複数種類の外部不揮発性記憶装置のそれぞれに対して書込処理を行なうための複数種類の書込パラメータが格納された内部不揮発性記憶回路と、接続された外部不揮発性記憶装置の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて前記複数種類の書込パラメータから前記接続された外部不揮発性記憶装置に適した1つの書込パラメータを選択し、当該選択された書込パラメータを用いて前記接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なう制御回路と、を備えた半導体集積回路。前記内部不揮発性記憶回路には、前記複数種類の外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なうために共通に用いられる書込制御プログラムが格納されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。前記識別情報が、前記接続された外部不揮発性記憶装置の製品IDであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。前記識別情報が、前記制御回路から発行された特定のコマンドに基づいて、前記接続された外部不揮発性記憶装置から読み取られたステータス情報であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。前記外部不揮発性記憶装置がシリアルEEPROMであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体集積回路。複数種類の外部不揮発性記憶装置のそれぞれに対して書込処理を行なうための複数種類の書込パラメータが格納された内部不揮発性記憶回路と、接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なう制御回路と、を備えた半導体集積回路による前記接続された外部不揮発性記憶装置への書込処理方法であって、前記制御回路が、前記接続された外部不揮発性記憶装置から当該外部不揮発性記憶装置の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて、前記制御回路が前記複数種類の書込パラメータから前記接続された外部不揮発性記憶装置に適した1つの書込パラメータを選択し、当該選択された書込パラメータを用いて、前記制御回路が前記接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なう、書込処理方法。前記内部不揮発性記憶回路には、前記複数種類の外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なうために共通に用いられる書込制御プログラムが格納されていることを特徴とする請求項6に記載の書込処理方法。前記識別情報が、前記接続された外部不揮発性記憶装置の製品IDであることを特徴とする請求項6又は7に記載の書込処理方法。前記識別情報が、前記制御回路から発行された特定のコマンドに基づいて、前記接続された外部不揮発性記憶装置から読み取られたステータス情報であることを特徴とする請求項6又は7に記載の書込処理方法。前記外部不揮発性記憶装置がシリアルEEPROMであることを特徴とする請求項6~9のいずれか一項に記載の書込処理方法。しかしながら、特許文献2では、搭載されるフラッシュメモリに対する書込パラメータのみがマスクROMに格納されている。換言すれば、搭載されるフラッシュメモリの種類に応じて、マスクROMに格納する書込パラメータを変える必要があった。本発明に係る半導体集積回路は、複数種類の外部不揮発性記憶装置のそれぞれに対して書込処理を行なうための複数種類の書込パラメータが格納された内部不揮発性記憶回路と、接続された外部不揮発性記憶装置の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて前記複数種類の書込パラメータから前記接続された外部不揮発性記憶装置に適した1つの書込パラメータを選択し、当該選択された書込パラメータを用いて前記接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なう制御回路と、を備えたものである。本発明に係る書込処理方法は、複数種類の外部不揮発性記憶装置のそれぞれに対して書込処理を行なうための複数種類の書込パラメータが格納された内部不揮発性記憶回路と、接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なう制御回路と、を備えた半導体集積回路による前記接続された外部不揮発性記憶装置への書込処理方法であって、前記制御回路が、前記接続された外部不揮発性記憶装置から当該外部不揮発性記憶装置の識別情報を取得し、当該識別情報に基づいて、前記制御回路が前記複数種類の書込パラメータから前記接続された外部不揮発性記憶装置に適した1つの書込パラメータを選択し、当該選択された書込パラメータを用いて、前記制御回路が前記接続された外部不揮発性記憶装置に対して書込処理を行なうものである。本発明に係る半導体集積回路は、複数種類の外部不揮発性記憶装置のそれぞれに対して書込処理を行なうための複数種類の書込パラメータが格納された内部不揮発性記憶回路を備えている。そのため、接続された外部不揮発性記憶装置の識別情報を取得することにより、当該識別情報に基づいて複数種類の書込パラメータから接続された外部不揮発性記憶装置に適した1つの書込パラメータを自動選択することができる。本発明によれば、複数種類の外部不揮発性記憶装置に対して、それぞれに適した書込パラメータを自動選択することにより、書込処理が可能な半導体集積回路を提供することができる。以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。