"上部および下部を有し、中心軸に沿って延びるチャネルと、内方領域を有し、2つ以上の環状チャネルを少なくとも部分的に画定するハウジングと、前記内方領域内に設置されて前記上部を画定するインサートであって、前記上部が前記2つ以上の環状チャネルと流体結合されるインサートと、前記チャネルの底部からチャンバリッドアセンブリの外周部分まで延びるテーパ状下部表面とを備えるチャンバリッドアセンブリ。前記ハウジングが、ベース上に設置されて前記内方領域を画定する環状マニホルドをさらに備えている、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記2つ以上の環状チャネルは前記中心軸に沿って垂直方向に離間して設置されている、請求項2に記載のチャンバリッドアセンブリ。各環状チャネルは、前記内方領域において円周状に延びて、360°にわたる流体連通をもたらし、流体供給ラインに結合しており、各流体供給ラインは1つまたは複数の流体源と結合している、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記環状マニホルド内に設置されたパージラインをさらに備えている、請求項2に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記パージラインが、前記内方領域と流体結合された1つまたは複数の間隙パージラインと結合された水平方向ガス輸送ラインを備えている、請求項5に記載のチャンバリッドアセンブリ。少なくとも1つの間隙パージラインが、前記2つ以上の環状チャネルの上方において前記内方領域と結合し、少なくとも1つの間隙パージラインが、前記2つ以上の環状チャネルの下方にて前記内方領域と結合している、請求項6に記載のチャンバリッドアセンブリ。各間隙パージラインが、前記内方領域にわたって円周状に形成された環状チャネルをさらに備えている、請求項6に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記パージラインが、前記環状マニホルド内に垂直方向に設置されたラインをさらに備えている、請求項6に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記インサートが、前記ハウジングの頂部に結合される切頭部分と、前記環状マニホルドの内部に設置されて前記環状マニホルドの内部と同一平面になる垂直本体とを備えている、請求項2に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記インサートが、各環状チャネルと結合されて各環状チャネルと前記上部との間に複数の開孔入口を形成する、前記垂直本体を貫通して水平面に沿って設置された複数の開孔の1つまたは複数のセットをさらに備えている、請求項10に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記チャネルの前記上部が、円筒形状を有する前記垂直本体によって画定されている、請求項10に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記垂直本体が円筒状上部および拡張底部を備えており、前記拡張底部が複数の開孔の下部セットの下方に設置されている、請求項12に記載のチャンバリッドアセンブリ。前記開孔の各々が前記2つ以上の環状チャネルの中の少なくとも1つと流体結合されている、請求項1に記載のチャンバリッドアセンブリ。基板を処理する方法であって、1つまたは複数の流体源からチャンバリッドアセンブリの流体供給ラインを経由して2つ以上のプロセスガスを流すステップと、前記流体供給ラインから、前記チャンバリッドアセンブリのハウジングにより少なくとも部分的に画定された2つ以上の環状チャネルを経由して前記2つ以上のプロセスガスを流すステップと、前記2つ以上の環状チャネルから、前記内方領域内に設置されたインサートを介して、前記チャンバリッドアセンブリ内のチャネルの上部内へと前記2つ以上のプロセスガスを流すステップであって、前記インサートが前記チャネルの前記上部を画定しているステップと、前記チャネルを介して、基板支持体の上に配置された基板の上方の反応ゾーン内に前記1つまたは複数のプロセスガスを流すステップとを含む方法。本発明の実施形態は、原子層堆積ALDプロセスの際に材料を堆積させるために利用し得る装置および方法を提供する。実施形態は、ALDプロセスチャンバと、複式射出リッドアセンブリを含むガス供給システムとを備える。他の実施形態は、ALDプロセスの際にこれらのガス供給システムを使用して材料を堆積するための方法を提供する。本明細書において説明する装置を組み込むのに適した処理チャンバの例には、米国カリフォルニア州SantaClara在のAppliedMaterials,Inc.社より市販されている高誘電率を有し金属製のALD堆積チャンバが含まれる。プロセスチャンバに関する以下の説明は、あるコンテクストに関連しておよび例示を目的として提示されるものであり、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるまたは見なされるべきではない。図1A~図1Cは、ALDプロセス向けに適合化されたガス供給システム130を含むプロセスチャンバ100の一実施形態の概略図である。図1Dは、ガス供給システム130の別の実施形態を含むプロセスチャンバ100の概略図である。プロセスチャンバ100は、側壁部104および底部106を有するチャンバ本体102を備える。プロセスチャンバ100中のスリットバルブ108は、ロボット図示せずが200mmもしくは300mmの半導体ウエハまたはガラス基板などの基板110をプロセスチャンバ100に供給しプロセスチャンバ100から引き戻すためのアクセスを提供する。基板支持体112は、プロセスチャンバ100内において基板受け表面111の上に基板110を支持する。基板支持体112は、基板支持体112およびその上に配置された基板110を上下させるためのリフトモータ114に取り付けられる。リフトモータ118に連結されたリフトプレート116は、プロセスチャンバ100内に取り付けられ、基板支持体112を貫通して可動的に設置されたリフトピン120を上下させる。