センサーモジュールであって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサーと、使用されることで発熱する発熱部品と、を含み、前記発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部を含み、前記切り替え制御部は、前記物理量センサーに前記所定の物理量を検出させ、前記検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、前記物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、前記ウォームアップモードが前記通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、前記通常動作モード時における飽和温度を前記ターゲット温度とするセンサーモジュール。請求項1に記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、起動時であることを前記所与の条件とするセンサーモジュール。請求項1乃至2のいずれかに記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記発熱部品に供給されるクロックであって、前記通常動作モードで使用される通常動作用クロックと、前記ウォームアップモードで使用されるウォームアップ用クロックと、を生成し、前記ウォームアップ用クロックの周波数として、通常動作用クロックも含めた中で最も高い第1の周波数を用いるセンサーモジュール。請求項3に記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超える第1の温度になるまで前記第1の周波数とし、その後は前記第1の周波数よりも周波数が低い第2の周波数とするセンサーモジュール。請求項4に記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数が前記第2の周波数の場合であって、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度未満の第2の温度になった後は、前記ウォームアップ用クロックの周波数を前記第1の周波数より低くかつ前記第2の周波数より高い第3の周波数とするセンサーモジュール。請求項3に記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、ウォームアップモードにおいて、温度情報に基づいて、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超えないように制御を行い、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度に近づくにつれて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を低くするセンサーモジュール。請求項7に記載のセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数および期間の少なくとも一方を定めるセンサーモジュール。請求項1乃至7のいずれかに記載のセンサーモジュールにおいて、前記物理量センサーは、前記所定の物理量として、少なくとも圧力を検出するセンサーモジュール。しかし、特許文献1の手法では、圧力センサー以外にもF/Vコンバーターなどの多くの部品を対称的にセンサーモジュールに搭載する必要がある。すると、センサーモジュールの小型化の要求や、コストを減らしたいとの要求に応えることが難しくなる。一方、熱源からの熱の影響を物理量センサーが受けないように離して配置すれば、ウォームアップ時間を短くできる場合がある。しかし、センサーモジュールの小型化に伴って、物理量センサーを演算処理部等などの熱源から十分離すことは困難になってきている。本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、部品を増やすことなく、ウォームアップ時間を短くして、測定開始までの時間を早める、使い勝手のよいセンサーモジュールを提供できる。1本発明は、センサーモジュールであって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサーと、使用されることで発熱する発熱部品と、を含み、前記発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部を含み、前記切り替え制御部は、前記物理量センサーに前記所定の物理量を検出させ、前記検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、前記物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、前記ウォームアップモードが前記通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、前記通常動作モード時における飽和温度を前記ターゲット温度とする。2このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、起動時であることを前記所与の条件としてもよい。これらの発明によれば、例えば検出された値に基づくデータの出力等をする通常動作モードの前に、所与の条件を満たした場合には、物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードを実行する。このとき、部品を増やすことなく、ウォームアップにかかる時間を短くすることができる。