"第1半導体素子が実装される第1インターポーザと、前記第1インターポーザの一方の面に配列される複数の第1ボール電極と、前記第1インターポーザに積層されると共に、第2半導体素子が実装される第2インターポーザと、前記第2インターポーザの前記第1インターポーザと対向する面に配列され、該第2インターポーザを前記第1インターポーザに接合する複数の第2ボール電極と、を備え、前記第2インターポーザの前記第1インターポーザと対向する面において、一方向に延びる複数の第1直線と、該第1直線と異なる方向に延びる複数の第2直線とが交差する格子点に前記第2ボール電極が配置されていると共に、前記第2インターポーザの角部に最も近い角部格子点を、前記第1及び第2インターポーザを非接合状態とする非接合格子点とした、ことを特徴とする半導体装置。前記第1インターポーザの一方の面において、一方向に延びる複数の第3直線と、該第3直線と異なる方向に延びる複数の第4直線とが交差する格子点に前記第1ボール電極が配置され、前記第1インターポーザの角部に最も近い前記第1ボール電極の単位格子の外縁を形成する4つの格子点のうち、前記第1インターポーザの角部に最も近い格子点を除く3つの格子点を前記第2インターポーザに投影し、これら3つの投影点のうち、前記第2インターポーザの角部から最も遠い投影点と残りの2つの投影点とをそれぞれ通る2つの直線と、前記第2インターポーザの角部で交差する2つの端辺とで囲まれた囲繞領域に、前記角部格子点が配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記囲繞領域に含まれ且つ前記角部格子点に隣接する格子点を、前記非接合格子点とし得る、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置と、前記半導体装置が実装されたプリント配線板と、を備えたことを特徴とするプリント回路板。しかし、PoP構造の半導体装置では、マザーボードに複数の第1ボール電極で接合される第1インターポーザの他、第1インターポーザに複数の第2ボール電極で接合される第2インターポーザも、半導体素子の動作熱によりひずみが生じる。したがって、第2インターポーザのひずみによる応力が第2ボール電極及び第1インターポーザを介して第1ボール電極にかかるので、第1インターポーザとマザーボードとの接合信頼性に与える第2インターポーザの影響を考慮しなければならない。ところで、PoP構造の半導体装置においては、ボール電極の小型化を図り、ボール電極間の間隔ピッチもできるだけ狭くして、半導体装置全体として小型化を図っている。これに対して、従来のように接合強度を高めるため、補強用パッドの面積を大きくしたのでは、半導体装置の小型化に不利になるという問題があった。そこで、本発明は、第1インターポーザの一方の面に配列された複数の第1ボール電極による接合信頼性が高い小型の半導体装置及び半導体装置を備えたプリント回路板を提供することを目的とするものである。本発明は、第1半導体素子が実装される第1インターポーザと、前記第1インターポーザの一方の面に配列される複数の第1ボール電極と、前記第1インターポーザに積層されると共に、第2半導体素子が実装される第2インターポーザと、前記第2インターポーザの前記第1インターポーザと対向する面に配列され、該第2インターポーザを前記第1インターポーザに接合する複数の第2ボール電極と、を備え、前記第2インターポーザの前記第1インターポーザと対向する面において、一方向に延びる複数の第1直線と、該第1直線と異なる方向に延びる複数の第2直線とが交差する格子点に前記第2ボール電極が配置されていると共に、前記第2インターポーザの角部に最も近い角部格子点を、前記第1及び第2インターポーザを非接合状態とする非接合格子点とした、ことを特徴とする。本発明によれば、各半導体素子の動作熱により第2インターポーザに歪みが生じても、第2インターポーザに起因する第1インターポーザの歪みを抑制することができる。これにより、第1インターポーザの角部に近接する第1ボール電極にかかる応力を低減することができるので、第1ボール電極における接合信頼性を向上させることができる。また、接合強度を高めるために各ボール電極を大型化する必要がないため、小型の半導体装置を実現することができる。以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。[第1実施形態]図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置を備えたプリント回路板の概略構成を示す側面図である。プリント回路板100は、半導体装置200と、半導体装置200が実装されたプリント配線板以下、マザーボードという300とを備えて構成される。半導体装置200は、第1半導体パッケージ210と第2半導体パッケージ230とからなり、これらが積層して構成された、いわゆるPoP構造の半導体装置である。