ガラス基板前駆体を用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記製造方法は、深さ方向に2相以上に分離した複数の液相を備えた洗浄浴を用いて実行される洗浄工程を含み、前記洗浄工程は、前記洗浄浴の液相中最上相を除くいずれかの液相に前記ガラス基板前駆体を浸漬させた後、前記最上相を通過させて前記ガラス基板前駆体を引き上げる工程である、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記洗浄浴は、上相および下相として分離した2相の液相を含み、前記上相は、比誘電率が低い溶媒で構成され、前記下相は、比誘電率が高い溶媒で構成される、請求項1に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。前記下相は、水を主成分として含む、請求項2に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。しかしながら、特許文献1のガラス基板を用いて作製した磁気ディスクをハードディスクに搭載して使用すると、ヘッド浮上量が不均一になり、ヘッドと衝突したり、読み書きエラーが生じたりすることがあった。読み書きエラーの原因を究明したところ、その原因はガラス基板の外周部の厚みが均一でないことによるものであることがわかった。本発明は、このような状況下においてなされたものであり、その目的とするところは、外周部の厚みが均一な磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することにある。本発明者らは、特許文献1の方法で作製したガラス基板の外周部の厚みが不均一な理由を精査したところ、ガラス基板をエッチング液に浸漬させる工程の前後で、ガラス基板の外周部が不均一になっていることが判明した。かかる事実に基づいてさらに詳しく調べると、ガラス基板の表面を洗浄し終えて、洗浄溶液からガラス基板を引き上げるときにエッチング液の液ダレが生じ、この液ダレが原因でガラス基板の外周側が過剰にエッチングされるとの知見を得た。本発明者らは、かかる知見に基づき、ガラス基板の洗浄方法を鋭意検討を重ねることにより本発明を完成した。すなわち、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板前駆体を用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造するものであって、該製造方法は、深さ方向に2相以上に分離した複数の液相を備えた洗浄浴を用いて実行される洗浄工程を含み、該洗浄工程は、洗浄浴の液相中最上相を除くいずれかの液相にガラス基板前駆体を浸漬させた後、最上相を通過させてガラス基板前駆体を引き上げる工程であることを特徴とする。上記の洗浄浴は、上相および下相として分離した2相の液相を含み、該上相は、比誘電率が低い溶媒で構成され、該下相は、比誘電率が高い溶媒で構成されることが好ましい。下相は、水を主成分として含むことが好ましい。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、上記のような構成を有することにより、外周部の厚みが均一な磁気ディスク用ガラス基板を製造し得るという極めて優れた効果を示す。以下、本発明の磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法について図面およびフローチャートを用いて説明する。なお、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。<磁気ディスク用ガラス基板>図1は、本発明の製造方法によって製造される磁気ディスク用ガラス基板の一例を示す斜視図である。本発明の製造方法によって製造される磁気ディスク用ガラス基板は、ハードディスクドライブ装置等の情報記録装置において情報記録媒体の基板として用いられるものである。このような磁気ディスク用ガラス基板は、図1に示されるように円盤形状であり、その中心に孔1Hが形成されている。磁気ディスク用ガラス基板1の表面とは、表主表面1A、裏主表面1B、内周端面1C、および外周端面1Dを意味する。本発明の磁気ディスク用ガラス基板1の大きさや形状は特に限定されず、たとえば0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、または3.5インチである。