"結晶化条件下で1少なくとも1つのケイ素源と;2少なくとも1つのアルミニウム源と;3少なくとも1つの、周期表の第1族及び第2族から選択される元素の源と;4水酸化物イオンと;51,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、及びそれらの混合物から選択される構造規定剤とを接触させることを含むモレキュラーシーブSSZ-81を調製する方法であって、該モレキュラーシーブは、焼成後に実質的に以下の表:に示されるX線回折パターンを有する、上記方法。前記モレキュラーシーブが、モル比で以下の表:に記載の組成物を含む反応混合物から調製され、ここで、1Mは周期表の第1族及び第2族からの元素から成る群から選択され;2Qは少なくとも1つの1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン構造規定剤であり、かつQ≧0であり;かつ、3Aは少なくとも1つの1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン構造規定剤であり、かつA≧0である、請求項1に記載の方法。前記モレキュラーシーブが、合成したままの無水状態においてモル比で以下:の組成を有する、請求項2に記載の方法。前記モレキュラーシーブが、合成したままの無水状態においてモル比で以下:の組成を有する、請求項2に記載の方法。前記モレキュラーシーブが、モル比で以下の表:に記載の組成物を含む反応混合物から調製され、ここで、1Mは周期表の第1族及び第2族からの元素から成る群から選択され;2Qは少なくとも1つの1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン構造規定剤であり、かつQ≧0であり;かつ、3Aは少なくとも1つの1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン構造規定剤であり、かつA≧0である、請求項1に記載の方法。前記モレキュラーシーブが、合成したままの無水状態においてモル比で以下:の組成を有する、請求項6に記載の方法。前記モレキュラーシーブが、合成したままの無水状態においてモル比で以下:の組成を有する、請求項6に記載の方法。序論周期表という用語は2007年6月22日版のIUPAC元素周期表を指し、周期表の族の付番方式はChemicalandEngineeringNews、635、271985に記載の通りである。モレキュラーシーブという用語は、a中間体、及びb最終の又は目標のモレキュラーシーブ、並びに1直接合成、又は2結晶化後の処理二次合成によって生成されるモレキュラーシーブを含む。二次合成法は、酸浸出又は他の同様の脱アルミニウム法によって、中間物質からより高いSi:Al比を有する目標物質を合成することを可能にする。許される場合、本出願で引用されるすべての出版物、特許、及び特許出願は、そのような開示が本発明と矛盾しない限り、本明細書においてそれらの全体が参照により組み込まれる。別段の指定がない限り、元素、物質、又は他の成分の部類であって、そこから個々の成分又は成分の混合物を選択できる部類の記述は、列挙した成分及びそれらの混合物のあらゆる考えられる部類内組み合わせを含むことを意図している。また、含む及びその変形は、リスト中の品目の記載が、本発明の物質、組成物、及び方法においてやはり有用となり得る他の同様の品目を排除しないように、非限定的であることを意図している。反応混合物本発明は、本明細書においてモレキュラーシーブSSZ-81又は単にSSZ-81と呼称されるモレキュラーシーブを対象とする。SSZ-81の調製において、1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、又はそれらの混合物を、結晶化テンプレートとしても知られる構造規定剤SDAとして使用する。SSZ-81の作製に有用なSDAは以下の構造1及び2によって表される:一般に、SSZ-81はa1少なくとも1つのケイ素源と;2少なくとも1つのアルミニウム源と;3少なくとも1つの、周期表の第1族及び第2族から選択される元素の源と;4水酸化物イオンと;51,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオン、及びそれらの混合物から選択される構造規定剤と;を含有する反応混合物を調製するステップと;bモレキュラーシーブの結晶を生成させるのに十分な条件下で反応混合物を維持するステップとによって調製される。