映像を表示する複数の画素を含む表示パネルと、各々少なくとも2つ以上の相違なる外部信号をセンシングしてセンシング信号を出力する複数のセンサ回路と、前記センシング信号を受信して前記外部信号が供給された位置を検出する検出回路とを備え、各センサ回路は、各々前記外部信号をセンシングし、センシングされた前記外部信号に対応する電流信号を出力する出力端子を共有する複数のセンサと、スキャン信号を受信するスキャンラインと、前記スキャンラインと前記出力端子との間に備えられ、前記スキャン信号を受信して第1電圧を充電し、前記スキャンラインがフローティングとされた後に前記電流信号によって、前記第1電圧より高い第2電圧を充電するキャパシタと、前記第2電圧に応答して前記センシング信号を出力するスイッチング素子と、前記スイッチング素子から出力された前記センシング信号を前記検出回路に供給する読出しラインとを含むことを特徴とする表示装置。前記第1電圧は前記スイッチング素子の閾値電圧より低く、前記第2電圧は前記スイッチング素子の閾値電圧より高いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記スキャンラインに接続されて前記スキャン信号を供給するスキャンドライバをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記スキャンドライバはベース信号を出力するシフトレジスタと、前記シフトレジスタから受信された前記ベース信号を反転して前記スキャン信号を出力する反転回路と、前記反転回路の出力端に接続され、スイッチング信号に応答して所定区間の間に前記スキャンラインをフローティングとさせるスイッチング回路とを含むことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。前記複数のセンサは、可視光線波長帯を有する第1光をセンシングする第1センサと、赤外線波長帯を有する第2光をセンシングする第2センサとを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記第2センサは前記第1光を通過させ、前記第2光を遮断するフィルタを含むことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。前記第1センサ及び前記第2センサの各々は、第1バイアス電圧を供給する電圧ラインに接続されたゲート電極、第2バイアス電圧を供給する電圧ラインに接続されたソース電極及び前記出力端子に接続されたドレーン電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記スイッチング素子は、前記スキャンラインに接続されたゲート電極、前記読出しラインに接続されたドレーン電極及び第3バイアス電圧を供給する電圧ラインに接続されたソース電極を含むことを特徴とする請求項7に記載の表示装置。前記キャパシタは、前記スイッチング素子のゲート電極と電気的に接続された第1電極及び前記出力端子に電気的に接続された第2電極を含むことを特徴とする請求項8に記載の表示装置前記第1電極及び前記スイッチング素子のゲート電極は一体的に形成されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。本発明の目的はタッチされた位置を正確に感知できる表示装置を提供するものである。本発明の他の目的は上述した表示装置を利用して外部信号をセンシングする方法を提供するものである。本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示パネル、複数のセンサ回路及び検出回路を含む。表示パネルは映像を表示する複数の画素を含む。センサ回路は各々少なくとも2つ以上の相違なる外部信号をセンシングしてセンシング信号を出力し、複数のセンサ、スキャンライン、キャパシタ、スイッチング素子及び読出しラインを含む。検出回路はセンシング信号を受信して外部信号が供給された位置を検出する。センサは外部信号を各々センシングして外部信号にしたがって変化する電流信号を出力する。