"A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及びB酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物Aとして、少なくとも1種の下記一般式A-Iで表される化合物と、少なくとも1種の下記一般式A-IIで表される化合物との組み合わせを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A-I中、R1は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。M1は、下記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-III中、Arは、それぞれ独立して、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。一般式A-II中、R1’は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2’は、2価の連結基である。Rf’は、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1’及びn2’は、それぞれ独立して、0又は1である。M2は、下記一般式A-IV又はA-Vで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-IV中、Xは、-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、又は、-O-を表す。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、又は、アリール基を表す。RIVは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。n3は、0~3の整数を表す。n4は、0~9の整数を表す。Yは、下記一般式A-VI-1~A-VI-3のいずれか一つで表される構造を表す。一般式A-VI-1~A-VI-3中、RAは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。nAは、0~12の整数を表す。nA’は、0~6の整数を表す。nA’’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。n5は、0~3の整数を表す。は、結合手を表す。一般式A-V中、R24は、アリール基を表す。R25、R26、R27及びR28は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基を表し、R25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。前記一般式A-Iで表される化合物と、前記一般式A-IIで表される化合物とのアニオン構造が同一である、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記樹脂Bが、下記一般式VIで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有する、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式VI中、Bは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、0~2の整数を表す。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。前記一般式VIにおいて、nが1又は2である、請求項3に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記樹脂Bが、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。更に、塩基性化合物を含有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。更に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有する、請求項1~6のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項1~7のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。請求項8に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。前記露光が液浸露光である、請求項9に記載のパターン形成方法。請求項9又は10に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項11に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、上記背景技術に鑑み、経時でのパーティクル発生が少なく、かつ、ラインウィズスラフネスLineWidthRoughness:LWRなどのパターンラフネスが良好で、矩形なパターン形状を有するパターンが形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。1A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及びB酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物Aとして、少なくとも1種の下記一般式A-Iで表される化合物と、少なくとも1種の下記一般式A-IIで表される化合物との組み合わせを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。一般式A-I中、R1は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。M1は、下記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-III中、Arは、それぞれ独立して、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。一般式A-II中、R1’は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2’は、2価の連結基である。Rf’は、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1’及びn2’は、それぞれ独立して、0又は1である。M2は、下記一般式A-IV又はA-Vで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-IV中、Xは、-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、又は、-O-を表す。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、又は、アリール基を表す。RIVは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。n3は、0~3の整数を表す。n4は、0~9の整数を表す。Yは、下記一般式A-VI-1~A-VI-3のいずれか一つで表される構造を表す。一般式A-VI-1~A-VI-3中、RAは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。nAは、0~12の整数を表す。nA’は、0~6の整数を表す。nA’’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。n5は、0~3の整数を表す。は、結合手を表す。一般式A-V中、R24は、アリール基を表す。R25、R26、R27及びR28は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基を表し、R25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。2前記一般式A-Iで表される化合物と、前記一般式A-IIで表される化合物とのアニオン構造が同一である、上記1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。3前記樹脂Bが、下記一般式VIで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有する、上記1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。式VI中、Bは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、0~2の整数を表す。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。4前記一般式VIにおいて、nが1又は2である、上記3に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。5前記樹脂Bが、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を含有する、上記1~4のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。6更に、塩基性化合物を含有する、上記1~5のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。7更に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有する、上記1~6のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。8上記1~7のいずれか一項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。9上記8に記載のレジスト膜を、露光、現像する工程を含むパターン形成方法。10前記露光が液浸露光である、上記9に記載のパターン形成方法。11上記9又は10に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。12上記11に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明によれば、経時でのパーティクル発生が少なく、かつ、ラインウィズスラフネスLineWidthRoughness:LWRなどのパターンラフネスが良好で、矩形なパターン形状を有するパターンが形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供できる。また本発明によれば、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供できる。また、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えば、ArF液浸露光プロセスに好適に用い得る。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも含有するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも含有するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線又は電子線EBを意味している。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味している。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及びB酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物Aとして、少なくとも1種の下記一般式A-Iで表される化合物と、少なくとも1種の下記一般式A-IIで表される化合物との組み合わせを含有する。一般式A-I中、R1は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。M1は、下記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-III中、Arは、それぞれ独立して、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。一般式A-II中、R1’は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2’は、2価の連結基である。Rf’は、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1’及びn2’は、それぞれ独立して、0又は1である。M2は、下記一般式A-IV又はA-Vで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-IV中、Xは、-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、又は、-O-を表す。