そのため、測定開始までの時間を早めて、使い勝手のよいセンサーモジュールを実現する。ここで、ターゲット温度は、通常動作モード時における飽和温度である。飽和温度は、センサーモジュールやその後段回路例えばMCUが通常の動作をしたときに到達する、飽和状態の安定した温度のことをいう。ウォームアップモードは、通常動作と異なる動作モードであるので温度上昇の効果が高い。また、ターゲット温度が飽和温度であるので温度を安定させる効果が高い。このとき、例えばウォームアップモードを実行する所与の条件とは起動時であってもよい。また、例えば所与の条件とは飽和温度から所定の温度だけ物理量センサーの温度が低下したことであってもよい。必要な場合にだけ、ウォームアップモードが行われるので、効率的に所定の物理量を検出することができる。これらの発明では、熱源となる発熱部品の制御で、物理量センサーの温度を通常動作モードにおける飽和温度で安定させる。このとき、特許文献1の発明のような部品の増加はない。なお、所定の物理量とは、例えば圧力、加速度、角速度、速度等であるが、これらに限るものではない。3このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記発熱部品に供給されるクロックであって、前記通常動作モードで使用される通常動作用クロックと、前記ウォームアップモードで使用されるウォームアップ用クロックと、を生成し、前記ウォームアップ用クロックの周波数として、通常動作用クロックも含めた中で最も高い第1の周波数を用いてもよい。本発明によれば、ウォームアップモードでは、発熱部品に供給するクロックの周波数として、通常動作モードを含めて最も高い第1の周波数を用いる。そのため、物理量センサーの温度を素早く上昇させることができる。クロック周波数の選択という比較的簡単な手法により、ウォームアップ時間を早め、測定開始までの待ち時間が短いセンサーモジュールを実現する。4このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超える第1の温度になるまで前記第1の周波数とし、その後は前記第1の周波数よりも周波数が低い第2の周波数としてもよい。本発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、発熱部品に供給するクロックの周波数を最初は最も高い第1の周波数とするが、ターゲット温度を超える第1の温度になった場合には、より低い第2の周波数に切り替える。2つのクロック周波数を状況に応じて切り替えて用いるため、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させやすくなる。5このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数が前記第2の周波数の場合であって、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度未満の第2の温度になった後は、前記ウォームアップ用クロックの周波数を前記第1の周波数より低くかつ前記第2の周波数より高い第3の周波数としてもよい。本発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、発熱部品に供給するクロックの周波数として、最も高い第1の周波数、それより低い第2の周波数を切り替えて用いる。そして、第2の周波数であるときに、ターゲット温度未満の第2の温度になった後は、さらに第3の周波数に切り替える。ここで、第3の周波数は、第1の周波数より低いが、第2の周波数よりは高い。3つのクロック周波数を状況に応じて切り替えて用いるため、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させやすくなる。6このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、ウォームアップモードにおいて、温度情報に基づいて、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超えないように制御を行い、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度に近づくにつれて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を低くしてもよい。7このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数および期間の少なくとも一方を定めてもよい。これらの発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、最初は発熱部品に供給するクロックの周波数として最も高い第1の周波数を用いて、飽和温度に近づくにつれて、徐々に周波数が低いクロックに切り替える。このとき、段階的にかつ正確に飽和温度に近づけることが可能になる。このとき、ウォームアップモード中は物理量センサーの温度はターゲット温度である飽和温度以下である。そして、ウォームアップモードの開始からの経過時間によって上昇温度を予測することができる。そこで、この経過時間に基づいて、徐々に周波数が低いクロックに切り替えてもよい。そして、ウォームアップモードから通常動作に切り替えるタイミングも、ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて定めてもよい。経過時間に基づく動作の切り換え制御は、制御方法を単純化し回路規模を小さくすることを可能にする。なお、温度情報は、物理量センサーから得られてもよいし、別途温度センサーがセンサーモジュールに含まれており、その温度センサーから得られる情報であってもよい。