"炭化珪素層と、前記炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するとともに前記反応層上に導電性酸化層を形成するための第2プラズマアッシング工程とをこの順序で実施することにより形成された反応層及び当該反応層に接する導電性酸化層と、前記反応層の上方に前記導電性酸化層を介して形成された電極層とを備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1に記載の炭化珪素半導体装置において、前記導電性酸化層の厚さが、0.3nm~2.25nmの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置において、前記酸が、塩酸、硝酸及びフッ酸であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。請求項1に記載の炭化珪素半導体装置を製造するための炭化珪素半導体装置の製造方法であって、炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するとともに、前記反応層上に、前記反応層に接する導電性酸化層を形成するための第2プラズマアッシング工程と、露出させた前記反応層の上方に前記導電性酸化層を介して電極層を形成する電極層形成工程とをこの順で含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記導電性酸化層の厚さが、0.3nm~2.25nmの範囲内にあることを特徴とする記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4又は5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層を含む酸化層を形成し、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を薄くして前記導電性酸化層を露出させる第2エッチング工程をさらに含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4又は5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層を含む酸化層を形成し、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を薄くして前記導電性酸化層を露出させる洗浄工程をさらに含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4又は5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層のみからなる酸化層を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4~8のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸素ガス又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスのいずれかを用いて前記第2プラズマアッシング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4~9のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いて前記エッチング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項10に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液を用いて前記エッチング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項11に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項10に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング工程は、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項13に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング液Bが含有する硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項4~14のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第1プラズマアッシング工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。ところで、半導体装置の技術分野においては、半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが求められており、炭化珪素半導体装置の場合も例外ではない。そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたものであり、半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することを可能とする炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の発明者の研究によれば、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することにより、半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となることが判明し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、以下の要素により構成される。[1]本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素層と、前記炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するとともに前記反応層上に導電性酸化層を形成するための第2プラズマアッシング工程とをこの順序で実施することにより形成された反応層及び当該反応層に接する導電性酸化層と、前記反応層の上方に前記導電性酸化層を介して形成された電極層とを備えることを特徴とする。[2]本発明の炭化珪素半導体装置においては、前記導電性酸化層の厚さが、0.3nm~2.25nmの範囲内にあることが好ましい。[3]本発明の炭化珪素半導体装置においては、前記酸が、塩酸、硝酸及びフッ酸であることが好ましい。[4]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、本発明の炭化珪素半導体装置を製造するための炭化珪素半導体装置の製造方法であって、炭化珪素層上に導電層を形成する導電層形成工程と、前記炭化珪素層と前記導電層とを反応させて、前記炭化珪素層に接する反応層及び前記反応層上に存在するシリサイド層を形成する熱処理工程と、前記シリサイド層が含有する炭素成分を除去するための第1プラズマアッシング工程と、酸を用いて前記シリサイド層の少なくとも一部を除去することにより、前記反応層の表面の少なくとも一部を露出させるエッチング工程と、前記反応層上に残存することがある炭素成分を除去するとともに、前記反応層上に、前記反応層に接する導電性酸化層を形成するための第2プラズマアッシング工程と、露出させた前記反応層の上方に前記導電性酸化層を介して電極層を形成する電極層形成工程とをこの順で含むことを特徴とする。