半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板に配され、前記光電変換部で生じた電荷を保持する電荷保持部と、前記半導体基板に配され、前記電荷保持部で保持された電荷が転送されるフローティングディフュージョン部と、前記半導体基板の上に配され、前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配された第1のゲート電極と、前記半導体基板の上に配され、前記電荷保持部と前記フローティングディフュージョン部との間に配された第2のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、前記電荷保持部の上と、少なくとも前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の上とに配された第1の部分と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間であって、前記半導体基板の表面側に前記第1の部分から延在した第2の部分と、によって構成される遮光部を有する固体撮像装置。前記第2のゲート電極の上に、前記第2のゲート電極へ電圧を供給するためのプラグが配され、前記遮光部は、前記プラグを囲う開口を有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1のゲート電極は前記電荷保持部の上に延在している請求項1あるいは2のいずれかに記載の固体撮像装置。前記遮光部は、前記光電変換部の前記第1のゲート電極側の一部の上に延在している請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1のゲート電極と前記遮光部とを接続するコンタクトのプラグを有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第2のゲート電極と前記遮光部とを接続するコンタクトのプラグを有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置は、複数の配線層を有し、前記遮光部は、前記複数の配線層よりも前記半導体基板側に配されている請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置からの出力される信号を処理する処理部と、を有する撮像システム。特許文献1に記載の構成において、遮光部は配線層を有する層間絶縁膜の上に配されており、斜め光が遮光部の開口から電荷保持部へと入射しやすい。また、素子への電圧の供給などのためコンタクトを設ける場合には、コンタクトのプラグのために遮光部に開口を設ける必要があり、より斜め光が容易に電荷保持部に入射してしまう。このような斜め光によって生じた電荷が電荷保持部で保持している画像形成用の電荷に混入してしまうと、得られる画像の劣化をもたらしてしまう。そこで、本発明においては、遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供することを目的とする。本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板に配され、前記光電変換部で生じた電荷を保持する電荷保持部と、前記半導体基板に配され、前記電荷保持部で保持された電荷が転送されるフローティングディフュージョン部と、前記半導体基板上に配され、前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配された第1のゲート電極と、前記半導体基板上に配され、前記電荷保持部と前記フローティングディフュージョン部との間に配された第2のゲート電極と、を有する固体撮像装置において、前記電荷保持部の上と、少なくとも前記第1のゲート電極あるいは前記第2のゲート電極の上とに配された第1の部分と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間であって、前記半導体基板の表面側に前記第1の部分から延在した第2の部分と、によって構成される遮光部を有する。本発明によれば、遮光性能を向上させた電荷保持部を有する固体撮像装置、及びそれを用いた撮像システムを提供することが可能となる。本発明の固体撮像装置は、半導体基板に配された光電変換部と、電荷保持部と、フローティングディフュージョン部とを有する。そして、半導体基板上の光電変換部と電荷保持部との間には第1のゲート電極が配され、半導体基板上の電荷保持部とフローティングディフュージョン部との間には第2のゲート電極が配される。そして、本発明の固体撮像装置は、電荷保持部の上と、少なくとも第1のゲート電極あるいは第2のゲート電極の上に配された第1の部分を有する遮光部を有する。ここで、遮光部は、第1のゲート電極と第2のゲート電極との間に配され、半導体基板の表面側に第1の部分から延在した第2の部分と、を有する。