"パルス状のレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された前記レーザ光のうちの一方であるポンプ光の入力により、被測定物に電磁波を照射する照射部と、前記被測定物を透過又は反射した前記電磁波と、前記分岐部により分岐された前記レーザ光のうちの他方であるプローブ光とを合波する合波部と、前記合波部により合波された前記電磁波と前記プローブ光とが入射され、前記電磁波の電界強度に応じて誘起される複屈折により前記プローブ光の偏光状態を変調させる電気光学素子と、前記電気光学素子により前記偏光状態が変調された前記プローブ光のうちの所定の偏光成分の光を通過させる検光子と、前記検光子を通過した前記所定の偏光成分の前記光を光電変換する光電変換部と、前記分岐部と前記合波部との間における前記プローブ光の進行経路に配され、前記電気光学素子の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じる前記プローブ光の前記偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定され、前記プローブ光を透過又は反射させることにより、前記プローブ光の偏光状態を予め調整する光学補償素子とを有することを特徴とする撮像装置。請求項1記載の撮像装置において、前記電磁波は、テラヘルツ波であることを特徴とする撮像装置。請求項1又は2記載の撮像装置において、前記光学補償素子は、基板と、前記基板上の各領域にそれぞれ形成された誘電体層とを有し、前記電気光学素子の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じる前記プローブ光の前記偏光状態の変調のばらつきを相殺するように、前記各領域の前記誘電体層における複屈折の程度が設定されていることを特徴とする撮像装置。請求項3記載の撮像装置において、前記誘電体層は、単層の誘電体膜又は積層された誘電体膜を含むことを特徴とする撮像装置。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置において、前記プローブ光の偏光状態を楕円偏光に変調する位相補償板を更に有することを特徴とする撮像装置。しかしながら、提案されている撮像装置では、取得される画像にムラが生じ、必ずしも良好な画質が得られない場合があった。本発明の目的は、画質の良好な撮像装置を提供することにある。実施形態の一観点によれば、パルス状のレーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された前記レーザ光のうちの一方であるポンプ光の入力により、被測定物に電磁波を照射する照射部と、前記被測定物を透過又は反射した前記電磁波と、前記分岐部により分岐された前記レーザ光のうちの他方であるプローブ光とを合波する合波部と、前記合波部により合波された前記電磁波と前記プローブ光とが入射され、前記電磁波の電界強度に応じて誘起される複屈折により前記プローブ光の偏光状態を変調させる電気光学素子と、前記電気光学素子により前記偏光状態が変調された前記プローブ光のうちの所定の偏光成分の光を通過させる検光子と、前記検光子を通過した前記所定の偏光成分の前記光を光電変換する光電変換部と、前記分岐部と前記合波部との間における前記プローブ光の進行経路に配され、前記電気光学素子の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じる前記プローブ光の前記偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定され、前記プローブ光を透過又は反射させることにより、前記プローブ光の偏光状態を予め調整する光学補償素子とを有することを特徴とする撮像装置が提供される。開示の撮像装置によれば、電気光学素子の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定された光学補償素子を用いて、プローブ光L2の偏光状態を予め調整する。このため、電気光学素子の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、画質の良好な撮像装置を提供することができる。[第1実施形態]第1実施形態による撮像装置について図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施形態による撮像装置を示す概略図である。図2は、電気光学素子を模式的に示す平面図である。図3は、光学補償素子を模式的に示す平面図及び断面図その1である。図1に示すように、レーザ源レーザ光源10が設けられている。レーザ源10としては、例えばフェムト秒レーザ発生器フェムト秒レーザ源が用いられている。レーザ源10は、パルス幅がフェムト秒のオーダーのパルス波フェムト秒パルスL1を発するものである。レーザ源10から出射されるパルス光L1のパルス幅は、例えば80fs程度とする。レーザ源10としては、例えばスペクトラフィジックス株式会社製のフェムト秒レーザを用いる。レーザ源10から出射されたパルス光L1は、レーザ反射板レーザ反射鏡、平面反射鏡40により反射されて、分岐部光分岐光学素子12に入射するようになっている。分岐部12としては、例えばビームスプリッタを用いる。分岐部12は、レーザ源10から出射されるパルス光L1を分岐するためのものである。分岐部12により反射された光は、例えばプローブ光プローブ波L2として機能する。一方、分岐部12を透過した光は、例えばポンプ光ポンプ波L3として機能する。ポンプ光L3は、後述する照射部30においてテラヘルツ波L4を発生する際に励起光励起波、励起パルスとなるものである。プローブ光L2は、偏光子16に入射するようになっている。