"基板の上に、下部反射鏡と、活性層と、電流狭窄層と、上部反射鏡とを形成する半導体層形成工程と、該半導体層形成工程により形成された活性層,電流狭窄層,上部反射鏡の一部をメサ構造に形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された下部反射鏡,活性層,電流狭窄層,上部反射鏡を除去し、素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面、前記メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程を有することを特徴とする面発光型レーザ素子の製造方法。基板の上に設けられた、下部反射鏡と、活性層と、電流狭窄構造が形成される電流狭窄層と、上部反射鏡とが形成され、前記活性層と前記電流狭窄層と前記上部反射鏡を形成する半導体層の一部により形成されたメサ構造と、前記基板上に設けられた素子分離のための素子分離溝と、該素子分離溝の壁面と前記メサ構造の上面および側面に設けられた半導体材料からなる再成長層とを有することを特徴とする面発光型レーザ素子。前記再成長層は、GaInPであることを特徴とする請求項2に記載の面発光型レーザ素子。前記再成長層は、光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であることを特徴とする請求項2または3に記載の面発光型レーザ素子。前記再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を備えたことを特徴とする請求項2から請求項4のいずれかに記載の面発光型レーザ素子。前記保護膜は、SiO2、SiN、または、SiO2とSiNを組み合わせたものであることを特徴とする請求項2から請求項5のいずれかに記載の面発光型レーザ素子。前記保護膜は、光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であることを特徴とする請求項2から請求項6のいずれかに記載の面発光型レーザ素子。請求項2から請求項7のいずれかに記載の面発光型レーザ素子上に形成された発光点となる面発光型レーザを、同一半導体基板上に複数配列したことを特徴とする面発光型レーザアレイ素子。レーザ光によって被走査面上を走査する光走査装置であって、請求項2から請求項7のいずれかに記載の面発光型レーザ素子、あるいは、請求項8に記載の面発光型レーザアレイ素子を有する光源ユニットと、該光源ユニットからの1または複数のレーザ光を偏向する偏向手段と、該偏向手段により偏向された1または複数のレーザ光を被走査面上に集光する走査光学系と、を備えたことを特徴とする光走査装置。請求項2から請求項7のいずれかに記載の面発光型レーザ素子、あるいは、請求項8に記載の面発光型レーザアレイ素子を書き込み光源として備えたことを特徴とする画像形成装置。少なくとも一つの像担持体と、前記少なくとも一つの像担持体に対して、画像情報によって変調された1または複数のレーザ光を走査する少なくとも一つの請求項9に記載の光走査装置とを備えたことを特徴とする請求項10に記載の画像形成装置。前記画像情報はカラー画像情報であり、該カラー画像情報を構成する各色要素毎に前記像担持体を備えたことを特徴とする請求項11に記載の画像形成装置。ところで、上述した従来の面発光型レーザ素子を製造する場合では、保護膜319は、絶縁性等の観点から、通常、SiO2膜またはSiN膜により形成されている。しかしながら、SiO2膜またはSiN膜は、面発光型レーザ素子を構成する他のIII-V族化合物半導体とは異なる材料であり、また、このような保護膜319において、酸素や水蒸気等が通過することのない緻密な膜をメサ構造330の側面および素子分離溝331の壁面に形成することは困難である。このため、メサ構造330の側面および素子分離溝331の壁面にSiO2膜またはSiN膜からなる保護膜319を形成した場合においても、酸素や水蒸気が保護膜319を通過して侵入し、Al組成の高いAlGaAs層やAlAs層がメサ構造330の側面および素子分離溝331の壁面より徐々に酸化されてしまう。特に、下部DBR反射鏡312および上部DBR反射鏡317は、Al組成の高い低屈折率層とAl組成の低い高屈折率層とを交互に積層することにより形成されているが、DBRを構成する各層の厚さは、屈折率をnとした場合、レーザ発振の波長λに対し、λ/4×nの整数倍の厚さとなるように形成されているため、膜厚が厚く、さらに数十層形成されているため、特にAl組成の高い低屈折率層は酸化による影響を多大に受けやすい。また、一般に面発光型レーザ素子は、レーザ発振により生じた熱をn型GaAs基板311側から放熱させる構成とする場合が多く、この場合、下部DBR反射鏡312における低屈折率層には、熱伝導率の高いAlAs層を用いると有利である。しかしながら、素子分離溝331を形成した場合、下部DBR反射鏡312におけるAlAs層の側面はエッチングにより露出しているため、保護膜319を通過して侵入した酸素や水蒸気によって酸化されやすい。このように、面発光型レーザ素子を構成するAlAs層、特に下部DBR反射鏡312が酸化されると、酸化された層の体積が変化して応力が発生し、面発光型レーザ素子を構成する素子が破壊され、面発光型レーザ素子を構成する素子および面発光型レーザ素子を構成する素子を用いた装置の信頼性に悪影響を与える。特開2007-235030号公報特許文献2には、メサ構造側面を半導体再成長層で被覆し酸素や水蒸気等から保護する方法が提案されているが、酸素や水蒸気の影響を多大に受けやすい素子分離溝については言及されていない。