"1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3有機溶媒を80質量以上含有する現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位Iを有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。上記構造単位Iの少なくとも1つが、下記式1で表される構造単位I-1である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。式1中、Rは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、Rp1~Rp3は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であるか、又は炭素数4~9の脂環式炭化水素基である。但し、RP1~RP3のうち少なくとも2つが互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~9の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記式iにおけるRp1、Rp2及びRp3が、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であるか、又はRp1が、炭素数1~4のアルキル基であり、かつRp2及びRp3が、互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、炭素数4~9の2価の脂環式炭化水素基を形成している請求項2に記載のレジストパターン形成方法。構造単位I-1が、[A]重合体が有する構造単位I中に60モル以上95モル以下含まれる請求項2に記載のレジストパターン形成方法。上記有機溶媒が、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒である請求項1に記載のレジストパターン形成方法。有機溶媒を80質量以上含有する現像液を用いるレジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位を有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、有機溶媒を含有する現像液を用いるレジストパターン形成方法において、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができると共に、CDU、MEEFに優れるレジストパターンを形成することができ、解像性も十分満足する感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3有機溶媒を80質量以上含有する現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位Iを有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体以下、[A]重合体ともいう。、及び[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいう。を含有することを特徴とする。本発明のレジストパターン形成方法によると、露光によって[B]酸発生体から発生する酸の作用により[A]重合体の酸解離性基が解離し、カルボキシル基等の極性基が生じ、有機溶媒を所定割合以上含有する現像液に対して難溶化することで、レジストパターンを形成することができる。この[A]重合体として、ポリスチレン換算重量平均分子量が上記所定値を超え、かつ、水酸基を含む構造単位の含有割合が上記値未満である重合体を用いることで、上記感放射線性樹脂組成物は解像性に優れ、当該レジストパターン形成方法によれば、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができ、加えて、CDU及びMEEFに優れるパターンを形成することができる。当該レジストパターン形成方法において、上記構成とすることで、レジスト膜の膜減りを抑制し、かつ、上記リソグラフィー特性を向上できる理由については必ずしも明らかではないが、例えば以下のことが考えられる。すなわち、露光により生成する[A]重合体中のカルボキシル基同士やカルボキシル基と水酸基との相互作用が膜減りの原因となっていると考えられ、[A]重合体の分子量及び水酸基を含む構造単位の含有割合を上記範囲とすることでその相互作用が構造的に抑制されること等が考えられる。また、[A]重合体の分子量が所定値を超えていることで、低露光量としてカルボキシル基の生成を低減させても、現像液に対して難溶化させることができパターン形成が可能となるので、結果として、上記カルボキシル基同士の相互作用が減少し、膜減りが抑制されることも考えられる。さらに、[A]重合体の分子量及び水酸基を含む構造単位の含有割合を上記範囲とすることで、露光の有無による[A]重合体の極性の差異が増大し、コントラストが向上するために、CDU等に優れるパターンが得られること等が考えられる。このように、有機溶媒を含有する現像液を用いて現像を行う当該レジストパターン形成方法において、上記特定構造を有する重合体を含有する感放射線性樹脂組成物を用いることにより、レジスト膜の膜減りが抑制され、CDU、MEEFに優れるレジストパターンの形成を可能としている。上記酸解離性基を含む構造単位は、下記式1で表されることが好ましい。式1中、Rは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、下記式iで表される酸解離性基である。式i中、Rp1~Rp3は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であるか、又は炭素数4~9の脂環式炭化水素基である。但し、RP1~RP3のうち少なくとも2つが互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~9の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記酸解離性基が、上記構造のように炭素数の比較的少ないものであることで、パターン形成後における[A]重合体の分子量の減少を小さくすることができ、その結果、パターン形成後の膜減りをより抑制することができる。また、酸解離性基が上記性質を有すると、解離した酸解離性基由来の物質がレジスト膜中に留まることがほとんどないので、結果として[B]酸発生体から発生する酸の拡散が抑えられ、それによってCDU、MEEF等により優れるパターンを形成することができる。また、そのような[A]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物の解像性もより向上する。上記式iにおけるRp1、Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であるか、又はRp1が、炭素数1~4のアルキル基であり、かつRp2及びRp3が互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に、炭素数4~9の2価の脂環式炭化水素基を形成していることが好ましい。[A]重合体の酸解離性基が、上記特定構造を有することで、パターン形成前後の[A]重合体の分子構造変化をより小さくでき、また、酸解離性基がより解離し易くなるため、膜減りをさらに抑制することができると共に、CDU、MEEF等により優れるパターンを形成することができる。また、そのような[A]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物の解像性もさらに向上する。構造単位I-1が、[A]重合体が有する構造単位I中に60モル以上95モル以下含まれるとよい。構造単位I-1が、[A]重合体が有する構造単位I中に60モル以上95モル以下含まれると、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを効果的に抑制することができ、加えて、CDU及びMEEFに優れるパターンを形成することができる。上記有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。