"処理容器内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、前記基板を加熱するとともに、前記処理容器内に前記密着促進剤ガスを供給し、供給された前記密着促進剤ガスと、加熱されている前記基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、前記基板の表面を処理する表面処理工程を有する、表面処理方法。前記密着促進剤は、シランカップリング剤である、請求項1に記載の表面処理方法。前記シランカップリング剤は、オルガノシランを含有するものである、請求項2に記載の表面処理方法。前記基板は、シリコン基板である、請求項1から請求項3のいずれかに記載の表面処理方法。前記シリコン基板は、表面が水素で終端されたものである、請求項4に記載の表面処理方法。前記シリコン基板は、表面が窒化されたものである、請求項4に記載の表面処理方法。前記処理容器は、内部に原料ガスを供給することによって、内部に搬入されている前記基板に膜を成膜するための成膜容器であり、前記表面処理工程は、前記基板を前記成膜容器内に搬入した後、加熱機構により、前記基板の温度を、前記基板に膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構により前記密着促進剤ガスを前記成膜容器内に供給するものである、請求項1から請求項6のいずれかに記載の表面処理方法。請求項7に記載の表面処理方法により前記基板を処理する処理工程と、前記処理工程の後、前記成膜容器内に原料ガスを供給することによって、前記基板に膜を成膜する成膜工程とを有する、成膜方法。前記成膜工程は、前記成膜容器内に、酸二無水物よりなる第1の原料を気化させた第1の原料ガスと、ジアミンよりなる第2の原料を気化させた第2の原料ガスとを供給することによって、前記基板にポリイミド膜を成膜するものであり、前記処理工程の後、前記成膜工程の前に、前記成膜容器内に、第1の原料ガス供給部により前記第1の原料ガスを供給し、前記基板の表面を前記第1の原料ガスにより処理する第1の原料ガス供給工程を有する、請求項8に記載の成膜方法。しかしながら、このようなPMDAガスとODAガスを基板に供給してポリイミド膜を成膜する際には、以下のような問題がある。基板に成膜されたポリイミド膜の密着性を向上させるために、成膜前の密着促進剤による表面処理が必要である。密着促進剤による表面処理は、基板表面を、例えばシランカップリング剤等の密着促進剤により処理するものである。そして、シランカップリング剤により基板表面を処理する際に、シランカップリング剤を加水分解するために、基板にシランカップリング剤とともに水蒸気を供給する必要がある。ところが、密着促進剤による表面処理の際に供給された水蒸気が残留していると、表面処理された基板上に膜を成膜する際に、原料ガスが水蒸気と反応して変質し、良質な膜が成膜できないおそれがある。また、密着促進剤に含まれるシランカップリング剤が水蒸気により重合することによって、パーティクルが発生するおそれがある。また、シランカップリング剤と水蒸気を供給して表面を処理するためには、表面がヒドロキシ基で終端された基板を用いなければならない。そのため、基板として例えばSiウェハを用いるときは、基板をDHF希フッ酸洗浄して表面を水素原子で終端した後、SC1アンモニア過水洗浄して表面をヒドロキシ基で終端しなければならず、基板表面の終端状態を調整する工程数が多いという問題がある。更に、上記した課題は、PMDAガスよりなる原料ガス、及び、ODAガスよりなる原料ガスを基板に供給してポリイミド膜を成膜する場合に限定されず、各種の原料ガスを基板に供給して各種の膜を成膜する場合にも共通する課題である。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。本発明の一実施例によれば、処理容器内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、前記基板を加熱するとともに、前記処理容器内に前記密着促進剤ガスを供給し、供給された前記密着促進剤ガスと、加熱されている前記基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、前記基板の表面を処理する表面処理工程を有する、表面処理方法が提供される。本発明によれば、表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる。次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。第1の実施の形態最初に、図1から図12を参照し、本発明の第1の実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法について説明する。本実施の形態に係る成膜方法は、例えばピロメリット酸二無水物PyromelliticDianhydride、以下PMDAと略す。を気化させた第1の原料ガスと、例えば4,4-3オキシジアニリン44Oxydianiline、以下ODAと略す。を気化させた第2の原料ガスとを、成膜容器内に供給することによって、基板にポリイミド膜を成膜する成膜方法に適用することができる。図1は、本実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法を行うための成膜装置10を概略的に示す縦断面図である。図2は、ローディングエリア40を概略的に示す斜視図である。図3は、ボート44の一例を概略的に示す斜視図である。成膜装置10は、載置台ロードポート20、筐体30、及び制御部100を有する。載置台ロードポート20は、筐体30の前部に設けられている。筐体30は、ローディングエリア作業領域40及び成膜容器60を有する。ローディングエリア40は、筐体30内の下方に設けられており、成膜容器60は、筐体30内であってローディングエリア40の上方に設けられている。また、ローディングエリア40と成膜容器60との間には、ベースプレート31が設けられている。なお、後述する供給機構70は、成膜容器60に接続されるように設けられている。