"圧電素子にて生じた駆動力により振動する振動膜を備える圧電トランスデューサーの製造方法であって、前記振動膜が形成される領域の少なくとも一部において粒子を混合した液状樹脂を塗布する塗布工程と、前記液状樹脂を硬化させる硬化工程と、前記粒子を除去する除去工程と、を含む圧電トランスデューサーの製造方法。前記塗布工程よりも前において、前記液状樹脂を塗布する下地の少なくとも一部に前記粒子をエッチングにより除去するためのエッチャントに対する耐性が前記粒子よりも大きい保護膜を形成する保護膜形成工程を、さらに含む請求項1に記載の圧電トランスデューサーの製造方法。前記塗布工程よりも前において、前記液状樹脂を塗布する下地に凹部と凸部の少なくとも一方を形成する下地形成工程を、さらに含む請求項1または請求項2に記載の圧電トランスデューサーの製造方法。請求項2に記載の圧電トランスデューサーの製造方法によって製造された圧電トランスデューサーであって、前記保護膜の少なくとも一部は前記圧電素子の電極を構成する、圧電トランスデューサー。しかしながら、発泡樹脂は強度を確保しつつ厚みを薄く製造するのが困難であるため、振動膜の厚みを薄くすることができないという問題があった。すなわち、振動膜の厚みを薄くできないため、共振周波数を低くするには振動膜の径を大きくしなければならず、小型かつ共振周波数の低い圧電トランスデューサーを製造できないという問題があった。本発明はこのような問題を解決するために創作されたものであって、小型かつ共振周波数の低い圧電トランスデューサーの提供を目的の1つとする。1上記目的を達成するための圧電トランスデューサーの製造方法は、圧電素子にて生じた駆動力により振動する振動膜を備える圧電トランスデューサーの製造方法であって、前記振動膜が形成される領域の少なくとも一部において粒子を混合した液状樹脂を塗布する塗布工程と、前記液状樹脂を硬化させる硬化工程と、前記粒子を除去する除去工程と、を含む。本発明によると、液状樹脂に含まれる粒子を除去することにより、粒子が占めていた空間を空隙とすることができ、曲げ弾性係数の小さい振動膜を形成することができる。さらに、液状樹脂を塗布することにより振動膜を薄く形成することができ、共振周波数の低い振動膜を小型に形成できる。すなわち、小型かつ共振周波数の低い圧電トランスデューサーを提供できる。さらに、液状樹脂に含まれる粒子の量を大きくするほど、あるいは、液状樹脂に含まれる粒子の除去量を大きくするほど、除去工程により形成される空隙の密度を高くすることができる。従って、振動膜の共振周波数を容易に調整できる。2上記目的を達成するための圧電トランスデューサーの製造方法は、前記塗布工程よりも前において、前記液状樹脂を塗布する下地の少なくとも一部において前記粒子をエッチングにより除去するためのエッチャントに対する耐性が前記粒子よりも大きい保護膜を形成する保護膜形成工程を、さらに含む。かかる構成により、エッチャントに対する耐性が粒子よりも大きい保護膜が液状樹脂を塗布する下地となるため、エッチングにおける液状樹脂の下地の浸食を防止し、液状樹脂の剥離を防止できる。3上記目的を達成するための圧電トランスデューサーの製造方法は、前記塗布工程よりも前において、前記液状樹脂を塗布する下地の少なくとも一部において凹部と凸部の少なくとも一方を形成する下地形成工程を、さらに含む。かかる構成により、下地が入り組んだ形状となり、液状樹脂と下地の接合面積が増大するため、液状樹脂の剥離を防止できる。特に、エッチングによって粒子を除去する場合には、入り組んだ形状の下地にエッチャントを到達させにくくすることができ、下地の浸食による液状樹脂の剥離が防止できる。4上記目的を達成するための圧電トランスデューサーは、前記トランスデューサーの製造方法によって製造された圧電トランスデューサーであって、前記保護膜の少なくとも一部は前記圧電素子の電極を構成する。かかる構成により、保護膜と電極の形成を別途行わなくても製造可能な圧電トランスデューサーが提供できる。以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら説明する。