"支持フィルム上に、フィルム形成性樹脂及び非拡散性硬化剤を含む接着層と、硬化性樹脂、フィルム形成性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを順に積層して成る非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記接着層が、前記非拡散性硬化剤により硬化しない液状樹脂を5~40質量部含む、請求項1に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記非拡散性硬化剤の反応開始温度が60~120°Cである、請求項1又は2に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記非拡散性硬化剤の反応開始温度が80~100°Cである、請求項3に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記非拡散性硬化剤が三級アミンとカルボン酸の塩である、請求項1~4のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求項1~5のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記導電層が潜在性硬化剤をさらに含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。前記接着層が、75°C以上のガラス転移温度を有するフィルム形成性樹脂を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。剥離処理したフィルム上に形成した導電層を、支持フィルム上に形成した接着層上に30°C以下の温度でラミネートする工程を含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの製造方法。配線電極を有する回路基板上に請求項1~8のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを80°C以下の温度及び2MPa以下の荷重で仮貼りし、次いで該非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの支持フィルムを除去し、該回路基板の配線電極に対応する回路基板を熱圧着する工程を含む、接続構造体の製造方法。請求項10に記載の方法により製造された接続構造体であって、非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの接着層に接する回路基板がICチップ又はフレキシブル回路基板である接続構造体。回路基板の接続部全体に対する接続電極面積の割合が30~70である、請求項1~8のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを用いて接続された接続構造体。本発明が解決しようとする課題は、回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性に優れると共に、保存安定性及び接続信頼性に優れる非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを提供することである。本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、支持フィルム上に、特定構成の接着層と導電層とを順に積層して成る非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムにより低温接続性及び保存性を両立することが出来、それらを用いることで、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、下記の通りである。[1]支持フィルム上に、フィルム形成性樹脂及び非拡散性硬化剤を含む接着層と、硬化性樹脂、フィルム形成性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを順に積層して成る非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[2]前記接着層が、前記非拡散性硬化剤により硬化しない液状樹脂を5~40質量部含む、[1]に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[3]前記非拡散性硬化剤の反応開始温度が60~120°Cである、[1]又は[2]に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[4]前記非拡散性硬化剤の反応開始温度が80~100°Cである、[3]に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[5]前記非拡散性硬化剤が三級アミンとカルボン酸の塩である、[1]~[4]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[6]前記硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、[1]~[5]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[7]前記導電層が潜在性硬化剤をさらに含む、[1]~[6]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[8]前記接着層が、75°C以上のガラス転移温度を有するフィルム形成性樹脂を含む、[1]~[7]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルム。[9]剥離処理したフィルム上に形成した導電層を、支持フィルム上に形成した接着層上に30°C以下の温度でラミネートする工程を含む、[1]~[8]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの製造方法。