"半田ジェットのための半田を溶融する工程と、前記半田ジェットからの溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の基板上にパターンを成して堆積させる工程であって、当該パターンが溶融半田の複数の個々のドットを備える、工程と、前記電子デバイスの第2の構成要素を当該電子デバイスの前記第1の構成要素上に堆積された前記パターンと位置合わせする工程と、前記電子デバイスの前記第1の構成要素上に前記パターンを成して堆積された半田を再溶融させる工程と、半田が再溶融している間、前記電子デバイスの前記第1および第2の構成要素を圧縮する工程と、を備える、電子デバイスをパッケージングするための方法。請求項1記載の方法において、前記電子デバイスの前記第1の構成要素および当該電子デバイスの前記第2の構成要素を真空中に配置する工程を更に備える、方法。請求項1記載の方法において、前記半田ジェットからの溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の基板上にパターンを成して堆積させる前記工程は、当該半田ジェットからの溶融半田を当該電子デバイスの前記第1の構成要素の基板に形成される金属パターン上へ堆積させる工程を含む、方法。請求項1記載の方法において、前記半田ジェットからの溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の基板上にパターンを成して堆積させる前記工程は、溶融半田の複数の個々のドットの少なくとも一部同士の間に複数の隙間を備えるパターンを成して当該半田ジェットからの溶融半田を堆積させる工程を含む、方法。請求項1記載の方法において、前記電子デバイスの前記第1の構成要素の前記基板上の3つ以上のポイントに堆積される溶融半田の厚さを増大させるために前記半田ジェットから更なる溶融半田を堆積させる工程を更に備える、方法。請求項1記載の方法において、前記電子デバイスの前記第1の構成要素と当該電子デバイスの前記第2の構成要素との間の隙間を密封シールする工程を更に備える、方法。請求項1記載の方法において、前記電子デバイスの前記第1の構成要素と当該電子デバイスの前記第2の構成要素との間に真空コンダクタンス隙間を形成する工程を更に備える、方法。請求項1記載の方法において、前記電子デバイスが赤外線検出器を備える、方法。半田を蓄えるように構成されるホッパと、溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の基板上にパターンを成して堆積させるように構成される半田ジェットであって、当該パターンが溶融半田の複数の個々のドットを備える、半田ジェットと、前記電子デバイスの前記第1の構成要素の前記基板上にパターンを成して堆積された半田を再溶融させるように構成される加熱素子と、第2の構成要素を前記電子デバイスの前記第1の構成要素上に堆積された前記パターンと位置合わせするように構成されるアライメント装置と、を備える、電子デバイスをパッケージングするためのシステム。請求項9記載のシステムにおいて、前記電子デバイスの前記第1の構成要素と当該電子デバイスの前記第2の構成要素との間に真空を形成するように構成される真空チャンバを更に備える、システム。請求項9記載のシステムにおいて、前記電子デバイスの前記第1の構成要素の前記基板が金属パターンを備え、当該金属パターン上に前記半田ジェットが溶融半田を堆積させる、システム。請求項9記載のシステムにおいて、溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の基板上にパターンを成して堆積させるように構成される前記半田ジェットは、溶融半田の複数の個々のドットの少なくとも一部同士の間に複数の隙間を伴う溶融半田の複数の個々のドットを備えるパターンを成して溶融半田を堆積させるように更に構成される、システム。請求項9記載のシステムにおいて、前記半田ジェットは、前記電子デバイスの前記第1の構成要素の基板上の3つ以上のポイントに堆積される溶融半田の厚さを増大させるために更なる溶融半田を堆積させるように更に構成される、システム。請求項9記載のシステムにおいて、堆積された半田は、前記電子デバイスの前記第1の構成要素と当該電子デバイスの前記第2の構成要素との間に密封シールを形成するために使用される、システム。請求項9記載のシステムにおいて、前記電子デバイスが赤外線検出器を備える、システム。請求項9記載のシステムにおいて、前記半田ジェットは、いつでも変更できるパターンテンプレートに基づいて前記電子デバイスの前記第1の構成要素の前記基板上に前記パターンを成して溶融半田を堆積させるように更に構成される、システム。電子デバイスをパッケージングするための装置であって、溶融半田堆積のためのパターンの指示を受けるように構成されるインタフェースと、前記インタフェースに結合され、前記パターンを記憶するように構成される持続性コンピュータ可読記憶媒体と、前記持続性コンピュータ可読記憶媒体に結合されるプロセッサと、を備え、前記プロセッサは、前記パターンに基づいて半田ジェットのための少なくとも1つの半田コマンドを生成するように構成され、当該少なくとも1つの半田コマンドが半田ジェットのための少なくとも1つの命令を備え、当該半田ジェットが当該少なくとも1つの命令にしたがって当該半田ジェットからの溶融半田の複数の個々のドットを電子デバイスの第1の構成要素の基板へ堆積させるように構成され、前記プロセッサは、加熱素子のための少なくとも1つの加熱コマンドを生成するように構成され、当該少なくとも1つの加熱コマンドが前記半田ジェットから前記電子デバイスの前記第1の構成要素の前記基板へ堆積された溶融半田の複数の個々のドットを再溶融させるように構成される当該加熱素子のための少なくとも1つの命令を備え、前記プロセッサは、アライメント装置のための少なくとも1つのアライメントコマンドを生成するように構成され、当該少なくとも1つのアライメントコマンドが前記電子デバイスの第2の構成要素を当該電子デバイスの前記第1の構成要素上に堆積された半田に対して位置合わせするように構成される当該アライメント装置のための少なくとも1つの命令を備える、装置。請求項17記載の装置において、前記プロセッサは、真空チャンバのための少なくとも1つの真空コマンドを生成するように更に構成され、前記少なくとも1つの真空コマンドは、前記電子デバイスの前記第1の構成要素および当該電子デバイスの前記第2の構成要素の周囲に真空を形成するように構成される真空チャンバのための少なくとも1つの命令を備える、装置。請求項17記載の装置において、溶融半田堆積のためのパターンの指示を受けるように構成される前記インタフェースは、前記パターンの寸法を指定するパターンテンプレートを受けるように更に構成される、装置。請求項17記載の装置において、前記電子デバイスが赤外線検出器を備える、装置。特定の実施形態によれば、電子デバイスをパッケージングするための方法は、半田ジェットのための半田を溶融することを含む。