基板上に所定形状のレジストを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記基板の周辺部を保持すると共に該基板上に形成された前記レジスト上に延出可能な形状を有するホルダを用い、前記レジストをマスクとしてパターン形成するドライエッチング工程と、を複数回繰り返し、前記基板上に多層配線構造体を形成する配線基板の製造方法であって、前記ドライエッチング工程において、前記ホルダと前記レジストとの一部が前記基板の表面に沿う方向において重複状態で前記パターン形成するパターン形成工程と、前記フォトリソグラフィ工程と前記ドライエッチング工程とを複数回繰り返すうち、少なくとも1回は、前記フォトリソグラフィ工程の後、前記ドライエッチング工程の前に、前記重複状態となる領域を含む領域の前記レジストを除去するレジスト除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。前記レジスト除去工程の前のフォトリソグラフィ工程では、前記基板上にポジ型のレジストを形成し、前記レジスト除去工程では、前記重複状態となる領域を含む前記基板の第2の周辺部を露光する周辺露光を行うことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。前記多層配線構造体は、下電極、圧電体層及び上電極が順次積層して成る圧電素子を含み、前記レジスト除去工程は、少なくとも、前記上電極と共に前記圧電体層を形成する、前記フォトリソグラフィ工程の後、前記ドライエッチング工程の前に行うことを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板の製造方法。前記ドライエッチング工程では、イオンミリング法を用いることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。前記ドライエッチング工程における前記パターン形成に用いられるそれぞれの総エネルギー量に基づいて、前記レジスト除去工程を行うか否かを選択することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室及び該圧力発生室を変位させる圧電素子を有する流路形成基板を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板の製造方法として、請求項1~5のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法を用いることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。しかしながら、ホルダをレジスト上に延出させ、イオンビーム等を用いてドライエッチングを行うと、ホルダの延出部の先端にかかる領域及びホルダの下の領域のレジストが黒色に変質してしまうことがある。これは、ホルダと重複領域にあるレジストに、イオンビーム等によって、ホルダに含まれる金属成分例えば、鉄Fe等が侵入することによって生じ、このように変質したレジストは、後のプラズマアッシングでは除去しきれないという問題がある。さらに、その後、レジスト剥離液を使用しても、変質したレジストは溶解せず、液槽内で基板に再付着することがあり、結果として製品不良となり、歩留まりが低下するという問題がある。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、レジスト残りを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる配線基板の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。上記の課題を解決するために、本発明は、基板上に所定形状のレジストを形成するフォトリソグラフィ工程と、上記基板の周辺部を保持すると共に該基板上に形成された上記レジスト上に延出可能な形状を有するホルダを用い、上記レジストをマスクとしてパターン形成するドライエッチング工程と、を複数回繰り返し、上記基板上に多層配線構造体を形成する配線基板の製造方法であって、上記ドライエッチング工程において、上記ホルダと上記レジストとの一部が上記基板の表面に沿う方向において重複状態で上記パターン形成するパターン形成工程と、上記フォトリソグラフィ工程と上記ドライエッチング工程とを複数回繰り返すうち、少なくとも1回は、上記フォトリソグラフィ工程の後、上記ドライエッチング工程の前に、上記重複状態となる領域を含む領域の上記レジストを除去するレジスト除去工程と、を含むという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、基板上に多層配線構造体を形成するべく、フォトリソグラフィ工程と上記ドライエッチング工程とを複数回繰り返すうち、少なくとも1回は、ホルダとレジストとの一部が基板の表面に沿う方向において重複状態となる領域を含む領域のレジストを除去してのパターン形成が行われる。