ベースプレート31は、成膜容器60の後述する反応管61を設置するための例えばSUS製のベースプレートであり、反応管61を下方から上方に挿入するための図示しない開口部が形成されている。載置台ロードポート20は、筐体30内へのウェハWの搬入搬出を行うためのものである。載置台ロードポート20には、収納容器21、22が載置されている。収納容器21、22は、前面に図示しない蓋を着脱可能に備えた、複数枚例えば50枚程度のウェハWを所定の間隔で収納可能な密閉型収納容器フープである。また、載置台20の下方には、後述する移載機構47により移載されたウェハWの外周に設けられた切欠部例えばノッチを一方向に揃えるための整列装置アライナ23が設けられていてもよい。ローディングエリア作業領域40は、収納容器21、22と後述するボート44との間でウェハWの移載を行い、ボート44を成膜容器60内に搬入ロードし、ボート44を成膜容器60から搬出アンロードするためのものである。ローディングエリア40には、ドア機構41、シャッター機構42、蓋体43、ボート44、基台45a、45b、昇降機構46、及び移載機構47が設けられている。なお、蓋体43及びボート44は、本発明における基板保持部に相当する。ドア機構41は、収納容器21、22の蓋を取外して収納容器21、22内をローディングエリア40内に連通開放するためのものである。シャッター機構42は、ローディングエリア40の上方に設けられている。シャッター機構42は、蓋体43を開けているときに、後述する成膜容器60の開口63から高温の炉内の熱がローディングエリア40に放出されるのを抑制ないし防止するために開口63を覆う又は塞ぐように設けられている。蓋体43は、保温筒48及び回転機構49を有する。保温筒48は、蓋体43上に設けられている。保温筒48は、ボート44が蓋体43側との伝熱により冷却されることを防止し、ボート44を保温するためのものである。回転機構49は、蓋体43の下部に取り付けられている。回転機構49は、ボート44を回転するためのものである。回転機構49の回転軸は蓋体43を気密に貫通し、蓋体43上に配置された図示しない回転テーブルを回転するように設けられている。昇降機構46は、ボート44のローディングエリア40から成膜容器60に対する搬入、搬出に際し、蓋体43を昇降駆動する。そして、昇降機構46により上昇させられた蓋体43が成膜容器60内に搬入されているときに、蓋体43は、後述する開口63に当接して開口63を密閉するように設けられている。そして、蓋体43に載置されているボート44は、成膜容器60内でウェハWを水平面内で回転可能に保持することができる。なお、成膜装置10は、ボート44を複数有していてもよい。以下、本実施の形態では、図2を参照し、ボート44を2つ有する例について説明する。ローディングエリア40には、ボート44a、44bが設けられている。そして、ローディングエリア40には、基台45a、45b及びボート搬送機構45cが設けられている。基台45a、45bは、それぞれボート44a、44bが蓋体43から移載される載置台である。ボート搬送機構45cは、ボート44a、44bを、蓋体43から基台45a、45bに移載するためのものである。ボート44a、44bは、例えば石英製であり、大口径例えば直径300mmのウェハWを水平状態で上下方向に所定の間隔ピッチ幅で搭載するようになっている。ボート44a、44bは、例えば図3に示すように、天板50と底板51の間に複数本例えば3本の支柱52を介設してなる。支柱52には、ウェハWを保持するための爪部53が設けられている。また、支柱52と共に補助柱54が適宜設けられていてもよい。移載機構47は、収納容器21、22とボート44a、44bの間でウェハWの移載を行うためのものである。移載機構47は、基台57、昇降アーム58、及び、複数のフォーク移載板59を有する。基台57は、昇降及び旋回可能に設けられている。昇降アーム58は、ボールネジ等により上下方向に移動可能昇降可能に設けられ、基台57は、昇降アーム58に水平旋回可能に設けられている。図4は、成膜容器60の構成の概略を示す断面図である。成膜容器60は、例えば、複数枚の被処理基板例えば薄板円板状のウェハWを収容して所定の処理例えばCVD処理等を施すための縦型炉とすることができる。成膜容器60は、反応管61、ヒータ62、供給機構70、密着促進剤供給機構80、パージガス供給機構90及び排気機構95を有する。なお、ヒータ62は、本発明における加熱機構に相当する。反応管61は、例えば石英製であり、縦長の形状を有しており、下端に開口63が形成されている。ヒータ加熱装置62は、反応管61の周囲を覆うように設けられており、反応管61内を所定の温度例えば50~1200°Cに加熱制御可能である。供給機構70は、原料ガス供給部71、及び、成膜容器60内に設けられたインジェクタ72を含む。インジェクタ72は、供給管73aを含む。原料ガス供給部71は、インジェクタ72の供給管73aに接続されている。本実施の形態では、供給機構70は、第1の原料ガス供給部71a及び第2の原料ガス供給部71bを有していてもよい。このとき、第1の原料ガス供給部71a及び第2の原料ガス供給部71bは、それぞれバルブ71c、71dを介し、インジェクタ72供給管73aに接続されている。第1の原料ガス供給部71aは、例えばPMDA原料を気化するための第1の気化器74aを有し、PMDAガスを供給することができる。また、第2の原料ガス供給部71bは、例えばODA原料を気化するための第2の気化器74bを有し、ODAガスを供給することができる。供給管73aには成膜容器60内に開口する供給孔75が形成されている。インジェクタ72は、原料ガス供給部71から供給管73aを流れる第1の原料ガス及び第2の原料ガスを、供給孔75を介して成膜容器60内に供給する。また、供給管73aは、上下方向に延在するように設けられていてもよい。そして、供給管73aには、複数の供給孔75が形成されていてもよい。なお、供給孔75の形状は、円形、楕円形、矩形等各種の形状であってもよい。インジェクタ72は、内側供給管73bを含むことが好ましい。内側供給管73bは、供給管73aの供給孔75が形成されている部分よりも上流側の部分に収容されていてもよい。