"酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を共重合してなる高分子化合物と、酸発生剤と、又は酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、酸発生剤を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含むレジスト材料に、更にナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、又は該金属とβジケトン類との錯体を配合してなることを特徴とするレジスト材料。酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物が、下記一般式1で示される繰り返し単位a1及び/又はa2を有するものであることを特徴とする請求項1に記載のレジスト材料。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、エステル基又はアミド基である。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2<1の範囲である。繰り返し単位a1、a2に加えて、下記一般式2で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位b1~b3を有する高分子化合物を含むことを特徴とする請求項2に記載のレジスト材料。式中、R120、R124、R128は水素原子又はメチル基、R121は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y-R-である。Yは酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基又は炭素数3~10のアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122、R123、R125、R126、R127、R129、R130、R131は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表し、これらが炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアシロキシ基を有していてもよい。Z1は単結合、又は-C=O-Z3-R132-である。Z2は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R132-、又は-C=O-Z3-R132-である。Z3は酸素原子又はNH、R132は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122とR123、R125とR126、R125とR127、R126とR127、R129とR130、R129とR131、R130とR131は直接あるいはメチレン基又はエーテル結合で結合して環を形成していてもよい。R133は水素原子又はトリフルオロメチル基である。Mは非求核性対向イオンを表す。0≦b1≦0.5、0≦b2≦0.5、0≦b3≦0.5、0<b1b2b3≦0.5である。ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、又は該金属とβジケトン類との錯体が下記一般式で示されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジスト材料。式中、R11は同一又は異種の水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R12は単結合、あるいは炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R13、R14はそれぞれ前記R12のアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基の水素原子を1つ又は2つのカルボキシル基で置換したものである。R15、R16は同一又は異種の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、アルコキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。前記レジスト材料が、化学増幅ポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレジスト材料。前記レジスト材料が、有機溶剤、溶解阻止剤、酸発生剤、塩基性化合物、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジスト材料。請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記高エネルギー線で露光する工程において、波長3~15nmの真空紫外線を光源として用いることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。前記高エネルギー線で露光する工程において、加速電圧1~150keVの加速電圧電子ビームを光源として用いることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、高解像度でありながら高感度であり、なおかつ露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料、更には導電性の機能を有して描画中のチャージアップを防止する化学増幅ポジ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。即ち、本発明は、下記レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。請求項1:酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を共重合してなる高分子化合物と、酸発生剤と、ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体を含むことを特徴とする、あるいは酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、酸発生剤を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体を含むことを特徴とするレジスト材料。請求項2:下記一般式1で示される、酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位a1及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位a2を有する高分子化合物と、ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体を含むことを特徴とする請求項1記載のレジスト材料。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、エステル基又はアミド基である。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2<1の範囲である。