絶縁性の基板と、該基板の片面に設けられたターゲットとを備えたターゲット構造体において、前記ターゲットが、前記基板の中央領域に設けられており、前記ターゲットへ電圧を供給するための第一の導電部材が、少なくとも前記ターゲットの中央部と重なる領域を除いて、少なくとも前記ターゲットで覆われていない前記基板の周縁領域の一部に、前記ターゲットに接続されて設けられていることを特徴とするターゲット構造体。前記第一の導電部材の内端部が前記ターゲットの周側面と接していることを特徴とする請求項1に記載のターゲット構造体。前記第一の導電部材の内端部が前記ターゲットの周縁部と重ねられていることを特徴とする請求項1に記載のターゲット構造体。厚さが0.1μm以下の第二の導電部材が、前記ターゲットの上面側と下面側のいずれか一方又は両者の少なくとも一部を覆い、前記第一の導電部材と接続されて設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のターゲット構造体。第二の導電部材の厚さが0.1nm以上であることを特徴とする請求項4に記載のターゲット構造体。前記第二の導電部材が、前記基板の周縁領域における前記第一の導電部材と重なる領域に延出して形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載のターゲット構造体。前記第一の導電部材が、前記基板の周縁領域の一部に設けられており、前記第二の導電部材が、前記基板の周縁領域における前記第一の導電部材と重なる領域と、前記基板の周縁領域における前記第一の導電部材で覆われていない基板の領域とに延出して形成されていることを特徴とする請求項6に記載のターゲット構造体。電子線発生装置と、該電子線発生装置と対向する側にターゲットを有するターゲット構造体とを備えたX線発生装置において、前記ターゲット構造体が、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のターゲット構造体であることを特徴とするX線発生装置。しかしながら、特許文献1のターゲット構造体の場合、ターゲットと基板との間に帯電防止膜が介在していることから、ターゲットで生じた熱の基板への拡散が妨げられやすい問題がある。ところで、導電性材料の被膜がターゲットの電子線照射領域上に形成されると、導電材料の被膜から不要なX線が発生し、X線源としての性能が低下してしまう問題がある。特許文献2のターゲット構造体では、導電リードによる不要なX線の発生を、導電リードの材質と幅で抑制しようとしているが、導電リードを形成する上での制約が大きくなるという問題がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、ターゲットで発生する熱の基板への拡散を阻害することがなく、しかも不要なX線の放出を防止しつつ、ターゲットへの電圧供給ラインを大きな制約を受けることなく形成できるようにすることを目的とする。本発明は、上記目的のため、絶縁性の基板と、該基板の片面に設けられたターゲットとを備えたターゲット構造体において、前記ターゲットが、前記基板の中央領域に設けられており、前記ターゲットへ電圧を供給するための第一の導電部材が、少なくとも前記ターゲットの中央部と重なる領域を除いて、少なくとも前記ターゲットで覆われていない前記基板の周縁領域の一部に、前記ターゲットに接続されて設けられていることを特徴とするターゲット構造体を提供するものである。また、本発明は、電子放出源と、該電子線発生装置と対向する側にターゲットを有するターゲット構造体とを備えたX線発生装置において、前記ターゲット構造体が、上記本発明に係るターゲット構造体であることを特徴とするX線発生装置を提供するものでもある。本発明では、ターゲットが基板の中央領域に設けられ、第一の導電部材が、少なくともターゲットの中央部と重なる領域を除いて、ターゲットで覆われていない基板の周縁領域の少なくとも一部に、ターゲットと接続されて設けられている。つまり、本発明においては、電子線が照射されるターゲットの中央部には第一の導電部材は設けられていないので、この第一の導電部材に電子線が照射されることによる不要なX線の発生を抑制することができる。従って、第一の導電部材は、特にX線が発生しない材料を選択する必要がなく、基板の周縁領域に任意の幅で設けることができるので、ターゲットへの電圧供給ラインの形成についての制約が小さい。