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、又は、アリール基を表す。RIVは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。n3は、0~3の整数を表す。n4は、0~9の整数を表す。Yは、下記一般式A-VI-1~A-VI-3のいずれか一つで表される構造を表す。一般式A-VI-1~A-VI-3中、RAは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。nAは、0~12の整数を表す。nA’は、0~6の整数を表す。nA’’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。n5は、0~3の整数を表す。は、結合手を表す。一般式A-V中、R24は、アリール基を表す。R25、R26、R27及びR28は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基を表し、R25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、化合物A酸発生剤として、トリヘテロアリールスルホニウムを有する化合物一般式A-Iで表される化合物に加えて、露光波長例えば193nmの露光波長のモル吸光係数εが低いスルホニウムを有する化合物一般式A-IIで表される化合物を併用することが特徴である。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物における酸発生剤の添加量の総量を増やすことができるため、露光により発生する酸の分布の均一化が可能になる。更に、一般式A-Iで表される化合物及び一般式A-IIで表される化合物におけるスルホン酸アニオン構造は、それぞれ、-CHRf-及び-CHRf’-の構造を有しており、スルホン酸アニオンの隣接位置におけるn2及びn2’が0の場合はα位に当る炭素原子に結合するフッ素原子の数が、n2及びn2’が1の場合はβ位に当る炭素原子に結合するフッ素原子の数がそれぞれ少なく、かつ、n1及びn1’が0の場合はエーテル結合を、n1及びn1’が1の場合はエステル結合を有している。これにより、一般式A-Iで表される化合物及び一般式A-IIで表される化合物におけるスルホン酸アニオン構造は、それぞれ適度な親水性を有しており、樹脂との相溶性が高いことで膜内への分布が均一化される。以上の2点からLWRが改良されたものと推定される。また、露光波長例えば193nmの露光波長のモル吸光係数εが低いスルホニウムを有する化合物一般式A-IIで表される化合物を使用することで、光透過性が向上し、膜の下部の樹脂における酸脱保護反応が促進されるため、光の届きにくいパターン下部の現像性が向上し、パターン形状が矩形になるものと考えられる。更に酸発生剤として、2種以上の化合物を併用することで、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の溶液中での相溶性が高まり、経時でのパーティクル発生が抑えられたものと推定される。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、例えばポジ型の組成物であり、典型的にはポジ型のレジスト組成物である。本発明は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜にも関する。以下、この組成物の各成分について説明する。1A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上述のように、A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、単に、酸発生剤とも言うとして、少なくとも1種の上記一般式A-Iで表される化合物と、少なくとも1種の上記一般式A-IIで表される化合物との組み合わせを含有している。以下、一般式A-Iで表される化合物、及び、一般式A-IIで表される化合物について詳細に説明する。先ず、一般式A-Iで表される化合物について詳細に説明する。一般式A-I中、R1は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。M1は、下記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-III中、Arは、それぞれ独立して、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。上記R1で表されるアルキル基は、炭素数1~20のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~10のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1~5のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数1~4のアルキル基であることが特に好ましい。上記アルキル基の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等が挙げられる。また、上記アルキル基は置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては、少なくとも1つのフッ素原子で置換された炭素数1~5のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~5のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。上記R1で表されるアルキル基は、メチル基、エチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましい。上記R1で表される1価の脂環式炭化水素基は、炭素数が5以上であることが好ましい。また該1価の脂環式炭化水素基は炭素数が20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましい。上記1価の脂環式炭化水素基は、単環の脂環式炭化水素基であっても、多環の脂環式炭化水素基であってもよい。単環の脂環式炭化水素基としては、炭素数5~12のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロドデカニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクタジエニル基、ピペリジン環基等が挙げられ、特に、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が好ましい。多環の脂環式炭化水素基としては、炭素数10~20のものが好ましく、ビシクロ[4.3.0]ノナニル基、デカヒドロナフタレニル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ボルニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、1,7,7-トリメチルトリシクロ[2.2.1.02,6]ヘプタニル基、3,7,7-トリメチルビシクロ[4.1.0]ヘプタニル基、デカヒドロイソキノリン環基等があげられ、ノルボルニル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基が好ましい。上記R1で表されるアリール基は、炭素数が6以上であることが好ましい。また該アリール基は炭素数が20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましい。上記R1で表されるヘテロアリール基は、炭素数が2以上であることが好ましい。また該ヘテロアリール基は炭素数が20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましい。上記アリール基、ヘテロアリール基は、単環式アリール基、単環式ヘテロアリール基であっても、多環式アリール基、多環式ヘテロアリール基であってもよい。単環式のアリール基としては、フェニル基等が挙げられる。多環式のアリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。単環式のヘテロアリール基としては、ピリジル基、チエニル基、フラニル基等が挙げられる。多環式のヘテロアリール基としては、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。上記R1としての1価の脂環式炭化水素基、アリール基、及び、ヘテロアリール基は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、ヒドロキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。R1は、シクロヘキシル基、又は、アダマンチル基であることが特に好ましい。上記R2で表される2価の連結基としては、特に限定されないが、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S―、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~30のアルキレン基、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~30のシクロアルキレン基、アルケニレン基好ましくは炭素数2~30のアルケニレン基、アリーレン基好ましくは炭素数6~30のアリーレン基、ヘテロアリーレン基好ましくは炭素数2~30のヘテロアリーレン基、及び、これらの2種以上が組み合わされた基を挙げることができる。上記のアルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、置換基を更に有していても良く、そのような置換基の具体例は、R1としての1価の脂環式炭化水素基、アリール基、及び、ヘテロアリール基が更に有していてもよい置換基について前述したものと同様である。上記R2で表される2価の連結基としては、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましく、炭素数1~10のアルキレン基が更に好ましく、炭素数1~5のアルキレン基が特に好ましい。Rfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基の炭素数は、1~30であることが好ましく、1~10であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Rfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Rfは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、又はCH2CH2C4F9であることが好ましく、フッ素原子又はCF3であることがより好ましい。n1は1であることが好ましい。n2は1であることが好ましい。M1は、上記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-III中、Arは、それぞれ独立して、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。上記Arで表されるアリール基は、炭素数6~15のアリール基であることが好ましい。上記Arで表されるヘテロアリール基は、炭素数4~15のヘテロアリール基であることが好ましい。上記Arで表される、アリール基及びヘテロアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピリジル基、キノリル基、イミダゾリル基等が挙げられ、更に置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例は、R1としての1価の脂環式炭化水素基、アリール基、及び、ヘテロアリール基が更に有していてもよい置換基について前述したものと同様である。Arは、それぞれ独立して、フェニル基、トルイル基、ナフチル基、又は、1-アルコキシナフチル基を表すことが好ましく、フェニル基、又は、ナフチル基を表すことがより好ましい。M1としての、上記一般式A-IIIで表されるスルホニウムカチオンとしては、以下の具体例が挙げられるが、これらに限定されるものではない。次に、一般式A-IIで表される化合物について詳細に説明する。一般式A-II中、R1’は、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、又は、ヘテロアリール基である。R2’は、2価の連結基である。Rf’は、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。n1’及びn2’は、それぞれ独立して、0又は1である。M2は、下記一般式A-IV又はA-Vで表されるスルホニウムカチオンである。一般式A-IV中、Xは、-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、又は、-O-を表す。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、又は、アリール基を表す。