"下記式1に示される構造を有する基および下記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基を有するポリシロキサンAおよび架橋剤Bを含有することを特徴とする硬化性組成物。1式中、Xは、脂環式炭化水素基を表わす。1中、-[CH2]-OHおよび-OHは、前記脂環式炭化水素基を構成する異なる炭素原子に結合し、該2つの炭素原子は単結合で結合され、前記2つの炭素原子にはそれぞれ水素原子が結合している。nは0~6の整数を示す。は結合手を示す。2式中、R1は炭素数1~8のアルキル基または水素原子を示す。mは0~6の整数を示す。は結合手を示す。前記ポリシロキサンAが、前記式1に示される構造を有する基を有する請求項1に記載の硬化性組成物。前記ポリシロキサンAが、1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1である請求項1または請求項2に記載の硬化性組成物。前記架橋剤Bが、1分子中に少なくとも2つのケイ素原子結合水素原子を有する化合物B1であって、さらに、ヒドロシリル化反応用触媒Cを含有する請求項3に記載の硬化性組成物。ポリシロキサンA中に含まれる全Si原子の含有割合を100モルとするとき、前記式1に示される構造を有する基および前記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基の含有割合が、0.1~10モルである請求項1~請求項4のいずれかに記載の硬化性組成物。前記式1に示される構造を有する基および前記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基ならびにアルケニル基を有するポリシロキサン。前記式1に示される構造を有する基およびアルケニル基を有するポリシロキサン。請求項1~請求項5のいずれかに記載の硬化性組成物を硬化させることにより得られることを特徴とする硬化物。半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する、請求項8に記載の硬化物とを有することを特徴とする光半導体装置。従来のヒドロシリル系ポリシロキサン組成物から形成される硬化物は、窒化ガリウムGaNや窒化ケイ素SiNなどからなるLED基板あるいは配線金属との接着性が不十分であるという問題があった。このため、接着性を高めるためにエポキシ基含有ポリシロキサンが用いられてきた。エポキシ基含有ポリシロキサンの合成において、エポキシ基をポリシロキサン中に導入する反応には通常塩基が使用される。しかしながら、この反応中に塩基によりポリシロキサンが変質するおそれがあり、変質したポリシロキサンを含有する硬化組成物から得られる硬化物は着色するという問題があった。本発明は、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や配線金属などとの接着性が高く、着色のない硬化物を形成できる硬化性組成物を提供することを目的とする。前記目的を達成する本発明は以下のとおりである。[1]下記式1に示される構造を有する基および下記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基以下、接着性基Aともいうを有するポリシロキサンAおよび架橋剤Bを含有することを特徴とする硬化性組成物。1式中、Xは、脂環式炭化水素基を表わす。1中、-[CH2]-OHおよび-OHは、前記脂環式炭化水素基を構成する異なる炭素原子に結合し、該2つの炭素原子は単結合で結合され、前記2つの炭素原子にはそれぞれ水素原子が結合している。nは0~6の整数を示す。は結合手を示す。2式中、R1は炭素数1~8のアルキル基または水素原子を示す。mは0~6の整数を示す。は結合手を示す。[2]前記ポリシロキサンAが、前記式1に示される構造を有する基を有する前記[1]に記載の硬化性組成物。[3]前記ポリシロキサンAが、1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1である前記[1]または[2]に記載の硬化性組成物。[4]前記架橋剤Bが、1分子中に少なくとも2つのケイ素原子結合水素原子を有する化合物B1であって、さらに、ヒドロシリル化反応用触媒Cを含有する前記[3]に記載の硬化性組成物。[5]ポリシロキサンA中に含まれる全Si原子の含有割合を100モルとするとき、前記式1に示される構造を有する基および前記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基の含有割合が、0.1~10モルである前記[1]~[4]のいずれかに記載の硬化性組成物。[6]前記式1に示される構造を有する基および前記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基ならびにアルケニル基を有するポリシロキサン。[7]前記式1に示される構造を有する基およびアルケニル基を有するポリシロキサン。[8]前記[1]~[5]のいずれかに記載の硬化性組成物を硬化させることにより得られることを特徴とする硬化物。[9]半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する、前記[8]に記載の硬化物とを有することを特徴とする光半導体装置。本発明の硬化性組成物は、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や配線金属などとの接着性が高く、着色のない硬化物を形成することができるので、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板を有するLEDの封止剤として好適に使用することができる。