"入力光ファイバおよび出力光ファイバと、前記入力光ファイバからの信号光が一端に与えられ、該信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した前記信号光を他端から前記出力光ファイバに出力する光学系と、を備えた光増幅装置であって、前記光学系は、前記光増幅媒体を介して配置された第1の光アイソレータおよび第2の光アイソレータを含み、前記第1および第2の光アイソレータは、前記信号光の進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することがそれぞれ可能で、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの中心波長が互いに異なることを特徴とする光増幅装置。請求項1に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの波長特性について、アイソレーションの値が最小になるピーク波長が前記光増幅媒体の利得帯域内にそれぞれ含まれ、かつ、該各ピーク波長が互いに異なると共に、個々の光アイソレータのアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも狭いことを特徴とする光増幅装置。請求項2に記載の光増幅装置であって、前記第1の光アイソレータは、前記光増幅媒体の利得帯域内の短波長側に前記ピーク波長を有し、前記第2の光アイソレータは、前記光増幅媒体の利得帯域内の長波長側に前記ピーク波長を有し、前記第1および第2の光アイソレータの各ピーク波長は、該第1および第2の光アイソレータの組み合わせにより得られるアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも広くなるように設定されていることを特徴とする光増幅装置。請求項1~3のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、偏光無依存型光アイソレータであることを特徴とする光増幅装置。請求項4に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、複屈折結晶を用いた1組のクサビ板および該各クサビ板の間に配置されたファラデー回転子をそれぞれ有し、前記第1の光アイソレータの1組のクサビ板のうちの前記第2の光アイソレータ側に位置するクサビ板の光学軸の方向に対して、前記第2の光アイソレータの1組のクサビ板のうちの前記第1の光アイソレータ側に位置するクサビ板の光学軸の方向が90度回転するように、前記第1および第2の光アイソレータの相対的な配置が決められていることを特徴とする光増幅装置。請求項1~5のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記光増幅媒体は、半導体光増幅SOA素子であることを特徴とする光増幅装置。請求項1~6のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記光学系は、前記入力光ファイバからの信号光をコリメートする入力レンズと、前記光増幅媒体を有し、前記入力レンズからの信号光が与えられる光増幅ユニットと、該光増幅ユニットから出力される信号光を前記出力光ファイバの端面に結合させる出力レンズと、を含み、前記第1および第2の光アイソレータが、前記入力レンズおよび前記出力レンズの間の信号光の経路上に配置されることを特徴とする光増幅装置。入力光ファイバおよび出力光ファイバと、前記入力光ファイバからの信号光が一端に与えられ、該信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した前記信号光を他端から前記出力光ファイバに出力する光学系と、を備えた光増幅装置であって、前記光学系は、前記信号光の進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することが可能な複数の光アイソレータを含み、前記複数の光アイソレータは、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの波長特性について、アイソレーションの値が最小になるピーク波長が前記光増幅媒体の利得帯域内にそれぞれ含まれ、かつ、該各ピーク波長が互いに異なると共に、個々の光アイソレータのアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも狭いことを特徴とする光増幅装置。