プラスチック基板と、前記プラスチック基板の一方の表面に密着して形成された熱伝導層と、前記熱伝導層の上側に設けられた第1のコンタクト層、該第1のコンタクト層の上側に設けられた第2のコンタクト層、及び該第1のコンタクト層と該第2のコンタクト層との間に設けられた所定面積の発光領域をそれぞれ有し、互いに分離された複数の半導体薄膜素子と、前記プラスチック基板を囲み、かつ前記各半導体薄膜素子の前記熱伝導層に接続された放熱用フレームとを備えることを特徴とする表示装置。前記各半導体薄膜素子の熱伝導層の表面を覆い、該熱伝導層に接する面と反対側の表面が平滑化され、該平滑化された表面に前記第1のコンタクト層が密着して接合された絶縁性を有する平滑層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記各半導体薄膜素子の第1のコンタクト層と接続される第1の配線を更に備え、前記各半導体薄膜素子の第1のコンタクト層は、前記発光領域に対応する領域から突出した突出部を有し、前記第1の配線は、前記各半導体薄膜素子の突出部の前記平滑層との接合面とは反対側の面と接続されたことを特徴とする請求項1または請求項2の何れかに記載の表示装置。前記放熱用フレームは、金属材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記放熱用フレームは、前記半導体薄膜素子が発する熱を前記熱伝導層を介して受け入れて放熱する放熱板であることを特徴とする請求項1または請求項4の何れかに記載の表示装置。前記熱伝導層は、金属材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記熱伝導層は、前記第1のコンタクト層と対向する領域が厚膜化されていることを特徴とする請求項1または請求項6の何れかに記載の表示装置。前記平滑層は、前記各半導体薄膜素子の第1のコンタクト層との接合面の表面荒さを示す凹凸の高低差が5nm以下となるように積層された平滑コーティング層であることを特徴とする請求項1または請求項2の何れかに記載の表示装置。前記平滑層は、厚さが2μm以下に設定されることを特徴とする請求項1、請求項2、請求項8の何れかに記載の表示装置。前記第1の配線は、前記プラスチック基板上に形成された前記各半導体薄膜素子のカソードを接続すべく金属材料を薄膜積層した導電薄膜から成る金属配線であることを特徴とする請求項1または請求項3の何れかに記載の表示装置。しかしながら、ガラス基板の代わりにプラスチック基板を用いた表示装置では、プラスチック基板の熱伝導率が低く、放熱性が悪いために、安定した特性を得ることが難しく、信頼性に欠けるという解決すべき課題が残されていた。特開2006-269716号公報本発明は、プラスチック基板と、上記プラスチック基板の一方の表面に密着して形成された熱伝導層と、上記熱伝導層の上側に設けられた第1のコンタクト層、該第1のコンタクト層の上側に設けられた第2のコンタクト層、及び該第1のコンタクト層と該第2のコンタクト層との間に設けられた所定面積の発光領域をそれぞれ有し、互いに分離された複数の半導体薄膜素子と、上記プラスチック基板を囲み、かつ上記各半導体薄膜素子の上記熱伝導層に接続された放熱用フレームとを備えることを特徴とする。本発明によれば、放熱用フレームの内側に複数の半導体薄膜素子を設け、各半導体薄膜素子の熱伝導層と該放熱用フレームとを接続したので、各半導体薄膜素子の内部に発生する熱を効率よく放熱することが可能になり、長寿命、且つ、大出力で、信頼性の高い表示装置を実現できるという効果を得る。以下、本発明の一実施形態を図を用いて詳細に説明する。図1は、実施例1の表示装置の全体構造平面図である。図に示すように、実施例1の表示装置1は、複数の、半導体薄膜素子としての薄膜LED102がプラスチック基板100上にマトリックス状に配列されている。更に、複数の薄膜LED102の同一の列のアノード電極が接続用パット108を有する横配線104に接続され、複数の薄膜LED102の同一の行のカソード電極が接続用パット108を有する縦配線103に接続されている。図2は、実施例1の表示装置の拡大平面図である。図3は、実施例1の表示装置の断面拡大図である。この図は、図2における薄膜LED102を含むA-A断面矢視図である。図2及び図3を用いて表示装置1及び薄膜LED102を詳細に説明する。図2に示すように表示装置1は、プラスチック基板100と、半導体薄膜素子としての薄膜LED102と、縦配線103と、横配線104と、層間絶縁膜105と、接続配線横106とを備える。