UV硬化性樹脂及び添加剤を含んで、前記UV硬化性樹脂及び前記UV硬化性樹脂と接触するベース層間に化学的結合を誘導する接着増進剤を含むことを特徴とする、レジスト組成物。前記接着増進剤は、エポキシ系化合物またはウレタン系化合物であることを特徴とする、請求項1に記載のレジスト組成物。前記UV硬化性樹脂は、ポリメタクリル酸メチルPMMA樹脂、メタクリル酸ブチルBMA樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、及びポリビニルアルコール樹脂からなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項1に記載のレジスト組成物。前記添加剤は、開始剤またはカップリング剤のうちの少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載のレジスト組成物。前記カップリング剤は、γ-グルシドキシプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシランからなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項4に記載のレジスト組成物。前記開始剤は、アルファα-ヒドロキシケトン系化合物、α-アミノケトン系化合物、フェニルグリオキシラート系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、ベンゾフェノン、イルガキュア369、500、651及び907からなる群から選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項4に記載のレジスト組成物。前記UV硬化性樹脂の含量は、前記レジスト組成物の全体重量に対して50重量wtないし80重量wtの範囲を有することを特徴とする、請求項1に記載のレジスト組成物。前記接着増進剤の含量は、前記レジスト組成物の全体重量に対して10重量wtないし20重量wtの範囲を有することを特徴とする、請求項1に記載のレジスト組成物。基板を提供する段階と、前記基板上にレジスト層を形成する段階と、前記レジスト層上に一定なパターンを有するモールドを提供する段階と、前記モールドを前記レジスト層に合着させて前記モールドの前記パターンが転写された予備レジストパターンを形成する段階と、前記予備レジストパターンを硬化させてレジストパターンを形成する段階と、前記モールドを前記レジストパターンから脱着させる段階と、を含んで、前記レジスト層の形成組成物は、前記基板と前記レジスト層との間の接着力を向上させる接着増進剤を含むことを特徴とする、レジストパターン形成方法。前記予備レジストパターンを硬化させる段階は、前記モールドを使用して前記レジストパターンにUVを照射することを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記予備レジストパターンを硬化させる段階及び前記モールドを脱着させる段階の間に、前記レジストパターンを熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記レジストパターンを熱処理する段階は、チャンバ内で遂行されることを特徴とする、請求項11に記載のレジストパターン形成方法。前記レジスト層上に一定なパターンを有するモールドを提供する段階で、前記レジスト層が形成された基板は、加熱されたステージ上に配置されることを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記予備レジストパターンを硬化させる段階で、前記予備レジストパターンが形成された基板は、加熱されたステージ上に配置されることを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記接着増進剤は、エポキシ系化合物またはウレタン系化合物であることを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記接着増進剤の含量は、前記レジスト組成物の全体含量に対して10ないし20重量wtの範囲を有することを特徴とする、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。基板と、前記基板上に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルターパターンと、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルターパターン上に配置されて、突部を有するオーバーコートパターンと、を含んで、前記オーバーコートパターンは、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルターパターンのうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターンとの間の接着力を向上させるための接着増進剤を含む組成物から形成されたことを特徴とする、カラーフィルターアレイ基板。