請求項3:繰り返し単位a1、a2に加えて、下記一般式2で示されるスルホニウム塩の繰り返し単位b1~b3を有する高分子化合物を含むことを特徴とする請求項2に記載のレジスト材料。式中、R120、R124、R128は水素原子又はメチル基、R121は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y-R-である。Yは酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基又は炭素数3~10のアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122、R123、R125、R126、R127、R129、R130、R131は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表し、これらが炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアシロキシ基を有していてもよい。Z1は単結合、又は-C=O-Z3-R132-である。Z2は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R132-、又は-C=O-Z3-R132-である。Z3は酸素原子又はNH、R132は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122とR123、R125とR126、R125とR127、R126とR127、R129とR130、R129とR131、R130とR131は直接あるいはメチレン基又はエーテル結合で結合して環を形成していてもよい。R133は水素原子又はトリフルオロメチル基である。Mは非求核性対向イオンを表す。0≦b1≦0.5、0≦b2≦0.5、0≦b3≦0.5、0<b1b2b3≦0.5である。請求項4:ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、又は該金属とβジケトン類との錯体が下記一般式で示されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジスト材料。式中、R11は同一又は異種の水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R12は単結合、あるいは炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R13、R14はそれぞれ前記R12のアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基の水素原子を1つ又は2つのカルボキシル基で置換したものである。R15、R16は同一又は異種の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、アルコキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。請求項5:前記レジスト材料が、化学増幅ポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレジスト材料。請求項6:前記レジスト材料が、有機溶剤、溶解阻止剤、酸発生剤、塩基性化合物、及び界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジスト材料。請求項7:請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。請求項8:前記高エネルギー線で露光する工程において、波長3~15nmの真空紫外線を光源として用いることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。請求項9:前記高エネルギー線で露光する工程において、加速電圧1~150keVの加速電圧電子ビームを光源として用いることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、ラインエッジラフネスが小さい特性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、EB、EUV露光用のパターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料とすることができる。以下、本発明につき更に詳しく説明する。上述のように、LSIの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が進むなか、高解像度でありながら高感度であり、なおかつ露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料が求められていた。本発明者は、近年要望される高解像度、高感度でなおかつラインエッジラフネスの小さいレジスト材料を得るべく鋭意検討を重ねた結果、酸不安定基を有する繰り返し単位を有するポリマーに特定の金属のカルボン酸塩、βジケトン錯体を添加したレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を用いれば極めて有効であることを知見した。より具体的には、本発明者は、酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有するモノマー、好ましくは更に加えて重合性オレフィンを有するスルホニウム塩モノマーの共重合により得られるポリマーにナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいはβジケトン類との錯体を加えたレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を用いることにより、酸拡散が抑えられて高解像度かつ高感度であり、露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さい特性を示し、EB描画中の帯電を防止し、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料が得られることを知見し、本発明を完成させたものである。即ち、本発明のレジスト材料は、酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有してなる高分子化合物とナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体を含むことを特徴とする。酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位a1、及び酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位a2は、下記一般式1で示すことができる。式中、R1、R3はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表す。R2、R4は酸不安定基を表す。X1は単結合、エステル基,ラクトン環,フェニレン基又はナフチレン基のいずれか1種又は2種以上を有する炭素数1~12の連結基、フェニレン基、又はナフチレン基である。