上記特定の有機溶媒を用いることで露光の有無による[A]重合体の溶解度差をより大きくすることができるので、パターンのコントラストが向上し、CDU及びMEEFにさらに優れるパターンを形成することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物は、有機溶媒を80質量以上含有する現像液を用いるレジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位を有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。当該感放射線性樹脂組成物は、解像性に優れ、当該感放射線性樹脂組成物によれば、上記レジストパターン形成方法に用いることにより、レジスト膜のパターン形成後の膜減りが抑制され、かつCDU及びMEEFに優れるレジストパターンを得ることができる。本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができると共に、CDU及びMEEFに優れるレジストパターンを形成することができる。また、本発明のレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物は、解像性を十分満足する。<レジストパターン形成方法>本発明は、1感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、2露光工程、及び3有機溶媒を80質量以上含有する現像液を用いる現像工程を有するレジストパターンの形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位を有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とする。以下、各工程を詳述する。[工程1]本工程では、本発明の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、当該感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト層上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト層上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[工程2]本工程では、工程1で形成したレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。同様にして、ドットパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことによりホールパターンを形成することができる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において円形状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザー波長193nmやKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、当該組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のレジストパターン形成方法においては露光工程を複数回有してもよく、複数回の露光は同じ光源を用いても異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。また、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、当該組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C~200°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。[工程3]本工程は、工程2の露光後に、有機溶媒を80質量以上含有するネガ型現像液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する。ネガ型現像液とは低露光部及び未露光部を選択的に溶解除去させる現像液のことである。ネガ型現像液に含有される有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、メトキシベンゼン等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-アミルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらのうち、酢酸n-ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、メチルエチルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-n-アミルケトンが好ましい。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。現像液中の有機溶媒の含有量は80質量以上である。現像液中の有機溶媒の含有量を80質量以上とすることにより、露光の有無によるパターンのコントラストを向上させることができ、その結果、現像特性及びリソグラフィー特性に優れたパターンを形成することができる。なお、有機溶媒以外の成分としては、例えば、水、シリコンオイル等が挙げられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。当該パターン形成では、工程3の現像後にレジスト膜をリンス液により洗浄することが好ましい。また、リンス工程におけるリンス液としても有機溶媒を使用することができ、発生したスカムを効率よく洗浄することができる。リンス液としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が好ましい。これらのうちアルコール系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、炭素数6~8の1価のアルコール系溶媒がより好ましい。炭素数6~8の1価のアルコールとしては直鎖状、分岐状又は環状の1価のアルコールが挙げられ、例えば1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのうち、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、4-メチル-2-ペンタノールが好ましい。上記リンス液の各成分は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、さらに好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。なお、リンス液には後述する界面活性剤を添加できる。洗浄処理の方法としては、例えば一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。<感放射線性樹脂組成物>本発明に用いられる感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、及び[B]酸発生体を含有し、さらに、本発明の効果を損なわない限度において、任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、ポリスチレン換算重量平均分子量が6,000を超え、酸解離性基を含む構造単位Iを有し、水酸基を含む構造単位の含有割合が5モル未満である重合体である。[A]重合体が、上記特定の性質を有することで、当該レジストパターン形成方法によると、得られるレジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制でき、また、CDU等により優れるパターンを形成することができる。当該レジストパターン形成方法において、[A]重合体が上記特性を有することで、レジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制し、かつ[A]重合体を含有する感放射線性樹脂組成物のリソグラフィー特性を向上できる理由については必ずしも明らかではないが、例えば、露光により生成する[A]重合体中のカルボキシル基同士やカルボキシル基と水酸基との間の相互作用が膜減りの原因の一つとなっていると考えられ、[A]重合体の分子量及び水酸基を含む構造単位の含有割合を上記範囲とすることでその相互作用が構造的に抑制されること等が考えられる。