太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、集光レンズおよび太陽電池素子を具備する前記太陽電池を用意する工程aと、前記太陽電池素子は、n型GaAs層、p型GaAs層、トンネル効果層、n型InGaP層、p型InGaP層、p型窓層、n側電極、およびp側電極を具備し、Z方向は前記p型GaAs層の法線方向であり、X方向は前記Z方向に直交する方向であり、前記n型GaAs層、前記p型GaAs層、前記トンネル効果層、前記n型InGaP層、前記p型InGaP層、および前記p型窓層はこの順でZ方向に沿って積層されており、前記p型窓層は、InGaPよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなり、前記n側電極は、前記n型GaAs層に電気的に接続されており、前記p側電極は、前記p型InGaP層に電気的に接続されており、前記n型GaAs層は、GaAs中央部、第1のGaAs周辺部、および第2のGaAs周辺部に分割されており、前記GaAs中央部は、前記X方向に沿って、前記第1のGaAs周辺部および前記第2のGaAs周辺部の間に挟まれており、前記第1のGaAs周辺部および前記第2のGaAs周辺部は層の形状を有しており、前記n型InGaP層は、InGaP中央部、第1のInGaP周辺部、および第2のInGaP周辺部に分割されており、前記InGaP中央部は、前記X方向に沿って、前記第1のInGaP周辺部および前記第2のInGaP周辺部の間に挟まれており、前記第1のInGaP周辺部および前記第2のInGaP周辺部は層の形状を有しており、以下の不等式のセットIが充足され、d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、d5<d4、d6<d4、1ナノメートル≦d5≦5ナノメートル、1ナノメートル≦d6≦5ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、100ナノメートル≦w4、および100ナノメートル≦w5Id1は前記Z方向に沿った前記GaAs中央部の厚みを表し、d2は前記Z方向に沿った前記第1のGaAs周辺部の厚みを表し、d3は前記Z方向に沿った前記第2のGaAs周辺部の厚みを表し、d4は前記Z方向に沿った前記InGaP中央部の厚みを表し、d5は前記Z方向に沿った前記第1のInGaP周辺部の厚みを表し、d6は前記Z方向に沿った前記第2のInGaP周辺部の厚みを表し、w2は前記X方向に沿った前記第1のGaAs周辺部の幅を表し、w3は前記X方向に沿った前記第2のGaAs周辺部の幅を表し、w4は前記X方向に沿った前記第1のInGaP周辺部の幅を表し、w5は前記X方向に沿った前記第2のInGaP周辺部の幅を表し、以下の不等式IIを充足するように前記集光レンズを介して前記p型窓層の表面に含まれる領域Sに光を照射して、前記n側電極および前記p側電極の間に電位差を生じさせる工程bとを包含し、w6≦w1IIw1は、前記X方向に沿った、前記GaAs中央部の幅を表し、w6は、前記Z方向を含む断面視において、前記領域Sの前記X方向に沿った幅を表し、前記Z方向から見たときに、前記GaAs中央部は前記領域Sに重なる、電力を発生させる方法。前記n型InGaP層の幅は、前記p型窓層の幅と等しい、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記GaAs中央部の間に挟まれているn型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記GaAs中央部の間に挟まれているn型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記p側電極および前記p型InGaP層の間に挟まれているp型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記トンネル効果層および前記InGaP中央部の間に挟まれているn型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記p型GaAs層および前記トンネル効果層の間に挟まれているp型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記n型GaAs層、前記p型GaAs層、前記トンネル効果層、前記n型InGaP層、前記p型InGaP層、および前記p型窓層の側面を被覆する絶縁層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。本発明者らによって行われた実験によれば、特許文献2に開示される太陽電池素子を、特許文献1に開示されるレンズと組み合わされて得られる太陽電池は、おおよそ25の変換効率を有する。本発明の目的は、より高い変換効率を有する太陽電池を提供することである。太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、以下の工程aと工程bとを具備する。工程aは、集光レンズおよび太陽電池素子を具備する前記太陽電池を用意する。ここで、太陽電池素子は、n型GaAs層、p型GaAs層、トンネル効果層、n型InGaP層、p型InGaP層、p型窓層、n側電極、およびp側電極を具備し、Z方向は前記p型GaAs層の法線方向であり、X方向はZ方向に直交する方向である。n型GaAs層、p型GaAs層、トンネル効果層、n型InGaP層、p型InGaP層、およびp型窓層は、この順でZ方向に沿って積層されており、p型窓層は、InGaPよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。