"像提供基板のマスク構造を構造化される基板上に結像するためのマイクロリソグラフィのための投影露光ツールであって、基板のうちの1つの面上に配置された測定構造の該基板面に関する少なくとも1つの横方向の互いに対する相対位置を判断し、それによって互い対して横方向にオフセットして配置されたいくつかの測定構造を同時に測定するように構成された測定装置、を含むことを特徴とする投影露光ツール。前記測定装置は、前記基板面全体にわたって分布された測定構造の前記横方向相対位置を同時に測定するように構成される、ことを特徴とする請求項1に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記構造化される基板上の前記横方向位置の測定値を取得するように構成される、ことを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定構造の前記横方向位置測定のための前記測定装置は、干渉計測装置として構成される、ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記測定構造上での回折によって2つの測定ビームに分割された測定光を該測定構造上に反射して戻すように機能する少なくとも2つの反射要素を含む、ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、測定光を前記測定される基板に当たる前に異なる伝播方向を有する2つの測定ビームに分離するためのビームスプリッタを含む、ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記ビームスプリッタは、回折格子を含むことを特徴とする請求項6に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記測定光を測定される前記基板面に対してある角度で前記ビームスプリッタ70上に照射するように構成される、ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記2つの測定ビームによって発生する前記測定構造の像をコヒーレントに重ねるように構成される、ことを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記基板面にわたる歪曲を前記横方向位置測定値から判断するように構成され、投影露光ツールが、前記基板を露光する時に局所結像スケールを該歪曲に動的に適応させるように構成された露光制御デバイスを更に含む、ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記基板面のいくつかの点においてトポグラフィ測定値を同時に取得するように更に構成される、ことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、第1の波長の測定光を用いて前記横方向位置測定値及び第2の波長の測定光を用いて前記トポグラフィ測定値を取得するように構成される、ことを特徴とする請求項11に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記第1の波長の前記測定光を2つの測定ビームに分離するためのビームスプリッタとして機能する回折格子を含み、該回折格子は、前記第2の波長の前記測定光の少なくとも90が回折されることなく該回折格子を通過するように構成される、ことを特徴とする請求項12に記載の投影露光ツール。前記回折格子は、前記第2の波長の前記測定光の伝播方向に対して傾斜される、ことを特徴とする請求項13に記載の投影露光ツール。前記測定装置は、前記基板面全体の前記測定値を10秒未満で取得するように構成される、ことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の投影露光ツール。像提供基板のマスク構造の構造化される基板上へのマイクロリソグラフィ結像の方法であって、基板のうちの1つの面上に配置された測定構造の該基板面に関する少なくとも1つの横方向の互いに対する相対位置を互い対して横方向にオフセットされたいくつかの測定構造を同時に測定することによって判断する段階と、構造化される前記基板上にマスク構造をマイクロリソグラフィのための投影露光ツールを用いて結像し、露光中に結像パラメータが、前記横方向位置測定値に基づいて局所的に変更される段階と、を含むことを特徴とする方法。前記基板の前記露光中に、前記結像スケールは、局所的に変更される、ことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記基板上に配置された前記測定構造は、異なる周期性を有する回折格子を含む、ことを特徴とする請求項16又は請求項17に記載の方法。前記構造化される基板は、測定され、前記測定構造の全体が、構造化可能な製品区域を前記像提供基板のそれぞれ1回の露光によって取り囲む複数の蜘蛛の巣メッシュを有する蜘蛛の巣構造を形成する、ことを特徴とする請求項16から請求項18のいずれか1項に記載の方法。基板を測定する方法であって、基板の面上に配置された測定構造の相対位置が、互いに対して横方向にオフセットされたいくつかの測定構造の同時干渉計測を用いて該基板面に関する少なくとも1つの横方向に互いに対して判断される、ことを特徴とする方法。本発明の目的は、上述の問題を解消し、特に、ウェーハ又はレチクル上での横方向位置測定をより短い時間内に妥当な複雑度で行うことができる装置及び方法を提供することである。本発明により、上述の目的は、例えば、像提供構造であるマスク構造を構造化される基板上に結像するためのマイクロリソグラフィのための投影露光ツールを用いて達成することができる。本発明による投影露光ツールは、基板のうちの1つの面上に配置された測定構造の基板面に関する少なくとも1つの横方向の互いに対する相対位置を判断し、それによって互い対して横方向にオフセットされたいくつかの測定構造を同時に測定するように構成された測定装置を含む。この関連における基板面に関する横方向は、基板面と平行なベクトルによって特徴付けられる。言い換えれば、本発明による測定装置は、基板上に配置された測定構造の横方向相対位置に対して、レチクルの形態にある像提供基板を測定するか、又は例えばウェーハ又はLCDディスプレイのための基板の形態にある構造化される基板を測定するかのいずれかであるように構成される。