ところで、一般的な光アイソレータは、遮断方向の光に対するアイソレーションが-30dB程度であり、該アイソレーションの値は光の波長に依存して変化することが知られている。なお、光アイソレータのアイソレーションは、その値をI[dB]とし、光アイソレータに対して遮断方向に入出力される光のパワーをPin,Pout[W]として、I=10logPo/Piで定義される。図2は、一般的な光アイソレータにおけるアイソレーションの波長特性の一例を実線で示したものである。図示のようにアイソレーションの波長特性Iは、通常、所要の波長でアイソレーションの値が最小になるピークが存在する。このため、光アイソレータによって実質的に遮断することのできる光の波長帯域以下、アイソレーション帯域とするは、上記アイソレーションの値が最小になるピーク波長を中心とした一定の範囲に限られることになる。例えば、光アイソレータの性能として-30dB以下のアイソレーションが要求される場合、図2中に示す波長の範囲IBがアイソレーション帯域となる。上記のような光アイソレータのアイソレーション帯域に対して、光増幅装置の利得帯域が狭い場合には、単一の光アイソレータを使用して光学特性が同じ複数の光アイソレータを使用する場合も含む、前述の図1下段に示したようにクロストーク光の強度増大を抑えることが可能である。しかしながら、光増幅装置が上記図2の波線に示したような利得波長特性Gを持ち、その利得帯域GBが光アイソレータのアイソレーション帯域IBよりも広くなると、該利得帯域GB内に分布する反射戻り光のうちのアイソレーション帯域IB外に該当する成分の遮断が不足するようになるため、単一の光アイソレータによりクロストーク光の強度増大を抑えることが難しくなってしまうという課題ある。この課題は、例えば、半導体光増幅器SemiconductorOpticalAmplifier:SOA等のように広い利得帯域を持つことが知られている光増幅装置において顕著である。上記の課題に対して、前述したレーザ光を発生する光モジュールにおいて第1および第2の光アイソレータを使用した構成を、広い利得帯域を持つ光増幅装置に応用した場合を考えると、光モジュールにおける半導体レーザ素子の発光波長は光増幅装置の利得帯域に相当するので、第1の光アイソレータは利得帯域内の一部の波長の光を遮断することが可能である。しかし、第2の光アイソレータは利得帯域外の波長の光を遮断することになるため、第1の光アイソレータで遮断できなかった利得帯域内の残りの波長の光クロストーク光の強度増大を抑えることが困難である。つまり、光アイソレータを使用した共振動作の低減に関する従来技術では、広帯域の信号光を一括増幅可能な広い利得帯域を持つ光増幅装置について、該信号光の反射戻り光によって発生する共振動作を有効に低減することができなかった。本発明は上記の点に着目してなされたもので、信号光の反射戻り光に起因する共振動作を確実に低減できる広い利得帯域を持った光増幅装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明による光増幅装置の一態様は、入力光ファイバおよび出力光ファイバと、前記入力光ファイバからの信号光が一端に与えられ、該信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した前記信号光を他端から前記出力光ファイバに出力する光学系と、を備える。前記光学系は、前記光増幅媒体を介して配置された第1の光アイソレータおよび第2の光アイソレータを含む。前記第1および第2の光アイソレータは、前記信号光の進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することがそれぞれ可能で、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの中心波長が互いに異なる。上記のような光増幅装置によれば、光増幅媒体の利得帯域が単一の光アイソレータのアイソレーション帯域より広い場合であっても、アイソレーションの中心波長が互いに異なる第1および第2の光アイソレータを組み合わせることで、上記利得帯域よりも広い連続したアイソレーション帯域を実現できるようになるため、信号光の反射戻り光によって発生する共振動作を確実に低減することが可能になる。以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。図3は、本発明による光増幅装置の一実施形態における全体構成を示す平面図である。