"真空下において複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、電極板を含み、該電極板を介して前記複数の荷電粒子線を前記基板に投影する静電レンズを備え、前記電極板は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれ通過させる複数の第1の開口と、前記複数の第1の開口とは別の複数の第2の開口とが形成され、前記複数の第2の開口の合計面積は、前記複数の第1の開口の合計面積より大きい、ことを特徴とする描画装置。前記静電レンズは、複数枚の電極板と、該複数枚の電極板を貫通する複数の筒状部材とを有し、前記複数の筒状部材は、絶縁材料で構成され、前記複数の第2の開口は、前記複数の筒状部材の内側面によって、それぞれ画定されている、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記基板を保持して走査方向に移動する基板ステージをさらに備え、前記走査方向において前記複数の第1の開口に隣接する前記複数の第2の開口の面積密度は、前記走査方向に直交する方向において前記複数の第1の開口に隣接する前記複数の第2の開口の面積密度より大きい、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の描画装置。前記複数の第2の開口それぞれの面積は、前記複数の第1の開口それぞれの面積より大きい、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の描画装置。請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。荷電粒子ビームに照射された瞬間から、有機成分が混入されたガスがレジストから多く放出される。荷電粒子ビームの照射が終了した後においても、レジストの分解反応が進む間はガスが放出され続ける。レジスト周辺のガス排出能力によって、ガスが滞留する時間が決まる。前述したように、ウエハとそれに対向する電極板は、例えば50mm×50mm程度の面積にて、0.2mmの間隔で対向することになる。この状態で、荷電粒子ビームがウエハ上のレジストに照射されると、一部分解された分子がレジストから放出され、ウエハと電極板との間の空間に充満する。レジストから放出されたガスがウエハと電極板との間の隙間を通って水平方向外側に抜けるためには時間がかかる。ガスの一部は静電レンズの各開口を通ってウエハから見て静電レンズの反対側上方向に抜けるが、その量も決して大きくない。更に荷電粒子ビームの照射が続くため、ウエハと電極板との間の空間内にレジストから放出されたガスが溜まる。この結果、この空間の圧力が上昇する。多くのレジストは有機物にて構成されているため、この空間にレジストから放出された有機性分子が溜まってしまうことにより、電極板の表面に有機性分子が付着し堆積する。この現象は、荷電粒子ビーム照射時にウエハ面から発生する二次電子が対向する電極板に到達し、物理吸着していた有機性分子に作用して電極板の表面に有機性分子を結合させることによると考えられている。静電レンズの電極板に有機性分子が堆積することによって静電レンズの開口形状が変化すると、荷電粒子ビームの集光点が変わってしまい、描画精度が低下する。また、堆積した有機性分子が二次電子によって帯電することにより、静電レンズの電場が乱れて、荷電粒子ビームの集光点の位置がずれてしまい、これも描画精度に影響を与える。更に、静電レンズの電極板には荷電粒子ビームを集光するために数kVの高電圧が印加されている。そのため、レジストから放出されたガスが溜まることによって、静電レンズが配置されている空間の真空度が低下し、電極板間で放電が起きてしまうという課題も発生する。特許文献1には、静電レンズの電極板間に残留する気体を排気する方法が開示されている。特許文献1に開示の方法は、互いに対向する電極板の形成する空間の気体を排気するための排気口とバルブをそれぞれの空間に対応して設置する。電極板間の残留ガスを排気するためにはこの方法も有効であるが、電極板間の間隔が非常に狭く広い場合でかつ残留ガスの圧力が1Pa以下であるような場合には、コンダクタンスを大きくすることは難しいため、排気能力は必ずしも高くならず、効果は低い。本発明は、レジストから放出されたガスの影響の小ささの点で有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。