なお、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。1圧電スピーカーの構成:図1Aは圧電トランスデューサーとしての圧電スピーカー1の構成を示す構造模式図であり、図1Bは圧電スピーカー1の断面図である。なお、簡単のため断面であることを示すハッチングは省略する図2~図6において同じ。。圧電スピーカー1は半導体製造プロセスを用いて製造されるMEMSMicroElectroMechanicalSystemsである。なお、本明細書において、基板10から見た場合に下電極層11等が積層される側を上側と表記し、上側の反対側を下側と表記する。また、特に示さない限り、厚みと表記した場合には、層間方向の厚みを意味する。圧電スピーカー1は、基板10と下電極層11と圧電層12と上電極層13と多孔質樹脂部14とを備える。基板10は、下側から順に積層された第1基板層101と第2基板層102と第3基板層103と第4基板層104とからなる。第1基板層101と第3基板層103とは単結晶シリコンSiで形成され、第2基板層102と第4基板層104とは二酸化珪素SiO2で形成される。なお、第1基板層101と第2基板層102と第3基板層103とは、いわゆるSOISiliconOnInsulator基板を構成する。すなわち、基板10は、SOI基板の表面上に第4基板層104を積層することにより用意される。基板10には、下方から上方に向かって凹む空気室10aが形成される。空気室10aは、下方部分10a1と上方部分10a2とからなる。下方部分10a1は、基板10のうち第1基板層101と第2基板層102の面内方向の中央を貫通し、平面視円形状とされる。上方部分10a2は、基板10のうち第3基板層103と第4基板層104とを平面視円環状に貫通し、上方部分10a2の外径は下方部分10a1の外径と一致する。第1基板層101と第2基板層102の上側に積層された第3基板層103と第4基板層104と、さらに下電極層11と多孔質樹脂14によって、空気室10aは上側から閉塞される。例えば、第1基板層101の厚みは500μmとされ、第2基板層102の厚みは1μmとされ、第3基板層103の厚みは10μmとされ、第4基板層104の厚みは1μmとされる。例えば、平面視における空気室10aの外縁の径は10,000μmとされ、空気室10aの上方部分10a2の内径は9,000μmとされる。下電極層11は、平面視の外形が第4基板層104と一致する平面状に形成されており、第4基板層104上に積層されることにより、第4基板層104の上側表面の全域を覆う。下電極層11は、金Auや白金Pt等によって形成される。例えば、下電極層11の厚みは0.1μmとされる。下電極層11は、厚みが薄く、金属によって構成されるため、下電極層11の曲げ弾性係数は小さい。圧電層12は下電極層11の表面上に形成される。圧電層12は、平面視において空気室10aと同心の円形状に形成され、圧電層12の外縁の径は空気室10aの外縁の径よりも小さい。圧電層12は、ジルコニウム酸-チタン酸鉛によって形成される。上電極層13は、平面視において圧電層12とほぼ同一のパターン形状を有し、圧電層12の表面上に形成される。例えば、平面視における圧電層12および上電極層13の外縁の径はそれぞれ9,000μmと8,000μmとされる。例えば、圧電層12と上電極層13の厚みはそれぞれ3μmと0.1μmとされる。多孔質樹脂部14は圧電層12と同様に下電極層11の表面上に形成される。多孔質樹脂部14の平面視の中央には圧電層12と上電極層13の形状に対応した円形開口が形成されており、この円形開口に圧電層12と上電極層13とが嵌り込むように多孔質樹脂部14が積層される。すなわち、圧電層12の下側の表面と多孔質樹脂部14の下側の表面とは面一であり、面内方向おいて圧電層12と多孔質樹脂部14とが接続する。多孔質樹脂部14は、樹脂中に含まれる多数の二酸化珪素SiO2の球状粒子をエッチングによって除去することにより形成された多数の空隙を内包する。