方法は、半田ジェットからの溶融半田を電子デバイスの第1の構成要素の第1の基板上にパターンを成して堆積させることを更に含む。パターンは、溶融半田の複数の個々のドットを備える。また、方法は、電子デバイスの第2の構成要素の第2の基板を電子デバイスの第1の基板上に堆積されたパターンと位置合わせすることも含む。方法は、第1の基板上にパターンを成して堆積された半田を再溶融させることを更に含む。また、方法は、半田が再溶融している間、第1および第2の基板を圧縮することも含む。特定の実施形態は、1つ以上の技術的利点を与えることができる。例えば、1つの実施形態の技術的利点は、吹き飛びの危険を低くして電子デバイスを密封シールできるという点である。特定の実施形態の他の技術的利点は、マスキング材料、リソグラフィ、または、余分な半田を除去するための他の処理工程を必要とせずに密封シールを形成できるという点である。これにより、電子デバイスの製造に関連する製造コスト材料および時間の両方においてを低減できる。他の技術的利点は、以下の図、説明、および、特許請求の範囲から当業者に容易に明らかとなる。また、ここまで特定の利点を列挙してきたが、様々な実施形態は、列挙した利点のすべて、一部を含む場合があり、或いは、全く含まない場合がある。特定の実施形態および該実施形態の利点のより完全な理解のため、ここで、添付図面と併せて解釈される以下の説明を参照する。図1は、特定の実施形態に係る、電子デバイスのウエハレベルパッケージングのために構成されるシステムのブロック図を描いている。幾つかの実施形態において、システム100の構成要素は、噴射半田を使用して電子デバイスの密封高真空ウエハレベルパッケージングWLPを行ってもよい。システム100は、マイクロ電気機械システムMEMSデバイス、ウエハレベルパッケージングIR検出器、および/または、マイクロボロメータを含むがこれらに限定されないウエハレベルパッケージングデバイスの高真空密封シールのための半田の堆積のために噴射半田を使用してもよい。幾つかの実施形態において、噴射半田は、半田ジェット160により堆積される半田のパターンをソフトウェアテンプレートによって制御できるため、設計変更に対して極めて柔軟となり得る。新たな設計が導入される場合には、テンプレートを変更するだけで事足り得る。したがって、デバイス変更に起因する噴射パターンの変更をテンプレートの変更によって迅速に実施できる。描かれた実施形態において、システム100は、電子デバイスのウエハレベルパッケージングのための密封シールを形成する際に使用される様々な構成要素を含む。システムは、密封シールを高真空状態内で形成できるようにする。システム100は、スパッタリング、蒸着、および、メッキなどの典型的なパッケージング技術で使用される過剰な金属および材料を除去するためにリソグラフィまたは他の工程を使用することなく高真空密封シールを伴って電子デバイスをパッケージングできてもよい。システム100は、電子デバイスの1つ以上の構成要素上に堆積される噴射半田ドットのパターンを使用して密封シールを形成してもよい。ドットパターンは、構成要素が互いに押し付けられる際に圧力の変化を許容する小さな隙間を与えてもよい。半田ドット間の間隔は、半田ドットのサイズおよび/またはパターン例えば、パターンの最終形状に基づいてもよい。半田ドットが溶融して広がるにつれて、隙間が縮小し始め、それにより、密封シールが形成される。ホッパ150は、半田ジェット160による使用のために、溶融された或いは固形化した半田を保持するように構成される任意の容器、リザーバ、ホッパ、または、他の装置を構成してもよい。ホッパ150内に保持される半田としては、金-スズ半田例えば、Au80-Sn20、スズ-鉛半田、スズ-銀半田、スズ-銀-銅半田、または、金属結合例えば、共晶接合と共に使用されてもよい任意の他のタイプの半田を挙げることができる。幾つかの実施形態において、ホッパ150により受けられる半田は、それがホッパ150により受けられるときに既に溶融されてもよい。そのような実施形態において、ホッパ150は、溶融された半田を溶融状態に維持するための加熱素子を含んでもよい。幾つかの実施形態において、ホッパ150により受けられる半田は、それがホッパ150により受けられるときに固体状態であってもよい。そのような実施形態では、半田が基板105a上に堆積される前に、半田が、ホッパ150、半田ジェット160、または、ホッパ150と半田ジェット160との間の何らかの構成要素によって溶融されてもよい。作動上の必要性またはパラメータに応じて、ホッパ150内の半田の量が異なってもよい。例えば、幾つかの状況において、ホッパ150は、単一の電子デバイス、複数の電子デバイスをその上に伴う一対の基板をパッケージングするのに十分な半田、一連の電子デバイス、または、幾つかの一連の電子デバイスをパッケージングするのに十分な半田例えば、半田の大量供給を蓄えてもよい。ホッパ150からの半田は、個々の溶融半田滴130aを基板105a上に堆積させるために半田ジェット160によって使用されてもよい。ホッパ150が未溶融半田を収容する幾つかの実施形態において、半田ジェット160は、それが基板105a上に半田を堆積させる前に、半田を溶融させてもよい。半田ジェット160から噴射される個々の溶融半田ドット130aは、特定のパターンにしたがって基板105a上に制御された態様で堆積されてもよい。溶融半田ドット130aは個々の滴として堆積されてもよく、その場合、個々の滴のうちの少なくとも幾つかの滴同士の間に隙間を伴う。隙間は、半田ジェット160により基板105a上に堆積されたパターン上にわたって第2の基板が押し付けられる際に、圧力または容積の変化がパターンを通じて逃げることができるようにしてもよい。半田ジェット160が溶融半田滴130aを堆積させるパターンは、パッケージングされるべき電子デバイスの様々な異なる特性のうちのいずれかによって決まってもよい。幾つかの実施形態において、パターンは、コントローラ140などのコントローラから半田ジェット160により受けられるパターンテンプレートに基づいてもよい。他の例として、幾つかの実施形態では、半田ジェット160が基板105a上に存在するパターンを認識して該パターンに従うことができてもよい。基板105a上のパターンは、半田が溶融時に付着してもよいベースメタルとして使用されてもよい。Ti/Pt/AuまたはTi/NiV/Auを備える金属の積層体などの任意の適したベースメタルが使用されてもよい。幾つかの実施形態において、ベースメタルは、溶融半田ドット130aを堆積させるべき場所を決定するために、半田ジェット160がテンプレートまたはパターンに依存しているかどうかにかかわらず、基板105a上に存在してもよい。溶融半田ドット130aが基板105a上に堆積されたら、電子デバイスの第2の構成要素を有する第2の基板がアライメント装置110によって基板105a上に堆積されるパターンと位置合わせされてもよい。基板105bは、溶融半田ドット130aと同様の溶融半田ドットが冷却してしまっている基板105aと同様の基板であってもよい。