半導体基板に半導体素子を作製する工程と、前記半導体基板の前記半導体素子を作製された側の面を支持部材に接合させる工程と、前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記半導体素子を作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記支持部材は、回路基板上に実装され、前記支持部材には、前記半導体素子と前記回路基板とを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体基板は、複数個の前記半導体素子を作製されたウエハであり、複数個の前記支持部材が別なウエハによって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の製造方法。半導体基板に音響センサを作製する工程と、プレートに空洞を形成して支持部材を作製する工程と、前記半導体基板の前記音響センサを作製された側の面を前記支持部材に接合させる工程と、前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記音響センサを作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程と、研磨処理後の前記半導体基板に形成された前記音響センサ及び前記支持部材と信号処理回路とをパッケージ内に実装する工程とを備えた、マイクロフォンの製造方法。前記空洞は、前記信号処理回路を納めるための空間であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。前記空洞は、前記音響センサのバックチャンバと連通した空間であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。前記支持部材には、前記音響センサと前記パッケージに設けた電極パッドとを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。前記プレートは、半導体基板であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。前記半導体基板は、複数個の前記音響センサを作製されたウエハであり、前記プレートは、複数個の前記支持部材を作製されたウエハであることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロフォンの製造方法。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、支持部材の上に半導体素子を実装した構造の半導体装置たとえば、支持部材の上に音響センサを実装した構造のマイクロフォンにおいて、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供することにある。本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に半導体素子を作製する工程と、前記半導体基板の前記半導体素子を作製された側の面を支持部材に接合させる工程と、前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記半導体素子を作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程とを備えたことを特徴としている。本発明に係る半導体装置の製造方法にあっては、半導体素子を作製された半導体基板と支持部材とを接合させた後、両者を接合させた状態のままで半導体基板を研磨して半導体基板の厚みを薄くしている。よって、半導体基板に作製された半導体素子の高さを低くすることができ、半導体装置の低背化を図ることができる。さらに、半導体基板を支持部材と貼り合わせて半導体基板の剛性を高めた状態で半導体基板を研磨することができる。よって、研磨の工程中において、あるいは研磨の後の工程において、半導体基板に割れや欠けが発生しにくくなり、半導体素子の歩留まりを向上させることができるとともに実質的に半導体装置の低背化を可能にできる。本発明のある実施態様による半導体装置の製造方法においては、前記支持部材は、回路基板上に実装され、前記支持部材には、前記半導体素子と前記回路基板とを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していてもよい。