この測定値は並行して得られ、すなわち、いくつかの測定構造が同時に測定される。従って、測定装置は、基板面のうちの少なくとも1つの2次元区画にわたって分布された測定構造を同時に測定するように構成される。実施形態により、測定構造の横方向位置のその望ましい位置からの逸脱が、それによって測定される。本発明による1つの変形により、同時に測定される測定構造のうちの2つは、互いから少なくとも1mm、特に少なくとも10mm、少なくとも50mm、又は少なくとも100mm分離し、特に両方の横方向座標方向に基板面にわたってオフセットされる。本発明により判断された互いに対する測定構造の横方向相対位置を望ましい値と比較することにより、測定構造を含む前の露光レベルの像のウェーハ上の歪曲を判断することができる。本発明によるウェーハ面上でのいくつかの測定構造の互いに対する同時測定を使用すると、差し迫ったウェーハ露光のウェーハ上に既に設けられた構造に対する横方向調節に必要とされる測定データを判断するための測定時間が短縮される。従って、測定に使用される測定台の速度及び加速度に対する要件は軽減し、それによって露光台上への可能な振動伝達を回避することができる。更に、同時測定値は、既存の時間窓内でのより緊密にメッシュ分割されたウェーハ測定を可能にし、それによって個々の露光レベルの間のオーバーレイの品質を高めることができる。本発明による実施形態により、測定装置は、基板面にわたって分布された測定構造の横方向相対位置を同時に測定するように構成される。基板面全体は、基板の測定装置を向く側の面を意味すると理解すべきである。言い換えれば、測定装置は、横方向相対位置を測定するために基板面全体を網羅する検出領域を含む。別の実施形態により、測定装置は、基板面を少なくとも区画毎に測定するように構成され、個々の基板区画の測定値を組み合わせるように構成された評価デバイスを有する。区画毎の測定に起因して、測定装置に必要とされる設置空間及び測定装置自体の複雑さを低減することができる。本発明による実施形態により、測定構造は、測定の対象である基板の同じ構造レベルに配置される。例えば、そのような構造レベルは、100nmよりも薄い、特に50nmよりも薄いか又は10nmよりも薄い厚み、すなわち、基板の高さ方向の広がりを有することができる。変形により、構造化される基板、例えば、ウェーハが、測定の対象であり、測定構造は、この基板の同じ露光レベルに配置される。言い換えれば、相対位置に関して測定装置を用いて測定される測定構造は、同じ前の基板露光中に印刷されたものである。従って、これらの測定構造は、基板の同じ構造レベルに配置される。これは、構造が異なる露光レベルに配置されるオーバーレイ測定を実施するのに使用される測定構造とは対照的である。本発明による実施形態において、測定装置は、少なくとも3つの測定構造、特に、少なくとも4つ、少なくとも5つ、又は少なくとも6つの測定構造のそれぞれの横方向相対位置を同時に測定するように構成される。本発明による更に別の実施形態により、測定装置は、構造化される基板、従って、例えば、半導体ウェーハ又はLCDディスプレイのための基板上の横方向位置の測定値を取得するように構成される。本発明による更に別の実施形態により、測定構造の横方向位置測定のための測定装置は、干渉計測装置として構成される。言い換えれば、測定装置は、測定構造の横方向位置測定のための2つの光ビームを干渉測定的に重ねて、得られる干渉図形から望みの測定値を判断するように構成される。本発明による更に別の実施形態により、測定装置は、測定構造上の回折によって2つの測定ビームに分割される測定光を測定構造上に反射して戻すように機能する少なくとも2つの反射要素を含む。2つの測定ビームは、特に、正及び負の回折次数に回折された測定光によって形成することができる。一実施形態により、測定装置は、4つの反射要素、特に、各横方向測定方向にそれぞれ2つの反射要素を含む。反射要素として、ミラー又はキャッツアイ反射器を使用することができる。反射要素は、好ましくは、測位置置に配置された基板の反対側部に配置され、一実施形態により、少なくとも300mm×少なくとも50mmの寸法を有する。本発明による実施形態により、測定装置は、測定光を測定される基板に当たる前に異なる伝播方向を有する2つの測定ビームに分離するためのビームスプリッタを含む。一部の実施形態により、ビームスプリッタは、回折格子を含む。回折格子は、例えば、チェス盤型のパターンを有する2次元格子の形態にあるとすることができる。別の変形により、回折格子は、互いに対して約90°回転された2つの向きに設けられた1次元線格子の形態にある個々の格子区間で構成され、異なる向きを有するこれらの格子区間は、チェス盤パターンの形態で交互に配置される。更に別の実施形態により、測定装置は、横方向位置測定のための測定光を発生させるための測定光源を含み、測定光の波長は、ビームスプリッタの格子間隔よりも大きい。従って、測定光とビームスプリッタの格子との相互作用により、部分光がゼロ回折次数とは異なる回折次数でもたらされることが保証される。一実施形態により、ビームスプリッタは、基板上の格子構造に適応された格子を含む。更に別の実施形態により、測定装置は、測定光を測定される基板面に対して傾斜した角度でビームスプリッタ上に照射するように、又はいずれのビームスプリッタも存在しない実施形態では基板面上に照射するように構成される。言い換えれば、測定光の伝播方向は、表面法線から逸脱する。逸脱は、特に少なくとも0.1°、好ましくは、少なくとも0.5°である。更に別の実施形態により、測定装置は、測定光の測定ビームの両方を測位置置に配置された基板上に異なる角度で向けるように構成される。本発明の更に別の実施形態により、測定装置は、2つの測定ビームを用いて発生する測定構造の像をコヒーレントに重ねるように構成される。この重ね合わせは、測定構造の横方向相対位置を判断するために評価される干渉図形をもたらす。本発明による更に別の実施形態により、測定装置は、基板面にわたる歪曲を横方向位置測定値から判断するように構成され、投影露光ツールは、基板を露光する時に、局所結像スケールを歪曲に動的に適応させるように構成された露光制御装置を更に含む。