"ポリシラザン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする成形体。前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする請求項1に記載の成形体。ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入によりイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の成形体。前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の成形体。40°C、相対湿度90雰囲気下での水蒸気透過率が0.50g/m2/day未満であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の成形体。ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する請求項1に記載の成形体の製造方法。ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する請求項6に記載の成形体の製造方法。ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをプラズマイオン注入する工程を有する請求項6に記載の成形体の製造方法。ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する長尺の成形物を一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入することを特徴とする請求項6に記載の成形体の製造方法。請求項1~5のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。請求項10に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、ガスバリア性と透明性に優れる成形体、その製造方法、この成形体からなる電子デバイス用部材、及びこの電子デバイス用部材を備える電子デバイスを提供することを課題とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入することにより、ガスバリア性、耐折り曲げ性及び透明性の全てに優れる成形体が簡便かつ効率よく製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~5の成形体が提供される。1ポリシラザン化合物を含む層に、イオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする成形体。2前記イオンが、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスがイオン化されたものであることを特徴とする1に記載の成形体。3ポリシラザン化合物を含む層に、プラズマイオン注入によりイオンが注入されて得られる層を有することを特徴とする1または2に記載の成形体。4前記ポリシラザン化合物が、ペルヒドロポリシラザンであることを特徴とする1~3のいずれかに記載の成形体。540°C、相対湿度90雰囲気下での水蒸気透過率が0.50g/m2/day未満であることを特徴とする1~4のいずれかに記載の成形体。本発明の第2によれば、下記6~9の成形体の製造方法が提供される。6ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層の表面部に、イオンを注入する工程を有する1に記載の成形体の製造方法。7ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをイオン注入する工程を有する6に記載の成形体の製造方法。8ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層に、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のガスをプラズマイオン注入する工程を有する6に記載の成形体の製造方法。9ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する長尺の成形物を一定方向に搬送しながら、前記ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入することを特徴とする6に記載の成形体の製造方法。本発明の第3によれば、下記10の電子デバイス用部材が提供される。10前記1~5のいずれかに記載の成形体からなる電子デバイス用部材。本発明の第4によれば、下記11の電子デバイスが提供される。11前記10に記載の電子デバイス用部材を備える電子デバイス。本発明の成形体は、優れたガスバリア性能を有し、耐折り曲げ性に優れ、しかも透明性が良好である。よって、本発明の成形体は、フレキシブルなディスプレイや、太陽電池等の電子デバイス用部材例えば太陽電池バックシートとして好適に用いることができる。本発明の製造方法によれば、優れたガスバリア性を有する本発明の成形体を安全に簡便に製造することができる。また、無機膜成膜に比して低コストにて容易に大面積化を図ることができる。本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性と透明性を有するため、ディスプレイ、太陽電池等の電子デバイスに好適に用いることができる。以下、本発明を、1成形体、2成形体の製造方法、並びに、3電子デバイス用部材及び電子デバイスに項分けして詳細に説明する。1成形体本発明の成形体は、ポリシラザン化合物を含む層以下、ポリシラザン層ということがある。に、イオンが注入されて得られる層以下、イオン注入層ということがある。を有するものである。このポリシラザン層に、イオンが注入されて得られる層は、ガスバリア層としての機能を有する。本発明に用いるポリシラザンは、分子内に、-Si-N-結合を含む繰り返し単位を有する高分子である。具体的には、式1で表される繰り返し単位を有する化合物が挙げられる。式1中、nは任意の自然数を表す。Rx、Ry、Rzは、それぞれ独立して、水素原子、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基又はアルキルシリル基等の非加水分解性基を表す。前記無置換若しくは置換基を有するアルキル基のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-へキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基等の炭素数1~10のアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等の炭素数3~10のシクロアルキル基が挙げられる。無置換若しくは置換基を有するアルケニル基のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基等の炭素数2~10のアルケニル基が挙げられる。前記アルキル基、シクロアルキル基及びアルケニル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。無置換又は置換基を有するアリール基のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等の炭素数6~10のアリール基が挙げられる。前記アリール基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1~6のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1~6のアルコキシ基;ニトロ基;シアノ基;ヒドロキシル基;チオール基;エポキシ基;グリシドキシ基;メタアクリロイルオキシ基;フェニル基、4-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基等の無置換若しくは置換基を有するアリール基;等が挙げられる。アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリt-ブチルシリル基、メチルジエチルシリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、メチルシリル基、エチルシリル基等が挙げられる。これらの中でも、Rx、Ry、Rzとしては、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、又はフェニル基が好ましく、水素原子が特に好ましい。前記式1で表される繰り返し単位を有するポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンのいずれであってもよい。無機ポリシラザンとしては、下記式中、aは任意の自然数を表す。