"筒体、および当該筒体の一方の端部を閉塞する閉塞板を有して当該筒体の他方の端部側が開放端に形成された筒状の筐体と、前記閉塞板の内面に前記筐体の筒長方向に沿って延出するように立設されると共に入力した高周波信号を放射する棒状の放射導体とを備え、ガス供給部によって前記筐体内にプラズマ放電用ガスが供給され、かつ前記放射導体が前記高周波信号を放射している状態において、当該放射導体の先端近傍から前記筐体の前記開放端を越えて当該筐体の外方へ伸びるプラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、前記筐体には、前記ガス供給部から前記プラズマ放電用ガスが供給されるガス供給口、前記筒体における前記他方の端部側の内周面に形成されたガス放出口、および前記ガス供給口と前記ガス放出口とを連通させる供給流路が形成され、前記筐体の内部には、当該筐体内における前記閉塞板側に形成された第1内部空間と、少なくとも前記放射導体の前記先端近傍を内包した状態で前記筒長方向に沿って延びると共に前記第1内部空間に供給された前記プラズマ放電用ガスを当該筒長方向に沿って当該放射導体の当該先端近傍を経由して前記筐体の前記他方の端部から当該筐体の外方へ放出する第2内部空間と、前記第2内部空間と区画された状態で前記筒体に沿って形成されると共に当該筒体の前記他方の端部側において連通する前記ガス放出口から放出された前記プラズマ放電用ガスを前記筒長方向に沿って前記第1内部空間に誘導する誘導流路とが形成されているプラズマ処理装置。前記筐体の内部に前記筒長方向に沿って配設された第1内筒体を備え、当該第1内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結されると共に、前記第2内部空間を構成する内部空間を備えて構成され、前記誘導流路は、前記筒体の内周面と前記第1内筒体の外周面とで区画されて形成されると共に、当該筒体の前記他方の端部側において前記ガス放出口と連通し、かつ前記閉塞板側において前記第1内部空間と連通する請求項1記載のプラズマ処理装置。前記筐体の内部に前記筒長方向に沿って配設された第1内筒体と、前記筒体と前記第1内筒体との間に前記筒長方向に沿って当該第1内筒体と同軸に配設された第2内筒体とを備え、前記第1内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結されると共に、前記第2内部空間を構成する内部空間を備えて構成され、前記第2内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部側の部位に全周に亘って密着した状態で連結され、前記誘導流路は、前記第1内筒体および前記第2内筒体のうちの少なくとも一方の外周面と前記筒体の内周面とで区画されて形成されると共に、当該筒体の前記他方の端部側における当該第2内筒体で区画される部位において前記ガス放出口と連通し、かつ前記閉塞板側において前記第1内部空間と連通する請求項1記載のプラズマ処理装置。前記第1内筒体は、絶縁材料で形成された絶縁管で構成されている請求項2または3記載のプラズマ処理装置。ところが、発明者は、上記した従来のプラズマ処理装置について鋭意研究した結果、このプラズマ処理装置には以下の改善すべき点が存在していることを見出した。すなわち、このプラズマ処理装置では、閉塞板に形成された貫通孔に接続された供給管から筐体内に放電用ガスが直接供給される構成、つまり、閉塞板の内面全体から見れば範囲の狭い部位貫通孔から筐体内に放電用ガスが直接供給される構成のため、プラズマを発生させる放射器放射導体の先端近傍を内包する筐体内での放電用ガスの流れが不均一になり、この結果、この放電用ガスの流れに沿って筐体から放射されるプラズマの向きが不安定になるおそれがあるという改善すべき点が存在している。本発明は、かかる点を改善すべくなされたものであり、放射導体の先端近傍を内包する空間内での放電用ガスの流れをより均一にし得るプラズマ処理装置を提供することを主目的とする。上記目的を達成すべく請求項1記載のプラズマ処理装置は、筒体、および当該筒体の一方の端部を閉塞する閉塞板を有して当該筒体の他方の端部側が開放端に形成された筒状の筐体と、前記閉塞板の内面に前記筐体の筒長方向に沿って延出するように立設されると共に入力した高周波信号を放射する棒状の放射導体とを備え、ガス供給部によって前記筐体内にプラズマ放電用ガスが供給され、かつ前記放射導体が前記高周波信号を放射している状態において、当該放射導体の先端近傍から前記筐体の前記開放端を越えて当該筐体の外方へ伸びるプラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、前記筐体には、前記ガス供給部から前記プラズマ放電用ガスが供給されるガス供給口、前記筒体における前記他方の端部側の内周面に形成されたガス放出口、および前記ガス供給口と前記ガス放出口とを連通させる供給流路が形成され、前記筐体の内部には、当該筐体内における前記閉塞板側に形成された第1内部空間と、少なくとも前記放射導体の前記先端近傍を内包した状態で前記筒長方向に沿って延びると共に前記第1内部空間に供給された前記プラズマ放電用ガスを当該筒長方向に沿って当該放射導体の当該先端近傍を経由して前記筐体の前記他方の端部から当該筐体の外方へ放出する第2内部空間と、前記第2内部空間と区画された状態で前記筒体に沿って形成されると共に当該筒体の前記他方の端部側において連通する前記ガス放出口から放出された前記プラズマ放電用ガスを前記筒長方向に沿って前記第1内部空間に誘導する誘導流路とが形成されている。