基板を提供する段階と、前記基板上にブラックマトリクスを形成する段階と、前記ブラックマトリクスが形成された基板上にカラーフィルターパターンを形成する段階と、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルターパターン上にオーバーコート層を形成する段階と、前記オーバーコート層上に一定パターンを有するモールドを合着して突部を有するオーバーコートパターンを形成する段階と、前記モールドを前記オーバーコートパターンから脱着させる段階と、を含んで、前記組成物は、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルターパターンのうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターンとの間の接着力を向上させるための接着増進剤を含むことを特徴とする、カラーフィルターアレイ基板の製造方法。基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に配置されて、前記薄膜トランジスターの一部を露出するコンタクトホールを具備する保護膜パターンと、前記コンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスターと電気的に連結された画素電極と、を含んで、前記保護パターンは、前記基板間の接着力を向上させる接着増進剤を含む組成物から形成されたことを特徴とする、薄膜トランジスターアレイ基板。基板を提供する段階と、前記基板上に薄膜トランジスターを形成する段階と、前記薄膜トランジスターを含む前記基板上に組成物を塗布して保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に一定なパターンを有するモールドを合着して薄膜トランジスターの一部を露出するコンタクトホールを有する保護パターンを形成する段階と、前記保護パターンから前記モールドを脱着させる段階と、前記コンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスターと電気的に連結された画素電極を形成する段階と、を含んで、前記組成物は、前記保護パターンと前記基板との間の接着力を向上させる接着増進剤を含むことを特徴とする、薄膜トランジスターアレイ基板の製造方法。本発明は、インプリントリソグラフィ工程でレジストパターンの不良を防止して、モールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。本発明の一つの目的は、インプリントリソグラフィ工程中にモールドの脱着工程を容易にしてレジストパターンの不良を防止してモールドの寿命を向上させることができるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板を提供する。前記技術的課題を達成するために、本発明によるレジスト組成物は、UV硬化性樹脂、添加剤、並びに、前記UV硬化性樹脂及び前記UV硬化性樹脂と接触するベース層間に化学的結合を誘導する接着増進剤を含む。前記技術的課題を達成するために、本発明によるレジストパターン形成方法は、基板を提供する段階と、前記基板上にレジスト層を形成する段階と、前記レジスト層上に一定なパターンを有するモールドを提供する段階と、前記モールドを前記レジスト層に合着させて前記モールドの前記パターンが転写された予備レジストパターンを形成する段階と、前記予備レジストパターンを硬化させてレジストパターンを形成する段階と、前記モールドを前記レジストパターンから脱着させる段階と、を含んで、前記レジスト層の形成組成物は、前記基板と前記レジスト層との間の接着力を向上させる接着増進剤を含む。前記技術的課題を達成するために、本発明によるカラーフィルターアレイ基板は、基板、該基板上に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルターパターン、及び、前記ブラックマトリクス及びカラーフィルターパターン上に配置されて突部を有するオーバーコートパターンを含んで、前記オーバーコートパターンは、前記ブラックマトリクス及びカラーフィルターパターンのうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターンとの間の接着力を向上させるための接着増進剤を含む組成物から形成される。