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、下部DBR反射鏡等を構成するAl組成の高いAlGaAs、AlAs等の層の側面からの酸化を防いだ構造の面発光型レーザを提供することを目的とするものであり、さらには、信頼性の高い面発光型レーザ素子とその製造方法、面発光型レーザアレイ素子、光走査装置、画像形成装置を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明は次のような構成を有している。本発明に係る面発光型レーザ素子の製造方法は、基板の上に、下部反射鏡と、活性層と、電流狭窄層と、上部反射鏡とを形成する半導体層形成工程と、該半導体層形成工程により形成された活性層,電流狭窄層,上部反射鏡の一部をメサ構造に形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された下部反射鏡,活性層,電流狭窄層,上部反射鏡を除去し、素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面、前記メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程を有することを特徴としている。本発明に係る面発光型レーザ素子は、基板の上に設けられた、下部反射鏡と、活性層と、電流狭窄構造が形成される電流狭窄層と、上部反射鏡とが形成され、前記活性層と前記電流狭窄層と前記上部反射鏡を形成する半導体層の一部により形成されたメサ構造と、前記基板上に設けられた素子分離のための素子分離溝と、該素子分離溝の壁面と前記メサ構造の上面および側面に設けられた半導体材料からなる再成長層とを有することを特徴とする。また、前記再成長層は、GaInPであること、光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であることを特徴とする。さらに、前記再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を備えたことを特徴とする。また、前記保護膜は、SiO2、SiN、または、SiO2とSiNを組み合わせたものであること、光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であることを特徴とする。本発明に係る面発光型レーサアレイ素子は、上記の面発光型レーザ素子上に形成された発光点となる面発光型レーザを、同一半導体基板上に複数配列したものである。本発明に係る光走査装置は、レーザ光によって被走査面上を走査する光走査装置であって、前記面発光型レーザ素子、あるいは、前記面発光型レーザアレイ素子を有する光源ユニットと、該光源ユニットからの1または複数のレーザ光を偏向する偏向手段と、該偏向手段により偏向された1または複数のレーザ光を被走査面上に集光する走査光学系と、を備えたことを特徴とする。本発明に係る画像形成装置は、上記面発光型レーザ素子、または、上記面発光型レーザアレイ素子を書き込み光源として備えたものであり、少なくとも一つの像担持体感光体ドラムと、該少なくとも一つの像担持体に対して、画像情報によって変調された1または複数のレーザ光を走査する少なくとも一つの前記光走査装置とを備えたこと、さらに、前記画像情報がカラー画像情報であり、該カラー画像情報を構成する色要素毎に前記像担持体を備えたことを特徴としている。本発明によれば、下部DBR反射鏡等を構成するAl組成の高いAlGaAs、AlAs等の層の側面からの酸化による劣化を防ぐ構造を有しているため、長寿命で信頼性の高い面発光型レーザ素子とその製造方法を提供することができ、さらには、該面発光型レーザ素子に形成された面発光型レーザを用いたことにより信頼性の高い面発光型レーザアレイ素子、光走査装置、画像形成装置を実現することができる。本発明の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する第1の実施の形態本発明の第1の実施の形態に係る面発光型レーザ素子について説明する。本実施の形態の面発光型レーザ素子は、III-V族の化合物半導体により形成される面発光型半導体レーザ素子である。<面発光型レーザ素子>以下、本実施の形態における面発光型レーザ素子を図面を用いて説明する。図1は、本実施の形態に係る面発光型レーザ素子の断面図である。本実施の形態における面発光型レーザ素子は、同図に示すように、n型GaAs基板1上に、エピタキシャル成長により形成した下部DBR反射鏡下部半導体多層膜3、下部スペーサ層4、MQW活性層5、上部スペーサ層6、電流狭窄層7選択酸化領域7a,電流狭窄領域7b、上部DBR反射鏡上部半導体多層膜8およびコンタクト層p型GaAsコンタクト層9を有している。下部DBR反射鏡3は、n型Al0.3Ga0.7Asとn型AlAsとを40.5ペア交互に積層することにより形成したものであり、ドーパントとしてSeセレンが、5×1017cm-3~2×1018cm-3ドープされている。なお、下部DBR反射鏡3は、低屈折率層と高屈折率層とが積層されたものであるが、n型AlAsにより形成される層が低屈折率層となり、n型Al0.3Ga0.7Asにより形成される層が高屈折率層となる。MQW活性層5は、Al0.1Ga0.9AsとAl0.3Ga0.7Asとを交互に積層した多重量子井戸構造により形成されている。