電極焼結体が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記電極焼結体100質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が5質量部以上、100質量部未満であり、SiおよびBのうち少なくともいずれか一方を含む電極焼結体。前記金属間化合物が、NiAl及びNi3Alのうち少なくともいずれか一方を含む請求項1に記載の電極焼結体。前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である請求項1又は2に記載の電極焼結体。前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である請求項1から3のいずれかに記載の電極焼結体。前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部である請求項1から4のいずれかに記載の電極焼結体。誘電体層と、内部電極層と、が交互に複数重ねられた積層体を有する積層電子部品であって、前記内部電極層がニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記内部電極層100質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が5質量部以上、100質量部未満であり、SiおよびBのうち少なくともいずれか一方を含む積層電子部品。前記金属間化合物が、NiAl及びNi3Alのうち少なくともいずれか一方を含む請求項6に記載の積層電子部品。前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である請求項6又は7に記載の積層電子部品。前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である請求項6から8のいずれかに記載の積層電子部品。前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部である請求項6から9のいずれかに記載の積層電子部品。導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、を含み、前記導体粒子原料が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、前記導体粒子原料100質量部に対する前記ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物の合計の比率が5質量部以上、100質量部未満であり、SiおよびBのうち少なくともいずれか一方を含む導体粒子原料を用いた内部電極ペースト。前記金属間化合物が、前記金属間化合物が、NiAl及びNi3Alのうち少なくともいずれか一方を含む請求項11に記載の内部電極ペースト。前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である請求項11又は12に記載の内部電極ペースト。前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である請求項11から13のいずれかに記載の内部電極ペースト。前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部である請求項11から14のいずれかに記載の内部電極ペースト。電極焼結体の製造方法であって、請求項11から15のいずれかに記載の内部電極ペーストを被印刷体の上に溶工し、電極成形体を得る工程と、前記電極成形体を焼成する工程と、を有する電極焼結体の製造方法。積層電子部品の製造方法であって、誘電体粉末とバインダとを含むグリーンシートと、請求項11から15のいずれかに記載の内部電極ペーストから得られる内部電極シートと、を交互に複数重ねて、積層体を得る工程と、前記積層体を焼成する工程と、を有する積層電子部品の製造方法。本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、優れた耐酸化性を示すNiAl金属間化合物粒子を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制され、導電性が良好な電極焼結体を提供することである。また、本発明のその他の目的は、NiAl金属間化合物粒子を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制された内部電極層を含む積層電子部品を提供することである。さらに、本発明のその他の目的は、NiAl金属間化合物を比較的低い温度にて十分に焼結させ、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化を抑制することができる内部電極ペースト、該内部電極ペーストを用いた電極焼結体の製造方法および積層電子部品の製造方法を提供することである。本発明者等は、電極焼結体または内部電極層の一部を、NiAl系金属間化合物とし、さらに該電極焼結体または内部電極層に特定の元素を含有させた構成とすることで、比較的低い温度にて十分に焼結し、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制された電極焼結体を提供できることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、上記課題を解決する本発明は、電極焼結体が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含む。