RIVは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。n3は、0~3の整数を表す。n4は、0~9の整数を表す。Yは、下記一般式A-VI-1~A-VI-3のいずれか一つで表される構造を表す。一般式A-VI-1~A-VI-3中、RAは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。nAは、0~12の整数を表す。nA’は、0~6の整数を表す。nA’’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。n5は、0~3の整数を表す。は、結合手を表す。一般式A-V中、R24は、アリール基を表す。R25、R26、R27及びR28は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基を表し、R25とR26及びR27とR28はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。上記一般式A-IIにおいて、R1’、R2’、Rf’、n1’及びn2’の好ましい範囲及び具体例等は、上記一般式一般式A-IのR1、R2、Rf、n1及びn2において説明したものとそれぞれ同様である。本発明において、上記一般式A-Iで表される化合物と、上記一般式A-IIで表される化合物とのアニオン構造が同一であることすなわち、上記一般式A-IにおけるR1、R2、Rf、n1及びn2と、上記一般式A-IIにおけるR1’、R2’、Rf’、n1’及びn2’とがそれぞれ同じであることが、経時でのパーティクル発生をより少なくすることができ、かつ、ラインウィズスラフネスLineWidthRoughness:LWRなどのパターンラフネスがより良好なパターンを形成可能となることから好ましい。これは、同一のアニオン構造を有することで、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の溶液中での相溶性が更に高まったこと、樹脂との相溶性が更に高まったことによるものと推定される。Xは、-CR21=CR22-、-NR23-、-S-、又は、-O-を表す。Xは、-CR21=CR22-を表すことが好ましい。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル基、又は、アリール基を表す。R21~R23におけるアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖又は分岐のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10の直鎖又は分岐のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数1~5の直鎖又は分岐のアルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基に1価の脂肪族炭化水素環基好ましくはシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。R21~R23におけるアルコキシ基及びアシル基におけるアルキル基としては、上記アルキル基と同様のものが挙げられる。R21~R23におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基等が挙げられる。R21~R23におけるアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。R21~R23におけるシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。R21~R23におけるアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基であり、より好ましくは炭素数6~10のアリール基である。これらの各基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、アルキル基好ましくは炭素数1~10、アルケニル基好ましくは炭素数2~10、1価の脂肪族炭化水素環基好ましくは炭素数3~10であり、より好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アリールオキシ基好ましくは炭素数6~14、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~10、アリールチオ基好ましくは炭素数6~14などが挙げられる。アリール基、1価の脂肪族炭化水素環基などにおける環状構造、及びアミノアシル基については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を有していてもよい。R21、R22及びR23は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、又は、アルコキシ基を表すことが好ましい。RIVは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。RIVの置換基としては、例えば、好ましいカチオン構造として以下に説明する一般式ZI-1~ZI-4における対応する基を挙げることができる。n3は、0~3の整数を表す。n3は、0又は1であることが好ましい。n4は、0~9の整数を表す。n4は、0~4の整数を表すことが好ましく、0であることが最も好ましい。Yは、上記一般式A-VI-1~A-VI-3のいずれか一つで表される構造を表す。Yは、上記一般式A-VI-1で表される構造を表すことが好ましい。一般式A-VI-1~A-VI-3中、RAは、複数ある場合は各々独立に、置換基を表す。RAの置換基としては、例えばR21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。また、複数のRAは、互いに結合して、環を形成していてもよい。nAは、0~12の整数を表す。nAは、0~6の整数を表すことが好ましく、0であることが最も好ましい。nA’は、0~6の整数を表す。nA’は、0~3の整数を表すことが好ましく、0であることが最も好ましい。nA’’は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。nA’’は、0~2の整数を表すことが好ましく、0であることが最も好ましい。n5は、0~3の整数を表す。n5は、1であることが最も好ましい。R24におけるアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基であり、より好ましくは炭素数6~10のアリール基である。R24におけるアリール基は、1価の脂肪族炭化水素環基好ましくは炭素数3~10であり、より好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されていてもよいアリール基であることが好ましい。R25~R28におけるアルキル基、シクロアルキル基は、上述のR21~R23におけるアルキル基、シクロアルキル基と同様であり、具体例及び好ましい範囲等も同様である。R24におけるアリール基、R25~R28におけるアルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えばR21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。R25及びR26の態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R25及びR26が各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R25とR26とが結合して環を形成する場合に、R25とR26とが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R25とR26とが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。R27及びR28が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のR27及びR28例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式A-V中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。また、R27とR28とが結合して形成する環は、一般式A-V中の硫黄原子以外に、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。R27及びR28は、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。一般式A-IV又はA-Vで表されるスルホニウムカチオンのうち、好ましいカチオン構造としては以下の一般式ZI-1~ZI-5で表されるカチオン構造が挙げられる。カチオン構造ZI-1とは、以下の一般式ZI-1で表される構造である。一般式ZI-1中、R13は水素原子、フッ素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。R14は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、又は、シクロアルキルスルホニル基を表す。Yは、上記一般式A-IVにおけるYと同義である。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。一般式ZI-1において、R13及びR14のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等がより好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基としては、単環でも多環でもよく、炭素数3~12のものが好ましく、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチルがより好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、n-ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、シクロヘキシルエチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基がより好ましい。R13のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等がより好ましい。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等がより好ましい。R13及びR14として好ましくは直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基、n-ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、シクロヘキシルエチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基が好ましく、特に好ましくはメトキシ基、エトキシ基、n-ブトキシ基等の直鎖状アルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。前記R13、R14の各基は、更に置換基を有していてもよく、有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式ZI-1におけるYは、上記一般式A-IVにおけるYと同義であり、好ましい範囲も同様である。R13のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、R14のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基は、上記のように置換されていてもよく、置換基としては、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。以下に、一般式ZI-1で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-2とは、以下の一般式ZI-2で表される構造である。一般式ZI-2中、XI-2は、酸素原子、硫黄原子、又は、-NRa1-基を表し、Ra1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アシル基を表す。Yは、上記一般式A-IVにおけるYと同義である。Ra4は、複数個ある場合には各々独立に、1価の基を表す。mは、0~3の整数を表す。Ra1のアルキル基は、炭素数1~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。Ra1のシクロアルキル基は、炭素数3~20のシクルアルキル基が好ましい。Ra1のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましい。Ra1のアシル基は、炭素数2~20のアシル基が好ましい。