"表面および裏面を有し、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で用いられ、前記裏面から光が取り出される発光素子であって、前記裏面を形成し、発光層の発光波長λに対して透明な基板と、前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、前記n型導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成されたp型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層上に形成され、前記発光層の発光波長λに対して透明な透明電極層と、前記透明電極層上に形成され、前記透明電極層を透過した光を前記裏面側へ反射させる反射電極層とを含み、前記透明電極層の厚さTが、下記式1で表される、発光素子。式1中、λは前記発光層の発光波長を示し、nは前記透明電極層の屈折率を示す。前記透明電極層は、前記p型窒化物半導体層に接触した状態で前記p型窒化物半導体層上に形成され、第1の厚さt1を有する第1電極層と、当該第1電極層上に形成され、前記第1の厚さt1とは異なる第2の厚さt2を有する第2電極層とを含む、請求項1に記載の発光素子。前記第1電極層の光吸収率が、前記第2電極層の光吸収率と異なる、請求項2に記載の発光素子。前記透明電極層は、ITOまたはZnOからなる、請求項1~3のいずれか一項に記載の発光素子。前記発光波長λは、450nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載の発光素子。前記反射電極層が、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、前記透明電極層に接触した状態で前記透明電極層上に形成されている、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体発光素子。前記反射電極層は、前記透明電極層と同一パターンで前記透明電極層上に形成され、前記反射電極層において前記透明電極層に対向する対向面の全域が前記透明電極層に接触している、請求項6に記載の発光素子。前記透明電極層と前記反射電極層との間に絶縁層が存在しない、請求項6または7に記載の発光素子。前記白金族金属は、白金である、請求項6~8のいずれか一項に記載の発光素子。前記白金族金属は、パラジウムである、請求項6~8のいずれか一項に記載の発光素子。前記基板は、サファイア、GaNまたはSiCからなる、請求項1~10のいずれか一項に記載の発光素子。前記基板における前記n型窒化物半導体層との接合面には、複数の凸部が形成されている、請求項1~11のいずれか一項に記載の発光素子。複数の前記凸部は、離散配置されている、請求項12に記載の発光素子。複数の前記凸部は、行列状に配置されている、請求項13に記載の発光素子。複数の前記凸部は、千鳥状に配置されている、請求項14に記載の発光素子。前記発光層は、Inを含む、請求項1~15のいずれか一項に記載の発光素子。銀、半田またはAuSnからなり、前記反射電極層上に形成された接合層をさらに含む、請求項1~16のいずれか一項に記載の発光素子。表面および裏面を有する配線素子と、前記接合層を下方に向けたフェイスダウン姿勢で前記配線素子に接合された請求項17に記載の発光素子とを含む、発光素子ユニット。前記発光素子は、前記配線素子と前記n型窒化物半導体層とをつなぐn型電極層を含む、請求項18に記載の発光素子ユニット。前記発光素子は、前記n型電極層と前記反射電極層とを分離絶縁する分離絶縁層を含む、請求項19に記載の発光素子ユニット。請求項18~20のいずれか一項に記載の発光素子ユニットと、前記発光素子ユニットを覆う樹脂パッケージとを含む、発光素子パッケージ。特許文献1の半導体発光素子90のように、光の一部を金属反射層93に反射させて取り出すフリップチップ構造の発光素子では、以下の3つの原因により、発光層13で発生した光の取り出し効率が低下し、十分な輝度を得ることが困難であるという不具合がある。第1に、金属反射層93での光の反射率が100ではないことが挙げられる。そのため、金属反射層93に衝突した光の一部は、金属反射層93に吸収される。第2に、透明電極91と、絶縁層94およびp-GaN層14とのそれぞれの間に界面が存在することが挙げられる。そのため、金属反射層93で反射した光の一部は、透明電極91を通過して取り出されずに各界面で反射し、2つの界面間を繰り返し反射多重反射する。第3に、透明電極91自体が、光吸収することが挙げられる。そのため、金属反射層93で反射した光の一部は、透明電極91を通過するまでの間に透明電極91に吸収される。