で表される繰り返し単位を有する直鎖状構造を有し、690~2000の分子量を持ち、一分子中に3~10個のSiH3基を有するペルヒドロポリシラザン特公昭63-16325号公報、式A式中、b、cは任意の自然数を表し、Y1は、水素原子又は式B式中、dは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y2は水素原子、又は前記Bで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し単位を有する、直鎖状構造と分岐構造を有するペルヒドロポリシラザン、式Cで表されるペルヒドロポリシラザン構造を有する、分子内に、直鎖状構造、分岐構造及び環状構造を有するペルヒドロポリシラザン等が挙げられる。有機ポリシラザンとしては、i-Rx’SiHNH-Rx’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。以下のRx’も同様である。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、ii-Rx’SiHNRz’-Rz’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iii-Rx’Ry’SiNH-Ry’は、無置換若しくは置換基を有するアルキル基、無置換若しくは置換基を有するシクロアルキル基、無置換若しくは置換基を有するアルケニル基、無置換若しくは置換基を有するアリール基、又はアルキルシリル基を表す。を繰り返し単位として、主として重合度が3~5の環状構造を有するもの、iv下記式で表される構造を分子内に有するポリオルガノヒドロシラザン、v下記式Rx’、Ry’は前記と同じ意味を表し、e、fは任意の自然数を表し、Y3は、水素原子又は式E式中、gは任意の自然数を表し、は結合位置を表し、Y4は水素原子、又は前記Eで表される基を表す。で表される基を表す。で表される繰り返し構造を有するポリシラザン等が挙げられる。上記有機ポリシラザンは、従来公知の方法により製造することができる。例えば、下記式2で表される無置換若しくは置換基を有するハロゲノシラン化合物と2級アミンとの反応生成物に、アンモニア又は1級アミンを反応させることにより得ることができる。式2中、mは2又は3を表し、Xはハロゲン原子を表し、R1は、前述した、Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’のいずれかの置換基を表す。用いる2級アミン、アンモニア及び1級アミンは、目的とするポリシラザン化合物の構造に応じて、適宜選択すればよい。また、本発明においては、ポリシラザン化合物として、ポリシラザン変性物を用いることもできる。ポリシラザン変性物としては、例えば、金属原子該金属原子は架橋をなしていてもよい。を含むポリメタロシラザン、繰り返し単位がSiH2gNHh及びSiH2iO式中、g、h、iはそれぞれ独立して、1、2又は3である。で表されるポリシロキサザン特開昭62-195024号公報、ポリシラザンにボロン化合物を反応させて製造するポリボロシラザン特開平2-84437号公報、ポリシラザンとメタルアルコキシドとを反応させて製造するポリメタロシラザン特開昭63-81122号公報等、無機シラザン高重合体や改質ポリシラザン特開平1-138108号公報等、ポリシラザンに有機成分を導入した共重合シラザン特開平2-175726号公報等、ポリシラザンにセラミックス化を促進するための触媒的化合物を付加又は添加した低温セラミックス化ポリシラザン特開平5-238827号公報等、ケイ素アルコキシド付加ポリシラザン特開平5-238827号公報、グリシドール付加ポリシラザン特開平6-122852号公報、アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザン特開平6-306329号公報、金属カルボン酸塩付加ポリシラザン特開平6-299118号公報等、上記ポリシラザン又はその変性物に、アミン類及び/又は酸類を添加してなるポリシラザン組成物特開平9-31333号公報、ペルヒドロポリシラザンにメタノール等のアルコール或いはヘキサメチルジシラザンを末端N原子に付加して得られる変性ポリシラザン特開平5-345826号公報、特開平4-63833号公報等が挙げられる。これらの中でも、本発明において用いるポリシラザン化合物としては、Rx、Ry、Rzが全て水素原子である無機ポリシラザン、Rx、Ry、Rzの少なくとも1つが水素原子ではない有機ポリシラザンが好ましく、入手容易性及び優れたガスバリア性を有する注入層を形成できる観点から、無機ポリシラザンがより好ましい。用いるポリシラザン化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、100~50,000であるのが好ましい。さらに、本発明においては、ポリシラザン化合物は、ガラスコーティング材等として市販されている市販品をそのまま使用することができる。ポリシラザン化合物を含む層は、ポリシラザン化合物の他に、本発明の目的を阻害しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、硬化剤、他の高分子、老化防止剤、光安定剤、難燃剤等が挙げられる。ポリシラザン化合物を含む層中の、ポリシラザン化合物の含有量は、優れたガスバリア性を有するイオン注入層を形成できる観点から、50重量以上であるのが好ましく、70重量以上であるのがより好ましい。ポリシラザン化合物を含む層を形成する方法としては、特に制約はなく、例えば、ポリシラザン化合物の少なくとも一種、所望により他の成分、及び溶剤等を含有する層形成用溶液を、適当な基材層の上に塗布し、得られた塗膜を適度に乾燥して形成する方法が挙げられる。塗工装置としては、スピンコーター、ナイフコーター、グラビアコーター等の公知の装置を使用することができる。得られた塗膜の乾燥、成形体のガスバリア性向上のため、塗膜を加熱することが好ましい。加熱は80~150°Cで、数十秒から数十分行う。また、ポリシラザン化合物を含む層は、ジメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンなどの、プラズマ重合性シラザン化合物のガスを、プラスチック成形体と接触させて、プラズマ重合処理を施すことによって形成することもできる特開平9-143289号公報。形成されるポリシラザン化合物を含む層の厚みは、特に制限されないが、通常20nm~100μm、好ましくは30~500nm、より好ましくは40~200nmである。本発明においては、ポリシラザン化合物を含む層がナノオーダーであっても、充分なガスバリア性能を有する成形体を得ることができる。本発明の成形体において、イオン注入層は、ポリシラザン化合物の少なくとも一種を含む層であって、該層中にイオンが注入されてなるものであれば特に制約はない。イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。注入されるイオンとしては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの希ガス、フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン;金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属のイオン;等が挙げられる。なかでも、より簡便に注入することができ、特に優れたガスバリア性と透明性を有するイオン注入層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。イオンの注入量は、形成する成形体の使用目的必要なガスバリア性、透明性等等に合わせて適宜決定すればよい。イオンを注入する方法は特に限定されず、例えば、ポリシラザン化合物を含む層を形成した後、該ポリシラザン化合物を含む層にイオンを注入する方法が挙げられる。イオンを注入する方法としては、電界により加速されたイオンイオンビームを照射する方法、プラズマ中のイオンを注入する方法等が挙げられる。なかでも、本発明においては、簡便にガスバリア性の成形体が得られることから、後者のプラズマイオンを注入する方法が好ましい。プラズマイオン注入は、例えば、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、ポリシラザン化合物を含む層に負の高電圧パルスを印加することにより、該プラズマ中のイオン陽イオンを、ポリシラザン化合物を含む層の表面部に注入して行うことができる。イオン注入層が形成される部分の厚みは、イオンの種類や印加電圧、処理時間等の注入条件により制御することができ、ポリシラザン化合物を含む層の厚み、成形体の使用目的等に応じて決定すればよいが、通常、10~1000nmである。イオンが注入されたことは、X線光電子分光分析XPSを用いて表面から10nm付近の元素分析測定を行うことによって確認することができる。前記イオン注入層は、下記a~cの要件を満たすものであることが好ましい。a少なくとも、酸素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、b表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、好ましくは、63~70、窒素原子の存在割合が0~10、好ましくは、0.1~6、ケイ素原子の存在割合が25~35、好ましくは29~32であり、c表層部における膜密度が、2.4~4.0g/cm3である。