ワークの表面から分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みよりも深い溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程の後に、該溝が形成されたワークの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程の後に、ワークの裏面を研削して裏面に該溝を表出させワークを個々のチップに分離する研削工程と、該研削工程の後に、個々のチップに分離されたワークの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、該接着フィルム貼着工程の後に、該接着フィルムが貼着されたワークの該接着フィルム側にダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着工程と、該ダイシングテープ貼着工程の後に、該保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、該保護テープ剥離工程の後に、チップ間に露出した該接着フィルムに該接着フィルムが吸収する波長のレーザービームを照射してアブレーション加工を施し、該接着フィルムをチップ間に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む加工方法であって、該保護テープ剥離工程と該接着フィルム破断工程との間に、該ダイシングテープを拡張することによって隣り合うチップの間隔を広げる拡張工程を含む加工方法。しかしながら、上記の技術によれば、ワークの裏面を研削してチップに分割した後にDAFを貼着する際に、分割されたチップがずれて隣り合うチップの間隔が狭くなってしまい、その後にアブレーション加工を施すことができない場合があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、接着フィルムを破断するアブレーション加工を確実に施すことができる加工方法を提供することを目的とする。上記した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる加工方法は、ワークの表面から分割予定ラインに沿ってチップの仕上げ厚みよりも深い溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程の後に、該溝が形成されたワークの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程の後に、ワークの裏面を研削して裏面に該溝を表出させワークを個々のチップに分離する研削工程と、該研削工程の後に、個々のチップに分離されたワークの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、該接着フィルム貼着工程の後に、該接着フィルムが貼着されたワークの該接着フィルム側にダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着工程と、該ダイシングテープ貼着工程の後に、該保護テープを剥離する保護テープ剥離工程と、該保護テープ剥離工程の後に、チップ間に露出した該接着フィルムに該接着フィルムが吸収する波長のレーザービームを照射してアブレーション加工を施し、該接着フィルムをチップ間に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む加工方法であって、該保護テープ剥離工程と該接着フィルム破断工程との間に、該ダイシングテープを拡張することによって隣り合うチップの間隔を広げる拡張工程を含むことを特徴とする。本発明によれば、確実にアブレーション加工を施して接着フィルムを破断することができる。以下、本発明を実施するための形態である加工方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。本実施の形態の加工方法で加工対象とするワークとしては、例えば、略円板形状を有する基板の表面に複数のデバイスが形成された半導体ウェーハが挙げられる。この半導体ウェーハの表面側は、互いに直交する分割予定ラインによって格子状に区画されており、これら区画された領域内にデバイスが形成された構成となっている。図1は本実施の形態の加工方法で加工対象とするワークの構成を示す模式図である。本実施の形態の加工方法は、このような半導体ウェーハ等のワーク1を、その表面1aに設定された分割予定ラインLに沿って分割するものである。なお、ワークの具体例は、特に限定されるものではなく、例えばシリコンSiやガリウムヒ素GaAs等の半導体ウェーハの他、セラミック、ガラス、サファイアAl2O3系の無機材料基板等が挙げられる。図2および図4~図7は、本実施の形態の分割方法の各工程を説明する図であり、各工程における加工対象のワーク1の断面図を示している。具体的には、図2は溝形成工程を説明する図であり、図4は保護テープ貼着工程を説明する図であり、図5は研削工程を説明する図であり、図6は、接着フィルム貼着工程、ダイシングテープ貼着工程および保護テープ剥離工程を説明する図であり、図7は拡張工程を説明する図であり、図8は接着フィルム破断工程を説明する図である。なお、これら各図では、加工対象のワーク1をその表面1aに機能層が形成されたものとして図示している。また、図3は、加工対象のワーク1に対して図2を参照して説明する溝形成工程を実施するための切削装置の構成例を示す模式図であり、図9は、加工対象のワーク1に対して図7を参照して説明する接着フィルム破断工程を実施するためのレーザー加工装置の構成例を示す模式図である。