これらの各基は置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば一般式A-IV中のR21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。一般式ZI-2におけるYは、上記一般式A-IVにおけるYと同義であり、好ましい範囲も同様である。Ra4の1価の基としては、例えば、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~10、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシロキシ基好ましくは炭素数2~20、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基等を挙げることができる。以下に、一般式ZI-2で表されるカチオン構造の好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される構造である。一般式ZI-3中、R41~R43は、それぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は、ヒドロキシアルキル基を示す。R41~R43において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖又は分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基の一又は複数の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。n1~n3は、それぞれ独立して0~2の整数であり、好ましくは、それぞれ独立して0又は1であり、より好ましくはいずれも0である。なお、n1~n3が2であるとき、複数のR41~R43は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。R41~R43における各基は置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば一般式A-IV中のR21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。以下に、一般式ZI-3で表される化合物におけるカチオン構造の好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-4とは、以下の一般式ZI-4で表される構造である。一般式ZI-4中、R41~R43はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は、ヒドロキシアルキル基である。R41~R43としてのアルキル基、アルコキシ基は、式ZI-3中のR41~R43としてのアルキル基、アルコキシ基と同様のものが挙げられる。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基の一又は複数の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。n1は0~3の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n2は0~3の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n3は0~2の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。以下に、一般式ZI-4で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。カチオン構造ZI-5とは、以下の一般式ZI-5で表される構造である。一般式ZI-5において、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、フェニルチオ基、フェニルオキシ基、アリール基、又は、ハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又は、シクロアルキル基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリル基、又は、ビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基、炭素数3~8の環状アルコキシ基を挙げることができる。R1c~R7c、Rx及びRyととしてのアリール基は、例えば炭素数6~20のアリール基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルキルチオ基におけるアルキル基は、上述のアルキル基と同様のものが挙げられる。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cおけるアルキル基及びシクロアルキル基と同様のものを挙げることができ、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。また、Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZI-5中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。上述の各基は置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば一般式A-IV中のR21~R23における各基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。以下に、一般式ZI-5で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。上記一般式A-I及びA-IIで表される化合物におけるアニオン構造の好ましい具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。一般式A-I及びA-IIで表される化合物におけるアニオン構造また、上記一般式A-I及びA-IIで表される化合物の好ましい具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の具体例中、Meはメチル基を意味し、Etはエチル基を意味し、n-Buはn-ブチル基を意味する。前記一般式A-I及びA-IIにおけるスルホン酸アニオン、又はその塩例えば、オニウム塩、金属塩は、一般的なスルホン酸エステル化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン、アルコール、又はアミド化合物などと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合、あるいはスルホンイミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン、アルコール、又はアミド化合物により開環させる方法により得ることができる。一般式A-I及びA-IIにおけるスルホン酸の塩としてはスルホン酸の金属塩、スルホン酸オニウム塩などが挙げられる。スルホン酸の金属塩における金属としてはNa、Li、Kなどが挙げられる。スルホン酸オニウム塩におけるオニウムカチオンとしては、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオンなどが挙げられる。一般式A-I及びA-IIにおけるスルホン酸アニオン又はその塩は、活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する一般式A-I及びA-IIで表される化合物の合成に用いることができる。一般式A-I及びA-IIで表される化合物は、上記一般式A-I及びA-IIにおけるスルホン酸アニオンを、上記一般式A-I及びA-IIにおけるスルホニウムカチオンに相当するスルホニウム塩などの光活性オニウム塩と塩交換する方法により合成できる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、少なくとも1種の上記一般式A-Iで表される化合物と、少なくとも1種の上記一般式A-IIで表される化合物との組み合わせに加えて、その他の光酸発生剤を含有しても良い。その他の光酸発生剤としては、一般式A-I及びA-IIのいずれかで表される化合物以外の既知の光酸発生剤が挙げられる。化合物Aの本発明の組成物中の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは0.5~25質量、更に好ましくは5~20質量である。一般式A-Iで表される化合物複数種使用する場合にはその総量と、一般式A-IIで表される化合物複数種使用する場合にはその総量との酸発生剤の使用量は、質量比一般式A-Iで表される化合物/一般式A-IIで表される化合物で、99/1~5/95であることが好ましく、50/50~10/90であることがより好ましく、30/70~10/90であることが更に好ましい。2B酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、B酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂、樹脂Bということもある。を含有する。酸分解性樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する。樹脂Bは、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。酸分解性基は、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Bが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R11で表される基を表す。R11は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成される前記シクロアルキル基の環を構成するメチレン基の1つが酸素原子で置き換わっていてもよい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~70molが好ましく、より好ましくは30~60molである。好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式II-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Bは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることが好ましく、一般式Iで表される繰り返し単位を有する樹脂であることがより好ましい。式I及びII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R11で表される基を表す。R11は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5及びR6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表し、脂環構造の環員には、酸素原子が含まれていてもよい。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R11における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR11で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R3は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、下記一般式AIIIにより表される繰り返し単位であることが好ましい。上記一般式中、R8は、水素原子又はアルキル基を表す。R9は、アルキル基を表す。nは1~6の整数を表す。R8のアルキル基としては、炭素数1~10のアルキル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい。nは1~3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。上記各基が有し得る置換基としては、前記一般式AIにおける各基が有し得る置換基として前述したものと同様の基が挙げられる。一般式IIで表される繰り返し単位が、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。上記一般式II-1中、R3~R5は、各々、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であるか、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位と一般式IIにより表される繰り返し単位とを含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Bが酸分解性基を有する繰り返し単位は1種であってもよいし2種以上を併用していてもよい。