"少なくとも1つの開口を有する第1の電極と、1つの開口を有する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に、前記第1の電極と、前記第2の電極と、を電気的に分離して支持する支持体と、を含む荷電粒子線レンズにおいて、前記支持体は無アルカリガラス又は低アルカリガラスからなることを特徴とする荷電粒子線レンズ。前記第1の電極又は前記第2の電極と前記支持体はフュージョンボンディングされることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線レンズの製造方法。前記支持体の表面の少なくとも一部には帯電防止膜を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線レンズ。前記支持体は、少なくとも1つの凸部又は凹部を有する非平坦部とテーパ状に構成されたテーパ部を含み、前記テーパ部と前記第2の電極の前記開口を有する面とのなすテーパ角が0°より大きく90°より小さいことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズ。荷電粒子源、前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を照射する照射電子光学系、前記照射電子光学系からの荷電粒子線が照射される、1つの開口を備えた基板、前記基板の複数の開口からの荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを制御する少なくとも1つの偏向器と、を有する荷電粒子線露光装置において請求項1から4に記載する荷電粒子線レンズを有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。荷電粒子線レンズを搭載する露光装置において、例えば0.1μm以下の微細パターン描画を実現するには、電極間に10kV/mm以上の電界を印加し、焦点距離を短くして十分ビーム径を絞る必要がある。このとき焦点距離、すなわち被照射物との距離は、数百μm以下となる。また、レンズを構成する電極や支持体において、各部材間に位置ずれがある場合、被照射物の表面でビームに収差が発生してしまう。従って各部材をより高精度に位置合わせする必要がある。特許文献1の構成において、このようなより高電界の条件で、より高精細な位置合わせを両立しようとすると、予期せぬ放電や、位置合わせ不良に伴う収差が発生し、実現が困難となる場合があった。高精細な位置合わせをする方法として、電極材料として微細加工が容易なシリコンを用い、支持体としてガラス材料を用い、これらを陽極接合する方法が知られている。これは、一般に陽極接合の位置合わせ精度が高いためである。一方、陽極接合に用いるガラスはナトリウムのようなアルカリ金属成分を含有させる必要がある。本発明者らは、このようなナトリウムを含有するガラス部材を含む静電型の荷電粒子線レンズは、露光装置内で10kV/mm以上の電界を印加するとナトリウムイオンがガラス表面に析出し、装置や被照射物を汚染する場合があることを見出した。特に連続して10kV/mm以上の電界を印加すると、ナトリウムイオンの析出する確率が高くなる。また露光装置は長期間の使用で各部材に堆積する例えばカーボン系の汚れの分解除去を目的にプラズマ等で洗浄される場合がある。このような洗浄工程は、ガラス表面にあるナトリウムを更に大きく飛散させ、近距離に配置された被照射物、例えばシリコンウエハーの汚染を助長することを見出した。汚染されたシリコンウエハーでデバイス、例えばMOSトランジスタを製造した場合、リーク電流の増加やしきい値電圧の変動といった動作不良が発生する問題がある。本発明は上記課題を解決することを目的とするものであり、少なくとも1つの開口を有する第1の電極と、1つの開口を有する第2の前記電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に、前記第1の電極と、前記第2の電極と、を電気的に分離して支持する支持体と、を含む荷電粒子線レンズにおいて、前記支持体は無アルカリガラス又は低アルカリガラスからなることを特徴とするものである。本発明の荷電粒子線レンズによれば、電極1,2間に電圧を印加した場合に支持体からのナトリウム析出が少なくなる、又はなくなり、周辺部材の汚染が軽減され装置のメンテナンスを容易にすることができる。実施の形態1図1~2を用いて、本発明の第一の実施形態について説明する。