X2は単結合、エステル基又はアミド基である。0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2<1の範囲である。更には、繰り返し単位a1、a2に加えて下記一般式2のスルホニウム塩の繰り返し単位b1~b3を有していてもよい。式中、R120、R124、R128は水素原子又はメチル基、R121は単結合、フェニレン基、-O-R-、又は-C=O-Y-R-である。Yは酸素原子又はNH、Rは炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基又は炭素数3~10のアルケニレン基であり、カルボニル基-CO-、エステル基-COO-、エーテル基-O-又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122、R123、R125、R126、R127、R129、R130、R131は同一又は異種の炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6~12のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基又はチオフェニル基を表し、これらが炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアシロキシ基を有していてもよい。Z1は単結合、又は-C=O-Z3-R132-である。Z2は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、-O-R132-、又は-C=O-Z3-R132-である。Z3は酸素原子又はNH、R132は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基、又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R122とR123、R125とR126、R125とR127、R126とR127、R129とR130、R129とR131、R130とR131は直接あるいはメチレン基又はエーテル結合で結合してイオウ原子と共に環を形成していてもよい。R133は水素原子又はトリフルオロメチル基である。Mは非求核性対向イオンを表す。0≦b1≦0.5、0≦b2≦0.5、0≦b3≦0.5、0<b1b2b3≦0.5である。ポリマーに酸発生剤をバウンドさせることによって酸拡散距離を縮め、エッジラフネスを低減させることができるために、好適に用いることができる。このような本発明のレジスト材料は、酸不安定基の繰り返し単位a1、a2及び酸発生剤を有する繰り返し単位b1、b2、b3を共重合してなる高分子化合物に、特にはEUV光に吸収の高い特定の金属のカルボン酸塩やβジケトン錯体を添加することによって酸の拡散を防止し、コントラストと感度を向上させ、導電性が向上することにより描画中の帯電を防止し、特に短波長の高エネルギー線及び電子ビームによる露光の際にも、高解像かつ高感度でラインエッジラフネスの小さい、良好な形状をもつ微細パターンを形成することができ、極めて高精度なパターンを得ることができるものである。従って、本発明のレジスト材料は、特に、レジスト膜の溶解コントラストが高く、高解像性を有し、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、高感度で、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが小さい。従って、これらの優れた特性を有することから実用性が極めて高く、超LSI用レジスト材料として非常に有効である。また、以上のような本発明のレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料の用途としては、例えば、半導体回路形成におけるリソグラフィーだけでなく、マスク回路パターンの形成、あるいはマイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド回路形成等にも応用することができる。本発明のレジスト材料においては、特定の金属カルボン酸塩又は特定の金属とβジケトン類との錯体を配合する。即ち、ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩あるいはβジケトン類との錯体は、強酸のスルホン酸、特にはα位がフッ素で置換されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸が存在するとイオン交換によりα位がフッ素で置換されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸のナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウム塩となる。酸不安定基を脱保護させるための触媒となるα位がフッ素で置換されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸は、前述の金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいはβジケトン類との錯体とイオン交換を起こすことによって酸強度が大幅に低下し脱保護反応を起こすことができなくなる。即ち、前述の金属塩はクエンチャーとして機能し、これらはプラスイオンの金属なので、マイナスイオンのα位がフッ素で置換されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸と強固なイオン結合をすることによって、従来型のアミンクエンチャーなどよりも効果的に酸の拡散を抑えることができるのである。ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいはβジケトン類との錯体はA群、B群の一般式で示すことができる。式中、R11は同一又は異種の水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R12は単結合、あるいは炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基であり、これらがヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。R13、R14はそれぞれ前記R12のアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、又はアルキニレン基の水素原子を1つ又は2つのカルボキシル基で置換したものである。R15、R16は同一又は異種の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基、又は炭素数6~20のアリール基であり、これらがヒドロキシ基、アルコキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環を有していてもよい。上記A群中のカルボン酸塩を形成するためのカルボン酸イオンは、具体的には下記に例示される。ここで、カルボン酸の炭素数が多いほど有機溶剤に溶解し易くなる。βジケトンのアセチルアセトンは、下記に示すようにエノール化することによって金属Mと錯体を形成する。