"支持体と、イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って前記支持体上に形成された圧電単結晶薄膜と、前記圧電単結晶薄膜上に形成された電極膜と、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層と、を備える圧電デバイス。前記応力層は、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成されており、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜である、請求項1に記載の圧電デバイス。前記圧縮応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化亜鉛、酸化タンタル、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである、請求項2に記載の圧電デバイス。前記応力層は、前記圧電単結晶薄膜と前記支持体との間に形成され、前記圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜である、請求項1に記載の圧電デバイス。前記引張応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである、請求項4に記載の圧電デバイス。前記支持体は、前記圧電単結晶薄膜を支持する支持層と、前記圧電単結晶薄膜と前記圧縮応力膜との間に形成された空隙層と、を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の圧電デバイス。前記電極膜がIDT電極である、請求項1から6のいずれか1項に記載の圧電デバイス。支持体と、前記支持体上に形成する圧電単結晶薄膜とを備える、圧電デバイスの製造方法であって、圧電単結晶基板にイオン化した元素を注入することで、前記圧電単結晶基板の中に注入された元素の濃度がピークとなる部分を形成するイオン注入工程と、前記支持体を前記圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する支持体形成工程と、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層を形成する応力層形成工程と、前記注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を前記圧電単結晶基板に対して行い、前記圧電単結晶薄膜を前記支持体上に形成する分離形成工程と、を有する圧電デバイスの製造方法。前記応力層形成工程は、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜を前記応力層として前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成する、請求項8に記載の圧電デバイスの製造方法。前記応力層形成工程は、前記応力層として、前記支持体の前記圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に、イオン注入層を形成する、請求項8に記載の圧電デバイスの製造方法。前記支持体形成工程は、前記応力層形成工程の後に行われ、前記応力層形成工程は、前記圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜を前記応力層として前記圧電単結晶基板の前記イオン注入面側に形成する、請求項8に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電単結晶薄膜上にIDT電極膜を形成する電極膜形成工程を有する、請求項8から11のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。前記圧電単結晶薄膜と前記支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記圧電結晶薄膜をエッチングし、前記犠牲層の一部を前記圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する露出工程と、前記孔部を介して前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を有する、請求項8から12のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。しかしながら、上記特許文献1の製造方法においてイオンを注入すると図1A参照、圧電基板5は、図2Aに示すように、圧電基板5のイオン注入層6側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電基板5のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。このように反った状態で圧電基板5と支持基板9とを接合すると図1C参照、イオン注入層6側の面7の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板9と接合されることになる。そのため、支持基板9と接合した後にイオン注入層で分離した時、図2Bに示すように、支持基板9の圧電薄膜5′側の面に対向する裏面4を圧縮する圧縮応力が圧電薄膜5′によりかかり、分離後の支持基板9は、圧電薄膜5′側を凸にして反ってしまう。よって、特許文献1の製造方法で製造された圧電薄膜デバイスでは、この分離時に該圧縮応力が分離面にかかるため、圧電薄膜5′の表面粗さが劣化してしまうという問題があった。また、当該圧縮応力が分離面に局所的に発生するため、分離後に支持基板9が割れ易いという問題もあった。したがって、本発明の目的は、イオン注入を起因とした、圧電薄膜の表面粗さの劣化と支持基板の割れを防ぐ圧電デバイス、及び当該圧電デバイスの製造方法を提供することにある。本発明の圧電デバイスは、上記課題を解決するために以下の構成を備えている。