図3において、本実施形態の光増幅装置1は、例えば、複数の光学部品を収容するパッケージ11と、パッケージ11の一端に接続され、光増幅の対象となる信号光Lsをパッケージ11の内部に導く入力光ファイバ12と、パッケージ11の他端に接続され、パッケージ11内の光学系で増幅された信号光Lsが出力される出力光ファイバ13と、を備える。上記パッケージ11内の光学系は、信号光Lsの入力側から出力側に向けて順に配置された、第1入力レンズ14、第1光アイソレータ15、光増幅ユニット16、第2光アイソレータ17および第1出力レンズ18を含む。なお、図3に示した構成は、パッケージ11内の各光学部品の配置が分かるように、パッケージ11の上蓋の図示を省略すると共に、パッケージ11のファイバ接続部分を断面図で示したものになっている。第1入力レンズ14は、入力光ファイバ12の信号光出射端の近くに配置されている。この第1入力レンズ14は、入力光ファイバ12から出射される信号光Lsを平行光に変換コリメートして第1光アイソレータ15に与える。第1光アイソレータ15は、第1入力レンズ14を通過した信号光Lsの進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断する。この第1光アイソレータ15は、例えば図4の細実線I1に示すようなアイソレーションの波長特性を有している。具体的に、第1光アイソレータ15におけるアイソレーションの波長特性I1は、アイソレーションの値が最小になるピーク波長λ1が、光増幅装置1の利得波長特性G波線において最大利得から3dB低下する帯域利得帯域GB内に含まれるように設定されている。また、第1光アイソレータ15のアイソレーション帯域IB1、すなわち、単一の光アイソレータ15によって実質的に遮断することのできる光の波長帯域は、上記利得帯域GBよりも狭くなっている。なお、上記第1光アイソレータ15は、後で詳しく説明する偏光無依存型の構成のものを適用するのが好ましい。光増幅ユニット16は、例えば図5の拡大図に示すように、ステム20上に固定された第2入力レンズ21、キャリア22および第2出力レンズ23、並びに、キャリア22上に実装されたSOA素子24およびサーミスタ25を含む。ステム20は、第1光アイソレータ15を通過した信号光Lsが、第2入力レンズ21、キャリア22上のSOA素子24、第2出力レンズ23を順に通って、第2光アイソレータ17に導かれるように、第2入力レンズ21、キャリア22および第2出力レンズ23を所定の位置に固定する。このステム20は、ペルチェ素子等の温度制御デバイス19図3を介してパッケージ11内に実装されている。第2入力レンズ21は、第1光アイソレータ15からの信号光Lsを集光して、キャリア22上のSOA素子24における一方の端面に結合させる。キャリア22は、例えば、基板材料の表面に、SOA素子24およびサーミスタ25を所定位置に配置するための金Auパターンが形成された構造を有する。第2出力レンズ23は、SOA素子24の他方の端面から出射される信号光Lsをコリメートして第2光アイソレータ15に与える。SOA素子24は、第2入力レンズ21からの信号光Lsの波長帯を包含する利得帯域GBを有し、図示しない駆動回路から出力される駆動電流に応じて、一方の端面に与えられる信号光Lsを増幅して他方の端面から第2出力レンズ23に出力する。このSOA素子24は、キャリア22のAuパターンに合わせてキャリア22の略中央に実装され、ここでは図5に示したように、第2入力レンズ21に対向する一方の端面の法線方向が、第2入力レンズ21からの出力光の光軸方向に対して若干傾くように配置されている。このようなSOA素子24の配置により、一方の端面での反射光が第2入力レンズ21に戻ることが回避されると共に、第2出力レンズ23に対向する他方の端面での反射光が第2出力レンズ23に戻ることが回避される。上記SOA素子24の上面および下面には電極がそれぞれ形成されており、上面の電極はワイヤボンディングによりキャリア22の電極パターン22Aを介してパッケージ11の複数の電極端子11A図3のうちの1つに接続されている。また、下面の電極はキャリア22の電極パターン22Bを介してパッケージ11の複数の電極端子11Aのうちの他の1つに接続されている。サーミスタ25は、キャリア22のAuパターンに合わせてSOA素子24近傍に実装され、SOA素子24の動作温度を検出する。このサーミスタ25の検出結果は、温度制御デバイス19図3によるSOA素子24の温度制御などに利用される。第2光アイソレータ17図3は、光増幅ユニット16の第2出力レンズ23を通過した信号光Lsの進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断する。