センサーモジュールは少なくとも熱が伝わるように一体化されている。よって、いずれの温度情報に基づいても、リアルタイムに温度に基づいて周波数調整等ができる。8このセンサーモジュールにおいて、前記物理量センサーは、前記所定の物理量として、少なくとも圧力を検出してもよい。本発明によれば、物理量センサーとは圧力センサーであってもよい。圧力センサーが検出する圧力の情報は温度変動の影響を受けやすいため、その測定時に温度が安定している必要がある。ウォームアップ時間を短くできる本発明のセンサーモジュールは、起動後に素早く正確な値を測定することを可能にする。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、第2実施形態の説明において、第1実施形態と同じ要素については同一符号を付し、説明を省略する。1.第1実施形態1.1.センサーモジュールの構成本発明の第1実施形態について図1~図12Cを参照して説明する。図1は、本実施形態のセンサーモジュール10のブロック図である。本実施形態のセンサーモジュール10は、圧力センサー20、MCU30を含む。圧力センサー20は圧力を検出する物理量センサーである。また、MCU30は動作中に発熱して圧力センサー20の温度に影響する発熱部品としての性質を有する。本実施形態のセンサーモジュール10は、他にTCXOtemperaturecompensatedcrystaloscillator50を含む。TCXO50は温度補償型水晶発振器であり、温度補償されたクロック信号150を圧力センサー20に供給する。ここで、センサーモジュール10には回路規模を小さく抑えて、小型化したいとの要求がある。一方、MCU30は複数のクロック信号を必要とし、それらのクロック信号を動的に停止動作させて消費電力を低くしたいとの要求がある。例えば、MCU30のクロック源として複数のTCXOを用意する構成もありえる。しかし、センサーモジュール10の小型化の要求に反するため現実的ではない。また、動的なクロック信号の停止動作のためには、MCU30自体が発振回路を含んでいることが好ましい。そのため、本実施形態のセンサーモジュール10は、圧力センサー20のみにクロック信号を供給するTCXO50を1つだけ含んでいる。圧力センサー20は、圧力を検出する圧力検出部22と、温度を検出する温度検出部24、これらの検出部とMCU30とのデータの入出力を制御するロジック部26とを含む。圧力検出部22は、センサーモジュール10の外部からの指示をロジック部26経由で制御信号121として受け取り、制御信号121の内容に従って動作する。動作中は、例えばリアルタイムに検出した圧力データ122をロジック部26経由でセンサーデータ126として出力する。ここで、本実施形態において検出される圧力は圧力センサー20の周囲の大気圧であるが、これに限るものではない。また、圧力データ122は所定の時間間隔で出力されてもよいし、ロジック部26が圧力データ122を平均化、又は選択してセンサーデータ126として出力してもよい。温度検出部24は、センサーモジュール10の外部からの指示をロジック部26経由で制御信号123として受け取り、制御信号123の内容に従って動作する。動作中は、例えばリアルタイムに検出した温度データ124をロジック部26経由でセンサーデータ126として出力する。ここで、本実施形態において検出される温度は圧力センサー20の周囲の温度であるが、これに限るものではない。例えば、圧力センサー20の表面温度などであってもよい。また、温度データ124は所定の時間間隔で出力されてもよいし、ロジック部26が温度データ124を平均化、又は選択してセンサーデータ126として出力してもよい。なお、本実施形態ではセンサーモジュール10は密封されており、圧力センサー20の温度はセンサーモジュール10の内部の他の部分の温度と同じであるとする。そして、以下では圧力センサー20の温度を単に温度と表現することもある。ロジック部26は、前記のように圧力検出部22、温度検出部24とMCU30との間のデータの入出力を制御する。センサーモジュール10の外部からの指示に基づく制御信号130をMCU30から受け取り、圧力検出部22および温度検出部24の少なくとも一方に出力する。また、圧力データ122と温度データ124とをセンサーデータ126としてMCU30に出力する。ロジック部26は、データ管理のために、例えばタイムスタンプ情報などをセンサーデータ126に付加して出力してもよい。なお、圧力センサー20とMCU30との間の通信方式はパラレル転送でもシリアル転送でもよい。そして、シリアル転送の場合には、例えば、I2CInterIntegratedCircuitやSPISerialPeripheralInterfaceといった通信方式を使用してもよい。MCU30は、センサーデータを演算処理する演算処理部34、センサーモジュール10の外部との通信を制御する通信制御部44、センサーモジュール10の動作モードを切り替えて、動作モードに応じた周波数のクロック信号を生成して供給するクロック生成切り替え部46、CR発振回路47を含む。MCU30は、センサーデータ126を一時保存してセンサーデータ132として出力するセンサーデータ格納部32、それぞれ圧力、温度に関するセンサーデータ132を演算処理して得られる圧力情報134、温度情報135を一時保存する圧力情報格納部38、温度情報格納部40、センサーモジュール10の外部との通信データを一時保存する通信データ格納部42を含んでいてもよい。さらに、MCU30は、センサーモジュール10の外部からの指示を圧力センサー20の制御信号130に変換して出力するセンサー動作設定部36、電源投入時などに起動時間を計測する起動時間計測部48を含んでいてもよい。