1本発明の圧電デバイスは、支持体と、イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って支持体上に形成された圧電単結晶薄膜と、圧電単結晶薄膜上に形成された電極膜と、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層と、を備える。この構成では、応力層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる。即ち、支持体では、応力層による収縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、本発明の圧電デバイスを製造するとき、イオン化した元素を注入された圧電単結晶基板から、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を行って圧電単結晶薄膜を支持体上に形成する分離形成工程において、次のような分離が行われる。即ち、圧電単結晶薄膜による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。よって、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化を防止できる。また、圧電単結晶薄膜による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持体が割れることもない。従って、この構成の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。2上記応力層は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成されており、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜である。この構成では、圧縮応力膜が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、圧縮応力膜による圧縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。3上記圧縮応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化亜鉛、酸化タンタル、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである。4上記応力層は、圧電単結晶薄膜と支持体との間に形成され、圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜である。この構成では、引張応力膜が圧電単結晶薄膜を引っ張ることにより支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。5上記引張応力膜の材質は、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムである。6上記支持体は、圧電単結晶薄膜を支持する支持層と、圧電単結晶薄膜と圧縮応力膜との間に形成された空隙層と、を有する。この構成では、引張応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。7前記電極膜がIDT電極である。また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上記課題を解決するために以下の構成を備えている。本発明は、支持体と、支持体上に接合する圧電単結晶薄膜とを備える圧電デバイスの製造方法に関するものである。8この圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、イオン注入工程、応力層形成工程、支持体形成工程、および分離形成工程を有する。イオン注入工程は、圧電単結晶基板にイオン化した元素を注入することで、圧電単結晶基板の中に注入された元素の濃度がピークとなる部分を形成する。支持体形成工程は、支持体を圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する。応力層形成工程は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を収縮させる応力層を形成する。分離形成工程は、注入された元素の濃度がピークとなる部分を分離面とした分離を圧電単結晶基板に対して行い、圧電単結晶薄膜を支持体上に形成する。この製造方法では、上記分離形成工程において、応力層が形成された状態で、圧電薄膜が支持体上に形成される。このとき、応力層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を収縮する。即ち、支持体では、応力層による収縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この製造方法では、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。そのため、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化を防止できる。また、圧電単結晶薄膜による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持体が割れることもない。従って、この構成の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。9上記応力層形成工程は、支持体の圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する圧縮応力膜を応力層として支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に形成する。この製造方法では、上記分離形成工程において、圧縮応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面に形成された状態で、圧電薄膜が支持体上に形成される。