"インクジェットプリントヘッド用のインクジェットプリントヘッドダイであって、Iプレーナ半導体部材、プレーナ基板部材及び界面を有する複合基板を備え、iプレーナ半導体部材が、a第1面、b第1インク供給孔、c第2インク供給孔、並びにd第1面上に位置するノズルアレイを有し、iiプレーナ基板部材が、a底部を有する第1チャネル、b第1チャネルからの距離がほぼdで底部を有する第2チャネル、cプレーナ半導体部材から見て第1面の逆側にある第2面、d第1チャネルの底部から第2面まで延びる第1インク源接続孔、並びにe第1インク源接続孔からの距離がD但しD>dで第2チャネルの底部から第2面まで延びる第2インク源接続孔を有し、iii界面が、プレーナ半導体部材プレーナ基板部材間熔着面であるインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、その界面にて第1チャネルが第1インク供給孔、第2チャネルが第2インク供給孔に連通するインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのノズルアレイから見て、第1インク供給孔のある側と第2インク供給孔がある側とが互いに逆側であるインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、その第1インク供給孔第2インク供給孔間が互いに連通しないインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのdが0.5mm未満のインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのDが1mm未満のインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、その第1インク供給孔の寸法が100μm未満のインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、その第1面界面間距離が200μm未満のインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのプレーナ半導体部材が、上記ノズルアレイたる第1ノズルアレイに加え第2ノズルアレイを有し、第1インク供給孔が第1ノズルアレイ内ノズルのうち1個又は複数個、第2インク供給孔が第2ノズルアレイ内ノズルのうち1個又は複数個に連通するインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのプレーナ半導体部材が、ノズルアレイ内ノズルに近接配置された抵抗発熱素子を有するインクジェットプリントヘッドダイ。請求項1記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのプレーナ半導体部材が電子デバイスを有するインクジェットプリントヘッドダイ。Iプレーナ半導体部材及びプレーナ基板部材を有する複合基板を備え、iプレーナ半導体部材が、aその面積がA1の第1面、b第1インク供給孔、c第2インク供給孔、並びにd第1面上でアレイ方向沿いに延びるノズルアレイを有し、iiプレーナ基板部材が、プレーナ半導体部材から見て第1面の逆側にある界面にてプレーナ半導体部材に接合されており、且つa第1孔を伴う底部を有するチャネル、並びにb界面の逆側にありその面積がA2但し0.8<A2/A1<1.2の第2面を有するインクジェットプリントヘッドダイ。請求項12記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのプレーナ基板部材が、上記チャネルたる第1チャネルに加え、第1チャネルに連通しない第2チャネルを有するインクジェットプリントヘッドダイ。請求項12記載のインクジェットプリントヘッドダイであって、そのプレーナ基板部材が、上記チャネルたる第1チャネルに加え、第2孔を伴う底部を有する第2チャネルを有し、第1孔第2孔間距離が第1チャネル第2チャネル間距離より大きいインクジェットプリントヘッドダイ。Iプレーナ半導体部材及びプレーナ基板部材を有する複合基板を備え、iプレーナ半導体部材が、a第1面、bその隣接ノズル間間隔がSのノズルアレイ、cその第1面沿い寸法が5S未満の第1インク供給口、並びにdその第1面沿い寸法が5S未満の第2インク供給口を有し、iiプレーナ基板部材が、a底部を有するチャネル、bプレーナ半導体部材から見て第1面の逆側にある第2面、並びにcプレーナ半導体部材プレーナ基板部材間接合面たる界面を有し、チャネル第1インク供給口間及びチャネル第2インク供給口間が界面にて連通するインクジェットプリントヘッドダイ。複合基板を有するインクジェットプリントヘッドダイ、実装基板、並びにインク源を備え、I複合基板が、プレーナ半導体部材、プレーナ基板部材及び界面を有し、iプレーナ半導体部材が、a第1面、b第1インク供給孔、c第2インク供給孔、並びにd第1面上に位置するノズルアレイを有し、iiプレーナ基板部材が、a底部を有する第1チャネル、b第1チャネルからの距離がほぼdで底部を有する第2チャネル、cプレーナ半導体部材から見て第1面の逆側にある第2面、d第1チャネルの底部から第2面まで延びる第1インク源接続孔、並びにe第1インク源接続孔からの距離がD但しD>dで第2チャネルの底部から第2面まで延びる第2インク源接続孔を有し、iii界面が、プレーナ半導体部材プレーナ基板部材間熔着面であり、II実装基板が、インクジェットプリントヘッドダイの第2面に接合されており、且つ第1及び第2インクポートを有し、i第1インクポートが、インクジェットプリントヘッドダイの第1インク源接続孔に連通し、ii第2インクポートが、インクジェットプリントヘッドダイの第2インク源接続孔に連通し、IIIインク源が、第1インクポートに連通するインクジェットプリントヘッド。