言い換えれば、本発明による測定は、基板を露光する時のスケールマニピュレータの動的な適応を可能にする。この場合、歪曲は、特に先行する光学結像処理において基板面上に書き込まれた構造のスケールの視野毎の変化であると理解すべきである。更に別の実施形態により、測定装置は、基板面のいくつかの点においてポグラフィ測定値を同時に取得するように更に構成される。言い換えれば、基板面のいくつかの場所において、形状測定と高さ変化の測定とが並行して実施される。好ましくは、測定装置は、トポグラフィ測定値を10nmよりも高い精度で取得するように構成される。更に別の実施形態により、測定装置は、測定構造の横方向相対位置の測定値とトポグラフィ測定値とを同時に取得するように構成される。更に別の実施形態により、測定装置は、第1の波長の測定光を用いて横方向位置測定値を取得し、第2の波長の測定光を用いてトポグラフィ測定値を取得するように構成される。第1の波長は、第2の波長とは、個々の波長の光によって発生する干渉図形の別々の検出が可能であるように異なる。好ましくは、測定波長は、少なくとも100nmだけ異なる。例えば、これらの波長として、1064nmのようなレーザ波長は、532nmの周波数が2倍の波長と共に使用することができる。本発明による更に別の実施形態により、トポグラフィ測定のための測定光は、横方向位置測定のための測定光と偏光において異なる。本発明による更に別の実施形態により、測定装置は、第1の波長の測定光を2つの測定ビームに分離するためのビームスプリッタとして機能する回折格子を含み、回折格子は、第2の波長の測定光のうちの少なくとも90が回折されることなく回折格子を通過するように構成される。それによってトポグラフィ測定に使用される測定光のゼロ回折次数とは異なる回折次数への回折による干渉光の発生が回避される。これは、第2の波長を回折格子の間隔よりも大きく選択すること、又は高い回折次数を抑制するように特別に適応された格子プロフィールを使用することのいずれかによって達成することができる。更に別の実施形態により、回折格子は、第2の波長の測定光の伝播方向に対して傾斜される。それによって第2の波長の測定光によってビームスプリッタ上に発生する戻り反射光が測定に対して悪影響を持たないことが保証される。更に、特に、トポグラフィ測定に使用される測定光の伝播方向は、測定される基板の表面法線に対して傾斜される。更に、回折格子が、測定される基板の面に対して傾斜されるならば有利である。これらの解決法の全ては、干渉反射光が測定に使用される検出器に到達するのを防止する。更に、回折格子の背後側には、干渉反射光を更に弱めるためのコーティングを設けることができる。更に別の実施形態により、測定装置は、基板面全体の測定値を10秒未満で取得するように構成される。本発明によると、この場合に測定装置は、互いに対する測定構造の横方向相対位置を1nmよりも高い精度で判断するように構成することができる。更に、本発明の更に別の態様により、上述の目的は、例えば、像提供基板のマスク構造の構造化される基板上へのマイクロリソグラフィ結像の方法によって達成することができる。本方法により、基板のうちの1つの面上に配置された測定構造の基板面に関する少なくとも1つの横方向の互いに対する相対位置は、互い対して横方向にオフセットされたいくつかの測定構造を同時に測定することによって判断される。更に、マスク構造は、構造化される基板上にマイクロリソグラフィのための投影露光ツールを用いて結像され、露光中に横方向位置測定値に基づいて結像パラメータが局所的に変更される。結像パラメータのそのような局所変更は、例えば、マスク構造の構造化される基板上への結像に関する結像スケールの視野毎の変更とすることができる。本発明による方法の更に別の実施形態により、基板の露光中に結像スケールが局所的に変更される。この変更は、横方向位置測定値に基づいて実施される。本発明による変形により、基板上に配置された測定構造は、異なる周期性を有する回折格子を含む。好ましくは、これらの回折格子は、ビームスプリッタを用いて発生する上述の測定ビームのこれらの回折格子自体への反射に向けて構成される。一部の実施形態により、異なる周期性を有する格子区画を互いに直交する格子の2つの向きにそれぞれ配置することができる。更に別の実施形態により、構造化される基板が測定され、測定構造の全体は、像提供基板の結像によってそれぞれ構造化することができる製品区域を取り囲む複数の蜘蛛の巣メッシュを有する蜘蛛の巣構造を形成する。これらの製品区域は、多くの場合にダイとも呼ばれる。更に、本発明の更に別の態様により、基板を測定する方法を提供し、互いに対して横方向にオフセットして配置されたいくつかの測定構造の同時干渉計測を用いて、基板の面上に配置された測定構造の相対位置は、基板面に関する少なくとも1つの横方向に互いに対して判断される。本発明の上述の態様のうちのいずれかによる方法の実施形態により、同時に測定される構造のうちの2つは、互いから少なくとも1mm、特に少なくとも10mm、少なくとも50mm、又は少なくとも100mm分離する。更に別の実施形態により、少なくとも3つの測定構造、特に、少なくとも4つ、少なくとも5つ、又は少なくとも6つの測定構造のそれぞれの横方向相対位置は、同時に測定される。上述の態様のうちのいずれかによる方法の更に別の実施形態により、測定構造は、測定の対象である基板の同じ構造レベルに配置される。上述の本発明による投影露光ツールの実施形態に関して指定した特徴は、図示した実施形態における本発明による方法に相応に適用することができる。それとは逆に、本発明による方法の上述の実施形態に関して指定した特徴は、本発明による投影露光ツールに相応に適用することができる。本発明の上記及び更に別の有利な特徴を添付の模式的な図面を参照して本発明による例示的な実施形態の以下の詳細説明に例示する。以下に説明する例示的な実施形態において、互いに機能的又は構造的に類似の要素には、可能な限り同じか又は類似の参照番号を付与している。従って、特定の例示的な実施形態の個々の要素の特徴を理解するためには、本発明の他の例示的な実施形態の説明又は一般的な説明を参照されたい。投影露光ツールの説明を容易にするために、図内に示す構成要素のそれぞれの相対位置を得ることができる直交xyz座標系を図面内に指定している。