"A下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、B光酸発生剤、C下記一般式3で表される化合物、及びD溶剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式4及び/又は下記一般式5の繰り返し単位を含むものであることを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式6で示される繰り返し単位を含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポジ型レジスト組成物。前記C成分の含有量が、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~10質量部であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のポジ型レジスト材料。A下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、B光酸発生剤、C下記一般式3で表される化合物、及びD溶剤を含有するポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理してフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜上に保護膜を設ける工程と、水を介して波長180-250nmの高エネルギー線で液浸露光する工程と、アルカリ現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式4及び/又は下記一般式5の繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式6で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のパターン形成方法。前記C成分の化合物の含有量を、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~10質量部とすることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、解像性、特には焦点深度DOF特性に優れると共に、良好なパターン形状を与えることができるポジ型レジスト組成物、保護膜を形成し水を介して露光を行う液浸リソグラフィーにおけるパターン形成方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明によれば、A下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、B光酸発生剤、C下記一般式3で表される化合物、及びD溶剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物を提供する。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。このような本発明のポジ型レジスト組成物を用いれば、解像性に優れ、特に、抜きトレンチパターン性能や残し孤立パターン性能のDOF特性が向上する。また、良好なパターン形状を与えることができるレジスト膜を形成することができる。また、前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式4及び/又は下記一般式5の繰り返し単位を含むものであることが好ましい。このように、本発明のA成分の樹脂が、更に、ラクトン環を有する、上記一般式4及び/又は上記一般式5の繰り返し単位を含むものであれば、レジスト膜が密着性に優れるものとなり、更に好ましい形状を有するレジストパターンを得ることができる。また、前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式6で示される繰り返し単位を含むものであることが好ましい。このように、前記A成分の樹脂が、更に、ヒドロキシル基を有する、上記一般式6で示される繰り返し単位を含むものであれば、酸拡散を抑制し良好な解像性を得ることができる。また、前記C成分の含有量が、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~10質量部であることが好ましい。このようなC成分の含有量であれば、上記本発明の効果が十分に発揮されるために好ましい。また、本発明では、A下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、B光酸発生剤、C下記一般式3で表される化合物、及びD溶剤を含有するポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理してフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜上に保護膜を設ける工程と、水を介して波長180-250nmの高エネルギー線で液浸露光する工程と、アルカリ現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。このように、上記のようなポジ型レジスト組成物を用いた本発明のパターン形成方法であれば、従来の保護膜を形成して液浸露光を行った場合に生じる可能性があるパターン形状の劣化や解像性の劣化を抑制することができる。具体的には、矩形性の高いパターン形状を得ることができ、また、焦点深度DOFに優れ、具体的にはトレンチパターンや孤立パターンのDOF特性に優れる。また、前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式4及び/又は下記一般式5の繰り返し単位を含むことが好ましい。このように、本発明で用いるA成分の樹脂が、更に、ラクトン環を有する、上記一般式4及び/又は上記一般式5の繰り返し単位を含むものであれば、レジスト膜が密着性に優れるものとなり、得られるパターン形状が更に好ましいものとなる。また、前記A成分の樹脂は、更に、下記一般式6で示される繰り返し単位を含むことが好ましい。このように、本発明のA成分の樹脂が、更に、ヒドロキシル基を有する、上記一般式6で示される繰り返し単位を含むものであれば、酸拡散を抑制し、良好な解像性を得ることができる。また、前記C成分の化合物の含有量を、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~10質量部とすることが好ましい。このようなC成分の含有量であれば、上記本発明の効果が十分に発揮されるために好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、解像性に優れ、特には孤立パターン、トレンチパターンのいずれにおいても良好なDOF特性が得られる。また、本発明においては、良好な形状のレジストパターンが形成されるという効果も得られる。