請求項16記載のインクジェットプリントヘッドであって、上記インク源たる第1インク源に加え、第2インクポートに連通する第2インク源を備えるインクジェットプリントヘッド。請求項17記載のインクジェットプリントヘッドであって、第1インク源から供給されるインクが第2インク源から供給されるインクとは別種のインクジェットプリントヘッド。請求項16記載のインクジェットプリントヘッドであって、第2インクポートに連通するインクシンクを備え、第1インクポートでインクに加わる圧力が第2インクポートでインクに加わる圧力よりも正側のインクジェットプリントヘッド。請求項16記載のインクジェットプリントヘッドであって、その第1インク源接続孔第2インク源接続孔間距離が1mm超のインクジェットプリントヘッド。ここに、高解像度印刷を低コスト且つ高スループットで行えるようにするには、DODノズルアレイの稠密配置やインク供給孔間隔の狭隘化が有効である。CIJ印刷装置に対しては、その長期間印刷信頼性が高まるよう、ノズルに至るチャネルの清掃を含めインク供給孔間の清掃に役立つクロスフロー機能の実現も望まれている。ただ、そのような形態でDOD乃至CIJ印刷装置をコンパクト化すると、従来型のデバイス形状及び製造手法では解決困難な製造上の問題が幾つか発生する。そのため、新規なデバイス形状及び製造手法を提案し、次の条件1そのノズルアレイから見て同じ側にあるのか逆の側にあるのかを問わず、ノズルアレイ付近に密配置されている複数個のインク供給孔への連通流体的結合を提供可能であること、2そのノズル面上における異色インク供給孔間間隔が1mmに比しかなり小さい印刷装置向けに、インク源からインク供給孔に至る信頼性の高い封止型連通を、インクの色毎に実現すること、のうち少なくとも1個を充足させることが求められている。ここに、本発明に係るインクジェットプリントヘッドダイは、インクジェットプリントヘッド用のものであって、プレーナ半導体部材及びプレーナ基板部材をその界面にて互いに熔着させた複合基板を備える。図1に、DODインクジェットプリンタシステム10の構成を模式的に示す。このシステム10は、データ源12例えば画像データ源、そのデータ源12からの信号を解釈してインク滴吐出指令を出力するコントローラ14、その出力に応じ励振用電気パルスを発生させる電気パルス源16、そのパルス源16からのパルスを受け取るインクジェットプリントヘッドダイ18等を備えている。コントローラ14としては、相応のソフトウェアやファームウェアに従い稼働するマイクロプロセッサ等を使用することができる。ダイ18には通例に倣い滴吐出器20が複数個設けられており、それらの吐出器20でアレイ48、例えば略直線状で方向22沿いに延びるローが形成されている。個々の吐出器20には、ノズルプレート31やその上に形成されたノズル32のほか、この図には示さないがチャンバ、壁及び滴形成機構が備わっている。その動作中には、図示しないインク源からダイ18のインク源接続孔40内に入ってくるインクでインク滴21を形成し、記録媒体19上にそれを堆積させることによって、データ源12からの画像データに応じた画像が形成される。インクジェットプリントヘッドを製造する際には、図示しないインク流路付の実装基板上にこうしたダイ18を実装して電気的な接続を施せばよい。図2に、本発明の第1実施形態に係るインクジェットプリントヘッドダイ18の一部に関し、その部分破断斜視外観を不等倍縮尺で示す。このダイ18は、プレーナ半導体部材28とプレーナ基板部材44を界面24にて相互接合することで形成された複合基板を備えている。半導体部材28の第1面29、即ち界面24とは逆側にある面29には、絶縁性の誘電体層50、チャンバ層54及びノズルプレート31を含め複数個の層がある。この図には明示しないが、誘電体層50付近に更なる層を設け、滴吐出構造、論理回路、電力回路、電気的相互接続手段等の形成に使用することもできる。プレート31には、方向22沿いに延びるようノズル32のアレイが設けられている。図中のSは、隣り合うノズル32同士の中心間間隔である。この図では、インク流路55が見えるようダイ18の一端を破断させてあるので、基板部材44内チャネル38も見えている。インク源接続孔40は、そのチャネル38の底部39から基板部材44の第2面41、即ち界面24とは逆側にある面41へと延びている。その孔40の面積は、チャネル底部39の面積に比し20未満にするのが望ましい。図3に、図2中の線A-Aに沿ったインクジェットプリントヘッドダイ18の断面を示す。この図には、図2を参照して説明した諸構成に加え、抵抗ヒータ34を挟み別々の場所を占める供給孔36a,36bが示されている。これは、ヒータ34が滴形成機構、ダイ18がサーマルインクジェットプリントヘッドダイである場合の例である。インクは、インク源接続孔40、プレーナ基板部材44を貫くチャネル38、プレーナ半導体部材28内を通る供給孔36a,36b、誘電体層50に開口する供給口52a,52b、更にはインク流路55を通りヒータ34へと供給される。