併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Bは、ラクトン構造又はスルトン環状スルホン酸エステル構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環のラクトン構造又はスルトン構造であり、5~7員環のラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1~SL1-3のいずれかで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はスルトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-8であり、LC1-4であることがより好ましい。特定のラクトン構造又はスルトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。樹脂Bは、下記一般式VIで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。式VI中、Bは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、0~2の整数を表す。nが1又は2である場合は、1つの好ましい形態であり、これにより、ラインウィズスラフネスLineWidthRoughness:LWRなどのパターンラフネスをより向上させることができる。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3~20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造又はスルトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として上述した一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1~SL1-3で表されるラクトン構造又はスルトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17、SL1-1~SL1-3におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトン又はスルトン構造シアノスルトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式VIで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。下記式中、Meはメチル基を表す。ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式VI-1又はVI-1’で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式VI-1及びVI-1’に於いて、R7、B、R0、Z、及びnは、上記一般式VIと同義である。R7’、B’、R0’、Z’及びn’は、上記一般式VIにおけるR7、B、R0、Z及びnとそれぞれ同義である。R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。R9’は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9’が結合し、環を形成していてもよい。X及びX’は、それぞれ独立にアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。m及びm’は、置換基数であって、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m及びm’はそれぞれ独立に0又は1であることが好ましい。R9及びR9’のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9及びR9’はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。X及びX’のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。X及びX’は酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。m及びm’が1以上である場合、少なくとも1つのR9及びR9’はラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式VI-1又はVI-1’で表されるラクトン構造を有する基、又はスルトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。一般式VIで表される単位は、一態様において、下記一般式AII’で表される繰り返し単位であり得る。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0としては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1~SL1-3の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。樹脂Bは、また、一般式VIで表される単位以外にも、上述したラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を含有していてもよい。ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位の具体例として、上記に挙げた具体例に加え、以下を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。上記具体例の中で特に好ましい繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基又はスルトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Bは、ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位の2種以上を有していてもよい。特に、一般式VIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。ラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~60mol、更に好ましくは30~50molである。樹脂Bは、一般式AI及びVI以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。樹脂Bは、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂B中の全繰り返し単位に対し、5~40molが好ましく、より好ましくは5~30mol、更に好ましくは10~25molである。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Bは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂B中の全繰り返し単位に対し、1~20molが好ましく、より好ましくは3~15mol、更に好ましくは5~10molである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。本発明の樹脂Bは、更に極性基例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3~12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子が置換された基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Bは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂B中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは2~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Bは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Bにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Bは実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂Bの全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル以下であることが好ましく、3モル以下であることがより好ましく、理想的には0モル、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂Bは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Bは、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Bとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、ラクトン基を有するメタアクリレート系繰り返し単位20~50モル、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有するメタアクリレート系繰り返し単位5~30モル、更にその他のメタアクリレート系繰り返し単位を0~20モル含む共重合ポリマーも好ましい。本発明の組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、樹脂Bは、更に、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン系繰り返し単位と、酸分解性基で保護されたヒドロキシスチレン系繰り返し単位、メタアクリル酸3級アルキルエステル等の酸分解性繰り返し単位を有するが好ましい。ヒドロキシスチレン系の好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステルによる繰り返し単位等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位がより好ましい。本発明における樹脂Bは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明の樹脂Bの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~12,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明において樹脂Bの組成物全体中の配合量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の樹脂Bは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明における樹脂B以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明における樹脂B以外の他の樹脂としては、前述した樹脂Bが含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。3疎水性樹脂本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂HRともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂HRが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。疎水性樹脂HRは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂HRに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ及びR65~R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。疎水性樹脂は、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位はメタアクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bを有することが好ましい。xアルカリ可溶基yアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基以下、極性変換基ともいうz酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基繰り返し単位bとしては、以下の類型が挙げられる。1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位b’上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位b1つの側鎖上に上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位b疎水性樹脂は、繰り返し単位bとして繰り返し単位b’を有することがより好ましい。