生成するモレキュラーシーブが中間物質である場合、本発明の方法は酸浸出などの合成後の技術によって目標のモレキュラーシーブを合成するさらなるステップを含む。モレキュラーシーブが生成する反応混合物の組成は、モル比で下記の表1:で特定され、組成の変数Q、A、及びMは上記で本明細書に記載される。本明細書において有用なケイ素の源としては、ヒュームドシリカ、沈降シリケート、シリカヒドロゲル、ケイ酸、コロイダルシリカ、オルトケイ酸テトラアルキル例えばオルトケイ酸テトラエチル、及びシリカヒドロキシドが挙げられる。有用なアルミニウムの源としては、アルミニウムの酸化物、水酸化物、酢酸塩、シュウ酸塩、アンモニウム塩、及び硫酸塩が挙げられる。典型的な酸化アルミニウム源としては、アルミン酸塩、アルミナ、並びにAlCl3、Al2SO43、水酸化アルミニウムAlOH3、カオリン粘土、及び他のゼオライトなどのアルミニウム化合物が挙げられる。酸化アルミニウム源の例は、LZ-210及びLZ-52ゼオライトYゼオライトのタイプである。本明細書において上記のように、本明細書に記載の各実施形態において、反応混合物は、少なくとも1つの、周期表の第1族及び第2族から選択される元素本明細書においてMと呼ばれるの源を用いて形成することができる。1つの小実施形態において、反応混合物は周期表の第1族からの元素源を用いて形成される。別の小実施形態において、反応混合物はナトリウムNa源を用いて形成される。結晶化プロセスに対して無害の任意のM含有化合物が好適である。そのような第1族及び第2族の元素源としては、それらの酸化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩、クエン酸塩、及び酢酸塩が挙げられる。SDAジカチオンは典型的には、ゼオライトの形成に対して無害の任意のアニオンでもよいアニオンX-と結合する。代表的なアニオンとしては、周期表の第17族からの元素例えばフッ化物、塩化物、臭化物、及びヨウ化物、水酸化物、酢酸塩、硫酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、及びカルボン酸塩などが挙げられる。本発明の1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオンSDA構造1によって表されるは、ジハロアルカン1,5-ジブロモペンタンなどを1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンと反応させることによって合成できる。本発明の1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオンSDA構造2によって表されるは、ジハロアルカン1,5-ジブロモペンタンなどを1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンと反応させることによって合成できる。本明細書に記載の各実施形態において、モレキュラーシーブの反応混合物は複数の原料源によって供給することができる。また、2種以上の反応成分を1つの原料源によっても供給できる。反応混合物はバッチ式によって又は連続的に調製できる。本明細書に記載のモレキュラーシーブの結晶サイズ、形態、及び結晶化時間は、反応混合物の性質及び合成条件と共に変化し得る。結晶化及び合成後処理実際には、モレキュラーシーブはa上記の反応混合物を調製するステップと;bモレキュラーシーブを生成させるのに十分な結晶化条件下で反応混合物を維持するステップとによって調製される。ハリーロビンソンHarryRobson、ゼオライト材料の実証された合成VerifiedSynthesesofZeoliticMaterials、改訂第2版、Elsevier、Amsterdam2001を参照。反応混合物はモレキュラーシーブが生成されるまで高温で維持される。水熱結晶化は通常は圧力下で、また反応混合物が自生圧力autogenouspressureを受けるように通常はオートクレーブ中で、125°C~200°Cの温度で行われる。結晶化ステップの間に反応混合物を穏やかにかき混ぜるか又は撹拌してもよい。本明細書に記載のモレキュラーシーブが、アモルファス材料などの不純物、モレキュラーシーブとは一致しない骨格構造トポロジーを有する単位格子、及び/又は他の不純物例えば有機炭化水素を含有してもよいことを当業者は理解されよう。