"表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法。表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法。検出した前記位置に基づいて、前記基板の外径を算出し、算出した前記外径に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定するものである、請求項1又は請求項2に記載の基板処理方法。表面に塗布膜が形成された基板を基板保持部に保持し、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を周辺露光部により露光する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定する、基板処理方法。前記基板搬送部は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する3個以上の検出部とを有し、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法。前記基板搬送部は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する4個以上の検出部とを有し、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の3個の検出部の前記検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法。前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理方法。前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項7に記載の基板処理方法。コンピュータに請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供給部を移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置。表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供給部を移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記塗布液供給部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置。前記制御部は、検出した前記位置に基づいて、前記基板の外径を算出し、算出した前記外径に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定するように制御するものである、請求項10又は請求項11に記載の基板処理装置。表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を露光する基板処理装置において、表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部を露光する周辺露光部と、前記基板保持部及び前記周辺露光部のいずれか一方を他方に対して移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記周辺露光部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定し、決定した前記相対位置になるように、前記移動部により前記基板保持部又は前記周辺露光部を移動させるように制御する、基板処理装置。基板を搬送する基板搬送部と、基板を処理する基板処理部とを備えた基板処理システムにおいて、前記基板搬送部は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する3個以上の検出部とを有し、前記基板処理部は、請求項10から請求項13のいずれかに記載の基板処理装置である、基板処理システム。前記制御部は、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出するように制御するものである、請求項14に記載の基板処理システム。前記検出部は、4個以上であり、前記制御部は、前記検出部が前記周辺部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周辺部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の3個の検出部の前記検出値に基づいて、前記基板の周辺部の位置を検出するように制御するものである、請求項14に記載の基板処理システム。前記保持部は、上下に重なるように複数個設けられており、前記検出部は、前記保持部のいずれか1個が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周辺部の位置を検出するものである、請求項14から請求項16のいずれかに記載の基板処理システム。前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項14から請求項17のいずれかに記載の基板処理システム。前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項18に記載の基板処理システム。ところが、上記したようなレジスト膜等の塗布膜のエッジリンス処理を行う基板処理方法には、次のような問題がある。エッジリンス処理において、ウェハの回路パターン形成に寄与しない周辺部の塗布膜のみが除去されることが望ましい。従って、塗布膜が除去される領域のウェハの外縁からの幅は、全てのウェハにおいて一定であることが望ましい。しかし、ウェハの外径寸法は、所定の基準値から変動することがある。ウェハの外径寸法が変動すると、ウェハを保持するスピンチャックに対して、リンス液を供給するリンス液供給ノズルの相対位置が一定であっても、塗布膜が除去される領域のウェハの外縁からの幅が変動するおそれがある。特許文献1に示す例では、ウェハの周辺部にリンス液を供給することによって塗布膜を除去するモジュールに、位置決め用センサを設けている。しかし、処理システム中にこのようなモジュールが複数あるときは、モジュール毎に位置決め用センサを設ける必要がある。また、上記した課題は、基板の周辺部にリンス液を供給することによって周辺部の塗布膜を選択的に除去する場合に限られず、基板の周辺部を周辺露光し、その後現像処理することによって周辺部の塗布膜を選択的に除去する場合にも共通する課題である。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、モジュール毎に位置決めセンサを設ける必要がなく、基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。本発明の一実施例によれば、表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液供給部によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定する、基板処理方法が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、表面に塗布膜が形成された基板を基板保持部に保持し、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を周辺露光部により露光する基板処理方法において、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定する、基板処理方法が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供給部を移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、表面に塗布液が供給された基板を回転させることによって、前記基板の表面に塗布膜を形成し、前記表面に塗布膜が形成された前記基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理装置において、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部の表面にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記リンス液供給部を移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記塗布液供給部と前記リンス液供給部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部の表面にリンス液を供給する時の前記リンス液供給部の位置を決定し、決定した前記位置に、前記移動部により前記リンス液供給部を移動させるように制御する、基板処理装置が提供される。