基板105bおよび基板107が位置合わせされて真空チャンバ120の内側に配置される。真空チャンバ120は、真空を形成できてもよく、また、冷却された半田ドット130bの融点を超えるように周囲温度を高めることができてもよい。真空チャンバ120により形成される真空は、構成要素107と構成要素105bとの間の隙間内に真空を形成してもよい。冷却された半田ドット130b間の空間は、真空チャンバ120と構成要素107,105b間の隙間との間の圧力差が釣り合うことができる或いは正規化できるようにしてもよい。真空チャンバ120により形成される熱は、冷却された半田ドット130bを溶融させるのに十分であってもよい。アライメント装置110は、基板105b、107を位置合わせすることに加えて、圧力を印加して基板107,105bを圧縮させるように構成されてもよい。アライメント装置110により与えられる圧力は、基板107,105b間の隙間の容積を圧縮させるために使用されてもよい。幾つかの実施形態において、圧縮力は、上側基板例えば、構成要素107を引っ張る重力であってもよい。圧縮力源にかかわらず、冷却された半田ドット130bが真空チャンバ120の温度の高まりにより溶融され始めると、圧力により、今現在溶融している半田が広がってもよい。圧縮力が構成要素107,105b間の隙間を圧縮するにつれて、隙間の容積の変化に起因する圧力の任意の変化が、半田ドット130b間の隙間を通じて逃げてもよい。最終的に、半田ドット130bは、構成要素上に形成されるベースパターンに沿って広がる単一の連続する帯の形を成す。溶融半田は、構成要素107,105b間に密封シールを形成してもよい。幾つかの実施形態において、密封シールの形成は、結合プロセスの終わりまで遅らされてもよい。これにより、最終的なシールの瞬間前に内部キャビティの圧力の上昇を放出して、半田の吹き飛びを防止できてもよい。密封シールは構成要素が真空状態にある間に形成されたため、構成要素間の隙間も同様に真空状態となり得る。これにより、対応する電子デバイスを高真空ウエハレベルパッケージングデバイスの状態で密封シールできてもよい。コントローラ140は、ハードウェアコンポーネントとソフトウェアおよび/またはプロセッサによる実行のために持続性コンピュータ可読媒体にエンコードされた論理との任意の組み合わせを備えてもよい任意のタイプのコンピュータまたは制御システムであってもよい。コントローラ140は、システム100の構成要素のうちのいずれかを制御するように構成されてもよい。例えば、コントローラ140は、半田ジェット160、および、基板105a上に対する溶融半田ドット130aの堆積を制御してもよい。他の例として、コントローラ140は、アライメント装置110および構成要素107,105bの位置合わせを制御してもよい。他の例として、コントローラ140は、真空チャンバ120の真空および温度を制御してもよい。幾つかの実施形態において、コントローラ140は、半田が構成要素のデバイス上に堆積されるパターンをユーザが簡単に且つ容易に変更できるようにしてもよい。例えば、コントローラ140は、ユーザが新たなパターンテンプレートを簡単に取り込むことができるようにしてもよい。実施形態に応じて、コントローラ140は、システム100のすべての構成要素に関与する単一のコントローラ、システム100の異なる構成要素のための複数の独立したコントローラ、或いは、1つ以上のマスターコントローラの下で作動する複数のコントローラであってもよい。図2Aは、特定の実施形態に係る、電子デバイスの構成要素を上から見た図である。描かれた実施形態において、構成要素210はパターン220および半田ドット230を含む。パターン220は、基板240上に形成されるメタルベースパターンであってもよい。基板240図2Aから図2Dに描かれる部分のみは、複数の同様のメタルベースパターンを含んでもよい。それぞれの同様のパターンは、別個の電子デバイスに対応してもよい。パターン220は、半田230が溶融時に結合できる材料を与えてもよい。また、パターン220は、半田が再加熱されるときに半田ドット230がリフローできる経路を与えてもよい。支柱250が半田ドット230の積層体を備えてもよい。支柱250は、支柱250が所望の高さを有するまで半田ドット230を上下に積み重ねることにより形成されてもよい。幾つかの実施形態において、支柱250は、パターン220の周囲に堆積される半田ドット230より高くてもよい。そのような実施形態において、支柱250は、基板の他の部分上にわたって広げられる複数の支柱のうちの1つであってもよい。支柱は、共にシールされるべき2つの基板の2つの構成要素間に更に大きな隙間を形成し得る支持構造を形成してもよい。これは、2つの構成要素が真空状態でシールされるようになっていると、圧力を正規化するのに役立ち得る。幾つかの実施形態において、半田ドット230は、支柱250が所望の事前結合隙間例えば、300μmを上回るを与え得るように所定のパターンで積み重ねられてもよい。幾つかの実施形態では、結合プロセス中、支柱250の高さに起因して、2つの基板が離れて保持されてもよい。結果として生じる隙間は、ベークアウトおよび真空サイクルの全体にわたって維持されてもよい。幾つかの実施形態では、最後のシール段階中に、支柱250がシール半田と共に溶融し、それにより、基板が接触して結合できてもよい。半田ドット230は、図1に関して前述した半田ジェット160などの半田ジェットによってパターン220上に堆積されたフラックスがない半田を備えてもよい。半田ドット230が再加熱され、半田が溶融されてパターン220の周囲でリフローすると、再溶融された半田が、パターン220内のデバイスをシールし得る連続する固体結合ラインを形成してもよい。完全に溶融する前の個々の半田ドット230間の隙間が通路を与えてもよく、この通路を通じて、電子デバイスの第2の構成要素がパターン220と位置合わせされて2つが共に押し付けられる際にパターン220の内側およびパターン220の外側の圧力が正規化されてもよい。図2Bは、特定の実施形態に係る、電子デバイスの2つの構成要素を横から見た図である。図2Bでは、構成要素260が構成要素210の図2Aに描かれるパターン220と位置合わせされる。支柱250は、半田ドット230が溶融するまで、構成要素260を構成要素210よりも上側に持ち上げた状態に維持される。支柱250の半田ドット230によりもたらされる余分な高さは、構成要素210,260間に真空コンダクタンス隙間270を形成してもよい。幾つかの実施形態では、真空コンダクタンス隙間270が300マイクロメートルを超えてもよい。真空コンダクタンス隙間270は、構成要素210,260と真空チャンバ内の周囲環境との圧力差の正規化を促してもよい。余分な高さは、既に堆積された半田ドット230の上部に更なる半田ドット230を堆積させることにより形成されてもよい。半田ドット230が溶融されると、圧力が構成要素210,260を共に押し付けるにつれて、真空コンダクタンス隙間270が減少し得る。