そして、内側供給管73bの下流側の端部付近には、供給管73aの内部空間に第1の原料ガス及び第2の原料ガスのいずれか一方の原料ガスを供給するための開口76が形成されていてもよい。このような構造を有する内側供給管73bを含むことによって、第1の原料ガスと第2の原料ガスとを供給孔75から成膜容器60内に供給する前に、予め供給管73aの内部空間において第1の原料ガスと第2の原料ガスとを十分混合させることができる。なお、以下では、供給管73aに第1の原料ガスを供給し、内側供給管73bに第2の原料ガスを供給する場合を例示して、説明する。しかし、内側供給管73bに第1の原料ガスを供給し、供給管73aに第2の原料ガスを供給してもよい。また、開口76の形状は、円形、楕円形、矩形等各種の形状であってもよい。本実施の形態は、ボート44が複数のウェハWを上下方向に所定の間隔で保持する例について説明するものである。このとき、供給管73aとともに、内側供給管73bも、上下方向に延在するように設けられていてもよい。更に、下方側を上流側、上方側を下流側とするときは、内側供給管73bは、供給管73aの供給孔75が形成されている部分よりも下方側の部分において、供給管73aの内部に収容されるように設けられていてもよい。そして、内側供給管73bの上端部付近には、供給管73aの内部空間と連通するための開口76が設けられていてもよい。供給機構70は、例えば供給管73aに第1の原料ガスを流すとともに、内側供給管73bに第2の原料ガスを流す。そして、内側供給管73bを流れる第2の原料ガスを、開口76を介して供給管73aに合流させ、第1の原料ガスと第2の原料ガスとを混合させた状態で、供給孔75を介して成膜容器60内に供給する。図5は、密着促進剤供給機構80の構成を模式的に示す図である。なお、図5では、成膜容器60、ボート44及び密着促進剤供給機構80以外の図示を省略している。図5に示すように、密着促進剤供給機構80は、気化器81及び成膜容器60内に設けられた供給管82を含む。気化器81は、バルブ81aを介し、供給管82に接続されている。密着促進剤供給機構80は、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを成膜容器60内に供給し、ウェハWの表面を密着促進剤ガスにより処理するためのものである。気化器81は、保持容器83、ガス導入部84及びガス導出部85を有する。保持容器83の内部には、例えばシランカップリング剤等の密着促進剤SCが充填可能に設けられている。保持容器83の内部には、加熱機構86が設けられており、保持容器83の内部に充填された密着促進剤SCを、加熱機構86により加熱して気化することができる。なお、加熱機構86としてヒータ等を用いることができる。また、保持容器83を加熱することができればよく、加熱機構86は、保持容器83の任意の場所に設けることができる。ガス導入部84は、保持容器83に、保持容器83で気化した密着促進剤ガスを搬送するための例えば窒素N2ガス等の不活性ガスよりなる密着促進剤キャリアガスを、密着促進剤キャリアガス供給部87から導入する。ガス導入部84は、ガス導入管84a及びガス導入口84bを有する。ガス導入管84aは、密着促進剤ガスを搬送する密着促進剤キャリアガスを保持容器83の外部から保持容器83の内部へ導入するための配管である。ガス導入管84aは、保持容器83の上面を貫通するように保持容器83の上面に取り付けられるとともに、保持容器83の内部を上方から下方に延在するように設けられている。また、ガス導入管84aは、一端が保持容器83の底部において開口するとともに、他端が保持容器83の外部で密着促進剤キャリアガス供給部87に接続されている。ガス導入口84bは、ガス導入管84aの下端に形成された開口である。図5では、ガス導入口84bが密着促進剤SCの液面よりも下方にあり、ガス導入口84bから供給された密着促進剤キャリアガスが密着促進剤をバブリングする場合を例示している。しかし、ガス導入口84bは、密着促進剤SCの液面よりも上方にあってもよく、ガス導入口84bから供給された密着促進剤キャリアガスが密着促進剤SCをバブリングしなくてもよい。ガス導出部85は、保持容器83から、密着促進剤キャリアガスとともに気化した密着促進剤ガスを導出する。ガス導出部85は、ガス導出管85a及びガス導出口85bを有する。ガス導出管85aは、密着促進剤ガスおよび密着促進剤キャリアガスを保持容器83の内部から保持容器83の外部へ導出するための配管である。ガス導出管85aは、保持容器83の上面を貫通するように保持容器83の上面に取り付けられている。また、ガス導出管85aは、一端が保持容器83の内部上方で開口されるように設けられており、他端が成膜容器60の内部に設けられた供給管82に接続されている。ガス導出口85bは、ガス導出管85aの下端に形成された開口である。供給管82は、反応管61の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる石英管よりなる。供給管82の先端には、成膜容器60内に開口する供給孔82aが形成されている。供給管82は、気化器81から供給管82を流れる気化した密着促進剤ガスを、供給孔82aを介して成膜容器60内に供給する。供給孔82aは、ボート44に搭載されたウェハWの近傍に、1箇所設けられているのが好ましい。これにより、供給孔82aより吐出された密着促進剤ガスを、成膜容器60内に一様に拡散させることができる。パージガス供給機構90は、パージガス供給部91、及びパージガス供給管92を含む。パージガス供給部91は、パージガス供給管92を介して成膜容器60に接続されており、成膜容器60内にパージガスを供給する。また、パージガス供給管92の途中には、パージガス供給部91と成膜容器60の内部とを連通又は遮断するためのバルブ93が設けられている。排気機構95は、排気装置96及び排気管97を含む。排気機構95は、成膜容器60内から排気管97を介してガスを排気するためのものである。制御部100は、例えば、図示しない演算処理部、記憶部及び表示部を有する。