n側電極は、n型GaAs層に電気的に接続されており、p側電極は、p型InGaP層に電気的に接続されている。n型GaAs層は、GaAs中央部、第1のGaAs周辺部、および第2のGaAs周辺部に分割されており、GaAs中央部は、X方向に沿って、第1のGaAs周辺部および第2のGaAs周辺部の間に挟まれており、第1のGaAs周辺部および第2のGaAs周辺部は層の形状を有している。n型InGaP層は、InGaP中央部、第1のInGaP周辺部、および第2のInGaP周辺部に分割されており、InGaP中央部は、X方向に沿って、第1のInGaP周辺部および第2のInGaP周辺部の間に挟まれており、第1のInGaP周辺部および第2のInGaP周辺部は層の形状を有している。以下の不等式のセットIが充足される。d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、d5<d4、d6<d4、1ナノメートル≦d5≦5ナノメートル、1ナノメートル≦d6≦5ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、100ナノメートル≦w4、および100ナノメートル≦w5Id1はZ方向に沿ったGaAs中央部の厚みを表し、d2はZ方向に沿った第1のGaAs周辺部の厚みを表し、d3はZ方向に沿った第2のGaAs周辺部の厚みを表し、d4はZ方向に沿ったInGaP中央部の厚みを表し、d5はZ方向に沿った第1のInGaP周辺部の厚みを表し、d6はZ方向に沿った第2のInGaP周辺部の厚みを表す。w2はX方向に沿った第1のGaAs周辺部の幅を表し、w3はX方向に沿った第2のGaAs周辺部の幅を表し、w4はX方向に沿った第1のInGaP周辺部の幅を表し、w5はX方向に沿った第2のInGaP周辺部の幅を表す。工程bは、以下の不等式IIを充足するように集光レンズを介してp型窓層の表面に含まれる領域Sに光を照射して、n側電極およびp側電極の間に電位差を生じさせる。w6≦w1IIここで、w1は、X方向に沿った、GaAs中央部の幅を表し、w6は、Z方向を含む断面視において、領域SのX方向に沿った幅を表し、Z方向から見たときに、GaAs中央部は領域Sに重なる。本発明の太陽電池は、より高い変換効率を有する。図面を参照しながら、以下、本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1工程a工程aでは、太陽電池を用意する。図1Aは、実施の形態1による太陽電池の断面図を示す。図1Aに示されるように、太陽電池は、集光レンズ101および太陽電池素子102を具備する。図1Bに示されるように、太陽電池素子102は、n型GaAs層104、p型GaAs層103、トンネル効果層108、n型InGaP層106、p型InGaP層105、p型窓層107、n側電極114、およびp側電極115を具備する。n型GaAs層104およびp型GaAs層103は積層されている。n型InGaP層106およびp型InGaP層105は積層されている。Z方向は積層方向である。Z方向に沿って、トンネル効果層108は、p型GaAs層103およびn型InGaP層106の間に挟まれている。p側電極115は、p型InGaP層105に電気的に接続されている。n側電極114は、n型GaAs層104に電気的に接続されている。Z方向に沿って、第1のn型バリア層109およびn型コンタクト層112が、n型GaAs層104およびn側電極114の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第1のn型バリア層109は、n型GaAs層104およびn型コンタクト層112の間に挟まれる。Z方向に沿って、n型コンタクト層112は、第1のn型バリア層109およびn側電極114の間に挟まれる。Z方向に沿って、p型バリア層110が、p型GaAs層103およびトンネル効果層108の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、第2のn型バリア層111が、n型InGaP層106およびトンネル効果層108の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、p型コンタクト層113がp型窓層107およびp側電極115の間に挟まれていることが好ましい。p側電極115、p型コンタクト層113、p型窓層107、p型InGaP層105、n型InGaP層106、第2のn型バリア層111、トンネル効果層108、p型バリア層110、p型GaAs層103、n型GaAs層104、第1のn型バリア層109、n型コンタクト層112、およびn側電極114は、この順で電気的に直列に接続される。図1Bに示されるように、n型GaAs層104は、GaAs中央部104a、第1のGaAs周辺部104b、および第2のGaAs周辺部104cに分割されている。GaAs中央部104aは、X方向に沿って、第1のGaAs周辺部104bおよび第2のGaAs周辺部104cの間に挟まれる。X方向は、Z方向に直交する。図1Bに示されるように、n型InGaP層106は、InGaP層中央部106a、第1のInGaP周辺部106bおよび第2のInGaP周辺部106cに分割されている。InGaP中央部106aは、X方向に沿って、第1のInGaP周辺部106bおよび第2のInGaP周辺部の間に挟まれる。図2に示されるように、GaAs中央部104aの厚みd1は、第1のGaAs周辺部104bの厚みd2および第2のGaAs周辺部104cの厚みd3よりも大きい。厚みd1が厚みd2および厚みd3と同じである場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例1~2を参照。