電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する手段を備えることを特徴とするパターン計測装置。電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置が実行する方法であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する工程を含むことを特徴とするパターン計測方法。本発明は斯かる背景技術に鑑みて成されたもので、電子線照射によって表面が帯電した場合でも、パターン寸法を高精度で計測することができることを課題とする。本発明において上記課題を解決するために、まず請求項1に係わる発明では、電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する手段を備えることを特徴とするパターン計測装置としたものである。また請求項2に係わる発明では、電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置が実行する方法であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する工程を含むことを特徴とするパターン計測方法としたものである。本発明によれば、電子線照射によって表面が帯電した場合でも、パターン寸法を高精度で計測することができるという効果がある。以下、本発明のパターン計測方法およびパターン計測装置について、図を参照して説明する。図3は本発明の実施の一形態であるパターン計測装置の構成と動作の流れを表した説明図である。まずパターン設計データに基づいて試料上の計測位置が指定されるS1。指定された計測位置のパターン形状と、別途指定されるパターン構成材料とから、最適な計測条件がデータベースから検索され、CD-SEMを制御する装置に転送されるS2。前記装置は指定された位置を含むSEM画像をCD-SEMから複数取得するS3。このSEM画像は直交するXY方向の画素数分を1回走査して得られるものであっても良いし、また、複数回走査した結果を積算することによって得られるものであっても良い。一般的には、帯電の影響を少なくするには、SEMの一次電子の電流値を小さくし、高速に走査することが好ましい場合が多く、ノイズが少ない良好な画像を得るためには複数回走査した結果を積算することによって得られるものであることが好ましい。続いて、同一箇所について複数取得したSEM画像データはその差分処理ユニットに転送される。差分処理ユニットにおいては複数取得したSEM画像データの変動を解析して帯電による変動を抽出するS4。以下、SEM画像の横方向をX方向、縦方向をY方向とし、X方向の走査を異なるYの値に対して順次繰り返すことでXY方向の2次元SEM画像を取得するものとして帯電によるSEM画像の変動成分について説明する。X方向の走査はすべてのYに対して同じ向きであることを前提として説明するが、交互に逆方向に走査する場合でも適用することが可能である。第1の成分は単一のX方向の走査内に現れる成分である。これは試料の深さ方向をZとしたとき、簡易的にはXZ平面の2次元でのシミュレーションにより、SEM像の輝度プロファイルに及ぼす影響を抽出できる。SEM像の取得条件との関係としては、一次電子の電流値、走査速度によって抽出される値が変化する。第2の成分は複数のX方向の走査に表れる成分である。これは画像の歪みとして現れる成分と、輝度値の変化として現れる成分に分解される。画像の歪みは試料の帯電によって一次電子が入射する位置がずれることによって画像が流れる現象が典型的であり、ドリフトと呼ばれている。例えば線状パターンの幅寸法を計測したい場合に、帯電によるドリフトの成分と電子線の走査方向とパターンの相対角度の誤差成分、すなわちローテーションの成分が含まれ、単一のSEM画像ではこれらを分離することが極めて困難である。これに対し、複数の積算画像の差分処理によってドリフト成分とローテーション成分を抽出することができる。ドリフトの量と方向をシミュレーション計算によって正確に予測することは既存の技術では困難であり、計測条件を変更して再測定する必要がある。このように複数画像の差分処理はドリフトによる誤計測を発見することに用いることもできる。また、前記の輝度値の変化として現れる成分としては、SEM像にあるパターンに影が生じたように見えるものが典型的である。このような現象が起こる原因の一つは試料表面が急激に正に帯電することによって、二次電子の飛行する方向が試料側に引き戻される方向に曲げられるために、二次電子の検出効率が低下することが考えられている。この影響は前記第1の成分とも関係しており、XZ平面の二次元でのシミュレーション結果と、XYZ空間の三次元でのシミュレーション結果の差からその成分を抽出することができる。ただし、このような処理は計算量が膨大となるため、前記特許文献3に記載されているように、影が生じる部分をあらかじめ予測して、その部分を除外して走査するようにしてもよい。第3の成分はXY方向すべての画素分の走査によって構成したSEM画像を複数枚取得したときに表れる成分である。