"半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給工程と、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材を前記表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、前記供給工程及び前記配置工程により、凹凸面となった前記表面を形成する凹凸形成工程と、を含む、半導体装置の製造方法。半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給工程と、凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材を前記半導体基板の表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、前記供給工程及び前記配置工程により、凹凸面となった前記半導体基板の表面を形成する凹凸形成工程と、を含む、半導体装置の製造方法。前記触媒材が、白金Pt、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、及びそれらの内の少なくとも1つを含む合金の群、から選ばれる少なくとも1種である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記配置工程において、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状のロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に接触又は近接する前記配置状態を維持しつつ、前記ロール体を前記表面に対して相対的に移動かつ回転させる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記ロール体が、前記処理液を供給している、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記配置工程において、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状の、スポンジ材料によって形成されたロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に当接させた状態を維持しつつ、前記ロール体を前記表面に対して相対的に移動かつ回転させる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記処理液が、過酸化水素水H2O2、二クロム酸カリウムK2Cr2O7水溶液、マンガン酸カリウムKMnO4水溶液、硝酸H2SO4、硫酸等HNO3、及び、酸素O2又はオゾンO3を溶解させた水の群から選ばれる少なくとも1種の酸化剤と、フッ化水素酸HFとの混合水溶液である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記転写用部材が、シリコン基板であり、かつ前記転写用部材の表面上に形成された層間膜上に前記触媒材を有する、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記触媒材が、スパッタリング法、メッキ法、又はCVD法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体装置が、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えた装置、又は大規模集積回路LSIを備えた装置である、請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給装置と、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材を前記表面に接触又は近接するように配置する配置装置と、を備える、半導体装置の製造装置。半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、前記半導体基板の表面上に供給する供給装置と、凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置する配置装置と、を備える、半導体装置の製造装置。前記配置装置は、ロール体を備え、かつ前記ロール体の回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状の前記ロール体表面上に沿って設けられた前記メッシュ状転写用部材の少なくとも一部を前記表面に対向させるとともに、前記触媒材が前記表面に接触又は近接する前記配置状態を維持しつつ、前記ロール体を前記半導体基板の表面に対して相対的に移動かつ回転させる、請求項11に記載の半導体装置の製造装置。前記ロール体が、前記処理液を供給している、請求項13に記載の半導体装置の製造装置。触媒材を備えるメッシュ状部材であって、半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、前記触媒材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、前記表面を凹凸状に変形させる、転写用部材。凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備え、半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、前記触媒材を前記半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、前記表面を凹凸状に変形させる、転写用部材。前記転写用部材が、回転軸に垂直な断面形状が円状、多角形状、又は扇状のロール体の表面上に沿って設けられている、請求項15に記載の転写用部材。半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液が前記半導体基板の表面上に導入されるとともに、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材が前記表面に接触又は近接した状態で形成される多孔質の凹凸形状を、電極が形成されていない前記表面が備えた、半導体装置。前記半導体装置が、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えた装置、又は大規模集積回路LSIを備えた装置である、請求項18に記載の半導体装置。しかしながら、上述の凹凸構造の形成方法は、凹凸形状の形成に関する制御性が十分とはいえない。具体的には、上記の方法では、まず、シリコン基板表面上の金属がシリコン基板表面に析出することにより、その金属が分解触媒として機能することになると考えられる。そうすると、その金属の析出の位置や分布を自在に制御できるものではないため、形成される凹凸の大きさや分布の一様性を確保することは極めて困難であり、またそれらの再現性にも乏しい。さらに、表面凹凸構造を作製した後に金属を除去することは困難である。加えて、そのような一様な凹凸を形成するための具体的手段についても、その工業性ないし量産性を念頭に置いた研究及び開発をすることが、産業界の要請に応えることになる。