すなわち、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位bを有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位前記繰り返し単位b’、bとは異なる繰り返し単位とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位bにおける、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式K1のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。上記x~zからなる群から選ばれる基は、好ましくは、xアルカリ可溶基又はy極性変換基であり、y極性変換基であることがより好ましい。アルカリ可溶性基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。繰り返し単位bxが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bxにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bxにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。極性変換基yとしては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基-COO-、酸無水物基-COOCO-、酸イミド基-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基-COS-、炭酸エステル基-OCOO-、硫酸エステル基-OSO2O-、スルホン酸エステル基-SO2O-などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。極性変換基yは、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。極性変換基yを有する繰り返し単位byの具体例としては、後述の式KA-1-1~KA-1-17で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。更に、極性変換基yを有する繰り返し単位byは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位であるすなわち、前記繰り返し単位b’、bに相当することが好ましい。該繰り返し単位byを有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。繰り返し単位byとして、例えば、式K0で示される繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。一般式KA-1又はKB-1におけるXは、カルボン酸エステル基:-COO-、酸無水物基:-COOCO-、酸イミド基:-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基:-COS-、炭酸エステル基:-OCOO-、硫酸エステル基:-OSO2O-、スルホン酸エステル基:-SO2O-を表す。Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。なお、繰り返し単位byは、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式KA-1で表される部分構造、Y1及びY2が1価である場合のKB-1で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。一般式KA-1で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。一般式KA-1におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基即ち、KA-1としてラクトン環構造を形成する場合、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。一般式KA-1で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環環状エーテル環、ラクトン環などが挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。好ましくは0~8の整数、より好ましくは0~5の整数、更に好ましくは1~4の整数、最も好ましくは1~3の整数である。Zka1としての電子求引性基は、後述のY1及びY2としての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。Zka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。Zka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。Zka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1~30、更に好ましくは1~20であり、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~30、更に好ましくは3~20であり、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基、t-デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Zka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4等を挙げることができる。また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、アリル基等のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。一般式KA-1におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式KA-1が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5~7員環ラクトン環であることが好ましい。なお、下記KA-1-1~KA-1-17におけるように、一般式KA-1で表される部分構造としての5~7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。一般式KA-1で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記KA-1-1~KA-1-17におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。一般式KA-1が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記KA-1-1~KA-1-17のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、KA-1-1、KA-1-4、KA-1-5、KA-1-6、KA-1-13、KA-1-14、KA-1-17である。上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式KA-1が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。一般式KB-1のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基-COO-を挙げることができる。一般式KB-1におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。電子求引性基は、下記式EWで示す部分構造である。式EWにおけるはKA-1に直結している結合手、又はKB-1中のXに直結している結合手を表す。式EW中、Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。newは-CRew1Rew2-で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、ハロアリール基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式EWで表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。Yew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。Rf1~Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ハロシクロアルキル環、ハロアリール環等が挙げられる。Rf1~Rf3におけるハロアルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。Rf1~Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環におけるパーハロシクロアルキル基及びパーハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは-CnF2n-2Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、-CnFn-1で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5~13のものが好ましく、6がより好ましい。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式KA-1-1~KA-1-17で表される構造が挙げられる。なお、繰り返し単位by中に、一般式KA-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KB-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KA-1で表される部分構造と一般式KB-1で表される部分構造の両方を有していてもよい。なお、一般式KA-1の部分構造の一部又は全部が、一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式KA-1のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基として機能することもあり得る。また、繰り返し単位byが、上記繰り返し単位b又は繰り返し単位bに該当し、かつ、一般式KA-1で表される部分構造を有する場合、一般式KA-1で表される部分構造は、極性変換基が、一般式KA-1で示す構造における-COO-で表される部分構造であることがより好ましい。繰り返し単位byは、一般式KY-0で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。一般式KY-0に於いて、R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。R4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、置換基数であって、1~7の整数を表す。mは、置換基数であって、0~7の整数を表す。nは、繰り返し数を表し、0~5の整数を表す。-R2-Z-の構造として好ましくは、-CH2l-COO-で表される構造が好ましいlは1~5の整数を表す。R2としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式bbのZ2における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。R3としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐状の場合、好ましくは3~30、更に好ましくは3~20であり、環状の場合、6~20である。R3の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。R4及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。R4としてのアシル基としては、炭素数1~6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。R4としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、R2としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23°CのTMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。また、繰り返し単位byは、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。