第1の期間においてオン状態となり、且つ第2の期間においてオフ状態となる第1のスイッチ乃至第nのスイッチnは2以上の自然数と、前記第1の期間においてオフ状態となり、且つ前記第2の期間においてオン状態となる第n1のスイッチ乃至第mのスイッチmはn2以上の自然数と、前記第1の期間において前記第1のスイッチを介して信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第1の信号線、乃至、前記第1の期間において前記第nのスイッチを介して信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第nの信号線と、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第n1のスイッチを介して信号が供給される第n1の信号線、乃至、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第mのスイッチを介して信号が供給される第mの信号線と、を有し、前記第1の信号線乃至前記第mの信号線は、各々が平行又は略平行に配列し、前記第nの信号線と前記第n1の信号線の間隔は、前記第n-1の信号線と前記第nの信号線の間隔よりも広く、且つ前記第n1の信号線と前記第n2の信号線の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記第1の信号線乃至前記第nの信号線のいずれか一及び前記第n1の信号線乃至前記第mの信号線のいずれか一に対する信号の供給が、同一の配線を介して行われることを特徴とする半導体装置。請求項1又は請求項2において、前記第1のスイッチ乃至前記第mのスイッチのそれぞれが、第1のトランジスタ乃至第mのトランジスタのそれぞれであることを特徴とする半導体装置。請求項3において、前記第1のトランジスタ乃至前記第mのトランジスタは、各々が等間隔又は略等間隔に配列し、且つ各々のチャネル長方向が、前記第1の信号線乃至前記第mの信号線に垂直又は略垂直に設けられ、前記第nのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりも前記第n1のトランジスタに近接し、前記第n1のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりも前記第nのトランジスタに近接し、前記第nのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方が、前記第nの信号線に電気的に接続され、前記第n1のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方が、前記第n1の信号線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。第1の期間においてオン状態となり、且つ第2の期間においてオフ状態となる第1のスイッチ乃至第nのスイッチnは2以上の自然数と、前記第1の期間においてオフ状態となり、且つ前記第2の期間においてオン状態となる第n1のスイッチ乃至第mのスイッチmはn2以上の自然数と、前記第1の期間において前記第1のスイッチを介して画像信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第1のソース信号線、乃至、前記第1の期間において前記第nのスイッチを介して画像信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第nのソース信号線と、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第n1のスイッチを介して画像信号が供給される第n1のソース信号線、乃至、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第mのスイッチを介して画像信号が供給される第mのソース信号線と、を有し、前記第1のソース信号線乃至前記第mのソース信号線は、各々が平行又は略平行に配列し、前記第nのソース信号線と前記第n1のソース信号線の間隔は、前記第n-1のソース信号線と前記第nのソース信号線の間隔よりも広く、且つ前記第n1のソース信号線と前記第n2のソース信号線の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。請求項5において、前記第1のソース信号線乃至前記第nのソース信号線のいずれか一及び前記第n1のソース信号線乃至前記第mのソース信号線のいずれか一に対する画像信号の供給が、同一のデータ信号線を介して行われることを特徴とする半導体装置。請求項5又は請求項6において、前記第1のスイッチ乃至前記第mのスイッチが、第1のトランジスタ乃至第mのトランジスタであることを特徴とする半導体装置。請求項7において、前記第1のトランジスタ乃至前記第mのトランジスタは、各々が等間隔又は略等間隔に配列し、且つ各々のチャネル長方向が、前記第1のソース信号線乃至前記第mのソース信号線に垂直又は略垂直に設けられ、前記第nのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりも前記第n1のトランジスタに近接し、前記第n1のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりも前記第nのトランジスタに近接し、前記第nのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方が、前記第nのソース信号線に電気的に接続され、前記第n1のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方が、前記第n1のソース信号線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。請求項7又は請求項8において、前記第1のトランジスタ乃至前記第mのトランジスタのチャネル形成領域が、酸化物半導体によって構成されることを特徴とする半導体装置。請求項9において、前記第1のトランジスタ乃至前記第mのトランジスタのスイッチングを制御するシフトレジスタ回路を有し、前記シフトレジスタ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。請求項5乃至請求項10のいずれか一項において、前記第1のソース信号線乃至前記第mのソース信号線のいずれか一に電気的に接続された画素を有し、前記画素は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。請求項11において、前記画素が有するトランジスタのスイッチングを制御するゲート信号線駆動回路を有し、前記ゲート信号線駆動回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、m=2nであることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。上述したように、アクティブマトリクス型の表示装置においては、外部から入力される画像信号がデータ信号線を介して画素部に入力される。一般的には、1本のデータ信号線と、複数のソース信号線の各々との間にスイッチが設けられ、該スイッチによってデータ信号線とソース信号線の電気的な接続を制御している。つまり、複数のソース信号線が1本毎にデータ信号線と電気的に接続するように、複数のスイッチを順次オン状態とする。これにより、データ信号線から所望の画像信号が各ソース信号線に供給される。データ分割駆動を行う表示装置においても、データ信号線から各ソース信号線への画像信号の供給は同様に行われる。具体的には、画像信号を4分割にする場合は、データ信号線が4本設けられ、データ信号線の各々と、複数のソース信号線との間にスイッチが設けられる。ただし、スイッチは、4個毎のグループに分類される。つまり、該グループに分類された4本のソース信号線毎に4本のデータ信号線のいずれかと電気的に接続するように、複数のスイッチを4個毎に順次オン状態とする。これにより、スイッチの動作周波数を1/4に低減するとともに、データ信号線から所望の画像信号が各ソース信号線に供給される。しかしながら、データ分割駆動を行う表示装置においては、当該グループの境界において映像に縞模様が発生することがある。