多孔質樹脂部14において空隙が占める体積率は、例えば30とされる。このように、多孔質樹脂部14が多数の空隙を内包することにより、空隙を含まないポリイミド樹脂よりも多孔質樹脂部14の曲げ弾性係数を小さくすることができる。空隙の密度は多孔質樹脂部14の全域にわたって均一とされている。また、多孔質樹脂部14には平面視において正方形状の電極用開口14aが形成される。これにより、電極用開口14aにおいて下電極層11が上側に露出し、下電極層11に対して導線を接続することが可能となる。例えば、多孔質樹脂部14の厚みは3~12μmとされる。例えば、平面視における電極用開口14aの外縁の一辺の長さは500μmとされる。次に、圧電スピーカー1の動作について説明する。図示しない導線を介して下電極層11と上電極層13との間に所定の電圧を印加することにより、層間方向に重なる下電極層11と圧電層12と上電極層13とからなる圧電素子に面内方向の伸縮応力を発生させることができる。多孔質樹脂部14と下電極層11のうち空気室10aの上方部分10a1と層間方向に重なる平面視円形領域は、厚みが薄く剛性が低いため、圧電層12にて生じた駆動力により当該圧電層12と一体となって上側および下側に振動する振動膜Sを構成する。振動膜Sと圧電素子とが振動することにより、音波を発生させることができる。ここで、振動膜Sを構成する下電極層11と多孔質樹脂部14とはともに曲げ弾性係数が小さいため、振動膜Sの振幅を大きくすることができ、振動膜Sの径を大型化せずとも振動膜の共振周波数を低くすることができる。また、多孔質樹脂部14における空隙の密度は均一であるため、上下方向の対称性に優れた振動膜Sの振動を実現できる。2圧電スピーカーの製造方法:図2A~2Eは、圧電スピーカー1の製造工程を示す断面図である。また、圧電スピーカー1は単一のウェハー上にて複数一括して形成されるが、簡単のため単一の圧電スピーカー1のみ図示する。図2Aに示すように、まず各種バルク結晶成長法により第1基板層101を作成し、第1基板層101の表面の全域上に第2基板層102と第3基板層103とを積層したSOI基板を用意し、さらにSOI基板上に第4基板層104を積層することにより、基板10を形成する。このうち第4基板層104は、スパッタ法によって積層されてもよいし、SOI基板の表層の熱酸化によって形成されてもよい。次に、図2Bに示すように、基板10の上側の表面上の全域に下電極層11と圧電層12と上電極層13とをそれぞれ例えばスパッタ法によって一様な厚みで形成する。そして、上電極層13を図示しないレジストマスクとエッチングによってパターニングし、さらに圧電層12を図示しないレジストマスクとエッチングによってパターニングする。上電極13のエッチングは例えばミリング法によって行い、圧電膜12のエッチングは例えばミリング法、フッ酸によるウェットエッチング、又はそれらを併用することによって行う。次に、図2Cに示すように下電極層11の表面上における圧電層12と電極用開口14aの形成領域を除く領域、および、圧電層12と上電極層13の側面を下地として液状樹脂ワニスLを塗布する塗布工程。この液状樹脂Lは、母材がポリイミドの前駆体であるポリアミド酸ポリアミック酸であり、前記母材と多数の二酸化珪素の球状粒子P等を混合したものである。例えば、球状粒子Pの平均粒径は0.005μmとされる。また、硬化後の液状樹脂Lにおける球状粒子Pの含有量は30重量とされる。液状樹脂Lは、例えば圧電層12と上電極層13と電極用開口14a以外の領域を開口させた印刷マスクを使用して液状樹脂Lを転写することにより塗布される。塗布によれば液状樹脂Lの膜厚を正確に調整することができ、液状樹脂Lの層厚を薄くすることができる。液状樹脂Lを塗布すると、加熱により液状樹脂Lを硬化させポリイミドとする硬化工程。次に、図2Dに示すように硬化した液状樹脂Lに含まれる多数の球状粒子Pをエッチングにより除去する除去工程。これにより、球状粒子Pが除去された空間を空隙Vとして内包する多孔質樹脂部14が形成される。例えば、エッチャントとしてのフッ酸溶液HF溶液にワークを浸漬させることにより、二酸化珪素で形成された球状粒子Pを選択的にエッチングする。