"交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、上記コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と上記平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、上記インバータないし上記コンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、上記ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、交互に隣接して配置してなる電力変換装置。交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、上記コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と上記平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、上記インバータないし上記コンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、上記ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子を、上記ヒートシンクを冷却する空気の流動方向における上流側に配置してなる電力変換装置。交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、上記コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と上記平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、上記インバータないし上記コンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、上記ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、左右前後に隣接して配置してなる電力変換装置。上記インバータと上記コンバータと上記チョッパとがディスクリート半導体素子群で形成され、上記チョッパを形成するディスクリート半導体素子群を、上記コンバータを形成するディスクリート半導体素子群と上記インバータを形成するディスクリート半導体素子群の間に配置したことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の電力変換装置。電力変換装置を形成する、インバータとコンバータとは、複数のIGBTと複数のダイオードで形成されており、インバータあるいはコンバータを形成するIGBT間およびダイオード間で、電力損失のレベルが異なるので、インバータあるいはコンバータを形成するIGBT間およびダイオード間で、発熱レベルが異なる。しかし、引用文献1に記載の電力変換ユニットには、インバータにおける発熱レベルが異なる、複数のIGBTおよび複数のダイオードの配置は示されておらず、コンバータにおける発熱レベルが異なる、複数のIGBTおよび複数のダイオードの配置も示されていない。すなわち、引用文献1に記載の電力変換ユニットでは、インバータ内、あるいは、コンバータ内で、電力損失が大きく発熱レベルが大きい電力用半導体素子が、放熱性の面において、ヒートシンクの適正な部分に配置されているとは限らず、発熱レベルが大きい電力用半導体素子の放熱が不十分になる。そのため、ヒートシンクの放熱能力を十分に活用できなく、ヒートシンクや冷却フィンを大きくして、放熱性を向上する必要があり、電力変換ユニットの小型化が図れないとの問題があった。特に、電力用半導体素子にディスクリート形電力用半導体素子を用いた電力変換装置の場合に、この問題が顕著となる。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電力損失が大きく発熱レベルが大きい電力用半導体素子の配置を適正化することにより、ヒートシンクや冷却フィンを大きくすることなしに、発熱レベルが大きい電力用半導体素子の放熱性を向上させた、コンバータまたはインバータを備えた、小型化が図れる電力変換装置を得ることである。本発明に係わる第1の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、交互に隣接して配置してなるものである。また、本発明に係わる第2の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子を、ヒートシンクを冷却する空気の流動方向における上流側に配置してなるものである。また、本発明に係わる第3の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、左右前後に隣接して配置してなるものである。本発明に係わる第1の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、交互に隣接して配置してなるものであるので、発熱が大きいディスクリート半導体素子の放熱性を向上でき、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。また、本発明に係わる第2の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子を、ヒートシンクを冷却する空気の流動方向における上流側に配置してなるものであるので、発熱が大きいディスクリート半導体素子の放熱性を向上でき、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。また、本発明に係わる第3の電力変換装置は、交流電源から受電して直流電圧を得るコンバータと、コンバータの出力側に接続された平滑コンデンサの直流電圧を所望の交流電圧に再度変換するインバータと、外部に設置された蓄電池と平滑コンデンサの間に設置されたチョッパとを備えた電力変換装置であって、少なくとも、インバータないしコンバータのいずれかが、ディスクリート半導体素子群で形成され、且つヒートシンクに搭載されており、ディスクリート半導体素子群が、発熱量の多いディスクリート半導体素子と発熱量の少ないディスクリート半導体素子とを、左右前後に隣接して配置してなるものであるので、発熱がディスクリート半導体素子の放熱性を向上でき、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。本発明の電力変換装置は、三相交流電力をU,V,W端子から入力し直流電力に変換するコンバータと、コンバータからの直流出力を平滑化する平滑コンデンサと、この平滑化された直流電力を再度三相交流電力に変換し、R,T,S端子より負荷へ出力するインバータと、U,V,W端子からの三相交流電力の入力が停止した場合にインバータに直流電力を供給する蓄電池と、蓄電池とインバータとの間に介在するチョッパとを備えている。そして、本発明の電力変換装置は、少なくとも、コンバータまたはインバータのいずれかが、ヒートシンクに搭載されている。図1は、本発明の電力変換装置における、ヒートシンクにコンバータとインバータとを搭載した一例を示す側面模式図である。図1に示すように、本発明の電力変換装置5は、ヒートシンク4が冷却フィン図示せずを備えており、矢印Aで示される、ヒートシンク面と平行な方向に送風される冷却空気により、冷却フィンが冷却される。また、図1の例では、ヒートシンク4の冷却フィンが設置された面の反対側の面に、コンバータ1とインバータ2とチョッパ3とが搭載されている。そして、矢印Aで示される冷却空気の流動方向における上流側にインバータ2が配置され、冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ1が配置され、さらに、冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の下流側にチョッパ3が配置されている。しかし、ヒートシンク4に搭載される、コンバータ1とインバータ2との配置は、冷却空気の流動方向における上流側がインバータ2であり、冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側がコンバータ1である配置に限定されるものではない。図2は、本発明の電力変換装置における、ヒートシンクに搭載されたコンバータとインバータとの配置の、第1の別例を示す側面模式図aと第2の別例を示す上面模式図bとである。図2aに示す例では、ヒートシンク4における冷却空気の流動方向の上流側から、インバータ2とチョッパ3とコンバータ1とを、この順に並べで配置している。また、図2bに示す例では、ヒートシンク4における冷却空気の流動方向に対する垂直方向にインバータ2とチョッパ3とコンバータ1とを、並べで配置している。実施の形態1.図3は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置におけるコンバータの回路図である。図3に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置10のコンバータ10aは、入力される交流の、U相につながる電力用半導体素子群U相の半導体素子群と記すとV相につながる電力用半導体素子群V相の半導体素子群と記すとW相につながる電力用半導体素子群W相の半導体素子群と記すとから形成されている。そして、本実施の形態のコンバータ10aは、U,V,Wの各相の半導体素子群が、IGBTとこのIGBTに逆並列に接続されたダイオードIGBTとダイオードと記すとでなる、第1の電力用半導体素子対第1の半導体素子対と記すと第2の電力用半導体素子対第2の半導体素子対と記すとで形成されている、2レベルコンバータである。そして、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対とは、ダイオードのアノードとダイオードのカソードとがつながる直列正直列と記す接続がされている。具体的には、U相の半導体素子群は、第1のIGBT111aと第1のダイオード111bとからなる第1の半導体素子対111と、第2のIGBT112aと第2のダイオード112bとからなる第2の半導体素子対112とで形成されており、V相の半導体素子群は、第1のIGBT121aと第1のダイオード121bとからなる第1の半導体素子対121と、第2のIGBT122aと第2のダイオード122bとからなる第2の半導体素子対122とで形成されており、W相の半導体素子群は、第1のIGBT131aと第1のダイオード131bとからなる第1の半導体素子対131と、第2のIGBT132aと第2のダイオード132bとからなる第2の半導体素子対132とで形成されている。本実施の形態では、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図4は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。本実施の形態の電力変換装置10では、少なくともコンバータとインバータとがヒートシンクに搭載されている。図4では、本実施の形態の電力変換装置10のヒートシンク4における、インバータ2とコンバータ10aが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ10aが配置されている。本実施の形態の電力変換装置10は、図4に示すように、コンバータ10aを形成する複数の半導体素子対は、ヒートシンク4の矢印Aで示された冷却空気の流動方向ヒートシンクの縦方向と記すに対する直角方向ヒートシンクの横方向と記すに並んで配置されている。本実施の形態の各半導体素子対は、IGBTとダイオードとが一緒に封止されていない半導体素子対オープン形半導体素子対と記すである。本実施の形態のコンバータ10aは、例えば、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の第1の半導体素子対111、U相の第2の半導体素子対112、V相の第1の半導体素子対121、V相の第2の半導体素子対122、W相の第1の半導体素子対131、W相の第2の半導体素子対132の順に並んで配置されている。つまり、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群の順に、一列に並んで配置されている。また、U,V,Wの各相の半導体素子群とも、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側に第1の半導体素子対を配置し、他方の端部側に第2の半導体素子対を配置している。また、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置しており、IGBTとダイオードとの配置の左右方向が同じである。本実施の形態では、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表1に、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表1は、U相の、第1の半導体素子対111と第2の半導体素子対112との電力損失例を示しているが、V相の、第1の半導体素子対121と第2の半導体素子対122との場合も、W相の、第1の半導体素子対131と第2の半導体素子対132との場合も同様である。表1に示すように、各半導体素子対において、IGBTの電力損失がダイオードの電力損失より大きく、IGBTの発熱がダイオードの発熱より大きくなっている。すなわち、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図4において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置10は、図4に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTの間に、発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードを介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きいIGBTの放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置10は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置10では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ10aが配置されているが、ヒートシンク4に搭載されるコンバータ10aの配置は、インバータ2の下流側に限定されない。図5は、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのコンバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図5aは、インバータ2とコンバータ10aとを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図5bは、インバータ2とコンバータ10aとチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図5cは、インバータ2とチョッパ3とコンバータ10aを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置では、コンバータ10aがヒートシンク4に、図5に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、インバータ2およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図6では、本実施の形態の電力変換装置20のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置20は、図6に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対111,112,121,122,131,132が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、且つ、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ20aである以外、実施の形態1の電力変換装置10と同様である。