"導体箔をエッチングして形成されており、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを有するリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、インヒビタが添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記導体箔を加工して形成されたものであり、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅が、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さいことを特徴とするリードフレーム。請求項1に記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部のトップ面における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部のボトム面における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部の水平断面における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W1≒W3>W2、およびw1≒w3>w2の関係式を満足することを特徴とするリードフレーム。請求項1に記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W1>W3>W2、およびw1>w3>w2の関係式を満足することを特徴とするリードフレーム。請求項1に記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W3>W1>W2、およびw3>w1>w2の関係式を満足することを特徴とするリードフレーム。請求項2~4のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、その主面と垂直な面で切断した断面形状において、前記トップ部と前記ミドル部とを結ぶ線が直線状であり、前記ミドル部と前記ボトム部とを結ぶ線は曲線状であることを特徴とするリードフレーム。請求項1~5のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードの厚さが50μm以下であることを特徴とするリードフレーム。導体箔をエッチングして、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを形成するエッチング工程を有するリードフレームの製造方法において、前記エッチング工程は、インヒビタが添加されたエッチング液を所定の圧力および時間で噴霧して前記導体箔の前記搭載面側からエッチングすることで、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅を、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さくすることを特徴とするリードフレームの製造方法。しかしながら、上記特許文献2においては、封止樹脂113の密着性を向上してリード103の脱落を防止できるが、高密度な配線の形成が困難となる。これは、導体箔106の両面をエッチングして配線パターンを形成する上で、所定のパターンのエッチングレジスト107を両面に位置精度良く形成する必要性があるためである。つまり、従来においては、リードの脱落防止と高密度な配線の形成との両立が困難であった。本発明は、このような問題を鑑みて成されたもので、その目的は、半導体装置に用いた際のリードの脱落を抑制し、高密度な配線を有するリードフレームおよびその製造方法を提供することにある。本発明の第1の態様は、導体箔をエッチングして形成されており、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを有するリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、インヒビタが添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングによって前記導体箔を加工して形成されたものであり、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅が、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さいリードフレームである。本発明の第2の態様は、第1の態様のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部のトップ面における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部のボトム面における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部の水平断面における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W1≒W3>W2、およびw1≒w3>w2の関係式を満足するリードフレームである。本発明の第3の態様は、第1の態様のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W1>W3>W2、およびw1>w3>w2の関係式を満足するリードフレームである。