測定対象物に対して測定用投光信号を投光する投光素子である測定用レーザーダイオード、これを駆動する駆動素子である測定用デュアルゲートMOSFET、装置内部の光路を通って基準用投光信号を投光する投光素子である基準用レーザーダイオード、およびこれを駆動する駆動素子である基準用デュアルゲートMOSFET、を有する投光回路と、前記投光回路から投光されて測定対象物に反射された後の測定用投光信号および前記基準用投光信号の両方を受光してそれぞれの受光信号を得る単一の受光回路と、前記測定用投光信号を測定対象物に反射後に受光した受光信号における測定対象物との距離に応じた、当該測定用投光信号からの第1遅延時間と、前記基準用投光信号を受光した受光信号における当該基準用投光信号からの第2遅延時間とを、各受光信号を二値化したうえで求め、これらの遅延時間の差に基づいて測定対象物までの距離を演算する距離演算回路とを備えた光波測距装置であって、前記投光回路は、前記測定用および基準用レーザーダイオード同士並びに前記測定用および基準用デュアルゲートMOSFET同士を、それぞれ同種のものとし、それぞれの同士の温度が近い値となるよう互いに近傍に配置させるとともに、測定用および基準用レーザーダイオードのいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて、測定用デュアルゲートMOSFETにより測定用レーザーダイオードを、基準用デュアルゲートMOSFETにより基準用レーザーダイオードを、それぞれ駆動させるものであり、前記距離演算回路は、前記受光回路からの受光信号を二値化する際の二値化しきい値電圧を、反転ロジックゲートを負帰還接続して得られた電圧にて決定するしきい値電圧演算回路と、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間との間で、前記二値化しきい値電圧をシフトさせるしきい値電圧シフト回路とを有する二値化しきい値生成回路を備えている、光波測距装置。請求項1において、前記しきい値電圧シフト回路が、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間とで、前記しきい値電圧演算回路により得られた2つの二値化しきい値電圧を選択的に用いるものである、光波測距装置。請求項1において、前記距離演算回路は、前記測定用と基準用の二値化された受光信号の遅延パルスを積分することによりそれぞれ遅延時間に比例したアナログ電圧を生成する遅延パルス-アナログ電圧変換回路を備え、前記測定用の受光信号の生成されたアナログ電圧から前記基準用の受光信号の生成されたアナログ電圧を減算することで測定対象物までの距離を演算する、光波測距装置。請求項3において、さらに、前記遅延パルス-アナログ電圧変換回路は、前記投光された基準用投光信号について受光した受光信号のパルス数をカウントし、そのカウント数が当該投光された基準用投光信号のパルス数と同一である場合にのみ、基準用の受光信号を有効とする、光波測距装置。前記無信号時に二値化出力が変化する問題は、投光回路が投光した受光信号のみを処理する場合にはあまり問題とならないが、例えば、装置を複数台並べて使用する場合や外乱光が頻発する環境の場合などのように、投光回路の投光直前の受光状態を監視して他の光との相互干渉状態を回避する必要がある場合例えば、特許文献3、または、無信号時のノイズレベルを検知して、受光素子であるアバランシェフォトダイオードにとって最適な増倍率に逆バイアス電圧を調整する必要がある場合例えば、特許文献4、5には問題となり、投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させる必要がある。一方、投光回路および受光回路の回路上で遅延時間が変動する問題については、特許文献1のように、測定用と基準用の投光信号を単一の受光回路で受光させて、受光素子および増幅回路における遅延時間の変動を打ち消し合うことによりある程度解消されるが、他方、投光回路について、受光信号の振幅に起因する遅延時間の変動に対して投光パワーを調整する手段に、電気的な手法、多くは投光電流を変化させる手法を用いると、投光の遅延時間が無視できないほどに変動するため、測定用と基準用の補正がうまく働かない問題が生じる。このため、光学的に投光パワーを調整することになるが、機構的に複雑化し高価なものとなって、実用性を阻害する。また、投光回路では、測定用と基準用の投光素子や投光駆動回路のばらつきなど回路上の影響を受け易いという問題が依然として残る。