複数の太陽電池セルを直列に接続した太陽電池モジュールが複数直列に接続された太陽電池モジュール群と、それぞれの前記太陽電池モジュールに並列に接続され前記太陽電池モジュールの出力電圧が予め特定された特定電圧より小さいときに前記太陽電池モジュール群に流れるモジュール群電流をバイパスさせるバイパス電流経路と、前記太陽電池モジュール群から出力された電力を直流-直流変換するDC/DCコンバータとを備えた太陽光発電システムであって、それぞれの前記バイパス電流経路に配置されて前記バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子のそれぞれに対応して配置され前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記出力電圧が前記特定電圧より小さくなったとき、前記スイッチング素子を開から閉に切り替えて前記バイパス電流経路を導通させる構成とされていることを特徴とする太陽光発電システム。請求項1に記載の太陽光発電システムであって、前記制御部は、前記太陽電池モジュールに接続されて前記出力電圧が入力される入力端子と、前記スイッチング素子の制御端子に接続され前記スイッチング素子の開閉を制御する出力端子とを備える比較器で構成されていることを特徴とする太陽光発電システム。請求項1または請求項2に記載の太陽光発電システムであって、前記制御部の電源は、前記DC/DCコンバータから供給されることを特徴とする太陽光発電システム。請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載の太陽光発電システムであって、前記スイッチング素子は、MIS電界効果トランジスタであることを特徴とする太陽光発電システム。電流経路に配置されて前記電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備えるスイッチングシステムであって、前記制御部は、前記電流経路の両端間の電圧に基づいて前記スイッチング素子の開閉を制御する構成とされていることを特徴とするスイッチングシステム。請求項5に記載のスイッチングシステムであって、前記制御部は、第1入力端子、第2入力端子、および出力端子を備えた比較器であり、前記第1入力端子は、前記電流経路の第1端子に接続され、前記第2入力端子は、前記電流経路の第2端子に接続され、前記出力端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とするスイッチングシステム。請求項6に記載のスイッチングシステムであって、前記スイッチング素子は、MIS電界効果トランジスタであり、前記MIS電界効果トランジスタのソースは前記第1端子に接続され、前記MIS電界効果トランジスタのドレインは前記第2端子に接続され、前記MIS電界効果トランジスタのゲートは前記制御端子として前記出力端子に接続されていることを特徴とするスイッチングシステム。請求項5から請求項7までのいずれか一つに記載のスイッチングシステムであって、前記制御部は、外部に配置された外部電源から電源電力を供給されることを特徴とするスイッチングシステム。請求項8に記載のスイッチングシステムであって、前記外部電源は、太陽電池モジュールの出力をDC/DC変換するDC/DCコンバータの出力であることを特徴とするスイッチングシステム。請求項1に記載の太陽光発電システムであって、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされて前記太陽電池モジュールに並列に接続されてあり、前記2つの抵抗の間に接続されて前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備え、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とする太陽光発電システム。請求項10に記載の太陽光発電システムであって、前記スイッチング素子および前記制御部は、単一の配線基板に実装されて前記太陽電池モジュールの出力ボックスに内蔵されていることを特徴とする太陽光発電システム。請求項5に記載のスイッチングシステムであって、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされて前記電流経路の前記両端に並列に接続されてあり、前記2つの抵抗の間に接続されて前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備え、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とするスイッチングシステム。太陽電池モジュールの両端に接続されることによってバイパス電流経路を構成するバイパス装置であって、前記バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に対応して配置され前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされ、前記太陽電池モジュールに並列に接続された場合に、前記2つの抵抗の間から前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備えてあり、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とするバイパス装置。請求項13に記載のバイパス装置であって、前記制御部は、前記分圧端子と前記制御端子との間に配置されて前記スイッチング素子をオフからオンに切り替えたときの前記制御端子の電位状態を維持する切り替え状態維持回路を備えることを特徴とするバイパス装置。請求項14に記載のバイパス装置であって、前記切り替え状態維持回路は、アノードが前記分圧端子に接続され、カソードが前記制御端子に接続されたダイオードと、一端が前記制御端子に接続され、他端が前記太陽電池モジュールの発電状態でプラス側となるモジュール端子に接続されたコンデンサとを備えることを特徴とするバイパス装置。請求項15に記載のバイパス装置であって、前記制御部は、アノードが前記コンデンサの前記一端に接続され、カソードが前記太陽電池モジュールの発電状態でマイナス側となるモジュール端子に接続された放電用ダイオードを備えることを特徴とするバイパス装置。請求項13から請求項16までのいずれか一つに記載のバイパス装置であって、前記スイッチング素子および前記制御部は、単一の配線基板に実装されていることを特徴とするバイパス装置。太陽電池セル、太陽電池モジュールでの発電状態、非発電状態の混在を解消する手段としてのバイパスダイオードの接続については、バイパスダイオード自体による電力消費の発生という問題があった。バイパスダイオードの電力消費に伴う発熱対策として特許文献1に記載されたような技術が提案されている。しかし、特許文献1に開示された技術は発生した熱への対応が開示されているのみで、バイパスダイオード自体の電力消費を低減させるものではなく、バイパスダイオードでの電力消費は依然として発生するという問題があった。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、バイパスダイオードを電力消費がほとんど生じないスイッチング素子に置き換えることによって、従来のバイパスダイオードで発生していた電力消費を低減解消した太陽光発電システムを提供することを目的とする。また、本発明は、スイッチング素子を適用して電流経路の導通、非導通を制御することによって、電流経路を必要に応じて機能させ、また、電流経路での消費電力を抑制したスイッチングシステムを提供することを他の目的とする。また、本発明は、ダイオードと2つの抵抗の3素子という簡単な構成の直列回路で制御部を構成することによって、太陽電池モジュールの出力状態を分圧端子からの信号分圧電圧として容易にかつ高精度に抽出し、分圧端子の電位分圧電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を容易にかつ高精度に制御することができるバイパス装置を提供することを他の目的とする。本発明に係る太陽光発電システムは、複数の太陽電池セルを直列に接続した太陽電池モジュールが複数直列に接続された太陽電池モジュール群と、それぞれの前記太陽電池モジュールに並列に接続され前記太陽電池モジュールの出力電圧が予め特定された特定電圧より小さいときに前記太陽電池モジュール群に流れるモジュール群電流をバイパスさせるバイパス電流経路と、前記太陽電池モジュール群から出力された電力を直流-直流変換するDC/DCコンバータとを備えた太陽光発電システムであって、それぞれの前記バイパス電流経路に配置されて前記バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子のそれぞれに対応して配置され前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記出力電圧が前記特定電圧より小さくなったとき、前記スイッチング素子を開から閉に切り替えて前記バイパス電流経路を導通させる構成とされていることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、太陽電池モジュールが例えば太陽光の遮断などによって発電しない非発電状態となったとき、発電しない太陽電池モジュールと並列に配置されたバイパス電流経路を導通状態短絡状態として太陽電池モジュール群に流れるモジュール群電流をバイパスさせるので、バイパスダイオードを適用せずに非発電状態の太陽電池モジュールへのモジュール群電流の流入を防止して太陽電池モジュール太陽電池セルでのホットスポットの発生を防止することができ、また、バイパスダイオードを適用したときに生じる電力消費を抑制することができる。つまり、太陽光発電システム太陽電池モジュール、太陽電池セルでのホットスポット現象の発生を防止して信頼性を向上し、また、太陽光発電システム太陽電池モジュール、太陽電池セルの寿命を延ばし、発電効率を向上させることができる。また、本発明に係る太陽光発電システムでは、前記制御部は、前記太陽電池モジュールに接続されて前記出力電圧が入力される入力端子と、前記スイッチング素子の制御端子に接続され前記スイッチング素子の開閉を制御する出力端子とを備える比較器で構成されていることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、太陽電池モジュールの非発電状態を高精度に、かつ迅速に検出してスイッチング素子の開閉オンオフを制御するので、太陽電池モジュールでのホットスポット現象の発生を確実に防止することができる。また、本発明に係る太陽光発電システムでは、前記制御部の電源は、前記DC/DCコンバータから供給されることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、制御部の電源を安定化させ、また、太陽光発電システムのバイパス電流経路制御部の制御を高精度にすることができる。また、本発明に係る太陽光発電システムでは、前記スイッチング素子は、MIS電界効果トランジスタであることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、スイッチング素子を抵抗が小さいMIS電界効果トランジスタで構成するので、バイパス電流経路スイッチング素子で生じる消費電力を低減し、バイパス電流経路での電力ロスを抑制して全体としての発電効率を向上させることができる。また、バイパス電流経路スイッチング素子で生じる消費電力を低減することから、消費電力に伴う発熱が抑制されるのでバイパスダイオードを適用したときにバイパス電流経路で必要であって放熱手段を不要とすることができる。また、本発明に係るスイッチングシステムは、電流経路に配置されて前記電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備えるスイッチングシステムであって、前記制御部は、前記電流経路の両端間の電圧に基づいて前記スイッチング素子の開閉を制御する構成とされていることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、電流経路の両端間の電圧電位差に応じてスイッチング素子の開閉を制御することから、電流経路の両端での電位の相関状態に応じて電流経路の導通、非導通を切り替えることができるので、電流経路を短絡閉路あるいは開放開路することで必要に応じて機能させることができ、また、スイッチング素子を適用することから電流経路を導通させたときの消費電力を抑制することができる。また、本発明に係るスイッチングシステムでは、前記制御部は、第1入力端子、第2入力端子、および出力端子を備えた比較器であり、前記第1入力端子は、前記電流経路の第1端子に接続され、前記第2入力端子は、前記電流経路の第2端子に接続され、前記出力端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、制御部を比較器で構成することから、電流経路の両端での電位状況を高精度に比較でき、高精度にスイッチング素子の開閉を制御することができる。