"支持体と、前記支持体の上に積層された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、前記有機半導体層より上に積層された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備えた有機トランジスタであって、前記第1の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理がなされており、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の該第1の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係となるようにする処理であることを特徴とする有機トランジスタ。前記第1の絶縁層の表面において、少なくとも、前記有機半導体層と前記第2の絶縁層との境界に形成されるチャネル領域に対応して、前記表面処理が部分的に施されている請求項1に記載の有機トランジスタ。前記表面処理が、炭素数10以上30以下の飽和炭化水素化合物を付着させる処理である請求項1又は2に記載の有機トランジスタ。前記有機半導体層の構成材料がペンタセンである請求項1から3のいずれか1項に記載の有機トランジスタ。前記第1の絶縁層の構成材料がSrTiO3である請求項1から4のいずれか1項に記載の有機トランジスタ。前記一対のソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層より下方に設けられたトップゲートボトムコンタクト型構造である請求項1から5のいずれか1項に記載の有機トランジスタ。前記一対のソース電極及びドレイン電極上にSAM膜が設けられている請求項6に記載の有機トランジスタ。支持体と、前記支持体の上に積層された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、前記有機半導体層より上に積層された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備えた有機トランジスタの製造方法であって、前記第1の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理を行う工程と、表面処理後の前記第1の絶縁層の上に前記有機半導体層を形成する工程と、を備え、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の該第1の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように行われることを特徴とする有機トランジスタの製造方法。上記のとおり、有機トランジスタの移動度を向上させるために、表面処理を行ったり、薄膜を介在させたりする提案がなされている。しかし、上記特許文献1~3の提案は、ボトムゲート型構造の有機トランジスタを対象としたものであり、有機半導体層の上にゲート絶縁層が積層されてチャネルが形成されるトップゲート型構造の有機トランジスタの移動度の向上に適用することは困難である。上記特許文献4では、トップゲート構造の有機トランジスタへの適用も一応示唆されているが、その場合の表面処理の対象はガラス基板やプラスチックフィルムなどの支持体基板であるとされており、表面処理の具体的な手法については明記されていない。本発明は、トップゲート構造を有し、高い移動度を有する有機トランジスタを提供することを目的とする。上記実情に鑑み、本発明者らは鋭意研究を行った結果、トップゲート構造の有機トランジスタにおいて、有機半導体層の下地となる第1の絶縁層に、予め接着仕事W1≧W2となる表面処理をしておくことによって、高い移動度を有する有機トランジスタを製造できることを見出し、本発明を完成した。ここで、W1は、有機半導体層を同一の有機半導体層上に形成するときの接着仕事であり、W2は、有機半導体層を、表面処理した下地となる第1の絶縁層上に形成するときの接着仕事である。本発明の有機トランジスタは、支持体と、前記支持体の上に積層された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、前記有機半導体層より上に積層された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備えている。この有機トランジスタは、前記第1の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に、表面処理がなされており、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の該第1の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係となるようにする処理である。本発明の有機トランジスタは、前記第1の絶縁層の表面において、少なくとも、前記有機半導体層と前記第2の絶縁層との境界に形成されるチャネル領域に対応して、前記表面処理が部分的に施されていてもよい。また、本発明の有機トランジスタは、前記表面処理が、炭素数10以上30以下の飽和炭化水素化合物を付着させる処理であってもよい。また、本発明の有機トランジスタは、前記有機半導体層の構成材料がペンタセンであってもよい。また、本発明の有機トランジスタは、前記第1の絶縁層の構成材料がSrTiO3であってもよい。