単相交流電源からPID制御により位相制御により全波整流して得られる充電電流をコンデンサに流してこのコンデンサに所定の時間内に所定の蓄積エネルギに応じた目標充電電圧を充電する静電蓄勢式溶接電源の充電制御方法であって、前記PID制御は次のデータを用いることを特徴とする静電蓄勢式溶接電源の充電制御方法。a前記所定時間内に前記目標充電電圧まで充電するときに入力交流電源の周波数と全波整流方法に応じて定まるサンプリングタイミングで均等に上昇するものとして求められた理想目標充電電圧プロファイルデータb前記目標充電電圧が低い場合であって、前記PID制御によっては前記理想目標充電電圧プロファイルには追従できない場合は、前記理想目標充電電圧プロファイルに所定の値をオフセット値として加算して求められた低電圧用目標充電電圧プロファイルデータc前記所定の充電電圧が高い場合であって、充電されている電圧が高くなり入力交流電源の電圧実効値に近づき、前記サンプリングタイミングごとには入力交流電源電圧が等しい電圧上昇が得られない場合は、前記サンプリングタイミングごとに充電電流の上昇が等しくなるように調整されたPIDゲイン単相交流電源をPID制御による位相制御を受けて全波整流して得られる電流をコンデンサの充電電流として用いることでこのコンデンサにエネルギを蓄積する静電蓄勢式溶接電源であって、次の構成を含むことを特徴とする静電蓄勢式溶接電源a1回あたりの溶接エネルギとなる蓄積エネルギの設定と溶接開始指示を行う入力部b前記入力部から設定された蓄積エネルギから前記コンデンサの容量Cに応じて定まる目標充電電圧VCと溶接速度に応じてあらかじめ定められている充電時間tC内に前記コンデンサに充電される電圧を目標充電電圧VCまで前記単相交流電源の周波数と整流に応じて定まる単位時間tsmpごとに線形に上昇する理想目標充電電圧プロファイルデータと、前記目標充電電圧VCが低い場合であって、PIDゲインの調整だけでは前記理想目標充電電圧プロファイルには追従できない場合は、前記理想目標充電電圧プロファイルに所定の値をオフセット値として加算した低電圧用目標充電電圧プロファイルデータとを格納する目標充電電圧プロファイルテーブルc前記目標充電電圧プロファイルデータに追従するようなPIDゲインを保存するPIDゲインテーブル最近生産性の向上の要請から、溶接作業におけるタクトタイムの短縮単位時間当たりの通電回数の増加が求められており、高速でコンデンサに充電する必要性が高まってきている。このためには、単純には1回の充電電流の通電で目標電圧に充電することが考えられる。しかし、前記のように充電速度を上げるためには大きな充電電流を流さなければならないので、必然的に1度に大きな充電電流を流さなければならない。このため突入電流が大きくなり過ぎ、もともと設けられている過大な電流が流れたときには異常として検知し、電源を遮断する保護部品であるブレーカが動作してしまい、結局充電電流を流すことができないという問題点がある。そこで、従来の方法を採用して、タクトタイムの短縮に合わせて短縮された充電時間内にコンデンサの充電電圧を現状の充電電圧充放電を繰り返すので放電後は0になっているから目標電圧に線形に上昇させることが考えられる。この従来の方法は、所定の充電時間に所定の充電電圧目標電圧を充電するために、目標充電電圧プロファイルを設定して、このプロファイルに追従するように充電制御を行うことは前述の通りである。しかし、従来のように単にフィードバック電圧と目標電圧とを比較して、その差分をもとに整流回路のサイリスタをオンオフしてコンデンサへの充電電流を制御することでは目標充電電圧プロファイルに追従できないという問題点があった図6参照。すなわち、第1の問題点は、目標電圧が低い場合の追従性の悪さである。この場合は、目標充電電圧プロファイル自体にサンプリング時間ごとの目標電圧の差が少ないので操作量は少なくなる。