この第2光アイソレータ17は、前述の図4の細実線I2に示したようなアイソレーションの波長特性を有している。具体的に、第2光アイソレータ15におけるアイソレーションの波長特性I2は、アイソレーションの値が最小になるピーク波長λ2が、光増幅装置1の利得帯域GB内に含まれ、かつ、前述した第1光アイソレータ15のピーク波長λ1とは異なるλ1≠λ2ように設定されている。図4の例では、利得帯域GB内の短波長側にピーク波長λ1が設定され、長波長側にピーク波長λ2が設定されている。上記第2光アイソレータ17のアイソレーション帯域IB2は、前述した第1光アイソレータ15のアイソレーション帯域IB1と同様に、光増幅装置1の利得帯域GBよりも狭くなっている。しかし、第1および第2光アイソレータ15,17の各ピーク波長λ1,λ2を、光増幅装置1の利得帯域GBに応じて適切に設定することにより、第1および第2光アイソレータ15,17を組み合わせて得られるアイソレーションの波長特性は図4の太実線I12に示すような形状となり、当該アイソレーション帯域IB12はSOA素子24の利得帯域GBよりも広くなる。なお、上記第2光アイソレータ17についても、後で詳しく説明する偏光無依存型の構成のものを適用するのが好ましい。上記第1および第2光アイソレータ15,17の各ピーク波長λ1,λ2の設定方法としては、例えば、上述の図1に示した場合と同様にして光増幅装置1の上流側の反射点R1および下流側の反射点R2を想定し、該各反射点R1,R2での反射減衰量をr1,r2、第1および第2光アイソレータ15,17におけるアイソレーションの値をI1,I2、並びに、SOA素子24の利得をGとして、次の1式に示す性能評価値Mを定義しておく。M=G{I1r1I2r2}1/2...1そして、上記性能評価値Mが利得帯域GBに亘って所要の値例えば-15~-20dBを満たすようになる、第1および第2光アイソレータ15,17の各ピーク波長λ1,λ2の設定を、個々の光アイソレータ15,17についての特性データを用いて計算等により求めることが可能である。第1出力レンズ18は、出力光ファイバ13の信号光入射端の近くに配置されている。この第1出力レンズ18は、第2光アイソレータ17を通過した信号光Lsを集光して、出力光ファイバ13の信号光入射端に結合させる。次に、本実施形態の光増幅装置1における動作について説明する。上記のような構成の光増幅装置1では、入力光ファイバ12からパッケージ11の内部に導かれた信号光Lsが、第1入力レンズ14でコリメートされた後に、第1光アイソレータ15に与えられる。第1光アイソレータ15では、第1入力レンズ14からの信号光Lsが透過されて光増幅ユニット16に送られる。光増幅ユニット16では、第1光アイソレータ15を通過した信号光Lsが第2入力レンズ21で集光されてSOA素子24の一方の端面に与えられる。SOA素子24には、パッケージ11の電極端子11Aよりキャリア22の電極パターン22A,22Bを介して駆動電流が供給されている。これにより、SOA素子24では、駆動電流に応じた利得で信号光Lsが増幅され、該信号光LsがSOA素子24の他方の端面から第2出力レンズ23に出力される。第2出力レンズ23では、SOA素子24からの信号光Lsがコリメートされて第2光アイソレータ17に与えられる。第2光アイソレータ17では、第2出力レンズ23からの信号光Lsが透過されて第1出力レンズ18に送られる。第1出力レンズ18では、第2光アイソレータ17を通過した信号光Lsが集光されて出力光ファイバ13の一端に結合される。上記のようにしてパッケージ11内の光学系を順方向に伝播して増幅された信号光Lsは、出力光ファイバ13の他端に光コネクタ等を介して接続された光伝送路に送出される。このとき、上記光コネクタの接続端面や光伝送路上に存在する反射点において信号光Lsの一部が反射され、該反射光が光増幅装置1に戻される。この反射戻り光Lrは、出力光ファイバ13内からパッケージ11の内部に導かれ、パッケージ11内の光学系を信号光Lsとは逆方向に伝播することになる。具体的に、パッケージ11の内部に導かれた反射戻り光Lrは、第1出力レンズ18でコリメートされた後に、第2光アイソレータ17に与えられる。第2光アイソレータ17では、反射戻り光Lrのうちで第2光アイソレータ17のピーク波長λ2付近にある長波長側の成分が遮断される一方、短波長側の成分は第2光アイソレータ17を透過して光増幅ユニット16に送られる。光増幅ユニット16では、反射戻り光Lrの短波長側の成分が前述した信号光Lsとは逆方向の経路を辿ることで、信号光Lsの場合と同様にして増幅される。