また、本発明の有機トランジスタは、前記一対のソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層より下方に設けられたトップゲートボトムコンタクト型構造であってもよい。この場合、前記一対のソース電極及びドレイン電極上にSAM膜が設けられていてもよい。本発明の有機トランジスタの製造方法は、支持体と、前記支持体の上に積層された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、前記有機半導体層より上に積層された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備えた有機トランジスタの製造方法であって、前記第1の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理を行う工程と、表面処理後の前記第1の絶縁層の上に前記有機半導体層を形成する工程と、を備えている。そして、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の該第1の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように行われる。本発明の有機トランジスタでは、支持体の上に積層された第1の絶縁層に対し、予め表面処理が施されている。この表面処理は、有機半導体層を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の接着仕事W2が、W1≧W2の関係となるように行われる。このように、第1の絶縁層と有機半導体層との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層と第2の絶縁層との界面のチャネル領域におけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタにおける移動度を向上させる効果が得られる。次に、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。[第1の実施の形態]図1は、本発明の第1の実施の形態の有機トランジスタ100の概略構成を示す断面図である。この有機トランジスタ100は、いわゆるトップゲートボトムコンタクト型構造をしている。すなわち、有機トランジスタ100は、支持体としての基板1と、この基板1の上に所定の厚みで形成された第1の絶縁層としての下地絶縁層3と、この下地絶縁層3の上に所定のパターンで部分的に形成された一対のソース電極5a及びドレイン電極5bと、これらソース電極5a及びドレイン電極5bを覆うように、かつ下地絶縁層3に接するように積層された有機半導体層7と、有機半導体層7の上に積層された第2の絶縁層としてのゲート絶縁層9と、ゲート絶縁層9の上に積層されたゲート電極11とを備えている。下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面には、表面処理がなされ、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になっている。<基板>基板1の材質は、有機トランジスタに一般的に用いられる無機材料あるいは有機材料として、例えば、ガラス、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、合成樹脂などを用いることができる。ここで、合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネートなどを挙げることができる。なお、基板1として、上記材料を組み合わせた複合基板を用いることもできる。また、基板1は、多層構造であってもよい。<下地絶縁層>下地絶縁層3を構成する絶縁材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる無機絶縁材料あるいは有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えばガラス、酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどのほか、金属酸化物である酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム、酸化ハフニウムなどを挙げることができる。これらの中でも、薄膜の状態でも比較的比誘電率が高く、アモルファス構造を有しており、絶縁耐圧が高いチタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物を用いることが好ましい。また、有機絶縁材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ビニル系樹脂などの高分子材料を用いることができる。なお、図1では1層の下地絶縁層3を描いているが、下地絶縁層3として、複数の絶縁膜を積層することも可能である。<ソースドレイン電極>ソース電極5a及びドレイン電極5bの材料電極材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる導電性材料を使用できる。このような導電性材料としては、例えば、Ag、Au、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Nb、Hf、Mo、これらの合金、酸化インジウムスズ合金ITO、酸化インジウム亜鉛IZO等の金属材料や、シリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラファイト等の炭素材料、さらに例えば、導電性高分子材料などを挙げることができる。