第1導電層と、前記第1導電層上に位置し、前記第1導電層の板面に交差する方向に伸び、互いに離隔した複数のナノ構造体と、前記第1導電層上に位置し、前記複数のナノ構造体間の空間に充填された樹脂層と、前記樹脂層上に位置し、前記複数のナノ構造体を覆う1つ以上の半導体層と、前記半導体層を覆い、前記第1導電層の光透過率より低い光透過率を有する第2導電層とを含むことを特徴とする太陽電池。前記複数のナノ構造体の表面上に位置し、前記樹脂層と接する誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第2導電層の厚さは、20μm~100μmであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第1導電層上に位置し、前記複数のナノ構造体の下端と接する1つ以上の電子移送体をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第2導電層および前記電子移送体は、互いに同一の金属を含むことを特徴とする請求項4記載の太陽電池。前記金属は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、金Auおよび白金Ptからなる群より選択された1つ以上の元素であることを特徴とする請求項5記載の太陽電池。前記1つ以上の電子移送体は、複数の電子移送体を含み、前記複数の電子移送体は、互いに離隔していることを特徴とする請求項4記載の太陽電池。前記電子移送体の平均直径は、前記複数のナノ構造体の平均直径より大きいことを特徴とする請求項7記載の太陽電池。前記電子移送体は、前記第1導電層を覆い、前記電子移送体は、p型半導体物質またはn型半導体物質を含むことを特徴とする請求項4記載の太陽電池。前記1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、前記複数の半導体層のうち、前記電子移送体と接する半導体層は、真性物質を含むことを特徴とする請求項9記載の太陽電池。前記1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、前記複数の半導体層のうちの1つ以上の半導体層は、前記複数の第1ナノ構造体上に位置する複数の第1半導体部と、前記第1半導体部に連結されて一体に形成され、前記樹脂層上に位置する第2半導体部とを含み、前記複数の第1半導体部の上端部間の幅は、100nm~2μmであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第2導電層を覆い、前記樹脂層の側面と接するカバー層をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記カバー層の内部に位置し、前記第2導電層と接触して前記第2導電層を外部に電気的に連結させるコンタクト電極をさらに含むことを特徴とする請求項12記載の太陽電池。前記複数のナノ構造体は、半導体物質を含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第1導電層の厚さは、30nm~300nmであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記誘電体層は、酸化アルミニウムAl2O3、窒化シリコンSiNx、炭化シリコンSiCおよび二酸化シリコンSiOxからなる群より選択された1つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。第1導電層と、前記第1導電層上に位置し、前記第1導電層の板面に交差する方向に伸び、互いに離隔した複数のナノ構造体と、前記複数のナノ構造体を覆う複数の半導体層と、前記複数の半導体層を覆い、前記第1導電層の光透過率より高い光透過率を有する第2導電層とを含み、前記複数の半導体層のうちの1つ以上の半導体層は、前記複数の第1ナノ構造体上に位置する複数の第1半導体部と、前記複数の第1半導体部に連結されて一体に形成され、前記第1導電層上に位置する第2半導体部とを含むことを特徴とする太陽電池。可視光線領域において、前記第2導電層の光透過率は、前記第1導電層の光透過率より90~99低いことを特徴とする請求項1または17記載の太陽電池。前記複数のナノ構造体の直径は、前記第1導電層の板面から遠くなるほど小さくなり、前記複数のナノ構造体は、入射する光を閉じ込めるように適用された第1ナノ構造体と、第1ナノ構造体と共に位置し、入射する光を電力に変換するように適用された第2ナノ構造体とを含むことを特徴とする請求項18記載の太陽電池。前記第1導電層および前記複数のナノ構造体の間に位置する他の半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項17記載の太陽電池。前記他の半導体層は、n型半導体物質またはp型半導体物質を含むことを特徴とする請求項20記載の太陽電池。前記他の半導体層と接する前記複数のナノ構造体の下面は、凹凸に形成されたことを特徴とする請求項20記載の太陽電池。前記第1導電層の下に位置する反射防止膜をさらに含むことを特徴とする請求項17記載の太陽電池。