並列に設けられた複数の走査配線と、前記走査配線と交差して並列に設けられた複数の信号配線と、放射線または放射線が変換された光が照射されることにより電荷を発生するセンサ部及び、前記走査配線を流れる制御信号の状態に応じてオン、オフするスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子を介し前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続され、前記制御信号の状態に応じて前記センサ部に発生した電荷に応じた電気信号が前記信号配線に流れる放射線画像撮影用の画素、並びに、前記センサ部を有し、当該センサ部が前記信号配線に電気的に接続され、前記制御信号の状態に関わらず前記センサ部に発生した電荷に応じた電気信号が前記信号配線に流れる放射線検出用の画素を少なくとも含み、前記走査配線と前記信号配線との交差部に対応して設けられた複数の画素と、を備えた放射線検出素子。前記放射線検出用の画素は、前記センサ部と前記信号配線とを接続する接続配線及び、前記放射線画像撮影用の画素が有するスイッチング素子と略同一のスイッチング素子をさらに有し、当該スイッチング素子を介し前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続された請求項1記載の放射線検出素子。前記放射線検出用の画素のスイッチング素子は、前記センサ部とは電気的に分離された請求項2記載の放射線検出素子。前記放射線検出用の画素は、短絡させたスイッチング素子をさらに有し、当該短絡させたスイッチング素子を介して前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続された請求項1記載の放射線検出素子。前記放射線検出用の画素は、前記複数の信号配線のうちの一部の信号配線に対応してそれぞれ一画素以上の間隔を開けて複数設けられた請求項1~請求項4の何れか1項記載の放射線検出素子。前記請求項1~請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子と、前記複数の走査配線に対して前記制御信号を出力する制御信号出力手段と、前記複数の信号配線に流れる電気信号をデジタルデータへ変換するAD変換手段と、前記AD変換手段により変換されたデジタルデータに基づき、前記放射線検出用の画素の画像情報を補間して放射線画像を示す画像情報を生成する生成手段と、前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素からの電気信号が流れる信号配線のデジタルデータに基づき、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出する検出手段と、を備えた放射線画像撮影装置。前記検出手段は、放射線の照射開始を検出し、待機中、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を出力して前記放射線検出素子の放射線画像撮影用の画素から電荷を取り出すリセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御し、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出された場合、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを禁止する制御信号を出力し、放射線の照射終了後に前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を出力するように前記制御信号出力手段を制御する制御手段、をさらに備えた請求項6記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出されるまで前記リセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御する請求項7記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出されるまで前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを禁止する制御信号を出力するように前記制御信号出力手段を制御する請求項7記載の放射線画像撮影装置。前記制御信号出力手段は、前記リセット動作の際、複数の走査配線に順に又は複数の走査配線の全てに一度に電荷の取り出しを行う制御信号を出力する請求項7~請求項9の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記AD変換手段は、放射線画像を撮影する際の放射線の照射期間よりも短い周期で信号配線に流れる電気信号をデジタルデータに変換し、前記検出手段は、前記周期で、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出する請求項6~請求項10の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記AD変換手段は、前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号、及び前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号をそれぞれデジタルデータへ変換し、前記検出手段は、前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行う請求項6~請求項11の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。前記AD変換手段は、複数設けられ、それぞれ所定本ずつ前記信号配線が接続され、前記検出手段は、同一の前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行う請求項12記載の放射線画像撮影装置。前記検出手段は、何れかの前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と当該信号配線に隣接し、かつ前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線にそれぞれ流れる電気信号のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行う請求項12又は請求項13記載の放射線画像撮影装置。前記請求項1~請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子と、前記複数の走査配線に対して前記制御信号を出力する制御信号出力手段と、前記複数の信号配線に流れる電気信号を所定の期間毎に、蓄積し、蓄積した電気信号を増幅して出力する増幅手段と、前記増幅手段から出力される電気信号に基づき、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出する検出手段と、前記所定の期間に、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を順次出力して複数の前記画素から電荷を取り出すリセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御する制御手段と、を備えた放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記所定の期間に、前記放射線検出用の画素に制御信号を供給するよう前記放射線検出用の画素に接続されていない前記走査配線に、前記放射線画像撮影用の画素から電荷を取り出すように制御信号を前記走査配線に出力するように前記制御信号出力手段を制御する請求項15に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記所定の期間外に、前記放射線検出用の画素から電荷を取り出すように前記制御信号を前記走査配線に出力するように前記制御信号出力手段を制御する、請求項15又は請求項16記載の放射線画像撮影装置。前記増幅手段は、前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号、及び前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号を前記所定の期間毎に、蓄積し、蓄積した電気信号を増幅して出力し、前記検出手段は、前記増幅手段により出力された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線の電気信号と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線の電気信号との差に基づいて前記検出を行う請求項15~請求項17の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。ところで、放射線画像の撮影では、被験者や放射線技師の不要な被曝を防ぐため、放射線の照射領域を極力狭く設定する。すなわち、撮影したい部分にのみに放射線が照射されるように照射領域が設定される。このため、特許文献1、2に記載の技術の技術では、放射線の照射領域を狭く設定された場合、センサで放射線の照射を検出できない場合がある。本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1記載の発明の放射線検出素子は、並列に設けられた複数の走査配線と、前記走査配線と交差して並列に設けられた複数の信号配線と、放射線または放射線が変換された光が照射されることにより電荷を発生するセンサ部及び前記走査配線を流れる制御信号の状態に応じてオン、オフするスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子を介し前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続され、前記制御信号の状態に応じて前記センサ部に発生した電荷に応じた電気信号が前記信号配線に流れる放射線画像撮影用の画素、並びに、前記センサ部を有し、当該センサ部が前記信号配線に電気的に接続され、前記制御信号の状態に関わらず前記センサ部に発生した電荷に応じた電気信号が前記信号配線に流れる放射線検出用の画素を少なくとも含み、前記走査配線と前記信号配線との交差部に対応して設けられた複数の画素と、を備えている。