キャパシタはスキャンラインと複数のセンサとの間に備えられ、スキャン信号を受信して第1電圧を充電し、スキャンラインがフローティングとされた後に電流信号によって、第1電圧より高い第2電圧を充電する。このとき、第1電圧はスイッチング素子の閾値電圧より低く、第2電圧はスイッチング素子の閾値電圧より高い。スキャンラインはスキャン信号を受信して、スイッチング素子は第2電圧に応答してセンシング信号を出力する。読出しラインはセンシング信号を検出回路に供給する。本発明の他の実施形態様に係る相違なる外部信号をセンシングする第1及び第2センサを含む表示装置の駆動方法は、第1電圧を充電し、第2電圧を充電し、センシング信号を出力し、かつ第1電圧で放電することを含む。具体的には、スキャンラインからスキャン信号を受信してキャパシタに第1電圧を充電する。スキャン信号の供給が終わると、スキャンラインはフローティングとされる。このとき、第1センサ及び第2センサの中の少なくとも1つからセンシングされた外部信号に対応する電流信号が生成され、電流信号によって、キャパシタに第1電圧より高い第2電圧を充電する。このとき、第1電圧はスイッチング素子の閾値電圧より低く、第2電圧はスイッチング素子の閾値電圧より高い。したがって、第2電圧に応答してスイッチング素子はセンシング信号を出力する。次に、センシング信号に基づいて外部信号が供給された位置情報を算出し、これを外部に出力する。その後、表示パネルに位置情報に基づいて発生したイベントの処理結果を表示する。このような表示装置によれば、相違なる外部信号を受信する複数のセンサが1つのスイッチング素子に共通に接続される。したがって、スイッチング素子及び配線の数を減らすことができ、回路を単純に実現できる。また、同一面積内に挿入されるセンサの数を増やすことができるのでタッチ回路の解像度resolutionが高まってタッチされた位置をより正確にセンシングできる。また、センサ回路はスイッチング素子のゲート電極の閾値電圧以上の駆動範囲で動作する。したがって、センシング信号の出力レベルが上昇してセンシング感度を向上させることができる。以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る表示装置のブロック図であり、図2は図1に示した複数のセンサ回路の回路図である。図1を参照すれば、表示装置300は表示パネル100、タイミングコントローラ310、ゲートドライバ320、データドライバ330、スキャンドライバ340及び検出回路350を含む。タイミングコントローラ310は表示装置300の外部から複数の映像信号RGB及び複数の制御信号CSを受信する。タイミングコントローラ310はデータドライバ330のインターフェース仕様に合うように映像信号RGBのデータフォーマットを変換し、変換された映像信号R’G’B’をデータドライバ330に供給する。また、タイミングコントローラ310はデータ制御信号例えば、出力開始信号TP、水平開始信号STH等をデータドライバ330に供給し、ゲート制御信号例えば、垂直開始信号STV1、垂直クロック信号CKV1、及び垂直クロックバー信号CKVB1をゲートドライバ320に供給する。ゲートドライバ320はタイミングコントローラ310から供給されるゲート制御信号STV1、CKV1、CKVB1に応答してゲート信号G1~Gnを順次に出力する。データドライバ330はタイミングコントローラ310から供給されているデータ制御信号TP、STH、POLに応答して映像信号R’G’B’をデータ電圧D1~Dmに変換して出力する。出力されたデータ電圧D1~Dmは表示パネル100に印加される。表示パネル100には複数の画素PX及び複数のセンサ回路SNが備えられる。即ち、複数の画素PXと複数のセンサ回路SNとが表示パネル100に内蔵される。表示パネル100は下部基板、下部基板と対向する上部基板及び下部基板と上部基板との間に介在された液晶層を含むものでもよい。本発明の一実施形態として、複数のセンサ回路SNは上部基板に備えられてもよい。画素PXは各々同一の構造を有するので、ここでは1つの画素の構成を一実施形態として説明する。下部基板には複数のゲートラインGL、複数のゲートラインGLと交差する複数のデータラインDL及び複数の画素PXが備えられる。