[5]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記導電性酸化層の厚さが、0.3nm~2.25nmの範囲内にあることが好ましい。[6]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層を含む酸化層を形成し、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を薄くして前記導電性酸化層を露出させる第2エッチング工程をさらに含むことが好ましい。[7]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層を含む酸化層を形成し、前記第2プラズマアッシング工程と前記電極層形成工程との間に、前記第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層を薄くして前記導電性酸化層を露出させる洗浄工程をさらに含むことも好ましい。[8]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記第2プラズマアッシング工程においては、前記反応層上に、前記導電性酸化層のみからなる酸化層を形成することも好ましい。[9]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、酸素ガス又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスのいずれかを用いて前記第2プラズマアッシング工程を実施することが好ましい。[10]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いて前記エッチング工程を実施することが好ましい。[11]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液を用いて前記エッチング工程を実施することが好ましい。[12]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることが好ましい。[13]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング工程は、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とを含むことが好ましい。[14]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記エッチング液Bが含有する硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあることが好ましい。[15]本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、酸素ガス、水素ガス又はこれらの混合ガスのいずれかを用いて前記第1プラズマアッシング工程を実施することが好ましい。本発明の炭化珪素半導体装置によれば、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することにより、後述する実施例からも分かるように、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。以下、本発明の炭化珪素半導体装置及びその製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。[実施形態1]図1は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100の断面図である。炭化珪素半導体装置100は、図1に示すように、炭化珪素層110と、炭化珪素層100の第1主面側に形成された反応層120と、反応層120に接して形成された導電性酸化層130と、導電性酸化層130に接して形成されたカソード電極層140本発明の電極層と、炭化珪素層100の第2主面側に形成されたバリアメタル層150及びアノード電極層152並びに保護絶縁層154とを備えるショットキーダイオードである。炭化珪素層110は、n型炭化珪素基板112と、n型炭化珪素基板112よりも低濃度のn型不純物を含有するn-型エピタキシャル層114とを有する。n型炭化珪素基板112の厚さは、例えば300μmであり、n型炭化珪素基板112のn型不純物濃度は、例えば1×1019cm-3である。n-型エピタキシャル層114の厚さは、例えば10μmであり、n型不純物濃度は、例えば1×1016cm-3である。n-型エピタキシャル層114における第2主面側の表面には、p型のガードリング116が形成されている。ガードリング116のp型不純物濃度は、例えば1×1018cm-3~1×1019cm-3の範囲内にある。反応層120は、n型炭化珪素基板112にニッケル成分が拡散した層である。反応層120におけるニッケルの濃度は、例えば1.0×103cm-3~1.0×104cm-3の範囲内であり、反応層120とカソード電極層130との接合面からの距離に応じて薄くなっている。反応層120の厚さは、例えば10nm~200nmの範囲内にある。導電性酸化層130は、反応層120上に残存することがある炭素成分を除去するための第2プラズマアッシング工程を実施することにより、反応層120上に、反応層に接するように形成された導電性酸化層である。導電性酸化層130の厚さは、例えば、0.3nm~2.25nmの範囲内にある。カソード電極層140は、カソード電極材料である金属例えば、ニッケル。を反応層120の上方に導電性酸化層130を介して蒸着して形成されたものである。カソード電極層130の厚さは、例えば2μmである。バリアメタル層150は、炭化珪素層110n-型エピタキシャル層114との間でショットキー接合を形成する金属例えばニッケル、チタンなど。からなる。バリアメタル層150の厚さは、例えば2μmである。アノード電極層152は、バリアメタル層150の表面に形成されている。アノード電極層152の厚さは、例えば5μmである。アノード電極層152は、例えばアルミニウムからなる。バリアメタル層150及びアノード電極層152を取り囲むように保護絶縁層154が形成されている。以上のような構成を有する係る炭化珪素半導体装置100は、以下に示す方法実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造することができる。以下、工程に沿って実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。図2及び図3は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図2a~図2e及び図3a~図3eは各工程図である。1.炭化珪素層準備工程まず、n型炭化珪素基板112とn-型エピタキシャル層114とが積層された構造を有する炭化珪素層110を準備する図2a参照。。n-型エピタキシャル層114の表面には、p型のガードリング116が形成されている。2.導電層形成工程次に、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112の第1主面側の表面上に、例えばEB蒸着により、ニッケルからなる導電層122を形成する図2b参照。。導電層122の厚さは、例えば50nm~500nmとする。導電層122の材料としては、ニッケル以外の金属材料例えば、アルミニウム、チタン、コバルトなど。を用いることもできる。3.熱処理工程次に、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112と導電層122とを反応させて、炭化珪素層110n型炭化珪素基板112に接する反応層120及び当該反応層120上に存在するシリサイド層124からなる合金層を形成する熱処理を行う。