前記ガスバリア層の表層部とは、ガスバリア層の表面、及び該表面から深さ方向に5nmまでの領域をいう。また、ガスバリア層の表面は他層との境界面を含む意である。表層部における、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合は、実施例において説明する方法で測定される。膜密度は、X線反射率法XRRを用いて算出することができる。X線は、基板上の薄膜に対して非常に浅い角度で入射させると全反射される。入射X線の角度が全反射臨界角以上になると、薄膜内部にX線が侵入し薄膜表面や界面で透過波と反射波に分かれ、反射波は干渉する。全反射臨界角を解析することで、膜の密度を求めることができる。なお、入射角度を変えながら測定を行い、光路差の変化に伴う反射波の干渉信号の解析から、薄膜の膜厚も求めることができる。膜密度は、以下の方法で測定することができる。一般に、X線に対する物質の屈折率n、及び屈折率nの実部部分のδは以下の式1及び式2となることが知られている。ここで、reは電子の古典半径2.818×10-15mを、N0はアボガドロ数を、λはX線の波長を、ρは密度g/cm3を、Zi、Mi、xiは、それぞれi番目の原子の原子番号、原子量及び原子数比モル比を、fi’はi番目の原子の原子散乱因子異常分散項を表す。また、全反射臨界角度θcは、吸収に関係するβを無視すると、式3で与えられる。従って、式2及び式3の関係から、密度ρは式4で求めることができる。ここで、θcはX線反射率より求めることのできる値であり、re、N0、λは定数であり、Zi、Mi、fi’はそれぞれ構成原子に固有の値となる。なお、xi:原子数比モル比に関しては、XPS測定から得られた結果を用いる。ガスバリア層の表層部における膜密度は、実施例において説明する方法で測定し、式4を用いて得られる。本発明の成形体の形状は、特に制限されず、例えば、フィルム状、シート状、直方体状、多角柱状、筒状などが挙げられる。後述するごとき電子デバイス用部材として用いる場合には、フィルム状、シート状であることが好ましい。該フィルムの厚みは、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明の成形体は、イオン注入層のみからなるものであってもよいし、さらに他の層を含むものであってもよい。また、本発明の成形体は、他の層の一種又は同種又は異種の2層以上を有するものであってもよい。本発明の成形体が他の層を含む積層体である場合、各層の積層順はどのようなものであってもよい。また、イオン注入層の配置位置は特に限定されないが、効率よく製造できること等の理由から、イオン注入層を表面に有するのが好ましい。さらに、イオン注入層は、他の層の片面のみに形成されていても、他の層の両面に形成されていてもよい。他の層としては、基材層、無機化合物層、衝撃吸収層、導電体層、プライマー層等を挙げることができる。基材層前記基材層の素材は、ポリシラザン化合物以外の材料であって、成形体の目的に合致するものであれば特に制限されない。例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、アクリル系樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、芳香族系重合体等が挙げられる。これらの中でも、透明性に優れ、汎用性があることから、ポリエステル、ポリアミド又はシクロオレフィン系ポリマーが好ましく、ポリエステル又はシクロオレフィン系ポリマーがより好ましい。ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート等が挙げられる。ポリアミドとしては、全芳香族ポリアミド、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン共重合体等が挙げられる。シクロオレフィン系ポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。その具体例としては、アペル三井化学社製のエチレン-シクロオレフィン共重合体、アートンJSR社製のノルボルネン系重合体、ゼオノア日本ゼオン社製のノルボルネン系重合体等が挙げられる。無機化合物層無機化合物層は、無機化合物の一種又は二種以上からなる層である。無機化合物層を構成する無機化合物としては、一般的に真空成膜可能で、ガスバリア性を有するもの、例えば無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機硫化物、これらの複合体である無機酸化窒化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化炭化物等が挙げられる。本発明においては、これらの中でも、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物が好ましい。無機酸化物としては、一般式MOxで表される金属酸化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。xはMによってそれぞれ範囲が異なり、例えば、Mがケイ素Siであれば0.1~2.0、アルミニウムAlであれば0.1~1.5、マグネシウムMgであれば0.1~1.0、カルシウムCaであれば0.1~1.0、カリウムKであれば0.1~0.5、スズSnであれば0.1~2.0、ナトリウムNaであれば0.1~0.5、ホウ素Bであれば0.1~1.5、チタンTiであれば0.1~2.0、鉛Pbであれば0.1~1.0、ジルコニウムZrであれば0.1~2.0、イットリウムYであれば、0.1~1.5の範囲の値である。無機窒化物としては、式:MNyで表される金属窒化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。yはMによってそれぞれ範囲が異なり、Mがケイ素Siであればy=0.1~1.3、アルミニウムAlであればy=0.1~1.1、チタンTiであればy=0.1~1.3、スズSnであればy=0.1~1.3の範囲の値である。無機酸化窒化物としては、式:MOxNyで表される金属酸化窒化物が挙げられる。式中、Mは金属元素を表す。x及びyの値は、Mによってそれぞれ範囲が異なる。すなわち、x、yは、例えば、Mがケイ素Siであればx=1.0~2.0、y=0.1~1.3、アルミニウムAlであればx=0.5~1.0、y=0.1~1.0、マグネシウムMgであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.6、カルシウムCaであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、カリウムKであればx=0.1~0.5、y=0.1~0.2、スズSnであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.3、ナトリウムNaであればx=0.1~0.5、y=0.1~0.2、ホウ素Bであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、チタンTiであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.3、鉛Pbであればx=0.1~1.0、y=0.1~0.5、ジルコニウムZrであればx=0.1~2.0、y=0.1~1.0、イットリウムYであればx=0.1~1.5、y=0.1~1.0の範囲の値である。なお、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸化窒化物には、2種類以上の金属が含まれていても良い。無機化合物層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。本発明においては、簡便に無機化合物層が形成できることから、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法は、真空槽内に放電ガスアルゴン等を導入し、無機化合物からなるターゲットと基材などの付着対象物プラスチックフィルム等との間に高周波電圧あるいは直流電圧を加えて放電ガスをプラズマ化し、該プラズマをターゲットに衝突させることでターゲット材料を飛ばし、付着対象物に付着させて薄膜を得る方法である。ターゲットとしては、例えば、前記の金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物、あるいはこれらに含まれる金属の単体が挙げられる。スパッタリング法としては、基本的な方式である2極法;2極法に熱電子を放出する熱陰極を追加した3極法;磁界発生手段によりターゲット表面に磁界を印加することにより、プラズマを安定化させ成膜速度を上げるマグネトロンスパッタリング法;高エネルギーのイオンビームをターゲットに照射するイオンビーム法;2枚のターゲットを平行に対向させてこれらのターゲット面に垂直に磁界を印加する対向ターゲット法;電子サイクロトロン共鳴ECRを利用するECR法;ターゲットと基板を同軸の円筒状に配置する同軸型スパッタリング法;反応性ガスを基板近傍に供給して成膜組成を制御する反応性スパッタリング法等が挙げられる。