図1では、x方向は右に延び、y方向は作図面と垂直に作図面に向けて延び、x方向は上方に延びている。図1には、本発明による実施形態におけるマイクロリソグラフィのための投影露光ツールを示している。投影露光ツール10は、マスク20の形態にある像提供基板を露光放射線15で照明するための照明系12と投影対物系18とを含む。投影対物系18は、マスク平面からのマスク構造22をウェーハ30の形態にある構造化される基板上に結像するように機能する。シリコンウェーハに加えて、例えば、透明のいわゆるフラットパネルであるLCDディスプレイのための基板を構造化される基板として使用することができる。照明系12は、露光放射線15を発生させるための露光放射線源を含む。投影露光ツール10の実施形態に基づいて、露光放射線15の波長は、UV波長範囲にあるもの、例えば、248nm又は193nmとすることができ、又は極紫外波長範囲EUV内にあるもの、例えば、約13.5nm又は約6.8nmとすることができる。露光波長に基づいて、照明系12及び投影対物系18の光学要素は、レンズ及び/又はミラーとして設計される。露光放射線源14によって発生した露光放射線15は、ビーム伝播光学系16を通過し、次に、照明器17によってマスク20上に照射される。マスク20は、投影露光ツール10のフレーム19に対してシフト可能に装着されたマスク台24によって保持される。ウェーハ30は、ウェーハシフト装置として機能する露光台33上に配置される。露光台33は、ウェーハ30をその下側から、例えば、負の圧力によって固定するためのウェーハホルダ34と、ウェーハ30を投影対物系18の光軸に対して横方向に、すなわち、図1に記載の座標系によるx方向とy方向にシフトさせることができるシフト台36とを含む。更に、シフト台36は、光軸の方向、従って、図1に記載の座標系によるz方向へのウェーハ30のシフトを可能にする。z方向へのこの種のシフトは、特に、ウェーハ30を露光する際に、ウェーハ30の面31を露光放射線15の焦点内に保持するのに使用される。一般的に、ウェーハ30の面31は、区画毎に、すなわち、視野毎に露光される。ウェーハ30とマスク20は,ウェーハ面31上でスロット形の露光領域が走査されるように、それによってx軸に沿う反対方向に移動される。この移動は、マスク20がウェーハ面31上で互いに隣合わせにある複数の視野の形態で結像されるように複数回発生する。投影露光ツール10内には、ウェーハ30の全面を一方でその歪曲に関して、他方でトポグラフィ変化に関して測定するように構成された測定装置40が統合される。ウェーハ30の歪曲は、ウェーハ面31上に配置された測定構造のウェーハ平面31、すなわち、X-Y平面に関して互いに対して横方向の相対位置逸脱を意味すると理解すべきである。図1では、測定構造には参照番号32が付与されており、この測定構造は、前のウェーハ処理段階においてウェーハ30に付加されたものである。測定構造32は、以下により詳細に説明するように、格子構造の形態にある。投影露光ツール10の実施形態において、ウェーハ30は、測定のために測定装置の下で露光台33上に配置される。この目的のために、露光台33は、図1に示す位置に投影対物系18の光軸に対して横方向にシフトされる。別の実施形態において、投影露光ツール10は、測定装置40を用いた測定中にウェーハ30が上に配置される別々の測定台38を含み、測定中に、既に測定されたウェーハ30は、同時に露光台33上に設けられ、並列で露光される。測定装置40は、2次元測定の光学測定装置として設計される、すなわち、ウェーハ面31の点毎のサンプリングとは対照的に、ウェーハ30の歪曲及び面トポグラフィの両方の測定中に、対応する測定値は、面31のいくつかの場所において同時に判断される。測定装置40は、異なる波長の測定光を発生させるために、2つの測定光源41及び43を含む。第1の測定光源41は、以下では形状測定とも呼ぶ面トポグラフィ測定に使用される、波長λ1を有する第1の測定光42を発生させる。第2の測定光源43は、測定構造の横方向位置を測定するために、従って、歪曲測定に使用される波長λ2を有する第2の測定光44を発生させる。測定構造の位置を測定構造の配置と呼ぶ場合もある。両方の測定光源41及び43の測定光は、それぞれの光ファイバ45を通じてビームスプリッタ48上に照射される。以下により詳細に説明するように、測定光42には、可視範囲又は近赤外線範囲の波長を使用することができる。従って、例えば、ヘリウムネオンレーザ、レーザダイオード、固体レーザ、及びLEDを測定光源として使用することができる。測定光に対して、波長は、露光放射線15を用いた露光に向けてウェーハ30上に設けられるフォトレジストが感度を持たないように選ばなければならない。好ましくは、測定波長は、フォトレジストの露光閾値よりも低くなければならない。一実施形態により、測定波長は、このようにして発生する光子のエネルギが、シリコンの禁制帯よりも低いように選択される。従って、測定中のウェーハ加熱を最小に抑制することができる。形状測定のための測定光42は、ビームスプリッタ48によってウェーハ面31の方向に偏向される。ウェーハ面31に当たる前に、測定光はフィゾーコリメータ50を通過する。フィゾーコリメータ50は、測定光42の一部を基準光として反射して戻すフィゾー面52を含み、この反射光に対して、測定光42のうちで反射されなかった部分はウェーハ面31上で反射され、次に、CCDカメラの形態にある局所分解検出器60の検出面61上の接眼レンズの形態にあるコリメータレンズ58を通過した後に基準光と干渉する。一実施形態により、フィゾーコリメータ50は、焦点幅対直径比f/d<1を有して大きく開いたコリメータとして設計され、それによって投影露光ツール10内の設置空間を節約することができる。検出器面61上の干渉図形は、検出器60によって検出される。検出された干渉図形から、評価デバイス62を用いて、ウェーハ面21のうちで測定光によって照射された区画の面のプロフィールが判断される。言い換えれば、ウェーハ30の面トポグラフィが少なくとも区画毎に判断される。一実施形態により、測定装置40の検出領域は、ウェーハ面31全体を面トポグラフィに関して同時に測定するために十分に大きい。