本発明の放射線検出素子は、複数の走査配線が並列に設けられ、走査配線と交差して複数の信号配線が並列に設けられている。そして、本発明では、走査配線と信号配線との交差部に対応して、複数の画素が設けられている。この複数の画素には、放射線または放射線が変換された光が照射されることにより電荷を発生するセンサ部及び走査配線を流れる制御信号の状態に応じてオン、オフするスイッチング素子を有し、スイッチング素子を介しセンサ部が信号配線に電気的に接続され、制御信号の状態に応じてセンサ部に発生した電荷に応じた電気信号が信号配線に流れる放射線画像撮影用の画素、並びに、前記センサ部を有し、当該センサ部が信号配線に電気的に接続され、制御信号の状態に関わらず前記センサ部に発生した電荷に応じた電気信号が信号配線に流れる放射線検出用の画素が少なくとも含まれている。このように、本発明によれば、放射線画像撮影用の画素及び放射線検出用の画素が走査配線と信号配線との交差部に対応して設けられているため、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線検出用の画素で放射線を確実に検出できる。なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記放射線検出用の画素が、前記センサ部と前記信号配線とを接続する接続配線及び、前記放射線画像撮影用の画素が有するスイッチング素子と略同一のスイッチング素子をさらに有し、当該スイッチング素子を介し前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続されてもよい。また、請求項1記載の発明は、請求項3に記載の発明のように、前記放射線検出用の画素のスイッチング素子が、前記センサ部とは電気的に分離されることが好ましい。また、請求項1記載の発明は、請求項4に記載の発明のように、放射線検出用の画素が、短絡させたスイッチング素子をさらに有し、当該短絡させたスイッチング素子を介して前記センサ部が前記信号配線に電気的に接続されてもよい。また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記放射線検出用の画素が、前記複数の信号配線のうちの一部の信号配線に対応してそれぞれ一画素以上の間隔を開けて複数設けられることが好ましい。一方、請求項6記載の発明の放射線画像撮影装置は、前記請求項1~請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子と、前記複数の走査配線に対して前記制御信号を出力する制御信号出力手段と、前記複数の信号配線に流れる電気信号をデジタルデータへ変換するAD変換手段と、前記AD変換手段により変換されたデジタルデータに基づき、前記放射線検出用の画素の画像情報を補間して放射線画像を示す画像情報を生成する生成手段と、前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素からの電気信号が流れる信号配線のデジタルデータに基づき、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出する検出手段と、を備えている。よって、請求項1記載の発明と同様に作用するので、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる。なお、本発明は、請求項7に記載の発明のように、前記検出手段が、放射線の照射開始を検出し、待機中、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を出力して前記放射線検出素子の放射線画像撮影用の画素から電荷を取り出すリセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御し、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出された場合、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを禁止する制御信号を出力し、放射線の照射終了後に前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を出力するように前記制御信号出力手段を制御する制御手段、をさらに備えてもよい。また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記制御手段が、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出されるまで前記リセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御してもよい。また、本発明は、請求項9記載の発明のように、前記制御手段が、放射線画像の撮影を行う際に、前記検出手段により放射線の照射開始が検出されるまで前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを禁止する制御信号を出力するように前記制御信号出力手段を制御してもよい。また、本発明は、請求項10記載の発明のように、前記制御信号出力手段が、前記リセット動作の際、複数の走査配線に順に又は複数の走査配線の全てに一度に電荷の取り出しを行う制御信号を出力してもよい。また、本発明は、請求項11記載の発明のように、前記AD変換手段が、放射線画像を撮影する際の放射線の照射期間よりも短い周期で信号配線に流れる電気信号をデジタルデータに変換し、前記検出手段が、前記周期で、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出してもよい。また、本発明は、請求項12記載の発明のように、前記AD変換手段が、前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号、及び前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号をそれぞれデジタルデータへ変換し、前記検出手段が、前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行ってもよい。また、本発明は、請求項13記載の発明のように、前記AD変換手段が、複数設けられ、それぞれ所定本ずつ前記信号配線が接続され、前記検出手段が、同一の前記AD変換手段により変換された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行うことが好ましい。また、本発明は、請求項14記載の発明のように、前記検出手段が、何れかの前記放射線検出用の画素が接続された信号配線のデジタルデータの値と当該信号配線に隣接し、かつ前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線にそれぞれ流れる電気信号のデジタルデータの値との差に基づいて前記検出を行うことが好ましい。また、本発明は、請求項15記載の発明のように、前記請求項1~請求項5の何れか1項記載の放射線検出素子と、前記複数の走査配線に対して前記制御信号を出力する制御信号出力手段と、前記複数の信号配線に流れる電気信号を所定の期間毎に、蓄積し、蓄積した電気信号を増幅して出力する増幅手段と、前記増幅手段から出力される電気信号に基づき、放射線の照射開始、放射線の照射終了および放射線の照射量の少なくとも1つを検出する検出手段と、前記所定の期間に、前記複数の走査配線に対して電荷の取り出しを行う制御信号を順次出力して複数の前記画素から電荷を取り出すリセット動作を繰り返し行うように前記制御信号出力手段を制御する制御手段と、を備えている。また、本発明は、請求項16記載の発明のように、前記制御手段は、前記所定の期間に、前記放射線検出用の画素に制御信号を供給するよう前記放射線検出用の画素に接続されていない前記走査配線に、前記放射線画像撮影用の画素から電荷を取り出すように制御信号を前記走査配線に出力するように前記制御信号出力手段を制御することが好ましい。また、本発明は、請求項17記載の発明のように、前記制御手段は、前記所定の期間外に、前記放射線検出用の画素から電荷を取り出すように前記制御信号を前記走査配線に出力するように前記制御信号出力手段を制御することが好ましい。また、本発明は、請求項18記載の発明のように、前記増幅手段は、前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号、及び前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号を前記所定の期間毎に、蓄積し、蓄積した電気信号を増幅して出力し、前記検出手段は、前記増幅手段により出力された、前記放射線検出用の画素が接続された信号配線の電気信号と前記放射線検出用の画素が接続されていない、または当該信号配線よりも少ない前記放射線検出用の画素が接続された信号配線の電気信号との差に基づいて前記検出を行うことが好ましい。このように、本発明によれば、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる、という優れた効果を有する。以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について説明する。本実施の形態では、X線などの放射線を一旦光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出素子10に本発明を適用した場合について説明する。