"コイル導体パターンと磁性体層とが複数積層されてコイルの周囲が前記磁性体層に囲まれて構成される積層インダクタにおいて、前記コイルの巻き中心軸方向における前記磁性体層の少なくとも一方の最外層端部に、相対的に透磁率が低い磁性材料からなる低透磁率磁性体層と相対的に透磁率が高い磁性材料からなる高透磁率磁性体層とが交互に少なくとも1層ずつ設けられていることを特徴とする積層インダクタ。前記低透磁率磁性体層は非磁性材料からなることを特徴とする請求項1に記載の積層インダクタ。積層面方向周囲が前記磁性体層に囲まれた非磁性材料からなる非磁性体層を前記コイル導体パターンの積層部に備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層インダクタ。上記従来の特許文献1に開示された積層インダクタは、コイル導体の上部および下部が非磁性体で形成されて開磁路構造となっている。従って、コイルで発生した磁束はコイルの巻きの両端部からこの両端部に接した非磁性層を通って空間に出易く、電磁気エネルギーを空間に放出し易い構造になっている。このため、この積層インダクタが回路基板に実装されると、積層インダクタに近接する回路部品へ磁気の影響を及ぼしてしまう。また、上記従来の特許文献2や特許文献3に開示された積層インダクタは、コイルの両端部に磁性層が形成されているため、コイルで発生した磁束の多くは磁性層を通るが、一部は、磁束が集中するコイル両端部分の磁性層から空間に漏れ出てしまう。また、非磁性層が磁路を分断するように形成されているため、コイルで発生した磁束はこの非磁性層からも周囲の空間に漏れてしまう。このため、これらの積層インダクタも、回路基板に実装された際、近接する回路部品へ磁気の影響を及ぼしてしまう。本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、コイル導体パターンと磁性体層とが複数積層されてコイルの周囲が磁性体層に囲まれて構成される積層インダクタにおいて、コイルの巻き中心軸方向における磁性体層の少なくとも一方の最外層端部に、相対的に透磁率が低い磁性材料からなる低透磁率磁性体層と相対的に透磁率が高い磁性材料からなる高透磁率磁性体層とが交互に少なくとも1層ずつ設けられていることを特徴とする。本構成によれば、コイルの周囲が磁性体層に囲まれるため、コイルで発生した磁束の多くは磁性体層を通る。また、磁束が集中するコイル両端部分の磁性体層からは、コイルで発生した磁束の一部が空間に漏れ出ようとするが、コイルの巻き中心軸方向における磁性体層の少なくとも一方の最外層端部において、相対的に透磁率が低い磁性材料からなる低透磁率磁性体層と相対的に透磁率が高い磁性材料からなる高透磁率磁性体層との、透磁率が異なる磁性体層境界面のインピーダンス不整合によって電磁波が低減するため、漏れ出ようとする磁束が弱められる。このため、磁束が集中するコイル両端部分の少なくとも一方の最外層端部の磁性体層から漏れ出る磁束を低減することが可能になる。従って、積層インダクタを回路基板に実装することで、近接する回路部品へ磁気の影響が及ぶのを最小限に抑えることが出来る。また、本発明は、低透磁率磁性体層が非磁性材料からなることを特徴とする。本構成によれば、低透磁率磁性体層と高透磁率磁性体層との磁性体層境界面におけるインピーダンス不整合によって奏される、コイル端部の磁性層から漏れ出る磁束を弱める効果が高められ、コイル端部の磁性層から漏れ出る磁束を効率的に低減することが可能になる。また、本発明は、積層面方向周囲が磁性体層に囲まれた非磁性材料からなる非磁性体層をコイル導体パターンの積層部に備えることを特徴とする。本構成によれば、コイルの周囲を磁性体層で囲みながら、コイルで発生する磁束の磁路中に非磁性材料からなる非磁性体層を介在させることが出来る。このため、この非磁性体層によってコイルで発生する磁束が磁気飽和しにくくなり、より大きな磁束を磁路に通すことが可能になって高いインダクタンス値を得ることが可能になる。本発明の積層インダクタによれば、上記のように、コイル端部の磁性体層から漏れ出る磁束を低減することが可能になり、近接する回路部品へ磁気の影響が及ぶのを最小限に抑えることが出来る。次に、本発明の一実施の形態による積層インダクタについて、説明する。図1は、本実施の形態による積層インダクタにおける内部コイル印刷シートの積み構成を示す分解斜視図である。内部コイル1aは、コイル導体パターン2a~2dが表面に形成された電極印刷シート3a~3dが積層されて構成される。電極印刷シート3a~3dは、その両端が、それぞれ必要な厚み分の複数枚の外層シート4aおよび4bに挟まれる。電極印刷シート3a~3dおよび外層シート4a,4bは、焼成後の比透磁率μが130μ=130のフェライトグリーンシートからなり、電極印刷シート3a,3b,3c,および3dには、それぞれコイル導体パターン2a,2b,2cおよび2dがAgペーストで印刷されている。最下層および最上層のコイル導体パターン2aおよび2dはそれぞれ引出電極を構成し、中間層のコイル導体パターン2bおよび2cは周回電極を構成する。