また、本発明に係るスイッチングシステムでは、前記スイッチング素子は、MIS電界効果トランジスタであり、前記MIS電界効果トランジスタのソースは前記第1端子に接続され、前記MIS電界効果トランジスタのドレインは前記第2端子に接続され、前記MIS電界効果トランジスタのゲートは前記制御端子として前記出力端子に接続されていることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、スイッチング素子としてMIS電界効果トランジスタを適用するので、スイッチング素子が導通したとき電流経路が導通状態のときの電力消費を抑制して不要な消費電力の発生を防止し、効率の良いスイッチングシステムとなる。また、本発明に係るスイッチングシステムでは、前記制御部は、外部に配置された外部電源から電源電力を供給されることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、外部からの電源電力によって動作することから、安定した動作を実現することができる。また、本発明に係るスイッチングシステムでは、前記外部電源は、太陽電池モジュールの出力をDC/DC変換するDC/DCコンバータの出力であることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、太陽電池モジュールの出力を調整するDC/DCコンバータの出力を利用することから、太陽電池モジュールの制御系への適用が可能となり、太陽電池モジュールのバイパス回路を構成するバイパスダイオードをスイッチング素子に置き換えてバイパスダイオードで問題とされる消費電力の発生を抑制することができる。また、本発明に係る太陽電池システムでは、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされて前記太陽電池モジュールに並列に接続されてあり、前記2つの抵抗の間に接続されて前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備え、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、ダイオードと2つの抵抗の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部として太陽電池モジュールと並列に接続することから、太陽電池モジュールの出力状態を分圧端子からの信号分圧電圧として容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子の電位分圧電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。また、本発明に係る太陽電池システムでは、前記スイッチング素子および前記制御部は、単一の配線基板に実装されて前記太陽電池モジュールの出力ボックスに内蔵されていることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、スイッチング素子および制御部直列回路を一つの配線基板に実装して出力ボックスへ内蔵するので、太陽電池モジュールに対するバイパス電流経路を高機能化することができる。また、本発明に係るスイッチングシステムでは、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされて前記電流経路の前記両端に並列に接続されてあり、前記2つの抵抗の間に接続されて前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備え、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とする。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、ダイオードと2つの抵抗の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部として電流経路と並列に接続することから、電流経路の両端間の電位状態を分圧端子からの信号分圧電圧として容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子の電位分圧電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。また、本発明に係るバイパス装置は、太陽電池モジュールの両端に接続されることによってバイパス電流経路を構成するバイパス装置であって、前記バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に対応して配置され前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、前記制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされ、前記太陽電池モジュールに並列に接続された場合に、前記2つの抵抗の間から前記太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備えてあり、前記分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されていることを特徴とする。したがって、本発明に係るバイパス装置は、ダイオードと2つの抵抗の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部として太陽電池モジュールと並列に接続することから、太陽電池モジュールの出力状態を分圧端子からの信号分圧電圧として容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子の電位分圧電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。また、本発明に係るバイパス装置では、前記制御部は、前記分圧端子と前記制御端子との間に配置されて前記スイッチング素子をオフからオンに切り替えたときの前記制御端子の電位状態を維持する切り替え状態維持回路を備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るバイパス装置は、スイッチング素子がオフからオンに切り替わったことによって、制御部に印加される電圧が低減した場合でも、制御端子の電位状態信号状態。制御端子に印加される電圧を維持するので、スイッチング素子のオン状態を維持することができる。また、本発明に係るバイパス装置では、前記切り替え状態維持回路は、アノードが前記分圧端子に接続され、カソードが前記制御端子に接続されたダイオードと、一端が前記制御端子に接続され、他端が前記太陽電池モジュールの発電状態でプラス側となるモジュール端子に接続されたコンデンサとを備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るバイパス装置は、スイッチング素子をオフからオンに切り替えたことによって制御部に加わる電圧が低下した場合でも、ダイオードとコンデンサという簡単な組み合わせで制御端子の電位状態制御端子に印加される電圧をコンデンサへの充電電圧によって維持できるので、スイッチング素子のオン状態を簡単に維持することができる。また、本発明に係るバイパス装置では、前記制御部は、アノードが前記コンデンサの前記一端に接続され、カソードが前記太陽電池モジュールの発電状態でマイナス側となるモジュール端子に接続された放電用ダイオードを備えることを特徴とする。したがって、本発明に係るバイパス装置は、太陽電池モジュールが発電状態となったとき、コンデンサに蓄積された充電電荷を放電用ダイオードでマイナス側のモジュール端子へ放電するから、コンデンサを初期状態に戻すことができ、安定した切り替え状態維持回路を実現することができる。また、本発明に係るバイパス装置では、前記スイッチング素子および前記制御部は、単一の配線基板に実装されていることを特徴とする。したがって、本発明に係るバイパス装置は、スイッチング素子および制御部直列回路を一つの配線基板に実装することから、小型化することができるので、太陽電池モジュールの出力ボックスへの内蔵が容易となる。本発明に係る太陽光発電システムは、複数の太陽電池セルを直列に接続した太陽電池モジュールが複数直列に接続された太陽電池モジュール群と、それぞれの前記太陽電池モジュールに並列に接続され前記太陽電池モジュールの出力電圧が予め特定された特定電圧より小さいときに前記太陽電池モジュール群に流れるモジュール群電流をバイパスさせるバイパス電流経路と、前記太陽電池モジュール群から出力された電力を直流-直流変換するDC/DCコンバータとを備えた太陽光発電システムであって、それぞれの前記バイパス電流経路に配置されて前記バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子のそれぞれに対応して配置され前記スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記出力電圧が前記特定電圧より小さくなったとき、前記スイッチング素子を開から閉に切り替えて前記バイパス電流経路を導通させる構成とされていることを特徴とする。したがって、本発明に係る太陽光発電システムは、太陽電池モジュールが例えば太陽光の遮断などによって発電しない非発電状態となったとき、発電しない太陽電池モジュールと並列に配置されたバイパス電流経路を導通状態短絡状態として太陽電池モジュール群に流れるモジュール群電流をバイパスさせるので、バイパスダイオードを適用せずに非発電状態の太陽電池モジュールへのモジュール群電流の流入を防止して太陽電池モジュール太陽電池セルでのホットスポットの発生を防止することができ、また、バイパスダイオードを適用したときに生じる電力消費を抑制することができる。つまり、太陽光発電システム太陽電池モジュール、太陽電池セルでのホットスポット現象の発生を防止して信頼性を向上し、また、太陽光発電システム太陽電池モジュール、太陽電池セルの寿命を延ばし、発電効率を向上させることができる。また、本発明に係るスイッチングシステムは、電流経路に配置されて電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、スイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備えるスイッチングシステムであって、制御部は、電流経路の両端間の電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を制御する構成とされている。したがって、本発明に係るスイッチングシステムは、電流経路の両端間の電圧電位差を検出した結果に応じてスイッチング素子の開閉を制御することから、電流経路の両端での電位の相関状態に応じて電流経路の導通、非導通を切り替えることができるので、電流経路を短絡閉路あるいは開放開路することで必要に応じて機能させることができ、また、スイッチング素子を適用することから電流経路を導通させたときの消費電力を抑制することができる。本発明に係るバイパス装置は、太陽電池モジュールの両端に接続されることによってバイパス電流経路を構成するバイパス装置であって、バイパス電流経路の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子と、スイッチング素子に対応して配置されスイッチング素子の開閉を制御する制御部とを備え、制御部は、ダイオードと2つの抵抗を直列に接続した直列回路とされ、太陽電池モジュールに並列に接続された場合に、2つの抵抗の間から太陽電池モジュールの出力電圧を分圧して出力する分圧端子を備えてあり、分圧端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されている。したがって、本発明に係るバイパス装置は、ダイオードと2つの抵抗の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部として太陽電池モジュールと並列に接続することから、太陽電池モジュールの出力状態を分圧端子からの信号分圧電圧として容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子の電位分圧電圧に基づいてスイッチング素子の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。<実施の形態1>本発明の実施の形態1に係る太陽光発電システムおよびスイッチングシステムについて、図1Aないし図4を参照して説明する。なお、スイッチングシステムについては、説明の都合上、本実施の形態の最後にまとめて説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1に係る太陽光発電システム1の概略ブロック構成を示すブロック図である。なお、スイッチングシステム14の構成要素は、太陽光発電システム1の一部の構成要素として含まれる。例えば、バイパス電流経路15、スイッチング素子16、制御部20がスイッチングシステム14を構成する。本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、太陽光Lsを光電変換によって電気電力に変換する太陽電池セル12が複数直列に接続されて構成された太陽電池モジュール11を備える。