これらの中でも、本発明においては、簡便にガスバリア性に優れた積層体が得られることから、マグネトロンスパッタリング法が好ましい。また、本発明においては、ダイナミックイオンミキシング法により無機化合物層を形成することができる。ダイナミックイオンミキシング法とは、膜形成とイオン注入とを同時に行うことによって膜形成材料と注入イオン種との化合物膜を成膜する方法である。このダイナミックイオンミキシング法は、膜形成及びイオン注入の条件を変化させることによって、膜の組成制御及び結晶制御を容易に行うことができ、これら条件を最適化することにより、ピンホールが少なく、機械的特性に優れた膜を成膜することができる。また、膜形成初期段階で、被成膜材料の表面に到達した膜形成材料の原子の一部が、膜に注入されたイオンとの衝突によってエネルギーを受けとり、被成膜材料中にノックオンされる。これにより、被成膜材料と膜との界面には、被成膜材料を構成する原子と膜形成材料の原子との混合層ミキシング層が形成される。このような混合層では、被成膜材料へ侵入した膜形成材料の原子が、被成膜材料にくさびをうつような構造をなし、成膜された膜を被成膜材料に留めるアンカーとして機能する。このため、成膜された膜は、被成膜材料に対して強く密着する。したがって、本発明においては、ダイナミックイオンミキシング法によって成膜された無機化合物層は、ポリシラザン層と強く密着しており、また、ピンホールが少ないため、優れたガスバリア性が得られるとともに、屈曲させたと、きにクラックが発生し難く、そのガスバリア性を長期間に亘って維持することができる。ダイナミックイオンミキシング法で用いる膜形成方法としては、特に限定されないが、スパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法を用いるダイナミックイオンミキシング法では、例えば、次のようにして無機化合物層を形成する。まず、真空チャンバー内に、ポリシラザン層が設けられた基材及びターゲットを配置する。そして、真空チャンバー内を減圧状態とした後、プラズマ生成ガスをチャンバー内に導入する。プラズマ生成ガスは、スバッタガス希ガスと、必要に応じて希ガス以外の電離し得るガス反応性ガスとを含むものであり、基材に高周波電力が印加されることによってプラズマ化するものである。そして、基材に高周波電力を印加するとともに、負の直流高電圧をパルス状に印加する。基材に高周波電力が印加されることによって、基材の周辺でプラズマ生成ガスがプラズマ化し、プラズマ中のスバッタガスのイオンがターゲットに衝突して、該ターゲットからスバッタ粒子が弾き出される。弾き出されたスバッタ粒子は、ポリシラザン層の表面に付着、堆積し、スバッタ粒子の堆積膜ターゲット材料よりなる膜が形成される。また、それと同時に、基材に負の直流高電圧がパルス状に印加されることによって、プラズマ中のイオンが、基材側に誘引され、成膜された膜無機化合物層中に注入される。これにより、膜を構成する原子にエネルギーが付与されて、該原子がポリシラザン層中にノックオンされる。反応性ガスを用いた場合は、原子がノックオンされるとともに、膜を構成する原子と反応性ガスのイオンとが反応する。その結果、ターゲット材料と反応性ガスとの化合物膜無機化合物層がポリシラザン層に強く密着して形成される。なお、このダイナミックイオンミキシング法では、高周波電力を基材に印加していることにより、イオン注入による基材の帯電を除去することができる。以上のようなダイナミックイオンミキシング法において、ターゲット及びプラズマ生成ガスは目的とする無機化合物層の組成に応じて適宜選択される。具体的には、ターゲットとしては、目的とする無機化合物層を構成する金属の単体、珪素、グラファイト、又は金属を含む化合物酸化物、窒化物、酸窒化物等等が挙げられる。なお、ターゲットとして金属の単体、ケイ素、グラファイトを用いる場合は、反応性ガスを含むプラズマ生成ガスを用いることにより、無機化合物層が形成される。また、プラズマ生成ガスにおいて、スバッタガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等が挙げられる。これらは1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。また、反応性ガスとしては、水素、酸素、窒素、フルオロカーボン等が挙げられる。これらは1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。反応性スパッタリングの場合、プラズマ生成ガスはスバッタガスを主成分とすることが好ましく、ターゲット材料の組成比と目的とする膜質によるが、具体的には導入ガス中のスバッタガスの割合が50~100であるのが好ましく、55~98であるのがより好ましく、60~96が特に好ましい。これにより、膜形成速度を上げることができ、無機化合物層を効率よく成膜することができる。また、プラズマ生成ガス圧力混合ガスの場合は総圧は、1.0×10~1.0×10-3Paが好ましく、1.0×100~1.0×10-3Paがより好ましく、1.0×100~1.0×10-2Paが特に好ましい。基材に印加する負のパルス状高電圧は、-100kV~-100V、より好ましくは-50kV~-1kVである。また、膜に注入するイオン濃度は、通常1×1015ions/cm2以上、好ましくは1×1016ions/cm2以上、より好ましくは1×1016~1×1018ions/cm2である。無機化合物層の厚さは、特に限定されないが、10~1000nmであることが好ましく、20~500nmであることがより好ましく、50~200nmであることが特に好ましい。無機化合物層の厚さが前記範囲より薄い場合には、ガスバリア性が十分に得られない可能性がある。また、無機化合物層の厚さが前記範囲より厚い場合には、ガスバリア性フィルムの透明性が損なわれることがある。以上のように構成されたガスバリア性フィルムでは、基材上に、ポリシラザン層が設けられていることにより、基材表面の凸凹が埋まり、基材表面の凸凹形状が表面に浮き出すのが抑えられる。このため、このガスバリア性フィルムは、高い表面平滑性が得られる。また、ポリシラザン層の上に該無機化合物層がダイナミックイオンミキシング法によって成膜されていることにより、ポリシラザン層と無機化合物層とで高い密着性が得られ、ポリシラザン層と無機化合物の剥離が抑えられる。また、無機化合物層の表面の中心平均粗さRaは、特に制約されないが、2.0nm以下であることが好ましく、1.0nm以下であることがより好ましい。中心平均粗さRaは、JISBO601に規定されているものを、測定面に対して適用できるよう三次元に拡張して、基準面から測定面までの偏差の絶対値を平均した値であり、次式で表される。式中、FX,Y、S0、Z0、YT、YB、XR及びXLは次の意味を表す。FX,Y:全測定データの示す面S0:指定面から理想的にフラットであると仮定したときの面積Z0:指定面内のZデータの平均値YT:測定終了点のy座標YB:測定開始点のy座標XR:測定終了点のx座標XL:測定開始点のx座標この中心平均粗さRaは、無機化合物層の表面平滑性の指標となり、この値が小さいもの程、表面平滑性が高いことを意味する。そして、無機化合物層の中心平均粗さRaが前記範囲であることにより、このガスバリア性フィルムを、その表面に電極膜が設けられる構成を有する電子デバイスに適用した場合でも、電極膜に突起が形成されるのが防止され、この突起に起因する断線や短絡を回避することができる。ポリシラザン層上に、ダイナミックイオンミキシング法によって無機化合物層を形成する方法を、スパッタリング法を用いるダイナミックイオンミキシング法によって、酸窒化珪素層を形成する場合を例にして説明する。まず、チャンバー内に設けられたフィルム走行系に、ポリシラザン層が形成された基材を掛け渡し、該チャンバー内に、珪素ターゲットを設置する。このとき、基材は、フイルム走行系の途中で、ポリシラザン層が形成された側の面がターゲットと対向するようにする。そして、ロータリーポンプ及び油拡散ポンプによって、チャンバー内を減圧状態とした後、プラズマ生成ガスを導入する。ここでは、プラズマ生成ガスとして、アルゴン、窒素、酸素の混合ガスを使用する。そして、基材を走行させつつ、該基材に高周波電力を印加するとともに、直流高電圧をパルス状に印加する。例えば、10μSから400msにパルス変調された13.56MHzの高周波電力を基材に印加する。基材に高周波電力が印加されることによって、基材の周辺でプラズマ生成ガスがプラズマ化し、プラズマ中のアルゴンイオンが珪素ターゲットに衝突して、該ターゲットから珪素粒子が弾き出される。弾き出された珪素粒子は、ポリシラザン化合物を含む層の表面に付着、堆積し、珪素粒子の堆積膜が形成される。また、それと同時に、基材に負の直流高電圧がパルス状に印加されることによって、プラズマ中のイオンが、基材側に誘引され、成膜された膜中に注入される。これにより、膜を構成する珪素原子がイオンのエネルギーを受け取ってポリシラザン化合物を含む層中にノックオンされるとともに、膜を構成する珪素原子と、反応性ガス窒素及び酸素のイオンとが反応して酸窒化珪素が生成される。その結果、酸窒化珪素層がポリシラザン層に強く密着して形成される。