さらに、投光回路について測定用と基準用で共用化することも考えられるが、1つの投光素子から投光される光を、何らかの手法で測定用と基準用の光路との間を切り換える必要があるため、構造が複雑となる。本発明は、前記の問題点を解決して、投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるとともに、回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら測定精度を向上できる光波測距装置を提供することを目的としている。前記目的を達成するために、本発明の一構成に係る光波測距装置は、測定対象物に対して測定用投光信号を投光する投光素子である測定用レーザーダイオード、これを駆動する駆動素子である測定用デュアルゲートMOSFET、装置内部の光路を通って基準用投光信号を投光する投光素子である基準用レーザーダイオード、およびこれを駆動する駆動素子である基準用デュアルゲートMOSFET、を有する投光回路と、前記投光回路から投光されて測定対象物に反射された後の測定用投光信号および前記基準用投光信号の両方を受光してそれぞれの受光信号を得る単一の受光回路と、前記測定用投光信号を測定対象物に反射後に受光した受光信号における測定対象物との距離に応じた、当該測定用投光信号からの第1遅延時間と、前記基準用投光信号を受光した受光信号における当該基準用投光信号からの第2遅延時間とを、各受光信号を二値化したうえで求め、これらの遅延時間の差に基づいて測定対象物までの距離を演算する距離演算回路とを備えている。前記投光回路は、前記測定用および基準用レーザーダイオード同士並びに前記測定用および基準用デュアルゲートMOSFET同士を、それぞれ同種のものとし、それぞれの同士の温度が近い値となるよう互いに近傍に配置させるとともに、測定用および基準用レーザーダイオードのいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて、測定用デュアルゲートMOSFETにより測定用レーザーダイオードを、基準用デュアルゲートMOSFETにより基準用レーザーダイオードを、それぞれ駆動させるものであり、前記距離演算回路は、前記受光回路からの受光信号を二値化する際の二値化しきい値電圧を、反転ロジックゲートを負帰還接続して得られた電圧にて決定するしきい値電圧演算回路と、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間との間で、前記二値化しきい値電圧をシフトさせるしきい値電圧シフト回路とを有する二値化しきい値生成回路を備えている。この構成によれば、投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるように、受光信号を二値化する際の二値化しきい値を投光回路の投光期間と非投光期間とでシフトさせる。かつ、回路上の遅延時間変動の影響が少なくなるように、投光回路の測定用および基準用レーザーダイオード同士並びにこれを駆動する測定用および基準用デュアルゲートMOSFET同士を、同種で温度が互いに近い値となるよう近傍に配置させ、測定用および基準用レーザーダイオードのいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて測定用および基準用レーザーダイオードの両方を駆動させ、測定用投光信号および基準用投光信号の両方を単一の受光回路で受光させる。これにより、投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるとともに、回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら測定精度を向上できる。好ましくは、前記しきい値電圧シフト回路は、前記投光回路における投光素子の投光期間と非投光期間とで、前記しきい値電圧演算回路により得られた2つの二値化しきい値電圧を選択的に用いるものである。したがって、投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるとともに、回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら測定精度を向上できる。好ましくは、前記距離演算回路は、前記測定用と基準用の二値化された受光信号の遅延パルスを積分することによりそれぞれ遅延時間に比例したアナログ電圧を生成する遅延パルス-アナログ電圧変換回路を備え、前記測定用の受光信号の生成されたアナログ電圧から前記基準用の受光信号の生成されたアナログ電圧を減算することで測定対象物までの距離を演算する。