また、CDU等を指標としたリソグラフィー性能についても、膜減りが抑制された効果に加え、[A]重合体の分子量及び水酸基を含む構造単位の含有割合を上記範囲とすることで、露光の有無による[A]重合体の極性の差異が増大し、コントラストが向上したこと等が考えられる。一方、[A]重合体は所定値を超える分子量を有しており、有機溶媒を含有する現像液に対する溶解性が低くなっているので、より少ない露光量でパターンを形成することができる。そのため、パターン形成において生成するカルボキシル基の量をさらに抑えることができ、カルボキシル基同士の相互作用を減少させることができるので、膜減りをさらに抑制することができる。[A]重合体のポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいう。は6,000を超えることを要する。[A]重合体のMwが6,000を超えることにより、後述する水酸基を含む構造単位の含有割合を所定割合未満とすることとの相乗効果として、得られるレジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制すると共に、CDU等のリソグラフィー特性を向上させることができる。[A]重合体のMwは通常6,000を超え100,000以下であり、好ましくは6,000を超え30,000以下であり、より好ましくは8,000を超え20,000以下である。[A]重合体のMwが6,000以下だと、得られるレジストパターンの膜減りが顕著となり、エッチング耐性が低下し、またCDU等のリソグラフィー特性も顕著に低下する傾向がある。また、Mwが100,000を超えると、露光の有無による[A]重合体の溶解性の差が小さくなり、リソグラフィー特性が低下するおそれがある。[A]重合体のポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいう。は、2,000~60,000であり、3,000~40,000が好ましく、4,000~20,000が特に好ましい。[A]重合体の重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。なお上記Mw及びMnの値は、標準ポリスチレンを基準としたゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC測定により求めることができる。[A]重合体中の低分子量成分の含有量としては、0.15質量以下が好ましく、0.07質量以下がより好ましく、0.04質量以下がさらに好ましい。低分子量成分の含有量が上記範囲であると、得られるレジスト膜のパターン形成後に生じるカルボキシル基間等の相互作用がより起こりにくくなり、膜減りをさらに抑制できる。なお、低分子量成分とは、分子量が1,000未満の成分を意味し、その含有量は、高速液体クロマトグラフィーHPLCで測定することができる。[酸解離性基を含む構造単位I][A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位以下、構造単位Iともいう。を有している。ここで、酸解離性基とは、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、露光により[B]酸発生体から発生した酸の作用により解離する基を意味する。[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位を有しているので、露光によりカルボキシル基等の極性官能基の数が増大し、重合体全体として極性が増大して、有機溶媒を含有する現像液に対する溶解性が低下することにより、良好なレジストパターンを形成することができる。構造単位Iとしては、構造単位中に酸解離性基を有している限り、特に限定されない。構造単位I中の酸解離性基は1個でもよく、2個以上でもよい。また、構造単位Iにおける酸解離性基の位置についても、極性官能基中の水素原子を置換している限り、特に限定されない。酸解離性基としては、上記酸解離性を有する限り特に限定されるものではない。上記酸解離性基としては、脂環式炭化水素基を有するものが好ましい。酸解離性基が脂環式炭化水素基を有していることで、酸解離性基が解離し易くなり、その結果得られるレジスト膜のリソグラフィー特性がさらに向上する。構造単位Iの好ましい具体例としては、上記式1で表される構造単位以下、構造単位I-1ともいう。が挙げられる。[構造単位I-1]構造単位I-1は、上記式1で表される構造単位である。構造単位I-1の酸解離性基の構成炭素数が比較的小さいので、パターン形成後における[A]重合体の分子量の減少を小さくすることができ、その結果、パターン形成後の膜減りをより抑制することができる。また、上記同様の理由で、解離した酸解離性基由来の物質がレジスト膜中に留まることがほとんどないので、結果として、[B]酸発生体から発生した酸の拡散が抑えられ、それによってCDU等のリソグラフィー特性がより向上する。また、構造単位I-1を与える単量体は共重合性に優れるので、[A]重合体中の酸解離性基の含有量を、簡便に所望の割合に設定することができる。さらに、構造単位I-1を与える単量体は、合成容易であるので、[A]重合体の酸解離性基を、簡便に所望の構造に設定することができる。上記式1において、Rは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは上記式iで表される。上記式i中、Rp1~Rp3は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基であるか、又は炭素数4~9の脂環式炭化水素基である。但し、RP1~RP3のうち少なくとも2つが互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~9の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記式iにおけるRp1~Rp3で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記式iにおけるRp1~Rp3で表される炭素数4~9の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基、及びこれらの単環又は多環の脂環式基を有する炭化水素基等が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。上記式iにおけるRP1~RP3のうち少なくとも2つが互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に形成する2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、上記式iにおけるRp1~Rp3で表される炭素数4~9の1価の脂環式炭化水素基の例として挙げた1価の基から、水素原子を1個除いた基が挙げられる。上記Rp1~Rp3の組合せの中で、上記式iにおけるRp1、Rp2及びRp3が炭素数1~4のアルキル基であるか、又はRp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が互いに結合してそれぞれの結合している炭素原子とともに炭素数4~9の2価のシクロアルカン骨格等の脂環式炭化水素基を形成することがさらに好ましい。Rp1~Rp3を含む酸解離性基が上記構造を有することで、パターン形成前後での[A]重合体の分子構造変化をより小さくでき、また、酸解離性基が解離し易くなるため、膜減りをさらに抑制できると共に、MEEF等を指標としたリソグラフィー特性がさらに向上する。構造単位I-1の好ましい例としては、例えば下記式1-1~1-4で示される構造単位が挙げられる。式1-1~1-4中、Rは上記式1と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は上記式iと同義である。npは1~4の整数である。上記式1又は1-1~1-4で表される構造単位の具体例としては、例えば下記式で表される構造単位が挙げられる。式中、Rは上記式1と同義である。これら上記式1及び上記式1-1~1-4で表される構造単位の具体例の中で、酸解離性基として、1位がアルキル基で置換されたノルボルニル基又はシクロアルキル基を有する構造単位が好ましく、その中でも、酸解離性基として、1位がアルキル基で置換されたシクロペンチル基、シクロヘキシル基を有する構造単位、及びt-ブチル基がより好ましい。