図2Cは、特定の実施形態に係る、半田が溶融してしまった電子デバイスの2つの構成要素を横から見た図である。図2Cは、半田230図2A,図2Bが溶融してしまった後の電子デバイスの2つの構成要素を備える2つの基板の部分を描いている。溶融半田235は、構成要素210,260間に密封シールを形成するようにリフローしてもよい。半田が溶融して広がってしまっているため、個々の半田ドット間にもはや隙間は存在しない。また、構成要素210,260間の隙間275も図2Bに示されるコンダクタンス隙間270から縮小してしまっている。図2Dは、特定の実施形態に係る、半田が溶融された状態の電子デバイスの構成要素を上から見た図である。容積空間295は、溶融半田235によって密封シールされる真空の容積空間であってもよい。幾つかの実施形態において、基板240は、容積空間295と同様の幾つかの真空の容積空間を含んでもよい。これらの容積空間の各々は、異なる電子デバイスに対応している。例えば、各容積空間295は、マイクロチップ、マイクロ電気機械MEMデバイス、IR検出器、または、密封シールされおよび/または真空内で密封シールされるのが望ましい任意の他の電子部品を含んでもよい。図3は、特定の実施形態に係る、電子デバイスのパッケージングを管理するために使用されるコントローラの構成要素の詳細なブロック図を描いている。コントローラ300は、電子デバイスのウエハレベルパッケージングで使用される1つ以上の装置を管理するために使用されてもよい。コントローラ300によって制御され或いは管理されてもよい構成要素としては、1つ以上のホッパ例えば、図1に描かれるホッパ150、1つ以上のホッパフィーダ例えば、ホッパへ半田を供給する、1つ以上の半田ジェット例えば、図1に描かれる半田ジェット160、1つ以上のアライメント装置例えば、図1に描かれるアライメント装置110、1つ以上の真空チャンバ例えば、図1に描かれる真空チャンバ120、1つ以上の他のコントローラ例えば、図1に描かれるコントローラ140、および/または、電子デバイスをパッケージングする際に使用されてもよい任意の他の構成要素または装置が挙げられるが、これらに限定されない。コントローラ300は、1つ以上のコンピュータシステムの1つ以上の部分を含んでもよい。特定の実施形態において、これらのコンピュータシステムのうちの1つ以上は、前述した或いはここで例示される1つ以上の方法の1つ以上の工程を行ってもよい。特定の実施形態において、1つ以上のコンピュータシステムは、前述した或いはここで例示される機能性を与えてもよい。特定の実施形態において、持続性媒体内に記憶されて1つ以上のコンピュータシステムで実行されるソフトウェアは、前述した或いはここで例示される1つ以上の方法の1つ以上の工程を行ってもよく、或いは、前述した或いはここで例示される機能性を与えてもよい。コントローラ300の構成要素は、任意の適した物理的な形状、構成、数、タイプ、および/または、レイアウトを備えてもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、コントローラ300は、組込型コンピュータシステム、システム-オン-チップSOC、シングルボードコンピュータシステムSBC例えば、コンピュータ-オン-モジュールCOMまたはシステム-オン-モジュールSOMなど、デスクトップコンピュータシステム、ラップトップまたはノートブックコンピュータシステム、対話型キオスク、メインフレーム、コンピュータシステムのメッシュ、携帯電話、携帯端末PDA、サーバ、または、これらのうちの2つ以上の組み合わせを備えてもよい。適切な場合には、コントローラ300は、1つ以上のコンピュータシステムを含んでもよく、一体型または分散型であってもよく、複数の場所にまたがっていてもよく、複数の機械にまたがっていてもよく、或いは、1つ以上のネットワーク内に1つ以上のクラウドコンポーネントを含んでもよいクラウド内に存在してもよい。適切な場合には、コントローラ300の1つ以上の構成要素が、実質的な空間的制限または時間的制限を伴うことなく、前述した或いはここで例示される1つ以上の方法の1つ以上の工程を行ってもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、コントローラ300は、リアルタイムで或いはバッチモードで、前述した或いはここで例示される1つ以上の方法の1つ以上の工程を行ってもよい。適切な場合には、1つ以上のコントローラが、異なる時間に或いは異なる場所で、前述した或いはここで例示される1つ以上の方法の1つ以上の工程を行ってもよい。描かれた実施形態において、コントローラ300は、プロセッサ311、記憶装置313、インタフェース317、および、バス312を含む。これらの構成要素は、一般的には、噴射半田を使用して密封シールが形成される電子デバイスのウエハレベルパッケージングを管理するために協働してもよい。特定数の特定の構成要素を特定の配置で有する特定のコントローラ300が描かれているが、この開示は、任意の適した数の任意の適した構成要素を任意の適した配置で有する任意の適したコントローラ300を考える。プロセッサ311は、マイクロプロセッサ、コントローラ、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、または、任意の他の適したコンピュータデバイス、リソース、または、コントローラ機能性を単独で或いは他の構成要素例えば、記憶装置313と併せて与えるようになっているハードウェアとエンコードされたソフトウェアおよび/または組み込み論理との組み合わせであってもよい。そのような機能性は、溶融半田ドットのパターンを電子デバイスの構成要素の基板上に堆積させるように半田ジェットを方向付けることを含んでもよい。コントローラ機能性の他の例は、堆積された半田ドットが再溶融時に2つの構成要素間に密封シールを形成するように電子デバイスの2つの構成要素を位置合わせすることを含んでもよい。以下、更なる例および少なくとも部分的にプロセッサ311により与えられる機能性について説明する。特定の実施形態において、プロセッサ311は、命令、例えばコンピュータプログラムから成る命令を実行するためのハードウェアを含んでもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、命令を実行するために、プロセッサ311は、内部レジスタ、内部キャッシュ、または、記憶装置313から命令を読み出して或いは、フェッチして、それらの命令をデコードして実行した後、1つ以上の結果を内部レジスタ、内部キャッシュ、または、記憶装置313に書き込んでもよい。特定の実施形態において、プロセッサ311は、データ、命令、または、アドレスのための1つ以上の内部キャッシュを含んでもよい。この開示は、適切な場合には、任意の適した数の任意の適した内部キャッシュを含むプロセッサ311を考える。一例として、また、限定する目的ではなく、プロセッサ311は、1つ以上の命令キャッシュ、1つ以上のデータキャッシュ、および、1つ以上の変換索引バッファTLBを含んでもよい。