偏光子16としては、例えばシグマ光機株式会社製の赤外用偏光子を用いる。偏光子16を通過させることにより、直線偏光のプローブ光L2が得られる。偏光子16の後段には、位相補償板18が配されている。位相補償板18としては、例えばベレック補償板やバビネソレイユ補償板等を用いることができる。位相補償板18を通過したプローブ光L2は、例えば楕円偏光となる。なお、位相補償板18を用いてプローブ光L2を楕円偏光にするのは、コントラストの良好な画像を得るためである。位相補償板18の後段には、複数のレーザ反射板42,44,46が配されている。レーザ反射板42,44,46を配する位置を変化させることにより、プローブ光L2の光路や光路長を調整することが可能である。プローブ光L2の光路長は、後述する電気光学素子32にプローブ光L2とテラヘルツ波L4とが同時に入射するように調整されている。レーザ反射板42,44,46により反射されたプローブ光L2は、レンズ23とレンズ24とを有するビームエキスパンダ49に入射するようになっている。ビームエキスパンダ49は、ビーム径を拡張するためのものである。プローブ光L2のビーム径は、ビームエキスパンダ49により、後述するテラヘルツ波L4のビーム径と同程度の大きさにまで拡張される。ビームエキスパンダ49により拡張された後のプローブ光L2のビーム径は、例えば電気光学素子32の主面の寸法以上の大きさとする。ビームエキスパンダ49の後段には、光学補償素子位相補償素子20が配されている。光学補償素子20に入射されるプローブ光L2のうちの一部は光学補償素子20により反射されるが、光学補償素子20を通過する光が本実施形態ではプローブ光L2として用いられる。光学補償素子20は、電気光学素子32の各箇所各部における複屈折性のばらつき不均一性に起因して生じるプローブ光L2の偏光状態の変調のばらつきを相殺補償するためのものである。換言すれば、光学補償素子20は、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光L2の位相差の変動量のばらつきを相殺するためのものである。ここで、位相差とは、プローブ光L2における直交する2つの偏光成分間の位相差のことである。図3bに示すように、光学補償素子20は、基板21と、基板21上に形成された誘電体層22とを有している。基板21の材料としては、プローブ光L2を透過し得る材料を用いる。ここでは、基板21として、例えばガラス基板を用いる。なお、基板21は、ガラス基板に限定されるものではない。例えば、基板21の材料として、サファイア等を用いてもよい。誘電体層22は、単層又は積層された誘電体膜68a~68d,70a~70c,72b,72c,74cにより形成されている。かかる誘電体膜68a~68d,70a~70c,72b,72c,74cとしては、例えばタリウム膜やシリコン酸化膜等を用いることが可能である。光学補償素子20は、光学補償素子20の主面に対してプローブ光L2が斜めに入射されるように配されている。光学補償素子20の主面に対してプローブ光L2が斜めに入射されるように光学補償素子20を配しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、光学補償素子20の光学軸の方向が光学補償素子20の主面に対して垂直な方向である場合において、光学補償素子20の主面に対して垂直にプローブ光L2を入射させた場合には、プローブ光L2の進行方向は、光学補償素子20の光学軸と一致する。光学軸の方向は、複屈折が生じない方向である。このため、光学補償素子20の主面に対して垂直な方向に光を入射した場合には、プローブ光L2における直交する2つの偏光成分間の位相差を、光学補償素子20を用いて変調し得ない。これに対し、光学補償素子20の主面に対して斜めにプローブ光L2を入射させた場合には、光学補償素子20の光学軸の方向とプローブ光L2の進行方向とが一致しないため、光学補償素子20において複屈折を生じさせることができる。このため、光学補償素子20の主面に対して斜めにプローブ光L2を入射させた場合には、プローブ光L2における直交する2つの偏光成分間の位相差を、光学補償素子20を用いて変調することが可能となる。このような理由により、光学補償素子20の主面に対してプローブ光L2が斜めに入射されるように光学補償素子20を配している。光学補償素子20の各箇所における複屈折の程度は、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつき不均一性に起因して生じるプローブ光L2の偏光状態の変調のばらつきを相殺補償するように設定されている。このため、プローブ光L2が光学補償素子20を通過すると、各箇所における偏光状態が予め調整されたプローブ光L2が得られる。なお、光学補償素子20の詳細については、後述することとする。光学補償素子20の後段には、合波部合波光学素子14が配されている。合波部14は、プローブ光L2と後述するテラヘルツ波L4とを合波するためのものである。プローブ光L2は、合波部14により反射されて電気光学結晶32に入射されるようになっている。合波部14としては、例えばビームスプリッタを用いることができる。こうして、光学補償素子20により各箇所の偏光状態が予め調整されたプローブ光L2が、合波部14により反射され、電気光学素子32に入射されるようになっている。一方、分岐部12により分岐されたポンプ光L3は、レーザ反射板48により反射され、レンズ26を介して、照射部30に入射されるようになっている。照射部30としては、例えばテラヘルツ波発生器を用いる。テラヘルツ波発生器30としては、例えば浜松ホトニクス株式会社製のテラヘルツ波発生モジュールを用いる。テラヘルツ波発生器30は、テラヘルツ波L4を発するものである。