したがって、投光回路および受光回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら、より測定精度を向上することができる。好ましくは、前記遅延パルス-アナログ電圧変換回路は、前記投光された基準用投光信号について受光した受光信号のパルス数をカウントし、そのカウント数が当該投光された基準用投光信号のパルス数と同一である場合にのみ、基準用の受光信号を有効とする。したがって、受光信号が微弱な場合や、外乱光が入り正しい測定結果が得られない場合のように、受光信号が正常でない場合に誤動作を防止できる。本発明は、受光信号の二値化しきい値を投光回路の投光期間と非投光期間とでシフトさせて投光回路の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるとともに、投光回路および受光回路の回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら測定精度を向上できる。以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る光波測距装置を示す構成図である。この光波測距装置は、測定用と基準用の2つの投光信号を投光する投光回路1、投光回路1から投光されて測定対象物Mにより反射された測定用投光信号と基準用投光信号の両方を受光する単一の受光回路2、測定対象物Mに反射後に受光した受光信号の投光信号からの遅延時間に基づいて測定対象物Mまでの距離を演算する距離演算回路3および測定用と基準用の切換信号を出力する測定用/基準用切換回路5を備えている。距離演算回路3は、受光信号を二値化する際の二値化しきい値を生成する二値化しきい値生成回路6を備えている。投光回路1は、2つの投光素子11、11として測定対象物Mに対して測定用投光信号を投光する測定用レーザーダイオードLD1および装置内部の光路を通って基準用投光信号を投光する基準用レーザーダイオードLD2を有し、これら投光素子11を駆動する投光駆動回路12と、所定の発振周波数に基づき投光パルス信号を生成して投光駆動回路12を駆動させる投光パルス生成回路13とを備えている。投光駆動回路12は、これらレーザーダイオードLD1、LD2をそれぞれ駆動する駆動素子として、測定用デュアルゲートMOSFETおよび基準用デュアルゲートMOSFETQ1、Q2を有している図2。この例では、投光パルス信号における測定用と基準用の発振周波数を同一、つまり測定用投光信号と基準用投光信号を同一周波数として、投光駆動回路12および投光パルス生成回路13の構成を簡素化しているが、両者の周波数を異ならせてもよい。測定用/基準用切換回路5は、投光パルス生成回路13とスイッチSW1とに測定用/基準用の切換信号を出力して、投光パルス生成回路13で生成された測定用と基準用の投光パルス信号をスイッチSW1で交互に切り換えて投光駆動回路12に与える。これにより、各投光パルス信号に基づいて投光駆動回路12が駆動されて、測定用レーザーダイオードLD1から測定用投光信号が、基準用レーザーダイオードLD2から基準用投光信号がそれぞれ独立して交互に投光される。この測定用/基準用切換回路5は、後述するように、スイッチSW2に測定用/基準用の切換信号を出力し、スイッチSW1と同期してスイッチSW2を交互に切り換えて、遅延パルス生成回路34で生成された測定用と基準用の受光信号の遅延パルスを、それぞれ測定用と基準用の遅延パルス-アナログ電圧変換回路35に与える。図2は投光回路1の詳細を示す。2つの投光素子11、11のうち測定用レーザーダイオードLD1はこのLD1の投光パワーを監視してモニタ電流を出力するフォトダイオードPDを内蔵し、基準用レーザーダイオードLD2は同様にフォトダイオードPDを内蔵している。各フォトダイオードPDにはそれぞれモニタ電流用の出力端子が設けられている。投光駆動回路12の測定用、基準用デュアルMOSFETQ1、Q2は、それぞれG1、G2のデュアルゲートを有する。この測定用、基準用デュアルMOSFETQ1、Q2は、測定用デュアルMOSFETQ1のゲートG1に、投光パルス生成回路13で生成された測定用の投光パルス信号S1が、基準用デュアルMOSFETQ2のゲートG1に、投光パルス生成回路13で生成された基準用の投光パルス信号S2がそれぞれ入力して、各ゲートG2には共通のモニタ電流に基づく制御用電圧がそれぞれ印加されて駆動される。投光駆動回路12において、抵抗R1とコンデンサC1はモニタ電流のピーク保持回路を構成し、コンパレータU1はモニタ電流のピーク値とボリュームVR1で決定されたモニタ電流のしきい値とを比較する。