図2に示されるように、InGaP中央部106aの厚みd4は、第1のInGaP周辺部106bの厚みd5および第2のInGaP周辺部106cの厚みd6よりも大きい。厚みd4が厚みd5および厚みd6と同じである場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例1~2を参照。実施の形態1では、厚みd2は1ナノメートル以上4ナノメートル以下である。厚みd2が1ナノメートル未満である場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例7を参照。厚みd2が4ナノメートルを超えると、より高い変換効率が達成されない後述される比較例4~6を参照。同様に、厚みd3も1ナノメートル以上4ナノメートル以下である。実施の形態1では、厚みd5は1ナノメートル以上5ナノメートル以下である。厚みd5が1ナノメートル未満である場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例10を参照。厚みd5が5ナノメートルを超えると、より高い変換効率が達成されない後述される比較例8~9を参照。同様に、厚みd6も1ナノメートル以上5ナノメートル以下である。図2に示されるように、GaAs中央部104aは幅w1を有する。第1のGaAs周辺部104bは幅w2を有する。第2のGaAs周辺部104cは幅w3を有する。w2の値は、0.1マイクロメートル以上である。w2の値が0.1マイクロメートルより小さい場合、変換効率が低下する。後述される比較例11を参照せよ。同様な理由により、w3の値は、0.1マイクロメートル以上である。図2に示されるように、第1のInGaP周辺部106bは幅w4を有する。第2のInGaP周辺部106cは幅w5を有する。w4の値は、0.1マイクロメートル以上である。w4の値が0.1マイクロメートルより小さい場合、変換効率が低下する。後述される比較例12を参照せよ。同様な理由により、w5の値は、0.1マイクロメートル以上である。従って、実施の形態1では、以下の不等式Iが充足されることが必要である。d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、d5<d4、d6<d4、1ナノメートル≦d5≦5ナノメートル、1ナノメートル≦d6≦5ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、100ナノメートル≦w4、および100ナノメートル≦w5I上述の通り、値d1は前記Z方向に沿ったGaAs中央部104aの厚みを表す。値d2は前記Z方向に沿った第1のGaAs周辺部104bの厚みを表す。値d3は前記Z方向に沿った第2のGaAs周辺部104cの厚みを表す。値d4は前記Z方向に沿ったInGaP中央部106aの厚みを表す。値d5は前記Z方向に沿った第1のInGaP周辺部106bの厚みを表す。値d6は前記Z方向に沿った第2のInGaP周辺部106cの厚みを表す。値w2は前記X方向に沿った第1のGaAs周辺部104bの幅を表す。値w3は前記X方向に沿った第2のGaAs周辺部104cの幅を表す。値w4は前記X方向に沿った第1のInGaP周辺部106bの幅を表す。値w5は前記X方向に沿った第2のInGaP周辺部106cの幅を表す。集光レンズ101の表側の面には、光が照射される。このことについては、後に記述する工程bにおいて詳細に説明する。太陽光が好ましい。集光レンズ101の裏面は、太陽電池素子102に接することが好ましい。集光レンズ101により、p型窓層107に光が集束する。集光レンズ101は、およそ2ミリメートル~10ミリメートルの直径、およそ1ミリメートル~5ミリメートルの厚み、およそ1.1~2.0の屈折率を有することが好ましい。集光レンズ101の材料は特に限定されない。集光レンズ101の材料の例は、ガラスまたは樹脂である。p型窓層107は、InGaPと近い格子定数を持ち、かつInGaPよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。p型窓層107の材料の例は、p型InAlGaPまたはp型InAlPである。第1のn型バリア層109は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。第1のn型バリア層109の材料の例は、n型InGaPまたはn型AlGaAsである。第2のn型バリア層111は、InGaPと近い格子定数を持ち、かつInGaPよりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。第2のn型バリア層111の材料の例は、n型InAlGaPまたはn型InAlPである。p型バリア層110は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。p型バリア層110の材料の例は、p型InGaPまたはp型AlGaAsである。トンネル効果層108は、p型半導体層およびn型半導体層から構成される。p型半導体層およびn型半導体層の間には、pn接合が形成されている。p型半導体層は、高濃度にドーピングされている。n型半導体層もまた、高濃度にドーピングされている。これらのp型半導体層およびn型半導体層は積層されている。p型半導体層およびn型半導体層の材料は、GaAsおよびInGaPの格子定数に近い格子定数を有する。具体的には、p型半導体層およびn型半導体層の材料の例は、GaAs、InGaP、またはAlGaAsである。トンネル効果層108の好ましい厚みは、20ナノメートル以上40ナノメートル以下である。p型コンタクト層113の材料は、p型窓層107との界面およびp側電極115との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。