かかる実施態様によれば、半導体素子を回路基板に接続するためにボンディングワイヤを用いる場合と比較して、半導体装置の高さを小さくすることができる。本発明の別な実施態様による半導体装置の製造方法においては、前記半導体基板が、複数個の前記半導体素子を作製されたウエハであり、複数個の前記支持部材が別なウエハによって形成されていてもよい。かかる実施態様によれば、複数個の半導体素子及び支持部材を一度に作製することができ、半導体装置の製造効率が向上する。また、この場合には、半導体基板や支持部材として、薄くて大口径のウエハを用いることになるが、その場合でも、本発明の方法によれば研磨によってウエハに割れや欠けが生じにくくなる。よって、本発明の有用性がより高くなる。本発明に係るマイクロフォンの製造方法は、半導体基板に音響センサを作製する工程と、プレートに空洞を形成して支持部材を作製する工程と、前記半導体基板の前記音響センサを作製された側の面を前記支持部材に接合させる工程と、前記半導体基板と前記支持部材が接合された状態において、前記半導体基板の前記音響センサを作製された面と反対側の面を研磨して前記半導体基板の厚みを薄くする工程と、研磨処理後の前記半導体基板に形成された前記音響センサ及び前記支持部材と信号処理回路とをパッケージ内に実装する工程とを備えたことを特徴としている。本発明に係るマイクロフォンの製造方法にあっては、音響センサを作製された半導体基板と支持部材となったプレートとを接合させた後、両者を接合させた状態のままで半導体基板を研磨して半導体基板の厚みを薄くしている。よって、半導体基板に作製された音響センサの高さを低くすることができ、マイクロフォンの低背化を図ることができる。さらに、半導体基板を支持部材と貼り合わせて半導体基板の剛性を高めた状態で半導体基板を研磨することができる。よって、研磨の工程中において、あるいは研磨の後の工程において、半導体基板に割れや欠けが発生しにくくなり、音響センサの歩留まりを向上させることができるとともに実質的にマイクロフォンの低背化を可能にできる。本発明のある実施態様によるマイクロフォンの製造方法においては、前記空洞が、前記信号処理回路を納めるための空間であってもよい。かかる実施態様によれば、信号処理回路を支持部材の空洞内に納めることによってマイクロフォンの平面積を小さくでき、マイクロフォンの小型化を図ることができる。本発明の別な実施態様によるマイクロフォンの製造方法においては、前記空洞が、前記音響センサのバックチャンバと連通した空間であってもよい。かかる実施態様によれば、音響センサのバックチャンバの容積を実質的に拡張することができ、音響センサの感度が向上する。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンの製造方法においては、前記支持部材に、前記音響センサと前記パッケージに設けた電極パッドとを電気的に導通させるための導電体が上下に貫通していてもよい。かかる実施態様によれば、音響センサをパッケージに接続するためにボンディングワイヤを用いる場合と比較して、マイクロフォンの高さを小さくすることができる。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンの製造方法は、前記プレートが、半導体基板であることを特徴としている。支持部材のプレートとして半導体基板を用いれば、音響センサと同じようにMEMS技術やフォトリソグラフィを用いて支持部材を加工することができる。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンの製造方法は、前記半導体基板が、複数個の前記音響センサを作製されたウエハであり、前記プレートが、複数個の前記支持部材を作製されたウエハであることを特徴としている。かかる実施態様によれば、複数個の音響センサ及び支持部材を一度に作製することができ、マイクロフォンの製造効率が向上する。また、この場合には、半導体基板やプレートとして、薄くて大口径のウエハを用いることになるが、その場合でも、本発明の方法によれば研磨によってウエハに割れや欠けが生じにくくなる。よって、本発明の有用性がより高くなる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。以下の実施形態においては、半導体装置の一例としてマイクロフォンについて述べる。このマイクロフォンでは、半導体素子として音響センサが用いられている。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。第1の実施形態以下、図3-図5を参照して本発明の実施形態1によるマイクロフォンすなわち、半導体装置を説明する。