透光性基板と、前記透光性基板上に形成された透明導電層と、前記透明導電層上に形成された光電変換層と、前記光電変換層に接して形成された多孔性絶縁層と、前記多孔性絶縁層に接して形成された反射層と、前記反射層上に形成された触媒層および対極導電層とを有し、前記光電変換層は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含み、前記透光性基板に向けて垂直に前記多孔性絶縁層を投影したときの投影面積、および前記透光性基板に向けて垂直に前記反射層を投影したときの投影面積は、前記透光性基板に向けて垂直に前記光電変換層を投影したときの投影面積よりも大きい、光電変換素子。前記多孔性絶縁層は、前記光電変換層の上部および側面に接して形成されており、前記反射層は、前記多孔性絶縁層の上部に接して形成されている、請求項1に記載の光電変換素子。前記多孔性絶縁層は、0.2μm以上5μm以下の膜厚である、請求項1または2に記載の光電変換素子。前記多孔性絶縁層および前記反射層の合計膜厚は、10μm以上である、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記多孔性絶縁層は、1×1012Ωcm以下の導電率の材料からなる、請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子。前記多孔性絶縁層は、酸化二オブ、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素化合物、酸化アルミニウム、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される1種以上の化合物からなる、請求項1~5のいずれかに記載の光電変換素子。前記反射層は、酸化アルミニウムまたは酸化チタンを含む、請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。前記反射層は、前記多孔性半導体を構成する材料と同一の材料からなる、請求項1~7のいずれかに記載の光電変換素子。前記反射層および前記多孔性半導体は、酸化チタンからなる、請求項1~8のいずれかに記載の光電変換素子。前記反射層は、前記多孔性半導体を構成する微粒子の平均粒径よりも平均粒径が大きい微粒子からなる、請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子。2以上の光電変換素子を電気的に直列に接続されてなる光電変換素子モジュールであって、前記光電変換素子の少なくとも1つは、請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子である、光電変換素子モジュール。3以上の光電変換素子を電気的に直列および/または並列に接続されてなる光電変換素子モジュールであって、前記光電変換素子の少なくとも1つは、請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子である、光電変換素子モジュール。2以上の光電変換素子を電気的に直列および/または並列に接続されてなる光電変換素子モジュールであって、前記光電変換素子の全てが請求項1~9のいずれかに記載の光電変換素子である、光電変換素子モジュール。特許文献5に示される光電変換素子は、各層間での剥離を防止することはできるが、光電変換層と反射層との間に多孔性絶縁層を設けること、および反射層が光電変換層と同じ形状でしか形成していないことに起因し、反射層が光電変換層の側面方向に形成されていないことから、反射層の光散乱効果が十分に得られない。このため、光電変換素子の光電変換効率が低下するという問題があった。本発明は、上記のような現状に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、多孔性絶縁層による反射層の光散乱効果の阻害の抑制および側面方向からの光散乱効果を向上させることにより、光電変換効率が高い光電変換素子および光電変換素子モジュールを提供することである。本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意研究を行なった結果、光電変換素子および光電変換素子モジュールにおいて、多孔質半導体の透光性基板への投影面積よりも投影面積が大きい反射層を形成することにより、反射層による光散乱効果を向上させることができることを見い出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明の光電変換素子は、透光性基板と、該透光性基板上に形成された透明導電層と、該透明導電層上に形成された光電変換層と、該光電変換層に接して形成された多孔性絶縁層と、該多孔性絶縁層に接して形成された反射層と、該反射層上に形成された触媒層および対極導電層とを有し、光電変換層は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含み、透光性基板に向けて垂直に多孔性絶縁層を投影したときの投影面積、および透光性基板に向けて垂直に反射層を投影したときの投影面積は、透光性基板に向けて垂直に光電変換層を投影したときの投影面積よりも大きいことを特徴とする。上記の多孔性絶縁層は、光電変換層の上部に接して形成されており、反射層は、多孔性絶縁層の上部に接して形成されていることが好ましい。多孔性絶縁層は、0.2μm以上5μm以下の膜厚であることが好ましい。多孔性絶縁層および反射層の合計膜厚は、10μm以上であることが好ましい。多孔性絶縁層は、1×1012Ωcm以下の導電率の材料からなることが好ましい。多孔性絶縁層は、酸化二オブ、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素化合物、酸化アルミニウム、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される1種以上の化合物からなることが好ましい。