基板と、前記基板上に位置し、互いに離隔した複数のナノ構造体とを提供するステップと、前記基板上に位置し、前記複数のナノ構造体間の空間を充填させる樹脂層を提供するステップと、前記樹脂層の上部をエッチングして前記複数のナノ構造体を部分的に露出させるステップと、前記露出した複数のナノ構造体上に1つ以上の半導体層を提供するステップと、前記半導体層上に導電層を提供するステップと、前記導電層を覆うカバー層を提供するステップと、前記基板を分離させるステップと、前記樹脂層の下に、前記導電層の光透過率より低い光透過率を有する他の導電層を提供するステップとを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記樹脂層と接し、前記複数のナノ構造体の表面上に位置する誘電体層を提供するステップをさらに含み、前記複数のナノ構造体を部分的に露出させるステップにおいて、前記誘電体層のうち、前記樹脂層の上部と接する誘電体層をエッチングすることを特徴とする請求項24記載の太陽電池の製造方法。前記半導体層上に導電層を提供するステップにおいて、前記導電層を前記半導体層上に無電解メッキすることを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。前記基板を分離させるステップの後に、前記樹脂層をエッチングして前記複数のナノ構造体の下端を外部露出させるホールを前記樹脂層に形成するステップと、前記ホールに電子移送体を提供するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。前記電子移送体を提供するステップにおいて、前記電子移送体は、無電解メッキされて提供されることを特徴とする請求項27記載の太陽電池の製造方法。前記基板と前記複数のナノ構造体とを提供するステップにおいて、前記複数のナノ構造体の直径は、前記基板の板面から遠くなるほど小さくなるように提供されたことを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。前記基板と前記複数のナノ構造体は、無電解エッチングされて一体に提供されたことを特徴とする請求項29記載の太陽電池の製造方法。前記複数のナノ構造体は、追加的にエッチングされたことを特徴とする請求項30記載の太陽電池の製造方法。前記カバー層を提供するステップにおいて、前記カバー層は、樹脂を含むことを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。前記1つ以上の半導体層を提供するステップにおいて、前記1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、前記複数の半導体層は、イオンドーピングされて形成されたことを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。前記導電層を提供するステップの後に、前記導電層上に、前記導電層と接触して前記導電層を外部に電気的に連結させるコンタクト電極を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項25記載の太陽電池の製造方法。基板と、前記基板上に位置し、互いに離隔した複数のナノ構造体とを提供するステップと、前記複数のナノ構造体上に1つ以上の半導体層を提供するステップと、前記半導体層上に導電層を無電解メッキして提供するステップと、前記導電層を覆うカバー層を提供するステップと、前記基板を分離させるステップと、前記複数のナノ構造体の下に、前記導電層の光透過率より低い光透過率を有する他の導電層を提供するステップとを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。前記複数のナノ構造体および前記他の導電層の間に他の半導体層を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項35記載の太陽電池の製造方法。前記他の半導体層を提供するステップにおいて、前記他の半導体層は、p型半導体物質またはn型半導体物質を含むことを特徴とする請求項36記載の太陽電池の製造方法。前記他の導電層の下に反射防止膜を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項35記載の太陽電池の製造方法。簡単な工程を用いて製造することができ、かつ、光電変換効率および光吸収率に優れた太陽電池を提供しようとする。また、前述した太陽電池の製造方法を提供しようとする。本発明の一実施形態にかかる太陽電池は、i第1導電層と、ii第1導電層上に位置し、第1導電層の板面に交差する方向に伸び、互いに離隔した複数のナノ構造体と、iii第1導電層上に位置し、複数のナノ構造体間の空間に充填された樹脂層と、iv樹脂層上に位置し、複数のナノ構造体を覆う1つ以上の半導体層と、v半導体層を覆い、第1導電層の光透過率より低い光透過率を有する第2導電層とを含む。本発明の一実施形態にかかる太陽電池は、複数のナノ構造体の表面上に位置し、樹脂層と接する誘電体層をさらに含むことができる。第2導電層の厚さは、20μm~100μmであり得る。本発明の一実施形態にかかる太陽電池は、第1導電層上に位置し、複数のナノ構造体の下端と接する1つ以上の電子移送体をさらに含むことができる。第2導電層および電子移送体は、互いに同一の金属を含むことができる。金属は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、金Auおよび白金Ptからなる群より選択された1つ以上の元素であり得る。