スパッタ成膜を行う前段階として、加熱手段によりガスを分解させることで活性種を生成し、活性種による化学的エッチングによって、ターゲット材料の表面についた不純物の除去および前記ターゲット材料表面の酸化膜の還元を行う工程を有すること、特徴とするスパッタリング方法。前記ターゲット材料は、酸素を含有しない材料である、請求項1記載のスパッタリング方法。前記ターゲット材料は、シリコンの粉末や小片、チップやウェハの何れかからなる、請求項1記載のスパッタリング方法。前記ガスは、水素を含むガスである、請求項1~3の何れか一項に記載のスパッタリング方法。スパッタ成膜を行う前段階として、加熱手段によりガスを分解させることで活性種を生成し、活性種による化学的エッチングによって、真空チャンバ壁の表面についた堆積膜の除去および堆積膜表面の酸化膜の還元を行う工程を有すること、特徴とするスパッタリング方法。前記ガスは、水素を含むガスである、請求項5記載のスパッタリング方法。スパッタ成膜中において、加熱手段によりガスを分解し活性種を生成させ、化学的エッチング効果によって、前記ターゲットのスパッタ速度を向上させ、スパッタで形成した膜中に活性種を取込ませること、特徴とするスパッタリング方法。前記ターゲット材料は、酸素を含有しない材料である、請求項7記載のスパッタリング方法。前記ターゲット材料は、シリコンの粉末や小片、チップやウェハの何れかからなる、請求項7記載のスパッタリング方法。前記ガスは、水素を含むガスである、請求項5~9の何れか一項に記載のスパッタリング方法。真空チャンバと、前記真空チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、ターゲットと、かつ前記ターゲットと対向して設置する基板を保持する基板載置台と、を有し、前記基板に前記ターゲット材料の薄膜を形成するスパッタ装置であって、前記ターゲットの近傍に高融点金属フィラメントを備え、前記高融点金属フィラメントを加熱できる機構を有することを特徴とするスパッタリング装置。前記高融点金属フィラメントは、前記ターゲットと前記チャンバ壁の間で、前記ターゲットを取り囲んで設置される、請求項11記載のスパッタリング装置。前記高融点金属フィラメントは、前記ターゲットと前記基板載置台の間に設置される、請求項11又は2に記載のスパッタリング装置。前記高融点金属フィラメントは、前記ターゲットと前記基板載置台の間に設置され、前記ターゲットと前記基板載置台の間以外に移動可能とする移動機構を有する、請求項11記載のスパッタリング装置。しかしながら、上記特許文献1に記載のスパッタリング方法では、粉末のターゲット材料を用いるため、ターゲット材料の表面積が大きく、自然酸化膜などの表面についた酸化膜の割合が高いため、スパッタリング成膜中に酸素が混入するという問題があった。また、スパッタリングの前段階として長時間のプリスパッタ酸化膜除去工程が必要となり、材料使用効率が極端に悪くなるという問題があった。つまり、酸素を含有する酸化物例えば、酸化マグネシウムのスパッタリング方法としては問題なかったが、太陽電池や薄膜TFTに使用される酸素の含有率が少ない高品質なシリコン薄膜形成用のスパッタリング方法としては不向きであった。また、上記非特許文献2に記載のスパッタリング方法においては、高額な誘導結合型プラズマの装置を付帯することや、Hラジカル活性種の生成が一箇所であるため大面積に均一な処理は難しく、大型基板を用いたスパッタ装置への応用は困難であった。本発明は、上述のような課題に鑑みなされたもので、粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタ装置及び方法を提供することを目的としている。本願発明のスパッタリング方法は、スパッタ成膜を行う前段階として、加熱手段によりガスを分解させることで活性種を生成し、活性種による化学的エッチングによって、ターゲット材料の表面についた不純物の除去および前記ターゲット材料表面の酸化膜の還元を行う工程を有すること特徴とする。このような構成により、ターゲット材料の表面にある不純物の除去やターゲット材料表面の酸化膜が還元され、酸素の含有率の少ない膜を成膜することができる。また、ガスを分解させるための加熱手段による輻射熱によりターゲット材料も加熱され、ターゲット材料表面の還元が効率よくできる。また、プリスパッタ工程とは異なり酸化膜をスパッタすることがないので、真空チャンバ壁や真空部材に酸素の含有した膜が堆積されることがなく、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。さらに、ターゲット材料をスパッタしないので、材料使用効率を上げることができる。また、好適には、前記ターゲット材料には、シリコンなどの酸素を含有しない材料であることが望ましい。このような構成により、半導体装置、太陽電池、液晶パネルなどで用いられるシリコン薄膜を形成することができる。また、好適には、前記ターゲット材料には、シリコンの粉末や小片、チップやウェハなど用いることが望ましい。このような構成により、高速でスパッタリングすることができるため、生産性向上が期待できる。また、好適には、前記ガスは、水素を含むガスであることが望ましい。このような構成により、シリコン薄膜の品質向上を図ることができる。本願発明のスパッタリング方法は、スパッタ成膜を行う前段階として、加熱手段によりガスを分解させることで活性種を生成し、活性種による化学的エッチングによって、真空チャンバ壁の表面についた堆積膜の除去および堆積膜表面の酸化膜の還元を行う工程を有すること特徴とする。このような構成により、真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜の除去およびその表面についた酸化膜の還元できるので、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。