本発明の電極焼結体によれば、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑制され、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物結晶構造:B2構造を含む。本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、Ni3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物が、NiAl金属間化合物結晶構造:B2構造およびNi3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の電極焼結体は、好ましくは、Si及びBの少なくともいずれか一方を含む。本発明の電極焼結体によれば、前記電極焼結体にニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらにSi及びBの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である。本発明の電極焼結体は、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である。前記電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部であってもよい。本発明は、誘電体層と、内部電極層と、が交互に複数重ねられた積層体を有する積層電子部品であって、前記内部電極層が、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらにSi及びBのうち少なくともいずれか一つを含む積層電子部品である。本発明によれば、比較的低い温度にて十分に焼結し、熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑えられた内部電極層を得ることができるため、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションの発生率が低く、クラックの発生率が低く、構造欠陥が抑えられた積層電子部品を得ることができる。本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層の金属間化合物が、NiAl金属間化合物結晶構造:B2構造を含む。本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層が、Ni3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記内部電極層が、NiAl金属間化合物結晶構造:B2構造およびNi3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の電極焼結体は、好ましくは、Si及びBの少なくともいずれか一方を含む。本発明の積層電子部品は、前記内部電極層にSi及びBの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な内部電極層を得ることができる。本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である。本発明の積層電子部品は、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である。前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの総含有量が、0.1質量部~20質量部であってもよい。本発明は、導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、を含み、前記導体粒子原料が、ニッケル及びアルミニウムからなる金属間化合物を含み、さらに前記導体粒子原料は、Si若しくはBのうち少なくともいずれか一方を含む内部電極ペーストである。本発明の内部電極ペーストを用いることで、導体粒子原料の焼結温度を低下させ、比較的低温で緻密な焼結体を得ることにより、内部電極層の熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化を抑えることができ、なおかつ緻密な電極焼結体を得ることにより内部電極層の導電性を良好にすることができる。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がNiAl金属間化合物結晶構造:B2構造を含む。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がNi3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、導体粒子原料として前記金属間化合物がNiAl金属間化合物結晶構造:B2構造及びNi3Al金属間化合物結晶構造:L12構造を含む。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、さらにSi及びBのうち少なくともいずれか一方を含む。