<硬化性組成物>本発明の硬化性組成物は、下記式1に示される構造を有する基および下記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基を有するポリシロキサンAおよび架橋剤Bを含有することを特徴とする。1式中、Xは、脂環式炭化水素基を表わす。1中、-[CH2]-OHおよび-OHは、前記脂環式炭化水素基を構成する異なる炭素原子に結合し、該2つの炭素原子は単結合で結合され、前記2つの炭素原子にはそれぞれ水素原子が結合している。nは0~6の整数を示す。は結合手を示す。2式中、R1は炭素数1~8のアルキル基または水素原子を示す。mは0~6の整数を示す。は結合手を示す。なお、本発明においてポリシロキサンとは、シロキサン単位が2個以上結合した分子骨格を有するシロキサンを意味する。ポリシロキサンAポリシロキサンAは、上記式1に示される構造を有する基および上記式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基を有するポリシロキサンである。ポリシロキサンAは本組成物の主剤であり、架橋剤Bの作用により架橋して硬化し、硬化物の主体となる。上記1式において、Xは脂環式炭化水素基を表わす。1中の-[CH2]-OHおよび-OHは、前記脂環式炭化水素基を構成する異なる炭素原子に結合し、該2つの炭素原子は単結合で結合され、前記2つの炭素原子にはそれぞれ水素原子が結合している。ポリシロキサンAは、たとえば下記式3で表わすこともできる。3式において、点線および単結合を示す実線とこれらによって結ばれる3つの炭素原子とで表わされる環状部分は脂環式炭化水素基を表わし、Zは、該脂環式炭化水素基を前記3つの炭素原子とともに形成する、前記脂環式炭化水素基を完成するのに必要な個数の炭素原子を示す。nは0~6の整数を示す。は結合手を示す。前記脂環式炭化水素基を構成する炭素の数は通常3~30個、好ましくは4~20個、より好ましくは4~10個である。たとえば、前記脂環式炭化水素基を構成する炭素の数が6個である場合、上記式1および3は下記式4で表わすことができる。4式において、nは0~6の整数を示す。前記脂環式炭化水素基は、炭素-炭素不飽和結合を有してもよい。前記脂環式炭化水素基を構成する炭素には鎖状炭化水素基等が結合していてもよい。1式および3式において、nは0~6の整数を示し、好ましくは0である。2式において、R1は炭素数1~8のアルキル基または水素原子であり、好ましくは水素原子または炭素数1のアルキル基メチル基である。2式において、mは0~6の整数を示し、好ましくは0である。上記式1に示される構造を有する基および式2に示される構造を有する基は、ポリシロキサンA分子において、ポリシロキサン鎖を構成するケイ素原子に直接結合していてもよいし、メチレン基やアルキレン基などの炭化水素基やオキシカルボニル基等の連結基を介して前記ケイ素原子に結合していてもよい。ポリシロキサンAは、式1に示される構造を有する基および式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基を有することから、ジオール基を有する。本硬化性組成物から得られる硬化物においては、ポリシロキサンAが有するこのジオール基が接着性基として機能して、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や配線金属などとの接着性が向上するものと考えられる。接着性基とは、半導体装置等の基材等の材料となる金属または有機樹脂等対して接着性を有する基を意味する。ポリシロキサンAは、式1に示される構造を有する基のみを有していてもよく、式2に示される構造を有する基のみを有していてもよく、前記2つの基の両方を有していてもよい。ポリシロキサンAは、式1に示される構造を有する基を有することが好ましい。ポリシロキサンAが式1に示される構造を有する基を有すると、得られる硬化膜が、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や配線金属などと高い接着性を有するという効果がある。ポリシロキサンAにおいて、式1に示される構造を有する基および式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基の含有割合は、ポリシロキサンA中に含まれる全Si原子の含有割合を100モルとするとき、0.1~10モルであることが好ましく、0.5~8モルであることがより好ましく、1~5モルであることがさらに好ましい。式1に示される構造を有する基および式2に示される構造を有する基から選ばれる少なくとも1つの基の含有割合が前記範囲内であると、得られる硬化膜が、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や配線金属などと高い接着性を有するという効果がある。ポリシロキサンAは、前記接着性基A以外にも他の基を有していてもよい。他の基としては、水素原子;シラノール基;ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、カルボニル基などの極性基;ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘプテニル基、ヘキセニル基およびシクロヘキセニル基等のアルケニル基を有する基;メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;環状エーテル基、チオニル基、イソシアネート基及びトリアリルイソシアネート基等の他の接着性基;および前記極性基や接着性基を有する基;等を挙げることができる。