図1及び図2は本発明の荷電粒子線レンズの基本的な構成を説明するための断面図である。本発明の荷電粒子線レンズは少なくとも第1の電極である電極1と、第2の電極である電極2との2枚の電極を有している。本発明において用いる電極の数は、設計する荷電粒子線レンズの性能や、形式に応じて3枚以上とすることもできる。電極の電極1と電極2は、支持体3を介して互いに電気的に絶縁されている。また電極1と電極2は少なくとも1つの開口4貫通孔ともいうが設けられ、開口4には図示しない光源荷電粒子源ともいうから射出された荷電粒子線が通過する。この開口4は荷電粒子線典型的には電子線に対してレンズとして機能する。そして支持体3は電極1と電極2の開口4を塞がない又は遮らない位置に配置される。そして支持体3はアルカリ金属を含有しないガラス、又は微量含有するガラスで形成することが好ましい。アルカリ金属を微量含有するガラスを用いる場合には、その含有量が質量百分率で0.1wt未満である低アルカリガラスを選択することが好ましい。またこのガラスの線膨張係数は接合するシリコンと近いものを選択することが好ましい。静電レンズとして使用する場合は図2のような電極を3枚用いた構成とすることができる。図2は図1の電極2を中心として電極1と支持体3を対称に配置したアインツェル型の静電レンズである。このように図2においては、第2の電極である電極2を、第1の電極である電極1により支持体を介して両側から挟むように構成される。そして,例えば電極1にはグランド電位、電極2には負の電位を印加することで静電レンズとして機能させることができる。また、本実施の形態においては、第1の電極と第2の電極とで構成を説明しているが、必要に応じて第3の電極等の他の電極を設けることもできる。上記構成の荷電粒子線レンズである静電レンズは、その使用時において、電極間に電圧が印加されても支持体3からのナトリウムの析出がない、または極めて少ないため、実質的に装置内の周辺部材が汚染されることはない。ここで実質的に装置内の周辺部材が汚染されないとは、装置内の周辺部材がナトリウムによって全く汚染されない場合だけでなく、ナトリウムが存在したとしても、特性等に悪影響を与えない場合を含む。実施の形態2図3を用いて、本発明の第二の実施形態について説明する。図3は本発明の荷電粒子線レンズを用いた荷電粒子線露光措置の荷電粒子の被照射物露光対象物ともいうに露光する構成を説明するための断面図である。図3は図2の静電レンズから距離Lの位置に荷電粒子線の被照射物6を配置したものを示している。被照射物6は例えばシリコンウエハーである。尚、実施の形態1と同じ機能を有する個所には、同じ記号を付している。本実施の形態の静電レンズで0.1μm以下の径に荷電粒子線を集束するためには、電極間に印加する電圧を上げる必要がある。本発明者らの知見によれば、電極間で放電異常放電とも言うせずに印加可能な電圧は、20kV/mm程度である。その時の焦点距離は200μm程度となる。従って、電極1の表面からの距離Lが200μm以下となる位置に被照射物6を配置することにより、電極間で放電することなく安定に荷電粒子線を被照射物に照射露光することができる。さらに、支持体として無アルカリガラスを用いているため、支持体から析出するナトリウムで被照射物6が汚染されることを防止できる。その結果、被照射物6に形成されるデバイスの特性を悪化させることなく、歩留まりが向上する。実施の形態3本発明においては、電極と支持体とを接合する際に、接合精度を高くするためにフュージョンボンディングを用いることが好ましい。図2を用いて、本発明の第三の実施形態について説明する。微細なパターンを描画するためにはレンズの収差を所望のパターン幅以下にする必要がある。そこで、電極1と電極2の開口4の位置ずれに起因する収差を低減するため、本実施の形態は電極1と電極2と支持体3とを高精度にアライメントした後、フュージョンボンディングする。本発明においてフュージョンボンディングとは、親水化されたシリコンや酸化シリコン、ガラス等の基板を、まず水素結合で貼り合わせた後、加熱処理をしてSi-O-Si結合により接合する工程を含む接合を意味する。フュージョンボンディングすることにより、レンズの電極と支持体の位置精度が向上し、レンズの歩留りが向上する。またこの製造方法を用いたレンズは更なる高解像にも対応する事が出来る。実施の形態4本発明においては、必要に応じて支持体表の所望の領域に帯電防止膜を設けることができる。本発明において帯電防止膜とは、支持体等の表面に一定以上電荷が蓄積されることを防止する機能を有する膜であり、例えば支持体の表面に設けることにより、支持体表面の帯電量を抑制することができる。