繰り返し単位byが少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式KY-1で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式KY-1で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KY-1において、Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部=Oを形成してもよい。Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky1、Rky4は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。一般式KY-1で表される構造としては、下記一般式KY-2で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式KY-2で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。式KY-2中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rky6~Rky10は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。式KY-2で表される構造は、下記一般式KY-3で示す部分構造であることがより好ましい。式KY-3中、Zka1、nkaは各々前記一般式KA-1におけるZka1、nkaと同義である。Rky5は前記式KY-2におけるRky5と同義である。Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。繰り返し単位bは、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素-炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、スチレン系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。繰り返し単位byが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位byにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位byの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~99mol、更に好ましくは30~97mol、最も好ましくは40~95molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。以下に示す具体例において、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。上述したような極性変換基yを有する繰り返し単位byに対応するモノマーの合成方法としては、例えば、国際公開第2010/067905号、又は国際公開第2010/067905号等に記載の方法を参考にして合成することができる。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzは、樹脂Bで挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。繰り返し単位bzが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bzにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。以上、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bについて説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~98molが好ましく、より好ましくは3~98mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位b’の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~90molが好ましく、より好ましくは3~80mol、更に好ましくは5~70mol、最も好ましくは10~60molである。繰り返し単位bと共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~97mol、更に好ましくは30~95mol、最も好ましくは40~90molである。繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。疎水性樹脂は、更に、下記一般式CIIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式CIIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式CIIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されているアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。疎水性樹脂は、更に、下記一般式BII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式BII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式CIII、BII-ABで表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。以下に一般式CIII、BII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。なお、RaがCF3である場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。疎水性樹脂は、上述した樹脂Bと同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、更に好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、上述した樹脂Bで説明した内容と同様である。以下に疎水性樹脂HRの具体例を示す。また、下記の表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の疎水性樹脂を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するベーク後かつ露光前における該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後でかつ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣スカム、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣スカム、BLOB欠陥性能が改善される。疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~50,000、更に好ましくは3,000~35,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:テトラヒドロフランTHFによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の疎水性樹脂の含有量は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01~20質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~15質量、更に好ましくは0.1~10質量であり、特に好ましくは0.2~8質量である。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。4塩基性化合物本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式A及びE中、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式A及びE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンゾイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ-7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはテトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン-1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-フェニルジエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくはCH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。本発明の組成物は、塩基性化合物を含有してもしなくても良いが、含有する場合、塩基性化合物の含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。これらの塩基性化合物は下記項目5に示す低分子化合物Dに対し、モル比において、低分子化合物D/塩基性化合物=100/0~10/90で用いることが好ましく、100/0~30/70で用いることがより好ましく、100/0~50/50で用いることが特に好ましい。なお、ここでの塩基性化合物は、塩基性化合物でもある場合のD窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含まない。5窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物以下において、低分子化合物D又は化合物Dともいうを含有することができる。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物Fの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Dとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Dは、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式d-1で表すことができる。一般式d-1において、Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に結合して環を形成していても良い。Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換されている基等が挙げられる。Rbとして好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。2つのRbが相互に結合して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。一般式d-1で表される基の具体的な構造を以下に示す。化合物Dは、前記塩基性化合物と一般式d-1で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。化合物Dは、下記一般式Aで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、化合物Dは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物である限り、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、前記一般式d-1におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Aにおいて、Raが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。前記Raのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記基で置換されていてもよいの具体例としては、Rbについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい化合物Dを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Aで表される化合物は、特開2007-298569号公報、特開2009-199021号公報などに基づき合成することができる。本発明において、D窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、D窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物Dの含有量は、上記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~20質量、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5質量である。