ポリシロキサンAは、1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1であることが好ましい。ポリシロキサンAが少なくとも2つのアルケニル基を有すると、後述する1分子中に少なくとも2つの珪素原子結合水素原子を有する架橋剤B1とのヒドロシリル化反応が可能になり、強度の高い硬化物が得られる。ポリシロキサンAが有するアルケニル基としては、上述の基が挙げられる。これらの中でも、ビニル基、アリル基およびヘキセニル基が好ましい。ポリシロキサンAにおけるアルケニル基の含有量は、ポリシロキサンA中に含まれる全Si原子の数を100モルとするとき、3~50モルであることが好ましく、より好ましくは5~40モルであり、さらに好ましくは10~30モルである。アルケニル基の含有量が前記範囲内であると、ポリシロキサンAと少なくとも2つの珪素原子結合水素原子を有する架橋剤B1とのヒドロシリル化反応が好適範囲で起こり、強度の高い硬化物が得られる。ポリシロキサンAは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が100~50000の範囲にあることが好ましく、500~5000の範囲にあることがより好ましい。ポリシロキサンAの重量平均分子量が前記範囲内にあると、本組成物を用いて封止材を製造する際に取扱いやすく、また本組成物から得られる硬化物は光半導体封止材として十分な材料強度および特性を有する。[ポリシロキサンAの製造方法]接着性基Aを有するポリシロキサンAは環状エーテル基を開環することにより製造することができる。環状エーテル基を開環する方法としては、環状エーテル基を水の存在下、強酸で処理する方法が挙げられる。例えば、環状エーテル基を有するポリシロキサンを水の存在下、強酸で処理することにより方法1、または、ポリシロキサンを合成する際の各単位源となる環状エーテル基を有するクロロシランやアルコキシシランを、水の存在下、強酸で処理することにより方法2、製造することができる。これらの中でも、方法2:ポリシロキサンを合成する際の各単位源となる環状エーテル基を有するクロロシランやアルコキシシランを、水の存在下、強酸で処理することにより製造する方法が、ポリシロキサン中に含まれる接着性基Aの含有割合を制御しやすいことから好ましい。前記環状エーテル基としては、たとえば、エポキシ基エチレンオキシド基、トリメチレンオキシド基オキセタン基、テトラメチレンオキシド基テトラヒドロフラン基等を挙げることができる。環状エーテル基がエポキシ基であると、上記式2においてm=0の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。環状エーテル基がトリメチレンオキシド基であると、上記式2においてm=1の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。環状エーテル基がテトラメチレンオキシド基であると、上記式2においてm=2の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。また、前記環状エーテル基としては、たとえば、脂環式炭化水素基を構成する相互に隣接する2つの炭素原子と、該2つの炭素原子の少なくともいずれか一方に結合する酸素原子とを含んで環状に構成される原子団を含む基を挙げることができる。このような環状エーテル基としては、たとえば、下記式5に示される基エポキシシクロヘキシル基、下記式6に示される基および下記式7に示される基等を挙げることができる。環状エーテル基が式5に示される基であると、上記式3においてn=0の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。環状エーテル基が式6に示される基であると、上記式3においてn=1の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。環状エーテル基が式5に示される基であると、上記式3においてn=2の構造を有する基を有するポリシロキサンAを製造することができる。ポリシロキサンAは公知の方法を1種または2種以上組み合わせることにより製造することができる。前記公知の方法としては、特開平6-9659号公報、特開2003-183582号公報、特開2007-008996号公報、特開2007-106798号公報、特開2007-169427号公報および特開2010-059359号公報等に記載された方法、たとえば、各単位源となるクロロシランやアルコキシシランを共加水分解する方法や、共加水分解物をアルカリ金属触媒などにより平衡化反応する方法などが挙げられる。前記各単位源となるクロロシランやアルコキシシランとしては以下のものが挙げられる。