そこで、本発明の目的は、透明電極層内における多重反射を抑えることにより、反射損失および膜内光吸収を低減し、高輝度化を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニット、発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージを提供することである。本発明の発光素子は、表面および裏面を有し、前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で用いられ、前記裏面から光が取り出される発光素子であって、前記裏面を形成し、発光層の発光波長λに対して透明な基板と、前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、前記n型導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成されたp型窒化物半導体層と、前記p型窒化物半導体層上に形成され、前記発光層の発光波長λに対して透明な透明電極層と、前記透明電極層上に形成され、前記透明電極層を透過した光を前記裏面側へ反射させる反射電極層とを含み、前記透明電極層の厚さTが、下記式1で表される請求項1。式1中、λは前記発光層の発光波長を示し、nは前記透明電極層の屈折率を示す。なお、発光波長λとは、発光層からの発光スペクトルのピーク波長のことを意味する。また、発光波長λに対して透明とは、たとえば、発光波長λの透過率が60以上の場合をいう。一般的に、透明電極層の厚さがλ/4nλ:発光波長、n:透明電極層の屈折率の整数倍であれば、p型窒化物半導体層との界面での反射率を低くできると考えられている。そのため、従来、透明電極層の厚さは、λ/4nの整数倍となるように光学的に設計されていた。この設計は、反射電極層で反射する光が透明電極層に対して垂直に入射する垂直成分だけであるという前提に基づくものである。しかしながら、実際には、反射電極層で反射する光は、垂直成分だけでなく、透明電極層に対して斜めに入射することもある。そのため、透明電極層の厚さをλ/4nの整数倍となるように設計しても、光の斜め成分が透明電極層とp型窒化物半導体層との界面で反射し、その反射した光が透明電極層で多重反射する。すなわち、透明電極層の厚さをλ/4nの整数倍に設計するだけで光の取り出し効率を向上させるには限界がある。そこで、この構成によれば、透明電極層の厚さTが、下記式1で表される大きさであるため、透明電極層の厚さをλ/4nの整数倍に設計する場合に比べて、透明電極層とp型窒化物半導体層との界面での光の反射を減らすことができる。その結果、透明電極層内における光の多重反射を減らすことができるので、光の取り出し効率を向上させることができる。よって、発光素子を高輝度化することができる。式1中、λは前記発光層の発光波長を示し、nは前記透明電極層の屈折率を示す。前記透明電極層は、前記p型窒化物半導体層に接触した状態で前記p型窒化物半導体層上に形成され、第1の厚さt1を有する第1電極層と、当該第1電極層上に形成され、前記第1の厚さt1よりも大きい第2の厚さt2を有する第2電極層とを含むことが好ましい請求項2。たとえば、透明電極層は、所定のエネルギを与えられた電極材料をp型窒化物半導体層に堆積させることにより形成される。そのため、エネルギが大きすぎると、p型窒化物半導体層が大きなダメージを受けるので好ましくない。そこで、p型窒化物半導体層に接する第1電極層を小さなエネルギで堆積させれば、p型窒化物半導体層へのダメージを低減できる。ただし、低エネルギで堆積された第1電極層のみで透明電極層を形成すると、膜内の密度が低く、好ましい膜質とはいえない。そこで、第1電極層の厚さt1で薄く形成した後は、高エネルギで厚さt2の第2電極層を堆積させて、透明電極層全体の厚さTを調整することにより、透明電極層全体の膜質を改善することができる。また、前記第1電極層の光吸収率は、前記第2電極層の光吸収率と異なっていてもよい請求項3。前記透明電極層は、ITOまたはZnOからなることが好ましい請求項4。前記発光波長λは、450nmであることが好ましい請求項5。前記反射電極層は、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなり、前記透明電極層に接触した状態で前記透明電極層上に形成されていることが好ましい請求項6。銀と白金族金属と銅とを含む合金からなる反射電極層と透明電極層との界面では、透明電極層と反射電極層との間に絶縁層を挟んだ場合における絶縁層と反射電極層との界面と同等程度に、光を良好に反射できる。