[第1の実施の形態]図1には、第1の実施の形態に係る放射線検出素子10を用いた放射線画像撮影装置100の全体構成が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100は、間接変換方式の放射線検出素子10を備えている。なお、放射線を光に変換するシンチレータは省略している。放射線検出素子10には、光を受けて電荷を発生し、発生した電荷を蓄積するセンサ部103と、センサ部103に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチ4と、を含んで構成される画素20が複数配置されている。本実施の形態では、センサ部103が、シンチレータによって変換された光が照射されることにより、電荷が発生する。なお、TFTスイッチ4は、本発明のスイッチ素子に対応する。画素20は、一方向図1の横方向、以下行方向ともいう。及び当該行方向に対する交差方向図1の縦方向、以下列方向ともいう。にマトリクス状に複数配置されている。図1及び後述する図6では、画素20配列を簡略化して示しているが、例えば、画素20は一方向及び交差方向に1024×1024個配置されている。本実施の形態では、複数の画素20のうち、放射線画像撮影用の画素20Aと放射線検出用の画素20Bが予め定められている。図1及び後述する図6では、放射線検出用の画素20Bを破線で囲んでいる。放射線画像撮影用の画素20Aは、放射線を検出して放射線が示す画像を生成するために用いられ、放射線検出用の画素20Bは、放射線の照射開始を検出するために用いられる。また、放射線検出素子10には、基板1図3参照上に、TFTスイッチ4をON/OFFするための複数の走査配線101と、上記センサ部103に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線3と、が互いに交差して設けられている。本実施の形態では、一方向の各画素列に信号配線3が1本ずつ設けられ、交差方向の各画素列に走査配線101が1本ずつ設けられており、例えば、画素20が一方向及び交差方向に1024×1024個配置されている場合、信号配線3及び走査配線101は1024本ずつ設けられている。さらに、放射線検出素子10には、各信号配線3と並列に共通電極配線25が設けられている。共通電極配線25は、一端及び他端が並列に接続されており、一端が所定のバイアス電圧を供給する電源110に接続されている。センサ部103は共通電極配線25に接続されており、共通電極配線25を介してバイアス電圧が印加されている。走査配線101には、各TFTスイッチ4をスイッチングするための制御信号が流れる。このように制御信号が各走査配線101に流れることによって、各TFTスイッチ4がスイッチングされる。信号配線3には、各画素20のTFTスイッチ4のスイッチング状態に応じて、各画素20に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる。より具体的には、各信号配線3には、当該信号配線3に接続された画素20の何れかのTFTスイッチ4がONされることにより蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。各信号配線3には、各信号配線3に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路105が接続されている。また、各走査配線101には、各走査配線101にTFTスイッチ4をON/OFFするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路104が接続されている。図1及び後述する図6では、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を1つに簡略化して示しているが、例えば、信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104を複数設けて所定本例えば、256本毎に信号配線3又は走査配線101を接続する。例えば、信号配線3及び走査配線101が1024本ずつ設けられている場合、スキャン信号制御回路104を4個設けて256本ずつ走査配線101を接続し、信号検出回路105も4個設けて256本ずつ信号配線3を接続する。信号検出回路105は、各信号配線3毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。信号検出回路105では、各信号配線3より入力される電気信号を増幅回路により増幅してデジタルデータへ変換する。この信号検出回路105及びスキャン信号制御回路104には、信号検出回路105において変換されたデジタルデータに対してノイズ除去などの所定の処理を施すとともに、信号検出回路105に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路104に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する制御部106が接続されている。本実施の形態の制御部106は、マイクロコンピュータによって構成されており、CPU中央処理装置、ROMおよびRAM、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部を備えている。制御部106は、上記所定の処理が施された画像情報に対して、各放射線検出用の画素20Bの画像情報を補間する処理補間処理を行って、照射された放射線が示す画像を生成する。すなわち、制御部106は、各放射線検出用の画素20の画像情報を、上記所定の処理が施された画像情報に基づいて補間することで、照射された放射線が示す画像を生成する。図2には、本実施形態に係る間接変換方式の放射線検出素子10の構造を示す平面図が示されており、図3には、図2の放射線画像撮影用の画素20AのA-A線断面図が示されており、図4には、図2の放射線検出用の画素20BのB-B線断面図が示されている。図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101図2参照。、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている図2参照。。この走査配線101、ゲート電極2が形成された配線層以下、この配線層を第1信号配線層ともいう。は、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜15は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVDChemicalVaporDeposition成膜により形成される。絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。この半導体活性層8は、TFTスイッチ4のチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。これらの上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。ソース電極9は信号配線3に接続されている図2参照。。ソース電極9、ドレイン電極13、及び信号配線3が形成された配線層以下、この配線層を第2信号配線層ともいう。は、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層不図示が形成されている。これらによりスイッチング用のTFTスイッチ4が構成される。なお、TFTスイッチ4は後述する下部電極11により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極9とドレイン電極13が逆となる。これら第2信号配線層を覆い、基板1上の画素20が設けられた領域のほぼ全面ほぼ全領域には、TFTスイッチ4や信号配線3を保護するために、TFT保護膜層30が形成されている。このTFT保護膜層30は、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD成膜により形成される。このTFT保護膜層30上には、塗布型の層間絶縁膜12が形成されている。この層間絶縁膜12は、低誘電率比誘電率εr=2~4の感光性の有機材料例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂:メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料などにより1~4μmの膜厚で形成されている。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、この層間絶縁膜12によって層間絶縁膜12上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、一般的にこのような材料は平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、この層間絶縁膜12及びTFT保護膜層30のドレイン電極13と対向する位置にコンタクトホール17が形成されている。層間絶縁膜12上には、コンタクトホール17を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部103の下部電極11が形成されており、この下部電極11は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。この下部電極11は、後述する半導体層21が1μm前後と厚い場合には導電性があれば材料に制限がほとんどない。このため、Al系材料、ITOなど導電性の金属を用いて形成すれば問題ない。一方、半導体層21の膜厚が薄い場合0.2~0.5μm前後、半導体層21で光が吸収が十分でないため、TFTスイッチ4への光照射によるリーク電流の増加を防ぐため、遮光性メタルを主体とする合金、若しくは積層膜とすることが好ましい。