図面に図示していないが、各画素PXは薄膜トランジスタ、液晶キャパシタ及びストレージキャパシタを含むものでもよい。薄膜トランジスタのゲート電極は複数のゲートラインGLの中の対応するゲートラインに接続され、ソース電極は複数のデータラインDLの中で対応するデータラインに接続され、ドレーン電極は液晶キャパシタ及びストレージキャパシタに接続されてもよい。複数のゲートラインGLはゲートドライバ320に接続され、複数のデータラインDLはデータドライバ330に接続される。複数のゲートラインGLはゲートドライバ320から供給されるゲート信号G1~Gnを受信し、複数のデータラインDLはデータドライバ330から供給されるデータ電圧D1~Dmを受信する。したがって、各画素PXの薄膜トランジスタは対応するゲートラインに供給されるゲート信号に応答してターンオンされ、対応するデータラインに供給されたデータ電圧はターンオンされた薄膜トランジスタを通じて液晶キャパシタの第1電極以下、画素電極というに印加される。一方、液晶キャパシタの第2電極以下、共通電極というには共通電圧Vcomが印加される。共通電極は上部基板に備えられ、直流電圧形態の共通電圧Vcomが共通電極に印加される。したがって、液晶キャパシタには共通電圧Vcomとデータ電圧との電位差に相当する電圧が充電される。各画素PXは液晶キャパシタに充電された電圧の大きさにしたがって光透過率を制御して映像を表示する。一方、上部基板には複数のスキャンラインSL、複数のスキャンラインSLと交差する複数の読出しラインRL及び複数のセンサ回路SNが備えられる。一方、センサ回路SNは各々同一の構造を有するので、ここでは図2を参照して1つのセンサ回路SNの構成を一実施形態として説明する。ただし、図2では説明の便宜のために複数のスキャンラインSLの中で第1スキャンラインSL1、及び第2スキャンラインSL2を示し、複数の読出しラインRLの中で第1読出しラインRL1及び第2読出しラインRL2を示した。図2を参照すれば、各センサ回路SNは第1スキャンラインSL1及び第2スキャンラインSL2、第1読出しラインRL1及び第2読出しラインRL2によって、区画された領域に備えられてもよい。各センサ回路SNは第1センサST1及び第2センサST2、スイッチング素子SW及びキャパシタCsを含む。一実施形態として、第1センサST1及び第2センサST2及びスイッチング素子SWは各々トランジスタを含み、トランジスタはシリコンゲルマニウムを含む半導体層を含むものでもよい。スイッチング素子SWのゲート電極は第1スキャンラインSL1に接続され、ドレーン電極は第1読出しラインRL1に接続され、ソース電極は第3バイアス電圧VB3を供給する電圧ラインに接続される。第1センサST1及び第2センサST2は相違なる外部信号を各々センシングし、外部信号に対応する電流信号を各々出力する。本実施形態で電流信号は外部信号にしたがって変化するものでもよい。第1センサST1は可視光線波長帯を有する第1光をセンシングする。第1センサST1のゲート電極は第1バイアス電圧VB1を供給する電圧ラインに接続され、ソース電極は第2バイアス電圧VB2を供給する電圧ラインに接続され、ドレーン電極は可変電流信号が出力される出力端子に接続される。第1バイアス電圧VB1は負の値を有するものでもよい。一方、第2センサST2は赤外線波長帯を有する第2光をセンシングする。第2センサST2の第1センサST1と同様にゲート電極は第1バイアス電圧VB1を供給する電圧ラインに接続され、ソース電極は第2バイアス電圧VB2を供給する電圧ラインに接続され、ドレーン電極は可変電流信号が出力される出力端子に接続される。第1センサST1及び第2センサST2は同一の出力端子に共通に接続されてもよい。第2センサST2は可視光線波長帯を有する第1光を遮断し、赤外線波長帯を有する第2光を透過させる赤外線フィルタを含むものでもよい。キャパシタCsは対応するスキャンラインSL1と第1センサST1及び第2センサST2との間に備えられる。具体的にはキャパシタCsはスイッチング素子SWのゲート電極と電気的に接続された第1電極及び第1センサST1及び第2センサST2の出力端子と電気的に接続された第2電極とを含む。