位置測定のための測定光44も、ビームスプリッタ48によってウェーハ面31の方向に偏向される。それによって測定光44の伝播方向は、測定光42の伝播方向に対して若干傾斜される。この例示的な実施形態において、測定光42はフィゾーコリメータの光軸51に沿って伝播し、それに対して測定光44の伝播方向は、フィゾーコリメータ50を通過する時に、フィゾー面52上で発生する測定光44の戻り反射光が、コリメータレンズ58の前に配置された開口部56上で遮蔽され、それによってこの戻り反射光が位置測定と干渉することができず、形状測定値を同時に取得する場合に、形状測定とも干渉することができないように光軸51に対して傾斜される。フィゾーコリメータ50を通過した後に、測定光44は、ウェーハ面31に当たり、この面上に配置された格子構造の形態にある測定構造32によってマイナス1次又はプラス1次の回折次数でウェーハ30の上方にある角度で配置された平面ミラー54上に反射される。このビームプロフィールを図2に明瞭に示している。一般的に、は、測定放射線44は、測定構造32上でゼロとは異なる2つの回折次数、この場合、マイナス1次の回折次数とプラス1次の回折次数とで反射される。マイナス1次の回折次数の光は、第1の測定ビーム44aを形成し、プラス1次の回折次数の光は第2の測定ビーム44bを形成する。平面ミラー54上での反射の後に、第1の測定ビーム44aの光は、測定構造32に戻る。この場合、測定構造32上でマイナス1次の回折次数で反射された第1の測定ビーム44aは、入射測定光44のビーム経路内でビームスプリッタ48に戻り、検出面61に当たる。第2の平面ミラー54上での反射の後、測定構造32上での回折の後に、第2の測定ビーム44bの光も、プラス1次の回折次数でビームスプリッタ48を通過し、検出面31上で第1の測定ビーム44aの光と干渉する。検出面61上の像は、2つのミラー54上の像のコヒーレントな重ね合わせであり、従って、干渉図形を形成する。この干渉図形は、測定ビーム44a及び44bの2つの経路の相対位相、従って、測定構造32の位置に関する情報を含む。図2を参照すると、検出面61上の第1の測定ビーム44aの光の位相をφ1に示し、検出面61上の第2の測定ビーム44bの光の位相をφ2に示している。測定構造32のΔxのシフトにより、次式の位相差がもたらされる。Δφ=φ1-φ2=42πΔx/p1pは、測定構造32の格子間隔である。測定構造32の間隔pのシフトがあると、それによって測定光44の波長の4倍のピーク位相逸脱Δφが続く。位相差Δφは、2つのミラー54上の像のコヒーレントな重ね合わせによって発生する干渉図形から読み取ることができ、この位相差Δφから、それぞれの測定構造32の位置のその望ましい位置からのx座標の方向の逸脱を判断することができる。図3は、図1に記載のウェーハ30及び平面ミラー54の配列を上面図に示している。図1に参照番号54に示すミラーは、図3に記載のミラー54aに対応する。これらのミラーは、測定構造のx座標に関する横方向位置の特定に使用される。この目的のために、y方向に延びる格子線を有する線格子32aが、測定構造として使用される。ウェーハ30の面全体の測定では、線格子32aは、ウェーハ面31上で蜘蛛の巣型の配列で位置決めされる。測定構造のy方向の位置を測定するために、対応する格子構造32bがウェーハ面31上に配置され、その格子線はx方向に延びている。格子構造32bは、入射測定光44をウェーハ30に対して±y方向の上方にある角度で配置されたミラー54b上に回折する。回折構造32aと32bとの交点33では、両方の座標方向xとyとにおける位置を判断することができる。全体として、線格子32aと32bとはウェーハ面31上に蜘蛛の巣構造を形成し、蜘蛛の巣メッシュ内のそれぞれの面領域は、マスク20がそれぞれ結像される露光視野68として設けられる。露光視野68は、多くの場合にダイと呼ばれる。一実施形態により、平面ミラー54a及び54bは、少なくとも300mmの横方向広がりを有し、少なくとも50mmの垂直広がりを有する。図1に図示の実施形態において、既に上述のように、形状測定に使用される測定光42と、位置測定に使用される測定光44とは異なる波長を有する。従って、例えば、測定光44の波長λ1を532nmと633nmの間のものとすることができ、測定光42の波長λ2を700nmと1064nmの間のものとすることができる。フィゾーコリメータ50及びコリメータレンズ58の形態にある接眼レンズは、色補正したものでなければならない。2つの測定における類似の波長は、色補正を容易にする。形状測定と位置測定との同時実施では、測定値は波長選択的に得られる。この波長選択的測定は、例えば、局所分解検出器40が、検出面61上に波長選択的に発生した強度分布を測定することによって行うことができる。代替的に、以下に図4に関して説明するように、測定装置40の検出モジュール内にカラービームスプリッタを設けることができる。異なる測定において、異なる波長の代わりに、異なる偏光を使用することができる。別の実施形態において、形状測定と位置測定とにおいて同じ波長の測定光が使用され、2つの測定処理が順次実施される。形状測定値及び位置測定値を取得した後に、判断された測定値は、図1に示す記録デバイス64に格納される。その後にウェーハ30は投影対物系18の下にシフトされる。この目的のために、実施形態に基づいて、測定台38から露光台32へのウェーハ30の再装填が実施されるか、又はそうでなければウェーハ30は、投影対物系18の下に移動する露光台32上に留まる。次に、ウェーハ30のその後の露光において、形状測定と位置測定の両方が記録デバイス64によって制御デバイス66に通信される。制御デバイス66は、一方で形状測定値を用いて露光放射線15の焦点位置zを制御し、他方で位置測定値を用いてx,y位置を制御し、任意的にウェーハ30の露光中の結像スケールを制御する。露光中の結像スケールを制御するために、露光は、測定構造32の局所測定歪みに動的に適応される。測定装置40は、ウェーハ面上の高周波歪曲を補正することができる測定データを利用可能にする。高周波歪曲は、従来のスケールの誤差よりも高い周波数を有する歪曲を意味すると理解すべきである。従来のスケールの誤差は、スキャナスロットに沿った座標の1乗に比例する。