金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、前記配線層は、前記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、前記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、前記金属支持基板から構成され、周囲の前記金属支持基板とは絶縁され、前記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板。前記熱アシスト用素子が配置される位置における前記端子部の厚さが、周囲の前記端子部の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。前記熱アシスト用素子が配置される位置において、前記端子部の表面に、高さ調整用めっき部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。請求項4に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。請求項5に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。熱アシスト用素子は、例えば、サスペンション用基板の金属支持基板側に配置される。熱アシスト用素子の端子部と配線層の端子部とは、半田や導電性接着剤を介して接続されるが、配線層の端子部は変形しやすいため、両者の接続信頼性が低いという問題がある。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、上記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、上記金属支持基板から構成され、周囲の上記金属支持基板とは絶縁され、上記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。本発明によれば、熱アシスト用配線層の端子部として、配線層よりも機械的強度が強い金属支持基板を用いることにより、端子部の変形を防止できる。その結果、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。上記発明においては、上記熱アシスト用素子が配置される位置における上記端子部の厚さが、周囲の上記端子部の厚さよりも薄いことが好ましい。端子部に高さ調整機能を付与できるからである。さらに、部分的に端子部を薄くすることで、熱アシスト用素子の位置決めが容易になる。上記発明においては、上記熱アシスト用素子が配置される位置において、上記端子部の表面に、高さ調整用めっき部が形成されていることが好ましい。端子部に高さ調整機能を付与できるからである。また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。本発明のサスペンション用基板は、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いという効果を奏する。以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。A.サスペンション用基板本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、上記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、上記金属支持基板から構成され、周囲の上記金属支持基板とは絶縁され、上記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするものである。図1は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1aはサスペンション用基板の概略平面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。なお、図1aでは、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図1aに示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a~103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。これらの2つの配線層は、一方がライト用記録用、書込み用配線層であり、他方がリード用再生用、読取り用配線層である。一方、図1bに示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3上に形成されたカバー層4とを有する。図2は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。図2aは記録再生用素子実装領域の概略平面図であり、図2bは図2aにおける熱アシスト用配線層の拡大図であり、図2cは図2bのC-C断面図である。なお、図2a、bでは、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図2aにおける記録再生用素子実装領域には、4本の記録再生用配線層3Aが存在する。4本の記録再生用配線層3Aのうち、2本の記録再生用配線層3Aは、ライト用配線層を構成する一対の配線層であり、残りの2本の記録再生用配線層3Aはリード用配線層を構成する一対の配線層である。記録再生用配線層3Aは、それぞれ、記録再生用素子に接続する端子部3aを有する。また、図2aにおける記録再生用素子実装領域には、2本の熱アシスト用配線層3Bが存在する。図2b、cに示すように、熱アシスト用配線層3Bは、サスペンション用基板の厚さ方向Xに形成された導体部5により、端子部1aと電気的に接続されている。端子部1aは、金属支持基板1から構成され、周囲の金属支持基板1とは絶縁されたものである。なお、端子部1aの表面には、保護用めっき部6が形成されている。図3は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図3aは図2aのA-A断面図であり、図3bは図2aのB-B断面図である。図3aに示すように、記録再生用配線層3Aの端子部3aは、カバー層4側に配置される記録再生用素子210と接続される。また、熱アシスト用素子220は、記録再生用素子210と、サスペンション用基板の開口部において接触するように配置される。