そして、このような膜形成過程が、走行している基材の長手方向に沿って連続的に行われる。その結果、ポリシラザン層と酸窒化珪素層無機化合物層とが順次積層された長尺状のガスバリア性フィルムが完成する。一般的に、無機化合物層はガスバリア性能を有するが、ガスバリア性を高めるために無機化合物層をあまりに厚くすると、耐折り曲げ性、透明性が低下し、クラックが発生しやすくなり、軽量化にも反する。本発明の成形体によれば、無機化合物層の他に前記イオン注入層を有するため、無機化合物層を厚くしなくても、優れたガスバリア性能を有する。また、前記イオン注入層と無機化合物層が、直接積層されることで、イオン注入層が、無機化合物層にクラックが発生するのを抑える働きをし、優れた耐折り曲げ性、ガスバリア性を有する積層体が得られる。本発明の成形体のイオン注入層、無機化合物層の数や配置は特に限定されない。例えば、基材層をさらに含んでいる場合、イオン注入層、無機化合物層は、基材層の片面のみに形成されていても、基材層の両面に形成されていてもよい。基材層にイオン注入層を積層することによって基材表面の凹凸微小突起物が覆われて平滑性が向上するので、その上に無機化合物層を積層すれば、無機化合物層のピンホール発生が抑制されて優れたガスバリア性を有する積層体が得られる。また、基材層の種類によっては無機化合物との密着性が得られない場合があるが、基材層と無機化合物層の間にイオン注入層を設けることで十分な密着性が得られる。他の層として無機化合物層を有する本発明の成形体は、優れたガスバリア性、透明性、及び耐折り曲げ性折り曲げが容易で、折り曲げてもクラックが発生することがないを有する。衝撃吸収層衝撃吸収層を形成する素材としては、特に限定されないが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、ゴム系材料等を用いることができる。これらの中でも、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系材料が好ましい。アクリル系樹脂としては、主成分として、メタアクリル酸エステル単独重合体、2種以上のメタアクリル酸エステル単位を含む共重合体、及びメタアクリル酸エステルと他の官能性単量体との共重合体の中から選ばれた少なくとも1種を含有するものが挙げられる。なお、メタアクリル酸は、アクリル酸又はメタクリル酸の意である以下同様。メタアクリル酸エステルとしては、エステル部分の炭素数が1~20のメタアクリル酸が好ましく、後述する衝撃吸収層の貯蔵弾性率を特定の範囲内とすることが容易であることから、エステル部分の炭素数が4~10のメタアクリル酸エステルを用いることがより好ましい。このようなメタアクリル酸エステルとしては、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸ペンチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸ヘプチル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸2-エチルヘキシル、メタアクリル酸ノニル、メタアクリル酸デシル等が挙げられる。官能性単量体としては、メタアクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有単量体、メタアクリルアミド等のアミド基含有単量体、メタアクリル酸等のカルボン酸基含有単量体等が挙げられる。メタアクリル酸エステル共重合体は、例えば、溶液重合法、乳化重合法、懸濁重合法等の公知の重合方法により得ることができる。なお、共重合体は、単独重合体又は共重合体の意である以下、同様。メタアクリル酸エステル共重合体は、架橋剤と混合して、少なくとも一部に架橋体を形成して用いることもできる。架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアナート等、あるいはそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤;エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤;ヘキサ1-2-メチル-アジリジニルトリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤;アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤;等が挙げられる。架橋剤の使用量は、メタアクリル酸エステル共重合体の固形分100質量部に対して通常0.01~10質量部、好ましくは0.05~5質量部である。架橋剤は1種単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。シリコーン系樹脂としては、ジメチルシロキサンを主成分とするものが挙げられる。また、ゴム系材料としては、イソプレンゴム、スチレン-ブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、スチレン-ブタジエン-スチレンゴム等を主成分とするものが挙げられる。衝撃吸収層には、酸化防止剤、粘着付与剤、可塑剤、紫外線吸収剤、着色剤、帯電防止剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。また、衝撃吸収層を形成する素材は、粘着剤、コート剤、封止剤等として市販されているものを使用することもでき、特に、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤等の粘着剤が好ましい。衝撃吸収層の形成方法としては特に制限はなく、例えば、前記ポリシラザン化合物を含む層の形成方法と同様に、前記衝撃吸収層を形成する素材、及び、所望により、溶剤等の他の成分を含む衝撃吸収層形成溶液を、積層すべき層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等して形成する方法が挙げられる。また、別途、剥離基材上に衝撃吸収層を成膜し、得られた膜を、積層すべき層上に転写して積層してもよい。衝撃吸収層の厚みは、通常1~100μm、好ましくは5~50μmである。衝撃吸収層の25°Cにおける貯蔵弾性率は、1×102Pa以上、1×109Pa以下であるのが好ましく、1×103Pa以上、1×107Pa以下であるのがより好ましく、1×104Pa以上、1×106Pa以下であるのがさらに好ましい。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置を用いて、ねじりせん断法により周波数1Hzで測定を行う。衝撃吸収層を有する本発明の成形体は、衝撃吸収性能に優れ、衝撃を受けても、無機化合物層にクラックや割れが生じることがない。よって、各層のクラックや割れによるガスバリア性の低下のおそれがない。導電体層導電体層を構成する材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、酸化スズ、アンチモンをドープした酸化スズATO;フッ素をドープした酸化スズFTO、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛インジウムIZO等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これら金属と導電性金属酸化物との混合物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料;等が挙げられる。導電体層は、これらの材料からなる層が複数積層されてなる積層体であってもよい。また、導電体層は透明であっても透明でなくてもよいが、導電体層が透明である場合には、透明性に優れた積層体を得ることができる。透明性の点からは、導電体層を形成する材料として導電性金属酸化物が好ましく、ITOが特に好ましい。導電体層の形成方法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。これらの中でも、本発明においては、簡便に導電体層が形成できることから、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法は、真空槽内に放電ガスアルゴン等を導入し、ターゲットと基板との間に高周波電圧あるいは直流電圧を加えて放電ガスをプラズマ化し、該プラズマをターゲットに衝突させることでターゲット材料を飛ばし、基板に付着させて薄膜を得る方法である。ターゲットとしては、前記導電体層を形成する材料からなるものが使用される。導電体層の厚さはその用途等に応じて適宜選択すればよい。通常10nm~50μm、好ましくは20nm~20μmである。得られる導電体層の表面抵抗率は、通常1000Ω/□以下である。形成された導電体層には、必要に応じてパターニングを行ってもよい。パターニングする方法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング、レーザ等を用いた物理的エッチング等、マスクを用いた真空蒸着法やスパッタリング法、リフトオフ法、印刷法等が挙げられる。プライマー層プライマー層は、基材層とイオン注入層あるいはポリシラザン化合物を含む層との層間密着性を高める役割を果たす。