体103の表面を50nm以上500nm以下エッチングして、凸部を形成する。この結果、ぬれ性の高い領域107もエッチングされ、集電体103cの凸部の上面にのみ、ぬれ性の高い領域115cが残存する。次に、集電体103cの表面をフッ素プラズマ111に曝す。フッ素プラズマ111に曝されることにより、マスク109で覆われていない領域の集電体103cの表面にフッ素基が結合する。この結果、フッ素プラズマ111に曝された領域はぬれ性の低い領域113cとなる図6D参照。次に、マスク109を除去することで、ぬれ性の高い領域115cが露出される。次に、ぬれ性の高い領域115cにシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出する。組成物は、インクジェット法により吐出することができる。この後、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を、焼成して、活物質119を形成することができる図6E参照。。以上の工程により、図5Aに示す蓄電装置の電極を作製することができる。なお、ここでは、実施の形態1に示す図2の作製方法を用いて蓄電装置の電極を形成したが、図3及び図4の蓄電装置の電極の作製方法を適宜適用することができる。即ち、図3に示す集電体103aを、図6Cのように凸部を有する集電体とすることができる。また、図4に示す集電体103bを、図6Cのように凸部を有する集電体とすることができる。次に、図5Bに示す蓄電装置の電極の作製方法について、図7を用いて説明する。図7Aに示すように、基板101上に分散された絶縁部材131を形成する。絶縁部材は、インクジェット法、印刷法等を適宜用いて、絶縁材料を含む組成物を選択的に配置した後、焼成して形成することができる。または、スパッタリング法、CVD法、塗布法等により基板101上に絶縁層を形成した後、フォトリソグラフィ工程により形成したマスクを用いて上記絶縁層の一部をエッチングして、形成することができる。次に、基板101及び絶縁部材131上に集電体103dを形成する。集電体103dは、集電体103と同様に形成することができる。次に、図7Bに示すように、集電体103dの表面を酸素プラズマ105に曝す。この結果、集電体103dの表面にぬれ性の高い領域107を形成する。次に、図7Cに示すように、のちに活物質を形成したい領域にマスク109を形成する。次に、集電体103dの表面をフッ素プラズマ111に曝す。集電体103dの表面には、ぬれ性の高い領域107が形成されているが、ぬれ性の高い領域107のうちマスク109で覆われていない領域がフッ素プラズマ111に曝されることにより、当該領域の集電体103dの表面にフッ素基が結合する。この結果、フッ素プラズマ111に曝された領域はぬれ性の低い領域113dとなる。次に、マスク109を除去することで、ぬれ性の高い領域115dが露出される図7D参照。次に、ぬれ性の高い領域115dにシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出する。組成物は、インクジェット法により吐出することができる。この後、シリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を、焼成して、活物質119を形成することができる図7E参照。。以上の工程により、図5Bに示す蓄電装置の電極を作製することができる。なお、ここでは、実施の形態1に示す図2の作製方法を用いて蓄電装置の電極を形成したが、適宜図3及び図4の蓄電装置の電極の作製方法を適用することができる。即ち、図3に示す基板101及び集電体103aの間に、図7のように分離する絶縁部材を形成することができる。また、図4に示す基板101及び集電体103bの間に、図7のように分離する絶縁部材を形成することができる。以上の工程により、図5Bに示す蓄電装置の電極を作製することができる。本実施の形態では、集電体の一部を凸状とし、凸状の表面にぬれ性の高い領域を形成すると共に、ぬれ性の高い領域の外縁にぬれ性の低い領域を形成する。次に、ぬれ性の高い領域にシリコン、ゲルマニウム、またはスズを含む組成物を吐出した後、焼成することで、活物質を分散して形成することができる。また、活物質は集電体の凸部の表面に形成されるため、蓄電装置の充電によるリチウム及び活物質の合金化に伴う体積膨張が生じても、活物質同士が接触しないと共に、活物質が集電体側に膨張しても、活物質が剥れにくい。この結果、蓄電装置の充放電サイクル特性の悪化を低減することができ、耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。実施の形態3本実施の形態では、蓄電装置の構造について、図8を用いて説明する。はじめに、蓄電装置として、二次電池の構造について、以下に説明する。二次電池としては、LiCoO2等のリチウム含有金属酸化物を用いたリチウムイオン電池は、容量が高く、安全性が高い。ここでは、二次電池の代表例であるリチウムイオン電池の構造について、説明する。