"少なくとも酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、前記混合溶液を加熱することを特徴とするニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法。請求項1に記載のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法において、前記混合溶液における前記酢酸と前記水とのモル比酢酸/水を0.06以上6.2以下とすることを特徴とするニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法。請求項1又は2に記載のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法において、前記混合溶液は、さらにポリエチレングリコールを添加したものであることを特徴とするニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法。請求項3に記載のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法において、前記混合溶液の前記ポリエチレングリコール濃度を1.5質量以上9質量以下とすることを特徴とするニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法。請求項1~4のいずれか一項に記載のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法により製造したニッケル酸ランタン膜形成用組成物を塗布してニッケル酸ランタン前駆体膜を形成する工程と、前記ニッケル酸ランタン前駆体膜を加熱により結晶化させてニッケル酸ランタン膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするニッケル酸ランタン膜の製造方法。請求項5に記載のニッケル酸ランタン膜の製造方法によりニッケル酸ランタン層を形成する工程と、前記ニッケル酸ランタン層上方に圧電体膜から構成される圧電体層を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。しかしながら、特許文献2に記載されているようなニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法では、合成に特殊な環境N2雰囲気下が必要であるという問題や、合成に多大な時間がかかるという問題があった。本発明はこのような事情に鑑み、特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、少なくとも酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、前記混合溶液を加熱することを特徴とするニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法にある。かかる態様では、特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができる。前記混合溶液における前記酢酸と前記水とのモル比酢酸/水を0.06以上6.2以下とするのが好ましい。これによれば、酢酸ランタン及び酢酸ニッケルを、酢酸及び水の混合溶液に容易に溶解させることができ、効率よくニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができる。前記混合溶液は、さらにポリエチレングリコールを添加したものであるのが好ましい。これによれば、より低温でニッケルランタン膜を形成することができるものとなる。前記混合溶液の前記ポリエチレングリコール濃度を1.5質量以上9質量以下とするのが好ましい。これによれば、より確実に低温でニッケルランタン膜を形成することができるものとなる。本発明の他の態様は、上記のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を塗布してニッケル酸ランタン前駆体膜を形成する工程と、前記ニッケル酸ランタン前駆体膜を加熱により結晶化させてニッケル酸ランタン膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするニッケル酸ランタン膜の製造方法にある。かかる態様では、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物が安定であるので厳格な環境管理をする必要がなく、低コストでニッケル酸ランタン膜を製造することができる。本発明の他の態様は、上記のニッケル酸ランタン膜の製造方法によりニッケル酸ランタン層を形成する工程と、前記ニッケル酸ランタン層上方に圧電体膜から構成される圧電体層を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。かかる態様では、ニッケル酸ランタン層と圧電体膜とを備えた圧電素子を低コストで製造することができる。また、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物が安定であるので、製造工程において厳格な環境管理をする必要がない。実施形態1本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法は、少なくとも酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱することにより、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物を得るというものである。これにより、特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができる。このニッケル酸ランタン膜形成用組成物により形成されたニッケル酸ランタン膜は、001面に自然配向優先配向する。具体的には、まず、少なくとも酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得る混合溶液調製工程。なお、水を混合しない場合は、酢酸ランタン及び酢酸ニッケルを溶解させることができず、また、混合溶液の安定性が悪化する。一方、酢酸を混合しない場合は、被対象物に対する濡れ性が低くなり、膜均一性のあるニッケル酸ランタン膜を形成することができないものとなる。また、混合溶液には、ポリエチレングリコールPEGを添加するのが好ましい。ポリエチレングリコールPEGを添加することにより、より低温でニッケル酸ランタン膜を形成することができるものとなる。具体的には、ニッケル酸ランタン膜の乾燥工程脱脂工程の加熱温度を低くすることができる。したがって、温度マージンが広くなり、ニッケル酸ランタン膜を形成する際の温度管理が容易となる。本発明にかかるポリエチレングリコールPEGとしては、例えば、数平均分子量が200~2000のものを用いることができる。混合溶液は、ポリエチレングリコール濃度が1.5質量以上9質量以下であるのが好ましい。これにより、より確実に、所望の効果を得ることができる。なお、ポリエチレングリコール濃度が1.5質量未満となると、十分な効果が得られなくなる虞があり、ポリエチレングリコール濃度が9質量より大きくなると、ポーラスな状態のニッケル酸ランタン膜を形成するものとなる虞がある。ここで、本発明にかかる混合溶液は、酢酸ランタン及び酢酸ニッケルを、酢酸と水とを混合した酢酸水に溶解させたものである。混合溶液の調製方法は特に限定されず、例えば、所定量の酢酸ランタン及び酢酸ニッケルを混合した後、これに、水と酢酸を添加することにより混合溶液を得ることができる。酢酸及び水の混合方法も特に限定されず、酢酸を添加した後に水を添加してもよく、水を添加した後に酢酸を添加してもよく、酢酸と水とを混合してから添加してもよい。また、混合溶液調製工程では、酢酸ランタンと、酢酸ニッケルは、ランタンLa及びニッケルNiの各金属が所望のモル比となるように混合する。具体的には、例えば、LaNiOxx=2~3のニッケル酸ランタン膜を形成するものとする場合、ランタン:ニッケルのモル比が1:1となるように、酢酸ランタンと酢酸ニッケルとを混合する。また、混合溶液調製工程では、混合溶液における酢酸と水とのモル比酢酸/水が、例えば、0.06以上6.2以下となるように調製するのが好ましい。この範囲とすることにより、酢酸ランタン及び酢酸ニッケルを、水と酢酸を混合した酢酸水に容易に溶解させることができ、効率よくニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるためである。また、混合溶液調製工程では、混合溶液の金属濃度が0.5mol/L以下となるように調製するのが好ましい。混合溶液の金属濃度が0.5mol/L以下となるようにすることにより、ニッケル酸ランタン膜を形成するのにより好適なニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができる。具体的には、例えば、ニッケル酸ランタン膜を形成するのに好適な粘度のニッケル酸ランタン膜形成用組成物とすることができ、膜厚が一定で膜均一性が良好なニッケル酸ランタン膜を容易に形成することができるものとなる。なお、0.1mol/L未満となると、後述する脱脂工程におけるニッケル酸ランタン前駆体膜の収縮率が大きくなることで残留応力が大きくなりやすく、ニッケル酸ランタン膜にクラックが発生し易くなる虞がある。本実施形態では、酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、水、及びポリエチレングリコールを混合して混合溶液を得た。かかる混合溶液は、酢酸ランタン1.5水和物と酢酸ニッケル4水和物をランタンとニッケルのモル比が1:1、酢酸と水とのモル比酢酸/水が1.57、金属濃度が0.33mol/L、ポリエチレングリコール濃度が1.5となるようにした。次に、得られた混合溶液を加熱する加熱工程。これにより、反応が進行し、所定の金属錯体を含む錯体溶液からなるニッケル酸ランタン膜形成用組成物を得ることができる。本発明では、従来の加熱時間特許文献2に記載の合成時間と比較して、合成時間加熱時間を著しく短くすることができる。なお、本実施形態では、混合溶液を70°Cで1時間加熱して、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物とした。上述したように、本発明の製造方法では、水を含む系でニッケル酸ランタン膜形成用組成物を合成している。このため、従来の製造方法例えば、特許文献2の製造方法のように、大気中の水との反応を防ぐためにN2雰囲気下やAr雰囲気下などの特殊な環境下で合成をする必要がない。また、短時間でニッケル酸ランタン膜形成用組成物を合成することができる。さらに、高真空を必要としないため、小型の装置で製造することができ、また、低コストで製造することができる。そして、本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法により得られるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は水を含む大気中でも安定であり、取り扱いが容易なものとなる。本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、CSD法ChemicalSolutionDepositionの塗布溶液として用いられるものである。CSD法とは、詳細については後述するが、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物を塗布してニッケル酸ランタン前駆体膜を形成する工程と、ニッケル酸ランタン前駆体膜を加熱することにより結晶化させてニッケル酸ランタン膜を形成する工程と、を備えるものであり、例えば、ゾル-ゲル法、MOD法等が挙げられる。