また、本発明の他の一実施例によれば、表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、前記基板の周辺部を露光する基板処理装置において、表面に塗布膜が形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる回転部と、前記基板保持部に保持された前記基板の周辺部を露光する周辺露光部と、前記基板保持部及び前記周辺露光部のいずれか一方を他方に対して移動させる移動部と、前記基板保持部と前記回転部と前記周辺露光部と前記移動部とを制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板を予め基板搬送部により搬送する際に、前記基板搬送部に設けられた検出部により、前記基板の周辺部の位置を検出し、検出した前記位置に基づいて、前記周辺部を露光する時の前記基板保持部に対する前記周辺露光部の相対位置を決定し、決定した前記相対位置になるように、前記移動部により前記基板保持部又は前記周辺露光部を移動させるように制御する、基板処理装置が提供される。本発明によれば、モジュール毎に位置決めセンサを設ける必要がなく、基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる。以下、本発明に係る基板処理装置を備えた基板処理システムを、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。第1の実施の形態始めに、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。ここでは、本実施の形態に係る基板処理装置を備えた基板処理システムを、塗布現像装置に適用し、更にその塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について説明する。図1は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図2は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図3は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図4は、第3のブロックCOT層B3の構成を示す斜視図である。レジストパターン形成装置は、図1及び図2に示すように、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェイスブロックS3を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックS3側に、露光装置S4が設けられている。処理ブロックS2は、キャリアブロックS1に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2のキャリアブロックS1側と反対側に、処理ブロックS2に隣接するように設けられている。露光装置S4は、インターフェイスブロックS3の処理ブロックS2側と反対側に、インターフェイスブロックS3に隣接するように設けられている。キャリアブロックS1は、キャリア20、載置台21及び受け渡し手段Cを有する。キャリア20は、載置台21上に載置されている。受け渡し手段Cは、キャリア20からウェハWを取り出し、処理ブロックS2に受け渡すとともに、処理ブロックS2において処理された処理済みのウェハWを受け取り、キャリア20に戻すためのものである。処理ブロックS2は、図1及び図2に示すように、棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロックDEV層B1、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、第4のブロックTCT層B4を有する。第1のブロックDEV層B1は、現像処理を行うためのものである。第2のブロックBCT層B2は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第3のブロックCOT層B3は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第4のブロックTCT層B4は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。棚ユニットU1は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1の近傍には、昇降自在な受け渡しアームDが設けられている。棚ユニットU1の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームDによりウェハWが搬送される。棚ユニットU2は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、CPL12を有する。なお、図3において、CPLが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、BFが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。第1のブロックDEV層B1は、図1及び図3に示すように、現像モジュール22、搬送アームA1及びシャトルアームEを有する。現像モジュール22は、1つの第1のブロックDEV層B1内に、上下2段に積層されている。搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームEは、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL11から棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12にウェハWを直接搬送するためのものである。第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4は、各々塗布モジュール、加熱冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームA2、A3、A4を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームA2、A3、A4は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハWの受け渡しを行う。第2のブロックBCT層B2から第4のブロックTCT層B4の各ブロックは、第2のブロックBCT層B2及び第4のブロックTCT層B4における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第3のブロックCOT層B3における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。なお、搬送アームA1~A4は、本発明における基板搬送部に相当するものであり、搬送アームA1~A4の構成については、後述する。なお、受け渡し手段C、受け渡しアームD、及び後述するインターフェイスアームFも、本発明における基板搬送部に相当するものである。以下では、基板搬送部として、搬送アームA1~A4、受け渡し手段C、受け渡しアームD、及び後述するインターフェイスアームFを代表し、搬送アームA1~A4について説明するものとする。