言い換えれば、これらの通路は連通流体的結合関係にある。特に、チャネル38は、基板部材44半導体部材28間界面24にて供給孔36a,36bに連通している。なお、図示した断面ではヒータ34及びその下部構造が他部材につながっていないかのように見えるが、線A-Aと平行な別の断面をとればわかるように、ヒータ34の下部構造は、半導体部材28のうち供給孔36a,36bで囲まれた部分につながっている。図4に、図2及び図3を参照して説明した第1実施形態に係るDODインクジェットプリントヘッドダイ18の一部に関し、その頂面をノズルプレート31越しに且つ模式的に示す。この図では、ダイ18上でアレイを形成している滴吐出器20のうち1個を、それにインクを供給するための供給孔36a,36bと併せ太破線で示してある。その吐出器20は、プレート31に向かい上方へと延びチャンバ30を画定する複数個の壁26を有しており、同じアレイ内で隣り合っている吐出器20間はその壁26で仕切られている。個々のチャンバ30は、プレート31に形成されたインク吐出用のノズル32に通じている。個々のチャンバ30内には、滴形成機構の一例たる抵抗ヒータ34も配置されている。図3及び図4に示したのは、多々ある例のうち、そのヒータ34がプレーナ半導体部材28の頂面より上方にあり、ノズル32と向かい合うようチャンバ30の底部に配置されている例である。言い換えれば、この例は、チャンバ30の底面が半導体部材28の第1面29より上方にあり、チャンバ30の頂面がプレート31で画定される例である。図4に示すように、チャンバ30へのインク供給に使用される供給孔36a,36bは都合2本のリニアアレイを形成している。孔36a,36bは、滴吐出器20やそのチャンバ30及びノズル32から見て互いに逆の側にあり、図3及び図4の如く吐出器20で形成されるアレイ48の対辺上に位置している。個々の吐出器20がインク供給孔複数個からインク供給を受けるこの構造、即ちデュアル送給型構造なら高周波ジェット生成が可能である。デュアル送給型構造の別例としては特許文献5に記載のものがある。吐出器20やそれに対応するノズル32も、そのノズル密度が高い1本のリニアアレイ48を形成している。例えば、そのノズル密度が1200個/インチの滴吐出器アレイ48なら、吐出器20及びそれに対応するノズル32の中心間間隔Sは約21μm、600個/インチのアレイ48なら約42μmとなる1インチ=約0.025m。この例ではデュアル送給型構造が採られているので、プレーナ半導体部材28の第1面29に連なる面に沿った孔36a,36bの長さLは10~100μmの値域内で設計的に定めることができる。孔36a,36bの幅Wも、同様に10~100μmの値域内で定めることができる。図2及び図4に示すように、本実施形態には、プレーナ基板部材44内チャネル38で小径のインク供給孔間がつながる、という特徴がある。寸法L,Wの値域が10~100μm、滴吐出器間隔Sの値域が21~42μmであれば、プレーナ半導体部材28の第1面29に連なる面における寸法L,Wが5S未満、或いは3S未満、更にはS未満のインク供給孔36a,36bですら、チャネル38を介し連通させることができる。図4に示す例では、一斉にインク供給を受けうるよう滴吐出器アレイ48の片側で孔36a同士、他側で孔36b同士がチャネル38を介し連通している。図4中の破線円はそのチャネル38に通ずるインク源接続孔40を表している。チャネル38内に他の構造、例えば支持構造42を設けることも可能である。図5~図13に、本発明の第1実施形態に係る製造手順を示す。この手順は、滴吐出器20に併置された小径のインク供給孔36a,36b複数個を有し、その高周波作動が可能なインクジェットプリントヘッドダイ18を製造する手順である。また、図14に、そのダイ18の製造手順を構成する諸工程をフローチャートで示す。図14中の工程100では、図5に示すように、プレーナ基板部材44に対するパターニング及びエッチングで、その表面のうち後に図2中の界面24になる面にチャネル38を形成する。基板部材44はその厚みが300μm~1mm、好ましくは650~725μmの値域に属するシリコンウェハである。図5~図13には、そうしたシリコンウェハに例えば数百個備わるダイサイトのうち一部分を示してある。チャネル38は、本件技術分野で周知の手法に倣い、シリコンに対するリソグラフィックなパターニング及び深反応性イオンエッチングで形成される。チャネル38の深さは基板部材44の厚み未満、深さの値域は300~900μm例えば400~450μmにするのが望ましい。そのようにすると、チャネル38が第2面41に到達せず底部39が生じる。このエッチング処理でチャネル38内に支持構造42を設けることもできる。図14中の工程102では、図6に示すように、シリコンウェハ等のプレーナ半導体部材28を界面24にてプレーナ基板部材44に接合することで、インクジェットプリントヘッドダイ18用のダイサイトを複数個有する複合基板ウェハ対46図16参照を形成する。このウェハ間接合は界面24における二面間高温熔着接合で実行できる。その接合に先立ち、基板部材44、半導体部材28又はその双方の上に熱酸化物を発現させてもよい。半導体部材28は、接合処理後に薄化シニングさせることができるので、接合当初はどのような厚みでもよい。図6に示した半導体部材28は薄化処理を経ており、50~400μmの値域、より好ましくは50~100μmの値域に属する厚みまで薄化されている。