水熱結晶化ステップの間、モレキュラーシーブ結晶を反応混合物から自然に核形成させることができる。種物質のようなモレキュラーシーブの結晶の使用は、完全な結晶化を生じさせるのに必要な時間を短縮するのに有利となり得る。さらに、種晶添加は、いかなる望ましくない相よりも核形成及び/又はモレキュラーシーブの形成を促進することによって、得られる生成物の純度の向上をもたらすことができる。種として使用する場合、種晶は反応混合物において使用されるケイ素源の重量の1~10の量で添加される。モレキュラーシーブが生成するとすぐに、固体生成物はろ過などの標準的な機械的分離法によって反応混合物から分離される。結晶を水洗し次いで乾燥させて合成したままのモレキュラーシーブ結晶が得られる。乾燥ステップは大気圧又は真空下で行うことができる。モレキュラーシーブは合成したままで使用できるが、典型的には熱処理焼成されることになる。用語合成したままとは、結晶化後で、SDAカチオンを除去する前の形態のモレキュラーシーブを指す。SDAは、熱処理例えば焼成によって、好ましくは酸化雰囲気例えば空気、酸素分圧が0kPaを超えるガス中で、当業者が容易に決定でき、モレキュラーシーブからSDAを除去するのに十分な温度で除去できる。SDAは、2005年11月1日交付のNavrotsky及びParikhに対する米国特許第6,960,327号に記載のような光分解法例えば、モレキュラーシーブから選択的に有機化合物を除去するのに十分な条件下で、SDA含有モレキュラーシーブ生成物に可視光よりも短い波長を有する光又は電磁波をあてることによっても除去できる。その後モレキュラーシーブを、蒸気、空気、又は不活性ガス中で約200°C~約800°Cの範囲の温度にて、1~48時間の範囲、又はそれを超える時間で焼成することができる。通常、骨格外カチオン例えばNaをイオン交換又は他の既知の方法によって除去し、それを水素、アンモニウム、又は任意の所望の金属イオンで置き換えることが望ましい。生成するモレキュラーシーブが中間物質である場合、目標のモレキュラーシーブは、酸浸出又は他の同様の脱アルミニウム法によってより高いSi:Al比を有する目標物質を中間物質から合成することを可能にする合成後の技術を用いて得ることができる。本発明の方法から作られるモレキュラーシーブは、広範囲の物理的形状に形作ることができる。一般的に言えば、モレキュラーシーブは、粉末、顆粒、又は成形品、例えば2メッシュTylerスクリーンを通過し400メッシュTylerスクリーン上に保持されるのに十分な粒径を有する押し出し物などの形態であってもよい。触媒が押出成形などによって有機バインダーと共に成形される場合、モレキュラーシーブを乾燥前に押出成形するか、又は乾燥若しくは部分的に乾燥させ次いで押出成形してもよい。本発明のモレキュラーシーブ触媒は、場合により1つ又は複数の触媒担体、活性卑金属、他のモレキュラーシーブ、助触媒promoter、それらの混合物と組み合わせることができる。そのような物質の例及びそれらを使用することができる方法は、1990年5月20日発行のZonesらに対する米国特許第4,910,006号、及び1994年5月31日発行のNakagawaに対する米国特許第5,316,753号に開示されている。SSZ-81と組み合わせ可能な触媒担体としては、アルミナ、シリカ、ジルコニア、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化トリウム、酸化ベリリウム、アルミナ-シリカ、アモルファスアルミナ-シリカ、アルミナ-酸化チタン、アルミナ-酸化マグネシウム、シリカ-酸化マグネシウム、シリカ-ジルコニア、シリカ-酸化トリウム、シリカ-酸化ベリリウム、シリカ-酸化チタン、酸化チタン-ジルコニア、シリカ-アルミナ-ジルコニア、シリカ-アルミナ-酸化トリウム、シリカ-アルミナ-酸化チタン、又はシリカ-アルミナ-酸化マグネシウム、好ましくはアルミナ、シリカ-アルミナ、粘土、及びそれらの組み合わせが挙げられる。本明細書において有用な例となる活性卑金属又は貴金属としては、周期表の第6族~第10族からの元素、それらの対応する酸化物及び硫化物、並びにそれらの混合物から選択されるものが挙げられる。1つの小実施形態において、各卑金属又は貴金属は、ニッケルNi、パラジウムPd、白金Pt、コバルトCo、鉄Fe、レニウムRe、クロムCr、モリブデンMo、タングステンW、及びそれらの混合物から成る群から選択される。