言い換えれば、本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、MOD法又はゾル-ゲル法に好適に用いることができるものである。ここで、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いたニッケル酸ランタン膜の製造方法について説明する。具体的には、例えば、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物を被対象物上にスピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等で塗布しニッケル酸ランタン前駆体膜を形成する塗布工程。次いで、このニッケル酸ランタン前駆体膜を所定温度例えば100°C以上250°C以下に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥したニッケル酸ランタン前駆体膜を所定温度例えば300°C以上500°C以下に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。なお、ここで言う脱脂とは、ニッケル酸ランタン前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。次に、ニッケル酸ランタン前駆体膜を所定温度例えば500°C以上800°C以下に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、ニッケル酸ランタン膜を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。なお、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。ここで、ポリエチレングリコールを含むニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ポリエチレングリコールを含まないニッケル酸ランタン膜形成用組成物と比較して、乾燥工程や脱脂工程の加熱温度を低くすることができる。すなわち、ポリエチレングリコールを含むニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いることにより、温度マージンが広く、ニッケル酸ランタン膜を形成する際の温度管理が容易となる。なお、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層のニッケル酸ランタン膜からなるものとしてもよい。これにより、ニッケル酸ランタン膜LNO膜を形成する。上述した製造方法により得られるニッケル酸ランタン膜としては、LaNiO3、La3Ni2O6、LaNiO2、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10等が挙げられる。上述したように、本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いることにより、ニッケル酸ランタン膜を化学溶液法で形成できるため、スパッタリング法のように、ターゲットとして使用した酸化物から組成がずれるという問題や、高真空のための装置の大型化の問題もなく、特殊な環境が不要で容易に低コストでニッケル酸ランタン膜を製造することができる。また、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物が安定であるので厳格な環境管理をする必要がない。実施形態2図1は、本発明の実施形態2に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及びそのA-A′線断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位110のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には、振動板を構成する二酸化シリコンからなる厚さ0.5~2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、一方の面とは反対側の面となる他方面側から異方性エッチングすることにより、圧力発生室12が形成されている。そして、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12が同じ色のインクを吐出する複数のノズル開口21が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室12の並設方向、又は第1方向と称し、これと直交する方向を第2方向と称する。また、流路形成基板10の圧力発生室12の第2方向の一端部側には、インク供給路14と連通路15とが隔壁11によって区画されている。また、連通路15の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室液体室となるマニホールド100の一部を構成する連通部13が形成されている。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13からなる液体流路が設けられている。インク供給路14は、圧力発生室12の第2方向一端部側に連通し且つ圧力発生室12より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路14は、マニホールド100と各圧力発生室12との間の圧力発生室12側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室12の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路15は、インク供給路14の圧力発生室12とは反対側に連通し、インク供給路14の幅方向第1方向より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路15を圧力発生室12と同じ断面積で形成した。