<有機半導体層>有機半導体層7を形成するための有機半導体材料としては、所望の半導体特性を備えた有機半導体層7を形成できる材料、例えば、芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、例えばペンタセン等の低分子有機化合物、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン類、ポリp-フェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリアズレン類等の高分子有機化合物を挙げることができる。これらの中でも、有機トランジスタの移動度を高くすることができ、簡便に膜厚制御が可能であるペンタセンなどの縮合多環芳香族の使用が望ましい。ペンタセンのようなアセン系の縮合多環芳香族化合物では、ベンゼン環の増加によるπ電子系の拡張による分子間の重なりが大きくなるので、移動度の向上が期待できる。有機半導体層7の厚みは、有機半導体材料の種類等に応じて適宜設定できるが、例えば1.5nm~15nmの範囲内とすることができる。<ゲート絶縁層>ゲート絶縁層9を構成する絶縁材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる無機絶縁材料あるいは有機絶縁材料を用いることができる。無機絶縁材料としては、例えばガラス、酸化ケイ素SiO2、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどのほか、金属酸化物である酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム、酸化ハフニウムなどを挙げることができる。これらの中でも、薄膜の状態でも比較的比誘電率が高く、アモルファス構造を有しており、絶縁耐圧が高いチタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物を用いることが好ましい。また、有機絶縁材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ビニル系樹脂などの高分子材料を用いることができる。ゲート絶縁層9の厚みは、絶縁材料の種類等に応じて適宜設定できるが、例えば50nm~1000nmの範囲内、好ましくは、100nm~300nmの範囲内とすることができる。<ゲート電極>ゲート電極11を構成する材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる導電性材料を使用できる。このような導電性材料としては、例えば、Ag、Au、Ta、Ti、Al、Zr、Cr、Nb、Hf、Mo、これらの合金、酸化インジウムスズ合金ITO、酸化インジウム亜鉛IZO等の金属材料や、シリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラファイト等の炭素材料、さらに例えば、導電性高分子材料などを挙げることができる。<表面処理>下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面には、表面処理がなされる。そして、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事をW1とした場合、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2は、W1≧W2の関係になっている。ここで、接着仕事とは、下式に表されるように、液体と固体のそれぞれの表面自由エネルギーの和と、液体と固体が接着した後の表面自由エネルギーとの差分を意味する。WSL=γSγL-γSL1[ここで、WSLは接着仕事、γSは固体の表面自由エネルギー、γLは液体の表面自由エネルギー、γSLは液体と固体が接着した状態の界面自由エネルギーを示す]図2は、無機絶縁材料であるアモルファス-チタン酸ストロンチウムa-SrTiO3薄膜上に、有機半導体材料であるペンタセン薄膜を形成した場合の被覆率について、a-SrTiO3薄膜の表面状態を変えて接着仕事W2を変化させた条件における測定結果を示している。a-SrTiO3薄膜は、プラズマスパッタ蒸着法により室温の条件で厚さ100nmに成膜した。また、ペンタセン薄膜は、真空蒸着法により、基板温度室温の条件で厚さ2nmに成膜した。ここで、ペンタセン薄膜を同じペンタセン薄膜上に形成した場合の接着仕事W1は、おおよそ100mN/m図2中、斜線部で示したである。図2では、a-SrTiO3の表面を未処理符号Aの場合と、表面処理として、C20H44処理符号B、CxFy処理符号C;x,yは化学量論的にとり得る数値を意味する。以下、同様である、紫外線処理符号D、紫外線処理と230°Cアニール処理との組み合わせ符号E、ラジカル処理符号F、及びフタル酸ジブチル処理符合Gをした場合を、それぞれペンタセンとの接着仕事の値でプロットしている。各表面処理は、以下の条件で実施した。C20H44処理は、C20H44固体とa-SrTiO3基板をシャーレに封入することにより実施した。CxFy処理は、フォンブリンなどの真空グリスとa-SrTiO3基板をシャーレに封入することにより実施した。紫外線処理は、波長185nmのUV処理装置にて大気中でa-SrTiO3を紫外線に10分間曝露することにより実施した。