本実施の形態の加工方法では先ず、溝形成工程を実施し、図2に示すように、ワーク1の表面1aに形成された分割予定ラインLに沿って、チップの仕上がり厚さに相当する深さより深い溝13を形成する。この溝形成工程は、例えば、図3に示すような一般的に用いられる切削装置2を用いる。切削装置2は吸引保持手段を備えたチャックテーブル21と、切削ブレード221を備えた切削手段22を具備している。この切削装置2のチャックテーブル21上にワーク1を表面1aを上にして保持し、切削手段22の切削ブレード221を回転しつつチャックテーブル21を矢印Xで示す方向に切削送りすることによって、所定方向に延在するストリートLに沿って溝13を形成する。この溝13は、図2に示すように分割される各チップの仕上がり厚さに相当する深さより深くなるように設定されている。このように所定方向に延在する分割予定ラインLに沿って溝13を形成したら、切削手段22を矢印Yで示す方向に分割予定ラインLの間隔だけ割り出し送りして、再度上記切削送りを遂行する。そして、所定方向に延在する全ての分割ラインLついて上記切削送りと上記割り出し送りを遂行したら、チャックテーブル21を90度回動させ、上記所定方向に対して直角に延びる各分割予定ラインLに沿って上記切削送りと上記割り出し送りを実行することにより、ワーク1に形成された全ての分割予定ラインLに沿って溝13が形成される。次に、保護テープ貼着工程を実施し、図4に示すように、機能層が形成されたワーク1の表面1aに保護テープ14を貼着する。この保護テープ14は、後段の研削工程や接着フィルム貼着工程、ダイシングテープ貼着工程においてワーク1の表面1aを保護するために貼着される。続いて、不図示の研削装置によって研削工程を実施する。まず、研削装置を構成する保持手段によってワーク1を保持する。保持手段は、ワーク1に応じた大きさの水平な保持面を有し、この保持手段に対し、ワーク1は裏面1bを上にして搬入される。そして、保持手段は、保持面上でワーク1をその表面1aに貼着された保護テープ14を介して保持する。研削装置は、例えば、研削砥石を有する研削ホイールを回転させながら前述の保持面上に保持されたワーク1の裏面1bに押圧することで、ワーク1の裏面1bに研削加工を施すものである。研削工程では、この研削装置によってワーク1の裏面1bを研削することで、図5に示すように、図5中の点線で囲まれた部分を研削してワーク1を所定の厚さに薄化し、先に溝形成工程で形成された溝13を裏面1bに表出させて個々のチップ10に分割する。なお、この研削工程において分割された個々のチップ10は、その表面1aに保護テープ14が貼着されていることによりバラバラにならずにワーク1の形態が維持されるものの、研削にともなってチップ10がずれて隣り合うチップ10の間隔が狭くなる箇所が発生する場合がある。そこで、狭くなったチップの間隔を拡げるために、後述の拡張工程を実施するが、この拡張工程実施に先立って、接着フィルム貼着工程、ダイシングテープ貼着工程、保護テープ剥離工程を順次実施する。図6に示すように、まず、チップ10に分割されたワーク1の裏面1bに、DAFDieAttachFilm等の接着フィルム15を配設し、その上に、伸縮性を有するダイシングテープ16を貼着する。その後、保護テープ剥離工程を実施し、ワーク1の表面1bに貼着された保護テープ14を剥離する。そして、例えば不図示の拡張装置によって拡張工程を実施する。まず、拡張装置を構成する保持手段によってチップ10に分割されたワーク1を保持する。保持手段は、ワーク1に応じた大きさの水平な保持面を有するものであり、この保持手段に対し、ワーク1は、表面1aを上にして搬入される。この保持手段は、保持面上でワーク1をその裏面1bに貼着されたダイシングテープ16を介して保持する。拡張装置は、ワーク1の裏面1bに貼着されたダイシングテープ16の終端を引き伸ばしてダイシングテープ16を拡張させることにより、ワーク1に対して放射状に引張力を作用させるものである。拡張工程では、この拡張装置によって図7中に矢印A1、A2に示す方向にダイシングテープ16を拡張させることで、分割されたチップ10同士の間隔を広げる。なお、この拡張工程において作用させる引張力は、後述する接着フィルム破断工程において接着フィルム13に対してアブレーション加工を施せるようにチップ10間の溝13から接着フィルム15が露出する程度の適宜な強さとし、接着フィルム15とダイシングテープ16との間にズレを生じさせない適宜な強さとする。その後、レーザー加工装置によって接着フィルム破断工程を実施する。ここで、この接着フィルム破断工程を実施するレーザー加工装置の構成について説明する。図9に示すように、レーザー加工装置3は、保持手段31と、レーザー加工手段33と、これら各部の動作を制御する制御手段35とを含む。保持手段31は、研削装置などを構成する保持手段と同様に、ワーク1に応じた大きさの水平なXY平面と平行な保持面311を有する。レーザー加工装置3の保持手段31に対しても、ワーク1は、表面1aを上にして搬入される。そして、保持手段31は、保持面311上のワーク1をその裏面1bに貼着されたダイシングテープ16を介して保持する。このようにワーク1を保持面311上で保持する保持手段31は、不図示の駆動手段によってX軸方向およびY軸方向に移動自在に構成されており、制御手段35の制御のもと、保持手段21をX軸方向に加工送りするとともに、保持手段31をY軸方向に割り出し送りする。さらに、保持手段31は、不図示の回転駆動手段により、保持面311の中心を通る鉛直軸を軸中心として回転自在に構成されている矢印B。