本発明の内部電極ペーストは、内部電極ペースト中の導体粒子中にSi及びBの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い焼結温度で内部電極層を形成する導体を焼結させることができ、緻密な焼結体を得ることにより、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である。本発明の内部電極ペーストは、好ましくは、前記金属間化合物がNiAl系金属間化合物を含み、前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である。前記導体粒子原料に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部であってもよい。また、本発明は、電極焼結体の製造方法であって、前記内部電極ペーストを被印刷体の上に溶工し、電極成形体を得る工程と、前記電極成形体を焼成する工程と、を有する。また、本発明は、積層電子部品の製造方法であって、誘電体粉末とバインダとを含むグリーンシートと、前記内部電極ペーストから得られる内部電極シートと、を交互に複数重ねて、積層体を得る工程と、前記積層体を焼成する工程と、を有する。以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。積層セラミックコンデンサ1図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、コンデンサ素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。内部電極層3は、各端面がコンデンサ素子本体10の対向する2端部の表面に交互に露出するように積層してある。また、一対の外部電極4は、コンデンサ素子本体10の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層3の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。誘電体層2誘電体層2は、後述するグリーンシートが焼成されて形成され、その材質は特に限定されず、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムカルシウム、チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムなどを主成分とした誘電体材料で構成される。図1に示す誘電体層2の厚みは、特に限定されないが、1.0μm以下であることが好ましく、より好ましくは0.9~0.4μmである。誘電体層2をこの厚みとすることで、小型化しても容量が大きい電子部品を得ることができる。内部電極層3本実施形態の内部電極層は、ニッケルおよびアルミニウムからなる金属間化合物以下では、NiAl系金属間化合物とする。を含む。NiAl系金属間化合物としては、NiAl、Ni3Alから選ばれる少なくとも1種であることが好ましく、より好ましくは、NiAlである。さらに上記内部電極層がSi及びBのうち少なくともいずれか一方を含む。通常、焼成後に内部電極層となる内部電極シートと、焼成後に誘電体層となるグリーンシートと、は、交互に積層した後、還元雰囲気下にて同時焼成される。この際の焼成温度は誘電体層を構成する誘電体粉末の焼結温度の1200°C~1350°C程度に設定される。その後再酸化熱処理を、焼成時より高い酸素分圧下で行い、その再酸化熱処理温度は950°C~1100°C程度に設定される。しかし、内部電極シートを構成する導体粒子原料は一定以上の酸素分圧下で焼成若しくは再酸化熱処理を行うと、上記導体粒子原料が酸化してしまう。特に0.1Pa以上の酸素分圧下での焼成若しくは熱処理においては、一般的に内部電極を構成する導体粒子として用いられているニッケル金属粒子は酸化してしまい、その結果十分な導電性が得られなくなっていた。しかし、本実施形態では、内部電極層を構成する導体粒子原料が、NiAl系金属間化合物を含み、さらにSi及びBのうち少なくともいずれか一方を含むことにより、導体粒子原料が比較的低い温度にて十分に焼結し、再酸化熱処理時に内部電極層を形成する導体の酸化が抑えられ、その結果、内部電極層の十分な導電性を確保することが可能となる。これにより、コンデンサ容量を向上させることができるとともに、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションや積層体中のクラックといった構造欠陥を抑えることができる。本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が0.1質量部~10質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Siの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、より好ましくは、0.5質量部~7質量部、さらに好ましくは1質量部~5質量部である。本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Bの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、より好ましくは、0.7質量部~10質量部、さらに好ましくは1質量部~5質量部である。本実施形態では、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部であることが好ましい。