紫外線処理とアニール処理との組み合わせにおいて、紫外線処理は、上記と同じ条件で行い、その後、真空中にてアニールすることより実施した。ラジカル処理は、O2プラズマアッシング装置にて実施した。フタル酸ジブチル処理は、フタル酸ジブチル溶液とa-SrTiO3基板をシャーレに封入することにより実施した。紫外線処理符号D、紫外線処理と230°Cアニール処理符号E、ラジカル処理符号Fは、いずれもa-SrTiO3の表面を清浄化する表面処理である。後述のように、未処理符号Aの状態では、a-SrTiO3の表面に有機物が付着している可能性があるが、これらの処理によって、a-SrTiO3の表面から有機物が除去され、清浄な状態に近づくことによって、未処理符号Aに比べ、接着仕事W2が大きくなっているものと推定される。なお、紫外線処理符号D、紫外線処理と230°Cアニール処理符号Eでは、清浄化が不完全で有機物が残存していると考えられるため、結果的に接着仕事W2が許容範囲内となっているが、ラジカル処理符号Fでは、清浄化が進み過ぎたため、接着仕事W2がW1よりも大きくなっているものと考えられる。一方、C20H44処理符号B、CxFy処理符号Cでは、これらの分子が相互作用によって1分子層以下の厚みでa-SrTiO3の表面に付着し、a-SrTiO3の表面を不活性化していることにより、接着仕事W2を十分に低下させているものと考えられる。また、フタル酸ジブチル処理符号Gでは、フタル酸ジブチルの化学構造中に酸素原子の二重結合が存在するため、表面処理後にその酸素原子が大気中の水と反応してしまうことにより、接着仕事W2がやや大きめになっていると考えられる。しかし、接着仕事W2はW1とほぼ同等であり、表面処理の効果は得られている。また、未処理符号Aについては、a-SrTiO3の表面に有機物が付着している可能性があり、それが、接着仕事が小さく、被覆率の高い理由であると推測される。ただし、未処理符号Aの場合、被覆率の値はよいが、何が付着しているかわからず、その量も一定とは限らないため、ペンタセンの結晶性や被覆率を厳密に管理する目的では好ましくない。ただし、有機汚染により、a-SrTiO3表面のペンタセンとの接着仕事W2が小さくなるように機能しており、結果としてW1≧W2を満たし、高い被覆率になっている。図2に示した実験の結果から、下地絶縁層3がa-SrTiO3薄膜である場合の表面処理としては、C20H44処理符号B、CxFy処理符号Cが、接着仕事W2を低下させる効果が大きく、好ましいと考えられる。そして、有機半導体層7ペンタセンを同じ有機半導体層ペンタセン上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように表面処理を行うことによって、有機半導体層7を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層7の表面を平坦化することが可能になる。接着仕事をW1≧W2にすることで、このような効果が得られるメカニズムは未だ明らかではないが、有機半導体層7と下地絶縁層3間の相互作用と有機半導体層7を構成する有機半導体材料それ自身の凝集性結晶化しやすさのバランスを考慮し、以下のように考えれば合理的に説明できる。本来、有機半導体材料は凝集性が高く、それ自身が結晶化しやすい性質を持っている換言すれば、自己組織化しやすい。有機半導体層7を例えば蒸着により形成する場合、有機半導体層7と下地絶縁層3間の濡れ性が大きいW1<W2と、有機半導体層7が自身の力で結晶化するよりも下地絶縁層3と濡れて結合してしまい、その場所にとどまる可能性が高くなり、その場所を中心として結晶成長が始まってしまう。この結晶生成サイトが多ければ多いほど、結晶の配向性が低くなり、結果としてグレインサイズの減少を引き起こす可能性が大きくなる。これに対して有機半導体層7と下地絶縁層3間の濡れ性が小さい場合W1≧W2は、特定の場所に分子がとどまることなく下地絶縁層3上を自由に動き回ることができるため、分子自身の凝集性を生かした状態で結晶を生成することになり、結果として大きなグレインを形成し、表面の平坦化が起こるものと推測される。これにより、有機半導体層7とゲート絶縁層9との界面のチャネル領域Cにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ100における移動度を向上させる効果が得られる。[有機トランジスタの製造方法]次に、図3~6を参照しながら、本実施の形態の有機トランジスタ100の製造方法について説明する。図3~6は、本実施の形態の有機トランジスタ100の製造方法における工程手順を説明するために基板表面の断面構造を模式的に表したものである。本実施の形態の有機トランジスタ100の製造方法は、少なくとも、基板1上に下地絶縁層3を積層形成する工程と、下地絶縁層3上にソースドレイン電極5a,5bを形成する工程と、ソースドレイン電極5a,5bを覆い、かつ下地絶縁層3に接するように有機半導体層7を積層形成する工程と、有機半導体層7上に、ゲート絶縁層9を積層形成する工程と、ゲート絶縁層9上にゲート電極11を形成する工程と、を備えている。そして、本実施の形態の有機トランジスタの製造方法100は、さらに、有機半導体層7を形成する前に、下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面に表面処理を行う工程を備えている。有機半導体層7は、表面処理後の下地絶縁層3の上に形成される。