また、請求項2記載のプラズマ処理装置は、請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記筐体の内部に前記筒長方向に沿って配設された第1内筒体を備え、当該第1内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結されると共に、前記第2内部空間を構成する内部空間を備えて構成され、前記誘導流路は、前記筒体の内周面と前記第1内筒体の外周面とで区画されて形成されると共に、当該筒体の前記他方の端部側において前記ガス放出口と連通し、かつ前記閉塞板側において前記第1内部空間と連通する。また、請求項3記載のプラズマ処理装置は、請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記筐体の内部に前記筒長方向に沿って配設された第1内筒体と、前記筒体と前記第1内筒体との間に前記筒長方向に沿って当該第1内筒体と同軸に配設された第2内筒体とを備え、前記第1内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結されると共に、前記第2内部空間を構成する内部空間を備えて構成され、前記第2内筒体は、前記筒体の前記他方の端部側の端部が当該筒体の当該他方の端部側の部位に全周に亘って密着した状態で連結され、前記誘導流路は、前記第1内筒体および前記第2内筒体のうちの少なくとも一方の外周面と前記筒体の内周面とで区画されて形成されると共に、当該筒体の前記他方の端部側における当該第2内筒体で区画される部位において前記ガス放出口と連通し、かつ前記閉塞板側において前記第1内部空間と連通する。また、請求項4記載のプラズマ処理装置は、請求項2または3記載のプラズマ処理装置において、前記第1内筒体は、絶縁材料で形成された絶縁管で構成されている。請求項1記載のプラズマ処理装置では、筐体の内部には、ガス供給口から供給されたプラズマ放電用ガスを筒長方向に沿って筐体内における閉塞板側の第1内部空間に誘導する誘導流路が形成されている。したがって、このプラズマ処理装置によれば、閉塞板に形成された貫通孔から筐体の内部にプラズマ放電用ガスを直接供給する従来のプラズマ処理装置と比較して、筒体の他方の端部側において供給流路のガス放出口と連通して、ガス放出口から放出されたプラズマ放電用ガスを筒長方向に沿って閉塞板側筒体の一方の端部側の第1内部空間に誘導して放出する誘導流路の存在により、プラズマが発生する第2内部空間でのプラズマ放電用ガスの気流を、流速のより均一な状態で発生させることができる。これにより、このプラズマ処理装置によれば、放射導体の先端近傍に発生しているプラズマを、第2内部空間内の流速の均一なプラズマ放電用ガスの気流に乗せて、放射導体の先端近傍から筐体の外方への向きで安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。請求項2記載のプラズマ処理装置では、筐体の内部に筒長方向に沿って配設された第1内筒体を備え、誘導流路は、筒体の内周面と第1内筒体の外周面とで区画されて形成されると共に、筒体の他方の端部側においてガス放出口を介して供給流路と連通し、かつ閉塞板側において第1内部空間と連通する。したがって、このプラズマ処理装置によれば、ガス放出口から誘導流路内に放出されたプラズマ放電用ガスを第1内筒体の全周に分散させることにより、誘導流路内でのプラズマ放電用ガスの流速をより均一な状態にすることができると共に、第1内筒体の周方向周壁の周方向でもあるに沿った全方向からプラズマ放電用ガスを第1内部空間内に放出させることができるため、第1内部空間内に存在するプラズマ放電用ガスを、第1内筒体の周方向に沿った全方向から第1内筒体内に連続的に供給することができる。これにより、プラズマが発生する第1内筒体内の第2内部空間でのプラズマ放電用ガスの気流を、流速のより一層均一な状態で発生させることができる。したがって、このプラズマ処理装置によれば、第1内筒体に位置している放射導体の先端近傍に発生しているプラズマを、この流速の一層均一なプラズマ放電用ガスの気流に乗せて、放射導体の先端近傍から筐体の外方への向きでより安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。請求項3記載のプラズマ処理装置によれば、請求項2記載のプラズマ処理装置と同様にして、ガス放出口から誘導流路内に放出されたプラズマ放電用ガスを第1内筒体および第2内筒体のうちの少なくとも一方の全周に分散させることにより、誘導流路内でのプラズマ放電用ガスの流速をより均一な状態にすることができると共に、第1内筒体の周方向周壁の周方向でもあるに沿った全方向からプラズマ放電用ガスを第1内部空間内に放出させることができるため、第1内部空間内に存在するプラズマ放電用ガスを、第1内筒体の周方向に沿った全方向から第1内筒体内に連続的に供給することができる。これにより、プラズマが発生する第1内筒体内の第2内部空間でのプラズマ放電用ガスの気流を、流速のより一層均一な状態で発生させることができる。したがって、このプラズマ処理装置によれば、第1内筒体に位置している放射導体の先端近傍に発生しているプラズマを、この流速の一層均一なプラズマ放電用ガスの気流に乗せて、放射導体の先端近傍から筐体の外方への向きでより安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。請求項4記載のプラズマ処理装置によれば、第2内部空間を形成するための第1内筒体を絶縁管で構成したことにより、絶縁管とは別体に第2内筒体を備える構成と比較して、筐体をより簡易に構成することができる。以下、添付図面を参照して、プラズマ処理装置の実施の形態について説明する。図1に示すプラズマ処理装置1は、プラズマ発生部2、高周波電源3、ガス供給部4およびテーブル5を備えている。また、このプラズマ処理装置1は、高周波電源3において生成された高周波信号S1をプラズマ発生部2に同軸ケーブル3aを介して供給することによってプラズマ発生部2内にプラズマPを発生させると共に、発生させたプラズマPをテーブル5に載置された処理対象体6に放射してその表面をプラズマ処理可能に構成されている。