酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、前記第1の絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上にゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層上に前記酸化物半導体層に接し酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、前記第1の絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、前記第1の絶縁層を通過させて前記酸化物半導体層に酸素を導入し、前記第1の絶縁層及び前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成し、前記酸化物半導体層と重なる前記第2の絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記酸化物半導体層上に前記第1の絶縁層を形成する前に、前記酸化物半導体層に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記酸素の導入は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1の絶縁層としてスパッタリング法により酸化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記第2の絶縁層としてスパッタリング法により窒化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。しかし、酸化物半導体は薄膜形成工程において、酸素の過不足などによる化学量論的組成からのずれや、電子供与体を形成する水素や水分の混入などが生じると、その電気伝導度が変化してしまう。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる。このような問題に鑑み、酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタの電気的特性変動を抑止するため、変動要因となる水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にI型真性化する。I型真性の酸化物半導体とは、n型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、不純物が極力含まれないように高純度化することによりI型真性の酸化物半導体、又はI型真性に限りなく近い酸化物半導体としたものである。すなわち、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたI型真性半導体又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位Efを真性フェルミ準位Eiと同じレベルにまですることができる。酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層第1の絶縁層ともいうを形成し、酸化物絶縁層を通過して酸素を導入添加し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、酸化物半導体層を高純度化する。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成するため、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸化物半導体層への酸素の導入を、積層された酸化物絶縁層を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層中への酸素を効率よく導入することができる。また、酸化物半導体層と酸素を含む酸化物絶縁層とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層より酸化物半導体層へ供給することができる。よって、酸化物半導体層はより高純度化し、電気的にI型真性化する。また、酸化物絶縁層上にさらに水分や水素などの不純物が酸化物半導体層に再混入しないように、これらが外部から侵入することをブロックする保護絶縁層第2の絶縁層ともいうを形成することが好ましい。高純度化された酸化物半導体層を有するトランジスタは、しきい値電圧やオン電流などの電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。このように、高純度化し、電気的にI型真性化した酸化物半導体層を有するトランジスタは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することができる。加熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、または400°C以上700°C以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、さらに好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下で行えばよい。本明細書で開示する発明の構成の一形態は、酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層を通過させて酸化物半導体層に酸素を導入し、第1の絶縁層及び酸化物半導体層に加熱処理を行い、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する半導体装置の作製方法である。本明細書で開示する発明の構成の一形態は、基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層に接し酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層を通過させて酸化物半導体層に酸素を導入し、第1の絶縁層及び酸化物半導体層に加熱処理を行い、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する半導体装置の作製方法である。本明細書で開示する発明の構成の一形態は、基板上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層である第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層を通過させて酸化物半導体層に酸素を導入し、第1の絶縁層及び酸化物半導体層に加熱処理を行い、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成し、酸化物半導体層と重なる第2の絶縁層上にゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法である。上記構成において、酸化物半導体層上に第1の絶縁層を形成する前に、酸化物半導体層に加熱処理を行ってもよい。また、酸素の導入は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行うことができる。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層を形成し、酸化物絶縁層を通過して酸素を導入し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、酸化物半導体層を高純度化することができる。高純度化し、電気的にI型真性化した酸化物半導体層を有するトランジスタは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、本発明の一形態は、安定した電気特性を有するトランジスタを作製することができる。また、本発明の一形態は、電気特性が良好で信頼性のよいトランジスタを有する半導体装置を作製することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図1を用いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として酸化物半導体層を有するトランジスタを示す。図1Eに示すように、トランジスタ410は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを含む。トランジスタ410上には、酸化物絶縁層407第1の絶縁層ともいう、及び保護絶縁層409第2の絶縁層ともいうが順に積層されている。図1A乃至Eにトランジスタ410の作製方法の一例を示す。まず、絶縁表面を有する基板400上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層401を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。また、基板400として、可撓性基板を用いて半導体装置を作製してもよい。可撓性を有する半導体装置を作製するには、可撓性基板上に酸化物半導体層403を含むトランジスタ410を直接作製してもよいし、他の作製基板に酸化物半導体層403を含むトランジスタ410を作製し、その後可撓性基板に剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置するために、作製基板と酸化物半導体層を含むトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。下地膜となる絶縁膜を基板400とゲート電極層401との間に設けてもよい。下地膜は、基板400からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層401の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。次いで、ゲート電極層401上にゲート絶縁層402を形成する。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。また、本実施の形態の酸化物半導体は、不純物が除去され、酸化物半導体の主成分以外のキャリア供与体となる不純物が極力含まれないように高純度化することにより真性I型化又は実質的に真性I型化された酸化物半導体を用いる。このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。例えば、μ波例えば周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。