また、図3bに示すように、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aは、金属支持基板1側に配置される熱アシスト用素子220と接続される。なお、図4は、一般的な記録再生用素子および熱アシスト用素子を説明する概略斜視図である。図4では、記録再生用素子210に、レーザーダイオード211および光源ユニット212から構成される熱アシスト用素子220が配置されている。レーザーダイオード211から照射される光213が、記録再生用素子210の近接場光発生素子図示せずに至り、熱アシスト記録が行われる。本発明によれば、熱アシスト用配線層の端子部として、配線層よりも機械的強度が強い金属支持基板を用いることにより、端子部の変形を防止できる。その結果、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。また、熱アシスト用素子は、通常、金属支持基板側に配置される。そのため、従来のように、熱アシスト用配線層の端部を端子部として用いると、その端子部と、熱アシスト用素子の端子部との位置が離れた場合に、両者の接続信頼性が低い場合がある。これに対して、本発明によれば、熱アシスト用素子に近い金属支持基板を端子部として用いることにより、その端子部と、熱アシスト用素子の端子部との位置を近くすることができ、両者の接続信頼性を高く維持できる。また、例えば、熱アシスト用素子から生じる熱を逃がすために、熱アシスト用素子の部材電極等にヒートシンク機能を付与することが考えられる。また、例えば、熱アシスト用素子の消費電力を減らすために、光導波路の距離を短くし、レーザーダイオードからの光の伝搬損失を減少させることが考えられる。このような影響によって、デザイン上、熱アシスト用素子の端子部の位置が従来とは異なる位置厚さ方向において異なる位置に移動し、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が低くなる場合がある。これに対して、本発明においては、熱アシスト用配線層の端子部に、後述する高さ調整機能を容易に付与することができるため、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性を高くすることができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。1.サスペンション用基板の部材まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、導体部を少なくとも有するものである。本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば5μm~40μmの範囲内であることが好ましく、10μm~20μmの範囲内であることがより好ましい。本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm~30μmの範囲内であることが好ましく、5μm~18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm~12μmの範囲内であることがさらに好ましい。本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅Cuが好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm~18μmの範囲内であることが好ましく、9μm~12μmの範囲内であることがより好ましい。本発明における配線層は、少なくとも、金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有する。また、上記配線層は、通常、記録再生用素子例えば磁気ヘッドスライダと接続する、ライト用配線層およびリード用配線層を有する。さらに、上記配線層は、必要に応じて、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ素子用配線層等を有していても良い。また、配線層の一部の表面には、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できるからである。特に、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき、Cuめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、NiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。保護用めっき部の厚さは、例えば0.1μm~4μmの範囲内である。本発明におけるカバー層は、配線層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化腐食等を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm~30μmの範囲内であることが好ましく、2μm~10μmの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明における導体部については、後述することとする。2.サスペンション用基板の構成次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。図2cに示すように、本発明における熱アシスト用配線層3Bは、厚さ方向Xに形成された導体部5によって、端子部1aと電気的に接続されている。図2bに示すように、端子部1aは、金属支持基板1から構成され、周囲の金属支持基板1とは絶縁されている。また、端子部1aは、熱アシスト用配線層3Bよりも機械的強度が強い。これは、通常、端子部1aが、熱アシスト用配線層3Bよりも厚いためである。また、本発明においては、端子部1aの材料がステンレス鋼であり、熱アシスト用配線層3Bの材料が銅であることが好ましい。材料面において、ステンレス鋼は、銅に比べて機械的強度が強いからである。なお、材料面に着目すれば、仮に端子部1aの厚さと熱アシスト用配線層3Bの厚さとが同程度であったとしても、端子部1aの材料に機械的強度のより強い材料を用いることで、端子部1aの機械的強度を、熱アシスト用配線層3Bよりも強くすることは可能である。また、図2cに示すように、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aには、保護用めっき部6が形成されていることが好ましい。GalvanicCorrosion異種金属接合腐食による端子部1aの抵抗増加を防止できるからである。