命令キャッシュ内の命令が記憶装置313内の命令のコピーであってもよく、また、命令キャッシュは、プロセッサ311によるこれらの命令の読み出しをスピードアップさせてもよい。データキャッシュ内のデータは、プロセッサ311で実行する命令が操作するための記憶装置313内のデータのコピー、プロセッサ311で実行するその後の命令によるアクセスのため或いは記憶装置313に書き込むためにプロセッサ311で実行される前の命令の結果、或いは、他の適したデータであってもよい。データキャッシュは、プロセッサ311による読み取り操作または書き込み操作をスピードアップしてもよい。TLBは、プロセッサ311のための仮想アドレス変換をスピードアップしてもよい。特定の実施形態において、プロセッサ311は、データ、命令、または、アドレスのための1つ以上の内部レジスタを含んでもよい。実施形態に応じて、プロセッサ311は、適切な場合には、任意の適した数の任意の適した内部レジスタを含んでもよい。適切な場合には、プロセッサ311は、1つ以上の数値演算ユニットALUを含んでもよく、マルチコアプロセッサであってもよく、1つ以上のプロセッサ311を含んでもよく、或いは、任意の他の適したプロセッサであってもよい。記憶装置313は、磁気媒体、光媒体、ランダムアクセスメモリRAM、リードオンリーメモリROM、フラッシュメモリ、取り外し可能な媒体、または、任意の他の適した1つ或いは複数の局部または遠隔のメモリ要素を含むがこれらに限定されない任意の形態の揮発性または不揮発性のメモリを含んでもよい。特定の実施形態では、記憶装置313がランダムアクセスメモリRAMを含んでもよい。このRAMは、適切な場合には、揮発性メモリであってもよい。適切な場合には、このRAMは、ダイナミックメモリDRAMまたはスタティックメモリSRAMであってもよい。また、適切な場合には、このRAMは、シングルポートRAMまたはマルチポートRAM、或いは、任意の他の適したタイプのRAMまたはメモリであってもよい。記憶装置313は、適切な場合には、1つ以上のメモリまたはデータ記憶モジュールを含んでもよい。記憶装置313は、持続性コンピュータ可読媒体内に組み込まれるソフトウェア、および/または、ハードウェアに組み込まれる或いはさもなければ記憶されるエンコードされた論理例えば、ファームウェアを含む、コントローラ300により利用される任意の適したデータまたは情報を記憶してもよい。特定の実施形態において、記憶装置313は、プロセッサ311が実行するための命令またはプロセッサ311が操作するためのデータを記憶するためのメインメモリを含んでもよい。特定の実施形態では、1つ以上のメモリ管理ユニットMMUが、プロセッサ311と記憶装置313との間に存在して、プロセッサ311により要求される記憶装置313へのアクセスを容易にする。特定の実施形態において、記憶装置313は、データまたは命令のための大容量記憶装置を含んでもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、記憶装置313は、ハードディスクドライブHDD、フロッピー登録商標ディスクドライブ、フラッシュメモリ、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ、または、外部ドライブ、或いは、これらのうちの2つ以上の組み合わせを含んでもよい。記憶装置313は、適切な場合には、取り外し可能な或いは取り外し不能なまたは、固定された媒体を含んでもよい。記憶装置313は、適切な場合には、コントローラ300の内部または外部の構成要素を含んでもよい。特定の実施形態では、記憶装置313が不揮発性の固体メモリを含んでもよい。特定の実施形態では、記憶装置313がリードオンリーメモリROMを含んでもよい。適切な場合には、このROMは、マスクプログラムドROM、プログラマブルROMPROM、消去可能PROMEPROM、電気的消去可能PROMEEPROM、電気的消去再書き込みROMEAROM、または、フラッシュメモリ、或いは、これらのうちの2つ以上の組み合わせであってもよい。記憶装置313は、任意の適した物理的形態をとってもよく、また、任意の適した数またはタイプの記憶装置を備えてもよい。記憶装置313は、適切な場合には、プロセッサ311と記憶装置313との間の通信を容易にする1つ以上の記憶制御ユニットを含んでもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、コントローラ300は、記憶装置313または他のソース例えば、他のコンピュータシステムなどの1つの構成要素例えば、ハードディスクドライブから記憶装置313の他の構成要素例えば、システムメモリへと命令を取り込んでもよい。プロセッサ311は、その後、記憶装置313から内部レジスタまたは内部キャッシュへと命令を取り込んでもよい。命令を実行するため、プロセッサ311は、内部レジスタまたは内部キャッシュから命令を読み出して、それらをデコードしてもよい。命令の実行中または命令の実行後、プロセッサ311は、1つ以上の結果中間結果または最終結果であってもよいを内部レジスタまたは内部キャッシュへ書き込んでもよい。プロセッサ311は、その後、それらの結果のうちの1つ以上を記憶装置313へ書き込んでもよい。特定の実施形態において、プロセッサ311は、1つ以上の内部レジスタ内または内部キャッシュ内または記憶装置313の特定の部分内の命令だけを実行してもよく、また、1つ以上の内部レジスタ内または内部キャッシュ内または記憶装置313の特定の部分内のデータのみを操作してもよい。特定の実施形態において、インタフェース317は、コントローラ300および電子デバイスをパッケージングする際に使用される任意の構成要素または装置図1に描かれる任意の構成要素、電子デバイスのパッケージングの管理に関与する任意のユーザ、任意のネットワークまたはネットワーク装置、および/または、任意の他のコンピュータシステムの間の通信のための1つ以上のインタフェースを与えるハードウェア、エンコードされたソフトウェア、または、これらの両方を含んでもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、通信インタフェース317は、イーサネット登録商標或いは他の有線系ネットワークと通信するためのネットワークインタフェースコントローラNICまたはネットワークアダプタ、および/または、無線ネットワークと通信するための無線NICWNICまたは無線アダプタを含んでもよい。幾つかの実施形態において、インタフェース317は、1つ以上のI/O装置のための1つ以上のインタフェースを含んでもよい。これらのI/O装置のうちの1つ以上は、オペレータまたはユーザとコントローラ300との間の通信を可能にしてもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、I/O装置は、キーボード、キーパッド、マイクロフォン、モニタ、マウス、プリンタ、スキャナ、スピーカ、スチルカメラ、スタイラス、タブレット、タッチスクリーン、トラックボール、ビデオカメラ、他の適したI/O装置、または、これらのうちの2つ以上の組み合わせを含んでもよい。