しかしながら、光増幅ユニット16で増幅された反射戻り光Lrの短波長側の成分は、第1光アイソレータ15に与えられて遮断されることになる。つまり、パッケージ11内の光学系を信号光Lsとは逆方向に伝播する反射戻り光Lrは、前述の図4に示した第1および第2光アイソレータ15,17の組み合わせによるアイソレーションの波長特性I12に従って殆どの成分が遮断される。このため、入力光ファイバ12に到達する反射戻り光Lrは実質的に無くなる。したがって、光増幅装置1は、単一の光アイソレータのアイソレーション帯域よりも広い利得帯域GBを有していても、信号光Lsの反射戻り光Lrによって発生する共振動作を確実に低減することができる。これにより、光増幅装置1は、上述の図1中段に示したようなクロストーク光Lxtの強度増大を効果的に抑えることが可能である。また、光増幅装置1は、第1光アイソレータ15を第1入力レンズ14と光増幅ユニット16の間に配置し、第2光アイソレータ17を光増幅ユニット16と第1出力レンズ14の間に配置しているので、光学特性の異なる2つの光アイソレータを組み合わせることによってパッケージ11のファイバ接続部分が従来構成より長くなるようなこともなく、小型の装置構成を実現できる。このように、帯域内の反射戻り光をすべて遮断する必要はなく、反射戻り光による共振が抑制できれば良いという観点に着目して本発明の構成は考えられている。次に、上記のような光増幅装置1における第1および第2光アイソレータ15,17として好適な偏光無依存型光アイソレータの構成例について説明する。図6は、上記偏光無依存型光アイソレータの構成例を示す斜視図である。この光アイソレータ30は、複屈折結晶を用いた1組のクサビ板31,32と、該各クサビ板31,32の間に配置されたファラデー回転子33と、を含む。各クサビ板31,32は、クサビ形の斜めに傾いた面の傾斜角が互いに同じ角度となるように複屈折結晶が成形されており、各々の光学軸A1,A2が相対的に45度回転した状態で、ファラデー回転子33を挟んで対称に配置されている。図6の例では、各光学軸A1,A2が垂直方向を基準に±22.5度傾けられている。ファラデー回転子33は、入射される光の偏光面を45度回転させて出射する光学特性を有する。図7は、上記偏光無依存型光アイソレータ30の動作を説明する図であって、上段が順方向の光の経路を示し、下段が逆方向の光の経路を示している。まず、図7上段の順方向について、光アイソレータ30の左方に位置する光ファイバ41から出射した順方向の光は、レンズ42でコリメートされた後に、光アイソレータ30のクサビ板31に入射する。該クサビ板31では、順方向の入射光が屈折して常光Oと異常光Eに分離される。該常光Oおよび異常光Eの進行方向は僅かな角度だけ異なる。クサビ板31を通過した常光Oおよび異常光Eは、ファラデー回転子33により偏光面が45度だけそれぞれ回転された後に、クサビ板32に入射して屈折する。このとき、クサビ板31において常光Oおよび異常光Eであった各偏光は、クサビ板32においてもそれぞれ常光Oおよび異常光Eとなるため、クサビ板31で受けた屈折がクサビ板32で打ち消されるようになる。その結果、クサビ板32を通過した常光Oおよび異常光Eの進行方向は平行になり、当該各偏光は光アイソレータ30の右方に位置するレンズ43で集光されて、光ファイバ44の端面に結合される。一方、図7下段の逆方向について、光アイソレータ30の右方に位置する光ファイバ44から出射した逆方向の光は、レンズ43でコリメートされた後に、光アイソレータ30のクサビ板32に入射する。該クサビ板32では、逆方向の入射光が屈折して常光Oと異常光Eに分離される。該常光Oおよび異常光Eの進行方向は僅かな角度だけ異なる。クサビ板32を通過した常光Oおよび異常光Eは、ファラデー回転子33により偏光面が45度だけそれぞれ回転された後に、クサビ板31に入射して屈折する。このとき、クサビ板32において常光Oおよび異常光Eであった各偏光は、ファラデー回転子33の非相反性により、クサビ板31においては異常光E’および常光O’となる。このような状態では、各クサビ板32,31への入射光の偏光状態が異なるため、クサビ板32で受けた屈折がクサビ板31で打ち消されなくなる。したがって、クサビ板31を通過した異常光E’および常光O’の進行方向は平行とはならず、互いが離反する方向の角度ずれが生じるため、当該各偏光は、光アイソレータ30の左方に位置するレンズ42を通過しても光ファイバ41の端面には集光されなくなり、光ファイバ41への結合が回避される。上記のように偏光無依存型光アイソレータ30は、入射される光の偏光状態に依存することなく、順方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することが可能である。