1つ以上の電子移送体は、複数の電子移送体を含み、複数の電子移送体は、互いに離隔できる。電子移送体の平均直径は、複数のナノ構造体の平均直径より大きくなり得る。電子移送体は、第1導電層を覆い、電子移送体は、p型半導体物質またはn型半導体物質を含むことができる。1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、複数の半導体層のうち、電子移送体と接する半導体層は、真性物質を含むことができる。1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、複数の半導体層のうちの1つ以上の半導体層は、i複数の第1ナノ構造体上に位置する複数の第1半導体部と、ii第1半導体部に連結されて一体に形成され、樹脂層上に位置する第2半導体部とを含むことができる。複数の第1半導体部の上端部間の幅は、100nm~2μmであり得る。本発明の一実施形態にかかる太陽電池は、第2導電層を覆い、樹脂層の側面と接するカバー層をさらに含むことができる。本発明の一実施形態にかかる太陽電池は、カバー層の内部に位置し、第2導電層と接触して第2導電層を外部に電気的に連結させるコンタクト電極をさらに含むことができる。複数のナノ構造体は、半導体物質を含むことができる。第1導電層の厚さは、500nm~10μmであり得る。誘電体層は、酸化アルミニウムAl2O3、窒化シリコンSiNx、炭化シリコンSiCおよび二酸化シリコンSiOxからなる群より選択された1つ以上の物質を含むことができる。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池は、i第1導電層と、ii第1導電層上に位置し、第1導電層の板面に交差する方向に伸び、互いに離隔した複数のナノ構造体と、iii複数のナノ構造体を覆う複数の半導体層と、iv複数の半導体層を覆い、第1導電層の光透過率より高い光透過率を有する第2導電層とを含む。複数の半導体層のうちの1つ以上の半導体層は、i複数の第1ナノ構造体上に位置する複数の第1半導体部と、ii複数の第1半導体部に連結されて一体に形成され、第1導電層上に位置する第2半導体部とを含む。可視光線領域において、第2導電層の光透過率は、第1導電層の光透過率より90~99低くなり得る。複数のナノ構造体の直径は、第1導電層の板面から遠くなるほど小さくなり得る。複数のナノ構造体は、i入射する光を閉じ込めるように適用された第1ナノ構造体と、ii第1ナノ構造体と共に位置し、入射する光を電力に変換するように適用された第2ナノ構造体とを含むことができる。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池は、第1導電層および複数のナノ構造体の間に位置する他の半導体層をさらに含むことができる。他の半導体層は、n型半導体物質またはp型半導体物質を含むことができる。他の半導体層と接する前記複数のナノ構造体の下面は、凹凸に形成できる。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池は、第1導電層の下に位置する反射防止膜をさらに含むことができる。本発明の一実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、i基板と、基板上に位置し、互いに離隔した複数のナノ構造体とを提供するステップと、ii基板上に位置し、複数のナノ構造体間の空間を充填させる樹脂層を提供するステップと、iii樹脂層の上部をエッチングして複数のナノ構造体を部分的に露出させるステップと、iv露出した複数のナノ構造体上に1つ以上の半導体層を提供するステップと、v半導体層上に導電層を提供するステップと、vi導電層を覆うカバー層を提供するステップと、vii基板を分離させるステップと、viii樹脂層の下に、導電層の光透過率より低い光透過率を有する他の導電層を提供するステップとを含む。本発明の一実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、樹脂層と接し、複数のナノ構造体の表面上に位置する誘電体層を提供するステップをさらに含むことができる。複数のナノ構造体を部分的に露出させるステップにおいて、誘電体層のうち、樹脂層の上部と接する誘電体層をエッチングすることができる。半導体層上に導電層を提供するステップにおいて、導電層を半導体層上に無電解メッキすることができる。本発明の一実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、基板を分離させるステップの後に、i樹脂層をエッチングして複数のナノ構造体の下端を外部露出させるホールを樹脂層に形成するステップと、iiホールに電子移送体を提供するステップとをさらに含むことができる。電子移送体を提供するステップにおいて、電子移送体は、無電解メッキされて提供できる。基板と複数のナノ構造体とを提供するステップにおいて、複数のナノ構造体の直径は、基板の板面から遠くなるほど小さくなるように提供できる。基板と複数のナノ構造体は、無電解エッチングされて一体に提供できる。複数のナノ構造体は、追加的にエッチングできる。カバー層を提供するステップにおいて、カバー層は、樹脂を含むことができる。1つ以上の半導体層を提供するステップにおいて、1つ以上の半導体層は、複数の半導体層を含み、複数の半導体層は、イオンドーピングされて形成できる。