電子工学、光学または光電子工学の分野の用途に使用するために、2つの基板1、2のいわゆる前面11、21を直接疎水性接合する方法であって、半導体を含む基板と称する、前記2つの基板1、2の少なくとも一方が、その前面11、21を規定するように当該前面に沿って延在する半導体材料の層1、13、2、20、23、26を含む、又は、当該前面11、21を規定する絶縁材料の層によって覆われるように当該前面に沿って延在する半導体材料の層1、13、2、20、23、26を含む前記方法において、半導体を含む前記基板の少なくとも前記前面11、21に、または両方の基板が半導体を含む場合は、両方の基板の少なくとも一方の前記前面11、21に、水素および/またはアルゴンを含むガス雰囲気において、少なくとも30秒間、それらを疎水性にするための熱処理であって、接合前の予備処理と称する900°C~1200°Cの範囲の温度で行われる前記熱処理を施すステップと、一体に接合されるべき前記2つの基板1、2の、それぞれの前記前面11、21を直接一体に接合するステップと、を含み、前記接合前の予備処理と前記接合するステップとの間に、前記少なくとも前記前面11、21上、又は、前記少なくとも一方の前記前面11、21上に酸化物を形成するための熱処理が行われないことを特徴とする方法。接合前の前記予備処理が、アルゴンを単独で含むガス雰囲気において実施されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。接合前の前記予備処理が、水素を単独で含むガス雰囲気において実施されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。接合前の前記予備処理が、急速熱アニーリングRTA型チャンバーにおいて実施されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。接合前の前記予備処理が、従来型熱処理チャンバーにおいて実施されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。接合前の前記予備処理が、エピタキシー設備のチャンバー内で実施されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記直接接合後、接合硬化熱処理が200°C~1200°Cの範囲の温度で、少なくとも約1時間実施されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記直接接合後、接合硬化熱処理が200°C~1200°Cの範囲の温度で、3時間より短い間実施されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。接合のための基板1、2の両方が半導体を含み、前記両方の基板の前記前面11、21に接合前の前記予備処理が施されることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記半導体材料が、100シリコン、110シリコンおよび111シリコンから選択される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。電子工学、光学または光電子工学分野の用途に使用するために適切なハイブリッド基板4、5、6、7を製造する方法において、前面と称する一方の面11を有する、いわゆるレシーバ基板1を選択するステップと、転写のための材料の層20、23、26、28とその残余部と称する他の部分24、27とを含む、いわゆるドナー基板2を選択するステップであって、前記転写のための層20、23、26、28が、前記ドナー基板2の前面と称する前記一方の面21上に延在し、前記レシーバ基板および前記ドナー基板1、2の少なくとも一方は、その前面11、21を規定するように当該前面に沿って延在する半導体材料の層1、13、2、20、23、26を含む、又は、当該前面11、21を規定する絶縁材料の層によって覆われるように当該前面に沿って延在する半導体材料の層1、13、2、20、23、26を含む、ステップと、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法に従って、前記ドナー基板2および前記レシーバ基板1の2つのそれぞれの前記前面21、11の直接接合を進めるステップと、前記レシーバ基板1および前記転写層20、23、26、28を含む、前記ハイブリッド基板4、5、6、7を得るために、前記ドナー基板2から残余部24、27を取り除くステップと、を含むことを特徴とする方法。前記ドナー基板および前記レシーバ基板2、1の少なくとも一方が、前記半導体材料の層1、13、2、20、23、26上に絶縁材料の層28を含み、前記絶縁材料の層28は前記基板の前記前面21、11上に延在することを特徴とする、請求項11に記載の方法。