このように、重複状態となる領域のレジストを、ドライエッチングの前、すなわちレジストが変質する前に予め除去することで、レジスト残りを防止することができる。この場合、ホルダとレジストとの間に境界領域が生まれ、当該境界領域に溝が形成されるが、当該工程を少なくとも1回に限り、他は、従来のように、ホルダとレジストとの一部が基板の表面に沿う方向において重複状態でパターン形成することで、当該溝の深さを、基板の割れや欠け等が生じない程度に抑えることができる。また、本発明においては、上記レジスト除去工程の前のフォトリソグラフィ工程では、上記基板上にポジ型のレジストを形成し、上記レジスト除去工程では、上記重複状態となる領域を含む上記基板の第2の周辺部を露光する周辺露光を行うという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、レジストをポジ型とし、重複状態となる領域を含む基板の第2の周辺部を周辺露光し、レジストを除去する。また、本発明においては、上記多層配線構造体は、下電極、圧電体層及び上電極が順次積層して成る圧電素子を含み、上記レジスト除去工程は、少なくとも、上記上電極と共に上記圧電体層を形成する、上記フォトリソグラフィ工程の後、上記ドライエッチング工程の前に行うという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、圧電素子を構成する上電極を圧電体層と共に形成する場合、イオンビーム等の照射時間が長く、また、温度も高くなり、レジストが変質し易くなるため、この場合は、レジスト除去工程を行い、重複状態となる領域のレジストを予め除去する。また、本発明においては、上記ドライエッチング工程では、イオンミリング法を用いるという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、ドライエッチング工程においてイオンミリング法を採用することで、加工精度が高く、イオンビームは専らアルゴンArイオンからなり、パターニングした配線部に不具合を与えることもない。また、本発明においては、上記ドライエッチング工程における上記パターン形成に用いられるそれぞれの総エネルギー量に基づいて、上記レジスト除去工程を行うか否かを選択するという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、ドライエッチング工程における総エネルギー量イオンビーム照射時間、ミリングレート、温度等が大きいほど、ホルダの金属成分がレジストに侵入して変質し易くなるので、当該総エネルギー量に基づいてレジスト除去工程を行うか否かを選択することで、製造効率を向上させることができる。また、本発明においては、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室及び該圧力発生室を変位させる圧電素子を有する流路形成基板を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、上記流路形成基板の製造方法として、先に記載の配線基板の製造方法を用いるという手法を採用する。このような手法を採用することによって、本発明では、レジスト残りを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる液体噴射ヘッドの製造方法が得られる。以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、インクジェット式記録ヘッドを例示して説明する。図1は、本発明の実施形態における製造方法によって製造された流路形成基板配線基板を具備するインクジェット式記録ヘッドの構成を示す分解斜視図である。図2は、本発明の実施形態におけるインクジェット式記録ヘッドの構成を示す平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位110のシリコン単結晶基板からなり、その両面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成されている。この流路形成基板10には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された複数の圧力発生室12が幅方向に並設されている。各圧力発生室12の外側には、各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100を構成する連通部13が形成され、各圧力発生室12の長手方向一端部とそれぞれインク供給路14を介して連通されている。また、流路形成基板10の一方の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側で連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、あるいはステンレス鋼SUSなどからなる。