電流狭窄層7は、p型AlAsにより形成されており、後に選択酸化されることにより選択酸化領域7aと電流狭窄領域7bからなる電流狭窄構造を形成する。上部DBR反射鏡8は、p型Al0.9Ga0.1Asとp型Al0.3Ga0.7Asとを21ペア交互に積層形成することにより形成したものである。上部DBR反射鏡8には、ドーパントとしてZnが、5×1017cm-3~6×1018cm-3ドープされている。なお、上部DBR反射鏡8は、低屈折率層と高屈折率層とが積層されたものであるが、p型Al0.9Ga0.1Asにより形成される層が低屈折率層となり、p型Al0.3Ga0.7Asにより形成される層が高屈折率層となる。コンタクト層9は、p型GaAsからなる膜により形成されている。この後、所定の領域における、下部スペーサ層4、MQW活性層5、上部スペーサ層6、電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8およびコンタクト層9をエッチングすることによりメサ構造16を形成し、さらに、電流狭窄層7であるAlAs層を側面から選択酸化して選択酸化領域7aを形成し、酸化されない電流狭窄領域7bを中央部に残す。また、本実施の形態における面発光型レーザ素子では、下部DBR反射鏡3、下部スペーサ層4、MQW活性層5、上部スペーサ層6、電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8およびコンタクト層9をエッチングすることにより、素子分離をするための素子分離溝14を形成する。そして、該素子分離溝14の壁面、前記メサ構造16の上面および側面などを含む全面を、燐酸系などのエッチング液で酸化層の除去を行う。さらに再成長層を成長させる反応管内で、高温V族ガス雰囲気下でサーマルクリーニングを行い、メサ構造16および素子分離溝14の周囲を覆うように、光学長が前記活性層5より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であるGaInP再成長層15を形成する。さらに光学長が前記MQW活性層5より得られる発振光の波長の1/2の整数倍である保護膜13を形成する。なお、本実施の形態における面発光型レーザ素子では、メサ構造16を形成する際に、下部DBR反射鏡3の一部を除去する場合がある。p側電極11は、保護膜13上にコンタクト層9と接して形成されており、コンタクト層9とオーミック接触するように形成されている。n側電極2は、n型GaAs基板1の裏面に設けられており、n型GaAs基板1とオーミック接触するように形成されている。なお、本実施の形態における面発光型レーザ素子では、下部DBR反射鏡3および上部DBR反射鏡8は、高屈折率層と低屈折率層とを積層した構成のものであるが、高屈折率層と低屈折率層との界面における電気抵抗を低減させるため、高屈折率層と低屈折率層との界面においては、AlGaAsの組成を変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が形成されている。<面発光型レーザ素子の製造方法>次に、本実施の形態における面発光型レーザ素子の製造方法を説明する。図2は、本実施の形態における面発光型レーザ素子の製造工程の流れを示す図である。本発明に係る面発光型レーザ素子の製造方法は、同図に示すように、まず、半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、下部スペーサ層と、半導体膜からなる活性層と、上部スペーサ層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層を形成する工程ステップS101を行う。次に、前記半導体層を形成する工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程ステップS102と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程ステップS103を行う。さらに、前記素子分離溝の壁面、前記メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程ステップS104を行う。そして、前記再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程ステップS105を行う。これらの工程を行い面発光型レーザ素子が製造される。図3は、本実施の形態における面発光型レーザ素子の製造方法の一具体例を示す図である。最初に、図示しないが、図2のステップS101で示したように、n型GaAs基板1上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属気相成長法やMBEMolecularBeamEpitaxy:分子線エピタキシーにより、下部DBR反射鏡3、MQW活性層5、電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8およびコンタクト層9を順次エピタキシャル成長により形成する。下部DBR反射鏡3は、高屈折率層となるn型Al0.3Ga0.7Asと低屈折率層となるn型AlAsとを交互に40.5ペア積層形成することにより形成する。また、MQW活性層5はAl0.1Ga0.9AsとAl0.3Ga0.7Asとを交互に積層形成することにより多重量子井戸構造を形成し、電流狭窄層7はp型AlAsにより形成する。