"基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第1電極と、これら複数の第1電極を覆うとともに発光層を含む1層以上の有機層と、半透過反射性を有する第2電極とを含む画素を複数備えた有機EL表示装置であって、前記反射層と前記第2電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第1電極の膜厚が異なっており、前記基板上には、前記第1電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜は、前記第1電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする有機EL表示装置。前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。前記第1電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、前記第1電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL表示装置。前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。前記画素同士の間の距離L1と前記サブ画素同士の間の距離L2とがL1<L2の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置。前記第1電極の平面視における大きさが各画素で等しいことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の有機EL表示装置。従来の技術では、白色有機材料の特性スペクトル特性や電流-輝度効率などからバランスの良いRGBの光束を得ることは容易ではない。これは、各色の発光強度が均一でないことと、有機材料の寿命の観点から特定色の発光強度のみを強めることができないことに起因する。これに対するアプローチとして、上記特許文献1では各色の画素ピッチを変調させているが、マイクロディスプレイに応用することは製造上難しい。また、寄生容量が各色で異なるため色ムラなどの原因にもなるという課題がある。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御を画素毎に行うことによって最適な色合成を実現することのできる有機EL表示装置を提供することを目的の一つとしている。本発明の有機EL表示装置は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する複数の第1電極と、これら複数の第1電極を覆うとともに発光層を含む1層以上の有機層と、半透過反射性を有する第2電極とを含む画素を複数備えた有機EL表示装置であって、前記反射層と前記第2電極の間の反射によって共振する光の波長が異なる色の前記画素ごとに前記第1電極の膜厚が異なっており、前記基板上には、前記第1電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜は、前記第1電極の表面を部分的に露出させるとともに前記画素ごとに開口面積を異ならせた開口を有していることを特徴とする。これによれば、色毎に第1電極の膜厚を異ならせることによって、反射層と第2電極との間の光路長に応じた波長を有する光が反射層と第2電極との間で共振し、共振した光が第2電極側から射出されることになる。このような共振器構造において、絶縁膜の開口の大きさを異ならせることで各色の発光面積を制御することにより、各画素の発光状態を均一にすることができる。これにより、各画素からは、発光光量が略等しい各色の光が射出され、最適な色合成を実現することができる。また、本発明では、画素ごとに有機層を形成する必要がないため狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。また、前記波長が短い色ほど前記開口面積が大きくなるように形成されている構成としてもよい。これによれば各画素の発光状態を均一にすることができる。また、従来の製造方法を用いて容易に形成することができ、簡単な構成のためコストを抑えられる。また、前記第1電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、前記第1電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている構成としてもよい。これによれば、第1電極を複数の電極層による積層構造とすることで、第1電極の周縁部分には段差が形成されることになるが、この段差部分を絶縁膜で覆うことにより、第1電極と有機層とを部分的に絶縁し、段差上の有機層に電流が流れないようにする。