特に、このようなポジ型レジスト組成物は、保護膜を形成して、水を介して露光を行う液浸リソグラフィーにおいて非常に有用である。また、本発明のパターン形成方法であれば、従来の保護膜を形成して液浸露光を行った場合に生じる可能性があるパターン形状の劣化や解像性の劣化を抑制することができる。具体的には、矩形性の高いパターン形状を得ることができ、また、焦点深度DOFに優れ、具体的にはトレンチパターンや孤立パターンのDOF特性に優れる。上記のように、例えば保護膜を形成した場合にもトップロス等の問題が生じることなく、パターン形状や解像性、特には焦点深度DOF特性の劣化を抑制することができるポジ型レジスト組成物が求められていた。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アダマンタン環を有する酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した繰り返し単位後述する一般式1で表される繰り返し単位、及び、特定の単環構造の酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した繰り返し単位後述する一般式2で表される繰り返し単位を有する樹脂Aと、後述する一般式3で表される化合物C、光酸発生剤B、溶剤Dを含有するポジ型レジスト組成物であれば、解像性やパターン形状の矩形性に優れるため、レジスト材料として精密な微細加工に極めて有効であることを知見し、本発明をなすに至った。特に、本発明のポジ型レジスト組成物を用いれば、孤立パターン、トレンチパターンのいずれにおいても良好なDOF特性が得られることを見出した。尚、DOFとは、同一露光量において、焦点を上下にずらして露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる寸法でレジストパターンを形成できる焦点深度の範囲、すなわちマスクパターンに忠実なレジストパターンが得られる範囲のことであり、DOFは大きいほど好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、A成分として、下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂を含有する。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。酸不安定基を含む繰り返し単位である、上記一般式1で表される繰り返し単位は、アダマンタン環を有する酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した繰り返し単位である。この繰り返し単位をA成分の酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂の構成要素に導入することで、高解像性を得ることができる。酸不安定基を含む繰り返し単位である、上記一般式2で表される繰り返し単位は、特定の単環構造の酸不安定基で、溶解性基であるカルボン酸を保護した繰り返し単位である。このように、A成分の酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂の構成要素に、単環構造ユニットを導入することで、脂溶性を低減させ、かつ、レジスト溶解コントラストを高めることができ、後述するC成分との組み合わせにより、解像性、特には焦点深度DOF特性に優れると共に、良好なパターン形状を与えることができるポジ型レジスト組成物となる。上記一般式2で表される繰り返し単位のうち、下記で表される繰り返し単位が特に好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物に含まれるA成分の樹脂は、前記一般式1で表される繰り返し単位、及び前記一般式2で表される繰り返し単位に加え、更に水酸基及び/又はラクトン環を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。このように、A成分の樹脂が、水酸基やラクトン環を有する繰り返し単位を含むことで、微細なパターンにおいても十分な矩形性を得ることができる。密着性基としてラクトン環を有する繰り返し単位としては、下記のものが挙げられる。特に、下記一般式4及び/又は下記一般式5の繰り返し単位が好ましい。また、水酸基を有する繰り返し単位としては、下記のものが挙げられる。特に、下記一般式6で示される繰り返し単位が好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物中のA成分の樹脂は、上記一般式1及び2で示される構造の繰り返し単位、水酸基及び/又はラクトン環含有単位以外の繰り返し単位も必要に応じて含んでもよく、例えばカルボキシル基、フルオロアルキル基を含む単位を挙げることができる。しかしながら、カルボキシル基を含む繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位合計に対して10モル以下が好ましい。この範囲であれば、パターンの矩形性が損なわれたり、膨潤によりパターン倒れ耐性が劣化する恐れがなく、溶解速度制御の点で有効な場合がある。また、更に有橋環式構造を有した単位を含むこともできる。この単位の含有率は全繰り返し単位合計に対し、10モル未満で加えると現像時に生じるパターン倒れをより確実に解消することが認められ、LWRが悪化する恐れがないために好ましい。これらカルボキシル基又はフルオロアルキル基を含む単位、有橋環式構造を有した単位の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。A成分の樹脂を合成する場合、必須の繰り返し単位である上記一般式1及び一般式2で表される繰り返し単位や、任意の繰り返し単位である4~6で表される繰り返し単位に対応する重合性モノマーを混合し、開始剤や連鎖移動剤を添加して重合を行う。本発明のポジ型レジスト組成物中のA樹脂を構成する各繰り返し単位の組成比について、上記一般式1式で示される繰り返し単位の合計の含有率をaモル、上記2式で示される繰り返し単位の合計の含有率をbモル、水酸基を含む繰り返し単位の合計の含有率をcモル、ラクトン環を有する繰り返し単位の合計の含有率をdモルとした場合、abcd=1000<a≦5010≦b≦600≦c≦5020≦d≦70を満たすことが好ましく、特に、abcd=1000<a≦4010≦b≦600≦c≦3020≦d≦60を満たす組成比が好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物中のA樹脂の分子量について、重量平均分子量Mwが小さすぎると水への溶解が起こり易くなるが、重量平均分子量が大きすぎるとアルカリ溶解性の低下やスピンコート時の塗布欠陥の原因になる可能性が高い。