演算処理部は、例えばCPUCentralProcessingUnitを有するコンピュータである。記憶部は、演算処理部に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、例えばハードディスクにより構成されるコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。表示部は、例えばコンピュータの画面よりなる。演算処理部は、記憶部に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに従って、ボート44基板保持部、ヒータ62、供給機構70、密着促進剤供給機構80、パージガス供給機構90、及び、排気機構95を構成する各部に制御信号を送り、後述するような成膜処理を実行する。次に、本実施の形態に係る成膜装置を用いた成膜処理について説明する。図6は、本実施の形態に係る成膜装置を用いた成膜処理における各工程の手順を説明するためのフローチャートである。成膜処理開始後、ステップS11として、成膜容器60内にウェハWを搬入する搬入工程。図1に示した成膜装置10の例では、例えばローディングエリア40において、移載機構47により収納容器21からボート44aへウェハWを搭載し、ウェハWを搭載したボート44aをボート搬送機構45cにより蓋体43に載置することができる。そして、ボート44aを載置した蓋体43を昇降機構46により上昇させて成膜容器60内に挿入することにより、ウェハWを搬入することができる。次に、ステップS12では、成膜容器60の内部を減圧する減圧工程。排気装置96の排気能力又は排気装置96と排気管97との間に設けられている図示しない流量調整バルブを調整することにより、排気管97を介して成膜容器60を排気する排気量を増大させる。そして、成膜容器60の内部を所定圧力例えば大気圧760Torrから例えば0.3Torrに減圧する。次に、ステップS13では、ウェハWの温度を、ウェハWにポリイミド膜を成膜するときの所定温度成膜温度まで上昇させるリカバリ工程。ボート44aを成膜容器60の内部に搬入した後、ヒータ62に電力を供給することによって、ボート44aに搭載されているウェハWの温度を成膜温度まで上昇させる。本実施の形態では、リカバリ工程において、ウェハWの表面を密着促進剤により処理してもよい。このとき、ヒータ62によりウェハWを加熱するとともに、密着促進剤供給機構80により成膜容器60内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハWとを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、ウェハWの表面を処理する表面処理工程。図7は、密着促進剤としてシランカップリング剤を用いたときのウェハWの表面における反応を示す図である。図8及び図9は、比較例1としてシランカップリング剤及び水蒸気を用いたときのウェハWの表面における反応を示す図である。シランカップリング剤として、分子中に例えばアルコキシ基RO-R;アルキル基を有するオルガノシランを用いることが好ましい。図7では、分子中に例えばメトキシ基CH3O-を有するオルガノシランを用いた例を示す。そして、図7aに示すように、表面が水酸基すなわちヒドロキシ基-OHで終端されたSiウェハを用いるときは、シランカップリング剤のメトキシ基が、ウェハ表面のヒドロキシ基と熱反応してメタノールCH3OHが生成することによって、ウェハ表面に吸着する。また、図7bに示すように、表面が水素原子Hで終端されたSiウェハを用いるときは、シランカップリング剤のメトキシ基が、ウェハ表面の水素原子と熱反応してメタンCH4が生成することによって、ウェハ表面に吸着する。オルガノシランとして、下記式1に示す、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン以下、SC剤Aという。を用いることができる。または、オルガノシランとして、下記式2に示す、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以下、SC剤Bという。を用いることができる。このうち、SC剤Aを用いることがより好ましい。SC剤Aを用いることにより、表面が水素原子Hで終端されたSiウェハを用いるときも、成膜されたポリイミド膜の密着性を向上させることができる。リカバリ工程とともに行う表面処理工程では、気化器81において例えばSC剤A又はSC剤Bよりなる密着促進剤を気化させ、気化した密着促進剤ガスを供給管82に形成された供給孔82aを介して成膜容器60内に供給する。表1を用いて後述するように、例えばSC剤Aを用いるときは、加熱機構86により保持容器83の温度を例えば150°Cに加熱することによって、0.3g/分の気化量を得ることができる。また、例えばSC剤Bを用いるときは、加熱機構86により保持容器83の温度を例えば100°Cに加熱することによって、0.3g/分の気化量を得ることができる。なお、このとき、密着促進剤キャリアガスであるN2ガスを例えば0.1slmの流量で導入してもよく、全く導入しなくてもよい。ここで、比較例1として、分子中に例えばアルコキシ基を有するシランカップリング剤と、水蒸気とを用いた場合を考える。すると、図8aに示すように、シランカップリング剤のアルコキシ基が、雰囲気中の水蒸気により加水分解することによって、水酸基すなわちヒドロキシ基-OHになる。そして、ウェハWとして、表面がヒドロキシ基-OHで終端されたSiウェハを用いるときは、図8bに示すように、シランカップリング剤のアルコキシ基が、ウェハ表面のヒドロキシ基と脱水縮合することによって、ウェハ表面に吸着する。あるいは、図9に示すように、シランカップリング剤のアルコキシ基が水蒸気により加水分解してヒドロキシ基になり、更に重合反応してオリゴマー化することがある。また、オリゴマー化したシランカップリング剤は、表面がヒドロキシ基-OHで終端されたSiウェハに近づくと、中間体を経て、更に加熱脱水することによって、ウェハ表面に吸着することがある。このように、比較例1では、シランカップリング剤が重合することによって、パーティクルが発生するおそれがある。