環状エーテル基を有する単位源としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルメチルジメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルエチルジメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルメチルジエトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルエチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメトキシジメチルシラン、γ-グリシドキシプロピルメトキシジエチルシラン、γ-グリシドキシプロピルエトキシジメチルシラン、γ-グリシドキシプロピルエトキシジエチルシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルメトキシジメチルシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルメトキシジエチルシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルエトキシジメチルシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルエトキシジエチルシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ基含有アルコキシシラン;γ-グリシドキシプロピルトリクロロシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジクロロシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリクロロシラン等のエポキシ基含有クロロシラン;3-オキセタニルプロピルトリメトキシシラン等のオキセタニル基含有アルコキシシラン;3-オキセタニルプロピルトリクロロシラン等のオキセタニル基含有クロロシラン;等が挙げられる。これらの中でも反応制御が容易であるため、得られる硬化膜の着色が抑えられることから、エポキシ基含有アルコキシシランが好ましく、2-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリメトキシシラン等の脂環式炭化水素基を有するエポキシ基含有アルコキシシランがより好ましい。アルケニル基を有する単位源としては、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等の基で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等の基で置換したアルケニルシロキサン等が挙げられる。その他の単位源としては、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシラン、テトラ-sec-ブトキシシラン、トリクロロシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ-n-プロポキシシラン、トリ-i-プロポキシシラン、トリ-n-ブトキシシラン、トリ-sec-ブトキシシランや、特開2007-106798号公報や、特開2009-24077号公報、特開2009-215377号公報等に記載された単位源等が挙げられる。例えば、前記方法1の場合、環状エーテル基を有する単位源を必須成分として用い、塩基触媒などを用いて環状エーテル基を有するポリシロキサンを合成し、その後、強酸と水を用いて、環状エーテル基を開環することによりポリシロキサンAを製造することができる。また、前記方法2の場合、環状エーテル基を有する単位源を必須成分として用い、強酸と水を用いて反応させることにより、ポリシロキサンAを製造することができる。前記、1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1を製造するには、環状エーテル基を有する単位源およびアルケニル基を有する単位源を必須成分として、上述の手法にてポリシロキサンA1を製造すればよい。環状エーテル基を開環するのに用いられる、強酸としては、トリフルオロメタンスルホン酸、硫酸、硝酸、無水硫酸、トリフルオロ酢酸等を挙げることができる。また、モンモリロン石を主成分とする酸性白土を硫酸や塩酸で熱処理して得られる活性白土などの酸性粘土等も用いることができる。前記強酸の使用量は、環状エーテル基の量により適宜決められ、通常、環状エーテル基1モルあたり0.01g~20gである。強酸で処理するときに加える水の量は、環状エーテル基の量により適宜決められ、通常、環状エーテル基1モルあたり1g~150gである。強酸で処理するときの温度は、通常、23°C~100°Cである。強酸で処理するときの処理時間は、通常、0.2時間~5時間である。反応終了後、反応液から余剰の水を共沸脱水などにより除いたり、反応液を水酸化カリウムなどにより中和したりすることもできる。架橋剤B架橋剤BはポリシロキサンAに対する架橋剤であり、ポリシロキサンAとの架橋反応により硬化物を形成する。架橋剤Bとしては、ポリシロキサン組成物に通常使用される架橋剤を挙げることができる。例えば、ポリシロキサンAが、アルケニル基を有するポリシロキサンの場合、架橋剤として、アルケニル基と作用する架橋剤:Si-Hヒドロシリル基を有する化合物や、特開2005-112925号公報に記載のアクリル基を複数有する多官能性単量体、等を用いることができる。また、ポリシロキサンAがエポキシ基を有するポリシロキサンの場合、架橋剤として、WO05/100445号公報に記載の酸無水物や、アミン化合物、メルカプト化合物、フェノール類、ジシアンジアミド類、アジピン酸ヒドラジッド、フタル酸ヒドラジド等の有機ヒドラジッド類、等を用いることができる。これらの中でも、架橋剤Bは、1分子当たり少なくとも2つのケイ素原子結合水素原子、すなわち1分子当たり少なくとも2つのSi-H基ヒドロシリル基を有する化合物B1であることが好ましい。