前記絶縁材料の層28が50nm以下の厚みであることを特徴とする、請求項12に記載の方法。前記絶縁材料の層28が自然酸化物の層であることを特徴とする、請求項12または13に記載の方法。前記ドナー基板2の前記残余部24、27が、機械的および/または化学的薄膜化により取り除かれることを特徴とする、請求項11~14のいずれか一項に記載の方法。直接接合の前に前記ドナー基板2の内側に脆弱領域25が形成され、前記ドナー基板2の前記残余部24、27の少なくとも一部が、機械的、化学的および/または熱的応力を適用することにより前記脆弱領域25に沿って取り除かれることを特徴とする、請求項11~15のいずれか一項に記載の方法。前記脆弱領域25が原子種を打込むことにより形成され、前記レシーバ基板1が半導体材料の層1、13を含み、前記レシーバ基板1のみが接合前の前記予備処理を施されることを特徴とする、請求項16に記載の方法。前記脆弱領域25が多孔質領域であることを特徴とする、請求項16に記載の方法。本発明は、上述した先行技術の難点を改善する策を探求する。本発明の特定の目的は、2つの基板が追加の接合層を一切用いずに、一方が他方に接触して直接接合されることを可能にし、少なくとも基板の一方がその一面上に、または該面の近接部に半導体材料の層を含み、満足できる品質で、気泡の発生などの目に見える接合の欠陥がなく接合が行われる方法を提供することである。この目的を達成するために、本発明は、電子工学、光学または光電子工学の分野の用途に使用するために、2つの基板のいわゆる前面を直接接合する方法に関し、2つの基板の少なくとも一方は半導体を含む基板と称し、その前面または該前面の近接部に延在する半導体材料の層を含む。本発明によれば、該方法は半導体を含む基板の少なくとも前面に、または両方の基板が半導体を含む場合は両方の基板の少なくとも一方の前面に、接合前の予備処理と称する、900°C~1200°Cの範囲の温度で、水素および/またはアルゴンを含むガス雰囲気において、少なくとも30秒間Sの熱処理を施すステップと、一体に接合するための2つの基板の、それぞれの前記前面を直接一体に接合するステップと、からなるステップを含む。この方法は、処理された表面上に存在する自然酸化物を取り除くことを可能にし、水素原子を用いて前記表面を不動態化することも可能にする。技術の現状に反して、基板が絶縁層を有さない場合でも、または基板は絶縁層を有するが厚みが約50nmより薄い場合でも、本方法は使用でき、よい結果を得られる。さらに、接合前の予備処理は粗さを非常に低い水準にすることができる。走査された2μm×2μmの試料上に0.7オングストロームÅの二乗平均平方根rms粗さを測定することができたが、一方シリコン基板の表面は、通常およそ2Åのrms粗さを示し、接合前の通常の表面予備処理SC1型洗浄などでは表面が一層粗くなる傾向がある。したがって本発明は、粗さが非常に少ない表面を接触させる、追加の利点をもたらす。本発明の有利で限定されない他の特徴として、以下が単独または組み合わせて挙げられる。接合前の前記予備処理がアルゴンを単独で含む、または水素を単独で含むガス雰囲気の下で実施されること、接合前の前記予備処理が、急速熱アニーリングRTA型チャンバーにおいて、または従来型チャンバーにおいて、またはエピタキシー設備のチャンバー内で実施されること、直接接合が、接合前の前記予備処理後直ちに実施されること、接合前の前記予備処理を施された基板が、前記直接接合の前に、制御された不活性ガス雰囲気下のチャンバーにおいて一時的に保存されること、前記直接接合後、接合硬化熱処理が200°C~1200°Cの範囲の温度で、少なくとも約1時間、好ましくは3時間より短い間実施されること、接合のための基板の両方が半導体を含み、両方の基板の前面に接合前の予備処理が施されること、および前記半導体材料が、100シリコン、110シリコンおよび111シリコンから選択されること、である。本発明はさらに電子工学、光学または光電子工学分野の用途に使用するために適切なハイブリッド基板を製造する方法において、前面と称する一面を有する、いわゆるレシーバ基板を選択するステップと、転写のための材料の層とその残余部と称する他の部分とを含む、いわゆるドナー基板を選択するステップであり、前記転写のための層はドナー基板の前面と称する一面上に延在する、ステップと、前記レシーバ基板および前記ドナー基板の少なくとも一方が、その前面上または該前面の近接部に延在する半導体材料の層を含むステップと、上記の方法に従って、ドナー基板およびレシーバ基板の2つのそれぞれの前面の直接接合を進めるステップと、レシーバ基板および転写層を含む前記ハイブリッド基板を得るために、前記ドナー基板から残余部を取り除くステップと、からなるステップを含む方法を提供する。