振動子と、前記振動子を覆うシェルとを備えたシリコン基板と、シリコンよりもヤング率の大きい材料で形成され、前記シリコン基板に接合された補助基板と、を備えたことを特徴とする振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記ヤング率の大きい材料の結晶方位が最大となる方向が、前記振動子の長さ方向と平行となるように接合されたことを特徴とする請求項1に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記シリコン基板よりも厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記シリコン基板の振動子形成面の裏面に接合されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記裏面の全面に接合されていることを特徴とする請求項4に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記シリコン基板の振動子形成面に接合されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板は、前記振動子を覆うシェルとして接合されていることを特徴とする請求項1~3、6のいずれか1項に記載の振動式圧力トランスデューサ。前記補助基板にダイアフラムが形成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の振動式圧力トランスデューサ。絶対圧センサとして機能する請求項1~7のいずれか1項に記載の振動式圧力トランスデューサ。振動式圧力センサチップでは、振動子の歪の変化を検出して計測を行なう。このため、振動子には張力を与えておく必要がある。しかしながら、超高圧の静圧圧力の計測の際には、振動子の両端を固定するシリコン基板に縮みが生じ、計測に必要な振動子の張力を保てなくなる。このため、従来の振動式圧力センサチップでは超高圧の静圧圧力の計測が困難であり、圧力計測範囲にシリコンの物性による制限が生じていた。そこで、本発明は、振動式圧力トランスデューサにおいて、圧力計測範囲を拡大することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の振動式圧力トランスデューサは、振動子と、前記振動子を覆うシェルとを備えたシリコン基板と、シリコンよりもヤング率の大きい材料で形成され、前記シリコン基板に接合された補助基板と、を備えたことを特徴とする。ここで、前記補助基板は、前記ヤング率の大きい材料の結晶方位が最大となる方向が、前記振動子の長さ方向と平行となるように接合されたことが望ましい。また、前記補助基板は、前記シリコン基板よりも厚いことが望ましい。また、前記補助基板は、前記シリコン基板の振動子形成面の裏面に接合することができる。このとき、前記補助基板は、前記裏面の全面に接合することができる。あるいは、前記補助基板は、前記シリコン基板の振動子形成面に接合するようにしてもよい。あるいは、前記補助基板は、前記振動子を覆うシェルとして接合するようにしてもよい。前記補助基板にダイアフラムを形成してもよいし、ダイアフラムを形成せずに絶対圧センサとして機能させるようにしてもよい。本発明によれば、振動式圧力トランスデューサにおいて、圧力計測範囲を拡大することができる。本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態である振動式圧力センサチップの構成例を示す側面図であり、図2は、上面図である。本実施形態において、振動式圧力センサチップ10は、振動子101、シェル102、配線103、ボンディングパッド104が形成されたシリコン基板100の裏面全面に補助基板として機能するサファイア基板200が接合された構造となっている。シリコン基板100表面の構造は従来と同様とすることができる。本構成例では、シリコン基板100にダイアフラム等を形成せず、ダイアフラム等に歪が吸収されない構造となっている。このため、シリコン基板100とサファイア基板200の合成された静圧歪が振動子101に伝わるようになっている。すなわち、本構成例の振動式圧力センサチップ10は、ダイアフラムを持たない構造の絶対圧センサである。振動式圧力センサでは、絶対圧を計測する場合、ダイアフラム等の湾曲歪を必ずしも必要としないので、振動式圧力センサチップ10は、ダイアフラムを形成せずに、振動子101の長さ方向に掛かる静圧によって発生する歪の変化を計測する。本構成例では、シリコン基板100と、ヤング率の大きなサファイアで形成したサファイア基板200とが接合されるため、双方の基板厚さの比によって、静圧が印加されたときの歪量が決まってくる。サファイア基板200の方を厚くすることによって、サファイアよりもヤング率の小さいシリコンの影響を小さくし、単位圧力当たりの歪量を小さくできる。このため、超高圧下でも振動子101の張力を保つことができ、シリコン基板とガラス台座とを接合して構成される従来の振動式圧力センサチップよりも高圧力の計測が可能となる。本構成例の振動式圧力センサチップ10は、例えば、図3aに示すようなシリコン振動子101を形成したシリコン基板100aに対して、図3bに示すように、素子面と反対面側の基板部分100b図中破線部を研削加工して、薄肉化することでシリコン基板100を形成し、シリコン基板100よりも厚いサファイア基板200を接合した構造となっている。サファイア基板200は、ヤング率が最大となる結晶方位が、振動子101の長さ方向と平行となるように接合することが望ましい。