反射層は、酸化アルミニウムまたは酸化チタンを含むことが好ましい。反射層は、多孔性半導体を構成する材料と同一の材料からなることが好ましい。反射層および多孔性半導体は、酸化チタンからなることが好ましい。反射層は、多孔性半導体を構成する材料の平均粒径よりも平均粒径が大きい微粒子からなることが好ましい。本発明は、2以上の光電変換素子を電気的に直列に接続されてなる光電変換素子モジュールでもあり、光電変換素子モジュールを構成する少なくとも1つの光電変換素子が、本発明の光電変換素子であることを特徴とする。本発明は、3以上の光電変換素子を電気的に直列および/または並列に接続されてなる光電変換素子モジュールであって、上記の光電変換素子のうちの少なくとも1つが、本発明の光電変換素子であることを特徴とする。本発明は、2以上の光電変換素子を電気的に直列および/または並列に接続されてなる光電変換素子モジュールであり、該光電変換素子モジュールを構成する全ての光電変換素子が本発明の光電変換素子であることを特徴とする。本発明によれば、反射層の光散乱効果を向上させることにより、光電変換効率が高い光電変換素子および光電変換素子モジュールを提供することができる。以下、本発明の光電変換素子および光電変換素子モジュールについて図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。<光電変換素子>図1は、本発明の光電変換素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。本発明の光電変換素子10は、図1に示されるように、透光性基板1と、該透光性基板1上に形成された透明導電層2と、該透明導電層2上に形成された光電変換層3と、該光電変換層3に接して形成された多孔性絶縁層4と、該多孔性絶縁層4に接して形成された反射層5と、該反射層5上に形成された触媒層6とを有し、光電変換層3は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含み、透光性基板1に向けて垂直に多孔性絶縁層4を投影したときの投影面積、および透光性基板1に向けて垂直に反射層5を投影したときの投影面積は、透光性基板1に向けて垂直に光電変換層3を投影したときの投影面積よりも大きいことを特徴とする。このような構造とすることにより、反射層5の光散乱効果を向上させることができ、光電変換素子の光電変換効率を高めることができる。上記のキャリア輸送材料は、光電変換層3だけではなく、多孔性絶縁層4、反射層5、および触媒層6の空隙にもそれぞれ充填されている。また、触媒層6上には対極導電層7が形成されている。透光性基板1と支持基板8とは封止材9によって固定されている。また、透明導電層2は、部分的に断続されており、その断続されている部分をスクライブライン2’という。以下においては、本発明の光電変換素子10を構成する各部を説明する。≪透光性基板≫本発明において、透光性基板1は、少なくとも受光面が光透過性を有する必要があるため、光透過性の材料からなる必要がある。ただし、透光性基板1は、必ずしもすべての波長領域の光に対して透過性を有する必要はなく、後述する色素に実効的な感度を有する波長の光を実質的に透過させる材料であればよい。かかる透光性基板1は、その厚みが0.2~5mm程度であることが好ましい。このような透光性基板1を構成する材料としては、一般に太陽電池に使用されている材料であれば特に限定されず、たとえばソーダガラス、溶融石英ガラス、結晶石英ガラスなどのガラス基板、可撓性フィルムなどの耐熱性樹脂板などを用いることができる。可撓性フィルムとしては、たとえばテトラアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリフェニレンスルファイドPPS、ポリカーボネートPC、ポリアリレートPA、ポリエーテルイミドPEI、フェノキシ樹脂、テフロン登録商標などを挙げることができる。透光性基板1上に加熱を伴って他の部材を形成する場合、すなわちたとえば、透光性基板上に250°C程度の加熱を伴って多孔性半導体からなる光電変換層3を形成する場合、透光性基板1としてテフロン登録商標を用いることが好ましい。テフロン登録商標は、250°C以上の耐熱性を有するからである。透光性基板1は、他の構造体に取り付けるときの基体として利用することができる。すなわち、透光性基板1の周辺部に対し、金属加工部品とねじを用いることにより、他の構造体に容易に取り付けることができる。≪透明導電層≫本発明において、透明導電層2は、後述する光増感剤に実効的な感度を有する波長の光を実質的に透過する材料であればよく、必ずしもすべての波長領域の光に対して透過性を有する必要はない。このような材料としては、たとえばインジウム錫複合酸化物ITO、酸化錫SnO2、フッ素をドープした酸化錫FTO、酸化亜鉛ZnO、タンタルあるいはニオブをドープした酸化チタンなどを挙げることができる。かかる透明導電層2は、スパッタ法、スプレー法などの公知の方法により、透光性基板1上に形成することができる。透明導電層2の膜厚は、0.02~5μm程度であり、その膜抵抗は低いほど好ましく、40Ω/sq以下がより好ましい。透光性基板1としてソーダ石灰フロートガラスを用いる場合は、透光性基板1上に、FTOからなる透明導電層2を積層することが好ましく、市販品の透明導電層2付きの透光性基板1を用いてもよい。≪光電変換層≫本発明において、光電変換層3は、多孔性半導体とキャリア輸送材料と光増感剤とを含むものであり、光増感剤を吸着した多孔性半導体からなるものである。このような構成の光電変換層3は、キャリア輸送材料が層内外を移動することができる。