つまり、スイッチが4個毎のグループに分類される場合、4k番目kは自然数に配列されたソース信号線と、4k1番目に配列されたソース信号線との境界において、映像に縞模様が発生することがある。上述した課題に鑑み、本発明の一態様は、半導体装置における信号の変動を抑制することを課題の一とする。なお、当該変動を抑制することで、半導体装置の映像の表示時における縞模様の発生を抑制することなどができる。上述した課題の一は、半導体装置において容量結合に起因する信号の変動を抑制することで解決することができる。すなわち、本発明の一態様は、第1の期間においてオン状態となり、且つ第2の期間においてオフ状態となる第1のスイッチ乃至第nのスイッチnは2以上の自然数と、前記第1の期間においてオフ状態となり、且つ前記第2の期間においてオン状態となる第n1のスイッチ乃至第mのスイッチmはn2以上の自然数と、前記第1の期間において前記第1のスイッチを介して信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第1の信号線、乃至、前記第1の期間において前記第nのスイッチを介して信号が供給され、且つ前記第2の期間において浮遊状態となる第nの信号線と、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第n1のスイッチを介して信号が供給される第n1の信号線、乃至、前記第1の期間において浮遊状態となり、且つ前記第2の期間において前記第mのスイッチを介して信号が供給される第mの信号線と、を有し、前記第1の信号線乃至前記第mの信号線は、各々が平行又は略平行に配列し、前記第nの信号線と前記第n1の信号線の間隔は、前記第n-1の信号線と前記第nの信号線の間隔よりも広く、且つ前記第n1の信号線と前記第n2の信号線の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置である。本発明の一態様の半導体装置は、異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔を、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔よりも広くする。これにより、容量結合に起因する信号線の電位の変動を抑制することができる。具体的な例としては、当該信号線がアクティブマトリクス型の表示装置におけるソース信号線である場合、映像における縞模様の発生を抑制することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。また、本明細書にて用いる第1、第2、第3などの序数は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について図1~図7を参照して説明する。図1Aは、本実施の形態の半導体装置が有する複数の信号線11~18及び複数の信号線11~18の各々への信号の入力を制御するスイッチ21~28の位置関係を示す図である。なお、スイッチ21は、信号線11への入力信号In1の供給を制御する。また、スイッチ22~28についても同様に、信号線12~18への入力信号In2~入力信号In8の供給を制御する。加えて、複数の信号線11~18は、各々が平行又は略平行に配列している。さらに、信号線14と信号線15の間隔G1は、信号線13と信号線14の間隔G0よりも広く、且つ信号線15と信号線16の間隔G2よりも広い。なお、本実施の形態の半導体装置において、信号線11~18に対して行われる信号の供給は、スイッチ21~28を介した信号の供給のみである。そのため、スイッチ21~28がオフ状態にある場合、信号線11~18は浮遊状態ハイインピーダンス状態ともいうとなる。図1Bは、図1Aに示す半導体装置が有するスイッチ21~28の動作を示す図である。図1Bに示すように、期間T1において、スイッチ21~24はオン状態となり、スイッチ25~28はオフ状態となる。また、期間T2において、スイッチ21~24はオフ状態となり、スイッチ25~28はオン状態となる。図1A、Bに示す半導体装置は、異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔信号線14と信号線15の間隔G1が、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔信号線13と信号線14の間隔G0及び信号線15と信号線16の間隔G2よりも広い。そのため、容量結合に起因する信号線14又は信号線15の電位の変動を抑制することができる。具体的には、期間T1における信号線14への入力信号In4の入力に伴う信号線15の電位の変動、及び期間T2における信号線15への入力信号In5の入力に伴う信号線14の電位の変動を抑制することができる。なお、異なる期間においてオン状態となるスイッチを介した複数の信号線に対する信号の供給は、同一配線を用いて行うことができる。例えば、図1Cに示すように、信号線11及び信号線15に対する信号の供給は、配線31を介して行うことができる。同様に、信号線12及び信号線16、信号線13及び信号線17、又は信号線14及び信号線18に対する信号の供給は、配線32、配線33、又は配線34を介して行うことができる。すなわち、信号線11に供給される信号は、期間T1における入力信号In9であり、信号線15に供給される信号は、期間T2における入力信号In9である。同様に、信号線12に供給される信号は、期間T1における入力信号In10であり、信号線16に供給される信号は、期間T2における入力信号In10であり、信号線13に供給される信号は、期間T1における入力信号In11であり、信号線17に供給される信号は、期間T2における入力信号In11であり、信号線14に供給される信号は、期間T1における入力信号In12であり、信号線18に供給される信号は、期間T2における入力信号In12である。また、スイッチ21~28としてはトランジスタを適用することができる。図2Aに図1Aに示す半導体装置が有するスイッチ21~28をトランジスタに置換した図を示す。図2Aに示す半導体装置は、トランジスタ41~44のゲート端子が制御信号C1によって制御され、トランジスタ45~48のゲート端子が制御信号C2によって制御される。なお、ここでは、トランジスタ41~48は、Nチャネル型トランジスタであるとする。図2Bは、制御信号C1及び制御信号C2の電位の変化を示す図である。制御信号C1は、期間T1においてハイレベルの電位となり、期間T2においてロウレベルの電位となる信号であり、制御信号C2は、期間T1においてロウレベルの電位となり、期間T2においてハイレベルの電位となる信号である。これにより、トランジスタ41~44を、期間T1においてオン状態とし且つ期間T2においてオフ状態とすること、及び、トランジスタ45~48を、期間T1においてオフ状態とし且つ期間T2においてオン状態とすることができる。図3Aは、図2Aに示した半導体装置の一部の具体的な構造を示す平面図であり、図3Bは、図3AのA-Bにおける構造を示す断面図である。図3Bに示すトランジスタ45は、基板50上の導電層51と、基板50及び導電層51上の絶縁層52と、絶縁層52上の半導体層53と、絶縁層52及び半導体層53上の導電層54及び導電層55とを有する。なお、図3Bに示すトランジスタ45において、導電層51はゲート端子として機能し、絶縁層52はゲート絶縁層として機能し、導電層54はソース端子及びドレイン端子の一方として機能し、導電層55はソース端子及びドレイン端子の他方として機能する。また、図3Aに示すトランジスタ43、44、46の構造は、トランジスタ45の構造と同様である。なお、基板50としては、半導体基板例えば単結晶基板又はシリコン基板、SOI基板、ガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が設けられた導電性基板、又はプラスチック基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、若しくは基材フィルムなどの可撓性基板などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルサルフォンPESに代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。