本発明は、真空下において複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、電極板を含み、該電極板を介して前記複数の荷電粒子線を前記基板に投影する静電レンズを備え、前記電極板は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれ通過させる複数の第1の開口と、前記複数の第1の開口とは別の複数の第2の開口とが形成され、前記複数の第2の開口の合計面積は、前記複数の第1の開口の合計面積より大きい、ことを特徴とする。本発明によれば、例えば、レジストから放出されたガスの影響の小ささの点で有利な描画装置を提供することができる。本発明は、真空下において複数の荷電粒子線電子線、イオン線等で基板に描画を行う描画装置に適用可能であるが、複数の電子ビームを用いる電子ビーム描画装置について図6を用いて説明する。なお、電子線の経路は、不図示の真空ポンプ等により、電子光学系の筐体内も含めて、真空下に置かれている。電子銃11はクロスオーバ像12を形成する。13、14はクロスオーバ12から出射した電子ビームの軌道を示している。クロスオーバ12から出射した電子ビームは、電磁レンズで構成されたコリメーターレンズ13の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ16に入射する。アパーチャアレイ16は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビームは複数の電子ビームに分割される。アパーチャアレイ16を通過した電子ビームは、円形状の開口を有した3枚の電極板図中では、3枚を一体で図示しているから構成される静電レンズ17に入射する。静電レンズ17が最初にクロスオーバを形成する位置に開口をマトリクス状に配置したストッピングアパーチャ19が配置される。このストッピングアパーチャ19での電子ビームのブランキング動作は、マトリクス状に電極を配置したブランキング偏向器18により実行する。ブランキング偏向器18は、ブランキング制御回路32により制御され、ブランキング制御回路32は描画パターン発生回路29、ビットマップ変換回路30、ブランキング指令生成回路31によって生成されるブランキング信号により制御される。ストッピングアパーチャ19を通過した電子ビームは、複数枚、例えば3枚の電極板を含む静電レンズ21によりウエハ又はマスクなどの基板22の上に投影されて元のクロスオーバ12の像を結像する。基板ステージステージ23は、基板22を保持して基板22の表面に平行な方向Y方向に走査可能である。パターンの描画中、基板22はY方向にステージ23により連続的に移動し、レーザ測長機などによるステージ23の測長結果を基準として、基板22の表面上の像が偏向器20によりX方向に偏向され、かつブランキング偏向器18でブランキングされる。偏向器20は、偏向信号発生回路33により発生される偏向信号を偏向アンプ34に送信することによって制御される。コリメーターレンズ13、静電レンズ17、静電レンズ21は、レンズ制御回路28により制御され、全ての露光動作はコントローラー27により統括される。この描画装置における描画方式について説明する。電子銃11から出射した電子ビーム13は、格子状の配置からX方向に相互に距離Lだけずれた千鳥配置となるように、アパーチャアレイ16でM行N列に分割されている。描画の際には、ステージ23が第1方向X方向に直交する第2方向Y方向に連続的に移動する間に、複数の電子ビームは、基板22の面上でX方向に走査可能な距離Lの範囲を画素単位で偏向器20により偏向を繰り返す。この距離Lは、偏向器20の偏向ストロークにより決定される。このときのステージ速度は、レジスト感度と電子ビームの電流密度の値とから決定される。基板22に対してY方向に設定された距離だけ連続移動描画をした後、ステージ23をY方向にN行分だけステップ移動して再びY方向への連続移動描画を行う。基板22の折り返し位置では、X方向にM行分だけステップ移動して再びY方向への連続移動描画を行う。この動作を繰り返すことでレジストが塗布された基板22全面に電子ビームによるパターン描画を行うことができる。以下、本発明の実施例に係る電子光学系の最終段に配置される静電レンズ21について説明する。[実施例1]図1及び図2は、実施例1の3枚の電極板3a,3b,3cを有する静電レンズ21を示した図である。