本発明は、上述の技術的課題の少なくとも1つを解決することにより、半導体基板上に、工業性ないし量産性に優れた、均一性かつ再現性の良い凹凸形状の表面を実現する。その結果、本発明は、太陽電池に代表される、各種の半導体装置の安定した高性能化とその工業化の実現に大きく貢献するものである。本発明の1つの半導体装置の製造方法は、半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、その半導体基板の表面上に供給する供給工程と、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材をその表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、前述の供給工程及び前述の配置工程により、凹凸面となった前述の表面を形成する凹凸形成工程とを含む。この半導体装置の製造方法によれば、転写用部材が備えるメッシュ形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材のメッシュ形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置が得られる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切なメッシュ形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。本発明のもう1つの半導体装置の製造方法は、半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、その半導体基板の表面上に供給する供給工程と、凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材をその半導体基板の表面に接触又は近接する配置状態にする配置工程と、前述の供給工程及び前述の配置工程により、凹凸面となった前述の半導体基板の表面を形成する凹凸形成工程とを含む。この半導体装置の製造方法によれば、転写用部材が備える凹凸形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置が得られる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切な凹凸形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。また、本発明の1つの半導体装置の製造装置は、半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、その半導体基板の表面上に供給する供給装置と、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材をその表面に接触又は近接するように配置する配置装置とを備える。この半導体装置の製造装置によれば、転写用部材が備えるメッシュ形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材のメッシュ形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置を製造することができる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切なメッシュ形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。また、本発明のもう1つの半導体装置の製造装置は、半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液を、その半導体基板の表面上に供給する供給装置と、凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備える転写用部材をその半導体基板の表面に接触又は近接するように配置する配置装置とを備える。この半導体装置の製造装置によれば、転写用部材が備える凹凸形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置を製造することができる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切な凹凸形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。また、本発明の1つの転写用部材は、触媒材を備えるメッシュ状部材であって、半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、その触媒材をその半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、その表面を凹凸状に変形させるものである。この転写用部材によれば、転写用部材が備えるメッシュ構造に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材のメッシュ構造をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を安定的に供給することができる。また、本発明のもう1つの転写用部材は、凹凸が形成された表面上又はその上方に触媒材を備え、半導体基板の表面上に酸化性及び溶解性を有する処理液が存在する状態で、その触媒材をその半導体基板の表面に接触又は近接するように配置することにより、その表面を凹凸状に変形させるものである。この転写用部材によれば、転写用部材が備える凹凸形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を安定的に供給することができる。また、本発明の1つの半導体装置は、半導体基板を酸化し、かつ溶解する処理液がその半導体基板の表面上に導入されるとともに、触媒材を備えるメッシュ状転写用部材がその表面に接触又は近接した状態で形成される多孔質の凹凸形状を、電極が形成されていない前述の表面が備えたものである。この半導体装置によれば、転写用部材が備えるメッシュ形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材のメッシュ形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備えた半導体装置となる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切なメッシュ形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置が得られる。なお、上述の各発明において、転写用部材は、処理対象となる半導体基板に対して酸化性及び溶解性を有する処理液を作用させることにより半導体基板表面の凹凸を形成する際に、そのような処理液に対する耐性代表的には、エッチング耐性又は不溶性のある材質であることが好ましい。特に限定されないが、転写用部材として結晶性の半導体基板又はメッシュ構造を備えた部材が採用され得る。なお、転写用部材における凹凸は、前述のような湿式化学的エッチングを用いて形成される場合に限定されない。例えば、半導体技術あるいはMEMS技術による等方性又は異方性ドライエッチングや、ナノインプリント法によって形成される微細な凹凸形状も適用され得る。