多孔性半導体光電変換層3を構成する多孔性半導体は、一般に光電変換材料に使用されるものであればその種類は特に限定されず、たとえば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉄、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化亜鉛、リン化インジウム、銅-インジウム硫化物CuInS2、CuAlO2、SrCu2O2などの半導体およびこれらの組み合わせを用いることができる。これらの中でも、安定性および安全性の点から、酸化チタンを用いることが特に好ましい。多孔性半導体に好適に用いられる酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの各種の狭義の酸化チタンおよび水酸化チタン、含水酸化チタン等を挙げることができ、これらを単独または2種以上を混合して用いることができる。アナターゼ型とルチル型との2種類の結晶系酸化チタンは、その製法や熱履歴によりいずれの形態にもなるが、多孔性半導体を構成する酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタンの含有率が高いことが好ましく、80以上のアナターゼ型酸化チタンを含むことがより好ましい。多孔性半導体は、単結晶および多結晶のいずれによって形成されてもよいが、安定性、結晶成長の容易さ、製造コストなどの観点から、多結晶であることが好ましい。また、多孔性半導体は、ナノスケールからマイクロスケールの半導体微粒子によって構成されることが好ましく、より好ましくは酸化チタンの微粒子を用いることである。かかる酸化チタンの微粒子は、気相法、液相法水熱合成法、硫酸法など公知の方法により製造することができる。また、デグサDegussa社が開発した塩化物を高温加水分解することによっても得ることができる。また、多孔性半導体を構成する半導体微粒子としては、同一の組成からなる半導体化合物を用いてもよいし、2種類以上の異なる組成の半導体化合物を混合して用いてもよい。また、半導体微粒子の粒子サイズとしては、100~500nm程度の平均粒子径のものを用いてもよいし、5nm~50nm程度の平均粒子径のものを用いてもよいし、これらの半導体微粒子を混合したものを用いてもよい。100~500nm程度の粒子径の半導体微粒子は、入射光を散乱させ光捕捉率の向上に寄与し、5nm~50nm程度の平均粒子径の半導体微粒子は、吸着点をより多くして色素の吸着量の向上に寄与するものと考えられる。異なる粒子径の半導体微粒子を2種以上混合して多孔性半導体を構成する場合は、粒子径が小さい半導体微粒子の平均粒子径が、粒子径が大きい半導体微粒子の平均粒子径の10倍以上であることが好ましい。2種以上の半導体微粒子を混合する場合、吸着作用の強い半導体化合物を粒子サイズの小さな半導体微粒子とするのが効果的である。多孔性半導体の膜厚、すなわち光電変換層3の膜厚は、特に限定されるものではないが、たとえば0.1~100μm程度であることが好ましい。多孔性半導体は、その表面積が大きなものが好ましく、たとえば10~200m2/g程度であることが好ましい。光増感剤上記の多孔性半導体に吸着される光増感剤は、光電変換素子に入射した光エネルギを電気エネルギに変換するために設けられるものである。このような光増感剤を多孔性半導体に強固に吸着させるためには、光増感剤を構成する分子中にインターロック基を有するものが好ましい。ここで、インターロック基とは、一般に、多孔性半導体に色素が固定される際に介在し、励起状態の色素と半導体の伝導帯との間の電子の移動を容易にする電気的結合を提供するものであり、具体的にはカルボキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基、ホスホニル基などの官能基を挙げることができる。多孔性半導体に吸着される光増感剤としては、可視光領域や赤外光領域に吸収をもつ種々の有機色素の他、金属錯体色素などを用いることができ、これらの色素の1種または2種以上を組み合わせて用いてもよい。有機色素の吸光係数は、一般に後述する金属錯体色素の吸光係数に比べて大きい。上記の有機色素としては、たとえばアゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、ポルフィリン系色素、ペリレン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素などを挙げることができる。上記の金属錯体色素としては、金属原子に遷移金属が配位結合したものである。このような金属錯体色素としては、ポルフィリン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ルテニウム系色素などを挙げることができる。金属錯体色素を構成する金属原子としては、Cu、Ni、Fe、Co、V、Sn、Si、Ti、Ge、Cr、Zn、Ru、Mg、Al、Pb、Mn、In、Mo、Y、Zr、Nb、Sb、La、W、Pt、Ta、Ir、Pd、Os、Ga、Tb、Eu、Rb、Bi、Se、As、Sc、Ag、Cd、Hf、Re、Au、Ac、Tc、Te、Rhなどを挙げることができる。中でも、フタロシアニン系色素、ルテニウム系色素に金属が配位したものが好ましく、ルテニウム系金属錯体色素が特に好ましい。特に、次式1~3で表されるルテニウム系金属錯体色素が好ましい。市販のルテニウム系金属錯体色素としては、たとえば、Solaronix社製の商品名Ruthenium535色素、Ruthenium535-bisTBA色素、Ruthenium620-1H3TBA色素などを挙げることができる。≪キャリア輸送材料≫本発明において、図1に示される光電変換素子10内の空間や空隙の全域にキャリア輸送材料が充填されている。すなわち、キャリア輸送材料11は、図1に示されるように、透明導電層2、支持基板8、および封止材9によって囲まれた領域に含まれている。