"荷電粒子線を透過させるための開口部を有するシリコン支持基板層と、転写パターンとなる貫通口が形成されたシリコン単結晶からなるメンブレン層と、前記シリコン支持基板層と前記メンブレン層との間に形成された中間絶縁層から成り、前記貫通口は前記転写パターンの同一部分を、少なくとも2つ以上重複して有することを特徴とする部分一括露光用ステンシルマスク。前記貫通口は、前記転写パターンを少なくとも2つ以上の異なる領域境界で抽出することにより、前記転写パターンの同一部分を少なくとも2つ以上重複して有することを特徴とする請求項1に記載の部分一括露光用ステンシルマスク。請求項1または2に記載の部分一括露光用ステンシルマスクを用いた露光工程を行うことにより製造された半導体装置。部分一括露光技術は、露光領域の歪みや位置ずれがパターンの位置精度やつなぎ精度あるいは寸法精度に誤差を生じさせるため、これを所望の矩形領域として精度よく整形及び位置決めする必要がある。またレンズの光学的な性能が像形成の精度を左右するため、同様にパターン精度に影響をもたらす。更に、部分一括露光の電流量は一本の集束された電子線で露光する場合に比べて数十倍以上大きいので、電場や磁場の影響を受けやすく、電子線を精度よく制御するにはより困難を伴う。露光領域の精度は、第1には露光装置の、レンズや偏向器などからなる光学系の性能、及びこれらを制御するための演算をおこなうハードウエアやソフトウエアの性能、加えて被露光基板の移動精度に係わるステージの性能などに起因する。周知のとおり、半導体装置の高性能化のために継続的に更新される種種の技術的な目標値、特に回路パターンの位置精度や寸法精度に関する目標値は、常に最も高性能の、換言すると最新の露光装置を使用することでようやく達成が可能となる値である。このため、半導体装置を継続的に製造するためには、常に最新の露光装置を導入し直す必要がある。しかしながら最新の露光装置は概して非常に高価であるため、生産コストに多大な負担を与える。露光領域の精度に係わる第2の要因として、光学系を帯電させて結像精度や偏向精度を悪化させる原因となる、露光装置内の有機汚染があげられる。被露光基板には、パターンを発現させるためにレジスト膜が成膜されているが、レジストから発生する有機成分が露光装置内に堆積すると、これが帯電を引き起こす事で精度が悪化する。つまり、必要十分な性能を有する露光装置が開発され,あるいは生産現場に導入された場合でも、その性能を維持するためには、露光装置内を常に清浄な状態で維持する必要がある。そのため、装置内の部品は恒常的に交換し続ける必要があるが、これらの部品は露光装置自体と同様に高価であるため、やはり生産コストに対する多大な負担となる。更に第3の要因として、露光装置の設置場所における温度や電磁場など、環境的な外乱による装置性能の低下があげられる。露光装置の温度は電子線の精度やステージの移動精度に影響をおよぼすため、精密に制御される必要がある。最先端の半導体装置を生産するためには、露光装置周辺の環境温度は0.01°Cレベルで制御される必要があるため、非常に大がかりな空調設備を必要とする。また周囲の電磁場の影響も同様の悪影響を与えるため、露光装置は電磁場から隔絶するためのシールドで覆われる必要がある。以上のように,先端の半導体装置を製造可能な精度を有する露光装置を実現するためには、技術的な困難さに加えて、コスト的な負担が非常に多大である。転じてステンシルマスクについて述べると、ステンシルマスクには位置精度や寸法精度などにおいて、技術的に達成困難なある程度の誤差が含まれている。上述したように、半導体装置に係わるこれらの精度は、現状の技術レベルに対して余裕度が低いため、ステンシルマスクの精度が半導体装置の製造歩留まりに大きく影響する。本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、部分一括露光において露光装置の過剰な性能を必要とすることなく、回路パターンの位置精度やつなぎ精度あるいは寸法精度を簡便に、かつ安価に向上させることが出来るステンシルマスクを、余裕度の高い加工精度で提供する事を目的とする。