磁気ディスク用ガラス基板1の厚さは、破損防止の観点からたとえば0.30~2.2mmであることが好ましい。なお、磁気ディスク用ガラス基板1の厚さは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される。本発明の磁気ディスク用ガラス基板1の代表的な一例を示すと、磁気ディスク用ガラス基板の外径が約64mmであり、内径が約20mmであり、厚さが約0.8mmである。なお、一般的に2.5インチ型のハードディスクには、外径が65mmの磁気ディスク用ガラス基板を用いる。本発明の磁気ディスク用ガラス基板を構成する材料は、アルミノシリケートガラスが好適に用いられる。かかるアルミノシリケートガラスの組成は、58質量~75質量のSiO2、5質量~23質量のAl2O3、1質量~10質量のLi2O、4質量~13質量のNa2Oを主成分として含有するものである。なお、このようなアルミノシリケートガラスのみに限定されるものではなく、種々のガラスの組成を用いることができる。<磁気ディスク用ガラス基板の製造方法>図2は、本発明のガラス基板前駆体を洗浄しているときの状態を示す模式的な断面図である。本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板前駆体を用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造するものであって、典型的には図2に示されるように、深さ方向に2相以上に分離した複数の液相を備えた洗浄浴2を用いて実行される洗浄工程を含むものである。すなわち、本発明の洗浄工程は、洗浄浴2の液相中最上相を除くいずれかの液相図2中においては下相4にガラス基板前駆体1を浸漬させた後、最上相を通過させてガラス基板前駆体1を引き上げる工程であることを特徴とする。上記の最上相は、ガラス基板前駆体をエッチングしない溶液、またはエッチングしにくい溶液を用いる。このため、下相の溶液を最上相が置換し、ガラス基板前駆体に最上相を構成する溶液の液ダレが起こったとしても、ガラス基板前駆体の外周部が部分的にエッチングされることがない。このようにして作製された磁気ディスク用ガラス基板は、外周部の厚みが均一であるため、ヘッドクラッシュが生じにくいという優れた性質を示す。本発明の磁気ディスク用ガラス基板を製造する方法は、上述の洗浄工程を行なう限り、他の工程を含むことができる。ここで、他の工程としては、たとえば溶融ガラスを円盤状に加工するダイレクトプレス工程、ガラス基板前駆体の中心に穴をあけるコアリング工程、ガラス基板前駆体の内周端面および外周端面を面取りする内外加工工程、ガラス基板前駆体の主表面を研削するラッピング工程等を挙げることができる。以下においては、ダイレクトプレス法によってガラス基板前駆体を作製する場合を説明するが、本発明の製造方法は、ダイレクトプレス法によってガラス基板前駆体を作製する方法のみに限定されるものではなく、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出してガラス基板前駆体を作製しても差し支えない。本発明の磁気ディスク用ガラス基板を図3のフローチャートにしたがって作製するときの各工程を説明する。なお、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、上述の洗浄工程を含む限り、さらに適宜研磨工程を含んでもよいし、その他の工程の順序を適宜変更しても差し支えない。ガラス基板作製工程:ステップS10まず、ガラス素材を溶融させて溶融ガラスを準備する。この溶融ガラスを下型に流し込み、上型および胴型によってプレス成形することにより円盤状のガラス基板前駆体を得る。このようにして溶融ガラスからガラス基板前駆体を得る工程のことをダイレクトプレス工程と呼ぶ。なお、上述したように、本発明の製造方法は、ダイレクトプレス工程によってガラス基板前駆体を作製するもののみに限られるものではなく、ダウンドロー法やフロート法を用いてシートガラスを作製し、このシートガラスから円盤状のガラス基板前駆体を切り出してもよい。コアリング加工工程:ステップS20次に、コアリング加工工程で、ガラス基板前駆体の中心部に穴を開ける。穴開けは、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で研削することで中心部に穴を開ける。