一例として、このプラズマ処理装置1は、樹脂などの有機材料で形成された部材例えば、シート状や板状の部材を処理対象体6として、その表面の殺菌処理、洗浄処理、および親水性の向上処理などを実行する。プラズマ発生部2は、一例として、図1に示すように、筐体11、同軸コネクタ12、給電導体13、および放射導体としての放射器アンテナ14を備えている。筐体11は、一例として、両端が開口する導電性の筒体11a、導電性の閉塞板11b、絶縁管11cおよび取付板11dを備え、筒体11aにおける一方の端部同図中の上端部がこの一方の端部に密着気密性を確保した状態での密着して配設された閉塞板11bによって閉塞されることにより、全体として、同図中の下端筒体11aにおける他方の端部側が開放端に形成されたトーチ型筐体に構成されている。この構成においては、筒体11aは筐体11の周壁として機能している。また、筐体11には、グランド電位が付与されている。本例では、一例として、筒体11aは、図2に示すように、中心軸Xと直交する平面に沿った外周面の断面形状が四角形つまり、外形が四角筒体であるが、この平面に沿った内周面の断面形状が円形であるため、実質的には円筒体として機能する。また、筒体11aは、図1に示すように、その長さ筒長。同図中の上下方向の長さが、閉塞板11bに立設された放射器14の長さL1よりも長く規定されて、放射器14の先端同図中の下端が筐体11の開放端本例では、取付板11dの端面から突出しない構成となっている。また、筒体11aの外周面には、図1に示すように、一方の端部寄りの位置に、筐体11内に高周波信号S1を導入するための第1貫通孔21が筒体11aの径方向に沿って形成されている。また、筒体11aの他方の端部寄りの位置筐体11の開放端寄りの位置には、図1,2に示すように、筒体11aの径方向筐体11の径方向に沿って供給流路22aが形成されている。この供給流路22aは、筒体11aの外周面筐体11の外周面における他方の端部寄りの位置に形成されたガス供給口22bと、筒体11aの内周面筐体11の内周面における他方の端部寄りの位置に形成されたガス放出口22cとを連通させて、ガス供給部4からガス供給口22bに供給されたプラズマ放電用ガスG以下、放電用ガスGともいうをガス放出口22cから筐体11内に放出する。また、筒体11aの他方の端部における内周面側の部位は、外周面側の部位よりも筒体11aの全周に亘って一段低くなるように形成されて、絶縁管11cの後述する拡径部11fを嵌め込むための嵌合部11eとして構成されている。取付板11dは、環状に形成されており、例えばねじ止めなどの方法により、筒体11aの他方の端部に取り付けられる。また、取付板11dは、筒体11aの他方の端部に取り付けられた状態において、筒体11a内に装着された絶縁管11cにおける拡径部11fを嵌合部11eとの間で挟持することにより、絶縁管11cを固定する。絶縁管11cは、第1内筒体であって、図1,2に示すように、断面形状が円形の筒体11aにおける内周面の形状に合わせて円筒体に形成されると共に、その外径が筒体11aの内径よりも小径に形成されている。また、絶縁管11cにおける一方の端部図1中の下端部寄りの外周面には、全周に亘って突出する環状の拡径部11fが形成されている。このように形成された絶縁管11cは、図1に示すように、他方の端部同図中の上端部側を、筒体11aの他方の端部同図中の下端部方向から筒体11a内に挿入して、拡径部11fを筒体11aの嵌合部11eに嵌め込んで装着されて、上記したようにして、筒体11aの他方の端部同図中の下端部に取り付けられた取付板11dによって筒体11aに固定されている。この構成により、絶縁管11cは、筐体11具体的には筒体11aの内部に筐体11の筒長方向に沿って、かつ筐体11筒体11aと同軸に配設されると共に、一方の端部筐体11の他方の端部側の端部が筐体11の他方の端部開放端側の端部に全周に亘って密着した状態で連結される。このようにして固定された絶縁管11cは、閉塞板11b側の端部他方の端部が第1貫通孔21の縁部に達し、筐体11の開放端側の端部一方の端部が取付板11dの端面に達するように、その長さ筒長が規定されている。これにより、この絶縁管11c内には、閉塞板11bの内面に立設された放射器14における先端近傍が少なくとも挿入された状態となる。このため、絶縁管11cは、高周波信号S1の出力電力を高めたときに、放射器14から筐体11の内周面への不要な放電の発生を防止する。また、この絶縁管11cにより、筐体11の内部空間は、絶縁管11cの他方の端部同図中の上端部から閉塞板11bまでの第1内部空間SB1以下、単に内部空間SB1ともいうと、放射器14の先端近傍を内包する絶縁管11c内の第2内部空間SB2以下、単に内部空間SB2ともいうと、絶縁管11cの周囲に形成されている内部空間SA後述する誘導流路を構成する空間とに区画されている。この場合、内部空間SB2は、放射器14の先端近傍を内包した状態で筒長方向に沿って延びる状態で形成されて、絶縁管11cの閉塞板11b側の端部側において内部空間SB1と連通することにより、後述するようにして誘導流路SAから内部空間SB1に供給された放電用ガスGを筒長方向に沿って放射器14の先端近傍を経由して筐体11の開放端側に誘導して、筐体11の外方へ放出する空間として機能する。内部空間SAは、筒体11aの内周面よりも小径の外径に形成された絶縁管11cの外周面、および筒体11aの内周面で区画されて、絶縁管11cの周囲に形成された空間言い換えれば、筒体11aに沿って形成された空間であって、絶縁管11cの拡径部11fから絶縁管11cの他方の端部上端部までの範囲に亘って形成されている。また、この内部空間SAは、絶縁管11cにおける一方の端部が筐体11の他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結される上記した構成により、筐体11の他方の端部側が閉塞された状態本例では、拡径部11fの上面によって区画されて閉塞された状態で形成されている。