第1の実施の形態まず、本発明の第1の実施の形態に係る半導体集積回路について説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体集積回路の構成図である。本半導体集積回路LSIチップ100は、CPU101、内部ROM102、シリアル通信部103、バス104を備えている。半導体集積回路100は、シリアル通信部103を介して、シリアルEEPROM以下、単にシリアルROMと称す200に接続されている。CPU101は、バス104を介して、内部ROM102、シリアル通信部103に接続されている。また、CPU101は、シリアル通信部103を介して、シリアルROM200に接続されている。制御回路であるCPU101は、シリアルROM200から製品IDなどの固体情報を取得する。そして、CPU101は、この固体情報に基づいて、複数の書込パラメータの中から接続されたシリアルROM200に適した1つの書込パラメータを選択する。さらに、CPU101は、選択した書込パラメータを用い、書込制御プログラムに基づいて、シリアルROM200に対し、各種プログラムやデータなどを書き込む。内部ROM102は、半導体集積回路100内部に形成された不揮発性記憶回路である。内部ROM102には、複数種類のシリアルROM200のそれぞれに対応した複数の書込パラメータが予め格納されている。ここで、書込パラメータとは、書込制御のために必要な命令やページサイズ、書込時間等の値である。上述の通り、書込パラメータは、シリアルROM200の種類等により異なるため、複数種類のシリアルROM200のそれぞれに対応した複数の書込パラメータが必要となる。また、内部ROM102には、書込制御プログラムが格納されている。この書込制御プログラムは、複数種類のシリアルROM200に対して書込処理を行なう際に、共通に用いられる。つまり、特に限定されるわけではないが、書込制御プログラムは1つあれば足りる。シリアル通信部103は、バス104から受信したデータを、シリアルROM200へ送信する。反対に、シリアル通信部103は、シリアルROM200から受信したシリアルデータを、CPU101が処理可能な形式のデータに変換し、バス104へ送信する。シリアルROM200は、シリアル信号を送受信するEEPROMすなわち電気的に書換可能な不揮発性記憶装置である。シリアルROM200は、半導体集積回路100とは、異なるチップに形成されている。シリアルROM200には、当該シリアルROM200及び半導体集積回路100が搭載される電子機器の用途等に応じた各種プログラムやデータなどが格納される。次に、図2を用いて、シリアルROM200への各種プログラムやデータなどの書込処理方法を説明する。図2は、本発明の第1の実施の形態に係るシリアルROM200への書込処理方法を示すフローチャートである。まず、図2に示すように、CPU101はシリアルROM200に対して、シリアルROM200の製品IDを問い合わせるステップST1。ここで、製品IDは、例えば、書換可能な記憶領域以外の記憶領域に格納されている。なお、本実施の形態では、シリアルROM200の製品IDを例に説明している。しかしながら、CPU101が接続されたシリアルROM200に書き込むための書込パラメータを適切に選択するための識別情報であれば、これに限定されるものではない。次に、シリアルROM200の製品IDが取得できた場合ステップ2YES、CPU101は内部ROM102に格納された複数の書込パラメータから、接続されているシリアルROM200への書込処理に適した1つの書込パラメータを選択するステップ3。一方、シリアルROM200の製品IDが取得できない場合ステップ2NO、CPU101は特定のコマンドを発行し、接続されているシリアルROM200のステータスを読み取るステップ4。このシリアルROM200のステータスが期待値と一致すればステップ5YES、ステップ3へ移行する。このシリアルROM200のステータスが期待値と一致しなければステップ5NO、CPU101は異なる特定のコマンドを発行し、接続されているシリアルROM200のステータスを読み取る。つまり、ステップ4へ戻る。ここで、所定回数ステップ4を繰り返しても期待値と一致しなければ、終了するように設定してもよい。なお、上記シリアルROM200のステータスも書込パラメータを適切に選択するための識別情報である。次に、CPU101は、選択した書込パラメータと、内部ROM102に格納された書込制御プログラムとを用いて、接続されたシリアルROM200へ電子機器の用途等に応じた各種プログラムやデータなどを書き込むステップ6。これにより、シリアルROM200への各種プログラムやデータなどの書込処理が終了する。以上のように、本実施の形態に係る半導体集積回路100では、内部ROM102に、複数種類のシリアルROM200のそれぞれに対応した複数の書込パラメータが予め格納されている。そして、本実施の形態に係る半導体集積回路100は、接続されたシリアルROM200の製品IDなどの識別情報に基づいて、そのシリアルROM200に適した書込パラメータを自動選択することができる。従って、人為的ミスが生じるおそれがない。また、接続されたシリアルROM200用の書込パラメータが、シリアルROM200自身ではなく、半導体集積回路100の内部ROM102に格納されている。そのため、シリアルROM200の書換可能なメモリ領域が減少することもない。さらに、本実施の形態に係る半導体集積回路100には、複数種類のシリアルROM200のそれぞれに対応した複数の書込パラメータが予め格納されている。そのため、搭載されるフラッシュメモリの種類に応じて、内部ROM102に格納する書込パラメータを変える必要がない。つまり、1種類の半導体集積回路100により、複数種類のシリアルROM200に対し、自動的な書込処理が可能となる。以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記によって限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。