このとき、圧縮応力膜が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、圧縮応力膜による圧縮応力と圧電単結晶薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。10上記応力層形成工程は、応力層として支持体の圧電単結晶薄膜側の面に対向する裏面側に、イオン注入層を形成する。この製造方法において上記分離形成工程を経ると、イオン注入層が支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、イオン注入層による圧縮応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。11上記支持体形成工程は、応力層形成工程の後に行われ、上記応力層形成工程は、圧電単結晶薄膜を引っ張る引張応力膜を応力層として圧電単結晶基板のイオン注入面側に形成する。この製造方法では、上記分離形成工程において支持体の表面には、引張応力膜と単結晶の圧電薄膜とがこの順に積層される。このとき、引張応力膜が圧電薄膜を引っ張ることにより支持体における圧電単結晶薄膜側の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。12この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも電極膜形成工程を有する。電極膜形成工程は、支持体の表面上に形成された圧電単結晶薄膜上にIDTInterdigitalTransducer電極膜を形成する。13この発明の圧電デバイスの製造方法では、少なくとも、犠牲層形成工程、露出工程、および犠牲層除去工程を有する。犠牲層形成工程は、圧電単結晶薄膜と支持体との間に形成される空隙層となる空間に犠牲層を形成する。露出工程は、圧電結晶薄膜をエッチングし、犠牲層の一部を圧電薄膜の表面側に露出させる孔部を形成する。犠牲層除去工程は、孔部を介して犠牲層を除去する。この製造方法では、メンブレン構造を有する圧電デバイスを製造する。この製造方法では、上記分離形成工程において支持体の支持層と犠牲層の表面には、引張応力膜と単結晶の圧電薄膜とがこの順に積層される。このとき、引張応力膜が支持体の圧電単結晶薄膜側と犠牲層の面を圧縮する。即ち、支持体では、引張応力膜による引張応力と圧電薄膜による圧縮応力とが釣り合った状態となる。この発明によれば、圧電単結晶薄膜の表面粗さの劣化と支持体の割れを防ぐことができる。本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。図3は、第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図4、図5、図7、図8は、第1の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図6Aは、イオン注入された圧電薄膜により圧電単結晶基板が反る様子を模式的に示す図である。図6Bは、圧縮応力膜形成工程を経ていない分離工程終了時に圧電薄膜により支持基板が反る様子を模式的に示す図である。図6Cは、圧縮応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に圧縮応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。まず、図4Aに示すように、所定厚みからなる圧電単結晶基板1を用意する。また、後述の図5Aに示すように、所定厚みからなる支持基板50を用意する。圧電単結晶基板1は、タンタル酸リチウム基板を利用し、支持基板50は、Si基板を利用する。ここで、圧電単結晶基板1は、タンタル酸リチウム基板の他、ニオブ酸リチウム基板、四ホウ酸リチウム基板やランガサイト基板、ニオブ酸カリウム基板、を用いても構わない。また、支持基板50は、Si基板の他、ガラス等のセラミック、水晶、又はサファイア等を用いても構わない。より好ましくは、線膨張係数を合わせることができるので、圧電基板と同じ材料を用いるのがよい。そして、図4Bに示すように、圧電単結晶基板1の表面12側から水素イオンを注入することで、圧電単結晶基板1にイオン注入部分100を形成する図3:S101。例えば圧電単結晶基板1にタンタル酸リチウム基板を用いれば、加速エネルギー150KeVで1.0×1017atom/cm2のドーズ量により水素イオン注入を行うことにより、表面12から深さ約1μmの位置に水素分布部分が形成されて、イオン注入部分100が形成される。このイオン注入部分100は、圧電単結晶基板1に注入されたイオン元素の濃度がピークになる部分である。ここで、圧電単結晶基板1の厚みは、水素イオン層の深さに対して10倍以上の厚みであることが好ましい。この理由は、10倍以上の厚みがない場合、圧電単結晶基板1に過剰な反りが生じるためである。なお、圧電単結晶基板1にタンタル酸リチウム基板以外の素材を用いた場合、それぞれの基板に応じた条件でイオン注入を行う。次に、図5Aに示すように、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合する図3:S102。ここで、支持基板50が、本発明の支持体に相当する。なお、この接合には、直接接合と呼ばれる活性化接合や親水化接合や金属層を介した相互拡散を利用した接合を用いることができる。また、本実施形態では、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合しているが、実施の際は、支持基板50を、成膜等により圧電単結晶基板1上に形成しても構わない。ここで、上記S101のイオン注入工程においてイオンを注入すると、圧電単結晶基板1は、図6Aに示すように、圧電単結晶基板1のイオン注入部分100側を凸にして反りが生じる。この反りが生じる理由は、圧電単結晶基板1のイオン注入部分において圧電材料の結晶格子間距離が、注入されたイオン元素によって拡がるためである。仮に、このように反った状態で圧電単結晶基板1と支持基板50とを接合した場合、イオン注入部分100側の面12の圧電材料は、結晶格子間距離がイオン注入前の結晶格子間距離に比べて伸びた状態で支持基板50と接合することになる。