なお、これらの機能ブロックのそれぞれには、適切なクロック信号がクロック生成切り替え部46から供給されているが、図1では図示を省略している。また、これらの機能ブロックの全てが必須の構成要素というわけではなく、適宜省略が可能である。MCU30は、圧力センサー20からのセンサーデータ126をセンサーデータ格納部32に保存する。そして、所定のタイミングでセンサーデータ格納部32からセンサーデータ132が読み出されて、演算処理部34によって演算処理が行われる。本実施形態では、センサーデータ126は圧力センサー20が検出したいわゆる生データであるとする。例えば、圧力と温度とを圧力センサーが内蔵する基準値に対する相対的な値で表現した加工されていないデータである。そして、演算処理部34が行う演算処理によって、センサーモジュール10の出力データとして形式に変換される。例えば、演算処理部34は、生データであるセンサーデータ132から、それぞれPa単位の圧力情報134、°C単位の温度情報135を出力する。圧力情報134、温度情報135は、それぞれ圧力情報格納部38、温度情報格納部40に一時保存された後、圧力情報136、温度情報140として読み出されて通信データ格納部42で一時保存される。このとき、通信に適したフォーマットへの変換が行われる。そして、MCU出力データ100として、通信制御部44からの通信タイミング信号144に基づいて、所定の転送レートで出力される。また、通信データ格納部42は、MCU入力データ102を一時保存する。MCU入力データ102は、センサーモジュール10の外部からの圧力センサー20への指示等である。そして、センサー動作設定部36は通信データ格納部42から一時保存されたMCU入力データ137を受け取り、圧力センサー20の制御信号130に変換して出力する。ここで、センサーモジュール10と外部との通信方式は、パラレル転送でもシリアル転送でもよい。そして、シリアル転送の場合には、例えば、I2C、SPIであってもよいし、UART、USBUniversalSerialBusであってもよい。そして、CR発振回路47は、原振クロック信号147を起動時間計測部48、クロック生成切り替え部46に供給する。CR発振回路47は、MCU30における発振回路部としての機能を有する。起動時間計測部48は、原振クロック信号147に基づいて起動時間を測定し、タイミング信号148をクロック生成切り替え部46に出力する。クロック生成切り替え部46では、タイミング信号148等に基づいて動作モードの切り替えを行う。クロック生成切り替え部46は、原振クロック信号147から動作モードに応じた必要なクロック信号を生成して他の機能ブロックに供給する。クロック信号の生成は、例えば分周によって行われてもよい。なお、クロック生成切り替え部46は、クロック生成回路としての機能と、動作モードの切り替え制御部としての機能を備える。また、クロック生成切り替え部46は、通信制御部44のカウンターを動作させるクロック信号146を出力する。通信制御部44は、カウンター値に基づいて通信データの入出力タイミングを定める通信タイミング信号144を生成する。なお、通信制御部44とクロック生成切り替え部46は、温度情報格納部40から温度情報140を受け取り、動作モードの切り替えのタイミングすなわち、各動作モードの期間や通信タイミングを決めるカウンターのサイクルを調整してもよい。1.2.センサーモジュールの接続図2Aは、電子機器1における、センサーモジュール10とセンサーモジュール10と通信を行うホストMCU以下、ホスト14との接続を示す図である。なお、図1と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図2Aのように、本実施形態のセンサーモジュール10はフォーマット変換モジュール12を介してホスト14と接続される。フォーマット変換モジュール12は、通信時の通信データのフォーマットを変換するものである。例えばホスト14がPCパソコンの一部である場合には、フォーマット変換モジュール12の出力データ104、入力データ106はUSBの通信方式に従ってもよい。このとき、センサーモジュール10自体の通信方式がUSBでない場合でも、ホスト14と通信を行うことができる。フォーマット変換モジュール12を介することで、センサーモジュール10が1つの通信方式に従う場合であっても、センサーモジュール10と通信可能なホスト14の種類を増やすことができる。なお、センサーモジュール10とホスト14とが直接接続可能な場合には、フォーマット変換モジュール12は省略されてもよい。図2Bは、本実施形態のセンサーモジュール10およびフォーマット変換モジュール12の構造例を示す図である。図2Bのモジュール群2は、図2Aに点線で図示したモジュール群2に対応する。なお、図1~図2Aと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。なお、センサーモジュール10、フォーマット変換モジュール12を覆うカバー等については図示を省略している。図2Bのモジュール群2は、センサーモジュール10とフォーマット変換モジュール12とをコネクター64で接続して構成される。図2Bは、モジュール群2の断面図を示している。フォーマット変換モジュール12は、例えばUSBの通信方式に従うように、通信データを変換するフォーマット変換回路13と、例えばUSBコネクターであるホスト接続用コネクター66を図2Bのように基板62に配置している。センサーモジュール10は、基板60の両面にそれぞれ圧力センサー20とMCU30とを配置している。ここで、近年の小型化への要求に対応するために、圧力センサー20とMCU30とを十分に離して配置することは困難である。