ポリイミドはフッ酸溶液を内部に浸透させる性質を有するため、フッ酸溶液が硬化した液状樹脂Lの内部に浸透し、硬化した液状樹脂Lの内部に含まれる球状粒子Pも除去することができる。すなわち、液状樹脂Lの母材としてポリアミド酸を用いることにより、多孔質樹脂部14の表面と内部における空隙Vの密度を均一とすることできる。さらに、硬化した液状樹脂Lに対して下電極層11が下側から全面にわたって面接合するため、硬化した液状樹脂Lを浸透したフッ酸溶液が二酸化珪素で形成された第4基板層104を浸食することが防止でき、多孔質樹脂部14の剥離が防止できる。ここで、下電極層11は、球状粒子Pのエッチング時に第4基板層104の保護膜として機能し、圧電スピーカー1の使用時には圧電素子の電極として機能する。すなわち、第4基板層104の保護膜と圧電素子の電極とを別途形成しなくても済む。次に、第1基板層101のうち平面視において空気室10aの下方部分10a1に対応する平面視円形状領域をエッチングする。例えば、平面視において空気室10aの下方部分10a1に対応する領域を開口させたレジストマスクを第1基板層101の下側の表面上に形成し、エッチングガスとしてCF4ガスを用いたDeepRIEDeepReactiveIonEtchingを行う。さらに、第2基板層102をエッチングすることにより、図2Eに示すように空気室10aの下方部分10a1を形成する。例えば、第1基板層101をエッチングマスクとして、フッ酸溶液による第2基板層102のエッチングを行う。次に、第3基板層103のうち平面視において空気室10aの上方部分10a2に対応する平面視円環状領域をエッチングする。例えば、平面視において空気室10aの上方部分10a2に対応する領域を開口させたレジストマスクを第3基板層103の下側の表面上、空気室10aの下方部分10a1の側面、および、第1基板層101の下側の表面上に形成し、エッチングガスとしてCF4ガスを用いたDeepRIEを行う。さらに、第4基板層104をエッチングすることにより、図2Fに示すように空気室10aの上方部分10a2を形成する。例えば、第1基板層101と第3基板層103とをエッチングマスクとして、フッ酸溶液により第4基板層104を垂直方向にエッチングする。以上により、図1B,図2Fに示すように下方部分10a1と上方部分10a2とからなる空気室10aが形成できる。なお、第2基板層102または第4基板層104のエッチングと、硬化した液状樹脂Lが内包する粒子Pのエッチングとを同時に行うことにより工程数を少なくしてもよい。最後に、ダイサーによって圧電スピーカー1を個片へと切り分けることにより、圧電スピーカー1の製造が完了する。3第2実施形態:図3A~3Eは、第2実施形態にかかる圧電スピーカー2の製造方法を示す断面図および平面図である。図3Aに示すように、単結晶シリコンで形成された第1基板層201と二酸化珪素で形成された第2基板層202とからなる基板20の上側に、金または白金で形成された下電極層21と、ジルコニウム酸-チタン酸鉛で形成された圧電層22と、金または白金で形成された上電極層23とをそれぞれ面内方向の全域にわたって一様な厚みで積層する。次に図3Bに示すように、上電極層23と圧電層22と下電極層21と第2基板層202とを上側から順次エッチングすることにより、平面視円環状の凹部Dを形成する下地形成工程。層間方向おける凹部Dの深さは第2基板層202と下電極層21と圧電層22と上電極層23との層厚の合計以上であり、第2基板層202と下電極層21と圧電層22と上電極層23とは、凹部Dの内径よりも内側の平面視円形状の内側領域Iと、凹部Dの外径よりも外側の外側領域Oとに分断される。次に、図3Cに示すように粒子Pを含まないポリイミドの保護膜Rを圧電層22の上側の表面上、および、凹部Dを形成する壁面の表面上に一様な厚みで形成する。次に、図3Dに示すように保護膜Rの表面上に粒子Pが混合された液状樹脂Lを塗布して硬化させる。なお、凹部Dには液状樹脂Lが入り込み、凹部Dは液状樹脂Lによって埋められる。