本発明の一実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、導電層を提供するステップの後に、導電層上に、導電層と接触して導電層を外部に電気的に連結させるコンタクト電極を提供するステップをさらに含むことができる。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、i基板と、基板上に位置し、互いに離隔した複数のナノ構造体とを提供するステップと、ii複数のナノ構造体上に1つ以上の半導体層を提供するステップと、iii半導体層上に導電層を無電解メッキして提供するステップと、iv導電層を覆うカバー層を提供するステップと、v基板を分離させるステップと、vi複数のナノ構造体の下に、導電層の光透過率より低い光透過率を有する他の導電層を提供するステップとを含む。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、複数のナノ構造体および他の導電層の間に他の半導体層を提供するステップをさらに含むことができる。他の半導体層を提供するステップにおいて、他の半導体層は、p型半導体物質またはn型半導体物質を含むことができる。本発明の他の実施形態にかかる太陽電池の製造方法は、他の導電層の下に反射防止膜を提供するステップをさらに含むことができる。ナノ構造体、誘電体層および樹脂層を用いて光吸収率および光電変換効率に優れた太陽電池を製造することができる。また、基板を分離させて太陽電池を製造するため、基板を再活用することができる。そして、無電解エッチング法を利用して太陽電池を簡単に製造することができる。ある部分が他の部分の上にあると言及する場合、これは、他の部分の上にあるか、その間に別の部分を伴うことができる。対照的に、ある部分が他の部分の真上にあると言及する場合、その間に別の部分が介在しない。ここで使われる専門用語は、単に特定の実施形態を言及するためのものであり、本発明を限定することを意図しない。ここで使われる単数の形態は、言葉がこれと明らかに反対の意味を示さない限り、複数の形態も含む。明細書で使われる含むの意味は、特定の特性、領域、整数、段階、動作、要素および/または成分を具体化し、他の特定の特性、領域、整数、段階、動作、要素、成分および/または群の存在や付加を除外させるものではない。下、上などの相対的な空間を示す用語は、図面に示されたある部分の他の部分に対する関係をより容易に説明するために使用できる。このような用語は、図面で意図した意味と共に、使用中の装置の他の意味や動作を含むように意図される。例えば、図中の装置をひっくり返すと、他の部分の下にあると説明されたある部分は、他の部分の上にあると説明される。したがって、下という例示的な用語は、上と下の方向をすべて含む。装置は、90°回転または他の角度で回転することができ、相対的な空間を示す用語もこれに従って解釈される。別に定義していないが、ここで使われる技術用語および科学用語を含むすべての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が一般的に理解する意味と同じ意味を有する。通常使用される辞書に定義された用語は、関連技術文献と現在開示された内容に符合する意味を有すると追加解釈され、定義されない限り、理想的または非常に公式的な意味で解釈されない。以下で使うナノという用語は、客体の大きさがナノ単位であることを意味する。しかし、ナノ単位は、マイクロ単位まで含むものとして解釈できる。以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。図1は、本発明の第1実施形態にかかる太陽電池100の概略的な断面構造を示す。図1の太陽電池100の断面構造は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、太陽電池100の断面構造を他の形態に変形することができる。図1に示すように、太陽電池100は、第1導電層10と、複数のナノ構造体20と、誘電体層22と、樹脂層30と、複数の半導体層40と、第2導電層50とを含む。このほか、太陽電池100は、電子移送体24と、カバー層70と、コンタクト電極60、62と、引出配線80とをさらに含むことができる。太陽電池100で光によって生成された電力は、受動素子Pを駆動するために使用される。一方、太陽電池100は、図1に示した素子のほか、他の素子をさらに含むことができる。第1導電層10および第2導電層50がそれぞれコンタクト電極60、62および引出配線80に連結されるため、太陽電池100で生成された電力は、受動素子Pを駆動させる。図1の矢印で示すように、光は第1導電層10を介してz軸方向に入射する。したがって、第1導電層10は、透明電極であって、例えば、ITOindiumtinoxide、インジウムチンオキシドまたはAl/Gaでドーピングした酸化亜鉛などの素材を用いて光を透過させるように透明に製造する。一方、第2導電層50は、光を再び半導体層40に反射させ、起電力の発生を最大化する。このために、第2導電層50は、反射しやすいように不透明な層に形成され、金属をその素材として製造する。例えば、第2導電層50は、アルミニウムAl、銀Ag、ニッケルNi、金Auまたは白金Ptなどを含むことができる。半導体層40をn型半導体物質で製造する場合、オーミックコンタクトohmiccontactを形成するアルミニウムAlまたは銀Agを第2導電層50の素材として使用することができる。