本発明の請求項1に係る発明は、荷電粒子線を透過させるための開口部を有するシリコン支持基板層と、転写パターンとなる貫通口が形成されたシリコン単結晶からなるメンブレン層と、前記シリコン支持基板層と前記メンブレン層との間に形成された中間絶縁層から成り、前記貫通口は前記転写パターンの同一部分を、少なくとも2つ以上重複して有することを特徴とする部分一括露光用ステンシルマスクとしたものである。本発明の請求項2に係る発明は、前記貫通口は、前記転写パターンを少なくとも2つ以上の異なる領域境界で抽出することにより、前記転写パターンの同一部分を少なくとも2つ以上重複して有することを特徴とする請求項1に記載の部分一括露光用ステンシルマスクとしたものである。本発明の請求項3に係る発明は、請求項1または2記載の部分一括露光用ステンシルマスクを用いた露光工程を行うことにより製造された半導体装置である。本発明によれば、転写パターンの同一部分を、少なくとも2つ以上の貫通口からの転写により形成する事で、露光装置ならびにマスクの精度誤差を平均化し、高精度の転写パターンを得ることができるステンシルマスクが供給される。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る部分一括露光用ステンシルマスクについて、図を基に説明する。本発明のステンシルマスクは、荷電粒子線を透過させるための開口部を有するシリコン支持基板層と、転写パターンとなる貫通口が形成されたシリコン単結晶からなるメンブレン層と、前記シリコン支持基板層と前記メンブレン層との間に形成された中間絶縁層から成り、前記貫通口は前記転写パターンの同一部分を、少なくとも2つ以上重複して有することを特徴とする部分一括露光用ステンシルマスクとしたものである。図1は露光装置によって転写されるパターンの模式図であり半導体装置の回路パターンの一部を示している。図中の抽出領域111及び抽出領域121で示される矩形の枠は、1回の電子線照射によってパターン転写をする照射領域である。照射領域の大きさは露光装置の光学的な設計や半導体装置のデザインあるいは必要とされる転写精度などから適宜決定され、多くの場合は可変である。照射領域が広い場合は高いスループットが得られるが、転写パターンの位置精度やつなぎ精度、あるいは寸法精度が低下する。照射領域が広くなると精度が低下する原因としては、転写パターンを形成する転写像の収差が大きくなる、あるいは対物系での偏向の歪みが領域の広さに順じて絶対値的に大きくなる,あるいは電流量が大きくなる事によって電子間の反発力による転写像のボケが大きくなる、などといった事が挙げられる。図2a~dは上述の転写像を形成するための貫通口である。貫通口は本発明のステンシルマスクに形成されており、シリコン単結晶からなるメンブレン層を既知の方法によってエッチングする事によって得られる。多くの場合、貫通口の形成において十分な位置精度あるいは寸法精度を得るため、貫通口を透過した転写像は被露光基板に縮小投影される。したがって転写されるパターンに対して貫通口は同一の形状を有するが縮小倍率の分だけ大きい。この縮小倍率は、必要なパターン精度を得るための露光装置の設計や、貫通口の加工精度によって決定され、数倍から数十倍あるいは等倍である。本発明のステンシルマスクにおいては、この縮小倍率については規定しない。貫通口211及び221は抽出領域111の転写像を形成するために用いられる。また、貫通口212及び222は抽出領域112の転写像を形成するために用いられる。抽出領域111のパターンはまず、貫通口211を透過した電子線により、被露光基板上に形成されたレジストの規定露光量の半分の露光量で露光される。次に同抽出領域111のパターンは貫通口221を透過した電子線により、被露光基板上に形成されたレジストの規定露光量の半分の露光量で露光される。つまり抽出領域111のパターンは同じ形状を有する2つの貫通口によって、総じて規定の露光量の分だけ2回露光される。