前記技術的課題を達成するために、本発明によるカラーフィルターアレイ基板の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上にブラックマトリクスを形成する段階と、前記ブラックマトリクスが形成された基板上にカラーフィルターパターンを形成する段階と、前記ブラックマトリクス及びカラーフィルターパターン上にオーバーコート層を形成する段階と、前記オーバーコート層上に一定パターンを有するモールドを合着して突部を有するオーバーコートパターンを形成する段階と、前記モールドを前記オーバーコートパターンから脱着させる段階と、を含んで、前記組成物は、前記ブラックマトリクス及びカラーフィルターパターンのうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターンとの間の接着力を向上させるための接着増進剤を含む。前記技術的課題を達成するために、本発明による薄膜トランジスターアレイ基板は、基板、該基板上に形成された薄膜トランジスター、前記薄膜トランジスター上に配置されて前記薄膜トランジスターの一部を露出するコンタクトホールを具備する保護膜パターン、及び、前記コンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスターと電気的に連結された画素電極を含んで、前記保護パターンは、前記基板間の接着力を向上させる接着増進剤を含む組成物から形成される。前記技術的課題を達成するために、本発明による薄膜トランジスターアレイ基板の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に薄膜トランジスターを形成する段階と、前記薄膜トランジスターを含む前記基板上に組成物を塗布して保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に一定なパターンを有するモールドを合着して薄膜トランジスターの一部を露出するコンタクトホールを有する保護パターンを形成する段階と、前記保護パターンから前記モールドを脱着させる段階及び前記コンタクトホールを通じて前記薄膜トランジスターと電気的に連結された画素電極を形成する段階と、を含んで、前記組成物は、前記保護パターン及び前記基板間の接着力を向上させる接着増進剤を含む。本発明は、インプリンティングリソグラフィ工程で基底層とレジストパターンとの間の接着力を向上させて、モールドを基底層から安定に分離することができるので、モールドの寿命を向上させることができる効果がある。また、本発明は、モールドが基底層からきれいに脱着されるので、高解像度のレジストパターンを形成することができるので、高解像度のレジストパターンを形成することができる効果がある。これで、高集積度の回路を有する表示素子を容易に製造することができる。また、フォトリソグラフィ工程をインプリンティングリソグラフィ工程で置き換えられることによって表示素子の製造工程数を節減することができ、生産設備に対する投資を減らすことができる。よって、表示素子の生産単価を減らすことができて、価格競争力を有することができる。以下、添付した図面を参照して、本発明によるレジスト組成物、これを利用したレジストパターン形成方法、これを利用したアレイ基板の製造方法、及び、これを利用して製造されたアレイ基板をさらに具体的に説明する。図1aないし図1dは、本発明の第1実施例によるインプリントリソグラフィの製造工程を説明するために示した断面図である。図1aを参照すると、基板100上に基底層110を形成する。前記基底層110は無機物で形成された無機膜であることがある。基底層110で使用される無機膜の例としては、金属膜、酸化シリコーン膜、窒化シリコーン膜またはこれらの積層膜などを挙げることができる。この時、前記基底層110はスパッタリング法または化学気相蒸着法などを通じて形成することができる。液状レジスト組成物は前記基底層110上にコーティングされて、前記基底層110上にはレジスト層120が形成される。ここで、レジスト層120はスピンコーティング法、ブレードコーティング法、スプレーコーティング法及びロールプリンティング法などによって形成される。前記レジスト組成物は、UV硬化性樹脂を含む。ここで、前記UV硬化性樹脂は、アクリル基またはビニル基を有する有機化合物であることがある。前記UV硬化性樹脂で使用されることができる物質の例としては、ポリメタクリル酸メチル樹脂、メタクリル酸ブチル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂及びポリビニルアルコール樹脂などを挙げることができる。前記UV硬化性樹脂の含量は、前記レジスト組成物の全体重量に対して50重量wtないし80重量wtであることがある。これは、前記UV硬化性樹脂の含量が50wt未満である場合、前記レジストパターンの形態を維持することができないからである。これとは反対に、前記UV硬化性樹脂の含量が80wtを超過すると、前記レジスト組成物の粘度が高くなって基底層110上に塗布しにくい。また、前記レジスト組成物は、前記レジスト層120と前記基底層110との間の接着力を向上させることができる接着増進剤を含む。前記接着増進剤は、前記レジスト層120が前記基底層110との化学的結合を誘導することができる物質で形成されることができる。