[10]配線電極を有する回路基板上に[1]~[8]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを80°C以下の温度及び2MPa以下の荷重で仮貼りし、次いで該非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの支持フィルムを除去し、該回路基板の配線電極に対応する回路基板を熱圧着する工程を含む、接続構造体の製造方法。[11][10]に記載の方法により製造された接続構造体であって、非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの接着層に接する回路基板がICチップ又はフレキシブル回路基板である接続構造体。[12]回路基板の接続部全体に対する接続電極面積の割合が30~70である、[1]~[8]のいずれか1項に記載の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを用いて接続された接続構造体。本発明は、回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性に優れると共に、保存安定性及び接続信頼性に優れるという効果を奏する。以下、本発明について具体的に説明する。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムは、支持フィルム上に、フィルム形成性樹脂及び非拡散性硬化剤を含む接着層と、硬化性樹脂、フィルム形成性樹脂及び導電性粒子を含む導電層とを順に積層することにより形成されている。本発明における接着層は、室温でフィルム状の形状を維持するために、好ましくは絶縁性接着剤を含むフィルム形成性樹脂を含む。フィルム形成性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂、及びカルボキシル基、ヒドロシキシル基、ビニル基、アミノ基などの官能基を有するエラストマー類等が例示される。フィルム形成性樹脂としては、接続信頼性に優れるフェノキシ樹脂が好ましい。本明細書で用いられるフェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールF混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールS混合型フェノキシ樹脂、ビフェニル型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビフェニル混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂等が例示される。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、20,000以上100,000以下が好ましい。接着性及びフィルム形成性を調整するため、上記のフィルム形成性樹脂の種類又は分子量と異なる種類又は分子量の樹脂を任意に組み合わせることも可能である。絶縁性接着剤は、好ましくはエポキシ系絶縁性接着剤である。しかしながら、絶縁性接着剤がエポキシ系絶縁性接着剤以外である場合も、エポキシ系絶縁性接着剤と同様のフィルム形成性樹脂を用いることが好ましい。フィルム形成性樹脂の配合量は、接着層中の樹脂成分100質量部中、10~70質量部の範囲にあることが好ましく、20~60質量部の範囲にあることがより好ましく、30~50質量部の範囲にあることがさらに好ましい。10質量部以上であれば、良好にフィルム形成可能であり好ましく、70質量部以下であれば、支持フィルムに対する密着性が高く好ましい。本発明の接着層のフィルム形成性樹脂は、ガラス転移温度が75°C以上であること好ましく、90°C以上であることがより好ましい。ガラス転移温度が75°C以上である場合、機械強度の観点から好ましい。本発明の接着層は、接着層に含まれる非拡散性硬化剤により硬化しない液状樹脂を含むことが好ましい。本発明に用いる液状樹脂は、粘着性付与樹脂であり、そして接着層に含まれる非拡散性硬化剤により硬化しない液状樹脂であればいかなる構造でも差し支えない。本明細書では、液状樹脂粘着性付与樹脂が硬化剤により硬化しないとは、以下の測定方法により定義する。接着層中の配合比で混合した粘着性付与樹脂と硬化剤との混合物の加熱前後の粘度を測定する。80°Cでの1時間保持前後の粘度比、すなわち加熱保持後粘度/加熱前粘度が1.2以下である場合を、硬化していないとする。本発明の液状樹脂としては、ポリエステルポリオール樹脂、アクリル酸エステル共重合樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、テルペン樹脂、又はそれらの変性樹脂を単独、あるいは2種以上組み合わせて用いることが出来る。本発明の液状樹脂の含有量は、接着層中の樹脂成分100質量部に対して、5~40質量部であることが好ましく、10~40質量部であることがより好ましく、20~30質量部であることがさらに好ましい。液状樹脂の含有量が5質量部以上であれば、支持フィルムとの密着性が良好であり好ましく、40質量部以下であれば支持フィルムの剥離性が良好であり、かつ接着信頼性も良好であり好ましい。本発明の液状樹脂の25°Cにおける粘度は、100~60000mPasであることが好ましく、500~50000mPasであることがより好ましく、1000~30000mPasであることが更に好ましい。100mPas以上であれば、接続後の密着性が良好であり、60000mPas以下であれば、支持フィルムとの密着性が良好である。本発明の接着層の膜厚は、3~30μmであるが、5~20μmが好ましく、5~15μmが更に好ましい。3μm以上の場合、硬化性が良好であり、30μm以下であれば、密着性のバランスが取り易く好ましい。また、本発明の接着層の膜厚は、導電層の膜厚の0.1~1倍であることが好ましく、0.2~0.7倍がより好ましく、0.3~0.5倍が更に好ましい。本発明の接着層の膜厚が、0.1倍以上であれば、硬化性良好であり、1倍以下であれば、機械強度が良好である。本発明に用いられる非拡散性硬化剤としては、ラジカル重合系硬化剤、エポキシ系硬化剤が例示される。本発明の非拡散性硬化剤は導電層中の絶縁硬化性樹脂の種類に合わせて選択可能である。