太陽電池モジュール11は、さらに複数例えば、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11s直列に接続されて太陽電池モジュール群10を構成している。太陽電池モジュール群10は、さらに多くの太陽電池モジュール11を接続して構成することも可能であるが、説明の便宜上、2個の太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sが接続された場合について説明する。なお、2個の太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sを特に区別する必要がない場合は、単に太陽電池モジュール11とすることがある。また、太陽電池モジュール11fに配置された太陽電池セル12を太陽電池セル12fとし、太陽電池モジュール11sに配置された太陽電池セル12を太陽電池セル12sとする。両者太陽電池セル12fおよび太陽電池セル12sを特に区別する必要がない場合は、単に太陽電池セル12とすることがある。また、図1Aでは、太陽電池モジュール11の内側で両端に配置された太陽電池セル12を示し、中間に配置された太陽電池セル12については図示を省略している。太陽光Lsが照射された太陽電池モジュール11は、それぞれ光電変換によって出力電圧Vm太陽電池モジュール11fの出力電圧Vmを出力電圧Vmf、太陽電池モジュール11sの出力電圧Vmを出力電圧Vmsとする。出力電圧Vmfおよび出力電圧Vmsを区別する必要がない場合は、単に出力電圧Vmとすることがある。を発電し、太陽電池モジュール11の直列接続によって加算された電圧が太陽電池モジュール群10の出力電圧VgとしてDC/DCコンバータ30の入力端31へ入力される。具体的には、太陽電池モジュール11fは、モジュール端子13fとモジュール端子13sとの間で出力電圧Vmfとなり、モジュール端子13fがプラス側、モジュール端子13sがマイナス側となってモジュール群電流Igがモジュール端子13fからDC/DCコンバータ30へ供給される。また、太陽電池モジュール11sは、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間で出力電圧Vmsとなり、モジュール端子13sがプラス側、モジュール端子13tがマイナス側となってモジュール群電流Igがモジュール端子13sから太陽電池モジュール11fを経由してDC/DCコンバータ30へ供給される。なお、直列接続された各太陽電池セル12には、共通のモジュール群電流Igが流れる。したがって、太陽電池モジュール群10は、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sを電流経路としてモジュール群電流IgをDC/DCコンバータ30の入力端31へ供給する。DC/DCコンバータ30は、予め設定された変換比率で太陽電池モジュール群10の出力電圧Vg直流電圧を出力電圧Vs直流電圧に変換し、出力端32から出力電圧Vsを負荷不図示に向けて出力する。本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、太陽電池モジュール11と並列に接続されたバイパス電流経路15、バイパス電流経路15に挿入されてバイパス電流経路15の導通/非導通を切り替えるスイッチング素子16、スイッチング素子16の開閉オンオフ。例えば、オン状態は閉状態に対応し、オフ状態は開状態に対応する。を制御する制御部20を備える。バイパス電流経路15は、太陽電池モジュール11に対応させて接続されることから、本実施の形態では太陽電池モジュール11と同様に2つ配置されている。太陽電池モジュール11fと並列に接続されたバイパス電流経路15をバイパス電流経路15f、太陽電池モジュール11sと並列に接続されたバイパス電流経路15をバイパス電流経路15sとする。バイパス電流経路15fおよびバイパス電流経路15sを特に区別する必要がない場合は、単にバイパス電流経路15とすることがある。バイパス電流経路15fには、スイッチング素子16fが挿入配置され、バイパス電流経路15sには、スイッチング素子16sが挿入配置されている。スイッチング素子16fおよびスイッチング素子16sを特に区別する必要がない場合は、単にスイッチング素子16とすることがある。スイッチング素子16は、MISMetal-Insulator-Semiconductor電界効果トランジスタで構成することが望ましい。さらに具体的には、エンハンスメント型nチャンネルのMOSMetal-Oxide-Semiconductor電界効果トランジスタである。MOS電界効果トランジスタのソースは、太陽電池モジュール11の出力のプラス有効に発電している状態でのプラス。仕様の上でのプラス。側に接続され、ドレインは、太陽電池モジュール11のマイナス有効に発電している状態でのマイナス。仕様の上でのマイナス。側に接続される。MOS電界効果トランジスタのゲートは、制御部20の出力端子23スイッチング素子16fのゲートは、出力端子23fへ、スイッチング素子16sのゲートは、出力端子23sに接続される。スイッチング素子16の制御端子17MOS電界効果素子のゲートは、スイッチング素子16の動作状態を制御する。スイッチング素子16fに対応する制御端子17を制御端子17fとし、スイッチング素子16sに対応する制御端子17を制御端子17sとする。制御端子17fと制御端子17sとを区別する必要がない場合は、単に制御端子17とすることがある。制御部20は、バイパス電流経路15およびスイッチング素子16と同様、太陽電池モジュール11に対応して接続されることからバイパス電流経路15およびスイッチング素子16と同様に2個配置されている。太陽電池モジュール11fと並列に接続されスイッチング素子16fを制御する制御部20を制御部20fとし、太陽電池モジュール11sと並列に接続されスイッチング素子16sを制御する制御部20を制御部20sとする。制御部20fおよび制御部20sを特に区別する必要がない場合は、単に制御部20とすることがある。制御部20は、2つの入力端子21、入力端子22を有する比較器で構成される。すなわち、入力端子21、入力端子22は、太陽電池モジュール11の両端に接続され、制御部20は、入力端子21に印加される電圧と入力端子22に印加される電圧と比較し、比較した結果に応じた出力を出力端子23から出力してスイッチング素子16のオンオフ開閉を制御する。比較器制御部20の電源は、DC/DCコンバータ30の出力から供給されるので、安定した比較動作を実現することができる。制御部20の電源は、安定した電源であって、比較器として太陽電池モジュール11の両端の電位差を比較することができれば、DC/DCコンバータ30から供給しない形態とすることもできる。なお、太陽電池モジュール11fに接続された入力端子21を入力端子21f、同様に接続された入力端子22を入力端子22fとし、スイッチング素子16fに接続された出力端子23を出力端子23fとする。また、太陽電池モジュール11sに接続された入力端子21を入力端子21s、同様に接続された入力端子22を入力端子22sとし、スイッチング素子16sに接続された出力端子23を出力端子23sとする。入力端子21fおよび入力端子21s、入力端子22fおよび入力端子22s、出力端子23fおよび出力端子23sをそれぞれ区別する必要がない場合は、単に入力端子21、入力端子22、出力端子23とすることがある。入力端子21に印加された電圧が入力端子22に印加された電圧より高い場合は、太陽電池モジュール11が通常の発電状態であるから、出力端子23からレベルLスイッチング素子16をオフにするレベルの信号をスイッチング素子16の制御端子17に出力してスイッチング素子16をオフ開の状態とし、バイパス電流経路15を非導通状態とする。また、入力端子22に印加された電圧が入力端子21に印加された電圧より高い場合は、太陽電池モジュール11が非発電状態であるから、出力端子23からレベルHスイッチング素子16をオンにするレベルの信号をスイッチング素子16の制御端子17へ出力してスイッチング素子16をオン閉の状態とし、バイパス電流経路15を導通状態とする。上述したとおり、太陽電池モジュール11から入力端子22に印加された電圧が入力端子21に印加された電圧より高い場合は、太陽電池モジュール11での発電が行われず、太陽電池モジュール11は発電状態の太陽電池として作用せず抵抗体として作用することから、ホットスポット現象を生じる虞があるので、バイパス電流経路15を導通させてモジュール群電流Igをバイパス電流経路15にバイパスさせる。なお、非発電状態でのバイパス電流経路15の作用については、図2Aでさらに詳細を説明する。図1Bは、図1Aに示した太陽光発電システム1での太陽電池モジュール11、太陽電池セル12の等価回路を示す等価回路図である。基本的な構成は、図1Aと同様であるので、主に異なる事項について説明する。太陽電池セル12は、照射光としての太陽光Lsが照射されている場合、太陽光Lsを光電変換して光発電する光電変換電流源Iphを備え、その他の回路要素としてダイオードDi、リーク電流に起因する並列抵抗Rsh、接続部の抵抗に起因する直列抵抗Rsを備える。それぞれの太陽電池セル12は、同様な太陽光Lsが照射されている場合、太陽光Lsの照射を受けて同様な光電変換光発電を行う。したがって、それぞれの太陽電池セル12は、光電変換電流源Iphが機能して発電電流Icモジュール群電流Ig、発電電圧Vcを出力する。略均等に太陽光Lsが照射される通常の状態では、それぞれの太陽電池セル12は、同様に動作することから、太陽電池モジュール11全体で出力電圧Vm、モジュール群電流Igを出力する。太陽電池セル12がn個直列に接続されている場合は、発電電圧Vc×n=出力電圧Vmとなる。図2Aは、図1Aに示した太陽光発電システム1でバイパス電流経路15sを導通させて機能させたときの概略ブロック構成を示すブロック図である。基本的な構成は、図1Aと同様であるので、主に異なる事項について説明する。太陽光Lsは、影などの発生によって遮光された状態の太陽光Lss太陽電池モジュール11sに対応した状態を示す。となることがある。太陽光Lssは、太陽光Lsに比較して遮光された状態を示すために太陽電池モジュール11sの外側でのみ図示されている。以下では、例えば太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sが遮光されて発電しない状態となった場合について説明する。遮光された太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sは、光電変換ができないことから太陽電池として発電しない。太陽電池として発電機能しない状態を示すために、図2Aでは、太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sは、破線で示されている。通常の発電状態では、太陽電池モジュール11sのプラス側端子であるモジュール端子13sとマイナス側端子であるモジュール端子13tとの間に出力電圧Vmsが生じる。つまり、通常の発電状態では、モジュール端子13sの電位がモジュール端子13tの電位より高い状態となる。しかし、遮光されて発電できない状態では、太陽電池モジュール11sは直列抵抗Rs、並列抵抗Rshを含む受動回路となる図1B、図2B参照。つまり、直列に接続されている他の太陽電池モジュール11ここでは、太陽電池モジュール11fの発電によって流れるモジュール群電流Igが流れると太陽電池モジュール11sは抵抗負荷として作用し、モジュール端子13sの電位に対してモジュール端子13tの電位が高くなり、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差が発電状態の場合に対して逆方向になる。また、この状態が継続されるとホットスポット現象を生じる虞がある。従来技術では、太陽電池モジュール11sが非発電状態の場合は、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間に接続されたバイパスダイオードが順方向バイアスとなることからモジュール群電流Igを太陽電池モジュール11sに流さずにバイパスダイオードに流し、非発電状態の影響例えばホットスポット現象を防止していた。しかし、バイパスダイオードでの電力消費が生じ、発電効率を低下させることから、本実施の形態では、バイパスダイオードの代わりに電力消費が問題とならないスイッチング素子16をバイパス電流経路15に配置している。つまり、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差出力電圧Vmsが、通常の発電状態と異なる逆方向となった場合モジュール端子13tの電位がモジュール端子13sの電位に比較して高くなった場合を制御部20sで検出する。換言すれば、出力電圧Vms図1A参照が予め特定された特定電圧例えば、出力電圧Vms=0より小さくなったこと例えば、通常の発電状態と異なる方向の出力電圧Vmsとなったときを制御部20sで検出する。