別の小実施形態において、水素化処理触媒は少なくとも1つの第6族の卑金属及び周期表の第8族~第10族から選択される少なくとも1つの卑金属を含有する。例となる金属の組み合わせとしては、Ni/Mo/W、Ni/Mo、Mo/W、Co/Mo、Co/W、及びW/Niが挙げられる。助触媒としては、リンP、ホウ素B、ケイ素Si、アルミニウムAl、及びそれらの混合物から選択されるものが挙げられる。SSZ-81は水素化分解、流動接触分解FCC、水素異性化、脱ろう、オレフィン異性化、芳香族化合物のアルキル化などの様々な炭化水素転化反応における触媒に有用である。SSZ-81は分離における吸着剤としても有用である。一実施形態において、SSZ-81は水素異性化法において使用され、水素異性化法は、典型的には、白金、パラジウム、又はそれらの混合物などの貴金属を含有する水素型のSSZ-81を、C4~C7直鎖及び分岐パラフィンを含有する供給原料と水素異性化条件下で接触させるステップを含む。1つの小実施形態において、ASTMD2699-09によって決定されるリサーチ法オクタン価RONが供給原料よりも高い液体生成物を得るのに十分な水素異性化条件下で、モレキュラーシーブSSZ-81に基づく触媒を、C4~C7直鎖及び分岐パラフィンを含有する供給原料と接触させるステップを含む水素異性化プロセスが提供される。供給原料は典型的には軽質直留留分であり、30°F~250°F-1°C~121°C、例えば60°F~200°F16°C~93°Cの範囲内で沸点に達する。異性化反応は典型的には水素の存在下で行われる。水素は0.5~10H2/HC、例えば1~8H2/HCの水素対炭化水素モル比H2/HCをもたらすように添加してもよい。典型的には、供給原料を約150°F~約700°F65.5°C~371°Cの範囲の温度で、約50psig~約2000psig0.345MPa~13.9MPaのゲージ圧の範囲の圧力、及び約0.5~約5h-1の範囲の供給原料の液空間速度LHSVにおいて、SSZ-81又はSSZ-81を含有する触媒と接触させる。異性化プロセス条件のさらなる考察については米国特許第4,910,006号及び米国特許第5,316,753号を参照のこと。低硫黄の供給原料が本発明のプロセスにおいて有用である。供給原料は望ましくは10ppmを下回る、例えば1ppmを下回る、又は0.1ppmを下回る硫黄を含有する。硫黄が既に低いレベルではない供給原料の場合、前処理ゾーンにおいて硫黄の毒作用に耐性のある水素化処理触媒を用いて供給原料を水素化処理することによって、許容可能なレベルを実現することができる。この水素化脱硫プロセスのさらなる考察については、上記の米国特許第4,910,006号及び米国特許第5,316,753号を参照のこと。供給原料の窒素レベル及び水分量を制限するのが通常である。これらの目的に適した触媒及びプロセスは当業者に既知である。運転時間の後、触媒は硫黄又はコークスによって不活性化させてもよい。硫黄及びコークスの除去法、及び触媒の再生のさらなる考察については、上記の米国特許第4,910,006号及び米国特許第5,316,753号を参照のこと。転化触媒は望ましくは1つ又は複数の第8族~第10族金属を含有する。第8族~第10族貴金属及びそれらの化合物、白金、パラジウム、及びイリジウム、又はそれらの組み合わせを使用できる。レニウム及びスズを貴金属と併用してもよい。典型的には、金属は白金又はパラジウムである。転化触媒中に存在する第8族~第10族金属の量は、水素化異性化触媒における通常の使用範囲である約0.05~2.0重量パーセント、例えば0.2~0.8重量パーセントとするべきである。モレキュラーシーブの特性評価本発明の方法によって作られたモレキュラーシーブは、合成したままの無水状態で表2モル比に関するに記載の組成を有し、組成の変数Q、A、及びMは上記した通りである。本発明の方法によって合成されたモレキュラーシーブは、XRDパターンによって特性評価される。表3の粉末XRDパターンの線は、本発明に従って作られた合成したままのSSZ-81を代表するものである。回折パターンの小さな変動は、特定の試料の骨格種のモル比における変動から格子定数の変化に起因して生じ得る。さらに、十分に小さい結晶はピークの形状及び強度に影響を及ぼし、顕著なピークの広がりを引き起こすことになろう。