熱処理は、水分や酸素を除いた高純度のアルゴンAr等の不活性雰囲気中で1000°C、2分間の条件で行う。これにより、導電層122に含まれるニッケル成分がn型炭化珪素基板112中に拡散して反応層120を形成するとともに、n型炭化珪素基板112に含まれるシリコン成分及び炭素成分が導電層122中に拡散してシリサイド層124を形成する図2c及び図2d参照。。4.第1プラズマアッシング工程次に、シリサイド層124に含まれる炭素成分を第1プラズマアッシングにより除去する図2e参照。。第1プラズマアッシングは、酸素ガスを用いて実施するアッシング条件:出力1000W、アッシング時間5分。当該第1プラズマアッシング工程を行うことにより、シリサイド層124の表面付近の炭素成分が除去されるため、後述するエッチング工程を効率よく行うことができる。なお、このとき、第1プラズマアッシング工程により、シリサイド層124の表面に酸化ニッケル層126が形成される。5.エッチング工程次に、塩酸、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液エッチング液によりシリサイド層124を除去することにより、反応層120の表面を露出させる図3a参照。。当該エッチング工程中、塩酸によりシリサイド層124のうちニッケル成分が除去され、また、硝酸及びフッ酸によりシリコン成分が除去される。また、当該エッチング工程においては、第1プラズマアッシング工程により形成された酸化ニッケル層126も除去される。エッチング液が含有する塩酸、硝酸及びフッ酸の含有比率は、硝酸を100molとしたとき、塩酸が300mol~500molの範囲内にあり、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にある。6.第2プラズマアッシング工程次に、反応層120の表面の炭素成分を第2プラズマアッシングにより除去する。第2プラズマアッシングは、酸素ガスを用いて実施する。これにより、反応層120の表面から炭素成分を除去することが可能となる。第2プラズマアッシング工程は、酸化層128の厚さが例えば10nmとなるようなアッシング条件出力500W、アッシング時間5分で実施することとしている。第2プラズマアッシング工程中に、反応層120上に、反応層120と接する導電性酸化層を含む酸化層128が形成される図3b参照。。7.第2エッチング工程次に、フッ酸を含有するエッチング液を用いて、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層128を薄くして導電性酸化層130を露出させる図3c参照。。このとき、導電性酸化層128の厚さが0.3nm~2.25nmの範囲内になるような条件で第2エッチング工程を実施する。8.カソード電極層形成工程次に、例えばスパッタリングなどの物理気相成長法PVDにより、反応層120の上方に導電性酸化層130を介して導電性酸化層130の表面に、ニッケルからなるカソード電極層140を形成する図3d参照。。次に、n-型エピタキシャル層114の表面に、保護絶縁層154、バリアメタル層150及びアノード電極層152を形成する図3e参照。。以上の工程を順次実施することにより、炭化珪素半導体装置100を製造することができる。実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法によれば、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することとしているため、後述する実験例からも分かるように、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法によれば、導電性酸化層の厚さが、0.3nm~2.25nmの範囲内にあるため、後述する実験例からも分かるように、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。ところで、本発明の発明者の研究によれば、従来の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、上記したエッチング工程でシリサイド層のうちニッケル成分が選択的にエッチングされることに起因して反応層上にシリコン成分が残存し、その結果、デバイス特性にばらつきが生じるという問題があることがわかっている。なお、エッチング工程に代えてCMP工程を用いてシリサイド層を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法が知られている従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法、例えば、特開2009-10096号参照。。従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程によりシリサイド層を除去するため、反応層上にシリコン成分が残存することがなくなり、その結果、デバイス特性のばらつきが生じるという問題を解決することができる。しかしながら、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、CMP工程を用いてシリサイド層を除去するため、生産性が低いという問題がある。これに対して、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題がなくなる。また、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題がなく、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。[実施形態2]図4は、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図4a~図4eは各工程図である。実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合における図2a~図2eに対応する工程をそのまま含むため、図2a~図2eに対応する工程の図示を省略する。実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100の製造方法と同様の工程を有するが、第2プラズマアッシング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、第2プラズマアッシング工程を、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも弱いアッシング条件出力200W、アッシング時間3分で実施することとしている。また、これに伴って、第2エッチング工程を省略するとともに、第2プラズマアッシング工程を実施した後、希釈フッ酸を含む洗浄液を用いて炭化珪素半導体装置を洗浄し、その後電極形成工程を実施することとしている。すなわち、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、図4b及び図4cに示すように、洗浄工程を実施することにより、第2プラズマアッシング工程で形成された酸化層128が薄くなって、導電性酸化層130が表面に露出するようになる。洗浄工程は、洗浄後の導電性酸化層128の厚さが0.3nm~2.25nmの範囲内になるような条件で行う。このように、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第2プラズマアッシング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することとしているため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。