ここで、表面処理は、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように行われる。なお、本実施の形態の有機トランジスタ100の製造方法は、必要に応じて他の工程を有してもよい。<下地絶縁層の形成工程>図3a~bは、下地絶縁層3の形成工程を示している。本工程では、基板1上に下地絶縁層3を積層形成する。下地絶縁層3を形成する方法としては、特に限定されるものでない。下地絶縁層3の材質に無機絶縁材料を用いる場合は、ドライプロセス又はウェットプロセスにより下地絶縁層3を形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。また、ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、LB法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法等を挙げることができる。なお、下地絶縁層3の材質に有機絶縁材料を用いる場合は、ウェットプロセスにより下地絶縁層3を形成することが好ましい。本実施の形態において、下地絶縁層3を形成する場合の成膜条件としては、膜の均一性を確保する観点から、例えば、真空蒸着法、MOCVD法などが好ましい。<表面処理工程>図3b~cは、表面処理工程を示している。表面処理工程は、下地絶縁層3の表面状態を変化させて、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように行われる。図3cでは、下地絶縁層3の全面が表面処理された状態を破線で示している。表面処理は、例えば以下のi~iiiの処理により行うことができる。i下地絶縁層3の表面を不活性にする処理。ii下地絶縁層3の表面の活性種を減少させる処理。iii下地絶縁層3の表面の水分を除去する処理。上記iの処理としては、下地絶縁層3の表面に、不活性物質を付着させる処理を挙げることができる。不活性物質としては、例えば、飽和炭化水素CxHy、不揮発性有機物例えば、真空グリスとして用いられるCxFy、Sr原子などであり、これらを付着させることによって、下地絶縁層3の表面の活性な部位を終端する。これによって、有機半導体材料に対する濡れ性が向上することにより、有機半導体材料の粒界が減少し、粒界によるキャリア散乱が減少し、移動度の向上が期待できる。ここで、飽和炭化水素CxHyとしては、炭素数10以上30以下の飽和炭化水素化合物が好ましく、例えばC20H44、等が好ましい。例えば、下地絶縁層3がa-SrTiO3により構成されている場合、下地絶縁層3中のTi原子やO原子の未結合サイトにC20H44が相互作用によって結合することによって、未結合サイトが終端され、不活性化されるものと考えられる。下地絶縁層3の表面の不活性化処理は、例えば、密閉容器内で下地絶縁層3の表面を上記飽和炭化水素CxHy等の不活性物質の蒸気に曝し、下地絶縁層3の表面に不活性物質を付着させることにより行うことができる。不活性化処理は、例えば飽和炭化水素CxHyの場合、下地絶縁層3の表面に、例えばUV処理、溶液洗浄などの処理を行い、表面を一旦活性化してからCxHy雰囲気中に封入することが好ましい。上記iiの処理としては、下地絶縁層3の表面の活性種に対して反応性を有する原子や分子を供給する方法を挙げることができる。下地絶縁層3の表面の活性種としては、例えば酸素原子の二重結合、Ti原子などを挙げることができる。上記iiiの処理としては、下地絶縁層3の表面を真空中でアニールすることで処理して水分を除去する方法を挙げることができる。<ソースドレイン電極の形成工程>ソースドレイン電極の形成工程では、図3c~dに示すように、下地絶縁層3上に、チャネル領域Cに対応する所定の間隔でソース電極5aおよびドレイン電極5bを形成する。ソース電極5a及びドレイン電極5bを形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、下地絶縁層3の全面に導電性層を形成した後、これをフォトリソグラフィー技術とエッチングによりパターニングしてソース電極5aおよびドレイン電極5bを形成してもよいし、スクリーン印刷法、インクジェット法、蒸着法等によって下地絶縁層3上に直接パターン状にソース電極5aおよびドレイン電極5bを形成してもよい。<有機半導体層の形成工程>有機半導体層7の形成工程では、ソースドレイン電極5a,5bを覆い、かつ下地絶縁層3に接するように有機半導体層7を積層形成する。これにより、図4aに示すように、有機半導体層7が形成される。有機半導体層7は、例えば、ドライプロセス又はウェットプロセスにより形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、LB法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法等を挙げることができる。有機半導体層7とゲート絶縁層9との界面にチャネル領域Cが形成されるため、有機トランジスタ100の移動度を向上させる観点から、有機半導体層7の表面粗さRaを極力小さくして平坦な状態とすることが好ましい。本実施の形態では、有機半導体層7の下層の下地絶縁層3に表面処理を施すことによって、有機半導体層7例えばペンタセンを同じ有機半導体層例えばペンタセン上に積層形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるため、有機半導体層7の表面が平坦化し、有機半導体層7の表面粗さRaを小さくすることが可能になる。