このようにして形成された内部空間SAは、図1に示すように、筐体11の他方の端部側においてガス放出口22c具体的には、ガス放出口22cを介して供給流路22aと連通すると共に、絶縁管11cの他方の端部側において、この他方の端部の全周に亘って内部空間SB1と連通した状態となっている。このため、この内部空間SAは、ガス放出口22cから筐体11に放出供給された放電用ガスGを筐体11の筒体11aの筒長方向に沿って、閉塞板11b側に誘導すると共に、閉塞板11bに向けて放出することによって内部空間SB1内に供給する誘導流路として機能する以下では、誘導流路SAともいう。同軸コネクタ12は、図1に示すように、高周波電源3に接続された同軸ケーブル3aの先端に装着されている。また、同軸コネクタ12は、第1貫通孔21を閉塞するようにして筒体11aの外周面に取り付けられている。この場合、同軸コネクタ12の芯線12aは、第1貫通孔21内に、筒体11aと非接触な状態で位置している。給電導体13は、高導電性の線材を用いて、一例として、図1に示すように、棒状ほぼ真っ直ぐな棒状に形成されて、一端側が同軸コネクタ12の芯線12aに接続されると共に、他端側が放射器14の給電位置Aに接続されている。この場合、給電位置Aは、放射器14における閉塞板11bに固定された基端部から所定距離L2だけ離間した位置に規定されている。ここで、所定距離L2は、高周波信号S1の波長をλとしたときに、λ/10≧L2>0の範囲に規定するのが好ましい。これにより、放射器14と、これに接続される閉塞板11bおよび給電導体13とで逆F形のアンテナが構成されて、後述するように、プラズマ発生点火前後でのVSWRの変化を低減し得る構成となる。なお、所定距離L2がλ/10を超える構成では、後述するようにプラズマ発生前のVSWRが悪化し始めるつまり、プラズマの点火性が低下し始める。このため、L2はλ/10以下とするのが好ましい。放射器14は、図1に示すように、導電性材料を用いて1本の棒状柱状。本例では、一例として円柱状に形成されている。また、放射器14は、その一方の端部基端部であって同図中の上端が閉塞板11bの内面に取り付けられる導通状態を確保した状態で取り付けられることにより、閉塞板11bの内面筒体11aとの当接面に筐体11の筒長方向に沿って延出する状態でつまり、閉塞板11bに対して直角な状態で立設されている。本例では、一例として、放射器14は、軸線が筒体11aの中心軸X上に位置した状態で立設されている。また、放射器14は、基端部が内部空間SB1内に位置すると共に、プラズマPを発生させる先端側が内部空間SB2内に位置した状態となっている。また、放射器14は、同軸コネクタ12および給電導体13を介して高周波電源3から入力された高周波信号S1を放射する。また、放射器14は、その長さL1は1/4n/2×λに規定される。ここで、nは、0以上の整数であり、例えば、n=0としたときには、放射器14の長さL1はλ/4。高周波信号S1の周波数が一例として2.45GHzであるため、122.45mm/4=30.6mmに規定される。高周波電源3は、準マイクロ波帯1GHz~3GHzまたはマイクロ波帯3GHz~30GHzの高周波信号一例として、2.45GHz程度の準マイクロ波S1を所定の電力で生成すると共に、同軸ケーブル3aを介してプラズマ発生部2に出力する高周波信号生成部として機能する。なお、本例では、高周波電源3が、準マイクロ波を高周波信号S1として出力する構成を採用しているが、マイクロ波を高周波信号S1として出力する構成を採用することもできる。また、高周波電源3からプラズマ発生部2に対する高周波信号S1の供給効率を高めるため、高周波電源3とプラズマ発生部2との間に整合器を配設することもできる。ガス供給部4は、配管4aを介してプラズマ発生部2に連結されている。具体的には、配管4aは、一方の端部プラズマ発生部2側の端部が筐体11の筒体11aに形成されたガス供給口22bに連結され、他方の端部ガス供給部4側の端部がガス供給部4に連結されている。この構成により、ガス供給部4は、図1に示すように、プラズマ発生部2の筐体11内に配管4aを介して放電用ガスGを供給する。放電用ガスGとしては、通常は、電離電圧が低くプラズマが発生し易いガス例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどが使用されるが、大気圧下で反応性の高いガス例えば、窒素ガスや酸素ガス、また空気が使用される場合もある。また、プラズマ発生部2から筐体11に供給された放電用ガスGは、ガス供給口22b、供給流路22aおよびガス放出口22cを介して誘導流路SA内に放出供給され、さらに、この誘導流路SAによって筐体11の筒長方向に沿って閉塞板11b側に誘導されて、閉塞板11bに向けて内部空間SB1内に放出される。その後、内部空間SB1内の放電用ガスGは、絶縁管11cの内部内部空間SB2を経由して、筐体11から放出される。これにより、放射器14の先端が位置している絶縁管11c内には、閉塞板11b側から開放端としての筐体11の他方の端部図1中の下端部に向かう放電用ガスGの気流が発生する。次に、プラズマ処理装置1の動作について説明する。なお、テーブル5上には処理対象体6が載置されているものとする。プラズマ処理装置1では、処理対象体6に対するプラズマ処理の実行に際して、まず、ガス供給部4から配管4aを介して筐体11内に放電用ガスGが供給される。これにより、上記したように絶縁管11cの内部内部空間SB2には、閉塞板11b側から開放端としての筐体11の他方の端部に向かう放電用ガスGの気流が発生する。本例では、筐体11に供給された放電用ガスGは、まず、筒体11aの径方向に沿って形成された供給流路22aを経由して誘導流路SA内に供給される。