第1半導体パッケージ210は、第1半導体素子211、第1インターポーザ213、複数のはんだボールからなる第1ボール電極215を有して構成されている。第2半導体パッケージ230は、第2半導体素子231、第2インターポーザ233、複数のはんだボールからなる第2ボール電極235を有して構成されている。第1インターポーザ213の一方の面213aは、マザーボード300と対向する面であり、一方の面213aには、複数の第1ボール電極215が互いに間隔をあけて配列されている。詳述すると、第1インターポーザ213の一方の面213aには、複数の電極パッド217が形成されており、これら電極パッド217に第1ボール電極215が接合されている。更に、マザーボード300の表面300aには、各第1ボール電極215に対応する位置に電極パッド301が複数形成されており、各第1ボール電極215は、マザーボード300の表面300aの電極パッド301に接合されている。これによって第1インターポーザ213は第1ボール電極215によりマザーボード300に電気的及び機械的に接合されている。第1半導体素子211は、例えばロジック素子CPUであり、第1インターポーザ213の他方の面213bに実装されている。第2インターポーザ233は、第1インターポーザ上に第2ボール電極235を介して積層されている。第2インターポーザ233の一方の面233aは、第1インターポーザ213と対向する面であり、一方の面233aには、複数の第2ボール電極235が互いに間隔をあけて配列されている。詳述すると、第2インターポーザ233の一方の面233aには、複数の電極パッド237が形成されており、これら電極パッド237に第2ボール電極235が接合されている。更に、第1インターポーザ213の他方の面213bには、各第2ボール電極235に対応する位置に電極パッド219が複数形成されており、各第2ボール電極235は、第1インターポーザ213の他方の面213bの電極パッド219に接合されている。これにより、第2インターポーザ233は、第1インターポーザ213に第2ボール電極235により電気的及び機械的に接合されている。第2半導体素子231は、例えばメモリ素子であり、第2インターポーザ233の他方の面233bに実装されている。本第1実施形態では、第1インターポーザ213及び第2インターポーザ233は、矩形、より具体的には、正方形の形状に形成されている。また、第1インターポーザ213及び第2インターポーザ233は、同一面積に形成されており、外形形状が同一である。以下、各寸法の具体例について説明する。第1半導体素子211は約□5~8mm厚さt0.1~0.2mm、第1インターポーザ213は□10~15mm厚さt0.5~0.8mmである。第1ボール電極215の各はんだボール径はφ0.25~0.4mm、各電極パッド217,219の径はφ0.2~0.3mm、隣り合う2つの第1ボール電極215の間隔ピッチは0.3~0.5mmである。第2半導体素子231は約□5~8mm厚さt0.1~0.2mm、第2インターポーザ233は□10~15mm厚さt0.5~0.8mmである。第2ボール電極235の各はんだボール径はφ0.25~0.4mm、隣り合う2つのボール電極235の間隔ピッチは0.3~0.5mmである。半導体装置200の外形状において、高さはt1~2mmである。図2は、各第1及び第2ボール電極215,235の配置関係を説明するための図である。図2aは第2ボール電極235の配置を説明するための図、図2bは第1ボール電極215の配置を説明するための図である。図2cは各第1ボール電極215を第2インターポーザ233に投影したときの各ボール電極215,235の配置を説明するための図である。なお、この図2において、第1ボール電極215を黒丸、第2ボール電極235を白丸で表している。図2aに示すように、第2インターポーザ233の一方の面233aにおいて、一方向に延びる複数の第1直線L1と、第1直線L1と異なる方向に延びる複数の第2直線L2との交差点を、第2ボール電極235が配置可能な格子点P2としている。本第1実施形態では、8行×8列となるように、直線L1,L2をそれぞれ8つとした。本第1実施形態では、第1直線L1は、第2インターポーザ233の一つの端辺233cと平行に延び、端辺233cと直交する端辺233dの延びる方向に等間隔に配置されている。第2直線L2は、第1直線L1と直交する方向に延び、端辺233cの延びる方向に等間隔に配置されている。第2ボール電極235は、アレイ状となるよう格子点P2に配置される。このとき、第2ボール電極235は、第1半導体素子211に対応する位置の格子点中央部格子点P2oと、第2インターポーザ233の角部233eに最も近い格子点角部格子点P2aには、配置されていない。言い換えれば、第2ボール電極235は、中央部格子点P2o及び角部格子点P2aを除く格子点P2に配置されている。即ち、中央部格子点P2o及び角部格子点P2aを、第1及び第2インターポーザ213,233を非接合状態とする非接合格子点としている。