ウェーハ接合後は、ダイシングを行なうことにより、チップ化することができる。シリコンとサファイアとは、熱膨張係数に開きがあるため、加工プロセスは高温のプロセスとしないようにする必要がある。このため、シリコン基板100上に形成されるシリコン振動子101などにおいて高温プロセスとなるプロセスを終えた後、サファイア基板200の接合を行なうようにする。シリコン基板100とサファイア基板200との接合は、プラズマを利用して表面を活性化する接合方法によって行なうことができる。本構成例では、補助基板としてサファイア基板200を接合しているが、シリコンよりもヤング率の大きいLiTaO3、LiNbO3、SiC、AlN、窒化珪素、アルミナ、ジルコニア、サーメットなどの材料以下、ヤング率の大きい材料と総称するに変更しても同様の効果を得ることができる。これらの材料は、絶縁体であることが望ましいが、絶縁体に限定されるものではない。シリコン基板100と接合する材料のヤング率とシリコンのヤング率との比を考慮して材料を選択することで、計測する圧力レンジ毎のセンサの最適感度を得ることができる。また、本構成例では、シリコン基板100にサファイア基板200を接合した2層構造としているが、3層以上の積層構造となってもよい。例えば、図4に示す振動式圧力センサチップ10aのように、振動子101を形成したシリコン基板100と同じ厚さのシリコン基板220を、サファイア基板200を挟むように接合するようにしてもよい。このような構造とすることで、振動式圧力センサチップ10bが反るように発生する応力を緩和することができる。また、シリコン基板100の裏面に代えて、あるいは裏面に加え、振動子形成面側に補助基板としてヤング率の大きい材料を貼り付けるようにしてもよい。少なくとも振動子101の固定端からもう一方の固定端まで伸びるように貼り付けることによって、振動式圧力センサチップが反るように発生する応力が振動子101に与える影響を緩和することができる。例えば、図5、図6に示す振動式圧力センサチップ10bのように、ヤング率の大きい材料をシェル102bとした構造としてもよい。この場合、ヤング率の大きい材料に挟み込まれるように振動子101が配置されるため、ヤング率の大きい材料の影響を得やすい構造となる。また、通常であれば、シェルの耐圧を得るためにシェルの厚さを厚くする必要があるが、ヤング率の大きい材料をシェルの構成部材とすることで、従来よりも薄い厚さでシェルの強度を確保できる。このため、シリコンの物性影響を小さくして、ヤング率の大きい材料の物性影響を大きくできるメリットもある。このとき、図6のように、振動式圧力センサチップ10bの横幅までシェル102bの幅を広げると、圧力による発生歪が均等に掛かるようになるため、性能を向上させることができる。また、図7に示す振動式圧力センサチップ10cのように、ヤング率の大きい材料105をシェル102の近傍に配置した構造としてもよい。この場合、ヤング率の大きい材料105を、シェル102を挟み込むように配置し、振動子101の両固定端よりも外側からヤング率の大きい材料105がつながるようにすると、圧力による発生歪が均等に掛かるようになるため、性能を向上させることができる。シリコン基板100とサファイア基板200等との接合については、ダイレクトボンディングを例示しているが、シリコン基板100側、サファイア基板200側、またはその両方の接合面に接合の相性がよい膜を成膜しておくことで、十分な接合強度を得る接合方法を用いてもよい。例えば、シリコン基板100側に酸化膜を形成し、酸化膜とサファイア基板200とを接合する組み合わせ、サファイア基板200側にシリコンを成膜し、シリコン基板100とシリコンとの接合をする接合する組み合わせ、シリコン基板100とサファイア基板200双方に酸化膜成膜する組み合わせなどがある。また、金属膜を介しての金属接合や、共晶接合などを行なうようにしてもよい。サファイア基板200等の接合は、裏面全面に接合した方が簡易的に構成できるが、必ずしも裏面全面への接合でなくてもよい。例えば、シリコン基板100をセンサチップに切り出した後、サファイア基板200等のヤング率の大きい材料基板を接合するようにして、製作するチップ毎に使用する材料基板を変更することで、所望の圧力レンジのセンサチップ製造対応が可能となる。このとき、ヤング率の大きい材料基板の部材面積を少なくできれば、基板の取れ数が多くなることによってコストを低減することが可能となる。例えば、図8に示す振動式圧力センサチップ10dように、振動子101の両固定端よりも外側からヤング率の大きい材料基板211がつながるようにすると、圧力による発生歪が均等に掛かるようになるため、性能を向上させることができる。また、本発明は、図9に示す振動式圧力センサチップ150のように、差圧センサ構造に適用することもできる。シリコン基板151にヤング率の大きい材料基板152を接合した後、ヤング率の大きい材料基板152に凹部を形成してダイアフラム153を形成することで、ダイアフラム153の変位を歪で計測する差圧センサとすることができる。このような構造とすることで、振動式圧力センサチップ150は、高圧の静圧下でも差圧の測定が可能となる。また、ヤング率の大きい材料基板152としてサファイアのような高耐食性材料を用いると、腐食性の測定媒体であっても計測が可能となるメリットも得ることができる。また、図10に示すようなダイアフラム163の内部と境界部とに振動子およびシェル161、162を配置した構成の振動式圧力センサチップ160の裏面にサファイア等のヤング率の大きい材料基板を接合させる構造としてもよい。