"第1の電力用半導体スイッチと第2の電力用半導体スイッチを直列接続して構成した電力用半導体直列回路と、該電力用半導体直列回路に並列接続されるコンデンサと、前記第1の電力用半導体スイッチと前記第2の電力用半導体スイッチの直列接続点に一端が接続されるリアクトルとで構成される電力変換装置において、前記リアクトルの他端にアノードが接続し前記電力用半導体直列回路の高電位側端にカソードが接続する第1の電力用ダイオードと、前記リアクトルの他端にカソードが接続し前記電力用半導体直列回路の低電位側端にアノードが接続する第2の電力用ダイオードを具備することを特徴とする電力変換装置。第1の電力用ダイオードと電力用半導体スイッチとを直列接続して構成した電力用半導体直列回路と、該電力用半導体直列回路に並列接続されるコンデンサと、前記第1の電力用ダイオードと前記電力用半導体スイッチとの直列接続点に一端が接続されるリアクトルとで構成される電力変換装置において、前記リアクトルの他端にカソードが接続し前記電力用半導体直列回路の低電位側端にアノードが接続する第2の電力用ダイオードを具備することを特徴とする電力変換装置。電力用半導体スイッチと第1の電力用ダイオードとを直列接続して構成した電力用半導体直列回路と、前記電力用半導体スイッチと前記第1の電力用ダイオードとの直列接続点に一端が接続されるリアクトルと、該リアクトルの他端と前記電力用半導体直列回路の低電位側に接続されるコンデンサで構成される電力変換装置において、前記リアクトルの他端にアノードが接続し,前記電力用半導体直列回路の高電位側端にカソードが接続する第2の電力用ダイオードを具備することを特徴とする電力変換装置。前記電力用半導体スイッチが、自己消弧型半導体素子とダイオードを並列接続して構成したスイッチであることを特徴とする請求項1~3に記載の電力変換装置。前記自己消弧型半導体素子がMOSトランジスタもしくはバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置。前記電力用半導体スイッチが、寄生ダイオードを内蔵したMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1~3に記載の電力変換装置。前記の図7、図8および図9に示した回路において、機械式スイッチSWは、直流電源Vsもしくは負荷電流源Loadと電力変換装置を電気的に切り離すためのものであり、電力変換装置に異常が発生した場合や負荷に異常が発生した場合に作用オフする。ここで、機械式スイッチSWは、リアクトルLに蓄積された誘導性エネルギーを消費する必要があり、一般に、機械式スイッチSWには、接続されるインダクタンスの許容値が規定されている。しかし、通常、規定されたインダクタンスのリアクトルLを接続した場合でも、機械式スイッチSWをオフする開くとき、アークが発生して、機械式スイッチSWを磨耗させ寿命を短くする。また、規定された以上のインダクタンスを接続すると機械式スイッチSWの寿命が著しく短くなる等の問題が発生する。特に、図7および図8では、リアクトルLに蓄積されたエネルギーのすべてが機械式スイッチをオフするときに発生するアークによって消費される。このように、機械式スイッチSWのオフ時にアークが発生すると機械式スイッチの接点が損傷し寿命が短縮される。また、図9においては,機械スイッチSWがオフするとき、リアクトルLに蓄積されたエネルギーは、コンデンサCで吸収するため,機械式スイッチSWの寿命の短縮を抑制できる。しかし、コンデンサCの静電容量が小さい場合には、リアクトルLに蓄積されたエネルギーを吸収することで、コンデンサCの電圧が著しく上昇するため、耐圧の大きいコンデンサを用いる、もしくは、静電容量の大きなコンデンサを用いてコンデンサの電圧がコンデンサの耐圧以下となるようにする必要があり、コンデンサが装置の大型化を招くことになる。また、電力変換装置の負荷として、種々の負荷が接続されることが想定されるが、一般的には、出力電圧Voutが高いほど、電力変換装置の出力電力は高くなり、逆に、出力電圧Voutが低いほど、電力変換装置としての出力電力は低くなる。