回折パターンの小さな変動は、調製に使用される有機化合物の違いから、及び試料間のSi/Alモル比の変動からも生じ得る。焼成もXRDパターンの小さなシフトを引き起こすことがある。これらの小さな変動にもかかわらず、基本的な結晶格子構造は変化しないままである。表4のX線回折パターンの線は、本発明に従って作られた焼成後のSSZ-81を代表するものである。本明細書において示される粉末X線回折パターンは、標準的な方法によって収集された。照射線はCuK-α照射線であった。ピーク高さ及び位置は、2θの関数としてここでθはブラッグ角である、ピークの相対強度バックグランドに対して調整するから読み取られ、記録された線に対応する面間隔オングストロームdを計算することができる。以下の実施例は本発明を実証するが本発明を限定するものではない。例11,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオンを用いたSSZ-81の合成1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンの水酸化物溶液[OH-]=0.4mmol/g5.0gをテフロン登録商標容器に加えた。次に、0.18gのゼオライトY-52UnionCarbideCorp.より供給される、1.50gの1NNaOH溶液、及び0.50gの水をこの容器に加えた。最後に、0.50gのCAB-O-SILM-5ヒュームドシリカCabotCorporationをゆっくりと加え、ゲルを十分に混合した。次いでテフロン登録商標ライナーに蓋をして鋼製のParrオートクレーブ内で封止した。オートクレーブを160°Cの対流式オーブン内の棒状部spitに設置した。オートクレーブを17日間にわたって加熱オーブン中で43rpmにて回転させた。次いでオートクレーブを取り出し、室温まで冷やした。次いで固体をろ過によって回収し、脱イオン水で十分に洗浄した。固体を室温で乾燥させた。得られた生成物を粉末XRDにより分析した。図1はこの例の合成したままの生成物の粉末XRDパターンを示す。下記の表5は得られる生成物についての粉末X線回折線を示す。例2SSZ-81の焼成例1の生成物をマッフル炉内で2酸素/98窒素流下で焼成し、595°Cまで1°C/分の速度で加熱し、595°Cで5時間保ち、冷却し、次いで粉末XRDにより分析した。得られたXRDパターンを図2に示す。下記の表6は、焼成したモレキュラーシーブ生成物についての粉末XRD線を示す。XRDパターンは、有機SDAを除去するための焼成後にも物質が安定のままであることを示している。例3NH4交換NH4NO3を用いて、焼成したSSZ-81材料例2で調製されたもののイオン交換を行って、モレキュラーシーブをそのNa型からNH4型、最終的にはH型へと転化させる。典型的には、モレキュラーシーブと同じ質量のNH4NO3を25~50:1の水対ゼオライト比にて水中でスラリー状にする。交換溶液を95°Cで2時間加熱し、次いでろ過する。この手順を3回まで繰り返すことができる。最後の交換に続いて、モレキュラーシーブを水で数回洗浄し乾燥させる。次いでこのNH4型のSSZ-81を540°Cまでの焼成によって例2に記載の通りH型へと転化させることができる。例4拘束係数ConstraintIndex20~40のペレット状及びメッシュ状の範囲の、例3によって調製された0.5グラムの焼成したH型材料を、ステンレス鋼反応器触媒床の両側にグラスウールを充填したものへ投入し拘束係数試験を行った50n-ヘキサン/503-メチルペンタン3-MP。通常の供給速度を使用し8μl/分.、1回目の試験を260°C500°Fで行い、2回目の試験を316°C600°Fで行った。触媒を反応器中で538°C1000°F近くになるまで乾燥させた後に各試験を行った。ヘリウム流を使用した。ゾーンズ及びハリスZones及びHarris、マクロ多孔質及びメソ多孔質材料MicroporousandMesoporousMaterials35~362000、31~46頁を参照。表7及び8に示すように、稼働中の約10分時点で、1回目の試験において約92の供給原料がおよそ等量の各反応物を用いて転化されており、2回目の試験では99を超える供給原料がおよそ等量の各反応物を用いて転化されていた。例52,2-ジメチルブタンの吸着次いで例3の焼成した材料を炭化水素2,2-ジメチルブタンの蒸気の取り込みについて試験した。