"基板の一方の面に配された導電部と、前記基板を貫通し、前記導電部と接続される第一貫通配線、第二貫通配線および第三貫通配線とを少なくとも備えた貫通配線基板を用い、前記基板の他方の面側から前記第一貫通配線及び前記第二貫通配線に、定電流源の一組の端子を電気的に接続して、前記第一貫通配線、前記導電部、前記第二貫通配線の経路に電流を流すと同時に、前記基板の他方の面側から前記第一貫通配線及び前記第三貫通配線に、電圧計の一組の端子を電気的に接続して、前記第一貫通配線における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。前記定電流源が、交流電流源であることを特徴とする請求項1に記載の貫通配線の検査方法。前記第一貫通配線における電圧降下の測定を、前記基板に応力負荷を加えつつ行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の貫通配線の検査方法。基板の一方の面に配された導電部と、前記基板を貫通し、前記導電部と接続される第一貫通配線、第二貫通配線および第三貫通配線とを少なくとも備えた貫通配線基板の製造方法であって、請求項1~3の何れか一項に記載の検査方法を行う検査工程を含むことを特徴とする貫通配線基板の製造方法。従来の貫通配線の検査方法によって得られる抵抗値は、2つの貫通配線及び電極パッドの抵抗に加えて、測定器と貫通配線との間の測定ケーブルやプローブ端子、およびプローブ端子と配線とのコンタクト抵抗などを含んだものである。そのため、1つの貫通配線の抵抗を測定することができないという問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、1つの貫通配線のみの抵抗を測定できる検査方法、及び該検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供を課題とする。本発明の請求項1に記載の貫通配線の検査方法は、基板の一方の面に配された導電部と、前記基板を貫通し、前記導電部と接続される第一貫通配線、第二貫通配線および第三貫通配線とを少なくとも備えた貫通配線基板を用い、前記基板の他方の面側から前記第一貫通配線及び前記第二貫通配線に、定電流源の一組の端子を電気的に接続して、前記第一貫通配線、前記導電部、前記第二貫通配線の経路に電流を流すと同時に、前記基板の他方の面側から前記第一貫通配線及び前記第三貫通配線に、電圧計の一組の端子を電気的に接続して、前記第一貫通配線における電圧降下を測定することを特徴とする。この検査方法によれば、導電部に形成された1つの貫通配線のみの電気抵抗を正確に求められる。この結果、貫通配線が正常に機能する状態であるか否かを検知できる。本発明の請求項2に記載の貫通配線の検査方法は、請求項1において、前記定電流源が、交流電流源であることを特徴とする。この検査方法によれば、貫通配線の交流インピーダンスを求められる。この結果、貫通配線に交流信号が伝送される場合の、当該貫通配線の特性を調べられる。本発明の請求項3に記載の貫通配線の検査方法は、請求項1又は2において、前記第一貫通配線における電圧降下の測定を、前記基板に応力負荷を加えつつ行うことを特徴とする。この検査方法によれば、基板に応力負荷を加えることによって、貫通配線が変形したときの貫通配線の電気抵抗を求められる。本発明の請求項4に記載の貫通配線基板の製造方法は、基板の一方の面に配された導電部と、前記基板を貫通し、前記導電部と接続される第一貫通配線、第二貫通配線および第三貫通配線とを少なくとも備えた貫通配線基板の製造方法であって、請求項1~3の何れか一項に記載の検査方法を行う検査工程を含むことを特徴とする。この検査方法によれば、検査工程において不良品を検出できるので、良品のみを製造することができる。本発明の検査方法によれば、導電部に接続された1つの貫通配線のみの電気抵抗を正確に測定できる。この結果、貫通配線が正常に機能する状態であるか否かを検知できる。以下、好適な実施の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<貫通配線基板>図1は本発明にかかる貫通配線の検査方法の第一実施形態を示す、貫通配線基板10の模式的な断面図である。図2は、貫通配線基板10の斜視図である。図2のA-A’で示す断面が図1の断面図である。図1に示す貫通配線基板10は、基板1の一方の面1aに配された導電部2と、基板1を貫通し、導電部2と接続される第一貫通配線3、第二貫通配線4および第三貫通配線5とを少なくとも備えた基板である。例えば基板1の一方の面1a側に実装された電子デバイスと、基板1の他方の面1b側に実装された電子デバイスとを電気的に接続するインターポーザーとして使用されうる。または、貫通配線基板10には、集積回路、MEMS素子、光学素子、磁気素子などの機能素子が形成されていてもよい。貫通配線基板10を構成する材料は特に制限されず、シリコン等の半導体、石英ガラス等のガラス、セラミックス、プラスチック樹脂等が用いられる。当該基板10の厚さは特に制限されない。