レーザー加工手段33は、保持面311上のワーク1にアブレーション加工を施すためのものであり、支持部材331と、この支持部材331に対して互いの位置関係が固定された状態で取り付けられたレーザー照射ユニット333および撮像ユニット335とを備える。レーザー照射ユニット333は、保持面311上のワーク1に対してパルスレーザー光線を照射するものであり、その下端部に保持面311上のワーク1の表面1aと対向するように配設された集光器334を具備している。集光器334は、レーザー照射ユニット333の内部に配設されたレーザー光線発振手段によって発振されるパルスレーザー光線を保持面311上のワーク1に向けて集光させるための集光レンズが内部に配設されたものである。レーザー光線発振手段は、例えば、加工対象の接着フィルム15に吸収される所定波長のパルスレーザー光線を発振する。なお、接着フィルム15には吸収されるがダイシングテープ16には吸収されない波長であることがより望ましい。撮像ユニット335は、ワーク1の加工すべき位置溝13から露出した接着フィルム15の中心線を集光器334の鉛直下方に位置付けるアライメントを行うためのものである。この撮像ユニット335は、例えば、保持面311上のワーク1と対向するように配設された対物レンズ等を含む顕微鏡構造体と、この顕微鏡構造体によるワーク1の拡大観察像を撮像するカメラとからなり、保持面311上のワーク1を撮像し、得られた画像データを制御手段35に出力する。なお、支持部材331は、レーザー照射ユニット333および撮像ユニット335をZ軸方向に移動自在に支持しており、集光器334に内蔵された集光レンズを保持面311に対して垂直に移動させることができる。このように、レーザー照射ユニット333は、集光レンズによって集光されるパルスレーザー光線の焦点位置Z位置の調整が可能な構成とされている。制御手段35は、レーザー加工装置3の動作に必要な各種データを保持するメモリを内蔵したマイクロコンピュータ等で構成され、レーザー加工装置3を構成する各部の動作を制御してレーザー加工装置3を統括的に制御する。この制御手段35の制御のもと、レーザー加工装置3は、接着フィルム破断工程を実施する。すなわち、この接着フィルム破断工程では、先ず、保持手段31に対して表面1aを上にした状態でワーク1を搬入し、保持面311上でワーク1をその裏面1bに貼着されたダイシングテープ16を介して保持する。続いて、保持手段31をXY平面内で移動させて保持面311上のワーク1を撮像ユニット335の鉛直下方に位置付け、撮像ユニット335によって保持面311上のワーク1を撮像することでアライメントを実施する。具体的には、保持面311上のワーク1を撮像して得た画像データにパターンマッチング等の画像処理を施すことでチップ10間の溝13を検出する。そして、この画像処理の結果をもとに、加工対象の溝13から露出した接着フィルム15を集光器334の鉛直下方に位置付ける。そして、このようにして加工対象を集光器334の鉛直下方に位置付けると、レーザー加工装置3は、加工対象である溝13から露出した接着フィルム15の中心線に沿ってアブレーション加工を施す。すなわち先ず、パルスレーザー光線の焦点位置がワーク1の厚みに相当する深さ位置となるように支持部材331を移動させて集光レンズの焦点を合わせる。そして、保持手段31をX軸方向に加工送りしながらレーザー照射ユニット333によって順次、所定波長のパルスレーザー光線を照射する。すなわち、接着フィルム15が吸収する波長のパルスレーザー光線を照射する。なお、パルスレーザー光線の波長は、接着フィルム15は吸収するがダイシングテープ16は吸収しない波長であることがより望ましい。これにより、パルスレーザー光線がワーク1の厚みに相当する深さ位置にある接着フィルム15に溝13に沿って照射され、この結果、溝13から露出した接着フィルム15の中心線に沿ってアブレーション加工が施される。その後は、順次隣接する溝13を集光器334の鉛直下方に位置付けて加工対象を移しながら、各溝13に沿ってアブレーション加工を施す。そして、直交する一方向の溝13の全てに対してそれぞれアブレーション加工を施したならば、保持手段31を90度回転させることで他方向の溝13がX軸方向に沿うようにワーク1の姿勢を変更する。そして、一方向の溝13に対する動作と同様にアライメントを行った後、順次他方向の溝13を集光器334の鉛直下方に位置付けて加工対象を移しながら、この他方向の溝13のそれぞれに沿ってアブレーション加工を施す。ここで、アブレーション加工とは、微少な領域に極短時間にレーザエネルギーを集中させることにより、固体を昇華蒸発させる加工のことをいう。加工対象は、アブレーション加工を施した領域にそって破断される。以上説明した接着フィルム破断工程を経て、ワーク1に貼着された接着フィルム15は、図8に示すように、溝13に沿って破断される。なお、図8に示す断面は、保持面311上のワーク1の例えばY軸方向に沿った断面を示しており、接着フィルム破断工程によってY軸方向に直交するX軸方向に沿った溝13紙面と直交する方向に沿った溝13に沿って接着フィルム15に形成された破断線を示している。その後、チップ離脱工程を実施して、接着フィルム15が貼着されているチップ10をダイシングテープ16から離脱する。チップ離脱工程は、例えば、不図示のピックアップコレットを作動して、個々のチップ10をダイシングテープ16の上面から離脱することにより、裏面に接着フィルム15が装着された個々のチップ10を得ることができる。以上説明したように、本実施の形態では、溝13から露出した接着フィルム15に確実にアブレーション加工を施すことができるので、接着フィルムを破断することができる。