"外周縁に表面から裏面にかけて円弧状の面取り部が形成された円盤形状のウェーハを表面に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該面取り部を周方向に沿って除去する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に光を照射し該表面を撮像する撮像手段と、を備える切削装置であって、該チャックテーブルは、該ウェーハの裏面全面を吸引保持する保持部と、該保持部の外周を囲繞して配設された外周リング部とを有し、該外周リング部の内径は該ウェーハの外径よりも小さく外径は該ウェーハの外径よりも大きく形成されており、該保持部の中心に該ウェーハの中心を位置づけて保持した際にウェーハの外周縁を囲繞し、該外周リング部は、該撮像手段から照射された光が正反射して該ウェーハの輪郭とのコントラストを明確にする材質で形成された光正反射層と、該光正反射層の上部に積層され該撮像手段から照射された光が透過する石英ガラス層とからなり、該石英ガラス層の表面と該保持部の表面は同一面に形成されている、ことを特徴とする切削装置。該チャックテーブルの該光正反射層はアルミナセラミックで形成されている、請求項1に記載の切削装置。しかしながら、前述した特許文献2に示された切削装置は、ウェーハの面取り部分の一部の除去を繰り返し行なうと、切削屑がウェーハの外周側でポーラスで構成されたチャックテーブルの表面に露出したポーラスの孔内に侵入して、チャックテーブルの外周部が汚れてしまう。かかる切削屑等によりチャックテーブルの外周部が汚れてしまうと、撮像手段で撮像して得た画像は、ウェーハの外周の面取り部分とチャックテーブルの外周部とのコントラストが不明確となり、ウェーハの輪郭を浮き上がらせることができずに、ウェーハの輪郭の位置を誤認識してしまう虞がある。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、切削加工により生じるウェーハの切削屑によるチャックテーブルの外周部の汚れを低減し、ウェーハの輪郭の誤認識を防止できることを目的とする。前述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る切削装置は、外周縁に表面から裏面にかけて円弧状の面取り部が形成された円盤形状のウェーハを表面に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの該面取り部を周方向に沿って除去する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウェーハの表面に光を照射し該表面を撮像する撮像手段と、を備える切削装置であって、該チャックテーブルは、該ウェーハの裏面全面を吸引保持する保持部と、該保持部の外周を囲繞して配設された外周リング部とを有し、該外周リング部の内径は該ウェーハの外径よりも小さく外径は該ウェーハの外径よりも大きく形成されており、該保持部の中心に該ウェーハの中心を位置づけて保持した際にウェーハの外周縁を囲繞し、該外周リング部は、該撮像手段から照射された光が正反射して該ウェーハの輪郭とのコントラストを明確にする材質で形成された光正反射層と、該光正反射層の上部に積層され該撮像手段から照射された光が透過する石英ガラス層とからなり、該石英ガラス層の表面と該保持部の表面は同一面に形成されていることを特徴とする。また、前記切削装置では、該チャックテーブルの該光正反射層はアルミナセラミックで形成されていることが好ましい。本発明に係る切削装置は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層の上に、表面粗さの細かい石英ガラス層を積層し、石英ガラス層の表面をチャックテーブルの保持部の表面と同一面に形成することで、切削屑が石英ガラス層の表面に留まることを極力低減できる。このために、切削加工を繰り返し行なっても、チャックテーブルの外周部である石英ガラス層が切削屑により汚れることを抑制でき、ウェーハの外縁の誤認識を抑制することができる。本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。図1は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。図2は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルなどの斜視図である。図3は、実施形態に係る切削装置のチャックテーブルと撮像手段との位置関係を示す説明図である。図4は、実施形態に係る切削装置の撮像手段が得た画像に2値化処理を施して得られた2値画像の一例を示す説明図である。図5は、図4に示された画像からウェーハの外縁を抽出した状態を示す説明図である。本実施形態に係る切削装置1は、切削ブレード21を有する切削手段20とウェーハWを保持したチャックテーブル10とを相対移動させることで、ウェーハWを切削するものである。