図4を用いて、本発明の第四の実施形態について説明する。図4は図1の支持体3の表面に帯電防止膜7を設けたものである。それ以外の構成は図1と同様のものを示している。尚、実施の形態1と同じ機能を有する個所には、同じ記号を付してある。荷電粒子線で長期描画していると、電極間、或いは電極と帯電した部分との間で放電する場合があった。発明者らが鋭意検討したところ、電極や支持体に微小な欠陥が存在すると放電しやすいことがわかった。被照射物6からの反射電子や2次電子などによってレンズである電極1、又は電極2の支持体3の表面が帯電し、欠陥に起因する形状的な電界集中と相まって放電に至ったと考えられる。支持体3の表面に帯電防止膜7を設けることにより、このような放電を抑制することができる。帯電防止膜には、例えばアルミニウムと遷移金属の酸素化合物や、ゲルマニウムと遷移金属との窒素化合物などを用いることが好ましい。遷移金属の含有量を調整することで所望の抵抗値へ制御し除電機能を調整することができる。この帯電防止膜はスパッタ法、反応性スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、イオンアシスト蒸着法、CVD法等の薄膜形成手段により支持体3の表面上に形成することができる。上記構成では、実施の形態1の効果に加えて、帯電防止膜により支持体3の帯電電荷は除電され電極1と電極2との間の放電が発生することを抑制し、軽減することができる。その結果、製造誤差や欠陥による放電を防ぎ、結果としてデバイスの歩留まりは向上する。実施の形態5本発明においては、支持体の表面形状を特定の形状とすることにより、支持体表面に帯電する帯電量をさらに低減させることができる。図7を用いて本発明の第五の実施の形態について説明する。図7aは、細部を省略した本実施形態の荷電粒子線レンズの断面図、図7b~dは、図7aの点線で囲むエリアAの細部を示した拡大図である。静電型の荷電粒子線レンズは、これまで説明したように電極が絶縁体を介して積層された構造である。その電極間に電界を印加した際、絶縁体表面と電極表面と空間の接触部は、絶縁体と電極導電体と真空又は所定の圧力雰囲気とが重なる特異な点以後3重点と記すとなる。一般に3重点では、電界集中効果により陰極となる電極表面より電子を放出し易くなる。その放出された電子は、直接絶縁体に衝突したり、陽極に到達した電子が反射して絶縁体に入射したりすることで、絶縁体表面である支持体表面を帯電させる。その結果、絶縁体表面に生じる電荷により電界が発生し、この電界によって電子ビーム軌道が偏向することがある。従って3重点から放出される電子が支持体表面に帯電する現象を抑制することにより、本発明の効果を相乗的に高めることができる。図7aに示すように、本実施形態の荷電粒子線レンズは第1の電極1と第2の電極2の2枚の電極を有している。2枚の電極は、その間に介在した支持体3で互いに電気的に絶縁されて分離され、所定の位置関係で支持されている。また、電極1と電極2の開口4は、図示しない光源から射出された荷電粒子線を通過させる。開口4は、その中心軸5が電極1と電極2とで実質的に共通するように各電極の開口が配置されており、レンズの光軸を規定している。次に支持体3の表面形状の望ましい範囲について説明する。検討には、境界要素法で静電界計算し、モンテカルロ法で電子軌道を計算するシミュレーションを実施した。図7bは支持体3の表面に凹凸構造非平坦部ともいうを設ける構成である。即ち、支持体3の表面に1つ以上の凸部又は凹部を設けるものである。図7bのdは、凸部と凹部の段差[μm]を示し、Pは凸部間の間隔[μm]を示している。ここで、Pは80μmとして凸部と凹部の長さの比率は1:1とする。はじめに、図7cで示すような凸部の望ましい範囲について説明する。凸部又は凹部の機能は、電子の運動方向に障壁を作ることで、陰極側電極2側から飛翔してくる電子が陽極に到達するまで衝突を繰り返すことを回避することである。しかし、電子の運動方向にある障壁の高さが低い場合、電子は障壁を飛び越えてしまう。その結果、飛び越えた電子は、陽極電極1側に到達するまで衝突を繰り返してしまう。そこで図7bに示す支持体3の段差d[μm]を変えて、凸部を電子が飛び越える割合を計算した。図8aにその結果を示す。図8aの横軸は段差d[μm]、縦軸は電子が段差dを飛び越える割合を示している。d=20μmの時、凸部の脱出割合がほぼゼロとなることが分かった。よって、dは20μm以上であることが好ましい。