好ましくは、半導体部材28の第1面29即ち薄化処理終了時点での頂面が、界面24から200μm未満の位置を占めるようにする。基板部材44及び半導体部材28の厚みは、複合基板を組成する両ウェハの合計厚が標準的な200mm径シリコンウェハの厚み例えば750μmとほぼ等しくなるよう調整するのが望ましい。その方が、後続のウェハ処理工程で都合がよい。図14中の工程104では、図7に示すように、複合基板を組成するプレーナ半導体部材28の頂部に絶縁性の誘電体層50を形成し、その層50の頂部に滴形成機構、具体的には抵抗ヒータ34のアレイを形成する。インクジェットプリントヘッドダイ18内には、図示しないが、ヒータ34に対する電気的接続手段や滴吐出制御用のパワーLDMOS及びCMOS論理回路も形成される。層50を成長させる処理を、それらの形成工程中に実行してもよい。なお、ヒータ構造の形成については、係属中の2008年6月23日付米国特許出願第12/143880号等にも記載がある。それら先行するインクジェットプリントヘッドと本発明との相違点は、本発明ではインク流路例えばチャネル38が第1ウェハ内に形成され、その第1ウェハが第2ウェハに接合され、その上に滴吐出器及びそれに関連する電子回路が後続して形成される点にある。図14中の工程106では、図8に示すように、誘電体層50に対するパターニング及び貫通エッチングでプレーナ半導体部材28に供給口52a,52bを形成する。図14中の工程108では、図9に示すように、チャンバ層54で被覆しパターニングすることで、隣り合う滴吐出器20同士の間にチャンバ壁26を形成すると共に、インクジェットプリントヘッドダイ18の残余部分上に拡がり回路をインクから保護する外側保護層56を形成する。層54の形成は、ノボラック樹脂ベースのエポキシをはじめとするフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMR登録商標レジストを用いたスピンコーティング、露光及び現像で行うことができる。層54の厚みは8~25μmの値域内とするのが望ましい。図14中の工程110では、図10及び図11に示すように、プレーナ半導体部材28に対する貫通エッチングでインク供給孔36a,36bを形成し、滴吐出器20を界面24にてプレーナ基板部材44内チャネル38と連通させる。孔36a,36bは、本件技術分野で周知の手法に倣い、供給口52a,52bをマスクとして用いシリコンを異方性反応性イオンエッチングすることで形成される。図11に示した断面、即ち図10中の線B-Bに沿った断面には、貫通エッチングで半導体部材28に形成された孔36a,36bが示されている。図14中の工程112では、図12及び図13に示すように、ドライフィルムレジストを積層してフォトイメージャブルなノズルプレート31の層を形成し、その層に対するパターニングでノズル32を形成する。このフォトイメージャブルノズルプレート層は、ノボラック樹脂ベースエポキシをはじめとするドライフィルムフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMF登録商標ドライフィルムレジストを用い形成することができる。その層厚は、5~20μmの値域に属する値例えば10μmにするのが望ましい。ドライフィルムレジストの積層でプレート31を形成するのは、インク供給孔36a,36bをはじめ込み入った形状部分を有するインクジェットプリントヘッドにもプレート31を形成できるからである。また、この段階では、チャネル38をプレーナ基板部材44の第2面41につなぐインク源接続孔40図2~図4参照がまだ形成されていない。即ち、インク供給口36a,36bが複合基板の背面たる第2面41にまだつながっていないので、第2面41における減圧吸着で複合基板を保持しつつ、積層処理を難なく行うことができる。図13に示した断面、即ち図12中の線C-Cに沿った断面には、抵抗ヒータ34の上方に位置するようプレート31の層に形成されたノズル32が示されている。図14中の工程114では、図2及び図3に示すように、プレーナ基板部材44内チャネル38に通ずるよう、その基板部材44の第2面41にインク源接続孔40を開口させる。孔40の形成はシリコンに対するレーザ穿孔やエッチングで行える。孔40の直径は、チャネル38の幅に合わせるのが望ましいが、より大きめの径又は小さめの径にしてもかまわない。図3に示した断面、即ち図2中の線A-Aに沿った断面には、基板部材44内チャネル38に通ずる孔40が示されている。図2では孔40が円形であるが方形や楕円形でもかまわない。図示しないが、孔40を複数個の注入孔からなる構成にすることも可能である。例えば、孔40を形成すべく実行されるレーザ穿孔乃至エッチングの過程で小開口のグリッドを形成し、それによって孔40内に粒子フィルタを形成することができる。図14中の工程116では、図15及び図16に示すように、複合基板ウェハ対46をダイシングして複数個、例えば数百個のインクジェットプリントヘッドダイ18を作成する。このダイシング処理では、ダイ18の側端面がウェハ対46の表面に対しほぼ直交することとなるようウェハ対46が切断されるので、ダイ18の幅X及び長さYは、プレーナ半導体部材28の第1面29上でもプレーナ基板部材44の第2面41上でもほとんど違わない。即ち、第1面29におけるダイ18の面積A1=X1×Y1は、第2面41における面積A2=X2×Y2とほぼ等しくなる。