もちろん、ゲート絶縁層として良質な絶縁層を形成できるものであれば、スパッタリング法やプラズマCVD法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。また、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体層の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート電極層401が形成された基板400、又はゲート絶縁層402までが形成された基板400を予備加熱し、基板400に吸着した水素、水分などの不純物を脱離させ排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。また、この予備加熱は、酸化物絶縁層407の成膜前に、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bまで形成した基板400にも同様に行ってもよい。次いで、ゲート絶縁層402上に、膜厚2nm以上200nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下の酸化物半導体層を形成する。なお、酸化物半導体層をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタリングを行い、ゲート絶縁層402の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタリングとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体層に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体や、In-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物、という意味であり、その化学量論比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層は、化学式InMO3ZnOmm>0、且つmは自然数でないで表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。本実施の形態では、酸化物半導体層としてIn-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。また、酸化物半導体層は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。酸化物半導体層をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol比]の金属酸化物ターゲットを用い、In-Ga-Zn-O膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol比]の金属酸化物ターゲットを用いてもよい。また、金属酸化物ターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上99.9である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体層は緻密な膜とすることができる。酸化物半導体層を、成膜する際に用いるスパッタリングガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体層に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板400上に酸化物半導体層を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体層に含まれる不純物の濃度を低減できる。成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流DC電源0.5kW、酸素酸素流量比率100雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。次いで、酸化物半導体層を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層441に加工する図1A参照。。また、島状の酸化物半導体層441を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、ゲート絶縁層402にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体層441の加工時に同時に行うことができる。なお、ここでの酸化物半導体層のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体層のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水31重量過酸化水素水:28重量アンモニア水:水=5:2:2などを用いることができる。また、ITO07N関東化学社製を用いてもよい。次いで、ゲート絶縁層402、及び酸化物半導体層441上に、ソース電極層及びドレイン電極層これと同じ層で形成される配線を含むとなる導電膜を形成する。ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。第3のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成した後、レジストマスクを除去する。第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。酸化物半導体層441上で隣り合うソース電極層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化できる。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層441がエッチングされ、分断することのないようエッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電膜のみをエッチングし、酸化物半導体層441を全くエッチングしないという条件を得ることは難しく、導電膜のエッチングの際に酸化物半導体層441は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。本実施の形態では、導電膜としてTi膜を用い、酸化物半導体層441にはIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、エッチング液としてアンモニア過水アンモニア水、水、過酸化水素水の混合液を用いる。次いで、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層441の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層441の一部に接する酸化物絶縁層407を形成する。酸化物絶縁層407は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタリング法など、酸化物絶縁層407に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。酸化物絶縁層407に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素による酸化物半導体層中の酸素の引き抜きが生じ酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、酸化物絶縁層407はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。酸化物絶縁層407としては、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。本実施の形態では、酸化物絶縁層407として膜厚200nmの酸化シリコン膜を、スパッタリング法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン膜のスパッタリング法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成することができる。酸化物半導体層の成膜時と同様に、酸化物絶縁層407の成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプクライオポンプなどを用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室で成膜した酸化物絶縁層407に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、酸化物絶縁層407の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。酸化物絶縁層407を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次に、酸化物半導体層441に、酸化物絶縁層407を通過させて酸素421を導入する図1C参照。酸素421の導入方法としては、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いることができる。イオン注入法は、ソースガスをプラズマ化し、このプラズマに含まれるイオン種を引き出し、質量分離して、所定の質量を有するイオン種を加速して、イオンビームとして、被処理物に注入する方法である。また、イオンドーピング法は、ソースガスをプラズマ化し、所定の電界の作用によりプラズマからイオン種を引き出し、引き出したイオン種を質量分離せずに加速して、イオンビームとして被処理物に注入する方法である。質量分離を伴うイオン注入法を用いて酸素の導入を行うことで、金属元素等の不純物が酸素と共に酸化物半導体層に添加されてしまうのを防ぐことができる。また、イオンドーピング法はイオン注入法に比べてイオンビームの照射される面積を大きくすることができるので、イオンドーピング法を用いて酸素の添加を行うことで、タクトタイムを短縮することができる。酸化物半導体層441への酸素の導入を積層された酸化物絶縁層407を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層441中へ酸素を効率よく導入することができる。酸素の導入深さは、加速電圧、ドーズ量などの導入条件、また通過させる酸化物絶縁層の膜厚を適宜設定して制御すればよい。