非拡散性硬化剤の反応開始温度は、60~120°Cの範囲にあることが好ましく、60~110°Cがより好ましく、80~100°Cが更に好ましい。非拡散性硬化剤の反応開始温度は、60°C以上であれば、可使時間を確保し易く、120°C以下であれば良好な低温接続性が得られるため好ましい。この場合の硬化開始温度は、導電層中の硬化性樹脂と接着層中の硬化剤とを混合し、DSC、IR等の公知の方法で測定することが可能である。また、反応開始温度と反応ピーク温度が異なる場合、反応ピーク温度は90~150°Cであることが好ましく、100~140°Cであることがより好ましく、110~120°Cであることが更に好ましい。本明細書では、非拡散性であるとは、下記の方法で定義する。接着層と導電層を積層した非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを40°Cで1時間保持し、保持後の未反応率保持前の未反応率を100、200°Cでの1時間処理後の未反応率0として算出が0.8以上の場合を非拡散性とする。反応率の測定方法としては、公知の方法を用いることが出来るが、エポキシ樹脂硬化系の場合は、IR法が好適である。またDSCを用いることも好適である。本発明に用いる非拡散性硬化剤としては、高い接続信頼性及び絶縁信頼性が得られるのでエポキシ系硬化剤が好ましい。以下、エポキシ系硬化剤について説明する。エポキシ系硬化剤は、アミン誘導体、ホウ素化合物、ヒドラジド、三級アミン、三級アミンとカルボン酸の塩、イミダゾール、イミダゾールアダクト、ジシアンジアミド、無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネート、ホウ素錯塩、アルミニウムキレートとシラン化合物との複合体、及びそれらの誘導体等の硬化剤が好ましい。アニオン型エポキシ硬化剤を用いる場合、これら硬化剤の中でも、潜在性を有する硬化剤が好ましい。更に触媒性があり、かつ高反応性である三級アミンとカルボン酸の塩が好ましい。非拡散性の観点から、潜在性硬化剤であることが好ましい。潜在性硬化剤の中でも接着層中で固体分散している硬化剤が好ましい。カチオン型エポキシ硬化剤を用いる場合、安定性、反応性の観点から、芳香族スルホニウム塩を用いることが好ましい。さらに、アラルキル置換基型、例えば、ベンジル置換基型、ナフチル置換基型のスルホニウム塩が好ましい。スルホニウム塩の対イオンとしては、非求核性イオン、例えば、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、芳香族置換ボレートが好適に使用できる。その中でも、不純物イオンの少ない芳香族置換ボレート、例えば、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートが好ましい。芳香族スルホニウム塩硬化剤の場合、接着層中に微分散可能であり好ましい。ラジカル系硬化剤としては、有機化酸化物又はアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系化合物が例示される。潜在性の観点から、半減期10時間の温度が50°C以上かつ、半減期1分の温度が150°C以下の有機過酸化物が好ましく、具体的には、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート等が挙げられる。本発明の接着層中の硬化剤の配合量は、接着層中の全成分100質量部に対して、5~50質量部の範囲にあることが好ましく、10~40質量部であることがより好ましい。5質量部以上の場合、硬化性が良好であり、50質量部以下の場合、接続信頼性が良好である。本発明の導電層は、フィルム形成樹脂、硬化性樹脂及び導電性粒子を含む。硬化性向上のため、本発明の導電層は、潜在性硬化剤をさらに含むことが好ましい。また、本発明の導電層に含まれる硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。また、本発明の導電層に配合する導電性粒子としては、公知の導電性粒子を用いることが可能である。また、本発明の接着層には、好ましくは0.1~10体積、より好ましくは0.2~5体積、更に好ましくは0.5~3体積の導電性粒子を配合してもよい。接着層に導電性粒子を配合することにより、接続性を向上することが可能となり好ましい。導電性粒子の配合量が、0.1体積以上であれば、接続性を得易く、10体積以下であれば、絶縁性低下を起こし難く好ましい。絶縁性の観点から接着層中の導電性粒子の配合量は、導電層中の導電性粒子の体積より少ないことが好ましい。本発明の接着層に配合する導電性粒子は公知の導電性粒子を用いることが可能であり、導電層中の導電性粒子と同じであっても異なっていても差し支えない。該導電性粒子の平均粒径は1~20μmであることが好ましく、2~15μmであることがより好ましく、3~10μmであることが更に好ましい。接着層中の導電性粒子は導電層に含まれる導電性粒子の平均粒径より小さいことが好ましい。導電性粒子は、公知の方法により絶縁被覆することも好適である。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムには、更に、その他の成分を含有することができる。その他の成分としては、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。カップリング剤としては、シランカップリング剤が接着性の向上の点から好ましい。その他の成分の配合量は、絶縁性接着剤の配合量に対して20質量以下が好ましく、10質量以下がより好ましい。本発明の接着層又は導電層の各成分を混合する場合、必要に応じ、溶剤を用いることができる。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、γ―ブチロラクトン、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート等が挙げられる。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムは、2層であっても、2層以上の複数のフィルムを積層したフィルムであっても差し支えない。