静電レンズの各電極板3は、4つのブロックの境界に設置されたスペーサ6によって電極板3間の間隔が所定の間隔に維持される。各ブロックの中央には複数の電子ビームが通過するための多数の第1の開口1を有する第1領域2が少なくとも1つ形成されている。実施例1では、4つの第1領域2が形成されている。各電極板3の電子ビームが通過しない第2領域4には、第1領域2を取り囲むように第1の開口1とは別の第2の開口8が形成されている。図に示すような第1の開口群をもつブロック構造の電極板3では、電極板3の面積に対する第1の開口1の合計面積の割合は10程度である。電極板3aの下方には図示していないが、基板22のレジスト面が近接している。更に電極板3b、3cが重なるように配置されているため、第1の開口1だけではコンダクタンスが小さくなり、レジストから発生するガスが電極板3の反対側空間上方空間に抜けにくい構造となっている。面積の大きい基板22と電極板3aが対向しているために両者の間隙で発生したアウトガスが水平方向に沿って抜けてゆくことが困難であり、結果的に基板22と電極板3aとの間の空間の圧力が上昇する。そこで、図1、図2に示すように、静電レンズ21を構成する電極板3の電子ビームが通過しない第2領域4に、電子ビームが照射されたレジストから発生するアウトガスを逃がすための第2の開口8を設置する。これら第2の開口8は、電極板3の構造的な強度を維持しつつ、できるだけ大きくかつ多数、更に3枚の電極板3で同様に設置する。図1、図2では、アウトガスを逃がすための第2の開口8の形状を円形状としたが、楕円形状でも矩形形状でも良い。例として、直径1mmの第2の開口8を5mm×5mmのブロックにおける第1の領域2の周囲に並べると、第2の開口8を1つのブロックに16個程度設置可能である。このようにした場合、コンダクタンスは倍程度になり、基板22と電極板3の間の圧力上昇は半分になる。ブロック1つに注目すると、ガス抜きのために多数設置した第2の開口8は、それらの合計面積が広い方がより圧力上昇を抑えられることは言うまでもない。しかし、仮に第2の開口8の合計面積が同じならば、小さい開口を多く設置するよりも大きい開口を少なく設置する方がコンダクタンスは大きくなるため、より圧力上昇を抑える効果は高い。本実施例のように、第1の開口1の径が電極板3a~3cの厚みに比べて小さい場合は、第1の開口1は筒状となるためコンダクタンスが低下する。第2の開口8の大きさは、電極板3の厚みよりも大きい方が好ましい。より具体的な例としては、第2の開口8が円形状であれば直径が、長方形であれば短辺が、楕円形状であれば短径がそれぞれの電極板3の厚みよりも大きい方が好ましい。電子光学系の最終段に配置される静電レンズ21は通常3枚の電極板3a~3cにて構成されている。この3枚の電極板3a~3cが、アウトガスを逃がすための第2の開口8の径と同程度かそれ以上の間隔を持って配置されている場合、第2の開口8の位置が3枚の電極板3a~3cでずれていてもアウトガスの通過には大きな影響はない。しかし、本実施例のように第2の開口8の間隔が0.5mm程度で径が1mm程度の場合に第2の開口8の電極板3a~3cにおける位置が大きくずれていると電極板3枚を通過するガス分子の移動に影響が生じる。3枚の電極板3a~3cの第2の開口8の少なくとも一部が揃う、つまり貫通する部分がある場合、電極板3a~3cに衝突することなく静電レンズ21の反対側上方に抜けることができるアウトガス分子が少なからず存在するので、排気効率は良くなる。そのためにも、3枚の電極板3a~3cの第2の開口8は位置を揃えて貫通するような配置とすることが好ましい。[実施例2]図3に実施例2の静電レンズ21を示す。実施例2では、実施例1に比較して小さい第2の開口8を多数、各電極板3に形成する。従来技術にて説明したように、マルチビーム照射にてパターンを描画する際には、電子ビームを偏向器20の偏向電極で電圧を変化させながら各ビームをオンオフすることで、基板22上に線又は点を打つことができる。これを電子ビームの走査とする。この電子ビームの走査では特定の方向に1ライン描画する。描画方法によっては、この電子ビームの走査方向に対して垂直の方向にも走査できるような偏向器を用いて面を描画するものもあるが、本実施例では、電子ビームの走査方向と垂直な方向にはステージ23を移動させる。これをステージの走査と呼ぶ。電子ビームに照射された基板22上のレジストは、エネルギー照射により化学結合状態が変化するため、レジストの一部が気化して放出される。