テラヘルツ波は、光と電波の中間の周波数の電磁波であり、電波のような性質と光のような性質とを併せ持っている。具体的には、テラヘルツ波は、電波のように物質を透過することが可能である。また、テラヘルツ波は、光のように反射鏡やレンズ等により制御することが可能である。テラヘルツ波の周波数は、100GHz~10THz程度であり、テラヘルツ波の波長は、30μm~3mm程度である。照射部30は、ポンプ光L3により励起され、パルス状のテラヘルツ波L4を発する。照射部30により発せられるテラヘルツ波L4の周波数帯域は、例えば0.1THz~2.5THz程度とする。照射部30の後段には、レンズ28が配されている。照射部30から発せられたテラヘルツ波L4は、レンズ28により平行化コリメートされる。レンズ28によりコリメートされたテラヘルツ波L4のビーム径は、例えば電気光学素子32の主面の寸法と同程度とする。レンズ28の後段には、被測定物50が配される。レンズ28によりコリメートされたテラヘルツ波L4は、被測定物50を通過する際、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布に応じて変調を受ける。このため、被測定物50を通過したテラヘルツ波L4における各箇所各部の電界強度電界強度分布は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映したものとなる。被測定物50を通過したテラヘルツ波L4は、合波部14に導入されるようになっている。テラヘルツ波L4と上述したプローブ光L2とは、合波部14により合波され、電気光学素子32に入射されるようになっている。電気光学素子32は、印加される電界の強度に応じて複屈折を誘起する素子である。電気光学素子32としては、例えば電気光学結晶が用いられている。かかる電気光学結晶の材料としては、例えばZnTe等が用いられている。電気光学素子32の各箇所において誘起される複屈折の程度度合いは、電気光学素子32に入射されるテラヘルツ波L4の各箇所における電界強度に依存する。電気光学素子32に入射されるテラヘルツ波L4の各箇所における電界強度は、上述したように、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。このため、電気光学素子32の各箇所各部において誘起される複屈折の程度は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映したものとなる。プローブ光L2の偏光状態は、プローブ光L2が電気光学結晶32を通過する際、電気光学素子32の各箇所において誘起される複屈折の程度に応じて変調される。上述したように、電気光学素子32の各箇所において誘起される複屈折の程度は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。このため、電気光学結晶32を通過したプローブ光L2の偏光状態は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映したものとなる。電気光学素子32は、上述したように、印加される電界の強度に応じて複屈折を誘起するものであるが、印加される電界に対して誘起される複屈折の程度度合いは必ずしも均一ではない。このため、電気光学素子32の全体に均一な電界を印加したとしても、電気光学素子32の各箇所において誘起される複屈折の程度複屈折性には、ある程度のばらつきがある。電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光L2の偏光状態の変調のばらつきは、取得される画像にムラを生じさせる要因となる。本実施形態では、上述したように、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光L2の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように、プローブ光L2の偏光状態が光学補償素子20により予め調整されている。このため、本実施形態によれば、電気光学素子32を通過したプローブ光L2の偏光状態は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を正確に反映したものとなる。なお、電気光学素子32において誘起される複屈折性のばらつきは、例えば結晶状態や組成の不均一性等によって生じる。電気光学結晶32において誘起される複屈折性のばらつきは、電気光学素子32の各部における複屈折率複屈折量のばらつきに対応している。なお、ここで、複屈折率とは、遅相軸方向における屈折率と進相軸方向における屈折率との差のことである。なお、電気光学素子32の詳細については、後述することとする。電気光学素子32の後段には、検光子抽出部34が配されている。検光子34は、偏光子16に対してクロスニコルに配されている。検光子34は、電気光学素子32により偏光状態が変調されたプローブ光L2のうちの所定の偏光成分を通過抽出させる。上述したように、電気光学素子32を通過したプローブ光L2の偏光状態は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。そして、電気光学素子32を通過したプローブ光L2のうちの所定の偏光成分が、検光子34を通過する。プローブ光L2のうちの検光子34を通過した所定の偏光成分の光の強度分布は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。検光子34の後段には、光電変換部撮像素子36が配されている。光電変換部36としては、例えばデジタルカメラのCCDChargeCoupledDeviceを用いる。プローブ光L2のうちの検光子34を通過した所定の偏光成分の光が、光電変換部36に入射される。