その観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量において1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000であることが望ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、B成分として光酸発生剤を含有する。この光酸発生剤としては、特に限定されないが、例えば特開2011-95662号公報記載のものを用いることができる。なお、本発明のポジ型レジスト組成物に好ましく用いられる光酸発生剤は、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド等が挙げられる。また、光酸発生剤は1種を単独で用いても、2種以上を混合して用いても良い。B成分の含有量は、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~25質量部であることが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物には、C成分として、下記一般式3で表される化合物が含有される。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。特に、C成分としてはR2が炭素数10~20の直鎖状のものが好ましく、更には、下記の構造を有する化合物が好ましい。前記C成分の含有量は、前記A成分の樹脂の含有量100質量部に対し、0.5~10質量部であることが好ましい。このようなC成分の含有量であれば、上記本発明の効果が十分に発揮されるために好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、D成分として溶剤を含有する。D溶剤としては、A成分の樹脂、B成分の光酸発生剤、C成分の化合物、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。有機溶剤を配合することによって、例えば、レジスト組成物の基板等への塗布性を向上させることができる。このような有機溶剤としては、シクロヘキサノン、メチル-2-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びこれらの混合溶剤が好ましく使用される。D成分の溶剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対して200~5,000質量部、特に400~4,000質量部が好適である。また、本発明のポジ型レジスト組成物に、酸により分解し酸を発生する化合物酸増殖化合物を添加してもよい。これらの化合物については特開2009-269953号公報を参照できる。本発明のレジスト組成物における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト組成物中のベース樹脂100質量部に対し2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。2質量部以下であれば、酸拡散の制御が難しくなる恐れがなく、解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる恐れがないために好ましい。また、本発明のポジ型レジスト組成物に、有機酸誘導体や酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する重量平均分子量3,000以下の化合物溶解制御剤を添加してもよく、上記各成分と同様に特開2009-269953号公報に記載の化合物を参照できる。溶解制御剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。本発明のポジ型レジスト組成物に上述のC成分とは別に塩基性化合物を添加してもよい。塩基性化合物を配合することによって、解像度を一層向上させることができる。塩基性化合物としては特開2008-111103号公の段落0146~0164に記載の1級、2級、3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル、エステル基、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物あるいは特開2001-166476号公報記載のカーバメート基を有する化合物を挙げることができ、添加量としてはベース樹脂100質量部に対し0~4質量部が好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物中には界面活性剤成分を添加することができ、界面活性剤成分としては特に限定されないが、例えば特開2008-1229338号記載のアルカリ可溶型界面活性剤を用いることができる。界面活性剤を添加することによってレジスト組成物の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。また、界面活性剤を混合して使用してもよく、その合計の添加量は、レジスト組成物のベース樹脂100質量部に対して0.001~20質量部、好ましくは0.01~10質量部の範囲である。上記のようなポジ型レジスト組成物は、通常のパターン露光、現像等のリソグラフィー技術多層レジスト法等も含むによっても上記のような優れた解像性やパターン形状を得ることができるが、特に、保護膜を上に形成し、水を介して露光を行う液浸リソグラフィーにおいて非常に有用である。本発明では、A下記一般式1及び下記一般式2で表される繰り返し単位を、酸不安定基を含む繰り返し単位として有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、B光酸発生剤、C下記一般式3で表される化合物、及びD溶剤を含有するポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理してフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜上に保護膜を設ける工程と、水を介して波長180-250nmの高エネルギー線で液浸露光する工程と、アルカリ現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を提供する。式中、R1は、炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。nは1~3の整数を示す。式中、R2は、エーテル結合及びエステル結合を有してもよい炭素数10~20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。以下、本発明のパターン形成方法について詳述する。本発明のポジ型レジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。