そのため、支持基板50と接合した後の分離形成工程で、イオン注入部分を分離面として分離した時、支持基板50の圧電薄膜10側の面14に対向する裏面15を圧縮する圧縮応力が圧電薄膜10にかかり、分離後の支持基板50は、図6Bに示すように圧電薄膜10側を凸にして反ってしまう。そこで、図5Bに示すように、支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14に対向する裏面15に圧縮応力膜90を形成する図3:S103。圧縮応力膜90は、支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する膜、即ち支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を収縮させる応力層である。圧縮応力膜90は、例えば酸化シリコン、シリコン窒化膜、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルを利用する。圧縮応力膜90は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14に対向する裏面15に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。なお、支持基板50の面14が、本発明の支持体の圧電単結晶薄膜側の面に相当する。次に、図5Bに示す圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体をこの実施形態では500°Cまで加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う図3:S104。ここで、S104の分離形成工程は、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。S104の分離形成工程により、図5Cに示すように、支持基板50の表面14に、単結晶の圧電薄膜10が形成される。ここで、S104の分離形成工程において支持基板50には、図6Cに示すように、圧縮応力膜90が裏面15に形成された状態で、圧電薄膜10が表面14に形成される。このとき、圧縮応力膜90が支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する。即ち、支持基板50では、圧縮応力膜90による圧縮応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、支持基板50は、反りが生じず平らになる。よって、分離形成工程では、圧電薄膜10による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。そのため、圧電薄膜10の表面粗さの劣化を防止できる。実験では、圧縮応力膜90を形成しない特許文献1の製造方法では表面粗さRaが50~100nmであるのに対し、圧縮応力膜90を形成した本実施形態の製造方法では表面粗さRaを10~20nmにまで改善できることが明らかとなっている。また、圧電薄膜10による圧縮応力が分離面に局所的に発生することも無くなるため、分離後に支持基板50が割れることもない。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、圧電薄膜10の表面粗さの劣化と支持基板50の割れを防ぐことができる。また、圧電薄膜10を単結晶薄膜とすることで、スパッタ、蒸着、CVD法等で成膜される多結晶薄膜より圧電性に優れた薄膜を形成することができる。また、圧電単結晶基板1の結晶方位が圧電薄膜10の結晶方位となるため、圧電デバイスの特性に応じた結晶方位を有する圧電単結晶基板1を用意することで、該特性に応じた結晶方位を有する圧電薄膜10を形成できる。また、イオン注入、接合、分離により単結晶薄膜を形成しているため、1枚の圧電単結晶基板1から複数の圧電薄膜10を形成することができるため、単結晶の圧電材料を節約することができる。なお、この実施形態ではS103の圧縮応力膜形成工程において、支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14に対向する裏面15に圧縮応力膜90を形成しているが、実施の際は、支持基板50の当該裏面15側から水素イオンを注入することで、イオン注入部分100と同様のイオン注入層を支持基板50中に形成しても構わない。この場合、イオン注入層が支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する。即ち、支持基板50では、イオン注入層による圧縮応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この場合でも支持基板50は、反りが生じず平らになるため、この実施形態の製造方法と同様の効果を奏する。次に、分離形成した圧電薄膜10の表面をCMP処理等により研磨して平坦化する図3:S105。この表面粗さは、算術平均粗さRaで0.5nm以下が好ましい。次に、図7Aに示すように、圧電薄膜10の表面上に、Alアルミニウム等を用いて、所定膜厚の上部電極60A,60BとIDTInterdigitalTransducer電極60Cを形成する図3:S106。ここで、上部電極60A、60BとIDT電極60Cが、本発明の電極膜に相当する。なお、電極60A~60Cには、Alのみでなく、デバイスの仕様に応じて、Al,W、Mo、Ta、Hf、Cu、Pt、Ti、Au等を単体もしくは複数積層して用いてもよい。次に、図7Bに示すように、圧電薄膜10及び電極60A~60Cを保護するため、圧電薄膜10及び電極60A~60Cの表面に絶縁膜70を形成する図3:S107。次に、図8Aに示すように、絶縁膜70の上部電極60A,60Bを露出させる領域に開口部82A、82Bをエッチング等で形成する図3:S108。次に、図8Bに示すように、外部端子を形成する図3:S109。詳述すると、上部電極60A、60B上にバンプパッド61A、61Bを形成し、両バンプパッド61A、61B上にバンプ62A、62Bを形成する。最後に、支持基板50上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。このようにして薄膜型圧電デバイスを形成する。