この際に、供給流路22aと連通するガス放出口22cから放出された放電用ガスGは、この供給流路22aと直交する絶縁管11cの外周面に吹き付けられるため、この外周面に沿って分散されて、誘導流路SAを介して絶縁管11cの全周に行き渡る。次いで、放電用ガスGは、誘導流路SAによって閉塞板11bに向かう方向筐体11の開放端から放出される放電用ガスGの気流の向きを順方向としたときに、逆方向に気流の向きが変更されて、筐体11の内部における閉塞板11b側の内部空間SB1内に放出される。この誘導流路SAから内部空間SB1内に放出された新たに放電用ガスGは、内部空間SB1内に既に存在していた放電用ガスGを内部空間SB1内から絶縁管11c内内部空間SB2内に順次押し出す。これにより、絶縁管11c内には、放電用ガスGについての順方向の気流が連続して発生して、放電用ガスGは筐体11の他方の端部開放端から連続的に放出される。すなわち、このプラズマ処理装置1では、放電用ガスGが閉塞板11bに形成された貫通孔から筐体11の内部に順方向の状態で直接供給される従来のプラズマ処理装置とは異なり、放電用ガスGは、まず、ガス放出口22cから内筒体としての絶縁管11cの外周面に吹き付けられて放出されて、図2に示すように気流の向きが直角に変更され、かつこの外周面に沿って分散させられる。次いで、放電用ガスGは、図1に示すように、誘導流路SAで誘導されている間に流速がより均一化され、続いて、誘導流路SAから閉塞板11bに向けて放出されて、内部空間SB1内筐体11の閉塞板11bの近傍の領域に一旦滞留され、その後、内部空間SB1内から絶縁管11c内に供給される。このため、このプラズマ処理装置1では、上記した従来のプラズマ処理装置と比較して、放電用ガスGが1つのガス放出口22cから筐体11内に供給される点で同じ構成であるものの、絶縁管11c内での放電用ガスGの気流は、流速の不均一が大幅に緩和された状態ほぼ均一な状態中心軸Xと直交する平面内での流速の分布が均一な状態で発生する。次いで、この状態において、高周波電源3が高周波信号S1のプラズマ発生部2への出力を開始する。高周波電源3から出力された高周波信号S1は、同軸ケーブル3a、同軸コネクタ12および給電導体13を介して、放射器14にその給電位置Aから供給される。これにより、上記の長さL1に規定されている放射器14が、高周波信号S1によって共振する。共振状態の放射器14は共振モノポールとして作動して、筐体11の開口端側に位置する先端図1中の下端側で電圧が最大となる。このため、放射器14の先端近傍で電界強度が最大となり、プラズマPの発生し易い放電用ガスGが存在する筐体11内では、この先端近傍においてプラズマPが発生する。この場合、高周波電源3が高周波信号S1として準マイクロ波またはマイクロ波をプラズマ発生部2に供給するため、プラズマPは高密度な状態で発生する。また、筐体11内の内部空間SB2は、放電用ガスGが存在しているため、プラズマPは、一旦発生した後は、グロー放電状態となることから、放射器14への高周波信号S1の供給状態において、放射器14の先端に継続して発生する。また、上記したように絶縁管11c内には、閉塞板11b側から筒体11aの開口端側に向かう放電用ガスGの気流が流速のほぼ均一な状態で発生しているため、このようにして放射器14の先端に発生したプラズマPは、図1に示すように、この流速の均一な放電用ガスGの気流に乗ってこの先端近傍から筐体11の開放端を超えて筐体11の外方へ伸びる状態で、かつ安定した状態放射方向のぶれが少ない状態で連続発生して、処理対象体6に放射される。これにより、プラズマ処理装置1による処理対象体6の表面処理が実行される。このように、このプラズマ処理装置1では、筐体11の内部には、筒体11aの外周面に形成されたガス供給口22bから供給された放電用ガスGを、筐体11内における閉塞板11b側の内部空間SB1に筒長方向に沿って誘導する誘導流路SAが形成されている。したがって、このプラズマ処理装置1によれば、閉塞板11bに形成された貫通孔から筐体11の内部に放電用ガスGが順方向の状態で直接供給される従来のプラズマ処理装置と比較して、筒体11aの他方の端部側において供給流路22aのガス放出口22cと連通して、ガス放出口22cから放出された放電用ガスGを筒長方向に沿って逆方向の向きで閉塞板11b側に誘導して、閉塞板11b側の内部空間SB1に向けて放出する誘導流路SAの存在により、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより均一な状態で発生させることができる。これにより、このプラズマ処理装置1によれば、放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、内部空間SB2内の流速の均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11の外方への向きで安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1では、筒体11aの内部に筒体11aの筒長方向に沿って配設された第1内筒体としての絶縁管11cを備え、絶縁管11cは、筐体11の他方の端部側の端部が筒体11aの他方の端部に全周に亘って密着した状態で連結されると共に、内部空間SB2を構成する内部空間を備えて構成され、誘導流路SAは、筒体11aの内周面と絶縁管11cの外周面とで区画されて形成されると共に、筐体11の他方の端部側においてガス放出口22cと連通し、かつ閉塞板11b側において内部空間SB1と連通する。これにより、誘導流路SAが絶縁管11cを取り囲むようにして、絶縁管11cの全周に亘って形成されると共に、絶縁管11cの閉塞板11b側の端部において絶縁管11cの全周に亘って内部空間SB1と連通する構成となるため、放電用ガスGは誘導流路SAを介して絶縁管11cの全周筒体11aの全周でもあるに供給分散されて、誘導流路SAから内部空間SB1内に、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGが放出される。