さらに、キャリア輸送材料は、光電変換層3、多孔性絶縁層4、反射層5、および触媒層6の空隙にも充填されている。なお、本明細書において、キャリア輸送材料11は、便宜的に他の構成要素が介在せず、キャリア輸送材料のみで満たされている領域を意味する。このようなキャリア輸送材料は、イオンを輸送できる導電性材料で構成されるものであり、好適な材料としては、液体電解質、固体電解質、ゲル電解質、溶融塩ゲル電解質などを用いることができる。液体電解質は、酸化還元種を含む液状物であればよく、一般に太陽電池の分野に使用されるものであれば特に限定されず、たとえば酸化還元種とこれを溶解可能な溶剤からなるもの、酸化還元種とこれを溶解可能な溶融塩からなるもの、または酸化還元種とこれを溶解可能な溶剤と溶融塩からなるものを用いることができる。酸化還元種としては、たとえば、I/I3系、Br2/Br3系、Fe2/Fe3系、キノン/ハイドロキノン系などを挙げることができ、具体的には、ヨウ化リチウムLiI、ヨウ化ナトリウムNaI、ヨウ化カリウムKI、ヨウ化カルシウムCaI2などの金属ヨウ化物とヨウ素I2の組み合わせ、テトラエチルアンモニウムアイオダイドTEAI、テトラプロピルアンモニウムアイオダイドTPAI、テトラブチルアンモニウムアイオダイドTBAI、テトラヘキシルアンモニウムアイオダイドTHAIなどのテトラアルキルアンモニウム塩とヨウ素の組み合わせ、および臭化リチウムLiBr、臭化ナトリウムNaBr、臭化カリウムKBr、臭化カルシウムCaBr2などの金属臭化物と臭素の組み合わせが好ましく、これらの中でも、LiIとI2の組み合わせが特に好ましい。また、酸化還元種の溶剤としては、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、アセトニトリルなどのニトリル化合物、エタノールなどのアルコール類、水、非プロトン極性物質などが挙げられる。これらの中でも、カーボネート化合物やニトリル化合物が特に好ましい。これらの溶剤は2種類以上を混合して用いることもできる。固体電解質は、電子、ホール、イオンを輸送できる導電性材料で、太陽電池の電解質として用いることができ、流動性がないものであればよい。具体的には、ポリカルバゾールなどのホール輸送材、テトラニトロフロオルレノンなどの電子輸送材、ポリロールなどの導電性ポリマー、液体電解質を高分子化合物により固体化した高分子電解質、ヨウ化銅、チオシアン酸銅などのp型半導体、溶融塩を含む液体電解質を微粒子により固体化した電解質などが挙げられる。ゲル電解質は、通常、電解質とゲル化剤からなる。ゲル化剤としては、たとえば、架橋ポリアクリル樹脂誘導体や架橋ポリアクリロニトリル誘導体、ポリアルキレンオキシド誘導体、シリコーン樹脂類、側鎖に含窒素複素環式四級化合物塩構造を有するポリマーなどの高分子ゲル化剤などが挙げられる。溶融塩ゲル電解質は、通常、上記のようなゲル電解質と常温型溶融塩からなる。常温型溶融塩としては、たとえば、ピリジニウム塩類、イミダゾリウム塩類などの含窒素複素環式四級アンモニウム塩化合物類などが挙げられる。上記の電解質には、必要に応じて添加剤を加えてもよい。添加剤としては、tブチルピリジンTBPなどの含窒素芳香族化合物、ジメチルプロピルイミダゾールアイオダイドDMPII、メチルプロピルイミダゾールアイオダイドMPII、エチルメチルイミダゾールアイオダイドEMII、エチルイミダゾールアイオダイドEII、ヘキシルメチルイミダゾールアイオダイドHMIIなどのイミダゾール塩が挙げられる。電解質中の電解質濃度は、0.001mol/L以上1.5mol/L以下の範囲が好ましく、0.01mol/L以上0.7mol/L以下の範囲がより好ましい。ただし、色素増感太陽電池モジュールにおいて、支持基板8が受光面となる場合、入射光が電解液を通して光電変換層3に達し、キャリアが励起されることになる。そのため、電解質濃度により、太陽電池の性能が低下する場合があるので、この点を考慮して電解質濃度を設定することが好ましい。≪多孔性絶縁層≫本発明において、多孔性絶縁層4は、光電変換層3に接して設けられるものであり、該多孔性絶縁層4により光電変換層3から対極導電層7へのリーク電流を低減することができる。多孔性絶縁層は、光電変換層3の上部および側面に接して形成されていることが好ましい。このように光電変換層3の上部および側面を覆うように形成することにより、光電変換層3からのリーク電流を低減することができるからである。多孔性絶縁層4を構成する材料としては、たとえば、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、シリカガラス、ソーダガラスなどの酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウムなどが挙げられ、これらの材料の1種または2種以上を組合せて用いることができる。多孔性絶縁層4に用いられる材料は、粒子状であるのが好ましく、その平均粒径は5~500nmであることがより好ましく、さらに好ましくは10~300nmである。また、粒径が100nm~500nmの酸化チタンまたはルチル型酸化チタンを好適に用いることができる。上記の多孔性絶縁層4は、1×1012Ωcm以下の導電率の材料からなることが好ましく、導電率は低いほど好ましい。このような導電率の材料を用いることにより、光電変換層3から対極導電層7へのリーク電流をより低減することができる。一方、多孔性絶縁層4が1×1012Ωcmを超える導電率の材料であると、リーク電流が流れやすくなり、フィルファクタが低下する等により光電変換効率が低下するため好ましくない。多孔性絶縁層4は、0.2μm以上5μm以下の膜厚であることが好ましく、より好ましくは0.5μm以上2μm以下の膜厚である。