架橋剤Bが少なくとも2つのケイ素原子結合水素原子を有すると、前述の1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1との間でヒドロシリル化反応による架橋を形成することができ、強度の高い硬化物が得られる。化合物B1としては、従来のヒドロシリル系ポリシロキサン組成物において架橋剤として使用されている、1分子当たり少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサンを挙げることができる。化合物B1の具体例としては、特許文献1~3に記載されたオルガノハイドロジェンポリシロキサンなどを挙げることができる。化合物B1は、たとえば、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどのアルコキシシランと、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンなどのハイドロジェンシロキサンとを公知の方法により反応させることにより得ることができる。本発明の硬化性組成物における架橋剤Bの含有量としては、通常、ポリシロキサンA100質量部に対して、1~300質量部用いられる。架橋剤Bが化合物B1である場合、本発明の硬化性組成物における化合物B1の含有量としては、ポリシロキサンA中のアルケニル基量に対する化合物B1中のケイ素原子結合水素原子量のモル比が0.1~5となる量であることが好ましく、より好ましくは0.5~2、さらに好ましくは0.7~1.4となる量である。化合物B1の含有量が前記範囲内であると、組成物の硬化が十分に進行し、また、得られる硬化物に十分な耐熱性が得られる。ヒドロシリル化反応用触媒Cヒドロシリル化反応用触媒Cは、1分子中に少なくとも2つのアルケニル基を有するポリシロキサンA1とヒドロシリル基を有する化合物B1とのヒドロシリル化反応の触媒である。ヒドロシリル化反応用触媒Cとしては、従来のヒドロシリル系ポリシロキサン組成物においてヒドロシリル化反応用触媒として使用されている触媒であれば特に制限されることなく使用することができる。ヒドロシリル化反応用触媒Cの具体例としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒を挙げることができる。これらの中で、本組成物の硬化促進の観点から白金系触媒が好ましい。白金系触媒としては、たとえば、白金-アルケニルシロキサン錯体等が挙げられる。アルケニルシロキサンとしては、たとえば、13-ジビニル-1133-テトラメチルジシロキサン、1357-テトラメチル-1357-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。特に、錯体の安定性の観点から、13-ジビニル-1133-トテラメチルジシロキサンが好ましい。本発明の硬化性組成物におけるヒドロシリル化反応用触媒Cは、ポリシロキサンAとポリシロキサンBとのヒドロシリル化反応が現実的に進行する量を用いる。本発明の硬化性組成物は、本発明の目的が達成されるかぎり、前記成分以外にも、必要に応じて、たとえば、ポリシロキサンA以外のポリシロキサン、フュームドシリカ、石英粉末等の微粒子状シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛等の無機充填剤、シクロ-テトラメチルテトラビニルテトラシロキサン等の遅延剤、ジフェニルビスジメチルビニルシロキシシラン、フェニルトリスジメチルビニルシロキシシラン等の希釈剤、顔料、難燃剤、耐熱剤、酸化防止剤等を含有することができる。本発明の硬化性組成物は、前記各成分をミキサー等公知の方法により均一に混合することによって調製することができる。本発明の硬化性組成物の25°における粘度としては、好ましくは1~1000000mPasであり、より好ましくは10~10000mPasである。粘度がこの範囲内であると、本組成物の操作性が向上する。本発明の硬化性組成物は、1液として調製することもできるし、2液に分けて調製し、使用時に2液を混合して使用することもできる。必要に応じて、アセチレンアルコール等の硬化抑制剤を少量添加してもよい。<硬化物>本発明の硬化性組成物を硬化させることにより硬化物が得られる。本発明の硬化性組成物により半導体素子を封止し、これを硬化させれば、封止材である硬化物が得られる。本発明の硬化性組成物を硬化させる方法としては、たとえば、硬化性組成物を基板上に塗布した後、100~180°Cで1~13時間加熱する方法などが挙げられる。なお、上記硬化膜の製造は、段階的に昇温を行う過程ステップキュアで行ってもよい。前述のとおり、本発明の硬化性組成物を硬化して得られる硬化物は、窒化ガリウムや窒化ケイ素などのLED基板や金属配線などに対する接着性が高く、着色のない硬化膜である。<光半導体装置>本発明の光半導体装置は、半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆する前記硬化物とを有する。本発明の光半導体装置は、半導体発光素子に前記硬化性組成物を被覆し、その組成物を硬化させることによって得られる。硬化性組成物を硬化させる方法は上述のとおりである。光半導体装置としては、LEDおよびLD等が挙げられる。図1は、本発明の光半導体装置の一具体例の模式図である。光半導体装置1は、電極6と、電極6上に設置され、ワイヤー7により電極6と電気的に接続された半導体発光素子2と、半導体発光素子2を収容するように配置されたリフレクター3と、リフレクター3内に充填され、半導体発光素子2を封止する封止材4を有する。