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12と、インク供給路14と、連通路15とが複数の隔壁11により区画されて設けられている。また、流路形成基板10の圧力発生室12の一方面は、振動板を構成する弾性膜50によって画成されている。一方、流路形成基板10の圧力発生室12等の液体流路が開口する一方面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱用着フィルム等を介して接合されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約1.0μmの弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば、酸化ジルコニウムZrO2等からなる絶縁体膜55が積層形成されている。また、絶縁体膜55上には、第1電極60と、第1電極60の上方に設けられて厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、圧電体層70の上方に設けられた第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。なお、ここで言う上方とは、直上だけでなく、間に他の部材が介在した状態も含むものである。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70、及び第2電極80、を含む部分をいう。圧電素子300は、一般的には、何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極をそれぞれ独立する個別電極とする。本実施形態では、圧電素子300の実質的な駆動部となる各圧電体能動部の個別電極として第1電極60を設け、複数の圧電体能動部に共通する共通電極として第2電極80を設けるようにした。ここで、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部といい、圧電体能動部から連続するが第1電極60と第2電極80に挟まれておらず、電圧駆動されない部分を圧電体非能動部という。なお、上述した例では、弾性膜50、絶縁体膜55、及び第1電極60が圧電素子300と共に変形する振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び絶縁体膜55を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。例えば、弾性膜50のみを振動板とした場合、絶縁体膜55を設けた場合よりも剛性が低いため、変位量を大きくすることができる。ここで、図2bに示すように、本実施形態の第1電極60は、例えば、白金からなる配線層61と、配線層61上に形成されたニッケル酸ランタン層LNO層62との二層から構成されるものである。かかるニッケル酸ランタン層62は、実施形態1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物、具体的には、酢酸ランタン、酢酸ニッケル、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱することにより得られたニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いて形成されているものである。ニッケル酸ランタン層62は、結晶の配向面が001面に優先配向自然配向する。ニッケル酸ランタンとしては、LaNiO3、La3Ni2O6、LaNiO2、La2NiO4、La3Ni2O7、La4Ni3O10等が挙げられ、本実施形態では、LaNiO3を用いた。また、本実施形態では、配線層61は、白金からなる白金層としたが、これに限定されず、例えば、イリジウム、酸化イリジウムを含む酸化イリジウム層、白金層と酸化イリジウム層の積層構造等が挙げられる。配線層61の厚さは特に限定されないが、例えば、10~300nm程度とすればよい。また、ニッケル酸ランタン層62の厚さも特に限定されないが、例えば10~100nm程度とすればよい。本実施形態では、配線層61の厚さを100nmとし、ニッケルランタン層の厚さを40nmとした。また、圧電体層70の材料は特に限定されないが、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT等の鉛を有する強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、チタン酸バリウムBaTiO3、チタン酸バリウムストロンチウムBa,SrTiO3、鉄酸ビスマスBiFeO3、鉄酸チタン酸マンガン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Ti,MnO3、マグネシウム酸ニオブ酸鉛PMNとチタン酸鉛PTとの固溶体等でもよい。圧電体層70は、ペロブスカイト構造、すなわちABO3型構造の複合酸化物であることが好ましい。なお、ペロブスカイト構造は、Aサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている構造である。本実施形態においては、圧電体層70は、チタン酸ジルコン酸鉛PZTからなる。かかる圧電体層70は、001面に優先配向したニッケル酸ランタン層62上に設けられる。さらに、圧電体層70は、分極モーメントの向いている方向を示す分極方向が膜面垂直方向圧電体層70の厚さ方向、すなわち、第1電極60又は第2電極80が設けられた面に対して垂直な方向に対して所定角度傾いているエンジニアードドメイン配置であることが望ましい。