B群記載のβジケトン類、即ち非置換又は置換のアセチルアセトン類は、具体的には下記に例示することができる。R15とR16とは、同一であるβジケトン類が一般的であるが、特開2004-175755号公報に記載されているように異なっていてもよい。R15とR16の両方がメチル基であるアセチルアセトンが最も一般的であるが、場合によっては有機溶剤への溶解性に乏しい欠点がある。R15とR16を合計した炭素数は3以上が好ましく、より好ましくは4以上である。本発明に係る高分子化合物に含まれる繰り返し単位のうち、上記一般式1中の繰り返し単位a1で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、カルボキシル基、特にはメタアクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。式中、R1、R2は前述と同様である。上記一般式1中の繰り返し単位a2で表される酸不安定基を有する繰り返し単位は、フェノール性水酸基、好ましくはヒドロキシスチレン、ヒドロキシフェニルメタアクリレートの水酸基の水素原子を置換したものであり、これを得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。式中、R3、R4は前述と同様である。R2、R4で示される酸不安定基は種々選定されるが、同一でも異なっていてもよく、特に下記式A-1~A-3で置換された基で示されるものが挙げられる。式A-1において、R30は炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式A-3で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が挙げられる。a1は0~6の整数である。式A-2において、R31、R32は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基等を例示できる。R33は炭素数1~18、好ましくは1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい1価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。R31とR32、R31とR33、R32とR33とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合には環の形成に関与するR31、R32、R33はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示し、好ましくは環の炭素数は3~10、特に4~10である。上記式A-1の酸不安定基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。更に、下記式A-1-1~A-1-10で示される置換基を挙げることもできる。ここで、R37は互いに同一又は異種の炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基、R38は水素原子、又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。また、R39は互いに同一又は異種の炭素数2~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6~20のアリール基である。a1は上記の通りである。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式A-2-1~A-2-69のものを例示することができる。上記式A-2で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が挙げられる。また、下記一般式A-2aあるいはA-2bで表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間あるいは分子内架橋されていてもよい。式中、R40、R41は水素原子、又は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R40とR41は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはR40、R41は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R42は炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、b1、d1は0又は1~10、好ましくは0又は1~5の整数、c1は1~7の整数である。Aは、c11価の炭素数1~50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。この場合、好ましくは、Aは2~4価の炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数6~30のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、c1は好ましくは1~3の整数である。一般式A-2a、A-2bで示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式A-2-70~A-2-77のものが挙げられる。次に、式A-3においてR34、R35、R36は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数2~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R34とR35、R34とR36、R35とR36とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数3~20の脂環を形成してもよい。式A-3に示される三級アルキル基としては、tert-ブチル基、トリエチルカルビル基、1-エチルノルボニル基、1-メチルシクロヘキシル基、1-エチルシクロペンチル基、2-2-メチルアダマンチル基、2-2-エチルアダマンチル基、tert-アミル基等を挙げることができる。また、三級アルキル基としては、下記に示す式A-3-1~A-3-18を具体的に挙げることもできる。式A-3-1~A-3-18中、R43は同一又は異種の炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。R44、R46は水素原子、又は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R45は炭素数6~20のフェニル基等のアリール基を示す。更に、下記式A-3-19、A-3-20に示すように、2価以上のアルキレン基、アリーレン基であるR47を含んで、ポリマーの分子内あるいは分子間が架橋されていてもよい。式A-3-19、A-3-20中、R43は前述と同様、R47は炭素数1~20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。e1は1~3の整数である。