貫通口の精度には技術的に達成困難なある程度の誤差が含まれているが、2つの貫通口により、それぞれ規定の半分の露光量で露光されるため、これら貫通口の誤差は平均化され、1つの貫通口の精度より高い精度の転写パターンを得る事が出来る。貫通口212及び222を用いた抽出領域112の転写パターンの形成については上述の方法に順ずるため割愛する。次に、ステンシルマスク上への各貫通口の配置の仕方について図3を用いて説明する。ステンシルマスク上には、半導体装置の回路パターンの一部を抽出した貫通口が数百から数千種形成されているのが一般的である。図3では説明の簡単のため、16種類の貫通口が設けられた簡略図としている。図中anとbnn=1~8は同じnに対して同じ形状の貫通口を表し、同じnをもつa群の貫通口とb群の貫通口は、上述した、1つの抽出領域を転写する2つの貫通口である。被露光基板上に回路パターンを網羅するため、露光装置は被露光基板の場所ごとに、適宜対応する貫通口を選択しつつ電子線を照射する。ある特定の貫通口に選択的に電子を透過させるため、露光装置内のステンシルマスク上部には、レンズと偏向器が設置されている。また、被露光基板への電子線照射のため、ステンシルマスク下部にも対物系のレンズと偏向器が設置されている。特定の貫通口を選択し被露光基板の特定の場所に電子線を照射するため、電子は偏向器によって偏向されるが、貫通口の位置によってその偏向量と方向も異なる。ここで電子線の偏向精度や整形精度あるいは結像精度などは偏向量と方向によって左右される。これは偏向器そのものの誤差傾向に加えて、電子線が通過するレンズ面の位置により誤差傾向が異なるためである。換言すると、近接する偏向位置を通過した転写像はほぼ等しい傾向の誤差を含み、離れた偏向位置を通過した転写像は異なる傾向の誤差を含む。つまり図3に示すように、1つの抽出領域を転写する2つの貫通口が、ステンシルマスク上で出来るだけ離れるように配置すれば、偏向位置によって左右される種種の誤差傾向は相殺され平均化される。このようにすることによって、露光装置が本来有する精度よりも高い精度の転写パターンを得る事が可能と成る。次に転写パターンの露光順序について説明する。電子線の偏向精度や整形精度あるいは結像精度などの誤差傾向は露光中において経時的に変化する。これは露光装置の光学系やステージにおける温度、磁場、電場などが経時的に変化することと、露光装置が設置されている環境の同じく温度、磁場、電場などが経時的に変化することによる。既に説明したように、図3においてanとbnn=1~8は同じnに対して同じ形状の貫通口を表し、同じnをもつa群の貫通口とb群の貫通口は、1つの抽出領域を転写する2つの貫通口である。これらの露光順序として、まずa群の貫通口のみを用いて半導体装置の回路パターンを全て露光する。次にb群の貫通口を用いて同じく回路パターンを全て露光する。このような順序で露光を行なう事により、同じnを持つanとbnの貫通口によって転写されるパターンは、時間を隔てて2回露光される事となる。これにより経時的に変化する誤差傾向をも相殺し平均化する事が出来、更に精度の高い転写パターンを得る事が可能と成る。以上説明したように、本発明によるステンシルマスクを用いれば、ステンシルマスクにおける貫通口の加工精度、露光装置の性能、経時的な精度変化により限定される転写パターンの精度を簡便に向上させる事が可能と成る。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る部分一括露光用ステンシルマスクについて、図を基に説明する。図4は露光装置によって転写されるパターンの模式図であり半導体装置の回路パターンの一部を示している。抽出領域411,412,421~426を表す図中の矩形の枠は、第1の実施形態同様、1回の電子線照射によってパターン転写をする照射領域である。図5a~hは転写像を形成するための貫通口である。ここで抽出領域41jj=1,2は同じjを持つ貫通口51jを透過した電子線によって転写され、抽出領域42kk=1~6は同じkを持つ貫通口52kを透過した電子線によって転写される。図からわかるように転写パターンは領域枠をずらした2種類の抽出領域で2回露光される事となる。