また、図2bに示すように、第1インターポーザ213の一方の面213aにおいて、一方向に延びる複数の第3直線L3と、第3直線L3と異なる方向に延びる複数の第4直線L4との交差点を、第1ボール電極215が配置可能な格子点P1としている。本第1実施形態では、9行×9列となるように、直線L3,L4をそれぞれ9つとした。本第1実施形態では、第3直線L3は、第1インターポーザ213の一つの端辺213cと平行に延び、端辺213cと直交する端辺213dの延びる方向に等間隔に配置されている。第4直線L4は、第3直線L3と直交する方向に延び、端辺213cの延びる方向に等間隔に配置されている。そして、第1ボール電極215は、アレイ状となるよう格子点P1に配置されるが、最外周部に位置する格子点P1から順次内周部に向かって必要数配置されており、余った中央部の格子点P1oが非接合格子点となっている。なお、中央部の格子点P1oにダミーのボール電極を配置して機械的に第1インターポーザ213をマザーボード300に接合してもよい。以上の配置構成により、第1及び第2ボール電極215,235の配置関係は、図2cのようになる。非接合格子点とは、例えば、図3aに示すように、各インターポーザ213,233に電極パッド219,237を設けても、ボール電極で接合されない格子点や、図3bに示すように、電極パッド及びボール電極が設けられない格子点である。ここで、第2インターポーザ233の一方の面233aにおいて、中央部格子点P2oを非接合格子点としたのは、対向する位置に第1半導体素子211があるためである。また、一方の面233aにおいて、角部格子点P2aを非接合格子点としたのは、半導体素子231,211の発熱により第2インターポーザ233が熱膨張し、第2インターポーザ233の4つの角部233e近傍の歪みが大きくなるためである。このように、角部格子点P2aを避けた格子点P2に第2ボール電極235を配置したので、第2インターポーザ233に歪みが生じても、第2インターポーザ233の歪みに起因する第1インターポーザ213の歪みを抑制することができる。これにより、第1インターポーザ213の角部213eに近接する第1ボール電極2151にかかる応力を低減することができ、第1ボール電極215における接合信頼性を向上させることができる。また、接合強度を高めるために各ボール電極235,215特に第1ボール電極2151を大型化する必要がないため、小型の半導体装置200を実現することができる。以下、各ボール電極215,135の配置関係についてより具体的に説明する。図4は、各インターポーザ213,233の要部を拡大した説明図である。本第1実施形態では、図4aに示すように、第1ボール電極215は第1インターポーザ213の一方の面213aにアレイ状に配置されている。第1インターポーザ213の角部213eに最も近い第1ボール電極2151を含んでいる単位格子Gの外縁が4つの格子点P1a~P1dを結んで形成されている。これら4つの格子点P1a~P1dのうち、第1インターポーザ213の角部213eに最も近い格子点P1aを除く3つの格子点P1b~P1dを、図4bに示すように、第2インターポーザ233の一方の面233aに仮想的に投影する。これら3つの投影点P1b~P1dのうち、第2インターポーザ233の角部233eから最も遠い投影点P1bと残りの2つの投影点P1c,P1dとをそれぞれ通る2つの直線L11,L12を仮想的に引く。そして、2つの直線L11,L12と第2インターポーザ233の角部233eで交差する2つの端辺233c,233dとで囲まれた囲繞領域Rを定義する。この囲繞領域Rには、非接合格子点となる角部格子点P2aが配置されるよう設定されている。つまり、本第1実施形態では、複数の第1ボール電極第1ボール電極群215の最外周部と、複数の第2ボール電極第2ボール電極群235の最外周部とのずれが、1ピッチ以内に設定されている。このような場合、角部格子点P1aと角部格子点P2aとの距離が近い。仮に角部格子点P2aに第2ボール電極を配置した場合には、角部格子点P1aに配置された第1ボール電極2151には、第2インターポーザ233の角部領域の歪みにより大きな応力が作用することになる。この囲繞領域Rは、第2インターポーザ233の角部領域であり、本第1実施形態では角部格子点P2aがこの囲繞領域Rに含まれている。この囲繞領域Rに含まれている角部格子点P2aを非接合格子点とすることで、第2インターポーザ233に起因する第1インターポーザ213の角部近傍の歪みをより効果的に抑制することができる。したがって、第1ボール電極215、特に第1ボール電極2151における接合信頼性をより向上させることができる。次に、4つの角部格子点P2aを非接合格子点とし、非接合状態とした場合以下、四隅非接合というと、比較例として4つの角部格子点P2aにボール電極を配置して接合した場合以下、四隅接合というとを比較した実験結果について説明する。表1に四隅接合の有無によるサンプルの温度サイクル試験の累積不良率結果を示す。これより四隅接合品は900サイクルで100不良が発生したのに対し、四隅非接合品では1000サイクルでも20の不良率と低く、接合信頼性が高いことが確認できた。