リフトピン120は、基板支持体112の表面上の基板110を上下させる。基板支持体112は、堆積プロセスの際に基板支持体112に基板110を固定するために、真空チャック図示せず、静電チャック図示せず、またはクランプリング図示せずを備えてもよい。基板支持体112の温度は、その上に配置される基板110の温度を制御するために調節することができる。例えば、基板支持体112は、抵抗ヒータ図示せずなどの埋設された加熱素子を使用して加熱されてもよく、または基板支持体112の上方に設置された加熱ランプ図示せずなどの放射熱を利用して加熱されてもよい。パージリング122が、基板110の外周部分上への堆積を防止するために、基板110の外周部分にパージガスを供給するパージチャネル124を画定するように基板支持体112の上に設置されてもよい。ガス供給システム130は、プロセスチャンバ100にプロセスガスおよび/またはパージガスなどのガスを供給するために、チャンバ本体102の上部に設置される。図1A~図1Dは、少なくとも2つのガス源または化学前駆体に基板110をさらすように構成されたガス供給システム130を図示する。図1Bは、図1Aの線1Bに沿った断面図である。真空システム178が、ポンプチャネル179と連通状態にあり、それにより、プロセスチャンバ100から任意の所望のガスを排気させ、プロセスチャンバ100のポンプゾーン166の内部において所望の圧力または所望の圧力範囲を維持するのを助ける。一実施形態においては、ガス供給システム130は、チャンバリッドアセンブリ132の中心部分を貫通して延びるガス分散チャネル134を有するチャンバリッドアセンブリ132を含む。ガス分散チャネル134は、基板受け表面111の方向に垂直方向に延在し、またガス分散チャネル134の中心軸133に沿ってリッドプレート170を貫通して下方表面160まで延びる。一実施例においては、ガス分散チャネル134の一部分が、上部350内においては中心軸133に沿って実質的に円筒状であり、ガス分散チャネル134の一部分が、ガス分散チャネル134の下部135内においては中心軸133から離れるようにテーパ状である。さらに、ガス分散チャネル134は、下方表面160を越えて反応ゾーン164内まで延びる。下方表面160は、ガス分散チャネル134の下部135からチョーク162まで延びる。下方表面160は、基板支持体112の基板受け表面111の上に配置された基板110を実質的に覆うようにサイズ設定および形状設定される。処理ガスは、分散チャネルを通過する際にガス分散チャネル134の中心軸133を中心として回転される。分散チャネルを通過するプロセスガス流を示す円形ガス流174は、渦パターン、蔓巻パターン、螺旋パターン、またはそれらの派生パターンなど、様々なタイプの流れパターンを含んでもよい。円形ガス流174は、ガス分散チャネル134の中心軸133を中心とした、少なくとも約1回転に、好ましくは少なくとも約1.5回転に、より好ましくは少なくとも約2回転に、より好ましくは少なくとも約3回転に、より好ましくは約4回転以上に及ぶものであってもよい。上部350を含むガス分散チャネル134は、一体的におよび/または別個に設けられてもよい2つの同様の対のバルブ142A/152A、142B/152Bからのガス流を供給するためのガス入口340、345を有する。一構成においては、バルブ142Aおよびバルブ142Bは、別個の反応ガス源に結合されるが、好ましくは同一のパージガス源に結合される。例えば、バルブ142Aは、反応ガス源138に結合され、バルブ142Bは、反応ガス源139に結合され、両バルブ142A、142Bが、パージガス源140に結合される。各バルブ142A、142Bは、バルブシートアセンブリ144A、144Bを有する供給ライン143A、143Bを備え、各バルブ152A、152Bは、バルブシートアセンブリ146A、146Bを有するパージライン145A、145Bを備える。供給ライン143A、143Bは、反応ガス源138および139と流体連通状態にあり、ガス分散チャネル134のガス入口340、350と流体連通状態にある。供給ライン143A、143Bのバルブシートアセンブリ144A、144Bは、反応ガス源138および139からのおよびガス分散チャネル134への反応ガスの流れを制御する。パージライン145A、145Bは、パージガス源140と連通状態にあり、供給ライン143A、143Bのバルブシートアセンブリ144A、144Bの下流にて供給ライン143A、143Bと交差する。パージライン145A、145Bのバルブシートアセンブリ146A、146Bは、パージガス源140からガス分散チャネル134へのパージガスの流れを制御する。キャリアガスが、反応ガス源138および139から反応ガスを供給するために使用される場合には、好ましくは、このキャリアガスは、キャリアガスおよびパージガスとして使用される例えばアルゴンガスがキャリアガスおよびパージガスとして使用される。各バルブシートアセンブリ144A、144B、146A、146Bは、膜板図示せずおよびバルブシート図示せずを備えてもよい。膜板は、それぞれ開状態または閉状態に付勢され得るものであり、閉状態または開状態に作動され得るものである。膜板は、空気圧により作動されてもよく、または電気的に作動されてもよい。空気圧作動バルブには、Fujikin,Inc.社およびVerifloDivision,ParkerHannifinCorp社より市販されている空気圧作動バルブが含まれる。電気作動バルブには、Fujikin,Inc.社より市販されている電気作動バルブが含まれる。例えば、使用することのできるALDバルブは、Fujikin社のModelNo.FPR-UDDFAT-21-6.35-PI-ASN、またはFujikin社のModelNo.FPR-NHDT-21-6.35-PA-AYTである。プログラマブル論理コントローラ148A、148Bは、バルブ142A、142Bのバルブシートアセンブリ144A、144B、146A、146Bの膜板の作動を制御するために、バルブ142A、142Bに結合されてもよい。空気圧作動バルブは、約0.020秒の狭い時間間隔でガスのパルス送出を行うことができる。