内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量の比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。このような観点から、前記内部電極層に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、より好ましくは、1質量部~15質量部である。さらに、本実施形態では、前記内部電極層に微量のAl2O3酸化アルミニウムが含まれていてもよい。後述する導体粒子原料が、ニッケル及びアルミニウムを含むことで、焼結後に、結果として、NiAl金属間化合物、Ni3Al金属間化合物や、微量のAl2O3を含む。導体粒子原料として用いているニッケル及びアルミニウムが焼成中に変化し、NiAl系金属間化合物の形態を安定的にとるためである。なお、内部電極層中のAl2O3の含有量としては、内部電極層100molに対して、10mol以下であることが好ましい。内部電極層3の厚みは特に限定されないが、2.0μm以下であることが好ましい。外部電極4図1に示す外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なニッケル、銅や、これらの合金を用いることができる。外部電極4の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサの製造方法次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。まず、焼成後に図1に示す誘電体層2を構成することになるグリーンシートを製造するために、誘電体ペーストを準備する。本実施形態では、誘電体ペーストは、誘電体粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、副成分化合物、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物と、をボールミルなどで混練し、スラリー化することにより得られる。次に、焼成後に図1に示す内部電極層3を構成することになる内部電極シートを形成するために、内部電極ペーストを準備する。本実施形態の内部電極ペーストは、導体粒子原料と、バインダと、溶剤と、をボールミルなどで混練し、スラリー化することに得られる。なお、内部電極ペーストには、必要に応じて粘着付与剤や誘電体粉末などを添加してもよい。本実施形態の内部電極ペーストに含まれる前記導体粒子原料は、ニッケル及びアルミニウムを含有し、さらにNiAl系金属間化合物を含み、該NiAl系金属間化合物は特にNiAl金属間化合物であることが好ましい。本実施形態では、導体粒子原料中がNiAl系金属間化合物を含んで構成されることにより、導体粒子の耐酸化性が上昇し、熱処理時の内部電極の酸化が抑えられ、内部電極層の導電性の低下を防止することができる。また、前記導体粒子原料は、Si及びBのうち少なくともいずれか一方を含むことが好ましい。本発明の内部電極ペーストは、内部電極ペースト中の導体粒子中にSi及びBの少なくともいずれか一方を含むことにより、焼成時に内部電極層を形成する導体の焼結を促進させ、比較的低い温度にて十分に焼結させ、導電性が良好な電極焼結体を得ることができる。前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、Si含有量が、0.1質量部~10質量部である。Siの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、B含有量が、0.2質量部~15質量部である。Bの含有比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。前記導体粒子原料の、ニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、SiとBの含有総量が、0.1質量部~20質量部である。SiとBの含有総量の比率をこの範囲にすることで、内部電極層を比較的低い温度にて十分に焼結させ、緻密な焼結体を得ることにより、熱処理時に内部電極の酸化を抑え、内部電極層に十分な導電性を確保することができる。次いで、誘電体ペーストからなるグリーンシートと、内部電極ペーストからなる内部電極シートと、を交互に積層してグリーンチップを得る。得られたグリーンチップは、脱バインダされ、焼成され、必要に応じて再酸化熱処理されて、焼結体で構成されるコンデンサ素子本体となる。なお、本実施形態における脱バインダの昇温速度は、5~300°C/時間であることが好ましい。脱バインダの昇温速度をこの範囲にすることで、急激な脱ガスによって素子に発生するクラックを防止することができる。このような観点から、脱バインダの昇温速度は10~50°C/時間であることがより好ましい。また、脱バインダの保持温度は、好ましくは200~400°Cであることが好ましい。脱バインダの保持温度をこの範囲にすることで、脱バインダ処理時に内部電極粒子の焼結を防ぐことができる。このような観点から、脱バインダの保持温度は250~350°Cであることがより好ましい。さらに、脱バインダの保持時間は、0.5~20時間であることが好ましく、脱バインダの保持時間をこの範囲にすることで、グリーンチップを十分に脱脂することができる。このような観点から、脱バインダの保持時間は1~10時間であることがより好ましい。