また、ガスを分解させるための加熱による輻射熱により真空チャンバ壁や他の部材も加熱され、堆積膜の除去や堆積膜表面の酸化膜の還元が効率よくできる。また、好適には、前記ガスは、水素を含むガスであることが望ましい。このような構成により、シリコン薄膜の品質向上を図ることができる。本願発明のスパッタリング方法は、スパッタ成膜中において、加熱手段によりガスを分解し活性種を生成させ、化学的エッチング効果によって、前記ターゲットのスパッタ速度を向上させ、スパッタで形成した膜中に活性種を取込ませること特徴とする。このような構成により、活性種による化学的エッチング効果により高速でスパッタリングでき、高品質な膜を形成することができる。また、ガスを分解させるための加熱による輻射熱によりターゲット材料も加熱され、より高速な成膜が可能になる。また、好適には、前記ターゲット材料には、シリコンなどの酸素を含有しない材料であることが望ましい。このような構成により、半導体装置、太陽電池、液晶パネルなどで用いられるシリコン薄膜を形成することができる。また、好適には、前記ターゲット材料には、シリコンの粉末や小片、チップやウェハなど用いることが望ましい。このような構成により、高速でスパッタリングすることができるため、生産性向上が期待できる。また、好適には、前記ガスは、水素を含むガスであることが望ましい。このような構成により、シリコン薄膜の品質向上を図ることができる。本願発明のスパッタ装置は、真空チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、ターゲットと、かつ前記ターゲットと対向して設置する基板を保持する基板載置台と、を有し、前記基材に前記ターゲット材料の薄膜を形成するスパッタ装置であって、前記スパッタ用ターゲット近傍に高融点金属フィラメントを備え、前記高融点金属フィラメントを加熱できる機構を有することを特徴とする。このような構成により、スパッタ成膜前段階に高融点金属フィラメントの加熱を行うことで、ターゲット材料の表面にある不純物の除去やターゲット材料表面の酸化膜が還元され、酸素の含有率の少ない膜を成膜することができる。また、真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜及びその表面についた酸化膜の除去ができるので、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。さらに、スパッタ成膜中に高融点金属フィラメントに加熱を行うことで、高速でスパッタリングでき、高品質な膜を形成することができる。また、好適には、前記高融点金属フィラメントは、前記ターゲットと前記チャンバ壁の間で、前記ターゲットを取り囲むように設置することが望ましい。このような構成により、真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜及びその表面についた酸化膜の除去ができるので、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。また、好適には、前記高融点金属フィラメントは、前記ターゲットと前記基板載置台の間に設置しても良い。このような構成により、より効果的にターゲット材料の不純物及びターゲット材料表面の酸化膜を除去することができる。また、好適には、前記スパッタ用ターゲットと前記基板載置台の間に設置し、前記スパッタ用ターゲットと前記基板載置台の間以外に移動可能とする移動機構を有しても良い。このような構成により、スパッタ成膜中に高融点金属フィラメントからでるコンタミを軽減することができる。本発明によれば、粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法およびスパッタリング装置が実現できる。以下、本発明の実施の形態におけるスパッタ装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1および図2を参照して説明する。図1および図2は本発明の実施の形態1におけるスパッタ装置の構成を示すもので、図1は断面の概略図、図2は上面からみた概略図を示す。図1において、真空チャンバ1の内に、カソード部2およびカソード部2と対向して基板3を保持する基板載置台4を設置した。カソード部2は、底部の水冷ジャケット上に、断熱プレート5、さらにその上にターゲット材料8を加熱するヒータ6が設置する。ヒータ6には温度制御用の熱電対7が設けられている。ヒータ6の上部に、粉末状のターゲット材料8を載置できるトレー9が配置されている。ターゲット材料8としてシリコンの粉末約1μmを使用した。今回は、シリコン粉末材料を使用したが、シリコンの焼結ターゲット、シリコンウェハ、シリコンのチップやシリコンの小片などシリコン材料を用いてもよい。そのシリコン材料は、ボロンB、アルミニウムAlやリンP、砒素Asなどの不純物が微量にドーピングされたシリコン材料、不純物がドーピングされていないシリコン材料でも良い。これにより、太陽電池等に使用するp型、n型シリコンやi層シリコン薄膜などを形成することができる。ターゲット材料8の周囲にアースシールド10が設置され、ターゲット材料8の裏面側にはマグネトロン放電用磁石11が設置されている。ターゲット材料8の近傍にターゲット材料8を取り囲むように高融点金属フィラメント14タングステンを設置した。今回は、高融点金属フィラメント14にはタングステンWを使用したが、白金Pt、パラジウムPd、モリブデンMo、チタンTi、ニオブNb、タンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCrやその合金を使用しても良い。