図3は、実施形態1に係るマイクロフォン41の構造を示す断面図である。また、図4Aは、マイクロフォン41に用いられているインターポーザ52すなわち、支持部材の斜視図、図4Bは、インターポーザ52を上下反転させた状態で示す斜視図である。図5A及び図5Bはインターポーザ52の断面図であって、図5Aは図4AのX-X線断面を示し、図5Bは図4AのY-Y線断面を示す。マイクロフォン41にあっては、カバー42と回路基板43によってパッケージが形成されている。このパッケージ内には、音響センサ51すなわち、半導体素子、インターポーザ52および信号処理回路53が納められている。パッケージの一部を構成する回路基板43の上面には、インターポーザ52や信号処理回路53を接合させるための複数個の上面電極パッド44が設けられている。回路基板43の下面には、マイクロフォン41をプリント配線基板などに実装するときに、マイクロフォン41をプリント配線基板などに接続させるための複数個の下面電極パッド45が設けられている。カバー42は、下面が開口した箱状をしており、絶縁性材料たとえば、プラスチックからなるカバー本体46の内面に、金属メッキ膜による電磁シールド膜47が形成されている。また、カバー42にはパッケージ内に音響振動を導き入れるための音導入孔48が少なくとも1箇所に開口されている。なお、カバー本体46は金属製であってもよく、その場合にはカバー本体46が電磁シールドの機能を有するので、別途電磁シールド膜47を設ける必要はない。音響センサ51はMEMS技術を利用して作製された静電容量型素子である。図3に示すように、音響センサ51は、全体をシリコン基板54半導体基板によって保持されている。シリコン基板54には、上下に貫通するようにしてフロントチャンバ55が開口されている。シリコン基板54の下面には、フロントチャンバ55の下面開口を覆うようにして、薄膜状のダイアフラム56が設けられている。ダイアフラム56は、導電性を有するポリシリコンによって形成されている。したがって、ダイアフラム56は、それ自体が可動電極板となっている。ダイアフラム56は、外周縁の複数箇所をアンカー図示せずによって支持されることにより、シリコン基板54の下面で膜状に張られている。アンカー間においては、ダイアフラム56の外周縁とシリコン基板54の下面との間にベントホール狭い隙間が形成されている。ダイアフラム56の下方には、ダイアフラム56との間にエアギャップ58空隙を形成するようにして、バックプレート57が設けられており、バックプレート57の外周部はシリコン基板54の下面に固定されている。また、バックプレート57の上面には、ダイアフラム56と対向するようにして固定電極板59が設けられている。バックプレート57は絶縁性のSiNによって形成され、固定電極板59は導電性のポリシリコンによって形成されている。この結果、エアギャップ58を介して対向しているダイアフラム56と固定電極板59によって音響振動検知用のキャパシタが構成されている。バックプレート57及び固定電極板59のほぼ全体には、ダイアフラム56を振動させた後の音響振動を通過させるためのアコースティックホール60音響孔が多数穿孔されている。ダイアフラム56の端部からは引出配線61が延出されている。引出配線61の端部には、バックプレート57に埋め込まれた電極部62が電気的に接続されている。また、固定電極板59の端部からは引出配線63が延出されている。引出配線63の端部には、バックプレート57に埋め込まれた電極部64が電気的に接続されている。電極部62の下面は、音響センサ51の下面の四隅のうちいずれか1箇所の隅部に露出しており、電極部62の下面にはバンプ67が設けられている。電極部64の下面は、音響センサ51の下面の四隅のうち別な隅部において露出しており、電極部64の下面にはバンプ67が設けられている。音響センサ51の下面の四隅のうち、電極部62、64が設けられていない隅部には、ダミーの電極図示せずが設けられている。ダミーの電極とは、音響センサ51の下面をハンダなどで機械的に固定するための電極であって、電気的な働きを有しないものである。ダミーの電極にもバンプが設けられている。インターポーザ52は、図4A、図4B、図5A及び図5Bに示すような構造を有している。インターポーザ52は、絶縁性材料、特に半導体基板によって角筒状に形成されており、インターポーザ52内には信号処理回路53を納めるための空洞70が上下に貫通している。また、インターポーザ52の壁面上部には通気用切欠71すなわち、音響伝達通路が形成されている。