特に式A-3の酸不安定基としては繰り返し単位a1として下記式A-3-21に示されるエキソ体構造を有するメタアクリル酸エステルの繰り返し単位が好ましく挙げられる。式中、Rαは水素原子又はメチル基、Rc3は炭素数1~8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示す。Rc4~Rc9及びRc12、Rc13はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、Rc10、Rc11は水素原子又は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示す。Rc4とRc5、Rc6とRc8、Rc6とRc9、Rc7とRc9、Rc7とRc13、Rc8とRc12、Rc10とRc11又はRc11とRc12は互いに環を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。またRc4とRc13、Rc10とRc13又はRc6とRc8は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。ここで、一般式A-3-21に示すエキソ構造を有する繰り返し単位を得るためのエステル体のモノマーとしては特開2000-327633号公報に示されている。具体的には下記に挙げることができるが、これらに限定されることはない。次に式A-3に示される酸不安定基としては、繰り返し単位a1として下記式A-3-22に示されるフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有するメタアクリル酸エステルの酸不安定基を挙げることができる。式中、Rαは前述の通りである。Rc14、Rc15はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。Rc14、Rc15は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Rc16はフランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基から選ばれる2価の基を示す。Rc17は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。フランジイル基、テトラヒドロフランジイル基又はオキサノルボルナンジイル基を有する酸不安定基で置換された繰り返し単位を得るためのモノマーは下記に例示される。なお、Acはアセチル基、Meはメチル基を示す。繰り返し単位a1の酸不安定基R2としては、下記一般式A-3-23で示されるものであってもよい。式中、R231は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。m23は1~4の整数である。式A-3-23で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-24で示される酸不安定基であってもよい。式中、R241、R242は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは水素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を有していてもよい炭素数1~12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2~12のアルケニル基、炭素数2~12のアルキニル基、又は炭素数6~10のアリール基である。R243、R244、R245、R246は水素原子、あるいはR243とR244、R244とR245、R245とR246が結合してベンゼン環を形成してもよい。m24、n24は1~4の整数である。式A-3-24で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-25で示される酸不安定基であってもよい。式中、R251は同一又は異種で、水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、m25が2以上の場合、R251同士が結合して炭素数2~8の非芳香環を形成してもよく、円は炭素CAとCBとのエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基から選ばれる結合を表し、R252は炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。円がエチレン基、プロピレン基のとき、R251が水素原子となることはない。m25、n25は1~4の整数である。式A-3-25で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-26で示される酸不安定基であってもよい。式中、R261、R262は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m26、n26は1~4の整数である。式A-3-26で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-27で示される酸不安定基であってもよい。式中、R271、R272は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m27、n27は1~4の整数である。Jはメチレン基、エチレン基、ビニレン基、又は-CH2-S-である。式A-3-27で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。繰り返し単位a1の酸不安定基R2は、下記一般式A-3-28で示される酸不安定基であってもよい。式中、R281、R282は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数6~10のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。Rは前述の通り。m28、n28は1~4の整数である。Kはカルボニル基、エーテル基、スルフィド基、-S=O-、又は-S=O2-である。式A-3-28で示される酸不安定基によって置換された繰り返し単位a1を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示される。上記一般式2中のスルホニウム塩を有する繰り返し単位b2を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。上記一般式2中のスルホニウム塩を有する繰り返し単位b3を得るためのモノマーは、具体的には下記に例示することができる。本発明は、酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位a1及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位a2と、好ましくは酸発生剤を有する繰り返し単位b1~b3を共重合することを特徴とするが、更に、密着性基としてフェノール性水酸基を有する繰り返し単位cを共重合することができる。フェノール性水酸基を有する繰り返し単位cを得るためのモノマーは、具体的には下記に示すことができる。