第1電極はスイッチング素子SWのゲート電極と同一のスキャンラインSL1に接続される。また、図2に示したように、キャパシタCsの第1電極はスイッチング素子SWのゲート電極と一体に形成されてもよい。キャパシタCsは第1スキャンラインSL1からスキャン信号を受信して第1電圧を充電し、スキャン信号の供給が終わった後第1スキャンラインSL1がフローティングとされた後に電流信号によって、第1電圧より高い第2電圧を充電する。このとき、第1スキャンラインSL1を通じてスイッチング素子SWの閾値電圧より低い電圧のスキャン信号が印加されるので、第1電圧はスイッチング素子SWの閾値電圧より低く、第2電圧はスイッチング素子SWの閾値電圧より高い。したがって、スイッチング素子SWはキャパシタCsに充電された第2電圧に応答してターンオンされ、センシング信号を対応する読出しラインRL1に出力する。複数のスキャンラインSLはスキャンドライバ340に接続されて複数のスキャン信号を各々受信する。スキャンドライバ340はタイミングコントローラ310からスキャン制御信号例えば、開始信号STV2、第1クロック信号CKV2及び第2クロック信号CKVB2を受信してスキャン信号を出力する。スキャン制御信号STV2、CKV2、CKVB2はゲート制御信号STV1、CKV1、CKVB1に同期する信号であってもよい。スキャンドライバ340の構成及び動作に関しては図3を参照して詳細に説明する。図2に示したセンサ回路SNは相違なる外部信号を受信する複数のセンサが1つのスイッチング素子に共通に接続される。したがって、スイッチング素子及び配線の数を減らすことができ、センサ回路SNを単純に実現できる。その結果、同一の面積内に挿入されるセンサの数を増加させることができるのでパネルの解像度resolutionが高まってタッチ位置をより正確にセンシングできる。図3は本発明の一実施形態に係るスキャンドライバの構成を概念的に示した回路図である。図3を参照すれば、スキャンドライバ340はシフトレジスタ341、反転回路342及びスイッチング回路343を含む。シフトレジスタ341は互いに従属的に接続された複数のステージSRC1~SRCn1を含む。各ステージは第1入力端子IN1、第1クロック端子CK1及び第2クロック端子CK2、第2入力端子IN2、電圧入力端子Vin、リセット端子RE、出力端子OUT及びキャリー端子CRを含む。複数のステージSRC1~SRCn1の各第1入力端子IN1は、その前段のステージのキャリー端子CRに電気的に接続され、キャリー信号を受信する。ただし、複数のステージSRC1~SRCn1の中で最初のステージSRC1の第1入力端子IN1にはスキャンドライバ340の駆動を開始する開始信号STV2が供給される。複数のステージSRC1~SRCn1の第2入力端子IN2は次の段のステージの出力端子OUTに電気的に接続されて次の段のベース信号BS2~BSn1を受信する。ただし、複数のステージSRC1~SRCn1の中で最後のステージSRCn1の第2入力端子IN2には開始信号STV2が供給される。複数のステージSRC1~SRCn1の中で奇数番目のステージSRC1、SRC3、...SRCn1の第1クロック端子CK1には第1クロックCKV2が供給され、第2クロック端子CK2には第1クロックCKV2と反転された位相を有する第2クロックCKVB2が供給される。複数のステージSRC1~SRCn1の中で偶数番目のステージSRC2、...SRCnの第1クロック端子CK1には第2クロックCKVB2が供給されて、第2クロック端子CK2には第1クロックCKV2が供給される。複数のステージSRC1~SRCn1の電圧入力端子Vinには接地電圧又はゲートオフ電圧VSSが供給される。また、複数のステージSRC1~SRCn1の中で最後のステージSRCn1を除外した残りのステージSRC1~SRCn各々のキャリー端子CRは次のステージの第1入力端子IN1に接続され、最後のステージSRCn1のキャリー端子CRは各ステージSRC1~SRCn1のリセット端子REに電気的に接続される。一方、反転回路342は複数のインバータを含む。複数のステージSRC1~SRCnの各出力端子OUTは反転回路342のインバータに対応して電気的に接続される。