光電変換部36は、光電変換を行うことにより、画像を取得する。被測定物50を所定の位置に配置した状態で画像を取得すると、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布が反映された画像が得られる。一方、被測定物50を所定の位置に配置していない状態で画像を取得すると、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布が反映されていない画像が得られる。本実施形態による撮像装置は、被測定物50を所定の位置に配置した状態で取得される画像と、被測定物50を所定の位置に配置しない状態で取得される画像とを用いて、画像処理を行うことにより、被測定物50についての画像を取得する。より具体的には、本実施形態による撮像装置は、被測定物50を所定の位置に配置した状態で取得される画像と、被測定物50を所定の位置に配置しない状態で取得される画像との差分に基づいて、被測定物50についての画像を取得する。なお、これらの画像の差分に基づいて被測定物50の画像を取得する処理は、例えば、後述する装置制御部52の処理部54により行われる。本実施形態による撮像装置は、撮像装置全体を制御するとともに、所定の処理を行う装置制御部52を有している。装置制御部52は、所定のプログラムに基づいて所定の処理を行う処理部54と、処理部54が実行するプログラムや撮像素子36により取得される透過画像を記憶する記憶部56とを有している。記憶部56としては、例えばRAMRandomAccessMemoryやHDDHardDiskDrive等が用いられる。また、装置制御部52は、レーザ源10及び撮像素子36との間で入出力を行うための入出力インターフェース58を有している。このような装置制御部52としては、例えば所定のプログラムがインストールされたパーソナルコンピュータ等を用いる。また、本実施形態による撮像装置は、操作者による操作入力を行うための入力部60と、撮像素子36により取得された画像や画像処理を行うことにより得られた画像を表示する表示部62とを有している。入力部60としては、例えばキーボードやマウス等を用いる。表示部62としては、例えば液晶ディスプレイ等を用いる。次に、本実施形態による撮像装置に用いられる光学補償素子について図2及び図3を用いて説明する。図2aは、電気光学素子の全体に均一なテラヘルツ波を照射した際にプローブ光に生じる位相変動量の例を、等高線を用いて模式的に示したものである。図2は、図1における紙面左側から紙面右側に向かって電気光学素子32を見たときのものである上述したように、電気光学素子32は、印加される電界の強度に応じて複屈折を誘起するものであるが、印加される電界に対して誘起される複屈折の程度は各箇所において必ずしも均一ではない。このため、電気光学素子32の全体に所定の強度で均一なテラヘルツ波を照射しつつ、プローブ光を単に電気光学素子32に入射させた場合には、各箇所においてプローブ光に生じる位相変動量には、ばらつきが生じる。例えば、プローブ光に生じる位相変動量Δφ1~Δφ4は、図2aに示すように、各箇所においてばらつく。なお、図2aは、位相変動量を等高線で区切って示したものであり、等高線で区切られた領域内において位相変動量が均一になるわけではなく、位相変動量はなだらかにばらつく。図2aに示す位相変動量Δφ1~Δφ4は、各領域64a~64g内における位相変動量の代表値を示すものであり、具体的には、例えば中間値である。ここでは、説明を分かりやすくするため、各領域64a~64g内における位相変動量の代表値を、各領域64a~64g内における位相変動量として説明する。図2bは、電気光学素子の全体に均一なテラヘルツ波を照射した際にプローブ光に生じる位相変動量のばらつきの例を、等高線を用いて模式的に示したものである。電気光学素子32の全体に所定の強度で均一なテラヘルツ波を照射した際にプローブ光に生じる位相変動量の平均値をΔφ0とすると、移動変動量のばらつきは、図2bに示すように、各領域64a~64g内においてΔφ1-Δφ0~Δφ4-Δφ0となる。図3aは、本実施形態において用いられる光学補償素子にプローブ光を入射した際に得られる位相変動量の例を、等高線を用いて模式的に示したものである。図3aは、図1における紙面上側から紙面下側に向かって光学補償素子20を見たときのものである。図3aに示すように、光学補償素子20内の各領域66a~66g内において-Δφ1-Δφ0~-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ2-Δφ0である電気光学素子32内の領域64a,64eを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20内の領域66a,66e内を予め通過するようになっている。また、位相変動量のばらつきがΔφ3-Δφ0である電気光学素子32内の領域64b,64fを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20内の領域66b,66f内を予め通過するようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ4-Δφ0である電気光学素子32内の領域64c,64gを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20内の領域66c,66g内を予め通過するようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ1-Δφ0である電気光学素子32内の領域64dを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20内の領域66d内を予め通過するようになっている。