"同軸に沿って略整列したワイヤ状ナノスケール物体を含む構造体を切断するためのデバイスであって、1フェムト秒から300フェムト秒の間の幅のレーザパルス状のレーザビームを放出するレーザ源と、放出された各レーザパルスのエネルギーを0.1μJから10mJの間に調整する手段と、放出されたレーザパルスの繰り返し周波数を10Hzから10kHzの間に設定する手段と、放出されたレーザパルスを直線偏光させる手段と、前記構造体のワイヤ状ナノスケール物体の上に直線偏光したレーザパルスを集束させる手段と、収容容器とを含み、前記収容容器が、aレーザパルスの波長に対して透明な観測ポートと、b切断される構造体が配置されるブラケットと、c前記構造体のワイヤ状ナノスケール物体に対する前記レーザビームの相対的な変位を生じさせるように前記ブラケットを移動させる手段と、d切断の結果として生じたデブリを前記収容容器から除去する手段とを含むことを特徴とするデバイス。前記放出された各レーザパルスのエネルギーを0.1μJから10mJの間に調整する手段Lm、P1が、半波長レンズLmと、偏光子P1とを含み、前記放出されたレーザパルスの繰り返し周波数を10Hzから10kHzの間に設定する手段が、ポッケルセルPKを含む、請求項1に記載のデバイス。前記放出されたレーザパルスを直線偏光させる手段P2が、ナノチューブの軸に平行な軸に沿って、又はナノチューブの軸に垂直な軸に沿って、レーザパルスを偏光させる、請求項1又は2に記載のデバイス。前記切断の結果として生じたデブリを前記収容容器から除去する手段が、前記構造体の近くに配置された加圧ガス流入口と、前記切断の結果として生じたデブリを前記収容容器の外に運ぶガスを排気する手段とを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のデバイス。前記直線偏光したレーザパルスを集束させる手段が、前記ワイヤ状ナノスケール物体の軸に略垂直な軸を有する直線ビーム状のレーザパルスを集束させるデバイスから成る、請求項1から4のいずれか一項に記載のデバイス。前記直線偏光したレーザパルスを集束させる手段が、前記ワイヤ状ナノスケール物体の軸に略垂直な平面を定めるレーザシートNp状のレーザパルスを集束させるデバイスから成る、請求項1から4のいずれか一項に記載のデバイス。請求項1から5のいずれか一項に記載のデバイスを用いてワイヤ状ナノスケール物体ntを含む構造体を切断するための方法であって、a前記構造体の上に集束された直線偏光したレーザビームが、前記構造体の厚さ方向を定める平坦な表面に略垂直な伝播方向を有し、b前記構造体Tが、前記平坦な表面に平行であり且つパルスの伝播方向に垂直な方向に沿って動かされる、方法。請求項6に記載のデバイスを用いてワイヤ状ナノスケール物体ntを含む構造体を切断するための方法であって、直線偏光したレーザパルスが、レーザシートNp状で、前記構造体の厚さ方向において集束されて、前記レーザシートNpが、前記構造体の厚さ方向によって定められる平面に略垂直な平面を定め、前記構造体が動かされる方向が、前記構造体の厚さ方向によって定められる平面に略垂直である、方法。前記構造体が、基板Suに結合されたワイヤ状ナノスケール物体のカーペットから成り、切断工程が、前記基板から前記ワイヤ状ナノスケール物体のカーペットを剥離するものである、請求項7又は8に記載の方法。前記構造体が、ワイヤ状ナノスケール物体のカーペットTを含み、切断工程が、前記ワイヤ状ナノスケール物体のカーペットを薄化することを含む、請求項7又は8に記載の方法。前記構造体が、頂部又は端部を有するワイヤ状ナノスケール物体のカーペットを含み、切断工程が、前記ワイヤ状ナノスケール物体の頂部又は端部を切断することを含む、請求項7又は8に記載の方法。前記ワイヤ状ナノスケール物体が、無機ナノチューブ、特に、イモゴライトナノチューブ、窒化ホウ素ナノチューブBN、酸化亜鉛ナノチューブZnO、窒化ガリウムナノチューブGaN、窒化シリコンナノチューブSi3N4、二硫化タングステンナノチューブWS2、二硫化モリブデンナノチューブMoS2、セレン化タングステンナノチューブWSe2、セレン化モリブデンナノチューブMoSe2、二酸化チタンナノチューブTiO2、三酸化モリブデンナノチューブMoO3、及びこれら混合物から成る群から選択された無機ナノチューブである、請求項7から11のいずれか一項に記載の方法。