また、導電層51、54、55としては、アルミニウムAl、銅Cu、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。また、絶縁層52としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が55~65原子、窒素が1~20原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が15~30原子、窒素が20~35原子、Siが25~35原子、水素が15~25原子の範囲において、合計100原子となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、半導体層53としては、シリコンSi若しくはゲルマニウムGeなどの周期表第14族元素を主構成元素とする材料、シリコンゲルマニウムSiGe若しくはガリウムヒ素GaAsなどの化合物、酸化亜鉛ZnO若しくはインジウムIn及びガリウムGaを含む酸化亜鉛などの酸化物、又は半導体特性を示す有機化合物などの半導体材料を適用することができる。また、これらの半導体材料からなる層の積層構造を適用することもできる。図3Aに示す半導体装置が有するトランジスタ43~46は、チャネル長方向が信号線13~16に垂直又は略垂直に設けられる。加えて、トランジスタ44のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ45から遠くに設けられる方の端子が信号線14に電気的に接続され、且つトランジスタ45のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ44から遠くに設けられる方の端子が信号線15に電気的に接続される。別言すると、トランジスタ44のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ45に近接し、且つトランジスタ45のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ44に近接するとした場合、トランジスタ44のソース端子及びドレイン端子の他方が信号線14に電気的に接続され、且つトランジスタ45のソース端子及びドレイン端子の他方が信号線15に電気的に接続される。なお、図3Aに示すように、トランジスタ43~46のソース端子及びドレイン端子と、信号線13~16とは同一の導電層によって構成される。そのため、上述した説明において、トランジスタ44、45のソース端子及びドレイン端子の他方は、信号線14、15の一部であると表現することもできる。図3Aに示すように設計することにより、信号線14と信号線15の間隔G1を、信号線13と信号線14の間隔G0よりも広く、且つ信号線15と信号線16の間隔G2よりも広くすることができる。これにより、容量結合に起因する信号線14又は信号線15の電位の変動を抑制することができる。また、図3Aに示す構成は、等間隔又は略等間隔に配列した複数のトランジスタにおいて、信号線に電気的に接続する端子を選択するだけで実現することができる。すなわち、図3Aの構成は、信号線の間隔の制御を簡便な設計によって実現することができる構成である。そのため、異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔を、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本の信号線の間隔よりも広くすることを目的とした場合、図3Aに示す構成は、当該目的を容易に達成することができるため好ましい構成である。上述した半導体装置は実施の形態の一例であり、上述の説明とは異なる点をもつ半導体装置も本実施の形態には含まれる。例えば、上述した半導体装置では、4本の信号線毎に信号の入力を制御する構成について説明した図1A参照が、信号線の本数は4本に限定されるものではない。当該信号線の本数は、2以上の自然数であれば何本であってもよい。また、上述した半導体装置では、複数のスイッチのうち、期間T1においてオン状態となるスイッチの個数と、期間T2においてオン状態となるスイッチの個数とが同数となる構成グループ化されるスイッチを同数とする構成について説明した図1B参照が、当該スイッチの個数はグループ毎に異なっていてもよい。また、上述した半導体装置では、同一配線を用いて複数の信号線に対する信号の供給を行う場合、グループ内での配列位置が同じ信号線に対して同一配線を用いて信号を供給する構成について説明した図1C参照が、同一配線によって信号が供給される信号線のグループ内での配列位置が異なっていてもよい。具体的には、図4A、Bに示す構成によって複数の信号線に対する信号の供給を行ってもよい。また、図4Cに示すように、各配線を延伸して設けてもよい。これにより、各配線における配線抵抗及び寄生容量を平均化することができる。また、上述した半導体装置では、図1Aに示すスイッチ21~28としてN型トランジスタを適用する例について説明した図2A参照が、図5Aに示すように、図1Aに示すスイッチ21~28としてPチャネル型トランジスタ61~68を適用してもよい。なお、当該スイッチとしてPチャネル型トランジスタを適用する場合は、図5Bに示すように、制御信号C1を、期間T1においてロウレベルの電位となり、期間T2においてハイレベルの電位となる信号とし、制御信号C2は、期間T1においてハイレベルの電位となり、期間T2においてロウレベルの電位となる信号とする必要がある。また、上述した半導体装置では、トランジスタとしてボトムゲート構造のトランジスタを適用する例について説明した図3A、B参照が、当該トランジスタは、ボトムゲート構造に限定されない。例えば、当該トランジスタとして、トップゲート型のトランジスタ又は半導体層の上下にゲート端子が設けられるトランジスタなどを適用することも可能である。図6A、Bは、トップゲート構造のトランジスタを本実施の形態の半導体装置に適用した場合の例を示す図である。なお、図6Aは、図2Aに示した半導体装置の一部の具体的な構造を示す平面図であり、図6Bは、図6AのC-Dにおける構造を示す断面図である。図6Bに示すトランジスタ45は、基板70上の絶縁層71と、絶縁層71上の半導体層72と、半導体層72上の絶縁層73と、絶縁層73上の導電層74と、絶縁層73及び導電層74上の絶縁層75と、絶縁層73及び絶縁層75に設けられたコンタクトホールにおいて半導体層と接する導電層76及び導電層77とを有する。なお、図6Bに示すトランジスタ45において、導電層74はゲート端子として機能し、絶縁層73はゲート絶縁層として機能し、導電層76はソース端子及びドレイン端子の一方として機能し、導電層77はソース端子及びドレイン端子の他方として機能する。また、図6Aに示すトランジスタ43、44、46の構造は、図6Bに示すトランジスタ45の構造と同様である。なお、基板70としては、図3Bに示した基板50と同様の材料を適用することができるため、ここでは前述の説明を援用することとする。また、絶縁層71、73、75としては、図3Bに示した絶縁層52と同様の材料を、半導体層72としては、図3Bに示した半導体層53と同様の材料を、導電層74、76、77としては、図3Bに示した導電層51、54、55と同様の材料を、適用することができるため、ここでは前述の説明を援用することとする。さらに、絶縁層75としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル若しくはエポキシ等の有機材料、シロキサン樹脂等のシロキサン材料、又はオキサゾール樹脂などを適用することもできる。なお、シロキサン材料とは、Si-O-Si結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される。置換基として、有機基例えばアルキル基、芳香族炭化水素やフルオロ基を用いても良い。有機基は、フルオロ基を有していてもよい。また、上述した半導体装置では、同一期間において浮遊状態となる信号線の配列については限定されない。すなわち、同一期間において浮遊状態となる複数の信号線と電気的に接続されるトランジスタにおいて、ソース端子及びドレイン端子のいずれが当該信号線と電気的に接続するかは、適宜選択することが可能である。