一方、本実施の形態では、シランカップリング剤が重合しないため、パーティクルの発生を防止できる。また、比較例1では、水蒸気を用いるため、後述する成膜工程以降において、成膜容器60内に残留する水蒸気によって、下記式3に示すように、PMDAの五員環が開環する。PMDAの五員環が開環すると、PMDAが変質するため、成膜工程において、PMDAとODAとの反応が進行せず、ポリイミド膜が成膜できない。一方、本実施の形態では、水蒸気を用いないため、成膜工程において、PMDAとODAとの反応が進行し、ポリイミド膜が成膜できる。また、比較例1では、表面がヒドロキシ基で終端されたSiウェハを用いるため、図10に示すように、予めSiウェハよりなるウェハWをDHF希フッ酸洗浄して表面を水素原子で終端した後、SC1アンモニア過水洗浄して表面をヒドロキシ基で終端しなければならない。そのため、ウェハ表面の終端状態を調整する工程数が多い。一方、本実施の形態では、表面がヒドロキシ基で終端されたウェハW、及び、表面が水素原子で終端されたウェハWのいずれを用いてもよい。そのため、ウェハ表面の終端状態を調整する工程数を削減できる。また、比較例2として、ウェハWを密着促進剤の液に浸漬させて表面処理する場合を考える。図11は、比較例2としてビアVHが形成されたウェハWを密着促進剤の液に浸漬させて表面処理した後のビアVHの周辺の状態を模式的に示す断面図である。図11に示すように、比較例2に係る表面処理では、ウェハWを密着促進剤の液に浸漬させて表面処理するため、表面処理の後、密着促進剤が乾燥した後も、乾燥した密着促進剤SCがビアVHの底に溜まる液溜まりが発生することがある。例えば54μmの内径を有し、例えば52μmの深さを有するビアVHの場合、底から例えば1μmの高さまで密着促進剤SCの液溜まりが形成されるおそれがある。一方、本実施の形態に係る表面処理では、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスをウェハWに供給するため、密着促進剤SCがビアVHの底に溜まることがなく、ビアVHの底に密着促進剤SCの液溜まりが形成されるおそれがない。次に、ステップS14では、ポリイミド膜を成膜する成膜工程。制御部100により、供給管73aに第1の原料ガスを流す第1の流量F1と、内側供給管73bに第2の原料ガスを流す第2の流量F2とを予め設定しておく。そして、回転機構49によりウェハWを回転させた状態で、設定した第1の流量F1で第1の原料ガス供給部71aから第1の原料ガスを供給管73aに流し、設定した第2の流量F2で第2の原料ガス供給部71bから第2の原料ガスを内側供給管73bに流すことによって、第1の原料ガスと第2の原料ガスとを所定の混合比で混合させた状態で成膜容器60内に供給する。そして、ウェハWの表面でPMDAとODAを重合反応させ、ポリイミド膜を成膜する。具体的には、例えば第1の流量F1を900sccmとし、第2の流量F2を900sccmとすることができる。このときの、PMDAとODAとの重合反応は、次の式4に従う。次に、ステップS15では、第1の原料ガス供給部71aからのPMDAガスの供給及び第2の原料ガス供給部71bからのODAガスの供給を停止し、成膜容器60の内部をパージガスによりパージするパージ工程。バルブ71cを閉じ、第1の原料ガス供給部71aからの第1の原料ガスの供給を停止する。また、バルブ71dを閉じ、第2の原料ガス供給部71bからの第2の原料ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給機構90と排気機構95とを制御することにより、成膜容器60の内部の原料ガスをパージガスに置換する。例えば、排気装置96の排気能力又は排気装置96と排気管97との間に設けられている図示しない流量調整バルブを調整して排気量を増やすことにより、成膜容器60の内部を例えば0.3Torrに減圧する。その後、排気量を減少させるか、又は排気量を0にして排気を停止した状態で、成膜容器60内の内部の圧力が例えば5.0Torrになるまで、バルブ93を開いてパージガス供給機構90によりパージガスを成膜容器60内に供給する。これにより、成膜容器60内の原料ガスをパージガスに置換できる。また、排気機構95による減圧と、パージガス供給機構90によるパージガスの供給とを1回行った後、更に減圧とパージガスの供給を複数回繰り返してもよい。これにより、成膜容器60内の原料ガスを、更に確実にパージガスに置換できる。本実施の形態では、パージ工程において、ウェハW上に成膜されたポリイミド膜をヒータ62により熱処理してもよい。熱処理は、成膜後、膜中のイミド化していない部分をイミド化するために行う。ポリイミドは高い絶縁性を有するため、膜中のポリイミドの割合であるイミド化率を上昇させることによって、成膜したポリイミド膜の絶縁性を向上させることができる。次に、ステップS16では、成膜容器60の内部を大気圧に復圧する復圧工程。排気装置96の排気能力又は排気装置96と排気管97との間に設けられている図示しない流量調整バルブを調整することにより、成膜容器60を排気する排気量を減少させ、成膜容器60の内部を例えば0.3Torrから例えば大気圧760Torrに復圧する。なお、ポリイミド膜の熱処理は、ポリイミド膜を成膜した後、後述する搬出工程の前に、成膜容器の内部で行えばよく、復圧工程の際、又は、復圧工程の後に行ってもよい。次に、ステップS17では、成膜容器60からウェハWを搬出する搬出工程。図1に示した成膜装置10の例では、例えばボート44aを載置した蓋体43を昇降機構46により下降させて成膜容器60内からローディングエリア40に搬出することができる。そして、移載機構47により、搬出した蓋体43に載置されているボート44aから収納容器21へウェハWを移載することによって、ウェハWを成膜容器60から搬出することができる。その後、成膜処理を終了する。なお、複数のバッチについて連続して成膜処理を行うときは、更に、ローディングエリア40において、移載機構47により収納容器21からウェハWをボート44へ移載し、再びステップS11に戻り、次のバッチの成膜処理を行う。