脱バインダの雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはN2とH2の混合ガスのいずれも使用できる。本実施形態における焼成の昇温速度は5~500°C/時間であることが好ましい。焼成の昇温速度をこの範囲にすることで、誘電体層と電極層の焼成収縮差を低減し、クラックの防止をすることができる。このような観点から、焼成の昇温速度は200~300°C/時間であることがより好ましい。焼成の保持温度は1200~1350°Cであることが好ましい。焼成の保持温度をこの範囲にすることで、誘電体を十分に焼成することができる。このような観点から、焼成の保持温度は、1200~1300°Cであることがより好ましい。本実施形態によれば、焼成の保持温度をこのように設定しても、導体粒子原料が比較的低温で焼結するため、内部電極層に十分な導電性が確保できる。焼成の保持時間は0.5~8時間であることが好ましい。焼成の保持時間をこの範囲にすることで、誘電体を十分に焼成することができる。このような観点から、焼成の保持時間は、1~3時間であることがより好ましい。焼成の雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはN2とH2の混合ガスのいずれも使用できるが、導体粒子の酸化防止よりN2とH2の混合ガスが好ましい。本実施形態における再酸化熱処理の昇温速度は5~500°C/時間であることが好ましい。再酸化熱処理の昇温速度をこの範囲にすることで、誘電体層と電極層の熱膨張を低減し、クラックの発生を防止することができる。このような観点から、再酸化熱処理の昇温速度は200~300°C/時間であることがより好ましい。再酸化熱処理の保持温度は950~1100°Cであることが好ましい。再酸化熱処理の保持温度をこの範囲にすることで、誘電体層中の酸素欠陥を十分に補うことができる。このような観点から、再酸化熱処理の保持温度は、950~1050°Cであることがより好ましい。本実施形態によれば、再酸化熱処理の保持温度をこのように高温に設定しても、内部電極層を構成している導体が緻密に焼結しているため、内部電極層の酸化が抑えられる。再酸化熱処理の保持時間は0.5~8時間であることが好ましい。再酸化熱処理の保持時間をこの範囲にすることで、誘電体層中の酸素欠陥を十分に補うことができる。このような観点から、再酸化熱処理の保持時間は、1~3時間であることがより好ましい。再酸化熱処理の雰囲気ガスとしては、大気雰囲気若しくはN2とH2の混合ガス等のいずれも使用できる。そして、得られたコンデンサ素子本体に、外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサが製造される。このようにして製造された本実施形態の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る内部電極層電極焼結体を適用した電子部品または内部電極ペーストを適用して得られる電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る内部電極層電極焼結体または内部電極ペーストを適用する電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記構成の内部電極層電極焼結体を有する電子部品または、内部電極ペーストを適用して得られる電子部品であれば何でも良い。本発明によれば、内部電極ペーストに含まれている導体粒子原料が、NiAl系金属間化合物を含んだニッケル及びアルミニウムからなり、さらにSi及びBのうち少なくともいずれか一方を含むので、導体粒子原料を比較的低い温度にて十分に焼結させ、内部電極ペーストから形成された内部電極シートを焼成し再酸化熱処理を施す際に、再酸化熱処理温度領域1000°C以上においても内部電極層を構成する導体の酸化を十分に抑制することができる。これにより、十分な導電性を確保した内部電極層を形成することができる。その結果、コンデンサ容量を向上させ、酸化体積膨張による内部電極層と誘電体層の間のデラミネーションや積層体中のクラックといった構造欠陥を抑えることができる。第1の実施形態第1の実施形態では、実施例1~18および比較例1~6として、以下の方法で電極焼結体を製造し、比抵抗を測定することにより導電性を評価した。内部電極ペーストの作製導体粒子原料として、表1~表3の分量でSiおよびBを含有した平均粒径約0.4μmのニッケル及びアルミニウムからなる粒子を準備した。次いで前記導体粒子原料100質量部に対し、分散剤としてアニオン系分散剤を0.2質量部、溶剤としてジヒドロターピネオールを10質量部添加しペンティングナイフで十分に攪拌したものを導体スラリーとする。ジヒドロターピネオールにディゾルバーで攪拌させながらエチルセルロース平均分子量:約17万が10質量部となるようにゆっくりと溶解させ、エチルセルロース樹脂ラッカーとした。エチルセルロースが導体粒子原料に対し2.0質量部となるようにエチルセルロース樹脂ラッカーを導体スラリーに添加しペンティングナイフで十分に攪拌し電極スラリーとした。上述で得られた電極スラリーを3本ロールミルを用い、低シェアから中シェア、高シェア、高大シェアと各シェアで計6回混練し、粒ゲージを用い十分に分散されていることを確認した。3本ロールで高大シェアまで混練された電極スラリーに導体粒子に対してアニオン系分散剤を0.5質量部、エチルセルロースを4質量部分添加し、3本ロールの低シェアで混合し内部電極ペーストとした。