本実施の形態の電力変換装置20のコンバータ20aは、各半導体素子の電力損失が、実施の形態1の電力変換装置10のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図6において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置20は、図6に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTを発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子であるIGBTの放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置20は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態1の図5a、図5b、図5cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ10aの配置と同様に、図6に示したコンバータ20aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態3.図7は、本発明の実施の形態3に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図7では、本実施の形態の電力変換装置30のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置30は、図7に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対111,112,121,122,131,132が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対111,121,131が、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、第2の半導体素子対112,122,132が、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ30aである以外、実施の形態1の電力変換装置10と同様である。すなわち、コンバータ30aが、ヒートシンク4において、冷却空気の流動方向における上流側にIGBTを配置した半導体素子対と、冷却空気の流動方向における上流側にダイオードを配置した半導体素子対とを、交互に配置した以外、実施の形態1の電力変換装置10と同様である。本実施の形態の電力変換装置30のコンバータ30aは、各半導体素子の電力損失が、実施の形態1の電力変換装置10のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図7において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置30は、図7に示すように、コンバータ30aが、冷却空気の流動方向における上流側に発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTを配置した半導体素子対と、冷却空気の流動方向における上流側に発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードを配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きいIGBTの放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置30は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態1の図5a、図5b、図5cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ10aの配置と同様に、図7に示したコンバータ30aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態4.本発明の実施の形態4に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図8は、本発明の実施の形態4に係る電力変換装置におけるコンバータの回路図である。図8に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置40のコンバータ40aも、入力される交流の、U相の半導体素子群とV相の半導体素子群とW相の半導体素子群とから形成されている。そして、本実施の形態のコンバータ40aは、U,V,Wの各相の各半導体素子群が、IGBTとこのIGBTに逆並列に接続されたダイオードIGBTとダイオードと記すとでなる、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の電力用半導体素子対第3の半導体素子対と記すと第4の電力用半導体素子対第4の半導体素子対と記す、および、第1の中性点クランプダイオードと第2の中性点クランプダイオード、で形成されている、3レベルコンバータである。そして、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とは正直列に接続されている。また、第1の中性点クランプダイオードのアノードと第2の中性点クランプダイオードのカソードとが接続され、第1の中性点クランプダイオードのカソードが、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対との接合部に接続され、第2の中性点クランプダイオードのアノードが、第3の半導体素子対と第4の半導体素子対との接合部に接続されている。具体的には、U相の半導体素子群は、第1のIGBT111aと第1のダイオード111bとでなる第1の半導体素子対111と、第2のIGBT112aと第2のダイオード112bとでなる第2の半導体素子対112と、第3のIGBT113aと第3のダイオード113bとでなる第3の半導体素子対113と、第4のIGBT114aと第4のダイオード114bとでなる第4の半導体素子対114と、第1の中性点クランプダイオード115と、第2の中性点クランプダイオード116とで形成されている。また、V相の半導体素子群は、第1のIGBT121aと第1のダイオード121bとでなる第1の半導体素子対121と、第2のIGBT122aと第2のダイオード122bとでなる第2の半導体素子対122と、第3のIGBT123aと第3のダイオード123bとでなる第3の半導体素子対123と、第4のIGBT124aと第4のダイオード124bとでなる第4の半導体素子対124と、第1の中性点クランプダイオード125と、第2の中性点クランプダイオード126とで形成されている。また、W相の半導体素子群は、第1のIGBT131aと第1のダイオード131bとでなる第1の半導体素子対131と、第2のIGBT132aと第2のダイオード132bとでなる第2の半導体素子対132と、第3のIGBT133aと第3のダイオード133bとでなる第3の半導体素子対133と、第4のIGBT134aと第4のダイオード134bとでなる第4の半導体素子対134と、第1の中性点クランプダイオード135と、第2の中性点クランプダイオード136とで形成されている。そして、本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図9は、本発明の実施の形態4に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図9では、本実施の形態の電力変換装置40のヒートシンク4における、インバータ2とコンバータ40aとが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ40aが配置されている。図9に示すように、本実施の形態の電力変換装置40におけるコンバータ40aも、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群が、この順にヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、一列に並んでいる。また、U,V,Wの各相の半導体素子群は、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対、第1の中性点クランプダイオード、第2の半導体素子対、第4の半導体素子対、第2の中性点クランプダイオード、第3の半導体素子対が、この順に配置されている。例えば、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の第1の半導体素子対111、U相の第1の中性点クランプダイオード115、U相の第2の半導体素子対112、U相の第4の半導体素子対114、U相の第2の中性点クランプダイオード116、U相の第3の半導体素子対113、V相の第1の半導体素子対121、V相の第1の中性点クランプダイオード125、V相の第2の半導体素子対122、V相の第4の半導体素子対124、V相の第2の中性点クランプダイオード126、U相の第3の半導体素子対123、W相の第1の半導体素子対131、W相の第1の中性点クランプダイオード135、W相の第2の半導体素子対132、W相の第4の半導体素子対134、W相の第2の中性点クランプダイオード136、W相の第3の半導体素子対133、の順に並んで配置されている。また、コンバータ40aを形成するU,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとを一緒に封止した半導体素子対パッケージ形半導体素子対と記すであるとともに、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置している。本実施の形態では、コンバータ40aにおいて、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表2に、本発明の実施の形態1に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失比較の一例を示す。表2は、U相の、第1の半導体素子対111と第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114と第1の中性点クランプダイオード115と第2の中性点クランプダイオード116との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表2に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114、第1の中性点クランプダイオード115と第2の中性点クランプダイオード116、の順になっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図9において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置40は、図9に示すように、コンバータ40aが、発熱の大きい方の半導体素子対間に、発熱の小さい方の半導体素子対と中性点クランプダイオードとを介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置40は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置40では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ40aが配置されているが、ヒートシンク4に搭載されるコンバータ40aの配置は、インバータ2の下流側に限定されない。図10は、本発明の実施の形態4に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのコンバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図10aは、インバータ2とコンバータ40aとを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図10bは、インバータ2とコンバータ40aとチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図10cは、インバータ2とチョッパ3とコンバータ40aを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置は、コンバータ40aがヒートシンク4に、図10に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、インバータ2およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態5.図11は、本発明の実施の形態5に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図11では、本実施の形態の電力変換装置50のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置50は、図11に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、第1の中性点クランプダイオード115,125,135と第2の中性点クランプダイオード116,126,136とが、ヒートシンク4の縦方向において、第2の半導体素子対および第3の半導体素子対の配置部と、第1の半導体素子対および第4の半導体素子対の配置部との間に設置されている、コンバータ50aである以外、実施の形態4の電力変換装置40と同様である。本実施の形態の電力変換装置50のコンバータ50aは、各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失は、実施の形態4の電力変換装置40のコンバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図11において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置50は、図11に示すように、コンバータ50aが、発熱の大きい方の半導体素子対を、発熱が小さい方の半導体素子対や中性点クランプダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置50は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態4の図10a、図10b、図10cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ40aの配置と同様に、図11に示したコンバータ50aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態6.図12は、本発明の実施の形態6に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図12では、本実施の形態の電力変換装置60のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置60は、図12に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第2の半導体素子対112,122,132と第1の中性点クランプダイオード115,125,135と第1の半導体素子対111,121,131とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第4の半導体素子対114,124,134と第2の中性点クランプダイオード116,126,136と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第2の半導体素子対112,122,132と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、第1の中性点クランプダイオード115,125,135と第2の中性点クランプダイオード116,126,136とが、第2の半導体素子対および第4の半導体素子対の配置部と、第1の半導体素子対および第3の半導体素子対の配置部との間に設置されており、U,V,Wの各相の半導体素子群において、第2の半導体素子対と第4の半導体素子対との左右位置が同じである、コンバータ60aである以外、実施の形態4の電力変換装置40と同様である。本実施の形態の電力変換装置60のコンバータ60aは、各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失は、実施の形態4の電力変換装置40のコンバータの電力損失と同様であり、最も電力損失が大きく最も発熱が大きい半導体素子対は、図12において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置60は、図12に示すように、コンバータ60aが、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の大きい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の小さい方の半導体素子対である配置と、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の小さい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の大きい方の半導体素子対である配置とが、交互になっており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置60は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態4の図10a、図10b、図10cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ40aの配置と同様に、図12に示したコンバータ60aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態7.