本発明の第4の態様は、第1の態様のリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードにおける前記搭載面側をトップ部、前記搭載面の反対の面側をボトム部、前記トップ部と前記ボトム部との間をミドル部としたときに、前記トップ部における前記ダイパッドの幅W1および前記リードの幅w1、前記ボトム部における前記ダイパッドの幅W2および前記リードの幅w2、前記ミドル部における前記ダイパッドの最大幅W3および前記リードの最大幅w3が、W3>W1>W2、およびw3>w1>w2の関係式を満足するリードフレームである。本発明の第5の態様は、第2~第4の態様のいずれかのリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードは、その主面と垂直な面で切断した断面形状において、前記トップ部と前記ミドル部とを結ぶ線が直線状であり、前記ミドル部と前記ボトム部とを結ぶ線は曲線状であるリードフレームである。本発明の第6の態様は、第1~第4の態様のいずれかのリードフレームにおいて、前記ダイパッドおよび前記リードの厚さが50μm以下であるリードフレームである。本発明の第7の態様は、導体箔をエッチングして、半導体素子を搭載する搭載面を有するダイパッドおよび複数のリードを形成するエッチング工程を有するリードフレームの製造方法において、前記エッチング工程は、インヒビタが添加されたエッチング液を所定の圧力および時間で噴霧して前記導体箔の前記搭載面側からエッチングすることで、前記搭載面とは反対側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅を、前記搭載面側における前記ダイパッドおよび前記リードの幅より小さくするリードフレームの製造方法である。本発明によれば、半導体装置に用いた際のリードの脱落を抑制し、高密度な配線を有するリードフレームを提供することができる。以下に、本発明にかかるリードフレームの実施形態について図面を用いて説明する。図1aは本発明の一実施形態にかかるリードフレームの平面図であり、図1bは図1aにおけるA-A断面図であり、図1cは図1aにおけるA ́-A ́断面の一部拡大図である。なお、図1bおよび図1cにおいては、リードフレームの半導体チップの搭載面を上側にして示している。本実施形態のリードフレームは、図1aに示すように、半導体素子を搭載する搭載面2aを有するダイパッド2と、ダイパッド2の四隅を支持する複数の吊りリード4と、ダイパッド2の周辺からダイパッド2に向かって延びた複数のリード3と、これらを一体化する枠部5と、を有する。ダイパッド2、リード3、および吊りリード4は、インヒビタ腐食抑制剤が添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングによって導体箔が加工され、同一平面で一体的に形成されている。ダイパッド2は、インヒビタ腐食抑制剤を含むエッチング液により形成されており、吊りリード4により支持されて、枠部5と一体化している。リードフレーム1をその主面と垂直な面で切断したA-A断面を示す図1bによれば、ダイパッド2の断面形状は搭載面とは反対側ボトム部の幅W2が搭載面側トップ部の幅W1より小さく、逆テーパ形状となっている。すなわち、ダイパッド2はボトム部のボトム面の面積がトップ部のトップ面の面積より小さく、トップ部側に広がったテーパ形状となっている。このため、図2aに示すように、半導体チップ11を実装して封止樹脂13で封止する場合、封止樹脂13がボトム部に入り込むことでダイパッド2が封止樹脂13に引っ掛かった状態となる、この結果、ダイパッド2は矢印のようにボトム部側から支持されることになり、ダイパッドのボトム部側への脱離が抑制される。なお、トップ部とは、図3に示すように、リードフレーム1ダイパッド2やリード3などを含むの半導体素子を搭載する搭載面2a側の近傍領域図3中の領域Taを示し、ボトム部は、搭載面とは反対側の面2bの近傍領域図3中の領域Tbを示す。また、トップ部とボトム部との間の領域図3中の領域Tcをミドル部とする。リード3は、ダイパッド2と同様にエッチング液により形成されており、枠部5からダイパッド2の方向に延在している。リード3の形状はダイパッド2と同様に考えることができる。図1aにおけるA ́-A ́断面図を示す図1cによれば、リード3はボトム部側がよりエッチングされて、リード3におけるボトム部側の幅w2がトップ部側の幅w1より小さい。また、図1bに示すように、枠部5から延在するリード3の端部はボトム部側がよりエッチングされて、ボトム部側の幅ないし長さがトップ部より小さい。つまり、ダイパッド2と同様に、リード3もボトム部のボトム面の面積がトップ部のトップ面の面積より小さく、トップ部側に広がったテーパ形状となっている。このため、図2bに示すように封止樹脂13で封止する場合、封止樹脂13がリード3のボトム部に入り込むことで、リード3が封止樹脂13に引っ掛かった状態となる。この結果、リード3は矢印のようにボトム部側から支持されることになり、リード3のボトム部側への脱離が抑制されることになる。また、リード3は、インヒビタを含むエッチング液により形成されるため、リード3の線幅が狭く、リード間の幅ピッチ幅も小さく、高密度な配線となっている。ここで、インヒビタが添加されたエッチング液を用いたウェットエッチングについて説明する。