したがって、このプラズマ処理装置1によれば、ガス放出口22cから誘導流路SA内に放出供給された放電用ガスGを絶縁管11cの全周に分散させることにより、誘導流路SA内での放電用ガスGの流速をより均一な状態にすることができると共に、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGを内部空間SB1内に放出させることができるため、内部空間SB1内に既に存在していた放電用ガスGを、筒体11aの周方向に沿った全方向から絶縁管11c内に連続的に供給することができる。これにより、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより一層均一な状態で発生させることができる。したがって、このプラズマ処理装置1によれば、絶縁管11c内に位置している放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、この流速の一層均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11の外方への向きでより安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1によれば、放射器14と筐体11の周壁としての筒体11aとの間での放電の発生を防止する絶縁管11cで、内部空間SB2を形成するための第1内筒体を構成したことにより、絶縁管11cとは別体に内筒体を備える構成と比較して、筐体11をより簡易に構成することができ、その結果としてプラズマ処理装置1全体をより簡易に構成することができる。なお、上記のプラズマ処理装置1では、筒体11aとの間で誘導流路SAを形成する内筒体として絶縁管11cを使用する構成を採用しているが、図3,4に示すプラズマ処理装置1Aのように、絶縁管第1内筒体11cとは別の他の内筒体第2内筒体11gを有するプラズマ発生部2Aを備える構成を採用することもできる。以下、このプラズマ処理装置1Aについて説明する。なお、プラズマ処理装置1とは、プラズマ発生部2Aの構成のみ具体的には、筐体11Aの構成のみが相違するため、主としてこの筐体11Aを含むプラズマ発生部2Aについて説明する。また、プラズマ処理装置1と同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。図3に示すプラズマ処理装置1Aは、プラズマ発生部2A、高周波電源3、ガス供給部4およびテーブル5を備え、テーブル5に載置された処理対象体6にプラズマPを放射してその表面をプラズマ処理可能に構成されている。プラズマ発生部2Aは、一例として、図3に示すように、筐体11A、同軸コネクタ12、給電導体13、および放射器14を備えている。筐体11Aは、筒体11a、閉塞板11b、絶縁管11c、取付板11dおよび内筒体11gを備え、筒体11aにおける一方の端部同図中の上端部がこの一方の端部に密着して配設された閉塞板11bによって閉塞されることにより、全体として、同図中の下端筒体11aにおける他方の端部側が開放端に形成されたトーチ型筐体に構成されている。この構成においては、筒体11aは筐体11Aの周壁として機能している。また、筐体11Aには、グランド電位が付与されている。筒体11aは、図4に示すように、中心軸Xと直交する平面に沿った外周面の断面形状が四角形であるが、この平面に沿った内周面の断面形状が円形であるため、実質的には円筒体として機能する。また、筒体11aは、図3に示すように、その長さが、取付板11dの厚みを含めた長さが閉塞板11bに立設された放射器14の長さL1よりも長くなるように規定されて、放射器14の先端同図中の下端が筐体11Aの開放端本例では、取付板11dの端面から突出しない構成となっている。また、筒体11aの外周面には、図3に示すように、一方の端部寄りの位置に、筐体11A内に高周波信号S1を導入するための第1貫通孔21が形成されている。また、筒体11aの他方の端部寄りの位置筐体11の開放端寄りの位置には、図3,4に示すように、筒体11aの径方向筐体11の径方向に沿って供給流路22aが形成されている。この供給流路22aは、筒体11aの外周面における他方の端部寄りの位置に形成されたガス供給口22bと、筒体11aの内周面における他方の端部寄りの位置に形成されたガス放出口22cとを連通させる。また、筒体11aの内周面におけるガス放出口22cの形成部位と他方の端部との間の領域におけるガス放出口22c寄りの位置には、筒体11aの内周面の全周に亘ってリング状の突起中心軸X方向に向けて突出する突起11hが形成されている。また、本例では、一例として、突起11hにおける筒体11aの他方の端部側の端面図3中の下端面と、この端面から筒体11aの他方の端部にかけての筒体11aの内周面とによって、絶縁管11cの拡径部11fを嵌め込むための嵌合部11eが構成されている。取付板11dは、例えばねじ止めなどの方法により、筒体11aの他方の端部に取り付けられる。また、取付板11dは、筒体11aの他方の端部に取り付けられた状態において、筒体11a内に装着された絶縁管11cにおける拡径部11fを嵌合部11eとの間で挟持することにより、絶縁管11cを筒体11aに固定する。一方、突起11hにおける筒体11aの一方の端部側の端面図3中の上端面には、筐体11Aの筒長方向に沿って閉塞板11b側に向けて延出する円筒状の内筒体11gが形成されている。内筒体11gは、図3,4に示すように、その外径が筒体11aの内径よりも小径に形成されると共に、その内径が絶縁管11cの外径よりも大径に形成されている。このように構成された内筒体11gは、筒体11aと第1内筒体としての絶縁管11cとの間に、絶縁管11cと同軸に配置されている。