積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数のAlを主成分とする内部電極と、を備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記内部電極が扁平形状を有するAl粒子を有することを特徴とする、積層セラミック電子部品。前記内部電極の表層部がAl2O3層で形成されている、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。前記Al2O3層の厚みが、前記内部電極厚みの0.25~10である、請求項2に記載の積層セラミック電子部品。積層された複数のセラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシート間の界面に沿って形成されるAlを主成分とする金属成分を含む複数の層と、を備える生の積層体を用意する工程と、前記生の積層体を焼成する工程と、を備える積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記Alを主成分とする金属成分が、扁平形状を有するAl粒子を含むことを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。しかしながら、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成温度がAlの融点である660°Cよりはるかに高い1200°Cであるため、Al内部電極が球状化し、十分な導電性が確保できなかった。積層セラミックコンデンサとして考えた場合、十分な静電容量が得られなくなる。さらに、特許文献1における積層セラミック電子部品においては、焼成雰囲気が酸素分圧105atmの窒素雰囲気であるため、内部電極となるAlが窒化アルミAlNに変化してしまい、十分な導電性が確保できないという問題があった。この場合も十分な静電容量が得られなくなる。そこで、本発明の目的は、平滑性、導電性に優れるAl内部電極を備え、機械的特性および電気的特性に優れる積層セラミック電子部品を提供することにある。すなわち本発明は、積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数のAlを主成分とする内部電極と、を備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品であって、前記内部電極が扁平形状を有するAl粒子を有することを特徴とする。また、本発明は、前記内部電極の表層部がAl2O3層で形成されていることが好ましい。特に、前記Al2O3層の厚みは前記内部電極厚みの0.25~10である。本発明は、Alを主成分とする内部電極を備える積層セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。すなわち、積層された複数のセラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシート間の界面に沿って形成されるAlを主成分とする金属成分を含む複数の層とを備える生の積層体を用意する工程と、前記生の積層体を焼成する工程と、を備え、前記Alを主成分とする金属成分が、扁平形状を有するAl粒子を含むことを特徴とする。本発明によれば、Al内部電極が平滑性かつ導電性に優れるため、機械的特性および電気的特性に優れ、かつ小型化、コストパフォーマンスにも優れる積層セラミック電子部品を提供することができる。また、本発明によれば、Al内部電極の表面を構成するAl2O3層が様々な組成を有するセラミック層と強固に密着するため、焼成時の面方向の収縮が抑えられ、高い寸法精度を有する積層セラミック電子部品を提供することができる。以下、本発明の実施形態の一例を、図1の積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。本発明の積層セラミック電子部品は、その内部電極の主成分がAlである。この内部電極はAl単体でもAl合金でも良いが、Al合金である場合、Alの含有率が70モルであることが好ましく、さらに好ましくは90モル以上である。上記Alを主成分とする内部電極は、多くの扁平形状を有するAl粒子により形成されている。ここでいう扁平粒子とは略板状の粒子のことであり、板の面における平均径球形換算値と平均厚みとの比アスペクト比が、20以上である。この扁平粒子の面方向面の法線が積層方向と略平行である場合、内部電極の薄層化に有利である。内部電極に扁平形状のAl粒子を用いた場合、球形形状のAl粒子を用いた場合と比較して、さほど被覆率に差が無かったとしても、高い静電容量が得られやすい。これは、従来のNi内部電極やCu内部電極ではみられず、Al内部電極特有の効果であると思われる。また、内部電極の表層部、すなわちセラミック層と接する箇所は、Al2O3を主成分とする層で構成されていることが望ましい。これは、主として、Al内部電極の表面が酸化したことに因るものである。このAl2O3層が、Al内部電極の球状化による電極切れを防ぎ、Al内部電極の導電率を良好に保つ。また、このAl2O3層は、Al内部電極層を平滑にする作用がある。これにより、セラミック層とAl内部電極とのデラミネーションが抑制され、また積層体のクラックも防がれる。この効果を発現するには、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの0.25以上であることが好ましい。また、Al2O3層の厚みが内部電極の厚みの10超となると、内部電極層の総厚の20超がAl2O3で構成されることとなり、導電率の低下が懸念される。よって、Al2O3層の厚みは内部電極の厚みの10以下であることが好ましい。次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法について、積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。