プラスチック基板100は、薄膜LED102を実装するための基板であり、ポリエチレンテレフタレートPETに代表される有機材料を用いた薄板である。有機材料としては、他にポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、あるいは、アラミドを用いてもよい。薄膜LED102は、プラスチック基板100上に薄膜状に形成されるMドット×NドットのLEDである。縦配線103は、プラスチック基板100上に形成された薄膜LED102のカソードを接続する導電薄膜である。この縦配線103は、金もしくはアルミニュウム、もしくは上記の金属材料とニッケル、チタンなどの金属材料がプラスチック基板100上で薄膜積層された金属配線で、各薄膜LED102のカソードにそれぞれ電気的に接続されている。尚、本実施例では、縦配線103は、裏面電極107図3と一体化されている。横配線104は、プラスチック基板100上に形成された薄膜LED102のアノードを接続する導電薄膜である。この横配線104は、金もしくはアルミニュウム、もしくは上記の金属材料とニッケル、チタンなどの金属材料がプラスチック基板100上で薄膜積層された金属配線で、各薄膜LED102のアノードにそれぞれ電気的に接続されている。層間絶縁膜105は、縦配線103と、横配線104との間の層間絶縁を図るために積層される、例えば酸化シリコン等の絶縁薄膜である。接続配線横106は、後に説明する上側コンタクト層109図3と、横配線104とを接続する金もしくはアルミニュウム、もしくは上記の金属材料とニッケル、チタンなどの金属材料がプラスチック基板100上で薄膜積層された金属配線である。図3に示すように、上側コンタクト層109と、上側クラッド層110と、活性層111と、下側クラッド層112と、下側コンタクト層113とが積層され、その側面斜面が層間絶縁膜105で覆われた薄膜LED102が裏面電極107を介してプラスチック基板100上に積層されている。裏面電極107は、薄膜LED102を発光させるための電界強度を上側コンタクト層109との間に印加するための電極であると共に、本発明では、薄膜LED102を発光させる際に発せられる熱量を効率よく放熱することを可能とする放熱用のメタル層である。尚、本実施例では、縦配線103図2と一体化されている。即ち、薄膜LED102は、放熱層として形成された裏面電極107、例えばAu、AuGeNi、Al、AlNd、Ti、Ni、Pt、Ag、Pd、Cu等のメタル層や、例えばITO、ZnO2およびIn2O3等の透明電極層の表面に、水素結合による分子間力によって強固に接合されていることを特徴としている。なお、これらの放熱層は、公知の蒸着法、およびスパッタ法により形成されていることを特徴としている。そして熱伝導率が50W/mK以上であることが望ましい。上記のように、薄膜LED102と放熱層として形成された裏面電極107とは、水素結合による分子間力により強固に接合されていることを特徴とするため、薄膜LED102のボンディング面、およびボンディングされるプラスチック基板表面は、表面荒さ、即ち凹凸のピークと谷の典型的な高低差が約5nm以下となるように制御されていることが望ましい。また、ボンディング力をより強固な状態にするために、それらのボンディング面は、エネルギー波、例えばプラズマ装置などによって洗浄、および活性化が行われていることが望ましい。また、活性剤を塗布することも、接合面を活性化する方法の一つである。薄膜LED102は、複数個分を一体として短冊状に生成されたLED薄膜が放熱層として形成された裏面電極107の表面に水素結合による分子間力により強固に接合された後、フォトリソエッチング法によって形成される。上記LED薄膜は、公知の有機金属化学蒸着法MOCVD法、有機金属化学気相エピタキシー法MOVPE法、および分子線エピタキシー法MBE法などによって、GaAs基板、サファイア基板、InP基板、ガラス基板、石英基板あるいはSi基板上に犠牲層を介在させて成長させたものである。LED薄膜薄膜LED102は、例えば5μm以下と非常に薄膜化することが可能であるため、非常にフレキシブル性に富んでいることを特徴としている。また、LED薄膜薄膜LED102は、液晶、有機ELとは異なり、非常に高品質、高信頼性を有する材料として実績の高い、半導体エピタキシャル成長法により製作された材料を使用しているため、高品質、高信頼性を確保することができる材料であることを特徴としている。LED薄膜は、選択的にエッチングが可能な犠牲層を設けるようにエピタキシャル成長されており、その犠牲層を選択的にエッチングすることによりLED薄膜としてリフトオフ法を用いて形成されている。