なお、図1に示すように、搬送アームA1には、後述する検出部5を支持する支持部材53が設けられている。また、図1に示すように、受け渡し手段C、受け渡しアームD、及び後述するインターフェイスアームFにも、後述する検出部5を支持する支持部材53が設けられていてもよい。ここで、図4を参照し、第2のブロックBCT層B2、第3のブロックCOT層B3、及び第4のブロックTCT層B4を代表し、第3のブロックCOT層B3の構成を説明する。第3のブロックCOT層B3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3及び搬送アームA3を有する。棚ユニットU3は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列されている。搬送アームA3は、塗布モジュール23と棚ユニットU3との間に設けられている。図4中24は、各処理モジュールと搬送アームA3との間でウェハWの受け渡しを行うための搬送口である。インターフェイスブロックS3は、図1に示すように、インターフェイスアームFを有する。インターフェイスアームFは、処理ブロックS2の棚ユニットU2の近傍に設けられている。棚ユニットU2の各処理モジュール同士の間及び露光装置S4との間では、インターフェイスアームFによりウェハWが搬送される。キャリアブロックS1からのウェハWは、棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロックBCT層B2に対応する受け渡しモジュールCPL2に、受け渡し手段Cにより、順次搬送される。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウェハWは、第2のブロックBCT層B2の搬送アームA2に受け渡され、搬送アームA2を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA2、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2、受け渡しアームD、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3を介し、第3のブロックCOT層B3の搬送アームA3に受け渡される。そして、ウェハWは、搬送アームA3を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWにレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハWは、搬送アームA3を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に受け渡される。なお、レジスト膜が形成されたウェハWは、第4のブロックTCT層B4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロックTCT層B4の搬送アームA4に受け渡され、搬送アームA4を介して各処理モジュール塗布モジュール及び加熱冷却系の処理モジュール群の各処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA4を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。レジスト膜が形成されたウェハW又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハWは、受け渡しアームD、受け渡しモジュールBF3、TRS4を介して受け渡しモジュールCPL11に受け渡される。受け渡しモジュールCPL11に受け渡されたウェハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に直接搬送された後、インターフェイスブロックS3のインターフェイスアームFに受け渡される。インターフェイスアームFに受け渡されたウェハWは、露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハWは、インターフェイスアームFを介し、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に載置され、処理ブロックS2に戻される。処理ブロックS2に戻されたウェハWは、第1のブロックDEV層B1において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハWは、搬送アームA1、棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Cを介し、キャリア20に戻される。次に、図4から図6を参照し、本発明における基板搬送部である搬送アームA1~A4について説明する。搬送アームA1~A4は同様に構成されているので、第3のブロックCOT層B3に設けられた搬送アームA3を代表して説明する。図5は、搬送アームA3を示す斜視図である。図6a及び図6bは、搬送アームA3を示す平面図及び側面図である。図4から図6に示すように、搬送アームA3は、2枚のフォーク33A、3B、基台31、回転機構32、進退機構33A、33B、昇降台34、検出部55A~5Dを有する。また、搬送アームA3は、制御部9により制御される。制御部9については、後述する図8及び図9を用いて説明する。2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台31は、回転機構32により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構33A、33Bに支持されており、進退機構33A、33Bにより、基台31から進退自在に設けられている。なお、フォーク33A、3Bは、本発明における保持部に相当する。また、本実施の形態は、2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている例に限定されるものではなく、2枚のフォーク3A、3Bが水平方向に並んで設けられていてもよい。また、フォーク3は、1枚のみであってもよく、あるいは、3枚以上が上下に重なるように、又は水平方向に並んで設けられていてもよい。進退機構33A、33Bは、基台31内部に設けられた駆動機構である、後述する図11に示すモータMに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、基台31から進退自在に設けられたフォーク3A、3Bを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。なお、後述する図11には、基台31の下方側に進退機構33Aの駆動機構33を図示している。進退機構33Aは、基台31内部に設けられた駆動機構33をモータMにより回転させることによって、フォーク3A、3Bを基台31から進退駆動するように構成されている。モータMは、エンコーダ38に接続されている。図11中39はエンコーダ38のパルス数をカウントするカウンタである。昇降台34は、図4に示すように、回転機構32の下方側に設けられている。昇降台34は、上下方向図4中Z軸方向に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体35により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体35は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動するように構成されている。次に、図5から図8を参照し、フォーク3、検出部5について説明する。図7は、フォーク3Aを拡大して示す平面図である。図7では、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪44A~4Dを少し拡大して示している。図8は、検出部5及び制御部9の構成を示すブロック図である。図8における制御部9は、後述する図11を用いて説明する制御部9と同一である。図5から図7に示すように、フォーク3A、3Bは、円弧状に形成され、搬送するウェハWの周囲を囲むように設けられている。