絶縁第1基板と、前記第1基板上に形成されており、走査信号を伝達するゲート線と、前記ゲート線と絶縁されて交差しており、画像信号を伝達するデータ線と、前記ゲート線と前記データ線とが交差してなされる領域に形成されている画素電極と、前記画素電極と同一の層に形成されている冗長データ線と、前記ゲート線、前記データ線及び前記画素電極に連結されており、前記走査信号によって前記画像信号を前記画素電極に伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、前記第1基板と対向している絶縁第2基板と、前記第2基板上に形成されている共通電極と、少なくとも前記共通電極上の前記冗長データ線に対応する領域に形成されており、絶縁物質からなる突起パターンと、を含む液晶表示装置。前記突起パターンは有機ブラックマトリックスであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第2基板と前記共通電極との間に形成されているブラックマトリックスをさらに含む請求項1に記載の液晶表示装置。前記画素電極は切除部パターンを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記突起パターン及び前記画素電極の切除部パターンは前記画素電極を四つのドメインに分割することを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。前記ドメインは最も長い二つの辺が互いに平行な多角形であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。前記ドメインは最も長い二つの辺が第1方向である第1ドメインと第2方向である第2ドメインとに分類され、前記第1方向と前記第2方向とは85 ゚~95 ゚の範囲の角をなすことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。前記第1方向は前記画素電極の辺に対して斜め方向であることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。前記第1基板と前記第2基板との間に注入されており、電気場が印加されていない状態で前記第1及び第2基板に対して垂直に配向されている液晶物質をさらに含む請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1基板と前記第2基板との間に注入されている捩じれネマチック液晶物質をさらに含む請求項1に記載の液晶表示装置。絶縁性第1基板と、前記第1基板上に形成されている透明電極と、前記透明電極上に形成されており、金属からなっている光遮断膜パターンと、前記光遮断膜パターンと自己整列されており、有機膜で構成される突出部と、を含む液晶表示装置。前記有機膜は感光性を有することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記有機膜の非抵抗は1013Ωcm以上であることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。多数の画素電極及び薄膜トランジスタが形成されており、前記第1基板と対向している第2基板をさらに含み、前記光遮断膜パターンは少なくとも前記第2基板の不透明金属層及び前記画素電極と画素電極との間の部分と重畳することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。本発明が目的とする技術的課題は上下基板間の短絡を防止することである。本発明に係る液晶表示装置は、絶縁第1基板と、第1基板上に形成されており、走査信号を伝達するゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差しており、画像信号を伝達するデータ線と、ゲート線とデータ線とが交差してなされる領域に形成されている画素電極と、画素電極と同一の層に形成されている冗長データ線と、ゲート線、データ線及び画素電極に連結されており、走査信号によって画像信号を画素電極に伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、第1基板と対向している絶縁第2基板と、第2基板上に形成されている共通電極と、少なくとも共通電極上の冗長データ線に対応する領域に形成されており、絶縁物質からなる突起パターンとを含む。