穴の大きさは、ガラス基板前駆体の外径によって適宜変更することができ、たとえば外形が65mmのガラス基板前駆体の中心部には20mmの内径の孔中心部の孔1Hの直径を開ける。粗ラッピング工程:ステップS30上記のガラス基板前駆体の表裏の両面に対し、ラッピング加工を施す。ここで、粗ラッピング加工では、たとえば両面ラッピング装置によって行なう。これによりガラス基板前駆体の全体形状、平行度、平坦度および厚みを予備的に調整することができる。内外加工工程:ステップS40次に、内外加工工程において、上記のガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の面取り加工を行なう。これによりガラス基板前駆体の端面の平坦度を高めることができる。端面研磨工程:ステップS50続いて、端面研磨工程では、研磨砥粒として酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いたブラシ研磨法により、ガラス基板前駆体の外周端面および内周端面を研磨する。ブラシ研磨法ではガラス基板前駆体を回転させながら外周端面および内周端面を研磨する。上記の内周側端面に対し、さらに磁気研磨法による研磨を行なうことにより、ガラス基板前駆体の内周端面を鏡面状態に加工する。そして、最後にガラス基板前駆体の表面を水で洗浄する。精ラッピング工程:ステップS60次いで、精ラッピング工程では、固定砥粒研磨パッドを用いてガラス基板前駆体の表裏を研削する。かかる精ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削機と呼ばれる公知の研削機を使用して研削することができる。この両面研削機は、上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とが互いに平行に備えられており、上定盤および下定盤が対向するそれぞれの面にガラス基板前駆体の表裏を研削するための複数のダイヤモンドペレットが貼り付けてある。上定盤と下定盤との間には、下定盤の外周に円環状に設けられたインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けられたサンギアとに結合して回転するキャリアが複数ある。このキャリアには、複数の穴が設けられており、この穴にガラス基板前駆体をはめ込んで配置する。なお、上定盤、下定盤、インターナルギア、およびサンギアは別駆動で動作することができ、上定盤および下定盤が互いに逆方向に回転する。そして、ダイヤモンドペレットを介して定盤に挟まれているキャリアが、複数のガラス基板前駆体を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このように動作する研削機において、上定盤とガラス基板前駆体の間および下定盤とガラス基板前駆体との間に研削液を供給することによりガラス基板前駆体の表裏の研削を行なうことができる。この両面研磨機を使用する際、ガラス基板前駆体に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研削状態に応じて適宜調整する。精ラッピング工程においては、第1ラッピング工程および第2ラッピング工程の2回に分けてラッピングを行なうことが好ましい。第1ラッピング工程および第2ラッピング工程における加重は、60g/cm2から120g/cm2とするのが好ましい。また、定盤の回転数は、10rpmから30rpm程度とし、上定盤の回転数を下定盤の回転数より30から40程度遅くするのが好ましい。第2ラッピング工程を終えた時点で、ガラス基板前駆体の大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥は除去される。上記の定盤による加重を大きくするか、または定盤の回転数を速くすると、ガラス基板前駆体の研削量は多くなるが、加重を大きくしすぎるとガラス基板前駆体の面粗さが悪くなるため好ましくない。また、定盤の回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さすぎたり、定盤の回転数が遅すぎたりしても、研削量が少なくなるため製造効率が低くなる。上記の精ラッピング工程を終えた後のガラス基板前駆体の主表面の面粗さは、Raが0.05~0.4μmであることが好ましく、主表面の平坦度は、7~10μmであることが好ましい。