合成石英ガラスからなる透明な内層を有する石英ガラスルツボの製造方法であって、次のステップ、すなわち、a内面を備えた石英ガラス製のルツボ基体20を用意するステップと、b前記ルツボ基体20の内面の少なくとも一部分の面に、蒸着法によって多孔質のSiO2スート層21を生成するステップと、c水酸基含有量を低減するために前記多孔質のSiO2スート層21を乾燥するステップと、d前記スート層21を低水素の雰囲気中で透明な石英ガラスからなる内層に焼結するステップであって、前記内層の石英ガラスにおいて水酸基含有量が100重量ppm未満になるように前記スート層21を焼結するステップと、を含む方法。方法のステップaによる前記ルツボ基体20を用意するステップが、前記ルツボ基体20の石英ガラスを、前記内面におけるアルカリイオンの空乏化をもたらすような電界に曝露する高温電気分解を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。方法のステップaによる前記ルツボ基体20を用意するステップが、溶融材料用の型1の内壁面に形成されるSiO2粒体からなる粒体層12を、前記ルツボの基体に対するアーク13によってガラス化するガラス化のプロセスを含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。方法のステップbによる前記多孔質のSiO2スート層21が、石英ガラスの密度の10~35の範囲の密度、好ましくは石英ガラスの密度の15~30の範囲の密度を有するように生成される、ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。方法のステップbによる前記SiO2スート層21が、60mm未満の層厚を有するように生成される、ことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。方法のステップdによる前記SiO2スート層21の焼結を、前記スート層21に作用するレーザビームを用いて実施する、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記SiO2スート層21が、底面領域と、前記底面領域に結合されると共に上部の縁部を含む周縁の側壁領域とを有し、その場合、前記レーザビームの作用によって溶融前端部が生成され、前記溶融前端部は、前記レーザビームのらせん状の動きによって、前記底面領域を始点として、前記側壁領域および前記上部の縁部の方向に押進される、ことを特徴とする請求項6に記載の方法。方法のステップdによる前記SiO2スート層21の焼結を、炉内における加熱によって実施する、ことを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記内層の石英ガラス中の水酸基含有量が70重量ppm未満に調整される、ことを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。方法のステップdによる前記焼結後の内層から、0.5mm未満の層厚をエッチングによって除去する、ことを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。このように生成された内層は高純度の合成石英ガラスから構成される。しかし、この石英ガラスは、製造上の条件から高い水酸基含有量を有し、これは、粘度が比較的低下する現象を伴う。従って、既知のルツボは、結晶引き上げプロセスの際の高温度に長時間耐えることができない。従って、本発明の目的は、透明で低気泡でありかつ純粋な石英ガラスからなる内層を有する石英ガラスルツボであって、さらに長い耐久時間を特徴とする石英ガラスルツボの製造方法を提示することにある。