図13は、本発明の実施の形態7に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図13では、本実施の形態の電力変換装置70のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置70は、図13に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、全ての半導体素子対がオープン形半導体素子対であるとともに、U,V,Wの各相の半導体素子群が、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対111,121,131、第2の半導体素子対112,122,132、第3の半導体素子対113,123,133、第4の半導体素子対114,124,134、第1の中性点クランプダイオード115,125,135、第2の中性点クランプダイオード116,126,136の順に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ダイオードをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置しており、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、IGBTをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置している、コンバータ70aである以外、実施の形態4の電力変換装置40と同様である。表3に、本発明の実施の形態7に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失比較の一例を示す。表3は、U相の、第1の半導体素子対111と第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114と第1の中性点クランプダイオード115と第2の中性点クランプダイオード116との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表3に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113とのIGBT、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのダイオード、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113とのダイオード、第1の中性点クランプダイオード115と第2の中性点クランプダイオード116、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのIGBTの順になっており、特に、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのIGBTの電力損失は、ほとんど無い。すなわち、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図13において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置70は、図13に示すように、コンバータ70aが、発熱が大きい半導体素子間に、より発熱が小さい半導体素子を介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置70は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態4の図10a、図10b、図10cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ40aの配置と同様に、図13に示したコンバータ70aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態8.図14は、本発明の実施の形態8に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図14では、本実施の形態の電力変換装置80のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置80は、図14に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しているコンバータ80aである以外、実施の形態7の電力変換装置70と同様である。本実施の形態の電力変換装置80のコンバータ80aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態7の電力変換装置70のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図14において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置80は、図14に示すように、コンバータが、各半導体素子対内における、発熱が大きい方の半導体素子を発熱が小さい方の半導体素子より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置80は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態4の図10a、図10b、図10cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ40aの配置と同様に、図14に示したコンバータ80aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態9.図15は、本発明の実施の形態9に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図15では、本実施の形態の電力変換装置90のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置90は、図15に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134、すなわち全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ90aである以外、実施の形態7の電力変換装置70と同様である。本実施の形態の電力変換装置90のコンバータ90aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態7の電力変換装置70のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図15において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置90は、図15に示すように、コンバータが、半導体素子対内の発熱が大きい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対と、半導体素子対内の発熱が小さい方の半導体素子を冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置90は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態4の図10a、図10b、図10cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ40aの配置と同様に、図15に示したコンバータ90aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態10.本発明の実施の形態10に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図16は、本発明の実施の形態10に係る電力変換装置におけるコンバータの回路図である。図16に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置100のコンバータ100aも、入力される交流の、U相の半導体素子群とV相の半導体素子群とW相の半導体素子群とから形成されており、U,V,Wの各相の半導体素子群が、IGBTとダイオードとでなる、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とで形成されている、3レベルコンバータである。そして、第1の半導体素子対と第4の半導体素子対とは正直列に接続され、第2の半導体素子対と第3の半導体素子対とは、ダイオードのカソード同士がつながる直列逆直列と記す接続がされている。また、第1の半導体素子対と第4の半導体素子対との接続部に、逆直列に接続された第2の半導体素子対と第3の半導体素子対とにおける第2の半導体素子対が接続されている。具体的には、U相の半導体素子群は、第1のIGBT111aと第1のダイオード111bとでなる第1の半導体素子対111と、第2のIGBT112aと第2のダイオード112bとでなる第2の半導体素子対112と、第3のIGBT113aと第3のダイオード113bとでなる第3の半導体素子対113と、第4のIGBT114aと第4のダイオード114bとでなる第4の半導体素子対114とで形成されている。また、V相の半導体素子群は、第1のIGBT121aと第1のダイオード121bとでなる第1の半導体素子対121と、第2のIGBT122aと第2のダイオード122bとでなる第2の半導体素子対122と、第3のIGBT123aと第3のダイオード123bとでなる第3の半導体素子対123と、第4のIGBT124aと第4のダイオード124bとでなる第4の半導体素子対124とで形成されている。また、W相の半導体素子群は、第1のIGBT131aと第1のダイオード131bとでなる第1の半導体素子対131と、第2のIGBT132aと第2のダイオード132bとでなる第2の半導体素子対132と、第3のIGBT133aと第3のダイオード133bとでなる第3の半導体素子対133と、第4のIGBT134aと第4のダイオード134bとでなる第4の半導体素子対134とで形成されている。そして、本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図17は、本発明の実施の形態10に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図17では、本実施の形態の電力変換装置100のヒートシンク4における、インバータ2とコンバータ100aとが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ100aが配置されている。図17に示すように、本実施の形態の電力変換装置100におけるコンバータ100aも、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群が、この順に、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、一列に並んでいる。また、コンバータ100aを形成するU,V,Wの各相の半導体素子群は、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対111,121,131、第2の半導体素子対112,122,132、第4の半導体素子対114,124,134、第3の半導体素子対113,123,133が、この順に配置されている。また、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、パッケージ形半導体素子対であるとともに、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置している。本実施の形態では、コンバータ100aにおいて、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表4に、本発明の実施の形態10に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表4は、U相の、第1の半導体素子対111と第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表4に示すように、電力損失は、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113とが、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114より大きくなっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図17において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置100は、図17に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子対間に、発熱が小さい方の半導体素子対を介在させており、ヒートシンク4の面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置100は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置100では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ100aが配置されているが、ヒートシンク4に搭載されるコンバータ100aの配置は、インバータ2の下流側に限定されない。図18は、本発明の実施の形態10に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのコンバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図18aは、インバータ2とコンバータ100aとを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図18bは、インバータ2とコンバータ100aとチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図18cは、インバータ2とチョッパ3とコンバータ100aを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置は、コンバータ100aがヒートシンク4に、図18に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、インバータ2およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態11.図19は、本発明の実施の形態11に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図19では、本実施の形態の電力変換装置110のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置110は、図19に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されている、コンバータ110aである以外、実施の形態10の電力変換装置100と同様である。本実施の形態の電力変換装置110のコンバータ110aは、各半導体素子対の電力損失が、実施の形態10の電力変換装置100のコンバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の形半導体素子対は、図19において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置110は、図19に示すように、コンバータが、発熱の大きい方の半導体素子対を、発熱の小さい方の半導体素子対より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置110は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態10の図18a、図18b、図18cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ100aの配置と同様に、図19に示したコンバータ110aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態12.