"半極性GaN基板、活性領域、N側導波層、P側導波層、N型クラッド層及びP型クラッド層を有するGaN端面発光レーザにおいて、前記GaN基板が2021結晶成長面及びすべり面を定める、前記N側導波層がGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む、前記P側導波層がGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む、前記N側SL導波層及び前記P側SL導波層の前記超格子層が導波路平坦性に対して最適化されたそれぞれの層厚を定め、前記層厚は1nmと5nmの間にある、前記活性領域が、前記N側SL導波層と前記P側SL導波層の間に配置され、前記N側SL導波層及び前記P側SL導波層に実質的に平行に拡がる、前記N型クラッド層が前記N側導波層と前記GaN基板の間に配置される、前記P型クラッド層が前記P側導波層に重ねて形成される、及び得られる歪緩和が前記GaN基板の前記すべり面に沿う単方向性であるように、前記N側SL導波層の歪厚さ積が前記N側SL導波層の歪緩和臨界値をこえ、前記N型クラッド層の歪厚さ積が前記N型クラッド層の歪緩和臨界値をこえる、ことを特徴とするGaN端面発光レーザ。半極性GaN基板、活性領域、N側導波層、P側導波層、N型クラッド層及びP型クラッド層を有するGaN端面発光レーザを作製する方法において、前記GaN基板が2021結晶成長面及びすべり面を定める、前記N側導波層がGaNベースの超格子導波層またはバルク導波層を含む、前記P側導波層がGaNベースの超格子導波層またはバルク導波層を含む、前記活性領域が、前記N側SL導波層と前記P側SL導波層の間に配置され、前記N側SL導波層及び前記P側SL導波層に実質的に平行に拡がる、前記N型クラッド層が前記N側導波層と前記GaN基板の間に配置される、前記P型クラッド層が前記P側導波層に重ねて形成される、得られる歪緩和が前記GaN基板の前記すべり面に沿う単方向性であるように、前記N側SL導波層の歪厚さ積が前記N側SL導波層の歪緩和臨界値をこえ、前記N型クラッド層の歪厚さ積が前記N型クラッド層の歪緩和臨界値をこえる、及び前記N側GaNベース導波層及び前記P側GaNベース導波層を、導波路平坦性を最適化するため、009nm秒をこえる成長速度で成長させる、ことを特徴とするGaN端面発光レーザを作製する方法。前記N側GaNベース導波層及び前記P側GaNベース導波層を成長させる成長速度が0095nm秒であるかまたは009nm秒と010nm秒の間にあることを特徴とする請求項2に記載のGaN端面発光レーザを作製する方法。請求項2に記載のGaN端面発光レーザを作製する方法において、前記N側導波層がGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む、前記P側導波層がGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む、及び前記N側SL導波層側及び前記P側SL導波層の前記超格子層を導波路平坦性に対して最適化されたそれぞれの層厚を定めるように成長させ、前記層厚は1nmと5nmの間にある、ことを特徴とするGaN端面発光レーザを作製する方法。前記P側SL導波層及び前記N側SL導波層のそれぞれの組成が実質的に等価である、及び前記N側SL導波層の厚さが前記P側SL導波層の厚さと少なくともほぼ同じである、ことを特徴とする請求項1に記載のGaN端面発光レーザ。前記活性領域の歪厚さ積が前記活性領域の歪緩和臨界値より小さいことを特徴とする請求項1に記載のGaN端面発光レーザ。前記活性領域が単GaInN量子井戸あるいは複周期GaInN量子井戸を含み、前記GaInN量子井戸のIn含有量が前記N側SL導波層のIn含有量より多い、及び前記活性領域がAlGaInNバリア層をさらに含み、前記AlGaInNバリア層のIn含有量が前記N側SL導波層のIn含有量より少ない、ことを特徴とする請求項1に記載のGaN端面発光レーザ。前記N型クラッド層の歪厚さ積が前記N型クラッド層の歪緩和臨界値を10上回る、または前記N側SL導波層の歪厚さ積が前記N側SL導波層の歪緩和臨界値を10上回る、の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1に記載のGaN端面発光レーザ。本開示の一実施形態にしたがえば、半極性GaN基板、活性領域、N側導波層、P側導波層、N型クラッド層及びP型クラッド層を有する、GaN端面発光レーザが提供される。