しかし、MCU30を動作させると熱源となるため図2Bの矢印参照、近くに圧力センサー20が配置されていれば、その温度を上昇させてしまうことになる。温度の上昇時変動時には、圧力センサー20からの検出信号センサーデータに温度変動による誤差が生じるため、正確な値の検出が困難である。ここで、図2Bのような構造であっても、MCU30が一定の時間動作し続けた場合には、圧力センサー20の温度は飽和することがわかっている。温度が飽和した状態で圧力を検出した場合には、温度変動による誤差が生じることを回避することができる。そこで、圧力センサー20の温度変動を抑えるように、熱源であるMCU30の動作制御を工夫して、早期に温度を飽和させることを考える。以下に、まず、センサーモジュール10の動作モードのフローを説明した上で、本実施形態におけるMCU30の動作制御について詳細を説明する。1.3.動作モードのフロー図3A~図3Bは、本実施形態におけるセンサーモジュールの動作モードのフローチャートである。センサーモジュールに含まれる圧力センサー、MCUは、動作モードに従って所定の動作を行ったり、待機状態であるスタンバイ状態になったりする。また、センサーモジュールはその内部又は外部に動作モードを切り替える制御部切り替え制御部を有するが、本実施形態ではクロック生成切り替え部図1参照がその機能を有する。ここで、一般にセンサーモジュールは、その起動時にウォームアップを行う。センサーモジュールは、ウォームアップの期間に、温度の低い状態から温度が安定して正確な圧力を検出できる状態温度が飽和した状態に変化する。そして、ウォームアップの後に通常動作が行われる。図3Aは、本実施形態におけるセンサーモジュールの動作モードのフローチャートである。まず、ウォームアップを行う工程の必要性が判断されるS10。必要な場合にはS10Y、ウォームアップ工程が行われてS12、その後に通常動作が続くS20。また、ウォームアップ工程が不要と判断されればS10N、直ちに通常動作工程に移るS20。なお、ウォームアップ工程が実行される条件S10は、圧力センサーの温度が飽和温度より低いことであってもよいし、起動時であることでもよい。本実施形態におけるセンサーモジュールでは、終了指示がなければS30N、S10に再び戻り一連の処理を繰り返す。なお、例えば使用者からの終了指示や設定した時間の経過に伴う終了指示等があれば、センサーモジュールは動作を終了するS30Y。ここで、通常動作工程S20は、センサーモジュールが通常動作時に行う、センシング動作、所定の形式のデータの出力、といった動作に対応する工程である。図3Bのように、通常動作工程S20は、3つの動作モードに対応する工程を含む。具体的には、圧力センサー動作工程S22、MCU動作工程S24、待機工程S26である。本実施形態では、これらの工程が順に行われるが、待機工程S26は省略されてもよい。圧力センサー動作工程S22においては、クロック生成切り替え部は、圧力センサー動作制御を行い、圧力センサーにセンシング動作を実行させる。このとき、クロック生成切り替え部は、MCUのうちセンサーデータを受け取るセンサーデータ格納部図1参照だけを動作させて消費電力を抑えてもよい。MCU動作工程S24においては、クロック生成切り替え部は、MCU動作制御を行い、MCUにセンサーデータの演算処理を実行させる。このとき、クロック生成切り替え部は、圧力センサーをスタンバイ状態にさせてもよい。待機工程S26においては、クロック生成切り替え部は、待機制御を行い、MCUの通信機能だけを動作させてもよい。このとき、クロック生成切り替え部は、圧力センサーをスタンバイ状態にさせてもよい。なお、クロック生成切り替え部は、圧力センサー動作工程S22とMCU動作工程S24においても、MCUの通信機能を動作させてもよい。このようにセンサーモジュールの動作モードは遷移し、圧力センサーとMCUの動作状態も変化する。この変化を前提に、ウォームアップ期間をできるだけ短くするように、MCUの動作制御を行う必要がある。1.4.飽和温度本実施形態におけるセンサーモジュールの飽和温度の例について図4A~図4Bを参照して説明する。図4Aは、本実施形態における圧力センサー動作工程における発熱量Q1とMCU動作工程における発熱量Q2とを比較したものである。本実施形態では、MCU動作工程において、MCUのクロック信号の周波数は、必要な転送レートでホストにデータを送信可能であるように選択されるものとする。そして、発熱量Q2が発熱量Q1と同じになるように、MCU動作工程の期間も調整されるものとする。図4Bは、温度と検出される圧力の関係を示したものである。この例では、発熱量Q2が発熱量Q1と同じになるようにしているため、温度が安定し、圧力にも温度変動の影響が生じない。このとき、図4Bの一定した温度を飽和温度とできる。そして、この飽和温度をウォームアップモードのターゲット温度とする。ターゲット温度として飽和温度を選択することで、ウォームアップモードから通常動作モードへの切り替え時にも温度の変動を抑えて安定させることができる。なお、発熱量Q2が発熱量Q1に差がある場合でも、圧力センサーとMCUからの発熱とセンサーモジュールの放熱との関係によって、最終的にはある温度に飽和することが知られている。ただし、このときは温度の安定までに時間がかかるので、十分な時間例えば、数分が経過した場合に到達する温度を飽和温度としてもよい。飽和温度は計算によって求めてもよいし、事前の実測によるデータに基づいて決めてもよい。ここで、待機工程については、その期間によって温度への影響が異なると考えられる。待機工程の期間が短い場合には温度は維持されると考えられる。そして、長い場合には飽和温度からの低下がありえるので、後述のようにウォームアップモードを行う必要が生じる。