具体的には、制御部20sは、例えば、2つの入力端子21s、入力端子22sを有する比較器で構成され、一方の入力端子21sがモジュール端子13sに接続され、他方の入力端子22sがモジュール端子13tに接続されていることから、出力電圧Vmsが特定電圧例えば、出力電圧Vms=0Vより小さくなったことを検出することができる。比較器で構成された制御部20sは、入力端子21sおよび入力端子22sの間に入力された出力電圧Vmsが特定電圧より小さい場合通常の発電時での電圧に対して例えば逆方向の電圧となった場合は、スイッチング素子16sを開オフ状態から閉オン状態に切り替える信号電圧を出力端子23sからスイッチング素子16s制御端子17sへ出力し、スイッチング素子16sをオン閉として、バイパス電流経路15sを導通状態とする。導通状態とされたバイパス電流経路15sオン状態とされたスイッチング素子16sは、モジュール群電流Igが流れる電流経路を太陽電池モジュール11sからバイパス電流経路15sへ切り替えてバイパスさせるので、モジュール群電流Igが太陽電池モジュール11sに流れることを防止する。つまり、バイパス電流経路15sは、太陽電池モジュール11sに並列に接続され太陽電池モジュール11sの出力電圧Vmsが予め特定された特定電圧例えば、出力電圧Vms=0Vを特定電圧とすることができる。より小さいときに太陽電池モジュール群10に流れるモジュール群電流Igをバイパスさせる。また、制御部20sは、出力電圧VmVmsが特定電圧より小さくなったとき、出力電圧VmVmsが特定電圧より小さいことを検出し、スイッチング素子16sを開オフから閉オンに切り替えてバイパス電流経路15sを導通させる構成とされている。制御部20sとして適用される比較器の動作は一般的な比較器と同様であるので詳細な説明は省略する。なお、特定電圧として出力電圧Vms=0Vとした場合を例示したが、これに限らず適宜の電圧値を設定することができる。また、スイッチング素子16sとしてMOS電界効果トランジスタを適用した場合、スイッチング素子16MOS電界効果トランジスタをオン導通状態とするためには、モジュール端子13sソースに比較してMOS電界効果トランジスタの閾値例えば2Vより高い電圧を出力端子23sから出力して制御端子17sゲートに印加すれば良い。また、スイッチング素子16MOS電界効果トランジスタをオフ非導通状態とするためには、モジュール端子13sソースに比較してMOS電界効果トランジスタの閾値例えば2Vより低い電圧を出力端子23sから出力して制御端子17sゲートに印加すれば良い。図2Bは、図2Aに示した太陽光発電システム1での太陽電池モジュール11s、太陽電池セル12sの等価回路を示す等価回路図である。基本的な構成は、図1B、図2Aと同様であるので、主に異なる事項について説明する。太陽電池セル12sは、照射光としての太陽光Lsが照射されずに遮光された太陽光Lssとなっている。したがって、太陽光Lssは、太陽電池モジュール11sに照射されず、太陽電池セル12sは、光電変換電流源Iphが発生しない。図2Bでは、光電変換電流源Iphが機能しない状態を破線で示している。つまり、非発電状態の太陽電池セル12sは、光電変換電流源Iphが動作しないことから、ダイオードDi、ダイオードDiと並列に配置された並列抵抗Rsh、並列抵抗Rshと直列に配置された直列抵抗Rsを備える状態となっている。この状態では、太陽電池セル12sの等価回路は、抵抗回路直列抵抗Rsおよび並列抵抗Rshの直列抵抗回路で構成され、通常の発電状態で得られる発電電圧Vcは得られない。図2Bでは、通常の発電電圧Vcが得られないことを破線で示す。非発電状態の太陽電池セル12sは、発電電圧Vcを生じない。したがって、複数の太陽電池セル12sが直列に接続された太陽電池モジュール11sは、出力電圧Vmsを生じない。図2Bでは、太陽電池セル12sでの発電電圧Vcが得られないことから太陽電池モジュール11sでの出力電圧Vmsが得られないことを破線で示す。太陽電池モジュール11sが非発電状態となった場合、バイパス電流経路15sが導通されていない状態では、太陽電池セル12sには、直列接続された他の太陽電池モジュール11ここでは太陽電池モジュール11fによって発電されたモジュール群電流Igが流れる。したがって、太陽電池モジュール11sは、抵抗直列抵抗Rs、並列抵抗Rshに流れるモジュール群電流Igによって電圧降下を生じる。太陽電池セル12sは多数接続されているので、太陽電池モジュール11sでの電圧降下は太陽電池セル12sでの電圧降下に比較して無視できない大きな値となる。モジュール群電流Igによる抵抗直列抵抗Rs、並列抵抗Rshでの電圧降下が生じることから、モジュール端子13tとモジュール端子13sとの間の電圧の関係は、モジュール端子13sに比較してモジュール端子13tの方が高い電圧となる。つまり、太陽電池モジュール11sが非発電状態となったとき、他の太陽電池モジュール11によってモジュール群電流Igが流れることから、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間での電位差が反転する。すなわち、通常の発電状態では、モジュール端子13sの電位がモジュール端子13tの電位より高い電位となるのに対し、非発電状態では、モジュール端子13sの電位がモジュール端子13tの電位より低くなる。発電状態の場合は、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差は、出力電圧Vmsとなるが、非発電状態の場合は、抵抗による電圧降下となる。説明の便宜上、非発電状態であってもモジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差を出力電圧Vmsとする。換言すれば、太陽電池モジュール11sが非発電状態となったとき、出力電圧Vmsモジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差は、予め特定された特定電圧例えば、出力電圧Vms=0Vより小さくなる。発電状態から非発電状態への変動によってモジュール端子13sとモジュール端子13tとの間での電位差が変化したとき例えば、出力電圧Vmsが発電状態の電圧から非発電状態を示す0Vとなったとき、制御部20s比較器は、入力端子21sおよび入力端子22sの間での入力の変動を検出する。制御部20sは、入力端子21sおよび入力端子22sでの入力の変動を検出したとき、出力端子23sから出力していた信号を変換する。つまり、発電状態のときの制御部20sは、スイッチング素子16sMOS電界効果トランジスタをオフ開とする信号を出力端子23sから出力して制御端子17sゲートへ印加する。また、非発電状態のときの制御部20sは、スイッチング素子16sMOS電界効果トランジスタをオン閉とする信号電圧を出力端子23sから制御端子17sゲートへ印加する。したがって、制御部20sは、太陽電池モジュール11sが発電状態から非発電状態へ移行したとき、スイッチング素子16sを非導通状態から導通状態へ切り替え、バイパス電流経路15sを非導通状態から導通状態へ切り替えてモジュール群電流Igをバイパスさせる。制御部20s出力端子23sによってスイッチング素子16sが切り替えられた後は、モジュール群電流Igは、バイパス電流経路15sを流れ、太陽電池モジュール11sには流れない。図2Bでは、太陽電池モジュール11sにモジュール群電流Igが流れなくなった状態を破線で示す。モジュール群電流Igは、バイパス経路として構成されたバイパス電流経路15sを流れるので、太陽電池モジュール11sは、太陽電池モジュール群10から実質的に分離された状態となり、モジュール群電流Igが流れることはない。また、スイッチング素子16sは、等価的には単純なスイッチで置き換えられることから、電力消費は生じない図3Aないし図3C参照。したがって、ホットスポット現象が生じる虞はなく、バイパスダイオードと同様に作用し、バイパスダイオードで問題となった電力消費を防止することができる。なお、制御部20sが検出する出力電圧Vmsの変動の閾値は、制御部20sの回路定数を適宜設定して入力端子21s、入力端子22sでの検出レベルを変更することで調整できる。つまり、出力電圧Vmsがそれまでの発電電圧から、出力電圧Vms=0Vと変動した場合に出力端子23sから出力される信号を切り替えることとして説明したが、素子定数を更に厳密に検討して更に適切な値とすることが可能である。上記説明では、太陽電池モジュール11sが発電状態から非発電状態へ変動した場合にバイパス電流経路15sが非導通状態から導通状態へ切り替えられる場合について説明したが、太陽電池モジュール11sが非発電状態から発電状態へ変動した場合にバイパス電流経路15sを導通状態から非導通状態へ戻す場合についても同様に制御することができる。つまり、制御部20sは、出力電圧Vmsが通常の発電状態の電圧になったこと例えば、出力電圧Vmsが正方向の電圧となったことを検出したとき、バイパス電流経路15sを導通状態から非導通状態へ戻すことが可能である。図2A、図2Bでは、太陽電池モジュール11sが非発電状態の場合におけるバイパス電流経路15s、スイッチング素子16s、制御部20sの動作状態について説明したが、太陽電池モジュール11fが非発電状態の場合におけるバイパス電流経路15f、スイッチング素子16f、制御部20fの動作も同様であるので説明は省略する。図3Aは、図1Aに示した太陽光発電システム1でのスイッチング素子16の具体例であるMIS電界効果トランジスタの回路記号を示す回路記号図である。図3Bは、図3Aに示したMIS電界効果トランジスタのオフ状態開状態を等価的なスイッチ記号で示す等価回路図である。図3Cは、図3Aに示したMIS電界効果トランジスタのオン状態閉状態を等価的なスイッチ記号で示す等価回路図である。スイッチング素子16をMOS電界効果トランジスタMIS電界効果トランジスタで構成した場合、MOS電界効果トランジスタのソース、ドレインはバイパス電流経路15に接続され、ゲートは出力端子23に接続される。MOS電界効果トランジスタのオフ状態図3Bでは、バイパス電流経路15は、切断された状態、つまり開状態となり、モジュール群電流Igは流れない。また、MOS電界効果トランジスタのオン状態図3Cでは、バイパス電流経路15は、導通された状態、つまり閉状態となり、モジュール群電流Igが流れる。したがって、MOS電界効果トランジスタをオン状態とすることによって、バイパス電流経路15を導通させてモジュール群電流Igをバイパスさせることができる。なお、モジュール群電流Igが例えば、8.4Aアンペアのとき、使用するMOS電界効果トランジスタの特性にもよるが、本実施の形態で用いたMOS電界効果トランジスタでの電圧降下は、例えば、0.1Vボルト程度であり、消費電力は、0Wに限りなく近づけることが可能となり、実質的に電圧降下電力消費が生じないスイッチとなる。図4は、図1Aに示した太陽光発電システム1での発電特性、バイパス電流経路15の作用を説明する電力特性図である。横軸を電圧V、縦軸を電流Aとして太陽光発電システム1での発電特性を示す。つまり、横軸は出力電圧Vmに相当し、縦軸はモジュール群電流Igに相当する。太陽光Lsの照射状態が等しく、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sでの発電状態が等しい場合を想定すると、太陽電池モジュール11fの電力特性曲線PCf、太陽電池モジュール11sの電力特性曲線PCsは、同様な等しい曲線として得られる。太陽光発電システム1は、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sを直列に接続して構成されているから、全体として得られる電力太陽光発電システム1の電力は、モジュール群電流Ig一定で、出力電圧Vm出力電圧Vmf、出力電圧Vmsを加算した出力電圧Vgとなり、電力特性曲線PCt電力特性曲線PCf電力特性曲線PCsで表わされる。最大電力最大電力点を矩形電力面積で示すと、太陽電池モジュール11fについては、矩形電力面積RAf、太陽電池モジュール11sについては、矩形電力面積RAsとして示される。矩形電力面積RAfおよび矩形電力面積RAsは、同一の発電状態であるから、同一の面積を有する矩形電力面積RAf、矩形電力面積RAsとなる。したがって、太陽電池モジュール群10の矩形電力面積は、太陽電池モジュール11fの矩形電力面積RAfおよび太陽電池モジュール11sの矩形電力面積RAsを加算した面積矩形電力面積RAtとなる。なお、矩形電力面積RAf、矩形電力面積RAsは、最大電力最大電力点での出力電圧Vmが約13.5Vであり、最大電力でのモジュール群電流Igが約8.4Aであるから、それぞれで得られる電力最大電力は、約113.4Wとなる。太陽光発電システム1において、DC/DCコンバータ30の電力変換効率を100と仮定すると、DC/DCコンバータ30の出力出力電力は、DC/DCコンバータ30への入力入力電力と等しい。DC/DCコンバータ30の出力電圧Vsが太陽電池モジュール11の出力電圧Vm約13.5Vに調整されるとした場合、DC/DCコンバータ30の出力電力としての矩形電力面積RAtを電流方向に置き換えることができる。つまり、矩形電力面積RAtは、矩形電力面積RAfおよび矩形電力面積RAsを電流方向で積み重ねた状態での矩形電力面積RAtc縦軸方向。