これにより、第1電極の周縁部分側面に段差が形成された場合でも、段差上の有機層から意図しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。これにより各画素周縁における色むらの発生を防ぐことができる。また、前記画素内に前記波長の異なるサブ画素を複数有し、前記絶縁膜に前記サブ画素ごとに前記開口面積が異なる開口が形成されている構成としてもよい。これによれば、波長の異なる複数のサブ画素によって表示単位画素が構成され、その結果、各サブ画素から得られる色を混色させてフルカラー表示を行うことが可能である。また、前記画素同士の間の距離L1と前記サブ画素同士の間の距離L2とがL1<L2の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、前記サブ画素同士の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている構成としてもよい。これによれば、第1電極間において絶縁膜の膜厚を部分的に厚膜化することによって、その上に積層される有機層の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機層が部分的に薄膜化されてこの部分に電流が流されてしまうことが防止されるので、開口周縁における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各画素からは純粋な色の光が得られるようになる。また、前記第1電極の平面視における大きさが各画素で等しい構成としてもよい。これによれば、第1電極の平面視における大きさが各画素で等しいため、第1電極のパターン形成を容易に行える。また、前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている構成としてもよい。これによれば、反射層を画素ごとにパターン形成することで材料コストを削減できる。以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。[第1実施形態]図1は、本実施形態における有機EL表示装置の構成を示す平面図である。図1に示すように、本実施形態の有機EL表示装置100は、基板10A上の表示領域4には、R,G,Bに対応して設けられたサブ画素3R,3B,3Gがマトリクス状に規則的に配置されている。これらR,G,Bに対応する3つのサブ画素3R,3B,3Gが一つの基本単位となって表示単位画素3を構成しており、これによって、表示単位画素3はRGBの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。このとき、各サブ画素3R,3B,3Gの配列は、一方向にR,G,Bが繰り返し並ぶように配列されている。図2は、本実施形態における有機EL表示装置の全体構成を示す回路図である。図2に示すように、本実施形態の有機EL表示装置100は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に平行して延在する複数の電源供給線103とがそれぞれ配線された回路構成を有するとともに、走査線101および信号線102の各交点付近に、R,G,Bに対応するサブ画素3R,3B,3Gが設けられている。これら3つのサブ画素3R,3B,3Gは走査線101の延在方向に沿ってこの順番に設けられる。信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタおよびアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路120が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタおよびレベルシフタ等を備える走査側駆動回路80が接続されている。サブ画素3R,3B,3Gの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ112と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、この保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動トランジスタ123と、この駆動トランジスタ123を介して電源供給線103に電気的に接続した時に当該電源供給線103から駆動電流が与えられる画素電極第1電極16と、この画素電極16と対向電極との間に有機EL発光層が挟み込まれてなる有機EL素子7と、が設けられている。図3は、表示単位画素の構造を示す図であって、aは平面図、bは断面図である。図3a,bに示すように、表示単位画素3を構成するサブ画素3R,3B,3Gは互いに異なる大きさの発光領域17を有している。