また、フォーク3A、3Bには、各々保持爪4が形成されている。保持爪4は、フォーク3A、3Bの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハWの周辺部が載置されることによってウェハWを保持するものである。保持爪4は、3個以上が設けられる。図5及び図6に示す例では、ウェハWの周辺部の4箇所を保持するために、4個の保持爪4A、4B、4C、4Dが設けられている。図5から図7に示すように、保持爪4A~4Dの各々には、真空吸着部41A~41Dが設けられている。真空吸着部41A~41Dは、保持爪4A~4DにウェハWの周辺部が載置されたときに、ウェハWの周辺部を真空吸着することによって、ウェハWを保持爪4A~4Dに保持するものである。また、図7に示すように、真空吸着部41A~41Dは、保持爪4A~4Dに設けられた吸着孔42A~42Dを有する。吸着孔42A~42Dは、図6aに示すように、フォーク3A、3Bの内部、上面又は下面に形成された真空配管43A、43Bと連通しており、真空配管43A、43Bを介し、図示しない真空排気部に接続されている。このような構成を有することにより、真空吸着部41A~41Dは、ウェハWを真空吸着することができる。本実施の形態に係るフォーク3A、3Bは、真空吸着部41A~41DによりウェハWを保持爪4A~4Dに保持する。従って、ウェハWの周辺部の水平位置を位置決めできるように、フォーク3A、3Bに、ウェハWの周囲を囲むようにガイドを設け、ガイドの内側を傾斜させ、ウェハWをフォーク3A、3Bの所定位置に落とし込む落とし込み機構を有する必要がない。よって、レジスト膜等の塗布膜が塗布処理されたウェハWを載置する際に、ウェハWの外周に塗布されている塗布膜がガイドと接触して剥がれ、パーティクルを発生させるおそれはない。なお、後述するように、本実施の形態では、ウェハWの周辺部の位置を精度よく検出できるため、フォーク3A、3Bは、落とし込み機構に代えて単に載置する構造を有するものであればよく、必ずしも真空吸着部を有する必要はない。検出部55A~5Dは、図5から図7に示すように、4個設けられている。検出部55A~5Dは、それぞれのフォーク3A、3BがウェハWを保持した状態で後退しているときに、フォーク3A、3Bが保持しているウェハWの周辺部の位置を、それぞれ異なる位置で検出するためのものである。検出部55A~5Dは、フォーク3A、3Bが後退したときにフォーク3A、3Bに保持されているウェハWの周辺部と平面視において重なるように設けられている。また、4個の検出部5A~5Dは、平面視において、フォーク3A、3Bが後退したときにフォーク3A、3Bに保持されているウェハWの外周に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。検出部55A~5Dは、一対の光源5151A~51Dと、複数の受光素子が配列してなる受光部52とにより構成されている。また、受光部52として、例えばリニアイメージセンサ5252A~52Dを用いることができる。光源5151A~51Dとリニアイメージセンサ5252A~52Dとは、後退しているフォーク3A、3Bが保持しているウェハWのいずれをも上下から挟むように設けられている。検出部5A~5Dは、フォーク3A、3Bのいずれか1枚がウェハWを保持した状態で後退しているときに、フォーク3A、3Bのいずれかが保持しているウェハWの周辺部の位置を検出するためのものである。具体的には、光源5151A~51Dとリニアイメージセンサ5252A~52Dとは、一方が2枚のフォーク3A、3Bの下方に設けられ、他方が2枚のフォーク3A、3Bの上方に設けられる。光源5151A~51D又はリニアイメージセンサ5252A~52Dのいずれか一方が2枚のフォーク3A、3Bの下方に設けられる場合には、基台31に取り付けられていてもよく、下側のフォーク3Bの基台31側に取り付けられていてもよい。一方、光源5151A~51D又はリニアイメージセンサ5252A~52Dのいずれか他方が2枚のフォーク3A、3Bの上方に設けられる場合には、基台31に取り付けられていてもよく、上側のフォーク3Aの基台31側と反対側に取り付けられていてもよい。図5及び図6に示す例では、光源51が基台31に取り付けられており、リニアイメージセンサ52が、支持部材53を介して基台31に取り付けられている例を示す。上記した構成を有することにより、2枚のフォーク3A、3Bの各々に保持されているウェハWの周辺部のある位置を検出するのに、光源51及びリニアイメージセンサ52のいずれをもフォーク3A、3Bごとに設ける必要がない。従って、用いる光源51及びリニアイメージセンサ52の数を少なくすることができる。ただし、2枚のフォーク3A、3Bに検出部5が4つ設けられているような構成にすることも可能である。フォーク3A、3Bごとに検出部5が4つ設けられる場合には、検出部5を構成する一対の光源51とリニアイメージセンサ52は、後退しているフォーク3A、3Bが保持しているウェハWのいずれかを上下から挟むように設けられたものであればよい。また、検出部5を4個5A~5D設けることにより、後述するように、周辺部にノッチ切欠部WNを有するウェハWを保持し、搬送する場合にも、ウェハWの周辺部の位置を精度よく検出できる。なお、検出部5は、4個以上設けられていてもよい。光源51として、以下では、LEDLightEmittingDiodeを用いた例を説明するが、具体的には、複数のLEDを直線状に配列させた光源、又は単一のLEDの発光側に直線状に導光材料を設け直線状の光源としたものを用いることができる。また、リニアイメージセンサ52として、CCDChargeCoupledDeviceラインセンサ、ファイバーラインセンサ、光電センサ等各種のリニアイメージセンサを用いることができる。すなわち、リニアイメージセンサよりなる受光部52の受光素子として、CCD、光電センサ等の各種の受光素子を用いることができる。以下では、これら各種のリニアイメージセンサを代表し、CCDラインセンサを用いる例について説明する。図8に示すように、検出部5Aは、LED51、CCDラインセンサ52に加え、CCDラインセンサ制御部54、デジタルアナログコンバータDAC55、アナログデジタルコンバータADC56を有する。また、図8では図示を省略するが、検出部5B、5C、5Dも、検出部5Aと同様の構成を有する。CCDラインセンサ制御部54は、図示しないクロックからのクロック信号に基づいてCCDラインセンサ52の各CCD素子の動作タイミングをずらし、電荷移動させるためのものであり、タイミングジェネレータである。また、CCDラインセンサ制御部54は、LED51の電流制御も行う。DAC55は、CCDラインセンサ制御部54からのデジタル制御信号を、LED51に入力するために、アナログ変換するためのものである。ADC56は、CCDラインセンサ52からの検出信号であるアナログ出力信号を、検出部5A~5Dから出力するために、デジタル変換するためのものである。検出部5から出力された検出信号検出値は、制御部9に入力される。制御部9は、アンプ57を介し、進退機構33A、33Bに設けられたX軸駆動用のモータM1、M2、基台31に設けられたY軸駆動用のモータM3、昇降台34に設けられたZ軸駆動用のモータM4、回転機構32に設けられた回転駆動用のモータM5の計5軸駆動用のモータM1~M5を制御する。以上のような構成により、CCDラインセンサ制御部54からの制御信号が、DAC55によりアナログ変換され、アナログ変換された制御信号がLED51に入力されることによって、LED51は直線状に光を発光する。LED51から発光された光は、CCDラインセンサ52において受光される。光を受光したCCDラインセンサ52は、CCDラインセンサ制御部54からの制御信号のタイミングに基づいて、センサ内で電荷移動させられることによって受光量に応じた信号を出力する。CCDラインセンサ52から出力された検出信号検出値は、ADC56によりデジタル変換された後、制御部9内の演算処理部91に入力される。