また、反射電極層が透明電極層に接触した状態で透明電極層上に積層されているから、発光層が発光することによって発生した熱を、透明電極層から反射電極層に直接伝えて、反射電極層から発光素子の外部へ効率的に放熱することができる。よって、放熱効率および光の取り出し効率の向上を図ることができる。前記反射電極層は、前記透明電極層と同一パターンで前記透明電極層上に形成され、前記反射電極層において前記透明電極層に対向する対向面の全域が前記透明電極層に接触していることが好ましい請求項7。この構成によれば、反射電極層と、透明電極層と、これらの接触部分とは、積層方向基板の厚さ方向から見て、完全に重なっている。つまり、反射電極層および透明電極層において、互いに重なっていない部分が存在しない。そのため、反射電極層および透明電極層には、互いに重なっていない部分に起因する凹凸が存在しない。これにより、発光層から透明電極層を透過した光を、透明電極層と反射電極層との界面に確実に入射させて、この界面で効率的に反射させることができる。また、積層方向から見て、反射電極層と透明電極層とが同じ大きさなので、透明電極層と反射電極層との界面反射面を最大限の大きさにして、透明電極層を透過した光を当該界面で効率的に反射させることができる。これらの結果、光の取り出し効率の一層の向上を図ることができる。また、前述した凹凸が存在しないので、発光素子における外部の配線素子との接合面を平坦にして、発光素子と配線素子との接合面積を大きく確保できるので、発光素子から配線素子への放熱効率の一層の向上を図ることができる。前記発光素子では、前記透明電極層と前記反射電極層との間に絶縁層が存在しないことが好ましい請求項8。この構成によれば、絶縁層が存在しなくても、前記合金からなる反射電極層によって、反射電極層と透明電極層との界面で光を良好に反射させることができる。そして、絶縁層が存在しないことから、絶縁層に起因する放熱効率および光の取り出し効率の低下を防ぐことができる。前記白金族金属は、白金またはパラジウムであることが好ましい請求項9および10。前記基板は、サファイア、GaNまたはSiCからなることが好ましい請求項11。前記基板における前記n型窒化物半導体層との接合面には、複数の凸部が形成されていることが好ましい請求項12。この構成によれば、n型窒化物半導体層から基板へ向かう光が前記接合面でn型窒化物半導体層側へ反射することを抑制できるので、その分、光の取り出し効率の向上を図ることができる。複数の前記凸部は、離散配置されていることが好ましい請求項13。この場合、複数の前記凸部は、行列状に配置されていてもよく請求項14、千鳥状に配置されていてもよい請求項15。前記発光層は、Inを含むことが好ましい請求項16。また、前記発光素子は、銀、半田またはAuSnからなり、前記反射電極層上に形成された接合層を含んでいることが好ましい請求項17。これにより、発光素子と、前記接合層に接合された配線素子とを含む発光素子ユニットを構成し、配線素子から発光素子に電圧を印加できる請求項18。前記発光素子は、前記配線素子と前記n型窒化物半導体層とをつなぐn型電極層を含んでいることが好ましい請求項19。この構成によれば、n型電極層と反射電極層との間に電圧が印加されることで、発光層から光が発生する。発光素子は、前記n型電極層と前記反射電極層とを分離絶縁する分離絶縁層を含んでいることが好ましい請求項20。そして、発光素子ユニットと、前記発光素子ユニットを覆う樹脂パッケージとを含む発光素子パッケージを構成することができる請求項21。以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子の模式的な断面図である。図2は、発光素子の模式的な平面図である。図3は、発光素子の模式的な斜視図である。この発光素子1は、基板2と、n型窒化物半導体層3と、発光層4と、p型窒化物半導体層5と、透明電極層6と、反射電極層7と、n型電極層8と、分離絶縁層9と、接合層10とを備えている。基板2上に、n型窒化物半導体層3、発光層4、p型窒化物半導体層5、透明電極層6、反射電極層7、n型電極層8、分離絶縁層9および接合層10が形成されている。基板2は、発光層4の発光波長λたとえば450nmに対して透明な材料たとえばサファイア、GaNまたはSiCからなる。基板2の厚さは、たとえば、400μmである。基板2では、図1における下面が裏面2Aであり、図1における上面が表面2Bである。裏面2Aは、光が取り出される光取出し面であって、発光素子1の裏面を形成している。表面2Bは、基板2におけるn型窒化物半導体層3との接合面である。n型窒化物半導体層3は、基板2上に積層されている。n型窒化物半導体層3は、基板2の表面2Bの全域を覆っている。n型窒化物半導体層3は、n型のGaNからなり、発光層4の発光波長λに対して透明である。