なお、ウェーハWの詳細は、後程、説明する。図1に示すように、切削装置1は、装置本体3と、チャックテーブル10と、切削手段20と、撮像手段30と、画像処理手段101と、制御手段100とを含んで構成されている。チャックテーブル10は、後述する保持部12の表面12aにウェーハWを保持するものである。チャックテーブル10は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台2に着脱自在に取り付けられている。チャックテーブル10の詳細は、後程、説明する。切削手段20は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの後述する面取り部8を周方向に沿って切削ブレード21により切削、除去するものである。切削ブレード21は、図1に示すように、略リング形状を有する極薄の切削砥石であり、スピンドル22に着脱自在に装着される。スピンドル22は、支持部4に取り付けられた円筒形状のハウジング23に回転可能に支持され、ハウジング23に収納されている図示しないブレード駆動源に連結されている。切削ブレード21は、ブレード駆動源により発生した回転力により回転駆動する。撮像手段30は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの表面Wa,Wcに光を照射し、これらの表面Wa,Wcを撮像するものである。本実施形態では、撮像手段30は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの外縁部の一部の画像を得る。撮像手段30は、チャックテーブル10および切削手段20が、加工装置1が加工動作を開始する前の基準位置に位置した状態で、チャックテーブル10上のウェーハWの外縁部の一部とZ軸方向に対向するように、支持部4に取り付けられている。撮像手段30は、図3に示すように、CCDカメラなどの撮像装置31と、照明装置32とを備えている。撮像装置31は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの面取り部8を含む外縁部の一部とチャックテーブル10の外縁部の一部を撮像して、画像を得る装置である。照明装置32は、撮像装置31が撮像するウェーハW及びチャックテーブル10の外縁部に光を照射する装置であって、光源33と光源33からの光をウェーハWの外縁部の一部に向かって反射するミラー34などを備えている。なお、撮像装置31と照明装置32の詳細は、後程、説明する。画像処理手段101は、例えばCPU等で構成された演算処理装置やROM、RAM等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されている。なお、画像処理手段101の詳細は、後程、説明する。制御手段100は、例えばCPU等で構成された演算処理装置やROM、RAM等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成され、切削装置1による加工動作を制御するものである。制御手段100は、テーブル移動基台2、真空供給源、ブレード駆動源、撮像手段30、画像処理手段101、後述するX軸移動手段40、Y軸移動手段50、Z軸移動手段60、カセットエレベータ70、仮置き手段80、洗浄乾燥手段90などと接続されている。制御手段100は、画像処理手段101が後述するように抽出したウェーハWの中心位置などに基いて、切削手段20によりチャックテーブル10に保持されたウェーハWの面取り部8を周方向に沿って除去する際に、切削ブレード21とウェーハWの中心位置との距離が一定となるように、Y軸移動手段50を制御する。また、本実施形態にかかる切削装置1は、さらに、X軸移動手段40と、Y軸移動手段50と、Z軸移動手段60と、カセットエレベータ70と、仮置き手段80と、洗浄乾燥手段90とを含んでいる。X軸移動手段40は、切削ブレード21に対してウェーハWをX軸方向に相対移動させるものである。本実施形態では、X軸移動手段40は、X軸と平行でかつテーブル移動基台2の図示しないナットに螺合した図示しないX軸ねじ軸と、X軸ねじ軸を軸心周りに回転させる図示しないX軸パルスモータと、X軸と平行でかつテーブル移動基台2の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のX軸ガイドレールとを含んでいる。X軸移動手段40は、テーブル移動基台2を装置本体3に対してX軸方向に移動させることで、テーブル移動基台2を介して、テーブル移動基台2に取り付けられているチャックテーブル10を装置本体3に対してX軸方向に移動させる。なお、テーブル移動基台2は、装置本体3において、その中心軸線を中心に回転自在に支持され、装置本体3に収納されている図示しない中心軸周り駆動源により回転駆動される。