従って、測定装置40によって供給される測定データを用いて、スキャナスロットに沿った座標の3又はそれよりも多いべき乗に比例する歪曲を補正することができる。図4は、本発明による測定装置40の更に別の実施形態を示している。この測定装置40は、図1に記載の測定装置40とは2つの点で異なる。第1の点は、回折された測定光44を反射するのに、平面ミラーの代わりにキャッツアイミラーアレイ154が使用される点である。キャッツアイミラーは、入射平面波を正確にそれ自体に反射して戻す。この場合、キャッツアイミラーの調節は重要ではない。キャッツアイミラーアレイ154の使用は、反射器を再調節する必要なく、ウェーハ30上のあらゆる格子間隔に対して入射平面波自体に戻る反射を得ることを可能にする。図4に記載の実施形態において図1に記載の実施形態と異なる第2の点は、コリメータレンズ58の後の測定放射線42及び44のビーム経路内でのカラービームスプリッタ170の使用である。カラービームスプリッタ170は、波長λ2を有する測定光44がビームスプリッタを通過し、一方、波長λ1を有する測定光42がビームスプリッタ上で反射されるように構成される。従って、形状測定の測定光部分と位置測定の測定光部分とを分離することができる。測定光部分の各々に対して特定の検出器60が設けられる。この実施形態により、非波長選択的検出器を用いて形状測定値と位置測定値とを同時に取得することができる。図5は、図1に記載の投影露光ツール10に使用するための本発明による測定装置の更に別の実施形態40を示している。図示の実施形態において、投影露光ツール10は、位置測定及び歪曲測定だけに向けて構成される。図5に記載の測定装置40は、トポグラフィ測定のための測定ビーム経路を持たない点だけでなく、平面ミラー54を持たない点でも図1に記載の測定装置40と異なる。そればかりではなく更に、図5に記載の測定装置40では、フィゾーコリメータ50とウェーハ30の間に回折光学要素70が配置される。回折光学要素70は、2つの測定ビーム74aと74bとへの入射測定光44のそれぞれの分割のための格子構造72を含む。図6は、格子構造72におけるビーム経路を詳細に示している。図6は、回折光学要素70及びウェーハ30の配列を詳細に示している。この図では格子構造72を文字Aに示している。測定ビーム74aと74bとへの入射測定光44の分割は、格子A上でのマイナス1次の回折次数とプラス1次の回折次数とにおける回折によって実施される。次に、測定ビーム74a及び74bは、ウェーハ30の面上の測定構造32上でマイナス1次の回折次数とプラス1次の回折次数とにおける回折によってこれらの測定ビーム自体に反射して戻される。格子構造72は、有利な態様においては、ウェーハ30の面全体を測定することができるように、少なくとも300mmの直径を有するように設計される。測定構造32も格子構造として設計され、図6では測定構造32を格子Bと示し、測定ビーム74aを反射する格子32は位置1に設けられ、測定ビーム74bを反射する格子32は位置2に設けられ、これが、対応する格子をB_pos1及びB_pos2と示す理由である。反射して戻された測定ビーム74aと74bとは、格子構造72上で回折されてマイナス1次の回折次数とプラス1次の回折次数とで通過し、従って、入射測定光44のビーム経路に向け戻される。2つの測定ビーム74aと74bとによって発生する像は、図1に記載の測定装置40における状況と同様に、検出面61上でコヒーレントに重ね合わされる。ウェーハ30のx方向の量Δxのシフトにより、次式の位相差がもたらされる。Δφ=φ1-φ2=4πΔx/p2pは、測定構造32の格子間隔を示している。図2に記載の配列によって発生する位相差と比較すると、図6では、同じシフトΔxによって半分の位相差しかもたらされない。測位置相差から計算される位置は、格子B_pos1及びB_pos2の位置の重心シフトに対応する。図7は、図5に記載の回折光学要素70及びウェーハ30を格子構造72及び2つの関係する測定構造32によってそれぞれ形成されるいくつかの測定チャンネルに対して示している。回折光学要素上の格子構造72のこの配列では、例えば、測定構造32上の回折に起因して測定光74a又は74bの反射によってもたらされるいずれの干渉光44sも検出器60に到達しないことを保証することが重要である。従って、格子構造72は、干渉光44sが、回折光学要素70の格子構造72には当たらず、実際には要素70の格子構造72の間の区域上で反射されるように、ウェーハ30上に配置される。従って、測定値を不正にすることになる干渉光が、別の測定チャンネル内に導入される可能性はない。更に、回折光学要素70上にビームスプリッタとして機能する異なる格子を配置することができる。ウェーハ30上で、相応に適応された格子をビームスプリッタに割り当てなければならない。更に、測定台38の位置を検出する特殊格子を回折光学要素70上に設けることができる。そのような格子は、測定台38上の格子構造に適応される。図8は、図1に記載の投影露光ツール10に使用するための測定装置の更に別の実施形態を示している。この実施形態は、測定放射線44が、回折光学要素70上に垂直に照射されず、法線に対して角度αで照射される点においてのみ、図5に記載の実施形態とは異なる。この場合、マイナス1次の回折次数又はプラス1次の回折次数で発生する測定ビーム74a及び74bは、異なる角度でウェーハ面に当たる。測定ビームの対応する戻り反射を保証するために、ウェーハ30上の測定構造32は、B_pos1格子が間隔ν-Δν、B_pos2における格子が間隔νΔνという異なる間隔を有し、この場合、次式が成り立つ。ν==2νgratingA及びΔν==21/λsinα3νgratingAは、格子構造72の間隔を表している。一実施形態により、角度αは少なくとも0.1°である。図8に記載の配列における非対称ビーム経路を使用すると、干渉光44sが、回折光学要素70上の格子構造72の配列に関係なく隣接する測定チャンネル内に導入されるのを防止することができる。従って、測定構造32をウェーハ面31上のどこかに配置することができる。格子構造72は、にわたって設計することができる。図8に記載の実施形態において、露光視野68及びダイのサイズ及び位置は、位置測定の観点から任意に選択される。