多孔性絶縁層4の膜厚が5μmを超えると、反射層の光散乱効果を阻害し、短絡電流値Jscが低下するため好ましくない。また、多孔性絶縁層4の膜厚が0.2μm未満であると、リーク電流が発生しやすくなるため好ましくない。≪反射層≫本発明において、反射層5は、多孔性絶縁層4上に形成されるものであり、該反射層5により光電変換層3を透過した光を反射して、再度光電変換層3に入射させることができる。このようにして光電変換層3に反射した光が入射されることにより、光電変換効率を高めることができる。このような反射層5は、多孔性絶縁層4の上部に接して光電変換層をカバーするより大きな面積で形成されていることが好ましく、多孔性絶縁層4の上面に同じ形状で形成されることがより好ましい。このようにして反射層5が多孔性絶縁層の表面全面を覆うように形成されることにより、光電変換層3を通過した光を反射して、再度光電変換層に光を入射させることができる。ここで、反射層5は、等光を反射することができる材料であればいかなる材料をも用いることができ、たとえば酸化チタン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム等を用いることができる。上記の材料の中でも、反射層5は、酸化アルミニウムまたは酸化チタンを含むことがより好ましく、さらに好ましくは多孔性半導体を構成する材料と同一の材料からなることである。上記の反射層5は、多孔性半導体を構成する微粒子よりも平均粒子径が大きい微粒子の割合が高いほど好ましく、より好ましくは反射層5が多孔性半導体を構成する微粒子よりも平均粒子径が大きい微粒子のみによって構成されることである。また、反射層5の膜厚は、5μm以上であることが好ましい。反射層5の膜厚が5μm未満であると、光の反射率が低下することに加え、反射層上に形成する触媒層および対極導電層と、多孔性半導体または透明電極層とが接触する可能性が高くなるため好ましくない。ここで、多孔性絶縁層および反射層の合計膜厚は、10μm以上であることが好ましく、より好ましくは11μm以上20μm以下である。多孔性絶縁層および反射層の合計膜厚が10μm未満であると、反射層上に形成する触媒層および対極導電層と、多孔性半導体または透明電極層とが接触する可能性が高くなるため好ましくなく、20μmを超えると、キャリア輸送材料による輸送抵抗が大きくなるため好ましくない。また、多孔性絶縁層上に反射層を形成し、その厚みを上記の範囲内にすることにより、反射層にリークを抑制するための絶縁層の効果を持たせることができる。≪触媒層≫本発明において、触媒層6は、対極導電層7に接して設けられるものであり、該触媒層6により対極導電層7との電子の受け渡しを効率的に行なうことができる。このような触媒層6は、その表面で電子の受け渡しができる材料であれば特に限定されずいかなるものをも用いることができ、たとえば白金、パラジウムなどの貴金属材料、カーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレンなどのカーボン系材料などを挙げることができる。≪対極導電層≫本発明において、対極導電層7は、導電性を有するものであれば特に限定されず、光透過性を必ずしも有していなくてもよい。ただし、支持基板8を受光面にする場合は、透明導電層と同様に光透過性を有する必要がある。上記の対極導電層7を構成する材料としては、たとえば、インジウム錫複合酸化物ITO、酸化錫SnO2、酸化錫にフッ素をドープしたものFTO、酸化亜鉛ZnOなどを用いることができる他、チタン、ニッケル、タンタルなど、電解液に対して腐食性を示さない金属を用いてもよい。このような材料からなる対極導電層7は、スパッタ法、スプレー法などの公知の方法により形成することができる。対極導電層7の膜厚は、0.02μm~5μm程度であることが好ましく、対極導電層7の膜抵抗は低いほどよく、40Ω/sq以下が好ましい。対極導電層7を構成する材料が緻密な構造のものである場合は、光増感剤を吸着しやすくしたり、キャリア輸送材料が容易に通過したりするように、対極導電層7に複数の小孔を形成することが好ましい。かかる小孔は、対極導電層7に対し、物理接触やレーザー加工をすることによって形成することができる。小孔の大きさは、0.1~100μm程度が好ましく、1~50μm程度がより好ましい。小孔間の間隔は1~200μm程度であることが好ましく、10~300μm程度であることがより好ましい。また、対極導電層7にストライプ状の開口部を形成することによっても同様な効果が得られる。ストライプ状の開口部は、1μm~200μm程度の間隔であることが好ましく、より好ましくは10μm~300μm程度の間隔である。≪支持基板≫本発明において、支持基板8は、キャリア輸送材料11を内部に保持し、かつ外部からの水などの浸入を防ぐことができるものを用いる必要がある。このような支持基板8が受光面となる場合は、透光性基板1と同様の光透過性が必要となるため、透光性基板1と同様の材料を用いる必要がある。光電変換素子を屋外に設置する場合を考慮すると、支持基板8は、強化ガラスなどを用いることが好ましい。ここで、支持基板8表面に触媒層や対極導電層が形成される場合これらも含むは、透光性基板1上に形成された光電変換層3とは接触しないことが好ましい。これにより光電変換素子の内部に十分な量のキャリア輸送材料を保持することができる。このような支持基板8は、キャリア輸送材料を注入するための注入口を備えることが好ましい。かかる注入口から真空注入法や真空含浸法などを用いてキャリア輸送材料を注入することができる。また、支持基板8と透光性基板1上に形成された光電変換層3とが接触していないことにより、注入口からキャリア輸送材料を注入するときの注入速度を速くすることができる。このため、光電変換素子および光電変換素子モジュールの製造タクトを向上させることができる。≪封止材≫本発明において、封止材9は、透光性基板1と支持基板8とを結合させるために設けられるものである。