また、本発明においては、第一の導電部材により、ターゲットと基板の間に他の導電部材を介在させることなく、ターゲットへの電圧の供給やチャージアップ防止を図ることができる。従って、ターゲットから基板への熱エネルギーの輸送が良好となり、良好なX線放出の線型性及び出力安定性を得ることができる。本発明においては、厚さが0.1μm以下の第二の導電部材が、ターゲットの上面側と下面側のいずれか一方又は両者の少なくとも一部を覆い、第一の導電部材と電気的に接続されて設けられた構成を好ましく採用することができる。この第二の導電部材を設けることにより、第一の導電部材とターゲットの電気的接続状態を安定させたり、ターゲットの基板への密着性を高めることができる。この第二の導電部材は、厚さが0.1μm以下であることから、ターゲットの上面基板とは反対側の面側に設けても余分なX線をほとんど発生することがない。また、ターゲットの下面基板側の面側に設けても、ターゲットから基板への熱の拡散をほとんど妨げることがない。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、実施形態について記載されている部材、形状、相対位置等を含むこれらの構成によって本発明はなんら制限を受けない。図1に示される第一の例に係るターゲット構造体100Aにおいて、101は絶縁性の基板、102はターゲット、103aは第一の導電部材、103bは第二の導電部材、104は電子線である。本例のターゲット構造体100Aは、基板101の片面の中央領域と周縁領域の両者に跨って第二の導電部材103bが設けられており、基板101の中央領域の第二の導電部材103b上にターゲット2が設けられている。また、ターゲット102で覆われていない基板101の周縁領域の第二の導電部材103b上に第一の導電部材103aが設けられている。つまり、第二の導電部材103bは、ターゲット102の下面側を覆い、しかも基板101の周縁領域における第一の導電部材103aと重なる領域に延出して形成されている。第一の導電部材103aは、内端部の端面がターゲット102の周側面に接していることで、電気的に接続された状態で、ターゲット1と重なる領域を除く領域に形成されている。第一の導電部材103aの厚さは、ターゲット102へ必要な電圧を供給しやすい厚さの範囲で選択される。第二の電部材103bは、0.1μm以下の厚さで設けられるもので、省略することもできる。しかし、第二導電部材103bを設けると、いわば第一の導電部材103aとターゲット102の両者間に跨った下地として形成されているので、第一の導電部材103aとターゲット2間の電気的接続を安定したものとすることができる。また、ターゲット102の下地として第二の導電部材103bが存在することにより、ターゲット102の基板101への密着性を高めることができる。第二の導電部材103bを0.1μm以下の厚みで設けておくことで、本例のように基板101とターゲット102の間に介在していても、ターゲット102の熱の基板101への拡散を妨げることがない。また、上記電気的接続状態の安定性とターゲット102の基板101への密着性向上を得る上で、第二の導電部材103bの厚さは0.1nm以上であることが好ましい。ターゲット102は、電子線104の照射を受けることでX線を発生させる。ターゲット102の材質としては、例えばW、Cu、Ta、Pt、Mo、Te及びそれらの合金等が好適である。また、その他必要に応じて導電性の部材金属、合金、半導体等から選ぶことができる。電子線104が持つエネルギーの殆どは、熱エネルギーに変換され、ターゲット102は、高温数百度以上となる。前記熱エネルギーは、基板101に移動し、基板101の温度を上昇させる。基板101は耐熱性と良熱伝導性が要求され、例えばセラミックス、ダイヤモンド、ガラス等の材質が好適である。しかし、基板101の材質は電気的に絶縁性で耐熱性があり熱伝導が良ければ前記材質に限定されない。更に基板101を通して外部にX線を放射する透過型ターゲット構造体とする場合は、発生させたX線を大きく減衰させないよう、材質、厚さ等を選択することが好ましい。第一の導電部材103a及び第二の導電部材103bの材質としては、例えばTi、Ta等の金属が好適であるが、その他必要に応じて導電性の金属合金も含むから選ぶことができる。また、第一の導電部材103aと第二の導電部材103bは同じ材質でも異なる材質でも良い。