また、半導体層40をp型半導体物質で製造する場合、ニッケルNi、金Auまたは白金Ptを第2導電層50の素材として使用することができる。一方、第2導電層50の光透過率は、第1導電層10の光透過率より低い。したがって、光は第2導電層50を通過せずに全反射するため、複数のナノ構造体20および半導体層40によって電力に変換される。より具体的には、可視光線領域において、第2導電層50の光透過率は、第1導電層10の光透過率より90~99低い。前述した範囲で第1導電層10および第2導電層50の光透過率の差を調整し、太陽電池100における光損失を最少化することができる。第2導電層50は光を透過させない。ここで、第2導電層50は、無電解蒸着法または電解蒸着法を利用して形成することができる。第2導電層50は、1100nm~1600nmの波長範囲を有する近赤外線をより吸収しやすい後面反射体backreflectorとして機能する。したがって、第2導電層50によってナノ構造体20で光を最大に吸収することができる。結論的に、前述した光透過率の範囲内で第1導電層10を通過する光の量を最大化しながら、第2導電層50による光の反射率を最大化することができる。図1に示すように、複数のナノ構造体20は、第1導電層10上に互いに離隔して位置する。複数のナノ構造体20は、基板10の板面101に交差する方向、つまり、z軸方向に伸びている。ナノ構造体20は、円錐形状を有する。図1には示していないが、ナノ構造体20は、円筒形状を有することもできる。単結晶に製造されるナノ構造体20は、n型物質またはp型物質で形成され、光を吸収する。半導体層40は、ナノ構造体20とコンフォーマルconformalに形成されるため、短キャリア収集shortcarriercollectionによって光を吸収しやすい。また、複数のナノ構造体20は、n型またはp型であって、光を吸収せず、積層された半導体層40から吸収された電子または空孔の電気的通路として利用できる。この場合、複数のナノ構造体20は、n選択型エミッタselectiveemitterとして機能し、半導体層40による短キャリア収集によって吸収された電子および空孔を速やかにエミッタに伝達することにより、これらの再結合を遮断する。したがって、多量の電子および空孔が生成されるため、これを用いて起電力の発生を最大化することができる。また、ナノ構造体20および半導体層40は、その積層構造を通じて光をトラッピングtrappingし、光吸収率を最大化することができる。一方、複数のナノ構造体20が円錐形状を有するため、複数のナノ構造体20の直径は、第1導電層10の板面から遠くなるほど小さくなる。一般的に、ナノ構造体の形状のうち、円錐上端から光が入射する太陽電池が多量存在する。しかし、本発明の一実施形態では、これとは反対となるように太陽電池100を製造することにより、複数のナノ構造体20による光吸収率を最大化することができる。つまり、入射した光は、マルチ反射multiplereflectionおよび分散scattering効果によって太陽電池300の内部に吸収されやすい。また、ナノ構造体233で生成された電子または正孔は、酸化膜33をトンネリングし、第2導電層75を介してキャリア収集carriercollectionが可能である。前述のように、半導体層40が形成されたナノ構造体20のうち、一部のナノ構造体は光を閉じ込めて電子および空孔のパスとして使用され、残りのナノ構造体は光電変換のために使用できる。例えば、半導体層40が形成されたナノ構造体20のうち、半分は入射する光を閉じ込めて電子および空孔のパスとして使用され、残りの半分は光を電力に変換するために使用できる。また、樹脂層30を用いることにより、図1に示した構造を有する太陽電池100を製造することができる。樹脂層30は、第1導電層10上に位置する。樹脂層30は、複数のナノ構造体20間の空間に充填され、複数のナノ構造体20の表面に位置する誘電体層22と接する。ここで、誘電体層22は、複数のナノ構造体20の表面に形成され、複数のナノ構造体20をパッシベーションpassivationさせる。このために、誘電体層22は、反射を防止する特性を有したりパッシベーション特性を有する酸化アルミニウムAl2O3、窒化シリコンSiNx、炭化シリコンSiCまたは二酸化シリコンSiO2などを含む物質で製造される。特に、酸化アルミニウムAl2O3は、p型半導体物質に対するパッシベーション能力に優れ、窒化シリコンSiNxまたは二酸化シリコンSiO2は、p型半導体物質に対するパッシベーション能力に優れている。誘電体層22は、ナノ構造体20の表面に生成された電荷が互いに再結合されることを防止することにより、ナノ構造体20で生成された正孔または電荷を損失させることなく外部に移送させやすい。その結果、電子または空孔の移送効率を増大させることにより、太陽電池100の起電力を向上させることができる。一方、複数のナノ構造体20が第1半導体層402と接触する表面には、半導体接合のために誘電体層22を形成しない。場合によって誘電体層22の製造を省略することもできる。図1に示すように、電子移送体24は、第1導電層10上に位置し、複数のナノ構造体20の下端と接する。ここで、電子移送体24は、金属で製造することができる。したがって、半導体層40およびナノ構造体20との相互作用によって生成された電子は、電子移送体24を介して第1導電層10側に効率的に流れる。