このように、本実施形態では、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因してプローブ光L2に生じる位相変動量の分だけ、プローブ光L2の位相が光学補償素子20により予め調整される。光学補償素子20の各箇所をプローブ光L2が通過する際にプローブ光L2に生じる位相変動量Δφは、以下のような式1で表される。Δφ=2πnx-nyd/λ1式1において、dは誘電体層22の厚さを示しており、λはプローブ光L2の波長を示しており、nxは遅相軸方向における屈折率を示しており、nyは進相軸方向における屈折率を示している。式1から分かるように、光学補償素子20において生じる複屈折によってプローブ光L2に生じる位相変動量は、誘電体層22の遅相軸方向の屈折率と進相軸方向の屈折率との差と、誘電体層22の厚さとに依存する。また、誘電体層22の遅相軸方向の屈折率及び進相軸方向の屈折率は、誘電体層22を形成する各誘電体膜の材料等に依存する。従って、光学補償素子20の各箇所において得られるプローブ光L2の位相変動量は、誘電体層22の構成を適宜設定することにより設定し得る。図3bは、本実施形態による光学補償素子の例を示す断面図である。図3bに示すように、本実施形態による光学補償素子20は、各箇所において所望の位相変動量が得られるように、誘電体層22a~22dが形成されている。例えば、光学補償素子20の領域66d内には、プローブ光L2が光学補償素子20の領域66dを通過する際に、-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22dを形成する。例えば、誘電体膜68dにより誘電体層22dを形成する。誘電体膜68dの膜厚及び材料は、領域66d内において-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。また、光学補償素子20の領域66a,66e内には、プローブ光L2が光学補償素子20の領域66a,66eを通過する際に、-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22aを形成する。例えば、誘電体膜68aと誘電体膜70aとの積層膜により誘電体層22aを形成する。誘電体膜68aの膜厚及び材料、誘電体膜70aの膜厚及び材料は、領域66a,66e内において-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。また、光学補償素子20の領域66b,66f内には、プローブ光L2が光学補償素子20の領域66b,66fを通過する際に、-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22bを形成する。例えば、誘電体膜68bと誘電体膜70bと誘電体膜72bとの積層膜により誘電体層22bを形成する。誘電体膜68bの膜厚及び材料、誘電体膜70bの膜厚及び材料、誘電体膜72bの膜厚及び材料は、領域66b,66f内において-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。光学補償素子20の領域66c,66g内には、プローブ光L2が光学補償素子20の領域66c,66gを通過する際に、-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22cを形成する。例えば、誘電体膜68cと誘電体膜70cと誘電体膜72cと誘電体膜74cとの積層膜により誘電体層22cを形成する。誘電体膜68cの膜厚及び材料、誘電体膜70cの膜厚及び材料、誘電体膜72cの膜厚及び材料、誘電体膜74cの膜厚及び材料は、領域66c,66g内において-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。光学補償素子20の基板21には、図3bに示すように、誘電体層22a~22dの厚さに応じた凹部が形成されている。本実施形態において、誘電体層22a~22dの厚さに応じた凹部を形成しているのは、光学補償素子20全体の厚さを均一にするためである。凹部は、例えばフォトレジストマスクを用いてウェットエッチング法等により形成することが可能である。所定の深さの凹部が形成された基板21上の各領域66a~66gには、誘電体層22a~22dがそれぞれ形成されている。これらの誘電体層22a~22dは、例えば別個の工程でそれぞれ形成されている。誘電体層22a~22dを各領域66a~66gに形成する際には、フォトリソグラフィ技術等が適宜用いられる。なお、各箇所において所望の位相変動量が得られるように誘電体層の構成や各誘電体膜の膜厚及び材料を設定する際には、例えば以下のような式2~式4を用いることが可能である。φj=2πNjdjcosθj/λ4式2~式4において、E0は光学補償素子20に入射されるプローブ光L2の電界強度を示しており、H0は光学補償素子20に入射されるプローブ光L2の磁場強度を示している。また、Emは各誘電体膜を通過した際におけるプローブ光L2の電界強度を示している。また、Hmは各誘電体膜を通過した際におけるプローブ光L2の磁場強度を示している。また、ηjは各誘電体膜の屈折率を示しており、Δφjは各誘電体膜を通過する際に生じるプローブ光L2の位相変動量を示している。また、Njは各誘電体膜の複素屈折率を示しており、θjは各誘電体膜に入射するプローブ光の入射角を示しており、iは虚数単位を示している。次に、本実施形態による撮像装置の動作について説明する。まず、被測定物50を所定の位置に配置する。次に、レーザ源10を動作させることにより、レーザ源10からパルス光L1を発する。レーザ源10の動作は、装置制御部52の処理部54により制御される。