"電気配線が設けられた素子搭載面に開口した挿入孔を有する光フェルールと、前記電気配線に電気的に接続されるように前記素子搭載面に搭載され電気信号に応じて発光する発光素子と、前記挿入孔に挿入された光ファイバとを有し、前記光ファイバの先端面が前記発光素子の光軸に直交する方向に対して傾斜しており、前記光ファイバの前記光軸と前記発光素子の光軸が一致していることを特徴とする光電変換モジュール。前記発光素子と前記光ファイバの前記先端面との間にはアンダーフィルが充填されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。前記光電変換素子は金属バンプを介して前記電気配線に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子モジュール。ところで特許文献1に記載の光電変換モジュール100では、図5に示すように、発光素子21が取り付けられる光フェルール10の素子搭載面111が光ファイバ31の光軸Ax方向に対して垂直な面から傾斜して形成されており、光ファイバ31の先端面133が光ファイバ31の光軸Axと直交し、光ファイバ31の光軸Axと発光素子21の光軸Ayとが傾いていた。このような構成によって、発光素子21から発光された光が光ファイバ31の先端面133で反射し再び発光素子21内に入射することを防止し、所謂戻り光雑音の発生を抑制していた。ところが、このような構成では光ファイバ31の先端面133が所定位置から光ファイバ31の光軸Ax方向にずれると、発光素子21から出射される光の一部が光ファイバ31のコア領域に入射されず、光結合効率が低下する虞があった。したがって、複数の光電変換モジュール100を作製した場合に、光ファイバ31の先端面133の発光素子21からの離間距離がばらつくと、光結合効率が大きくばらつき、歩留まりが低下するという問題があった。また、光ファイバ31の光軸Axと発光素子21の光軸Ayとが傾いていると、光ファイバ31の先端面133の発光素子21からの離間距離がばらついたとき、信号品質が劣化しやすいという問題があった。即ち、光ファイバ31の光軸Axと発光素子21の光軸Ayとが傾いていると、発光素子21からの光が光ファイバ31のコア領域のクラッド側に入射されやすくなり、高次モード光に励起されて光ファイバ31中を伝送され易くなる。このような高次モード光の増大により信号光のモード間での干渉が増大する。その結果、信号光はコア領域において斑点状の強度バラツキを生じ、これがノイズとなって伝送品質を劣化させモードスペックルノイズ、製造時の歩留まりが低下する原因となっていた。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、製造時の歩留まりが高い光電変換モジュールを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によれば以下が提供される。1電気配線が設けられた素子搭載面に開口した挿入孔を有する光フェルールと、前記電気配線に電気的に接続されるように前記素子搭載面に搭載され電気信号に応じて発光する発光素子と、前記挿入孔に挿入された光ファイバとを有し、前記光ファイバの先端面が前記発光素子の光軸に直交する方向に対して傾斜しており、前記光ファイバの前記光軸と前記発光素子の光軸が一致していることを特徴とする光電変換モジュール。2前記発光素子と前記光ファイバの前記先端面との間にはアンダーフィルが充填されていることを特徴とする1に記載の光電変換モジュール。3前記光電変換素子は金属バンプを介して前記電気配線に接続されていることを特徴とする1または2に記載の光電変換素子モジュール。本発明によれば、製造時の歩留まりが高い光電変換モジュールを提供することができる。以下、本発明の実施形態に係る光電変換モジュールを、図面を参照しつつ説明する。<光電変換モジュール>本実施形態に係る光電変換モジュール1は、光フェルール10と、光フェルール10に取り付けられる発光デバイス20と、光フェルール10に取り付けられて発光デバイス20からの光信号を伝送する光ファイバ31とを備える。