また、上述の各発明において、メッシュ状部材には、図9に代表される縦線と横線とが交差するように例えば網目状に、形成されている場合に限定されない。例えば、縦線のみ、又は横線のみの形状や構造、あるいは一部の領域が縦線又は横線のみであって、その他の領域は縦線と横線とが交差する形状や構造であっても、メッシュ状部材に含まれる。また、本発明者は、半導体基板の凹凸の形成メカニズムを次のとおり想定している。まず、転写用部材の表面の凹凸面やメッシュ構造上に存在する触媒材を半導体基板面に接触させたとき、その触媒材が電気化学反応の陰極として働き、触媒材の表面で酸化剤の分解反応が起こる。一方、陽極反応がシリコン表面で起こる。可能性の高い陽極反応として、次の反応式が考えられる。上述の陽極反応によって、例えば、上述のメッシュ状転写用部材を採用した場合には、シリコン表面が溶解して多孔質状のポーラスシリコンが形成されると考えられる。より具体的には、本願発明者は、上述の反応によって水素イオンHが生成するため、pHを増加、すなわちアルカリ性にすることによって平衡が右側に移動するために、シリコンの多孔質状の形成反応が進行すると考えている。すなわち、アルカリの添加によって、多孔質状の形成反応を促進することができる。また、触媒剤が半導体基板表面において処理液中の酸化剤の分解触媒として働くと、その酸化剤から生成される原子状酸素が半導体基板表面を酸化する。そうすると、その酸化部位は溶解剤によって酸化層が溶解することにより、実質的にその半導体表面がエッチングされる。そして、半導体基板の表面の酸化と処理液中への溶解とが繰り返されることにより、概ね転写用部材の表面の形状が反映した、換言すれば、転写用部材の形状が転写によって、逆転した凹凸形状が形成されると考えられる。したがって、上述の各発明において、触媒材は、上述の処理液中において酸化剤の分解触媒として働くものであれば特に限定されない。敢えて言及すれば、触媒材の好適な代表例は、白金Pt、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh及びそれらを含む合金の群から選ばれる少なくとも1種である。また、本出願において、転写用部材が触媒材を備えるとは、転写用部材の表面上に触媒材の膜又は層が形成されている状態、及び転写用部材の表面上に触媒材が粒状又はアイランド状に付着している状態を含み、転写用部材上の触媒材が触媒としての機能ないし性能を発揮しうる状態にある様々な態様を含む概念である。さらに、転写用部材が触媒材を備えるの意味には、転写用部材自身が、不可避不純物を含み得るとしても、触媒材のみから形成されている態様が含まれる。なお、そのような触媒材は、公知のスパッタリング法によって形成される膜、CVD等による蒸着膜、あるいはメッキによって形成される膜が代表的な一態様であるが、それらの膜に限定されない。本発明の1つの半導体装置の製造方法によれば、転写用部材が備える凹凸形状又はメッシュ形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状又はメッシュ形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置が得られる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切な凹凸形状又はメッシュ形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。また、本発明の1つの半導体装置の製造装置によれば、転写用部材が備える凹凸形状又はメッシュ形状に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状又はメッシュ形状をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を備える半導体装置を製造することができる。すなわち、これまでのような任意性の高い、換言すれば再現性の低い凹凸を備えた半導体基板ではなく、転写用部材の段階で適切な凹凸形状又はメッシュ形状を形成しておけば一定のレベルの凹凸形状を有する半導体基板を備えた半導体装置を安定的に製造することができる。また、本発明の1つの転写用部材によれば、転写用部材が備える凹凸形状又はメッシュ構造に基づいて処理対象となる半導体基板の凹凸が形成されるため、転写用部材の凹凸形状又はメッシュ構造をいわば型又はモールドとして反映させた凹凸を有する半導体基板を安定的に供給することができる。つぎに、本発明の実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。尚、この説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分には共通する参照符号が付されている。なお、図中、本実施形態の要素は必ずしも互いの縮尺を保って記載されるものではない。<第1の実施形態>本実施形態では、まず、半導体装置本実施形態では太陽電池に用いられる半導体基板処理対象となる基板、以下、処理対象基板ともいう。の表面を凹凸形状にするための転写用部材10の製造方法について説明する。図1は、本実施形態における転写用部材の製造過程の一部の表面の走査型電子顕微鏡以下、SEMという。写真である。図2A乃至図2Dは、本実施形態における転写用部材10の製造方法の一過程を示す断面模式図である。また、図2Eは、本実施形態における処理対象基板への転写工程を説明する断面模式図である。また、図2Fは、本実施形態における転写工程後の処理対象基板を説明する断面模式図である。転写用部材10の製造においては、最初に、いわゆるRCA洗浄法によって表面洗浄処理を行った単結晶n型シリコン100抵抗率:1~20Ωcm基板が、モル濃度0.25mol/dm3の水酸化ナトリウムNaOHとモル濃度0.6mol/dm3の2-プロパノールとの混合水溶液内に20分浸漬される。図1は、前述の処理を行った後のn型シリコン基板11の表面のSEM写真であり、図2Aは、図1を模式的に表した断面構造図である。図1に示すように、均一性の高いピラミッド状の凸凹面12、すなわちテクスチャー構造の面を形成することができた。本発明者の実験によると、2-プロパノールを含むモル濃度0.01mol/dm3~5mol/dm3程度のNaOH水溶液内に単結晶シリコンSi-100を10~30分間浸漬する、いわゆる異方性アルカリエッチングを行うことにより、基板表面における入射光赤外線以下の波長の光の反射率を、単に平坦なあるいは平面状のものと比較して著しく低くすることができる。次に、図2Bに示すように、n型シリコン基板11の表面上に薄い酸化膜SiO213が形成された。本実施形態の酸化膜13は、ウェット酸化法を用いて行われた。酸化膜13の厚さは、数ナノメートルnm~数百ナノメートルnmであった。この酸化膜13は、後述する触媒材がn型シリコン基板11表面への付着性を高めるための剥離防止層として機能する。なお、この酸化膜13の形成には、上述のウェット酸化法のほか、通常の熱酸化法、CVD堆積法、又は化学的酸化膜生成法のいずれもが適用され得る。また、酸化膜13の厚さは、1μm以下でも安定性の高い薄膜が形成される。本実施形態では、図2Cに示すように、上記の酸化膜13上に、さらに層間膜である窒化シリコンSi3N4膜15が形成された。ここで、本実施形態の窒化シリコン膜15は、cat-CVD法と呼ばれる堆積法を用いて形成された。具体的な条件については、圧力が1Paである。