流路形成基板10の上記開口面とは反対側には、上述したように二酸化シリコンからなる弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムZrO2等からなる絶縁体膜55が積層形成されている。また、絶縁体膜55上には、下電極膜下電極60と圧電体層70と上電極膜上電極80とからなる圧電素子多層配線構造体300が形成されている。ここで、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体層70及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を圧力発生室12毎にパターニングして構成する。例えば、本実施形態では、下電極膜60を圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。圧電素子300の個別電極である各上電極膜80の端部近傍には、例えば、金Au、白金Pt、イリジウムIr等からなるリード電極90が接続され、このリード電極90は、圧電素子300を駆動するための駆動IC駆動部220と駆動配線200を介して接続される。駆動配線200は、ボンディングワイヤからなり、圧電素子保持部31の外に引き出された各リード電極90の端部と、駆動IC220とを電気的に接続させる。このような配線構造が形成された流路形成基板10上には、保護基板30が接着層35を介して接合されている。この保護基板30は、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300を保護するための空間である圧電素子保持部31を有し、圧電素子300はこの圧電素子300内に配置されている。なお、圧電素子保持部31は、密封されていても密封されていなくてもよい。また、保護基板30には、連通部13に対向する領域に、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通部であるリザーバ部32が設けられている。このリザーバ部32は、上述したように、流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ100を構成している。なお、保護基板30は、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、例えば、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成している。保護基板30上には、リザーバ部32に対向する領域に、例えば、PPSフィルム等の可撓性を有する材料からなる封止膜41及び、金属材料等の硬質材料からなる固定板42とで構成されるコンプライアンス基板40が接合されている。固定板42のリザーバ部32に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ部32の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。また、この保護基板30上には、各圧電素子300をそれぞれ選択的に駆動するための駆動IC220が実装されている。保護基板30上には、所定形状にパターニングされた接続配線210が設けられており、駆動IC220は、この接続配線210上に実装されている。接続配線210には、例えば、FPC等の外部配線図示なしが電気的に接続され、この外部配線からの駆動信号及び駆動電圧が、接続配線210を介して各駆動IC220に供給されるようになっている。上記構成のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動IC220からの駆動信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に駆動電圧を印加し、弾性膜50、下電極膜60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力を高め、ノズル開口21からインク滴を吐出させることが可能となっている。以下、上記構成のインクジェット式記録ヘッドの製造方法、特に、流路形成基板10の製造方法のうち、流路形成基板10上に、圧電素子300を形成する工程について詳しく説明する。図3は、本発明の実施形態における流路形成基板10の製造工程の概略フロー図を示す。ステップS1においては、流路形成基板10を形成するシリコンウェハの表面を、例えば約1100°Cの拡散炉で熱酸化し、二酸化シリコンSiO2からなる弾性膜50を形成する。そして、弾性膜50上に、スパッタ法等によりジルコニウムZr層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、500~1200°Cの拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウムZrO2からなる絶縁体膜55を形成し、振動板を構成させる。ステップS2においては、図4aに示すように、例えば、スパッタ法等により白金PtとイリジウムIrとを絶縁体膜55上に積層することにより全面に下電極膜60を成膜する。