ここで、前記接着増進剤で使用される物質の例としては、エポキシ系化合物またはウレタン系化合物などが挙げられる。前記接着増進剤の含量は、前記レジスト組成物の全体重量に対して10wtないし20wtであることがある。これは、前記接着増進剤の含量が10wt未満である場合、前記レジスト層120と前記基底層110との間の接着力を向上させるのに効果がないからである。一方、前記接着増進剤の含量が20wtを超過する場合、前記レジストパターンの形態が壊れる問題点を有する。これに加えて、前記レジスト組成物は、添加剤をさらに含むことができる。前記添加剤は、前記UV硬化性樹脂の反応を開始するための開始剤及びカップリング剤であることがある。ここで、前記開始剤の例としては、アルファヒドロキシケトン系化合物、アミノケトン系化合物、フェニルグリオキシラート系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、ベンゾフェノン、イルガキュア369、500、651及び907などを挙げることができる。この時、前記開始剤の含量は、前記レジスト組成物の全体含量に対して3wt以下であることがある。前記カップリング剤の例としては、γグルシドキシプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン及びメチルトリメトキシシランなどが挙げられる。前記カップリング剤は、前記基底層110が無機膜である場合、前記基底層110と前記接着増進剤をお互いに化学的に結合させるか、あるいは、前記基底層110と前記レジスト層120を構成するUV硬化性樹脂をお互いに化学的に結合させる役割を遂行する。すなわち、前記レジスト組成物に前記カップリング剤を添加することで、前記基底層110と前記レジスト層120との間の接着力を向上させることができる。前記カップリング剤の含量は、前記レジスト組成物の全体重量に対して5wtないし10wtであることがある。これは、前記カップリング剤の含量が5wt未満である場合、前記基底層110と前記レジスト層120との間の化学的結合を誘導するのに効果がないからである。一方、前記カップリング剤の含量が10wt超過する場合、前記レジスト組成物の粘度が高くなって、前記基底層110上に均一に塗布しにくい。以後、レジスト層120が形成された基板100上に一定なパターンが形成されたモールド200を整列させる。モールド200は凹凸部を具備する。また、モールド200は光を透過することができる透明な材質で形成される。前記モールド200材質の例としては、PDMS、PC、シリコーン及び硝子などを挙げることができる。前記モールド200をレジスト層120上に整列させる前に、モールド200を洗浄するための洗浄工程を遂行することができる。これは、前記モールド200が異物によって汚染されている場合、レジスト層120上に所望のレジストパターンを得ることができないからである。また、モールド200に付着した汚染物によって、レジストパターンからモールドが容易に脱着されずに、レジストパターン及び/またはモールド200が損傷されることがある。図1bを参照すると、前記基板100上に形成されたレジスト層120に前記モールド200に形成されたパターンを刻印させて予備レジストパターン120aを形成する。前記予備レジストパターン120aを形成するために、前記レジスト層120及び前記モールド200は整合接触になる。これで、前記モールド200の凸部に対応された前記レジスト層120が前記モールド200の凹部に移動されて、前記モールド200のパターンが前記レジスト層120に転写されて、前記予備レジストパターン120aが前記基板100上に形成される。ここで、本発明の実施例では整合接触させて、前記モールド200のパターンを前記レジスト層120に転写させたがこれに限定せずに、前記モールド200に一定な圧力を与えて前記モールド200のパターンを前記レジスト層120に転写させることもできる。図1cを参照すると、前記モールド200上から前記予備レジストパターン120aを向けて照射されたUVによって前記予備レジストパターン120aを硬化させて前記基板100上にレジストパターン120bを形成する。前記レジストパターン120bと前記基底層110との間の接着力をより向上させるために、前記レジストパターン120bに熱処理工程をさらに遂行することができる。熱処理工程で前記レジストパターン120bは、前記レジストパターン120bを構成するUV硬化性樹脂はガラス転移温度Tg以上に加熱される。これは、図1cで一部を拡大したAでのように、前記レジストパターン120bを構成するUV硬化性樹脂の鎖Cが熱によって挙動するようになって、前記基底層110とのマイクロパッキングを誘導して、前記レジストパターン120bと前記基底層110との間の接着力を向上させるためである。すなわち、前記基底層110は自然に多数の凹凸が形成されているが、熱処理工程によって前記UV硬化性樹脂を構成する鎖Cの挙動力が大きくなるようになると、接触することができなかった凹凸にも前記UV硬化性樹脂が接触するようになる。