また、流量については、窒素N2は0.6sccmであり、アルゴンArは0.4sccmである。前述の条件下において、成膜時間を2時間に設定することにより、約1μmの厚さの窒化シリコン膜15が成膜された。なお、窒化シリコン膜15の製造方法は、前述のcat-CVD法のほか、減圧CVD法、及びスパッタリング法も適用し得る。減圧CVD法が採用された場合は、窒化シリコン膜とn型シリコン基板11との密着性が高いため、上述の酸化膜13が不要となる。ところで、上述の窒化シリコン膜15は、転写用部材10におけるn型シリコン基板11の保護膜、又は後述する処理液に対する不浸透層として機能する、いわゆる中間層として用いられる。したがって、窒化シリコン膜15も、後述の触媒材17の剥離防止層として機能し得る。本実施形態では、上述のとおり、酸化膜13及び窒化シリコン膜15の二層を積層することは、触媒材17の剥離防止が図られるとともに、後述する処理液に対する耐性を向上させるため、転写用部材10の安定性、信頼性に大きく寄与する。次に、図2Dに示すように、本実施形態では、窒化シリコン膜15上に、電子ビームEB蒸着法を用いて触媒材17となる白金Pt膜を形成した。本実施形態の白金膜の膜厚は、約50~100nmであった。このとき、n型シリコン基板11を350°Cに加熱することにより、白金膜の付着力を強くした。なお、白金膜のn型シリコン基板11への付着力をさらに強めるため、成膜後の不活性気体中で数百°Cの加熱処理を行うことも好ましい一態様である。ここで、本実施形態では、電子ビームEB蒸着法を用いて白金Pt膜を形成したが、電子ビームEB蒸着法に代えて、真空蒸着法、及びスパッタリング法を採用してもよい。続いて、上述のピラミッド状の凸凹面12上に触媒材17の膜を形成したn型シリコン基板11を転写用部材10として用いて、処理対象となる半導体基板の凹凸形状の形成を行った。図2Eは、本実施形態における半導体装置の製造装置50の主要部の構成を示す概略図である。本実施形態の処理対象基板20は、半導体基板である単結晶シリコン100基板である。本実施形態では、上述のピラミッド状の凸凹面12を処理対象基板20に対向させて、触媒材17を備えた転写用部材10が処理対象基板20に接触するか近接配置させた状態になるように配置する配置装置を備える。なお、触媒材17の白金膜面の突起の頂部分は、処理対象基板20の表面の汚染を回避するため、予めRCA洗浄法により表面洗浄処理されている。その後、溶解剤であるフッ化水素酸HFと酸化剤である過酸化水素水H2O2との混合水溶液が、処理液19として、処理対象基板20の表面と触媒材17の白金膜との間に供給される図2F。本実施形態では、前述の配置装置が、図2Eに示すように、保持具42を用いて転写用部材10とそれに対向配置された処理対象基板20とを処理液供給装置として機能する処理槽40内の処理液19に浸漬させることにより、前述の処理を行った。なお、より具体的には、処理液19は、フッ化水素酸HF5.3Mと過酸化水素水H2O21.8Mとの混合水溶液水1dm3中にHF5.3molとH2O21.8molとを含むである。上記の条件において25°Cの条件下で、2時間経過した後、処理対象基板20の表面が観察された結果、図2Gに示すように、処理対象基板20の表面の凹凸面22が確認された。図3は、本実施形態において得られた処理対象基板20の表面のSEM写真である。興味深いことに、図1と図3とを比較してみると、図1の転写用部材10の表面の凸凹面が、図3では凸と凹とが反転した形状の凹凸面になっており、ほぼ同じ形状での逆ピラミッド構造として転写されていることがわかる。これは、処理対象基板20のエッチングが、凸凹面12を備えた不溶母体である転写用部材10の表面の凸部の頂部から、順次、その凸形状に沿って側斜面に向けて進行するためであると考えられる。したがって、転写用部材10の表面上の触媒材17である白金面が、処理対象基板20の表面に接触又は可能な限り接近するように、転写用部材10を処理対象基板20の表面に必要に応じて押付けるような押圧を加えるのが好ましい。但し、転写用部材10の表面の凸凹面12が処理対象基板20の表面いわゆる、被転写面に密接して、その間の処理液19が排除されてしまって、処理対象基板20のエッチングが生じないことを避けなければならない。そのため、転写用部材10の押圧に際しては、常に適度の処理液19の供給が保たれるように、経験的な適度の接触又は接近の条件を設定すればよい。なお、本実施形態では、処理液19による浸漬時間が2時間であったが、本発明者は、この浸漬時間が数分~30分間であっても同等の表面形状が形成され得ることを確認している。<第1の実施形態の変形例1>ところで、本実施形態では、n型シリコン基板11の表面上に酸化膜SiO213及び窒化シリコンSi3N4膜15が形成されているが、第1の実施形態は、この積層構造に限定されない。例えば、図4は、本実施形態における転写工程後の処理対象基板20aを説明する断面模式図である。図4に示すように、本実施形態の転写用部材10aは、第1の実施形態の転写用部材10とは異なり、酸化膜13が形成されていない。したがって、n型シリコン基板11の表面上に窒化シリコンSi3N4膜15が、第1の実施形態の成膜法と同じ手段によって形成されている。このような転写用部材10aであっても、第1の実施形態の効果の少なくとも一部の効果が奏され得る。すなわち、処理対象基板20aの表面は、概ね、転写用部材10aの表面の形状が反映、換言すれば転写用部材10aの表面の形状が転写される結果、凹凸面22aが形成されることになる。<第1の実施形態の変形例2>第1の実施形態の変形例1の他に、例えば、n型シリコン基板11の表面上に酸化膜SiO213のみが形成されたもの、あるいはn型シリコン基板11の表面上に直接に触媒材17が配置されたものであっても、第1の実施形態の効果の少なくとも一部の効果が奏され得る。ただし、触媒材17がn型シリコン基板11からの剥離するのを防止する観点、及びn型シリコン基板11自体の溶解からの保護の観点から言えば、n型シリコン基板11の表面上に直接に触媒材17が配置されたものよりも他の2つの態様の方が好ましく、第1の実施形態のような酸化膜SiO213及び窒化シリコンSi3N4膜15が形成された構造が採用されることが最も好ましい。<第2の実施形態>本実施形態における処理対象基板の凹凸面の形成は、第1の実施形態における処理対象基板20が単結晶シリコン111基板である点を除いて、第1の実施形態の転写用部材10及び処理対象基板20の製造方法と同じである。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。図5は、本実施形態における処理対象となる基板表面のSEM写真である。図5に示すように、処理対象基板20の表面からの深さなど、個別の凹凸に若干の差異はあるものの、ほぼ転写用部材10の凹凸面を反映した、換言すれば転写用部材10の凹凸面が転写されたテクスチャー構造、すなわち凸と凹とが逆の、いわゆる逆ピラミッド状の面が形成されていることが分かる。従って、単結晶シリコン基板の結晶方位に依存することなく転写されることが確認された。<第3の実施形態>本実施形態は、処理対象基板20が多結晶シリコンPoly-Si基板である点、及び第1の実施形態における処理液19による処理時間が異なる点を除いて、第1の実施形態の転写用部材10及び処理対象基板20の製造方法と同じである。