図8Aは、蓄電装置151の平面図であり、図8Aの一点鎖線A-Bの断面図を図8Bに示す。図8Aに示す蓄電装置151は、外装部材153の内部に蓄電セル155を有する。また、蓄電セル155に接続する端子部157、159を有する。外装部材153は、ラミネートフィルム、高分子フィルム、または金属フィルム、金属ケース、プラスチックケース等を用いることができる。図8Bに示すように、蓄電セル155は、負極163と、正極165と、負極163及び正極165の間に設けられるセパレータ167と、外装部材153、蓄電セル155及びセパレータ167中に満たされる電解質169とで構成される。負極163は、負極集電体171及び負極活物質173で構成される。また、負極集電体171及び負極活物質173の間にはぬれ性の高い領域174が形成される。また、負極集電体171の表面において、ぬれ性の高い領域174の外縁にぬれ性の低い領域176が形成される。正極165は、正極集電体175及び正極活物質177で構成される。負極活物質173は、負極集電体171の一方の面に形成される。正極活物質177は、正極集電体175の一方の面に形成される。また、負極集電体171は、端子部157と接続する。また、正極集電体175は、端子部159と接続する。また、端子部157、159は、それぞれ一部が外装部材153の外側に導出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置151として、パウチされた薄型蓄電装置を示したが、ボタン型蓄電装置、円筒型、角型等様々な形状の蓄電装置を用いることができる。また、本実施の形態では、正極、負極、及びセパレータが積層された構造を示したが、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。負極集電体171は、実施の形態1及び実施の形態2に示す集電体を用いることができる。負極活物質173は、実施の形態1及び実施の形態2に示す活物質を用いることができる。正極集電体175は、アルミニウム、ステンレス等を用いる。正極集電体175は、箔状、板状、網状等の形状を適宜用いることができる。正極活物質177は、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4、LiMn2PO4、V2O5、Cr2O5、MnO2、その他の材料を適宜用いることができる。電解質169の溶質は、リチウムイオンを移送可能で、且つリチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質の溶質の代表例としては、LiClO4、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22N等のリチウム塩がある。また、電解質169の溶媒としては、リチウムイオンの移送が可能な材料を用いる。電解質169の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒の代表例としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等があり、これらの一つまたは複数を用いることができる。また、電解質169の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いることで、漏液性を含めた安全性が高まる。また、蓄電装置151の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマー等がある。また、電解質169として、Li3PO4等の固体電解質を用いることができる。セパレータ167は、絶縁性の多孔体を用いる。セパレータ167の代表例としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレン等がある。リチウムイオン電池は、メモリー効果が小さく、エネルギー密度が高く、容量が大きい。また、動作電圧が高い。これらのため、小型化及び軽量化が可能である。また、充放電の繰り返しによる劣化が少なく、長期間の使用が可能であり、コスト削減が可能である。次に、蓄電装置としては、キャパシタについて、説明する。キャパシタの代表例としては、二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ等がある。キャパシタの場合は、図8Bに示す二次電池の正極活物質177において、リチウムイオン及び/またはアニオンを可逆的に吸脱着できる材料を用いればよい。正極活物質177の代表例としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASがある。リチウムイオンキャパシタは、充放電の効率が高く、急速充放電が可能であり、繰り返し利用による寿命も長い。表示パネルは、書き込み電圧が高く、また書込み後は電力を必要としないため、急速放電が可能なリチウムイオンキャパシタを用いることが好ましい。実施の形態1及び実施の形態2に示す負極を用いることで、充放電サイクル特性の悪化が低減された、耐久性の高い蓄電装置を作製することができる。