ノズルプレート31をはじめ第1面29上の諸層は非常に薄いので、図15に示すように、ノズルプレート31の外表面におけるダイ18の幅X1と長さY1を乗じ、得られた積が実質的に面積A1であると見なすことができる。また、ダイシング面にテーパを付けることで、A1A2間に微差を付けることが可能である。同じく、エッチングで接続孔40を形成する際等に第2面41の端面にエッチングでスロットを形成することでも、A1A2間に差を付けることができる。但し、A1A2間の差は20未満にするのが望ましい。即ち、0.8<A2/A1<1.2を満たすようにするのが望ましい。図17及び図18に、本発明の第2実施形態に係るインクジェットプリントヘッドダイ18の一部に関し、その部分破断俯瞰図17及び仰視図18斜視外観を不等倍縮尺で示す。このダイ18は、プレーナ半導体部材28とプレーナ基板部材44を界面24にて接合することで形成された複合基板を備えている。半導体部材28の第1面29、即ち界面24とは逆側にある面29には、ノズルプレート31を含め複数個の層が設けられている。このダイ18の長所は、多々ある他のインクジェットプリントヘッドダイに比し、吐出するインクの種類が異なる滴吐出器同士を近い位置に設けることが可能な点である。これは、小型の多色インクジェットプリントヘッドダイやスワス長が大きいインクジェットプリントヘッドダイをダイ面積拡張無しで実現する上で有益なことである。関連する先行技術としては、係属中の2009年3月30日付米国特許出願第12/413729号に記載のものがある。しかしながら、そうした既存の製造手法を用いたのでは、ある種のインクが供給される位置と別種のインクが供給される位置とを大きく近づけることや、それら二種類のインク間で流路やインク源接続孔を確実に分離することが難しい。図18に示す例では、2個あるインクチャネル38a,38bの中心間間隔がdで、順にインク源接続孔40a,40bに通じている。チャネル38a,38bには底部39a,39bがあり、孔40a,40bは対応する底部39a,39bからプレーナ基板部材44の第2面41へと延びている符号同順。従って、チャネル38a,38bに互いに別種のインクが供給されるよう、孔40a,40bに互いに別種のインク源を接続することができる。対応するチャネル38a,38bの長手方向に沿い、孔40aに対する孔40bの位置をずらすことで、インク源接続孔同士の中心間距離Dを、D>dを満たす値にすることができる。具体的には、dを0.5mm未満、例えば0.05~0.5mmの値域に属する値にすることで、小型の多色インクジェットプリントヘッドダイ18を好適に製造することができ、また、Dを1mm超、例えば1~10mmの値域に属する値にすることで、孔40a,40bを介したインク源接続の信頼性を高めることができる。図19に、図17及び図18を参照して説明した本発明の第2実施形態に係るDODインクジェットプリントヘッドダイ18の一部に関し、その頂面を模式的に示す。この図では、ダイ18上でアレイを形成している滴吐出器20のうち2個即ち20a,20bを、それに対応するインク供給孔36a,36bと併せ太破線方形で括ってある。その吐出器20は、ノズルプレート31に向かい上方へと延びチャンバ30を画定する複数個の壁26を有しており、同じアレイ内で隣接しており吐出するインクの種類が異なる吐出器20a,20b間はその壁26で分離隔離されている。図示例では、吐出するインクの種類によらず吐出器20が一直線に並び、壁26が一種の蛇状壁構造を形成している。図示しないが、ある種のインクを吐出する吐出器20a同士が同一の直線沿いに並び、それとは別種のインクを吐出する吐出器20b同士がその線と平行な他の直線沿いに並ぶようにしてもよい。個々のチャンバ30は、プレート31に形成された液体吐出用のノズル32に通じている。個々のチャンバ30内には、滴形成機構の一例たる抵抗ヒータ34も配置されている。この図に示したのは、多々ある例のうち、そのヒータ34がプレーナ半導体部材28の頂面より上方にあり、ノズル32と向かい合うようチャンバ30の底部に配置されている例である。言い換えれば、この例は、チャンバ30の底面が半導体部材28の第1面29より上方にあり、チャンバ30の頂面がプレート31で画定される例である。図19に示すように、チャンバ30にインクを供給するためのインク供給孔36a,36bは都合2本のリニアアレイを形成している。孔36aはノズルアレイの片側即ち滴吐出器20a側、孔36bはノズルアレイの他側即ち滴吐出器20b側にあり、それら吐出器20a,20bにはそれぞれチャンバ30及びノズル32が備わっている。この例では、孔36aがチャネル38aを介し他の孔36aと連通する一方、孔36bとは連通していない。吐出器20は高いノズル密度で形成されている。吐出器20の間隔配置周期は20~80μmの値域内で設計的に定めることができる。同様に、孔36a,36bの長さは10~100μm、幅は10~100μmの値域内で定めることができる。図20~図28に、本発明の第2実施形態に係る製造手順を示す。この手順は、互いに異なるインクを供給するインクチャネル同士、互いに異なるインクを吐出するノズル同士の間隔が狭いインクジェットプリントヘッドダイ18を製造する手順である。本実施形態のダイ18は第1実施形態のそれと形状的且つ機能的に相違しているが、図14として示したフローチャートは引き続き製造諸工程の概略として参照することができる。