電気作動バルブは、約0.005秒の狭い時間間隔でガスのパルス送出を行うことができる。典型的には、電気作動バルブは、バルブとプログラマブル論理コントローラとの間に結合されたドライバの使用を必要とする。各バルブ142A、142Bは、バルブシートアセンブリ144A、144Bが閉じられた場合に供給ライン143A、143Bからの反応ガスのフラッシングを可能にするために、デッドボリュームの無いバルブであってもよい。例えば、パージライン145A、145Bは、供給ライン143A、143Bのバルブシートアセンブリ144A、144Bに隣接して位置決めされてもよい。バルブシートアセンブリ144A、144Bが、閉じられた場合に、パージライン145A、145Bは、パージガスを供給して、供給ライン143A、143Bをフラッシングしてもよい。一実施形態においては、パージライン145A、145Bは、バルブシートアセンブリ144A、144Bが開いている場合に、パージガスがバルブシートアセンブリ144A、144B内に直に供給されることがないように、送給ライン143A、143Bのバルブシートアセンブリ144A、144Bから若干離間されて位置決めされる。本明細書においては、デッドボリュームの無いバルブは、無視し得る程度のデッドボリュームを有するすなわちデッドボリュームが必ずしもゼロではないバルブとして定義される。各バルブ対142A/152A、142B/152Bは、反応ガスおよびパージガスの混合ガス流および/または個別ガス流を供給するように適合化されてもよい。バルブ対142A/152Aを参照すると、反応ガスおよびパージガスの混合ガス流の一実施例は、パージガス源140からパージライン145Aを経由するパージガスの連続流と、反応ガス源138から供給ライン143Aを経由する反応ガスのパルス送出とを含む。パージガスの連続流は、パージライン145Aのバルブシートアセンブリ146Aの膜板を開状態のままにすることによって供給され得る。反応ガス源138からの反応ガスのパルス送出は、供給ライン143Aのバルブシートアセンブリ144Aの膜板を開閉することによって実現され得る。バルブ対142A/152Aを参照すると、反応ガスおよびパージガスの個別ガス流の一実施例は、パージガス源140からパージライン145Aを経由するパージガスのパルス送出と、反応ガス源138から供給ライン143Aを経由する反応ガスのパルス送出とを含む。パージガスのパルス送出は、パージライン145Aのバルブシートアセンブリ146Aの膜板を開閉することにより実現され得る。反応ガス源138からの反応ガスのパルス送出は、供給ライン143Aのバルブシートアセンブリ144Aの膜板を開閉することによって実現され得る。バルブ142A、142Bの供給ライン143A、143Bは、流体供給ライン210、220および環状チャネル260、265を介してガス入口340、345に結合されてもよい。流体供給ライン210、220は、バルブ142A、142Bと一体化されてもよく、またはバルブ142A、142Bとは別個であってもよく、それにより1つまたは複数の流体源に連結されてもよい。一態様においては、バルブ142A、142Bは、供給ライン143A、143B、ならびにバルブ142A、142Bとガス入口340、345との間の流体供給ライン210、220の不要な体積を削減するために、ガス分散チャネル134に近接して結合される。理論に縛られることを望むものではないが、ガス分散チャネル134の直径が、ガス分散チャネル134の上部350から中心軸133に沿ったある点までは一定であり、この点からガス分散チャネル134の下部135までは増大することにより、ガス分散チャネル134を通過するガスの断熱膨張がより低下することが可能となり、これが、円形ガス流174中に含まれるプロセスガスの温度制御を助けることが考えられる。例えば、ガス分散チャネル134内に供給されたガスの急激な断熱膨張により、ガスの温度が低下する場合があり、これは、ガスの凝結および液滴の形成を引き起こす場合がある。他方において、徐々にテーパ状になるガス分散チャネル134は、ガスの断熱膨張をより低下させることが考えられる。したがって、より多くの熱が、ガスにおよびガスから転移され得ることとなり、したがってガスの温度は、チャンバリッドアセンブリ132の温度を制御することによって、より容易に制御され得る。ガス分散チャネル134は、徐々にテーパ状となり、テーパ状直線表面、凹状表面、凸状表面、もしくはそれらの組合せなどの1つまたは複数のテーパ状内表面を有してもよく、または、1つまたは複数のテーパ状内表面のセクションすなわちテーパ状の部分および非テーパ状の部分を含んでもよい。図1Dは、図1Bに示すプロセスチャンバ100と同様の図であり、同様の特徴および構成要素を備え得る。図1Dは、先述と同様のバルブ対からガス流を供給するために分散チャネル134のガス入口340、345、370、375と結合された4つの流体供給ライン210、215、220、225を備えるガス供給システム130の一実施形態を図示する。この実施形態においては、上部350を備えるガス分散チャネル134は、一体的におよび/または別個に設けられてもよいバルブ対からガス流を供給するために4セットのガス入口340、345、370、375を有する。バルブの供給ラインは、流体供給ライン210、215、220、225および環状チャネル260、265、270、275を介してガス入口340、345、370、375と結合されてもよい。チャンバリッドアセンブリは、チャンバリッドアセンブリの一部分にて中心軸に沿って延在し拡張するチャネル134を備える。チャネル134の上部350は、ハウジング200内に設置されたインサート300により画定される。キャップ400が、ハウジング200およびインサート300の上に設置されてもよい。ハウジング200は、ベース207の上に設置された環状マニホルド205を備えてもよい。図2A~図2Gに示すような実施形態においては、環状マニホルド205は、内方領域290を画定し、内方領域290の周囲に設置された2つ以上の環状チャネルを少なくとも部分的に画定する。図2Cは、図2Aの線2Cに沿った断面図である。図2Dは、図2Cの線2Dに沿った断面図である。