下部電極11上には、フォトダイオードとして機能する半導体層21が形成されている。本実施の形態では、半導体層21として、n層、i層、p層nアモルファスシリコン、アモルファスシリコン、pアモルファスシリコンを積層したPIN構造のフォトダイオードを採用しており、下層からn層21A、i層21B、p層21Cを順に積層して形成する。i層21Bは、光が照射されることにより電荷自由電子と自由正孔のペアが発生する。n層21A及びp層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極11及び後述する上部電極22とi層21Bをと電気的に接続する。また、本実施の形態では、下部電極11を半導体層21よりも大きくしており、また、TFTスイッチ4の光の照射側を半導体層21で覆っている。これにより、画素領域内での光を受光できる面積の割合所謂、フィルファクタを大きくしており、また、TFTスイッチ4への光入射を抑制している。各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。この上部電極22には、例えば、ITOやIZO酸化亜鉛インジウムなどの光透過性の高い材料を用いている。本実施の形態に係る放射線検出素子10では、上部電極22や半導体層21、下部電極11を含んでセンサ部103が構成されている。層間絶縁膜12、半導体層21及び上部電極22上には、上部電極22に対応する一部で開口27Aを持ち、各半導体層21を覆うように、塗布型の層間絶縁膜23が形成されている。この層間絶縁膜23上には、共通電極配線25がAl若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした合金あるいは積層膜で形成されている。共通電極配線25は、開口27A付近にコンタクトパッド27が形成され、層間絶縁膜23の開口27Aを介して上部電極22と電気的に接続される。一方、図4に示すように、放射線検出素子10の放射線検出用の画素20Bでは、ソース電極9とドレイン電極13とが接触するようにTFTスイッチ4が形成されている。すなわち、画素20Bでは、TFTスイッチ4のソースとドレインが短絡している。これにより、画素20Bでは、下部電極11に収集された電荷がTFTスイッチ4のスイッチング状態にかかわらず信号配線3に流れ出す。このように形成された放射線検出素子10には、必要に応じてさらに光吸収性の低い絶縁性の材料により保護膜が形成されて、その表面に光吸収性の低い接着樹脂を用いてGOS等からなるシンチレータが貼り付けられる。次に、画素20Bの形成方法の一例を説明する。放射線検出素子10のアクティブエリアがフォトマスクより大きい場合、図5に示すように、アクティブエリア50を分割して、分割された領域毎に露光する。なお、図5の例では、アクティブエリア50を5×6ショットに分割している。図5には、分割された各領域が示されており、本実施の形態では、放射線検出素子10の第2信号配線層を形成する際に、2種類のフォトマスクを用いて露光を行っており、ShotAの領域では、一部の画素20においてソース電極9とドレイン電極13とが接触するように形成されたフォトマスクを用いて露光を行い、ShotBの領域では、各画素20においてソース電極9とドレイン電極13とが分離するように形成されたフォトマスクを用いて露光を行う。このとき、ShotA用のフォトマスクは、画素20Bが一画素以上の間隔で画素20Bが連続して配置されないように形成することが望ましい。これにより、制御部106での補間処理によって生成される画像の画質が、放射線検出用の画素20Bが連続して配置された場合と比較して良好となる。ここで、放射線検出素子10には、図6に示すように、放射線検出用の画素20Bが特定の信号配線3ここでは、D2及びD6の信号配線3に対して複数配置されるように形成することが好ましい。図6では、簡略化して示しているが、信号配線3が1024本ずつ設けられている場合、例えば、配置位置が均等にとなるように128ライン毎に8本の信号配線3に16画素ずつ画素20Bを形成する。この場合、画素20Bの画素数は128画素となり、画素20が1024×1024個である場合、全体の0.01が画素20Bとなる。全画素20に対する放射線検出用の画素20Bの割合は、これに限定されず、様々が考えられるが、この割合は、制御部106での補間処理の精度などに基づいて定めることもできる。例えば、この補間処理によって生成される画像の画質が良好である場合には、全画素20に対する放射線検出用の画素20Bの割合は、例えば、1位程度としてもよく、さらに比率を高くしてもよい。次に、図7を用いて、上記構成の放射線画像撮影装置100による放射線画像を撮影する際の動作の流れについて簡単に説明する。放射線検出素子10は、放射線が照射されていない状態であっても暗電流等によって電荷が発生して各画素20に電荷が蓄積される。このため、放射線画像撮影装置100では、待機状態の間も放射線検出素子10の各画素20に蓄積された電荷を取り出して除去するリセット動作を繰り返し行っている。このリセット動作で読み出された電荷による情報は、暗電流等により放射線画像に発生するオフセットの補正に利用される。放射線画像撮影装置100は、放射線の照射開始を検出して放射線検出素子10の各画素20で電荷の蓄積を開始することにより放射線画像を撮影するものとされている。放射線画像の撮影を行う際、放射線画像撮影装置100には、撮影モードへの移行が通知される。放射線画像撮影装置100は、撮影モードへの移行が通知されると、放射線の検出を行う放射線検出待ち状態に移行し、放射線を検出すると放射線検出素子10で電荷を蓄積する電荷蓄積状態に移行し、放射線を検出してから所定時間後に蓄積された電荷の読み出す電荷読出状態に移行し、電荷の読み出し終了後、待機状態に移行する。図8、図9には、第1の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。制御部106は、待機状態の場合、スキャン信号制御回路104を制御して、図8に示すように、スキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号電位VgHの信号を出力させ、各走査配線101に接続された各TFTスイッチ4を1ラインずつ順にONさせて電荷の取り出しを行う。これにより、1ラインずつ順に各画素20に蓄積された電荷が電気信号として各信号配線3に流れ出す。制御部106は、動作状態が待機状態である間、所定期間経過後に、1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させて放射線検出素子10の各画素20の各々に蓄積された電荷を取り出して1フレーム分リセットするリセット動作を繰り返す。制御部106は、撮影モードへの移行が通知されると放射線検出待ち状態に移行し、スキャン信号制御回路104を制御して、図9に示すように、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号電位Vglの信号を出力させると共に、所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方、例えば、D2に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。信号検出回路105は、D2の信号配線3を流れる電気信号を増幅回路により増幅してデジタルデータへ変換し、制御部106へ出力する。なお、所定周期1Hを、スキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力して画像の読み出しや、リセット動作を行う際の1ラインに対する周期と同一としているが、必ずしも同一にする必要はなく、所定周期1Hを、画像の読み出しやリセット動作を行う際の1ラインに対する周期より短くしてもよい。放射線画像撮影装置100は、放射線を発生する放射線発生装置と間隔を空けて配置され、被験者を透過した放射線が照射される。放射線が照射されると、照射された放射線は、シンチレータに吸収され、可視光に変換される。なお、放射線は、放射線検出素子10の表側、裏側の何れから照射されてもかまわない。シンチレータで可視光に変換された光は、各画素20のセンサ部103に照射される。センサ部103では、光が照射されると内部に電荷が発生する。この発生した電荷は下部電極11により収集される。画素20Aでは、ドレイン電極13とソース電極9が短絡していないため、下部電極11に収集された電荷が蓄積されるが、画素20Bでは、ドレイン電極13とソース電極9が短絡しているため、下部電極11に収集された電荷が信号配線3に流れ出す。本実施の形態では、図6に示すように、放射線検出用の画素20Bを特定の信号配線3ここでは、D2及びD6の信号配線3に対して選択的に配置している。画素20Bから流れ出した電気信号は、当該特定の信号配線3毎に積算される。すなわち、画素20Bを特定の信号配線3に複数配置することにより、放射線による電気信号のレベルの変化が大きくなるため、放射線の検出精度を高めることができる。制御部106は、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方、例えば、D2のデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。制御部106は、放射線の照射を検出すると、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。これにより、複数配置された画素20AのTFTスイッチ4が順次ONされ、各画素20Aに蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線3に流れ出す。信号検出回路105は、各信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータへ変換する。制御部106は、変換されたデジタルデータに対して所定の処理を施し、所定の処理が施された画像情報に対して、各放射線検出用の画素20Bの画像情報を補間する処理を行って、照射された放射線が示す画像を生成する。