更には他の密着性基として、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ラクトン環、カーボネート基、チオカーボネート基、カルボニル基、環状アセタール基、エーテル基、エステル基、スルホン酸エステル基、シアノ基、アミド基、-O-C=O-G-Gは硫黄原子又はNHであるから選ばれる密着性基を有する繰り返し単位dを共重合することができる。繰り返し単位dを得るためのモノマーとしては、具体的には下記に例示することができる。ヒドロキシ基を有するモノマーの場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基などの酸によって脱保護し易いアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。更に、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン及びこれらの誘導体eを共重合することもでき、具体的には下記に例示することができる。上記繰り返し単位以外に共重合できる繰り返し単位fとしては、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダンなどが挙げられる。a1、a2、b1、b2、b3、c、d、e、fの共重合比率は、0≦a1≦0.9、0≦a2≦0.9、0<a1a2<1、0≦b1≦0.5、0≦b2≦0.5、0≦b3≦0.5、0≦b1b2b3≦0.5、0≦c≦0.9、0≦d≦0.9、0≦e≦0.9、0≦f≦0.5であり、好ましくは0≦a1≦0.8、0≦a2≦0.8、0.1≦a1a2≦0.8、0≦b1≦0.4、0≦b2≦0.4、0≦b3≦0.4、0≦b1b2b3≦0.4、0≦c≦0.8、0≦d≦0.8、0≦e≦0.8、0≦f≦0.4、更に好ましくは0≦a1≦0.7、0≦a2≦0.7、0.15≦a1a2≦0.75、0≦b1≦0.3、0≦b2≦0.3、0≦b3≦0.3、0≦b1b2b3≦0.3、0≦c≦0.7、0≦d≦0.7、0≦e≦0.7、0≦f≦0.3、0≦g≦0.3である。また、a1a2b1b2b3cdef=1である。これら高分子化合物を合成するには、1つの方法としては、例えば繰り返し単位a1、a2、b1、b2、b3、c、d、e、fで示されるモノマーを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加え、加熱重合を行い、共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレンの代わりにアセトキシスチレン、アセトキシビニルナフタレンを用い、重合後上記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシポリビニルナフタレンにする方法もある。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては-20~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.2~100時間、好ましくは0.5~20時間である。本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物は、それぞれ溶剤としてテトラヒドロフランを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が好ましくは1,000~500,000、より好ましくは2,000~30,000である。重量平均分子量が1,000以上であれば、レジスト材料が耐熱性に優れるものとなり、500,000以下であれば、アルカリ溶解性が低下することもなく、パターン形成後に裾引き現象が生じることもない。更に、本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物においては、多成分共重合体の分子量分布Mw/Mnが広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は1.0~2.0、特に1.0~1.5と狭分散であることが好ましい。本発明のレジスト材料に用いられる高分子化合物は、酸不安定基で置換されたメタアクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位a1及び/又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位a2、必要により酸発生剤を有する繰り返し単位b1、b2、b3を共重合することを特徴とするが、組成比率や分子量分布や分子量が異なる2つ以上のポリマーをブレンドすることも可能である。本発明に係る高分子化合物は、特にポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適で、このような高分子化合物をベース樹脂とし、これに有機溶剤、酸発生剤、溶解阻止剤、塩基性化合物、界面活性剤等を目的に応じ適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記高分子化合物が触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料とすることができ、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、より優れたエッチング耐性を示し、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、特に超LSI用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。特に、酸発生剤を含有させ、酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト材料とすると、より高感度のものとすることができると共に、諸特性が一層優れたものとなり極めて有用なものとなる。また、ポジ型レジスト材料に溶解阻止剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。更に、塩基性化合物を添加することによって、例えばレジスト膜中での酸の拡散速度を抑制し、解像度を一層向上させることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト材料の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。本発明のレジスト材料には、上述のように、本発明のパターン形成方法に用いる化学増幅ポジ型レジスト材料を機能させるために酸発生剤を含んでもよく、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物光酸発生剤を含有してもよい。光酸発生剤の成分としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤等がある。酸発生剤の具体例としては、例えば特開2008-111103号公報の段落[0122]~[0142]に記載されている。これらは単独であるいは2種以上混合して用いることができる。