代替的な一実施形態においては、環状マニホルド205は、内方領域290を画定し、内方領域290の周囲に設置された環状チャネルを備える。図2Fは、3つの流体供給ラインおよび2つの環状チャネルを示す別の実施形態である。図2Gは、図2Fの線2Gに沿った断面図である。この2つ以上の環状チャネルは、環状マニホルド205の中心軸133に沿って互いから垂直方向に離間された態様で設置される。環状チャネル260などの環状チャネルが、中に流体を流すチャネルを備え、内方領域290を部分的にまたは完全に囲む。この環状チャネルは、内方領域に対して内方領域の周囲に例えば270°~360°など、最大で360°の流体連通をもたらすことができる。各環状チャネルは、環状マニホルド205と結合されたインサート300中に形成された開孔を通して流体を分散させるために、処理ガスなどの流体が流体源例えばガス源から内方領域まで供給されるのを可能にする。環状チャネルはそれぞれ、様々な断面形状および設計を有してもよい。例えば、環状チャネルは、円形、半円形、矩形、または楕円形の断面設計であってもよい。好ましくは、断面設計は、環状チャネルから環状チャネルに結合された開孔までの処理ガスなどの流体の効果的な流れをもたらすように適合化される。例えば、環状チャネルは、矩形断面の3つの側面を備えてもよく、第4の側面が、インサート300の垂直本体330であってもよい。この態様においては、3つの矩形断面側面とインサート300の垂直本体330からなる第4の側面とが共に、環状チャネルを画定する。一実施形態においては、図2Dおよび図2Eに示すように、各環状チャネルは、環状チャネル260のように、内方領域290に全体に円周状に延びて、内方領域の360°にわたる流体連通をもたらす。代替的な一実施形態においては、環状チャネルの中の1つが、360°にわたる流体連通をもたらし、少なくとも第2の環状チャネルが、360°未満にわたる流体連通をもたらしてもよい。一実施形態においては、第1の環状チャネル260および第2の環状チャネル265が、内方領域290の周囲に設置される。1つまたは複数のカートリッジヒータ240が、環状マニホルド205内に設置されてもよい。ハウジング200は、ステンレス鋼から作製されてもよい。キャップ400もまた、ステンレス鋼から作製されてもよい。図1D、図2A、および図2Fに示すように、各環状チャネルは、流体供給ライン210、215、220、225などの各流体供給ラインと結合される。あるいは、各環状チャネルは、図2Fおよび図2Gに示すように、2つ以上の流体供給ラインと結合されてもよく、これにより、混合ガスまたは一方のガスが、環状チャネルを通り流れるのが可能となり得る。流体供給ライン210、215、および220は、環状チャネル260、265と結合される。図2Gは、環状チャネル265とそれぞれ結合された流体供給ライン210および215を示す。各流体ラインは、ガス源などの流体源と結合される。あるいは、各流体ラインは、2つ以上のガス源と結合されてもよく、これにより、混合ガスまたは一方のガスが、環状チャネルを通り流れるのが可能となり得る。複数の環状チャネルを使用することにより、酸化ハフニウム堆積プロセスのための塩化ハフニウムおよび水など、種々の前駆体の供給が可能となり、および/または、異なる濃度を有する同一の前駆体の供給が可能となり得る。さらに、プレナムが、混合前駆体を含む種々の前駆体を供給してもよく、またはこれらの前駆体の交互の供給を行ってもよい。また、パージライン250などの少なくとも1つのパージラインが、環状マニホルド205中に形成されてもよい。パージラインは、環状マニホルド205の垂直部分中に引かれる。パージラインは、一連の環状チャネルの上方および下方にて内方領域290と接触するように設置された1つまたは複数の間隙パージライン280と結合された水平方向ガス輸送ラインを備える。各間隙パージライン280は、内方領域において、内方領域に隣接して設置された環状マニホルド205の表面に形成された、円周方向に形成された環状チャネル245、255などの延在環状チャネルを有してもよい。また、パージライン250は、環状マニホルド205内に設置された垂直方向に設置されたライン230と結合される。また、1つまたは複数のガスパージラインにより、インサート300と、隣接するガス分散チャネル134を形成するリッドキャップ172の材料との間の材料交差部380までの、インサート300の垂直本体330に沿ったパージガスの流れが可能となる。さらに、リッドキャップ172の基礎材料およびリッドプレートのアセンブリが、隣接するガス分散チャネル134を形成し、パージガスは、処理ガスが、ハウジングとインサートとの間に設置されたOリング385などの任意の構造的シール材料と反応するのを防止する。パージライン250は、処理チャンバに関連して先に説明したようなパージガス源の中の1つに連結されてもよく、パージガスは、窒素または希ガスなどの非反応ガスを含んでもよい。パージラインは、インサートと環状マニホルド205との間にパージガスを供給することにより、これらのエリア内の不要な処理ガスを除去する。これにより、パージガスは、金属ハロゲン化物前駆体などの反応性処理ガスにさらされた場合に経時的に劣化し得るOリング材料などの影響を受けやすい材料を、処理ガスから保護する。図3A~図3Cに示すように、インサート300が内方領域290内に設置されて、チャネル134の上部350を画定する。インサートは、ハウジング200の頂部に結合される切頭部分320を有する結合リッド310と、環状マニホルド205の内部に設置され環状マニホルド205の内部と同一平面となる垂直本体330とを備える。この本体330は、上部350を画定する。上部は、円筒形状または実質的に円筒形状を有してもよい。一実施例においては、図3Bに示すように、上部350は、円筒状上部351および拡張底部352を備え、拡張底部352は、複数の開孔346の下部セットの下方に設置される。1つまたは複数のガス入口340、345は、インサート300の垂直本体中に設置されてもよい。入口340、345は、垂直本体330の一部分に水平面に沿って複数の開孔341、346を備えてもよく、これにより、複数開孔入口340、345を形成してもよい。