この目的は、以下のステップ、すなわち、a内面を備えた石英ガラス製のルツボ基体を用意するステップと、bそのルツボの基体の内面の少なくとも一部分の面に、蒸着法によって多孔質のSiO2スート層を生成するステップと、c水酸基含有量を低減するために多孔質のSiO2スート層を乾燥するステップと、dスート層を低水素の雰囲気中で透明な石英ガラスからなる内層に焼結するステップであって、その内層の石英ガラスにおいて水酸基含有量が100重量ppm未満になるようにスート層を焼結するステップと、を含む方法である、本発明に従って実現される。ルツボの基体としては、透明な、内層を有するまたは有しない石英ガラスのルツボを対象としている。ルツボの壁体の少なくとも外側の領域は気泡を含むことが可能であり、不透明に見えてよい。ルツボの基体は、湾曲した移行領域を介して円筒形状の周縁の側壁と結合される底面を有する。底面と移行領域と側壁とが、ルツボの内面およびルツボの内部空間を画定する。ルツボの基体の内面上に、多孔質のSiO2スート層を蒸着法によって生成させる。この場合、反応ゾーン内において、SiO2粒子が、シリコン含有親化合物の加水分解または熱分解によって形成され、それが、多孔質のSiO2スート層を形成しながらルツボの基体の内面上に堆積する。このスート層は、全内面、あるいはその一部分、但し少なくとも移行領域をカバーする。この場合、SiO2スート層が開放型の多孔性を有することが重要である。これは、堆積プロセスにおいて、スート層の表面温度を、堆積するSiO2粒子の直接的な緻密焼結を避けるような低温度に保持することによって得られる。表面温度は、例えば、反応ゾーンから表面までの距離によって調節することが可能である。適切な表面温度は若干の試験に基づいて決定できる。スート層の多孔性によって、層の乾燥およびドープ剤の添加のような後処理が可能になる。乾燥プロセスは、スート層の焼結の前またはその間に実施できる。乾燥プロセスとしては、例えば、スート層の真空処理≦300mbar、あるいは反応性乾燥ガス、例えば、塩素のようなハロゲン含有乾燥ガスによる処理が含まれる。乾燥によって、既に、水酸基の含有量は明らかに低下し、基本的に150重量ppm未満に調整される。従って、乾燥プロセスによって、水酸基含有量の低下から、内層の石英ガラスの粘度が比較的高くなる結果がもたらされ、これは石英ガラスルツボの耐久時間に好適に作用するのである。スート層の緻密焼結を、低水素の-理想的には水素を含まない-周囲環境において真空の下で実施するか、あるいはヘリウムを含む雰囲気中で実施すると、酸素または酸化物が水素と反応することによる新しい水酸基の発生が防止され、水酸基含有量のさらなる低減をもたらすことが可能である。多孔質のスート層を乾燥および焼結した後得られる内層は、透明で気泡がなく、かつ、100重量ppm未満、好ましい場合は70重量ppm未満の水酸基含有量しか含まない。内層の石英ガラスは、十分に高い粘度を示し、高温度において長い処理時間にも耐える。内層の材料自体は、確かに高い純度という点で優れているが、例えば、多孔質スート層の焼結の場合、または石英ガラスルツボの規定通りの使用の場合のような高温度において、ルツボの基体の石英ガラスから、汚染物質が拡散し、相対的に薄い内層を貫通して半導体の溶融材に達するリスクが生じる。特にアルカリイオンは、石英ガラス中において高い移動性を呈し、同時に、半導体の電気的特性に好ましくない作用をなすいわゆる半導体毒になる。従って、シリコン溶融材料の汚染のリスクをさらに低減するために、方法のステップaによるルツボの基体を用意するステップは、ルツボの基体の石英ガラスを、ルツボの基体の内面におけるアルカリイオンの空乏化をもたらすような電界に曝露する高温電気分解を含むことが望ましい。石英ガラス構造部品の精製のためのこのような高温電気分解法は既知である。例えば、特許文献4に、高温電気分解によって石英ガラスのルツボを精製する方法が記載されているが、この方法は、ルツボを1500°Cの温度に加熱し、その際に、ルツボの壁体に2kVの電圧を印加することによって実施される。この場合、アノードは、石英ガラスのルツボ内に無接触で装着されるグラファイトネットによって形成され、カソードは、ルツボの壁体上にバーナ炎によってもたらされるイオン化ガスによって形成される。