ここで、発光領域17とは、対向電極第2電極18、有機EL発光層発光層19および各画素電極16R,16G,16Bが重なって積層形成された領域である。本実施形態では、表示単位画素3内における各サブ画素3R,3B,3G同士の距離L1は1.5μmとなっている。さらに、表示単位画素間の距離L2はサブ画素間の距離L1よりも大きく、L1<L2の関係となっている。図4は、有機EL表示装置の全体構成を示す断面図、図5は、各サブ画素における画素電極の膜厚を示す模式図である。また、図6は、絶縁膜の構成を1画素領域に着目して示す平面図である。本実施形態の有機EL表示装置100は、トップエミッション構造であって、図4に示すように、基板10A上の表示領域4図1内におけるサブ画素3R,3B,3Gごとに、有機EL素子7とこの有機EL素子7を発光駆動させる駆動回路8とが設けられたアクティブマトリクス基板10と、アクティブマトリクス基板10上に電気光学層30を介して対向配置されたカラーフィルター基板20とを備えている。以下、各構成要素について具体的に述べる。図4に示すように、駆動回路8は、基板10A上に形成されたデバイス層12の内部に形成され、薄膜トランジスタ不図示、駆動トランジスタ123、保持容量113、画素電極16により構成される。薄膜トランジスタ不図示および駆動トランジスタ123は、基板10A上に形成された半導体層41aのドレイン領域に接続されたドレイン電極41dと、半導体層41aのソース領域と接続されたソース電極41cと、半導体層41aを覆うゲート絶縁膜41b上に形成されたゲート電極41eとで構成されている。ドレイン電極41dおよびソース電極41cは層間絶縁膜43上に形成されている。そして、ドレイン電極41dは、電源供給線103に接続され、ソース電極41cは、ソース電極41cおよびドレイン電極41dを覆うように形成されたカバー層44および平坦化膜45,46を貫通して形成された各コンタクトホールHを介して、対応する各画素電極16R,16G,16Bと接続されている。本実施形態の有機EL表示装置100はトップエミッション構造を有していることから、有機EL素子7の発光光が対向電極18側から射出するように、画素電極16R,16G,16Bと基板10Aとの間には各サブ画素3R,3G,3Bに対応する反射層14が複数設けられている。反射層14は、デバイス層12の表面上にサブ画素3R,3B,3Gごとにパターン形成されたものであり、光反射率の高い材料より形成されている。反射層14の形成材料として、例えば、アルミニウム、銀、あるいは銀の合金などが挙げられる。反射層14は、有機EL素子7の発光光のうち、画素電極16R,16G,16Bを透過して基板10A側に射出される光を反射して対向電極18側へと射出させる。なお、反射層14は、デバイス層12の表面上の領域コンタクトホールHの形成領域を除く領域全体にベタ状に形成されていてもよい。デバイス層12平坦化層46の表面上には、サブ画素3R,3B,3Gごとに膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bが形成されている。この画素電極16R,16G,16Bは、その全てが平面視において反射層14と重なる領域に形成されており、複数の透明電極膜による積層構造あるいは、単一の透明電極膜による単層構造とされている。具体的には、画素3Rの画素電極16Rは3層の透明電極膜電極層16a,16b,16cからなり、画素3Gの画素電極16Gは2層の透明電極膜16b,16cからなり、画素3Bの画素電極16Bは1層の透明電極膜16cからなっている。各画素電極16R,16G,16Bを形成する際には、まず、画素3Rに対応する領域に膜厚40nmの第1透明電極膜16aを形成する。その後、第1透明電極膜16aの略全体を覆うようにして第2透明電極膜16bを形成し、同時に、画素3Gに対応する領域にも第2透明電極膜16bを形成する。この第2透明電極膜16bの膜厚は40nmである。次に、画素3Rおよび画素3G内に第2透明電極膜16bの略全体を覆うようにして膜厚20nmの第3透明電極膜16cを形成し、同時に、画素3Bに対応する領域にも第3透明電極膜16cを形成する。この結果、図5に示すように、画素3Rの画素電極16Rの膜厚t1は100nm、画素3Gの画素電極16Gの膜厚t2は60nm、画素3Bの画素電極16Bの膜厚t3は20nmとなる。このようにして、サブ画素3R,3B,3Gごとに総膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bを設ける。なお、平面視矩形状を呈する画素電極16R,16G,16Bの大きさ表面積は互いに等しい。このような画素電極16R,16G,16Bの周縁部は絶縁膜22によって覆われている。