図9は、a及びbに、回折光学要素70上の格子構造72の全面配列又は全域配列とも呼ぶにわたる配列における2つの異なる変形を示している。変形aでは、格子構造72は、格子区画が、x方向とy方向とに交互に整列したチェス盤型配列から構成される。従って、それぞれ照射される格子対B_pos1及びB_pos2の重心座標をウェーハ30上でx座標又はy座標に関して測定することができる。格子対B_pos1及びB_pos2の格子整列は、x成分又はy成分のいずれが測定されるかを定義する。b変形では、格子構造72は、x成分又はy成分に関する位置測定値を取得することができる2次元偏菱形格子の形態にある。図10は、図8に記載の実施形態に使用するためのウェーハ30上の測定構造32の可能な配列を示している。この図では、それぞれの重心のx座標を測定するための測定構造B_pos1及びB_pos2を32a及び32bで表している。y方向のそれぞれの重心座標を測定するための格子構造を132a及び132bで表している。図10から分るように、格子構造32a及び32bは、水平の帯内に交互配列で位置決めされ、それに対して格子構造132a及び132bは垂直の帯に配置され、それによって全体として露光視野68を取り囲むメッシュを有する蜘蛛の巣構造がもたらされるようにする。図11は、図1に記載の投影露光ツール10に使用するための測定装置40の更に別の実施形態を示している。図5に記載の実施形態と同様に、この実施形態は、回折光学要素70を含む。しかし、図11に記載の回折光学要素70は、ウェーハ30に対して傾斜される。それによって図1で既出の測定光源41の測定光42を用いて形態測定を同時に実施することができる。回折光学要素70の傾斜は、測定光42を回折光学要素70に垂直に当てさせず、従って、いずれの干渉戻り反射光も、開口部56を通って検出器60に到達しない。格子構造72の間隔は、波長λ2の測定光42が、回折されることなく格子構造72を通過し、同時に波長λ1の測定光44が、マイナス1次の回折次数とプラス1次の回折次数とで回折されるように選択される。図12は、図11に記載の回折光学要素70及びウェーハ30の領域内に、歪曲及び位置の測定のための測定光44と、形状及びトポグラフィの測定のための測定光42との両方における光路を示している。この場合、図12では、位置測定のためのビームと形状測定のためのビームとを隣合わせに示している。しかし、この測定法は、全ての位置における形状の全域測定を可能にし、同時に、設けられた位置格子の全てにおける位置の測定を可能にする。位置のための領域又は形状のための領域への空間的分離は必要ではない。入射測定光を44e及び42eに示している。更に、この図では、太線は、位置測定において入射測定光44e、測定ビーム44a及び44b、並びに戻り使用光ビーム44nを含む使用光路を示している。形状測定では、使用光路は、方向転換なしに回折光学要素70を通過する入射測定光42e、及びウェーハ面31上での反射の後に干渉計に戻るビーム42nとを含む。更に、図12には、干渉光路を細線で描き込んでいる。干渉光路は、格子72、32a、及び32bのうちの1つの上での使用光の回折によってもたらされる。図12には、格子72、32a、及び32bのうちの1つの上でゼロ、マイナス1次、及びプラス1次の回折次数でもたらされるいくつかの干渉光路を描き込んでいる。この場合、干渉光路は、例えば、入射測定光44eがゼロ回折次数で格子72を通過し、ウェーハ面31上で反射し、その後に、ゼロ、プラス1次、又はマイナス1次の回折次数で格子構造72を通過する時にもたらされる。得られる干渉光ビームを図12にb、c、及びdに示している。位置決めチャンネル内の干渉光の更に別の例は、格子32a上での反射時にマイナス1次の回折次数で反射して戻されず、ゼロ回折次数で回折光学要素70に通過し、次に、格子72上でプラス1次の回折次数で回折され、測定装置40の光学系内に戻る測定ビーム44aの光に関連する。得られる干渉光をaに示している。同様な方法で、干渉光路は、例えば、入射測定光42eが格子72上でゼロとは異なる回折次数で回折され、次に、回折格子32a及び32bのうちの1つの上に当たる場合に形状チャンネル内に生成することができる。既に上述のように、回折光学要素70は、ウェーハ30に対して図12に示す角度βで傾斜される。更に、位置測定のための入射測定光44eのウェーハ面31に対する法線に対する入射角は、角度αだけ傾斜される。傾斜角α及びβの大きさ判断は、可能な限り僅かな干渉光しか検出器60に通過しないように具現化される。角度α及びβを巧みに選択することにより、干渉光を開口部56によって少なくとも相当程度まで遮蔽することができる。下記の表1は、位置測定中に、格子72、32a、及び32b上でのマイナス1次、ゼロ次、及びプラス1次の回折次数を考慮して生成することができる光ビームの全てのリストを含む。個々の光ビームの方向を示すために、対応する方向ベクトルのそれぞれのx成分を表1に明記している。測定光44eの入射方向には、5というx成分を適用している。個々の列は、最初に回折光学要素70上の入射測定光44eの回折次数を示し、2番目の列は、ウェーハ30上の格子構造32a上の回折次数を示し、3番目の列は、測定装置40の光学系内への光の戻り経路上の格子構造72上の回折次数を示している。4番目の列には、2回目に回折光学要素70を通過した後の対応する光ビームの方向ベクトルのx成分を明記している。表1Positioning:位置決めdirectionofincidencexcomponentofthek-vector:k-ベクトルの入射方向x成分DOEoutwardpath:DOE外向き経路Wafer:ウェーハDOEreturnpath:DOE戻り経路emergentdirectionxcomponentofthek-vector:k-ベクトルの射出方向x成分DIFFRACTIONORDERS:回折次数usedreflex:使用反射光directionofincidence:入射方向DOEoutwardpath:DOE外向き経路Wafer:ウェーハDOEreturnpath:DOE戻り経路emergentdirectionxcomponentofthek-vector:k-ベクトルの射出方向x成分DIFFRACTIONORDERS:回折次数usedreflex:使用反射光表1の右手側に位置決めされた列5から8は、対応する光路が、ウェーハ30上の格子構造32bの上に向ける場合の類似情報を提供している。