また、本発明に係る他の観点による液晶表示装置は、絶縁性第1基板と、第1基板上に形成されている透明電極と、透明電極上に形成されており、金属からなっている光遮断膜パターンと、光遮断膜パターンと自己整列されており、有機膜で構成される突出部とを含む。本発明では、絶縁物質である突起パターンが冗長データ線と対応する部分に形成されているため、導電性粒子が混入して冗長データ線上に位置するようになっても、冗長データ線と共通電極との短絡を防止できる。また、金属からなる光遮断膜パターンを用いることにより、共通電極の面抵抗を減少させることができ、光遮断膜パターンと自己整列された有機膜で構成される突出部を形成することにより、テクスチャーの発生を防止することができる。以下、図面を参照して本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。図1は本発明の第1実施例による液晶表示装置の断面図である。液晶表示装置は上部基板200、下部基板100、液晶層300を備えている。それ以外にも偏光板図示せず、補償板図示せず、導光板図示せずなども含まれるが、説明は省略する。下部基板100上にはゲート絶縁膜130、データ線162、保護絶縁膜180及び画素電極170のみが図示されているが、それ以外にもゲート線、薄膜トランジスタなどの薄膜トランジスタ基板に形成される各種の要素を含んでいる。ここで、画素電極170には一定のパターンの切除部171が形成されている。切除部171の模様は後述する上部基板200の突起と共に画素領域を多様な種類の微小ドメインに分割することができる範囲で多様な形態にすることができる。例えば、シェブロン型、モーニンググローリー型、T型などがある。ここで微小ドメインの種類はその中に含まれた液晶分子の平均方向子の方向によって分類される。上部基板200は表面の各画素領域に赤、緑、青色の色フィルター210が形成されている。色フィルター210の上にはITOindiumtinoxideなどの透明な導電物質からなる共通電極220が形成されており、共通電極220の上には黒い色の色素黒鉛粉などを添加した感光剤などの有機ブラックマトリックス230からなる突起が形成されている。突起の平面的配置も前述の画素電極170の切除部171の模様と同様に多様な変化が可能である。ただし、切除部171の模様と調和をなして少なくとも4種類以上の微小ドメインを形成することができるように配置するのが好ましい。このような構造の液晶表示装置用上部基板200において、突起は光漏れを防止するためのブラックマトリックスを形成する工程で同時に形成されるので突起を形成するために別途の工程を必要とせず、下部基板100の画素電極170に切除部171を形成する工程も画素電極170形成工程で同時に進行することができる。図2は本発明の第2実施例による液晶表示装置の断面図である。本発明の第2実施例による液晶表示装置の下部基板100の構造は第1実施例と同一である。上部基板200は表面の各画素領域に赤、緑、青色の色フィルター210が形成されている。色フィルター210の上にはITOindiumtinoxideなどの透明な導電物質からなる共通電極220が形成されており、共通電極220の上には酸化クロムCrOx及びクロムCrなどの無機物または黒い色の色素を添加した感光剤などの有機物からなるブラックマトリックス230が形成されている。この時、ブラックマトリックス230をクロムなどの導体で形成すると共通電極220の面抵抗を減少させる付加的利点がある。また、クロムと酸化クロムとの二重層でブラックマトリックスを形成すると光の反射を減少させて画質を向上させることができる。ブラックマトリックス230を二重層で形成する時、クロムは厚さを0.05μm~0.3μmの範囲内とし、酸化クロムは0.03μm~0.2μmの範囲内とするのが好ましい。ブラックマトリックス230の上には感光膜250からなる突起パターンが形成されている。突起パターンは画素電極170の互いに隣接する切除パターン171の間に配置されている。このように感光膜250で突起パターンを形成すると後述のように突起パターンをブラックマトリックス230形成工程で共に形成することができるので突起形成のために工程を追加しなくてもよい。また、感光膜250の絶縁性が優れているためドメイン分割のための突起としての機能を充実に発揮することができる。突起の絶縁性が低いと、即ち、突起が導電性を帯びると画素電極170及び共通電極220に電圧を印加する時に絶縁突起としての役割を正常に遂行することができず、その周囲に形成される電気場が歪曲されて液晶表示装置の画質特性を低下させる。参考に、感光剤の比抵抗は1013Ωcm以上である。