この吸着質は小さい孔のゼオライト8員環の入り口には入らず、ZSM-5のような中程度の孔のゼオライトに入るのを妨げられる場合がある。SSZ-81は多次元multi-dimensionalの大きい孔の材料Yゼオライトなどのプロファイル特性を示し、急速な取り込み及び高い孔の充填を示した。約0.3のP/Po及び室温において、SSZ-81は吸着質である2,2-ジメチルブタンの蒸気に15分さらした後に0.18cc/gramを超えて吸着し、吸着質に約1時間さらした後に約0.19cc/gram吸着することが示された。例6ジカチオンの組み合わせを用いたSSZ-81の合成1,5-ビス1-アゾニア-ビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンの水酸化物溶液[OH-]=0.40mmol/g1.25g及び1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンの水酸化物溶液[OH-]=0.41mmol/g3.75gをテフロン登録商標容器に加えた。次に、0.18gのゼオライトY-52UnionCarbideCorporationより供給される、1.50gの1NNaOH溶液、及び0.50gの水をこの容器に加えた。最後に、0.50gのCAB-O-SILM-5ヒュームドシリカCabotCorporationをゆっくりと加え、ゲルを十分に混合した。次いでテフロン登録商標ライナーに蓋をして鋼製のParrオートクレーブ内で封止した。オートクレーブを160°Cの対流式オーブン内の棒状部に設置した。オートクレーブを4週間にわたって加熱オーブン中で43rpmにて回転させた。次いでオートクレーブを取り出し、室温まで冷ました。次いで固体をろ過によって回収し、脱イオン水で十分に洗浄した。固体を室温で乾燥させた。得られる生成物を粉末XRDにより分析した。XRD分析は生成物がSSZ-81であることを示した。例71,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンジカチオンを用いたSSZ-81の合成1,5-ビス1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンペンタンの水酸化物溶液[OH-]=0.41mmol/g5.0gをテフロン登録商標容器に加えた。次に、0.18gのゼオライトY-52UnionCarbideCorporationより供給される、1.50gの1NNaOH溶液、及び0.50gの水をこの容器に加えた。最後に、0.50gのCAB-O-SILM-5ヒュームドシリカCabotCorporationをゆっくりと加え、ゲルを十分に混合した。次いでテフロン登録商標ライナーに蓋をして鋼製のParrオートクレーブ内で封止した。オートクレーブを160°Cの対流式オーブン内の棒状部に設置した。オートクレーブを6週間にわたって加熱オーブン中で43rpmにて回転させ、生成物が形成しているかを見るために定期的に中断した。次いでオートクレーブを6週間後に取り出し、室温まで冷ました。次いで固体をろ過によって回収し、脱イオン水で十分に洗浄した。固体を室温で乾燥させた。得られる生成物を粉末XRDにより分析した。XRD分析は混合物がSSZ-81といくらかの残留する未反応のゼオライトY-52との混合物であることを示した。例8水素異性化触媒の調製本明細書において例3に概要を述べた手順に従って調製されたH型のAl-SSZ-81を、pH~10.3でNH34PdNO32水溶液によってイオン交換してゼオライトに0.5wtPdを充填した。次いでこのPd/Al-SSZ-81モレキュラーシーブを空気中で450°Fにて232°C5時間焼成し、続いて例9に示す触媒実験の前に水素を減少させた。例9Pd/Al-SSZ-81上でのn-ヘキサンの水素異性化n-ヘキサンの水素異性化の触媒反応を、本明細書の例8において調製されたPd/SSZ-81触媒を用いて、流通式固定床反応器において純粋なn-ヘキサンを供給原料として行った。水素異性化条件は、200ゲージポンド/平方インチpsigゲージ圧1.38MPaの圧力、1h-1の液空間速度LHSV、及び6:1のH2対炭化水素モル比を含んでいた。反応温度は10°F5.5°Cきざみで400~620°F204~327°Cの範囲であった。反応生成物をオンラインガスクロマトグラフによって分析してすべての分解生成物及び異性化生成物を定量した。代表的な結果を表9に示す。"