このような構成によって、斜め光の電荷保持部への入射を抑制し、遮光性能を向上させることが可能となる。以下、ある部材と別の部材との接続のための導電体からなるプラグをコンタクトプラグと称する。また、半導体基板の表面から半導体基板の内部へ向かう方向を下方向とし、その反対を上の方向とする。実施例1本実施例の固体撮像装置について、図1乃至3を用いて説明する。まず、図1は本実施例の固体撮像装置の4画素分の回路図を示している。図1において、画素100は2行2列で配列されている。画素100は、光電変換部101、電荷保持部102、第1の転送用トランジスタ104、第2の転送用トランジスタ105、増幅用トランジスタ106、選択用トランジスタ107、リセット用トランジスタ108と、を含む。更に、画素100は、不要電荷排出用のオーバーフロードレイン以下OFDのための第3の転送用トランジスタ109を含む。画素100において、103は浮遊拡散部フローティングディフュージョン部、以下FD部を含むノードである。電源線110及び電源線111は所定の電圧を供給する配線である。電源線110はOFD用のトランジスタ109の主電極領域と接続している。電源線111は、リセット用トランジスタ及び選択用トランジスタの主電極領域と接続している。RES、TX1、TX2、SEL、TX3は各トランジスタのゲート電極にパルスを供給する制御線であり、垂直走査回路不図示からパルスが供給される。RESはリセット用トランジスタ108、TX1は第1の転送用トランジスタ104、TX2は第2の転送用トランジスタ105のゲート電極にパルスを供給する制御線である。SELは選択用トランジスタ107、TX3は第3の転送用トランジスタ109のゲート電極にパルスを供給する制御線である。OUTは信号線である。図1に示されているnやmは自然数であり、ある行nとその隣の行n1、ある列mとその隣の列m1とを示している。信号線OUTから出力された信号は読み出し回路不図示に保持され、増幅や加算等の処理がなされ、固体撮像装置の外部へ信号が出力される。この時、信号の加算等の処理や外部への信号出力を制御する制御信号が水平走査回路不図示から供給されうる。また、信号線OUTには増幅用トランジスタとソースフォロア回路を構成する定電流源が設けられる。図1において、画素100とは、1つの光電変換部101を含む構成であり、光電変換装置の構成における最小の繰り返し単位である。図1の画素100における、グローバルシャッターの動作は次のようになる。ある蓄積期間が経過した後に、光電変換部101にて生じた電荷は、第1の転送用トランジスタ104を介して、電荷保持部102へと転送される。電荷保持部102にてある蓄積期間の信号電荷を保持している間、光電変換部101では再び信号電荷の蓄積が始まる。電荷保持部102の信号電荷は第2の転送用トランジスタ105を介してFD部を含むノード103へと転送され、増幅用トランジスタ106から信号として出力される。また、電荷保持部102にて信号電荷を保持している間に光電変換部101にて生じた電荷が電荷保持部102へ混入しないように、第3の転送用トランジスタ109によって光電変換部101の電荷を排出させる場合もある。リセット用トランジスタ108は、電荷保持部102から信号電荷が転送される前にFD部を含むノード103を所定の電位に設定するリセット動作。この時のFD部を含むノード103の電位をノイズ信号として増幅用トランジスタ106を介して信号線OUTへ出力する。このノイズ信号と後に出力される信号電荷に基づく信号との差分をとることで、ノイズ信号を除去することが可能となる。図2aは図1の回路図に対応した固体撮像装置の平面模式図であり、図2bは図2aのAB線における固体撮像装置の断面模式図である。図2aおよび図2bにおいて、ゲート電極よりも上に配される配線層、絶縁膜などの一部の構成について省略している。図2aにおいて、画素200は、図1の画素100に対応し、2行2列に配されている。ここでは、画素200の領域を仮想的に矩形に区切っている。画素200の構成について、4つの画素のうちの1つに着目して説明する。画素200には、光電変換部201と、電荷保持部202とが隣接して配されている。光電変換部201と、電荷保持部202との間には、電荷を転送するための第1の転送用トランジスタのゲート電極204が配される。また、本実施例では、平面的に見て、ゲート電極204は電荷保持部202の全面を覆って延在している。このゲート電極204が電荷保持部202の上まで配されていることで、電荷保持部202への光の入射を低減させることが可能となる。また、電荷保持部202の上に配されているゲート電極204に供給される電圧を制御することによって、電荷保持部202の暗電流を低減することが可能である。なお、第1の転送用トランジスタの主電極領域は、光電変換部201と、電荷保持部202とを含む。さらに、画素200には、電荷保持部202から電荷を転送する第2の転送用トランジスタのゲート電極205と、FD部203と、第3の転送用トランジスタのゲート電極209とが配置されている。