インターポーザ52は、音響センサ51と回路基板43を電気接続するための構造を備えている。すなわち、インターポーザ52の四隅のうち1箇所には貫通電極65導電体が埋め込まれており、インターポーザ52の上面には貫通電極65と導通したパッド部65aが設けられ、下面には貫通電極65と導通したパッド部65bが設けられている。インターポーザ52の四隅のうち別な箇所には、貫通電極66導電体が埋め込まれており、インターポーザ52の上面には貫通電極66と導通したパッド部66aが設けられ、下面には貫通電極66と導通したパッド部66bが設けられている。さらに、インターポーザ52の四隅のうち貫通電極65、66が設けられていない箇所では、インターポーザ52の上面にダミー電極72aが設けられ、下面にダミー電極72bが設けられている。ダミー電極72a、72bは機械的に接続してインターポーザ52を固定するための電極であり、上面のダミー電極72aと下面のダミー電極72bとは電気的には導通していない。なお、図4及び図5のインターポーザ52では、その壁面上部に通気用切欠71が形成されているが、インターポーザ52の壁面下部に通気用切欠71を設けてもよい。また、インターポーザ52の壁面に音響伝達通路として通気用開口を窓状に開口してもよい。ただし、通気用切欠や通気用開口などの音響伝達通路は、音響振動による動的な圧力変化を伝えられるだけの通路断面積を有していることが必要である。信号処理回路53ASICは、音響センサ51から出力される音響検知信号を増幅し、さらにその信号をデジタル信号に変換して出力するための回路である。信号処理回路53の下面には、音響センサ51からの信号を入力させるための電極部69や信号処理された信号を出力するための電極部69が設けられている。マイクロフォン41は、つぎのようにして組み立てられている。音響センサ51は、インターポーザ52の上に載置され、電極部62の下面に設けたバンプ67が貫通電極65の上面パッド部65aに接合され、電極部64の下面に設けたバンプ67が貫通電極66の上面パッド部66aに接合されている。また、音響センサ51の下面に設けられたダミーの電極のバンプ67は、インターポーザ52の上面のダミー電極72aに接合されている。この結果、音響センサ51は4箇所のバンプ67によってインターポーザ52の上面に機械的に固定されている。さらに、音響センサ51の電極部62、64は、それぞれ貫通電極65、66を通じてインターポーザ52の下面パッド部65b、66bに導通している。インターポーザ52の下面に設けられたパッド部65b、66b及びダミー電極72bは、それぞれハンダや導電性接着剤などの導電材料68によって回路基板43の上面電極パッド44に接合される。信号処理回路53の電極部69も、ハンダや導電性接着剤などの導電材料68によって回路基板43の上面電極パッド44に接合される。カバー42は、回路基板43の上面に実装された音響センサ51、インターポーザ52及び信号処理回路53を覆うようにして、回路基板43の上面に重ねられる。このとき、カバー42の音導入孔48は、音響センサ51のフロントチャンバ55内に臨むように配置される。音響センサ51の上面シリコン基板54の上面全体は、接着樹脂50を用いてその全周をカバー42の内面に接着され封止される。カバー42の下面は回路基板43の上面に導電性接着剤によって接着され、電磁シールド膜47は回路基板43のグランド電極に導通させられる。しかして、音導入孔48からマイクロフォン41内に音響振動が入ると、音響振動は音響センサ51のフロントチャンバ55内に導かれる。音響振動はダイアフラム56を振動させるので、ダイアフラム56と固定電極板59とで構成されるキャパシタの静電容量を変化させ、この静電容量の変化が音響検知信号として電極部62、64から出力される。音響センサ51から出力された音響検知信号は、貫通電極65、66を通って上面電極パッド44へ伝えられる。貫通電極65、66のパッド部65b、66bを接合された上面電極パッド44は、回路基板43の上面又は内部に設けられた配線パターン図示せずによって信号処理回路53の信号入力用の電極部69を接合された上面電極パッド44に導通している。よって、音響センサ51の音響検知信号は、信号入力用の電極部69から信号処理回路53内に入力される。また、信号出力用の電極部69を接合された上面電極パッド44は、回路基板43の内部に設けた配線構造図示せずによって回路基板43の下面電極パッド45に接続されている。よって、信号処理回路53で処理された出力信号は、回路基板43の下面電極パッド45から外部へ出力される。