ここで、昇圧型DC-DCコンバータにおいて、負荷が軽い場合装置出力電力が低い場合、出力電圧Voutは、入力電圧Vinと等しい状態で運転することが想定される。但し、厳密には、半導体素子例えば、ダイオードDPの電圧降下等の影響により、出力電圧Voutは入力電圧Vinと必ずしも等しくない。この場合、原理的に、リアクトルLは不要となる。しかし、回路にはリアクトルLが組み込まれており、このリアクトルLには、電流が流れるため損失が生ずるという問題がある。また、特許文献1、2では、機械式スイッチSWに付加する回路およびそれを制御する回路が大掛かりでコストアップとなる。また、軽負荷の場合、出力電圧と入力電圧が等しくなったとき、リアクトルLに流れる電流ILが損失になるという課題に対処できない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、装置の大型化を招くことなく,異常時にリアクトルに蓄積された誘導性エネルギーを機械式スイッチで吸収することを無くして、機械式スイッチの寿命を長くできる電力変換装置を提供することにある。また、軽負荷時にリアクトルの損失を低減できる電力変換装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、第1の電力用半導体スイッチ例えば、図1のTPとDPと第2の電力用半導体スイッチ例えば、図1のTNとDNを直列接続例えば、図1のTPのエミッタとTNのコレクタを接続して構成した電力用半導体直列回路と、該電力用半導体直列回路に並列接続されるコンデンサと、前記第1の電力用半導体スイッチと前記第2の電力用半導体スイッチの直列接続点例えば、図1のTPのエミッタとTNのコレクタの接続点に一端が接続されるリアクトル例えば、図1のLとで構成される電力変換装置例えば、図1の昇圧型DC-DCコンバータ100において、前記リアクトルの他端にアノードが接続し前記電力用半導体直列回路の高電位側端例えば、図1のTPのコレクタ側端にカソードが接続する第1の電力用ダイオード例えば、図1のDPAと、前記リアクトルの他端にカソードが接続し前記電力用半導体直列回路の低電位側端例えば、図1のTNのエミッタ側端にアノードが接続する第2の電力用ダイオード例えば、図1のDNAを具備する構成とする。尚、前記のリアクトルの他端は、例えば図1では、機械式スイッチSWを介して直流電源Vsの正極に接続し、前記コンデンサは図1の負荷Loadと接続する。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、第1の電力用ダイオード例えば、図2のDPと電力用半導体スイッチ例えば、図2のTNとDNとを直列接続して構成した電力用半導体直列回路と、該電力用半導体直列回路に並列接続されるコンデンサ例えば、図2のCと、前記第1の電力用ダイオードと前記電力用半導体スイッチとの直列接続点に一端が接続されるリアクトル例えば、図2のLとで構成される電力変換装置において、前記リアクトルの他端にカソードが接続し前記電力用半導体直列回路の低電位側端例えば、図2のTNのエミッタ側端にアノードが接続する第2の電力用ダイオード例えば、図2のDNAを具備する構成とする。尚、前記のリアクトルの他端は図2の機械式スイッチSWを介して直流電源Vsの正極に接続し、前記コンデンサは、例えば図2では、負荷Loadと接続する。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、電力用半導体スイッチ例えば、図3のTPとDPと第1の電力用ダイオードとを直列接続例えば、図3のTPのエミッタとDNのアノードを接続して構成した電力用半導体直列回路と、前記電力用半導体スイッチと前記第1の電力用ダイオードとの直列接続点例えば、図3のTPのエミッタとDNのアノードの接続点に一端が接続されるリアクトル例えば、図3のLと、該リアクトルの他端と前記電力用半導体直列回路の低電位側端例えば、図3のDNのアノード側端に接続されるコンデンサ例えば、図3のCで構成される電力変換装置において,前記リアクトルの他端にアノードが接続し、前記電力用半導体直列回路の高電位側端例えば、図3のTPのコレクタ側端にカソードが接続する第2の電力用ダイオード例えば、図3のDPAを具備する構成とする。