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの製造方法としては、公知の方法を用いることが出来る。例えば、予めおよび絶縁性接着剤成分を溶剤中で混合、塗工液を作製し、支持フィルム上にアプリケーター塗装等により塗工、オーブン中で溶剤を揮発させる事で製造した接着層と同様にして作製した導電層をラミネートする方法が好適である。支持フィルム上に形成した接着層と支持フィルム上に形成した導電層をラミネートする場合、ラミネート温度は30°C以下であることが好ましく、20°C以下であることがより好ましい。ラミネート温度が30°C以下の場合、保存安定性の観点から好ましい。ラミネートは公知の方法を用いることが出来るが、接着層、導電層間の密着性向上のため、真空ラミネートすることがより好ましい。真空ラミネートする場合、500Torr以下に減圧することが好ましく、300Torr以下がより好ましい。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムに用いられる支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、PET、PEN、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコールのフィルムが例示される。好ましい保護フィルム用の樹脂としては、ポリプロピレン、PETが挙げられる。該支持フィルムはフッ素処理、Si処理、アルキド処理等の表面処理を行っていることが好ましい。支持フィルムの膜厚は、20μm以上100μm以下が好ましい。また、本発明の異方導電性接着フィルム上にカバーフィルムを積層することも好適である。この場合、カバーフィルムは、剥離処理を有することが好ましい。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムは、必要に応じ、所望の幅にスリットされ、リール状に巻き取られる。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムは、液晶ディスプレイとTCP、TCPとFPC、FPCとプリント配線基板との接続、あるいは、ICチップを直接基板に実装するフリップチップ実装に好適に用いることができる。回路基板としては、無アルカリガラス基板、ガラスエポキシ基板、セラミックス基板等のリジッド基板、ポリイミド基板、ポリアミド基板、ポリエーテルスルホン基板、ポリエチレンナフタレート基板、シクロオレフィンポリマー基板、ポリカーボネート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等のフレキシブル基板を用いることが出来る。特に低温接続が必要とされる耐熱性の低い基板、例えばポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板に好適に用いることが出来る。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを用いて接続する用途としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパー等のディスプレイとフレキシブル基板、ICとの接続が挙げられる。特に、本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムは、フィルム基板を用いた電子ペーパーに好適に用いることができる。また、本発明は、配線電極を有する回路基板上に本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを80°C以下の温度及び2MPa以下の荷重で仮貼りし、次いで該非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの支持フィルムを除去し、該回路基板の配線電極に対応する回路基板を熱圧着する工程を含む接続構造体の製造方法に関する。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを用いた接続構造体の製造方法では、酸化インジウムスズITO配線又は金属配線等によって回路と電極を形成した回路基板と、回路基板の電極と対を成す位置に電極を形成したフレキシブル回路基板、ICチップ等の回路部材とを準備し、回路基板上の回路部材を配置する位置に、対応する非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの導電層面を貼り付け、支持フィルムを除去し、次に、回路基板と回路部材をそれぞれの電極が互いに対を成すように位置を合わせた後、熱圧着して接続する。このとき導電層面が密着する回路基板の電極高さが対応する回路基板の電極高さより低いことが好ましく、0.001~0.5倍の範囲にあることがより好ましく、0.01~0.4倍の範囲が更に好ましい。導電層面が密着する回路基板の電極高さが対応する回路基板の電極高さより低い場合、接着層の流動が起こり易く、硬化の観点から好ましい。本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの貼付け時に、支持フィルムを剥離するために、加熱、加圧することができる。加熱、加圧の条件は、例えば、80°C以下の温度が好ましく、70°C以下がより好ましく、60°C以下が更に好ましい。80°C以下の場合、十分な可使時間が得られるため好ましい。荷重は、2MPa以下が好ましく、1MPa以下がより好ましく、0.5MPa以下が更に好ましい。圧着時間は0.5秒以上3秒以下の間加熱、加圧することが好ましい。接続における熱圧着は、100°C以上170°C以下より好ましくは110°C以上150°C以下、一層好ましくは120°C以上140°C以下の温度範囲で、2秒以上10秒以下より好ましくは4秒以上7秒以下の間、加熱加圧することが好ましい。前記範囲で接続することにより、高い接続信頼性が得られると共に、耐熱性の低い基板の接続に対し有利であり、基板の反りが抑制でき、工程時間の短縮に有利である。また、本発明は、本発明の接続構造体の製造方法により製造された接続構造体、及び本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを用いて接続された接続構造体に関する。