圧電体層70の分極方向がエンジニアードドメイン配置となることで、圧電体層70として良好な圧電特性を得ることができる。第2電極80としては、Ir,Pt,タングステンW,タンタルTa,モリブデンMo等の各種金属の何れでもよく、また、これらの合金や、酸化イリジウム等の金属酸化物が挙げられる。このような各圧電素子300の第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、流路形成基板10の絶縁体膜55上に延設された金Au等のリード電極90がそれぞれ接続されている。このリード電極90を介して各圧電素子300に選択的に電圧が印加される。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイドPPSフィルムからなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料例えば、厚さが30μmのステンレス鋼SUS等で形成される。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、絶縁体膜55、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。このような圧電素子300を流路形成基板10上に形成する方法は特に限定されないが、例えば、以下の方法で製造することができる。まず、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハーの表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を形成する。次いで、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜55を形成する。次に、絶縁体膜55上に、第1電極60を形成する。具体的には、まず、配線層61をスパッタリング法、レーザーアブレーション法やMOCVD法等により形成する。次に、ニッケル酸ランタン層62を形成する。ニッケル酸ランタン層62の形成方法は、実施形態1のニッケル酸ランタン膜の製造方法と同一であるので、説明を省略する。次いで、第1電極60上に、圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、有機金属錯体を溶媒に溶解分散したゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層70を得る、いわゆるゾル-ゲル法を用いて圧電体層70を形成できる。なお、圧電体層70の製造方法は、ゾル-ゲル法に限定されず、例えば、MODMetal-OrganicDecomposition法などの液相法や、PVD法、CVD法などを用いてもよい。例えば、まず、第1電極60上に、圧電体層70となる圧電材料の構成金属を含有する有機金属錯体を含むゾルやMOD溶液前駆体溶液を、スピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、例えば、圧電体層70となる圧電材料の構成金属をそれぞれ含む有機金属錯体を、各構成金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物をアルコールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させたものである。圧電材料の構成金属を含む有機金属錯体としては、例えば、金属アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。具体的には、例えば、以下のものが挙げられる。鉛Pbを含む有機金属錯体としては、例えば酢酸鉛などが挙げられる。ジルコニウムZrを含む有機金属錯体としては、例えばジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、ジルコニウムビスアセチルアセトナート等が挙げられる。チタニウムTiを含む有機金属錯体としては、例えばチタニウムアルコキシド、チタニウムイソプロポキシド等が挙げられる。次いで、この圧電体前駆体膜を所定温度、例えば130°C~180°C程度に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜を所定温度、例えば300°C~400°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。次に、圧電体前駆体膜を所定温度、例えば650~800°C程度に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜を形成する焼成工程。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。なお、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層の圧電体膜からなる圧電体層を形成してもよい。圧電体層70を形成した後は、圧電体層70上に、例えば、白金等の金属からなる第2電極80を積層し、圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして圧電素子300を形成する。その後、必要に応じて、600°C~700°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性をさらに改善することができる。本実施形態では、ニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いて形成したニッケル酸ランタン層62上方に、圧電体層70を形成することにより、単結晶基板やシード層を用いることなく、低コストで100面に優先配向した圧電体層70を形成することができる。