それぞれのSEM画像は1回の走査で取得したもので得あっても良いが、ドリフトが起こりにくい条件でノイズの少ない画像を得るには複数回走査したものを積算して構成した画像であることが、より好ましい。繰り返し取得した複数のSEM像の差分処理によって抽出できる量としてはホワイトバンドのピーク値や形状、SEM観察領域表面の材料の差異によるコントラストの変動などをあげることができる。このような変動が起こるのは試料表面に形成された電荷分布の緩和時間が1画面分の走査に要する時間と同等もしくはそれ以上に長い場合に顕著である。SEM画像の輝度値の変動は一次電子の走査領域全体、さらに詳しくは、走査領域外部に流れ出た電流の到達範囲も含めた領域の電位の変化によって、検出器に到達する二次電子の数が変動することによる。SEM画像は各画素の輝度を8ビットの整数、すなわち256階調のグレースケール画像として記録し、表示するのが一般的である。最終的に記録されるSEM画像は検出器で取得した各画素の輝度値からコントラストと明るさを最適化したものとなる。したがって、ホワイトバンドのピーク強度は全体の輝度値に対して影響を及ぼすことになる。したがって、256階調のグレースケールに変換された後の画像の輝度値の差分をそのまま取ってしまうと、実際の二次電子検出量の変化とは異なった変動量を検出してしまうことになる。このことを回避するためには、表面の凹凸の形状による輝度コントラストの影響をあまり受けない平坦部分の輝度値の変化から推定する方法、あるいは画像の輝度値と検出器の信号強度の絶対値の関係を画像情報のほかに別途記録する方法などがある。例えば異なる材料からなる平坦部分の輝度が連続的に取得した複数の画像で変化した場合に、それぞれの領域の輝度が1枚目の画像と最も近い値となるようにコントラストと明るさを補正することによって、ホワイトバンド部分が帯電によって変化した量をより正確に抽出することができる。このように、連続的あるいは間欠的に取得した画像の変化量を定量的に差分処理することによって帯電による変動を正確に抽出することができ、この情報をシミュレーションによって蓄積したデータベースと照合することによって、寸法の計測値を正確に補正することが可能となる。最後に、補正により得られたパターン計測値を出力するS5。本発明の実施の形態について実施例を用いてさらに説明する。石英ガラス基板上に厚さ4.2nmのシリコン膜と2.8nmのモリブデン膜を交互に40対積層し、その上に厚さ4nmのシリコン膜、厚さ4nmのケイ酸ジルコニウム膜、タンタルを主成分とする厚さ70nmの吸収層、酸化タンタルを主成分とする厚さ20nmの反射防止層を形成したEUVマスクブランクを用意した。前記ケイ酸ジルコニウム膜はケイ素を主成分とするターゲットとジルコニウムを主成分とするターゲット、およびアルゴンと酸素の混合ガスを用いた反応性二元スパッタリングにより作製した。前記反射防止層の上にレジストを塗布し、電子線露光装置を用いて露光し、ベーキング後に現像処理を行ってレジストパターンを形成した。ドライエッチングによって上記反射防止層と吸収層をエッチング加工した後に表面に残ったレジストを除去し、EUVマスクを得た。前記EUVマスクの設計線幅85nmの溝状のパターン部分をCD-SEMを用いて連続的に10枚のSEM画像を取得した。この画像には酸化タンタルを主成分とする層の表面、ケイ酸ジルコニウム膜の表面、およびパターン端部で二次電子が多量に放出されるホワイトバンドが見られる。前記10枚のSEM画像のうち1枚目の画像について、溝状パターンの複数の領域についてSEM画像の輝度プロファイルをデータベースに蓄積されたデータと照合し、最もホワイトバンドの形状が近いパターン側壁形状を検索した。その結果、ホワイトバンドの形状とその距離から、該溝状パターンの寸法として85.6nmという結果を得た。残りの9枚について、1枚目の画像から抽出したパラメータを用いて寸法計測したところ、図5に示すように、85.6nmから86.9nmまで徐々に増加する結果が得られた。10回の繰り返し測定結果の標準偏差は0.37nmであった。これに対応して、ホワイトバンドの左右、すなわちケイ酸ジルコニウム膜の表面と酸化タンタルの表面の輝度の平均値の差が図6に示すように、10.8から20.3に徐々に変化した。材料による輝度の平均値の差は平坦部分の二次電子収率の変化と、ホワイトバンド部分の二次電子収率の両方の影響を受ける。ホワイトバンド部分の二次電子収率が変化する影響は画像全体のコントラストと明るさに影響を及ぼすので、平坦部分の輝度変化からコントラストと明るさの変化量を抽出して逆算することによって、この影響を補正することができる。次にホワイトバンドの形状の変化から一次電子照射領域の帯電の影響を抽出する。このような変化は表面の帯電を考慮したシミュレーションによって再現することが可能である。シミュレーション結果とのマッチングの最適化を行った結果を図7に示す。補正後の各画像信号から得たパターンの幅は平均値85.8nm、標準偏差0.14nmとなり、帯電の影響を考慮した高精度の計測が可能となった。