そのため、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できる。従って、この実施形態によれば、複数の薄膜型圧電デバイスを一括製造できるため、薄膜型圧電デバイスの製造コストを大幅に削減できる。以上の製造方法で製造された圧電デバイスは、図8Bに示すように、支持基板50と、イオンを注入された圧電単結晶基板1からイオン注入部分100で分離して支持基板50上に形成された単結晶の圧電薄膜10であって支持基板50上に接合された圧電薄膜10と、圧電薄膜10上に形成されたIDT電極膜60Cと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、支持基板50の圧電薄膜10側の面に対向する裏面に形成され、支持基板50の圧電薄膜10側の面を圧縮する圧縮応力膜90を備える。圧縮応力膜90は、圧電薄膜10の支持基板50側に形成され、支持基板50の圧電薄膜10側の面を収縮させる。この実施形態では、分離形成工程後に、圧縮応力膜90による圧縮応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜10による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜10の表面粗さの劣化と支持基板50の割れを防ぐことができる。次に、第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として弾性表面波デバイスの製造方法を例に説明する。図9は、第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図10、図12、図13は、図9に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図11は、引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。この実施形態の圧電デバイスの製造方法が第1の実施形態に示した圧電デバイスの製造方法と相違する点は、引張応力膜形成工程S202を行い、その後に接合工程S203を行う点である。即ち、図9のS201、S204~S209は、それぞれ第1の実施形態に示した図3のS101、S104~S109と同じである。詳述すると、まず、S201のイオン注入工程を経た圧電単結晶基板1を用意する。次に、図10Aに示すように、引張応力膜91を圧電単結晶基板1のイオン注入部分100側の面12に形成する図9:S202。そして、引張応力膜91の表面をCMP等により平坦化処理する。引張応力膜91は、支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する膜、即ち支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を収縮させる応力層である。引張応力膜91は、例えば酸化シリコン、シリコン窒化膜、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化タンタルを利用する。引張応力膜91は、蒸着、スパッタリング、CVD等により、圧電単結晶基板1のイオン注入部分100側の面12に成膜される。ただし、いずれの成膜方法でも支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を引っ張る膜が成膜されるよう、材料や膜厚などの成膜条件を設定する。次に、図10Bに示すように、支持基板50を圧電単結晶基板1に接合する図9:S203。なお、この接合方法は、第1の実施形態と同じである。次に、図10Cに示す圧電単結晶基板1と支持基板50との接合体をこの実施形態では500°Cまで加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う図9:S204。なお、この分離方法は、第1の実施形態と同じである。ここで、上記S204の分離形成工程により、支持基板50の表面14には、引張応力膜91と単結晶の圧電薄膜10とがこの順に積層される。このとき、図11に示すように、引張応力膜91が圧電薄膜10を引っ張ることにより支持基板50における圧電単結晶基板1側の面14を圧縮する。即ち、支持基板50では、引張応力膜91による引張応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この実施形態においても分離後の支持基板50は、反りが生じず平らになる。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。以後、S204の分離形成工程以降の全工程を経ると、図13Bに示す構造を有する圧電デバイスが得られる。この圧電デバイスは、支持基板50と、イオンを注入された圧電単結晶基板1からイオン注入部分100で分離して支持基板50上に形成された単結晶の圧電薄膜10であって支持基板50上に接合された圧電薄膜10と、圧電薄膜10上に形成されたIDT電極膜60Cと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、圧電薄膜10と支持基板50との間に形成され、圧電薄膜10を引っ張る引張応力膜91を備える。引張応力膜91は、圧電薄膜10の支持基板50側に形成され、支持基板50の圧電薄膜10側の面を収縮させる。この実施形態では、分離形成工程後に、引張応力膜91による引張応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜10による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜10の表面粗さの劣化と支持基板50の割れを防ぐことができる。次に、第3の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。図14は、第3の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図15、図17は、図13に示す圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。