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。本実施形態では、処理対象基板20である多結晶シリコンPoly-Si基板を処理液19内に4時間浸漬した。図6は、本実施形態における処理対象基板20の表面のSEM写真である。図6に示すように、処理対象基板20の平滑性に依存するとみられる、個別の凹凸に若干の差異はあるものの、ほぼ転写用部材10の凹凸構造に似た転写構造のテクスチャー構造逆ピラミッド状の面が形成されている。ここで、処理対象基板20の表面に形成される凹凸の形成時間は、処理液19におけるフッ化水素酸と過酸化水素水の濃度制御等により、処理時間を大幅に短縮させることができる。具体的には、例えば、過酸化水素の濃度を調整することにより、処理液19による処理時間を大幅に短縮させることができる。また、図7は、本実施形態における多結晶シリコン基板の表面の分光反射率特性図である。図中の実線は、本実施形態における処理後の処理対象基板20の表面の結果を表し、点線は、当該処理前の処理対象基板20の表面の結果を表している。図7からも明らかなように、本実施形態による処理後の処理対象基板20の表面は、未処理の表面と比較して、300nm~800nmまでの全ての波長において反射率が大幅に低減されていることが確認される。<第4の実施形態>図8は、本実施形態の多結晶シリコン基板を用いて製造した太陽電池100の主たる部分の断面模式図である。本実施形態では、上述の第3の実施形態によって形成された凹凸状表面を備えたn型の多結晶シリコン基板30上に、公知の成膜技術例えば、プラズマ気相成長法PCVD法を利用して、i型a-Si層31及びp型a-Si層32が積層されて形成される。その後、本実施形態では、透明導電膜であるITO膜が、表面電極層34,34として、例えば公知のスパッタリング法によりp型a-Si層32上に形成される。また、多結晶シリコン基板30の反対面上には、裏面電極層36であるn型a-Si層が公知の成膜技術例えば、プラズマ気相成長法PCVD法により形成される。図8に示すように、上述の第3の実施形態の処理を行うことによって形成された表面を備える多結晶シリコン基板30を用いて太陽電池100を製造することにより、太陽電池100内部における入射光の反射防止効果による光反射率の低減及び光電流の向上が実現される。なお、上述のいずれの実施形態の場合であっても、処理液19による反応のメカニズムは、図2E及び図2Fを参照して説明すると、次のとおりと想定される。まず、フッ化水素酸HF水溶液と酸化剤である過酸化水素水H2O2水溶液とを含む処理液19中において、転写用部材10上又はその上方の触媒材17たる白金膜が処理対象基板20の表面において酸化剤の分解触媒として働く。その結果、その酸化剤から生成される原子状酸素が処理対象基板20であるシリコン基板を酸化する。そうすると、その酸化部位が処理液19中のフッ化水素酸によって溶解するという過程が生じる。それによって、処理対象基板20の表面の酸化および処理液19中へのその酸化部位の溶解が促進される結果、概ね転写用部材の表面の形状が反映、換言すれば転写用部材の表面の形状が転写されると考えられる。<第1乃至第4の実施形態のその他の変形例>ところで、上述の各実施形態では、図2Fに代表的に示されるように、転写用部材10が処理対象基板20に接触するか近接配置させた状態になるように配置された後に、処理液19が処理対象基板20の表面と触媒材17との間に供給されているが、上述の各実施形態はその態様に限定されない。例えば、処理液19を処理対象基板20の表面上に供給した後に、転写用部材10が処理対象基板20に接触するか近接配置させた状態になるように配置することも採用し得る。この順序を採用することは、処理液19を処理対象基板20の表面と触媒材17との隙間に一様に行き渡らせることの難しさが解消されることから、好ましい一態様である。なお、上述の各実施形態においては、図9に示すように、処理対象基板20を酸化し、かつ溶解する処理液19を、処理対象基板20の表面上に供給する供給装置55と、転写用部材を処理対象基板20の表面に接触又は近接するように配置する配置装置56とを備える半導体装置の製造装置50によって各処理が行われた。なお、供給装置55及び配置装置56は、いずれも各処理について、例えば処理液19の濃度等を監視し、又は統合的に制御する制御部を備えている。<第5の実施形態>本実施形態では、主として、第1の実施形態の転写用部材10に代えて、図9に示すメッシュ状の転写用部材以下、メッシュ状転写用部材という。10bを用いた点を除いて、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。本実施形態のメッシュ状転写用部材10bは、メッシュ株式会社製αメッシュメッシュ数400に対して、ニッケルNi4μm、パラジウムPd1μm、及び白金Pt4μmを、それぞれの層厚でこの順に積層メッキしたものである。本実施形態では、RCA洗浄した処理対象基板20を処理液19中に浸漬した状態で、処理対象基板20上にメッシュ状転写用部材10bを載置して、30分間処理した。その後、処理対象基板20を超純水により3分間リンスした。その結果、メッシュ状転写用部材10bの形状を反映した凹凸が形成された処理対象基板20が得られた。図10は、本実施形態における処理対象基板20の表面の光学顕微鏡写真平面写真である。また、図11Aは、レーザー干渉顕微鏡による測定対象部の平面写真であり、図11Bは、図11Aにおける測定対象部X-Xの断面プロファイルを表した図である。図10、図11A、及び図11Bに示すように、個別の凹凸に若干の差異はあるものの、ほぼメッシュ状転写用部材10bのメッシュ部分に対応して凹部が形成された構造の面が処理対象基板20表面上に形成されている。したがって、処理液19をより供給し易い微細なメッシュ状の構造を備えた転写用部材が採用された本実施形態でも、上述の各実施形態の効果と同様の効果が奏されることが確認された。<第6の実施形態>本実施形態では、主として、第1の実施形態の転写用部材10に代えてメッシュ状転写用部材10bを用いた点、及び第1の実施形態の半導体装置の製造装置50を半導体装置の製造装置51に変更した点を除いて第1の実施形態と同様である。したがって、第1及び第5の実施形態と重複する説明は省略され得る。なお、本実施形態のメッシュ状転写用部材10bは、メッシュ株式会社製αメッシュメッシュ数400よりも非常に廉価なSUS304をベース材料として、その上に、ニッケルNiを15含有したパラジウムPd合金約0.5~1μm、及び白金Pt約1μmを、それぞれの層厚でこの順に積層メッキしたものである。図12は、本実施形態の半導体装置の製造装置51の主要部の構成を示す概略図である。なお、図12は、本実施形態における処理対象基板20に対してロール体57aが配置される前の状態を示している。図13は、本実施形態における処理対象基板20に対してロール体57aが配置された後処理中の状態の説明図である。また、本実施形態の処理対象基板20は、半導体基板である単結晶シリコン100基板である。図12に示すように、本実施形態の半導体装置の製造装置51は、大別して、処理液19を処理対象基板20の表面上に供給する供給装置55と、触媒材本実施形態ではPt白金層を備えるメッシュ状転写用部材10bを処理対象基板20の表面に接触又は近接するように配置する配置装置59とを備えている。