図2に示される第二の例に係るターゲット構造体100Bでは、ターゲット102及び第一の導電部材103aが基板1の片面上に直接設けられており、第二の導電部材103bがターゲット2及び第一の導電部材103a上に設けられている。これらの点以外は既に述べた第一の例と同様である。本例の場合、ターゲット2と第一の導電部材103aの上面に跨って第二の導電部材103bが形成されていることで、ターゲット102と第一の導電部材103a間の電気的接続状態を安定させることができる。本例の場合、ターゲット102の上面側を第二の導電部材103bが覆っているが、第二の導電部材103bが0.1μm以下の厚さであることにより、電子線104の照射を受けても不要なX線の発生を抑制することができる。また、本例においても第二の導電部材103bは省略することもできるが、上記電気的接続状態の安定を得る上で、第二の導電部材103bの厚さを0.1nm以上とすることが好ましいのは第一の例と同様である。図3に示される第三の例に係るターゲット構造体100Cは、基本的には第一の例と同様であるが、第一の導電部材103aの内端部がターゲット102の周縁部上に重ねられている点が第一の相違点である。つまり、本例における第一の導電部材103aは、内端部がターゲット102の周縁部上に重ねられてターゲット102と接続されていると共に、ターゲット102の中央部と重なる領域を除いて形成されている。このようにすると、ターゲット102と第一の導電部材103a間の電気的接続をより確実にしやすい。また、通常、電子線104はターゲット102の中央部に照射されるので、第一の導電部材103aの内端部が重ねられる位置がターゲット102の周縁部上であれば、電子線104の照射による不要なX線の発生を抑制することができる。また、第二の導電部材103bは、基板101の片面全面ではなく、ターゲット102と重なる位置から、ターゲット102で覆われていない基板101の周縁領域の途中まで延出した状態で止められている点が第二の相違点である。このようにすると、第二の導電部材103bの形成面積を小さく押さえながら、ターゲット102の基板101との密着性の向上と、ターゲット102と第一の導電部材103aの電気的接続状態の安定化を図ることができる。図4に示される第四の例に係るターゲット構造体100Dは、基本的には第一の例と同様であるが、ターゲット102の周縁部が第一の導電部材103aの内端部上に重ねられている点が第一の相違点である。つまり、本例における第一の導電部材103aは、内端部上にターゲット102の周縁部が重ねられることでターゲット102と電気的に接続されていると共に、ターゲット102の中央部を除く領域に形成されている。このようにすると、ターゲット102と第一の導電部材103a間の電気的接続をより確実にしやすい。また、第一の導電部材103aの内端部はターゲット102の周縁部と重なっているだけであるので、ターゲット102の熱が基板101へ伝わるのをほとんど妨げることがない。また、第二の相違点は、第二の導電部材103bが、第一の導電部材103aとは異なる材料で、ターゲット102に対応する領域のみに設けられている点である。第二の導電部材103bを、ターゲット102の基板101への密着性の向上を主目的にして設ける場合、本例のような範囲に第二の導電部材103bを設けて、その形成範囲を小さく抑えることができる。また、前記のように、第一の導電部材103aと第二の導電部材103bは同じ材料で構成することもできるが、本例のように、それぞれの役割に応じて異なる材料を選択することもできる。図5に示される第五の例に係るターゲット構造体100Eは、基本的には第四の例と同様であるが、第一の導電部材103aが、ターゲット102で覆われていない基板101の周縁領域の一部に設けられている点が相違している。本発明における第一の導電部材103aの付設範囲は、本例のように、ターゲット102への電圧付与に必要な範囲で選択することができる。本例において、第一の導電部材103aは1箇所に設けられているが、複数箇所に分けて設けることもできる。例えば、放射方向に複数本設けることもできる。第二の導電部材103bを設ける場合、ターゲット102の上面側又は下面側のほぼ全面を覆って設けることが好ましいが、ターゲット102の上面側又は下面側の少なくとも一部を覆うように設けるだけでも目的を達成することが可能である。また、ターゲット102の上面側及び下面側のいずれか一方のみでもよいが、両者を覆って設けることもできる。