上述で得られた内部電極ペーストをアルミホイル上に適量とり、220°Cで30分乾燥させ、固形分重量を測定した。次いで、この固形分重量の測定値から、内部電極ペースト中の導体粒子の重量を求め、最終的な内部電極ペーストに対し、導体粒子重量が45質量部となるようにジヒドロターピネオールで希釈し、ペンティングナイフで十分に攪拌し、続けて自転公転ミキサーで攪拌し、最終的な内部電極ペーストとした。内部電極シートの作製上述で得られた内部電極ペーストをアプリケーターを用い、剥離PETフィルム上に成膜する。成膜された内部電極ペーストを100°Cで1時間乾燥し、乾燥内部電極シートを得る。尚乾燥内部電極シートの厚さは約30~100μmに調整する。電極成形体の作製作製した乾燥内部電極シートを所定の大きさに金型で打ち抜き、PETフィルムを剥離して所定枚数重ね合わせた。その後、熱プレス機を用いて60°C、2.0~9.8MPaで圧着させた。得られた電極バルク体をダイシングソーを用い切断し、5mm×5mm×5mmの電極成形体を得た。熱処理工程得られた電極成形体を脱バインダ処理し、焼成および再酸化熱処理を行って電極焼結体を作製した。脱バインダ処理、焼成および再酸化熱処理の条件は下記の通りであった。《脱バインダ》昇温速度:5~300°C/時間保持温度:200~400°C保持時間:0.5~20時間雰囲気ガス:N2とH2の混合ガス《焼成》昇温速度:5~500°C時間保持温度:表1~表3参照保持時間:0.5~8時間雰囲気ガス:N2とH2の混合ガス《再酸化熱処理》昇温速度:5~500°C時間保持温度:表1~表3参照保持時間:0.5~8時間雰囲気ガス:大気雰囲気ガス評価このようにして得られた電極焼結体の導電性比抵抗を以下の手法により行った。結果を表1~表3に示す。また、得られた試料の組成は以下の方法により調べた。《酸化度耐酸化性》導体粒子原料の酸化度をTG-DTAを用い、各サンプルにおいて全量酸化の1重量が増加する温度を、酸化開始温度として測定した。この結果を表1~表3に示す。尚、本実施例では酸化開始温度の好ましい範囲を790°C以上として評価した。《焼結性線収縮率》脱バインダ処理後の電極成形体の寸法長さL、幅W、厚みTをマイクロゲージを用いて測定した。測定後、焼成を行い、焼結された電極成形体電極焼結体の寸法を上記同様にマイクロゲージで測定した。焼成前後における電極成形体の長さ、幅、厚み、それぞれの寸法変化率を算出し、その平均値を線収縮率とした。本実施例では、線収縮率が8.0以上、15.0未満の場合を好ましい範囲として評価した。《導電性比抵抗》再酸化熱処理後に得られた電極焼結体を四探針法を用い、各サンプルの抵抗値を測定した。得られた抵抗値を以下の式に代入し、比抵抗μΩcmを測定した。この結果を表1~表3に示す。比抵抗ρμΩcm=抵抗値μΩ×抵抗補正係数4.5324×試料厚みcm尚、本実施例では比抵抗値の好ましい範囲を60μΩcm未満として評価した。《電極焼結体の組成の測定》電極焼結体中の組成は、XRDのリートベルト解析を行うことにより、測定した。尚、再酸化熱処理後電極焼結体に含まれるNiAl系金属間化合物はNiAl単一相若しくはNiAlとNi3Alの二相で構成されていることが確認されている。また、電極焼結体に含まれるSi及びBの含有量はICPによる元素分析を行うことにより、測定した。表1~表3より、すべての実施例で比抵抗が60μΩcm未満になることが確認できた。表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるSi含有量が、0.1質量部~10質量部の場合は実施例1~5、前記電極焼結体のSi含有量が前記0.1質量部~10質量部の範囲外にある場合比較例1~2に比べ耐酸化性が良好な酸化開始温度が高いことが確認できた。表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるB含有量が、0.2質量部~15質量部の場合は実施例6~10、前記電極焼結体のB含有量が前記0.2質量部~15質量部の範囲外にある場合比較例1、4に比べ耐酸化性が良好な酸化開始温度が高いことが確認できた。表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるSi含有量が、0.1質量部~10質量部の場合は実施例1~5、前記電極焼結体のSi含有量が前記0.1質量部~10質量部の範囲外にある場合比較例1~2に比べ焼結性が良好な線収縮率が比較的大きいことが確認できた。表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるB含有量が、0.2質量部~15質量部の場合は実施例6~10、前記電極焼結体のB含有量が前記0.2質量部~15質量部の範囲外にある場合比較例1、4に比べ焼結性が良好な線収縮率が比較的大きいことが確認できた。また、表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるSi含有量が、0.1質量部~10質量部の場合は実施例1~5、前記電極焼結体のSi含有量が前記0.1質量部~10質量部の範囲外にある場合比較例1~3に比べ導電性が良好な比抵抗が低いことが確認できた。さらに、表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるB含有量が、0.2質量部~15質量部の場合は実施例6~10、前記電極焼結体のB含有量が前記0.2質量部~15質量部の範囲外にある場合比較例1、4~5に比べ導電性が良好な比抵抗が低いことが確認できた。