抵抗R2とコンデンサC2はコンパレータU1のオンオフ出力を長周期でフィルタリングして一定電圧にするローパスフィルタLPFを構成する。図2において、測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2のいずれか一方、この例では基準用レーザーダイオードLD2の投光パワーが上昇してモニタ電流LD2のピン3が増加すると、このモニタ電流は、ボリュームVR1で基準電圧が設定されたコンパレータU1の-入力端子に入力するため、その分コンパレータU1の出力端子からの出力電圧が下がって各デュアルゲートMOSFETのゲートG2に入力される。こうして、測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2の投光パワーが上昇してモニタ電流が増加すると、ゲートG2の制御用電圧が下がるため、測定用、基準用レーザーダイオードLD1、LD2の投光パワーが下がることとなり安定した出力制御が得られる。通常、ボリュームVR1は予め工場出荷時に、レーザーダイオードLD1、LD2が目的の出力で投光するように調整される。このように、基準用レーザーダイオードLD2のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて、測定用、基準用デュアルゲートMOSFETQ1、Q2により測定用、基準用レーザーダイオードLD1、LD2を、それぞれ駆動させているので、回路上の遅延時間のばらつきを抑制することができる。基準用レーザーダイオードLD2のモニタ電流を使用しているのは、一般にレーザーダイオードのモニタ電流は素子ごとのばらつきが大きく、どちらか一方、とりわけ基準側でのみ監視するのが好ましい結果を与えることによる。その理由として、測定側の投光パワー変動はすなわち測定対象物の反射率変化と同じことになり、通常発生する受光量変化に比べると、微々たるものとして扱うことができるため、基準側の投光パワーを安定させる方が好ましいことが挙げられる。なお、素子ごとのばらつきが小さい場合には、各レーザーダイオードLD1、LD2ごとのモニタ電流を使用してもよい。さらに、本装置では、図2の投光回路1の測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2同士、並びに測定用および基準用デュアルゲートMOSFETQ1、Q2同士を、それぞれ同種のものとし、それぞれの同士の温度が互いに近い値となるように互いに近傍に配置させる。ここで、同種とは各レーザーダイオード、各デュアルゲートMOSFETがそれぞれ同一機種の製品であることを意味する。それぞれ同種とすることにより、これら素子に起因する遅延時間のばらつきが極力少なくなるように駆動される。かつ、これらの素子同士が互いに近傍に配置されて温度差が少なくなるので、投光回路1の遅延時間変動を小さくすることができる。受光回路2は、投光回路1から投光されて測定対象物Mにより反射された測定用投光信号と、投光回路1から投光されて装置内部の光路を通る基準用投光信号の両方を受光してそれぞれの受光信号を得る単一の受光素子21、および前記受光された信号を増幅する受光信号増幅回路22を有している。本発明では、基準用投光信号を単一の受光素子21に入力させて、測定用投光信号と基準用投光信号の両方をそれぞれ光の状態で単一の受光素子21に入力させて、この測定用と基準用の受光信号を受光信号増幅回路22で増幅させている。このため、単一の受光回路2を測定用、基準用で兼用できるため、この回路上の遅延時間の変動については打ち消させることができる。前記距離演算回路3は、測定用投光信号を測定対象物Mに反射後に受光した受光信号における測定対象物Mとの距離に応じた、当該測定用投光信号からの第1遅延時間と、基準用投光信号を受光した受光信号における当該基準用投光信号からの第2遅延時間とを、各受光信号を二値化したうえで求め、これらの遅延時間の差に基づいて測定対象物Mまでの距離を演算するもので、二値化しきい値生成回路6、二値化生成回路31、遅延パルス生成回路34、スイッチSW2、遅延パルス-アナログ変換回路35、および減算回路36とを備えている。前記二値化しきい値生成回路6は、受光回路2からの測定用と基準用の受光信号を二値化する際のしきい値電圧を、反転ロジックゲートを負帰還接続して得られた電圧にて決定するしきい値電圧演算回路32と、投光回路1の投光期間と非投光期間とで、前記二値化しきい値電圧をシフトさせるしきい値電圧シフト回路33とを有する。二値化生成回路31は、生成された二値化しきい値に基づいて受光回路2からの測定用と基準用の受光信号を二値化する。