図7cは支持体3の電極2と接する側の端部をテーパ構造とするテーパ部を設けるものである。図7cのθはテーパ角を示している。また、支持体3のテーパ部を設ける領域hは80μmとした。テ―パ部の機能は、電子を支持体より離して、帯電状態の変動を抑制することである。図7cに示すθ[deg]を変えて、帯電変動量を計算する。図8bにその結果を示す。図8bの横軸はテーパ角[deg]を示し、縦軸は、テーパ角が90°の場合の帯電変動量を1としたときの相対値を示している。テーパ角θは45°以上で75°以下であることで効果が安定して得られることを示している。図7dは、図7bと図7cの構造とを組み合わせた構造を有する。図7dに示すように、電極1、2間で伸びる支持体3の表面は、第1の電極側が、凸部又は凹部を有する非平坦部3Aとなり、第2の電極側が、テーパ状であるテーパ部3Bとなっている。そして、テーパ部3Bと電極2の開口4を有する面とのなすテーパ部のテーパ角6は0度より大きく90度より小さい角度で構成される。本発明者らの知見によれば、テーパ角θは45°以上で75°以下であることで効果が安定して得られる。また、テーパ部3Bの表面は必要に応じて湾曲させることも、階段状とすることもできる。さらに、電極2に接したテーパ部3Bの先端位置と非平坦部3Aの凸部の先端位置頂面位置は電極2の法線開口4の中心軸5に沿った光軸の方向においてほぼ同一直線上にある。こうすれば、コンパクトな構造で、非平坦部とテーパ部の機能を効果的に発揮させることができる。また、本実施形態では、非平坦部3Aとテーパ部3Bは完全に分離して形成されている。また、非平坦部3Aの凸部は電極1、2の面と実質的に平行に伸びている。本発明において実質的に平行とは、完全に平行な場合だけでなく、本発明の効果を奏する範囲で非平行である場合、及び複数の凸部が互いに非平行で突出している場合を含む。従って、設計上の意図的に非平行とする場合、加工誤差により非平行となる場合であっても、本発明の効果を奏する限り、許容され得る。本発明者らの知見によれば、±1°の傾斜を有する場合であっても実質的に平行とみなすことができる。実施の形態6本発明の荷電粒子線レンズを露光装置に用いた具体的な構成について、図5~6を用いて、第六の実施の形態として説明する。図5はマルチ荷電粒子ビーム露光装置の構成を示す図である。はじめにマルチ荷電粒子ビーム露光装置について説明する。電子源108からアノード電極110によって引き出された放射電子ビームは、レンズによって収束させ実像を形成するためのクロスオーバー調整光学系111によってクロスオーバー112を形成する。ここで電子源108としてはLaB6やBaO/Wディスペンサーカソードなどのいわゆる熱電子型の電子源が用いられる。クロスオーバー調整光学系111は2段の静電レンズで構成されており、1段目2段目共に静電レンズは3枚の電極からなり、中間電極に負の電圧を印加し上下電極は接地する、いわゆるアインツェル型の静電レンズである。クロスオーバー112から広域に放射された電子ビーム113、114は、コリメータレンズ115によって平行ビームとなる。ここまでの照射電子光学系により形成されたビームはアパーチャアレイ117へと照射される。アパーチャアレイ117によって分割されたマルチ電子ビーム118は、集束レンズアレイ119によって個別に集束され、ブランカーアレイ122上に結像される。本実施の形態では、集束レンズアレイ119は3枚の多孔電極からなる静電レンズで、3枚の電極のうち中間の電極のみ負の電圧を印加し上下電極は接地する、アインツェル型の静電レンズアレイを用いる。またアパーチャアレイ117はNA集束半角を規定する役割も持たせるため、集束レンズアレイ119の瞳面位置集束レンズアレイの前側焦点面位置に置かれている。ブランカーアレイ122は個別の偏向電極を持ったデバイスで、描画パターン発生回路102、ビットマップ変換回路103、ブランキング指令回路106によって生成されるブランキング信号に基づき、描画パターンに応じて個別にビームのon/offを行う。ビームがonの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極には電圧を印加せず、ビームがoffの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極に電圧を印加してマルチ電子ビームを偏向する。ブランカーアレイ122によって偏向されたマルチ電子ビーム125は後段にあるストップアパーチャアレイ123によって遮断され、ビームがoffの状態となる。