本発明のレジスト材料に配合することができる有機溶剤の具体例としては、例えば特開2008-111103号公報の段落[0144]~[0145]、塩基性化合物クエンチャーとしては段落[0146]~[0164]、界面活性剤としては段落[0165]~[0166]、溶解阻止剤としては特開2008-122932号公報の段落[0155]~[0178]に記載されている。特開2008-239918号公報に記載のポリマー型のクエンチャーを添加することもできる。更に、必要に応じて任意成分としてアセチレンアルコール類を添加することもでき、アセチレンアルコール類の具体例としては特開2008-122932号公報の段落[0179]~[0182]に記載されている。これらのものは、コート後のレジスト表面に配向することによってパターン後のレジストの矩形性を高める。ポリマー型クエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。本発明のレジスト材料に添加されるナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体は、酸発生剤から発生したスルホン酸、イミド酸、メチド酸と塩交換することによってクエンチャーとして機能する。ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類の添加量は、ベース樹脂上記高分子化合物100質量部に対して0.01~30質量部、好ましくは0.02~20質量部である。また、クエンチャーとして前述のアミンクエンチャーと併用してもよい。なお、酸発生剤を配合する場合、その配合量はベース樹脂100質量部に対し0.1~50質量部であることが好ましい。塩基性化合物クエンチャーを配合する場合、その配合量はベース樹脂100質量部に対し0.01~20質量部、特に0.02~15質量部であることが好ましい。溶解阻止剤を配合する場合、その配合量はベース樹脂100質量部に対し0.5~50質量部、特に1.0~30質量部であることが好ましい。界面活性剤を配合する場合、その配合量はベース樹脂100質量部に対し0.0001~10質量部、特に0.001~5質量部であることが好ましい。有機溶剤の配合量は、ベース樹脂100質量部に対し100~10,000質量部、特に200~8,000質量部であることが好ましい。また、本発明は、前記レジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。この場合、前記高エネルギー線で露光する工程において、波長3~15nmの真空紫外線EUVや加速電圧電子ビーム、特には加速電圧が1~150keVの範囲の電子ビームを光源として用いることができる。ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体は導電性の金属塩を形成しているために、EB描画中のレジスト膜の耐電を防止する効果がある。このため、レジスト膜の上に必ずしも帯電防止膜を形成しなくてもよい。ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体は波長13.5nmのEUV光に強い吸収がある。EUVで露光したときに前述の金属の外殻電子が励起され、酸発生剤に電子が移動し、酸の発生効率が高まり、レジストの感度が向上するメリットもある。本発明のレジスト材料、例えば有機溶剤と、上記一般式1で示される高分子化合物と、ナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体、酸発生剤、塩基性化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、本発明のレジスト材料を、集積回路製造用の基板あるいは該基板上の被加工層Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等や、マスク回路製造用の基板あるいは該基板上の被加工層Cr、CrO、CrON、MoSi、SiO2等上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が0.1~2.0μmとなるように塗布する。これをホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線、真空紫外線軟X線:EUV等の高エネルギー線から選ばれる光源で目的とするパターンを所定のマスクを通じてもしくは直接露光を行う。露光量は1~200mJ/cm2程度、特に10~100mJ/cm2、又は0.1~100μC/cm2程度、特に0.5~50μC/cm2となるように露光することが好ましい。次に、ホットプレート上で60~150°C、10秒~30分間、好ましくは80~120°C、30秒~20分間ポストエクスポージャベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリンヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドTEAH、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドTPAH、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドTBAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、3秒~3分間、好ましくは5秒~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像することにより、光を照射した部分は現像液に溶解し、露光されなかった部分は溶解せず、基板上に目的のポジ型のパターンが形成される。有機溶剤現像によってネガ型のパターンを得ることもできる。現像液としては、2-オクタノン、2-ノナノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3-フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2-フェニルエチルから選ばれる1種以上を挙げることができる。現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数3~10のアルコール、炭素数8~12のエーテル化合物、炭素数6~12のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。具体的に、炭素数6~12のアルカンとしてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナンなどが挙げられる。炭素数6~12のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどが挙げられ、炭素数6~12のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチンなどが挙げられ、炭素数3~10のアルコールとしては、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、1-ブチルアルコール、2-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、tert-アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-3-ペンタノール、シクロペンタノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2,3-ジメチル-2-ブタノール、3,3-ジメチル-1-ブタノール、3,3-ジメチル-2-ブタノール、2-エチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-3-ペンタノール、シクロヘキサノール、1-オクタノールなどが挙げられる。