例えば端子部の材料がステンレス鋼であって、かつ、銀ペーストにより電気的接合を行う場合、ステンレス鋼の成分であるFe、Ce、Niはイオン化傾向が高いため、GalvanicCorrosionが発生しやすくなる。GalvanicCorrosionが発生すると、端子部の接続面に絶縁被膜が形成され、結果として抵抗が増加すると考えられる。イオン化傾向が低く、GalvanicCorrosionを防止できるという観点からは、保護用めっきが、Auめっきであることが好ましい。図5aは、本発明における熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。なお、図5aでは、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図5b~dは、図5aのA-A断面図である。ここで、図5a~dは、導体部5がビアめっき部である態様である。この導体部5は、熱アシスト用配線層3Bおよび絶縁層2の開口部に形成されている。ビアめっき部の種類としては、Niめっき、Auめっき、Agめっき、Cuめっき等を挙げることができ、中でもNiめっきが好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。電解Niめっき法によりビアめっき部を形成する場合、用いられる電解Niめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、配線層の材料と、ビアめっき部の材料とは、同じであっても良く、異なっていても良い。図5bでは、端子部1aの端部11と、端子部1aの上に存在する絶縁層2の端部21との位置が一致している。端子部1aおよび絶縁層2の端部の位置を一致させることにより、端子部1aの機械的強度を向上させることができる。ここで、本明細書において端部の位置が一致しているとは、両者の位置のズレが8μm以下であることをいい、4μm以下であることが好ましい。また、絶縁層2の端部21と、絶縁層2の上に存在するカバー層4の端部41との位置は、一致していても良く、一致していなくても良いが、前者が好ましい。端子部1aの機械的強度をより向上させることができるからである。また、例えば図5bに示すように、ビアめっき部5は、カバー層4よりも突出しないことが好ましい。記録再生用素子の平坦性を確保しやすいからである。図5cでは、端子部1aが、絶縁層2側の表面を露出するように形成されている。絶縁層2側の表面を露出させることにより、熱アシスト用素子との接続時に、導電性接着材や半田等が溢れても、絶縁層および配線層の汚染を防止できる。また、例えば端子部の側面にて、熱アシスト用素子との接続を行う場合、絶縁層および配線層が形成された側の端子部の表面に導電性接着材や半田等が溢れても、絶縁層および配線層を汚染することがなく、ビアめっき部とのショートや、熱アシスト用素子との不要な接続面の形成を防くことができる。絶縁層2側の表面で露出する端子部1aの長さL1は、例えば10μm以上であることが好ましく、10μm~50mの範囲内であることが好ましい。図5dでは、端子部1aの上に存在する絶縁層2の端部21が、端子部1aの端部11よりも突出している。絶縁層2の端部21を突出させることにより、熱アシスト用素子との接続時に、絶縁層および配線層の形成された側のサスペンション用基板の表面に導電性接着材や半田が溢れることを防止できる。また、例えば端子部の側面にて、熱アシスト用素子との接続を行う場合、絶縁層が堰となり、ビアめっき部とのショートや、熱アシスト用素子との不要な接続面の形成を防くことができる。端子部1aの端部11から突出した絶縁層2の長さL2は、例えば10μm以上であることが好ましく、10μm~50μmの範囲内であることが好ましい。図5eは、本発明における熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。なお、図5eでは、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図5f~hは、図5eのA-A断面図である。ここで、図5e~hは、導体部5が熱アシスト用配線層と連続的に形成された態様である。この導体部5は、例えばアディティブ法により形成することができる。なお、導体部5がビアめっき部である場合は、導体部5は、熱アシスト用配線層3Bと連続的に形成されたものとはいえない。また、図5f~hの特徴は、それぞれ、図5b~dに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、熱アシスト用配線層の端子部は、熱アシスト用素子の端子部との距離高さを調整する高さ調整機能を有していることが好ましい。上記のように、デザイン上、熱アシスト用素子の端子部の位置が従来とは異なる位置厚さ方向において異なる位置に移動した場合であっても、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性を高く維持できるからである。図6は、本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。図6aに示すように、熱アシスト用素子220が配置される位置における端子部1aの厚さT1は、周囲の端子部1aの厚さT2よりも薄いことが好ましい。端子部1aに高さ調整機能を付与できるからである。さらに、部分的に端子部1aを薄くすることで、熱アシスト用素子220の位置決めが容易になる。T1は、熱アシスト用素子の端子部との距離によって異なるものであるが、例えば5μm~35μmの範囲内であることが好ましく、15μm~25μmの範囲内であることが好ましい。また、T1/T2は、例えば12~90の範囲内であることが好ましく、35~65の範囲内であることがより好ましい。なお、熱アシスト用素子の位置決め機能に着目すれば、図6bに示すように、端子部1aの側面が、熱アシスト用素子220の側面と接触するように、端子部1aの側面の位置が調整されていても良い。この場合、平坦な絶縁層2により、熱アシスト用素子220の高さを規定できるため、熱アシスト用素子220が傾きにくいという利点がある。この利点は、図2cのように、平坦な端子部1aにより、熱アシスト用素子220の高さを規定する場合においても同様である。図7は、本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。図7aに示すように、熱アシスト用素子220が配置される位置において、端子部1aの表面に、高さ調整用めっき部7が形成されていることが好ましい。端子部1aに高さ調整機能を付与できるからである。