このような面状態とすることにより、後の第1ポリッシング工程での研磨の効率を高めることができる。主表面研磨工程:ステップS70主表面研磨工程は、粗研磨工程と精密研磨工程とを含むものである。粗研磨工程は、精ラッピング工程でガラス基板前駆体の表裏に残留した傷や歪みを除去するために行なうものであり、精密研磨工程は、ガラス基板前駆体の表裏を鏡面加工するために行なうものである。以下においては、粗研磨工程、精密研磨工程の順に説明する。まず、粗研磨工程では、ポリッシャがスウェードパッドである研磨パッドを上記の両面研磨機にセットし、ガラス基板前駆体の表裏を研磨する。そして、上記ガラス基板前駆体の主表面に付着している研磨剤等の付着物を洗浄によって除去する。このようにしてガラス基板前駆体の表裏に付着した付着物のうちの平均粒子径が大きなものを除去する。続いて、精密研磨工程では、ガラス基板前駆体に対し、軟質ポリッシャスウェードである研磨パッドを用いて、ガラス基板前駆体の表裏を研磨する。精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた酸化セリウムよりも微細なシリカ砥粒を用いることが好ましい。洗浄工程:ステップS80次に、洗浄工程では、ガラス基板前駆体をエッチング液に浸漬させることによって、その表面に付着している研磨剤等の付着物を洗浄によって除去する。本発明では、洗浄浴2の深さ方向に2相以上に分離した複数の液相を備えたものを用いてガラス基板前駆体を洗浄することを特徴とする。従来は、エッチング液を1相だけ含んだ洗浄浴を用いていたため、エッチング液に浸漬させたガラス基板前駆体を取り出したときに、エッチング液がタレて、ガラス基板前駆体の外周部を過剰にエッチングしてしまうという問題があった。かかる問題を解決するために、本発明では深さ方向に2相以上に分離した複数の液相を用い、下相にエッチング性分を含み、かつ最上相がガラス基板前駆体をエッチングしにくい成分のものを用いている。これによりガラス基板前駆体を洗浄浴2から取り出したときに、ガラス基板前駆体の表面に付着したエッチング液が最上相の通過中に取り除かれるため、ガラス基板の外周部が部分的に過剰にエッチングされずに均一な厚みとなる。本発明の洗浄方法で用いる洗浄浴は、少なくとも2相以上の液相に分離したものであり、3相以上の液相に分離したものも含まれるが、図2に示されるように、上相5および下相4として分離した2相の液相を含むことが好ましい。このように洗浄浴が2相の液相を有するものを用いるとき、下相4によってガラス基板前駆体の表面をエッチングして洗浄し、その後、上相5を通過させてガラス基板前駆体1を引き上げることになる。このようにしてガラス基板前駆体1を取り出すことにより、下相4のエッチング成分がガラス基板前駆体の外周部に付着せずに上相5の成分のみがガラス基板前駆体1に付着した状態で取り出されるため、ガラス基板前駆体の外周部がエッチングされずに均一な厚みとなる。上記の上相を構成する溶液は、比誘電率が低い溶媒で構成されることが好ましい。比誘電率が低い溶媒は、極性が低いため、極性が高いエッチング成分を含みにくく、ガラス基板前駆体を溶解させない傾向があると考えられるからである。かかる上相を構成する溶媒は、有機溶媒を好適に用いることができ、中でもトルエン、ヘキサン、ベンゼン、ジエチルエーテル、キシレン、シクロヘキサン、またはこれらの混合溶液等を用いることができる。一方、上記の下相を構成する溶液は、比誘電率が高い溶媒で構成されることが好ましい。比誘電率が高い溶媒は、極性が高いため、極性が高いエッチング成分を含みやすく、ガラス基板前駆体を溶解させる傾向があると考えられるからである。かかる下相を構成する溶媒としては、水、メタノール、エタノール等のアルコール等の極性溶媒が好ましく用いられる。下相を構成する溶液としては、上記の溶媒に、フッ化水素、フッ化アンモニウム等の溶質を溶解させた溶液が好ましく用いられる。特に、フッ酸フッ化水素水溶液、ヘキサフルオロケイ酸、またはこれらの混合溶液等を好ましく用いることができる。たとえばフッ酸を用いる場合は、0.01~1質量のフッ化水素を水に溶解した水溶液を用いることがより好ましい。中でも、下相は、ガラス基板前駆体をエッチングする速度を調整しやすいという観点から、水を主成分として含むことが好ましい。