このような偏光無依存型光アイソレータ30を使用して、図3に示した光増幅装置1における第1および第2光アイソレータ15,17を構成することにより、該光増幅装置1は任意の偏光状態の信号光Lsを所要の利得で増幅できるようになる。また、光増幅装置1の第1および第2光アイソレータ15,17として偏光無依存型光アイソレータ30を使用する場合には、第1光アイソレータ15の光学軸の方向に対して、第2光アイソレータ17の光学軸の方向が90度回転するように、各光アイソレータ15,17の相対的な配置を決めるのが望ましい。図8は、上記第1および第2光アイソレータ15,17の相対的な配置を具体的に示した斜視図である。ただし、ここでは説明を分かり易くするために、光増幅装置1における第1および第2光アイソレータ15,17以外の構成要素の図示を省略している。図8のように、偏光無依存型光アイソレータ30図6をそれぞれ使用した第1および第2光アイソレータ15,17は、図示を省略した光増幅ユニット16を挟んで対向する、第1光アイソレータ15のクサビ板32および第2光アイソレータ17のクサビ板31’について、クサビ板32の光学軸A2の方向に対し、クサビ板31’の光学軸A1’の方向が90度回転した配置となっている。上記配置において、図8の左方から入射する順方向の光は、第1光アイソレータ15で常光Oおよび異常光Eに分離される。これにより、図8で水平方向について平行に進む常光Oおよび異常光Eが第1光アイソレータ15から出射される。そして、第1光アイソレータ15を通過した常光Oおよび異常光Eは、光増幅ユニット16で増幅された後に、第2光アイソレータ17で常光O’および異常光E’に分離される。これにより、垂直方向について平行に進む常光O’および異常光E’が第2光アイソレータ17から出射される。上記のような順方向の光の変遷において、第1光アイソレータ15から出射される常光Oおよび異常光Eは、各クサビ板31,32で受ける屈折率が偏光方向によって異なるため、偏波モード分散PolarizationModeDispersion:PMDの受けることになる。しかし、第1光アイソレータ15の光学軸A2の方向に対して、第2光アイソレータ17の光学軸A1’の方向が90度回転されているため、上記第1光アイソレータ15でのPMDが、第2光アイソレータ17で受けるPMDにより相殺される。つまり、光増幅装置1の第1および第2光アイソレータ15,17として偏光無依存型光アイソレータ30を使用する場合に、第1光アイソレータ15の光学軸の方向に対して、第2光アイソレータ17の光学軸の方向を90度回転させる配置を適用することによって、PMDの影響が低減された光増幅装置1を実現することが可能になる。なお、上述した実施形態では、第1および第2光アイソレータ15,17を、パッケージ11内の信号入力側および信号出力側の各ファイバ接続部分に分けて配置する一例を示したが、例えば、図9に示す光増幅装置1’または図10に示す光増幅装置1のように、パッケージ11内の片側のファイバ接続部分に第1および第2光アイソレータ15,17をまとめて配置するようにしても、上述した実施形態の場合と同様の作用効果を得ることが可能である。また、上述した実施形態では、2つの光アイソレータ15,17を組み合わせることにより、SOA素子24の利得帯域GBよりも広いアイソレーション帯域IB12を実現する場合を説明したが、より広い利得帯域に対応するために、該利得帯域内においてピーク波長を互いにずらした3つ以上の光アイソレータを組み合わせることも勿論可能である。さらに、上述した実施形態では、光増幅媒体としてSOA素子24を使用する一例を示したが、本発明における光増幅媒体はSOA素子に限定されるものではなく、単一の光アイソレータのアイソレーション帯域よりも広い利得帯域を持つ任意の光増幅媒体に対して、上述した実施形態と同様の構成が有効である。以上の実施形態に関して、さらに以下の付記を開示する。付記1入力光ファイバおよび出力光ファイバと、前記入力光ファイバからの信号光が一端に与えられ、該信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した前記信号光を他端から前記出力光ファイバに出力する光学系と、を備えた光増幅装置であって、前記光学系は、前記光増幅媒体を介して配置された第1の光アイソレータおよび第2の光アイソレータを含み、前記第1および第2の光アイソレータは、前記信号光の進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することがそれぞれ可能で、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの中心波長が互いに異なることを特徴とする光増幅装置。