また、内筒体11gは、筐体11Aの他方の端部側の端部が、筒体11aの他方の端部側の部位に突起11hを介して全周に亘って密着した状態で連結されている。絶縁管11cは、図3,4に示すように、円筒体に形成されると共に、その外径が内筒体11gの内径よりも小径に形成されている。また、絶縁管11cにおける一方の端部図3中の下端部寄りの外周面には、全周に亘って突出する拡径部11fが形成されている。このように形成された絶縁管11cは、図3に示すように、その他方の端部同図中の上端部側を、筒体11aの他方の端部方向から筒体11a内に挿入して、その拡径部11fを筒体11aの嵌合部11eに嵌め込んで装着されて、上記したようにして、筒体11aの他方の端部同図中の下端部に取り付けられた取付板11dによって筒体11aに固定されている。また、本例では、一例として、図3に示すように、絶縁管11cにおける閉塞板11b側の端面の方が、内筒体11gにおける閉塞板11b側の端面よりも、閉塞板11bにより接近する構成となるように、内筒体11gの長さが規定されている。このため、筐体11Aでは、絶縁管11cおよび内筒体11gのうちの少なくとも一方の外周面本例では、絶縁管11cおよび内筒体11gの双方の外周面と筒体11aの内周面とで区画されて、内部空間SA誘導流路SAが形成されている。また、この誘導流路SAにおける筐体11Aの他方の端部側は、突起11hにおける筒体11aの一方の端部側の端面図3中の上端面で区画されている。なお、図示はしないが、内筒体11gにおける閉塞板11b側の端面を絶縁管11cにおける閉塞板11b側の端面に揃える構成両端面の閉塞板11bまでの距離を等しくする構成を採用することもできる。この構成においては、誘導流路SAは、内筒体11gの外周面と筒体11aの内周面とで区画されて形成される。このいずれの誘導流路SAも、筐体11Aの他方の端部側において、ガス放出口22cを介して供給流路22aと直交する状態で連通すると共に、絶縁管11cの他方の端部側において、この他方の端部の全周に亘って筐体11A内の内部空間SB1と連通した状態となる。したがって、このプラズマ処理装置1Aにおいても、上記したプラズマ処理装置1と同様にして、供給流路22aの向き筒体11aの径方向に対して直交する向きで形成され、かつ供給された放電用ガスGを筒長方向に沿って逆方向の向きで閉塞板11b側に誘導して、閉塞板11b側の内部空間SB1に向けて放出する誘導流路SAの存在により、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより均一な状態で発生させることができる。これにより、このプラズマ処理装置1Aによれば、放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、内部空間SB2内の流速の均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11Aの外方への向きで安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1Aでは、筒体11aの内部に筒体11aの筒長方向に沿って配設された絶縁管11cと、筒体11aと絶縁管11cとの間に筒長方向に沿って絶縁管11cと同軸に、かつ筐体11Aの他方の端部側の端部が筒体11aのこの他方の端部側の部位に全周に亘って密着した状態で連結されて配置された内筒体11gとを備え、誘導流路SAは、絶縁管11cおよび内筒体11gのうちの少なくとも一方の外周面と筒体11aの内周面とで区画されて形成されると共に、筐体11Aの他方の端部側においてガス放出口22cガス放出口22cを介して供給流路22aと連通し、かつ閉塞板11b側において内部空間SB1と連通する。これにより、誘導流路SAが絶縁管11cおよび内筒体11gを取り囲むようにして、絶縁管11cおよび内筒体11gの全周に亘って形成されると共に、絶縁管11cの閉塞板11b側の端部において絶縁管11cの全周に亘って内部空間SB1と連通する構成となるため、放電用ガスGは誘導流路SAを介して絶縁管11cの全周筒体11aの全周でもあるに供給分散されて、誘導流路SAから内部空間SB1内に、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGが放出される。したがって、このプラズマ処理装置1Aによれば、ガス放出口22cから誘導流路SA内に放出供給された放電用ガスGを絶縁管11cおよび内筒体11gのうちの少なくとも一方本例では、絶縁管11cおよび内筒体11gの双方の全周に分散させることにより、誘導流路SA内での放電用ガスGの流速をより均一な状態にすることができると共に、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGを内部空間SB1内に放出させることができるため、内部空間SB1内に既に存在していた放電用ガスGを、筒体11aの周方向に沿った全方向から絶縁管11c内に連続的に供給することができる。これにより、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより一層均一な状態で発生させることができる。したがって、このプラズマ処理装置1Aによれば、絶縁管11c内に位置している放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、この流速の一層均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11Aの外方への向きでより安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1Aによれば、内筒体11gの内部に絶縁管11cが配設されているため、筒体11aの内部に内筒体11gを形成する構成であっても、絶縁管11cによって放射器14から内筒体11gつまり、筐体11Aへの不要な放電の発生を確実に防止することができる。