[構造単位I-2]上記構造単位Iとしては、上記構造単位I-1の他に、解像性、未露光部の溶解性等を調節することを目的として、例えば下記式2で表される構造単位以下、構造単位I-2ともいうを有していてもよい。上記式2中、Rb1は、水素原子又はメチル基である。Rb2は、炭素数10~20の1価の脂環式基を含む基である。この脂環式基は水素原子の一部又は全部が炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよい。Rb2が表す炭素数10~20の1価の脂環式基としては、例えばトリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の有橋脂環式基等が挙げられる。構造単位I-2としては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、Rb1は上記式2と同義である。[A]重合体における構造単位Iの含有割合の下限としては、5モルが好ましく、10モルがより好ましく、20モルがさらに好ましく、30モルが特に好ましく、40モルが最も好ましい。一方、構造単位Iの含有割合の上限としては、90モルが好ましく、80モルがより好ましく、70モルがさらに好ましく、60モルが特に好ましい。構造単位Iの含有割合が上記下限より小さいと、得られる感放射線性樹脂組成物の感度が低下するおそれがある。逆に、構造単位Iの含有割合が上記上限を超えると、パターン形成性が低下するおそれがある。[A]重合体は構造単位Iを1種、又は2種以上有してもよい。[A]重合体における構造単位I中の構造単位I-1の割合としては、通常通常60~95モルであり、好ましくは65~95モルであり、さらに好ましくは70~90モルである。構造単位I-1の割合が上記範囲にあると、得られるレジスト膜の有機溶剤に対する溶解性が好ましい値となることから、高解像度のパターン形成と、パターン形成後の膜減り抑制を両立することができる。[水酸基を含む構造単位II][A]重合体は、水酸基を含む構造単位以下、構造単位IIともいう。を有していてもよいが、その含有率は5モル未満であることを要する。構造単位IIの含有量が5モル未満であることで、上述した[A]重合体のスチレン換算重量平均分子量が所定値を超えることとの相乗効果により、得られるレジスト膜のパターン形成後の膜減りを抑制することができる。また、膜減りを抑制することに加え、[A]重合体の酸解離性基の解離前後で、[A]重合体の極性変化をより増大させることができるので、その結果、CDU等のリソグラフィー特性を向上させることができる。[A]重合体における構造単位IIの含有率としては、4モル以下が好ましく、2モル以下がより好ましく、0モル、すなわち[A]重合体が構造単位IIを有しないことが特に好ましい。構造単位IIとしては、構造単位中に水酸基を有する限り、特に限定されない。構造単位II中における水酸基の数は1個でもよく、2個以上であってもよいが、パターン形成前後の[A]重合体の極性変化を大きくする観点から、水酸基の数は少ない方が好ましく、2個以下がより好ましく、1個が特に好ましい。また、構造単位II中における水酸基の位置も特に限定されない。構造単位IIの具体例としては、下記式で表される構造単位が挙げられる。上記式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[ラクトン含有基又は環状カーボネート含有基を含む構造単位III][A]重合体は、ラクトン含有基又は環状カーボネート含有基を含む構造単位以下、構造単位IIIともいう。を有することが好ましい。[A]重合体は、構造単位IIIを有することで、レジスト膜の基板への密着性を向上することができる。また、レジスト膜の現像液への可溶性を高めることができる。ここで、ラクトン含有基とは、-O-CO-で表される結合を含むひとつの環ラクトン環を含有する環式基を示す。また、環状カーボネート含有基とは、-O-CO-O-で表される結合を含むひとつの環環状カーボネート環を含有する環式基を示す。ラクトン環又は環状カーボネート環を1つめの環として数え、ラクトン環又は環状カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。構造単位IIIとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、RL1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。構造単位IIIとしては、ラクトン基、環状カーボネート基及びエステル基以外の極性基を有さない又は露光により[B]酸発生体の作用により極性基を生じる官能基を有さないことが好ましい。極性基や極性基を生じる官能基を有さないと、露光の有無による[A]重合体の極性の差異をより大きくすることができるので、CDU等のリソグラフィー特性をさらに向上させることができる。上記極性基としては、例えば、シアノ基、アルコキシ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、アミド基等が挙げられる。また、上記[B]酸発生体の作用により極性基を生じる官能基としては、例えばアセタール基、ケタール基、カーバメート基等が挙げられる。構造単位IIIを生じさせる単量体としては、例えば下記式L-1で表される単量体等が挙げられる。上記式L-1中、RL1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL2は単結合又は2価の連結基である。RL3はラクトン構造又は環状カーボネート構造を有する1価の有機基である。RL2が示す2価の連結基としては、例えば炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐状の炭化水素基等が挙げられる。RL3が示すラクトン構造を有する1価の有機基としては、例えば下記式L3-1~L3-6で表される基等が挙げられ、RL3が示す環状カーボネート構造を有する1価の有機基としては、例えば下記式L3-7及びL3-8で表される基等が挙げられる。式L3-1及びL3-4中、RLc1は酸素原子又はメチレン基である。式L3-3中、RLc2は水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。式L3-1及びL3-2中、nLc1は0又は1である。式L3-3中、nLc2は0~3の整数である。式L3-7中、nc1は0~2の整数である。式L3-8中、nc2~nc5は、それぞれ独立して、0~2の整数である。は上記式L-1中のRL2に結合する結合手を示す。なお、式L3-1~L3-8で表される基は置換基を有していてもよい。上記構造単位IIIを与える好ましい単量体としては、例えば国際公開2007/116664号パンフレット段落[0043]に記載の単量体等が挙げられる。[A]重合体において、構造単位IIIの含有割合は30モル~60モルであることが好ましい。[A]重合体における構造単位IIIの含有量が上記範囲であることによって、得られるレジストパターンの密着性を向上させることができる。[他の構造単位][A]重合体は、さらにエッチング耐性を高めるために脂環式構造を含む構造単位但し、構造単位Iと重複するものを除く。等を有してもよい。上記脂環式構造を含む構造単位としては、例えば下記式4で表される構造単位等が挙げられる。上記式4中、R6は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。X2は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。X2で表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等から水素原子を1個除いた基が挙げられる。これらの炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子等が挙げられる。上記脂環式構造を含む構造単位を与える単量体としては、例えばメタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。[A]重合体において、構造単位I、構造単位II、構造単位III及び他の構造単位は、それぞれの構造単位を1種のみを有していても2種以上を含有してもよい。なお、[A]重合体は芳香族基を有する構造単位を含まないことが好ましい。[A]重合体が芳香族基を有する構造単位を含むと、特にArF光源を用いる場合、感度の低下の原因となる場合があり、さらにネガ型現像液を用いて現像すると形状が劣化する場合がある。