さらに具体的に配置装置59を見ると、本実施形態では、メッシュ状転写用部材10bが、回転軸図12中のR-Rに垂直な断面形状が円状であるロール体57aの表面上に接着することにより、その表面上に沿って設けられている。そして、配置装置59は、まず、処理液19を処理対象基板20の表面上に供給した状態で、メッシュ状転写用部材10bの少なくとも一部を処理対象基板20の表面に接触又は近接する配置状態になるようにロール体57aを移動させる。その後、配置装置59は、図13に示すように、その配置状態を維持しつつ、ロール体57aを処理対象基板20の表面に対して相対的に移動かつ回転させる制御部を備えている。換言すれば、配置装置59は、当初、図12に示すロール体57aの位置を処理対象基板20の平面に対向させるように移動させた後、図13に示すように、ロール体57aを処理対象基板20の表面に対して相対的に移動かつ回転させる。従って、本実施形態では、60°Cの処理液19が処理対象基板20表面上に供給された後、ロール体57aの回転と移動によって、メッシュ状転写用部材10bの異なる部分が次々に処理対象基板20の平面に対向することになる。なお、本実施形態の処理液19のうち、フッ化水素酸水溶液HFの濃度は2.7Mであり、過酸化水素水H2O2の濃度は、8.1Mである。従って、本実施形態のように、特に、過酸化水素水H2O2の濃度が、1M以上10M以下の場合は、本実施形態の処理液19によって酸化されにくい貴金属類である、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、金Au、銀Ag及びそれらの内の少なくとも2種以上の合金の群から選ばれる少なくとも1種が触媒材として採用されることが好ましい。また、本実施形態におけるロール体57aの材質は、ニッケルNiであり、ロール体57aの直径は、35mmであった。また、ロール体57aの回転速度は、約0.27回転/秒であり、その移動速度は、約30mm/秒であった。従って、例えば、直径が6インチの単結晶シリコンウエハーを処理対象基板20とした場合は、約5秒で本実施形態の処理を終えることができることになる。なお、本実施形態のように、ロール体57aが移動することによって処理対象基板20の全体を処理する代わりに、ロール体57aは回転するだけで移動せず、処理対象基板20が移動する装置の構造及び制御の態様も採用しうる。加えて、処理速度向上のため、例えば6インチの処理対象基板20を複数枚、連続的に処理する一括処理の態様を含む公知の処理態様も適宜採用し得る。上述の処理を行った結果、図13に模式的に示すように、ロール体57aが通過した後には、凹凸表面を有する処理対象基板20が形成された。図14Aは、本実施形態における処理対象基板20の表面の光学顕微鏡写真平面写真である。さらに興味深いことに、本発明者が処理対象基板20の表面を詳しく観察、分析したところ、処理対象基板20の表面上に、メッシュ状転写用部材10bによって形成された凹凸とは別に、換言すれば、メッシュ状転写用部材10bにおけるメッシュの位置とは異なるメッシュ近傍、より具体的には、そのメッシュによって凹部形成されていない凸部分の前述の凹部の近傍に無数の非貫通孔が形成されていることが分かった。なお、本実施形態の場合は、メッシュの間隔が狭いため、凸部のほとんどが多孔質状となっていた。図14Bは、本実施形態における処理対象基板20の表面付近の断面の光学顕微鏡写真である。図14Bに示すように、多孔質状porousの層の厚みが500nm程度と薄いことが明らかとなった。すなわち、本実施形態の半導体装置の製造装置51により、表面が多孔質状の処理対象基板20が形成された。そこで、本実施形態の処理対象基板20の表面の反射率を調べたところ、大変興味深い結果が得られた。図15は、60°C下で処理された本実施形態の処理対象基板20の表面の反射率を表すグラフである。なお、比較のために、未処理の処理対象基板20、及び転写用部材10において採用されたテクスチャー構造の面を備えた処理対象基板20図1の凸凹面12に相当を準備した。また、図15において、点線は、未処理の処理対象基板20の結果を表し、一点鎖線図中ではTexture処理と記載されているは、前述のテクスチャー構造の面を備えた処理対象基板20の結果を表し、実線は、本実施形態の処理対象基板20の結果を表している。さらに、本実施形態の処理対象基板20の測定は、再現性を確認するために2つの試料について観測された。図15に示すように、本実施形態の処理対象基板20の表面の光の反射率については、少なくとも反射率の測定処理装置日本分光株式会社社製、紫外可視近赤外分光光度計,型式V-570の測定可能範囲である波長300nm以上800nm以下の光の反射率が、比較例のいずれと比べても著しく小さくなっていることが確認された。特に短波長側の反射率の低減が顕著であった。これは、本実施形態の処理により、微細な非貫通孔を無数に有する表面を備えた処理対象基板20が形成されたためと考えられる。従って、本実施形態の半導体装置の製造装置51及びその製造方法により、波長300nm以上800nm以下の光の反射率が15以下に抑えられた処理対象基板20が得られることが明らかとなった。特筆すべきは、このような光反射率を大きく低減しうる処理対象基板20を、わずか5秒程度という、工業性ないし量産性に優れた製造方法及び製造装置が創出された点である。また、上述のように、約500nmという薄い多孔質状の層の存在にもかかわらず、反射率が15以下に抑えられる点も特筆に値する。というのも、多孔質状の層が薄いことにより、例えば、pn接合を形成し易くなるという特有の効果が奏されるからである。一般的に、白金Ptや銀Agの粒子を用いた多孔質状シリコン層の形成においては、多孔質状の層の厚さが厚くなって、pn接合の形成が困難となるため、この多孔質状の層を水酸化ナトリウムNaOH水溶液を用いて溶解させた後、pn接合が行われている。その場合は、多孔質状の層を除去するため、結果として反射率が増加するということになる。しかし、本実施形態の多孔質状の層の厚みは非常に薄いため、そのような弊害が生じにくいといえる。さらに、本発明者は、本実施形態の処理対象基板20の表面のキャリアライフタイムを調査した。図16は、本実施形態における処理対象基板20のライフタイム測定結果を示すマップである。なお、図16中、点線で囲まれた領域のみに対して、本実施形態の処理が施された。その結果、上述のとおり、本実施形態の処理対象基板20の表面が多孔質状となってその表面積が格段に増加したにもかかわらず、キャリアライフタイムの減少率が、わずか10以下であった。この特筆すべき結果は、上述の転写用基板10において採用されたテクスチャー構造の面と比較するとその差が顕著である。例えば、単結晶シリコン100表面上に形成される転写用基板10において採用されたテクスチャー構造については、界面準位密度が高い111面が露出するためにそのライフタイムの減少率が50以上となるのに対し、本実施形態の処理対象基板20についてはライフタイムの減少率が10以内に抑えられることが確認された。<第6の実施形態の変形例1>本実施形態では、第6の実施形態の処理液19の温度及び濃度が変更された点、及びメッシュ状転写用部材10bの材質が変更された点を除いて、第6の実施形態と同様である。したがって、第1、第5、及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。