例えば、同一期間において浮遊状態となる複数の信号線を2本毎に分類し、該2本の信号線に電気的に接続されるトランジスタの端子ソース端子又はドレイン端子を、互いに近接する方の端子とすることが可能である図7参照。なお、図7に示す構成は、同一配線を用いて複数の信号線に対する信号の供給を行う半導体装置図1C参照にとって、好ましい構成である。以下、その理由について具体的に述べる。ここで、トランジスタ43のソース端子及びドレイン端子の一方を信号線13に電気的に接続される端子、他方を配線33に電気的に接続される端子と規定した場合、当該ソース端子及びドレイン端子の他方の電位は、信号線13に信号を供給するか否かによらず変動する。この時、トランジスタ43のソース端子及びドレイン端子の他方と信号線14の間隔が図7に示す構成の方が図3Aに示す構成よりも広い。そのため、図7に示す構成は、図3Aに示す構成と比較し、信号線14の容量結合に起因する電位の変動を抑制することができ、好ましい構成である。なお、本実施の形態の内容又は該内容の一部は、他の実施の形態の内容又は該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について説明する。具体的には、データ分割駆動を行うアクティブマトリクス型の表示装置の一例について、図8~図12を参照して説明する。図8Aは、アクティブマトリクス型の表示装置の構成例を示す図である。図8Aに示す表示装置は、画素部101と、ソース信号線駆動回路102と、ゲート信号線駆動回路103と、各々が平行又は略平行に配列した複数のソース信号線104と、各々が平行又は略平行に配列した複数のゲート信号線105とを有する。さらに、画素部101は、複数の画素107を有する。なお、複数の画素107は、マトリクス状に配列している。また、複数のソース信号線104の各々は、マトリクス状に配列された複数の画素のうち、いずれかの列に配列された複数の画素に電気的に接続され、複数のゲート信号線105の各々は、マトリクス状に配列された複数の画素のうち、いずれかの行に配列された複数の画素に電気的に接続される。なお、ソース信号線駆動回路102及びゲート信号線駆動回路103には、フレキシブルプリント基板106A、106Bを介して外部から信号画像信号、クロック信号、スタート信号などが入力される。図8Bは、図8Aに示すソース信号線駆動回路102の構成例を示す図である。図8Bに示すソース信号線駆動回路102は、シフトレジスタ回路111と、サンプリング回路112とを有する。シフトレジスタ回路111には、クロック信号CK及びスタート信号SPなどが入力される。サンプリング回路112には、画像信号Data及びシフトレジスタ回路111からの複数の出力信号などが入力される。なお、サンプリング回路112は、画素部101に配列された複数のソース信号線の各々に画像信号Dataを出力する。図9Aは、図8Bに示すサンプリング回路112の構成例を示す図である。図9Aに示すサンプリング回路112は、データ信号線121~124と、トランジスタ131~139とを有する。なお、データ信号線121~124は、外部から画像信号Dataとして入力される信号を4分割し、当該4分割された画像信号のそれぞれの周波数を1/4倍にした画像信号Data1~画像信号Data4のいずれかを供給する配線である。また、トランジスタ131~134のゲート端子は、シフトレジスタ回路111の複数の出力信号の一つである信号SRout1を出力する端子に電気的に接続され、トランジスタ135~138のゲート端子は、シフトレジスタ回路111の複数の出力信号の一つである信号SRout2を出力する端子に電気的に接続され、トランジスタ139のゲート端子は、シフトレジスタ回路111の複数の出力信号の一つである信号SRout3を出力する端子に電気的に接続される。また、トランジスタ131、135、139のソース端子及びドレイン端子の一方は、データ信号線121に電気的に接続され、トランジスタ132、136のソース端子及びドレイン端子の一方は、データ信号線122に電気的に接続され、トランジスタ133、137のソース端子及びドレイン端子の一方は、データ信号線123に電気的に接続され、トランジスタ134、138のソース端子及びドレイン端子の一方は、データ信号線124に電気的に接続される。また、トランジスタ131~139のソース端子及びドレイン端子の他方は、画素部101において各々が平行又は略平行に配列したソース信号線141~149のいずれかに電気的に接続される。なお、ソース信号線144とソース信号線145の間隔g4及びソース信号線148とソース信号線149の間隔g8は、その他の隣接するソース信号線の間隔g1~g3、g5~g7よりも広い。図9Bは、図9Aに示すサンプリング回路112に入力される各信号の具体例を示す図である。具体的に述べると、信号SRout1は、期間t1においてハイレベルの電位となり、それ以外の期間t2、t3においてロウレベルの電位となる信号であり、信号SRout2は、期間t2においてハイレベルの電位となり、それ以外の期間t1、t3においてロウレベルの電位となる信号であり、信号SRout3は、期間t3においてハイレベルの電位となり、それ以外の期間t1、t2においてロウレベルの電位となる信号である。なお、期間t1~期間t3の長さは等しい。また、画像信号Dataは、期間t1~期間t3のそれぞれを4等分した期間期間t11~期間t14、期間t21~期間t24、期間t31~期間t34毎に電位のレベルが変化する信号である。さらに、画像信号Data1は、画像信号Dataが期間t11において保持する電位を期間t1において保持し、画像信号Dataが期間t21において保持する電位を期間t2において保持し、画像信号Dataが期間t31において保持する電位を期間t3において保持する信号である。同様に、画像信号Data2、画像信号Data3、又は画像信号Data4は、画像信号Dataが期間t12、期間t13、又は期間t14において保持する電位を期間t1において保持し、画像信号Dataが期間t22、期間t23、又は期間t24において保持する電位を期間t2において保持し、画像信号Dataが期間t32、期間t33、又は期間t34において保持する電位を期間t3において保持する信号である。本実施の形態の半導体装置は、上述した構成によりデータ分割駆動を行う。すなわち、画像信号Dataを画像信号Data1~画像信号Data4に4分割し、且つ特定の期間期間t1、期間t2、期間t3毎に画素部101に配列した4本のソース信号線に対して同時に画像信号Data1~画像信号Data4を供給する。これにより、ソース信号線の各々に対して順次画像信号Dataが供給される場合と比較し、サンプリング回路112トランジスタ131~139の動作周波数を1/4に低減することができる。さらに、本実施の形態の半導体装置は、異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本のソース信号線の間隔g4、g8が、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本のソース信号線の間隔g1~g3、g5~g7よりも広い。そのため、容量結合に起因するソース信号線144、145、148、149の電位の変動を抑制することができる。具体的には、期間t1におけるソース信号線144への画像信号Data4の入力に伴うソース信号線145の電位の変動、期間t2におけるソース信号線145への画像信号Data1の入力に伴うソース信号線144の電位の変動及び信号線148への画像信号Data4の入力に伴うソース信号線149の電位の変動、並びに期間t3におけるソース信号線149への画像信号Data1の入力に伴うソース信号線148の電位の変動を抑制することができる。これにより、本実施の形態の半導体装置に表示される映像における縞模様の発生を抑制することができる。図10は、図9Aに示した半導体装置の一部の具体的な構造を示す平面図である。なお、図10に図示されたトランジスタは、逆スタガ型のトランジスタである図3A、B参照。図10に示す半導体装置が有するトランジスタ133~139は、チャネル長方向がソース信号線143~149に垂直又は略垂直に設けられる。