さらに、上部DBR反射鏡8として高屈折率層となるp型Al0.3Ga0.7Asと低屈折率層となるp型Al0.9Ga0.1Asとを交互に21ペア積層形成することにより形成し、コンタクト層9はp型GaAsにより形成する。次に、図2のステップS102で説明したように、所定の領域におけるMQW活性層5、電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8およびコンタクト層9の一部をエッチングすることによりメサ構造16を形成する。メサ構造16を形成することにより、MQW活性層5において光と電流を閉じ込め、効率よくレーザ発振させることができ、また、高速変調における寄生容量を低減させることができる。具体的に、本実施の形態における面発光型レーザ素子では、CVD等によりコンタクト層9上に、SiO2膜またはSiN膜を形成し、このSiO2膜またはSiN膜上にフォトレジストを塗布し、露光装置により露光し、現像することによりメサ構造16が形成される領域上にレジストパターンを形成する。次に、これにより形成されたレジストパターンをマスクとして、レジストパターンの形成されていない領域のSiO2膜またはSiN膜をRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチング等により除去し、SiO2膜またはSiN膜からなるメサマスクとなる保護膜を形成する。次に、SiO2膜またはSiN膜からなるメサマスクとなる保護膜をマスクとして、Cl2、BCl3、SiCl4等のガスを導入しRIE等により、MQW活性層5、電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8、コンタクト層9を除去する。なお、メサマスクは一例としてSiO2膜またはSiN膜で形成することを挙げているが、他の誘電体膜やレジストのみで形成することも可能である。前記工程によりメサ構造16が形成される。なお、メサ構造16を形成するためのエッチング方法は、RIEReactiveIonEtching以外の誘導結合プラズマエッチング等のドライエッチング法、または、ウエットエッチング法、さらには、ドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせたエッチング方法によって行うことも可能である。次に、電流狭窄層7を選択酸化する。具体的には、メサ構造16を形成した後、水蒸気雰囲気中において熱処理を行うことにより、メサ構造16により露出している電流狭窄層7の側面より酸化を進行させる。これによりメサ構造16の周辺部分は酸化され絶縁体であるAlxOyが形成され選択酸化領域7aが形成される。この選択酸化領域7aと中央部分の酸化されていない電流狭窄領域7bとにより、電流狭窄層による電流狭窄構造が形成される。次に、図2のステップS103を実施し、図3aに示すように、素子分離溝14を形成する。具体的には、フォトレジストの塗布、露光装置による露光、現像により、素子分離溝14が形成されない領域上に不図示のレジストパターンを形成する。この後、レジストパターンの形成されていない領域における下部DBR反射鏡3、下部スペーサ層4、MQW活性層5、上部スペーサ6、層電流狭窄層7、上部DBR反射鏡8およびコンタクト層9をRIE等によりエッチングし除去することにより素子分離溝14を形成する。素子分離溝14を形成するためのエッチング方法は、RIEReactiveIonEtching以外のドライエッチング法、または、ウエットエッチング法、さらには、ドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせたエッチング方法によって行うことも可能である。ここまでの工程は、従来通りである。次に、図2のステップS104を実施し、図3bに示すように、図3aに示した状態に対して再成長層15を形成する。つまり、素子分離溝14を形成した後に、再成長層15を形成する。具体的には、MOCVD、MBE等により化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成する。再成長層15を形成する材料は、Alを含まずV族元素がPのみであり耐湿性に優れ、AlGaAs活性層よりバンドギャップが大きく、GaAsと格子整合するGaInPであることが好ましい。Alを含まない理由は、Alを含むと酸化されやすいためである。GaInPは先行技術のGaAsのように選択成長が容易でないため、メサ構造上面にも成長させ、後に電極とのコンタクトを取る部分をエッチングし、電極はGaAsとオーミック接続させる。この場合発光部にGaInPが形成されるが、GaInPはAlGaAs活性層よりバンドギャップが大きく発振光の吸収は少ない。また、再成長層15は、メサ構造16の上面および側面および素子分離溝14の壁面に所望の膜厚の再成長層15を形成することができる方法が好ましく、このためMOCVDにより再成長層15を形成することが好ましい。具体的にはコンタクト層9上に光学長が前記活性層より得られる発振光の波長の1/2の整数倍であるこのように形成することが好ましい。形成された再成長膜15はエピタキシャル成長により形成されたものであるため緻密な膜であり、素子分離溝14の壁面からの酸素の侵入を防止することができる。即ち、形成された再成長膜15により面発光型レーザ素子を構成する素子端部からの酸素の侵入を防ぐことができるため、応力等により破壊されることがなく信頼性を高めることができる。次に、図2のステップS105を実施し、図3cに示すように、保護膜13を形成する。