好ましくは、非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの接着層に接する回路基板は、ICチップ又はフレキシブル回路基板である。また、本発明の非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを接続に用いる回路基板の接続部全体に対する接続面積の割合は30~70であることが好ましく、40~60であることがより好ましい。接続面積の割合が30以上である場合、硬化層中の硬化剤との導電層中の硬化性樹脂との混合が良好であるために接続性の観点から好ましい。接続面積の割合が70以下である場合、機械的強度が良好である。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。<接続信頼性評価>酸化インジウム亜鉛IZO付きフィルム基板ポリカーボネート樹脂0.2mm上に全面ITO形成したもの、抵抗値35Ω/sqに70°C、0.1MPa、1秒の貼り付け条件で非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを貼り付け、60°C、1MPa、1秒間仮圧着し、支持フィルムを取り除き、フレキシブル配線板ポリイミド基板、金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50を150°C、6秒、4MPaで接続した接続構造体について、フレキシブル配線板の電極で接続した隣接する2つの電極対を介して基板側の引出し配線上で2端子抵抗測定を、日置電機株製3541RESISTANCEHiTESTERを用いて実施した。抵抗測定箇所は1つの接続構造体当たり24箇所について実施し、その平均値を求めた。更に、前記接続構造体を80°C、30分、-40°C、30分を1サイクルとして240サイクルESPEC社製、THERMALSHOCKCHAMBERTSE-11し、再度、前記と同様に抵抗測定を実施し、その平均値を求め、放置前後の平均値の抵抗上昇量が20Ω未満であれば◎、20Ω以上40Ω未満であれば○、40Ω以上100Ω未満であれば△、100Ω以上であれば×と評価した。<保存性評価>非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムを30°C、14日間保持し、その後<接続信頼性試験>と同様にして、接続抵抗値を測定し、その平均値を求め、保存前後の平均値の抵抗上昇率が30未満の場合を◎、30以上50未満の場合を△、50以上の場合を×とする。<剥離強度信頼性評価><接続信頼性評価>と同様にして接続構造体を作製した。接続構造体を接続幅10mmとなるように切断し、90°ピール強度を測定した25°C、50mm/分、SHIMAZU製、オートグラフ、EZ-S。各サンプルについて5回測定し、平均値を測定値とした。測定値が≧700gf/cmであれば、○、400gf/cm以上700gf/cm未満であれば△、400gf/cmであれば×評価した。更に、前記接続構造体を80°C、30分、-40°C、30分を1サイクルとして240サイクルESPEC社製、THERMALSHOCKCHAMBERTSE-11し、前記と同様に剥離強度測定を実施し、測定値が≧700gf/cmであれば、○、400gf/cm以上700gf/cm未満であれば△、400gf/cmであれば×評価した。[実施例1]導電層の作製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量13,000、ガラス転移温度98°C55質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エポキシ当量188g/eq20質量部、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物35質量部マイクロカプセル硬化剤の平均粒径5μm、活性温度125°C、液状エポキシ樹脂66質量部、シランカップリング剤3-グリシドキシプロパントリメトキシシラン2質量部、酢酸エチル200質量部、トルエン100質量部を混合し、絶縁性接着剤ワニスAを得た。この絶縁性接着剤ワニスAに樹脂成分に対して3体積部になるように導電性粒子Bを加えて分散し、離型処理した38μmのPETフィルム上にブレードコーターを用いて塗布、60°Cで20分間加熱し、溶剤を乾燥除去し、膜厚17μmの導電層Cを得た。導電性粒子Bはベンゾグアナミン樹脂を核とする粒子の表面に厚み0.2μmのニッケル層を設け、そのニッケル層の外側に、厚み0.02μmの金層を設けた平均粒径5μmの導電性粒子である。接着層の作製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量12000、ガラス転移温度98°C30質量部、変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11000のフェノキシ樹脂の2級水酸基の30をカプロラクタムで変性したフェノキシ樹脂20質量部、ポリエステルポリオール樹脂Dアジピン酸と3-メチル-1,5-ペンタンジオールからなる分子量2000のポリエステルポリオール樹脂、25°C粘度、8000mPas30質量部、20質量部をメチルエチルケトン100質量部に溶解し、絶縁性接着ワニスEを得た。この絶縁性接着ワニスEを離型処理した50μmのPET製支持フィルム上にブレードコーターを用いて塗布、60°Cで20分間加熱し、溶剤を乾燥除去し、膜厚8μmの硬化剤フィルム接着層Fを得た。上記ポリエステルポリオール樹脂D30質量部と4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩20質量部を混合し、80°C、1時間保持前後での粘度比を算出したところ、1.05であったE型粘度計、東機産業製、VISCOMETER、RE-85R。非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムの作製上記の導電層C、接着層Fを30°Cで真空ラミネート400Torrし、非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムGを得た。