本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第1の溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板と、を有する試験用プローブカード。前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第1の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも1つの第2の溝を有する請求項1に記載の試験用プローブカード。本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、を含む試験装置。試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記針先部の前記先端を前記電極パッドに当てる前に、前記先端を研磨によりクリーニングする工程を有する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。試験装置においては使用回数が増えるほどプローブ針の先端が徐々に摩耗する。このような針先の先端の摩耗が進むと、略円錐状の針先部の先端の面積が広くなる一方、上記のように斜め後方に延びるプローブ針の凹所、即ち溝の先端領域が狭くなり、消滅するおそれがあるので、凹所の所期の機能を維持できなくなる。さらに、針先部を折り曲げる際に、凹所を針先部の後ろに位置させることが難しい。本発明の目的は、針先部に形成する溝を最適化するプローブ針を含む試験用プローブカードと、試験対象物の損傷を長期に抑制する試験装置と、試験用プローブ針の使用による損傷を防止する半導体装置の製造方法を提供することにある。実施形態の1つの観点によれば、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第1の溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板と、を有する試験用プローブカードが提供される。実施形態の別の観点によれば、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、を含む試験装置が提供される。実施形態のさらに別の観点によれば、試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、有する半導体装置の製造方法が提供される。実施形態の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。さらに、前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解される。本実施形態によれば、プローブ針の屈曲した針先部の先端の裏側には屈曲部の内側に達する長さの溝を形成している。これにより、針先部の先端が摩耗して針先部が短くなっても、針先部の先端における溝が消滅することはない。また、溝の一部を支点としてプローブ針を折り曲げると、溝が屈曲部の内側に位置することになるので、針先部の先端の後側に溝を位置決めすることが容易になる。以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置の試験方法を実行する試験装置の概要を示す側面図、図2A、図2Bは、図1に示す試験装置に使用されるプローブカードを示す底面図及びその一部を示す側面図である。図1に示す装置は、図3Aに示す半導体ウエーハ1、例えばシリコンウエーハの面に縦横に隣接して形成される複数の半導体装置2の電気的特性を試験する試験装置であって、制御部10とウエーハプローバ11を有している。なお、半導体装置2には、トランジスタのような能動素子不図示や、配線のような受動素子不図示、その他の半導体回路が形成され、その上面からは図3Bに示すような外部接続端子、例えば電極パッド2aが露出している。ウエーハプローバ11の筐体12内にはウエーハステージ13が配置され、ウエーハステージ13上にはウエーハチャック14が取り付けられている。ウエーハステージ13は、ウエーハチャック14を上下方向、前後方向、左右方向のそれぞれに移動し、さらに、水平方向に回動することができる構造を有している。なお、ウエーハステージ13内には、半導体ウエーハ1の温度を調整する加熱器が内蔵されている。筐体12のうちウエーハステージ13の上方には開口部12aが設けられ、その開口部12aにはヘッドプレート15が開閉可能に取り付けられている。また、ヘッドプレート15の中央の開口部15aにはフロックリング16が嵌め込まれている。ヘッドプレート15の下面には、クランプ20が取り付けられている。