複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層と、該p型導電層の底面側に配置された活性層と、該p型導電層とで該活性層を挟むように配置されたn型導電層とが含まれるGaN系LED素子であって、該p型導電層の上面にはp側電極およびn側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該p側電極は透光性を有する部分を有し、該n側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該p型導電層の上面に開口しその底部に該n型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該n型導電層に接することにより該n側メタル電極と該n型導電層とが電気的に接続されている、GaN系LED素子。前記n側メタル電極と前記n型導電層との総接触面積が、当該n側メタル電極に含まれる前記接続部の総面積と同等以上である、請求項1記載のGaN系LED素子。前記延伸部がAu、Ag、CuまたはAlで形成された高導電層を含む、請求項1または2記載のGaN系LED素子。前記半導体積層体より低い屈折率を有する絶縁膜が、前記n側メタル電極と前記p型導電層との間を絶縁している、請求項1~3のいずれか一項記載のGaN系LED素子。前記p型導電層の上面のうち、前記n側メタル電極が形成された領域が選択的に平坦化されており、その他の領域は粗化されている、請求項1~4のいずれか一項記載のGaN系LED素子。複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層と、該p型導電層の底面側に配置された活性層と、該p型導電層とで該活性層を挟むように配置されたn型導電層とが含まれるGaN系LED素子であって、該n側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該延伸部と該n型導電層との間には互いに孤立した複数のオーミック接触部が設けられている、GaN系LED素子。前記延伸部と前記n型導電層との間のオーミック接触界面の面積が、前記延伸部と前記n型導電層との物理的接触面積よりも小さい、請求項6に記載のGaN系LED素子。開口部を有する絶縁膜が前記延伸部と前記n型導電層との間に挿入され、前記延伸部と前記n型導電層とが該開口部を通して接触している、請求項6に記載のGaN系LED素子。前記延伸部がAu、Ag、CuまたはAlで形成された高導電層を含む、請求項6~8のいずれかに記載のGaN系LED素子。前記延伸部と前記n型導電層との間に設けられたオーミック接触界面の面積が、前記接続部から離れるにつれ大きくなっている、請求項6~9のいずれか一項記載のGaN系LED素子。接続部と延伸部を有するn側メタル電極を、その全体がn型導電層と接するように設けたGaN系LED素子では、該接続部に接合されるボンディングワイヤからn側メタル電極に供給される電流の多くが接続部から直にn型導電層に流れ込み、延伸部を経由してn型導電層に流れる電流は少ないと考えられる。なぜなら、n型のGaN系半導体は比較的高い導電性を有しており、電極材料との接触抵抗も低いからであり、さらに、GaN系LED素子では、そのようなn型GaN系半導体からなるn型導電層が比較的厚く形成される通常2μm以上からである。単純化していえば、n型導電層の抵抗が低いので、電流がn側電極からn型導電層に容易に流れ出すのである。本願発明はかかる考察に基づきなされたものであり、n側メタル電極の延伸部を通してn型導電層に流れる電流を増加させたGaN系LED素子を提供することを、主たる目的とする。本発明の好ましい実施形態に係るGaN系LED素子は、下記構成を備える。1複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層と、該p型導電層の底面側に配置された活性層と、該p型導電層とで該活性層を挟むように配置されたn型導電層とが含まれるGaN系LED素子であって;該p型導電層の上面にはp側電極およびn側メタル電極が互いに重ならないように設けられ、該p側電極は透光性を有する部分を有し、該n側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該半導体積層体には該p型導電層の上面に開口しその底部に該n型導電層が露出する穴が設けられ、少なくとも該延伸部の一部が該穴を通して該n型導電層に接することにより該n側メタル電極と該n型導電層とが電気的に接続されている、GaN系LED素子。2前記n側メタル電極と前記n型導電層との総接触面積が、当該n側メタル電極に含まれる前記接続部の総面積と同等以上である、前記1記載のGaN系LED素子。3前記延伸部がAu、Ag、CuまたはAlで形成された高導電層を含む、前記1または2記載のGaN系LED素子。4前記半導体積層体より低い屈折率を有する絶縁膜が、前記n側メタル電極と前記p型導電層との間を絶縁している前記1~3のいずれか記載のGaN系LED素子。5前記p型導電層の上面のうち、前記n側メタル電極が形成された領域が選択的に平坦化されており、その他の領域は粗化されている、前記1~4のいずれか記載のGaN系LED素子。本発明の他の好ましい実施形態に係るGaN系LED素子は、下記構成を備える。6複数のGaN系半導体層を含む半導体積層体を有し、該複数のGaN系半導体には、上面および底面を有するp型導電層と、該p型導電層の底面側に配置された活性層と、該p型導電層とで該活性層を挟むように配置されたn型導電層とが含まれ、該p型導電層の上面にはp側電極が設けられ、該p型導電層側に一部露出した該n型導電層の表面にはn側メタル電極が設けられるGaN系LED素子であって;該n側メタル電極は接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該延伸部と該n型導電層との間には互いに孤立した複数のオーミック接触部が設けられている、GaN系LED素子。7前記延伸部と前記n型導電層との間のオーミック接触界面の面積が、前記延伸部と前記n型導電層との物理的接触面積よりも小さい、前記6記載のGaN系LED素子。8開口部を有する絶縁膜が前記延伸部と前記n型導電層との間に挿入され、前記延伸部と前記n型導電層とが該開口部を通して接触している、前記6記載のGaN系LED素子。9前記延伸部がAu、Ag、CuまたはAlで形成された高導電層を含む、前記6~8のいずれか記載のGaN系LED素子。10前記延伸部と前記n型導電層との間に設けられたオーミック接触界面の面積が、前記接続部から離れるにつれ大きくなっている、前記6~9のいずれか記載のGaN系LED素子。本発明の実施形態に係る上記GaN系LED素子では、延伸部を通してn型導電層に流れる電流が増加するように、n側メタル電極とn型導電層との接触を制限しているので、n側メタル電極からn型導電層に供給される電流が延伸部を通して接続部から離れた部位まで十分に行き渡る。