プライマー層を設けることにより、層間密着性及び表面平滑性に極めて優れるガスバリア性フィルムを得ることができる。プライマー層を構成する材料としては、特に限定されず、公知のものが使用できる。例えば、ケイ素含有化合物;光重合性モノマー及び/又は光重合性プレポリマーからなる光重合性化合物、及び少なくとも可視光域の光でラジカルを発生する重合開始剤を含む光重合性組成物;ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂特にポリアクリルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール等とイソシアネート化合物との2液硬化型樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール系樹脂、ニトロセルロース系樹脂等の樹脂類;アルキルチタネート;エチレンイミン;等が挙げられる。これらの材料は一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。プライマー層は、プライマー層を構成する材料を適当な溶剤に溶解又は分散してなるプライマー層形成用溶液を、基材層の片面又は両面に塗付し、得られた塗膜を乾燥させ、所望により加熱することより形成することができる。プライマー層形成用溶液を基材層に塗付する方法としては、通常の湿式コーティング方法を用いることができる。例えばディッピング法、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、エアナイフコート、ロールナイフコート、ダイコート、スクリーン印刷法、スプレーコート、グラビアオフセット法等が挙げられる。プライマー層形成用溶液の塗膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。プライマー層の厚みは、通常、10~1000nmである。また、得られたプライマー層に、イオン注入層にイオン注入する方法と同様な方法によりイオン注入を行い、その後、イオン注入層を形成するようにしてもよい。プライマー層にもイオン注入を行うことにより、より優れたガスバリア性フィルムを得ることができる。本発明の成形体の全体の厚みは、特に制限されず、目的とする電子デバイスの用途によって適宜決定することができる。本発明の成形体は、優れたガスバリア性と透明性を有し、また、その形状がフィルム状又はシート状以下、フィルム状という。の場合、耐折り曲げ性に優れ、かつ折り曲げなどを行ってもガスバリア性を維持するものが好ましい。本発明の成形体が優れたガスバリア性を有していることは、本発明の成形体の水蒸気等のガスの透過率が、非常に小さいことから確認することができる。例えば、水蒸気透過率は、40°C、相対湿度90雰囲気下で、0.50g/m2/day未満が好ましく、0.35g/m2/day以下がより好ましい。なお、成形体の水蒸気等の透過率は、公知のガス透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明の成形体が優れた透明性を有していることは、本発明の成形体の可視光透過率が高いことから確認することができる。可視光透過率は波長550nmにおける透過率であり、80以上が好ましく、85以上がより好ましい。成形体の可視光透過率は、公知の可視光透過率測定装置を使用して測定することができる。本発明の成形体が耐折り曲げ性に優れ、折り曲げなどを行ってもガスバリア性を維持できることは、フィルム状の成形体をふたつに折り曲げて圧力をかけ、再び開いたときに折り曲げた部分が劣化しておらず、水蒸気透過率もほとんど低下しないことから確認することができる。本発明のフィルム状の成形体は、同じ厚みの無機膜に比較して、折り曲げ後もガスバリア性を維持することに優れている。2成形体の製造方法本発明の成形体の製造方法は、ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する成形物の、前記ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入する工程を有することを特徴とする。本発明の成形体の製造方法においては、ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する長尺状の成形物を一定方向に搬送しながら、ポリシラザン化合物を含む層にイオンを注入させて成形体を製造するのが好ましい。この製造方法によれば、例えば、長尺状の成形物を巻き出しロールから巻き出し、それを一定方向に搬送しながらイオンを注入し、巻き取りロールで巻き取ることができるので、イオンが注入されて得られる成形体を連続的に製造することができる。長尺状の成形物の形状はフィルム状であり、ポリシラザン化合物を含む層のみでもよいし、他の層を含むものであってもよい。他の層としては、上述したものと同様のものが挙げられる。成形物の厚さは、巻き出し、巻き取り及び搬送の操作性の観点から、1μm~500μmが好ましく、5μm~300μmがより好ましい。ポリシラザン化合物を含む層に、イオンを注入する方法は、特に限定されない。なかでも、プラズマイオン注入法により前記層の表面部にイオン注入層を形成する方法が特に好ましい。プラズマイオン注入法は、プラズマ中に曝した、ポリシラザン化合物を含む層を表面に有する成形物に、負の高電圧パルスを印加することにより、プラズマ中のイオンを前記層の表面部に注入してイオン注入層を形成する方法である。プラズマイオン注入法としては、A外部電界を用いて発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法、又はB外部電界を用いることなく、前記層に印加する負の高電圧パルスによる電界のみで発生させたプラズマ中に存在するイオンを、前記層の表面部に注入する方法が好ましい。前記Aの方法においては、イオン注入する際の圧力プラズマイオン注入時の圧力を0.01~1Paとすることが好ましい。プラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一なイオン注入層を形成することができ、透明性、ガスバリア性を兼ね備えたイオン注入層を効率よく形成することができる。前記Bの方法は、減圧度を高くする必要がなく、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮することができる。また、前記層全体にわたって均一に処理することができ、負の高電圧パルス印加時にプラズマ中のイオンを高エネルギーで層の表面部に連続的に注入することができる。さらに、radiofrequency高周波、以下、RFと略す。や、マイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、層に負の高電圧パルスを印加するだけで、層の表面部に良質のイオン注入層を均一に形成することができる。前記A及びBのいずれの方法においても、負の高電圧パルスを印加するとき、すなわちイオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましい。パルス幅がこのような範囲にあるときに、透明で均一なイオン注入層をより簡便にかつ効率よく形成することができる。また、プラズマを発生させるときの印加電圧は、好ましくは-1kV~-50kV、より好ましくは-1kV~-30kV、特に好ましくは-5kV~-20kVである。印加電圧が-1kVより大きい値でイオン注入を行うと、イオン注入量ドーズ量が不十分となり、所望の性能が得られない。一方、-50kVより小さい値でイオン注入を行うと、イオン注入時に成形体が帯電し、また成形体への着色等の不具合が生じ、好ましくない。プラズマイオン注入するイオン種は、上述した通りである。より簡便にイオン注入することができ、透明で優れたガスバリア性を有する成形体を効率良く製造することができることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンが好ましく、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウムがより好ましい。層の表面部にプラズマ中のイオンを注入する際には、プラズマイオン注入装置を用いる。プラズマイオン注入装置としては、具体的には、αポリシラザン化合物を含む層以下、イオン注入する層ということがある。に負の高電圧パルスを印加するフィードスルーに高周波電力を重畳してイオン注入する層の周囲を均等にプラズマで囲み、プラズマ中のイオンを誘引、注入、衝突、堆積させる装置特開2001-26887号公報、βチャンバー内にアンテナを設け、高周波電力を与えてプラズマを発生させてイオン注入する層周囲にプラズマが到達後、イオン注入する層に正と負のパルスを交互に印加することで、正のパルスでプラズマ中の電子を誘引衝突させてイオン注入する層を加熱し、パルス定数を制御して温度制御を行いつつ、負のパルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させる装置特開2001-156013号公報、γマイクロ波等の高周波電力源等の外部電界を用いてプラズマを発生させ、高電圧パルスを印加してプラズマ中のイオンを誘引、注入させるプラズマイオン注入装置、δ外部電界を用いることなく高電圧パルスの印加により発生する電界のみで発生するプラズマ中のイオンを注入するプラズマイオン注入装置等が挙げられる。