レーザ源10から発せられたパルス光L1は、分岐部12によりプローブ光L2とポンプ光L3とに分岐される。プローブ光L2は、光学補償素子20により偏光状態が調整された後、電気光学素子32に導入される。一方、ポンプ光L3が照射部30に入力されることにより、照射部30からテラヘルツ波L4が発せられ、被測定物50を通過したテラヘルツ波L4が電気光学素子32に導入される。電気光学素子32においては、各箇所におけるテラヘルツ波L4の電界強度に応じて複屈折が誘起され、これにより、プローブ光L2が電気光学素子32を通過する際、プローブ光L2の偏光状態が変調される。上述したように、電気光学素子32の各箇所において誘起される複屈折の程度は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。このため、電気光学結晶32を通過したプローブ光L2の偏光状態は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。そして、電気光学素子32を通過したプローブ光L2のうちの所定の偏光成分が、検光子34を通過し、光電変換部36に入射される。プローブ光L2のうちの検光子34により抽出された所定の偏光成分の光の強度分布は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映している。このため、光電変換部36により光電変換を行うことにより、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映した画像が得られる。本実施形態では、上述したように、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光L2の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように、プローブ光L2の偏光状態が光学補償素子20により予め調整されている。このため、本実施形態によれば、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、高精度な画像を得ることができる。装置制御部52の処理部54は、入出力インターフェース58を介して、光電変換部36により取得された画像を読み取る。より具体的には、処理部54は、被測定物50を所定の位置に配置した状態で光電変換部36により取得された画像を、入出力インターフェース58を介して読み取る。また、処理部54は、被測定物50を所定の位置に配置していない状態で光電変換部36により取得された画像を、入出力インターフェース58を介して読み取る。そして、処理部54は、光電変換部36により取得されたこれらの画像を記憶部56に記憶する。そして、処理部54は、被測定物50を所定の位置に配置した状態で取得された画像と、被測定物50を所定の位置に配置していない状態で取得された画像とを用いて、画像処理を行うことにより、被測定物50についての画像を取得する。より具体的には、処理部54は、被測定物50を所定の位置に配置した状態で取得された画像と、被測定物50を所定の位置に配置していない状態で取得された画像との差分に基づいて、被測定物50についての画像を取得する。また、処理部54は、光電変換部36により取得された画像や画像処理を行うことにより得られた画像を、表示部62により表示する。上述したように、本実施形態によれば、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定された光学補償素子20を用いて、プローブ光L2の偏光状態を予め調整する。このため、本実施形態によれば、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、画質の良好な撮像装置を提供することができる。変形例次に、本実施形態による変形例による撮像装置について図4を用いて説明する。図4は、本実施形態による撮像装置の変形例を示す概略図である。本変形例による撮像装置は、被測定物50においてテラヘルツ波L4を反射させて、画像を取得するものである。図4に示すように、照射部30から発せられたテラヘルツ波L4は、レンズ28によりコリメートされ、被測定物50に入射されるようになっている。被測定物50は、被測定物50の主面に対して斜めにテラヘルツ波L4が入射されるように配置されている。被測定物50により反射されたテラヘルツ波L4は、合波器14によりプローブ光L2と合波され、電気光学素子32に入射されるようになっている。テラヘルツ波L4は、被測定物50において反射される際、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布に応じて変調を受ける。このため、被測定物50により反射されたテラヘルツ波L4における各箇所の電界強度は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映したものとなる。このように、被測定物50においてテラヘルツ波L4を反射させて画像を取得するようにしてもよい。本変形例においても、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定された光学補償素子20を用いて、プローブ光L2の偏光状態を予め調整する。このため、本変形例によっても、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、画質の良好な撮像装置を提供することができる。[第2実施形態]第2実施形態による撮像装置について図5及び図6を用いて説明する。図5は、本実施形態による撮像装置を示す概略図である。図6は、光学補償素子を模式的に示す平面図及び断面図その2である。図1乃至図4に示す第1実施形態による撮像装置と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し又は簡潔にする。