また、本実施形態において用いたニッケル酸ランタン膜形成用組成物が安定であるので製造工程において、厳格な環境管理をする必要がない。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1まず、酢酸ランタン酢酸ランタン1.5水和物LaCH3COO31.5H2Oと酢酸ニッケル酢酸ニッケル4水和物NiCH3COO24H2Oを、ランタンとニッケルがそれぞれ0.005molとなるようにビーカーに加えた。その後、酢酸水溶液酢酸99.7重量25mlを加え、さらに、水5mlを加えて混合した。その後、溶液温度が70°C程度となるよう、ホットプレートで加熱した上で、約1時間攪拌してニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例2酢酸水溶液を5mlとし、水を0.25mlとした以外は実施例1と同様にして、実施例2のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例3酢酸水溶液を5mlとし、水を25mlとした以外は実施例1と同様にして、実施例3のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例4酢酸水溶液を83.3ml、水を16.7mlとした以外は実施例1と同様にして、実施例4のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例5酢酸水溶液を41.7ml、水を8.3mlとした以外は実施例1と同様にして、実施例5のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例6酢酸水溶液を16.7ml、水を3.3mlとした以外は実施例1と同様にして、実施例6のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例7さらに、混合溶液が数平均分子量600のポリエチレングリコールPEGを0.5g含むようにした以外は実施例1と同様にして、実施例7のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例8さらに、混合溶液が数平均分子量600のポリエチレングリコールPEGを1.0g含むようにした以外は実施例1と同様にして、実施例8のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。実施例9さらに、混合溶液が数平均分子量600のポリエチレングリコールPEGを3.0g含むようにした以外は実施例1と同様にして、実施例9のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。比較例1水を混合しなかった以外は実施例1と同様にして、比較例1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。比較例2硝酸ランタン六水和物LaNO336H2Oをビーカーに採り、水和物の除去のため150°Cで1時間以上乾燥させる。次に室温まで冷却の後、2-メトキシエタノールを加えて、室温で3時間攪拌することで、硝酸ランタンを溶解させた溶液A。また、酢酸ニッケル四水和物CH3COO2Ni4H2Oを別のセパラブルフラスコに採り、水和物の除去のため150°Cで1時間乾燥の後、200°Cで1時間、計2時間乾燥させた。次に、2-メトキシエタノールおよび2-アミノエタノールを加え、110°Cで30分間攪拌した溶液B。溶液Bを室温まで冷却後、溶液Aを溶液Bが入っているセパラブルフラスコに投入する。これらの混合液を室温で3時間攪拌することにより、比較例2のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造した。比較例1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、合成後に常温へ冷却する際に沈殿が発生し、ニッケル酸ランタン膜を形成することができるものではなかった。これに対し、実施例1~9では1時間の加熱で反応が十分に進行しており、比較例2のニッケル酸ランタン形成用組成物の製造方法と比較して、合成時間を大幅に短縮できることが確認された。試験例1実施例1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物について、示差走査熱熱重量同時測定TG-DTAの測定を行った。なお、TG-DTAの測定は、Bruker製TG-DTA2000SAを使用し、温度範囲は、室温~525°C、昇降温速度は5°C/分、空気雰囲気下で行った。図3に実施例1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物のTG-DTA測定結果を示す。図3のTGより、90°C以下では酢酸及び水の揮発に帰属される急峻な重量減少が、280~310°Cでは酢酸ニッケル4水和物及び酢酸ランタン1.5水和物の分解に伴う重量減少が観測された。DTAでは、70°C以下の領域では吸熱ピークが、310°Cでは強い発熱ピークが観測された。また、400~500°Cの高温域では、重量変化が確認されなかった。したがって、実施例1のニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、高温域で安定したものであることが確認された。実施例10~13まず、シリコン基板の表面に熱酸化により二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にスパッタ法によりジルコニウム膜を作製し、熱酸化することで酸化ジルコニウム膜を形成した。次に、酸化ジルコニウム膜上に111に配向した白金を150nm積層して配線層61を形成した。次に、配線層61上に、実施例1及び実施例7~9のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を使用してニッケル酸ランタン膜を形成した。