160mAの電流が生じ、その際、正に帯電したイオン、特にアルカリイオンは、ルツボの内面から離れるように移動し、バーナ炎内でガス相の中に移行して除去される。高温電気分解は、特に移動しやすいアルカリイオンをルツボの基体の内面から空乏化させる結果をもたらし、それによって、内層製造の際の内層の汚染に関わる上記のリスク、あるいは、石英ガラスルツボを規定どおり使用する場合の半導体溶融材に関わる上記のリスクが低減する。方法のステップaによるルツボの基体を用意するステップが、溶融材料用の型の内壁面に形成されるSiO2粒体からなる粒体層を、ルツボの基体に対するアークによってガラス化するガラス化のプロセスを含むと、特に良好であることが実証された。この場合、通常では、回転する溶融材料用の型の壁体に粒体層を生成し、引き続いて、これを、アークプラズマによって加熱して、少なくとも部分的に不透明な壁体を有するルツボの基体にガラス化する。ルツボの基体を製造するため、天然の水晶原料からなる割安な水晶粒体を用いることが可能である。この方法で、ルツボの基体の急速かつ割安な製造が可能になる。多孔質スート層の密度は、石英ガラスの密度の10~35の範囲、特に好ましくは石英ガラスの密度の15~30の範囲にあることが望ましい。この場合、2.21g/cm3の未ドープの石英ガラスの密度が基礎になる。スート密度が低いとスート層の気泡のないガラス化が困難になる。これは、15未満の密度、特に10未満の密度の場合に当てはまる。30より高い、特に35より高いような非常に高い密度は、後続の気相処理、例えば脱水処理の効果を低下させる可能性がある。SiO2スート層の製造には、多孔質のスート層が得られる限り、既知の化学蒸着法が基本的に適している。方法のステップbによるSiO2スート層は、堆積バーナによって生成するのが望ましい。堆積バーナはバーナ炎またはプラズマの形態の反応ゾーンを生成する。その炎の圧力またはプラズマの圧力を、反応ゾーン内において形成されるSiO2スート粒子を被覆されるべきルツボの基体の内面の方向に加速するのに用いることができる。方法のステップbによるSiO2スート層は、60mm未満の層厚になるように生成することが有利であると判明している。層厚が1mm未満である場合には、焼結後に薄い内層になり、ルツボを使用する場合に急速に損耗する可能性がある。60mmより厚い層厚の場合は、ガラス化が難しく、その熱絶縁作用のために加熱時間が長くなる。スート層を低水素雰囲気中で焼結することによって、酸素または酸化物が水素と反応することによる新しい水酸基の発生が回避される。この点に関して、方法のステップdによるSiO2スート層の焼結を、スート層に作用するレーザビームを用いて行うと有利であることが判明している。レーザによって、焼結温度へのスート層の急速かつ効果的な加熱が可能になる。この方式は、炉内におけるスート層の焼結に比べて、照射されるエネルギーが専らスート層の加熱のみに用いられ、炉と、ルツボの基体と、周囲の雰囲気との付加的な加熱には用いられないという利点がある。この場合、底面領域と、底面領域に結合されると共に上部の縁部を含む周縁の側壁領域とを有するSiO2スート層を次のように焼結することが望ましい。すなわち、レーザビームのらせん状または格子状の動きによって、底面領域を始点として側壁領域および上部の縁部の方向に押進される溶融前端部が、レーザビームの作用によって生成されるように焼結するのである。溶融前端部と、従ってスート層内に含まれかつ放出されるガスとは、底面領域の中心を始点としてスート層の上部の縁まで外向きに押進され、そこで、このガスは制約なく流出できる。従って、ガスの閉じ込めおよび気泡の形成が避けられる。これに対する代替方式として、方法のステップdによるSiO2スート層の焼結を、炉内における加熱によって行うことも有利であることが判明している。この変形態様の方法の場合は、ルツボの基体を、スート層と共に焼結炉内に装入し、その中でスート層を全体として焼結する。焼結炉は、大気圧とは異なる圧力と、所定の焼結雰囲気との調整および保持が簡単である。