本実施の形態においてブランカーアレイは2段で構成されており、ブランカーアレイ122及びストップアパーチャアレイ123と同じ構造の、第二ブランカーアレイ127および第二ストップアパーチャアレイ128が後段に配置されている。ブランカーアレイ122を通ったマルチ電子ビーム124は第二集束レンズアレイ126によって第二ブランカーアレイ127上に結像される。ここで第二ブランカーアレイ127によって偏向されたマルチ電子ビーム129は後段にある第二ストップアパーチャアレイ128によって遮断され、ビームがoffの状態となる。第二ブランカーアレイ127を通ったマルチ電子ビームは第三第四集束レンズによって集束されてウエハー133上に結像される。ここで、第二集束レンズアレイ126第三集束レンズアレイ130第四集束レンズアレイ132は集束レンズアレイ119同様に、アインツェル型の静電レンズアレイである。そして第一から第四の集束レンズアレイはレンズ制御回路105に接続され電子光学的パワー焦点距離が制御される。また光軸調整用のアライナー120として、集束レンズアレイ119とブランカーアレイ122の間と、ブランカーアレイ122とストップアパーチャアレイ123の間に配置される。さらに第二集束レンズアレイ126と第二ブランカーアレイ127の間と、第二ブランカーアレイ127と第二ストップアパーチャアレイ128の間にアライナー120がそれぞれ配置される。そしてアライナー120はアライナー制御回路107に接続され光軸調整が行われる。ここで第四集束レンズアレイ132は対物レンズとなっており、その縮小率は100倍程度に設定される。これにより、ブランカーアレイ122の中間結像面上の電子ビーム121スポット径がFWHMで2umが、ウエハー133面上で100分の1に縮小され、FWHMで20nm程度のマルチ電子ビームがウエハー上に結像される。ウエハー上のマルチ電子ビームのスキャンは偏向器131で行うことができる。偏向器131は電子ビームの数に応じて設けられる。電子ビームが1つであれば、少なくとも1つの偏向器131が設けられる。偏向器131は対向電極によって形成されており、x、y方向について2段の偏向を行うために4段の対向電極で構成される図中では簡単のため2段偏向器を1ユニットとして表記している。偏向器131は偏向信号発生回路104の信号に従って駆動される。パターン描画中のウエハー133はX方向にステージ134によって連続的に移動し、レーザー測長機による実時間での測長結果を基準としてウエハー面上の電子ビーム135が偏向器131によってY方向に偏向される。さらにブランカーアレイ122及び第二ブランカーアレイ127によって描画パターンに応じてビームのon/offが個別になされる。これにより、ウエハー133面上に所望のパターンを高速に描画することができる。これら制御の全体はコントローラ101により総合的に制御される。本実施の形態は上記の露光装置内の第四の集束レンズアレイ132に実施の形態2の静電レンズとウエハー133に被照射物6を設置するものである。ここでレンズを設置する箇所は第四の集束レンズに限定されず、第一から第四すべての集束レンズに用いてもよい。本実施の形態では被照射物6は汚染されることなく、デバイス不良を低減するので歩留りの向上したマルチビーム露光装置を実現できる。以下、実施例により本発明の具体的な構成についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。実施例1図2を用いて実施例1の具体的な構成について説明する。第1の電極である電極1と第2の電極である電極2として、4インチ径で両面研磨の単結晶シリコンを用いる。厚さは電極1及び電極2共に100μmである。電極1及び電極2には貫通孔が設けられ、その開口4の直径は30μmである。そして支持体3として、電極1及び電極2と同じ4インチ径で400μmの厚みを有するアルカリ金属を含有しない無アルカリガラスであるEAGLEXG登録商標を用いる。さらに支持体3の電極1及び電極2の貫通孔を形成した位置に対応する位置に、貫通孔を形成し、電極1の貫通孔と電極2の貫通孔との間が支持体で遮蔽されない塞がれない構造とする。即ち支持体は第1の電極と第2の電極の貫通孔を形成した領域の周囲を支持する構成となる。本実施例では支持体3の開口は4mmとする。そして電極1、2は支持体3を挟み、開口4の中心軸5を法線とする平面に平行に配置する。次に本実施例の荷電粒子線レンズの製造方法について説明する。まず電極1と電極2の材料としてシリコンウエハーを用い、当該電極に形成する貫通孔はシリコンウエハーに高精度のフォトリソグラフィーとドライエッチングにより形成する。