第一貫通配線3、第二貫通配線4及び第三貫通配線5を構成する導電材料は特に制限されず、銅Cu、金Auなどの一般的な配線に用いられる金属が用いられる。上記貫通配線3,4,5を構成する導電材料は、本発明の測定精度を高める観点から、同一組成の金属であることが好ましい。第一貫通配線3、第二貫通配線4及び第三貫通配線5の形状及び長さは特に制限されない。前記貫通配線3,4,5の延設方向に対して垂直方向の断面形状は、例えば楕円、円、矩形等いずれの形状であっても良く、その長さは当該基板10の厚さ以上であれば良い。前記貫通配線3,4,5の延設方向は、当該基板10の一方の面1a又は他方の面1bに対して直交しても傾いても良い。前記貫通配線3,4,5は、本発明の測定精度を高める観点から、同じ形状および同じ長さであることが好ましい。貫通配線基板10には、第一~第三貫通配線3,4,5の他に、別の貫通配線が設けられていても良い。別の貫通配線は、導電部2に接続されていても良いし、接続されていなくても良い。導電部2は、貫通配線基板10の一方の面1aに配され、第一貫通配線3、第二貫通配線4及び第三貫通配線5の各々の一端が電気的に接続されるものであり、例えば単一の電極パッドがこれに該当する。導電部2を構成する材料は特に制限されず、銅、アルミニウム、ゲルマニウム等の一般的な電極パッド又は表面配線の材料が適用できる。導電部2の形状、厚さ及び面積は特に制限されず、所望の形状、厚さ及び面積に設定できる。導電部2において、各貫通配線3,4,5の一端が接続される位置は特に制限されず、例えば導電部2の中央領域とすれば良い。基板1の他方の面1bにおいて、第一貫通配線3には表面配線3z、第二貫通配線4には表面配線4z、第三貫通配線5には表面配線5z、がそれぞれ配されている。これらの表面配線3z~5zを構成する材料は特に制限されず、銅、アルミニウム、ゲルマニウム等の一般的な表面配線の材料が適用できる。また、表面配線3z~5zの形状、厚さ及び面積は特に制限されず、所望の形状、厚さ及び面積に設定できる。例えば、図2,3,6,7に示す表面配線3z~5zが挙げられる。図3において、点線で描いた矩形は、基板1の一方の面1aに配された導電部2の形状を表す。これは、基板1の厚み方向に見て、各貫通配線3,4,5の他端が矩形の導電部2と重なる位置に配されていることを示す。この表面配線3z~5Zは、後述する電流プローブや電圧プローブをコンタクトさせるためのランドとして機能する。これにより、貫通配線を損傷させることなく安定的に貫通配線の検査を行うことができる。<貫通配線の検査方法>本発明の検査方法は、貫通配線基板10の第一貫通配線3を検査対象とした場合、基板1の他方の面1b側から第一貫通配線3及び第二貫通配線4に定電流源6の一組の端子6a,6bを電気的に接続して、第一貫通配線3、導電部2、第二貫通配線4の経路図4の実線で描いた矢印;以下、線路Aと呼ぶことがある。に電流を流すと同時に、基板1の他方の面1b側から第一貫通配線3及び第三貫通配線5に電圧計7の一組の端子7a,7bを電気的に接続して、第一貫通配線3における電圧降下を測定する。図4において、R1は検査対象である第一貫通配線3の配線抵抗値である。測定器8は少なくとも定電流源6及び電圧計7を備えている。電圧計7は、内部抵抗R2をもつ。定電流源6には、第一の電流リード線6c及び第二の電流リード線6dを介して第一電流プローブ端子6a及び第二電流プローブ端子6bが接続されている。図4においては、第一の電流リード線6c、第二の電流リード線6d、第一電流プローブ端子6a、第二電流プローブ端子6bのそれぞれがもつ配線抵抗を合わせてr3と示している。電圧計7には、第一の電圧リード線7c及び第二の電圧リード線7dを介して第一電圧プローブ端子7a及び第二電圧プローブ端子7bが接続されている。図4においては、第一の電圧リード線7c、第二の電圧リード線7d、第一電圧プローブ端子7a、第二電圧プローブ端子7bのそれぞれがもつ配線抵抗を合わせてr4と示している。第一電流プローブ6aと第二電圧プローブ7bは、検査対象である第1貫通配線3の他端又は表面配線3zに接続すればよく、図4においては、表面配線3zの一方の端部3αと他方の端部3βに接続している。さらに第二電流プローブ6bは、第2貫通配線4の他端又は表面配線4zに接続すればよく、図4においては、表面配線4zの一方の端部4αに接続している。第一電圧プローブ7aは、第3貫通配線5の他端又は表面配線5zに接続すればよく、図4においては、表面配線5zの一方の端部5αに接続している。このような4端子法を用いた検査方法において、定電流源6によって定電流を流すと、電圧計7の入力インピーダンスが十分に大きいので、電圧を測定する線路図4の破線で描いた矢印;以下、線路Bと呼ぶこととがある。には電流は流れず、第一貫通配線3、導電部2、第二貫通配線4の線路Aに定電流が流れる。このとき、電圧計7で検出される電圧は、線路Aと線路Bが重なる部分の電圧、すなわち第一貫通配線3の電圧降下分第一貫通配線3の両端電圧である。