n型窒化物半導体層3について、図1において基板2の表面2Bを覆う下面を裏面3Aといい、裏面3Aとは反対側の上面を表面3Bということにする。表面3Bでは、図1における左側の領域が部分的に突出しており、これにより、表面3Bには、段差が形成されている。発光層4は、n型窒化物半導体層3上に積層されている。発光層4の積層構造は、ドライエッチング法によって形成される。発光層4は、n型窒化物半導体層3の表面3Bにおいて、図1における左寄りの突出した領域を部分的に覆っている。発光層4は、Inを含む窒化物半導体たとえばInGaNからなる。発光層4について、図1においてn型窒化物半導体層3の表面3Bの左寄りの領域を覆う下面を裏面4Aといい、裏面4Aとは反対側の上面を表面4Bということにする。p型窒化物半導体層5は、発光層4上に積層されている。p型窒化物半導体層5は、発光層4の表面4Bの全域を覆っている。p型窒化物半導体層5の積層構造は、発光層4の積層構造と併せて、ドライエッチング法によって形成される。p型窒化物半導体層5は、p型のGaNからなり、発光層4の発光波長λに対して透明である。n型窒化物半導体層3、発光層4およびp型窒化物半導体層5の全体の厚さは、最大で、たとえば6.5μmである。p型窒化物半導体層5について、図1において発光層4の表面4Bを覆う下面を裏面5Aといい、裏面5Aとは反対側の上面を表面5Bということにする。透明電極層6は、p型窒化物半導体層5上に積層されている。透明電極層6は、p型窒化物半導体層5の表面5Bのほぼ全域を覆っている。透明電極層6の積層構造は、たとえばリフトオフ法によって形成される。透明電極層6は、ZnO酸化亜鉛またはITO酸化インジウム錫からなり、発光層4の発光波長λに対して透明である。この実施形態では、透明電極層6は、ITOからなる。透明電極層6の厚さTは、下記式1で表される。式1中、λは発光層4の発光波長を示し、nは透明電極層6の屈折率を示す。たとえば、ITOの屈折率nが2.0であるので、発光層4の発光波長λが450nmである場合、透明電極層6の厚さTは、1850Å~1950Å程度である。透明電極層6において、図1においてp型窒化物半導体層5の表面5Bを覆う下面を裏面6Aといい、裏面6Aとは反対側の上面を表面6Bということにする。反射電極層7は、透明電極層6と同一パターンで透明電極層6上に積層されている。反射電極層7は、図1における透明電極層6の表面6Bの全域を、表面6Bからはみ出ることなく覆っている。反射電極層7において、図1での透明電極層6の表面6Bを覆う下面を裏面7Aといい、裏面7Aとは反対側の上面を表面7Bということにする。反射電極層7では、裏面7Aが透明電極層6の表面6Bに対向する対向面であり、裏面7Aの全域が透明電極層6の表面6Bに接触面接触している。そのため、透明電極層6と反射電極層7との間には、他のものたとえば絶縁層は存在しない。反射電極層7は、この実施形態では、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなる。当該白金族金属として、白金やパラジウムを用いる事ができる。各金属の配合比率は、銀が98程度であり、白金族金属および銅のそれぞれが1程度である。反射電極層7の厚さは、たとえば50nm~500nmであり、好ましくは、350nmである。n型電極層8は、n型窒化物半導体層3の表面3Bにおいて図1における右側領域に形成されている。n型電極層8は、n型窒化物半導体層3の表面3Bにおいて、前述した段差を形成するために裏面3A側へ一段低くなった部分に形成されている。n型電極層8は、AlやCrからなる。この実施形態では、Alをn型窒化物半導体層3に接するように形成し、そのAl上にCrを形成することでn型電極層8を構成している。n型電極層8の厚さは、たとえば約26000Åである。n型電極層8において、図1でのn型窒化物半導体層3の表面3Bと接する面を裏面8Aといい、裏面8Aとは反対側の面を表面8Bということにする。n型窒化物半導体層3、発光層4、p型窒化物半導体層5、透明電極層6および反射電極層7のそれぞれの側面は、たとえばSiO2からなる分離絶縁層9によって覆われている。これにより、発光層4、p型窒化物半導体層5、透明電極層6および反射電極層7と、n型電極層8とが分離絶縁されている。分離絶縁層9では、SiO2の代わりに、SiNやAlNやAl2O3やSiONなども代用できる。分離絶縁層9の厚みは500Å~50000Åであり、たとえば1000Åである。なお、図2および図3では、分離絶縁層9の図示が省略されている。接合層10は、反射電極層7上およびn型電極層8上に積層されている。接合層10は、たとえば、Ag、TiもしくはPtまたはこれらの合金からなる。接合層10は、半田またはAuSnからなってもよい。