また、選択的に犠牲層をエッチングすることが困難な化合物半導体、例えばGaN系のLED素子などの場合には、薄膜化する手段の一つとして、基板裏面をグラインド処理する手段を用いることができる。この場合には、LED発光素子として必要となるエピタキシャル成長層を含む約50μm以下の厚さとなるよう薄膜化し、そのLED薄膜を発光素子として使用するとよい。フレキシブル基板上に形成されたLED薄膜は、公知のホトリソグラフィー技術により薄膜LED102として配列形成される。プラスチック基板100上に形成された薄膜LED102は、横配線104と、縦配線103との間を順バイアス方向に電流を注入されることにより発光する。薄膜LED102は、例えば5μm以下とすることが可能であるため、フレキシブルに扱うことが可能であり、プラスチック基板100上に形成した際においても、高品質、高信頼性を確保した発光素子として動作することを特徴としている。なお、薄膜LED102を動作させる際には、発光に寄与しない電力、あるいは放出光の吸収等により、多量の熱量が発生する。ここで、本発明により放熱層として形成された裏面電極107を介し、その発生した熱量が効率よく装置外へ放出される。効果の説明以上説明したように、放熱層として形成された裏面電極107をプラスチック基板100と薄膜LED102との間に介在させることにより、薄膜LED102の内部に発生する熱を効率よく放熱することが可能となる。したがって、長寿命、且つ、大出力で信頼性の高い薄膜LEDを用いた表示装置を実現できるという効果を得る。図4は、実施例2の拡大平面図である。図5は、実施例2の表示装置の断面拡大図である。この図は、図4における薄膜LED102を含むA-A断面矢視図である。図4及び図5を用いて表示装置2及び薄膜LED102を詳細に説明する。尚、実施例2の表示装置の全体構造平面図は、上記図1と同様なので説明を省略する。図4に示すように表示装置2は、プラスチック基板100と、半導体薄膜素子としての薄膜LED102と、縦配線103と、横配線104と、層間絶縁膜204と、接続配線横106とを備える。以下に実施例1と相違する部分のみについて説明する。実施例1と同様の部分については実施例1と同一の符号を付して説明を省略する。層間絶縁膜204は、縦配線103と、横配線104との間の層間絶縁を図るために積層される、例えば酸化シリコン等の絶縁薄膜である。更に、本実施例では厚膜熱伝導層203図5を覆う絶縁薄膜でもある。図5に示すように、上側コンタクト層109と、上側クラッド層110と、活性層111と、下側クラッド層112と、下側コンタクト層113とが積層され、その側面斜面が層間絶縁膜204で覆われた薄膜LED102が、厚膜熱伝導層203を介して裏面電極107上に積層されている。厚膜熱伝導層203は、薄膜LED102の発熱領域直下に設けられた5μmから100μm放熱メタル層である。この厚膜化する手法としては例えば、電解メッキ等があり、発熱領域の直下のみを局所的に厚膜化するようにパターニングすることも可能である。また電解メッキ材料としても、実施例1と同様に様々な材料があるが、こちらに関しても熱伝導率が50W/mK以上の特性を有することが望ましい。本実施例に示したプラスチック基板100上に形成された薄膜LED102も、実施例1と同様に、横配線104と、縦配線103との間を順バイアス方向に電流を注入することにより発光する。また、実施例1と同様に、LED薄膜薄膜LED102も例えば5μm以下とすることが可能であるため、フレキシブルに扱うことが可能であり、プラスチック基板100上に形成した際においても、高品質、高信頼性を確保した発光素子として動作することを特徴としている。そして、実施例2では、発熱領域の直下に、厚膜化した厚膜熱伝導層203が設けられていることを特徴としているため、発熱量が集中する領域において、局所的に熱容量を大きくすることができる。したがって、実施例1と比較して、急激な温度変化にも対応可能であり、且つ、効率よく放熱することが可能となる。効果の説明薄膜LED102の発熱領域の直下に厚膜化した放熱用メタル層厚膜熱伝導層203を設けることにより、熱容量が大きくなり、急激な温度変化にも対応可能であり、さらに効率よく放熱することが出来るという効果を得る。図6は、実施例3の表示装置の全体構造平面図である。図に示すように、実施例3の表示装置3は、複数の、半導体薄膜素子としての薄膜LED102がプラスチック基板100上に積層された、熱伝導層310、及び、平滑層301の上にマトリックス状に積層されている。