1.5.ウォームアップの条件ここで、ウォームアップが必要な場合図3AのS10Y参照の例を図5A~図6を参照して説明する。図5A~図5Bは、起動時におけるウォームアップ工程の効果について説明する図である。図5Aは比較例であり、起動時から通常動作工程だけを行った場合の温度変化を示す。この場合でも、図5Aのように温度上昇期間TA0において温度が飽和温度Tsに到達すると、その後は温度がほとんど変化しない温度安定期間TBになる。しかし、温度変化が圧力の検出値に影響する温度上昇期間TA0が長く続くため、正確な測定を起動後すぐに行うことはできない。そこで、本実施形態のセンサーモジュールでは、起動時等に熱源であるMCUに多くの電流が流れるように動作させるウォームアップ工程を実行する。すると、図5Bのように、温度上昇期間TA1が短縮されて、早期に温度安定期間TBに移る。よって、起動時間が早くて使い勝手のよいセンサーモジュールを実現できる。また、起動時以外でも、通常動作工程のうちの待機工程が長く続いた場合に温度の低下が生じる場合がある。この場合にも、早期にセンサーモジュールの温度を飽和温度Tsに戻すことが好ましい。このような場合、本実施形態では、図6のように待機工程の後にウォームアップ工程を実行する。これにより、安定して圧力を検出可能なセンサーモジュールを実現できる。ここで、起動時以外であって、待機工程による温度低下もないような場合にはウォームアップ工程は不要になる。そのため、本実施形態ではウォームアップ工程を実施するか否かを状況に応じて決定できるようにしている図3AのS10参照。なお、待機工程による温度低下の有無を、待機工程の期間によって判断してもよい。このとき、ウォームアップ工程を実施する場合には、ウォームアップ工程によって温度上昇させる期間も、待機工程の期間の長さに基づいて調整してもよい。例えば、待機工程が長い場合例えば、数秒には温度が大きく低下すると判断されるので、ウォームアップ工程の期間を長く例えば、500msしてもよい。1.6.クロック生成切り替え部の制御の具体例1.6.1.第1の例図7Aは、図5Bの起動時における温度変化のグラフに、圧力センサーが検出するデータ圧力を追加したものである。図7Aのように、温度が安定すれば圧力センサーが検出するデータも安定することになる。センシング動作を含む通常動作は、温度が安定するtb以降に行われる。図7Bは、クロック生成切り替え部が行う、各工程におけるMCUと圧力センサーに対する具体的な制御を示す図である。MCUについては、そのクロックを切り替える制御を行う。ここで、圧力センサー動作工程、MCU動作工程、待機工程、そしてウォームアップ工程ではそれぞれ異なるクロックを使用するものとする。ここで、説明の便宜のために、圧力センサー動作工程、MCU動作工程、待機工程で使用されるクロックをそれぞれ、第1のクロック、第2のクロック、第3のクロックと呼ぶ。また、ウォームアップ工程で使用されるクロック信号を第4のクロックと呼ぶ。このとき、第1~第3のクロックは、通常動作モードで使用される通常動作用クロックに区分される。そして、第4のクロックはウォームアップ用クロックである。圧力センサーについては、クロック信号は常にTCXO図1参照から供給されており、クロック生成切り替え部はスタンバイ状態にさせるか否かを制御する。なお、スタンバイ状態とは停止状態など、センシング動作以外の状態を意味する。本実施形態では、クロック生成切り替え部は、CR発振回路からの原振クロック信号に基づいて4つのクロックを生成する。そして、それぞれのクロックに割り当てられる4つの周波数F0、F1、F2、F3は、F0≦F1<F2<F3の関係があるものとする。第1実施形態では、ウォームアップ工程の期間は、温度上昇期間に対応する。そして、ウォームアップ工程の期間ができるだけ短いことが好ましい。そのため、ウォームアップ工程の第4のクロックには、最も高い周波数第1の周波数F3を割り当てる。このとき、MCUは発熱量が多くなるので、ウォームアップ工程の期間を短くすることができる。この第1の例では、第4のクロックの周波数はF3のまま変化しない。そのため、制御が簡単であり、クロック生成切り替え部の回路規模を小さくすることが可能である。なお、圧力センサーはスタンバイ状態である。停止していてもよいが、ウォームアップ工程の発熱量を更に多くするためにダミー動作を行ってもよい。通常動作工程のうち、演算処理能力を高める必要があるMCU動作工程においては、高い周波数のクロック信号が用いられることが好ましい。よって、MCU動作工程の第2のクロックには、周波数F2を割り当てる。なお、このとき圧力センサーはスタンバイ状態である。そして、通常動作工程のうち、待機工程においては、消費電力を抑えるために、最も低い周波数のクロック信号が用いられることが好ましい。よって、待機工程の第3のクロックには、周波数F0を割り当てる。なお、圧力センサーもスタンバイ状態であって、消費電力を抑えることが好ましい。通常動作工程のうち、圧力センサー動作工程の第1のクロックには、周波数F1を割り当てる。センサーデータを格納する処理を実行しつつ、消費電力を抑えるためである。このとき、圧力センサーはセンシング動作を行う。このように、クロック生成切り替え部は図7Bのような制御を行うことで、第1実施形態のセンサーモジュールの起動時間等を早めるという効果を実現できる。なお、本実施形態では、動作工程毎に異なるクロックを生成して切り替えて使用しているが、MCUへ供給されるクロックは1つであって、その周波数が動作工程毎に変化してもよい。1.6.2.