半導体装置の回路パターン全体は、部分的に抽出されたパターンを被露光基板に転写して敷き詰める事で形成される。ただしこのとき、敷き詰められるべき転写パターンの領域境界部のつなぎにはずれが生じる。これは、露光装置の精度限界により転写領域に対応する転写像の矩形性や大きさ、転写位置などに誤差を含むためである。また、電子線を成型し転写像とするステンシルマスクの貫通口も、同様の誤差を含んでいる。本発明の第2の実施形態に拠れば、上述したように、回路パターンは領域枠をずらした2種類の抽出領域で2回露光される事となる。したがって1回の露光で生じる転写枠の境界部は、他の1回の露光では境界部とはならず、それぞれの露光における境界部のつなぎ精度は互いに補完される。このため、第1の実施形態で示された効果に加え、さらに高いつなぎ精度を実現する効果が得られる。実施例1本発明の第1の実施形態による精度向上効果を確認するために行った実施例について図を用いて説明する。図6aはパターン61を示す全体図であり、実施例で用いた転写パターンとパターン抽出枠を表している。実線で示される転写パターンには幅1μmの縦線及び横線がそれぞれ50μmの等間隔で10本並べられており、全体で500μmの領域を持つ井桁型のパターンとなっている。破線はこの転写パターンのパターン抽出枠であり、枠内のパターンが再帰的な繰り返しとなるよう構成されている。図6bに示すように、貫通口62と貫通口63はこの抽出枠で抽出したステンシルマスクの貫通口を表す。貫通口は線幅が1μm、長さが100μmの井桁型の形状となっている。この形状の貫通口を800μm離して2つ配置したステンシルマスクを作製した。ここでステンシルマスクの作成方法について図7をもちいて説明する。まず、ステンシルマスクの基材として、厚さ725μmからなるシリコン支持基板71、厚さ1μmのシリコン酸化膜72、厚さ2μmのシリコン単結晶からなるシリコン活性層73によって形成される直径が200mmφの3層構造のSOISiliconOnInsulator基板を用意した図7a参照。一般的に、荷電粒子線用ステンシルマスクの製造に用いられるSOI基板は、シリコン支持基板71の厚みが525μm~725μm、シリコン酸化膜72の厚さが0.5μm~1.0μm、シリコン活性層73の厚みが0.5μm~2.0μm程度であり、必要とされる精度や露光装置の緒元によって各層の膜厚が決定されるが、シリコン酸化膜72の厚みは厚すぎると酸化膜の圧縮応力によるメンブレン破壊の原因となるため、後に説明するドライエッチングのエッチングストッパ層として十分な厚みである範囲で薄くすることが望ましい。次に、シリコン活性層73上にポジ型電子線レジスト74を1000nmの膜厚でスピンコート法により塗布した図7b参照。次に、レジスト74上に表裏合わせ用マークパターンおよびステンシルパターンを照射量が10μC/cm2となるように電子線露光した。さらに、110°Cの露光後ベークを60秒間行なった後、アルカリ現像液による現像を90秒施し、現像後の表裏合わせ用マークパターン75、および貫通口62と貫通口63の形状を持つレジストパターン76を得た図7c参照。次に、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、前記表裏合わせ用マークパターン75およびレジストパターン76をエッチングマスクにして、シリコン酸化膜72までエッチングをおこなった。次に、酸素アッシングによるレジスト74の剥離を施し、表裏合わせ用マークパターン77およびトレンチパターン78を得た図7d参照。次に、シリコン支持基板71表面シリコン酸化膜72と反対側のシリコン支持基板71の面にフォトレジスト79をスピンコート法により塗布して厚さが50μmの感光層を形成し、露光および現像のパターニング処理を行うことでメンブレン開口用レジストパターンを形成した図7e参照。なお、パターン露光時のシリコン支持基板71とメンブレン開口用レジストパターン露光用のフォトマスクとの位置合わせは、表裏合わせ用マークパターン77とフォトマスク上に予め形成されたアライメントマークを用いた。