クランプ20の中央には、フロックリング16の下方でカードフォルダー19を嵌め込む開口部20aが形成されている。カードフォルダー19の上には、半導体ウエーハ1に形成された半導体装置2の電極パッド2aに接触されるプローブ針4を有するプローブカード3が取り付けられている。プローブ針4は、カードフォルダー19の中央の開口部19aを通してウエーハステージ13に向けて突出される。フロックリング16の上には、フロッグリング16の導電ピン16aに電気的に接続されるパフォーマンスボード21を有するテスターヘッド23が取り付けられる。テスターヘッド23は、その内部に複数のドライバ、コンパレータ、コンタクトピン等不図示を有し、コンタクトピンはパフォーマンスボード21のコンタクトピン不図示に電気的に接続されている。テスターヘッド23は、信号線を有するケーブル24を介して制御部10に接続されている。制御部10は、例えば、CPU、記憶装置、操作部等を備え、一連の試験用処理を組みこんだプログラムにより動作するコンピュータを有しており、電気的特性試験に利用される信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されている。即ち、試験システムとして電気的特性試験に関する各種の試験項目が記述されプログラムに従って、信号伝達系を介して半導体装置2の電気的特性試験を実行する。これにより、制御部10は、テスターヘッド23、パフォーマンスボード21、フロッグリング16及びプローブカード3、プローブ針4等を介して半導体装置2の電極パッド2aに電気的に接続される状態になっている。テスターヘッド23は、試験電圧、試験信号などを半導体装置2に送信する一方、半導体装置2から測定信号、試験を受信する。測定結果は、制御部10内の記憶装置に記録される。プローブカード3は、図2A、図2Bに示すように、プローブ接続パッド3e、電極パッド3f、内部配線不図示等が形成されたプリント基板3aを有している。また、プリント基板3aの上面中央領域には、機械的強度を高めるために補強板3gが取り付けられている。プリント基板3aの下面にはセラミックリング3bが取り付けられ、さらに、セラミックリング3bの下面にはプローブ支持部3cが取り付けられている。プローブ支持部3cは、例えば、エポキシレジン等の樹脂から環状に形成され、その中央には開口部3dが形成されている。プローブ支持部3cは、開口部3dの周囲に沿って間隔をおいて導電性のプローブ針4を複数並べて支持する。なお、プローブ支持部3cの平面形状は四角に限られるものではない。プローブ針4は、金属から形成され、図4に例示するように、針本体部4dに対して針先部4aを屈曲させる略L字形状の屈曲部4cを有している。また、プローブ針4の長手方向には、針先部4aの先端の周囲の後側から屈曲部4cの内側部後側部に達する直線状の溝4bが形成されている。プローブ針4は、プローブカード3のプローブ支持部3cに支持される。この場合、複数の針先部4aはプローブ支持部3cの開口部3dから内向きに突出され、また、後端部はプローブ支持部3cの外周から外側に突出される。複数のプローブ針4の針先部4aの先端は、半導体装置2の電極パッド2aに同時に接触できる状態に位置調整される。プローブ針4の後端部は、プリント基板3aの下面に形成される配線パッド3eに例えばはんだにより接続され、固定されている。これにより、プローブ針4の後端部は、プリント基板3aに形成された配線、ビア等不図示を介してプリント基板3aの上面の電極パッド3fに電気的に接続される。また、プローブカード3上面の電極パッド3fは、フロッグリング16の下面から突出した導電ピン16aを介してテスターヘッド23に電気的に接続される。次に、プローブ針4の形成方法を図5A~図5Cに基づいて説明する。まず、図5Aに示すように、タングステン、白金族金属合金、ベリリウム銅等の金属から形成された先細り円錐状の先端部4aを有する線材40を形成する。針状導体40は、例えば、50mm~100mmの長さを有するとともに、太い部分で数十μm~数百μmの直径を有している。針先部4aは例えば研磨により加工され、これにより針先部4aの先端に向けて先細りの円錐状に形成される。針先部4aの先端は、例えば、10μm~70μmの直径を有している。次に、図5Bに示すように、針先部4aの先端から屈曲部4cの形成箇所に達する領域に向けて略直線状の溝4bを形成する。溝4bの形成方法として、例えば、レーザを針状導体40に照射する方法、或いは、溝状の開口部を有するレジストマスクを針状導体40に形成した後にその開口部を通して針状導体40をエッチングする方法がある。