結局、前記基底層110に前記前記レジストパターン120bの接触する面積が増加されて、前記基底層110と前記レジストパターン120bとの間の接着力を向上させることができる。また、前記熱処理工程は、前述したような前記レジスト組成物に含有された接着増進剤の化学的反応を誘導して、レジストパターンと基底階との間の接着力を向上させることができる。前記熱処理工程はUVの照射を遂行した後、加熱することができるチャンバ内で遂行することができる。しかし、本発明の実施例で、前記熱処理工程はこれに限定されない。例えば、前記熱処理工程は前記基板と前記モールドを合着する工程及び前記予備レジストパターンを硬化させる工程のうちの少なくともいずれか一つの工程で遂行されることができる。すなわち、この時の熱処理工程はレジスト層が形成された基板または予備レジストパターンが形成された基板を加熱されたステージに配置して遂行することができる。図2は本発明の第1実施例による接着増進剤による基底層とレジストパターン間との化学的結合を詳細に説明するために示した断面図である。図2を参照すると、前記基底層110は外部に露出するので、前記基底層110の表面はヒドロキシ基OHを有するようになる。この時、前記レジスト組成物に含有された接着増進剤bは前記ヒドロキシ基と反応して、前記レジストパターン120bを構成するUV硬化性樹脂aと化学的に結合される。結局、前記基底層110と前記レジストパターン120bはお互いに化学的に結合されることで、前記基底層110と前記レジストパターン120bとの間の接着力を向上させることができる。この時、モールド200は疎水性基板でなされるために、前記レジスト組成物に接着増進剤が含有されても、前記モールド200と前記レジストパターン120bとの間の接着力は向上しない。これで、前記モールド200と前記レジストパターン120bとの間の接着力より基底層110と前記レジストパターン120bとの間の接着力がさらに大きくなることができる。この時、前記接着増進剤bは前記基底層110の表面に形成されたヒドロキシ基と反応することができるエポキシ系化合物またはウレタン系化合物であることができる。したがって、前記レジストパターン120bは物理的または化学的要因によって基底層110との接着力を向上させることができる。図1dを参照すると、前記レジストパターン120bからモールド200を脱着させる。この時、前述したように前記レジストパターン120bと前記モールド200との間の接着力より前記レジストパターン120bと前記基底層110との間の接着力を向上させることで、従来に前記モールド200を分離する時に前記レジストパターン120bの一部分が同時に離れることを防止することができる。また、前記モールド200を分離するため、過度な力を加えなくても良くて、前記モールド200に前記レジストパターン120bの一部分が接着されて前記モールド200が汚染することを防止することができて、前記モールド200の寿命を向上させることができる。このようなレジストパターン120bは前記基底層110を蝕刻するマスクで使用されることができる。また、前記レジストパターン120bに導電物質を添加して、配線で利用することができる。また、前記レジストパターン120bを利用して、表示素子を製造する場合、工程数を節減できるだけでなく、生産性を向上させることができる。以下、前述したインプリントリソグラフィを通じた液晶表示装置の製造方法を説明する。図3aないし図3dは本発明の第2実施例による薄膜トランジスターアレイ基板及びこれの製造方法を説明するために示した工程図である。図3aを参照すると、基板300上にゲート配線図示せずと、前記ゲート配線に垂直な方向に配列されたデータ配線図示せずと、前記ゲート配線及び前記データ配線の交差領域に配置された薄膜トランジスターTrとを形成する。ここで、前記薄膜トランジスターTrは、前記ゲート配線で分岐されたゲート電極311と、前記ゲート電極311を含む基板前面に形成されたゲート絶縁膜310と、前記ゲート電極311に対応された前記ゲート絶縁膜上に順次形成された半導体層312と、前記半導体層312の両端部上にそれぞれ位置するソース/ドレーン電極313、314とを含む。詳しくは、前記ゲート電極311を形成するために、先ず前記基板300上に導電膜を形成する。前記導電膜は、真空蒸着法またはスパッタリング法を通じて形成することができる。前記導電膜形成のための物質の例としては、Al、Mo、Cu、MoW、MoTa、MoNb、Cr、W及びAlNdなどを挙げることができる。前記導電膜を形成した後、前記導電膜上にレジストパターンを形成する。前記レジストパターンは、インプリントリソグラフィ工程を通じて形成することができる。言わば、前記導電膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト層を形成する。