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。上記ラジカル重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等を挙げることができる。この中で、AIBN及びジメチル2,2’-アゾビスイソブチレートが好ましい。これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ、カルボキシル基等の極性基を生成させ、その結果、[A]重合体が有機溶媒を含有する現像液に難溶性となる。当該感放射線性樹脂組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤と称することがあるでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、2-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、2-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-3-テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル-1,1-ジフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等を挙げることができる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[B]酸発生体は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の使用量としては、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上30質量部以下、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下である。この場合、[B]酸発生剤の使用量が0.1質量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方30質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体以外に、本発明の効果を損なわない限度において、任意成分として、フッ素原子含有重合体、酸拡散制御体、溶媒、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。<フッ素原子含有重合体>当該感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子含有重合体但し、[A]重合体を除く。を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表層に偏在化する傾向があるため、液浸露光時において、膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸媒体への溶出を抑制することができる。また、このフッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角を高くすることができ、その結果、水滴を残さず、高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性樹脂組成物がフッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト膜を形成することができる。上記フッ素原子含有重合体としては、フッ素原子を含有する重合体である限り、特に限定されないが、通常、フッ素原子を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成することができる。フッ素原子を構造中に含む単量体としては、主鎖にフッ素原子を含むもの、側鎖にフッ素原子を含むもの、主鎖と側鎖とにフッ素原子を含むものが挙げられる。主鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えばα-フルオロアクリレート化合物、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-フルオロアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-フルオロアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えばノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの、アクリル酸あるいはメタクリル酸とフルオロアルキルアルコールやその誘導体とから形成されるエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導体であるもの等が挙げられる。主鎖と側鎖にフッ素原子を含む単量体としては、例えばα-フルオロアクリル酸、β-フルオロアクリル酸、α,β-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-ジトリフルオロメチルアクリル酸等とフルオロアルキルアルコールやその誘導体とから形成されるエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素原子あるいはフルオロアルキル基やその誘導基で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基等で置換し、かつ側鎖がフルオロアルキル基やその誘導基であるもの等が挙げられる。なお、この脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。上記フッ素原子含有重合体において、フッ素原子を付与する構造単位は、特に限定されるものではないが、下記式F1で表される構造単位以下、構造単位F-Iともいう。をフッ素原子付与構造単位として用いることが好ましい。上記式F1中、R3は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Aは、単結合又は2価の連結基である。R4は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導基である。上記式F1におけるAは2価の連結基を表し、例えば、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等を挙げることができる。上記構造単位F-Iを与える好ましい単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステルが挙げられる。上記フッ素原子含有重合体において、構造単位F-Iの含有率としては、通常5モル以上、好ましくは10モル以上、より好ましくは15モル以上である。構造単位F-Iの含有率が5モル未満であると、70度以上の後退接触角を達成できなかったり、レジスト膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できないおそれがある。上記フッ素原子含有重合体は、構造単位F-Iを1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。フッ素原子含有重合体には、上述のフッ素原子を構造中に有する構造単位以外にも、例えば、現像液に対する溶解速度をコントールするために酸解離性基を有する構造単位や、ラクトン骨格や水酸基、カルボキシル基等を有する構造単位、又は脂環式基を有する構造単位や、基板からの反射による光の散乱を抑えるために、芳香族化合物に由来する構造単位等の他の構造単位を1種類以上含有させることができる。上記酸解離性基を有する構造単位としては、下記式F2で表される構造単位以下、構造単位F-IIともいう。が挙げられる。式F2中、R5は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R6~R8は、それぞれ独立して、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導基、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。