次に、フォトレジスト79をエッチングマスクにし、シリコン酸化膜72をエッチングストッパ層として、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングによりシリコン支持基板71の一部をエッチングし、シリコン酸化膜72の表面を露出させた。さらに、HFフッ化水素酸溶液に浸漬してドライエッチングにより露出したシリコン酸化膜72を除去した。最後に酸素アッシングによるフォトレジスト79の剥離を行った図7f参照。これによって、貫通口62と貫通口63の形状を持つトレンチパターン78が厚さ2μmのシリコンから成る貫通口として完成する。次にこのステンシルマスクを用いて転写パターンを形成した場合の精度向上効果について説明する。まず比較のため、通常の露光方法を模して、貫通口62のみを用いてパターン61を形成した場合の精度を記す。パターンの形成はポジ型電子線レジストに20μC/cm2のドウズ量で電子線を照射することで行なった。このとき貫通口62を透過させた転写像を100μmピッチでずらしながら縦/横各々5個ずつ並べて照射し、そののちレジストを現像する事でパターン61の形状どおりのレジストパターンを形成した。得られた井桁型パターンの交差部分の位置を100箇所測定したところ、位置のばらつきは3σで縦方向に14.5nm、横方向に13.5nmであった。破線で示されるパターン抽出枠の境界に当たらない井桁交差部間中点の寸法を縦線/横線についてそれぞれ50箇所測定した場合の寸法ばらつきは、縦線が3σで5.3nm、横線が3σで5.6nmであった。パターン抽出枠境界のつなぎずれ量を直線パターンの段差として、縦線/横線それぞれ40箇所測定した値は、縦線が3σで18.4nm、横線が3σで17.6nmであった。次に、貫通口62と貫通口63を用いて本発明の第1の実施形態で説明された方法によりパターンを形成した場合の精度を記す。まず上述と同じ配列で、ポジ型電子線レジストに10μC/cm2のドウズ量で貫通口62を透過した電子線を照射し、次に同じく10μC/cm2のドウズ量で貫通口63を透過した電子線を重ねて照射した。そののちレジストを現像する事で、パターン61の形状どおりのレジストパターンを形成した。上述と同様にして位置のばらつきを測定したところ、3σで縦方向に8.3nm、横方向に9.5nmであった。また、寸法ばらつきは、縦線が3σで4.8nm、横線が3σで4.6nmであった。パターン抽出枠境界のつなぎずれ量は縦線が3σで12.1nm、横線が3σで13.1nmであった。以上のように本発明の第1の実施形態に係る荷電粒子線用ステンシルマスクによれば、位置精度やつなぎ精度あるいは寸法精度といったパターンの転写精度を向上させる事が可能となる。実施例2次に、本発明の第2の実施形態による精度向上効果を確認するために行った実施例について図を用いて説明する。まず、図8aのパターン81に示すように実施例1と同じパターン形状を持つ転写パターンについて同様の抽出枠で再帰的なパターンを抽出し、図8bに示す貫通口811とする。加えて図8cのパターン82に示すように、同じ転写パターンについて、抽出枠を縦横それぞれ50μmずらして再帰的なパターン抽出し、図8dに示す貫通口821~829とする。これらの貫通口を備えたステンシルマスクの作成方法については実施例1と同様であるので割愛する。パターンの転写に際しては、まず貫通口811を用いて、パターン81の配置通りに10μC/cm2の電子線を照射し、次に貫通口821~829を用いてパターン82の配置通りに10μC/cm2の電子線を、パターン81と重なるように照射した。こののち現像を行ってレジストパターンを得た。こうして形成した転写パターンについて、実施例1同様に抽出枠境界部のつなぎずれ量を測定したところ、縦線が3σで2.3nm、横線が3σで2.7nmであった。以上のように本発明の第2の実施形態に係る荷電粒子線用ステンシルマスクによれば、第1の実施形態に係る荷電粒子線用ステンシルマスクで形成した転写パターンよりも、さらに高いつなぎ精度でパターンを形成することが可能である。"