表1~表3より、電極焼結体に含まれるニッケル及びアルミニウムの含有量を100質量部としたときに、前記電極焼結体に含まれるSiとBの含有総量が0.1質量部~20質量部の場合は比較例11~14、SiとBの含有総量が0.1質量部~20質量部の範囲外にある場合比較例6と比べ、導電性が良好な比抵抗が低いことが確認できた。図2より、NiAl系金属間化合物のうちNiAlは、融点が1638°Cと、アルミニウム金属の融点660°Cはもちろんのこと、ニッケル金属の融点1455°Cに比べて高い。このため、導体粒子原料としてNiAlが含まれることにより、導体粒子原料の焼結が進み難く、所定の温度で良好な導電性が得られ難い比較例1。一方で、NiAl系金属間化合物がSiもしくはBを含むことにより、NiAl系金属間化合物同士の焼結を促進するため、緻密な焼結体が得られ、各焼成温度1200~1300°Cにおいて、比抵抗が低くなったと考えられる実施例4、15~16。一方で、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、SiもしくはBの含有量が少ない場合は比較例1~2、4、内部電極層が十分な耐酸化性を得ることが出来ないため酸化開始温度が低く、所定の温度で十分に焼結しないため、焼成、再酸化熱処理後に十分な導電性を得るに至っていない。一方で、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、SiもしくはBの含有量が多い場合は比較例3、5~6、内部電極層が十分に焼結しかつ、耐酸化性を得ているものの、焼成、再酸化熱処理後に十分な導電性を得るに至っていない。これは、SiもしくはBを過剰に含有しているため、それらの元素から構成される酸化物が析出し、導電性を阻害しているためと考えられる。また、ニッケル及びアルミニウムからなる導体粒子原料に、Siが含まれている場合は実施例4、17~18、再酸化熱処理の温度が高温であっても、内部電極層が十分に焼結し、耐酸化性を得ているため、十分な導電性を有していることが確認できた。第2の実施形態第2の実施形態では、実施例21~27、比較例11~13として、以下の方法により積層セラミックコンデンサを作製し、積層体を得て、クラック発生率、静電容量を測定し、さらにHALThighlyacceleratedlifetesting試験MTTFを行った。各内部電極ペーストの作製第2の実施形態実施例21~27、比較例11~13では、導体粒子として、表4の分量でSiおよびBを調合した平均粒径約0.4μmのニッケル及びアルミニウムからなる粒子比較例として平均粒径約0.4μmのニッケル金属粒子を追加を準備した以外は、第1の実施形態と同様にして内部電極ペーストを作製した。グリーンシートを形成するための誘電体ペーストは以下の方法で作製した。BaTiO3系誘電体粉末と、有機バインダとしてのポリビニルブチラール樹脂PVB重合度:800と、溶剤としてのプロピルアルコール、キシレン、メチルエチルケトン、2-ブトキシエチルアルコール、可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを準備した。次に、誘電体粉末100質量部に対して、6質量部のPVBと、150質量部の溶剤と、可塑剤をそれぞれ秤量し、直径2mmのジルコニアボールとともにボールミルで21時間混練し、スラリー化して誘電体ペーストを得た。なお、可塑剤は、ポリビニルブチラール100質量部に対して50質量部添加した。PETフィルム上に前記誘電体ペーストを塗布して得られたグリーンシートに、スクリーン印刷機を用いて、前記内部電極ペーストを160mm×160mm/パターンで印刷した。印刷された内部電極ペーストを100°Cの熱風乾燥により100秒乾燥させ、内部電極印刷体とし、リールに巻き取った。作製した内部電極印刷体を160mm×160mmでグリーンシートごとPETフィルムから剥離し、剥離熱圧着積層機を用いて、60°C、2.0~9.8MPaで100枚積層して積層体を得た。積層体の脱バインダと焼成および再酸化熱処理は第1の実施形態と同様の方法により行い、積層体を得た。このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅、1.6mm、長さ3.2mm、厚さ1.0mmであり、内部電極層の厚みは2.0μmであった。《静電容量の測定》各試料について、温度25°C下、周波数1kHz、印加電圧1Vrmsを印加し静電容量を測定し、その平均を求めた。この結果を表4に示す。《HALT試験MTTF》静電容量を測定した試料について、HALThighlyacceleratedlifetesting試験MTTFを行った。試験条件は、温度150°C、電圧40V印加し、故障が生じるまでの時間を評価。この結果を表4に示す。《クラックデラミネーション発生率の測定》静電容量を測定した試料について、各試料100個ずつ樹脂で固めて研磨し、金属顕微鏡観察を行い、クラックデラミネーションの有無を検査した。この結果を表4に示す。表4より、内部電極ペーストに導体粒子としてNiAl系金属間化合物が含まれ、かつSi及びBのうち少なくともいずれか一方を含む場合実施例21~25は、内部電極ペーストに導体粒子としてニッケル及びアルミニウムNiAl系金属間化合物を含むのみの場合比較例11に比べ、また、内部電極ペーストに導体粒子としてニッケル金属を用いた場合比較例12~13に比べ、クラック発生率が低く、十分な静電容量と信頼性MTTFが得られることが確認できた。