本実施形態による撮像装置は、光学補償素子20aにおいてプローブ光L2を反射させることによりプローブ光L2の偏光状態を予め調整し、画像を取得するものである。図5に示すように、本実施形態では、ビームエキスパンダ49によりビーム径が拡張されたプローブ光L2が、光学補償素子20aにより反射されて、合波部14に導入されるようになっている。プローブ光L2は、光学補償素子20aのうちの誘電体層22図3b参照が形成されている面側に入射されるようになっている。光学補償素子20aに入射されるプローブ光L2のうちの一部は光学補償素子20aを通過するが、光学補償素子20aにより反射された光が本実施形態ではプローブ光L2として用いられる。なお、本実施形態では、レーザ反射板42,44,46の他に、更にレーザ反射板80を用いることにより、プローブ光L2の光路が調整されている。プローブ光L2を光学補償素子20aにより反射させる場合においても、プローブ光L2は光学補償素子20aの各箇所において複屈折され、プローブ光L2の偏光状態位相差を変調することが可能である。なお、本実施形態による撮像装置では、照射部30から発せられ、レンズ28によりコリメートされたテラヘルツ波L4が、被測定物50を通過して、電気光学素子32に入射されるようになっている。次に、本実施形態による撮像装置に用いられる光学補償素子について図6を用いて説明する。図6aは、本実施形態において用いられる光学補償素子によりプローブ光が反射される際に得られる位相変動量の例を、等高線を用いて模式的に示したものである。図6aは、図5における紙面左側から紙面右側に向かって光学補償素子20aを見たときのものである。図6bは、図6aにおけるA-A′線断面図である。図6aに示すように、光学補償素子20a内の各領域66h~66n内において-Δφ1-Δφ0~-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ2-Δφ0である電気光学素子32内の領域64a,64eを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20a内の領域66h,66lにおいて予め反射されるようになっている。また、位相変動量のばらつきがΔφ3-Δφ0である電気光学素子32内の領域64b,64fを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20a内の領域66i,66mにおいて予め反射されるようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ4-Δφ0である電気光学素子32内の領域64c,64gを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20a内の領域66j,66nにおいて予め反射されるようになっている。位相変動量のばらつきがΔφ1-Δφ0である電気光学素子32内の領域64dを通過する予定のプローブ光L2は、-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られる光学補償素子20a内の領域66k内において予め反射されるようになっている。このように、本実施形態では、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因してプローブ光L2に生じる位相変動量の分だけ、プローブ光L2の位相が光学補償素子20aにより予め調整される。光学補償素子20aにより反射させることにより得られるプローブ光L2の位相変動量は、光学補償素子20における各誘電体層22e~22hの構成等を適宜設定することにより設定し得る。図6bに示すように、本実施形態による光学補償素子20aは、各箇所において所望の位相変動量が得られるように、誘電体層22e~22hが形成されている。例えば、光学補償素子20aの領域66k内には、プローブ光L2が光学補償素子20aの領域66kにおいて反射される際に、-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22hを形成する。例えば、誘電体膜68hにより誘電体層22hを形成する。誘電体膜22hの膜厚及び材料は、領域66d内において-Δφ1-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。また、光学補償素子20aの領域66h,66l内には、プローブ光L2が光学補償素子20aの領域66h,66lにおいて反射される際に、-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22eを形成する。例えば、誘電体膜68eと誘電体膜70eとの積層膜により誘電体層22eを形成する。誘電体膜68eの膜厚及び材料、誘電体膜70eの膜厚及び材料は、領域66h、66l内において-Δφ2-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。また、光学補償素子20aの領域66i,66m内には、プローブ光L2が光学補償素子20aの領域66i,66mにおいて反射される際に、-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22fを形成する。例えば、誘電体膜68fと誘電体膜70fと誘電体膜72fとの積層膜により誘電体層22fを形成する。誘電体膜68fの膜厚及び材料、誘電体膜70fの膜厚及び材料、誘電体膜72fの膜厚及び材料は、領域66i,66m内において-Δφ3-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。