具体的には、CVD等により、本実施の形態における面発光型レーザ素子の発振波長λに対し、光学長がλ/2の整数倍となる膜厚のSiO2膜、SiN膜、または、SiO2膜とSiN膜を組み合わせた構成からなる保護膜13を形成する。次に、図3dに示すように、p側電極11およびn側電極2を形成する。具体的には、保護膜13上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、p側電極11とコンタクト層9とが接続される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、レジストパターンの形成されていない領域における保護膜13をバッファードフッ酸等によりウエットエッチングを行うことにより除去し、GaInP再成長層15を塩酸、硫酸などにより除去する。この後、コンタクト層9に接続されるp側電極11を形成し、n型GaAs基板1の裏面にn側電極2を形成する。この後、素子分離溝14に沿って面発光型レーザ素子を分離し、本実施の形態における面発光型レーザ素子を作製することができる。この際に、素子分離溝14でへき開などにより分離を行っても、素子の壁面が露出せず、さらに、再成長層15、保護層13により、酸素などの侵入を確実に防止することができる。なお、コンタクト層9上では、GaInP再成長層15と保護膜13とが積層された構造となるが、ともに本実施の形態における面発光型レーザ素子の発振波長λに対し、光学長がλ/2の整数倍となる膜厚により形成されているため、面発光型レーザ素子の特性に影響を与えることはない。即ち、面発光型レーザ素子の特性に影響を及ぼさないためには、GaInP再成長層15、保護膜13の光学長を、λ/2の整数倍となる膜厚とする必要がある。本実施の形態における面発光型レーザ素子は、メサ構造16の上面、側面および素子分離溝14の壁面がエピタキシャル成長により形成された緻密なGaInP再成長膜15により覆われているため、外部からの酸素の侵入を防ぐことができるため、半導体層の酸化を防ぐことができる。これにより、半導体層が酸化することにより体積が変化し応力が加わり、面発光型レーザ素子を構成する素子が破壊されるといったことを防ぐことができ、信頼性を高めることができる。特に、GaAs層を用いた構成の下部DBR反射鏡3における酸化を防ぐことができ、放熱効果の高い構造の面発光型レーザ素子において、素子分離溝14を形成した場合においても、素子としての信頼性が高く酸化されにくい面発光型レーザ素子を得ることができる。<面発光型レーザアレイ素子>上述した信頼性の高い面発光型レーザ素子上に形成された面発光型レーザを一次元あるいは二次元に配列した面発光型レーザアレイ素子は、後述する実施の形態で述べるように、複数の光源を並列的に照射することが可能となり、高速処理を行う場合に有益である。第2の実施の形態本発明の第2の実施の形態は、光学電子機器である。以下、本実施の形態に係る光学電子機器について説明する。本実施の形態に係る光学電子機器は、第1の実施の形態に係る面発光型レーザ素子あるいは面発光型レーザ素子アレイを用いたあらゆる光学電子機器を含むものであり、酸化による劣化の少ない面発光型レーザ素子を用いることにより、安定した長寿命の光学電子機器を実現できる。以下では、光学電子機器の例として、画像形成装置レーザプリンタと光ディスク装置について説明する。<<画像形成装置レーザプリンタ>>まず、本発明の第2の実施の形態に係る光学電子機器の例として画像形成装置レーザプリンタについて説明する。図4は、本実施の形態に係る画像形成装置レーザプリンタの構成図である。本実施の形態に係る画像形成装置であるレーザプリンタは、同図に示すように、光走査装置100、感光体ドラム101、帯電チャージャ102、現像ローラ103、トナーカートリッジ104、クリーニングブレード105、給紙トレイ106、給紙コロ107、レジストローラ対108、定着ローラ109、排紙トレイ110、転写チャージャ111、排紙ローラ112および除電ユニット114等を備えている。具体的には、感光体ドラム101の回転方向において、帯電チャージャ102、現像ローラ103、転写チャージャ111、除電ユニット114およびクリーニングブレード105の順に、感光体ドラム101の近傍に配置されている。感光体ドラム101の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム101は、図中に示すように、時計回りで回転するように構成されている。帯電チャージャ102は、感光体ドラム101の表面を均一に帯電させる機能を有するものである。光走査装置100は、帯電チャージャ102により帯電された感光体ドラム101の表面に、パソコン等の上位装置からの画像情報に基づいて変調された光を照射する。この光の照射により感光体ドラム101の表面には、画像情報に応じた潜像が形成される。感光体ドラム101の表面において潜像の形成された領域は、感光体ドラム101が回転することにより、現像ローラ103の設けられている方向に移動する。なお、光走査装置100の詳細については後述する。トナーカートリッジ104には、トナーが格納されており、このトナーは現像ローラ103に供給される。現像ローラ103は、感光体ドラム101の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ104から供給されたトナーを付着させて、感光体ドラム101の表面において画像情報を顕像化させる。この後、感光体ドラム101が回転することにより、感光体ドラム101の表面の潜像にトナーが付着している領域は、転写チャージャ111の設けられている方向に移動する。