針状導体40に形成する溝4bの幅は、特に限定されるものではないが、例えば、先細りの先端で約数μmに形成され、さらに先端から後端に向けた長手方向に同じ太さ、又は後端に向かって連続的、又は段階的に広がる太さを有している。溝4bの深さは、図5Bの破線で囲んで示すように、針状導体40の先端から後端に向かって、連続的又は段階的に増す大きさを有することが好ましいが、一定であってもよい。次に、図5Cに示すように、例えば針状導体40の先細りの先端から200μm~1600μmに位置する屈曲部形成箇所で溝4bを内側にして折り曲げる。これにより、針状導体40の先端から折り曲げ箇所までの部分が針先部4aとなり、さらに折り曲げ箇所が屈曲部4cとなり、プローブ針4が形成される。その折り曲げ角、即ち屈曲部4cの屈曲角θは例えば90°~110°に設定される。なお、プローブ針4の折り曲げ箇所は、針先部4aを決める以外の部分に設けられてもよい。針状導体40の折り曲げ時には、折り曲げ方向に圧縮歪みが加わるが、その歪みは溝4bにより吸収される。従って、溝4bを屈曲部4cの内側に位置させることにより針状導体40の折り曲げ部の断面二次モーメントが下がり、折り曲げ加工が容易になる。これにより、プローブ針4の長さ、屈曲角θ、針先部4aのテーパー角度等を自由に制御することができ、設計値に近い高精度な加工が可能になる。この場合、溝4bは、針先部4aの先端周囲の後側に位置する。プローブ針4は、針先部4aが半導体ウエーハ1の上面の垂直方向に対して例えば2°~6°程度の角度でプローブ針4の後方に傾くように、プローブカード3のプローブ支持部3cに支持される。プローブ針4が取り付けられるプローブカード3では、セラミックリング3bの中央領域とその上のプリント基板3a、補強板3gに開口部3hが形成されている。これにより、プローブカード3の上面から開口部3hを通してプローブ針4の針先部4aとその下に配置される半導体装置2の上面を観察することができる状態になる。試験装置11を使用して半導体ウエーハ1の半導体装置2を試験する際には、カードフォルダー19の上にプローブカード3を取り付け、プローブカード3をフロックリング16及びテスターヘッド23に電気的に接続した状態に設定する。そして、カードフォルダー19を取り付けたヘッドプレート15により筐体12の開口部12aを閉じる。ウエーハステージ13上に自動で半導体ウエーハ1を搬送してウエーハチャック14に載置した後に、ウエーハステージ13により半導体ウエーハ1の位置を調整し、さらにウエーハステージ13を上昇させる。これにより、半導体ウエーハ1の半導体装置2の電極パッド2aのそれぞれにプローブ針4の針先部4aの先端を当てる。その後、制御部10からの試験電圧信号印加により半導体装置2の電気的動作確認を行ってダイの良否判定を行う等、半導体装置2の特性を試験する。そのような操作を繰り返すことにより、複数の半導体装置2を試験する。プローブ針4を電極パッド2aに電気的に接続するために、まず、プローブ針4を電極パッド2aに近づけて接触させる。続いて、プローブ針4が円弧運動して僅かに変位するまでプローブ針4を電極パッド2aに押圧する。これにより、プローブ針4の針先部4aの先端は前方に滑る。この場合、溝4bは、針先部4aの滑り方向と反対側に形成された状態となっている。針先部4aの上側への変位量は滑り量と称され、また、針先部4aの上下方向への変位量はオーバードライブ量と称される。滑りの際に針先部4aの先端と電極パッド2aに擦りが生じ、針先部4aの先端が電極パッド2aの金属めっきの表面層を掻き取って新しい面を露出させる。これにより、電極パッド2aとプローブ針4の先端の接触を良好にし、安定した電気的接触を図る。制御部10による制御信号により半導体装置2の電気的な試験が終わると、ウエーハステージ13を移動させてプローブ針4を半導体装置2から離れさせる。この場合、プローブ針4は自身の弾性により円弧運動して元の状態に戻る。プローブ針4の針先部4aの先端は、電極パッド2aを滑る際に電極パッド2aの表面の金属めっき層を掻き取る。さらに、図6Aの底面図と図6Bの斜視図に示すように、針先部3aの先端により掻き取られた金属めっき材料の屑Sは、プローブ針4の滑りにより後側の溝4bに押し込まれる。これにより、針先部4a表面からの屑Sの突出が抑制されるので、電極パッド2a周辺への屑Sのはみ出しにより生じる損傷が防止され、さらに、屑Sを介した電気的接触不良が防止される。以上のように半導体装置2の試験を終えた後に、必要に応じて、ウエーハステージ13上に取り付けたクリーナー不図示にプローブ針4の針先4aを当て、針先部4aをクリーニングする。クリーナーとして例えば、基材の上に研磨材を塗布した紙鑢状の研磨シートを使用する。プローブ針4の針先部4aをクリーニングする場合には、研磨シートに針先部4aの先端を当てた状態でウエーハステージ13を水平方向に移動する。