図3には突起が導体である場合と理想的な絶縁体である場合との等電位線及びそれによる液晶分子の配列をシミュレーションした結果が示されている。図3には電圧印加後の時間に従う光の透過率変化を示す曲線を図示した。図3においては、ページの右側から左側に行くほどさらに長い時間が経過した状態を示す。図3に示されているように、絶縁突起右側では電圧印加後に一定の時間が経過すると突起部分でのみ光の透過率が低く、その他の部分では透過率が高く現れる。しかし、導電性突起左側では電圧印加後に一定の時間が経過した後にも突起部分以外にも突起周辺の広い地域で透過率の低い部分が現れる。つまり、テクスチャーが現れる。このような構造の液晶表示装置において上部基板を製造する方法を図面に基づいて説明する。図4a乃至図4cは本発明の第2実施例による液晶表示装置の上部基板を製造する工程を順序によって示す断面図である。まず、図4aに示したように、スクリーン印刷などの方法を用いてガラスなどの透明な絶縁基板200上に色フィルター210を形成する。図面では色フィルター210が絶縁基板200より下側に位置する。その次に、図4bに示したように、色フィルター210上にITOなどの透明な導電物質を蒸着して共通電極220を形成する。図示しないが、色フィルター210上にオーバーコートovercoat膜を形成した後、共通電極220をオーバーコート膜の上に形成することもできる。次いで、クロム単一層またはクロムと酸化クロムとの二重層を蒸着したりまたは黒い色素を添加した感光剤などを塗布してブラックマトリックス230を積層し、その上に感光膜250を塗布する。その次に、図4cに示したように、感光膜250を露光し現像して必要なパターンを形成し、感光膜250パターンをエッチングマスクとしてその下部のブラックマトリックス230をエッチングする。従って、ブラックマトリックス230と感光膜250とからなる突起パターンは同一のレイアウトを有する。つまり、ブラックマトリックス230及び感光膜250は自己整列されている。このように、本発明の第2実施例ではブラックマトリックス230を形成する過程で使用する感光膜250パターンを突起として使用するので突起形成のための別途の工程を必要としない。図5は本発明の第3実施例による液晶表示装置の配置図であり、図6は図5のVI-VI’線の断面図である。下部基板100には横方向にゲート線122と維持電極線127とがのびている。ゲート線122及び維持電極線127の上にはゲート絶縁膜130が形成されている。ゲート絶縁膜130の上にはスイッチング素子である薄膜トランジスタの半導体層142が形成されており、半導体層142の上にはドープした半導体などの接触層図示せずが形成されている。また、ゲート絶縁膜130上には縦方向にデータ線162が形成されている。データ線162には分枝としてソース電極165が形成されており、ソース電極165と対向するドレーン電極166がソース電極165と同層ではあるが平面的に分離されて形成されている。ソース電極165及びドレーン電極166は接触層の上まで延長されており、接触層はソース電極とドレイン電極との間で切断されている。データ線162、ソース電極165、ドレーン電極166などの上にはドレーン電極166を露出させる接触孔181とデータ線162を露出させる接触孔182とを有する保護絶縁膜180が形成されている。保護絶縁膜180の上には切除パターン171を有する画素電極170と、データ線162に沿って形成されており接触孔182を通じてデータ線162と連結される冗長データ線172とが形成されている。冗長データ線172は画素電極170と同一物質で形成されている。画素電極170の切除パターン171は十字模様に形成されている。なお、後述のように切除パターン171は多様な模様に形成することもできる。上部基板200の上図6では下には赤、緑、青色の色フィルター210が形成されており、色フィルター210の上には基板200の前面にかけて共通電極220が形成されている。共通電極220はITOindiumtinoxideなどの透明な導電物質からなっている。共通電極220の上にはブラックマトリックス230が形成されている。この時、ブラックマトリックス230は少なくとも冗長データ線172と対応する領域全てに形成されている。ブラックマトリックス230は絶縁膜として漏れる光を遮断する役割及び液晶分子の配向に影響を与える突起としての機能と共に冗長データ線172が共通電極220と短絡されることを防止する機能を遂行する。ブラックマトリックス230は絶縁物質により0.1μm~3μmの範囲内の厚さに形成する。