演算処理部91での処理を含め、制御部9内では、検出値に基づいて、ウェハWの周辺部の位置を計測し、ウェハWの中心位置を算出し、ウェハWの半径を算出し、4個の検出部5A~5DのいずれもウェハWの切欠部WNを検出していないか否かの判定を行う。そして、4個の検出部5A~5Dの1個が切欠部WNを検出したと判定したときに、それ以外の3個の検出部5の検出値に基づいて、ウェハWの周辺部の位置を検出する。次に、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布モジュール23の構成について説明する。図9は、塗布モジュール23の構成の概略を示す縦断面図である。図10は、塗布モジュール23の構成の概略を示す横断面図である。塗布モジュール23は、例えば図9に示すようにケーシング60を有し、そのケーシング60内の中央部には、ウェハWを保持するスピンチャック61が設けられている。スピンチャック61は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック61上に吸着保持できる。スピンチャック61は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構62を有し、そのチャック駆動機構62により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構62には、シリンダなどの昇降駆動手段が設けられており、スピンチャック61は上下動可能である。なお、スピンチャック61は、本発明における基板保持部に相当し、チャック駆動機構62は、本発明における回転部に相当する。また、チャック駆動機構62が駆動するスピンチャック61の回転数は、後述する制御部9により制御されている。スピンチャック61の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ63が設けられている。カップ63の下面には、回収した液体を排出する排出管64と、カップ63内の雰囲気を排気する排気管65が接続されている。図10に示すように、カップ63のX方向負方向図10の下方向側には、Y方向図10の左右方向に沿って延伸するレール70が形成されている。レール70は、例えばカップ63のY方向負方向図10の左方向側の外方からY方向正方向図10の右方向側の外方まで形成されている。レール70には、例えば二本のアーム71、72が取り付けられている。第1のアーム71には、図9及び図10に示すように塗布液としてのレジスト液を吐出するレジスト液ノズル73が支持されている。第1のアーム71は、図10に示すノズル駆動部74により、レール70上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル73は、カップ63のY方向正方向側の外方に設置された待機部75からカップ63内のウェハWの略中心上まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム71は、ノズル駆動部74によって昇降自在であり、レジスト液ノズル73の高さを調整できる。なお、レジスト液ノズル73は、本発明における塗布液供給部に相当する。レジスト液ノズル73には、図9に示すように、レジスト液供給源76に連通する供給管77が接続されている。本実施の形態におけるレジスト液供給源76には、例えば薄いレジスト膜例えば150nm以下のレジスト膜を形成するための低粘度のレジスト液が貯留されている。また、供給管77には、バルブ78が設けられており、このバルブ78の開閉により、レジスト液の吐出をONOFFできる。第2のアーム72には、レジスト液の溶剤を吐出する溶剤ノズル80が支持されている。第2のアーム72は、例えば図10に示すノズル駆動部81によってレール70上を移動自在であり、溶剤ノズル80を、カップ63のY方向負方向側の外方に設けられた待機部82からカップ63内のウェハWの略中心上まで移動させることができる。また、ノズル駆動部81によって、第2のアーム72は昇降自在であり、溶剤ノズル80の高さを調節できる。溶剤ノズル80には、図9に示すように、溶剤供給源83に連通する供給管84が接続されている。なお、以上の構成では、レジスト液を吐出するレジスト液ノズル73と溶剤を吐出する溶剤ノズル80が別々のアームに支持されている。しかし、レジスト液ノズル73と溶剤ノズル80とを同じアームに支持されるように設けてもよく、そのアームの移動の制御により、レジスト液ノズル73と溶剤ノズル80の移動と吐出タイミングを制御してもよい。また、溶剤ノズル80は、スピンチャック61に保持されたウェハWの周辺部の表面にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去するエッジリンス処理を行うためのものでもある。なお、溶剤ノズル80は、本発明におけるリンス液供給部に相当し、ノズル駆動部81は、本発明における移動部に相当する。図11は、制御部9を第3のブロックCOT層B3における搬送アームA3及び塗布モジュール23とともに示す構成図である。なお、図11では、塗布モジュール23のレジスト液ノズル73、溶剤ノズル80等の図示を省略している。制御部9は、演算処理部91、記憶部92、表示部93、及びアラーム発生部94を有する。演算処理部91は、例えばメモリ、CPUCentralProcessingUnitを有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部91は、記憶部92に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令コマンドに従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。また、演算処理部91は、記憶部92に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令コマンドに従って、搬送アームA3の各モータM1~M5に制御信号を送り、ウェハWの受け渡し及び搬送を実行する。記憶部92は、演算処理部91に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気Magnetoptical;MOディスク等を用いることができる。表示部93は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部93では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。アラーム発生部94は、搬送アームA3を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。また、前述したように、演算処理部91は、搬送アームA3の進退機構33A、33B、基台31、昇降台34、回転機構32に設けられたモータM1~M5、エンコーダ38やカウンタ39等に対して所定の制御信号を送り、制御するように構成されている。そして、記憶部92には、本実施の形態に係る基板処理方法を実行するためのプログラムが含まれている。次に、塗布モジュール23で行われるレジスト塗布処理プロセスを説明する。なお、レジスト塗布処理プロセスは、本発明における基板処理方法に相当する。図12は、ウェハWを受け渡す際の塗布モジュール23と搬送アームA3の状態を示す図である。図12aに示すように、予め搬送アームA3のフォーク3AによりウェハWを搬送する際に、搬送アームA3に設けられたリニアイメージセンサ52により、ウェハWの周辺部の位置を検出する。そして、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時の溶剤ノズル80の位置を決定しておく。なお、図12aに示す状態は、後述する図15aに示す状態と同様である。ウェハWを保持している状態でフォーク3Aが後退しているときに、フォーク3Aの下方に設けられている光源51により下方から上方に向けて光を発光する。発光した光をフォーク3Aの上方に設けられているリニアイメージセンサ52により受光する。受光したリニアイメージセンサ52が、ウェハWの径方向に沿ってCCDが直線状に配列されてなるCCDラインセンサであるときは、各画素である各CCDの検出値に基づいて、受光した画素と受光しない画素との境界の位置を決定することができる。