絶縁膜22は、デバイス層12の表面12a露出した部分から各画素電極16R,16G,16Bの表面161上に一部乗り上げるようにして周縁部162を覆い、所定の膜厚で形成されている。本実施形態における絶縁膜22の膜厚は20nmである。ここで、隣り合う画素電極16R,16G,16Bどうしの総膜厚は異なるものの、隣り合うサブ画素3R,3B,3G間に形成される絶縁膜22の厚さは一定であり、同一工程においてパターン形成される。デバイス層12の表面12aと各画素電極16R,16G,16Bの表面161との間に形成される段差部Qはこの絶縁膜22によって覆われている。本実施形態の絶縁膜22は、各画素電極16R,16G,16Bの表面中央側を部分的に露出させるとともに、各色のサブ画素3R,3B,3Gごとに開口面積を異ならせた開口22R,22G,22Bを有している。開口面積を各色のサブ画素3R,3B,3Gごとに異ならせることにより、これよりも上層に積層される有機EL発光層19の発光領域を制御することができる。具体的に、各色に対応する開口22R,22G,22Bはどれも平面視における画素電極16R,16G,16Bの表面積よりも小さい開口面積を有し、反射層14と対向電極18の間の反射によって共振する光の波長に応じた開口面積に調整されている。図6に示すように、絶縁膜22に形成された開口22R,22G,22Bの長手方向の長さL3は各サブ画素3R,3G,3Bで等しく、例えば11μmである。短手方向の幅W1,W2,W3は色毎に異なっており、W1=2.5μm、W2=3.0μm、W3=3.5μmである。よって、各色に対応する開口面積の関係は、サブ画素3Rの開口面積<サブ画素3Gの開口面積<サブ画素3Bの開口面積となり、共振する光の波長が短い色の画素ほど開口面積が大きい。絶縁膜22に形成された各開口22R,22G,22Bの開口面積に応じて上記した各サブ画素3R,3B,3Gの発光領域が設定されることになる。図4に戻り、絶縁膜22とその各開口22R,22G,22Bから露出する画素電極16R,16G,16Bの表面161を覆うようにして有機EL発光層19が形成されている。有機EL発光層19は、画素電極16R,16G,16B側から、例えば、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層などの、有機層からなる各機能層有機EL発光層19以外は不図示が順に積層されたものであり、積層された複数の機能層の総厚は、R,G,Bの各サブ画素3R,3B,3Gにおいて略同じ厚さで形成されている。また、各機能層は、例えば、アミン系有機材料などといった有機材料によって形成されている。有機EL発光層19は、青色発光機能層と黄色発光機能層が積層され、発光領域から白色光を射出するように構成されている。なお、有機EL素子7を構成する各機能層は、これに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが同一層とされた構成や、有機EL発光層19が全ての機能層を兼ねた構成など、他の構成であっても良い。対向電極18は、半透過反射性を有する材料を用いて、有機EL発光層19の表面全体にベタ状に形成されている。上記した画素電極16は導電性を有するとともに光透過性を有する材料で形成されている。一方、光路中に存在する対向電極18は、例えば光が透過する程度に薄く形成された金属材料や、光透過性と光反射性を両方備えた材料で形成されている。これにより、反射層14において反射された光は画素電極16を透過して対向電極18へと入射し、その一部が画素電極16側へ反射され、再び反射層14で反射されることになる。この結果、反射層14と対向電極18との間の光路長に応じた波長を有する光が、反射層14と対向電極18との間で共振し、共振した光が対向電極18側から射出されることになる。アクティブマトリクス基板10上に電気光学層30を介して対向配置されるカラーフィルター基板20は、ガラス基板などの透明基板20A上に遮光膜21によって区画されたRフィルター2R、Gフィルター2G、Bフィルター2Bが各色に対応するサブ画素3R,3B,3Gの配列に合わせて形成されたものであって、各フィルター2R,2G,2Bは各サブ画素3R,3G,3Bの発光領域と重なるように配置されている。各フィルター2R,2G,2Bの形状は、各開口22R,22G,22Bの平面形状に沿った矩形形状とされている。また、これら各フィルター2R,2G,2Bの表面積は、それぞれ対応する絶縁膜22の各開口22R,22G,22Bの開口面積に略等しい。そして、サブ画素3R,3G,3Bの各発光領域から射出された白色光は、Rフィルター2R、Gフィルター2G、Bフィルター2Bによって、それぞれR光、G光、B光に変換される。よって、各発光領域の明るさに応じた色の光が各フィルター2R,2G,2Bから射出されることによって、それぞれ各サブ画素3R,3G,3Bを形成してカラー画像が表示される。