I/O装置が1つ以上のセンサを含んでもよい。例えば、I/O装置は、電子デバイスの構成要素の基板上のメタルベースパターンを認識するように構成されるスキャナを含んでもよい。特定の実施形態は、任意の適したタイプおよび/または数のI/O装置、および、それらのI/O装置のための任意の適したタイプおよび/または数のインタフェース317を含んでもよい。適切な場合には、インタフェース317は、プロセッサ311がこれらのI/O装置のうちの1つ以上を駆動させることができるようにする1つ以上のドライバを含んでもよい。実施形態に応じて、インタフェース317は、任意のタイプのネットワークに適した任意のタイプのインタフェースであってもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、インタフェース317は、アドホックネットワーク内、パーソナルエリアネットワークPAN内、ローカルエリアネットワークLAN内、広域ネットワークWAN内、メトロポリタンエリアネットワークMAN内で、或いは、インターネットの1つ以上の部分を介して、或いは、これらのうちの2つの以上の組み合わせでデータを送受信するために使用されてもよい。これらのネットワークのうちの1つ以上の1つ以上の部分は、有線であってもよく或いは無線であってもよい。これらのネットワークのうちの1つ以上の1つ以上の部分は、標準的な或いは専用のプロトコルを使用してもよい。インタフェース317は、無線PANWPAN例えば、ブルートゥースWPANなど、Wi-Fiネットワーク、WI-MAXネットワーク、LTEネットワーク、LTE-Aネットワーク、携帯電話ネットワーク例えば、モバイル通信用グローバルシステムGSM登録商標ネットワークなど、または、任意の他の適した無線ネットワーク、或いは、これらのうちの2つ以上の組み合わせと通信できてもよい。コントローラ300は、適切な場合には、ネットワークおよび/またはI/O装置のうちの任意の1つ以上のための任意の適した数の任意の適したタイプのインタフェース317を含んでもよい。バス312は、コントローラ300の構成要素を互いに結合させるために、ハードウェア、コンピュータ可読媒体に組み込まれるソフトウェア、および/または、ハードウェアに組み込まれる或いはさもなければ記憶されるエンコードされた論理例えば、ファームウェアの任意の組み合わせを含んでもよい。一例として、また、限定する目的ではなく、バス312は、アクセラレーテッドグラフィクスポートAGPまたは他のグラフィックスバス、拡張工業規格アーキテクチャEISAバス、フロントサイドバスFSB、ハイパートランスポートHT相互接続、工業規格アーキテクチャISAバス、INFINIBAND相互接続、ローピンカウントLPCバス、メモリバス、マイクロチャネルアーキテクチャMCAバス、周辺コンポーネント相互接続PCIバス、PCI-エクスプレスPCI-Xバス、シリアルアドバンストテクノロジーアタッチメントSATAバス、ビデオエレクトロニクススタンダードアソシエーションローカルVLBバス、または、任意の他の適したバス、或いは、これらのうちの2つ以上の組み合わせを含んでもよい。バス312は、適切な場合には、任意の数、タイプ、および/または、形態のバス312を含んでもよい。特定の実施形態では、1つ以上のバス312それぞれがアドレスバスとデータバスとを含んでもよいがプロセッサ311を記憶装置313に結合してもよい。バス312が1つ以上のメモリバスを含んでもよい。なお、コンピュータ可読記憶媒体が有形で持続性のコンピュータ可読記憶媒体処理構造を包含する。一例として、また、限定する目的ではなく、コンピュータ可読記憶媒体は、適切な場合には、半導体ベースの或いは他の集積回路IC例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGAまたは特定用途向け集積回路ASICなど、ハードディスク、HDD、ハイブリッドハードディスクドライブHHD、光ディスク、光ディスクドライブODD、光磁気ディスク、光磁気ドライブ、フロッピーディスク、フロッピーディスクドライブFDD、磁気テープ、ホログラフィック記憶媒体、固体ドライブSSD、RAMドライブ、セキュアデジタルカード、セキュアデジタルドライブ、フラッシュメモリカード、フラッシュメモリドライブ、または、任意の他の適した有形のコンピュータ可読記憶媒体、或いは、これらのうちの2つ以上の組み合わせを含んでもよい。なお、コンピュータ可読記憶媒体は、35U.S.C.§101の下での特許保護に値しない任意の媒体を排除する。また、コンピュータ可読記憶媒体は、それらが35U.S.C.§101の下での特許保護に値しない限りにおいて、一時的な形式の信号送信伝搬する電気的または電磁的な信号それ自体などを排除する。特定の実施形態は、任意の適した記憶装置を実装する1つ以上の持続性コンピュータ可読媒体を含んでもよい。特定の実施形態において、コンピュータ可読記憶媒体は、適切な場合には、プロセッサ311の1つ以上の部分例えば、1つ以上の内部レジスタまたはキャッシュなど、記憶装置313の1つ以上の部分、または、これらの組み合わせを実装する。特定の実施形態において、コンピュータ可読記憶媒体はRAMまたはROMを実装する。特定の実施形態において、コンピュータ可読記憶媒体は揮発性の或いは永続性のメモリを実装する。特定の実施形態では、1つ以上のコンピュータ可読記憶媒体がエンコードされたソフトウェアを具現化する。なお、エンコードされたソフトウェアは、適切な場合には、コンピュータ可読記憶媒体に記憶され或いはエンコードされた、1つ以上のアプリケーション、バイトコード、1つ以上のコンピュータプログラム、1つ以上の実行ファイル、1つ以上の命令、論理、マシンコード、1つ以上のスクリプト、または、ソースコードを包含してもよく、逆もまた同様である。特定の実施形態において、エンコードされたソフトウェアは、コンピュータ可読記憶媒体に記憶され或いはエンコードされる1つ以上のアプリケーションプログラミングインタフェースAPIを含む。特定の実施形態は、任意の適したタイプまたは数のコンピュータ可読記憶媒体に記憶され或いはエンコードされる任意の適したプログラミング言語またはプログラミング言語の組み合わせで書き込まれる或いはさもなければ表現される任意の適切なエンコードされたソフトウェアを使用してもよい。特定の実施形態において、エンコードされたソフトウェアは、ソースコードまたはオブジェクトコードとして表されてもよい。特定の実施形態において、エンコードされたソフトウェアは、例えばC言語、Perl言語、または、その適した拡張子などの高レベルプログラミング言語で表されてもよい。特定の実施形態において、エンコードされたソフトウェアは、アセンブリ言語または、マシンコードなどの低レベルプログラミング言語で表されてもよい。特定の実施形態では、エンコードされたソフトウェアがJAVA登録商標で表される。