他の有利な特徴によれば、ドナー基板およびレシーバ基板の少なくとも一方が、前記半導体材料の層の上に絶縁材料の層を含み、前記絶縁材料の層は前記基板の前面上に延在すること、前記絶縁材料の層が50nm以下の厚みであること、前記絶縁材料の層が自然酸化物の層であること、ドナー基板の残余部が、機械的および/または化学的薄膜化により取り除かれること、直接接合の前にドナー基板の内側に脆弱領域が形成され、ドナー基板の少なくとも残余部が機械的、化学的および/または熱的応力を適用することにより前記脆弱領域に沿って取り除かれること、脆弱領域が原子種を打込むことにより形成され、レシーバ基板が半導体材料の層を含み、レシーバ基板のみが接合前の予備処理を施されること、および脆弱領域が多孔質領域であること、が単独または組み合わせて挙げられる。本発明の他の特徴および利点は、限定されない例示による1つの可能な実例を表わす、添付の図面の参照により与えられる以下の説明によって示される。本発明はドナー基板をレシーバ基板上に直接接合する方法に関する。図面においてレシーバ基板は参照番号1で示される。レシーバ基板には、ドナー基板2と接触させるいわゆる前面11、および反対側のいわゆる後面12がある。同様に、ドナー基板2には前面21および後面22がある。ドナー基板2およびレシーバ基板1は、単層の基板であっても、または多層の基板であってもよい。ドナー基板2およびレシーバ基板1の少なくとも一方は半導体材料の層を含む。言い換えれば該基板の一方は、半導体材料ではない材料、例えばサファイアまたは酸化された基板などの絶縁体材料で作製できる。該基板の少なくとも一方は半導体材料の層を含むという用語は、2つの基板1および2の一方、または2つの基板両方が、単層の基板全部かそれとも多層の基板の少なくとも一部が半導体材料で作製されることを意味する。多層基板に関しては、半導体材料の層が基板の前面に沿って例えば図2のAを参照のこと、または該前面の近接部に例えば図4のAを参照のこと延在している。近接という用語は、半導体材料の層が、約10nmより薄い厚みを有する絶縁体、例えば酸化物の第3の層、またはおよそ数Å、1nm=10Åの厚みである絶縁体の非常に薄い層、例えば自然酸化物層で覆われていてもよいことを意味する。同じように、半導体材料の単層基板は、上の項で述べたように絶縁体の層により覆われていてもよい。半導体材料は、マイクロエレクトロニクス分野で一般的に高い頻度で用いられるもので、すなわち例えば100シリコン、110シリコンまたは111シリコンであり、参照番号は結晶学的型を明示している。本発明は接合のための面の少なくとも一方、すなわち前面11および/または21の少なくとも一方に、900°C~1200°Cの範囲の温度で、水素および/または窒素を含むが酸素を含まないガス雰囲気において、熱処理を施すことからなる。両方の基板が半導体材料を含むとき、そのときはこの処理をそれらの前面各々に実施することが好ましい。ガス雰囲気は、したがって水素単独で、またはアルゴン単独で、またはこれらの両方の混合体、あるいはこれらのガスの一方または他方と、酸素を除く他のガスとを組み合わせたものを含むように選択してよい。処理時間は少なくとも30秒間であり、数分minを超えないことが好ましい。水素および/またはアルゴンの効果は、処理した前面上に存在する恐れのあるすべての自然酸化物を取り除き、前記表面を水素を用いて不動態化することである。さらに水素および/またはアルゴンは、粗さの非常に小さい表面を得るために機能する。この接合前の予備処理は、接合された表面を疎水性にする効果も有する。これは水滴の接触角を測定することにより実証されており、該角度は80°であった。この値はHFlast型の処理後に得られる値である70°より大幅に大きく、YBacklundKarinHermassonLSmith著のBondstrengthmeasurementsrelatedtosiliconsurfacehydrophilicityJElectrochemSocVol1398NoB1992の論文を参照していただきたい。本発明による方法の利点は、表面上に化学種が何も吸着されていないことである。水素原子は非常に小さいので、脱着して対向する前面11および12の間に共有結合を形成すると、水素原子は界面に捕捉された状態のままではなく、材料中に拡散し、したがって脱ガス欠陥を生成しない。さらに本発明による方法は乾式処理を使用するので、上記のHFlast処理とは異なり、例えば、乾燥を必要としないので実現が容易である。本発明による方法は制御された雰囲気下で実現される高温アニーリングを可能にするチャンバー、例えば、単板式急速熱アニーリングRTA型チャンバー内で、またはさらにエピタキシー設備のチャンバーで実施できる。基板を、従来型のチャンバーを使用して回分式で処理することも想定可能である。上記の表面処理後、処理された前面が周囲の雰囲気により汚染されるいかなる危険も最小にするために、接合は非常に迅速に実施されなければならない。この接合ステップは、図1のB、図2のB、図のBおよび図4のBに示されている。