さらに、接合層10からの反射電極層7やn型電極層8への拡散を抑えるために、接合層10にPtなどを挿入してもよい。この実施形態では、接合層10は、Ti、Pt、AuSnを反射電極層7およびn型電極層8の側からこの順番で積層することによって構成されている。接合層10において、図1で反射電極層7やn型電極層8と接する下面を裏面10Aといい、裏面10Aとは反対側の上面を表面10Bということにする。この表面10Bは、発光素子1の表面を形成している。また、反射電極層7に接する接合層10の表面10Bを、p型電極部12といい、n型電極層8に接する接合層10の表面10Bを、n型電極部13という。p型電極部12とn型電極部13とはいずれも平坦面であり、同じ高さ位置において面一になっている図3も参照。前述したように分離絶縁層9によって反射電極層7とn型電極層8とが分離絶縁されているので、反射電極層7上の接合層10のp型電極部12と、n型電極層8上の接合層10のp型電極部12とは、分離絶縁層9によって分離絶縁されている。平面視において、p型窒化物半導体層5、透明電極層6、反射電極層7、および、p型電極部12における接合層10のそれぞれは、たとえば、略E字形状であり、n型電極層8、および、n型電極部13における接合層10のそれぞれは、略I字形状である図2参照。また、n型電極層8は、p型窒化物半導体層5、透明電極層6、反射電極層7および接合層10p型電極部12のそれぞれのE字形状における2つの隙間に入り込む延設部8Cを有している図2および図3参照。この発光素子1では、p型電極部12とn型電極部13との間に順方向電圧を印加すると、発光層4から、発光波長λ440nm~460nmの光が発生する。この光は、n型窒化物半導体層3および基板2をこの順で透過して基板2の裏面2Aから取り出される。発光層4からp型窒化物半導体層5側に向かった光は、p型窒化物半導体層5および透明電極層6をこの順で透過して、透明電極層6と反射電極層7との界面で反射される。反射した光は、透明電極層6、p型窒化物半導体層5、発光層4、n型窒化物半導体層3および基板2をこの順で透過して基板2の裏面2Aから取り出される。基板2の表面2Bには、n型窒化物半導体層3側へ突出する凸部11が複数形成されている。図4Aおよび図4Bは、基板の構造例を示す模式的な斜視図である。複数の凸部11は、離散配置されている。具体的には、複数の凸部11は、互いに間隔を空けて行列状に配置されていてもよいし図4A参照、千鳥状に配置されていてもよい図4B参照。各凸部11は、SiNで形成されている。凸部11が形成されるとともに、各凸部11がSiNで形成されていることによって、様々な角度から入射される光が基板2の表面2Bで全反射することを抑制する効果が得られる。これにより、n型窒化物半導体層3から基板2へ向かう光が、n型窒化物半導体層3と基板2との界面においてn型窒化物半導体層3側へ反射することが抑制される。すなわち、光の取り出し効率が向上する。図5A~図5Hは、図1に示す発光素子の製造方法を示す模式的な断面図である。まず、図5Aに示すように、基板2を作製する。次いで、基板2の表面2Bに、SiNからなる層SiN層を形成し、レジストパターン図示せずをマスクとするエッチングにより、このSiN層を、図5Bに示すように、複数の凸部11に分離する。次いで、基板2の表面2B上に、n型のGaNからなる層n-GaN層を形成する。n-GaN層は、n型窒化物半導体層3となって基板2上に積層され、全ての凸部11を覆う。次いで、図5Cに示すように、n型窒化物半導体層3の表面3B上に、Inを含む窒化物半導体層たとえばInxGa1-XN層を形成する。この層が、n型窒化物半導体層3上に積層される発光層4になる。発光層4の発光波長λは、InおよびGaの組成を調整することで、440nm~460nmに制御される。次いで、発光層4の表面4B上に、p型窒化物半導体層5として、p型のGaNからなる層p-GaN層を形成する。p型窒化物半導体層5を、Alを混入させたp-AlGaN層や、p-GaN層とp―AlGaN層との積層構造にしても構わない。次いで、p型窒化物半導体層5上に、透明電極層6を形成すべき領域に開口を有するレジストパターン図示せずが形成される。続いて、当該レジストパターンを介して、たとえば、スパッタ法により、ITO材料がp型窒化物半導体層5上に堆積される。そして、ITO材料の不要部分をレジストパターンとともにリフトオフする。これにより、図5Dに示すように、たとえば、ITOからなる層ITO層をp型窒化物半導体層5の表面5B上に選択的に形成する。このITO層が透明電極層6になる。透明電極層6を形成する際、p型窒化物半導体層5と透明電極層6との電気的接合性および密着性を良好にするために熱処理を加えても良く、その場合、たとえば500~700°Cの温度で熱処理する。