尚、前記の電力用半導体直列回路の高電位側端は、例えば図3では、直流電源Vsの正極に接続し、前記リアクトルの他端は機械式スイッチSWを介して負荷に接続する。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項1~3に記載の発明において、前記電力用半導体スイッチが、自己消弧型半導体素子とダイオードを並列接続して構成したスイッチであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記自己消弧型半導体素子が、MOSトランジスタIGBTやMOSFETもしくはバイポーラトランジスタであるよい。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項1~3に記載の発明において、前記電力用半導体スイッチが、寄生ダイオードを内蔵したMOSトランジスタ例えば、寄生ダイオードを内蔵したパワーMOSFETなどであるとよい。この発明によれば、異常時で機械式スイッチSWをオフしたとき、リアクトルに蓄積されたエネルギーをダイオードを介してコンデンサCに放出することで、リアクトルに蓄積された誘導性エネルギーをSWで吸収することを防止する。その結果、SWの寿命を長くすることができる。また、軽負荷のとき、リアクトルを通る電流をダイオードでバイパスすることで、リアクトルの電流で生じる損失を大幅に低減することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。尚、従来構造と同一な部位には同一符号を付した。図1は、この発明の第1実施例の電力変換装置の要部構成図である。この電力変換装置は昇圧型DC-DCコンバータ100であり、電力の流れは直流電源Vsから負荷である電流源Loadへと電流源Loadから直流電源Vsへと双方向フローである。また、図1には直流電源Vsと機械式スイッチSWおよび負荷である電流源Loadも示した。この昇圧型DC-DCコンバータ100は、直流電源Vsの高電位側端正極に機械式スイッチSWを介して一端が接続するリアクトルLと、このリアクトルLの一端にアノードが接続するダイオードDPAと、このリアクトルLの一端にカソードが接続するダイオードDNAとからなる。また、このリアクトルLの他端にエミッタが接続するスイッチング素子であるIGBTTPと、このリアクトルLの他端にコレクタが接続するスイッチング素子であるIGBTTNと、IGBTTPのエミッタにアノードが接続するダイオードDPと、IGBTTNのコレクタにカソードが接続するダイオードDNとからなる。このTP,TN,DP,DNで電力用半導体直列回路を形成し、TPのエミッタとTNのコレクタが接続する直列接続点にリアクトルLの他端が接続する。また、TPのコレクタ側端を電力用半導体直列回路の高電位側端、TNのエミッタ側端を電力用半導体直列回路の低電位側端と呼ぶことにする。また、前記ダイオードDPAのカソードとIGBTTPのコレクタとダイオードDPのカソードとがそれぞれ接続し、IGBTTPのコレクタに一端正極となる側が接続するコンデンサCからなる。また、直流電源Vsの低電位側端負極でグランド電位にあるとダイオードDNAのアノードとIGBTTNのエミッタとダイオードDNのアノードとコンデンサCの他端負極となる側とがそれぞれ接続する。また、コンデンサCに負荷である電流源Loadが並列接続されている。尚、電流源Loadとしてはバッテリーやモータなどを想定し、機械式スイッチSWとしてはナイフスイッチ、有接点リレー、プラグによる脱着などを想定し、直流電源Vsとしては商用交流電源を直流化した直流電源や電池などの直流電源を想定している。