これらの中でも、処理操作が簡便であり、処理時間も大幅に短縮でき、連続使用に適していることから、γ又はδのプラズマイオン注入装置を用いるのが好ましい。以下、前記γ及びδのプラズマイオン注入装置を用いる方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、前記γのプラズマイオン注入装置を備える連続的プラズマイオン注入装置の概要を示す図である。図1aにおいて、1aはポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する長尺のフィルム状の成形物以下、フィルムという。、11aはチャンバー、20aはターボ分子ポンプ、3aはイオン注入される前のフィルム1aを送り出す巻き出しロール、5aはイオン注入されたフィルム成形体1bをロール状に巻き取る巻取りロール、2aは高電圧印加回転キャン、6aはフィルムの送り出しロール、10aはガス導入口、7aは高電圧パルス電源、4はプラズマ放電用電極外部電界である。図1bは、前記高電圧印加回転キャン2aの斜視図であり、15は高電圧導入端子フィードスルーである。用いるポリシラザン化合物を含む層を表面部に有する長尺のフィルム1aは、基材層上に、ポリシラザン化合物を含む層を形成したフィルムである。図1に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルム1aは、チャンバー11a内において、巻き出しロール3aから、図1中矢印X方向に搬送され、高電圧印加回転キャン2aを通過して、巻き取りロール5aに巻き取られる。フィルム1aの巻取りの方法や、フィルム1aを搬送する方法等は特に制約はないが、本実施形態においては、高電圧印加回転キャン2aを一定速度で回転させることにより、フィルム1aの搬送を行っている。また、高電圧印加回転キャン2aの回転は、高電圧導入端子15の中心軸13をモーターにより回転させることにより行われる。高電圧導入端子15、及びフィルム1aが接触する複数の送り出し用ロール6a等は絶縁体からなり、例えば、アルミナの表面をポリテトラフルオロエチレン等の樹脂で被覆して形成されている。また、高電圧印加回転キャン2aは導体からなり、例えば、ステンレスで形成することができる。フィルム1aの搬送速度は適宜設定できる。フィルム1aが巻き出しロール3aから搬送され、巻き取りロール5aに巻き取られるまでの間にフィルム1aの表面部ポリシラザン化合物を含む層にイオン注入され、所望のイオン注入層が形成されるだけの時間が確保される速度であれば、特に制約されない。フィルムの巻取り速度搬送速度は、印加電圧、装置規模等にもよるが、通常0.1~3m/min、好ましくは0.2~2.5m/minである。まず、チャンバー11a内をロータリーポンプに接続されたターボ分子ポンプ20aにより排気して減圧とする。減圧度は、通常1×10-4Pa~1Pa、好ましくは1×10-3Pa~1×10-2Paである。次に、ガス導入口10aよりチャンバー11a内に、窒素等のイオン注入用のガス以下、イオン注入用ガスということがある。を導入して、チャンバー11a内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。なお、イオン注入用ガスはプラズマ生成ガスでもある。次いで、プラズマ放電用電極4外部電界によりプラズマを発生させる。プラズマを発生させる方法としては、マイクロ波やRF等の高周波電力源等による公知の方法が挙げられる。一方、高電圧導入端子15を介して高電圧印加回転キャン2aに接続されている高電圧パルス電源7aにより、負の高電圧パルス9aが印加される。高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧パルスが印加されると、プラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2aの周囲のフィルムの表面に注入され図1a中、矢印Y、フィルム状の成形体1bが得られる。前述のように、イオン注入する際の圧力チャンバー11a内のプラズマガスの圧力は、0.01~1Paであるのが好ましく、イオン注入するときのパルス幅は、1~15μsecであるのが好ましく、高電圧印加回転キャン2aに負の高電圧を印加する際の印加電圧は、-1kV~-50kVであるのが好ましい。次に、図2に示す連続的プラズマイオン注入装置を使用して、ポリシラザン化合物を含む層を表面部に有するフィルムの、前記ポリシラザン化合物を含む層にイオン注入する方法を説明する。図2に示す装置は、前記δのプラズマイオン注入装置を備える。このプラズマイオン注入装置は、外部電界すなわち、図1におけるプラズマ放電用電極4を用いることなく印加する高電圧パルスによる電界のみでプラズマを発生させるものである。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置においては、フィルムフィルム状の成形物1cは、前記図1の装置と同様に高電圧印加回転キャン2bを回転させることによって巻き出しロール3bから図2中矢印X方向に搬送され、巻き取りロール5bに巻き取られる。図2に示す連続的プラズマイオン注入装置では、前記フィルムのポリシラザン化合物を含む層の表面部へのイオン注入は次のように行われる。まず、図1に示すプラズマイオン注入装置と同様にしてチャンバー11b内にフィルム1cを設置し、チャンバー11b内をロータリーポンプに接続されているターボ分子ポンプ20bにより排気して減圧とする。そこへ、ガス導入口10bよりチャンバー11b内に、窒素等のイオン注入用ガスを導入して、チャンバー11b内を減圧イオン注入用ガス雰囲気とする。イオン注入する際の圧力チャンバー11b内のプラズマガスの圧力は、10Pa以下、好ましくは0.01~5Pa、より好ましくは0.01~1Paである。次に、フィルム1cを、図2中Xの方向に搬送させながら、高電圧導入端子図示せずを介して高電圧印加回転キャン2bに接続されている高電圧パルス電源7bから高電圧パルス9bを印加する。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧が印加されると、高電圧印加回転キャン2bの周囲のフィルム1cに沿ってプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオンが誘因され、高電圧印加回転キャン2bの周囲の成形体フィルム1cの表面に注入される図2中、矢印Y。フィルム1cのポリシラザン化合物を含む層の表面部にイオンが注入されると、フィルム表面部にイオン注入層が形成され、フィルム状の成形体1dが得られる。高電圧印加回転キャン2bに負の高電圧を印加する際の印加電圧、パルス幅及びイオン注入する際の圧力は、図1に示す連続的プラズマイオン注入装置の場合と同様である。図2に示すプラズマイオン注入装置では、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を高電圧パルス電源によって兼用しているため、RFやマイクロ波等の高周波電力源等の特別の他の手段を要することなく、負の高電圧パルスを印加するだけで、プラズマを発生させ、フィルムのポリシラザン化合物を含む層の表面部にプラズマ中のイオンを注入し、イオン注入層を連続的に形成し、フィルムの表面部にイオン注入層が形成された成形体を量産することができる。3電子デバイス用部材及び電子デバイス本発明の電子デバイス用部材は、本発明の成形体からなることを特徴とする。従って、本発明の電子デバイス用部材は、優れたガスバリア性を有しているので、水蒸気等のガスによる素子の劣化を防ぐことができる。また、光の透過性が高いので、液晶ディスプレイ、ELディスプレイ等のディスプレイ部材;太陽電池用バックシート;等として好適である。本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用部材を備える。具体例としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、無機ELディスプレイ、電子ペーパー、太陽電池等が挙げられる。本発明の電子デバイスは、本発明の成形体からなる電子デバイス用部材を備えているので、優れたガスバリア性と透明性を有する。以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。用いたX線光電子分光測定装置、X線反射率法による膜密度測定方法、プラズマイオン注入装置、水蒸気透過率測定装置と測定条件、可視光透過率測定装置及び折り曲げ試験の方法は以下の通りである。なお、用いたプラズマイオン注入装置は外部電界を用いてイオン注入する装置である。X線光電子分光測定装置下記に示す測定条件にて、ガスバリア層イオン注入されて得られた層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合の測定を行った。