次いで、透明電極層6の表面6Bおよびp型窒化物半導体層5の表面5Bの上に、全面に亘って、銀と白金族金属と銅とを含む合金の層合金層を形成し、この合金層に対して、レジストパターン図示せずをマスクとするエッチングを施すことで、図5Dに示すように、透明電極層6上に、透明電極層6と同一パターンで反射電極層7を形成する。次いで、レジストパターン図示せずをマスクとするエッチングにより、図5Eに示すように、p型窒化物半導体層5、発光層4およびn型窒化物半導体層3のそれぞれを選択的に除去する。次いで、図5Fに示すように、レジストパターン図示せずによるリフトオフ法によってn型窒化物半導体層3の表面3B上にn型電極層8を形成する。n型電極層8としては、Alや、TiとAlとの積層構造等を用いることができる。n型電極層8を形成する際、n型電極層8とn型窒化物半導体層3との密着性や電気的接合性を向上させるために熱処理を施してもよい。次いで、図5Gに示すように、SiO2からなる分離絶縁層9を形成する。分離絶縁層9は、n型窒化物半導体層3の表面3Bにおいてp型電極部12図1参照に近い領域の一部と、発光層4、p型窒化物半導体層5、透明電極層6および反射電極層7のそれぞれの側面と、反射電極層7の表面7Bの一部とを覆うように形成される。分離絶縁層9の形成方法は、レジストパターン図示せずによるリフトオフ法でも、エッチオフ法でもよい。分離絶縁層9としては、SiO2以外に、SiNやAlN、Al2O3、SiONなどを用いることができる。次いで、レジストパターン図示せずによるリフトオフ法により、接合層10を、反射電極層7の表面7B上と、n型電極層8の表面8B上とに形成する。本実施形態では、接合層10として、AuSnからなる層AuSn層を用いている。さらに、このAuSn層の拡散から反射電極層7およびn型電極層8を保護するために、接合層10にPtを挿入している。また、接合層10では、反射電極層7およびn型電極層8との密着性を良くするために、Tiを用いている。そのため、本実施形態の接合層10では、Ti、PtおよびAuSnが、反射電極層7およびn型電極層8側からこの順番で積層されている。ここまでの工程により、図1の構造が形成される。ここまででは、半導体ウエハ工程を図解説明したが、この工程以後に、研削研磨工程によってウエハの厚みをたとえば300μmに調整し、素子分離工程スクライブブレーキングによってウエハ状態からチップ状態へと加工すると、最終的に図1の発光素子1が個別に得られる。図6は、配線素子の模式的な断面図である。発光素子1は、接合層10によって配線素子20に接合される。図6を参照して、配線素子20は、ベース基板21と、絶縁層22と、電極層23と、接合層24とを備えている。ベース基板21はたとえばSiからなり、その厚さは、たとえば130μmである。絶縁層22は、たとえばSiO2からなり、ベース基板21の表面図6における上面の全域を覆っている。絶縁層22の厚さは、たとえば1000Åである。ベース基板21の裏面図6における下面は、配線素子20の裏面を形成している。電極層23は、たとえばAlからなり、厚さはたとえば25000Åである。電極層23は、ここでは、絶縁層22上の2箇所に設けられ、図6では、左右に隔てた状態で絶縁層22上に2つ形成されている。接合層24は各電極層23上に積層されている。接合層24は、ベース基板21側のTi層25と、Ti層25上に積層されたAu層26とを含む2層構造である。Ti層25は、Tiからなり、その厚さは、たとえば1000Åである。Au層26は、Auからなり、その厚さは、たとえば10000Åである。接合層24において電極層23に接触している面とは反対側の面図6における上面が、表面24Aとされる。表面24Aは、平坦面であって、配線素子20の表面を形成している。図7は、配線素子の模式的な平面図である。図7に示すように、平面視において、接合層24全体は、p型電極部12と同形状の略E字形状と、n型電極部13と同形状の略I字形状とを合わせた形状を有している図2も参照。図8は、発光素子パッケージの模式的な断面図である。図9は、配線素子の模式的な平面図であって、配線素子と発光素子との接合状態を示している。図10は、発光素子パッケージの模式的な斜視図である。発光素子パッケージ50は、発光素子ユニット30と支持基板31と樹脂パッケージ40とを含んでいる。配線素子20を、図6に示すように、接合層24の表面24Aが上を向くようなフェイスアップ姿勢にする。また、図1に示す発光素子1を、接合層10の表面10Bp型電極部12およびn型電極部13が下を向くようなフェイスダウン姿勢図1とは上下が逆の姿勢にし、図6の姿勢にある配線素子20に対して上から対向させる。発光素子1を配線素子20に接近させると、図8に示すように、接合層10の表面10Bと接合層24の表面24Aが面接触する。