このように、本実施の形態によれば、放射線画像撮影用の画素20A及び放射線検出用の画素20Bを放射線検出素子10の放射線画像が撮影可能な撮影領域に設けることにより、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる。また、本実施の形態によれば、放射線画像撮影用の信号検出回路105で放射線照射の検出も行えるため、別途、専用の検出回路を設ける必要がない。また、本実施の形態によれば、放射線検出用の画素20Bを放射線画像撮影用の画素20Aと同一形状とし、分散して配置したことにより、アーティファクト発生や撮影される放射線画像の画質の低下を防ぐことができる。また、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、画素20BはTFTスイッチ4のスイッチング状態にかかわらず電気信号が信号配線3に流れ出すため、スキャン信号制御回路104により各走査配線101にOFF信号を出力しているオフ期間でも、信号検出回路105のサンプリングにより放射線の検出が可能となる。また、本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、放射線の照射開始を検出して放射線検出素子10の各画素20で電荷の蓄積を開始するため、放射線の照射が検出されるまでの期間に照射された放射線が放射線画像に寄与しなくなるが、通常の撮影での放射線の照射期間は100ms以上であり、所定周期1Hは100μs前後であるため、照射された放射線をほとんどロスせず利用できる。また、本実施の形態によれば、特定の信号配線3上に複数本実施の形態では16画素の放射線検出用の画素20Bを集中して配置したことにより、画素20Bを1つしか設けていない場合の複数倍本実施の形態では16倍の電荷を得ることができる。これにより、放射線のエネルギーが少ない段階で放射線の照射を検出でき、蓄積動作に移行することができる。すなわち、放射線のロスを低減することが可能である。特に、X線は応答特性が緩慢で、照射初期は高いエネルギーが出ない場合が多い。このため、特定の信号配線3上に複数の放射線検出用の画素20Bを集中して配置することにより、X線の照射開始の検出精度が向上する。[第2の実施の形態]次に、第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。図10には、第2の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。制御部106は、撮影モードへの移行が通知されると放射線検出待ち状態に移行し、スキャン信号制御回路104を制御して、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号を出力させると共に、所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方、例えば、D2に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。しかし、放射線の検出待ち期間が長くなると暗電流等によって各画素20に電荷が蓄積される。そこで、本実施の形態では、制御部106が定期的にスキャン信号制御回路104を制御して全走査配線101に対してON信号を出力させて放射線検出素子10の各画素20の各々に蓄積された電荷を取り出すリセット動作を行う。また、制御部106は、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続された信号配線3のデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。これにより、放射線検出素子10の各画素20AのTFTスイッチ4が順次ONされ、各画素20Aに蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線3に流れ出す。信号検出回路105は、各信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータへ変換し、制御部106は、変換されたデジタルデータに対して所定の処理を施し、所定の処理が施された画像情報に対して、各放射線検出用の画素20Bの画像情報を補間する処理を行って、照射された放射線が示す画像を生成する。このように本実施の形態よれば、放射線検出待ち状態の間、信号配線3にリセット動作による電気信号も流れるが、特定の信号配線3に放射線検出用の画素20Bを複数配置しているため、電気信号のレベルから放射線の照射とリセット動作の判別が行い易い。また、本実施の形態よれば、全走査配線101に対してON信号を出力するリセット動作時に放射線が照射された場合、周期1H遅いタイミングで放射線が検出されるが上述のように、通常の撮影での放射線の照射期間は100ms以上であり、周期1Hは100μs前後であるため、照射された放射線の0.1程度のロスで抑えることができる。また、本実施の形態によれば、全走査配線101に対してON信号を出力するリセット動作時を行うので、リセット動作を停止したことによる画像の段差が発生することがない。[第3の実施の形態]次に、第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。図11には、第3の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。制御部106は、撮影モードへの移行が通知されると放射線検出待ち状態に移行し、スキャン信号制御回路104を制御して、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号を出力させると共に、所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方、例えば、D2に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。しかし、放射線の検出待ち期間が長くなると暗電流等によって各画素20に電荷が蓄積される。そこで、本実施の形態では、制御部106がスキャン信号制御回路104を制御して、待機状態と同様にスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、各走査配線101に接続された各TFTスイッチ4を1ラインずつ順にONさせて放射線検出素子10の各画素20の各々に蓄積された電荷を取り出すリセット動作を行う。また、制御部106は、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続された信号配線3のデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。これにより、放射線検出素子10の各画素20AのTFTスイッチ4が順次ONされ、各画素20Aに蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線3に流れ出す。信号検出回路105は、各信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータへ変換し、制御部106は、変換されたデジタルデータに対して所定の処理を施し、所定の処理が施された画像情報に対して、各放射線検出用の画素20Bの画像情報を補間する処理を行って、照射された放射線が示す画像を生成する。このように本実施の形態よれば、放射線の検出待ち期間の間、リセット動作による電気信号も信号配線3に流れるが、特定の信号配線3に放射線検出用の画素20Bを複数配置しているため、電気信号のレベルから放射線の照射とリセット動作の判別が行い易い。また、本実施の形態よれば、放射線検出待ち状態の間、待機状態と同様のリセット動作を行っているため、最新のオフセット補正用のデータを取得できる。放射線検出素子10の各画素20に発生するオフセットは、放射線検出素子10の状態に応じて経時的に変化する場合があるため、最新のオフセット補正用のデータを元に補正を行うことにより放射線画像のノイズを減らすことができる。また、本実施の形態よれば、放射線の照射を検出した時点でリセット動作を停止するため、リセット動作による放射線のロスを1ライン分のみに抑えられる。放射線の照射開示時点の放射線が小さい場合には、放射線のロスの割合が小さいので、そのままの画像を用いることも可能である。リセット動作を停止したことにより、放射線画像に停止したラインで画像に段差が発生する場合は、段差に隣接ラインの画像情報から補間処理を行うことにより段差を補正することもできる。[第4の実施の形態]次に、第4の実施の形態について説明する。第4の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。図12には、第4の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。第4の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、上記第1の実施の形態と同様の流れで、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号電位Vglの信号を出力させると共に、所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方、例えば、D2に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。そして、制御部106は、放射線の照射検出後も所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。放射線発生装置からの放射線の照射が終了すると、画素20Bで発生する電荷が減少し信号配線3に流れる電気信号のレベルが低下する。