電極印刷シート3a~3dが積層されて、各コイル導体パターン2a~2dの図で一点鎖線で結ばれる端部どうしがビアホールで接続されることにより、図2aの透視図に示すように、コイル導体2が螺旋状に巻回された内部コイル1aが形成される。この内部コイル1aは、コイル導体パターン2a~2dとフェライトグリーンシートからなる磁性体層とが複数積層されて、複数のコイル導体パターン2a~2dが1本のコイル導体2に連なって巻回され、コイル周囲が比透磁率μ=130の磁性体層1bに囲まれて構成される。なお、電極印刷シート3b,3cの図1に示す積層部Aは、積層インダクタ1に必要とされるインダクタンスL値に応じた枚数の電極印刷シート3b,3cが積層される。最下層の電極印刷シート3aに形成されたコイル導体パターン2aの引出端部2a1、および最上層の電極印刷シート3dに形成されたコイル導体パターン2dの引出端部2d1は、図2bの積層インダクタ1の外観斜視図に示す外部電極5aおよび5bとそれぞれ接続される。内部コイル1aは、同図bに示すように、コイルの巻き中心軸方向における磁性体層1bの両方の最外層端部に、相対的に透磁率が低い磁性材料からなる低透磁率磁性体層1cと、相対的に透磁率が高い磁性材料からなる高透磁率磁性体層1dとが交互に少なくとも1層ずつ設けられている。本実施の形態では、磁性体層1bの上下面の最外層端部から、厚さ20μmの低透磁率磁性体層1c、厚さ20μmの高透磁率磁性体層1dの順に交互にこれらが2組で計4層、各コイル端部にそれぞれ積層されている。また、低透磁率磁性体層1cは焼成後の比透磁率μが1の非磁性フェライト等の非磁性材料からなり、高透磁率磁性体層1dは焼成後の比透磁率μが390のフェライトグリーンシートからなる。積層インダクタ1は、電極印刷シート3a~3dおよび外層シート4a,4bが図1に示すように積層され、さらに、その両端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが図2bに示すように4層積層されて、チップサイズにカットされる。その後、焼成されることで、本実施形態では、長さ、幅、厚さが2.0×1.25×0.9mmのチップサイズの積層インダクタ1が得られた。図3は、得られたチップの長手方向中央部における横断面図を示す。なお、同図において図2と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。焼成後の低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dの厚さはそれぞれ15μm程度になっており、低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dの計4層の総厚さは60μm程度になっている。このような本実施の形態の積層インダクタ1によれば、内部コイル1aの周囲が磁性体層1bに囲まれるため、内部コイル1aで発生した磁束の多くは磁性体層1bを通る。また、磁束が集中するコイル両端部分の磁性体層1bからは、内部コイル1aで発生した磁束の一部が空間に漏れ出ようとするが、内部コイル1aの巻き中心軸方向における磁性体層1bの両方の最外層端部において、低透磁率磁性体層1cと高透磁率磁性体層1dとの透磁率が異なる磁性体層境界面のインピーダンス不整合によって電磁波が低減するため、漏れ出ようとする磁束が弱められる。本実施の形態では、低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dの組みが2組あるため、磁性体層境界面でのインピーダンス不整合によって磁束を弱める作用がコイル両端部それぞれで複数回繰り返される。このため、磁束が集中するコイル両端部分の両方の最外層端部の磁性体層1bから漏れ出る磁束を低減することが可能になる。従って、本実施の形態の積層インダクタ1によれば、積層インダクタ1を回路基板に実装した際、近接する回路部品へ磁気の影響が及ぶのを最小限に抑えることが出来る。特に本実施の形態の積層インダクタ1によれば、低透磁率磁性体層1cが比透磁率μ=1の非磁性材料から形成されるため、低透磁率磁性体層1cと高透磁率磁性体層1dとの磁性体層境界面におけるインピーダンス不整合によって奏される、コイル端部の磁性層1bから漏れ出る磁束を弱める効果が高められ、コイル端部の磁性層1bから漏れ出る磁束を効率的に低減することが可能になる。本効果を確認するため、作製した積層インダクタ1に周波数2MHzで電流振幅0.2Aの交流電流を加えて、積層インダクタ1のチップ上面0.3mmの箇所で、磁界強度の測定を行った。図4は、この測定結果を示すグラフで、横軸は積層インダクタ1のチップ幅方向の中央からの距離mm、縦軸は磁界プローブによる磁界強度測定値dBμVを表す。測定は、立方体の頂点を垂直方向にしたときにその下部の頂点の接触する面がなす角度でループを持つ磁界プローブを用い、磁界強度は磁界プローブを120°ずつ回転させて測定した値をベクトル合成した。また、比較のため、本実施の形態のチップサイズと同じサイズをそれぞれ持つ、図5に示す積層インダクタ11および図6に示す積層インダクタ21の各比較例1および2についても、同様の測定を行った。図5および図6は、図3に示す積層インダクタ1と同様、積層インダクタ11および積層インダクタ21のチップ長手方向中央部における横断面図をそれぞれ示す。