一般的に、導体箔のエッチングにおいては、導体箔の厚さ方向へのエッチングとともに、導体箔の面方向へのエッチングサイドエッチが生じる。このため、形成されるリードの幅が縮小するなどの問題が生じる。この点、本実施形態においては、インヒビタを添加したエッチング液を用いることにより、サイドエッチによる影響を低減している。インヒビタは、有機化合物または無機化合物からなる腐食抑制剤であって、例えば、アゾール系の化合物が挙げられる。インヒビタを含むエッチング液によれば、サイドエッチを抑制して厚さ方向へのエッチングを優先することで異方性エッチング、ダイパッドおよびリードの側面形状を平面状断面形状においては直線状とすることができる。ただし、本実施形態においては、エッチング条件を適宜変更し、ダイパッドおよびリードのボトム部を過剰にエッチングすることで、ボトム部側に先細った形状としている。また、さらにエッチングを行うことで、ボトム部に凹部を形成しても良い。本実施形態のリードフレームにおいては、ダイパッドおよびリードは、インヒビタを含むエッチング液を用いたウェットエッチングによって導体箔を加工して形成されており、ダイパッドおよびリードにおけるボトム部の幅がトップ部よりも小さくなっている。そして、その断面形状が逆テーパ状となり、ボトム部側に先細った形状となっている。このため、樹脂で封止した場合にダイパッドやリードが搭載面とは反対側から支持され、リードの脱離などが抑制される。しかも、形成されるリードは線幅が狭く、かつピッチ間隔が小さい高密度な配線となっている。上記ダイパッドおよびリードは、リードフレームの主面と垂直な面で切断した断面形状において、トップ部とミドル部とを結ぶ線が直線状であり、ミドル部とボトム部とを結ぶ線が曲線状であることが好ましい。具体的には、ダイパッドおよびリードの断面形状が図4a~図4cに示すような形状となることが好ましい。この断面形状において、トップ部とミドル部との間が直線状となることで、リード3における過度のエッチングによる線幅の減少が少ない。さらに、ミドル部とボトム部とを結ぶ線が曲線状となることで、ダイパッド2やリード3のボトム部の角部が除去され、凹部9が形成されることになる。このため、リード3の線幅の減少が少なくて半導体チップとの接合が良好であるとともに、リードフレーム1の搭載面2a側だけでなく、搭載面の反対側の凹部9まで封止樹脂が入り込むことが可能となる。そして、リードなどの脱落配線のさや抜けを抑制することができる。また、上記実施形態のリードフレームにおいて、トップ部におけるダイパッドの幅W1およびリードの幅w1、ボトム部におけるダイパッドの幅W2およびリードの幅w2、ミドル部におけるダイパッドの最大幅W3およびリードの最大幅w3が、W1≒W3>W2、およびw1≒w3>w2の関係式を満足することが好ましい。リードやダイパッドがこの関係式を満足する場合、その側面が例えば図4bに示すような断面形状となる。または、W1>W3>W2、およびw1>w3>w2の関係式を満足することが好ましい。リードやダイパッドがこの関係式を満足する場合、その側面が例えば図4cに示すような断面形状となる。または、W3>W1>W2、およびw3>w1>w2の関係式を満足することが好ましい。リードやダイパッドがこの関係式を満足する場合、その側面が例えば図4aに示すような断面形状となる。これらの構成によれば、封止樹脂がリードフレームの搭載面の反対側まで入り込むことが可能となり、ダイパッドやリードを搭載面の反対側から支持することができる。そして、樹脂とリードフレームとの密着性を向上させ、リードなどのさや抜けをさらに抑制することができる。なお、ミドル部における最大幅とは、水平断面における最大の幅を示す。リードフレームの厚さは、用いる導体箔の厚さに対応しており、形成されるダイパッドおよびリードの厚さも導体箔の厚さと同等となる。ダイパッドおよびリードの厚さとしては、50μm以下であることが好ましい。このリードフレームを用いることにより、半導体素子が搭載された半導体装置を薄くすることができる。次に、上記リードフレームの製造方法について説明する。まず、所定の厚さの導体箔6を用意する図5a。導体箔6としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、銅箔であることが好ましい。用いる導体箔6の厚さとしては50μm以下であることが好ましい。続いて、導体箔6の表裏両面にレジスト7ドライフィルムレジストまたは液状のフォトレジストを貼り合わせる図5b。このレジスト7のダイパッド2の搭載面2a側図5中の上面に対して、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン7aを形成する。一方、搭載面とは反対側の面2b図5中の下面に対しては、レジストパターン7aを形成せず、全面レジスト7bとする図5c。続いて、上記レジストパターン7aの形成された面にエッチングを行い、導体箔6にパターン加工を施すことで、ダイパッド2や複数のリード3を含む配線パターンを形成する図5d。エッチング工程では、インヒビタを添加したエッチング液を用いたウェットエッチングプロセスを行う。ウェットエッチングプロセスでは、図6に示すように、レジストパターン7aから露出した導体箔6に対して、エッチング液8をスプレー噴霧することで、ボトム部の幅がトップ部より小さいダイパッド2およびリード3を形成する。スプレー噴霧の際に、エッチング液8のスプレー圧およびエッチング液が当たる時間エッチング時間を適宜調整し、所定の形状のリードおよびダイパッドを形成する。