このような封止材9は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソブチレン系樹脂、ホットメルト樹脂、ガラス系材料などからなることが好ましく、これらの2種類以上を用いて積層構造にしてもよい。封止材9を構成する材料としては、たとえば、スリーボンド社製、型番:31X-101や、スリーボンド社製、型番:31X-088や一般に市販されているエポキシ樹脂などを挙げることができる。シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ガラスフリットを用いて封止材9を形成する場合は、ディスペンサーを用いて形成することが好ましく、ホットメルト樹脂を用いて封止材9を形成する場合は、シート状のホットメルト樹脂にパターニングした穴を開けることにより形成することができる。≪多孔性半導体の形成方法≫透明導電層2上に光電変換層3を構成する多孔性半導体を形成する方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。すなわちたとえば、半導体微粒子を適当な溶剤に懸濁した懸濁液を、公知の方法を用いて所定の場所に塗布し、乾燥および焼成の少なくとも一方を行なうことによって多孔性半導体を形成する。光電変換層3と封止材9とが接触するように光電変換層3を形成したい場合は、懸濁液の粘度を低く調整し、これをディスペンサーなどから封止材9によって分割される領域に塗布することが好ましい。これによりペーストの自重で当該領域の端部まで広がり容易にレベリングする。懸濁液に用いる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのグライム系溶剤、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、イソプロピルアルコール/トルエンなどのアルコール系混合溶剤、水などを挙げることができる。また、このような懸濁液の代わりに市販の酸化チタンペーストたとえば、Solaronix社製、Ti-nanoxide、T、D、T/SP、D/SPを用いてもよい。このようにして得られた懸濁液を透明導電層2上に塗布した上で、乾燥および焼成の少なくとも一方を行なうことにより、透明導電層2上に多孔性半導体を形成する。懸濁液を塗布する方法としては、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、スクリーン印刷法など公知の方法を用いることができる。ここで、多孔性半導体を乾燥および焼成するために必要な条件温度、時間、雰囲気などは、半導体微粒子の種類に応じて適宜設定すればよく、たとえば、大気雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で乾燥および焼成する場合は、50~800°C程度の範囲で10秒~12時間程度行なうことが好ましい。この乾燥および焼成は、単一の温度で1回または温度を変化させて2回以上行なってもよい。多孔性半導体は、複数層を積層したものであってもよい。多孔性半導体を積層させるためには、異なる半導体微粒子の懸濁液を調製し、塗布、乾燥、および焼成の少なくともいずれかの工程を2回以上繰り返すことが好ましい。このようにして多孔性半導体を形成した後、多孔性半導体の性能を向上させるために、後処理を行なうことが好ましい。多孔性半導体に対し後処理を行なうことにより、半導体微粒子同士の電気的接続を向上したり、多孔性半導体の表面積を増加させたり、半導体微粒子上の欠陥準位を低減させたりすることができる。たとえば、酸化チタンからなる多孔性半導体を、四塩化チタン水溶液で後処理することにより、多孔性半導体の性能を向上させることができる。≪多孔性絶縁層の形成≫次に、光電変換層3上に多孔性絶縁層4を形成する。かかる多孔性絶縁層4は、上述の多孔性半導体と同様の方法を用いて形成することができる。すなわち、上記微粒子状の絶縁物を適当な溶剤に分散し、さらにエチルセルロース、ポリエチレングリコールPEGなどの高分子化合物を混合してペーストを作製する。このようにして得られたペーストを光電変換層3上に塗布し、乾燥および焼成の少なくとも一方を行なう。これにより、光電変換層3上に多孔性絶縁層4を形成することができる。≪光増感剤の吸着≫次に、多孔性半導体に光増感剤を吸着させることにより、光電変換層3を作製する。光増感剤を吸着させる方法としては特に限定されず、たとえば、多孔性半導体を上述の色素吸着用溶液に浸漬する方法を用いることができる。この際、色素吸着用溶液を多孔性半導体内の微細孔奥部まで浸透させるために、色素吸着用溶液を加熱してもよい。光増感剤を溶解させる溶剤としては、光増感剤を溶解するものであればよく、たとえば、アルコール、トルエン、アセトニトリル、テトラヒドロフランTHF、クロロホルム、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。かかる溶剤は、精製されたものを用いることが好ましく、2種類以上を混合して用いてもよい。色素吸着用溶液に含まれる色素の濃度は、使用する色素、溶剤の種類、色素吸着工程などの条件に応じて適宜設定することができるが、吸着機能を向上させるためには、高濃度であることが好ましく、たとえば、1×105mol/L以上であることが好ましい。色素吸着用溶液の調製においては、色素の溶解性を向上させるために加熱してもよい。≪反射層の形成≫上記で形成した多孔性絶縁層4上に反射層5を形成する。反射層5を形成する方法としては、上述の光電変換層を形成する方法と同様の方法を用いることができる。≪光電変換素子モジュール≫本発明は、2以上の光電変換素子を電気的に直列に接続されてなる光電変換素子モジュールでもあり、2以上の光電変換素子のうちの少なくとも1つは、本発明の光電変換素子であることを特徴とするものである。