ここで、本実施形態の処理液19については、フッ化水素酸水溶液HFの濃度は5.4Mであり、過酸化水素水H2O2の濃度は、7.2Mである。また、本実施形態の処理液19の温度は、25°Cである。さらに、本実施形態のメッシュ状転写用部材10bは、第5の実施形態のメッシュ状転写用部材である。上述の条件の下、処理対象基板20に対して第6の実施形態と同様の処理を行った。なお、本実施形態の半導体装置の製造装置51及びその製造方法も、第6の実施形態と同様に、例えば、直径が6インチの単結晶シリコンウエハーを処理対象基板20とした場合は、約5秒で処理を終えることができる程度の優れた工業性ないし量産性を有していることになる。図17は、本実施形態における処理対象基板20の表面の光学顕微鏡写真平面写真である。図17に示すように、処理対象基板20の表面上にメッシュ構造が観測されているものの、光学顕微鏡写真中の濃淡は非常に薄く、そのメッシュ構造の転写による凹凸の深さは非常に浅いことが確認された。これは、シリコンの溶解が進行して、転写によるメッシュ構造を反映した凹凸の一部が溶解したためと考えられる。また、図18は、本実施形態の処理対象基板20の表面の反射率を表すグラフである。なお、比較のために、未処理の処理対象基板20、及び転写用基板10において採用されたテクスチャー構造の面を備えた処理対象基板20図1の凸凹面12に相当を準備した。なお、図中に記載された内容は、図15と同様である。図18に示すように、本実施形態の処理対象基板20の表面の光の反射率については、第6の実施形態と同じ測定装置において、波長300nm以上800nm以下の光の反射率が、比較例のいずれと比べても著しく小さくなっていることが確認された。さらに、第6の実施形態の結果と比較しても反射率の低減が顕著であることが明らかとなった。従って、本実施形態の半導体装置の製造装置51及びその製造方法により、波長300nm以上800nm以下の光の反射率が6以下に抑えられた処理対象基板20が、室温25°Cにおいて得られることが明らかとなった。加えて、本実施意形態の処理対象基板20の表面も、第6の実施形態の結果と同様に、表面から約500nmまでの厚みの多孔質状の層を備えていることが分かった。従って、本実施形態においても、約500nmという薄い多孔質状の層の存在にもかかわらず、反射率が6以下に抑えられる点も特筆に値する。<第6の実施形態の変形例2>本実施形態は、処理対象基板20の結晶方位が変更された点を除いて、第6の実施形態と同様である。したがって、第1、第5、及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。なお、本実施形態の処理対象基板20は、単結晶シリコン111基板である。図19は、本実施形態における処理対象基板20の表面の光学顕微鏡写真平面写真である。図19に示すように、結晶方位が第6の実施形態のものと異なる場合であっても、同様の凹凸形状が形成されることが確認された。ここで、第6の実施形態における半導体装置の製造装置及び製造方法は、半導体基板の結晶方位に依存しないことは特筆すべきである。というのも、上述の転写用基板10において採用されたテクスチャー構造については、面方位100を持つ単結晶シリコン基板にしか適用できないことに対して、本実施形態の半導体装置の製造装置51及びその製造方法は、面方位に依存することなく適用できるからである。さらに、単結晶シリコンのみなならず、多結晶シリコンに本実施形態を適用した場合であっても、本実施形態と同様のメッシュ構造の転写と多孔質状の表面が形成されることがわかっている。<第6の実施形態の変形例3>本実施形態では、第6の実施形態の半導体装置の製造装置51を半導体装置の製造装置52に変更した点を除いて第6の実施形態と同様である。したがって、第1及び第6の実施形態と重複する説明は省略され得る。図20は、本実施形態における半導体装置の製造装置52の主要部の構成を示す概略図である。なお、図面を簡略化するために、メッシュ状転写用部材10bのメッシュ形状は描かれていない。図20に示すように、本実施形態の半導体装置の製造装置52では、第6の実施形態の供給装置55の代わりに、配置装置59の一部を処理液19の流路として利用し、ロール体57側に処理液19を供給する供給装置56が採用される。また、本実施形態のロール体57bは、スポンジ材料で構成されている。従って、ロール体57bは、供給装置56から供給された処理液19をスポンジ材料に浸み込ませた状態を保持するとともに、適宜、外側、すなわちメッシュ状転写用部材10b側に処理液19を供給することができる。本実施形態の供給装置56が採用された場合も、第6の実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。なお、本実施形態は、スポンジ状のロール体57bによる処理液の供給は、その供給装置56からの処理液19の供給量やロール体57bの処理対象基板20に対する押圧の度合い、あるいはロール体57bの回転速度や移動速度を変更することによって、適宜、その処理液19及びメッシュ状転写用部材10bによる作用の度合いを増減できるため、好ましい一態様である。具体的な一例としては、本実施形態のメッシュ状転写用部材10bを、処理対象基板20の表面に数秒間押圧した状態で当接させることにより、第6の実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。従って、処理対象基板20の表面全体を処理するためには、そのような当接状態を一定時間維持しつつ、ロール体57bを処理対象基板20の表面に対して相対的に移動かつ回転させればよい。なお、第6の実施形態及びその変形例1,2,3におけるロール体57aの形状は、回転軸図12中のR-Rに垂直な断面形状が円状であったが、ロールの形状はそれに限定されない。例えば、図21Aのように、回転軸に垂直な断面形状が扇状のロール体57bとその外周曲面上に配置されたメッシュ状転写用部材10bとが採用された場合であっても、本実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。扇状のロール体57cが採用された場合は、ロール体57cが回転する角度範囲が小さいという利点がある。また、ロール体57aの代わりに、回転軸に垂直な断面形状が多角形例えば、図21Bの八角形のロール体57dが採用されても良い。ロール体57dを処理対象基板20に対して相対的に回転移動させる際、処理対象基板20との距離をほぼ一定に保つためには、ロール体57dの回転軸に垂直な断面形状が正多角形状であることが好ましい。また、その多角形状は、八角形に限定されず、六角形や十二角形等でもよい。また、図21Cに示すように、メッシュ状転写用部材10bがロール体57dの一部のみの外周面上に沿って設けられることも採用され得る一態様である。従って、処理対象基板20の対象や面積に応じて適宜、ロール体及びメッシュ状転写用部材が選定される。<その他の実施形態>ところで、上述の各実施形態では、処理対象基板20が単結晶シリコン基板、又は多結晶シリコン基板であったが、これに限定されない。例えば、炭化珪素SiC、GaAs、又はInGaAsのような半導体基板であっても、上述の各実施形態と同様の効果が奏され得る。加えて、転写用部材10についても、n型シリコン基板に限定されない。