ゲート電極209の隣には主電極領域207が配される。主電極領域207は、光電変換部で生じた電荷のうち不要な電荷を排出する領域である。ここでゲート電極204を第1のゲート電極とし、ゲート電極205を第2のゲート電極とする。図2aにおいて、コンタクトプラグ206はFD部203と増幅用トランジスタのゲート電極との接続、およびFD部203とリセット用トランジスタの主電極領域との接続のために、FD部203に配置されている。コンタクトプラグ208は、主電極領域207と電源線との接続のために、主電極領域207に配置されている。コンタクトプラグ213は、第2のゲート電極205と制御線との接続のために、第2のゲート電極205に配置されている。ここで、図1の画素100に示される画素が含む他の構成については、図2の領域211に配置されているものとする。また、以下の実施例において、信号電荷は電子であり、図1の画素100の複数のトランジスタがN型のMOSトランジスタであるとする。ここで、光電変換部202は少なくとも、電荷蓄積部として機能するN型の半導体領域を含む。電荷保持部は電荷が蓄積可能なN型の半導体領域を有する。FD部はN型の半導体領域を有し、第3の転送用トランジスタの主電極領域206はN型の半導体領域を有する。また、各素子が配置された活性領域の周囲には、素子分離領域210が配置される。素子分離領域210にはSTIShallowTrenchIsolation、LOCOSLocalOxidationofSilicon、PN接合分離などを用いた分離構造が配されている。図2aにおいて、複数の画素200に渡って遮光部212が配されている。遮光部212は、電荷保持部202と、第2のゲート電極205の少なくとも一部の上に配されている。本実施例において遮光部212は、電荷保持部202の上と、第1のゲート電極204の上と、第2のゲート電極205の上と、素子分離領域210の一部の上に配されている。また、図2aに示すように、遮光部212が光電変換部の第1のゲート電極204側の一部に延在していてもよい。遮光部212は、複数のコンタクトプラグのために複数の開口214を有し、FD部203の一部と第2のゲート電極205の一部の上には配されていない。遮光部212は、光電変換部201および他のコンタクトプラグが配される領域を除いて、画素の他の構成の上に配置されていてもよい。ここで、ゲート電極204、205の材料としてはポリシリコンなど、遮光部の材料としてはタングステン、アルミニウムなどが挙げられる。図2bは、図2aのAB線における固体撮像装置の断面模式図である。図2bにおいて、表面221を有するP型の半導体基板220に、図2aの光電変換部201を構成するN型半導体領域222と、半導体基板220の表面221側に配置されるP型半導体領域223とが配されている。また、半導体基板220に、図2aの電荷蓄積部202を構成するN型半導体領域224が配される。そして、半導体基板220上には、第1のゲート電極204と、第2のゲート電極205とが配されている。第2のゲート電極205の上に、第2のゲート電極205と接続するコンタクトプラグ206とが配されている。図2bにおいて、図2aの遮光部212は、第1のゲート電極204および第2のゲート電極205を覆う第1の部分225に加えて、第1のゲート電極204と第2のゲート電極205との間の第2の部分226とを有する。第1の部分225および第2の部分226は、第1の部分225の底面227よりも第2の部分226の底面228は半導体基板の表面221側に位置するように構成されている。このような構成によって、コンタクトプラグ206のための遮光部212の開口214から入射する光、あるいは入射した光に伴う電荷が電荷保持部202や光電変換部201に混入することを低減することが可能となる。ここで、より詳細に第1の部分225と第2の部分226の配置を説明する。第1の部分225は第1のゲート電極204と第2のゲート電極205の上を覆い、第1のゲート電極204と第2のゲート電極205との間にも延在している。第2の部分226は、半導体基板220の表面221の上方から表面221を見た際に、各構成の形状を表面221に投影してみると、第1のゲート電極204と第2のゲート電極205との間に配される。そして、半導体基板220の表面221に対して垂直にとった断面から見ると、第2の部分226は、その底面228が半導体基板の表面221に対して第1のゲート電極204と第2のゲート電極205の底面229と同じ距離となる位置に配置されている。ここで、第2の部分226は、少なくとも、第2の部分226の底面228が第1の部分225の底面227よりも半導体基板の表面221側に位置するように配されていればよい。ここでは、第1の部分225と第2の部分226とは一体である。よって、遮光部は、第1のゲート電極204から第2のゲート電極205へと、その間の領域を覆いつつ延在し、その間において半導体基板220の表面側に延在しているともいえる。