<ゲート絶縁層の形成工程>ゲート絶縁層9の形成工程では、図4a、bに示すように、有機半導体層7上に、ゲート絶縁層9を積層形成する。ゲート絶縁層9を形成する方法としては、特に限定されるものでない。ゲート絶縁層9の材質に無機絶縁材料を用いる場合は、ドライプロセス又はウェットプロセスによりゲート絶縁層9を形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。また、ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、LB法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビアオフセット印刷法等を挙げることができる。なお、ゲート絶縁層9の材質に有機絶縁材料を用いる場合は、ウェットプロセスによりゲート絶縁層9を形成することが好ましい。<ゲート電極の形成工程>ゲート電極11の形成工程では、図4b、cに示すように、ゲート絶縁層9上にゲート電極11を形成する。ゲート電極11を形成する方法は、特に限定されるものではなく、ゲート電極11の材質に応じて決定できる。ゲート絶縁層9上にパターン状にゲート電極11を形成する方法としては、ゲート絶縁層9の全面に導電性層を形成した後、これをフォトリソグラフィー技術によりパターニングしてゲート電極11としてもよいし、スクリーン印刷法、インクジェット法、蒸着法等によってゲート絶縁層9上に直接パターン状にゲート電極11を形成してもよい。以上の工程により、図1に示した有機トランジスタ100を製造することができる。本実施の形態の有機トランジスタ100は、例えば、薄膜トランジスタTFTなどの有機電界効果トランジスタとして、液晶ディスプレイ装置、有機ELディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置等に好ましく利用できる。次に、第1の実施の形態における変形例について説明する。<第1の変形例>表面処理工程では、図3cに示すように下地絶縁層3の全面に対して表面処理を行ってもよいが、下地絶縁層3の一部に対して行ってもよい。例えば図5に示すように、有機半導体層7とゲート絶縁層9との境界に形成されるチャネル領域Cに対応する下地絶縁層3上の領域チャネル対応領域Rcを含むように部分的に施すことも可能である。<第2の変形例>図3dに示すように、ソース電極5a及びドレイン電極5bを形成した後、さらに、図6に示すように、ソース電極5a及びドレイン電極5bの上に自己組織化単分子Self-assembledmonolayer:SAM膜20を形成しておくこともできる。SAM膜20を設けることにより、ソース電極5a及びドレイン電極5bの表面の表面自由エネルギーを低下させ、有機半導体材料の塗れ性を向上させ、有機半導体材料の結晶性結晶の大きさ、結晶配列を良好にするとともに、ソース電極5a及びドレイン電極5bと有機半導体層7との電気的な接続を良好にすることができる。図示は省略するが、SAM膜20は、厚み方向には一分子のみの化合物分子が、幅方向に多数配列した構造をなしている。各化合物分子は、一端にソース電極5aおよびドレイン電極5bに吸着する結合基を有し、他端に撥水性の末端基を備えている。ここで、ソース電極5aおよびドレイン電極5bに吸着する結合基は、ソース電極5aおよびドレイン電極5bの材料に応じて選択できるが、例えば、ソース電極5aおよびドレイン電極5bが、金、銀、銅などの金属で構成される場合は、結合基としてチオール基SH、ジスルフィド基SSが好適に用いられる。また、撥水性の末端基としては、メチル基CH3、フッ素F等が好適に用いられる。具体的には、ソース電極5aおよびドレイン電極5bの材質として金を用いた場合には、SAM膜20として、アルカンチオールなどを用いることができる。以上詳述したように、本実施の形態の有機トランジスタ100では、基板1上に形成した下地絶縁層3に対し、予め表面処理を施しておく。この表面処理によって、有機半導体層7を同じ有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になる。このように、下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層7を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層7の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層7とゲート絶縁層9との界面のチャネル領域Cにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ100における移動度を向上させる効果が得られる。[第2の実施の形態]次に、図7を参照しながら、本発明の第2の実施の形態について説明する。図7は、本発明の第2の実施の形態にかかる有機トランジスタの概略構成を説明する図面である。この有機トランジスタ101は、いわゆるトップゲートトップコンタクト型構造をしている。すなわち、有機トランジスタ101は、支持体としての基板1と、この基板1の上に所定の厚みで形成された第1の絶縁層としての下地絶縁層3と、この下地絶縁層3に接するように積層された有機半導体層7と、この有機半導体層7の上に、所定のパターンで部分的に形成された一対のソース電極5a及びドレイン電極5bと、これらソース電極5a及びドレイン電極5bの間の有機半導体層7の上に積層された第2の絶縁層としてのゲート絶縁層9と、ゲート絶縁層9の上に積層されたゲート電極11とを備えている。