このために、電子移送体24をニッケルなどの金属で製造することができる。つまり、電子移送体24と第2導電層50は、互いに同一の金属を含むことができる。また、電子移送体24の平均直径、つまり、電子移送体24をxy平面方向に切断した断面の直径の平均値は、複数のナノ構造体20の平均直径、つまり、ナノ構造体20をxy平面方向に切断した断面の直径の平均値より大きい。したがって、複数のナノ構造体20から生成された電子が、電子移送体24を介して第1導電層10側に効率的に抜けやすくなり得る。半導体層40は、第1半導体層402と、第2半導体層404と、第3半導体層406とを含む。図1には、複数の半導体層402、404、406を示したが、半導体層を1つの層または2つの層から構成することもできる。また、半導体層の数が4つ以上であってもよい。ここで、半導体層40は、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition、プラズマ化学気相蒸着法によってSiH4ガスをチャンバに注入しながら、ドーピングソースだけを変更する方法で一度に形成することができる。複数のナノ構造体20は、半導体物質を含むため、半導体層40と半導体接合を形成する。例えば、ナノ構造体20をn型半導体物質、第1半導体層402をn型物質、第2半導体層404を真性物質、そして、第3半導体層406をp型半導体物質で製造することができる。ここで、使用される複数のナノ構造体20および半導体層40は、シリコンをイオンドーピングして製造することができる。この場合、複数のナノ構造体20、第1半導体層402、第2半導体層404および第3半導体層406がコンフォーマルconformalに形成されるため、エネルギーバンドギャップを低くし、起電力を効率的に向上させることができる。真性物質としては非晶質シリコンを使用する。n型半導体物質で製造した複数のナノ構造体20は、選択的エミッタemitterおよび電子の伝導通路として利用される。一方、第3半導体層406上には第2導電層50が位置するため、第3半導体層406を透過した光を全反射させ、ナノ構造体20および半導体層40によって生成される起電力を最大化することができる。そして、図1には示していないが、ナノ構造体20をn型半導体物質またはn型半導体物質で製造し、これを覆う半導体層を2つの層から形成し、ナノ構造体20と接する層は真性物質で製造し、再びこれを覆う層はp型半導体物質で製造することができる。また、ナノ構造体20をn型半導体物質またはn型半導体物質で製造し、これを覆う半導体層をp型半導体物質で製造することもできる。前述した半導体物質は、非晶質シリコンを用いて製造することができる。一方、カバー層70は、第2導電層50を覆い、樹脂層30の側面と接する。カバー層70は、PDMSpolydimethylsiloxane、ポリジメチルシロキサンまたはポリイミドpolyimideなどで製造することができる。カバー層70がこのような素材で製造されるため、太陽電池100は、フレキシブルな特性を有する。したがって、手でカバー層70を把持して太陽電池100を曲げることもできる。図1に示すように、コンタクト電極60、62は、第1コンタクト電極60と、第2コンタクト電極62とを含む。第1コンタクト電極60は、カバー層70の内部に位置する。第1コンタクト電極60は、第2導電層50と接触して第2導電層50を外部に電気的に連結させる。つまり、第1コンタクト電極60は、引出配線80と第2導電層50とを互いに連結させる。以下、図2~図12を通じて、図1の太陽電池100の製造方法をより詳細に説明する。図2は、図1の太陽電池100の製造工程のフローチャートを概略的に示し、図3ないし図12は、図2の太陽電池100の製造工程の各ステップを概略的に示す。以下、図2と共に図3~図12を参照して、太陽電池100の製造工程を順に説明する。まず、図2のステップS10では、基板29と、複数のナノ構造体20図3に示すとを提供する。基板29と複数のナノ構造体20は、シリコンをn型にドーピングして製造することができる。比較的低価格の素材で製造された基板29と複数のナノ構造体20を用いることで、太陽電池100図1に示すの製造費用を低減することができる。ここで、基板29と複数のナノ構造体20は、バルクシリコンをAgなどの粒子を用いて無電解エッチングして一体に提供することができる。また、複数のナノ構造体20を円錐形状に製造するために、複数のナノ構造体20をKOHなどの溶液を用いて追加的にエッチングすることができる。次に、図2のステップS20では、複数のナノ構造体20の表面上に誘電体層22を提供する図4に示す。誘電体層22を、基板29と複数のナノ構造体20の表面の上に蒸着することができる。図2のステップS30では、誘電体層22と接する樹脂層30を提供する図5に示す。樹脂層30は、基板29上に位置して形成される。樹脂層30は、複数のナノ構造体20間の空間に充填され、誘電体層22と接する。例えば、複数のナノ構造体20間の空間に液状樹脂を配置した後、スピンコーティングしてから、これを硬化して樹脂層30を形成することができる。次に、図2のステップS40では、樹脂層30の上部と誘電体層22をエッチングして複数のナノ構造体20を部分的に露出させる図6に示す。ここで、誘電体層22は、樹脂層30の上部と接する部分を意味する。したがって、複数のナノ構造体20の上部が樹脂層30上で外部に露出する。