そして、硬化した液状樹脂Lに内包される粒子Pをエッチングにより除去することにより、多数の空隙を内包する多孔質樹脂部24を形成する。粒子Pをフッ酸溶液によってエッチングする際に、圧電層22と第2基板層202とが保護膜Rによって保護される。なお、保護膜Rはフッ酸溶液が浸透可能なポリイミドで形成されるが、粒子Pを内包しないため液状樹脂Lよりもフッ酸溶液の浸透速度が遅く、圧電層22や第2基板層202を保護することができる。これにより、第2基板層202が浸食されて多孔質樹脂部24が剥離することを防止できる。また、入り組んだ形状の凹部Dではフッ酸溶液の液回りが悪いため、凹部Dにおける多孔質樹脂部24の接合界面の浸食を防止できる。また、凹部Dを形成することにより、多孔質樹脂部24の接合面積を広くすることができるため、多孔質樹脂部24の剥離を防止できる。なお、保護膜Rはフッ酸溶液に対する耐性があればよく、例えば炭化珪素SiCのような無機材料で形成されてもよい。最後に、図3Eに示すように、円環状の凹部Dと同心、かつ、凹部Dの外径と同一の径の平面視円形領域において第1基板層201をDeepRIEにより除去することにより、空気室20aを形成する。空気室20aを形成することにより、第2基板層202と下電極層21と圧電層22と上電極層23のうち凹部Dの内径よりも内側の内側領域Iと、凹部Dの外径よりも外側領域Oとが、凹部Dに入り込んだ多孔質樹脂部24と保護膜Rのみによって接続されることとなる。以上の構成において、内側領域Iにおける下電極層21と上電極層23との間に、図示しない配線導線によって電圧を印加することにより、圧電素子としての前記内側領域Iを振動させることができる。このとき、凹部Dに入り込んだ多孔質樹脂部24と保護膜Rとが内側領域Iと一体となって振動する。凹部Dに入り込んだ多孔質樹脂部24と保護膜Rとは振動膜Sを構成する。この振動膜Sを構成する多孔質樹脂部24の曲げ弾性係数は小さいため、振動膜Sの共振周波数を低くすることができる。また、本実施形態においては、平面視において空気室20aが形成された領域において、第2基板層202によって下電極層21と圧電層22と上電極層23とを保持するため、上電極層23と下電極層21に対する導線のボンディングが可能な程度の機械強度を確保できる。なお、上電極層23と下電極層21とはそれぞれ導電性を有さない各層R,24,202によって被覆されるが、上電極層23と下電極層21とを露出させる図示しないパターンを各層R,23、24に形成することにより、上電極層23と下電極層21に対する導線のボンディングが可能となる。4第3実施形態:図4A~4Gは、第3実施形態にかかる圧電スピーカー3の製造方法を示す断面図および平面図である。図4Aに示すように第2実施形態と同様に第1基板層301と第2基板層302とからなる基板30の上側に、下電極層31と圧電層32と上電極層33とをそれぞれ面内方向の全域にわたって一様な厚みで積層する。次に図4Bに示すように、エッチングにより上電極層33と圧電層32と下電極層31を平面視円形状にパターニングする。また、エッチングにより第2基板層302および第1基板層301の上側部分を、上電極層33と圧電層32と下電極層31のパターンよりも径の大きい同心の平面視円形状にパターニングする。これにより、第2基板層302の外側に深さが第1基板層301まで到達する凹部Dを形成することができる下地形成工程。次に、図4Cに示すように、上電極層33と圧電層32と下電極層31の側面上を覆うようにポリイミドの保護膜Rを形成する。保護膜Rは平面視において円環状となる。次に、図4Dに示すように、平面視において保護膜Rの外側の領域における第1基板層301と第2基板層302の表面上に粒子Pが混合された液状樹脂Lを塗布して硬化させる。なお、凹部Dの深さは第1基板層301まで到達するため、第2基板層302の外側において液状樹脂Lと第1基板層301とが直接接合する。次に、図4Eに示すように、除去可能なレジストマスクZを上電極層33の表面上に形成する。