図20は、本発明の実施の形態12に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図20では、本実施の形態の電力変換装置120のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置120は、図20に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第2の半導体素子対112,122,132と第1の半導体素子対111,121,131とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に並んでおり、第4の半導体素子対114,124,134と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に並んでおり、第2の半導体素子対112,122,132と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、U,V,Wの各相の半導体素子群において、第2の半導体素子対と第4の半導体素子対との左右位置が同じである、コンバータ120aである以外、実施の形態10の電力変換装置100と同様である。本実施の形態の電力変換装置120のコンバータ120aは、各半導体素子対の電力損失が、実施の形態10の電力変換装置100のコンバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図20において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置120は、図20に示すように、コンバータが、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の大きい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の小さい方の半導体素子対である配置と、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の小さい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の大きい方の半導体素子対である配置とが交互になっており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置120は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態10の図18a、図18b、図18cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ100aの配置と同様に、図20に示したコンバータ120aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態13.図21は、本発明の実施の形態13に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図21では、本実施の形態の電力変換装置130のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置130は、図21に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、全ての半導体素子対がオープン形半導体素子対であるとともに、U,V,Wの各相の半導体素子群が、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対111,121,131、第2の半導体素子対112,122,132、第3の半導体素子対113,123,133、第4の半導体素子対114,124,134、の順に配置されており、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ダイオードをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置しており、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、IGBTをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置している、コンバータ130aである以外、実施の形態10の電力変換装置100と同様である。表5に、本発明の実施の形態13に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表5は、U相の、第1の半導体素子対111と第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表5に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113とのIGBT、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのダイオード、第2の半導体素子対112と第3の半導体素子対113とのダイオード、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのIGBTの順になっており、特に、第1の半導体素子対111と第4の半導体素子対114とのIGBTの電力損失は、ほとんど無い。すなわち、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図21において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置130は、図21に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子間に、発熱が小さい方の半導体素子を介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置130は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態10の図18a、図18b、図18cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ100aの配置と同様に、図21に示したコンバータ130aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態14.図22は、本発明の実施の形態14に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図22では、本実施の形態の電力変換装置140のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置140は、図22に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対111,121,131と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ140aである以外、実施の形態13の電力変換装置130と同様である。本実施の形態の電力変換装置140のコンバータ140aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態13の電力変換装置130のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図22において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置140は、図22に示すように、コンバータが、各半導体素子対内における、発熱が大きい方の半導体素子を発熱が小さい方の半導体素子より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置140は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態10の図18a、図18b、図18cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ100aの配置と同様に、図22に示したコンバータ140aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態15.図23は、本発明の実施の形態15に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図23では、本実施の形態の電力変換装置150のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置150は、図23に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132と第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対111,121,131と第2の半導体素子対112,122,132とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ150aである以外、実施の形態13の電力変換装置130と同様である。本実施の形態の電力変換装置150のコンバータ150aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失は、実施の形態13の電力変換装置130のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図23において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置150は、図23に示すように、コンバータが、半導体素子対内における発熱が大きい方の半導体素子を冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対と、半導体素子対内における発熱が小さい方の半導体素子を冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置150は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態10の図18a、図18b、図18cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ100aの配置と同様に、図23に示したコンバータ150aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態16.本発明の実施の形態16に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図24は、本発明の実施の形態16に係る電力変換装置におけるコンバータの回路図である。図24に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置160のコンバータ160aも、入力される交流の、U相の半導体素子群とV相の半導体素子群とW相の半導体素子群とから形成されており、U,V,Wの各相の半導体素子群が、第1のダイオードと第2のダイオード、および、IGBTとダイオードとでなる、第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、で形成されている3レベルコンバータである。そして、第1のダイオードと第2のダイオードとは正直列に接続され、第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とは逆直列に接続されている。また、第1のダイオードと第2のダイオードとの接続部に、逆直列に接続された第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とにおける第3の半導体素子対が接続されている。具体的には、U相の半導体素子群は、第1のダイオード111bと、第2のダイオード112bと、第3のIGBT113aと第3のダイオード113bとでなる第3の半導体素子対113と、第4のIGBT114aと第4のダイオード114bとでなる第4の半導体素子対114とで形成されている。また、V相の半導体素子群は、第1のダイオード121bと、第2のダイオード122bと、第3のIGBT123aと第3のダイオード123bとでなる第3の半導体素子対123と、第4のIGBT124aと第4のダイオード124bとでなる第4の半導体素子対124とで形成されている。また、W相の半導体素子群は、第1のダイオード131bと、第2のダイオード132bと、第3のIGBT133aと第3のダイオード133bとでなる第3の半導体素子対133と、第4のIGBT134aと第4のダイオード134bとでなる第4の半導体素子対134とで形成されている。そして、本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図25は、本発明の実施の形態16に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図25では、本実施の形態の電力変換装置160のヒートシンク4における、インバータ2とコンバータ160aとが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ160aが配置されている。図25に示すように、本実施の形態の電力変換装置160におけるコンバータ160aも、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群が、この順に、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、一列に並んでいる。また、U,V,Wの各相の半導体素子群は、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、第1のダイオード111b,121b,131b、第3の半導体素子対113,123,133、第2のダイオード112b,122b,132b、第4の半導体素子対114,124,134が、この順に配置されている。また、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、パッケージ形半導体素子対であるとともに、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置している。本実施の形態では、コンバータ160aにおいて、ヒートシンク4の横方向における一方の端部から、他方の端部へ向かって、U相の半導体素子群、V相の半導体素子群、W相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表6に、本発明の実施の形態16に係る電力変換装置におけるコンバータの半導体素子対とダイオードとの電力損失比較の一例を示す。表6は、U相の、第1のダイオード111bと第2のダイオード112bと第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表6に示すように、電力損失は、第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114とが、第1のダイオード111bと第2のダイオード112bより大きくなっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図25において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置160は、図25に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子対間に、発熱が小さい方のダイオードを介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置160は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置160では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるインバータ2の下流側にコンバータ160aが配置されているが、ヒートシンク4に搭載されるコンバータ160aの配置は、インバータ2の下流側に限定されない。