図2のステップS50では、複数のナノ構造体20上に半導体層40を形成する。ここで、半導体層40は、複数の第1半導体部40aと、第2半導体部40bとを含む。複数の第1半導体部40aは、複数の第1ナノ構造体20上に位置する。複数の第1半導体部40aの上端部401a間の幅Wは、100nm~2μmであり得る。複数の第1半導体部40aの上端部401a間の幅Wが小さ過ぎる場合、複数の第1ナノ構造体20が過度に密に形成され、その間の空間に樹脂層30を形成しにくい。逆に、複数の第1半導体部40aの上端部401a間の幅Wが大き過ぎる場合、複数の第1ナノ構造体20が過度に疎に形成され、所望の光起電力を得にくい。一方、複数の第1半導体部40aの上端部401a間の幅Wが小さいと、光を閉じ込めるのに有利であり、複数の第1半導体部40aの上端部401a間の幅Wが大きいと、第1半導体部40aとナノ構造体20との接触面積が広くなるため、キャリア収集carriercollectionに有利である。一方、第2半導体部40bは、複数の第1半導体部40aに連結されて一体に形成され、第1導電層30上に位置する。次に、図2のステップS60では、半導体層40上に導電層50を提供する図8に示す。一方、半導体層40は、多段階蒸着およびドーピングを通じて順次に積層された第1半導体層402と、第2半導体層404と、第3半導体層406とを含む。図8に示すように、導電層50の厚さt50は、20μm~100μmであり得る。導電層50の厚さt50は、ナノ構造体20の長さに応じて変化可能である。導電層50の厚さt50が大き過ぎる場合、太陽電池100の厚さが大きくなることがある。逆に、導電層50の厚さt50が小さ過ぎる場合、半導体層40が外部に露出し得るため、導電層50による光反射が難しい。その結果、太陽電池100の起電力の生成力が低下する。一方、導電層50は、長波長の光を透過させなかったり、ハンドリングのためにある程度厚い必要がある。導電層50は、半導体層40上に無電解メッキして形成することができる。図9に示すように、導電層50上にコンタクト電極60を形成する。例えば、コンタクト電極60を導電層50上に蒸着した後、引出配線80をコンタクト電極60に連結する。したがって、導電層50を介して伝送される電力を、コンタクト電極60および引出配線80を介して外部に供給することができる。一方、図2のステップS70では、導電層50を覆うカバー層70を提供する図10に示す。カバー層70は、基板29上で樹脂層30、導電層50およびコンタクト電極60を覆って形成される。したがって、カバー層70を用いて太陽電池100図1に示すの外観を形成する。カバー層70は、樹脂をスピンコーティングおよび硬化して形成することができる。次に、ステップS80では、矢印方向に沿って基板29を樹脂層30から分離させる図11に示す。分離された基板29は再活用し、他の太陽電池を製造することができる。図2のステップS90では、樹脂層30にホール301を形成する図11に示す。つまり、ナノ構造体20の下端に対応する樹脂層30を水酸化カリウムKOHなどでエッチングしてホール301を形成する。図2のステップS100では、ホール301に電子移送体24を提供する図12に示す。電子移送体24は、樹脂層30の下部にマスクを被せた後、ホール301だけを露出させ、無電解メッキすることによって提供することができる。次に、ステップS110では、樹脂層30の下に他の導電層10を提供する図12に示す。ここで、他の導電層10の光透過率は、導電層50の光透過率より低い。他の導電層10の厚さt10は、500nm~10μmであり得る。導電層10の厚さt10が大き過ぎる場合、導電層10の光透過率が低下することがある。ここで、光透過率は80以上に維持することが好ましい。また、導電層10の厚さt10が小さ過ぎる場合、導電層10が過度に薄く、外部との電気的連結状態がよくない。さらに、導電層10の厚さt10が小さ過ぎると、ナノ構造体20の表面粗さより小さく、ナノ構造体20を十分にカバーすることができない。したがって、前述した範囲の厚さt10を有する導電層10を形成する。図13は、本発明の第2実施形態にかかる太陽電池200の概略的な断面構造を示す。図13の太陽電池200の構造は、図1の誘電体層22および樹脂層30を除いては、図1の太陽電池100の構造と類似しているので、同一の部分には同一の図面符号を用い、その詳細な説明を省略する。また、図13の太陽電池200の構造は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、太陽電池200の断面構造を他の形態に変形することができる。図13に示すように、電子移送体21は、第1導電層10を覆う。ここで、電子移送体21は、第1半導体層402と接する。電子移送体21は、p型半導体物質またはn型半導体物質を含む。電子移送体21がp型半導体物質、例えば、p型ドーピングされたシリコンの場合、ナノ構造体20、第1半導体層402、第2半導体層404および第3半導体層406をそれぞれ、p型半導体物質、真性物質、n型半導体物質およびn型半導体物質で製造することができる。したがって、複数のナノ構造体20と半導体層40をコンフォーマルに形成し、エネルギーバンドギャップを低くすることができる。一方、図13には、3つの半導体層402、404、406が含まれたと示したが、1つ、2つまたは4つ以上の半導体層から形成することもできる。