また、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じることがなくなる。また、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題がなく、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。[実施形態3]図5は、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図5a~図5eは各工程図である。実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合における図2a~図2eに対応する工程をそのまま含むため、図2a~図2eに対応する工程の図示を省略する。実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100の製造方法と同様の工程を有するが、第2プラズマアッシング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、第2プラズマアッシング工程を、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりもさらに弱いアッシング条件出力50W、アッシング時間1分で実施することとしている。また、これに伴って、第2エッチング工程を省略するとともに、第2プラズマアッシング工程を実施した後、フッ酸を含まない洗浄液を用いて炭化珪素半導体装置を洗浄し、その後、電極形成工程を実施することとしている。すなわち、実施形態2に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、図5b及び図5cに示すように、第2プラズマアッシング工程を実施することにより、導電性酸化層130のみからなる酸化層128が形成される。第2プラズマアッシング工程は、第2プラズマアッシング工程実施後の酸化層128すなわち導電性酸化層130の厚さが0.3nm~2.25nmの範囲内になるような条件で行う。このように、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第2プラズマアッシング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することとしているため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。また、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じることがなくなる。また、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態3に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題がなく、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。[実施形態4]図6は、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図6a~図6dは各工程図である。実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合における図2e、図3a及び図3bに対応する工程以外の工程は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むため、図2a~図2dに対応する工程及び図3c~図3eに対応する工程は図示を省略する。実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を有するが、エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とをこの順序で実施する。最初のエッチング工程においては、塩酸を含有するエッチング液Aにより、第1プラズマアッシング工程によって形成された酸化ニッケル層126と、シリサイド層124におけるニッケル成分とを除去する図6a及び図6b参照。。次のエッチング工程においては、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bにより、シリサイド層124におけるシリコン成分を除去する図6b及び図6c参照。。エッチング液Bとしては、硝酸及びフッ酸の含有比率が、硝酸を100molとしたとき、フッ酸が0.1mol~5molの範囲内にあるものを用いる。上記した最初のエッチング工程及び次のエッチング工程を実施することにより反応層120の表面の少なくとも一部が露出する。その後、第2プラズマアッシング工程図6d参照。、第2エッチング工程及び電極層形成工程図3c~図3d参照。を順次実施することにより、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置108を製造することができる。このように、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法は、エッチング工程の内容が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することとしているため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法の場合と同様に、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。また、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、塩酸、硝酸及びフッ酸を用いてエッチング工程を実施することとしているため、当該エッチング工程によりニッケル成分及びシリコン成分の両方の成分を除去することが可能となる。その結果、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じることがなくなる。また、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、CMP工程ではなくエッチング工程を用いてシリサイド層を除去することとしているため、従来の他の炭化珪素半導体装置の製造方法の場合よりも高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能となる。その結果、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、エッチング工程でシリコン成分が残存することに起因してデバイス特性にばらつきが生じるという問題がなく、かつ、高い生産性で炭化珪素半導体装置を製造することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。なお、実施形態4に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法は、エッチング工程以外は実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法と同様の構成又は工程を含むため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置及びその製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。[実施形態5]図7は、実施形態5に係る炭化珪素半導体装置108の断面図である。実施形態5に係る炭化珪素半導体装置108は、基本的には実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の製造方法108と同様の構成を有するが、カソード電極層の構成が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100とは異なる。