次に、図4bに示すように、下電極膜60上に所定形状のレジスト160を形成するフォトリソグラフィ工程。具体的には、例えば、ポジ型のレジストをスピンコート法等により下電極膜60上に塗布し、その後、所定形状のマスクを用いて露光現像等を行うことによって所定パターンのレジスト160を形成する。次に、図4cに示すように、このレジスト160をマスクとして、下電極膜60をドライエッチングして下電極膜60を所定形状にパターニングするドライエッチング工程。当該工程では、図5及び図6に示すドライエッチング装置110を用いる。図5は、本発明の実施形態におけるドライエッチング装置110の構成を示す平面図である。図6は、図5における矢視X-X断面図を示す。なお、図中、符号101は、流路形成基板10を形成するウェハを示す。ウェハ101は、円周の一部を直線状に切り欠いたオリエンテーションフラット部以下、オリフラ部101aと称するを有する。本実施形態のドライエッチング装置110は、ドライエッチング法としてイオンミリング法を用いる構成となっている。イオンミリング法は、加工精度が高く、イオンビームは専らアルゴンArイオンからなり、パターニングした配線部に不具合を与えることもない。ドライエッチング装置110は、ウェハ101の周辺部102図6参照を保持すると共にウェハ101上に形成されたレジスト160に延出可能な形状を有するホルダ120を有する。ホルダ120は、保持部121と、庇部122と、を有する。保持部121は、ウェハ101の周辺部102を押圧して保持する構成となっている。なお、周辺部102上のレジスト160は、予め、上記フォトリソグラフィ工程における露光とは別に、周辺露光されることにより除去されている。当該周辺露光としては、ウェハ101をステージと共に回転させ、その周辺部102に応じた所定幅で露光光を露光する露光手段を配置した周知の周辺露光装置を用いることができる。庇部122は、ウェハ101の表面に沿う方向においてレジスト160とその一部が重複状態となることが可能な構成となっている。なお、ホルダ120庇部122とレジスト160の一部とがウェハ101の表面に沿う方向において重複状態とは、ウェハ101の表面に沿う方向における座標が共通することを意味する。したがって、イオンビームの照射方向図6に示す上下方向から見れば、レジスト160上にホルダ120庇部122が延出し、レジスト160の一部を覆う状態重複状態となる。上記構成のホルダ120によれば、ウェハ101が保持部121で保持され、レジスト160と庇部122とがオーバーラップして配置されているため、ホルダ120の際庇部122の先端に沿う領域において、イオンビーム図6において矢印で示すからウェハ101を保護することができる。このため、ホルダ120の際に溝が形成されることなく、レジスト160から露出した下電極膜60のみをミリングすることができる。その後、レジスト160を酸素プラズマによって剥離するアッシング工程。具体的には、例えば、ウェハ101を収容したチャンバー内を真空排気し、その後、酸素O2を含むガスを導入し、プラズマ化させる。プラズマ化したガスは、レジスト160を、二酸化炭素CO2や水蒸気H2O等として分解し、除去する。なお、上記下電極膜60のパターン形成工程では、ミリングする膜厚が小さい例えば、0.2マイクロメートルμm程度ため、ミリング時間も短く、ホルダ120の温度も高くならないので、庇部122下のレジスト160が変質することは殆ど無く、酸素プラズマアッシング処理のみでレジスト剥離を終了させることができる。次いで、ステップS3においては、図7aに示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等からなる圧電体層70と、例えば、スパッタ法等によりイリジウムからなる上電極膜80と、を下電極膜60の上に順次積層する。なお、圧電素子300を構成する圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧電素子300の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、PbTiO3PT、PbZrO3PZ、PbZrxTi1-xO3PZT、PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3PMN-PT、PbZn1/3Nb2/3O3-PbTiO3PZN-PT、PbNi1/3Nb2/3O3-PbTiO3PNN-PT、PbIn1/2Nb1/2O3-PbTiO3PIN-PT、PbSc1/2Ta1/2O3-PbTiO3PST-PT、PbSc1/2Nb1/2O3-PbTiO3PSN-PT、BiScO3-PbTiO3BS-PT、BiYbO3-PbTiO3BY-PT等が挙げられる。また、圧電体層70の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて圧電体層70を形成する。次に、図7bに示すように、上電極膜80上に所定形状のレジスト160を形成するフォトリソグラフィ工程:2回目。