Y軸移動手段50は、切削ブレード21とチャックテーブル10に保持されたウェーハWとをY軸方向において相対移動させることで、ウェーハWに対する割り出し送りを実現するものである。本実施形態では、Y軸移動手段50は、Y軸と平行でかつブレード移動基台6の図示しないナットに螺合した図示しないY軸ねじ軸と、Y軸ねじ軸を軸心周りに回転させるY軸パルスモータ51と、Y軸方向と平行でかつブレード移動基台6の図示しないスライダをスライド自在に支持した図示しない一対のY軸ガイドレールとを含んでいる。Y軸移動手段50は、装置本体3に対して、ブレード移動基台6をY軸方向に移動させることで、このブレード移動基台6にZ軸方向に移動自在に設けられた支持部4を介して、切削ブレード21をウェーハWに対してY軸方向に移動させる。Z軸移動手段60は、切削ブレード21とチャックテーブル10に保持されたウェーハWとをZ軸方向において相対移動させることで、ウェーハWに対する切り込み量を変更する。本実施形態では、Z軸移動手段60は、Z軸と平行でかつ支持部4の内部に設けられた図示しないナットと螺合したZ軸ねじ軸61と、Z軸ねじ軸61を軸心周りに回転させるZ軸パルスモータ62と、Z軸と平行でかつ支持部4の図示しないスライダをスライド自在に支持した一対のZ軸ガイドレール63とを含んでいる。Z軸移動手段60は、ブレード移動基台6の壁部5に対して、支持部4をZ軸方向に移動させることで、支持部4を介して、切削ブレード21をウェーハWに対してZ軸方向に移動させる。カセットエレベータ70は、ウェーハWを1枚ずつ収納する収納部がZ軸方向に複数形成されており、一度に複数のウェーハWを収納するものである。カセットエレベータ70は、装置本体3の内部に形成された図示しない空間部内をZ軸方向において昇降自在に構成されている。仮置き手段80は、一対のレールを有し、一対のレール上に加工前後のウェーハWを一時的に載置するものである。洗浄乾燥手段90は、スピンナテーブル91を有し、加工後のウェーハWが載置され、保持される。スピンナテーブル91は、装置本体3に収納されている図示しないスピンナテーブル駆動源と連結されている。洗浄乾燥手段90は、スピンナテーブル91にウェーハWが保持されると、スピンナテーブル駆動源が発生する回転力により、ウェーハWを回転させ、図示しない洗浄液噴射装置からウェーハWに対して洗浄液を噴射することで洗浄し、洗浄後のウェーハWに対して図示しない気体噴射装置から気体を噴射することで乾燥させる。ウェーハWは、切削装置1により加工される円盤形状の加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とするウエーハである。ウェーハWは、デバイスが複数形成されている実装部7の表面Waの裏側の裏面WbにダイシングテープTが貼着され、ウェーハWに貼着されたダイシングテープTがフレームFに貼着されることで、フレームFに固定される。ウェーハWは、図3に示すように、表面Waと裏面Wbとの双方が平坦でかつ互いに平行な実装部7と、この実装部7の外縁に連なった面取り部8とを一体に備えている。実装部7は、円盤状に形成されている。面取り部8は、実装部7の外縁に連なって、ウェーハWの外周縁に形成されている。面取り部8は、実装部7の表面Waから裏面Wbにかけて断面円弧状に形成されている。ウェーハWは、実装部7の表面Waが照明装置32などからの光を正反射し、面取り部8の表面Wcが照明装置32などからの光を拡散反射する。なお、実装部7の表面Waと面取り部8の表面Wcは、ウェーハWの表面を構成する。チャックテーブル10は、図2及び図3に示すように、装置本体3の中央に設けられたテーブル移動基台2に取り付けられるテーブル本体11と、保持部12と、外周リング部13とを備えている。テーブル本体11は、ステンレス鋼などの金属で構成され、かつ円盤状の底板部14と、底板部14の外縁から立設した円筒状の筒状部15とを備えて、有底筒状に形成されている。筒状部15の内径は、ウェーハWの外径よりも大きく形成されている。筒状部15は、図示しない着脱機構によりテーブル移動基台2に着脱自在に取り付けられている。筒状部15の上面15aは、平坦に形成されて、照明装置32などからの光を正反射する。保持部12は、ポーラスセラミックで構成され、かつ外径が筒状部15の内径よりも小さな円盤状に形成されている。保持部12は、底板部14上に固定されて筒状部15内に収容されている。保持部12は、筒状部15即ちテーブル本体11と同軸に設けられている。保持部12は、表面12aチェックテーブル10の表面に相当上にウェーハWが載置される。保持部12の表面12aには、真空吸引源からの負圧が真空吸引経路を介して導入される。保持部12の表面12aに導入された負圧は、表面12a上に載置されたウェーハWに対して吸引力を発生して、ウェーハWを保持部12の表面12aに吸引保持する。こうして、保持部12は、真空吸引源などにより、ウェーハWの裏面Wb全体を吸引保持し、表面12aの中心上にウェーハWの中心を位置付けて、ウェーハWを保持する。