図14中の工程100では、図20に示すように、プレーナ基板部材44に対するパターニング及びエッチングで、その表面のうち後に図17中の界面24になる面に2個のチャネル38a,38bを形成する。基板部材44はその厚みが300μm~1mm、好ましくは650~725μmの値域に属するシリコンウェハである。チャネル38a,38bは、本件技術分野で周知の手法に倣い、シリコンに対するリソグラフィックなパターニング及び深反応性イオンエッチングで形成される。チャネル38a,38bの深さは基板部材44の厚み未満、深さの値域は300~900μm例えば400~450μmにするのが望ましい。そのようにすると、チャネル38a,38bが第2面41まで到達せず底部39a,39bが生じることとなる符号同順。図14中の工程102では、図21に示すように、シリコンウェハ等のプレーナ半導体部材28を界面24にてプレーナ基板部材44に接合することで複合基板ウェハ対を形成する。このウェハ間接合は界面24における二面間高温熔着接合で実行できる。その接合に先立ち、基板部材44、半導体部材28又はその双方の上に熱酸化物を発現させてもよい。半導体部材28は、接合処理後に薄化させることができるので、接合当初はどのような厚みでもよい。図21に示した半導体部材28は薄化処理を経ており、50~400μmの値域、より好ましくは50~100μmの値域に属する厚みまで薄化されている。好ましくは、半導体部材28の第1面29即ち薄化処理終了時点での頂面が、界面24から200μm未満の位置を占めるようにする。基板部材44及び半導体部材28の厚みは、複合基板を組成する両ウェハの合計厚が標準的な200mm径シリコンウェハの厚み例えば750μmとほぼ等しくなるよう調整するのが望ましい。その方が、後続のウェハ処理工程で都合がよい。図14中の工程104では、図22に示すように、プレーナ半導体部材28の頂部に位置するよう第1面29上に絶縁性の誘電体層50を形成し、その層50の頂部に滴形成機構、具体的には抵抗ヒータ34のアレイを形成する。インクジェットプリントヘッドダイ18内には、図示しないが、ヒータ34に対する電気的接続手段や滴吐出制御用のパワーLDMOS及びCMOS論理回路も形成される。層50を成長させる処理を、それらの形成工程中に実行してもよい。なお、ヒータ構造の形成については、係属中の2008年6月23日付米国特許出願第12/143880号等にも記載がある。図14中の工程106では、図23に示すように、誘電体層50に対するパターニング及び貫通エッチングで、プレーナ半導体部材28に供給口52a,52bを形成する。図14中の工程108では、図24に示すように、チャンバ層54で被覆しパターニングすることで、隣り合う滴吐出器20の間にチャンバ壁26を形成すると共に、インクジェットプリントヘッドダイ18の残余部分上に拡がり回路をインクから保護する外側保護層56を形成する。壁26は吐出器20a同士、吐出器20b同士が連通するようパターニングで形成されるので、吐出器20aから吐出されるインクと吐出器20bから吐出される別種のインクとが混ざり合うことはない。層54の形成は、ノボラック樹脂ベースのエポキシをはじめとするフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMR登録商標レジストを用いたスピンコーティング、露光及び現像で行うことができる。層54の厚みは8~25μmの値域内とするのが望ましい。図14中の工程110では、図25及び図26に示すように、プレーナ半導体部材28に対する貫通エッチングでインク供給孔36a,36bを形成し、滴吐出器20a,20bを界面24にて対応するプレーナ基板部材44内チャネル38a,38bと連通させる。即ち、チャネル38aを孔36a、チャネル38bを孔36bに界面24にて連通させる。孔36a,36bは、本件技術分野で周知の手法に倣い、供給口52a,52bをマスクとして用いシリコンを異方性反応性イオンエッチングすることで形成される。図26に示した断面、即ち図25中の線D-Dに沿った断面には、半導体部材28に対する貫通エッチングで形成された孔36aが示されている。線D-Dは孔36bを過ぎっていない。図14中の工程112では、図27及び図28に示すように、ドライフィルムレジストを積層してフォトイメージャブルなノズルプレート31の層を形成し、その層に対するパターニングでノズル32を形成する。このフォトイメージャブルノズルプレート層は、ノボラック樹脂ベースエポキシをはじめとするドライフィルムフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMF登録商標ドライフィルムレジストを用い形成することができる。その層厚は、5~20μmの値域に属する値例えば10μmにするのが望ましい。ドライフィルムレジストの積層でプレート31を形成するのは、インク供給孔36a,36bをはじめ込み入った形状部分を有するインクジェットプリントヘッドダイにもプレート31を形成できるからである。また、この段階では、チャネル38a,38bとプレーナ基板部材44の第2面41との間を結ぶインク源接続孔40a,40b図18及び図19参照はまだ形成されていない。即ち、インク供給口36a,36bが複合基板の背面たる第2面41にまだつながっていないので、第2面41における減圧吸着で複合基板を保持しつつ、積層処理を難なく行うことができる。