以後、前記レジスト層上にゲート電極及びゲート配線の形態でパターンされたモールドを整合接触させて前記レジスト層に前記モールドのパターンを転写させて、予備レジストパターンを形成する。以後、前記モールドで前記予備レジストパターンに向けてUVを照射して前記予備レジストパターンを硬化させて、レジストパターンを形成する。以後、前記モールドを前記レジストパターンから脱着させる。ここで、前記レジスト組成物は、UV硬化性樹脂、接着増進剤及び添加剤を含むことができる。前記レジストパターンを蝕刻マスクを使用して前記導電膜を蝕刻した後、前記レジストパターンを取り除いて基板300上にゲート電極311及びゲート配線が形成される。前記ゲート電極311を含む基板前面に亘って、ゲート絶縁膜310を形成する。前記ゲート絶縁膜310は、窒化シリコーン膜、酸化シリコーン膜またはこれらの積層膜であることができる。この時、前記ゲート絶縁膜310は、化学気相蒸着法またはスパッタリング法を通じて形成することができる。前記ゲート電極311に対応された前記ゲート絶縁膜310上に半導体層312、前記半導体層312の両端部上にそれぞれ位置するソース/ドレーン電極313/314を形成する。これで、前記基板110上に薄膜トランジスターTrを形成することができる。ここで、前記半導体層312は順次に形成された活性層312aとオーミックコンタクト層312bをパターニングして形成することができる。ここで、前記活性層312aは非晶質シリコーン層で形成されて、前記オーミックコンタクト層312bは不純物がドーピングされた非晶質シリコーン層で形成される。前記ソース/ドレーン電極313/314は、単一膜または二重膜で形成した後、これをパターニングして形成することができる。前記ソース/ドレーン電極313/314の形成物質の例としては、Mo、Ti、Ta、MoW、MoTa、MoNb及びこれらの合金などであることができる。ここで、前記半導体層312と前記ソース/ドレーン電極313/314は、前述したインプリントリソグラフィ工程またはフォトリソグラフィ工程を通じてレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンを蝕刻マスクを利用した蝕刻工程を通して形成することができる。これで、前記基板300上に薄膜トランジスターTrを形成することができる。前記薄膜トランジスターTrを形成した後、前記薄膜トランジスターTrを含む基板300上に保護膜組成物を塗布して保護膜320aを形成する。すなわち、前記保護膜320aは、前記ソース/ドレーン電極313/314を覆って、ゲート絶縁膜310上に形成される。この時、前記保護膜320aの塗布法の例としては、スピンコーティング法、ディップコーティング法、ロ-ルコーティング法、バーコーティング法、スクリーンプリンティング法、インクジェットプリンティング法及びブレード法などを挙げることができる。ここで、前記保護膜組成物は、UV硬化性樹脂及び接着増進剤を含む。前記UV硬化性樹脂の例としては、ノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリメタクリル酸メチルPMMA樹脂、メタクリル酸ブチルBMA樹脂、ウレタンアクリレート樹脂及びポリビニルアルコール樹脂などであることができる。この時、前記UV硬化性樹脂の含量は、後述される保護膜パターン320の形態を維持するため、前記保護膜組成物の全体重量に対して50wtないし80wtであることがある。前記接着増進剤は、前記薄膜トランジスターTrを含む前記ゲート絶縁膜310と前記保護膜パターン320との間の接着力を向上させる役割をする。前記接着増進剤は、エポキシ系化合物またはウレタン系化合物であることができる。この時、前記接着増進剤の含量は、前記ゲート絶縁膜310と前記保護膜パターン320との間の接着力を向上させて、前記保護膜パターン320の形態を保存することができることを考慮して、前記保護膜組成物の全体重量に対して10wtないし20wtであることがある。これに加えて、前記保護膜組成物は、添加剤をさらに含むことができる。前記添加剤は、開始剤及びカップリング剤であることができる。ここで、前記開始剤の例としては、アルファα-ヒドロキシケトン系化合物、α-アミノケトン系化合物、フェニルグリオキシラート系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、ベンゾフェノン、イルガキュアIrgacure369、500、651及び907Ciba社製などを挙げることができる。この時、前記開始剤の含量は、前記保護膜組成物の全体重量に対して3wt以下であることがある。前記カップリング剤の例としては、γ-グルシドキシプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン及びメチルトリメトキシシランなどであることができる。前記カップリング剤は、無機化合物でなされたゲート絶縁膜310と有機系化合物でなされた保護膜320との間の化学的結合を誘導する役割をする。