第2の例図8Aは、第2の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図7A~図7Bと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図8Aの例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するtb以降に行われる。図7Aの例第1の例とは異なり、図8Aではウォームアップ工程中に飽和温度Ts以上の第1の温度T1に達し時刻ta、その後に飽和温度Tsに収束している時刻tb。最も高い周波数第1の周波数とウォームアップ工程の期間の組み合わせによっては、図8Aのようにウォームアップ工程中にターゲット温度である飽和温度Tsを超えることがあり得る。また、ウォームアップ工程中に飽和温度Tsを超えるような急速な温度上昇を行わせれば、ウォームアップ工程の期間を更に短くすることができる。第2の例では、ウォームアップ工程で2つのクロック周波数第1の周波数、および第2の周波数を切り替えて使用する。それにより、ウォームアップ工程において、第1の例よりも飽和温度に収束させやすくなる。本実施形態では、クロック生成切り替え部は、CR発振回路からの原振クロック信号に基づいて通常動作用クロックと、ウォームアップ用クロックとを生成する。ここで、これらのクロックに割り当てられる5つの周波数F0、F1、F2、F3、F4は、F0≦F1<F2<F4、かつF3<F4の関係があるものとする。図8Bは具体的な制御を示す図である。ウォームアップ工程においては次のような制御が行われる。ウォームアップ用クロックには最初に、第1の周波数として最も高いF4が割り当てられる。そして、第1の温度T1に達した後は図8Aの時刻ta以降、第2の周波数としてF3が割り当てられる。F3<F4の関係があるため、温度は第1の温度T1から下がって、飽和温度Tsに収束する。なお、通常動作工程は第1の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいMCU動作工程においては高い周波数F2のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数F0のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数F1のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第1の例と同じであるため、説明を省略する。このように、クロック生成切り替え部は図8Bのような制御を行うことで、センサーモジュールの起動時間等をより早めることができる。なお、第1の温度T1は飽和温度Tsに基づいて定められてもよい。例えば、飽和温度Tsよりも所定の温度例えば、数°C高い温度としてもよいし、飽和温度Tsに一定の比率例えば、110を乗じて得られる温度であってもよい。1.6.3.第3の例図9Aは、第3の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図7A~図8Bと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図9Aの例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するtb以降に行われる。図8Aの例第2の例の変化に加えて、図9Aではウォームアップ工程中に飽和温度Ts未満の第2の温度T2になり時刻ta1、その後に飽和温度Tsに収束している時刻tb。ウォームアップ工程中に飽和温度Tsを超えるような急速な温度上昇と、その後に飽和温度Tsを下回る温度下降を行わせれば、ウォームアップ工程の期間を更に短くすることができる。第3の例では、ウォームアップ工程で3つのクロック周波数第1の周波数、第2の周波数、および第3の周波数を切り替えて使用する。それにより、ウォームアップ工程において、第2の例よりも飽和温度に収束させやすくなる。本実施形態では、クロック生成切り替え部は、CR発振回路からの原振クロック信号に基づいて通常動作用クロックと、ウォームアップ用クロックとを生成する。ここで、これらのクロックに割り当てられる6つの周波数F0、F1、F2、F3、F4、F5は、F0≦F1<F2<F5、かつF3<F4<F5の関係があるものとする。図9Bは具体的な制御を示す図である。ウォームアップ工程においては次のような制御が行われる。ウォームアップ用クロックには最初に、第1の周波数として最も高いF5が割り当てられる。そして、第1の温度T1に達した後は図9Aの時刻ta0以降、第2の周波数としてF3が割り当てられる。F3<F5の関係があるため、温度は第1の温度T1から下がって、この例では、飽和温度Ts未満の第2の温度T2になる図9Aの時刻ta1。その後、第3の周波数としてF4が割り当てられる。F3<F4<F5の関係があるため、温度は第2の温度T2から上がって、飽和温度Tsに収束する。なお、通常動作工程は第1の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいMCU動作工程においては高い周波数F2のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数F0のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数F1のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第1の例と同じであるため、説明を省略する。このように、クロック生成切り替え部は図9Bのような制御を行うことで、センサーモジュールの起動時間等をより早めることができる。なお、第2の温度T2は飽和温度Tsに基づいて定められてもよい。例えば、飽和温度Tsよりも所定の温度例えば、数°C低い温度としてもよいし、飽和温度Tsに一定の比率例えば、90を乗じて得られる温度であってもよい。