図28に示した断面、即ち図27中の線E-Eに沿った断面には、抵抗ヒータ34の上方に位置するようノズルプレート31の層に形成されたノズル32が示されている。図14中の工程114では、図17及び図18に示すように、対応するプレーナ基板部材44内チャネル38a,38bに通ずるよう基板部材44の背面にインク源接続孔40a,40bを開口させる。孔40a,40bの形成はシリコンに対するレーザ穿孔やエッチングで行える。孔40a,40bの直径は、チャネル38a,38bの幅に合わせるのが望ましいが、より大きめの径又は小さめの径にしてもかまわない。図18には、基板部材44の底部で基板部材44内チャネル38a,38bにつながる孔40a,40bが示されている。図18では孔40a,40bが円形であるが、方形や楕円形でもかまわない。また、図示したのはインクジェットプリントヘッドダイ18の一部のみであり、プリントヘッドダイに沿ったインク源接続孔の個数は更に多数になりうる。更に、複数種類のインクを吐出できるインクジェットプリントヘッドダイであるので、インクの種類毎に複数個ずつ滴吐出器、チャネル、インク源接続孔及びインク供給孔が備わる構成にすることができる。図14中の工程116では、図15及び図16に示すように、複合基板ウェハ対46をダイシングして複数個、例えば数百個のインクジェットプリントヘッドダイ18を作成する。図15を参照して前述した通り、このダイシング処理では、ダイ18の側端面がウェハ対46の表面に対しほぼ直交することとなるようウェハ対46が切断されるので、ダイ18の幅X及び長さYは、プレーナ半導体部材28の第1面29上でもプレーナ基板部材44の第2面41上でもほとんど違わない。図29に、本発明の第3実施形態に係るCIJプリントヘッドダイ118の部分断面を模式的に示す。このダイ118は、アレイをなす複数個の加圧液吐出器120を備えている。壁126は、加圧液吐出器120同士を仕切ると共に、加圧液体流の吐出元たるノズル132の各側で流入路127a,127bを画している。加圧液体流を細分して滴を発生させるため、その流入路127a,127b内には抵抗ヒータ134a,134bも配置されている。これとは違い、各ノズル132の直下に抵抗ヒータが1個ずつ備わる構成にしてもよい。図29に示すように、供給孔136a,136bはプレーナ半導体部材128内でリニアアレイを都合2本形成している。加圧液は吐出器120の片側にある供給孔136aから流入路127aに流れ込む一方、その吐出器120の他側にある供給孔136bから流入路127bに流れ込み、合流してノズル132から流出する。それら、供給孔136aはプレーナ基板部材144内チャネル138a、供給孔136bは基板部材144内チャネル138bに連通している。その基板部材144の背面には接続孔140a,140bがあり、諸吐出器120に加圧液を供給できるよう図示しない液源に連通している。接続孔140aにおける圧力が接続孔140bのそれに比べ正側である場合、流入路127a,127b内デブリの清掃に資するよう、太線矢印で図示の方向に沿う方向のクロスフローが発生することとなろう。図30~図37に、本発明の第3実施形態に係る製造手順を示す。この手順は、クロスフロー清掃機能を有する多チャネル型のCIJプリントヘッドダイ118を製造する手順である。本実施形態のダイ118は第1及び第2実施形態のそれと形状的且つ機能的に相違しているが、図14として示したフローチャートは引き続き製造諸工程の概略として参照することができる。図14中の工程100では、図30に示すように、プレーナ基板部材144に対するパターニング及びエッチングでチャネル138a,138bを形成する。基板部材144はその厚みが300μm~1mm、好ましくは650~725μmの値域に属するシリコンウェハである。チャネル138a,138bは、本件技術分野で周知の手法に倣い、シリコンに対するリソグラフィックなパターニング及び深反応性イオンエッチングで形成される。チャネル138a,138bの深さは基板部材144の厚み未満、深さの値域は300~900μm例えば400~450μmにするのが望ましい。そのようにすると、チャネル138a,138bが第2面141まで到達せず底部139a,139bが生じることとなる。図14中の工程102では、図31に示すように、シリコンウェハ等のプレーナ半導体部材128を界面124にてプレーナ基板部材144に接合することで複合基板ウェハ対を形成する。このウェハ間接合は界面124における二面間高温熔着接合で実行できる。その接合に先立ち、基板部材144、半導体部材128又はその双方の上に熱酸化物を発現させてもよい。半導体部材128は、接合処理後に薄化させることができるので、接合当初はどのような厚みでもよい。図31に示した半導体部材128は薄化処理を経ており、50~400μmの値域、より好ましくは50~100μmの値域に属する厚みまで薄化されている。好ましくは、半導体部材128の第1面129即ち薄化処理終了時点での頂面が、界面124から200μm未満の位置を占めるようにする。基板部材144及び半導体部材128の厚みは、複合基板を組成する両ウェハの合計厚が標準的な200mm径シリコンウェハの厚み例えば750μmとほぼ等しくなるよう調整するのが望ましい。その方が、後続のウェハ処理工程で都合がよい。図14中の工程104では、図32に示すように、プレーナ半導体部材128の頂部に絶縁性の誘電体層150を形成し、その層150の頂部に滴細分機構、具体的には抵抗ヒータ134a,134bのアレイを形成する。