この場合、スート層の乾燥も、1つの炉内、好ましくは焼結炉内で実施されることになる。この点に関して、方法のステップdによるSiO2スート層の焼結を、真空の下で実施すると有利であることが判明している。スート層を真空の下で焼結することによって、内層における気泡の閉じ込めが回避され、それは、SiO2スート層内における水酸基の低含有量化に寄与する。従って、この方法で、水酸基が低減されかつ特に低気泡の内層が得られる。この場合、真空というのは、300mbar未満の絶対圧力を有する低圧と理解する。これに代わる方式として、かつ同等に好ましい方式として、方法のステップdによるSiO2スート層の焼結を、ヘリウム含有雰囲気の下で行う方式がある。ヘリウムは、石英ガラス中における拡散速度が高いという特徴がある。従って、スート層の焼結においてヘリウムが充満された気泡が生じることはなく、あるいは、それは、焼結プロセスの間にも溶解し得るのである。この方式によって、同様に、特に低気泡の内層が実現される。通常、石英ガラスルツボの内面は出荷前に清浄化しなければならない。このため、エッチング法がよく用いられる。しかし、本発明による方法においては、初めから高い表面品質が得られ、エッチング処理は全く必要ないか、あるいは、強さの弱いエッチング処理しか必要としない。好ましくは、方法のステップdによる焼結後の内層から0.5mm未満の層厚をエッチングによって除去する。以下、実施形態例および図面に基づいて本発明を詳しく説明する。各図面は模式的に表現されている。図1の溶融装置は、内径75cmの金属製の溶融材料用の型1であって、外側フランジで支持体3の上に載っている溶融材料用の型1を含む。支持体3は中心軸4の回りに回転可能である。溶融材料用の型1の内部空間10内には、グラファイト製のカソード5およびアノード6電極5;6が突き出ているが、両電極5および6は、-方向の矢印7で示されるように-溶融材料用の型1の内部においてあらゆる空間方向に動くことができる。溶融材料用の型1の開放された上側は、中心の貫通穿孔を有する水冷金属プレートの形態の熱遮蔽部材11によって、部分的にカバーされる。電極5、6は、この中心の貫通穿孔を通って溶融材料用の型1の中に突き出ている。熱遮蔽部材11はヘリウム用のガス流入部9と連結される。熱遮蔽部材11は、溶融材料用の型1の上部の平面内において、方向の矢印14によって示されるように水平方向xおよびy方向に動くことができる。支持体3および溶融材料用の型1の間の空間は、真空装置によって減圧することができる。これが方向の矢印17によって表現されている。溶融材料用の型1は多数の貫通通路孔8これは図1においては底面領域に概略的にのみ表現されているを有しており、これを介して、型1の外側に形成される真空17が内部に進入することができる。以下、28インチの石英ガラスルツボ用のルツボ基体の製造について、実施形態例に基づいて詳しく説明する。高温塩素処理によって清浄化された天然の水晶砂からなる90μm~315μmの範囲の粒径の結晶粒体を、その縦軸4の回りに回転する溶融材料用の型1の中に充填する。遠心力の作用の下で、かつ型板を用いて、溶融材料用の型1の内壁面に、機械的に固められた水晶砂からなる回転対称のルツボ形状の粒体層12を成形する。粒体層12の平均的な層厚は約15mmである。SiO2粒体層12をガラス化するため、熱遮蔽部材11を溶融材料用の型1の開口の上部にセットする。電極5;6を熱遮蔽部材11の中心開口から内部空間10の中に挿し込み、電極5;6の間にアークを点火する。これは、図1において、グレーに表現された領域としてのプラズマゾーン13によって示されている。同時に、溶融材料用の型1の外側に真空を印加する。電極5;6を、熱遮蔽部材11と一緒に、図1に示される側部位置に動かして、600kW300V、2000Aの電力を印加すると、側面の壁体領域における粒体層12がガラス化される。底面領域の粒体層12をガラス化するためには、熱遮蔽部材11および電極5;6を中心位置に動かし、電極5;6を下向きに沈める。