この時、色フィルター210は上部基板200ではなく下部基板100に形成することもできる。上下基板100、200の間には液晶物質が注入されて液晶層300を形成している。液晶層300の液晶分子は電界が印加されていない状態で基板100、200に対して長軸が垂直をなすように配向されている。このように液晶表示装置を製造すると下部基板100の切除パターン171と上部基板200のブラックマトリックス230とからなる突起によって上下基板100、200の間に形成される電気場が基板100、200に対して一定な方向性を有するようになる。この時、突起は液晶層300との誘電率差異によって電気場を変形させることに寄与する。また、突起は液晶分子の初期配向状態にも影響を及ぼすため、突起附近の液晶分子は電界が印加されていない状態でも基板に対してある程度傾いている。液晶分子が傾く方向は切除パターン171とブラックマトリックス230とが重畳して形成する各ドメイン内で一定の方向性を有するようになる。各ドメイン内の液晶分子の平均長軸方向を基準にしてドメインを分類するとドメインは4方向各1種類ずつ4種類に分類される。このようなドメイン内の液晶分子の方向性によって4方向全てで広い視野角が確保される。また、絶縁物質であるブラックマトリックス230が冗長データ線172と対応する部分に形成されているため、導電性粒子Pが混入して冗長データ線172上に位置するようになっても、冗長データ線172と共通電極220との短絡をブラックマトリックス230により防止できる。図7は本発明の第4実施例による液晶表示装置の配置図であり、図8は図7のVIII-VIII’線による断面図である。下部基板100の配置は本発明の第3実施例の下部基板100と殆ど同一である。ただし、画素電極170に形成されている切除パターン171の模様が後述のように異なる。上部基板200は表面にブラックマトリックス230が形成されており、ブラックマトリックス230によって区画された画素領域には赤、緑、青色の色フィルター210が形成されている。ブラックマトリックス230と色フィルター210上図8では下にはITOindiumtinoxideなどの透明な導電物質からなる共通電極220が形成されており、共通電極220の上には絶縁物質からなる突起パターン240が形成されている。突起パターン240は冗長データ線172と対応する領域には全て形成されており、有機または無機絶縁物質で形成されている。上部基板200の突起パターン240は下部基板100の画素電極170を上下に2分する位置に横方向に形成されている横部と2分された画素電極170の上下部分に各々斜め方向に形成されている斜め部を含む。この時、上下の斜め部は互いに垂直をなしている。これは電界の傾く方向を4方向に均一に分散させるためである。画素電極170に形成されている切除パターン171は突起パターン240の斜線部を挟んでおり、これと平行な斜線切除部と画素電極170の左右辺と平行な縦切除部とを含んでいる。突起パターン240と画素電極170の切除パターン171とは互いに重畳して画素電極170を多数のドメインに分割している。この時、各ドメインは最も長い二つの辺が互いに平行な多角形をなす。これは液晶分子の応答時間を短くするためである。つまり、突起パターン240と切除パターン171とによって基板に垂直な方向に対して傾いた電界が形成され、この電界により液晶分子が配列される方向が液晶分子相互間に平行な状態になるようにするのである。このようにすることで、1段階動作のみで液晶分子の動作が完了するため応答時間が短縮される。絶縁物質である突起パターン240が冗長データ線172と対応する部分に形成されているため、導電性粒子Pが冗長データ線172上に位置するようになっても、冗長データ線172及び共通電極220が短絡されることを突起パターン240により防止する。以上の第2実施例では突起パターン240で別に絶縁膜を形成したが、第1実施例と同様にブラックマトリックス230を共通電極220上に形成することによって突起パターンに代えることができる。また、突起パターン240及び切除パターン171の模様は多様な変形が可能である。第3及び第4実施例は液晶分子を上下基板に対して垂直に配向する垂直配向モード液晶表示装置について説明しているが、ブラックマトリックスまたは別途の絶縁物質を共通電極上の冗長データ線と対応する部分に沿って形成することによって冗長データ線と共通電極との間の短絡を防止するという本発明の内容は捩じれネマチックtwistednematic:TNモード液晶表示装置にも適用することができる。