次に、第1及び第2ボール電極215,235の位置関係と、四隅接合四隅非接合による第1ボール電極2151にかかる応力への影響を検証するために、構造解析を行った。解析のモデルとして、第1半導体素子211は□6mm厚さt0.1mm、第1インターポーザ213は□10mm厚さt0.55mm、第1ボール電極215のはんだボール径はφ0.3mm、隣り合う2つの第1ボール電極215の間隔は0.5mmとした。また第2半導体素子231は□8mm厚さt0.1mm、第2インターポーザ233は□10mm厚さt0.15mm、第2ボール電極235のはんだボール径はφ0.3mm、隣り合う2つの第2ボール電極235の間隔は0.5mmとした。さらにマザーボード300は□30mm厚さt0.8mmとした。図5は、構造解析の条件で、第1ボール電極215と第2ボール電極235の四隅の位置関係を示しており、黒丸が第1ボール電極215、白丸が第2ボール電極235、斜線部領域は囲繞領域Rを示す。図5aは、複数の第2ボール電極第2ボール電極群235の外周部が複数の第1ボール電極第1ボール電極群215の外周部よりも半ピッチ外側にずれている場合Aである。図5bは、複数の第2ボール電極第2ボール電極群235の外周部が複数の第1ボール電極第1ボール電極群215の外周部よりも半ピッチ内側にずれている場合Bである。図5cは、複数の第2ボール電極第2ボール電極群235の外周部が複数の第1ボール電極第1ボール電極群215の外周部よりも1.5ピッチ内側にずれている場合Cである。具体的には、図5aのAの状態の場合、第2ボール電極235が第1ボール電極215に比べ、図5aで、水平および垂直方向にそれぞれ0.25mm外側左上に位置している。また図5bのBの状態の場合、第2ボール電極235が第1ボール電極215に比べ、図5bで、水平および垂直方向にそれぞれ0.25mm内側右下に位置している。更に図5cのCの状態の場合、図5bのBの状態より更に0.5mm内側右下に位置している。なお、図5a~図5cにおいて、点線で示した白丸は、比較例として第2ボール電極235を配置した状態を示している。表2は上記条件下での構造解析結果で、四隅接合四隅非接合により、第1ボール電極2151にかかる応力値と変化率を示している。Aの状態では応力変化率が-30と最も低下しており、Bの状態では応力変化率が-24であり、Cの状態では応力変化率が-5であった。ここで応力変化率の絶対値が大きいほど接合信頼性が高くなると言えるので、囲繞領域Rに角部格子点P2aが位置している場合に、当該角部格子点P2aを非接合格子点とすることで、より効果的に接合信頼性が高くなることが確認できた。ところで、図5aにおいて、囲繞領域Rに含まれ且つ角部格子点P2aに隣接する格子点P2b~P2dを、非接合格子点とし得る。したがって、更に、囲繞領域Rに含まれ且つ角部格子点P2aに隣接する格子点P2b~P2dのうち、少なくとも1つを、非接合格子点としてもよい。これにより、更により効果的に第1ボール電極2151に作用する応力を軽減することができる。なお以上の説明では、第1ボール電極215は9行×9列、第2ボール電極235は8行×8列で配置されているが、これに限定するものではなく、ボール電極の配置、配列、間隔は任意とする。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。本第2実施形態の半導体装置において、上記第1実施形態の半導体装置と異なる点は、第1ボール電極の配置である。図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の各第1及び第2ボール電極215,235の配置関係を説明するための図である。図6aは第1ボール電極215の配置を説明するための図、図6bは各第1ボール電極215を第2インターポーザ233に投影したときの各ボール電極215,235の配置を説明するための図である。なお、この図6において、上記第1実施形態と同様の構成については同一符号を付している。また、第1ボール電極215を黒丸、第2ボール電極235を白丸で表している。本第2実施形態では、図6aに示すように、第1ボール電極215は、千鳥状となるよう格子点P1に配置される。第1インターポーザ213の角部213eに最も近い第1ボール電極2151を含んでいる単位格子Gの外縁が4つの格子点P1a~P1dを結んで形成されている。これら4つの格子点P1a~P1dのうち、第1インターポーザ213の角部213eに最も近い格子点P1aを除く3つの格子点P1b~P1dを、図6bに示すように、第2インターポーザ233に仮想的に投影する。これら3つの投影点P1b~P1dのうち、第2インターポーザ233の角部233eから最も遠い投影点P1bと残りの2つの投影点P1c,P1dとをそれぞれ通る2つの直線L11,L12を仮想的に引く。そして、第2インターポーザ233の角部233eで交差する2つの端辺233c,233dとで囲まれた囲繞領域Rを定義する。