高さ調整用めっき部の種類は、例えば、Niめっき、Auめっき、Niめっき、Cuめっき、Agめっき等を挙げることができ、Niめっきが好ましい。特に、本発明においては、Niめっき高さ調整用めっき部の表面上に、Auめっき保護用めっき部が形成されていることが好ましい。また、高さ調整用めっき部が形成されているとは、厚さ5μm以上のめっき部が形成されているこという。上述した保護用めっき部は、端子部等の保護を目的としたものであり、その厚さは最大で4μm程度であった。これに対して、高さ調整用めっき部は、文字通り、熱アシスト用素子の端子部との距離高さを調整するものであり、めっき部に、このよう高さ調整機能を付与することは、従来知られていなかった。T3は、熱アシスト用素子の端子部との距離によって異なるものであるが、例えば5μm~20μmの範囲内であることが好ましく、5μm~10μmの範囲内であることが好ましい。また、図7aでは、熱アシスト用素子220が配置される位置において、端子部1aの表面に、高さ調整用めっき部7が全面的に形成されているが、本発明においては、図7bに示すように、端子部1aの表面に、高さ調整用めっき部7が部分的に形成されていても良い。また、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部とは、通常、導電性接続部を介して接続される。導電性接続部としては、例えば、半田、導電性接着材等を挙げることができる。図8aでは、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aの表面と、熱アシスト用素子220の側面にある端子部とが、導電性接続部12により接続されている。図8bでは、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aの表面と、端子部1aの表面に対向する熱アシスト用素子220の表面にある端子部とが、導電性接続部12により接続されている。図8cでは、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aの側面と、熱アシスト用素子220の突起部の側面にある端子部とが、導電性接続部12により接続されている。本発明における記録再生用素子としては、例えば磁気発生素子を有するものを挙げることができ、磁気ヘッドスライダであることが好ましい。本発明における熱アシスト用素子としては、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、pn型の素子であっても良く、pnp型またはnpn型の素子であっても良い。光を利用した熱アシスト用素子は、出力光をスライダ等に設けられた光導波路に導くために、必要に応じて、反射レンズ、集光レンズ等を有していても良い。また、半導体レーザーダイオード素子は、面発光レーザーであっても良く、端面発光レーザーであっても良い。なお、熱アシスト用配線層の端子部として金属支持基板を用いていないものの、端子部の高さ調整機能に着目すれば、図9のような端子部であっても良い。図9aでは、直線的に形成された熱アシスト用配線層3Bが、配線層から構成された端子部3bを有し、端子部3bにおける、側面、絶縁層2側の表面、カバー層4側の表面に、高さ調整用めっき部7が形成されている。図9bでは、図9aと同様の端子部3bにおける、側面、絶縁層2側の表面のみに、高さ調整用めっき部7が形成されている。図9cでは、図9aと同様の端子部3bにおける、絶縁層2側の表面のみに、高さ調整用めっき部7が形成されている。図9a~cにおいて、熱アシスト用配線層3Bの絶縁層2側の表面における高さ調整用めっき部7の厚さは、絶縁層2の厚さよりも大きくても良く、小さくても良い。一方、図9dでは、熱アシスト用配線層3Bが、金属支持基板1側に折れ曲がった部分において、配線層から構成された端子部3bを有し、端子部3bにおける、側面、絶縁層2側の表面、カバー層4側の表面に、高さ調整用めっき部7が形成されている。図9eでは、図9dと同様の端子部3bにおける、側面、絶縁層2側の表面のみに、高さ調整用めっき部7が形成されている。図9fでは、図9dと同様の端子部3bにおける、絶縁層2側の表面のみに、高さ調整用めっき部7が形成されている。次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。図10は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図10は、図3bと同様に、図2aのB-B断面図に相当する断面図である。図10においては、まず、金属支持部材1X、絶縁部材2Xおよび導体部材3Xがこの順に積層された積層部材を準備する図10a。次に、導体部材3Xに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、熱アシスト用配線層3Bを有する配線層を形成する図10b。次に、熱アシスト用配線層3Bを覆うようにカバー層4を形成する図10c。その後、絶縁部材2Xに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層2を形成する図10d。次に、所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する端子部1aの表面上に、導体部ビアめっき部5を形成する図10e。次に、金属支持部材1Xに対するウェットエッチングを行い、端子部1aを形成する図10f。次に、端子部1aの表面上に、保護用めっき部6を形成する図10g。最後に、図示しないが、金属支持部材の外形加工を行い、金属支持基板を形成し、サスペンション用基板を得る。図11は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図11は、図3bと同様に、図2aのB-B断面図に相当する断面図である。図11においては、まず、金属支持部材1Xを準備する図11a。次に、金属支持部材1Xの表面上に、パターン状の絶縁層2を形成する図11b。次に、絶縁層2側の表面にスパッタリング法によりシード層図示せずを全面形成し、シード層の上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、熱アシスト用配線層3Bを有する配線層を形成する図11c。次に、熱アシスト用配線層3Bを覆うようにカバー層4を形成する図11d。その後、金属支持部材1Xに対するウェットエッチングを行い、端子部1aを形成する図11e。次に、端子部1aの表面上に、保護用めっき部6を形成する図11f。最後に、図示しないが、金属支持部材の外形加工を行い、金属支持基板を形成し、サスペンション用基板を得る。