なお、上記のプラズマ処理装置1,1Aでは、筐体11の外周面つまり、筒体11aの外周面にガス供給口22bを形成する構成を採用しているが、図5,6に示すプラズマ処理装置1Bのように、筐体11Bを構成する閉塞板11bにガス供給口22bが形成されたプラズマ発生部2Bを備える構成を採用することもできる。以下、このプラズマ処理装置1Bについて説明する。なお、プラズマ処理装置1とは、プラズマ発生部2Bの構成のみ具体的には、筐体11Bにおける供給流路22aおよびガス供給口22bの構成のみが相違するため、主としてこの筐体11Bについて説明する。また、プラズマ処理装置1と同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。プラズマ発生部2Bは、一例として、図5に示すように、筐体11B、同軸コネクタ12、給電導体13、および放射器14を備えている。筐体11Bは、筒体11a、閉塞板11b、絶縁管11cおよび取付板11dを備え、筒体11aにおける一方の端部同図中の上端部がこの一方の端部に密着気密性が確保された状態で密着して配設された閉塞板11bによって閉塞されることにより、全体として、同図中の下端筒体11aにおける他方の端部側が開放端に形成されたトーチ型筐体に構成されている。この筐体11Bでは、筒体11aの内周面における他方の端部寄りの位置筐体11の開放端寄りの位置には、図5に示すように、ガス放出口22cが形成されている。また、閉塞板11bの外面放射器14が立設された閉塞板11bの内面の裏面には、ガス供給口22bが形成されている。また、互いに密着して配設された閉塞板11bおよび筒体11aの各部材中には、ガス供給口22bとガス放出口22cとを連通する供給流路22aが形成されている。具体的には、供給流路22aは、図5に示すように、閉塞板11bを厚み方向に沿って貫通し、さらに筒体11aにおける閉塞板11bと密着する一方の端部の端面から筒体11a中に進入して筒長方向に沿ってほぼ直線状に延出し、ガス放出口22cの近傍で筒体11aの内周面側にほぼ直角に折曲して筒体11aの径方向に沿って内周面側に折曲してガス放出口22cに至る構造で構成されている。この供給流路22aの構成により、この筐体11Bの誘導流路SAも、筐体11Bの他方の端部側において、ガス放出口22cを介して供給流路22aと直交する状態で連通する。また、誘導流路SAは、筐体11と同様にして、絶縁管11cの他方の端部側において、この他方の端部の全周に亘って筐体11B内の内部空間SB1と連通した状態となる。したがって、このプラズマ処理装置1Bにおいても、上記したプラズマ処理装置1と同様にして、供給流路22aの向き筒体11aの径方向に対して直交する向きで形成され、かつ供給された放電用ガスGを筒長方向に沿って逆方向の向きで閉塞板11b側に誘導して、閉塞板11b側の内部空間SB1に向けて放出する誘導流路SAの存在により、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより均一な状態で発生させることができる。これにより、このプラズマ処理装置1Bによれば、放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、内部空間SB2内の流速の均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11Aの外方への向きで安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1Bでも、プラズマ処理装置1と同様にして、第1内筒体としての絶縁管11cを備えているため、誘導流路SAが絶縁管11cを取り囲むようにして、絶縁管11cの全周に亘って形成されると共に、絶縁管11cの閉塞板11b側の端部において絶縁管11cの全周に亘って内部空間SB1と連通する構成となることから、図5,6に示すように、ガス放出口22cから放出された放電用ガスGは誘導流路SAを介して絶縁管11cの全周筒体11aの全周でもあるに供給分散されて、誘導流路SAから内部空間SB1内に、図5に示すように、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGが放出される。したがって、このプラズマ処理装置1Bにおいても、ガス放出口22cから誘導流路SA内に放出供給された放電用ガスGを絶縁管11cの全周に分散させることにより、誘導流路SA内での放電用ガスGの流速をより均一な状態にすることができると共に、筒体11aの周方向に沿った全方向から放電用ガスGを内部空間SB1内に放出させることができるため、内部空間SB1内に既に存在していた放電用ガスGを、筒体11aの周方向に沿った全方向から絶縁管11c内に連続的に供給することができる。これにより、プラズマ処理装置1Bにおいても、プラズマPが発生する絶縁管11c内の内部空間SB2での放電用ガスGの気流を、流速のより一層均一な状態で発生させることができるため、放射器14の先端近傍に発生しているプラズマPを、この流速の一層均一な放電用ガスGの気流に乗せて、放射器14の先端近傍から筐体11の外方への向きでより安定して直線状に伸びる状態で連続発生させることができる。また、このプラズマ処理装置1Bにおいても、放射器14と筐体11の周壁としての筒体11aとの間での放電の発生を防止する絶縁管11cで、内部空間SB2を形成するための第1内筒体を構成したことにより、絶縁管11cとは別体に内筒体を備える構成と比較して、筐体11をより簡易に構成することができ、その結果としてプラズマ処理装置1全体をより簡易に構成することができる。なお、放射器14の形状については、棒状柱状に形成した例を挙げて説明したが、柱状に限定されず、直方体や樋状体ハーフパイプ状体などの板状に構成することもできるし、筒状に構成することもできる。"