高融点金属フィラメント14には、直流電源15が取付けられており、その直流電源15の電流によって高融点金属フィラメント14の温度を1500~2200°C程度を調整することができる。ArおよびH2ガスをマスフローメータを介し真空チャンバ1内に導入し各0~200sccm、チャンバ内を一定の圧力に調圧0.1~100Paした。その後、高融点金属フィラメント14を2000°C程度に加熱し、H2ガスが加熱された高融点金属フィラメント14に衝突することで分解されHラジカル活性種を生成される。このHラジカルを用いて、ターゲット材料8表面にある不純物の除去やターゲット材料8表面の酸化膜の還元をすることができる。また、高融点金属フィラメント14を2000°C程度まで加熱させるので、その輻射熱によりターゲット材料8も加熱され、ターゲット材料8表面の効率よく還元することできる。また、真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜の除去およびその表面についた酸化膜の還元が効率よくできる。ターゲット材料8の表面温度の上昇や四重極質量分析器QMSによる真空チャンバ1内の酸素原子ならびに酸素分子に寄与する信号強度の低下が安定してきたら、13.56MHzの高周波電力を高周波電源12からマッチングボックス13を介してターゲット材料8に印加することで、基板3にシリコン薄膜膜のスパッタ成膜を開始する。これにより、ターゲット材料8の表面の酸化膜や真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜及びその表面についた酸化膜の除去ができるので、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。スパッタ成膜中においても、高融点金属フィラメント14を加熱することで真空チャンバ1内のH2ガスが分解され、Hラジカル活性種が多く生成し、基板3上に成膜したシリコン膜の品質を向上させたり、シリコン膜の結晶性を向上させたりすることができる。また、高融点金属フィラメント14からの輻射熱によりターゲット材料8が加熱され、より高速成膜が可能となる。特許文献1では、粉末ターゲット材料の表面酸化膜によって、酸素の含有率が少ない高品質なシリコン薄膜形成には不向きであったが、本実施の形態においては、高融点金属フィラメント14の熱によりH2ガスが分解しHラジカルを多く生成するため、ターゲット材料の表面にある不純物の除去やターゲット材料表面の酸化膜が還元され、酸素の含有率の少ない膜を成膜することができる。また、高融点金属フィラメント14の加熱することによる輻射熱によりターゲット材料も加熱され、ターゲット材料表面の還元が効率よくできる。さらに、真空チャンバ壁や他の部材に堆積した膜及びその表面についた酸化膜の除去ができるので、スパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。非特許文献2では、高額な誘導結合型プラズマの装置を付帯することや、Hラジカル活性種の生成が一箇所であるため大面積に均一な処理は困難であったが、本実施の形態においては、高額な装置を必要とせず、高融点金属フィラメント14の形状によって大面積、均一にHラジカル活性種を形成させることは容易である。一般的なプリスパッタ工程とは異なり酸化膜をスパッタすることがないので、真空チャンバ壁や真空部材に酸素の含有した膜が堆積されることがなく、堆積膜の除去も行うのでスパッタ成膜中に堆積膜から酸素が放出されないため、酸素の少ない状態でスパッタ膜を形成することができる。さらに、ターゲット材料をスパッタしないので、材料使用効率を上げることができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2におけるスパッタ装置の断面図である。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1との違いは、高融点金属フィラメント14の設置位置の違いであるので、それ以外の説明は省略する。高融点金属フィラメント14は、ターゲット材料8の上方でターゲット材料8と基板3の間に設置する。これにより、Hラジカル活性種が生成される場所が、ターゲット材料と近くなるため、より効果的にターゲット材料の表面にある不純物の除去やターゲット材料表面の酸化膜が還元することができる。また、高融点金属フィラメント14とターゲット材料8の距離が近くに設置できるため、高融点金属フィラメント14からの輻射熱も大きくなり、ターゲット材料の表面にある不純物の除去やターゲット材料表面の酸化膜の還元が効果的に行うことができる。スパッタ成膜中には、高融点金属フィラメント14をターゲット材料8と基板3の間以外の場所に動かしてもよい。これにより、スパッタ成膜中に高融点金属フィラメント14の材料によるコンタミを低減することができるため、さらに高品質なシリコン薄膜を形成することができる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図4および図5を参照して説明する。図4および図5は本発明の実施の形態3におけるスパッタ装置の構成を示すもので、図4は断面の概略図、図5は上面からみた概略図を示す。本発明の実施の形態3においては、実施の形態1との違いは、太陽電池や液晶パネルなどに使用される大型基板を用いたときの大型装置であるため、それ以外の説明は省略する。図4および図5に示したように大型真空チャンバ内の大型の基板3は、図の左側から右側に移動していく間に、カソード部2の上面を通過する際にシリコン薄膜が成膜される。これにより、高額な装置を必要とせず、高速で大面積に均一にシリコン薄膜を形成することができる。