図26は、本発明の実施の形態16に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのコンバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図26aは、インバータ2とコンバータ160aとを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図26bは、インバータ2とコンバータ160aとチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図26cは、インバータ2とチョッパ3とコンバータ160aを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置は、コンバータ160aがヒートシンク4に、図26に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、インバータ2およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態17.図27は、本発明の実施の形態17に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図27では、本実施の形態の電力変換装置170のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置170は、図27に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1のダイオード111b,121b,131bと第2のダイオード112b,122b,132bとが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されている、コンバータ170aである以外、実施の形態16の電力変換装置160と同様である。本実施の形態の電力変換装置170のコンバータ170aは、各半導体素子対と各ダイオードとの電力損失が、実施の形態16の電力変換装置160のコンバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図27において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置170は、図27に示すように、コンバータが、発熱が大きい方の半導体素子対を、発熱が小さい方のダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置170は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態16の図26a、図26b、図26cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ160aの配置と同様に、図27に示したコンバータ170aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態18.図28は、本発明の実施の形態18に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図28では、本実施の形態の電力変換装置180のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置180は、図28に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第3の半導体素子対113,123,133と第1のダイオード111b,121b,131bとが、ヒートシンク4の縦方向に一列に並んでおり、第2のダイオード112b,122b,132bと第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に並んでおり、第3の半導体素子対113,123,133と第2のダイオード112b,122b,132bとが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第1のダイオード111b,121b,131bと第4の半導体素子対114,124,134とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、U,V,Wの各相の半導体素子群において、第3の半導体素子対と第2のダイオードとの左右位置が同じである、コンバータ180aである以外、実施の形態16の電力変換装置160と同様である。本実施の形態の電力変換装置180のコンバータ180aは、各半導体素子対と各ダイオードとの電力損失が、実施の形態16の電力変換装置160のコンバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図28において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置180は、図28に示すように、コンバータが、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の大きい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の小さい方のダイオードである配置と、上流側が発熱の小さい方のダイオードであり、下流側が発熱の大きい方の半導体素子対である配置が交互になっており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置180は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態16の図26a、図26b、図26cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ160aの配置と同様に、図28に示したコンバータ180aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態19.図29は、本発明の実施の形態19に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図29では、本実施の形態の電力変換装置190のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置190は、図29に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における半導体素子対がオープン形半導体素子対であるとともに、U,V,Wの各相の半導体素子群が、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から他方の端部側へ向かって、第1のダイオード111b,121b,131b、第2のダイオード112b,122b,132b、第3の半導体素子対113,123,133、第4の半導体素子対114,124,134、の順に配置されており、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、ダイオードをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置している、コンバータ190aである以外、実施の形態16の電力変換装置160と同様である。表7に、本発明の実施の形態19に係る電力変換装置におけるコンバータの各半導体素子対および各ダイオードの電力損失比較の一例を示す。表7は、U相の、第1のダイオード111bと第2のダイオード112bと第3の半導体素子対113と第4の半導体素子対114との電力損失の例を示しているが、V相の場合も、W相の場合も同様である。表7に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第3の半導体素子対113のIGBT113aと第4の半導体素子対114のIGBT114a、第1のダイオード111bと第2のダイオード112b、第3の半導体素子対113のダイオード113bと第4の半導体素子対114のダイオード114b、の順になっている。すなわち、各半導体素子対内における電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子と、電力損失が大きく発熱が大きいダイオードとは、図29において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置190は、図29に示すように、コンバータが、発熱が大きい半導体素子間に、発熱が小さい半導体素子を介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置190は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態16の図26a、図26b、図26cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ160aの配置と同様に、図29に示したコンバータ190aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態20.図30は、本発明の実施の形態20に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図30では、本実施の形態の電力変換装置200のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。図30に示すように、本実施の形態の電力変換装置200は、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1のダイオード111b,121b,131bと第2のダイオード112b,122b,132b、および、第3の半導体素子対113,123,133のIGBTと第4の半導体素子対114,124,134のIGBTとを、ヒートシンクの冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ200aである以外、実施の形態19の電力変換装置190と同様である。本実施の形態の電力変換装置200のコンバータ200aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態19の電力変換装置190のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子と、電力損失が大きく発熱が大きいダイオードとは、図30において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置200は、図30に示すように、コンバータが、第1,第2のダイオードを冷却空気の流動方向における上流側に配置するとともに、半導体素子対内における発熱が大きい方の半導体素子を発熱が小さい方の半導体素子より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置200は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態16の図26a、図26b、図26cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ160aの配置と同様に、図30に示したコンバータ200aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態21.図31は、本発明の実施の形態21に係る電力変換装置におけるコンバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図31では、本実施の形態の電力変換装置210のヒートシンク4におけるコンバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置210は、図31に示すように、コンバータが、U,V,Wの各相の半導体素子群における、第3の半導体素子対113,123,133と第4の半導体素子対114,124,134とが、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1のダイオード111b,121b,131bと第2のダイオード112b,122b,132b、および、第3の半導体素子対113,123,133のダイオードと第4の半導体素子対114,124,134のIGBTとを、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置している、コンバータ210aである以外、実施の形態19の電力変換装置190と同様である。本実施の形態の電力変換装置210のコンバータ210aは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態19の電力変換装置190のコンバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子と、電力損失が大きく発熱が大きいダイオードとは、図31において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置210は、図31に示すように、コンバータが、第1,第2のダイオードを冷却空気の流動方向における上流側に配置するとともに、半導体素子対内における発熱が大きい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対と、半導体素子対内における発熱が小さい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対とが隣り合っており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置210は、コンバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態16の図26a、図26b、図26cのそれぞれに示したヒートシンク面でのコンバータ160aの配置と同様に、図31に示したコンバータ210aをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態22.本発明の実施の形態22に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図32は、本発明の実施の形態22に係る電力変換装置におけるインバータの回路図である。図32に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置220のインバータ220bは、出力する交流における、R相につながる電力用半導体素子群R相の半導体素子群と記すとS相につながる電力用半導体素子群S相の半導体素子群と記すとT相につながる電力用半導体素子群T相の半導体素子群と記すとから形成されている。そして、本実施の形態のインバータ220bは、R,S,Tの各相の半導体素子群が、正直列に接続された、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対とで形成されている、2レベルインバータである。具体的には、R相の半導体素子群は、第1のIGBT211aと第1のダイオード211bとからなる第1の半導体素子対211と、第2のIGBT212aと第2のダイオード212bとからなる第2の半導体素子対212とで形成されており、S相の半導体素子群は、第1のIGBT221aと第1のダイオード221bとからなる第1の半導体素子対221と、第2のIGBT222aと第2のダイオード222bとからなる第2の半導体素子対222とで形成されており、T相の半導体素子群は、第1のIGBT231aと第1のダイオード231bとからなる第1の半導体素子対231と、第2のIGBT232aと第2のダイオード232bとからなる第2の半導体素子対232とで形成されている。本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図33は、本発明の実施の形態22に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図33では、本実施の形態の電力変換装置220のヒートシンク4における、インバータ220bとコンバータ1とが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ220bが配置されている。図33に示すように、本実施の形態の電力変換装置220では、インバータ220bを形成する複数の半導体素子対が、ヒートシンクの横方向に並んで配置されている。また、本実施の形態の各半導体素子対は、オープン形半導体素子対である。本実施の形態のインバータ220bは、例えば、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、R相の第1の半導体素子対211、R相の第2の半導体素子対212、S相の第1の半導体素子対221、S相の第2の半導体素子対222、T相の第1の半導体素子対231、T相の第2の半導体素子対232の順に並んで配置されている。つまり、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群の順に、一列に並んでいる。また、R,S,Tの各相の半導体素子群とも、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側に第1の半導体素子対を配置し、他方の端部側に第2の半導体素子対を配置している。