そして、決定した境界の位置に基づいて、ウェハWの周辺部の位置を計測することができる。図13は、リニアイメージセンサ52の画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。図13に示すように、光源51により発光した光を受光していない画素の検出値以下受光量という。を第1の値n1とし、光源51により発光した光を受光している画素の受光量を第2の値n2とする。このとき、ウェハWの周辺部の位置を、各画素の受光量が第1の値n1と第2の値との間で変化する位置Eとして検出することができる。受光量を8ビットのデータとして処理するときは、第1の値n1を例えば0とし、第2の値n2を例えば255以下の所定の値とすることができる。なお、前述したように、光源51として、LEDに代え、各種の光源を用いることができ、リニアイメージセンサ52の受光素子として、CCDに代え、各種の受光素子を用いることができる。図14は、リニアイメージセンサ52によりウェハWの周辺部の位置を検出する際の、リニアイメージセンサ52及びウェハWを示す平面図である。図14に示すように、4個のリニアイメージセンサ52A~52Dの延在する方向とY軸とのなす角をθ1、θ2、θ3、θ4とする。フォーク3Aに保持されているウェハWがずれていないときのリニアイメージセンサ52上のウェハWの周辺部の位置を、それぞれa点、b点、c点、d点とする。また、フォーク3Aに保持されているウェハWがずれているときのリニアイメージセンサ52上のウェハWの周辺部の位置を、それぞれa ́点、b ́点、c ́点、d ́点とする。各リニアイメージセンサ52における、a点、b点、c点、d点とa ́点、b ́点、c ́点、d ́点との距離をΔa、Δb、Δc、Δdとする。このとき、Δa、Δb、Δc、Δdは、Δa[mm]=-×画素間隔[mm]1Δb[mm]=-×画素間隔[mm]2Δc[mm]=-×画素間隔[mm]3Δd[mm]=-×画素間隔[mm]4なお、a点の画素数とは、リニアイメージセンサ52のウェハWの中心側における始点からa点までにおける画素の数を意味する。すると、a点~d点、a ́点~d ́点の座標は、次のように表される。a点=5a点=sinθ1,Y-cosθ16b点=7b点=sinθ2,Ycosθ28c点=9c点=sinθ3,Ycosθ310d点=11d点=sinθ4,Y-cosθ412従って、式6、式8、式10、式12により、a ́点X1 ́,Y1 ́、b ́点X2 ́,Y2 ́、c ́点X3 ́,Y3 ́、d ́点X4 ́,Y4 ́の座標を求めることができる。次に、a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のうちいずれか3点からずれ位置におけるウェハWの中心位置o ́の座標X ́、Y ́を算出する。例えば、a ́点X1 ́,Y1 ́、b ́点X2 ́,Y2 ́、c ́点X3 ́,Y3 ́の3点からずれ位置における中心位置o ́の座標X ́、Y ́を算出する式は、下記式13及び下記式14に示される。また、半径R ́は、中心位置o ́の座標X ́,Y ́とa ́点X1 ́,Y1 ́、b ́点X2 ́,Y2 ́、c ́点X3 ́,Y3 ́の各座標より、下記式15により求められる。すなわち、リニアイメージセンサ52により検出したウェハWの周辺部の位置に基づいて、ウェハWの外径半径R ́の2倍が算出される。また、a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のうち、前述した3点a ́点、b ́点、c ́点と異なる3点の組み合わせ、例えばa ́点、b ́点、d ́点、a ́点、c ́点、d ́点、b ́点、c ́点、d ́点を抽出し、その3点に対応して、中心位置o ́の座標X ́、Y ́及び、半径R ́を算出しておく。次に、4個のリニアイメージセンサ52A~52DのいずれかがウェハWの周辺部であって切欠きが設けられた部分切欠部WNを検出したか否かを判定する。a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のうち、いずれかの3点の組み合わせに対応して算出した中心位置o ́の座標X ́、Y ́及び、半径R ́について、判定を行う。まず、いずれかの3点の組み合わせに対応する半径R ́が、ウェハWの既知の半径であるRと略等しいかを判定する。図14に示すように、ウェハWのノッチ切欠部WNが、平面視において、a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のいずれの近傍にもないときは、a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のうち、いずれの3点の組み合わせに対応して算出した半径R ́も半径Rと略等しくなる。このときは、4個のリニアイメージセンサ52A~52DのいずれもウェハWの切欠部WNを検出していないと判定される。このときは、4個のリニアイメージセンサ52A~52Dのうち、いずれの3個のリニアイメージセンサ52の検出値を選択してもよい。なお、ウェハWのノッチ切欠部WNが、平面視において、a ́点、b ́点、c ́点、d ́点のいずれかの近傍にあるときは、4個のリニアイメージセンサ52A~52Dのうち、ウェハWの切欠部WNを検出したリニアイメージセンサ52以外の3個のリニアイメージセンサ52を選択する。そして、選択した3個のリニアイメージセンサ52の検出値に基づいて、ウェハWの周辺部の位置を検出する。あるいは、4個のリニアイメージセンサ52A~52Dのうち、いずれか1個のリニアイメージセンサがウェハWの切欠部WNを検出したときは、フォーク3Aをリニアイメージセンサ52A~52Dに対して少し前方に移動させる。これは、リニアイメージセンサ52A~52Dに切欠部WNが検出されないようにするための移動である。そして、移動したフォーク3Aが保持しているウェハWの周辺部の位置を再び検出し、検出した再検出値に基づいて、ウェハWの周辺部の位置を検出してもよい。このとき、算出した中心位置o ́の座標X ́、Y ́と、基準位置oにおけるウェハWの座標oX、Yとの間のずれ量ΔX,ΔYは、ΔX[mm]=X ́-X16ΔY[mm]=Y ́-Y17により算出する。そして、算出した中心位置o ́が基準位置oになるように、塗布モジュール23のウェハWの受渡し位置に補正する。次いで、搬送アームA3のフォーク3Aによって塗布モジュール23のスピンチャック61の真上までウェハWが搬送される図12b。次いで、ウェハWは、例えばエアシリンダよりなる図示しない昇降駆動手段によって上昇してきたスピンチャック61により受け取られるとともに、真空吸着される図12c。次いで、スピンチャック61が上昇している状態で、搬送アームA3は、フォーク3Aを塗布モジュール23内から後退させる図12d。次いで、スピンチャック61を図示しない昇降駆動手段により下降させることによって、塗布モジュール23へのウェハWの受け渡しを終了する図12e。図15は、塗布モジュール23を用いて行う各工程におけるウェハWの表面の状態を示す図である。図15aは、図12aを用いて前述したように、予め搬送アームA3のフォーク3AによりウェハWを搬送する際に、搬送アームA3に設けられたリニアイメージセンサ52により、ウェハWの周辺部の位置を検出する際の状態を示している。このとき、ウェハWの外径が、基準値Dに対してΔD変動したDΔDであるものとする。このようなウェハWをスピンチャック61に真空吸着させた状態で、チャック駆動機構62により、ウェハWを0~2000rpm、より好ましくは1000rpmの回転数で回転させる。そして、ウェハWを回転させた状態で、例えば0.1秒間、溶剤ノズル80によりウェハWの略中央に例えばシンナーよりなるプリウェット液を供給することによって、ウェハWの径方向外周側に拡散させ、ウェハWの表面が溶剤で濡れた状態にするプリウェット処理を行う。次いで、ウェハWをスピンチャック61に真空吸着させた状態で、チャック駆動機構62により、ウェハWを2000~4000rpm、より好ましくは2500rpmの回転数で回転させる。