前記ワイヤ状ナノスケール物体が、有機ナノチューブ、特に、カーボンナノチューブ、ペプチドナノチューブ、環状ペプチドナノチューブ、膜貫通分子ナノチューブ、クラウンエーテルナノチューブ、ポリフェリンナノチューブ、アクアポリンナノチューブ、グラミシジンナノチューブ、ポリマーナノチューブ、有機分子の自己組織化によって形成されたナノチューブ、及びこれらの混合物から成る群から選択された有機ナノチューブである、請求項7から11のいずれか一項に記載の方法。前記ワイヤ状ナノスケール物体が、ナノワイヤ、特に、金Auナノワイヤ、銀Agナノワイヤ、ニッケルNiナノワイヤ、プラチナPtナノワイヤ、シリコンSiナノワイヤ、窒化ガリウムGaNナノワイヤ、リン化インジウムInPナノワイヤ、二酸化シリコンSiO2ナノワイヤ、二酸化チタンTiO2ナノワイヤ、酸化亜鉛ZnOナノワイヤ、1,5‐ジアミノアントラキノンナノワイヤ、DNAナノワイヤ、ナノチューブから成るナノワイヤ、及びこれらの混合物から成る群から選択されたナノワイヤである、請求項7から11のいずれか一項に記載の方法。本発明は、同じ軸にそって略整列したワイヤ状ナノスケール物体を含む構造体を切断するためのデバイスに関し、そのデバイスは:‐1フェムト秒と300フェムト秒との間の幅のレーザパルス状のレーザビームを放出することができるレーザ源と;‐放出された各レーザパルスのエネルギーを0.1μJから10mJの間に調整することができる手段と;‐放出されたレーザパルスの繰り返し周波数を10Hzから10kHzの間に設定することができる手段と;‐放出されたレーザパルスを直線偏光させることができる手段と;‐構造体のワイヤ状ナノスケール物体の上に直線偏光したレーザパルスを集束させることができる手段と;‐収容容器とを含み、その収容容器は:aレーザパルスの波長に対して透明な観測ポートと、b切断される構造体が配置されるブラケットと、c構造体のワイヤ状ナノスケール物体に対するレーザビームの相対的な変位を生じさせるようにブラケットを移動させることができる手段と、d切断の結果として生じたデブリを容器から除去する手段とを含むことを特徴としている。レーザパルスを集束させることができる手段との用語は、単一点この場合、集束点焦点と呼ばれる、レーザパルスの伝播方向に垂直な直線セグメントレーザシートの場合、又はレーザパルスの伝播方向に平行な線アキシコンの場合にレーザパルスの最大エネルギーを集中させることができる光学手段を意味する。また、本発明は、本発明の切断デバイスによって実施されるワイヤ状ナノスケール物体を含む構造体を切断するための方法にも関する。上述のように、ワイヤ状ナノスケール物体を含む構造体を切断との表現は、例えば、ナノチューブカーペットをそれが付着している基板から分離する工程や、例えば一枚のナノチューブカーペットから複数の別々のナノチューブカーペットを形成するためにナノチューブカーペットを薄化したり、ナノチューブカーペットのナノチューブの頂部を開いたりすることを意味するものとして理解されるものである。本発明の切断方法は、有利には、例えば非常に薄いナノチューブカーペット典型的には100μm、またはそれ以下の形成をもたらす。以下の説明において、本発明のワイヤ状ナノスケール物体を切断するための方法は、ナノチューブの切断に関する。しかしながら、より一般的には、本発明の切断方法は、あらゆる種類のワイヤ状ナノスケール物体の切断に関し、例えば、以下のものが挙げられる:‐無機ナノチューブ、特に、イモゴライトナノチューブ、窒化ホウ素ナノチューブBN、酸化亜鉛ナノチューブZnO、窒化ガリウムナノチューブGaN、窒化シリコンナノチューブSi3N4、二硫化タングステンナノチューブWS2、二硫化モリブデンナノチューブMoS2、セレン化タングステンナノチューブWSe2、セレン化モリブデンナノチューブMoSe2、二酸化チタンナノチューブTiO2、三酸化モリブデンナノチューブMoO3、及