制御部106は、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続された信号配線3のデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値未満となった否かにより放射線が照射が終了したか否かの検出を行う。制御部106は、放射線の照射終了を検出すると、検出した時点を起点に所定の終了待機期間だけ待機した後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加して放射線検出素子10の各画素20Aに蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号から放射線が示す画像を生成する。なお、制御部106は、放射線の照射終了を検出したタイミングですぐにスキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させてもよい。このように本実施の形態よれば、放射線の照射期間中も画素20Bが接続された信号配線3のサンプリングを行うことにより、放射線が照射終了のタイミングを検出できる。[第5の実施の形態]次に、第5の実施の形態について説明する。第5の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。ところで、放射線検出素子10は、上述のように、放射線が照射されていない状態であっても暗電流等によって電荷が発生して各画素20に電荷が蓄積される。このため、放射線画像撮影装置100では、待機状態の間も放射線検出素子10の各画素20に蓄積された電荷を取り出して除去するリセット動作を繰り返し行っている。このリセット動作により、各信号配線3には、放射線が照射されてない状態でも暗電流等によって発生した電荷による電気信号所謂オフセットが流れる。このリセット動作で読み出された電荷による情報は、暗電流等により放射線画像に発生するオフセットの補正に利用される。また、放射線検出素子10は、各信号配線3に、衝撃、温度など様々な外乱要因に起因してノイズが発生する場合がある。よって、各信号配線3を流れる電気信号には、暗電流等によるオフセットとノイズが含まれる場合がある。特に、外乱要因に起因して発生するノイズは、電気信号の変化も大きいという特徴がある。このため、画素20Bが接続された信号配線3図6の場合、D2、D6の少なくとも一方に流れる電気信号をデジタルデータに変換し、変換されたデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行うものとした場合、各信号配線3に重畳されるノイズによる放射線の照射開始誤検知を防止するため、放射線検知用のしきい値を大きくする必要がある。しかしながら、放射線検知用のしきい値を大きくした場合、放射線の照射開始の検出タイミングが遅くなる。そこで、本実施の形態では、信号検出回路105により、図13に示すように、所定周期1Hで画素20Bが接続された信号配線3図13の場合、D2、D6の少なくとも一方、ここでは、D6に流れる電気信号と共に、画素20Bが接続されていない信号配線3図13の場合、D1、D3~D5、D7、D8、ここでは、D7に流れる電気信号もデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。画素20Bが接続された信号配線3と共にサンプリングを行う信号配線3は、各信号配線3に発生するノイズが同様の場合、画素20Bが接続されていなければいずれでもよいが、放射線検出素子10内での信号配線3の位置により発生するノイズにムラがある場合、画素20Bが接続されたサンプリング対象の信号配線3に近く、当該信号配線3と同じ信号検出回路105に接続されていることが好ましい。本実施の形態では、画素20Bが接続されたサンプリング対象のD6の信号配線3の隣に配設されたD7の信号配線3のサンプリングを行う。制御部106では、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続されたD6の信号配線3のデジタルデータの値から画素20Bが接続されていないD7の信号配線3のデジタルデータの値を減算し、減算されたデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。図14には、第5の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。第5の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、上記第1の実施の形態と同様の流れで、スキャン信号制御回路104から各走査配線101にOFF信号電位Vglの信号を出力させると共に、当該所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3図13の場合、例えば、D6及び画素20Bが接続されていない信号配線3図13の場合、例えば、D7にそれぞれ流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返す。信号検出回路105は、D6の信号配線3及びD7の信号配線3を流れる電気信号をそれぞれ増幅回路により増幅してそれぞれデジタルデータへ変換し、制御部106へ出力する。また、第5の実施の形態では、第3の実施の形態と同様に、放射線の検出待ち期間の間も、制御部106がスキャン信号制御回路104を制御して、待機状態と同様にスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、各走査配線101に接続された各TFTスイッチ4を1ラインずつ順にONさせて放射線検出素子10の各画素20の各々に蓄積された電荷を取り出すリセット動作を行う。制御部106は、信号検出回路105により変換された、画素20Bが接続されたD6の信号配線3のデジタルデータの値から画素20Bが接続されていないD7の信号配線3のデジタルデータの値を減算し、減算されたデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。図15には、本実施の形態に係る放射線検出素子10のD6とD7の信号配線3に注目した等価回路図が示されている。なお、図15では、信号配線3と走査配線101とが交差することによる容量をコンデンサとして各交差部に図示している。各信号配線3に外乱要因に起因してノイズが発生した場合、D6及びD7の信号配線3には、隣合うため略同一のノイズが発生する。また、放射線が照射された場合、D6の信号配線3には、放射線検出用の画素20Bからの電気信号も流れる。このため、D6とD7の信号配線3を流れる電気信号をデジタルデータに変換し、変換されたD6の信号配線3のデジタルデータの値からD7の信号配線3のデジタルデータの値を減算することにより、ノイズ分の値がキャンセルすることができる。このように、本実施の形態よれば、各信号配線3に外乱要因に起因してノイズが発生する場合でも、画素20Bが接続されたD6の信号配線3のデジタルデータの値から画素20Bが接続されていないD7の信号配線3のデジタルデータの値を減算することにより、ノイズ分の値がキャンセルすることができる。さらに、各信号配線3に同様のオフセットが発生する場合、オフセット分の値もキャンセルすることができる。このように、各信号配線3にノイズが発生する場合でも、ノイズ分やオフセット分の値をキャンセルできることにより、放射線検知用のしきい値をノイズ分を考慮して高くする必要がなくなるため、放射線の照射開始をより早く検出できる。なお、上記各実施の形態では、放射線検出用の画素20Bでソースとドレインが短絡させてTFTスイッチ4を形成した場合ついて説明したが、例えば、TFTスイッチ4を形成せずに、センサ部103を信号配線3に直接接続するようにしてもよい。例えば、図16に示すように、放射線検出用の画素20Bでは、ゲート電極2や半導体活性層8を設けずに、ソース電極9とドレイン電極13を接続させて、センサ部103の下部電極11と信号配線3を電気的に接続する接続配線80としてもよい。このような場合、図17に示すように、放射線画像撮影用の画素20Aは、センサ部103がTFTスイッチ4を介して信号配線3に電気的に接続されているが、放射線検出用の画素20Bは、TFTスイッチ4が設けられておらず、センサ部103が信号配線3に電気的に直接接続されていることとなる。また、上記各実施の形態では、放射線検出用の画素20Bでソースとドレインが短絡させてTFTスイッチ4を形成した場合ついて説明したが、例えば、図18に示すように、ドレイン電極13の途中から接続配線82を形成して信号配線3と接続するようにしてもよい。この場合も、TFTスイッチ4のソースとドレインは実質的に短絡していることとなる。上記実施の形態や図18に示すように、TFTスイッチ4のソースとドレインを短絡させる場合、図19に示すようにゲート電極2を走査配線101から離して形成するようにしてもよい。また、例えば、図21に示すように、放射線検出用の画素20Bでは、接続配線82を形成して接続配線82及びコンタクトホール17を介して、センサ部103と信号配線3とを接続し、ドレイン電極13とコンタクトホール17の間を電気的に切断してもよい。放射線検出用の画素20Bは、図2及び図4に示すように、TFTスイッチ4のソース電極9とドレイン電極13を短絡させた場合、ゲート電極2とドレイン電極13間の容量Cgdが通常の放射線画像撮影用の画素20Aよりも大きくなる。これにより、放射線検出素子10では、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3と放射線検出用の画素20Bが接続されていない他の信号配線3との配線容量の差からオフセット電荷量に差が生じる一方、放射線検出用の画素20Bは、図16に示すように、ゲート電極2や半導体活性層8を設けずに、ソース電極9とドレイン電極13を接続した場合、TFTスイッチ4が無いため、容量Cgdがゼロになる。