これら各図において図3と同一または相当する部分には同一符号を付してその説明は省略する。図5に示す比較例1の積層インダクタ11は、内部コイル1aの巻き中心軸方向における磁性体層1bの両方の最外層端部に、上述した低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが設けられておらず、当該部分に比透磁率μ=130の磁性体層1bが延びて設けられている。図6に示す比較例2の積層インダクタ21は、上述した低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dの形成部分に、高透磁率磁性体層1dと同じ比透磁率μ=390の高透磁率磁性体層1eのみが焼成後の厚さ60μ程度に設けられている。図4に示すグラフにおいて、実線で示す特性線31は本実施の形態の積層インダクタ1についての測定結果、短い破線で示す特性線32は図5に示す比較例1の積層インダクタ11についての測定結果、長い破線で示す特性線33は図6に示す比較例2の積層インダクタ21についての測定結果である。磁性体層1bの両方の最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが設けられた、特性線31で示す特性の本実施の形態の積層インダクタ1は、磁性体層1bの両方の最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが設けられていない、特性線32で示す特性の比較例1の積層インダクタ11に比べ、チップ中央部で最大で4.3dB程度、磁界強度測定値が低くなっている。また、磁性体層1bの両方の最外層端部に単一の高透磁率磁性体層1eのみが設けられた、特性線33で示す特性の比較例2の積層インダクタ21は、若干の漏れ磁束の低下が見られるものの、磁界強度測定値は比較例1に比べて1.3dB程度しか低くなっていない。このことから、本実施の形態の積層インダクタ1によれば、磁性体層1bの最外層端部に設けられた低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dにより漏れ磁束低減効果が奏されることが確認された。なお、上記の実施の形態では、内部コイル1aのコイル導体2の形成部を単一の磁性体層1bで形成した場合について説明したが、図7の積層インダクタ31の横断面図に示すように、積層面方向周囲が磁性体層1bに囲まれた非磁性材料からなる非磁性体層1fをコイル導体パターン2a~2dの積層部に少なくとも1層備えるように構成してもよい。なお、同図において、図3と同一または相当する部分には同一符号を付してその説明は省略する。本構成によれば、内部コイル1aの周囲を磁性体層1bで囲みながら、内部コイル1aで発生する磁束の磁路中に、非磁性材料からなる非磁性体層1fを介在させることが出来る。このため、この非磁性体層1fによって内部コイル1aで発生する磁束が磁気飽和しにくくなり、より大きな磁束を磁路に通すことが可能になって高いインダクタンス値を得ることが可能になる。従って、この積層インダクタ31は電源用のインダクタとして用いると好適である。また、上記の実施の形態では、磁性体層1bの両方の最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが設けられた場合について説明したが、磁性体層1bのいずれか一方の最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが設けられるように構成してもよい。この構成では、内部コイル1aの一方の最外層端部の磁性体層1bから漏れ出る磁束を低減することが可能になる。従って、この構成によっても、積層インダクタを回路基板に実装することで、近接する回路部品へ磁気の影響が及ぶのを最小限に抑えることが出来る。また、上記の実施の形態では、磁性体層1bの最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dが2組で計4層設けられた場合について説明したが、その層数はこれに限定されるものではない。磁性体層1bの最外層端部に低透磁率磁性体層1cおよび高透磁率磁性体層1dがそれぞれ少なくとも1層ずつあればよい。また、上記の実施の形態では、磁性体層1bの比透磁率μを130、高透磁率磁性体層1dの比透磁率μを390とした場合について説明したが、磁性体層1bおよび高透磁率磁性体層1dの各比透磁率を同じ130や390としてもよく、低透磁率磁性体層1cの比透磁率より高ければよい。また、図7に示す非磁性体層1fの周囲の磁性体層1bも、その上下の磁性体層1bと同じ比透磁率である必要はなく、異なっていてもよい。また、低透磁率磁性体層1cは必ずしも非磁性材料からなる必要はなく、高透磁率磁性体層1dに比べて相対的に低い磁性材料から形成されればよい。また、上記の実施の形態では、コイル導体パターンをAgで形成するようにしたが、Cu、Au、Ni等のその他の導電性材料から形成するようにしてもよい。また、磁性体層としてフェライトグリーンシートを用いた場合について説明したが、その他の磁性体シートを用いるようにしてもよい。"