炭素数8~12のエーテル化合物としては、ジ-n-ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ-sec-ブチルエーテル、ジ-n-ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ-sec-ペンチルエーテル、ジ-tert-アミルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤が挙げられる。前述の溶剤に加えてトルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。なお、本発明のレジスト材料は、高エネルギー線の中でも電子線、真空紫外線軟X線:EUV、X線、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターニングに最適である。特に、波長3~15nmの真空紫外線や加速電圧100keV以下の加速電圧電子ビーム、特には加速電圧50keV以下の低加速電圧電子ビームを光源として用いれば、より微細なパターンを形成することができる。[合成例]レジスト材料に用いる高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてTHFテトラヒドロフラン溶剤下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物ポリマー1~15を得た。得られた高分子化合物の組成は1H-NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより確認した。ポリマー1重量平均分子量Mw=10,200分子量分布Mw/Mn=1.99ポリマー2重量平均分子量Mw=9,800分子量分布Mw/Mn=1.79ポリマー3重量平均分子量Mw=7,500分子量分布Mw/Mn=1.79ポリマー4重量平均分子量Mw=7,900分子量分布Mw/Mn=1.97ポリマー5重量平均分子量Mw=9,000分子量分布Mw/Mn=1.98ポリマー6重量平均分子量Mw=9,900分子量分布Mw/Mn=1.86ポリマー7重量平均分子量Mw=7,900分子量分布Mw/Mn=1.79ポリマー8重量平均分子量Mw=7,800分子量分布Mw/Mn=1.78ポリマー9重量平均分子量Mw=7,100分子量分布Mw/Mn=1.75ポリマー10重量平均分子量Mw=7,400分子量分布Mw/Mn=1.99ポリマー11重量平均分子量Mw=7,900分子量分布Mw/Mn=1.64ポリマー12重量平均分子量Mw=7,800分子量分布Mw/Mn=1.68ポリマー13重量平均分子量Mw=7,300分子量分布Mw/Mn=1.63ポリマー14重量平均分子量Mw=7,300分子量分布Mw/Mn=1.63ポリマー15重量平均分子量Mw=7,600分子量分布Mw/Mn=1.76上記で合成した高分子化合物を用い、界面活性剤として3M社製界面活性剤のFC-4430を100ppmの濃度で溶解させた溶剤に表1に示される組成で所用成分を溶解させた溶液を、0.2μmサイズのフィルターで濾過して表1記載のポジ型レジスト材料を調製した。下記表中の各組成は次の通りである。金属化合物:下記構造式参照有機溶剤:PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHシクロヘキサノンCyPシクロペンタノンPGMEプロピレングリコールモノメチルエーテルPGEEプロピレングリコールモノエチルエーテルPGPEプロピレングリコールモノプロピルエーテル酸発生剤:PAG1下記構造式参照塩基性化合物:Amine1下記構造式参照電子ビーム描画評価得られたポジ型レジスト材料を直径6インチφのヘキサメチルジシラザンHMDSベーパープライム処理したSi基板上に、クリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてスピンコートし、ホットプレート上で110°C,60秒間プリベークして70nmのレジスト膜を作製した。これに、株日立製作所製HL-800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。描画後、直ちにクリーントラックMark5東京エレクトロン株製を用いてホットプレート上で表1に記載の温度で60秒間ポストエクスポジュアーベークPEBを行い、2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。100nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における、最小の寸法を解像力とし、100nmLSのエッジラフネスLWRをSEMで測定した。レジスト組成とEB露光における感度、解像度の結果を表2に示す。真空紫外光EUV露光評価得られたポジ型レジスト材料をヘキサメチルジシラザンHMDSベーパープライム処理した直径4インチφのSi基板上にスピンコートし、ホットプレート上で105°C,60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。これに、NA0.3、ダイポール照明でEUV露光を行った。露光後直ちにホットプレート上で60秒間ポストエクスポージャベークPEBを行い2.38質量のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。得られたレジストパターンを次のように評価した。35nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における、35nmLSのエッジラフネスLWRをSEMで測定した。レジスト組成とEUV露光における感度、解像度の結果を表3に示す。表2,3の結果より、本発明のレジスト材料は、十分な解像力でかつ高感度であり、エッジラフネスも十分に小さいことがわかった。一方、比較例のレジスト材料は、十分な解像力を有しているものの、感度とエッジラフネスは、本発明のレジスト材料に比べて大きい結果となった。即ち、本発明のレジスト材料のように、該レジスト材料を組成とする高分子化合物として、酸不安定基を有する繰り返し単位に好ましくは酸発生剤を有する繰り返し単位を含む高分子化合物にナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数1~20の1~4価のカルボン酸塩、あるいは該金属とβジケトン類との錯体を添加したものであれば、高解像度、高感度で、かつラインエッジラフネスも小さいため、超LSI用レジスト材料、マスクパターン形成材料等として非常に有効に用いることができると言える。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"