例えば、酸素ガスを用いて、イオン注入法で酸素の導入を行う場合、ドーズ量を1×1013ions/cm2以上5×1015ions/cm2以下とすればよい。特に酸化物半導体層のチャネル形成領域における、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することが重要であるため、ボトムゲート構造のトランジスタ410では酸化物半導体層441においてゲート絶縁層402との界面付近に多く酸素を導入することが好ましい。酸化物半導体層における導入された酸素濃度のピークが1×1018/cm3~3×1020/cm3好ましくは1×1018/cm3~1×1020/cm3とすることが好ましい。なお、上記酸素濃度は、酸素として質量数18の酸素同位体を導入し、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyにより、導入後の酸化物半導体層における質量数18の酸素同位体の濃度を分析することによって求めることができる測定値である。次に酸素を導入した酸化物半導体層441に、酸化物絶縁層407と一部チャネル形成領域が接した状態で加熱処理を行う。加熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、または400°C以上700°C以下、または基板の歪み点未満とする。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層441に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行う。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を入れ、数分間加熱した後、基板を不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成する。よって、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸素の導入及び加熱処理によって、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができ、酸化物絶縁層から水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することができる。また、酸化物半導体層441と酸素を含む酸化物絶縁層407とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体層441を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層407より酸化物半導体層441へ供給することができる。以上の工程で酸化物半導体層441を高純度化し、電気的にI型真性化された酸化物半導体層403を得る。高純度化された酸化物半導体層403中にはキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。以上の工程でトランジスタ410が形成される図1D参照。。トランジスタ410は、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層403を含むトランジスタである。よって、トランジスタ410は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。酸化物絶縁層407上にさらに水分や水素などの不純物が酸化物半導体層403に再混入しないように、これらが外部から侵入することをブロックする保護絶縁層409を形成することが好ましい図1E参照。保護絶縁層409としては、無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよい。例えば、RFスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタリング法は、量産性がよいため、保護絶縁層409の成膜方法として好ましい。保護絶縁層409の形成後、加熱処理を行ってもよい。例えば、大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°C以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410は、オフ状態における電流値オフ電流値を、チャネル幅1μm当たり室温にて10zA/μm未満、85°Cにて100zA/μm未満レベルにまで低くすることができる。また、酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、高純度化された酸化物半導体層403を含むトランジスタによって、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製することができるため、半導体装置の部品点数を削減することができる。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態2本実施の形態では、半導体装置の他の一形態を図2を用いて説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図2A乃至Dに示すトランジスタ450は、トップゲート構造の一つであり順スタガ型薄膜トランジスタともいう。トランジスタ450は、絶縁表面を有する基板400上に、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b、酸化物半導体層403、酸化物絶縁層437、保護絶縁層438、ゲート電極層401を含む。酸化物絶縁層437及び保護絶縁層438はゲート絶縁層として機能する。図2A乃至Dにトランジスタ450の作製方法の一例を示す。まず、絶縁表面を有する基板400上に絶縁層436を形成する。絶縁層436上にソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成し、絶縁層436、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b上に酸化物半導体層441と同様に酸化物半導体層451を形成する。本実施の形態では、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法によりIn-Ga-Zn-O系酸化物膜を成膜し、島状に加工して酸化物半導体層451を形成する。図2A参照。酸化物半導体層451上にゲート絶縁層として機能する酸化物絶縁層437を形成する。酸化物絶縁層437は酸化物絶縁層407と同様に形成する。本実施の形態では、酸化物絶縁層437として膜厚200nmの酸化シリコン膜を、スパッタリング法を用いて成膜する。次に、酸化物半導体層451に、酸化物絶縁層437を通過させて酸素421を導入する図2B参照。酸素421の導入方法としては、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いることができる。本実施の形態では、酸素ガスを用いて、イオン注入法で酸素の導入を行う。酸化物半導体層451への酸素の導入を、積層された酸化物絶縁層437を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層451中へ酸素を効率よく導入することができる。酸素の導入深さは、加速電圧、ドーズ量などの導入条件、また通過させる酸化物絶縁層437の膜厚を適宜設定して制御すればよい。例えば、酸素ガスを用いて、イオン注入法で酸素の導入を行う場合、ドーズ量を1×1013ions/cm2以上5×1015ions/cm2以下とすればよい。特に酸化物半導体層のチャネル形成領域における、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することが重要であるため、トップゲート構造のトランジスタ450では、酸化物半導体層451において酸化物絶縁層437との界面付近に多く酸素を導入することが好ましい。酸化物半導体層における導入された酸素濃度のピークは1×1018/cm3~3×1020/cm3好ましくは1×1018/cm3~1×1020/cm3とすることが好ましい。なお、上記酸素濃度は、酸素として質量数18の酸素同位体を導入し、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyにより、導入後の酸化物半導体層における質量数18の酸素同位体の濃度を分析することによって求めることができる測定値である。次に酸素を導入した酸化物半導体層451に、酸化物絶縁層437と接した状態で加熱処理を行う。加熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、または400°C以上700°C以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層451に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行う。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成する。よって、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸素の導入及び加熱処理によって、酸化物半導体層451の脱水化または脱水素化を行うことができ、酸化物絶縁層から水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することができる。また、酸化物半導体層451と酸素を含む酸化物絶縁層437とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層437より酸化物半導体層451へ供給することができる。以上の工程で酸化物半導体層451を高純度化し、電気的にI型真性化された酸化物半導体層403を得る図2C参照。酸化物絶縁層437上にさらに水分や水素などの不純物が酸化物半導体層403に再混入しないように、これらが外部から侵入することをブロックする保護絶縁層438を形成することが好ましい。保護絶縁層438も酸化物絶縁層437と同様にゲート絶縁層として機能する。例えば、保護絶縁層438として、RFスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する。酸化物半導体層403と重なる保護絶縁層438上にゲート電極層401を形成する。以上の工程でトランジスタ450が形成される図2D参照。。