このようにして成膜したポリイミド膜について、密着性を評価するためのピール試験を行った。粘着テープとして、3.7N/cmの粘着力を有する610-1PK商品名:3M社製を用い、ポリイミド膜が成膜されたウェハからポリイミド膜を剥がすピール試験を行った。そして、ピール試験後、ポリイミド膜が残った試験数をn1とし、全試験数をn0とするとき、n1/n0×100により、ピール歩留を求めた。その結果を、気化器条件、表面処理条件とともに、表1に示す。表1では、表面がヒドロキシ基で終端されたSiウェハをSi-OHウェハ以下、OH終端ウェハという。で示し、表面が水素で終端されたSiウェハをSi-Hウェハ以下、水素終端ウェハという。で示している。表1に示すように、SC剤Bを0.3g/分の気化量で内部圧力が10Torrの成膜容器に供給し、200°Cのウェハ温度で600秒表面処理したときは、OH終端ウェハのピール歩留は100であるものの、水素終端ウェハのピール歩留は0であった。一方、SC剤Aを0.3g/分の気化量で内部圧力が10Torrの成膜容器に供給し、200°Cのウェハ温度で600秒表面処理したときは、OH終端ウェハ及び水素終端ウェハのいずれのピール歩留も100であった。このように、SC剤Aを用いた場合、SC剤Bを用いた場合に比べ、密着性が向上する理由の一例として、以下のように説明することができる。SC剤A及びSC剤Bの分子量、沸点、及び200°Cにおける飽和蒸気圧を、表2に示す。また、図12は、SC剤A及びSC剤Bの飽和蒸気圧の温度依存性を示すグラフである。表2に示すように、SC剤Aの分子量は、SC剤Bの分子量よりも大きく、SC剤Aの沸点は、SC剤Bの沸点よりも高い。そのため、図12及び表2に示すように、例えば200°CにおけるSC剤Aの飽和蒸気圧20Torrは、SC剤Bの飽和蒸気圧90Torrよりも小さい。よって、SC剤BよりもSC剤Aの方が、ウェハ表面での密着促進剤の滞在時間が長いため、表面処理がより確実に行われると考えられる。また、SC剤BよりもSC剤Aの方が、高温での安定性に優れているため、ウェハWを加熱した状態でも、密着促進剤が変質しないものと考えられる。以上より、表面がヒドロキシ基で終端されたSiウェハを表面処理する場合には、水分を含まない雰囲気中で表面処理した場合も、密着性を向上させることができる。また、表面が水素で終端されたSiウェハを表面処理する場合には、分子量が相対的に大きく、沸点が相対的に高く、飽和蒸気圧が相対的に低いシランカップリング剤を密着促進剤として用いることにより、水分を含まない雰囲気中で表面処理した場合も、密着性を向上させることができる。なお、本実施の形態では、Siウェハの表面を処理する場合について説明した。しかし、本実施の形態に係る表面処理方法は、ガラス等各種の基板の表面を処理に適用可能である。また、本実施の形態では、成膜容器内で、ウェハの温度を所定温度まで上昇させる間に、表面処理する場合について説明した。しかし、第2の実施の形態で後述するように、成膜容器に搬入する前に、成膜容器と別に設けられた処理容器内にウェハを搬入し、ウェハを表面処理してもよい。第1の実施の形態の第1の変形例次に、図13を参照し、本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係る表面処理方法及び成膜方法について説明する。本変形例に係る表面処理方法及び成膜方法は、Siウェハの表面が窒化されている点で、第1の実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法と相違する。本変形例では、成膜装置又は表面処理装置と別に設けられた窒化処理装置を用い、密着促進剤による表面処理を行う前に、Siウェハの表面を窒化処理する。一例として、例えば図13に示すように、プラズマ発生部が設けられた成膜装置を用いることができる。本変形例に係る表面処理方法及び成膜方法を行うための成膜装置は、成膜容器60aを除いて、第1の実施の形態に係る成膜装置10と同様にすることができ、成膜容器60a以外の部分について説明を省略する。図13は、成膜容器60aの構成の概略を示す断面図である。成膜容器60aは、反応管61、ヒータ62、供給機構70、密着促進剤供給機構80、パージガス供給機構90、排気機構95及びプラズマ発生部110を有する。成膜容器60aは、プラズマ発生部110が設けられている点を除いて、第1の実施の形態における成膜容器60aと同様にすることができ、プラズマ発生部110以外の部分について説明を省略する。プラズマ発生部110は、プラズマガス供給源111、プラズマガス分散ノズル112、プラズマ電極113及び高周波電源114を有する。プラズマガス供給源111は、成膜容器60aの外部に設けられており、プラズマ化されるプラズマ化ガス、例えばアンモニアNH3ガスを供給するためのものである。プラズマガス分散ノズル112は、反応管61の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて延びる石英管よりなるとともに、プラズマガス供給源111と接続されている。プラズマガス分散ノズル112には、その長さ方向に沿って複数のガス噴射孔112aが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス噴射孔112aから水平方向に向けて略均一にアンモニアガスを噴射できるようになっている。プラズマ電極113は、プラズマガス分散ノズル112とボート44との間に、上下方向に沿って互いに対向するように設けられた、細長い一対の電極である。高周波電源114は、プラズマ電極113に給電ライン115を介して接続されている。高周波電源114は、プラズマ電極113に例えば13.56MHzの高周波電圧を印加することによりプラズマを発生し得るようになっている。本変形例では、第1の実施の形態で図6を用いて説明したリカバリ工程ステップS13において、表面処理を行う前に、Siウェハよりなるウェハの表面を窒化処理する。プラズマガス供給源111により、プラズマガス分散ノズル112のガス噴射孔112aを介して例えばアンモニアNH3ガスよりなるプラズマガスを成膜容器60a内に供給する。