これにより、針先部4aの先端の屑Sが除去されると同時に、針先部4aの先端が摩耗して新しい面が現れると同時に、図7に示すようにプローブ針4が擦り減って長さTで短くなる。プローブ針4の針先部4aは、クリーニングあるいは電極パッド2a上の滑りを繰り返すことにより摩耗して徐々に短くなるが、溝4bは屈曲部4cまで長く伸びているので、摩耗する針先部4aの先端は溝4bを有する形状を維持する。これによりプローブ針4の寿命がくるまで溝4bによる掻き取り屑Sの捕捉機能は維持される。プローブ針4の針先部4aは、ほぼ円錐形状を有しているので、針先部4aの先端が摩耗するにつれて、その先端面の面積が広くなる。これにより、針先部4aによる電極パッド2aの表面層の掻き取り屑の量が増えるおそれがある。その対策として、図5Bの破線で囲んで示す拡大図のように、溝4bの深さを針先部4aの先端から屈曲部4cに向けて深さを増す形状を採用することにより、掻き取り量の増加に伴って針先部4aの先端面の溝4bの面積も増す。これにより、溝4bによる掻き取り屑Sの収容量が増加するので、針先部4aに付着する掻き取り屑Sの針先部4aからの突出量の増加が抑制される。ところで、プローブ針4に形成される溝4aは、針先部4aの先端外周の後側から屈曲部4cの内側に達する部分に形成されるだけでなく、図8、図9に例示するように、その他の部分に沿って形成してもよい。図8に示す別の溝4eは、屈曲部4cの外側から針先部4aの先端外周の前側に形成されている。また、図9に示す別の溝4fは、針先部4aの針先の周囲の複数箇所に長手方向に沿って形成されている。図8、図9に示すように、針先部4aの周囲の後部以外の部分に形成される溝4e、4fは、針先部4aの先端から屈曲部4cに達する長さであってもよいし、達しない長さであってもよい。針先部4aの先端では、半導体装置2の電極パッド2a表面の掻き取り屑が多くなるが、掻き取り屑を受け入れる溝4b、4e、4fの総収容量が増えることにより、掻き取り屑の回収能力が向上する。プローブ針4に長手方向に沿う溝4b、4e、4fを設けることにより、掻き取り屑Sを取り込める他に、プローブ針4の表面積が増えるので、プローブ針4が半導体ウエーハ1に接触する際にプローブ針4とその周囲との熱交換効率が高まる。これにより、ウエーハステージ13内のヒータ等により温度調整された半導体ウエーハ1とプローブ針4の温度差は、従来よりも短時間で縮小する。プローブ針4の測定温度に達する時間が短縮されことにより、試験開始直後とそれ以降でのプローブ針4の位置の温度調整用の変動を最小にすることができる。以上のような試験を終えて問題がない半導体装置2は、半導体ウエーハ1の分割により図3Bに例示すりょうなチップ状に形成され、さらにパッケージングされる。ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。付記1本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第1の溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板と、を有する試験用プローブカード。付記2前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第1の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも1つの第2の溝を有する付記1に記載の試験用プローブカード。付記3本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、を含む試験装置。付記4前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第1の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも1つの第2の溝を有する付記3に記載の試験装置。付記5前記第1の溝は、前記針先部の前記端部から前記屈曲部の内側にかけて同じ深さを有する付記3又は付記4に記載の試験装置。付記6前記第1の溝は、前記針先部の前記端部から前記屈曲部の内側にかけて深さを増している付記3又は付記4に記載の試験装置。付記7試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、を有する半導体装置の製造方法。付記8前記針先部の前記先端を前記電極パッドに当てる前に、前記先端を研磨によりクリーニングする工程を有する付記7に記載の半導体装置の製造方法。付記9前記電極パッドから前記針先部を離した後に、前記半導体装置をチップ状に形成する工程を有する付記7に記載の半導体装置の製造方法。