トランジスタ450は、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層403を含むトランジスタである。よって、トランジスタ450は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、半導体装置の他の一形態を図3を用いて説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図3A乃至Eに示すトランジスタ420は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。トランジスタ420は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、酸化物半導体層403のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する酸化物絶縁層427、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、トランジスタ420を覆い、保護絶縁層409が形成されている。図3A乃至Eにトランジスタ420の作製方法の一例を示す。まず、絶縁表面を有する基板400上にゲート電極層401を形成し、ゲート電極層401上にゲート絶縁層402を形成する。次にゲート絶縁層402上に酸化物半導体層441と同様に酸化物半導体層422を形成する。本実施の形態では、In-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法によりIn-Ga-Zn-O系酸化物膜を成膜し、島状に加工して酸化物半導体層422を形成する。酸化物半導体層422上に酸化物絶縁層407と同様に酸化物絶縁層426を形成する図3A参照。本実施の形態では、酸化物絶縁層426として膜厚200nmの酸化シリコン膜を、スパッタリング法を用いて成膜する。次に、酸化物半導体層422に、酸化物絶縁層426を通過させて酸素421を導入する図3B参照。酸素421の導入方法としては、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いることができる。本実施の形態では、酸素ガスを用いて、イオン注入法で酸素の導入を行う。酸化物半導体層422への酸素の導入を、積層された酸化物絶縁層426を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層422中へ酸素を効率よく導入することができる。酸素の導入深さは、加速電圧、ドーズ量などの導入条件、また通過させる酸化物絶縁層426の膜厚を適宜設定して制御すればよい。例えば、酸素ガスを用いて、イオン注入法で酸素の導入を行う場合、ドーズ量を1×1013ions/cm2以上5×1015ions/cm2以下とすればよい。特に酸化物半導体層422のチャネル形成領域における、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することが重要であるため、ボトムゲート構造のトランジスタ420では、酸化物半導体層422においてゲート絶縁層402との界面付近に多く酸素を導入することが好ましい。酸化物半導体層422における導入された酸素濃度のピークは1×1018/cm3~3×1020/cm3好ましくは1×1018/cm3~1×1020/cm3とすることが好ましい。なお、上記酸素濃度は、酸素として質量数18の酸素同位体を導入し、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyにより、導入後の酸化物半導体層における質量数18の酸素同位体の濃度を分析することによって求めることができる測定値である。次に酸素を導入した酸化物半導体層422に、酸化物絶縁層426と接した状態で加熱処理を行う。加熱処理の温度は、250°C以上700°C以下、または400°C以上700°C以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層422に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行う。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成する。よって、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸素の導入及び加熱処理によって、酸化物半導体層422の脱水化または脱水素化を行うことができ、酸化物半導体層422から水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を排除することができる。また、酸化物半導体層422と酸素を含む酸化物絶縁層426とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層426、より酸化物半導体層422へ供給することができる。以上の工程で酸化物半導体層422を高純度化し、電気的にI型真性化された酸化物半導体層403を得る。酸化物絶縁層426をフォトリソグラフィ工程により加工し、酸化物半導体層403のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する酸化物絶縁層427を形成する図3D参照。なお、この酸化物絶縁層426のエッチング工程において、酸化物半導体層403の一部も除去される場合がある。この場合、酸化物絶縁層427に覆われていない酸化物半導体層403の領域の膜厚は薄くなる。酸化物半導体層403及び酸化物絶縁層427上にソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成する。以上の工程でトランジスタ420が形成される図3E参照。トランジスタ420は、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層403を含むトランジスタである。よって、トランジスタ420は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。酸化物絶縁層427、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b上にさらに水分や水素などの不純物が酸化物半導体層403に再混入しないように、これらが外部から侵入することをブロックする保護絶縁層409を形成することが好ましい図3E参照。例えば、保護絶縁層409として、RFスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、半導体装置の他の一形態を図4を用いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例としてトランジスタを示す。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。トランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、図4ABにトランジスタ430、440の断面構造の一例を以下に示す。図4ABに示すトランジスタ430、440も実施の形態1乃至3で示したトランジスタ410、420、450同様に、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタである。よって、トランジスタ430、440は電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。図4A示すトランジスタ430はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び酸化物半導体層403を含む。また、トランジスタ430を覆い、酸化物半導体層403に接する酸化物絶縁層407が設けられている。酸化物絶縁層407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。トランジスタ430においては、ゲート絶縁層402は基板400及びゲート電極層401上に接して設けられ、ゲート絶縁層402上にソース電極層405a、ドレイン電極層405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース電極層405a、ドレイン電極層405b上に酸化物半導体層403が設けられている。図4Bに示すトランジスタ440は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁層436、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b、ゲート絶縁層を構成する酸化物絶縁層467、保護絶縁層468、ゲート電極層401を含み、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bにそれぞれ配線層465a、配線層465bが接して設けられ電気的に接続している。ゲート電極層401、配線層465a、配線層465b上を覆うように保護絶縁層469が形成されている。酸化物半導体層403に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系や、In-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層403は、化学式InMO3ZnOmm>0、且つmは自然数でないで表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。ボトムゲート構造のトランジスタ430において、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。基板400、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bは実施の形態1と同様な材料及び方法で形成することができる。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bに接続する配線層465a、配線層465bのような導電膜も、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bと同様な材料を用いることができる。絶縁層436、ゲート絶縁層として機能する酸化物絶縁層467は、酸化物絶縁層407と同様な材料を用いることができ、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。