また、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置しており、IGBTとダイオードとの配置の左右方向が同じである。本実施の形態では、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表8に、本発明の実施の形態22に係る電力変換装置におけるインバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表8は、R相の、第1の半導体素子対211と第2の半導体素子対212との電力損失例を示しているが、S相の場合も、T相の場合も同様である。表8に示すように、各半導体素子対において、IGBTの電力損失がダイオードの電力損失より大きく、IGBTの発熱がダイオードの発熱より大きくなっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図33において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置220は、図33に示すように、インバータが、発熱が大きい方の半導体素子であるIGBT間に、発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードを介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きいIGBTの放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置220は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置220では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ220bが配置されているが、本実施の形態の電力変換装置220では、ヒートシンク4に搭載されるインバータ220bの配置は、コンバータ1の上流側に限定されない。図34は、本発明の実施の形態22に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのインバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図34aは、インバータ220bとコンバータ1とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図34bは、インバータ220bとコンバータ1とチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図34cは、インバータ220bとチョッパ3とコンバータ1を、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置では、インバータ220bがヒートシンク4に、図34に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、コンバータ1およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態23.図35は、本発明の実施の形態23に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図35では、本実施の形態の電力変換装置230のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置230は、図35に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対211,212,221,222,231,232が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、且つ、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ230bである以外、実施の形態22の電力変換装置220と同様である。本実施の形態の電力変換装置230のインバータ230bは、各半導体素子の電力損失が、実施の形態22の電力変換装置220のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図35において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置230は、図35に示すように、インバータが、発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTを発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子であるIGBTの放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置230は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態22の図34a、図34b、図34cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ220bの配置と同様に、図35に示したインバータ230bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態24.図36は、本発明の実施の形態24に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図36では、本実施の形態の電力変換装置240のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置240は、図36に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対211,212,221,222,231,232が、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対211,221,231が、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、第2の半導体素子対212,222,232が、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ240bである以外、実施の形態22の電力変換装置220と同様である。すなわち、インバータ240bが、ヒートシンク4において、冷却空気の流動方向における上流側にIGBTを配置した半導体素子対と、冷却空気の流動方向における上流側にダイオードを配置した半導体素子対とを、交互に配置した以外、実施の形態22の電力変換装置220と同様である。本実施の形態の電力変換装置240のインバータ240bは、各半導体素子の電力損失が、実施の形態22の電力変換装置220のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTは、図36において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置240は、図36に示すように、インバータが、冷却空気の流動方向における上流側に発熱が大きい方の半導体素子であるIGBTを配置した半導体素子対と、冷却空気の流動方向における上流側に発熱が小さい方の半導体素子であるダイオードを配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きいIGBTの放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置240は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態22の図34a、図34b、図34cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ220bの配置と同様に、図36に示したインバータ240bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態25.本発明の実施の形態25に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図37は、本発明の実施の形態25に係る電力変換装置におけるインバータの回路図である。図37に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置250のインバータ250bも、出力する交流における、R相の半導体素子群とS相の半導体素子群とT相の半導体素子群とから形成されている。そして、本実施の形態のインバータ250bは、R,S,Tの各相の半導体素子群が、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対と第1の中性点クランプダイオードと第2の中性点クランプダイオードとで形成されている、3レベルインバータである。そして、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とは正直列に接続されている。また、第1の中性点クランプダイオードのアノードと第2の中性点クランプダイオードのカソードとが接続され、第1の中性点クランプダイオードのカソードが、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対との接合部に接続され、第2の中性点クランプダイオードのアノードが、第3の半導体素子対と第4の半導体素子対との接合部に接続されている。具体的には、R相の半導体素子群は、第1のIGBT211aと第1のダイオード211bとでなる第1の半導体素子対211と、第2のIGBT212aと第2のダイオード212bとでなる第2の半導体素子対212と、第3のIGBT213aと第3のダイオード213bとでなる第3の半導体素子対213と、第4のIGBT214aと第4のダイオード214bとでなる第4の半導体素子対214と、第1の中性点クランプダイオード215と、第2の中性点クランプダイオード216とで形成されている。また、S相の半導体素子群は、第1のIGBT221aと第1のダイオード221bとでなる第1の半導体素子対221と、第2のIGBT222aと第2のダイオード222bとでなる第2の半導体素子対222と、第3のIGBT223aと第3のダイオード223bとでなる第3の半導体素子対223と、第4のIGBT224aと第4のダイオード224bとでなる第4の半導体素子対224と、第1の中性点クランプダイオード225と、第2の中性点クランプダイオード226とで形成されている。また、T相の半導体素子群は、第1のIGBT231aと第1のダイオード231bとでなる第1の半導体素子対231と、第2のIGBT232aと第2のダイオード232bとでなる第2の半導体素子対232と、第3のIGBT233aと第3のダイオード233bとでなる第3の半導体素子対233と、第4のIGBT234aと第4のダイオード234bとでなる第4の半導体素子対234と、第1の中性点クランプダイオード235と、第2の中性点クランプダイオード236とで形成されている。そして、本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図38は、本発明の実施の形態25に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図38では、本実施の形態の電力変換装置250のヒートシンク4における、インバータ250bとコンバータ1とが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ250bが配置されている。図38に示すように、本実施の形態の電力変換装置250におけるインバータ250bも、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群が、この順にヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、一列に並んでいる。また、R,S,Tの各相の半導体素子群は、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対、第1の中性点クランプダイオード、第2の半導体素子対、第4の半導体素子対、第2の中性点クランプダイオード、第3の半導体素子対が、この順に配置されている。例えば、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、R相の第1の半導体素子対211、R相の第1の中性点クランプダイオード215、R相の第2の半導体素子対212、R相の第4の半導体素子対214、R相の第2の中性点クランプダイオード216、R相の第3の半導体素子対213、S相の第1の半導体素子対221、S相の第1の中性点クランプダイオード225、S相の第2の半導体素子対222、S相の第4の半導体素子対224、S相の第2の中性点クランプダイオード226、S相の第3の半導体素子対223、T相の第1の半導体素子対231、T相の第1の中性点クランプダイオード235、T相の第2の半導体素子対232、T相の第4の半導体素子対234、T相の第2の中性点クランプダイオード236、T相の第3の半導体素子対233、の順に並んで配置されている。また、インバータ250bを形成するR,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、パッケージ形半導体素子対であるとともに、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置している。本実施の形態では、インバータ250bにおいて、ヒートシンク4の横方向における一方の端部から、他方の端部へ向かって、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表9に、本発明の実施の形態25に係る電力変換装置におけるインバータの各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失比較の一例を示す。表9は、R相の、第1の半導体素子対211と第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213と第4の半導体素子対214と第1の中性点クランプダイオード215と第2の中性点クランプダイオード216との電力損失の例を示しているが、S相の場合も、T相の場合も同様である。表9に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213、第1の中性点クランプダイオード215と第2の中性点クランプダイオード216、の順になっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図38において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置250は、図38に示すように、インバータが、発熱の大きい方の半導体素子対間に、発熱の小さい方の半導体素子対と中性点クランプダイオードとを介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置250は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置250では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ250bが配置されているが、本実施の形態の電力変換装置250でも、ヒートシンク4に搭載されるインバータ250bの配置は、コンバータ1の上流側に限定されない。図39は、本発明の実施の形態25に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのインバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図39aは、インバータ250bとコンバータ1とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図39bは、インバータ250bとコンバータ1とチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図39cは、インバータ250bとチョッパ3とコンバータ1を、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置では、インバータ220bがヒートシンク4に、図34に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、コンバータ1およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態26.