各水平面に沿った開孔341、346の個数は、例えば図3A~図3Cに示すような6つの開孔など、2~10個の開孔であってもよい。複数の開孔の1つまたは複数のセットが、インサート300に沿って形成されてもよい。開孔341、346は、垂直本体330の水平面の周囲に互いから等距離に設置されてもよい。あるいは、開孔341、346は、上部350内へのガス流の所望の特徴を実現するように離間および/またはグループ化されてもよい。垂直本体330の水平面の周囲に互いから等距離に設置された開孔が、上部350と組み合わされることにより、均一化溝が形成され、これにより、同一または実質的に同一の圧力および各開孔341、346を通過するガス流量によって、基板表面により均一なプロセスガス流を供給することが可能となることが考えられる。開孔341、346は、中心軸133またはガス分散チャネル134に対してほぼ接線方向となるなど、中心軸133に対して任意の角度で、および垂直本体330を貫通して設置されてもよい。開孔341、346は、ラジアル方向および垂直方向に様々な角度で配向されてもよい。開孔341、346は、好ましくは、水平および/または垂直に0°~90°の間で角度づけられて、所望の流れ特徴を実現する。一実施形態においては、開孔341および346は、約0°~約90°の範囲内、好ましくは約0°~約60°の範囲内、好ましくは約0°~約45°の範囲内、より好ましくは約0°~約20°の範囲内などの、上部350に対して接線方向となる角度で位置決めされる。開孔341、346は、環状マニホルド205の2つ以上の環状チャネル260、265と流体結合されるように設置される。複数の開孔の複数のセットが、環状マニホルド205内に形成された環状チャネルに対応する各入口と共に使用されてもよい。これらの開孔は、例えば矩形形状、円筒状チューブ、または涙滴形状などの任意の断面形状のものであってもよい。環状チャネルと複数の開孔を有する入口との組合せにより、基板表面により均一なプロセスガス流が供給されることが考えられる。インサート300は、金属ハロゲン化物前駆体ガスなどの処理ガスと反応しない材料から作製されてもよい。かかる材料の1つは、石英である。図面に示される構成においては、石英インサートが、高い材料適合性を有することが観察され、すなわち、石英インサートは、ステンレス鋼またはアルミニウムなどの他の材料に比べて、ハロゲン化物前駆体および水などの他の処理ガスとの間における反応性がより低い。さらに、このインサート材料は、インサート300が接触し得るチャンバの他の構造的構成要素との間における適合性に関してもより高いものとなり得る。例えば、リッドキャップ172およびガス分散チャネル134を囲むリッドプレート170の複数部分は、典型的には石英から作製され、この石英により、石英インサート300は、良好な材料適合性を有することとなり、製造および組立に関して構造的適合性がより高いものとなる。入口を形成する複数の開孔複数の進入ポイントを有する本明細書に記載のリッドキャップは、基板表面上へより均一な処理ガス流をもたらし、それにより、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に比べて環状方向においてより均一な厚さを実現すると考えられる。本明細書に記載のリッドキャップ172アセンブリの複数の環状チャネルを用いることにより、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に比べて、2インチリング分析、4インチリング分析、および基板エッジから3mmの位置において、厚さの均一性が改善されたより薄いウエハ内WiW厚さが実現され得ることが認められた。以前は、単一進入ポイント/単一進入入口の場合には、基板エッジから3mmの位置における基板部分は、望ましくない堆積厚さおよび均一性を伴う不調ゾーンとなることが認められた。さらに、本明細書に記載の複数の環状チャネルは、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に比べて逆拡散リスクを低下させ、個別のラインを通過する処理ガスの個別の制御を可能にし、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に比べて加熱された不活性ガスパージによりOリングが保護されることが認められている。さらに、複数の環状チャネルにより、腐食保護を向上させるPVCバルブの使用が可能となり、VCR継手の代わりに端面シールなどの簡易なハードウェア設計が可能となり、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に必要な構成要素が不要となり、これにより、単一進入ポイント/単一進入入口の場合に比べて保守性が高められ得る。図1A~図1Bは、本明細書の実施形態において説明されるようなガス分散チャネル134へとガスが移動する経路を図示する。プロセスガスは、流体供給ライン210および220からガス環状チャネル260および265内に進み、ガス入口340、345を通り、上部350内に進み、ガス分散チャネル134を通り供給される。図2D、図3B、および図3Cは、プロセスガスまたは前駆体ガスが移動する、すなわち流体供給ライン210からガス環状チャネル265内に進み、入口340を通り、上部350内に進むための経路を図示する。第2の経路が、図1B、図2D、図3B、および図3Cに図示するように、流体供給ライン220からガス環状チャネル260内に進み、入口345を通り、上部350内にまで続く。図1Bは、ガス分散チャネル134の上部350と、チャンバリッドアセンブリ132のガス分散チャネル134との断面図であり、これらの中を通過するガス流を概略的に示す。ガス分散チャネル134を通過する正確な流れパターンは不明であるが、円形ガス流174図1Bが、渦流、蔓巻流、螺旋流、旋回流、回転流、捻れ流、コイル流、コークスクリュー流、カール流、ワールプール流、それらの派生流、またはそれらの組合せなどの円形流パターンで、入口340、345からガス分散チャネル134を通り移動し得ることが考えられる。図1Bに示すように、円形流は、基板110から隔離された区画内とは対照的に、処理領域内において実現され得る。