そして、図4Fに示すように、ワークをフッ酸溶液に浸漬させることにより、保護膜Rの内側の圧電層32等を保護しつつ硬化した液状樹脂Lが内包する粒子Pと第2基板層302とをエッチングし、エッチング後に前記レジストマスクZを除去する。このエッチングにおいて、フッ酸溶液は硬化した液状樹脂Lにて粒子Pを除去するため、多数の空隙を内包する多孔質樹脂部34が形成できる。さらに、フッ酸溶液は多孔質樹脂部34を浸透し、上側から第2基板層302に到達する。そして、第2基板層302のうち上側外周部近傍の平面視円環状部分がフッ酸溶液によってエッチングされた隙間Hハッチングで示す。を形成することができ、多孔質樹脂部34を第2基板層302から浮かせることができる。一方、凹部Dの底面ではフッ酸溶液に対するエッチング耐性が粒子Pよりも大きい単結晶シリコンで形成された第1基板層301と硬化した液状樹脂Lとが直接接合するため、第1基板層301から硬化した液状樹脂Lが剥離することが防止できる。すなわち、隙間Hが形成される領域において多孔質樹脂部34が第2基板層302から浮き、隙間Hの外側の領域において多孔質樹脂部34が第1基板層301によって支持される梁構造を粒子Pのエッチング同時に形成することができる。最後に、図4Gに示すように、隙間Hと同心、かつ、隙間Hの内径と外径の間の大きさの径を有する平面視円形領域において第1基板層301をDeepRIEにより除去する。さらに、前記平面視円形領域においてフッ酸溶液のエッチングにより第2基板層302を除去することにより、隙間Hと一体となった空気室30aを形成する。以上の構成において、図示しない配線導線によって下電極層31と圧電層32と上電極層33とからなる圧電素子に電圧を印加することにより、圧電素子が振動する。圧電素子に接続する保護膜Rと、多孔質樹脂部34のうち隙間Hの外径よりも内側の部分は、圧電素子と一体となって振動する振動膜Sを構成する。本実施形態でも、振動膜Sを曲げ弾性係数の小さい多孔質樹脂部34によって形成することができ、振動膜Sの共振周波数を低くすることができる。また、圧電素子を下方から保持する第2基板層302を下方からエッチングして第2基板層302を薄くしているため、前記実施形態よりも振動膜Sの共振周波数を低くできる。また、第2基板層302のエッチング量によって振動膜Sの共振周波数を調整できる。また、上電極層33と下電極層31とに対する導線のボンディングが可能な程度の機械強度を確保するように、第2基板層302のエッチング量を制限するのが望ましい。なお、下電極層31は導電性を有さない第2基板層302によって被覆されるが、下電極層31を露出させる図示しないパターンを第2基板層302に形成することにより、下電極層31に対する導線のボンディングが可能となる。5第4実施形態:図5A~5Fは、第4実施形態にかかる圧電スピーカー4の製造方法を示す断面図および平面図である。図5Aに示すように、単結晶シリコンで形成された第1基板層401と二酸化珪素で形成された第2基板層402と単結晶シリコンで形成された第3基板層403と二酸化珪素で形成された第4基板層404とからなる基板40の上側に、金または白金で形成された下電極層41と、ジルコニウム酸-チタン酸鉛で形成された圧電層42と、金または白金で形成された上電極層43とをそれぞれ面内方向の全域にわたって一様な厚みで積層する。次に図5Bに示すように、上電極層43と圧電層42と下電極層41とを上側から順次エッチングすることにより、平面視円形状の圧電素子を形成する。なお、圧電素子における下電極層41の径は、上電極層43と圧電層42の径よりも大きくされる。また、上電極層43と圧電層42と下電極層41のパターンは、選択的に上電極層43と圧電層42と下電極層41とを積層することにより形成されてもよい。次に、圧電素子の外側の平面視円環状の領域において第4基板層404と第3基板層403とを上側から順次エッチングすることにより、平面視円環状の凹部Dを形成する下地形成工程。層間方向おける凹部Dの深さは第3基板層403と第4基板層404の層厚の合計と同じであり、第3基板層403と第4基板層404とは、凹部Dの内径よりも内側の平面視円形状の内側領域Iと、凹部Dの外径よりも外側の外側領域Oとに分断される。