加えて、トランジスタ134のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ135から遠くに設けられる方の端子がソース信号線144に電気的に接続され、且つトランジスタ135のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ134から遠くに設けられる方の端子がソース信号線145に電気的に接続される。別言すると、トランジスタ134のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ135に近接し、且つトランジスタ135のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ134に近接するとした場合、トランジスタ134のソース端子及びドレイン端子の他方がソース信号線144に電気的に接続され、且つトランジスタ135のソース端子及びドレイン端子の他方がソース信号線145に電気的に接続される。同様に、トランジスタ138のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ139から遠くに設けられる方の端子がソース信号線148に電気的に接続され、且つトランジスタ139のソース端子及びドレイン端子のうち、トランジスタ138から遠くに設けられる方の端子がソース信号線149に電気的に接続される。別言すると、トランジスタ138のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ139に近接し、且つトランジスタ139のソース端子及びドレイン端子の一方が他方よりもトランジスタ138に近接するとした場合、トランジスタ138のソース端子及びドレイン端子の他方がソース信号線148に電気的に接続され、且つトランジスタ139のソース端子及びドレイン端子の他方がソース信号線149に電気的に接続される。なお、図10に示すように、トランジスタ133~139のソース端子及びドレイン端子と、ソース信号線143~149とは同一の導電層によって構成される。そのため、上述した説明において、トランジスタ134、135、138、139のソース端子及びドレイン端子の他方は、ソース信号線144、145、148、149の一部であると表現することもできる。図10に示すように設計することにより、ソース信号線144とソース信号線145の間隔g4及びソース信号線148とソース信号線149の間隔g8を、その他の隣接するソース信号線の間隔g1~g3、g5~g7よりも広くすることができる。そのため、容量結合に起因するソース信号線144、145、148、149の電位の変動を抑制することができる。また、図10に示す構成は、等間隔又は略等間隔に配列した複数のトランジスタにおいて、ソース信号線に電気的に接続する端子を選択するだけで実現することができる。すなわち、図10の構成は、ソース信号線の間隔の制御を簡便な設計によって実現することができる構成である。そのため、異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本のソース信号線の間隔を、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する2本のソース信号線の間隔よりも広くすることを目的とした場合、図10に示す構成は、当該目的を容易に達成することができるため好ましい構成である。上述した半導体装置は実施の形態の一例であり、上述の説明とは異なる点をもつ半導体装置も本実施の形態には含まれる。例えば、上述した半導体装置では、複数の画素107がストライプ配列される構成について示した図10参照が、複数の画素107がデルタ配列される構成としてもよい図11参照。また、上述した半導体装置では、同一期間において浮遊状態となるソース信号線の配列については限定されない。すなわち、同一期間において浮遊状態となる複数のソース信号線と電気的に接続されるトランジスタにおいて、ソース端子及びドレイン端子のいずれが当該ソース信号線と電気的に接続するかは、適宜選択することが可能である。例えば、同一期間において浮遊状態となる複数のソース信号線を2本毎に分類し、該2本のソース信号線に電気的に接続されるトランジスタの端子ソース端子又はドレイン端子を、互いに近接する方の端子とすることが可能である図12参照。なお、図12に示す構成は、同一配線を用いて複数の信号線に対する信号の供給を行う半導体装置にとって、好ましい構成である。以下、その理由について具体的に述べる。ここで、トランジスタ133のソース端子及びドレイン端子の一方をソース信号線143に電気的に接続される端子、他方をデータ信号線123に電気的に接続される端子と規定した場合、当該ソース端子及びドレイン端子の他方の電位は、ソース信号線143に信号を供給するか否かによらず変動する。この時、トランジスタ133のソース端子及びドレイン端子の他方とソース信号線144の間隔が図12に示す構成の方が図10、図11に示す構成よりも広い。そのため、図12に示す構成は、図10、図11に示す構成と比較し、ソース信号線144の容量結合に起因する電位の変動を抑制することができ、好ましい構成である。なお、本実施の形態の内容又は該内容の一部は、他の実施の形態の内容又は該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1又は2に示した半導体装置が有するトランジスタの一例について説明する。具体的には、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタの構造及び該トランジスタの作製方法の一例について、図13を参照して説明する。図13A~Dは、実施の形態1に示したトランジスタの具体的な構成及び作製工程の具体例を示す図である。なお、図13Dに示すトランジスタ410は、チャネルエッチ型と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。また、図13Dには、シングルゲート構造のトランジスタを示すが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとすることができる。以下、図13A~Dを参照して、基板400上にトランジスタ410を作製する工程について説明する。まず、絶縁表面を有する基板400上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層411を形成する。なお、当該工程において用いられるレジストマスクは、インクジェット法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。なお、本実施の形態において、膜とは、基板全面に形成されたものであって、後にフォトリソグラフィ工程等によって所望の形状に加工されるものが、加工前の状態にあるものをいう。そして、層とは、膜からフォトリソグラフィ工程等により所望の形状に加工、形成されたもの、及び基板全面に形成することを目的としたもののことをいう。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が730°C以上のものを用いると良い。下地層となる絶縁層を基板400とゲート電極層411の間に設けてもよい。下地層は、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層411の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。例えば、ゲート電極層411の2層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上にモリブデン層を積層した2層構造、銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した2層構造、窒化チタン層とモリブデン層を積層した2層構造とすることが好ましい。3層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した3層構造とすることが好ましい。次いで、ゲート電極層411上にゲート絶縁層402を形成する。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタ法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、若しくは酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、シランSiH4、酸素及び窒素を用いてプラズマCVD法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。