又、複数の薄膜LED102の同一の列のアノード電極が接続用パット108を有する横配線104に接続され、複数の薄膜LED102の同一の行のカソード電極が接続用パット108を有する縦配線103に接続されている。更に、表示装置3の周囲4辺には放熱用メタルフレーム303が積層されている。ここで、放熱用メタルフレーム303は、薄膜LED102が発生する熱を熱伝導層310を介して受け入れて、気中に放熱する放熱板である。図7は、実施例3の表示装置の拡大平面図である。図8は、実施例3の表示装置の断面拡大図であるその1。この図は、図7における薄膜LED102を含むA-A断面矢視図である。図7及び図8を用いて表示装置3及び薄膜LED102を詳細に説明する。図7に示すように表示装置3は、プラスチック基板100上に積層された熱伝導層310図8及び平滑層301の上にマトリックス状に積層されている半導体薄膜素子としての薄膜LED102と、縦配線305と、横配線104と、層間絶縁膜105と、接続配線横106と、接続配線縦308を備える。以下に実施例1と相違する部分のみについて説明する。実施例1と同様の部分については、実施例1と同一の符号を付して説明を省略する。熱伝導層310図8は、薄膜LED102で発生した熱を放熱させるためプラスチック基板100上に積層された、例えばAu、AuGeNi、Al、AlNd、Ti、Ni、Pt、Ag、Pd、Cu等のメタル層であり公知の蒸着法、およびスパッタ法により形成されていることを特徴としている。そして熱伝導率が50W/mK以上であることが望ましい。平滑層301は、薄膜LED102のボンディング面の表面荒さ、即ち凹凸のピークと谷の典型的な高低差が約5nm以下となるように制御することを目的として積層された平滑コーティング層である。この平滑層301は薄膜LED102と熱伝導層310間の熱伝導を極力、遮断しないようにするために2μm以下に設定される。その材質は、通常、有機化合物材料、酸化物材料あるいは窒化物材料のいずれかが用いられることが望ましい。公知の化学気相成長法CVD法、スピンコーティング、スリットコーティング、溶液中に浸漬することによるコーティングおよびスプレーコーティングにより形成される。縦配線305は、プラスチック基板100上に形成された薄膜LED102のカソードを接続する導電薄膜である。この縦配線305は、金もしくはアルミニュウム、もしくは上記の金属材料とニッケル、チタンなどの金属材料がプラスチック基板100上で薄膜積層された金属配線で、各薄膜LED102のアノードにそれぞれ電気的に接続されている。但し、本実施例では、縦配線305は、薄膜LED102のカソードと直接接続せず、接続配線縦308を介して接続されている。図8に示すように、上側コンタクト層109と、上側クラッド層110と、活性層111と、下側クラッド層112と、下側コンタクト層113とが積層され、その側面斜面が層間絶縁膜105で覆われた薄膜LED102が、プラスチック基板100上に積層された熱伝導層302及び平滑層301の上に積層される。又、縦配線305が、薄膜LED102の下側コンタクト層113と直接接続せず、接続配線縦308を介して接続されている。本実施例に示す、プラスチック基板100上に形成された薄膜LED102も、実施例1および実施例2に示した素子同様、アノード、カソード、配線間を順バイアス方向に電流を注入することにより発光する。また、LED薄膜薄膜LED102は例えば5μm以下とすることが可能であるため、フレキシブルに扱うことが可能であり、プラスチック基板100上に形成した際においても、高品質、高信頼性を確保した発光素子として動作することを特徴としている。また、実施例1及び実施例2と同様に、薄膜LED102の裏面に熱伝導層310を形成しているため、薄膜LED102を動作させた際に発生する熱量を効率よく放熱することができる。なお、本実施例では平滑層301を熱伝導層310の上にコーティングすることにより、実施例1および実施例2で提案した機能に加え、表面平滑性を改善し、強固なボンディング性を得ることができる。効果の説明上記、実施例1および実施例2において薄膜LED102を放熱層裏面電極107、および厚膜化したメタル層厚膜熱伝導層203上に直接接合することにより、薄膜LED102から発せられる熱量は、これらの層を介し、効率的に放熱することができた。しかしながら、これらの層の表面荒さを前述したように5nm以下に調整するためには、成膜条件、成膜装置等に細心の注意を払う必要があり、それらの膜質に求められる品質が非常に制限されていた。