上記式F2のR5で表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタンや、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類等の脂環族環に由来する基;これらの脂環族環に由来する基の水素原子の一部又は全部を、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3~10のシクロアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を挙げることができる。また、R6~R8のうち、いずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導基を形成してもよい。これらの脂環式炭化水素基のうち、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロペンタン又はシクロヘキサンの脂環族環に由来する基や、これらの脂環族環に由来する基の水素原子を上記アルキル基で置換した基が好ましい。また、上記式F2のR6~R8で表される炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。上記式F2において、好ましい酸解離性基、すなわち、エステル基の酸素原子に結合する基の例としては、t-ブチル基、1-n-1-エチル-1-メチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルブチル基、1-n-1,1-ジメチルペンチル基、1-1,1-ジエチルプロピル基、1-n-1,1-ジエチルブチル基、1-n-1,1-ジエチルペンチル基、1-1-メチルシクロペンチル基、1-1-エチルシクロペンチル基、1-1-n-プロピルシクロペンチル基、1-1-i-プロピルシクロペンチル基、1-1-メチルシクロヘキシル基、1-1-エチルシクロヘキシル基、1-1-n-プロピルシクロヘキシル基、1-1-i-プロピルシクロヘキシル基、1-{1-メチル-1-2-ノルボニル}エチル基、1-{1-メチル-1-2-テトラシクロデカニル}エチル基、1-{1-メチル-1-1-アダマンチル}エチル基、2-2-メチルノルボニル基、2-2-エチルノルボニル基、2-2-n-プロピルノルボニル基、2-2-i-プロピルノルボニル基、2-2-メチルテトラシクロデカニル基、2-2-エチルテトラシクロデカニル基、2-2-n-プロピルテトラシクロデカニル基、2-2-i-プロピルテトラシクロデカニル基、1-1-メチルアダマンチル基、1-1-エチルアダマンチル基、1-1-n-プロピルアダマンチル基、1-1-i-プロピルアダマンチル基や、これらの脂環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~10の環状のアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を挙げることができる。上記構造単位F-IIを与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-メチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチル-3-ヒドロキシアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-n-プロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-イソプロピルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-8-メチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-8-エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエステル、メタアクリル酸-4-メチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸-4-エチルテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-テトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジシクロヘキシルエチルエステイル、メタアクリル酸1,1-ジビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジテトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカン-4-イルエチルエステル、メタアクリル酸1,1-ジアダマンタン-1-イルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が挙げられる。これらの単量体のなかでも、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステルが好ましい。上記ラクトン骨格を有する構造単位としては、[A]重合体の構造単位IIIと同様のものを使用することができる。以下、構造単位F-IIIともいう。上記脂環式基を有する構造単位以下、構造単位F-IVともいう。としては、例えば下記式F4で表される構造単位等を挙げることができる。式F4中、R9は、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。Xは、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。上記式F4のXで表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等のシクロアルカン類の脂環族環に由来する炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカン由来の脂環族環に由来する炭素水素基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~10のシクロアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換してもよい。置換基は、これらアルキル基及びシクロアルキル基に限定されるものではなく、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素原子で置換されたものであってもよい。上記構造単位F-IVを与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。また、上記芳香族化合物に由来する構造単位以下、構造単位F-Vともいう。を生じさせる好ましい単量体としては、例えばスチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。上記フッ素原子含有重合体が有する他の構造単位として、構造単位F-II、構造単位F-III、構造単位F-IV、構造単位F-Vを1種のみ有してもよいし、2種以上を有していてもよい。上記フッ素原子含有重合体において、これらの他の構造単位の含有率としては、フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対し通常80モル以下であり、75モル以下が好ましく、70モル以下がより好ましい。<フッ素原子含有重合体の合成方法>上記フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。[酸拡散制御体]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。また、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上させ、またレジストとしての解像度がさらに向上させると共に、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、優れたプロセス安定性を付与することができる。なお、酸拡散制御体の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基は、露光部においては酸を発生して[A]重合体の現像液に対する不溶性を高め、結果として現像後の露光部表面のラフネスを抑制する。一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されクエンチャーとして機能し、露光部から拡散する酸を捕捉する。