一態様においては、円形ガス流174は、ガス分散チャネル134の内表面中における渦流パターンの一掃作用により、ガス分散チャネル134のより効率的なパージの確保を助け得る。一実施形態においては、図1Bは、基板110の表面の点176aとガス分散チャネル134の円筒状上部351の点176bとの間の距離175を示す。距離175は、基板110の表面中の螺旋流が望ましくものとなり得ることから、円形ガス流174が消失して下方流となるのに十分な長さである。円形ガス流174は、チャンバリッドアセンブリ132の表面および基板110を効率的にパージする層流的な態様で進むことが考えられる。別の実施形態においては、中心軸133に沿って延びる距離175またはガス分散チャネル134は、約3インチ76.2mm~約9インチ229mmの範囲内の、好ましくは約3.5インチ88.9mm~約7インチ178mmの範囲内の、より好ましくは約4インチ102mm~約6インチ152mmの範囲内の、例えば約5インチ127mmの長さを有する。図1Aは、基板110の表面中すなわち基板の中心から基板のエッジまでにおけるガス分散チャネル134からのガス流の速度プロファイルの改善を助けるために、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面160の少なくとも一部分が、ガス分散チャネル134からチャンバリッドアセンブリ132の外周部分までテーパ状になされてもよいことを図示する。下方表面160は、直線表面、凹状表面、凸状表面、またはそれらの組合せなどの、1つまたは複数のテーパ状表面を備えてもよい。一実施形態においては、下方表面160は、漏斗形状へとテーパ状になされる。一実施例において、下方表面160は、反応ガスに対する基板110の表面の均一な露出の実現を支援すると共に、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面160と基板110との間を移動するプロセスガスの速度の変動を低減させるのを助けるために、下方に傾斜している。一実施形態においては、チャンバリッドアセンブリ132の下方に傾斜している下方表面160と基板110の表面との間における流れ断面の最小面積に対する流れ断面の最大面積の比は、約2未満であり、好ましくは約1.5未満であり、より好ましくは約1.3未満であり、より好ましくは約1である。理論に縛られることを望むものではないが、ガス流が基板110の表面中においてより均一な速度で移動することは、基板110上におけるガスのより均一な堆積の実現を助けることが考えられる。ガスの速度は、ガスの濃度に正比例し、このガスの濃度は、ひいては基板110の表面上におけるガスの堆積速度に正比例すると考えられる。したがって、基板110の表面の第2のエリアに対する基板110の表面の第1のエリアにおけるガスの速度がより高いことにより、第1のエリア上におけるガスの堆積がより高まることが考えられる。下方に傾斜している下方表面160を有するチャンバリッドアセンブリ132は、下方表面160が、より均一な速度を実現し、したがって基板110の表面中におけるガスのより均一な濃度を実現することにより、基板110の表面中におけるガスのより均一な堆積をもたらすことが考えられる。また、本発明の実施形態による基板を処理するために、様々な方法を利用してもよい。一実施形態においては、基板を処理する方法は、ガス源138、139などの1つまたは複数の流体源からチャンバリッドアセンブリ132の流体供給ライン210、220を経由して2つ以上のプロセスガスを流すことと、流体供給ライン210、220からチャンバリッドアセンブリ132のハウジング200により少なくとも部分的に画定された2つ以上の環状チャネル260、265を経由してこれらの2つ以上のプロセスガスを流すこととを含む。ハウジングは、内方領域290を有する。これらの2つ以上のプロセスガスは、2つ以上の環状チャネル260、265から内方領域290内に設置されたインサート300を通り、チャンバリッドアセンブリ132内のチャネル134の上部350内に流される。インサート300は、チャネル134の上部350を画定する。この1つまたは複数のプロセスガスは、チャネル134を通り、基板支持体112の上に配置された基板110の上方の反応ゾーン164内に流される。図1Aは、基板110の外周部に隣接するチャンバリッドアセンブリ132の外周部分に位置するチョーク162を図示する。チョーク162は、チャンバリッドアセンブリ132が組み付けられて基板110の周囲に処理ゾーンを形成する場合に、基板110の外周部に隣接するエリアにてこのチョーク132を通過するガス流を制約する任意の部材を含む。特定の一実施形態においては、チョーク162と基板支持体112との間の間隔は、約0.04インチ1.02mm~約2.0インチ50.8mmであり、好ましくは0.04インチ1.02mm~約0.2インチ5.08mmである。この間隔は、供給されるガスおよび堆積中のプロセス条件に応じて変更されてもよい。チョーク162は、ポンプゾーン166図1Aの非均一な圧力分布から反応ゾーン164を隔離することにより、チャンバリッドアセンブリ132と基板110との間に画定された体積または反応ゾーン164内においてより均一な圧力分布を実現するのを助ける。図1Aに示すように、一態様においては、反応ゾーン164がポンプゾーン166から隔離されることにより、反応ガスまたはパージガスは、反応ガスまたはパージガスに対する基板110の十分な露出を確保するのに十分なだけ、反応ゾーン164を満たすだけでよい。従来の化学気相堆積においては、先行技術のチャンバは、反応物の共反応が基板110の表面中にわたって確実に均一に生じるようにするために、基板の全表面に対して反応物の混合流を同時におよび均一に供給することが必要とされる。原子層堆積においては、プロセスチャンバ100は、基板110の表面に対して反応物を連続的に導入して、基板110の表面上への反応物の交互の薄層の吸収を達成する。その結果、原子層堆積は、基板110の表面に同時に到達する反応物流を必要としない。その代わりに、反応物流は、基板110の表面上に反応物の薄層を吸収させるのに十分な量において供給されることが必要となる。