本実施例によれば、平滑層301を裏面電極107にコーティングすることにより、実施例1の効果に加えて、表面荒さを5nm以下に容易に調整することが出来るため、熱伝導層310上に、薄膜LED102強固に接合することが出来るという効果を得る。本実施例の拡張例について以下に説明する。図9は、実施例3の表示装置の断面拡大図その2である。上記、実施例3の表示装置3は、実施例1の表示装置1の裏面電極107図3と薄膜LED102図3との間に平滑層を設けたが、本拡張例では、実施例2の表示装置2の厚膜熱伝導層203図5と薄膜LED102図5との間に平滑層を設けた場合である。この場合においても、厚膜熱伝導層203図5上にコーティングすることにより、容易に、表面荒さを5nm以下に調整することが出来るという効果を得る。その結果、厚膜熱伝導層203図5上に、薄膜LED102図5を強固に接合することが出来るという効果を得る。図10は、実施例4の表示装置の全体構造平面図である。図に示すように、実施例4の表示装置4は、複数の、半導体薄膜素子としての薄膜LED402がプラスチック基板100上にマトリックス状に配列されている。更に、複数の薄膜LED402の同一の列のアノード電極が接続用パット108を有する横配線104に接続され、複数の薄膜LED102の同一の行のカソード電極が接続用パット108を有する縦配線403に接続されている。図11は、実施例4の表示装置の拡大平面図である。図に示すように表示装置4は、プラスチック基板100と、半導体装置としての薄膜LED402と、縦配線403と、横配線104と、層間絶縁膜105と、接続配線横106とを備える。図12は、実施例4の表示装置の断面拡大図その1である。この図は、図11における薄膜LED402を含むA-A断面矢視図である。図11及び図12を用いて表示装置4及び薄膜LED402を詳細に説明する。図11に示すように、表示装置4は、プラスチック基板100と、半導体薄膜素子としての薄膜LED402と、縦配線403と、横配線104と、層間絶縁膜105と、接続配線横106とを備える。以下に実施例1から実施例3と相違する部分のみについて説明する。実施例1から実施例3と同様の部分については実施例1から実施例3と同一の符号を付して説明を省略する。縦配線403は、プラスチック基板100上に形成された薄膜LED402のカソードを接続する導電薄膜である。この縦配線403は、金もしくはアルミニュウム、もしくは上記の金属材料とニッケル、チタンなどの金属材料がプラスチック基板100上で薄膜積層された金属配線で、各薄膜LED402のカソードにそれぞれ電気的に接続されている。但し、本実施例では、縦配線403は、薄膜LED402のカソードと直接接続せず、熱伝導層および接続配線408図12を介して接続されている。図12に示すように、上側コンタクト層109と、上側クラッド層110と、活性層111と、下側クラッド層112と、下側コンタクト層113とが積層され、その側面斜面が層間絶縁膜105及び熱伝導層および接続配線408で覆われた薄膜LED402が、プラスチック基板100上に積層されている。熱伝導層および接続配線408は、薄膜LED402の全体を表面側から覆う薄膜メタル層である。薄膜メタル層は、アノード電極、あるいはカソード電極の冗長パターンから形成されることができ、また両電極からは完全に分離されたパターンとして形成することも可能である。また、該薄膜メタル層は、公知の蒸着法、あるいはスパッタ法により形成することが可能であり、アノード電極、あるいはカソード電極を形成する際に、同時に形成することも可能である。該薄膜メタル層においても、放熱特性を考慮して熱伝導率が50W/mK以上であることが望ましい。上記のような形態を用いることにより、薄膜LED402の表面側からの放熱特性が改善されていることから、実施例1から実施例3に掲載した薄膜LED402の素子構造のように薄膜LED402とプラスチック基板100との間に放熱層を設けることなく、放熱特性を改善することができる。また、実施例1から実施例3で説明したように、薄膜LED402とプラスチック基板100との間に放熱層を複合的に設けることにより、更に放熱特性改善した素子構造とすることができる。本実施例に示したプラスチック基板100上に形成された薄膜LED402も、実施例1から実施例3に示した素子同様、カソード、アノード配線間を順バイアス方向に電流を注入することにより発光する。また、LED薄膜薄膜LED402は例えば5μm以下とすることが可能であるため、フレキシブルに扱うことが可能であり、プラスチック基板上に形成した際においても、高品質、高信頼性を確保した発光素子として動作することを特徴としている。