次に、図5Cに示すように、上電極層43と圧電層42と下電極層41の側面上および下電極層41の上側表面上を覆うようにポリイミドの保護膜Rを形成する。保護膜Rは平面視において円環状となる。次に、図5Dに示すように、平面視において保護膜Rの外側側面、凹部Dの内部、および、第4基板層404の上側表面上に粒子Pが混合された液状樹脂Lを塗布して硬化させる。次に、ワークをフッ酸溶液に浸漬させることにより、保護膜Rの内側の圧電層42等を保護しつつ硬化した液状樹脂Lが内包する粒子Pをエッチングする。このエッチングにおいて、フッ酸溶液は硬化した液状樹脂Lにて粒子Pを除去するため、多数の空隙を内包する多孔質樹脂部44が形成できる。一方、凹部Dの深さは第3基板層403まで到達するため、凹部Dの側面において、フッ酸溶液に対するエッチング耐性が粒子Pよりも大きい単結晶シリコンで形成された第3基板層403と硬化した液状樹脂Lとが直接接合している。従って、硬化した液状樹脂Lが第3基板層403から剥離することが防止できる。次に、図5Eに示すように、円環状の凹部Dと同心、かつ、凹部Dの外径と同一の径の平面視円形領域において第1基板層401をDeepRIEにより除去する。さらに、第1基板層401をエッチングマスクとして第2基板層402をフッ酸溶液によりエッチングすることにより、空気室40aを形成する。空気室40aを形成することにより、第3基板層403と第4基板層404のうち、凹部Dの内径よりも内側の内側領域Iと、凹部Dの外径よりも外側領域Oとが、凹部Dに入り込んだ多孔質樹脂部44のみによって接続されることとなる。以上の構成において、内側領域Iにおける下電極層41と上電極層43との間に、図示しない配線導線によって電圧を印加することにより、圧電素子としての前記内側領域Iを振動させることができる。また、本実施形態においては、平面視において空気室40aが形成された領域において、第3基板層403と第4基板層404とによって下電極層41と圧電層42と上電極層43とを保持するため、上電極層43と下電極層41とに対する導線のボンディングが可能な程度の機械強度を確保できる。なお、下電極層41は導電性を有さない第3基板層403と第4基板層404とによって被覆されるが、下電極層41を露出させる図示しないパターンを第3基板層403と第4基板層404に形成することにより、下電極層41に対する導線のボンディングが可能となる。6他の実施形態:図6A~6Dは、他の実施形態にかかる圧電スピーカー5の製造方法を示す断面図および平面図である。図6Aに示すように、まず第1基板層501と第2基板層502とからなる基板50を用意し、基板50上の平面視円環状の領域を上側からエッチングすることにより深さが第1基板層501まで到達する凹部Dを形成する。図6Bに示すように、凹部Dを埋めるように基板50に対して上側から液状樹脂Lを塗布し、液状樹脂Lを硬化させる。次に、図6Cに示すように、硬化した液状樹脂Lが内包する粒子Pをフッ酸溶液によるエッチングで除去することにより、多孔質樹脂部54を形成する。このエッチングにおいて、フッ酸溶液は多孔質樹脂部54を浸透し、多孔質樹脂部54が接合する第2基板層502の表面もエッチングされ、第2基板層502の表面が後退する。すなわち、多孔質樹脂部54と表面が後退した第2基板層502との間に隙間が形成され、多孔質樹脂部54が第2基板層502から浮いた状態となる。一方、多孔質樹脂部54と第1基板層501とが直接接合する凹部Dの底部においては、多孔質樹脂部54を浸透したフッ酸溶液が第1基板層501に到達しても、第1基板層501はフッ酸溶液に対してエッチング耐性が大きいため、第1基板層501の表面が浸食されることはなく、多孔質樹脂部54と第1基板層501との接合が維持できる。すなわち、凹部Dにおいて多孔質樹脂部54と第1基板層501とを接合し、凹部D以外の領域においては多孔質樹脂部54が第2基板層502から浮いた梁構造を形成することができる。