この結果、整流回路のサイリスタをオンする時間が短くなるので充電電流は僅かずつしか増えず、立ち上がりが遅くなるからである。また、第2の問題点は、目標電圧が高い場合の追従性の悪さである。この場合は、充電されている電圧が入力交流電源の電圧実効値と比べて低いときには問題はない。しかし、充電されている電圧が高くなり入力交流電源の電圧実効値に近づくに従って、混合ブリッジ全波整流回路を採用していることから入力交流電源が単相であるときには全波整流とはいっても正弦波の原形を保持しているので、この影響が顕著に現れる。この結果、サイリスタをオンするタイミングを同じ割合で増やしても充電電流は同じ割合で増えないので充電電圧の上昇が少なくなるからである。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、PIDゲインとフィードバック電圧と目標電圧との差分を調整することで高速で目標充電電圧プロファイルへの追従性のよい静電蓄勢式溶接電源の充電制御方法を提供することを第1の目的とし、またこのような充電制御方法を直接使用する静電蓄勢式溶接電源を提供することを第2の目的とする。本願発明者は、入力電源として単相の交流電源を用い、この電源から混合ブリッジ全波整流回路で整流して充電コンデンサに充電電流を流す構成を採用し、整流後の電流は正弦波の波形の原形が残り、1周期当たりの電流が時間ごとに異なること、および目標充電電圧が低いときにはサンプリング時間単位当たりの目標電圧の差が少ないことに着目して、次のことを見出し、この発明をするに至った。第1に目標電圧が低い場合でも目標電圧とフィードバック電圧との差分に所定の値を加算してサンプリング時間ごとの差分を形式的に大きくすれば、PIDゲインを極端に大きくしない範囲内の値で混合ブリッジ全波整流回路のサイリスタをオンしている時間を増やしていけば、充電電流が増えて目標充電電圧プロファイルへの追従性がよくなる。第2に目標電圧が高く、しかも充電電圧が入力交流電源の電圧実効値に近づいた場合には、サンプリング時間ごとにPIDゲインを漸増させることで混合ブリッジ全波整流回路のサイリスタをオンしている時間を漸増させていけば、充電電流が漸増して目標充電電圧プロファイルへの追従性がよくなる。すなわち、本発明になる静電蓄勢式溶接電源の充電制御方法は、単相交流電源からPID制御により位相制御により全波整流して得られる充電電流をコンデンサに流してこのコンデンサに所定の時間内に所定の蓄積エネルギに応じた目標充電電圧を充電する静電蓄勢式溶接電源の充電制御方法であって、前記PID制御は次のデータを用いることを特徴とするものである。a前記所定時間内に前記目標充電電圧まで充電するときに入力交流電源の周波数と全波整流方法に応じて定まるサンプリングタイミングで均等に上昇するものとして求められた理想目標充電電圧プロファイルデータb前記目標充電電圧が低い場合であって、前記PID制御によっては前記理想目標充電電圧プロファイルには追従できない場合は、前記理想目標充電電圧プロファイルに所定の値をオフセット値として加算して求められた低電圧用目標充電電圧プロファイルデータc前記所定の充電電圧が高い場合であって、充電されている電圧が高くなり入力交流電源の電圧実効値に近づき、前記サンプリングタイミングごとには入力交流電源電圧が等しい電圧上昇が得られない場合は、前記サンプリングタイミングごとに充電電流の上昇が等しくなるように調整されたPIDゲインまた、本発明になる静電蓄勢式溶接電源は、単相交流電源をPID制御による位相制御を受けて全波整流して得られる電流をコンデンサの充電電流として用いることでこのコンデンサにエネルギを蓄積する静電蓄勢式溶接電源であって、次の構成を含むことを特徴とするものである。