図40は、本発明の実施の形態26に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図40では、本実施の形態の電力変換装置260のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置260は、図40に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、第1の中性点クランプダイオード215,225,235と第2の中性点クランプダイオード216,226,236とが、ヒートシンク4の縦方向において、第1の半導体素子対および第4の半導体素子対の配置部と、第2の半導体素子対および第3の半導体素子対の配置部との間に設置されている、インバータ260bである以外、実施の形態25の電力変換装置250と同様である。本実施の形態の電力変換装置260のインバータ260bは、各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失は、実施の形態25の電力変換装置250のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図40において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置260は、図40に示すように、インバータが、発熱の大きい方の半導体素子対を、発熱が小さい方の半導体素子対や中性点クランプダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置260は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態25の図39a、図39b、図39cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ250bの配置と同様に、図40に示したインバータ260bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態27.図41は、本発明の実施の形態27に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図41では、本実施の形態の電力変換装置270のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置270は、図41に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第1の中性点クランプダイオード215,225,235と第2の半導体素子対212,222,232とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第3の半導体素子対213,223,233と第2の中性点クランプダイオード216,226,236と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第1の半導体素子対211,221,231と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第2の半導体素子対212,222,232と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、第1の中性点クランプダイオード215,225,235と第2の中性点クランプダイオード216,226,236とが、第1の半導体素子対および第3の半導体素子対の配置部と、第2の半導体素子対および第4の半導体素子対の配置部との間に設置されており、R,S,Tの各相の半導体素子群において、第1の半導体素子対と第3の半導体素子対との左右位置が同じである、インバータ270bである以外、実施の形態25の電力変換装置250と同様である。本実施の形態の電力変換装置270のインバータ270bは、各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失は、実施の形態25の電力変換装置250のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図41において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置270は、図41に示すように、インバータが、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の大きい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の小さい方の半導体素子対である配置と、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の小さい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の大きい方の半導体素子対である配置とが、交互になっており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置270は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態25の図39a、図39b、図39cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ250bの配置と同様に、図41に示したインバータ270bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態28.図42は、本発明の実施の形態28に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図42では、本実施の形態の電力変換装置280のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置280は、図42に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における半導体素子対がオープン形半導体素子対であるとともに、R,S,Tの各相の半導体素子群が、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対211,221,231、第2の半導体素子対212,222,232、第3の半導体素子対213,223,233、第4の半導体素子対214,224,234、第1の中性点クランプダイオード215,225,235、第2の中性点クランプダイオード216,226,236の順に配置されており、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置し、ダイオードをヒートシンク4の横方向における他方の端部側に配置している、インバータ280bである以外、実施の形態25の電力変換装置250と同様である。表10に、本発明の実施の形態28に係る電力変換装置におけるインバータの各半導体素子対および各中性点クランプダイオードの電力損失比較の一例を示す。表10は、R相の、第1の半導体素子対211と第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213と第4の半導体素子対214と第1の中性点クランプダイオード215と第2の中性点クランプダイオード216との電力損失の例を示しているが、S相の場合も、T相の場合も同様である。表10に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とのIGBT、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213とのIGBT、第1の中性点クランプダイオード215と第2の中性点クランプダイオード216、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とのダイオード、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213とのダイオードの順になっており、特に、第1,第2,第3,第4の半導体素子対のダイオードの電力損失は非常に小さくなっている。すなわち、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図42において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置280は、図42に示すように、インバータが、発熱が大きい半導体素子間に、発熱が非常に小さい半導体素子を介在させており、ヒートシンク4の面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置280は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態25の図39a、図39b、図39cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ250bの配置と同様に、図42に示したインバータ280bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態29.図43は、本発明の実施の形態29に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図43では、本実施の形態の電力変換装置290のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。図43に示すように、本実施の形態の電力変換装置290は、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233と第4の半導体素子対214,224,234、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンク4の縦方向に一列に配列しているとともに、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ290bである以外、実施の形態28の電力変換装置280と同様である。本実施の形態の電力変換装置290のインバータ290bは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態28の電力変換装置280のインバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図43において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置290は、図43に示すように、インバータが、各半導体素子対内における、発熱が大きい方の半導体素子を発熱が小さい方の半導体素子より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置290は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態25の図39a、図39b、図39cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ250bの配置と同様に、図43に示したインバータ290bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態30.図44は、本発明の実施の形態30に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図44では、本実施の形態の電力変換装置300のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置300は、図44に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233と第4の半導体素子対214,224,234、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対211,221,231と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第2の半導体素子対212,222,232と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ300bである以外、実施の形態28の電力変換装置280と同様である。本実施の形態の電力変換装置300のインバータ300bは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態28の電力変換装置280のインバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図44において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置300は、図44に示すように、インバータが、半導体素子対内の発熱が大きい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対と、半導体素子対内の発熱が小さい方の半導体素子を冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置300は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態25の図39a、図39b、図39cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ250bの配置と同様に、図44に示したインバータ300bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態31.本発明の実施の形態31に係る電力変換装置も、ヒートシンクに少なくともコンバータとインバータとを搭載したものである。図45は、本発明の実施の形態31に係る電力変換装置におけるインバータの回路図である。図45に示す回路図にあるように、本実施の形態の電力変換装置310のインバータ310bも、出力する交流における、R相の半導体素子群とS相の半導体素子群とT相の半導体素子群とから形成されており、R,S,Tの各相の半導体素子群が、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対とで形成されている、3レベルインバータである。そして、第1の半導体素子対と第4の半導体素子対とが、正直列に接続され、第2の半導体素子対と第3の半導体素子対とが、逆直列に接続されている。また、第1の半導体素子対と第4の半導体素子対との接続部に、逆直列に接続された第2の半導体素子対と第3の半導体素子対とにおける第3の半導体素子対が接続されている。具体的には、R相の半導体素子群は、第1のIGBT211aと第1のダイオード211bとでなる第1の半導体素子対211と、第2のIGBT212aと第2のダイオード212bとでなる第2の半導体素子対212と、第3のIGBT213aと第3のダイオード213bとでなる第3の半導体素子対213と、第4のIGBT214aと第4のダイオード214bとでなる第4の半導体素子対214とで形成されている。また、S相の半導体素子群は、第1のIGBT221aと第1のダイオード221bとでなる第1の半導体素子対221と、第2のIGBT222aと第2のダイオード222bとでなる第2の半導体素子対222と、第3のIGBT223aと第3のダイオード223bとでなる第3の半導体素子対223と、第4のIGBT224aと第4のダイオード224bとでなる第4の半導体素子対224とで形成されている。また、T相の半導体素子群は、第1のIGBT231aと第1のダイオード231bとでなる第1の半導体素子対231と、第2のIGBT232aと第2のダイオード232bとでなる第2の半導体素子対232と、第3のIGBT233aと第3のダイオード233bとでなる第3の半導体素子対233と、第4のIGBT234aと第4のダイオード234bとでなる第4の半導体素子対234とで形成されている。そして、本実施の形態でも、IGBTとダイオードとは、ディスクリートタイプの電力用半導体素子である。図46は、本発明の実施の形態31に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図46では、本実施の形態の電力変換装置310のヒートシンク4における、インバータ310bとコンバータ1とが搭載された部分を示しており、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ310bが配置されている。図46に示すように、本実施の形態の電力変換装置310におけるインバータ310bも、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群が、この順に、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、一列に並んでいる。