また、ゲート絶縁層として酸化ハフニウムHfOx、酸化タンタルTaOx等のHigh-k材料を用いることもできる。ゲート絶縁層402の膜厚は、55nm以上500nm以下とし、積層の場合は、例えば、膜厚50nm以上200nm以下の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上に膜厚5nm以上300nm以下の第2のゲート絶縁層とを積層して形成する。ここでは、ゲート絶縁層402としてプラズマCVD法により膜厚100nm以下の酸化窒化シリコン層を形成する。また、ゲート絶縁層402として、高密度プラズマ装置を用い、酸化窒化シリコン層の形成を行ってもよい。ここで高密度プラズマ装置とは、1×1011/cm3以上のプラズマ密度を達成できる装置を指している。例えば、3kW~6kWのマイクロ波電力を印加してプラズマを発生させて、絶縁層の成膜を行う。チャンバーに材料ガスとしてシランSiH4、亜酸化窒素N2O、及び希ガスを導入し、10Pa~30Paの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁層を形成する。その後、シランSiH4の供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素N2Oと希ガスを導入して絶縁層表面にプラズマ処理を行ってもよい。少なくとも亜酸化窒素N2Oと希ガスを導入して絶縁層表面に行われるプラズマ処理は、絶縁層の成膜より後に行う。上記プロセス順序を経た絶縁層は、膜厚が薄く、例えば100nm未満であっても信頼性を確保することができる絶縁層である。ゲート絶縁層402の形成の際、チャンバーに導入するシランSiH4と亜酸化窒素N2Oの流量比は、1:10から1:200の範囲とする。また、チャンバーに導入する希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンなどを用いることができるが、中でも安価であるアルゴンを用いることが好ましい。また、高密度プラズマ装置により得られた絶縁層は、一定した厚さの膜形成ができるため段差被覆性に優れている。また、高密度プラズマ装置により得られる絶縁層は、薄い膜の厚みを精密に制御することができる。上記プロセス順序を経た絶縁層は、従来の平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁層とは大きく異なっており、同じエッチャントを用いてエッチング速度を比較した場合において、平行平板型のPCVD装置で得られる絶縁膜の10以上または20以上遅く、高密度プラズマ装置で得られる絶縁層は緻密な膜と言える。なお、後の工程でi型化又は実質的にi型化される酸化物半導体高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、ゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。従ってμ波2.45GHzを用いた高密度プラズマCVD装置は、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層が密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できることが重要である。次いで、ゲート絶縁層402上に、膜厚2nm以上200nm以下の酸化物半導体膜430を形成する。なお、酸化物半導体膜430をスパッタ法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層402の表面に付着している粉状物質パーティクル、ゴミともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体膜430は、In-Ga-Zn-O系、In-Sn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系、In-Ga-O系、In-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、In-O系、Sn-O系、Zn-O系の酸化物半導体膜を用いる。本実施の形態では、酸化物半導体膜430として、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。この段階での断面図が図13Aに相当する。また、酸化物半導体膜430は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガス代表的にはアルゴン及び酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。また、スパッタ法を用いる場合、SiO2を2重量以上10重量以下含むターゲットを用いて成膜を行い、酸化物半導体膜430に結晶化を阻害するSiOxX>0を含ませ、後の工程で行う脱水化または脱水素化のための加熱処理の際に結晶化してしまうのを抑制することが好ましい。ここでは、In、Ga、及びZnを含む金属酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol]、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom]を用いて、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.2Pa、直流DC電源0.5kW、アルゴン及び酸素アルゴン:酸素=30sccm:20sccm、酸素流量比率40雰囲気下で成膜する。なお、パルス直流DC電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。In-Ga-Zn-O系膜の膜厚は、2nm以上200nm以下とする。本実施の形態では、酸化物半導体膜として、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により膜厚20nmのIn-Ga-Zn-O系膜を成膜する。また、In、Ga、及びZnを含む金属酸化物ターゲットとして、In:Ga:Zn=1:1:1[atom]、又はIn:Ga:Zn=1:1:2[atom]の組成比を有するターゲットを用いることもできる。スパッタ法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるRFスパッタ法とDCスパッタ法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタ法を用いるスパッタ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ法を用いるスパッタ装置がある。また、スパッタ法を用いる成膜方法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタ法もある。次いで、酸化物半導体膜430を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、当該工程において用いられるレジストマスクは、インクジェット法によって形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。次いで、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。脱水化または脱水素化を行う第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層431を得る図13B参照。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。なお、第1の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜430に対して行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、第2のフォトリソグラフィ工程を行う。