図16は、引張応力膜形成工程を経た後の分離工程終了時に引張応力膜により支持基板の反りが発生しない様子を模式的に示す図である。なお、以下の説明では、圧電デバイスの製造方法として、板波デバイス図17参照などのメンブレン構造を持つ圧電デバイスの製造方法を例に説明する。この実施形態の圧電デバイスの製造方法は、図14のS301、S307~S309、S312の工程が図9のS201、S205~S207、S209の工程と共通し、その他の工程S302~S306、S310、S311が相違するものである。まず、S301のイオン注入工程を経た圧電単結晶基板1を用意する。そして、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に、所定膜厚の犠牲層30を形成する図14:S302。犠牲層30は、具体的には、Ni,Cu,Al等の金属や、SiO2、ZnO、PSGリンケイ酸ガラス等の絶縁膜や、有機膜等から、条件に応じて適宜設定する。犠牲層30は、蒸着、スパッタリング、CVD、スピン塗布等により、支持基板50の表面上における空隙層80となる空間即ち、圧電薄膜10が圧電デバイスとして機能する振動領域および孔部81A、81Bの直下の空間に、成膜される。なお、実施の際は、犠牲層30を引張応力膜となるよう形成しても構わない。次に、圧電単結晶基板1におけるイオン注入部分100側の面12に、図15Aに示すように、所定膜厚の支持層40を形成する図14:S303。支持層40は、絶縁性材料からなり、シリコン酸化物や窒化物、アルミニウム酸化物、PSG等の無機物や、樹脂等の有機物を利用し、犠牲層30の除去のためのエッチングガスやエッチング液に対して強い耐性を有するものであればよい。支持層40は、蒸着、スパッタリング、CVD、スピン塗布等により、支持基板50の表面の一定領域犠牲層30を形成する領域を除外した領域に成膜される。即ち、この支持層40は、圧電薄膜10が圧電デバイスとして機能しない非振動領域の直下に形成される。そして、支持層40の膜厚は、メンブレンの中空領域を構成する空隙層80の深さに応じて平坦化される。なお、支持層40は、圧電単結晶基板1や犠牲層30に対して、線膨張係数を加味した上で材質を決定するとよりよい。次に、図15Bに示すように、引張応力膜91を圧電単結晶基板1の犠牲層30及び支持層40の表面に形成する図14:S304。そして、引張応力膜91の表面をCMP等により平坦化処理する。引張応力膜91の形成方法は、図9のS202と同じである。次に、図15Cに示すように、支持基板50を圧電単結晶基板1上の引張応力膜91の表面に接合する図14:S305。なお、この接合方法は、第2の実施形態と同じである。次に、図15Cに示す圧電単結晶基板1と支持基板50とを接合した接合体をこの実施形態では500°Cまで加熱し、イオン注入部分100を分離面とした分離を行う図14:S306。なお、この分離方法は、第2の実施形態と同じである。ここで、上記S306の分離形成工程により、支持基板50の犠牲層30及び支持層40の表面14′には、単結晶の圧電薄膜10が形成される図15D参照。このとき、図16に示すように、引張応力膜91が支持基板50の犠牲層30及び支持層40の面14′を圧縮する。即ち、支持基板50では、引張応力膜91による引張応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。そのため、この実施形態においても支持基板50は、反りが生じず平らになる。従って、この実施形態の圧電デバイスの製造方法によれば、第1の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様の効果を奏する。次に、第2の実施形態の製造方法と同様に、ポリッシングS307、図17に示すような上部電極60A,60BとIDT電極60Cの形成S308、絶縁膜の形成S309を行う。次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングした後、エッチングガスを流入させることで、犠牲層30の一部を圧電薄膜10の表面側に露出させる孔部81A,81Bを形成する図14:S310。そして、エッチングガスもしくはエッチング液を孔部81A,81Bを介して流入させることで、犠牲層30を除去する図14:S311。これにより、犠牲層30が形成されていた空間は、図17に示すような空隙層80となる。次に、第2の実施形態の圧電デバイスの製造方法と同様に、外部端子を形成する図14:S312。最後に、支持基板50上に形成された複数の薄膜型圧電デバイスから個別の薄膜型圧電デバイスに分割する分割工程を経て、モールド金型を用いたパッケージングを行う。これにより、図17に示す構造を有する圧電デバイスが得られる。この圧電デバイスは、支持基板50と空隙層80と支持層40とからなる支持体と、イオンを注入された圧電単結晶基板1からイオン注入部分100で分離して支持体上に形成された単結晶の圧電薄膜10であって支持体上に接合された圧電薄膜10と、圧電薄膜10上に形成されたIDT電極膜60Cと、を備える。さらに、当該圧電デバイスは、圧電薄膜10と支持体との間に形成され、圧電薄膜10を引っ張る引張応力膜91を備える。引張応力膜91は、圧電薄膜10の支持体側に形成され、支持体の圧電薄膜10側の面を収縮させる。この実施形態では、分離形成工程後に、引張応力膜91による引張応力と圧電薄膜10による圧縮応力とが釣り合った状態となる。よって、この構成の圧電デバイスにおいては、分離形成工程において、圧電単結晶薄膜10による分離面への圧縮応力を起因とした分離が行われず、注入イオン元素のガス化を起因とした分離が行われる。従って、この実施形態の圧電デバイスによれば、製造時における、圧電薄膜10の表面粗さの劣化と支持基板50の割れを防ぐことができる。なお、上述の実施形態では、板波デバイスを例に説明したが、他に、ジャイロ、RFスイッチ、振動発電素子等、圧電単結晶薄膜からなりメンブレンを有する各種デバイスに対しても、本発明の製造方法を適用することができる。また、上述の各実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"