CIJプリントヘッドダイ118内には、図示しないが、ヒータ134a,134bに対する電気的接続手段や滴細分制御用のパワーLDMOS及びCMOS論理回路も形成される。層150を成長させる処理を、それらの形成工程中に実行してもよい。図14中の工程106では、図33に示すように、誘電体層150に対するパターニング及び貫通エッチングでプレーナ半導体部材128に供給口152a,152bを形成する。図14中の工程108では、図34に示すように、壁層154で被覆しパターニングすることで、隣り合う吐出器120間に壁126を形成すると共に、CIJプリントヘッドダイ118の残余部分上に拡がり回路をインクから保護する外側保護層156を形成する。層154の形成は、ノボラック樹脂ベースのエポキシをはじめとするフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMR登録商標レジストを用いたスピンコーティング、露光及び現像で行うことができる。層154の厚みは4~25μmの値域内とするのが望ましい。図14中の工程110では、図35に示すように、プレーナ半導体部材128に対する貫通エッチングで供給孔136a,136bを形成し、吐出器120をプレーナ基板部材144内チャネル138a,138bと連通させる。孔136a,136bは、本件技術分野で周知の手法に倣い、図33に示したインク供給口152a,152bを形状画定用のマスクとして用い、シリコンを異方性反応性イオンエッチングすることで形成される。図14中の工程112では、図36に示すように、ドライフィルムレジストを積層してフォトイメージャブルなノズルプレート131の層を形成し、その層に対するパターニングでノズル132を形成する。このフォトイメージャブルノズルプレート層は、ノボラック樹脂ベースエポキシをはじめとするドライフィルムフォトイメージャブルエポキシ、例えば東京応化工業株式会社製のTMMF登録商標ドライフィルムレジストを用い形成することができる。その層厚は、5~20μmの値域に属する値例えば10μmにするのが望ましい。ドライフィルムレジストの積層でプレート131を形成するのは、供給孔136a,136bをはじめ込み入った形状部分を有する液吐出プリントヘッドにもプレート131を形成できるからである。また、この段階では、チャネル138a,138bとプレーナ基板部材144の第2面141との間を結ぶ接続孔140a,140b図29参照はまだ形成されていない。即ち、供給孔136a,136bが複合基板の背面たる第2面141にまだつながっていないので、第2面141における減圧吸着で複合基板を保持しつつ、積層処理を難なく行うことができる。図14中の工程114では、仰視斜視図たる図37に示すように、対応するチャネル138a,138bに通ずるようプレーナ基板部材144の背面に接続孔140a,140bを開口させる。孔140a,140bの形成はシリコンに対するレーザ穿孔やエッチングで行える。孔140a,140bの直径は、対応するチャネル138a,138bの幅に合わせるのが望ましいが、より大きめの径又は小さめの径にしてもかまわない。図37では孔140a,140bが円形であるが方形や楕円形でもかまわない。図14中の工程116では、図15及び図16に示すように、複合基板ウェハ対46をダイシングして複数個、例えば数百個のインクジェットプリントヘッドダイ118を作成する。図15を参照して前述した通り、このダイシング処理では、ダイ118の側端面がウェハ対46の表面に対しほぼ直交することとなるようウェハ対46が切断されるので、ダイ118の幅X及び長さYは、プレーナ半導体部材128の第1面129上でもプレーナ基板部材144の第2面141上でもほとんど違わない。DODインクジェットプリントヘッドやCIJインクジェットプリントヘッドを製造する際には、相応のインクジェットプリントヘッドダイ18,118を図38の如く実装基板60に固定すればよい。プレーナ基板部材44の第2面41を実装基板60に接合する際には、機械的強度、インクに対する化学的親和性、流体封止の信頼性及び可能なら熱伝導率が良好になるよう接着剤を使用するのが望ましい。基板60としては、図示しない導電リードや1個又は複数個のインクポート、例えば図中の第1インクポート62及び第2インクポート64を備えるものを使用するのが望ましい。図示例は第2インク源接続孔40bを有する例であり、インク源接続孔40aには第1インクポート62、インク源接続孔40bには第2インクポート64が連通している。その第1インクポート62には第1インク源66が連通している。複数種類のインクを吐出可能なインクジェットプリントヘッドダイ18では、第2インクポート64に第2インク源68を連通させればよい。清掃用クロスフロークロスフラッシングが可能な構成のCIJプリントヘッドダイでは、基板60側の第2インクポート64を、例えばインクシンクとして振る舞うインク源68に連通させればよい。第1インクポート62を第2インクポート64に比し正側に加圧することで、インク流を発生させることができる。また、図中の61は、ダイ18基板60間を電気的に接続する部材、例えばボンディングワイヤである。以上、その好適な実施形態を参照しつつ本発明について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲内でそれらに変形乃至改良を施せることをご理解頂きたい。"