図7に示した従来の技術と異なる点は、ダイオードDPA、DNAを設け、リアクトルLの一端を、ダイオードDPA、DNAを介して、コンデンサCの両端に接続する点である。図2は、図1の昇圧型DC-DCコンバータ100の動作状態を示す説明図である。例えば、負荷=電流源Loadに電力を供給している状態、すなわち図に示した矢印の向きに電流ILを流している際に、何らかの異常に伴って、機械式スイッチSWがオフしたとする。機械式スイッチSWがオフする経路を遮断すると図2の経路1で電流が流れ、リアクトルLに蓄積されたエネルギーがコンデンサCに放出される。一方、負荷=電流源Loadから直流電源Vsにエネルギーを回生している状態、すなわち図2に示した矢印とは反対の向きに電流ILを流している際に、何らかの異常に伴って、機械式スイッチSWがオフしたとする。機械式スイッチSWがオフすると図2の経路2で電流が流れ、リアクトルLに蓄積されたエネルギーがコンデンサCに放出される。このように、機械式スイッチSWがオフすると経路1もしくは経路2で電流が流れ、リアクトルLに蓄積されたエネルギーはCに放出され、機械式スイッチSWでリアクトルLに蓄積された誘導性エネルギーを吸収することは無くなる。このように、いずれの場合も機械式スイッチSWでリアクトルLに蓄積された誘導性エネルギーを吸収することが無くなるので、機械式スイッチSWの寿命を長くすることができる。また、軽負荷時には、電力用半導体素子TPとTNの交互のオンオフを停止する。これはTPとTNが共にオフの状態かもしくはTPが常時オンTNは常時オフの状態にする。そうすると、出力電圧Voutは、入力電圧Vin=直流電源Vsの電圧とほぼ等しくなる。このような動作状態のときには、直流電源Vsから流れ出る電流は、つぎの2つの経路となる。1直流電源Vs→ダイオードDPA→コンデンサCと負荷である電流源Load→直流電源Vs、2直流電源Vs→リアクトルL→ダイオードDP→コンデンサCと負荷である電流源Load→直流電源Vsこれら2つの電流経路のうち、1の経路の方が2の経路に比べて、インピーダンスが低いことから、電流の大半が1の経路を流れる。つまりリアクトルLを通らずに流れる。そのためリアクトルLで生ずる損失が低減される。その結果、軽負荷などの運転状態のときに、IGBTTP、TNにオン信号を与えないことで、リアクトルLで発生する損失を低減することができる。尚、図1のダイオードDNAと並列に図示しない小容量のコンデンサを接続するとよい。電力変換装置100の動作に伴って、リアクトルLに流れる電流ILは,脈動成分が含まれるが、直流電源Vsがバッテリ等の二次電池である場合、脈動成分が二次電池の寿命劣化を促進するなどの悪影響を及ぼすことがある。そのため、図示しない小容量のコンデンサを接続することで、直流電源Vsに流れる脈動成分を抑制することが可能となる。図3は、この発明の第2実施例の電力変換装置の要部構成図である。この電力変換装置は、電力の流れが直流電源Vsから電流源Loadへの一方向フローの昇圧型DC-DCコンバータ200である。また、図3には直流電源Vsと機械式スイッチSWおよび負荷である電流源Loadも示した。この昇圧型DC-DCコンバータ200は、直流電源Vsの高電位側端正極に一端が接続する機械式スイッチSWを介して一端が接続するリアクトルLと、このリアクトルLの一端にカソードが接続するダイオードDNAからなる。また、リアクトルLの他端にコレクタが接続するIGBTTNと、リアクトルLの他端にアノードが接続するダイオードDPと、IGBTTNのコレクタにカソードが接続するダイオードDNと、ダイオードDPのカソードに一端正極となる側が接続するコンデンサCからなる。また、直流電源Vsの低電位側端負極とダイオードDNAのアノードとIGBTTNのエミッタとダイオードDNのアノードとコンデンサCの他端負極となる側とがそれぞれ接続する。