a1回あたりの溶接エネルギとなる蓄積エネルギの設定と溶接開始指示を行う入力部b前記入力部から設定された蓄積エネルギから前記コンデンサの容量に応じて定まる目標充電電圧VCと溶接速度に応じてあらかじめ定められている充電時間tC内に前記コンデンサに充電される電圧を目標充電電圧VCまで前記単相交流電源の周波数と整流に応じて定まる単位時間ごとに線形に上昇する理想目標充電電圧プロファイルデータと、前記目標充電電圧VCが低い場合であって、PIDゲインの調整だけでは前記理想目標充電電圧プロファイルには追従できない場合は、前記理想目標充電電圧プロファイルに所定の値をオフセット値として加算した低電圧用目標充電電圧プロファイルデータとを格納する目標充電電圧プロファイルテーブルc前記目標充電電圧プロファイルデータに追従するようなPIDゲインを保存するPIDゲインテーブル本発明になる充電方法によれば、設定した蓄積エネルギに応じて定まる電圧をコンデンサに溶接速度に応じてあらかじめ設定されている充電時間で目標充電電圧プロファイルに追従した充電が可能となる。したがって、静電蓄勢式溶接電源の高速な充電制御方法を提供することができる。また、本発明になる静電蓄勢式溶接電源によれば、ユーザによって設定された蓄積エネルギに応じて定まる電圧をコンデンサに溶接速度に応じてあらかじめ設定されている充電時間で目標充電電圧プロファイルに追従した充電が可能となる。したがって、溶接速度を短縮することでタクトタイムを短縮できるので使い勝手の良い静電蓄勢式溶接電源を提供することができる。次に本発明について、図を用いて詳細に説明する。図1は、本発明になる静電蓄勢式溶接電源の概略ブロック図、図2は、図1の静電蓄勢式溶接電源の充電制御部の概略ブロック図、図3は、本発明になる充電制御方法に用いる各種パラメータテーブルの概略設定フローチャート図、図4は、本発明になる充電に用いるPIDゲインとオフセット値と目標充電電圧プロファイルとの関係を示す図、図5は、本発明になる充電制御を示す概略フローチャート図である。以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成のすべてが、本発明の解決手段として必須であるとは限らない。図1に示すように、本発明になる静電蓄勢式溶接電源10は2つのサイリスタ1a、1bと2つのダイオード1c、1dとからなる混合ブリッジ全波整流部1、充電電流制限抵抗2、充電用コンデンサ前記大容量コンデンサに相当3、充電制御部4、放電制御部5、および放電部6と溶接トランス7とからなり、混合ブリッジ全波整流部1、充電電流制限抵抗2、充電用コンデンサ3および充電制御部4が充電に関係する。静電蓄勢式溶接電源10において、混合ブリッジ全波整流部1は商用交流50Hz単相200V電源9以下、入力交流電源9というに接続され、充電制御部4から後述するようにして生成されたゲート信号を受けて図1、2のc、d、2つのサイリスタ1a、1bが交互にオンオフし、オン期間にのみ整流された電流が充電電流として充電電流制限抵抗2を介して充電用コンデンサ3に流れる。そして、この充電電流により充電用コンデンサ3は徐々に充電され、所定の時間後に所定の目標充電電圧目標電圧に到達する。この間の充電制御については詳細に後述する。こうして充電が完了すると放電制御部5からの放電制御信号により放電部6が駆動され、充電用コンデンサ3に蓄積されたエネルギを短時間で放出し、溶接トランス7を介して図示しない溶接電極間に溶接電流を流す。充電制御部4は、図2に示すように、制御部21、入力部22、目標充電電圧プロファイルテーブル23、PIDゲインテーブル24、充電電圧検出部25、操作量算出部26、同期信号検出部27、および位相制御部28からなる。なお、これらの目標充電電圧プロファイルテーブル23とPIDゲインテーブル24をパラメータテーブルという。