また、第五の例において、第二の導電部材103bを、基板101の周縁領域における第一の導電部材103aと重なる領域と、基板101の周縁領域における第一の導電部材103aで覆われていない基板101の領域とに延出して形成することもできる。次に、本発明に係るターゲット構造体を用いた本発明に係るX線発生装置について図6で説明する。図6に示されるX線発生装置は、電子線104の進行方向と同じ方面にX線を取り出す透過型である。先ずX線発生管200について説明する。図6において、金属製の電子銃フランジ204、円筒形の絶縁体205、金属製のアノード部206は、それぞれの接合部207で真空気密接合され、減圧可能な外囲器を208形成している。絶縁体205はガラス又はセラミックスが好適で、絶縁性、真空気密性、熱伝導性、金属との濡れ性においてでアルミナは有力な候補である。電子銃フランジ204の材質としては、絶縁体205がアルミナの場合、コバールが最適で、絶縁体205の材質を考慮しその電子銃フランジ204の材質を決める。真空気密接合としてはロウ付けが好適である。電子銃フランジ204には、電子線発生装置電子銃201が設置されている。電子放出源である電子線発生装置201は、カソード202で電子を放出させ、制御電極203でカソード202から放出させた電子を所望の軌道やサイズを持つ電子線104に形成し、ターゲット102に向け出射する。カソード202として、タングステン、レニウム等の高融点金属又はそれらの表面にイットリア等を塗布したフィラメント型カソード、熱電界放出型カソード、多孔質タングステンにBaOを主成分として含浸させた含浸型カソードが適応可能である。更にスピント型、カーボンナノチューブ、表面伝導型で代表されるコールドカソード等の適応も可能である。電子線発生装置201を駆動するために必要な電力及び電気信号は、駆動電源211によって発生させ、電子銃フランジ204に取り付けられた真空気密な電流/電圧導入部210を通して外部より供給される。アノード部206は制御電極203の最終電極に対向して設置されている。アノード部206には開口部が形成され折り、この開口部に、前記第一の例に係るターゲット構造体100Aが真空気密接合されている。ターゲット構造体100A側の接合部は絶縁性の基板101である。基板101の材質例えばアルミナの場合、ターゲット構造体100A以外のアノード部206の材質はアルミナと同程度の熱膨張率のコバールが好適である。なお、絶縁体205と基板101の熱膨張率が大きく異なる場合は、一種類の金属ではなく、それぞれに熱膨張率が近い金属を真空気密接合後、それらの金属を真空気密接合することができる。前記金属同士の真空気密接合としてはロウ付け、溶接が好適である。アノード部206には電子ビーム104を加速するため、駆動電源部211で発生した加速電圧印加する。そのため、駆動電源211とアノード部206が電気的に接続され、更にアノード部206に電気的に接続された第一の導電部材103a及び第二の導電部材103bを通して、ターゲット102が電気的に接続されている。外囲器208の内部はゲッター209により真空維持されている。ゲッター209としては、Baを使った蒸着型ゲッター又はZr、Ti、V、Fe、Al等の金属で構成される合金からなる非蒸着型ゲッターが使用可能である。本例の透過型X線発生装置は、上記X線発生管200を、容器213内に設置し、その周囲にX線発生管200を駆動するための電源を設置したものとなっている。容器213内は耐電圧を確保するため絶縁油214で満たされ、容器213の基板101と対向する位置には、X線を外に放射させるためのX線外接窓212が取り付けられている。図6においてX線は破線の矢印で示されている。電子線発生装置201を出た電子線104は、アノード部206に印加された電圧によって更に加速され、ターゲット構造体100Aのターゲット102に衝突し、エネルギーの一部をX線として放射する。X線は、絶縁基板101、絶縁油214、X線外接窓212を通して外部に取り出され、これを用いて撮影、検査を行う。しかし、残りの殆どすべてのエネルギーはターゲット102で熱エネルギーに変換される。図1に示した第一の例に係るターゲット構造体100Aにおいて、ターゲット102で発生した熱エネルギーは、主に第二の導電部材103bを通して基板101に到達する。