例えば、n型以外のシリコン基板、炭化珪素SiC基板、金属薄膜基板、高分子樹脂、又はフレキシブル基板であっても上述の各実施形態の効果と同様の効果が奏され得る。また、上述の各実施形態では、触媒材17として白金が採用されたが、触媒材17は白金に限定されない。例えば、触媒材17が、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、及びそれらの内の少なくとも1つを含む合金の群から選ばれる少なくとも1種であって、処理液19中で酸化剤例えば、過酸化水素の分解触媒として働くものが利用される。例えば、触媒材が、金Auを主成分としてパラジウムPdと白金Ptを含有する合金、金Auを主成分としてパラジウムPdを含有する合金、金Auを主成分として銀Agと銅Cuを含有する合金、金Auを主成分として銀Agと銅CuとパラジウムPdを含有する合金、MoモリブデンとWタングステンとIrイリジウムと白金Ptの合金、Fe鉄とCoコバルトとNiニッケルと白金Ptの合金であっても、上述の各実施形態の少なくとも一部の効果が奏され得る。加えて、前述の各触媒材の少量の他の金属を添加することも妨げられない。例えば、耐磨耗性や耐久性等を高めるために、当業者であれば、適宜、適切な金属を添加することができる。さらに、第6の実施形態及びその変形例では、処理液19の内の特に高濃度の酸化剤、すなわち過酸化水素水H2O2の影響によって酸化されにくい貴金属類、例えば、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、金Au及びそれらを含む合金の群から選ばれる少なくとも1種が触媒材として選択することは、その触媒としての性能を維持し易いことから、より好ましい一態様である。なお、本段落における合金の意味も、上述の触媒材17の説明の趣旨と同様である。加えて、酸化促進に寄与する触媒物質すなわち、触媒材17は、上述の金属に限定されることはない。例えば、酸化物化合物、カーボンアロイ化合物、及び無機化合物を含むその他の公知の触媒物質や、前述と同等の機能を有する各種錯体等も採用され得る。なお、第1乃至第3の実施形態においては、必要に応じて、転写用部材10の母体基板第1の実施形態では、n型シリコン基板11面と触媒材17との間に、上述の第1の実施形態のような付着性を高める剥離防止層あるいは処理液19の不浸透層としても機能する中間層を介在させることは好ましい一態様である。また、上述のいずれの実施形態においても、転写用部材が触媒材を備える態様には、転写用部材の表面上に触媒材の膜又は層が形成されている状態、及び転写用部材の表面上に触媒材が粒状又はアイランド状に付着している状態を含み、転写用部材上の触媒材が触媒としての機能ないし性能を発揮しうる状態にある様々な態様が含まれる。上述の各触媒材17たる金属は、代表的には、公知のスパッタリング法、メッキ法、又はCVD法等による蒸着膜、あるいは、化合物の塗布被膜等から還元生成して形成した膜などが採用され得るが、上述の各実施形態はそれらの膜に限定されないまた、上述の各実施形態では、処理液19としてフッ化水素酸HFと過酸化水素水H2O2との混合水溶液が用いられたが、処理液19はこの混合水溶液に限定されない。例えば、処理液19として、過酸化水素水H2O2、二クロム酸カリウムK2Cr2O7水溶液、マンガン酸カリウムKMnO4水溶液、硝酸H2SO4、硫酸等HNO3、及び、酸素O2又はオゾンO3を溶解させた水の群から選ばれる少なくとも1種の酸化剤と、フッ化水素酸HFとの混合水溶液を採用することにより、上述の各実施形態の少なくとも一部の効果例えば、多孔質状の表面の形成が奏され得る。そして、前述の処理液19の例としての各種の高酸化性溶液やオゾン水等を採用する場合についても、特に第6の実施形態及びその変形例においては、処理液19によって酸化されにくい貴金属類を触媒材として選択することが好ましい。また、上述の第4実施形態における太陽電池100の例は、第1の実施形態、第2の実施形態、第5の実施形態、第6の実施形態、及びその他の実施形態においても適用され得る。特に、第6の実施形態及びその変形例においては、処理対象基板20の表面が多孔質状となっているために、処理対象基板20の表面積が格段に増加するとともに光の反射率が著しく低いことから、太陽電池の光電変換効率に寄与する短絡電流JSC値の向上が図られる。さらに、表面積の格段の増加にもかかわらずキャリアライフタイムの低減が抑制されていることから、高い開放電圧VOCも得られることは特筆に値する。また、第5の実施形態、第6の実施形態及びその変形例で採用されたメッシュ状転写用部材10bのベース材料も限定されない。例えば、前述のメッシュ状転写用部材10bの代わりに、有機高分子材料上にニッケルNiメッキを介してパラジウムPdや白金Ptのメッキしたものを用いた場合であっても、上述の各実施形態の効果と同様の効果が奏され得ることが確認された。従って、さらに量産性ないし工業性に優れた条件下で上述の各実施形態の処理を行うことができることがわかった。さらに、第6の実施形態及びその変形例を応用した他の太陽電池の態様として、次の構造が採用できる。まず、メッシュ状転写用部材のメッシュが存在しない部分の形状を、一般的に採用されているシリコン太陽電池の代表的には平面視において櫛状の表面電極の形状となるように予め形成しておいた上で、第6の実施形態等における各処理を施す。そうすると、処理対象基板であるシリコン基板の表面上に、櫛状の表面電極に対応した凸部と、メッシュ状転写用部材の形状が反映した凹部とが形成される。その結果、メッシュ状転写用部材の形状が反映した凹部とその近傍の表面は多孔質状となるが、櫛状の表面電極に対応した凸部表面は多孔質状とならない。その後、櫛状の表面電極に対応した凸部表面上に公知の手法によって銀電極を形成することにより、太陽電池が作製される。このような太陽電池によれば、例えば、処理対象基板が平面を有している場合は、平坦面上に銀電極を形成できるため電極形成が容易になる一方、その電極以外の領域では、上述の短絡電流JSC値の向上とキャリアライフタイムの低減抑制効果による高い開放電圧VOCとを同時に実現することができる。また、上述のいずれの実施形態であっても、太陽電池に採用される処理対象基板20として、第4実施形態の多結晶シリコン基板のみならず、単結晶シリコン基板や、上述のアモルファスシリコン基板等が採用されることも他の好ましい一態様である。加えて、上述の第4の実施形態、第6の実施形態及びその変形例では、半導体装置の例として太陽電池を取り上げたが、半導体装置の例は太陽電池に限定されない。例えば、MEMSMicroElectroMechanicalSystems構造を備えた装置や、大規模集積回路LSIを備えた装置についても、上述の各実施形態の転写用部材10,10a,10bを用いた凹凸形状の形成処理が各種デバイスの性能の向上に大きく貢献し得る。また、同様に、発光素子ないし受光素子等の光デバイスのような半導体装置についても、上述の各実施形態の転写用部材10,10a,10bを用いた凹凸形状の形成がそのデバイスの性能の向上に大きく貢献し得る。なお、上述の各実施形態の開示は、それらの実施形態の説明のために記載したものであって、本発明を限定するために記載したものではない。加えて、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、請求の範囲に含まれるものである。"