表1により、格子間隔として格子72に値500を格子32aに値1010を更に格子32bに値990を適用している。これらの値は、格子の線条密度を任意単位に示し、1次の回折を有する光波の伝播方向のx成分の変化に対応する。例えば、1ミリメートル当たりの線数を単位として選択することができる。図12に示すビームa、b、c、d、e、及びyを表1に示している。この表から分るように、干渉光ベクトルのいずれも、yに示す使用光44nの方向を持たない。表2は、表1と類似の情報を形状測定チャンネルに対して示している。この表では、入射測定光のx成分はゼロである。この表から、干渉光42sのうちの2つの反射光、すなわち、干渉反射光f及びhが、使用反射光zの伝播方向を有することを得ることができる。全ての他の干渉光ビーム42sは、使用反射光zとは異なる方向を向く。以下では、残りの干渉反射光h及びfを同じく抑制するのに使用される解決法を説明する。表2Form:形状directionofincidencexcomponentofthek-vector:k-ベクトルの入射方向x成分DOEoutwardpath:DOE外向き経路Wafer:ウェーハDOEreturnpath:DOE戻り経路emergentdirectionxcomponentofthek-vector:k-ベクトルの射出方向x成分DIFFRACTIONORDERS:回折次数interferingreflex:干渉反射光usedreflex:使用反射光interferingreflex:干渉反射光directionofincidence:入射方向DOEoutwardpath:DOE外向き経路Wafer:ウェーハDOEreturnpath:DOE戻り経路emergentdirectionxcomponentofthek-vector:k-ベクトルの射出方向x成分DIFFRACTIONORDERS:回折次数interferingreflex:干渉反射光usedreflex:使用反射光interferingreflex:干渉反射光角度α及びβの大きさ判断は、以下の基準リストに従って実施することができる。干渉光ビームa、c、及びeは、測定装置40の光学系に角度αで戻るので、角度αは、検出器60上へのウェーハ30の結像の開口数NAよりも大きくなければならない。sinα>NA4ウェーハ30の検出器60への結像の横方向分解能に対しては、分解能Rに対して次式が適用される。R=λ/NA5λは、着目している測定光の波長である。λ=633nmの場合のR=0.25mmの分解能はNA=0.0025をもたらす。入射角αに対しては、この場合、>0.14°の値を与える。干渉光jは、角度2βで戻らなければならないので、次式が適用される。sin2β>NA6従って、傾斜角βに対しては、上述の場合、>0.07°の値を与える。300mmの直径を有するウェーハでは、回折光学要素70とウェーハ30の間に0.37mmの距離変化しか存在しない。入射角αと傾斜角βとを互いに垂直に設計することを有利とすることができる。より高い横方向分解能は、より大きい入射角αとより大きい傾斜角βとを必要とする。図13及び図14は、図11に記載の回折光学要素の格子構造72における2つの異なる実施形態を示している。図13に記載の実施形態において、格子構造72をゼロ次数の格子と呼び、格子構造72は、形状測定の測定光42の波長λ2に向けて設計される。ゼロ次数の格子では、ゼロ次の次数以外の回折次数の全てが抑制される。位置測定のための測定光44の波長λ1は、プラス/マイナス1次の回折次数を発生させることができるようにλ2よりも小さくなければならない。格子72の間隔pは、波長λ2の値と波長λ1の値の間になければならない。図13に指定しているように、λ2には700nmと1064nmの間の波長が、λ1には532nmと632nmの間の波長が有利である。例えば、λ2に1064nmを用い、λ1に532nmの周波数が2倍の波長を使用するのを有利とすることができる。格子構造72の高さhは、次式の寸法を有する。h=0.5×λ2/n-1=λ2、n=1.5の場合7ゼロ次数の格子を使用する方法とは別に、以下の通りに進めることができる。図14に記載の回折光学要素の実施形態において、格子構造72は、形状測定のための波長λ2を有する測定光42の高い回折次数の効率を低下させるために、最適化された格子プロフィールを用いて構成される。しかし、対応する回折効率を電磁効果に基づいて完全にゼロまで低下させることができない。5λよりも小さい格子間隔では、百分率範囲の効率を予想することができる。それによって約10nmの波面の外乱しかもたらされない。図14に指定しているように、この実施形態において、λ1に例えば1266nm、及びλ2に例えば693nmを選択することができる。高い回折次数を用いて形状測定中の干渉を抑制するための更に別の代替として、上流の空洞を用いた白色光干渉測定を使用することができる。形状測定及び位置測定のための本発明による測定装置40をウェーハ30を測定する実施例に対して上述した。本発明による更に別の実施形態により、形状測定及び位置測定のための本発明による測定装置40は、レチクル又はマスク20上で使用される。参照番号のリスト10投影露光ツール12照明系14露光放射線源15露光放射線16ビーム伝播光学系17照明器18投影対物系19フレーム20マスク22マスク構造24マスク台30ウェーハ31ウェーハ面32測定構造32a線格子32b線格子33露光台34ウェーハホルダ36変位台38測定台40測定装置41第1の測定光源42第1の測定光42n使用光42s干渉光43第2の測定光源44第2の測定光44a第1の測定ビーム44b第2の測定ビーム44e入射測定光44n使用光44s干渉光46干渉計48ビームスプリッタ50フィゾーコリメータ51光軸52フィゾー面54平面ミラー54a平面ミラー54b平面ミラー56開口部58コリメータレンズ60局所分解検出器61検出面62評価デバイス64記録デバイス66制御デバイス68露光視野70回折光学要素72格子構造74a、74b測定ビーム132a格子構造132b格子構造154キャッツアイ配列170カラービームスプリッタ"