給紙トレイ106には記録紙113が格納されている。この給紙トレイ106の近傍には、給紙コロ107が配置されており、この給紙コロ107は、記録紙113を給紙トレイ106から一枚ずつ取り出し、レジストローラ対108に搬送する。このレジストローラ対108は、転写チャージャ111の近傍に配置されており、給紙コロ107によって取り出された記録紙113を一旦保持するとともに、この記録紙113を感光体ドラム101の回転に合わせて感光体ドラム101と転写チャージャ111との間隙に向けて送り出す。転写チャージャ111には、感光体ドラム101の表面上のトナーを電気的に記録紙113に引きつけるため、感光体101の表面上のトナーとは逆極性の電荷が印加されている。この電荷により感光体ドラム101の表面上のトナーは、記録紙113に転写され、即ち、トナーにより形成される画像が記録紙113に転写される。この後、記録紙113は、定着ローラ109に送られる。定着ローラ109では、熱と圧力とが記録紙113に加えられ、これによって、トナーが記録紙113に定着される。ここで画像が定着された記録紙113は、排紙ローラ112を介して排紙トレイ110に送られ、排紙トレイ110上に順次スタックされる。なお、除電ユニット114は、感光体ドラム101の表面を除電する。クリーニングブレード105は、感光体ドラム101の表面に残存するトナー残留トナーを除去する。除去された残留トナーは、再利用可能な構成となっている。残留トナーが除去された感光体ドラム101の表面は、再び帯電チャージャ102の設けられている方向に移動する。<光走査装置>次に、本実施の形態に係る光走査装置について説明する。図5は、本実施の形態に係る光走査装置100の概要図である。本実施の形態に係る光走査装置100は、同図に示すように、光源ユニット121、カップリングレンズ122、開口板アパーチャ123、シリンドリカルレンズ124、ポリゴンミラー125、fθレンズ126、トロイダルレンズ127、2つのミラー128、129および上記各部を統括的に制御する不図示の主制御装置を有している。光源ユニット121は、第1の実施の形態における面発光型半導体レーザ面発光型レーザ素子上に形成された面発光型レーザが複数形成された面発光型レーザアレイ素子を備えている。カップリングレンズ122は、光源ユニット121から出射されたレーザ光を略平行光にするためのものである。開口板123は、開口部を有し、カップリングレンズ122からのレーザ光のビーム径を規定するためのものである。シリンドリカルレンズ124は、開口板123を通過したレーザ光を、ミラー128を介してポリゴンミラー125の反射面に集光する。ポリゴンミラー125は、正六角柱状に形成されており、6つの側面が反射面となるよう鏡面が形成されている。ポリゴンミラー125は、不図示のモータによって、矢印に示す方向に一定速度で回転しており、この回転に伴って、レーザ光は等角速度的に偏向される。fθレンズ126は、ポリゴンミラー125からのレーザ光の入射角に比例した像高さを有しており、ポリゴンミラー125により一定の角速度で偏向されるレーザ光の像面を主走査方向に対して等速移動させる。トロイダルレンズ127は、fθレンズ126からのレーザ光を、ミラー129を介して、感光体ドラム101の表面上に結像する。次に、本実施の形態に係る光源ユニット121について説明する。光源ユニット121は、面発光型レーザ素子VCSELの面発光型レーザがアレイ状に2次元的に配列された面発光型レーザアレイLA面発光型レーザアレイを含むものにより構成されている。図6は、本実施の形態に係る光源ユニット121を構成する面発光型レーザアレイLA面発光型レーザアレイの概要図である。同図に示すように、面発光型レーザアレイLA面発光型レーザアレイにおいて、各々の面発光型レーザは、主走査方向には所定の十分な間隔をもって配列されており、面発光型レーザの主走査方向における配列は副走査方向において間隔d2ずつずれながら配列されている。このように副走査方向において間隔d2ずつずれながら主走査方向の配列されているものが、副走査方向におけるピッチd1ごとに形成されている。このように配置することにより、各々の面発光型レーザの中心から副走査方向に垂直な垂線の間隔を等間隔間隔d2が等間隔とすることができる。これにより、各々の面発光型レーザの点灯のタイミングを制御することにより、感光体ドラム101上において、副走査方向に狭い等間隔で光源が配列されている場合と同様の構成とすることができる。例えば、副走査方向における各々の面発光型半導体レーザのピッチd1が26.5μmであって、面発光型半導体レーザを主走査方向に10個ずつ配列させた場合、面発光型半導体レーザの間隔d2は、2.65μmとなる。そして、光学系における倍率を2倍に設定すれば、感光体ドラム101上において、5.3μm間隔で書き込みドットを形成することができる。これは、4800dpiドット/インチに相当するものであり、4800dpiの高密度の書き込みを行うことができる。また、主走査方向に配列される面発光型半導体レーザの個数を増やし、ピッチd1を狭め、間隔d2をさらに狭めたアレイ状にすることにより、さらに高密度な書き込みを行うことが可能となる。なお、主走査方向の書き込みの間隔は、光源である面発光型半導体レーザの点灯のタイミングを制御することにより容易に制御が可能である。本実施の形態における光走査装置、およびこれを用いた画像形成装置においては、光源として、信頼性の高い第1の実施の形態に係る面発光型半導体レーザを用いているため、低コストであって、低消費電力で、高速で高品質となる光走査装置、および画像形成装置を得ることが可能となる。