接合界面は参照番号3で示される。有利なことに、処理された基板は、雰囲気が不活性ガス、通常アルゴンまたは窒素のみを含むように制御されたチャンバーで保存することも可能である。このような処理は、ドナー基板2およびレシーバ基板1が一体に接合される前の待ち時間を延ばすことが可能である。本発明の方法を適用して調製された表面は、上記のHFlast法により調製された表面より非常に反応性が低く、その結果このような表面の粒子混入が限定されることが認められた。このことは工業化をより容易にする。有利なことに、接合後、界面を完全に硬化することが望ましい場合、予備硬化熱処理、または200°C~1200°Cの範囲、好ましくは少なくとも1100°C付近の温度で硬化熱処理を進めることも可能である。この処理は接合を強化するために、少なくとも1時間続けることが好ましく、3時間より短い間続けることが好ましい。この予備硬化または硬化のステップは、気泡を形成せずに行われ、その結果ウェハのすべての場所で十分な接合エネルギーを確実にする。直接接合方法は、ハイブリッド基板を製造する方法において実施できる。ハイブリッド基板を製造する方法は以下の上記の型のドナー基板2およびレシーバ基板1を選択するステップと、上記の直接接合方法に従った表面処理および接合ステップを実施するステップと、接合されていたドナー基板から受け継いだ転写層を有する、レシーバ基板1を含むハイブリッド基板を得るために、ドナー基板の一部を取り除くステップとからなるステップを含む。図1のA~Cを参照すると、どちらも単層基板であるドナー基板2およびレシーバ基板1によるハイブリッド基板4を調製する一例を見ることができる。本発明による表面処理および接合後、残余部と称するドナー基板の一部が剥離および研磨型の機械的薄膜化により、転写層20を得るために取り除かれる。図2のA~Cは、ドナー基板2が脆弱領域25を含む変形実例を表わしている。この実施例では、脆弱領域25は原子種、例えば水素イオンを、SMARTCUT商標の名前で知られる方法を使用して打込むことにより得られる。脆弱領域25は、ソース基板2の残余部24より転写するための層23を画定する。このような状況の下、ドナー基板はその後上記の接合前の予備処理を施してはいけないことが認められるべきである。本発明の熱処理は、前面21に気泡の形成をもたらす危険が生じると思われる。レシーバ基板1のみにこのような処理が施される。基板1は半導体材料、例えばシリコンの層13を含み、その表面上に自然酸化物の薄い層を含んでいてもよい。ソース基板2は、場合により上記のHFlast法、あるいは疎水性表面または親水性表面を得ることができるいくつかの他の技術を使用して処理されてもよい。ソース基板は非半導体層13をその前面に含んでいてもよい。図には表わされていない変形実例において、この脆弱領域25は、例えば商標名ELTRANで知られる方法を使用して得られた多孔質の層であってもよい。2つの基板1および2の表面処理ならびに直接接合の後、ドナー基板2の残余部24は、SMARTCUT商標法の実現に通常使用される技術に従って、機械的、化学的および/または熱的応力を利用することにより取り除かれる。ハイブリッド基板5は図2に表わされるように得られ、該基板5は半導体材料の層13および23ならびにレシーバ基板1の層14を含む。図3のA~Cは、本発明に従ったハイブリッド基板のもう1つの実施形態を表わしており、その時、ドナー基板2はセミコンダクタ-オン-インシュレータ型の基板である。レシーバ基板1は、図1のAに記載のものと同一である。ドナー基板2は、半導体材料の2つの層26および272を含み、絶縁層271と一体になっている。図3のBに表わされる接合ステップ後、残余部27は2段階で取り除かれる。図3のCに表わされる第1のステップは剥離および次いで研磨による、層272の機械的除去からなる。第2のステップは絶縁体の層271を、例えば、化学的エッチングにより取り除くことからなる。最終的に得られた基板は、レシーバ基板1に接合された転写層26を有するレシーバ基板1を含み、全体を参照番号6で示されている。上記のようにソース基板2の残余部を取り除くためのさまざまな技術は、ドナー基板2の性質しだいでは、組み合わせて使用することもできる。最後に、本発明の第4の変形実例を、図4のA~Cの参照とともに以下に記載する。レシーバ基板1は単層であり、半導体ではない。ドナー基板2は、図2のAのものと同様であるが、図2のAのドナー基板は絶縁層28で覆われてはいない。本発明に従った接合前の予備処理後、上記および図4のBに表わされたような接合ステップおよび場合により硬化ステップも後、残余部24が取り除かれた後にハイブリッド基板7が得られる。ハイブリッド基板7はレシーバ基板1および転写された絶縁体層28および半導体層23を含む。シリコン-シリコンハイブリッド基板を作製する5つの実施例を以下に記載する。