次に支持体3のガラスの貫通孔はサンドブラスト加工により形成し、ウエットエッチングと表面研磨により加工面のマイクロクラックやバリを除去する処理を行う。次にこれら加工した電極1,2と支持体3を十分な位置合わせを行った後、接合する。接合には耐熱性のあるシリコーン系の接着剤を使って張り合わせる。以上のような静電レンズを露光装置に設置し、電極1にはグランド電位を、電極2には-3.7kVの電圧を印加する。200°Cによる加速試験の結果、室温で10000時間相当後も、電極2近傍に析出するナトリウムはTOF-SIMS飛行時間型二次イオン質量分析法による検出限界である1×109atoms/cm2以下であり、装置の汚染は無い事がわかる。実施例2図3を用いて実施例2を説明する。本実施例は以下で説明する箇所以外は実施例1と同様の材料寸法、および製造方法である。露光装置内に静電レンズを設置し、電極1の表面からの距離Lが200μmとなる位置に被照射物6を配置した。そして荷電粒子ビームで被照射物6上にパターンを描画する。その後、実施例1と同様な分析を被照射物6に実施したところ汚染が無い事を確認される。実施例3図3を用いて実施例3を説明する。本実施例は以下で説明する箇所以外は実施例2と同様の材料寸法、および製造方法である。電極1及び電極2と支持体3との接合方法において、本実施例ではフュージョンボンディング法を採用した。フュージョンボンディングとは、親水化されたシリコンや酸化シリコン等の基板を、まず水素結合で張り合わせる。その後加熱処理してSi-O-Si結合により接合する技術で、少なくともどちらかが酸化されているシリコンウエハー同士を貼り合わせる場合に主に用いる。従って本発明のようにシリコン電極とガラス支持体を高精度に接着する際には好適な方法である。その際、プラズマ酸化処理等を施した後に、接合することによりプロセス温度を低下させるなどの方法を取ることもできる。本実施例では、はじめに洗浄した電極1と支持体3の張り合わせる面を酸素プラズマで表面を活性化し室温で張り合わせる。同様に電極2と支持体3の電極1を張り合わせた面と対向する面を張り合わせた。次に積層された部材を400°Cでアニールし接合する。本実施例の静電レンズの電極1,2と電極と支持体3の位置合わせ精度を、レーザー顕微鏡で測長したところ、実施例2より位置精度不良数が軽減される。実施例4図4を用いて実施例4を説明する。本実施例は以下で説明する箇所以外は実施例2と同様の材料寸法、および製造方法である。支持体3の表面には300nmの厚みの膜を形成した。膜の材料にはタングステンとアルミニウムを使用し、反応性スパッタ法でタングステンと酸化アルミニウムの化合物を成膜した。上記静電レンズを電極1と電極2との間に20kV/mmの電圧を印加して、露光装置内で機能させたところ、露光中の放電は観測されなかった。実施例5図7を用いて実施例5を説明する。図7dの構造を有する荷電粒子線レンズを作成する。本実施例では、電極1、2とも単結晶シリコンで形成し、厚さはどちらも100μmである。開口4の直径は30μmである。また支持体3として、電極1及び電極2と同じ4インチ径で400μmの厚みを有するアルカリ金属を含有しない無アルカリガラスであるEAGLEXG登録商標を用いる。電極1、2で支持体3を挟み、電極1、2は、開口4の中心軸5を法線とする平面に平行に設置される。支持体3の電極1の側の非平坦部の表面は凸部を3つ有し、それぞれ凸部の段差凹部の底面と凸部の頂面の差は20μmである。さらに電極2の側の支持体3はテーパ形状のテ―パ部を有し、電極2と75度で接している。電極1にはグランド電位を、電極2には-3.7kVの電位を印加した。開口4を通る電子ビームの偏向量のゆらぎを測定したところ、平滑面の支持体3と比較して、本実施例は80ゆらぎを軽減した。さらに200°Cによる加速試験の結果、室温で10000時間相当後も、電極2近傍に析出するナトリウムはTOF-SIMS飛行時間型二次イオン質量分析法による検出限界である1×109atoms/cm2以下であり、装置の汚染は無い事がわかる。実施例6図6は本実施例の荷電粒子線レンズを示しており、図3の電極1,2の開口4を4つ配列したこと以外は同様のものを示している.尚、図3で説明した機能を有する個所には、同じ記号を付してある。本実施例ではこの荷電粒子線レンズを上述したマルチ荷電粒子ビーム露光装置内の第一から四の集束レンズアレイとして設置し露光したところ、被照射物6のナトリウムが無いことを実施例2と同様の方法で確認される。"