図1は発光素子21及び光ファイバ31を含む断面を示す図であり、本実施形態に係る光電変換モジュール1は、図1の紙面垂直方向にこれらの発光素子21及び光ファイバ31が並列に配列されており、電気信号をそれぞれ光信号に変換できるようにされている。図1に示すように、光フェルール10は、一側面が素子搭載面11とされた略直方体状の樹脂成形体である。光フェルール10に用いることのできる樹脂は、ポリエステル樹脂、PPS樹脂あるいはエポキシ樹脂等を例示することができる。光フェルール10の素子搭載面11にはリードフレーム電気配線12が設けられており、リードフレーム12の端子部13は素子搭載面11に隣接する光フェルール10の一側面図示の例では上面14に回り込んで設けられている。或いは、リードフレーム12の切断面を端子部13として用いても良い。このように端子部13が光フェルール10の上面14に形成されていることにより、光フェルール10が搭載される共通の回路基板に設けられ発光デバイス20を駆動するICチップと、発光デバイス20とを、ワイヤボンディング等によって容易に電気的に接続できるようにされている。また、光フェルール10には、素子搭載面11に開口するように挿入孔15が貫通して設けられている。この挿入孔15は長手方向が素子搭載面11と直交するように形成され、光ファイバ31の光軸Axが素子搭載面11と直交した状態で挿入孔15に光ファイバ31が挿入される。この挿入孔15の内径は、光ファイバ31の外径よりも僅かに大きく形成されている。また、光フェルール10の上面14から挿入孔15に連続するようにアンダーフィル40を導入するための導入孔16が設けられている。発光デバイス20は面発光レーザーVCSEL等の発光素子21を有し、その光軸Ayが素子搭載面11に直交するように、即ち光ファイバ31の光軸Axと発光素子21の光軸Ayが一致するように、素子搭載面11に取り付けられている。発光デバイス20は、発光素子21の発光面22が光フェルール10の挿入孔15の開口に対向した状態で、バンプ23を介して素子搭載面11のリードフレーム12に固定されている。この発光素子21は図1の紙面と垂直方向にアレイ状に発光デバイス20に配列されていても良く、アレイ状の場合は、複数の光ファイバ31へ光信号を送信する。なお、発光素子21をリードフレーム12に搭載する際は、バンプ23を用いて両者を接続することが好ましい。はんだ付けや導電性接着剤を用いて発光素子21とリードフレーム12を電気的に接続することができるが、はんだや導電性接着剤は硬化が完了するまでに変形する虞があり、発光素子21の光軸Ayを光ファイバ31の光軸Axと一致させた状態で精度良く発光素子21をリードフレーム12上に搭載することができないからである。このように発光素子21の光軸Ayと光ファイバ31の光軸Axが一致しているため、光ファイバ31を挿入孔15内部に挿入する際、先端面33が所定位置からその光軸Ax方向にずれても発光素子21からの光がコア領域から外れて放射されることを防止できる。したがって、製造時の光ファイバ31の先端面33の発光素子21に対する離間距離のばらつきがあっても、この離間距離のばらつきが光結合効率に大きく影響しないので、製造時の歩留まりが高い光電変換モジュール1を提供することができる。また、光ファイバ31にマルチモードファイバを用いた場合では、光ファイバ31の先端面33が所定位置からその光軸Ax方向にずれても、発光素子21からの光が光ファイバ31のコア領域のクラッド側に入射されにくくなる。したがって、製造時の光ファイバ31の先端面33の発光素子21に対する離間距離のばらつきがあっても、信号光が高次モードに励起されることを防止でき、モードスペックルノイズによる伝送品質の劣化を防止できる。即ち、製造時の歩留まりが高い光電変換モジュール1を提供することができる。また、光ファイバ31の先端面33は、光ファイバ31の光軸Axと垂直な方向に対して傾斜されるように形成されている。