すなわち、未露光部のみにおいてクエンチャーとして機能するため、脱保護反応のコントラストが向上し、結果として解像度をより向上させることができる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式D1で示されるスルホニウム塩化合物、下記式D2で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。上記式D1及び式D2中、R10~R14はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は-SO2-RCである。RCは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基である。Z-は、OH-、R15-COO-、RD-SO2-N-―R15、R15-SO3-又は下記式D3で示されるアニオンである。R15は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアルカリール基である。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RDは、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有してもいてもよい炭素数3~20のシクロアルキル基である。上記アルキル基及びシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。但し、Z-がR15-SO3-の場合、SO3-が結合する炭素原子にフッ素原子が結合する場合はない。上記式D3中、R16は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基である。uは0~2の整数である。上記R10~R14としては、水素原子及び-SO2-RCが好ましい。また、上記RCとしては、シクロアルキル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。上記R15で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i―ブチル基、t-ブチル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるアルカリール基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基が有する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ラクトン基、アルキルカルボニル基等が挙げられる。上記RDで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記RDで表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記光崩壊性塩基としては、例えば、下記式で表される化合物等を挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物において、酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部未満が好ましい。合計使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。これらの酸拡散抑制剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[溶媒]当該組成物は通常溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体、[B]酸発生体、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。溶媒の具体例としては、上述のレジストパターン形成方法における工程3において列挙した有機溶媒と同様のものが挙げられる。これらのうち酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名でKP341信越化学工業社、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学社、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ社、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業社、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム社、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子工業社等が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物の調製>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば有機溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、及び任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該感放射線性樹脂組成物は、適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を下記に示す。[重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]重合体のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、以下の条件により測定した。溶離液:テトラヒドロフラン和光純薬工業社製流量:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン[低分子量成分含有量][A]重合体中の低分子量成分分子量1,000未満の成分の含有量質量は、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより、ジーエルサイエンス社製InertsilODS-25μmカラム4.6mmφ×250mmを使用し、以下の条件により測定した。溶離液:アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液流量:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計[13C-NMR分析]:日本電子社製JNM-EX400を使用し、測定溶媒としてDMSO-d6を使用して分析を行った。<[A]重合体の合成>各合成例において、重合体A-1~A-13、a-1及びa-2、並びに後述するフッ素原子含有重合体C-1は、下記式M-1~M-10でそれぞれ表される化合物以下、化合物M-1のように称することがある。を用いて合成した。[合成例1:重合体A-1の合成]化合物M-143.08g50モル、及び化合物M-756.92g50モルを200gの2-ブタノンに溶解し、AIBN4.21g単量体化合物の総量に対し5モルを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。2,000gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を400gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た73g、収率73。得られた重合体A-1のMwは、7,730であり、Mw/Mnは1.51であり、低分子量成分含有量は0.05質量であった。また、13C-NMR分析の結果、重合体A-1における化合物M-1由来の構造単位及び化合物M-7由来の構造単位の含有率は、それぞれ47.3モル及び52.7モルであった。[合成例2~17]合成例1において、用いた各単量体化合物の種類及び配合量、及び重合開始剤であるAIBNの仕込み量単量体化合物の総量に対するモル比を表1に記載の通りとした以外は、合成例1と同様に操作して重合体A-2~A-15並びに重合体a-1及びa-2を得た。また、得られた各重合体の各単量体化合物に由来する構造単位の含有率、Mw、Mw/Mn比、低分子量成分含有量をあわせて表1に示す。