なお、音響センサ51と信号処理回路53の電気的な接続形態やインターポーザ52における貫通電極数などは、音響センサ51や信号処理回路53の構成により変わるので、上記説明は一例を表したものである。このような構成の音響センサ51では、以下のような作用効果を得ることができる。音響センサと信号処理回路をボンディングワイヤを用いて接続する場合たとえば、図1参照には、ピンと張って配線すると振動などでボンディングワイヤが断線するおそれがある。また、ボンディングワイヤを下方へ弛ませて配線すると、当該ワイヤが音響センサや信号処理回路の電極パッドに接触するおそれがある。そのため、ボンディングワイヤは、上方へ弛ませて配線される。その結果、パッケージの高さは、上方へ飛び出たボンディングワイヤを収納できるだけの高さが必要となり、その分だけマイクロフォンの高さが高くなる。これに対し、本実施形態の音響センサ51では、インターポーザ52に設けた貫通電極65、66を通じて音響センサ51と信号処理回路53を接続している。そのため、ボンディングワイヤを用いて接続する場合のようにボンディングワイヤの弛み分を考慮する必要が無くなり、音響センサ51の高さを不必要に高くすることがなくなる。また、音響センサ51と信号処理回路53を上下に配置しているので、音響センサ51を実装するための領域とは別に信号処理回路53を実装するための領域を必要としなくなり、従来のように横に並べて配置する場合と比べると、マイクロフォン41の平面積を非常に小さくすることができる。よって、音響センサ51や信号処理回路53のサイズを小さくできない場合であっても、マイクロフォン41を小型化することが可能になる。この音響センサ51では、音導入孔48とダイアフラム56の間のシリコン基板54で囲まれた空間がフロントチャンバ55となっている。一方、ダイアフラム56の下面側の空間が音響センサ51のバックチャンバとなる。しかし、ダイアフラム56を通過した後の音響振動は、アコースティックホール60を通過してインターポーザ52内の空洞70へ広がり、さらに通気用切欠71を通過してパッケージ内空間49へ広がることができる。ここで、パッケージ内空間49とは、カバー42と回路基板43で囲まれたパッケージ内の空間のうち、音響センサ51及びインターポーザ52の外側の空間をいう。したがって、音響センサ51では、音響センサ51内のダイアフラム56よりも下側の空間と、インターポーザ52内の空洞70と、パッケージ内空間49とを合わせた空間が実質的なバックチャンバとなる。すなわち、このマイクロフォン41では、パッケージ内の空間のうち、フロントチャンバ55を除くほとんどすべての空間がバックチャンバとなる。音響センサ51の感度はバックチャンバの容積が大きいほど向上する。このマイクロフォン41では、パッケージ内の空間の大部分をバックチャンバとして利用することができるので、音響センサ51の感度を向上させることができる。また、本実施形態のマイクロフォン41では、カバー42の内面に電磁シールド膜47を形成している回路基板43の内部にも電磁シールド膜を設けてあってもよい。ので、音響センサ51や信号処理回路53を外来ノイズから遮断することができ、マイクロフォン41のS/N比を向上させることができる。第1の実施形態のマイクロフォンの製造方法つぎに、実施形態1のマイクロフォン41を製造する工程を図6-図11に基づいて説明する。インターポーザ52は、図6A-図6Fに示すような工程により、複数個が一度に作製される。図7Aは、この結果一体に作製された複数個のインターポーザ52を示す平面図である。図7Bは、図7AのZ-Z線に沿った断面を示す。複数個のインターポーザ52は、以下のようにして作製される。図6Aは、複数個のインターポーザ52を一度に作製するための絶縁性のSiウエハ73を示す。このSiウエハ73の下面に金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィなどによって金属薄膜をパターニングする。その結果、図6Bに示すように、Siウエハ73の下面の所定位置にはそれぞれパッド部65b、66b及び72bが形成される。ついで、図6Cに示すように、Siウエハ73をエッチングすることによってパッド部65b、66bの上にスルーホール76を開口する。このスルーホール76内にメッキなどによって金属材料を充填させ、図6Dに示すように、スルーホール76内に貫通電極65、66を形成する。貫通電極65はパッド部65bの上に形成されていてパッド部65bと電気的に導通している。