ここで、入力部22はユーザによる蓄積エネルギの設定や溶接開始指令を受けてこの情報を制御部21に送出し、充電電圧検出部25は充電用コンデンサ3の充電電圧を検出してフィードバック電圧Vdetとして制御部21に送出する図1、2のe、f。制御部21は溶接電源の通電回数によってあらかじめ決められている固定の充電時間tCと設定された蓄積エネルギから充電用コンデンサ3の容量Cに応じて算出される目標充電電圧プロファイルデータを作成し、目標充電電圧プロファイルテーブル23に格納する。なお、この目標充電電圧プロファイルデータには目標充電電圧に応じて所定のオフセット値が加算される場合がある。このことを含め、目標充電電圧プロファイルデータの作成については詳細に後述する。同期信号検出部27は、入力交流電源9を受けて図1、2のa、b、後述するゲート信号のオンオフタイミングの起点となる入力交流電源9のゼロクロスポイントを同期信号として検出する。PIDゲインテーブル24は目標充電電圧プロファイルテーブル23に格納されている目標充電電圧プロファイルに追従するようにPID制御により充電電圧検出部25からのフィードバック電圧Vdetと目標電圧VCとの差分をとり操作量を算出するときのPIDゲインを格納する。このPIDゲインは図4に示すように目標電圧VCに応じた値となり、少なくとも5つの領域に分けて設定されている。このPIDゲインの設定についても詳細に後述する。制御部21は入力交流電源9の周波数と混合ブリッジ全波整流回路1により定まるサンプリング時間tsmpiiは1~nの正の整数、以下同じ。ごとに充電電圧検出部25からのフィードバック電圧Vdeti、目標充電電圧プロファイルテーブル23からの目標電圧目標電圧に応じてオフセット値が加算されているVCi、およびPIDゲインテーブル24から目標電圧に応じたPIDゲインとを読み込み、操作量算出部26に送出する。なお、サンプリング時間tsmpは単位時間tsmpともいう。操作量算出部26はこれらの読み込みデータを受けて、単位時間tsmpiごとにフィードバック電圧Vdetiと目標電圧VCiとの差分を算出し、この差分にPIDゲインをそれぞれ乗算してその結果を加算して操作量を算出し、この操作量に応じた期間混合ブリッジ全波整流部1のサイリスタ1a、1bをオンする時間tONを求めて位相制御部28に送出する。位相制御部28はこの時間tONと同期信号検出部27からの同期信号を受けて、同期信号を起点にしたサイリスタ1a、1bをそれぞれオンするゲート信号を生成してサイリスタ1a、1bのゲートに供給する図1、2のc、d。前述のように、サイリスタ1a、1bはこのゲート信号を受けて交互にオンオフし、オンしている期間入力交流電源9からの交流電流を整流して充電コンデンサ3に充電電流を流して充電する。このようにして、充電用コンデンサ3には目標電圧VCが前記目標充電電圧プロファイルに追従して充電される。次に、このような充電制御を行う静電蓄勢式溶接電源10の前述したパラメータテーブルの作成について説明する。[目標充電電圧プロファイルテーブルの作成]まず、ユーザにより設定された蓄積エネルギから充電用コンデンサ3の容量Cに応じて定まる目標電圧VCを決定する。なお、ここでは充電前には充電用コンデンサ3は放電し切っているものとする。次に、充電用コンデンサ3に線形に上昇するように充電していくものとして、目標電圧VCをあらかじめ定められた充電時間tCで除算して充電電圧の上昇の傾きを算出する。次に、入力交流電源9の周波数と混合ブリッジ全波整流回路1で定まるサンプリング時間tsmp単位時間tsmpを求める。充電用コンデンサ3には単位時間tsmpごとに線形に充電されて目標電圧VCまで充電するので、単位時間tsmpと前記傾きとの乗算を行って理想的な目標充電電圧プロファイルデータ以下、理想目標充電電圧プロファイルデータというを算出し、単位時間tsmpごとの理想目標充電電圧プロファイルデータを目標充電電圧プロファイルテーブル23に格納する。