図2は、本発明の光電変換素子モジュールの構造の一例を模式的に示す断面図である。図2の光電変換素子モジュール20は、本発明の光電変換素子を4つ接続したものであり、各光電変換素子が、図1に示されるように、透光性基板21と、該透光性基板21上に形成された透明導電層22と、該透明導電層22上に形成された光電変換層23と、該光電変換層23に接して形成された多孔性絶縁層24と、該多孔性絶縁層24に接して形成された反射層25と、該反射層25上に形成された触媒層26とを有し、透光性基板21に向けて垂直に多孔性絶縁層24を投影したときの投影面積、および透光性基板21に向けて垂直に反射層25を投影したときの投影面積は、透光性基板21に向けて垂直に光電変換層23を投影したときの投影面積よりも大きいことを特徴とする。上記の光電変換層23、多孔性絶縁層24、反射層25、および触媒層26の空隙には、キャリア輸送材料が充填されている。また、触媒層26上には対極導電層27が形成されている。透光性基板21と支持基板28とは封止材29によって接続されている。また、透明導電層22は、部分的に断続されており、その断続されている部分をスクライブライン22’という。そして、透光性基板21の端部には、集電電極32が設けられている。本発明の光電変換素子モジュールは、図2に示されるもののみに限定されず、2以上の光電変換素子を電気的に直列および/または並列に接続されてなるものも含まれ、2以上の光電変換素子のうちの少なくとも1つが、本発明の光電変換素子である限り本発明を逸脱するものではない。光電変換素子モジュールは、3以上の光電変換素子を含むことが好ましい。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下において、各層の膜厚は、特に断りのない限り、表面粗さ形状測定機株式会社東京精密製、商品名:サーフコム1400Aを用いて測定した値である。<実施例1>本実施例では、図1に示される光電変換素子10を作製した。まず、15mm×40mm×厚さ1.5mmの透明電極基板日本板硝子株式会社製、SnO2膜付ガラスを用意した。該透明電極基板は、ガラスからなる透光性基板1上に、フッ素ドープSnO2からなる透明導電層2が成膜されたものである。透明電極基板上の透明導電層2をレーザースクライブにより切断し、スクライブライン2’を形成した。そして、5mm×30mmのパターンを有するスクリーン版とスクリーン印刷機ニューロング精密工業株式会社製、型番:LS-150を用いて、上記の透明導電層2上に、市販の酸化チタンペーストSolaronix社製、商品名:D/SPを塗布し、室温で1時間レベリングを行なった。その後、酸化チタンペーストの塗膜を80°Cに設定したオーブンで20分間乾燥した。さらに、上記塗膜を500°Cに設定した焼成炉株式会社デンケン製、型番:KDFP-100を用いて空気中で60分間焼成した。上記と同様に、酸化チタンペーストの塗布および焼成を各4回ずつ繰り返すことにより、膜厚25μmの多孔性半導体を作製した。次いで、多孔性半導体上に平均粒子径が50nmのジルコニア粒子を含むペーストを7mm×38mmのパターンを有するスクリーン版とスクリーン印刷機を用いて塗布した。その後、上記のペーストを500°Cで60分間焼成することにより、平坦部分の膜厚が4μmの多孔性絶縁層4を形成した。この多孔性絶縁層4の導電率をインピーダンス測定装置製品名:1255Solartron社製によって測定したところ、2×1013Ωcmであることが確認された。次に、上記の多孔性絶縁層4の作製に用いたスクリーン版と同じパターンのスクリーン版を用いて、300nmの平均粒子径の酸化チタン粒子を含むペーストを塗布した。その後、ペーストを500°C、60分間の焼成を行なうことにより、平坦部分の厚みが11μmの反射層5を形成した。よって、多孔性絶縁層4と反射層5との合計膜厚は15μmであった。次に、反射層5上のうちの多孔性半導体を形成した位置の直上に、Ptからなる触媒層6を蒸着により形成した。該触媒層6は、多孔性半導体と同じ大きさにした。さらに、上記の触媒層6上に、9mm×36mmの大きさの対極導電層7を蒸着により形成した。次いで、体積比1:1のアセトニトリルとt-ブタノールとの混合溶剤に対し、上記式2の色素Solaronix社製、商品名:Ruthenium6201H3TBAを濃度4×104モル/リットルになるように溶解させて色素吸着用溶液を調製した。この色素吸着用溶液に上記で作製した多孔性半導体を浸漬させて、その状態を室温で100時間保った。その後、多孔性半導体をエタノールで洗浄し、約60°Cで約5分間乾燥させることにより、多孔性半導体に色素を吸着させた。このようにして色素が吸着した多孔性半導体からなる光電変換層3を作製した。支持基板8としては、11mm×40mmの大きさのガラス基板を用いた。そして、開口部を有する熱溶着フィルムデュポン社製、ハイミラン1702を用いて、支持基板8と透光性基板1とを貼り合わせた。次いで、約100°Cに設定したオーブンで10分間加熱することにより、支持基板8と透光性基板1とを圧着した。この熱融着フィルムが封止材9となる。次いで、支持基板8に設けられた電解液注入用孔から予め調製したキャリア輸送材料を注入した。キャリア輸送材料は、アセトニトリルを溶剤として、酸化還元種としてLiIアルドリッチ社製が濃度0.1モル/リットル、I2キシダ化学社製が濃度0.01モル/リットルになり、さらに添加剤としてt-ブチルピリジンアルドリッチ社製が濃度0.5モル/リットル、ジメチルプロピルイミダゾールアイオダイド四国化成工業社製が濃度0.6モル/リットルになるように調整したものを用いた。そして、電解液注入用孔を紫外線硬化樹脂スリーボンド社製、型番:31X-101229を用いて封止することにより、本実施例の光電変換素子単セルを完成した。