層の焼結においては、まず最初に、緻密な内側の表皮が生じる。その後、印加される低圧真空を高めることができ、真空がその完全な作用を発揮し得るようになる。溶融プロセスは、溶融前端部が溶融材料用の型1の内壁面に達する前に終了される。冷却後、上記のようにして得られたルツボ基体を溶融材料用の型1から取り外し、その外側を研磨除去する。ルツボの壁体は約10mmの均一な厚さを有し、ほとんど全体的に不透明である。ルツボ基体を、特許文献4に記載される方法に基づいて高温電気分解にかける。このため、それを1500°Cの温度に加熱し、同時に、ルツボの壁体に、160mAの電流が生じるような電圧を印加する。この方法によって、正に帯電したイオンの、ルツボの内面から離れる方向の移動が誘起され、特に、移動しやすいアルカリイオンのルツボ基体の内面における空乏化が達成される。ルツボの外面においては、アルカリイオンが、高温のイオン性ガスの作用によって気相に移行して除去される。引き続いて、予備清浄化されたルツボ基体20の内面にSiO2スート層21を堆積させる。この堆積プロセスは図2に模式的に表現されている。ルツボ基体20は、回転軸23の回りに回転可能な保持フレーム22の中に装着される。回転軸23は、この実施形態例においては鉛直線に対して30°の角度に傾いている。燃焼ガスとして酸素および水素が、シリコン含有親材料としてSiCl4が供給される通常のフレーム加水分解バーナ24を用いて、回転するルツボ基体20の内面上にスート層21を生成する。この目的のため、堆積バーナ24は、方向の矢印25で示すようにあらゆる空間的方向に動くことができるようにする。この方法で、ルツボ基体20の内面に、石英ガラスの密度の25の密度の均等な厚さのSiO2スート層21が生成される。スート層が形成される領域の表面温度は最大1250°Cである。このように生成されるスート層の水酸基含有量は約150重量ppmである。引き続いて、そのルツボ基体20を、多孔質のスート層21と共に真空炉内に装入して、その中で2段階プロセスにおいて乾燥しかつガラス化する。スート層21を乾燥するために、真空炉を大気圧において750°Cの温度に加熱し、その際、乾燥ガスをフラッシュする。乾燥ガスは、塩素の分率が5容積の塩素および窒素の混合物からなる。2hの処理時間経過後に、真空炉を<300mbarの絶対圧に減圧し、1400°Cの温度に加熱する。この温度において、スート層21は、気泡がなく、透明で高純度の内層に焼結される。引き続いて、焼結された層から、約0.1mmの層厚をフッ化水素酸中でのエッチングによって除去する。このように製造された石英ガラスルツボの内層は3mmの平均厚さを有する。それは、平滑で低気泡性であり、ルツボ基体20に固く結合されている。この内層の石英ガラスの平均的な水酸基含有量は約60重量ppmである。代替方式のガラス化法においては、ルツボ基体20を、多孔質のスート層21と共に、真空炉内において上記のように乾燥した後、焦点における最大3kWのビーム出力のCO2レーザTLF3000Turbo型を用いてガラス化する。このレーザ装置には、あらゆる空間方向へのロボット制御ビーム誘導を可能にするビーム誘導システムが備えられている。このレーザの主ビームは拡大光学系によって拡大され、その結果、スート層21の上に30mm直径のホットスポットが生じる。レーザビームを、るつぼ基体20の中心の底面領域を始点として、らせん形状に動かしながらスート層21の全面にわたって、その上部の縁部26図2参照まで導く。この間にスート層21は連続的にガラス化される。その際、レーザビームは、溶融前端部と、遅くとも上部の縁部26においてスート層21から脱出し得るスート層21内のガスとを前に押進する。引き続いて、焼結された層から、約0.1mmの層厚をフッ化水素酸中でのエッチングによって除去する。このように製造された石英ガラスルツボの内層は3mmの平均厚さを有する。それは、平滑で低気泡性であり、ルツボ基体20に固く結合されている。この内層の石英ガラスの平均的な水酸基含有量は約90重量ppmである。