この囲繞領域Rには、非接合格子点となる角部格子点P2aが配置されるよう設定されている。つまり、複数の第1ボール電極第1ボール電極群215の最外周部と、複数の第2ボール電極第2ボール電極群235の最外周部とのずれが、1ピッチ以内に設定されている。本第2実施形態でも、角部格子点P2aは、第1インターポーザ213と第2インターポーザ233とが接合されない非接合格子点としている。したがって、第2インターポーザ233に歪みが生じても、第2インターポーザ233の歪みに起因する第1インターポーザ213の歪みを抑制することができる。これにより、第1インターポーザ213の角部213eに近接する第1ボール電極2151にかかる応力を低減することができ、第1ボール電極215における接合信頼性を向上させることができる。また、接合強度を高めるために各ボール電極235,215特に第1ボール電極2151を大型化する必要がないため、小型の半導体装置200を実現することができる。更に、本第2実施形態では、囲繞領域Rに角部格子点P2aが含まれているので、より効果的に第1ボール電極2151にかかる応力を低減することができる。なお、囲繞領域Rに含まれ且つ角部格子点P2aに隣接する格子点P2b~P2dを、非接合格子点とし得る。即ち、格子点P2b~P2dのうち少なくとも1つの格子点を非接合格子点としてもよい。これにより、第1ボール電極2151にかかる応力をより効果的に低減することができる。ここで本第2実施形態において、第2ボール電極の四隅接合有無による第1ボール電極2151にかかる応力への影響を検証するために行った構造解析結果を示す。解析のモデルとして、第1ボール電極は千鳥配置として間隙は0.25mmとした。表3は上記条件下での構造解析結果で、第1ボール電極にかかる応力値と変化率を示している。四隅接合時は103MPa、非接合時は96MPaという結果になり、応力変化率は-7低下し、接合信頼性向上が確認できた。[第3実施形態]本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。図7は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の各第1及び第2ボール電極215,235の配置関係を説明するための図である。図7aは第1ボール電極215の配置を説明するための図、図7bは各第1ボール電極215を第2インターポーザ233に投影したときの各ボール電極215,235の配置を説明するための図である。なお、この図7において、第1ボール電極215を黒丸、第2ボール電極235を白丸で表している。図7aに示すように、一部のボール電極215、例えば第1インターポーザ213の角部213eに最も近い第1ボール電極2151が格子点からずれていてもよい。この場合も、図7bに示す第2インターポーザ233における囲繞領域R内では、第2ボール電極235では接合されていない。これにより第2インターポーザ233の応力影響が第1インターポーザ213に伝わるのを軽減することができるので、第1ボール電極215にかかる応力を緩和させ、接合信頼性が向上する効果を得ることができる。ここで本第3実施形態において、第2ボール電極の四隅接合有無による第1ボール電極2151にかかる応力への影響を検証するために行った構造解析結果を示す。解析のモデルとして、第1ボール電極2151は0.5mmの格子上からはずれた配置とした。表4は上記条件下での構造解析結果で、第1ボール電極2151にかかる応力値と変化率を示している。四隅接合時は65MPa、非接合時は57MPaという結果になり、応力変化率は-13低下し、接合信頼性向上が確認できた。なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能である。上記実施形態では外形状の寸法を記載しているが、それらの値に限定したのもではない。また各ボール電極をはんだボールとしたが、これに限定するものではなく、ボール電極が、樹脂ボール又は金属ボールをはんだで囲んで構成されていてもよい。また、上記実施形態では、4つの角部格子点の全てを非接合格子点としたが、これに限定するものではない。4つの角部格子点の全てを非接合格子点とした場合が最も効果的であるが、全ての角部格子点を非接合格子点にしなくてもよく、少なくとも1つの角部格子点が非接合格子点であればよい。また、上記実施形態では、第2ボール電極がアレイ状に配列される場合について説明したが、千鳥状に配列される場合であってもよい。また、上記実施形態では、第1直線と第2直線とが直交する場合について説明したが、直交する場合に限定するものではなく、交差していればよい。第3及び第4直線についても同様である。また、上記実施形態では、第1半導体素子が第1インターポーザの他方の面に実装される場合について説明したが、一方の面に実装される場合であってもよい。また、上記実施形態では、第2半導体素子が第2インターポーザの他方の面に実装される場合について説明したが、一方の面に実装させる場合であってもよい。"