そして、高周波電源114により、プラズマ電極113に例えば13.56MHzの高周波電圧を印加する。すると、プラズマガス分散ノズル112のガス噴射孔112aより噴出されたNH3ガスは、高周波電圧が印加されている1対のプラズマ電極113間でプラズマ化されて活性化し、例えばN、NH、NH2、NH3等のラジカルを発生させる。発生したラジカルは、成膜容器60a内に放出され拡散し、ウェハWと反応して、表面に窒化シリコンSiN層を形成する。次いで、第1の実施の形態と同様に、リカバリ工程において、ウェハWの表面を密着促進剤により処理することができる。これにより、ウェハWを加熱するとともに、成膜容器60a内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハWとを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、ウェハWの表面を処理する表面処理工程。本変形例でも、密着促進剤としてシランカップリング剤を用いることが好ましい。シランカップリング剤として、分子中に例えばアルコキシ基を有するオルガノシランを用いることができる。例えば分子中に例えばメトキシ基を有するオルガノシランを用いたときは、ボート44に保持されているウェハWの表面が窒素-Nで終端されているため、下記式5SC剤-OCH3NSiウェハ→SC剤-O-NSiウェハ5に示すように、シランカップリング剤のメトキシ基が、ウェハ表面と熱反応することによって、ウェハ表面に吸着する。本変形例でも、オルガノシランとして、式1、式2に示したSC剤A、SC剤Bを用いることが好ましい。このうち、SC剤Bを用いる場合、表面が水素原子Hで終端されたSiウェハ水素終端ウェハを用いるときも、ウェハの表面を窒化処理により窒素で終端した状態で用いることができるため、成膜されたポリイミド膜の密着性を向上させることができる。本変形例でも、成膜したポリイミド膜について、密着性を評価するためのピール試験を行った。まず、比較例3として、水素終端した後、表面を窒化処理していないウェハを用い、SC剤Bを0.3g/時の気化量で成膜容器に供給し、90°Cのウェハ温度で60秒表面処理したときは、ピール歩留は0であった。一方、本変形例として、水素終端した後、表面を窒化処理したウェハを用い、SC剤Bを0.3g/時の気化量で成膜容器に供給し、200°Cのウェハ温度で600秒表面処理したときは、ピール歩留も100であった。本変形例でも、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハとを、水分を含まない雰囲気中で反応させる。これにより、表面処理されたウェハ上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予めウェハ表面の終端状態を調整するための工程を削減できる。第1の実施の形態の第2の変形例次に、図14を参照し、本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係る表面処理方法及び成膜方法について説明する。本変形例に係る成膜方法は、基板の表面を密着促進剤により処理した後、ポリイミド膜を成膜する前に、第1の原料ガスにより処理する点で、第1の実施の形態に係る成膜方法と相違する。なお、本変形例では、第1の実施の形態に係る成膜装置と同一の成膜装置を用いることができ、成膜装置についての説明を省略する。図14は、本変形例に係る成膜方法における各工程の手順を説明するためのフローチャートである。本変形例では、リカバリ工程ステップS13の後、成膜工程ステップS14の前に、第1の原料ガス供給部71aにより第1の原料ガスを供給し、ウェハ表面を第1の原料ガスにより処理する第1の原料ガス供給工程ステップS13-2。第1の原料ガス供給工程ステップS13-2以外の工程については、第1の実施の形態に係る成膜方法と同様である。本変形例でも、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハとを、水分を含まない雰囲気中で反応させる。これにより、表面処理されたウェハ上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予めウェハ表面の終端状態を調整するための工程を削減できる。更に、本変形例では、第1の原料ガス供給工程ステップS13-2の後、成膜工程ステップS14において、ウェハ表面の全面にポリイミド膜を更に均一に成膜することができる。例えば、第1の実施の形態において、成膜したポリイミド膜の膜厚の面内均一性1σが14.3であるようなプロセス条件と同じ条件であって、第1の原料ガス供給工程を追加した場合、面内均一性1σを2.3まで低減できた。これは、第1の原料ガス供給工程において、例えば、シランカップリング剤のSiウェハに吸着している側と反対側の官能基とPMDAとが反応し、ウェハ表面の全面にPMDAが吸着した状態になったためと考えられる。第2の実施の形態次に、図15から図17を参照し、本発明の第2の実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法について説明する。本実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法を行うための成膜装置は、成膜容器が枚葉処理を行うためのものであるとともに、成膜容器とは別に表面処理のための処理容器を有している点で、第1の実施の形態に係る成膜方法を行うための成膜装置と相違する。図15は、本実施の形態に係る表面処理方法及び成膜方法を行うための成膜装置120を概略的に示す平面図である。図16は、処理容器130、密着促進剤供給機構80及び排気機構95aの構成を示す正面図である。図17は、成膜容器60b、供給機構70及び排気機構95bの構成を示す平面図である。図15に示すように、本実施の形態に係る成膜装置120は、ポート121A~121C、ローダ122、ロードロック123A、123B、搬送室124、複数の表面処理部125、及び成膜部126を有する。ポート121A~121Cには、ローダ122が接続されている。ローダ122には、ロードロック123A、123Bが接続されている。