同様に、貫通電極66はパッド部66bの上に形成されていてパッド部66bと電気的に導通している。さらに、Siウエハ73の上面に金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィなどによって金属薄膜をパターニングする。その結果、図6Eに示すように、貫通電極65の上には貫通電極65と導通したパッド部65bが形成され、貫通電極66の上には貫通電極66と導通したパッド部66bが形成される。また、Siウエハ73の上面のダミー電極72bと対向する位置には、ダミー電極72aが形成される。この後、一組のパッド部65a、66a及びダミー電極72aに囲まれた領域の中央部をエッチングすることにより、図6Fに示すように、上下に貫通した空洞70を開口させる。最後に、Siウエハ73の上面を溝状にエッチングして通気用切欠71を形成し、複数個のインターポーザ52が一体になったものを作製する。こうして、図7A及び図7Bに示すように、複数個のインターポーザ52が作製される。音響センサ51も、複数個が一度に作製される。図8Aは、一体に作製された複数個の音響センサ51を示す断面図である。Siウエハ74プレートの上面には、音響センサ51となる各領域ごとにポリシリコン製のダイアフラム56が設けられている。ダイアフラム56の上には犠牲層75が形成され、犠牲層75の上面には固定電極板59とバックプレート57が設けられる。また、各音響センサ51となる領域の各隅部には、電極部62、64とダミーの電極が設けられる。図8Bに示すように、図8Aのように作製された音響センサ51は、上下反転させて図7のインターポーザ52の上面に重ねられ、バンプ67によって電極部62とパッド部65a、電極部64とパッド部66a、ダミーの電極とダミー電極72aがそれぞれ接合される。この結果、複数個の音響センサ51を構成されたSiウエハ74と複数個のインターポーザ52を構成されたSiウエハ73が一体に張り合わされる。ついで、図9Aに示すように、音響センサ51の上面を研磨してSiウエハ74の厚みを薄くする。ウエハは薄くて直径が大きな略円板状をしているので、剛性があまり高くない。そのため、音響センサ51を形成されたSiウエハ74を単独で研磨してSiウエハ74の厚みを薄くすると、研磨工程中において、あるいはその後の工程においてSiウエハ74に割れや欠けが発生し、音響センサ51の歩留まりが低下する。しかし、ここで説明する製造方法では、2枚のSiウエハ、すなわちSiウエハ73とSiウエハ74を貼り合わせているのでウエハの剛性を高めることができる。よって、Siウエハ74とSiウエハ73を貼り合わせた後で研磨することにより、Siウエハ74の剛性を高めて研磨を行うことができ、Siウエハ74の研磨が容易に、かつ、歩留まりよく行えるようになる。この後、図9Bに示すように、音響センサ51の犠牲層75をエッチングにより除去し、ダイアフラム56と固定電極板59の間にエアギャップ58を形成する。この結果、ダイアフラム56は振動可能な膜状に形成される。ついで、図9Bに1点鎖線で示すカッティングラインに沿ってSiウエハ74、73をダイシングする。この結果、図10Aに示すように、音響センサ51及びインターポーザ52は上下に接合されたままで1個1個切り離される。つぎに、回路基板43の上面に信号処理回路53をフリップチップ実装し、導電材料68によって信号処理回路53の電極部69を回路基板43の上面電極パッド44に接合させる。こうして、回路基板43の上に実装された信号処理回路53を図10Bに示す。ついで、図11Aに示すように、一体となったインターポーザ52と音響センサ51を回路基板43の上に重ねて信号処理回路53を覆い、信号処理回路53をインターポーザ52の空洞70内に納める。このとき、導電材料68によってインターポーザ52のパッド部65b、66bとダミー電極72bをそれぞれ回路基板43の上面電極パッド44に接合する。この後、図11Bに示すように、音響センサ51、インターポーザ52及び信号処理回路53を覆うようにして回路基板43の上にカバー42を重ねる。カバー42には、あらかじめ音導入孔48が開口されており、カバー42を回路基板43に重ねたとき音導入孔48はフロントチャンバ55の上面開口に重なる。ついで、カバー42の下面を導電性接着剤によって回路基板43に接合させる。このとき同時に、音響センサ51の上面を接着樹脂50によってカバー42の内面に接着し、音響センサ51の上面全周とカバー42内面における音導入孔48の全周との間を封止し、音導入孔48から入った音響振動が音響センサ51とカバー42の間の隙間から漏れないようにする。