ここで、本実施形態のエッチング工程について説明する。エッチング工程においては、噴霧するエッチング液のスプレー圧およびエッチング時間を調整することで、リードやダイパッドの断面形状を図7a~図7iに示す形状とすることができる。従来においては、最もリード間のスペースが狭いリードの断面形状が、図7eに示す矩形状トップ面の面積=ミドル部における最大面積=ボトム面の面積となるように、スプレー圧を0.15MPa以上0.5MPa以下、エッチング時間を60秒以上120秒以下としていた。一方、本実施形態においては、スプレー圧またはエッチング時間を増加させてボトム部を過剰にエッチングすることにより、リード3やダイパッド2におけるボトム部の幅がトップ部の幅より小さく、ボトム部側に先細った形状としている。ボトム部側を過剰にエッチングする条件としては、以下の1~4のいずれかの条件が好ましい。下記条件において、エッチング時間またはスプレー圧の比較対象は図7eの条件となっている。1エッチング時間を10秒以上長く、かつ、エッチングスプレ圧を0.05MPa以上弱く設定することで、図7cに示す断面形状の配線を形成することができる。2スプレー圧を変化させず、エッチング時間を10秒以上長く設定することで、図7fに示す断面形状の配線を形成することができる。3エッチング時間を変化させず、スプレー圧を0.05MPa以上強く設定することで、図7hに示す断面形状の配線を形成することができる。4エッチング時間を10秒以上長く、かつ、スプレー圧を0.05MPa以上強く設定することで、図7iに示す断面形状の配線を形成することができる。なお、図5および図6においては、上記エッチング条件3の場合のリードフレームの断面図を示している。また、図7ではリードの断面形状を示すが、ダイパッドの側面も同様の形状となる。上述したエッチング条件により配線パターンを形成した後に、水酸化ナトリウムを主成分とした薬液を用いてレジストパターン7aなどを剥離し、本実施形態のリードフレーム1を得る図5e。得られたリードフレーム1には、実装時の半導体チップや基板との接合を向上するために、両面に表面処理例えばNi/Pd/Auめっきを施しても良い。半導体装置次に、上記リードフレームを用いた樹脂封止表面実装型の半導体装置およびその製造方法について説明する。以下においては、リードフレームを用いた実装方法について説明する。まず、上記で得られたリードフレーム1のダイパッド2に、例えば非導電性ペーストの接着剤図示せずを介し半導体チップ11を搭載し固着する図5f。続いて、半導体チップ11上の各電極パッド図示せずとそれに対応するリード12とをAu等からなる導電性のボンディングワイヤ12で電気的に接続する図5g。続いて、半導体チップ11、リード3、ダイパッド2、吊りリード4、およびボンディングワイヤ12を一体的に被覆するように封止樹脂13を塗布して、半導体チップ11などの上面および側面領域を封止する図5h。この時、リード3やダイパッド2などのボトム部の凹部9にまで封止樹脂13が入り込み、ボトム部に比べ太めの配線のミドル部やトップ部が封止用樹脂に引っかかる事で、リードなどの下方向への脱落を防止することができる。その後、ダイアモンドブレードを用いたダイシングや金型を用いた打ち抜きにより、余分な枠部5を取り除き、半導体装置10を得る。得られた半導体装置10は、図8に示すように、半導体チップ11が封止樹脂13で封止されてリード3などと一体的になっている。図8bに示すように、本実施形態のリードフレーム1を用いて形成された半導体装置10においては、リード3などが封止樹脂13に取り込まれた状態となっており、リード3の脱落配線のさや抜けが抑制され、高い信頼性を有する。次に、本発明の実施例について説明する。まず、幅90mmの銅箔HCL2ZR2ZR0FC-50μm50μm厚,日立電線株式会社製を用意して、ドライフィルムレジストを両面に張り合わせた。このドライフィルムレジストに対して、フォトリソグラフィ法により、銅箔の一方の面搭載面側にレジストパターンを形成し、他方の面には全面レジストを形成した。このレジストパターンをエッチングレジストとして用いて、インヒビタが添加されたエッチング液EXE6200、MEC株式会社製によるウェットエッチングプロセス行って、銅箔にパターン加工を施すことで、配線パターンダイパッドやリードを含むを形成した。その後、水酸化ナトリウムを主成分とした薬液を用いてエッチングレジストを剥離して、本実施例のリードフレームマトリクスリードフレームを得た。このリードフレームに、実装時の半導体チップや基板との接合のために必要な表面処理例えばNi/Pd/Auめっきを両面に施した。得られたリードフレームは、縦48mm、横171mmの大きさであって、形成されたリードの線幅は50μmで、最小の配線間隔は50μmとなっていた。次に、上記で得られたマトリクスリードフレームを用いて、半導体チップの実装を行った。各ダイパッドに、非導電性ペーストの接着剤を介して、半導体チップを搭載し固着した。次に、搭載された半導体チップの各パッドとそれに対応するリードとをAu等からなる導電性のボンディングワイヤで電気的に接続した。最後に、半導体チップ、ボンディングワイヤ、ダイパッド、およびリードの上面および側面領域を封止用樹脂で封止して、半導体装置を製造した。実施例で製造された半導体装置においては、リードなどの脱落による配線抜けがなく、高い信頼性を有する半導体装置であることがわかった。"