例えば、集積回路製造用の基板Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜付基板等、あるいはマスク回路製造用の基板Cr,CrO,CrON,MoSi等にポジ型レジスト組成物をスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間加熱処理プリベークしてフォトレジスト膜を形成する。次いで、得られたフォトレジスト膜上に水に不溶な保護膜を設ける。水に不溶な保護膜はフォトレジスト膜からの溶出物を防ぎ、膜表面の滑水性を上げるために用いられ、大きく分けて2種類ある。1種類はフォトレジスト膜を溶解しない有機溶剤によってアルカリ現像前に剥離が必要な有機溶剤剥離型と、もう1種類はアルカリ現像液に可溶でレジスト膜可溶部の除去と共に保護膜を除去するアルカリ可溶型である。後者は特に水に不溶でアルカリ現像液に溶解する1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロパノール残基を有する高分子化合物をベースとし、炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、及びこれらの混合溶媒に溶解させた材料が好ましい。また、上述した水に不溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤を炭素数4以上のアルコール系溶剤、炭素数8~12のエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶媒に溶解させた材料とすることもできる。また、パターン形成方法の手段として、フォトレジスト膜形成後に、純水リンスポストソークを行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、露光後に膜上に残った水を取り除くためのリンスポストソークを行ってもよい。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、マスクと基板の間に水を介して遠紫外線、エキシマレーザー等の波長180-250nmの高エネルギー線で液浸露光するImmersion法。露光量は、1~200mJ/cm2、特には10~100mJ/cm2となるように照射するのが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、このような波長180nm~250nmの遠紫外線又はエキシマレーザーによる微細パターニングに最適である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~5分間、好ましくは80~140°C、1~3分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは2~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。本評価に用いた樹脂を構成する繰り返し単位の組成比モル比と分子量Mwを表1に示す。なお、分子量Mwはポリスチレン換算でのGPCを用いて測定した重量平均分子量を表す。また、各繰り返し単位の構造を表2に示す。表1中の樹脂のうちP01~P09は本発明のポジ型レジスト組成物の必須成分であるA樹脂に相当する。レジスト組成物の調製次に、下記表3中の配合比質量部で、上記樹脂の他、各種光酸発生剤、各種クエンチャー塩基性化合物を溶剤に溶解し、溶解後にテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmを用い濾過し、レジスト組成物を調製した。表3中の酸発生剤、塩基性化合物の構造を表4に示す。表4中の塩基のうちQ1~Q5は本発明のポジ型レジスト組成物の必須成分のC化合物に相当する。即ち、表3中のレジスト組成物のうち、R01~R09、R17~R20は本発明のポジ型レジスト組成物に該当する。R10~R16、R21~R25は比較レジスト組成物である。また、表3中に示した溶剤は以下の通りである。PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートCyHO:シクロヘキサノンレジスト保護膜の調製下記に示した組成で、ベース樹脂TC用ポリマー1、TC用ポリマー2、有機溶剤を混合、溶解後にそれらをテフロン登録商標製フィルター孔径0.2μmで濾過し、保護膜材料TC1、TC2を調製した。TC-1混合組成:下記式で示されるTC用ポリマー1100質量部、有機溶剤12600質量部、有機溶剤2260質量部TC-2混合組成:下記式で示されるTC用ポリマー2100質量部、有機溶剤12600質量部、有機溶剤2260質量部TCポリマー以下構造式参照TC用ポリマー1分子量7500TC用ポリマー2分子量8200有機溶剤1:イソアミルエーテル有機溶剤2:2-メチル-1-ブタノール評価方法:実施例1~13、比較例1~12シリコン基板上に反射防止膜溶液日産化学工業株製、ARC-29Aを塗布し、200°Cで60秒間ベークして作製した反射防止膜100nm膜厚基板上にレジスト溶液R01~R25をスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100°Cで60秒間ベークし、100nm膜厚のフォトレジスト膜を作製した。さらにこの上にレジスト保護膜材料TC-1,TC-2を塗布し100°Cで60秒間ベークして50nmの保護膜を形成した。これをArFエキシマレーザースキャナー株ニコン製、NSR-S610C、NA=1.30、σ0.85,3/4輪帯照明、6ハーフトーン位相シフトマスクを用いて液浸露光し、任意の温度表5、6に記載で60秒間ベークPEBを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で60秒間現像を行いパターンを形成した。レジストの評価は、70nmライン/150nmピッチのパターンを対象とし、電子顕微鏡にてライン幅45nmで仕上がる露光量を最適露光量Eop、mJ/cm2とした。その際のパターン断面結果をパターン形状として比較した。また、上記最適露光量において焦点を上下ずらし、上記のトレンチパターンがターゲット寸法45nm±10すなわち41nm-50nmの寸法で解像している焦点の範囲を求め、DOF1nmとした。この値が大きい程、焦点のずれに対するマージンが広い良好な性能といえる。また、65nmトレンチ/160nmピッチのパターンも同時に観察し仕上がり45nmトレンチ/160nmピッチになる露光量で同様にターゲット寸法45nm±10すなわち41nm-50nmの寸法で解像している焦点の範囲を求め、DOF2nmとした。上記表に示した本発明のレジスト組成物R01~R09、R17~R20の評価結果実施例1~13を表5に示す。また、比較用レジスト組成物R10~R16、R21~R25の評価結果比較例1~12を表6に示す。表5、表6に示した結果により本発明のポジ型レジスト組成物が優れたパターン形状とDOF特性を示すことが明らかになった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。"