上記ニッケル酸ランタン膜形成用組成物前駆体溶液を酸化チタン膜及び白金膜が形成された上記基板上に滴下し、3000rpmで基板を回転させてニッケル酸ランタン前駆体膜を形成した塗布工程。次に144°Cで5分間乾燥工程、415°Cで5分間加熱した脱脂工程。その後、酸素雰囲気中で700°Cで5分間焼成して結晶化させて、厚さ約30nmのニッケル酸ランタン層62を形成した。なお、乾燥工程、脱脂工程、及び焼成工程の加熱は、ホットプレートの上に直接基板を載置して行った。次に、ゾル-ゲル法により圧電体層70を形成した。その手法は以下のとおりである。まず、酢酸鉛3水和物PbCH3COO23H2O、チタニウムイソプロポキシドTi[OCHCH32]4、ジルコニウムアセチルアセトナートZrCH3COCHCOCH34を主原料とし、ブチルセロソルブC6H14O6を溶媒とし、ジエタノールアミンC4H11NO2を安定剤とし、ポリエチレングリコールC2H6O6を増粘剤として混合した前駆体溶液を、第1電極60上にスピンコートにより塗布して、圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。なお、前駆体溶液は、酢酸鉛3水和物:チタニウムイソプロポキシド:ジルコニウムアセチルアセトナート:ブチルセロソルブ:ジエタノールアミン:ポリエチレングリコール=1.1:0.44:0.56:3:0.65:0.5モル比の割合で混合した。また、酢酸鉛3水和物は蒸発による減少を考慮して10過剰に加えている。次に80°C乾燥工程及び360°C脱脂工程の熱処理を経た後、700°Cで焼成し圧電体前駆体膜を結晶化させて、厚さ1300nmのチタン酸ジルコン酸鉛からなりペロブスカイト構造を有する圧電体層70を形成した焼成工程。なお、乾燥工程、脱脂工程、及び焼成工程の加熱は、ホットプレートの上に直接基板を載置して行った。実施例14乾燥工程の温度を118°Cとした以外は、実施例11と同様にして、圧電素子300を形成した。試験例2BrukerAXS社製のD8Discover;微小領域X線回折装置を用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、実施例10~14のX線回折チャートを求めた。結果の一例として、実施例10及び14の回折強度-回折角2θの相関関係を示す図であるX線回折パターンを、図4に示す。その結果、実施例10~14の圧電体層は、いずれもペロブスカイト型構造ABO3型構造を形成していることが確認された。また、上記のX線回折測定2θ/θ測定において、PZT結晶に起因するX線回折パターンと下記の計算式から、圧電体層の100面配向率を算出した。なお、圧電体層は、擬キュービック構造であるため、ここでは100面と表記している。[式1]圧電体層の100面配向率=[PZT結晶の100面の回折ピークの面積]/[PZT結晶に起因するすべての回折ピークの面積の総和]×100上記回折ピークの面積は、Fittingにより算出し、Fitting関数はGaussianとLorentzianの和の関数であるpseudo-Voigt関数を使用した。この結果、実施例10~13では、PZTの100面及び200面に由来する回折強度のピークが検出され、その他の配向、例えば、110面の回折強度のピークはほとんど検出されなかった。ちなみに、200面の回折強度のピークが検出されているが、200面は100面と等価なものである。したがって、実施例10~13の圧電体層は、100に優先配向していることが確認された。なお、作製から1ヶ月経過した実施例1のニッケル酸ランタン組成物を用いて形成した圧電体層も、100面に優先配向することが確認された。また、ポリエチレングリコールを配合した実施例7のニッケル酸ランタン膜形成用組成物を用いた実施例14では、乾燥工程の温度を低くしても、圧電体層の配向率が90以上であり、100面に優先配向していることが確認された。これより、ポリエチレングリコールを配合したニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ニッケル酸ランタン膜を形成する際の温度管理が容易となることがわかった。他の実施形態以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述したものに限定されるものではない。例えば、実施形態2では、第1電極60が配線層61を備えるものとしたが、配線層61を設けなくてもよい。上述した実施形態2では、圧電素子の一例として、インクジェット式記録ヘッドに用いられる圧電素子を挙げて説明したが、本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子を形成する際に限らず、他の圧電デバイスに用いられる圧電素子のニッケル酸ランタン膜を形成するのに好適に用いることができる。本発明のニッケル酸ランタン膜形成用組成物により形成されるニッケル酸ランタン膜は、例えば、圧電素子の電極層及び/又は配向制御層として特に好適に用いることができる。また、本発明にかかる圧電素子は、液体噴射ヘッドに用いられる圧電素子に限定されず、その他のデバイスにも用いることができる。その他のデバイスとしては、例えば、超音波発信器等の超音波デバイス、超音波モーター、温度-電気変換器、圧力-電気変換器、強誘電体トランジスター、圧電トランス、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルター等のフィルターなどが挙げられる。また、センサーとして用いられる圧電素子、強誘電体メモリーとして用いられる圧電素子にも本発明は適用可能である。圧電素子が用いられるセンサーとしては、例えば、赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、及びジャイロセンサー角速度センサー等が挙げられる。"