具体的には、接合層10において、p型電極部12が、図8における左側の接合層24の表面24Aに対して面接触し、n型電極部13が、図8における右側の接合層24の表面24Aに対して面接触する。そして、この状態で熱処理工程を施し、接合層10と接合層24とを融解固着させて接合する。その結果、発光素子1と配線素子20とが一体化されて発光素子ユニット30となる。完成した発光素子ユニット30では、図9においてハッチングを付して示すように、接合層10の表面10Bと接合層24の表面24Aとが重なって接合されている。接合層10の表面10Bと接合層24の表面24Aとは平坦かつ面一であるため、接合層10の表面10Bと接合層24の表面24Aとにおいて接合されていない部分が生じることはない。よって、接合層10の表面10Bと接合層24の表面24Aとは全面接合されている。この接合により、接合層10と接合層24とは、電気的にも接合される。図8を参照して、発光素子ユニット30は、支持基板31に接合されている。支持基板31は、発光素子ユニット30を支持する絶縁基板32と、絶縁基板32の両端から露出するように設けられて、発光素子1と外部とを電気的に接続する金属製の一対のリード33とを有している。図8の姿勢を基準として、発光素子ユニット30では、発光素子1の基板2が一番上に位置して配線素子20のベース基板21が一番下に位置した状態で、ベース基板21が絶縁基板32に上から接合されている。そして、p型電極部12に接続された接合層24が積層された電極層23図8における左側の電極層23と、この電極層23側のリード33とが、ボンディングワイヤ34によって接続されている。また、n型電極部13に接続された接合層24が積層された電極層23図8における右側の電極層23と、この電極層23側のリード33とが、ボンディングワイヤ34によって接続されている。樹脂パッケージ40は、樹脂が充填されたケースであり、その内側に発光素子ユニット30を収容して覆って保護した状態で、支持基板31に固定されている。樹脂パッケージ40は、側方発光素子ユニット30に向かい合う部分に反射部40Aを有し、発光素子ユニット30の発光素子1から出射された光を反射させて外部へ取り出す。樹脂パッケージ40を構成する樹脂には、蛍光体や反射剤が含有されているものがある。例えば発光素子1が青色光を発光する場合、当該樹脂に黄色蛍光体を含有させることで発光素子パッケージ50は白色光を発光することができる。発光素子パッケージ50は、多数が集まることによって、電球などの照明機材に用いることもでき、また液晶テレビのバックライトや自動車等のヘッドランプに用いることもできる。なお、発光素子パッケージの構成は、発光素子パッケージ50の構成に限らず、たとえば、発光素子ユニット30のp型電極部12およびn型電極部13にそれぞれ電気的に接続される一対のリードフレームに、発光素子ユニット30がフリップ状に接合されてなる構成であってもよい。以上のように、この発光素子1では、発光層4が発光すると、ほとんどの光は、n型窒化物半導体層3を透過して基板2から取り出されるが、一部の光は、p型窒化物半導体層5および透明電極層6を順に透過してから透明電極層6と反射電極層7との界面で反射され、その後、基板2から取り出される。そして、発光素子1によれば、透明電極層6の厚さTが、下記式1で表される大きさであるため、透明電極層6の厚さTをλ/4nの整数倍に設計する場合に比べて、透明電極層6とp型窒化物半導体層5との界面、および透明電極層6と反射電極層7との界面での光の反射を減らすことができる。その結果、透明電極層6内における光の多重反射を減らすことができるので、光の取り出し効率を向上させることができる。よって、発光素子1を高輝度化することができる。具体的には、図11によって説明される。式1中、λは発光層4の発光波長を示し、nは透明電極層6の屈折率を示す。図11は、発光素子の輝度変化率とITO膜厚との関係を示すグラフである。図1に示す発光素子1と同様の構成を有する発光素子透明電極層6にはITO膜を使用し、窒化物半導体層にGaN層を使用を作製し、発光層を発光波長λ=450nmで発光させたときの輝度が、ITO膜の厚さITO膜厚によってどのように変化するかを調べた。結果は、例として、ITO膜厚=2050Åのときの輝度を基準1.000,標準条件にとり、当該標準条件に対する実験値の輝度の変化率を測定することにより評価した。たとえば、輝度変化率1.100の実験値は、標準条件よりも10輝度が上昇したことを示している。図11に示すように、ITO膜厚Tが上記式1を満たす実験値の輝度は、標準条件よりも2~13上昇していることがわかる。そして、このような輝度の上昇効果を達成する実験値は、図11の破線曲線で示される近似曲線で表すことができる。