電圧を出力電圧Vm=13.5Vに調整して電流を倍にした状態となる。矩形電力面積RAtcDC/DCコンバータ30の出力電力は、約226.8W113.4Wを2倍となる。矩形電力面積RAtcDC/DCコンバータ30の出力電力は、出力電圧Vmを約13.5Vとして縦軸方向電流方向に変換したことから、置き換えられた電流は、電力約226.8Wと電圧13.5Vとから逆算して約16.8A約8.4A×2となる。バイパス電流経路15に従来のバイパスダイオードを適用した場合について、太陽電池モジュール11sが非発電状態となって太陽電池モジュール11sに対してバイパスダイオードが動作し、太陽電池モジュール11fのみが発電状態となったときを想定する。このとき、太陽電池モジュール11fのみによる発電であるから、モジュール群電流Igは、約8.4Aとなる。このときのバイパスダイオードでの消費電力は次のように求められる。一般的に、バイパスダイオードとしては順方向電圧の低いショットキーダイオードが適用される。ショットキーダイオードの順方向電圧は、通常、約0.45V~0.65Vである。順方向電圧を約0.55としたとき、ショットキーダイオードには、モジュール群電流Ig=8.4Aが流れ、ショットキーダイオードでの消費電力は、約8.4A×0.55V=4.6Wとなる。太陽電池モジュール11sが非発電状態の場合、太陽光発電システム1全体での出力電力は、約113.4W太陽電池モジュール11fのみの出力であるから、ショットキーダイオードの消費電力の割合は、4.6W/113.4W=0.044となる。つまり、バイパスダイオードでの消費電力は4と大きく、また絶対値としても無視できない大きい値である。また、ショットキーダイオードでの消費電力約4.6Wは、太陽電池モジュール11fの発電電力に対する損失となる。消費電力4.6Wを矩形電力面積RAf矩形電力面積RAsに重ねると矩形電力面積RAbpd4.6W/13.5V=0.34A。つまり、矩形電力面積RAfの上端の値である8.4Aから0.34Aを引いた8.06Aと8.4Aとの間の面積と等しい値。として示される。バイパスダイオードでの電力消費は、太陽電池モジュール11の規模が大きくなるほど大きくなり、無視できなくなる。また、損失に対する放熱設計、実際の放熱部材の採用などが必要になる。また、放熱設計をしたとしても、熱の発生は回避できない。太陽電池セル12の発電効率は、温度の上昇に伴って低下することが知られており、熱の発生に伴って太陽電池セル12の発電効率が低下する。したがって、バイパスダイオードの採用は不要な電力消費を生じることからマイナス要因ともなっている。本実施の形態に係る太陽光発電システム1では、バイパスダイオードの代わりに制御部20によって制御されるスイッチング素子16を適用することから、バイパス電流経路15スイッチング素子16での電力消費を大幅に低減することができる。特に、スイッチング素子16としてMIS電界効果トランジスタMOS電界効果トランジスタを適用することによって、スイッチング素子16での消費電力をほとんど解消し、更に大きな効果を奏することができる。MOS電界効果トランジスタを適用したときのMOS電界効果トランジスタでの電力消費は、具体的には、例えば0.84W例えば8.4A×0.1Vであり、バイパスダイオードでの電力消費4.6Wに比較して大幅1/5.5に消費電力を抑制している。図1Aないし図4を用いて説明したとおり、本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、複数の太陽電池セル12を直列に接続した太陽電池モジュール11が複数直列に接続された太陽電池モジュール群10と、それぞれの太陽電池モジュール11に並列に接続され太陽電池モジュール11の出力電圧が予め特定された特定電圧より小さいときに太陽電池モジュール群10に流れるモジュール群電流Igをバイパスさせるバイパス電流経路15と、太陽電池モジュール群10から出力された電力を直流-直流変換するDC/DCコンバータ30とを備えた太陽光発電システム1であって、それぞれのバイパス電流経路15に配置されてバイパス電流経路15の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子16と、スイッチング素子16のそれぞれに対応して配置されスイッチング素子16の開閉を制御する制御部20とを備え、制御部20は、太陽電池モジュール11の出力電圧が特定電圧より小さくなったとき、スイッチング素子16を開から閉に切り替えてバイパス電流経路15を導通させる構成とされていることを特徴とする。したがって、本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、太陽電池モジュール11が例えば太陽光Lsの遮断などによって発電しない非発電状態となったとき、発電しない太陽電池モジュール11と並列に配置されたバイパス電流経路15を導通状態短絡状態として太陽電池モジュール群10に流れるモジュール群電流Igをバイパスさせるので、バイパスダイオード従来技術を適用せずに非発電状態の太陽電池モジュール11へのモジュール群電流Igの流入を防止して太陽電池モジュール11太陽電池セル12でのホットスポットの発生を防止することができ、また、バイパスダイオードを適用したときに生じる電力消費を抑制することができる。つまり、太陽光発電システム1太陽電池モジュール11、太陽電池セル12でのホットスポット現象の発生を防止して信頼性を向上し、また、太陽光発電システム1太陽電池モジュール11、太陽電池セル12の寿命を延ばし、発電効率を向上させることができる。また、本実施の形態に係る太陽光発電システム1では、制御部20制御部20f、制御部20sは、太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11f、太陽電池モジュール11sに接続されて出力電圧Vm出力電圧Vmf、出力電圧Vmsが入力される入力端子入力端子21および入力端子22。例えば、太陽電池モジュール11fに対する入力端子21fおよび入力端子22f。太陽電池モジュール11sに対する入力端子21sおよび入力端子22s。と、スイッチング素子16スイッチング素子16f、スイッチング素子16sの制御端子17スイッチング素子16fについて制御端子17f、スイッチング素子16sについて制御端子17sに接続されスイッチング素子16の開閉を制御する出力端子23制御端子17fに対する出力端子23f。制御端子17sに対する出力端子23sとを備える比較器で構成されていることを特徴とする。したがって、本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、太陽電池モジュール11の非発電状態を高精度に、かつ迅速に検出してスイッチング素子16の開閉オンオフを制御するので、太陽電池モジュール11でのホットスポット現象の発生を確実に防止することができる。また、本実施の形態に係る太陽光発電システム1では、制御部20の電源は、DC/DCコンバータ30から供給されることを特徴とする。したがって、本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、制御部20の電源を安定化させ、また、太陽光発電システム1のバイパス電流経路15制御部20の制御を高精度にすることができる。また、本実施の形態に係る太陽光発電システム1では、スイッチング素子16は、MIS電界効果トランジスタであることを特徴とする。したがって、本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、スイッチング素子16を抵抗が小さいMIS電界効果トランジスタ一般的には、MOS電界効果トランジスタで構成するので、バイパス電流経路15スイッチング素子16で生じる消費電力を低減し、バイパス電流経路15での電力ロスを抑制して全体としての発電効率を向上させることができる。また、バイパス電流経路15スイッチング素子16で生じる消費電力を低減することから、消費電力に伴う発熱が抑制されるのでバイパスダイオードを適用したときにバイパス電流経路15で必要であって放熱手段を不要とすることができる。以上、主として太陽光発電システム1について説明したが、バイパス電流経路15電流経路、スイッチング素子16、制御部20を太陽光発電システム1から抽出して本実施の形態本発明に係るスイッチングシステム14として説明する。以下、スイッチングシステム14について、上述した太陽光発電システム1との関係を適用して説明するが、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、太陽光発電システム1に適用される場合に限るものではなく、一般的な電流経路でのスイッチングが要請される他の場合についても適用できる。以下に説明するとおり、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11f、太陽電池モジュール11sに対応させて2個配置されている。太陽電池モジュール11fに対応する場合、太陽電池モジュール11sに対応する場合、いずれについても構成は全く同一であるので特に区別することなく単にスイッチングシステム14として説明する。本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、電流経路例えばバイパス電流経路15を例示できる。また、バイパス電流経路15f、バイパス電流経路15sも同様に例示できる。に配置されて電流経路バイパス電流経路15の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子16バイパス電流経路15fの場合は、スイッチング素子16f。バイパス電流経路15sの場合は、スイッチング素子16sと、スイッチング素子16の開閉を制御する制御部20とを備えるスイッチングシステム14である。また、本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、制御部20は、電流経路バイパス電流経路15の両端間バイパス電流経路15fの場合は、モジュール端子13fおよびモジュール端子13sの間。バイパス電流経路15sの場合は、モジュール端子13sおよびモジュール端子13tの間の電圧太陽光発電システムの場合の出力電圧Vmに相当。バイパス電流経路15fの場合は、出力電圧Vmfに相当。バイパス電流経路15sの場合は、出力電圧Vmsに相当に基づいてスイッチング素子16の開閉を制御する構成とされている。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、電流経路例えばバイパス電流経路15の両端間の電圧電位差に応じてスイッチング素子16の開閉を制御することから、電流経路の両端での電位の相関状態に応じて電流経路の導通、非導通を切り替えることができるので、電流経路を短絡閉路あるいは開放開路することで必要に応じて機能させることができ、また、スイッチング素子16を適用することから電流経路を導通させたときの消費電力を抑制することができる。本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、制御部20は、第1入力端子入力端子21、第2入力端子入力端子22、および出力端子23を備えた比較器であり、第1入力端子入力端子21は、電流経路の第1端子電流経路を例えばバイパス電流経路15fとしたときは、モジュール端子13f。電流経路を例えばバイパス電流経路15sとしたときは、モジュール端子13sに接続され、第2入力端子入力端子22は、電流経路の第2端子電流経路を例えばバイパス電流経路15fとしたときは、モジュール端子13s。電流経路を例えばバイパス電流経路15sとしたときは、モジュール端子13tに接続され、出力端子出力端子23は、スイッチング素子16の制御端子制御端子17に接続されている。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、制御部20を比較器で構成することから、電流経路バイパス電流経路15の両端バイパス電流経路15fでのモジュール端子13fおよびモジュール端子13s。バイパス電流経路15sでのモジュール端子13sおよびモジュール端子13tでの電位状況を高精度に比較でき、高精度にスイッチング素子16の開閉を制御することができる。本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、スイッチング素子16は、MIS電界効果トランジスタ具体的には、例えばMOS電界効果トランジスタであり、MIS電界効果トランジスタのソースは第1端子バイパス電流経路15fの場合は、モジュール端子13f。バイパス電流経路15sの場合は、モジュール端子13sに接続され、MIS電界効果トランジスタのドレインは第2端子バイパス電流経路15fの場合は、モジュール端子13s。バイパス電流経路15sの場合は、モジュール端子13tに接続され、MIS電界効果トランジスタのゲートは制御端子制御端子17。スイッチング素子16fの場合は、制御端子17f。スイッチング素子16sの場合は、制御端子17sとして出力端子出力端子23に接続されている。