また、インバータ310bを形成する、R,S,Tの各相の半導体素子群は、ヒートシンク4の横方向における、一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、第2の半導体素子対212,222,232、第1の半導体素子対211,221,231、第3の半導体素子対213,223,233、第4の半導体素子対214,224,234が、この順に配置されている。また、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対と第2の半導体素子対と第3の半導体素子対と第4の半導体素子対、すなわち、全ての半導体素子対が、パッケージ形半導体素子対であるとともに、IGBTとダイオードとを、ヒートシンクの横方向で、隣り合って配置している。本実施の形態では、インバータ310bにおいて、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から、他方の端部側へ向かって、R相の半導体素子群、S相の半導体素子群、T相の半導体素子群の順に並んでいるが、この順に限定されるものではない。表11に、本発明の実施の形態31に係る電力変換装置におけるインバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表11は、R相の、第1の半導体素子対211と第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213と第4の半導体素子対214との電力損失の例を示しているが、S相の場合も、T相の場合も同様である。表11に示すように、電力損失は、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とが、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213より大きくなっている。すなわち、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図46において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置310は、図46に示すように、インバータが、発熱が大きい方の半導体素子対間に、発熱が小さい方の半導体素子対を介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置310は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。本実施の形態の電力変換装置310では、矢印Aで示す冷却空気の流動方向におけるコンバータ1の上流側にインバータ310bが配置されているが、本実施の形態の電力変換装置310でも、ヒートシンク4に搭載されるインバータ310bの配置は、コンバータ1の上流側に限定されない。図47は、本発明の実施の形態31に係る電力変換装置におけるヒートシンク面でのインバータ配置の別の実施例を示す上面模式図である。図47aは、インバータ310bとコンバータ1とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図47bは、インバータ310bとコンバータ1とチョッパ3とを、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。図47cは、インバータ310bとチョッパ3とコンバータ1を、この順にヒートシンクの横方向に並べで配置した例である。本実施の形態の電力変換装置では、インバータ310bがヒートシンク4に、図46に示すような状態で配置されていても、同様な効果が得られる。また、本実施の形態の電力変換装置において、コンバータ1およびチョッパ3に用いられる半導体素子は、ディスクリートタイプの半導体素子であっても良い。実施の形態32.図48は、本発明の実施の形態32に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図48では、本実施の形態の電力変換装置320のヒートシンク4におけるインバータが搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置320は、図48に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されている、インバータ320bである以外、実施の形態31の電力変換装置310と同様である。本実施の形態の電力変換装置320のインバータ320bは、各半導体素子対の電力損失が、実施の形態31の電力変換装置310のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図48において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置320は、図48に示すように、インバータが、発熱の大きい方の半導体素子対を、発熱の小さい方の半導体素子対より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置320は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態31の図47a、図47b、図47cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ310bの配置と同様に、図48に示したインバータ320bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態33.図49は、本発明の実施の形態33に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図49では、本実施の形態の電力変換装置330のヒートシンク4におけるインバータ搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置330は、図49に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第2の半導体素子対212,222,232とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第3の半導体素子対213,223,233と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の縦方向に一列に配列しており、第1の半導体素子対211,221,231と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における上流側に配置されており、第2の半導体素子対212,222,232と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4の冷却空気の流動方向における下流側に配置されており、R,S,Tの各相の半導体素子群において、第1の半導体素子対と第3の半導体素子対との左右位置が同じである、インバータ330bである以外、実施の形態31の電力変換装置310と同様である。本実施の形態の電力変換装置330のインバータ330bは、各半導体素子対の電力損失が、実施の形態31の電力変換装置310のインバータの電力損失と同様であり、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子対は、図49において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置330は、図49に示すように、インバータが、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の大きい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の小さい方の半導体素子対である配置と、冷却空気の流動方向の、上流側が発熱の小さい方の半導体素子対であり、下流側が発熱の大きい方の半導体素子対である配置とが交互になっており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子対の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置330は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態31の図47a、図47b、図47cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ310bの配置と同様に、図49に示したインバータ330bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態34.図50は、本発明の実施の形態34に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図50では、本実施の形態の電力変換装置340のヒートシンク4におけるインバータ搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置340は、図50に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における半導体素子対が、オープン形半導体素子対であるとともに、R,S,Tの各相の半導体素子群が、ヒートシンク4の横方向における一方の端部側から他方の端部側へ向かって、第1の半導体素子対211,221,231、第2の半導体素子対212,222,232、第3の半導体素子対213,223,233、第4の半導体素子対214,224,234、の順に配置されており、第1の半導体素子対211,221,231、第2の半導体素子対212,222,232、第3の半導体素子対213,223,233、第4の半導体素子対214,224,234、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTをヒートシンク4の横方向における一方の端部側に配置し、ダイオードをヒートシンク4の横方向における他方の端部側に配置している、インバータ340bである以外、実施の形態31の電力変換装置310と同様である。表12に、本発明の実施の形態34に係る電力変換装置におけるインバータの各半導体素子対の電力損失比較の一例を示す。表12は、R相の、第1の半導体素子対211と第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213と第4の半導体素子対214との電力損失の例を示しているが、S相の場合も、T相の場合も同様である。表12に示すように、電力損失の大きさは、大きい方から、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とのIGBT、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213とのIGBT、第2の半導体素子対212と第3の半導体素子対213とのダイオード、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とのダイオードの順になっており、特に、第1の半導体素子対211と第4の半導体素子対214とのダイオードの電力損失が、非常に小さくなっている。すなわち、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図50において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置340は、図50に示すように、インバータが、発熱が大きい方の半導体素子間に、発熱が小さい方の半導体素子を介在させており、ヒートシンクの面方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置340は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態31の図47a、図47b、図47cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ310bの配置と同様に、図50に示したインバータ340bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態35.図51は、本発明の実施の形態35に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図51では、本実施の形態の電力変換装置350のヒートシンク4におけるインバータ搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置350は、図51に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233と第4の半導体素子対214,224,234、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しているとともに、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ350bである以外、実施の形態34の電力変換装置340と同様である。本実施の形態の電力変換装置350のインバータ350bは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態34の電力変換装置340のインバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対内における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図51において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置350は、図51に示すように、インバータが、各半導体素子対内における、発熱が大きい方の半導体素子を発熱が小さい方の半導体素子より、冷却空気の流動方向における上流側に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置350は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態31の図47a、図47b、図47cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ310bの配置と同様に、図51に示したインバータ350bをヒートシンク面に配置してもよい。実施の形態36.図52は、本発明の実施の形態36に係る電力変換装置におけるインバータの電力用半導体素子の配置を示す上面模式図である。図52では、本実施の形態の電力変換装置360のヒートシンク4におけるインバータ搭載された部分を示している。本実施の形態の電力変換装置360は、図52に示すように、インバータが、R,S,Tの各相の半導体素子群における、第1の半導体素子対211,221,231と第2の半導体素子対212,222,232と第3の半導体素子対213,223,233と第4の半導体素子対214,224,234、すなわち、全ての半導体素子対が、IGBTとダイオードとをヒートシンクの縦方向に一列に配列しており、そして、第1の半導体素子対211,221,231と第3の半導体素子対213,223,233とが、ヒートシンク4において、IGBTをダイオードより、冷却空気の流動方向における上流側に配置し、第2の半導体素子対212,222,232と第4の半導体素子対214,224,234とが、ヒートシンク4において、ダイオードをIGBTより、冷却空気の流動方向における上流側に配置している、インバータ360bである以外、実施の形態34の電力変換装置340と同様である。本実施の形態の電力変換装置360のインバータ360bは、各IGBTおよび各ダイオードの電力損失が、実施の形態34の電力変換装置340のインバータの電力損失と同様であり、各半導体素子対における、電力損失が大きく発熱が大きい方の半導体素子は、図52において、斜線が設けられたものである。本実施の形態の電力変換装置360は、図52に示すように、インバータが、半導体素子対内の発熱が大きい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対と、半導体素子対内の発熱が小さい方の半導体素子を、冷却空気の流動方向における上流側に配置した半導体素子対とを、交互に配置しており、ヒートシンクの冷却空気の流動方向の冷却能力を有効に活用するとともに、ヒートシンクの面方向の冷却能力も有効に活用でき、発熱が大きい半導体素子の放熱性を向上できるので、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンの小型化が図れる。すなわち、本実施の形態の電力変換装置360は、インバータを搭載するヒートシンクや、冷却フィンがコンパクトになるので、小型軽量化が図れる。なお、実施の形態31の図47a、図47b、図47cのそれぞれに示したヒートシンク面でのインバータ310bの配置と同様に、図52に示したインバータ360bをヒートシンク面に配置してもよい。"