酸化物半導体層に対する脱水化または脱水素化の加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、ソース電極層及びドレイン電極層上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれで行っても良い。また、ゲート絶縁層402に開口部を形成する場合、その工程は酸化物半導体膜430に脱水化または脱水素化処理を行う前でも行った後に行ってもよい。なお、ここでの酸化物半導体膜430のエッチングは、ウェットエッチングに限定されずドライエッチングを用いてもよい。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化シリコンSiCl4、四塩化炭素CCl4などが好ましい。また、フッ素を含むガスフッ素系ガス、例えば四弗化炭素CF4、六弗化硫黄SF6、三弗化窒素NF3、トリフルオロメタンCHF3など、臭化水素HBr、酸素O2、これらのガスにヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスを添加したガス、などを用いることができる。ドライエッチング法としては、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節する。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ITO07N関東化学社製を用いてもよい。また、ウェットエッチング後のエッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウム等の材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。所望の加工形状にエッチングできるように、材料に合わせてエッチング条件エッチング液、エッチング時間、温度等を適宜調節する。次いで、ゲート絶縁層402、及び酸化物半導体層431上に、金属導電膜を形成する。金属導電膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成すればよい。金属導電膜の材料としては、アルミニウムAl、クロムCr、銅Cu、タンタルTa、チタンTi、モリブデンMo、タングステンWから選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、又は上述した元素を組み合わせた合金等が挙げられる。また、マンガンMn、マグネシウムMg、ジルコニウムZr、ベリリウムBe、イットリウムYのいずれか一または複数から選択された材料を用いてもよい。また、金属導電膜は、単層構造でも、2層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、銅又は銅を主成分とする膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、窒化タンタル膜又は窒化銅膜上に銅膜を積層する2層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する3層構造などが挙げられる。また、アルミニウムAlに、チタンTi、タンタルTa、タングステンW、モリブデンMo、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムScから選ばれた元素を単数、又は複数組み合わせた膜、合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。金属導電膜成膜後に加熱処理を行う場合には、この加熱処理に耐える耐熱性を金属導電膜に持たせることが好ましい。第3のフォトリソグラフィ工程により金属導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層415a、ドレイン電極層415bを形成した後、レジストマスクを除去する図13C参照。なお、金属導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層431は除去されないようにそれぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する。ここでは、金属導電膜としてチタン膜を用いて、酸化物半導体層431にはIn-Ga-Zn-O系酸化物を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水アンモニア、水、過酸化水素水の混合液を用いる。なお、第3のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層431は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。また、当該工程において用いるレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、アッシングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。次いで、亜酸化窒素N2O、窒素N2、またはアルゴンArなどのガスを用いたプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる酸化物絶縁層416を形成する。酸化物絶縁層416は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタ法など、酸化物絶縁層416に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。酸化物絶縁層416に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入が生じ酸化物半導体層431のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成される。よって、酸化物絶縁層416はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。ここでは、酸化物絶縁層416として膜厚200nmの酸化シリコン膜をスパッタ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス代表的にはアルゴン及び酸素雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素、及び窒素雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコン膜を形成することができる。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、より好ましくは250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域が酸化物絶縁層416と接した状態で加熱される。これにより、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域に酸素が供給される。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行った後、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート電極層411と重なるチャネル形成領域413はI型となり、ソース電極層415aに重なるソース領域414aと、ドレイン電極層415bに重なるドレイン領域414bとが自己整合的に形成される。以上の工程でトランジスタ410が形成される。85°C、2×106V/cm、12時間のゲートバイアス熱ストレス試験BT試験においては、不純物が酸化物半導体に添加されていると、不純物と酸化物半導体の主成分との結合手が、強電界B:バイアスと高温T:温度により切断され、生成された未結合手がしきい値電圧Vthのドリフトを誘発することとなる。これに対して、酸化物半導体の不純物、特に水素や水等を極力除去し、上述の高密度プラズマCVD装置を用いて緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜とし、酸化物半導体との界面特性を良好にすることにより、BT試験に対しても安定なトランジスタを得ることができる。