反応ゾーン164は、従来的なCVDチャンバの内方堆積と比較した場合により小さな体積を有し得るため、原子層堆積シーケンスにおけるある特定のプロセスのために反応ゾーン164を満たすために必要となるガスの量が、より少量となる。例えば、一実施形態においては、反応ゾーン164の体積は、200mm径の基板を処理するチャンバの場合には、約1,000cm3以下であり、好ましくは500cm3以下であり、より好ましくは200cm3以下である。一実施形態においては、反応ゾーン164の体積は、300mm径の基板を処理するチャンバの場合には、約3,000cm3以下であり、好ましくは1,500cm3以下であり、より好ましくは600cm3以下である。一実施形態においては、基板支持体112は、堆積のための反応ゾーン164の体積を調節するために、上昇されてもまたは下降されてもよい。反応ゾーン164の体積がより小さいことにより、堆積ガスまたはパージガスにかかわらず、より少量のガスが、処理チャンバ100内に流されることが必要となる。したがって、プロセスチャンバ100のスループットがより上昇し、より少量のガスの使用による作業コストの削減により無駄が最小限に抑えられ得る。チャンバリッドアセンブリ132は、ガス分散チャネル134を形成するリッドキャップ172およびリッドプレート170を含むものとして、図1A~図1Bに示されている。一実施形態においては、プロセスチャンバ100は、図1A~図1Bに示すように、ガス環状チャネル260および265を有するハウジング200を備えるリッドキャップ172を含む。任意には、追加のプレートが、リッドプレート170とリッドキャップ172との間に設置されてもよい図示せず。この追加のプレートは、リッドキャップ172とリッドプレート170との間の距離を調節する例えば増大させることにより、それらを貫通して形成される分散チャネル134の長さをそれぞれ変更するために使用されてもよい。別の実施形態においては、リッドプレート170とリッドキャップ172との間に設置されたこのオプションの追加のプレートは、ステンレス鋼を含む。他の実施形態においては、ガス分散チャネル134は、単一の材料片から一体的に作製されてもよい。チャンバリッドアセンブリ132は、中を通り供給される特定のガスに応じて冷却素子および/または加熱素子を備えてもよい。チャンバリッドアセンブリ132の温度の制御は、チャンバリッドアセンブリ132上におけるガスの分解、堆積、または凝結を防止するために使用され得る。例えば、水チャネル図示せずが、チャンバリッドアセンブリ132を冷却するためにチャンバリッドアセンブリ132内に形成されてもよい。別の例においては、加熱素子図示せずが、チャンバリッドアセンブリ132を加熱するために、チャンバリッドアセンブリ132の構成要素内に埋設されてもよく、またはチャンバリッドアセンブリ132の構成要素を囲んでもよい。一実施形態においては、チャンバリッドアセンブリ132の構成要素は、個別に加熱または冷却され得る。例えば、図1Aに示すように、チャンバリッドアセンブリ132は、ガス分散チャネル134を形成するリッドプレート170およびリッドキャップ172を含んでもよい。リッドキャップ172は、1つの温度範囲に維持されてもよく、リッドプレート170は、別の温度範囲に維持されてもよい。例えば、リッドキャップ172は、ヒータテープ内に巻かれることによってか、または別の加熱デバイスを使用することによって加熱されて、それにより反応ガスの凝結を防止してもよく、リッドプレート170は、周囲温度に維持されてもよい。別の例においては、リッドキャップ172は、加熱されてもよく、リッドプレート170は、貫通して形成された水チャネルにより冷却されて、リッドプレート170上における反応ガスの熱分解を防止してもよい。チャンバリッドアセンブリ132の構成要素およびパーツは、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケルメッキ加工処理されたアルミニウム、ニッケル、それらの合金、または他の適切な材料などの材料を含んでもよい。一実施形態においては、リッドキャップ172およびリッドプレート170は、個別に製造、機械加工、鍛造、またはアルミニウム、アルミニウム合金、鋼、ステンレス鋼、それらの合金、もしくはそれらの組合せなどの金属から作製されてもよい。一実施形態において、ガス分散チャネル134の内表面131リッドプレート170およびリッドキャップ172の両内表面を含むと、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面160とは、ガス分散チャネル134およびチャンバリッドアセンブリ132の下方表面160に沿ったガスの層流の生成を助けるために、鏡面研磨表面を含むことができる。別の実施形態においては、流体供給ライン210および220の内表面は、これらの流体供給ライン210および220の中を通るガスの層流の生成を助けるために、電解研磨されてもよい。代替的な一実施形態においては、ガス分散チャネル134の内表面131リッドプレート170およびリッドキャップ172の両内表面を含むと、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面160とは、これらの表面中においてより大きな表面積をもたらすために、粗面化表面または機械加工された表面を含んでもよい。粗面化された表面は、内表面131および下方表面160の上における望ましくない蓄積材料のより良好な接着を生じさせる。これらの望ましくない膜は、通常は、気相堆積プロセスを実施した結果として形成され、内表面131および下方表面160から剥落または剥離することにより、基板110を汚染する場合がある。一実施例においては、下方表面160および/または内表面131の平均粗度Raは、約10μin約0.254μm~約200μin約5.08μmの範囲内、好ましくは約20μin約0.508μm~約100μin約2.54μmの範囲内、より好ましくは約30μin約0.762μm~約80μin約2.032μmの範囲内など、少なくとも約10μinであってもよい。