また、図2bにおいて遮光部212は、FD部203に配されるコンタクトプラグ206不図示と同一高さに配され、また、遮光部212は金属で形成される配線層不図示の下に配されている。遮光部212を配線層よりも半導体基板の表面221側に配することで、より遮光性能を向上させることが可能となる。図2bの第2の部分226は、以下のように形成可能である。第1のゲート電極204と第2のゲート電極205とが形成された後、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜を、第1のゲート電極204および第2のゲート電極205を覆い、それらの形状を踏襲するように形成する。ここで、絶縁膜は、第1のゲート電極204および第2のゲート電極205の形状を踏襲するため、その表面に凹部を有する。その後、絶縁膜上に遮光部となる金属膜を形成することで、絶縁膜の凹部に金属膜が形成される。そして、金属膜の残したい部分以外をエッチング等によって除去することで、遮光部212が形成される。次に、図3を用いて、本実施例の構成について更に説明する。図3aは図2bに示した本実施例の固体撮像装置の断面模式図であり、図3bは比較のための固体撮像装置の断面模式図である。図3aと図3bとの違いは、図3bは第2の部分226を有さない点である。図3a及び図3bにおいて、遮光部212の開口214から同様に斜め光が入射した場合を示している。図3bの構成においては、光302は電荷蓄積部202などの素子に容易に入射してしまうことが分かる。また、光302が素子には入射しなかったとしても、半導体基板220に入射することで電荷が発生し電荷保持部202や光電変換部201に混入してしまう。このような電荷が電荷保持部202や光電変換部201に混入すると、画像信号にノイズが生じてしまう。一方、図3aにおいては、第2の部分226によって、光301の半導体基板301へ入射を低減することが可能となる。また、本実施例において遮光部212は、電荷保持部202の上と、第1のゲート電極204の上と、第2のゲート電極205の上と、を覆って配置されている。詳細には、それらのコンタクトプラグを除く全面を覆って配置されている。しかし、遮光部は少なくとも第1のゲート電極204あるいは第2のゲート電極205の電荷保持部202側の一部上に配されていればよい。遮光部212は電荷保持部202のみに配置しようとすると、電荷保持部202の第1のゲート電極側の端あるいは第2のゲート電極205側の端に遮光部が覆っていない領域が生じてしまうため、ゲート電極の一部上にも配置することが好ましい。しかし、このような場合においても、図3bと同様に光の混入が生じる可能性があるため、図3aのように第2の部分226を設けることが望まれている。以上、本実施例の固体撮像装置によれば、斜め光の電荷保持部への入射を抑制し、遮光性能を向上させることが可能となる。なお、本実施例においては第1のゲート電極と制御線との接続のためのコンタクトプラグはここでは省略しているが同様に遮光部212に開口214を設けてコンタクトプラグを配することが可能である。また、第1のゲート電極を隣接画素の領域に延在させコンタクトプラグを配置する場所を隣接画素の領域に配してもよい。実施例2本実施例の固体撮像装置について、図4を用いて説明する。図4aは固体撮像装置の平面模式図であり、図4bは図4aのCD線における固体撮像装置の断面模式図である。図4aおよび図4bは、図2aおよび図2bに対応しており、それらと同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。図4aにおいて、実施例1との相違点はコンタクトプラグ401を有する点である。コンタクトプラグ401は遮光部212と第1のゲート電極204とを電気的に接続する。このような構成によって、コンタクトプラグのための遮光部の開口を設ける必要がないため、より遮光性能を高めることが可能となる。また、このような構成によって、遮光部212が第1のゲート電極204へ電圧を供給する制御線を兼ねることが可能となり、配線の数を削減することが可能となる。コンタクトプラグ401は、図4bに示すように、第1のゲート電極204と遮光部212の第1の部分225との間に配置されている。第1のゲート電極204と第1の部分225との間に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜が配されている。この絶縁膜にコンタクトホールを形成し、導電体を埋め込むことによってコンタクトプラグ401が形成される。あるいは、絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、遮光部212となる金属膜を形成することで、遮光部212と同時にコンタクトプラグ401を形成することも可能である。この工程は一般の半導体製造技術によって形成可能であるため、詳細な説明は省略する。また、図4bに示すように、遮光部212は第2の部分226を有することで遮光性能を向上させることが可能となる。