特にターゲット102の下側の第二の導電部材103bの厚さを0.1nm以上0.1μmの範囲としておくと、ターゲット102と第一の導電部材103aの良好な導電性を確保でき、チャージアップによる放電等の問題を抑制しながら、良好なX線放射時の線型性と出力安定性を確保できる。なお、前述のように、第一の導電部材103aと第二の導電部材103bの材質や厚さは同一でも異なっていても良い。また、基板101の表面からの第一の導電部材103aの表面の高さと、基板101の表面からのターゲット103の表面の高さが異なっていてもよい。図2に示した第二の例に係るターゲット構造体100Bの場合、電子線104は先ず第二の導電部材103bの一部に衝突し、第二の導電性部材103を構成している材料の特性に応じたX線を放出する。しかし、第二の導電部材103bの厚さを0.1nm以上0.1μm以下にすることで、第二の導電部材103bに起因するX線の量は許容範囲以下に押さえることができる。なお、やはり前述した通り、第二の例における第一の導電部材103aと第二の導電部材103bも、材質や形態がは、尚ターゲット102上の導電部材103の材質とそれ以外の導電部材103の材質や厚さは同一でも異なっていても良い。また、基板101の表面からの第一の導電部材103aの表面の高さと、基板101の表面からの第二の導電部材103bの表面の高さが異なっていてもよい。本発明に係るX線発生装置は、図6に示した透過型ではなく反射型とすることもできる。図7に示されるX線発生装置は、電子線104の進行方向とは異なる方向からX線破線の矢印参照を取り出す反射型である。図7に示されるターゲット構造体100Fは、第二の導電部材103はターゲット102の下面を覆う位置にのみ設けられている点以外は図3で説明したターゲット構造体100Cと同様である。また、本例におけるターゲット構造体100Fは、開口部のないアノード部206に取り付けられており、外囲器208からX線を取り出すためのX線窓610は絶縁体205に設けられている。また、容器213に設けられているX線外接窓212は、基板101に対向する位置ではなく、X線窓610に対向する位置に設けられている。実施例1実施例1を図1及び図6を用いて説明する。先ず図6に示す電子線発生装置201を作製した。カソード202として、BaO主成分とする含浸カソードを用い、制御電極202としてφ2mmの通過孔を持つ2つの電極で構成されるMo製の電極を用いた。その電子線発生装置201を電子銃フランジ204に固定し、更に真空気密な電圧/電流導入部210と電子線発生装置201の電極間を結線した。更に、ゲッター209として電子銃フランジ204にイタリアSAESGettersS.p.A社製の非常発型ゲッターST172を設置し、ゲッター209に内蔵する加熱用のヒーターと前記電圧/電流導入部210を結線した。次に、図1に示すターゲット構造体100Aを作製した。絶縁性の基板101として、人工ダイヤモンドである住友電気工業株式会社製のスミクリスタルを使った。大きさは直径5mm、厚さ1mmである。第二の導電部材103bとして、スパッタ法で、基板101の上にTiを0.05μm成膜した。その上にターゲット102として、直径3mm、厚さ10μmのWを、マスクを用いたスパッタ法で基板101の中央領域に形成した。更に同様にマスクを用いたスパッタ法で、ターゲット102で覆われていない基板101のの周縁領域に、第一の導電部材103aとしてTiを厚さを0.05μmに成膜した。次にアノード部206を作製した。先ず、ターゲット102を形成した前記基板101の側面部に金属ペーストを用いてメタライズ処理を行った。次に、アノード部206は、主たる部分はφ50mmコバールで、その中心に前記ターゲット構造体100Aを、東洋理研株式会社のロウ材BA-108を用い、真空中で850°Cの高温ロウ付し、真空気密接合した。次に、絶縁体205を作製した。絶縁体205はφ50mm、厚さ4mmの円筒形で、材質はアルミナである。その両端は金属ペーストを用いメタライズ処理を行った。次に、真空炉内に、電子線発生装置201等が設置された電子銃フランジ204、ターゲット構造体100Aが設置されたアノード部206、上記絶縁体205を入れて低温ロウ付けを行った。低温ロウ付けは、東洋理研株式会社のロウ材BA-143を使い、真空雰囲気中700°Cで行い、図2に示す外囲器208のX線発生装置を作製した。この時、同時に、電子銃フランジ204にφ1/4インチの銅パイプ不図示をロウ材BA-143を用いてロウ付けした。