コンデンサCに負荷である電流源Loadが並列接続される。図8に示した従来の回路構成と異なる点は、ダイオードDNAを設け、リアクトルLの一端を、ダイオードDNAを介してコンデンサCの負極に接続した点である。図4は、図3の昇圧型DC-DCコンバータ200の動作状態を示す説明図である。運転中矢印の向きに電流ILを流している際に、何らかの異常に伴って、機械式スイッチSWがオフしたとする。機械式スイッチSWがオフすると図の経路1で電流が流れ、リアクトルLに蓄積されたエネルギーがコンデンサCに放出される。このように、機械式スイッチSWがオフすると経路1で電流が流れ、リアクトルLに蓄積されたエネルギーはコンデンサCに放出され、機械式スイッチSWで吸収することは無くなる。その結果、機械式スイッチSWの寿命を長くすることができる。尚、図2のダイオードDNAと並列に図示しない小容量のコンデンサを接続するとよい。電力変換装置200の動作に伴って、リアクトルLに流れる電流ILは,脈動成分が含まれるが、直流電源Vsがバッテリ等の二次電池である場合、脈動成分が二次電池の寿命劣化を促進するなどの悪影響を及ぼすことがある。そのため、図示しない小容量のコンデンサを接続することで、直流電源Vsに流れる脈動成分を抑制することが可能となる。図5は、この発明の第3実施例の電力変換装置の要部構成図である。この電力変換装置は、電力の流れが直流電源Vsから電流源Loadへの一方向フローの降圧型DC-DCコンバータ300である。また、図5には直流電源Vsと機械式スイッチSWおよび負荷である電流源Loadも示した。この降圧型DC-DCコンバータ300は、直流電源Vsの高電位側端正極にコレクタが接続するIGBTTPと、IGBTTPのコレクタにカソードが接続するダイオードDPと、IGBTTPのエミッタとダイオードDPのアノードとに一端が接続するリアクトルLからなる。また、IGBTTPのエミッタにカソードが接続するダイオードDNと、IGBTTPのコレクタにカソードが接続するダイオードDPAと、ダイオードDPAのアノードとリアクトルLの他端に一端正極が接続するコンデンサCからなる。また、直流電源Vsの低電位側端負極とダイオードDNのアノードとコンデンサCの他端負極とがそれぞれ接続する。コンデンサCの一端正極となる側は機械式スイッチSWを介して負荷である電流源Loadに接続する。図9に示した従来の回路構成と異なる点は、ダイオードDPAを設け、ダイオードDPAのアノードをリアクトルLの他端に、ダイオードDPAのカソードをTPのコレクタにそれぞれ接続した点である。図5において、降圧型DC-DCコンバータ300と直流電源Vsの間には図示しないスイッチが設置されている。図6は、図5の降圧型DC-DCコンバータ300の動作状態を示す説明図である。この動作状態は自動車のバッテリーを商用電源で充電する場合などを想定している。動作中矢印の向きに電流ILを流している際に、何らかの異常に伴って、機械式スイッチSWがオフしたとする。機械式スイッチSWがオフすると、図の経路1の電流がコンデンサCを充電しリアクトルLに蓄積したエネルギーを吸収する。しかし、コンデンサCが小さい場合には、リアクトルLのエネルギーによって、コンデンサCの正極の電圧は直流電源Vsの電圧Vinを超える。そうすると、図の経路2の電流がダイオードDPAを通して直流電源Vsへ流れて行きコンデンサCの正極の電圧は直流電源Vsの電圧にクランプされる。すなわち,必要以上に耐圧の大きいコンデンサを用いる、もしくは、静電容量の大きなコンデンサを用いることが無くなり,装置の小型化が達成できる。尚、実施例1,2,3では電力用半導体スイッチとして、自己消弧型半導体素子であるIGBTTP,TNとこれに逆並列接続されるダイオードDP,DNを例としてあげたが、IGBTの代わりにパワーMOSFETやバイポーラトランジスタを用いる場合もある。また、寄生ダイオードを含むパワーMOSFETを用いると電力用半導体スイッチとしてはTPやTNに逆並列接続されるダイオードDP,DNは不要となる。"