測定装置:PHIQuanteraSXMアルバックファイ社製X線源:AlKαX線ビーム径:100μm電力値:25W電圧:15kV取り出し角度:45°真空度:5.0×10-8PaX線反射率法による膜密度の測定方法ガスバリア層の表層部における膜密度は、下記に示す測定条件にてX線の反射率を測定して全反射臨界角度θcを求め、その値から算出した。測定装置と測定条件は以下の通りである。測定装置:薄膜評価用試料水平型X線回折装置SmartLab株式会社リガク製測定条件:X線源;Cu-Kα1波長:1.54059Å光学系;並行ビーム光学系入射側スリット系;Ge2202結晶、高さ制限スリット5mm、入射スリット0.05mm受光側スリット系;受光スリット0.10mm、ソーラースリット5°検出器;シンチレーションカウンター管電圧管電流;45kV-200mA走査軸;2θ/θ走査モード;連続スキャン走査範囲;0.1-3.0deg.走査速度;1deg./min.サンプリング間隔;0.002°/stepなお、原子数比xiは、X線光電子分光測定により得られたガスバリア層の表層部における酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合を用いた。プラズマイオン注入装置RF電源:日本電子社製、型番号RF56000高電圧パルス電源:栗田製作所社製、PV-3-HSHV-0835水蒸気透過率の測定透過率測定器:水蒸気透過率が0.01g/m2/day以上のとき、LYSSY社製、L89-500を用い、水蒸気透過率が0.01g/m2/day未満のとき、TECHNOLOX社製、deltapermを用いた。測定条件:相対湿度90、40°C可視光線透過率の測定可視光透過率測定装置:島津製作所社製、UV-3101PC測定条件:波長550nm折り曲げ試験得られた成形体のイオン注入面比較例1はペルヒドロポリシラザンを含む層側、比較例3は窒化ケイ素膜側を外側にし、中央部分で半分に折り曲げてラミネーターフジプラ社製、LAMIPACKERLPC1502の2本のロール間を、ラミネート速度5m/min、温度23°Cの条件で通した後、折り曲げた部分を顕微鏡で観察100倍してクラック発生の有無を観察した。クラックの発生が認められなかった場合をなし、クラックの発生が認められた場合をありと評価した。ポリシラザン化合物としては、下記A又はBを用いた。A:ペルヒドロポリシラザンを主成分とするコーティング剤クラリアントジャパン社製、アクアミカNL110-20B:飽和炭化水素基を有するオルガノポリシラザン化合物の混合物を主成分とするコーティング材クラリアントジャパン社製、tutoPromBright実施例1基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルム三菱樹脂社製、PET38T-100、厚さ38μm、以下、PETフィルムという。に、ポリシラザン化合物としてAを塗布し、120°Cで1分間加熱してPETフィルム上にペルヒドロポリシラザンを含む厚さ60nm膜厚の層を形成して成形物を得た。次に、図1に示すプラズマイオン注入装置を用いてペルヒドロポリシラザンを含む層の表面に、アルゴンArをプラズマイオン注入して成形体1を作製した。プラズマイオン注入の条件を以下に示す。プラズマ生成ガス:Arガス流量:100sccmDuty比:0.5繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:-10kVRF電源:周波数13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.2m/min実施例2加熱時間を1分間から5分間に変更した以外は、実施例1と同様にして成形体2を得た。実施例3PETフィルム上に形成するペルヒドロポリシラザンを含む層の厚さを60nmから100nmとした以外は、実施例2と同様にして成形体3を得た。実施例4PETフィルム上に形成するペルヒドロポリシラザンを含む層の厚さを60nmから150nmとした以外は、実施例2と同様にして成形体4を得た。実施例5加熱時間を1分間から20分間に変更した以外は、実施例1と同様にして成形体5を得た。実施例6プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて窒素N2を用いた以外は、実施例2と同様にして成形体6を作製した。実施例7イオン注入を行う際の印加電圧を-10kVに変えて-5kVとした以外は、実施例2と同様にして成形体7を作製した。実施例8イオン注入を行う際の印加電圧を-10kVに変えて-15kVとした以外は、実施例2と同様にして成形体8を作製した。実施例9ポリシラザン化合物Aの変わりに、ポリシラザン化合物Bを用いた以外は、実施例2と同様にして成形体9を作製した。実施例10プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて水素H2を用いた以外は、実施例2と同様にして成形体10を作製した。実施例11プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えて酸素O2を用いた以外は、実施例2と同様にして成形体11を作製した。実施例12プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてヘリウムHeを用いた以外は、実施例2と同様にして成形体12を作製した。実施例13プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてネオンNeを用いた以外は、実施例2と同様にして成形体13を作製した。実施例14プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてキセノンXeを用いた以外は、実施例2と同様にして成形体14を作製した。実施例15プラズマ生成ガスとしてアルゴンに変えてクリプトンKrを用いた以外は、実施例2と同様にして成形体15を作製した。比較例1イオン注入を行わない以外は、実施例1と同様にして成形体を作製した。すなわち、PETフィルム上にペルヒドロポリシラザンを含む層を形成し、成形体16とした。比較例2PETフィルム上にペルヒドロポリシラザンを含む層を形成しない以外は、実施例1と同様にして成形体を作製した。すなわち、PETフィルムの表面にアルゴンをプラズマイオン注入して成形体17とした。比較例3PETフィルムに、スパッタリング法により、厚さ60nmの窒化ケイ素SiNの膜を設け、成形体18を作製した。比較例4実施例2で得られた成形物のペルヒドロポリシラザンを含む層にアルゴンArをプラズマ生成ガスとして用いてプラズマ処理を行い、成形体19を作製した。プラズマ処理は、実施例で用いた装置の印加電圧を0kVとしてプラズマイオン注入が起きない状態で行った。プラズマ処理の条件を以下に示す。プラズマ生成ガス:Arガス流量:100sccmDuty比:0.5繰り返し周波数:1000Hz印加電圧:0kVRF電源:周波数13.56MHz、印加電力1000Wチャンバー内圧:0.2Paパルス幅:5μsec処理時間イオン注入時間:5分間搬送速度:0.2m/min比較例5プラズマ生成ガスとして酸素O2を用いた以外は、比較例4と同様にしてプラズマ処理を行い成形体20を作製した。実施例1~5、7~9、11~15及び比較例2において、XPSアルバックファイ社製を用いて、表面から10nm付近の元素分析測定を行うことにより、それぞれのイオンが注入されたことを確認した。なお、実施例6ではポリシラザン系化合物に含まれる窒素と注入された窒素イオンの区別が困難であり、実施例10及び実施例12の注入されたイオンをXPSで検出することはできないが、行った操作、他の実施例ではイオンが注入されたことが確認できたこと、ガスバリア性が向上したことなどを考慮すると、イオンが注入されたことは明らかである。下記第1表に、各実施例、比較例において用いたポリシラザン化合物の種類、成形物を得る際の加熱時間分、形成された層の膜厚nm、用いたプラズマ生成ガス、印加電圧kVをまとめて記載する。実施例1~15、及び比較例1~5で得られた成形体1~20につき、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在割合成形体17を除く、膜密度成形体17を除く、水蒸気透過率、並びに全光線透過率を測定した。測定結果を下記第1表に示す。次に、実施例1~15及び比較例1~5の成形体1~20について、折り曲げ試験を行い、クラックの発生の有無を確認した。結果を第1表に示す。また、折り曲げ試験後における成形体1~20について、水蒸気透過率を測定した。結果を第1表に示す。第1表から、酸素原子、窒素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が60~75、窒素原子の存在割合が0~10、ケイ素原子の存在割合が25~35であり、かつ、膜密度が、2.4~4.0g/cm3である実施例の成形体1~15は、上記の条件を満たさない比較例の成形体16~20に比して、水蒸気透過率が小さく、高いガスバリア性を有していた。また、全光線透過率が高く、透明性に優れていた。また、折り曲げ試験後において実施例の成形体1~15はクラックの発生がみられず、無機膜窒化ケイ素膜を形成した比較例3に比して水蒸気透過率の上昇が少なく、耐折り曲げ性に優れていた。"