すなわち、実施形態5に係る炭化珪素半導体装置108は、図7に示すように、カソード電極層として、第1カソード電極層144及び第2カソード電極層146が積層したカソード電極層142を備える。第1カソード電極層144は、上記したカソード電極層140と同様に、第1カソード電極材料である金属例えば、チタン。を反応層120の上方に導電性酸化層130を介して蒸着して形成したものである。第1カソード電極層144の厚さは、例えば0.5μmである。第2カソード電極層146は、第2カソード電極材料である金属例えば、ニッケル。を第1カソード電極層144上に蒸着して形成したものである。第2カソード電極層146の厚さは、例えば2μmである。このように、実施形態5に係る炭化珪素半導体装置108は、カソード電極層の構成が実施形態1に係る炭化珪素半導体装置100とは異なるが、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の場合と同様に、反応層上に電極層を直接形成するのではなく、反応層の上方に所定の導電性酸化層を介して電極層を形成することとしているため、実施形態1に係る炭化珪素半導体装置の場合と同様に、半導体基体炭化珪素層と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となる。また、実施形態5に係る炭化珪素半導体装置108によれば、炭化珪素層110の表面に反応層120及びシリサイド層124からなる合金層を形成した後、反応層120の表面を露出させ、その露出した反応層120の上方に導電性酸化層130を介して第1カソード電極層電極層144及び第2カソード電極層他の電極層146を形成する。このため、第1カソード電極層144と炭化珪素層110とを反応層120及び導電性酸化層130を介して良好に接合できるだけでなく、炭化珪素層110の炭素成分が第1カソード電極層144まで拡散することがなくなる。その結果、第1カソード電極層144の表面における炭素濃度を低減できるので、第1カソード電極層144と、その上に形成される第2カソード電極層146との密着性を改善することができる。従って、炭化珪素層と電極層とに対する良好なコンタクトを確保しつつ、電極剥離の可能性が抑制された信頼性の高い炭化珪素半導体装置を提供することができるという効果も得られる。[実施例]本実施例は、導電性酸化層を介して電極層を形成した場合に半導体基体と電極層とのコンタクト抵抗をより一層低減することが可能となることを示すための実施例である。図8は、実施例における評価系10を説明するために示す図である。図9は、実施例における評価結果を示すグラフである。1.試料評価系10は、図8に示すように、炭化珪素層炭化珪素半導体基体20の表面に、実施形態1の場合と同様な方法により導電性酸化層30a,30bを形成し、さらに当該導電性酸化層30a,30bの表面にニッケルからなる電極層40a,40bを形成することにより作製した。炭化珪素層20の不純物濃度は、1×1019cm-3である。各電極層40a,40bの面積は、5000μm250μm×100μmである。各電極層40a,40bは、長辺100μmの辺が互いに対向するように配置されている。電極層40aと電極層40bとの間の距離は、3μmである。各電極層40a,40bは、炭化珪素層20の上方に導電性酸化層30a,30bを介して蒸着することにより形成した。2.評価方法評価系10における導電性酸化層30a,30bの厚さを0nm~5nmの間で変化させるとともに、電極層40a,40b間に-5V~5Vの電圧を印加したときの電流-電圧特性を測定することにより、各試料の評価を行った。この場合、半導体基体20のバルク抵抗は各試料間で変化しないから、図9の電流値は、半導体基体20と各電極層40a,40bとのコンタクト抵抗が小さいときに大きくなる。従って、図9に示すグラフにおいては、右上がりの傾きが大きいほど半導体基体20と各電極層40a,40bとのコンタクト抵抗が小さいことになる。3.評価結果図9からも明らかなように、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に厚さ0.5nm又は1.0nmの導電性酸化層30a,30bを介在させた場合には、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に導電性酸化層を介在させない場合よりも、半導体基体20と各電極層40a,40bとのコンタクト抵抗が小さくなることが分かった。但し、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に5nmの導電性酸化層30a,30bを介在させた場合には、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に導電性酸化層を介在させない場合よりも、半導体基体20と各電極層40a,40bとのコンタクト抵抗が大きくなることが分かった。詳細な調査をした結果、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に厚さ0.3nm~2.25nmの導電性酸化層30a,30bを介在させた場合には、半導体基体20と各電極層40a,40bとの間に導電性酸化層を介在させない場合よりも、半導体基体20と各電極層40a,40bとのコンタクト抵抗を低減できることが分かった。以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。1上記実施形態2においては、塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程と硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程とをこの順序で実施しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、硝酸及びフッ酸を含有するエッチング液Bを用いるエッチング工程と塩酸を含有するエッチング液Aを用いるエッチング工程とをこの順序で実施してもよい。2上記各実施形態においては、酸素ガスを用いて第1プラズマアッシング工程を実施しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、酸素ガスの代わりに、水素ガス又は酸素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いて第1プラズマアッシング工程を実施することもできる。3上記各実施形態においては、酸素ガスを用いて第2プラズマアッシング工程を実施しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、酸素ガスの代わりに、酸素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いて第2プラズマアッシング工程を実施することもできる。4上記各実施形態においては、ショットキーダイオードを例にとって本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パワーMOSFET、IGBT、pnダイオード、サイリスターなど、炭化珪素層に反応層を介して電極層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法に本発明を適用することが可能である。5上記各実施形態においては、n型の炭化珪素層の場合を例にとって本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、p型の炭化珪素層を用いた場合に本発明を適用することもできる。"