ゲート絶縁層として機能する保護絶縁層468、保護絶縁層469は、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、保護絶縁層409上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。トランジスタ430及びトランジスタ440において、酸化物半導体層403は、上に積層される酸化物絶縁層407、酸化物絶縁層467を通過して酸素を導入し、加熱処理を行うことによって、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層である。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成するため、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸化物半導体層への酸素の導入を、積層された酸化物絶縁層を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層中への酸素を効率よく導入することができる。また、酸化物半導体層と酸素を含む酸化物絶縁層407、及び酸化物絶縁層467とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層407、及び酸化物絶縁層467より酸化物半導体層へ供給することができる。よって、酸化物半導体層403はより高純度化し、電気的にI型真性化する。高純度化された酸化物半導体層403を用いたトランジスタ430、440は、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。また、高純度化された酸化物半導体層403を用いたトランジスタ430、440は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に該トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、該トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、表示装置の部品点数を削減することができる。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態5本実施の形態では、半導体装置の他の一形態を図1及び図5を用いて説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。本実施の形態では、トランジスタのソース電極層又は/及びドレイン電極層に導電層配線層や画素電極層などを接続する構成の一例を示す。なお、本実施の形態では、トランジスタとして実施の形態1で示したトランジスタ410を用いて説明するが、実施の形態2乃至4のいずれかで示したトランジスタにも適用できる。図5Aに示すように、トランジスタ410は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを含む。トランジスタ410上には、酸化物絶縁層407、及び保護絶縁層409が順に積層されている。実施の形態1で示したように、トランジスタ410の作製工程において、酸化物絶縁層407を、酸化物半導体層403、ソース電極層405a及びドレイン電極層405b上に形成し、酸素421を酸化物絶縁層407を通過させて酸化物半導体層441へ導入し、加熱処理を行う図1B乃至D参照。この酸素導入及び加熱処理工程において、酸素421は酸化物半導体層403の他、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bへも到達し、照射表面付近に導入される。よって、図5Aに示すように酸素421が照射されたソース電極層405a、ドレイン電極層405b表面が酸化され、酸化物絶縁層407の間に酸化金属領域404a、404bが形成される場合がある。酸化金属領域404a、404bは膜の形状となる場合もある。図5Aのような場合、保護絶縁層409上に、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bに接続する導電層を形成するための開口455a、455bは、抵抗の高い酸化金属領域404a、404bも除去し、抵抗の低いソース電極層405a及びドレイン電極層405bが露出するまで形成することが好ましい図5B参照。開口455a、455bは保護絶縁層409、酸化物絶縁層407、酸化金属領域404a、404bの一部を除去して形成する。次に、開口455a、455bにおいて露出されたソース電極層405a及びドレイン電極層405bに接するように導電層456a、456bを形成する図5C参照。導電層456a、456bは抵抗の高い酸化金属領域404a、404bを介さずに、直接抵抗の低いソース電極層405a及びドレイン電極層405bと接して設けられるために、良好な電気的接続コンタクトを行うことができる。導電層456a、456bの上に保護層としてトランジスタ410を覆う保護絶縁層457を形成してもよい図5D参照。さらに保護絶縁層457を覆うことで、開口455a、455b部分より水素、水分などの不純物が酸化物半導体層403へ侵入することを防止することができる。また、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bにおいて酸素が照射される面に酸素が導入されにくい導電膜代表的にはタングステン膜やタンタル膜を設けてもよい。例えば、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bをチタン膜とタングステン膜との積層とし、酸素の導入側にタングステン膜を設けることにより、高抵抗な酸化金属領域の形成を抑制することができる。以上のように、トランジスタの良好な電気的接続及び安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態6本実施の形態では、半導体装置の作製方法の他の一形態を説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。なお、本実施の形態は、実施の形態1乃至5のいずれかで示したトランジスタ410、420、430、440、450にも適用できる。本実施の形態では、トランジスタ410、420、430、440、450の作製方法において、酸化物半導体層と接する酸化物絶縁層407、437、426、467を形成する前に酸化物半導体層に加熱処理を行う例を示す。この加熱処理は、酸化物半導体層が形成された後、酸化物絶縁層が形成される前であれば、島状の酸化物半導体層に加工前の酸化物半導体層に行ってもよく、トランジスタ410の場合はソース電極層405a及びドレイン電極層405bの形成前でも形成後でもよい。加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満とする。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行う。加熱処理後は、大気に触れることなく酸化物絶縁層を形成し、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐことが好ましい。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を入れ、数分間加熱した後、高温に加熱した不活性ガス中から基板を出すGRTAを行ってもよい。加熱処理は、窒素、酸素、超乾燥空気水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気、または希ガスアルゴン、ヘリウムなどの雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。この加熱処理により、酸化物半導体層中の水分または水素などの不純物を低減させておくことができる。さらに、酸化物半導体層上に酸化物絶縁層を形成し、酸化物絶縁層を通過させて、酸化物半導体層に酸素を導入することで、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素または水酸基を酸素と反応させて、水を生成する。そして、酸素の導入後にさらに加熱処理を行うことで、強固に残存していた水素または水酸基などの不純物を、水として、脱離させやすくすることができる。酸化物半導体層と酸素を含む酸化物絶縁層とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層より酸化物半導体層へ供給することができる。従って、酸化物半導体層に対して、酸化物絶縁層の形成前の加熱処理、及び酸化物絶縁層を形成し酸素を導入した後の加熱処理を行えば、さらに水分、水素などの不純物が脱離した、I型真性半導体又はI型に限りなく近い酸化物半導体層を得ることができる。従って、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態7実施の形態1乃至6のいずれかで一例を示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。図6Aにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図6Aにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPCFlexibleprintedcircuit4018a、4018bから供給されている。図6BCにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図6BCにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図6BCにおいては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。また図6BCにおいては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。図6Aは、COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、図6Bは、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図6Cは、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。