ここで、水を主成分として含むとは、下相中の水が、下相の合計質量に対し、質量比で50質量を超えて含むことをいう。ここで、洗浄工程では、ガラス基板前駆体を洗浄浴の下相に浸漬させることにより、ガラス基板の表面から30~100nmの厚みを除去することが好ましい。より好ましくは35~80nmの厚みを除去することである。除去量の厚みが30nm未満であると、ガラス基板前駆体の除去量が足りずに、付着物がガラス基板前駆体の主表面に残るおそれがあり、100nmを超えると、ガラス基板前駆体の主表面をエッチングし過ぎる可能性がある。また、下相を構成する溶液の温度は、エッチング液の材料によっても異なるが、20~40°Cに調整した状態でガラス基板前駆体を浸漬させることが好ましい。また、ガラス基板前駆体をエッチング液に浸漬させるときは80kHz程度の超音波を照射することが好ましい。その後、中性洗剤で120kHzの超音波を照射してさらに超音波洗浄を行なってもよいし、純水でリンスを行なって主表面を処理してもよい。最終洗浄工程:ステップS90上記の洗浄を終えたガラス基板前駆体に対し、中性洗剤および純水にて洗浄し乾燥させることが好ましい。このような洗浄を行なうことにより、ガラス基板前駆体に付着した異物や残留溶媒を洗い流すことができる他、磁気ディスク用ガラス基板の主表面を安定にし、長期の保存安定性に優れたものとすることができる。以上のようにして磁気ディスク用ガラス基板を作製することができる。なお、このようにして作製した磁気ディスク用ガラス基板に対し、さらに磁気薄膜形成工程を行なうことにより、磁気ディスクを得ることができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>本実施例では、以下の各工程の順に行なうことにより磁気ディスク用ガラス基板を製造した。ガラス基板作製工程:S10まず、ガラス素材を溶融させることにより溶融ガラスを準備した。この溶融ガラスを下型に流し入れて、上型および胴型を用いてダイレクトプレスすることにより、直径66mmφ、厚さ1.2mmの円盤状のガラス基板前駆体を得た。上記のガラス素材としては、アルミノシリケートガラスを用いた。コアリング加工工程:S20次に、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリルでガラス基板前駆体の中心部を研削することにより穴を開けた。このようにして外径が65mmのガラス基板前駆体の中心部に20mmの内径の孔中心部の孔1Hの直径を開けた。粗ラッピング工程:S30次に、ガラス基板前駆体を両面ラッピング装置にセットして、400粒径約40~60μmの粒度のアルミナ砥粒を用いて、アルミナ上定盤の荷重を100kg程度に設定して、ガラス基板前駆体の表裏面を研磨した。このようにしてキャリア内に収納したガラス基板前駆体は、その両面の面精度が0μm~1μmであり、表面粗さRmaxが6μm程度であった。内外加工工程:S40次に、上記のガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の面取り加工を行なった。これによりガラス基板前駆体の端面の面粗さは、Rmaxで2μm程度となった。端面研磨工程:S50続いて、研磨砥粒として酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いて、ブラシ研磨方法により、ガラス基板前駆体を回転させながらガラス基板前駆体の外周端面および内周端面を研磨した。ここでは、ガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の表面粗さがRmaxで0.4μm、Raで0.1μm程度になるまで研磨を行なった。上記の内周側端面に対し、さらに磁気研磨法による研磨を行なうことにより、パーティクル等の発塵を防止する鏡面状態に加工した。そして、このようにして内周端面を研磨した後に、ガラス基板前駆体の主表面を水で洗浄した。精ラッピング工程:S60次いで、精ラッピング工程では、上記のガラス基板前駆体の表裏の両面を遊星歯車機構を利用した両面研削機にセットした。そして、ダイヤモンドシートを用いて、ガラス基板前駆体に加わる定盤の加重を60g/cm2から120g/cm2として、定盤の回転数を10rpmから30rpmとし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より30から40程度遅くして、ガラス基板前駆体の表裏を研磨した。