"抵抗群及びこの抵抗群の抵抗を選択するためのメカニカル式スイッチ群からなる減衰器を含み、この減衰器からの信号を増幅器へ供給してなる電子ボリュームにおいて、上記メカニカル式スイッチ群の各スイッチに対し並列に電子式スイッチを接続し、この電子式スイッチを上記メカニカル式スイッチよりも先にオンさせ、又はメカニカル式スイッチよりも後にオフさせるように制御することを特徴とする電子ボリューム。上記メカニカル式スイッチとして、MEMSスイッチを使用することを特徴とする請求項1記載の電子ボリューム。しかしながら、図5の電子ボリュームのように、スイッチS31~S38、S51~S58として、メカニカル式スイッチを用いる場合には、ヒステリシス特性を持つことから、スイッチがオンする電圧とオフする電圧にばらつき応答のばらつきが生じ易く、また瞬間的にオープンになる場合があり、これによってポップ音が生じるという問題がある。上記の瞬間的なオープンに対し、スイッチの制御時間をコントロールしてこの状態を作らない方法も考えられるが、この場合には、2つのスイッチが同時にオンする時間オン抵抗が発生し、場合によっては音量変化に違和感が生じる。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、メカニカル式スイッチの切換え時の応答のばらつきや瞬間的なオープン状態によるポップ音の発生をなくすことを可能とした電子ボリュームを提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、抵抗群及びこの抵抗群の抵抗を選択するためのメカニカル式スイッチ群からなる減衰器を含み、この減衰器からの信号を増幅器へ供給してなる電子ボリュームにおいて、上記メカニカル式スイッチ群の各スイッチに対し並列に電子式スイッチを接続し、この電子式スイッチを上記メカニカル式スイッチよりも先にオンさせ、又はメカニカル式スイッチよりも後にオフさせるように制御することを特徴とする。請求項2に係る発明は、上記メカニカル式スイッチとして、MEMSスイッチを使用することを特徴とする。上記の構成によれば、例えば第1の減衰器と第2の減衰器からなる重み付け型の回路において、メカニカル式スイッチとして、例えばMEMSスイッチが配置され、このMEMSスイッチに対して電子式スイッチとしてのMOSスイッチが並列に接続されることになり、このMOSスイッチは例えばMEMSスイッチより早いタイミングでオンされ、MEMSスイッチより遅いタイミングでオフされる。本発明の電子ボリュームによれば、メカニカル式スイッチMEMSスイッチのヒステリシス特性があっでも、電子式スイッチMOSスイッチを先にオンさせた後にメカニカル式スイッチをオンさせるので、瞬間的なオープンの時間がない形で切り替えを行うことができ、しかも電子スイッチは応答速度のばらつきもないので、ポップ音の発生をなくすことができる。また、電子スイッチによって高速のスイッチ動作ができるので、2つのスイッチが同時にオンする時間もなく、音量を変化させても聴感的な違和感は発生しない。更に、重み付け型の回路では、第2の減衰器の抵抗を大きくすることなく、第1の減衰器のスイッチの歪が現れることもないので、変動のない減衰精度で、低歪、低雑音の動作を実現することが可能となる。また、MOSスイッチも最小ルールの小型のスイッチを使用できるので、チップ内の実装面積を少なくでき、寄生容量の影響によるポップ音の影響も少なくなる等の利点もある。更に、メカニカル式スイッチとしてMEMSスイッチとした場合には、低歪、低雑音が実現できるだけでなく、小型化も可能になるという利点がある。図1には、本発明の第1実施例に係る重み付け型電子ボリュームの構成が示されており、この実施例では、図5の場合と同様に、信号入力端子1に対して順に、抵抗群2及びスイッチ群30からなる第1の減衰器、抵抗群4及びスイッチ群50からなる第2の減衰器が直列に接続され、上記スイッチ群50の出力側がバッファアンプ6を介して信号出力端子に接続される。上記抵抗群2として、信号ラインと接地間に例えば抵抗R21~R28が直列接続され、これらの抵抗R21~R28の各接続点分圧点を切替え選択できるように、メカニカル式スイッチであるMEMSMicroElectroMechanicalSystemスイッチS31a~S38aが接続され、このMEMSスイッチS31a~S38aのそれぞれに対して並列に電子式スイッチとしてのMOSMetalOxideSemiconductorスイッチS31b~S38bが接続される。