実施例1原理の提示ソース基板2およびレシーバ基板1は、100の結晶配向および300ミリメートルmmの直径を有するシリコン基板であった。基板1および基板2両方に、1060°Cの温度で3分間、100水素を含む雰囲気で熱処理を施した。該処理は、エピタキシー設備において実施した。事前に基板はオゾンSC1溶液の浴槽を使用して洗浄し、次いで脱イオン水中ですすいだ。付加的な粒子の数を、供給業者KLA-TencorによりSurfscanSP1の商標で販売されている種類のレーザー表面走査装置により測定した。測定は表面処理の前、およびその次に接合の後に実施した。本発明に従った処理で、大きさが0.13μmまたはそれより大きい、付加された粒子が50個より少ないことが発見された。ドナー基板およびレシーバ基板のそれぞれの前面を、その後直接接合した。得られた積層体に、ほぼ1100°Cの温度で2時間硬化熱処理を施した。接合の品質を超音波顕微鏡検査により測定したが、接合欠陥は検出されなかった。比較実施例1シリコンウェハ基板を実施例1で実施したように洗浄することにより調製し、次いでHFlast処理を施した。接合の前に、0.13μm以上の大きさを有する付加的な粒子を数え、800より多いことを確認した。接合および1100°Cで2時間の硬化アニーリングの後、接合欠陥が超音波顕微鏡検査の使用により確認できた。本発明に従った方法は、したがってより効果的であり、実施例1を参照していただきたい。実施例2:さまざまな型の予備硬化熱アニーリングまたは硬化熱アニーリングの後の疎水性接合の分析手順は実施例1と同一であるが、接合ステップは以下に挙げるさまざまな異なる熱アニーリングステップ、aアニーリング温度:200°C、持続時間2時間のステップ、bアニーリング温度/持続時間:350°Cで2時間、その後5°C/分で500°Cまで上昇させ、500°Cで1時間安定させるステップ、cアニーリング温度/持続時間:bと同様にアニールするが、700°Cまで上昇させ、安定させるステップ、およびdアニーリング温度/持続時間:bと同様にアニールするが、900°Cまで上昇させ、安定させるステップ、を続けた。接合後、アニーリング熱処理の前後それぞれで、基板を超音波顕微鏡を使用して確認した。基板にはどのような気泡も存在しなかった。さらに、基板をRTA型のチャンバーにおいて1100°Cで60秒の間、20の水素および80の酸素を含む雰囲気でアニールすることにより調製し、その後基板を接合し、同一の硬化アニールを施した。同一のよい結果を認め、すなわち接合に気泡などの欠陥はなかった。実施例3この実施例は上記の実施例の変形に相当し、この実施例においてドナー基板2はSOI型基板であり、そのシリコン表面層は転写のための層を構成していた。シリコン層およびシリコン酸化物層はそれぞれ、研磨および水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHにより、ならびにフッ化水素酸HFを用いた化学的エッチングにより取り除かれた。シリコンの転写層で覆われたレシーバ基板1が得られた。試験が繰り返され、その後実施例2で述べたさまざまな予備硬化熱処理または硬化熱処理が行われた。どのような気泡も存在しないハイブリッド基板が得られた。実施例4この実施例は、実施例1の変形で構成されており、この実施例においてソース基板は、その中に脆弱領域を形成するために、原子種の打込みを施された。この文脈の中で、ソース基板は打込みステップの前に酸化されていてもよい。酸化物層は、数ナノメーターの厚みを有する自然酸化物により構成されていてもよく、または自発的に形成され、ほぼ50nmの厚みに達していてもよい。打込みは、5×1016H2/cm2の密度で、60キロエレクトロンボルトkeVのエネルギーを用いて、埋め込まれた欠陥により構成された脆弱領域に水素濃度ピークを位置づけるように、水素イオンを打込むことで成り立っていた。上述のように、ドナー基板は本発明に従った処理を施す必要はない。ドナー基板には従来の親水性表面処理または疎水性表面処理、例えば、上記のRCA型の処理を施してもよい。シリコンレシーバ基板には本発明に従った処理を施した。ドナー基板およびレシーバ基板は次いでそれらのそれぞれの前面を接触させ、200°Cで予備硬化処理を施した。ソース基板の残余部は、熱応力すなわち約400°C~約600°Cの温度で、2時間~8時間の持続時間の処理を用いることにより、または機械的応力を用いることにより分離した。開放されている表面は、脆弱領域に沿った分離の間に若干傷ついているので、最終的基板はその後有利に仕上げのステップを施された。仕上げのステップは、平坦化熱処理により、犠牲酸化により、および/または研磨により実施されてよい。接合界面に、気泡は一切認められなかった。接合の機械的強度を改善するために、プラズマ活性化の追加ステップを、接触させる一方の面または両方の面に提供してもよい。