したがって、光ファイバ31の先端面33は、光ファイバ31の光軸Axに一致した発光素子21の光軸Ayに対して傾斜されていることになる。このように、光ファイバ31の先端面33が発光素子21の光軸Ayに対して傾斜しているので、発光素子21から発光した光が光ファイバ31の先端面33で反射されて再び発光素子21に入射することを防止でき、戻り光雑音が発生しない。<離間距離と光強度の相関>以上のような図1に示す構造を有する実施例の光電変換モジュール1と、図5に示す構造を有する従来例の光電変換モジュール100について、光ファイバ31の先端面33,133と発光素子21との離間距離Lを変化させた時の出力信号の光強度を測定した。その結果を図2に示す。図2では、数1に基づいて、光ファイバ31の先端面33,133と発光素子21とを密着させた状態離間距離L=0の時のそれぞれの光強度P0に対し、離間距離Lを広げた時の光強度PNを、光強度比の対数P[dB]としてプロットしている。図中の実線が実施例の光電変換モジュール1の光強度を示し、図中の点線が従来例の光電変換モジュール100の光強度を示している。数1P=10×Log10PN/P0[dB]なお、図1に示す実施例の光電変換モジュール1では、光ファイバ31の光軸Axと発光素子21の光軸Ayを一致させ、かつ、光ファイバ31の先端面33が発光素子21の光軸Ayに直交する方向に対して8度傾斜させている。一方、従来例の光電変換モジュール100では、光ファイバ31の光軸Axを発光素子21の光軸Ayに対して8度傾斜させ、かつ、光ファイバ31の先端面133を発光素子21の光軸Ayに対して直交させている。図2より、光ファイバ31の先端面33,133と発光素子21との離間距離Lが大きくなるにつれて低下する光強度の低下度合いが、実施例の光電変換モジュール1の方が従来例の光電変換モジュール100よりも小さいことが確認できた。具体的には、光強度が3dB低下する離間距離Lは、実施例の光電変換モジュール1と従来例の光電変換モジュール100とで50μmの差が認められた。このことは、実施例の光電変換モジュール1では、離間距離Lが変動しても光強度の変動幅が小さく、光強度のばらつきが離間距離Lのばらつきに影響されにくいことを示している。したがって、光電変換モジュール1の製造時に、光ファイバ31の先端面33の位置決めに高い精度が要求されないことを意味する。よって、本実施形態に係る光電変換モジュール1は、従来例に係る光電変換モジュール100よりも光強度のばらつきを少なく製造することができる。<光強度のばらつき>図3は、発光素子21と光ファイバ31と先端面33,133との離間距離Lを40μmに設定し、上述の図1の構造の実施例及び図5に示す構造の従来例について複数のサンプルを作製し、その光強度のばらつきを示したものである。図3の横軸は、数2に基づいて、1mWを基準としたときの光強度QN[mW]を、光強度比の対数Q[dBm]としてプロットしている。縦軸はサンプル数を示す。図中の白抜きの棒グラフは実施例のサンプル数を、ハッチングされた棒グラフは従来例のサンプル数を示している。数2Q=10×Log10QN/1[dBm]図3に示すように、実施例のサンプルの光強度は5.0~5.5[dBm]の範囲に集中的に分布しており、0.0~0.5[dBm]と0.5~1.0[dBm]の範囲に同数程度分布している従来例のサンプルの光強度と比較して、光強度のばらつきが小さいことが確認できた。また、従来例のサンプルの光強度は-0.5~1.0[dBm]の間に分布し、実施例のサンプルの光強度は4.0~6.0[dBm]の間に分布する。したがって、全体的に実施例のサンプルの方が従来例のサンプルよりも光強度が大きいことが確認できた。<アンダーフィルの影響>ところで、以上のような光電変換モジュール1において、外部からの異物の侵入を防止し、かつ、光ファイバ31を光フェルール10に安定的に固定するため、光ファイバ31の先端面33と発光素子21との間にアンダーフィル40が充填されることがある。このアンダーフィル40は熱硬化性の樹脂接着剤である。