また、アノード部206と第一の導電部材103aの一部との間にロウ材BA-143を少量のせて溶融させ、両者間の導通を取った。次に、前記銅パイプを真空排気系不図示に接続し、外囲器208の内部を真空排気しながら、外囲器208を400°Cにベーキングし、真空加熱脱ガス処理を行った。更に、電圧/電流導入部210に駆動電源不図示を接続し、電子線発生装置201のフィラメントを加熱し、カソード202を活性化した。次に、アノード部206に電圧印加手段不図示を接続して1kV印加し、電子線発生装置201より10mAの電子線104をターゲット102に衝突させ、48時間エージングを行った。その後、ゲッター209に通電し、600°Cで活性化した後、前記銅パイプをチップオフしてX線発生管200を作製した。次に、前記X線発生管200を絶縁油が満たされた容器213に設置し、電圧/電流導入部210と駆動電源211を接続すると共に、アノード部206と駆動電源211を接続した。最後に容器213を密閉し、X線発生装置の作製を完了した。X線の線量を測定するため、X線透過窓である基板101から1m離れた位置に、米国ラドカル社RADCALCORPORATIONのイオンチャンバ方式の線量計2186線量計とイオンチャンバ10X6-180型を設置した。更にアノード部206に100kVを印加し、電流密度1mA/mm2~20mA/mm2の範囲で、ターゲット102上の焦点サイズがφ1mmとなるようにX線発生装置を調整した。最初に電子線104の電流密度を変化させ、放射するX線量の線型性を測定した。アノード部206の印加電圧は100kVに固定し、電流密度を1.0/mm2、5.0/mm2、20.0/mm2と変化させ、その時放射したX線量を前記線量計で測定した。1.0/mm2の時のX線量は0.3mR/h程度であった。電子線104の電流密度1.0/mm2を基準に放射線量の線型性を評価した。表1にその結果を示す。チャージアップは発生せず、線型性からのずれは殆どなく、ターゲット101の温度が上昇しても全く問題なかった。次に安定性の評価を行った。電子線104の電流密度を10.0mm2で一定とすると共に、アノード部206の印加電圧を100kVで一定にし、X線量の経時変化を測定した。表1にその結果を示す。50時間経っても殆どX線量は変化せず安定しており、良好な安定性を示すことを確認した。なお、表1における評価において、○は良好であったことを示す。実施例2実施例2を図3及び図6を用い説明する。先ず、図3に示したターゲット構造体100Cを作製した。同図における絶縁性の基板101として、人工ダイヤモンドである住友電気工業株式会社製のスミクリスタルを使った。大きさは直径5mm、厚さ1mmである。第二の導電部材103bとして、Tiをスパッタ法により0.05μm厚で基板101の片面全面に成膜した。その上から基板101の中央領域に、ターゲット102として、φ4mm、厚さ10μmのWをマスクを用いたスパッタ法により成膜した。更に第一の導電部材103aとして、マスクを使い、中心部がφ3mmだけ抜けるようにし、厚さ0.095μmのTiをスパッタ法で成膜した。本実施例では、中心部でターゲット102が露出し、ターゲット102の周縁部で第一の導電部材103aと重なり合っている。次に、前記ターゲット構造体100Cを用い、実施例1と同じように図6の外囲器208を作製した。更に、実施例1と同様に真空ベーキング、エージング、チップオフ等を行い、X線発生管200を作製した。次に実施例1と同じように、容器213に前記X線発生管200を設置しX線発生装置を製作した。次に、実施例1と同様に線型性と安定性の測定を行った。その結果を表1に示す。チャージアップは発生せず、線型性からのずれは殆どなく、ターゲット101の温度が上昇しても全く問題なかった。また、50時間経っても殆どX線量は変化せず、良好な安定性を備えていることを確認した。更に、放出されるX線のスペクトルを米国AMPTEK社の半導体検出器で測定した。第二の導電部材10bの成分であるTiからの特性X線4.5keV、4.9keVの量は0.1以下で、問題とはならなかった。実施例3実施例3を図4及び図6を用いて説明する。先ず、図4に示したターゲット構造体100Dを作製した。同図における絶縁性の基板101として、人工ダイヤモンドである住友電気工業株式会社製のスミクリスタルを使った。大きさは直径5mm、厚さ1mmである。第二の導電部材103bとして、マスクを用いたスパッタ法で、基板101の中央領域上にφ3mmのTiを0.095μm厚で成膜した。