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、スイッチング素子16としてMIS電界効果トランジスタを適用するので、スイッチング素子16が導通したとき電流経路が導通状態のときの電力消費を抑制して不要な消費電力の発生を防止し、効率の良いスイッチングシステムとなる。本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、制御部20は、外部に配置された外部電源例えば、DC/DCコンバータ30から電源電力を供給される。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、外部からの電源電力によって動作することから、安定した動作を実現することができる。本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、外部電源は、太陽電池モジュール太陽電池モジュール11の出力をDC/DC変換するDC/DCコンバータDC/DCコンバータ30の出力である。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、太陽電池モジュール太陽電池モジュール11の出力を調整するDC/DCコンバータDC/DCコンバータ30の出力を利用することから、太陽電池モジュールが備える制御系への適用が可能となり、太陽電池モジュールのバイパス回路を構成するバイパスダイオードをスイッチング素子16に置き換えてバイパスダイオードで問題とされる消費電力の発生を抑制することができる。なお、スイッチング素子16、制御部20は、共通のプリント基板不図示へ実装して太陽電池モジュール11の端子ボックス不図示などに実装することが可能である。<実施の形態2>以下、本発明の実施の形態2に係る太陽光発電システム、スイッチングシステム、およびバイパス装置について、図6Aないし図7Cを参照して説明する。なお、本実施の形態に係る太陽光発電システム、スイッチングシステムの基本的な構成は、先に説明した実施の形態1図1Aないし図4と同様であるので、符号を援用し、主に異なる事項について説明する。図6Aは、本発明の実施の形態2に係る太陽光発電システム1の概略ブロック構成を示すブロック図である。なお、スイッチングシステム14の構成要素は、太陽光発電システム1の一部の構成要素として含まれる。例えば、バイパス電流経路15、スイッチング素子16、制御部26がスイッチングシステム14を構成する。太陽電池モジュール11fに対して制御部26f、太陽電池モジュール11sに対して制御部26sが配置されている。以下、制御部26fと制御部26sとを特に区別する必要が無い場合は、単に制御部26とすることがある。なお、スイッチング素子16は、実施の形態1と同様MOS電界効果トランジスタエンハンス型nチャンネルで構成されている。実施の形態1では、制御部20は、比較器で構成されたが、本実施の形態に係る制御部26は、ダイオードDs、抵抗R1、抵抗R2以下、抵抗R1、抵抗R2を特に区別する必要が無い場合は、単に抵抗Rとすることがある。の直列回路で構成されている。本実施の形態に係る太陽光発電システム1は、太陽光Lsを光電変換によって電気電力に変換する太陽電池セル12が複数直列に接続されて構成された太陽電池モジュール11を備える。太陽電池モジュール11は、さらに複数例えば、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11s直列に接続されて太陽電池モジュール群10を構成している。太陽電池モジュール群10は、さらに多くの太陽電池モジュール11を接続して構成することも可能であるが、説明の便宜上、2個の太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sが接続された場合について説明する。太陽光Lsが照射された太陽電池モジュール11は、それぞれ光電変換によって出力電圧Vm太陽電池モジュール11fの出力電圧Vmを出力電圧Vmf、太陽電池モジュール11sの出力電圧Vmを出力電圧Vmsとする。出力電圧Vmfおよび出力電圧Vmsを区別する必要がない場合は、単に出力電圧Vmとすることがある。を発電し、太陽電池モジュール11の直列接続によって加算された電圧が太陽電池モジュール群10の出力電圧VgとしてDC/DCコンバータ30の入力端31へ入力される。なお、直列接続された各太陽電池セル12には、共通のモジュール群電流Igが流れる。したがって、太陽電池モジュール群10は、太陽電池モジュール11fおよび太陽電池モジュール11sを電流経路としてモジュール群電流IgをDC/DCコンバータ30の入力端31へ供給する。太陽光発電システム1は、太陽電池モジュール11と並列に接続されたバイパス電流経路15、バイパス電流経路15に挿入されてバイパス電流経路15の導通/非導通を切り替えるスイッチング素子16、スイッチング素子16の開閉オンオフ。例えば、オン状態は閉状態に対応し、オフ状態は開状態に対応する。を制御する制御部26を備える。バイパス電流経路15は、太陽電池モジュール11に対応させて接続されることから、太陽電池モジュール11と同様に2つ太陽電池モジュール11fに対応させたバイパス電流経路15f、太陽電池モジュール11sに対応させたバイパス電流経路15s配置されている。以下、バイパス電流経路15fとバイパス電流経路15sとを特に区別する必要が無い場合は、単にバイパス電流経路15とすることがある。バイパス電流経路15fは、太陽電池モジュール11fに対して並列に接続され、バイパス電流経路15sは、太陽電池モジュール11sに対して並列に接続されている。つまり、バイパス電流経路15fは、モジュール端子13fとモジュール端子13sとの間に接続され、バイパス電流経路15sは、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間に接続されている。バイパス電流経路15fには、スイッチング素子16fが挿入配置され、バイパス電流経路15sには、スイッチング素子16sが挿入配置されている。スイッチング素子16fおよびスイッチング素子16sを特に区別する必要がない場合は、単にスイッチング素子16とすることがある。また、制御部26は、太陽電池モジュール11、バイパス電流経路15に対応させて接続されることから、太陽電池モジュール11と同様に2つ太陽電池モジュール11f、バイパス電流経路15fに対応させた制御部26f、太陽電池モジュール11s、バイパス電流経路15sに対応させた制御部26s配置されている。つまり、制御部26fは、モジュール端子13fとモジュール端子13sとの間に接続され、制御部26sは、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間に接続されている。以下、制御部26fと制御部26sとを特に区別する必要が無い場合は、単に制御部26とすることがある。制御部26f、制御部26sは同一の構成とされている。具体的には、制御部26fは、ダイオードDsfダイオードDs、抵抗R1f抵抗R1、抵抗R2f抵抗R2の直列回路で構成されている。また、制御部26sは、ダイオードDssダイオードDs、抵抗R1s抵抗R1、抵抗R2s抵抗R2の直列回路で構成されている。以下、ダイオードDsfとダイオードDssとを特に区別する必要が無い場合は、単にダイオードDsとすることがある。また、抵抗R1fと抵抗R1sとを特に区別する必要が無い場合は、単に抵抗R1とすることがある。また、抵抗R2fと抵抗R2sとを特に区別する必要が無い場合は、単に抵抗R2とすることがある。つまり、制御部26は、ダイオードDs、抵抗R1、抵抗R2の直列回路として構成されている。なお、ダイオードDs、抵抗R1、抵抗R2の配置関係接続関係については、種々の変形例を適用できる。変形例については図7Aないし図7Cで説明する。ダイオードDsfは、カソード側がモジュール端子13fへ接続され、アノード側がモジュール端子13sへ接続されている。ダイオードDssは、カソード側がモジュール端子13sへ、アノード側がモジュール端子13tへ接続されている。ダイオードDsに対して抵抗R1および抵抗R2が直列に接続されている。抵抗R1および抵抗R2は、直列に接続されていることから、同一の電流が流れ、抵抗抵抗値に応じた電圧降下を生じることから、抵抗値を適宜の値に設定することによって、外部から印加される電圧を所望の比率を有する電圧に分圧することができる。制御部26は、分圧された電圧が出力される分圧端子27を備える。つまり、抵抗R1と抵抗R2との間には、分圧端子27制御部26fでは分圧端子27f、制御部26sでは分圧端子27sが接続され、抵抗R1および抵抗R2の抵抗値の比率で定まる分圧電圧Vdを出力する構成とされている。制御部26fでは、分圧端子27fが出力端子とされて分圧電圧Vdfが出力され、制御部26sでは、分圧端子27sが出力端子とされて分圧電圧Vdsが出力される。以下、分圧端子27fと分圧端子27sとを特に区別する必要が無い場合は、単に分圧端子27とすることがある。また、分圧電圧Vdfと分圧電圧Vdsとを特に区別する必要が無い場合は、単に分圧電圧Vdとすることがある。分圧端子27は、制御端子17へ接続されている。分圧端子27fは、制御端子17fへ、分圧端子27sは、制御端子17sへ接続される。したがって、分圧端子27f、分圧端子27sは、それぞれに出力された電位分圧電圧Vdによってスイッチング素子16を制御することができる。以下、制御端子17fと制御端子17sとを特に区別する必要が無い場合は、単に制御端子17とすることがある。なお、本実施の形態では、制御部26fの分圧端子27fに出力される分圧電圧Vdfは、太陽電池モジュール11fのモジュール端子13fを基準として設定され、制御部26sの分圧端子27sに出力される分圧電圧Vdsは、太陽電池モジュール11sのモジュール端子13sを基準として設定される。また、分圧電圧Vdは、制御端子17に印加される電圧電位とスイッチング素子16の動作状態を説明するために便宜上規定するものに過ぎず、他方の抵抗抵抗R2側を基準に規定する太陽電池モジュール11fのモジュール端子13sを基準とし、太陽電池モジュール11sのモジュール端子13tを基準とすることも可能である。太陽電池モジュール11fが通常の発電状態の場合、モジュール端子13fとモジュール端子13sとの間の出力電圧Vmfは、モジュール端子13sに対してモジュール端子13fがプラスになる。つまり、モジュール端子13fの電位がモジュール端子13sの電位より高くなるので、ダイオードDsfは逆バイアスされ、直列回路制御部26fには電流が流れない。したがって、通常の発電状態では、分圧電圧Vdfとしては、モジュール端子13fの電位に対してモジュール端子13sの電位が出力される。つまり、分圧電圧Vdf分圧端子27fの電位は、モジュール端子13fの電位に対してマイナスとなる。上述したとおり、スイッチング素子16fはMOS電界効果トランジスタで構成されてあり、MOS電界効果トランジスタのソースは、モジュール端子13fに接続され、ドレインはモジュール端子13sに接続され、ゲート制御端子17fは分圧端子27fに接続されている。したがって、通常の発電状態では、ゲートの電位分圧電圧Vdf:分圧端子27fの電位は、ソースの電位モジュール端子13fの電位に対してマイナスとなり、MOS電界効果トランジスタすなわちスイッチング素子16fは開オフとされ、バイパス電流経路15fは機能しない状態電流が流れない状態となる。太陽電池モジュール11sが通常の発電状態の場合、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の出力電圧Vmsは、モジュール端子13tに対してモジュール端子13sがプラスになる。つまり、モジュール端子13sの電位がモジュール端子13tの電位より高くなるので、ダイオードDssは逆バイアスされ、直列回路制御部26sには電流が流れない。したがって、通常の発電状態では、分圧電圧Vdsとしては、モジュール端子13sの電位に対してモジュール端子13tの電位が出力される。つまり、分圧電圧Vds分圧端子27sの電位は、モジュール端子13sの電位に対してマイナスとなる。スイッチング素子16sはMOS電界効果トランジスタで構成されてあり、MOS電界効果トランジスタのソースは、モジュール端子13sに接続され、ドレインはモジュール端子13tに接続され、ゲート制御端子17sは分圧端子27sに接続されている。したがって、通常の発電状態では、ゲートの電位分圧電圧Vds:分圧端子27sの電位は、ソースの電位モジュール端子13sの電位に対してマイナスとなり、MOS電界効果トランジスタすなわちスイッチング素子16sは開オフとされ、バイパス電流経路15sは機能しない状態電流が流れない状態となる。ダイオードDsダイオードDsf、ダイオードDssの逆方向耐圧は、通常の発電状態の出力電圧Vm出力電圧Vmf、出力電圧Vmsを越える値であれば良い。つまり、ダイオードDsの逆方向耐圧が出力電圧Vmを越える値であれば、ダイオードDsは、逆方向の電流を阻止できるので、制御部26直列回路に電流が流れることはない。図6Bは、図6Aに示した太陽光発電システム1でバイパス電流経路15sを導通させて機能させたときの概略ブロック構成を示すブロック図である。基本的な構成は、図6Aと同様であるので、主にバイパス電流経路15s、制御部26sを動作させるときの態様について説明する。