なお、この単位時間は、前述の通り入力交流電源9は50Hz単相の交流電源であるので10msとなる。[PIDゲインテーブルの作成]最初に目標電圧VCを最大の充電電圧として、前述のようにして理想目標充電電圧プロファイルを求め、このプロファイルに追従するようして充電電圧が上昇するようなPIDゲインを仮PIDゲインとして求め、単位時間tsmpごとにPIDゲインテーブル24に格納する。このときP比例、I積分、およびD微分の各制御のゲインは公知の手段を用いて求める。つまり、目標充電電圧プロファイルテーブル23から単位時間tsmpごとに読み出される目標電圧VCiとこの時のフィードバック電圧Vdetiとの差分に応じて追従性が良くなるようなP、I、Dの各制御のゲインを求める。次に、この仮のPIDゲインを用いて、目標電圧VCを定めて実際に充電動作を行う。このとき、理想目標充電電圧プロファイルと実際の充電電圧プロファイルコンデンサの充電電圧の単位時間tsmpごとのフィードバック電圧から単位時間tsmpごとの差分をなくすようにPIDゲインを調整して、最終的なPIDゲインを求め、単位時間tsmpごとにPIDゲインテーブル24に格納する。具体的には次のように目標電圧VCを分けてPIDゲインを調整して、設定する。追従性を良くするためには、1つの理想目標充電電圧プロファイルの中でも目標電圧VCiとフィードバック電圧Vdetiとの差分に応じてPIDゲインを変化させるはもちろんであるが、ここでは前述のように目標電圧VCに応じて5つの領域に分けてPIDゲインを異なる値に設定する図4のア~オ。前述した通り、第1の理由は、目標電圧VCに関係なく、所定の充電時間tCで充電するので目標電圧VCの大小に応じて単位時間tsmpごとの目標電圧VCiと目標電圧VCi1の差が大きく異なるからである。また、第2の理由は、目標電圧VCと入力交流電源9の電圧実効値が同じ程度のときには、混合ブリッジ全波整流回路1を採用していることから全波整流といっても正弦波の原形を保持しているのでサイリスタ1a、1bをオンする時間を増やしてもその時間に見合って充電電流は増えないからである。このことから、目標電圧VCが入力交流電源9の電圧実効値の3/4前述の通り、入力交流電圧は200Vであるから150V程度で単位時間tsmpごとの前記差分がある程度大きく位相制御部28からのゲート信号のオン期間を増やす割合に見合って充電電流が増え、この結果充電電圧が増えるとき図4のア、イ、ウとそうでないとき図4のエ、オに分けて設定する。そして、前記差分が小さい場合でも、目標電圧VCが入力交流電源9の電圧実効値の1/450V程度より低く、前記ゲート信号のオン期間を増やす割合に見合って充電電流が増えるが前記目標充電電圧プロファイルの単位時間ごとの目標電圧の差が少ないことでPIDゲインを調整しても追従性が悪いとき図4のアと目標電圧が入力交流電源9の電圧の3/4150V程度以上でオン期間を増やす割合に見合って充電電流が増えないとき図4のエ、オに分けて設定する。さらに、目標電圧VCが入力交流電源9の電圧の1/450V程度の境界付近図4のイおよび目標電圧VCが高く、しかも目標電圧VC付近に到達しているとき図4のオも別に設定する。すなわち、前述のように5つの領域図4のア~オに分け、目標電圧VCの中央部図4のウのPIDゲインを基準に表現すると目標電圧VCが低い領域図4のアはPIDゲインが大きく、しかも一定の値に、この領域と前記中央部との境界領域図4のイはPIDゲインを漸減する値に、前記中央部と目標電圧VCが高く目標VC電圧に近づくまでの領域図4のエはPIDゲインを漸増する値に、および目標電圧VCが高くしかも目標電圧VC付近に到達している領域図4のオは、前記漸増のした値の最大値で一定の値に設定する。