p型コンタクト層113の材料の例は、p型GaAsである。n型コンタクト層112の材料は、第1のn型バリア層109との界面およびn側電極114との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。n型コンタクト層112の材料の例は、n型GaAsである。図1Bに示されるように、層103~113の側面は絶縁膜116によって被覆されることが好ましい。絶縁膜116の材料の例は、ノンドープのInGaP、二酸化シリコン、または窒化シリコンである。絶縁膜116が用いられる場合、図4に示されるように、絶縁膜116が金属膜124によって被覆され得る。金属膜124は、太陽電池素子102の放熱特性を向上させる。金属膜124がp側電極115に電気的に接続され、かつ一面図4では下面に金属膜124およびn側電極114が露出することが好ましい。太陽電池素子102を製造する方法以下、図3A~図3Hを参照しながら太陽電池素子102を製造する方法を説明する。まず、図3Aに示されるように、GaAs基板118の表面に、犠牲層119、p型コンタクト層113、p型窓層107、p型InGaP層105、n型InGaP層106、第2のn型バリア層111、トンネル効果層108、p型バリア層110、p型GaAs層103、n型GaAs層104、第1のn型バリア層109、およびn型コンタクト層112を順次、分子線エピタキシー法または有機金属化学気相成長法以下、MOCVD法というのような一般的な半導体成長方法により成長させる。犠牲層119は、GaAsと近い格子定数を有する。犠牲層119は、GaAsに対して選択的にエッチングされるための層である。犠牲層119の材料の例は、AlAsである。次に、図3Bに示されるように、n型コンタクト層112上に第1のマスク120を形成する。第1のマスク120は、図2に示されるw1の値と同じ幅を有する。第1のマスク120を用いて、n型コンタクト層112および第1のn型バリア層109をエッチングする。さらにn型GaAs層104の周囲の上部をエッチングする。n型GaAs層104のエッチング深さは、図2に示されるd1-d3の厚みと同じである。エッチングには、BCl3およびSF6の混合ガスが用いられ得る。図3Cに示されるように、第1のマスク120を除去し、第2のマスク121を形成する。第2のマスク121の幅は、図2に示すw1w2w3の合計と同一である。第2のマスク121を用いて、n型GaAs層104、p型GaAs層103、p型バリア層110、トンネル効果層108、および第2のn型バリア層111をエッチングする。さらにn型InGaP層106の周囲の上部をエッチングする。n型InGaP層106のエッチング深さは、図2に示されるd4-d5の厚みと同じである。図3Dに示されるように、第2のマスク121を除去し、第3のマスク122を形成する。第3のマスク122の幅は、図2に示すw1w2w3w4w5の合計と同一である。第3のマスク122を用いて、n型InGaP層106、p型InGaP層105、p型窓層107、およびn型コンタクト層113をエッチングする。図3Eに示されるように、第3のマスク122を除去し、n側電極114および絶縁膜116を形成する。n側電極114を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。絶縁膜116を形成する手法の例は、化学気相成長法である。図3Fに示されるように、n側電極114に下地基板123を固定する。GaAs基板118および犠牲層119をエッチングにより除去する。下地基板123の例は、シリコン基板またはガラス基板である。必要に応じて、n側電極114および下地基板123の間にはワックスまたは粘着シートが挟まれ得る。図3Gに示されるように、p型コンタクト層113上にp側電極115を形成する。さらにp型コンタクト層113のp側電極115に接していない部分をエッチングにより除去する。p側電極113を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。最後に、図3Hに示されるように、下地基板123を除去する。このようにして、太陽電池素子102が得られる。得られた太陽電池素子102は、図1Aに示されるように、集光レンズ101に取り付けられる。このようにして、太陽電池が得られる。工程b工程bにおいては、集光レンズ101を介してp型窓層107に光を照射して、n側電極114およびp側電極115の間に電位差を発生させる。図2に示されるように、p型窓層107の領域Sに光が照射される。本発明者らは、工程bでは、以下の不等式IIが充足されることが必要であることを見出している。w6≦w1II上述したように、w1の値は、X方向に沿ったGaAs中央部104aの幅を表す。w6の値は、領域SのX方向に沿った幅を表す。不等式IIが充足されない場合、より高い変換効率が達成されない比較例3および比較例13~16を参照。図2に示すように、等式w1w2w3w4w5=w6w7w8が充足される場合、幅w7は幅w2w4と等しいか、それよりも大きい。等式w1w2w3w4w5=w6w7w8が充足される場合、幅w6は幅w3w5と等しいか、それよりも大きい。w5およびw6は、いずれも、光が照射されない部分に対応する。実施例以下の実施例により、本発明をより詳細に説明する。実施例1実施例1では、図2に示される太陽電池素子102を、図3A~図3Hに示される方法によって作成した。表1は、実施例1による太陽電池素子102における各層の組成および膜厚を示す。実施例1における、d1~d6およびw1~w5は以下の通りである。