具体的には、例えば、ポジ型のレジストをスピンコート法等により下電極膜60上に塗布し、その後、所定形状のマスクを用いて露光現像等を行うことによって所定パターンのレジスト160を形成する。次に、図7cに示すように、このレジスト160をマスクとして、上電極膜80と共に圧電体層70をドライエッチングして所定形状にパターニングするドライエッチング工程:2回目。当該工程では、図5に示すドライエッチング装置110を用いるが、当該フォトリソグラフィ工程の後、当該ドライエッチング工程の前に、ウェハ101の表面に沿う方向においてホルダ120と重複状態となる領域のレジスト160を除去するレジスト除去工程。図8は、本発明の実施形態におけるレジスト除去工程後のウェハ101と、ドライエッチング工程中のウェハ101と、を示す断面図である。図9は、本発明の実施形態におけるレジスト除去工程を経なかった場合のドライエッチング工程中のウェハ101を示す断面図である。なお、図8及び図9は、図5における矢視X-X断面図と対応する位置を示す。レジスト除去工程では、上述した周辺露光装置を用いて、ウェハ101の表面に沿う方向においてホルダ120と重複状態となる領域を含む第2の周辺部103図8a参照を露光する周辺露光を行う。第2の周辺部103は、ホルダ120庇部122の延出部の先端にかかる領域及びホルダ120の下の領域を含む。したがって、当該2回目の周辺露光では、1回目の周辺露光の露光幅周辺部102の幅に相当よりも、露光幅第2の周辺部103の幅に相当を大きく調整する。当該調整は、例えば、露光手段の照明光学系の絞り等を調整することで行う。レジスト160は、ポジ型としているため、当該周辺露光によって、第2の周辺部103のレジスト160が除去される。このレジスト除去工程の後、ホルダ120を設置し、図8bに示すように、ドライエッチング工程を行う。本実施形態によれば、ウェハ101上に圧電素子300を含む多層配線構造体を形成するべく、フォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程とを複数回繰り返すうち、少なくとも1回は、ホルダ120とレジスト160との一部がウェハ101の表面に沿う方向において重複状態となる領域のレジスト160を除去してのパターン形成が行われる。このように、重複状態となる領域のレジスト160を、ドライエッチングの前、すなわち、図9に示すように、イオンビームによって、ホルダ120に含まれる金属成分例えば、鉄Fe等が侵入することによって、レジスト160の変質図9において符号160Aで示す:所謂黒レジが発生する前に、当該部分を予め除去することで、変質したレジスト160Aの発生を防止できる。このため、レジスト剥離液等を使用せずに、酸素プラズマのみによって、レジスト残りを生じさせることなく、レジスト160のアッシングを行うことができる。この場合、図8bに示すように、ホルダ120とレジスト160との間に境界領域が生まれ、当該境界領域に溝104が形成されるが、レジスト除去工程を少なくとも1回に限り、他は、上述したように、ホルダ120とレジスト160との一部がウェハ101の表面に沿う方向において重複状態でパターン形成することで、溝104の深さを、ウェハ101の割れや欠け等が生じない程度に抑えることができる。当該ドライエッチング工程後に形成される溝104の深さは、1.4μm程度である。溝104の深さは、実験上、6.2μm以上で製品歩留まりに影響することが分かっているが、当該値に比べて十分に小さい。また、本実施形態のようにレジスト除去工程を、上電極膜80と共に圧電体層70を形成する、当該フォトリソグラフィ工程の後、当該ドライエッチング工程の前に行うことが好ましい。すなわち、圧電素子300を構成する上電極膜80を圧電体層70と共に形成するパターン形成工程では、ミリングする膜厚が大きい例えば、上電極膜80の膜厚は0.05μm程度、圧電体層70の膜厚は1.0μm程度ため、イオンビーム等の照射時間が長く、また、温度も高くなり、レジスト160が変質し易くなるため、この場合は、レジスト除去工程を行い、重複状態となる領域のレジスト160を予め除去する。レジスト除去工程を行うか否かを選択は、このように、ドライエッチング工程におけるパターン形成に用いられるそれぞれの総エネルギー量に基づいて行うことが好ましい。すなわち、ドライエッチング工程における総エネルギー量イオンビーム照射時間、ミリングレート、温度等が大きいほど、ホルダ120の金属成分がレジスト160に侵入して変質し易くなるので、当該総エネルギー量に基づいてレジスト除去工程を行うか否か本実施形態のように、下電極膜60のパターン形成では行わない、上電極膜80及び圧電体層70のパターン形成では行うを選択することで、製品歩留まりや製造効率を向上させることができる。図3に戻り、ステップS4においては、圧電素子300が形成されたウェハ101の表面に、例えば、スパッタ法等により金属層を全面に亘って成膜する。ここで、金属層と二酸化シリコン膜との密着性を高めるために、ニッケルクロムNiCr等を、金属層の下地層として成膜してもよい。