そして、ウェハWを回転させた状態で、例えば1.5秒間、レジスト液ノズル73によりウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給する図15b参照。次いで、レジスト液PRの供給を停止した状態で、ウェハWを50~2000rpm、より好ましくは100rpmの回転数で、例えば1.0秒間回転させることによって、レジスト液PRの形状を整える。次いで、ウェハWを1000~4000rpm、より好ましくは1500rpmの回転数で、例えば2.5秒間回転させることによって、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させて塗布するとともに、ウェハW上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させ、レジスト膜PRを形成する図15c参照。次に、表面にレジスト膜PRが形成されたウェハWをスピンチャック61に真空吸着させた状態で、チャック駆動機構62により、ウェハWを10~100rpm、より好ましくは50rpmの回転数で回転させる。そして、ノズル駆動部81により溶剤ノズル80を所定位置に移動させる。この状態で、ウェハWの周辺部の表面に、溶剤ノズル80により、例えばシンナーよりなるリンス液Rを供給する。そして、リンス液Rを供給することによって、リンス液Rを供給した位置のレジスト膜PRを選択的に除去する図15d参照。ここで、ウェハWの外径が基準値Dであるときに、ウェハWの外縁から所定幅WEの領域におけるレジスト膜PRが選択的に除去されるような、溶剤ノズル80の所定位置が、スピンチャック61の回転中心からY方向にY1の位置であるものとする。そして、ウェハWの外径が基準値Dに対してΔD変動したDΔDであるとき、溶剤ノズル80の所定位置が基準位置Y1に対して例えばΔD/2だけ変動したY1ΔD/2となるように決定する。そして、決定した所定位置へ、ノズル駆動部81により溶剤ノズル80を移動させる。これにより、ウェハWの外径の変動に関わらず、ウェハWの外縁から所定幅WEの領域におけるレジスト膜PRが選択的に除去される。従って、モジュール毎に位置決めセンサを設ける必要がなく、ウェハ毎に外径寸法が変動した場合でも、周辺部のレジスト膜を除去する領域のウェハ外縁からの幅寸法を一定にすることができる。なお、本実施の形態では、リニアイメージセンサにより検出したウェハの周辺部の位置に基づいて、ウェハの外径を算出し、算出した外径に基づいて、溶剤ノズルの位置を決定する方法について説明した。しかし、予め計算式を準備しておき、ウェハの周辺部の位置に基づいて直接溶剤ノズルの位置を決定するようにしてもよい。第1の実施の形態の変形例次に、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。本変形例に係る基板処理装置は、塗布モジュール23とは別に設けられた、ウェハWの周辺部からレジスト膜を除去するための除去モジュール23aである点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。本変形例における基板処理システムのうち、除去モジュール23a以外の部分は、第1の実施の形態における基板処理システムと同様にすることができ、説明を省略する。次に、本変形例に係る基板処理装置である除去モジュール23aの構成について説明する。図16は、除去モジュール23aの構成の概略を示す縦断面図である。図17は、除去モジュール23aの構成の概略を示す横断面図である。除去モジュール23aには、レジスト液ノズル73が設けられておらず、溶剤ノズル80のみが設けられている。従って、除去モジュール23aは、アーム71、レジスト液ノズル73、ノズル駆動部74、待機部75、レジスト液供給源76、供給管77、バルブ78が設けられていない点で、塗布モジュール23と相違する。一方、アーム72には、レジスト液の溶剤を吐出する溶剤ノズル80が支持されている。アーム72は、例えば図17に示すノズル駆動部81によってレール70上を移動自在であり、溶剤ノズル80を、カップ63のY方向負方向側の外方に設けられた待機部82からカップ63内のウェハWの略中心上まで移動させることができる。また、ノズル駆動部81によって、アーム72は昇降自在であり、溶剤ノズル80の高さを調節できる。溶剤ノズル80には、図16に示すように溶剤供給源83に連通する供給管84が接続されている。溶剤ノズル80は、スピンチャック61に保持されたウェハWの周辺部にリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去するエッジリンス処理を行うためのものである。その他、スピンチャック61、チャック駆動機構62を含め、上記した部分以外の部分については、塗布モジュール23と同様であり、説明を省略する。また、除去モジュール23aは、レジストパターン形成装置のいずれかの場所に設けられていればよく、例えば第3のブロックCOT層B3に、各処理モジュールと隣接して設けることができる。なお、スピンチャック61は、本発明における基板保持部に相当し、チャック駆動機構62は、本発明における回転部に相当する。また、溶剤ノズル80は、本発明におけるリンス液供給部に相当し、ノズル駆動部81は、本発明における移動部に相当する。本変形例における、塗布モジュール23及び除去モジュール23aで行われるレジスト塗布処理プロセスでも、予め搬送アームA3のフォーク3AによりウェハWを搬送する際に、搬送アームA3に設けられたリニアイメージセンサ52により、ウェハWの周辺部の位置を検出する図15a参照。そして、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時の溶剤ノズル80の位置を決定しておく。そして、ウェハWを塗布モジュール23のスピンチャック61に真空吸着させた状態で、プリウェット処理する。次いで、ウェハWを回転させた状態で、レジスト液ノズル73からウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給する。これにより、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させながら塗布し、ウェハW上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させ、レジスト膜PRを形成する図15b及び図15c参照。ここまでは、第1の実施の形態と同様である。一方、本変形例では、この後、レジスト膜PRが形成されたウェハWを、塗布モジュール23から搬送アームA3のフォーク3Aにより受け取る。次いで、フォーク3Aにより受け取ったウェハWを、除去モジュール23aのスピンチャック61に真空吸着させることによって受け渡す。そして、除去モジュール23aにおいて、ノズル駆動部81により溶剤ノズル80を所定位置に移動させる。この状態で、回転するウェハWの周辺部の表面に、溶剤ノズル80により、例えばシンナーよりなるリンス液Rを供給する。そして、リンス液Rを供給することによって、リンス液Rを供給した位置のレジスト膜PRを選択的に除去する図15d参照。本変形例でも、ウェハWの外径が基準値Dに対してΔD変動したDΔDであるとき、溶剤ノズル80の所定位置が基準位置Y1に対して例えばΔD/2だけ変動したY1ΔD/2となるように決定する。そして、決定した所定位置へ、ノズル駆動部81により溶剤ノズル80を移動させる。これにより、ウェハWの外径の変動に関わらず、ウェハWの外縁から所定幅WEの領域におけるレジスト膜PRが選択的に除去される。従って、モジュール毎に位置決めセンサを設ける必要がなく、ウェハ毎に外径寸法が変動した場合でも、周辺部のレジスト膜を除去する領域のウェハ外縁からの幅寸法を一定にすることができる。なお、本変形例では、塗布モジュールにより塗布処理が行われる前に、ウェハを搬送アームにより搬送する際に、リニアイメージセンサによりウェハの周辺部の位置を検出する例について説明した。しかし、塗布モジュールにより塗布処理が行われた後、除去モジュールによりエッジリンス処理が行われる前に、表面にレジスト膜が形成されたウェハを搬送アームにより搬送する際に、リニアイメージセンサによりウェハの周辺部の位置を検出してもよい。