これで、前記保護膜組成物に前記カップリング剤を添加することで、前記ゲート絶縁膜310と前記保護膜320との間の接着力をさらに向上させることができる。図3bを参照すると、前記保護膜320aの表面で一定なパターンを有するモールド400を整合接触させて、前記保護膜320aに前記モールド400のパターンを刻印させる。または、前記保護膜320aで一定なパターンを有するモールド400を加圧して、前記モールド400のパターンを刻印させることができる。これで、薄膜トランジスターTrの一部、例えばドレーン電極の一部を露出するコンタクトホールを有する予備保護パターンが形成される。以後、前記モールド400上から前記予備保護パターン320を使用してUVを照射して前記予備保護パターンを硬化させて、保護パターン320を形成することができる。前記ゲート絶縁膜310と前記保護パターン320との間の接着力を向上させるため、前記保護パターン320に熱処理工程を遂行する。前記熱処理工程は、前記保護パターン320に前記UV硬化性樹脂のガラス転移温度Tg以上の熱を加える。図3cを参照すると、前記モールド400を前記保護パターン320から脱着させる。前記コンタクトホールPは前記モールド400の凸部に対応されて、接触された領域に形成される。この時、前記保護パターンを形成するための組成物が接着増進剤を含んで、熱処理工程を遂行することによって、前記モールド400と前記保護パターン320との間の接着力を向上させることで、前記保護パターン320から前記モールド400を容易に分離することができる。図3dを参照すると、前記コンタクトホールPを通じて露出した前記ドレーン電極314と電気的に連結された画素電極330を形成する。ここで、前記画素電極330を形成するために、前記保護パターン320上に導電膜とレジストパターンを順次に形成した後、前記レジストパターンによって前記導電膜をパターニングして形成することができる。この時、前記レジストパターンは前述したインプリントリソグラフィ工程またはフォトリソグラフィ工程を通じて形成することができる。図4aないし図4cは、本発明の第3実施例によるカラーフィルターアレイ基板及びこれの製造方法を説明するために示した工程図である。図4aを参照すると、基板500を提供する。前記基板500上にブラックマトリクス510及びカラーフィルター層520を形成する。詳しくは、前記基板500上にクロムを含む不透明な金属膜または不透明な樹脂膜を形成した後、パターニング工程を経てブラックマトリクス510を形成する。この時、前記パターニング工程は、前述したインプリンティングリソグラフィ工程またはフォトリソグラフィ工程を通じて遂行することができる。ここで、前記ブラックマトリクス510によって多数のサブピックセルが定義されることができる。これで、前記ブラックマトリクス510によって定義されたサブピックセルにカラーフィルター層520を形成する。ここで、前記カラーフィルター層520はインクジェットプリンティング法を通じて形成することができる。または、前記ブラックマトリクス510を含む基板前面に亘ってカラーフィルター形成用樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィ工程を通じて形成することができる。この時、前記ブラックマトリクス510と前記カラーフィルター層520とによって発生された段差を克服するために、前記ブラックマトリクス510及び前記カラーフィルター層520上にレジスト組成物を塗布してオーバーコート層530aを形成する。この時、前記オーバーコート層530aの形成方法の例としては、スピンコーティング法、ディップコーティング法、ロ-ルコーティング法、バーコーティング法、スクリーンプリンティング法、インクジェットプリンティング法及びブレード法などを挙げることができる。前記オーバーコート層530aを形成するための組成物は、UV硬化性樹脂及び接着増進剤を含む。ここで、前記UV硬化性樹脂の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ノボラック系樹脂、ポリメタクリル酸メチルPMMA樹脂、メタクリル酸ブチルBMA樹脂、ウレタンアクリレート樹脂及びポリビニルアルコール樹脂などを挙げることができる。この時、前記UV硬化性樹脂の含量は、後述されるオーバーコートパターン530の形態を維持するように、前記組成物の全体重量に対して50wtないし80wtであることがある。前記接着増進剤は、前記ブラックマトリクス510及び前記カラーフィルター層520のうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターン530との間の接着力を向上させる役割をする。前記接着増進剤は、エポキシ系化合物またはウレタン系化合物であることができる。