ロードロック123A、123Bには、搬送室124が接続されている。搬送室124には、表面処理部125が2つ接続されており、成膜部126が1つ接続されている。また、搬送室124には、ウェハをロードロック123A、123Bと表面処理部125及び成膜部126との間で搬送するための搬送アーム124aが設けられている。なお、表面処理部125と成膜部126の数は、特に限定されるものではなく、スループットを向上させるために、表面処理及び成膜処理の条件に応じて、任意の数に変更可能である。図15及び図16に示すように、表面処理部125は、処理容器130と、密着促進剤供給機構80及び排気機構95aとを有する。密着促進剤供給機構80は、気化器81及び供給管82を含み、供給管82が処理容器130内に設けられている点を除き、第1の実施の形態に係る密着促進剤供給機構80と同様にすることができる。また、排気機構95aは、排気装置96及び排気管97を含み、第1の実施の形態に係る成膜容器60に設けられた排気機構95と同様にすることができる。処理容器130は、処理室131、ヒータ加熱装置132、基板保持部133及び排気機構95aを有する。ヒータ加熱装置132は、表面処理の際にウェハWを加熱するためのものである。基板保持部133は、ウェハWを保持するためのものである。ただし、基板保持部133は、ウェハWを1枚保持可能に設けられている。なお、ヒータ加熱装置132は、基板保持部133内に設けられていてもよい。図17に示すように、成膜部126は、成膜容器60b、供給機構70、パージガス供給機構90及び排気機構95bを有する。パージガス供給機構90は、パージガス供給部91、パージガス供給管92、及びバルブ93を含み、第1の実施の形態におけるパージガス供給機構90と同様にすることができる。排気機構95bは、排気装置96及び排気管97を含み、第1の実施の形態における排気機構95と同様にすることができる。成膜容器60bは、反応室61、ヒータ加熱装置62及び基板保持部44cを有する。基板保持部44cは、ウェハWを保持可能であってかつ回転可能に設けられている。ただし、基板保持部44cは、ウェハWを1枚保持可能に設けられている。供給機構70は、第1の原料ガス供給部71a、第2の原料ガス供給部71b、インジェクタ72を含む。第1の原料ガス供給部71a、第2の原料ガス供給部71bは第1の実施の形態と同様にすることができる。インジェクタ72は、供給管73a及び内側供給管73bを含む。原料ガス供給部71は、インジェクタ72の供給管73aに接続されている。供給管73aと内側供給管73bとは、水平方向に延在するように設けられている点を除き、第1の実施の形態に係るインジェクタ72と同様にすることができる。すなわち、供給管73aには、複数の供給孔75が形成されている。内側供給管73bの下流側の端部付近には、供給管73aの内部空間に第1の原料ガスを供給するための開口76が形成されている。なお、図17では、内側供給管73bに第1の原料ガス供給部71aから第1の原料ガスを供給し、供給管73aに第2の原料ガス供給部71bから第2の原料ガスを供給する例を示している。しかし、供給管73aに第1の原料ガスを供給し、内側供給管73bに第2の原料ガスを供給してもよい。また、制御部100は、第1の実施の形態と同様にすることができる。本実施の形態に係る成膜処理では、成膜部126により成膜処理を行う前に、表面処理部125を用いて密着促進剤による表面処理を行う。搬送室124に設けられた搬送アーム124aによりウェハWを表面処理部125の処理容器130内に設けられた基板保持部133に受け渡し、ウェハWを保持する。そして、排気機構95aにより、処理容器130の内部を減圧する。次に、制御部100によりヒータ132に供給する電力を制御することによって、ウェハWの温度を表面処理するための処理温度まで上昇させる。そして、ウェハWを加熱するとともに、処理容器130内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハWとを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、ウェハWの表面を処理する表面処理工程。本変形例でも、密着促進剤としてシランカップリング剤を用いることが好ましい。また、本変形例でも、シランカップリング剤として、分子中に例えばアルコキシ基を有するオルガノシランを用いることが好ましい。オルガノシランとして、式1、式2に示したSC剤A、SC剤Bを用いることが好ましい。また、SC剤Aを用いることにより、表面が水素原子Hで終端されたSiウェハを用いるときも、成膜されたポリイミド膜の密着性を向上させることができる。このようにして表面処理部125を用いて密着促進剤による表面処理を行った後、成膜部126により成膜処理を行う。成膜部126により成膜処理は、成膜処理がバッチ処理に代え枚葉処理である点を除き、第1の実施の形態の成膜工程と同様にすることができる。本実施の形態でも、供給された密着促進剤ガスと、加熱されているウェハとを、水分を含まない雰囲気中で反応させる。これにより、表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程を削減できる。なお、本実施の形態でも、第1の実施の形態の第1の変形例と同様に、処理容器130内、又は処理容器130とは別に設けたプラズマ処理容器にプラズマ発生部を設けてもよい。そして、プラズマ発生部により発生させた窒素プラズマをウェハに照射することによって、予めSiウェハよりなるウェハの表面を窒化し、表面が窒化されたウェハの表面を処理容器130内で密着促進剤ガスにより処理してもよい。また、第1の実施の形態の第2の変形例と同様に、ウェハの表面を密着促進剤により処理した後、ポリイミド膜を成膜する前に、ウェハの表面を第1の原料ガスにより処理する第1の原料ガス供給工程を行ってもよい。これにより、第1の実施の形態の第2の変形例と同様に、成膜工程において、ウェハ表面の全面にポリイミド膜を更に均一に成膜することができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"