得られた光電変換素子の透光性基板1に対し、Agペースト藤倉化成株式会社製、商品名:ドータイトを塗布することにより、集電電極を形成した。<実施例2~4>実施例1に対し、多孔性絶縁層の層厚が表1に示すように異なる他は実施例1と同様の方法により実施例2~4の光電変換素子を作製した。<実施例5>実施例1に対し、多孔性絶縁層の材料を酸化ケイ素に代えたことが異なる他は、実施例1と同様にして実施例5の光電変換素子を作製した。<実施例6>実施例1に対し、反射層の材料を酸化アルミニウムに代えたことが異なる他は、実施例1と同様にして実施例6の光電変換素子を作製した。<比較例1>実施例1に対し、多孔質半導体と同一の大きさの反射層を形成したことが異なる他は、実施例1と同様にして比較例1の光電変換素子を作製した。<実施例7>本実施例では、図2に示される構造の光電変換素子モジュールを作製した。まず、縦50mm×横37mmの透明電極基板日本板硝子株式会社製、SnO2膜付ガラスを用意した。該透明電極基板は、ガラスからなる透光性基板21上に、SnO2からなる透明導電層22が成膜されたものである。上記の透明導電層22をレーザースクライブによって切断することにより、縦方向に平行に60μmの幅のスクライブライン22’を形成した。該スクライブライン22’は透光性基板21の左端部から9.5mmの位置と、そこから7mm間隔で合計4箇所に形成した。次に、実施例1と同様の方法により、透光性基板21の左端部から6.9mmの位置を中心として25μm、幅5mm、長さ30mmのサイズの多孔性半導体を形成し、その位置から7mmの間隔で同様のサイズの多孔性半導体を3つ形成した。そして、該多孔性半導体上に、実施例1と同様の方法によって多孔性絶縁層24を作製した。かかる多孔性絶縁層24は、透光性基板21の左端から6.9mmの位置を中心として、幅5.6mm、長さ46mmのサイズで1つ形成した。この左端の多孔性絶縁層24の中心から7mmの間隔で同様のサイズの多孔性絶縁層を3つ作製した。次いで、多孔性絶縁層24上に実施例1と同様の方法によって反射層25を作製した。そして、反射層25上にPtからなる触媒層26を形成した。触媒層26は、多孔性半導体と同様の位置および大きさとした。そして、実施例1と同様の方法によって、対極導電層27を形成した。対極導電層27は、透光性基板21の左端部から7.2mmの位置を中心として、幅5.6mm、長さ44mmのサイズで1つ形成し、該左端の多孔性絶縁層24の中心から7mmの間隔で同様の大きさの対極導電層27を3つ形成した。次に、実施例1で用いた色素吸着用溶液に4つの多孔性半導体を浸漬させて、室温で120時間保持することによって、多孔性半導体に色素を吸着させた。次に、光電変換層23の間および透光性基板21の周囲に、ディスペンサーEFD社製ULTRASAVERを用いて紫外線硬化樹脂スリーボンド社製31X-101を塗布した。そして、縦60mm×横30mmのガラス基板からなる支持基板28を貼り合わせて、紫外線ランプEFD社製NOVACUREを用いて紫外線を照射した。これにより紫外線硬化樹脂を硬化させて封止材29を形成した。その後、実施例1と同様の方法によってキャリア輸送材料を注入し、注入口を紫外線硬化樹脂で封止することにより本実施例の光電変換素子モジュールを完成した。この光電変換素子モジュールの透光性基板上にAgペースト藤倉化成株式会社製、商品名:ドータイトを塗布することにより、集電電極部を形成した。<実施例8>実施例1で作製した光電変換素子の積層体を直列方向にレーザースクライブにより切断することにより光電変換素子を2つに分割した。このように2つに分割した光電変換素子を並列に接続することにより本実施例の光電変換素子モジュールを作製した。<比較例2>実施例7に対し、反射層の形状を多孔性半導体と同一の形状とし、多孔性絶縁層および反射層の膜厚を比較例1と同一としたことが異なる他は実施例7と同様の方法により比較例2の光電変換素子モジュールを作製した。<実施例1~6および比較例1の光電変換素子の太陽電池特性>実施例1~6および比較例1の光電変換素子の受光面に対し、開口部の面積が1.5cm2である黒色のマスクを設置した。そして、各光電変換素子の受光面に対し、AM1.5ソーラーシミュレータを用いて1kW/m2の強度の光を照射することにより、短絡電流値JscmA/cm2、開放電圧VocV、フィルファクタFF、および光電変換効率を測定した。その結果を表1に示す。<実施例7~8および比較例2の光電変換素子モジュールの太陽電池特性>実施例7~8の色素増感太陽電池モジュールの受光面に対し、開口部の面積が7.8cm2である黒色のマスクを設置した。そして、各光電変換素子の受光面に対し、AM1.5ソーラーシミュレータを用いて1kW/m2の強度の光を照射することにより、短絡電流値JscmA/cm2、開放電圧VocV、フィルファクタFF、および光電変換効率を測定した。その結果を表1に示す。表1において、実施例1~6の光電変換素子と、比較例1の光電変換素子とを対比すると、実施例1~6では、光電変換層3の透光性基板1への投影面積が、多孔性絶縁層4および反射層5の透光性基板1への投影面積よりも大きいことにより、短絡電流密度を向上させることができ、もって光電変換効率を向上させることができる。一方、比較例1の光電変換素子は、光電変換層3と反射層5との大きさが同じであるため、光散乱効果が低下し、さらには実施例1では光電変換層以外の部分の多孔性絶縁層および反射層の厚さが十分ではないことにより、短絡が生じフィルファクタが低下し、光電変換効率が低下したものと考えられる。実施例7~8の色素増感太陽電池モジュールと、比較例2のそれとを対比することによっても、上記の実施例1~6および比較例1の対比と同様の結論が導き出される。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。