さらに大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。ここでは150°Cで10時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°Cの加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、酸化物絶縁膜の形成前に、減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱処理を行うと、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、酸化物半導体層から酸化物絶縁層中に水素をとりこむことができる。なお、ドレイン電極層415bと重畳した酸化物半導体層においてドレイン領域414bを形成することにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、ドレイン領域414bを形成することで、ドレイン電極層415bからドレイン領域414b、チャネル形成領域413にかけて、導電性を段階的に変化させうるような構造とすることができる。また、酸化物半導体層におけるソース領域又はドレイン領域は、酸化物半導体層の膜厚が15nm以下と薄い場合は膜厚方向全体にわたって形成されるが、酸化物半導体層の膜厚が30nm以上50nm以下とより厚い場合は、酸化物半導体層の一部、ソース電極層又はドレイン電極層と接する領域及びその近傍が低抵抗化しソース領域又はドレイン領域が形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁層に近い領域はI型とすることもできる。酸化物絶縁層416上にさらに保護絶縁層を形成してもよい。例えば、RFスパッタ法を用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。本実施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層403を、窒化シリコン膜を用いて形成する図13D参照。本実施の形態で示したトランジスタは、ガラス基板上において形成すること低温プロセスによって形成することが可能なトランジスタである。また、本実施の形態で示したトランジスタの電界効果移動度は、アモルファスシリコンによってチャネル形成領域が構成されるトランジスタより高い。そのため、アクティブマトリクス型の表示装置において、各画素が有するトランジスタとして好適である。一方、一般的に、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタの電界効果移動度は、単結晶シリコンによってチャネル形成領域が構成されるトランジスタより低い。そのため、駆動回路が有するトランジスタとして、単結晶シリコンによってチャネル形成領域が構成されるトランジスタが適用されるアクティブマトリクス型の表示装置において、当該駆動回路が有するトランジスタを酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタによって代替することは困難である。これに対し、実施の形態2などで示したように、データ分割駆動を行うことによって、駆動回路の動作周波数を低減することができる。これにより、本実施の形態で示したトランジスタを駆動回路が有するトランジスタとして適用するなど、当該トランジスタの適用範囲を拡大することができる。その結果、アクティブマトリクス型の表示装置の製造コストを低減すること及び該表示装置を小型軽量化することが可能になる。具体的には、本実施の形態のトランジスタは、実施の形態2に示したアクティブマトリクス型の表示装置において、サンプリング回路を構成するトランジスタ及び各画素が有するトランジスタとして適用することができる。加えて、本実施の形態のトランジスタをゲート信号線駆動回路若しくは該回路の一部を構成するトランジスタとして適用すること、又は及びソース信号線駆動回路が有するサンプリング回路以外の回路シフトレジスタ回路など若しくは該回路の一部を構成するトランジスタとして適用することもできる。当然、本実施の形態のトランジスタの適用範囲を拡大することは、当該表示装置の製造コストの低減及び該表示装置の小型軽量化を促進することであり、好ましい。なお、本実施の形態の内容又は該内容の一部は、他の実施の形態の内容若しくは該内容の一部又は実施例の内容若しくは該内容の一部と自由に組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態では、実施の形態1又は2で得られる半導体装置を搭載した電子機器の例について図14を参照して説明する。図14Aは、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。図14Bは、携帯情報端末PDAを示す図であり、本体2211には表示部2213と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。図14Cは、電子ペーパーの一例として、電子書籍2220を示す図である。電子書籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙の書籍のように用いることが可能である。筐体2221には表示部2225が組み込まれ、筐体2223には表示部2227が組み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図14Cでは表示部2225に文章を表示し、左側の表示部図14Cでは表示部2227に画像を表示することができる。また、図14Cでは、筐体2221に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2221は、電源2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えている。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2220は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。図14Dは、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体2240および筐体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備えている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。表示パネル2242はタッチパネル機能を備えており、図14Dには映像表示されている複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル2249で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。表示パネル2242は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、図14Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2248はACアダプタやUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図14Eは、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体2261、表示部A2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、表示部B2265、バッテリー2266などによって構成されている。図14Fは、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置2270では、筐体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した構成を示している。テレビジョン装置2270の操作は、筐体2271が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置2270は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことが可能である。