d1:2.4マイクロメートルd2:4ナノメートルd3:4ナノメートルd4:0.9マイクロメートルd5:4ナノメートルd6:4ナノメートルw1:80マイクロメートルw2:5マイクロメートルw3:5マイクロメートルw4:5マイクロメートルw5:5マイクロメートル実施例1における集光レンズ101は4ミリメートル四方であり、3mmの厚みを有していた。集光レンズ101は、80マイクロメートル四方の焦点スポットを有していた。実施例1による太陽電池は、以下のように作製された。まず、図3Aに示されるように、ノンドープのGaAs基板上に、表1に示す層104~119を、GaAs基板118上にMOCVD法により成長させた。次に、図3Bに示されるように、n型コンタクト層112上に、フォトリソグラフィにより80μm四方を有する正方形のレジスト膜を形成した。このレジスト膜を第1のマスク120として用いて、BCl3およびSF6の混合ガスを用いたICPプラズマエッチングにより、n型コンタクト層112および第1のn型バリア層109を除去した。さらに、同じガスを用いて、わずかにn型GaAs層104の周囲部分が残るように、ほとんど全てのn型GaAs層104の周囲部分をエッチングした。エッチング後、n型GaAs層104の残っている周辺部分の厚みを透過型電子顕微鏡により測定した。厚みは4ナノメートルであった。剥離液を用いて第1のマスク120を除去した。除去後、第2のマスク121として、90マイクロメートル四方の正方形のレジスト膜を形成した。レジスト膜の中心は、第1のマスク120の中心と一致した。第2のマスク121を用いて、n型GaAs層104、p型GaAs層103、p型バリア層110、トンネル効果層108、および第2のn型バリア層111をエッチングした。さらに、図3Cに示されるように、わずかにn型InGaP層106の周囲部分が残るように、ほとんど全てのn型InGaP層106の周囲部分をエッチングした。エッチング後、n型InGaP層106の残っている周辺部分の厚みを透過型電子顕微鏡により測定した。厚みは4nmであった。剥離液を用いて第2のマスク121を除去した。除去後、第3のマスク122として、一辺100マイクロメートルの正方形のレジスト膜を形成した。レジスト膜の中心は、第1のマスク120および第2のマスク121の中心と一致した。第3のマスク122を用いて、図3Dに示されるように、n型InGaP層106、p型InGaP層105、p型窓層107、およびn型コンタクト層113をエッチングし、犠牲層119を露出させた。剥離液を用いて第3のマスク112を除去した。除去後、図3Eに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜および250ナノメートルの厚みを有する金膜をn型コンタクト層112上に積層し、n側電極114を形成した。次に、図3Eに示されるように、400ナノメートルの厚みを有するSiNからなる絶縁膜116を、プラズマCVD装置を用いて形成した。次に、n側電極114が形成された面に、ワックスをスピンコーターにより塗布した。ワックスが乾燥された後、図3Fに示されるように、n側電極114をガラス製の下地基板123に固定した。固定後、クエン酸および過酸化水素の混合液を用いて、GaAs基板118を除去した。続いて、バッファードフッ酸を用いて犠牲層119を除去して、p型コンタクト層113を露出させた。このようにして、図3Fに示される構造を得た。図3Gに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜、150ナノメートルの厚みを有する白金膜、および250nmの厚みを有する金膜をp型コンタクト層1013上に順次成膜し、p側電極115を形成した。p側電極115を形成後、イソプロパノールを用いてワックスを溶かし、下地基板123を除去した。このようにして、図3Hに示される太陽電池素子102を得た。集光レンズ101の焦点位置の中心が、太陽電池素子102の中心と一致するように、得られた太陽電池素子102を集光レンズ101に貼り付けた。このようにして、実施例1による太陽電池を得た。実施例1による太陽電池に、w6=80マイクロメートルおよびw7=w8=10マイクロメートルの条件下で太陽光を照射した。実施例1による太陽電池の電圧-電流特性を測定し、変換効率を算出した。表2は、後述される実施例2~13および比較例1~16のデータと共に、これらを示す。変換効率は、以下の等式Iに従って算出した。変換効率=太陽電池からの最大出力値/太陽光のエネルギー等式I上記等式において記述された最大出力値は、非特許文献1の図1.8にパワー密度として示されるように、以下の等式IIで定義される出力値の最大値である。出力値=太陽電池から得られる電流密度太陽電池から得られるバイアス電力等式II詳しくは、非特許文献1に開示された11頁~13頁を参照せよ。実施例2d2=d3=2ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例3d2=d3=1ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例4d5=d6=5ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例5d5=d6=2ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例6d5=d6=1ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例7w1=89.8マイクロメートルおよびw2=w3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例8w1=89マイクロメートルおよびw2=w3=0.