遅延パルス生成回路34は、投光信号を受光した測定用と基準用の受光信号における当該投光信号からの遅延時間をそれぞれ遅延パルスとして生成する。前記測定用/基準用切換回路5は、スイッチSW2に測定用/基準用の切換信号を出力し、スイッチSW1と同期してスイッチSW2を交互に切り換えて、遅延パルス生成回路34で生成された測定用と基準用の受光信号の遅延パルスを、それぞれ測定用と基準用の遅延パルス-アナログ電圧変換回路35に与える。遅延パルス-アナログ変換回路35は、測定用の遅延パルス-アナログ変換回路35aと、基準用の遅延パルス-アナログ変換回路35bとを有しており、スイッチSW2の切り換えによって、遅延パルス生成回路34からの測定用と受光用の二値化された受光信号の遅延パルスを積分することにより、それぞれの遅延パルス-アナログ変換回路35a、35bで遅延時間に比例したアナログ電圧を生成する。図3のように、遅延パルス-アナログ変換回路35は、ローパスフィルタLPF51、パルス数カウンタ52、カウント数有効判定53、切換スイッチ54、ホールド回路55を備えている。図3において、遅延パルス生成回路34で生成された遅延パルスは、基準用の遅延パルスについて、ローパスフィルタLPF51により積分する一方、パルス数カウンタ52により、投光された基準用投光信号について受光した受光信号の遅延パルス数をカウントし、カウント数有効判定53により、そのカウント数が当該投光された基準用投光信号の投光パルス数と一致していれば、基準用の受光信号基準電圧を有効として、後述するアナログスイッチ図5のU13のゲートが開いてホールド回路55に移される。一致していなければ、その受光信号は無視されるので、受光信号が微弱な場合や外乱光が入り正しい測定結果が得られない場合などでの誤動作を防止できる。図4は、投光回路1から出力される各パルス信号の一例である。図4aは測定用/基準用切換信号、図4b、cは測定用の投光パルス信号S1、基準用の投光パルス信号S2、図4dは投光パルス信号が送信中と休止中の送信状態を表す送信中信号S3、図4e、fは、それぞれ図4bの測定用の投光パルス信号S1が投光中にオンとなるゲート信号S5、図4cの基準用の投光パルス信号S2が投光中にオンとなるゲート信号S7、図4g、hは受光信号が有効であると判定されたとき出力する有効信号S6、S8をそれぞれ示す。図4b、cにおいて、1つの投光パルスの塊を4回としているが、これに限定されるものではなく、任意の回数を設定することができる。図1の減算回路37は、有効とされた測定用の受光信号の遅延時間遅延パルスを変換したアナログ電圧から、基準用の受光信号の遅延時間遅延パルスを変換したアナログ電圧を減算することにより、測定対象物Mまでの距離を演算する。このように、測定用と基準用の受光信号の遅延時間を相殺することにより、この投光回路1に固有の回路上の遅延時間の変動による影響を少なくして、測定精度を向上することができる。図5は、受光回路2および距離演算回路3の詳細を示す図である。図6は、距離演算回路3の二値化に関する入出力波形の一例を示す。図6a~dは受光信号の振幅が大きい場合、図6e~hは振幅が小さい場合である。図5の受光回路2の受光素子21は受光用フォトダイオードPD1であり、このフォトダイオードPD1は逆バイアス電圧VBIASが印加されて、抵抗R11を介して直流的にグラウンドGNDへ接続されている。コンデンサC11により、蛍光灯や外乱光などの直流光成分をカットして投光信号を受光した受光信号のみを通す。抵抗R12、R13、R14およびコンパレータU11は受光信号を増幅するための受光信号増幅回路22である。二値化しきい値生成回路6は、受光信号増幅回路22で増幅された受光信号の直流成分をカットするためのコンデンサC12、および受光信号のアナログ電圧を二値信号に変換二値化するためのインバータU12aを有する。二値化しきい値生成回路6のしきい値電圧演算回路32は、インバータU12aと同種のもので同一素子に収められているインバータU12bと、インバータU12bの出力が抵抗R17で負帰還することでコンデンサC13にインバータU12a固有のしきい値電圧を与える構成を有する。しきい値電圧シフト回路33は、そのしきい値電圧をインバータU12aに印加するための抵抗R16と、インバータU12aに印加されるしきい値電圧を変化させるための抵抗R16と並列に接続された抵抗R15と、MOSFETQ11とを有する。