また第1の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1乃至6のいずれかで一例を示したトランジスタを適用することができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいう、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。半導体装置の一形態について、図7乃至図9を用いて説明する。図7乃至図9は、図6BのM-Nにおける断面図に相当する。図7乃至図9で示すように、半導体装置は接続端子電極4015及び端子電極4016を有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。接続端子電極4015は、第1の電極層4030と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、トランジスタ4010、4011のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。また第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図7乃至図9では、画素部4002に含まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示している。図7では、トランジスタ4010、4011上には酸化物絶縁層4020、保護絶縁層4024が設けられ、図8及び図9ではさらに、絶縁層4021が設けられている。なお、絶縁層4023は下地膜として機能する絶縁膜である。本実施の形態では、トランジスタ4010、トランジスタ4011として、実施の形態1乃至6のいずれかで示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010及びトランジスタ4011において、酸化物半導体層は、上に積層される酸化物絶縁層4020を通過して酸素を導入し、加熱処理を行うことによって、水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物半導体層である。酸素の導入により、酸化物半導体を構成している金属と水素の間の結合、或いは該金属と水酸基の間の結合を切断するとともに、これら水素、または水酸基が、酸素と反応することで水を生成するため、後に行われる加熱処理により、不純物である水素、または水酸基を、水として、脱離させやすくすることができる。酸化物半導体層への酸素の導入を、積層された酸化物絶縁層4020を通過して行うため、酸素の導入深さ導入領域を制御することができ、酸化物半導体層中への酸素を効率よく導入することができる。また、酸化物半導体層と酸素を含む酸化物絶縁層4020とを接した状態で加熱処理を行うため、不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層4020より酸化物半導体層へ供給することができる。よって、酸化物半導体層はより高純度化し、電気的にI型真性化する。従って、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタ4010及びトランジスタ4011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図7乃至図9で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、本実施の形態では、絶縁層4023上において駆動回路用のトランジスタ4011の酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層が設けられている例である。導電層を酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、BT試験前後におけるトランジスタ4011のしきい値電圧の変化量をさらに低減することができる。また、導電層は、電位がトランジスタ4011のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。また、該導電層は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部薄膜トランジスタを含む回路部に作用しないようにする機能特に静電気に対する静電遮蔽機能も有する。導電層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。画素部4002に設けられたトランジスタ4010は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図7に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図7において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、絶縁層4032、絶縁層4033、及び液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。また4035は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層4008の膜厚セルギャップを制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。酸化物半導体層を用いるトランジスタは、静電気の影響によりトランジスタの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する恐れがある。よって酸化物半導体層を用いるトランジスタを有する液晶表示装置にブルー相の液晶材料を用いることはより効果的である。また、液晶材料の固有抵抗は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書における固有抵抗の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の大きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。高純度の酸化物半導体層を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体層を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体層を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVモードなどを用いることができる。また、VA型の液晶表示装置にも適用することができる。VA型の液晶表示装置とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA型の液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。図8に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。隔壁4510は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。電界発光層4511は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。発光素子4513に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層4031及び隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材4005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材でパッケージング封入することが好ましい。充填材4514としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置電気泳動ディスプレイとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。なお、マイクロカプセル中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。図9に、半導体装置の一形態としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図9の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。トランジスタ4010と接続する第1の電極層4030と、第2の基板4006に設けられた第2の電極層4031との間には黒色領域4615a及び白色領域4615bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極層4031が共通電極対向電極に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と電気的に接続される。なお、図7乃至図9において、第1の基板4001、第2の基板4006としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。酸化物絶縁層4020及び保護絶縁層4024はトランジスタの保護膜として機能する。また、酸化物絶縁層4020は、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物の排除工程によって同時に酸化物半導体層から減少してしまう酸素を、酸化物半導体層へ供給する機能も有する。酸化物絶縁層4020としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層など酸素を多く含む絶縁層を、スパッタリング法を用いて形成すればよい。なお、保護絶縁層4024は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護絶縁層4024は、スパッタリング法を用いて、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁層4021は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。酸化物絶縁層4020、保護絶縁層4024、絶縁層4021の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極層4030及び第2の電極層4031画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極層4030、第2の電極層4031は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1乃至6のいずれかで示したトランジスタを適用することで、様々な機能を有する半導体装置を提供することができる。