びこれら混合物から成る群から選択された無機ナノチューブ;‐有機ナノチューブ、特に、カーボンナノチューブ、ペプチドナノチューブ、環状ペプチドナノチューブ、膜貫通分子ナノチューブ、クラウンエーテルナノチューブ、ポリフェリンナノチューブ、アクアポリンナノチューブ、グラミシジンナノチューブ、ポリマーナノチューブ、有機分子の自己組織化によって形成されたナノチューブ、及びこれらの混合物から成る群から選択された有機ナノチューブ;‐ナノワイヤ、特に、金Auナノワイヤ、銀Agナノワイヤ、ニッケルNiナノワイヤ、プラチナPtナノワイヤ、シリコンSiナノワイヤ、窒化ガリウムGaNナノワイヤ、リン化インジウムInPナノワイヤ、二酸化シリコンSiO2ナノワイヤ、二酸化チタンTiO2ナノワイヤ、酸化亜鉛ZnOナノワイヤ、1,5‐ジアミノアントラキノンナノワイヤ、DNAデオキシリボ核酸ナノワイヤ、ナノチューブから成るナノワイヤ、及びこれらの混合物から成る群から選択されたナノワイヤ。本発明がカーボンナノチューブに関する場合、カーボンナノチューブは、単層ナノチューブ、二層ナノチューブ、又は多層ナノチューブであり得る。ナノチューブの密度は、例えば、104から1013個のナノチューブ/cm2の間、特に、108から1011個のナノチューブ/cm2である。ナノチューブの内径は、例えば、0.5nmから100nmの間特に0.5nmから10nmの間であり、外径は、例えば、0.5nmから500nmの間特に1nmから100nmの間である。本発明の他の特徴及び利点は、添付図面を参照して実施形態を読むことによって明らかになるものである。全ての図面において、同じ参照符号は同じ要素を指称する。図1は、本発明に係る横方向からのエッチングによってナノチューブカーペットを切断する工程を概略的に示す。レーザ源Sから放出されたレーザパルスのビームFが、集束デバイスLによって、ナノチューブntのカーペットTに横向きに集束される。ナノチューブntは、ナノチューブを保持するポリマーP内に包み込まれる。しかしながら、より一般的に、本発明は、特に有利には、ナノチューブがポリマーに包み込まれておらず、ナノチューブ間のファンデルワールス力のみがカーペットを保持する場合にも関する。ビームFは、側面からカーペットをエッチングする。カーペットは、ビームFのパルスの伝播軸に略垂直な方向d1に沿って直線的に移動する。方向d1は、図1に示されるように単方向であるか、双方向往復運動であり得る。これによって、レーザパルスがナノチューブカーペットに徐々に侵入して、最終的には、二枚のナノチューブカーペットが、元々のカーペットTから形成される。元々のカーペットTは、例えば、厚さ1から数ミリメートルであって、また、例えば、長さ1センチメートルから数十センチメートルのものである。切断工程を複数回繰り返して、複数のナノチューブカーペットを形成することが可能であり、その長さは、元々のカーペットTの長さに等しく、その厚さは、有利には、非常に小さな値、例えば、±5μmの精度で、100μm以下となり得る。本発明の特定の一実施形態では、複数のナノチューブカーペットを、一つ又は複数のレーザ源から放出される複数の平行なレーザビームを用いて、形成することができる。そのため図6を参照、上述のような切断を達成するように、レーザパルスは、好ましくは、以下のパラメータによって特徴付けられる:‐1フェムト秒から300フェムト秒の間の持続期間;‐所望の持続期間を有するパルスの発生に適合可能な波長例えば800nm;‐10Hzから100kHzの間の繰り返し周波数;‐レーザビームのパルスの直線偏光;‐0.1μJから10mJの間の各パルスのエネルギー;‐0.1cmから数センチメートルの間のレーザビームの直径。図2は、本発明の方法に係る深い被写界深度でナノチューブカーペットを切断する工程を概略的に示す。レーザビームFのパルスは、この場合、レーザビーム軸の数センチメートルの距離にわたって集束可能なデバイス例えば、円錐レンズ、又はアキシコンAを用いて集束される。切断を達成するため、ナノチューブカーペットTは、ビームFの伝播軸に略垂直な方向d1において、ビームFに対して動かされる。