6界面活性剤本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有していてもよいし、含有していなくてもよい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。これらに該当する界面活性剤としては、DIC株製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム株製のフロラードFC430、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341などが挙げられる。また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0~2質量、更に好ましくは0.0001~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。7溶剤本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、通常、溶剤を更に含有する。この溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。環状ラクトンとしては、例えば、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンが好ましく挙げられる。環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピルが好ましく挙げられる。ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、常温常圧下で、沸点130°C以上の溶剤が挙げられる。具体的には、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。本発明に於いては、上記溶剤を単独で使用してもよいし、2種類以上を併用してもよい。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。8その他成分本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。9パターン形成方法本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。本発明において、前記露光が液浸露光であることが好ましい。レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8.0質量、更に好ましくは1.0~6.0質量である。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性のレジスト膜を形成することができる。当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線が好ましい。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1~3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。リンス工程においては、現像を行ったウェハをリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。また、現像工程又は、リンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。なお、感光性膜レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体として好ましくは水である。水は屈折率の温度係数の小ささ、入手の容易さや取り扱いのしやすさの点でも好適である。また、屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、屈折率の向上等を目的とする添加剤を僅かな割合で添加しても良い。添加剤の例としてはシーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第12章に詳しい。一方、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物の存在は、膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等で精製した純水を用いてもよい。純水の電気抵抗は18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。レジスト膜と液浸液との間には、レジスト膜と液浸液との接触を避けるために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト膜上への塗布適性、放射線、特には193nmの波長を有した放射線に対する透明性、及び液浸液難溶性が挙げられる。トップコートとしては、レジスト膜と混合せず、レジスト膜上に均一に塗布できるものを用いることが好ましい。トップコートは、193nmにおける透明性という観点からは、芳香族を含有しないポリマーが好ましい。このようなポリマーとしては、例えば、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー及びフッ素含有ポリマーが挙げられる。上述した疎水性樹脂は、トップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染されるため、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は、少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、レジスト膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程がレジストの現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性であることが好ましいが、レジストとの非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には、屈折率の差がないか又は小さいことが好ましい。この場合、解像力を向上させることが可能となる。露光光源がArFエキシマレーザー波長:193nmの場合には、液浸液として水を用いることが好ましいため、ArF液浸露光用トップコートは、水の屈折率1.44に近いことが好ましい。また、透明性及び屈折率の観点から、トップコートは、薄膜であることが好ましい。トップコートは、レジスト膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。また、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。<合成例1酸発生剤の合成>下記表2の酸発生剤1及び2の欄に記載の化合物A-1~A-15一般式A-I又はA-IIで表される化合物は、例えばWO2011/093139A1に記載の合成方法と同様の方法で合成した。<合成例2樹脂Cの合成>窒素気流下シクロヘキサノン11.5gを3つ口フラスコに入れ、これを85°Cに加熱した。これに下記化合物モノマーを左から順に1.48g、3.66g、0.95g、2.19g、1.57g、及び、重合開始剤V-601和光純薬製、0.68gをシクロヘキサノン21.0gに溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン420g/酢酸エチル180gの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂C9.1gが得られた。NMRから求めたポリマー組成比は15/30/10/30/15であった。得られた樹脂Cの重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で9100、分散度Mw/Mnは、1.51であった。合成例2と同様の操作を行い、樹脂A、B、D~Hを合成した。樹脂A~Hのポリマー構造、重量平均分子量Mw及び分散度Mw/Mnを以下に記す。また、下記ポリマー構造の各繰り返し単位の組成比をモル比で示した。<レジスト組成物の調製>下記表2に示す成分を下記表2に示す溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物ポジ型レジスト溶液を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表2に示した。なお、表2に於いて、感活性光線性又は感放射性樹脂組成物が疎水性樹脂HRを含有している場合、その使用形態を添加と標記した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物が疎水性樹脂HRを含有せず、膜を形成後、その上層に疎水性樹脂HRを含有するトップコート保護膜を形成させた場合、その使用形態をTCと標記した。<レジスト評価>露光条件:ArF液浸露光シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、130°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚120nmの膜を形成した。トップコートを用いる場合は、更にトップコート用樹脂疎水性樹脂HRをデカン/オクタノール質量比9/1に溶解させた3質量の溶液を前述で得られた膜上に塗布し、85°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚50nmのトップコート層を形成した。これにArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.2を用い、線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後130°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してパターンを形成した。LWR評価得られた線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンについて走査型顕微鏡日立社製S9380で観察し、ラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、線幅を50ポイント測定し、その測定ばらつきについて標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。パターン形状評価得られた線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンの断面について走査型顕微鏡日立社製S9380で観察した。矩形状のものを○、裾引き形状のものを×、やや裾引き形状のものを△で示した。パーティクル評価調製したポジ型レジスト溶液について、調製直後の溶液中のパーティクル数パーティクル初期値と、4°Cで1週間放置した後の溶液中のパーティクル数経時後のパーティクル数をリオン社製パーティクルカウンターKS-41にてカウントし、経時後のパーティクル数-パーティクル初期値で計算されるパーティクル増加数を算出した。なお、ここでは溶液1mL中に含まれる粒径0.25μm以上のパーティクルを数えた。パーティクル評価は、増加数が、0.2個/ml以下の物を◎、0.2個/mlより多く1個/ml以下の物を○、1個/mlより多く5個/ml以下の物を△、5個/mlより多い物を×とした。表中の略号は、前述具体例で示したもの、又は下記を表す。酸発生剤化合物A化合物A-X及びA-Yは下記化合物であり、一般式A-I又はA-IIに該当しない化合物である。その他の酸発生剤の表中の略号は、前述の具体例で示したものである。塩基性化合物DIA:2,6-ジイソプロピルアニリンTEA:トリエタノールアミンDBA:N,N-ジブチルアニリンPBI:2-フェニルベンズイミダゾールPEA:N-フェニルジエタノールアミン酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物D化合物D疎水性樹脂HR表中の略号は、前記具体例で示したものである。界面活性剤W-1:メガファックF176DIC株製フッ素系W-2:メガファックR08DIC株製フッ素及びシリコン系W-3:PF6320OMNOVASolutionsInc.製フッ素系W-4:トロイゾルS-366トロイケミカル株製溶剤A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAA2:シクロヘキサノンA3:γ―ブチロラクトンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEB2:乳酸エチル表2から分かるように、実施例の組成物は、経時でのパーティクル発生が少なく、かつ、ラインウィズスラフネスLineWidthRoughness:LWRが良好で、矩形なパターン形状を有するパターンを形成可能であった。一方、酸発生剤において、一般式A-Iで表される化合物と、一般式A-IIで表される化合物との組み合わせを含有しない比較例の組成物は、上記実施例の効果を得ることはできなかった。また、一般式A-Iで表される化合物と、一般式A-IIで表される化合物とのアニオン構造が同一である酸発生剤の組み合わせを用いた実施例2、6及び9は、LWR及び経時でのパーティクル発生に関し、より優れた効果が得られた。"