このアンダーフィル40は、硬化前の液状の樹脂接着材を導入孔16から導入し、光ファイバ31の挿入孔15への挿入に伴って光ファイバ31の先端面33により素子搭載面11、発光デバイス20及び光ファイバ31の先端面33に囲まれる空間Aに押し出し、光ファイバ31を所定位置まで挿入したら光電変換モジュール1全体を加熱して樹脂接着剤を硬化させることにより形成される。樹脂接着剤を硬化させるために加熱する時、光ファイバ31の線膨張係数は樹脂製の光フェルール10の線膨張係数よりも低いため、光ファイバ31が光フェルール10に対して相対移動し、光ファイバ31の先端面33と発光素子21との離間距離Lが変動してしまうことがある。この影響は光ファイバ31が、コア及びクラッドともにガラスからなるガラスファイバであるときに顕著に表れる。このため、図5に示す従来例に係る光電変換モジュール100においては、発光素子21からの光が光ファイバ31のコア領域から外れて放射されてしまい、更に光結合効率が低下してしまう虞があった。しかし、図1に示す本実施形態に係る光電変換モジュール1によれば、上述の如く離間距離Lが変動しても光結合効率が低下しにくい。また、発光素子21からの光が光ファイバ31のコア領域のクラッド側に入射されにくくなるから、モードスペックルノイズによる伝送品質の劣化を防止できる。上記図2,3の時と同様に、図1の構造を有する実施例の光電変換モジュール1と、図5の構造を有する従来例の光電変換モジュール100についてそれぞれ複数のサンプルを作製し、アンダーフィル40の充填後硬化前と硬化後のマスクマージンを測定した。その結果を表1に示す。なお、マスクマージンとは光ファイバ中を伝搬される光信号の複数の波形が互いにどれほどの明瞭さで識別可能かを表す伝送品質の指標であり、光結合効率とも関連する指標である。光結合効率が低下し光ファイバ31の先端面33のうちコア領域の外側のクラッド領域側に発光素子21からの光が入射し易くなると、高次モード光が励起され易くなり、光ファイバ31中にモードスペックルノイズが生じ、このマスクマージンが低下する。表1中では、ITU―Tが定める10GBASE-SEマスク規格のマスクマージンを満たす波形をマスクマージン0とした。マスクマージンが大きいほど伝送品質のよい波形を出力することを意味する。なお、表1中の合格率とは、マスクマージンが0以上の合格品質の波形を出力するサンプル数を、実施例及び従来例それぞれの全サンプル数で除した数値である。まず、アンダーフィル40の充填後硬化前において、実施例に係るサンプルと従来例に係るサンプルとで合格率に差が生じている理由は、上述の説明の如く、実施例に係るサンプルのマスクマージンは、従来例に係るサンプルのマスクマージンよりも、離間距離Lのばらつきによって影響されにくいため、実施例に係るサンプルの方がマスクマージンの低下の度合いが小さいと考えられる。また、アンダーフィル40の硬化前と硬化後を比較すると、上述の考察の如く、従来例に係るサンプルではマスクマージンが劇的に低下してしまい、一方、実施例に係るサンプルではマスクマージンの低下の度合いが小さいことが確認できた。特に、実施例に係るサンプルではアンダーフィル硬化後も合格率100を維持できることから、本実施形態の構造を有する光電変換モジュールは製造時の歩留まりが極めて高いことが確認された。<マスクマージンのばらつき>次に、上記のように作製した複数のサンプルを用いて、各々の光電変換モジュール1,100の出力波形のマスクマージンのばらつきを測定した。その結果を図4に示す。図中の横軸はマスクマージンを表し、縦軸はサンプル数である。図4に示すように、実施例の光電変換モジュール1のマスクマージンは5~45の範囲に収まっており、特に25~30に集中的に分布しているので、-35~25の範囲に分布する従来例に係る光電変換モジュール100のマスクマージンよりも、ばらつきが小さいことが確認できた。また、実施例の光電変換モジュール1のマスクマージンは全体的に従来例に係る光電変換モジュール100のマスクマージンよりも大きい。したがって、マスクマージンの大きい光電変換モジュールを安定的に提供することができることが確認できた。"