本実施形態でステージSRC1~SCRnの各出力端子OUTは反転回路342の相違なるインバータに対応して接続されてもよい。反転回路342はシフトレジスタ341の複数のステージSRC1~SRCnの出力端子OUTに接続され、ステージSRC1~SRCnから出力されたベース信号BS1~BSnを反転してスキャン信号SC1~SCnを出力する。このとき、スキャン信号SC1~SCnによって、スイッチング素子SWがターンオンされることを防止するために、スキャン信号SC1~SCnの電圧レベルはスイッチング素子SWの閾値電圧より低いレベルに定める。スイッチング回路343は反転回路342の出力端子に接続され、スイッチング信号SH1~SHnに応答してスキャンラインSL1~SLn各々をフローティングとする。スイッチング信号SH1~SHnはスキャンラインSL1~SLnに順次に印加されるので、スキャンラインSL1~SLn各々は順次にフローティングとされる。このとき、スイッチング信号SH1~SHnはベース信号BS1~BSnの各々と同期されて印加されてもよく、スイッチング信号SH1~SHnはベース信号BS1~BSnと同一であってもよい。再び図1及び図2を参照すれば、読出しラインRLは検出回路350に接続されて対応するセンサ回路SNから受信されたセンシング信号を検出回路350に供給する役割を果たす。センサ回路SNは第2電圧に応答してスイッチング素子SWがターンオンされれば、ターンオンされたスイッチング素子SWを通じて外部信号の強さに応じたセンシング信号を第1読出しラインRL1に供給する。検出回路350はセンシング信号を受信して外部信号が供給された位置を検出する。具体的には、検出回路350はベース信号が発生された時点及び受信されたセンシング信号に基づいて位置情報PS、即ち、使用者が指でタッチした地点の2次元座標値を生成する。検出回路350はタイミングコントローラ310を通じて位置情報PSを処理装置図示せずに印加する。処理装置は受信された位置情報PSに基づいて使用者が表示パネルの上に位置情報が示す位置に表示されたコンポーネントを選択したものと看做す。そして、処理装置図示せずはコンポーネントの選択にしたがう命令を処理し、処理結果による新しい映像信号R、G、B及び制御信号CSをタイミングコントローラ310に印加する。表示装置300は受信された信号R、G、B、CSを基礎として処理結果を表示する。図4は本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図であり、図5は図4のB部分の拡大図である。図4及び図5を参照すれば、表示装置300は映像を表示する表示パネル100及び表示パネル100の下部に備えられたバックライトユニット200を含む。図5を参照すれば、表示パネル100は、下部基板110、下部基板110と対向する上部基板120及び下部基板110と上部基板120との間に介在する液晶層130を含む。下部基板110は第1ベース基板111及び第1ベース基板111の上に備えられた複数の画素PX図1に示すを含む。各画素PXには画素電極115が含まれてもよい。しかし、各画素は画素電極115以外にも画素電極115を駆動させるための薄膜トランジスタ等をさらに含むものでもよい。上部基板120は第1ベース基板111と対向する第2ベース基板121及び下部基板110と対向する第2ベース基板121の下面の上に備えられた複数のセンサ回路SN図1に示されるを含む。複数のセンサ回路SNの各々に含まれた第1ST1及び第2センサST2図2に示すはシリコンゲルマニウムSiGeトランジスタからなり、第2ベース基板121の上に形成されてもよい。図5には便宜上第2センサST2のみを示した。このとき、第2センサST2は半導体層127の下部に備えられ、第2光L2を通過させて第1光L1を遮断するフィルタ122をさらに含むものでもよい。フィルタ122は半導体層と同様にシリコンゲルマニウムSiGeを含むものでもよい。また、上部基板120はセンサ回路SNをカバーする絶縁膜123、絶縁膜123の上に画素電極115と対向する領域に配置された赤、緑及び青色画素であるR、G、Bをさらに含む。色画素R、G、Bの間にはブラックマトリックスBlackmatrix124が備えられ、色画素R、G、Bは有機絶縁膜125によってカバーされる。