封止材4は、本発明の硬化性組成物を硬化させて得られる。封止材4中には、シリカや蛍光体などの粒子5が分散されている。1ポリシロキサンの合成1-1ポリシロキサンの合成実施例1ポリシロキサンA-1の合成攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン20g、フェニルトリメトキシシラン120g、2-3,4-エポキシシクロヘキシルプロピルトリメトキシシラン6g、水15g、トリフルオロメタンスルホン酸0.1gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、反応液に0.5重量の水酸化カリウム水溶液2.5gを加え4時間加熱還流した後、余剰の水を共沸脱水で除いた。冷却後、反応液を酢酸で中和し、水洗した。反応液から溶剤を除去することによりポリシロキサンA-1を得た。1HNMR測定の結果からから、ポリシロキサンA-1は下記式8に示す基を有することが確認できた。1HNMRスペクトルを図2に示す。1HNMR測定から、ポリシロキサンA-1は、ポリシロキサンA-1に含まれる全Si原子を100モルとするとき、下記式8に示す基が3モル含まれていることが確認された。リシロキサンA-1の重量平均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したところ、ポリスチレン換算で2000であった。式8中、は結合手を示す合成例1ポリシロキサンD-1の合成攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコに1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン82g、フェニルトリメトキシシラン525g、水143g、トリフルオロメタンスルホン酸0.4gおよびトルエン500gを投入して混合し、1時間加熱還流した。冷却後、反応液の下層を分離除去し、上層であるトルエン溶液層を水洗した。水洗したトルエン溶液層に水酸化カリウム0.4gを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、固形分濃度が75質量となるまで濃縮し、さらに5時間還流した。冷却後、酢酸0.6gを投入して中和した後、トルエン溶液層を水洗した。その後、減圧濃縮してポリシロキサンD-1を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサンD-1のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、2000であった。[合成例2]ポリシロキサンB-1の合成攪拌機、還流冷却管、投入口、温度計付き四口フラスコにフェニルトリメトキシシラン195gとトリフルオロメタンスルホン酸0.2gを投入して混合し、攪拌しつつ水13gを15分間で滴下し、滴下終了後、1時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却した後、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン119gを加え、攪拌しつつ、酢酸88gを滴下した。滴下終了後、反応液を攪拌しつつ50°Cに昇温し、3時間反応させた。反応液を室温まで冷却した後、トルエンおよび水を加え、良く混合して静置し、水層を分離除去した。上層であるトルエン溶液層を水洗した後、減圧濃縮して、ポリシロキサンB-1を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーでポリシロキサンB-1のポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、330であった。2硬化性組成物の調製[実施例2、実施例3および比較例1]下記表1に示す成分を、表1に示す配合量で混合し、実施例2、実施例3および比較例1の硬化性組成物を得た。表1中の部は質量部を示す。なお、表1中の各成分の詳細は以下の通りである。C-1:白金と1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンとの錯体D-2:フェニルトリスジメチルビニルシロキシシラン3硬化性組成物の評価実施例2、実施例3および比較例1の硬化性組成物について、下記、3-1~3-3の手法にて、評価した。評価結果を表1に示す。3-1硬度硬化性組成物をテフロン登録商標の平板に2mm厚の枠をはめ、枠の高さになるように塗布して、150°Cの熱風循環式オーブンで5時間加熱することにより50mm×50mm×1mmの硬化物を作製した。この硬化物の硬さをJISK6253に規定されたタイプDデュロメータにより測定した。3-2接着力4インチのSiN基板上に、スピンコート法にて、硬化性組成物を塗布し、170°C120分加熱して、厚さ100μmの硬化膜を形成した。硬化膜の接着力は、プルダウンブレイキングポイント試験QuadGroup社製引っ張り試験機にて測定した。3-3透明性4インチのSiN基板上に、スピンコート法にて、硬化性組成物を塗布し、170°C120分加熱して、厚さ100μmの硬化膜を形成した。150°C2000時間加熱した硬化膜を、波長400~700nmの分光透過率を紫外可視分光光度計により測定した。この硬化膜の透明性につき、分光透過率が90以上の場合をA良好、分光透過率が70以上90未満の場合をBやや良好、分光透過率が70未満の場合をC不良と評価した。"