その後、金属層上に所定形状のレジストを形成しフォトリソグラフィ工程、このレジストをマスクとしてパターニングを行う。なお、本実施形態では、当該パターニングに、ウェットエッチング法を用いており、上述のようなレジストの変質は生じない。ステップS5においては、このように形成された流路形成基板10のウェハ101と、圧電素子保持部31及びリザーバ部32等が形成された保護基板30のウェハとを、接着層35を介して接合する。ステップS6においては、接合した側と逆側の流路形成基板10を研磨及びフッ硝酸によるエッチングにより所定の厚さとした後、窒化シリコンからなるマスクを形成し、このマスクを介して異方性エッチングすることで、圧力発生室12や連通部13等を形成し、さらに、連通部13とリザーバ部32とを連通させてリザーバ100を形成する。ここで、保護基板接合時、ウェハ101に溝104図8b参照があることにより、溝104に接着剤が溜まり、その部位における接着層35の厚みが増すため、その後の液体流路形成工程においてウェハ間に水酸化カリウムKOH等のエッチング液が、接合したウェハ間に薬液滲入することを防止することができる。その後、接続配線210上に駆動IC220を実装すると共に、駆動IC220とリード電極90とを駆動配線200を介して接続する。さらに、流路形成基板10に、ノズルプレート20を接合すると共に、保護基板30に、コンプライアンス基板40を接合するし、ウェハから一つのチップサイズにこれらを分割することによって、図1及び図2に示す構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。したがって、上述した本実施形態によれば、ウェハ101上に所定形状のレジスト160を形成するフォトリソグラフィ工程と、ウェハ101の周辺部102を保持すると共に該ウェハ101上に形成されたレジスト160上に延出可能な形状を有するホルダ120を用い、レジスト160をマスクとしてパターン形成するドライエッチング工程と、を複数回繰り返し、ウェハ101上に多層配線構造体を形成する流路形成基板10の製造方法であって、上記ドライエッチング工程において、ホルダ120とレジスト160との一部がウェハ101の表面に沿う方向において重複状態でパターン形成するパターン形成工程と、上記フォトリソグラフィ工程と上記ドライエッチング工程とを複数回繰り返すうち、少なくとも1回は、上記フォトリソグラフィ工程の後、上記ドライエッチング工程の前に、上記重複状態となる領域を含む領域のレジスト160を除去するレジスト除去工程と、を含むという手法を採用することによって、レジスト残りを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。以上、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上述した実施形態においては、レジスト除去工程においては、周辺露光を行い、ホルダ120と重複状態となる領域を含む第2の周辺部103のレジスト160を除去すると説明したが、本発明はこの手法に限定されるものではない。例えば、重複領域のレジスト160を研磨等で除去してもよい。また、レジスト除去工程を経ないドライエッチング工程を行う場合は、ポジ型でなくネガ型のレジスト160を用いてもよい。また、例えば、上述した実施形態においては、フォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程とを2回繰り返すと説明したが、本発明はこの手法に限定されるものではない。例えば、圧電素子300を水分等から保護するために保護層例えばAl2O3をさらに成膜する場合や、下電極膜60、絶縁体膜55や弾性膜50の必要な部分をエッチングする場合には、さらに、フォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程とを繰り返す必要がある。この場合であっても、各工程において、総エネルギー量に基づいて、レジスト除去工程を行うか否か選択することが好ましい。また、例えば、上述した実施形態においては、ホルダ120は庇部122を有すると説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。例えば、図10に示す別実施形態のように、ホルダ120が直接、レジスト160上に接触可能な構成であってもよい。この構成においても、ホルダ120とレジスト160との際領域105で示すにおいてレジスト160の変質が生じ得るため、必要に応じて上述したレジスト除去工程を行うことが好ましい。さらに、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED面発光ディスプレー等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。勿論、本発明は、このような液体噴射ヘッドだけでなく、基板上に多層配線構造体を有するあらゆる配線基板の製造に適用可能なものである。