なお、バイパス電流経路15f、制御部26fは、バイパス電流経路15s、制御部26sと同様に動作するので、バイパス電流経路15f、制御部26fが動作する場合の説明は省略する。太陽光Lsは、影などの発生によって遮光された状態の太陽光Lss太陽電池モジュール11sに対応した状態を示す。となることがある。太陽光Lssは、太陽光Lsに比較して遮光された状態を示すために太陽電池モジュール11sの外側でのみ図示されている。以下では、例えば太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sが遮光されて発電しない状態となった場合について説明する。遮光された太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sは、光電変換ができないことから太陽電池として発電しない。太陽電池として発電機能しない状態を示すために、図6Bでは、太陽電池モジュール11s太陽電池セル12sは、破線で示されている。通常の発電状態では、上述したとおり、太陽電池モジュール11sのプラス側端子であるモジュール端子13sとマイナス側端子であるモジュール端子13tとの間に出力電圧Vmsが生じる。つまり、通常の発電状態では、モジュール端子13sの電位がモジュール端子13tの電位より高い状態となる。しかし、遮光されて発電できない状態では、太陽電池モジュール11sは受動回路となる図1B、図2B参照。つまり、直列に接続されている他の太陽電池モジュール11ここでは、太陽電池モジュール11fの発電によって流れるモジュール群電流Igが流れると太陽電池モジュール11sは抵抗負荷として作用し、モジュール端子13sの電位に対してモジュール端子13tの電位が高くなり、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差が発電状態の場合に対して逆方向になる。つまり、非発電状態では、モジュール端子13sに比較してモジュール端子13tが高い電位になり、ダイオードDssは順方向の電流を流す状態となる。したがって、ダイオードDss、抵抗R1s、抵抗R2sの直列回路制御部26sには、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間の電位差に応じた電流分流電流Igbが流れる。制御部26s直列回路では、分流電流Igbによって抵抗R1s、抵抗R2sでの電圧降下と、ダイオードDssでの順方向電圧降下とが発生し、分圧電圧Vdsが生成される。太陽電池モジュール11sが非発電状態図6Bの場合の直列回路制御部26では、分圧電圧Vdsは、ダイオードDssの順方向電圧降下と抵抗R1sでの電圧降下で定まる値となる。なお、制御部26fについても同様に分圧電圧Vdfを定義することができる。以下、分圧電圧Vdsと分圧電圧Vdfとを特に区別する必要がない場合は、単に分圧電圧Vdとすることがある。分圧電圧Vdsの値がスイッチング素子16sをオン状態閉状態とするに十分な値具体的には、スイッチング素子16sMOS電界効果トランジスタの閾値を越える値となるように回路設計素子定数の設定をすることによって、制御部26sで分圧電圧Vdsを生成する。また、分圧電圧Vdsは、分圧端子27sから制御端子17sゲートへ印加され、スイッチング素子16sMOS電界効果トランジスタをオン閉とするので、バイパス電流経路15sが導通状態となる。なお、直列回路制御部26を構成する抵抗R1s、抵抗R2s、ダイオードDssの具体的な数値は適宜設定することができる。例えば、分流電流Igbが20mA流れたときに分圧電圧VdsがMOS電界効果トランジスタスイッチング素子16の閾値となってスイッチング素子16がオンとなるように設定する場合、MOS電界効果トランジスタの閾値を例えば2Vとし、簡単のためダイオードDssの順方向電圧を無視して計算すると抵抗R1sに要求される抵抗値は2V/20mA=100Ωとなる。なお、簡単のため抵抗R1と抵抗R2との分圧比を1とすれば、抵抗R2sは、抵抗R1と同一の抵抗値とすることができる。つまり、太陽電池モジュール11sが非発電状態になって、分流電流Igb当初は、過渡的に過渡状態のモジュール群電流Igが分流電流Igbとして流れるが流れ出し、分流電流Igbが20mAとなったとき、分圧電圧Vdsは2Vを越える実際には更にダイオードDssの順方向電圧降下が加わる。。なお、このときのモジュール端子13tとモジュール端子13sとの間の電位差は、抵抗R1での電圧降下2V、抵抗R2での電圧降下2V、ダイオードDssでの準方向電圧降下Vf:Vfは例えば0.5Vを加えた値となる。分流電流Igbが20mAとなって抵抗R1sでの電圧降下が2Vになると、制御端子17sに分圧電圧Vds2V0.5V=2.5Vが印加され、スイッチング素子16sが確実にオンされる。スイッチング素子16sがオンとなった後は、バイパス電流経路15sにモジュール群電流Igが流れることから、実施の形態1と同様の作用効果が得られる。分流電流Igbは、スイッチング素子16sがオンとなるまでは、太陽電池モジュール11sが非発電状態のときに太陽電池モジュール群10に流れるモジュール群電流Igが過渡的な状態で流れる。また、スイッチング素子16sがオンとなる直前の状態では、過渡的な状態のモジュール群電流Igがそのまま分流電流Igbとして流れる。スイッチング素子16sがオンとなった後は、分流電流Igbは、モジュール端子13sとモジュール端子13tとの間での電圧に応じてモジュール群電流Igの一部が流れる。つまり、スイッチング素子16sには、モジュール群電流Igから分流電流Igbを引いた値の電流モジュール群電流Ig-分流電流Igbが流れる。分流電流Igbは、スイッチング素子16sをオンとするために、分圧電圧Vdsを発生させるだけで良いことから、抵抗R抵抗R1、抵抗R2での電力消費を抑制できるように小さい値とされている。具体的には、分流電流Igbは、スイッチング素子16sがオン状態に切り替わった後のモジュール群電流Igに対して例えば1/100~1/500程度例えば、モジュール群電流Igが8.4Aのとき、分流電流Igbは例えば20mAとすることができる。一旦オン状態にされた後のスイッチング素子16が、オン状態を維持する素子構成とされ、太陽電池モジュール11が通常の発電状態に戻ったときにスイッチング素子16がオフ状態となる素子構成とされている場合は、制御部26直列回路の分圧端子27を制御端子17に接続する構成とすることでスイッチング素子16のオンオフ開閉を制御することが可能である。本実施の形態では、スイッチング素子16をMOS電界効果トランジスタMIS電界効果トランジスタで構成していることから、スイッチング素子16MOS電界効果トランジスタがオン状態となったとき、ソースドレイン間電圧は、略0V例えば、0.1Vとなり、ソースドレイン間の電圧はそのまま直列回路制御部26の両端の電圧電位差となる。このときの分圧端子27は、ソースドレイン間電圧である略0V例えば、0.1Vを分圧して出力することから、略0V0.1Vより小さい値となる。つまり、MOS電界効果トランジスタの閾値電圧は、上述したとおり、例えば2Vであることから、スイッチング素子16がオン状態となったとき、ゲート電圧分圧端子27の電圧、制御端子17の電圧が閾値より小さくなり、MOS電界効果トランジスタはオフ状態に復帰してしまうことになる。したがって、本実施の形態に係る太陽光発電システム1、スイッチングシステム14では、スイッチング素子16としてMOS電界効果トランジスタMIS電界効果トランジスタを適用することから、MOS電界効果トランジスタのオン状態を維持する回路スイッチング素子16をオフからオンに切り替えたときの制御端子17の電位状態を維持する切り替え状態維持回路26c図8参照が別途必要となる。説明の便宜上、切り替え状態維持回路26cについては、図8を参照して別途説明する。以上説明したとおり、本実施の形態に係る太陽光発電システム1では、制御部26は、ダイオードDsと2つの抵抗R抵抗R1、抵抗R2を直列に接続した直列回路とされて太陽電池モジュール11に並列に接続されてあり、2つの抵抗R1、抵抗R2の間に接続されて太陽電池モジュール11の出力電圧Vmを分圧して出力する分圧端子27を備え、分圧端子27は、スイッチング素子16の制御端子17に接続されている。したがって、太陽光発電システム1は、ダイオードDsと2つの抵抗R抵抗R1、抵抗R2の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部26として太陽電池モジュール11と並列に接続することから、太陽電池モジュール11の出力状態を分圧端子27からの信号分圧電圧Vdとして容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子27の電位分圧電圧Vdに基づいてスイッチング素子16の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。また、直列回路とした制御部26を太陽電池モジュール11に並列に接続することから、外部の電源太陽電池モジュール11以外の電源を用いずにスイッチング素子16の開閉を制御する信号を直列回路制御部26の分圧端子27から出力分圧電圧Vdとして容易に得ることができる。太陽光発電システム1では、スイッチング素子16および制御部26は、単一の配線基板40に実装されて太陽電池モジュール11の出力ボックス60に内蔵されている。したがって、太陽光発電システム1は、スイッチング素子16および制御部26直列回路を一つの配線基板40に実装して出力ボックス60へ内蔵するので、太陽電池モジュール11に対するバイパス電流経路15を高機能化することができる。出力ボックス60は、通常は、太陽電池モジュール11の裏面受光面とは反対側の面などに配置され、他の太陽電池モジュール11との接続に必要なケーブルが接続されている。本実施の形態では、実施の形態1と同様、スイッチングシステム14を備えている。本実施の形態では、スイッチングシステム14は、実施の形態1と同様、太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11f、太陽電池モジュール11sに対応させて2個配置されている。構成は全く同一であるので特に区別することなく単にスイッチングシステム14として説明する。スイッチングシステム14は、太陽電池モジュール11への適用に限らず、一般的な電流経路のオンオフに対して適用することができる。本実施の形態では、スイッチングシステム14は、バイパス電流経路15、スイッチング素子16、制御部26を備える。実施の形態1でのスイッチングシステム14に対して異なるのは、制御部20の代わりに制御部26を適用していることである。したがって、主に制御部26について説明する。本実施の形態に係るスイッチングシステム14では、制御部26は、ダイオードDsと2つの抵抗抵抗R1、抵抗R2を直列に接続した直列回路とされて電流経路バイパス電流経路15の両端に並列に接続されてあり、2つの抵抗R1、抵抗R2の間に接続されて太陽電池モジュール11の出力電圧Vmを分圧して出力する分圧端子27を備え、分圧端子27は、スイッチング素子16の制御端子17に接続されている。したがって、本実施の形態に係るスイッチングシステム14は、ダイオードDsと2つの抵抗R1、抵抗R2の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部26として電流経路バイパス電流経路15と並列に接続することから、電流経路の両端間の電位状態を分圧端子27からの信号分圧電圧Vdとして容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子27の電位分圧電圧Vdに基づいてスイッチング素子16の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。また、直列回路とした制御部26を電流経路に並列に接続することから、外部の電源電流経路以外の電源を用いずにスイッチング素子16の開閉を制御する信号を直列回路制御部26の分圧端子27から出力分圧電圧Vdとして容易に得ることができる。なお、本実施の形態では、制御部26sに対する外部からの電源が不要となる制御対象としてのバイパス電流経路15sの両端に接続するだけで良いので、バイパス電流経路15s、スイッチング素子16s、および制御部26sを含む自己動作型自立型のバイパス装置25sを個別の装置として抽出することができる。また、制御部26sと同様に制御部26fが配置されている。つまり、本実施の形態では、制御部26fに対する外部からの電源が不要となる制御対象としてのバイパス電流経路15fの両端に接続するだけで良いので、バイパス電流経路15f、スイッチング素子16f、および制御部26fを含む自己動作型自立型のバイパス装置25fを個別の装置として抽出することができる。以下、バイパス装置25fとバイパス装置25sとを特に区別する必要がない場合は、単にバイパス装置25とすることがある。