上部基板120は有機絶縁膜125の上に形成された共通電極126をさらに含む。画素電極115、共通電極126及び液晶層130によって液晶キャパシタClcが形成されてもよい。図5では色画素R、G、Bが上部基板120側に備えられた構造を提示したが、色画素R、G、Bは下部基板110側に備えられてもよい。図4を参照すれば、バックライトユニット200は表示パネル100の下部に配置された回路基板201、回路基板201の上に実装されて可視光線波長帯を有する第1光L1を出射する複数の第1光源210及び回路基板201の上に実装されて赤外線波長帯を有する第2光L2を出射する複数の第2光源220を含む。第1光源210及び第2光源220は回路基板201の上に交互に配置されてもよい。本発明の一実施形態として、図4に示したように互に隣接する2つの第1光源210の間に1つの第2光源220が配置されてもよい。また、第1光源210及び第2光源220の各々は発光ダイオードを含むものでもよい。図5を参照すれば、第1光源210から出射された第1光L1は表示パネル100に入射され、入射された第1光L1は液晶層130を通過する。液晶層130の光透過率は画素電極115と共通電極124との間に形成された電界によってコントロールされる。即ち、表示パネル100は液晶層130によって第1光L1の透過率をコントロールすることによって望ましい階調映像を表示できる。一方、第2光源220から出射された第2光L2は表示パネル100に入射された後、表示パネル100を通過する。表示パネル100を通過した第2光L2は使用者の目には認識されないので、使用者が表示パネル100に表示された映像を認識するのには影響を及ぼさない。図5に示していないが、第2光源220から出射された第2光L2は表示パネル100内に備えられた複数の層例えば、画素電極115、液晶層130及び色画素R、G、B等によって一部が反射され、一部のみが表示パネル100を通過できる。表示パネル100を通過した第1光L1及び第2光L2は外部に放射されるが、表示パネル100の上に物体例えば、指10が存在すれば、第1光L1及び第2光L2は指10によって反射される。表示パネル100の上の物体によって、反射された第1光L1は第1センサ図示せずによってセンシングされ、反射された第2光L2は第2センサST2によってセンシングされる。しかし、第1光L1はブラック階調を表す領域では液晶層130によって遮断されるので、この場合には第2光L2によるセンシングのみが可能である。言い換えれば、本発明ではセンシングの正確性を高めるために、複数の光源及び相違なる波長帯の光をセンシングするセンサを使用する。指10によって反射された第2光L2は表示パネル100内に備えられた第2センサST2を通じてセンシングされる。反射された第2光L2はフィルタ122を通過して第2センサST2の半導体層127に入射され、反射された第2光L2の光量によって第2センサST2から出力されるフォト電流が変化する。図5では、第2センサST2が上部基板120に備えられた構造を提示したが、複数のセンサ、例えば第1ST1及び第2センサST2は下部基板上に備えられるものでもよい。しかし、センサが上部基板120に備えられれば、下部基板110に備えられた場合に比べて物体との距離が相対的に近くなる。したがって、第1センサST1及び第2センサST2の感度を向上させることができ、タッチされた地点を正確に把握するのに有利である。また、上部基板120に備えられた第1センサST1及び第2センサST2がブラックマトリックス124が形成された領域内に位置する場合、表示パネル100の開口率を向上させることができる。以下、センサ回路の外部信号のセンシング方法について具体的に説明する。センサ回路SNの各々は同一の構造を有するので、ここでは図6A乃至6Cを参照して1つのセンサ回路SNの動作を一実施形態として説明する。ただし、6A乃至6Cでは説明の便宜のためにセンサ回路SNに対応する第1スキャンラインSL1及び第1読出しラインRL1のみを示した。図6A乃至図6Cは本発明の一実施形態に係る表示装置の外部信号のセンシング方法を説明するための図面であり、図7は図6A乃至図6Cのキャパシタに充電された電圧の変化を示した波形図である。