特定の実施形態において、エンコードされたソフトウェアは、ハイパーテキストマークアップ言語HTML、拡張マークアップ言語XML、または、他の適したマークアップ言語で表される。以下の説明は、コントローラ300の特定の構成要素が特定の特徴を与え得る幾つかの方法に関して更なる詳細な記述を与える。特に、コントローラ300の構成要素は、特定の実施形態にしたがって電子デバイス例えば、MEMデバイス、FPAマイクロボロメータなどのパッケージングを制御するために協働してもよい。例えば、インタフェース317は、例えばユーザからパターンメッセージを受けるために使用されてもよい。パターンメッセージは、パターンテンプレートを備えてもよく、或いは、半田ジェットが電子デバイスの構成要素の基板上に溶融半田ドットを堆積させるべきパターンを示してもよい。幾つかの実施形態において、インタフェース317は、パターンを形成するユーザ入力例えば、寸法をコントローラ300を介して受けてもよい。パターンまたはパターンメッセージは、その後、記憶装置313に記憶される。幾つかの実施形態では、記憶装置313が幾つかのパターンを記憶してもよい。各パターンは、1つの電子デバイスおよび/または様々な電子デバイスの異なる構成要素と関連付けられてもよい。プロセッサ311は、記憶されたパターンを使用して、電子デバイスのウエハレベルパッケージングで使用される1つ以上の装置のためのコマンドを生成してもよい。例えば、パターンに基づき、プロセッサ311は、半田ジェットのための半田コマンドを生成してもよい。半田コマンドは、半田ジェットが溶融半田ドットを堆積させるべき場所を決定する際に使用してもよい1つ以上の命令を含んでもよい。記憶装置313は、異なる電子デバイスのために使用するための異なる設定、材料、または、構成要素を特定し得るテーブル、チャート、データベース、または、他のデータ編成を含んでもよい。例えば、各電子デバイスごとに、テーブルまたは、他のデータ編成が、使用すべきパターン、使用すべき半田の1つ以上のタイプ、半田を溶融するために使用すべき対応する温度、電子デバイスがパッケージングされるべき真空レベル、電子デバイスが加熱されおよび/または真空中に置かれるべき時間値、および、電子デバイスの2つの構成要素間に印加するべき圧縮力の大きさ、および/または、電子デバイスをパッケージングする際に使用されてもよい任意の他の情報を定めてもよい。プロセッサ311は、この情報を使用して、適切な装置または構成要素のための1つ以上のコマンドを生成してもよい。例えば、情報は、電子デバイスの1つの構成要素の基板上に堆積されてもよい半田ドットを再溶融させるために加熱素子がどの程度熱くなるべきかを定める加熱コマンドを生成するために使用されてもよい。他の例として、記憶装置313によって記憶された情報は、真空チャンバのための少なくとも1つの圧力コマンドを決定して生成するためにプロセッサ311により使用されてもよい。これにより、異なる真空レベルを異なる電子デバイスに関して使用できるようにしてもよい。幾つかの実施形態において、インタフェース317は、1つ以上のセンサから情報を受けてもよい。このセンサ入力は、プロセッサ311がコマンドを生成する際に使用してもよいフィードバックまたは他の情報を含んでもよい。例えば、電子デバイスの2つの構成要素の相対的な位置に関連するセンサ入力は、構成要素を位置合わせするように構成されるアライメント装置のためのアライメントコマンドを生成するために使用されてもよい。また、センサ入力は、基板上のパターンを認識するように構成されるセンサを含んでもよい。プロセッサ311は、その情報を使用して、半田ジェットがパターンに従うためのコマンドを生成してもよい。センサ入力は、適切な場合には、プロセッサ311が温度または真空度を調整するための温度コマンドまたは真空度コマンドを生成する際に使用してもよい温度読み取り値または真空度読み取り値を含んでもよい。他のセンサが他のコマンドを生成するために使用されてもよい。これまでは、幾つかの異なる実施形態および特徴が与えられてきた。特定の実施形態は、操作上の必要性および/または構成要素の限界に応じて、これらの特徴のうちの1つ以上を組み合わせてもよい。これにより、様々な組織体およびユーザのニーズにコントローラ300を十分に適合させることができるようにしてもよい。幾つかの実施形態は更なる特徴を含んでもよい。図4は、特定の実施形態に係る、電子デバイスをパッケージングするための方法を描いている。この方法は、パターンテンプレートが受けられる工程410から始まる。パターンテンプレートは、閉ループを形成する少なくとも1つのパターンを含んでもよい。閉ループは、電子デバイスの少なくとも一部を真空シールする際に使用される密封シールと関連付けられてもよい。パラメータテンプレートは、電子デバイスの第1の構成要素の基板上に溶融半田ドットをパターンを成して堆積させるために必要な寸法および他の情報を含んでもよい。寸法は、パターンのそれぞれの部分ごとに、3つの寸法、すなわち、長さ、幅、および、高さを含んでもよい。幾つかの実施形態において、パターンは、パターンの特定の部分のために使用すべき半田のタイプに関する情報を含んでもよい。工程410で受けられるパターンテンプレートは、受けられる多くのパターンテンプレートのうちの1つであってもよい。各パターンテンプレートは、異なる電子デバイスと関連付けられてもよく、また、異なる関連パターンを備えてもよい。幾つかの実施形態において、テンプレートは、複数回繰り返される同じパターンを備えてもよい。各パターンが異なる電子デバイスに対応してもよい。これは、同じ電子デバイスの幾つかのコピーのために同じ構成要素の幾つかのコピーを形成するべく単一の基板が使用される場合に用いられてもよい。工程420では、半田が溶融される。半田は、構成要素の基板上へ噴射される前に溶融されてもよい。半田の溶融は、半田ジェットの噴射ノズルが構成要素の基板上に半田を堆積させることができるように半田を液体状態へ至らせることを含んでもよい。半田は、構成要素の基板上に半田を堆積させるために使用される半田ジェットによって、半田ジェットと関連付けられて半田を蓄えるために使用されるホッパによって、および/または、ホッパの前またはホッパと半田ジェットとの間に機能的に位置される加熱素子によって溶融されてもよい。使用される半田のタイプは、操作上の必要性、パターン仕様、および/または、電子デバイスの所望の性能特性に応じて異なってもよい。例えば、幾つかの実施形態において、半田は、金80およびスズ20の混合物、または、任意の他のフラックスが無い半田を構成してもよい。工程430では、電子デバイスの第1の構成要素の基板上に溶融半田がパターンを成して堆積される。溶融半田は、複数の個々の溶融半田ドットとして堆積されてもよい。幾つかの実施形態において、半田は、堆積されるすべての或いは一部の半田ドット同士の間に隙間を伴って堆積されてもよい。半田ドットは、構成要素の基板上に堆積される際に冷えて再凝固してもよい。