光学補償素子20aの領域66j,66m内には、プローブ光L2が光学補償素子20aの領域66j,66mにおいて反射される際に、-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるような誘電体層22gを形成する。例えば、誘電体膜68gと誘電体膜70gと誘電体膜72gと誘電体膜74gとの積層膜により誘電体層22gを形成する。誘電体膜68gの膜厚及び材料、誘電体膜70gの膜厚及び材料、誘電体膜72gの膜厚及び材料、誘電体膜74gの膜厚及び材料は、領域66j,66m内において-Δφ4-Δφ0の位相変動量が得られるように適宜設定される。光学補償素子20a全体の厚さを均一にするため、光学補償素子20aの基板21には、誘電体層22e~22hの厚さに応じた凹部が形成されている。所定の深さの凹部が形成された基板21上の各領域66h~66nには、誘電体層22e~22hがそれぞれ形成されている。これらの誘電体層22e~22hは、例えば別個の工程でそれぞれ形成されている。誘電体層22e~22hを各領域66h~66nに形成する際には、フォトリソグラフィ技術等が適宜用いられる。このように、光学補償素子20aによりプローブ光L2を反射させることによりプローブ光L2の偏光状態を予め調整するようにしてもよい。本実施形態においても、プローブ光L2の偏光状態を光学補償素子20aにより予め調整し得るため、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、画質の良好な撮像装置を提供することができる。変形例次に、本実施形態による変形例による撮像装置について図7を用いて説明する。図7は、本実施形態による撮像装置の変形例を示す概略図である。本変形例による撮像装置は、被測定物50においてテラヘルツ波L4を反射させて、画像を取得するものである。図7に示すように、本変形例による撮像装置では、第1実施形態の変形例による撮像装置と同様に、照射部30から発せられたテラヘルツ波L4が、レンズ28によりコリメートされ、被測定物50に入射されるようになっている。そして、第1実施形態の変形例による撮像装置と同様に、被測定物50により反射されたテラヘルツ波L4が、合波器14によりプローブ光L2と合波され、電気光学素子32に入射されるようになっている。第1実施形態の変形例による撮像装置と同様に、テラヘルツ波L4は、被測定物50において反射される際、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布に応じて変調を受ける。このため、第1実施形態の変形例による撮像装置と同様に、被測定物50により反射されたテラヘルツ波L4における各箇所の電界強度は、被測定物50のテラヘルツ波L4に対する吸収や反射などの特性の空間分布を反映したものとなる。このように、被測定物50においてテラヘルツ波L4を反射させて画像を取得するようにしてもよい。本変形例においても、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生じるプローブ光の偏光状態の変調のばらつきを相殺するように各箇所における複屈折の程度が設定された光学補償素子20aを用いて、プローブ光L2の偏光状態を予め調整する。このため、本変形例によっても、電気光学素子32の各箇所における複屈折性のばらつきに起因して生ずる画像のムラを低減することができ、画質の良好な撮像装置を提供することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、誘電体層22a~22d,22e~22hの厚さに応じた凹部を形成することにより、光学補償素子20,20a全体の厚さを均一にする場合を例に説明したが、必ずしも光学補償素子20,20a全体の厚さを均一にしなくてもよい。例えば、基板21に凹部を形成することなく、基板21上に誘電体層22a~22d,22e~22hを形成するようにしてもよい。また、第1実施形態では、誘電体層22a~22dが別個の工程で形成されている場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、誘電体膜68a~68dの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体膜68a~68dを同時に形成することも可能である。また、誘電体膜70a~70cの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体膜70a~70cを同時に形成することも可能である。また、誘電体膜72b,72cの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体膜72b,72cを同時に形成することも可能である。また、第2実施形態では、誘電体層22e~22hが別個の工程で形成されている場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、誘電体膜68e~68hの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体膜68e~68hを同時に形成することも可能である。また、誘電体膜70e~70gの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体膜70e~70gを同時に形成することも可能である。また、誘電体層72f,72gの材料や膜厚等が互いに同じ場合には、誘電体層72f,72gを同時に形成することも可能である。また、上記実施形態では、プローブ光L2の光路長を調整することにより、プローブ光L2とテラヘルツ波L4とが同時に電気光学素子32に入射されるようにしたが、ポンプ光L3又はテラヘルツ波L4の光路長の調整をしてもよい。"