実施の形態8実施の形態1乃至6のいずれかで一例を示したトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。図10Aに、イメージセンサ機能を有する半導体装置の一例を示す。図10Aはフォトセンサの等価回路であり、図10Bはフォトセンサの一部を示す断面図である。フォトダイオード602は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線658に、他方の電極がトランジスタ640のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ640は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線672に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ656のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ656は、ゲートがゲート信号線659に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線671に電気的に接続されている。なお、本明細書における回路図において、酸化物半導体層を用いるトランジスタと明確に判明できるように、酸化物半導体層を用いるトランジスタの記号にはOSと記載している。図10Aにおいて、トランジスタ640、トランジスタ656は酸化物半導体層を用いるトランジスタである。図10Bは、フォトセンサにおけるフォトダイオード602及びトランジスタ640に示す断面図であり、絶縁表面を有する基板601TFT基板上に、センサとして機能するフォトダイオード602及びトランジスタ640が設けられている。フォトダイオード602、トランジスタ640の上には接着層608を用いて基板613が設けられている。トランジスタ640上には絶縁層631、保護絶縁層632、層間絶縁層633、層間絶縁層634が設けられている。フォトダイオード602は、層間絶縁層633上に設けられ、層間絶縁層633上に形成した電極層641と、層間絶縁層634上に設けられた電極層642との間に、層間絶縁層633側から順に第1半導体層606a、第2半導体層606b、及び第3半導体層606cを積層した構造を有している。電極層641は、層間絶縁層634に形成された導電層643と電気的に接続し、電極層642は電極層641を介してゲート電極層645と電気的に接続している。ゲート電極層645は、トランジスタ640のゲート電極層と電気的に接続しており、フォトダイオード602はトランジスタ640と電気的に接続している。ここでは、第1半導体層606aとしてp型の導電型を有する半導体層と、第2半導体層606bとして高抵抗な半導体層I型半導体層、第3半導体層606cとしてn型の導電型を有する半導体層を積層するpin型のフォトダイオードを例示している。第1半導体層606aはp型半導体層であり、p型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成することができる。第1半導体層606aの形成には13族の不純物元素例えばボロンBを含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしてはシランSiH4を用いればよい。または、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第1半導体層606aの膜厚は10nm以上50nm以下となるよう形成することが好ましい。第2半導体層606bは、I型半導体層真性半導体層であり、アモルファスシリコン膜により形成する。第2半導体層606bの形成には、半導体材料ガスを用いて、アモルファスシリコン膜をプラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしては、シランSiH4を用いればよい。または、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等を用いてもよい。第2半導体層606bの形成は、LPCVD法、気相成長法、スパッタリング法等により行っても良い。第2半導体層606bの膜厚は200nm以上1000nm以下となるように形成することが好ましい。第3半導体層606cは、n型半導体層であり、n型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成する。第3半導体層606cの形成には、15族の不純物元素例えばリンPを含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしてはシランSiH4を用いればよい。または、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第3半導体層606cの膜厚は20nm以上200nm以下となるよう形成することが好ましい。また、第1半導体層606a、第2半導体層606b、及び第3半導体層606cは、アモルファス半導体ではなく、多結晶半導体を用いて形成してもよいし、微結晶セミアモルファスSemiAmorphousSemiconductor:SAS半導体を用いて形成してもよい。微結晶半導体は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1とアモルファスシリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。この微結晶半導体膜は、周波数が数十MHz~数百MHzの高周波プラズマCVD法、または周波数が1GHz以上のマイクロ波プラズマCVD装置により形成することができる。代表的には、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を5倍以上200倍以下、好ましくは50倍以上150倍以下、更に好ましくは100倍とする。さらには、シリコンを含む気体中に、CH4、C2H6等の炭化物気体、GeH4、GeF4等のゲルマニウム化気体、F2等を混入させてもよい。また、光電効果で発生した正孔の移動度は電子の移動度に比べて小さいため、pin型のフォトダイオードはp型の半導体層側を受光面とする方がよい特性を示す。ここでは、pin型のフォトダイオードが形成されている基板601の面からフォトダイオード602が受ける光を電気信号に変換する例を示す。また、受光面とした半導体層側とは逆の導電型を有する半導体層側からの光は外乱光となるため、電極層は遮光性を有する導電膜を用いるとよい。また、n型の半導体層側を受光面として用いることもできる。絶縁層631、保護絶縁層632、層間絶縁層633、層間絶縁層634としては、絶縁性材料を用いて、その材料に応じて、スパッタリング法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いて形成することができる。絶縁層631としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、又は酸化窒化アルミニウム層などの酸化物絶縁層の単層、又は積層を用いることができる。保護絶縁層632としては、無機絶縁材料としては、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム層などの窒化物絶縁層の単層、又は積層を用いることができる。またμ波2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。層間絶縁層633、634としては、表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁層が好ましい。層間絶縁層633、634としては、例えばポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いることができる。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等の単層、又は積層を用いることができる。フォトダイオード602に入射する光を検出することによって、被検出物の情報を読み取ることができる。なお、被検出物の情報を読み取る際にバックライトなどの光源を用いることができる。トランジスタ640として、実施の形態1乃至6で一例を示したトランジスタを用いることができる。水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、高純度化された酸化物層を含むトランジスタは、トランジスタの電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態9本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図11Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる。図11Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能等を有することができる。なお、図11Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ以下、コンバータと略記9636を有する構成について示している。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部9631に適用することにより、信頼性の高い電子書籍とすることができる。図11Aに示す構成とすることにより、表示部9631として半透過型、又は反射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池9633による発電、及びバッテリー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池9633は、筐体9630の空きスペース表面や裏面に適宜設けることができるため、効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また図11Aに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図11Bにブロック図を示し説明する。図11Bには、太陽電池9633、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池9633で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。