幾つかの実施形態において、溶融半田ドットは、堆積された溶融半田ドットの厚さ或いは高さを増大させるために互いに上下に堆積されてもよい。半田はドットとして堆積されるため、個々のドット間に多くの小さな隙間が存在し得る。これらの隙間は、変化する圧力が吹き飛びを引き起こすことなく逃げるための通路を与えてもよい。溶融半田ドットは、電子デバイスの第1の構成要素の基板に形成される金属パターン上に堆積されてもよい。対応する金属パターンが電子デバイスの第2の構成要素の基板に形成されてもよい。1つ或いは複数の金属パターンが、半田が再溶融されるときに半田が付着し得るベースとして使用されてもよい。幾つかの実施形態において、溶融半田は、電子デバイスの第1の構成要素および第2の構成要素の両方に堆積されてもよい。工程440では、更なる溶融半田がパターンを成して堆積される。例えば、構成要素の基板がその上に複数の電子デバイスを有する場合には、更なる溶融半田が基板の様々なポイントで支柱状に堆積されてもよい。支柱は、密封シールされるべき電子デバイスのうちのいずれかから離間されてもよい。パターンを成して堆積される更なる半田は、構成要素の基板上に堆積される溶融半田ドットの高さを増大させるために使用されてもよい。幾つかの実施形態において、更なる高さは、電子デバイスの2つの構成要素間に真空コンダクタンス隙間を形成するために使用されてもよい。幾つかの実施形態において、高さの増大は、ウエハレベルパッケージング中の真空コンダクタンスを改善し得る。真空コンダクタンス隙間は、圧力の変化を導き通すことができる通路を形成してもよい。これにより、更に高い真空度を電子デバイスの密封シール部に形成できるようにしてもよい。幾つかの実施形態において、コンダクタンス隙間を形成するために使用される更なる半田は、密封シールのうちの1つ以上を形成するために使用される半田から離間されてもよい。特定の実施形態において、更なる半田は、シールのために堆積される半田よりも高く堆積されてもよい。特定の実施形態において、支柱は、密封シールのために使用される半田とは異なるタイプの半田を備えてもよい。工程450では、電子デバイスの第1および第2の構成要素が真空チャンバ内に配置される。真空チャンバは、2つの構成要素が共にシールされる高真空環境を形成できてもよい。例えば、真空チャンバは、周囲圧力~109torrの真空度を形成してもよい。工程460では、電子デバイスの第2の構成要素が、電子デバイスの第1の構成要素上の噴射半田のパターンと位置合わせされる。幾つかの実施形態において、第2の構成要素の基板は、第1の構成要素上に堆積された半田ドットのパターンと同様の金属パターンを有してもよい。この金属パターンは、半田が再溶融されるときに半田が結合し得る材料を与えるために半田ドットのパターンと位置合わせされてもよい。幾つかの実施形態では、第1および第2の構成要素が2つのウエハの一部であってもよい。そのような実施形態において、工程460は、第1のウエハ上に堆積された堆積半田ドットの各パターンが第2のウエハ上の対応する金属パターンと位置合わせされるようにウエハを位置合わせすることを含んでもよい。幾つかの実施形態では、第2の構成要素が真空チャンバ内で第1の構成要素と位置合わせされてもよい。幾つかの実施形態では、2つの構成要素が真空チャンバ内に配置される前に位置合わせされてもよい。工程470では、電子デバイスの第1および第2の構成要素が圧縮される。幾つかの実施形態において、圧縮は、上側の構成要素の重量に起因する重力によって加えられてもよい。幾つかの実施形態において、圧縮は、電子デバイスの構成要素の一方または両方に圧力を印加するように構成されるアライメント装置110などの装置によって加えられてもよい。工程480では、半田が再溶融される。半田ドットが溶融し始めるにつれて、半田が広がり始める。ある場合には、半田は、電子デバイスの2つの構成要素の基板の金属ベースパターンに沿って広がるようになっていてもよい。半田が広がるにつれて、半田の高さが縮小し、それにより、2つの構成要素間の隙間が減少する。これにより、2つの構成要素間の空間の容積が減少し得る。半田ドットを使用しない典型的なパッケージングシナリオでは、容積の変化に起因する圧力の変化が、吹き飛びを引き起こす可能性を高める。しかしながら、工程430で堆積された半田ドット間の隙間は、圧力の変化を逃がすことができるチャネルを形成する。このため、吹き飛びの機会を減らすことができる。半田は、それが完全に溶融されるまで溶融し続ける。溶融半田は、その後に冷えて、工程490で示されるように、第1の構成要素と第2の構成要素との間に密封シールを形成する。密封シールを形成する際に使用される半田だけが半田ジェットにより堆積された半田であるため、過剰な材料またはマスキング材料を除去するためにリソグラフィまたは他の処理工程を何ら必要とすることなく、工程490における密封シールを形成できる。これにより、電子デバイスに関連する製造コスト材料のコストおよび電子デバイスを製造するために必要な時間の両方においてを低減できる。幾つかの実施形態において、密封シールされるべき電子デバイスは、複数のマイクロボロメータを備える赤外線検出器であってもよい。図4に示される工程の一部は、適切な場合には、組み合わされ、変更され、或いは、削除されてもよく、また、更なる工程がフローチャートに加えられてもよい。また、特定の実施形態の範囲から逸脱することなく、工程が任意の適した順序で行われてもよい。図4に描かれる工程は、特定の実施形態のために行われる工程の単なる一例であり、他の実施形態は、異なる順序で配置される異なる工程を使用してもよい。例えば、幾つかの実施形態において、半田は、基板中のベースメタルのパターンに従うことにより、第1の構成要素の基板上に堆積されてもよい。そのような実施形態では、工程410が変更されてもよい。これは、パターンテンプレートが基板のパターンを介して受けられ得るからである。他の例として、幾つかの実施形態では、電子デバイスの2つの構成要素が真空チャンバ内に配置される前に位置合わせされてもよい。これにより、工程450および工程460の順序が切り換わる結果となる。特定の実施形態について詳しく説明してきたが、開示または添付の特許請求の範囲の思想および範囲から逸脱することなく、様々な他の変更、置換、組み合わせ、および、変形をこれらの実施形態に対して成すことができることは言うまでもない。特定の実施形態は、添付の特許請求の範囲の思想および範囲の中に入るそのような変更、置換、組み合わせ、変形、および、改良のすべてを包含するようになっている。例えば、ウエハレベルパッケージング電子デバイスを製造するべく構成されるシステムに含まれる多くの要素に関連して実施形態を説明してきたが、これらの要素は、特定の製造ニーズに適応させるように組み合わされ、再配置され、または、位置されてもよい。また、任意の図に関して本明細書中に記載される要素のいずれかが、適切な場合には、互いに一体の内部要素または別個の外部要素として設けられてもよい。特定の実施形態は、これらの要素の配置およびそれらの内部要素において大きな柔軟性を意図している。"