効果の説明以上説明したように、本実施例によれば、薄膜LED402を動作させた際に生じる熱量を、素子表面側に設けた熱伝導層および接続配線408を介して、効率よく放熱することが可能になるという効果を得る。又、熱伝導層および接続配線408は、アノード電極、あるいはカソード電極の冗長パターンとすることができ、さらには両電極とは電気的に分離したパターンとして形成することができる。したがって、アノード電極、あるいはカソード電極を形成する際に、同時に形成することが出来るという効果を得る。又、熱伝導層および接続配線408は、薄膜LED402の素子表面に形成することを特徴としているため、実施例1、実施例2及び実施例3とは異なり、プラスチック基板100との接合強度を考慮せずに材料選定を行うことができるという効果を得る。更に、実施例1、実施例2及び実施例3に記載した形態と複合的に用いることにより、より一層放熱特性を改善することが出来るという効果を得る。本実施例の拡張例について以下に説明する。図13は、実施例4の表示装置の断面拡大図その2である。上記、実施例4の表示装置4は、実施例3の表示装置3の薄膜LED102図8の素子表面側に熱伝導層および接続配線408を積層したが、本拡張例では、実施例1の表示装置1の薄膜LED102図3の素子表面側に熱伝導層415を積層した場合である。この場合においても、実施例4と同様の効果を得ることが出来る。図14は、実施例5の表示装置の全体構造平面図である。図に示すように、実施例5の表示装置5は、複数の、半導体薄膜素子としての薄膜LED502がプラスチック基板100上に積層され、その後に、表示装置5の全面に亘ってパッシベーション膜503後記と、熱伝導層501とが積層されている。以下に実施例1から実施例4までと異なる部分のみについて説明する。実施例1から実施例4までと同様の部分には実施例1から実施例4までと同一の符号を付して説明を省略する。図15は、実施例5の表示装置の断面拡大図である。図に示すように、上側コンタクト層109と、上側クラッド層110と、活性層111と、下側クラッド層112と、下側コンタクト層113とが積層され、その側面斜面が層間絶縁膜105と、パッシベーション膜503と、熱伝導層501とで覆われた薄膜LED502が、プラスチック基板100上に積層される。パッシベーション膜503は、素子表面に形成される透明な酸化膜、または透明な窒化膜からなる絶縁層である。この膜は、その上層に用いる熱伝導率の高い熱伝導層501への熱伝導を極力、遮断しないようにしなければならない。そこで、該パッシベーション膜503の膜厚は5000A以下で形成されていることが望ましい。なお、該酸化膜、および窒化膜は例えば、公知のプラズマCVD法、あるいはスパッタ法により形成される。熱伝導層501は、パッシベーション膜503上に積層される熱伝導率の高い膜である。例えばITO、ZnO2、In2O3等の透明導電膜であること、また導電性を有する有機化合物材料であることを特徴とする。また例えばAu、あるいはAlなどのメタル材料を、例えば100A以下に成膜することを特徴としている。これらの膜は、公知のスパッタ法、蒸着法、スピンコーティング、スリットコーティング、溶液中に浸漬することによるコーティングおよびスプレーコーティングにより形成することができる。本実施例に示したプラスチック基板100成された薄膜LED502も、実施例1から実施例4までに示した素子と同様に、カソード、アノード配線間を順バイアス方向に電流を注入することにより発光する。また、実施例1と同様、LED薄膜薄膜LED502は例えば5μm以下とすることが可能であるため、フレキシブルに扱うことが可能であり、プラスチック基板100上に形成した際においても、高品質、高信頼性を確保した発光素子として動作することを特徴としている。本実施例による素子構造では、素子表面全体を覆うように放熱用の層を設けているため、薄膜LED502を動作した際に発生する熱量を、高熱伝導率有する層熱伝導層501を介して放熱することができる。また、実施例1から実施例4に提案した素子構造を複合的に用いることにより、薄膜LED502の表面側と、裏面側から効率よく放熱することもできる。効果の説明以上説明したように本実施例によれば、薄膜LEDを動作させた際に生じる熱量を、素子表面側に設けた放熱用の高熱伝導率有する熱伝導層501を介して、効率よく放熱するので放熱効率が向上するという効果を得る。又、本実施例によれば、パッシベーション膜503を介して熱伝導層501を薄膜LED502に形成するのでパターニングすることなく、薄膜LED502の素子全体を覆うように形成することができるので製法が容易であるという効果を得る。