本実施の形態に係るバイパス装置25は、太陽電池モジュール11の両端に接続されることによってバイパス電流経路15を構成するバイパス装置25であって、バイパス電流経路15の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子16と、スイッチング素子16に対応して配置されスイッチング素子16の開閉を制御する制御部26とを備え、制御部26は、ダイオードDsと2つの抵抗R1、抵抗R2を直列に接続した直列回路とされ、太陽電池モジュール11に並列に接続された場合に、2つの抵抗R1、抵抗R2の間から太陽電池モジュール11の出力電圧Vmを分圧して出力する分圧端子27を備えてあり、分圧端子27は、スイッチング素子16の制御端子17に接続されている。したがって、本実施の形態に係るバイパス装置25は、ダイオードDsと2つの抵抗R1、抵抗R2の3素子という簡単な構成の直列回路を制御部26として太陽電池モジュール11と並列に接続することから、太陽電池モジュール11の出力状態を分圧端子27からの信号分圧電圧Vdとして容易にかつ高精度に抽出できるので、分圧端子27の電位分圧電圧Vdに基づいてスイッチング素子16の開閉を容易にかつ高精度に制御することができる。バイパス装置25は、スイッチング素子16、制御部26をバイパス電流経路15の両端に接続するだけで良く、個別の電源も不要であるので、単一の配線基板へ実装することができる。つまり、バイパス装置25は、スイッチング素子16および制御部26は、単一の配線基板40に実装されている。また、単一の配線基板へ実装できることから、単一のパッケージに収納することが可能となり、生産性、信頼性を向上させることができる。したがって、本実施の形態に係るバイパス装置25は、スイッチング素子16および制御部26直列回路を一つの配線基板40に実装することから、小型化することができるので、太陽電池モジュール11の出力ボックス60への内蔵が容易となる。本実施の形態では、配線基板40、出力ボックス60は、太陽電池モジュール11太陽電池モジュール11f、太陽電池モジュール11sに対応させて2個配置されている。構成は全く同一であるので特に区別することなく単に配線基板40、出力ボックス60として説明する。ブロック図図6A、図6Bでは、モジュール端子13sをバイパス電流経路15f制御部26f側と、バイパス電流経路15s制御部26s側とで共通に記載している。しかし、配線基板40、出力ボックス60は、太陽電池モジュール11に対して配置されるので、バイパス電流経路15fの側でのモジュール端子13sに対する配線と、バイパス電流経路15sでのモジュール端子13sに対する配線とは、それぞれ独自に配置されることがあるが、図の簡略化のため共通にして記載している。図7Aないし図7Cを参照して制御部26直列回路の変形例変形回路例1ないし変形回路例3について説明する。なお、基本的な構成は図6A、図6Bの場合と同様であるので、主に異なる事項について説明する。図7Aは、図6Aに示した太陽光発電システム1での制御部26直列回路の変形回路例1を示す回路図である。図7Bは、図6Aに示した太陽光発電システム1での制御部26直列回路の変形回路例2を示す回路図である。図7Cは、図6Aに示した太陽光発電システム1での制御部26直列回路の変形回路例3を示す回路図である。変形回路例1ないし変形回路例3では、説明を簡略化するため、太陽電池モジュール11と制御部26とがそれぞれ1つとして説明する。したがって、2つの太陽電池モジュール11を配置した場合のモジュール端子13f、モジュール端子13s、モジュール端子13tを太陽電池モジュール11が1つの場合に簡略化し、通常の発電状態でプラス側となる端子モジュール端子13pとマイナス側となる端子モジュール端子13mとして示す。つまり、太陽電池モジュール11の通常の発電状態では、モジュール端子13pがプラス側となり、モジュール端子13mがマイナス側となる。なお、通常の発電状態とは、バイパス電流経路15およびスイッチング素子16をオン状態閉状態とする必要がない状態をいう。制御部26は、モジュール端子13p例えば、太陽電池モジュール11sに対しては、モジュール端子13sが相当する。とモジュール端子13m例えば、太陽電池モジュール11sに対しては、モジュール端子13tが相当する。との間に接続されている。分圧電圧Vdは、モジュール端子13pに対する分圧端子27の電位分圧電圧Vdで画定される。変形回路例1では、モジュール端子13pの側からモジュール端子13mへ向けて、抵抗R1、ダイオードDs、抵抗R2の順に直列に接続配置されて直列回路制御部26が形成されている図6Aと比較してダイオードDsの位置が異なる。。また、分圧端子27は、抵抗R1とダイオードDsカソード側との間から取り出されている。したがって、分圧電圧Vdは、分流電流Igbによる抵抗R1での電圧降下と、分流電流IgbによるダイオードDsでの順方向電圧降下および分流電流Igbによる抵抗R2での電圧降下の和との比率で画定される。なお、抵抗R1および抵抗R2による分圧比を図6Aでは、1として説明したが、分流電流Igb、分圧電圧Vd、抵抗R、ダイオードDsの順方向電圧降下を参酌して、適宜分圧比を設定することができる。変形回路例2では、モジュール端子13pの側からモジュール端子13mへ向けて、抵抗R1、ダイオードDs、抵抗R2の順に直列に接続配置されて直列回路制御部26が形成されている変形回路例1と同様。また、分圧端子27は、抵抗R1とダイオードDsアノード側との間から取り出されている変形回路例1とは分圧端子27の取り出し位置が異なる。。したがって、分圧電圧Vdは、分流電流Igbによる抵抗R1での電圧降下および分流電流IgbによるダイオードDsでの順方向電圧降下の和と、分流電流Igbによる抵抗R2での電圧降下との比率で画定される。変形回路例3では、モジュール端子13pの側からモジュール端子13mへ向けて、抵抗R1、抵抗R2、ダイオードDsの順に直列に接続配置されて直列回路制御部26が形成されている図6A、変形回路例1、変形回路例2に比較してダイオードDsの位置が異なり、ダイオードDsはモジュール端子13mの側に配置されている。。また、分圧端子27は、抵抗R1と抵抗R2との間から取り出されている図6Aと同様。したがって、分圧電圧Vdは、分流電流Igbによる抵抗R1での電圧降下と、分流電流Igbによる抵抗R2での電圧降下および分流電流IgbによるダイオードDsでの順方向電圧降下の和との比率で画定される。本実施の形態に係る太陽光発電システム1、スイッチングシステム14は、実施の形態1と同様に作用する。また、バイパス装置25は、上述したとおりに作用する。つまり、図4で説明したとおりの作用効果を奏する。図8は、図6Aに示した太陽光発電システム1での制御部26の更に具体的な回路例を示す回路図である。上述したとおり、本実施の形態では、スイッチング素子16は、MOS電界効果トランジスタMIS電界効果トランジスタで構成されている。したがって、スイッチング素子16がオン状態閉状態となったとき、太陽電池モジュール11の両端での電位差がスイッチング素子16のオン電圧と等しくなる。一般的に、MOS電界効果トランジスタのオン電圧は略0V例えば、0.1Vと極めて低い値となる。つまり、スイッチング素子16をオン状態へ切り替えるときに作用した分圧電圧Vdが低下してスイッチング素子16MOS電界効果トランジスタの閾値より小さくなり、スイッチング素子16が再度オフになる。したがって、スイッチング素子16のオン状態を維持するための回路切り替え状態維持回路26cが必要となる場合について説明する。スイッチング素子16、制御部26ダイオードDs、抵抗R1、抵抗R2の直列回路は、上述したとおりであるので適宜説明を省略することがある。制御部26は、分圧端子27と制御端子17との間に切り替え状態維持回路26cを備える。切り替え状態維持回路26cは、アノードが分圧端子27に接続され、カソードが制御端子17に接続されたダイオードDcと、一端が制御端子17に接続され、他端が太陽電池モジュール11の発電状態でプラス側となるモジュール端子13pに接続されたコンデンサCgとを備える。スイッチング素子16がオフ状態からオン状態へ切り替わるとき、分流電流Igbが制御部26へ流れるが、分流電流Igbの一部は、ダイオードDcを介してコンデンサCgへ流れ、コンデンサCgを充電する。充電によってコンデンサCgの充電電圧は、分圧電圧Vdと等しい充電電圧Vh維持電圧となる。なお、実際には、ダイオードDcの順方向電圧Vfが介在するから、分圧電圧Vd=充電電圧VhVfとなる。充電電圧Vhがスイッチング素子16MOS電界効果トランジスタの閾値以上になれば、スイッチング素子16はオフ状態からオン状態へスイッチングされる。スイッチング素子16がオフ状態からオン状態へ切り替わるとスイッチング素子16の両端の電位差モジュール端子13pとモジュール端子13mとの間の電位差は略0V例えば、0.1Vとなる。したがって、分圧電圧Vdは、スイッチング素子16の両端の電位差を分圧することから、略0V例えば、0.1V以下となる。このとき、制御端子17と分圧端子27との間に接続されたダイオードDcは、逆バイアスの状態となることから、略0Vの分圧電圧Vdに対して制御端子17は、充電電圧Vhを維持することができる。なお、ダイオードDcの逆耐圧は、受電電圧Vhより大きいことが必要である。切り替え状態維持回路26cは、コンデンサCgに蓄積された充電電荷によって、スイッチング素子16をオフからオンへ切り替えたときの電位充電電圧Vhを確保することが可能となるので、制御端子17の電位状態制御端子17に印加される電圧つまり充電電圧Vhを維持することが可能となる。つまり、切り替え状態維持回路26cは、ダイオードDcの順方向で分圧端子27の電位分圧電圧Vdに応じた充電をコンデンサCgに対して実行し、コンデンサCgに充電された電荷の放電をダイオードDcの逆方向耐圧によって防止する。したがって、切り替え状態維持回路26cは、コンデンサCgの充電電圧Vhを高精度に維持して制御端子17の電位状態を維持することができる。つまり、スイッチング素子16がオフからオンへ切り替わったことによる分圧電圧Vdの低下による影響充電電圧Vhと分圧電圧Vdとの電位差の発生による影響は、ダイオードDcの逆方向耐圧によって無視することが可能となり、コンデンサCgの充電電荷はそのまま維持されるので、スイッチング素子16のオン状態を維持することができる。換言すれば、ダイオードDcおよびコンデンサCgで構成された切り替え状態維持回路26cは、スイッチング素子16をオフからオンに切り替えたときの制御端子17の電位状態を維持するので、スイッチング素子16のオン状態を維持することができる。なお、制御部26は、切り替え状態維持回路26cに加えて更に放電用ダイオードDdcを備える。放電用ダイオードDdcは、アノードを制御端子17に接続され、カソードをモジュール端子13mに接続されている。したがって、コンデンサCgが充電電圧Vhで充電された状態で、太陽電池モジュール11が通常の発電状態へ復帰し、モジュール端子13pがモジュール端子13mに対してプラスとなったとき、コンデンサCgに充電された電荷は、放電用ダイオードDdcによってモジュール端子13mへ放電される。つまり、切り替え状態維持回路26cは、放電用ダイオードDdcが配置されていることから、コンデンサCgの充電電荷を確実に放電し、安定した信頼性の高い切り替えを実行することができる。上述したとおり、本実施の形態に係るバイパス装置25において、制御部26は、分圧端子27と制御端子17との間に配置されてスイッチング素子16をオフからオンに切り替えたときの制御端子17の電位状態を維持する切り替え状態維持回路26cを備える。したがって、バイパス装置25は、スイッチング素子16がオフからオンに切り替わったことによって、制御部26に印加される電圧分圧電圧Vdが低減した場合でも、制御端子17の電位状態信号状態。制御端子17に印加される電圧を維持するので、スイッチング素子16のオン状態を維持することができる。また、切り替え状態維持回路26cは、アノードが分圧端子27に接続され、カソードが制御端子17に接続されたダイオードDcと、一端が制御端子17に接続され、他端が太陽電池モジュール11の発電状態でプラス側となるモジュール端子13pに接続されたコンデンサCgとを備える。したがって、バイパス装置25は、スイッチング素子16をオフからオンに切り替えたことによって制御部26に加わる電圧が低下した場合でも、ダイオードDcとコンデンサCgという簡単な組み合わせで制御端子17の電位状態制御端子17に印加される電圧。スイッチング素子16に対する制御用の入力信号をコンデンサCgへの充電電圧Vhによって維持できるので、スイッチング素子16のオン状態を簡単に維持することができる。なお、制御部26は、アノードがコンデンサCgの一端に接続され、カソードが太陽電池モジュール11の発電状態でマイナス側となるモジュール端子13mに接続された放電用ダイオードDdcを備える。したがって、バイパス装置25は、太陽電池モジュール11が発電状態となったとき、コンデンサCgに蓄積された充電電荷を放電用ダイオードDdcでマイナス側のモジュール端子13mへ放電するから、コンデンサCgを初期状態スイッチング素子16がオフ状態でのコンデンサCgの状態に戻すことができ、安定した切り替え状態維持回路26cを実現することができる。なお、図8に示した切り替え状態維持回路26c、放電用ダイオードDdcは、図7Aないし図7Cの変形回路例1ないし変形回路例3に対しても同様に適用できる。