また、さらに第3の温度、第4の温度、...を定め、これらの温度に対応する周波数を設定して、一層ウォームアップ工程の期間を短くしてもよい。1.6.4.第4の例図10Aは、第4の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図7A~図9Bと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図10Aの例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するtb以降に行われる。図10Aのように、この例ではターゲット温度である飽和温度Tsを超えることがないように制御が行われる。時間の経過に伴って温度が上昇していくため、経過時間に基づいて温度制御を行うことが可能になる。このとき、周波数を切り替えるタイミングや適切なクロック周波数などを、例えばシミュレーションやMCUによる計算等で容易に求めることができる。例えば、最初は最も高い周波数Fn第1の周波数に対応を割り当て、時刻ta0になったときに周波数Fn-1<Fnに切り替える。そして、さらに時刻ta1になったときに周波数Fn-2<Fn-1に切り替える。このような制御により、単調増加で、飽和温度Tsに収束させることができる。図10Bは、この制御を表にしたものである。周波数F0、F1、F2、F3、...Fnを用意し、3以上の添え字については、大きくなるにつれて周波数を高くする。ウォームアップ工程では、少なくとも2つの周波数を切り替える。これにより、経過時間に基づく簡単な制御で、飽和温度Tsに収束させることができる。ここで、nは自然数であって、4以上であるとする。なお、通常動作工程は第1の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいMCU動作工程においては高い周波数F2のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数F0のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数F1のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第1の例と同じであるため、説明を省略する。1.7.センサーモジュールの部品の配置について第1実施形態においては、熱源となるMCUと圧力センサーとを離して配置する必要がない。このことは、センサーモジュールにおける部品の配置の自由度を高め、さらなる小型化を可能にする。ウォームアップ工程では、MCUと圧力センサーとが近くに配置されている方が起動時間等を早める効果が高い。以下に、第1実施形態に適したセンサーモジュールにおける部品の配置の例を図11A~図12Cを参照して説明する。図11Aは、基板60の表面に圧力センサー20とTCXO50が配置されている様子を示している。一方、図11Bは、基板60の裏面にMCU30と、フォーマット変換モジュール等と接続するためのコネクター64が配置されている様子を示している。ここで、図11Cは、図11Aおよび図11Bのx-x線断面図である。基板60を挟んで、圧力センサー20とMCU30とは、幅Woだけ重なるように配置されている。そのため、MCU30からの熱が圧力センサー20に伝わりやすく、ウォームアップ工程における温度上昇期間を短くする効果がある。例えば、圧力センサー20とMCU30が、熱の伝導性が高いCOBChipOnBoard実装されることで効果が高まる。さらに、基板60を薄くすることで、一層効果を高めることができる。ここで、幅Woは0より大きな値である。また、図11Cの例では、圧力センサー20の幅をWs、MCU30の幅をWmとした場合に、WsとWmのうち小さい方の幅よりも小さな値である。つまり、図11Cの例では、圧力センサー20とMCU30とは部分的に重なっている。なお、重なりあう方向に特に制限はない。図12A~図12Cは、別の部品の配置例を示す。なお、図11A~図11Cと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。この例では、図12A~図12Bのように、MCU30と圧力センサー20がなるべく重なるように配置されている。図12Cの断面図のように、この例では、幅Woは圧力センサーの幅Wsに等しい。そのため、MCU30からの熱がより圧力センサー20に伝わりやすく、ウォームアップ工程における温度上昇期間をさらに短くする効果がある。また、図12A~図12Cの例では、熱の伝わり方が均一になる。2.第2実施形態本発明の第2実施形態について図13を参照して説明する。なお、図1~図12Cと同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図13は、本実施形態のセンサーモジュール10Aのブロック図である。第1実施形態のセンサーモジュールと異なり、圧力センサーではなく加速度センサー20Aを含んでいる。本実施形態では、圧力情報の代わりに加速度情報が得られる。また、ウォームアップ工程におけるクロックの周波数選択に使用するために温度を検出する温度センサー20Bも含んでいる。しかし、このようにセンサー部分が変化しても、MCU30Aの部分の構成やクロック生成切り替え部46が行う制御にほとんど変更はない。そのため、第1実施形態と同じ制御手法によって、様々な物理量センサー第2実施形態では加速度センサーを含むセンサーモジュールを実現することができる。3.その他これらの例示に限らず、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。