従って、図6Dに示すように梁構造の表面上に圧電素子Aを形成し、圧電素子Aの反対側に空気室50aを形成することにより、圧電素子Aと凹部Dとの間に介在する多孔質樹脂部54を振動膜Sとすることができる。このように、粒子Pのエッチャントに対する耐性の小さい第2基板層502に液状樹脂Lを塗布する領域と、粒子Pのエッチャントに対する耐性の大きい第1基板層501に液状樹脂Lを塗布する領域とを設けることにより、粒子Pのエッチングと同時に前者の領域において多孔質樹脂部54が第2基板層502から浮いた梁構造を形成することができる。図6E~6Fは、別の実施形態にかかる圧電スピーカー6の製造方法を示す断面図および平面図である。本実施形態においても、前記実施形態と同様に、液状樹脂Lを塗布する下地に粒子Pのエッチャントに対する耐性の小さい領域と、粒子Pのエッチャントに対する耐性の大きい領域とを設け、粒子Pのエッチングと同時に梁構造を形成する構成を採用する。前記実施形態との相違点は、図6Eに示すように基板60の上側表面における平面視円環状の領域上に白金または金で形成された保護膜Rを形成することにより、粒子Pのエッチャントに対する耐性の大きい領域を設ける点にある。このように保護膜Rを形成しておけば、粒子Pのエッチングにおいて第2基板層602の表面のうち保護膜Rの直下の部分はエッチングされず、保護膜Rが形成されない領域については表面を後退させることができる図6F~6G。従って、保護膜Rにおいて多孔質樹脂部64と第2基板層602とを接合し、保護膜R以外の領域においては多孔質樹脂部64が第2基板層602から浮いた梁構造を形成することができ、図6Hに示すように圧電スピーカー6が形成できる。なお、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば前記実施形態で示した材質や寸法や形状や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。例えば、本発明をマイクや圧力センサに適用してもよい。粒子Pは硬化した液状樹脂Lよりもエッチングレートが大きい粒子であればよく、二酸化珪素で形成されるものに限られない。例えば、粒子Pが金属によって形成されてもよい。一方、多孔質樹脂部の母材は粒子Pよりもエッチングレートが小さければよく、多孔質樹脂部の母材をPVDFPolyVinylideneDiFluorideやゴム等の樹脂によって形成してもよい。さらに、目標とする振動膜の共振周波数に応じて、液状樹脂Lに含まれる粒子Pの量を調整したり、粒子Pのエッチング量を調整するようにしてもよい。すなわち、液状樹脂Lに含まれる粒子Pの量を増加させたり、粒子Pのエッチング量を増加させることにより、振動膜の共振周波数を低下させることができる。さらに、本発明において振動膜Sよりも外側に圧電素子を形成してもよい。すなわち、圧電素子の駆動力が伝達可能な位置に振動膜Sが形成されていればよく、必ずしも圧電素子は振動膜Sの内側や振動膜S上に形成されなくてもよい。粒子Pのエッチングにおいて液状樹脂Lの剥離を防止する手法として、以下の手法を採用することができる。すなわち、液状樹脂Lを塗布する下地が自然酸化等によって酸化膜となっている場合に、酸化膜をバッファードフッ酸BHF溶液等によって予め除去してから液状樹脂Lを塗布してもよい。また、エッチングが液状樹脂Lと下地との接合界面まで進行しない程度にエッチング量を調整することによっても、硬化した液状樹脂Lが剥離することを防止できる。例えば、液状樹脂Lが内包する粒子Pのうち所定重量割合の粒子Pがエッチングされた時点でエッチングを停止するようにエッチング時間を設定してもよい。この場合、液状樹脂Lの表層部と深層部とで粒子Pのエッチングの進行度が異なり、多孔質樹脂部が内包する空隙の密度に変化を持たせることができる。さらに、液状樹脂Lを塗布する下地に凸部を形成することによっても、液状樹脂Lの接合面積を増大させ、下地へエッチャントを到達させ難くすることができ、硬化した液状樹脂Lの剥離が防止できる。さらに、粒子Pの除去はエッチングのみならず、例えば粒子Pの揮発によって実現されてもよい。"