図6Aはスキャン信号が印加されたときのセンサ回路の動作を示した図面であり、図7の0とt1までの区間に対応する。図6A及び図7を参照すれば、キャパシタCsは第1スキャンラインSL1から印加されたスキャン信号SC1を受信してキャパシタCs両端に第1電圧V1を充電する。前述したように第1スキャンラインSL1からスイッチング素子SWの閾値電圧より低いスキャン信号が印加されるので、第1電圧V1はスイッチング素子SWの閾値電圧Vtより低く、スイッチング素子SWはターンオフされた状態を維持する。図6Bは対応するスキャンラインがフローティングとされた後に外部信号がセンシングされたときのセンサ回路の動作を示した図面であり、図7のt1とt2との間の区間に対応する。図6B及び図7を参照すれば、スキャン信号SC1の供給が中止されてスキャンラインSL1がフローティングとされれば、キャパシタCsは充電された第1電圧V1を維持する。このとき、表示パネル100上の物体、例えば、指によって、第1センサST1で反射された第1光L1が入射される場合、第1センサST1は入射された第1光L1の光量に対応する電流信号を出力する。本実施形態で第1センサST1で出力する電流信号は第1光L1の光量にしたがって変化する。同様に、第2センサST2で反射された第2光L2が入射される場合、第2センサST2は入射された第2光L2の光量に対応する電流信号を出力する。本実施形態で第2センサST2で出力する電流信号は第2光L2の光量にしたがって変化する。仮に反射された第1光L1が第1センサST1で入射され、反射された第2光L2が第2センサST2で入射される場合、第1センサST1及び第2センサST2の各々は各センサに入射された光量に応じて電流信号p-currentを出力する。電流信号p-currentによって、キャパシタCsの電圧は上昇する。したがって、キャパシタCsには第1電圧V1より高い第2電圧V2が充電される。前述したように第2電圧V2はスイッチング素子SWの閾値電圧Vtより高い値を有し、キャパシタCsの第1電極はスイッチング素子SWに電気的に接続される。したがって、スイッチング素子SWは第2電圧V2によって、ターンオンされ、第1読出しラインRL1にセンシング信号を出力する。スイッチング素子SWのソース電極には直流電圧が印加されるが、トランジスタの特性上の線形領域linearregionでセンシング信号の大きさは閾値電圧に比例して出力される。出力されたセンシング信号は詳述したとおり図1の検出回路350に印加され、検出回路350はセンシング信号を受信して外部信号が供給された位置を検出する。また、検出回路350はタイミングコントローラ310を通じて位置情報PSを処理装置に印加する。処理装置は位置情報PSに対応するイベントを処理して処理結果に従う新しい映像信号R、G、B及び制御信号CSをタイミングコントローラ310に供給する。タイミングコントローラ310は処理装置からの映像信号R、G、B及び制御信号CSを表示パネル100に供給し、表示パネル100は映像信号R、G、B及び制御信号CSに応答して使用者によって選択された位置に対応する結果を表示する。図6Cはスキャンラインがフローティングとされた後、スキャンラインにまたスキャン信号が印加されたときのセンサ回路の動作を示した図面である。図6C及び図7を参照すれば、キャパシタCsは図6Aと同様に第1スキャンラインSL1から印加された第1スキャン信号SC1を受信してキャパシタCs両端に第1電圧V1を充電する。言い換えれば、キャパシタCsに充電された電圧は第2電圧V2から第1電圧V1まで低くなる。したがって、スイッチング素子SWはターンオフされる。詳述したことによれば、入射された光によって、スイッチング素子がターンオンされ、トランジスタのアクティブ領域でスイッチング素子が動作する。したがって、スイッチング素子から出力されるセンシング信号の大きさが既存の方式に比べて大きくセンシング信号の出力範囲も広いので、センシング感度が向上する。以上実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することができると理解される。