この場合、ナノチューブカーペットの切断は、二枚の別々のカーペットの形成をもたらす。明確性のため、図2は、ナノチューブカーペットの横からの影響に対するレーザビームの作用のみを示し、形成される二枚のナノチューブカーペットは示されていない。図3は、本発明に係るレーザシートを用いてナノチューブカーペットを切断する工程を概略的に示す。レーザビームFのパルスは、この場合、レーザビームの軸に垂直に数センチメートルの距離にわたって集束可能なデバイス例えば、円柱レンズLNを用いて集束される。レーザビームFは、レーザシートNp状に広げられる。切断を達成するため、ナノチューブカーペットを、レーザシートNpに略平行であり且つナノチューブカーペットの厚さ方向に垂直な方向d2において、レーザ源Sに向けて移動させる。この場合も、ナノチューブカーペットの切断によって、二枚の別々のカーペットが形成される。明確性のため、図3は、ナノチューブカーペットの横からの影響に対するレーザビームの作用のみを示し、形成される二枚のナノチューブカーペットは示されていない。図4は、ナノチューブカーペットと、その上にカーペットが形成された基板Suから成る複合体を切断する工程を示す。複合体の切断は、レーザパルスのビームFを用いて、ナノチューブカーペットを基板Suからリフトオフする。レーザパルスの特性は、例えば、図1を参照して上述した特性の範囲内である。図5は、本発明の方法に係るその一部が斜めに加工されるナノチューブカーペットを示す。このような結果を得るため、レーザビームは、ナノチューブカーペットを斜めにエッチングして、有利には、あらゆる入射角で行うことができる。図6は、本発明の方法を実施することができるデバイスの概略図を示す。本デバイスは、レーザパルスlの源SLと、パルスビームFとしてレーザパルスlを成形することができるデバイスDと、ビームFを集束するためのデバイスLと、収容容器Eとを含み、その容器内において、切断されるサンプルEchが支持体上に配置されて、その支持体は、容器内においてスライド及び/又は回転可能である。レーザ源SLによって放出されるレーザパルスlの持続期間は、例えば、数十フェムト秒である。より一般的には、レーザパルスの持続期間は1フェムト秒から300フェムト秒の間である。後述の図8からより明らかになるように、レーザパルスを成形するためのデバイスDは、レーザパルスのエネルギーを調整することができる手段と、レーザパルスの繰り返し周波数を調整することができる手段と、レーザパルスを直線偏光させることができる手段とを含む、直線偏光したレーザパルスは一般的に、ナノチューブの軸に沿った成分と、ナノチューブの軸に垂直な軸に沿った成分とを有する。レーザパルスの偏光は、ナノチューブのカイラリティに依存し得る。好ましくは、ナノチューブの直線偏光は、ナノチューブの軸に平行であるか、ナノチューブの軸に垂直である。デバイスDによって伝えられる成形パルスは、集束デバイスLによって集束される。集束デバイスLは、例えば、一つ以上のレンズ、又は一つ以上のアキシコンから成る。パルスビームの集束スポットの直径は、集束光学系の選択によって決められる。この直径は典型的には10μmから500μmの間であり、好ましくは20μmから80μmの間である。レイリー長も、集束光学系の選択によって決められる。レイリー長は典型的には2.5mmから50cmの間である。例えば、長いレイリー長を得るために、アキシコンが選択される。サンプルに対する所望のレーザビームの流束量フリューエンス、エネルギー密度は、各レーザパルスのエネルギーの選択と、サンプル内の集束スポットの直径の選択との組み合わせによって得られる。典型的には、流束量は、所望の使用に応じて、1μJ/cm2から20J/cm2の間である。非限定的な例として、30cmに等しい焦点距離のレンズL、直径7mmの入射ビーム、パルスごとに100μJのパルスに対して、流束量は3J/cm2である。この場合、レイリー長は1cmである。容器E内に配置されたサンプルEchは、座標x,y,zを参照して、容器E内の空間内をスライド及び/又は回転可能であり、ここで、平面z=0が、複合体の表面に平行な平面である。