なお、図4bのN型半導体領域402は図4aにおけるFD領域203を構成する。以上、本実施例の固体撮像装置によれば、斜め光の電荷保持部への入射を抑制し、遮光性能を向上させることが可能となる。また、遮光部と第1のゲート電極とを接続することで、第1のゲート電極のコンタクトプラグのための遮光部の開口を削減することが可能となり、遮光性能を向上させることが可能となる。実施例3本実施例の固体撮像装置について、図5を用いて説明する。図5aは固体撮像装置の平面模式図であり、図5bは図5aのEF線における固体撮像装置の断面模式図である。図5aおよび図5bは、図2aおよび図2b、図4aおよび図4bに対応しており、それらと同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。図5aにおいて、実施例2との相違点は図4aにおけるコンタクトプラグ401ではなく、コンタクトプラグ501を有する点である。コンタクトプラグ501は遮光部212と第2のゲート電極205とを電気的に接続する。このような構成によって、コンタクトプラグのための遮光部の開口を設ける必要がないため、より遮光性能を高めることが可能となる。また、このような構成によって、遮光部212が第2のゲート電極204へ電圧を供給する制御線を兼ねることが可能となり、配線の数を削減することが可能となる。図5bに示すように、コンタクトプラグ501は、実施例2のコンタクトプラグ401と同様に、第2のゲート電極205と遮光部212の第1の部分225との間の絶縁膜中に配置されている。この構成は実施例2のコンタクトプラグ401と同様であるので詳細な説明は省略する。また、図5bにおいても、遮光部212は第2の部分226を有することで遮光性能を向上させることが可能である。よって、本実施例の固体撮像装置によれば、斜め光の電荷保持部への入射を抑制し、遮光性能を向上させることが可能となる。また、遮光部と第2のゲート電極とを接続することで、コンタクトプラグのための遮光部の開口を削減することが可能となり、遮光性能を向上させることが可能となる。実施例4本実施例の固体撮像装置について、図6を用いて説明する。図6aは固体撮像装置の平面模式図であり、図6bは図6aのGH線における固体撮像装置の断面模式図であり、図6cは図6aのIJ線における固体撮像装置の断面模式図である。図6aは図2aと対応しており、図6bおよび図6cは図2bに対応している。図6a~cにおいて、図2aおよび図2bと同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。本実施例は、図6aおよび図6cに示すように、第1のゲート電極204が電荷保持部202の全面を覆っていない点で実施例1と異なる。第1のゲート電極204は、N型半導体領域222の一部およびN型半導体領域224の一部の上に重なるように配置されている。このような構成において、遮光部212は、電荷保持部202の上と第2のゲート電極205の少なくとも一部の上に配される。さらには、遮光部212は、第1のゲート電極204の上と、素子分離領域210の一部の上とに配される。また、遮光部212は第1のゲート電極204を覆い、光電変換部201の第1のゲート電極204側の一部を覆っている。このような構成においても、図6bに示すように、第1のゲート電極204と第2のゲート電極205との間に遮光部212の第2の部分226が配される。第2の部分226によって、斜め光の電荷保持部への入射を抑制し、遮光性能を向上させることが可能となる。なお、図6aにおける601は第1のゲート電極204の上に第1のゲート電極204と接して配された、第1のゲート電極204へ電圧を供給するためのコンタクトプラグである。以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、該固体撮像装置が組み込まれた撮像システムについて例示的に説明する。撮像システムの概念には、スチルカメラやカムコーダ等の撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末も含まれる。撮像システムは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。該処理部は、例えば、デジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。以上述べてきたように、本発明の固体撮像装置によれば、光の入射を抑制することが可能となり、遮光部の遮光性能を向上させることが可能となる。よって、ノイズとなる信号の画像信号への混入を低減することが可能となり、高品質な画像を得ることが可能となる。なお、本発明の固体撮像装置は実施例に限定されるものではなく、トランジスタや半導体領域の導電型を反転させることや、異なる導電型のトランジスタを組み合わせることなども可能である。また、各実施例の構成は適宜組み合わせ可能である。