GaN基板は2021結晶成長面及びすべり面を定める。N側導波層及びP側導波層はGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む。N側導波層及びP側導波層の超格子層は、導波路平坦性に対して最適化された、それぞれの層厚を定め、層厚はほぼ1nmとほぼ5nmの間にある。本開示の別の実施形態にしたがえば、N側及びP側のGaNベース導波層がGaInNGaNまたはGaInNGaInNのSL導波層として設けられているかまたはバルク導波層として設けられているかにかかわらず、N側及びP側のGaNベース導波層のほぼ009nm秒をこえる成長速度での成長を保証することにより、平坦性を高めることができる。また別の実施形態において、最適なSL層厚及び成長速度を選択することによって平坦性を高めることができる。本開示の特定の実施形態の以下の詳細な説明は、同様の構造が同様の参照数字で示される、添付図面とともに読まれたときに最善に理解され得る。初めに図1を参照すれば、半極性GaN基板10,活性領域20,N側導波層30,P側導波層40,N型クラッド層50及びP型クラッド層60を有する、GaN端面発光レーザ100が示される。GaN基板は2021結晶成長面及びすべり面を定める。本発明を説明し、定める目的のため、GaNレーザはGaN基板の極性面上に成長されることが多く、このため発光に必要な電子正孔再結合を阻害し得る強い内部電場が形成されることに注意されたい。そのような電場を排除するため、m面またはa面のような、非極性面を用いることができる。GaN基板は、かなり弱い内部電場を形成し、また発光波長を緑色波長まで広げることができる活性領域内の高インジウム濃度を可能にする、半極性結晶面に沿ってスライスすることもできる。本開示の特定の実施形態はGaN基板の2021結晶面上の成長に関し、この場合、GaN基板は2021結晶成長面を定めるということができる。GaN基板の対応するすべり面は基板のc軸に向けて延びる方向に拡がる。図示される実施形態において、N側導波層30及びP側導波層40はGaInNGaNまたはGaInNGaInNの超格子導波層を含む。SL導波層の文脈において、N側及びP側のSL導波層30,40の超格子層は導波路平坦性に対して最適化されたそれぞれの層厚を定め、層厚はほぼ1nmとほぼ5nmの間にある。また、N側及びP側のGaNベース導波層30,40がGaInNGaNまたはGaInNGaInNのSL導波層として設けられているかまたはバルク導波層として設けられているかにかかわらず、N側及びP側のGaNベース導波層30,40がほぼ009nm秒をこえる成長速度で成長されることを保証することによって、平坦性が高められ得ると考えられる。図にさらに示されるように、活性領域20がN側SL導波層30とP側SL導波層40の間に配置され、N側SL導波層30及びP側SL導波層40に実質的に平行に拡がる。N型クラッド層50がN側導波層30とGaN基板10の間に配置される。P型クラッド層60がP側導波層40に重ねて形成される。一般に、必須ではないが、P側SL導波層及びN側SL導波層のそれぞれの組成は実質的に等価である。さらに、多くの場合、N側SL導波層30の厚さはP側SL導波層40の厚さと少なくともほぼ同じであり、一般にN側SL導波層30の厚さを大きくすると付随して光損失が減少する。P側コンタクト構造70は、GaNベースレーザにおけるコンタクトの構成に妥当な従来のまたはこれから開発されるはずの教示にしたがって形成することができ、図1には簡略にしか示されていない。作製を補助するため、GaNベースバッファ層15をGaN基板10に重ねて形成することができる。さらに、阻止性能を高めるため、活性領域20の上下の、活性領域30とN側導波層30及びP側導波層40のそれぞれとの間に、電流阻止層80を設けることができる。これらのタイプのレーザダイオードコンポーネントは、最新技術のGaNベースレーザ構造の文献に十分に説明されている。技術上十分に考証されている、マシューズブレイクスリー平衡理論は、不一致転位の発生に対する歪んだヘテロエピタキシャル層の臨界厚の予測値を提供する。理論によれば、不一致転位発生による緩和は、層厚がその層のマシューズ-ブレイクスリー臨界厚をこえるとおこる。その層のこの厚さと歪の数学的積は本明細書において層の歪-厚さ積と称される。発明者等は、本開示にしたがうGaNベースレーザに対し、N側SL導波層30の歪厚さ積30を、その歪緩和臨界値をこえるように工学的に操作できることを認識した。