しかし、放射線検出素子10では、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3と放射線検出用の画素20Bが接続されていない他の信号配線3との配線容量が差が大きくなり、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3と放射線検出用の画素20Bが接続されていない他の信号配線3のフィードスルー電圧に差異が生じ、オフセット電荷量に差異が生じる。これに対し、放射線検出用の画素20Bは、図18に示すように、ドレイン電極13の途中から接続配線82を形成してセンサ部103と信号配線3とを接続させた場合、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3と放射線検出用の画素20Bが接続されていない他の信号配線3との配線容量の差を小さくできる。また、放射線検出用の画素20Bは、図21に示すように、接続配線82を形成してセンサ部103と信号配線3とを接続させると共に、ドレイン電極13とコンタクトホール17の間を電気的に切断すると、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3と放射線検出用の画素20Bが接続されていない他の信号配線3との配線容量の差をさらに小さくすることができる。ここで、放射線画像撮影用の画素20Aと、図2及び図4に示すようにTFTスイッチ4のソース電極9とドレイン電極13を短絡させた放射線検出用の画素20B以下、画素20B-1と記す。と、図16に示すようにゲート電極2や半導体活性層8を設けずに、ソース電極9とドレイン電極13を接続した放射線検出用の画素20B以下、画素20B-2と記す。と、図18に示すように、ドレイン電極13の途中から接続配線82を形成してセンサ部103と信号配線3とを接続させた放射線検出用の画素20B以下、画素20B-3と記す。と、図21に示すように接続配線82を形成してセンサ部103と信号配線3とを接続させると共にドレイン電極13とコンタクトホール17の間を電気的に切断した放射線検出用の画素20B以下、画素20B-4と記す。のフィードスルー電荷、及び配線容量について具体的な比較を行う。Cgd:ゲート電極2とドレイン電極13間の容量Vpp:VgHTFTスイッチ4をONする制御信号の電圧-VglTFTスイッチ4をOFFする制御信号の電圧Ca-Si:TFTスイッチ4のチャネル部の容量Cgs:ゲート電極2とソース電極9間の容量Ctft:1つのTFTスイッチ4当たりの走査配線101の容量への寄与分Cpd:センサ部103の容量Csd:下部電極11とその下部電極11を含む画素20の両側の信号配線3との容量とした場合、画素20A及び画素20B―1~20B-4のフィードスルー電荷ΔQは以下のようになる。画素20A:ΔQ=Cgd×Vpp1画素20B-1:ΔQ=CgdCa-SiCgs×Vpp≒4Cgd×Vpp2画素20B-2:ΔQ=03画素20B-3:ΔQ=CgdCgs×Vpp=2Cgd×Vpp4画素20B-4:ΔQ=Cgd×Vpp5よって、フィードスルー電荷ΔQが画素20Aに近い画素20B-4が好ましく、また、画素20B-3も画素20B-1より好ましい。一方、画素20A及び画素20B―1~20B-4の1つのTFTスイッチ4当たりの走査配線101の容量への寄与分Ctftは以下のようになる。画素20A:Ctft=CgdCgsCpdCsd=Cgd{CgsCpdCsd/CgsCpdCsd}ここで、Cpd≧Cgs及びCpd≧CsdであるためCgs、Csdを無視できるため≒CgdCgs≒2Cgd6画素20B-1:Ctft=CgdCa-SiCgs≒4Cgd7画素20B-2:Ctft=08画素20B-3:Ctft=CgdCgs≒2Cgd9画素20B-4:Ctft=Cgd10よって、配線容量の変化を小さく押えようとした場合、容量Ctftが画素20Aに近い画素20B-3が好ましい。フィードスルー電荷は、画質面への影響が大きいため、画素20B-4の構成をとることで他の画素とフィードスルー成分を揃えることができる。これにより、放射線検知用の画素20Bでオフセット値が変動する現象を抑制することができる。また、画素20B-3の構成であっても、画素20B-1に比べるとフィードスルーを半減できるため効果がある。また、上記第5の実施の形態では、所定周期1Hで画素20Bが接続されたD6の信号配線3と共に、D6の信号配線3の隣に配設された画素20Bが接続されていないD7の信号配線3に流れる電気信号のサンプリングを行い、D6の信号配線3のデジタルデータの値からD7の信号配線3のデジタルデータの値を減算することにより、ノイズをキャンセルする場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図20に示すように、D6の信号配線3の両隣に配設されたD5、及びD7の信号配線3に流れる電気信号のサンプリングを行い、D5、及びD7の信号配線3のデジタルデータの値の平均値を求め、画素20Bが接続されたD6の信号配線3のデジタルデータの値から当該平均値を減算するようにしてもよい。すなわち、画素20Bが接続されていない複数の信号配線3に流れる電気信号を検出してデジタルデータをそれぞれ求め、求めたデジタルデータの値の平均値を求めて、画素20Bが接続されたD6の信号配線3のデジタルデータの値から当該平均値を減算するようにしてもよい。この場合も、画素20Bが接続された信号配線3と共にサンプリングを行う信号配線3は、各信号配線3に発生するノイズが同様の場合、画素20Bが接続されていなければいずれでもよいが、放射線検出素子10内での信号配線3の位置により発生するノイズにムラがある場合、画素20Bが接続されたサンプリング対象の信号配線3に近く、当該信号配線3と同じ信号検出回路105に接続されていることが好ましい。また、本形態によれば、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3例えばD6と画素20Bが接続されていない信号配線3例えばD7としたが、特定の信号配線3上に複数の画素20Bを集中して配置すればよく、D7の信号配線3に、D6の信号配線3よりも少ない画素20Bが接続されていてもよい。また、上記第5の実施の形態では、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3を流れる電気信号と、画素20Bが接続されていない信号配線3例えばD7を流れる電気信号との差を求める場合について説明したが、これに限定されるものではない。特定の信号配線3上に複数の画素20Bを集中して配置すればよく、画素20Bの接続数が第1配線よりも少なければ、比較の基準となるノイズ検出用の信号配線3にも画素20Bが接続されていてもよい。すなわち、放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号と、当該信号配線よりも少ない放射線検出用の画素が接続された何れかの信号配線に流れる電気信号との差を求めるものとしてもよく、例えば、図13、図17、図20のD7の信号配線3にも、D6の信号配線3よりも少ない画素20Bが接続されていてもよい。[第6の実施の形態]次に、第6の実施の形態について説明する。第6の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。ところで、上述のように放射線検出用の画素20Bを用いて放射線検出を行う放射線画像撮影装置100では、信号配線3に流れる電気信号により、放射線の検出を行うサンプリング周期によって、検出される電気信号の信号量が変化する。そのため、放射線の検出能力を向上させるためには、当該サンプリング期間所定周期1H中におけるサンプリング期間1Hcaを長くすることが好ましい。一方、例えば、上記の実施の形態のように、所定周期1Hが走査配線101、1ラインのリセット動作を行う際の周期以下、リセット周期1Rというと同一1H=1Rの場合、走査配線101の本数をNとすると、フレーム周期1Fは、以下のようになる。フレーム周期1F=N×1R=N×1H11よって、サンプリング期間1Hcaの長期化に伴い、所定周期1Hも長くなるため、フレーム周期1Fが長期化する。放射線の検出待ち期間中に、リセット動作のサイクル中に放射線の照射がなされた場合、Gn1ライン目まではリセット動作が実施され、すぐに蓄積期間に移行する。このため、暗電流等によって発生した電荷による電気信号所謂オフセットに起因したオフセット段差オフセット値の段差が、読み出されたデータに発生し、画像に段差が発生する。当該オフセット段差は、フレーム周期1Fの長さに依存している。具体的には、Ioff_pd:暗電流値とすると、発生するオフセット段差は以下のようになる。オフセット段差≦Ioff_pd×1H×N12従って、サンプリング期間1Hcaが長期化に伴ってフレーム周期1Fが長期化すると、オフセット段差が大きくなり、視認されるという問題が生じる場合がある。そこで、本実施の形態では、信号検出回路105により、図22に示すように、画素20Bが接続された信号配線3図22の場合、D2、D6の少なくとも一方、ここでは、D6に流れる電気信号、及び画素20Bが接続されていない信号配線3図22の場合、D1、D3~D5、D7、D8、ここでは、D7に流れる電気信号を信号検出回路105で蓄積する所定周期1Hを、走査配線101、4本4ライン文のリセット動作を行う期間、すなわち、所定周期1H=リセット周期1R×4とすることにより、フレーム周期1Fの長さを短縮させて、発生するオフセット段差を抑制する。ここで、本実施の形態における、信号検出回路105で電気信号を蓄積する構成及び動作について図23を参照して説明する。図23は、本実施の形態の放射線画像撮影装置100の信号検出回路105に注目した等価回路図である。上述したように、放射線画像撮影装置100の信号検出回路105は、各信号配線3毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路200を内蔵している。