別の例においては、下方表面160および/または内表面131の平均粗度は、少なくとも約100μin約2.54μmであってもよく、好ましくは約200μin約5.08μm~約500μin約12.7μmの範囲内であってもよい。図1Aは、処理条件を制御するためにプロセスチャンバ100に結合された、プログラマブルパーソナルコンピュータまたはワークステーションコンピュータ等々の制御ユニット180を図示する。例えば、制御ユニット180は、基板プロセスシーケンスの個々の段階の際にガス源138、139、および140からバルブ142Aおよび142Bを経由する様々なプロセスガスおよびパージガスの流れを制御するように構成されてもよい。実例としては、制御ユニット180は、中央演算処理ユニットCPU182、サポート回路184、および対応する制御ソフトウェア183を含むメモリ186を含む。制御ユニット180は、工業的環境において様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために使用し得る汎用コンピュータプロセッサの任意の形態のものであってもよい。CPU182は、ランダムアクセスメモリ、リードオンリーメモリ、フロッピディスクドライブ、ハードディスク、またはローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージなどの、任意の適切なメモリ186を使用してもよい。様々なサポート回路が、プロセスチャンバ100を支援するためにCPU182に結合されてもよい。制御ユニット180は、バルブ142A、142Bのプログラマブル論理コントローラ148A、148Bなどの、個々のチャンバ構成要素に隣接して配置された別のコントローラに結合されてもよい。制御ユニット180とプロセスチャンバ100の様々な他の構成要素との間の2方向通信は、まとめて信号バス188と呼ばれる多数の信号ケーブルを介して処理され、これらの信号バス188のいくつかが、図1に図示される。ガス源138、139、140からのおよびバルブ142A、142Bのプログラマブル論理コントローラ148A、148Bからのプロセスガスおよびパージガスの制御に加えて、制御ユニット180は、作業の中でもとりわけウエハ搬送、温度制御、チャンバ排気などの、ウエハ処理において利用される他の作業の自動制御に関与するように構成されてもよい。これらの作業の中のいくつかは、本明細書の他の箇所で説明される。図1A~図1Bに示すように、作動時には、基板110が、ロボット図示せずによりスリットバルブ108を通してプロセスチャンバ100に供給される。基板110は、リフトピン120およびロボットの協働により基板支持体112の上に位置決めされる。基板支持体112は、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面160の近傍に対向するように基板110を上昇させる。第1のガス流が、バルブ142Bによりプロセスチャンバ100内に噴射される第2のガス流と共に、または別個にすなわちパルス送出で、バルブ142Aによりプロセスチャンバ100のガス分散チャネル134内に噴射されてもよい。第1のガス流は、パージガス源140からのパージガスの連続流と、反応ガス源138からの反応ガスのパルス送出とを含んでもよく、または反応ガス源138からの反応ガスのパルス送出と、パージガス源140からのパージガスのパルス送出とを含んでもよい。第2のガス流は、パージガス源140からのパージガスの連続流と、反応ガス源139からの反応ガスのパルス送出とを含んでもよく、または反応ガス源139からの反応ガスのパルス送出と、パージガス源140からのパージガスのパルス送出とを含んでもよい。円形ガス流174は、ガス分散チャネル134の内表面に一掃作用をもたらす渦流として、ガス分散チャネル134を通り移動する。円形ガス流174は、基板110の表面の方向に向かって消失し、下方流になる。ガス流の速度は、ガス分散チャネル134を通り移動するにつれて減速する。次いで、ガス流は、基板110の表面中をおよびチャンバリッドアセンブリ132の下方表面160中を移動する。下方に傾斜しているチャンバリッドアセンブリ132の下方表面160は、基板110の表面中におけるガス流の速度の変動を低減させるのを助ける。次いで、ガス流は、チョーク162を過ぎ、プロセスチャンバ100のポンプゾーン166内に移動する。過剰ガス、副生成物、等々は、ポンプチャネル179内に流れ、真空システム178によりプロセスチャンバ100から排出される。一態様においては、このガス流は、ガス分散チャネル134を通り、基板110の表面とチャンバリッドアセンブリ132の下方表面160との間を層流の態様で進むが、これによって、基板110の表面に反応ガスを均一にさらし、チャンバリッドアセンブリ132の内表面を効率的にパージするのを助ける。本明細書においては、図1A~図1Bに図示するように、特徴の組合せを有するものとしてプロセスチャンバ100を説明した。一態様においては、プロセスチャンバ100は、従来的なCVDチャンバに比べて小さな体積を有する反応ゾーン164を提供する。プロセスチャンバ100は、ある特定のプロセスのために反応ゾーン164を満たすために、より少量の反応ガスまたはパージガスなどのガスを必要とする。別の態様においては、プロセスチャンバ100は、チャンバリッドアセンブリ132の下方表面と基板110との間を移動するガス流の速度プロファイルの変動を低減させるために、下方に傾斜しているかまたは漏斗形状の下方表面160を有するチャンバリッドアセンブリ132を提供する。さらに別の態様においては、プロセスチャンバ100は、中に導入されるガス流の速度を減速させるためにガス分散チャネル134を提供する。さらに別の態様においては、プロセスチャンバ100は、ガス分散チャネル134の中心から角度αの流体供給ラインを提供する。プロセスチャンバ100は、本明細書の他の箇所で説明されるような他の特徴を提供する。原子層堆積向けに適合化されたチャンバの他の実施形態は、これらの特徴の中の1つまたは複数を組み込む。前述の内容は、本発明の好ましい実施形態に関するものであるが、本発明の基本範囲から逸脱することなく、本発明の他のおよびさらなる実施形態を考案することができる。また、この基本範囲は、以下に続く特許請求の範囲によって規定される。"