B.サスペンション次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。図12は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図12に示されるサスペンション400は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム300とを有するものである。本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。C.素子付サスペンション次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とするものである。図13は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図13に示される素子付サスペンション500は、上述したサスペンション400と、サスペンション400サスペンション用基板100の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子210および熱アシスト用素子図示せずとを有するものである。また、図14は、本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。図14に示すように、記録再生用素子210は、カバー層4側に配置され、記録再生用配線層3Aの端子部3aと導電性接続部12を介して接続されている。一方、熱アシスト用素子220は、記録再生用素子210とサスペンション用基板の開口部において接するように配置され、熱アシスト用配線層3Bの端子部1aと導電性接続部12を介して接続されている。本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンション、記録再生用素子および熱アシスト用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記B.サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。本発明における記録再生用素子および熱アシスト用素子については、上記A.サスペンション用基板に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。D.ハードディスクドライブ次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。図15は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図15に示されるハードディスクドライブ600は、上述した素子付サスペンション500と、素子付サスペンション500がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク501と、ディスク501を回転させるスピンドルモータ502と、素子付サスペンション500の素子を移動させるアーム503およびボイスコイルモータ504と、上記の部材を密閉するケース505とを有するものである。本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記C.素子付サスペンションに記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。[実施例1]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるNi-Cr-Cuをスパッタリングで約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た図10a。次に、SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から熱アシスト用配線層を形成し、金属支持部材に、治具孔を形成した図10b。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図10c。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た図10d。次に、ビアめっき部を形成するために、レジスト製版を行い、電解Niめっきを行った。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、電解浸漬めっき0.2A、14分を行った図10e。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、端子部を得た図10f。その後、保護用めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Auめっきを行い、保護用めっき層を形成した図10g。最後に、金属支持部材の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。[実施例2]厚さ18μmのSUS304である金属支持部材を用意した図11a。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い500~2000mJ/cm2の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が160°C~190°Cの範囲になり、最高到達温度の保持時間が0.1分~60分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは10μmであった図11b。次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Cr単層のシード層を35~45nm形成した。その後、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、熱アシスト用配線層を形成した図11c。次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した図11d。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、端子部を形成した図11e。次に、保護用めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Auめっきを行い、保護用めっき層を形成した図11f。最後に、金属支持部材の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。