したがって、配線抵抗r3、配線抵抗r4、第二貫通配線4の抵抗r5、第三貫通配線5の抵抗r6、第一貫通配線3と第二貫通配線4とをつなぐ導電部2における経路の抵抗r7、第一貫通配線3と第三貫通配線5とをつなぐ導電部2における経路の抵抗r8、及び各端子6a,6b,7a,7bと各貫通配線3,4,5との接触抵抗の影響を考慮することなく、検査対象の抵抗のみを測定できる。この貫通配線の検査方法において、予め想定された範囲の電圧降下若しくは抵抗であれば、第一貫通配線3は正常に機能していると判断できる。一方、想定された範囲外の電圧降下若しくは抵抗であった場合、第一貫通配線3に異常があると判断できる。異常が発生する場合としては、貫通配線基板10の製造過程で、第一貫通配線3と導電部2との密着性を低くする異物層が形成された場合又は当該貫通配線にクラックが入っている場合等が考えられる。異常が検知された貫通配線基板を不良品として判断することにより、正常に機能する良品のみを製品とすることができる。この貫通配線の検査方法は、半導体ウエハ等のように多数の半導体チップが作りこまれた大型基板に対して適用することができる。あるいは、大型の半導体ウエハを切断して得られたチップ状の貫通配線基板に対して適用しても良い。定電流源6は、直流電流源であっても交流電流源であってもよい。定電流源が交流電流源である場合、第一貫通配線3の交流インピーダンスを求められる。また、第一貫通配線3における電圧降下の測定を、基板1に応力負荷を加えつつ行うことによって、基板1及び第一貫通配線3が変形したときの第一貫通配線3の電気抵抗を求められる。例えば基板1を、低温環境-65~-25°Cや高温環境80~175°Cに置いて基板1を熱変形させ、基板1に応力負荷を与えることができる。あるいは、低温と高温の温度サイクルを繰り返してもよい。<貫通配線基板の製造方法>本発明の貫通配線基板の製造方法としては、前述の検査方法を行う工程を有する以外は、公知の貫通配線基板の製造方法が適用できる。その一例として、貫通配線基板10を例に挙げて、図5を参照しながら説明する。シリコン基板1の一方の面1aにSiO2又はSiNからなる絶縁層11をCVD法等により形成し、その上に導電部2であるアルミニウムからなる電極パッド2をスパッタ法等により形成する。また、所望の電子デバイスを一方の面1aに配しておく。つづいて、一方の面1aに接合樹脂層12を形成し、ガラス基板13を貼り合せる。次に、シリコン基板1の他方の面1bを研磨して、基板1が所望の厚さになるまで薄板化を行う。シリコン基板1の他方の面1b側に感光性樹脂からなるマスク不図示を配し、CF4、SF6等のガスを用いたドライエッチングによって、貫通孔14を形成する図5。単一の電極パッド2について、第一~第三貫通配線3,4,5に対応する3本の貫通孔14を形成する図5では、代表する1本の貫通孔のみ描いてある。また、貫通配線基板10の用途に応じて、その他に必要な貫通配線を形成する。形成した貫通孔14の内壁及びシリコン基板1の他方の面1bに、SiO2又はSiNからなる絶縁層15をCVD法等により形成する図5。次に、貫通孔14内に銅を配して貫通配線16を形成すると共に、シリコン基板1の他方の面1bに表面配線3z,4z,5zに対応する配線層17を形成する図5。具体的には、スパッタ法及びめっき法等によって、絶縁層15上にバリア層、めっきシード層、めっき層の順に形成する。バリア層の材料としてはTi、TiW、Cr、Ta、TaN等の金属が使用できる。めっきシード層及びめっき層の材料としては、Cuなどが用いられる。本発明の測定精度を高める観点から、前記貫通配線3,4,5は、同じ材料、同じ加工方法を採用し、そして同時に形成することが好ましい。形成した貫通孔14のうち、第一貫通配線3、第二貫通配線4及び第三貫通配線5に対応する3本の貫通配線において、前述の検査方法を行う図5。第一貫通配線3が正常に機能しうることを確認した後、次の工程に進む。なお、この確認によって、第一貫通配線3だけでなく、基板1に同時に形成した貫通孔14の全ての貫通配線が正常に機能しうると推定できる。次に、配線保護樹脂層18を、スピンコート法、印刷法、ドライフィルムを用いたラミネート法等により形成する図5。樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。また、必要に応じて配線保護層18に開口部を設け、そこに半田バンプ19を形成する図5。印刷法によって開口部に配した半田ペーストをリフローによって半田バンプとすることができる。図6に示すように、表面配線3z、4z、5zの全ての端部に単一の半田バンプ19を形成することにより、各貫通配線3,4,5及び表面配線3z,4z,5zが、導電部2と半田バンプ19とを電気的に接続する1本の経路として機能させることができる。この構成であると、半田バンプ19を大きくできる事、複数の表面配線および貫通配線で1本の経路を成す事によって、接続信頼性を向上させられる。また、表面配線3z、4z、5zを図7に示すように配置すると、第一貫通配線3を検査する方法と同様に、測定器8の端子の配置を変更して、第二貫通配線4及び第三貫通配線5についても検査できる。"