図14は、図13の太陽電池200の製造工程のフローチャートを概略的に示し、図15ないし図20は、図14の太陽電池200の製造工程の各ステップを概略的に示す。以下、図14と共に図15ないし図20を参照して、太陽電池200の製造工程を順に説明する。まず、図14のステップS12では、基板29と、複数のナノ構造体20図15に示すとを提供する。基板29と複数のナノ構造体20は、シリコンをn型にドーピングして製造することができる。基板29と複数のナノ構造体20は、バルクシリコンをAgなどの粒子を用いて無電解エッチングして製造することができる。また、複数のナノ構造体20を円錐形状に製造するために、複数のナノ構造体20をKOHなどで追加的にエッチングすることができる。図14のステップS22では、複数のナノ構造体20上に1つ以上の半導体層40を提供する。つまり、図16に示すように、3つの半導体層402、404、406を形成することができる。半導体層40は、イオンドーピングされて形成できる。次に、図14のステップS32では、半導体層40上に導電層50を提供する図17に示す。また、導電層50上に、導電層50を外部に電気的に連結させるコンタクト電極60を提供することができる。例えば、コンタクト電極60を導電層50上に蒸着した後、引出配線80をコンタクト電極60に連結する。したがって、導電層50を介して伝送される電力を、コンタクト電極60および引出配線80を介して外部に供給することができる。一方、図14のステップS42では、導電層50を覆うカバー層70を提供する図18に示す。カバー層70は、基板29上で導電層50およびコンタクト電極60を覆って形成される。したがって、カバー層70を用いて太陽電池200図13に示すの外観を形成する。次に、ステップS52では、矢印方向に沿って基板29を半導体層40から分離させる図19に示す。分離された基板29は再活用し、他の太陽電池を製造することができる。図19の拡大円に示すように、基板29を切り離したナノ構造体20の下面20sは、凹凸に形成される。したがって、下面20sを介して入射する光は、下面20sによって反射せず、ナノ構造体20に入射しやすい。したがって、ナノ構造体20の光吸収効率を最大化することができる。必要な場合、ナノ構造体20の下面20sをグラインディングして不規則に製造することもできる。ステップS62では、複数のナノ構造体20の下に他の半導体層21を提供する図20。ここで、他の半導体層21は、n型半導体物質またはp型半導体物質で製造することができる。他の半導体層21は、イオンドーピングして形成される。前述したナノ構造体20の下面20s図19に示すは、他の半導体層21と接する。他の半導体層21は、前述した半導体物質で製造するため、光の反射が大きいことがある。しかし、ナノ構造体20の下面20sが凹凸に形成されるため、光の反射を最大限防止させることができる。次に、ステップS72では、他の半導体層21の下に他の導電層10を提供する図20に示す。ここで、可視光線領域において、他の導電層10の光透過率は、導電層50の光透過率より低い。図21は、本発明の第3実施形態にかかる太陽電池300の概略的な断面構造を示す。図21の太陽電池300の構造は、図13の太陽電池200の構造と類似しているので、同一の部分には同一の図面符号を用い、その詳細な説明を省略する。また、図21の太陽電池300の構造は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、太陽電池300の断面構造を他の形態に変形することができる。図21に示すように、第1導電層10は、複数の半導体層40および複数のナノ構造体20と直接接することができる。ここで、複数のナノ構造体20、第1半導体層402、第2半導体層404および第3半導体層406はそれぞれ、p型半導体物質、p型半導体物質、真性物質およびn型半導体物質で形成することができる。あるいは、複数のナノ構造体20、第1半導体層402、第2半導体層404および第3半導体層406をそれぞれ、n型半導体物質、n型半導体物質、真性物質およびp型半導体物質で形成することができる。したがって、コンフォーマルに形成された第1導電層10、複数の半導体層40および複数のナノ構造体20を介してエネルギーバンドギャップを低くすることにより、太陽電池300の光電変換効率を最大化することができる。図22は、本発明の第4実施形態にかかる太陽電池400の概略的な断面構造を示す。図22の太陽電池400の構造は、図21の太陽電池300の構造と類似しているので、同一の部分には同一の図面符号を用い、その詳細な説明を省略する。また、図22の太陽電池400の構造は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、太陽電池400の断面構造を他の形態に変形することができる。図22に示すように、反射防止膜64を他の導電層10の下に提供する。反射防止膜antireflectionlayer、AR64は、光が反射しないようにし、太陽電池400に入射する光を最大限吸収する。その結果、太陽電池400の光吸収率を最大化することができる。本発明を上述したように説明したが、以下に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正および変形が可能であることを、本発明の属する技術分野に従事する者は容易に理解するはずである。