増幅回路200は、チャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ等のアンプ202と、アンプ202に並列に接続されたコンデンサCと、アンプ202に並列に接続された電荷リセット用のスイッチSW1と、を備えて構成されている。増幅回路200では、電荷リセット用のスイッチSW1がオフの状態で画素20のTFTスイッチ4により電荷電気信号が読み出され、コンデンサCにTFTスイッチ4により読み出された電荷が蓄積され、蓄積される電荷量に応じてアンプ202から出力される電圧値が増加するようになっている。増幅回路50の増幅率は、コンデンサCの容量により決定される。また、制御部106は、電荷リセット用スイッチSW1に、所定周期1H本実施の形態では、所定周期1H=リセット周期1R×4で、電荷リセット信号を印加して電荷リセット用のスイッチSW1のオン/オフを制御するようになっている。なお、電荷リセット用のスイッチSW1がオン状態とされると、アンプ202の入力側と出力側とが短絡され、コンデンサCの電荷が放電される。すなわち、所定周期1Hの間、コンデンサCにTFTスイッチ4により読み出された電荷が蓄積され、所定期間1H終了により、蓄積された電荷が増幅されて増幅回路200から出力される。なお、アンプ202から出力された電気信号は、S/HサンプルホールドスイッチSW5がオン状態において、図示省略を省略したADCアナログデジタル変換器に出力され、当該ADCによりアナログ信号である電気信号がデジタル信号に変換される。図24には、第6の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、スキャン信号制御回路104が各走査配線101に順次、ON/OFF信号を出力させると共に、信号検出回路105の増幅回路200が電荷を蓄積する所定周期1Hサンプリング期間1Hcaの間にリセット動作が4回行われるように駆動される。制御部106は、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3図22の場合、例えばD6の電気信号に応じた値から、放射線検出用の画素20Bが接続されていない信号配線3図22の場合、例えばD7の電気信号に応じた値を減算し、減算された値を予め定めた放射検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となったか否かにより放射線が照射されたか否かの検出を行う。このように本実施の形態では、所定周期1Hの間に、4本の走査配線101に対してリセット動作させるための制御信号がスキャン信号制御回路104から出力されるため、リセット周期1R=所定周期1H/4となる。従って、フレーム周期1Fは、以下のようになる。フレーム周期1F=N×1R=N×所定周期1H/413よって、上述の11式と13式とを比較するとわかるように、本実施の形態では、フレーム周期1Fを1/4とすることができる。このように本実施の形態によれば、サンプリング期間1Hcaを長くすると共に、フレーム周期1Fを短縮して、さらに放射線検出素子10全体でのフレーム期間も短縮することができる。従って、フレーム周期1Fの長さに依存しているオフセット段差を抑制することができる。なお、本実施の形態では、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3の電気信号に応じた値から、放射線検出用の画素20Bが接続されていない信号配線3の電気信号に応じた値を減算した値を予め定められたしきい値と比較することにより放射線が照射されたか否かの検出を行っているがこれに限らず、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3の電気信号に応じた値が予め定められたしきい値と比較することにより放射線が照射されたか否かの検出を行うようにしてもよい。なお、本実施の形態では、所定周期1Hの間にリセット動作を行う走査配線101の本数は4本であったが、これに限定されず、任意の本数とすることができる。[第7の実施の形態]次に、第7の実施の形態について説明する。第7の実施の形態に係る放射線検出素子10及び放射線画像撮影装置100の構成、並びに放射線画像を撮影する際の概略的な動作の流れは、第1の実施の形態図1~図7参照と同一であるので、説明を省略する。ところで、上述の第5の実施の形態において、放射線検出用の画素20Bが接続された走査配線101に対してリセット動作を行った場合、放射線の非照射時は、放射線検出用の画素20Bは、放射線画像撮影用の画素20AよりもTFTスイッチ4の容量が大きいため、出力される電荷電気信号量に応じた信号値は、放射線画像撮影用の画素20Aから出力された信号値に比べて大きくなる。一方、放射線が照射された際には、照射された放射線に応じて発生した電荷は、すぐさま信号配線3に流れ出すため、画素20Bから出力される電荷電気信号量に応じた信号値は、放射線画像撮影用の画素20Aから出力された信号値に比べて小さくなる傾向が一般にある。また、画素20Bから出力される電荷電気信号量に応じた信号値は、画素20の駆動タイミングや、信号レベルによっても変動する。このように放射線検出用の画素20Bは、信号値が不安定であり、上述の第5の実施の形態のように、隣接する信号配線3放射線検出用の画素20Bが接続されていない信号配線3との差分値により放射線が照射されたか否かの検出を行う場合に、支障をきたし、放射線の検出精度が低下する場合がある。そこで、本実施の形態では、所定周期1Hの間のサンプリング期間Hcaを放射線検出用の画素20Bのリセット動作を含まないように制御部106が制御を行うようにしている。すなわち、信号値が不安定な放射線検出用の画素20Bが接続されている走査配線101をONにし、リセット動作をさせて読み出した電荷は、信号検出回路105の増幅回路200では、蓄積しないように制御部106が制御する。図25には、第7の実施の形態に係る放射線画像撮影装置100により放射線画像を撮影する際の動作の流れを示すタイミングチャートが示されている。図25に示すように、放射線検出用の画素20Bが接続された走査配線101G1、G5の信号配線3のD6のデータと、放射線検出用の画素20Bが接続されていない信号配線3のD7のデータとを比較してみると、大きく異なっていることがわかる。これは、上述のように、放射線検出用の画素20Bが接続された走査配線101G1、G5のデータが不安定なことを示している。本実施の形態に係る放射線画像撮影装置100では、第5の実施の形態と、所定周期1Hは同様であるが、電荷を増幅回路200に蓄積する蓄積期間となるサンプリング期間Hcaを、放射線検出用の画素20Bが接続された走査配線101図23、25では、G1、G5のリセット周期1R分を除くように定めている。このように本実施の形態によれば、放射線検出用の画素20Bが接続された走査配線101のリセット動作期間を避けるように、サンプリング期間Hcaを定めているため、放射線が照射されたか否かの検出を行う際に用いる、放射線検出用の画素20Bが接続された信号配線3の電気信号に応じた信号値を安定化された値とすることができる。従って、放射線が照射されたことを検出する際に、各信号配線3にノイズが発生する場合でも、ノイズ分やオフセット分の値をキャンセルできると共に、放射線の検出精度を向上させられる。またこれにより、放射線検知用のしきい値を高くする必要がなくなるため、照射線の照射開始をより早く検出できる。なお、上記第6及び第7の実施の形態では、放射線検出用の画素20Bが、走査配線101、3本おきに4本に1つの割合で設けられているため、所定周期1H=リセット周期1R×4としているが、所定周期1Hの設定は、放射線検出用の画素20Bが設けられている周期走査配線101に接続されている周期に応じて定めておけば、その他であってもよい。なお、このように放射線検出用の画素20Bが設けられている周期に応じて所定周期1Hを定めるように制御しているため、放射線検出用の画素20Bはランダムに走査配線101に設けられているのではなく、一定の周期で設けられていることが好ましい。また、上記各実施の形態では、放射線検出素子10に画素20として、放射線画像撮影用の画素20Aと放射線検出用の画素20Bを設けた場合について説明したが、例えば、他の用途向けの画素を設けてもよい。また、上記第4の実施の形態の照射終了の検出は、第2、第3及び第5の実施の形態の照射開始の検出と組み合わせてもよい。また、上記第5の実施の形態のノイズのキャンセルは、第2~第4の実施の形態の照射開始の検出と組み合わせてもよい。また、上記第4の実施の形態では、放射線の照射検出後も所定周期1Hで信号検出回路105により画素20Bが接続された信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータに変換させて放射線の検出を行うサンプリングを繰り返して放射線の照射終了の検出を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、各サンプリングで検出されるデジタルデータを累積して、累計の放射線の照射量を検出するようにしてもよい。このように累計の放射線の照射量を検出可能となることにより、放射線検出素子10をAECセンサとして用いることができる。また、上記各実施の形態では、間接変換方式の放射線検出素子10に本発明を適用した場合について説明したが、放射線を直接、半導体層で電荷に変換して蓄積する直接変換方式の放射線検出素子に適用してもよい。この場合、直接変換方式におけるセンサ部は、放射線が照射されることにより電荷を発生する。また、上記各実施の形態では、X線を検出することにより画像を検出する放射線画像撮影装置100に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、検出対象とする放射線は、X線や可視光、紫外線、赤外線、ガンマ線、粒子線等いずれであってもよい。その他、上記実施の形態で説明した放射線画像撮影装置100の構成、及び放射線検出素子10の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。