投光回路1の投光期間中に投光中信号がオンとなり図6b、g、この投光中送信中信号S3図4が印加されてMOSFETQ11がオフされるとき、インバータU12aに与えられる二値化しきい値電圧は、MOSFETQ11がオフの間は抵抗R16を介してインバータU12bで生成されるインバータU12a固有のしきい値電圧と同等の電圧を印加され、受光信号の立ち上がりタイミングを二値化出力に正確に反映させる。投光回路1の非投光期間中に投光中信号がオフとなり図6b、g、前記投光中送信中信号S3の印加がないときMOSFETQ11がオンされて、インバータU12aに印加される電圧は抵抗R15とR16で分圧されることにより、投光期間中の電圧から図示αのように低下する図6c、h。これにより、受光信号が二値化しきい値よりも低い方にシフトされるので、二値化出力が無信号時のノイズの影響を受けにくくなって、該ノイズにより変化しにくくなる。このように、二値化しきい値が予め回路上で規定された所定値から相対的にシフトされる。なお、これに代えて、例えばコンパレータを用いて所定の基準電圧との比較により直接的に二値化しきい値をシフトさせるようにしてもよい。また、しきい値電圧シフト回路33は、投光回路1の投光期間と非投光期間とで、しきい値電圧演算回路32により得られた2つの二値化しきい値電圧を選択的に用いるものでもよい。これにより、投光回路1の投光期間と、非投光期間で二値化しきい値生成回路6のしきい値を直接あるいは相対的に切り換えることにより、受信振幅変動による遅延パルス幅変化を少なくしながら、無信号時の受光信号出力を安定させて、測定精度を向上することができる。図1の遅延パルス生成回路34は、図5のように、投光信号の投光開始から受光信号が立ち上がるまでの遅延パルスを生成するためのフリップフロップU13を有しており、信号S4には投光パルス生成回路13から投光パルス信号が印加される。この遅延パルスはフリップフロップU13の5ピンから出力される。投光信号の立ち上がりでフリップフロップU13のQがオンし、受光信号の立ち上がりでQがオフして、オンオフパルスが出力する。測定対象物Mまでの距離が長いとパルスのオン幅が長くなり、距離が短いとオン幅が短くなる。こうして、測定対象物Mの距離による遅延時間に応じた遅延パルスが生成される。遅延パルス-アナログ変換回路35では、遅延パルスがインバータU14a、U14bに印加される。インバータU14aにはゲート信号S5図4から測定用投光期間中図6b、図6gにオンとなる信号が印加され、インバータU14bにはゲート信号S7図4から基準用投光期間中図6b、図6gにオンとなる信号が印加される。抵抗R18、コンデンサC14および抵抗R19、コンデンサC16はそれぞれ測定用、基準用の遅延パルス信号幅図6e、図6jをアナログ電圧に変換するローパスフィルタLPFである。アナログスイッチU15、U16はそれぞれ有効信号S6、S8図4によってゲートが制御され、受光したパルス数が有効な場合にのみ一定時間ゲートを開き、ホールドコンデンサC15、C17に有効な受光信号の遅延パルスのアナログ電圧を渡すことができる。各アナログ電圧に変換された信号S9、S10において、図1の減算回路35により、S9のアナログ電圧からS10のアナログ電圧と減算されて、測定対象物Mまでの距離が演算される。このように、本発明では、投光回路1の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるように、受光信号を二値化する際の二値化しきい値を投光回路1の投光期間と非投光期間とでシフトさせる。かつ、回路上の遅延時間変動の影響が少なくなるように、投光回路1の測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2同士並びにこれを駆動する測定用および基準用デュアルゲートMOSFETQ1、Q2同士を、同種で温度が互いに近い値となるよう近傍に配置させ、測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2のいずれか一方のモニタ電流により決定された同一の駆動電流を用いて測定用および基準用レーザーダイオードLD1、LD2の両方を駆動させ、測定用投光信号および基準用投光信号の両方を単一の受光回路2で受光させる。これにより、投光回路1の非投光期間における無信号時の受光信号出力を安定させるとともに、回路上の遅延時間変動の影響を少なくしながら測定精度を向上できる。以上のとおり図面を参照しながら好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本件明細書を見て、自明な範囲内で種々の変更および修正を容易に想定するであろう。したがって、そのような変更および修正は、添付の請求の範囲から定まる本発明の範囲内のものと解釈される。