<カラー画像を形成するための画像形成装置>次に、カラー画像を形成するための画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、カラーレーザプリンタであり、カラー画像に対し複数の感光体ドラムを備えたダンデムカラー機である。図7は、本実施の形態に係るカラー印刷が可能な画像形成装置カラーレーザプリンタの構成図である。本実施の形態に係るカラーレーザプリンタは、同図に示すように、ブラックK用の感光体ドラムK1、帯電器K2、現像器K4、クリーニング手段K5、および転写用帯電手段K6と、シアンC用の感光体ドラムC1、帯電器C2、現像器C4、クリーニング手段C5、および転写用帯電手段C6と、マゼンタM用の感光体ドラムM1、帯電器M2、現像器M4、クリーニング手段M5、および転写用帯電手段M6と、イエローY用の感光体ドラムY1、帯電器Y2、現像器Y4、クリーニング手段Y5、および転写用帯電手段Y6と、光走査装置100、転写ベルト201、および定着手段202等を備えている。本カラーレーザプリンタでは、光走査装置100内に、ブラック用の半導体レーザ、シアン用の半導体レーザ、マゼンタ用の半導体レーザ、イエロー用の半導体レーザを有しており、各々の半導体レーザは、本発明の第1の実施の形態に係る面発光型半導体レーザにより構成されている。ブラック用の半導体レーザからのレーザ光はブラック用の感光体ドラムK1に照射され、シアン用の半導体レーザからのレーザ光はシアン用の感光体ドラムC1に照射され、マゼンタ用の半導体レーザからのレーザ光はマゼンタ用の感光体ドラムM1に照射され、イエロー用の半導体レーザからのレーザ光はイエロー用の感光体ドラムY1に照射される。各々の感光体ドラムK1、C1、M1、Y1は、矢印の方向に回転し、回転方向の順に、各々の帯電器K2、C2、M2、Y2、現像器K4、C4、M4、Y4、転写用帯電手段K6、C6、M6、Y6、クリーニング手段K5、C5、M5、Y5が配置されている。各々の帯電器K2、C2、M2、Y2は、対応する感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面を均一に帯電する。帯電された感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に、光走査装置100からレーザ光が照射され、感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に静電潜像が形成される構成となっている。この後、各々の現像器K4、C4、M4、Y4によって、感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面にトナー像が形成され、各々に対応する転写用帯電手段K6、C6、M6、Y6により、記録紙に各々の色のトナー像が転写され、定着手段202により、記録紙に画像が定着される。なお、クリーニング手段K5、C5、M5、Y5は、各々に対応した感光体ドラムK1、C1、M1、Y1の表面に残存する残留トナーを除去するものである。なお、本実施の形態では、像担持体として感光体ドラムについて説明したが、像担持体としては、銀塩フィルムを用いた画像形成装置であってもよい。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同様の処理により可視化させることができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼き付け処理と同様の処理により印画紙に転写することが可能である。このような画像形成装置は、光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施することが可能である。また、像担持体としてビームスポットの熱エネルギーにより発色する発色媒体ポジの印画紙を用いた画像形成装置であってもよい。この場合においては、光走査により可視画像を直接像担持体に形成することが可能である。以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、従来のレーザプリンタ技術に基づいて当業者が任意に変更できる範囲の全ての構成を含むものとする。<<光ディスク装置>>次に、光学電子機器の例として光ディスク装置について説明する。本例の光ディスク装置は、光ディスクへのデータの書き込みや、光ディスクに書き込まれたデータの再生に用いる光源として、本発明の第1の実施の形態で説明した酸化による劣化の少ない信頼性の高い面発光型レーザを用いることにより、安定した長寿命の信頼性の高い光ディスク装置を実現できる。第3の実施の形態<光送信モジュール>第3の実施の形態は、光送信モジュールである。以下、本実施の形態に係る光送信モジュールについて図面を用いて説明する。図8は、光送信モジュールの概略図であり、同図aは単一の面発光型レーザ素子と単一の光ファイバを用いた光送信モジュールを示し、同図bは複数の光レーザからなる面発光型レーザ素子アレイと該複数の光レーザのそれぞれに対応する複数の光ファイバを用いた光送信モジュールを示している。単一の面発光型レーザ素子を用いた光送信モジュール250は、同図aに示すように、面発光型レーザ素子251第1の実施の形態に係る面発光型レーザから出射されるレーザ光252を光ファイバプラスチック光ファイバPOF253に入力し、他装置に伝送するモジュールである。