[目標充電電圧プロファイルテーブルの更新]また、前述の目標電圧VCが入力交流電源9の電圧の1/450V程度以下の領域図4のアに相当は、目標電圧VCが低過ぎることにより、目標充電電圧プロファイルの単位時間tsmpごとの目標電圧tsmpiのVCiとtsmpi1のVCi1に差が少な過ぎることでPIDゲインの設定だけでは前記目標電圧プロファイルに追従できず、遅れてしまう。このような場合でも、前記差分を形式的に大きくすることで前記操作量を大きくしてゲート信号のオン期間を長くしてサイリスタ1a、1bのオン期間を長くすれば、これに応じて充電電流も増え、その結果充電電圧も増やすことができることが分かっているので、実験的にこの差分とPIDゲインを求める。そして、PIDゲインは求めたものをそのまま使用する。一方、求められた差分は本来の差分と持ち上げるオフセット値とに分けて、このオフセット値を前記理想目標充電電圧プロファイルの単位時間tsmpiごとの目標電圧VCiに加算して低電圧用目標充電電圧プロファイルデータとして求め、これを理想用とは別に目標充電電圧プロファイルテーブル23に格納して目標充電電圧プロファイルテーブル23を更新する。この場合、単位時間tsmpiごとのオフセット値に差異があるが、大きな差異ではないことと単純化することから一定値とする。このようにしてPIDゲインテーブルの作成と目標充電電圧プロファイルテーブルの作成と更新とを行う。次に、図5を用いて、このようにして作成されたPIDゲインテーブルと目標充電電圧プロファイルテーブルを備える静電蓄勢式溶接電源10の充電動作について説明する。最初に設定された蓄積エネルギから目標電圧VCを求めて、この目標充電電圧に応じて理想または低電圧用の目標充電電圧プロファイルテーブルを選択する。この上で、まず選択された目標充電電圧プロファイルテーブルから1番目の目標電圧VC1を読みこむ図5のS501、S502。この時PIDゲインテーブル24からPIDゲインと充電電圧検出部25からコンデンサ3の充電電圧Vdet1を読み込む図5のS503、S504。次に、目標電圧VC1とフィードバック電圧Vdet1との差分を算出する図5のS505。続いて、この差分とPIDゲインとを用いてPID演算により操作量を算出する図5のS506。次に、この操作量に応じて定まる充電電流を供給できるような混合ブリッジ全波整流部1のサイリスタ1a、1bのオン期間を決める位相制御量を算出する図5のS507。次に、この位相制御量を基に同期信号検出部27で検出された入力交流電源9のゼロクロス点を基準としてサイリスタ1a、1bをオンさせる位相制御信号となるゲート信号を生成してサイリスタのゲートに供給する図5のS508。サイリスタ1a、1bはこのゲート信号で交互に駆動されるのでアノードカソード間が導通して混合ブリッジ全波整流回路1および充電制限抵抗2を介して充電電流が充電用コンデンサ3に流れて充電用コンデンサ3を充電する図5のS509。この充電電圧は常時検出されているので、充電後の電圧が検出される図5のS510。次に、目標充電電圧プロファイルテーブル23から2番目の目標電圧VC2を読みこむ図5のS511、S502。そして、前述のような動作図5のS503~S509を経てコンデンサ3が充電される。この動作が目標充電電圧プロファイルテーブル23に格納されている目標電圧VCiの数分nだけ実行され図5のS512のYes、最終的にコンデンサ3に目標電圧VCが充電される図5のS512のNo。前述の静電蓄勢型溶接電源の充電制御方法と充電制御手段とは1例であって、発明の要旨を変更しない形で種々変更が可能である。例えば、操作量算出部を制御部内の機能に取り込んで実行することである。また、充電制御部の機能を1つの素子に組み込んで実行することである。