この近似曲線の位相は、ITO膜に垂直に入射する成分のみを考慮したときのITO膜の光透過率の変化量を示す曲線図11の実線曲線に対して、ITO膜厚が大きくなる側にシフトしていることがわかる。なお、実線曲線において、光透過率が高いほど、ITO膜内での多重反射が減るので、輝度は上昇する。すなわち、垂直成分を考慮するだけでなく、ITO膜に斜めに入射する光の成分も考慮する場合には、ITO膜厚の最適値破線曲線の頂部をなす部分が、ITO膜厚が大きくなる側にシフトすることがわかる。なお、図11では、発光波長λが450nmの場合のみを説明しているが、本発明の発光波長λは450nmの場合に限らない。また、銀と白金族金属と銅とを含む合金からなる反射電極層7と透明電極層6との界面では、透明電極層6と反射電極層7との間に絶縁層図示せずを挟んだ場合における絶縁層と反射電極層7との界面と同等程度に、光を良好に反射できる。また、反射電極層7が透明電極層6に接触した状態で透明電極層6上に積層されているから、発光層4が発光することによって発生した熱を、透明電極層6から反射電極層7に直接伝えて、反射電極層7から発光素子1の外部配線素子20へ効率的に放熱することができる。よって、放熱効率および光の取り出し効率のさらなる向上を図ることができる。また、反射電極層7は、透明電極層6と同一パターンで透明電極層6上に積層され、反射電極層7において透明電極層6に対向する裏面7Aの全域が透明電極層6の表面6Bに接触している。そのため、反射電極層7の裏面7Aと透明電極層6の表面6Bとは完全に重なっており、反射電極層7および透明電極層6には、互いに重なっていない部分に起因する凹凸が存在しない。これにより、発光層4から透明電極層6を透過した光を、凹凸に邪魔されることなく、透明電極層6と反射電極層7との界面で効率的に反射させて取り出すことができる。また、積層方向から見て、反射電極層7と透明電極層6とが同一パターンであるので、透明電極層6と反射電極層7との界面の面積を最大限の大きさにして、透明電極層6を透過した光を界面で効率的に反射させることができる。これらの結果、光の取り出し効率の一層の向上を図ることができる。また、前述した凹凸が存在しないので、発光素子1における外部の配線素子20との接合面接合層10の表面10Bを平坦にして、発光素子1と配線素子20との接合面積を大きく確保できる。この接合面積とは、接合層10の表面10Bと配線素子20側の接合層24の表面24Aとの接合面積である図9参照。この接合面積を大きく確保できるので、発光素子1から配線素子20への放熱効率の一層の向上を図ることができる。また、透明電極層6と反射電極層7との間に絶縁層が存在しない。絶縁層が存在しなくても、前述した合金からなる反射電極層7によって、反射電極層7と透明電極層6との界面で光を良好に反射させることができる。そして、絶縁層が存在しないことから、絶縁層に起因する放熱効率および光の取り出し効率の低下を防ぐことができる。また、基板2の表面2Bには、複数の凸部11が形成されているから、n型窒化物半導体層3から基板2へ向かう光が基板2の表面2Bでn型窒化物半導体層3側へ反射することを抑制できるので、その分、光の取り出し効率の向上を図ることができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、透明電極層6は、図12に示すように、p型窒化物半導体層5に接触した状態でp型窒化物半導体層上に積層され、第1の厚さt1を有する第1電極層61と、第1電極層61上に積層され、第1の厚さt1よりも大きい第2の厚さt2を有する第2電極層62との積層構造であってもよい。第1の厚さt1は、たとえば、5Å~500Åであり、第2の厚さt2は、たとえば、1400Å~1900Åである。また、第1電極層61の光吸収率発光波長450nmは、たとえば、0~5であり、第2電極層62の光吸収率発光波長450nmは、たとえば、0~2である。この図12の構成によれば、透明電極層6を形成する際に図5Dの工程、第1電極層61を小さなエネルギで堆積させれば、p型窒化物半導体層5へのダメージを低減できる。しかも、第1電極層61を厚さt1で薄く形成した後に、高いエネルギで第2電極層62を堆積させて、透明電極層6全体の厚さTを調整することにより、透明電極層6全体の膜質を改善することができる。また、反射電極層7は、銀と白金族金属と銅とを含む合金に限らず、たとえば、銀Ag、Rhロジウムなどであってもよい。また、反射電極層7は、透明電極層6に直に接している必要はなく、たとえば、反射電極層7と透明電極層6との間に絶縁層が介在されていてもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"