本実施形態の有機EL表示装置100は、白色の有機EL発光層19が形成される基板10A側には光の3原色であるRGB内にそれぞれ膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bが形成されている。このため、画素電極16R,16G,16Bの下方に位置する反射層14と、画素電極16R,16G,16Bの上方に位置する対向電極18との間にそれぞれ異なる光共振構造が形成され、発光領域において各RGBに対応した3種類の異なる発光スペクトルが得られるようになっている。膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bの各表面161と基板10Aの表面との間には大きさの異なる段差部Qが生じてしまう。本実施形態では、透明電極層の積層数を異ならせることで画素電極16R,16G,16Bの総膜厚を変化させている。このため、積層構造とされた画素電極16R,16Gの周縁部分は薄く形成され、この部分的に薄くなった画素電極16R,16G,16Bの周縁部分、すなわち段差部Qと対向電極18との間では光路長さが変化してしまい、所望の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルとなって不要な光が射出されてしまう。そこで、本実施形態では、このような画素電極16R,16G,16Bの段差部Qの全体を覆うようにして、デバイス層12の表面から画素電極16R,16G,16Bの表面161上周縁部162にかけて絶縁膜22を形成することで、画素電極16R,16G,16Bの段差部Q周縁部162も含むと有機EL発光層19とを部分的に絶縁し、段差部Q上の有機EL発光層19に電流が流れないようにしている。これにより、積層構造を有する画素電極16R,16G,16Bの側面に段差部Qが形成されたとしても、段差部Q上の有機EL発光層19から所望しない発光スペクトルの光が射出されてしまうのを防止することができる。よって、絶縁膜22の開口22R,22G,22Bの周辺部分で色むらが生じることが防止され、各サブ画素3R,3G,3Bからは所望とする発光スペクトルの光が得られることになる。また、本実施形態では、画素電極16R,16G,16Bと駆動回路8との導通領域を覆うようにして絶縁膜22が形成されている。画素電極16R,16G,16Bは、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールHを介して、駆動回路8の駆動トランジスタ123のドレイン電極41dに接続されている。このコンタクトホールHが形成される箇所には反射層14を形成することができないため、共振構造とすることができない。このため、コンタクトホールH上の有機EL発光層19が発光しないようにこのような導通領域を絶縁膜22で覆った構成となっている。これにより、各サブ画素3R,3G,3Bから純粋な色のR光、G光、B光が得られるようになる。また、本実施形態では、絶縁膜22に形成された開口22R,22G,22Bの開口面積をサブ画素3R,3B,3Gごとに異ならせてある。つまり、絶縁膜22の各開口22R,22G,22Bの大きさによってRGBに対応する各有機EL素子7の発光面積を制御している。各サブ画素3R,3G,3Bには同じ構成を有する駆動回路8が設けられている。このため、各駆動回路8に同じ電流を流したとしても波長の異なるサブ画素3R,3G,3B間では光具合が違ってくる。そこで、絶縁膜22の開口面積の大きさを異ならせてサブ画素3R,3G,3Bの発光面積を制御することによって、各サブ画素3R,3G,3Bにおける発光状態を整えることが可能となる。ここで、RGBの各波長の関係は、青色の波長<緑色の波長<赤色の波長となっている。このため、各色のサブ画素3R,3G,3Bに対応する開口22R,22G,22Bの開口面積の関係としては、波長が短い色ほど開口面積が大きくなるように設定する。つまり、開口22Rの開口面積<開口22Gの開口面積<開口22Bの開口面積とすることによって、各サブ画素3R,3G,3Bにおける光の強さを均一にすることが可能となる。これにより、各サブ画素3R,3G,3Bからは発光光量が略等しいR光,G光,B光のいわゆる3原色の光が射出され、サブ画素3R,3G,3B間におけるカラーバランスを整えることができる。したがって、白色有機材料の特性に合わせた発光領域の制御をサブ画素3R,3G,3Bごとに行うことによって、最適な色合成を実現することができる。また、本実施形態の構成によれば、画素ピッチをサブ画素3R,3G,3Bごとに制御する必要がないことから狭ピッチな画素配列を実現でき、マイクロディスプレイなどの微小な表示画面にも対応可能となる。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態の有機EL表示装置について説明する。