次に、マスクを使い、その周辺である基板101の周縁領域に、厚さ1μmのMoをスパッタ法で成膜し、第一の導電部材103aとした。更に、ターゲット102として、マスクを用いて、φ4mm、厚さ10μmのWを成膜した。ターゲット102は、その周縁部で第一の導電部材103aと重なり合うようにした。次に、前記ターゲット構造体100Dを用い、実施例1と同じように図6示した外囲器208を作製した。更に、実施例1と同様に真空ベーキング、エージング、チップオフ等を行い、X線発生管200を作製した。次に、実施例1と同じように、容器213に前記X線発生管200を設置し、X線発生装置の製作を完了した。次に、実施例1と同様に、線型性と安定性の測定を行った。その結果を表1に示す。線型性からのずれは殆どなく、ターゲット101の温度が上昇しても全く問題なかった。また、50時間経っても殆どX線量は変化せず、良好な安定性を備えていることを確認した。実施例4実施例4を、図5及び図6を用い説明する。先ず、図5に示したターゲット構造体100Eを作製した。絶縁性の基板101として、人工ダイヤモンドである住友電気工業株式会社製のスミクリスタルを使った。大きさは直径5mm、厚さ1mmである。基板101の縁部から中心に向かう途中までの位置に、マスクを用いたスパッタ法で、幅1mm、長さ1.3mm、厚さ1μmのMo製の第一の導電部材103aを作製した。次に、マスクを用い、基板101の中央領域に、第二の導電部材103bとしてφ3mmのTiを0.05μm成膜した。次に、ターゲット102として、マスクを用い、φ3mm、厚さ10μmのWを成膜した。Moの第一の導電部材103aの内端部上に、Tiの第二の導電部材103bの周縁部とターゲット102の周縁部が重なるように形成した。次に、前記ターゲット構造体100Eを用い、実施例1と同じように図6に示した外囲器208を作製した。更に、実施例1と同様に真空ベーキング、エージング、チップオフ等を行いX線発生管200を作製した。次、実施例1と同じように、容器213に前記X線発生管200を設置し、X線発生装置の製作を完了した。実施例1と同様に線型性と安定性の測定を行った。その結果を表1に示す。チャージアップは発生せず、線型性からのずれは殆どなく、ターゲット101の温度が上昇しても全く問題なかった。また、50時間経っても殆どX線量は変化せず、良好な安定性を有していることを確認した。実施例5実施例5を、図7を用い説明する。先ず図7に示したターゲット構造体100Fを作製した。同図における絶縁性の基板101として、人工ダイヤモンドである住友電気工業株式会社製のスミクリスタルを使った。大きさは直径5mm、厚さ1mmである。第二の導電部材103bとして、スパッタ法により、マスクを使いてφ4mm、厚さ0.05μmのTiを基板101の中央領域に成膜した。その上にターゲット102として、マスクを使い、φ4mm、厚さ10μmのWを成膜した。更に、第一の導電部材103として、マスクを使い、中心部がφ3mmだけ抜けるように、厚さ0.095μmのMoをスパッタ法で成膜した。本実施例では、ターゲット102の上面は露出しており、ターゲット102の周縁部は導電部材103と重なり合っている。本実施例は電子線104の進行方向と反対方面にX線を放射する反射型のX線発生装置である。次に、前記ターゲット構造体100Fを用い、基板101が設置される部分が外に向かって開放されていないアノード部206に、実施例1と同じようにロウ付けした。また、その一部にBe製のX線窓610を設置した絶縁体205を用い、これら以外は実施例1と同じ部材を用いて、図7に示した外囲器208を作製した。更に、実施例1と同様に真空ベーキング、エージング、チップオフ等を行い、X線発生管200作製した。次に、X線外接窓212の位置を変更した容器213に、実施例1と同じように、前記X線発生管200を設置し、X線発生装置の製作を完了した。次に、実施例1と同様に線型性と安定性の測定を行った。その結果を表1に示す。チャージアップは発生せず、線型性からのずれは殆どなく、ターゲット101の温度が上昇しても全く問題なかった。また、50時間経っても殆どX線量は変化せず、良好な安定性を備えていることを確認した。更に、放出されるX線のスペクトルを米国AMPTEK社の半導体検出器で測定した。第二の導電部材103bの成分であるMoからの特性X線17.5keV、19.6keVの量は0.3以下で、問題とはならなかった。