また、上記抵抗群4として、信号ラインと接地間に例えば抵抗R41~R48が直列接続され、これらの抵抗R41~R48の各接続点分圧点を切替え選択できるように、MEMSスイッチS51a~S58aが接続され、このMEMSスイッチS51a~S58aのそれぞれに対して並列に電子式スイッチとしてのMOSスイッチS51b~S58bが接続される。図2B,Cには、例えば抵抗群2の抵抗を選択するための図2Aの1組のスイッチ31a,31bの動作が示されており、MOSスイッチ31bは、MEMSスイッチ31aのオンONよりも早いタイミングでオンさせ、MEMSスイッチ31aのオフOFFよりも遅いタイミングでオフさせるように制御される。実施例は以上の構成からなり、例えば図1の第1の減衰器の抵抗群2において、信号線と抵抗R21の接続点e1を選択した後、抵抗R21と抵抗R22の接続点e2へ切り替える場合は、図3のA~Dに示されるように、まず電子式のMOSスイッチS31bをオンさせ、その後にメカニカル式のMEMSスイッチ31aをオンさせることで、接続点e1が選択され、切替え時には、MEMSスイッチ31aをオフした後にMOSスイッチ31bをオフさせると同時に、MOSスイッチ32bをオンさせ、その後、MEMSスイッチ32aをオンさせることで、接続点e2が選択される。また、この接続点e2の選択を解除する場合も、MEMSスイッチ32aをオフした後にMOSスイッチ32bをオフさせる。このようなスイッチ動作は、第2の減衰器においても同様に行われ、スイッチ群50のMOSスイッチ51b~58bをMEMSスイッチS51a~58aよりも早いタイミングでオンさせ、遅いタイミングでオフさせることにより、抵抗群4の抵抗が選択される。このような構成及び動作によれば、メカニカル式のMEMSスイッチS31a~S38a,S51a~S58aが持つヒステリシス特性の影響、応答速度のばらつきによる影響がなくなり、しかもメカニカル式のスイッチで生じていた瞬間的なオープンの時間もなく、ポップ音の発生を低減することが可能となる。また、電子式のMOSスイッチS31b~S38b,S51b~S58bによって高速のスイッチ動作が行われるので、2つのスイッチが同時にオンする時間もなく、音量を変化させても聴感的な違和感を生じさせることがない。即ち、メカニカル式MEMSスイッチの利点と電子式MOSスイッチの利点を生かすことができる。更に、第1実施例の回路では、第2の減衰器の抵抗群4の抵抗値を大きくする必要もなく、第1の減衰器のMEMSスイッチS31a~S38のオン抵抗によって減衰精度が変動することも防止でき、またMEMSスイッチS31a~S38aの歪が現れることもないので、低歪が実現できるという利点がある。また、小型のMOSスイッチを使用するので、チップ内の実装面積を少なくでき、チャージインジェクションの影響も小さくなる。図4には、第2実施例に係るラダー型電子ボリュームの構成が示されており、この実施例では、信号ラインと接地間に抵抗R81~R88からなる抵抗群8が接続され、この抵抗R87とR88の接続点に、抵抗群9の抵抗R91~R98が直列に接続される。そして、これらの抵抗群8,9の各抵抗の接続点を切替え選択できるように、メカニカル式のMEMSスイッチS31a~S38a,S51a~S58aが接続され、これらのMEMSスイッチS31a~S38a,S51a~S58aのそれぞれに対して並列に電子式のMOSスイッチS31b~S38bスイッチ群30,S51b~S58bスイッチ群50が接続される。このような第2実施例でも、第1実施例と同様に、スイッチ群30のMOSスイッチS31b~S38b及びMOSスイッチ51b~58bを、MEMSスイッチS31a~S38a及びスイッチ群50のMEMSスイッチS51a~58aよりも早いタイミングでオンさせ、遅いタイミングでオフさせることにより、両抵抗群8,9における各抵抗の接続点が選択され、ヒステリシス特性の影響、応答速度のばらつきによる影響、瞬間的なオープンの時間をなくして、ポップ音の発生を低減することが可能となる。上記実施例では、メカニカル式スイッチとしてMEMSスイッチを用いたが、その他のメカニカルスイッチを適用することができ、また電子式スイッチとしてMOSスイッチを用いたが、その他のトランジスタスイッチを適用してもよい。"