<[C]フッ素原子含有重合体の合成>[合成例18:重合体C-1の合成]化合物M-271.67g70モル、及び化合物M-928.33g30モルを100gの2-ブタノンに溶解し、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート10.35gを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。反応溶液を4L分液漏斗に移液した後、300gのn-ヘキサンでその重合溶液を均一に希釈し、1,200gのメタノールを投入して混合した。次いで、60gの蒸留水を投入し、さらに攪拌して30分静置した。その後、下層を回収し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液とした収率60。得られた重合体C-1のMwは7,200であり、Mw/Mnは2.00であり、低分子量成分含有量は0.07質量であった。また、13C-NMR分析の結果、重合体C-1における化合物M-2由来の構造単位及び化合物M-9由来の構造単位の含有率は、それぞれ71.1モル及び28.9モルであった。<感放射線性樹脂組成物の調製>上記実施例及び合成例にて調製した重合体A-1~A-15、a-1及びa-2並びにC-1以外の感放射線性樹脂組成物を構成する各成分[B]酸発生剤、[D]酸拡散制御剤及び[E]溶媒について以下に示す。[B]酸発生剤下記式B-1及びB-2でそれぞれ表される化合物B-1:トリフェニルスルホニウム6-アダマンチルカルボニルオキシ-1,1,2,2-テトラフルオロヘキサン-1-スルホネートB-2:2-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート[D]酸拡散制御剤下記式D-1~D-6でそれぞれ表される化合物D-1:4-ヒドロキシ-N-アミロキシカルボニルピペリジンD-2:トリフェニルスルホニウムサリチレートD-3:トリフェニルスルホニウムカンファースルホネートD-4:トリフェニルスルホニウムN-n-ブチルトリフルオロメチルスルホンアミドD-5:4-シクロヘキシルスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム1,2-ジシクロヘキシルオキシカルボニルエタン-1-スルホネートD-6:4-シクロヘキシルスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム1,2-ジノルボルナンラクトニルオキシカルボニルエタン-1-スルホネート[E]溶媒E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[実施例1]合成例1で得られた重合体A-1100質量部、合成例11で得られたフッ素原子含有重合体C-13質量部、酸発生剤B-111質量部、酸拡散制御剤D-24.5質量部、並びに溶媒E-11,620質量部、E-2700質量部、及びE-330質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過して感放射線性樹脂組成物J-1を調製した。[実施例2~19及び合成例19~21]下記表2に記載した種類及び配合量の各成分を混合した以外は、実施例1と同様にして各感放射線性樹脂組成物J-2~J-21及びj-1~j-3を調製した。<レジストパターンの形成>[実施例22]膜厚105nmの下層反射防止膜ARC66、日産化学社製を形成した12インチシリコンウェハ上に、実施例1で調製した感放射線性樹脂組成物J-1によって、膜厚100nmの被膜を形成し、90°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社製を用い、NA=1.3、iNA=1.27、ratio=0.800、Quadrupoleの条件により、縮小投影後のパターンが55nmドット110nmピッチとなるマスクパターンを介して露光した。露光後、105°Cで60秒間ポストエクスポージャーベークPEBを行った。その後、メチル-n-アミルケトンにより23°Cで30秒間現像し、4-メチル-2-ペンタノールで10秒間リンス処理を行った後、乾燥して、レジストパターンを得た。このとき、55nmドット110nmピッチのマスクパターンを介して露光した部分が、直径55nmのホールパターンを形成する露光量を最適露光量Eop単位:mJ/cm2とした。なお測長には走査型電子顕微鏡CG-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。[実施例23~42及び比較例1~3]使用した感放射線性樹脂組成物、及びPEB温度を表3に記載した通りとした以外は、実施例22と同様にして、レジストパターンを形成した。<評価>レジスト膜の膜減り量については、下記方法によってレジスト膜を形成し評価した。また、CDUniformityCDU、マスクエラーファクターMEEF及び解像性については、上記実施例22~42及び比較例1~3で得られたレジストパターンについて、ArFエキシマレーザーを光源として、評価を行った。得られた評価結果を表3に示す。[膜減り量]まず、膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製を形成した8インチシリコンウェハ上に、上記実施例及び比較例で調製した感放射線性樹脂組成物によって、初期膜厚150nmの被膜を形成し、90°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー露光装置NSRS306C、NIKON社製を用い、NA=0.78、sigma=0.90、Conventionalの条件により、マスクを介する事無く、上記の直径55nmのホールパターンを形成する最適露光量Eopでウェハ全面を露光した。露光後、PEBを表3に記載の温度で60秒間行った。その後、メチル-n-アミルケトンにより23°Cで30秒間現像し、4-メチル-2-ペンタノールで10秒間リンス処理を行った後、乾燥を行った。一連のプロセス完了後の残存被膜の膜厚を測定し、初期膜厚から残存膜厚を引いた値を膜減り量単位:nmとした。なお、膜厚測定には光干渉式膜厚測定装置ラムダエース、大日本スクリーン製造社製を用いた。測定された膜減り量が、20nm未満の場合を良好、20nm以上の場合を不良として評価した。得られた膜減り量の値について表3に示す。[CriticalDimensionUniformityCDU]上記各実施例及び比較例のパターン形成において上記Eopにて形成された直径55nmのホールパターンを計30個測長し、計30個の測長値の平均偏差を算出し、3倍した値をCDUとして算出した。CDUの値が2.50未満の場合を良好、2.50以上3.50未満の場合をやや良好、3.50以上の場合を不良として評価した。得られたCDUの値について表3に示す。[マスクエラーファクターMEEF]上記各実施例及び比較例のパターン形成の場合と同様にして、上記Eopにて、縮小投影後のパターンのドット直径が51nm、53nm、55nm、57nm、59nmとなるマスクパターン部分を用いてレジスト膜に形成されたホールの直径nmを縦軸に、マスクパターンのサイズnmを横軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。MEEF直線の傾きは、その値が1に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。値が3.50未満の場合を良好、3.50以上4.50未満の場合をやや良好、4.50以上の場合を不良として評価した。得られたMEEFの値について表3に示す。[解像性]上記各実施例及び比較例のパターン形成において、上記Eop以上の露光量にて縮小投影後のパターンが55nmドット110nmピッチとなるマスクパターンを介して露光した際、露光量の増加に伴い得られるホールパターンの最小寸法を測定し解像性単位:nmを評価した。最小寸法が50nm未満の場合を良好、50nm以上の場合を不良とした。得られた解像性について表3に示す。表3で示されるように、本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジスト膜のパターン形成時における膜減りを抑制することができると共に、CDU、MEEFに優れたレジストパターンを形成することができた。また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、解像性を十分満足することがわかった。"