次いで外光により太陽電池9633により発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでコンバータ9637により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作にバッテリー9635からの電力が用いられることとなる。なお太陽電池9633については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。図12Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部3003に適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図12Bは、携帯情報端末PDAであり、本体3021には表示部3023と、外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部3023に適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図12Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705が組み込まれ、筐体2703には表示部2707が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12Cでは表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図12Cでは表示部2707に画像を表示することができる。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部2705、表示部2707に適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とすることができる。また、図12Cでは、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図12Dは、携帯電話であり、筐体2800及び筐体2801の二つの筐体で構成されている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体2801内部に内蔵されている。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示パネル2802に適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル2802はタッチパネルを備えており、図12Dには映像表示されている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル2802は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図12Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2808はACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図12Eは、デジタルビデオカメラであり、本体3051、表示部A3057、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部B3055、バッテリー3056などによって構成されている。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部A3057、表示部B3055に適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図12Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。実施の形態1乃至8のいずれかで示した半導体装置を表示部9603に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。本実施例では、実施の形態4の図4Bに示したトップゲート構造のトランジスタを作製し、トランジスタの作製と同時に、シート抵抗評価用TEGTestElementGroupを作製し、酸素導入による酸化物半導体層のシート抵抗を評価した。まず、トランジスタ、及びTEGの作製方法について図13A、及び図13Bを用いて説明する。図13Aに示すように、トランジスタ540は、絶縁表面を有する基板500上に、下地層536、酸化物半導体層503、ソース電極層505a、ドレイン電極層505b、ゲート絶縁層567、ゲート電極層501、保護絶縁層569、配線層565a、及び配線層565bにより構成されている。また、TEG550は、絶縁表面を有する基板500上に、下地層536、酸化物半導体層503、ソース電極層505a、及びドレイン電極層505bと同時に形成される電極層505c、及びゲート絶縁層567により構成されている。なお、図13Aに示したTEG550は、図13Bに示す破線AA1-AA2間の断面である。図13Aに示したTEG550の平面図を図13Bに示す。酸化物半導体層503上に、電極層505cが櫛歯状に形成されており、電極層505cに電位を与えることで、酸化物半導体層503のシート抵抗が測定できる。なお、電極層505cが形成されていない領域は、L/W=100/50000μmである。次に、図13に示したトランジスタ540及びTEG550の作製方法について説明する。はじめに、基板500上に下地層536として、スパッタリング法を用いて酸化シリコン膜膜厚300nmを100°Cにて成膜した。次に、下地層536上にIn-Ga-Zn-O系金属酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1を用いて、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、アルゴン及び酸素アルゴン:酸素=30sccm:15sccm雰囲気下、200°Cで成膜を行い、膜厚30nmの酸化物半導体層を形成した。次に、酸化物半導体層を選択的にエッチングし、島状の酸化物半導体層503を形成した。その後、酸化物半導体層503上にソース電極層及びドレイン電極層として機能する導電膜として、タングステン膜膜厚50nmを、スパッタリング法を用いて200°Cで成膜した。ここで、タングステン膜を選択的にエッチングし、ソース電極層505a、ドレイン電極層505b、及び電極層505cを形成した。次に、ソース電極層505a、ドレイン電極層505b、電極層505c、一部が露出した酸化物半導体層503、及び下地層536上にゲート絶縁層567を形成した。ゲート絶縁層567としては、プラズマCVD法により酸化窒化シリコン膜膜厚30nmを形成した。なお、本実施例においては、図4Bに示したゲート絶縁層として機能する保護絶縁層は形成していない。次に、ゲート絶縁層567を通過させて酸化物半導体層503に酸素を導入酸素導入した。酸素の導入方法としては、イオン注入法を用い、ソースガスとして16O216O、加速電圧25keVにて処理を行った。なお、酸素の導入は、酸素導入なし、酸素導入ありドーズ量4.5×1014ions/cm2、及び、酸素導入ありドーズ量4.5×1015ions/cm2の3条件振りを行い、3試料を作製した。次に、窒素雰囲気にて450°C1時間の第1の熱処理を行った後、ゲート絶縁層567上にゲート電極層として、スパッタリング装置を用いて、窒化タンタル膜膜厚30nmとタングステン膜膜厚370nmを積層成膜し、選択的にエッチングを行い、ゲート電極層501を形成した。次に、ゲート電極層501、及びゲート絶縁層567に接するように保護絶縁層569としてスパッタリング法を用いて、酸化シリコン膜膜厚300nmを200°Cで成膜した。ここで、保護絶縁層569である酸化シリコン膜、及びゲート絶縁層567を選択的にエッチングし、コンタクト領域に開口部を形成した。次に、接続配線として、スパッタリング法を用いて、チタン膜膜厚50nm、アルミニウム膜膜厚100nm、チタン膜膜厚5nmの3層を順に積層し、選択的にエッチングを行い配線層565a、及び配線層565bを形成した。以上の工程でトランジスタ540、及びTEG550を形成した。図13に示したTEG550を用いて、酸化物半導体層503のシート抵抗測定を行った。シート抵抗測定結果を図14に示す。図14に示すグラフは縦軸がシート抵抗の測定結果を示し、横軸は各酸素導入条件を示している。なお、横軸に示すプロット571は、酸素導入なし、プロット572は、酸素導入ありドーズ量4.5×1014ions/cm2条件、プロット573は、酸素導入ありドーズ量4.5×1015ions/cm2条件をそれぞれ示している。また、各プロットはガラス基板上に形成したシート抵抗評価用TEGが13個分のデータを示している。図14より、プロット571の酸素導入なしにおいては、シート抵抗が1.0×107~1.7×108Ω/cm2となり、プロット572の酸素導入ありドーズ量4.5×1014ions/cm2条件においては、シート抵抗が1.0×108~1.0×109Ω/cm2となり、プロット573の酸素導入ありドーズ量4.5×1015ions/cm2条件においては、シート抵抗が1.0×108~1.0×1010Ω/cm2となっている。以上のように、酸化物半導体層503に対し、酸化物絶縁層であるゲート絶縁層567を通過して酸素導入を行うことで、酸化物半導体層503のシート抵抗が上昇していることが分かる。また、酸素導入の導入濃度により酸化物半導体層503のシート抵抗を制御できることが確認された。以上の結果により、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層ゲート絶縁層を形成し、酸化物絶縁層を通過して酸素を導入酸素導入し、加熱処理を行うことで、酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む酸化物絶縁層より酸化物半導体層へ供給することができる。よって、酸化物半導体層はより高純度化し、電気的にI型真性化になり、酸化物半導体層のシート抵抗が上昇している。よって、安定した電気特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置、及び信頼性の高い半導体装置を提供することができる。本実施例は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。