図7は、第2実施形態の有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。以下に示す本実施形態の有機EL表示装置の基本構成は、上記第1実施形態と略同様であるが、絶縁膜の構成において異なる。よって、以下の説明では、絶縁膜の構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1~図6と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。上記実施形態における有機EL表示装置200では、絶縁膜22が、画素電極16R,16G,16Bの段差部Qを覆うようにしてサブ画素3R,3G,3B間で一定の膜厚で形成されている。このため、絶縁膜52は、画素電極16R,16G,16Bの段差部Qの形状を反映させるようにして形成されることから、その表面に微細な凹凸が形成されて、有機EL材料の付きまわりが低下するおそれがある。有機EL発光層19の膜厚が不均一になると対向電極18の膜厚に影響が出てしまう。そこで、本実施形態の有機EL表示装置200は、サブ画素3R,3G,3B間の絶縁膜52の膜厚を部分的に厚く形成することにより、開口52R,52G,52Bを除くサブ画素3R,3G,3B間に生じた段差部分、つまり、画素電極16R,16G,16Bの各段差部Q上の表面形状を平坦化する構成とした。絶縁膜52の表面52aの高さ位置はサブ画素3R,3G,3B間で一致する。すなわち、サブ画素3Rとサブ画素3Gとの間に存在する絶縁膜52の膜厚と、サブ画素3Gとサブ画素3Bとの間に存在する絶縁膜52の膜厚は略等しい。ここで、各開口52R,52G,52Bはカラーフィルター基板20側に向かってテーパー状に広がるように形成されており、これによって画素電極16R,16G,16Bの表面161と絶縁膜52の表面52aの間に形成される段差が緩和され、有機EL材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機EL発光層19が局所的に薄く形成されるのを防止できる。有機EL材料の付きまわりが悪い場合、その部位では有機EL発光層19が局所的に薄膜化し、平坦部位と比較して薄膜化した部分に大きな電流が流れてしまう。この場合、所望とする発光領域の周辺が発光してしまうことになる。このため、本実施形態のように、画素電極16R,16G,16Bの周縁部分に形成される段差部Qの形状が反映されないように、隣り合う画素電極16R,16G,16B同士の間において絶縁膜52の膜厚を部分的に厚膜化することにより、その表面52a上に形成される有機EL発光層19の材料の付きまわりを良くすることができる。これにより、有機EL発光層19が部分的に薄膜化してこの部分に電流が流れてしまうことが防止されるので、開口周辺における意図しない発光をなくすことができる。これにより、各サブ画素3R,3G,3Bから純粋な色のR光、G光、B光が得られるようになる。また、絶縁膜52の各開口52R,52G,52Bがカラーフィルター基板20側に向けて拡がるようにテーパー状に形成されていることから、画素電極16R,16G,16Bの周縁部162を覆う絶縁膜52の開口周縁部分、つまり、絶縁膜52の表面52aと画素電極16R,16G,16Bの表面161との間に段差が形成されることが防止される。これにより、画素電極16R,16G,16B上における有機EL発光層19が局所的に薄膜化してしまうのを防ぐことができるので、開口周辺部分において意図しない発光が生じるのをより防止することができる。また、このように画素電極16R,16G,16Bの周縁段差を緩和するように絶縁膜52を厚く形成することで、有機EL発光層19の局所的な薄膜化を防止できるとともにその上に積層される対向電極18の膜厚を均一にすることが可能となる。互いに隣り合う表示単位画素3どうしの間図7の左端の部分の距離L2は、各表示単位画素3内の各サブ画素3R,3B,3G同士の距離L1よりも大きくL1<L2なっていることから、段差の影響が小さくなる。言い換えれば、各サブ画素3R,3B,3G同士の間では段差の影響が大きいことになる。そのため、各サブ画素3R,3B,3G同士の間の絶縁膜52の厚さを、表示単位画素3どうしの間の絶縁膜52図7の左端または右端よりも厚くすることが好ましい。このように、絶縁膜52の膜厚を部分的異ならせることで段差による影響を抑えることが可能である。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、第2実施形態において、絶縁膜52の各開口52R,52G,52Bがテーパー形状をなすものに限らず、絶縁膜52の表面52aと画素電極16R,16G,16Bの表面161との間の段差が緩和され、有機EL発光層19の局所的な薄膜化を防止できればよい。"