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例9w1=89.8マイクロメートルおよびw4=w5=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例10w1=89マイクロメートルおよびw4=w5=0.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例11w6=76マイクロメートルおよびw7=w8=12マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例12w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=60マイクロメートル、およびw7=w8=20マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例13w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=56マイクロメートル、およびw7=w8=22マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例1d2=d3=2.4マイクロメートル、d4=d5=0.9マイクロメートル、およびw6=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例2d2=d3=2.4マイクロメートル、およびd4=d5=0.9マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例3w6=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例4d2=d3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例5d2=d3=0.01マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例6d2=d3=0.005マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例7d2=d3=0マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例8d5=d6=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例9d5=d6=0.01マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例10d5=d6=0マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例11w1=89.9マイクロメートルおよびw2=w3=0.05マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例12w1=89.9マイクロメートルおよびw4=w5=0.05マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例13w6=88マイクロメートルおよびw7=w8=6マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例14w6=84マイクロメートルおよびw7=w8=8マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例15w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=68マイクロメートルおよびw7=w8=16マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例16w1=60マイクロメートル、w2=w3=w4=w5=10マイクロメートル、w6=64マイクロメートル、およびw7=w8=18マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。表2から明らかなように、以下の不等式のセット:d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、d5<d4、d6<d4、1ナノメートル≦d5≦5ナノメートル、1ナノメートル≦d6≦5ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、100ナノメートル≦w4、100ナノメートル≦w5、およびw6≦w1が充足されるときに、約28以上の高い変換効率が達成される。実施例1~13および比較例1~2は、以下の不等式のセット:d2<d1、d3<d1、d5<d4およびd6<d4が充足されることが必要であることを示す。実施例1~3および比較例4~7は、以下の不等式のセット:1ナノメートル≦d2≦4ナノメートルおよび1ナノメートル≦d3≦4ナノメートルが充足されることが必要であることを示す。実施例1、4~6および比較例8~10は、以下の不等式のセット:1ナノメートル≦d5≦5ナノメートルおよび1ナノメートル≦d6≦5ナノメートルが充足されることが必要であることを示す。実施例7~8および比較例11は、以下の不等式のセット:100ナノメートル≦w2および100ナノメートル≦w3が充足されることが必要であることを示す。実施例9~10および比較例12は、以下の不等式のセット:100ナノメートル≦w4および100ナノメートル≦w5が充足されることが必要であることを示す。実施例1、11~13および比較例13~16は、以下の不等式:w6≦w1が充足されることが必要であることを示す。