まず、セラミック原料が用意される。このセラミック原料は、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合され、セラミックスラリーとされる。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。次に、Alを主成分とする内部電極がセラミックグリーンシート上に形成される。形成方法としては、Al扁平粒子と有機ビヒクルとを含むAlペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。このようにして、セラミックグリーンシートとAl内部電極層とが多数層重ねられ、圧着することにより、焼成前の生の積層体が得られる。この生の積層体は、焼成炉において、例えば、所定の雰囲気温度にて焼成される。たとえば、焼成時の酸素分圧を1×104MPa以上とし、焼成温度を600°C以上、好ましくは670°C以上とした場合、Al内部電極の表面の酸化が進み、適度な厚みを有するAl2O3層が形成される。また、たとえば、焼成温度を1000°C以下とすると、Al内部電極の球状化が効果的に防がれる。酸素分圧に関しては、工程の簡便さを考慮すると、大気圧が最も好ましい。また、焼成工程における、室温~TOP温度までの昇温速度を100°C/分以上とすると、セラミック材料組成等の種々の変化があっても、より確実にAl内部電極の表層にAl2O3層が形成されやすい。以上の条件における焼成により、表層のAl2O3層を内部電極の保護に利用する一方で、仮にAl内部電極の酸化が内部まで進むと、静電容量が低下する問題が生じてくる。しかし本発明では、Al内部電極に扁平Al粒子を用いているので、隣り合うAl粒子間の酸化が極力防がれ、結果としてAl内部電極の酸化が内部まで進みにくい。したがって、表層には酸化膜であるAl2O3層が存在しつつも、全体としてのAl2O3の存在比率は必要最小限に抑えられ、静電容量の低下も最小限に抑えられる。このような理由で、球形Al粒子を用いたAl内部電極を有するものと比較して、扁平Al粒子を用いたAl内部電極を有する積層セラミック電子部品のほうが、静電容量の面で有利なのである。なお、Alの融点は約660°Cであるが、本発明の製造方法によれば、660°C以上の温度でもセラミックとともに共焼成可能となる。これはAl内部電極の表層部に形成されたAl2O3層に因るものと考えられる。このため、使用するセラミックの材料組成設計にも大きな自由度が生じ、様々なアプリケーションに応用可能となる。なお、本発明の積層セラミック電子部品におけるセラミック組成は特に限定されるものではない。チタン酸バリウム系Ca、Sr、Zr等で置換されたものも含む、チタン酸鉛系またはチタン酸ジルコン酸鉛系、アルミナ系ガラスセラミック、フェライト、遷移元素酸化物系半導体セラミック、など、本発明の目的を損なわない範囲で様々な材料を適用可能である。また、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層型圧電素子、積層サーミスタ素子、積層チップコイル、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。[実施例1]本実施例は、Al内部電極を有するとの積層セラミック電子部品において、球形Al粒子を用いたものと、扁平Al粒子を用いたものの差をみたものである。まず、セラミックの主成分としてBaTiO3粉末およびPbO3粉末を用意した。また、副成分としてBi2O3、CuOの粉末、およびLi2CO3とBi2O3の粉末を用意した。これらの粉末を表1の試料1~3の含有比を満足するよう混合した。このセラミック原料それぞれに、エタノール系の有機溶剤およびポリビニルブチラール系バインダを加え、ボールミルで湿式混合し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。一方で、平均粒径1μmの球形Al粒子からなる粉末と、平均径10μm、平均厚み0.3μmの扁平Al粒子からなる粉末とを用意した。これらのAl粉末それぞれを、有機ビヒクルおよび有機溶剤等と混合し、それぞれAlペーストを得た。次に、セラミックグリーンシート上に、Alペーストをスクリーン印刷により塗布し、Alペースト層を形成した。試料1は球形Al粒子を用いたもの、試料2および3は扁平Al粒子を用いたものであった。このAlペースト塗布後のセラミックグリーンシートを、Alペースト層の引き出されている側が互い違いになるように積層し、圧着し、生の積層体を得た。この生の積層体を大気中にて270°Cにて加熱し、バインダを除去した。この後、100°C/分の昇温速度にて昇温し、酸素分圧2×102MPaのもとで、725°Cにて1分間焼成した。得られた積層体の両端面に、Ag粉末とエポキシ樹脂とを有するAg樹脂ペーストを塗布し、大気中にて180°Cにて硬化させ、これを内部電極と接続する外部電極とした。以上のようにして得られた積層セラミックコンデンサは、長さ2.0mm、幅1.0mm厚さ1.0mmであり、セラミック層厚みは50μm、内部電極層厚みは5μm、有効層数は5であった。一層あたりの内部電極対向面積は1.7×106m2であった。得られた試料について静電容量を、自動ブリッジ式測定器を用い、1Vrms、1KHzの条件下で測定した。結果を表1に示した。試料1と試料2とを比較すると、球形Al粒子を用いた積層セラミックコンデンサより、扁平Al粒子を用いた積層セラミックコンデンサのほうが、高い静電容量が得られた。また、扁平Al粒子を用いた試料3においても、比較的高い静電容量が得られた。また、FIB加工による断面をSEMによって観察し、試料1および2の断面写真をそれぞれ図2、図3に示した。さらに試料2の薄片加工試料において、Al内部電極付近の断面をTEMによって観察し、拡大写真を図4に示した。図3および図4によると、Al扁平粒子により、連続性が高くかつ薄層のAl内部電極が得られていることがわかる。