この非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムGを40°C、1時間保持し、保持後の未反応率保持前の未反応率を100、200°C、1時間処理後の未反応率0とする。をIR法エポキシ基の吸収を基準に算出したところ、0.95であった。4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩10質量部とビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エポキシ当量188g/eq10質量部を混合し、DSCを用いて反応開始温度を測定したところ85°Cであった。非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムGを用いて前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は10.3Ωであり、信頼性評価の結果は◎であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度○、信頼性評価の結果は○であった。保存試験での抵抗上昇率は8であり、◎であった。[実施例2]硬化剤フィルム作製に用いるポリエステルポリオール樹脂Dを、アジピン酸とジエチレングリコールからなる分子量2200のポリエステルポリオール樹脂G25°C粘度、40000mPasに変え、膜厚を10μmとする以外は、実施例1と同様にして、接着層Iを得た。ポリエステルポリオール樹脂G30質量部と4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩20質量部を混合し、80°C、1時間保持前後での粘度比を算出したところ、1.10であった。上記の導電層C、接着層Iを用いて、実施例1と同様に真空ラミネートして、非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムJを得た。この非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムJを40°C、1時間保持し、保持後の未反応率保持前の未反応率を100、200°C、1時間処理後の未反応率0とする。をIR法エポキシ基の吸収を基準に算出したところ、0.97であった。4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩10質量部とビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エポキシ当量188g/eq10質量部を混合し、DSCを用いて反応開始温度を測定したところ85°Cであった。この非拡散性硬化剤層付き異方導電性フィルムJを用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は6.7Ωであり、信頼性評価の結果は◎であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度○、信頼性評価の結果は○であった。保存試験での抵抗上昇率は10であり、◎であった。[比較例1]ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量1100067質量部、変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11000のフェノキシ樹脂の2級水酸基の30をカプロラクタムで変性したフェノキシ樹脂20質量部、ポリエステルポリオール樹脂Dアジピン酸と3-メチル-1,5-ペンタンジオールからなる分子量2000のポリエステルポリオール樹脂、25°C粘度、8000mPas3質量部、4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩10質量部をメチルエチルケトン100質量部に溶解し、絶縁性接着ワニスKを得た。この絶縁性接着ワニスKを離型処理した50μmのPET製支持フィルム上にブレードコーターを用いて塗布、60°Cで20分間加熱し、溶剤を乾燥除去し、膜厚8μmの硬化剤フィルムLを得た。上記の導電層C、接着層Lを用いて、実施例1と同様に真空ラミネートして、異方導電性接着フィルムMを得た。この異方導電性接着フィルムMを40°C、1時間保持し、保持後の未反応率保持前の未反応率を100、200°C、1時間処理後の未反応率0とする。をIR法エポキシ基の吸収を基準に算出したところ、0.96であった。前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は225.4Ωであり、信頼性評価の結果は×であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度×、信頼性評価の結果は×であった。保存試験での抵抗上昇率は32であり、△であった。[比較例2]硬化剤を4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩に変えて、トリエチレンテトラミンを用いる以外は、実施例1と同様にして異方導電性接着フィルムNを得た。この異方導電性接着フィルムNを40°C、1時間保持し、保持後の未反応率保持前の未反応率を100、200°C、1時間処理後の未反応率0とする。をIR法エポキシ基の吸収を基準に算出したところ、0.65であった。トリエチレンテトラミン10質量部とビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エポキシ当量188g/eq10質量部を混合し、DSCを用いて反応開始温度を測定したが30°C以下であり、測定できなかった。異方導電性接着フィルムNを用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は1kΩであり、信頼性評価の結果は×であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度×、信頼性評価の結果は×であった。保存試験後の抵抗値は>100MΩとなり、×であった。"