下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面には、表面処理がなされて、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になっている。本実施の形態の有機トランジスタ101は、トップゲートトップコンタクト型構造である点を除き、第1の実施の形態の有機トランジスタ100と同様の特徴を備えている。従って、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。本実施の形態の有機トランジスタ101においても、基板1上に形成した下地絶縁層3に対し、表面処理が施されている。この表面処理によって、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になる。このように、下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層7を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層7の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層7とゲート絶縁層9との界面のチャネル領域Cにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ101における移動度を向上させる効果が得られる。本実施の形態の有機トランジスタ101の製造方法は、基板1上に下地絶縁層3を積層形成する工程と、下地絶縁層3に接するように有機半導体層7を積層形成する工程と、有機半導体層7上に部分的にソースドレイン電極5a,5bを形成する工程と、ソースドレイン電極5a,5bの間の有機半導体層7上に積層してゲート絶縁層9を形成する工程と、ゲート絶縁層9上にゲート電極11を形成する工程と、を備えている。そして、本実施の形態の有機トランジスタ101の製造方法は、さらに、下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面に、有機半導体層7を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事W1に対し、下地絶縁層3に表面処理をした状態で有機半導体層7を形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるようにする表面処理工程を備えている。なお、本実施の形態の有機トランジスタ101の製造方法は、必要に応じて他の工程を有してもよい。有機トランジスタ101の製造方法は、下地絶縁層3に接するように有機半導体層7を形成した後、有機半導体層7上にソース電極5a及びドレイン電極5bを形成する点以外は、第1の実施の形態の有機トランジスタ100の製造と同様に実施できる。なお、本実施の形態においても、第1の実施の形態の第1の変形例と同様に、有機半導体層7とゲート絶縁層9との境界に形成されるチャネル領域Cに対応する下地絶縁層3上の領域チャネル対応領域Rcを含むように表面処理を部分的に施すことも可能である。本実施の形態の有機トランジスタ101における他の構成及び効果は、第1の実施の形態の有機トランジスタ100と同様である。[第3の実施の形態]次に、図8を参照しながら、本発明の第3の実施の形態の有機トランジスタ図示省略について、その製造方法を中心に説明する。上記第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、表面処理工程を、上記のとおり、i下地絶縁層3の表面を不活性にする処理、ii下地絶縁層3の表面の活性種を減少させる処理、iii下地絶縁層3の表面の水分を除去する処理等により行うこととした。本実施の形態では、表面処理工程として、上記i~iii等の処理に先立って、下地絶縁層3の表面を清浄化する清浄化処理を行う構成とした。つまり、本実施の形態では、表面処理工程は、例えば上記i~iii等の処理と、その前に行う清浄化処理とを含んでいる。表面処理工程の一部として、下地絶縁層3の表面を清浄化する清浄化処理を行うことによって、下地絶縁層3の表面の状態を一律に揃えることができるため、上記i~iii等の処理の効果を定量的に把握しやすくなるというメリットがある。図8は、本実施の形態の有機トランジスタの製造方法における表面処理工程のみの手順を示すフロー図である。ここでは、下地絶縁層3のa-SrTiO3に対して、上記i~iii等の処理の中で、不活性化処理を行う場合を例に挙げて説明する。上記第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様に、下地絶縁層3及び必要に応じ、ソース電極5a及びドレイン電極5bを形成した後、まず、清浄化処理S1を実施し、次に、不活性化処理S2を実施する。下地絶縁層3の清浄化処理S1としては、例えば、ラジカル処理、紫外線処理とアニール処理との組み合わせ等の処理を挙げることができる。不活性化処理S2は、第1の実施の形態における上記iの不活性化処理と同様に実施できる。なお、不活性化処理に替えて、上記ii、iiiの処理を行ってもよい。本実施の形態の有機トランジスタにおける他の構成及び効果は、第1及び第2の実施の形態の有機トランジスタと同様である。以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。"