第2の実施の形態次に、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について説明する。本実施の形態に係る基板処理装置は、表面にレジスト膜が形成されたウェハの周辺部を露光するための周辺露光モジュールである点で、第1の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。本実施の形態における基板処理システムのうち、周辺露光モジュール以外の部分は、第1の実施の形態における基板処理システムと同様にすることができ、説明を省略する。次に、周辺露光処理を行う周辺露光モジュールについて説明する。図18は、周辺露光モジュール100の一部断面を含む側面図である。図19aは、ウェハWが周辺露光モジュール100により周辺露光される様子を示す斜視図である。図19bは、図19aのG-G線に沿う断面図である。周辺露光モジュール100は、前述したように、例えば第3のブロックCOT層B3の各モジュールで処理が行われ、レジスト膜が形成されたウェハWについて、周辺部を露光し、周辺露光を行うためのものである。周辺露光モジュール100は、レジストパターン形成装置のいずれかの場所に設けられていればよく、例えば第3のブロックCOT層B3に、各処理モジュールと隣接して設けることができる。周辺露光モジュール100は、ケーシング101、搬送部102、周辺露光部120を有する。搬送部102は、載置台103、回転駆動部104、移動駆動部105、アライメント部110を有する。載置台103は、載置されたウェハWを保持するものであり、外側を覆うケーシング101内の下方空間に設けられている。載置台103は、例えば真空チャックよりなる。載置台103は、回転可能に設けられており、モータなどの回転駆動部104によって、回転駆動される。なお、載置台103は、本発明における基板保持部に相当し、回転駆動部104は、本発明における回転部に相当し、移動駆動部105は、本発明における移動部に相当する。移動駆動部105は、ガイドレール107を有する。ガイドレール107は、ケーシング101の底面側に、ケーシング101の一端側図18の左側から他端側図18の右側まで延びるように設けられている。載置台103は、ガイドレール107に沿ってX方向に移動可能に設けられている。載置台103及び回転駆動部104は、移動駆動部105に備えられた図示しない移動用モータを正逆に回転駆動することによって、ガイドレール107に沿って±X方向に移動駆動される。アライメント部110は、載置台103上のウェハWのノッチ部切欠部の位置を検出するためのものである。アライメント部110は、例えば一対の発光素子112と受光素子113とを備えたものである。アライメント部110は、載置台103に載置され、保持されているウェハWがケーシング101の他端側であるアライメント位置P2に配置されているときに、ウェハWの周辺部を上下から発光素子112と受光素子113とにより挟むように設けられている。アライメント部110によるノッチ部の位置の検出結果に基づいて、回転駆動部104により載置台103を回転させ、ウェハWの角度をアライメントすることができる。ケーシング101内の一端側の端部には、搬送アームA3が載置台103に対してフォーク3A、3Bを進退駆動させ、ウェハWを搬入、搬出するための搬送口114図4における24と同じが設けられている。載置台103に載置され、保持されているウェハWがケーシング101の一端側すなわち搬送口114側にあるときの位置を、ウェハ搬入出位置P1とする。周辺露光部120は、発光ユニット121、導光部材122、照射ユニット123を有する。発光ユニット121は、例えば超高圧水銀ランプよりなる図示しない光源を有し、載置台103に保持されているウェハWを露光するための光を発光する。導光部材122は、発光ユニット121と照射ユニット123とを接続するように設けられている。導光部材122は、例えば石英等の、光に対して透明な芯材を有する、例えば光ファイバよりなるものであり、光を発光ユニット121から照射ユニット123に導く。照射ユニット123は、出射側スリット124を有する図19a参照。照射ユニット123に入射された光は、図示しないレンズ、ミラーを介して、方向及び光束の形状が変更され、出射側スリット124へと導かれる。出射側スリット124は、例えば矩形形状を有しており、光を照射ユニット123から出射する際に、光束の断面形状を整える。このような周辺露光部120によれば、図19aに示すように、光Bが、照射ユニット123に設けられた出射側スリット124から出射され、レジスト膜PRが形成されたウェハW表面の周辺部の所定の領域Aに均一に照射される。この状態で、回転駆動部104によりウェハWが回転することによって、図19bに示すように、ウェハW表面の周辺部の余剰レジスト膜RAに光Bを照射すなわち露光周辺露光することができる。本実施の形態における、塗布モジュール23及び周辺露光モジュール100で行われるレジスト塗布処理プロセスでも、予め搬送アームA3のフォーク3AによりウェハWを搬送する際に、搬送アームA3に設けられたリニアイメージセンサ52により、ウェハWの周辺部の位置を検出する図15a参照。そして、検出した位置に基づいて、周辺部を露光する時の載置台103に対する照射ユニット123の相対位置を決定しておく。そして、ウェハWを塗布モジュール23のスピンチャック61に真空吸着させた状態で、プリウェット処理する。次いで、ウェハWを回転させた状態で、レジスト液ノズル73からウェハWの略中心上にレジスト液PRを供給する。これにより、レジスト液PRをウェハWの径方向外周側に拡散させながら塗布し、ウェハW上のレジスト液PRを振り切り、乾燥させ、レジスト膜PRを形成する図15b及び図15c参照。ここまでは、第1の実施の形態と同様である。一方、本実施の形態では、この後、レジスト膜PRが形成されたウェハWを、塗布モジュール23から搬送アームA3のフォーク3Aにより受け取る。次いで、フォーク3Aにより受け取ったウェハWを、周辺露光モジュール100の載置台103に受け渡す。そして、周辺露光モジュール100において、決定した相対位置になるように、移動駆動部105により載置台103を移動させる。この状態で、発光ユニット121からの光Bが、照射ユニット123に設けられた出射側スリット124から出射される。そして、照射ユニット123により光BをウェハW表面の周辺部の所定の領域Aに均一に照射しながら、回転駆動部104によりウェハWを回転させることによって、ウェハW表面の周辺部の余剰レジスト膜RAに光Bが照射されて周辺露光が行われる図19a参照。図20は、周辺露光モジュール100により周辺露光が行われる際のウェハWの表面の状態を示す図である。図20に示すように、ウェハWの外径が基準値Dであるときに、ウェハWの外縁から所定幅WEの領域におけるレジスト膜RAが選択的に露光されるような、載置台103の回転中心に対する出射側スリット124の中心の相対位置が、X方向にX1であるものとする。そして、ウェハWの外径が基準値Dに対してΔD変動したDΔDであるとき、載置台103の回転中心に対する出射側スリット124の中心の相対位置が基準位置X1に対して例えばΔD/2だけ変動したX1ΔD/2となるように決定する。そして、決定した相対位置になるように、移動駆動部105により載置台103を移動させる。これにより、ウェハWの外径の変動に関わらず、ウェハWの外縁から所定幅WEの領域におけるレジスト膜PRが選択的に露光される。従って、モジュール毎に位置決めセンサを設ける必要がなく、ウェハ毎に外径寸法が変動した場合でも、ウェハWの周辺部におけるレジスト膜を露光する領域のウェハWの外縁からの幅寸法を一定にすることができる。なお、載置台103に代え、照射ユニット123がX方向に移動可能に設けられていてもよく、移動可能に設けられた照射ユニット123が図示しない移動部によりX方向に移動してもよい。すなわち、載置台103及び照射ユニット123のいずれか一方が他方に対して相対移動可能に設けられていればよく、決定した相対位置になるように、載置台103及び照射ユニット123のいずれか一方を移動させればよい。以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"