なお、保持部12の表面12aは、テーブル本体11の筒状部15の上面15aと同一面に形成されている。外周リング部13は、保持部12の外周を囲繞して配設されている。外周リング部13は、内径が保持部12の外径と等しく外径が筒状部15の内径と等しい円環状に形成されている。外周リング部13の内径は、ウェーハWの外径よりも小さく設定されている。外周リング部13の外径は、ウェーハWの外径よりも大きく設定されている。外周リング部13は、保持部12の外側でかつ筒状部15の内側に設けられて、テーブル本体11の筒状部15内に収容されている。外周リング部13は、保持部12の中心にウェーハWの中心を位置づけて保持した際にウェーハWの外周縁を囲繞する。外周リング部13は、テーブル本体11の底板部14上に設けられる光正反射層16と、石英ガラス層17とを備えている。光正反射層16は、撮像手段30の照明装置32から照射された光が正反射してウェーハWの輪郭Eとのコントラストを明確にする材質で形成されている。光正反射層16は、アルミナを焼結して形成されたアルミナセラミックや発泡された石英ガラス即ち細かな気泡が設けられて白色化した石英ガラスなどで構成されている。本実施形態では、光正反射層16は、アルミナセラミックで形成されている。石英ガラス層17は、光正反射層16の上部に積層されている。石英ガラス層17は、石英から形成されるガラス所謂、石英ガラスで構成されている。石英ガラス層17は、透明に形成されて、撮像手段30の照明装置32から照射された光を透過する。石英ガラス層17の表面17aは、保持部12の表面12a及びテーブル本体11の筒状部15の上面15aと同一面に形成されている。また、石英ガラス層17の表面17aの表面粗さは、ウェーハWに切削加工を施して生じる切削屑のうち最も小さな切削屑直径1μm程度よりも小さく形成されている。前述した構成の外周リング部13は、保持部12上に載置されたウェーハWの面取り部8が重ねられる。こうして、外周リング部13は、面取り部8即ちウェーハWの外周縁を囲繞する。撮像手段30の撮像装置31と照明装置32とは、照明装置32が照射してウェーハWの実装部7の表面Wa、光正反射層16及びテーブル本体11の筒状部15の上面15aにより正反射される光を、撮像装置31が受光できる位置に設けられている。撮像装置31と照明装置32とは、照明装置32が照射してウェーハWの面取り部8の表面Wcにより拡散反射された光を、撮像装置31が受光しない位置に設けられている。本実施形態では、撮像装置31と照明装置32とは、隣接している。撮像手段30は、照明装置32がチャックテーブル10上のウェーハWの外縁部の一部に光を照射し、撮像装置31が実装部7の表面Wa、光正反射層16及びテーブル本体11の筒状部15の上面15aにより正反射される光を受光して得た画像を画像処理手段101に出力する。画像処理手段101は、撮像手段30から入力した画像に所定の閾値で2値化処理を施して、2値画像G図4に示すを得て、2値画像GからウェーハWの輪郭Eを抽出して、ウェーハWの中心位置を抽出する。画像処理手段101は、抽出したウェーハWの中心位置を制御手段100に出力する。次に、本実施形態に係る切削装置1の加工動作を説明する。切削装置1は、搬出入手段130によりカセットエレベータ70から切削加工前のウェーハWを仮置き手段80上に載置し、仮置き手段80に載置されたウェーハWを搬送手段によりチャックテーブル10の保持部12上に載置する。保持部12が、ウェーハWを吸引保持する。撮像手段30の撮像装置31が、チャックテーブル10の保持部12に保持されたウェーハWの面取り部8を含む外縁部の一部とチャックテーブル10の外縁部の一部とを撮像して画像を得る。撮像装置31が得た画像では、実装部7の表面Waにより反射された光の輝度値は、面取り部8に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。画像処理手段101は、撮像手段30が得た画像に、例えば、光の輝度値が所定の閾値を越えた部分を白とし、光の輝度値が所定の閾値以下の部分を黒とする2値化処理を施して、2値画像G図4に示すを得る。この2値画像Gでは、図4に示すように、実装部7の表面Waを示す部分Aが白で示され、面取り部8を示す部分Cが黒で示される。撮像手段30が得た2値化処理前の画像では、切削装置1の初期状態では、光正反射層16及びテーブル本体11の筒状部15の上面15aにより反射された光の輝度値が、面取り部8に乱反射された光の輝度値よりも遥かに大きくなっている。しかしながら、ウェーハWの切削加工により生じる切削屑が石英ガラス層17の表面17a上に溜まって、照明装置32から照射された光を切削屑が乱反射するために、光正反射層16により反射された光の輝度値が、切削装置1が切削加工を施したウェーハWの枚数が増加するのにしたがって、徐々に低下する。