このようにしてガラス基板前駆体の主表面の表面粗さRaが0.1μm以下で、平坦度を7μm以下となるまでラッピングを行なった。主表面研磨工程:S70主表面研磨工程においては、以下のように粗研磨工程と精密研磨工程を行なった。まず、上述した両面研磨装置を用いて精ラッピング工程で残留した傷や歪みを除去するための粗研磨工程を行なった。この粗研磨工程においては、ポリッシャがスウェードパッドである研磨パッドを用いて、以下の条件でガラス基板前駆体の表裏を研磨した。研磨液:酸化セリウム平均粒径1.3μm水荷重:80~100g/cm2研磨時間:30分~50分除去法:35μm~45μm続いて、精密研磨工程では、軟質ポリッシャスウェードである研磨パッドを用いて、ガラス基板前駆体の主表面から1μmの厚みを除去した。なお、精密研磨工程で用いる研磨剤としては、粗研磨工程で用いた酸化セリウムよりも微細なシリカ砥粒を用いた。洗浄工程:S80次に、洗浄工程では、洗浄浴2の深さ方向に上相および下相の2相に分離したものを用いて、下相にガラス基板前駆体を浸漬させることによって、その表面に付着している研磨剤等の付着物を洗浄によって除去した。ここで、上相には、トルエンを用い、下相には0.2質量のHF水溶液を用いた。そして、ガラス基板前駆体を下相に浸漬させているときには、下相の温度を30°Cに調整し、さらに80kHzの超音波を照射して、100nm/minのエッチングレートでガラス基板前駆体の表面から100nmの厚みを除去した。その後、中性洗剤で120kHzの超音波を照射して超音波洗浄を行ない、最後に純水でリンスを行なってIPA乾燥した。最終洗浄工程:S90上記研磨処理を終えたガラス基板前駆体に対し、中性洗剤および純水にて洗浄し乾燥させた。以上のようにして本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を作製した。<実施例2~5>上記の実施例1に対し、洗浄工程における下相および上相の溶媒が表1の下相および上相に示したように異なる他は、実施例1と同様の方法によって、実施例2~5の磁気ディスク用ガラス基板を作製した。<比較例1>比較例1では、実施例1の上相を準備しなかったことが異なる他は、実施例1と同様の方法によって磁気ディスク用ガラス基板を作製した。すなわち、比較例1では、従来と同様に0.2質量のHF水溶液の液相にガラス基板前駆体を浸漬してガラス基板前駆体の表面を洗浄した。<評価>上記の各実施例および各比較例で作製した磁気ディスク用ガラス基板に磁性膜を成膜してメディアを作製した後に、GAテスターに搭載し、ヘッド浮上安定性グライドアバラン値GA値を測定した。その結果を表1のGA値の欄に示す。GA値の測定は、ドライブに見立ててメディアを7200rpmの回転数で回転させ、その上をヘッドが徐々に低下していき、r32の地点のヘッドの浮上が不安定になった高さをGA値とした。ここで、r32とは基板の中心から32mmの地点のことである。r32のGA値を測定することにより、ガラス基板前駆体の外端部付近での平坦度の影響がわかる。なお、GA値が低いほど、ヘッド浮上安定性が優れていることを示し、磁気ディスク用ガラス基板の平坦性および平滑性が高いことを示している。表1から明らかなように、実施例1~5の磁気ディスク用ガラス基板は、グライドアバランチ値が低いのに対し、比較例1の磁気ディスク用ガラス基板は、グライドアバランチ値が高かった。上記表1のGA値の結果の理由として、実施例1~5では、深さ方向に上相および下相の2相の液相を備えた洗浄浴を用いて洗浄しているため、ガラス基板前駆体を洗浄浴から取り出したときに下相の溶液の付着量が少なく、上相の溶液が液ダレする。かかる上相の溶液は、ガラス基板前駆体をエッチングしないため、外周部の厚みが均一な磁気ディスク用ガラス基板を作製することができる。一方、比較例1では、ガラス基板前駆体をエッチングして洗浄する下相のみを用いるため、ガラス基板前駆体を洗浄浴から取り出したときに下相の溶液が液ダレする。かかる下相の溶液は、ガラス基板前駆体をエッチングするため、ガラス基板前駆体の外周部が部分的に過剰にエッチングされ、外周部の厚みが均一でない磁気ディスク用ガラス基板が作製されたものと考えられる。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。