この時、前記接着増進剤の含量は、前記ブラックマトリクス510及びカラーフィルター層520のうち少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターン530との間の接着力を向上させて、前記オーバーコートパターン530の形態を保存することができることを考慮して、前記組成物の全体含量に対して10wtないし20wtを有する。前記組成物は、添加剤をさらに含むことができる。前記添加剤は、開始剤及びカップリング剤であることができる。ここで、前記開始剤の例としては、アルファα-ヒドロキシケトン系化合物、α-アミノケトン系化合物、フェニルグリオキシラート系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、ベンゾフェノン、イルガキュアIrgacure369、500、651及び907Ciba社製などであることができる。この時、前記開始剤の含量は、前記組成物のうちの3wt以下で添加する。前記カップリング剤の例としては、γ-グルシドキシプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン及びメチルトリメトキシシランなどであることができる。前記カップリング剤は、無機化合物でなされた前記ブラックマトリクス510と有機系化合物でなされたオーバーコートパターン530との間の化学的結合を誘導する役割をする。前記オーバーコート層530a上に一定なパターンを有するモールド600を提供する。図4bを参照すると、前記オーバーコート層530に前記モールド600をアラインした後、圧力をかけるかまたは整合接触させて、前記オーバーコート層530に前記モールド600のパターンを刻印させる。この時、前記モールド600の凸部に対応された前記オーバーコート層530が、前記モールド600の凹部として一部は吸入させて、前記モールド600の凸部に対応された領域に前記オーバーコート層530の一部が残留するようにする。これで、突部540を有する予備オーバーコートパターンが形成される。以後、前記モールド600から前記予備オーバーコートパターンを使用してUVを照射して、前記予備オーバーコートパターン530を硬化させて、突部540を有するオーバーコートパターン530が形成される。前記モールド600が合着された基板300に、前記ブラックマトリクス510及びカラーフィルター層520のうちの少なくともいずれか一つと前記オーバーコートパターン530との間の接着力を向上させるための熱処理工程を遂行する。図4cを参照すると、前記モールド600を前記オーバーコートパターン530から分離する。ここで、前記突部540は、前記モールド図4bで600の凹部に吸入されたオーバーコートパターンの組成物が硬化されて形成されたものである。これで、前記突部540は、前記オーバーコートパターン530と一体で形成される。ここで、前記オーバーコートパターン530の形成のための組成物が接着増進剤を含んで、熱処理工程を遂行することで、前記オーバーコートパターン530と前記ブラックマトリクス510及びカラーフィルター層520のうちの少なくともいずれか一つとの接着力を向上させることができる。これで、前記オーバーコートパターン530から前記モールド600を容易に分離することができる。図5は、本発明の第4実施例による液晶パネルを示した図面である。ここで、前記液晶パネルは、前述した第2実施例による薄膜トランジスターアレイ基板と、第3実施例によるカラーフィルターアレイ基板を合着して形成することで、同一な参照番号は同一な構成要素を指称して、繰り返される説明は省略して記述する。図5を参照すると、薄膜トランジスターアレイ基板700または前記カラーフィルターアレイ基板800の外郭部にシーラントパターンを形成する。以後、二つの基板を合着した後、液晶層を形成する。または前記二つの基板を合着する前に、前記薄膜トランジスターアレイ基板700に液晶を滴下した後、前記カラーフィルターアレイ基板800を合着することができる。ここで、前記液晶層を形成する工程を限定しない。ここで、前記オーバーコートパターン530に形成された突部540は前記薄膜トランジスターアレイ基板700と前記カラーフィルターアレイ基板800の間のセルギャップを一定に維持するスペーサの役割ができる。このような液晶パネルを形成するため、従来には数回のフォトリソグラフィ工程を伴うパターニング工程を通さなければならなかったが、前述したように前記フォトリソグラフィ工程をインプリンティングリソグラフィ工程で置き換えることで、工程をさらに単純化させることができる。また、前記インプリンティングリソグラフィ工程中にモールドを分離する工程で、前記モールドと共にレジストが付着したまま分離して発生するレジストパターン不良を防止することで、高解像度のレジストパターンを形成することができる。これで、高解像度のレジストパターンの形成で、微細で高集積度のパターンを形成することができる。以上では本発明を実施例によって詳細に説明したが、本発明は実施例によって限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。