これは電子ビームが照射された瞬間から始まり、例えば化学増幅型のレジスト等はその反応が連鎖的に進むため、電子ビームの照射が終了しても反応は進む。このため、電子ビームの照射後でもレジストから気化する分子が存在する。更に、レジストは例えば50nm程度の厚さを有し、表面ばかりでなく基板22に近い場所でも反応は起きる。この時にレジストの内部で気化した分子は、レジストを抜けて表面から離脱するが、これも電子ビームの照射後に出てくることになる。このように、電子ビーム描画時にレジストから発生するアウトガスは電子ビームが照射された瞬間から始まり、照射後もしばらくはレジストから出続けることになる。そのため、これらアウトガスを適切に逃がさないとレジスト表面上の空間は圧力が上昇することになる。第2領域のうち、レジストを照射して放出されるアウトガスの局所分布を考えるとステージ23の走査方向9に沿う領域4aにおいて走査方向と直交する方向に沿う領域4bよりもレジストのアウトガスが多く発生し、多く溜まる。領域4aは、ステージ23の走査方向において複数の第1の開口1に隣接する領域であり、領域4bは、ステージ23の走査方向に直交する方向において複数の第1の開口1に隣接する領域である。本実施例では、複数の電子ビームが通過する第1領域2は、第2方向ステージ23の走査方向9に平行な一対の第1の辺と、第1方向に直交する第2方向に平行な一対の第2の辺とで囲まれた矩形形状を有する。第2領域4のうち、第2の辺から第2方向に沿って一定の幅を有する領域4aで第2の開口8が占める割合面積密度を、第1の辺から第1方向に沿って前記一定の幅を有する領域4bで第2の開口8が占める割合面積密度より大きくする。こうすることで、電子ビームの照射後にレジストから発生するアウトガスを効率的に静電レンズ21の反対側上方に逃がすことができる。このように走査方向9と平行な第2方向に沿う領域4aで第2の開口8を多く設置することによって電極板3の剛性が低くなった分を、走査方向9と直交する第1方向に沿う領域4bで第2の開口8の設置数を少なめにすることで補うことができる。[実施例3]次に、図4、図5に実施例3の静電レンズ21を説明する。本実施例は、筒状部材10が3枚の電極板3を貫通し、実施例1,2よりも大幅に大きな第2の開口8が筒状部材10の内側面で画定された例である。筒状部材10は、3枚の電極板3を所定の間隔を保持して支持している。このとき、筒状部材10は、電極板3を支持して各電極板間を維持するスペーサの役割を持つため、開口壁10は絶縁材料で構成される。更に、静電レンズ21を構成する電極板3には例えば5kV程度の電位差が生じるため、筒状部材10は、それに十分耐えることのできる絶縁耐性を有する必要がある。筒状部材10は、それ自身からのアウトガスが少ないもの、例えばガラスやセラミックスを使用しうる。このような筒状部材10を設置することで、レジストから発生したアウトガスは静電レンズ21の電極板3の間に侵入せずに静電レンズ21を抜けることができるという利点がある。アウトガスの全てが第1の開口1に侵入しないわけではないが、第1の開口1に侵入するアウトガスの量を抑えることができる。この第2の開口8をブロック配置した第1領域2の間及び第1領域2の周囲に配置する。第2の開口8の大きさは、例えば2mm×6mmとした。このような大きな第2の開口8を設置できると、静電レンズ21のコンダクタンスを大きくすることができる。そのため、基板22と電極板3の間隙のアウトガスによる圧力上昇は、第2の開口8が存在しない場合に比較して約1桁小さく抑えることができた。本実施例の筒状部材10とは別に電極板3の支持材やスペーサとして絶縁物を設置しても良い。実施例1~3によれば、静電レンズ21を構成する電極板3とレジストとの間の空間にレジストからのアウトガスが滞留することを防止することができる。これにより、電極板3に対するカーボンコンタミネーションコンタミナントまたは汚染物質の付着を少なくする効果がある。また、レジストアウトガスによる電極板間の圧力上昇も抑えることができ、放電の可能性を低くする効果がある。[デバイス製造方法]本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、レジストが塗布された基板の該レジストに上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。"