さらに、N型クラッド層50の歪厚さ積を、その歪緩和臨界値をこえるように工学的に操作できる。得られる歪緩和はGaN基板のすべり面に沿う単方向性であり、GaNベースレーザダイオードの性能の強化に役立ち得る。例えば、一実施形態において、N側SL導波層30の歪厚さ積はその歪緩和臨界値をほぼ10上回る。別の実施形態において、活性領域20の歪-厚さ積はその歪緩和臨界値より小さい。また別の実施形態において、N型クラッド層50の歪厚さ積はその歪緩和臨界値をほぼ10上回る。活性領域20はバリア層及び単量子井戸層または複周期量子井戸層を有することができる。いずれの場合も、量子井戸層の厚さは一般にほぼ1nmとほぼ5nmの間にあり、バリア層の厚さはほぼ5nmとほぼ30nmの間である。多くの場合、活性層20は単GaInN量子井戸層または複周期GaInN量子井戸層を含む。いずれの場合も、GaInN量子井戸層のIn含有量は、スペクトル範囲の緑色領域における動作を強化するため、N側SL導波層のIn含有量より多くなるように調整することができる。また別の考えられる実施形態において、活性領域はさらにAlGaInNバリア層を含み、AlGaInNバリア層のIn含有量は、N側SL導波層のIn含有量より少なくなるように調整される。N型クラッド層50及びP型クラッド層60は、GaN,AlGaN,またはAlGaInNのバルク結晶、あるいは、AlGaNAlGaN,AlGaNGaN,AlGaInNAlGaInN,AlGaInNGaN,AlGaInNGaInN,またはAlGaInNAkGaNのSLを含むことができる。図1に示されるGaN端面発光レーザ100は、N側SL導波層30とN型クラッド層50の間に配置されたN型GaN遷移層55,及びP側SL導波層40とP型クラッド層60の間に配置されたP型GaN遷移層65を有するが、これらの層は素子の構造または動作に肝要ではなく、省略され得ることに注意すべきである。本発明を説明し、定める目的のため、GaNレーザダイオードへの本明細書における言及は、レーザダイオード構造がGaN基板上に成長されることを意味するととられるべきであることに注意されたい。GaN基板への本明細書における言及は、基板が高純度GaNから作製されることを意味するととられるべきである。好ましくは、普通に及び一般にのような語句は、本明細書に用いられる場合、特許請求される本発明の範囲を限定すること、あるいは、ある特徴が、特許請求される本発明の構造または機能に必須であるか、肝要であるかまたは重要であることさえも意味するために用いられているのではないことに注意されたい。むしろ、これらの語句は、本開示のある実施形態の特定の態様を識別すること、あるいは、本開示の特定の実施形態に用いられても用いられなくとも差し支えない、代わりのまたは追加の特徴を強調することが意図されているに過ぎない。本発明を説明し、定める目的のため、語句実質的に及びほぼは、いずれかの定量的比較、値、測定値またはその他の表現に帰因させ得る不確定性の固有の大きさを表すために本明細書で用いられることに注意されたい。また本明細書において語句実質的に及びほぼは、定量的表現が、とりあげられている主題の基本機能に変化を生じさせずに、言明された基準から変わり得る度合いを表すためにも用いられる。本開示の主題を詳細に、また本開示の特定の実施形態を参照することで、説明したが、本明細書に開示される様々な詳細が、本明細書に添付される図面のそれぞれに特定の要素が示される場合であっても、本開示に説明される様々な実施形態の基本コンポーネントである要素にそのような詳細が関係することを意味するととられるべきではないことに注意されたい。むしろ、本明細書に添付される特許請求の範囲は本開示の広さ及び、対応する、本明細書に説明される様々な発明の範囲の唯一の表現としてとられるべきである。さらに、添付される特許請求の範囲に定められる本発明の範囲を逸脱することなく改変及び変形が可能であることは明らかであろう。さらに詳しくは、本開示のいくつかの態様は本明細書において好ましいかまたは特に有利であるとして識別されるが、本開示はそのような態様に限定される必要はないと考えられる。添付される特許請求項の1つ以上が~を特徴とするを転換句として用いていることに注意されたい。本発明を定める目的のため、この語句は構造の一連の特徴の叙述を導入するために用いられる無制約の転換句として特許請求項に導入されており、より普通に用いられる無制約の前置句含むと同様の態様で解されるべきであることに注意されたい。"