付記2付記1に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの波長特性について、アイソレーションの値が最小になるピーク波長が前記光増幅媒体の利得帯域内にそれぞれ含まれ、かつ、該各ピーク波長が互いに異なると共に、個々の光アイソレータのアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも狭いことを特徴とする光増幅装置。付記3付記2に記載の光増幅装置であって、前記第1の光アイソレータは、前記光増幅媒体の利得帯域内の短波長側に前記ピーク波長を有し、前記第2の光アイソレータは、前記光増幅媒体の利得帯域内の長波長側に前記ピーク波長を有し、前記第1および第2の光アイソレータの各ピーク波長は、該第1および第2の光アイソレータの組み合わせにより得られるアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも広くなるように設定されていることを特徴とする光増幅装置。付記4付記1~3のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、偏光無依存型光アイソレータであることを特徴とする光増幅装置。付記5付記4に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、複屈折結晶を用いた1組のクサビ板および該各クサビ板の間に配置されたファラデー回転子をそれぞれ有し、前記第1の光アイソレータの1組のクサビ板のうちの前記第2の光アイソレータ側に位置するクサビ板の光学軸の方向に対して、前記第2の光アイソレータの1組のクサビ板のうちの前記第1の光アイソレータ側に位置するクサビ板の光学軸の方向が90度回転するように、前記第1および第2の光アイソレータの相対的な配置が決められていることを特徴とする光増幅装置。付記6付記1~5のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記光増幅媒体は、半導体光増幅SOA素子であることを特徴とする光増幅装置。付記7付記1~6のいずれか1つに記載の光増幅装置であって、前記光学系は、前記入力光ファイバからの信号光をコリメートする入力レンズと、前記光増幅媒体を有し、前記入力レンズからの信号光が与えられる光増幅ユニットと、該光増幅ユニットから出力される信号光を前記出力光ファイバの端面に結合させる出力レンズと、を含み、前記第1および第2の光アイソレータが、前記入力レンズおよび前記出力レンズの間の信号光の経路上に配置されることを特徴とする光増幅装置。付記8付記7に記載の光増幅装置であって、前記第1の光アイソレータは、前記入力レンズおよび前記光増幅ユニットの間の信号光の経路上に配置され、前記第2の光アイソレータは、前記光増幅ユニットおよび前記出力レンズの間の信号光の経路上に配置されることを特徴とする光増幅装置。付記9付記7に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、前記入力レンズおよび前記光増幅ユニットの間の信号光の経路上に配置されることを特徴とする光増幅装置。付記10付記7に記載の光増幅装置であって、前記第1および第2の光アイソレータは、前記光増幅ユニットおよび前記出力レンズの間の信号光の経路上に配置されることを特徴とする光増幅装置。付記11入力光ファイバおよび出力光ファイバと、前記入力光ファイバからの信号光が一端に与えられ、該信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した前記信号光を他端から前記出力光ファイバに出力する光学系と、を備えた光増幅装置であって、前記光学系は、前記信号光の進行方向に対して、同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することが可能な複数の光アイソレータを含み、前記複数の光アイソレータは、前記逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの波長特性について、アイソレーションの値が最小になるピーク波長が前記光増幅媒体の利得帯域内にそれぞれ含まれ、かつ、該各ピーク波長が互いに異なると共に、個々の光アイソレータのアイソレーション帯域が前記光増幅媒体の利得帯域よりも狭いことを特徴とする光増幅装置。"