ビームFの波長に対して透明な観測ポートHを、容器Eの壁に形成して、集束パルスが通り抜けてサンプルに到達することを可能にする。加圧アルゴンArを容器内に導入して、ポンピングデバイスPを用いて、カーテンR状のアルゴンが、容器の頂部から排気される。構造体を切断する工程は、デブリ屑dの形成を伴う。デブリdは、アルゴン流Rによって運ばれて、アルゴンカーテンを用いて容器Eの外に排出される。図7は、図6に示されるデバイスに可能な追加例を示す。図7の具体的な素子は、サンプルの上にデブリが堆積することを防止するためのシステムである。この場合、毛細管Cpを用いて、アルゴンがサンプルに可能な限り近く到達する。アルゴン流量の高い値が、切断中に、カーペットの切断部の上に放出されたデブリが堆積することを顕著に低下させる。形成されるデブリdは、ガスポンピングシステムを用いて、容器から排出される。図8は、源SLによって伝えられたレーザパルスを成形することができるデバイスDの好ましい一実施形態の詳細図を示す。デバイスDは、レーザパルスのエネルギーを調整することができる手段Lm、P1と、レーザパルスの繰り返し周波数を調整することができる手段PKと、レーザパルスを直線偏光させることができる手段P2とを含む。好ましい一実施形態では、デバイスDは、レーザパルスを所望の方向に整列させることができるデバイス例えば、ミラーMrも含む。レーザパルスのエネルギーを調整することができる手段は、例えば、半波長板Lmと、第一の直線偏光子P1とを含む。繰り返し周波数を調整することができる手段は、例えば、偏光子と、制御信号kによって制御されるポッケルセルPKとから成る。パルスを直線偏光させる手段は、例えば、偏光子P2から成る。半波長板Lm及び偏光子P1は、各レーザパルスのエネルギーが0.1μJから10mJの間好ましくは1μJから100μJの間となるようにレーザパルスのエネルギーを調整することを可能にする。そのエネルギーが調整されたレーザパルスは、ポッケルセルPKに入射し、そのポッケルセルPKは、レーザパルスの繰り返し周波数を、選択された作用に望まれる値に調整することを可能にする。ポッケルセルに入射するパルスlの繰り返し周波数は略1kHzから10kHzの間である。ポッケルセルから出て行くパルスの繰り返し周波数は、好ましくは、10Hzから入射パルスの繰り返し周波数との間の値に調整される。レーザパルスの繰り返し周波数は、所望の切断速度に応じて調整される。繰り返し周波数が高くなるほど、より速い切断が得られる。しかしながら、繰り返し周波数を、レーザビームに対する相対的なサンプルの移動速度に適合するように低下させる必要がある。この繰り返し周波数の低下の理由は、サンプル上にレーザパルスが局所的に重なること有害な熱的影響をもたらすを制限する必要があるからである。非限定的な例として、サンプルの移動速度は100μm/sから1.5mm/sの間であり得る。図9は、レーザ源によって放出されたパルスlからビームFのパルスを形成するプロセスを示す。三つの異なる信号が図9に示されていて、具体的には、‐繰り返し周波数fl例えば1kHzに等しいでレーザ源によって放出されるパルスl;‐ON状態又はOFF状態に応じてパルス伝達を許可又は拒絶するポッケルセルの制御信号k;‐偏光子P2の出力において伝えられるパルスのビームFその繰り返し周波数fFは例えば500Hzから1kHzの間である。表1に、非限定的な例として、所望の作用に応じたレーザビームFのパルスの複数の特性流束量及び繰り返し周波数をまとめる。本発明のデバイスは、蓄積されるエネルギーを、パルスファイヤ及び単位面積で制御することを有利に可能にする。このための主な調整パラメータは以下のとおりである:‐パルスのエネルギー;‐パルスの繰り返し周波数;及び‐切断工程中の複合体のスライド速度これは、連続的なパルスの空間的重なりの割合に関する。図10及び図11は、本発明の方法によって得られた切断結果の写真を示す。この場合、ナノチューブカーペットは斜めに加工されている。図10はナノチューブカーペットの上面図を示し、図11はナノチューブカーペットの側面図を示す。これらの写真は、本発明の方法に係る切断の正確性及び清浄性を明確に示している。"