しかし、本実施形態の切削装置1では、石英ガラス層17の表面17aが保持部12の表面12aと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて、石英ガラス層17の表面17aに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ない。このために、本実施形態の切削装置1では、切削装置1が切削加工を施したウェーハWの枚数が増加しても、光正反射層16により反射された光の輝度値の低下の度合いが、従来よりも遥かに少なく抑制される。したがって、本実施形態の切削装置1では、切削装置1が切削加工を施したウェーハWの枚数が増加しても、切削屑により低下した光正反射層16とテーブル本体11の筒状部15の上面15aとにより反射された光の輝度値が、前述した閾値を超えた状態に維持することができる。したがって、切削装置1が切削加工を施したウェーハWの枚数が増加しても、石英ガラス層17の表面17aが保持部12の表面12aと同一面でかつ前述した表面粗さに形成されて石英ガラス層17の表面17aに溜まる切削屑が従来よりも遥かに少ないので、2値画像Gでは、光正反射層16とテーブル本体11の筒状部15の上面15aを示す部分Bが白で示される。画像処理手段101は、図5に示すように、前記面取り部8を示す部分Bから面取り部8の外縁即ちウェーハWの輪郭Eを抽出する。画像処理手段101は、ウェーハWの輪郭Eの図示しない任意の3点を選択し、選択した3点の座標からウェーハWの図示しない中心の座標即ち中心位置を抽出する。画像処理手段101は、ウェーハWの中心位置を制御装置100に出力する。制御手段100は、ウェーハWの中心位置とチャックテーブル10の保持部12の中心とのずれ量やずれの方向を算出する。制御手段100は、予め定められた切り込み量となるようにZ軸移動手段60を制御し、前述したずれ量やずれの方向などに基いて、ウェーハWの中心位置と切削ブレード21との距離が予め定められた距離となるようにY軸移動手段50を制御して、切削ブレード21を回転させながらチャックテーブル10をZ軸周りに回転させる。こうして、切削装置1は、ウェーハWの面取り部8を周方向に沿って、切削することで除去する。切削加工後のウェーハWは、搬送手段により洗浄乾燥手段90に搬送され、洗浄乾燥手段90により洗浄された後、乾燥される。そして、加工後のウェーハWは、搬送手段により仮置き手段80に搬送された後、搬出入手段130によりカセットエレベータ70に収納される。切削装置1は、前述した工程を繰り返すことで、カセットエレベータ70に収納された複数のウェーハWに順に面取り部8を除去する切削加工などを施す。以上のように、本実施形態の切削装置1は、例えば、アルミナセラミックで構成されて正反射率の高い光正反射層16の上に表面粗さの小さい石英ガラス層17を積層して、外周リング部13を構成し、石英ガラス層17の表面17aをチャックテーブル10の保持部12の表面12aと同一面に形成している。このために、ウェーハWに切削加工を施す際に生じる切削屑が石英ガラス層17の表面17aに留まりにくくなり、前述した切削屑が石英ガラス層17の表面17aに留まることを極力低減できる。このために、切削装置1が切削加工を施したウェーハWの枚数が増加しても、チャックテーブル10の外周部であり表面17aに面取り部8が重ねられる石英ガラス層17が切削屑により汚れることを抑制できる。したがって、経年変化により、照明装置32から照射されて石英ガラス層17の表面17aにより反射される光の輝度値が徐々に低下しても、低下する度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、ウェーハWの輪郭Eの位置即ちウェーハWの中心位置を誤認識することを防止することができる。また、経年変化により、石英ガラス層17の表面17aにより反射される光の輝度値の低下の度合いを従来よりも遥かに少なくできるので、経年変化により撮像手段30が得た画像に2値化処理を施す際の閾値を調整する頻度を激減させることができ、チャックテーブル10の交換や清掃の頻度を抑制することができる。なお、上記実施形態では、撮像手段30の撮像装置31と照明装置32とを互いに隣接させたが、本発明では、照明装置32から照射されて実装部7の表面Wa、光正反射層16により正反射された光を受光し、かつ面取り部8の表面Wcにより拡散反射された光を受光しなければ、撮像手段30の撮像装置31と照明装置32との位置を適宜変更しても良いことは勿論である。また、光正反射層16は、照明装置32から照射され光を正反射できれば、前述したアルミナセラミック、白色化した石英ガラス以外の材質で構成してもよい。さらに、画像処理手段101が行なう2値化処理は、前述した実施形態に限定されることなく、面取り部8と保持部12の表面12aとのコントラストを明確にして、ウェーハWの輪郭Eを浮き上がらせることができれば、適宜変更しても良い。"