このようにしてマイクロフォン41を製造すれば、Siウエハ74の研磨時にSiウエハ74に割れや欠けが発生しにくくなるので、マイクロフォン41の製造工程における歩留まりが向上する。また、Siウエハ74に割れや欠けが発生しにくくなるので、研磨によってSiウエハ74の厚みを薄くでき、音響センサ51の高さを小さくすることができる。音響センサ51の高さを小さくできると、カバー42も高さの低いものを用いることができるようになり、マイクロフォン41の低背化と小型化が可能になる。第2の実施形態図12は、本発明の実施形態2によるマイクロフォン81を示す断面図である。このマイクロフォン81は、実施形態1のマイクロフォン41とはインターポーザ52の形状が異なっているだけである。従って、実施形態2のマイクロフォン81においては、インターポーザ52以外の説明は省略する。マイクロフォン81に用いられているインターポーザ52では、図13A及び図13Bに示すように、信号処理回路53を収容するための空洞70は下面開口した箱状となっていて上面は塞がれている。一方、インターポーザ52の上面には1本又は複数本の溝状をした通気用切欠71が設けられている。したがって、音響センサ51のダイアフラム56の下の空間バックチャンバは、信号処理回路53を収納するための空洞70を経由することなく、通気用切欠71を通ってパッケージ内空間49と連通している。よって、実質的にバックチャンバの容積を大きくすることができ、マイクロフォン81の感度を向上させることができる。このマイクロフォン81では、インターポーザ52の空洞70は、信号処理回路53を納めるための空間となっている。しかも、上下に配置された音響センサ51と信号処理回路53がインターポーザ52によって仕切られているので、音響センサ51と信号処理回路53の短絡事故などを防ぐことができる。さらに、信号処理回路53はインターポーザ52によって覆われているので、音導入孔48から入り込んだ水分や埃から信号処理回路53を保護することができる。このような実施形態2のマイクロフォン81も、実施形態1において説明した製造方法と同様にして製造することができ、マイクロフォン81の低背化を可能にすることができる。第3の実施形態図14は本発明の実施形態3によるマイクロフォン82を示す断面図である。このマイクロフォン82では、信号処理回路53はインターポーザ52の内部には置かれていない。信号処理回路53は、インターポーザ52の横に並べて回路基板43の上面に実装されている。したがって、このマイクロフォン82では、インターポーザ52の内部の空洞70は、音響センサ51のバックチャンバと連通していて、バックチャンバの容積を大きくする働きをしている。このような実施形態3のマイクロフォン82も、実施形態1において説明した製造方法と同様にして製造することができ、マイクロフォン82の低背化を可能にすることができる。また、インターポーザ52は、必ずしも通気用切欠71などの音響伝達通路を有している必要はない。図15に示すような通気用切欠71を有しないインターポーザ52を用いることもできる。この場合には、バックチャンバはインターポーザ52内の空洞70にまでしか拡張されず、パッケージ内空間49はバックチャンバとして利用できなくなる。しかし、通気用切欠71などの音響伝達通路をインターポーザ52に設けることは本発明の製造方法にとって必須とされるものではない。その他の実施形態インターポーザ52は、実施形態1、2で述べたような構造以外にも種々の構造が可能である。図16A及び図16Bに示すものはさらに別な実施形態である。このインターポーザ52では、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部65aから延長電極部83aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部65bから延長電極部83bを延出し、延長電極部83aの先端部と延長電極部83bの先端部間を貫通電極65で接続している。同様に、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部66aから延長電極部84aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部66bから延長電極部84bを延出し、延長電極部84aの先端部と延長電極部84bの先端部間を貫通電極66で接続している。このような実施形態によれば、貫通電極65、66を自由な位置に設けることが可能になる。