面発光型レーザアレイを用いた光送信モジュール260は、同図bに示すように、面発光型レーザアレイ261を構成するそれぞれの面発光型レーザ素子から出射されるレーザ光262を対応する光ファイバ263に入力し、他装置に並列伝送するモジュールである。本実施の形態においては、面発光型レーザ素子として、第1の実施の形態に係る酸化による素子の劣化を防止した信頼性の高い面発光型レーザ素子を用いているので、安定した信頼性の高い光送信モジュールを実現できる。また、光ファイバとして安価なPOFを用いた場合低コストな光送信モジュールを実現でき、家庭用やオフィスの室内用および機器内等の短距離のデータ通信に有効である。また、同図bに示した光送信モジュールを用いると、高速な並列伝送が可能となり、従来よりも多くのデータを同時に伝送できるようになった。また、上記の場合は光発光レーザと光ファイバとを1対1に対応させているが、発振波長の異なる複数の面発光型レーザ素子を1次元または2次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより、伝送速度をさらに増大させることができる。第4の実施の形態<光送受信モジュール>第4の実施の形態は、光送受信モジュールである。以下、本実施の形態に係る光送受信モジュールについて図面を用いて説明する。図9は、光送受信モジュールの概略図であり、同図aは単一の面発光型レーザ素子と単一の受光素子フォトダイオードとそれぞれに対応する光ファイバを用いた光送受信モジュールを示し、同図bは複数の光レーザからなる面発光型レーザアレイ素子と複数の受光素子フォトダイオードとそれぞれに対応する光ファイバを用いた光送受信モジュールを示している。単一の面発光型レーザ素子と単一の受光素子フォトダイオードを用いた光送受信モジュール270は、同図aに示すように、面発光型レーザ素子271から出射されるレーザ光272を光ファイバプラスチック光ファイバPOF273に入力し、他装置に伝送するとともに、他装置から光ファイバプラスチック光ファイバPOF275を介して伝送されてきたレーザ光276を受光素子フォトダイオード277で受信するモジュールである。面発光型レーザアレイ素子を用いた光送信モジュール280は、同図bに示すように、面発光型レーザアレイ素子281を構成するそれぞれの面発光型レーザから出射されるレーザ光282を対応する光ファイバ283に入力し、他装置に並列伝送するモジュールとともに、他装置から光ファイバプラスチック光ファイバPOF285を介して伝送されてきたレーザ光286を受光素子フォトダイオードアレイ287で受信するモジュールである。本実施の形態においては、面発光型レーザ素子として、第1の実施の形態に係る酸化による素子の劣化を防止した信頼性の高い面発光型レーザ素子あるいは面発光型レーザアレイ素子を用いているので、安定した信頼性の高い光送受信モジュールを実現できる。また、光ファイバとして安価なPOFを用いた場合低コストの光送受信モジュールを実現でき、家庭用やオフィスの室内用および機器内等の短距離のデータ通信に有効である。また、同図bに示した光送受信モジュールを用いると、高速な並列伝送が可能となり、従来よりも多くのデータを同時に伝送できるようになった。また、上記の場合は光発光レーザと光ファイバとを1対1に対応させているが、発振波長の異なる複数の面発光型レーザ素子を1次元または2次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより、伝送速度をさらに増大させることができる。第5の実施の形態<光通信システム>第5の実施の形態は、光通信システムである。以下、本実施の形態に係る光通信システムについて説明する。本実施の形態に係る光通信システムは、第3の実施の形態に係る光送信モジュール、あるいは、第4の実施の形態に係る光送受信モジュールを用いたシステムである。本実施の形態に係る光通信システムによれば、第1の実施の形態に係る酸化による素子の劣化を防止した信頼性の高い面発光型レーザ素子を具備する第3の実施の形態に係る光送信モジュール、あるいは、第1の実施の形態に係る酸化による素子の劣化を防止した信頼性の高い面発光型レーザ素子を具備する第4の実施の形態に係る光送受信モジュールを用いているので、安定した低コストの信頼性の高い光通信システムを実現でき、コンピュータ等の機器間伝送、さらに、機器内のボード間のデータ伝送、ボード内のLSI間、LSI内の素子間等、光インターコネクションとして、特に短距離通信に有効であり、超高速コンピュータシステムが可能となる。なお、面発光型レーザ素子は、端面発光型レーザ素子に比べて桁違いに低消費電力化でき、2次元アレイ化が容易であるので、並列伝送型の光通信システムに適している。なお、上述した実施の形態はあくまでも例示したものであって本発明の権利範囲を制限するものではない。本発明の請求の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。例えば、第3の実施の形態における面発光型レーザ素子251,面発光型レーザ素子アレイ261,第4の実施の形態における面発光型レーザ素子271,受光素子フォトダイオード277,面発光型レーザ素子アレイ281,受光素子フォトダイオードアレイ287には図示しない制御回路を一体的に備えていてもよく、また、第4の実施の形態における面発光型レーザ素子271と受光素子フォトダイオード277、面発光型レーザ素子アレイ281と受光素子フォトダイオードアレイ287は別個に設けてもよく、同一パッケージに一体的に設けてもよい。"